【事件の表示】
　特願２０１６−１６７０６８「ＮＤフィルタの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　３月　８日出願公開、特開２０１８−　３６３２５、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　事案の概要
　１　手続等の経緯
　特願２０１６−１６７０６８号（以下「本件出願」という。）は、平成２８年８月２９日を出願日とする特許出願であって、その手続等の経緯の概要は、以下のとおりである。
　令和２年　１月１６日付け：拒絶理由通知書
　令和２年　３月　９日　　：意見書
　令和２年　３月　９日　　：手続補正書
　令和２年　３月１９日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。）
　令和２年　６月２５日　　：審判請求書
　令和３年　２月２６日付け：拒絶理由通知書
　令和３年　４月１５日　　：意見書
　令和３年　４月１５日　　：手続補正書
　（この手続補正書による補正を、以下「本件補正」という。）
　２　原査定の概要
　原査定の拒絶の理由は、概略、理由１（進歩性）本件出願の請求項１〜３係る発明（令和２年３月９日にした手続補正後のもの）は、本件出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物に記載された発明に基づいて、本件出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
引用例１：特開２００９−２６５５７９号公報
引用例２：特開２００７−２４８４９５号公報
引用例３：特開平１０−１８６１３０号公報
引用例４：特開２００５−１７９８６号公報
（当合議体注：引用例１は主引用例である。引用例２，３は、周知技術を示すために例示された文献である。引用例４は、副引用例である。）
　３　当合議体が通知した拒絶の理由
　令和３年２月２６日付け拒絶理由通知書において当合議体が通知した拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）は、概略、理由２（明確性）本件出願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない、理由３（新規性）本件出願の請求項１、３に係る発明は、本件出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない、理由４（進歩性）本件出願の請求項１〜３に係る発明は、本件出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物に記載された発明に基づいて、本件出願に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
（引用例等一覧）
引用例５：特開２００６−３０８８１０号公報
引用例６：特開２００５−３２６６８７号公報
（当合議体注：引用例５は主引用例である。引用例６は、周知技術を示すために例示された文献である。）
　４　本願発明
　本件出願の請求項１〜３に係る発明（以下それぞれ「本願発明１」〜「本願発明３」という。）は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項によって特定されるとおりの、以下のものである。
「　　【請求項１】
　基板に対し、Ｎｉを、一定の電圧によってイオン化した一定流量の酸素ガス及び所定流量の希ガスの混合ガスを基板に照射しながら蒸着することで、光吸収層を形成するＮＤフィルタの製造方法であって、
　前記光吸収層を形成する前に、前記一定流量、前記所定流量、及び前記一定流量の前記所定流量に対する比の少なくとも何れかを制御することにより、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長域において、透過率が単調増加するものとするか、単調減少するものとするか、あるいは平坦なものとするかを制御する
ことを特徴とするＮＤフィルタの製造方法。
　　【請求項２】
　前記Ｎｉと前記基板の間に、前記光吸収層に対して膜厚勾配を付与するマスクを配置したことを特徴とする請求項１に記載のＮＤフィルタの製造方法。
　　【請求項３】
　前記Ｎｉと屈折率の異なる誘電体と、前記Ｎｉとを、それぞれ１回以上、前記基板に蒸着したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＮＤフィルタの製造方法。」
第２　当合議体の判断
　１　引用例５の記載及び引用発明
（１）　引用例５の記載
　当審拒絶理由で引用された引用例５（特開２００６−３０８８１０号公報）は、本件出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物であるところ、そこには、以下の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものであり、引用発明の認定及び判断等に活用した箇所を示す。
