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　特願２０１６−５２８８３５「エピタキシャルリフトオフ方法のための熱アシストコールドウェルド接合」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　８月１３日国際公開、ＷＯ２０１５／１１９６９０、平成２９年　２月　２日国内公表、特表２０１７−５０４１８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１４年１１月１１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１３年１１月１１日、米国）を国際出願日とする出願であって、以降の手続は次のとおりである。
平成３０年　８月１６日付け　拒絶理由通知（同年同月２８日発送）
平成３１年　２月２８日　　　手続補正・意見書提出
令和　元年　７月３０日付け　拒絶査定（同年８月６日謄本送達）
令和　元年１２月　６日　　　審判請求・手続補正
第２　補正の却下の決定
　令和元年１２月６日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、本件補正の前後で特許請求の範囲の請求項１は以下のとおりである（下線は当審で付加。以下同様。）。
〈補正前〉
「【請求項１】
　薄膜光電デバイスの組み立て方法であって、
　成長面を有するウエハーと、犠牲層と、デバイス領域とを有する成長構造を提供することと、ここで、前記犠牲層は前記ウエハーおよび前記デバイス領域の間に配置され、前記デバイス領域は前記ウエハーから最も離れた表面を有し、
　ポリマー材料を含むホスト基板を提供することと、
　前記デバイス領域の前記表面上に第１の金属層を配置することと、
　前記ホスト基板上に第２の金属層を配置することと、
　接合温度において、２ＭＰａ〜６ＭＰａの範囲内の接合圧力で、１秒〜１０分の範囲内の時間、前記第１の金属層および前記第２の金属層を共に押圧することによって前記第１の金属層を前記第２の金属層に接合することと、ここで、前記接合温度は、１７０℃〜２５０℃の範囲内であり、前記ホスト基板のガラス転移温度および前記ホスト基板の融解温度のうちの低い方より低い、
　を含む方法。」
〈補正後〉
「【請求項１】
　薄膜光電デバイスの組み立て方法であって、
　成長面を有するウエハーと、犠牲層と、デバイス領域とを有する成長構造を提供することと、ここで、前記犠牲層は前記ウエハーおよび前記デバイス領域の間に配置され、前記デバイス領域は前記ウエハーから最も離れた表面を有し、
　ポリマー材料を含むホスト基板を提供することと、
　前記デバイス領域の前記表面上に第１の金属層を配置することと、
　前記ホスト基板上に第２の金属層を配置することと、
　接合温度において、２ＭＰａ〜６ＭＰａの範囲内の接合圧力で、
１分以上であって５分より短い
　を含む方法。」
２　補正事項の整理
　本件補正の、請求項１についての補正事項は以下のとおりである。
〈補正事項〉
　補正前の請求項１の「接合温度において、２ＭＰａ〜６ＭＰａの範囲内の接合圧力で、１秒〜１０分の範囲内の時間、前記第１の金属層および前記第２の金属層を共に押圧することによって前記第１の金属層を前記第２の金属層に接合すること」を、補正後の請求項１の「接合温度において、２ＭＰａ〜６ＭＰａの範囲内の接合圧力で、
１分以上であって５分より短い
３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
（１）補正の目的について
　上記補正事項は、「押圧する」「時間」について、補正前の「１秒〜１０分の範囲内」を、補正後の「
１分以上であって５分より短い
　よって、上記補正事項は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（２）新規事項の追加の有無について
　前記補正事項に係る事項は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００４４】及び段落【００５０】〜【００５３】、並びに図４に記載されているといえる。
　よって、前記補正事項は、当初明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。
　よって、前記補正事項は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
（３）小括
　上記のとおり、本件補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから、以下においては、本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかについて検討する。
