(57)【要約】  基板保持装置（４Ｔ）は、基材（３０）と、基材（３０）上に形成され、基板（Ｐ）を支持する支持部（８１）と、基材（３０）上に形成され、支持部（８１）を囲む周壁と、基材（３０）上に周壁（３３）に沿って環状に設けられ、支持部（８１）に支持された基板（Ｐ）の裏面と第１ギャップ（Ｇ１）を形成し、支持部（８１）に支持された基板（Ｐ）と周壁（３３）との間からの浸入液体（ＬＱ）を基板（Ｐ）との間に保持する第１領域（３１）と、基材（３０）上において周壁（３３）に対して第１領域（３１）の内側に設けられ、支持部（８１）に支持された基板（Ｐ）の裏面と第１ギャップ（Ｇ１）よりも大きい第２ギャップ（Ｇ２）を形成する第２領域（３２）とを備える。
2007083592.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して露光光が照射される基板を保持する基板保持装置であって、
基材と、
前記基材上に形成され、前記基板を支持する支持部と、
前記基材上に形成され、前記支持部を囲む周壁と、
前記基材上に前記周壁に沿って環状に設けられ、前記支持部に支持された前記基板の裏面と第１ギャップを形成し、前記支持部に支持された前記基板と前記周壁との間からの浸入液体を前記基板との間に保持する第１領域と、
前記基材上において前記周壁に対して前記第１領域の内側に設けられ、前記支持部に支持された前記基板の裏面と前記第１ギャップよりも大きい第２ギャップを形成する第２領域とを備える基板保持装置。
【請求項２】
前記第１領域の内側に環状に設けられ、前記第２領域を含む溝をさらに備える請求項１記載の基板保持装置。
【請求項３】
前記溝は、前記浸入液体を捕集可能である請求項２記載の基板保持装置。
【請求項４】
前記第２領域の周囲に設けられた側面をさらに備え、
前記第１領域と前記外側面とがなす角は鋭角である請求項１〜３のいずれか一項記載の基板保持装置。
【請求項５】
前記支持部は、前記第１領域に設けられた第１支持部と前記第２領域に設けられた第２支持部とを有し、前記第１領域に設けられた前記第１支持部の上端と前記第２領域に設けられた前記第２支持部の上端とで、前記基板の支持面を形成する請求項１〜４のいずれか一項記載の基板保持装置。
【請求項６】
前記基材に設けられた吸引口をさらに備え、
前記支持部に支持された前記基板と前記周壁と前記基材とで囲まれた空間内の気体を前記吸引口から吸引することによって、前記基板を前記支持部上に吸着する請求項１〜５のいずれか一項記載の基板保持装置。
【請求項７】
前記吸引口は、前記第２領域に設けられている請求項６記載の基板保持装置。
【請求項８】
前記吸引口は、前記第１領域に設けられている請求項７記載の基板保持装置。
【請求項９】
前記周壁は、前記支持部に支持された前記基板の裏面と対向する上面を有し、
前記支持部の上端と前記周壁の上面とが同一面上に位置する請求項１〜８のいずれか一項記載の基板保持装置。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９のいずれか一項記載の基板保持装置を備え、当該基板保持装置に保持された基板上に液浸領域を形成して、該液浸領域の液体を介して当該基板保持装置に保持された基板を露光する露光装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を保持する基板保持装置、液体を介して基板を露光する露光装置、並びにデバイス製造方法に関するものである。
本願は、２００６年０１月１７日に出願された特願２００６−００８５５５号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、液体を介して基板を露光する液浸式の露光装置が知られている。
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【特許文献２】特開２００４−２８９１２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
液体が基板と基板ステージとの間のギャップ等を介して基板の裏面側に浸入し、その液体が基板の裏面の所定領域に付着すると、様々な不具合が発生する可能性がある。例えば基板の裏面側の空間に浸入した液体が基板の裏面の所定領域に付着すると、基板ステージのホルダで基板を良好に保持できなくなる可能性がある。あるいは、所定の搬送装置を用いてホルダから基板を搬出（アンロード）する際、搬送装置に液体が付着したり、搬送経路に液体が飛散する等、被害が拡大する可能性もある。【０００４】
本発明は、基板の裏面の所定領域に液体が付着することを抑制できる基板保持装置及び露光装置、その露光装置を用いたデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様に従えば、液体を介して露光光が照射される基板を保持する基板保持装置であって、基材と、前記基材上に形成され、前記基板を支持する支持部と、前記基材上に形成され、前記支持部を囲む周壁と、前記基材上に前記周壁に沿って環状に設けられ、前記支持部に支持された前記基板の裏面と第１ギャップを形成し、前記支持部に支持された前記基板と前記周壁との間からの浸入液体を前記基板との間に保持する第１領域と、前記基材上において前記周壁に対して前記第１領域の内側に設けられ、前記支持部に支持された前記基板の裏面と前記第１ギャップよりも大きい第２ギャップを形成する第２領域とを備える基板保持装置が提供される。【０００６】
本発明の第１の態様によれば、基板の裏面の所定領域に液体が付着することを抑制できる。【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、上記態様の基板保持装置を備え、当該基板保持装置に保持された基板上に液浸領域を形成して、該液浸領域の液体を介して当該基板保持装置に保持された基板を露光する露光装置が提供される。【０００８】
本発明の第２の態様によれば、基板の裏面の所定領域に液体が付着することを抑制できるので、基板を良好に露光することができる。【０００９】
本発明の第３の態様に従えば、上記態様の露光装置を用いるデバイス製造方法が提供される。【００１０】
本発明の第３の態様によれば、基板を良好に露光できる露光装置を用いてデバイスを製造することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基板の裏面側に浸入した液体が基板の裏面の所定領域に付着することを抑制でき、基板を良好に露光することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係るテーブルの側断面図である。
【図３】基板を保持した状態のテーブルの平面図である。
【図４】基板を外した状態のテーブルの平面図である。
【図５】基板及び板部材を外した状態の平面図である。
【図６】第１実施形態に係るテーブルの要部を示す側断面図である。
【図７】第１実施形態に係るテーブルの作用を説明するための模式図である。
【図８】気体の流れを説明するための模式図である。
【図９】気体の流れを説明するための模式図である。
【図１０Ａ】搬送装置で基板の裏面を保持している状態を示す図である。
【図１０Ｂ】搬送装置で基板の裏面を保持している状態を示す図である。
【図１１】第２実施形態に係るテーブルを説明するための模式図である。
【図１２】第３実施形態に係るテーブルを説明するための模式図である。
【図１３Ａ】角の角度と液体の状態との関係を説明するための模式図である。
【図１３Ｂ】角の角度と液体の状態との関係を説明するための模式図である。
【図１４】第４実施形態に係るテーブルを説明するための模式図である。
【図１５】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャート図である。
【符号の説明】
【００１３】
