【事件の表示】
　特願２０１８−　５７３２７「グリッド偏光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　６月１４日出願公開、特開２０１８−　９２２０２、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　事案の概要
　１　手続等の経緯
　特願２０１８−５７３２７号（以下「本件出願」という。）は、平成２７年７月３日に出願された特願２０１５−１３４８２１号の一部を平成３０年３月２４日に新たな特許出願としたものであって、その手続等の経緯の概要は、以下のとおりである。
平成３１年　２月２５日付け：拒絶理由通知書
平成３１年　４月２６日　　：意見書
平成３１年　４月２６日　　：手続補正書
令和　元年　９月２７日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。）
令和　元年１２月２６日　　：審判請求書
令和　元年１２月２６日　　：手続補正書
令和　２年　９月２５日付け：拒絶理由通知書
令和　２年１１月３０日　　：意見書
令和　２年１１月３０日　　：手続補正書
令和　３年　２月１８日付け：拒絶理由通知書
令和　３年　４月２３日　　：意見書
令和　３年　４月２３日　　：手続補正書
　２　本願発明
　本件出願の請求項１〜請求項６に係る発明は、令和３年４月２３日にした手続補正後の特許請求の範囲の請求項１〜請求項６に記載された事項によって特定されるとおりの、以下のものである。
「　　【請求項１】
透明基板と、透明基板上に形成された縞状のグリッドとを備えた２６５ｎｍより短い波長の紫外域の光の偏光用のグリッド偏光素子であって、
　グリッドを形成する各線状部は、透明基板に近い側の第一の層と、透明基板から遠い側の第二の層とが積層されたものであり、
　第一の層は、貴金属で形成されており、
　第二の層は、酸化チタンで形成されており、
　第一の層の貴金属は、塩素系エッチャントに酸素又は窒素を添加した際のエッチング速度の低下が第二の層の材料よりも小さい材料であり、
　第二の層の高さは、第一の層と第二の層との全体の高さの５０％以上（１００％を除く）であることを特徴とするグリッド偏光素子。
　　【請求項２】
　前記第一の層は、透明基板上にスパッタリングにより作成された層であることを特徴とする請求項１記載のグリッド偏光素子。
　　【請求項３】
　前記第一の層は、前記スパッタリングにより作成された貴金属の膜をエッチングすることで前記縞状とされた層であり、前記第二の層は、このエッチングの際にマスクとして使用された層であってエッチング後も残留した層であることを特徴とする請求項２記載のグリッド偏光素子。
　　【請求項４】
　前記第二の層は、原子層堆積法により作成された層であることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載のグリッド偏光素子。
　　【請求項５】
　前記第一の層の材料は、イリジウムであることを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載のグリッド偏光素子。
　　【請求項６】
　前記第一の層の材料は、金又はロジウムであることを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載のグリッド偏光素子。」
　３　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、（進歩性）本件出願の請求項１〜請求項７に係る発明（平成３１年４月２６日にした手続補正後のもの）は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
（引用例等一覧）
引用例１：特開２０１５−６４４２６号公報
引用例２：特表２０１０−５０１０８５号公報
引用例３：特開平９−２６６２００号公報
引用例４：特開２０１３−１４３３９０号公報
引用例５：特表２０１５−５００５０８号公報
引用例６：特開２０１０−１４５８５４号公報
（当合議体注：引用例１は主引用例であり、引用例２〜引用例４は副引用例である。引用例５及び引用例６は、周知技術を示す文献である。）
　４　当合議体の拒絶の理由
　(1) 令和２年９月２５日付け拒絶理由通知書において当合議体が通知した拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）は、
　理由１（進歩性）本件出願の請求項１〜請求項６に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、
　理由２（サポート要件）本件出願の特許請求の範囲の記載は、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載されたものであるということができないから、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない、
　理由３（明確性）本件出願の特許請求の範囲の記載は、特許を受けようとする発明が明確であるということができないから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない、というものである。
（引用例等一覧）
引用例Ａ：特開２０１５−６４４２６号公報（原査定の拒絶の理由において引用された引用例１）
引用例Ｂ：特表２０１０−５０１０８５号公報（同引用例２）
引用例Ｃ：特開２０１５−１２１６９３号公報
引用例Ｄ：米国特許出願公開第２０１５／０１８５３８６号明細書
引用例Ｅ：特表２０１５−５００５０８号公報（同引用例５）
引用例Ｆ：国際公開第２０１３／１４６８１６号
引用例Ｇ：Chee Won Chung 他、High-Density Plasma Etching of Iridium Thin Film in a Cl2/O2/Ar Plasma、Journal of The Electrochemical Society、2003、150(5)、p.G297-G299
引用例Ｈ：特開２０１３−１４３３９０号公報（同引用例４）
（当合議体注：引用例Ａは主引用例である。引用例Ｂは副引用例である。引用例Ｃ〜引用例Ｈは、副引用例であるか、周知技術あるいは技術常識を示す文献である。）