４　独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は、以下のとおりのものである（再掲。以下「本願補正発明」という。）。
「【請求項１】
　薄膜光電デバイスの組み立て方法であって、
　成長面を有するウエハーと、犠牲層と、デバイス領域とを有する成長構造を提供することと、ここで、前記犠牲層は前記ウエハーおよび前記デバイス領域の間に配置され、前記デバイス領域は前記ウエハーから最も離れた表面を有し、
　ポリマー材料を含むホスト基板を提供することと、
　前記デバイス領域の前記表面上に第１の金属層を配置することと、
　前記ホスト基板上に第２の金属層を配置することと、
　接合温度において、２ＭＰａ〜６ＭＰａの範囲内の接合圧力で、１分以上であって５分より短い範囲内の時間、前記第１の金属層および前記第２の金属層を共に押圧することによって前記第１の金属層を前記第２の金属層に接合することと、ここで、前記接合温度は、１７０℃〜２５０℃の範囲内であり、前記ホスト基板のガラス転移温度および前記ホスト基板の融解温度のうちの低い方より低い、
　を含む方法。」
（２）刊行物等に記載された発明
ア　引用例１：　特表２０１３−５０４８７８号公報
（ア）原査定の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である、特表２０１３−５０４８７８号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに、以下の記載がある。
ａ
「【０００４】
　開示の分野
　本開示は全般に、
エピタキシャルリフトオフを用いた、フレキシブル光起電力デバイス等の感光性デバイスの製造方法
【背景技術】
【０００５】
　背景
　光電子（ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）デバイスは物質の光学的および電子的性質によっており、電子的に電磁波放射を発生するか検出する、または、周囲の電磁波放射から電気を発生させるものである。
【０００６】
　感光性光電デバイスは電磁波放射を電気に変換する。
太陽電池は、光起電力（Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ　「ＰＶ」）デバイスとも称され
ｂ
「【発明を実施するための形態】
【００４０】
　詳細な説明
　
本明細書に記載する感光性デバイスは、これに限定されないが、太陽電池、光検出器、光センサー、光伝導体、化学センサーおよび生物学的センサーが含まれる
【００４１】
　・・・（中略）・・・
【００４３】
　上述のように、
本明細書に開示するフレキシブル光起電力デバイスは、エピ層および成長用基板を有する既存の構造を最初に提供し、または、成長用基板上にエピ層を最初に成長させることにより、製造し得る。そうすると、フレキシブルＰＶデバイスは以下の方法で製造され得る：
　少なくとも一部の前記エピ層上に少なくとも一の金属または合金を堆積し、接触層を形成する工程；
　金属または合金被覆されたホスト基板に接触層を接合する工程；および
　前記構造からエピ層を遊離する工程。
【００４４】
　
図１はフレキシブルＰＶセル等のＰＶデバイスの製造の概略を示している。
デバイス１００の選択で開始される。デバイス１００は成長用基板１０２およびエピ層１０６を含み得る。いくつかの実施形態では、デバイス１００はさらに遊離層１０４を含み得る。選択的に、デバイス１００は成長用基板１０２上にエピ層１０６を成長させることにより準備してもよい
【００４５】
　いくつかの実施形態では、
エピ層１０６は、ＰＶデバイスに使用されるのに望ましいいかなる活性物質を含んでもよい
【００４６】
【表１】
　・・・（中略）・・・
【００５８】
　図１に示される具体的な層の配列および材料は、例示に過ぎず、これに限定することを意図するものではない。例えば、いくつかの層（例えば遊離層１０４）は省略してもよい。他の層（例えばポリマー層、接合および活性層）を追加してもよい。層の順序も入れ替え得る。具体的に記載した以外の配置も使用し得る。
【００５９】
　
図１に示す方法の第一の段階では、接触層がデバイス１００のエピ層１０６の表面上に堆積される
【００６０】
　
エピ層１０６への接触層の堆積においては、エピ層１０６はホスト基板１１０に接合され、中間構造１０８を形成する
