【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４９７５６４７号「非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット」の特許無効審判事件についてされた平成２９年　３月２９日付け審決に対し、知的財産高等裁判所において審決取消しの判決（平成２９年（行ケ）第１００９６号、平成３０年　５月１５日判決言渡）があったので、さらに審理のうえ、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第４９７５６４７号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜６〕について訂正することを認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　特許第４９７５６４７号（以下、「本件特許」という。）は、平成１８年１２月２６日（優先権主張　平成１８年１月１３日、日本国）を国際出願日とする特許出願の請求項１〜６に係る発明について平成２４年４月２０日に設定登録されたものであり、その後、請求人田中貴金属工業株式会社から無効審判が請求されたものである。本件審判請求以後の手続の経緯は次のとおりである。
 　 
　平成２６年　９月１２日付け　本件審判請求
　　　　同年１２月１５日付け　答弁書（被請求人）
　平成２７年　３月３１日付け　審理事項通知書 
　　　　同年　５月１１日付け　口頭審理陳述要領書（請求人）
　　　　同年　５月１１日付け　口頭審理陳述要領書（被請求人）
　　　　同年　５月２５日付け　口頭審理陳述要領書（２）（請求人）
　　　　同年　５月２５日付け　口頭審理陳述要領書（２）（被請求人）
　　　　同年　６月　３日付け　審理事項通知書 
　　　　同年　６月　８日付け　口頭審理陳述要領書（３）（請求人）
　　　　同年　６月　８日付け　口頭審理陳述要領書（３）（被請求人）
　　　　同年　６月　８日　　　口頭審理 
　　　　同年　６月２２日付け　上申書（請求人）
　　　　同年　６月２２日付け　上申書（被請求人）
　平成２８年　６月　８日付け　上申書（被請求人）
　　　　同年　７月２１日付け　審決の予告 
　　　　同年　９月２６日付け　訂正請求書、意見書（被請求人）
　平成２９年　２月２８日付け　審理終結通知書
　　　　同年　３月　７日付け　上申書（請求人） 
　　　　同年　３月２９日付け　無効２０１４−８００１５７号の審決 
　　　　　　　　　　　　　　　（本件審判の請求は成り立たない。）
　　　　　　　　　　　　　　　（第一次審決）
　　　　同年　５月　１日　　　知財高裁出訴
　平成３０年　５月１５日　　　平成２９年(行ケ)第１００９６号判決言渡
　　　　　　　　　　　　　　　（審決取消）
　　　　同年１０月１０日付け　訂正請求申立書（被請求人）
　　　　同年１０月２３日付け　審理再開通知書
　　　　同年１１月　１日付け　訂正請求書、答弁書（被請求人）
　　　　同年１２月１２日付け　手続補正書（方式）（訂正請求書）（被請求人）
　平成３１年　１月２２日付け　証拠説明書（被請求人）
　　　　同年　２月１２日付け　上申書（請求人）
　　　　同年　２月１８日付け　弁駁書（請求人）
　　　　同年　３月２０日付け　審尋
　　　　同年　４月１８日付け　回答書（被請求人）
　　　　同年　４月２５日付け　回答書（請求人）
　令和　元年　８月　８日付け　手続補正書（方式）（訂正請求書）（被請求人）
第２　訂正請求について
１．訂正の内容  
　令和元年８月８日付け手続補正書及び平成３０年１２月１２日付け手続補正書により補正された、平成３０年１１月１日付け訂正請求書による訂正請求（以下、「本件訂正」という。）は、特許請求の範囲を訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり訂正後の請求項１〜６について訂正することを求めるものであって、以下の訂正事項１〜３からなるものである（以下、下線は当審が付した。）。 
　なお、本件訂正により、平成２８年９月２６日付け訂正請求書による訂正請求は、特許法第１３４条の２第６項の規定により、取り下げられたものとみなす。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１において、
「焼結体スパッタリングターゲットであって、前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円よりも小さいか、又は該仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子とからなり、」の記載を、
「焼結体スパッタリングターゲットであって、
前記非磁性材は６ｍｏｌ％以上含有され、
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての
であって、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子を含み、
（２）訂正事項２  
　特許請求の範囲の請求項２において、  
「前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は、」の記載を、「
Ｃｏ若しくはＦｅ又は双方を主成分とする材料の強磁性材の中に酸化物、窒化物、炭化物、珪化物から選択した１成分以上の材料からなる非磁性材の粒子が分散した材料からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、前記非磁性材は６ｍｏｌ％以上含有され、
「請求項１記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット」の記載を、
「
焼結体からなる
  
（３）訂正事項３  
　特許請求の範囲の請求項２において、
「非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての仮想円よりも小さいか、又は仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子とからなり、」の記載を、
「非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての仮想円よりも小さいか、又は
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての
であって、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子を含み、
　本件訂正請求は、一群の請求項〔１〜６〕に対して請求されたものである。
２．訂正の目的
（１）訂正事項１
　まず、「
前記非磁性材は６ｍｏｌ％以上含有され、
　次に、訂正前の「該仮想円」を訂正後は「
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての
　さらに、「
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子を含み、
（２）訂正事項２
　まず、訂正前の「請求項１記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット」の記載を、「
焼結体からなる
Ｃｏ若しくはＦｅ又は双方を主成分とする材料の強磁性材の中に酸化物、窒化物、炭化物、珪化物から選択した１成分以上の材料からなる非磁性材の粒子が分散した材料からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、
　次に、「
前記非磁性材は６ｍｏｌ％以上含有され、
（３）訂正事項３
　まず、訂正前の「仮想円」を訂正後は「
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての
　次に、「
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子を含み、
（４）まとめ
　以上のとおり、訂正事項１〜３に係る本件訂正は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号、第３号及び第４号に規定された事項を目的とするものである。
３．新規事項の追加の有無について 
　本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）には以下のア〜ウの記載がある。 
  