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、可視光領域の透過光を減衰させる吸収型多層膜ＮＤフィルターに係り、特に、耐摩耗性や付着力の改善が図れる吸収型多層膜ＮＤフィルターとその製造方法の改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　
ＮＤフィルター（Neutral Density Filter）とは、光線の可視スペクトル域における各波長をほぼ均等に透過するような非選択性の透過率を有する光学フィルターで、透過光量を減衰させる目的でデジタルカメラ等のレンズに装着して用いられる。
・・・略・・・
【０００３】
　この種のＮＤフィルターには、・・・略・・・入射光を吸収して減衰させる吸収型ＮＤフィルターがあり、反射光が問題となるレンズ光学系にＮＤフィルターを組み込む場合は一般に吸収型ＮＤフィルターが用いられる。
【０００４】
　そして、この吸収型ＮＤフィルターには、・・・略・・・基板自体に吸収はなくその表面に形成された薄膜に吸収があるタイプとが存在する。また、後者の場合は、薄膜表面の反射を防ぐため上記薄膜を多層膜で構成し、透過光を減衰させる機能と共に反射防止の効果を持たせている。
・・・略・・・
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　ところで、厚みが非常に薄いガラス薄板や樹脂フィルム上に上記吸収型多層膜を形成した吸収型多層膜ＮＤフィルターは、組込みスペースが狭い小型で薄型のデジタルカメラに用いるには最適である。
【０００８】
　そして、吸収型多層膜を構成する膜材料としては、上述したようにＳｉＯ２膜と金属膜（例えば、ニオブ膜）、あるいは、ＳｉＯ２膜と酸素欠損のある光吸収性を有する金属酸化物膜（例えば、チタン酸化膜）との組合せがほとんどでありそれぞれ長所と欠点を有している。
【０００９】
　例えば、上記ＳｉＯ２膜と金属膜とを組み合わせた吸収型多層膜においては、金属膜における可視域の吸収が大きいため、上記金属膜については１０ｎｍ程度の非常に薄い膜厚でよく生産性に優れている反面、ＳｉＯ２膜のような酸化物誘電体膜と金属膜とは付着力が弱いため、耐剥離性等の機械的強度に難がある。
【００１０】
　一方、ＳｉＯ２層と酸素欠損のある光吸収性を有する金属酸化物膜（以下、吸収金属酸化物膜と略称する場合がある）とを組み合わせた吸収型多層膜においては、酸化物同士の組み合わせのため付着力は強い反面、上記金属酸化物膜における可視域の吸収が金属膜のように大きくないため、１０ｎｍを超える膜厚の金属酸化物膜を成膜する必要があり生産性に劣るという欠点を有している。
【００１１】
　本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、
吸収型多層膜が酸化物誘電体膜と金属膜とで構成されかつ酸化物誘電体膜と金属膜との付着力が改善された吸収型多層膜ＮＤフィルターを提供し、合わせてこの吸収型多層膜ＮＤフィルターの製造方法を提供することにある
【課題を解決するための手段】
【００１２】
　そこで、
上記課題を解決するため、酸化物誘電体膜と金属膜とで構成される吸収型多層膜の上記金属膜について、その酸化物誘電体膜との界面およびその近傍領域を酸化させて酸化金属部を形成したところ、上記酸化物誘電体膜と金属膜との付着力が改善されることを見出すに至った。本発明はこのような技術的発見に基づき完成されている。
【００１３】
　すなわち、請求項１に係る発明は、
　基板と、基板の片面若しくは両面に交互に積層された金属膜と酸化物誘電体膜で構成される吸収型多層膜とを有する吸収型多層膜ＮＤフィルターを前提とし、　上記金属膜における酸化物誘電体膜との界面およびその近傍領域が酸化されて酸化金属部を構成し、酸化金属部の酸化程度が酸化物誘電体膜との界面から金属膜の非酸化部に向かって連続的に低下していることを特徴とし、
　請求項２に係る発明は、
　請求項１ に記載の発明に係る吸収型多層膜ＮＤフィルターを前提とし、
　上記金属膜における基板との界面およびその近傍領域が酸化されて酸化金属部を構成し、酸化金属部の酸化程度が基板との界面から金属膜の非酸化部に向かって連続的に低下していることを特徴とするものである。
・・・略・・・
【００１５】
　次に、請求項６に係る発明は、
　真空成膜プロセスにより基板の片面若しくは両面に金属膜と酸化物誘電体膜とを交互に成膜して吸収型多層膜ＮＤフィルターを製造する吸収型多層膜ＮＤフィルターの製造方法を前提とし、
　上記基板若しくは酸化物誘電体膜上に金属膜を成膜する際、成膜装置内に酸素プラズマ若しくは酸素イオンビームを発生させるか成膜装置内に酸素を導入しながら、基板若しくは酸化物誘電体膜上にその酸化程度が基板若しくは酸化物誘電体膜との界面から離れるに従い連続的に低下する金属膜の酸化金属部を形成する第一工程と、
　上記成膜装置内における酸素プラズマ若しくは酸素イオンビームの発生を停止するか成膜装置内への酸素の導入を停止した状態で、上記酸化金属部上に金属膜の非酸化部を形成する第二工程と、
