【手続補正書】
【提出日】平成31年2月12日(2019.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
チャンバ内で、原子層エッチングによって前記基板をエッチングすることと、
前記チャンバ内で、原子層堆積によって膜を堆積させることと、
を備え、前記エッチング及び前記堆積は、真空を破壊することなく実施される、方法。
【請求項２】
基板を処理する方法であって、
チャンバ内で、原子層エッチングによって前記基板をエッチングすることと、
原子層堆積によって膜を堆積させることと、
を備え、
前記エッチング及び前記堆積は、真空を破壊することなく実施され、プラズマは、前記エッチング及び前記堆積の少なくともいずれかの間に点火される、方法。
【請求項３】
方法であって、
露出している領域および特徴を有する基板であって、前記特徴がコーナー部を有する基板を提供することと、
原子層堆積によって、前記特徴の前記コーナー部上に第１の材料による膜を選択的に堆積させることと、
原子層エッチングによって、前記基板上の前記露出している領域から第２の材料をエッチングすることと、を含み、前
記エッチング及び前記堆積は、真空を破壊することなく実施される、方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記エッチングは、サイクル単位で実施され、１サイクルは、
基板を、前記基板の表面を改質するためにエッチングガスに暴露することと、
前記改質された表面の少なくとも一部を除去するために、前記基板を除去ガスに暴露することと、
を含む、方法。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記堆積は、サイクル単位で実施され、１サイクルは、
前記基板を、前記基板の表面を改質するために堆積前駆体に暴露することと、
前記膜を堆積させるために、前記基板を還元剤に暴露することと、
を含む、方法。
【請求項６】
請求項４に記載の方法であって、
前記基板をエッチングガスに暴露することは、更に、プラズマを点火することを含む、方法。
【請求項７】
請求項４に記載の方法であって、更に、
前記基板にバイアスを印加することを備える方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、更に、
プラズマを点火することを備える方法。
【請求項９】
請求項４に記載の方法であって、
前記エッチングガスは、塩素含有化合物である、方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記エッチングは、非共形的に実施される、方法。
【請求項１１】
請求項４に記載の方法であって、
１サイクルは、材料を１Åから５０Åエッチングする、方法。
【請求項１２】
請求項５に記載の方法であって、
前記堆積前駆体の少なくとも一部は、前記基板を前記堆積前駆体に暴露している最中に前記基板の表面に吸着する、方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の方法であって、
前記エッチングは、半導体の材料をエッチングする、方法。
【請求項１４】
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の方法であって、
前記エッチング及び前記堆積は、同じチャンバ内で実施される、方法。
【請求項１５】
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の方法であって、
前記エッチング又は前記堆積のいずれか一方は、自己制限的な反応である、方法。
【請求項１６】
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の方法であって、
前記エッチング及び前記堆積は、前記基板上に材料を堆積させるために実施される、方法。
【請求項１７】
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の方法であって、
前記エッチング及び前記堆積は、前記基板上の材料をエッチングするために実施される、方法。
【請求項１８】
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の方法であって、
前記エッチングは、更に、前記基板を指向的にスパッタリングすることを含む、方法。
【請求項１９】
方法であって、
（ａ）チャンバに収容された基板を、前記基板を一層ずつエッチングするためにエッチングガス及び除去ガスの交互パルスに暴露することと、
（ｂ）前記基板上に膜を堆積させるために、前記基板を第１の反応剤及び第２の反応剤の交互パルスに暴露することと、
