【事件の表示】
　特願２０１７−　６０７５７「貼り合わせウェーハの製造方法及び貼り合わせウェーハ」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年１０月１８日出願公開、特開２０１８−１６４００６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２９年３月２７日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成３０年　２月２０日　　：手続補正書、上申書の提出
　令和　元年１２月　９日付け：拒絶理由通知書
　令和　２年　２月１０日　　：意見書の提出
　令和　２年　２月２７日付け：拒絶査定
　令和　２年　５月　８日　　：審判請求書、手続補正書の提出
第２　令和　２年　５月　８日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和　２年　５月　８日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。）
　「【請求項１】
　ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面と
を絶
　前
ハと
　
該エピタキシャルウェーハはデバイス構造の一部として使用されるものであり、
　該エピタキシャルウェーハのエピタキシャル層を形成する前の洗浄を枚葉式スピン洗浄により行うこと
によって、ウェーハ支持具との接触を、エピタキシャル成長を行わない領域のみにすること
　
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１−３の記載は次のとおりである。
　「【請求項１】
　ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接あるいは絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを製造する方法において、
　前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハの少なくとも一方として、エピタキシャルウェーハを用いるものとし、
　該エピタキシャルウェーハのエピタキシャル層を形成する前の洗浄を枚葉式スピン洗浄により行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項２】
　前記ベースウェーハとして、前記エピタキシャルウェーハを用いることを特徴とする請求項１に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項３】
　ベースウェーハ上に直接あるいは絶縁膜を介して薄膜が貼り合わせられている貼り合わせウェーハであって、
　前記ベースウェーハがエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハであり、
　前記ベースウェーハの外周部上面のうち前記薄膜が形成されていない部分であるテラス部において、前記エピタキシャル層の成長に起因する凸欠陥であるエピタキシャル欠陥が存在しないものであることを特徴とする貼り合わせウェーハ。」
２　補正の適否
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「ボンドウェーハ」と「ベースウェーハ」との「貼り合わせ」について、上記のとおり「直接あるいは絶縁膜を介して貼り合わせ」を「絶縁膜を介して貼り合わせ」に限定し、「エピタキシャルウェーハ」について、上記のとおり「前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハの少なくとも一方」を「ベースウェーハ」に限定し、「エピタキシャルウェーハ」の「洗浄」について、上記のとおり限定を付加する補正を含むものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものに該当する。なお、請求項２、３は削除を目的とするものであり、同条同項第１号の請求項の削除を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。
　
（２）引用文献の記載事項
ア　引用文献１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２００３−２０４０４８号公報（平成１５年７月１８日出願公開。以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。（下線は当審で付した。以下同じ。）
「【００２６】図１（ａ）ないし（ｈ）は、
イオン注入剥離法によるＳＯＩウエーハの製造方法
ベースウエーハ２として、エピタキシャルウエーハ
を用いる
【００２７】ここで、本発明で使用される上記シリコンウエーハのいくつかを説明すると、ＦＺウエーハとは、ＦＺ法（Ｆｌｏａｔｉｎｇ Ｚｏｎｅ ｍｅｌｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ）により製造された単結晶棒から得られたウエーハのことであり、ＣＯＰが存在しないウエーハである。
【００２８】
エピタキシャルウエーハは、シリコン単結晶基板上にエピタキシャル層を形成させたウエーハ
