【事件の表示】
　特願２０１５−１５９５７７「撮像素子，イメージセンサ，撮像装置，および情報処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　２月１６日出願公開，特開２０１７−　３８０１１，請求項の数（１４）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件審判請求に係る出願（以下，「本願」という。）は，２０１５年（平成２７年）　８月１２日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
令和　１年　８月　２日付け：拒絶理由通知
令和　１年１０月　７日　　：意見書，手続補正書の提出
令和　１年１２月２５日付け：拒絶理由（最後）通知
令和　２年　３月　９日　　：意見書の提出
令和　２年　７月１５日付け：拒絶査定（原査定）
令和　２年１０月２８日　　：審判請求書の提出
第２　原査定の概要
１　原査定（令和　２年　７月１５日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
理由１　本願請求項１−１４に係る発明は，以下の引用文献１−３に記載された発明に基いて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献１　特開２００９−４９５２４号公報
引用文献２　特開２０１２−２０９４８６号公報
引用文献３　特開２０１３−１８３０５６号公報
第３　本願発明
　本願請求項１−１４係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明１４」という。）は，令和　１年１０月　７日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１４に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１は，以下のとおりの発明である。
「　　【請求項１】
　光透過性を有し所定の軸方向に配向された有機光電変換膜と，それに電圧を印加し信号電荷を取り出すための電極を含み，前記所定の軸に平行な偏光成分を検出する第１の光検出層と，
　前記第１の光検出層より下層にあり，前記第１の光検出層で吸収された成分以外の偏光成分を検出する，無機光電変換素子を含む第２の光検出層と，
　を含むことを特徴とする撮像素子。」
　なお，本願発明２−１４は，本願発明１の全ての構成を有する発明である。
第４　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（当審注：下線は，参考のために当審で付与したものである。以下同様である。）
「【０００１】
　
本発明は，多数の画素を有する固体撮像素子を備える撮像装置に関する
「【００１９】
　以下，本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下の説明では，入射光のうちの青色（Ｂ）の波長域（一般的には約３８０ｎｍ〜約５２０ｎｍ）の光をＢ光といい，緑色（Ｇ）の波長域（一般的には約４５０ｎｍ〜約６１０ｎｍ）の光をＧ光といい，赤色（Ｒ）の波長域（一般的には約５５０ｎｍ〜約７００ｎｍ）の光をＲ光といい，赤外（ＩＲ）の波長域（一般的には約６８０ｎｍ〜約３０００ｎｍ）の光をＩＲ光という。
【００２０】
　（第一実施形態）
　
図１は，本発明の第一実施形態である固体撮像素子の概略構成を示す平面模式図である。
　
図１に示す固体撮像素子２００は，入射光のうちのＲ光に応じたＲ信号を出力可能な画素２０２Ｒと，入射光のうちのＧ光に応じたＧ信号を出力可能な画素２０２Ｇと，入射光のうちのＢ光に応じたＢ信号を出力可能な画素２０２Ｂとの３種類の画素を備え，これらの画素が，シリコン等の基板２０１上の行方向Ｘとこれに直交する列方向Ｙに二次元状に配列されている。
「【００２５】
　
図２は，図１に破線（イ）で囲った４つの画素の断面を１つに合成して図示した図である。
