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【手続補正書】
【提出日】令和1年11月8日(2019.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料および二酸化塩素ラジカルの存在下、反応系に光照射する反応工程を含み、
前記原料が、飽和炭化水素またはその誘導体であり、
前記反応系が、有機相を含む反応系であり、
前記有機相が、前記原料および前記二酸化塩素ラジカルを含み、
前記反応工程において、前記光照射により、前記原料が酸化され、前記原料の酸化反応生
成物としてジオール体を生成することを特徴とするジオール体の製造方法。
【請求項２】
前記反応工程において、少なくとも前記有機相に光照射する、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記反応系が、前記有機相と水相とを含む二相反応系である、請求項１または２記載の製
造方法。
【請求項４】
前記反応工程において、
前記反応系は分散系であり、
前記有機相および前記水相の一方が分散媒であり、他方が分散質であり、
前記分散系に光照射する、請求項３記載の製造方法。
【請求項５】
前記反応工程において、前記反応系を撹拌することによって、前記分散媒に前記分散質を
分散させる、請求項４記載の製造方法。
【請求項６】
前記撹拌の方法が、撹拌子による回転処理、ボルテックスミキサーによる撹拌処理、およ
び超音波処理からなる群から選択される少なくとも一つである、請求項５記載の製造方法
。
【請求項７】
前記反応工程において、前記反応系を空気に接触させながら、前記反応系に光照射する、
請求項１から６のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記反応工程において、前記水相に酸素（Ｏ２）が溶解した状態で光照射する、請求項３
から７のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記反応工程において、温度が０〜１００℃であり、圧力が０．１〜０．５ＭＰａである
雰囲気下で、反応を行なう、請求項１から８のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記反応工程後、さらに、前記ジオール体を回収する回収工程を含み、
前記回収工程が、前記反応系から、前記ジオール体を含む前記水相を回収する工程である
、請求項３から９のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記有機相が、有機溶媒を含み、前記有機溶媒が、炭化水素溶媒である、請求項１から１
０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記有機相が、有機溶媒を含み、前記有機溶媒が、ハロゲン化溶媒である請求項１から１
０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記有機相が、有機溶媒を含み、前記有機溶媒が、フルオラス溶媒である請求項１から１
０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１４】
さらに、前記二酸化塩素ラジカルを生成させる二酸化塩素ラジカル生成工程を含む、請求
項１から１３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記反応系が、前記有機相と水相とを含む二相反応系であり、
さらに、前記二酸化塩素ラジカルを生成させる二酸化塩素ラジカル生成工程を含み、
前記二酸化塩素ラジカル生成工程において、前記水相が、前記二酸化塩素ラジカルの発生
源を含み、前記二酸化塩素ラジカルの発生源から前記二酸化塩素ラジカルを生成させる請
求項１から１４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記二酸化塩素ラジカル生成工程において、前記二酸化塩素ラジカルの発生源が亜塩素酸
イオン（ＣｌＯ２−）であり、前記亜塩素酸イオンにルイス酸およびブレーンステッド酸
の少なくとも一方を作用させて前記二酸化塩素ラジカルを生成させる請求項１５記載の製
造方法。
【請求項１７】
前記原料が、エタンまたはその誘導体であり、
前記原料の酸化反応生成物がエチレングリコールである請求項１から１６のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記原料が、プロパンまたはその誘導体であり、
前記原料の酸化反応生成物がプロピレングリコールである請求項１から１６のいずれか一項に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月4日(2019.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（２）で表される化合物若しくはその塩、並びに下記式（１）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を有効成分とする、ペルオキシソーム増殖剤活性化受容体α活性化剤。
2018076267.tif 000001
2018076267.tif 000002
【請求項２】
下記式（２）で表される化合物若しくはその塩、並びに下記式（１）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を有効成分とする、アトピー性皮膚炎の予防又は改善剤。
2018076267.tif 000003
2018076267.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月9日(2019.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペパーミント（Ｍｅｎｔｈａ  Ｐｉｐｅｒｉｔａ）抽出物及び／又はヨーロッパキイチゴ（Ｒｕｂｕｓ  Ｉｄａｅ  ｕｓ  Ｌ．）抽出物を有効成分とするｍｉＲＮＡ１０６ｂ発現促進剤。
【請求項２】
ｐ２１発現抑制用である、請求項１記載の剤。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月12日(2018.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記エアバッグコーティング用シリコーンゴム組成物は、（Ｇ）シリコーン組成物の接着性を向上させる働きを有する成分０．０５〜１０質量部を含有することが好ましい。さらに、成分（Ｇ）は、有機チタン化合物、有機ジルコニア化合物、および有機アルミニウム化合物からなる群より選ばれる１種以上の有機金属化合物であることが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記エアバッグコーティング用シリコーンゴム組成物は、（Ｂ−１）オルガノハイドロジェンポリシロキサンが、下記一般式（１）
ＨＲ１２ＳｉＯ-（ＨＲ１ＳｉＯ）ｍ-（Ｒ１２ＳｉＯ）ｎ-ＳｉＲ１２Ｈ  （１）
