(57)【要約】  分割された複数の領域で光電変換を行う第１光電変換部と、第１光電変換部の複数の領域に外周を囲まれた領域を複数の領域に分割して光電変換を行う第２光電変換部とを有する画素を二次元に配列するとともに、各画素に被写体光を導く微小光学系を各画素に対応して配列し、第１光電変換部の複数領域の分割形態と、第２光電変換部の複数領域の分割形態とを異なる形態にする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子は、
分割された複数の領域で光電変換を行う第１光電変換部と、前記第１光電変換部の複数の領域に外周を囲まれた領域を複数の領域に分割して光電変換を行う第２光電変換部とを有する画素を二次元に配列するとともに、前記各画素に被写体光を導く微小光学系を前記各画素に対応して配列し、
前記第１光電変換部の複数領域の分割形態は、前記第２光電変換部の複数領域の分割形態と異なる。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像素子において、
前記第１光電変換部の複数領域の並び方向は、前記第２光電変換部の複数領域の並び方向とは異なる。
【請求項３】
請求項２に記載の撮像素子において、
前記第１光電変換部の複数領域の並び方向は、前記第２光電変換部の複数領域の並び方向と直交する方向である。
【請求項４】
請求項１に記載の撮像素子において、
前記第１光電変換部の領域分割数は、前記第２光電変換部の領域分割数よりも多い。
【請求項５】
請求項４に記載の撮像素子において、
前記第１光電変換部の各領域の面積は、前記第２光電変換部の各領域の面積と等しい。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第２光電変換部の外形は、円形である。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第１光電変換部の外形は、矩形である。
【請求項８】
請求項２または請求項３に記載の撮像素子において、
前記第１光電変換部の外形、および、前記第２光電変換部の外形は、いずれも円形である。
【請求項９】
撮像素子は、
分割された複数の領域で光電変換を行う第１光電変換部と、前記第１光電変換部の複数の領域に外周を囲まれた領域を複数の領域に分割して光電変換を行う第２光電変換部とを有する画素を二次元に配列するとともに、前記各画素に被写体光を導く微小光学系を前記各画素に対応して配列し、
前記第１光電変換部の外形は矩形であり、前記第２光電変換部の外形は円形である。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の撮像素子において、
分割形態の異なる複数種類の画素を混在して配置する。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の撮像素子を用いた焦点検出装置は、
前記第１光電変換部の複数領域の出力と前記第２光電変換部の複数領域の出力との少なくとも一方に基づいて、位相差検出方式による相関演算を行い、前記撮像素子上に被写体像を結像する撮影光学系の焦点調節状態を検出する。
【請求項１２】
請求項１１に記載の焦点検出装置において、
前記第１光電変換部の各分割領域および前記第２光電変換部の各分割領域は、それぞれ前記撮影光学系の射出瞳上の異なる領域からの光束を受光する。
【請求項１３】
撮像システムは、
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の撮像素子と、
前記撮像素子上に被写体像を結像する撮影光学系と、
前記第１光電変換部の複数領域の出力と前記第２光電変換部の複数領域の出力との少なくとも一方に基づいて位相差検出方式による相関演算を行い、前記撮影光学系の焦点調節状態を検出する焦点検出装置と、
前記焦点検出装置の検出結果に基づいて、前記撮影光学系の焦点調節を行う焦点調節装置と、
前記第１光電変換部の複数領域の出力および前記第２光電変換部の複数領域の出力を用いて、被写体像データを形成する撮像装置とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像素子と、その撮像素子を用いた焦点検出装置および撮像システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロレンズを二次元平面状に展開してマイクロレンズ・アレイを形成するとともに、各マイクロレンズの後に二対の光電変換部を有する光電変換素子を配置した撮像素子を用い、撮影画面の垂直方向と水平方向において撮影光学系の焦点調節状態を検出する装置が知られている（特許文献１参照）。また、二対の光電変換部のうち、一方の光電変換部対を他方の光電変換部対の外側に配置した構成も知られている（特許文献２参照）。【０００３】
【特許文献１】特開昭５８−２４１０５号公報
【特許文献２】特開昭５５−１４３４０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来の装置では、Ｆ値の大きな暗い撮影光学系の焦点検出を行う場合に焦点検出用光束のケラレが発生し、特に撮影画面周辺で焦点検出を行う場合には、このケラレがアンバランスになって焦点検出不能になることがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様による撮像素子は、分割された複数の領域で光電変換を行う第１光電変換部と、第１光電変換部の複数の領域に外周を囲まれた領域を複数の領域に分割して光電変換を行う第２光電変換部とを有する画素を二次元に配列するとともに、各画素に被写体光を導く微小光学系を各画素に対応して配列し、第１光電変換部の複数領域の分割形態と、第２光電変換部の複数領域の分割形態とを異なる形態とする。
上述した撮像素子において、第１光電変換部の複数領域の並び方向を、第２光電変換部の複数領域の並び方向とは異なるようにすることができる。例えば、第１光電変換部の複数領域の並び方向を、第２光電変換部の複数領域の並び方向と直交する方向とすることができる。
第１光電変換部の領域分割数を第２光電変換部の領域分割数よりも多くすることもできる。また、第１光電変換部の各領域の面積を、第２光電変換部の各領域の面積と等しくすることもできる。