「【００３７】そして、上記のようなボンドウエーハ１とベースウエーハ２を用意した後、これらのウエーハのうち少なくとも一方に絶縁膜３を形成する。図１（ｂ）では、ボンドウエーハ１の方に酸化膜を形成している。形成させる絶縁膜３の厚さは特に限定されないが、本発明では、厚さが０．４μｍ以下の非常に薄い絶縁膜を形成しても良い。すなわち、製造されたＳＯＩウエーハの絶縁膜やＳＯＩ層の厚さが薄いと、ベースウエーハの表面上に存在するＣＯＰもＳＯＩ層のＣＯＰとして検出してしまうが、本発明では、ベースウエーハとして表面付近にＣＯＰが存在しないか、著しく減少しているシリコンウエーハを用いるので、形成する絶縁膜の厚さを０．４μｍ以下（さらには０．１μｍ以下）としても、完成後のＳＯＩ層の検査でベースウエーハのＣＯＰがほとんど検出されることのないＳＯＩウエーハとすることができる。
【００３８】絶縁膜形成後、図１（ｃ）のように、ボ
ンドウエーハの研磨された主面側から、
水素イオンを
注入する
ボンドウエーハ内部に微小気泡層４を形成する
【００３９】次に、図１（ｄ）のように、
ボンドウエーハのイオン注入した側の面とベースウエーハの研磨された主面同士を、絶縁膜
３を介して貼り合わせ、接合する
【００４０】
貼り合わせを行った後、ボンドウエーハに形成されている微小気泡層４を境界として剥離させる
【００４１】一方、
ＳＯＩ層７と絶縁膜３によりＳＯＩ構造となった貼り合わせ基板６（ＳＯＩウエーハ）
（イ）上記（ア）から、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「ボンドウエーハの研磨された主面側から、水素イオンを注入し、ボンドウエーハ内部に微小気泡層４を形成し、ボンドウエーハのイオン注入した側の面とベースウエーハの研磨された主面同士を、絶縁膜３を介して貼り合わせを行った後、ボンドウエーハに形成されている微小気泡層４を境界として剥離させ、ＳＯＩ層７と絶縁膜３によりＳＯＩ構造となった貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法において、
　ベースウエーハ２として、エピタキシャルウエーハを用い、
　エピタキシャルウエーハは、シリコン単結晶基板上にエピタキシャル層を形成させたウエーハである、ＳＯＩウエーハの製造方法。」
　
イ　引用文献２
（ア）同じく原査定に引用され、本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２００５／０２７２０４号（２００５年（平成１７年）３月２４日国際公開。以下「引用文献２」という。）には、次の記載がある。
「図面の簡単な説明
[0023]　[図1]この発明の
実施例１に係る貼り合わせウェーハの製造方法
[図2]この発明の実施例１に係る貼り合わせウェーハの製造方法の貼り合わせ工程を示す要部拡大断面図である。
[図3]この発明の実施例１に係る貼り合わせウェーハの未貼り合わせ領域を示す平面図である。
[図4]この発明の実施例１の他の実施形態に係る貼り合わせウェーハの製造方法のうち、貼り合わせ工程を示す貼り合わせウェーハの要部拡大断面図である。
[図5]この発明の実施例２に係る貼り合わせウェーハの製造方法を示す要部工程図である。
[図6]従来手段に係る貼り合わせウェーハの製造方法の貼り合わせ工程を示す要部拡大断面図である。
[図7]従来手段に係る貼り合わせウェーハの未貼り合わせ領域を示す平面図である。」
「実施例1
[0026]　まず、図１のＳ１０１工程に示すように、ボロンが所定量ドープされたｐ型のシリコン単結晶インゴットをＣＺ法により引き上げる。引き上げ速度は、１．０ｍｍ／ｍｉｎである。その後、シリコン単結晶インゴットに、ブロック切断、スライス、面取り、鏡面研磨などを施す。これにより、厚さ７２５μｍ、直径２００ｍｍ、面方位（１００）面、比抵抗１０Ωｃｍ、ｐ型の鏡面仕上げされた活性層用ウェーハ１０と支持用ウェーハ２０とが、それぞれ作製される。
[0027]　その後、図１のＳ１０２工程に示すように、活性層用ウェーハ１０を熱酸化装置に挿入し、酸素ガス雰囲気で熱酸化処理を施す。これにより、
活性層用ウェーハ１０の露出面の全域に
シリコン酸化膜１２ａが形成される
　続いて、
活性層用ウェーハ１０の
表面から所定深さ位置に
水素をイオン注入する
活性層用ウェーハ１０に、水素イオン注入領域１４が形成される
[0028]　次に、図１のＳ１０３工程に示すように、支持用ウェーハ２０を図示しない枚葉式のＣＶＤ装置に挿入し、支持用ウェーハ２０の鏡面仕上げされた表面に、ボロン濃度が５×１０１８〜８×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のＰ＋型のエピタキシャル層４０を成長させる。
　すなわち、支持用ウェーハ２０をエピタキシャル成長装置の反応炉に配備されたサセプタに載置する。その後、ＳｉＨＣｌ３ガス（０．１体積％　Ｈ２ガス希釈）にＢ２Ｈ６ガス（分圧２〜４×１０−５）を混合し、全体で８０リットル／ｍｉｎで反応炉に供給し、
支持用ウェーハ２０の表面にエピタキシャル層４０を成長させる
[0029]　エピタキシャル成長温度は１１００℃である。エピタキシャル層４０の厚さは、活性層用ウェーハ１０の表面（嵌合面）の曲率に応じ、エピタキシャル成長時間を変更させることで調整する。こうして、支持用ウェーハ２０の表面に、比抵抗１０〜１５ｍΩｃｍ、活性層用ウェーハ１０の表面の起伏に合致した面（嵌合面）を有するエピタキシャル層４０が成長される。エピタキシャル層４０を成長させることで、図１のＳ１０３工程に示すように、支持用ウェーハ２０には、ウェーハ中央部が裏面の方向に突出した反りが発生する。これにより、活性層用ウェーハ１０および支持用ウェーハ２０の嵌合面は、それぞれ同一曲率の球面の一部により構成される。そして、活性層用ウェーハ１０と支持用ウェーハ２０とは互いに嵌合可能となる。
