【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３４０８８０５号発明「加工対象物切断方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　１．本件特許第３４０８８０５号の請求項１ないし３７に係る発明についての出願は、平成１３年９月１３日に優先権主張（優先日、平成１２年９月１３日）を伴って出願されたものであって、平成１５年３月１４日にそれらの発明について特許権の設定登録がなされた。 
　２．平成１５年１１月１４日に申立人是澤勝より、平成１５年１１月１９日に申立人進藤敬司より、それぞれ、特許異議の申立てがなされ、平成１６年１２月２８日に訂正請求がなされ、平成１７年２月４日に、「訂正を認める。特許第３４０８８０５号の請求項１ないし３７に係る特許を維持する。」との、異議の決定がなされ、当該決定は平成１７年３月２２日に確定登録された。 
　３．平成１７年５月３１日に、請求人白澤榮樹より「特許第３４０８８０５号の請求項１ないし６及び１１ないし３７に係る発明についての特許を無効にする。審判費用は被請求人の負担とする。」との審決を求める無効審判請求がなされ、平成１７年８月１５に訂正請求がなされ、平成１８年３月３日に、「訂正を認める。本件審判の請求は、成り立たない。審判費用は、請求人の負担とする。」との審決がなされ、当該審決は平成１８年１１月９日に確定登録された（請求項数３１）。
　４．平成３１年２月２５日に、請求人株式会社東京精密より「特許第３４０８８０５号の明細書の請求項１〜請求項３１に記載された発明についての特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする。」との審決を求める無効審判請求がなされた。
　５．令和元年５月１０日に、被請求人浜松ホトニクス株式会社より答弁書が提出され、令和元年６月２０日に審理事項通知がされ、令和元年８月８日に被請求人浜松ホトニクス株式会社より口頭審理陳述要領書が提出され、令和元年８月９日に請求人株式会社東京精密より口頭審理陳述要領書が提出され、令和元年９月３日に審理事項通知がされ、令和元年９月９日に被請求人浜松ホトニクス株式会社より口頭審理陳述要領書（その２）が提出され、請求人株式会社東京精密より口頭審理陳述要領書（２）が提出されるとともに、第１回口頭審理が行われ、令和元年９月２７日に被請求人浜松ホトニクス株式会社より上申書が提出され、令和元年１０月１１日に請求人株式会社東京精密より上申書が提出された。
第２．本件発明 
 （１）無効審判請求の対象となる請求項１ないし３１に係る発明（以下、それぞれを「本件発明１」等という。）は、その特許請求の範囲の請求項１ないし３１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものと認める。 
 　 
「【請求項１】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる、加工対象物切断方法。 
【請求項２】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部にクラック領域を含む改質領域を形成し、この改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる、加工対象物切断方法。 
【請求項３】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に溶融処理領域を含む改質領域を形成し、この政質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる、加工対象物切断方法。 
【請求項４】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１ｎｓ以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に屈折率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質領域を形成し、この改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる、加工対象物切断方法。 
【請求項５】　レーザ光源から出射される前記レーザ光はパルスレーザ光を含む、請求項１〜４のいずれかに記載の加工対象物切断方法。 
【請求項６】　前記加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射するとは、一つのレーザ光源から出射されたレーザ光を集光して前記加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射する、請求項１〜５のいずれかに記載の加工対象物切断方法。 
【請求項７】　前記加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射するとは、複数のレーザ光源から出射された各レーザ光を前記加工対象物の内部に集光点を合わせて異なる方向から照射する、請求項１〜５のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
【請求項８】　前記複数のレーザ光源から出射された各レーザ光は、前記加工対象物の表面から入射する、請求項７記載の加工対象物切断方法。
【請求項９】　前記複数のレーザ光源は、前記加工対象物の表面から入射するレーザ光を出射するレーザ光源と、前記加工対象物の裏面から入射するレーザ光を出射するレーザ光源と、を含む請求項７記載の加工対象物切断方法。
【請求項１０】　前記複数のレーザ光源は前記切断予定ラインに沿ってレーザ光源がアレイ状に配置された光源部を含む、請求項７〜９のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
【請求項１１】　前記改質領域は、前記加工対象物の内部に合わされたレーザ光の集光点に対して、前記加工対象物を相対的に移動させることにより形成される、請求項１〜１０のいずれかに記載の加工対象物切断方法。 
【請求項１２】　前記加工対象物は照射されたレーザ光の透過性を有する材料である、請求項１〜１１のいずれかに記載の加工対象物切断方法。 
【請求項１３】　前記加工対象物の表面に電子デバイス又は電極パターンが形成されている、請求項１〜１２のいずれかに記載の加工対象物切断方法。
【請求項１４】　前記加工対象物に力を加えることによって、前記切断の起点となる領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることで、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断する、請求項１〜１３のいずれかに記載の加工対象物切断方法。 
【請求項１５】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に改質領域を形成し、この改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる、加工対象物切断方法。 
【請求項１６】　前記加工対象物は、その表面に複数の回路部が形成されており、前記複数の回路部のうち隣接する回路部の間に形成された間隙に臨む前記加工対象物の内部にレーザ光の集光点を合わせる、請求項１〜１５のいずれかに記載の加工対象物切断方法。 
【請求項１７】　前記複数の回路部にレーザ光が照射されない角度でレーザ光が集光される、請求項１６記載の加工対象物切断方法。 
【請求項１８】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、又は単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域である溶融処理領域を形成し、この溶融処理領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる、加工対象物切断方法。 
【請求項１９】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部において前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に、多光子吸収による改質領域を形成することで、この改質領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断することを特徴とする加工対象物切断方法。 
【請求項２０】　請求項１９記載の加工対象物切断方法において、前記改質領域を前記レーザ光入射面から所定距離内側に形成することを特徴とする加工対象物切断方法。 
【請求項２１】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部において前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に、クラック領域を含む改質領域を形成することで、この改質領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断することを特徴とする加工対象物切断方法。 
【請求項２２】　請求項２１記載の加工対象物切断方法において、前記改質領域を前記レーザ光入射面から所定距離内側に形成することを特徴とする加工対象物切断方法。 
【請求項２３】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部において前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に、溶融処理領域を含む改質領域を形成することで、この改質領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断することを特徴とする加工対象物切断方法。 
【請求項２４】　請求項２３記載の加工対象物切断方法において、前記政質領域を前記レーザ光入射面から所定距離内側に形成することを特徴とする加工対象物切断方法。 
【請求項２５】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１ｎｓ以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部において前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に、屈折率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質領城を形成することで、この改質領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断することを特徴とする加工対象物切断方法。 
【請求項２６】　請求項２５記載の加工対象物切断方法において、前記改質領域を前記レーザ光入射面から所定距離内側に形成することを特徴とする加工対象物切断方法。 
【請求項２７】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部において前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に改質領域を形成することで、この改質領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断することを特徴とする加工対象物切断方法。 
【請求項２８】　請求項２７記載の加工対象物切断方法において、前記改質領域を前記レーザ光入射面から所定距離内側に形成することを特徴とする加工対象物切断方法。 
【請求項２９】　半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部において前記加工対象物のレーザ光入射面に沿った方向に、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、又は単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域である溶融処理領域を形成することで、この溶融処理領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断することを特徴とする加工対象物切断方法。 
【請求項３０】　請求項２９記載の加工対象物切断方法において、前記溶融処理領域を前記レーザ光入射面から所定距離内側に形成する加工対象物切断方法。 
【請求項３１】　前記加工対象物に力を加えることによって、前記切断の起点となる領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させることで、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断する、請求項１８記載の加工対象物切断方法。」 
（２）多光子吸収について
　審判請求人は、令和元年９月９日の口頭審理において、本件発明の多光子吸収の定義を明確にすべき旨主張した。しかし、本件特許明細書の段落【００２７】には、「材料の吸収のバンドギャップＥGよりも光子のエネルギーｈνが小さいと光学的に透明となる。よって、材料に吸収が生じる条件はｈν＞ＥGである。しかし、光学的に透明でも、レーザ光の強度を非常に大きくするとｎｈν＞ＥGの条件（ｎ＝２，３，４，・・・である）で材料に吸収が生じる。この現象を多光子吸収という。」と記載されているとおり、本件発明の多光子吸収について明確に定義されているから、多光子吸収については上記定義に基づいて認定を行った。
第３．請求人の主張する無効理由 
　請求人は、証拠方法として審判請求書に甲第１号証ないし甲第７号証を添付して提出し、口頭審理陳述要領書に甲第８号証ないし甲第１７号証を添付して提出し、口頭審理陳述要領書（その２）に甲第１８号証を添付して提出し、上申書に甲第１９号証を添付して提出し、以下の理由により本件の請求項１ないし３１に係る特許は、無効とすべきであると主張する。 
 　 
１．無効理由１（進歩性違反）
　本件特許の請求項１ないし３１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に、甲第４号証、甲第７号証、甲第６号証、甲第３号証に記載された発明を組み合わせることで、当業者が容易に想到できるものであるから、進歩性を有しない。
２．無効理由２（進歩性違反）
　本件特許の請求項１ないし３１に係る発明は、甲第４号証に記載された発明に、甲第１号証、甲第７号証、甲第６号証、甲第３号証に記載された発明を組み合わせることで、当業者が容易に想到できるものであるから、進歩性を有しない。
３．無効理由３（進歩性違反）
　本件特許の請求項１ないし３１に係る発明は、甲第２号証に記載された発明に、甲第１号証、甲第６号証、甲第３号証、甲第４号証に記載された発明を組み合わせることで、当業者が容易に想到できるものであるから、進歩性を有しない。
　
４．無効理由４（進歩性違反）
　本件特許の請求項１ないし３１に係る発明は、甲第５号証に記載された発明に、甲第１号証、甲第３号証、甲第６号証、甲第４号証に記載された発明を組み合わせることで、当業者が容易に想到できるものであるから、進歩性を有しない。
５．無効理由５（新規性・進歩性違反）
（１）新規性違反
　本件特許の請求項１５、２７、２８に係る発明は、甲第７号証に記載された発明と同一であるから、新規性を有さない。
（２）進歩性違反
　本件特許の請求項１ないし３１に係る発明は、甲第７号証に記載された発明に、甲第１号証、甲第６号証、甲第３号証、甲第４号証に記載された発明を組み合わせることで、当業者が容易に想到できるものであるから、進歩性を有しない。
 ［証拠方法］ 
　　甲第１号証　　特開平４−１１１８００号公報 
　　甲第２号証　　特開平１１−７１１２４号公報 
　　甲第３号証　　特開平１１−２６７８６１号公報 
　　甲第４号証　　特開平１１−１６３４０３号公報 
　　甲第５号証　　特開平１１−１３８８９６号公報 
　　甲第６号証　　特開昭５３−１４８０９７号公報 
　　甲第７号証　　国際公開第００／３２３４９号
　　甲第８号証　　ユアサハラ法律特許事務所　弁護士　飯村　敏明、「無効２００５−８０１６６号審決に関する見解書」、２０１９年６月１０日、写し
　　甲第９号証　　中山信弘　小泉直樹編、「新・注解　特許法［第２版］【下巻】」、株式会社青林書院、２０１７年１０月５日、第６章審判　第１６７条（審決の効力）２８２０−２８２３頁、写し
　　甲第１０号証　特開昭５０−１３１４５８号公報
　　甲第１１号証　特開昭５０−６４８９８号公報
　　甲第１２号証　不服２００９−１７４１７号（特願２００３−０６７２６４号）の審決書、写し
　　甲第１３号証　特開平４−１１０９４４号公報
　　甲第１４号証　特開２００３−３３８４６８号公報
　　甲第１５号証　特許第４７０３９８３号公報
　　甲第１６号証　特開２００２−２０５１８０号公報
　　甲第１７号証　不服２０１１−３０４５号（特願２００４−２１２０５９号）の審判請求書、写し
　　甲第１８号証　「サファイア加工」（社内向け資料）、株式会社東京精密（請求人）、２０１９年８月２７日、Ｐ１〜Ｐ６、写し
　　甲第１９号証　無効２００５−８０１６６号（特許３４０８８０５号）の審決書、写し
第４．被請求人の主張の概要 
　これに対して、被請求人は、証拠方法として答弁書に乙第１号証ないし乙第３号証を添付し、口頭審理陳述要領書に乙第４号証ないし乙第７号証を添付して提出し、本件各発明は、以下の理由から、甲第１号証ないし甲第７号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないと、主張している。 
１．無効理由１（進歩性違反）について
　甲第１号証には、加工対象物が半導体材料からなるウェハ状の加工対象物であるという事項及びレーザ光を照射することで、加工対象物の内部に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させるという事項が記載されておらず、前者の事項は設計事項ではなく、後者の事項は甲第４号証、甲第７号証、甲第６号証、甲第３号証にも記載されていないから、請求項１ないし３１に係る発明は、甲第１号証、甲第４号証、甲第７号証、甲第６号証、甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２．無効理由２（進歩性違反）について
　甲第４号証には、加工対象物が半導体材料からなるウェハ状の加工対象物であるという事項及びレーザ光を照射することで、加工対象物の内部に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させるという事項が記載されておらず、両事項は甲第４号証において容易に想到できるものではないし、また、両事項は甲第１号証、甲第７号証、甲第６号証、甲第３号証にも記載されていないから、請求項１ないし３１に係る発明は、甲第４号証、甲第１号証、甲第７号証、甲第６号証、甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
３．無効理由３（進歩性違反）について
　無効理由３は、平成２３年改正前の特許法第１６７条の規定に反するものである。
　甲第２号証には、シリコン等の半導体材料からなるウェハ状の加工対象物を切断するという事項が記載されておらず、当該事項は設計事項ではないし、当該事項は甲第１号証、甲第６号証、甲第３号証、甲第４号証にも記載されていないから、請求項１ないし３１に係る発明は、甲第２号証、甲第１号証、甲第６号証、甲第３号証、甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
４．無効理由４（進歩性違反）について
　甲第５号証には、レーザ光を照射することで、加工対象物の内部に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させるという事項及び加工対象物切断方法という事項が記載されていない。また、前者の事項については、甲第５号証のマーキング方法の発明において割れを発生させることは阻害要因があり、後者の事項については、マーキング方法の発明を切断方法に変更することは設計変更ではない。したがって、請求項１ないし３１に係る発明は、甲第５号証、甲第１号証、甲第３号証、甲第６号証、甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
