(57)【要約】  輝度の重み付けがされた第１及び第２のサブフィールドを含むフィールドを表示するプラズマディスプレイ装置の表示方法であって、第１のサブフィールド（ＳＦ２〜ＳＦ１０）において第１のライン数の第１のライン群内で発光させる表示セルを選択する第１のアドレスステップ（Ａ）と、第１のアドレスステップの前又は後に、第２のサブフィールド（ＳＦ１）において第１のライン数よりも少ない第２のライン数の第２のライン群内で発光させる表示セルを選択する第２のアドレスステップ（Ａ）とを有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置の表示方法が提供される。
2008004296.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
輝度の重み付けがされた第１及び第２のサブフィールドを含むフィールドを表示するプラズマディスプレイ装置の表示方法であって、
前記第１のサブフィールドにおいて第１のライン数の第１のライン群内で発光させる表示セルを選択する第１のアドレスステップと、
前記第１のアドレスステップの前又は後に、前記第２のサブフィールドにおいて前記第１のライン数よりも少ない第２のライン数の第２のライン群内で発光させる表示セルを選択する第２のアドレスステップと
を有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置の表示方法。
【請求項２】
前記第２のサブフィールドは、前記フィールド内で輝度の重み付けが最も小さい又は２番目に小さいサブフィールドであることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の表示方法。
【請求項３】
前記フィールドは、輝度の重み付けがされた第１〜第３のサブフィールドを含み、前記第２のサブフィールドは、前記フィールド内で輝度の重み付けが最も小さいサブフィールドであり、前記第３のサブフィールドは、前記フィールド内で輝度の重み付けが２番目に小さいサブフィールドであり、
さらに、前記第３のサブフィールドにおいて前記第２のライン数の第２のライン群内で発光させる表示セルを選択する第３のアドレスステップを有することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の表示方法。
【請求項４】
表示の周期は、第１のフィールド及び第２のフィールドが１周期であり、
前記第１のアドレスステップは、各フィールドの第１のサブフィールドにおいて全ライン内で発光させる表示セルを選択し、
前記第２のアドレスステップは、前記第１のフィールドの第２のサブフィールドでは全ライン内の半分のライン内で発光させる表示セルを選択し、前記第２のフィールドの第２のサブフィールドでは全ライン内の残りの半分のライン内で発光させる表示セルを選択することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の表示方法。
【請求項５】
表示の周期は、第１〜第４のフィールドが１周期であり、
前記第１のアドレスステップは、前記第１及び第３のフィールドの第１のサブフィールドではそれぞれ全ライン内の半分のライン内で発光させる表示セルを選択し、前記第２及び第４のフィールドの第１のサブフィールドではそれぞれ全ライン内の残りの半分のライン内で発光させる表示セルを選択し、
前記第２のアドレスステップは、前記第１のフィールドの第２のサブフィールドでは全ライン内の１／４のライン内で発光させる表示セルを選択し、前記第２のフィールドの第２のサブフィールドでは全ライン内の他の１／４のライン内で発光させる表示セルを選択し、前記第３のフィールドの第２のサブフィールドでは全ライン内のさらに他の１／４のライン内で発光させる表示セルを選択し、前記第４のフィールドの第２のサブフィールドでは全ライン内の残りの１／４のライン内で発光させる表示セルを選択することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の表示方法。
【請求項６】
前記第１のサブフィールドは、その前のサブフィールドの発光させる表示セルの選択をリセットするためのリセットステップを有し、
前記第２のサブフィールドは、前記フィールド内で輝度の重み付けが最も小さいサブフィールドであり、アドレスステップとサステインステップのみで構成することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の表示方法。
【請求項７】
前記第２のサブフィールドは、その前のサブフィールドの発光させる表示セルの選択をリセットするためのリセットステップを有し、
前記第１のサブフィールドは、前記フィールド内で輝度の重み付けが最も小さいサブフィールドであり、アドレスステップとサステインステップのみで構成することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の表示方法。
【請求項８】
前記フィールドは、前記第２のサブフィールドの１つ前に第３のサブフィールドを含み、
前記第３のサブフィールドは、前記フィールド内で輝度の重み付けが２番目に小さいサブフィールドであり、アドレスステップとサステインステップのみで構成し、前記第２のライン数の第２のライン群内で発光させる表示セルを選択する第３のアドレスステップを有することを特徴とする請求項６記載のプラズマディスプレイ装置の表示方法。
【請求項９】
前記フィールドは、輝度の重み付けが前記第２のサブフィールドと同じ第４のサブフィールドを含み、
前記第４のサブフィールドは、その前のサブフィールドの発光させる表示セルの選択をリセットするためのリセットステップと、前記第２のライン数の第２のライン群内で発光させる表示セルを選択する第４のアドレスステップとを有することを特徴とする請求項８記載のプラズマディスプレイ装置の表示方法。