 ア　「【技術分野】 
　【０００１】 
　本発明は、非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットに関し、特にスパッタリングによって膜を形成する際に、安定した直流（DC）スパッタリングが可能で最適な成膜速度が得られ、スパッタ時のアーキングが少なく、これに起因して発生するパーティクル（発塵）やノジュールを低減でき、且つ高密度で品質のばらつきが少なく量産性を向上させることのできる非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットに関する。 
【背景技術】 
　【０００２】 
　磁気記録の分野では、磁性体薄膜中に非磁性材料を共存させることにより磁気特性を向上する技術が開発されている。その例として、磁性材薄膜中に非磁性材料の微粒子を存在させることにより、透磁率などの軟磁気特性を向上させるものや、磁性体薄膜材料中の金属微粒子間の磁気的相互作用を非磁性材料により遮断、または弱めることにより保磁力など磁気記録媒体としての各種特性を向上させるものなどがある。 
　このような薄膜材料は通常スパッタリングにより作製されるが、絶縁性若しくは高抵抗である非磁性材料と低抵抗である金属からなる強磁性材料とを同時にスパッタリングする必要がある。 
　【０００３】 
　スパッタリング法とは、正の電極となる基板と負の電極となるターゲットを対向させ、不活性ガス雰囲気下で、該基板とターゲット間に高電圧または高周波を印加して電場を発生させるものである。 
　この時、不活性ガスが電離し、電子と陽イオンからなるプラズマが形成され、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負の電極）表面に衝突してターゲット構成原子を叩き出されるが、この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形成されるという原理を用いたものである。 
　一般的なスパッタリング法としては、RF（高周波）スパッタリング法とDC（直流）スパッタリング法があるが、上記のように抵抗の大きく異なる材料を同時にスパッタリングするためには、絶縁体がスパッタリングできるRFスパッタリング法が使用される場合が多い。 
　【０００４】 
　ところが、このRF（高周波）スパッタリング装置は、装置自体が高価であるばかりでなく、スパッタリング効率が悪く、電力消費量が大きく、制御が複雑であり、成膜速度も遅いという多くの欠点がある。また、成膜速度を上げるため、高電力を加えた場合、基板温度が上昇し、基板及び成膜材料の変質を起こすなどの問題がある。 
　もう一方のDCスパッタリング法は、RFスパッタリング法と比べて、消費電力が少なく、高速成膜が可能であり、装置価格も低いため、量産性に優れるという特徴をもつ。また、プラズマが基板に与える影響が少ないため一般的には高品質の膜が作製できるとされる。 
　したがって、非磁性材と強磁性材を同時にスパッタリングするためのスパッタリングターゲットにおいても、極力DCスパッタリングが可能となるような工夫がなされる。DCスパッタリング法を用いる場合、ターゲット自体が導電性を備えていることが必要となる。 
　【０００５】 
　ターゲットが導電性を備えていたとしても、酸化物、珪化物等の非導電性材料が多量に含まれるターゲットは、ターゲットのバルク抵抗値が高くなるため、DCスパッタリングによる成膜が難しくなる。 
　そのため、酸化物等の非磁性材料を細かく球状に分散させた組織をもつスパッタリングターゲットの工夫がなされている。しかし、このような工夫がなされても、パーティクルが大量に発生するという問題があった。」 
 イ　「【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】 
　【０００７】 
　本発明は、スパッタリングによって膜を形成する際に、DCスパッタによる高速成膜が可能であり、さらにスパッタ時に発生するパーティクル（発塵）やノジュールを低減させ、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり高密度の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット、特に磁気記録層としての使用に最適であるスパッタリングターゲットを得ることを目的とする。 
【課題を解決するための手段】 
　【０００８】 
　上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、非磁性材粒子分散の形態を調整し、導電性を保有させてDCスパッタを可能とし、かつ密度を高め、さらにスパッタ時に発生するパーティクルやノジュールを大幅に低減できるとの知見を得た。」 
　【０００９】
　このような知見に基づき、本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、強磁性材の中に非磁性材の粒子が分散した材料の研磨面で観察される組織中の非磁性材全粒子は、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径2μmの全ての仮想円よりも小さいか、又は該仮想円と強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法を備えていることを特徴とするものである。
　すなわち、非磁性材料粒子内の任意の点に中心を持つ半径2μmの仮想円が、界面との間に接点又は交点を一箇所も持たずに、非磁性材料粒子に内包されるような粗大化した粒子は、本願発明には含まれない。
　上記条件を満たせば、非磁性材料粒子の形状、および大きさに特に制限はない。たとえば、長さが2μm以上ある紐状や細かく枝分かれしたような形態であっても、上記条件を満たせば、目的の効果を得る事ができる。
　球状の場合は、直径が4.0μm以下となる。このような微細粒子は、パーティクルの発生には殆んど影響しない。
　【００１０】
　
強磁性材の中に分散した非磁性材の粒子は、必ずしも球状である必要はない。球状よりもむしろ紐上又はヒトデ状若しくは網目状が望ましいとすら言える。研磨面で観察される大型の球状物は脱粒を起こし易く、かつ脱粒した場合にパーティクル発生量はその影響を強く受けるからである。
　表面の研磨で観察される紐状又はヒトデ状若しくは網目状組織は、当然ながらターゲットの厚み方向にも存在している。このように、ターゲットの厚み方向に結合した紐状又はヒトデ状若しくは網目状組織は、脱粒を起こすことが少なくなる。また、
強磁性材料と酸化物等の非磁性材料との接触面積の増加は、脱粒防止に効果がある。したがって、紐上又は網目状の幅が小さく、かつ分散していることが望ましい
　本願発明の、
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径1μmの全ての仮想円よりも小さいか、又は該仮想円と強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有するという規定は、このような紐状又はヒトデ状若しくは網目状組織を包含する
　【００１１】 
　本願発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、さらに非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径1μmの全ての仮想円よりも小さいか、又は該仮想円と強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有するのが望ましい。これは、より微細な組織を狙うものである。 
　さらに、本願発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、材料の研磨面で観察される非磁性材の粒子が存在しない領域の最大径が40μm以下で、かつ直径10μm以上の部分が1000個/mm2以下であることが望ましい。これは、強磁性材のみの部分がターゲット表面に露出して偏析しないことが望ましいことを意味する。すなわち非磁性材粒子の均一性確保のためである。 
　【００１２】 
　本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、強磁性材がCo若しはFe又は双方を主成分とする材料に、特に有効である。また、本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、非磁性材が酸化物、窒化物、炭化物、珪化物から選択した１成分以上の材料である場合に、特に有効であるが、非磁性材料は、強磁性材料の成分と共存した状態で、不活性雰囲気若しくは真空中で強熱しても還元または分解しないものが望ましい。これは、ターゲット製造時に還元または分解することにより、強磁性材の組成に影響を及ぼすものであってはならないからである。 
　本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、相対密度で97%以上、さらには相対密度で98%以上とすることができる。次の式で導き出される計算密度に対し、相対密度で97%以上、又は相対密度で98%以上とする。ターゲット密度は、合金組成に依存するので、真密度を計算することは困難である。したがって、次式１（数１）の計算密度を基準とすることにより、細かい組成の変更に対応することが可能となる。 
　【００１３】 
　　【数１】 
【発明の効果】 
　【００１４】 
　このように、調整したターゲットは、DCスパッタリングが可能となり、そしてDCスパッタリングはRFスパッタリングに比べ、成膜速度が速く、スパッタリング効率が良いという点で著しく優れている。また、DCスパッタリング装置は価格が安く、制御が容易であり、電力の消費量も少なくて済むという利点がある。 
　したがって、本発明のスパッタリングターゲットを使用することにより、品質の優れた材料を得ることができ、特に磁性材料を低コストで安定して製造できるという著しい効果がある。さらに、本発明のスパッタリングターゲットの密度向上は、非磁性材と強磁性材との密着性を高めることにより、非磁性材の脱粒を抑制することができ、また、空孔を減少させ結晶粒を微細化し、ターゲットのスパッタ面を均一かつ平滑にすることができるので、スパッタリング時のパーティクルやノジュールを低減させ、さらにターゲットライフも長くすることができるという著しい効果を有する。」
 ウ　「【発明を実施するための最良の形態】 
　【００１６】 
　本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットの製造に際しては、強磁性材として、例えばCo若しくはFe又は双方を主成分とする材料の1〜5μmの微粉と、非磁性材として酸化物、窒化物、炭化物、珪化物から選択した１成分以上の材料を使用する。これらの1〜5μmの微粉を20〜100時間程度、ボールミル等で混合した後、HP（ホットプレス）法を用いて1000〜1250°Cの温度で焼結する。 
　強磁性材の中に非磁性材の粒子が分散した焼結体の研磨面で観察される組織中の非磁性材全粒子の形状及び寸法は、上記原料粉の形状、混合時間、焼結温度によって調節することができるが、この条件は、強磁性材料と非磁性材料の組合せによっても大きくことなるが、上記条件の範囲により、任意に選択できる。 
　この製造条件の選択は、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径1μmの全ての仮想円よりも小さいか、又は該仮想円と強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法を備えるようにすることである。換言すれば、粒子の形状と寸法をこの条件に適合する条件にすることである。この条件に適合する粒子は、微細な球状の粒子か又は細い紐状あるいはヒトデ状若しくは網目状の粒子である場合が多いと言える。 
　【００１７】 
　磁性材料としては、アトマイズ粉を使用することもできる。また、磁性材料の個々の原料粉を使用するだけでなく、合金粉を使用しても良い。また、粉砕・混合は、ボールミルだけでなく、メカニカルアロイングを使用しても良い。さらに、焼結は、ホットプレスに限らず、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。 
　いずれにしても、強磁性材の中に非磁性材の粒子が分散した材料において、材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子が、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径2μmの全ての仮想円よりも小さいか、又は該仮想円と強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法にすることが条件であり、これを満足すれば、任意に選択することができる。 
　【００１８】 
　材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子が、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径2μmの全ての仮想円よりも小さいか、又は該仮想円と強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する具体例を示すと次の通りである。 
　例えば、球状の非磁性材の粒子であれば、図１の模式図の通りであり、図１の左は粒子の中に半径1μmの仮想円が包含される場合で、粗大化した粒子であり、本願発明には該当しない。図１の右が半径2μmの仮想円よりも粒子の半径が2.0μm以下である小さいサイズの粒子の場合であり、本願発明に含まれる。 
　このような微細粒子は、ターゲットのパーティクルの発生に特に問題となることはなく、また高密度のターゲットを得ることが可能である。 
　紐状の非磁性材の粒子であれば、図２の模式図の通りである。非磁性材料粒子の断面上任意の点から半径2μm以内の仮想円に入っていればその長さや曲がり方に制限は無い。細い紐状の粒子の場合には、本願発明の目的に添うものであり、特に問題とならないからである。 
　【００１９】 
　次に、網目状の粒子の模式図を、図３に示す。原則として前記細紐状の粒子と同様である。この場合は、網目の結節部が、粗大化して半径2μmの仮想円を超える場合があるが、この場合は本願発明の範囲外である。 
　表面の研磨で観察される紐状又はヒトデ状若しくは網目状組織は、当然ながらターゲットの厚み方向にも存在しているが、このようにターゲットの厚み方向に結合したヒトデ状若しくは網目状組織は、脱粒を起こすことが極めて少なくなるので、より好ましいと言える。また、ヒトデ状若しくは網目状の粒子とマトリックスとなる強磁性材料との接触面積の増加は、脱粒防止により効果があると言える。したがって、紐上又はヒトデ状若しくは網目状の幅が小さく、かつ分散していることが望ましいと言える。 
　【００２０】 
　その他の形状として、ひょうたん型の粒子形状も考えられる。その模式図を図４に示す。この場合もくびれた部分については特に問題とならないが、膨らんだ部分の半径が2.0μm以下とする必要がある。その意味では、球状の粒子と同様のことが言える。 
　さらに、本願発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、材料の研磨面で観察される非磁性材の粒子が存在しない領域においては、その領域の直径が10μm〜40μmの範囲にあり且つその個数が1000個/mm2以下であることがより望ましい。これは、強磁性材のみがターゲット表面に偏析せず、すなわち非磁性材粒子が均一に分散していることが、成膜の条件としても望ましいためである。 
　以上より、本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、相対密度で97%以上、さらには相対密度で98%以上とすることができる。 
【実施例】 
　【００２１】 
　以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。 
　【００２２】 
（実施例１） 
　焼結原料粉末として、粒径がそれぞれ5μm未満のCo微粉、Cr微粉、Pt微粉の磁性材料を使用し、これに対して、平均粒径1μmのSiO2粉を用いた。これを94（74Co-10Cr-16Pt）-6 SiO2（mol%）となるように秤量し、これらを湿式ボールミルで100時間混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、ホットプレス法により、1200°Cで1時間焼結し、94（74Co-10Cr-16Pt）-6 SiO2からなる強磁性体材料のターゲットを得た。 
　このターゲットの相対密度は98％であり、高密度のターゲットが得られた。この結果を表１に示す。また、このターゲットの研磨面のSEM画像を図５に示す。図５に示すように、細紐状の微細なSiO2粒子が分散していた。
　この場合の、非磁性材であるSiO2粒子内の任意の点から界面に向けて垂線を下ろした場合の、界面までの距離は1μm以下の範囲内にあった。すなわち、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径1μmの全ての仮想円よりも小さいか、又は該仮想円と強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法を備えるという本願発明の条件を満たしていた。
　【００２３】 
　Co-Cr-Ptからなる強磁性材の中に非磁性材であるSiO2の粒子が分散した材料において、研磨面で観察されるSiO2の粒子が存在しない領域、すなわち強磁性材のみの領域の直径10μm以上の部分は32個/mm2であった。この結果を表１に示す。この個数は、非常に少ない量であり、偏析が少なく、均一性に優れたターゲットが得られていることが確認できた。 
　次に、これを6インチφサイズに加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、DCスパッタ、スパッタパワー1000W、Arガス圧0.5Paとし、目標膜厚500Åで成膜した。パーティクルの発生状況を同様に表１に示す。表１から明らかなように、パーティクルの発生は非常に少なかった。 
　【００２４】 
　　【表１】 
　【００２５】 
（実施例２） 
　焼結原料粉末として、粒径がそれぞれ5μm未満のCo微粉、Cr微粉、Pt微粉の磁性材料を使用し、これに対して、平均粒径1μmのTa2O5粉を用いた。これを97（74Co-10Cr-16Pt）-3Ta2O5（mol%）となるように秤量し、これらをボールミルで60時間混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、ホットプレス法により、1200°Cで1時間焼結し、97（74Co-10Cr-16Pt）-3Ta2O5（mol%）からなる強磁性体材料のターゲットを得た。 
　このターゲットの相対密度は98％であり、高密度のターゲットが得られた。この結果を表１に示す。また、このターゲットの研磨面のSEM画像を図６に示す。図６に示すように、擬似球状の微細なTa2O5粒子が分散していた。 
　この場合の、非磁性材であるTa2O5粒子内の任意の点から界面に向けて垂線を下ろした場合の、界面までの長さは、2μm以下の範囲内にあった。すなわち、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径2μmの全ての仮想円よりも小さいか、又は該仮想円と強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法を備えるという本願発明の条件を満たしていた。 
　【００２６】 
　Co-Cr-Ptからなる強磁性材の中に非磁性材であるTa2O5の粒子が分散した材料において、研磨面で観察されるTa2O5の粒子が存在しない領域、すなわち強磁性材のみの領域の直径10μm以上の部分は19個/mm2であった。この結果を表１に示す。この個数は、非常に少ない量であり、偏析が少なく、均一性に優れたターゲットが得られていることが確認できた。 
　次に、これを6インチφサイズに加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、DCスパッタ、スパッタパワー1000W、Arガス圧0.5Paとし、目標膜厚500Åで成膜した。パーティクルの発生状況を同様に表１に示す。表１から明らかなように、パーティクルの発生は非常に少なかった。
　【００２７】 
（実施例３） 
　焼結原料粉末として、粒径がそれぞれ5μm未満のCo微粉、Cr微粉、Pt微粉の磁性材料を使用し、これに対して、平均粒径1μmの市販のCr2O3粉を用いた。これを94（74Co-10Cr-16Pt）-8 Cr2O3（mol%）となるように秤量し、これらをボールミルで100時間混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、ホットプレス法により、1200°Cで1時間焼結し、94（74Co-10Cr-16Pt）-8 Cr2O3（mol%）からなる強磁性体材料のターゲットを得た。 
　このターゲットの相対密度は98％であり、高密度のターゲットが得られた。この結果を表１に示す。また、このターゲットの研磨面のSEM画像を図７に示す。図７に示すように、紐状の微細なCr2O3粒子が分散していた。
　この場合の、非磁性材であるCr2O3粒子の任意の点から界面に向けて垂線を下ろした場合の、界面まで長さは、2μm以下の範囲内にあった。すなわち、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径2μmの全ての仮想円よりも小さいか、又は該仮想円と強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法を備えるという本願発明の条件を満たしていた。
　【００２８】 
　Co-Cr-Ptからなる強磁性材の中に非磁性材であるCr2O3の粒子が分散した材料において、研磨面で観察されるCr2O3の粒子が存在しない領域、すなわち強磁性材のみの領域の直径10μm以上の部分は20個/mm2であった。この結果を表１に示す。この個数は、非常に少ない量であり、偏析が少なく、均一性に優れたターゲットが得られていることが確認できた。 
　次に、これを6インチφサイズに加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、DCスパッタ、スパッタパワー1000W、Arガス圧0.5Paとし、目標膜厚500Åで成膜した。パーティクルの発生状況を同様に表１に示す。表１から明らかなように、パーティクルの発生は非常に少なかった。 
　【００２９】 
（比較例１） 
　焼結原料粉末として、粒径がそれぞれ5μm未満のCo微粉、Cr微粉、Pt微粉の磁性材料を使用し、これに対して、平均粒径1μmのSiO2粉を用いた。これを94（74Co-10Cr-16Pt）-6SiO2（mol%）となるように秤量し、これらをボールミルで10時間混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、ホットプレス法により、1200°Cで1時間焼結し、94（74Co-10Cr-16Pt）-6SiO2からなる強磁性体材料のターゲットを得た。 
　このターゲットの相対密度は97％であり、比較的密度の高いターゲットが得られた。この結果を表１に示す。また、このターゲットの研磨面のSEM画像を図８に示す。図８に示すように、平均粒径（直径）が5〜8μm程度の擬似球状の粗大なSiO2粒子が分散していた。 
　この場合の、強磁性体材料と非磁性材であるSiO2粒子内部の任意の点から半径1μmの仮想円を描いた場合に、該仮想円は粒子内部に包含され、界面との間に接点又は交点が存在しないものが多数存在していた。 
　【００３０】 
　Co-Cr-Ptからなる強磁性材の中に非磁性材であるSiO2の粒子が分散した材料において、研磨面で観察されるSiO2の粒子が存在しない領域、すなわち強磁性材のみの領域の直径10μm以上の部分は300個/mm2であった。この結果を表１に示す。この個数は、実施例に比べ非常に多い量であり、偏析が大きく、均一性に劣るターゲットが得られた。 
　次に、これを6インチφサイズに加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、DCスパッタ、スパッタパワー1000W、Arガス圧0.5Paとした。しかし、このターゲットは異常放電が多く、パーティクル数は300個程度であった。 
　【００３１】 
（比較例２） 
　金属原料粉末として、74Co-10Cr-16Ptのアトマイズ粉（合金粉）と平均粒径1μmのSiO2粉を用いた。これを94（74Co-10Cr-16Pt）-6SiO2（mol%）となるように秤量し、これらをボールミルで100時間混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、ホットプレス法により、1200°Cで1時間焼結し、94（74Co-10Cr-16Pt）-6SiO2からなる強磁性体材料のターゲットを得た。 
　このターゲットの相対密度は96％であり、比較的密度の低いターゲットが得られた。この結果を表１に示す。また、このターゲットの研磨面のSEM画像を図９に示す。図９に示すように、非常に大きな強磁性材粒子の粒界にSiO2が分散した層が存在していた。 
　この場合の、強磁性体材料と非磁性材であるSiO2粒子内の任意の点から界面方向に引いた垂線の長さは15〜30μmの範囲内にあった。 
　この場合、非磁性材料粒子内の任意の点から半径2μmの仮想円を描いた場合に、該仮想円と界面との間に接点又は交点が存在せず、殆んどが粒子内部に包含されていた。これは、本願発明の条件を満たしていなかった。 
　【００３２】 
　Co-Cr-Ptからなる強磁性材の中に非磁性材であるSiO2の粒子が分散した材料において、研磨面で観察されるSiO2の粒子が存在しない領域、すなわち強磁性材のみの領域の直径10μm以上の部分は3000個/mm2以上であった。この結果を表１に示す。この個数は、実施例に比べ極めてに多い量であり、偏析が大きく、均一性に劣るターゲットが得られた。 
　次に、これを6インチφサイズに加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、DCスパッタ、スパッタパワー1000W、Arガス圧0.5Paとした。このターゲットは異常放電が多く、パーティクル数は測定上限である3000個を大きく超えるものであった。」
（１）「
非磁性材は６ｍｏｌ％以上含有
　上記ア【０００５】、イ【０００７】等から、本件特許に係る発明は、酸化物、珪化物等の非導電性材料又は非磁性材料が多量に含まれる強磁性材ターゲットにおける、パーティクル（発塵）やノジュールを低減させることを課題としていると認められる。 
　そして、本件明細書等には、実施例１（上記ウ【００２２】等）に「94（74Co-10Cr-16Pt）-6SiO2からなる強磁性体材料のターゲット」（当該ターゲットにおける「非磁性材であるSiO2粒子」の含有量は６ｍｏｌ％（＝６／（９４＋６））と算出される。）が記載され、また、実施例３（上記ウ【００２７】等）に「94（74Co-10Cr-16Pt）-8 Cr2O3（mol%）からなる強磁性体材料のターゲット」（当該ターゲットにおける「非磁性材であるCr2O3粒子」の含有量は７．８４ｍｏｌ％（＝８／（９４＋８））と算出される。）が記載されている。 
　以上のことから、本件明細書等には、ターゲットが非磁性材を６ｍｏｌ％以上含有することが実質上記載されていると認められる。 
　なお、本件明細書には、実施例２（上記ウ【００２５】等）として「９７（７４Ｃｏ−１０Ｃｒ−１６Ｐｔ）−３Ｔａ２Ｏ５）（ｍｏｌ％）」というターゲットの記載があり、当該ターゲットにおける非磁性材の含有量は６ｍｏｌ％より少ない「３ｍｏｌ％」であるが、この実施例２は訂正後の本件特許に係る発明の範囲外となるものであることは明らかであって、上記認定と矛盾するものではない。 
　したがって、訂正事項１及び２に係る「前記非磁性材は６ｍｏｌ％以上含有され、」という事項は、本件明細書等に記載した事項の範囲内のものであると認められ、特許法第１３４の２第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
（２）非磁性材の全粒子は、「形状１」か、又は「形状２」の粒子であって、「形状２」を含む点、及び、「形状１’」か、又は「形状２’」の粒子であって、「形状２’」を含む点について
　前記２．（１）又は（３）に記載したように、上記の点は、非磁性材の全粒子が、「形状２」のみ、「形状１」及び「形状２」のみであること、又は「形状２’」のみ、「形状１’」及び「形状２’」のみであることを意味するところ、訂正前の非磁性材の全粒子は、「形状１」のみ、「形状２」のみ、「形状１」及び「形状２」のみであり、又は、「形状１’」のみ、「形状２’」のみ、「形状１’」及び「形状２’」のみであり、訂正事項１の全粒子の形状に関する訂正、又は訂正事項３の全粒子の形状に関する訂正は、それぞれ、「形状１」のみの場合、又は「形状１’」のみの場合を削除するものであるから、上記訂正事項は、新たな技術的事項を導入するものではない。
　また、上記（１）のとおり、本件特許に係る発明は、非磁性材料が多量に含まれる強磁性材ターゲットにおける、パーティクル低減等を課題とするものであるが、上記イ【００１０】には、研磨面で観察される大型の球状物は脱粒を起こし易く、かつ脱粒した場合にパーティクル発生量はその影響を強く受けるところ、ターゲットの厚み方向に結合した紐状又はヒトデ状若しくは網目状組織は、脱粒を起こすことが少なく、強磁性材料と酸化物等の非磁性材料との接触面積の増加は、脱粒防止に効果がある旨記載されている。そうすると、本件明細書等には、非磁性材料の粒子が、紐状又はヒトデ状若しくは網目状組織に対応する「形状２」又は「形状２’」の粒子を含むのが望ましいことが実質上記載されているといえる。
　したがって、訂正事項１に係る非磁性材の全粒子は、「形状１」か、又は「形状２」の粒子であって、「形状２」を含む点、又は、訂正事項３に係る非磁性材の全粒子は、「形状１’」か、又は「形状２’」の粒子であって、「形状２’」を含む点は、本件明細書等に記載した事項の範囲内のものであると認められ、特許法第１３４の２第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
（３）その他
　訂正事項１及び３の「仮想円」の意味するところを明確にしようとした点、訂正事項２の引用関係の解消に係る点については、本件明細書等に記載した事項の範囲内のものであることは自明である。
（４）まとめ
　以上のとおりであるから、訂正事項１〜３は、特許法第１３４の２第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
４．特許請求の範囲の拡張・変更について 
（１）特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正について
　訂正事項１〜３に含まれる特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正は、何れもが発明特定事項を直列的に付加するものであり、発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
　なお、請求人は、訂正事項１、３に関し、請求項１について、訂正前は全粒子が「形状１のみからなる」又は「形状２のみからなる」との発明特定事項であったところを、訂正後は全粒子が「形状２」を必ず含めばよく、「形状１」及びその他の粗大な粒子を含み得ることを発明特定事項とするから、訂正事項１は特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものであり、請求項２についての訂正事項３も同様である旨主張している（平成３１年４月２５日付け回答書９頁７行〜１０頁５行）。
　しかしながら、訂正前の請求項１は「全粒子は、・・・よりも小さい（形状１）か、又は・・・寸法の粒子（形状２）
とからなり
であって
全粒子
　したがって、請求人の主張は採用できない。
（２）その他の点の訂正について
　訂正事項１及び３の「仮想円」の意味するところを明確にしようとした点、訂正事項２の引用関係の解消に係る点については、明らかに、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
（３）まとめ
　よって、訂正事項１〜３は、特許法第１３４の２第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 
５．訂正請求についての小括 
　以上のとおり、本件訂正は、特許法第１３４条の２第１項ただし書並びに同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、結論のとおり訂正を認める。 
第３　本件訂正発明 
　上記第２のとおり訂正が認められるので、本件特許に係る発明は、本件訂正後の請求項１〜６に記載された以下のとおりのものと認められる。 
  
