(57)【要約】  セルロースエステル及び下記一般式（Ｉ）又は一般式（Ｉａ）で表される化合物を含有することを特徴とする表示装置用フィルム。但し、一般式（Ｉ）中、Ｒ２〜Ｒ５はおのおの互いに独立して水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４、又はＲ４とＲ５とは、互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ６は水素原子または置換基を表し、ｎは１〜４の整数を表す。ｎが１であるとき、Ｒ１は置換基を表し、ｎが２〜４であるとき、Ｒ１は２〜４価の連結基を表す。また、一般式（Ｉａ）中、ｎは２〜４の整数を表す。ｍは１〜３の整数を表す。Ｒ１ａ及びＲ６ａはおのおの互いに独立して水素原子又は置換基を表す。Ｒｔａは水素原子又は置換基を表す。なお、Ｒｔａ同士が互いに結合して環を形成しても良い。Ｒｋａは２〜４価の連結基を表す。    【化１】2007119421.tif 000094
2007119421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルロースエステル及び下記一般式（Ｉ）又は一般式（Ｉａ）で表される化合物を含有することを特徴とする表示装置用フィルム。
【化１】
2007119421.tif 000088
（式中、Ｒ２〜Ｒ５はおのおの互いに独立して水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４、又はＲ４とＲ５とは、互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ６は水素原子または置換基を表し、ｎは１〜４の整数を表す。ｎが１であるとき、Ｒ１は置換基を表し、ｎが２〜４であるとき、Ｒ１は２〜４価の連結基を表す。）
【化２】
2007119421.tif 000089
（式中、ｎは２〜４の整数を表す。ｍは１〜３の整数を表す。Ｒ１ａ及びＲ６ａはおのおの互いに独立して水素原子又は置換基を表す。Ｒｔａは水素原子又は置換基を表す。なお、Ｒｔ’同士が互いに結合して環を形成しても良い。Ｒｋａは２〜４価の連結基を表す。）
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）中、ｎが１である場合のＲ１、又は、前記一般式（Ｉａ）中、ｎが１である場合のＲ１ａは、共役系の置換基であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の表示装置用フィルム。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−１）で表される化合物であることを特徴とする請求の範囲第１または２項に記載の表示装置用フィルム。
【化３】
2007119421.tif 000090
（式中、Ｒ２〜Ｒ５はおのおの互いに独立して水素原子または置換基を表す。Ｒ７〜Ｒ１１はおのおの互いに独立して水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基を表す。）
【請求項４】
前記一般式（Ｉ-１）中、Ｒ７〜Ｒ１１のハメットのσｐ値の総和が０以下であることを特徴とする請求の範囲第１〜３項のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。
【請求項５】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−２）で表される化合物であることを特徴とする請求の範囲第１〜４項のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。
【化４】
2007119421.tif 000091
（式中、Ｒ２〜Ｒ５はおのおの互いに独立して水素原子または置換基を表す。）
【請求項６】
前記一般式（Ｉ）中、Ｒ５が水素原子であることを特徴とする請求の範囲第１〜５項のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。
【請求項７】
前記一般式（Ｉａ）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−３）で表される化合物であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の表示装置用フィルム。
【化５】
2007119421.tif 000092
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６はおのおの互いに独立して水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ２とＲ３は、互いに結合して環を形成しても良い。Ｘは２価の連結基を表す。）
【請求項８】
下記一般式（Ａ）で表される化合物を含有することを特徴とする請求の範囲第１〜７項のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。
【化６】
2007119421.tif 000093
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１６はおのおの互いに独立して水素原子または置換基を表す。）
【請求項９】
ホスホナイト系化合物を含有することを特徴とする請求の範囲第１〜８項のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。
【請求項１０】
前記表示装置用フィルムの波長４５０ｎｍの光束の透過率が９０％以上であることを特徴とする請求の範囲第１〜９項のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。
【請求項１１】
前記セルロースエステルは、混合脂肪酸エステルである事を特徴とする請求の範囲第１〜１０項のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。
【請求項１２】
前記セルロースエステルのアシル基総炭素数が、６．１以上、７．５以下であることを特徴とする請求の範囲第１〜１１項のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。但し、アシル基総炭素数は、セルロースアシレート中の各アシル基の置換度と該アシル基の炭素数との積の総和である。
【請求項１３】
前記表示装置用フィルムは、長尺状のフィルムをロール状にしたものであることを特徴とする請求の範囲第１〜１２項のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。
【請求項１４】
請求の範囲第１〜１３項のいずれか１項に記載の表示装置用フィルムを用いることを特徴とする液晶表示装置用の偏光板保護フィルム。
【請求項１５】
請求の範囲第１４項に記載の偏光板保護フィルムを偏光子の少なくとも一方の面に有することを特徴とする偏光板。
【請求項１６】
前記偏光板保護フィルムをロール状の長尺に巻取り、その後巻き状態から繰り出して偏光子と貼り合わせることを特徴とする請求の範囲第１５項に記載の偏光板の製造方法。
【請求項１７】
前記偏光板保護フィルムが、セルロースエステルと前記一般式（Ｉ）、（Ｉａ）、（Ｉ−１）、（Ｉ−２）または（Ｉ−３）で表される化合物から選択される少なくとも一種を含有する溶融物を用いて溶融流延法によって製造されたセルロースエステルフィルムであることを特徴とする請求の範囲第１５項に記載の偏光板の製造方法。
【請求項１８】
請求の範囲第１５項に記載の偏光板を液晶セルの少なくとも一方の面に用いることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１９】
請求の範囲第１６または１７項に記載の偏光板の製造方法で製造された偏光板を液晶セルの少なくとも一方の面に用いることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置用フィルム、偏光板及びその製造方法、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ノートパソコンの薄型軽量化、大型画面化、高精細化の開発が進んでいる。それに伴って、様々な表示装置用フィルム、特に、液晶偏光板用の保護フィルムもますます薄膜化、広幅化、高品質化の要求が強くなってきている。偏光板用保護フィルムには、一般的にセルロースエステルフィルムが広く使用されている。セルロースエステルフィルムは通常巻芯に巻かれてフィルム原反となり、保存、輸送されている。【０００３】
これらのセルロースエステルフィルムは、これまで、専ら溶液流延法によって製造されてきた。溶液流延法とは、セルロースエステルを溶媒に溶解した溶液を流延してフィルム形状を得た後、溶媒を蒸発・乾燥させてフィルムを得るといった製膜方法である。溶液流延法で製膜したフィルムは平面性が高いため、これを用いてムラのない高画質な液晶ディスプレイを得ることができる。【０００４】
しかし、溶液流延法は多量の有機溶媒を必要とし、環境負荷が大きいことも課題となっていた。セルロースエステルフィルムは、その溶解特性から、環境負荷の大きいハロゲン系溶媒を用いて製膜されているため、特に溶剤使用量の削減が求められており、溶液流延製膜によってセルロースエステルフィルムを増産することは困難となってきている。【０００５】
また、フィルム内部に残存する溶媒を除去しなければならないため、乾燥ライン、乾燥エネルギー、及び蒸発した溶媒の回収及び再生装置等、製造ラインへの設備投資及び製造コストが膨大になっており、これらを削減することも重要な課題となっている。【０００６】
また、一方、セルロースエステルにヒンダードフェノール酸化防止剤、ヒンダードアミン光安定剤、酸掃去剤をある添加量比で加えることによって、分光特性、機械特性の改善を図った技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。可塑剤として多価アルコールエステル系可塑剤を用いる技術（例えば、特許文献２参照）、さらに多価アルコールエステル系可塑剤を特定の構造に限定した技術（例えば、特許文献３参照）も公開されている。【０００７】
また、有機材料の劣化を防止する技術として、各種安定剤と亜燐酸エステル類を含有する安定剤組成物が知られている（例えば、特許文献４参照）。【０００８】
しかし、いずれにしても光学用セルロースエステルフィルムについては、その製造工程での溶媒使用に伴う製造負荷、設備負荷があり、また光学特性、機械特性も不十分な状態にある。【０００９】
近年、銀塩写真用あるいは偏光子保護フィルム用として、セルロースエステルを溶融製膜する試みが行われているが、セルロースエステルは溶融時の粘度が非常に高い高分子であり、かつ、ガラス転移温度も高いため、セルロースエステルを溶融してダイスから押出し、冷却ドラムまたは冷却ベルト上にキャスティングしてもレベリングがし難い、光学特性、機械特性が溶液流延フィルムよりも低いといった課題を有していることが判明している（例えば、特許文献５及び特許文献６参照）。【００１０】
このため、溶融製膜されたフィルムを巻芯に巻いたフィルム原反の状態で長期間保存すると、馬の背故障やフィルム原反の巻芯部分には巻芯転写と呼ばれる故障及び巻始めるときにフィルムにシワが発生しやすい問題があることが判明した。【００１１】
馬の背故障とは、馬の背中のようにフィルム原反がＵ字型に変形し、中央部付近に２〜３ｃｍ程度のピッチで帯状の凸部ができる故障で、フィルムに変形が残ってしまうため、偏光板に加工すると表面が歪んで見えてしまうため問題である。今まで、馬の背故障はベース同士の動摩擦係数を低くしたり、両サイドにあるナーリング加工（エンボス加工）の高さを調節することによって発生を低減させてきた。【００１２】
また、巻芯転写は、巻芯やフィルムの凹凸によって発生するフィルム変形故障である。このようなフィルムの変形があると、偏光板に加工した場合、表面が歪んで見えてしまうため、問題である。【００１３】
また液晶ディスプレイの最表面に設置するセルロースエステルフィルムは、クリアハードコート加工やアンチグレア加工、アンチリクレクション加工が施されている。これらの加工を行うとき、セルロースエステルフィルムの表面が変形していると、塗布ムラや蒸着ムラとなり、製品収率を大幅に劣化させる原因となる。【００１４】
従来の溶液流延で作製したフィルムではこれらの故障は、大きな問題にならなかったが、溶融製膜で作製したフィルムでは、フィルムの平面性が低いため大きな問題となることが分かった。【００１５】
特に、近年、大型画面化に伴って、フィルム原反の幅は広く、巻長は長くすることが要望されている。そのため、フィルム原反は幅広となり、フィルム原反荷重は増加する傾向にあり、これらの故障がより発生しやすい状況のため、改良が望まれている。
【特許文献１】特開２００３−１９２９２０号公報
【特許文献２】特開２００３−１２８２３号公報
【特許文献３】特開２００３−９６２３６号公報
【特許文献４】特開平１１−２２２４９３号公報
【特許文献５】特表平６−５０１０４０号公報
【特許文献６】特開２０００−３５２６２０号公報
【発明の開示】
【００１６】
本発明の目的は、長期間保存しても馬の背故障や凸状故障等のフィルム原反の変形故障が発生しない表示装置用フィルム、特に、セルロースエステルフィルムを使用した偏光板保護フィルム、偏光板及びその製造方法、該偏光板を用いた液晶表示装置を提供することにある。
【００１７】
上記目的を達成するための、本発明の態様の一つは、セルロースエステル及び下記一般式（Ｉ）又は一般式（Ｉａ）で表される化合物を含有することを特徴とする表示装置用フィルムにある。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係る表示装置用フィルムの製造方法を実施する装置の１つの実施形態を示す概略フローシートである。
【図２】図１の製造装置の要部拡大フローシートである。
【図３】図３（ａ）は流延ダイの要部の外観図、図３（ｂ）は流延ダイの要部の断面図である。
【図４】挟圧回転体の第１実施形態の断面図である。
【図５】挟圧回転体の第２実施形態の回転軸に垂直な平面での断面図である。
【図６】挟圧回転体の第２実施形態の回転軸を含む平面での断面図である。
【図７】液晶表示装置の構成図の概略を示す分解斜視図である。
【図８】表示装置用フィルム原反の保管の状態を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の上記課題は、以下の構成により達成される。【００２０】
（１）  セルロースエステル及び下記一般式（Ｉ）又は一般式（Ｉａ）で表される化合物を含有することを特徴とする表示装置用フィルム。【００２１】
【化１】
2007119421.tif 000003
【００２２】
（式中、Ｒ２〜Ｒ５はおのおの互いに独立して水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４、又はＲ４とＲ５とは、互いに結合して環を形成しても良い。Ｒ６は水素原子または置換基を表し、ｎは１〜４の整数を表す。ｎが１であるとき、Ｒ１は置換基を表し、ｎが２〜４であるとき、Ｒ１は２〜４価の連結基を表す。）【００２３】
【化２】
2007119421.tif 000004
【００２４】
（式中、ｎは２〜４の整数を表す。ｍは１〜３の整数を表す。Ｒ１ａ及びＲ６ａはおのおの互いに独立して水素原子又は置換基を表す。Ｒｔａは水素原子又は置換基を表す。なお、Ｒｔａ同士が互いに結合して環を形成しても良い。Ｒｋａは２〜４価の連結基を表す。）
（２）  前記一般式（Ｉ）中、ｎが１である場合のＲ１、又は、前記一般式（Ｉａ）中のＲ１ａは、共役系の置換基であることを特徴とする前記（１）に記載の表示装置用フィルム。【００２５】
（３）  前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−１）で表される化合物であることを特徴とする前記（１）又は（２）に記載の表示装置用フィルム。【００２６】
【化３】
2007119421.tif 000005
【００２７】
（式中、Ｒ２〜Ｒ５はおのおの互いに独立して水素原子または置換基を表す。Ｒ７〜Ｒ１1はおのおの互いに独立して水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基を表す。）
（４）  前記一般式（Ｉ-１）中、Ｒ７〜Ｒ１１のハメットのσｐ値の総和が０以下であることを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。
（５）  前記一般式（Ｉ）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−２）で表される化合物であることを特徴とする前記（１）〜（４）のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。【００２８】
【化４】
2007119421.tif 000006
【００２９】
（式中、Ｒ２〜Ｒ５はおのおの互いに独立して水素原子または置換基を表す。）
（６）  前記一般式（Ｉ）中、Ｒ５が水素原子であることを特徴とする前記（１）〜（５）のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。
（７）  前記一般式（Ｉａ）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−３）で表される化合物であることを特徴とする前記（１）に記載の表示装置用フィルム。【００３０】
【化５】
2007119421.tif 000007
【００３１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６はおのおの互いに独立して水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ２とＲ３は、互いに結合して環を形成しても良い。Ｘは２価の連結基を表す。）
（８）  下記一般式（Ａ）で表される化合物を含有することを特徴とする前記（１）〜（７）のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。【００３２】
【化６】
2007119421.tif 000008
【００３３】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１６はおのおの互いに独立して水素原子または置換基を表す。）
（９）  ホスホナイト系化合物を含有することを特徴とする前記（１）〜（８）のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。【００３４】
（１０）  前記表示装置用フィルムの４５０ｎｍの光束の透過率が９０％以上であることを特徴とする前記（１）〜（９）のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。
（１１）  前記セルロースエステルは、混合脂肪酸エステルである事を特徴とする前記（１）〜（１０）のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。【００３５】
（１２）  前記セルロースエステルのアシル基総炭素数が、６．１以上、７．５以下であることを特徴とする前記（１）〜（１１）のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。
（１３）  前記表示装置用フィルムは、長尺状のフィルムをロール状にしたものであることを特徴とする前記（１）〜（１２）のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。
（１４）  前記表示装置用フィルムは、液晶表示装置用の偏光板保護フィルムであることを特徴とする前記（１）〜（１３）のいずれか１項に記載の表示装置用フィルム。【００３６】
（１５）  前記（１４）に記載の偏光板保護フィルムを偏光子の少なくとも一方の面に有することを特徴とする偏光板。【００３７】
（１６）  前記偏光板保護フィルムをロール状の長尺に巻取り、その後巻き状態から繰り出して偏光子と貼り合わせることを特徴とする前記（１５）に記載の偏光板の製造方法。【００３８】
（１７）  前記偏光板保護フィルムが、セルロースエステルと前記一般式（Ｉ）、（Ｉａ）、（Ｉ−１）、（Ｉ−２）または（Ｉ−３）で表される化合物から選択される少なくとも一種を含有する溶融物を用いて溶融流延法によって製造されたセルロースエステルフィルムであることを特徴とする前記（１５）に記載の偏光板の製造方法。【００３９】
（１８）  前記（１５）に記載の偏光板を液晶セルの少なくとも一方の面に用いることを特徴とする液晶表示装置。【００４０】
（１９）  前記（１６）または（１７）に記載の偏光板の製造方法で製造された偏光板を液晶セルの少なくとも一方の面に用いることを特徴とする液晶表示装置。【００４１】
本発明により、長期間保存しても馬の背故障や凸状故障等のフィルム原反の変形故障が発生しない表示装置用フィルムを使用した偏光板保護フィルム、偏光板及びその製造方法、該偏光板を用いた液晶表示装置を提供することができる。【００４２】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定するものではない。【００４３】
本発明は、表示装置用フィルムにおいて、表示装置用フィルムがセルロースエステル及び前記一般式（Ｉ）又は（Ｉａ）で表される化合物を含有することが特徴である。【００４４】
表示装置用フィルムとは、液晶表示装置やプラズマディスプレイパネル、有機ＥＬディスプレイなどで用いられる各種フィルムを言うものである。例えば、液晶表示装置で用いられる偏光板保護フィルム、無配向フィルム、位相差フィルム、輝度向上フィルム、反射防止フィルム又は防眩フィルム等の各種フィルムが、表示装置用フィルムに含まれる。特に好ましくは、本発明のフィルムが、液晶表示装置の偏光板保護フィルムに用いられることである。【００４５】
表示装置用フィルムは、液晶表示装置に用いられる偏光板保護フィルムとして用いられる液晶表示装置のサイズのフィルム、及び、長尺状のフィルムを含むものとする。長尺状のフィルムとしては、長さが１００ｍ以上、１００００ｍ以下であることが好ましい。特に、長尺状のフィルムをロール状にして扱う場合、本発明の効果がより発揮される。
好ましくは、本発明の表示装置用フィルムが、セルロースエステルフィルムを有し、当該セルロースエステルフィルムが、一般式（Ｉ）又は（Ｉａ）で表される化合物を含有することである。尚、表示装置用フィルムは、セルロースエステルフィルムのみからなっていてもよいし、セルロースエステルフィルムに他の層を設けたものであっても良い。【００４６】
次に本発明の一般式（Ｉ）の化合物について説明する。【００４７】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ２〜Ｒ５はおのおの互に独立して水素原子または置換基を表す。Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４、またはＲ４とＲ５は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ６は水素原子または置換基を表し、ｎは１〜４の整数を表し、ｎが１であるとき、Ｒ１は置換基を表し、ｎが２〜４であるとき、Ｒ１は２〜４価の連結基を表す。【００４８】
Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基は、特に制限はないが、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリフルオロメチル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基等）、アシルアミノ基（例えば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、２−プロペニル基、３−ブテニル基、１−メチル−３−プロペニル基、３−ペンテニル基、１−メチル−３−ブテニル基、４−ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等）、アルキニル基（例えば、プロパルギル基等）、複素環基（例えば、ピリジル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、イミダゾリル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基等）、アリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基等）、アルキルスルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基等）、アリールスルフィニル基（例えば、フェニルスルフィニル基等）、ホスホノ基、アシル基（例えば、アセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、スルホンアミド基（例えば、メタンスルホンアミド基、ベンゼンスルホンアミド基等）、シアノ基、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、複素環オキシ基、シロキシ基、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等）、スルホン酸基、スルホン酸の塩、アミノカルボニルオキシ基、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基等）、アニリノ基（例えば、フェニルアミノ基、クロロフェニルアミノ基、トルイジノ基、アニシジノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、イミド基、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、アルコキシカルボニルアミノ基（例えば、メトキシカルボニルアミノ基、フェノキシカルボニルアミノ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェノキシカルボニル基等）、複素環チオ基、チオウレイド基、カルボキシル基、カルボン酸の塩、ヒドロキシル基、メルカプト基、ニトロ基等の各基が挙げられる。これらの置換基は同様の置換基によってさらに置換されていてもよい。【００４９】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ２〜Ｒ５は水素原子またはアルキル基が好ましい。【００５０】
前記一般式（Ｉ）において、Ｒ６は水素原子または置換基を表し、Ｒ６で表される置換基は、Ｒ２〜Ｒ５が表す置換基と同様な基を挙げることができる。Ｒ５は置換基であってもよいが、水素原子である事が好ましい。特に、Ｒ６は水素原子が好ましい。【００５１】
前記一般式（Ｉ）において、ｎは１〜４の整数を表すが、ｎが１であるとき、Ｒ１は置換基を表し、上記で説明した通りである。ｎが２〜４の整数であるとき、Ｒ１はそれぞれ対応して２〜４価の連結基を表す。【００５２】
尚、ｎが１である場合、Ｒ１は、共役系の置換基である事が好ましい。共役系の置換基の例としては、エチレン、アセチレン、ブタジエン、ピリジン、アントラセン、ピレン、フラン、ベンゼン環、ナフタレンなどの芳香族炭化水素や複素環などが挙げられる。好ましくは、ベンゼン環、ナフタレンなどの芳香族炭化水素である。【００５３】
Ｒ１が２〜４価の連結基を表すとき、２価の連結基として例えば、置換基を有してもよい２価のアルキレン基、置換基を有してもよい２価のアリーレン基、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、あるいはこれらの連結基の組み合わせを挙げることができる。【００５４】
３価の連結基としては、例えば、置換基を有してもよい３価のアルキレン基、置換基を有してもよい３価のアリーレン基、窒素原子、あるいはこれらの連結基の組み合わせを挙げることができ、４価の連結基として例えば、置換基を有してもよい４価のアルキレン基、置換基を有してもよい４価のアリーレン基、あるいはこれらの連結基の組み合わせを挙げることができる。【００５５】
前記一般式（Ｉ）において、ｎは１が好ましく、その時のＲ１は置換または無置換のフェニル基が好ましい。より具体的には、前述の一般式（Ｉ−１）であることが好ましい。前記一般式（Ｉ−１）において、Ｒ２〜Ｒ５はおのおの互いに独立して水素原子または置換基を表す。Ｒ７〜Ｒ１１はおのおの互いに独立して水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基を表す。【００５６】
前記一般式（Ｉ−１）において、Ｒ７〜Ｒ１１のハメットのσＰ値の総和が０以下である事が好ましい。ここで、本明細書中で用いられる  σｐ値について説明する。ハメット則はベンゼン誘導体の反応または平衡に及ぼす置換基の影響を定量的に論ずるために１９３５年Ｌ．Ｐ．Ｈａｍｍｅｔｔにより提唱された経験則であるが、これは今日広く妥当性が認められている。ハメット則により求められた置換基定数にはσp 値とσm 値があり、これらの値は多くの一般的な成書に見出すことができるが、例えばＪ．Ａ．Dean編、「Lange's Handbook of Chemistry」第１２版、１９７９年（McGraw−Hill）や「化学の領域」増刊、１２２号、９６〜１０３頁、１９７９年（南光堂）に詳しい。なお、本発明において各置換基をハメットの置換基定数σp値により限定したり、説明したりするが、これは上記の成書で見出せる、文献既知の値がある置換基にのみ限定されるという意味ではなく、その値が文献未知であってもハメット則に基づいて測定した場合にその範囲内に含まれるであろう置換基をも含むことはいうまでもない。本明細書において、σp 値はこの意味を表わす。【００５７】
前記一般式（Ｉ−１）の好ましい一例として、前記一般式（Ｉ−２）の化合物が挙げられる。前記一般式（Ｉ−２）において、Ｒ２〜Ｒ５はおのおの互いに独立して水素原子または置換基を表す。【００５８】
次に本発明の一般式（Ｉａ）の化合物について説明する。【００５９】
前記一般式（Ｉａ）において、ｎは２〜４の整数を表す。ｍは１〜３の整数を表す。Ｒ１ａ及びＲ６ａは各々独立して水素原子又は置換基を表す。Ｒｔａは水素原子又は置換基を表す。なお、Ｒｔａ同士が互いに結合して環を形成してもよい。Ｒｋａは２〜４価の連結基を表す。【００６０】
Ｒ１ａ及びＲ６ａの具体例については、上述したＲ１及びＲ６についての説明を適用できる。尚、ｎが１である場合、Ｒ１ａは、共役系の置換基である事が好ましい。共役系の置換基の例としては、エチレン、アセチレン、ブタジエン、ピリジン、アントラセン、ピレン、フラン、ベンゼン環、ナフタレンなどの芳香族炭化水素や複素環などが挙げられる。好ましくは、ベンゼン環、ナフタレンなどの芳香族炭化水素である。【００６１】
前記一般式（Ｉａ）の好ましい一例として、前記一般式（Ｉ−３）の化合物が挙げられる。
前記一般式（Ｉ−３）において、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ５，Ｒ６はおのおの互いに独立して水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ２とＲ３は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｘは２価の連結基を表す。【００６２】
次に、一般式（Ｉ）について別の観点から詳細に説明する。【００６３】
ｎは１または２が好ましく；ｎが１であるとき、Ｒ１はおのおの未置換の、または炭素原子数１ないし４のアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし４のアルキルチオ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、炭素原子数１ないし４のアルキルアミノ基、フェニルアミノ基またはジ（炭素原子数１ないし４のアルキル）−アミノ基で置換された、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル基、５，６，７，８−テトラヒドロ−１−ナフチル基、チエニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、ナフト［２，３−ｂ］チエニル基、チアントレニル基、ジベンゾフリル基、クロメニル基、キサンテニル基、フェノキサンチニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、インドリジニル基、イソインドリル基、インドリル基、インダゾリル基、プリニル基、キノリジニル基、イソキノリル基、キノリル基、フタルアジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シノリル基、プテリジニル基、カルバゾリル基、β−カルボリニル基、フェナンチリジニル基、アクリジニル基、ペリミジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、イソチアゾリル基、フェノチアジニル基、イソキサゾリル基、フラザニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、フルオレニル基またはフェノキサジニル基を表すか、あるいはＲ１は下記式（II）で表される基【００６４】
