(57)【要約】  フラットパネルディスプレイ(1)を製造するための方法は、第１および第２の端子部分(41,42)をもつ電極群(40) が形成された基板(111)上に、第１および第２の端子部分(41,42)のうちでマスキングの影響が他方よりも小さい一方の端子部分(41)に対してマスキングをし且つ残りの片方の端子部分(42)に対してマスキングをしない状態で、化学的気相堆積によって絶縁体(17a)を堆積させる工程と、マスキングされなかった端子部分(42)に堆積した絶縁体(171)の少なくとも一部を取り除く工程とを含む。
2007069334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極とそれらを被覆する絶縁体層を備えたフラットパネルディスプレイを製造するための方法であって、
第１および第２の端子部分をもつ電極群が形成された基板上に、前記第１および第２の端子部分のうちでマスキングの影響が他方よりも小さい一方の端子部分に対してマスキングをし且つ残りの片方の端子部分に対してマスキングをしない状態で、化学的気相堆積によって絶縁体を堆積させる工程と、
マスキングされなかった端子部分に堆積した絶縁体の少なくとも一部を取り除く工程とを含む
ことを特徴とするフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項２】
第１および第２の端子部分をもつ電極群および前記電極群を被覆する絶縁体層が固着した基板を備え、前記基板の一端側に前記第１の端子部分が配置され、前記基板の他端側に前記第２の端子部分が配置されたフラットパネルディスプレイを製造するための方法であって、
前記基板と同じサイズの複数の基板部材を含む多面取り用のマザー基板に、前記電極群と同じパターンをもつ少なくとも２つの電極群を、一方の電極群における第１の端子部分と他方の電極群における第１または第２の端子部分とが隣接するように並べて形成し、
前記２つの電極群が形成された前記マザー基板を化学的気相堆積装置の反応室の中に配置し、
前記反応室において、隣接する端子部分に対してマスキングをせずに且つ残りの端子部分に対してマスキングをした状態で、前記２つの電極群が形成された前記マザー基板上に絶縁体を堆積させ、
前記２つの電極群におけるマスキングされなかった端子部分に堆積した絶縁体の少なくとも一部を取り除く
ことを特徴とするフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項３】
前記マザー基板上に絶縁体を堆積させた後に、当該マザー基板をそれぞれが電極群をもつ複数の基板に分割し、さらにその後に各基板における端子部分に堆積した絶縁体を取り除く
請求項２に記載のフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項４】
第１および第２の端子部分をもつ電極群および前記電極群を被覆する絶縁体層が固着した基板を備え、前記基板の一端側に前記第１の端子部分が配置され、前記基板の他端側に前記第２の端子部分が配置されたフラットパネルディスプレイを製造するための方法であって、
前記基板と同じサイズの４つの基板部材を含む４面取り用のマザー基板に、前記電極群と同じパターンをもつ４つの電極群を２列に並べて形成するステップと、
前記４つの電極群が形成された前記マザー基板を化学的気相堆積装置の反応室の中に配置するステップと、
前記反応室において、計８つの端子部分のうちで前記マザー基板の中央に近い４つの端子部分に対してマスキングをせずに且つ残りの端子部分に対してマスキングをした状態で、前記４つの電極群が形成された前記マザー基板上に絶縁体を堆積させるステップと、
前記４つの電極群におけるマスキングされなかった端子部分に堆積した絶縁体の少なくとも一部を取り除くステップと、を含む
ことを特徴とするフラットパネルディスプレイの製造方法。
【請求項５】
前記第１の端子部分は複数の電極に対応し且つ１つの電極に対応した個別端子よりも大きい共通端子を含んでおり、
