【事件の表示】
　特願２０１７−５５３３０７「非発光性側壁再結合を低減させるＬＥＤ構造」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　７月１４日国際公開、ＷＯ２０１６／１１１７８９、平成３０年　２月２２日国内公表、特表２０１８−５０５５６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１５年１２月７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１５年１月６日、２０１５年９月１４日、ともに米国）を国際出願日とする出願であって、以降の手続は次のとおりである。
平成３０年　７月１３日付け　拒絶理由通知（同年同月２３日発送）
　　　同年１０月１８日　　　手続補正・意見書提出
平成３１年　３月１１日付け　拒絶理由通知（同年同月１８日発送）
令和　元年　６月１８日　　　手続補正・意見書提出
　　　同年　６月２８日付け　補正の却下の決定・拒絶査定
　　　　　　　　　　　　　（同年７月８日謄本送達）
　　　同年１１月　８日　　　手続補正・審判請求
　　　同年１２月２０日　　　手続補正（方式）
令和　２年　５月１２日　　　上申書提出
第２　補正の却下の決定
　令和元年１１月８日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、本件補正前後で特許請求の範囲の記載は以下のとおりである（下線は当審で付加。以下同様。）。
（１）補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の特許請求の範囲（平成３０年１０月１８日にされた手続補正により補正されたもの）の記載は以下のとおりである。
「【請求項１】
　ｐｎダイオード層を備える発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
　前記ｐｎダイオード層は、
　　第１のドーパント型でドープされた上部ドープ層と、
　　前記第１のドーパント型と反対の第２のドーパント型でドープされた下部ドープ層と、
　　前記上部ドープ層と前記下部ドープ層との間の活性層と、
　　前記上部ドープ層、前記活性層及び前記下部ドープ層に広がるｐｎダイオード層側壁と、
　　前記ｐｎダイオード層側壁の内側であって、前記ｐｎダイオード層側壁に広がる拡散不活性化層と、を含み、
　前記拡散不活性化層は、前記下部ドープ層及び前記活性層の側壁を完全に覆い、前記ｐｎダイオード層の上面に達しないように構成され、前記拡散不活性化層は、前記ｐｎダイオード層側壁の全てにまで広がっていない、発光ダイオード（ＬＥＤ）。
　【請求項２】
　前記活性層は、内側部分と、前記拡散不活性化層と重なり、前記内側部分を囲む外側部分とを有する、請求項１に記載の発光ダイオード。
　【請求項３】
　
前記拡散不活性化層は、ｐドーパントを含む
　【請求項４】
　前記活性層の前記外側部分は、前記活性層の前記内側部分より大きいバンドギャップを有する、請求項３に記載の発光ダイオード。
　【請求項５】
　前記ｐドーパントは、Ｍｇ又はＺｎである、請求項４に記載の発光ダイオード。
　・・・（中略）・・・
　【請求項９】
　
前記ｐｎダイオード層は、１００μｍより小さい最大横方向寸法を有する
　・・・（中略）・・・
　【請求項１４】
　
前記活性層の反対側に上部クラッド層及び下部クラッド層をさらに備え、前記上部クラッド層、前記活性層及び前記下部クラッド層は、前記拡散不活性化層と重なるところで混合している
（２）補正後の特許請求の範囲
　本件補正後の特許請求の範囲の記載は以下のとおりである。
「【請求項１】
　ｐｎダイオード層を備える発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
　前記ｐｎダイオード層は、
　　第１のドーパント型でドープされた上部ドープ層と、
　　前記第１のドーパント型と反対の第２のドーパント型でドープされた下部ドープ層と、
　　前記上部ドープ層と前記下部ドープ層との間の活性層と、
　　
前記活性層の対向する両側の上部クラッド層及び下部クラッド層であって、前記上部クラッド層は、前記上部ドープ層と前記活性層との間にあり、前記下部クラッド層は、前記下部ドープ層と前記活性層との間にある、上部クラッド層及び下部クラッド層と、
　　前記上部ドープ層、
前記上部クラッド層
、前記下部クラッド層
　　前記ｐｎダイオード層側壁の内側であって、前記ｐｎダイオード層側壁に広がる
ｐドーパントを含む
　前記
ｐドーパントを含む
ように構成され、
　
前記上部クラッド層、前記活性層及び前記下部クラッド層は、前記ｐドーパントを含む拡散不活性化層と重なるところで混合しており、
　
前記ｐｎダイオード層は、１００μｍより小さい最大横方向寸法を有する、
（以下略）」
２　補正事項の整理
　本件補正の、請求項１についての補正事項は以下のとおりである。
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１の「前記ｐｎダイオード層は、第１のドーパント型でドープされた上部ドープ層と、前記第１のドーパント型と反対の第２のドーパント型でドープされた下部ドープ層と、前記上部ドープ層と前記下部ドープ層との間の活性層と、前記上部ドープ層、前記活性層及び前記下部ドープ層に広がるｐｎダイオード層側壁と、前記ｐｎダイオード層側壁の内側であって、前記ｐｎダイオード層側壁に広がる拡散不活性化層と、を含み」を、補正後の請求項１の「前記ｐｎダイオード層は、第１のドーパント型でドープされた上部ドープ層と、前記第１のドーパント型と反対の第２のドーパント型でドープされた下部ドープ層と、前記上部ドープ層と前記下部ドープ層との間の活性層と、
前記活性層の対向する両側の上部クラッド層及び下部クラッド層であって、前記上部クラッド層は、前記上部ドープ層と前記活性層との間にあり、前記下部クラッド層は、前記下部ドープ層と前記活性層との間にある、上部クラッド層及び下部クラッド層と、