「【請求項１】 
　Ｃｏ若しくはＦｅ又は双方を主成分とする材料の強磁性材の中に酸化物、窒化物、炭化物、珪化物から選択した１成分以上の材料からなる非磁性材の粒子が分散した材料からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、
前記非磁性材は６ｍｏｌ％以上含有され、
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての
であって、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子を含み、
　【請求項２】 
　Ｃｏ若しくはＦｅ又は双方を主成分とする材料の強磁性材の中に酸化物、窒化物、炭化物、珪化物から選択した１成分以上の材料からなる非磁性材の粒子が分散した材料からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、
前記非磁性材は６ｍｏｌ％以上含有され、
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての
であって、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子を含み、
焼結体からなる
　【請求項３】 
　前記仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子は、紐状またはヒトデ状の粒子であることを特徴とする請求項１又は２記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。 
　【請求項４】 
　非磁性材料が、真空中もしくは不活性雰囲気中で金属Ｃｏ若しくは金属Ｃｒ又はその混合物若しくは合金とともに強熱しても還元若しくは分解しない金属酸化物からなる請求項１〜３のいずれかに記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。 
　【請求項５】 
　金属酸化物が、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｎｂから選択した１種以上の酸化物である請求項４に記載の非磁性粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。 
　【請求項６】 
　ＤＣスパッタリング用ターゲットであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」 
 （以下、それぞれ「本件訂正発明１」〜「本件訂正発明６」という。 
　なお、請求人は、訂正後の請求項１について、「非磁性材の全粒子は、（形状１）か、又は（形状２）の粒子であって、（形状２）の粒子を含み」は、（形状１）と（形状２）を択一的接続詞「又は」でつなげているため、非磁性材の全粒子の態様が（形状１）の場合を含み得ること、また、全粒子が（形状１）の粒子の場合、後段の「（形状２）の粒子を含み」との文言と一致せず、発明が不明確であること、訂正後の請求項２も同様であることを主張する（平成３１年２月１８日付け弁駁書４頁１行〜５頁下から４行）。
　しかしながら、非磁性材の全粒子が（形状１）の粒子と仮定した場合に、後段の「（形状２）の粒子を含み」との文言と一致しないことからすれば、訂正後の請求項１の発明特定事項において、（形状１）と（形状２）を択一的接続詞「又は」でつなげていても、非磁性材の全粒子の態様が（形状１）である場合については含み得ないのが明らかであるから、上記のとおりの訂正後の請求項１に係る発明が不明確とはいえず、訂正後の請求項２に係る発明についても同様に不明確であるとはいえないから、この主張は採用できない。
第４　当事者の請求及び主張 
１．請求人の請求及び主張 
（１）請求人は、審判請求書において、「特許第４９７５６４７号の請求項１〜６に係る発明についての特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする。」との審決を求めた。 
  