（式（１）中、Ｒ１は独立に脂肪族不飽和結合を有さない互いに同一または異種の炭素原子数１〜１０の非置換またはハロゲン置換の１価炭化水素基であり、ｍは１〜５０の正数、ｎは０〜１５０の正数であり、式：ｔ＝ｍ／（ｍ＋ｎ）で示されるｔは、０．０１≦ｔ≦１．０を満たす。）で表される化合物を含有することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記エアバッグコーティング用シリコーンゴム組成物は、（Ｂ−１）オルガノハイドロジェンポリシロキサンに、分子鎖の両末端がトリメチルシロキシ基を有し、ケイ素原子に結合する芳香族の基を分子中に少なくとも１個含有することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月10日(2019.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼炉の炉壁から炉内に突出される炉内突出部を有するバーナ本体と、
前記炉内突出部の外周面を取り囲むように設けられた、前記バーナ本体を冷却するための冷却媒体が流通する冷却管と、
前記冷却管の内部の光を検出するための光検出手段であって、
前記冷却管の内部に設置される、光を伝送するための光伝送部材である光ファイバと、
前記光伝送部材によって伝送された前記冷却管内からの光を検出する光検出器と、を有する光検出手段と、を備え、
前記光ファイバの先端が、前記冷却管における前記炉内突出部の外周面を取り囲むように設けられた部分の内部に設置されることを特徴とするバーナ装置。
【請求項２】
前記光ファイバは、複数の光ファイバからなり、
前記複数の光ファイバの各々の先端は、前記冷却管における相互に異なる位置にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項１に記載のバーナ装置。
【請求項３】
前記冷却管は、
前記炉内突出部の外周面の先端部を含む先端側領域を取り囲むように設けられた、前記バーナ本体を冷却するための冷却媒体が流通する先端側冷却管と、
前記炉内突出部の外周面の基端部と前記先端側領域との間の基端側領域を取り囲むように設けられた、前記冷却媒体が流通する基端側冷却管と、を含み、
前記光伝送部材は、前記先端側冷却管の内部に設置されることを特徴とする請求項１または２に記載のバーナ装置。
【請求項４】
前記バーナ装置は、さらに、
前記先端側冷却管に前記冷却媒体を供給するための第１冷却媒体供給管と、
前記基端側冷却管に前記冷却媒体を供給するための第２冷却媒体供給管と、を備えることを特徴とする請求項３に記載のバーナ装置。
【請求項５】
前記光ファイバは、前記光ファイバのコアが露出するように、前記コアを覆うクラッドを部分的に取り除いた部分を複数有することを特徴とする請求項１に記載のバーナ装置。
【請求項６】
前記冷却管は、前記炉内突出部において螺旋状に複数回巻き回されていることを特徴とする請求項２または５に記載のバーナ装置。
【請求項７】
前記燃焼炉は燃料をガス化するガス化炉であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のバーナ装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のバーナ装置の冷却管の破損を検出するバーナ装置の冷却管破損検出方法であって、
前記冷却管に前記冷却媒体を供給するバーナ本体冷却ステップと、
前記光検出手段により、前記冷却管の内部の光を監視する冷却管内部光監視ステップと、
前記冷却管内部光監視ステップによる監視結果に基づいて、前記冷却管に破損が生じたか否かを判定する破損判定ステップと、を備えることを特徴とするバーナ装置の冷却管破損検出方法。
【請求項９】
請求項８に記載のバーナ装置の冷却管に対する冷却媒体の供給を制御するバーナ装置の冷却媒体制御方法であって、
第１冷却媒体供給管から先端側冷却管に前記冷却媒体を供給する先端側領域冷却ステップと、
第２冷却媒体供給管から基端側冷却管に前記冷却媒体を供給する基端側領域冷却ステップと、
前記光検出手段により、前記冷却管の内部の光を監視する冷却管内部光監視ステップと、
前記光監視ステップによる監視結果に基づいて、前記先端側冷却管に破損が生じたか否かを判定する破損判定ステップと、
前記破損判定ステップによって前記先端側冷却管に破損が生じたと判定した場合に、前記先端側冷却管への前記冷却媒体の供給のみを停止する先端側領域冷却停止ステップと、を備えることを特徴とするバーナ装置の冷却媒体制御方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月15日(2019.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成条件に基づいて記録媒体に画像を形成する画像形成手段と、
前記画像形成手段により測定用画像が形成される像担持体と、
基板、前記基板に設けられた発光素子、前記基板に設けられた受光素子、及び前記発光素子と前記受光素子との間に設けられた遮光部材を有し、前記発光素子を駆動電流に基づいて発光し、前記像担持体に形成された前記測定用画像からの反射光を前記受光素子によって受光し、前記受光素子の受光結果に対応する信号値を出力する測定手段と、
前記駆動電流と前記測定手段の漏れ光によって生じる前記信号値の誤差の補正に用いられる補正値との関係に関するデータを格納する格納手段と、
前記画像形成条件を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記駆動電流を調整する駆動電流制御を行い、
前記駆動電流制御により調整した前記駆動電流に基づいて前記発光素子を制御して、前記受光素子から出力された前記測定用画像からの反射光の受光結果に対応する測定用画像信号値を取得し、
前記格納手段に格納された前記データに基づいて、前記駆動電流制御により調整した駆動電流から補正値を決定し、
前記決定された補正値と前記測定用画像信号値に基づいて前記画像形成条件を制御することを特徴とする、
画像形成装置。
【請求項２】
前記受光素子は、正反射光を受光することを特徴とする、
請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記受光素子は、正反射光を受光する第１受光素子及び乱反射光を受光する第２受光素子を備えることを特徴とする、
請求項１記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記画像形成条件は、前記画像形成手段により形成される画像の濃度を調整するための条件に対応することを特徴とする、
請求項１〜３のいずれか１項記載の画像形成装置。
【請求項５】
温度検出手段をさらに備えており、
前記制御手段は、前記測定用画像信号値、前記決定された補正値、及び前記温度検出手段により検出された温度に基づいて、前記画像形成条件を制御することを特徴とする、
請求項１〜４のいずれか１項記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記駆動電流制御により、前記像担持体からの反射光に対応する像担持体信号値に基づいて前記駆動電流を調整することを特徴とする、
請求項１〜５のいずれか１項記載の画像形成装置。
【請求項７】
基板と、
前記基板に設けられ、駆動電流に基づいて発光する発光素子と、
前記基板に設けられ、受光結果に基づいて第１出力値を出力する第１受光素子と、
前記基板に設けられ、受光結果に基づいて第２出力値を出力する第２受光素子と、
前記基板に設けられ、前記発光素子と前記第１受光素子との間に設けられる第１シールド及び前記発光素子と前記第２受光素子との間に設けられる第２シールドを含む遮光部材と、
前記駆動電流と前記第１受光素子による漏れ光の受光結果に対応する第１出力値との関係を表す第１データと、前記駆動電流と前記第２受光素子による漏れ光の受光結果に対応する第２出力値との関係を表す第２データと、を格納する格納手段と、