　上記成膜装置内に酸素プラズマ若しくは酸素イオンビームを発生させるか成膜装置内に酸素を導入しながら、上記金属膜の非酸化部上にその酸化程度が非酸化部との界面から離れるに従い連続的に増大する酸化金属部を形成する第三工程、
を具備することを特徴とし、
　請求項７に係る発明は、
　請求項６に記載の発明に係る吸収型多層膜ＮＤフィルターの製造方法を前提とし、
　上記第一工程において基板若しくは酸化物誘電体膜上に形成される酸化金属部の上記基板若しくは酸化物誘電体膜との界面における組成が化学量論組成を有すると共に、第三工程において金属膜の非酸化部上に形成される酸化金属部の最表面における組成が化学量論組成を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
　請求項１〜５に記載の発明に係る吸収型多層膜ＮＤフィルターによれば、
　金属膜と酸化物誘電体膜との界面およびその近傍領域に形成された酸化金属部の作用により、および、金属膜と基板との界面およびその近傍領域に必要に応じて形成された上記酸化金属部の作用により、金属膜と酸化物誘電体膜との間および金属膜と基板との間における付着力を増大させることが可能となる。
【００１７】
　従って、ＳｉＯ２膜のような酸化物誘電体膜と金属膜とを組み合わせた吸収型多層膜の長所と、ＳｉＯ２層のような酸化物誘電体膜と酸素欠損のある光吸収性を有する金属酸化物膜とを組み合わせた吸収型多層膜の長所とを併せ持った吸収型多層膜ＮＤフィルターとすることができる効果を有する。
【００１８】
　また、請求項６〜７に記載の発明に係る吸収型多層膜ＮＤフィルターの製造方法によれば、
・・・略・・・
　金属膜と酸化物誘電体膜との界面およびその近傍領域、および、金属膜と基板との界面およびその近傍領域に金属膜の上記酸化金属部を形成することができるため、上記酸化物誘電体膜と金属膜とを組み合わせた吸収型多層膜の長所と、酸化物誘電体膜と酸素欠損のある光吸収性を有する金属酸化物膜とを組み合わせた吸収型多層膜の長所とを併せ持った吸収型多層膜ＮＤフィルターを製造することが可能となる。」
　イ　「【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
・・・略・・・
【００３４】
　以下、図９に示した上記吸収型多層膜ＮＤフィルターを例に挙げ、酸化金属部ＮｉＯｘ（ｘ≦１）と非酸化部（Ｎｉ）とで構成される金属膜の成膜方法について具体的に説明する。
【００３５】
　まず、成膜装置内において酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から成る酸化物誘電体膜４の成膜が終了し、この酸化物誘電体膜４上にＮｉの金属膜３を成膜する際、上記酸化物誘電体膜４との界面の酸化金属部ＮｉＯｘの組成が化学量論組成（ｘ＝１）を有しかつ界面から離れるに従い酸化金属部ＮｉＯｘの酸化程度が連続的に低下（ｘ＜１）するようにするため、初期段階では酸素プラズマアシスト、酸素イオンアシストのエネルギーを高くしてＮｉＯの酸化金属部を形成し、次の段階ではＮｉに近づけていくため酸素プラズマアシスト、酸素イオンアシストのエネルギーを順次低くしてＮｉＯｘ（ｘ＜１）の酸化金属部を形成し、最終的にＮｉの非酸化部を形成するため、酸素プラズマアシスト、酸素イオンアシストのエネルギーを停止しながら成膜を継続し、必要とする膜厚の非酸化部を形成する。次に、酸素プラズマアシスト、酸素イオンアシストを再開して上記非酸化部上に酸化程度が連続的に増加（ｘ＜１）する酸化金属部ＮｉＯｘを形成し、酸素プラズマアシスト、酸素イオンアシストのエネルギーを順次高くしていき最終的にＮｉＯの酸化金属部を形成する。このＮｉＯの酸化金属部上に再び酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から成る酸化物誘電体膜２を成膜する。
・・・略・・・
【００４０】
　また、
本発明に係る吸収型多層膜ＮＤフィルターにおいては、上記基板と吸収型多層膜との間に、両者の密着性を向上させかつ吸収型多層膜に生じる応力を緩和させる作用を有する密着層を設けてもよい。
また、密着層の厚みは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
他方、厚みが１０ｎｍを越えると透過率が減少し、可視光領域で平坦な光学的特性が得られなくなる恐れがあるためである。
・・・略・・・
【００４１】
　以下、
本発明に係る吸収型多層膜ＮＤフィルターの製造法
【００４２】
　基板に５０ｍｍ角に切断した厚さ１００μｍのＰＣ（ポリカーボネート）フィルムを用い、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から成る酸化物誘電体膜とＮｉから成る金属膜を交互に積層した吸収型多層膜を得るには、例えば、成膜にアルバック製ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用い、ターゲットにはＳｉとＮｉ金属を用いる。酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から成る酸化物誘電体膜の成膜速度は０．２ｎｍ／秒程度、Ｎｉから成る金属膜の成膜速度は０．１ｎｍ／秒程度で行い、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から成る酸化物誘電体膜の成膜時のみ酸素を導入する。