　(2) 令和３年２月１８日付け拒絶理由通知書において当合議体が通知した拒絶の理由は、理由４（サポート要件）本件出願の特許請求の範囲の記載は、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載されたものであるということができないから、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない、というものである。
第２　当合議体の判断
　１　引用例の記載及び引用発明
　(1) 引用例Ａの記載
　原査定の拒絶の理由及び当審拒絶理由において引用された引用例Ａ（特開２０１５−６４４２６号公報）は、本件出願前に日本国内又は外国において電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明が記載されたものであるところ、そこには、以下の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものであり、引用発明の認定や判断等に活用した箇所を示す。
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
透明基板と、透明基板上に設けられた複数の線状部からなる縞状の格子とを備えたグリッド偏光素子であって、
　縞状の格子は、偏光作用を為す透明基板側の第一の層と、第一の層の上側に位置する第二の層とより成るものであり、
　第二の層は、透光性の材料で形成され、第一の層より高さが低いものであることを特徴とするグリッド偏光素子。
【請求項２】
　前記第二の層は、前記第一の層をエッチングによって形成する際のエッチャントに対する耐性が第一の層に比べて高い材料で形成されていることを特徴とする請求項１記載のグリッド偏光素子。
【請求項３】
　
前記第二の層の材料は、使用波長における消衰係数が実質的にゼロであることを特徴とする
【請求項４】
　前記第二の層は、高さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のグリッド偏光素子。
【請求項５】
　
前記使用波長は、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である
【請求項６】
　前記第一の層は、シリコンで形成されていることを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載のグリッド偏光素子。
【請求項７】
　前記第二の層は、酸化チタン、酸化シリコン、酸化タンタル、酸化ニオブ、アルミナ、酸化ハフニウム、イットリア、ジルコニア、インジウム酸スズ、酸化セリウム、酸化タングステン、酸化亜鉛、フッ化マグネシウムの何れか一種以上の材料より成ることを特徴とする請求項１又は２に記載のグリッド偏光素子。
【請求項８】
　
透明基板と、透明基板上に設けられた縞状の格子とを備えたグリッド偏光素子を製造するグリッド偏光素子製造方法であって、
　
透明基板上に第一の薄膜を作成する第一の成膜工程と、
　第一の薄膜の上に第二の薄膜を作成する第二の成膜工程と
　第二の薄膜をエッチングして第二の薄膜を縞状の第二の層とする第一のエッチング工程と、
　
縞状とされた第二の層をマスクにして第一の薄膜をエッチングして第一の層とする第二のエッチング工程とを有しており、
　
第一の成膜工程は、偏光作用をもたせる材料で第一の薄膜を作成する工程であり、
　第二の成膜工程は、透光性の材料で第二の薄膜を作成する工程であり、
　
製造されたグリッド偏光素子において第二の層の高さが第一の層より低い構造とすることを特徴とするグリッド偏光素子製造方法。
・・・略・・・
【請求項１５】
　
透明基板と、透明基板上に設けられた縞状の格子とを備えたグリッド偏光素子を製造するグリッド偏光素子製造方法であって、
　
透明基板上に第一の薄膜を作成する第一の成膜工程と、
　
犠牲層用の第三の薄膜を第一の薄膜の上に作成する第三の成膜工程と
　第三の薄膜をフォトリソグラフィにより縞状として犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
　
犠牲層の側面を含む領域に第二の薄膜を作成する第二の成膜工程と、
　犠牲層の側面に形成された部分が残留した状態で第二の薄膜をエッチングする第一のエッチング工程と、
　犠牲層を除去して、
縞状の第二の層を形成する犠牲層除去工程と、
　
縞状とされた第二の層をマスクにして第一の薄膜をエッチングして第一の層を形成する第二のエッチング工程と
を有しており、
　
第一の成膜工程は、偏光作用をもたせる材料で第一の薄膜を作成する工程であり、
　
第二の成膜工程は、透光性の材料で第二の薄膜を作成する工程であり、
　
製造されたグリッド偏光素子において第二の層の高さが第一の層より低い構造とすることを特徴とするグリッド偏光素子製造方法。
　イ　「【技術分野】
【０００１】
　本願の発明は、偏光された状態の光（偏光光）を得る偏光素子に関するものであり、特に透明基板上にグリッド（格子）を形成した構造のグリッド偏光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　偏光光を得る偏光素子は、偏光サングラスのような身近な製品を始めとして偏光フィルタや偏光フィルム等の光学素子として各種のものが知られており、液晶ディスプレイ等のディスプレイデバイスでも使用されている。偏光素子には、偏光光を取り出す方式から幾つかのものに分類されるが、その一つにワイヤーグリッド偏光素子がある。
・・・略・・・
【０００５】
　このような偏光素子の性能を示す基本的な指標は、消光比ＥＲと透過率ＴＲである。消光比ＥＲは、偏光素子を透過した偏光光の強度のうち、ｓ偏光光の強度（Ｉｓ）に対するｐ偏光光の強度（Ｉｐ）の比である（Ｉｐ／Ｉｓ）。また、透過率ＴＲは、通常、入射するｓ偏光光とｐ偏光光の全エネルギーに対する出射ｐ偏光光のエネルギーの比である（ＴＲ＝Ｉｐ／（Ｉｓ＋Ｉｐ））。理想的な偏光素子は、消光比ＥＲ＝∞、透過率ＴＲ＝５０％ということになる。
・・・略・・・
【０００６】