１…液浸システム、４…基板ステージ、４Ｔ…テーブル、３０…基材、３１…第１領域、３２…第２領域、３３…第１周壁、３３Ａ…第１上面、４１…第１空間、８１…支持部材、８１Ａ…第１支持部材、８２Ａ…第２支持部材、８３…角、８４…溝、８６、８６’…側面、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｇ１…第１ギャップ、Ｇ２…第２ギャップ、ＬＱ…液体、Ｐ…基板
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。【００１５】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ３と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ４と、マスクステージ３に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬと、投影光学系ＰＬの像面近傍の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように基板Ｐ上に液浸領域ＬＲを形成する液浸システム１と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７とを備えている。また、露光装置ＥＸは、基板ステージ４に対して基板Ｐを搬送可能な搬送装置１００を備えている。【００１６】
なお、ここでいう基板は半導体ウエハ等の基材上に感光材（フォトレジスト）が塗布されたものを含む。なお、基板は、感光材上に、保護膜などの膜が形成されたものも含む。マスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。また、本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。【００１７】
照明系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明するものである。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、ＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。【００１８】
マスクステージ３は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置により、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。マスクステージ３（ひいてはマスクＭ）の位置情報は、レーザ干渉計３Ｌによって計測される。レーザ干渉計３Ｌは、マスクステージ３上に設けられた反射鏡３Ｋを用いてマスクステージ３の位置情報を計測する。制御装置７は、レーザ干渉計３Ｌの計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置を制御し、マスクステージ３に保持されているマスクＭの位置制御を行う。【００１９】
なお、反射鏡３Ｋは平面鏡のみでなくコーナーキューブ（レトロリフレクタ）を含むものとしてもよいし、反射鏡３Ｋをマスクステージに固設する代わりに、例えばマスクステージ３の端面（側面）を鏡面加工して反射面を形成してもよい。また、マスクステージ３は、例えば特開平８−１３０１７９号公報（対応米国特許第６，７２１，０３４号）に開示される粗微動可能な構成としてもよい。【００２０】
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターン像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬは、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒ＰＫで保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系であり、前述の照明領域と共役な投影領域にマスクパターンの縮小像を形成する。なお、投影光学系ＰＬは縮小系、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸはＺ軸方向と平行となっている。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。【００２１】
基板ステージ４は、ステージ本体４Ｂと、ステージ本体４Ｂ上に搭載されたテーブル４Ｔと、テーブル４Ｔに設けられ、基板Ｐを着脱可能に保持する第１ホルダＨＤ１と、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの周囲を囲むように配置される板部材Ｔと、テーブル４Ｔに設けられ、板部材Ｔを着脱可能に保持する第２ホルダＨＤ２とを備えている。【００２２】
ステージ本体４Ｂは、エアベアリング４Ａにより、ベース部材ＢＰの上面（ガイド面）に対して非接触支持されている。ベース部材ＢＰの上面はＸＹ平面とほぼ平行であり、基板ステージ４は、ベース部材ＢＰ上でＸＹ方向に移動可能である。【００２３】
基板ステージ４は、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置により、第１ホルダＨＤ１に基板Ｐを保持した状態で、ベース部材ＢＰ上で移動可能である。基板ステージ駆動装置は、ステージ本体４Ｂをベース部材ＢＰ上でＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向に移動することによって、そのステージ本体４Ｂ上に搭載されているテーブル４ＴをＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向に移動可能な第１駆動系と、ステージ本体４Ｂに対してテーブル４ＴをＺ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向に移動可能な第２駆動系とを備えている。【００２４】
第１駆動系は、リニアモータ等のアクチュエータを含む。第２駆動系は、ステージ本体４Ｂとテーブル４Ｔとの間に介在された、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータ４Ｖと、各アクチュエータの駆動量を計測する不図示の計測装置（エンコーダなど）とを含む。テーブル４Ｔは、少なくとも３つのアクチュエータ４Ｖによってステージ本体４Ｂ上に支持される。アクチュエータ４Ｖのそれぞれは、ステージ本体４Ｂに対してテーブル４ＴをＺ軸方向に独立して駆動可能である。制御装置７は、３つのアクチュエータ４Ｖそれぞれの駆動量を調整することによって、ステージ本体４Ｂに対してテーブル４Ｔを、Ｚ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向に移動する。このように、第１、第２駆動系を含む基板ステージ駆動装置は、基板ステージ４のテーブル４Ｔを、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。制御装置７は、基板ステージ駆動装置を制御することにより、テーブル４Ｔの第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの表面のＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に関する位置を制御可能である。【００２５】
基板ステージ４のテーブル４Ｔ（ひいては基板Ｐ）の位置情報は、レーザ干渉計４Ｌによって計測される。レーザ干渉計４Ｌは、テーブル４Ｔに設けられた反射鏡４Ｋを用いて、テーブル４ＴのＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、テーブル４Ｔの第１ホルダＨＤ１に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出系によって検出される。制御装置７は、レーザ干渉計４Ｌの計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置を制御し、第１ホルダＨＤ１に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。【００２６】