【００４３】
　また、Ｎｉから成る金属膜の上記酸化物誘電体膜との界面およびその近傍領域の酸化を行うため、上記金属膜のＲＦマグネトロンスパッタ成膜の際にＤＣイオンビーム法を併用する。例えば、イオン化ガスには酸素６０％、アルゴン４０％の混合ガスを用い、イオンビーム加速電圧２００〜１０００ｅＶ、イオンビーム電流１０〜１００ｍＡの範囲の酸化条件で調整すれば、酸化金属部ＮｉＯｘ（ｘ≦１）の酸化程度を制御できる。また、金属膜における非酸化部（Ｎｉ）の形成中はイオンビームの照射を停止しながら金属膜のＲＦマグネトロンスパッタ成膜を行う。
【００４４】
　そして、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から成る酸化物誘電体膜との界面における化学量論組成を有するＮｉＯ酸化金属部と、このＮｉＯ酸化金属部からＮｉの非酸化部へその酸化の程度を次第に変化させるためのイオンビームの制御パターンと、Ｎｉの非酸化部からＮｉＯ酸化金属部へその酸化の程度を次第に変化させるためのイオンビームの制御パターンについて、図１０と図１１に示す。すなわち、ＮｉＯ酸化金属部からＮｉの非酸化部へその酸化の程度を次第に変化させるためのイオンビームの制御については左から右へ向かう制御パターンが対応し、Ｎｉの非酸化部からＮｉＯ酸化金属部へその酸化の程度を次第に変化させるためのイオンビームの制御については右から左へ向かう制御パターンが対応する。
【００４５】
　尚、
図１０
において実線の折れ線で示された制御パターンが「イオンビーム加速電圧」を示し、破線の折れ線で示された制御パターンが「イオンビーム電流」を示している。
【００４６】
　そして、図１０の左から右へ向かうイオンビームの制御パターンに従った条件で酸化金属部ＮｉＯｘ（ｘ≦１）を成膜した場合、化学量論組成を有するＮｉＯ酸化金属部からＮｉの非酸化部へその酸化の程度が変化する膜厚は約１ｎｍであり、また、図１１の左から右へ向かうイオンビームの制御パターン従った条件で酸化金属部ＮｉＯｘ（ｘ≦１）を成膜した場合、化学量論組成を有するＮｉＯ酸化金属部からＮｉの非酸化部へその酸化の程度が変化する膜厚は約５ｎｍであった。
【００４７】
　また、Ｎｉの非酸化部から化学量論組成を有するＮｉＯ酸化金属部へその酸化の程度を次第に変化させるためには、上述したように図１０と図１１において右から左へ向かうイオンビームの制御パターンに従った条件で成膜を行えばよい。」
　ウ　「【００４８】
　以下、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【００４９】
　吸収型多層膜ＮＤフィルターにおける酸化物誘電体膜にはＳｉＯ２、金属膜にはＮｉを用いた。
【００５０】
　そして、
基板に５０ｍｍ角に切断した厚さ１００μｍのＰＣ（ポリカーボネート）フィルムを用い、ＳｉＯ２から成る酸化物誘電体膜とＮｉから成る金属膜を交互に積層して吸収型多層膜ＮＤフィルター
【００５１】
　尚、
ＳｉＯ２から成る酸化物誘電体膜とＮｉから成る金属膜の成膜には
ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用い、ターゲットには
直径１００ｍｍ、厚さ５ｍｍのＳｉ
直径１００ｍｍ、厚さ５ｍｍのＮｉ
を用い
ＳｉＯ２から成る酸化物誘電体膜の成膜速度は０．２ｎｍ／秒、Ｎｉから成る金属膜（すなわち、酸化金属部と非酸化部）の成膜速度は０．１ｎｍ／秒で行い、ＳｉＯ２から成る酸化物誘電体膜の成膜時のみ酸素を導入し
【００５２】
　一方、
Ｎｉから成る金属膜の
ＳｉＯ２から成る酸化物誘電体膜との界面およびその近傍領域に形成する酸化金属部ＮｉＯｘ（ｘ≦１）の成膜には、ＤＣイオンビーム法を併用し
その条件として、イオン化ガスには酸素６０％、アルゴン４０％の混合ガスを用い、イオンビーム加速電圧２００〜１０００ｅＶ、イオンビーム電流１０〜１００ｍＡの酸化条件で調整して酸化金属部ＮｉＯｘ（ｘ≦１）の酸化程度を制御し、金属膜におけるＮｉの非酸化部の形成中は、イオンビームの照射を停止しながらＲＦマグネトロンスパッタ成膜し
【００５３】
　そして、
ＳｉＯ２から成る酸化物誘電体膜との界面における化学量論組成を有するＮｉＯ酸化金属部と、このＮｉＯ酸化金属部からＮｉの非酸化部へその酸化の程度を次第に変化させるためのイオンビームの制御パターンについて図１０（図面左から右へ向かう制御パターン）に示す
この図１０の左から右へ向かうイオンビームの制御パターンに従った条件で酸化金属部ＮｉＯｘ（ｘ≦１）を成膜した場合、化学量論組成を有するＮｉＯ酸化金属部からＮｉの非酸化部へその酸化の程度が変化するＮｉＯｘ（ｘ≦１）の膜厚は約１ｎｍであった
