【事件の表示】
　特願２０１７−５５７９６３「フォース検出機能を備える一体型表示装置及び検出装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年１１月１７日国際公開、ＷＯ２０１６／１８２７０２、平成３０年　８月　２日国内公表、特表２０１８−５２１３８３、請求項の数（１６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１６年（平成２８年）４月１９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２０１５年５月１２日　米国、２０１５年９月３０日　米国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和　元年　７月　８日付け：拒絶理由通知書
　令和　元年１０月１７日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和　２年　３月１９日付け：拒絶査定
　令和　２年　７月１０日　　：拒絶査定不服審判の請求、手続補正書の提
　　　　　　　　　　　　　　　出
　令和　２年　９月　２日付け：前置報告書
第２　原査定の概要
　原査定（令和２年３月１９日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　本願請求項１〜１９に係る発明は、以下の引用文献１〜４に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　引用文献等一覧
　１.国際公開第２０１４／０９２７５８号
　２.特開２００９−２４４９５８号公報
　３.特開２０１４−１８６５３５号公報
　４.特開２０１４−５６５６６号公報
第３　本願発明
　本願請求項１〜１６に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明１６」という。）は、令和２年７月１０日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１，７，１２は、それぞれ以下のとおりの発明である。
　「【請求項１】
　入力面を有する一体型表示装置及びキャパシタンス検出装置であって、
　複数のセンサ電極と、
　
前記複数のセンサ電極が設けられている層と異なる層に設けられている複数のレシーバ電極と、
　前記複数のセンサ電極の下に配置された柔軟な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板と、
　前記ＴＦＴ基板の下に配置された少なくとも１つの導電性電極と、
　前記複数のセンサ電極に結合される処理システムと、を備え、
　前記複数のセンサ電極のそれぞれは、表示更新及びキャパシタンス検出用に構成される少なくとも１つのコモン電極を備え、
　前記複数のセンサ電極及び前記ＴＦＴ基板は、前記入力面と前記少なくとも１つの導電性電極の間に配置され、
　前記入力面に力が加えられたとき、前記ＴＦＴ基板が湾曲して前記複数のセンサ電極が前記導電性電極の方に撓み、
　前記処理システムは、
　　前記複数のセンサ電極の少なくとも一部分の絶対キャパシタンスの変化を検出し、
　　前記絶対キャパシタンスの変化に基づいて入力オブジェクトのフォース情報を決定し、
　
前記複数のレシーバ電極から派生信号を受信している間、前記複数のセンサ電極をトランスミッタ信号で駆動し、
　
前記派生信号に基づいて前記入力面近くの入力オブジェクトの位置情報を決定するように構成される、
　「【請求項７】
　入力面と、複数のセンサ電極と、
前記複数のセンサ電極が設けられている層と異なる層に設けられている複数のレシーバ電極と、
　前記複数のセンサ電極を作動させるように構成され
、前記複数のレシーバ電極に結合され、前記複数のレシーバ電極から派生信号を受信する間、前記複数のセンサ電極をトランスミッタ信号で駆動するように構成された
　前記センサ回路に結合される処理回路と、を備え、
　前記複数のセンサ電極のそれぞれは、表示更新及びキャパシタンス検出用に構成される少なくとも１つのコモン電極を備え、
　前記処理回路は、
　　前記複数のセンサ電極の少なくとも一部分の絶対キャパシタンスの変化を検出し、
　　前記絶対キャパシタンスの変化に基づいて入力オブジェクトのフォース情報を決定するように構成され、
　　
前記派生信号に基づいて前記入力オブジェクトの位置情報を決定するように構成され、
　前記複数のセンサ電極と前記ＴＦＴ基板とは、前記入力面と少なくとも１つの導電性電極との間に配置され、
　前記入力面に力が加えられたとき、前記ＴＦＴ基板が湾曲して前記複数のセンサ電極が前記導電性電極の方に撓む、処理システム。」
　「【請求項１２】
　入力面と、キャパシタンス検出のための複数のセンサ電極と、
前記複数のセンサ電極が設けられている層と異なる層に設けられている複数のレシーバ電極と、
　前記複数のセンサ電極を作動させ、
　前記複数のセンサ電極の少なくとも一部分の絶対キャパシタンスの変化を検出し、
　前記絶対キャパシタンスの変化に基づいて入力オブジェクトのフォース情報を決定し、
　
前記複数のレシーバ電極から派生信号を受信している間、前記複数のセンサ電極をトランスミッタ信号で駆動し、
　
前記派生信号に基づいて前記入力面近くの入力オブジェクトの位置情報を決定し、
　前記複数のセンサ電極のそれぞれは、表示更新及び前記キャパシタンス検出用に構成される少なくとも１つのコモン電極を備え、
　前記複数のセンサ電極と前記ＴＦＴ基板とは、前記入力面と少なくとも１つの導電性電極の間に配置され、
　前記入力面に力が加えられたとき、前記ＴＦＴ基板が湾曲して前記複数のセンサ電極が前記導電性電極の方に撓む、方法。」
　また、本願発明２〜６は本願発明１を、本願発明８〜１１は本願発明７を、本願発明１３〜１６は本願発明１２を、それぞれ減縮した発明である。
第４　引用文献の記載、引用発明
　１　引用文献１、引用発明１