前記駆動電流を調整する駆動電流制御を行う制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記駆動電流制御により調整した調整駆動電流に基づいて前記第１データから漏れ光により生じる前記第１出力値の誤差を補正するための第１補正値を決定し、
前記駆動電流制御により調整した調整駆動電流に基づいて前記第２データから漏れ光により生じる前記第２出力値の誤差を補正するための第２補正値を決定することを特徴とする、
測定装置。
【請求項８】
前記第１データは、第１駆動電流に対応する第１出力値と、前記第１駆動電流とは異なる第２駆動電流に対応する別の第１出力値とを含み、
前記第２データは、前記第１駆動電流に対応する第２出力値と、前記第２駆動電流に対応する別の第２出力値とを含むことを特徴とする、
請求項７記載の測定装置。
【請求項９】
前記第１受光素子は正反射光を受光し、前記第２受光素子は乱反射光を受光することを特徴とする、
請求項７記載の測定装置。
【請求項１０】
前記測定装置は、プリンタにより形成されたトナー像を測定することを特徴とする、
請求項７記載の測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置、測定装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の画像形成装置は、画像形成条件に基づいて記録媒体に画像を形成する画像形成手段と、前記画像形成手段により測定用画像が形成される像担持体と、基板、前記基板に設けられた発光素子、前記基板に設けられた受光素子、及び前記発光素子と前記受光素子との間に設けられた遮光部材を有し、前記発光素子を駆動電流に基づいて発光し、前記像担持体に形成された前記測定用画像からの反射光を前記受光素子によって受光し、前記受光素子の受光結果に対応する信号値を出力する測定手段と、前記駆動電流と前記測定手段の漏れ光によって生じる前記信号値の誤差の補正に用いられる補正値との関係に関するデータを格納する格納手段と、前記画像形成条件を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記駆動電流を調整する駆動電流制御を行い、前記駆動電流制御により調整した前記駆動電流に基づいて前記発光素子を制御して、前記受光素子から出力された前記測定用画像からの反射光の受光結果に対応する測定用画像信号値を取得し、前記格納手段に格納された前記データに基づいて、前記駆動電流制御により調整した駆動電流から補正値を決定し、前記決定された補正値と前記測定用画像信号値に基づいて前記画像形成条件を制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月16日(2019.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１工程乃至第７工程を有し、
前記第１工程は、
第１支持基板上に、第１剥離層と、第１樹脂層と、を設ける工程と、
前記第１樹脂層上に、第１電極を設ける工程と、
前記第１電極上に、光拡散層と、第１偏光板と、を設ける工程と、を有し、
前記第２工程は、
第２支持基板上に、第２剥離層と、第２樹脂層と、第１基板と、を設ける工程と、を有し、
前記第３工程は、
前記第１支持基板と前記第２支持基板とを、前記第１偏光板と前記第１基板とが向かい合うように第１接着層を介して重ねる工程と、
前記第１支持基板を介して前記第１剥離層に光を照射する工程と、
前記第１支持基板および前記第１剥離層を前記第１樹脂層から分離する工程と、
前記第１樹脂層を除去する工程と、を有し、
前記第４工程は、
第３支持基板上に、第３剥離層と、第３樹脂層と、第２電極と、トランジスタと、第３電極と、を設ける工程を有し、
前記第５工程は、
第４支持基板上に、第４剥離層と、第４樹脂層と、第２基板と、第４電極と、を設ける工程を有し、
前記第６工程は、
前記第３支持基板と前記第４支持基板とを、前記第３電極と前記第４電極とが向かい合うように第１液晶層を介して重ねる工程と、
前記第３支持基板を介して前記第３剥離層に光を照射する工程と、
前記第３支持基板および前記第３剥離層を前記第３樹脂層から分離する工程と、
前記第３樹脂層を除去する工程と、を有し、
前記第７工程は、
前記第１基板と前記第２基板を、前記第１電極と前記第２電極とが向かい合うように第２液晶層を介して重ねる工程と、
前記第２支持基板を介して前記第２剥離層に光を照射する工程と、
前記第２支持基板および前記第２剥離層を前記第２樹脂層から分離する工程と、
前記第２樹脂層を除去する工程と、
前記第４支持基板を介して前記第４剥離層に光を照射する工程と、
前記第４支持基板および前記第４剥離層を前記第４樹脂層から分離する工程と、
前記第４樹脂層を除去する工程と、前記第２基板上に第２偏光板を設ける工程と、
を有する表示装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１基板の厚さが０．５ｍｍ未満である表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２基板の厚さが０．５ｍｍ未満である表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１樹脂層乃至第４樹脂層がポリイミドを有する表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記光の波長が１８０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下である表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１基板上に、反射防止層または防眩層の少なくとも一方が設けられている表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記トランジスタが酸化物半導体を有する表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１電極と前記第２液晶層の間に第１の配向膜を有し、
前記第２電極と前記第２液晶層の間に第２の配向膜を有する表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第３電極と前記第１液晶層の間に第３の配向膜を有し、
前記第４電極と前記第１液晶層の間に第４の配向膜を有する表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１電極と前記光拡散層の間にタッチセンサを有する表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月21日(2019.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板の間に、第１の液晶層を有する第１の表示素子と、第２の液晶層を有する第２の表示素子と、を有する表示装置の作製方法であり、
前記第１の基板上に、第１の共通電極を形成する工程と、
前記第２の基板上に、第２の共通電極を形成する工程と、
作製基板上に、第１の層を形成する工程と、
前記第１の層上に、第２の層を形成する工程と、
前記第２の層上に、第１の画素電極を形成する工程と、
前記第１の画素電極上に、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、第２の画素電極を形成する工程と、