前記上部クラッド層
、前記下部クラッド層
ｐドーパントを含む
〈補正事項２〉
　補正前の請求項１の「前記拡散不活性化層は、前記下部ドープ層及び前記活性層の側壁を完全に覆い、前記ｐｎダイオード層の上面に達しないように構成され、前記拡散不活性化層は、前記ｐｎダイオード層側壁の全てにまで広がっていない」を、補正後の請求項１の「前記
ｐドーパントを含む
ように構成され
〈補正事項３〉
　補正後の請求項１において、「
前記上部クラッド層、前記活性層及び前記下部クラッド層は、前記ｐドーパントを含む拡散不活性化層と重なるところで混合しており、
〈補正事項４〉
　補正後の請求項１において、「
前記ｐｎダイオード層は、１００μｍより小さい最大横方向寸法を有する、
３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
（１）補正の目的について
　補正事項１ないし補正事項３は、補正前の請求項３（さらに、間接的に請求項１及び請求項２を引用）を引用する請求項１４について、上部クラッド層、下部クラッド層、活性層、上部ドープ層及び下部ドープ層の相互の位置関係を技術的に限定して、補正後の請求項１としたものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものである。
　また、補正事項４は、補正前の「ｐｎダイオード層」について、「１００μｍより小さい最大横方向寸法を有する」ものとして技術的に限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（２）新規事項の追加の有無について
　補正事項１ないし補正事項３に係る事項は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００４６】〜【００４８】、及び図６Ｆ等に記載されているといえる。
　また、補正事項４に係る事項は、当初明細書等の段落【００１１】に記載されているといえる。
　よって、補正事項１ないし補正事項４は、いずれも当初明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。
　よって、前記補正事項１ないし補正事項４は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
（３）小括
　上記のとおり、本件補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから、以下においては、本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかについて検討する。
４　独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は、以下のとおりのものである（再掲。以下「本願補正発明」という。）。
「【請求項１】
　ｐｎダイオード層を備える発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
　前記ｐｎダイオード層は、
　　第１のドーパント型でドープされた上部ドープ層と、
　　前記第１のドーパント型と反対の第２のドーパント型でドープされた下部ドープ層と、
　　前記上部ドープ層と前記下部ドープ層との間の活性層と、
　　前記活性層の対向する両側の上部クラッド層及び下部クラッド層であって、前記上部クラッド層は、前記上部ドープ層と前記活性層との間にあり、前記下部クラッド層は、前記下部ドープ層と前記活性層との間にある、上部クラッド層及び下部クラッド層と、
　　前記上部ドープ層、前記上部クラッド層、前記活性層、前記下部クラッド層及び前記下部ドープ層に広がるｐｎダイオード層側壁と、
　　前記ｐｎダイオード層側壁の内側であって、前記ｐｎダイオード層側壁に広がるｐドーパントを含む拡散不活性化層と、を含み、
　前記ｐドーパントを含む拡散不活性化層は、前記下部ドープ層及び前記活性層の側壁を完全に覆い、前記ｐｎダイオード層の上面に達せず、前記ｐドーパントを含む拡散不活性化層は、前記ｐｎダイオード層側壁の全てにまで広がっていないように構成され、
　前記上部クラッド層、前記活性層及び前記下部クラッド層は、前記ｐドーパントを含む拡散不活性化層と重なるところで混合しており、
　前記ｐｎダイオード層は、１００μｍより小さい最大横方向寸法を有する、発光ダイオード（ＬＥＤ）。」
（２）刊行物等に記載された発明
ア　引用例１：　特開２０１３−１１０３７４号公報
（ア）原査定の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２０１３−１１０３７４号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに、以下の記載がある。
ａ
「【技術分野】
【０００１】
　本技術は、例えば発光領域２５００μｍ2以下の微小なＬＥＤ（Light Emitting Diode）に好適な発光素子およびその製造方法、並びに発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　・・・（中略）・・・
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　しかしながら、発光素子の微小化が進むにつれ、活性層の端面での非発光再結合が発光効率に与える影響が大きくなる。非発光再結合とは、正孔と電子とが結合してキャリアが発光せずに熱になってしまう現象であり、活性層の端面で生じ易い。この非発光再結合は活性層の端面が製造工程で損傷することにより、あるいは、活性層自体の有するダングリングボンドや端面に吸着された不純物等が原因となって生じる。発光素子の微小化に伴い、このような端面での非発光再結合に起因した非発光部分の面積の割合が増加し、発光効率が低下するという問題が生じていた。
【０００６】
　本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、