　図５は、従来のグリッド偏光素子の製造方法の概略図である。グリッド偏光素子は、透明基板１上にフォトリソグラフィによって格子２を形成することで製造される。具体的には、図５（１）に示すように、まず透明基板１上に格子用薄膜４０を作成する。そして、図５（２）に示すように、格子用薄膜４０の上にフォトレジスト５０を塗布する（図５（２））。次に、形成するパターンを有するマスクを介してフォトレジスト５０を露光し、現像を行ってフォトレジストのパターン５を得る（図５（３））。
【０００７】
　次に、レジストパターン５の側からエッチャントを供給し、レジストパターン５で覆われていない箇所の格子用薄膜４０をエッチングする。エッチングは、格子用薄膜４０の厚さ方向に電界を印加しながら行う異方性エッチングであり、格子用薄膜４０が縞状にパターン化される（図５（４））。その後、図５（５）に示すように、レジストパターン５を除去すると、格子２が得られ、グリッド偏光素子が完成する。格子２は、一定の方向に延びる線状部３を間隔をおいて平行に多数配置した構造であるので、ラインアンドスペースとしばしば呼ばれる。
・・・略・・・
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　偏光素子のある種の用途では、可視域の短波長側の光や紫外域の光といった短い波長域の光を偏光させ、ある程度広い照射領域に照射することが必要になってきている。
・・・略・・・
【００１１】
　しかしながら、
発明者の研究によると、ある程度の大きさのグリッド偏光素子を製造してある程度の大きさの領域に偏光光を照射しようとすると、照射領域の周辺部において消光比ＥＲが低下する問題があることが判明した。
・・・略・・・
【００１２】
　図６は、グリッド偏光素子の製造におけるエッチング工程を模式的に示した正面断面概略図である。
　エッチング工程では、反応性ガスのプラズマを形成し、透明基板１の厚さ方向に電界を設定する。プラズマ中のイオン（エッチャント）は電界によりプラズマから引き出されて格子用薄膜に入射し、格子用薄膜と反応して格子用薄膜をエッチングする。
　この際、図６に示すように、透明基板１はステージ７上に載置されており、ステージ７上で移動しないよう透明基板１の周縁は押さえリング７１でステージ７上に押さえつけられている。押さえリング７１は、透明基板１の輪郭の形状に沿った周状であり、耐エッチング性の材料（即ち、エッチャントによってはエッチングされない材料）で形成される。
【００１３】
　
エッチングの際、エッチャントは格子用薄膜との反応によって消費される。この場合、透明基板１上の周辺部では、押さえリング７１があるため、エッチャントの消費量は中央部に比べて少ない。このため、エッチャントは、中央部に比べて周辺部において多く存在する空間分布となる。
　
透明基板１の周辺部上においてエッチャントが過剰に存在すると、周辺部において過剰にエッチングがされることになる。
透明基板１の周辺部１ｐにおいては、各線状部３の高さが周辺部１ｐにおいて中央部１ｃより低くなる構造となってしまう。
【００１４】
　発明者の研究によると、
グリッド偏光素子において消光比は線状部の高さに依存しており、線状部の高さが低くなると、消光比が低下する。研究において確認された照射領域の周辺部での消光比の低下は、このようなグリッド偏光素子の製造工程における問題に起因していることが判明した。
　
本願の発明は、このような発明者による新規な知見に基づいて為されたものであり、周辺部において消光比が低下しない優れたグリッド偏光素子を提供することを解決課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
　
上記課題を解決するため、本願の請求項１記載の発明は、透明基板と、透明基板上に設けられた複数の線状部からなる縞状の格子とを備えたグリッド偏光素子であって、
　縞状の格子は、偏光作用を為す透明基板側の第一の層と、第一の層の上側に位置する第二の層とより成るものであり、
　第二の層は、透光性の材料で形成され、第一の層より高さが低いものであるという構成を有する。
　また、上記課題を解決するため、請求項２記載の発明は、前記請求項１の構成において、前記第二の層は、前記第一の層をエッチングによって形成する際のエッチャントに対する耐性が第一の層に比べて高い材料で形成されているという構成を有する。
　また、上記課題を解決するため、請求項３記載の発明は、前記請求項１又は２の構成において、前記第二の層の材料は、使用波長における消衰係数が実質的にゼロであるという構成を有する。
・・・略・・・
　また、上記課題を解決するため、請求項５記載の発明は、前記請求項１乃至４いずれかの構成において、前記使用波長は、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であるという構成を有する。
　また、上記課題を解決するため、請求項６記載の発明は、前記請求項１乃至５いずれかの構成において、前記第一の層は、シリコンで形成されているという構成を有する。
　また、上記課題を解決するため、請求項７記載の発明は、前記請求項１又は２の構成において、前記第二の層は、酸化チタン、酸化シリコン、酸化タンタル、酸化ニオブ、アルミナ、酸化ハフニウム、イットリア、ジルコニア、インジウム酸スズ、酸化セリウム、酸化タングステン、酸化亜鉛、フッ化マグネシウムの何れか一種以上の材料より成るという構成を有する。
・・・略・・・
【発明の効果】
【００１７】
　以下に説明する通り、
本願の請求項１、８又は１５記載の発明によれば、格子が、偏光作用を有する主たる層としての第一の層と、透光性を有し、第一の層よも
り
高さの低いキャップ層としての第二の層とから成るので、第一の層の高さが不均一になることはなく、偏光作用の均一性が向上する。
　また、請求項２又は９記載の発明によれば、上記効果に加え、第二の層が耐エッチング性を有するので、第二の層用の薄膜を厚く作成する必要がなく、この点で好適となる。
　また、請求項３又は１０記載の発明によれば、上記効果に加え、第二の層の消衰係数が実質的にゼロであるので、第二の層の高さが不均一になったとしてもそれによって偏光作用の均一性が低下することはない。
　また、請求項５又は１２記載の発明によれば、上記効果に加え、使用波長が２００〜４００ｎｍであるので、光配向処理のようにこの波長域の偏光光の照射が必要な場合、好適に使用され得る。