（２）証拠 
（以下において、証拠は略記して、例えば「甲第１号証」を「甲１」のように表記する。） 
　請求人が提出した証拠は、以下のとおりである。 
甲１：特願平８−２６８０２３号の願書に最初に添付した明細書及び図面 
甲２：特開平１０−８８３３３号公報 
甲３：甲１の実施例１の実験成績報告書 
甲４：特開２００４−３３９５８６号公報 
甲５：特開２００１−２３６６４３号公報 
甲６：特開２００６−１７６８１０号公報 
甲７：特開２００５−２７６３６３号公報 
甲８：特開２００５−３５３１４０号公報 
甲９：特開２００３−９９９１７号公報 
甲１０：特開２００６−３０７３４５号公報 
甲１１：本件特許の審査段階で提出された平成２３年５月１６日付の早期審査に関する事情説明書 
甲１２：平成２５年（ワ）第３３６０号事件（平成２７年９月２９日判決言渡）において東京地方裁判所民事第４６部Ｄ係に被請求人が平成２５年１２月２日付で提出した原告準備書面（４） 
甲１３：平成２５年（ワ）第３３６０号事件（平成２７年９月２９日判決言渡）において東京地方裁判所民事第４６部Ｄ係に被請求人が平成２６年３月７日付で提出した原告準備書面（５） 
甲１４：平成２５年（ワ）第３３６０号事件（平成２７年９月２９日判決言渡）において東京地方裁判所民事第４６部Ｄ係に請求人が平成２５年１０月１１日付で提出（同７日作成）した陳述書（２）
甲１５：「メカニカルアロイングによる分散強化型合金」逢坂達吉・森田幹郎　金属Metals  technology VOL.52, No.10, OCTOBER, 1982 p22-26
甲１６：「粉末冶金の科学」三浦秀士監修　内田老鶴圃 ２０１１年１１月２５日　ｐ８８−８９
甲１７：「焼結材料工学」石田恒雄著　森北出版株式会社　２０１１年８月１８日　ｐ９７−９９，１２１，１４２−１４５
  
　なお、甲１〜甲１１は、審判請求書とともに、甲１２〜甲１４は、平成２７年５月２５日付け口頭審理陳述要領書（２）とともに、甲１５〜甲１７は、平成３１年２月１８日付け弁駁書とともに、提出された。 
　甲１〜甲１４の成立について、当事者間に争いはない（第１回口頭審理調書　陳述の要領　被請求人３）。
　また、参考資料として、平成３１年２月１２日付け上申書とともに、知財高裁平成２９年（行ケ）第１００９６号審決取消請求事件において提出されていた、甲２２〜甲６４が当審の求めに応じて提出されている（各証拠の表示は省略）。
  
（３）請求人の主張の概要は、以下のとおりである。 
　なお、無効理由３、４は取り下げられた。（第１回口頭審理調書　陳述の要領　請求人２） 
  
［無効理由１］ 
　本件特許の請求項１〜６に係る発明（以下「本件発明１〜６」という。）は、甲１によって公知となった発明であるか（特許法第２９条第１項第１号に該当）、又は甲２に記載された発明である（特許法第２９条第１項第３号に該当）。 
　したがって、本件発明１〜６の特許は、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とされるべきである。 
  
［無効理由２］ 
　本件発明１〜６は、甲１によって公知となった発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである（特許法第２９条第２項）。 
　したがって、本件発明１〜６の特許は、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とされるべきである。 
  
［無効理由５］ 
　本件発明１〜６は、甲６に開示されている発明と同一である（特許法第２９条の２）。 
　したがって、本件発明１〜６の特許は、特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とされるべきである。 
  
［無効理由６］ 
　本件発明１〜６について、サポート要件（特許法第３６条第６項第１号）違反である。 
　したがって、本件発明１〜６の特許は、特許法第１２３条第１項第４号の規定により無効とされるべきである。 
  
２．被請求人の請求 
（１）被請求人は、「本件審判の請求は成り立たない。審判費用は請求人の負担とする。」との審決を求めた。 
  
（２）証拠 
　被請求人が提出した証拠は、以下のとおりである。 
乙１：知的財産高等裁判所平成２７年（ネ）第１０１２５号特許権侵害差止請求控訴事件判決（平成２８年４月１３日判決言渡）に対する上告受理申立書
乙２〜乙１３：（各証拠の表示は省略）
  
　なお、乙１は、平成２８年６月８日付け上申書とともに提出されたものである。
　また、乙２〜乙１３は、当審の求めに応じて平成３１年１月２２日付け証拠説明書とともに提出されたものであり、知財高裁平成２９年（行ケ）第１００９６号審決取消請求事件において提出されていた乙１〜乙１２にそれぞれが対応している。 
第５　当審の判断 
１．本件訂正発明について 
　本件訂正発明１〜６は、上記第３のとおりであるが、それぞれ以下の構成要件（以下、それぞれ「構成要件１Ａ」などという。）に分説できる。 
  
「【請求項１】 
１Ａ　Ｃｏ若しくはＦｅ又は双方を主成分とする材料の強磁性材の中に酸化物、窒化物、炭化物、珪化物から選択した１成分以上の材料からなる非磁性材の粒子が分散した材料からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、
１Ｆ　
前記非磁性材は６ｍｏｌ％以上含有され、
１Ｂ　前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円よりも小さいか、又は
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての
であって、
１Ｇ　
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子を含み、
１Ｃ　研磨面で観察される非磁性材の粒子が存在しない領域の最大径が４０μｍ以下であり、 
１Ｄ　直径１０μｍ以上４０μｍ以下の非磁性材の粒子が存在しない領域の個数が１０００個／ｍｍ２以下である 
１Ｅ　ことを特徴とする焼結体からなる非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。 
  
　【請求項２】 
２Ａ　Ｃｏ若しくはＦｅ又は双方を主成分とする材料の強磁性材の中に酸化物、窒化物、炭化物、珪化物から選択した１成分以上の材料からなる非磁性材の粒子が分散した材料からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、
２Ｆ　
前記非磁性材は６ｍｏｌ％以上含有され、
２Ｂ　前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての仮想円よりも小さいか、又は
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての
であって、
２Ｇ　
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子を含み、
２Ｃ　研磨面で観察される非磁性材の粒子が存在しない領域の最大径が４０μｍ以下であり、 
２Ｄ　直径が１０μｍ以上４０μｍ以下の非磁性材の粒子が存在しない領域の個数が１０００個／ｍｍ２以下である 
２Ｅ　ことを特徴とする
焼結体からなる
  
　【請求項３】 
３Ａ　前記仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子は、紐状またはヒトデ状の粒子である 
３Ｂ　ことを特徴とする請求項１又は２記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。 
  
　【請求項４】 
４Ａ　非磁性材料が、真空中もしくは不活性雰囲気中で金属Ｃｏ若しくは金属Ｃｒ又はその混合物若しくは合金とともに強熱しても還元若しくは分解しない金属酸化物からなる 
４Ｂ　請求項１〜３のいずれかに記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。 
  
　【請求項５】 
５Ａ　金属酸化物が、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｓｉ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｎｂから選択した１種以上の酸化物である 
５Ｂ　請求項４に記載の非磁性粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。 
  
　【請求項６】 
６Ａ　ＤＣスパッタリング用ターゲットである 
６Ｂ　ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」 
  
  
２．証拠の記載事項 
（１）甲１（特願平８−２６８０２３号の願書に最初に添付した明細書及び図面） 
　甲１に係る特願平８−２６８０２３号は、平成８年９月１８日に出願された特許出願であり、本件特許の優先日前の平成１０年４月７日に出願公開され（特開平１０−８８３３３号公報、甲２）、同日以降、甲１の内容は、何人も特許庁において閲覧することができる状態にあったと認められ、それにより公然知られたものとなったといえる。 
  
　甲１には、以下のア〜クの記載がある。
  
 ア「 【０００１】 
　　【産業上の利用分野】 
　本発明は、ハードディスク用の高密度面内磁気記録媒体をスパッタリングを用いて製造するのに適したスパッタリングターゲットに関し、特に詳しくは酸化物分散型Ｃｏ系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法に関する。」 
  
 イ「 【０００４】 
　これらのＣｏ系合金磁性膜の高保磁力化は、理論的には、磁性膜を構成する結晶粒子を更に微細化すること、およびその結晶粒界に非磁性相を分散させること、により達成できる。また、これらのＣｏ系合金磁性膜のノイズは結晶粒子間に働く交換相互作用の影響により生じるため、Ｃｏ系合金磁性膜の結晶粒界に非磁性相を分散させることは各々の結晶粒子間に働く交換相互作用を弱める作用があり、ノイズ低減につながると考えられる。
　したがって、Ｃｏ系合金磁性膜をスパッタリングにより作製する際に、その結晶粒界に非磁性相を均質に分散することができればよい。そのための非磁性相としては酸化物、窒化物や炭化物などが考えられる。 
・・・・・・ 
　　　【０００９】 
　　【発明が解決しようとする課題】
　本発明の目的は、保磁力に優れ、媒体ノイズの少ないＣｏ系合金磁性膜をスパッタリング法によって形成するために、結晶組織が合金相とセラミックス相が均質に分散した微細混合相であるスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することにある。
　本発明の他の目的は、上記改善された磁性膜を得るための操作、取扱い易く、スパッタリング特性に優れたスパッタリングターゲットを提供することである。 
　　　【００１０】 
　　【課題を解決するための手段】
　本発明者らは、Ｃｏ系合金磁性膜の結晶粒界に非磁性相を均質に分散させれば、保磁力の向上とノイズの低減が改善されたＣｏ系合金磁性膜が得られることから、そのような磁性膜を得るためには、使用されるスパッタリングターゲットの結晶組織が合金相とセラミックス相が均質に分散した微細混合相であればよいことに着目した。
　そして、本発明者らは、セラミックス相として酸化物が均質に分散したＣｏ系合金磁性膜を製造する方法について種々の実験、研究開発を行った。 
・・・・・・ 
　　　【００１２】 
　・・・本発明者らは結局、下記の事項を見い出すに至った。本発明はこれらの知見に基づいてなされたものである。 
 ＜１＞（審決注：「＜１＞」は「丸囲いの数字の１」を表す。以下、同様。）アトマイズ法やメルトスピン法などの急冷凝固法を用いることによりＣｏ系合金粉末が作製できる。また得られたＣｏ系合金粉末は、酸化が著しく少なく、またこの粉末と酸化物とを混合した後、モールドに入れてホットプレスすると酸化物が分散したＣｏ系合金ターゲットが製造できる。 
　　　【００１３】 
 ＜２＞急冷凝固法で作製したＣｏ系合金粉末と酸化物とをメカニカルアロイングすると、酸化物がＣｏ系合金粉末中に均質に分散した組織を有する複合合金粉末が得られ、この粉末をモールドに入れてホットプレスすると非常に均質な酸化物分散型Ｃｏ系合金ターゲットが製造できる。 
 ＜３＞酸化物の代わりに、窒化物や炭化物を用いても同様に、窒化物や炭化物がＣｏ系合金粉末中に均質に分散した窒化物分散型Ｃｏ系合金ターゲットや炭化物分散型Ｃｏ系合金ターゲットが製造できる。」 
  
 ウ「 【００１５】 
　　【実施例】 
・・・・・・ 
実施例１
　Ｃｏ８２Ｃｒ１３Ｔａ５合金１．５ｋｇを・・・アトマイズすることにより粉末とした。アトマイズはＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金を、底にノズルをもつアルミナるつぼ中に入れアルゴン雰囲気中で・・・約１６００℃の温度で溶湯した後、その溶湯をノズルより落下して溶湯流とし、その溶湯流にアルゴンガスを・・・噴射することにより行なった。・・・得られたアトマイズ粉末（１５０μｍ以下）に酸化物として３重量％のＳｉＯ２の粉末を混合した後、ボールミルによりメカニカルアロイングを施した。メカニカルアロイング条件は、ボールと試料の重量比を４０：１とし、アルゴン雰囲気中で９６時間行った。 
 　・・・この酸化物が分散したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末を直径４インチのカーボン型中に入れ、真空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃｍ２でホットプレスを施し、ターゲットを作製した。 
　　　【００１６】 
　このようにして作製したターゲットには、ひびや割れなどは見られなかった。ホットプレスにより作製したターゲットはアルキメデス法で測定したところ約９８％の高い相対密度をもつ。 
　図１にホットプレスにより作製したターゲットの断面組織写真を示す。これによれば、微細な黒い点（ＳｉＯ２）が均質に分布しているのが観察され、また、空孔やひびなどは観察されない。以上の結果より、このターゲットの組織はＳｉＯ２がＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金中に分散した微細混合相からなっていることがわかった。」 
  