５．無効理由５（新規性・進歩性違反）について
（１）新規性違反について
　甲第７号証には、加工対象物が半導体材料からなるウェハ状の加工対象物であるという事項及びレーザ光を照射することで、加工対象物の内部に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させるという事項が記載されておらず、請求項１５、２７及び２８に係る発明は、甲第７号証に記載された発明と同一ではない。
（２）進歩性違反について
　甲第７号証には、加工対象物が半導体材料からなるウェハ状の加工対象物であるという事項及びレーザ光を照射することで、加工対象物の内部に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させるという事項が記載されていない。前者の事項について、甲第７号証において加工対象物を半導体材料とすることは阻害要因があり、後者の事項について、甲第７号証において容易に想到できるものではなく、甲第１号証、甲第６号証、甲第３号証、甲第４号証にも記載されていないから、請求項１ないし３１に係る発明は、甲第７号証、甲第１号証、甲第６号証、甲第３号証、甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
 ［証拠方法］ 
　乙第１号証の１　「電子材料」、２００２年９月号、目次、１７-２１頁
　乙第１号証の２　「電子材料」、２００２年９月号、２３頁
　乙第１号証の３　「レーザー学会産業賞『優秀賞』受賞」
　乙第１号証の４　「浜松ホトニクス　透過性パルスレーザーの内部集光による切断加工システム」
　乙第１号証の５　「機械振興賞　受賞者　業績概要詳細」
　乙第１号証の６　”レーザー加工技術　特許総合ランキング力トップ3は浜松ホトニクス、ディスコ、三菱電機”、[online]、パテントリザルト、インターネット＜URL:https://www.patentresult.co.jp/news/2018/07/laserprotech.html＞
　乙第２号証　　　神山　信治、「半導体ウエハとガラスの切断メカニズムの説明」、浜松ホトニクス、２００５年１２月２７日
　乙第３号証　　　”レーザAtoZ”、[online]、レーザ加工学会ウェブサイト、インターネット＜URL:http://www.jlps.gr.jp/laser/atoz/2/＞
　乙第４号証　　　”ダイヤモンド・スクライブツールを利用した「スクライブ」とは”、[online]、テクダイヤ技術向上ブログ、インターネット＜URL:https://tecdlab.com/2018/05/09/dictionary-%E3%83%80%E3%82%A4%E3%83%A4%E3%83%A2%E3%83%B3%E3%83%89%E3%83%BB%E3%82%B9%E3%82%AF%E3%83%A9%E3%82%A4%E3%83%96%E3%83%84%E3%83%BC%E3%83%AB%E3%82%92%E5%88%A9%E7%94%A8%E3%81%97%E3%81%9F%E3%80%8C/＞
　乙第５号証　　　特開平８−２７４３７１号公報
　乙第６号証　　　特開平１０−６４８５４号公報
　乙第７号証　　　留井直子、「セラミックス切断用スクライビングホイールの開発とその切断技術」、Journal of the Japan Society for Abrasive Technology、２０１５年１２月、Vol.59、No.12、ｐ７０５−７１０
第５．甲第１号証ないし甲第７号証の記載 
（１）甲第１号証に記載の事項 
　本件出願の優先日前である平成４年４月１３日に頒布された甲第１号証には、図面と共に、以下のとおり記載されている。なお、下線は理解の便のため、当審で付与した。
 
ア．「透明材料に吸収されない高エネルギービームを、レンズやミラーから構成される光学系を介して透明材料の内部に焦点を合せ、高エネルギービームを透明材料内部に照射する。すると、
高エネルギービームの照射された個所に数十ミクロン以下の微小なクラックが発生する。高エネルギービームの照射位置を移動させて、透明材料に連続的なクラックを発生させることによって透明材料を切断加工する。
クラックの発生について更に詳しく説明する。
固体中では、荷電子のエネルギー準位は帯状のいわゆるバンド構造をとっている。絶縁体ではバンドギャップ以下のフォトンエネルギーのフォトン、すなわち、長波長の光は吸収しない。
しかし、バンドギャップよりも低エネルギーの光でも、レンズで集光するなどしてフォトン密度を極端に高くすると、２個あるいは、それ以上のフォトンを同時に吸収することにより、電子が充満帯（エネルギーギャップよりエネルギーの低いエネルギーバンド）から伝導帯（エネルギーギャップよりエネルギーが高く、通常の状態では電子の存在しないエネルギーバンド）に励起される。
このように、フォトンを同時に２個吸収することを２光子吸収、さらに一般に複数個吸収することを多光子吸収という。
この発明においては、多光子吸収を利用して、バンドギャップよりエネルギーが低く、本来、吸収の起こらない波長の光を透明材料に吸収させることにより、透明材料の結合ボンドを切断したり、あるいは、発熱を利用して微小なクラックを透明材料内部に発生させるのである。
イ．「実施例１
透明材料として１５０×１５０×１５０ｍｍの合成石英ガラス（ＯＨ　１３００ｐｐｍ含有）を使用し、
高エネルギービームとしては、不安定共振器を用いたエキシマレーザ（ＫｒＦ　２４８ｎｍエネルギー密度５０ｍＪ／ｃｍ
２
・パルス、くり返し周波数１５０Ｈｚ）を使用し
ミラーで反射させ、上面を予め研磨したワークである厚板の合成石英ガラスの内部にエキシマレーザビームの焦点を合せエキシマレーザをワークの上面から照射し、ワークを３ｒ．ｐ．ｍの回転数で回転させながら、焦点の位置を３ｍｍ／ｍｉｎの速さでワーク底面より引き上げることにより、直径３０ｍｍの円筒形の孔を開けた。
このとき、ワーク内部におけるエキシマレーザのビームの垂直方向の焦点位置は、レンズの位置を移動させることによって変化させた。
また、ワーク内部での焦点位置の水平方向の移動は、ワーク自体を水平方向に移動させることによっておこなった。
切断に当っては、焦点位置は、ワークの底面から上方向に移動させた。
［効果］
以上、述べてきたように、透明材料の内部に焦点をあわせ、透明材料に対し吸収の無い高エネルギービーム、例えば、
石英ガラスに対しエキシマレーザを照射すると、微細なクラックが透明材料の内部に発生する。これを連続させることによって透明材料を複雑な形状に切断加工できる。
焦点をワークの内部に結ばせているのでワークの厚味に影響を受けず、自由な形状に加工できる。」（第３頁左上欄第１１行ないし左下欄第４行）
ウ．上記イ．の「
高エネルギービームとしては、不安定共振器を用いたエキシマレーザ（ＫｒＦ　２４８ｎｍエネルギー密度５０ｍＪ／ｃｍ
２
・パルス、くり返し周波数１５０Ｈｚ）を使用し
ミラーで反射させ、上面を予め研磨したワークである厚板の合成石英ガラスの内部にエキシマレーザビームの焦点を合せエキシマレーザをワークの上面から照射し
エ．上記ア．の「
この発明においては、多光子吸収を利用して、バンドギャップよりエネルギーが低く、本来、吸収の起こらない波長の光を透明材料に吸収させることにより、透明材料の結合ボンドを切断したり、あるいは、発熱を利用して微小なクラックを透明材料内部に発生させるのである。
ワークである厚板の合成石英ガラスの内部にエキシマレーザビームの焦点を合せ
石英ガラスに対しエキシマレーザを照射すると、微細なクラックが透明材料の内部に発生する。
オ．上記イ．の「
上面を予め研磨したワークである厚板の合成石英ガラスの内部にエキシマレーザビームの焦点を合せエキシマレーザをワークの上面から照射し、ワークを３ｒ．ｐ．ｍの回転数で回転させながら、焦点の位置を３ｍｍ／ｍｉｎの速さでワーク底面より引き上げることにより、直径３０ｍｍの円筒形の孔を開けた。
石英ガラスに対しエキシマレーザを照射すると、微細なクラックが透明材料の内部に発生する。これを連続させることによって透明材料を複雑な形状に切断加工できる。
カ．甲第１号証では、加工対象物として石英ガラスなどの種々の透明材料としているが、具体的に実施例で実際に円筒形の複雑な形状に切断加工される対象は、合成石英ガラスのみであり、その他の対象物での加工条件についての開示はないので、加工対象物は合成石英ガラスのみが開示されていると認められる。
キ．したがって、甲第１号証には以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「厚板の合成石英ガラスの内部に焦点を合わせて
高エネルギー密度のエキシマレーザパルスの繰り返しによるエキシマレーザビームを照射し、
前記合成石英ガラスの内部に多光子吸収による微小なクラックを形成し、
切断予定ラインに沿ってワークを水平面内で移動させつつ焦点の位置を前記合成石英ガラスの底面から上方向に移動させることによって、微細なクラックを合成石英ガラスの内部で連続させ、合成石英ガラスを複雑な形状に切断加工する、
　合成石英ガラスの切断加工方法。」
（２）甲第２号証に記載の事項 
　本件出願の優先日前である平成１１年３月１６日に頒布された甲第２号証には、図面と共に、以下のとおり記載されている。なお、下線は理解の便のため、当審で付与した。
ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、破断領域に微小亀裂を発生させることにより、ガラス物体、特に破断開封用アンプルまたは管のガラス壁を破断するため、またはガラス板を分離するために適切な破断点を形成（produce）する方法に関する。
イ．「【００１３】
【発明が解決しようとする課題】 
　本発明の目的は、破断開封アンプルを再現できかつ安全に開口する方法で破断開封アンプルの破断領域に所定の破断点を形成することにある。特に、破断開封が困難なアンプルを開封するときに生ずる傷の発生を避け、かつ、アンプルの開封で生ずるアンプル内の医薬品の損傷を妨げることを意図する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、破断領域に微小亀裂を発生させることにより、ガラス物体、特に破断開封用アンプルまたは管のガラス壁を破断するため、またはガラス板を分離するために適切な破断点を形成する方法において、
前記微小亀裂を前記ガラス壁またはガラス板の内部に形成することを特徴とする破断点を形成する方法により達成される。
ウ．「【００２１】
【発明の実施の形態】本発明によれば、適切な破断点は、微小亀裂が制御された方法でアンプルのガラス壁内部に形成されるという事実によって作られる。最初に述べた従来の技術であって、それぞれの場合にガラス壁がガラス表面からの微小亀裂により弱くなる技術に対して、問題の表面は本発明の方法を使用するときに損傷を受けない。」
エ．「【００２８】好都合なことに、
本発明に従う微小亀裂は集中レーザー照射手段により形成される
オ．「【００３２】１）
適切な破断点は、例えば適切な分割線に沿って周囲方向に配列した一若しくはそれ以上の微小亀裂領域によって、アンプル締め付け部の周囲の点に形成してよい。この方法（ワンポイントカット）では、破断開封するときにアンプルを配列又は調整するために適切な破断点をマークすることが必要である。
カ．「【００３５】使用されたレーザー放射源は、Ｑ−スイッチまたはモードロックＮｄソリッドステートレーザーであることが好都合である。
短焦点距離を備える適切な光システムは、必要により広いビーム断面を有するレーザービームを＜０．１ｍｍのスポット直径に収束する。
キ．「【００３８】
【実施例】本発明の実験的実施態様は図面を用いて示し、下記により詳細に記述する。
【００３９】図１は本発明に従って破断開封アンプルに適切な破断点を形成するための位置の図式レイアウトを示す。
【００４０】図１において、適切な破断点はアンプルの首２（締め付け）の領域においてホウケイ酸ガラス製の２ｍｌアンプル１に形成する。
【００４１】
締め付けは、アンプルの製造方法において二次成形用具（forming tool）を用いてタレット装置上で直径６．５ｍｍ、壁厚０．８ｍｍに予め形成された。
【００４２】
パルス時間約１０ｎｓ、パルスエネルギー２５ｍＪのＱ−スイッチＮｄ：ＹＡＧレーザー７を使用して適切な破断点を作る。レーザービームは、焦点距離５０ｍｍのレーザーレンズ８を使用してガラス壁の中心に収束させる：直径は約０．１ｍｍである。
【００４３】３つの適切な破断点は顕微鏡で見ることが可能で、アンプルを明確にかつ物理的に破断できる。」
ク．上記ア．の段落【０００１】の「
本発明は、破断領域に微小亀裂を発生させることにより、ガラス物体、特に破断開封用アンプルまたは管のガラス壁を破断するため、またはガラス板を分離するために適切な破断点を形成（produce）する方法に関する。
レーザービームは、焦点距離５０ｍｍのレーザーレンズ８を使用してガラス壁の中心に収束させる
ケ．上記イ．の段落【００１４】の「
前記微小亀裂を前記ガラス壁またはガラス板の内部に形成することを特徴とする破断点を形成する方法により達成される。
コ．上記オ．の段落【００３２】の「
適切な破断点は、例えば適切な分割線に沿って周囲方向に配列した一若しくはそれ以上の微小亀裂領域によって、アンプル締め付け部の周囲の点に形成してよい。
前記微小亀裂を前記ガラス壁またはガラス板の内部に形成することを特徴とする破断点を形成する方法により達成される。
本発明は、破断領域に微小亀裂を発生させることにより、ガラス物体、特に破断開封用アンプルまたは管のガラス壁を破断するため、またはガラス板を分離するために適切な破断点を形成（produce）する方法に関する。
サ．上記ア．ないしキ．の記載からみて、甲第２号証には以下の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ガラス物体の内部に焦点を合わせてレーザを照射し、ガラス物体の内部に微小亀裂を形成し、この微小亀裂によって、前記ガラス物体の分割線に沿って前記ガラス物体の内部に破断点を形成し、破断開封する、ガラス物体の破断方法。」
（３）甲第３号証に記載の事項 
　本件出願の優先日前である平成１１年１０月５日に頒布された甲第３号証には、以下のとおり記載されている。なお、下線は理解の便のため、当審で付与した。 
ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光透過性材料のマーキング方法にかかるもので、とくに
レーザー光を用いた光透過性材料のマーキング方法
イ．「【０００２】
【従来の技術】従来のレーザー光によるマーキング方法は、レーザー光によるアブレーション（爆触）現象を利用して、たとえば
透明ガラス基板などの被マーキング材料の表面に加工
微小に割れて、その破片が生産工程に混入する
ウ．「【００１２】レーザー光を集束して絶縁破壊を生じる現象を詳しく観察すると、以下のようになる。図１０は、透明ガラス基板１の要部拡大断面側面図であって、レーザー光３が最も集束した近傍においてガラス内部にクラック５が生じ、またこのクラック５に連続して、レーザー入射方向に亀裂６が伝播した穴状のマークパターン７の発生が認められる。レーザー光３のビーム径３ｍｍφ、エネルギー約４００μＪで、焦点距離ｆ＝１００ｍｍのレンズを使用した場合に、その大きさとしては、クラック５の幅が約１００μｍ、穴状のマークパターン７の長さは約５００μｍに達する。」
エ．「【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような諸問題にかんがみなされたもので、クリーンなシステムに適合した光透過性材料のマーキング方法を提供することを課題とする。
【００１７】また本発明は、
マーキングにより被マーキング材料の破片が生ずることがないようにした光透過性材料のマーキング方法
【００１８】また本発明は、マーキング後に光透過性材料の表面の清浄化のための後処理を不要とした光透過性材料のマーキング方法を提供することを課題とする。
【００１９】また本発明は、
とくに薄肉のガラス材料に所定の深さにかつ精密にマーキング位置を調整し、その表面にはクラックなどが生じないようにすることが可能な光透過性材料のマーキング方法
オ．「【００２０】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、レーザー光により透明ガラス基板などの光透過性材料をマーキングするにあたり、光透過性材料の表面ではなく、その内部にレーザー光を集光すること、およびクラックの生成だけによってマーキングを行うのではなく、より低い照射エネルギーのレーザー光の集光によって主として光透過性材料の光学的性質の変化を起こさせてこれをマーキングに用いることに着目したもので、レーザー光により光透過性材料にマーキングを施す光透過性材料のマーキング方法であって、上記光透過性材料は、これをガラス材料とするとともに、上記レーザー光として、上記光透過性材料に対して透過性のあるものを選択し、このレーザー光を上記光透過性材料の内部に所定の深さで集光するとともに、このレーザー光の強さをこの光透過性材料の光学的性質の変化を起こす程度の強さとして上記マーキングを可能としたことを特徴とする光透過性材料のマーキング方法である。なお、
上記光学的性質の変化とは、たとえば屈折率その他任意の光学的特性の変化をいい、外部からそれぞれ所定の計測手段により認識可能なものである。
（４）甲第４号証に記載の事項 
　本件出願の優先日前である平成１１年６月１８日に頒布された甲第４号証には、図面と共に、以下のとおり記載されている。なお、下線は理解の便のため、当審で付与した。
ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は紫外域から橙色まで発光可能な発光ダイオードやレーザーダイオード、更には高温においても駆動可能な３−５族半導体素子の製造方法に係わり、特に、基板上に形成された窒化物半導体素子の製造方法に関する。」
イ．「【０００４】しかしながら、窒化物半導体を利用した半導体素子は、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓやＧａＡｓ半導体基板上に形成させたＧａＡｓＰ、ＧａＰやＩｎＧａＡｌＡｓなどの半導体素子とは異なり単結晶を形成させることが難しい。結晶性の良い窒化物半導体の単結晶膜を得るためには、ＭＯＣＶＤ法やＨＤＶＰＥ法などを用いサファイアやスピネル基板など上にバッファー層を介して形成させることが行われている。サファイア基板などの上に形成された窒化物半導体層を所望の大きさに切断分離することによりＬＥＤチップなど半導体素子を形成させなければならない。
【０００５】サファイアやスピネルなどに積層される窒化物半導体はヘテロエピ構造である。窒化物半導体はサファイア基板などとは格子定数不整が大きい。また、サファイア基板は六方晶系という結晶構造を有しており、その性質上へき開性を有していない。さらに、サファイア、窒化物半導体ともモース硬度がほぼ９と非常に硬い物質である。
【０００６】したがって、ダイヤモンドスクライバーで切断することは困難であった。また、ダイサーでフルカットすると、その切断面にクラック、チッピングが発生しやすく綺麗に切断できなかった。また、場合によっては基板から窒化物半導体層が部分的に剥離する場合があった。」
ウ．「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体ウエハーの一方のみにスクライブ・ラインなどを形成させると分離時に他方の切断面にクラック、チッピングが発生しやすい傾向にある。分離された窒化物半導体素子の一表面形状は揃えることが可能であるが、窒化物半導体素子の他方の表面形状ではバラツキが発生し、半導体ウエハーにクラックやチッピングが生じやすい。したがって、
半導体ウエハーを分離するときに、スクライブ・ライン形成面側から形成されていない半導体ウエハー面側への割れかたを制御し完全に窒化物半導体素子の形状を揃えて切断することは極めて難しいという問題を有する。
エ．「【００１３】したがって、本発明は窒化物半導体ウエハーをチップ状に分離するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生をより少なくする。また、窒化物半導体の結晶性を損なうことなく、かつ歩留まりよく所望の形、サイズに分離された窒化物半導体素子を量産性良く形成する製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、