前記４つの電極群を並べて形成する際に、各電極群における第１の端子部分を他の電極群における第１の端子部分と隣接させ、
第１の端子部分に対してマスキングをせずに且つ第２の端子部分に対してマスキングをした状態で、前記マザー基板上に絶縁体を堆積させる
請求項４に記載のフラットパネルディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学的気相堆積によって電極被覆を行うフラットパネルディスプレイの製造に関する。
【背景技術】
【０００２】
化学的気相堆積（Chemical Vapor Deposition : CVD）は、化学反応によって原料ガスから膜を形成する成膜手法であり、半導体装置をはじめとする微細デバイスの薄膜の形成からメートルオーダの物体のコーティングに至るまで工業的に幅広く応用されている。【０００３】
近年、ＣＶＤ法は、対角１メートル以上の大画面をもつフラットパネルディスプレイの製造にも用いられるようになった。特許３４８１１４２号公報には、ＡＣプラズマディスプレイパネルの製造において、電極を被覆する誘電体層をプラズマＣＶＤによって形成することが記載されている。ＣＶＤ法によれば、薄くて厚さの均一な誘電体層を得ることができるとともに、一般的な材料である低融点ガラスよりも比誘電率の小さい二酸化珪素や有機酸化珪素などの物質からなる誘電体層を厚膜法よりも低い温度で形成することができる。【０００４】
フラットパネルディスプレイの基板のような比較的に大きな物体への成膜には、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置が適している。この種の装置は、原料ガスを広範囲に均等に噴き出すノズルを兼ねる上側電極と、物体を支持する台を兼ねる下側電極とを備え、下側電極上の物体と上側電極との間でプラズマを発生させるように構成されている。【０００５】
ＣＶＤによる成膜に際して、成膜対象の物体に成膜不用の箇所があるときには、その箇所に対してマスキングが行われる。マスキングに関する先行文献である特開２００３−３２４０７５号公報は、長方形のフレームと薄い帯状体である桟とを組み合わせたマスキング部材を開示している。
【特許文献１】特許３４８１１４２号公報
【特許文献２】特開２００３−３２４０７５号公報
【発明の開示】
【０００６】
電極の配列された基板上にＣＶＤ法によって厚さ数μｍ〜２０μｍ程度の誘電体層を形成するプラズマディスプレイパネルの製造において、電極の端子部を露出させるために基板にマスクを重ねてマスキングを行うと、誘電体層の厚さが不均一になることがある。詳しくは、図１に示すようにマスクの近傍が他の部分よりも極端に厚くなるという現象が起きる。図１（Ａ）、図１（Ｂ）はともにマスクの両側に成膜する場合である。しかし、図１（Ａ）では曲線ａ１，ａ２が示すようにマスクの両側で膜が厚くなっており、図１（Ｂ）では曲線ａ４が示すようにマスクの片側で膜が厚くなっている。曲線ａ３はマスクの他の側では膜厚が均一であることを示している。図１（Ａ）では、原料ガスがマスクの中央から両側に流れており、図における左右のマスク端縁の双方がマスク中央に対してガス流の下流側に位置する。図１（Ｂ）では原料ガスがマスクの左方から右方へ流れており、マスクの左端縁はマスク中央に対してガス流の上流側に位置し、右端縁は下流側に位置する。局部的に厚い部分の膜厚は、マスクから離れて厚さの均一な部位の膜厚（成膜の設定値）の２倍に達することがある。局部的に厚い部分の範囲はマスクからの距離が２〜３ｍｍ程度の範囲である。
【０００７】
このような局部的な膜厚の増大の原因としては、反応室内での導入口から排気口へ向かう原料ガスの流れがマスクによって阻害され、マスク端縁で流速が変化することが考えられる。
【０００８】
誘電体層の厚さの不均一は、画面を構成するセル間の動作特性のばらつきを生む。高品位で安定した表示を行うには、誘電体層の厚さが均一であるのが望ましい。
【０００９】
しかし、マスキングを行わなければ、電極全体を被覆するように誘電体を堆積させた後に、電極の端子部分が露出するように誘電体層を部分的に除去しなければならない。例えばウエットエッチングを行う必要がある。このような工程が加わることにより製造の所要時間が長くなるとともに、費用が増える。つまり、生産性が低下する。