フォーカス・レベリング検出系はその複数の計測点でそれぞれ基板のＺ軸方向の位置情報を計測することで、基板のθＸ及びθＹ方向の傾斜情報（回転角）を検出するものである。さらに、例えばレーザ干渉計が基板のＺ軸、θＸ及びθＹ方向の位置情報を計測可能であるときは、基板の露光動作中にそのＺ軸方向の位置情報が計測可能となるようにフォーカス・レベリング検出系を設けなくてもよく、少なくとも露光動作中はレーザ干渉計の計測結果を用いてＺ軸、θＸ及びθＹ方向に関する基板Ｐの位置制御を行うようにしてもよい。【００２７】
液浸システム１は、投影光学系ＰＬの像面近傍の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすものである。液浸システム１は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い最終光学素子ＦＬの下面と、その最終光学素子ＦＬと対向する位置に配置された物体の表面との間の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように、物体上に液浸領域ＬＲを形成する。本実施形態では、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。【００２８】
本実施形態において、最終光学素子ＦＬと対向する位置に配置可能な物体は、基板ステージ４（第１ホルダＨＤ１）に保持された基板Ｐと基板ステージ４（第２ホルダＨＤ２）に保持された板部材Ｔの少なくとも一方を含む。なお、以下においては、最終光学素子ＦＬと対向する位置に基板Ｐが配置されている場合を主に説明する。【００２９】
液浸システム１は、最終光学素子ＦＬの射出面側の露光光ＥＬの光路空間Ｋの近傍に設けられ、液体ＬＱを供給するための供給口１２及び液体ＬＱを回収するための回収口２２を有するノズル部材７０と、供給管１３、及びノズル部材７０の内部に形成された供給流路を介して供給口１２に液体ＬＱを供給する液体供給装置１１と、ノズル部材７０の回収口２２から回収された液体ＬＱを、ノズル部材７０の内部に形成された回収流路、及び回収管２３を介して回収する液体回収装置２１とを備えている。本実施形態においては、ノズル部材７０は、露光光ＥＬの光路空間Ｋを囲むように環状に設けられている。【００３０】
液体供給装置１１は、液体ＬＱの温度を調整する温度調整装置、液体ＬＱ中の気体成分を低減する脱気装置、及び液体ＬＱ中の異物を取り除くフィルタユニット等を備えており、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。また、液体回収装置２１は、真空系等を備えており、液体ＬＱを回収可能である。液体供給装置１１及び液体回収装置２１を含む液浸システム１の動作は制御装置７に制御される。液体供給装置１１から送出された液体ＬＱは、供給管１３、及びノズル部材７０の供給流路を流れた後、供給口１２より露光光ＥＬの光路空間Ｋに供給される。また、液体回収装置２１を駆動することにより回収口２２から回収された液体ＬＱは、ノズル部材７０の回収流路を流れた後、回収管２３を介して液体回収装置２１に回収される。制御装置７は、液浸システム１を制御して、液体供給装置１１による液体供給動作と液体回収装置２１による液体回収動作とを並行して行うことで、最終光学素子ＦＬと基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように、基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成する。【００３１】
露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐに投影している間、液浸システム１を用いて、露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たす。露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬと露光光ＥＬの光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱとを介してマスクＭを通過した露光光ＥＬを第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐ上に照射することによって、マスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影して、基板Ｐを露光する。また、本実施形態の露光装置ＥＸは、最終光学素子ＦＬと基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱが、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲを含む基板Ｐ上の一部の領域に、投影領域ＡＲよりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。【００３２】
なお、上述したように、液浸領域ＬＲは、基板Ｐ上だけでなく、投影光学系ＰＬの像面側において、最終光学素子ＦＬの下面と対向する位置に配置された物体上、例えば、板部材Ｔの一部等にも形成可能である。【００３３】
次に、本実施形態に係るテーブル４Ｔについて、図２〜図６を参照して説明する。図２は第１ホルダＨＤ１で基板Ｐを保持した状態のテーブル４Ｔの側断面図、図３は第１ホルダＨＤ１で基板Ｐを保持した状態のテーブル４Ｔを上方から見た平面図、図４は基板Ｐを第１ホルダＨＤ１より外した状態のテーブル４Ｔを上方から見た平面図、図５は基板Ｐ及び板部材Ｔを第１、第２ホルダＨＤ１、ＨＤ２より外した状態の平面図、図６はテーブル４Ｔの一部を拡大した側断面図である。【００３４】
図２等に示すように、テーブル４Ｔは、基材３０と、基材３０に設けられ、基板Ｐを着脱可能に保持する第１ホルダＨＤ１と、基材３０に設けられ、板部材Ｔを着脱可能に保持する第２ホルダＨＤ２とを備えている。第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔは、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの周囲を囲むように配置される。【００３５】
第１ホルダＨＤ１について説明する。図２〜図６に示すように、第１ホルダＨＤ１は、基材３０上に形成され、基板Ｐの裏面を支持する支持部材８１と、基材３０上に形成され、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面と対向する第１上面３３Ａを有し、支持部材８１を囲むように設けられた第１周壁３３と、基材３０の上面に設けられ、第１周壁３３で囲まれた第１空間４１内において、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面と第１ギャップＧ１を形成する第１領域３１と、基材３０の上面の、第１領域３１に対して第１空間４１の中央に近い位置に設けられ、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面と第１ギャップＧ１よりも大きい第２ギャップＧ２を形成する第２領域３２とを備えている。第１領域３１と第２領域３２との間で段差が形成されている。第２領域３２の周囲には、Ｚ軸とほぼ平行な側面８６が設けられており、側面８６は、その上端で第１領域３１と接続され、その下端で第２領域３２と接続されている。なお、本実施形態においては、第１領域３１と側面８６とで形成される角８３はほぼ９０度である。また、本実施形態において、側面８６と第２領域３２とで形成される角もほぼ９０度である。【００３６】
