【事件の表示】
　特願２０１６−　４３８１６「画素ユニット、及び撮像素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　９月１４日出願公開、特開２０１７−１６２８８６、請求項の数（１２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２８年３月７日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成３０年　８月１０日　　　　上申書、手続補正書の提出
　平成３０年１１月　１日付け　　拒絶理由通知書
　平成３０年１２月２１日　　　　意見書、手続補正書の提出
　平成３１年　３月　１日付け　　拒絶理由（最後の拒絶理由）通知書
　平成３１年　４月２４日　　　　意見書、手続補正書の提出
　令和　元年　７月　１日付け　　拒絶査定
　令和　元年１０月　９日　　　　審判請求書、手続補正書の提出
　令和　２年　７月　８日付け　　拒絶理由通知書
　令和　２年　９月１４日　　　　意見書、手続補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定（令和元年７月１日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　本願請求項１ないし１２に係る発明は、以下の引用文献１ないし３に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１６−１８８９８号公報
２．特開２０１２−２３４９８８号公報
３．特開２００９−１３５３１９号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由（令和２年７月８日付け）の概要は次のとおりである。
Ａ　本願請求項３ないし６に係る発明は、引用文献Ａに記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
Ｂ　本願請求項３ないし１２に係る発明は、以下の引用文献ＡないしＣに基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
＜引用文献等一覧＞
Ａ．特開２０１１−４９４４６号公報（当審において新たに引用した文献）
Ｂ．特開２００９−１３５３１９号公報（拒絶査定時の引用文献３）
Ｃ．特開２０１６−１８８９８号公報（拒絶査定時の引用文献１）
第４　本願発明
　本願請求項１ないし１２に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１２」という。）は、令和２年９月１４日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１ないし１２は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　光電変換素子と、
　前記光電変換素子に接続する転送ゲートを備える転送トランジスタと、
　前記転送ゲートに接続するフローティングディフュージョン領域とを備える画素ユニットであって、
　前記転送ゲートは、前記転送ゲートの前記フローティングディフュージョン領域の側を除いて前記光電変換素子が囲むように配置されており、
　前記転送ゲートは、
　ゲート幅方向に第１のゲート幅を有し、前記フローティングディフュージョン領域の側が直線であり、前記フローティングディフュージョン領域から離れるゲート長方向に延びる第１のゲート領域と、
　前記ゲート幅方向に前記第１のゲート幅より小さい第２のゲート幅を有し、前記第１のゲート領域から連続して前記ゲート長方向に延びる第２のゲート領域とを含み、
　前記第２のゲート領域は、前記第１のゲート領域から離れる方向に前記第１のゲート幅から前記第２のゲート幅になるように徐々に小さくなることを特徴とする画素ユニット。
　　【請求項２】
　前記第２のゲート領域は、テーパ状に形成されている請求項１に記載の画素ユニット。
　　【請求項３】
　光電変換素子と、
　平面視で前記光電変換素子に接続する転送ゲートと、
　前記転送ゲートに接続するフローティングディフュージョン領域とを備える画素ユニットであって、
　前記転送ゲートは、平面視でフローティングディフュージョン領域と接続する辺以外の辺は前記光電変換素子に接続し、前記光電変換素子で囲まれている構造を備え、
　前記転送ゲートの前記フローティングディフュージョン領域の側が直線であり、平面視で前記光電変換素子に囲まれている前記転送ゲートの領域は、前記フローティングディフュージョン領域から離れるに従い、広がることなく、かつ、前記転送ゲートの領域のうちの前記フローティングディフュージョン領域から離れている領域が徐々に小さくなるように形成されていることを特徴とする画素ユニット。
　　【請求項４】
　前記転送ゲートは、前記フローティングディフュージョン領域から離れている前記領域が、テーパ状に形成されている請求項３に記載の画素ユニット。
　　【請求項５】
　前記転送ゲートの平面形状は、四角形の前記フローティングディフュージョン領域から離れた側の２つの角部を切り欠いた形状である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画素ユニット。
　　【請求項６】
　前記光電変換素子、前記転送ゲート、及び前記フローティングディフュージョン領域が、直線上に配置されている請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画素ユニット。
　　【請求項７】
　前記フローティングディフュージョン領域は、拡散する不純物濃度が異なる第１の拡散領域及び第２の拡散領域を含んで構成されており、
　前記第１の拡散領域は、前記第２の拡散領域よりも不純物濃度が高く、
　前記第２の拡散領域は、前記第１の拡散領域を挟むように前記第１の拡散領域に隣接する請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画素ユニット。
　　【請求項８】
　前記フローティングディフュージョン領域に接続されて前記フローティングディフュージョン領域に蓄積された電荷をリセットするリセットトランジスタをさらに備える請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画素ユニット。
　　【請求項９】
　前記フローティングディフュージョン領域に接続して前記フローティングディフュージョン領域で変換した電圧を増幅する増幅トランジスタをさらに備える請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画素ユニット。
　　【請求項１０】
　前記転送ゲートは、前記フローティングディフュージョン領域の側を含む前記転送ゲートの端部が、前記光電変換素子の前記転送ゲート側の端部から前記フローティングディフュージョン領域に向かって延びる延長部をさらに備える請求項１乃至９のいずれか１項に記載の画素ユニット。