【請求項１０】
さらに、前記第１のアドレスステップの後に、前記第１のサブフィールドにおいて前記選択された表示セルのサステイン放電による発光を行う第１のサステイン放電ステップと、
前記第２のアドレスステップの後に、前記第２のサブフィールドにおいて前記選択された表示セルのサステイン放電による発光を行う第２のサステイン放電ステップとを有することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の表示方法。
【請求項１１】
輝度の重み付けがされた第１及び第２のサブフィールドを含むフィールドを表示するプラズマディスプレイ装置であって、
前記第１のサブフィールドにおいて第１のライン数の第１のライン群内で発光させる表示セルを選択し、前記第２のサブフィールドにおいて前記第１のライン数よりも少ない第２のライン数の第２のライン群内で発光させる表示セルを選択する駆動回路を有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記第２のサブフィールドは、前記フィールド内で輝度の重み付けが最も小さい又は２番目に小さいサブフィールドであることを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記フィールドは、輝度の重み付けがされた第１〜第３のサブフィールドを含み、前記第２のサブフィールドは、前記フィールド内で輝度の重み付けが最も小さいサブフィールドであり、前記第３のサブフィールドは、前記フィールド内で輝度の重み付けが２番目に小さいサブフィールドであり、
前記駆動回路は、前記第３のサブフィールドにおいて前記第２のライン数の第２のライン群内で発光させる表示セルを選択することを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１４】
表示の周期は、第１のフィールド及び第２のフィールドが１周期であり、
前記駆動回路は、各フィールドの第１のサブフィールドにおいて全ライン内で発光させる表示セルを選択し、前記第１のフィールドの第２のサブフィールドでは全ライン内の半分のライン内で発光させる表示セルを選択し、前記第２のフィールドの第２のサブフィールドでは全ライン内の残りの半分のライン内で発光させる表示セルを選択することを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１５】
表示の周期は、第１〜第４のフィールドが１周期であり、
前記駆動回路は、
前記第１及び第３のフィールドの第１のサブフィールドではそれぞれ全ライン内の半分のライン内で発光させる表示セルを選択し、前記第２及び第４のフィールドの第１のサブフィールドではそれぞれ全ライン内の残りの半分のライン内で発光させる表示セルを選択し、
前記第１のフィールドの第２のサブフィールドでは全ライン内の１／４のライン内で発光させる表示セルを選択し、前記第２のフィールドの第２のサブフィールドでは全ライン内の他の１／４のライン内で発光させる表示セルを選択し、前記第３のフィールドの第２のサブフィールドでは全ライン内のさらに他の１／４のライン内で発光させる表示セルを選択し、前記第４のフィールドの第２のサブフィールドでは全ライン内の残りの１／４のライン内で発光させる表示セルを選択することを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記第２のサブフィールドは、前記フィールド内で輝度の重み付けが最も小さいサブフィールドであり、
前記駆動回路は、
前記第１のサブフィールドでは、その前のサブフィールドの発光させる表示セルの選択をリセットした後、表示セルを選択し、発光させ、
前記第２のサブフィールドでは、その前のサブフィールドの発光させる表示セルの選択を維持したまま、表示セルを選択し、発光させることを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記第１のサブフィールドは、前記フィールド内で輝度の重み付けが最も小さいサブフィールドであり、
前記駆動回路は、
前記第２のサブフィールドでは、その前のサブフィールドの発光させる表示セルの選択をリセットした後、表示セルを選択し、発光させ、
前記第１のサブフィールドでは、その前のサブフィールドの発光させる表示セルの選択を維持したまま、表示セルを選択し、発光させることを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記フィールドは、前記第２のサブフィールドの１つ前に第３のサブフィールドを含み、
前記第３のサブフィールドは、前記フィールド内で輝度の重み付けが２番目に小さいサブフィールドであり、
前記駆動回路は、前記第３のサブフィールドでは、その前のサブフィールドの発光させる表示セルの選択を維持し、前記第２のライン数の第２のライン群内で発光させる表示セルを選択することを特徴とする請求項１６記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１９】
前記フィールドは、輝度の重み付けが前記第２のサブフィールドと同じ第４のサブフィールドを含み、
前記駆動回路は、
前記第４のサブフィールドでは、その前のサブフィールドの発光させる表示セルの選択をリセットし、前記第２のライン数の第２のライン群内で発光させる表示セルを選択することを特徴とする請求項１８記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記駆動回路は、
前記第１のサブフィールドにおいて、前記表示セルの選択の後に、前記選択された表示セルのサステイン放電による発光を行い、