上述した撮像素子において、第２光電変換部の外形を円形とすることができるし、第１光電変換部の外形を矩形とすることもできる。また、第１光電変換部の外形、および、第２光電変換部の外形を、いずれも円形とすることもできる。
本発明の第２の態様による撮像素子は、分割された複数の領域で光電変換を行う第１光電変換部と、第１光電変換部の複数の領域に外周を囲まれた領域を複数の領域に分割して光電変換を行う第２光電変換部とを有する画素を二次元に配列するとともに、各画素に被写体光を導く微小光学系を各画素に対応して配列し、第１光電変換部の外形を矩形とし、第２光電変換部の外形を円形とする。
上述した撮像素子において、分割形態の異なる複数種類の画素を混在して配置することもできる。
本発明による焦点検出装置は、上述した撮像素子を用い、第１光電変換部の複数領域の出力と第２光電変換部の複数領域の出力との少なくとも一方に基づいて、位相差検出方式による相関演算を行い、撮像素子上に被写体像を結像する撮影光学系の焦点調節状態を検出する。
上述した焦点検出装置において、第１光電変換部の各分割領域および第２光電変換部の各分割領域は、それぞれ撮影光学系の射出瞳上の異なる領域からの光束を受光することができる。
本発明による撮像システムは、上述した撮像素子を用い、第１光電変換部の複数領域の出力と第２光電変換部の複数領域の出力との少なくとも一方に基づいて位相差検出方式による相関演算を行い、撮像素子上に被写体像を結像する撮影光学系の焦点調節状態を検出するとともに、焦点調節状態の検出結果に基づいて撮影光学系の焦点調節を行い、第１光電変換部の複数領域の出力と第２光電変換部の複数領域の出力とを用いて、被写体像データを形成する。  
【発明の効果】
【０００６】
本発明による撮像素子によれば、焦点検出用光束のケラレを防止しながら撮影画面の複数の方向で焦点検出を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一実施の形態の撮像素子の光電変換部の配置を示す図である。
【図２】一実施の形態の撮像素子の基板上のレイアウトを示す図である。
【図３】図２に示す撮像素子基板の前面に配置されるマイクロレンズ・アレイを示す斜示図である。
【図４】一実施の形態の撮像素子と撮影光学系の射出瞳との関係を示す図である。
【図５】撮影光学系の射出瞳が十分に大きな場合の光電変換部の各分割領域に対応する射出瞳上の領域を示す図である。
【図６】撮影光学系の射出瞳が小さい場合の光電変換部の各分割領域に対応する射出瞳上の領域を示す図である。
【図７】撮像素子基板に形成された１画素分の断面図である。
【図８】転送スイッチＭＯＳトランジスターの近傍の配置をマイクロレンズ側から見た図である。
【図９】一実施の形態の撮像素子の１画素分の回路図である。
【図１０】一実施の形態の撮像素子の各部動作を示すタイミングチャートである。
【図１１】一実施の形態の撮像素子を用いた焦点検出装置および撮像システムの構成を示す図である。
【図１２】一実施の形態の焦点検出装置および撮像システムの動作を示すフローチャートである。
【図１３】一実施の形態の撮像システムの構成を示す図である。
【図１４】変形例の撮像素子の光電変換部の配置を示す図である。
【図１５】他の変形例の撮像素子の光電変換部の配置を示す図である。
【図１６】他の変形例の撮像素子の光電変換部の配置を示す図である。
【図１７】他の変形例の撮像素子の光電変換部の配置を示す図である。
【図１８】撮像素子回路の変形例を示す図である。
【図１９】図１８に示す変形例の撮像素子の断面構造図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、一実施の形態における撮像素子の光電変換部の配置を示す図である。一実施の形態における撮像素子は、マイクロレンズを二次元平面状に展開してマイクロレンズ・アレイを形成するとともに、各マイクロレンズの後に光電変換素子１０を配置したものである。光電変換素子１０は、２組の光電変換部、すなわち第１光電変換部（１１，１２）と第２光電変換部（１３，１４）とから構成される。第２光電変換部（１３，１４）の面積は、第１光電変換部（１１，１２）の面積よりも小さい。第１光電変換部（１１，１２）は、第２光電変換部（１３，１４）の外周を包囲している。【０００９】
第１光電変換部（１１，１２）の外形は長方形であり、第２光電変換部（１３，１４）の外形は円形である。第１光電変換部（１１，１２）は、分離帯１５，１６を隔てて、一対の光電変換領域１１および１２に分割されており、第２光電変換部（１３，１４）は、分離帯１７を隔てて、一対の光電変換領域１３および１４に分割されている。分離帯１５と１７は互いに直交しており、これにより、第１光電変換部の分割領域１１，１２の並び方向と第２光電変換部の分割領域１３、１４の並び方向も直交する。【００１０】
図２は、一実施の形態における撮像素子の基板上のレイアウトを示す図である。一実施の形態における撮像素子では、基板２１上に、図１に示す光電変換素子１０が二次元状に配列され、これらの光電変換素子１０の一つ一つが撮像素子の画素２０を構成している。各画素２０には、蓄積電荷を読み出すための読み出し回路２３が設けられている。さらに、基板２１上の縦と横には、制御用および出力用の配線２２が画素２０と読み出し回路２３を取り囲むように配置されている。各画素２０で蓄積された電荷は、読み出し回路２３と配線２２を通って、撮像素子から出力される。【００１１】
一実施の形態における撮像素子では、第１光電変換部（１１，１２）の外形、すなわち画素２０の外形を長方形にしたので、配線２２で１組の画素２０と読み出し回路２３を隙間なく取り囲むことができ、画素２０（光電変換素子１０）の面積、つまり受光面積を最大限に広くとることができる。なお、第１光電変換部（１１，１２）の外形を正方形としてもよい。【００１２】
基板２１上の各画素２０の第１光電変換部（１１，１２）から出力される複数対の信号は、基板２１の縦方向、つまり撮影画面の垂直方向の焦点検出を行うのに用いられる。一方、基板２１上の各画素２０の第２光電変換部（１３，１４）から出力される複数対の信号は、基板２１の横方向、つまり撮影画面の水平方向の焦点検出を行うのに用いられる。【００１３】