　また、請求項６又は１３記載の発明によれば、上記効果に加え、第一の層がシリコンで形成されるので、微細加工が容易であるという効果が得られる。」
　ウ　「【発明を実施するための形態】
【００１９】
　次に、本願発明を実施するための形態（以下、実施形態）について説明する。
　図１は、本願発明の実施形態のグリッド偏光素子の断面概略図である。図１に示すグリッド偏光素子は、透明基板１と、透明基板１上に設けられた縞状の格子２とより成る。格子２は、一定の方向に延びる多数の線状部２１が間隔をおいて形成された構造を有する。図１において、各線状部３の幅（格子幅）がｗで示され、格子間隔がｔで示されている。また、各線状部３の高さをｈで示す。
　格子２を構成する各線状部３は、上下に二つの層で形成されており、格子２は、全体として下側の第一の層３１と、第一の層３１の上の第二の層３２とから構成されている。これら層３１，３２も、全体としては格子状である。全体として格子状を成す第一の層３１は、偏光作用を為す層である。第二の層３２は、製造の際に第一の層３１を保護するキャップ層として設けられている。
【００２０】
　
この実施形態では、第一の層３１はシリコンで形成されている。偏光作用を持たせる第一の層３１の材料としてシリコンを採用することは、従来のワイヤーグリッド偏光素子とは異なる思想に基づいている。
・・・略・・・
【００２１】
　一方、実施形態のグリッド偏光素子は、偏光させる光の波長を吸収する材料を含んで構成される各線状部３を、偏光させる光の波長と同程度以下の格子間隔ｔで配列させた縞状の格子２を有するものであって、吸収型グリッド偏光素子とも呼べるものである。
・・・略・・・
【００２２】
　
第一の層３１の材料としては、ある程度消衰係数が大きい方が好ましいと言える。第一の層３１の材料は、減衰係数が０．８程度又はそれ以上であることが好ましい。その理由について以下に説明する。
　吸収型ワイヤーグリッド偏光素子の原理は、透明基板上の各線状部３と平行な電界成分をもつ光がワイヤー中を伝播しながら、各線状部３を構成する材料に吸収されことによる。・・・略・・・したがって、消衰係数の小さい材料で第一の層３１を形成した場合、消光比を高くするには、第一の層３１を高くして伝搬距離を長くする必要があることが解る。その一方、格子幅ｗは、格子間隔ｔとともに波長によって最適な幅が決まってくる。つまり、消衰係数の小さい材料で第一の層３１を形成してしまうと、格子２のアスペクト比（格子幅ｗに対する線状部３の高さｈの比）を高くしなければならないことになる。アスペクト比（ｈ／ｗ：図１）の高い格子２は一般的に製造が難しく、また機械的強度も弱くなってくる。したがって、ある程度高い消衰係数を有する材料で第一の層３１を形成することが好ましい。詳細な説明は省略するが、発明者の研究によると、０．８程度の消衰係数を有する材料で第一の層３１を形成すると、消光比が２０を超える高性能のグリッド偏光素子が得られる。したがって、
第一の層３１の材料は、減衰係数が０．８程度又はそれ以上であることが好ましい。
【００２４】
　具体的には、この実施形態では、第一の層３１は、スパッタリングのような成膜技術で作成された膜で形成されており、アモルファスシリコンとなっている。
　実施形態のグリッド偏光素子では、使用波長として２００〜４００ｎｍが想定されている。アモルファスシリコン２００〜４００ｎｍの波長域で２．６〜３．３の消衰係数を有するため、第一の層３１の材料として好適に選定されている。
　シリコンが選定されている別の理由は、微細加工が容易な点である。シリコンは代表的な半導体材料であり、各種半導体デバイスの製造技術として各種の微細加工技術が確立されている。これら技術が転用できる点も、第一の層３１の材料としてシリコンが好適な理由である。
【００２５】
　次に、第二の層３２について説明する。第二の層３２は、第一の層３１の寸法形状の均一性を維持するためのキャップ層として設けられる。前述したように、グリッド偏光素子の製造においては、エッチングの際のエッチャント分布の不均一性により、形成される各線状部３の高さが不均一になり易い。この点を考慮し、この実施形態では、格子２を第一第二の二つの層３１，３２を積層した構造とし、第一の層３１を主たる層（偏光作用を為す層）としている。
【００２６】
　第二の層３２は、第一の層３１を形成する際の異方性エッチングにおいて、形成されつつある第一の層３１の上面をキャップし、第一の層３１の上面がエッチャントに晒されないようにする。したがって、第二の層３２は、異方性エッチングが完了して第一の層３１が完全に形成された時点で、第一の層３１の上に残留していることになる。主たる偏光作用を為す層は第一の層３１であるので、第一の層３１の形成後に第二の層３２を除去することも考えられるが、第二の層３２のみ除去することは難しい。したがって、第二の層３２をそのまま残留させた構造としている。
【００２７】
　このような第二の層３２の材料を選定する際には、幾つかの点を考慮する必要がある。一つは、使用波長の光の透過性である。実施形態のグリッド偏光素子は、上述したように吸収型のモデルで動作する偏光素子である。吸収型で動作するには、光が第一の層３１に達し、第一の層３１中を伝搬する必要がある。仮に、第二の層３２が完全な遮光性の材料で形成されていると、第一の層３１には光が到達しないことになり、第一の層３１が偏光作用を為すことができなくなる。
・・・略・・・
【００２８】
　
第二の層３２が光透過性の材料であることを前提にした場合、次に検討すべきは、第二の層３２においてどの程度の吸収があるかということになる。第二の層３２の特性の好ましい例としては、使用波長において、第二の層３２の消衰係数が実質的ゼロであることである。消衰係数が実質的にゼロであれば、第二の層３２における吸収が実質的にないことになり、光は減衰せずに第一の層３１に達する。したがって、第二の層３２は、製造プロセスにおいて第一の層３１をキャップする機能を発揮しつつ、製造後において第一の層３１の偏光作用を阻害することはない。「実質的にゼロ」とは、例えば消衰係数が１未満の場合であり、より好ましくは０．１未満の場合である。
【００２９】
　