前記第２の共通電極と前記第２の画素電極との間に前記第２の液晶層を配置した状態で、前記作製基板と前記第２の基板とを貼り合わせることで、前記第２の表示素子を形成する工程と、
光を照射することで、前記第１の層と前記第２の層とを分離する工程と、
前記第１の共通電極と前記第１の画素電極との間に前記第１の液晶層を配置した状態で、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせることで、前記第１の表示素子を形成する工程と、を有する、表示装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の共通電極を形成する工程の前に、前記第１の基板上に、機能層を形成する工程を有し、
前記機能層は、検知素子及び着色層のうち一方または双方を有するように形成される、表示装置の作製方法。
【請求項３】
第１の基板と第２の基板の間に、第１の液晶層を有する第１の表示素子と、第２の液晶層を有する第２の表示素子と、を有する表示装置の作製方法であり、
第１の作製基板上に、第１の剥離層を形成する工程と、
前記第１の剥離層上に、第１の共通電極を形成する工程と、
前記第２の基板上に、第２の共通電極を形成する工程と、
第２の作製基板上に、第２の剥離層を形成する工程と、
前記第２の剥離層上に、第１の画素電極を形成する工程と、
前記第１の画素電極上に、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、第２の画素電極を形成する工程と、
前記第２の共通電極と前記第２の画素電極との間に前記第２の液晶層を配置した状態で、前記第２の作製基板と前記第２の基板とを貼り合わせることで、前記第２の表示素子を形成する工程と、
前記第２の剥離層を用いて、前記第２の作製基板と前記第２の基板とを分離する工程と、
前記第１の共通電極と前記第１の画素電極との間に前記第１の液晶層を配置した状態で、前記第１の作製基板と前記第２の基板とを貼り合わせることで、前記第１の表示素子を形成する工程と、
前記第１の剥離層を用いて、前記第１の作製基板と前記第２の基板とを分離する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に前記第１の表示素子を配置した状態で、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程と、を有し、
前記第１の剥離層及び前記第２の剥離層のうち一方または双方は、第１の層と、前記第１の層上の第２の層を有するように形成され、
前記第２の作製基板と前記第２の基板とを分離する工程、及び、前記第１の作製基板と前記第２の基板とを分離する工程のうち一方または双方では、光が照射されることで、前記第１の層と前記第２の層とが分離する、表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の共通電極を形成する工程の前に、前記第１の剥離層上に第１の機能層を形成する工程を有し、
前記第１の機能層は、検知素子及び着色層のうち一方または双方を有するように形成される、表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３または４において、
前記第１の基板は、第２の機能層が設けられている面を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に前記第２の機能層を配置した状態で行われ、
前記第２の機能層は、光拡散層及び前記偏光板のうち一方または双方を有するように形成される、表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３において、
第３の作製基板上に、第３の剥離層を形成する工程と、
前記第３の剥離層上に、機能層を形成する工程と、を有し、さらに、
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程の前に、前記第３の作製基板と前記第１の基板との間に前記第３の剥離層を配置した状態で、前記第３の作製基板と前記第１の基板とを貼り合わせる工程と、前記第３の剥離層を用いて、前記第３の作製基板と前記第１の基板とを分離する工程と、を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程は、前記第１の基板と前記第２の基板との間に前記機能層を配置した状態で行われ、
前記機能層は、検知素子、光拡散層、及び偏光板のうち一つまたは複数を有するように形成される、表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の画素電極は、可視光を反射する機能を有するように形成され、
前記第２の画素電極、前記第１の共通電極、及び前記第２の共通電極は、それぞれ、可視光を透過する機能を有するように形成される、表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の基板の、前記第２の基板側の面とは逆側の面に、反射防止部材が設けられる、表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第１の層と前記第２の層とを分離する工程の後に、前記第２の基板を含む積層体の露出面に残存する前記第２の層を除去する工程を有する、表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記光として、レーザ光を用い、
前記レーザ光が、前記第１の層と前記第２の層との界面またはその近傍に照射されることにより、前記第１の層と前記第２の層とが分離する、表示装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記第１の層は、チタン及び酸化チタンのうち一方または双方を有するように形成される、表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記第２の層は、開口を有するように形成され、
前記開口を覆うように、導電層が形成され、
前記第１の層と前記第２の層とが分離することで、前記導電層が露出する、表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月17日(2019.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が行列状に配列された画素アレイと、
位相差検出方式による焦点検出のための位相差評価値を、前記複数の画素のうちに含まれている位相差検出用画素からの信号に基づいて算出する第１の算出部と、
前記画素アレイによって取得される画像信号に生ずる欠損であって、前記複数の画素のうちに前記位相差検出用画素が含まれていることによって生ずる欠損を補うための信号を、前記位相差検出用画素以外の前記画素からの信号を用いた補間によって生成する補間処理部と、
コントラスト検出方式による焦点検出のためのコントラスト評価値を、前記補間処理部による前記補間によって生成された前記信号を含む前記画像信号に基づいて算出する第２の算出部と
を有することを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記位相差評価値の算出が前記第１の算出部によって完了した場合には、前記画素アレイによって取得される前記画像信号の出力の完了の如何にかかわらず、前記位相差評価値を出力することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記画素アレイは第１の半導体チップに形成され、