また、撮像素子基板２１上に二次元状に配列された複数の画素２０の中から、列と行を指定して任意の画素２０を選択することができ、選択した画素２０の出力を用いて、撮像素子基板２１上、つまり撮影画面上の任意の位置で、縦および横方向の焦点検出を行うこともできる。【００１４】
図３は、図２に示す撮像素子基板２１の前面に配置されるマイクロレンズ・アレイを示す斜示図である。この一実施の形態における撮像素子では、長方形のマイクロレンズ３７を二次元状に配列したマイクロレンズ・アレイを用いる。マイクロレンズ３７は、各画素２０に対して１つ配置される。マイクロレンズ３７がない場合には、画素２０の間の配線２２の部分にも光が入射する。しかし、マイクロレンズ３７を設けた場合には、マイクロレンズ３７の集光機能により、配線２２に入射する光を画素２０に入射させることができるので、その分だけ受光量を増やすことができる。そのため、マイクロレンズ３７どうしの境界は、長方形とし、すべての光を無駄なく画素２０に入射させる。なお、マイクロレンズ３７の形状は長方形に限定されるものではなく、正方形や六角形などの多角形としてもよい。【００１５】
図４は、一実施の形態における撮像素子と撮影光学系の射出瞳との関係を示す図である。なお、図１〜３の要素と同様な要素に対しては、同一の符号を付して説明する。また、説明を解りやすくするために、第１光電変換部の分割領域１１と１２の並び方向と、第２光電変換部の分割領域１３と１４の並び方向とを揃えて図示する。図において、３５は撮影光学系（不図示）の光軸であり、３６は撮影光学系の射出瞳である。【００１６】
第１光電変換部の分割領域１１は、マイクロレンズ３７により射出瞳３６上の領域３１に逆投影される。すなわち、射出瞳３６上の領域３１を通過した光束が第１光電変換部の分割領域１１へ入射する。同様に、第１光電変換部の分割領域１２がマイクロレンズ３７により射出瞳３６上の領域３２に投影され、射出瞳３６上の領域３２を通過した光束が第１光電変換部の分割領域１２へ入射する。【００１７】
また、第２光電変換部の分割領域１３は、マイクロレンズ３７により射出瞳３６上の領域３３に逆投影され、射出瞳３６上の領域３３を通過した光束が第２光電変換部の分割領域１３へ入射する。さらに、第２光電変換部の分割領域１４がマイクロレンズ３７により射出瞳３６上の領域３４に投影され、射出瞳３６上の領域３４を通過した光束が第２光電変換部の分割領域１４へ入射する。【００１８】
第１光電変換部の分割領域１１と１２に対応する射出瞳３６上の領域３１と３２は、第２光電変換部の分割領域１３と１４に対応する射出瞳３６上の領域３３と３４より外側に位置する。したがって、撮影光学系の射出瞳が小さい場合には、外側に位置する領域３１と３２を通過する光束がけられることになる。【００１９】
図５は、撮影光学系の射出瞳が十分に大きな場合において、光電変換部の各分割領域に対応する射出瞳上の領域を示す図である。撮影光学系の射出瞳が十分に大きい場合には、光電変換部の各分割領域１１〜１４に対応する領域３１〜３４に入射する光束がけられることはない。したがって、第１光電変換部の分割領域１１，１２からの信号と、第２光電変換部の分割領域１３，１４からの信号の両方を用いて、撮影画面の垂直方向と水平方向で焦点検出を行うことができる。【００２０】
図６は、撮影光学系の射出瞳が小さい場合において、光電変換部の各分割領域に対応する射出瞳上の領域を示す図である。焦点検出位置が撮影光学系の光軸から離れた撮影画面の周辺にある場合には、撮影光学系の絞り以外のレンズ外形の影響のために、焦点検出位置から見た場合の射出瞳３６の形状が変形するとともに、射出瞳３６の中心が変位する。射出瞳３６にこのような変形と変位が発生すると、領域３１と３２を通過する光束がアンバランスにけられることになる。したがって、このような場合にはケラレが発生していない領域３３と３４を通過する光束を用いて、第２光電変換部の分割領域１３と１４の出力により焦点検出を行う。【００２１】
このように、一実施の形態の撮像素子では、第１光電変換部（１１，１２）の外形を長方形としたので、画素２０を縦横に二次元配列した場合に、各画素２０を取り囲むように制御用および出力用の配線２２をまっすぐに敷設することができ、配線２２との配置関係を良好にしながら、画素２０すなわち光電変換素子１０の受光面積を最大限に広くとることができる。【００２２】
また、一実施の形態における撮像素子では、第１光電変換部（１１，１２）の内部に第２光電変換部（１３，１４）を設け、その第２光電変換部（１３，１４）の外形を円形にしたので、Ｆ値の大きな暗い撮影光学系の焦点検出を行う場合でも焦点検出光束のケラレが発生せず、かつ、射出瞳を通過する焦点検出光束を有効に利用することができる。【００２３】
さらに、一実施の形態における撮像素子では、第１光電変換部の分割領域１１と１２の並び方向と、第２光電変換部の分割領域１３と１４の並び方向とが互いに直交するように光電変換部の領域分割を行ったので、撮影画面の垂直方向と水平方向で撮影光学系の焦点検出を行うことができる。【００２４】
図７は、撮像素子基板に形成された１画素分の断面図である。なお、説明を解りやすくするために、第２光電変換部の分割領域１３，１４の断面のみを示し、第１光電変換部の分割領域１１，１２の断面の図示を省略する。図において、４７はＰ型ウェル、４８はＭＯＳのゲート絶縁膜であるＳiＯ２膜である。表面Ｐ＋層５３，５４およびｎ層５５，５６は、第２光電変換部の分割領域１３，１４を形成する。転送スイッチＭＯＳトランジスター５１，５２は、第２光電変換部の分割領域１３，１４に蓄積された電荷をフローティングディフュージョン（ＦＤ）部５７へ転送する。【００２５】
撮像素子基板２１上の画素２０とマイクロレンズ３７との間には、光学フィルター３９が設置される。この光学フィルター３９とマイクロレンズ３７は、撮影光学系の射出瞳と第２光電変換部の分割領域１３，１４とが共役になるような形状および位置に形成される。【００２６】