【００１０】
本発明の目的は化学的気相堆積による電極被覆の膜厚の均一化と生産性の確保を図ることことである。
【００１１】
本発明の目的を達成するフラットパネルディスプレイの製造方法は、第１および第２の端子部分をもつ電極群が形成された基板上に化学的気相堆積によって絶縁体層を形成する工程と、前記第１および第２の端子部分のうちでマスキングの影響が他方よりも小さい一方の端子部分に対してマスキングをし、且つ残りの片方の端子部分に対してマスキングをしない状態で、前記電極群が形成された前記基板上に化学的気相堆積によって絶縁体を堆積させる工程と、マスキングされなかった端子部分に堆積した絶縁体の少なくとも一部を取り除く工程とを含む。
【００１２】
２つの端子部分の片方をマスキングする場合では、両方をマスキングしない場合と比べて、化学的気相堆積を終えた後に除去しなければならない絶縁体が少ない。単純に考えると、除去すべき絶縁体はマスキングしない場合の１／２である。したがって、除去に要する時間および費用（コスト）の削減が可能である。
【００１３】
電極群が複数の電極と繋がった共通端子を含む端子部分と含まない端子部分とがある場合には、共通端子を含まない端子部分をマスキングし、共通端子を含む端子部分をマスキングするのが好ましい。共通端子の一部分さえ露出すれば対応する複数の電極に対する導電接続を行うことができる。これに対して、１つの電極に対応する個別端子は、その電極に対する導電接続を確実に行うために、そのほぼ全体を露出させなければならない。つまり、絶縁体の除去に高い精度が要求される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来の成膜におけるマスクと膜厚との関係を示す図である。
【図２】プラズマディスプレイパネルのセル構造の一例を示す分解斜視図である。
【図３】表示電極のパターンの第１例を示す平面図である。
【図４】表示電極群において露出させる必要のある領域を示す平面図である。
【図５】マスクの平面図である。
【図６】マスクとそれを支持するフレームの平面図である。
【図７】プラズマＣＶＤ装置の概要を示す模式図である。
【図８】プラズマディスプレイパネルの製造過程を示す図である。
【図９】表示電極のパターンの第２例を示す平面図である。
【図１０】表示電極のパターンの第２例において露出させる必要のある領域を示す平面図である。
【図１１】マスキングの変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、フラットパネルディスプレイとしてプラズマディスプレイパネルを例にあげて本発明の製造方法を説明する。【００１６】
典型的なプラズマディスプレイパネルは図２に示されるセル構造をもつ。図２では２行中の３列に対応した６個のセルを含む部分が描かれ、内部構造を解り易くするために前面板１０と背面板２０とが分離されている。【００１７】
プラズマディスプレイパネル１は前面板１０と背面板２０と図示しない放電ガスとで構成される。前面板１０は、ガラス基板１１、第１の行電極Ｘ、第２の行電極Ｙ、誘電体層１７、および保護膜１８を備える。行電極Ｘおよび行電極Ｙのそれぞれは、パターニングされた透明導電膜１４と金属膜１５の積層体である。背面板２０は、ガラス基板２１、列電極Ａ、誘電体層２２、複数の隔壁２３、赤（Ｒ）の蛍光体２４、緑（Ｇ）の蛍光体２５、および青（Ｂ）の蛍光体２６を備える。【００１８】
面放電を生じさせる表示電極としてガラス基板１１の内面に交互に配列された行電極Ｘおよび行電極Ｙは、誘電体層１７および保護膜１８によって被覆されている。誘電体層１７はＡＣプラズマディスプレイパネルに必須の要素であり、本発明の絶縁体層に相当する要素である。誘電体層１７で被覆することにより、誘電体層１７に蓄積する壁電荷を利用して面放電を繰り返し起すことができる。保護膜１８は誘電体層１７に対するスパッタリングを防ぐ。【００１９】