　
基板２０１は例えばｎ型のシリコン基板であり，この上にはｐウェル層２１１が形成されている。基板２０１とｐウェル層２１１とを合わせた部分が半導体基板を構成している。ｐウェル層２１１上には入射光に対して透明な絶縁層２２０が形成されている。絶縁層２２０上には，画素２０２Ｒの構成要素であるＲ光を透過するカラーフィルタ２２２Ｒ，画素２０２Ｇの構成要素であるＧ光を透過するカラーフィルタ２２２Ｇ，及び画素２０２Ｂの構成要素であるＢ光を透過するカラーフィルタ２２２Ｂからなるカラーフィルタ層が形成されている。カラーフィルタ層上には，画素毎に分割された入射光に対して透明な材料（例えば，ＩＴＯや薄い金属膜）からなる画素電極２２５が形成されている。画素電極２２５上には，ＩＲ光を吸収してこれに応じた電荷を発生する光電変換膜２２６が形成されている。光電変換膜２２６上には，入射光に対して透明な材料（例えば，ＩＴＯや薄い金属膜）からなる共通電極２２７が形成されている。共通電極２２７上には，入射光に対して透明な保護層２２８が形成されている。これら光電変換膜２２６，共通電極２２７，及び保護層２２８は，全ての画素で共通の１枚構成となっている。
【００２６】
　
光電変換膜２２６は，ＩＲ光を吸収してこの光に応じた電荷を発生すると共に，可視光を透過する有機光電変換材料（例えば，フタロシアニン系有機材料やナフタロシアニン系有機材料）で構成されている。光電変換膜２２６は，無機材料で構成したものであっても良い。画素電極２２５と共通電極２２７とに所定のバイアス電圧を印加して光電変換膜２２６に電界を印加すると，光電変換膜２２６では，入射したＩＲ光の光量に応じた信号電荷が発生する。
【００２７】
　尚，光電変換膜２２６と共通電極２２７は，それぞれ画素毎に対応して分割してあっても良い。共通電極２２７を画素毎に分割した場合は，分割した共通電極２２７を共通配線で接続して，それぞれに同一のバイアス電圧が印加できるようにしておけば良い。
【００２８】
　
画素２０２Ｒ，画素２０２Ｇ，及び画素２０２Ｂは，それぞれ，ｐウェル層２１１の一部と，カラーフィルタと，画素電極２２５と，光電変換膜２２６の一部と，共通電極２２７の一部と，マイクロレンズ２２９とを含んで構成されている。画素２０２Ｒ，画素２０２Ｇ，及び画素２０２Ｂの各々の構造は，カラーフィルタを除いて共通であるため，以下では，この共通の構造を，画素２０２Ｒを代表して説明する。
【００２９】
　
画素２０２Ｒのカラーフィルタ２２２Ｒの上には画素電極２２５が形成されている。この画素電極２２５と，この画素電極２２５に対向する共通電極２２７と，これらに挟まれた光電変換膜２２６とにより，ＩＲ光を検出する有機光電変換素子が構成される。
【００３０】
　
画素２０２Ｒのｐウェル層２１１内には，その表面から内側に形成されたｎ型の不純物層（以下，ｎ層という）２１２が形成されている。ｎ層２１２の表面から内側には，ｎ層２１２よりも不純物濃度の高い暗電流抑制用のｐ型の不純物層（以下，ｐ層という）２１３が形成されている。このｐウェル層２１１とｎ層２１２とｐ層２１３とにより，光電変換素子であるフォトダイオード（ＰＤ）２１４が構成されている。フォトダイオード２１４で発生した電荷はｎ層２１２に蓄積される。
【００３１】
　フォトダイオード２１４の左隣には，少し離間して信号読出回路２１５が形成されている。信号読出回路２１５は，例えば既存のＣＭＯＳ型イメージセンサで用いられる３トランジスタ構成または４トランジスタ構成等のトランジスタ回路が用いられ，行選択走査部２０３や画像信号処理部２０４も既存のＣＭＯＳ型イメージセンサで用いられるものと同じものを用いることができる。」
「【００３９】
　以上までに説明した構造が，各画素で共通の構造である。次に，各画素で異なる構造部分について説明する。
【００４０】
　画素２０２Ｒのフォトダイオード２１４上方には，このフォトダイオード２１４に対応するカラーフィルタ２２２Ｒが形成されている。画素２０２Ｇのフォトダイオード２１４上方には，このフォトダイオード２１４に対応するカラーフィルタ２２２Ｇが形成されている。画素２０２Ｂのフォトダイオード２１４上方には，このフォトダイオード２１４に対応するカラーフィルタ２２２Ｂが形成されている。