　　【請求項１１】
　前記請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の画素ユニットが複数配置された撮像素子であって、
　前記画素ユニットのうち、一部の画素ユニットが第１の方向に並んで配置された画素ユニット列を構成し、
　前記画素ユニット列がさらに第１の方向と直交する第２の方向に複数並んで配置された撮像素子。
　　【請求項１２】
　前記画素ユニット列を構成する前記一部の画素ユニットは、前記画素ユニットの電気信号を読み出す１つの信号線に接続されている請求項１１に記載の撮像素子。」
第５　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
　原査定及び当審拒絶理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、光電変換装置に関する。」
「【００１０】
　以下の実施形態では、説明の簡単化のために、単一の光電変換部を含む光電変換装置について説明するが、典型的には、複数の光電変換部が配列されうる。複数の光電変換部を含む光電変換装置は、例えば、ＡＦ（Ａｕｔｏ　Ｆｏｃｕｓ）センサ、ラインセンサまたはイメージセンサを構成しうる。該光電変換装置は、画像を取得するためのイメージングデバイス、例えば、カメラの一部を構成する。
【００１１】
　以下で説明するｐ型、ｎ型は、相互に入れ替え可能である。つまり、以下で説明されるｐ型をｎ型に変更し、ｎ型をｐ型に変更することができる。特許請求の範囲に記載された「第１導電型」、「第２導電型」は、相互に異なる導電型を意味し、それぞれｐ型、ｎ型
であってもよいし、それぞれｎ型、ｐ型であってもよい。以下の説明においては、信号電荷が正孔の場合を説明し、導電型を入れ替えた場合には、信号電荷は電子となる。
【００１２】
　図１には、本発明の第１実施形態の光電変換装置が示されている。図１は、光電変換装置の平面図ＰＶ、平面図ＰＶのＡ−Ａ’線に沿った断面図ＣＳＶＡ、平面図ＰＶのＢ−Ｂ’線に沿った断面図ＣＳＶＢを含む。なお、平面図ＰＶでは、構造の理解の容易化のために、層間絶縁膜４、第３半導体領域（表面領域）２２およびサイドスペーサ３３は取り除かれている。
【００１３】
　
光電変換装置は、素子分離９１と、ｐ型の電荷蓄積領域２１と、ｐ型の浮遊拡散領域４１と、ゲート電極Ｇと、ｎ型の第１半導体領域１００とを含む。光電変換装置はまた、ｎ型の第２半導体領域３を含み、ｐ型の電荷蓄積領域２１、ｐ型の浮遊拡散領域４１およびｎ型の第１半導体領域１００は、ｎ型の第２半導体領域３の中に配されている。
ｐ型の電荷蓄積領域２１と、ｎ型の第２半導体領域３のうちｐ型の電荷蓄積領域２１の近傍の領域と、ｎ型の第３半導体領域２２とによって埋め込み型のフォトダイオード（光電変換部）が構成される。
【００１４】
　
ゲート電極Ｇは、ゲート絶縁膜３１を介してｎ型の第２半導体領域３の上に配され、所定の電位が印加されることにより、ｐ型の電荷蓄積領域２１に蓄積された電荷をｐ型の浮遊拡散領域４１に転送するためのチャネルをｎ型の第２半導体領域３に形成する。
ゲート電極Ｇ、第３半導体領域２２、浮遊拡散領域４１および素子分離９１は、層間絶縁膜４で覆われる。
【００１５】
　図１では、電荷蓄積領域２１を含む光電変換部の一部分のみが示されているが、他の部分は任意である。例えば、光電変換部は、図２２に例示されるような構成、即ち、電荷蓄積領域２１のうちゲート電極Ｇが配される側とは反対側の部分と素子分離９１との間にも第１半導体領域１００が配された構成を有しうる。
【００１６】
　図２は、図１（ａ）の同様の領域を示す平面図であるが、図２では、ゲート電極Ｇが点線で示され、第３半導体領域２２が取り除かれ、電荷蓄積領域２１の一部が切り欠いて示され、また、浮遊拡散領域４１が取り除かれている。図３（ａ）には、活性領域ＡＲが示され、図３（ｂ）には、ゲート電極Ｇおよび浮遊拡散領域４１が示されている。また、図２、図３（ａ）、図３（ｂ）では、活性領域ＡＲ、素子分離９１およびゲート電極Ｇのそれぞれの構造を説明するための線や点が付加されている。
【００１７】
　層間絶縁膜４の下に存在する構造体（半導体基板）の表面において、活性領域ＡＲと素子分離９１が配された素子分離領域とは排他的な関係にあり、素子分離９１が存在しない領域が活性領域ＡＲである。活性領域ＡＲには、電荷蓄積領域２１、第３半導体領域２２、浮遊拡散領域４１および第１半導体領域１００が含まれる。
【００１８】
　素子分離９１は、活性領域ＡＲを取り囲むように配されている。活性領域ＡＲは、仮想線ＶＬで相互に接する第１領域ＡＲ１および第２領域ＡＲ２を含む。図３（ａ）に示されるように、仮想線ＶＬに平行な方向における第２領域ＡＲ２の幅Ｗ２は、該方向における第１領域ＡＲ１の幅Ｗ１より狭い。図２および図３（ａ）に示されるように、第２領域ＡＲ２の外縁を規定する境界線は、第１境界線ＢＬ１と第２境界線ＢＬ２とを含む。第１境界線ＢＬ１は、仮想線ＶＬの上の第１点Ｐ１を一端とし仮想線ＶＬの上にはない第２点Ｐ２を他端とする線である。第２境界線ＢＬ２は、仮想線ＶＬの上の第３点Ｐ３を一端とし仮想線ＶＬの上にはない第４点Ｐ４を他端とする線である。また、図３（ａ）に示されるように、第１領域ＡＲ１および第２領域ＡＲ２は、それぞれ矩形形状を有している。
【００１９】
　電荷蓄積領域２１は、第１領域ＡＲ１に配され、浮遊拡散領域４１は、第１領域ＡＲ１および第２領域ＡＲ２にまたがって配されている。ｎ型の第１半導体領域１００は、ｐ型の電荷蓄積領域２１の少なくとも一部を取り囲むようにｐ型の電荷蓄積領域２１と素子分離９１との間に配された部分（図１のＰＶ、図２参照）を含む。該部分は、図５において部分１０１として示されている。また、ｎ型の第１半導体領域１００は、第２領域ＡＲ２（浮遊拡散領域４１の下）に配された部分（図１のＣＳＶＡ、ＣＳＶＢ参照）を含む。該部分は、図５において部分１０２として示されている。
【００２０】
　図２に示されるように、ゲート電極Ｇは、第１部分Ｇ１、第２部分Ｇ２および第３部分Ｇ３を含む。第１部分Ｇ１は、第１点Ｐ１を覆うように第１領域ＡＲ１よび第２領域ＡＲ２にまたがっている。また、第１部分Ｇ１は、第１境界線ＢＬ１に沿って（第１境界線ＢＬ１に平行に）設けられている。第２部分Ｇ２は、第３点Ｐ３を覆うように第１領域ＡＲ１よび第２領域ＡＲ２にまたがっている。また、第２部分Ｇ２は、第２境界線ＢＬ２に沿って（第２境界線ＢＬ２に平行に）設けられている。第３部分Ｇ３は、第１部分Ｇ１と第２部分Ｇ２とを連結するように第１領域ＡＲ１の上に配されている。ｎ型の第１半導体領域１００の外縁を規定する境界線ＢＬ（図５参照）は、第３部分Ｇ３と仮想線ＶＬとの間を通る部分を含む。一例において、第１部分Ｇ１および第２部分Ｇ２は、仮想線ＶＬに直交する方向に延び、第３部分Ｇ３は、仮想線ＶＬに平行な方向に延びている。
【００２１】