　なお、支持用ウェーハ２０のボロン濃度を１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とし、エピタキシャル層４０Ａのボロン濃度をこれより低い１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とした場合には、支持用ウェーハ２０の反りは、ウェーハ外周部が裏面の方向に突出した形状となる。この場合には、支持用ウェーハ２０の裏面を貼り合わせ面として貼り合わせる（図４）。また、エピタキシャル層４０は、支持用ウェーハ２０ではなく、活性層用ウェーハ１０の表面に成長させてもよい。こうすれば、活性層１３のＣＯＰなどの結晶欠陥を低減化することもできる。
[0030]　続いて、図１のＳ１０４工程に示すように、
シリコン酸化膜１２ａの表面とエピタキシャル層４０の表面とを貼り合わせ面（重ね合わせ面）とし、例えば真空装置内で公知の治具により、活性層用ウェーハ１０と支持用ウェーハ２０とを貼り合わせて貼り合わせウェーハ３０を作製する
　この貼り合わせ時、両ウェーハ１０，２０の貼り合わせ面は、互いに嵌合可能な嵌合面である。そのため、貼り合わせウェーハ３０の中央部だけでなくウェーハ外周部でも、両貼り合わせ面が重なり合う（図２，図３）。その結果、貼り合わせウェーハ３０の外周部の未貼り合わせ領域１０１の幅１０４が２ｍｍ以下と、従来の場合の２〜３ｍｍに比べて縮小し、ボイドの発生が抑制される。よって、貼り合わせウェーハ３０のうち、デバイスが形成される平坦度適用領域１０３を、従来より１〜３％程度拡大することができる。その結果、貼り合わせＳＯＩウェーハの歩留りが大きくなり、以降のウェーハ加工時におけるチッピング、ウェーハ剥がれを低減することができる。なお、ここでいう未貼り合わせ領域１０１の幅１０４とは、貼り合わせウェーハ３０の半径方向における未貼り合わせ領域１０１の長さをいう。
[0031]　それから、図１のＳ１０５工程に示すように、貼り合わせウェーハ３０を図示しない剥離熱処理装置に挿入し、５００℃の炉内温度、窒素ガスの雰囲気で熱処理する。熱処理時間は３０分間である。この熱処理により、
支持用ウェーハ２０の貼り合わせ界面に活性層１３を残し、活性層用ウェーハ１０が水素イオン注入領域１４から剥離する
　剥離後、図１のＳ１０６工程に示すように、貼り合わせウェーハ３０に対して、窒素ガスの雰囲気で１１５０℃、２時間の貼り合わせ熱処理を施す。これにより、活性層用ウェーハ１０と支持用ウェーハ２０との貼り合わせ強度が増強される。
　次いで、図１のＳ１０７工程に示すように、活性層１３の表面に研磨装置による研磨を施す。こうして、
スマートカット法を利用し
活性層１３を有した貼り合わせＳＯＩウェーハ（貼り合わせウェーハ）が作製される
（イ）上記（ア）から、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「活性層用ウェーハ１０の表面から所定深さ位置に、水素をイオン注入し、活性層用ウェーハ１０に、水素イオン注入領域１４を形成し、支持用ウェーハ２０の表面にエピタキシャル層４０を成長させ、活性層用ウェーハ１０に形成されたシリコン酸化膜１２ａの表面とエピタキシャル層４０の表面とを貼り合わせ面（重ね合わせ面）とし、活性層用ウェーハ１０と支持用ウェーハ２０とを貼り合わせ、支持用ウェーハ２０の貼り合わせ界面に活性層１３を残し、活性層用ウェーハ１０が水素イオン注入領域１４から剥離させる、貼り合わせウェーハの製造方法。」
ウ　周知技術
（ア）周知技術１
ａ　本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００２−５０７４６号公報（平成１４年２月１５日出願公開。以下「周知例１」という。）には、次の記載がある。
「【００１２】次に図１に示す半導体装置の製造工程例を図３をもとに説明する。
Ｐ型導電型である半導体支持基板１上に
埋込酸化膜２が形成され、さらにこの埋込酸化膜２の上に
Ｐ型シリコン活性層３を有する貼り合わせＳＯ１基板
【００１３】このＳＯ１基板にフォトレジスト１２をコートし、後に半導体支持基板１に入力保護素子を形成する領域のパターニングを施す（図３（ａ））。このレジストパターン１２をマスク材としてＲＩＥ異方性ドライエッチでシリコン活性層３を埋込酸化膜２が露出するまでエッチングする（図３（ｂ））。さらにこのフォトレジスト１２をマスク材として、ＲＩＥ異方性ドライエッチにより埋込酸化膜２をエッチングする。このときエッチングは途中で止め、埋込酸化膜１２に一部が残るようにする（図３（ｃ））。このエッチング残りの埋込酸化膜が０．０５μｍから０．１μｍまでになるようにエッチングを行うのが好ましい。その後、フォトレジスト１２を除去したのち、例えばバッファードフッ酸を用いて等方性ウエットエッチングを行い、残りの埋込酸化膜を取り除き、半導体支持基板１の表面を露出させる（図３（ｄ））。このように埋込酸化膜除去に異方性ドライエッチ及び等方性ウェットエッチを用いることで、
半導体支持基板１にダメージを与えることなく、保護素子を形成する領域を形成すること
【００１４】次に熱酸化を行い、シリコン活性層３及び半導体支持基板１に熱酸化膜１３を形成する。この熱酸化膜厚はおよそ０．０１μｍから０．０４μｍである。この熱酸化膜の上に、減圧ＣＶＤ法で多結晶シリコン７を堆積させる（図３（ｅ））。この時多結晶シリコンは、ウエットエッチングによる埋込酸化膜２の横方向エッチで形成された庇形状部分下にも回り込んで堆積する。ここの多結晶シリコン７の膜厚は、シリコン活性層１から半導体支持基板３までの深さと同等とする。その後ＲＩＥ異方性ドライエッチで多結晶シリコン膜をその下の熱酸化膜が露出するまでエッチングすることで、シリコン活性層と半導体支持基板の段差部側壁に多結晶シリコンのサイドスペーサーを形成する（図３（Ｄ）。この時異方性エッチングの反応ガスはＳＦ６が望ましい。これらの工程により半導体支持基板開口部形成で生じた段差形状を改善することができる。上記の工程のあとは、
従来のバルクシリコン基板にＭＯＳトランジスタを形成する工程を、