リセット用ＭＯＳトランジスター６４は、ＦＤ部５７を所定の電位Ｖddにリセットするスイッチとして動作する。また、ソースフォロアーアンプＭＯＳトランジスター６５は、転送スイッチＭＯＳトランジスター５１，５２により転送された電荷を増幅する増幅器として動作する。さらに、水平選択スイッチＭＯＳトランジスター６６は、撮像素子基板２１上の横方向に配列された画素の中から読み出し対象の画素を選択し、ソースフォロアーアンプＭＯＳトランジスター６５により増幅された選択画素の信号を読み出すスイッチとして動作する。【００２７】
ＦＤ部５７を挟んで第２光電変換部の分割領域１３と１４が形成されている。各分割領域１３と１４で発生した電荷はそれぞれ、転送スイッチＭＯＳトランジスター５１，５２，ソースフォロアーアンプＭＯＳトランジスター６５、水平選択スイッチＭＯＳトランジスター６６を介して転送される。【００２８】
図８は、転送スイッチＭＯＳトランジスター５１，５２の近傍の配置をマイクロレンズ側から見た図である。転送スイッチＭＯＳトランジスター５１がオンすると、分割領域１３に蓄積された電荷がＦＤ部５７に転送される。また、転送スイッチＭＯＳトランジスター５２がオンすると、分割領域１４に蓄積された電荷がＦＤ部５７に転送される。転送スイッチＭＯＳトランジスター５１，５２への制御線およびＦＤ部５７からの出力線は、図１に示す分離帯１５と１６の間を配線される。【００２９】
なお、これらの配線を透明電極（ＩＴＯ）を用いて、第１光電変換部の分割領域１１，１２上を配線するようにしてもよい。これにより、第１光電変換部の分割領域１１，１２へ入射する光束を遮蔽せずに、配線の自由度を増すことができる。【００３０】
図９は、一実施の形態における撮像素子の１画素分の回路を示す。第１光電変換部の分割領域１１，１２と第２光電変換部の分割領域１３，１４はそれぞれ、フォトダイオードにより形成されている。５１，５２は、上述した第１光電変換部の転送スイッチＭＯＳトランジスターを示し、６１，６２は、第２光電変換部の転送スイッチＭＯＳトランジスターを示している。６４は、上述した第１光電変換部のリセット用ＭＯＳトランジスターを示し、６７は、第２光電変換部のＦＤ部５８を所定の電位Ｖddにリセットするリセット用ＭＯＳトランジスターを示している。【００３１】
６５は、上述した第１光電変換部のソースフォロアーアンプＭＯＳトランジスターを示し、６８は、第２光電変換部の転送スイッチＭＯＳトランジスター６１，６２により転送された電荷を増幅するソースフォロアーアンプＭＯＳトランジスターを示している。６６は、上述した第１光電変換部の水平選択スイッチＭＯＳトランジスターを示している。６９は、撮像素子基板２１上の横方向に配列された画素の中から読み出し対象の画素を選択し、ソースフォロアーアンプＭＯＳトランジスター６８により増幅された選択画素の信号を読み出す水平選択スイッチＭＯＳトランジスターを示している。【００３２】
７０，７１は、ソースフォロアーＭＯＳトランジスター６５，６８とともに、ソースフォロアーを構成する負荷ＭＯＳトランジスターを示し、７２，７３は、画素の出力を転送する出力転送ＭＯＳトランジスターを示している。７４，７５は、出力転送ＭＯＳトランジスター７２，７３により転送された出力を蓄積する出力蓄積コンデンサーを示し、７６，７７は、出力蓄積コンデンサー７４，７５に蓄積された各出力を水平出力線へ転送する水平転送ＭＯＳトランジスターを示している。７８は、信号を増幅して出力する差動出力アンプを示し、８０は水平転送ＭＯＳトランジスター７６，７７のオン、オフを制御する水平走査回路を示している。７９は、転送スイッチＭＯＳトランジスター５１，５２，６１，６２などのオン、オフを制御する垂直走査回路を示している。【００３３】
図１０は、一実施の形態における撮像素子の各部動作を示すタイミングチャートである。まず、垂直走査回路７９からのタイミング出力により制御パルスＰＳをハイレベルに切り換え、水平選択スイッチＭＯＳトランジスター６６をオンしてこの水平ラインの画素を選択する。次に、制御パルスＰＲをローレベルに切り換えて第１および第２光電変換部のＦＤ部５７，５８のリセットを停止し、ＦＤ部５７，５８をフローティング状態とした後、制御パルスＰＸ０をハイレベルに切り換えて転送スイッチＭＯＳトランジスター５１，６１をオンし、分割領域１１，１３で光電変換された電荷をＦＤ部５７，５８に転送する。このとき、制御パルスＰＸ１はローレベルであり、分割領域１２，１４で光電変換された電荷はＦＤ部５７，５８へ転送されない。【００３４】
分割領域１１，１３で光電変換された電荷がＦＤ部５７，５８へ転送されることによって、ＦＤ部５７，５８の電位が受光量に応じて変化することになる。このとき、ソースフォロアーアンプＭＯＳトランジスター６５，６８がフローティング状態にあるので、制御パルスＰＴを一時的にハイレベルに切り換えることによって、ＦＤ部５７，５８の電荷を出力蓄積コンデンサー７４，７５へ出力する。出力蓄積コンデンサー７４，７５に蓄積された電荷は、水平走査回路８０から水平転送ＭＯＳトランジスター７６，７７への走査タイミング信号によって、水平転送期間ＴＲ１に差動出力アンプ７８から出力される。【００３５】
次に、制御パルスＰＸ０をローレベルに切り換えてから制御パルスＰＲをハイレベルに切り換え、ＦＤ部５７，５８のリセットを行う。そして、制御パルスＰＲをローレベルに切り換え、ＦＤ部５７，５８のリセットを停止し、ＦＤ部５７，５８をフローティング状態とする。さらに、制御パルスＰＸ１をハイレベルに切り換えて転送スイッチＭＯＳトランジスター５２，６２をオンし、分割領域１２，１４で光電変換された電荷をＦＤ部５７，５８へ転送する。このとき、制御パルスＰＸ０はローレベルであるから、分割領域１１，１３で蓄積された電荷はＦＤ部５７，５８へ転送されない。【００３６】
分割領域１２，１４で変換された電荷がＦＤ部５７，５８へ転送されることによって、ＦＤ部５７，５８の電位が受光量に応じて変化することになる。このとき、ソースフォロアーアンプＭＯＳトランジスター６５，６８がフローティング状態にあるので、制御パルスＰＴを一時的にハイレベルに切り換えることによって、ＦＤ部５７，５８の電荷を出力蓄積コンデンサー７４，７５へ出力する。出力蓄積コンデンサー７４，７５に蓄積された電荷は、水平走査回路８０から水平転送ＭＯＳトランジスター７６，７７への走査タイミング信号によって、水平転送期間ＴＲ２に差動出力アンプ７８から出力される。【００３７】