　上記のような構成では、電荷蓄積領域２１の電荷を浮遊拡散領域４１に転送するチャネルが形成されるｎ型の第２半導体領域３は、素子分離９１に接していない。換言すると、ｎ型の第２半導体領域３における前記チャネルが形成される領域およびその近傍の領域は、素子分離９１に接していない。このような構成は、暗電流の発生を低減するために効果的である。また、このような構成では、前記チャネルが形成されるｎ型の第２半導体領域３よりもｎ型の不純物濃度が高いｎ型の第１半導体領域１００が、前記チャネルが形成される領域の下に存在しない。よって、低照度時（即ち、電荷蓄積領域に蓄積される電荷が少ない時）における転送効率が向上する。これにより、照度（入射光量）と浮遊拡散層に現れる電位変化との間のリニアリティが改善される。また、ゲート電極Ｇを第１部分Ｇ１、第２部分Ｇ２および第３部分Ｇ３を含む構成とすることで、電界集中を緩和することができる。」
「【００３８】
　図１３には、本発明の第４実施形態の光電変換装置が示されている。図１３は、光電変換装置の平面図ＰＶ、平面図ＰＶのＡ−Ａ’線に沿った断面図ＣＳＶＡ、平面図ＰＶのＢ−Ｂ’線に沿った断面図ＣＳＶＢを含む。図１３中の平面図ＰＶでは、構造の理解の容易化のために、層間絶縁膜４、第３半導体領域（表面領域）２２およびサイドスペーサ３３は取り除かれている。なお、第４実施形態として言及しない事項は、第１乃至第３実施形態に従いうる。
第４実施形態では、ゲート電極Ｇの第３部分Ｇ３は、浮遊拡散領域４１から遠ざかるにつれて仮想線ＶＬに平行な方向における幅が狭くなった部分を有する。このような構成は、ゲート電極Ｇの容量を低減し、ゲート電極Ｇを駆動する際の負荷を低減するために有利である。
「【００４６】
　上述の各実施形態の構成は、適宜、変更可能であり、組み合わせが可能である。」
【図１】
【図２】
【図３】
【図１３】
【図２２】
　図１によると、「ゲート電極Ｇ」は、平面視において、「ゲート電極Ｇ」は、「ｐ型の電荷蓄積領域２１」、「素子分離９１」、「ｐ型の浮遊拡散領域４１」に囲まれており、また、ゲート幅は一定の幅を有し、「ｐ型の浮遊拡散領域４１」と接する部分は凹状となっていることがわかる。
　したがって、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
「素子分離９１と、ｐ型の電荷蓄積領域２１と、ｐ型の浮遊拡散領域４１と、ゲート電極Ｇと、ｎ型の第１半導体領域１００と、ｎ型の第２半導体領域３を含み、
　ｐ型の電荷蓄積領域２１、ｐ型の浮遊拡散領域４１およびｎ型の第１半導体領域１００は、ｎ型の第２半導体領域３の中に配され、
　ｐ型の電荷蓄積領域２１と、ｎ型の第２半導体領域３のうちｐ型の電荷蓄積領域２１の近傍の領域と、ｎ型の第３半導体領域２２とによって埋め込み型のフォトダイオード（光電変換部）が構成され、
　ゲート電極Ｇは、ゲート絶縁膜３１を介してｎ型の第２半導体領域３の上に配され、所定の電位が印加されることにより、ｐ型の電荷蓄積領域２１に蓄積された電荷をｐ型の浮遊拡散領域４１に転送するためのチャネルをｎ型の第２半導体領域３に形成し、
　ゲート電極Ｇは、ｐ型の電荷蓄積領域２１と、素子分離９１と、ｐ型の浮遊拡散領域４１に囲まれており、また、ゲート幅は一定の幅を有し、ｐ型の浮遊拡散領域４１と接する部分は凹状となっている、
　ことを特徴とする、光電変換装置。」
　また、引用文献１には以下の事項が記載されている。
「ゲート電極Ｇの容量を低減し、ゲート電極Ｇを駆動する際の負荷を低減するために、ゲート電極Ｇのゲート幅は、幅が狭くなった部分を有すること。」
２　引用文献２について
　原査定に引用された引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に酸化シリコン膜を有する素子分離構造に関する。」
「【発明を実施するための形態】
【０００８】
　図１を用いて半導体装置の一例である
撮像装置、具体的にはＣＭＯＳイメージセンサーを説明する。
【０００９】
　
図１（ａ）は撮像装置の４画素を示している。各画素は
第２の半導体素子群２１１１とを有しており
【００１０】
　第１の半導体素子群１１１１は第１の素子活性部１１１０に、第２の半導体素子群２１１１は第２の素子活性部２１１０に、それぞれ設けられている。図１（ａ）では、第１の素子活性部１１１０、第２の素子活性部２１１０をそれぞれ太線で囲んで示している。なお、本例では、第２の素子活性部２１１０は３つの素子活性部に分けて配置されているが、第２の半導体素子群２１１１を１つの素子活性部にまとめて配置することもできる。
【００１１】
　第１の素子活性部１１１０は素子分離部３１２０に囲まれている。つまり、第１の半導体素子群１１１１は素子分離部３１２０で囲まれている。第２の素子活性部２１１０は、素子分離部３１２０を挟んで第１の素子活性部１１１０とは反対側に位置している。また、
第２の素子活性部２１１０は素子分離部３１２０に囲まれている。
【００１２】
　素子分離部３１２０はＬＯＣＯＳ法によって形成された酸化シリコン膜３００とシリコン基板１００内に配された不純物領域１２１を含んでいる。酸化シリコン膜３００はバーズビーク部３１０を有し、バーズビーク部３１０の下には第１導電型の第１の不純物領域１２１が設けられている。なお、図１（ａ）ではバーズビーク部３１０の表記を省略して第１の不純物領域１２１の位置を示している。
【００１３】
　
第１の半導体素子群１１１１は半導体素子である光電変換素子１１１を含んでいる。
第１の半導体素子群１１１１は、第２導電型の浮遊拡散領域１１５（フローティングディフュージョン領域）を含んでいる。第１の半導体素子群１１１１は、光電変換素子１１１と浮遊拡散領域１１５との間に、半導体素子であるスイッチング素子を含んでいる。このスイッチング素子は、ＭＯＳ構造を有する転送ゲート６００である。
【００１４】
　第２の半導体素子群２１１１は、半導体素子である増幅トランジスタ６１０とリセットトランジスタ６２０と選択トランジスタ６３０とウェルコンタクト６４０を含んでいる。増幅トランジスタ６１０とリセットトランジスタ６２０、選択トランジスタ６３０はそれぞれ、制御電極（ゲート）と２つの主電極（ソースとドレイン）を有するＭＯＳＦＥＴである。各トランジスタの主電極１１６は、第１導電型の不純物領域であるウェル領域（不図示）に配された第２導電型の不純物領域として設けられている。第２の半導体素子群２１１１のウェル領域と、後述する第１の半導体素子群のウェル領域１１２は、ウェルコンタクト６４０を介して所定の電位に規定される。
【００１５】
　浮遊拡散領域１１５は不図示の配線を介して増幅トランジスタ６１０のゲート６１１に接続されている。また、浮遊拡散領域１１５は不図示の配線を介して、リセットトランジスタ６２０のソースに接続されている。リセットトランジスタ６２０のドレインと増幅トランジスタ６１０のドレインには、不図示の配線によって電源電圧ＶＤＤが供給されている。増幅トランジスタ６１０のソースは、選択トランジスタ６３０のドレインと、共通の第２導電型の不純物領域からなる。選択トランジスタ６３０のソースには信号線を介して不図示の定電流源が接続されており、増幅トランジスタ６１０はその定電流源とソースフォロワ回路を構成している。
【００１６】