（１）原査定の拒絶の理由にて引用された引用文献１（国際公開第２０１４／０９２７５８号）には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審による。以下同様。）。
　「[0067] With reference to FIG. 3A, in one embodiment, 
a user contacts a device, such as when a user's finger 105, or other object, applies force
to
the input surface 12
　（当審訳：　[0067]　図３Ａを参照すると、一実施形態では、
ユーザの指105、又は他の物体が、装置の
入力面12
に力を印加する
ように、ユーザが装置に接触する。
　「[0070] In one embodiment, 
the display circuits 120 provide a display to the user
　（当審訳：　[0070]　一実施形態において、ＧＵＩ又はアプリケーションプログラムのディスプレイ等、
表示回路120がユーザに表示を提供する
　「[0072] In one embodiment, the device can include a compressible gap 135 or spacing layer that is part of a larger sensing gap 137 defining a distance between the two capacitive sensing elements 140a, 140b. For example, the compressible gap 135 can include an air gap, a gap at least partly filled with a compressible substance (such as a substance having a Poisson's ratio of less than about 0.48), or a gap at least partly filled with a compressible structure.
[0073] As shown in FIG. 3A, an applied force (shown with respect to the arrow) can cause the cover glass element 110 or other device element to exhibit surface flex. This can have the effect that one or more elements in the device are brought closer together in response to the applied force. As described herein, 
a force sensor detecting or measuring one or more capacitive changes can determine an amount and location of that applied force based on those capacitive changes.
[0074] In short, a force sensor may include one or more sensing elements, such as a capacitive sensor.
[0075] In one embodiment and returning to FIG. 3A, the compressible gap 135 or sensing gap can be positioned in one or more of several positions in the device. For some examples: (A) The compressible gap 135 can be positioned above the display circuits 120, such as below the cover glass element 1 10, below the adhesive layer 1 15, and above the display circuits 120; (B) the compressible gap 135 can be positioned below at least a portion of the display circuits 120, such as below a polarizer element, as described herein. In such cases, the polarizer can be a part of the display circuits; and (C) the compressible gap 135 can be positioned below the back light unit 125 and above the midplate 130. It should be appreciated that a compressible gap may be located elsewhere in the device, and so the foregoing are merely examples of locations.
[0076] In one embodiment, 
the force sensor can include one or more capacitance sensing elements 140a and 140b, disposed to determine an amount of capacitance change in response to surface flex.