第１周壁３３は、基板Ｐの外形とほぼ同形状の環状に形成されており、その第１周壁３３の第１上面３３Ａは、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面の周縁領域（エッジ領域）と対向するように設けられている。第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの裏面側において、第１空間４１は、基板Ｐの裏面と第１周壁３３と基材３０とで囲まれている。第１ホルダＨＤ１は、第１空間４１の中心と、基板Ｐの裏面の中心とがほぼ一致するように、基板Ｐを保持する。【００３７】
また、本実施形態においては、第１周壁３３の外径は、基板Ｐの外径よりも小さく形成されている。換言すれば、第１周壁３３は、支持部材８１に支持された基板Ｐのエッジよりも内側（基板Ｐの中心側）に位置する。すなわち、支持部材８１に支持された基板Ｐのエッジ領域は、第１周壁３３の外側に所定量オーバーハングしている。以下の説明においては、基板Ｐの第１周壁３３よりも外側にオーバーハングした領域を適宜、オーバーハング領域Ｈ１（図６参照）、と称する。本実施形態においては、オーバーハング領域Ｈ１の幅は、約１．５ｍｍである。【００３８】
図６に示すように、本実施形態においては、第１周壁３３は、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面と第１上面３３Ａとが接触するように形成されている。すなわち、支持部材８１の上端と第１周壁３３の第１上面３３Ａとは、ほぼ同一面上に位置し、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面と第１周壁３３の第１上面３３Ａとの間にはギャップはほぼ無い。本実施形態においては、第１上面３３Ａの幅は、約０．５ｍｍに設定されている。【００３９】
第１領域３１は、基材３０の上面の第１周壁３３近傍に設けられている。第１領域３１は、第１周壁３３の内側に設けられている。すなわち、第１領域３１は第１空間４１内に配置されている。本実施形態においては、第１領域３１は、第１周壁３３に沿うように環状に設けられている。また、第２領域３２は、第１周壁３３に対して第１領域３１の内側においてほぼ円形状に設けられている。本実施形態においては、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面と第１領域３１との間の第１ギャップＧ１は、約５０μｍに設定されている。支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面と第２領域３２との間の第２ギャップＧ２は、２００〜１０００μｍに設定されている。また、第１領域３１及び第２領域３２のそれぞれはＸＹ平面とほぼ平行であり、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面もＸＹ平面とほぼ平行である。すなわち、基材３０の上面の第１領域３１及び第２領域３２のそれぞれと、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面とはほぼ平行である。【００４０】
支持部材８１は、基材３０の上面に形成されたピン状の突起部材であり、第１周壁３３の内側において基材３０の上面の複数の所定位置のそれぞれに配置されている。本実施形態においては、支持部材８１は、基材３０の上面の第１領域３１及び第２領域３２のそれぞれにほぼ一様に設けられている。以下の説明においては、基材３０の上面の第１領域３１に設けられた支持部材８１を適宜、第１支持部材８１Ａ、と称し、基材３０の上面の第２領域３２に設けられた支持部材８１を適宜、第２支持部材８１Ｂ、と称する。【００４１】
基板Ｐは、第１支持部材８１Ａの上端、及び第２支持部材８１Ｂの上端のそれぞれで支持される。すなわち、第１領域３１に設けられた第１支持部材８１Ａの上端と、第２領域３２に設けられた第２支持部材８１Ｂの上端とは、基板Ｐの裏面と接触する支持面を形成している。本実施形態においては、第１領域３１に設けられた第１支持部材８１Ａの上端と、第２領域３２に設けられた第２支持部材８１Ｂの上端とは、ほぼ同じ高さ（Ｚ軸方向の位置がほぼ同じ）に設けられている。したがって、第１領域３１に設けられた第１支持部材８１ＡのＺ軸方向（高さ方向）の大きさは、第２領域３２に設けられた第２支持部材８１ＢのＺ軸方向（高さ方向）の大きさよりも小さい。【００４２】
第１周壁３３の内側の基材３０上には、第１空間４１内の流体（主に気体）を吸引する第１吸引口６２が複数設けられている。第１吸引口６２は基板Ｐを吸着保持するためのものである。【００４３】
第１吸引口６２は、第１、第２支持部材８１Ａ、８１Ｂ以外の複数の所定位置にそれぞれ形成されている。本実施形態においては、第１吸引口６２は、基材３０の上面の第１領域３１及び第２領域３２のそれぞれに形成されている。【００４４】
第１吸引口６２のそれぞれは、真空系等を含む不図示の吸引装置と流路を介して接続されているとともに、第１空間４１と接続されている。制御装置７は、第１吸引口６２に接続された吸引装置を駆動することにより、第１空間４１の流体（気体、液体を含む）を吸引可能である。制御装置７は、支持部材８１で基板Ｐを支持した状態で、基板Ｐと基材３０と第１周壁３３とで囲まれた第１空間４１の気体を吸引して、第１空間４１を大気圧よりも負圧にすることによって（第１空間４１の圧力を、その外側の空間の圧力よりも低くすることによって）、基板Ｐを支持部材８１（第１、第２支持部材８１Ａ、８１Ｂ）で吸着保持する。また、第１吸引口６２に接続された吸引装置による吸引動作を解除することにより、第１ホルダＨＤ１より基板Ｐを外すことができる。このように、本実施形態においては、第１吸引口６２を用いた吸引動作及び吸引動作の解除を行うことにより、基板Ｐを第１ホルダＨＤ１に対して着脱することができる。本実施形態における第１ホルダＨＤ１は所謂ピンチャック機構を含む。【００４５】
また、テーブル４Ｔは、基材３０上に形成され、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面と対向する第２上面３４Ａを有し、第１周壁３３を囲むように設けられた第２周壁３４と、第１周壁３３と第２周壁３４との間の流体を吸引する第２吸引口６３とを備えている。【００４６】
第２周壁３４の第２上面３４Ａは、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１と対向する。本実施形態においては、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１と第２周壁３４の第２上面３４Ａとの間には第３ギャップＧ３が形成される。本実施形態においては、第３ギャップＧ３は、例えば１〜１０μｍ程度に設定されている。また、本実施形態においては、第２上面３４Ａの幅は、約０．５ｍｍに設定されている。【００４７】
第２吸引口６３は、真空系等を含む不図示の吸引装置と流路を介して接続されている。また、第２吸引口６３は、第１周壁３３と第２周壁３４との間の第２空間４２と接続されている。第２空間４２は、基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１と第１周壁３３と第２周壁３４と基材３０とで囲まれた空間である。制御装置７は、第２吸引口６３に接続された吸引装置を駆動することにより、第２空間４２の流体（気体、液体を含む）を吸引可能である。【００４８】
本実施形態においては、第２吸引口６３は、第１周壁３３と第２周壁３４との間の基材３０上で第１周壁３３を囲むように所定間隔で複数形成されている。本実施形態においては、第２吸引口６３のそれぞれは円形状であるが、角形状などでもよい。また、本実施形態においては、第２吸引口６３は、第１周壁３３の周囲にほぼ等間隔で複数形成されている。【００４９】
また、本実施形態においては、第１周壁３３と第２周壁３４との間の基材３０上には、第１周壁３３を囲むように溝５３が形成されている。第２吸引口６３は、溝５３の内側に形成されている。【００５０】