基板（１０１）上に窒化物半導体（１０２）が形成された半導体ウエハー（１００）を窒化物半導体素子（１１０）に分割する窒化物半導体素子（１１０）の製造方法
焦点にスクライブ・ライン（１０３）を形成する
スクライブ・ラインに沿って半導体ウエハーを分離する
【００１５】本発明の請求項２に記載された窒化物半導体素子の製造方法においては、第１の主面（１１１）が基板（１０１）上の一方にのみ窒化物半導体（１０２）が形成された半導体ウエハー（１００）の窒化物半導体積層側であり、第２の主面（１２１）が半導体ウエハー（１００）を介して第１の主面（１１１）と対向する基板露出面側である。
【００１６】本発明の請求項３に記載された窒化物半導体素子の製造方法において、スクライブ・ラインが基板露出面に形成された凹部（１０３）である。
【００１７】本発明の請求項４に記載された窒化物半導体素子の製造方法においては、スクライブ・ラインが基板内部に形成された加工変質層（２０６）である。
【００１８】本発明の請求項５に記載された窒化物半導体素子の製造方法においては、レーザーが照射される半導体ウエハー（１００）の第１の主面（１１１）側及び／又は第２の主面（１２１）側にダイヤモンドスクライバー、ダイサー、レーザー加工機から選択される少なくとも１種によってスクライブ・ラインと略平行の溝部（１０４）を形成する工程を有する。」
オ．「【発明の実施の形態】本発明者らは種々実験の結果、窒化物半導体素子を製造する場合において半導体ウエハーの特定箇所に特定方向からレーザーを照射することにより、半導体特性を損傷することなく量産性に優れた窒化物半導体素子を製造することができることを見いだし本発明を成すに到った。
【００２２】即ち、本発明の方法により窒化物半導体素子の分離ガイドとなるスクライブ・ラインを窒化物半導体層を損傷することなく窒化物半導体ウエハーを透過してレーザー照射面側以外の任意の点に形成することができる。特に、同一面側から窒化物半導体素子に悪影響を引き起こすことなく半導体ウエハーの両面を比較的簡単に加工することができる。以下、本発明の製造方法について詳述する。」
カ．「【００２４】（窒化物半導体ウエハー１００、２００、３００、４００）窒化物半導体ウエハー１００、２００、３００、４００としては、基板１０１上に窒化物半導体１０２が形成されたものである。
窒化物半導体１０２の基板１０１としては、サファイア、スピネル、炭化珪素、酸化亜鉛や窒化ガリウム単結晶など種々のものが挙げられるが量産性よく結晶性の良い窒化物半導体層を形成させるためにはサファイア基板、スピネル基板などが好適に用いられる。サファイア基板などは劈開性がなく極めて硬いため本発明が特に有効に働くこととなる。
キ．「【００３０】
なお、レーザーが照射された窒化物半導体ウエハーは、その焦点となる照射部が選択的に飛翔した凹部１０３、４０３或いは微視的なマイクロ・クロックの集合である加工変質層２０６、３０８になると考えられる。
【００３１】（レーザー加工機）本発明に用いられるレーザー加工機としては、窒化物半導体ウエハーが分離可能な溝、
加工変質層
【００３２】レーザー加工機によって照射されるレーザーはレンズなどの光学系により所望により種々に焦点を調節させることができる。したがって、同一方向からのレーザー照射により半導体ウエハーの任意の焦点に窒化物半導体を損傷させることなく溝、加工変質層などを形成させることができる。また、レーザーの照射面は、フィルターを通すことなどにより真円状、楕円状や矩形状など所望の形状に調節させることもできる。」
ク．「【００３４】
【実施例】（実施例１）厚さ２００μｍであり洗浄されたサファイアを基板としてＭＯＣＶＤ法を利用して窒化物半導体を積層させ窒化物半導体ウエハーを形成させた。
【００３５】次に、ＴＭＧガスの流入を止めた後、反応装置の温度を１０５０℃に挙げ再びＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＧガス、ドーパントガスとしてＳｉＨ4（シラン）ガス、キャリアガスとして水素ガスを流すことによりｎ型コンタクト層として働く厚さ約４μｍのＧａＮ層を形成させた。
【００３６】活性層は、一旦、キャリアガスのみとさせ反応装置の温度を８００℃に保持し後、原料ガスとしてＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＧガス、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）及びキャリアガスとして水素ガスを流すことにより厚さ約３ｎｍのアンドープＩｎＧａＮ層を堆積させた。
【００３７】活性層上にクラッド層を形成させるため原料ガスの流入を停止し反応装置の温度を１０５０℃に保持した後、原料ガスとしてＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガス、ＴＭＧガス、ドーパントガスとしてＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエルマグシウム）ガス及びキャリアガスとして、水素ガスを流しｐ型クラッド層として厚さ約０．１μｍのＧａＡｌＮ層を形成させた。
【００３８】最後に、反応装置の温度を１０５０℃に維持し原料ガスとしてＮＨ3（アンモニア）ガス、ＴＭＧガス、ドーパントガスとしてＣｐ2Ｍｇガス及びキャリアガスとして水素ガスを流しｐ型コンタクト層として厚さ約０．５μｍのＧａＮ層を形成させた（図１（Ａ））。（なお、ｐ型窒化物半導体層は４００℃以上でアニール処理してある。）
こうして形成された半導体ウエハー１００を形成された窒化物半導体１０２が上になるように上下・左右の平面方向に自由に駆動可能なテーブル上に固定させた。レーザー光線（波長３５６ｎｍ）をサファイア基板１０１上に形成された窒化物半導体１０２側から照射し、焦点がサファイア基板１０１の略底面に結ばれるようにレーザーの光学系を調整した。調整したレーザーを１６Ｊ／ｃｍ2で照射させながらステージを移動させることによりサファイア基板１０１の
底面に深さ約４μｍのスクライブ・ライン１０３を縦横に形成する。
【００３９】次に、レーザー加工機のレーザー照射部のみダイシングソーと入れ替え窒化物半導体ウエハーの固定を維持したままダイサーにより、半導体ウエハー１００に窒化物半導体１０２の上面からサファイア基板１０１に達する
溝部１０４を形成
溝部１０４は、レーザー照射により形成されたスクライブ・ライン１０３と半導体ウエハー１００を介して平行に形成
【００４０】スクライブ・ライン１０３に沿って、不示図のローラーにより荷重を作用させ、窒化物半導体ウエハーを切断分離することができる。分離された端面はいずれもチッピングやクラックのない窒化物半導体素子１１０を形成することができる（図１（Ｄ））。
【００４１】実施例１ではレーザーが照射される窒化物半導体１０２が形成された半導体ウエハー１００の表面側ではなく窒化物半導体１０２及びサファイア基板１０１を透過した半導体ウエハー１００の裏面側となるサファイア基板１０１底面で集光されたレーザーによりスクライブ・ライン１０３が形成される。
【００４２】半導体ウエハー１００の窒化物半導体１０２が形成された主面側（レーザー照射側）からサファイアなどの基板１０１に達する溝部１０４を形成することで、容易にかつ正確にスクライブ・ライン１０４に沿って窒化物半導体素子１１０を分割することができる。
【００４３】なお、スクライブ・ライン１０３の形成をレーザーで行うため、ダイヤモンドスクライバーの如き、カッターの消耗、劣化による加工精度のバラツキ、刃先交換のために発生するコストを低減することができる。また、半導体ウエハーの片側からだけの加工で、半導体ウエハー両面から加工したのと同様の効果を得られ、上面、裏面においても形状の揃った窒化物半導体素子１１０を製造することが可能となり、製造歩留まりを高め、形状のバラツキが低減できる分、特に、切り代を小さくし、半導体素子の採り数を向上させることが可能となる。さらに、スクライブ・ライン１１０をサファイア基板１０１側の表面で形成させるためにレーザーによる加工くずが窒化物半導体１０２上に付着することなくスクライブ・ラインを形成することができる。
【００４４】
（実施例２）実施例１と同様にして形成させた半導体ウエハーに、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によって窒化物半導体表面側から溝が形成されるサファイア基板との境界面が露出するまでエッチングさせ複数の島状窒化物半導体層２０５が形成された半導体ウエハーを用いる。
【００４５】この半導体ウエハー２００を実施例１と同様のレーザー加工機に固定配置させた
。実施例２においてもレーザー加工機からのレーザーを窒化物半導体ウエハーの窒化物半導体２０５側から照射し、焦点がサファイア基板２０１の底面から２０μｍのサファイア基板内部に結ばれるようにレーザー光学系を調整する。調整したレーザー光線を１６Ｊ／ｃｍ
2
で照射させながらステージを移動させることによりサファイア基板の底面付近の基板内部に加工変質層２０６となるスクライブ・ラインを形成する（図２（Ｂ））。
【００４６】次に、
レーザー光学系（不示図）を調整し直し、焦点がエッチングにより露出されたサファイア基板２０１の上面（窒化物半導体の形成面側）に結ばれるように調整した。調整したレーザーを照射させながらステージを移動させることにより、半導体ウエハーに窒化物半導体層側の上面からサファイア基板に達する溝部を形成する。形成された溝部２０４は、加工変質層２０６とサファイア基板２０１を介して略平行に形成させてある。なお、レーザー照射により形成されたサファイア基板２０１上の溝部２０４は、溝部の底面とサファイア基板の底面との間隔が、約１００μｍで、ほぼ均一になるように調整してある。さらに、レーザー光学系を調節し直し、焦点がサファイア基板２０１に設けられた溝部底面に結ばれるよう調節した。調節したレーザーを１４Ｊ／ｃｍ
2
で照射させながらステージを移動させることにより、窒化物半導体が形成されたサファイア基板の露出面に設けられた溝部２０４の底面に深さ約３μｍのスクライブ・ライン２０７を形成する（図２（Ｃ））。
【００４７】続いて、
溝部（スクライブ・ライン）に沿ってローラーによって荷重をかけ半導体ウエハーを切断し、ＬＥＤチップ２１０を分離させた（図２（Ｄ））。
【００４８】
こうして形成されたＬＥＤチップに電力を供給したところいずれも発光可能であると共に切断端面にはチッピングが生じているものはほとんどなかった。歩留まりは９８％以上であった。
【００４９】実施例２では半導体ウエハーの片面側からレーザーにより基板表裏両面にスクライブ・ラインを形成することで、厚みがある窒化物半導体ウエハーでもスクライブ・ラインに沿って簡単に窒化物半導体素子を分割するることが可能となる。また、溝の形成される部分が、サファイア基板までエッチングされているため、溝形成による窒化物半導体への損傷がより少なく分離させた後の窒化物半導体素子の信頼性を向上させることが可能である。特に、スクライブ・ラインが形成されるとき、レーザーの焦点がサファイア基板内部で結ばれていることから、半導体ウエハーを固定している、テーブル若しくは粘着性シートを損傷することなく加工が実現できる。また、レーザー照射による加工くずの発生もない。なお、全てをレーザー加工でなく溝の形成をダイサーで行っても本発明と同様に量産性良く窒化物半導体素子を形成することができる。
【００５０】レーザーによって溝部、スクライブ・ラインを窒化物半導体ウエハーに対して非接触で加工できる。そのため、ブレード及びカッターの消耗、劣化による加工精度のバラツキ、刃先の交換のために発生するコストを低減できる。また、半導体ウエハーの片側からだけの加工で、半導体ウエハー両面から加工したのと同様の効果を得られ、形状の揃った半導体チップを製造することが可能となる。製造歩留まりを高め形状のバラツキが低減できる分切り代を小さくし、窒化物半導体ウエハーからの半導体素子の採り数を向上させることが可能となる。
【００５１】さらに、半導体層面からの溝部をもレーザーにより形成することで、より幅の狭い溝を形成することが可能となる。このため窒化物半導体ウエハーからのチップの採り数をさらに向上させることが可能となる。
【００５２】
（実施例３）実施例１と同様にして形成させた半導体ウエハー３００に、予めサファイア基板３０１を８０μｍまで研磨して鏡面仕上げされている。この半導体ウエハーを窒化物半導体３０２が積層されていないサファイア基板３０１面を上にして実施例１と同様のレーザー加工機のステージに固定配置させた（図３（Ａ））。
【００５３】実施例３においてはレーザー加工機（不示図）からのレーザーを窒化物半導体ウエハー３００の窒化物半導体３０２が形成されていないサファイア基板３０１面側（基板露出面側）から照射し、焦点が窒化物半導体３０２とサファイア基板３０１の界面に結ばれるようにレーザー光学系を調整しする。ステージを駆動させながらレーザーを照射することにより窒化物半導体３０２及び
窒化物半導体と接したサファイア基板３０１界面近傍に加工変質層３０８であるスクライブ・ラインを縦横に第１のスクライブ・ラインとして形成
【００５４】次に、レーザー加工機のレーザー照射部のみダイシングソー（不示図）と入れ替え窒化物半導体ウエハーの固定を維持したままダイサーによりブレード回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度３ｍｍ／ｓｅｃで窒化物半導体が積層されていない
サファイア基板底面側から窒化物半導体面に達しない溝部３０９を形成
レーザー照射により、サファイア基板３０１に形成された溝部３０９の底面に深さ約３μｍの第２のスクライブ・ライン３０７を形成する（図３（Ｃ））
【００５５】
第２のスクライブ・ライン３０７に沿って、ローラー（不示図）により荷重をかけ窒化物半導体ウエハーを切断分離し窒化物半導体素子３１０を形成させた（図３（Ｄ））。
【００５６】実施例３に記載の方法は、サファイアなど基板３０１裏面側から窒化物半導体３０２に達しない溝部３０９を別途形成することで、レーザーにより形成されたスクライブ・ラインに沿って容易にかつ正確に窒化物半導体素子３１０を分離することが可能となる。したがって、上面、裏面においても形状の揃った窒化物半導体素子の供給、及び製品歩留まりの向上が可能となる。なお、ダイサーによる加工の後に、レーザー加工による第１及び第２のスクライブ・ラインの形成を形成することもできる。第１及び第２のスクライブ・ライン形成後にダイサーによる加工をすることもできる。
【００５７】スクライブ・ラインの形成をレーザーで行うため、ダイヤモンドスクライバーのカッター消耗、劣化による加工精度のバラツキ、刃先交換のために発生するコストを低減することができる。また、窒化物半導体ウエハーをひっくり返すことなく、半導体ウエハーの片側からだけの加工で半導体ウエハー両面から加工したのと同様の効果を得られる。形状の揃った半導体チップを製造することが可能となり、製造歩留まりを高め形状のバラツキが低減できるため切り代を小さくし、窒化物半導体ウエハーからの半導体チップの採り数を向上させることが可能となる。さらに、レーザー加工による加工くずが窒化物半導体表面に付着することもない。
【００５８】（実施例４）実施例１と同様にして形成させた半導体ウエハーに、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によって窒化物半導体表面側から溝が形成されるサファイア基板４０１との境界面が露出するまでエッチングさせ複数の島状窒化物半導体４０５が形成された半導体ウエハー４００を用いる。なお、エッチング時にｐｎ各半導体が露出するようマスクを形成させエッチング後除去させてある。また、ｐｎ各半導体層には、電極４２０がスパッタリング法により形成されている。この半導体ウエハー４００のサファイア基板４０１を１００μｍまで研磨して鏡面仕上げさせる（図４（Ａ））。
【００５９】
半導体ウエハー４００を窒化物半導体が全く積層されていないサファイア基板４０１を上にして実施例１と同様のレーザー加工機（不示図）に固定配置させた。
サファイア基板４０１に深さ約４μｍの第１のスクライブ・ライン４０３を縦横に形成
【００６０】次に、レーザー光学系を再び調整してレーザーの走査により、窒化物半導体ウエハーにサファイア基板４０１側から窒化物半導体４０５面に達しない
溝部４０９を第１のスクライブ・ライン４０３に沿って形成
溝部の底面に深さ約３μｍの第２のスクライブ・ラインを形成
【００６１】
スクライブ・ラインに沿って、ローラー（不示図）により荷重をかけ窒化物半導体ウエハーを分離し窒化物半導体素子４１０を形成させる（図４（Ｄ））。
【００６２】分離された窒化物半導体素子であるＬＥＤチップに通電させたところ何れも発光可能であり、その端面を調べたところチッピングやクラックが生じているものはほとんどなかった。歩留まりは９８％以上であった。
【００６３】スクライブ・ラインの形成をレーザーで行うため、ダイヤモンドスクライバーのカッターの消耗、劣化による加工精度のバラツキ、刃先交換のために発生するコストを低減することができる。また、窒化物半導体ウエハーの片側からだけの加工で、半導体ウエハー両面から加工したのと同様の効果を得られ、形状の揃った半導体素子を製造することが可能となり、製造歩留まりを高め、形状のバラツキが低減できる分、切り代を小さくし、窒化物半導体ウエハーからの半導体チップの採り数を向上させることが可能となる。
【００６４】
（実施例５）実施例１のＹＡＧレーザーの照射の代わりにエキシマ・レーザーを用いた以外は実施例１と同様にして半導体ウエハーを分離してＬＥＤチップを形成させた。
ケ．「【００６６】
【発明の効果】本発明の窒化物半導体素子の製造方法では、
レーザー源から照射したレーザーをレンズなどの光学系で集光することにより、所望の焦点付近でエネルギーを集中させることができる。このエネルギー密度が非常に高くなった焦点でワークの加工がなされる。
【００６７】したがって、本発明は窒化物半導体ウエハーを透過した所望の焦点での加工を利用することにより、窒化物半導体ウエハーを両面側から加工する必要がなく、片側からのみの加工で窒化物半導体ウエハーの表裏両面から加工したのと同じ効果を得ることができる。したがってより歩留まりを向上させ、且つ形状にバラツキが少ない窒化物半導体素子及びその量産性の良い製造方法を提供することができる。」
コ．上記ク．の段落【００３４】の「
【実施例】（実施例１）厚さ２００μｍであり洗浄されたサファイアを基板としてＭＯＣＶＤ法を利用して窒化物半導体を積層させ窒化物半導体ウエハーを形成させた。
（実施例２）実施例１と同様にして形成させた半導体ウエハーに、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によって窒化物半導体表面側から溝が形成されるサファイア基板との境界面が露出するまでエッチングさせ複数の島状窒化物半導体層２０５が形成された半導体ウエハーを用いる。
サ．上記ク．の段落【００４５】の「
焦点がサファイア基板２０１の底面から２０μｍのサファイア基板内部に結ばれるようにレーザー光学系を調整する。調整したレーザー光線を１６Ｊ／ｃｍ
2
で照射させながらステージを移動させることによりサファイア基板の底面付近の基板内部に加工変質層２０６となるスクライブ・ラインを形成する（図２（Ｂ））。
シ．上記キ．の段落【００３０】の「
なお、レーザーが照射された窒化物半導体ウエハーは、その焦点となる照射部が選択的に飛翔した凹部１０３、４０３或いは微視的なマイクロ・クロックの集合である加工変質層２０６、３０８になると考えられる。
焦点がサファイア基板２０１の底面から２０μｍのサファイア基板内部に結ばれるようにレーザー光学系を調整する。
ス．上記ウ．の段落【０００９】の「
半導体ウエハーを分離するときに、スクライブ・ライン形成面側から形成されていない半導体ウエハー面側への割れかたを制御し完全に窒化物半導体素子の形状を揃えて切断することは極めて難しいという問題を有する。
実施例２においてもレーザー加工機からのレーザーを窒化物半導体ウエハーの窒化物半導体２０５側から照射し、焦点がサファイア基板２０１の底面から２０μｍのサファイア基板内部に結ばれるようにレーザー光学系を調整する。調整したレーザー光線を１６Ｊ／ｃｍ
2
で照射させながらステージを移動させることによりサファイア基板の底面付近の基板内部に加工変質層２０６となるスクライブ・ラインを形成する（図２（Ｂ））。