【００４０】
　このような構成により，画素２０２Ｒのフォトダイオード２１４は，Ｒ光を検出する第１の光電変換素子として機能し，画素２０２Ｇのフォトダイオード２１４は，Ｇ光を検出する第２の光電変換素子として機能し，画素２０２Ｂのフォトダイオード２１４は，Ｂ光を検出する第３の光電変換素子として機能する。このように，固体撮像素子２００の各画素には，有機光電変換素子とフォトダイオード２１４とが含まれた構成となっている。
【００４２】
　次に，このような構成の固体撮像素子２００の動作について説明する。
【００４３】
　
固体撮像素子２００に光が入射すると，画素２０２Ｒでは，入射光のうちのＩＲ光が光電変換膜２２６で吸収され，Ｒ光，Ｇ光，Ｂ光，紫外光が光電変換膜２２６を透過する。透過した光のうちのＲ光はカラーフィルタ２２２Ｒを透過し，フォトダイオード２１４に吸収される。
【００４４】
　
画素２０２Ｇでは，入射光のうちのＩＲ光が光電変換膜２２６に吸収され，Ｒ光，Ｇ光，Ｂ光，紫外光が光電変換膜２２６を透過する。透過した光のうちのＧ光はカラーフィルタ２２２Ｇを透過し，フォトダイオード２１４に吸収される。
【００４５】
　
画素２０２Ｂでは，入射光のうちのＩＲ光が光電変換膜２２６で吸収され，Ｒ光，Ｇ光，Ｂ光，紫外光が光電変換膜２２６を透過する。透過した光のうちのＢ光はカラーフィルタ２２２Ｂを透過し，フォトダイオード２１４に吸収される。
【００４６】
　
画素２０２Ｒにおける光電変換膜２２６では，入射したＩＲ光の光量に応じた信号電荷が発生する。画素２０２Ｒの光電変換膜２２６で発生した信号電荷は，画素２０２Ｒの画素電極２２５に集約され，画素２０２Ｒのコンタクト部２２４を通り，画素２０２Ｒの信号読出回路２１７で信号に変換されて，列信号線２０８にＩＲ信号として出力される。
【００４７】
　
画素２０２Ｇにおける光電変換膜２２６では，入射したＩＲ光の光量に応じた信号電荷が発生する。画素２０２Ｇの光電変換膜２２６で発生した信号電荷は，画素２０２Ｇの画素電極２２５に集約され，画素２０２Ｇのコンタクト部２２４を通り，画素２０２Ｇの信号読出回路２１７で信号に変換されて，列信号線２０８にＩＲ信号として出力される。
【００４８】
　
画素２０２Ｂにおける光電変換膜２２６では，入射したＩＲ光の光量に応じた信号電荷が発生する。画素２０２Ｂの光電変換膜２２６で発生した信号電荷は，画素２０２Ｂの画素電極２２５に集約され，画素２０２Ｂのコンタクト部２２４を通り，画素２０２Ｂの信号読出回路２１７で信号に変換されて，列信号線２０８にＩＲ信号として出力される。
「【００６５】
　図５は，被写体照度に対する光電変換素子２１４からの出力信号（ＰＤ信号）と有機光電変換素子からの出力信号（膜信号）の関係を示した図である。
　
有機光電変換素子は，光電変換素子２１４よりも受光面積が大きいため，そのダイナミックレンジが光電変換素子２１４のダイナミックレンジよりも大きくなっている。
【００６６】
　例えば，図６（ａ）に示すように，雲の存在する青空を背景にした建物を撮像する場合を考える。この被写体では，雲と青空のある領域が，光電変換素子２１４からの出力信号が飽和してしまう照度レベルである高照度領域となっているものとする。このような被写体を本実施形態のデジタルカメラで撮影すると，カラー画像データ生成部１７１で生成されたカラー画像データは，図６（ｂ）に示すように，高照度領域が白とびしたものとなってしまい，雲の部分の輪郭が消されたものとなってしまう。これに対し，赤外画像データ生成部１７２で生成された赤外画像データは，図６（ｃ）に示すように，高照度領域が白とびしていないものとなる。
【００６７】