前記第２のサブフィールドにおいて、前記表示セルの選択の後に、前記選択された表示セルのサステイン放電による発光を行うことを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置及びその表示方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面型の表示装置として面放電を行う交流型プラズマディスプレイ装置が実用化されている。プラズマディスプレイ装置は、パーソナルコンピュータやワークステーション等の表示装置、平面型の壁掛けテレビジョン、或いは、広告や情報等を表示するための装置として広く使用されている。面放電を行うプラズマディスプレイ装置は、前面ガラス基板の内面に一対の電極が形成され、内部に希ガスが封入された構造になっており、電極間に電圧を印加すると、電極面上に形成された誘電体層及び保護層の表面で面放電が起こり、紫外線が発生する。そして、背面ガラス基板の内面には、３原色である赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の蛍光体が塗布されており、紫外線によりこれらの蛍光体を励起発光させることによってカラー表示を行うようになっている。【０００３】
下記の特許文献１には、１フィールドをリセット工程、アドレス工程及びサステイン工程を有する複数のサブフィールドに分割してその組み合わせで階調表示を行うフィールド時分割型の表示装置の駆動方法が記載されている。新たなサブフィールドを追加するとリセット回数も増えるために背景輝度が上昇してコントラストの低下を来していた課題を解決するために、所定の輝度レベルより大きな輝度レベルで常時点灯するリセット工程を持たない少なくとも１つの追加サブフィールドをさらに備えるように構成している。【０００４】
例えば、プラズマディスプレイ装置において、表現することのできる階調は、予め設定された輝度の重み付けをしたサブフィールドにより、制限される。階調数を増やす為には、駆動時間を延長して新たにサブフィールドを追加する必要がある。しかし、限られた駆動時間の中では限界があり、トータルの発光回数を減らし最大輝度が暗くなる等の課題がある。【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２０２０５９号公報
【発明の開示】
【０００６】
本発明の目的は、階調表現を豊かにすることができるプラズマディスプレイ装置及びその表示方法を提供することである。
【０００７】
本発明の一観点によれば、輝度の重み付けがされた第１及び第２のサブフィールドを含むフィールドを表示するプラズマディスプレイ装置の表示方法であって、前記第１のサブフィールドにおいて第１のライン数の第１のライン群内で発光させる表示セルを選択する第１のアドレスステップと、前記第１のアドレスステップの前又は後に、前記第２のサブフィールドにおいて前記第１のライン数よりも少ない第２のライン数の第２のライン群内で発光させる表示セルを選択する第２のアドレスステップとを有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置の表示方法が提供される。
【０００８】
本発明の他の観点によれば、輝度の重み付けがされた第１及び第２のサブフィールドを含むフィールドを表示するプラズマディスプレイ装置であって、前記第１のサブフィールドにおいて第１のライン数の第１のライン群内で発光させる表示セルを選択し、前記第２のサブフィールドにおいて前記第１のライン数よりも少ない第２のライン数の第２のライン群内で発光させる表示セルを選択する駆動回路を有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の構成例を示す図である。
【図２】図２は、本発明の第２の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の構成例を示す図である。
【図３】図３は、プラズマディスプレイパネルの構造例を示す分解斜視図である。
【図４】図４は、プラズマディスプレイパネルのアドレス電極に沿った断面図である。
【図５】図５は、プラズマディスプレイ装置の１フィールドの構成例を示す図である。
【図６】図６は、一般的な図１のプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図である。
【図７】図７は、第１の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図である。
【図８】図８は、一般的な図２のプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図である。
【図９】図９は、第２の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の第３の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の第４の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の第５の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明の第６の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図である。
【図１４】図１４は、本発明の第７の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図である。
【図１５】図１５は、本発明の第８の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図である。