活性層端面での非発光再結合が抑制され、発光効率の向上した発光素子およびその製造方法、並びに発光装置を提供することにある
ｂ
「【００１３】
　〔第１の実施の形態〕
　図１は本開示の
第１の実施の形態に係る発光素子（発光素子１）
発光素子１は例えば四角柱状の積層体１０を有し、この積層体１０は光取り出し面（積層体１０の表面）を除いて絶縁膜３１に囲まれている
絶縁膜３１と積層体１０の端面１０Ｅ（側面）との間には結晶化膜２１が介在している
【００１４】
　
積層体１０はＬＥＤであり、ｎ側電極１１、バッファ層（図示せず）、ｎ型クラッド層１２（第１導電型半導体層）、活性層１３、ｐ型クラッド層１４（第２導電型半導体層）、コンタクト層（図示せず）およびｐ側電極１５をこの順に有している。発光素子１では、活性層１３からこのバンドギャップに相当する波長の光が出射され、ｐ型クラッド層１４の、活性層１３との対向面と反対側の面（図１（Ｂ）紙面上方向）からこの光が取り出されるようになっている。即ち、ｐ型クラッド層１４が光取り出し面を有しており、
ｎ型クラッド層１２は、例えば厚み１０００ｎｍ〜２０００ｎｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ3程度のｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる。活性層１３は厚み３ｎｍ〜１０ｎｍのＩｎＧａＰからなる井戸層と厚み１０ｎｍ〜１００ｎｍの（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる障壁層とを１０ＱＷ交互に積層してなる量子井戸構造を有している。ｐ型クラッド層１４は例えば厚み３００ｎｍ〜１０００ｎｍ、キャリア濃度１×１０17〜１×１０18ｃｍ3のｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる。積層体１０は例えば平面視で１辺が１５μｍの正方形であり
【００１５】
　・・・（中略）・・・
【００４０】
〔変形例２〕
　上記実施の形態の変形例２に係る発光素子（発光素子１Ｂ）は、積層体１０の周縁に絶縁部（第１絶縁部１２Ｉ、第２絶縁部１４Ｉ）を有するものである。その点を除き、発光素子１Ｂは上記第１の実施の形態の発光素子１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。図１２（Ａ）は発光素子１Ｂの上面（平面）構成、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面構成を表している。
【００４１】
　第１絶縁部１２Ｉ、第２絶縁部１４Ｉは、それぞれｎ型クラッド層１２、ｐ型クラッド層１４の周縁に例えば１０〜１００００ｎｍの幅（Ｙ軸方向）に渡り設けられている。この第１絶縁部１２Ｉ、第２絶縁部１４Ｉの幅は、素子サイズやｎ型クラッド層１２、活性層１３およびｐ型クラッド層１４の組成や厚みにより適宜調整される。第１絶縁部１２Ｉ、第２絶縁部１４Ｉは、電流注入領域を形成するための所謂、電流狭窄部である。この第１絶縁部１２Ｉ、第２絶縁部１４Ｉにはキャリアが注入されないため、端面１０Ｅでの非発光再結合を結晶化膜２１と共に、より効果的に抑えることができる。」
ｃ
「【００４３】
〔第２の実施の形態〕
　図１４は、本技術の
第２の実施の形態に係る発光素子（発光素子２）
この発光素子２では、端面１０Ｅの近傍に結晶化膜（図１　結晶化膜２１）に代え、拡散部１０Ｄが設けられている。即ち、発光素子２では、この拡散部１０Ｄにより再結合抑制構造が構成されている。この点を除き、発光素子２は上記第１の実施の形態の発光素子１と同様の構成を有している
【００４４】
　
拡散部１０Ｄは端面１０Ｅで生じる非発光再結合を抑制するためのものであり、積層体１０の周縁、即ち端面１０Ｅの内側に設けられている。この拡散部１０Ｄは、少なくとも活性層１３の周縁に存在すればよいが、積層体１０全体の周縁に存在していてもよい
拡散部１０Ｄは例えば、１０〜５０００ｎｍの幅（Ｙ軸方向）で設けられ、活性層１３のバンドギャップを拡張するための拡散物質dを含有している。拡散物質dは、例えば、亜鉛（Ｚｎ）またはマグネシウム（Ｍｇ）等である
この活性層１３の周縁（拡散部１０Ｄ）と中央部とのバンドギャップの大きさの差により、バンドシュリンクおよびディープレベルの発生を抑え、端面１０Ｅでの非発光再結合を防止することができる。よって、発光素子２の発光領域を広げて発光効率を向上させることが可能となる。また、バンドギャップが拡大した拡散部１０Ｄ
【００４５】
　このような発光素子２は、例えば、以下のようにして製造することができる。
【００４６】
　まず、拡散物質dを含んだ結晶化膜２１Ｃを、上記結晶化膜２１と同様にして形成した後（図２（Ｃ））、ｐ型クラッド層１４の表面の結晶化膜２１Ｃをドライエッチングまたはウェットエッチング等の方法により除去する（図１５（Ａ））。このとき、図１６に表したように、ｐ型クラッド層１４の表面の端部には結晶化膜２１が残っていてもよい。次いで、例えば、４００〜６００℃の熱処理により結晶化膜２１Ｃから端面１０Ｅを介して活性層１３の周縁に拡散物質dを拡散させ、拡散部１０Ｄを形成する（図１５（Ｂ））。結晶化膜２１Ｃに代えて、ＺｎＯ膜あるいはＳｉＮ、ＳｉＯ等の絶縁膜３１を介してＺｎを拡散させるようにしてもよい。
【００４７】
　拡散部１０Ｄを形成した後、結晶化膜２１Ｃを例えばドライエッチングまたはウェットエッチング等の方法により除去する（図１５（Ｃ））。拡散物質dを含む結晶化膜２１Ｃを除去することにより、発光素子２の駆動時に拡散物質dが拡散してドリフトが発生することを防ぐことができる。
以降、ｐ側電極１５およびｎ側電極１１等の形成工程は発光素子１と同様に行うことにより、図１４に示した発光素子２が完成する
ｄ
「【００４８】