　本実施形態のデジタルカメラでは，輪郭画像データ生成部１７３が，図６（ｃ）に示した赤外画像データから輪郭情報を抽出して図６（ｄ）に示したような輪郭画像データを生成し，画像合成部１７４が，図６（ｄ）に示す輪郭画像データと図６（ｂ）に示したカラー画像データとを合成して，図６（ｅ）に示すような合成画像データを生成するものとしている。図６（ｄ）に示す輪郭画像データには雲の輪郭が残っているため，これと図６（ｂ）に示すカラー画像データとを合成することで，図６（ｂ）の高照度領域で白とびして消えてしまっていた雲の輪郭を再現することが可能となる。」
「【００７０】
　以上のように，本実施形態のデジタルカメラは，
ダイナミックレンジの狭い光電変換素子２１４から得られた信号により生成したカラー画像データに，ダイナミックレンジの広い有機光電変換素子から得られた信号により生成した被写体の輪郭を表す輪郭画像データを合成して，記録媒体２１への記録用画像データを生成している。
「【図１】
」
「【図２】
」
（２）ここで，引用文献１に記載されている事項を検討する。
ア　引用文献１の段落００２０及び図１の記載を参酌すると，引用文献１の「固体撮像素子２００」は，「画素２０２Ｒ」，「画素２０２Ｇ」及び「画素２０２Ｂ」を備え，これらの画素がシリコン等の「基板２０１」に二次元状に配列されているものである。
イ　引用文献１の段落００２５及び図２の記載を参酌すると，引用文献１の「基板２０１」の上には「ｐウェル層２１１」が形成されており，「基板２０１」と「ｐウェル層２１１」とを合わせた部分が「半導体基板」を構成しており，「半導体基板」の「ｐウェル層２１１」の上には「絶縁層２２０」が，「絶縁層２２０」の上には，「カラーフィルタ層」が形成されている。
　そして，「カラーフィルタ層」上には「画素電極２２５」が，「画素電極２２５」上には，「光電変換膜２２６」が，「光電変換膜２２６」上には，「共通電極２２７」が，それぞれ形成されている。
　ここで，引用文献１の段落００２６には，「光電変換膜２２６」が，「ＩＲ光を吸収してこの光に応じた電荷を発生すると共に，可視光を透過する有機光電変換材料（例えば，フタロシアニン系有機材料やナフタロシアニン系有機材料）で構成」されており，「画素電極２２５と共通電極２２７とに所定のバイアス電圧を印加して光電変換膜２２６に電界を印加すると，」「入射したＩＲ光の光量に応じた信号電荷が発生する」ものである点が記載されている。
ウ　引用文献１の段落００２９には，「画素２０２Ｒ」における，「画素電極２２５」と，この「画素電極２２５」に対向する「共通電極２２７」と，これらに挟まれた「光電変換膜２２６」とにより，「ＩＲ光を検出する有機光電変換素子」が構成される点が記載されている。
　また，引用文献１の段落００３０には，「画素２０２Ｒ」における，「ｐウェル層２１１」と，「ｐウェル層２１１」内に内側に形成された「ｎ層２１２」と，「ｎ層２１２」の表面から内側に形成された「ｐ層２１３」とにより，「光電変換素子であるフォトダイオード（ＰＤ）２１４」が構成される点が記載されている。
　ここで，引用文献１の段落００２８には，「画素２０２Ｒ」，「画素２０２Ｇ」及び「画素２０２Ｂ」の各々の構造が，「カラーフィルタを除いて共通」である点も記載されている。
エ　引用文献１の段落００４３−００４５には，「画素２０２Ｒ」，「画素２０２Ｇ」及び「画素２０２Ｂ」において，「入射光のうちのＩＲ光が光電変換膜２２６で吸収され，Ｒ光，Ｇ光，Ｂ光，紫外光が光電変換膜２２６を透過する」とともに，カラーフィルタを透過した光が，「フォトダイオード２１４に吸収される」点が記載されている。
　また，段落００４６−００４８には，「光電変換膜２２６で発生した信号電荷」が，「画素電極２２５に集約され」る点も記載されている。
（３）上記（１），（２）から，上記引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「　画素２０２Ｒ，画素２０２Ｇ及び画素２０２Ｂを備え，これらの画素がシリコン等の基板２０１に二次元状に配列されている固体撮像素子２００であって，
　基板２０１の上にはｐウェル層２１１が形成されており，基板２０１とｐウェル層２１１とを合わせた部分が半導体基板を構成しており，