【化７】
2007119421.tif 000009
【００６５】
を表し、ならびに；ｎが２であるとき、Ｒ１は未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基もしくはヒドロキシ基により置換されたフェニレン基、またはナフチレン基を表すか；または−Ｒ１２−Ｘ−Ｒ１３−（基中、Ｘは直接結合；酸素原子、硫黄原子もしくは−ＮＲ３１−を表す。）を表す。【００６６】
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５はおのおの互いに独立して水素原子、塩素原子、ヒドロキシ基、炭素原子数１ないし２５のアルキル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル−置換フェニル基、未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル−置換炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基；炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１８のアルキルチオ基、炭素原子数１ないし４のアルキルアミノ基、ジ（炭素原子数１ないし４のアルキル）アミノ基、炭素原子数１ないし２５のアルカノイルオキシ基、炭素原子数１ないし２５のアルカノイルアミノ基、炭素原子数３ないし２５のアルケノイルオキシ基；酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含む炭素原子数３ないし２５のアルカノイルオキシ基；炭素原子数６ないし９のシクロアルキルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基または炭素原子数１ないし１２のアルキル−置換ベンゾイルオキシ基を表し、あるいは置換基Ｒ２及びＲ３または、Ｒ３及びＲ４またはＲ４及びＲ５は、互いに結合して環を形成してもよい。【００６７】
なお、環を形成してもよいという、その具体的な環をしては下記の様なものが挙げられる。【００６８】
該環としては、５〜６員の環が好ましく、例えば、シクロペンテン環、シクロヘキセン環、ベンゼン環、ピリジン環、ジヒドロピラン環、テトラヒドロピリジン環、ナフタレン環等が挙げられる。【００６９】
Ｒ４はさらに−（ＣＨ２）p−ＣＯＲ１５または−（ＣＨ２）qＯＨ（式中、ｐは０、１または２を表し；ｑは１、２、３、４、５及び６を表す。）を表し；あるいはＲ３、Ｒ５及びＲ６が水素原子を表す場合、Ｒ４はさらに下記式（III）【００７０】
【化８】
2007119421.tif 000010
【００７１】
（式中、Ｒ１はｎ＝１に対して上記で定義されたと同じ意味を表す。）で表される基を表す。【００７２】
Ｒ６は水素原子または下記式（IV）【００７３】
【化９】
2007119421.tif 000011
【００７４】
（式中、Ｒ４は式（III）の基でなく及びＲ１はｎ＝１に対して上記で定義されたと同じ意味を表す。）で表される基を表す。【００７５】
Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１はおのおの互いに独立して水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素原子数１ないし２５のアルキル基；酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含む炭素原子数２ないし２５のアルキル基；炭素原子数１ないし２５のアルコキシ基；酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含む炭素原子数２ないし２５のアルコキシ基；炭素原子数１ないし２５のアルキルチオ基、炭素原子数３ないし２５のアルケニル基、炭素原子数３ないし２５のアルケニルオキシ基、炭素原子数３ないし２５のアルキニル基、炭素原子数３ないし２５のアルキニルオキシ基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルコキシ基、未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル−置換フェニル基、未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル−置換フェノキシ基；未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル−置換炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基；未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル−置換炭素原子数５ないし８のシクロアルコキシ基；炭素原子数１ないし４のアルキルアミノ基、ジ（炭素原子数１ないし４アルキル）アミノ基、炭素原子数１ないし２５のアルカノイル基；酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含む炭素原子数３ないし２５のアルカノイル基；炭素原子数１ないし２５のアルカノイルオキシ基；酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含む炭素原子数３ないし２５のアルカノイルオキシ基；炭素原子数１ないし２５のアルカノイルアミノ基、炭素原子数３ないし２５のアルケノイル基；酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含む炭素原子数３ないし２５のアルケノイル基；炭素原子数３ないし２５のアルケノイルオキシ基；酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含む炭素原子数３ないし２５のアルケノイルオキシ基；炭素原子数６ないし９のシクロアルキルカルボニル基、炭素原子数６ないし９のシクロアルキルカルボニルオキシ基、ベンゾイル基または炭素原子数１ないし１２のアルキル置換ベンゾイル基；ベンゾイルオキシ基または炭素原子数１ないし１２のアルキル置換ベンゾイルオキシ基；【００７６】
【化１０】
2007119421.tif 000012
【００７７】
を表すか、また、式（II）中、置換基Ｒ７及びＲ８またはＲ８及びＲ１１のおのおのの対は、結合している炭素原子と一緒になって、ベンゼン環を形成してもよい。【００７８】
Ｒ１２及びＲ１３はおのおの互いに独立して未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル−置換フェニレン基またはナフチレン基を表し；Ｒ１４は水素原子または炭素原子数１ないし８のアルキル基を表し；Ｒ１５はヒドロキシ基、下記基【００７９】
【化１１】
2007119421.tif 000013
【００８０】
（基中、Ｍはｒ価の金属カチオンを表し、及びｒは１、２もしくは３を表す。）、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基または【００８１】
【化１２】
2007119421.tif 000014
【００８２】
を表し；Ｒ１６及びＲ１７はおのおの互いに独立して水素原子、ＣＦ３、炭素原子数１ないし１２のアルキル基またはフェニル基を表すか、あるいはＲ１６及びＲ１７は結合している炭素原子と一緒になって、未置換のもしくは１ないし３個の炭素原子数１ないし４のアルキル基により置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキリデン環を形成し；Ｒ１８及びＲ１９はおのおの互いに独立して、水素原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基、フェニル基を表し；Ｒ２０は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し；Ｒ２１は水素原子、未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル−置換フェニル基、炭素原子数１ないし２５のアルキル基；酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含む炭素原子数２ないし２５のアルキル基；未置換のもしくはフェニル部分において１ないし３個の炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基；酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含み、かつ、未置換のもしくはフェニル部分において１ないし３個の炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数７ないし２５のフェニルアルキル基を表し；あるいはＲ２０及びＲ２１は結合している炭素原子と一緒になって、未置換のもしくは１ないし３個の炭素原子数１ないし４のアルキル基により置換された炭素原子数５ないし１２のシクロアルキレン環を形成し；Ｒ２２は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し；Ｒ２３は水素原子、炭素原子数１ないし２５のアルカノイル基、炭素原子数３ないし２５のアルケノイル基；酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含む炭素原子数３ないし２５のアルカノイル基；ジ（炭素原子数１ないし６のアルキル）−ホスホネート基により置換された炭素原子数２ないし２５のアルカノイル基；炭素原子数６ないし９のシクロアルキルカルボニル基、テノイル基、フロイル基、ベンゾイル基または炭素原子数１ないし１２のアルキル置換ベンゾイル基；【００８３】
【化１３】
2007119421.tif 000015
【００８４】
（基中、ｓは１または２を表す。）を表し；Ｒ２４及びＲ２５はおのおの互いに独立して水素原子または炭素原子数１ないし１８のアルキル基を表し；Ｒ２６は水素原子または炭素原子数１ないし８のアルキル基を表し；Ｒ２７は直接結合、炭素原子数１ないし１８のアルキレン基；酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含む炭素原子数２ないし１８のアルキレン基；炭素原子数２ないし１８のアルケニレン基、炭素原子数２ないし２０のアルキリデン基、炭素原子数７ないし２０のフェニルアルキリデン基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキレン基、炭素原子数７ないし８のビシクロアルキレン基、未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル−置換フェニレン基、【００８５】
【化１４】
2007119421.tif 000016
【００８６】
を表し；Ｒ28はヒドロキシ基、【００８７】
【化１５】
2007119421.tif 000017
【００８８】
、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基または【００８９】
【化１６】
2007119421.tif 000018
【００９０】
を表し；Ｒ29は酸素原子、−ＮＨ−または【００９１】
【化１７】
2007119421.tif 000019
【００９２】
を表し；Ｒ30は炭素原子数１ないし１８のアルキル基またはフェニル基を表し；Ｒ31は水素原子または炭素原子数１ないし１８のアルキル基を表す。【００９３】
ｎが１であるとき、Ｒ1は、前記式（II）で表される基、おのおの未置換の、または炭素原子数１ないし４のアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし４のアルキルチオ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、炭素原子数１ないし４のアルキルアミノ基またはジ（炭素原子数１ないし４のアルキル）−アミノ基で置換された、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル基、５，６，７，８−テトラヒドロ−１−ナフチル基、チエニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、ナフト［２，３−ｂ］チエニル基、チアントレニル基、ジベンゾフリル基、クロメニル基、キサンテニル基、フェノキサンチニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、インドリジニル基、イソインドリル基、インドリル基、インダゾリル基、プリニル基、キノリジニル基、イソキノリル基、キノリル基、フタルアジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シノリル基、プテリジニル基、カルバゾリル基、β−カルボリニル基、フェナンチリジニル基、アクリジニル基、ペリミジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、イソチアゾリル基、フェノチアジニル基、イソキサゾリル基、フラザニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、フルオレニル基またはフェノキサジニル基は、代表的には１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−フェニルアミノ−４−ナフチル基、１−メチルナフチル基、２−メチルナフチル基、１−メトキシ−２−ナフチル基、２−メトキシ−１−ナフチル基、１−ジメチルアミノ−２−ナフチル基、１，２−ジメチル−４−ナフチル基、１，２−ジメチル−６−ナフチル基、１，２−ジメチル−７−ナフチル基、１，３−ジメチル−６−ナフチル基、１，４−ジメチル−６−ナフチル基、１，５−ジメチル−２−ナフチル基、１，６−ジメチル−２−ナフチル基、１−ヒドロキシ−２−ナフチル基、２−ヒドロキシ−１−ナフチル基、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフチル基、７−フェナントリル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、３−ベンゾ［ｂ］チエニル基、５−ベンゾ［ｂ］チエニル基、２−ベンゾ［ｂ］チエニル基、４−ジベンゾフリル基、４，７−ジベンゾフリル基、４−メチル−７−ジベンゾフリル基、２−キサンテニル基、８−メチル−２−キサンテニル基、３−キサンテニル基、２−フェノキサンチニル基、２，７−フェノキサンチニル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、５−メチル−３−ピロリル基、２−イミダゾリル基、４−イミダゾリル基、５−イミダゾリル基、２−メチル−４−イミダゾリル基、２−エチル−４−イミダゾリル基、２−エチル−５−イミダゾリル基、３−ピラゾリル基、１−メチル−３−ピラゾリル基、１−プロピル−４−ピラゾリル基、２−ピラジニル基、５，６−ジメチル−２−ピラジニル基、２−インドリジニル基、２−メチル−３−イソインドリル基、２−メチル−１−イソインドリル基、１−メチル−２−インドリル基、１−メチル−３−インドリル基、１，５−ジメチル−２−インドリル基、１−メチル−３−インダゾリル基、２，７−ジメチル−８−プリニル基、２−メ���キシ−７−メチル−８−プリニル基、２−キノリジニル基、３−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、イソキノリル基、３−メトキシ−６−イソキノリル基、２−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、２−メトキシ−３−キノリル基、２−メトキシ−６−キノリル基、６−フタラジニル基、７−フタラジニル基、１−メトキシ−６−フタラジニル基、１，４−ジメトキシ−６−フタラジニル基、１，８−ナフチリジニ−２−イル基、２−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、２，３−ジメチル−６−キノキサリニル基、２，３−ジメトキシ−６−キノキサリニル基、２−キナゾリニル基、７−キナゾリニル基、２−ジメチルアミノ−６−キナゾリニル基、３−シノリニル基、６−シノリニル基、７−シノリニル基、３−メトキシ−７−シノリニル基、２−プテリジニル基、６−プテリジニル基、７−プテリジニル基、６，７−ジメトキシ−２−プテリジニル基、２−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、９−メチル−２−カルバゾリル基、９−メチル−３−カルバゾリル基、β−カルボリニ−３−イル基、１−メチル−β−カルボリニ−３−イル基、１−メチル−β−カルボリニ−６−イル基、３−フェニアントリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、２−ペリミジニル基、１−メチル−５−ペリミジニル基、５−フェナントロリニル基、６−フェナントロリニル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、３−イソチアゾリル基、４−イソチアゾリル基、５−イソチアゾリル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、１０−メチル−３−フェノチアジニル基、３−イソキサゾリル基、４−イソキサゾリル基、５−イソキサゾリル基、４−メチル−３−フラザニル基、２−フェノキサジニル基または１０−メチル−２−フェノキサジニル基が好ましい。【００９４】
特別に好ましい上記置換基は、前記式（II）で表される基、おのおの未置換の、または炭素原子数１ないし４のアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし４のアルキルチオ基、ヒドロキシ基、フェニルアミノ基またはジ（炭素原子数１ないし４のアルキル）−アミノ基で置換された、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフチル基、５，６，７，８−テトラヒドロ−１−ナフチル基、チエニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、ナフト［２，３−ｂ］チエニル基、チアントレニル基、ジベンゾフリル基、クロメニル基、キサンテニル基、フェノキサンチニル基、ピロリル基、イソインドリル基、インドリル基、フェノチアジニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、フルオレニル基またはフェノキサジニル基であり、代表的には１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−フェニルアミノ−４−ナフチル基、１−メチルナフチル基、２−メチルナフチル基、１−メトキシ−２−ナフチル基、２−メトキシ−１−ナフチル基、１−ジメチルアミノ−２−ナフチル基、１，２−ジメチル−４−ナフチル基、１，２−ジメチル−６−ナフチル基、１，２−ジメチル−７−ナフチル基、１，３−ジメチル−６−ナフチル基、１，４−ジメチル−６−ナフチル基、１，５−ジメチル−２−ナフチル基、１，６−ジメチル−２−ナフチル基、１−ヒドロキシ−２−ナフチル基、２−ヒドロキシ−１−ナフチル基、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフチル基、７−フェナントリル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、３−ベンゾ［ｂ］チエニル基、５−ベンゾ［ｂ］チエニル基、２−ベンゾ［ｂ］チエニル基、４−ジベンゾフリル基、４，７−ジベンゾフリル基、４−メチル−７−ジベンゾフリル基、２−キサンテニル基、８−メチル−２−キサンテニル基、３−キサンテニル基、２−フェノキサンチニル基、２，７−フェノキサンチニル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、１０−メチル−３−フェノチアジニル基である。【００９５】
ハロゲン置換基は、都合よくは、塩素置換基、臭素置換基またはヨウ素置換基である。塩素置換基が好ましい。【００９６】
２５個までの炭素原子をもつアルカノイル基は枝分かれしたまたは枝分かれしていない基であり、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基、オクタノイル基、ノナノイル基、デカノイル基、ウンデカノイル基、ドデカノイル基、トリデカノイル基、テトラデカノイル基、ペンタデカノイル基、ヘキサデカノイル基、ヘプタデカノイル基、オクタデカノイル基、エイコサノイル基またはドコサノイル基である。【００９７】
２ないし１８個の、より好ましくは２ないし１２個の、特に２ないし６個の炭素原子のアルカノイル基が好ましい。アセチル基が特別に好ましい。【００９８】
ジ（炭素原子数１ないし６のアルキル）ホスホネート基により置換されている炭素原子数２ないし２５のアルカノイル基は代表的には、（ＣＨ3ＣＨ2Ｏ）2ＰＯＣＨ2ＣＯ−、（ＣＨ3Ｏ）2ＰＯＣＨ2ＣＯ−、（ＣＨ3ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2ＰＯＣＨ2ＣＯ−、（ＣＨ3ＣＨ2Ｏ）2ＰＯＣＨ2ＣＨ2ＣＯ−、（ＣＨ3Ｏ）2ＰＯＣＨ2ＣＨ2ＣＯ−、（ＣＨ3ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2ＰＯＣＨ2ＣＨ2ＣＯ−、（ＣＨ3ＣＨ2Ｏ）2ＰＯ（ＣＨ2）4ＣＯ−、（ＣＨ3ＣＨ2Ｏ）2ＰＯ（ＣＨ2）8ＣＯ−または（ＣＨ3ＣＨ2Ｏ）2ＰＯ（ＣＨ2）17ＣＯ−である。【００９９】
２５個までの炭素原子を持つアルカノイルオキシ基は、枝分かれしたまたは枝分かれしていない基であり、例えば、ホルミルオキシ基、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブタノイルオキシ基、ペンタノイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ヘプタノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ノナノイルオキシ基、デカノイルオキシ基、ウンデカノイルオキシ基、ドデカノイルオキシ基、トリデカノイルオキシ基、テトラデカノイルオキシ基、ペンタデカノイルオキシ基、ヘキサデカノイルオキシ基、ヘプタデカノイルオキシ基、オクタデカノイルオキシ基、エキコサノイルオキシ基またはドコサノイルオキシ基である。【０１００】
２ないし１８個の、より好ましくは２ないし１２個の、例えば２ないし６個の炭素原子のアルカノイルオキシ基が好ましい。アセトキシ基が特別に好ましい。【０１０１】
３個ないし２５個の炭素原子を持つアルケノイル基は枝分かれしたまたは枝分かれしていない基であり、例えば、プロペノイル基、２−ブテノイル基、３−ブテノイル基、イソブテノイル基、ｎ−２，４−ペンタジエノイル基、３−メチル−２−ブテノイル基、ｎ−２−オクテノイル基、ｎ−２−ドデセノイル基、イソ−ドデセノイル基、オレオイル基、ｎ−２−オクダデカノイル基またはｎ−４−オクタデカノイル基である。【０１０２】
３ないし１８個の、より好ましくは３ないし１２個の、例えば３ないし６個の、最も好ましくは３ないし４個の炭素原子のアルケノイル基が好ましい。【０１０３】
酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含む炭素原子数３ないし２５のアルケノイル基は代表的にはＣＨ3ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＯ−またはＣＨ3ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ＝ＣＨＣＯ−である。【０１０４】
３ないし２５個の炭素原子をもつアルケノイルオキシ基は枝分かれしたまたは枝分かれしていない基であり、例えば、プロペノイルオキシ基、２−ブテノイルオキシ基、３−ブテノイルオキシ基、イソブテノイルオキシ基、ｎ−２，４−ペンタジエノイルオキシ基、３−メチル−２−ブテノイルオキシ基、ｎ−２−オクテノイルオキシ基、ｎ−２−ドデセノイルオキシ基、イソ−ドデセノイルオキシ基、オレオイルオキシ基、ｎ−２−オクタデセノイルオキシ基またはｎ−４−オクタデセノイルオキシ基である。【０１０５】
３ないし１８個の、より好ましくは３ないし１２個の、代表的には３ないし６個の、最も好ましくは３ないし４個の炭素原子のアルケノイルオキシ基が好ましい。【０１０６】
酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含む炭素原子数３ないし２５のアルケノイルオキシ基は代表的にはＣＨ3ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−またはＣＨ3ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−  酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含む炭素原子数３ないし２５のアルカノイル基は代表的にはＣＨ3−Ｏ−ＣＨ2ＣＯ−，ＣＨ3−Ｓ−ＣＨ2ＣＯ−、ＣＨ3−ＮＨ−ＣＨ2ＣＯ−、ＣＨ3−Ｎ（ＣＨ3）−ＣＨ2ＣＯ−、ＣＨ3−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−ＯＣＨ2ＣＯ、ＣＨ3−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2）2Ｏ−ＣＨ2ＣＯ−、ＣＨ3−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−）3Ｏ−ＣＨ2ＣＯ−またはＣＨ3−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2
−）4Ｏ−ＣＨ2ＣＯ−である。【０１０７】
酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含む炭素原子数３ないし２５のアルカノイルオキシ基は代表的にはＣＨ3−Ｏ−ＣＨ2ＣＯＯ−、ＣＨ3−Ｓ−ＣＨ2ＣＯＯ−、ＣＨ3−ＮＨ−ＣＨ2ＣＯＯ−、ＣＨ3−Ｎ（ＣＨ3）−ＣＨ2ＣＯＯ−、ＣＨ3−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−ＯＣＨ2ＣＯＯ−、ＣＨ3−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2）2Ｏ−ＣＨ2ＣＯＯ−、ＣＨ3−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−）3Ｏ−ＣＨ2ＣＯＯ−また
はＣＨ3−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−）4Ｏ−ＣＨ2ＣＯＯ−である。【０１０８】
炭素原子数６ないし９のシクロアルキルカルボニル基の例は、シクロペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、シクロヘプチルカルボニル基及びシクロオクチルカルボニル基である。シクロヘキシルカルボニル基が好ましい。【０１０９】
炭素原子数６ないし９のシクロアルキルカルボニルオキシ基の例は、シクロペンチルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ、シクロヘプチルカルボニルオキシ基及びシクロオクチルカルボニルオキシ基である。シクロヘキシルカルボニルオキシ基が好ましい。【０１１０】
好ましくは１ないし３個の、最も好ましくは１ないし２個のアルキル基をもつ、炭素原子数１ないし１２のアルキル−置換ベンゾイル基はｏ−、ｍ−もしくはｐ−メチルベンゾイル基、２，３−ジメチルベンゾイル基、２，４−ジメチルベンゾイル基、２，５−ジメチルベンゾイル基、２，６−ジメチルベンゾイル基、３，４−ジメチルベンゾイル基、３，５−ジメチルベンゾイル基、２−メチル−６−エチルベンゾイル基、４−第三ブチル−ベンゾイル基、２−エチルベンゾイル基、２，４，６−トリメチルベンゾイル基、２，６−ジメチル−４−第三ブチルベンゾイル基または３，５−ジ第三ブチル−ブチルベンゾイル基である。【０１１１】
好ましい置換基は炭素原子数１ないし８のアルキル基、最も好ましくは炭素原子数１ないし４のアルキル基である。【０１１２】
好ましくは１ないし３個の、最も好ましくは１ないし２個のアルキル基をもつ、炭素原子数１ないし１２のアルキル−置換ベンゾイルオキシ基はｏ−、ｍ−もしくはｐ−メチルベンゾイルオキシ基、２，３−ジメチルベンゾイルオキ基、２，４−ジメチルベンゾイルオキシ基、２，５−ジメチルベンゾイルオキシ基、２，６−ジメチルベンゾイルオキシ基、３，４−ジメチルベンゾイルオキシ基、３，５−ジメチルベンゾイルオキシ基、２−メチル−６−エチルベンゾイルオキシ基、４−第三ブチルベンゾイルオキシ基、２−エチルベンンゾイルオキシ基、２，４，６−トリメチルベンゾイルオキシ基、２，６−ジメチル−４−第三ブチルベンゾイルオキシ基及び３，５−ジ第三ブチルベンゾイルオキシ基である。【０１１３】
好ましい置換基は炭素原子数１ないし８のアルキル基、最も好ましくは炭素原子数１ないし４のアルキル基である。【０１１４】
２５個までの炭素原子をもつアルキル基は枝分かれしたまたは枝分かれしていない基であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、第二ブチル基、イソブチル基、第三ブチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、１−メチルペンチル基、１，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘプチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基、１−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、１，１，３−トリメチルヘキシル基、１，１，３，３−テトラメチルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、１−メチルウンデシル基、ドデシル基、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルヘキシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、エイコシル基またはドコシル基である。【０１１５】
好ましいＲ2及びＲ4の意味は代表的には、炭素原子数１ないし１８のアルキル基である。特に好ましいＲ4の意味は炭素原子数１ないし４のアルキル基である。【０１１６】
３個ないし２５個の炭素原子を持つアルケニル基は枝分かれしたまたは枝分かれしていない基であり、例えば、プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、イソブテニル基、ｎ−２，４−ペンタジエニル基、３−メチル−２−ブテニル基、ｎ−２−オクテニル基、ｎ−２−ドデセニル基、イソドデセニル基、オレイル基、ｎ−２−オクダデカニル基またはｎ−４−オクタデカニル基である。【０１１７】
３ないし１８個の、より好ましくは３ないし１２個の、代表的には３ないし６個の、最も好ましくは３ないし４個の炭素原子のアルケニル基が好ましい。【０１１８】
３個ないし２５個の炭素原子を持つアルケニルオキシ基は枝分かれしたまたは枝分かれしていない基であり、例えば、プロペニルオキシ基、２−ブテニルオキシ基、３−ブテニルオキシ基、イソブテニルオキシ基、ｎ−２，４−ペンタジエニルオキシ基、３−メチル−２−ブテニルオキシ基、ｎ−２−オクテニルオキシ基、ｎ−２−ドデセニルオキシ基、イソドデセニルオキシ基、オレイルオキシ基、ｎ−２−オクダデカニルオキシ基またはｎ−４−オクタデカニルオキシ基である。【０１１９】
３ないし１８個の、より好ましくは３ないし１２個の、代表的には３ないし６個の、最も好ましくは３ないし４個の炭素原子のアルケニルオキシ基が好ましい。【０１２０】
３個ないし２５個の炭素原子を持つアルキニル基は枝分かれしたまたは枝分かれしていない基であり、例えば、プロピニル基（−ＣＨ2−Ｃ≡ＣＨ）、２−ブチニル基、３−ブチニル基、ｎ−２−オクチニル基、ｎ−２−ドデシニル基である。【０１２１】
３ないし１８個の、より好ましくは３ないし１２個の、代表的には３ないし６個の、最も好ましくは３ないし４個の炭素原子のアルキニル基が好ましい。【０１２２】
３個ないし２５個の炭素原子を持つアルキニルオキシ基は枝分かれしたまたは枝分かれしていない基であり、例えば、プロピニルオキシ基（−ＯＣＨ2−Ｃ≡ＣＨ）、２−ブチニルオキシ基、３−ブチニルオキシ基、ｎ−２−オクチニルオキシ基、ｎ−２−ドデシニルオキシ基である。【０１２３】
３ないし１８個の、より好ましくは３ないし１２個の、代表的には３ないし６個の、最も好ましくは３ないし４個の炭素原子のアルキニルオキシ基が好ましい。【０１２４】
酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含む炭素原子数２ないし２５のアルキル基は、代表的にはＣＨ3−Ｏ−ＣＨ2−，ＣＨ3−Ｓ−ＣＨ2−、ＣＨ3−ＮＨ−ＣＨ2−、ＣＨ3−Ｎ（ＣＨ3）−ＣＨ2−、ＣＨ3−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2−、ＣＨ3（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2）2Ｏ−ＣＨ2−、ＣＨ3−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−）3Ｏ−ＣＨ2−またはＣＨ3−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−）4Ｏ−ＣＨ2−である。【０１２５】
炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基は代表的には、ベンジル基、α−メチルベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基及び２−フェニルエチル基である。ベンジル基及びα，α−ジメチルベンジル基が好ましい。【０１２６】
未置換のまたはフェニル部分で１ないし３個の炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されている炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基は代表的には、ベンジル基、α−メチルベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、２−フェニルエチル基、２−メチルベンジル基、３−メチルベンジル基、４−メチルベンジル基、２，４−ジメチルベンジル基、２，６−ジメチルベンジル基または４−第三ブチルベンジル基である。ベンジル基が
好ましい。【０１２７】
酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含み、かつ、未置換のまたはフェニル部分で１ないし３個の炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されている炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基は、例えばフェノキシメチル基、２−メチルフェノキシメチル基、３−メチルフェノキシメチル基、４−メチルフェノキシメチル基、２，４−メチルフェノキシメチル基、２，３−メチルフェノキシメチル基、フェニルチオメチル基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニル−メチル基、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルメチル基、４−第三ブチルフェノキシメチル基、４−第三ブチルフェニキシエトキシメチル基、２，４−ジ−第三ブチルフェノキシメチル、２，４−ジ−第三ブチルフェノキシエトキシメチル基、フェノキシエトキシエトキシエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルオキシエトキシメチル基、Ｎ−ベンジル−Ｎ−エチルメチル基またはＮ−ベンジル−Ｎ−イソプロピルメチル基のような、枝分かれしたまたは枝分かれしていない基である。【０１２８】
炭素原子数７ないし９のフェニルアルコキシ基は代表的には、ベンジルオキシ基、α−メチルベンジルオキシ基、α，α−ジメチルベンジルオキシ基及び２−フェニルエトキシ基である。ベンジルオキシ基が好ましい。【０１２９】
好ましくは１ないし３個、特に１または２個のアルキル基を含む、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェニル基の例は、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−メチルフェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基、４−第三ブチルフェニル基、２−エチルフェニル基及び２，６−ジエチルフェニル基である。【０１３０】
好ましくは１ないし３個、特に１または２個のアルキル基を含む、炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換されたフェノキシ基の例は、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−メチルフェノキシ基、２，３−ジメチルフェノキシ基、２，４−ジメチルフェノキシ基、２，５−ジメチルフェノキシ基、２，６−ジメチルフェノキシ基、３，４−ジメチルフェノキシ基、３，５−ジメチルフェノキシ基、２−メチル−６−エチルフェノキシ基、４−第三ブチルフェノキシ基、２−エチルフェノキシ基及び２，６−ジエチルフェノキシ基である。【０１３１】
未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基の例は、シクロペンチル基、メチルシクロペンチル基、ジメチルシクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、トリメチルシクロヘキシル基、第三ブチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基である。シクロヘキシル基及び第三ブチルシクロヘキシル基が好ましい。【０１３２】
未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルコキシ基の例は、シクロペントキシ基、メチルシクロペントキシ基、ジメチルシクロペントキシ基、シクロヘクソキシ基、メチルシクロヘクソキシ基、ジメチルシクロヘクソキシ基、トリメチルシクロヘクソキシ基、第三ブチルシクロヘクソキシ基、シクロヘプトキシ基及びシクロオクトキシ基である。シクロヘクソキシ基及び第三ブチルシ
クロヘキシキシ基が好ましい。【０１３３】
２５個までの炭素原子をもつアルコキシ基は枝分かれしたまたは枝分かれしていない基であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ペントキシ基、イソペントキシ基、ヘキソキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ、デシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基またはオクタデシルオキシ基である。１ないし１２個の、好ましくは１ないし８個の、例えば１ないし６個の炭素原子のアルコキシ基が好ましい。【０１３４】
酸素原子、硫黄原子もしくは−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含む炭素原子数２ないし２５のアルコキシ基は代表的には、ＣＨ3−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、ＣＨ3−Ｓ−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、ＣＨ3−ＮＨ−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、ＣＨ3−Ｎ（ＣＨ3）−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、ＣＨ3−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、ＣＨ3（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2）2Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、ＣＨ3−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−）3Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−またはＣＨ3−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−）4Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−である。【０１３５】
２５個までの炭素原子をもつアルキルチオ基は枝分かれしたまたは枝分かれしていない基であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ペンチルチオ基、イソペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、テトラデシルチオ基、ヘキサデシルチオ基またはオクタデシルチオ基である。１ないし１２個の、好ましくは１ないし８個の、例えば１ないし６個の炭素原子のアルキルチオ基が好ましい。【０１３６】
４個までの炭素原子をもつアルキルアミノ基は枝分かれしたまたは枝分かれしていない基であり、例えばメチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基または第三ブチルアミノ基である。【０１３７】
ジ（炭素原子数１ないし４のアルキルアミノ）基もまた、おのおの他方と独立した２つの部分は枝分かれしたまたは枝分かれしていないことを意味し、代表的には、ジメチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチル−ｎ−プロピルアミノ基、メチルイソプロピルアミノ基、メチル−ｎ−ブチルアミノ基、メチルイソブチルアミノ基、エチルイソプロピルアミノ基、エチル−ｎ−ブチルアミノ基、エチルイソブチルアミノ基、エチル−第三ブチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、イソプロピル−ｎ−ブチルアミノ基、イソプロピルイソブチルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基またはジイソブチルアミノ基である。【０１３８】
２５個までの炭素原子を持つアルカノイルアミノ基は、枝分かれしたまたは枝分かれしていない基であり、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ブタノイルアミノ基、ペンタノイルアミノ基、ヘキサノイルアミノ基、ヘプタノイルアミノ基、オクタノイルアミノ基、ノナノイルアミノ基、デカノイルアミノ基、ウンデカノイルアミノ基、ドデカノイルアミノ基、トリデカノイルアミノ基、テトラデカノイルアミノ基、ペンタデカノイルアミノ基、ヘキサデカノイルアミノ基、ヘプタデカノイルアミノ基、オクタデカノイルアミノ基、エキコサノイルアミノ基またはドコサノイルアミノ基である。【０１３９】
２ないし１８個の、好ましくは２ないし１２個の、例えば２ないし６個の炭素原子のアルカノイルアミノ基が好ましい。【０１４０】
炭素原子数１ないし１８の炭素原子をもつアルキレン基は枝分かれしたまたは枝分かれしていない基であり、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基、ドデカメチレン基またはオクタデカメチレン基である。【０１４１】
炭素原子数１ないし１２のアルキレン基が好ましく、及び炭素原子数１ないし８のアルキレン基が特に好ましい。【０１４２】
１ないし３個の、好ましくは１ないし２個の枝分かれしたまたは枝分かれしていない基を含む、炭素原子数１ないし４のアルキル−置換炭素原子数５ないし１２のシクロアルキレン環の例は、シクロペンチレン、メチルシクロペンチレン、ジメチルシクロペンチレン、シクロヘキシレン、メチルシクロヘキシレン、ジメチルシクロヘキシレン、トリメチルシクロヘキシレン、第三ブチルシクロヘキシレン、シクロヘプチレン、シクロオクチレンまたはシクロデシレン環である。シクロヘキシレン及び第三ブチルシクロヘキシレン環が好ましい。【０１４３】
酸素原子、硫黄原子または−Ｎ（Ｒ１４）−を炭素鎖の中に含む炭素原子数２ないし１８のアルキレン基の例は−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2−、−ＣＨ2−Ｓ−ＣＨ2−、−ＣＨ2−ＮＨ−ＣＨ2−、−ＣＨ2−Ｎ（ＣＨ3）−ＣＨ2−、−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2−、−ＣＨ2−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2−）2Ｏ−ＣＨ2−、−ＣＨ2−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2）3Ｏ−ＣＨ2−、−ＣＨ2−（Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2）4Ｏ−ＣＨ2−及び−ＣＨ2ＣＨ2−Ｓ−ＣＨ2ＣＨ2−である。【０１４４】
炭素原子数１ないし１８のアルケニレン基は代表的にはビニレン基、メチルビニレン基、オクテニルエチレン基またはドデセニルエチレン基である。炭素原子数２ないし８のアルケニレン基が好ましい。【０１４５】
２ないし２０個の炭素原子を持つアルキリデン基は代表的には、エチリデン基、プロピリデン基、ブチリデン基、ペンチリデン基、４−メチルペンチリデン基、ヘプチリデン基、ノニリデン基、トリデシリデン基、ノナデシリデン基、１−メチルエチリデン基、１−エチルプロピリデン基及び１−エチルペンチリデン基である。炭素原子数２ないし８のアルキリデン基が好ましい。【０１４６】
７ないし２０個の炭素原子を持つフェニルアルキリデン基の例はベンジリデン基、２−フェニルエチリデン基及び１−フェニル基−２−ヘキシリデン基である。炭素原子数７ないし９のフェニルアルキリデン基が好ましい。【０１４７】
炭素原子数５ないし８のシクロアルキレン基は２つの自由電子価及び少なくとも１つの環単位をもつ不飽和炭化水素基であり、例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基またはシクロオクチレン基である。シクロヘキシレン基が好ましい。【０１４８】
炭素原子数７ないし８のビシクロアルキレン基はビシクロヘプチレン基及びビシクロオクチレン基である。【０１４９】
未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル−置換フェニレン基またはナフチレン基の例は１，２−，１，３−及び１，４−フェニレン基；１，２−，１，３−，１，４−，１，６−，１，７−，２，６−または２，７−ナフチレン基である。１，４−フェニレン基が好ましい。【０１５０】
好ましくは１ないし３個の、最も好ましくは１または２個の、枝分かれしたまたは枝分かれしていないアルキル基を含む、炭素原子数１ないし４のアルキル−置換炭素原子数５ないし８のシクロアルキリデン環の例は、シクロペンチリデン、メチルシクロペンチリデン、ジメチルシクロペンチリデン、シクロヘキシリデン、メチルシクロヘキシリデン、ジメチルシクロヘキシリデン、トリメチルシクロヘキシリデン、第三ブチルシクロヘキシリデン、シクロヘプチリデン及びシクロオクチリデンである。シクロヘキシリデン及び第三ブチルシクロヘキシリデンが好ましい。【０１５１】
１価、２価または３価の金属カチオンは好ましくはアルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオンまたはアルミニウムカチオンであり、例えばＮａ+、Ｋ+、Ｍｇ++、Ｃａ++またはＡｌ+++である。【０１５２】
興味深い一般式（Ｉ）で表される化合物は、ｎが１であるとき、Ｒ1が、おのおの未置換の、またはパラ位において、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１８のアルキルチオ基もしくはジ（炭素原子数１ないし４のアルキル）−アミノ基により置換されたフェニル基；１ないし５個のアルキル置換基中で同時に最大数１８個の炭素原子数を含む一ないし五置換されたアルキルフェニル基；おのおの未置換の、または炭素原子数１ないし４のアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし４のアルキルチオ基、ヒドロキシ基またはアミノ基で置換された、ナフチル基、ビフェニル基、テルフェニル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、チエニル基、ピロリル基、フェノチアジニル基または５，６，７，８−テトラヒドロナフチル基を表す、化合物である。【０１５３】
別の好ましい一般式（Ｉ）で表される化合物は、ｎが２であるとき、Ｒ1が−Ｒ12−Ｘ−Ｒ13−を表し；Ｒ12及びＲ13がフェニレン基を表し；Ｘが酸素原子または−ＮＲ31−を表し；及びＲ31が炭素原子数１ないし４のアルキル基を表す、化合物である。【０１５４】
さらに好ましい一般式（Ｉ）で表される化合物は、ｎが１であるとき、Ｒ1が、おのおの未置換の、または炭素原子数１ないし４のアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし４のアルキルチオ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、炭素原子数１ないし４のアルキルアミノ基またはジ（炭素原子数１ないし４のアルキル）−アミノ基で置換された、ナフチル基、フェナントリル基、チエニル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基、フルオレニル基を表すか、あるいは式（II）【０１５５】
【化１８】
2007119421.tif 000020
【０１５６】
で表される基を表し；
Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11はおのおの互いに独立して水素原子、塩素原子、臭素原子、ヒドロキシ基、炭素原子数１ないし１８のアルキル基；酸素原子もしくは硫黄原子で中断された炭素原子数２ないし１８のアルキル基；炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基；酸素原子もしくは硫黄原子で中断された炭素原子数２ないし１８のアルコキシ基；炭素原子数１ないし１８のアルキルチオ基、炭素原子数３ないし１２のアルケニルオキシ基、炭素原子数３ないし１２のアルキニルオキシ基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルコキシ基、未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル−置換フェニル基、フェノキシ基、シクロヘキシル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルコキシ基；炭素原子数１ないし４のアルキルアミノ基、ジ（炭素原子数１ないし４アルキル）アミノ基、炭素原子数１ないし１２のアルカノイル基；酸素原子もしくは硫黄原子で中断された炭素原子数３ないし１２のアルカノイル基；炭素原子数３ないし１２のアルカノイルオキシ基；酸素原子もしくは硫黄原子で中断された炭素原子数３ないし１２のアルカノイルオキシ基；炭素原子数１ないし１２のアルカノイルアミノ基、炭素原子数３ないし１２のアルケノイル基、炭素原子数３ないし１２のアルケノイルオキシ基、シクロヘキシルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、ベンゾイル基または炭素原子数１ないし４のアルキル−置換ベンゾイル基；ベンゾイルオキシ基または炭素原子数１ないし４のアルキル置換ベンゾイルオキシ基；【０１５７】
【化１９】
2007119421.tif 000021
【０１５８】
を表すか、また、式（II）中、置換基Ｒ7及びＲ8またはＲ8及びＲ11のおのおのの対は、結合している炭素原子と一緒になって、ベンゼン環を形成してもよい。Ｒ15はヒドロキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルコキシ基または【０１５９】
【化２０】
2007119421.tif 000022
【０１６０】
を表し；Ｒ18及びＲ19はおのおの互いに独立して、水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し；Ｒ20は水素原子を表し；Ｒ21は水素原子、フェニル基、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、酸素原子もしくは硫黄原子で中断された炭素原子数２ないし１８のアルキル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基；酸素原子もしくは硫黄原子で中断され、かつ、未置換のもしくはフェニル部分において１ないし３個の炭素原子数１ないし４のアルキル基で置換された炭素原子数７ないし１８のフェニルアルキル基を表し；あるいはＲ20及びＲ21は結合している炭素原子と一緒になって、未置換のもしくは１ないし３個の炭素原子数１ないし４のアルキル基により置換されたシクロヘキシレン環を形成し；Ｒ22は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し；Ｒ23は水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルカノイル基、炭素原子数３ないし１２のアルケノイル基；酸素
原子もしくは硫黄原子で中断された炭素原子数３ないし１２のアルカノイル基；ジ（炭素原子数１ないし６のアルキル）−ホスホネート基により置換された炭素原子数２ないし１２のアルカノイル基；炭素原子数６ないし９のシクロアルキルカルボニル基、ベンゾイル基；【０１６１】
【化２１】
2007119421.tif 000023
【０１６２】
（基中、ｓは１または２を表す。）を表し；Ｒ24及びＲ25はおのおの互いに独立して水素原子または炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表し；Ｒ26は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し；Ｒ27は炭素原子数１ないし１２のアルキレン基、炭素原子数２ないし８のアルケニレン基、炭素原子数２ないし８のアルキリデン基、炭素原子数７ないし１２のフェニルアルキリデン基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキレン基、フェニレン基を表し；Ｒ28はヒドロキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルコキシ基または【０１６３】
【化２２】
2007119421.tif 000024
【０１６４】
を表し；Ｒ29は酸素原子または−ＮＨ−を表し；Ｒ30は炭素原子数１ないし１８のアルキル基またはフェニル基を表す、化合物である。【０１６５】
また、好ましいものは、ｎが１であるとき、Ｒ1が、フェナントリル基、チエニル基、ジベンゾフリル基；未置換のもしくは炭素原子数１ないし４のアルキル−置換カルバゾリル基；またはフルオレニル基を表すか、あるいは式（II）【０１６６】
【化２３】
2007119421.tif 000025
【０１６７】
で表される基を表し；Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11はおのおの互いに独立して水素原子、塩素原子、ヒドロキシ基、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１８のアルキルチオ基、炭素原子数３ないし４のアルケニルオキシ基、炭素原子数３ないし４のアルキニルオキシ基、フェニル基、ベンゾイル基、ベンゾイルオキシ基または【０１６８】
【化２４】
2007119421.tif 000026
【０１６９】
を表す。【０１７０】
Ｒ20は水素原子を表し；Ｒ21は水素原子、フェニル基、炭素原子数１ないし１８のアルキル基を表し；あるいはＲ20及びＲ21は結合している炭素原子と一緒になって、未置換のもしくは１ないし３個の炭素原子数１ないし４のアルキル基により置換されたシクロヘキシレン環を形成し；Ｒ22は水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し；Ｒ23は水素原子、炭素原子数１ないし１２のアルカノイル基またはベンゾイル基を表す、一般式（Ｉ）で表される化合物である。【０１７１】
Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11はおのおの互いに独立して水素原子、炭素原子数１ないし４のアルキル基、または原子数１ないし８のアルコキシ基を表す、一般式（Ｉ）で表される化合物は特別に好ましい。【０１７２】
特別に興味深い一般式（Ｉ）で表される化合物は、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5はおのおの互いに独立して水素原子、塩素原子、ヒドロキシ基、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、ベンジル基、フェニル基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基、炭素原子数１ないし１８のアルキルチオ基、炭素原子数１ないし１８のアルカノイルオキシ基、炭素原子数１ないし１８のアルカノイルアミノ基、炭素原子数３ないし１８のアルケノイルオキシ基またはベンゾイルオキシ基を表し；あるいは置換基Ｒ2及びＲ3または、Ｒ3及びＲ4またはＲ4及びＲ5は結合している炭素原子と一緒になって、ベンゼン環を形成し；Ｒ4はさらに−（ＣＨ2）p−ＣＯＲ15または−（ＣＨ2）qＯＨ（式中、ｐは１または２を表し；ｑは２、３、４、５または６を表す。）を表し；あるいはＲ3、Ｒ5及びＲ6が水素原子を表す場合、Ｒ4はさらに式（III）で表される基を表し；Ｒ15はヒドロキシ基、炭素原子数１ないし１２のアルコキシ基または【０１７３】
【化２５】
2007119421.tif 000027
【０１７４】
を表し；Ｒ16及びＲ17はメチル基を表すか、または結合している炭素原子と一緒になって、未置換のもしくは１ないし３個の炭素原子数１ないし４のアルキル基により置換された炭素原子数５ないし８のシクロアルキリデン環を形成し；Ｒ24及びＲ25はおのおの互いに独立して水素原子または炭素原子数１ないし１２のアルキ
ル基を表す、化合物である。【０１７５】
特に好ましい一般式（Ｉ）で表される化合物はまた、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5の少なくとも２つが水素原子である、化合物である。【０１７６】
非常に特別に好ましい一般式（Ｉ）で表される化合物は、Ｒ2が炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し；Ｒ3が水素原子を表し；Ｒ4が炭素原子数１ないし４のアルキル基を表すかまたは、Ｒ6が水素原子を表す場合、Ｒ4はさらに式（III）で表される基を表し；Ｒ5は水素原子を表す化合物である。【０１７７】
次に、詳細に本発明の一般式（Ｉ−１）の化合物について説明する。【０１７８】
前記一般式（Ｉ−１）において、Ｒ2〜Ｒ5は前記一般式（Ｉ）におけるＲ2〜Ｒ5と同義であり、おのおの互いに独立して水素原子または置換基を表す。Ｒ2〜Ｒ5で表される置換基は、特に制限はないが、例えば前記一般式（Ｉ）におけるＲ2〜Ｒ5で表される置換基と同様の基を挙げることができる。【０１７９】
前記一般式（Ｉ−１）において、Ｒ2〜Ｒ5が置換基を表すとき、置換基としては未置換のもしくは置換の炭素原子数１ないし１８のアルキル基が好ましく、未置換のもしくは置換の炭素原子数１ないし８のアルキル基がより好ましく、未置換のもしくは置換の炭素原子数１ないし４のアルキル基が特に好ましい。【０１８０】
Ｒ7〜Ｒ11はおのおの互いに独立して水素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数１ないし１８のアルコキシ基をあらわす。【０１８１】
次に、詳細に本発明の一般式（Ｉ−２）の化合物について説明する。【０１８２】
前記一般式（Ｉ−２）において、Ｒ2〜Ｒ5は前記一般式（Ｉ）におけるＲ2〜Ｒ5と同義であり、おのおの互いに独立して水素原子または置換基を表す。Ｒ2〜Ｒ5で表される置換基は、特に制限はないが、例えば前記一般式（Ｉ）におけるＲ2〜Ｒ5で表される置換基と同様の基を挙げることができる。【０１８３】
前記一般式（Ｉ−２）において、Ｒ2〜Ｒ5が置換基を表すとき、置換基としては未置換のもしくは置換の炭素原子数１ないし１８のアルキル基が好ましく、未置換のもしくは置換の炭素原子数１ないし８のアルキル基がより好ましく、未置換のもしくは置換の炭素原子数１ないし４のアルキル基が特に好ましい。【０１８４】
前記一般式（Ｉ−３）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６はおのおの互いに独立して水素原子または置換基を表す。なお、Ｒ２とＲ３は互いに結合して環を形成しても良い。置換基は一般式（Ｉ）のＲ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。Ｒ６は特に水素原子が好ましい。Ｘは２価の連結基を表す。２価の連結基としては、例えば、置換基を有しても良い２価のアルキレン基、置換基を有しても良い２価のアリーレン基、酸素原子、硫黄原子、あるいはこれらの連結基の組み合わせを挙げることができる。【０１８５】
本発明の一般式（Ｉ）、（Ｉａ）、（Ｉ−１）、（Ｉ−２）及び（Ｉ−３）で表される化合物の添加量は、セルロースエステルに対して、０．０１〜１０質量％添加することが好ましく、更に、０．１〜５質量％添加することが好ましく、更に、０．２〜２質量％添加することが好ましい。これらは、２種類以上を併用しても良い。【０１８６】
本発明の一般式（Ｉ）、（Ｉａ）、（Ｉ−１）、（Ｉ−２）及び（Ｉ−３）で表される本発明による化合物はそれ自体公知の方法によって製造できる。【０１８７】
本発明の一般式（Ｉ）、（Ｉａ）、（Ｉ−１）、（Ｉ−２）及び（Ｉ−３）で表される化合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。【０１８８】
【化２６】
2007119421.tif 000028
【０１８９】
【化２７】
2007119421.tif 000029
【０１９０】
【化２８】
2007119421.tif 000030
【０１９１】
【化２９】
2007119421.tif 000031
【０１９２】
【化３０】
2007119421.tif 000032
【０１９３】
【化３１】
2007119421.tif 000033
【０１９４】
【化３２】
2007119421.tif 000034
【０１９５】
【化３３】
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【０１９６】
【化３４】
2007119421.tif 000036
【０１９７】
【化３５】
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【０１９８】
【化３６】
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【０１９９】
【化３７】
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【０２００】
【化３８】
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【０２０１】
【化３９】
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【０２０２】
【化４０】
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【０２０３】
《セルロースエステル》
次に、本発明に用いられるセルロースエステルについて、詳述する。【０２０４】
本発明に用いられるセルロースエステルフィルムは、溶液流延法、または溶融流延法により製造される。溶液流延法は、セルロースエステルを溶媒中に溶解した溶液（ドープ）を支持体上に流延し、溶媒を蒸発させてフィルムを形成する。溶融流延法では、セルロースエステルを加熱により溶融したもの（メルト）を支持体上に流延してフィルムを形成する。【０２０５】
溶融流延法はフィルム製造時の有機溶媒使用量を、大幅に少なくすることができるため、従来の有機溶媒を多量に使用する溶液流延法に比較して、環境適性が大幅に向上したフィルムが得られるため、溶融流延法により、セルロースエステルフィルムを製造することが好ましい。【０２０６】
本発明における溶融流延とは、実質的に溶媒を用いずにセルロースエステルを流動性を示す温度まで加熱溶融しこれを用いて製膜する方法であり、例えば流動性のセルロースエステルをダイスから押し出して製膜する方法である。【０２０７】
なお溶融セルロースエステルを調製する過程の一部で溶媒を使用してもよいが、フィルム状に成形を行う溶融製膜プロセスにおいては実質的に溶媒を用いずに成形加工する。【０２０８】