また、第２周壁３４の一部には、スリット３７が形成されている。スリット３７は、第２周壁３４の周方向における複数の所定位置のそれぞれに形成されている。本実施形態においては、スリット３７は、第２周壁３４の周方向においてほぼ等間隔で複数形成されている。【００５１】
本実施形態においては、スリット３７は、上下方向（Ｚ軸方向）に延びるように形成され、スリット３７の下端は、基材３０まで達している。一方、スリット３７の上端は第２周壁３４の第２上面３４Ａまで達している。したがって、本実施形態における第２周壁３４は、平面視円弧状の複数の壁部を組み合わせたものであり、それら円弧状の複数の壁部を第１周壁３３に沿って配置することにより、全体としてほぼ環状となっている。第２吸引口６３のそれぞれは、互いに隣り合うスリット３７間に設けられている。【００５２】
次に、板部材Ｔ及びその板部材Ｔを着脱可能に保持する第２ホルダＨＤ２について説明する。板部材Ｔは、テーブル４Ｔとは別の部材であって、基材３０に対して着脱可能である。また、図３等に示すように、板部材Ｔの中央には、基板Ｐを配置可能な略円形状の開口ＴＨが形成されている。第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔは、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの周囲を囲むように配置される。本実施形態においては、第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔの表面は、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）となるような平坦面となっている。なお、第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの表面と第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔの表面との間に段差があってもよい。【００５３】
第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐの外側のエッジ（側面）と、その基板Ｐの外側に配置され、第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔの内側（開口ＴＨ側）のエッジ（内側面）との間には、第４ギャップＧ４が形成される。第４ギャップＧ４は、例えば０．１〜１．０ｍｍ程度に設定される。また、板部材Ｔの外形は平面視矩形状であり、本実施形態においては、基材３０の外形とほぼ同形状である。【００５４】
板部材Ｔの表面は、液体ＬＱに対して撥液性を有している。例えば、板部材Ｔの表面と液体ＬＱとの接触角は、９０度以上、好ましくは、１１０度以上である。板部材Ｔは、例えばポリ四フッ化エチレン（テフロン（登録商標））等のフッ素系樹脂やアクリル系樹脂等の撥液性を有する材料によって形成されている。なお、板部材Ｔを金属等で形成し、その表面にフッ素系樹脂などの撥液性材料を被覆するようにしてもよい。【００５５】
第２ホルダＨＤ２は、基材３０上に形成され、板部材Ｔを支持する支持部材８２と、基材３０上に形成され、支持部材８２に支持された板部材Ｔの裏面と対向する第３上面３５Ａを有し、第２周壁３４を囲むように設けられた第３周壁３５と、基材３０上に形成され、支持部材８２に支持された板部材Ｔの裏面と対向する第４上面３６Ａを有し、第３周壁３５を囲むように設けられた第４周壁３６とを備えている。板部材Ｔを支持する支持部材８２は、第３周壁３５と第４周壁３６との間に形成されている。【００５６】
第３周壁３５の第３上面３５Ａは、支持部材８２に支持された板部材Ｔの裏面の、開口ＴＨ近傍の内縁領域（内側のエッジ領域）と対向するように設けられている。また、第４周壁３６の第４上面３６Ａは、板部材Ｔの裏面の外縁領域（外側のエッジ領域）と対向するように設けられている。第３周壁３５と第４周壁３６との間には第３空間４３が形成されており、第２ホルダＨＤ２に板部材Ｔを保持したとき、板部材Ｔの裏面と第３周壁３５と第４周壁３６と基材３０とで囲まれた第３空間４３はほぼ閉空間となる。【００５７】
本実施形態においては、第３周壁３５は、支持部材８２に支持された板部材Ｔの裏面と第３上面３５Ａとが接触するように形成され、第４周壁３６は、支持部材８２に支持された板部材Ｔの裏面と第４上面３６Ａとが接触するように形成される。【００５８】
支持部材８２は、基材３０の上面に形成されたピン状の突起部材であり、第３周壁３５と第４周壁３６との間の基材３０の上面の複数の所定位置のそれぞれに配置されている。【００５９】
基材３０上には、第３空間４３内の流体（主に気体）を吸引する第３吸引口６４が設けられている。第３吸引口６４は板部材Ｔを吸着保持するためのものである。第３空間４３において、第３吸引口６４は、支持部材８２以外の複数の所定位置にそれぞれ形成されている。【００６０】
第３吸引口６４のそれぞれは、真空系等を含む不図示の吸引装置と流路を介して接続されているとともに、第３空間４３と接続されている。制御装置７は、第３吸引口６４に接続された吸引装置を駆動することにより、第３空間４３の流体（気体、液体を含む）を吸引可能である。制御装置７は、支持部材８２で板部材Ｔを支持した状態で、板部材Ｔと基材３０と第３周壁３５と第４周壁３６とで囲まれた第３空間４３の気体を吸引して、第３空間４３を負圧にすることによって（第３空間４３の圧力を、その外側の空間の圧力よりも低くすることによって）、板部材Ｔの裏面を支持部材８２で吸着保持する。また、第３吸引口６４に接続された吸引装置による吸引動作を解除することにより、第２ホルダＨＤ２より板部材Ｔを外すことができる。このように、本実施形態においては、第３吸引口６４を用いた吸引動作及び吸引動作の解除を行うことにより、板部材Ｔを第２ホルダＨＤ２に対して着脱することができる。本実施形態における第２ホルダＨＤ２は所謂ピンチャック機構を含む。【００６１】
また、図６等に示すように、第２周壁３４と第３周壁３５との間には、第４空間４４が形成されている。基板Ｐが第１ホルダＨＤ１に、板部材Ｔが第２ホルダＨＤ２に保持されているとき、基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１と第２周壁３４と第３周壁３５と基材３０とで囲まれた第４空間４４は、基板Ｐと板部材Ｔとの間に形成された第４ギャップＧ４を介して、外部空間（大気空間）と接続されている。【００６２】
また、図６等に示すように、基板Ｐが第１ホルダＨＤ１に、板部材Ｔが第２ホルダＨＤ２に保持されているとき、基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１と第１周壁３３と第２周壁３４と基材３０とで囲まれた第２空間４２は、第２周壁３４の第２上面３４Ａと基板Ｐの裏面との間に形成された第３ギャップＧ３、及び基板Ｐと板部材Ｔとの間に形成された第４ギャップＧ４を介して、外部空間（大気空間）と接続され、且つスリット３７、及び第４ギャップＧ４を介して、外部空間（大気空間）と接続されている。すなわち、基板Ｐが第１ホルダＨＤ１に、板部材Ｔが第２ホルダＨＤ２に保持されているときにも、スリット３７、第３ギャップＧ３、及び第４ギャップＧ４によって、第２空間４２と外部空間（大気空間）との間で気体が流通可能となっている。【００６３】
次に、テーブル４Ｔの動作、作用について説明する。【００６４】
制御装置７は、基板ステージ４を所定の基板交換位置（ローディングポジション）に配置し、基板ステージ４のテーブル４Ｔの第１ホルダＨＤ１に、搬送装置１００を用いて、露光処理されるべき基板Ｐを搬入（ロード）する。制御装置７は、所定のタイミングで、第１吸引口６２に接続されている吸引装置を駆動し、第１ホルダＨＤ１にロードされた基板Ｐの裏面と第１周壁３３と基材３０とで囲まれた第１空間４１を負圧にすることによって、基板Ｐを支持部材８１で吸着保持する。なお、基板Ｐが第１ホルダＨＤ１に保持される前に、板部材Ｔは既に第２ホルダＨＤ２に保持されている。【００６５】