　ｐウェル層２１１の上には絶縁層２２０が，絶縁層２２０の上には，カラーフィルタ層が形成されており，
　カラーフィルタ層上には画素電極２２５が，画素電極２２５上には，光電変換膜２２６が，光電変換膜２２６上には，共通電極２２７が，それぞれ形成されており，
　光電変換膜２２６は，ＩＲ光を吸収してこの光に応じた電荷を発生すると共に，可視光を透過する有機光電変換材料（例えば，フタロシアニン系有機材料やナフタロシアニン系有機材料）で構成されており，
　画素２０２Ｒ，画素２０２Ｇ及び画素２０２Ｂにおいて，
　画素電極２２５と，この画素電極２２５に対向する共通電極２２７と，これらに挟まれた光電変換膜２２６とにより，ＩＲ光を検出する有機光電変換素子が構成され，
　画素電極２２５と共通電極２２７とに所定のバイアス電圧を印加して光電変換膜２２６に電界を印加すると，入射したＩＲ光の光量に応じた信号電荷が発生するものであり， 
　ｐウェル層２１１と，ｐウェル層２１１内に内側に形成されたｎ層２１２と，ｎ層２１２の表面から内側に形成されたｐ層２１３とにより，光電変換素子であるフォトダイオード（ＰＤ）２１４が構成され，
　入射光のうちのＩＲ光が光電変換膜２２６で吸収され，Ｒ光，Ｇ光，Ｂ光，紫外光が光電変換膜２２６を透過し，透過した光のうちのカラーフィルタを透過した光が，フォトダイオード２１４に吸収され，
　光電変換膜２２６で発生した信号電荷は，画素電極２２５に集約される固体撮像素子２００。」
２　引用文献２について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
　
本開示は，偏光有機光電変換素子，偏光有機光電変換素子の製造方法，偏光光学素子，撮像装置および電子機器に関する。本開示は，例えば，有機光電変換層を用いた偏光有機撮像装置に適用して好適な偏光有機光電変換素子およびその製造方法ならびにこの偏光有機光電変換素子を用いた偏光光学素子ならびにこの偏光有機光電変換素子あるいは偏光光学素子を用いた撮像装置あるいは各種の電子機器に関する。
「【００２４】
〈１．第１の実施の形態〉
［偏光有機光電変換素子］
　第１の実施の形態による偏光有機光電変換素子を図１Ａに示す。
【００２５】
　
図１Ａに示すように，この偏光有機光電変換素子は，第１の電極１１と第２の電極１２との間に有機光電変換材料からなる有機光電変換層１３が挟まれた構造を有する。
例えば，図１Ｂに示すように，この有機光電変換層１３は，その全体が同一の方向に一軸配向されたものである。
「【００２８】
　
有機光電変換層１３を構成する有機光電変換材料としては従来公知の各種のものを用いることができ，光電変換しようとする光の波長などに応じて適宜選ばれる。有機光電変換材料としては，具体的には，例えば，次のような各種の有機色素を用いることができるが，これらに限定されるものではない。
「【００２９】
〜前略〜
・Pigment Blue 7
　
フタロシアニンコバルト（ＩＩ）
【化２５】
〜後略〜
」
「【００３３】
［偏光有機光電変換素子の動作］
　
例えば，この偏光有機光電変換素子の第１の電極１１をバイアス印加電極，第２の電極１２をグラウンド電極（電位＝０）として用い，第１の電極１１にバイアス電圧を印加する。例えば，第２の電極１２を透明に構成する。この状態で偏光有機光電変換素子の第２の電極１２側に光が入射すると，この光は第２の電極１２を透過して有機光電変換層１３に入射する。この際，この入射光のうちの有機光電変換層１３の配向軸に平行な方向の偏光成分だけが有機光電変換層１３により光電変換される。
これによって，第１の電極１２と第２の電極１５との間に外部回路を接続した場合，この外部回路に光電流が流れる。この光電流を測定することにより，偏光有機光電変換素子に入射した光のうちの有機光電変換層１３の配向軸に平行な方向の偏光成分の検出を行うことができる。
「【図１】
」
（２）上記（１）の，特に図１Ｂに関する記載を参酌すると，上記引用文献２には次の発明（以下，「引用文献２に記載された発明」という。）が記載されていると認められる。