を備える方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、
プラズマは、前記エッチングガスのパルスおよび前記除去ガスのパルスの少なくとも一方の間に点火される、方法。
【請求項２１】
請求項１９に記載の方法であって、
前記基板を前記エッチングガス及び前記除去ガスの前記交互パルスに暴露することによってエッチングされる量は、１Åから５０Åの間であり、前記基板を前記第１の反応剤及び前記第２の反応剤の前記交互パルスに暴露することは、前記膜を０．２５Åから３５０Åの間の厚さに堆積させる、方法。
【請求項２２】
請求項１９に記載の方法であって、
（ａ）は、更に、前記基板にバイアスを印加することを含む、方法。
【請求項２３】
請求項１９に記載の方法であって、
（ａ）は、更に、前記基板を指向的にスパッタリングすることを含む、方法。
【請求項２４】
請求項１９に記載の方法であって、更に、
前記基板を前記第２の反応剤に暴露するときにプラズマを点火することを備える方法。
【請求項２５】
請求項４または請求項１９から請求項２４のいずれか一項に記載の方法であって、
前記除去ガスは、Ｎ2、Ａｒ、Ｈｅ、及びＮｅからなる群より選択されるキャリアガスである、方法。
【請求項２６】
請求項１９から請求項２４のいずれか一項に記載の方法であって、
（ａ）及び（ｂ）は、順次実施される、方法。
【請求項２７】
請求項４または請求項５または請求項１９から請求項２４のいずれか一項に記載の方法であって、
前記基板はチャンバ内に位置し、前記チャンバは、パルスとパルスとの間でパージされる、方法。
【請求項２８】
請求項１９から請求項２４のいずれか一項に記載の方法であって、
（ａ）又は（ｂ）の少なくとも１つは、自己制限的な反応である、方法。
【請求項２９】
請求項１９から請求項２４のいずれか一項に記載の方法であって、
（ａ）及び（ｂ）は、前記基板上に膜を堆積させるために繰り返される、方法。
【請求項３０】
請求項１９から請求項２４のいずれか一項に記載の方法であって、
（ａ）及び（ｂ）は、前記基板上の材料をエッチングするために繰り返される、方法。
【請求項３１】
請求項１９から請求項２４のいずれか一項に記載の方法であって、
前記基板は、金属及び誘電体からなる群より選択される、方法。
【請求項３２】
請求項１９から請求項２４のいずれか一項に記載の方法であって、
（ａ）及び（ｂ）は、真空を破壊することなく実施される、方法。
【請求項３３】
請求項１９から請求項２４のいずれか一項に記載の方法であって、
（ａ）及び（ｂ）は、同じチャンバ内で実施される、方法。
【請求項３４】
基板を処理する方法であって、
それぞれ側壁を備える１つ以上の特徴を有する基板を提供することと、
原子層堆積によって第１の材料を備える保護膜を堆積させることと、
前記保護膜を前記側壁に堆積させた後に、原子層エッチングによって前記基板上の第２の材料をエッチングして、前記側壁上に前記第１の材料を残すことと、を含み、
前記堆積および前記エッチングは、真空を破壊することなく実施される、方法。
【請求項３５】
請求項３４に記載の方法であって、
各特徴は、直径１５０ｎｍ未満の特徴開口を含む、方法。
【請求項３６】
請求項３４に記載の方法であって、
各特徴は、少なくとも４：１のアスペクト比を有する、方法。
【請求項３７】
請求項３４に記載の方法であって、
前記エッチングおよび前記堆積の少なくともいずれかは、自己制限的な反応である、方法。
【請求項３８】
基板を処理するための装置であって、
それぞれチャックを含む１つ以上のプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバへの１つ以上のガス入口、及び関連の流量制御ハードウェアと、
少なくとも１つのプロセッサ、及びメモリを有するコントローラであって、
前記少なくとも１つのプロセッサ、及び前記メモリは、通信可能方式で互いに接続され、
前記少なくとも１つのプロセッサは、少なくとも動作可能方式で前記流量制御ハードウェアに接続され、
前記メモリは、
チャンバ内で原子層エッチングによって前記基板をエッチングすることと、
前記チャンバ内で原子層堆積によって膜を堆積させることと、に関して、
前記流量制御ハードウェアを少なくとも制御するように前記少なくとも１つのプロセッサを制御するためのコンピュータ実行可能命令を格納し、前記エッチング及び前記堆積は、真空を破壊することなく実施される、
コントローラと、
を備える装置。
【請求項３９】
基板を処理するための装置であって、
それぞれチャックを含む１つ以上のプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバへの１つ以上のガス入口、及び関連の流量制御ハードウェアと、