　また、発光素子２は例えば、以下のような方法で製造することも可能である。まず、発光素子１と同様にして結晶成長基板４１上に、ｎ型クラッド層１２、活性層１３、ｐ型クラッド層１４を成膜する（図２（Ａ））。次いで、ｐ型クラッド層１４の表面にマスク４３、拡散源層２２をこの順に形成する（図１７（Ａ）、図１７（Ｂ））。拡散源層２２は、活性層１３のバンドギャップを拡張するための拡散物質dを含むものであり、例えば蒸着法、スパッタ法あるいはＭＯＣＶＤ法等により形成する。続いて、例えば熱処理等によりマスク４３の開口からｐ型クラッド層１４を介して活性層１３に拡散物質dを拡散させ、拡散部１０Ｄを形成する（図１７（Ｃ））。
【００４９】
　拡散部１０Ｄを形成した後、拡散源層２２およびマスク４３を除去する。
続いて、発光素子１と同様にしてｐ側電極１５およびｎ側電極１１等を形成した後、拡散部１０Ｄが端面１０Ｅの内側になるよう積層体１０を成形することにより発光素子２が完成する
【００５０】
　・・・（中略）・・・
【００５１】
　更に、ｐ型クラッド層１４の第１絶縁部１４Ｉを用いて、拡散部１０Ｄを形成するようにしてもよい。まず、図１９（Ａ）に表したように、
ｐ型クラッド層１４の所望の位置２箇所（内周と外周）に例えばインプラにより第１絶縁部１４Ｉを形成する。この２箇所の第１絶縁部１４Ｉの間の領域が拡散部１０Ｄ形成領域となる。次いで、ｐ型クラッド層１４の表面に、開口部分が拡散部１０Ｄ形成領域に対応するようマスク４３を形成した後、マスク４３上に拡散源層２２を形成する
拡散源層２２を形成した後、例えば熱処理等を行うことにより拡散部１０Ｄを形成する
ｅ　ここで、図１４及び図１９は以下のものである。
【図１４】
【図１９】
（イ）上記（ア）ｃ、ｄに記載された「第２の実施の形態に係る発光素子（発光素子２）」については、「
この発光素子２では、端面１０Ｅの近傍に結晶化膜（図１　結晶化膜２１）に代え、拡散部１０Ｄが設けられている。即ち、発光素子２では、この拡散部１０Ｄにより再結合抑制構造が構成されている。この点を除き、発光素子２は上記第１の実施の形態の発光素子１と同様の構成を有している。
（ウ）上記（イ）及び段落【００１４】の記載から、発光素子２においては、
ｎ型クラッド層１２は、ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなり、活性層１３はＩｎＧａＰ井戸層と（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐ障壁層とからなる量子井戸構造を有しており、ｐ型クラッド層１４はｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなるものといえる。
（エ）上記（ア）ｄとともに図１９を参照すると、図１９（Ｃ）に続く工程の後には、段落【００４９】に記載されているものと同様に、「拡散部１０Ｄが端面１０Ｅの内側になるよう積層体１０を成形することにより発光素子２が完成する」ものと解され、その結果、ｐ型クラッド層の端面において、拡散部１０Ｄが形成されない部分が生ずることがわかる。
（オ）引用発明
以上（ア）〜（ウ）を総合すると、引用例１には、図１４に示される「発光素子２」について、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「活性層端面での非発光再結合が抑制され、発光効率の向上した発光素子２であって、
（段落【０００６】、上記（イ））
　発光素子２は例えば四角柱状の積層体１０を有し、
　積層体１０は光取り出し面（積層体１０の表面）を除いて絶縁膜３１に囲まれており、
（段落【００１３】、上記（イ））
　積層体１０はＬＥＤであり、ｎ側電極１１、バッファ層、ｎ型クラッド層１２、活性層１３、ｐ型クラッド層１４、コンタクト層およびｐ側電極１５をこの順に有しており、
　発光素子２では、活性層１３からこのバンドギャップに相当する波長の光が出射され、ｐ型クラッド層１４の、活性層１３との対向面と反対側の面からこの光が取り出され、即ち、ｐ型クラッド層１４が光取り出し面を有しており、
（段落【００１４】、上記（イ））
　ｎ型クラッド層１２は、ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなり、活性層１３はＩｎＧａＰ井戸層と（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐ障壁層とからなる量子井戸構造を有しており、ｐ型クラッド層１４はｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなり、
（上記（イ）、（ウ））
　積層体１０は例えば平面視で１辺が１５μｍの正方形であり、
（段落【００１４】、上記（イ））
　拡散部１０Ｄが積層体１０の周縁、即ち端面１０Ｅの内側に設けられており、拡散部１０Ｄは、端面１０Ｅで生じる非発光再結合を抑制するためのものであり、少なくとも活性層１３の周縁に存在すればよいが、積層体１０全体の周縁に存在していてもよく、
　拡散部１０Ｄは例えば、１０〜５０００ｎｍの幅で設けられ、活性層１３のバンドギャップを拡張するための拡散物質dを含有しているおり、拡散物質dは、例えば、亜鉛（Ｚｎ）またはマグネシウム（Ｍｇ）等であり、
　活性層１３の周縁（拡散部１０Ｄ）と中央部とのバンドギャップの大きさの差により、バンドシュリンクおよびディープレベルの発生を抑え、端面１０Ｅでの非発光再結合を防止することができるものである、
（段落【００４４】）
発光素子２。」
（カ）さらに、上記（ア）ｄ及び（エ）から、引用例１には以下の技術事項（以下「引用例１技術事項」という。）が記載されているといえる。
「引用発明に係る発光素子２において、ｐ型クラッド層の端面において、第１絶縁部１４Ｉが形成されることで、拡散部１０Ｄが形成されない部分を設けること。」
（３）対比
　本願補正発明と引用発明１とを比較する。
ア　引用発明の「コンタクト層」と、本願補正発明の「第１のドーパント型でドープされた上部ドープ層」とは、「上部層」である点で一致する。