capacitance sensing elements may be arranged
in an array
　（当審訳：　[0072]　一実施形態では、装置は、２つの静電容量検出素子140a、140bの間の距離を規定する、より大きな検出ギャップ137の一部である、圧縮可能なギャップ135又はスペーシング層を含み得る。例えば、圧縮可能なギャップ135は、空気ギャップ、圧縮可能な物質（例えばポアソン比が約0.48未満の物質）で少なくとも部分的に充填されたギャップ、又は、圧縮可能な構造体で少なくとも部分的に充填されたギャップを含み得る。
[0073]　図３Ａに示すように、加えられた力（矢印で示す）は、カバーガラス要素110又は他の装置要素に、表面屈曲を呈することをもたらし得る。これは、加えられた力に応答して、装置内の１つ又は複数の要素が互いに接近するという効果を有し得る。ここで記述されているとおり、
１つ又は複数の静電容量の変化を検知又は測定する力センサが、静電容量の変化に基づいて、加えられた力の量及び位置を決定することができる。
[0074]　要約すれば、力センサは、静電容量センサなどの、１つ又は複数の検出素子含み得る。
[0075]　一実施形態では、図３Ａに戻ると、圧縮可能なギャップ135又は検出ギャップは、装置における幾つかの位置のうちの１つ又は複数に配置され得る。ある例では：(A)圧縮可能なギャップ135は、カバーガラス要素110の下方、接着剤層115の下方、及び表示回路120の上方など、表示回路120の上方に配置され得る；(B)圧縮可能なギャップ135は、ここで記述されているとおり、偏光素子の下のような、表示回路120の少なくとも一部の下に配置され得る。そのような場合、偏光素子は、表示回路の一部であり得る；また、(C)圧縮可能なギャップ135は、バックライトユニット125の下方であって、中間プレート130の上方に配置され得る。圧縮可能なギャップは、装置における他の場所に配置されてもよいことが理解されるべきであり、それ故、上記は位置の例にすぎない。
[0076]　一実施形態では、
力センサは、表面屈曲に応答して静電容量の変化量を決定するために配置された１つ又は複数の静電容量検出素子140a、140bを含み得る。静電容量検出素子140a、140bは、ここで記述されているとおり、相互静電容量または自己静電容量の特徴のいずれかを含み得る。
静電容量検出素子は、アレイ状
配列されてもよい。
　「[0079] Generally, in one embodiment approximately 100 grams of 
force applied to the front of the cover glass may cause the sensing gap 137 between elements 140a and 140b to reduce in dimension
　（当審訳：　[0079]　一般的に、一実施形態では、
カバーガラスの前面に加えられる
力は、素子140aと140bとの間の検出ギャップ137に
寸法の減少をもたらし得る。
　「[0084] SELF-CAPACITANCE. It should be appreciated that 
either of the capacitive sensing elements 140a, 140b may be replaced with a ground or shield layer.
By replacing either of the capacitive sensing elements with a shield layer, the device may employ a self-capacitive force sensor.
The capacitive sensing element
may measure its capacitance with respect to the ground layer
[0084]自己静電容量。
静電容量検出素子140a、140bのいずれかは、接地又はシールド層で置換されてもよい
静電容量検出素子のいずれかをシールド層で置換することにより、装置は、自己静電容量性の力センサを利用し得る。
静電容量検出素
は、その容量を接地層
に関して測定し得る。
　（図３Ａ）
　「
」
（２）図３Ａから、表示回路120は板状であり、静電容量検出素子140aの上に配置されていることが見て取れる。ここで、通常、タッチパネル等に組み込まれる表示装置は基板を含んで構成されるから、表示回路120は基板を含むことが明らかである。
　また、同図から、静電容量検出素子140aが、カバーガラス要素110と静電容量検出素子140bとの間に配置されていることが見て取れる。
（３）上記（１）、（２）から、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「ユーザの指105又は他の物体が装置の入力面12に力を印加するように、ユーザが接触する装置であって、