Ｎｉの非酸化部から化学量論組成を有するＮｉＯ酸化金属部へＮｉＯｘ（ｘ≦１）を次第に変化させるため、図１０の右から左へ向かうイオンビームの制御パターンに従った条件で成膜を行った。
【００５４】
　
得られた
吸収型多層膜ＮＤフィルターの膜構成を以下の表１に示し、
この吸収型多層膜ＮＤフィルターの分光透過特性を図５に
示す。
【００５５】
【表１】
・・・略・・・
【００６３】
【表４】
・・・略・・・
　［評　価］
（１）分光特性の評価について
　実施例１と実施例２に吸収型多層膜ＮＤフィルターの分光透過特性をそれぞれ図５、図７に示し、また、分光反射特性を図６、図８に示す。
【００６４】
　そして、表３に示された膜構成を有する比較例１に係る吸収型多層膜ＮＤフィルターの分光透過特性（図１のグラフ図参照）と分光反射特性（図２のグラフ図参照）との比較から確認されるように、化学量論組成を有するＮｉＯ酸化金属部からＮｉの非酸化部へその酸化の程度が変化するＮｉＯｘ（ｘ≦１）の膜厚が５ｎｍ程度までなら分光特性はほとんど変わらないことが理解される。
（２）付着力の評価について
　柔らかいフィルムに成膜された吸収型多層膜ＮＤフィルターの付着力を調べる方法として、従来から知られているテープテスト（ＭＩＬ−Ｍ−１３５０８−Ｃ）をモディファイしたテストを行った。
【００６５】
　具体的には、各吸収型多層膜ＮＤフィルターについて、基板であるフィルムを幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの短冊状に切断し、かつ、ゆるやかにＵ字型に折り曲げたまま、折り曲げ部を介し対峙する一対の両端面を直進ステージに固定された平行平板で挟み、直進ステージを移動させて一対の両端面の間隔を次第に狭くしていき、Ｕ字部分にひび割れが発生する間隔（ひび割れ発生最大曲率半径×２）を求めた。
【００６６】
　そして、ひび割れが発生した部分にテープを貼り付け、このテープを引き剥がすテープテストを行った。ひび割れが発生して捲れ上がっている部分はすでにフィルムから浮き上がっているので付着力が強くとも膜は剥れてしまうが、付着力が強力であればひび割れとひび割れの浮き上がっていない間の膜はテープに張り付いて剥れることはない。
【００６７】
　この結果を表５に示す。
【００６８】
【表５】
　各実施例に係る吸収型多層膜ＮＤフィルターのひび割れが発生し浮き上がってしまった部分はテープテストにより剥離してしまったが、ひび割れとひび割れの間の膜部分（すなわち、吸収型多層膜）はテープテストで剥れることは無かった。
【００６９】
　このことから、金属膜における基板並びに酸化物誘電体膜との界面およびその近傍領域に形成された酸化金属部ＮｉＯｘ（ｘ≦１）の作用によりその付着力が強力であることを示している。
・・・略・・・
【００７１】
　このことから、従来例（比較例１）に係る吸収型多層膜ＮＤフィルターと比較し、
各実施例に係る吸収型多層膜ＮＤフィルターは、基板と金属膜との間並びに金属膜と酸化物誘電体膜との付着力が著しく改善されていることが確認される
【産業上の利用可能性】
【００７２】
　本発明に係る吸収型多層膜ＮＤフィルターは、酸化物誘電体膜と金属膜とを組み合わせた吸収型多層膜の長所と、酸化物誘電体膜と酸素欠損のある光吸収性を有する金属酸化物膜とを組み合わせた吸収型多層膜の長所とを併せ持った吸収型多層膜ＮＤフィルターとすることができるので、組込みスペースが狭い小型で薄型のデジタルカメラに用いる吸収型多層膜ＮＤフィルターとして好適に利用される可能性を有している。」
　エ　「
【図５】
」
　オ　「【図６】
」
　カ　「【図９】
   
」
　キ　「
【図１０】
」
（２）　引用発明
　ア　引用例５の【００４９】〜【００５４】、【００５５】【表１】、【００７１】、図５及び図１０には、引用例５でいう「本発明」に係る「吸収型多層膜ＮＤフィルターの製造法」（【００４１】）の実施例１が記載されている。
　また、引用例５の【００４５】によれば、「図１０」「において実線の折れ線で示された制御パターンが「イオンビーム加速電圧」を示し、破線の折れ線で示された制御パターンが「イオンビーム電流」を示している」。
　イ　前記（１）ア〜キ及び前記アより、引用例５には、「吸収型多層膜ＮＤフィルターの製造方法」の発明として、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「　基板に５０ｍｍ角に切断した厚さ１００μｍのＰＣ（ポリカーボネート）フィルムを用い、ＳｉＯ２から成る酸化物誘電体膜とＮｉから成る金属膜を交互に積層した吸収型多層膜ＮＤフィルターの製造方法であって、
　ＳｉＯ２から成る酸化物誘電体膜とＮｉから成る金属膜の成膜にはＲＦマグネトロンスパッタ装置を用い、ターゲットには直径１００ｍｍ、厚さ５ｍｍのＳｉと直径１００ｍｍ、厚さ５ｍｍのＮｉを用い、ＳｉＯ２から成る酸化物誘電体膜の成膜速度は０．２ｎｍ／秒、Ｎｉから成る金属膜（すなわち、酸化金属部と非酸化部）の成膜速度は０．１ｎｍ／秒で行い、ＳｉＯ２から成る酸化物誘電体膜の成膜時のみ酸素を導入し、