半導体支持基板１に施すこと
ｂ　本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１２−２５６６４９号公報（平成２４年１２月２７日出願公開。以下「周知例２」という。）には、次の記載がある。
「【００３６】
　このような製造工程で得られた図２に示す
半導体ウエハ１０は、第１導電型層（Ｐ型半導体層１０２）の上に第２導電型層（Ｎ型半導体層１０４）が形成された半導体基板１２、半導体基板１２上に形成された絶縁層１０６、及び絶縁層１０６上に形成された半導体層（ＳＯＩ層１０８）を有するＳＯＩ基板
「【００７３】
（第２の実施の形態）
　第２の実施の形態の半導体装置１００は、バルクＰＦＥＴ領域７０及びバルクＮＦＥＴ領域８０を有する点を除いて、基本的には第１の実施の形態と同様である。
　以下、第１の実施の形態の相違点を詳述する。
【００７４】
　図９は、第２の実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。図１０は、第２の実施の形態の半導体装置の構成を示す平面図である。また、図１１は、第２の実施の形態の半導体装置のレイアウト配置の一例を示す図である。
　第２の実施の形態の
半導体装置１００は、半導体基板
を備える
【００７５】
　半導体基板１２は、第１導電型層（Ｐ型半導体層１０２）の上に形成された第２導電型層（Ｎ型半導体層１０４）を有する。第２素子分離層（素子分離層１１０ｃ）は、半導体基板１２に埋め込まれていて、下端がＰ型半導体層１０２に達しており、ＳＯＩ領域６０とバルク領域（バルクＰＦＥＴ領域７０）とを分離する。ＳＯＩ領域６０は、半導体基板１２上に形成された絶縁層（絶縁層１０６）及び絶縁層１０６上に形成された半導体層（ＳＯＩ層１０８）をさらに有する。第１素子分離絶縁層（素子分離層１１０ａ）は、ＳＯＩ領域６０に位置している半導体基板１２に埋め込まれ、下端がＰ型半導体層１０２に達しており、第１素子領域（ＰＦＥＴ領域４０）と第２素子領域（ＮＦＥＴ領域３０）とを分離する。
【００７６】
　第１導電型の第１トランジスタ（Ｐ型トランジスタ１３０ｂ）は、ＰＦＥＴ領域４０に位置し、ＳＯＩ層１０８に形成されたチャネル領域１２０ｂを備える。第２導電型の第１トランジスタ（Ｎ型トランジスタ１３０ａ）は、ＮＦＥＴ領域３０に位置し、ＳＯＩ層１０８に形成されたチャネル領域１２０ａを備える。第１バックゲートコンタクト（バックゲートコンタクト１３４ｂ）は、第１素子領域（ＰＦＥＴ領域４０）に位置する第２導電型層（ＳＯＩ層１０８）に接続する。第２バックゲートコンタクトは、第２素子領域（ＮＦＥＴ領域３０）に位置する第２導電型層（ＳＯＩ層１０８）に接続する。
【００７７】
　また、
第１導電型の第２トランジスタ（Ｐ型トランジスタ１３０ｃ）は、バルクＰＦＥＴ領域７０に位置し、第２導電型層（Ｎウェル１５２）上に形成される
　このような半導体装置１００は、第２導電型層（Ｎ型半導体層１０４）の第２導電型の不純物濃度が１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であり、第１導電型のトランジスタ（Ｐ型トランジスタ１３０ｂ）が形成されている半導体層（ＳＯＩ層１０８）における第２導電型の不純物濃度が、ＰＦＥＴ領域４０に位置する第２導電型層（Ｎ型半導体層１０４）の第２導電型の不純物濃度の１／１０以下により特定される。
【００７８】
　また、第２の実施の形態の半導体装置１００は、図９に示す以下の構成をさらに備えてもよい。すなわち、本実施の形態の
半導体装置１００は、バルクＰＦＥＴ領域７０及びバルクＮＦＥＴ領域８０から構成されるバルク領域、及び基板コンタクト領域５０をさらに備える
　バルク領域において、半導体基板１２に埋め込まれており、第３素子領域（バルクＰＦＥＴ領域７０）と第４素子領域（バルクＮＦＥＴ領域８０）とは第３素子分離絶縁層（素子分離層１１０ｄ）により分離される。
【００７９】
　
バルクＰＦＥＴ領域７０には、Ｐ型トランジスタ１３０ｃが形成される
ｃ　上記ａ、ｂから、以下の技術的事項は周知であるものと認められる。
　「ＳＯＩ基板において、半導体支持基板（ベースウェーハ）のバルク領域にデバイスを形成すること。」
（イ）周知技術２
ａ　同じく原査定に引用され、本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０００−３１０７１号公報（平成１２年１月２８日出願公開。以下「引用文献４」という。）には、次の記載がある。
「【発明の属する技術分野】本発明はシリコンエピタキシャルウェーハの製造に用いられる半導体製造装置とこれを用いた
エピタキシャルウェーハの製造方法に関し、特にエピタキシャル成長前後の徹底した微粒子の付着防止により高品質のエピタキシャル層を得る技術に関する
「【００１０】
シリコンエピタキシャルウェーハの製造においては、突起状欠陥や積層欠陥のない高品質なシリコンエピタキシャル層を形成し、かつエピタキシャル成長後にはピットを発生させないような高度な製造方法が要望されている
「【００１５】
【発明の実施の形態】本発明では、
まずエピタキシャル成長を行う前にオゾン添加水を用いた洗浄（以下、Ｏ3 水洗浄と称する。）を行い、Ｏ3 の強力な酸化力を利用してエピタキシャル成長前にシリコンウェーハ表面へ付着しているシリコン系微粒子Ｐや金属微粒子Ｍを除去する
「【００２１】
【実施例】
実施例１
本実施例では、本発明の半導体製造装置の一例として、前処理チャンバ、気相成長チャンバ、後処理チャンバがそれぞれ個別の搬送路を介してインライン配列された装置の構成を図１および図２を参照しながら説明する。図１の構成では、向かって左側から搬送路（Ｔ）４ａ、
Ｏ3 洗浄を行うための前処理チャンバ（ＰｒｅＰ）１
【００２２】