 エ「 【００１７】 
実施例２
　実施例１で使用したと同様のＣｏ８２Ｃｒ１３Ｔａ５合金アトマイズ粉末（１５０μｍ以下）１．５ｋｇに酸化物として３重量％のＳｉＯ２の粉末を添加し、Ｖ型混合器で１時間混合した後、直径４インチのカーボン型中に入れ、真空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃｍ２でホットプレスを施し、ターゲットを作製した。 
　　　【００１８】 
　このようにして作製したターゲットには、大きなひびや割れなどは見られなかった。ホットプレスにより作製したターゲットはその相対密度をアルキメデス法で測定したところ約９６％の高い相対密度である。 
　図２にホットプレスにより作製したターゲットの断面組織写真を示す。この断面組織写真は大きな白い球状の組織（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金）のまわりを黒い部分（ＳｉＯ２）が取り囲んで分布しているのが観察され、また空孔やひびなどは観察されない。 
　以上の結果より、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末と酸化物を混合した後ホットプレスすることにより作製したターゲットの組織は、酸化物（ＳｉＯ２）がＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末の粒界に分散した組織からなっていた。 
　　　【００１９】 
実施例３
　実施例１で使用したと同様のＣｏ８２Ｃｒ１３Ｔａ５合金アトマイズ粉末（１５０μｍ以下）１．５ｋｇに酸化物として３重量％のＳｉＯ２の粉末を混合した後、ボールミルによりメカニカルアロイングを施した。メカニカルアロイング条件は、ボールと試料の重量比を４０：１とし、アルゴン雰囲気中で９６時間行った。得られた粉末を電子顕微鏡により組織観察したところ、酸化物が分散したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末になっていることがわかった。この酸化物が分散したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末を室温でプレスすることにより成形体を作製し、それを水素雰囲気中１３００℃で１時間焼結することによりターゲットを作製した。 
　　　【００２０】 
　このようにして作製したターゲットには、ひびや割れなどは見られず、その相対密度は約９５％であった。また、ターゲットの組織は、図１に示した組織とほぼ同様であった。このことにより、ホットプレスの代りに、冷間で成形した後、高温で焼結することによっても酸化物分散型Ｃｏ系合金ターゲットを製造するできることがわかった。 
　　　【００２１】 
実施例４
　Ｃｏ８２Ｃｒ１１Ｔａ４Ｐｔ３合金１．８ｋｇをガスアトマイズ装置により実施例１と同様の方法で粉末とした。アトマイズには６０ｋｇ／ｃｍ２の圧力のアルゴンガスを用いた。得られたアトマイズ粉末（１５０μｍ以下）に窒化物として３重量％のＳｉ３Ｎ４の粉末を混合した後、ボールミルによりメカニカルアロイングを施した。メカニカルアロイング条件は、ボールと試料の重量比を４０：１とし、アルゴン雰囲気中で９６時間行った。 
　得られた粉末の電子顕微鏡による組織観察を行ったところ、窒化物が分散したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金粉末になっていることがわかった。この窒化物が分散したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金粉末を直径３インチのカーボン型中に入れ、真空中１０００〜１１００℃で３００〜５００ｋｇ／ｃｍ２でホットプレスを施し、ターゲットを作製した。 
　　　【００２２】 
　このようにして作製したターゲットには、ひびや割れなどは見られず、その相対密度は約９８％であった。また、このターゲットの組織は、図１に示した酸化物（ＳｉＯ２）が分散した微細混合相とほぼ同様であった。このことにより、本製造プロセスで酸化物だけではなく窒化物も分散することができ、窒化物分散型Ｃｏ系合金ターゲットを製造できることがわかった。 
　　　【００２３】 
実施例５
　Ｃｏ７７Ｎｉ７Ｃｒ４Ｐｔ１２合金１．８ｋｇをガスアトマイズ装置により実施例１と同様の方法で粉末とした。アトマイズには６０ｋｇ／ｃｍ２の圧力のアルゴンガスを用いた。得られたアトマイズ粉末（１５０μｍ以下）に酸化物として３重量％のＺｒＯ２の粉末を混合した後、高エネルギーボールミルによりメカニカルアロイングを施した。メカニカルアロイング条件は、ボールと試料の重量比１０：１とし、アルゴン雰囲気中で１０時間行った。 
　得られた粉末の電子顕微鏡による組織観察を行ったところ、酸化物が分散したＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末になっていることがわかった。この酸化物が分散したＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ合金粉末を直径３インチのカーボン型中に入れ、真空中１０００〜１１００℃で３００〜５００ｋｇ／ｃｍ２でホットプレスを施し、ターゲットを作製した。 
　　　【００２４】 
　このようにして作製したターゲットには、ひびや割れなどは見られず、その相対密度は約９８％であった。また、このターゲットの組織は、図１に示した組織とほぼ同様であった。このことにより、ボールミル条件が多少異なっても酸化物の分散した合金粉末ができれば、微細な酸化物がＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ合金中に分散したターゲットが製造できることがわかった。 
　　　【００２５】 
実施例６
　Ｃｏ６２Ｎｉ２０Ｃｒ１３Ｔａ５合金１．５ｋｇを日新技研製メルトスピナー装置により急冷薄帯とした。メルトスピンは、母合金を底に直径０．５−１．０ｍｍ程度の小さな穴（オリフィス）をもつ石英るつぼ中に入れアルゴン雰囲気中で高周波溶解により約１６００℃の温度で溶湯した後、その溶湯をオリフィスよりアルゴンガスの圧力（０．３ｋｇ／ｃｍ２）で、高速（５０ｍ／ｓ）で回転している銅ロール上に噴射することにより作製した。メルトスピンにより得られた試料は、幅約２ｍｍ程度、厚さ約２０μｍｍ、長さ数ｍの急冷薄帯であった。得られた急冷薄帯を乳鉢で約２００μｍ程度に粗粉砕した粉末に酸化物として３重量％のＳｉＯ２の粉末を混合した後、高エネルギー型のボールミルによりメカニカルアロイングを施した。メカニカルアロイング条件は、ボールと試料の重量比を１０：１とし、アルゴン雰囲気中で１０時間行なった。 
　得られた粉末を組織観察したところ、酸化物が分散したＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末になっていることがわかった。この酸化物が分散したＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末を直径３インチのカーボン型中に入れ、真空中１０００〜１１００℃で３００〜５００ｋｇ／ｃｍ２でホットプレスを施し、ターゲットを作製した。 
　　　【００２６】 
　このようにして作製したターゲットには、ひびや割れなどは見られず、その相対密度は約９７％であった。また、このターゲットの組織は、図１に示した組織とほぼ同様であった。このことにより、アトマイズ合金粉末のかわりにメルトスピンで作製した急冷薄帯を原料粉末として使用しても微細な酸化物がＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ合金中に分散したターゲットを製造できることがわかった。 
　　　【００２７】 
実施例７
　Ｃｏ８２Ｃｒ１１Ｔａ４Ｐｔ３合金１．８ｋｇを、実施例１と同様の方法により、６０ｋｇ／ｃｍ２の圧力のアルゴンガスを用いたガスアトマイズ装置により粉末とした。得られたアトマイズ粉末（１５０μｍ以下）を直径４インチのカーボン型に入れ、真空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃｍ２でホットプレスを施し、ターゲット（Ｔ１）を作製した。また、上記得られたアトマイズ粉末（１５０μｍ以下）に酸化物として３重量％のＳｉＯ２の粉末を添加し、Ｖ型混合器で１時間混合した粉末を直径４インチのカーボン型に入れ、真空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃｍ２でホットプレスを施し、ターゲット（Ｔ２）を作製した。さらに、上記得られたアトマイズ粉末（１５０μｍ以下）に３重量％のＳｉＯ２の粉末を添加し、ボールミルでメカニカルアロイングし、次いで真空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃｍ２でホットプレスを施し、ターゲット（Ｔ３）を作製した。 
　　　【００２８】 
　これらのターゲットについてＢＨトレーサで透磁率を測定した。その結果を、表１に示す。また、比較のため真空溶解で作ったＣｏ８２Ｃｒ１１Ｔａ４Ｐｔ３合金の透磁率を、表１に併記する。 
・・・・・・ 
　　　【００３０】 
　表１の結果から分るように、真空溶解で作製したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金は高い透磁率の値を示すが、アトマイズ粉末をホットプレスすることにより作製したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金の透磁率は低い。これらの透磁率の相違を調べるため、その断面組織観察を行なった。その結果を、図３に示す。 
　　　【００３１】 
　図３から分るように、このように真空溶解で作製したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金の組織は典型的な鋳造組織である比較的粗く大きなデンドライト組織（図３（ａ））であるのに対し、アトマイズした合金粉末をホットプレスすることにより作製したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金はアトマイズ（急冷凝固法）を用いているため非常に微細で均質な組織（図３（ｂ））になっている。 
　　　【００３２】 
　また、アトマイズで作製した粉末に酸化物を混合した後、ホットプレスすることにより作製した酸化物分散型Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金ターゲットや、アトマイズで作製した粉末に酸化物をメカニカルアロイングで分散させた後、ホットプレスすることにより作製したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金ターゲットの透磁率は、酸化物を混合しないでアトマイズ粉末のみをホットプレスすることにより作製したターゲットの透磁率よりさらに低い。これは、合金相のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金中にセラミックス相である酸化物が均質に分散し、磁気的な介在物として働き、磁束の流れを邪魔しているためであると思われる。 
　　　【００３３】 
実施例８
　実施例１で使用したと同様のアトマイズ粉末（１５０μｍ以下）１．５ｋｇに酸化物として３重量％のＳｉＯ２の粉末を混合した後、ボールミルによりメカニカルアロイングを施した。メカニカルアロイング条件としては、ボールと試料の重量比を４０：１とし、アルゴン雰囲気中で９６時間行なった。 
　　　【００３４】 
　次に、メカニカルアロイングの効果を調べるため、アトマイズで作製した合金粉末とメカニカルアロイングを施した粉末の断面写真を、図４（ａ）および図４（ｃ）にそれぞれ示す。また、比較のため、アトマイズ粉末（１５０μｍ以下）に酸化物として３重量％のＳｉＯ２の粉末を添加し、Ｖ型混合器で１時間混合した粉末の断面写真（図４（ｂ））も示す。 
　　　【００３５】 
　図４の断面写真から、アトマイズ粉末（１５０μｍ以下）に酸化物として３重量％のＳｉＯ２の粉末を添加し、Ｖ型混合器で１時間混合した粉末（図４（ｂ））は、元のアトマイズで作製した合金粉末（図４（ａ））と同様に球状であることがわかる。すなわち、アトマイズ粉末と酸化物を混合しても、アトマイズ粉末自体には変化が見られない。一方、アトマイズ粉末（１５０μｍ以下）に酸化物として３重量％のＳｉＯ２の粉末を混合した後、ボールミル処理した粉末（図４（ｃ））は、もはや元の球状の粉末ではなく機械的に変形した粉末となっている。これは該粉末がメカニカルアロイングにより機械的に粉砕・圧延・混合された結果である。 
　　　【００３６】 
　これらの断面写真は粉末の形状の変化を示すため比較的低い倍率で撮影したが、高倍率で撮影した写真ではメカニカルアロイングで作製した粉末にのみ、酸化物が粉末内に分散している様子が観察された。このことにより、添加した酸化物もこのメカニカルアロイングにより同時に粉砕・圧延・混合され、その結果酸化物が合金中に分散した粉末となっている。 
　　　【００３７】 
　また、ターゲットの相対密度が同一の場合、このメカニカルアロイングで作製した酸化物分散型Ｃｏ８２Ｃｒ１３Ｔａ５合金粉末は、元のアトマイズ粉末よりも少し低温でまたは少し低い圧力でホットプレスできること、および同一温度、圧力であればより相対密度の高いものが得られるという長所があることがわかった。これは、メカニカルアロイングにより粉末中に蓄積された機械的なエネルギーの効果によるものであると思われる。」 
  
 オ「 【００３８】 
　　【発明の効果】 
　本発明によれば、酸化物分散型Ｃｏ系合金ターゲットとスパッタリングで形成される磁性薄膜との組成差、いわゆる組成ズレが少ない。またこの磁性薄膜は組成を均一で保磁力が高く、かつ媒体ノイズも少ない。 
　本発明により得られるターゲットは、Ｃｏ系合金粉末を母相とした合金相とセラミックス相が均質に分散した微細混合相からなり、また一枚の板状体に微細な酸化物が均質に分散した複合ターゲットであるため、従来のオンチップ型に比較して生産性に優れ、透磁率が低く、密度が高いので異常放電がなく、また取扱いも容易である。」 
  