　ユーザに表示を提供する表示回路120の基板が静電容量検出素子140aの上に配置され、
　１つ又は複数の静電容量の変化を検知又は測定する力センサが、静電容量の変化に基づいて、加えられた力の量及び位置を決定することができ、
　力センサは、表面屈曲に応答して静電容量の変化量を決定するために配置された１つ又は複数の静電容量検出素子140a、140bを含み、静電容量検出素子140a、140bは、相互静電容量または自己静電容量の特徴のいずれかを含み得るものであり、静電容量検出素子は、アレイ状に配列されてもよく、
　静電容量検出素子140aがカバーガラス要素110と静電容量検出素子140bとの間に配置され、カバーガラスの前面に加えられる力は、素子140aと140bとの間の検出ギャップ137に寸法の減少をもたらし、
　静電容量検出素子140a、140bのいずれかは、接地又はシールド層で置換されてもよく、静電容量検出素子のいずれかをシールド層で置換することにより、自己静電容量性の力センサを利用し得、静電容量検出素は、その容量を接地層に関して測定し得る、
　装置。」
　２　前置報告書で引用された文献、引用発明Ａ
（１）前置報告書では、特開２０１５−４１２８７号公報（以下、「前置引用文献」という。）が新たに引用された。当該公報には、図面とともに次の事項が記載されている。
　「【０００９】
＜第１実施形態＞
　本発明の静電容量式３次元センサ（以下、「３次元センサ」と略す。）の第１実施形態について説明する。
　図１に、本実施形態の３次元センサを示す。本実施形態の
３次元センサ１
Ｚ方向位置検出用電極体２０と、スペーサ３０と、ＸＹ方向位置検出用電極体４０と、保護層７０とを備える。
　【００１０】
　本実施形態の３次元センサ１では、指又はスタイラスペンを接触させる入力領域が矩形状にされている。本明細書では、入力領域の長手方向をＸ方向、入力領域の短手方向をＹ方向、Ｘ方向及びＹ方向に対して垂直な方向をＺ方向とする。
　また、本発明の３次元センサ１においては、保護層７０に指又はスタイラスペンが接触し、保護層７０側を「表側」又は「前面側」という。また、支持板１０側を「裏側」又は「裏面側」という。」
　「【００１２】
（Ｚ方向位置検出用電極体）
　Ｚ方向位置検出用電極体２０は、Ｚ方向の位置を検出する際に使用される電極体であって、支持板１０の表側の面１０ａに設けられている。
　本実施形態における
Ｚ方向位置検出用電極体２０は、
導電膜２２
を有する
　本発明において、「導電」とは、電気抵抗値が１ＭΩ未満であることを意味し、「絶縁」とは、電気抵抗値が１ＭΩ以上、好ましくは１０ＭΩ以上のことである。」
　「【００１９】
（スペーサ）
　
スペーサ３０は、Ｚ方向位置検出用電極体２０とＸＹ方向位置検出用電極体４０との間に配置され、弾性変形可能なものである。
　本実施形態におけるスペーサ３０は、Ｚ方向位置検出用電極体２０の表側の面２０ａに両面粘着テープ８０ａによって貼合されている。スペーサ３０の表側にはＸＹ方向位置検出用電極体４０が配置されている。
　
スペーサ３０を配置することによって、保護層７０を押圧していないときには、Ｚ方向位置検出用電極体２０とＸＹ方向位置検出用電極体４０とを容易に一定間隔にでき、保護層７０を押圧したときには、Ｚ方向位置検出用電極体２０とＸＹ方向位置検出用電極体４０との距離を容易に縮めることができる。」
　「【００２１】
（ＸＹ方向位置検出用電極体）
　ＸＹ方向位置検出用電極体４０は、Ｘ方向及びＹ方向の位置を検出する際に使用される電極体であって、スペーサ３０の表側に設けられている。本実施形態で使用される
ＸＹ方向位置検出用電極体４０は、一対の電極シート５０，６０が積層された積層シートである。
　
電極シート５０は
導電膜５２
を有する。
　基材シート５１としては、基材シート２１と同様のものを使用することができる。ただし、基材シート２１と同一のものとする必要はない。　絶縁膜５３としては、絶縁膜２３と同様のものを使用することができる。ただし、絶縁膜２３と同一のものとする必要はない。」
　「【００２５】
　本実施形態における
電極シート６０は、
導電膜６２
を有する。
　基材シート６１としては、基材シート２１と同様のものを使用することができる。ただし、基材シート２１と同一のものとする必要はない。
　絶縁膜６３としては、絶縁膜２３と同様のものを使用することができる。ただし、絶縁膜２３と同一のものとする必要はない。」
　「【００３０】
（使用方法）
　
３次元センサ１を、ノート型パーソナルコンピュータの静電容量式タッチパッドとして用いた使用例
　
パーソナルコンピュータの使用者は、モニタに表示されたポインタのＸ方向の位置及びＹ方向の位置を移動させるために、保護層７０の表面に沿って指を動かす。その際、