イ　引用発明の「バッファ層」と、本願補正発明の「前記第１のドーパント型と反対の第２のドーパント型でドープされた下部ドープ層」とは、「下部層」である点で一致する。
ウ　引用発明においては、「ｎ側電極１１、バッファ層、ｎ型クラッド層１２、活性層１３、ｐ型クラッド層１４、コンタクト層およびｐ側電極１５をこの順に有して」いるから、前記ア、イを考慮すると、当該「活性層１３」と、本願補正発明の「前記上部ドープ層と前記下部ドープ層との間の活性層」とは、「前記上部層と前記下部層との間の活性層」である点で一致する。
エ　前記ア〜ウを考慮すると、引用発明の「ｎ型クラッド層１２」及び「ｐ型クラッド層１４」と、本願補正発明の「前記活性層の対向する両側の上部クラッド層及び下部クラッド層であって、前記上部クラッド層は、前記上部ドープ層と前記活性層との間にあり、前記下部クラッド層は、前記下部ドープ層と前記活性層との間にある、上部クラッド層及び下部クラッド層」とは、「前記活性層の対向する両側の上部クラッド層及び下部クラッド層であって、前記上部クラッド層は、前記上部層と前記活性層との間にあり、前記下部クラッド層は、前記下部層と前記活性層との間にある、上部クラッド層及び下部クラッド層」である（引用発明の「ｎ型クラッド層１２」及び「ｐ型クラッド層１４」が、それぞれ、本願補正発明の「上部クラッド層」及び「下部クラッド層」に対応する。）点で一致する。
オ　引用発明の「積層体１０」は、本願補正発明の「ｐｎダイオード層」に相当する。
カ　上記ア〜オを考慮すると、引用発明における「積層体１０の周縁、即ち端面１０Ｅ」と、本願補正発明の「前記上部ドープ層、前記上部クラッド層、前記活性層、前記下部クラッド層及び前記下部ドープ層に広がるｐｎダイオード層側壁」とは、「前記上部層、前記上部クラッド層、前記活性層、前記下部クラッド層及び前記下部層に広がるｐｎダイオード層側壁」である点で一致する。
キ　引用発明の「拡散部１０Ｄが積層体１０の周縁、即ち端面１０Ｅの内側に設けられており、拡散部１０Ｄは、端面１０Ｅで生じる非発光再結合を抑制するためのものであり、」「拡散部１０Ｄは例えば、１０〜５０００ｎｍの幅で設けられ、活性層１３のバンドギャップを拡張するための拡散物質dを含有して」おり、「拡散物質dは、例えば、亜鉛（Ｚｎ）またはマグネシウム（Ｍｇ）等であ」るとの構成を備える「拡散部１０Ｄ」と、本願補正発明の「前記ｐｎダイオード層側壁の内側であって、前記ｐｎダイオード層側壁に広がるｐドーパントを含む拡散不活性化層」とは、「前記ｐｎダイオード層側壁の内側であって、前記ｐｎダイオード層側壁に広がるドーパントを含む拡散不活性化層」である点で一致する。
ク　引用発明の「積層体１０は例えば平面視で１辺が１５μｍの正方形であ」ることは、本願補正発明の「前記ｐｎダイオード層は、１００μｍより小さい最大横方向寸法を有する」ことに相当する。
ケ　引用発明の「拡散部１０Ｄが積層体１０の周縁、即ち端面１０Ｅの内側に設けられており、拡散部１０Ｄは、端面１０Ｅで生じる非発光再結合を抑制するためのものであり、少なくとも活性層１３の周縁に存在すればよいが、積層体１０全体の周縁に存在していてもよく」との構成において、「積層体１０全体の周縁に存在してい」るとしたものと、本願補正発明の「前記ｐドーパントを含む拡散不活性化層は、前記下部ドープ層及び前記活性層の側壁を完全に覆い、前記ｐｎダイオード層の上面に達せず、前記ｐドーパントを含む拡散不活性化層は、前記ｐｎダイオード層側壁の全てにまで広がっていないように構成され」るものとは、前記キも考慮すると、「前記ドーパントを含む拡散不活性化層は、前記下部層及び前記活性層の側壁を完全に覆うように構成され」る点で一致する。
コ　引用発明の「発光素子２」は、本願補正発明の「発光ダイオード（ＬＥＤ）」に相当する。
サ　一致点
　したがって、引用発明と本願補正発明とは、次の点で一致する。
「ｐｎダイオード層を備える発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
　前記ｐｎダイオード層は、
　　上部層と、
　　下部層と、
　　前記上部層と前記下部層との間の活性層と、
　　前記活性層の対向する両側の上部クラッド層及び下部クラッド層であって、前記上部クラッド層は、前記上部層と前記活性層との間にあり、前記下部クラッド層は、前記下部層と前記活性層との間にある、上部クラッド層及び下部クラッド層と、
　　前記上部層、前記上部クラッド層、前記活性層、前記下部クラッド層及び前記下部層に広がるｐｎダイオード層側壁と、
　　前記ｐｎダイオード層側壁の内側であって、前記ｐｎダイオード層側壁に広がるドーパントを含む拡散不活性化層と、を含み、
　前記ドーパントを含む拡散不活性化層は、前記下部層及び前記活性層の側壁を完全に覆うように構成され、
　前記ｐｎダイオード層は、１００μｍより小さい最大横方向寸法を有する、発光ダイオード（ＬＥＤ）。」
シ　相違点
　一方両者は、次の各点で相違する。
《相違点１》
　本願補正発明は、「第１のドーパント型でドープされた上部ドープ層と、前記第１のドーパント型と反対の第２のドーパント型でドープされた下部ドープ層と」を含み、また、「ｐｎダイオード層」に含まれる各構成について、当該「上部ドープ層」及び「下部ドープ層」との関係においてその位置が特定されているのに対して、引用発明は、「コンタクト層」及び「バッファ層」を備えるものの、「コンタクト層」が「第１のドーパント型でドープされ」、「バッファ層」が「前記第１のドーパント型と反対の第２のドーパント型でドープされ」ていることまで特定されておらず、また、これに伴い、各「ドープ層」との関係において、他の各構成の位置が特定されるものでもない点。
《相違点２》
　本願補正発明は、「前記ｐｎダイオード層側壁の内側であって、前記ｐｎダイオード層側壁に広がるｐドーパントを含む拡散不活性化層」を備えるのに対し、引用発明は、「前記ｐｎダイオード層側壁の内側であって、前記ｐｎダイオード層側壁に広がるドーパントを含む拡散不活性化層」に対応する構成は備えるものの、当該「ドーパント」が「ｐドーパント」であることまでは特定されていない点。