第二の層３２の材料の消衰係数が実質的にゼロではなく、ある程度の吸収がある場合について検討すると、この場合は、第二の層３２においても吸収型の偏光作用が生じ得ることを考慮する必要がある。第二の層３２が偏光作用を有する場合に問題となるのは、第二の層３２が、従来技術の欄で述べたように高さが不均一となることである。第二の層３２が偏光作用を有し、その高さが不均一になると、第一の層３１及び第二の層３２から成る格子２が為す偏光作用が、全体として不均一になることになり、前述したような問題が生じ得る。
【００３０】
　
実施形態のグリッド偏光素子は、この点を考慮し、第二の層３２の高さを第一の層３１より低くしている。
【００３１】
　仮に第二の層３２が偏光作用を有し、第二の層３２の高さが不均一になったとしても、元々の高さが第一の層３１より低いので、偏光素子全体として偏光作用の面内分布が問題となるほど不均一になることはない。尚、「面内」とは、透明基板１の板面の領域内という意味であり、偏光素子において偏光作用の面内分布が不均一になると、照射面の照射領域内で偏光光の照射が不均一となる。
【００３２】
　尚、第二の層３２が使用波長の光をよく吸収する材料で形成され、全体として格子状である第二の層３２において高い偏光作用が生じることも一応は仮定し得るが、第一の層３１が主たる偏光作用を有する層であって、使用波長との関係で十分に光を吸収する材料が選定される。第二の層３２は、第一の層３１とは異なる材料で形成されるのであるから、第一の層３１よりも高い偏光作用を有することは、通常は想定しにくい。したがって、第二の層３２を第一の層３１より低く形成しておけば、偏光作用の面内分布不均一化は防止できる。
【００３３】
　また、第二の層３２は、第一の層３１を形成する際のエッチングにおける第一の層３１のキャップ用であるから、第二の層３２の材料は、第一の層３１を形成する際のエッチャントに対して耐性があることが好ましい。・・・略・・・「高い耐性」とは、第一の層３１の保護であるので、第一の層３１に比べて高いということであり、第一の層３１をエッチングする際に使用されるエッチャントについて、エッチング速度が第一の層３１より低いということである。
【００３４】
　尚、第二の層３２がエッチャントに対して低い耐性を有する場合であっても、第一の層３１の形成が完了した時点で残留していれば第一の層３１を保護する目的は達し得る。したがって、第一の層３１を形成する際のエッチャントに対して第二の層３２の材料の耐性が低い場合には、それを見越して第二の層３２用の薄膜を厚く形成しておけば良い。例えば、第一の層３１を形成する際のエッチャントに対して第二の層３２が第一の層３１の半分しか耐性がない場合（エッチング速度が第一の層３１の材料の倍である場合）、第二の層３２用の薄膜を第一の層３１用の薄膜の厚さの倍を少し超える程度の厚さで形成しておけば、第一の層３１の形成が完了した時点でも第二の層３２は残留することになる。
【００３５】
　具体的な材料の例を示すと
、第一の層３１が前述したようにシリコンで形成される場合、第二の層３２は、例えば酸化シリコンで形成され得る。酸化シリコンがスパッタリングのような成膜技術により作成される膜である場合、図示は省略するが、２００〜４００ｎｍにおける消衰係数はゼロであり、シリコン（アモルファス）の消衰係数２．６〜３．３に比べると十分に小さく、実質的にゼロとし得る。
【００３６】
　また、シリコンは、例えばＣＦ４のようなフッ化炭素系ガスや塩素系のガスのプラズマでエッチングできるが、この場合、周知のように、例えば塩素ガスのプラズマを形成してエッチングすると、酸化シリコンに対してシリコンを選択的にエッチングすることが可能になる。即ち、酸化シリコンは、シリコンをエッチングする際のエッチャントに対してシリコンよりエッチング速度が十分に低い。
【００３７】
　第二の層３２の材料の他の例を示すと、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、アルミナ、酸化ハフニウム、イットリア、ジルコニア、インジウム酸スズ、酸化セリウム、酸化タングステン、酸化亜鉛、フッ化マグネシウム等が第二の層３２の材料として選定し得る。」
　エ　「【実施例１】
【００５５】
　次に、上記実施形態に属する実施例について説明する。
　実施例のグリッド偏光素子製造方法では、合成石英より成る透明基板上に、第一の薄膜としてシリコン膜がマグネトロンスパッタ装置により１００ｎｍの厚さで作成される。
・・・略・・・
【００５６】
・・・略・・・
　次に、ターゲット材料を酸化シリコンとして、上述と同条件で１３分間の高周波印加が行われ、第一の薄膜（シリコン膜）上に第二の薄膜として酸化シリコン膜を５０ｎｍの厚さで作成される。
【００５７】
　次に、酸化シリコン膜の表面にフォトレジストがスピンコーターにより塗布される。
・・・略・・・
　次に、上記フォトレジストに対し１００℃でソフトベークが行われた後、ＫｒＦステッパーにより縞状パターン（ラインアンドスペース）の露光が行われる。ラインの幅とスペースの幅は、例えば１：１であり、各１５０ｎｍとされる
　この露光後、・・・略・・・現像処理が行われる。
【００５８】
　上記露光・現像後、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）ドライエッチング装置によりドライエッチング処理が行われる。
・・・略・・・
　その後、レジストパターンをマスクにして、第二の薄膜である酸化シリコン膜をエッチングする第一のエッチング工程が行われる。
・・・略・・・
【００５９】
　次に、第二のエッチング工程として、上記第一のエッチング工程により形成された各第二の層をマスクとして、第一の薄膜であるシリコン膜がエッチングされる。・・・略・・・その後、レジストパターンをレジスト除去用溶媒により除去することで、実施例のグリッド偏光素子が得られる。
【００６０】
　次に、上述した実施形態の方法により製造されるグリッド偏光素子における偏光作用均一性向上の効果についてシミュレーションした結果について説明する。
　
図４は、実施形態の方法により製造されるグリッド偏光素子の偏光作用分布について参考例のグリッド偏光素子と比較した模式図である。図４に示すシミュレーションでは、格子２を構成する各線状部３がシリコンのみから成る場合を参考例とし、第一の層３１としてのシリコンの層と第二の層３２としての酸化シリコンの層から成る場合を実施例として比較した。