表示装置用フィルムを構成するセルロースエステルとしては、溶融製膜可能なセルロースエステルであれば特に限定はされず、例えば芳香族カルボン酸エステル等も用いられるが、光学特性等の得られるフィルムの特性を鑑みると、セルロースの低級脂肪酸エステルを使用するのが好ましい。【０２０９】
本発明においてセルロースの低級脂肪酸エステルにおける低級脂肪酸とは炭素原子数が５以下の脂肪酸を意味し、例えばセルロースアセテート、セルロースプロピオネート、セルロースブチレート、セルロースピバレート等がセルロースの低級脂肪酸エステルの好ましいものとして挙げられる。【０２１０】
炭素原子数が６以上の脂肪酸で置換されたセルロースエステルでは、溶融製膜性は良好であるものの、得られるセルロースエステルフィルムの力学特性が低く、実質的に光学フィルムとして用いることが難しいためである。【０２１１】
力学特性と溶融製膜性の双方を両立させるために、セルロースアセテートプロピオネートやセルロースアセテートブチレート等のように混合脂肪酸エステルを用いてもよい。即ち、アセチル基以外のアシル基を有するセルロースエステルである事が好ましい。【０２１２】
本発明において、セルロースエステルフィルムを構成するセルロースエステルは、セルロースエステルのアシル基総炭素数が、６．１以上、７．５以下である事が好ましい。更に好ましくは、炭素数２以上の脂肪族アシル基を有するセルロースエステルであり、かつ、セルロースエステルのアシル基総炭素数が６．２〜７．５であるセルロースエステルである。セルロースエステルのアシル基総炭素数は、好ましくは、６．５〜７．２であり、さらに好ましくは６．７〜７．１である。【０２１３】
ただし、アシル基総炭素数は、セルロースエステル中の各アシル基の置換度と炭素数の積の総和である。さらに、脂肪族アシル基の炭素数は、セルロース合成の生産性、コストの観点から、２〜６が好ましい。【０２１４】
セルロースアシレートは、グルコース単位の２、３及び６位の炭素に結合している水酸基の一部または全部をアシル基によりエステル化した重合体（ポリマー）である。ここで、「アシル基の置換度」とは、３ｎ個（重合度をｎとして）の水酸基のうちどのくらいアシル基が結合されているかを示す尺度であるが、置換度は、グルコース単位当たり、２位、３位および６位の３個の水酸基のうち、平均的にいくつの水酸基がアシル基によって置換されているかで表す。従って、当該３個の水酸基が全てアシル基によりエステル化された場合には、最大値３．０であるとする。【０２１５】
なお、アシル基で置換されていない部分は通常水酸基として存在している。これらは公知の方法で合成することができる。【０２１６】
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ペンタネート基、ヘキサネート基等が挙げられ、セルロースエステルとしては、セルロースプロピオネート、セルロースブチレート、セルロースペンタネート等が挙げられる。【０２１７】
また、上述の側鎖炭素数を満たせば、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートペンタネート等のように混合脂肪酸エステルでもよい。【０２１８】
この中でも、特にセルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートブチレートが好ましい。なお溶液流延製膜で一般に用いられているセルロースエステルであるトリアセチルセルロース、ジアセチルセルロースについては、側鎖炭素数の条件を満たさないため、本発明には含まない。【０２１９】
一般に、セルロースエステルのアシル基の総置換度に対し、セルロースエステルフィルムの機械物性及びケン化性と、セルロースエステルの溶融製膜性は、トレードオフの関係にある。【０２２０】
例えば、セルロースアセテートプロピオネートにおいて、アシル基の総置換度を上げると機械物性が低下し、溶融製膜性が向上するため、両立は困難である。本発明では、セルロースエステルのアシル基総炭素数を６．２〜７．２とすることで、フィルム機械物性、ケン化性、溶融製膜性を両立できることを見出した。この機構の詳細は不明であるが、アシル基の炭素数により、フィルム機械物性、ケン化性、溶融製膜性への影響が異なるためと推測される。【０２２１】
すなわち、同置換度の場合、アセチル基よりもプロピオニル基、ブチリル基といった長鎖のアシル基の方が、より疎水性となり、溶融製膜性を向上させる。【０２２２】
従って、同じ溶融製膜性を達成する場合、プロピオニル基、ブチリル基の置換度はアセチル基よりも低置換度でよく、そのため機械物性、ケン化性の低下が抑えられると推測される。【０２２３】
本発明で用いられるセルロースエステルは、重量平均分子量Ｍｗ／数平均分子量Ｍｎ比が１．０〜５．５のものが用いられ、特に好ましくは１．４〜５．０であり、さらに好ましくは２．０〜３．０である。また、Ｍｗは１０万〜５０万、中でも１５万〜３０万のものが好ましく用いられる。【０２２４】
セルロースエステルの平均分子量及び分子量分布は、高速液体クロマトグラフィーを用いて公知の方法で測定することができる。これを用いて数平均分子量、重量平均分子量を算出する。測定条件は以下の通りである。【０２２５】
溶媒：      テトラヒドロフラン
装置：      ＨＬＣ−８２２０（東ソー（株）製）
カラム：    ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｍ（東ソー（株）製）
カラム温度：４０℃
試料温度：  ０．１質量％
注入量：    １０μｌ
流量：      ０．６ｍｌ／ｍｉｎ
校正曲線：  標準ポリスチレン：ＰＳ−１（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅ
ｓ社製）Ｍｗ＝２，５６０，０００〜５８０までの９サンプルによる校正曲線を使用した。【０２２６】
本発明で用いられるセルロースエステルの原料セルロースは、木材パルプでも綿花リンターでもよく、木材パルプは針葉樹でも広葉樹でもよいが、針葉樹の方がより好ましい。【０２２７】
製膜の際の、剥離性の点からは綿花リンターが好ましく用いられる。【０２２８】
これらから作られたセルロースエステルは適宜混合して、あるいは単独で使用することができる。【０２２９】
例えば、綿花リンター由来セルロースエステル：木材パルプ（針葉樹）由来セルロースエステル：木材パルプ（広葉樹）由来セルロースエステルの比率が１００：０：０、９０：１０：０、８５：１５：０、５０：５０：０、２０：８０：０、１０：９０：０、０：１００：０、０：０：１００、８０：１０：１０、８５：０：１５、４０：３０：３０で用いることができる。【０２３０】
セルロースエステルは、例えば、原料セルロースの水酸基を無水酢酸、無水プロピオン酸及び／または無水酪酸を用いて常法によりアセチル基、プロピオニル基及び／またはブチル基を上記の範囲内に置換することで得られる。【０２３１】
このようなセルロースエステルの合成方法は、特に限定はないが、例えば、特開平１０−４５８０４号あるいは特表平６−５０１０４０号に記載の方法を参考にして合成することができる。【０２３２】
アセチル基、プロピオニル基、ブチル基等のアシル基の置換度は、ＡＳＴＭ−Ｄ８１７−９６に準じて測定することができる。【０２３３】
また、工業的にはセルロースエステルは硫酸を触媒として合成されているが、この硫酸は完全には除去されておらず、残留する硫酸が溶融製膜時に各種の分解反応を引き起こし、得られるセルロースエステルフィルムの品質に影響を与えるため、本発明に用いられるセルロースエステル中の残留硫酸含有量は、硫黄元素換算で０．１〜４０ｐｐｍの範囲である。【０２３４】
これらは塩の形で含有していると考えられる。残留硫酸含有量が４０ｐｐｍを超えると熱溶融時のダイリップ部の付着物が増加するため好ましくない。また、熱延伸時や熱延伸後でのスリッティングの際に破断しやすくなるため好ましくない。【０２３５】
少ない方が好ましいが、０．１未満とするにはセルロースエステルの洗浄工程の負担が大きくなりすぎるため好ましくないだけでなく、逆に破断しやすくなることがあり好ましくない。【０２３６】
これは洗浄回数が増えることが樹脂に影響を与えているのかもしれないがよく分かっていない。さらに０．１〜３０ｐｐｍの範囲が好ましい。残留硫酸含有量は、同様にＡＳＴＭ−Ｄ８１７−９６により測定することができる。【０２３７】
また、その他の残留酸（酢酸等）を含めたトータル残留酸量は１０００ｐｐｍ以下が好ましく、５００ｐｐｍ以下がさらに好ましく、１００ｐｐｍ以下がより好ましい。【０２３８】
合成したセルロースエステルの洗浄を、溶液流延法に用いられる場合に比べて、さらに十分に行うことによって、残留酸含有量を上記の範囲とすることができ、溶融流延法によってフィルムを製造する際に、リップ部への付着が軽減され、平面性に優れるフィルムが得られ、寸法変化、機械強度、透明性、耐透湿性、後述するＲｔ値、Ｒｏ値が良好なフィルムを得ることができる。【０２３９】
また、セルロースエステルの洗浄は、水に加えて、メタノール、エタノールのような貧溶媒、あるいは結果として貧溶媒であれば貧溶媒と良溶媒の混合溶媒を用いることができ、残留酸以外の無機物、低分子の有機不純物を除去することができる。【０２４０】
さらに、セルロースエステルの洗浄は、ヒンダードアミン、亜リン酸エステルといった酸化防止剤の存在下で行うことが好ましく、セルロースエステルの耐熱性、製膜安定性が向上する。【０２４１】
また、セルロースエステルの耐熱性、機械物性、光学物性等を向上させるため、セルロースエステルの良溶媒に溶解後、貧溶媒中に再沈殿させ、セルロースエステルの低分子量成分、その他不純物を除去することができる。この時、前述のセルロースエステルの洗浄同様に、酸化防止剤の存在下で行うことが好ましい。【０２４２】
さらに、セルロースエステルの再沈殿処理の後、別のポリマーあるいは低分子化合物を添加してもよい。【０２４３】
また、本発明で用いられるセルロースエステルはフィルムにした時の輝点異物が少ないものであることが好ましい。輝点異物とは、２枚の偏光板を直交に配置し（クロスニコル）、この間にセルロースエステルフィルムを配置して、一方の面から光源の光を当てて、もう一方の面からセルロースエステルフィルムを観察した時に、光源の光が漏れて見える点のことである。【０２４４】
このとき評価に用いる偏光板は輝点異物がない保護フィルムで構成されたものであることが望ましく、偏光子の保護にガラス板を使用したものが好ましく用いられる。【０２４５】
輝点異物はセルロースエステルに含まれる未酢化もしくは低酢化度のセルロースがその原因の１つと考えられ、輝点異物の少ないセルロースエステルを用いる（置換度の分散の小さいセルロースエステルを用いる）ことと、溶融したセルロースエステルを濾過すること、あるいはセルロースエステルの合成後期の過程や沈殿物を得る過程の少なくともいずれかにおいて、一度溶液状態として同様に濾過工程を経由して輝点異物を除去することもできる。溶融樹脂は粘度が高いため、後者の方法の方が効率がよい。【０２４６】
フィルム膜厚が薄くなるほど単位面積当たりの輝点異物数は少なくなり、フィルムに含まれるセルロースエステルの含有量が少なくなるほど輝点異物は少なくなる傾向があるが、輝点異物は、輝点の直径０．０１ｍｍ以上が２００個／ｃｍ2以下であることが好ましく、１００個／ｃｍ2以下であることがより好ましく、５０個／ｃｍ2以下であることがさらに好ましく、３０個／ｃｍ2以下であることがさらにより好ましく、１０個／ｃｍ2以下であることがさらに好ましいが、皆無であることが最も好ましい。【０２４７】
また、０．００５〜０．０１ｍｍ以下の輝点についても２００個／ｃｍ2以下であることが好ましく、１００個／ｃｍ2以下であることがより好ましく、５０個／ｃｍ2以下であることがさらにより好ましく、３０個／ｃｍ2以下であることがさらに好ましく、１０個／ｃｍ2以下であることがさらに好ましいが、皆無であることが最も好ましい。【０２４８】
輝点異物を溶融濾過によって除去する場合、セルロースエステルを単独で溶融させたものを濾過するよりも可塑剤、劣化防止剤、酸化防止剤等を添加混合したセルロースエステル組成物を濾過することが輝点異物の除去効率が高く好ましい。【０２４９】
もちろん、セルロースエステルの合成の際に溶媒に溶解させて濾過により低減させてもよい。紫外線吸収剤、その他の添加物も適宜混合したものを濾過することができる。濾過はセルロースエステルを含む溶融物の粘度が１００００Ｐ以下で濾過されることが好ましく、５０００Ｐ以下がより好ましく、１０００Ｐ以下がさらに好ましく、５００Ｐ以下であることがさらにより好ましい。【０２５０】
濾材としては、ガラス繊維、セルロース繊維、濾紙、四フッ化エチレン樹脂等の弗素樹脂等従来公知のものが好ましく用いられるが、特にセラミックス、金属等が好ましく用いられる。絶対濾過精度としては５０μｍ以下のものが好ましく用いられ、３０μｍ以下のものがより好ましく、１０μｍ以下のものがさらにより好ましく、５μｍ以下のものがさらに好ましく用いられる。【０２５１】
これらは適宜組み合わせて使用することもできる。濾材はサーフェースタイプでもデプスタイプでも用いることができるが、デプスタイプの方が比較的目詰まりしにくく好ましく用いられる。【０２５２】
別の実施態様では、原料のセルロースエステルは少なくとも一度溶媒に溶解させた後、溶媒を乾燥させたセルロースエステルを用いてもよい。その際には可塑剤、紫外線吸収剤、劣化防止剤、酸化防止剤及びマット剤の少なくとも１つ以上と共に溶媒に溶解させた後、乾燥させたセルロースエステルを用いる。【０２５３】
溶媒としては、メチレンクロライド、酢酸メチル、ジオキソラン等の溶液流延法で用いられる良溶媒を用いることができ、同時にメタノール、エタノール、ブタノール等の貧溶媒を用いてもよい。溶解の過程で−２０℃以下に冷却したり、８０℃以上に加熱したりしてもよい。このようなセルロースエステルを用いると、溶融状態にした時の各添加物を均一にしやすく、光学特性を均一にできることがある。【０２５４】
本発明の表示装置用フィルムはセルロースエステル以外の高分子成分を適宜混合したものでもよい。混合される高分子成分はセルロースエステルと相溶性に優れるものが好ましく、フィルムにした時の透過率が８０％以上、さらに好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９２％以上であることが好ましい。【０２５５】
《酸化防止剤》
セルロースエステルは、熱だけでなく酸素によっても分解が促進されるため、本発明の偏光板保護フィルムにおいては安定化剤として酸化防止剤を含有することが好ましい。【０２５６】
特に、溶融製膜が行われるような高温環境下では、セルロースエステルフィルム成形材料の熱、及び酸素による分解が促進されるため、酸化防止剤を含有することが好ましい。【０２５７】
また、本発明において、セルロースエステルの貧溶媒による懸濁洗浄時に酸化防止剤存在下で洗浄することも好ましい。使用される酸化防止剤は、セルロースエステルに発生したラジカルを不活性化する、あるいはセルロースエステルに発生したラジカルに酸素が付加したことが起因のセルロースエステルの劣化を抑制する化合物であれば制限なく用いることができる。【０２５８】
セルロースエステルの懸濁洗浄に使用する酸化防止剤は、洗浄後セルロースエステル中に残存していてもよい。残存量は０．０１〜２０００ｐｐｍがよく、より好ましくは０．０５〜１０００ｐｐｍである。さらに好ましくは０．１〜１００ｐｐｍである。【０２５９】
本発明において有用な酸化防止剤としては、酸素によるセルロースエステルフィルム成形材料の劣化を抑制する化合物であれば制限なく用いることができるが、中でも有用な酸化防止剤としては、フェノール系化合物、ヒンダードアミン系化合物、リン系化合物、イオウ系化合物、耐熱加工安定剤、酸素スカベンジャー等が挙げられ、これらの中でも、特にフェノール系化合物、ヒンダードアミン系化合物、リン系化合物が好ましい。【０２６０】
これらの化合物を配合することにより、透明性、耐熱性等を低下させることなく、熱や熱酸化劣化等による成形体の着色や強度低下を防止できる。これらの酸化防止剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。【０２６１】
（フェノール系化合物）
フェノール系化合物は既知の化合物であり、例えば、米国特許第４，８３９，４０５号明細書の第１２〜１４欄に記載されており、２，６−ジアルキルフェノール誘導体化合物が含まれる。このような化合物のうち好ましい化合物として、下記一般式（Ａ）で表される化合物が好ましい。【０２６２】
【化４１】
2007119421.tif 000043
【０２６３】
式中、Ｒ11〜Ｒ16は置換基を表す。置換基としては、水素原子、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子等）、アルキル基（例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロキシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、ｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アラルキル基（例えばベンジル基、２−フェネチル基等）、アリール基（例えばフェニル基、ナフチル基、ｐ−トリル基、ｐ−クロロフェニル基等）、アルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等）、アリールオキシ基（例えばフェノキシ基等）、シアノ基、アシルアミノ基（例えばアセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基等）、アルキルチオ基（例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ブチルチオ基等）、アリールチオ基（例えばフェニルチオ基等）、スルホニルアミノ基（例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基等）、ウレイド基（例えば３−メチルウレイド基、３，３−ジメチルウレイド基、１，３−ジメチルウレイド基等）、スルファモイルアミノ基（ジメチルスルファモイルアミノ基等）、カルバモイル基（例えばメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基等）、スルファモイル基（例えばエチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基等）、アルコキシカルボニル基（例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えばフェノキシカルボニル基等）、スルホニル基（例えばメタンスルホニル基、ブタンスルホニル基、フェニルスルホニル基等）、アシル基（例えばアセチル基、プロパノイル基、ブチロイル基等）、アミノ基（メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基等）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、ニトロソ基、アミンオキシド基（例えばピリジン−オキシド基）、イミド基（例えばフタルイミド基等）、ジスルフィド基（例えばベンゼンジスルフィド基、ベンゾチアゾリル−２−ジスルフィド基等）、カルボキシル基、スルホ基、ヘテロ環基（例えば、ピロール基、ピロリジル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、ピリジル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基、ベンズオキサゾリル基等）等が挙げらる。これらの置換基はさらに置換されてもよい。【０２６４】
また、Ｒ11は水素原子、Ｒ12、Ｒ16はｔ−ブチル基であるフェノール系化合物が好ましい。フェノール系化合物の具体例としては、ｎ−オクタデシル３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロピオネート、ｎ−オクタデシル３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−アセテート、ｎ−オクタデシル３，５−ジ−
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート、ｎ−ヘキシル３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルベンゾエート、ｎ−ドデシル３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルベンゾエート、ネオ−ドデシル３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ドデシルβ（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）プロピオネート、エチルα−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）イソブチレート、オクタデシルα−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）イソブチレート、オクタデシルα−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２−（ｎ−オクチルチオ）エチル３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンゾエート、２−（ｎ−オクチルチオ）エチル３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−フェニルアセテート、２−（ｎ−オクタデシルチオ）エチル３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルアセテート、２−（ｎ−オクタデシルチオ）エチル３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンゾエート、２−（２−ヒドロキシエチルチオ）エチル３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート、ジエチルグリコールビス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−フェニル）プロピオネート、２−（ｎ−オクタデシルチオ）エチル３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ステアルアミドＮ，Ｎ−ビス−［エチレン３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ｎ−ブチルイミノＮ，Ｎ−ビス−［エチレン３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２−（２−ステアロイルオキシエチルチオ）エチル３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート、２−（２−ステアロイルオキシエチルチオ）エチル７−（３−メチル−５−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）ヘプタノエート、１，２−プロピレングリコールビス−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、エチレングリコールビス−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ネオペンチルグリコールビス−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、エチレングリコールビス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルアセテート）、グリセリン−ｌ−ｎ−オクタデカノエート−２，３−ビス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルアセテート）、ペンタエリトリトール−テトラキス−［３−（３′，５′−ジ−ｔ−ブチル−４′−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，１，１−トリメチロールエタン−トリス−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ソルビトールヘキサ−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２−ヒドロキシエチル７−（３−メチル−５−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２−ステアロイルオキシエチル７−（３−メチル−５−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）ヘプタノエート、１，６−ｎ−ヘキサンジオール−ビス［（３′，５′−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ペンタエリトリトール−テトラキス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメート）が含まれる。上記タイプのフェノール化合物は、例えば、Ｃｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓから、“ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６”及び“ＩＲＧＡＮＯＸ  １０１０”という商品名で市販されている。【０２６５】
（ヒンダードアミン系化合物）
本発明において有用な酸化防止剤の一つとして、下記一般式（Ｂ）で表されるヒンダードアミン系化合物が好ましい。【０２６６】
【化４２】
2007119421.tif 000044
【０２６７】
式中、Ｒ21〜Ｒ27は置換基を表す。置換基としては前記一般式（Ａ）のＲ11〜Ｒ16で表される置換基と同義である。Ｒ24は水素原子、メチル基、Ｒ27は水素原子、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ25、Ｒ26はメチル基が好ましい。【０２６８】
ヒンダードアミン系化合物の具体例としては、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）スクシネート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（Ｎ−オクトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（Ｎ−ベンジルオキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（Ｎ−シクロヘキシルオキシ−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ブチルマロネート、ビス（１−アクロイル−２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）２，２−ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ブチルマロネート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）デカンジオエート、２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジルメタクリレート、４−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ］−１−［２−（３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ）エチル］−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、２−メチル−２−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）アミノ−Ｎ−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）プロピオンアミド、テトラキス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）１，２，３，４−ブタンテトラカルボキシレート、テトラキス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）１，２，３，４−ブタンテトラカルボキシレート等が挙げられる。【０２６９】
また、高分子タイプの化合物でもよく、具体例としては、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″，Ｎ″′−テトラキス−［４，６−ビス−〔ブチル−（Ｎ−メチル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）アミノ〕−トリアジン−２−イル］−４，７−ジアザデカン−１，１０−ジアミン、ジブチルアミンと１，３，５−トリアジン−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−１，６−ヘキサメチレンジアミンとＮ−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブチルアミンとの重縮合物、ジブチルアミンと１，３，５−トリアジンとＮ，Ｎ′−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブチルアミンとの重縮合物、ポリ〔｛（１，１，３，３−テトラメチルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイル｝｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝ヘキサメチレン｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝〕、１，６−ヘキサンジアミン−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）とモルフォリン−２，４，６−トリクロロ−１，３，５−トリアジンとの重縮合物、ポリ［（６−モルフォリノ−ｓ−トリアジン−２，４−ジイル）〔（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ〕−ヘキサメチレン〔（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ〕］等の、ピペリジン環がトリアジン骨格を介して複数結合した高分子量ＨＡＬＳ；コハク酸ジメチルと４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジンエタノールとの重合物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸と１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジノールと３，９−ビス（２−ヒドロキシ−１，１−ジメチルエチル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカンとの混合エステル化物等の、ピペリジン環がエステル結合を介して結合した化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。【０２７０】
これらの中でも、ジブチルアミンと１，３，５−トリアジンとＮ，Ｎ′−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブチルアミンとの重縮合物、ポリ〔｛（１，１，３，３−テトラメチルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイル｝｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝ヘキサメチレン｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝〕、コハク酸ジメチルと４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジンエタノールとの重合物等で、数平均分子量（Ｍｎ）が２，０００〜５，０００のものが好ましい。【０２７１】
上記タイプのヒンダードフェノール化合物は、例えば、Ｃｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓから、“ＴＩＮＵＶＩＮ  １４４”及び“ＴＩＮＵＶＩＮ  ７７０”、旭電化工業株式会社から“ＡＤＫ  ＳＴＡＢ  ＬＡ−５２”という商品名で市販されている。【０２７２】
（リン系化合物）
本発明において有用な酸化防止剤の一つとして、下記一般式（Ｃ−１）、（Ｃ−２）、（Ｃ−３）、（Ｃ−４）、（Ｃ−５）で表される部分構造を分子内に有する化合物が好ましい。【０２７３】