垂直走査回路は、制御パルスＰＸ１をローレベルに切り換えてから制御パルスＰＲをハイレベルに切り換え、さらに制御パルスＰＳをローレベルに切り換えてこの水平ラインの画素の選択を終了する。撮像素子の出力は、後述する焦点検出装置へ送られ、焦点検出演算処理を施して撮影光学系の焦点調節状態が検出される。【００３８】
図１１は、一実施の形態における撮像素子を用いた焦点検出装置および撮像システムの構成を示す図である。撮影光学系１０１は、被写体の光学像を撮像素子１０３上に結像させる。絞り１０２は、撮影光学系１０１を通過した光量を調節する光学絞りである。撮像素子１０３は、上述したように、マイクロレンズ３７を二次元平面状に展開してマイクロレンズ・アレイを形成するとともに、各マイクロレンズ３７の後に画素２０を配置したものであり、撮影光学系１０１により結像された被写体像に応じた焦点検出用信号を出力する。【００３９】
撮像信号処理回路１０４は、撮像素子１０３の出力信号を増幅するゲイン可変アンプ部およびゲイン値を補正するためのゲイン補正回路部などを含む撮像信号処理回路である。ＡＤ変換器１０５は、撮像素子１０３のアナログ出力信号をデジタル信号に変換する。信号処理部１０６は、デジタル画像信号に各種の補正を施す。タイミング発生部１０９は、撮像素子１０３、撮像信号処理回路１０４、ＡＤ変換器１０５および信号処理部１０６に各種タイミング信号を出力する。制御部１１０は、各種演算を行うとともに、焦点検出装置および撮像システム全体を制御する。メモリ部１０７は、画像データを一時的に記憶する。【００４０】
記録媒体制御インタフェース部１１１は、記録媒体１１２へ画像データを記録したり、記録媒体１１２から画像データを読み出す。記録媒体１１２は、半導体メモリなどの画像データを記録する着脱可能な記録媒体である。外部インタフェース部１０８は、外部のコンピューターなどと通信を行う。操作部１１３は、焦点検出装置および撮像システムを操作するための操作部である。【００４１】
なお、図１１において撮像信号処理回路１０４、ＡＤ変換器１０５、信号処理部１０６、タイミング発生部１０９、制御部１１０およびメモリ部１０７によって、焦点検出装置が構成される。【００４２】
図１１に示す焦点検出装置および撮像システムの動作を説明する。メイン電源と制御電源が投入され、次にＡＤ変換器１０５などの撮像系回路の電源が投入されると、制御部１１０は、焦点検出装置および撮像システムの動作を開始する。まず露光量を制御するために絞り１０２を開放し、撮像素子１０３の出力信号をＡＤ変換器１０５でデジタル撮像データに変換した後、信号処理部１０６で撮像データに各種の補正を施し、メモリ部１０７に記憶する。【００４３】
続いて、メモリ部１０７に記憶した撮像データを用いて位相差検出方式による周知の相関演算を行い、撮影光学系１０１の焦点調節状態を検出する。そして、焦点検出結果に基づいて撮影光学系１０１が合焦しているか否かを判定し、合焦していないと判定された場合は、焦点検出結果に基づいて撮影光学系１０１の焦点調節を行う。一方、合焦していると判定された場合は、操作部１１３のレリーズ操作を確認し、レリーズ操作があると、撮像素子１０３の第１光電変換部の分割領域１１，１２と第２光電変換部の分割領域１３，１４の出力を合成し、撮像データとしてメモリ部１０７に書き込む。メモリ部１０７に記録された撮像データは、記録媒体制御インタフェース部１１１を介して、記録媒体１１２に記録するか、あるいは、外部インタフェース部１０８を介して外部コンピューターなどへ出力する。【００４４】
図１２は、一実施の形態における焦点検出装置および撮像システムの動作を示すフローチャートである。ステップ１００において電源が投入されるとステップ１１０へ進み、撮影光学系１０１の開放Ｆ値が４以上、すなわち射出瞳がＦ４より暗いか否かを確認する。４より大きく暗い場合はステップ１３０へ進み、第２光電変換部（１３，１４）の出力に基づいて焦点検出演算を行い、デフォーカス量を算出する。一方、開放Ｆ値が４以下で明るい場合はステップ１２０へ進み、第１光電変換部（１１，１２）の出力に基づいて焦点検出演算を行い、デフォーカス量を算出する。【００４５】
ステップ１４０では、焦点検出演算結果のデフォーカス量に基づいて撮影光学系１０１が合焦状態にあるか否かを判定する。合焦状態にない場合はステップ１５０へ進み、デフォーカス量にしたがって撮影光学系１０１を合焦位置へ駆動した後、ステップ１１０に戻って焦点検出を繰り返す。一方、撮影光学系１０１が合焦状態にある場合はステップ１６０へ進み、シャッターレリーズがなされたか否かを判定する。シャッターレリーズがなされていない場合は、ステップ１１０へ戻って焦点検出を繰り返す。シャッターレリーズがなされた場合は、ステップ１７０へ進み、撮像動作を実行した後、再びステップ１１０へ戻って、焦点検出を繰り返す。【００４６】
図１３は、一実施の形態における撮像システム（デジタルスチルカメラ）の構成を示す図である。一実施の形態におけるデジタルスチルカメラ２０１では、交換レンズ２０２がレンズマウント２０４を介してカメラボディ２０３に装着される。交換レンズ２０２は、レンズ２０９、２１０と絞り２０８の他に、絞り駆動装置２０５、フォーカシングレンズ２１０を駆動するレンズ駆動装置２０７、絞り駆動装置２０５とレンズ駆動装置２０７を制御するレンズＣＰＵ２０６などを備えている。【００４７】
一方、カメラボディ２０３は、撮像素子２１２、焦点検出装置２１３、ボディＣＰＵ２１４、電子ビューファインダーの液晶表示素子２１６、液晶表示素子２１６を観察するための接眼レンズ２１７、液晶表示素子駆動回路２１５などを備えている。撮像素子２１２は、交換レンズ２０２の予定結像面に配置される。焦点検出装置２１３は、撮像素子２１２の出力に基づいて、交換レンズ２０２の焦点調節状態を検出する。ボディＣＰＵ２１４は、デジタルスチルカメラ全体の動作を制御する。液晶表示素子駆動回路２１５は、ボディＣＰＵ２１４の制御にしたがって、電子ビューファインダーの液晶表示素子２１６を駆動する。ボディＣＰＵ２１４とレンズＣＰＵ２０６は、レンズマウント２０４に設けられた電気接点２１１を介して、種々の情報、例えば開放Ｆ値などのレンズ特性情報、レンズ駆動のための焦点調節情報、絞り制御のための絞り制御情報の授受を行う。【００４８】