「　第１の電極１１と第２の電極１２との間に有機光電変換材料からなる有機光電変換層１３が挟まれた構造を有する偏光有機光電変換素子であって，
　有機光電変換層１３は，その全体が同一の方向に一軸配向されたものであり，
　有機光電変換層１３を構成する有機光電変換材料としては従来公知の各種のもの，具体的には，例えばフタロシアニンコバルトのような有機色素を用いることができ，
　偏光有機光電変換素子に入射した光のうちの有機光電変換層１３の配向軸に平行な方向の偏光成分の検出を行う偏光有機光電変換素子。」
３　引用文献３について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２２】
　無機光電変換部１１Ｂ，１１Ｒはそれぞれ、ｐｎ接合を有するフォトダイオード（Photo Diode）であり、半導体基板１１内に、例えば、面Ｓ１側から無機光電変換部１１Ｂ，１１Ｒの順に形成されている。これらのうち、無機光電変換部１１Ｂは、青色光を選択的に検出して青色に対応する信号電荷を蓄積させるものであり、例えば半導体基板１１の面Ｓ１に沿った選択的な領域から、多層配線層５１との界面近傍の領域にかけて延在して形成されている。無機光電変換部１１Ｒは、赤色光を選択的に検出して赤色に対応する信号電荷を蓄積させるものであり、例えば無機光電変換部１１Ｂよりも下層（面Ｓ２側）の領域に形成されている。尚、青（Ｂ）は、例えば４５０ｎｍ〜４９５ｎｍの波長域、赤（Ｒ）は、例えば６２０ｎｍ〜７５０ｎｍの波長域にそれぞれ対応する色であり、無機光電変換部１１Ｂ，１１Ｒはそれぞれ、上記波長域のうちの一部または全部の波長域の光を検出可能であればよい。」
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明１とを対比すると，次のことがいえる。
ア　引用発明１の「光電変換膜２２６」は，「ＩＲ光を吸収してこの光に応じた電荷を発生すると共に，可視光を透過する有機光電変換材料（例えば，フタロシアニン系有機材料やナフタロシアニン系有機材料）で構成されて」いるから，本願発明１の「光透過性を有」する「有機光電変換膜」である点で共通する。
　また，引用発明１の「画素電極２２５」と「共通電極２２７」は，「所定のバイアス電圧を印加して光電変換膜２２６に電界を印加する」ものであり，「光電変換膜２２６」で発生した信号電荷が，「画素電極２２５」に集約されるから，本願発明１の「電圧を印加し信号電荷を取り出すための電極」である点で共通する。
　そして，引用発明１の「ＩＲ光を検出する有機光電変換素子」が，本願発明１の「前記所定の軸に平行な偏光成分を検出する第１の光検出層」と，「第１の光検出層」である点で共通する。
イ　引用発明１の「光電変換素子であるフォトダイオード（ＰＤ）２１４」は，「ｐウェル層２１１と，ｐウェル層２１１内に内側に形成されたｎ層２１２と，ｎ層２１２の表面から内側に形成されたｐ層２１３とにより」構成されるものであるところ，「ｐウェル層２１１」，「ｐウェル層２１１内に内側に形成されたｎ層２１２」及び「ｎ層２１２の表面から内側に形成されたｐ層２１３」はいずれもシリコン等の無機材料からなることは技術常識であるから，無機光電変換素子を含む光検出層であるといえる。
　また，引用発明１の「光電変換素子であるフォトダイオード（ＰＤ）２１４」は，「光電変換膜２２６を」「透過した光のうちのカラーフィルタを透過した光」を吸収するから，「有機光電変換素子」で吸収された成分以外の光成分を検出するものであるといえる。
　そして，引用発明１の「光電変換素子であるフォトダイオード（ＰＤ）２１４」は，「有機光電変換素子」の下層にあることは明らかである。
　すると，引用発明１の「光電変換素子であるフォトダイオード（ＰＤ）２１４」と，本願発明１の「第２の光検出層」とは，「前記第１の光検出層より下層にあり，前記第１の光検出層で吸収された成分以外の光成分を検出する，無機光電変換素子を含む第２の光検出層」である点で共通する。