制御装置７は、第１ホルダＨＤ１で保持された基板Ｐを液浸露光するために、液浸システム１を用いて、基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成する。制御装置７は、テーブル４Ｔの第１ホルダＨＤ１に保持された基板Ｐを液浸領域ＬＲの液体ＬＱを介して露光する。【００６６】
例えば基板Ｐの表面のエッジ領域を液浸露光するとき、液浸領域ＬＲの一部が基板Ｐの外側に形成され、第４ギャップＧ４の上に液浸領域ＬＲが形成される可能性がある。その場合、第１ホルダＨＤ１で保持された基板Ｐと第２ホルダＨＤ２に保持された板部材Ｔとの間の第４ギャップＧ４は、０．１〜１．０ｍｍ程度に設定されているので、液体ＬＱの表面張力によって、第４ギャップＧ４に液体ＬＱが浸入することが抑制されている。また、板部材Ｔの表面は撥液性を備えているので、第４ギャップＧ４を介して基板Ｐの裏面側の第４空間４４に液体ＬＱが浸入することが抑制されている。したがって、基板Ｐの表面のエッジ領域を露光する場合にも、基板Ｐの周囲に板部材Ｔが配置されているので、投影光学系ＰＬの下に液体ＬＱを保持することができる。【００６７】
しかしながら、テーブル４Ｔの移動、及び／又は液浸領域ＬＲを形成している液体ＬＱの圧力変化などに起因して、第４ギャップＧ４を介して、基板Ｐの裏面側の第４空間４４に液体ＬＱが浸入する可能性がある。第４ギャップＧ４を介して第４空間４４に浸入した液体ＬＱが、第３ギャップＧ３及び／又はスリット３７を介して第２空間４２に浸入した場合でも、基板Ｐの裏面と第１周壁３３の第１上面３３Ａとは接触（密着）しているので、第１周壁３３の内側へ液体ＬＱが浸入することを抑制することができる。また、第１周壁３３と第２周壁３４との間には第２空間４２が設けられているので、ギャップＧ４、Ｇ３などを介して浸入した液体ＬＱを、その第２空間４２で保持することができる。なお、本実施形態においては、制御装置７は、少なくとも基板Ｐを露光している間においては、第２吸引口６３を用いた吸引動作は実行しない。すなわち、制御装置７は、少なくとも基板Ｐを露光している間、第２吸引口６３に接続されている吸引装置の駆動を停止する。【００６８】
また、例えば基板Ｐの裏面の第１周壁３３の第１上面３３Ａと接触する領域に凹凸があったり、基板Ｐに反りが生じたりしている等、何らかの原因で基板Ｐの裏面と第１周壁３３の第１上面３３Ａとの間に隙間が形成される可能性がある。この場合、基板Ｐの裏面と第１周壁３３の第１上面３３Ａとの間を介して、第１周壁３３の内側、すなわち第１空間４１に液体ＬＱが浸入する可能性がある。しかしながら、基材３０の上面の第１周壁３３の近傍には、基板Ｐの裏面と第１ギャップＧ１を形成する第１領域３１が設けられているので、第１領域３１よりも内側（例えば角８３よりも内側）に液体ＬＱが浸入することを抑制することができる。すなわち、第１周壁３３の内側に第１領域３１を設けることによって、第２領域３２と基板Ｐの裏面との間の空間への液体ＬＱの浸入を抑制することができる。【００６９】
図７は、第１周壁３３の第１上面３３Ａと基板Ｐの裏面との間から第１空間４１に液体ＬＱが浸入した状態を示す図である。図７に示すように、第１領域３１と基板Ｐの裏面との間には、約５０μｍの微小な第１ギャップＧ１が形成されているため、浸入した液体ＬＱは、第１領域３１と基板Ｐの裏面との間で保持される。第１領域３１と基板Ｐの裏面との間の第１ギャップＧ１は、第２領域３２と基板Ｐとの間の第２ギャップＧ２よりも小さいため、第１空間４１に浸入した液体ＬＱは、その表面張力により、第１領域３１と基板Ｐの裏面との間の空間に留まり、第２領域３２と基板Ｐの裏面との間の空間まで流れ込まない。また、第１空間４１に浸入した液体ＬＱは、毛管現象により、環状に形成された第１領域３１に沿って、周方向に拡がる。このように、第１空間４１に液体ＬＱが浸入したとしても、第１領域３１は、第１空間４１に浸入した液体ＬＱを、基板Ｐの裏面との間で保持するので、第１空間４１に浸入した液体ＬＱが、第２領域３２と基板Ｐの裏面との間の空間まで到達することを抑制することができる。【００７０】
本実施形態においては、第１空間４１に浸入した液体ＬＱが第１領域３１と基板Ｐの裏面との間の空間に保持され、第２領域３２と基板Ｐの裏面との間の空間へ流れ込まないように、第１領域３１と第２領域３２との間の段差、第１ギャップＧ１の大きさ、第２ギャップＧ２の大きさ、及び第１領域３１の大きさ（第１周壁３３と角８３との距離など）などが最適化されている。第１空間４１に浸入する液体ＬＱの量は微量なので、第１ギャップＧ１が小さくても、その浸入した液体ＬＱを、第１領域３１と基板Ｐの裏面との間で保持することができる。また、第２領域３２に設けられた第１吸引口６２の吸引動作（吸引力など）は、第１空間４１に浸入し、第１領域３１と基板Ｐの裏面との間で保持されている液体ＬＱを、第２領域３２と基板Ｐの裏面との間の空間に引き込まないように、最適化されている。【００７１】
基板Ｐの露光終了後、制御装置７は、基板Ｐを第１ホルダＨＤ１で保持した状態で、第２吸引口６３に接続されている吸引装置を駆動し、第２吸引口６３を用いた吸引動作を開始する。第２吸引口６３に接続された吸引装置が駆動されると、第２吸引口６３の周囲の流体（すなわち第２空間４２の流体）は、第２吸引口６３に吸引される。第２周壁３４の第２上面３４Ａと基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１との間に形成された第３ギャップＧ３は、第１周壁３３と第２周壁３４との間の第２空間４２と外部空間との間で気体を流通可能な流路を形成している。そのため、図８に示すように、第２吸引口６３が第２空間４２の気体を吸引することによって、外部空間（大気空間）から第４ギャップＧ４及び第３ギャップＧ３を介して第２空間４２に気体が流入し、第２吸引口６３へ向かう気体の流れＦ３が生成される。また、第２周壁３４の一部に設けられたスリット３７は、第１周壁３３と第２周壁３４との間の第２空間４２と外部空間との間で気体を流通可能な流路を形成している。そのため、図９に示すように、第２吸引口６３が第２空間４２の気体を吸引することによって、外部空間（大気空間）から第４ギャップＧ４及びスリット３７を介して第２空間４２に気体が流入し、第２吸引口６３へ向かう気体の流れＦ４が生成される。【００７２】
第２吸引口６３を用いた吸引動作により生成された気体の流れＦ３、Ｆ４によって、基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１に付着している液体ＬＱ、及び第１周壁３３の外側面、第２周壁３４の内側面、及び第２空間４２における基材３０の上面等に付着している液体ＬＱは、第２吸引口６３まで移動し、第２吸引口６３を介して回収される。このように、第２吸引口６３を用いた吸引動作を行うことにより、基板Ｐの裏面のオーバーハング領域Ｈ１に付着している液体ＬＱ、及び第２空間４２に存在する液体ＬＱを回収することができる。【００７３】
本実施形態においては、液体ＬＱを介した基板Ｐの露光中には、第２吸引口６３を用いた吸引動作は停止しており、第２吸引口６３を用いた吸引動作は、液体ＬＱを介した基板Ｐの露光終了後に行われる。露光中に第２吸引口６３を用いた吸引動作を停止することで、第２吸引口６３を用いた吸引動作（液体回収動作）に起因する振動、基板Ｐ表面の平坦度の劣化を抑えることができる。そして、液体ＬＱを介した露光終了後、基板Ｐを第１ホルダＨＤ１に保持した状態で、第２吸引口６３を用いた吸引動作を行うことで、液体ＬＱを円滑に回収することができる。なお、第２吸引口６３を用いた吸引動作（液体回収動作）は、基板Ｐの露光終了後であって、基板Ｐを第１ホルダＨＤ１よりアンロードする前であればいつ実行してもよい。【００７４】