交換レンズ２０２を通過して撮像素子２１２上に結像された被写体像は、図１に示す第１光電変換部（１１，１２）と第２光電変換部（１３，１４）の複数の分割領域１１〜１４により光電変換され、その出力は焦点検出装置２１３およびボディＣＰＵ２１４に送られる。焦点検出装置２１３は、撮像素子２１２の出力に基づいて焦点検出演算を行い、交換レンズ２０２の焦点調節状態を表すデフォーカス量を算出してボディＣＰＵ２１４へ送る。【００４９】
ボディＣＰＵ２１４は、デフォーカス量に基づいて、合焦または非合焦を判定し、非合焦と判定した場合は、レンズＣＰＵ２０６へデフォーカス量に応じたレンズ駆動情報を送る。レンズＣＰＵ２０６は、レンズ駆動情報にしたがってレンズ駆動装置２０７を制御し、フォーカシングレンズ２１０を合焦位置へ移動する。ボディＣＰＵ２１４は、撮像素子２１２の出力信号により画像信号を生成し、液晶表示素子駆動回路２１５により画像を表示する。【００５０】
《撮像素子の変形例》
図１４は、撮像素子の光電変換部の変形配置例を示す図である。光電変換素子１０Ａは、二対の光電変換部、すなわち第１光電変換部（３１１，３１２）と第２光電変換部（３１３，３１４）とから構成される。第２光電変換部（３１３，３１４）の面積は、第１光電変換部（３１１，３１２）の面積よりも小さい。第１光電変換部（３１１，３１２）は、第２光電変換部（３１３，３１４）の外周を包囲している。【００５１】
第１光電変換部（３１１，３１２）の外形は矩形であり、第２光電変換部（３１３，３１４）の外形は円形である。第１光電変換部（３１１，３１２）は、分離帯３１５，３１６を隔てて、一対の光電変換領域３１１と３１２に分割され、第２光電変換部（３１３，３１４）は、分離帯３１７を隔てて、一対の光電変換領域３１３と３１４に分割されている。分離帯３１５と３１７の方向は同一である。これにより、第１光電変換部の分割領域３１１，３１２の並び方向と第２光電変換部の分割領域３１３，３１４の並び方向も同一である。【００５２】
このように、図１４に示す変形例の撮像素子では、第１光電変換部（３１１，３１２）の外形を矩形としたので、画素を縦横に二次元配列した場合に、各画素を取り囲むように、制御用および出力用の配線をまっすぐに敷設することができ、配線との配置関係を良好にしながら、画素すなわち光電変換素子１０Ａの受光面積を最大限に広くとることができる。また、この変形例の撮像素子では、第１光電変換部（３１１，３１２）の内部に第２光電変換部（３１３，３１４）を設け、その第２光電変換部（３１３，３１４）の外形を円形にした。これにより、Ｆ値の大きな暗い撮影光学系の焦点検出を行う場合でも、焦点検出光束のケラレが発生せず、また、射出瞳を通過する焦点検出用光束を有効に利用することができる。【００５３】
《撮像素子の他の変形例》
図１５は、撮像素子の光電変換部の他の変形配置例を示す図である。光電変換素子１０Ｂは、二対の光電変換部、すなわち第１光電変換部（３２１〜３２４）と第２光電変換部（３２５，３２６）とから構成される。第２光電変換部（３２５，３２６）の面積は、第１光電変換部（３２１〜３２４）の面積よりも小さい。第１光電変換部（３２１〜３２４）は、第２光電変換部（３２５，３２６）の外周を包囲している。【００５４】
第１光電変換部（３２１〜３２４）の外形は矩形であり、第２光電変換部（３２５，３２６）の外形は円形である。また、第１光電変換部（３２１〜３２４）は、分離帯３２７，３２８を隔てて、４個の光電変換領域３２１，３２２，３２３，３２４に分割され、第２光電変換部（３２５，３２６）は、分離帯３２９を隔てて、一対の光電変換領域３２５と３２６に分割される。【００５５】
第１光電変換部（３２１〜３２４）を領域分割する分離帯３２７は、縦横十文字に形成されており、縦方向の分離帯３２７の方向と第２光電変換部（３２５，３２６）の分離帯３２９の方向とは同一である。これにより、第１光電変換部（３２１〜３２４）の分割領域３２１と３２４、３２２と３２３、第２光電変換部の分割領域３２５と３２６がそれぞれ横方向（撮影画面の水平方向）に並び、第１光電変換部（３２１〜３２４）の分割領域３２１と３２２、３２３と３２４が縦方向（撮影画面の垂直方向）に並ぶ。また、第１光電変換部（３２１〜３２４）の分割領域３２１と３２３、３２２と３２４がそれぞれ斜め方向に並ぶ。【００５６】
このように、図１５に示す他の変形例の撮像素子では、第１光電変換部（３２１〜３２４）の外形を矩形としたので、画素を縦横に二次元配列した場合に、各画素を取り囲むように制御用および出力用の配線をまっすぐに敷設することができ、配線との配置関係を良好にしながら、画素すなわち光電変換素子１０Ｂの受光面積を最大限に広くとることができる。また、この変形例の撮像素子では、第１光電変換部（３２１〜３２４）の内部に第２光電変換部（３２５，３２６）を設け、その第２光電変換部（３２５，３２６）の外形を円形にした。これにより、Ｆ値の大きな暗い撮影光学系の焦点検出を行う場合でも焦点検出光束のケラレが発生せず、また、射出瞳を通過する焦点検出光束を有効に利用することができる。【００５７】
さらに、図１５に示す他の変形例の撮像素子では、第１光電変換部（３２１〜３２４）を縦横十文字形の分離帯３２７で４分割した。これにより、分割領域３２１と３２２、３２３と３２４を用いて撮影画面の垂直方向の焦点検出を行い、分割領域３２１と３２４、３２２と３２３を用いて撮影画面の水平方向の焦点検出を行うことができる上に、分割領域３２１と３２３を用いて撮影画面の右上がり斜め方向の焦点検出を行い、分割領域３２２と３２４を用いて撮影画面の右下がり斜め方向の焦点検出を行うことができる。【００５８】
《撮像素子の他の変形例》
図１６は、撮像素子の光電変換部のさらに他の変形配置例を示す図である。光電変換素子１０Ｃは、二対の光電変換部、すなわち第１光電変換部（３３１〜３３４）と第２光電変換部（３３５，３３６）とから構成される。第２光電変換部（３３５，３３６）の面積は、第１光電変換部（３３１〜３３４）の面積よりも小さい。第１光電変換部（３３１〜３３４）は、第２光電変換部（３３５，３３６）の外周を包囲している。【００５９】