レーザー光学系（不示図）を調整し直し、焦点がエッチングにより露出されたサファイア基板２０１の上面（窒化物半導体の形成面側）に結ばれるように調整した。調整したレーザーを照射させながらステージを移動させることにより、半導体ウエハーに窒化物半導体層側の上面からサファイア基板に達する溝部を形成する。形成された溝部２０４は、加工変質層２０６とサファイア基板２０１を介して略平行に形成させてある。
さらに、レーザー光学系を調節し直し、焦点がサファイア基板２０１に設けられた溝部底面に結ばれるよう調節した。調節したレーザーを１４Ｊ／ｃｍ
2
で照射させながらステージを移動させることにより、窒化物半導体が形成されたサファイア基板の露出面に設けられた溝部２０４の底面に深さ約３μｍのスクライブ・ライン２０７を形成する（図２（Ｃ））。
溝部（スクライブ・ライン）に沿ってローラーによって荷重をかけ半導体ウエハーを切断し、ＬＥＤチップ２１０を分離させた（図２（Ｄ））。
セ．甲第４号証では、上記カ．の段落【００２４】に基板として、炭化珪素、酸化亜鉛や窒化ガリウム単結晶等の半導体材料も挙げられているが、劈開性がなく、極めて硬いサファイア基板が特に有効であることが記載されている。また、甲第４号証の実施例１ないし５では、サファイア基板の割れ方を制御しつつ、形状を揃えて切断する方法が記載され、この方法のうち本件発明１の構成と最も近い段落【００４４】ないし【００５１】に記載された（実施例２）では、加工変質層２０６のみではなく、溝部２０４とスクライブライン２０７を備えることで、劈開性がなく、極めて硬いサファイア基板を切断する方法が記載されているところ、上記ク．の実施例１及び３ないし５でもサファイア基板を用いた場合しか示されていないから、甲第４号証は専ら劈開性のないサファイア基板を加工対象物としてその切断方法を開示したものと認められる。
ソ．甲第４号証には、上記セ．のとおり、サファイア基板を加工対象物として、その切断方法を実施例１〜５の具体的な方法として開示したものとみとめられるところ、このことは甲第４号証全体の記載からもいえる。
　すなわち、甲第４号証は、「基板上に形成された窒化物半導体素子の製造方法に関する。」（上記ア．）ものであり、「窒化物半導体を利用した半導体素子は、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓやＧａＡｓ半導体基板上に形成させたＧａＡｓＰ、ＧａＰやＩｎＧａＡｌＡｓなどの半導体素子とは異なり単結晶を形成させることが難しい。」ことから、「結晶性の良い窒化物半導体の単結晶膜を得るためには、・・・サファイアやスピネル基板など上にバッファー層を介して形成させることが行われている。サファイア基板などの上に形成された窒化物半導体層を所望の大きさに切断分離することによりＬＥＤチップなど半導体素子を形成させなければならない。」（上記イ．）ものであったところ、「サファイアやスピネルなどに積層される窒化物半導体はヘテロエピ構造である。・・・サファイア基板は六方晶系という結晶構造を有しており、その性質上へき開性を有していない。さらに、サファイア、窒化物半導体ともモース硬度がほぼ９と非常に硬い物質である。」ことから、「ダイヤモンドスクライバーで切断することは困難であった。また、ダイサーでフルカットすると、その切断面にクラック、チッピングが発生しやすく綺麗に切断できなかった。また、場合によっては基板から窒化物半導体層が部分的に剥離する場合があった。」（上記イ．）という問題等があったものであり、「窒化物半導体ウエハーをチップ状に分離するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生をより少なくする。また、窒化物半導体の結晶性を損なうことなく、かつ歩留まりよく所望の形、サイズに分離された窒化物半導体素子を量産性良く形成する製造方法を提供すること」（上記ウ．）を目的としてなされたものである。
　そして、「窒化物半導体１０２の基板１０１としては、サファイア、スピネル、炭化珪素、酸化亜鉛や窒化ガリウム単結晶など種々のものが挙げられるが量産性よく結晶性の良い窒化物半導体層を形成させるためにはサファイア基板、スピネル基板などが好適に用いられる。サファイア基板などは劈開性がなく極めて硬いため本発明が特に有効に働くこととなる。」（上記カ．）とし、以後の説明及び実施例１〜５は、すべてサファイア基板の切断方法について記載されている。
　このことから、発明を解決するための手段（上記エ．）として、「本発明は、基板（１０１）上に窒化物半導体（１０２）が形成された半導体ウエハー（１００）を窒化物半導体素子（１１０）に分割する窒化物半導体素子（１１０）の製造方法である。特に、半導体ウエハー（１００）は第１及び第２の主面を有し第１の主面（１１１）側及び／又は第２の主面（１２１）側からレーザーを半導体ウエハー（１００）を介して照射し少なくとも基板（１０１）の第２の主面（１２１）側及び／又は基板（１０１）の第１の主面（１１１）側に形成された焦点にスクライブ・ライン（１０３）を形成する工程と、スクライブ・ラインに沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有する窒化物半導体素子の製造方法である。」、「本発明の請求項４に記載された窒化物半導体素子の製造方法においては、スクライブ・ラインが基板内部に形成された加工変質層（２０６）である。」と、形式的には、劈開性のないサファイア基板には限られない、基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーを加工対象とし、スクライブ・ラインが基板内部に形成された加工変質層（２０６）であって、他のスクライブ・ラインや、溝等の切断のための構成を含まない形態が記載されているものの、サファイア基板以外を加工対象として、基板内部に形成された加工変質層（２０６）によるスクライブ・ラインのみによって課題を解決し得ることについての記載は一切なく、具体的な構成としては、サファイア基板を対象として、実施例１〜５の方法により切断することのみが示されているものと認められる。
タ．したがって、甲第４号証には以下の発明（以下、「甲４発明」という。）が記載されているものと認められる。
「サファイア基板２０１の表面上に窒化物半導体層２０５が形成された半導体ウエハーの前記基板２０１の内部に焦点が結ばれるように、１６Ｊ／ｃｍ２でレーザ光線を照射し、前記基板２０１の内部に、微視的なマイクロ・クロックの集合である加工変質層２０６を形成し、この加工変質層２０６によって、前記基板２０１の底面付近の基板内部に、ローラー荷重をかけた場合の割れ方を制御するためのスクライブ・ラインを形成した後、溝部２０４を形成し、前記溝部２０４の底面にスクライブ・ライン２０７を形成し、その後、前記溝部２０４に沿ってローラーによって荷重をかけ、前記半導体ウエハーを切断する、半導体ウエハーの切断方法。」
（５）甲第５号証に記載の事項 
　本件出願の優先日前である平成１１年５月２５日に頒布された甲第５号証には、図面と共に、以下のとおり記載されている。なお、下線は理解の便のため、当審で付与した。  　 
ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置に関し、特に薄板状の被加工部材にマーキングを行うのに適したマーキング方法及びマーキング装置
イ．「【０００５】
本発明の目的は、薄板状の被加工部材にマーキングする際にも、表面まで達するクラックの発生を抑制することができるマーキング方法及びマーキング装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点によると、
レーザ光源から出射したレーザビームを複数のレーザビームに分割する工程と、分割された複数のレーザビームを被加工部材の内部のある微小領域に集光することにより、前記被加工部材の集光部分を変質させてマーキングする工程
ウ．「【００２２】集光光学系３に対向するように、保持台４が配置されている。保持台４の上に被加工部材１０が載置される。
集光光学系３は、部分ビーム１２Ａと１２Ｂとを、被加工部材１０の内部の微小領域１３に集光する。微小領域１３及びその近傍においてレーザ光の密度が高くなる。このレーザ光の密度が、あるしきい値よりも高くなると、光学的非線型現象による吸収が起こると考えられる。この吸収に基づき、光学的損傷(Optical Damage)あるいは光学的絶縁破壊(Optical Breakdown) が生じ、被加工部材１０の微小領域１３が変質し、外部から視認し得るようになる。このようにして、被加工部材１０の内部にマーキングすることができる。
【００２３】微小領域１３から発生する光が、光検出器５により観測される。光検出器５の観測結果が位置調節手段６に通知される。一般的に、被加工部材１０の表面でアブレーションが生ずると、その内部で光学的損傷あるいは光学的絶縁破壊が起きている場合に比べて、発光強度が大きくなる。位置調節手段６は、光検出器５から得られた発光強度情報に基づいて、被加工部材１０の表面でアブレーションが生じないように、集光光学系３と保持台４とのレーザビームの光軸方向に関する相対位置を調節する。このようにして、
被加工部材１０の表面に損傷を与えることなく、その内部にマーキングすることが可能になる。
エ．「【００２７】なお、使用するレーザ光としては、被加工部材１０との組み合わせにより適当なものを選択する。例えば、石英ガラスにマーキングする場合には、石英ガラスに対して透明な波長領域、すなわち赤外線領域、可視光線領域、もしくは紫外線領域の波長を有するレーザ光を使用することができる。また、一般的な板ガラスにマーキングする場合には、板ガラスに対して透明な波長領域、すなわち赤外線領域もしくは可視光線領域の波長を有するレーザ光を使用することができる。
また、ガラス以外にも、例えばシリコン基板等にマーキングしたい場合には、シリコン基板に対して透明な波長領域のレーザ光を用いればよい。
 
オ．「【００２９】さらに、レーザ光源１として、パルスレーザ装置を用いることにより、被加工部材１０のマーキング部近傍の温度上昇を抑制することができる。このため、温度上昇による悪影響を回避し、マーキングされる深さ方向の位置を均一に揃えることが可能になる。なお、パルス幅の短いものを使用することが好ましい。これは、熱的効果の大きさがパルス幅の平方根に比例するためである。
具体的には、１ナノ秒以下のパルス幅で発振するレーザ光源を用いることが好ましい。
カ．「【００４０】このため、被加工部材１０の厚さ方向に関して、より短い領域にのみマーキングすることができ、クラックの表面への到達を抑制することが可能になる。」
キ．「【００７１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、被加工部材の内部に局所的にマーキングすることができる。
マーキングによるクラックの発生が表面まで到達しないようにできる
ク．上記ア．の段落【０００１】の「
薄板状の被加工部材
集光光学系３は、部分ビーム１２Ａと１２Ｂとを、被加工部材１０の内部の微小領域１３に集光する。
ガラス以外にも、例えばシリコン基板等にマーキングしたい場合には、シリコン基板に対して透明な波長領域のレーザ光を用いればよい。
具体的には、１ナノ秒以下のパルス幅で発振するレーザ光源を用いることが好ましい。
ケ．上記ウ．の段落【００２２】の「
集光光学系３は、部分ビーム１２Ａと１２Ｂとを、被加工部材１０の内部の微小領域１３に集光する。微小領域１３及びその近傍においてレーザ光の密度が高くなる。このレーザ光の密度が、あるしきい値よりも高くなると、光学的非線型現象による吸収が起こると考えられる。この吸収に基づき、光学的損傷(Optical Damage)あるいは光学的絶縁破壊(Optical Breakdown) が生じ、被加工部材１０の微小領域１３が変質し、外部から視認し得るようになる。
コ．上記ウ．の段落【００２２】の「
集光光学系３は、部分ビーム１２Ａと１２Ｂとを、被加工部材１０の内部の微小領域１３に集光する。微小領域１３及びその近傍においてレーザ光の密度が高くなる。このレーザ光の密度が、あるしきい値よりも高くなると、光学的非線型現象による吸収が起こると考えられる。この吸収に基づき、光学的損傷(Optical Damage)あるいは光学的絶縁破壊(Optical Breakdown) が生じ、被加工部材１０の微小領域１３が変質し、外部から視認し得るようになる。このようにして、被加工部材１０の内部にマーキングすることができる。
マーキングによるクラックの発生が表面まで到達しないようにできる
サ．したがって、甲第５号証には以下の発明（以下、「甲５発明」という。）が記載されているものと認められる。
「シリコン基板を含む薄板状の被加工部材１０の内部に集光させて、
１ナノ秒以下のパルス幅で発振するレーザ光を照射し、
　高いレーザ光の密度によって前記被加工部材の内部に光学的損傷あるいは光学的絶縁破壊が生じて変質した微小領域１３を形成し、
　この微小領域１３によって、前記被加工部材１０の内部にマーキングし、マーキングによるクラックの発生が表面まで到達しないようにする、
　被加工部材のマーキング方法。」
（６）甲第６号証に記載の事項 
　本件出願の優先日前である昭和５３年１２月２３日に頒布された甲第６号証には、以下のとおり記載されている。なお、下線は理解の便のため、当審で付与した。 
「レーザー光線を照射して孔や溝を形成したり切断することは多くの分野で行なわれている。
例えばトランジスタ、サイリスタ等の半導体装置は、一般に第１図に示すように、１枚のシリコンよりなる半導体ウェーハ１に、拡散等によって多数の半導体素子２を形成したのち、各半導体素子２、２間にＸ方向、Ｙ方向の溝３，３を形成し１次いで半導体ウェーハ１にローラー等により撓屈力を作用せしめて、前記溝３、３部分から切断分離して製造している。
前記溝３、３の形成にはダイヤモンドポイントを用いて引掻傷を刻設する機械的な方法と、レーザー光線を照射して半導体ウェーハの一部を溶融除去する物理的な方法とがある。
後者のレーザー光線を用いる方法は、非接触で加工所要時間が短く、かつ深い溝が形成できる利点がある。」（第１頁右欄第３行ないし１７行）
（７）甲第７号証に記載の事項
　本件出願の優先日前である２０００年６月８日に頒布された甲第７号証には、以下のとおり記載されている。なお、下線は理解の便のため、当審で付与したものであり、括弧内に当審での翻訳文を併記する。なお、請求人による翻訳文は一部について争いがあるため、翻訳文は当審が作成した。 
ア．「To the best of the applicant's knowledge, in contrast to marking or image production techniques, there does not exist any prior art which describes the use of volume optical breakdown in true material processing techniques, as used in industrial applications, such as cutting and drilling．This definition of the term material processing, which is commonly used in industrial laser terminology (where it also includes welding) is assumed throughout this patent specification．There therefore exists a serious need for new methods for industrial and other applications of optical volume breakdown phenomena in suitable materials.」（第３頁第１１ないし１８行）
（出願人が知る限りでは、マーキングやイメージ形成技術とは対照的に、切断や穿孔といった産業への応用に用いられている真のマテリアルプロセシング技術において、体積光学破壊を用いることを記載した先行技術はない。ここでいう「マテリアルプロセシング」という用語の定義は、産業用レーザの用語法（溶接も含む。）において通常用いられており、本特許明細書の全体にわたって前提とされている。したがって、適当な物質における、光学的な体積破壊現象を、産業その他へ応用するために、新しい方法が深刻に求められている。）
イ．「The present invention seeks to provide new methods for material processing using the volume optical breakdown phenomenon in optically transparent materials．This phenomenon occurs when the beam from a laser emitting ultra-short pulses of the order of tens of picoseconds or less, is focused into the volume of the material to be processed by means of a high quality focusing objective lens, such that a focal spot close to the diffraction limit for the laser wavelength is obtained within the material. Such short, high peak power pulses can be obtained for example, from temporally compressed backward stimulated Brillouin scattering (SBS) Nd:YAG lasers..
At such high power densities, of the order of 10 13  watts/cm 2 , the material undergoes optical breakdown, since the transmission limit of linear response to power is exceeded in the material, which then strongly absorbs the laser radiation. Because of the intense power density, atomic and molecular bonds of the material are broken down, and the material decomposes almost instantaneously into its most basic components, generally highly ionized component atoms.」（第３頁第２３行ないし第４頁第１０行）
（本発明は、光学的に透明な材料の体積光学破壊現象を利用してマテリアルプロセシングの新たな方法を提供しようとするものである。
この現象は、レーザ波長の回折限界に近い集束スポットが材料内で得られるような高品質の集束対物レンズによって、１０ピコ秒以下のレーザである超短パルスビームを、加工される材料の体積内に集束させたときに発生する。このような短い高ピークパワーパルスは、例えば、一時的に圧縮される後方誘導ブリユアン散乱(SBS)Nd:YAGレーザから得ることができる。
このような高パワー密度は、１０
13
watts/cm
2
のオーダーであり、材料は、光学破壊を起こす。その理由は、材料内でパワーに対する線形応答の遷移限界を超えた後、レーザ放射線が強く吸収されるからである。
ウ．「In accordance with yet another preferred embodiment of the present invention, there is further provided a method for ultra-fine cutting of transparent materials. The method can be similar to that described in the above mentioned drilling embodiment, but including the further step of drilling further holes closely spaced to each other such that a continuous cut channel is produced.