導電膜５２，６２を利用し、Ｘ方向における静電容量の変化、Ｙ方向における静電容量の変化を検出することによって、Ｘ方向及びＹ方向の指の位置を求める。
　
また、使用者は、
指で３次元センサ１の入力領域内を押圧して決定する。このとき、ＸＹ方向位置検出用電極体４０及び保護層７０は撓み、その撓みによってスペーサ３０が変形し、Ｚ方向位置検出用電極体２０とＸＹ方向位置検出用電極体４０の電極シート６０との距離が短くなる。その際の、導電膜２２と導電膜６２との間の静電容量の変化、すなわちＺ方向の静電容量の変化を検出し、その静電容量の変化から押圧量を求める。
　「【図１】
」
（２）上記（１）から、前置引用文献には次の発明（以下、「引用発明Ａ」という。）が記載されていると認められる。
　「Ｚ方向位置検出用電極体２０と、スペーサ３０と、ＸＹ方向位置検出用電極体４０と、保護層７０とを備える３次元センサ１であって、
　Ｚ方向位置検出用電極体２０は、導電膜２２を有し、
　スペーサ３０は、Ｚ方向位置検出用電極体２０とＸＹ方向位置検出用電極体４０との間に配置され、弾性変形可能なものであり、スペーサ３０を配置することによって、保護層７０を押圧していないときには、Ｚ方向位置検出用電極体２０とＸＹ方向位置検出用電極体４０とを容易に一定間隔にでき、保護層７０を押圧したときには、Ｚ方向位置検出用電極体２０とＸＹ方向位置検出用電極体４０との距離を容易に縮めることができ、
　ＸＹ方向位置検出用電極体４０は、一対の電極シート５０，６０が積層された積層シートであり、
　電極シート５０は、導電膜５２を有し、
　電極シート６０は、導電膜６２を有する、
　３次元センサ１を、静電容量式タッチパッドとして用いたノート型パーソナルコンピュータであって、
　パーソナルコンピュータの使用者は、モニタに表示されたポインタのＸ方向の位置及びＹ方向の位置を移動させるために、保護層７０の表面に沿って指を動かし、その際、導電膜５２，６２を利用し、Ｘ方向における静電容量の変化、Ｙ方向における静電容量の変化を検出することによって、Ｘ方向及びＹ方向の指の位置を求め、
　また、使用者は、指で３次元センサ１の入力領域内を押圧して決定し、このとき、ＸＹ方向位置検出用電極体４０及び保護層７０は撓み、その撓みによってスペーサ３０が変形し、Ｚ方向位置検出用電極体２０とＸＹ方向位置検出用電極体４０の電極シート６０との距離が短くなり、その際の、導電膜２２と導電膜６２との間の静電容量の変化、すなわちＺ方向の静電容量の変化を検出し、その静電容量の変化から押圧量を求める、
ノート型パーソナルコンピュータ。」
第５　対比・判断
　１　本願発明１について
（１）対比
　ア　本願発明１と引用発明１とを対比する。
（ア）引用発明１の「装置」は、「ユーザの指105又は他の物体」が「入力面12に力を印加する」ものであり、「表示回路120」及び「静電容量の変化を検知又は測定する力センサ」を備えるから、「表示装置及びキャパシタンス検出装置」が「一体型」に構成されたものであるといえ、本願発明１の「入力面を有する一体型表示装置及びキャパシタンス検出装置」に相当する。
（イ）引用発明１の、
　「力センサは、表面屈曲に応答して静電容量の変化量を決定するために配置された１つ又は複数の静電容量検出素子140a、140bを含み、静電容量検出素子140a、140bは、相互静電容量または自己静電容量の特徴のいずれかを含み得るものであり、静電容量検出素子は、アレイ状に配列されてもよく、」
との構成及び
　「静電容量検出素子140a、140bのいずれかは、接地又はシールド層で置換されてもよく、静電容量検出素子のいずれかをシールド層で置換することにより、自己静電容量性の力センサを利用し得、静電容量検出素は、その容量を接地層に関して測定し得る、」
との構成に関し、「静電容量検出素子140a、140bのいずれか」のうちの「静電容量検出素子140b」を「接地又はシールド層」で「置換」した場合、「アレイ状に配列され」、「自己静電容量の特徴」を含む「静電容量検出素子140a」において、「その容量を接地層に関して測定」するものとなる。
　そして、「アレイ状に配列され」た「静電容量検出素子140a」は、本願発明１の「複数のセンサ電極」に相当し、「その容量を接地層に関して測定」することは、本願発明１の「前記複数のセンサ電極の少なくとも一部分の絶対キャパシタンスの変化を検出」することに相当する。
（ウ）引用発明１の
　「ユーザに表示を提供する表示回路120の基板が静電容量検出素子140aの上に配置され、」
との構成及び
　「力センサは、表面屈曲に応答して静電容量の変化量を決定するために配置された１つ又は複数の静電容量検出素子140a、140bを含み、静電容量検出素子140a、140bは、相互静電容量または自己静電容量の特徴のいずれかを含み得るものであり、静電容量検出素子は、アレイ状に配列されてもよく、
　静電容量検出素子140aがカバーガラス要素110と静電容量検出素子140bとの間に配置され、カバーガラスの前面に加えられる力は、素子140aと140bとの間の検出ギャップ137に寸法の減少をもたらし、」