　Ｎｉから成る金属膜のＳｉＯ２から成る酸化物誘電体膜との界面およびその近傍領域に形成する酸化金属部ＮｉＯｘ（ｘ≦１）の成膜には、ＤＣイオンビーム法を併用し、その条件として、イオン化ガスには酸素６０％、アルゴン４０％の混合ガスを用い、イオンビーム加速電圧２００〜１０００ｅＶ、イオンビーム電流１０〜１００ｍＡの酸化条件で調整して酸化金属部ＮｉＯｘ（ｘ≦１）の酸化程度を制御し、金属膜におけるＮｉの非酸化部の形成中は、イオンビームの照射を停止しながらＲＦマグネトロンスパッタ成膜し、
　ＳｉＯ２から成る酸化物誘電体膜との界面における化学量論組成を有するＮｉＯ酸化金属部と、このＮｉＯ酸化金属部からＮｉの非酸化部へその酸化の程度を次第に変化させるためのイオンビームの制御パターンは、以下の図１０（図面左から右へ向かう制御パターン）に示すとおりであり、図１０において実線の折れ線で示された制御パターンがイオンビーム加速電圧を示し、破線の折れ線で示された制御パターンがイオンビーム電流を示し、この図１０の左から右へ向かうイオンビームの制御パターンに従った条件で酸化金属部ＮｉＯｘ（ｘ≦１）を成膜した場合、化学量論組成を有するＮｉＯ酸化金属部からＮｉの非酸化部へその酸化の程度が変化するＮｉＯｘ（ｘ≦１）の膜厚は約１ｎｍであり、Ｎｉの非酸化部から化学量論組成を有するＮｉＯ酸化金属部へＮｉＯｘ（ｘ≦１）を次第に変化させるため、図１０の右から左へ向かうイオンビームの制御パターンに従った条件で成膜を行い、
　得られた吸収型多層膜ＮＤフィルターの膜構成は以下の表１に示したとおりであり、この吸収型多層膜ＮＤフィルターの分光透過特性は以下の図５に示したとおりであり、
　基板と金属膜との間並びに金属膜と酸化物誘電体膜との付着力が著しく改善されている、
吸収型多層膜ＮＤフィルターの製造方法。
図１０
表１
図５
」
　２　対比
（１）　対比
ア　基板
　引用発明の「吸収型多層膜ＮＤフィルター」は、「基板に５０ｍｍ角に切断した厚さ１００μｍのＰＣ（ポリカーボネート）フィルムを用い、ＳｉＯ２から成る酸化物誘電体膜とＮｉから成る金属膜を交互に積層した」ものである。
　そうすると、引用発明の「５０ｍｍ角に切断した厚さ１００μｍのＰＣ（ポリカーボネート）フィルム」は、「ＳｉＯ２から成る酸化物誘電体膜とＮｉから成る金属膜を交互に積層」するための「基板」として「用い」られるものである。
　してみると、引用発明の「５０ｍｍ角に切断した厚さ１００μｍのＰＣ（ポリカーボネート）フィルム」は、本願発明１の「基板」に相当する。
イ　Ｎｉ及び光吸収層
（ア）　引用発明（「吸収型多層膜ＮＤフィルターの製造方法」）は、「Ｎｉから成る金属膜の成膜にはＲＦマグネトロンスパッタ装置を用い」、「ターゲットには」「Ｎｉを用い」、「Ｎｉから成る金属膜（すなわち、酸化金属部と非酸化部）の成膜速度は０．１ｎｍ／秒で行い」、「Ｎｉから成る金属膜のＳｉＯ２から成る酸化物誘電体膜との界面およびその近傍領域に形成する酸化金属部ＮｉＯｘ（ｘ≦１）の成膜には、ＤＣイオンビーム法を併用し」、「イオン化ガスには酸素６０％、アルゴン４０％の混合ガスを用い、イオンビーム加速電圧２００〜１０００ｅＶ」「の酸化条件で調整して酸化金属部ＮｉＯｘ（ｘ≦１）の酸化程度を制御し、金属膜におけるＮｉの非酸化部の形成中は、イオンビームの照射を停止しながらＲＦマグネトロンスパッタ成膜し」、「酸化物誘電体膜との界面における化学量論組成を有するＮｉＯ酸化金属部と、このＮｉＯ酸化金属部からＮｉの非酸化部へその酸化の程度を次第に変化させるためのイオンビームの制御パターンは」、「図１０（図面左から右へ向かう制御パターン）に示すとおりであり、図１０において実線の折れ線で示された制御パターンがイオンビーム加速電圧を示し」、「この図１０の左から右へ向かうイオンビームの制御パターンに従った条件で酸化金属部ＮｉＯｘ（ｘ≦１）を成膜した場合、化学量論組成を有するＮｉＯ酸化金属部からＮｉの非酸化部へその酸化の程度が変化するＮｉＯｘ（ｘ≦１）の膜厚は約１ｎｍであり、Ｎｉの非酸化部から化学量論組成を有するＮｉＯ酸化金属部へＮｉＯｘ（ｘ≦１）を次第に変化させるため、図１０の右から左へ向かうイオンビームの制御パターンに従った条件で成膜を行」うものである（合議体注：図１０は、前記１（２）イに示すとおりである。）。
（イ）　前記アに記載した引用発明の「吸収型多層膜ＮＤフィルター」の構造及び前記（ア）に記載した引用発明の製造工程からみて、引用発明は、（Ａ）「５０ｍｍ角に切断した厚さ１００μｍのＰＣ（ポリカーボネート）フィルム」に対し、「ターゲット」を「Ｎｉ」とする「ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用い」て、「酸化金属部と非酸化部」から構成される「Ｎｉからなる金属膜」を成膜し、（Ｂ）「Ｎｉからなる金属膜」における「酸化金属部」の成膜は、「ＤＣイオンビーム法を併用し」て、「イオン化」した「酸素」「ガス」及び「アルゴン」「ガス」の「混合ガス」を「イオンビーム」として「５０ｍｍ角に切断した厚さ１００μｍのＰＣ（ポリカーボネート）フィルム」に「照射」しながら行い、「非酸化部」の成膜は、この「イオンビーム」の「照射」を「停止」して「ＲＦマグネトロンスパッタ成膜」により行うものと理解できる。