図１０Ａ及び１０Ｂは、第１ホルダＨＤ１からアンロードされた基板Ｐを搬送装置１００で搬送している状態を示す図である。搬送装置１００は、アーム部材１０１と、アーム部材１０１上に設けられ、基板Ｐの裏面の中央近傍の所定領域ＰＡと接触する接触面１０３を有する凸部材１０２とを備えている。第１ホルダＨＤ１の第２領域３２は、搬送装置１００の接触面１０３と接触する基板Ｐの裏面の所定領域ＰＡに応じて設定されている。上述のように、第１ホルダＨＤ１で基板Ｐの裏面を保持した状態においては、第１領域３１と基板Ｐの裏面との間で形成される第１ギャップＧ１により、第２領域３２と基板Ｐの裏面との間の空間に液体ＬＱが浸入することが抑制されており、基板Ｐの裏面の所定領域ＰＡに液体ＬＱが付着することが抑制されている。したがって、搬送装置１００の接触面１０３が基板Ｐの裏面の所定領域ＰＡに接触する場合にも、搬送装置１００に液体ＬＱが付着することを抑制することができる。【００７５】
以上説明したように、第１周壁３３の内側に基板Ｐの裏面と第１ギャップＧ１を形成する第１領域３１を設けるとともに、第１領域３１の内側に、基板Ｐの裏面と第１ギャップＧ１よりも大きい第２ギャップＧ２を形成する第２領域３２を設けたことにより、第１周壁３３の内側の第１空間４１に浸入した液体ＬＱを、第１領域３１と基板Ｐの裏面との間で保持することができる。したがって、基板Ｐの裏面の所定領域ＰＡ（第２領域３２に対応する領域）に液体ＬＱが付着することを抑制することができ、搬送装置１００が基板Ｐの裏面の所定領域ＰＡと接触する場合でも、搬送装置１００に液体ＬＱが付着することを抑制できる。【００７６】
また、基板Ｐのオーバーハング領域Ｈ１に付着した液体ＬＱは、第２吸引口６３の吸引動作により回収されるので、基板Ｐをアンロードした後、その基板Ｐを搬送している間においても、搬送経路上に液体ＬＱが飛散することを抑制できる。また、必要に応じて、基板ステージ４からアンロードされた後の基板Ｐの搬送経路上に、基板Ｐに付着した液体ＬＱを除去可能な除去装置を設けておくことにより、搬送経路上に液体ＬＱが飛散することを抑制できる。【００７７】
なお、上述の実施形態においては、第１吸引口６２が第１領域３１にも設けられているので、第１領域３１と基板Ｐの裏面との間の空間に浸入した液体ＬＱを第１吸引口６２から回収することができる。この場合、第１吸引口６２と、第１吸引口６２に接続された吸引装置との間の流路に気液分離装置などを配置する必要がある。【００７８】
また、第１領域３１に第１吸引口６２を設けなくてもよい。特に、第１吸引口６２が液体ＬＱを吸引することによって、気化熱などの問題が生じる場合には、第２領域３２のみに第１吸引口６２を設けることが望ましい。【００７９】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。本実施形態の特徴的な部分は、第１周壁３３の内側の基材３０の上面に溝が形成されている点にある。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。【００８０】
図１１は、第２実施形態に係るテーブル４Ｔの一部を拡大した側断面図である。図１１において、第１周壁３３の内側の基材３０の上面には溝８４が形成されている。溝８４は、第１周壁３３の近傍に形成されており、第１周壁３３に沿うように環状に形成されている。【００８１】
溝８４と第１周壁３３との間の基材３０の上面は、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面との間で第１ギャップＧ１を形成する第１領域３１となっている。また、溝８４の内側の底面８５は、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面との間で第２ギャップＧ２を形成する第２領域３２となっている。すなわち、本実施形態においては、第２領域３２は溝８４の内側に設けられている。【００８２】
本実施形態においては、第１ギャップＧ１を形成する第１領域３１の内側に、第１ギャップＧ１よりも大きい第２ギャップＧ２を形成する溝８４が設けられているので、上述の実施形態同様、第１空間４１に浸入した液体ＬＱの、第１領域３１の内側の溝８４（第２領域３２と基板Ｐの裏面との間の空間）への流入が抑制され、第１空間４１に浸入した液体ＬＱを、第１領域３１と基板Ｐの裏面との間に保持することができる。また、何らかの原因で、第１領域３１と基板Ｐの裏面との間で保持されている液体ＬＱが、第１領域３１よりも第１空間４１の中央側（溝８４）に流れても、溝８４で液体ＬＱを捕集することができる。したがって、溝８４よりも第１空間４１の中央側に液体ＬＱが浸入することを抑制することができる。このように、本実施形態においては、第１ギャップＧ１よりも大きな第２ギャップＧ２を形成するとともに、液体ＬＱを捕集可能な溝８４を設けることにより、基板Ｐの裏面の中央近傍の所定領域ＰＡに液体ＬＱが付着することを抑制することができる。【００８３】
なお、図１１において、角８３は鈍角に形成されているが、角８３はほぼ９０度であってもよい。【００８４】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。本実施形態の特徴的な部分は、第１領域３１と第２領域３２との間の角８３を鋭角にした点にある。【００８５】
図１２は、第３実施形態に係るテーブル４Ｔの一部を拡大した側断面図である。図１２において、第１周壁３３の内側の基材３０の上面には溝８４が形成されている。溝８４は、第１周壁３３の近傍に形成されており、第１周壁３３の内側において、第１周壁３３に沿うように環状に形成されている。【００８６】
溝８４と第１周壁３３との間の基材３０の上面は、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面との間で第１ギャップＧ１を形成する第１領域３１となっている。また、溝８４の内側の底面８５は、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面との間で第２ギャップＧ２を形成する第２領域３２となっている。【００８７】
溝８４の第１領域３１に近い側面８６’は、第２領域３２の周囲の外側面であり、角８３は、側面８６’と、第１領域３１との間に形成される。そして、本実施形態においては、角８３の角度αは鋭角となっている。角度αは、側面８６’と基材３０の上面の第１領域３１とがなす角度である。【００８８】
角８３を鋭角にすることにより、第１領域３１と基板Ｐの裏面との間で保持されている液体ＬＱが、第１領域３１よりも第１空間４１の中央側へ浸入することを抑制することができる。このことについて、図１３Ａ及び１３Ｂを参照して説明する。【００８９】
図１３Ａは、角８３が鋭角でない場合の液体ＬＱの状態を示す模式図、図１３Ｂは、角８３が鋭角である場合の液体ＬＱの状態を示す模式図である。なお、図１３Ａにおいては、角８３はほぼ直角となっている。【００９０】
図１３Ａ及び１３Ｂにおいて、図中、液体ＬＱの−Ｙ方向に抵抗する力をＦＬ、＋Ｚ方向に抵抗する力をＦＵとした場合、
ＦＬ  ＝  γ１×ｓｉｎα１  −  γ２×ｃｏｓα２   …（１）
ＦＵ  ＝  γ2×ｓｉｎα2  −  γ1×ｃｏｓα1   …（２）が成り立つ。但し、
γ１ ：基材３０での液体ＬＱの表面張力、
γ２ ：基板Ｐでの液体ＬＱの表面張力、
α１ ：基材３０と液体ＬＱとの接触角、
α２ ：基板Ｐと液体ＬＱとの接触角、である。【００９１】
第１領域３１と基板Ｐの裏面との間に保持された液体ＬＱが、第１空間４１の中央側（図１３Ａ及び１３Ｂ中、＋Ｙ方向）に移動しないためには、
ＦＬ＞０、ＦＵ＞０  …（３）の条件を満たす必要がある。【００９２】
（１）式、（２）式、及び図１３Ａ及び１３Ｂから分かるように、角８３を鋭角にすることにより、（３）式の条件を容易に満足させることができる。【００９３】
このように、第１領域３１と第２領域３２との間の角８３の角度αを鋭角にすることで、第１領域３１と基板Ｐの裏面との間で保持されている液体ＬＱが、第１領域３１よりも第１空間４１の中央側（内側）に移動することを抑制することができる。したがって、基板Ｐの裏面の中央近傍の所定領域ＰＡに液体ＬＱが付着することを抑制できる。【００９４】
なお、図６等を参照して説明した第１実施形態の角８３を鋭角にすることもできる。【００９５】