との構成から、「表示回路120の基板」が「柔軟」であることが明らかである。具体的には、「表示回路120の基板」が「柔軟」であるが故に、当該「基板」の下の、「カバーガラス要素110と静電容量検出素子140bとの間に配置され」た「静電容量検出素子140a」が、「カバーガラスの前面に加えられる力」により「表面屈曲に応答」することが可能であり、「表示回路120の基板」が「湾曲」して「静電容量検出素子140a」が「静電容量検出素子140b」の「方に撓」むことで、「素子140aと140bとの間の検出ギャップ137に寸法の減少をもたら」すことが可能であるといえる。
　したがって、引用発明１の「表示回路120の基板」と本願発明１の「
前記複数のセンサ電極の下に配置された
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
（エ）上記（ウ）で述べた引用発明１の構成から、「静電容量検出素子140b」は「表示回路120の基板」の「下に配置された」ものであるといえる。また、上記（イ）の「接地又はシールド層」で「置換」した「静電容量検出素子140b」は、本願発明１の「少なくとも１つの導電性電極」に相当する。
　したがって、本願発明１の「前記
ＴＦＴ
（オ）上記（イ）で述べた、「自己静電容量の特徴」を含む「静電容量検出素子140a」において、「その容量を接地層に関して測定」することに関し、「測定」のために「静電容量検出素子140a」が「処理システム」に「結合され」ていることが明らかである。
　したがって、引用発明１は、本願発明１の「前記複数のセンサ電極に結合される処理システム」に相当する構成を備えている。
（カ）引用発明１において、「入力面12に力を印加する」ことと、「力」が「カバーガラスの前面に加えられる」こととは、同じ事項を指していることが明らかであり、上記（ウ）で検討した引用発明１の構成についてこの点を勘案すると、「静電容量検出素子140a」及び「表示回路120の基板」は、「入力面12」と「静電容量検出素子140b」との「間に配置され」ているといえる。
　この点について上記（イ）、（エ）も踏まえると、本願発明１の
　「前記複数のセンサ電極及び前記
ＴＦＴ
との構成に関して、引用発明１と本願発明１とは、
　「前記複数のセンサ電極及び前記基板は、前記入力面と前記少なくとも１つの導電性電極の間に配置され、」
という点で共通している。
（キ）上記（ウ）のとおり、引用発明１は、「静電容量検出素子140a」が、「カバーガラスの前面に加えられる力」により「表面屈曲に応答」することが可能であり、「表示回路120の基板」が「湾曲」して「静電容量検出素子140a」が「静電容量検出素子140b」の「方に撓」むものであるといえる。
　この点について上記（イ）〜（エ）、（カ）も踏まえると、本願発明１の
　「前記入力面に力が加えられたとき、前記
ＴＦＴ
との構成に関して、引用発明１と本願発明１とは、
　「前記入力面に力が加えられたとき、前記基板が湾曲して前記複数のセンサ電極が前記導電性電極の方に撓み、」
という点で共通している。
（ク）上記（イ）で述べた、「自己静電容量の特徴」を含む「静電容量検出素子140a」において、「その容量を接地層に関して測定」することにより得られる「容量」の「測定」結果は、引用発明１の
　「１つ又は複数の静電容量の変化を検知又は測定する力センサが、静電容量の変化に基づいて、加えられた力の量及び位置を決定することができ、」
との構成において用いられる「静電容量」であることが明らかである。
　また、「加えられた力の量」が「ユーザの指105又は他の物体が装置の入力面12に力を印加する」際のものであることも明らかである。
　したがって、引用発明１は、「自己静電容量の特徴」を含む「静電容量検出素子140a」により「測定」された「静電容量の変化に基づいて」、「ユーザの指105又は他の物体」の「加えられた力の量」を「決定」するといえる。
　そして、「静電容量」の「測定」に加えて、上記「決定」が、上記（オ）で述べた「処理システム」により行われることも明らかである。
　ここで、「自己静電容量の特徴」を含む「静電容量検出素子140a」により「測定」された「静電容量」、「ユーザの指105又は他の物体」、「加えられた力の量」は、それぞれ、本願発明１の「絶対キャパシタンス」、「入力オブジェクト」、「フォース情報」に相当する。
　以上の点について上記（イ）も踏まえると、引用発明１は、本願発明１の
　「前記処理システムは、
　　前記複数のセンサ電極の少なくとも一部分の絶対キャパシタンスの変化を検出し、
　　前記絶対キャパシタンスの変化に基づいて入力オブジェクトのフォース情報を決定し、」
との構成に相当する構成を備えている。
（ケ）引用発明１は、
　「１つ又は複数の静電容量の変化を検知又は測定する力センサが、静電容量の変化に基づいて、加えられた力の量及び位置を決定することができ、」