少なくとも１つのプロセッサ、及びメモリを有するコントローラであって、
前記少なくとも１つのプロセッサ、及び前記メモリは、通信可能方式で互いに接続され、
前記少なくとも１つのプロセッサは、少なくとも動作可能方式で前記流量制御ハードウェアに接続され、
前記メモリは、
（ａ）基板を、前記基板を一層ずつエッチングするためにエッチャント及びパージガスの交互パルスに暴露することと、
（ｂ）前記エッチングされた基板上に膜を堆積させるために、還元剤及び前駆体の交互パルスに前記基板を暴露することと、
（ｃ）（ａ）及び（ｂ）を、（ａ）の実施と（ｂ）の実施の間に真空を破壊することなく繰り返すことと、に関して、
前記流量制御ハードウェアを少なくとも制御するように前記少なくとも１つのプロセッサを制御するためのコンピュータ実行可能命令を格納する、コントローラと、
を備える装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
エッチングは、サイクル単位で実施されてよく、１サイクルは、基板を、その表面を改質するためにエッチングガスに暴露することと、改質された基板の少なくとも一部を除去するために、基板を除去ガスに暴露することとを含む。基板をエッチングガスに暴露することは、更に、プラズマを点火することを含んでいてよい。一部の実施形態では、方法は、更に、基板にバイアスを印加することを含む。エッチングガスは、塩素含有化合物であってよい。各種の実施形態において、１サイクルは、約１Åから約５０Åの膜をエッチングする。チャンバは、暴露と暴露との間でパージされてよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
除去ガスは、Ｎ2、Ａｒ、Ｈｅ、及びＮｅからなる群より選択されるキャリアガスであってよい。一部の実施形態では、（ａ）及び（ｂ）は、同じチャンバ内で実施され、順次実施される。更に、チャンバは、パルスとパルスとの間でパージされてよい。各種の実施形態において、（ａ）は、更に、基板にバイアスを印加することを含む。一部の実施形態では、（ａ）は、更に、基板を指向的にスパッタリングすることを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
動作１０３は、サイクル単位で実施されてよい。「ＡＬＥサイクル」の概念は、本明細書における各種の実施形態の考察に関わっている。総じて、ＡＬＥサイクルは、単原子層をエッチングするなどの１回のエッチングプロセスを実施するために使用される最小の動作集合である。１サイクルの結果は、基板表面上の膜層の少なくとも一部がエッチングされることである。通常、ＡＬＥサイクルは、反応性の層を形成するための改質動作と、それに続く、この改質された層のみを除去又はエッチングするための除去動作とを含む。サイクルは、いずれかの反応剤又は副生成物を掃き出すなどの、幾つかの付随的動作を含んでいてよい。総じて、１サイクルは、固有な一連の動作からなる１つの過程を含む。一例として、一ＡＬＥサイクルは、（ｉ）反応剤ガスを供給する動作、（ii）反応剤ガスをチャンバからパージする動作、（iii）除去ガス及び随意のガスを供給する動作、並びに（iv）チャンバをパージする動作を含んでいてよい。一部の実施形態では、非共形的にエッチングが実施されてよい。図１Ｂは、ＡＬＥサイクルの２つの例の概略を示している。図示１７１ａ〜１７１ｅは、一般的なＡＬＥサイクルを示している。１７１ａでは、基板が提供される。１７１ｂでは、基板の表面が改質される。１７１ｃでは、次の工程の準備がされる。１７１ｄでは、改質された層がエッチングされている。１７１ｅでは、改質された層が除去される。同様に、図示１７２ａ〜１７２ｅは、シリコン膜をエッチングするためのＡＬＥサイクルの一例を示している。１７２ａでは、多数のシリコン原子を含むシリコン基板が提供される。１７２ｂでは、反応剤ガスである塩素が基板に導かれ、基板の表面を改質する。１７２ｂの概略図は、一例として、基板の表面に一部の塩素が吸着されることを示している。図１Ｂでは塩素が描かれているが、任意の塩素含有化合物又は適切な反応剤が使用されてよい。１７２ｃでは、反応剤ガスである塩素がチャンバからパージされる。１７２ｄでは、Ａｒ+プラズマ種及び矢印で示されるように、除去ガスであるアルゴンが指向性プラズマとともに導入され、基板の改質表面を除去するためのイオン衝撃が実施される。この動作時には、イオンを惹き付けるために基板にバイアスが印加される。１７２ｅでは、チャンバはパージされ、副生成物は除去される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