（ウ）　前記アに記載した引用発明の「吸収型多層膜ＮＤフィルター」の構造から、引用発明の「吸収型多層膜ＮＤフィルター」において、「酸化金属部と非酸化部」から構成される「Ｎｉからなる金属膜」が、光吸収層として機能することは技術的に明らかなことである。
　そうすると、前記（イ）より、引用発明の「Ｎｉ」及び「Ｎｉからなる金属膜」は、それぞれ本願発明１の「Ｎｉ」及び「光吸収層」に相当する。
　また、引用発明の「アルゴン」「ガス」は、希ガスである。
　そうすると、前記（イ）より、引用発明の「イオン化」した「酸素」「ガス」及び「アルゴン」「ガス」は、それぞれ本願発明１の、「イオン化した」とされる、「酸素ガス」及び「アルゴンガス」に相当し、引用発明の「イオン化」した「酸素」「ガス」及び「アルゴン」「ガス」の「混合ガス」は、本願発明１の「イオン化した」「酸素ガス及び」「希ガスの混合ガス」に相当する。
　さらに、マグネトロンスパッタによる製膜は、物理蒸着に分類される。
　そうしてみると、前記ア及び前記（イ）より、引用発明の「吸収型多層膜ＮＤフィルターの製造方法」と、本願発明１の「ＮＤフィルタの製造方法」は、「基板に対し、Ｎｉを」、「イオン化した」「酸素ガス及び」「希ガスの混合ガスを基板に照射しながら蒸着することで、光吸収層を形成する」ものである点において共通する。
ウ　ＮＤフィルタ及びその製造方法
　前記アと前記イより、引用発明の「吸収型多層膜ＮＤフィルター」は、本願発明１の「ＮＤフィルタ」に相当し、引用発明の「吸収型多層膜ＮＤフィルターの製造方法」は、本願発明１の「ＮＤフィルタの製造方法」に相当する。
（２）　一致点及び相違点
ア　一致点
　本願発明１と引用発明は、次の構成で一致する。
「基板に対し、Ｎｉを、イオン化した酸素ガス及び希ガスの混合ガスを基板に照射しながら蒸着することで、光吸収層を形成するＮＤフィルタの製造方法。」
イ　相違点
　本願発明１と引用発明は、次の点で相違する。
（相違点１）
　「光吸収層を形成する」工程が、本願発明１は、基板に対し、Ｎｉを、「一定の電圧によって」イオン化した「一定流量の」酸素ガス及び「所定流量の」希ガスの混合ガスを基板に照射しながら蒸着する工程であるのに対して、引用発明は、イオン化のためのイオンビーム加速電圧が図１０に示される（一定の電圧がステップ状に変化する）ものであり、また、酸素ガス及びアルゴンガスの流量が一定であるかは、一応、不明である点。
（相違点２）
　本願発明１は、「前記光吸収層を形成する前に、前記一定流量、前記所定流量、及び前記一定流量の前記所定流量に対する比の少なくとも何れかを制御することにより、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長域において、透過率が単調増加するものとするか、単調減少するものとするか、あるいは平坦なものとするかを制御する」ものであるの対して、引用発明は、このような事項を備えていない点。
　３　判断
　事案に鑑み、相違点２について検討する。
（１）　引用例５でいう「発明が解決しようとする課題」は、「吸収型多層膜が酸化物誘電体膜と金属膜とで構成されかつ酸化物誘電体膜と金属膜との付着力が改善された吸収型多層膜ＮＤフィルターを提供し、合わせてこの吸収型多層膜ＮＤフィルターの製造方法を提供する」（【００１１】）ことである。
　また、引用例５でいう「発明」の「課題を解決するための手段」について、引用例５には、「上記課題を解決するため、酸化物誘電体膜と金属膜とで構成される吸収型多層膜の上記金属膜について、その酸化物誘電体膜との界面およびその近傍領域を酸化させて酸化金属部を形成したところ、上記酸化物誘電体膜と金属膜との付着力が改善されることを見出すに至った。本発明はこのような技術的発見に基づき完成されている。」（【００１２】）と記載されている。
　そうすると、引用発明は、「酸化物誘電体膜と金属膜とで構成される吸収型多層膜の上記金属膜について、その酸化物誘電体膜との界面およびその近傍領域を酸化させて酸化金属部を形成」することによって、「上記酸化物誘電体膜と金属膜との付着力」を「改善」するとの技術思想に基づくものと理解できる。
（２）　ここで、「吸収型多層膜ＮＤフィルターの分光透過特性」を示す図５から、引用発明の製造方法により得られた吸収型多層膜ＮＤフィルター」の４００〜７００ｎｍの「分光透過率」は、３５％〜３７％の範囲でほぼ一定となっていることが把握できる。
　また、引用発明の「吸収型多層膜ＮＤフィルターの分光透過特性」に関連し、引用例５の【０００２】には、「ＮＤフィルター（Neutral Density Filter）とは、光線の可視スペクトル域における各波長をほぼ均等に透過するような非選択性の透過率を有する光学フィルターで、透過光量を減衰させる目的でデジタルカメラ等のレンズに装着して用いられる。」との記載がある。さらに、引用例５の【００４０】には、「本発明に係る吸収型多層膜ＮＤフィルターにおいては、上記基板と吸収型多層膜との間に、両者の密着性を向上させかつ吸収型多層膜に生じる応力を緩和させる作用を有する密着層を設けてもよい。」、「密着層の厚みは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内とすることが好ましい。・・・略・・・厚みが１０ｎｍを越えると透過率が減少し、可視光領域で平坦な光学的特性が得られなくなる恐れがあるためである。」との記載がある。