【化４３】
2007119421.tif 000045
【０２７４】
式中、Ｐｈ1及びＰｈ′1は２価の置換基を表す。より好ましくは、Ｐｈ1及びＰｈ′1はフェニレン基を表し、該フェニレン基の水素原子はフェニル基、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数５〜８のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアルキルシクロアルキル基または炭素数７〜１２のアラルキル基で置換されていてもよい。【０２７５】
Ｐｈ1及びＰｈ′1は互いに同一でもよく、異なってもよい。Ｘは単結合、硫黄原子または−ＣＨＲ6−基を表す。Ｒ6は水素原子、炭素数１〜８のアルキル基または炭素数５〜８のシクロアルキル基を表す。また、これらは前記一般式（Ａ）のＲ11〜Ｒ16で表される置換基と同義の置換基により置換されてもよい。【０２７６】
【化４４】
2007119421.tif 000046
【０２７７】
式中、Ｐｈ2及びＰｈ′2は置換基を表す。置換基としては前記一般式（Ａ）のＲ11〜Ｒ16で表される置換基と同義である。より好ましくは、Ｐｈ2及びＰｈ′2はフェニル基またはビフェニル基を表し、該フェニル基またはビフェニル基の水素原子は炭素数１〜８のアルキル基、炭素数５〜８のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアルキルシクロアルキル基または炭素数７〜１２のアラルキル基で置換されていてもよい。【０２７８】
Ｐｈ2及びＰｈ′2は互いに同一でもよく、異なってもよい。また、これらは前記一般式（Ａ）のＲ11〜Ｒ16で表される置換基と同義の置換基により置換されてもよい。【０２７９】
【化４５】
2007119421.tif 000047
【０２８０】
式中、Ｐｈ3は置換基を表す。置換基としては前記一般式（Ａ）のＲ11〜Ｒ16で表される置換基と同義である。より好ましくは、Ｐｈ3はフェニル基またはビフェニル基を表し、該フェニル基またはビフェニル基の水素原子は炭素数１〜８のアルキル基、炭素数５〜８のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアルキルシクロアルキル基または炭素数７〜１２のアラルキル基で置換されていてもよい。【０２８１】
また、これらは前記一般式（Ａ）のＲ11〜Ｒ16で表される置換基と同義の置換基により置換されてもよい。【０２８２】
【化４６】
2007119421.tif 000048
【０２８３】
式中、Ｐｈ4は置換基を表す。置換基としては前記一般式（Ａ）のＲ11〜Ｒ16で表される置換基と同義である。より好ましくは、Ｐｈ4は炭素数１〜２０のアルキル基またはフェニル基を表し、該アルキル基またはフェニル基は前記一般式（Ａ）のＲ11〜Ｒ16で表される置換基と同義の置換基により置換されてもよい。【０２８４】
【化４７】
2007119421.tif 000049
【０２８５】
式中、Ｐｈ5、Ｐｈ′5及びＰｈ″5は置換基を表す。置換基としては前記一般式（Ａ）のＲ11〜Ｒ15で表される置換基と同義である。より好ましくは、Ｐｈ5、Ｐｈ′5及びＰｈ″5は炭素数１〜２０のアルキル基またはフェニル基を表し、該アルキル基またはフェニル基は前記一般式（Ａ）のＲ11〜Ｒ16で表される置換基と同義の置換基により置換されて
もよい。【０２８６】
リン系化合物の具体例としては、トリフェニルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（ジノニルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、１０−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキサイド、６−［３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロポキシ］−２，４，８，１０−テトラ−ｔ−ブチルジベンズ［ｄ，ｆ］［１．３．２］ジオキサホスフェピン、トリデシルホスファイト等のモノホスファイト系化合物；４，４′−ブチリデン−ビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェニル−ジ−トリデシルホスファイト）、４，４′−イソプロピリデン−ビス（フェニル−ジ−アルキル（Ｃ１２〜Ｃ１５）ホスファイト）等のジホスファイト系化合物；トリフェニルホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）［１，１−ビフェニル］−４，４′−ジイルビスホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）［１，１−ビフェニル］−４，４′−ジイルビスホスホナイト等のホスホナイト系化合物；トリフェニルホスフィナイト、２，６−ジメチルフェニルジフェニルホスフィナイト等のホスフィナイト系化合物；トリフェニルホスフィン、トリス（２，６−ジメトキシフェニル）ホスフィン等のホスフィン系化合物；等が挙げられる。特に、ホスホナイト系化合物が好ましい。【０２８７】
上記タイプのリン系化合物は、例えば、住友化学工業株式会社から、“Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＧＰ”、旭電化工業株式会社から“ＡＤＫ  ＳＴＡＢ  ＰＥＰ−２４Ｇ”、“ＡＤＫ  ＳＴＡＢ  ＰＥＰ−３６”及び“ＡＤＫ  ＳＴＡＢ  ３０１０”、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社から“ＩＲＧＡＦＯＳ  Ｐ−ＥＰＱ”、堺化学工業株式会社から“ＧＳＹ−Ｐ１０１”という商品名で市販されている。【０２８８】
また、下記化合物が挙げられる。【０２８９】
【化４８】
2007119421.tif 000050
【０２９０】
【化４９】
2007119421.tif 000051
【０２９１】
【化５０】
2007119421.tif 000052
【０２９２】
【化５１】
2007119421.tif 000053
【０２９３】
【化５２】
2007119421.tif 000054
【０２９４】
（イオウ系化合物）
本発明において有用な酸化防止剤の一つとして、下記一般式（Ｄ）で表されるイオウ系化合物が好ましい。【０２９５】
【化５３】
2007119421.tif 000055
【０２９６】
式中、Ｒ31及びＲ32は置換基を表す。置換基としては前記一般式（Ａ）のＲ11〜Ｒ16で表される置換基と同義である。【０２９７】
イオウ系化合物の具体例としては、ジラウリル３，３−チオジプロピオネート、ジミリスチル３，３′−チオジプロピピオネート、ジステアリル３，３−チオジプロピオネート、ラウリルステアリル３，３−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス（β−ラウリル−チオ−プロピオネート）、３，９−ビス（２−ドデシルチオエチル）
−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカン等が挙げられる。【０２９８】
上記タイプのイオウ系化合物は、例えば、住友化学工業株式会社から、“Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰＬ−Ｒ”及び“Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰ−Ｄ”という商品名で市販されている。【０２９９】
耐熱加工安定剤としては、例えば、２−ｔ−ブチル−６−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、２−［１−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ペンチルフェニル）エチル］−４，６−ジ−ｔ−ペンチルフェニルアクリレート等が挙げられる。上記タイプの耐熱加工安定剤は、住友化学工業株式会社から、“Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＧＭ”及び“Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＧＳ”という商品名で市販されている。【０３００】
酸化防止剤は、前述のセルロースエステル同様に、製造時から持ち越される、あるいは保存中に発生する残留酸、無機塩、有機低分子等の不純物を除去することが好ましく、より好ましくは純度９９％以上である。残留酸及び水としては、０．０１〜１００ｐｐｍであることが好ましく、セルロースエステルを溶融製膜する上で、熱劣化を抑制でき、製膜安定性、フィルムの光学物性、機械物性が向上する。【０３０１】
酸化防止剤はセルロースエステルに対して０．１〜１０質量％添加することが好ましく、さらに０．２〜５質量％添加することが好ましく、さらに０．５〜２質量％添加することが好ましい。これらは２種以上を併用してもよい。【０３０２】
酸化防止剤の添加量が少なすぎると溶融時に安定化作用が低いために、効果が得られず、また添加量が多すぎるとセルロースエステルへの相溶性の観点からフィルムとしての透明性の低下を引き起こし、またフィルムが脆くなることがあるため好ましくない。【０３０３】
《酸捕捉剤》
セルロースエステルは溶融製膜が行われるような高温環境下では酸によっても分解が促進されるため、本発明の表示装置用フィルムにおいては安定化剤として酸捕捉剤を含有することが好ましい。本発明において有用な酸捕捉剤としては、酸と反応して酸を不活性化する化合物であれば制限なく用いることができるが、中でも米国特許第４，１３７，２０１号明細書に記載されているような、エポキシ基を有する化合物が好ましい。【０３０４】
このような酸捕捉剤としてのエポキシ化合物は当該技術分野において既知であり、種々のポリグリコールのジグリシジルエーテル、特にポリグリコール１モル当たりに約８〜４０モルのエチレンオキシド等の縮合によって誘導されるポリグリコール、グリセロールのジグリシジルエーテル等、金属エポキシ化合物（例えば、塩化ビニルポリマー組成物において、及び塩化ビニルポリマー組成物と共に、従来から利用されているもの）、エポキシ化エーテル縮合生成物、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル（即ち、４，４′−ジヒドロキシジフェニルジメチルメタン）、エポキシ化不飽和脂肪酸エステル（特に、炭素原子数２〜２２個の脂肪酸の４〜２個程度の炭素原子のアルキルのエステル（例えば、ブチルエポキシステアレート）等）、及び種々のエポキシ化長鎖脂肪酸トリグリセリド等（例えば、エポキシ化大豆油、エポキシ化亜麻仁油等）の組成物によって代表され例示され得るエポキシ化植物油及び他の不飽和天然油（これらはときとしてエポキシ化天然グリセリドまたは不飽和脂肪酸と称され、これらの脂肪酸は一般に１２〜２２個の炭素原子を含有している）が含まれる。【０３０５】
また、市販のエポキシ基含有エポキシド樹脂化合物として、ＥＰＯＮ  ８１５Ｃ、及び下記一般式（５）の他のエポキシ化エーテルオリゴマー縮合生成物も好ましく用いることができる。【０３０６】
【化５４】
2007119421.tif 000056
【０３０７】
式中、ｎは０〜１２の整数である。用いることができるその他の酸捕捉剤としては、特開平５−１９４７８８号公報の段落８７〜１０５に記載されているものが含まれる。【０３０８】
酸捕捉剤はセルロースエステルに対して０．１〜１０質量％添加することが好ましく、さらに０．２〜５質量％添加することが好ましく、さらに０．５〜２質量％添加することが好ましい。これらは２種以上を併用してもよい。【０３０９】
なお酸捕捉剤は、酸掃去剤、酸捕獲剤、酸キャッチャー等と称されることもあるが、本発明においてはこれらの呼称による差異なく用いることができる。【０３１０】
《紫外線吸収剤》
紫外線吸収剤は、偏光子や表示装置の紫外線に対する劣化防止の観点から、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れており、かつ液晶表示性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものが好ましい。【０３１１】
本発明に用いられる紫外線吸収剤としては、例えば、オキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物、トリアジン系化合物等を挙げることができるが、ベンゾフェノン系化合物や着色の少ないベンゾトリアゾール系化合物、トリアジン系化合物が好ましい。また、特開平１０−１８２６２１号、同８−３３７５７４号公報記載の紫外線吸収剤、特開平６−１４８４３０号、特開２００３−１１３３１７号公報記載の高分子紫外線吸収剤を用いてもよい。【０３１２】
ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤の具体例として、２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−（３″，４″，５″，６″−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス（４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール）、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６−（直鎖及び側鎖ドデシル）−４−メチルフェノール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−（１−メチル−１−フェニルエチル）−フェニル）ベンゾトリアゾール、６−（２−ベンゾトリアゾル）−４−ｔ−オクチル−６′−ｔ−ブチル−４′−メチル−２，２′メチレンビスフェノール、オクチル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネートと２−エチルヘキシル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネートの混合物、２−（２′−ヒドロキシ−３′−（１−メチル−１−フェニルエチル）−５′−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−フェニル）ベンゾトリアゾール、等を挙げることができるが、これらに限定されない。【０３１３】
また、市販品として、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）１７１、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）２３４、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）３６０、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）９２８、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）１０９（いずれもチバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）、ＬＡ３１（旭電化社製）、ＪＡＳＴ−５００（城北化学工業社製）、Ｓｕｍｉｓｏｒｂ  ２５０（住友化学工業社製）が挙げられる。【０３１４】
ベンゾフェノン系化合物の具体例として、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノン、ビス（２−メトキシ−４−ヒドロキシ−５−ベンゾイルフェニルメタン）等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。【０３１５】
本発明においては、紫外線吸収剤はセルロースエステルに対して０．１〜５質量％添加することが好ましく、さらに０．２〜３質量％添加することが好ましく、さらに０．５〜２質量％添加することが好ましい。これらは２種以上を併用してもよい。【０３１６】
またこれらのベンゾトリアゾール構造やベンゾフェノン構造が、ポリマーの一部、あるいは規則的にポリマーへペンダントされていてもよく、可塑剤、酸化防止剤、酸掃去剤等の他の添加剤の分子構造の一部に導入されていてもよい。【０３１７】
従来公知の紫外線吸収性ポリマーとしては、特に限定されないが、例えば、ＲＵＶＡ−９３（大塚化学製）を単独重合させたポリマー及びＲＵＶＡ−９３と他のモノマーとを共重合させたポリマー等が挙げられる。具体的には、ＲＵＶＡ−９３とメチルメタクリレートを３：７の比（質量比）で共重合させたＰＵＶＡ−３０Ｍ、５：５の比（質量比）で共重合させたＰＵＶＡ−５０Ｍ等が挙げられる。更には、特開２００３−１１３３１７号公報に記載のポリマー等が挙げられる。【０３１８】
《可塑剤》
本発明に係る表示装置用フィルム、特に、セルロースエステルフィルムの製造においては、フィルム形成材料中に少なくとも１種の可塑剤を添加することが好ましい。【０３１９】
可塑剤とは、一般的には高分子中に添加することによって脆弱性を改良したり、柔軟性を付与したりする効果のある添加剤であるが、本発明においては、セルロースエステル単独での溶融温度よりも溶融温度を低下させるため、また同じ加熱温度においてセルロース樹脂単独よりも可塑剤を含むフィルム構成材料の溶融粘度を低下させるために、可塑剤を添加する。【０３２０】
また、セルロースエステルの親水性を改善し、セルロースエステルフィルムの透湿度を低下させるためにも添加されるため透湿防止剤としての機能を有する。【０３２１】
ここで、フィルム構成材料の溶融温度とは、該材料が加熱され流動性が発現された状態の温度を意味する。セルロースエステルを溶融流動させるためには、少なくともガラス転移温度よりも高い温度に加熱する必要がある。ガラス転移温度以上においては、熱量の吸収により弾性率あるいは粘度が低下し、流動性が発現される。【０３２２】
しかしセルロースエステルでは高温下では溶融と同時に熱分解によってセルロースエステルの分子量の低下が発生し、得られるフィルムの力学特性等に悪影響を及ぼすことがあるため、なるべく低い温度でセルロースエステルを溶融させることが好ましい。【０３２３】
フィルム構成材料の溶融温度を低下させるためには、セルロースエステルのガラス転移温度よりも低い融点またはガラス転移温度をもつ可塑剤を添加することで達成することができる。【０３２４】
本発明に係る表示装置用フィルムは、可塑剤として、下記一般式（１）で表される有機酸と３価以上２０価以下のアルコールが縮合した構造を有するエステル化合物を、１〜２５質量％含有することを特徴とするセルロースエステルフィルムであることが好ましい。【０３２５】
１質量％よりも少ないと平面性改善の効果が認められず、２５質量％よりも多いとブリードアウトが発生しやすくなり、フィルムの経時安定性が低下するために好ましくない。【０３２６】
より好ましくは可塑剤をセルロースエステルに対して３〜２０質量％含有するセルロースエステルフィルムであり、さらに好ましくは５〜１５質量％含有するセルロースエステルフィルムである。【０３２７】
【化５５】
2007119421.tif 000057
【０３２８】
式中、Ｒ1〜Ｒ5はおのおの互いに独立して水素原子またはシクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アシル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、オキシカルボニルオキシ基を表し、これらはさらに置換基を有していてよい。Ｌは連結基を表し、置換または無置換のアルキレン基、酸素原子、または直接結合を表す。【０３２９】
Ｒ1〜Ｒ5で表されるシクロアルキル基としては、炭素数３〜８のシクロアルキル基が好ましく、具体的にはシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等の基である。これらの基は置換されていてもよく、好ましい置換基としては、ハロゲン原子、例えば、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等、ヒドロキシル基、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アラルキル基（このフェニル基にはアルキル基またはハロゲン原子等によってさらに置換されていてもよい）、ビニル基、アリル基等のアルケニル基、フェニル基（このフェニル基にはアルキル基またはハロゲン原子等によってさらに置換されていてもよい）、フェノキシ基（このフェニル基にはアルキル基またはハロゲン原子等によってさらに置換されていてもよい）、アセチル基、プロピオニル基等の炭素数２〜８のアシル基、またアセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等の炭素数２〜８の無置換のカルボニルオキシ基等が挙げられる。【０３３０】
Ｒ1〜Ｒ5で表されるアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、γ−フェニルプロピル基等の基を表し、また、これらの基は置換されていてもよく、好ましい置換基としては、前記のシクロアルキル基に置換してもよい基を同様に挙げることができる。【０３３１】
Ｒ1〜Ｒ5で表されるアルコキシ基としては、炭素数１〜８のアルコキシ基が挙げられ、具体的には、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、イソプロポキシ、イソブトキシ、２−エチルヘキシルオキシ、もしくはｔ−ブトキシ等の各アルコキシ基である。【０３３２】
また、これらの基は置換されていてもよく、好ましい置換基としては、ハロゲン原子、例えば、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等、ヒドロキシル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アラルキル基（このフェニル基にはアルキル基またはハロゲン原子等を置換していてもよい）、アルケニル基、フェニル基（このフェニル基にはアルキル基またはハロゲン原子等によってさらに置換されていてもよい）、アリールオキシ基（例えばフェノキシ基（このフェニル基にはアルキル基またはハロゲン原子等によってさらに置換されていてもよい））、アセチル基、プロピオニル基等のアシル基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等の炭素数２〜８の無置換のアシルオキシ基、またベンゾイルオキシ基等のアリールカルボニルオキシ基が挙げられる。【０３３３】
Ｒ1〜Ｒ5で表されるシクロアルコキシ基としては、無置換のシクロアルコキシ基としては炭素数１〜８のシクロアルコキシ基基が挙げられ、具体的には、シクロプロピルオキシ、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ等の基が挙げられる。【０３３４】
また、これらの基は置換されていてもよく、好ましい置換基としては、前記のシクロアルキル基に置換してもよい基を同様に挙げることができる。【０３３５】
Ｒ1〜Ｒ5で表されるアリールオキシ基としては、フェノキシ基が挙げられるが、このフェニル基にはアルキル基またはハロゲン原子等前記シクロアルキル基に置換してもよい基として挙げられた置換基で置換されていてもよい。【０３３６】
Ｒ1〜Ｒ5で表されるアラルキルオキシ基としては、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基等が挙げられ、これらの置換基はさらに置換されていてもよく、好ましい置換基としては、前記のシクロアルキル基に置換してもよい基を同様に挙げることができる。【０３３７】
Ｒ1〜Ｒ5で表されるアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基等の炭素数２〜８の無置換のアシル基が挙げられ（アシル基の炭化水素基としては、アルキル、アルケニル、アルキニル基を含む。）、これらの置換基はさらに置換されていてもよく、好ましい置換基としては、前記のシクロアルキル基に置換してもよい基を同様に挙げることができる。【０３３８】
Ｒ1〜Ｒ5で表されるカルボニルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等の炭素数２〜８の無置換のアシルオキシ基（アシル基の炭化水素基としては、アルキル、アルケニル、アルキニル基を含む。）、またベンゾイルオキシ基等のアリールカルボニルオキシ基が挙げられるが、これらの基はさらに前記シクロアルキル基に置換してもよい基と同様の基により置換されていてもよい。【０３３９】
Ｒ1〜Ｒ5で表されるオキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロピルオキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、またフェノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基を表す。これらの置換基はさらに置換されていてもよく、好ましい置換基としては、前記のシクロアルキル基に置換してもよい基を同様に挙げることができる。【０３４０】
また、Ｒ1〜Ｒ5で表されるオキシカルボニルオキシ基としては、メトキシカルボニルオキシ基等の炭素数１〜８のアルコキシカルボニルオキシ基を表し、これらの置換基はさらに置換されていてもよく、好ましい置換基としては、前記のシクロアルキル基に置換してもよい基を同様に挙げることができる。【０３４１】
Ｒ1〜Ｒ5のうちのいずれか同士で互いに連結し、環構造を形成していてもよい。【０３４２】
また、Ｌで表される連結基としては、置換または無置換のアルキレン基、酸素原子、または直接結合を表すが、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等の基であり、これらの基は、さらに前記のＲ1〜Ｒ5で表される基に置換してもよい基としてあげられた基で置換されていてもよい。【０３４３】
中でも、Ｌで表される連結基として特に好ましいのは直接結合であり芳香族カルボン酸である。【０３４４】
また、これら本発明において可塑剤となるエステル化合物を構成する、前記一般式（１）で表される有機酸としては、Ｒ1〜Ｒ5が水素原子、または、少なくとも１つが前記アルコキシ基、アシル基、オキシカルボニル基、カルボニルオキシ基、またはオキシカルボニルオキシ基であることが好ましい。また複数の置換基を有する化合物も好ましい。【０３４５】
なお本発明においては３価以上２０価以下のアルコールの水酸基を置換する有機酸は単一種であっても複数種であってもよい。【０３４６】
本発明において、前記一般式（１）で表される有機酸と反応して多価アルコールエステル化合物を形成する３価以上２０価以下のアルコール化合物としては、好ましくは３〜２０価の脂肪族多価アルコールであり、本発明おいて３価以上２０価以下のアルコールは下記一般式（３）で表されるものが好ましい。【０３４７】
一般式（３）  Ｒ′−（ＯＨ）m
式中、Ｒ′はｍ価の有機基、ｍは３以上２０以下の正の整数、ＯＨ基はアルコール性水酸基を表す。特に好ましいのは、ｍとしては３または４の多価アルコールである。【０３４８】
好ましい多価アルコールの例としては、例えば以下のようなものを挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。【０３４９】
アドニトール、アラビトール、１，２，４−ブタントリオール、１，２，３−ヘキサントリオール、１，２，６−ヘキサントリオール、グリセリン、ジグリセリン、エリスリトール、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリペンタエリスリトール、ガラクチトール、グルコース、セロビオース、イノシトール、マンニトール、３−メチルペンタン−１，３，５−トリオール、ピナコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、キシリトール等を挙げることができる。【０３５０】
特に、グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールが好ましい。【０３５１】
一般式（１）で表される有機酸と３価以上２０価以下の多価アルコールのエステルは、公知の方法により合成できる。実施例に代表的合成例を示したが、前記一般式（１）で表される有機酸と、多価アルコールを例えば、酸の存在下縮合させエステル化する方法、また、有機酸を予め酸クロライドあるいは酸無水物としておき、多価アルコールと反応させる方法、有機酸のフェニルエステルと多価アルコールを反応させる方法等があり、目的とするエステル化合物により、適宜、収率のよい方法を選択することが好ましい。【０３５２】
一般式（１）で表される有機酸と３価以上２０価以下の多価アルコールのエステルからなる可塑剤としては、下記一般式（２）で表される化合物が好ましい。【０３５３】
【化５６】
2007119421.tif 000058
【０３５４】
式中、Ｒ6〜Ｒ20はおのおの互いに独立して水素原子またはシクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アシル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、オキシカルボニルオキシ基を表し、これらはさらに置換基を有していてよい。Ｒ6〜Ｒ20は水素原子またはアルコキシ基を表す事が好ましい。Ｒ21は水素原子またはアルキル基を表す。【０３５５】
Ｒ6〜Ｒ20のシクロアルキル基、アラルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アシル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、オキシカルボニルオキシ基については、前記一般式（１）のＲ1〜Ｒ5と同様の基が挙げられる。【０３５６】
このようにして得られる多価アルコールエステルの分子量には特に制限はないが、３００〜１５００であることが好ましく、４００〜１０００であることがさらに好ましい。分子量が大きい方が揮発し難くなるため好ましく、透湿性、セルロースエステルとの相溶性の点では小さい方が好ましい。【０３５７】
以下に、本発明に係わる多価アルコールエステルの具体的化合物を例示する。【０３５８】
【化５７】
2007119421.tif 000059
【０３５９】
【化５８】
2007119421.tif 000060
【０３６０】
【化５９】
2007119421.tif 000061
【０３６１】
【化６０】
2007119421.tif 000062
【０３６２】
【化６１】
2007119421.tif 000063
【０３６３】
【化６２】
2007119421.tif 000064
【０３６４】
【化６３】
2007119421.tif 000065
【０３６５】
【化６４】
2007119421.tif 000066
【０３６６】
【化６５】
2007119421.tif 000067
【０３６７】
【化６６】
2007119421.tif 000068
【０３６８】
【化６７】
2007119421.tif 000069
【０３６９】
【化６８】
2007119421.tif 000070
【０３７０】
前記一般式（１）で表される有機酸と３価以上２０価以下の多価アルコールからなるエステル化合物は、セルロースエステルに対する相溶性が高く、高添加率で添加することができる特徴があるため、他の可塑剤や添加剤を併用してもブリードアウトを発生することがなく、必要に応じて他種の可塑剤や添加剤を容易に併用することができる。【０３７１】
なお、他の可塑剤を併用する際には、上記可塑剤が、可塑剤全体の少なくとも５０質量％以上含有されることが好ましい。より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは８０％以上含有されることが好ましい。このような範囲で用いれば、他の可塑剤との併用によっても、溶融流延時のセルロールエステルフィルムの平面性を向上させることができるという、一定の効果を得ることができる。【０３７２】