いくつかの実施形態では、ホスト基板１１０は、エピ層１０６上に堆積される接触層として選択されるものと同様の物質で被覆され得る。そのような被覆は、ホスト基板１１０へのエピ層１０６の接合を補助するために有効である場合がある。例えば、エピ層１０６の接触層は、ホスト基板１１０がＡｕで被覆される一方で、Ａｕを含み得る。いくつかの実施形態では、好ましい接合方法は、冷間接合（ｃｏｌｄ　ｂｏｎｄｉｎｇ）、多種の接着方法、ワックス（例えばブラックワックス）、フォトレジスト、シルバーペイント（ｓｉｌｖｅｒ　ｐａｉｎｔ）、陽極接合、およびこの分野で知られる他の接合方法を含み得る。
【００６１】
　フレキシブルＰＶ製品を作製する努力において、エピ層１０６を薄膜のかつ／またはフレキシブルなホスト基板に移動することが好ましい。したがって、
いくつかの実施形態では、ホスト基板１１０は少なくとも一のポリマーを含み得る。いくつかの実施形態では、ポリマーはポリエステルおよびポリイミドから選択され得る
使用し得る市販のポリイミドの非制限的な例としては、Ｋａｐｔｏｎ（登録商標）が挙げられる。
【００６２】
　
一旦中間構造１０８が形成されれば、エピ層１０６は成長用基板１０２から移動し得る。いくつかの実施形態では、中間構造１０８から成長用基板１０２を除去するには、ＨＦ等のエッチング液を用いることにより行われ得る
いくつかの実施形態では、中間構造はさらに遊離層１０４を含み得る。遊離層１０４は、適当なエッチング停止材料を含み、これによりエピ層１０６が遊離層１０４の水平なエッチングにより成長用基板１０２から分離され得る。
【００６３】
　
成長用基板１０２の除去により、デバイス１１２が得られる。
【００６４】
　
ポリエステル（例えば、Ｍｙｌａｒ（登録商標）およびポリイミド（例えばＫａｐｔｏｎ（登録商標））等の材料がホスト基板１１０として選択されるとき
得られるデバイス１１２は、保管、輸送および配置の簡便な方法に適した、軽量でフレキシブルなＰＶセルを提供し得る
【００６５】
　上述のように、別の実施形態では、本明細書に記載するフレキシブルＰＶデバイスは、最初にエピ層および成長用基板を有する既存の構造を提供することにより、または、最初に成長用基板上にエピ層を成長させることにより、製造し得る。その際、フレキシブルＰＶデバイスは、
　前記エピ層上に少なくとも一の最上部接触をパターニングする工程；
　前記エピ層をキャリア基板に取り付ける工程；
　前記エピ層を前記成長用基板から遊離する工程；
　少なくとも一部のエピ層上に少なくとも一の金属または合金を堆積し、接触層を形成する工程；
　前記エピ層を金属または合金被覆されたホスト基板に接合する工程；および
　前記エピ層からキャリア基板を除去する工程、によって製造し得る。」
ｃ
　ここで、図１は以下のものである。
（イ）前記（ア）ｂの段落【００４３】の記載から、引用文献１には、
「フレキシブル光起電力デバイスの製造方法であって、
（ａ）エピ層および成長用基板を有する既存の構造を最初に提供する工程；
（ｂ）少なくとも一部の前記エピ層上に少なくとも一の金属または合金を堆積し、接触層を形成する工程；
（ｃ）金属または合金被覆されたホスト基板に接触層を接合する工程；
および
（ｄ）前記構造からエピ層を遊離する工程からなる」製造方法が記載されているといえる。
（ウ）前記（ア）ｂの段落【００４４】の記載から、前記（イ）の「（ａ）エピ層および成長用基板を有する既存の構造を最初に提供する工程」は、デバイス１００の選択で開始され、デバイス１００は成長用基板１０２およびエピ層１０６を含むことができ、デバイス１００はさらに遊離層１０４を含み、デバイス１００は成長用基板１０２上にエピ層１０６を成長させることにより準備してもよいことがわかる。
（エ）前記（ア）ｂの段落【００６０】の記載から、前記（イ）の「（ｃ）前記エピ層を金属または合金被覆されたホスト基板に接合する工程」においては、エピ層１０６はホスト基板１１０に接合され、中間構造１０８を形成し、いくつかの実施形態では、ホスト基板１１０は、エピ層１０６上に堆積される接触層として選択されるものと同様の物質で被覆され、好ましい接合方法は、冷間接合（ｃｏｌｄ　ｂｏｎｄｉｎｇ）、多種の接着方法、ワックス（例えばブラックワックス）、フォトレジスト、シルバーペイント（ｓｉｌｖｅｒ　ｐａｉｎｔ）、陽極接合、およびこの分野で知られる他の接合方法を含み得るものであることがわかる。
（オ）前記（ア）ｂの段落【００６１】の記載から、前記（イ）の「ホスト基板」１１０は、少なくとも一のポリマーを含み、ポリマーはポリエステルおよびポリイミドから選択され、使用し得る市販のポリイミドの非制限的な例は、Ｋａｐｔｏｎ（登録商標）であることがわかる。
（カ）前記（ア）ｂの段落【００６２】の記載から、前記（イ）の「（ｄ）前記構造からエピ層を遊離する工程」にあっては、中間構造１０８はさらに遊離層１０４を含み、エピ層１０６が遊離層１０４の水平なエッチングにより成長用基板１０２から分離され得ることがわかる。