との構成を備えているから、引用発明１の「装置」は、「加えられた力」の「位置」を「決定するように構成され」たものであるといえる。
　また、上記（ク）を踏まえると、「加えられた力」の「位置」は、「入力面12」の「近く」の「ユーザの指105又は他の物体」の「位置」であるといえ、本願発明１の「前記入力面近くの入力オブジェクトの位置情報」に相当する。
　したがって、本願発明１の
　「
前記派生信号に基づいて
との構成に関して、引用発明１と本願発明１とは、
　「前記入力面近くの入力オブジェクトの位置情報を決定するように構成される、」
という点で共通している。
　イ　上記アから、本願発明１と引用発明１との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
　（一致点）
　「入力面を有する一体型表示装置及びキャパシタンス検出装置であって、
　複数のセンサ電極と、
　柔軟な基板と、
　前記基板の下に配置された少なくとも１つの導電性電極と、
　前記複数のセンサ電極に結合される処理システムと、を備え、
　前記複数のセンサ電極及び前記基板は、前記入力面と前記少なくとも１つの導電性電極の間に配置され、
　前記入力面に力が加えられたとき、前記基板が湾曲して前記複数のセンサ電極が前記導電性電極の方に撓み、
　前記処理システムは、
　　前記複数のセンサ電極の少なくとも一部分の絶対キャパシタンスの変化を検出し、
　　前記絶対キャパシタンスの変化に基づいて入力オブジェクトのフォース情報を決定し、
　前記入力面近くの入力オブジェクトの位置情報を決定するように構成される、一体型表示装置及びキャパシタンス検出装置。」
　（相違点１）
　本願発明１は、「前記複数のセンサ電極が設けられている層と異なる層に設けられている複数のレシーバ電極」を備えるとともに、
　「前記複数のレシーバ電極から派生信号を受信している間、前記複数のセンサ電極をトランスミッタ信号で駆動し、
　前記派生信号に基づいて前記入力面近くの入力オブジェクトの位置情報を決定するように構成される」
ものであるのに対し、引用発明１は、「レシーバ電極」を備えるものではなく、また、「加えられた力」の「位置」を「決定する」ために、「静電容量検出素子140a」を信号で駆動するものでもない点。
　（相違点２）
　本願発明１では、「柔軟な基板」が「前記複数のセンサ電極の下に配置された」ものであって、かつ「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板」であるのに対し、引用発明１では、「表示回路120の基板」は、「静電容量検出素子140aの上に配置され」たものであり、その種類が「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板」であると特定されるものではない点。
　（相違点３）
　本願発明１では、「前記複数のセンサ電極のそれぞれは、表示更新及びキャパシタンス検出用に構成される少なくとも１つのコモン電極を備え」るのに対し、引用発明１では、「静電容量検出素子140a」について「コモン電極を備え」ると特定されるものではない点。
（２）判断
　そこで、まず相違点１について検討する。
　引用発明Ａは、「ＸＹ方向位置検出用電極体４０」が「電極シート５０」及び「導電膜５２」を有する「３次元センサ１」を「静電容量式タッチパッドとして用いたノート型パーソナルコンピュータ」の「使用者」が、「モニタに表示されたポインタのＸ方向の位置及びＹ方向の位置を移動させるために、保護層７０の表面に沿って指を動かし、その際、導電膜５２，６２を利用し、Ｘ方向における静電容量の変化、Ｙ方向における静電容量の変化を検出することによって、Ｘ方向及びＹ方向の指の位置を求め」るとの構成を備えるものである。
　ここで、「保護層７０の表面」は、本願発明１の「入力面」に相当し、「指の位置」は、本願発明１の「前記入力面近くの入力オブジェクトの位置情報」に相当する。また、「電極シート５０」及び「導電膜５２」のいずれか一方と本願発明１の「センサ電極」とは、「第１の電極」という点で共通しており、「電極シート５０」及び「導電膜５２」のいずれか他方と本願発明１の「レシーバ電極」とは、「第２の電極」という点で共通している。
　しかしながら、「静電容量検出素子140a、140b」を備える引用発明１に、引用発明Ａの「導電膜５２，６２を利用し、Ｘ方向における静電容量の変化、Ｙ方向における静電容量の変化を検出することによって、Ｘ方向及びＹ方向の指の位置を求め」る構成を適用し、「静電容量検出素子140a、140b」に加えて「レシーバ電極」を備えるものとすることについて、動機付けが存在するということはできない。引用発明１は、「静電容量検出素子140a、140b」を備えることで、「静電容量の変化に基づいて」、「加えられた力の量」と「位置」の両方を「決定する」ことが可能なものであり、「位置」の「決定」のために、電極の個数を増加させる引用発明Ａを適用する必然性は見出せない。