Alternatively and preferably, the focused laser beam is made to execute multiple traverses of the material to be cut, first of all at the surface of the material, and slowly working down through the material with a sawing motion, to produce a complete cut channel, which can extend right through the thickness of the material if desired.
In accordance with yet another preferred embodiment of the present invention, there is provided a method of performing material processing on a material substantially transparent to a laser radiation, and consisting of the steps of focusing pulses of the laser radiation into the volume of the material, the pulses being such that the material undergoes optical breakdown, and moving the focal point of the pulses of the laser radiation relative to the material according to a predetermined path.」（第６頁第２４行ないし第７頁第１０行）
（
本発明のさらに別の好ましい実施形態によれば、透明材料の超微細切断のための方法が提供される。この方法は、上記穿孔の実施例で説明したのと同様であるが、連続した切断溝が製造されるように互いに近接したさらなる穴を穿孔するさらなる工程を含んでいる。
あるいは、そして好ましくは、集束されたレーザビームは、切断する材料に対して複数回横断を実行するようにされる。レーザビームは、まず、材料の表面、そしてゆっくりと鋸運動により材料を徐々に下がっていき、所望であれば材料の厚さ分貫通する方向に延びる完全な切断溝を生成する。
本発明のさらに別の好ましい実施形態によれば、レーザー放射に対して実質的に透明な材料の上にマテリアルプロセシングを行う方法が提供される。その方法は、材料の体積内へレーザ放射のパルスを収束する工程、材料が光学破壊を生じるようなパルスとする工程、所定の経路に沿って材料に対するレーザ放射のパルスの焦点を移動させる工程を含む。）
エ．「In accordance with a further preferred embodiment of the present invention, there is also provided a method as described hereinabove and wherein the material is a glass, a plastic, a gemstone, or a semiconductor．」（第７頁第２１ないし２３行）
（
本発明のさらに好ましい実施形態によれば、また、上述したように、材料は、ガラス、プラスチック、宝石、または半導体であることを特徴とする方法が提供される。
オ．「There is even further provided in accordance with a preferred embodiment of the present invention a method as described hereinabove and wherein the moving the focal point of the pulses of the laser radiation relative to the material according to a predetermined path is synchronized in a predetermined manner with the emission of the pulses of the laser radiation．」（第７頁第３０行ないし第８頁第４行）
（本発明の好ましい実施形態によれば、上述したように、所定の経路に沿った材料に対するパルスレーザ放射の焦点の移動が、パルスレーザ放射の放出と、所定の方法で同期されることを特徴とする方法がまださらに提供される。）
カ．「Furthermore, in accordance with yet another preferred embodiment of the present invention, there is provided a method of drilling a hole through a sample of material substantially transparent to a laser radiation, and consisting of the steps of focusing pulses of the laser radiation through the volume of the sample, onto a location close to the surface of the sample further from the surface on which the laser radiation impinges, the pulses being of width shorter than 100 picoseconds, such that the material of the sample undergoes optical breakdown and produces a first hole, short in length compared with the thickness of the sample, and which breaks out of the surface of sample further from the surface on which the laser radiation impinges, moving the focal point of the pulses of the laser radiation back towards the surface on which the laser radiation impinges, by a predetermined distance, such that a second hole is produced by the optical breakdown of the material, the predetermined distance being such that the second hole just enters the first hole, and repeating the previous step until the first and second holes produce a continuous hole through the complete thickness of the sample.
There is also provided in accordance with a further preferred embodiment of the present invention a method as described hereinabove and wherein the material is a glass, a plastic, a semiconductor, or a gemstone.」（第９頁第２０行ないし第１０頁第８行）
（また、本発明のさらに別の好ましい実施形態によれば、レーザ放射に対して実質的に透明な材料のサンプルを通して穴を穿孔する方法が提供される。穴を穿孔する工程は、サンプルの体積内、つまり、レーザ放射が行われる表面から離れたサンプルの表面に近い場所へレーザ放射のパルスを収束する工程を含む。その工程では、１００ピコ秒より短い幅のパルスにより、サンプルの材料は光学破壊を受け、サンプルの厚さに比べれば短い径の大きさの１番目の孔を生成し、レーザ放射が行われる表面から離れたサンプルの表面外で破壊される。また、穴を穿孔する工程は、レーザ放射が行われる表面から所定距離後方へレーザ放射のパルスの収束点を移動する工程を含む。
その工程では、２番目の孔が、１番目の孔にちょうど入るような所定の距離の位置に材料の光学破壊により生成される。また、穴を穿孔する工程は、サンプルの厚さ分の連続する孔を生成するまで前記工程を繰り返すことを含む。
上述したように、材料は、ガラス、プラスチック、半導体、又は宝石であることを特徴とする方法も本発明の別の好ましい実施形態によって提供される。
キ．「This method is particularly useful in the semiconductor industry, where a need exists to mark silicon or gallium arsenide wafers with very high resolution identifying marks, and without doing so on the surface of the wafer, where the debris of a surface marking process would be detrimental to the level of cleanliness required in many of the wafer processing stages. Though marks can be applied by conventional microlithographic methods using photoresist and etching procedures, the internal laser marking method is vastly quicker, and is a simple one stage process, unlike the microlithographic method. Furthermore, the use of an internal marking method, such as that described in this embodiment of the present invention, leaves the surface of the wafer uncluttered with superfluous features. This advantage of this embodiment of the present invention becomes even more important when marking has to be applied at a chip level, rather than at a wafer level, since chip real estate is such a high value commodity. In the case of silicon, which is substantially transparent from about 1.1 μm to almost 5 μm, a laser emitting pulses at 1.9 μm is suitable for implementing the method of this embodiment.
A further method according to another preferred embodiment of the present invention, is that of using the volume optical breakdown effect to drill very parallel ultra-fine holes in transparent samples by means of a reverse drilling procedure. The method consists of the steps of first focusing an ultra-short pulse width laser, such as that described in the first preferred embodiment above, just inside the further surface of the sample through which the hole is to be drilled, and of firing a predetermined number of pulses. The volume optical breakdown incurred causes a narrow void or hole to be drilled, with the debris being ejected forward, in the beam direction, and away from the sample. It is known that in this method, the interaction mechanism of the laser with the material is that of optical breakdown, since a plume of plasma is seen ejected from the front end of the drilled hole. The void formed has a diameter of the same order of magnitude as the focal size of the laser drilling beam, and is typically only 1 μm in plastic materials, or 2 μm to 3 μm in more refractory materials such as glass or sapphire.
In the next step, the focal position of the laser is moved back a distance of 0.1 - 10 μm, depending on the material and another series of pulses is fired. This extends the void to join the already existent void. In this way, a complete hole is drilled through the sample by means of optical breakdown interactions. Since the hole is reverse drilled, the ejected debris, plasma and gases do not cause the hole to be widened as it is drilled, and good parallelism and high uniformity of bore size can thus be obtained．」（第１２頁第２７行ないし第１４頁第３行）
（この方法は、半導体産業において特に有用であり、半導体産業では、表面以外に非常に高解像度の識別マークを有するように、シリコンまたはガリウム砒素ウェーハをマークする必要性が存在している。表面にマークが必要ないのは、表面マーキングプロセスのデブリが、ウエハの処理段階の多くでは、要求される清浄度のレベルに悪影響を及ぼすからである。マークは、フォトレジスト及びエッチング法を使用して従来のマイクロリソグラフィ法によって適用することができるが、内部レーザーマーキング方法はマイクロリソグラフィ方法とは違い、非常に迅速で、簡単な１段階プロセスで、実施することができる。さらに、本発明のこの実施形態に記載されたような、内部マーキング方法を利用すれば、必要以上の特徴を有する整頓されたウエハ表面を残すこととなる。本発明のこの実施形態のこの利点は、マーキングは、ウエハレベルではなくチップレベルで適用しなければならない場合に一層重要となる。なぜなら、チップ関連の不動産は高価値の商品だからである。シリコンが、約１．１μｍから約５μｍに対して実質的に透明の場合には、本実施形態の方法を実施するのには１．９μｍのレーザパルスが適している。
本発明の別の好適な実施形態によるさらなる方法は、逆穿孔手順により、透明なサンプルに非常に平行な超微細孔を形成するために、体積光学破壊の効果を使用することである。この方法は、貫通孔が穿孔されるべきサンプルの他の面のちょうど内側に、上記第１の実施形態で記載されているような、超短パルス幅レーザを収束させる第１の工程、及び所定数のパルスを点火する工程からなる。体積光学破壊により、穿孔された狭い空隙または孔が生じ、ビーム方向において前方に、サンプルから離れる方に破片が射出される。この方法では、材料とレーザーとの相互作用機構は、光学破壊のことであることが知られている。なぜなら、プラズマのプルームは、あけられた穴の前端から排出されるからである。
形成された空隙はレーザー穿孔ビームの焦点サイズと同程度の大きさの直径を有し、プラスチック材料では主に１μｍしかなく、ガラスまたはサファイアのようなより耐熱性のある材料では、２μｍから３μｍとなる。
次のステップでは、レーザの焦点位置を材料に応じて０．１−１０μｍの距離後方へ移動させ、別の一連のパルスが発射される。この空隙は、既存の空隙に結びつくように延びている。このようにして、完全な孔が、光学破壊の相互作用によってサンプルを貫通して穿孔されている。
ク．「According to another preferred embodiment of the present invention, a method of microscopic cutting of such transparent materials is provided, whereby a number of holes are drilled sufficiently closely spaced to each other, that adjacent bores run into each other, resulting in the production of a continuous cut channel according to a predetermined path
Alternatively and preferably, the focused laser beam is made to execute multiple traverses of the material to be cut, according to a predetermined path, the first traverse being at the surface of the material, and then slowly working down through the material with a sawing motion, to produce a complete cut channel, which can extend right through the thickness of the material if desired． Alternatively, the cut can be commenced at the far surface of the sample, and the sawed channel moved up through the sample towards the laser impingement surface. These methods of cutting, according to the present invention, are particularly advantageous in diamond processing, where a minimum of material is removed, and in the semiconductor industry, where there is a need to cut extremely fine and smooth channels. The use of these methods enables a smooth cut of width less than 10 μm to be produced through a thickness of 0.2 mm. of glass.」（第１４頁第２１行ないし第１５頁第８行）
（本発明の別の好ましい実施形態によれば、
多数の孔が相互に十分に近接して配置されており、それにより、隣接する孔は互いに混ざり合い、所定の経路に沿った連続切断溝を生産することとなる透明材料の微細切断の方法が提供される。
あるいは、そして好ましくは、
収束されたレーザビームは所定の経路に沿って、切断される材料を複数回横断することとなる。収束されたレーザビームの第１の横断は材料の表面において行われ、それからゆっくりと鋸運動により材料の下の方へ移動され、完全な切断溝を形成し、所望であれば材料の厚さを貫通するまで延ばすことができる。もしくは、切断は、サンプルの遠い側の表面から開始されてもよく、その場合は、鋸引きで形成された溝がレーザ照射が行われる表面の方へ上がっていくこととなる。本発明によれば、これらの切断方法は、特にダイヤモンド加工に有益である。なぜなら、最小の材料しか除去されないからである。また、これらの切断方法は、半導体産業においても有益である。なぜなら、半導体産業では、極端に微細で滑らかな切断溝が要求されるからである。
ケ．上記イ．の「
この現象は、レーザ波長の回折限界に近い集束スポットが材料内で得られるような高品質の集束対物レンズによって、１０ピコ秒以下のレーザである超短パルスビームを、加工される材料の体積内に集束させたときに発生する。
本発明のさらに好ましい実施形態によれば、また、上述したように、材料は、ガラス、プラスチック、宝石、または半導体であることを特徴とする方法が提供される。
集束されたレーザビームは、切断する材料に対して複数回横断を実行するようにされる。レーザビームは、まず、材料の表面、そしてゆっくりと鋸運動により材料を徐々に下がっていき、所望であれば材料の厚さ分貫通する方向に延びる完全な切断溝を生成する。
上述したように、材料は、ガラス、プラスチック、半導体、又は宝石であることを特徴とする方法も本発明の別の好ましい実施形態によって提供される。
収束されたレーザビームは所定の経路に沿って、切断される材料を複数回横断することとなる。収束されたレーザビームの第１の横断は材料の表面において行われ、それからゆっくりと鋸運動により材料の下の方へ移動され、完全な切断溝を形成し、所望であれば材料の厚さを貫通するまで延ばすことができる。もしくは、切断は、サンプルの遠い側の表面から開始されてもよく、その場合は、鋸引きで形成された溝がレーザ照射が行われる表面の方へ上がっていくこととなる。
コ．上記イ．の「
この現象は、レーザ波長の回折限界に近い集束スポットが材料内で得られるような高品質の集束対物レンズによって、１０ピコ秒以下のレーザである超短パルスビームを、加工される材料の体積内に集束させたときに発生する。このような短い高ピークパワーパルスは、例えば、一時的に圧縮される後方誘導ブリユアン散乱(SBS)Nd:YAGレーザから得ることができる。