併用するその他の可塑剤としては、脂肪族カルボン酸−多価アルコール系可塑剤、特開２００３−１２８２３号公報段落３０〜３３に記載されているような、無置換の芳香族カルボン酸またはシクロアルキルカルボン酸−多価アルコールエステル系可塑剤、あるいはジオクチルアジペート、ジシクロヘキシルアジペート、ジフェニルサクシネート、ジ２−ナフチル−１，４−シクロヘキサンジカルボキシレート、トリシクロヘキシルトリカルバレート、テトラ３−メチルフェニルテトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボキシレート、テトラブチル−１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボキシレート、トリフェニル−１，３，５−シクロヘキシルトリカルボキシレート、トリフェニルベンゼン−１，３，５−テトラカルボキシレート、フタル酸系可塑剤（例えばジエチルフタレート、ジメトキシエチルフタレート、ジメチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−２−エチルヘキシルフタレート、ジオクチルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ジシクロヘキシルテレフタレート、メチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート等）、クエン酸系可塑剤（クエン酸アセチルトリメチル、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチル等）等の多価カルボン酸エステル系可塑剤、トリフェニルホスフェート、ビフェニルジフェニルホスフェート、ブチレンビス（ジエチルホスフェート）、エチレンビス（ジフェニルホスフェート）、フェニレンビス（ジブチルホスフェート）、フェニレンビス（ジフェニルホスフェート）（旭電化製アデカスタブＰＦＲ）、フェニレンビス（ジキシレニルホスフェート）（旭電化製アデカスタブＦＰ５００）、ビスフェノールＡジフェニルホスフェート（旭電化製アデカスタブＦＰ６００）等のリン酸エステル系可塑剤、炭水化物エステル系可塑剤、ポリマー可塑剤、例えば特開２００２−２２９５６号の段落番号４９〜５６に記載のポリマーポリエステル等、ポリエーテル系可塑剤、等が挙げられる。【０３７３】
炭水化物エステル系可塑剤について説明する。炭水化物とは、糖類がピラノースまたはフラノース（６員環または５員環）の形態で存在する単糖類、二糖類または三糖類を意味する。【０３７４】
炭水化物の非限定的例としては、グルコース、サッカロース、ラクトース、セロビオース、マンノース、キシロース、リボース、ガラクトース、アラビノース、フルクトース、ソルボース、セロトリオース及びラフィノース等が挙げられる。【０３７５】
炭水化物エステルとは、炭水化物の水酸基とカルボン酸が脱水縮合してエステル化合物を形成したものを指し、詳しくは、炭水化物の脂肪族カルボン酸エステル、或いは芳香族カルボン酸エステルを意味する。【０３７６】
脂肪族カルボン酸として、例えば酢酸、プロピオン酸等を挙げることができ、芳香族カルボン酸として、例えば安息香酸、トルイル酸、アニス酸等を挙げることができる。【０３７７】
炭水化物は、その種類に応じた水酸基の数を有するが、水酸基の一部とカルボン酸が反応してエステル化合物を形成しても、水酸基の全部とカルボン酸が反応してエステル化合物を形成してもよい。【０３７８】
本発明においては、水酸基の全部とカルボン酸が反応して得られる炭水化物エステルが好ましく用いられ、それらの例としては、メタクリル酸メチルとメタクリル酸−２−ヒドロキシエチルとの共重合体、アクリル酸とメタクリル酸メチルとメタクリル酸−２−ヒドロキシエチルとの共重合体等のアクリル系ポリマー、ポリビニルイソブチルエーテル、ポリＮ−ビニルピロリドン等のビニル系ポリマー、ポリスチレン、ポリ４−ヒドロキシスチレン等のスチレン系ポリマー、ポリブチレンサクシネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド等のポリエーテル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリウレア等が挙げられる。【０３７９】
数平均分子量は１０００〜５０００００程度が好ましく、特に好ましくは、５０００〜２０００００である。１０００未満では揮発性が大きくなり過ぎ、５０００００を超えると可塑化能力が低下し、セルロースエステルフィルムの機械的性質に悪影響を及ぼす。【０３８０】
これらポリマー可塑剤は１種の繰り返し単位からなる単独重合体でも、複数の繰り返し構造体を有する共重合体でもよい。また、上記ポリマーを２種以上併用して用いてもよい。【０３８１】
しかし、リン酸系可塑剤は加水分解によって強酸を発生し、可塑剤自身及びセルロースエステルの加水分解を促進する。このため、保存安定性が悪い、セルロースエステルの溶融製膜に使用するとフィルムの着色が発生しやすい等の問題により、フタル酸エステル系可塑剤、多価カルボン酸エステル系可塑剤、クエン酸エステル系可塑剤、ポリエステル系可塑剤、ポリエーテル系可塑剤を使用することが好ましい。【０３８２】
なお、本発明に係る表示装置用フィルムは、着色すると光学用途として影響を与えるため、好ましくは黄色度（イエローインデックス、ＹＩ）が３．０以下、より好ましくは１．０以下である。黄色度はＪＩＳ−Ｋ７１０３に基づいて測定することができる。これらの可塑剤は、単独で用いても良く、また必要に応じて２種類以上を併用して用いてもよい。また可塑剤の添加量は、表示装置用フィルムがセルロースエステルフィルムである場合、セルロースエステルに対して、１〜３０質量％含有させることが好ましく、より好ましくは２〜２５質量％、特に好ましくは７〜２０質量％である。また、本発明の表示装置用フィルムは、４５０ｎｍの光束の透過率が９０％以上である事が好ましい。尚、表示装置用フィルムが、セルロースエステルフィルムと他の層からなる場合、セルロースエステルフィルム単体での４５０ｎｍの光束の透過率が９０％以上である事が好ましい。【０３８３】
《マット剤》
本発明に係る表示装置用フィルムは、滑り性や光学的、機械的機能を付与するためにマット剤を添加することができる。マット剤としては、無機化合物の微粒子または有機化合物の微粒子が挙げられる。【０３８４】
マット剤の形状は、球状、棒状、針状、層状、平板状等の形状のものが好ましく用いられる。マット剤としては、例えば、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、カオリン、タルク、焼成ケイ酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、リン酸カルシウム等の金属の酸化物、リン酸塩、ケイ酸塩、炭酸塩等の無機微粒子や架橋高分子微粒子を挙げることが
できる。【０３８５】
中でも、二酸化ケイ素がフィルムのヘイズを低くできるので好ましい。これらの微粒子は有機物により表面処理されていることが、フィルムのヘイズを低下できるため好ましい。【０３８６】
表面処理は、ハロシラン類、アルコキシシラン類、シラザン、シロキサン等で行うことが好ましい。微粒子の平均粒径が大きい方が滑り性効果は大きく、反対に平均粒径の小さい方は透明性に優れる。【０３８７】
また、微粒子の一次粒子の平均粒径は０．０１〜１．０μｍの範囲である。好ましい微粒子の一次粒子の平均粒径は５〜５０ｎｍが好ましく、さらに好ましくは、７〜１４ｎｍである。これらの微粒子は、フィルム表面に０．０１〜１．０μｍの凹凸を生成させるために好ましく用いられる。【０３８８】
二酸化ケイ素の微粒子としては、日本アエロジル（株）製のアエロジル（ＡＥＲＯＳＩＬ）２００、２００Ｖ、３００、Ｒ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ２０２、Ｒ８１２、ＯＸ５０、ＴＴ６００、ＮＡＸ５０等、日本触媒（株）製のＫＥ−Ｐ１０、ＫＥ−Ｐ３０、ＫＥ−Ｐ１００、ＫＥ−Ｐ１５０等を挙げることができ、好ましくはアエロジル２００Ｖ、Ｒ９７２Ｖ、ＮＡＸ５０、ＫＥ−Ｐ３０、ＫＥ−Ｐ１００である。これらの微粒子は２種以上併用してもよい。【０３８９】
２種以上併用する場合、任意の割合で混合して使用することができる。平均粒径や材質の異なる微粒子、例えば、アエロジル２００ＶとＲ９７２Ｖを質量比で０．１：９９．９〜９９．９：０．１の範囲で使用できる。【０３９０】
これらのマット剤の添加方法は混練する等によって行うことが好ましい。また、別の形態として予め溶媒に分散したマット剤とセルロースエステル及び／または可塑剤及び／または紫外線吸収剤を混合分散させた後、溶媒を揮発または沈殿させた固形物を得て、これをセルロースエステル溶融物の製造過程で用いることが、マット剤がセルロース樹脂中で均一に分散できる観点から好ましい。【０３９１】
上記マット剤は、フィルムの機械的、電気的、光学的特性改善のために添加することもできる。【０３９２】
なお、これらの微粒子を添加するほど、得られる表示装置用フィルムの滑り性は向上するが、添加するほどヘイズが上昇するため、含有量は好ましくはセルロースエステルに対して０．００１〜５質量％が好ましく、より好ましくは０．００５〜１質量％であり、さらに好ましくは０．０１〜０．５質量％である。【０３９３】
なお、本発明に係る表示装置用フィルムとしては、ヘイズ値が１．０％を超えると光学用材料として影響を与えるため、好ましくはヘイズ値は１．０％未満、より好ましくは０．５％未満である。ヘイズ値はＪＩＳ−Ｋ７１３６に基づいて測定することができる。【０３９４】
フィルム構成材料は溶融及び製膜工程において、揮発成分が少ないまたは発生しないことが求められる。これは加熱溶融時に発泡して、フィルム内部の欠陥やフィルム表面の平面性劣化を削減または回避するためである。【０３９５】
フィルム構成材料が溶融されるときの揮発成分の含有量は、１質量％以下、好ましくは０．５質量％以下、さらに好ましくは０．２質量％以下、さらにより好ましくは０．１質量％以下であることが望まれる。【０３９６】
本発明においては、示差熱重量測定装置（セイコー電子工業社製ＴＧ／ＤＴＡ２００）を用いて、３０℃から２５０℃までの加熱減量を求め、その量を揮発成分の含有量としている。【０３９７】
用いるフィルム構成材料は、前記水分や前記溶媒等に代表される揮発成分を、製膜する前に、または加熱時に除去することが好ましい。除去する方法は、公知の乾燥方法が適用でき、加熱法、減圧法、加熱減圧法等の方法で行うことができ、空気中または不活性ガスとして窒素を選択した雰囲気下で行ってもよい。【０３９８】
これらの公知の乾燥方法を行うとき、フィルム構成材料が分解しない温度領域で行うことがフィルムの品質上好ましい。【０３９９】
製膜前に乾燥することにより、揮発成分の発生を削減することができ、樹脂単独、または樹脂とフィルム構成材料の内、樹脂以外の少なくとも１種以上の混合物または相溶物に分割して乾燥することもできる。乾燥温度は７０℃以上が好ましい。【０４００】
乾燥する材料にガラス転移温度を有する物が存在するときには、そのガラス転移温度よりも高い乾燥温度に加熱すると、材料が融着して取り扱いが困難になることがあるので、乾燥温度は、ガラス転移温度以下であることが好ましい。【０４０１】
複数の物質がガラス転移温度を有する場合は、ガラス転移温度が低い方のガラス転移温度を基準とする。より好ましくは７０℃以上、（ガラス転移温度−５）℃以下、さらに好ましくは１１０℃以上、（ガラス転移温度−２０）℃以下である。【０４０２】
乾燥時間は、好ましくは０．５〜２４時間、より好ましくは１〜１８時間、さらに好ましくは１．５〜１２時間である。乾燥温度が低くなりすぎると揮発成分の除去率が低くなり、また乾燥するのに時間にかかり過ぎることになる。【０４０３】
また、乾燥工程は２段階以上にわけてもよく、例えば、乾燥工程が、材料の保管のための予備乾燥工程と、製膜する直前〜１週間前の間に行う直前乾燥工程を含むものであってもよい。【０４０４】
《溶融流延法》
本発明に係る表示装置用フィルムはセルロースエステルの溶融流延によって形成することが好ましい。溶液流延法において用いられる溶媒（例えば塩化メチレン等）を用いずに、加熱溶融する溶融流延による成形法は、さらに詳細には、溶融押出成形法、プレス成形法、インフレーション法、射出成形法、ブロー成形法、延伸成形法等に分類できる。【０４０５】
これらの中で、機械的強度及び表面精度等に優れる偏光板保護フィルムを得るためには、溶融押し出し法が優れている。【０４０６】
以下、溶融押し出し法を例にとり、本発明のフィルムの製造方法について説明する。【０４０７】
図１は、本発明に係る表示装置用フィルムの製造方法を実施する装置の全体構成を示す概略フローシートであり、図２は、流延ダイから冷却ロール部分の拡大図である。【０４０８】
図１と図２において、セルロースエステルフィルムの製造方法は、セルロース樹脂等のフィルム材料を混合した後、押出し機１を用いて、流延ダイ４から第１冷却ロール５上に溶融押し出し、第１冷却ロール５に外接させるとともに、さらに、第２冷却ロール７、第３冷却ロール８の合計３本の冷却ロールに順に外接させて、冷却固化してフィルム１０とする。【０４０９】
ついで、剥離ロール９によって剥離したフィルム１０を、ついで延伸装置１２によりフィルムの両端部を把持して幅方向に延伸した後、巻取り装置１６により巻き取る。また、平面性を矯正するために溶融フィルムを第１冷却ロール５表面に挟圧するタッチロール６が設けられている。【０４１０】
このタッチロール６は表面が弾性を有し、第１冷却ロール５との間でニップを形成している。タッチロール６についての詳細は後述する。【０４１１】
セルロースエステルフィルムの製造方法において、溶融押し出しの条件は、他のポリエステル等の熱可塑性樹脂に用いられる条件と同様にして行うことができる。材料は予め乾燥させておくことが好ましい。真空または減圧乾燥機や除湿熱風乾燥機等で水分を１０００ｐｐｍ以下、好ましくは２００ｐｐｍ以下に乾燥させることが望ましい。【０４１２】
例えば、熱風や真空または減圧下で乾燥したセルロースエステル系樹脂を押出し機１を用いて、押し出し温度２００〜３００℃程度で溶融し、リーフディスクタイプのフィルター２等で濾過し、異物を除去する。【０４１３】
供給ホッパー（図示略）から押出し機１へ導入する際は、真空下または減圧下や不活性ガス雰囲気下にして、酸化分解等を防止することが好ましい。【０４１４】
可塑剤等の添加剤を予め混合しない場合は、押出し機の途中で練り込んでもよい。均一に添加するために、スタチックミキサー３等の混合装置を用いることが好ましい。【０４１５】
本発明において、セルロース樹脂と、その他必要により添加される安定化剤等の添加剤は、溶融する前に混合しておくことが好ましい。セルロース樹脂と安定化剤を最初に混合することがさらに好ましい。【０４１６】
混合は、混合機等により行ってもよく、また、前記したようにセルロース樹脂調製過程において混合してもよい。混合機を使用する場合は、Ｖ型混合機、円錐スクリュー型混合機、水平円筒型混合機、ヘンシェルミキサー、リボンミキサー等、一般的な混合機を用いることができる。【０４１７】
上記のようにフィルム構成材料を混合した後に、その混合物を押出し機１を用いて直接溶融して製膜するようにしてもよいが、一旦、フィルム構成材料をペレット化した後、該ペレットを押出し機１で溶融して製膜するようにしてもよい。【０４１８】
また、フィルム構成材料が、融点の異なる複数の材料を含む場合には、融点の低い材料のみが溶融する温度で一旦、いわゆるおこし状の半溶融物を作製し、半溶融物を押出し機１に投入して製膜することも可能である。【０４１９】
フィルム構成材料に熱分解しやすい材料が含まれる場合には、溶融回数を減らす目的で、ペレットを作製せずに直接製膜する方法や、上記のようなおこし状の半溶融物を作ってから製膜する方法が好ましい。【０４２０】
押出し機１は、市場で入手可能な種々の押出し機を使用可能であるが、溶融混練押出し機が好ましく、単軸押出し機でも２軸押出し機でもよい。【０４２１】
フィルム構成材料からペレットを作製せずに、直接製膜を行う場合、適当な混練度が必要であるため２軸押出し機を用いることが好ましいが、単軸押出し機でも、スクリューの形状をマドック型、ユニメルト、ダルメージ等の混練型のスクリューに変更することにより、適度の混練が得られるので、使用可能である。【０４２２】
フィルム構成材料として、一旦、ペレットやおこし状の半溶融物を使用する場合は、単軸押出し機でも２軸押出し機でも使用可能である。【０４２３】
押出し機１内及び押出した後の冷却工程は、窒素ガス等の不活性ガスで置換するか、あるいは減圧することにより、酸素の濃度を下げることが好ましい。【０４２４】
押出し機１内のフィルム構成材料の溶融温度は、フィルム構成材料の粘度や吐出量、製造するシートの厚み等によって好ましい条件が異なるが、一般的には、フィルムのガラス転移温度Ｔｇに対して、Ｔｇ以上、Ｔｇ＋１３０℃以下、好ましくはＴｇ＋１０℃以上、Ｔｇ＋１２０℃以下である。押出し時の溶融粘度は、１０〜１０００００ポイズ、好ましくは１００〜１００００ポイズである。【０４２５】
また、押出し機１内でのフィルム構成材料の滞留時間は短い方が好ましく、５分以内、好ましくは３分以内、より好ましくは２分以内である。滞留時間は、押出し機１の種類、押出す条件にも左右されるが、材料の供給量やＬ／Ｄ、スクリュー回転数、スクリューの溝の深さ等を調整することにより短縮することが可能である。【０４２６】
押出し機１のスクリューの形状や回転数等は、フィルム構成材料の粘度や吐出量等により適宜選択される。本発明において押出し機１でのせん断速度は、１／秒〜１００００／秒、好ましくは５／秒〜１０００／秒、より好ましくは１０／秒〜１００／秒である。【０４２７】
本発明に使用できる押出し機１としては、一般的にプラスチック成形機として入手可能である。【０４２８】
押出し機１から押し出されたフィルム構成材料は、流延ダイ４に送られ、流延ダイ４のスリットからフィルム状に押し出される。流延ダイ４はシートやフィルムを製造するために用いられるものであれば特に限定はされない。【０４２９】
流延ダイ４の材質としては、ハードクロム、炭化クロム、窒化クロム、炭化チタン、炭窒化チタン、窒化チタン、超鋼、セラミック（タングステンカーバイド、酸化アルミ、酸化クロム）等を溶射もしくはメッキし、表面加工としてバフ、＃１０００番手以降の砥石を用いるラッピング、＃１０００番手以上のダイヤモンド砥石を用いる平面切削（切削方向は樹脂の流れ方向に垂直な方向）、電解研磨、電解複合研磨等の加工を施したもの等が挙げられる。【０４３０】
流延ダイ４のリップ部の好ましい材質は、流延ダイ４と同様である。またリップ部の表面精度は０．５Ｓ以下が好ましく、０．２Ｓ以下がより好ましい。【０４３１】
この流延ダイ４のスリットは、そのギャップが調整可能なように構成されている。これを図３に示す。流延ダイ４のスリット３２を形成する一対のリップのうち、一方は剛性の低い変形しやすいフレキシブルリップ３３であり、他方は固定リップ３４である。そして、多数のヒートボルト３５が流延ダイ４の幅方向すなわちスリット３２の長さ方向に一定ピッチで配列されている。【０４３２】
各ヒートボルト３５には、埋め込み電気ヒータ３７と冷却媒体通路とを具えたブロック３６が設けられ、各ヒートボルト３５が各ブロック３６を縦に貫通している。ヒートボルト３５の基部はダイ本体３１に固定され、先端はフレキシブルリップ３３の外面に当接している。【０４３３】
そしてブロック３６を常時空冷しながら、埋め込み電気ヒータ３７の入力を増減してブロック３６の温度を上下させ、これによりヒートボルト３５を熱伸縮させて、フレキシブルリップ３３を変位させてフィルムの厚さを調整する。【０４３４】
ダイ後流の所要箇所に厚さ計を設け、これによって検出されたウェブ厚さ情報を制御装置にフィードバックし、この厚さ情報を制御装置で設定厚み情報と比較し、同装置から来る補正制御量の信号によってヒートボルトの発熱体の電力またはオン率を制御するようにすることもできる。ヒートボルトは、好ましくは、長さ２０〜４０ｃｍ、直径７〜１４ｍｍを有し、複数、例えば数十本のヒートボルトが、好ましくはピッチ２０〜４０ｍｍで配
列されている。【０４３５】
ヒートボルトの代わりに、手動で軸方向に前後動させることによりスリットギャップを調節するボルトを主体とするギャップ調節部材を設けてもよい。ギャップ調節部材によって調節されたスリットギャップは、通常２００〜１０００μｍ、好ましくは３００〜８００μｍ、より好ましくは４００〜６００μｍである。【０４３６】
第１〜第３冷却ロールは、肉厚が２０〜３０ｍｍ程度のシームレスな鋼管製で、表面が鏡面に仕上げられている。その内部には、冷却液を流す配管が配置されており、配管を流れる冷却液によってロール上のフィルムから熱を吸収できるように構成されている。この第１乃至第３冷却ロールの内、第１冷却ロール５が本発明の回転支持体に相当する。【０４３７】
一方、第１冷却ロール５に当接するタッチロール６は、表面が弾性を有し、第１冷却ロール５への押圧力によって第１冷却ロール５の表面に沿って変形し、第１ロール５との間にニップを形成する。すなわち、タッチロール６が本発明の挟圧回転体に相当する。【０４３８】
図４に、タッチロール６の一実施形態（以下、タッチロールＡ）の概略断面を示す。図に示すように、タッチロールＡは、可撓性の金属スリーブ４１の内部に弾性ローラ４２を配したものである。【０４３９】
金属スリーブ４１は厚さ０．３ｍｍのステンレス製であり、可撓性を有する。金属スリーブ４１が薄すぎると強度が不足し、逆に厚すぎると弾性が不足する。これらのことから、金属スリーブ４１の厚さとしては、０．１〜１．５ｍｍが好ましい。【０４４０】
弾性ローラ４２は、軸受を介して回転自在な金属製の内筒４３の表面にゴム４４を設けてロール状としたものである。そして、タッチロールＡが第１冷却ロール５に向けて押圧されると、弾性ローラ４２が金属スリーブ４１を第１冷却ロール５に押しつけ、金属スリープ４１及び弾性ローラ４２は第１冷却ロール５の形状になじんだ形状に対応しつつ変形し、第１冷却ロールとの間にニップを形成する。金属スリーブ４１の内部で弾性ローラ４２との間に形成される空間には、冷却水４５が流される。【０４４１】
図５、図６は挟圧回転体の別の実施形態であるタッチロールＢを示している。タッチロールＢは、可撓性を有する、シームレスなステンレス鋼管製（厚さ４ｍｍ）の外筒５１と、この外筒５１の内側に同一軸心状に配置された高剛性の金属内筒５２とから概略構成されている。外筒５１と内筒５２との間の空間５３には、冷却液５４が流される。【０４４２】
詳しくは、タッチロールＢは、両端の回転軸５５ａ、５５ｂに外筒支持フランジ５６ａ、５６ｂが取付けられ、これら両外筒支持フランジ５６ａ、５６ｂの外周部間に薄肉金属外筒５１が取付けられている。また、一方の回転軸５５ａの軸心部に形成されて流体戻り通路５７を形成する流体排出孔５８内に、流体供給管５９が同一軸心状に配設され、この流体供給管５９が薄肉金属外筒５１内の軸心部に配置された流体軸筒６０に接続固定されている。【０４４３】
この流体軸筒６０の両端部に内筒支持フランジ６１ａ、６１ｂがそれぞれ取付けられ、これら内筒支持フランジ６１ａ、６１ｂの外周部間から他端側外筒支持フランジ５６ｂにわたって約１５〜２０ｍｍ程度の肉厚を有する金属内筒５２が取付けられている。【０４４４】
そしてこの金属内筒５２と薄肉金属外筒５１との間に、例えば１０ｍｍ程度の冷却液の流送空間５３が形成され、また金属内筒５２に両端部近傍には、流送空間５３と内筒支持フランジ６１ａ、６１ｂ外側の中間通路６２ａ、６２ｂとを連通する流出口５２ａ及び流入口５２ｂがそれぞれ形成されている。【０４４５】
また、外筒５１は、ゴム弾性に近い柔軟性と可撓性、復元性をもたせるために、弾性力学の薄肉円筒理論が適用できる範囲内で薄肉化が図られている。この薄肉円筒理論で評価される可撓性は、肉厚ｔ／ロール半径ｒで表されており、ｔ／ｒが小さいほど可撓性が高まる。【０４４６】
このタッチロールＢではｔ／ｒ≦０．０３の場合に可撓性が最適の条件となる。通常、一般的に使用されているタッチロールは、ロール径Ｒ＝２００〜５００ｍｍ（ロール半径ｒ＝Ｒ／２）、ロール有効幅Ｌ＝５００〜１６００ｍｍで、ｒ／Ｌ＜１で横長の形状である。【０４４７】
そして図６に示すように、例えばロール径Ｒ＝３００ｍｍ、ロール有効幅Ｌ＝１２００ｍｍの場合、肉厚ｔの適正範囲は１５０×０．０３＝４．５ｍｍ以下であるが、溶融シート幅を１３００ｍｍに対して平均線圧を９８Ｎ／ｃｍで挟圧する場合、同一形状のゴムロールと比較して、外筒５１の肉厚を３ｍｍとすることで相当ばね定数も等しく、外筒５１と冷却ロールとのニップのロール回転方向のニップ幅ｋも約９ｍｍで、このゴムロールのニップ幅約１２ｍｍとほぼ近い値を示し、同じような条件下で挟圧できることが分かる。【０４４８】
なお、このニップ幅ｋにおけるたわみ量は０．０５〜０．１ｍｍ程度である。【０４４９】
ここで、ｔ／ｒ≦０．０３としたが、一般的なロール径Ｒ＝２００〜５００ｍｍの場合では、特に２ｍｍ≦ｔ≦５ｍｍの範囲とすると、可撓性も十分に得られ、また機械加工による薄肉化も容易に実施でき、極めて実用的な範囲となる。肉厚が２ｍｍ以下では加工時の弾性変形で高精度な加工ができない。【０４５０】
この２ｍｍ≦ｔ≦５ｍｍの換算値は、一般的なロール径に対して０．００８≦ｔ／ｒ≦０．０５となるが、実用にあたってはｔ／ｒ≒０．０３の条件下でロール径に比例して肉厚も大きくするとよい。例えばロール径：Ｒ＝２００ではｔ＝２〜３ｍｍ、ロール径：Ｒ＝５００ではｔ＝４〜５ｍｍの範囲で選択する。【０４５１】
このタッチロールＡ、Ｂは不図示の付勢手段により第１冷却ロールに向けて付勢される。その付勢手段の付勢力をＦ、ニップにおけるフィルムの、第１冷却ロール５の回転軸に沿った方向の幅Ｗを除した値Ｆ／Ｗ（線圧）は、９．８〜１４７Ｎ／ｃｍに設定される。本実施の形態によれば、タッチロールＡ、Ｂと第１冷却ロール５との間にニップが形成され、当該ニップをフィルムが通過する間に平面性を矯正すればよい。【０４５２】
従って、タッチロールが剛体で構成され、第１冷却ロールとの間にニップが形成されない場合と比べて、小さい線圧で長時間かけてフィルムを挟圧するので、平面性をより確実に矯正することができる。すなわち、線圧が９．８Ｎ／ｃｍよりも小さいと、ダイラインを十分に解消することができなくなる。【０４５３】
逆に、線圧が１４７Ｎ／ｃｍよりも大きいと、フィルムがニップを通過しにくくなり、フィルムの厚さにかえってムラができてしまう。【０４５４】
また、タッチロールＡ、Ｂの表面を金属で構成することにより、タッチロールの表面がゴムである場合よりもタッチロールＡ、Ｂの表面を平滑にすることができるので、平滑性の高いフィルムを得ることができる。なお、弾性ローラ４２の弾性体４４の材質としては、エチレンプロピレンゴム、ネオプレンゴム、シリコンゴム等を用いることができる。【０４５５】
さて、タッチロール６によってダイラインを良好に解消するためには、タッチロール６がフィルムを挟圧するときのフィルムの粘度が適切な範囲であることが重要となる。また、セルロースエステルは温度による粘度の変化が比較的大きいことが知られている。【０４５６】
従って、タッチロール６がセルロースエステルフィルムを挟圧するときの粘度を適切な範囲に設定するためには、タッチロール６がセルロースフィルムを挟圧するときのフィルムの温度を適切な範囲に設定することが重要となる。【０４５７】
そしてセルロースエステルフィルムのガラス転移温度をＴｇとしたとき、フィルムがタッチロール６に挟圧される直前のフィルムの温度Ｔを、Ｔｇ＜Ｔ＜Ｔｇ＋１１０℃を満たすように設定することが好ましい。【０４５８】
フィルム温度ＴがＴｇよりも低いとフィルムの粘度が高すぎて、ダイラインを矯正できなくなる。逆に、フィルムの温度ＴがＴｇ＋１１０℃よりも高いと、フィルム表面とロールが均一に接着せず、やはりダイラインを矯正することができない。好ましくはＴｇ＋１０℃＜Ｔ＜Ｔｇ＋９０℃、さらに好ましくはＴｇ＋２０℃＜Ｔ＜Ｔｇ＋７０℃である。【０４５９】
タッチロール６がセルロースエステルフィルムを挟圧するときのフィルムの温度を適切な範囲に設定するには、流延ダイ４から押し出された溶融物が第１冷却ロール５に接触する位置Ｐ１から第１冷却ロール５とタッチロール６とのニップの、第１冷却ロール５の回転方向に沿った長さＬを調整すればよい。【０４６０】
本発明において、第１ロール５、第２ロール６に好ましい材質は、炭素鋼、ステンレス鋼、樹脂、等が挙げられる。また、表面精度は高くすることが好ましく表面粗さとして０．３Ｓ以下、より好ましくは０．０１Ｓ以下とする。【０４６１】
本発明においては、流延ダイ４の開口部（リップ）から第１ロール５までの部分を７０ｋＰａ以下に減圧させることにより、上記、ダイラインの矯正効果がより大きく発現することを発見した。好ましくは、減圧は５０〜７０ｋＰａである。【０４６２】
流延ダイ４の開口部（リップ）から第１ロール５までの部分の圧力を７０ｋＰａ以下に保つ方法としては、特に制限はないが、流延ダイ４からロール周辺を耐圧部材で覆い、減圧する等の方法がある。【０４６３】
このとき、吸引装置は、装置自体が昇華物の付着場所にならないようヒータで加熱する等の処置を施すことが好ましい。本発明では、吸引圧が小さすぎると昇華物を効果的に吸引できないため、適当な吸引圧とする必要がある。【０４６４】
本発明において、Ｔダイ４から溶融状態のフィルム状のセルロースエステル系樹脂を、第１ロール（第１冷却ロール）５、第２冷却ロール７、及び第３冷却ロール８に順次密着させて搬送しながら冷却固化させ、未延伸のセルロースエステル系樹脂フィルム１０を得る。【０４６５】
図１に示す本発明の実施形態では、第３冷却ロール８から剥離ロール９によって剥離した冷却固化された未延伸のフィルム１０は、ダンサーロール（フィルム張力調整ロール）１１を経て延伸機１２に導き、そこでフィルム１０を横方向（幅方向）に延伸する。この延伸により、フィルム中の分子が配向される。【０４６６】
フィルムを幅方向に延伸する方法は、公知のテンター等を好ましく用いることができる。特に延伸方向を幅方向とすることで、偏光フィルムとの積層がロール形態で実施できるので好ましい。幅方向に延伸することで、セルロースエステル系樹脂フィルムからなるセルロースエステルフィルムの遅相軸は幅方向になる。【０４６７】
一方、偏光フィルムの透過軸も、通常、幅方向である。偏光フィルムの透過軸と光学フィルムの遅相軸とが平行になるように積層した偏光板を液晶表示装置に組み込むことで、液晶表示装置の表示コントラストを高くすることができるとともに、良好な視野角が得られるのである。【０４６８】
フィルム構成材料のガラス転移温度Ｔｇはフィルムを構成する材料種及び構成する材料の比率を異ならしめることにより制御できる。セルロースエステルフィルムとして位相差フィルムを作製する場合、Ｔｇは１２０℃以上、好ましくは１３５℃以上とすることが好ましい。【０４６９】
液晶表示装置においては、画像の表示状態において、装置自身の温度上昇、例えば光源由来の温度上昇によってフィルムの温度環境が変化する。このときフィルムの使用環境温度よりもフィルムのＴｇが低いと、延伸によってフィルム内部に固定された分子の配向状態に由来するリタデーション値及びフィルムとしての寸法形状に大きな変化を与えることとなる。【０４７０】
フィルムのＴｇが高過ぎると、フィルム構成材料をフィルム化するとき温度が高くなるために加熱するエネルギー消費が高くなり、またフィルム化するときの材料自身の分解、それによる着色が生じることがあり、従って、Ｔｇは２５０℃以下が好ましい。【０４７１】
また延伸工程には公知の熱固定条件、冷却、緩和処理を行ってもよく、目的とする光学フィルムに要求される特性を有するように適宜調整すればよい。【０４７２】
位相フィルムの物性と液晶表示装置の視野角拡大のための位相フィルムの機能付与するために、上記延伸工程、熱固定処理は適宜選択して行われている。このような延伸工程、熱固定処理を含む場合、加熱加圧工程は、それらの延伸工程、熱固定処理の前に行うようにする。【０４７３】
セルロースエステルフィルムとして位相差フィルムを製造し、さらに偏光板保護フィルムの機能を複合させる場合、屈折率制御を行う必要が生じるが、その屈折率制御は延伸操作により行うことが可能であり、また延伸操作が好ましい方法である。以下、その延伸方法について説明する。【０４７４】
位相差フィルムの延伸工程において、セルロース樹脂の１方向に１．０〜２．０倍及びフィルム面内にそれと直交する方向に１．０１〜２．５倍延伸することで、必要とされるリタデーションＲｏ及びＲｔを制御することができる。ここで、Ｒｏとは面内リタデーションを示し、面内の長手方向ＭＤの屈折率と幅方向ＴＤの屈折率との差に厚みを乗じたもの、Ｒｔとは厚み方向リタデーションを示し、面内の屈折率（長手方向ＭＤと幅方向ＴＤの平均）と厚み方向の屈折率との差に厚みを乗じたものである。【０４７５】
延伸は、例えばフィルムの長手方向及びそれとフィルム面内で直交する方向、即ち幅方向に対して、逐次または同時に行うことができる。このとき少なくとも１方向に対しての延伸倍率が小さ過ぎると十分な位相差が得られず、大き過ぎると延伸が困難となりフィルム破断が発生してしまう場合がある。【０４７６】
互いに直交する２軸方向に延伸することは、フィルムの屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｚを所定の範囲に入れるために有効な方法である。ここで、ｎｘとは長手ＭＤ方向の屈折率、ｎｙとは幅手ＴＤ方向の屈折率、ｎｚとは厚み方向の屈折率である。【０４７７】
例えば溶融流延方向に延伸した場合、幅方向の収縮が大き過ぎると、ｎｚの値が大きくなり過ぎてしまう。この場合、フィルムの幅収縮を抑制、あるいは幅方向にも延伸することで改善できる。幅方向に延伸する場合、幅方向で屈折率に分布が生じることがある。【０４７８】
この分布は、テンター法を用いた場合に現れることがあり、フィルムを幅方向に延伸したことで、フィルム中央部に収縮力が発生し、端部は固定されていることにより生じる現象で、いわゆるボーイング現象と呼ばれるものと考えられる。この場合でも、流延方向に延伸することで、ボーイング現象を抑制でき、幅方向の位相差の分布を少なくできる。【０４７９】
互いに直行する２軸方向に延伸することにより、得られるフィルムの膜厚変動が減少できる。位相差フィルムの膜厚変動が大き過ぎると位相差のムラとなり、液晶ディスプレイに用いたとき着色等のムラが問題となることがある。【０４８０】