・・・略・・・
【００６１】
　図４（１）に示す参考例では、シリコンより成る薄膜をエッチングして各線状部３を形成する。したがって、前述したように、エッチャントの不均一な分布により、各線状部３の高さは不均一となる。・・・略・・・前述したように、周辺部ではエッチャントの量が多いので、ｈｐ＜ｈｃとなる。
【００６２】
　一方、実施例では、第一の層３１としてのシリコン層の上に第二の層３２としての酸化シリコン層が存在しているが、同一の偏光作用を為すことを前提に、第一の層３１の高さを、参考例における設計値ｈｃと同じとする。参考例において、中央部の線状部３は膜減りがないと仮定でき、高さが設計値ｈｃであるとすることができるから、実施例のグリッド偏光素子では、各第一の層３１の高さｈｃ１、ｈｐ１が、ｈｃに等しいと仮定できる。この場合、
実施例のグリッド偏光素子における第二の層３２について、中央部の高さをｈｃ２、ｈｐ２とすると、同様にエッチャントの不均一性から、ｈｐ２＜ｈｃ２となる。
【００６３】
　前述したように、同様にエッチャントは不均一に分布しており、エッチング完了後の各線状部３の高さ分布の不均一性は同様である。
　また、
使用波長は３６５ｎｍであることを前提とした。シリコンの光学定数は、ｎ＝４．０３，ｋ＝３．０４とし、酸化シリコンの光学定数は、ｎ＝１．５６、ｋ＝０とした。
実施例については、ｈｃ１＝ｈｐ１＝１００ｎｍ、ｈｃ２＝４０ｎｍ、ｈｐ２＝１０ｎｍとした。
・・・略・・・
【００６６】
　一方、実施例では、
図４（２−２）に示すように、中央部の消光比ＥＲは４５、透過率ＴＲは４２．９％であり、図４（２−１）に示すように周辺部の消光比ＥＲは４５、透過率ＴＲは４３．２％である。
第二の層３２では実質的に吸収がないため、この部分で偏光作用が生じないからである。もしくは、第二の層３２での吸収が少なく、また高さが低いため、消光比ＥＲの差として現れないものと推測される。
透過率ＴＲが周辺部において若干高いのは同様の理由で、第二の層の高さが低いために吸収が少ないことによるものと推測される。
【００６７】
　
このように、実施例のグリッド偏光素子によれば、偏光作用を有する主たる層としての第一の層３１の高さが一定であるため、偏光作用の面内均一性が向上することがシミュレーションによって確認された
・・・略・・・
【符号の説明】
【００６８】
１　透明基板
２　格子
３　線状部
３１　第一の層
３２　第二の層
４１　第一の薄膜
４２　第二の薄膜
５　レジストパターン
６　犠牲層」
　オ　「【図１】
（当合議体注：便宜上、図１の向きを９０度回転した。）」
　カ　「【図４】
」
　キ　「【図５】
」
　ク　「【図６】
」
　(2) 引用発明
　上記(1)アの引用文献Ａの特許請求の範囲の【請求項１】、【請求項３】及び【請求項５】の記載からみて、請求項１及び請求項３の記載を引用して記載された請求項５には、次の「グリッド偏光素子」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「　透明基板と、透明基板上に設けられた複数の線状部からなる縞状の格子とを備えたグリッド偏光素子であって、
　縞状の格子は、偏光作用を為す透明基板側の第一の層と、第一の層の上側に位置する第二の層とより成るものであり、
　第二の層は、透光性の材料で形成され、第一の層より高さが低い、グリッド偏光素子であって、
　前記第二の層の材料は、使用波長における消衰係数が実質的にゼロであり、前記使用波長は、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である、
グリッド偏光素子。」
　２　対比及び判断
　(1) 対比
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）と引用発明を対比すると、次のとおりである。
　ア　引用発明の「グリッド偏光素子」は、「透明基板と、透明基板上に設けられた複数の線状部からなる縞状の格子とを備え」ている。
　ここで、「格子」は、「グリッド」とも言われ（当合議体注：「格子」に対応する英語は、「grid」である。）、本願発明１ないし引用発明の技術分野においては、同じものを指す用語として、どちらも一般的に用いられている。
　そうすると、引用発明の「透明基板」及び「格子」は、それぞれ本願発明１の「透明基板」及び「グリッド」に相当する。また、引用発明と、本願発明１は、「透明基板と、透明基板上に形成された縞状のグリッドとを備え」たものである点で共通する。
　イ　引用発明の「縞状の格子」は、「複数の線状部からな」る。また、引用発明の「縞状の格子」は、「偏光作用を為す透明基板側の第一の層と、第一の層の上側に位置する第二の層とより成る」。
　上記の構成から理解される形状からみて、引用発明の「縞状の格子」は、「複数の線条部」から形成され、また、「透明基板側の第一の層」と「第一の層の上側に位置する第二の層」とが積層されてなるものと理解できる。
　そうしてみると、引用発明の「線状部」は、本願発明１の「線状部」に相当する。また、引用発明の「第一の層」及び「第二の層」は、それぞれ本願発明１の、「透明基板に近い側の」とされる、「第一の層」、及び、「透明基板から遠い側の」とされる、「第二の層」に相当する。さらに、上記アの対比結果を勘案すると、引用発明は、本願発明１の「グリッド偏光素子」の、「グリッドを形成する各線状部は、透明基板に近い側の第一の層と、透明基板から遠い側の第二の層とが積層されたものであり」との要件を満たす。
　ウ　引用発明の「グリッド偏光素子」の「使用波長は、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である」。
　上記の使用波長からみて、引用発明の「グリッド偏光素子」は、紫外域の光の偏光用のものということができる
　してみると、前記アとイより、引用発明の「グリッド偏光素子」は、本願発明１の、「紫外域の光の偏光用の」とされる、「グリッド偏光素子」に相当する。
　(2) 一致点及び相違点
　ア　一致点
　本願発明１と引用発明は、次の構成で一致する。