【図１６】図１６は、本発明の第９の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図である。
【図１７】図１７は、本発明の第１０の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図である。
【図１８】図１８は、本発明の第１１の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図である。
【図１９】図１９は、図６の第１及び第２のフィールドのサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。
【図２０】図２０は、図７の第１及び第２のフィールドのサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。
【図２１】図２１は、図８の第１のフィールド（奇数フィールド）及び第２のフィールド（偶数フィールド）のサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。
【図２２】図２２は、図９の第１のフィールドのサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。
【図２３】図２３は、図９の第２のフィールドのサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。
【図２４】図２４は、図９の第３のフィールドのサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。
【図２５】図２５は、図９の第４のフィールドのサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。
【図２６】図２６は、図１０の第１及び第２のフィールドのサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。
【図２７】図２７は、図１４の第１のフィールドのサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。
【図２８】図２８は、図１４の第２のフィールドのサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。
【図２９】図２９は、図１４の第３のフィールドのサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。
【図３０】図３０は、図１４の第４のフィールドのサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の構成例を示す図である。制御回路７は、画像データＤＡＴＡ、クロックＣＬＯＣＫ、水平同期信号ＨＳＹＮＣ及び垂直同期信号ＶＳＹＮＣを入力し、Ｘ電極駆動回路４、Ｙ電極駆動回路５及びアドレス電極駆動回路６を制御する。Ｘ電極駆動回路４は、複数のＸ電極Ｘ１，Ｘ２，・・・に共通の電圧を供給する。以下、Ｘ電極Ｘ１，Ｘ２，・・・の各々を又はそれらの総称を、Ｘ電極Ｘｉといい、ｉは添え字を意味する。Ｙ電極駆動回路５は、スキャン駆動回路を有し、複数のＹ（スキャン）電極Ｙ１，Ｙ２，・・・に所定の電圧を供給する。以下、Ｙ電極Ｙ１，Ｙ２，・・・の各々を又はそれらの総称を、Ｙ電極Ｙｉといい、ｉは添え字を意味する。アドレス電極駆動回路６は、複数のアドレス電極Ａ１，Ａ２，・・・に所定の電圧を供給する。以下、アドレス電極Ａ１，Ａ２，・・・の各々を又はそれらの総称を、アドレス電極Ａｊといい、ｊは添え字を意味する。【００１１】
プラズマディスプレイパネル３では、Ｙ電極Ｙｉ及びＸ電極Ｘｉが水平方向に並列に延びる行を形成し、アドレス電極Ａｊが垂直方向に延びる列を形成する。Ｙ電極Ｙｉ及びＸ電極Ｘｉは、垂直方向に交互に配置される。Ｙ電極Ｙｉ及びアドレス電極Ａｊは、ｉ行ｊ列の２次元行列を形成する。表示セルＣｉｊは、Ｙ電極Ｙｉ及びアドレス電極Ａｊの交点並びにそれに対応して隣接するＸ電極Ｘｉにより形成される。この表示セルＣｉｊが画素に対応し、プラズマディスプレイパネル３は２次元画像を表示することができる。【００１２】
図３はプラズマディスプレイパネル３の構造例を示す分解斜視図であり、図４はプラズマディスプレイパネル３のアドレス電極に沿った断面図である。Ｘ電極１１Ａは、図１のＸ電極Ｘｉに対応し、透明電極１１及びメタル電極１２を有する。Ｙ電極１１Ｂは、図１のＹ電極Ｙｉに対応し、透明電極１１及びメタル電極１２を有する。Ｘ電極１１Ａ及びＹ電極１１Ｂは、前面ガラス基板１上に形成されている。その上には、放電空間に対し絶縁するための誘電体層１３が被着されている。さらにその上には、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）保護層１４が被着されている。【００１３】
アドレス電極２１は、図１のアドレス電極Ａｊに対応し、前面ガラス基板１と対向して配置された背面ガラス基板２上に形成される。その上には、誘電体層２２が被着される。更にその上には、蛍光体２４が被着されている。隔壁２３は、縦隔壁２３Ａ及び横隔壁２３Ｂのボックス型で形成される。隔壁２３の内面には、赤、青、緑色の蛍光体２４が各色毎に配置、塗付されている。Ｘ電極１１Ａ及びＹ電極１１Ｂの間の放電によって蛍光体２４を励起して各色が発光する。前面ガラス基板１及び背面ガラス基板２の間の放電空間には、Ｎｅ＋Ｘｅペニングガス等が封入されている。【００１４】
図５は、プラズマディスプレイ装置の１フィールド６０の構成例を示す図である。１フィールド６０は、例えば、それぞれ輝度の重み付けがされた第１のサブフィールドＳＦ１、第２のサブフィールドＳＦ２、・・・、第１０のサブフィールドＳＦ１０により形成される。サブフィールド数は、例えば１０であり、階調ビット数に相当する。各フィールド６０は、１枚の画像を表示することができ、例えば６０フィールド／秒で表示される。【００１５】