第１光電変換部（３３１〜３３４）の外形は矩形であり、第２光電変換部（３３５，３３６）の外形は円形である。第１光電変換部（３３１〜３３４）は、分離帯３３７を隔てて、４個の光電変換領域３３１，３３２，３３３，３３４に分割され、第２光電変換部（３３５，３３６）は、分離帯３３９を隔てて、一対の光電変換領域３３５と３３６に分割されている。【００６０】
第１光電変換部（３３１〜３３４）を領域分割する分離帯３３７は、Ｘ文字に形成されており、第２光電変換部（３３５，３３６）を領域分割する分離帯３３９は、縦方向に配置されている。これにより、第１光電変換部（３３１〜３３４）の分割領域３３１と３３３、第２光電変換部の分割領域３３５と３３６がそれぞれ横方向（撮影画面の水平方向）に並び、第１光電変換部（３３１〜３３４）の分割領域３３２と３３４が縦方向（撮影画面の垂直方向）に並ぶ。【００６１】
このように、図１６に示す他の変形例の撮像素子では、第１光電変換部（３３１〜３３４）の外形を矩形としたので、画素を縦横に二次元配列した場合に、各画素を取り囲むように制御用および出力用の配線をまっすぐに敷設することができ、配線との配置関係を良好にしながら、画素すなわち光電変換素子１０Ｃの受光面積を最大限に広くとることができる。また、この変形例の撮像素子では、第１光電変換部（３３１〜３３４）の内部に第２光電変換部（３３５，３３６）を設け、その第２光電変換部（３３５，３３６）の外形を円形にしたので、Ｆ値の大きな暗い撮影光学系の焦点検出を行う場合でも焦点検出用光束のケラレが発生せず、また、射出瞳を通過する焦点検出用光束を有効に利用することができる。【００６２】
さらに、図１６に示す他の変形例の撮像素子では、第１光電変換部（３３１〜３３４）をＸ文字形の分離帯３３７で４分割した。これにより、分割領域３３１と３３３を用いて撮影画面の水平方向の焦点検出を行い、分割領域３３２と３３４を用いて撮影画面の垂直方向の焦点検出を行うことができる上に、分割領域３３１と３３２、３３３と３３４を用いて撮影画面の右上がり斜め方向の焦点検出を行い、分割領域３３１と３３４、３３２と３３３を用いて撮影画面の右下がり斜め方向の焦点検出を行うことができる。【００６３】
なお、図１６に示す他の変形例の撮像素子において、第１光電変換部の分割領域３３１〜３３４と第２光電変換部の分割領域３３５，３３６の面積を略同一とすることによって、各分割領域の電荷蓄積時間を同一に制御しても、各分割領域の出力レベルを揃えることができる。したがって、焦点検出位置が画面周辺にあって、焦点検出位置から見た射出瞳が変形し、その中心が変位するような場合でも、射出瞳の変位量に応じて、例えば第１光電変換部の分割領域３３１と第２光電変換部の分割領域３３５、あるいは第１光電変換部の分割領域３３３と第２光電変換部の分割領域３３６を用いて焦点検出演算を行い、撮影画面の水平方向の焦点検出を行うことができる。【００６４】
《撮像素子の他の変形例》
図１７は、撮像素子の光電変換部のさらに他の変形配置例を示す図である。光電変換素子１０Ｄは、二対の光電変換部、すなわち第１光電変換部（３４１，３４２）と第２光電変換部（３４３，３４４）とから構成される。第２光電変換部（３４３，３４４）の面積は、第１光電変換部（３４１，３４２）の面積よりも小さい。第１光電変換部（３４１，３４２）は、第２光電変換部（３４３，３４４）を包含している。【００６５】
第１光電変換部（３４１，３４２）と第２光電変換部（３４３，３４４）の外形はともに円形である。第１光電変換部（３４１，３４２）は、分離帯３４５，３４６を隔てて、一対の光電変換領域３４１，３４２に分割され、第２光電変換部（３４３，３４４）は、分離帯３４７を隔てて、一対の光電変換領域３４３と３４４に分割される。第１光電変換部（３４１，３４２）の分離帯３４５と第２光電変換部（３４３，３４４）の分離帯３４７は互いに直交しているので、第１光電変換部の分割領域３４１と３４２の並び方向と第２光電変換部の分割領域３４３と３４４の並び方向も直交する。【００６６】
図１７に示す他の変形例の撮像素子では、第１光電変換部（３４１，３４２）と第２光電変換部（３４３，３４４）の外形をともに円形としたので、Ｆ値の大きな暗い撮影光学系の焦点検出を行う場合でも焦点検出用光束のケラレが発生せず、また、射出瞳を通過する焦点検出用光束を有効に利用することができる。【００６７】
また、図１７に示す他の変形例の撮像素子では、第１光電変換部の分割領域３４１と３４２の並び方向と、第２光電変換部の分割領域３４３と３４４の並び方向とが互いに直交するように光電変換部の領域分割を行ったので、撮影画面の垂直方向と水平方向の焦点検出を行うことができる。【００６８】
《撮像素子回路の変形例》
図１８は、撮像素子回路の変形構成例を示す図である。なお、基本的な回路構成は図９に示す回路構成と同様であり、相違点を中心に説明する。光電変換部の一つの分割領域４００は、アノード側を共通接続されたフォトダイオード４０１，４０２から構成される。一方のフォトダイオード４０１のカソードは接地され、他方のフォトダイオード４０２のカソードは、リセット端子ＲＳＴに接続されている。したがって、この変形例では、リセット端子ＲＳＴからのリセットパルス入力によって、フォトダイオード４０１，４０２を直接リセットすることができる。【００６９】
また、この変形例の光電変換部の分割領域４００は、フォトダイオード４０１，４０２のアノード接続点がコンデンサーＣ１，Ｃ２を介して、ＭＯＳトランジスター４０３のソースに接続されている。したがって、ＭＯＳトランジスター４０３がオンすると、光電変換部の分割領域４００の電位がＭＯＳトランジスター４０３のドレインに接続されているトランジスター（不図示）のゲートに印加され、このトランジスターにより増幅された出力が垂直信号線に送られる。【００７０】
図１９は、図１８に示す変形例の撮像素子の断面構造図である。撮像素子は、貼り合わせ型のＳＯＩ基板を用いたものであり、ＳＯＩ絶縁層４１０の上面側（上層Ｓｉ基板４１１）に光電変換部の分割領域４００を形成し、下面側に読み出し回路および駆動回路のトランジスター４０３，４０４などの素子を形成したものである。【００７１】
各フォトダイオード４０１，４０２は、ＳＯＩ絶縁層４１０の上部に、下層から順に、Ｎ＋領域４０５、Ｐ領域４０６、表面Ｎ＋領域４０７の各不純物層を設けたものである。各フォトダイオード４０１、４０２の境界領域には、Ｎ型の不純物層４０８が設けられ、隣接する素子と電気的に分離されている。各フォトダイオード４０１，４０２の表面は、表面Ｎ＋領域４０７を介して、一層の透明電極４０９に接続されている。【００７２】