上記前処理チャンバ（ＰｒｅＰ）１として、たとえば枚葉式スピン洗浄機を備えたチャンバの模式的断面図を図２に示す
ｂ　同じく原査定に引用され、本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２０１０／１５０５４７号（２０１０年（平成２２年）１２月２９日国際公開。以下「引用文献５」という。）には、次の記載がある。
「技術分野
[0001]　本発明は、鏡面研磨後のシリコンウェーハの洗浄方法、およびその洗浄方法を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法に関し、特に、
エピタキシャルウェーハの表面品質の確保を図ったシリコンウェーハの洗浄方法、およびエピタキシャルウェーハの製造方法に関する
「実施例
[0046]　本発明の
シリコンウェーハの洗浄方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法
[0047]　本発明例として、鏡面研磨を施した直径３００ｍｍの供試ウェーハを５枚準備し、
各供試ウェーハに前記図３に示す各処理を施して洗浄を行い、その後にエピタキシャル処理を施した
洗浄では、６０秒のオゾンガス処理および１２０秒のフッ化水素蒸気処理を行い、次に、１０秒のオゾン水処理および３秒の希フッ酸処理を２回繰り返し行い、再度１０秒のオゾン水処理を行った後に、１０秒の純水処理および２５秒のスピン乾燥処理を行った
ｃ　同じく原査定に引用され、本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２００５／０５７６４０号（２００５年（平成１７年）６月２３日国際公開。以下「引用文献６」という。）には、次の記載がある。
「技術分野
[0001]　この発明はエピタキシャルウェーハおよびその製造方法、詳しくは
シリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を成膜するエピタキシャルウェーハおよびその製造方法に関する
「実施例１
[0026]　まず、この発明の実施例１を図１および図２を参照して説明する。
　ここでは、
シリコンウェーハの表面を撥水面、裏面も撥水面となるように洗浄した後、エピタキシャル成長によりエピタキシャル膜を成膜するエピタキシャルウェーハの製造方法
　まず、図１のＳ１０１工程に示すように、ＣＺ（チョクラルスキー）法により育成されたシリコンインゴットからスライスした口径８インチのシリコンウェーハを準備する。
　次に、図１のＳ１０２工程に示すように、スライスされたシリコンウェーハは面取り工程で、その周縁部が面取り用の砥石を用いて所定形状に面取りされる。その結果、シリコンウェーハの周縁部は、断面が所定の丸みを帯びた形状に成形される。
　続く図１のＳ１０３工程に示すラッピング工程においては、ラップ盤により面取りウェーハについてのラップ加工を施す。
　そして、次の図１のＳ１０４工程に示すエッチング工程では、ラップドウェーハを所定のエッチング液（混酸またはアルカリ＋混酸）に浸漬し、ラップ加工での歪み、面取り工程などの歪みなどを除去する。この場合、通常片面で２０μｍ、両面で４０μｍ程度をエッチングする。
　その後、図１のＳ１０５工程に示すように、必要に応じシリコンウェーハにドナーキラー熱処理工程を施す。
　次いで、図１のＳ１０６工程に示すように、このシリコンウェーハを、両面研磨法を使用してシリコンウェーハ１１の表面および裏面に鏡面研磨を施す。
　そして、
図１のＳ１０７工程から図１のＳ１０９工程に示す下記の第１の洗浄工程、第２の洗浄工程および第３の洗浄工程を順次実施する。
　
この後、図１のＳ１１０工程に示すように、平坦化されたシリコンウェーハの表面にシリコンのエピタキシャル膜を成長させる。
　最後に、図１のＳ１１１工程に示すように、エピタキシャル成長の後処理洗浄工程を行う。具体的には、エピタキシャル成長前の第１の洗浄工程と同じＲＣＡ洗浄（ＳＣ−１液による洗浄およびＳＣ−２液による洗浄）である。
　以上の工程により、エピタキシャルウェーハを完成させる。
[0027]　次に、図２を参照して、第２の洗浄工程および第３の洗浄工程について詳細に説明する。 第１の洗浄工程は、まず、シリコンウェーハの表裏面をＳＣ−１液（アルカリ洗浄）で洗浄し、この後、ＳＣ−２液（酸洗浄）で洗浄する工程である。
　ＳＣ−１液は、アンモニア水溶液：過酸化水素水：水＝１：５：５０の比（容量比）で作製し、５０〜８５℃で洗浄する。このＳＣ−１洗浄により、シリコンウェーハの表裏面に付着したパーティクルが除去される。
　また、ＳＣ−２液は、塩酸水溶液：過酸化水素水：水＝１：１：１００〜１：１：５の比（容量比）で作製し、常温（室温）〜７０℃で洗浄する。このＳＣ−２洗浄により、シリコンウェーハの表裏面の金属不純物が除去される。
[0028]　次に、図２に示すように、
シリコンウェーハの表裏面について第２および第３の洗浄工程を実施する。これらの工程は、図５に示す枚葉式の洗浄装置を用いて実施する。
　図５に示す枚葉式の洗浄装置には、シリコンウェーハ１１の表面をブラシ洗浄するためのスポンジブラシ１３と、シリコンウェーハ１１の表面または裏面に純水を供給する純水供給管１４、１６と、シリコンウェーハ１１の表面または裏面にＨＦ溶液を供給するＨＦ溶液供給管１５、１７などを備えている。また、
シリコンウェーハ１１のエッジ部分を固定するエッジチャック１２が設けられている
バキュームチャック方式
エッジチャック１２であれば、チャックとの接触部分がシリコンウェーハ１１のエッジ部であるため、シリコンウェーハ１１の表裏面を汚染させることはない
「
」
　上記図５から、枚葉式の洗浄装置において、エッジチャック１２との接触を、シリコンウェーハ１１のエピタキシャル膜を成長させない領域のみにすることが見てとれる。