＜第４実施形態＞
なお、図１４に示すように、第１周壁３３の内側の基材３０上に、第１周壁３３に沿うように形成される第５周壁３８を設けることができる。第５周壁３８は、第１周壁３３の近傍に形成されており、第１周壁３３の内側において、第１周壁３３に沿うように環状に形成されている。本実施形態では、第５周壁３８の第５上面３８Ａと、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面との間には所定のギャップが形成されているが、第５周壁３８の第５上面３８Ａと、支持部材８１に支持された基板Ｐの裏面とは接触していてもよい。【００９６】
第１周壁３３の第１上面３３Ａと基板Ｐの裏面との間から第１空間４１に液体ＬＱが浸入しても、第５周壁３８により、液体ＬＱが第５周壁３８よりも内側（第１空間４１の中央側）に浸入することを抑制することができる。したがって、基板Ｐの裏面の中央近傍の所定領域ＰＡに液体ＬＱが付着することを抑制できる。【００９７】
なお、上述の実施形態の投影光学系は、最終光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、最終光学素子の物体面側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。【００９８】
なお、上述の実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ２レーザである場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。【００９９】
また、液体ＬＱとしては、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。また、液体ＬＱとしては、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。液体ＬＱとしては、例えば、屈折率が約１．５０のイソプロパノール、屈折率が約１．６１のグリセロール（グリセリン）といったＣ−Ｈ結合あるいはＯ−Ｈ結合を持つ所定液体、ヘキサン、ヘプタン、デカン等の所定液体（有機溶剤）、デカリン、バイサイクロヘクシル等の所定液体が挙げられる。あるいは、これら所定液体のうち任意の２種類以上の液体が混合されたものであってもよいし、純水に上記所定液体が添加（混合）されたものであってもよい。あるいは、液体ＬＱとしては、純水に、Ｈ＋、Ｃｓ＋、Ｋ＋、Ｃｌ−、ＳＯ４２−、ＰＯ４２−等の塩基又は酸を添加（混合）したものであってもよい。更には、純水にＡｌ酸化物等の微粒子を添加（混合）したものであってもよい。これら液体ＬＱは、ＡｒＦエキシマレーザ光を透過可能である。また、液体ＬＱとしては、光の吸収係数が小さく、温度依存性が少なく、投影光学系ＰＬ及び／又は基板Ｐの表面に塗布されている感光材（又は保護膜（トップコート膜）あるいは反射防止膜など）に対して安定なものであることが好ましい。【０１００】
光学素子ＦＬは、例えば石英（シリカ）で形成することができる。あるいは、フッ化カルシウム（蛍石）、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、及びＢａＬｉＦ３等のフッ化化合物の単結晶材料で形成されてもよい。更に、光学素子は、ルテチウムアルミニウムガーネット（ＬｕＡＧ）で形成されてもよい。及びフッ化ナトリウム等のフッ化化合物の単結晶材料で形成されてもよい。【０１０１】
投影光学系の少なくとも１つの光学素子を、石英及び／又は蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で形成してもよい。例えば、国際公開第２００５／０５９６１７号パンフレットに開示されているような、サファイア、二酸化ゲルマニウム等、あるいは、国際公開第２００５／０５９６１８号パンフレットに開示されているような、塩化カリウム（屈折率約１．７５）等を用いることができる。【０１０２】
上記各実施形態では複数の光学素子を有する投影光学系を備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、一つの光学素子で構成された投影光学系を用いてもよい。あるいは、投影光学系を用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。投影光学系を用いない場合であっても、露光光はマスク又はレンズなどの光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸領域が形成される。【０１０３】
上記各実施形態では干渉計システムを用いてマスクステージ及び基板ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば基板ステージの上面に設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り替えて用いる、あるいはその両方を用いて、基板ステージの位置制御を行うようにしてもよい。【０１０４】
また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、及び米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも適用できる。【０１０５】
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。基板はその形状が円形に限られるものでなく、矩形など他の形状でもよい。【０１０６】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）に適用してもよいし、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。【０１０７】
また、露光装置ＥＸとしては、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。【０１０８】
また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、及び米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも適用できる。【０１０９】
更に、特開平１１−１３５４００号公報や特開２０００−１６４５０４号公報、米国特許６，８９７，９６３号などに開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材や各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。【０１１０】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。【０１１１】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いてもよい。【０１１２】
また、国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。【０１１３】
なお、法令で許容される限りにおいて、上記各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。【０１１４】
以上のように、上記実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。【０１１５】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１５に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などの基板処理プロセスを含むステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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