《相違点３》
　本願補正発明においては、「前記ｐドーパントを含む拡散不活性化層は、前記下部ドープ層及び前記活性層の側壁を完全に覆い、前記ｐｎダイオード層の上面に達せず、前記ｐドーパントを含む拡散不活性化層は、前記ｐｎダイオード層側壁の全てにまで広がっていないように構成され」ているのに対して、引用発明においては、「前記ドーパントを含む拡散不活性化層は、前記下部層及び前記活性層の側壁を完全に覆うように構成され」るものの、当該「拡散不活性化層」が「前記ｐｎダイオード層の上面に達せず、前記ｐドーパントを含む拡散不活性化層は、前記ｐｎダイオード層側壁の全てにまで広がっていないように構成され」るものではない点。
《相違点４》
　本願補正発明は、「前記上部クラッド層、前記活性層及び前記下部クラッド層は、前記ｐドーパントを含む拡散不活性化層と重なるところで混合しており」との構成を備えるのに対し、引用発明は、「拡散部１０Ｄは例えば、・・・、活性層１３のバンドギャップを拡張するための拡散物質dを含有している。拡散物質dは、例えば、亜鉛（Ｚｎ）またはマグネシウム（Ｍｇ）等であり、活性層１３の周縁（拡散部１０Ｄ）と中央部とのバンドギャップの大きさの差により、バンドシュリンクおよびディープレベルの発生を抑え」る構成は備えるものの、上記本願補正発明に係る構成を備えることは明らかでない点。
（４）判断
ア　相違点１について検討する。
　引用発明においては、「積層体１０はＬＥＤであり、ｎ側電極１１、バッファ層、ｎ型クラッド層１２、活性層１３、ｐ型クラッド層１４、コンタクト層およびｐ側電極１５をこの順に有して」いるものであるから、ＬＥＤとして動作する上で、「ｎ側電極１１」から「ｎ型クラッド層１２」に至る導電経路、及び、「ｐ型クラッド層１４」から「ｐ側電極１５」に至る導電経路が形成されていることは当然であり、そのために、「ｎ側電極１１」と「ｎ型クラッド層１２」の間にある「バッファ層」がｎ型にドーピングされており、また、「ｐ型クラッド層１４」と「ｐ側電極１５」の間にある「コンタクト層」が（ｎ型とは反対の）ｐ型にドーピングされていることは、当業者に明らかな事項である。仮にそうでないとしても、上記のとおりにすることは当業者が適宜になしえたことである。
　よって、引用発明は、相違点１に係る構成を実質的に備え、仮にそうでないとしても、相違点１に係る構成を備えるものとすることは適宜になしえたことである。
イ　相違点２について検討する。
　引用発明においては、ｎ型クラッド層１２は、ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなり、活性層１３はＩｎＧａＰ井戸層と（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐ障壁層とからなる量子井戸構造を有しており、ｐ型クラッド層１４はｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなり、」すなわち、当該各半導体層は３−５族半導体材料により構成されているところ、「拡散部１０Ｄは例えば、・・・、活性層１３のバンドギャップを拡張するための拡散物質dを含有している。拡散物質dは、例えば、亜鉛（Ｚｎ）またはマグネシウム（Ｍｇ）等であ」る。
　ここで、例えば、以下の周知文献１にも記載されているように、一般に、３−５族半導体材料において、Ｚｎ及びＭｇがｐドーパントとして作用することは、周知の事項である。
　よって、引用発明は、相違点２に係る構成を実質的に備え、仮にそうでないとしても、相違点２に係る構成を備えるものとすることは適宜になしえたことである。
周知文献１：特開平２−１１４６７５号公報
　原査定の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平２−１１４６７５号公報（以下「周知文献１」という。）には、図とともに、以下の記載がある。
「〔実施例〕
　以下第１導電型としてｎ型、第２導電型としてｐ型について説明する。
　第１図は本発明素子の構造を示す断面図である。図において、９はＺｎ拡散領域、３１はＳｉＮｘの選択拡散膜で、他の記号は前出のものを使用する。基板２は第１導電型のｎ−ＩｎＰ、第１クラッド層３は第１導電型のｎ−ＩｎＰ、活性層４は第１導電型あるいは第２導電型のｐ−（またはｎ−）Ｉｎ１−ｘＧａｘＡｓ１−ｙＰｙ、第２クラッド層５は第２導電型のｐ−ＩｎＰ、コンタクト層６は第２導電型のｐ−Ｉｎ１−ｚＧａｚＡｓ１−ｗＰｗ、絶縁膜７はＳｉＮｘ、選択拡散膜３１はＳｉＮｘの材料を使用する。上記端面でのｐ−ｎ接合位置をバンドギャップの大きい第１導電型の第１クラッド層３内に形成することを特徴としている。
　本構造は図中に斜線を施したように、
ｐ型不純物であるＺｎ
（２ページ右下欄１０行〜３ページ左上欄８行）
「また、
ｐ型拡散不純物としてＺｎ使用したが、その他に
Ｍｇでも差し支えない
（４ページ左上欄１１〜１２行）
ウ　相違点３について検討する。
（ア）一般に、ＬＥＤを構成する層構造の端面において、不純物を導入した部分を設けるにあたり、当該不純物を導入した部分を、前記層構造のうち一方の導電型不純物層（例えばクラッド層）及び活性層にわたる程度の部分にとどめ、全ての層にわたって設けないことは、前記周知文献１及び以下の周知文献２のほか、引用例１技術事項（前記（２）ア（カ））にも示されているように、周知の技術である。
ａ　周知文献１（特開平２−１１４６７５号公報）には、さらに次の記載がある。
「上記端面でのｐ−ｎ接合位置をバンドギャップの大きい第１導電型の第１クラッド層３内に形成することを特徴としている。
　本構造は図中に斜線を施したように、
ｐ型不純物であるＺｎをコンタクト層６側から選択拡散を行い、ｐ−ｎ接合が第１クラッド層３中に形成されるように拡散を行っている
端面でのリーク電流が激減し
ｂ　周知文献２：特開平９−１６２４４１号公報