ｄ　上記ａ−ｃから、以下の技術的事項は周知であるものと認められる。
　「エピタキシャルウェーハの製造方法において、エピタキシャル成長前に枚葉式スピン洗浄により洗浄を行うこと。」
（３）引用発明との対比
ア　本件補正発明と引用発明１とを対比する。
（ア）引用発明１の「貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法」は、本件補正発明の「貼り合わせウェーハを製造する方法」に対応する。
（イ）引用発明１の「ボンドウエーハ」は、本件補正発明の「ボンドウェーハ」に相当し、引用発明１では、「水素イオンを注入し、ボンドウエーハ内部に微小気泡層４を形成」する工程を有し、「微小気泡層４」は水素イオンが注入された層であることから、本件補正発明と引用発明１とは、「ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成」する点で一致する。
（ウ）引用発明１の「ベースウエーハ」、「絶縁膜３」、「ＳＯＩ層７」は、それぞれ、本件補正発明の「ベースウェーハ」、「絶縁膜」、「薄膜」に相当し、引用発明１は、「ボンドウエーハのイオン注入した側の面」と「ベースウエーハ」の表面とを「絶縁膜３を介して貼り合わせを行った後、ボンドウエーハに形成されている微小気泡層４を境界として剥離させ、ＳＯＩ層７と絶縁膜３によりＳＯＩ構造となった貼り合わせＳＯＩウエーハの製造方法」であることから、本件補正発明と引用発明１とは、「前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを製造する方法」である点で一致する。
（エ）引用発明１では、「ベースウエーハ２として、エピタキシャルウエーハを用い」るものであることから、本件補正発明と引用発明１とは、「前記ベースウェーハとして、エピタキシャルウェーハを用いるもの」である点で一致する。
イ　上記アから、本件補正発明と引用発明１との一致点及び相違点は、次のとおりである。
（一致点）
　「ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを製造する方法において、
　前記ベースウェーハとして、エピタキシャルウェーハを用いるものとする、貼り合わせウェーハの製造方法。」
　
（相違点）
（相違点１）
　本件補正発明では、ベースウェーハとして用いる「該エピタキシャルウェーハはデバイス構造の一部として使用されるもの」であるのに対し、引用発明１では、そのような特定はなされていない点。
（相違点２）
　本件補正発明では、「エピタキシャル層を形成する前の洗浄を枚葉式スピン洗浄により行うことによって、ウェーハ支持具との接触を、エピタキシャル成長を行わない領域のみにする」のに対し、引用発明１では、そのような特定はなされていない点。
ウ　本件補正発明と引用発明２とを対比する。
（ア）引用発明２の「貼り合わせウェーハの製造方法」は、本件補正発明の「貼り合わせウェーハを製造する方法」に対応する。
（イ）引用発明２の「活性層用ウェーハ１０」、「水素イオン注入領域１４」は、それぞれ、本件補正発明の「ボンドウェーハ」、「イオン注入層」に相当し、本件補正発明と引用発明２とは、「ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成」する点で一致する。
（ウ）引用発明２の「支持用ウェーハ２０」、「シリコン酸化膜１２ａ」、「活性層１３」は、それぞれ、本件補正発明の「ベースウェーハ」、「絶縁膜」、「薄膜」に相当し、引用発明２は、「活性層用ウェーハ１０」の「水素をイオン注入」した表面と「支持用ウェーハ２０」の表面とを「シリコン酸化膜１２ａ」とを介して貼り合わせた後、「活性層１３を残し、活性層用ウェーハ１０が水素イオン注入領域１４から剥離させる、貼り合わせウェーハの製造方法」であることから、本件補正発明と引用発明２とは、「前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを製造する方法」である点で一致する。
（エ）引用発明２では、「支持用ウェーハ２０の表面にエピタキシャル層４０を成長させ」るものであるところ、引用発明２の「エピタキシャル層４０」を有する「支持用ウェーハ２０」は、本件補正発明の「エピタキシャルウェーハ」に相当するといえるから、本件補正発明と引用発明２とは、「前記ベースウェーハとして、エピタキシャルウェーハを用いるもの」である点で一致する。
エ　上記ウから、本件補正発明と引用発明２との一致点及び相違点は、次のとおりである。
（一致点）
　「ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを製造する方法において、
　前記ベースウェーハとして、エピタキシャルウェーハを用いるものとする、貼り合わせウェーハの製造方法。」
（相違点）
（相違点３）
　本件補正発明では、ベースウェーハとして用いる「該エピタキシャルウェーハはデバイス構造の一部として使用されるもの」であるのに対し、引用発明２では、そのような特定はなされていない点。
（相違点４）
　本件補正発明では、「エピタキシャル層を形成する前の洗浄を枚葉式スピン洗浄により行うことによって、ウェーハ支持具との接触を、エピタキシャル成長を行わない領域のみにする」のに対し、引用発明２では、そのような特定はなされていない点。
（４）判断
　以下、相違点について検討する。
ア　相違点１、３について
　相違点１、３について、まとめて検討する。
　上記（２）ウ（ア）ｃのとおり、ＳＯＩ基板において、半導体支持基板（ベースウェーハ）のバルク領域にデバイスを形成することは周知技術（以下、「周知技術１」という。）である。