　リセットトランジスタ６２０のゲート６２１にＯＮ信号を供給することで浮遊拡散領域１１５の電位を電源電圧ＶＤＤに基づく電位に規定し、浮遊拡散領域１１５の電荷をリセットする。リセットトランジスタ６２０のゲートおよび転送ゲート６００にＯＦＦ信号を供給し光電変換素子１１１での信号電荷の蓄積を開始する。転送ゲート６００にＯＮ信号を供給することにより、信号電荷は浮遊拡散領域１１５に転送されて、増幅トランジスタ６１０のゲート６１１の電位を変化させる。選択トランジスタ６３０のゲート６３１にＯＮ信号を供給することにより、光電変換素子１１１で生じた信号電荷に応じた電圧信号が信号線に現れる。このようにして取り出された信号は不図示の読み出し回路で読み出され、撮像装置の外部へ出力される。
【００１７】
　図１（ｂ）を用いて半導体装置の構成を詳述する。シリコン基板１００は、第２導電型のシリコン基体１０１とシリコン基体１０１の上にエピタキシャル成長によって成膜された第２導電型のシリコン層１０２を有している。素子分離部３１２０は、酸化シリコン膜３００と、第１導電型の第１の不純物領域１２１を含む構造（素子分離構造）を成している。更に、素子分離部３１２０は第１導電型の第２の不純物領域１２２を有することができる。第１の不純物領域１２１は酸化シリコン膜３００の端部であるバーズビーク部３１０の下に位置しており、第２の不純物領域１２２は酸化シリコン膜３００の中央部３２０の下に位置している。第１の不純物領域１２１の不純物濃度は第２の不純物領域１２２の不純物濃度よりも高いことが好ましいが、第１の不純物領域１２１の不純物濃度は第２の不純物領域１２２の不純物濃度以下であってもよい。第１の不純物領域１２１および第２の不純物領域１２２の不純物濃度は、例えば、１×１０１５〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である。第１の不純物領域１２１と第２の不純物領域１２２はどちらも酸化シリコン膜３００に接している。第２の不純物領域１２２は第１の不純物領域１２１よりもシリコン基板１００の深部にまで延在している。
【００１８】
　光電変換素子１１１は、第２導電型のシリコン層１０２に配された第１導電型の不純物領域であるウェル領域１１２と、ウェル領域１１２の中に配された第２導電型の不純物領域である蓄積領域１１３とを有している。ウェル領域１１２と蓄積領域１１３はｐｎ接合を成している。蓄積領域１１３とシリコン基板１００の表面との間には第１導電型の不純物領域である表面領域１１４が設けられている。ウェル領域１１２の不純物濃度は、第２の不純物領域１２２の濃度よりも低い。表面領域１１４の不純物濃度はウェル領域１１２の不純物濃度よりも高い。以上のように光電変換素子１１１は、いわゆる埋め込み型のフォトダイオードの構造を有している。
【００１９】
　ＬＯＣＯＳ法によって形成された酸化シリコン膜３００のバーズビーク部３１０の近傍、特に第１部分１１０とバーズビーク部３１０の界面には結晶構造に不整合部が生じやすい。この不整合部で生じた電荷がノイズ（例えば、暗電流）の原因となる場合がある。なお、第２導電型がｎ型である場合にはこれらのノイズの原因となる電荷は電子であり、第２導電型がｐ型である場合にはこれらのノイズの原因となる電荷は正孔となる。第１導電型の第１の不純物領域１２１をバーズビーク部３１０の下に配することにより、不整合部で生じた電荷が光電変換素子１１１の第２導電型の蓄積領域１１３に移動して再結合することを抑制し、ノイズを低減することができる。また、光電変換素子１１１に限らず、第２導電型の浮遊拡散領域１１５や、第２の半導体素子群２１１１のトランジスタの主電極１１６である第２導電型の不純物領域に対しても、ノイズの影響を低減することができる。」
【図１】
　図１（ａ）によると、「転送ゲート６００」は、「光電変換素子１１１」、「第２導電型の浮遊拡散領域１１５」、「素子分離領部３１２０」に囲まれており、また、「転送ゲート６００」のゲート幅は一定の幅を有し、「第２導電型の浮遊拡散領域１１５」と接する部分は直線状となっていることがわかる。
　したがって、引用文献２には次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
「光電変換素子１１１と、
　第２導電型の浮遊拡散領域１１５（フローティングディフュージョン領域）と、
　光電変換素子１１１と浮遊拡散領域１１５との間の、ＭＯＳ構造を有する転送ゲート６００とを有し、
　転送ゲート６００は、光電変換素子１１１、第２導電型の浮遊拡散領域１１５、素子分離領部３１２０に囲まれており、また、転送ゲート６００のゲート幅は一定の幅を有し、第２導電型の浮遊拡散領域１１５と接する部分は直線状となっている、
　画素。」
３　引用文献３について
　原査定及び当審拒絶理由に引用された引用文献３には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、固体撮像装置、及びこの固体撮像装置を備えたカメラに関する。」
「【発明の効果】
【００１４】
　本発明によれば、転送トランジスタのトランジスタ特性を維持することができる。従って、画素が微細化されても、光電変換素子からフローティングディフージョン領域への信号電荷の転送能力を向上することができる。また、光電変換素子の受光面積を十分に確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
　以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１６】
　図１に、本発明に係る固体撮像装置、いわゆるＣＭＯＳイメージセンサに適用される一実施の形態の概略構成を示す。本実施の形態に係る固体撮像装置１は、複数の画素２が規則性をもって２次元配列された撮像部（いわゆる画素部）３と、撮像部３の周辺に配置された周辺回路、すなわち垂直駆動部４、水平転送部５及び出力部６とを有して構成される。画素２は、１つの光電変換素子であるフォトダイオードＰＤと、複数の画素トランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）Ｔｒとにより構成される。
【００１７】
　フォトダイオードＰＤは、光入射で光電変換され、その光電変換で生成された信号電荷を蓄積する領域を有して成る。複数の画素トランジスタＴｒは、本例では転送トランジスタＴｒ１、リセットトランジスタＴｒ２、増幅トランジスタＴｒ３及び選択トランジスタＴｒ４の４つのＭＯＳトランジスタを有している。転送トランジスタＴｒ１は、フォトダイオードＰＤに蓄積された信号電荷を後述するフローティングディフージョン（ＦＤ）領域に読み出すトランジスタである。リセットトランジスタＴｒ２は、フローティングディフージョン（ＦＤ）領域の電位を規定の値に設定するためのトランジスタである。増幅トランジスタＴｒ３は、フローティングディフージョン（ＦＤ）領域に読み出された信号電荷を電気的に増幅するためのトランジスタである。選択トランジスタＴｒ４は、画素１行を選択して画素信号を垂直信号線８に読み出すためのトランジスタである。