このような高パワー密度は、１０
13
watts/cm
2
のオーダーであり、材料は、光学破壊を起こす。その理由は、材料内でパワーに対する線形応答の遷移限界を超えた後、レーザ放射線が強く吸収されるからである。
サ．上記キ．の「
体積光学破壊により、穿孔された狭い空隙または孔が生じ、ビーム方向において前方に、サンプルから離れる方に破片が射出される。この方法では、材料とレーザーとの相互作用機構は、光学破壊のことであることが知られている。なぜなら、プラズマのプルームは、あけられた穴の前端から排出されるからである。
形成された空隙はレーザー穿孔ビームの焦点サイズと同程度の大きさの直径を有し、プラスチック材料では主に１μｍしかなく、ガラスまたはサファイアのようなより耐熱性のある材料では、２μｍから３μｍとなる。
シ．上記ウ．の「
本発明のさらに別の好ましい実施形態によれば、透明材料の超微細切断のための方法が提供される。この方法は、上記穿孔の実施例で説明したのと同様であるが、連続した切断溝が製造されるように互いに近接したさらなる穴を穿孔するさらなる工程を含んでいる。あるいは、そして好ましくは、集束されたレーザビームは、切断する材料に対して複数回横断を実行するようにされる。レーザビームは、まず、材料の表面、そしてゆっくりと鋸運動により材料を徐々に下がっていき、所望であれば材料の厚さ分貫通する方向に延びる完全な切断溝を生成する。
収束されたレーザビームは所定の経路に沿って、切断される材料を複数回横断することとなる。収束されたレーザビームの第１の横断は材料の表面において行われ、それからゆっくりと鋸運動により材料の下の方へ移動され、完全な切断溝を形成し、所望であれば材料の厚さを貫通するまで延ばすことができる。もしくは、切断は、サンプルの遠い側の表面から開始されてもよく、その場合は、鋸引きで形成された溝がレーザ照射が行われる表面の方へ上がっていくこととなる。
　また、上記カ．の「
その工程では、２番目の孔が、１番目の孔にちょうど入るような所定の距離の位置に材料の光学破壊により生成される。また、穴を穿孔する工程は、サンプルの厚さ分の連続する孔を生成するまで前記工程を繰り返すことを含む。
この空隙は、既存の空隙に結びつくように延びている。このようにして、完全な孔が、光学破壊の相互作用によってサンプルを貫通して穿孔されている。
　さらに、上記ウ．の「
この方法は、上記穿孔の実施例で説明したのと同様であるが、連続した切断溝が製造されるように互いに近接したさらなる穴を穿孔するさらなる工程を含んでいる。
多数の孔が相互に十分に近接して配置されており、それにより、隣接する孔は互いに混ざり合い、所定の経路に沿った連続切断溝を生産することとなる透明材料の微細切断の方法が提供される。
　したがって、甲第７号証には、「空隙を前記材料の表面から鋸運動により所定の経路に沿って、複数結びつかせることによって、前記材料を切断する、材料の切断方法。」が記載されている。
ス．したがって、甲第７号証には以下の発明（以下、「甲７発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ガラス、プラスチック、宝石、または半導体等の材料の内部にレーザビームを収束させて、
光学破壊を起こすハイパワー密度のオーダー（桁）が1013watts/cm2でかつパルス幅のオーダー（桁）が10ピコ秒又はそれより短い条件でレーザビームを照射し、
前記材料の内部に光学破壊により空隙を形成し、
　この空隙を前記材料の表面から鋸運動により所定の経路に沿って、複数結びつかせることによって、前記材料を切断する、
　材料の切断方法。」
第６．当審の判断 
１．無効理由１についての検討
（１）本件発明１について
ア．甲１発明との対比
　本件発明１と甲１発明とを対比する。
　甲１発明の「厚板の合成石英ガラス」は、加工対象となるものであるから、本件発明１の「加工対象物」に相当する。同様に、「焦点」は、「集光点」に、「レーザビーム」は「レーザ光」に、「切断加工方法」は、「切断方法」にそれぞれ相当する。
　また、本件発明１の「改質領域」は、レーザによって改質された領域であって、クラック領域を含むものであるから、甲１発明の「クラック」は、本件発明１の「改質領域」に相当する。
　してみると、本件発明１と甲１発明とは以下の一致点及び相違点を有する。
（一致点）
　「加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する、加工対象物切断方法。」
（相違点１）
　本件発明１は、加工対象物が「半導体材料からなるウェハ状」のものであるのに対し、甲１発明は、「厚板の合成石英ガラス」である点。
（相違点２）
　本件発明１においては、切断工程が、「この改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる」という工程であって、切断の起点を加工対象物の内部に形成するのに対し、甲１発明においては、切断工程が、「切断予定線に沿ってワークを水平面内で移動させつつ焦点の位置を前記合成石英ガラスの底面から上方向に移動させることによって、微細なクラックを合成石英ガラスの内部で連続させ、合成石英ガラスを複雑な形状に切断加工する」という工程であって、焦点の位置を対象物である石英ガラスの底面から上方向へ移動させることで微細なクラックを連続させて切断するものである点。
イ．相違点の検討
（ア）上記相違点１について検討する。
　甲第１号証の第２頁左上欄第２〜５行には、「石英ガラスなどの透明材料を複雑な形状に切断加工することを目的とし、被加工物の厚味に影響を受けず、厚板であっても自由な切断加工を可能とすることを目的としている。」と記載されている。一方、甲第４号証に記載されているような半導体素子を製造する半導体ウエハーは、通常は薄板状のものであるとともに、半導体チップへの切り分けのために直線状に切断されることは要求されるものの、厚板から円柱状等の複雑な形状に加工する必要性は特段知られていない。してみると、厚板である石英ガラスなどの透明材料について複雑な形状に切断加工するものである甲１発明において、切断加工対象を半導体材料からなるウェハ状の加工対象物とする動機付けが存在せず、上記相違点１に係る半導体材料からなるウエハ状のものを加工対象とすることは当業者であっても容易ではない。
（イ）上記相違点２について検討する。
　甲１発明においては、合成石英ガラスを切断するために、「焦点の位置を前記合成石英ガラスの底面から上方向に移動させることによって、微細なクラックを合成石英ガラスの内部で連続させ」るものであるから、微細なクラック同士が底面から上方向へ連続して切断面を形成するものと認められる。一方、本件発明１は、半導体材料を切断するために、「前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる」という工程を有するものであるから、内部の切断の起点から外部に向けて割れを進行させるものとなり、クラック同士を連続させて切断する甲１発明とは切断の機序が異なるものである。また、上記第５．（２）ないし（７）に記載したように、甲第２号証はガラス物体の破断方法、甲第３号証はレーザ光による屈折率の変化を利用したマーキング方法、甲第４号証は半導体ウエハーであるサファイア基板の切断方法、甲第５号証は被加工部材のマーキング方法、甲第６号証はレーザー光線照射による半導体ウェーハ−の一部の溶融除去、甲第７号証は半導体材料等のレーザ光の鋸運動による切断方法を示すものであって、本件発明１の上記工程を開示するものではない。そうすると、いずれの証拠も切断の起点となる領域を形成する上記工程を開示していないし、そのような工程を採用する動機づけもないから、甲１発明において、上記相違点２の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
（ウ）なお、審判請求人は、令和元年８月９日付け口頭審理陳述要領書において、「透明材料の表面（底面、入射面）が分離される（その結果、透明材料が切断される）のは、あくまで透明材料内部に形成された微小クラックを起点とするクラックの進展によることが明らかである」旨及び「ガラス内部に、このように螺旋状に微小なクラックを形成して、円筒を切り出すことが可能となるためには、当然、微小なクラックを起点として、連続的なクラックが厚さ方向に、表面に至るまで進展することが必要である。このように、実施例１からも、内部に形成された微小なクラックから、表面に向かってクラックが進展するという過程が、切断加工方法に必然的に含まれていることは明らかである。」旨主張しているが、甲１発明では、「焦点の位置を前記合成石英ガラスの底面から上方向に移動させることによって、微細なクラックを合成石英ガラスの内部で連続させ」ているものであるから、透明材料内部に形成された微小クラックを起点としてクラックを進展させることを予定していないし、内部に形成された微小なクラックから、表面に向かってクラックが進展するという過程が、レーザーによる切断加工方法に必然的に含まれていることは明らかということもできない。
　また、審判請求人は、令和元年１０月１１日付け上申書においても「材料内部に微小なクラックを発生させると記載され、材料表面に微小なクラックを発生させるとの記載がないのであれば、特段の事情がない限り、材料表面には微小なクラックを発生させないと解するのが常識的である。」旨主張しているが、上記のように、甲１発明では、「焦点の位置を前記合成石英ガラスの底面から上方向に移動させることによって、微細なクラックを合成石英ガラスの内部で連続させ」ているものであって底面より上方の合成石英ガラスの内部から、焦点位置を始めることは記載がないのであるから、底面に微細なクラックを発生させるもの、すなわち材料表面に微小なクラックを発生させていると解釈すべきである。
ウ．有利な効果
　また、本件発明１は、上記相違点１及び相違点２に係る構成を備えることにより、本件特許明細書の段落【００４２】に記載されているような「加工対象物の内部に溶融処理領域を形成する場合、割断時、切断予定ラインから外れた不必要な割れが生じにくいので、割断制御が容易となる。」といった効果や、本件特許明細書の段落【００６０】に記載されているような「半導体チップに切断予定ラインから外れた不必要な割れや溶融が生じることなく、半導体チップを半導体ウェハから切り出すことができる。」といった効果、また、「加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりを向上させることができる。」といった甲１発明と比較して有利な効果を奏する。
エ．してみると、本件発明１は甲１発明及び甲第２ないし７号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。 
（２）本件発明２ないし３１について 
ア．本件発明２ないし６及び１５は、本件発明１と同様の「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」及び「加工対象物の内部」に「切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる」工程を備えるものであるから、本件発明２ないし６及び１５は、上記相違点１及び２と同様の相違点を有する。
　そして、本件発明２ないし６及び１５において、相違点１及び相違点２の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは、前記（１）イ．（ア）及び（イ）に示したのと同様である。
イ．本件発明７と甲１発明とを対比すると、両者は上記相違点１及び２と同様の相違点を有する。また、本件発明７は、「複数のレーザ光源から出射された各レーザ光を前記加工対象物の内部に集光点を合わせて異なる方向から照射する」という構成を備えるのに対し、甲１発明は、複数のレーザ光源を用いているか否か不明な点で相違する（以下、相違点３という）。
　また、本件発明８ないし１４、１６及び１７も、甲１発明と対比すると、上記相違点１ないし３と同様の相違点を有する。
　そして、本件発明７ないし１４、１６及び１７において、相違点１及び相違点２の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは、前記（１）イ．（ア）及び（イ）に示したのと同様である。
ウ．本件発明１８と甲１発明とを対比すると、両者は上記相違点１及び２と同様の相違点を有する。また、本件発明１８は、「単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、又は単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域である溶融処理領域を形成」するのに対し、甲１発明は、そのような溶融処理領域を形成しているか否か不明な点で相違する（以下、相違点４という）。
　また、本件発明３１も、甲１発明と対比すると、上記相違点１、２及び４と同様の相違点を有する。
　そして、本件発明１８及び３１において、相違点１及び相違点２の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは、前記（１）イ．（ア）及び（イ）に示したのと同様である。
エ．本件発明１９と甲１発明とを対比すると、両者は上記相違点１と同様の相違点を有するのに加え、本件発明１９は、「加工対象物の内部」に「改質領域を形成することで、この改質領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断する」のに対し、甲１発明は、焦点の位置を対象物である石英ガラスの底面から上方向へ移動させることで微細なクラックを連続させて切断するものである点でも相違する（以下、相違点５という。）。そして、相違点１の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは前記（１）イ．（ア）に示したのと同様である。また、相違点５に関し、本件発明１９でも加工対象物の内部に切断の起点となる領域（改質領域）を形成し、クラック同士を連続させて切断する甲１発明とは切断の機序が異なるものであるから、前記（１）イ．（イ）において相違点２について検討したのと同様の理由により、甲１発明において、上記相違点５の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
　また、本件発明２０ないし２８も、甲１発明と対比すると、上記相違点１及び５と同じ相違点を有するものであるから、相違点１の判断については、上記（１）イ．（ア）に示したのと同様の理由により、また、相違点５の判断については、本件発明１９と同様の理由により、甲１発明において、上記相違点１及び相違点５の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
オ．本件発明２９と甲１発明とを対比すると、両者は上記相違点１及び４と同様の相違点を有するのに加え、本件発明２９は、「加工対象物の内部」に「溶融処理領域領域を形成することで、この溶融処理領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断する」のに対し、甲１発明は、焦点の位置を対象物である石英ガラスの底面から上方向へ移動させることで微細なクラックを連続させて切断するものである点でも相違する（以下、相違点６という。）。そして、相違点１の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは前記（１）イ．（ア）に示したのと同様である。また、相違点６に関し、本件発明２９でも加工対象物の内部に切断の起点となる領域（溶融処理領域）を形成し、クラック同士を連続させて切断する甲１発明とは切断の機序が異なるものであるから、前記（１）イ．（イ）において相違点２について検討したのと同様の理由により、甲１発明において、上記相違点６の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
　また、本件発明３０も、甲１発明と対比すると、上記相違点１、４及び６と同じ相違点を有するものであるから、相違点１の判断については、上記（１）イ．（ア）に示したのと同様の理由により、また、相違点６の判断については、本件発明２９と同様の理由により、甲１発明において、上記相違点１及び相違点６の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
カ．したがって、本件発明２ないし３１も、甲１発明及び甲第２ないし７号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
（３）無効理由１についてのむすび
　よって、本件発明１ないし３１については、請求人が主張する無効理由１は成立しない。
２．無効理由２についての検討
（１）本件発明１について
ア．甲４発明との対比
　本件発明１と甲４発明とを対比する。
　甲４発明の「焦点」は、本件発明１の「集光点」に相当する。同様に、「加工変質層２０６」は「改質領域」にそれぞれ相当する。
　本件発明１の「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」の解釈として、「半導体材料からなる」という語は、加工対象物を修飾しているから、「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」という記載において、加工対象物は半導体材料から構成されるものであると認められる。一方、甲４発明の「サファイア基板２０１」は、半導体ウエハーの基板であり、加工対象物となるものであるが、サファイアは半導体材料ではない。そうすると、甲４発明の「サファイア基板２０１」を本件発明１の「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」と対比すると、「ウェハ状の加工対象物」を限度として一致する。
　してみると、本件発明１と甲４発明とは以下の一致点及び相違点を有する。
（一致点）
「ウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に改質領域を形成する、加工対象物切断方法。」
（相違点１）
　加工対象物が、本件発明１は、「半導体材料」であるのに対し、甲４発明は、「サファイア基板２０１」である点。
（相違点２）
　加工対象物の内部に改質領域を形成するのに際し、本件発明１は、多光子吸収によって形成するのに対し、甲４発明は、多光子吸収によって形成しているか否か不明な点。
（相違点３）
　本件発明１においては、切断工程が、「この改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる」という工程であって、改質領域が切断の起点となるのに対し、甲４発明においては、切断工程が、「この加工変質層２０６によって、前記基板２０１の底面付近の基板内部に、ローラー荷重をかけた場合の割れ方を制御するためのスクライブ・ラインを形成した後、溝部２０４を形成し、前記溝部２０４の底面にスクライブ・ライン２０７を形成し、その後、前記溝部２０４に沿ってローラーによって荷重をかけ、前記半導体ウエハーを切断する」という工程であって、基板２０１を切断するものの、加工変質層２０６によるスクライブ・ラインが切断の起点となるか否か不明な点。
イ．相違点の検討
（ア）上記相違点１について検討する。
　甲第４号証の段落【０００５】には、「サファイアやスピネルなどに積層される窒化物半導体はヘテロエピ構造である。窒化物半導体はサファイア基板などとは格子定数不整が大きい。また、サファイア基板は六方晶系という結晶構造を有しており、その性質上へき開性を有していない。さらに、サファイア、窒化物半導体ともモース硬度がほぼ９と非常に硬い物質である。」と記載され、それに続く段落【０００６】には、「したがって、ダイヤモンドスクライバーで切断することは困難であった。また、ダイサーでフルカットすると、その切断面にクラック、チッピングが発生しやすく綺麗に切断できなかった。」と記載されている。したがって、甲４発明では、モース硬度が高く、劈開性がないサファイア基板において、クラック、チッピングを発生させずに綺麗に切断するという課題を解決することが求められていたものであるところ、甲４発明において加工対象物をサファイア基板以外のものとすることは、上記課題を解決するものではなくなるから、このような材料を変更する動機が存在しない。したがって、甲４発明において、上記相違点１の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
（イ）上記相違点２について検討する。
　甲第１号証の第３頁左上欄第１〜６行には、「エキシマレーザはすべて波長が１４０ｎｍより長いので、通常は吸収が起きないはずである。しかし、前記の、多光子吸収によって吸収が起こり、このため結合ボンドの開裂あるいは発熱作用を生じ微細なクラックが内部に発生するのである。」と記載されており、レーザを用いた多光子吸収によって材料の内部にクラックを発生させるという技術的事項が記載されている。
　そして、甲４発明は、レーザ光線を照射し、サファイア基板２０１の内部に微視的なマイクロ・クロックの集合である加工変質層２０６を形成するものである。
　してみると、甲４発明と甲第１号証に記載された技術的事項はいずれも、レーザ光を用いて加工対象物の内部にクラックを発生させるという点では共通しているから、甲４発明に、甲第１号証の上記技術的事項を適用し、甲４発明において、サファイア基板２０１の内部に加工変質層２０６を形成するにあたり、多光子吸収によって形成するようにすることは当業者であれば容易になし得たことであるといい得る。
（ウ）上記相違点３について検討する。
　甲４発明においては、サファイア基板を切断するために、「加工変質層２０６によって、前記基板２０１の底面付近の基板内部に、ローラー荷重をかけた場合の割れ方を制御するためのスクライブ・ラインを形成した後、溝部２０４を形成し、前記溝部２０４の底面にスクライブ・ライン２０７を形成し、その後、前記溝部２０４に沿ってローラーによって荷重をかけ、前記半導体ウエハーを切断」している。そして、甲４発明では、ローラを表裏どちらの面に当接させるかについては特定がなく、切断の起点がどこであるかに関しても説明はない。したがって、甲４発明の切断方法で、いずれかの箇所において切断の起点は生じると推測できるものの必ずしも加工変質層２０６によるスクライブラインが切断の起点となっているとはいえず、本件発明１のように、半導体材料を切断するために、「前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる」という工程を有しているとまでとはいえない。むしろ、甲４発明は劈開性のないサファイア基板について溝部２０４及び溝部２０４底面のスクライブライン２０７を有するものであり、加工変質層２０６によるスクライブラインは、割れ方を制御するためのものであること、ローラーが溝部に沿って荷重をかけるものであることに鑑みれば、溝部２０４の底面を起点として割れが生じ、その割れを制御すべく加工変質層２０６によるスクライブラインが機能すると考えるのが自然ともいえる。また、この工程については、上記第５．（１）ないし（３）及び（５）ないし（７）の記載によれば、甲第１ないし３号証及び甲第５ないし７号証についても記載されていないことから、甲４発明において、上記相違点３の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