前記第１の算出部、前記補間処理部及び前記第２の算出部は、前記第１の半導体チップと異なる第２の半導体チップに形成され、
前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとが積層されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記補間処理部によって補間された前記画像信号を出力することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記位相差評価値及び前記コントラスト評価値は、前記補間処理部によって補間された前記画像信号が出力される出力端子とは異なる出力端子を介して出力されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記位相差検出用画素を含む行からの信号の読み出しは、前記位相差検出用画素を含まない行からの信号の読み出しと並行して行われることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記画素アレイは、複数の前記位相差検出用画素を含み、
前記複数の位相差検出用画素は、撮像光学系の射出瞳の第１の瞳領域を通過する光束に応じた信号を取得する第１の位相差検出用画素と、前記射出瞳の前記第１の瞳領域とは異なる第２の瞳領域を通過する光束に応じた信号を取得する第２の位相差検出用画素とを含み、
前記第１の算出部は、前記第１の位相差検出用画素と前記第２の位相差検出用画素とからの信号に基づいて前記位相差評価値を算出することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項８】
複数の画素が行列状に配列された画素アレイの前記複数の画素のうちに含まれている位相差検出用画素からの信号に基づいて、位相差検出方式による焦点検出のための位相差評価値を算出するステップと、
前記画素アレイによって取得される画像信号に生ずる欠損であって、前記複数の画素のうちに前記位相差検出用画素が含まれていることによって生ずる欠損を補うための信号を、前記位相差検出用画素以外の前記画素からの信号を用いた補間によって生成するステップと、
コントラスト検出方式による焦点検出のためのコントラスト評価値を、前記補間によって生成された前記信号を含む前記画像信号に基づいて算出するステップと
を有することを特徴とする固体撮像素子の制御方法。
【請求項９】
複数の画素が行列状に配列された画素アレイと、位相差検出方式による焦点検出のための位相差評価値を、前記複数の画素のうちに含まれている位相差検出用画素からの信号に基づいて算出する第１の算出部と、前記画素アレイによって取得される画像信号に生ずる欠損であって、前記複数の画素のうちに前記位相差検出用画素が含まれていることによって生ずる欠損を補うための信号を、前記位相差検出用画素以外の前記画素からの信号を用いた補間によって生成する補間処理部と、コントラスト検出方式による焦点検出のためのコントラスト評価値を、前記補間処理部による前記補間によって生成された前記信号を含む前記画像信号に基づいて算出する第２の算出部とを有する固体撮像素子と、
前記位相差評価値と前記コントラスト評価値とに基づいて、フォーカスレンズを駆動するための制御を行う制御部と
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項１０】
前記位相差評価値の算出が前記第１の算出部によって完了した場合には、前記画素アレイによって取得される前記画像信号の出力の完了の如何にかかわらず、前記位相差評価値を出力することを特徴とする請求項９に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記画素アレイは第１の半導体チップに形成され、
前記第１の算出部、前記補間処理部及び前記第２の算出部は、前記第１の半導体チップと異なる第２の半導体チップに形成され、
前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとが積層されていることを特徴とする請求項９又は１０に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記補間処理部によって補間された前記画像信号を出力することを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記位相差評価値及び前記コントラスト評価値は、前記補間処理部によって補間された前記画像信号が出力される出力端子とは異なる出力端子を介して出力されることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１４】
前記位相差検出用画素を含む行からの信号の読み出しは、前記位相差検出用画素を含まない行からの信号の読み出しと並行して行われることを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１５】
前記画素アレイは、複数の前記位相差検出用画素を含み、
前記複数の位相差検出用画素は、撮像光学系の射出瞳の第１の瞳領域を通過する光束に応じた信号を取得する第１の位相差検出用画素と、前記射出瞳の前記第１の瞳領域とは異なる第２の瞳領域を通過する光束に応じた信号を取得する第２の位相差検出用画素とを含み、
前記第１の算出部は、前記第１の位相差検出用画素と前記第２の位相差検出用画素とからの信号に基づいて前記位相差評価値を算出することを特徴とする請求項９乃至１４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１６】
被写体に対して光を発する発光手段、
ユーザによる操作入力を受け付ける操作手段、
画像を表示する表示手段、及び
画像データを記録する記録手段
のうちの少なくとも１つをさらに備えることを特徴とする請求項９乃至１５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月11日(2019.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現実空間を撮影手段により撮影した画像を取得する画像取得手段と、
前記撮影手段の位置姿勢に基づいて、距離情報を計測するための光を照射させる第１の照射装置によって光が照射される第１の領域を推定する推定手段と、
前記第１の照射装置と異なる第２の照射装置により距離情報を計測するための光が照射される第２の領域に関する情報を取得する取得手段とを備え、
前記推定された第１の領域と、前記取得される第２の領域に関する情報とに基づいて、前記第１の照射装置による光の照射を制御する制御手段を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
更に、
前記推定した前記第１の領域と前記第２の領域とが重複するかを判断する判断手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記判断手段が前記第１の領域と前記第２の領域とが重複していると判断した場合に、前記光の出力強度を変更することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
更に、前記判断手段が前記第１の領域と前記第２の領域とが重複していると判断した場合に、前記第１の照射装置と前記第２の照射装置のいずれの装置が照射制御を行うかを示す優先度を記憶する記憶手段を備え、