（キ）前記（ア）ｃの図１から、遊離層１０４は、成長用基板１０２とエピ層１０６との間に設けられることが見て取れる。
（ク）引用発明
以上を総合すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「フレキシブル光起電力デバイスの製造方法であって、
（ａ）エピ層１０６および成長用基板１０２を有する構造を最初に提供する工程；
（ｂ）少なくとも一部のエピ層１０６上に少なくとも一の金属または合金を堆積し、接触層を形成する工程；
（ｃ）金属または合金被覆されたホスト基板１１０に接触層を接合する工程；
および
（ｄ）前記構造からエピ層を遊離する工程からなり、（前記（イ））
　
　金属または合金被覆されたホスト基板に接触層を接合する工程（ｃ）においては、エピ層１０６はホスト基板１１０に接合され、中間構造１０８を形成し、ホスト基板１１０は、エピ層１０６上に堆積される接触層として選択されるものと同様の物質で被覆され得、例えば、エピ層１０６の接触層は、ホスト基板１１０がＡｕで被覆される一方で、Ａｕを含み得るものであり、好ましい接合方法は、冷間接合（ｃｏｌｄ　ｂｏｎｄｉｎｇ）、多種の接着方法、ワックス（例えばブラックワックス）、フォトレジスト、シルバーペイント（ｓｉｌｖｅｒ　ｐａｉｎｔ）、陽極接合、およびこの分野で知られる他の接合方法を含み得るものであり、（前記（エ））
　ホスト基板１１０は少なくとも一のポリマーを含み、いくつかの実施形態では、ポリマーはポリエステルおよびポリイミドから選択され得るものであり、使用し得る市販のポリイミドの非制限的な例は、Ｋａｐｔｏｎ（登録商標）であり、（前記（オ））
　前記構造からエピ層を遊離する工程（ｄ）においては、
中間構造１０８はさらに遊離層１０４を含み、エピ層１０６が遊離層１０４の水平なエッチングにより成長用基板１０２から分離され得るものである、
（前記（カ））
フレキシブル光起電力デバイスの製造方法。」
イ　引用例２：特開２０１０−２８３３３７号公報
（ア）原査定の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２０１０−２８３３３７号公報（以下「引用例２」という。）には、図とともに、以下の記載がある。
「【００２６】
（実施の形態１）
実施の形態１は、金属基板又は金属膜が形成された基板を有し、金属基板上又は金属膜上の銅（Ｃｕ）メッキ膜を有し、Ｃｕメッキ膜上のバリア膜と、バリア膜上の単結晶シリコン膜と、単結晶シリコン膜上の電極層と、を有する半導体装置を、図１を用いて開示する。
【００２７】
図１（Ａ）は半導体装置の斜視図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図である。
【００２８】
半導体装置は、基板３１上に金属膜３２を有し、金属膜３２の上にＣｕメッキ膜２４を有し、Ｃｕメッキ膜２４上のバリア膜２６と、バリア膜２６上の単結晶シリコン膜３４と、単結晶シリコン膜３４上の電極層３６と、を有する。
【００２９】
基板３１は、例えばガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板等の絶縁性基板、シリコン基板、シリコンゲルマニウム基板等の半導体基板、Ａｌ基板、Ｃｕ基板、Ｎｉ基板等の金属基板を用いることができる
　・・・（中略）・・・
【００３８】
（実施の形態２）
実施の形態２は、単結晶シリコン基板である第１の基板に水素ガスから生成されるイオンをドープして単結晶シリコン基板内に脆化層を形成する工程と、単結晶シリコン基板上にバリア膜を形成する工程と、バリア膜上にＣｕメッキ膜を形成する工程と、金属基板又は金属膜が形成された基板である第２の基板を用意する工程と、Ｃｕメッキ膜と、金属基板又は金属膜とを熱圧着して、Ｃｕメッキ膜を介して又はＣｕメッキ膜と金属膜とを介して、単結晶シリコン基板と第２の基板とを接合させる工程と、熱処理により、脆化層から単結晶シリコン基板の一部をはく離して、第２の基板にＣｕメッキ膜を介して又はＣｕメッキ膜と金属膜とを介して、単結晶シリコン膜を形成する工程と、単結晶シリコン膜上に電極層を形成する工程と、を有する半導体装置の作製方法
【００３９】
　・・・（中略）・・・
【００４６】
基板３１を用意する（図３（Ａ））。
基板３１は第２の基板となる。基板３１は実施の形態１で開示した基板を用いることができる
【００４７】
基板３１に厚さ１０−３００ｎｍの金属膜３２を蒸着、スパッタ、ＣＶＤ等の公知の方法により形成する（図３（Ａ））。金属膜３２はＣｕ膜であることが好ましい。金属基板を用いる場合は、金属膜３２は設けなくてもよい。【００４８】