　また、引用発明Ａは、本願発明１の「前記複数のレシーバ電極から派生信号を受信している間、前記複数のセンサ電極をトランスミッタ信号で駆動」することに相当する構成を備えていないから、仮に引用発明１に引用発明Ａを適用しても、相違点１に係る構成には至らない。
　よって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても引用文献１〜４に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　２　本願発明２〜１６について
　本願発明７，１２は、本願発明１に対応する、本願発明１とカテゴリ表現が異なる発明であり、相違点１に対応する発明特定事項を含む。
　また、本願発明２〜６は本願発明１を、本願発明８〜１１は本願発明７を、本願発明１３〜１６は本願発明１２を、それぞれ減縮した発明である。
　そうすると、本願発明２〜１６も本願発明１と同様の理由により、当業者であっても引用文献１〜４に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　３　引用発明Ａを主たる発明とした場合について
　原査定とは別に、引用発明Ａを主たる発明とした場合に、本願発明１が、引用発明Ａに基づいて（引用発明Ａにその他の発明や周知技術を適用することで）当業者が容易に発明をすることができたものであるか、という点についても検討しておく。
　本願発明１は、「前記複数のセンサ電極の下に配置された柔軟な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板」を備えるのに対し、引用文献２はそのような構成を備えるものとは特定されず、本願発明１と引用発明Ａとを対比した場合、少なくともこの点で両者は相違する。
　しかしながら、仮に、「センサ電極の下」に「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板」を備えた構成が周知技術であるとしても、これを引用発明Ａに適用することには阻害要因があると認められる。具体的には以下のとおりである。
　引用発明Ａは、上記１（２）で言及した構成に加えて、
　「使用者は、指で３次元センサ１の入力領域内を押圧して決定し、このとき、ＸＹ方向位置検出用電極体４０及び保護層７０は撓み、その撓みによってスペーサ３０が変形し、Ｚ方向位置検出用電極体２０とＸＹ方向位置検出用電極体４０の電極シート６０との距離が短くなり、その際の、導電膜２２と導電膜６２との間の静電容量の変化、すなわちＺ方向の静電容量の変化を検出し、その静電容量の変化から押圧量を求める」
との構成を備えるものであり、ここで、「導電膜６２」は、「導電膜５２，６２を利用し、Ｘ方向における静電容量の変化、Ｙ方向における静電容量の変化を検出する」こと、及び「導電膜２２と導電膜６２との間の静電容量の変化」を「検出」することに兼用されるといえる。
　一方、本願発明１において、「センサ電極」は、「フォース情報を決定」すること及び「位置情報を決定する」ことに兼用されるといえ、このことから、引用発明Ａの「導電膜６２」は、本願発明１にの「センサ電極」に相当する。
　しかしながら、「導電膜６２」の「下」に「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板」を配置した場合、「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板」が少なくとも「導電膜２２」と「導電膜６２」との間に位置することとなり、「導電膜２２と導電膜６２との間の静電容量の変化」の「検出」に影響することが明らかである。また、特に、「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板」を「導電膜５２」と「導電膜６２」との間に配置した場合は、「導電膜２２と導電膜６２との間の静電容量の変化」の「検出」に加えて、「導電膜５２，６２を利用し、Ｘ方向における静電容量の変化」の「検出」にも影響する。
　したがって、引用発明Ａに「センサ電極の下」に「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板」を備えた構成を適用することには阻害要因があると認められるから、本願発明１は、引用発明Ａに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明１〜１６は、当業者が引用文献１〜４に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものではない。したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。