セルロースエステルフィルムの膜厚変動は、±３％、さらに±１％の範囲とすることが好ましい。以上のような目的において、互いに直交する２軸方向に延伸する方法は有効であり、互いに直交する２軸方向の延伸倍率は、それぞれ最終的には流延方向に１．０〜２．０倍、幅方向に１．０１〜２．５倍の範囲とすることが好ましく、流延方向に１．０１〜１．５倍、幅方向に１．０５〜２．０倍に範囲で行うことが必要とされるリタデーション値を得るためにより好ましい。【０４８１】
長手方向に偏光子の吸収軸が存在する場合、幅方向に偏光子の透過軸が一致することになる。長尺状の偏光板を得るためには、位相差フィルムは、幅方向に遅相軸を得るように延伸することが好ましい。【０４８２】
応力に対して、正の複屈折を得るセルロースエステルを用いる場合、上述の構成から、幅方向に延伸することで、位相差フィルムの遅相軸が幅方向に付与することができる。この場合、表示品質の向上のためには、位相差フィルムの遅相軸が、幅方向にあるほうが好ましく、目的とするリタデーション値を得るためには、式、（幅方向の延伸倍率）＞（流延方向の延伸倍率）の条件を満たすことが必要である。【０４８３】
延伸後、フィルムの端部をスリッター１３により製品となる幅にスリットして裁ち落とした後、エンボスリング１４及びバックロール１５よりなるナール加工装置によりナール加工（エンボッシング加工）をフィルム両端部に施し、巻取り機１６によって巻き取ることにより、セルロースエステルフィルム（元巻き）Ｆ中の貼り付きや、すり傷の発生を防止する。【０４８４】
ナール加工の方法は、凸凹のパターンを側面に有する金属リングを加熱や加圧により加工することができる。なお、フィルム両端部のクリップの把持部分は通常、変形しており、フィルム製品として使用できないので、切除されて、原料として再利用される。【０４８５】
次に、フィルムの巻取り工程は、円筒形巻きフィルムの外周面とこれの直前の移動式搬送ロールの外周面との間の最短距離を一定に保持しながらフィルムを巻取りロールに巻き取るものである。かつ巻取りロールの手前には、フィルムの表面電位を除去または低減する除電ブロア等の手段が設けられている。【０４８６】
本発明の偏光板保護フィルムの製造に係わる巻取り機は一般的に使用されているものでよく、定テンション法、定トルク法、テーパーテンション法、内部応力一定のプログラムテンションコントロール法等の巻取り方法で巻き取ることができる。なお、偏光板保護フィルムの巻取り時の初期巻取り張力が９０．２〜３００．８Ｎ／ｍであるのが好ましい。【０４８７】
本発明の方法におけるフィルムの巻取り工程では、温度２０〜３０℃、湿度２０〜６０％ＲＨの環境条件にて、フィルムを巻き取ることが好ましい。このように、フィルムの巻取り工程での温度及び湿度を規定することにより、厚み方向リタデーション（Ｒｔ）の湿度変化の耐性が向上する。【０４８８】
巻取り工程における温度が２０℃未満であれば、シワが発生し、フィルム巻品質劣化のため実用に耐えないので、好ましくない。フィルムの巻取り工程における温度が３０℃を超えると、やはりシワが発生し、フィルム巻品質劣化のため実用に耐えないので、好ましくない。【０４８９】
また、フィルムの巻取り工程における湿度が２０％ＲＨ未満であれば、帯電しやすく、フィルム巻品質劣化のため実用に耐えないので、好ましくない。フィルムの巻取り工程における湿度が６０％ＲＨを超えると、巻品質、貼り付き故障、搬送性が劣化するので、好ましくない。【０４９０】
偏光板保護フィルムをロール状に巻き取る際の、巻きコアとしては、円筒上のコアであれは、どのような材質のものであってもよいが、好ましくは中空プラスチックコアであり、プラスチック材料としては加熱処理温度にも耐える耐熱性プラスチックであればどのようなものであってもよく、フェノール樹脂、キシレン樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。【０４９１】
またガラス繊維等の充填材により強化した熱硬化性樹脂が好ましい。例えば、中空プラスチックコア：ＦＲＰ製の外径６インチ（以下、インチは２．５４ｃｍを表す。）、内径５インチの巻きコアが用いられる。【０４９２】
これらの巻きコアへの巻き数は、１００巻き以上であることが好ましく、５００巻き以上であることがさらに好ましく、巻き厚は５ｃｍ以上であることが好ましく、フィルム基材の幅は８０ｃｍ以上であることが好ましく、１ｍ以上であることが特に好ましい。【０４９３】
位相差フィルムを偏光板保護フィルムとする場合、該保護フィルムの厚さは、１０〜５００μｍが好ましい。特に、下限は２０μｍ以上、好ましくは３５μｍ以上である。上限は１５０μｍ以下、好ましくは１２０μｍ以下である。特に好ましい範囲は２５〜９０μｍである。【０４９４】
位相差フィルムが厚いと、偏光板加工後の偏光板が厚くなり過ぎ、ノート型パソコンやモバイル型電子機器に用いる液晶表示においては、特に薄型軽量の目的に適さない。一方、位相差フィルムが薄いと、位相差フィルムとしてのリタデーションの発現が困難となり、加えてフィルムの透湿性が高くなり、偏光子を湿度から保護する能力が低下してしまうために好ましくない。【０４９５】
位相差フィルムの遅相軸または進相軸がフィルム面内に存在し、製膜方向とのなす角度をθ１とすると、θ１は−１〜＋１°、好ましくは−０．５〜＋０．５°となるようにする。【０４９６】
このθ１は配向角として定義でき、θ１の測定は、自動複屈折計ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ（王子計測機器社製）を用いて行うことができる。【０４９７】
θ１が各々上記関係を満たすことは、表示画像において高い輝度を得ること、光漏れを抑制または防止することに寄与し、カラー液晶表示装置においては忠実な色再現に寄与する。【０４９８】
位相差フィルムがマルチドメイン化されたＶＡモードに用いられるとき、位相差フィルムの配置は、位相差フィルムの進相軸がθ１として上記領域に配置することで、表示画質の向上に寄与し、偏光板及び液晶表示装置としてＭＶＡモードとしたとき、例えば図７に示される構成をとることができる。【０４９９】
図７において、２１ａ、２１ｂは保護フィルム、２２ａ、２２ｂは位相差フィルム、２５ａ、２５ｂは偏光子、２３ａ、２３ｂはフィルムの遅相軸方向、２４ａ、２４ｂは偏光子の透過軸方向、２６ａ、２６ｂは偏光板、２７は液晶セル、２９は液晶表示装置を示している。【０５００】
表示装置用フィルム、特に、セルロースエステルフィルムの面内方向のリタデーションＲｏ分布は、５％以下に調整することが好ましく、より好ましくは２％以下であり、特に好ましくは、１．５％以下である。また、フィルムの厚み方向のリタデーションＲｔ分布を１０％以下に調整することが好ましいが、さらに好ましくは、２％以下であり、特に好ましくは、１．５％以下である。【０５０１】
位相差フィルムにおいて、リタデーション値の分布変動が小さい方が好ましく、液晶表示装置に位相差フィルムを含む偏光板を用いるとき、該リタデーション分布変動が小さいことが色ムラ等を防止する観点で好ましい。【０５０２】
位相差フィルムを、ＶＡモードまたはＴＮモードの液晶セルの表示品質の向上に適したリタデーション値を有するように調整し、特にＶＡモードとして上記のマルチドメインに分割してＭＶＡモードに好ましく用いられるようにするには、面内リタデーションＲｏを３０ｎｍよりも大きく、９５ｎｍ以下に、かつ厚み方向リタデーションＲｔを７０ｎｍよりも大きく、４００ｎｍ以下の値に調整することが求められる。【０５０３】
上記の面内リタデーションＲｏは、２枚の偏光板がクロスニコルに配置され、偏光板の間に液晶セルが配置された、例えば図７に示す構成であるときに、表示面の法線方向から観察するときを基準にしてクロスニコル状態にあるとき、表示面の法線から斜めに観察したとき、偏光板のクロスニコル状態からのずれが生じ、これが要因となる光漏れを、主に補償する。【０５０４】
厚さ方向のリタデーションは、上記ＴＮモードやＶＡモード、特にＭＶＡモードにおいて液晶セルが黒表示状態であるときに、同様に斜めから見たときに認められる液晶セルの複屈折を主に補償するために寄与する。【０５０５】
図７に示すように、液晶表示装置において、液晶セルの上下に偏光板が二枚配置された構成である場合、図中の２２ａ及び２２ｂは、厚み方向リタデーションＲｔの配分を選択することができ、上記範囲を満たしかつ厚み方向リタデーションＲｔの両者の合計値が１４０ｎｍよりも大きくかつ５００ｎｍ以下にすることが好ましい。【０５０６】
このとき２２ａ及び２２ｂの面内リタデーションＲｏ、厚み方向リタデーションＲｔが両者同じであることが、工業的な偏光板の生産性向上において好ましい。特に好ましくは面内リタデーションＲｏが３５ｎｍよりも大きくかつ６５ｎｍ以下であり、かつ厚み方向リタデーションＲｔが９０ｎｍよりも大きく１８０ｎｍ以下で、図７の構成でＭＶＡモー
ドの液晶セルに適用することである。【０５０７】
液晶表示装置において、一方の偏光板に例えば市販の偏光板保護フィルムとして面内リタデーションＲｏ＝０〜４ｎｍ及び厚み方向リタデーションＲｔ＝２０〜５０ｎｍで厚さ３５〜８５μｍのＴＡＣフィルムが、例えば図７の２２ｂの位置で使用されている場合、他方の偏光板に配置される偏光フィルム、例えば、図７の２２ａに配置する位相差フィルムは、面内リタデーションＲｏが３０ｎｍよりも大きく９５ｎｍ以下であり、かつ厚み方向リタデーションＲｔが１４０ｎｍよりも大きく４００ｎｍ以下であるものを使用するようにする。表示品質が向上し、かつフィルムの生産面からも好ましい。【０５０８】
《液晶表示装置》
本発明の偏光板保護フィルム（位相差フィルムを兼ねる）を含む偏光板は、通常の偏光板と比較して高い表示品質を発現させることができ、特にマルチドメイン型の液晶表示装置、より好ましくは複屈折モードによってマルチドメイン型の液晶表示装置への使用に適している。【０５０９】
本発明の偏光板は、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｐｉｎｗｈｅｅｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）モード等に用いることができ、特定の液晶モード、偏光板の配置に限定されるものではない。【０５１０】
液晶表示装置はカラー化及び動画表示用の装置としても応用されつつあり、本発明により表示品質が改良され、コントラストの改善や偏光板の耐性が向上したことにより、疲れにくく忠実な動画像表示が可能となる。【０５１１】
位相差フィルムを含む偏光板を少なくとも含む液晶表示装置においては、本発明の偏光板保護フィルムを含む偏光板を、液晶セルに対して、一枚配置するか、あるいは液晶セルの両側に二枚配置する。【０５１２】
このとき偏光板に含まれる本発明の偏光板保護フィルム側が液晶表示装置の液晶セルに面するように用いることで表示品質の向上に寄与できる。図７においては２２ａ及び２２ｂのフィルムが液晶表示装置の液晶セルに面することになる。【０５１３】
このような構成において、本発明の偏光板保護フィルムは、液晶セルを光学的に補償することができる。本発明の偏光板を液晶表示装置に用いる場合は、液晶表示装置の偏光板の内の少なくとも一つの偏光板を、本発明の偏光板とすればよい。本発明の偏光板を用いることで、表示品質が向上し、視野角特性に優れた液晶表示装置が提供できる。【０５１４】
本発明の偏光板において、偏光子からみて本発明の偏光板保護フィルムとは反対側の面には、セルロース誘導体の偏光板保護フィルムが用いられ、汎用のＴＡＣフィルム等を用いることができる。【０５１５】
液晶セルから遠い側に位置する偏光板保護フィルムは、表示装置の品質を向上する上で、他の機能性層を配置することも可能である。【０５１６】
例えば、反射防止、防眩、耐キズ、ゴミ付着防止、輝度向上のためにディスプレイとしての公知の機能層を構成物として含むフィルムや、または本発明の偏光板表面に貼付してもよいがこれらに限定されるものではない。【０５１７】
一般に位相差フィルムでは、上述のリタデーション値としてＲｏまたはＲｔの変動が少ないことが安定した光学特性を得るために求められている。特に複屈折モードの液晶表示装置は、これらの変動が画像のムラを引き起こす原因となることがある。【０５１８】
本発明において、表示装置用フィルムであるセルロースエステルフィルムを有する偏光板保護フィルムを、ロール状の長尺に巻き取って、巻き状態から繰り出すとは、溶液流延法または溶融流延法で形成されたセルロースエステルフィルムを、巻きコア（円筒状のコア）を軸として、該巻きコアの外周面に１０ｍ以上の長尺にセルロースエステルフィルム巻き回して、ロール状の巻物としたのち、巻き状態から繰り出して偏光板加工に供したセルロースエステルフィルムを有する偏光板保護フィルムのことをさす。【０５１９】
ロール状の長尺に巻取り、巻き状態から繰り出したセルロースエステルフィルムを用いた場合、本発明により得られる効果が大きい。【０５２０】
本発明において製造された偏光板保護フィルムは、セルロースエステルを主体として構成されるため、セルロースエステル固有のケン化を活用してアルカリ処理工程を活用することができる。これは、偏光子を構成する樹脂がポリビニルアルコールであるとき、従来の偏光板保護フィルムと同様に完全ケン化ポリビニルアルコール水溶液を用いて偏光板保護フィルムと貼合することができる。【０５２１】
このために本発明は、従来の偏光板加工方法が適用できる点で優れており、特に長尺状であるロール偏光板が得られる点で優れている。【０５２２】
本発明により得られる製造的効果は、特に１００ｍ以上の長尺の巻物においてより顕著となり、１５００ｍ、２５００ｍ、５０００ｍとより長尺化する程、偏光板製造の製造的効果を得る。【０５２３】
例えば、偏光板保護フィルム製造において、ロール長さは、生産性と運搬性を考慮すると、１０〜５０００ｍ、好ましくは５０〜４５００ｍであり、このときのフィルムの幅は、偏光子の幅や製造ラインに適した幅を選択することができる。【０５２４】
０．５〜４．０ｍ、好ましくは０．６〜３．０ｍの幅でフィルムを製造してロール状に巻取り、偏光板加工に供してもよく、また、目的の倍幅以上のフィルムを製造してロールに巻き取った後、断裁して目的の幅のロールを得て、このようなロールを偏光板加工に用いるようにしてもよい。【０５２５】
偏光板保護フィルム製造に際し、延伸の前及び／または後で帯電防止層、ハードコート層、易滑性層、接着層、防眩層、バリアー層等の機能性層を塗設してもよい。この際、コロナ放電処理、プラズマ処理、薬液処理等の各種表面処理を必要に応じて施すことができる。【０５２６】
製膜工程において、カットされたフィルム両端のクリップ把持部分は、粉砕処理された後、あるいは必要に応じて造粒処理を行った後、同じ品種のフィルム用原料としてまたは異なる品種のフィルム用原料として再利用してもよい。【０５２７】
前述の可塑剤、紫外線吸収剤、マット剤等の添加物濃度が異なるセルロースエステルを含む組成物を共押出しして、積層構造のセルロースエステルフィルムを作製することもできる。【０５２８】
例えば、スキン層／コア層／スキン層といった構成のセルロースエステルフィルムを作ることができる。例えば、マット剤は、スキン層に多く、またはスキン層のみに入れることができる。可塑剤、紫外線吸収剤はスキン層よりもコア層に多く入れることができ、コア層のみに入れてもよい。【０５２９】
また、コア層とスキン層で可塑剤、紫外線吸収剤の種類を変更することもでき、例えば、スキン層に低揮発性の可塑剤及び／または紫外線吸収剤を含ませ、コア層に可塑性に優れた可塑剤、あるいは紫外線吸収性に優れた紫外線吸収剤を添加することもできる。【０５３０】
スキン層とコア層のガラス転移温度が異なっていてもよく、スキン層のガラス転移温度よりコア層のガラス転移温度が低いことが好ましい。このとき、スキンとコアの両者のガラス転移温度を測定し、これらの体積分率より算出した平均値を上記ガラス転移温度Ｔｇと定義して同様に扱うこともできる。また、溶融流延時のセルロースエステルを含む溶融物の粘度もスキン層とコア層で異なっていてもよく、スキン層の粘度＞コア層の粘度でも
、コア層の粘度≧スキン層の粘度でもよい。【０５３１】
本発明に係る表示装置用フィルムは、寸度安定性が、２３℃５５％ＲＨに２４時間放置したフィルムの寸法を基準としたとき、８０℃９０％ＲＨにおける寸法の変動値が±２．０％未満であり、好ましくは１．０％未満であり、さらに好ましくは０．５％未満である。【０５３２】
本発明に係る表示装置用フィルムを位相差フィルムとして偏光板保護フィルムに用いる際に、位相差フィルム自身に上記の範囲以上の変動を有すると、偏光板としてのリタデーションの絶対値と配向角が当初の設定とずれるために、表示品質の向上能の減少あるいは表示品質の劣化を引き起こすことがある。【０５３３】
本発明に係る表示装置用フィルム、特に、セルロースエステルフィルムを偏光板保護フィルムとして用いる場合、偏光板の作製方法は特に限定されず、一般的な方法で作製することができる。得られたセルロースエステルフィルムをアルカリ処理し、ポリビニルアルコールフィルムを沃素溶液中に浸漬延伸して作製した偏光子の両面に完全鹸化ポリビニルアルコール水溶液を用いて、偏光子の両面に偏光板保護フィルムを貼り合わせる方法があり、少なくとも片面に本発明の偏光板保護フィルムが偏光子に直接貼合する。【０５３４】
上記アルカリ処理の代わりに特開平６−９４９１５号公報、同６−１１８２３２号公報に記載されているような易接着加工を施して偏光板加工を行ってもよい。【０５３５】
偏光板は偏光子及びその両面を保護する保護フィルムで構成されており、さらに該偏光板の一方の面にプロテクトフィルムを、反対面にセパレートフィルムを貼合して構成することができる。プロテクトフィルム及びセパレートフィルムは偏光板出荷時、製品検査時等において偏光板を保護する目的で用いられる。【０５３６】
この場合、プロテクトフィルムは、偏光板の表面を保護する目的で貼合され、偏光板を液晶板へ貼合する面の反対面側に用いられる。また、セパレートフィルムは液晶板へ貼合する接着層をカバーする目的で用いられ、偏光板を液晶セルへ貼合する面側に用いられる。【０５３７】
なお、偏光板の主たる構成要素である偏光子とは、一定方向の偏波面の光だけを通す素子であり、現在知られている代表的な偏光子は、ポリビニルアルコール系偏光フィルムで、これはポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素を染色させたものと二色性染料を染色させたものがある。【０５３８】
偏光子は、ポリビニルアルコール水溶液を製膜し、これを一軸延伸させて染色するか、染色した後一軸延伸してから、好ましくはホウ素化合物で耐久性処理を行ったものが用いられている。該偏光子の面上に、本発明の偏光板保護フィルムの片面を貼り合わせて偏光板を形成する。【０５３９】
好ましくは完全鹸化ポリビニルアルコール等を主成分とする水系の接着剤によって貼り合わせる。偏光子の膜厚は１０〜３０μｍのものが好ましく用いられる。
【実施例】
【０５４０】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。【０５４１】
実施例１〜４に用いるセルロースエステルＣ−１〜Ｃ−１１、可塑剤及び添加剤を以下の合成例１〜２８に従って合成した。【０５４２】
（合成例１：セルロースエステルＣ−１）
特表平６−５０１０４０号公報の例Ｂを参考にして合成した。【０５４３】
以下のような混合液Ａ〜Ｅを作製した。【０５４４】
Ａ：プロピオン酸：濃硫酸＝５：３（質量比）
Ｂ：酢酸：純水＝３：１（質量比）
Ｃ：酢酸：純水＝１：１（質量比）
Ｄ：酢酸：純水：炭酸マグネシウム＝１２：１１：１（質量比）
Ｅ：純水１４．６ｋｇ中に、炭酸カリウム０．５モル、クエン酸１．０モルを溶解した水溶液
機械式撹拌機を備えた反応容器に、綿花から精製したセルロース１００質量部、酢酸３１７質量部、プロピオン酸６７質量部を添加し、５５℃で３０分間攪拌した。反応容器の温度を３０℃に低下させた後、溶液Ａを２．３質量部添加し、３０分間攪拌した。【０５４５】
反応容器の温度を−２０℃に冷却した後、無水酢酸１００質量部及び無水プロピオン酸２５０質量部を添加し、１時間攪拌した。反応容器の温度を１０℃に昇温した後、溶液Ａを４．５質量部添加し、６０℃に昇温して３時間攪拌した。【０５４６】
さらに溶液Ｂを５３３質量部添加し、１７時間攪拌した。さらに溶液Ｃを３３３質量部、溶液Ｄを７３０質量部添加し、１５分間攪拌した。【０５４７】
不溶物をろ過した後、溶液を攪拌しながら、沈殿物の生成が終了するまで水を添加した後、生成した白色沈殿をろ過した。得られた白色固体は、洗浄液が中性になるまで純水で洗浄した。この湿潤生成物に、溶液Ｅを１．８質量部添加し、次いで真空下７０℃で３時間乾燥し、セルロースエステル（セルロースアセテートプロピオネート）Ｃ−１を得た。【０５４８】
得られたセルロースエステルの置換度をＡＳＴＭ−Ｄ８１７−９６に基づいて算出すると、アセチル基による置換度が２．０８、プロピオニル基による置換度が０．７２であった。また下記の条件でＧＰＣを測定したところ、重量平均分子量は２０万であった。【０５４９】
セルロースエステルのアシル基総炭素数は６．３２であった。
〈ＧＰＣ測定条件〉
溶媒：      テトヒドロフラン
装置：      ＨＬＣ−８２２０（東ソー（株）製）
カラム：    ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｍ（東ソー（株）製）
カラム温度：４０℃
試料濃度：  ０．１質量％
注入量：    １０μｌ
流量：      ０．６ｍｌ／ｍｉｎ
校正曲線：  標準ポリスチレン：ＰＳ−１（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ社製）Ｍｗ＝２，５６０，０００〜５８０までの９サンプルによる校正曲線を使用した。【０５５０】
（合成例２：セルロースエステルＣ−２）
綿花から精製したセルロース３０ｇに酢酸８７ｇ、プロピオン酸２０ｇを加え、５４℃で３０分撹拌した。混合物を冷却した後、氷浴中で冷却した無水酢酸５１ｇ、無水プロピオン酸５０ｇ、硫酸１．２ｇを加えてエステル化を行った。エステル化において、４０℃を超えないように調節しながら、撹拌を１５０分行った。反応終了後、酢酸３０ｇと水１０ｇの混合液を２０分かけて滴下して過剰の無水物を加水分解した。反応液の温度を４０℃に保持しながら、酢酸９０ｇと水３０ｇを加えて１時間撹拌した。酢酸マグネシウム２ｇを含有した水溶液中に混合物をあけてしばらく撹拌した後にろ過、乾燥し、セルロースエステルＣ−２を得た。得られたセルロースエステルのアセチル置換度は２．４５、プロピオニル置換度は０．４３、重量平均分子量は２１１０００であった。なお、セルロースエステルのアシル基総炭素数は表１に示す。【０５５１】
（合成例３〜８：セルロースエステルＣ−３〜Ｃ−８）
表１記載の酢酸、無水酢酸、プロピオン酸、無水プロピオン酸、酪酸、無水酪酸を用い、合成例２と同様の操作を行い、セルロースエステルＣ−３〜Ｃ−８を得た。【０５５２】
【表１】
2007119421.tif 000071
【０５５３】
アシル基置換度  Ａｃ：アセチル基、Ｐｒ：プロピオニル基、Ｂｕ：ブチリル基
脂肪酸  Ｉ：酢酸、II：プロピオン酸、または、酪酸
無水脂肪酸  Ｉ：無水酢酸、II：無水プロピオン酸、または、無水ｎ−酪酸
Ｍｗ：重量平均分子量
なお、重量平均分子量の測定は、合成例１：セルロースエステルＣ−１に記載した方法で行った。【０５５４】
（合成例９〜１１：セルロースエステルＣ−９〜Ｃ−１１）
実施例１と同様に、相当する脂肪酸及び無水脂肪酸を用いて、下記のセルロースエステルＣ−９〜Ｃ−１１を作成した。【０５５５】
Ｃ−９：セルロースアセテートプロピオネート（アセチル基置換度１．４、プロピオニル基置換度１．３、分子量Ｍｗ＝２２０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．５、アシル基総炭素数  ６．７）
Ｃ−１０：セルロースアセテートプロピオネート（アセチル基置換度１．３、プロピオニル基置換度１．２、分子量Ｍｗ＝２００，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝３．０、アシル基総炭素数  ６．２）
Ｃ−１１：セルロースアセテートプロピオネート（アセチル基置換度１．７、プロピオニル基置換度１．０、分子量Ｍｗ＝２００，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．９、アシル基総炭素数  ６．４）
（合成例１２：可塑剤、トリメチロールプロパントリベンゾエート（ＴＭＰＴＢ）の合成）
１００℃に保持した４５質量部のトリメチロールプロパン、１０１質量部のトリエチルアミンの混合溶液を攪拌しながら、７１質量部の塩化ベンゾイルを３０分間かけて滴下し、さらに３０分間攪拌した。【０５５６】
反応終了後室温まで冷却して沈殿物を炉別した後、酢酸エチル・純水を加えて洗浄し、有機相を分取して酢酸エチルを減圧留去し、１２６質量部（収率８５％）の白色の結晶を得た。なお、この化合物の分子量は４４６である。【０５５７】
（合成例１３：可塑剤、化合物例２）
１８０質量部のフタル酸モノメチル、トルエン１８０質量部、１質量部のジメチルホルムアミド、１３０質量部の塩化チオニルを混合し、６０℃で３０分間攪拌した。反応終了後に冷却し、淡黄色の液体を得た。【０５５８】
３１質量部のグリセリンと、１０１質量部のトリエチルアミンと、２００質量部の酢酸エチルの溶液に対し、上記の反応で得た淡黄色の液体を室温下で３０分かけて滴下し、そのまま１時間攪拌を続けた。【０５５９】
生成した白色沈殿をろ過した後、純水を加えて洗浄した後、有機相を分取して有機溶媒を減圧留去し、１１６質量部（収率６０％）の白色結晶を得た。なお、この化合物の分子量は５７９である。【０５６０】
（合成例１４：可塑剤、化合物例９）
１０℃に保持した５４質量部のトリメチロールプロパン、１２７質量部のピリジン、５００質量部の酢酸エチルの混合溶液を攪拌しながら、２４０質量部のｏ−メトキシベンゾイルクロライドを３０分間かけて滴下し、その後、８０℃まで加熱して、３時間攪拌した。【０５６１】
反応終了後、室温まで冷却して沈殿物を炉別した後、１モル／Ｌ  ＨＣｌ水溶液を加えて洗浄し、さらに１％Ｎａ2ＣＯ3水溶液を加えて洗浄した後、有機相を分取して酢酸エチルを減圧留去し、１９３質量部（収率９０％）の透明液体を得た。なお、この化合物の分子量は５３７である。【０５６２】
（合成例１５：可塑剤、化合物例７）
１０℃に保持した２７質量部のトリメチロールプロパン、１１１質量部のピリジン、３００質量部の酢酸エチルの混合溶液を攪拌しながら、１８０質量部のアセチルサリシロイルクロライドを酢酸エチル２００質量部に溶解した溶液を３０分間かけて滴下し、その後、８０℃まで加熱して、５時間攪拌した。【０５６３】
反応終了後、室温まで冷却して沈殿物を炉別した後、１モル／Ｌ  ＨＣｌ水溶液を加えて洗浄し、さらに１％Ｎａ2ＣＯ3水溶液を加えて洗浄した後、有機相を分取して酢酸エチルを減圧留去し、９９質量部（収率８０％）の透明液体を得た。なお、この化合物の分子量は６２１である。【０５６４】
（合成例１６：可塑剤、化合物例４８）
１０℃に保持した３６質量部のトリメチロールプロパン、１０７質量部のピリジン、３００質量部の酢酸エチルの混合溶液を攪拌しながら、２５０質量部の３，４，５−トリメトキシベンゾイルクロライドを酢酸エチル３００質量部に溶解した溶液を３０分間かけて滴下し、その後、８０℃まで加熱して、５時間攪拌した。【０５６５】
反応終了後、室温まで冷却して沈殿物を炉別した後、１モル／Ｌ  ＨＣｌ水溶液を加えて洗浄し、さらに１％Ｎａ2ＣＯ3水溶液を加えて洗浄した後、有機相を分取して酢酸エチルを減圧留去し、１５３質量部（収率８０％）の白色結晶を得た。なお、この化合物の分子量は７１７である。【０５６６】
（合成例１７：可塑剤、化合物例５１）
１０℃に保持した３７質量部のグリセリン、１１１質量部のピリジン、５００質量部のトルエンの混合溶液を攪拌しながら、２７７質量部の３，４，５−トリメトキシベンゾイルクロライドをトルエン５００質量部に溶解した溶液を３０分間かけて滴下し、その後、１１０℃まで加熱して、５時間攪拌した。【０５６７】
反応終了後、室温まで冷却して沈殿物を炉別した後、１モル／Ｌ  ＨＣｌ水溶液を加えて洗浄し、更に１％  Ｎａ2ＣＯ3水溶液を加えて洗浄した後、有機相を分取してトルエンを減圧留去した後、精製を行い２２４質量部（収率８３％）の白色結晶を得た。なお、この化合物の分子量は６７５である。【０５６８】
（合成例１８：可塑剤、化合物例６１）
１０℃に保持した６０質量部の２−ヒドロキシメチル−２−メチル−プロパン−１，３ジオール、１４０質量部のピリジン、５００質量部の酢酸エチルの混合溶液を攪拌しながら、２１０質量部の塩化ベンゾイルを３０分間かけて滴下し、その後、１００℃まで加熱して、５時間攪拌した。【０５６９】
反応終了後、室温まで冷却して沈殿物を炉別した後、１モル／Ｌ  ＨＣｌ水溶液を加えて洗浄し、さらに１％Ｎａ2ＣＯ3水溶液を加えて洗浄した後、有機相を分取して酢酸エチルを減圧留去し、１９３質量部（収率９０％）の白色固体を得た。なお、この化合物の分子量は４３３である。【０５７０】
（合成例１９：可塑剤、化合物例６２）
１０℃に保持した３７質量部のグリセリン１２０質量部のピリジン及び４５０質量部の酢酸エチルの混合溶液を攪拌しながら、２１０質量部のｐ−メトキシベンゾイルクロライドを３０分間かけて滴下し、その後、８０℃まで加熱して、さらに３時間攪拌した。【０５７１】
反応終了後室温まで冷却して沈殿物を炉別した後、１モル／Ｌ  ＨＣｌ水溶液を加えて洗浄し、さらに１％Ｎａ2ＣＯ3水溶液を加えて洗浄した後、有機相を分取して酢酸エチルを減圧留去し、目的の化合物を得た。なお、この化合物の分子量は４９４である。【０５７２】
（合成例２０：可塑剤、ペンタエリスリトールテトラピバレート（ＰＥＴＰ））  
特許文献５においてＰＬ２として実施例に用いられているペンタエリスリトールテトラピバレートを合成した。【０５７３】
３４質量部のペンタエリスリトールと、１０１質量部のトリエチルアミンと、２０００質量部の酢酸エチルの溶液に対し、１２１質量部の塩化ピバロイルを室温下で３０分かけて滴下し、そのまま１時間攪拌を続けた。【０５７４】
生成した白色沈殿をろ過した後、純水を加えて洗浄し、有機相を分取したのち有機溶媒を減圧留去して８９質量部（収率７５％）の白色結晶を得た。なお、この化合物の分子量は４７３である。【０５７５】
【化６９】
2007119421.tif 000072
【０５７６】
（合成例２１：一般式（Ｉ）で表される化合物、化合物１０１）
５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−ヒドロキシ−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン、ｐ−キシレンならびに触媒としてフルキャット（Ｆｕｌｃａｔ）２２Ｂから出発して、５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−（２，５−ジメチルフェニル）−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン（化合物１０１）を合成した。【０５７７】
ａ）５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−ヒドロキシ−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オンの合成
１，２−ジクロロエタン３００ｍｌ中の２，４−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−フェノール（９７％）２１２．５ｇ（１．００ｍｏｌ）、５０％水性グリオキシル酸１６３．０ｇ（１．１０ｍｏｌ）及びｐ−トルエンスルホン酸一水塩０．５ｇ（２．６ｍｍｏｌ）を水分離器
上で３．５時間、窒素気流中で還流した。【０５７８】
その後、反応混合物を減圧ロータリーエバポレーターで濃縮した。残渣をヘキサン８００ｍｌに溶解し、そして水で３回洗浄した。分液漏斗中、水相を分離し、さらにヘキサン３００ｍｌで抽出した。有機相を集め、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧エバポレーターで濃縮した。残渣から濃い黄色の樹脂の形態の、分析的に精製された５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−ヒドロキシ−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン２６２．３ｇ（〜１００％）を得た。【０５７９】
ｂ）５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−（２，５−ジメチルフェニル）−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン（化合物（１０１））の合成
ｐ−キシレン５００ｍｌ（４．０５ｍｏｌ）中の５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−ヒドロキシ−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン２６２．３ｇ（１．００ｍｏｌ）溶液にフルキャット２２Ｂ４０ｇを加え、及び混合物を水分離器上で１．５時間還流した。フルキャット２２Ｂ触媒を次にろ過により除去し、過剰ｐ−キシレンを減圧エバポレーターで留去した。【０５８０】