　原査定の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平２−１１４６７５号公報（以下「周知文献１」という。）には、図とともに、以下の記載がある。
（ａ）「【０００２】
【発明が解決しようとする課題】従来、化合物半導体発光素子では、発光の効率を上げるためダブルヘテロ構造をとることが多く、そのために、薄膜を何層も積層する必要がある。この薄膜の形成には、量産性の観点から有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）が用いられることが多い。ＭＯＣＶＤ法ではＧａＡｌあるいはＩｎＰなどの基板上に所望の膜を成長させるが、その基板から素子となるチップを切出すには、碧開やダイシング等の手法が用いられる。ＬＥＤなどでは、このチップの上面の一部分と下面全面とに電極を形成し、上面から光を取出す構造とし、発光層となるいわゆる活性層に電流を流し光を取出す。
【０００３】しかし、チップ内では、チップ中心から側端面まで同じ構造となっているため、
チップ上面の電極から流れ込んだ電流はチップ側端面部分まで広がって流れる。しかし、このような側端面部分は欠陥等が多く、発光に寄与しないリーク電流として流れる電流が多くなり、素子の発光効率を落とす原因となっていた
　・・・（中略）・・・
【００１６】以上のようにＭＯＣＶＤ基板に、
選択的にイオン注入等を行い高抵抗領域を作成した上で、アニールを行い高抵抗領域と内部導伝領域との界面のダメージ緩和を行った後、高抵抗部分に沿ってチップを切出す。これにより、電流の流れる部分が側端面に露出せず、リーク電流が大幅に抑制される
　・・・（中略）・・・
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。まず、赤色〜緑色ＬＥＤの本発明による構造の一例を図１（ａ）、従来構造の一例を同図（ｂ）に示す。従来構造、本発明による構造ともＳｉがドープされたｎ型の
ＧａＡｓ基板１
ｎ型のＧａＡｓバッファ層２
ｎ型のクラッド層３
発光層４
ｐ型のクラッド層５
コンタクト層６
【００１８】そして、本発明による構造では、
端面部分がプロトン、あるいは他のイオンの注入による高抵抗領域９が形成されている。この高抵抗領域９はｎ型クラッド層３に形成された第１の部分９３と発光層４に形成された第２の部分９４とｐ型クラッド層５に形成された第３の部分９５とコンタクト層６に形成された第４の部分９６とを含むもの
（ｂ）以上の記載から、高抵抗領域９がバッファ層２及び基板1には形成されていないことは明らかである。
（イ）そして、引用発明において、「拡散部１０Ｄは、端面１０Ｅで生じる非発光再結合を抑制するためのものであり、少なくとも活性層１３の周縁に存在すればよいが、積層体１０全体の周縁に存在していてもよ」いものであるところ、当該「少なくとも活性層１３の周縁に存在」する形態として、上記周知技術の形態を採用して、相違点３に係る、「拡散不活性化層」が「前記ｐｎダイオード層の上面に達せず、前記ｐドーパントを含む拡散不活性化層は、前記ｐｎダイオード層側壁の全てにまで広がっていないように構成され」るようにすることは、当業者が適宜になしえたことである。
（ウ）また、引用発明が、上下各「ドープ層」及び「ｐドーパント」を備え、あるいは、備えることを当業者が適宜になしえたことは、上記ア及びイにおいて検討したとおりである。
（エ）よって、引用発明において、相違点３に係る構成を備えることは、当業者が適宜になしえたことである。
エ　相違点４について検討する。
（ア）相違点４に係る、本願補正発明の「前記上部クラッド層、前記活性層及び前記下部クラッド層は、前記ｐドーパントを含む拡散不活性化層と重なるところで混合して」いることに関して、本願明細書には以下の記載がある。
「
不活性化層６０２の拡散及び形成は
一特定の実施形態では、相互混合されたヘテロ構造が生成される
この実施形態では
上記の拡散処理はこの合金をランダム化し得るため、バンドギャップエネルギーを上昇させる
（イ）上記（ア）から、本願補正発明に係る「混合している」とは、ＬＥＤを構成する各半導体層が「相互混合」し、「ランダム化」することで「バンドギャップエネルギーを上昇させた」状態にあるものと解される。
（ウ）上記本願明細書に記載されたことと同様に、３−５族化合物半導体を用いたＬＥＤにおいて、上記本願明細書に記載されたことと同様に、ＬＥＤを構成する層構造に対して、ＺｎやＭｇ等の不純物を導入することで、前記層構造において、構成材料の混合によりバンドギャップが広がることは、例えば、以下の周知文献３及び４にも示されているように、周知の技術事項である。
ａ　周知文献３：特開平５−１１０２０２号公報
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平５−１１０２０２号公報（以下「周知文献３」という。）には、図とともに、以下の記載がある。
「【０００８】まず図１（ａ）に示す様にｎ型ＧａＡｓ半導体基板１上にｎ型ＡｌＡｓ  ８０２Å／ｎ型ＧａＡｓ  ６７０Åの２３周期からなるｎ型多層反射膜２、Ａｌ0.5 Ｇａ0.5Ａｓ  １４３０Å／Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ  １００Å／Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ  １４３０Åからなる活性層構造３、Ｐ型ＧａＡｓ  ６７０Å／Ｐ型ＡｌＡｓ  ８０２Å１０周期からなるＰ型多層反射膜４、Ｐ型ＧａＡｓ  ３０Åのキャップ層５を結晶成長する。ここで活性層構造３内部のＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層は歪単一量子井戸の活性層である。次に図１（ｂ）に示す様に、通常のホトエッチング技術によってメサ円柱７を形成する。
　・・・（中略）・・・
次に試料をＺｎＡｓ2 などと共に真空アンプルに封入してＺｎ拡散を行なう。拡散の深さは、Ａｌ組成によって大きく変化するが、０．１〜２μｍの範囲が適当である。このＺｎ拡散は拡散マスク８のためにメサ円柱７の側壁だけに行なう事が出来る。このとき、