ウ　引用発明１の「固体撮像素子２００」と，本願発明１の「撮像素子」とは，「撮像素子」である点で共通する。
エ　したがって，本願発明１と引用発明１との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「　光透過性を有する有機光電変換膜と，それに電圧を印加し信号電荷を取り出すための電極を含む第１の光検出層と，
　前記第１の光検出層より下層にあり，前記第１の光検出層で吸収された成分以外の光成分を検出する，無機光電変換素子を含む第２の光検出層と，
　を含むことを特徴とする撮像素子。」
（相違点）
（相違点１）第１の光検出層について，本願発明１は，「所定の軸方向に配向された有機光電変換膜」を備え，「所定の軸に平行な偏光成分を検出する」と特定されているのに対し，引用発明１は，そのように特定されていない点。
（相違点２）第２の光検出層について，本願発明１は，「前記第１の光検出層で吸収された成分以外の偏光成分を検出する」と特定されているのに対し，引用発明１は，そのように特定されていない点。
（２）相違点についての判断
ア　上記相違点１について検討する。
　引用文献２に記載された発明に示されているように，「有機光電変換材料」で構成された「光電変換膜２２６」において，「その全体が同一の方向に一軸配向させて「光電変換膜２２６」の軸方向に平行な方向の偏光成分の検出を行う」ことは，本願出願前において公知の技術であると認められる。
　しかしながら，引用発明１は，引用文献１の段落００６５，００７０等に記載されているように，「有機光電変換素子は，光電変換素子２１４よりも受光面積が大きいため，そのダイナミックレンジが光電変換素子２１４のダイナミックレンジよりも大きくなっている。」ことを利用し，「ダイナミックレンジの狭い光電変換素子２１４から得られた信号により生成したカラー画像データに，ダイナミックレンジの広い有機光電変換素子から得られた信号により生成した被写体の輪郭を表す輪郭画像データを合成して，記録媒体２１への記録用画像データを生成している。」ものである。
　ここで，引用発明１の「有機光電変換材料」で構成された「光電変換膜２２６」において，その全体が同一の方向に一軸配向させて「光電変換膜２２６」の軸方向に平行な方向の偏光成分の検出を行うようにすると，検出し得る光成分の量は減少するため，「光電変換膜２２６」のダイナミックレンジは小さくなるから，引用発明１に引用文献２に記載された発明を適用することには，阻害要因があるといえる。
　なお，引用発明１及び引用文献２には，フタロシアニン系の有機光電変換材料が記載されているが，引用発明１も引用文献２も，複数種類の材料の中の１つとして例示されているだけであるから，この点のみをもって引用発明１に引用文献２に記載された発明を適用する動機があるとはいえない。
　また，相違点１に係る構成は，引用文献３にも記載されていない。
　してみると，引用発明１に引用文献２−３に記載された発明を適用したとしても，上記相違点１に係る本願発明１の構成とすることはできない。
イ　そして，上記相違点１に係る本願発明１の構成は，本願出願前において周知技術であるともいえない。
　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても，引用発明１及び引用文献２−３に記載された発明に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
２　本願発明２−１４について
　本願発明２−１４は，本願発明１の全ての構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明１及び引用文献２−３に記載された発明に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
第６　むすび
　以上のとおり，本願発明１−１４は，当業者が引用発明１及び引用文献２−３に記載された発明に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。