単結晶シリコン基板２１と、基板３１とを、Ｃｕメッキ膜２４と金属膜３２とが対向するように配置し（図３（Ｂ））、ホットプレス装置を用いて熱圧着して接合する（図３（Ｃ））。熱圧着は１５０℃以上、３００℃以下、かつ０．５ＭＰａ以上、２０ＭＰａ以下で行う。または熱圧着は１５０℃以上、第１の基板及び第２の基板の耐熱温度未満、２．０ＭＰａ以上、２０ＭＰａ以下で行う
また熱圧着は５分から４時間で行うことができる
【００４９】
接合後、接合された単結晶シリコン基板２１と、基板３１とをホットプレス装置から取り出す。
次に４００℃以上で熱処理を行う。熱処理は脆化層２２に形成された微小な空洞の体積変化を生じさせる。この体積変化により脆化層２２近傍を境として単結晶シリコン基板２１の一部をはく離し
【００５０】
熱処理は、拡散炉、抵抗加熱炉などの加熱炉、Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ（ＲＴＡ）装置、マイクロ波加熱装置などを用いることができる。熱処理の温度は、４００℃以上、単結晶シリコン基板２１の耐熱温度未満かつ基板３１の耐熱温度未満とする。例えば単結晶シリコン基板２１、基板３１にガラス基板を用いる場合は４００℃以上６５０℃以下、処理時間０．５−５時間で行う。」
（イ）上記（ア）の「【００２９】基板３１は、例えばガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板等の絶縁性基板、シリコン基板、シリコンゲルマニウム基板等の半導体基板、Ａｌ基板、Ｃｕ基板、Ｎｉ基板等の金属基板を用いることができる」との記載から、「基板３１は第２の基板となる。基板３１は実施の形態１で開示した基板を用いることができる」（段落【００４６】）との記載における「基板３１」としては、「例えばガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板等の絶縁性基板」を用いうることがわかる。
（ウ）以上から、引用例２には、次の事項（以下「引用文献２記載事項」という。）が記載されているといえる。
「単結晶シリコン基板である第１の基板に水素ガスから生成されるイオンをドープして単結晶シリコン基板内に脆化層を形成する工程と、単結晶シリコン基板上にバリア膜を形成する工程と、バリア膜上にＣｕメッキ膜を形成する工程と、金属基板又は金属膜が形成された基板である第２の基板を用意する工程と、Ｃｕメッキ膜と、金属基板又は金属膜とを熱圧着して、Ｃｕメッキ膜を介して又はＣｕメッキ膜と金属膜とを介して、単結晶シリコン基板と第２の基板とを接合させる工程と、熱処理により、脆化層から単結晶シリコン基板の一部をはく離して、第２の基板にＣｕメッキ膜を介して又はＣｕメッキ膜と金属膜とを介して、単結晶シリコン膜を形成する工程と、単結晶シリコン膜上に電極層を形成する工程と、を有する半導体装置の作製方法にあって、
　第２の基板となる基板３１としては、例えばガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板等の絶縁性基板を用いることができ、
　前記単結晶シリコン基板と第２の基板とを接合させる工程は、１５０℃以上、３００℃以下、かつ０．５ＭＰａ以上、２０ＭＰａ以下、または、１５０℃以上、第１の基板及び第２の基板の耐熱温度未満、２．０ＭＰａ以上、２０ＭＰａ以下で行い、また熱圧着は５分から４時間で行うことができ、
　前記熱処理により、脆化層から単結晶シリコン基板の一部をはく離する際の熱処理の温度は、４００℃以上、単結晶シリコン基板２１の耐熱温度未満かつ基板３１の耐熱温度未満とすること。」
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを比較する。
ア　前記（２）ア（ア）ｂに摘記した、引用文献１の、「本明細書に開示するフレキシブル光起電力デバイスは、エピ層および成長用基板を有する既存の構造を最初に提供し、または、成長用基板上にエピ層を最初に成長させることにより、製造し得る。そうすると、フレキシブルＰＶデバイスは以下の方法で製造され得る：
　少なくとも一部の前記エピ層上に少なくとも一の金属または合金を堆積し、接触層を形成する工程；
　金属または合金被覆されたホスト基板に接触層を接合する工程；および
　前記構造からエピ層を遊離する工程」（段落【００４３】）、
「エピ層１０６への接触層の堆積においては、エピ層１０６はホスト基板１１０に接合され、中間構造１０８を形成する」（段落【００６０】）、
「一旦中間構造１０８が形成されれば、エピ層１０６は成長用基板１０２から移動し得る。いくつかの実施形態では、中間構造１０８から成長用基板１０２を除去するには、ＨＦ等のエッチング液を用いることにより行われ得る」（段落【００６２】）、