 カ「【図面の簡単な説明】 
　　【図１】 
　アトマイズにより作製したＣｏ８２Ｃｒ１３Ｔａ５合金粉末（１５０μｍ以下）とＳｉＯ２にメカニカルアロイングを施して酸化物分散型Ｃｏ８２Ｃｒ１３Ｔａ５合金粉末を作製した後、真空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃｍ２でホットプレスを施すことにより得られた本発明のターゲットの断面組織写真である。」 
  
 キ　図１は、以下のものである。 
 「【図１】 
  
 」 
  
 ク　図２ないし４は、以下のものである。 
 「【図２】 
  
  
 【図３】 
  
  
 【図４】 
  
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」 
  
 ケ　上記の甲１の図１（上記キ）によれば、少なくとも以下の（ア）及び（イ）の点が明らかに見てとれる。 
 （ア）均質に分布している「微細な黒い点（ＳｉＯ２）」（上記ウ【００１６】）は、粒子状であり、いずれも半径２μｍの仮想円より小さいこと 
 （イ）ＳｉＯ２粒子が存在しない領域の最大径が１０μｍ以下であって、直径１０μｍ以上４０μｍ以下のＳｉＯ２粒子が存在しない領域の個数が０個／ｍｍ２であること 
  
 コ　上記の甲１の【００１５】（上記ウ）において、実施例１のターゲットは、Ｃｏ８２Ｃｒ１３Ｔａ５合金のアトマイズ粉末に３重量％のＳｉＯ２の粉末を混合し、メカニカルアロイング及びホットプレスを施して作製されているから、作成されたターゲット中のＳｉＯ２粒子の含有量は３重量％であると認められる。 
  
 サ　以上によれば、甲１には、実施例１として、次の構成要件ａ〜ｆよりなる発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 
  
 「ａ　ＳｉＯ２粒子がＣｏ８２Ｃｒ１３Ｔａ５合金中に分散した組織を有する酸化物分散型Ｃｏ系合金スパッタリングターゲットであって、ＳｉＯ２が分散したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末を真空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃｍ２でホットプレスを施して作成されたものであり、 
 ｆ　ＳｉＯ２粒子の含有量は３重量％であり、 
 ｂ　前記ターゲットの断面組織写真によって観察される組織のＳｉＯ２の全粒子は、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円よりも小さく、 
 ｃ　ＳｉＯ２粒子が存在しない領域の最大径が１０μｍ以下であり、 
 ｄ　直径１０μｍ以上４０μｍ以下のＳｉＯ２粒子が存在しない領域の個数が０個／ｍｍ２である 
 ｅ　酸化物分散型Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット。」 
  
 シ　被請求人の主張について 
　ここで、被請求人は、甲１は酸化物の体積比率と面積比率がかい離する点で記載内容に信ぴょう性がない旨（平成２６年１２月１５日付け答弁書６〜１５頁）、この体積比率と面積比率についての判断と、甲１の図１の「微細な黒い点」のみで酸化物（ＳｉＯ２）を認定することとは相互に矛盾する旨主張する（平成２８年９月２６日付け意見書５〜８頁）。 
　しかし、甲１の記載事項の認定については平成２９年(行ケ)第１００９６号判決（以下、単に「判決」という。）において判示されるとおりであり、これに反する被請求人の主張は採用できない。
  
（２）甲６（特開２００６−１７６８１０号公報） 
　甲６は、本件特許の優先日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた特許出願である特願２００４−３６９４５１号の公開特許公報である。 
　甲６には、以下のア、イの記載がある。 
  
 ア　「【００１６】 
　実施例１ 
　先に用意したＣｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末およびＳｉＯ２粉末を、Ｃｒ粉末：７．２原子％、Ｐｔ粉末：１８原子％、ＳｉＯ２粉末：１０原子％、残部：Ｃｏ粉末となるように秤量し、このうちＰｔ粉末およびＳｉＯ２粉末のみを配合し、大気中、ジルコニアボールによる乾式ボールミルで８時間乾式混合することによりＰｔ−ＳｉＯ２混合粉末を作製した。その後、このＰｔ−ＳｉＯ２混合粉末に残部となるＣｏ粉末およびＣｒ粉末を添加したのちＡｒ雰囲気中、ジルコニアボールによる乾式ボールミルで８時間乾式混合することにより混合粉末を作製し、この混合粉末を直径：１６５ｍｍのカーボンモールドに充填し、真空雰囲気中、温度：１２００℃、圧力：２０ＭＰａ、３時間保持の条件でホットプレスすることによりホットプレス体を作製した。このホットプレス体を機械加工することにより直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：２ｍｍの寸法を有するターゲットを作製することにより本発明法１を実施した。 
・・・・・・ 
　【００２０】 
　【表１】 
・・・・・・ 
　【００２１】 
　表１に示される結果から、本発明法１〜２を実施することにより得られたターゲットは、従来法１を実施することにより得られたターゲットに比べて、スパッタリング時に発生するパーティクルの数が格段に少ないことが分かる。 
　【００２２】 
　さらに、スパッタによる成膜後、バッキングプレートからターゲットを剥がし、そこから組織観察用のサンプルを切り出し、樹脂に埋めこみ、研磨したのち５００倍の光学顕微鏡で断面組織を観察し、その組織写真を撮影し、前記実施例１〜２および従来例１で作製したターゲットの組織写真を図１〜３に示した。 
　図１〜３から明らかなように、実施例１〜２の本発明法１〜２を実施することにより得られたターゲットは金属粒（白色部）が微細であり、さらのＳｉＯ２相（黒色部）が微細に均一分散しているに対し、従来例１の従来法１を実施することにより得られたターゲットは金属粒（白色部）が粗大であり、さらのＳｉＯ２相（黒色部）が粗大な金属粒の周囲を囲むように集合して偏析していることがわかる。 
【図面の簡単な説明】 
　【００２３】 
　　【図１】この発明の方法により作製したスパッタリングターゲットの光学顕微鏡による組織写真である。」 
  
 イ　図１は、以下のものである。 
 「【図１】 
  
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」 
  
 ウ　上記の甲６の図１によれば、少なくとも以下の（ア）の点が見てとれる。 
 （ア）「ＳｉＯ２相（黒色部）」（上記ア【００２２】）は、粒子状であること。 
  
 エ　上記アによれば、甲６には次の発明（以下「甲６発明」という。）が記載されていると認められる。 
  
 「Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末およびＳｉＯ２粉末を、Ｃｒ粉末：７．２原子％、Ｐｔ粉末：１８原子％、ＳｉＯ２粉末：１０原子％、残部：Ｃｏ粉末となるように秤量し、混合粉末を作製し、この混合粉末を温度：１２００℃、圧力：２０ＭＰａ、３時間保持の条件でホットプレスすることによりホットプレス体を作製し、このホットプレス体を機械加工することにより作製したスパッタリングターゲットであって、研磨したのち観察した断面組織の組織写真においてＳｉＯ２粒子が微細に均一分散している、スパッタリングターゲット。」 
  
  
３．無効理由１について 
（１）本件訂正発明１について 
 ア　本件訂正発明１と甲１発明を対比する。 
　甲１発明における「Ｃｏ８２Ｃｒ１３Ｔａ５合金」は、本件訂正発明１における「Ｃｏ」「を主成分とする材料の強磁性材」に相当する。 
　甲１発明における「ＳｉＯ２粒子」は、本件訂正発明１における「酸化物」の「材料からなる非磁性材の粒子」に相当する。 
　甲１発明の酸化物分散型Ｃｏ系合金スパッタリングターゲットは、「ＳｉＯ２が分散したＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金粉末を真空中１１００℃で３００ｋｇ／ｃｍ２でホットプレスを施して作成されたもの」であるから、「焼結体からなる」ことは明らかである。 
　一般に、焼結体からなる材料の断面組織は、当該材料の研磨面について観察されるものであるから、甲１発明における「ターゲットの断面組織写真」は、ターゲットの研磨面を観察した写真であると認められる。 
　本件訂正発明１における構成要件１Ｂ「前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円よりも小さいか、又は
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての
であって、
　してみると、甲１発明における構成要件ａ〜ｅは、それぞれ、本件訂正発明１における構成要件１Ａ〜１Ｅに相当する。 
　以上のことから、本件訂正発明１と甲１発明は、以下の点で一致する。 
 「１Ａ　Ｃｏ若しくはＦｅ又は双方を主成分とする材料の強磁性材の中に酸化物、窒化物、炭化物、珪化物から選択した１成分以上の材料からなる非磁性材の粒子が分散した材料からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、 
 １Ｂ　前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円よりも小さいか、又は
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての
であって、
 １Ｃ　研磨面で観察される非磁性材の粒子が存在しない領域の最大径が４０μｍ以下であり、 
 １Ｄ　直径１０μｍ以上４０μｍ以下の非磁性材の粒子が存在しない領域の個数が１０００個／ｍｍ２以下である 
 １Ｅ　ことを特徴とする焼結体からなる非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」 
  
　一方、両者は以下の相違点１、２で相違する。 
［相違点１］ 
　非磁性材の含有量が、本件訂正発明１においては「６ｍｏｌ％以上」であるのに対し、甲１発明においては、ＳｉＯ２粒子（非磁性材）の含有量は「３重量％」である点。
［相違点２］ 
　本件訂正発明１においては、材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は、「
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子を含
  
 イ　事案に鑑み、上記相違点２について先に検討する。
　本件訂正発明１において含まれる「形状２」の粒子は、「
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子
　これに対し、甲１発明に含まれる粒子は、上記２．（１）ケのとおり、甲１の図１から、均質に分布しているＳｉＯ２粒子であると認定できる微細な粒子状の黒い点は何れも半径２μｍの仮想円より小さいものであり、すなわち、粒子内の任意のどの２点を結んでも２μｍ未満で直径２μｍの円内に必ず収まるものとなるから、何れの粒子も２μｍより長い部分を含まないのは明らかである。
　請求人は、甲１発明の図１は、ほぼ球状の「形状１」の微細な黒い点ばかりでなく、紐状もしくは偏平形状の「形状２」をも示している旨、甲１発明を追試した甲３の図６及び図７において「形状２」の存在が確認できる旨主張する（平成３１年２月１８日付け弁駁書６頁３行〜９頁４行）。
　しかし、請求人の主張する甲１及び甲３の図（写真）に示される粒子に球状でないものが含まれていることは認められるものの、例えば、図７に示されている偏平の粒子は直径２μｍの円の内部にあるから「形状１」の粒子である。
　また、判決において、甲１発明の図１の全ての粒子は「形状１」であると判示されているので、これに反する請求人の主張は採用できない。
　したがって、上記相違点２は実質的な相違点であり、本件訂正発明１は甲１発明と同一であるとはいえない。
 
 ウ　甲１のその他の記載をみても、甲１において本件訂正発明１と同一の発明が記載されていると認めることはできない。 
  
 エ　また、甲２は、甲１の公開公報であって甲１と実質的に同様の内容を開示するものであるから、甲１と同様に、甲２において本件訂正発明１と同一の発明が記載されていると認めることはできない。 
  
 オ　以上のことから、相違点１について検討するまでもなく、本件訂正発明１は、甲１によって公知となった発明であるとも、甲２に記載された発明であるともいうことはできない。 
（２）本件訂正発明２について 
　上記（１）で検討したと同様に、本件訂正発明２における構成要件２Ｂ「前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての仮想円よりも小さいか、又は
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての
であって、
 ア　本件訂正発明２と甲１発明を対比する。 
　本件訂正発明２と甲１発明は、以下の点で一致する。 
 「２Ａ　Ｃｏ若しくはＦｅ又は双方を主成分とする材料の強磁性材の中に酸化物、窒化物、炭化物、珪化物から選択した１成分以上の材料からなる非磁性材の粒子が分散した材料からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、 
 ２Ｃ　研磨面で観察される非磁性材の粒子が存在しない領域の最大径が４０μｍ以下であり、 
 ２Ｄ　直径１０μｍ以上４０μｍ以下の非磁性材の粒子が存在しない領域の個数が１０００個／ｍｍ２以下である 
 ２Ｅ　ことを特徴とする
焼結体からなる
  