　なお、図示しないが、選択トランジスタＴｒ４を省略した３トランジスタとフォトダイオードＰＤで画素を構成することも可能である。
【００１８】
　画素２の回路構成では、転送トランジスタＴｒ１のソースがフォトダイオードＰＤに接続され、そのドレインがリセットトランジスタＴｒ２のソースに接続される。転送トランジスタＴｒ１とリセットトランジスタＴｒ２間の電荷−電圧変換手段となるフローティングディフージョン（ＦＤ）領域（転送トランジスタのドレイン領域、リセットトランジスタのソース領域に相当する）が増幅トランジスタＴｒ３のゲートに接続される。増幅トランジスタＴｒ３のソースは選択トランジスタＴｒ４のドレインに接続される。リセットトランジスタＴｒ２のドレイン及び増幅トランジスタＴｒ３のドレインは、電源電圧供給部に接続される。また、選択トランジスタＴｒ４のソースが垂直信号線８に接続される。
【００１９】
　垂直駆動部４からは、１行に配列された画素のリセットトランジスタＴｒ２のゲートに共通に印加される行リセット信号φＲＳＴが、同じく１行の画素の転送トランジスタＴｒ１のゲートに共通に印加される行転送信号φＴＲＧが、同じく１行の選択トランジスタＴｒ４のゲートに共通に印加される行選択信号φＳＥＬが、それぞれ供給されるようになされる。
【００２０】
　水平転送部５は、各列の垂直信号線８に接続された増幅器またはアナログ／デジタル変換器（ＡＤＣ）、本例ではアナログ／デジタル変換器９と、列選択回路（スイッチ手段）ＳＷと、水平転送線（例えばデータビット線と同数の配線で構成されたバス配線）１０とを有して構成される。出力部６は、増幅器又は、アナログ／デジタル変換器及び／又は信号処理回路、本例では水平転送線１０からの出力を処理する信号処理回路１１と、出力バッファ１２とを有して構成される。
【００２１】
　この固体撮像装置１では、各行の画素２の信号が各アナログ／デジタル変換器９にてアナログ／デジタル変換され、順次選択される列選択回路ＳＷを通じて水平転送線１０に読み出され、順次に水平転送される。水平転送線１０に読み出された画像データは、信号処理回路１１を通じて出力バッファ１２より出力される。
【００２２】
　画素２における一般的な動作は、先ず最初に転送トランジスタＴｒ１のゲートとリセットトランジスタＴｒ２のゲートをオン状態にしてフォトダイオードＰＤの電荷を全て空にする。次いで、転送トランジスタＴｒ１のゲートとリセットトランジスタＴｒ２のゲートをオフ状態にして電荷蓄積を行う。次に、フォトダイオードＰＤの電荷を読み出す直前にリセットトランジスタＴｒ２のゲートをオン状態にしてフローティングディフージョン（ＦＤ）領域の電位をリセットする。その後、リセットトランジスタＴｒ２のゲートをオフ状態にし、転送トランジスタＴｒ１のゲートをオン状態にしてフォトダイオードＰＤからの電荷をフローティングディフージョン（ＦＤ）領域へ転送する。増幅トランジスタＴｒ３ではゲートに電荷が印加されたことを受けて信号電荷を電気的に増幅する。一方、選択トランジスタＴｒ４は前記読み出し直前のフローティングディフージョンリセット時から読み出し対象画素のみオン状態になり、該当画素内増幅トランジスタＴｒ３からの電荷−電圧変換された画像信号が垂直信号線８に読み出されることになる。
【００２３】
　そして、本実施の形態においては、上述の固体撮像装置１において、画素が微細化されてもフォトダイオードＰＤの面積を十分に確保しつつ、フローティングディフージョン（ＦＤ）領域への信号電荷の転送を良好に行えるように、転送トランジスタＴｒ１の転送ゲートを構成する。すなわち、本実施の形態では、転送ゲートのチャネル幅がフォトダイオードＰＤ側よりフローティングディフージョン（ＦＤ）領域側で広くなるように構成される。さらに、変換効率をも改善できるように構成される。」
「【００３４】
　フローティン・ディフージョン（ＦＤ）領域の高濃度領域２６がコンタクト部と共通、つまり共有することにより、高濃度領域の面積を最小とすることができる。本実施の形態において、高濃度領域２６はコンタクト部を置く位置以外には必要ない。通常ＣＭＯＳプロセスにおいて、高濃度領域は、レジストマスクを用いた不純物注入で形成されるため、コンタクト部の接触面積より十分大きくなっている。一般的にはゲートに接する拡散領域の一部のみが高濃度であるという構成になっていない。
【００３５】
　一方、フローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０をＬ字形状にすると、フローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０の面積が増大する。通常、面積の増大はフローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０における拡散容量（いわゆる接合容量）が増大し、変換効率の低下を招く。しかし、本実施形態では、Ｌ字形状のフローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０のうち、転送ゲート２１の凸部に対応する一部の実質的に電荷が蓄積される領域とコンタクト部とを共有するｎ型の高濃度領域２６を形成し、それ以外の領域はｎ型の低濃度領域２７となるように不純物濃度分布を設定している。低濃度領域２７での接合容量は非常に小さい。従って、フローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０における全体の接合容量は極度に増加することがなく、変換効率の低下は軽減される。
【００３６】
　フォトダイオードＰＤからフローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０のポテンシャルが浅い低濃度領域２７へ転送された信号電荷は、ポテンシャルの深い高濃度領域２６へ集められる。
【００３７】
　
図３に、本発明の画素を構成するフォトダイオードＰＤと、フローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０と、転送トランジスタＴｒ１特にその転送ゲートとを含む領域の第２実施形態を示す。
【００３８】
　フォトダイオードＰＤは、正方形あるいは長方形等の四角形状を成している。フローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０は、フォトダイオードＰＤと対向する辺の長さがフォトダイオードＰＤの対向辺の長さと同じにした長方形状をなしている。転送ゲート２１は、長方形の転送ゲート電極２２と台形状のチャネル部２３を有してなる。チャネル部２３は、フォトダイオードＰＤ側のチャネル幅Ａがフローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０側のチャネル幅Ｂより狭く、フォトダイオードＰＤからフローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０に向って転送ゲート２１のチャネル部２３の幅が漸次広くなるように台形状に形成される。