「成長用基板１０２の除去により、デバイス１１２が得られる。」（段落【００６３】）、
及び
「得られるデバイス１１２は、保管、輸送および配置の簡便な方法に適した、軽量でフレキシブルなＰＶセルを提供し得る」（段落【００６４】）
との各記載から、デバイス１１２は、ＰＶセルすなわち「光起電力デバイス」として機能するものであるところ、デバイス１１２は、ホスト基板１１０とエピ層１０６とが接合されたものであることから、デバイス１１２において、ＰＶセルすなわち「光起電力デバイス」として機能するのはエピ層１０６であることは明らかである。
　よって、引用発明の「エピ層１０６」は、本願補正発明の「デバイス領域」に相当する。
イ　引用発明においては「エピ層１０６および成長用基板１０２を有する構造を最初に提供する工程（ａ）は、デバイス１００の選択で開始され、デバイス１００は成長用基板１０２およびエピ層１０６を含み得るものであり、デバイス１００はさらに遊離層１０４を含み、遊離層１０４は、成長用基板１０２とエピ層１０６との間に設けられ、選択的に、デバイス１００は成長用基板１０２上にエピ層１０６を成長させることにより準備してもよ」いものであるから、当該「成長用基板１０２」、及び「遊離層１０４」であって「成長用基板１０２とエピ層１０６との間に設けられ」るものは、それぞれ、本願補正発明の「成長面を有するウエハー」、及び「犠牲層」であって「前記ウエハーおよび前記デバイス領域の間に配置され」るものに相当し、したがって、引用発明の「エピ層１０６および成長用基板１０２を有する構造を最初に提供する工程（ａ）」であって「デバイス１００の選択で開始され」、「デバイス１００はさらに遊離層１０４を含」むものは、本願補正発明の「成長面を有するウエハーと、犠牲層と、デバイス領域とを有する成長構造を提供すること」に相当する。
ウ　上記イから、引用発明の「デバイス１００」における「エピ層１０６」は、本願補正発明の「前記デバイス領域」であって「前記ウエハーから最も離れた表面を有」するものに相当する。
エ　引用発明の「金属または合金被覆されたホスト基板１１０に接触層を接合する工程」において「ホスト基板１１０は少なくとも一のポリマーを含」むものであり、また「ホスト基板１１０は、エピ層１０６上に堆積される接触層として選択されるものと同様の物質で被覆され得、例えば、エピ層１０６の接触層は、ホスト基板１１０がＡｕで被覆される一方で、Ａｕを含み得るものである」から、当該両構成は、本願補正発明の「ポリマー材料を含むホスト基板を提供すること」及び「前記ホスト基板上に第２の金属層を配置すること」に相当する。
オ　引用発明の「なくとも一部のエピ層１０６上に少なくとも一の金属または合金を堆積し、接触層を形成する工程」は、本願補正発明の「前記デバイス領域の前記表面上に第１の金属層を配置すること」に相当する。
カ　引用発明の「金属または合金被覆されたホスト基板１１０に接触層を接合する工程」にあって、「エピ層１０６はホスト基板１１０に接合され、中間構造１０８を形成し、」「好ましい接合方法は、冷間接合（ｃｏｌｄ　ｂｏｎｄｉｎｇ）、多種の接着方法、ワックス（例えばブラックワックス）、フォトレジスト、シルバーペイント（ｓｉｌｖｅｒ　ｐａｉｎｔ）、陽極接合、およびこの分野で知られる他の接合方法を含み得るものであ」ることにおいて、「接合」がある温度においてなされることは明らかであるから、当該引用発明の構成と、本願補正発明の「接合温度において、２ＭＰａ〜６ＭＰａの範囲内の接合圧力で、１分以上であって５分より短い範囲内の時間、前記第１の金属層および前記第２の金属層を共に押圧することによって前記第１の金属層を前記第２の金属層に接合することと、ここで、前記接合温度は、１７０℃〜２５０℃の範囲内であり、前記ホスト基板のガラス転移温度および前記ホスト基板の融解温度のうちの低い方より低い」こととは、「接合温度において、前記第１の金属層を前記第２の金属層に接合すること」である点で一致する。
キ　引用発明の「フレキシブル光起電力デバイスの製造方法」においては、「フレキシブル光起電力デバイス」が「フレキシブル」であるために、薄膜で構成されることは明らかであるから、当該「フレキシブル光起電力デバイスの製造方法」は、本願補正発明の「薄膜光電デバイスの組み立て方法」に相当する。
ク　一致点
したがって、引用発明と本願補正発明とは、次の点で一致する。
「薄膜光電デバイスの組み立て方法であって、
　成長面を有するウエハーと、犠牲層と、デバイス領域とを有する成長構造を提供することと、ここで、前記犠牲層は前記ウエハーおよび前記デバイス領域の間に配置され、前記デバイス領域は前記ウエハーから最も離れた表面を有し、
　ポリマー材料を含むホスト基板を提供することと、
　前記デバイス領域の前記表面上に第１の金属層を配置することと、