　一方、両者は以下の相違点１’、２’で相違する。 
［相違点１’］ 
　非磁性材の含有量が、本件訂正発明２においては「６ｍｏｌ％以上」であるのに対し、甲１発明においては、ＳｉＯ２粒子（非磁性材）の含有量は「３重量％」である点。
［相違点２’］ 
　本件訂正発明２においては、「研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子」は「形状１’」又は「形状２’」の何れかであって、「
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子を含
２μｍ
１μｍ
 イ　事案に鑑み、上記相違点２’のうちの「形状２’」の粒子を含むか否かの点について先に検討する。
　本件訂正発明２において含まれる「形状２’」の粒子は、「
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子
　これに対し、甲１発明に含まれる粒子は、本件訂正発明１について上記（１）で検討したとおり、何れの粒子も２μｍより長い部分を含まないのは明らかであるから、同様に「形状２’」の粒子を含むものであるとはいえない。
　したがって、上記相違点２’は実質的な相違点であり、本件訂正発明２は甲１発明と同一であるとはいえない。
 
 ウ　甲１のその他の記載をみても、甲１において本件訂正発明２と同一の発明が記載されていると認めることはできない。 
  
 エ　また、甲２は、甲１の公開公報であって甲１と実質的に同様の内容を開示するものであるから、甲１と同様に、甲２において本件訂正発明２と同一の発明が記載されていると認めることはできない。 
  
 オ　以上のことから、その他の相違点について検討するまでもなく、本件訂正発明２は、甲１によって公知となった発明であるとも、甲２に記載された発明であるともいうことはできない。 
（３）本件訂正発明３〜６について 
　本件訂正発明３〜６は、本件訂正発明１又は２を引用するものであり、本件訂正発明１又は２の構成要件をすべて備えている。 
　したがって、上記（１）、（２）のとおり、本件訂正発明１及び２は、何れもが甲１によって公知となった発明であるとも、甲２に記載された発明であるともいうことはできないから、本件訂正発明３〜６についても、甲１によって公知となった発明であるとも、甲２に記載された発明であるともいうことはできない。 
  
（４）小括 
　上記のとおりであるから、本件訂正発明１〜６について、無効理由１は理由がない。 
  
  
４．無効理由２について 
（１）本件訂正発明１、２について 
　上記３．のとおり、甲１に「形状２」がないことは判決の判示のとおりであり、「形状２’」が存在することを示す証拠もなく、本件訂正発明１と甲１発明との上記相違点２及び本件訂正発明２と甲１発明との上記相違点２’は実質的な相違点である。 
　また、甲１には、甲１発明の粒子の形状を、「形状２」、「形状２’」とする動機付けもない。
　よって、本件訂正発明１及び２は甲１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
　請求人は、分散粒子の形状は、メカニカルアロイングの条件によって変わり得るものであって、甲１発明に接した当業者であれば、「形状１」ばかりでなく「形状２」が存在することを当然に理解するから、相違点２の解消は容易なことである旨主張する（同弁駁書９頁６行〜１１頁１４行）。
　しかし、甲１に「形状２」がないことは判決の判示のとおりであるし、また、メカニカルアロイングの条件によってほぼ球状の粒子の形状が変化することは周知であったとしても、甲１発明の粒子の形状を、「形状２」とする動機付けがないのであるから、メカニカルアロイングの条件を変更して、甲１発明の粒子の形状を、「形状２」とすることが、当業者にとり容易であるとはいえない。
　相違点２’についても同様のことがいえる。
　よって、請求人の主張は採用できない。
  
（２）本件訂正発明３〜６について 
　本件訂正発明３〜６は、何れも本件訂正発明１又は２を引用するものであり、本件訂正発明１又は２の構成要件をすべて備えている。 
　上記（１）のとおり、本件訂正発明１及び２は甲１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、本件訂正発明３〜６についても、甲１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 
  
（３）小括 
　上記のとおりであるから、本件訂正発明１〜６について、無効理由２は理由がない。 
  
  
５．無効理由５について 
（１）本件訂正発明１について 
 ア　本件訂正発明１と甲６発明を対比する。 
　甲６発明における「Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末およびＳｉＯ２粉末を、Ｃｒ粉末：７．２原子％、Ｐｔ粉末：１８原子％、ＳｉＯ２粉末：１０原子％、残部：Ｃｏ粉末となるように秤量し、混合粉末を作製し、この混合粉末を温度：１２００℃、圧力：２０ＭＰａ、３時間保持の条件でホットプレスすることにより」作製された「ホットプレス体」は、本件訂正発明１における「Ｃｏ」「を主成分とする材料の強磁性材」に相当する。 
　甲６発明における「ＳｉＯ２粒子」は、本件訂正発明１における「酸化物」の「材料からなる非磁性材の粒子」に相当する。 
　甲６発明のスパッタリングターゲットは、「Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末およびＳｉＯ２粉末を、Ｃｒ粉末：７．２原子％、Ｐｔ粉末：１８原子％、ＳｉＯ２粉末：１０原子％、残部：Ｃｏ粉末となるように秤量し、混合粉末を作製し、この混合粉末を温度：１２００℃、圧力：２０ＭＰａ、３時間保持の条件でホットプレスすることにより」作製した「ホットプレス体」を機械加工したものであるから、「焼結体からなる」ことは明らかである。 
　甲６発明において、混合粉末中のＳｉＯ２粉末の含有量は１０原子％であるから、スパッタリングターゲット中に分散しているＳｉＯ２粒子の量は「６ｍｏｌ％以上」であることは明らかである。 
　してみると、本件訂正発明１と甲６発明とは、 
「Ｃｏを主成分とする材料の強磁性材の中に酸化物から選択した１成分以上の材料からなる非磁性材の粒子が６ｍｏｌ％以上分散した材料からなる焼結体スパッタリングターゲット。」 
である点で一致し、以下の点で相違する。 
  
［相違点３］ 
　研磨面で観察される組織の非磁性材の粒子の形状及び寸法並びに分布の状態について、 
　本件訂正発明１においては、 
「前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円よりも小さいか、又は
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての
であって、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子を含み、
のに対し、甲６発明においては、ＳｉＯ２粒子がそのような形状及び寸法並びに分布の状態であるのか不明な点。 
  
 イ　上記相違点３について検討する。 
　本件訂正発明１の構成要件１Ｂ「前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円よりも小さいか、又は
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての
であって、
　これに対し、甲６の図１において、図中に示されたスケールに基づいてＳｉＯ２相（黒色部）の粒子の寸法を見積もると、図中右下に、半径２μｍの仮想円を内包するか否か明らかとはいえない程度の大きさを有する粒子が複数認められる。したがって、同図に示されたスパッタリングターゲットにおいて、ＳｉＯ２相（黒色部）の粒子について、「全粒子は、半径２μｍの仮想円を内包する大きさの粒子ではない」と認定することはできない。 
　なお、甲６の図２及び図３（甲６発明の従来技術）においては、図１よりもさらに大きなＳｉＯ２相（黒色部）の粒子が認められるから、これら図２及び図３によっても、甲６に記載されたスパッタリングターゲットにおいて、ＳｉＯ２相（黒色部）の粒子について、「全粒子は、半径２μｍの仮想円を内包する大きさの粒子ではない」と認定することはできない。 
　上記のとおり、甲６に記載されたスパッタリングターゲットにおいて、ＳｉＯ２相（黒色部）の粒子について、「全粒子は、半径２μｍの仮想円を内包する大きさの粒子ではない」と認定することはできない。すなわち、甲６発明は、「前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円よりも小さいか、又は
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての
であって、
　したがって、上記の相違点３は実質的な相違点であり、本件訂正発明１は甲６発明と同一であるとはいえない。 
  
 ウ　請求人は、上記相違点３について、以下の主張をしている。 
（ア）「図１の４０μｍのスケールに基づいて算出すると、黒色部であるＳｉＯ２相の全粒子は、半径２μｍのすべての仮想円よりも小さいか、又は半径２μｍの仮想円と少なくとも２点以上の接点又は交点を有する紐状又はヒトデ状である（甲６図１）」（審判請求書７３頁２〜５行） 
（イ）「無効理由５の主引例である甲６についても、請求人は、甲１図１に関して上述した(１)の方法と同様にして、目測及び定規を用いて、審判請求書記載の各開示事項を認定した。」（平成２７年６月８日付け口頭審理陳述要領書（３）１６頁１２〜１３行） 
（ウ）「訂正請求項１の記載は、・・・「形状１」又は「形状２」ではないその他の粗大な粒子を含むことを排除していない」（平成３１年４月２５日付け回答書１０頁１０〜１３行）
（エ）「甲６号証図１の黒点（非磁性材）を「形状１」と「形状２」とに色分けして、「形状１」及び「形状２」が含まれていることを確認する。甲６号証の図１の黒点のうち「形状１」であるものを縮尺バー４０．０μｍに従って直径４μｍの青色の円で囲み、黒点のうち「形状２」であるものを縮尺バー４０．０μｍに従って直径４μｍの赤色の円で区別した。・・・すべての黒点は青色の円又は赤色の円に該当していることが確認できる。・・・訂正請求項１に係る発明は、甲６発明と同一である。」（平成３１年４月２５日付け回答書１５頁下から１０行〜１６頁３行）
　これらの主張について検討するに、まず、本件訂正発明１においては、上記イのとおり、「全粒子は、半径２μｍの仮想円を内包する大きさの粒子ではない」ものであり、前提として、粗大粒子を含まないものであることは訂正前後において変わりがないものである（上記第２の４．（１））。次に、甲１の図１においては、「均質に分布している「微細な黒い点（ＳｉＯ２）」（上記２．（１）ウ【００１６】）は、粒子状であり、図中に示されたスケール１０．０μｍとの比較で、いずれも半径２μｍの仮想円より小さいこと」が明らかに見てとれる（上記２．（１）ケ）のに対し、甲６の図１においては、図中に示されたスケールが４０．０μｍであり、さらに、二値化処理における対象画像の鮮明度や明度の影響を考慮すれば、図中右下に複数存在する比較的粗大な粒子については、直径４μｍの仮想円を内包するか否かを判別するには明らかとはいえない程度の大きさであるといわざるを得ない。よって、ＳｉＯ２相（黒色部）の粒子について、「全粒子は、半径２μｍの仮想円を内包する大きさの粒子ではない」と認定することはできない。
　したがって、請求人の上記主張は採用できない。 
（２）本件訂正発明２について 
 ア　本件訂正発明２と甲６発明を対比する。 
　上記（１）で検討したと同様であり、本件訂正発明２と甲６発明とは、 
「Ｃｏを主成分とする材料の強磁性材の中に酸化物から選択した１成分以上の材料からなる非磁性材の粒子が６ｍｏｌ％以上分散した材料からなる焼結体スパッタリングターゲット。」 
である点で一致し、以下の点で相違する。 
  
［相違点３’］ 
　研磨面で観察される組織の非磁性材の粒子の形状及び寸法並びに分布の状態について、 
　本件訂正発明２においては、 
「前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての仮想円よりも小さいか、又は
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての
であって、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子を含み、
のに対し、甲６発明においては、ＳｉＯ２粒子がそのような形状及び寸法並びに分布の状態であるのか不明な点。 
  
 イ　上記相違点３’について検討する。 
　本件訂正発明２の構成要件２Ｂ「前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての仮想円よりも小さいか、又は
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての
であって、
　これに対し、上記（１）イでも検討した甲６の図１〜３に示された大きなＳｉＯ２相（黒色部）の粒子は、明らかに「半径１μｍの仮想円を内包する大きさの粒子」であるといえる。 
　したがって、上記の相違点３’は実質的な相違点であり、本件訂正発明２は甲６発明と同一であるとはいえない。 
  