前記制御手段は、前記優先度に基づいて、前記光の照射を制御することを備えることを特徴とする請求項２または３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記判断手段が前記第１の領域と前記第２の領域とが重複したと判断した場合に、時分割で前記第１の照射装置と前記第２の照射装置とが交互に光を照射するように制御することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
更に、
他の装置と通信を行う通信制御手段を備え、
前記取得手段は、前記通信制御手段によって受信したデータに基づいて、前記第２の領域に関する情報を取得することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
更に、
撮影手段により撮影された画像から前記第２の照射装置から照射された光を検知する検知手段を備え、
前記取得手段は、前記検知手段による検知結果に基づいて前記第２の照射領域に関する情報を取得することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
更に、
前記制御手段は、照射の条件を変更した際に、該変更を示す情報をユーザに提示する提示手段を備えることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
更に、
現実空間に光の照射を行わない領域を設定する設定手段を備え、
前記取得手段は、前記設定された領域を、前記第２の領域として取得することを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記第１の照射装置と前記第２の照射装置のうち、少なくともいずれかが照射する光は赤外光であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
更に、
前記第１の照射装置によって照射された光を受光した結果に基づいて生成される距離情報を取得する距離情報取得手段を備えることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
更に、
前記撮影手段の位置姿勢に基づいて仮想物体の画像を生成し、前記距離情報に基づき前記仮想物体の画像と前記撮影した画像とを合成した画像を表示部に表示させる表示制御手段を備えることを特徴とする請求項１１に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
前記表示部は頭部装着型表示装置であることを特徴とする請求項１１に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
前記前記第２の照射装置は、他の情報処理装置により制御された照射装置であって、
前記制御手段は、前記推定された第１の領域と、前記他の情報処理装置からネットワークを介して取得された前記第２の領域に関する情報に基づいて、前記第１の照射装置による光の照射を制御することを特徴とする請求項１乃至１３の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１５】
現実空間を撮影手段により撮影した画像を取得する画像取得工程と、
前記撮影手段の位置姿勢に基づいて、距離情報を計測するための光を照射させる第１の照射装置によって光が照射される第１の領域を推定する推定工程と、
前記第１の照射装置と異なる第２の照射装置により距離情報を計測するための光が照射される第２の領域に関する情報を取得する取得工程と、
前記推定された第１の領域と、前記取得される第２の領域に関する情報とに基づいて、前記第１の照射装置による光の照射を制御する制御工程を備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項１６】
コンピュータを、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月11日(2019.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部が形成された筐体を有し、前記開口部を介して面の反射特性を計測する計測装置であって、
前記筐体内に設けられ、前記開口部を介して前記面を撮像する撮像部と、
前記撮像部により撮像される領域のうち一部における前記面からの反射光を検出する検出部と、
前記検出部による検出に基づいて前記一部における前記面の反射特性を得る処理部と、
前記撮像部により得られた前記領域の画像を表示する表示部と、
を含み、
前記表示部により表示される前記領域の画像は、前記領域における前記一部を示す情報を含むことを特徴とする計測装置。
【請求項２】
前記表示部は、前記処理部で得られた前記反射特性を表示することを特徴とする請求項１に記載の計測装置。
【請求項３】
ユーザにより操作される入力部を含み、
前記処理部は、前記入力部により入力された信号に基づいて、前記反射特性を得ることを特徴とする請求項１又は２に記載の計測装置。
【請求項４】
ユーザにより操作される入力部を含み、
前記処理部は、前記入力部により入力された信号に基づいて、前記反射特性と、前記撮像部により得られた前記領域の画像とを選択的に前記表示部に表示させることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項５】
前記処理部は、前記表示部により表示された前記領域の画像と、前記反射特性とを対応付けて記憶することを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項６】
前記検出部は、前記一部における前記面に光を照射して前記面からの反射光を検出し、
前記撮像部は、前記検出部により前記一部における前記面に光が照射されている状態で、前記領域に光を照射して前記領域を撮像することにより、前記情報を含む前記領域の画像を得ることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項７】
前記撮像部は、前記一部における前記面に前記検出部により照射される光の強度より小さい強度の光を前記領域に照射して前記領域を撮像することを特徴とする請求項６に記載の計測装置。
【請求項８】
前記表示部により表示される前記領域の画像は、前記一部を示すマークを前記情報として含むことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項９】
前記マークは、前記一部の外形を示すマークを含むことを特徴とする請求項８に記載の計測装置。
【請求項１０】
前記表示部は、前記筐体に設けられたディスプレイを含むことを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項１１】
ユーザにより操作される入力部を含み、
前記表示部と前記入力部とは、前記筐体上において互いに隣接して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の計測装置。
【請求項１２】
ユーザにより操作される入力部と、
ユーザにより把持される把持部と、を含み、
前記入力部と前記把持部とは、前記筐体上において互いに隣接して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の計測装置。
【請求項１３】