　引用例５の上記記載に接した当業者は、得られる吸収型多層膜ＮＤフィルターの分光透過率として、可視スペクトル域（４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下）においてほぼ均等・平坦なものが前提となっていると理解する。
（３）　引用発明の技術思想は、上記（１）で述べたとおりのものであるから、引用発明は、「光吸収層を形成する前に、前記一定流量、前記所定流量、及び前記一定流量の前記所定流量に対する比の少なくとも何れかを制御することにより、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長域において、透過率が単調増加するものとするか、単調減少するものとするか、あるいは平坦なものとするかを制御する」という、本願発明の技術思想とは異なる技術思想のものである。また、上記（２）で述べたとおり、引用発明は、可視スペクトル域における分光透過率がほぼ均等・平坦であるＮＤフィルターを前提としたものであるから、そこに、当業者を、本願発明１の技術思想に向かわせるような動機付けとなるものはない。そして、本願発明１の技術思想は、引用例５はもとより、当審拒絶理由で引用された引用例６（特開２００５−３２６６８７号公報）にも記載も示唆もされていない。さらに、Ｎｉを蒸着することにより光吸収層を形成するＮＤフィルタにおいて、光吸収層を形成する前に、（光吸収層を形成する際に照射される）イオン化した酸素ガスの一定流量、アルゴンガスの所定流量及び酸素ガスの一定流量のアルゴンガスの所定流量に対する比の少なくともいずれかを制御することにより、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長域において、透過率が単調増加するものとするか、単調減少するものとするか、あるいは平坦なものとするかを制御することは、当業者にとって自明のことではなく、また、本件出願前に当業者に周知の技術的事項ともいえない。
　そうしてみると、引用発明において、上記相違点２に係る本願発明１の構成とすることは、当業者が容易になし得たことであるということはできない。
（４）　以上のとおりであるから、本願発明１は、たとえ当業者といえども、引用例５に記載された発明及び引用例６に記載された周知技術に基づいて、容易に発明をすることができたものであるということができない。
４　本願発明２〜本願発明３について
　本願発明２〜本願発明３は、本願発明１の構成に対して、さらに他の発明特定事項を付加してなる「ＮＤフィルタの製造方法」である。
　そうしてみると、上記３で示した理由と同様な理由により、本願発明２〜本願発明３についても、たとえ当業者といえども、引用例５に記載された発明及び引用例６に記載された周知技術に基づいて、容易に発明をすることができたものであるということができない。
第３　原査定の拒絶の理由について
　本願発明１〜本願発明３と、原査定の拒絶の理由で引用された引用例１（特開２００９−２６５５７９号公報）の実施例１（【００１０】〜【００１２】）の記載から理解される「多層膜ＮＤフィルター」を製造する方法の発明とを対比すると、少なくとも、前記「第２」２（２）イの相違点１及び相違点２と同様な相違点が見いだされる。そして、原査定の拒絶の理由で引用された引用例２（特開２００７−２４８４９５号公報）、引用例３（特開平１０−１８６１３０号公報）及び引用例４（特開２００５−１７９８６号公報）を含めて検討したとしても、前記「第２」３で述べた理由と同様な理由により、相違点に係る本願発明１の構成に至らない。
　してみると、本願発明１〜本願発明３は、引用例１に記載された発明、引用例２〜引用例３に記載された周知技術及び引用例４に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
第４　当合議体が通知した拒絶の理由について
１　理由２（明確性）について
　本件補正により、当合議体が通知した拒絶の理由２（明確性）は解消した。
２　理由３（新規性）及び理由４（進歩性）について
　本願発明１〜本願発明３と引用発明を対比すると、少なくとも前記「第２」２（２）イで述べた相違点が見いだされるから、本願発明１及び本願発明３と、引用発明は同一であるということができない。
　また、前記「第２」で述べたとおりであるから、本願発明１〜本願発明３は、引用例５に記載された発明及び引用例６に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の拒絶の理由及び当合議体が通知した拒絶の理由によっては、本件出願を拒絶することはできない。
　また、他に本件出願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。