　「　透明基板と、透明基板上に形成された縞状のグリッドとを備えた紫外域の光の偏光用のグリッド偏光素子であって、
　グリッドを形成する各線状部は、透明基板に近い側の第一の層と、透明基板から遠い側の第二の層とが積層されたものである、
グリッド偏光素子。」
　イ　相違点
　本願発明１と引用発明は、次の点で相違する。
（相違点１）
　「紫外域の光」が、本願発明１は、「２６５ｎｍより短い波長」であるのに対して、引用発明は、「２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であ」る点。
（相違点２）
　本願発明１は、「第一の層は、貴金属で形成されており」、「第二の層は、酸化チタンで形成されており」、「第一の層の貴金属は、塩素系エッチャントに酸素又は窒素を添加した際のエッチング速度の低下が第二の層の材料よりも小さい材料であ」るのに対して、引用発明は、「第一の層」は「偏光作用を為す」ものであり、「第二の層は、透光性の材料で形成され」、「前記第二の層の材料は、使用波長における消衰係数が実質的にゼロであ」る点。
（相違点３）
　本願発明１は、「第二の層の高さは、第一の層と第二の層との全体の高さの５０％以上（１００％を除く）である」のに対して、引用発明は、「第二の層は」、「第一の層より高さが低い」点。
　(3) 判断
　事案に鑑み、相違点３について検討する。
　ア　引用発明の「グリッド偏光素子」は、「透明基板と、透明基板上に設けられた」「縞状の格子とを備えたグリッド偏光素子であって」、「縞状の格子は」、「透明基板側の第一の層と、第一の層の上側に位置する第二の層とより成」り、「第二の層」が、「第一の層より高さが低」いものである。
　また、引用発明の「第一の層」は、「偏光作用を為す」ものであり、「第二の層の材料」は、「透光性の材料で形成され」、「２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である」「使用波長における消衰係数が実質的にゼロであ」る。
　イ　引用例Ａには、【発明が解決しようとする課題】として、［Ａ］「発明者の研究によると、ある程度の大きさのグリッド偏光素子を製造してある程度の大きさの領域に偏光光を照射しようとすると、照射領域の周辺部において消光比ＥＲが低下する問題があることが判明した。」（【００１１】）、［Ｂ］「エッチングの際、エッチャントは格子用薄膜との反応によって消費される。この場合、透明基板１上の周辺部では、押さえリング７１があるため、エッチャントの消費量は中央部に比べて少ない。このため、エッチャントは、中央部に比べて周辺部において多く存在する空間分布となる。透明基板１の周辺部上においてエッチャントが過剰に存在すると、周辺部において過剰にエッチングがされることになる。・・・略・・・透明基板１の周辺部１ｐにおいては、各線状部３の高さが周辺部１ｐにおいて中央部１ｃより低くなる構造となってしまう。」（【００１３】）、［Ｃ］「グリッド偏光素子において消光比は線状部の高さに依存しており、線状部の高さが低くなると、消光比が低下する。研究において確認された照射領域の周辺部での消光比の低下は、このようなグリッド偏光素子の製造工程における問題に起因していることが判明した。」及び［Ｄ］「本願の発明は、このような発明者による新規な知見に基づいて為されたものであり、周辺部において消光比が低下しない優れたグリッド偏光素子を提供することを解決課題とするものである。」（【００１４】）との記載がある。
　また、引用例Ａには、【課題を解決するための手段】として、［Ｅ］「上記課題を解決するため、本願の請求項１記載の発明は、透明基板と、透明基板上に設けられた複数の線状部からなる縞状の格子とを備えたグリッド偏光素子であって、縞状の格子は、偏光作用を為す透明基板側の第一の層と、第一の層の上側に位置する第二の層とより成るものであり、第二の層は、透光性の材料で形成され、第一の層より高さが低いものであるという構成を有する。」（【００１５】）ことが記載され、【発明の効果】として、［Ｆ］「本願の請求項１、８又は１５記載の発明によれば、格子が、偏光作用を有する主たる層としての第一の層と、透光性を有し、第一の層よりも高さの低いキャップ層としての第二の層とから成るので、第一の層の高さが不均一になることはなく、偏光作用の均一性が向上する。」（【００１７】）ことが記載されている。
　してみると、引用発明（グリッド偏光素子）は、偏光作用を為す透明基板側の第一の層の上側に位置する第二の層を、透光性の材料で形成するとともに、第一の層より高さが低いものとし、第一の層より高さが低い第二の層をキャップ層として機能させるとともに、第一の層の高さを不均一とすることなく、偏光作用の均一性を向上させるとの技術思想に基づくものと理解される。そして、引用発明の「グリッド偏光素子」は、「縞状の格子は、偏光作用を為す透明基板側の第一の層と、第一の層の上側に位置する第二の層とより成るものであり」及び「第二の層は、透光性の材料で形成され、第一の層より高さが低い」との構成を、必須の構成として具備すると理解できる（当合議体注：引用文献Ａの特許請求の範囲の請求項８及び請求項１５の「グリッド偏光素子製造方法」の記載からも理解できることである。）。
　ウ　一方、引用発明の「透光性の材料で形成され」、「２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である」「使用波長における消衰係数が実質的にゼロであ」る「第二の層」に関し、引用例Ａの【００２８】には、「第二の層３２が光透過性の材料であることを前提にした場合、次に検討すべきは、第二の層３２においてどの程度の吸収があるかということになる。第二の層３２の特性の好ましい例としては、使用波長において、第二の層３２の消衰係数が実質的ゼロであることである。消衰係数が実質的にゼロであれば、第二の層３２における吸収が実質的にないことになり、光は減衰せずに第一の層３１に達する。したがって、第二の層３２は、製造プロセスにおいて第一の層３１をキャップする機能を発揮しつつ、製造後において第一の層３１の偏光作用を阻害することはない。「実質的にゼロ」とは、例えば消衰係数が１未満の場合であり、より好ましくは０．１未満の場合である。」との記載がある。