一対のフォトダイオード４０１，４０２の境界部には、絶縁膜４１２を介して、多結晶シリコン縦配線（ポリシリコンプラグ）４１３が配置されている。この多結晶シリコン縦配線４１３は、キャパシタ（コンデンサＣ１）を構成する。多結晶シリコン縦配線４１３は、ＳＯＩ絶縁膜４１０を上下に貫通する状態で形成され、ＳＯＩ絶縁膜４１０の下面側に配置された底部で、下層多結晶シリコン電極４１４に接続されている。この下層多結晶シリコン電極４１４は、下層Ｓｉ基板４１５に設けられたＮ＋層４１６と絶縁膜４１７を介して配置されており、下層多結晶シリコン電極４１４とＮ＋層４１６とでキャパシタ（コンデンサＣ２）を構成する。なお、多結晶シリコン縦配線４１３の上端と透明電極４０９との間は、絶縁膜４１８によって分離されている。【００７３】
下層Ｓｉ基板４１５には、絶縁膜４１７の下側に各トランジスタ４０３，４０４のソースおよびドレインを構成するＮ＋層４１６、４１９が形成されている。Ｎ＋層４１６、４１９のうち、トランジスタ４０３のソースとして働くＮ＋層４１６が上述した下層多結晶シリコン電極４１４に対応して配置されている。絶縁膜４１７の上面には、上述した下層多結晶シリコン電極４１４以外にも、各トランジスタ４０３，４０４のゲートに対応して、下層多結晶シリコンゲート電極４２０が設けられている。また、各トランジスタ４０３，４０４などの配線は、一層のポリシリコン配線４２１で構成され、図１８に示した回路構成を実現している。【００７４】
絶縁膜４１７の一部は下層に延在され、素子分割領域４２２を構成している。絶縁膜４１７の上層は、ＣＶＤなどによる酸化膜４２３が積層され、下層多結晶シリコン電極４１４、４２０やポリシリコン配線４２１などを絶縁状態で包囲している。なお、不図示の垂直走査制御回路／配線などの出力回路も、ＳＯＩ絶縁層４１０の下部に形成している。【００７５】
上述したように、光電変換部と電荷読み出し部（出力回路）を光入射方向に対して積層した構造とすることによって、電荷読み出しのための構造や配線が撮像素子表面から素子内部に埋め込まれるので、光電変換部の分離領域の形状や配置の自由度が増し、開口率の向上が図られる。【００７６】
上述した撮像素子の動作を説明する。フォトダイオード４０１，４０２に入射した光により各フォトダイオード４０１，４０２に電荷が発生し、Ｐ領域４０６に蓄積される。このとき、フォトダイオード４０１，４０２の表面に接続された透明電極４０９の電位を適宜変化させることによって、最大蓄積量が決定されるとともに、Ｓｉ表面のＮ＋層４０７と透明電極４０９の界面で発生した界面順位に起因するノイズ成分は、透明電極４０９側へ排出される。【００７７】
また、透明電極４０９にＰ領域４０６よりも低い電位を与えることによって、フォトダイオード４０１，４０２の光電変換領域に蓄積された電荷がすべて透明電極４０９へ排出され、フォトダイオード４０１，４０２のリセットが行える。このとき、すべてのフォトダイオードに対し一斉に電圧を加えると、電子シャッターとして動作させることができる。【００７８】
透明電極４０９の電位を保ちつつ一定期間の光を当てると、光電変換により発生した電荷によって、フォトダイオード４０１，４０２の電位、すなわちポリシリコンプラグ４１３の電位を変動させ、この電位が読み出しトランジスター４０３のソース部分（Ｎ＋層４１６）の電位を変化させる。この変化した電位をトランジスター４０４のゲートに伝え、ソースフォロアー回路を介して出力させる。この構造は、フォトダイオード４０１，０４２と電位伝達の配線（ポリシリコンプラグ４１３）とが良質の絶縁膜（熱酸化膜）を介して絶縁されているため、界面準位などに代表されるノイズ発生源が少ない。すなわち、信号電荷に対するノイズ量の小さな構造になっている。【００７９】
本発明は、上述した一実施の形態に限定されることはない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も、本発明の範囲内に含まれる。例えば、光電変換部の構造は、図１８および図１９に示す構造に限定されない。光電変換部を撮像素子表面に設け、出力回路を光電変換部の下部に設けるような三次元回路構成があれば、他の構造でも構わない。また、電荷の出力形式については、図９に示したＭＯＳ型の撮像素子に限定されず、電荷転送型（ＣＣＤ型）の撮像素子でもよい。【００８０】
さらに、光電変換部（画素）の外形形状、分割領域の形状、並び方向および分割数については、上述した図１に示す一実施の形態の撮像素子、図１４〜図１７に示す変形例の撮像素子に限定されない。面積当たり、より多くの画素を配列するために、第１光電変換部の外形を矩形に近い形状、あるいは正四角形、六角形などの多角形にしてもよい。また、第２光電変換部の外形を円形に近い形状としてもよい。円形に近い形状には、完全な円形ではないが円形に近い形状、多角形で円形に近い形状などが含まれる。さらに、第２光電変換部を３個以上に分割してもよい。第１光電変換部と第２光電変換部の二重構造に限定されず、三重以上の多重入れ子構造、例えば、半径の異なる同心円の複数の分離帯によって分割してもよい。このようにすれば、撮影光学系の射出瞳の大きさや撮影画面上の焦点検出位置に応じた射出瞳の変形に対応して、焦点検出に用いる光電変換部をきめ細かく選択することができる。【００８１】
画素の配列方法は、図２に示す縦横の配列に限定されない。例えば、図２において一列または一行おきに画素を９０度回転させた配置としてもよいし、千鳥状に画素を９０度回転させた配置としてもよい。また、一定ブロックごとに画素を９０度回転させた配置としてもよい。あるいは、通常の撮像用画素と本発明による画素を混合して用いてもよい。【００８２】
本出願は、以下の文献を基礎として、その内容は引用文としてここに組み込まれる。
日本国特許出願２００５−２１２９０８号（２００５年７月２２日出願）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【国際調査報告】
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