各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０は、リセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳにより構成される。【００１６】
図１９に、サブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の電圧波形例を示す。破線の○印は、放電のタイミング及び場所を示す。アドレス電極Ａｊ（図ではＡで示す）、Ｘ電極Ｘｉ（図ではＸで示す）及びＹ電極Ｙｉ（図ではＹで示す）の電圧波形例を示す。【００１７】
リセット期間ＴＲでは、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに所定の電圧を印加して、表示セルＣｉｊの初期化を行う。【００１８】
アドレス期間ＴＡでは、Ｙ電極Ｙ１，Ｙ２，・・・に対して所定のスキャンパルスをスキャンして印加し、そのスキャンパルスに対応してアドレスパルスをアドレス電極Ａｊに印加することにより表示セルを選択する。Ｙ電極Ｙｉのスキャンパルスに対応してアドレス電極Ａｊのアドレスパルスが生成されれば、そのＹ電極Ｙｉ及びＸ電極Ｘｉの表示セルＣｉｊが選択される。Ｙ電極Ｙｉのスキャンパルスに対応してアドレス電極Ａｊのアドレスパルスが生成されなければ、そのＹ電極Ｙｉ及びＸ電極Ｘｉの表示セルＣｉｊが選択されない。スキャンパルスに対応してアドレスパルスが生成されると、アドレス電極Ａｊ及びＹ電極Ｙｉ間のアドレス放電が起こり、それを種火としてＸ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉ間で放電が起こり、Ｘ電極Ｘｉに負電荷が蓄積され、Ｙ電極Ｙｉに正電荷が蓄積される。【００１９】
サステイン放電期間ＴＳでは、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉ間に互いに逆相のサステインパルスが印加され、選択された表示セルＣｉｊのＸ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉ間でサステインパルス毎にサステイン放電を行い、発光を行う。【００２０】
各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０では、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉ間のサステイン放電パルス数（サステイン放電期間ＴＳの長さ）が異なる。サブフィールドＳＦ１からＳＦ１０に向けて、順次、サステイン放電パルス数が多く（サステイン放電期間ＴＳが長く）なり、輝度の重み付けが大きくなる。これにより、階調値を決めることができる。【００２１】
図６は、一般的なプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図である。波形は、上から順に、アドレス電極Ａｊ（図ではＡで示す）、Ｘ電極Ｘｉ（図ではＸで示す）及びＹ電極Ｙｉの電圧波形を示す。第１の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１により第１のフィールドが表示され、続いて、第２の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ２により第２のフィールドが表示される。図５に示したように、各フィールド６０は、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０を有する。各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０は、リセット期間ＴＳ（図ではＲで示す）、アドレス期間ＴＡ（図ではＡで示す）及びサステイン放電期間ＴＳ（図ではＳで示す）を有する。【００２２】
図１９は、図６の第１及び第２のフィールドのサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。破線の○印は、放電のタイミング及び場所を示す。【００２３】
まず、第１の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１による第１のフィールドについて説明する。各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、Ｙ電極Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，・・・に対して負のスキャンパルスを順次スキャンして印加し、そのスキャンパルスに対応して正のアドレスパルスをアドレス電極Ａｊに印加することにより表示セルを選択する。その際、Ｘ電極Ｘｉには、正電圧を印加する。スキャンパルスに対応してアドレスパルスが生成されると、アドレス電極Ａｊ及びＹ電極Ｙｉ間のアドレス放電が起こり、それを種火としてＸ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉ間で放電が起こり、Ｘ電極Ｘｉに負電荷が蓄積され、Ｙ電極Ｙｉに正電荷が蓄積される。【００２４】
次に、第２の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ２による第２のフィールドについて説明する。各サブフィールドのアドレス期間ＴＡでは、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに第１のフィールドと同様の電圧が印加される。【００２５】