なお、本発明の実施において行電極の配列は広く知られる２つの形態のどちらでもよい。１つは、図１のように隣接する行の間の電極間隙を各行における電極間隙（面放電ギャップ）よりも広くするものである。他の１つは、全ての行電極間隙を等しくするものである。【００２０】
図３は表示電極のパターンを示す。表示電極群４０を構成する行電極Ｘおよび行電極Ｙは、画面６０からガラス基板１１の端縁の近傍まで延長されており、それぞれの先端に駆動ユニットとの導電接続のための端子Ｘｔ，Ｙｔが設けられている。図３において、行電極Ｘの端子Ｘｔはガラス基板１１の左端側に配置され、行電極Ｙの端子Ｙｔはガラス基板１１の右端側に配置されている。端子Ｘｔの配列ピッチは画面６０での行電極Ｘの配列ピッチと異なるので、行電極Ｘの左端の部分（端子Ｘｔを含む）は屈曲した帯状にパターニングされている。この屈曲した部分は透明導電膜１４と金属膜１５の積層体ではなく、金属膜１５のみからなる。同様に、行電極Ｙの右端の部分（端子Ｙｔを含む）は屈曲した帯状にパターニングされており、この屈曲した部分は金属膜１５のみからなる。【００２１】
以上の構成をもつプラズマディスプレイパネル１は、前面板１０および背面板２０を別個に作製し、その後に貼り合わす手順で製造される。一般に、前面板１０の作製にはガラス基板１１の２倍以上の面積をもつマザーガラス板が用いられ、複数個の前面板１０が一括に作製される。同様に複数個の背面板２０も一括に作製される。前面板１０と背面板２０の貼り合わせに先立ってマザーガラス板の分割が行われ、個別化された前面板１０と個別化された背面板２０とが貼り合わせによって一体になる。【００２２】
前面板１０の作製において、誘電体層１７はＣＶＤ法によって形成され、その際に端子Ｘｔ，Ｙｔの片方に対してマスキングが行われる。マスキングを行わなければ、端子Ｘｔおよび端子Ｙｔの両方を含めて表示電極群４０の全体が一様な厚さの誘電体層１７で覆われてしまい、エッチングまたは研磨によって端子Ｘｔ，Ｙｔを露出させるのに長い時間がかかる。マスキングを行うことにより、誘電体層１７のうちの取り除くべき部分が少なくなり、比較的に短い時間で端子Ｘｔおよび端子Ｙｔの両方を配線可能となるように露出させることができる。【００２３】
１枚のマザーガラス板から４つのガラス基板を作製する４面取り（４イン１）を例に挙げると、プラズマディスプレイパネル１を駆動回路と接続するに当たって図４の領域Ｓ１１および領域Ｓ１２を露出させなければならない。図４において四角形のマザーガラス板１１１には４個の表示電極群４０が２列に形成されている。マザーガラス板１１１における各表示電極群４０の配置されている部分とその近傍が、１個のプラズマディスプレイパネルにおける前面側のガラス基板１１に相当する。領域Ｓ１１は各表示電極群４０の図中左側の端子部分（左端部）に対応し、領域Ｓ１２は各表示電極群４０の図中右側の端子部分（右端部）に対応する。なお、図中の領域Ｓ１７は誘電体層を形成すべき領域である。【００２４】
本例では、計８つの端子部分のうちでマザーガラス板１１１の中央に近い４つの端子部分に対してはマスキングを行わず、残りの端子部分に対してマスキングを行う。マスキングには図５のように２つのマスク７１，７２を用いる。【００２５】
これらマスク７１，７２はセラミックスまたは耐熱ガラスなどの絶縁材料からなる細長い帯状の板であり、マザーガラス板１１１の両端部と重なるように配置される。詳しくは、マスク７１は図４で左側に位置する２つの表示電極群４０における左端部をマスキングし、マスク７２は図４で右側に位置する２つの表示電極群４０における右端部をマスキングする。図４で左側に位置する２つの表示電極群４０における右端部、およびに図４で右側に位置する２つの表示電極群４０における左端部はマスキングされない。【００２６】
マスク７１，７２の寸法はプラズマディスプレイパネルの画面サイズに応じて選定される。例えば、対角４２インチの画面６０をもつプラズマディスプレイパネルのガラス基板はおよそ９９４ｍｍ×５８５ｍｍの大きさをもつ。このガラス基板を２面取りで作製する場合のマザーガラス板１１１は少なくとも画面４つ分（１９８８ｍｍ×１１７０ｍｍ）よりも大きい。マスク７１，７２の幅は２０ｍｍ〜３０ｍｍ程度であり、長さはマザーガラス板１１１の対応する辺と同程度である。厚みは５±２ｍｍ程度である。【００２７】