　してみれば、引用発明１、２は、ＳＯＩ基板に関するものであるから、引用発明１、２において、周知技術１に基づき、それぞれ、「ベースウエーハ２」、「支持用ウェーハ２０」として用いるエピタキシャルウェーハのバルク領域にデバイスを形成することは、当業者が適宜なし得たことである。
イ　相違点２、４について
　相違点２、４について、まとめて検討する。
　上記（２）ウ（イ）ｄのとおり、エピタキシャルウェーハの製造方法において、エピタキシャル成長前に枚葉式スピン洗浄により洗浄を行うことは周知技術（以下、「周知技術２」という。）である。
　してみれば、引用発明１、２は、エピタキシャルウェーハを用いるものであるから、引用発明１、２において、周知技術２に基づき、それぞれ、「エピタキシャル層を形成」する前、「エピタキシャル層４０を成長」する前に、枚葉式スピン洗浄により洗浄を行うことは、当業者が適宜なし得たことである。
　また、上記引用文献６の図５及び段落[0028]の記載から、引用文献６には、枚葉式の洗浄装置において、エッジチャックやバキュームチャック（ウェハ支持具に対応）を、エピタキシャル成長を行わない領域のみに接触させるようにすることが記載されていると認められ、引用発明１、２において、それぞれ、「エピタキシャル層」、「エピタキシャル層４０」のエピタキシャル成長を行う領域に汚れなどが生じないように、ウェハ支持具との接触を、エピタキシャル成長を行わない領域のみにするものとすることは、当業者が当然に行う事項に過ぎない。
ウ　請求人の主張について
　請求人は、審判請求書において、「３．３　本願発明の進歩性について
・・・（略）・・・
（３）　しかしながら、そもそも引用文献４−６には、エピタキシャル層を形成する前に枚葉式スピン洗浄を行うことは記載されているものの、そのエピタキシャル層を貼り合わせに用いること（エピタキシャルウェーハを貼り合わせＳＯＩウェーハ作製用の材料ウェーハとして使用すること）については、記載も示唆もされておりません。従って、いくつかある公知の洗浄方法の中から、引用文献４−６に記載の枚葉式スピン洗浄を選択し、引用文献１−３に記載のエピタキシャル層を形成する前の洗浄に適用する動機がありません。
（４）また、補正後の請求項１に係る発明は、上記のように「エピタキシャル層を形成する前の洗浄を枚葉式スピン洗浄により行うことによって、ウェーハ支持具との接触を、エピタキシャル成長を行わない領域のみにする」ことを特徴としています。このことについて、引用文献１−６のいずれにも記載も示唆もされておりません。従って、もし引用文献１−３に記載された発明に引用文献４−６に記載された発明を組み合わせることができたとしても、本願発明に容易に想到することはできません。さらに、本願発明は上記の有利な効果を奏します。
（５）さらに、補正後の請求項１に係る発明は、上記のように「ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、…（略）…　前記ベースウェーハとして、エピタキシャルウェーハを用いるものとし、該エピタキシャルウェーハはデバイス構造の一部として使用されるもの」であることを特徴としています。すなわち、本願発明のエピタキシャルウェーハは、埋め込み絶縁膜層の下地のエピタキシャル層をデバイス構造の一部として使用する場合を想定しています（本願明細書［００２９］段落）。
　これに対し、引用文献１では単にＣＯＰが存在しないウェーハの一例としてエピタキシャルウェーハを挙げており（引用文献１［００１６］段落）、引用文献２ではベースウェーハに反り（変形）を発生させるためにエピタキシャル層を成長させています（引用文献２［００１２］段落）。いずれの場合においても、目的が本願発明とは異なっており、本願発明のようにエピタキシャルウェーハをデバイス構造の一部として使用することの記載はありません。すなわち、作製される貼り合わせＳＯＩウェーハの一部であるエピタキシャルウェーハを、どの様な目的（用途）に対して使用するかという根本的な技術思想において、本願発明と引用文献１−２は全く相違しています。また、引用文献３はボンドウェーハにエピタキシャルウェーハを用いており（引用文献３［００４６］段落、図７）、ベースウェーハにエピタキシャルウェーハを用いる本願発明とは明らかに異なっています。そのため、引用文献３においても、本願発明のようにエピタキシャルウェーハをデバイス構造の一部として使用するものではありません。
　従って、本願発明を得るために引用文献１−３に記載された発明に引用文献４−６に記載された発明を組み合わせることは、当業者が容易に想到し得るものではありません。
（６）　以上のことから、補正後の請求項１に係る発明は、引用文献１−６に対して進歩性を有します。」と主張している。
　しかしながら、上記（２）ア（イ）、イ（イ）のとおり、引用発明１、２は、それぞれ、「エピタキシャル層を形成」、「エピタキシャル層４０を成長」させることで、エピタキシャルウェーハを製造し、エピタキシャルウェーハを貼り合わせＳＯＩウェーハ作製用の材料ウェーハとして使用するものであり、上記イのとおり、周知技術２は、エピタキシャルウェーハの製造方法において、エピタキシャル層を形成する前に枚葉式スピン洗浄により洗浄を行うものであることから、引用発明１、２及び周知技術２は、エピタキシャルウェーハを製造する技術で共通性があり、引用発明１、２のそれぞれに周知技術２を適用する動機付けは存在する。
　また、上記イのとおり、引用文献６には、枚葉式の洗浄装置において、エッジチャックやバキュームチャック（ウェハ支持具に対応）が、エピタキシャル成長を行わない領域のみに接触することが示されている。
　さらに、上記アのとおり、ＳＯＩ基板において、半導体支持基板（ベースウェーハ）のバルク領域にデバイスを形成することは周知技術であり、引用発明１、２のＳＯＩ基板を、周知技術１のように使用することは、当業者が適宜なし得たことである。