各種の実施形態において、プラズマは、誘導結合プラズマ又は容量結合プラズマであってよい。誘導結合プラズマは、約５０Ｗから約２０００Ｗのプラズマに設定されてよい。一部の実施形態では、約０Ｖから約５００Ｖの間でバイアスが印加されてよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
ＡＬＤは、自己制御的な順次反応を使用して薄い材料層を堆積させる技術である。ＡＬＤは、任意の適切な技術を使用して実施されてよい。各種の実施形態において、ＡＬＤは、プラズマによって実施されてよい又は熱によって実施されてよい。動作１０５は、サイクル単位で実施されてよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
一部の実施形態では、随意のプラズマは、チャンバ内で基板表面の真上にプラズマが形成されるように、ｉｎ−ｓｉｔｕプラズマである。各種の実施形態において、プラズマは、誘導結合プラズマ又は容量結合プラズマであってよい。誘導結合プラズマは、約５０Ｗから約２０００Ｗのプラズマに設定されてよい。一部の実施形態では、約０Ｖから約５００Ｖでバイアスが印加されてよい。第２の反応剤の供給の際は、ＳｉＣ4などの膜前駆体がオフにされる。基板は、基板表面上に吸着された全ての前駆体とプラズマが相互作用するための時間を超える持続時間にわたって第２の反応剤及び随意のプラズマに暴露されてよく、こうして、基板表面の上に連続した膜が形成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
動作１０７では、バイアスが随意に印加される。バイアスの印加は、側壁をエッチングすることができるので、各種の実施形態において、バイアスは、継続的に印加されるのではなく、ＡＬＤ及びＡＬＥの各種のサイクル後に印加されてよい。この動作は、ＡＬＤによって堆積された膜を突破するために実施されてよい。一部の実施形態では、バイアスは、ＡＬＤのサイクルによって堆積された層を突破するために、約８０ｅＶに設定される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図１Ｃ及び図１Ｄは、開示される実施形態の更なる例を提供する。動作１１０では、チャンバに収容された基板が、基板の表面を改質するために、エッチャント、即ちエッチングガスに暴露されてよい。これは、「表面改質」動作と呼ぶことができる。一部の実施形態では、これは、図１Ｄに示されている表面改質段階１５０Ａに相当してよく、エッチングサイクルの一部であってよい。図１Ｄに示されるように、この動作時には、チャンバにエッチャントが流される間に、随意としてキャリアガスが流されてよい。キャリアガスは、図１Ａに関連して上述されたキャリアガスの任意であってよい。一部の実施形態では、キャリアガスは、表面改質時には流されない。エッチャントは、それが基板の停止表面のみを改質するように流されてよい。各種の実施形態において、動作１１０では、バイアスが印加されてよい。バイアスは、約０Ｖから約５００Ｖの電力で印加されてよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
図２は、本明細書における特定の実施形態を実行に移すのに適した誘導結合プラズマエッチング・堆積統合装置２００の断面図の概略を示している。装置の一例は、カリフォルニア州フリーモントのＬａｍ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｃｏｒｐ．によって製作されているＫｉｙｏ（商標）リアクタである。誘導結合プラズマ装置２００は、チャンバ壁と窓２１１とによって構造的に定められた全体プロセスチャンバ２０１を含む。チャンバ壁は、ステンレス鋼又はアルミニウムで製作されてよい。窓２１１は、石英又はその他の誘電体材料で製作されてよい。随意の内部プラズマ格子２６０が、全体プロセスチャンバを上方サブチャンバ２０２と下方サブチャンバ２０３とに分ける。大半の実施形態では、プラズマ格子２５０を取り外し、それによって、サブチャンバ２０２と２０３とで形成されたチャンバ空間を利用することができる。チャック２１７が、下方サブチャンバ２０３内の内側の底面近くに位置決めされる。チャック２１７は、エッチングプロセス及び堆積プロセスが実施される半導体ウエハ２１９を受けて保持するように構成される。チャック２１７は、ウエハ２１９が存在するときにそのウエハ２１９を支えるための静電チャックであってよい。一部の実施形態では、エッジリング（不図示）がチャック２１７を取り囲み、チャック２１７上にあるときのウエハ２１９の上面とおおよそ同一平面の上面を有する。チャック２１７は、ウエハを把持する及び解放するための静電電極も含む。この目的のために、フィルタとＤＣクランプ電源（不図示）とが提供されてよい。ウエハ２１９をチャック２１７から持ち上げるための他の制御システムも提供されてよい。チャック２１７は、ＲＦ電源２２３を使用して電気的に充電することができる。ＲＦ電源２２３は、接続部２２７を通じて整合回路構成２２１に接続される。整合回路構成２２１は、接続部２２５を通じてチャック２１７に接続される。こうして、ＲＦ電源２２３は、チャック２１７に接続される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