（エ）なお、審判請求人は、令和元年８月９日付け口頭審理陳述要領書において、「甲第４号証の請求項１では、レーザーの焦点に形成したスクライブ・ラインに沿って半導体ウエハーを分離する構成が記載され、これに従属する請求項４では、スクライブ・ラインは基板内部に形成された加工変質層であるとの構成が記載されている。かかる構成においては、溝は必須の構成とされておらず、溝を形成せずとも効果を奏する発明として開示されている。」旨主張している。しかしながら、前記第５（４）ソ．に述べたとおり、甲第４号証の課題は、サファイア基板に溝部を設けることにより解決することのみが示され、劈開性のないサファイア基板に溝部及びスクライブ・ラインを設けたものが開示されるのみであって、溝部を有さない構成が開示されているとはいえない。また、甲第４号証では、溝を形成せずに切断している実施例は存在せず、溝を形成せずにサファイア基板を切断する場合に、どのように切断するかは明らかではない。また、仮に溝が形成されていないサファイア基板を切断するとしても、切断の起点が基板内部の加工変質層から必ず発生するということは、甲第４号証の記載からは読み取れない。
　また、審判請求人は、令和元年８月９日付け口頭審理陳述要領書において、「実際、段落【００２２】には、『本発明の方法により窒化物半導体素子の分離ガイドとなるスクライブ・ラインを窒化物半導体層を損傷することなく窒化物半導体ウエハーを透過してレーザー照射面以外の任意の点に形成することができる。』との記載があり、切断の起点となる『分離ガイド』は、溝ではなくスクライブ・ラインであることが明示されている。」とも主張している。しかしながら、当該段落【００２２】の記載からはスクライブ・ラインをレーザー照射面以外の任意の点に形成できることは読み取れるが、切断の起点となる「分離ガイド」が、溝ではなくスクライブ・ラインであることは読み取れない。
　さらに、審判請求人は、令和元年９月９日付け口頭審理陳述要領書において、図１として、下面付近の内部に縦長断面の空隙を有する基板に、ローラーによって上面に荷重をかけた状態の模式図を示し、図２に応力分布の数値シミュレーションの結果を示し、図１及び図２におけるＢ点が特異点であるため、Ｂ点を起点としてＡ点に向かって破断が生じ、しかる後に、残った特異点であるＣ点を起点として、Ｄ点に向かって破断が生じることになると考えられ、切断の起点は下面ではなく、スクライブ・ライン２０６である旨主張している。また、審判請求人は、令和元年１０月１１日付け上申書においても、「基板内部の空隙の末端に最も応力が集中するのであり、ここが切断の起点となる。」旨主張している。しかしながら、甲第４号証には、溝部（スクライブ・ライン）に沿ってローラーによって基板に荷重をかける程度の記載（段落【００４７】）しかなく、溝部（スクライブ・ライン）が存在することを前提として、当該溝部に沿って、ローラーによって基板に荷重を付与することは理解できるものの、溝部を有さない場合はそもそも予定していない上、基板に対してどちらの面にどのように荷重をかけるのか具体的な態様は示されていない。したがって、審判請求人が主張するように、甲第４号証において、切断の起点が特異点であるＢ点、つまりスクライブ・ライン２０６であるということが開示されているとまでは言えない。なお、令和元年９月９日付け口頭審理陳述要領書において開示されている図１及び図２及びその関連する記載は、甲第４号証に開示されている内容ではなく、本件特許出願後に審判請求人が記載したものであって独自の見解に基づくものであるから、本件特許出願時の技術常識や周知技術を示すものではなく、新規性・進歩性を考慮する際の証拠とはなり得ない。
ウ．有利な効果
　また、本件発明１は、上記相違点１ないし相違点３に係る構成を備えることにより、本件特許明細書の段落【００４２】に記載されているような「加工対象物の内部に溶融処理領域を形成する場合、割断時、切断予定ラインから外れた不必要な割れが生じにくいので、割断制御が容易となる。」といった効果や、本件特許明細書の段落【００６０】に記載されているような「半導体チップに切断予定ラインから外れた不必要な割れや溶融が生じることなく、半導体チップを半導体ウェハから切り出すことができる。」といった効果等の甲４発明と比較して有利な効果を奏する。
エ．してみると、上記（ア）及び（ウ）から、上記（イ）に関わらず、本件発明１は甲４発明及び甲第１号証ないし甲第３号証及び甲第５号証ないし甲第７号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。 
（２）本件発明２ないし３１について 
ア．本件発明２ないし６及び１５は、本件発明１と同様の「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」及び「加工対象物の内部」に「切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる」工程を備えるものであるから、本件発明２ないし６及び１５は、上記相違点１及び３と同様の相違点を有する。
　そして、本件発明２ないし６及び１５において、相違点１及び相違点３の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは、前記（１）イ．（ア）及び（ウ）に示したのと同様である。
イ．本件発明７と甲４発明とを対比すると、両者は上記相違点１ないし３と同様の相違点を有する。また、本件発明７は、「複数のレーザ光源から出射された各レーザ光を前記加工対象物の内部に集光点を合わせて異なる方向から照射する」という構成を備えるのに対し、甲４発明は、複数のレーザ光源を用いているか否か不明な点で相違する（以下、相違点４という）。
　また、本件発明８ないし１４、１６及び１７も、甲４発明と対比すると、上記相違点１ないし４と同様の相違点を有する。
　そして、本件発明７ないし１４、１６及び１７において、相違点１及び相違点３の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは、前記（１）イ．（ア）及び（ウ）に示したのと同様である。
ウ．本件発明１８と甲４発明とを対比すると、両者は上記相違点１及び３と同様の相違点を有する。また、本件発明１８は、「単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、又は単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域である溶融処理領域を形成」するのに対し、甲４発明は、そのような溶融処理領域を形成しているか否か不明な点で相違する（以下、相違点５という）。
　また、本件発明３１も、甲４発明と対比すると、上記相違点１、３及び５と同様の相違点を有する。
　そして、本件発明１８及び３１において、相違点１及び相違点３の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは、前記（１）イ．（ア）及び（ウ）に示したのと同様である。
エ．本件発明１９と甲４発明とを対比すると、両者は上記相違点１と同様の相違点を有するのに加え、本件発明１９は、「加工対象物の内部」に「改質領域を形成することで、この改質領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断する」のに対し、甲４発明は、基板２０１を切断するものの、加工変質層２０６によるスクライブ・ラインが切断の起点となるか否か不明な点でも相違する。（以下、相違点６という。）。そして、相違点１の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは、前記（１）イ．（ア）に示したのと同様である。また、相違点６に関し、本件発明１９では加工対象物の内部に切断の起点となる領域（改質領域）を形成するのに対し、甲４発明では切断の起点がどこになるか不明であるから、前記（１）イ．（ウ）において相違点３について検討したのと同様の理由により、甲４発明において、上記相違点６の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
　また、本件発明２０ないし２８も、甲１発明と対比すると、上記相違点１及び６と同様の相違点を有するものであるから、相違点１の判断については、上記（１）イ．（ア）に示したのと同様の理由により、また、相違点６の判断については、本件発明１９と同様の理由により、甲４発明において、上記相違点１及び６の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
オ．本件発明２９と甲４発明とを対比すると、両者は上記相違点１及び５と同様の相違点を有するのに加え、本件発明２９は、「加工対象物の内部」に「溶融処理領域領域を形成することで、この溶融処理領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断する」のに対し、甲４発明は、基板２０１を切断するものの、加工変質層２０６によるスクライブ・ラインが切断の起点となるか否か不明な点でも相違する。（以下、相違点７という。）。そして、相違点１の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは、前記（１）イ．（ア）に示したのと同様である。また、相違点７に関し、本件発明２９では加工対象物の内部に切断の起点となる領域（溶融処理領域）を形成するのに対し、甲４発明では切断の起点がどこになるか不明であるから、前記（１）イ．（ウ）において相違点３について検討したのと同様の理由により、甲４発明において、上記相違点７の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
　また、本件発明３０も、甲１発明と対比すると、上記相違点１、５及び７と同様の相違点を有するものであるから、相違点１の判断については、上記（１）イ．（ア）に示したのと同様の理由により、また、相違点７の判断については、本件発明２９と同様の理由により、甲４発明において、上記相違点１及び７の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
カ．したがって、本件発明２ないし３１も、甲４発明及び甲第１ないし３号証及び甲第５ないし７号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
（３）無効理由２についてのむすび
　よって、本件発明１ないし３１については、請求人が主張する無効理由２は成立しない。
３．無効理由３についての検討
　甲第２号証は、無効２００５−８０１６６事件の審決における甲第１号証であり、同一の事実及び同一の証拠が対象となっているから、一事不再理（旧特許法１６７条）に該当する蓋然性が高いが、審判請求人が、令和元年８月９日付け口頭審理陳述要領書において、無効理由３は、２００５年事件審決と「同一の事実及び同一の証拠」が対象ではなく、一事不再理（旧特許法１６７条）には当たらない旨主張している旨も勘案し、無効理由３についても一応検討する。
（１）本件発明１について
ア．甲２発明との対比
　本件発明１と甲２発明とを対比する。
　甲２発明の「ガラス物体」は、本件発明１の「加工対象物」に相当する。以下、同様に、「焦点」は、「集光点」に、「レーザ」は「レーザ光」に、「分割線」は「切断予定ライン」に、「破断方法」は「切断方法」にそれぞれ相当する。
　また、本件発明１の「改質領域」は、レーザによって改質された領域であってクラック領域等を含むものであるから、甲２発明の「微小亀裂」は、本件発明１の「改質領域」に相当する。
　さらに、甲２発明の「破断開封する」ことは、ガラス物体の厚さ方向に割れを発生させることとなるから、本件発明１の「厚さ方向に向かって割れを発生させる」ことに相当する。
　してみると、本件発明１と甲２発明とは以下の一致点及び相違点を有する。
（一致点）
「加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に改質領域を形成し、この改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる、加工対象物切断方法。」
（相違点１）
　加工対象物が、本件発明１は、「半導体材料からなるウェハ状」のものであるのに対し、甲２発明は、ガラス物体である点。
（相違点２）
　加工対象物の内部に改質領域を形成するのに際し、本件発明１は、多光子吸収によって形成するのに対し、甲２発明は、多光子吸収によって形成しているか否か不明な点。
（相違点３）
　本件発明１においては、、切断工程が、半導体材料である「前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる」という工程であるのに対し、甲２発明においては、切断工程が、「ガラス物体の内部に破断点を形成し、破断開封する」という工程であり、「破断点」が切断の起点か否かは不明である点。
イ．相違点の検討
（ア）上記相違点１について検討する。
　甲第２号証の段落【０００１】の「【発明の属する技術分野】本発明は、破断領域に微小亀裂を発生させることにより、ガラス物体、特に破断開封用アンプルまたは管のガラス壁を破断するため、またはガラス板を分離するために適切な破断点を形成（produce）する方法に関する。」という記載、段落【００１３】の「【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、破断開封アンプルを再現できかつ安全に開口する方法で破断開封アンプルの破断領域に所定の破断点を形成することにある。特に、破断開封が困難なアンプルを開封するときに生ずる傷の発生を避け、かつ、アンプルの開封で生ずるアンプル内の医薬品の損傷を妨げることを意図する。」という記載からすれば、甲２発明は、ガラス物体、特に、破断開封アンプル特有の課題を解決しようとした発明であることは明らかである。
　したがって、甲２発明において、加工対象物を半導体材料からなるウェハ状のものとすることは、上記「破断開封アンプルを再現できかつ安全に開口する方法で破断開封アンプルの破断領域に所定の破断点を形成する」というアンプル特有の課題とは関係がないから、当業者であっても甲２発明の加工対象物をガラス物体から半導体材料からなるウェハ状のものにしようとする動機はない。
　したがって、甲２発明において、上記相違点１の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
（イ）上記相違点２について検討する。
　甲第１号証の第３頁左上欄第１〜６行には、「エキシマレーザはすべて波長が１４０ｎｍより長いので、通常は吸収が起きないはずである。しかし、前記の、多光子吸収によって吸収が起こり、このため結合ボンドの開裂あるいは発熱作用を生じ微細なクラックが内部に発生するのである。」と記載されており、レーザを用いた多光子吸収によって材料の内部にクラックを発生させるという技術的事項が記載されている。
　そして、甲２発明は、ガラス物体の内部にレーザを照射し、ガラス物体の内部に微小亀裂を形成するものである。
　してみると、甲２発明と甲第１号証に記載された技術的事項はいずれも、レーザ光を用いて加工対象物の内部に亀裂を発生させるという点では共通しているから、甲２発明に、甲第１号証の上記技術的事項を適用し、甲２発明において、ガラス物体の内部に亀裂を形成するにあたり、多光子吸収によって形成するようにすることは当業者であれば容易になし得たことといい得る。
（ウ）上記相違点３について検討する。
　甲２発明においては、ガラス物体の内部に破断点を形成し、破断開封するものの、ガラス物体に対しどのように力をかけ、どのように破断開封しているかが不明であり、それに伴い破断点が切断の起点となるのか否かも不明である。特に、甲第２号証では、その実施例として、アンプルの首の破断について説明するのみであって、その破断における力のかけ方や破断の機序についての説明はない。したがって、甲２発明においては、切断工程が、半導体材料である「前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる」という工程を有しているとはいえない。また、この工程については、上記第５．（１）及び（３）ないし（７）の記載によれば、甲第１号証及び甲第３ないし７号証についても記載されていないことから、甲２発明において、上記相違点３の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
ウ．有利な効果
　また、本件発明１は、上記相違点１ないし３に係る構成を備えることにより、本件特許明細書の段落【００４２】に記載されているような「加工対象物の内部に溶融処理領域を形成する場合、割断時、切断予定ラインから外れた不必要な割れが生じにくいので、割断制御が容易となる。」といった効果や、本件特許明細書の段落【００６０】に記載されているような「半導体チップに切断予定ラインから外れた不必要な割れや溶融が生じることなく、半導体チップを半導体ウェハから切り出すことができる。」といった効果、また、「加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりを向上させることができる。」といった甲２発明と比較して有利な効果を奏する。
エ．してみると、上記（ア）及び（ウ）から、上記（イ）に関わらず、本件発明１は甲２発明及び甲第１号証及び甲第３ないし７号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。 
（２）本件発明２ないし３１について
ア．本件発明２ないし６及び１５は、本件発明１と同様の「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」及び「加工対象物の内部」に「切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる」工程を備えるものであるから、本件発明２ないし６及び１５は、上記相違点１及び３と同様の相違点を有する。
　そして、本件発明２ないし６及び１５において、相違点１及び３の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは、前記（１）イ．（ア）及び（ウ）に示したのと同様である。
イ．本件発明７と甲２発明とを対比すると、両者は上記相違点１ないし３と同様の相違点を有する。また、本件発明７は、「複数のレーザ光源から出射された各レーザ光を前記加工対象物の内部に集光点を合わせて異なる方向から照射する」という構成を備えるのに対し、甲２発明は、複数のレーザ光源を用いているか否か不明な点で相違する（以下、相違点４という）。
　また、本件発明８ないし１４、１６及び１７も、甲２発明と対比すると、上記相違点１ないし４と同様の相違点を有する。
　そして、本件発明７ないし１４、１６及び１７において、相違点１及び相違点３の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは、前記（１）イ．（ア）及び（ウ）に示したのと同様である。
ウ．本件発明１８と甲２発明とを対比すると、両者は上記相違点１及び３と同様の相違点を有する。また、本件発明１８は、「単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、又は単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域である溶融処理領域を形成」するのに対し、甲２発明は、そのような溶融処理領域を形成しているか否か不明な点で相違する（以下、相違点５という）。
　また、本件発明３１も、甲２発明と対比すると、上記相違点１、３及び５と同様の相違点を有する。
　そして、本件発明１８及び３１において、相違点１及び３の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは、前記（１）イ．（ア）及び（ウ）に示したのと同様である。
エ．本件発明１９と甲２発明とを対比すると、両者は上記相違点１と同様の相違点を有するのに加え、本件発明１９は、「加工対象物の内部」に「改質領域を形成することで、この改質領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断する」のに対し、甲２発明は、切断工程が、「ガラス物体の内部に破断点を形成し、破断開封する」という工程であり、「破断点」が切断の起点か否かは不明である点でも相違する（以下、相違点６という。）。そして、相違点１の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは前記（１）イ．（ア）に示したのと同様である。また、相違点６に関し、本件発明１９では加工対象物の内部に切断の起点となる領域（改質領域）を形成するのに対し、甲２発明では切断の起点がどこになるか不明であるから、前記（１）イ．（ウ）において相違点３について検討したのと同様の理由により、甲２発明において、上記相違点６の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
　また、本件発明２０ないし２８も、甲２発明と対比すると、上記相違点１及び６と同様の相違点を有するものであるから、相違点１の判断については、上記（１）イ．（ア）に示したのと同様の理由により、また相違点６の判断については、本件発明１９と同様の理由により、甲２発明において、上記相違点１及び相違点６の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
オ．本件発明２９と甲２発明とを対比すると、両者は上記相違点１及び５と同様の相違点を有するのに加え、本件発明２９は、「加工対象物の内部」に「溶融処理領域領域を形成することで、この溶融処理領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断する」のに対し、甲２発明は、切断工程が、「ガラス物体の内部に破断点を形成し、破断開封する」という工程であり、「破断点」が切断の起点か否かは不明である点でも相違する（以下、相違点７という。）。そして、相違点１の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは前記（１）イ．（ア）に示したのと同様である。また、相違点７に関し、本件発明２９でも加工対象物の内部に切断の起点となる領域（溶融処理領域）を形成するのに対し、甲２発明では切断の起点がどこになるか不明であるから、前記（１）イ．（ウ）において相違点３について検討したのと同様の理由により、甲２発明において、上記相違点７の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
　また、本件発明３０も、甲２発明と対比すると、上記相違点１、５及び７と同様の相違点を有するものであるから、相違点１の判断については、上記（１）イ．（ア）に示したのと同様の理由により、また相違点７の判断については、本件発明２９と同様の理由により、甲２発明において、上記相違点１及び相違点７の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
カ．したがって、本件発明２ないし３１も、甲２発明及び甲第１号証及び甲第３ないし７号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
（３）無効理由３についてのむすび
　よって、本件発明１ないし３１については、請求人が主張する無効理由３は成立しない。
４．無効理由４についての検討
（１）本件発明１について
ア．甲５発明との対比
　甲５発明と本件発明１とを対比する。