　前記ホスト基板上に第２の金属層を配置することと、
　接合温度において、前記第１の金属層を前記第２の金属層に接合すること
　を含む方法。」
ケ　相違点
一方両者は、次の点で相違する。
《相違点》
　本願補正発明は、「接合温度において、２ＭＰａ〜６ＭＰａの範囲内の接合圧力で、１分以上であって５分より短い範囲内の時間、前記第１の金属層および前記第２の金属層を共に押圧することによって前記第１の金属層を前記第２の金属層に接合することと、ここで、前記接合温度は、１７０℃〜２５０℃の範囲内であり、前記ホスト基板のガラス転移温度および前記ホスト基板の融解温度のうちの低い方より低い」との構成を備えるのに対して、引用発明は、「接合温度において、前記第１の金属層を前記第２の金属層に接合すること」は備えるものの、当該「接合すること」について、「２ＭＰａ〜６ＭＰａの範囲内の接合圧力で、１分以上であって５分より短い範囲内の時間、前記第１の金属層および前記第２の金属層を共に押圧することによ」り、「ここで、前記接合温度は、１７０℃〜２５０℃の範囲内であり、前記ホスト基板のガラス転移温度および前記ホスト基板の融解温度のうちの低い方より低い」との特定がなされていない点。
（４）判断
　上記相違点について検討する。
ア　引用発明の、「金属または合金被覆されたホスト基板に接触層を接合する工程（ｃ）においては、」「好ましい接合方法は、冷間接合（ｃｏｌｄ　ｂｏｎｄｉｎｇ）、多種の接着方法、ワックス（例えばブラックワックス）、フォトレジスト、シルバーペイント（ｓｉｌｖｅｒ　ｐａｉｎｔ）、陽極接合、およびこの分野で知られる他の接合方法を含み得るものであ」る。
イ　一方、前記（２）イ（ウ）のとおり、引用文献２記載事項においては、「Ｃｕメッキ膜と、金属基板又は金属膜とを熱圧着して、Ｃｕメッキ膜を介して又はＣｕメッキ膜と金属膜とを介して、単結晶シリコン基板と第２の基板とを接合させる工程」において、「１５０℃以上、３００℃以下、かつ０．５ＭＰａ以上、２０ＭＰａ以下、または、１５０℃以上、第１の基板及び第２の基板の耐熱温度未満、２．０ＭＰａ以上、２０ＭＰａ以下で行」うものであり、当該温度条件及び圧力条件は、相違点に係る各条件と重複するものである。
ウ　更に、引用文献２記載事項にあっては、「第２の基板となる基板３１としては、例えばガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック基板等の絶縁性基板を用いることができ」るものである。
エ　ここで、以下の周知文献にも記載されているとおり、引用文献２に係る出願時（平成２２（２０１０）年４月１５日）において、４００℃において数時間の耐熱性を有するプラスチック材料は周知のものであった。
　それゆえ、引用文献２記載事項においては、熱圧着後に「４００℃以上」の熱処理がなされるものの、「第２の基板となる基板３１として」「プラスチック基板」を「用いること」は、実現可能なものとして記載されているといえる。
周知文献：「ポリイミドの構造と物性」、今井淑夫、
　　　　　エレクトロニクス実装学会誌, Vol.4, No.7(2001),p.640- 646
　上記周知文献には、次の記載がある。
「２．ポリイミドの耐熱性
　一般に,耐熱性の高い高分子材料とは,その高分子の軟化温度(ガラス転移点Tg)や溶融温度(融点Tm)が十分に高く,高温まで軟化あるいは溶融しないこと(物理的耐熱性)と,その高分子の熱分解開始温度Tdが十分に高く,高温まで劣化・分解が起こらないこと(化学的耐熱性)の両方を満たす材料である。
実用的見地からの高分子材料の耐熱性は,以上の2つの必要条件を満たした上で,高温で長時間使用しても機械特性や電気特性が変化しないこと(長期耐熱性)と,高温まで短時間諸特性が変化しないこと(短期耐熱性)というように,温度と時間の関数として表される
　標準的なポリイミドとして広く利用されている表1のポリイミド1(「Kapton(R)」ポリイミド)は,Tgがおよそ410℃ の非晶性ポリイミドで,450℃(空気中)までは熱分解せず,高耐熱性の必要条件を十分に満足しており,また,その成型品「Vespel(R)」(「Kapton(R)」と同じ化学構造のポリイミド)は,DTが360℃,TULが280℃ であり,そのフィルム「Kapton(R)」の耐熱寿命は空気中では250℃ で8年であって,このポリイミドが高度の長期耐熱性をもつ材料であることを示している。「高度の耐熱性」の中に,300℃あるいはそれ以上の高温に比較的短時問耐えうる材料も含まれる。たとえば,上の
「Kapton(R)」ポリイミドフィルムの場合の耐熱寿命は,空気中では275℃ で1年,300℃で3カ月,350℃ で6日,400℃ で12時問であり,不活性雰囲気下ではさらに耐熱温度が高く,350℃ で1年,400℃で2週間,450℃ で22時間である