活性層構造３のＩｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓからなる量子井戸のメサ円柱７側壁近傍がＺｎ拡散による無秩序化によってＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓとの混晶化が生じて、等価的に禁制帯幅が増大する。
ｂ　周知文献４：特開平１１−２８４２８０号公報
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平１１−２８４２８０号公報（以下「周知文献４」という。）には、図とともに、以下の記載がある。
「【００４２】このＺｎ拡散の手順をＭＯＣＶＤ法を用いた場合を例に挙げてさらに詳細に説明する。まず、成長温度６５０℃で、原料としてＴＭＧ（トリメチルガリウム）、ＤＭＺ（ジメチル亜鉛）、ＡｓＨ3を用いて、ｐ型ＧａＡｓ層を例えば１．５μｍ成長する。ここで、Ｚｎ濃度が２×１０18ｃｍ-3となるように設定する。その後、成長温度のまま、ＴＭＧ、ＤＭＺ、ＡｓＨ3の供給を断ち、Ｈ2雰囲気中で２０分間アニールをする。この間に、
Ｚｎがｐ型ＧａＡｓ層９からｎ型Ｉｎ0.5（Ｇａ0.3Ａｌ0.7）0.5Ｐクラッド層３の途中まで拡散していく。この拡散により、ＭＱＷ活性層２０と光ガイド層１６、１９からなる活性領域は、隣接しているｐ型Ｉｎ0.5（Ｇａ0.3Ａｌ0.7）0.5Ｐクラッド層５およびｎ型Ｉｎ0.5（Ｇａ0.3Ａｌ0.7）0.5Ｐクラッド層３と混晶化し、この結果として実効的なバンドギャップが増大して
（エ）引用発明においては、「ｎ型クラッド層１２は、ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなり、活性層１３はＩｎＧａＰ井戸層と（Ａｌ0.6Ｇａ0.4）0.5Ｉｎ0.5Ｐ障壁層とからなる量子井戸構造を有しており、ｐ型クラッド層１４はｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなり」、３−５族化合物半導体を用いているところ、「活性層１３のバンドギャップを拡張するための拡散物質dを含有しており、拡散物質dは、例えば、亜鉛（Ｚｎ）またはマグネシウム（Ｍｇ）等であ」り、当該バンドギャップの拡張は、上記周知の技術事項と同様の作用によるといえる。それゆえ、引用発明においては、「拡散部１０Ｄ」が設けられた各半導体層について混合していることで、相違点４に係る構成を実質的に備えるか、仮にそうでなくとも、相違点４に係る構成を備えるようにすることは、当業者が適宜になしえたことである。
（オ）また、引用発明が「ｐドーパント」を備え、あるいは、備えることを当業者が適宜になしえたことは、上記イにおいて検討したとおりである。
（カ）よって、引用発明は、相違点４に係る構成を実質的に備え、仮にそうでないとしても、相違点４に係る構成を備えることは、当業者が適宜になしえたことである。
オ　上記アないしエのとおり、引用発明において相違点１ないし４に係る構成を備えることは当業者が適宜になし得たことである。
（５）小括
　よって、本願補正発明は、周知技術を勘案して引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
５　まとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　令和元年１１月８日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成３０年１０月１８日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　ｐｎダイオード層を備える発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
　前記ｐｎダイオード層は、
　　第１のドーパント型でドープされた上部ドープ層と、
　　前記第１のドーパント型と反対の第２のドーパント型でドープされた下部ドープ層と、
　　前記上部ドープ層と前記下部ドープ層との間の活性層と、
　　前記上部ドープ層、前記活性層及び前記下部ドープ層に広がるｐｎダイオード層側壁と、
　　前記ｐｎダイオード層側壁の内側であって、前記ｐｎダイオード層側壁に広がる拡散不活性化層と、を含み、
　前記拡散不活性化層は、前記下部ドープ層及び前記活性層の側壁を完全に覆い、前記ｐｎダイオード層の上面に達しないように構成され、前記拡散不活性化層は、前記ｐｎダイオード層側壁の全てにまで広がっていない、発光ダイオード（ＬＥＤ）。」
２　引用発明
　引用発明は、前記第２の４「（２）刊行物等に記載された発明」アに記載したとおりのものである。
　
３　対比及び判断
　前記第２「１　本件補正の内容」〜第２「３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討」において記したように、本願補正発明は、補正前の請求項３（すなわち、間接的に請求項２、さらに請求項１を引用）を引用する請求項１４について、上部クラッド層、下部クラッド層、活性層、上部ドープ層及び下部ドープ層の相互の位置関係を技術的に限定するとともに、補正前の「ｐｎダイオード層」について、「１００μｍより小さい最大横方向寸法を有する」ものとして技術的に限定するものである。
　換言すると、本願発明は、本願補正発明から、上記各限定を除くとともに、補正前の請求項１４（及び補正前の請求項１４が引用する補正前の請求項３）に係る限定を除いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定したものである本願補正発明が、前記第２　４「（３）対比」〜第２　４「（５）小括」において検討したとおり、周知技術を勘案し、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。