　甲５発明の「シリコン基板を含む薄板状の被加工部材１０」は、本件発明１の「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」に相当する。以下、同様に、「集光させて」は「集光点を合わせて」に、「光学的損傷あるいは光学的絶縁破壊が生じて変質した微小領域１３」は、「改質領域」にそれぞれ相当する。
　してみると、本件発明１と甲５発明とは以下の一致点及び相違点を有する。
（一致点）
「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に改質領域を形成」する点。 
（相違点１）
　加工対象物の内部に改質領域を形成するのに際し、本件発明１は、多光子吸収によって形成するのに対し、甲５発明は、多光子吸収によって形成しているか否か不明な点。
（相違点２）
　本件発明１においては、「改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる、加工対象物切断方法」であって、加工対象物の内部に、切断の起点となる領域を形成して、加工対象物を切断するのに対し、甲５発明においては、「微小領域によって、前記被加工部材の内部に、マーキングする、被加工部材のマーキング方法。」であって、被加工部材の内部にマーキングはするものの、切断を前提としていないから切断の起点となる領域を形成するものではないし、加工対象物を切断もしていない点。
イ．相違点の検討
（ア）上記相違点１について検討する。
　甲第１号証の第３頁左上欄第１〜６行には、「エキシマレーザはすべて波長が１４０ｎｍより長いので、通常は吸収が起きないはずである。しかし、前記の、多光子吸収によって吸収が起こり、このため結合ボンドの開裂あるいは発熱作用を生じ微細なクラックが内部に発生するのである。」と記載されており、レーザを用いた多光子吸収によって材料の内部にクラックを発生させるという技術的事項が記載されている。
　そして、甲５発明は、被加工部材１０の内部にレーザ光を照射し、被加工部材１０の内部に光学的損傷を形成するものである。
　してみると、甲５発明と甲第１号証に記載された技術的事項はいずれも、レーザ光を用いて加工対象物の内部に損傷を発生させるという点では共通しているから、甲５発明に、甲第１号証の上記技術的事項を適用し、甲５発明において、被加工部材１０の内部に光学的損傷を形成するにあたり、多光子吸収によって形成するようにすることは当業者であれば容易になし得たことといい得る。
（イ）上記相違点２について検討する。
　甲５発明は、マーキング方法に関するものであり、切断方法に関するものではない。また、甲第５号証においては、段落【００４０】に「このため、被加工部材１０の厚さ方向に関して、より短い領域にのみマーキングすることができ、クラックの表面への到達を抑制することが可能になる。」との記載や、段落【００７１】に「マーキングによるクラックの発生が表面まで到達しないようにできるため、被加工部材の破片等が原因となるゴミの発生を抑制することができる。」との記載があり、マーキングによって被加工部材のクラックが表面に到達するのを防止している。してみると、甲５発明を、被加工部材１０の切断方法に変更することは阻害要因があり、当業者であっても、甲５発明のマーキング方法を切断方法に変更することは容易ではない。
　また、甲第１号証には、レーザによる合成石英ガラスの切断方法が、甲第２号証には、レーザによるガラス物体の破断方法が、甲第４号証には、レーザによるサファイア基板の切断方法が、甲第７号証には、レーザによる半導体材料の切断方法が記載されている。しかしながら、甲５発明はマーキングによるクラックの発生が表面まで到達しないようにできるものであって、例え甲第１、２、４及び７号証によりレーザを切断に用いることが公知技術であるとしても、当該クラックの発生を抑制するものである甲５発明に適用するには阻害要因があるというべきである。
（ウ）なお、審判請求人は、令和元年８月９日付け口頭審理陳述要領書において、無効理由４に関し、甲第１号証と甲第１３号証は、同一発明者、同一出願人による出願であり、甲第１号証は、透明材料の切断加工方法、甲第１３号証は透明材料のマーキング方法に関するものであるから、出願当時の技術常識に照らせば、当業者は、材料内部のレーザ加工の下位概念として、マーキング方法と切断方法とを認識しており、材料内部のレーザ加工をいずれの方法に適した態様で行うかは、レーザのパラメタを調整する等、適宜設計可能な事項に過ぎず、当業者にとって、マーキング方法として用いられていた材料内部のレーザ加工を、切断方法に適用することに、阻害要因はなかった旨主張している。
　しかしながら、甲５発明は、上記のようにマーキングによるクラックの発生が被加工部材１０の表面まで到達しないようにするもの、つまり、被加工部材１０が割れるのを防止しようとするものであるから、甲５発明のマーキング方法を切断方法に変更することには阻害要因があり、マーキング方法と切断方法とがレーザ加工の下位概念であるか否かに関わらず、甲５発明において、マーキング方法を切断方法に変更することは、適宜設計可能な事項とは言えない。
ウ．有利な効果
　また、本件発明１は、上記相違点１及び相違点２に係る構成を備えることにより、本件特許明細書の段落【００４２】に記載されているような「加工対象物の内部に溶融処理領域を形成する場合、割断時、切断予定ラインから外れた不必要な割れが生じにくいので、割断制御が容易となる。」といった効果や、本件特許明細書の段落【００６０】に記載されているような「半導体チップに切断予定ラインから外れた不必要な割れや溶融が生じることなく、半導体チップを半導体ウェハから切り出すことができる。」といった効果、また、「加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりを向上させることができる。」といった甲５発明と比較して有利な効果を奏する。
エ．してみると、上記（イ）から、上記（ア）に関わらず、本件発明１は甲５発明及び甲第１ないし４号証及び甲第６ないし７号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。 
（２）本件発明２ないし３１について
ア．本件発明２ないし６及び１５は、本件発明１と同様の「加工対象物の内部」に「切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる」工程を備えるものであるから、本件発明２ないし６及び１５は、上記相違点２と同様の相違点を有する。
　そして、本件発明２ないし６及び１５において、相違点２の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは、前記（１）イ．（イ）に示したのと同様である。
イ．本件発明７と甲５発明とを対比すると、両者は上記相違点１及び２と同様の相違点を有する。また、本件発明７は、「複数のレーザ光源から出射された各レーザ光を前記加工対象物の内部に集光点を合わせて異なる方向から照射する」という構成を備えるのに対し、甲５発明は、複数のレーザ光源を用いているか否か不明な点で相違する（以下、相違点３という）。
　また、本件発明８ないし１４、１６及び１７も、甲５発明と対比すると、上記相違点１及び２と同様の相違点を有する。
　そして、本件発明７ないし１４、１６及び１７において、相違点２の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは、前記（１）イ．（イ）に示したのと同様である。
ウ．本件発明１８と甲５発明とを対比すると、両者は上記相違点２と同様の相違点を有する。また、本件発明１８は、「単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、又は単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域である溶融処理領域を形成」するのに対し、甲５発明は、そのような溶融処理領域を形成しているか否か不明な点で相違する（以下、相違点４という）。
　また、本件発明３１も、甲５発明と対比すると、上記相違点２及び４と同様の相違点を有する。
　そして、本件発明１８及び３１において、相違点２の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは、前記（１）イ．（イ）に示したのと同様である。
エ．本件発明１９と甲５発明とを対比すると、両者は上記相違点１と同様の相違点を有するのに加え、本件発明１９は、「加工対象物の内部」に「改質領域を形成することで、この改質領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断する」のに対し、甲５発明は、被加工部材の内部にマーキングはするものの、切断を前提としていないから切断の起点となる領域を形成するものではないし、加工対象物を切断もしていない点でも相違する（以下、相違点５という。）。そして、相違点５に関し、本件発明１９では加工対象物の内部に切断の起点となる領域（改質領域）を形成するのに対し、甲５発明では、加工対象物にマーキングはするものの、切断するものではないから、前記（１）イ．（イ）において相違点２について検討したのと同様の理由により、甲５発明において、上記相違点５の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
　また、本件発明２０ないし２８も、甲５発明と対比すると、上記相違点１及び相違点５と同じ相違点を有するものであるから、相違点５の判断については、本件発明１９と同様の理由により、甲５発明において、上記相違点５の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
オ．本件発明２９と甲５発明とを対比すると、両者は上記相違点１及び４と同様の相違点を有するのに加え、本件発明２９は、「加工対象物の内部」に「溶融処理領域領域を形成することで、この溶融処理領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断する」のに対し、甲５発明は、被加工部材の内部にマーキングはするものの、切断を前提としていないから切断の起点となる領域を形成するものではないし、加工対象物を切断もしていない点でも相違する（以下、相違点６という。）。そして、相違点６に関し、本件発明２９では加工対象物の内部に切断の起点となる領域（溶融処理領域）を形成するのに対し、甲５発明では、加工対象物にマーキングはするものの、切断するものではないから、前記（１）イ．（イ）において相違点２について検討したのと同様の理由により、甲５発明において、上記相違点６の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
　また、本件発明３０も、甲５発明と対比すると、上記相違点１、４及び相違点６と同じ相違点を有するものであるから、相違点６の判断については、本件発明２９と同様の理由により、甲５発明において、上記相違点６の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
カ．したがって、本件発明２ないし３１も、甲５発明及び甲第１ないし４号証及び甲第６ないし７号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
（３）無効理由４についてのむすび
　よって、本件発明１ないし３１については、請求人が主張する無効理由４は成立しない。
５．無効理由５についての検討
（１）本件発明１について
ア．甲７発明との対比
　本件発明１と甲７発明とを対比する。
　甲７発明の「レーザビーム」は、本件発明１の「レーザ光」に相当する。以下、同様に、「収束させて」は「集光点を合わせて」に、「材料の切断方法」は、「加工対象物切断方法」にそれぞれ相当する。
　また、本件発明１の「改質領域」は、レーザによって改質された領域であってクラック領域等を含むものであるから、甲７発明の「空隙」は、本件発明１の「改質領域」に相当する。
　さらに、甲７発明の「ガラス、プラスチック、宝石、または半導体等の材料」は、本件発明１の「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」と対比すると、両者は「半導体材料」の「加工対象物」を限度として一致する。
　さらに、甲７発明の「この空隙を前記材料の表面から鋸運動により所定の経路に沿って、複数結びつかせることによって、前記材料を切断する」ことは、材料の厚さ方向に材料を切断しているから、本件発明１の「前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる」ことに相当する。
　してみると、本件発明１と甲７発明とは以下の一致点及び相違点を有する。
（一致点）
「半導体材料からなる加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に改質領域を形成し、この改質領域によって、前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる、加工対象物切断方法。」
（相違点１）
　半導体材料からなる加工対象物が、本件発明１は、「ウェハ状」であるのに対し、甲７発明は、ウェハ状であるのか否か不明な点。
（相違点２）
　前記加工対象物の内部に改質領域を形成するにあたり、本件発明１は、「多光子吸収」によるものであるのに対し、甲７発明は、「光学破壊」によるものである点。
（相違点３）
　加工対象物を切断するにあたり、本件発明１は、「改質領域によって、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させ」ており、加工対象物の内部に切断の起点となる領域を形成しているのに対し、甲７発明では、「空隙を前記材料の表面から鋸運動により所定の経路に沿って、複数結びつかせることによって、前記材料を切断」しており、加工対象物である材料の内部に切断の起点となる領域を形成しているか否か不明な点。
イ．相違点の検討
（ア）上記相違点１について検討する。
　甲第４号証の段落【００４７】に、「溝部（スクライブ・ライン）に沿ってローラーによって荷重をかけ半導体ウエハーを切断し、ＬＥＤチップ２１０を分離させた」と記載されているように、半導体製造の分野において、ウエハー状のものを切断することは周知技術である。
　甲７発明は、半導体材料を切断する技術に関するものであるから、甲７発明において、上記周知技術を適用し、加工対象物である半導体材料をウエハ状のものとすることは当業者であれば容易に想到し得たことといい得る。
（イ）上記相違点２について検討する。
　甲第１号証の第３頁左上欄第１〜６行には、「エキシマレーザはすべて波長が１４０ｎｍより長いので、通常は吸収が起きないはずである。しかし、前記の、多光子吸収によって吸収が起こり、このため結合ボンドの開裂あるいは発熱作用を生じ微細なクラックが内部に発生するのである。」と記載されており、レーザを用いた多光子吸収によって材料の内部にクラックを発生させるという技術的事項が記載されている。
　そして、甲７発明は、レーザビームを照射し、材料の内部に光学破壊により空隙を形成するものである。
　してみると、甲７発明と甲第１号証に記載された技術的事項はいずれも、レーザを用いて加工対象物の内部に破壊を発生させるという点では共通しているから、甲７発明に、甲第１号証の上記技術的事項を適用し、甲７発明において、材料の内部に空隙を形成するにあたり、多光子吸収によって形成するようにすることは当業者であれば容易になし得たことといい得る。
（ウ）上記相違点３について検討する。
　甲７発明においては、「空隙を前記材料の表面から鋸運動により所定の経路に沿って、複数結びつかせることによって、前記材料を切断」しており、材料の表面から空隙を複数結びつかせて材料を切断していると認められる。一方、本件発明１は、「前記加工対象物のレーザ光入射面から所定距離内側に、切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる」という工程を有するものであるから、内部の切断の起点から外部に向けて割れを進行させるものとなり、空隙を複数結びつかせることによって材料を切断する甲７発明とは切断の機序が異なるものである。また、この工程については、前記第５．（１）ないし（６）で記載したように、甲第１ないし６号証についても記載されていないことから、甲７発明において、上記相違点３の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
  
（エ）なお、審判請求人は、令和元年８月９日付け口頭審理陳述要領書において、無効理由５に関し、「このような『鋸運動』の結果、『完全に切れた溝』ができるためには、材料の内部でレーザビームが集光された箇所（上図（ｅ）で、上から２本目以降の横矢印）を起点として切断が行われなければならない。すなわち、上記引用部にも、切断の起点が加工対象物の内部であることが開示されている」旨主張しているが、甲第７号証では、鋸運動の結果、切断の起点がどこになるかについての明示的な記載はない。また、「上から２本目以降の横矢印」が切断の起点であることを示唆する記載も特段見受けられない。してみると、甲第７号証に切断の起点が加工対象物の内部であることが開示されているという上記審判請求人の主張は採用できない。
ウ．有利な効果
　また、本件発明１は、上記相違点１ないし３に係る構成を備えることにより、本件特許明細書の段落【００４２】に記載されているような「加工対象物の内部に溶融処理領域を形成する場合、割断時、切断予定ラインから外れた不必要な割れが生じにくいので、割断制御が容易となる。」といった効果や、本件特許明細書の段落【００６０】に記載されているような「半導体チップに切断予定ラインから外れた不必要な割れや溶融が生じることなく、半導体チップを半導体ウェハから切り出すことができる。」といった効果、また、「加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりを向上させることができる。」といった甲７発明と比較して有利な効果を奏する。
エ．してみると、上記（ウ）から、上記（ア）及び（イ）に関わらず、本件発明１は甲７発明及び甲第１ないし６号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
（２）本件発明２ないし３１について
ア．本件発明２ないし６及び１５は、本件発明１と同様の「半導体材料からなるウェハ状の加工対象物」及び「加工対象物の内部」に「切断の起点となる領域を形成し、この領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させる」工程を備えるものであるから、本件発明２ないし６及び１５は、上記相違点１及び３と同様の相違点を有する。
　そして、本件発明２ないし６及び１５において、相違点３の構成を採用することは当業者にとって容易でないことは、前記（１）イ．（ウ）に示したのと同様である。
イ．本件発明７と甲７発明とを対比すると、両者は上記相違点１ないし３と同様の相違点を有する。また、本件発明７は、「複数のレーザ光源から出射された各レーザ光を前記加工対象物の内部に集光点を合わせて異なる方向から照射する」という構成を備えるのに対し、甲７発明は、複数のレーザ光源を用いているか否か不明な点で相違する（以下、相違点４という）。
　また、本件発明８ないし１４、１６及び１７も、甲７発明と対比すると、上記相違点１ないし４と同様の相違点を有する。
　そして、本件発明７ないし１４、１６及び１７において、相違点３の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは、前記（１）イ．（ウ）に示したのと同様である。
ウ．本件発明１８と甲７発明とを対比すると、両者は上記相違点１及び３と同様の相違点を有する。また、本件発明１８は、「単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、又は単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域である溶融処理領域を形成」するのに対し、甲７発明は、そのような溶融処理領域を形成しているか否か不明な点で相違する（以下、相違点５という）。
　また、本件発明３１も、甲７発明と対比すると、上記相違点１、３及び５と同様の相違点を有する。
　そして、本件１８及び３１において、相違点３の構成を採用することが当業者にとって容易でないことは、前記（１）イ．（ウ）に示したのと同様である。
エ．本件発明１９と甲７発明とを対比すると、両者は上記相違点１と同様の相違点を有するのに加え、本件発明１９は、「加工対象物の内部」に「改質領域を形成することで、この改質領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断する」のに対し、甲７発明は、加工対象物である材料の内部に切断の起点となる領域を形成しているか否か不明な点でも相違する（以下、相違点６という。）。そして、相違点６に関し、本件発明１９では加工対象物の内部に切断の起点となる領域（改質領域）を形成し、空隙を複数結びつかせることによって材料を切断する甲７発明とは切断の機序が異なるものであるから、前記（１）イ．（ウ）において相違点３について検討したのと同様の理由により、甲７発明において、上記相違点６の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
　また、本件発明２０ないし２８も、甲７発明と対比すると、上記相違点１及び６と同様の相違点を有するものであるから、相違点６の判断については、本件発明１９と同様の理由により、甲７発明において、上記相違点６の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
オ．本件発明２９と甲７発明とを対比すると、両者は上記相違点１及び５と同様の相違点を有するのに加え、本件発明２９は、「加工対象物の内部」に「溶融処理領域領域を形成することで、この溶融処理領域を起点として前記加工対象物の厚さ方向に向かって割れを発生させて前記加工対象物を切断する」のに対し、甲７発明は、加工対象物である材料の内部に切断の起点となる領域を形成しているか否か不明な点でも相違する（以下、相違点７という。）。そして、相違点７に関し、本件発明２９では加工対象物の内部に切断の起点となる領域（溶融処理領域）を形成し、空隙を複数結びつかせることによって材料を切断する甲７発明とは切断の機序が異なるものであるから、前記（１）イ．（ウ）において相違点３について検討したのと同様の理由により、甲７発明において、上記相違点７の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
　また、本件発明３０も、甲７発明と対比すると、上記相違点１、５及び７と同様の相違点を有するものであるから、相違点７の判断については、本件発明２９と同様の理由により、甲７発明において、上記相違点７の構成を採用することは当業者であっても容易ではない。
カ．したがって、本件発明２ないし３１も、甲７発明及び甲第１ないし６号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
（３）無効理由５についてのむすび
　よって、本件発明１ないし３１については、請求人が主張する無効理由５は成立しない。
 第７．むすび 
　以上のとおりであるから、請求人の主張及び証拠方法によっては、本件発明１ないし３１に係る特許を無効とすることはできない。 
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。 
　よって、結論のとおり決定する。