上方チャンバ内に位置決めされた１つ以上の主ガス流入口２６０を通じて及び／又は１つ以上の脇ガス流入口２７０を通じて、プロセスガス（例えば塩素、アルゴン、四塩化シリコン、酸素、窒素など）がプロセスチャンバに流し込まれてよい。同様に、図には明示されていないが、プロセスガスを容量結合プラズマ処理チャンバに供給するために、同様なガス流入口が使用されてよい。プロセスガスをプロセスチャンバ２０１から引き出すために及びプロセスチャンバ２０１内の圧力を維持するために、１段階若しくは２段階以上の機械式ドライポンプ、及び／又はターボ分子ポンプ２４０などの、真空ポンプが使用されてよい。例えば、ポンプは、ＡＬＤのパージ動作中にチャンバ２０１を排気するために使用されてよい。真空ポンプを処理チャンバに流体連通式に接続し、真空ポンプによって提供される真空環境の適用を選択的に制御するために、弁制御式の導管が使用されてよい。これは、操作式のプラズマ処理中に、絞り弁（不図示）又は振り子弁（不図示）などの閉ループ制御式の流量制限機器を用いてなされてよい。同様に、容量結合プラズマ処理チャンバへの、真空ポンプ及び弁によって制御される流体連通式の接続も用いられてよい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
結論：
以上の実施形態は、理解を明瞭にする目的で幾分詳細に説明されてきたが、添付の特許請求の範囲内で特定の変更及び修正が加えられてよいことが明らかである。着目すべきは、これらの実施形態のプロセス、システム、及び装置を実現する代替のやり方が、多数存在することである。したがって、これらの実施形態は、例示的なものであって限定的ではないと見なされ、本明細書で与えられる詳細に限定されない。例えば、本発明は、以下の適用例としても適用可能である。
［適用例１］基板を処理する方法であって、
チャンバ内で、原子層エッチングによって前記基板をエッチングすることと、
前記チャンバ内で、原子層堆積によって膜を堆積させることと、
を備え、前記エッチング及び前記堆積は、真空を破壊することなく実施される、方法。
［適用例２］適用例１に記載の方法であって、
前記エッチングは、サイクル単位で実施され、１サイクルは、
基板を、前記基板の表面を改質するためにエッチングガスに暴露することと、
前記改質された表面の少なくとも一部を除去するために、前記基板を除去ガスに暴露することと、
を含む、方法。
［適用例３］適用例１に記載の方法であって、
前記堆積は、サイクル単位で実施され、１サイクルは、
前記基板を、前記基板の表面を改質するために堆積前駆体に暴露することと、
前記膜を堆積させるために、前記基板を還元剤に暴露することと、
を含む、方法。
［適用例４］適用例２に記載の方法であって、
前記基板をエッチングガスに暴露することは、更に、プラズマを点火することを含む、方法。
［適用例５］適用例２に記載の方法であって、更に、
前記基板にバイアスを印加することを備える方法。
［適用例６］適用例３に記載の方法であって、更に、
プラズマを点火することを備える方法。
［適用例７］適用例２に記載の方法であって、
前記エッチングガスは、塩素含有化合物である、方法。
［適用例８］適用例１に記載の方法であって、
前記エッチングは、非共形的に実施される、方法。
［適用例９］適用例２に記載の方法であって、
１サイクルは、約１Åから約５０Åの膜をエッチングする、方法。
［適用例１０］適用例３に記載の方法であって、
前記堆積前駆体の少なくとも一部は、前記基板を前記堆積前駆体に暴露している最中に前記基板の表面に吸着する、方法。
［適用例１１］適用例２又は３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記チャンバは、暴露と暴露との間にパージされる、方法。
［適用例１２］適用例１ないし１１のいずれか一項に記載の方法であって、
前記エッチング及び前記堆積は、同じチャンバ内で実施される、方法。
［適用例１３］適用例１ないし１１のいずれか一項に記載の方法であって、
前記エッチング又は前記堆積のいずれか一方は、自己制限的な反応である、方法。
［適用例１４］適用例１ないし１１のいずれか一項に記載の方法であって、