使用に際してマスク７１，７２は図６のように四角形のフレーム７３によって支持される。フレーム７３は厚さ２０ｍｍ程度のアルミニウム合金からなる剛体であり、マザーガラス板１１１よりも大きく且つ厚い。このことによってマザーガラス板１１１が加熱によって反るのを防ぐ押さえ部材として十分な機械的強度がフレーム７３に備わっている。【００２８】
マスク７１，７２を使用する誘電体層の成膜は、図７に示される平行平板型のプラズマＣＶＤ装置３００によって行われる。プラズマＣＶＤ装置３００は、金属製容器からなるチャンバ（反応室）３１０、材料ガスを広範囲に均等に噴き出すシャワープレート３２０、成膜対象物を支持する可動ベース３３０、上述したマスキング用のマスク７１，７２、およびマスク７１，７２を支持するフレーム７３を備える。【００２９】
シャワープレート３２０はプラズマ発生のための上側電極を兼ね、可動ベース３３０は下側電極を兼ねる。可動ベース３３０には成膜対象物を加熱するヒータが組み込まれている。【００３０】
チャンバ３１０の内部において、シャワープレート３２０と可動ベース３３０との間にマスク７１，７２が配置される。図示の成膜時の状態では、可動ベース３３０には表示電極群４０の形成されたマザーガラス板１１１が載置され、マスク７１，７２の下面が表示電極群４０の上面と近接している。表示電極群４０とシャワープレート３２０との間の空間でプラズマが発生する。マザーガラス板１１１とシャワープレート３２０との距離Ｄは１０〜２０ｍｍ程度に選定されている。【００３１】
本例の可動ベース３３０は上下に移動可能なリフト式である。マザーガラス板１１１の搬入時および搬出時には可動ベース３３０は下がり、固定配置されたフレーム７３から離れる。チャンバ３１０にはインタロック機能をもった搬入・搬出のための機構が組み付けられている。【００３２】
成膜工程の概要は次のとおりである。【００３３】
マザーガラス板１１１を搬入したチャンバ３１０の内部を例えば２．５〜３．５Ｔｏｒｒ程度の圧力に減圧し、マザーガラス板１１１を２００〜４００℃程度の温度に加熱した状態で、シャワープレート３２０の中央に設けられた導入孔３２１からチャンバ３１０内に原料ガスが導入される。二酸化珪素からなる誘電体層を形成する場合には、例えばシラン（ＳｉＨ4）と亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）が導入される。導入された原料ガスはシャワープレート３１０からマザーガラス板１１１の全体に向かってほぼ均等に噴出する。【００３４】
原料ガスの導入と並行して、可動ベース３３０の下方に位置する主排気孔３１１を介してチャンバ３１０に対する排気が行われる。チャンバ３１０には図示しない真空計が設けられており、その出力に応じて排気系のバルブを制御することによってチャンバ３１０の真空度が一定に保たれる。【００３５】
このようにして一定量の原料ガスが供給されるチャンバ３１０の内部では、１．５〜２．５ｋＷの高周波電力の印加により発生したプラズマが原料ガスを活性化し、化学反応を促進させる。そして、化学反応で生じた膜材料がマザーガラス板１１１の成膜面Ｓ１に堆積し、誘電体層を形成する。本例での成膜面Ｓ１とは、表示電極群４０の形成されたマザーガラス板１１１における上面であり、厳密には表示電極群４０の露出面（非マスキング面）と電極間の基板面とで構成される。【００３６】
このような成膜において、原料ガスの導入と排気にともなってガスの流れが生じる。その流れは成膜面Ｓ１の上方において中央から周囲へと向かう。したがって、成膜面Ｓ１の中央にマスクを配置すると、図１（Ａ）で説明したようにマスクの端縁付近で膜厚が局所的に増大するおそれがある。一方、ガスの流れの下流である成膜面Ｓ１の端部ではマスク７１，７２を配置しても膜厚の不均一はほとんど起こらない。それは図１（Ｂ）で説明したように成膜面Ｓ１がマスク７１，７２に対して上流側に位置するからである。つまり、成膜面Ｓ１の中央におけるマスキングの影響よりも成膜面Ｓ１の端部におけるマスキングの影響の方が小さい。【００３７】