前記反射特性は、鏡面光沢度、ヘイズ、ＤＯＩおよび写像性のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項１４】
前記撮像部は、前記開口部を介して前記面の撮像領域に光を照射して前記撮像領域を撮像し、
前記検出部は、前記開口部を介して、前記撮像領域の一部である計測領域に光を照射して前記計測領域からの反射光を検出する、ことを特徴とする請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項１５】
前記表示部は、前記撮像部により得られた前記撮像領域の画像を表示し、
前記表示部により表示される前記撮像領域の画像は、前記撮像領域における前記計測領域の位置を示す情報を含む、ことを特徴とする請求項１４に記載の計測装置。
【請求項１６】
前記面の反射特性は、前記筐体により前記計測領域が覆われた状態で計測される、ことを特徴とする請求項１４又は１５に記載の計測装置。
【請求項１７】
前記撮像領域は、前記計測領域を含み、前記計測領域より大きい、ことを特徴とする請求項１４乃至１６のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項１８】
前記表示部により表示される前記撮像領域の画像は、前記撮像領域のうち前記計測領域とそれ以外の部分とが視覚的に区別されるように生成された前記情報を含む、ことを特徴とする請求項１４乃至１７のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項１９】
前記撮像部は、前記検出部が前記反射光を検出している間、前記撮像領域への光の照射を中断する、ことを特徴とする請求項１４乃至１８のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【請求項２０】
前記筐体は、ユーザにより把持された状態で前記面上を移動可能に構成されている、ことを特徴とする請求項１乃至１９のうちいずれか１項に記載の計測装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月26日(2018.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
認識トンネリング装置を使用する方法であって、前記認識トンネリング装置は、（ａ）第１の感知電極、（ｂ）間隙によって前記第１の電極から分離される第２の感知電極、（ｃ）前記第１および第２の感知電極と接触する電解質、および（ｄ）本質的に一定の分極の基準電極であって、前記電解質と接触し、前記第１の感知電極に連結される基準電極を含み、
前記方法は、
（ｉ）電位範囲を決定するステップであって、前記電位範囲が下限値および上限値を有し、前記電位範囲が前記基準電極と比較して決定される、ステップと、
（ｉｉ）前記基準電極に対して前記下限値以上の電位で前記第１の感知電極を保持するステップと、
（ｉｉｉ）前記第１の感知電極に対して前記上限値以下の電位で前記第２の感知電極を保持するステップ
とを含む、方法。
【請求項２】
前記第１および第２の感知電極は、アダプタ分子で官能化される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アダプタ分子は、４（５）−（２−メルカプトエチル）−１Ｈ−イミダゾール−２−カルボキサミドである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記基準電極は、銀／塩化銀電極、飽和カロメル電極、および標準水素電極からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基準電極は、銀／塩化銀電極である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記基準電極は、前記電解質からの荷電種がその表面から吸収または脱着されるにつれて電位が数１０ｍＶ未満変化するように構成されている、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
認識トンネリング装置を使用する方法であって、前記認識トンネリング装置は、（ａ）第１の感知電極、（ｂ）間隙によって前記第１の電極から分離される第２の感知電極、（ｃ）前記第１および第２の感知電極と接触する電解質、および（ｄ）本質的に一定の分極の基準電極であって、前記電解質と接触し、前記第１の感知電極に連結される基準電極を含み、
前記方法は、
（ｉ）電位範囲を決定するステップであって、前記電位範囲が下限値および上限値を有し、前記電位範囲が前記基準電極と比較して決定される、ステップと、
（ｉｉ）前記基準電極に対して前記上限値以下の電位で前記第１の感知電極を保持するステップと、
（ｉｉｉ）前記第１の感知電極に対して前記下限値以上の電位で前記第２の感知電極を保持するステップ
とを含む、方法。
【請求項８】
前記第１および第２の感知電極は、アダプタ分子で官能化される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記アダプタ分子は、４（５）−（２−メルカプトエチル）−１Ｈ−イミダゾール−２−カルボキサミドである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記基準電極は、銀／塩化銀電極、飽和カロメル電極、および標準水素電極からなる群から選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記基準電極は、銀／塩化銀電極である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記基準電極は、前記電解質からの荷電種がその表面から吸収または脱着されるにつれて電位が数１０ｍＶ未満変化するように構成されている、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月26日(2019.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続光の受光量を示す連続光受光データを生成する複数の連続光画素が各々に設けられた所定数の画素ブロックを配置した連続光受光部と、
間欠光の受光量を示す間欠光受光データを生成する間欠光画素を前記所定数の画素ブロックのそれぞれに対応付けて設けた間欠光受光部と、
前記画素ブロックごとの前記連続光受光データの平均値と前記連続光受光データと前記間欠光受光データとを用いて前記複数の連続光画素のそれぞれについて距離データを高解像度距離データとして生成する測距部と
を具備する測距装置。
【請求項２】
前記測距部は、
所定のフィルタと、
前記画素ブロックごとに前記平均値を演算して前記所定のフィルタに入力する平均演算部とを備える
請求項１記載の測距装置。
【請求項３】
前記所定のフィルタは、クロスバイラテラルフィルタである
請求項２記載の測距装置。
【請求項４】
前記測距部は、前記間欠光受光データに基づいて前記間欠光画素ごとに距離データを低解像度距離データとして生成して前記所定のフィルタに入力する低解像度距離データ生成部をさらに備え、
前記所定のフィルタは、前記低解像度距離データと前記平均値と前記連続光受光データとから前記高解像度距離データを生成する
請求項２または３に記載の測距装置。
【請求項５】
前記間欠光受光データは、第１、第２、第３および第４の低解像度電荷信号を含み、
前記測距部は、