【００３９】
　一方、
フローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０は、上例と同様に長方形の中央部に高濃度領域（本例ではｎ＋領域）２６を形成し、残りの領域に低濃度領域（本例ではｎ−領域）２７を形成して構成される。
【００４０】
　第２実施形態の構成によれば、フォトダイオードＰＤが四角形状で形成されるので、面積を広く確保することができ、画素が微細化されても飽和電荷量を十分に確保することができる。また、転送ゲート２１のチャネル部２３のポテンシャルは、フォトダイオードＰＤ側からフローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０側に向って漸次深くなるという電界が発生する。従って、フォトダイオードＰＤからフローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０への信号電荷の転送を良好に行うことができ、画素を微細化しても信号電荷の転送能力を改善することができる。
【００４１】
　一方、
フローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０においては、高濃度領域２６と低濃度領域２７で形成されているので、フローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０における全体の接合容量を低く抑えることができ、変換効率を軽減することができる。
【００４２】
　第２実施形態でも、フローティングディフージョン（ＦＤ）領域２０の低濃度領域２７へ転送された信号電荷は、高濃度領域２６へ集められる。その他、第１実施形態で説明したと同様の効果を奏する。」
４　引用文献Ａについて
　当審拒絶理由に引用された引用文献Ａには、図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、ＭＯＳ型の固体撮像装置とその製造方法、及びこの固体撮像装置を備えたカメラ等の電子機器に関する。」
「【０００４】
　図２３に、２画素共有構造の
ＭＯＳ固体撮像装置
フローティングディフージョン部（ＦＤ）１０２
光電変換部となるフォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２
フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２とフローティングディフージョン部１０２間には、それぞれゲート絶縁膜を介して読み出しゲート電極１０３、１０４が形成される。この読み出しゲート電極１０３，１０４、フローティングディフージョン部１０２を有して、各フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２に接続される読み出しトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２が構成される。
【図２３】
　図２３によると、「トランジスタＴｒ１１」は、「フォトダイオードＰＤ１」、「フローティングディフィージョン部１０２」に接しており、また、「トランジスタＴｒ１１」のゲート幅は「フローティングディフィージョン部１０２」に接する部分は一定の幅を有し、「フォトダイオードＰＤ１」に接する部分は次第に幅が狭くなっており、「フローティングディフィージョン部１０２」と接する部分は直線状となっていることがわかる。
　したがって、引用文献Ａには次の発明（以下、「引用発明Ａ」という。）が記載されている。
「フォトダイオードＰＤ１と、
　フローティングディフィージョン部１０２と、
　フォトダイオードＰＤ１及びフローティングディフィージョン部１０２に接したトランジスタＴｒ１１とを有し、
　トランジスタＴｒ１１のゲート幅はフローティングディフィージョン部１０２に接する部分は一定の幅を有し、フォトダイオードＰＤ１に接する部分は次第に幅が狭くなっており、
　トランジスタＴｒ１１のフローティングディフィージョン部１０２と接する部分は直線状となっている、
　ＭＯＳ固体撮像装置。」
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）引用発明１との対比
　本願発明１と引用発明１を対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明１の「埋め込み型のフォトダイオード（光電変換部）」、「ゲート電極Ｇ」、「ゲート電極Ｇ」「ゲート絶縁膜３１」「ｎ型の第２版導体領域３」からなるチャネル、「ｐ型の浮遊拡散領域４１」、「光電変換装置」は、それぞれ本願発明１の「光電変換素子」、「転送ゲート」、「転送トランジスタ」、「フローティングディフュージョン領域」、「画素ユニット」に相当する。
イ　引用発明１の「ゲート電極Ｇ」のゲート幅は一定の幅を有しているから、このことと、本願発明１の「前記転送ゲートは、ゲート幅方向に第１のゲート幅を有し、前記フローティングディフュージョン領域の側が直線であり、前記フローティングディフュージョン領域から離れるゲート長方向に延びる第１のゲート領域と、　前記ゲート幅方向に前記第１のゲート幅より小さい第２のゲート幅を有し、前記第１のゲート領域から連続して前記ゲート長方向に延びる第２のゲート領域とを含み、前記第２のゲート領域は、前記第１のゲート領域から離れる方向に前記第１のゲート幅から前記第２のゲート幅になるように徐々に小さくなること」は、「転送ゲート」が、ゲート幅方向に幅を有する点で共通する。
ウ　したがって、本願発明１と引用発明１との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
［一致点］
「光電変換素子と、
　前記光電変換素子に接続する転送ゲートを備える転送トランジスタと、
　前記転送ゲートに接続するフローティングディフュージョン領域とを備える画素ユニットであって、
　前記転送ゲートは、ゲート幅方向に幅を有していることを特徴とする画素ユニット。」
［相違点１］
　本願発明１は「前記転送ゲートは、前記転送ゲートの前記フローティングディフュージョン領域の側を除いて前記光電変換素子が囲むように配置されて」いるのに対して、引用発明１の「ゲート電極Ｇ」は、「ｐ型の電荷蓄積領域２１」と「素子分離９１」と「ｐ型の浮遊拡散領域４１」に囲まれているために、「前記フローティングディフュージョン領域の側を除いて前記光電変換素子が囲むように配置されて」いない点。
［相違点２］