図７は、本実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図であり、図６に対応する。図２０は、図７の第１及び第２のフィールドのサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。破線の○印は、放電のタイミング及び場所を示す。【００２６】
まず、第１の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１による第１のフィールドについて説明する。第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡでは、奇数番目のＹ電極Ｙ１，Ｙ３，Ｙ５，・・・に対してのみ負のスキャンパルスを順次スキャンして印加し、そのスキャンパルスに対応して正のアドレスパルスをアドレス電極Ａｊに印加することにより表示セルを選択する。その際、Ｘ電極Ｘｉには、正電圧を印加する。スキャンパルスに対応してアドレスパルスが生成されると、奇数番目のＹ電極Ｙｉ及びアドレス電極Ａｊ間のアドレス放電が起こり、それを種火として奇数番目のＹ電極Ｙｉ及びＸ電極Ｘｉ間で放電が起こり、Ｘ電極Ｘｉに負電荷が蓄積され、奇数番目のＹ電極Ｙｉに正電荷が蓄積される。第１のサブフィールドＳＦ１は、フィールド内のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０の中で輝度の重み付けが最も小さいサブフィールドである。第１のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のサステイン放電期間ＴＳでは、奇数番目のＹ電極Ｙ１，Ｙ３，Ｙ５，・・・の表示セルＣｉｊのみが発光可能である。【００２７】
第１のフィールドのサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに図６のアドレス期間ＴＡと同様の電圧が印加される。すなわち、すべてのＹ電極Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，・・・に対して負のスキャンパルスを順次スキャンして印加し、そのスキャンパルスに対応して正のアドレスパルスをアドレス電極Ａｊに印加することにより表示セルを選択する。その際、Ｘ電極Ｘｉには、正電圧を印加する。第１のフィールドのサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０のサステイン放電期間ＴＳでは、すべてのＹ電極Ｙｉの表示セルＣｉｊが発光可能である。【００２８】
次に、第２の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ２による第２のフィールドについて説明する。第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡでは、偶数番目のＹ電極Ｙ２，Ｙ４，Ｙ６，・・・に対してのみ負のスキャンパルスを順次スキャンして印加し、そのスキャンパルスに対応して正のアドレスパルスをアドレス電極Ａｊに印加することにより表示セルを選択する。その際、Ｘ電極Ｘｉには、正電圧を印加する。スキャンパルスに対応してアドレスパルスが生成されると、偶数番目のＹ電極Ｙｉ及びアドレス電極Ａｊ間のアドレス放電が起こり、それを種火として偶数番目のＹ電極Ｙｉ及びＸ電極Ｘｉ間で放電が起こり、Ｘ電極Ｘｉに負電荷が蓄積され、偶数番目のＹ電極Ｙｉに正電荷が蓄積される。第２のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のサステイン放電期間ＴＳでは、偶数番目のＹ電極Ｙ２，Ｙ４，Ｙ６，・・・の表示セルＣｉｊのみが発光可能である。【００２９】
第２のフィールドのサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに図６のアドレス期間ＴＡと同様の電圧が印加される。すなわち、すべてのＹ電極Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，・・・に対して負のスキャンパルスを順次スキャンして印加し、そのスキャンパルスに対応して正のアドレスパルスをアドレス電極Ａｊに印加することにより表示セルを選択する。その際、Ｘ電極Ｘｉには、正電圧を印加する。第２のフィールドのサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０のサステイン放電期間ＴＳでは、すべてのＹ電極Ｙｉの表示セルＣｉｊが発光可能である。【００３０】
上記の第１及び第２のフィールド（２個の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１及びＶｓｙｎｃ２）を１周期とし、以後、同様の動作を繰り返す。以上のように、本実施形態によれば、奇数フィールド（第１のフィールド）の第１のサブフィールドＳＦ１では奇数番目のＹ電極Ｙ１，Ｙ３，Ｙ５，・・・にのみスキャンパルスを印加して奇数番目のＹ電極Ｙ１，Ｙ３，Ｙ５，・・・の表示セルＣｉｊを選択し、偶数フィールド（第２のフィールド）の第１のサブフィールドＳＦ１では偶数番目のＹ電極Ｙ２，Ｙ４，Ｙ６，・・・にのみスキャンパルスを印加して偶数番目のＹ電極Ｙ２，Ｙ４，Ｙ６，・・・の表示セルＣｉｊを選択する。【００３１】
図６の第１のサブフィールドＳＦ１の輝度を１とすると、本実施形態（図７）では輝度を時間的に分散させて第１のサブフィールドＳＦ１の輝度を０．５にすることができる。すなわち、本実施形態は、図６に比べ、最小輝度単位を小さくすることができるので、より暗い階調表示が可能になり、階調表現を豊かにすることができる。【００３２】