　また、引用例Ａの【００２９】には、「第二の層３２の材料の消衰係数が実質的にゼロではなく、ある程度の吸収がある場合」に関し、「この場合は、第二の層３２においても吸収型の偏光作用が生じ得ることを考慮する必要がある。第二の層３２が偏光作用を有する場合に問題となるのは、第二の層３２が、従来技術の欄で述べたように高さが不均一となることである。第二の層３２が偏光作用を有し、その高さが不均一になると、第一の層３１及び第二の層３２から成る格子２が為す偏光作用が、全体として不均一になることになり、前述したような問題が生じ得る。」との記載があり、【００３０】には、「実施形態のグリッド偏光素子は、この点を考慮し、第二の層３２の高さを第一の層３１より低くしている。」との記載がある。
　ここで、引用例Ａの【００２８】の記載のみに基づけば、「消衰係数が実質的にゼロであれば、第二の層３２における吸収が実質的にないことになり、光は減衰せずに第一の層３１に達する」とのことであるから、第二の層が第一の層よりも高いものであってもよい、あるいは、第二の層の高さが不均一なものであってもよいと理解するかもしれない。しかしながら、【００２２】に記載の「ある程度消衰係数が大きい方が好ましい」「第一の層３１の材料」の「減衰係数が０．８程度又はそれ以上である」との記載、【００２８】の「「実質的にゼロ」とは、例えば消衰係数が１未満の場合であり、より好ましくは０．１未満の場合である」との記載から把握される第一の層の材料の消衰係数及び第二の層の材料の消衰係数を前提とすれば、第二の層の「消衰係数が実質的にゼロであ」る場合であっても、【００２９】に記載の「第二の層３２の材料の消衰係数が実質的にゼロではなく、ある程度の吸収がある場合」と同様に、「その高さが不均一になると、第一の層３１及び第二の層３２から成る格子２が為す偏光作用が、全体として不均一になること」がないよう、「第二の層３２の高さを第一の層３１より低く」（【００３０】）することが好ましいと当業者は理解する。
　実際に、引用例Ａの【００３５】欄に記載の、「第一の層３１」を「シリコンで形成」し、「第二の層３２」を、「シリコン（アモルファス）の消衰係数２．６〜３．３に比べると十分に小さく、実質的にゼロとし得る」「酸化シリコン」で形成した「グリッド偏光素子」を具体化した実施例１（【００５５】〜【００５９】）について、「格子２を構成する各線状部３がシリコンのみから成る場合を参考例とし」たシミュレーション（【００６０】〜【００６７】、図４）を行う際においても、「シリコンの光学定数」を「ｎ＝４．０３，ｋ＝３．０４とし」、「酸化シリコンの光学定数」を「ｎ＝１．５６、ｋ＝０とし」、「ｈｃ１＝ｈｐ１＝１００ｎｍ、ｈｃ２＝４０ｎｍ、ｈｐ２＝１０ｎｍとし」（図４（２−１）及び図４（２−２）参照）、すなわち、第二の層の高さ（ｈｃ２，ｈｐ２）を第一の層の高さ（ｈｃ１，ｈｐ１）よりも低く設定し、「実施例のグリッド偏光素子によれば、偏光作用を有する主たる層としての第一の層３１の高さが一定であるため、偏光作用の面内均一性が向上すること」を確認している（【００６７】）。
　加えて、シミュレーション結果から「透過率ＴＲが周辺部において若干高いのは同様の理由で、第二の層の高さが低いために吸収が少ないことによるものと推測される。」（【００６６】）とのことであるから、グリッド偏光素子の透過率ＴＲ（【０００５】）の観点からも、第一の層より高さが低い第二の層が好ましいと当業者は理解する。
　エ　以上のとおりであるから、引用例Ａには、引用発明の「グリッド偏光素子」において、第二の層の高さを、第一の層の高さ以上とする動機付けが示されていない。
　そして、当審拒絶理由において引用された引用例Ｂ〜引用例Ｈのいずれにも、キャップ層（ハードマスク）として機能する第二の層の高さを、第一の層の高さよりも高くすることについて記載も示唆もなく、また、当業者にとって自明の事項でもない。
　してみると、引用発明において、相違点３に係る本願発明１の構成とすることは、当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
　オ　したがって、相違点１及び相違点２について検討するまでもなく、本願発明１は、引用例Ａに記載された発明及び引用例Ｂ〜引用例Ｈに記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
　(4) 請求項２〜請求項６について
　請求項２〜請求項６に係る発明は、本願発明１の「グリッド偏光素子」に対して、さらに他の発明特定事項を付加してなる「グリッド偏光素子」の発明である。
　そうしてみると、請求項２〜請求項６に係る発明も、本願発明１と同じ理由により、引用例Ａに記載された発明及び引用例Ｂ〜引用例Ｈに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
第３　拒絶の理由について
　１　原査定の拒絶の理由
　原査定に拒絶の理由において引用された引用例１（主引用例）は、前記「第２」において検討した引用例Ａと同じである。
　そうすると、前記「第２」で述べたとおりであるから、本件出願の請求項１〜請求項６に係る発明は、引用例１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。そして、この点は、原査定の拒絶の理由で引用された引用例２〜引用例６を考慮しても変わらない。
　したがって、原査定を維持することはできない。
　２　当合議体の拒絶の理由について
　(1) 当合議体の拒絶の理由１（進歩性）について
　前記「第２」で述べたとおりであるから、当合議体が通知した拒絶の理由１（進歩性）は解消した。
　(2) 当合議体の拒絶の理由２（サポート要件）、理由３（明確性）及び理由４（サポート要件）について
　当合議体が通知した拒絶の理由２（サポート要件）、理由３（明確性）及び理由４（サポート要件）は、令和２年１１月３０日にした手続補正及び令和３年４月２３日にした手続補正により全て解消した。
第４　むすび
　以上のとおり、本件出願の請求項１〜請求項６に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
　したがって、原査定の拒絶の理由によっては本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。