　よって、請求人の上記主張を採用することはできない。
（５）判断についてのまとめ
　以上のとおりであるから、引用発明１において、上記周知技術１、２に基づいて、相違点１、２に係る本件補正発明の構成、それぞれを想到することは、当業者が容易になし得たことである。
　加えて、引用発明２において、上記周知技術１、２に基づいて、相違点３、４に係る本件補正発明の構成、それぞれを想到することは、当業者が容易になし得たことである。
　また、上記相違点１、２及び上記相違点３、４を総合的に勘案しても、本件補正発明は当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　したがって、本件補正発明は、引用発明１及び周知技術１、２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたもの、引用発明２及び周知技術１、２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　本件補正についてのむすび
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１　本願発明
　令和　２年　５月　８日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１−３に係る発明は、本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１−３に記載された発明及び引用文献４−６に記載された技術に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
引用文献１：特開２００３−２０４０４８号公報
引用文献２：国際公開第２００５／０２７２０４号
引用文献３：特開２００４−２４７６０９号公報
引用文献４：特開２０００−３１０７１号公報
引用文献５：国際公開第２０１０／１５０５４７号
引用文献６：国際公開第２００５／０５７６４０号
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１、２、４−６及びその記載事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
４　対比・判断
　本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「ボンドウェーハ」と「ベースウェーハ」との「貼り合わせ」について、「直接あるいは絶縁膜を介して貼り合わせ」と選択可能にし、「エピタキシャルウェーハ」について、「前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハの少なくとも一方」と選択可能にし、「エピタキシャルウェーハ」に係る限定事項を削除したものであり、本件補正発明と引用発明１、２との一致点及び相違点は、前記第２の［理由］２（３）に記載したとおりである。
　そうすると、本願発明と引用発明１、２とを対比すると、両者の一致点及び相違点は、次のとおりである。
（引用発明１との対比）
（一致点）
　「ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接あるいは絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを製造する方法において、
　前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハの少なくとも一方として、エピタキシャルウェーハを用いるものとする、貼り合わせウェーハの製造方法。」
（相違点）
（相違点５）
　本願発明では、「該エピタキシャルウェーハのエピタキシャル層を形成する前の洗浄を枚葉式スピン洗浄により行う」のに対し、引用発明１では、そのような特定はなされていない点。
（引用発明２との対比）
（一致点）
　「ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを直接あるいは絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを製造する方法において、
　前記ボンドウェーハ及び前記ベースウェーハの少なくとも一方として、エピタキシャルウェーハを用いるものとする、貼り合わせウェーハの製造方法。」
（相違点）
（相違点６）
　本願発明では、「該エピタキシャルウェーハのエピタキシャル層を形成する前の洗浄を枚葉式スピン洗浄により行う」のに対し、引用発明２では、そのような特定はなされていない点。
　相違点５、６について、まとめて検討すると、前記第２の［理由］２（４）イに記載したとおり、引用発明１、２において、周知技術２に基づき、それぞれ、「エピタキシャル層を形成」する前、「エピタキシャル層４０を成長」する前に、枚葉式スピン洗浄により洗浄を行うことは、当業者が適宜なし得たことである。
　以上のとおりであるから、引用発明１において、上記周知技術２に基づいて、相違点５に係る本願発明の構成を想到することは、当業者が容易になし得たことである。
　加えて、引用発明２において、上記周知技術２に基づいて、相違点６に係る本願発明の構成を想到することは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、本願発明は、引用発明１及び引用文献４−６に記載された周知技術２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたもの、引用発明２及び引用文献４−６に記載された周知技術２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。