 ウ　請求人は、上記相違点３’について、以下の主張をしている。 
（ウ’）「訂正請求項１の記載は、・・・「形状１」又は「形状２」ではないその他の粗大な粒子を含むことを排除していない・・・訂正請求項２に係る発明についても同様」（平成３１年４月２５日付け回答書１０頁１０〜２０行）
（エ’）「甲６号証の図１に「形状１’」に該当する粒子を縮尺バー４０．０μｍに従い直径２μｍの青い円で囲み、「形状２’」に該当する粒子を直径２μｍ（１μｍ）の赤い円で示した。・・・ほぼすべての粒子が「形状１’」又は「形状２’」の粒子になる。・・・訂正請求項２に係る発明は、甲６発明と同一である。」（平成３１年４月２５日付け回答書１９頁下から３行〜２０頁下から３行）
　これらの主張について検討するに、まず、本件訂正発明２においては、上記イのとおり、「全粒子は、半径１μｍの仮想円を内包する大きさの粒子ではない」ものであり、前提として、粗大粒子を含まないものであることは訂正前後において変わりがないものである（上記第２の４．（１））。次に、甲６の図１においては、上記（エ’）のとおりとして、ほぼすべての粒子が「形状１’」又は「形状２’」の粒子であったとしても、そうではない一部の粗大粒子を含むことになるので、ＳｉＯ２相（黒色部）の粒子について、「全粒子は、半径１μｍの仮想円を内包する大きさの粒子ではない」と認定することはできない。
　したがって、請求人の上記主張は採用できない。 
（３）本件訂正発明３〜６について 
　本件訂正発明３〜６は、本件訂正発明１又は２を引用するものであり、本件訂正発明１又は２の構成要件をすべて備えている。 
　そして、上記（１）、（２）のとおり、本件訂正発明１及び２の何れもが甲６発明と実質的に同一であるとはいえないから、本件訂正発明３〜６についても、甲６発明と実質的に同一であるとはいえない。 
 
（４）小括 
　上記のとおりであるから、本件訂正発明１〜６について、無効理由５は理由がない。 
  
  
６．無効理由６について 
（１）当審の判断 
 ア　特許法第３６条第６項第１号は、請求項に係る発明が発明の詳細な説明に記載した範囲を超えるものであってはならない旨を規定している。これは、発明の詳細な説明に記載していない発明を特許請求の範囲に記載することになれば、公開されていない発明について権利が発生することになるからである。同号の要件（サポート要件）は、これを防止するためのものである。 
　特許請求の範囲の記載がサポート要件を満たすか否かの判断は、請求項に係る発明と、発明の詳細な説明に発明として記載されたものとの実質的な対応関係を検討して行うべきである。この実質的な対応関係についての検討は、請求項に係る発明が、発明の詳細な説明において「発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲」を超えるものであるか否かを調べることによりなされるべきである。そして、請求項に係る発明が、「発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲」を超えていると判断された場合は、請求項に係る発明と、発明の詳細な説明に発明として記載されたものとが、実質的に対応しているとはいえず、特許請求の範囲の記載はサポート要件を満たしていないことになる。 
　上記を踏まえ、以下、検討する。 
  
 イ　本件明細書の記載事項 
　本件明細書は、訂正されておらず、上記第２の３．において摘記した記載がある。 
  
 ウ　本件訂正発明の課題について 
　上記第２の３．イの特に【０００７】によれば、本件訂正発明の課題は、
「スパッタリングによって膜を形成する際に、DCスパッタによる高速成膜が可能であり、さらにスパッタ時に発生するパーティクル（発塵）やノジュールを低減させ、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり高密度の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット、特に磁気記録層としての使用に最適であるスパッタリングターゲットを得ること」 
であり、さらに、特に【００１０】によれば、
「研磨面で観察される大型の球状物は脱粒を起こし易く、かつ脱粒した場合にパーティクル発生量はその影響を強く受ける」
ということにあると認められる。 
  
 エ　本件訂正発明の課題を解決する手段について 
　そして、上記の課題を解決するための手段は、非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットにおいて、「非磁性材粒子分散の形態を調整」（【０００８】）し、「紐状又はヒトデ状若しくは網目状組織を包含」（【００１０】）することであり、具体的には、非磁性材粒子について、「６ｍｏｌ％以上含有」（実施例１、３）し「強磁性材の中に非磁性材の粒子が分散した材料の研磨面で観察される組織中の非磁性材全粒子は、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径2μmの全ての仮想円よりも小さいか」（形状１）、「又は該仮想円と強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法」（形状２）を備え（【０００９】）、あるいは、「非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径1μmの全ての仮想円よりも小さいか」（形状１’）、「又は該仮想円と強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する」（形状２’）（【００１０】）という分散の形態に調整し、「形状２」又は「形状２’」の粒子を含んで「強磁性材料と酸化物等の非磁性材料との接触面積の増加」により「脱粒防止に効果」（【００１０】）を得ることにあることが理解される。 
　上記手段を採用することによって、発明の課題が解決できることは、「非磁性材粒子分散の形態を調整し、導電性を保有させてDCスパッタを可能とし、かつ密度を高め、さらにスパッタ時に発生するパーティクルやノジュールを大幅に低減できるとの知見を得た。」（【０００８】）、「本発明のスパッタリングターゲットの密度向上は、非磁性材と強磁性材との密着性を高めることにより、非磁性材の脱粒を抑制することができ、また、空孔を減少させ結晶粒を微細化し、ターゲットのスパッタ面を均一かつ平滑にすることができるので、スパッタリング時のパーティクルやノジュールを低減させ、さらにターゲットライフも長くすることができる」（【００１４】）という、上記「分散の形態」と作用効果の関係についての記載並びに実施例１〜３及び比較例１、２の記載（【００２２】〜【００３２】）によって、裏付けられているといえる。 
  
 オ　本件訂正発明１の構成要件１Ｆ、１Ｂ、１Ｇ及び本件訂正発明２の構成要件２Ｆ、２Ｂ、２Ｇは、実質的に上記の事項を特定するものであり、本件訂正発明１及び２は、何れも課題を解決するための手段を備えているといえる。
　よって、本件訂正発明１、２は、「発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲」を超えるものではない。 
　本件訂正発明３〜６についても同様である。 
  
 （２）請求人の主張について 
 ア　請求人は、無効理由６に関して、以下の点を主張する。（審判請求書７８頁５行〜８１頁末行、平成２７年５月２５日付け口頭審理陳述要領書（２）１０頁２４行〜１６頁１３行、平成３１年４月２５日付け回答書１０頁７〜２２行） 
 （ア）本件請求項１〜６の発明特定事項は、ターゲットの成分組成の特定が、実施例１〜３に記載の特定成分組成のものに比して不足している。 
 （イ）本件請求項１〜６の構成要件１Ｂについて、研磨面全体を観察した結果か、研磨面の一部を観察した結果か不明であり、仮に一部を観察した結果を意味する場合には、所期の効果を奏するか不明である。 
 （ウ）本件請求項１〜６の構成要件１Ｃ及び１Ｄについて、「領域の最大径」の評価方法及び「直径１０μｍ以上４０μｍ以下の非磁性材の粒子が存在しない領域の個数」の計算方法の説明が本件明細書にない。 
 （エ）本件請求項６の構成要件Ｅ「ＤＣスパッタリング用ターゲットである」について、強磁性材と非磁性材の割合が特定されていない。
 （オ）本件訂正請求項１、２に係る発明は、「形状１（形状１’）」又は「形状２（形状２’）」ではないその他の粗大な粒子を含むことを排除していないから、本件明細書の比較例１及び２の態様をも包含することになり、発明の目的であるスパッタ時に発生するパーティクルの低減が達成されない態様までを包含する。 
  
 イ　請求人の上記主張について検討する。 
 （ア）本件訂正発明において、課題を解決するための手段は、上記（１）エ、オのとおりであり、非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットにおいて、強磁性材中の非磁性材粒子の分散の形態を
「１Ｆ　
前記非磁性材は６ｍｏｌ％以上含有され、
　１Ｂ　前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円よりも小さいか、又は
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての
であって、
　１Ｇ　
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径２μｍの全ての仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子を含
「２Ｆ　
前記非磁性材は６ｍｏｌ％以上含有され、
　２Ｂ　前記材料の研磨面で観察される組織の非磁性材の全粒子は、非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての仮想円よりも小さいか、又は
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての
であって、
　２Ｇ　
非磁性材料粒子内の任意の点を中心に形成した半径１μｍの全ての仮想円と、強磁性材と非磁性材の界面との間で、少なくとも２点以上の接点又は交点を有する形状及び寸法の粒子を含
　そして、このような作用効果が、特定の組成のターゲットについてのみ奏されるものではないことは、本件明細書の【００１２】に「本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、強磁性材がCo若しはFe又は双方を主成分とする材料に、特に有効である。また、本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、非磁性材が酸化物、窒化物、炭化物、珪化物から選択した１成分以上の材料である場合に、特に有効であるが、非磁性材料は、強磁性材料の成分と共存した状態で、不活性雰囲気若しくは真空中で強熱しても還元または分解しないものが望ましい。これは、ターゲット製造時に還元または分解することにより、強磁性材の組成に影響を及ぼすものであってはならないからである。」と記載されていること等からも理解でき、本件明細書の実施例１、３に開示された特定の組成のターゲットについてのみ奏されるものであると認めるべき理由はない。 
　よって、請求人の主張（ア）は採用できない。 
  
 （イ）構成要件１Ｂ、２Ｂは、何れも非磁性材の「全粒子」について特定するものであり、冒頭の「前記材料の研磨面」との記載における「前記材料」は、それぞれ構成要件１Ａ、２Ａの「・・・強磁性材の中に・・・非磁性材の粒子が分散した材料からなる焼結体スパッタリングターゲットであって」との記載を受けたものであって、ここでの研磨面はターゲット材料の研磨面全体を意味するといえるから、これらが研磨面全体を観察した結果について特定したものであることは明らかである。 
　よって、請求人の主張（イ）は採用できない。 
  
 （ウ）構成要件１Ｃ、２Ｃにおいて、「最大径」との記載から、「円」を想定すべきであることは明らかである。そして、「非磁性材の粒子が存在しない領域」は、例えば本件図面の図１におけるように不定形であるところ、そのような領域について「最大径」の「円」とは、当該領域に内接する円のうち直径が最大の内接円を指すと解すべきことは明らかである。そして、当該領域に「直径１０μｍ以上４０μｍ以下」の内接円が描けた場合、残った領域においてさらに「直径１０μｍ以上４０μｍ以下」の内接円を順次描けるかどうか確認していくことが可能であり、本件訂正発明１〜６における「直径１０μｍ以上４０μｍ以下の非磁性材の粒子が存在しない領域の個数」とは、そのように順次描くことができた「直径１０μｍ以上４０μｍ以下」の内接円の個数を指すと解すべきことは明らかである（被請求人の平成２７年６月２２日付け上申書）。 
　よって、請求人の主張（ウ）は採用できない。 
  
 （エ）本件訂正発明１〜６において、非磁性材の含有量について、下限値が「６ｍｏｌ％以上含有され」（構成要件１Ｆ、２Ｆ）と特定されているが、前記含有量の上限値は特定されていない。 
　ここで、ＤＣスパッタリング用ターゲットはターゲット自体が導電性を備えていることが必要であることや、ターゲット中の酸化物、珪化物等の非導電性材料の量がターゲットのバルク抵抗値に影響を与えることは、いずれも技術常識であると認められるから（本件明細書【０００４】〜【０００５】にも同旨の記載がある。）、非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットにおいて、ＤＣスパッタリング用ターゲットとできる非磁性材の含有量の上限値は、強磁性材及び非磁性材それぞれの導電性（抵抗値）に依存するものであって、一義的に特定されるものでないことは明らかである。 
　したがって、非磁性材の含有量について上限値が特定されていないからといって、本件訂正発明１〜６が発明の詳細な説明に記載されものではないとすることはできない。 
　よって、請求人の主張（エ）は採用できない。 
 （オ）本件訂正発明１は「全粒子は、・・・よりも小さい（形状１）か、又は・・・寸法の粒子（形状２）
であって
全粒子
　よって、請求人の主張（オ）は採用できない。
  
 ウ　以上のとおり、無効理由６について、請求人の主張はいずれも採用できない。 
  
（３）小括 
　上記のとおりであるから、本件訂正発明１〜６について、無効理由６は理由がない。 
  
  
第６　まとめ 
　以上のとおりであるから、請求人が主張する無効理由及び提出した証拠方法によっては、本件訂正発明１〜６に係る特許を無効とすることはできない。 
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人の負担とする。 
　よって、結論のとおり審決する。