　本願発明１の「前記転送ゲート」は、「ゲート幅方向に第１のゲート幅を有し、前記フローティングディフュージョン領域の側が直線であり、前記フローティングディフュージョン領域から離れるゲート長方向に延びる第１のゲート領域と、前記ゲート幅方向に前記第１のゲート幅より小さい第２のゲート幅を有し、前記第１のゲート領域から連続して前記ゲート長方向に延びる第２のゲート領域とを含み、前記第２のゲート領域は、前記第１のゲート領域から離れる方向に前記第１のゲート幅から前記第２のゲート幅になるように徐々に小さくなる」のに対して、引用発明１はそのようになっていない点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑みて、上記相違点１について先に検討すると、相違点１に係る本願発明１の「前記転送ゲートは、前記転送ゲートの前記フローティングディフュージョン領域の側を除いて前記光電変換素子が囲むように配置され」るという構成は、上記引用文献１−３、Ａには記載されておらず、本願出願前おいて周知技術であるともいえない。
　したがって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用発明１、引用文献２、３、Ａに記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（３）引用発明２との対比
　本願発明１と引用発明２を対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明２の「光電変換素子１１１」、「転送ゲート６００」、「転送ゲート６００」を備える「ＭＯＳ構造」、「第２導電型の浮遊拡散領域１１５（フローティングディフュージョン領域）」、「画素」は、それぞれ本願発明１の「光電変換素子」、「転送ゲート」、「転送トランジスタ」、「フローティングディフュージョン領域」、「画素ユニット」に相当する。
イ　引用発明２の「転送ゲート６００のゲート幅は一定の幅を有し」、また、「第２導電型の浮遊拡散領域１１５と接する部分は直線状となっている」ことから、このことと、本願発明１の「前記転送ゲートは、ゲート幅方向に第１のゲート幅を有し、前記フローティングディフュージョン領域の側が直線であり、前記フローティングディフュージョン領域から離れるゲート長方向に延びる第１のゲート領域と、前記ゲート幅方向に前記第１のゲート幅より小さい第２のゲート幅を有し、前記第１のゲート領域から連続して前記ゲート長方向に延びる第２のゲート領域とを含み、前記第２のゲート領域は、前記第１のゲート領域から離れる方向に前記第１のゲート幅から前記第２のゲート幅になるように徐々に小さくなること」は、「転送ゲート」が、ゲート幅方向に幅を有し、「前記フローティングディフュージョン領域の側が直線であ」る点で共通する。
ウ　したがって、本願発明１と引用発明２との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
［一致点］
「光電変換素子と、
　前記光電変換素子に接続する転送ゲートを備える転送トランジスタと、
　前記転送ゲートに接続するフローティングディフュージョン領域とを備える画素ユニットであって、
　前記転送ゲートは、ゲート幅方向に幅を有し、前記フローティングディフュージョン領域の側が直線であることを特徴とする画素ユニット。」
［相違点３］
　本願発明１は「前記転送ゲートは、前記転送ゲートの前記フローティングディフュージョン領域の側を除いて前記光電変換素子が囲むように配置されて」いるのに対して、引用発明２の「転送ゲート６００は、光電変換素子１１１、第２導電型の浮遊拡散領域１１５、素子分離領部３１２０に囲まれ」ているために、「前記フローティングディフュージョン領域の側を除いて前記光電変換素子が囲むように配置されて」いない点。
［相違点４］
　本願発明１の「前記転送ゲート」は、「ゲート幅方向に第１のゲート幅を有し、前記フローティングディフュージョン領域の側が直線であり、前記フローティングディフュージョン領域から離れるゲート長方向に延びる第１のゲート領域と、前記ゲート幅方向に前記第１のゲート幅より小さい第２のゲート幅を有し、前記第１のゲート領域から連続して前記ゲート長方向に延びる第２のゲート領域とを含み、前記第２のゲート領域は、前記第１のゲート領域から離れる方向に前記第１のゲート幅から前記第２のゲート幅になるように徐々に小さくなる」のに対して、引用発明２はそのようになっていない点。
（４）相違点についての判断
　事案に鑑みて、上記相違点３について先に検討すると、相違点３に係る本願発明１の「前記転送ゲートは、前記転送ゲートの前記フローティングディフュージョン領域の側を除いて前記光電変換素子が囲むように配置され」るという構成は、上記引用文献１−３、Ａには記載されておらず、本願出願前おいて周知技術であるともいえない。
　したがって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用発明２、引用文献１、３、Ａに記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（５）本願発明１についてのまとめ
　したがって、本願発明１は、引用文献１−３、Ａに基づいて当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２について
　本願発明２も、本願発明１の「前記転送ゲートは、前記転送ゲートの前記フローティングディフュージョン領域の側を除いて前記光電変換素子が囲むように配置され」るという構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用文献１−３、Ａに基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
３　本願発明３について
（１）引用発明１との対比
　本願発明３と引用発明１を対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明１の「埋め込み型のフォトダイオード（光電変換部）」、「ゲート電極Ｇ」、「ｐ型の浮遊拡散領域４１」、「光電変換装置」は、それぞれ本願発明３の「光電変換素子」、「平面視で前記光電変換素子に接続する転送ゲート」、「フローティングディフュージョン領域」、「画素ユニット」に相当する。
イ　したがって、本願発明３と引用発明１との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
［一致点］
「光電変換素子と、
　平面視で前記光電変換素子に接続する転送ゲートと、
　前記転送ゲートに接続するフローティングディフュージョン領域とを備える画素ユニット。」
［相違点５］
　本願発明３は「前記転送ゲートは、平面視でフローティングディフュージョン領域と接続する辺以外の辺は前記光電変換素子に接続し、前記光電変換素子で囲まれている構造を備え」ているのに対して、引用発明１の「ゲート電極Ｇ」は、「ｐ型の電荷蓄積領域２１」と「素子分離９１」と「ｐ型の浮遊拡散領域４１」に囲まれているために、引用発明１の「ゲート電極Ｇ」は、「平面視でフローティングディフュージョン領域と接続する辺以外の辺は前記光電変換素子に接続し、前記光電変換素子で囲まれている構造を備え」ていない点。
［相違点６］