メタノール４００ｍｌからの残渣の結晶化により、融点９３−９７℃の５，７−ジ−第三ブチル−３−（２，５−ジメチルフェニル）−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン（化合物１０１）２８０．６ｇ（８０％）を得た。【０５８１】
（合成例２２：一般式（Ｉ）で表される化合物、化合物１０３、１３４の混合物の合成）  ２，４−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−フェノール、グリオキシル酸及びｏ−キシレンならびに触媒としてフルキャットまたはフルモント（Ｆｕｌｍｏｎｔ）から出発して、３−（３，４−ジメチルフェニル）−５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン
（化合物１０３）及び３−（２，３−ジメチルフェニル）−５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン異性体（化合物１３４）の約５．７：１混合物を合成した。【０５８２】
水分離器を備えた１５００ｍｌの二層反応器に２，４−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−フェノール２０６．３ｇ（１．０ｍｏｌ）、ｏ−キシレン４８５ｇ（５．５ｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸一水塩０．５ｇ（２．６ｍｍｏｌ）及び５０％水性グリオキシル酸１６３ｇ（１．１ｍｏｌ）を入れた。【０５８３】
攪拌しながら、混合物を８５〜９０℃に加熱しそして装置を同時に約４５０ｍｂａｒに排気した。反応器中の温度が８５〜９０℃になると直ちに、ｏ−キシレン／水混合物が蒸留され始め、ｏ−キシレンは還流され及び水は系から除去された。【０５８４】
反応器の温度を８５〜９０℃に保てるように減圧を連続的に高めた。水約９０〜１００ｍｌの全てが３ないし４時間かけて蒸留された。減圧を窒素により解除し、触媒（フルキャット３０もしくは４０、フルモントＸＭＰ−３もしくはＸＭＰ−４）４０ｇを透明な黄色の溶液に加えた。【０５８５】
装置を７００ｍｂａｒの圧力に排気しそして懸濁物を１６５℃の加熱浴温度で攪拌した。約１２８℃の温度から反応水が共沸物として系から留去され始めた。装置の温度は最後の方で最大１４０℃に昇温させた。【０５８６】
総量約２０ｍｌの水が系から１ないし２時間かけて留去された。次に減圧を窒素により解除した。反応混合物を９０〜１００℃に冷却し及びろ過した。装置及びフィルター残渣をｏ−キシレン１００ｇですすいだ。ろ液を二層反応器に移しそして減圧下で濃縮し、ｏ−キシレン３６０ｇで回収した。【０５８７】
やや赤い黄色の残渣を７０℃に冷却し、温度を６０〜６５℃に保ちながら、メタノール６３６ｇを滴下漏斗から注意して加えた。溶液に結晶種を入れ、６０〜６５℃で約３０分間攪拌して結晶化させた。次に結晶化スラリーを２時間かけて−５℃に冷却し、そしてこの温度で攪拌をさらに１時間続けた。【０５８８】
結晶を吸引ろ過で集め、残渣を冷メタノール（−５℃）４００ｍｌを使用して５回に分けて洗浄した。十分に乾圧された生成物を５０〜６０℃の真空乾燥機で乾燥して、白色固体２６６ｇを得た。【０５８９】
ガスクロマトグラフィーによる分析は、この物質が３−（３，４−ジメチルフェニル）−５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン（化合物１０３）約８５％、ならびに３−（２，３−ジメチルフェニル）５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−Ｈ−ベンゾフラン−２−オン異性体（化合物１３４）約１５％からなることを示す。【０５９０】
（合成例２３：一般式（Ｉ）で表される化合物、化合物１０５の合成）
５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−ヒドロキシ−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン、エチルベンゼンならびに触媒としてフルキャット２２Ｂから出発して、５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−（４−エチルフェニル）−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン（化合物１０５）を合成した。【０５９１】
エチルベンゼン５００ｍｌ（４．０８ｍｏｌ）中の５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−ヒドロキシ−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン２６２．３ｇ（１．００ｍｏｌ）溶液にフルキャット２２Ｂ  ４０ｇを加え、そして混合物を水分離器上で１．５時間還流した。フルキャット２２Ｂ触媒を次にろ過により除去し、過剰エチルベンゼンを減圧エバポレーターで留去した。【０５９２】
ＧＣ−ＭＳ分析はパラ−異性体（化合物１０５）５９．２％、メタ−異性体（化合物１０５Ａ）１０．８％及びオルト−異性体（化合物１０５Ｂ）２１．１％の混合物からなる残渣を示した。【０５９３】
メタノール４００ｍｌからの残渣の結晶化により、５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−（４−エチルフェニル）−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン（化合物１０５）（パラ−異性体）１６３．８ｇ（４７％）が得られ、それはさらにメタ−異性体５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−（３−エチルフェニル）−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン（化合物１０５Ａ）５．６％、及びオルト−異性体５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−（２−エチルフェニル）−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン（化合物１０５Ｂ）１．３％を含む。メタノールからのさらなる結晶化から、融点１２７−１３２℃のほとんど純粋なパラ異性体（化合物１０５）を得た。【０５９４】
【化７０】
2007119421.tif 000073
【０５９５】
（合成例２４：一般式（Ｉ）で表される化合物、化合物１１１）
５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−ヒドロキシ−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン、ペンタメチルベンゼンならびに触媒として四塩化錫から出発して、５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−（２，３，４，５，６−ペンタメチルフェニル）−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン（化合物（１１１））を合成した。【０５９６】
ペンタメチルベンゼン１１．５ｇ（７７．５ｍｍｏｌ）及び四塩化錫１０ｍｌ（８５．０ｍｍｏｌ）を１，２−ジクロロメタン５０ｍｌ中の５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−ヒドロキシ−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン１９．７ｇ（７５．０ｍｍｏｌ）の溶液に加え、そして反応混合物を１時間還流した。【０５９７】
反応混合物を水で稀釈しそしてトルエンで３回抽出した。有機相を集め、水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、そして減圧エバポレーターで濃縮した。エタノールからの残渣の結晶化により融点１８５−１９０℃の、５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−（２，３，４，５，６−ペンタメチルフェニル）−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン（化合物１１１）２６
．３ｇ（８９％）が得られた。【０５９８】
（合成例２５：一般式（Ｉ）で表される化合物、化合物１０８）
室温にて１５．２ｇのマンデル酸、及び２０．６ｇの２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノールを混ぜその後、加熱して常圧、１６０℃で３０分還流した。その後、真空ポンプで圧力を減じ、減圧下で５時間加熱した後、昇温し１８０℃で４時間加熱して反応を終了した。【０５９９】
放冷した後、エタノールを加え撹拌して溶解した。その後室温で撹拌することで結晶が析出、冷蔵庫で一晩冷却した。結晶をろ過、洗浄、乾燥することで２１．６ｇの化合物１０８を得た。【０６００】
（合成例２６：一般式（Ｉ）で表される化合物、化合物１０４）
５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−ヒドロキシ−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン、グリオキシル酸及びトルエンならびに触媒としてフルキャット２２Ｂから出発して、５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−（４−メチルフェニル）−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン（化合物１０４）を合成した。【０６０１】
２，４−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕフェノール（９７％）２１．２ｇ（０．１０ｍｏｌ）、５０％水性グリオキシル酸１６．３ｇ（０．１１ｍｏｌ）、フルキャット２２Ｂ  ２．０ｇ及びトルエン５０ｍｌの混合物を水分離器上、窒素気流中で８時間還流した。【０６０２】
フルキャット２２Ｂ触媒を次にろ過により除去し、過剰トルエンを減圧エバポレーターで留去した。エタノール４０ｍｌからの残渣の結晶化により、融点１３０〜１３３℃の５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３−（４−メチルフェニル）−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン（化合物１０４）１４．２ｇ（４２％）を得た。【０６０３】
（合成例２７：可塑剤、脂肪族−芳香族コポリエステル化合物Ａ１）
冷却凝縮器を装着した反応器に、６４８質量部のエチレングリコール、５８質量部のジエチレングリコール、１１２１質量部のコハク酸、８３質量部のテレフタル酸、０．０３質量部のテトラブチルチタネートを投入し、１４０℃で２時間、２２０℃で２時間、冷却凝縮器を外して２２０℃でさらに２０時間、脱水縮合反応を行って、数平均分子量１５００の脂肪族−芳香族コポリエステル化合物Ａ１を得た。これに使用したジオールの炭素数平均は２．１、ジカルボン酸の炭素数平均は４であった。【０６０４】
（合成例２８；可塑剤、脂肪族ポリエステル化合物Ａ２）
冷却凝縮器を装着した反応器に、６９９質量部のエチレングリコール、１１８０質量部のコハク酸、０．０３質量部のテトラブチルチタネートを投入し、１４０℃で２時間、２２０℃で２時間、冷却凝縮器を外して２２０℃でさらに２０時間、脱水縮合反応を行って、数平均分子量２０００の脂肪族ポリエステル化合物Ａ２を得た。これに使用したジオールの炭素数平均は２、ジカルボン酸の炭素数平均は４であった。【０６０５】
実施例１
（セルロースエステルフィルム１−１の作製）
上記合成例で作製した各種化合物、また市販の各種化合物を可塑剤として用いて、溶融流延によりセルロースエステルフィルム１−１を作製した。【０６０６】
セルロースエステルＣ−１                                            １００質量部
ＧＴＢ                                                              １０質量部
ＩＲＧＡＮＯＸ  １０１０（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）    ０．５質量部
合成例２２の３−（３，４−ジメチルフェニル）−５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン（化合物１０３）及び３−（２，３−ジメチルフェニル）−５，７−ジ−ｔｅｒｔ−Ｂｕ−３Ｈ−ベンゾフラン−２−オン（化合物１０３Ａ異性体の約５．７：１混合物）                                                  ０．３質量部
ＴＩＮＵＶＩＮ  ９２８                                              １．８質量部
セルロースエステルを７０℃、３時間減圧下で乾燥を行い室温まで冷却した後、添加剤を混合した。【０６０７】
以上の混合物を２軸式押出し機を用いて２３０℃で溶融混合しペレット化した。なお、このペレットのガラス転移温度Ｔｇは１４１℃であった。【０６０８】
このペレットを用いて窒素雰囲気下、２５０℃にて溶融して流延ダイ４から第１冷却ロール５上に押し出し、第１冷却ロール５とタッチロール６との間にフィルムを挟圧して成形した。また押出し機１中間部のホッパー開口部から、滑り剤としてシリカ粒子２００Ｖ（日本アエロジル社製）を０．５質量部となるよう添加した。【０６０９】
流延ダイ４のギャップの幅がフィルムの幅方向端部から３０ｍｍ以内では０．５ｍｍ、その他の場所では１ｍｍとなるようにヒートボルトを調整した。タッチロールとしては、タッチロールＡを使用し、その内部に冷却水として８０℃の水を流した。【０６１０】
流延ダイ４から押し出された樹脂が第１冷却ロール５に接触する位置Ｐ１から第１冷却ロール５とタッチロール６とのニップの第１冷却ロール５回転方向上流端の位置Ｐ２までの、第１冷却ローラ５の周面に沿った長さＬを２０ｍｍに設定した。【０６１１】
その後、タッチロール６を第１冷却ロール５から離間させ、第１冷却ロール５とタッチロール６とのニップに挟圧される直前の溶融部の温度Ｔを測定した。第１冷却ロール５とタッチロール６とのニップに挟圧される直前の溶融部の温度Ｔは、ニップ上流端Ｐ２よりもさらに１ｍｍ上流側の位置で、温度計（安立計器株式会社製ＨＡ−２００Ｅ）により測定した。【０６１２】
本実施例では測定の結果、温度Ｔは１４６℃であった。タッチロール６の第１冷却ロール５に対する線圧は１４．７Ｎ／ｃｍとした。【０６１３】
さらに、テンターに導入し、巾方向に１６０℃で１．３倍延伸した後、巾方向に３％緩和しながら３０℃まで冷却し、その後クリップから開放し、クリップ把持部を裁ち落とし、フィルム両端に幅１０ｍｍ、高さ５μｍのナーリング加工を施し、巻取り張力２２０Ｎ／ｍ、テーパー４０％で巻芯に巻き取った。【０６１４】
なお、フィルムは、厚さが８０μｍとなるように、押出し量及び引き取り速度を調整し、仕上がりのフィルム幅は、１４３０ｍｍ幅になるようにスリットし、巻き取った。巻芯の大きさは、内径１５２ｍｍ、外径１６５ｍｍ、長さ１５５０ｍｍであった。【０６１５】
この巻芯母材として、エポキシ樹脂をガラス繊維、カーボン繊維に含浸させたプリプレグ樹脂を用いた。巻芯表面にはエポキシ導電性樹脂をコーティングし、表面を研磨して、表面粗さＲａは０．３μｍに仕上げた。なお、巻長は２５００ｍとした。この本発明のフィルム原反試料をＮｏ．１−１とする。【０６１６】
さらに、表２に記載の添加剤、添加量に変更する以外は、フィルム原反試料をＮｏ．１−１と同様な方法で、本発明のセルロースエステルフィルム原反試料１−２〜１−１６、比較のセルロースエステルフィルム原反試料１−１７〜１−２１を作製した。【０６１７】
ただし、常温で液体の添加剤については、２軸押出し機に入る直前でフィーダーによって添加した。【０６１８】
得られたセルロースエステルフィルム原反試料に対して、下記方法で評価を行った。評価の結果を表２に示す。【０６１９】
（馬の背故障、巻芯転写）
巻き取ったセルロースエステルフィルム原反試料をポリエチレンシートで２重に包み、図８に示すような保存方法で、２５℃、５０％の条件下で３０日間保存した。その後、箱から取り出し、ポリエチレンシートを開け、フィルム原反試料表面に点灯している蛍光灯の管を反射させて映し、その歪みあるいは細かい乱れを観察し、馬の背故障を下記レベルにランク分けした。【０６２０】
Ａ：蛍光灯が真っすぐに見える
Ｂ：蛍光灯が部分的に曲がって見える
Ｃ：蛍光灯がまだらに映って見える
また、保存後のフィルム原反試料を巻き返して、５０μｍ以上の点状の変形、または幅手方向の帯状の変形がはっきり見える巻芯転写が、巻芯部分より何ｍまで発生しているかを測定し、下記レベルにランク分けを行った。【０６２１】
Ａ：巻芯部分より１５ｍ未満
Ｂ：巻芯部分より１５〜３０ｍ未満
Ｃ：巻芯部分より３０〜５０ｍ未満
Ｄ：巻芯部分より５０ｍ以上
（巻始めシワ）
巻芯に原反フィルムを巻き取る作業を行い、巻始めでシワが発生して不良となった場合は巻芯から原反フィルムを取り外して、再度巻き取る作業を行った。この時の不良回数をカウントした。この作業を１０回行い平均値を求め、下記レベルにランク分けを行った。【０６２２】
Ａ：０回以上１回未満
Ｂ：１回以上３回未満
Ｃ：３回以上５回未満
Ｄ：５回以上
なお、図８中、１１０は巻芯本体、１１７は支え板、１１８は架台、１２０はセルロースエステルフィルム原反を表す。【０６２３】
【表２】
2007119421.tif 000074
【０６２４】
表より、本発明に係る一般式（Ｉ）で表される化合物を含有するセルロースエステルフィルム原反試料Ｎｏ．１−１〜１−１６は、長期間保存しても馬の背故障、巻芯転写が少なく、巻始めシワ等のフィルム原反の変形故障が発生しにくいセルロースエステルフィルムであることが分かる。【０６２５】
実施例２
表３〜６に記載の添加剤、添加量に変更する以外は、実施例１のセルロースエステルフィルム原反試料１−１と同様な方法で、本発明のセルロースエステルフィルム原反試料２−１〜２−５７、比較のセルロースエステルフィルム原反試料２−５８〜２−６１を作製した。【０６２６】
作製したセルロースエステルフィルム原反試料に対して、実施例１と同様な評価を行った。評価の結果を７、８に示す。【０６２７】
【表３】
2007119421.tif 000075
【０６２８】
【表４】
2007119421.tif 000076
【０６２９】
【表５】
2007119421.tif 000077
【０６３０】
【表６】
2007119421.tif 000078
【０６３１】
【表７】
2007119421.tif 000079
【０６３２】
【表８】
2007119421.tif 000080
【０６３３】
表より、可塑剤や酸化防止剤を併用した、本発明に係る一般式（Ｉ）で表される化合物を含有するセルロースエステルフィルム原反試料２−１〜２−５７は、長期間保存しても馬の背故障、巻芯転写が少なく、巻始めシワ等のフィルム原反の変形故障が発生しにくいセルロースエステルフィルムであることが分かる。【０６３４】
実施例３
表９、１０に記載の添加剤、添加量に変更する以外は、実施例１のセルロースエステルフィルム原反試料をＮｏ．１−１と同様な方法で、本発明のセルロースエステルフィルム原反試料３−１〜３−２７、比較のセルロースエステルフィルム原反試料３−２８、３−２９を作製した。【０６３５】
作製したセルロースエステルフィルム原反試料に対して、実施例１と同様な評価を行った。評価の結果を表１１に示す。【０６３６】
【表９】
2007119421.tif 000081
【０６３７】
【表１０】
2007119421.tif 000082
【０６３８】
【表１１】
2007119421.tif 000083
【０６３９】
【化７１】
2007119421.tif 000084
【０６４０】
表より、別の種類の可塑剤や酸化防止剤を併用した、本発明に係る一般式（Ｉ）で表される化合物を含有するセルロースエステルフィルム原反試料３−１〜３−２７は、長期間保存しても馬の背故障、巻芯転写が少なく、巻始めシワ等のフィルム原反の変形故障が発生しにくいセルロースエステルフィルムであることが分かる。【０６４１】
実施例４
実施例２の試料２−９の作製において、表１２に示すように、セルロースエステルおよび一般式（Ｉ）で表される化合物を変更する以外は同様にしてフィルムを作製し、本発明のセルロースエステルフィルム原反試料４−１〜４−１９を作製した。【０６４２】
作製したセルロースエステルフィルム原反試料に対して、実施例１と同様な評価を行った。評価の結果を表１２に示す。【０６４３】
【表１２】
2007119421.tif 000085
【０６４４】
表より、アシル基置換度を変更したセルロースエステルフィルムにおいても、本発明に係る一般式（Ｉ）で表される化合物を含有するセルロースエステルフィルム原反試料４−１〜４−１９は、長期間保存しても馬の背故障、巻芯転写や巻始めシワ等のフィルム原反の変形故障が発生しないセルロースエステルフィルムであることが分かる。また、本発明に係るフィルムのうち、少なくとも添加剤としてＩＲＧＡＮＯＸ１０１０を含むものは、全て４５０ｎｍの光束の透過率が９０％以上であった。【０６４５】
実施例５
下記の組成物を調製した。【０６４６】
（帯電防止層塗布組成物（１））
ポリメチルメタアクリレート（重量平均分子量５５万、Ｔｇ：９０℃）    ０．５部
プロピレングリコールモノメチルエーテル                                ６０部
メチルエチルケトン                                                    １６部
乳酸エチル                                                              ５部
メタノール                                                              ８部
導電性ポリマー樹脂Ｐ−１（０．１〜０．３μｍ粒子）                  ０．５部【０６４７】
【化７２】
2007119421.tif 000086
【０６４８】
（ハードコート層塗布組成物（２））
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体                    ６０部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体                    ２０部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分          ２０部
ジエトキシベンゾフェノン光反応開始剤                                ６部
シリコーン系界面活性剤                                              １部
プロピレングリコールモノメチルエーテル                            ７５部
メチルエチルケトン                                                ７５部
（カール防止層塗布組成物（３））
アセトン                                                            ３５部
酢酸エチル                                                          ４５部
イソプロピルアルコール                                                ５部
ジアセチルセルロース                                              ０．５部
超微粒子シリカ２％アセトン分散液（アエロジル：２００Ｖ、日本アエロジル（株）製）
０．１部
下記に従って、機能付与した偏光板保護フィルムを作製した。【０６４９】
（偏光板保護フィルム）
実施例で作製したセルロースエステルフィルム原反試料１−１をポリエチレンシートで２重に包み、図８に示すような保存方法で２５℃、５０％ＲＨの条件下で３０日間、この後、４０℃、８０％ＲＨの条件下で１０日間保存した。【０６５０】
その後、それぞれポリエチレンシートを外して、それぞれの原反試料から巻き出したセルロースエステルフィルムの片面に、カール防止層塗布組成物（３）をウェット膜厚１３μｍとなるようにグラビアコートし、乾燥温度８０±５℃にて乾燥させた。これを試料１−１Ａとする。【０６５１】
このセルロースエステルフィルムのもう１方の面に帯電防止層塗布組成物（１）を２８℃、８２％ＲＨの環境下でウェット膜厚で７μｍとなるようにフィルムの搬送速度３０ｍ／ｍｉｎで塗布幅１ｍで塗布し、次いで８０±５℃に設定された乾燥部で乾燥して乾燥膜厚で約０．２μｍの樹脂層を設け、帯電防止層付きセルロースエステルフィルムを得た。これを試料１−１Ｂとする。【０６５２】
さらに、この帯電防止層の上にハードコート層塗布組成物（２）をウェット膜厚で１３μｍとなるように塗設し、乾燥温度９０℃にて乾燥させた後、紫外線を１５０ｍＪ／ｍ2となるように照射して、乾燥膜厚で５μｍのクリアハードコート層を設けた。これを試料１−１Ｃとする。【０６５３】
得られた本発明のセルロースエステルフィルム試料１−１Ａ、試料１−１Ｂ、試料１−１Ｃはともにブラッシングを起こすこともなく、乾燥後の亀裂の発生も認められず、塗布性は良好であった。【０６５４】
セルロースエステルフィルム原反試料１−１に代えて、セルロースエステルフィルム原反試料１−８、２−２、２−７、２−９、２−１０、２−２７、２−５４、２−５６、２−５７、３−１、３−９、３−１０、４−１〜４−１９に変更した以外は同様の方法で塗布を行った。その結果、何れも良好な塗布性が確認された。【０６５５】
比較として、比較のセルロースエステルフィルム原反試料２−５８、２−５９及び２−６０について、上記と同様な方法で塗布を行った。【０６５６】
カール防止層塗布組成物（３）を塗布したものを試料２−５８Ａ、２−５９Ａ、及び２−６０Ａ、さらに帯電防止層塗布組成物（１）を塗布したものを試料２−５８Ｂ、２−５９Ｂ、及び２−６０Ｂ、さらにこの帯電防止層の上にハードコート層塗布組成物（２）を塗布したものを試料２−５８Ｃ、２−５９Ｃ及び２−６０Ｃとした。【０６５７】
その結果、高湿度環境で塗布したとき、試料２−５８Ａ、２−５９Ａ及び２−６０Ａでブラッシングが起こった。また、試料２−５８Ｂ、２−５９Ｂ及び２−６０Ｂでは乾燥後微細な亀裂が認められることがあり、試料２−５８Ｃ、２−５９Ｃ及び２−６０Ｃでは乾燥後微細な亀裂が明確に認められた。
（偏光板の作製と評価）
厚さ１２０μｍのポリビニルアルコールフィルムを沃素１質量部、沃化カリウム２質量部、ホウ酸４質量部を含む水溶液に浸漬し５０℃で４倍に延伸し偏光子を作製した。【０６５８】
実施例１、２、３および４で作製した本発明のセルロースエステルフィルム原反試料１−１、１−８、２−２、２−７、２−９、２−１０、２−２７、２−５４、２−５６、２−５７、３−１、３−９、３−１０、４−１〜４−１９及び比較のセルロースエステルフィルム原反試料２−５８、２−５９及び２−６０をポリエチレンシートで２重に包み、図８に示すような保存方法で２５℃、５０％ＲＨの条件下で３０日間、この後、４０℃、８０％ＲＨの条件下で保存した。【０６５９】
その後、それぞれポリエチレンシートを外して、それぞれの原反試料から巻き出したセルロースエステルフィルムを４０℃の２．５ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液で６０秒間アルカリ処理し、さらに水洗乾燥して表面をアルカリ処理した。【０６６０】
前記偏光子の両面に、本発明の試料１−１、１−８、２−２、２−７、２−９、２−１０、２−２７、２−５４、２−５６、２−５７、３−１、３−９、３−１０、４−１〜４−１９及び、比較の試料の２−５８、２−５９及び２−６０のアルカリ処理面を、完全鹸化型ポリビニルアルコール５％水溶液を接着剤として両面から貼合し、保護フィルムが形成された本発明の偏光板１−１、１−８、２−２、２−７、２−９、２−１０、２−２７、２−５４、２−５６、２−５７、３−１、３−９、３−１０、４−１〜４−１９及び、比較の偏光板の２−５８、２−５９及び２−６０を作製した。【０６６１】
（液晶表示装置としての特性評価）
１５型ＴＦＴ型カラー液晶ディスプレイＬＡ−１５２９ＨＭ（ＮＥＣ製）の偏光板を剥がし、上記で作製した各々の偏光板を液晶セルのサイズに合わせて断裁した。液晶セルを挟むようにして、前記作製した偏光板２枚を偏光板の偏光軸が元と変わらないように互いに直交するように貼り付け、１５型ＴＦＴ型カラー液晶ディスプレイを作製し、セルロースエステルフィルムの偏光板としての特性を評価した。
《評価》
（高温高湿下での保存によるコントラスト評価）
２３℃５５％ＲＨの環境で、このディスプレイのバックライトを点灯して３０分そのまま放置してから測定を行った。測定にはＥＬＤＩＭ社製ＥＺ−Ｃｏｎｔｒａｓｔ１６０Ｄを用いて、ディスプレイで白表示と黒表示の表示画面の法線方向からの輝度を測定し、その比を正面コントラストとする。
各々の偏光板を用いた場合の正面コントラストを評価し、同一のセルロースエステルフィルムを使用して作成した偏光板の、２３℃、５５％ＲＨ条件下と８０℃、９０%ＲＨ条件下で保管した場合の正面コントラストの比を求めた。値が１に近いほど、高温高湿下での保存によるコントラスト変動が小さく好ましいことを表す。高温高湿条件での保存によるコントラスト変動＝（８０℃、９０％ＲＨの条件下で７日保存した偏光板を用いた時のコントラスト）/（２３℃、５５％ＲＨの条件下で７日保存した偏光板を用いた時のコントラスト）
以上の結果を表１３に示す。
（リタデーションＲｏ、Ｒｔばらつきの評価）
実施例１、２、３および４で作製した本発明のセルロースエステルフィルム原反試料１−１、１−８、２−２、２−７、２−９、２−１０、２−２７、２−５４、２−５６、２−５７、３−１、３−９、３−１０、４−１〜４−１９及び比較のセルロースエステルフィルム原反試料２−５８、２−５９及び２−６０を幅手方向に１ｃｍ間隔でリタデーションを測定し、下記式より得られたリタデーションの変動係数（ＣＶ）で表したものである。測定には、自動複屈折計ＫＯＢＵＲＡ・２１ＡＤＨ（王子計測器（株）製）を用いて、２３℃、５５％ＲＨの環境下で、波長が５９０ｎｍにおいて、試料の幅手方向に１ｃｍ間隔で３次元複屈折率測定を行い、測定値を次式に代入して求めた。
面内リタデーション  Ｒｏ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ
厚み方向リタデーション  Ｒｔ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄ
（式中、ｎｘは、フィルム面内の遅相軸方向の屈折率であり、ｎｙは、フィルム面内の進相軸方向の屈折率であり、ｎｚはフィルム厚み方向の屈折率であり、ｄはフィルムの厚さ（ｎｍ）である。）
得られた面内および厚み方向のリタデーションをそれぞれ（ｎ−１）法による標準偏差を求めた。リタデーション分布は以下で示される変動係数（ＣＶ）を求め、指標とした。実際の測定に当たっては、ｎとしては、１３０〜１４０に設定した。
変動係数（ＣＶ）＝標準偏差／リタデーション平均値
Ａ：ばらつき（ＣＶ）が、１．５％未満
Ｂ：ばらつき（ＣＶ）が、１．５％以上、５％未満
Ｃ：ばらつき（ＣＶ）が、５％以上、１０％未満
Ｄ：ばらつき（ＣＶ）が、１０％以上
以上の結果を表１３に示す。【０６６２】
【表１３】
2007119421.tif 000087
【０６６３】
本発明の表示装置用フィルムであるセルロースエステルフィルム１−１、１−８、２−２、２−７、２−９、２−１０、２−２７、２−５４、２−５６、２−５７、３−１、３−９、３−１０、４−１〜４−１９を用いた偏光板をディスプレイに使用した場合、比較のセルロースエステルフィルム２−５８、２−５９及び２−６０を用いた偏光板をディスプレイ使用した場合よりも、偏光板を高温高湿条件下に保存した場合のコントラストの変動が小さく、リタデーションの均一性に優れていることが判る。
【図５】
2007119421.tif 000095
【図６】
2007119421.tif 000096
【図１】
2007119421.tif 000097
【図２】
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【図３】
2007119421.tif 000099
【図４】
2007119421.tif 000100
【図７】
2007119421.tif 000101
【図８】
2007119421.tif 000102
【国際調査報告】
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2007119421.tif 000104
2007119421.tif 000105
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