本例では、チャンバ３１０内のプラズマ発生空間の中央付近にはマスクを配置しないことによって膜厚の均一化が実現され、プラズマ発生空間の端部のみにマスク７１，７２を配置するマスキングによって、端子Ｘｔ，Ｙｔを露出させる工程のコスト低減が実現される。【００３８】
マスキングに際してマスク７１，７２を表示電極群４０と接触させないのが望ましい。表示電極群４０の損傷が生じないからである。加えて、マスク７１，７２と表示電極群４０との間隙に入り込んだガスの堆積によって端子部分が薄い誘電体層で被覆されるので、成膜後にマザーガラス板１１１を大気に晒したり大気中で熱処理を加えたりしても表示電極群４０が酸化しないという利点がある。十分に薄い層であれば、例えば数千オングストローム以下であれば、それで覆われた端子にフレキシブル配線板などの外部導体を圧接することによって層が破れて外部導体と端子とが導通するので、除去のための特別の処理をする必要がない。除去をするにしても短時間で終えることができる。本明細書におけるマスキングはマスクを成膜面Ｓ１に対向させて意図的に膜厚を零またはそれに近い値にすることであり、マスクを成膜面に接触する形態および接触させない形態を含む。【００３９】
図８はプラズマディスプレイパネルの製造過程を示す図である。【００４０】
図８（Ａ）のように、多面取り用のマザーガラス板１１１に複数の表示電極群４０（図示は２つ）を形成する。マザーガラス板１１１は前面板１０のガラス基板１１と同じサイズの複数の基板部材を含む。各表示電極群４０はそれの両端部分である２つの端子部分４１，４２を含む。第１の端子部分４１はマザーガラス板１１１の端縁に在る。第２の端子部分４２はマザーガラス板１１１の左右方向の中央付近に在り、他の表示電極群４０の端子部分４２と隣接する。これらの端子部分４１，４２がどの電極に対応するかは、該当する表示電極群４０のマザーガラス板１１１での位置で決まる。本例においては、左側の表示電極群４０におけるマスキングされる第１の端子部分４１は１つのプラズマディスプレイパネル１における全ての行電極Ｘの端子Ｘｔを含み、第２の端子部分４２は１つのプラズマディスプレイパネル１における全ての行電極Ｙの端子Ｙｔを含む。逆に、右側の表示電極群４０におけるマスキングされる第１の端子部分４１は１つのプラズマディスプレイパネル１における全ての行電極Ｙの端子Ｙｔを含み、第２の端子部分４２は１つのプラズマディスプレイパネル１における全ての行電極Ｘの端子Ｘｔを含む（図３参照）。【００４１】
図８（Ｂ）のように、複数の表示電極群４０が形成されたマザーガラス板１１１に化学的気相堆積によって誘電体層１７ａを形成する。その形成には上述したプラズマＣＶＤ装置３００を用い、マザーガラス板１１１の両端部に在る端子部分４１をマスク７１，７２によって覆う。【００４２】
図８（Ｃ）のように、誘電体層１７ａに保護膜１８として例えばマグネシアを蒸着する。図示では完成状態で放電ガスと接する領域のみに保護膜１８を形成した例を示している。このような膜は例えば蒸着時にマスキングをすることによって得られる。ただし、例示に限らず、誘電体層１７ａの表面全体に保護膜１８を被着させてもよい。保護膜１８は十分に薄いので、後にその不要部分を容易に取り除くことができる。【００４３】
図８（Ｄ）のように、マザーガラス板１１１を複数のガラス基板１１に分割する。これにより誘電体層１７ａは各プラズマディスプレイパネル１に対応する誘電体層１７ｂに分かれる。【００４４】
図８（Ｅ）のように、分割で得られた複数の前面板１０ａに別途作製された背面板２０を貼り合せる。前面板１０ａと背面板２０の一体化を終えた段階では、前面板１０ａの一方の端子部分が誘電体１７１で覆われており、当該端子部分に外部導体を接続することができない。この誘電体１７１を除去することにより、図８（Ｆ）に示されるプラズマディスプレイパネル１が得られる。【００４５】