　本願発明３は、「前記転送ゲートの前記フローティングディフュージョン領域の側が直線であり、平面視で前記光電変換素子に囲まれている前記転送ゲートの領域は、前記フローティングディフュージョン領域から離れるに従い、広がることなく、かつ、前記転送ゲートの領域のうちの前記フローティングディフュージョン領域から離れている領域が徐々に小さくなるように形成されている」のに対して、引用発明１はそのようになっていない点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑みて、上記相違点５について先に検討すると、相違点５に係る本願発明３の「前記転送ゲートは、平面視でフローティングディフュージョン領域と接続する辺以外の辺は前記光電変換素子に接続し、前記光電変換素子で囲まれている構造」は、上記引用文献１−３、Ａには記載されておらず、本願出願前おいて周知技術であるともいえない。
　したがって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明３は、当業者であっても、引用発明１、引用文献２、３、Ａに記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（３）引用発明２との対比
　本願発明３と引用発明２を対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明２の「光電変換素子１１１」、「転送ゲート６００」、「第２導電型の浮遊拡散領域１１５（フローティングディフュージョン領域）」、「画素」は、それぞれ本願発明３の「光電変換素子」、「平面視で前記光電変換素子に接続する転送ゲート」、「フローティングディフュージョン領域」、「画素ユニット」に相当する。
イ　引用発明２の「第２導電型の浮遊拡散領域１１５と接する部分は直線状となっている」ことから、このことと、本願発明３の「前記転送ゲートの前記フローティングディフュージョン領域の側が直線であり、平面視で前記光電変換素子に囲まれている前記転送ゲートの領域は、前記フローティングディフュージョン領域から離れるに従い、広がることなく、かつ、前記転送ゲートの領域のうちの前記フローティングディフュージョン領域から離れている領域が徐々に小さくなるように形成されていること」は、「前記転送ゲートの前記フローティングディフュージョン領域の側が直線であ」る点で共通する。
ウ　したがって、本願発明３と引用発明２との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
［一致点］
「光電変換素子と、
　平面視で前記光電変換素子に接続する転送ゲートと、
　前記転送ゲートに接続するフローティングディフュージョン領域とを備える画素ユニットであって、
　前記転送ゲートは、平面視でフローティングディフュージョン領域と接続する辺以外の辺は前記光電変換素子に接続し、前記光電変換素子で囲まれている構造を備え、
　前記転送ゲートの前記フローティングディフュージョン領域の側が直線であり、平面視で前記光電変換素子に囲まれている前記転送ゲートの領域は、前記フローティングディフュージョン領域から離れるに従い、広がることなく、かつ、前記転送ゲートの領域のうちの前記フローティングディフュージョン領域から離れている領域が徐々に小さくなるように形成されていることを特徴とする画素ユニット。」
［相違点７］
　本願発明３は「前記転送ゲートは、平面視でフローティングディフュージョン領域と接続する辺以外の辺は前記光電変換素子に接続し、前記光電変換素子で囲まれている構造を備え」ているのに対して、引用発明２の「転送ゲート６００は、光電変換素子１１１、第２導電型の浮遊拡散領域１１５、素子分離領部３１２０に囲まれ」ているために、「前記転送ゲートは、平面視でフローティングディフュージョン領域と接続する辺以外の辺は前記光電変換素子に接続し、前記光電変換素子で囲まれている構造を備え」ていない点。
［相違点８］
　本願発明３の前記転送ゲート」は、「平面視で前記光電変換素子に囲まれている前記転送ゲートの領域は、前記フローティングディフュージョン領域から離れるに従い、広がることなく、かつ、前記転送ゲートの領域のうちの前記フローティングディフュージョン領域から離れている領域が徐々に小さくなるように形成されている」のに対して、引用発明２はそのようになっていない点。
（４）相違点についての判断
　事案に鑑みて、上記相違点７について先に検討すると、相違点７に係る本願発明３の「前記転送ゲートは、平面視でフローティングディフュージョン領域と接続する辺以外の辺は前記光電変換素子に接続し、前記光電変換素子で囲まれている構造」は、上記引用文献１−３、Ａには記載されておらず、本願出願前おいて周知技術であるともいえない。
　したがって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明３は、当業者であっても、引用発明２、引用文献１、３、Ａに記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（５）本願発明３についてのまとめ
　したがって、本願発明３は、引用文献１−３、Ａに基づいて当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
４　本願発明４ないし１２について
　本願発明４ないし１２も、本願発明３の「前記転送ゲートは、平面視でフローティングディフュージョン領域と接続する辺以外の辺は前記光電変換素子に接続し、前記光電変換素子で囲まれている構造」を備えるものであるから、本願発明３と同じ理由により、当業者であっても、引用文献１−３、Ａに基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
第７　原査定についての判断
　令和２年９月１４日付けの手続補正により、補正後の請求項１、２は、「前記転送ゲートは、前記転送ゲートの前記フローティングディフュージョン領域の側を除いて前記光電変換素子が囲むように配置されて」いるという技術的事項を有し、また、請求項３ないし１２は、「前記転送ゲートは、平面視でフローティングディフュージョン領域と接続する辺以外の辺は前記光電変換素子に接続し、前記光電変換素子で囲まれている構造」を備えるものとなった。当該「前記転送ゲートは、前記転送ゲートの前記フローティングディフュージョン領域の側を除いて前記光電変換素子が囲むように配置されて」いるという技術的事項、又は、「前記転送ゲートは、平面視でフローティングディフュージョン領域と接続する辺以外の辺は前記光電変換素子に接続し、前記光電変換素子で囲まれている構造」は、原査定における引用文献１ないし３に記載されておらず、本願出願前における周知技術でもないので、本願発明１ないし１２は、当業者であっても、原査定における引用文献１ないし３に基づいて容易に発明できたものではない。したがって、原査定を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によって、本願を拒絶することはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。