前記エッチング及び前記堆積は、前記基板上に材料を堆積させるために実施される、方法。
［適用例１５］適用例１ないし１１のいずれか一項に記載の方法であって、
前記エッチング及び前記堆積は、前記基板上の材料をエッチングするために実施される、方法。
［適用例１６］適用例１ないし１１のいずれか一項に記載の方法であって、
前記エッチングは、更に、前記基板を指向的にスパッタリングすることを含む、方法。
［適用例１７］方法であって、
（ａ）チャンバに収容された基板を、前記基板を一層ずつエッチングするためにエッチングガス及び除去ガスの交互パルスに暴露することと、
（ｂ）前記基板上に膜を堆積させるために、前記基板を第１の反応剤及び第２の反応剤の交互パルスに暴露することと、
（ｃ）同じチャンバ内で（ａ）及び（ｂ）を繰り返すことと、
を備える方法。
［適用例１８］適用例１７に記載の方法であって、
（ａ）は、更に、前記基板にバイアスを印加することを含む、方法。
［適用例１９］適用例１７に記載の方法であって、
（ａ）は、更に、前記基板を指向的にスパッタリングすることを含む、方法。
［適用例２０］適用例１７に記載の方法であって、更に、
前記基板を前記除去ガスに暴露するときにプラズマを点火することを備える方法。
［適用例２１］適用例１７に記載の方法であって、更に、
前記基板を前記第２の反応剤に暴露するときにプラズマを点火することを備える方法。
［適用例２２］適用例１７ないし２１のいずれか一項に記載の方法であって、
前記除去ガスは、Ｎ2、Ａｒ、Ｈｅ、及びＮｅからなる群より選択されるキャリアガスである、方法。
［適用例２３］適用例１７ないし２１のいずれか一項に記載の方法であって、
（ａ）及び（ｂ）は、同じチャンバ内で実施され、順次実施される、方法。
［適用例２４］適用例１７ないし２１のいずれか一項に記載の方法であって、
前記チャンバは、パルスとパルスとの間でパージされる、方法。
［適用例２５］適用例１７ないし２１のいずれか一項に記載の方法であって、
（ａ）又は（ｂ）の少なくとも１つは、自己制限的な反応である、方法。
［適用例２６］適用例１７ないし２１のいずれか一項に記載の方法であって、
（ａ）及び（ｂ）は、前記基板上に膜を堆積させるために繰り返される、方法。
［適用例２７］適用例１７ないし２１のいずれか一項に記載の方法であって、
（ａ）及び（ｂ）は、前記基板上の膜をエッチングするために繰り返される、方法。
［適用例２８］適用例１７ないし２１のいずれか一項に記載の方法であって、
前記基板は、金属及び誘電体からなる群より選択される、方法。
［適用例２９］；
基板を処理するための装置であって、
それぞれチャックを含む１つ以上のプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバへの１つ以上のガス入口、及び関連の流量制御ハードウェアと、
少なくとも１つのプロセッサ、及びメモリを有するコントローラであって、
前記少なくとも１つのプロセッサ、及び前記メモリは、通信可能方式で互いに接続され、
前記少なくとも１つのプロセッサは、少なくとも動作可能方式で前記流量制御ハードウェアに接続され、
前記メモリは、
チャンバ内で原子層エッチングによって前記基板をエッチングすることと、
前記チャンバ内で原子層堆積によって膜を堆積させることと、に関して、
前記流量制御ハードウェアを少なくとも制御するように前記少なくとも１つのプロセッサを制御するためのコンピュータ実行可能命令を格納し、前記エッチング及び前記堆積は、真空を破壊することなく実施される、
コントローラと、
を備える装置。
［適用例３０］基板を処理するための装置であって、
それぞれチャックを含む１つ以上のプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバへの１つ以上のガス入口、及び関連の流量制御ハードウェアと、
少なくとも１つのプロセッサ、及びメモリを有するコントローラであって、
前記少なくとも１つのプロセッサ、及び前記メモリは、通信可能方式で互いに接続され、
前記少なくとも１つのプロセッサは、少なくとも動作可能方式で前記流量制御ハードウェアに接続され、
前記メモリは、
（ａ）基板を、前記基板を一層ずつエッチングするためにエッチャント及びパージガスの交互パルスに暴露することと、
（ｂ）前記エッチングされた基板上に膜を堆積させるために、還元剤及び前駆体の交互パルスに前記基板を暴露することと、
（ｃ）（ａ）及び（ｂ）を、（ａ）の実施と（ｂ）の実施の間に真空を破壊することなく繰り返すことと、に関して、
前記流量制御ハードウェアを少なくとも制御するように前記少なくとも１つのプロセッサを制御するためのコンピュータ実行可能命令を格納する、コントローラと、
を備える装置。