また、図６の第１のサブフィールドＳＦ１では、すべてのＹ電極Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，・・・に順次スキャンパルスを印加する。これに対し、本実施形態（図７）の奇数フィールドの第１のサブフィールドＳＦ１では、奇数番目のＹ電極Ｙ１，Ｙ３，Ｙ５，・・・にのみ順次スキャンパルスを印加する。したがって、本実施形態の第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡは、図６の第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡに対して、約半分の時間に短縮することができる。【００３３】
同様に、本実施形態（図７）の偶数フィールドの第１のサブフィールドＳＦ１では、偶数番目のＹ電極Ｙ２，Ｙ４，Ｙ６，・・・にのみ順次スキャンパルスを印加するので、偶数フィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡも短縮することができる。その結果、全フィールドの第１のサブフィールドＳＦ１の時間を短縮することができる。【００３４】
本実施形態では、サブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０において第１のライン数（全ライン数）のライン群内で発光させる表示セルを選択するアドレス期間ＴＡを有し、サブフィールドＳＦ１において前記第１のライン数よりも少ない第２のライン数（全ライン数の１／２）のライン群内で発光させる表示セルを選択するアドレス期間ＴＡを有する。【００３５】
アドレス期間ＴＡの前には、その前のサブフィールドの発光させる表示セルの選択をリセットするためのリセット期間ＴＲを有する。アドレス期間ＴＡの後には、アドレス期間ＴＡで選択された表示セルのサステイン放電による発光を行うサステイン放電期間ＴＳを有する。【００３６】
表示の周期は、第１のフィールド（垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１）及び第２のフィールド（垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ２）が１周期である。各フィールドのサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０において全ライン内で発光させる表示セルを選択し、第１のフィールドのサブフィールドＳＦ１では全ライン内の半分のライン内で発光させる表示セルを選択し、第２のフィールドのサブフィールドＳＦ１では全ライン内の残りの半分のライン内で発光させる表示セルを選択する。【００３７】
（第２の実施形態）
図２は、本発明の第２の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の構成例を示す図である。このプラズマディスプレイ装置は、ＡＬＩＳ（Alternate Lighting of Surfaces）方式である。図１のプラズマディスプレイ装置では、Ｙ電極は、一方に隣接するＸ電極との間でのみ表示セルを構成していた。例えば、Ｘ電極Ｘ１及びＹ電極Ｙ１が１つの表示セルを構成し、Ｘ電極Ｘ２及びＹ電極Ｙ２が他の１つの表示セルを構成する。これに対し、図２のプラズマディスプレイ装置では、Ｙ電極は、両方に隣接するＸ電極との間で表示セルを構成する。例えば、Ｘ電極Ｘ１及びＹ電極Ｙ１が１つの表示セルを構成し、Ｙ電極Ｙ１及びＸ電極Ｘ２が他の１つの表示セルを構成する。これにより、表示画像のライン数を増やし、解像度を上げることができる。【００３８】
以下、図２のプラズマディスプレイ装置が図１のプラズマディスプレイ装置と異なる点を説明する。Ｘ電極駆動回路４は、第１のＸ電極駆動回路４ａ及び第２のＸ電極駆動回路４ｂを有する。第１のＸ電極駆動回路４ａは、奇数番目のＸ電極Ｘ１，Ｘ３，Ｘ５，・・・に共通の電圧を供給する。第２のＸ電極駆動回路４ｂは、偶数番目のＸ電極Ｘ２，Ｘ４，Ｘ６，・・・に共通の電圧を供給する。【００３９】
Ｙ電極駆動回路５は、第１のＹ電極駆動回路５ａ及び第２のＹ電極駆動回路５ｂを有する。第１のＹ電極駆動回路５ａは、奇数番目のＹ電極Ｙ１，Ｙ３，Ｙ５，・・・に所定の電圧を供給する。第２のＹ電極駆動回路５ｂは、偶数番目のＹ電極Ｙ２，Ｙ４，Ｙ６，・・・に所定の電圧を供給する。【００４０】
図８は、一般的な図２のプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図であり、図６に対応する。以下、奇数番目のＸ電極Ｘ１，Ｘ３，Ｘ５，・・・をＸ電極Ｘｏといい、偶数番目のＸ電極Ｘ２，Ｘ４，Ｘ６，・・・をＸ電極Ｘｅという。【００４１】
図２１は、図８の第１のフィールド（奇数フィールド）及び第２のフィールド（偶数フィールド）のサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。破線の○印は、放電のタイミング及び場所を示す。【００４２】
まず、第１の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１による第１のフィールドについて説明する。各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡは、前半アドレス期間及び後半アドレス期間を有する。【００４３】