前記間欠光画素ごとに前記第１および第２の低解像度電荷信号の差分データと前記第３および第４の低解像度電荷信号の差分データとのそれぞれを低解像度差分データとして生成して前記所定のフィルタに入力する差分データ生成部と、
前記連続光画素ごとに高解像度差分データを前記高解像度距離データに変換する高解像度差分データ変換部とをさらに備え、
前記所定のフィルタは、前記低解像度差分データと前記平均値と前記連続光受光データとから前記高解像度差分データを生成する
請求項２または３に記載の測距装置。
【請求項６】
前記測距部は、
前記画素ブロックごとに前記平均値を演算する平均演算部と
前記平均値から所定の関数を回帰分析により求める回帰分析部と
を備える
請求項１記載の測距装置。
【請求項７】
前記測距部は、
前記間欠光受光データに基づいて前記間欠光画素ごとに距離データを低解像度距離データとして生成して前記回帰分析部に入力する低解像度距離データ生成部と、
前記連続光受光データを前記所定の関数に入力して前記高解像度距離データを生成する高解像度距離データ生成部と
をさらに備え、
前記回帰分析部は、前記低解像度距離データと前記平均値との関係を示す関数を前記所定の関数として求める
請求項６記載の測距装置。
【請求項８】
前記間欠光受光データは、第１、第２、第３および第４の低解像度電荷信号を含み、
前記測距部は、
前記間欠光画素ごとに前記第１および第２の低解像度電荷信号の差分データと前記第３および第４の低解像度電荷信号の差分データとのそれぞれを低解像度差分データとして生成して前記回帰分析部に入力する差分データ生成部と、
前記連続光受光データを前記所定の関数に入力して前記連続光画素ごとに高解像度差分データを生成する高解像度距離データ生成部と
前記連続光画素ごとに前記高解像度差分データを前記高解像度距離データに変換する高解像度距離データ変換部とをさらに備え、
前記回帰分析部は、前記低解像度差分データと前記平均値との関係を示す関数を前記所定の関数として求める
請求項６記載の測距装置。
【請求項９】
連続光の受光量を示す連続光受光データを生成する複数の連続光画素が各々に設けられた所定数の画素ブロックを配置した連続光受光部と、
間欠光の受光量を示す間欠光受光データを生成する間欠光画素を前記所定数の画素ブロックのそれぞれに対応付けて設けた間欠光受光部と、
エネルギー最小化計算により前記間欠光受光データと前記連続光受光データとから前記複数の連続光画素のそれぞれについて距離データを高解像度距離データとして生成する測距部と
を具備する測距装置。
【請求項１０】
前記測距部は、
前記間欠光受光データに基づいて前記間欠光画素ごとに距離データを低解像度距離データとして生成する低解像度距離データ生成部と、
前記画素ブロックごとに前記高解像度距離データの平均値と前記低解像度距離データとの差を最小にする前記エネルギー最小化計算により前記高解像度距離データを生成するエネルギー最小化計算部と
を備える請求項９記載の測距装置。
【請求項１１】
前記間欠光受光データは、第１、第２、第３および第４の低解像度電荷信号を含み、
前記測距部は、
前記間欠光画素ごとに前記第１および第２の低解像度電荷信号の差分データと前記第３および第４の低解像度電荷信号の差分データとのそれぞれを低解像度差分データとして生成する差分データ生成部と、
前記画素ブロックごとに高解像度差分データの平均値と前記低解像度差分データとの差を最小にする前記エネルギー最小化計算により前記高解像度差分データを生成するエネルギー最小化計算部と、
前記連続光画素ごとに前記高解像度差分データを前記高解像度距離データに変換する高解像度差分データ変換部と
を備える請求項９記載の測距装置。
【請求項１２】
前記間欠光受光データは、第１、第２、第３および第４の低解像度電荷信号を含み、
前記距離部は、
前記画素ブロックごとに第１、第２、第３および第４の高解像度電荷信号の平均値と第１、第２、第３および第４の低解像度電荷信号との差を最小にする前記エネルギー最小化計算により前記第１、第２、第３および第４の高解像度電荷信号を生成するエネルギー最小化計算部と、
前記第１、第２、第３および第４の高解像度電荷信号を前記高解像度距離データに変換する高解像度電荷信号変換部と
を備える請求項９記載の測距装置。
【請求項１３】
複数の連続光画素が各々に設けられた所定数の画素ブロックを配置した連続光受光部において前記複数の連続光画素が連続光の受光量を示す連続光受光データを生成する連続光受光手順と、
間欠光画素を前記所定数の画素ブロックのそれぞれに対応付けて設けた間欠光受光部において前記間欠光画素が間欠光の受光量を示す間欠光受光データを生成する間欠光受光手順と、
前記画素ブロックごとの前記連続光受光データの平均値と前記連続光受光データと前記間欠光受光データとを用いて前記複数の連続光画素のそれぞれについて距離データを高解像度距離データとして生成する測距手順と
を具備する測距装置の制御方法。
【請求項１４】
複数の連続光画素が各々に設けられた所定数の画素ブロックを配置した連続光受光部において前記複数の連続光画素が連続光の受光量を示す連続光受光データを生成する連続光受光手順と、
間欠光画素を前記所定数の画素ブロックのそれぞれに対応付けて設けた間欠光受光部において前記間欠光画素が間欠光の受光量を示す間欠光受光データを生成する間欠光受光手順と、
エネルギー最小化計算により前記間欠光受光データと前記連続光受光データとから前記複数の連続光画素のそれぞれについて距離データを高解像度距離データとして生成する測距手順と
を具備する測距装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月11日(2019.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表力骨と、ラス材と、シート状防水材と、裏力骨が、表側から裏側にこの順に重ね合わされたラス複合体であって、
前記表力骨と裏力骨は、ラス材及びシート状防水材を挟んで、それぞれラス材の表側及びシート状防水材の裏側に添設された状態で交差し、
前記表力骨と裏力骨は、それらが交差する複数箇所の全部又は部分である所定箇所において、ラス材及びシート状防水材に有する孔状部を介して接合され、
表力骨と裏力骨に対しシート状防水材がその面に沿って二次元的に位置決めされていることを特徴とするラス複合体。
【請求項２】
上記ラス材及びシート状防水材の上記所定箇所に、それぞれ切欠孔が重なるように形成されており、ラス材及びシート状防水材の両切欠孔を介して上記表力骨と裏力骨が接合されている請求項１記載のラス複合体。
【請求項３】
上記ラス材及びシート状防水材の上記所定箇所に、それぞれ周囲が裏向きに突起した突起周囲部を有する孔部が形成され、それらの孔部が重なっており、重なった状態の両孔部を介して上記表力骨と裏力骨が接合されている請求項１記載のラス複合体。
【請求項４】
上記ラス材及びシート状防水材のうち一方の所定箇所に切欠孔が形成され、他方の所定箇所には周囲が裏向きに突起した突起周囲部を有する孔部が形成され、それらの切欠孔と孔部が重なっており、重なった状態の切欠孔と孔部を介して上記表力骨と裏力骨が接合されている請求項１記載のラス複合体。
【請求項５】
上記ラス材とシート状防水材が、重ね代に相当する分所定の向きにずれた状態で重ね合わされている請求項１乃至４の何れか１項に記載のラス複合体。
【請求項６】
上記表力骨と裏力骨は、上記所定箇所において、それぞれ、裏向きに湾曲又は屈曲突起した表力骨突起部及び裏力骨突起部を有し、
前記所定箇所において、表力骨突起部はラス材及びシート状防水材を表側から裏側へ貫通し、裏力骨突起部に交差して両者が接合されている請求項５記載のラス複合体。