マザーガラス板１１１を分割し、さらに前面板１０ａと背面板２０とを一体化した後に
誘電体１７１を除去する製造手順は次の利点を有する。それは不要の誘電体１７１の除去を、工程のスループットの上で有利なウエットエッチングによって行うことができることである。また、背面板２０を貼り合せるための熱処理において電極の酸化を誘電体１７１が防ぐという利点がある。【００４６】
以下、化学的気相堆積におけるマスキングの変形例を説明する。【００４７】
図９は表示電極のパターンの第２例を示す平面図である。本例の表示電極群４０ｂにおいては、行電極Ｘの端子が複数の行電極Ｘに繋がった共通端子ＸＴである。例示において、行電極Ｘは２つの組に分けられ、各組に対して１つずつ、計２つの共通端子ＸＴが、ガラス基板１１の右端側に配置されている。複数の電極に共通であることから必然的に共通端子ＸＴは、各行電極Ｙの端子Ｙｔ（１本の電極に対応する個別端子）よりも大きい。【００４８】
図１０は４面取り方式で誘電体層を形成する場合において、図９の表示電極群４０ｂにおいて露出させる必要のある領域を示す平面図である。【００４９】
プラズマディスプレイパネル１を駆動回路と接続するに当たって図１０の領域Ｓ１２および領域Ｓ１３を露出させなければならない。図１０においてマザーガラス板１１１には４個の表示電極群４０ｂが２列に形成されている。マザーガラス板１１１における各表示電極群４０ｂの配置されている部分とその近傍が、１個のプラズマディスプレイパネルにおける前面側のガラス基板１１に相当する。領域Ｓ１２は各表示電極群４０ｂにおける行電極Ｙの端子Ｙｔに対応し、領域Ｓ１３は各表示電極群４０ｂにおける行電極Ｘの共通端子ＸＴに対応する（図９参照）。【００５０】
本例の特徴は、マザーガラス板１１１の左右方向の中央付近に配置される露出すべき領域がいずれも共通端子ＸＴに対応した領域Ｓ１３とされていることである。この特徴を得るため、４つの表示電極群４０ｂの形成に際して、マザーガラス板１１１の左側と右側とで表示電極群４０ｂの上下の向きが反対となるように表示電極群４０ｂが並べられている。図中の白抜きの矢印は上下の向きを示している。【００５１】
本例においても上記の例と同様に、４つの表示電極群４０ｂが２つずつ備える計８つの端子部分のうちでマザーガラス板１１１の中央に近い４つの端子部分に対してはマスキングを行わず、残りの端子部分に対してマスキングを行う。マスキングには図１１のように２つのマスク７１，７２を用いる。誘電体層の形成およびその後の製造手順は上記の例と同様でよい。【００５２】
個別の端子Ｙｔを含む端子部分をマスキングし、共通端子ＸＴを含む端子部分をマスキングしないことにより、電極を覆う不要の誘電体１７１（図８（Ｅ）参照）の除去が簡単になる。それは、共通端子ＸＴの一部分さえ露出すれば、対応する複数の行電極Ｘに対する導電接続を行うことができるので、個別端子とは違って端子全体を確実に露出させる必要がないからである。また、不要の誘電体１７１をエッチングする場合にオーバーエッチングの許容範囲が広い。【００５３】
本発明の実施において、マスクパターンは成膜対象の形状に応じて選定されるべきものであり、図６および図１１に例示したパターンに限定されない。４面取りに限らず、マザーガラス板から１枚のガラス基板のみを作製する１面取り（１イン１）、または２以上のｎ枚のガラス基板を作製するｎ面取り（ｎイン１）に本発明は適用可能である。【００５４】
マスク７１，７２およびフレーム７３の材質、平面寸法、厚さ、マスク７１，７２の数および配置、成膜装置の構成などは、本発明の趣旨に沿う範囲内で適宜選定することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、化学的気相堆積法による電極被覆膜の形成に有用であり、プラズマディスプレイパネルおよび液晶パネルを含むフラットパネルディスプレイの製造に利用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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