オ　そうすると、前記アのとおり、引用発明における「好ましい接合方法」としては「この分野で知られる他の接合方法を含み得るものであ」り、また、引用発明におけるホスト基板１１０の材料として例示される「Ｋａｐｔｏｎ（登録商標）」は、前記周知文献に記載されているとおり、例えば「空気中では275℃ で1年,300℃で3カ月,350℃ で6日」との耐熱性を備えるものであって、前記イの、引用文献２記載事項の「接合させる工程」における処理条件に耐えるものであることは明らかであるから、引用発明における「接合方法」として、引用発明２記載事項に係る方法を採用することに何ら困難はない。
カ　その際、引用文献２記載事項においては、圧着は「５分から４時間で行うことができ」るところ、一般に、処理時間がより短い方が製造速度の上で好ましいことから、当該処理時間を、５分を若干下回る程度の長さとすることは、設計事項といえるものである。
　なお、審判請求人は、参考資料を挙げて、「典型的な熱圧着接合プロセスは、少なくとも２０分間の圧着を要求」する旨等を反論するが、当該参考資料に記載された条件は、引用文献２記載事項とは温度条件等が異なり、また、当該参考資料の記載は「拡散接合」の「推奨処理範囲（recommmended processing ranges）」に係るものであって、当該記載範囲外において圧着ができないことを示すものではないから、前記反論には理由がない。
キ　そして、本願補正発明において、「前記第１の金属層を前記第２の金属層に接合すること」における条件として、相違点に係る各数値範囲を採用することには、本願明細書の、特に段落【００３８】〜【００４４】を見ても、引用発明及び引用発明２記載事項の総和を超える格別な技術的意義は見いだせない。
ク　よって、引用発明において相違点に係る構成を備えることは当業者が適宜になし得たことである。
（５）小括
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び引用例２に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
５　まとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　令和元年１２月６日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成３１年２月２８日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１により特定される以下のとおりのものである。（以下「本願発明」という。）
「【請求項１】
　薄膜光電デバイスの組み立て方法であって、
　成長面を有するウエハーと、犠牲層と、デバイス領域とを有する成長構造を提供することと、ここで、前記犠牲層は前記ウエハーおよび前記デバイス領域の間に配置され、前記デバイス領域は前記ウエハーから最も離れた表面を有し、
　ポリマー材料を含むホスト基板を提供することと、
　前記デバイス領域の前記表面上に第１の金属層を配置することと、
　前記ホスト基板上に第２の金属層を配置することと、
　接合温度において、２ＭＰａ〜６ＭＰａの範囲内の接合圧力で、１秒〜１０分の範囲内の時間、前記第１の金属層および前記第２の金属層を共に押圧することによって前記第１の金属層を前記第２の金属層に接合することと、ここで、前記接合温度は、１７０℃〜２５０℃の範囲内であり、前記ホスト基板のガラス転移温度および前記ホスト基板の融解温度のうちの低い方より低い、
　を含む方法。」
２　引用発明
　引用発明は、前記第２の４「（２）刊行物等に記載された発明」ア（ク）に記載したとおりのものである。
　
３　対比及び判断
　前記第２「１　本件補正の内容」〜第２「３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討」において記したように，本願補正発明は，補正前の請求項１の、「前記第１の金属層および前記第２の金属層を共に押圧することによって前記第１の金属層を前記第２の金属層に接合すること」における「押圧する」「時間」について、補正前の「１秒〜１０分の範囲内」を、補正後の「
１分以上であって５分より短い
　換言すると，本願発明は，本願補正発明から上記限定を除いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２　４「（３）対比」〜第２　４「（５）小括」において検討したとおり，引用発明及び引用例２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。