まず、前半アドレス期間では、奇数番目のＹ電極Ｙ１，Ｙ３，Ｙ５，・・・に対して負のスキャンパルスを順次スキャンして印加し、そのスキャンパルスに対応して正のアドレスパルスをアドレス電極Ａｊに印加することにより表示セルを選択する。その際、奇数番目のＸ電極Ｘｏには正電圧を印加し、偶数番目のＸ電極Ｘｅにはグランド電位を印加する。スキャンパルスに対応してアドレスパルスが生成されると、奇数番目のＹ電極Ｙｉ及びアドレス電極Ａｊ間のアドレス放電が起こり、それを種火として奇数番目のＹ電極Ｙｉ及び奇数番目のＸ電極Ｘｏ間で放電が起こり、奇数番目のＸ電極Ｘｏに負電荷が蓄積され、奇数番目のＹ電極Ｙｉに正電荷が蓄積される。これにより、その後のサステイン放電期間ＴＳにおいて、奇数番目のＹ電極Ｙｉ及び奇数番目のＸ電極Ｘｏの表示セルが発光可能になる。例えば、Ｙ電極Ｙ１及びＸ電極Ｘ１の表示セルが発光可能になる。【００４４】
次に、後半アドレス期間では、偶数番目のＹ電極Ｙ２，Ｙ４，Ｙ６，・・・に対して負のスキャンパルスを順次スキャンして印加し、そのスキャンパルスに対応して正のアドレスパルスをアドレス電極Ａｊに印加することにより表示セルを選択する。その際、奇数番目のＸ電極Ｘｏにはグランド電位を印加し、偶数番目のＸ電極Ｘｅには正電圧を印加する。スキャンパルスに対応してアドレスパルスが生成されると、偶数番目のＹ電極Ｙｉ及びアドレス電極Ａｊ間のアドレス放電が起こり、それを種火として偶数番目のＹ電極Ｙｉ及び偶数番目のＸ電極Ｘｅ間で放電が起こり、偶数番目のＸ電極Ｘｅに負電荷が蓄積され、偶数番目のＹ電極Ｙｉに正電荷が蓄積される。これにより、その後のサステイン放電期間ＴＳにおいて、偶数番目のＹ電極Ｙｉ及び偶数番目のＸ電極Ｘｅの表示セルが発光可能になる。例えば、Ｙ電極Ｙ２及びＸ電極Ｘ２の表示セルが発光可能になる。【００４５】
以上のように、前半アドレス期間では奇数番目のＹ電極Ｙｉにスキャンパルスを印加し、後半アドレス期間では偶数番目のＹ電極Ｙｉにスキャンパルスを印加し、アドレス期間ＴＡ全体ではすべてのＹ電極Ｙｉにスキャンパルスを印加している。【００４６】
次に、第２の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ２による第２のフィールドについて説明する。各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡは、前半アドレス期間及び後半アドレス期間を有する。【００４７】
まず、前半アドレス期間では、奇数番目のＹ電極Ｙ１，Ｙ３，Ｙ５，・・・に対して負のスキャンパルスを順次スキャンして印加し、そのスキャンパルスに対応して正のアドレスパルスをアドレス電極Ａｊに印加することにより表示セルを選択する。その際、奇数番目のＸ電極Ｘｏにはグランド電位を印加し、偶数番目のＸ電極Ｘｅには正電圧を印加する。スキャンパルスに対応してアドレスパルスが生成されると、奇数番目のＹ電極Ｙｉ及びアドレス電極Ａｊ間のアドレス放電が起こり、それを種火として奇数番目のＹ電極Ｙｉ及び偶数番目のＸ電極Ｘｅ間で放電が起こり、偶数番目のＸ電極Ｘｅに負電荷が蓄積され、奇数番目のＹ電極Ｙｉに正電荷が蓄積される。これにより、その後のサステイン放電期間ＴＳにおいて、奇数番目のＹ電極Ｙｉ及び偶数番目のＸ電極Ｘｅの表示セルが発光可能になる。例えば、Ｙ電極Ｙ１及びＸ電極Ｘ２の表示セルが発光可能になる。【００４８】
次に、後半アドレス期間では、偶数番目のＹ電極Ｙ２，Ｙ４，Ｙ６，・・・に対して負のスキャンパルスを順次スキャンして印加し、そのスキャンパルスに対応して正のアドレスパルスをアドレス電極Ａｊに印加することにより表示セルを選択する。その際、奇数番目のＸ電極Ｘｏには正電圧を印加し、偶数番目のＸ電極Ｘｅにはグランド電位を印加する。スキャンパルスに対応してアドレスパルスが生成されると、偶数番目のＹ電極Ｙｉ及びアドレス電極Ａｊ間のアドレス放電が起こり、それを種火として偶数番目のＹ電極Ｙｉ及び奇数番目のＸ電極Ｘｏ間で放電が起こり、奇数番目のＸ電極Ｘｏに負電荷が蓄積され、偶数番目のＹ電極Ｙｉに正電荷が蓄積される。これにより、その後のサステイン放電期間ＴＳにおいて、偶数番目のＹ電極Ｙｉ及び奇数番目のＸ電極Ｘｏの表示セルが発光可能になる。例えば、Ｙ電極Ｙ２及びＸ電極Ｘ３の表示セルが発光可能になる。【００４９】
以上のように、前半アドレス期間では奇数番目のＹ電極Ｙｉにスキャンパルスを印加し、後半アドレス期間では偶数番目のＹ電極Ｙｉにスキャンパルスを印加し、アドレス期間ＴＡ全体ではすべてのＹ電極Ｙｉにスキャンパルスを印加している。【００５０】
上記の第１及び第２のフィールド（２個の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１及びＶｓｙｎｃ２）を１周期とし、以後、同様の動作を繰り返す。【００５１】
図９は、本実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図であり、図８に対応する。第１のサブフィールドＳＦ１は、フィールド内のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０の中で輝度の重み付けが最も小さいサブフィールドである。【００５２】
図２２〜図２５は、図９の第１〜第４のフィールドのサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。破線の○印は、放電のタイミング及び場所を示す。【００５３】
まず、第１の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１による第１のフィールドについて説明する。第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡでは、奇数番目のＹ電極Ｙ１，Ｙ３，Ｙ５，・・・に対してのみ負のスキャンパルスを順次スキャンして印加し、そのスキャンパルスに対応して正のアドレスパルスをアドレス電極Ａｊに印加することにより表示セルを選択する。その際、奇数番目のＸ電極Ｘｏには正電圧を印加し、偶数番目のＸ電極Ｘｅにはグランド電位を印加する。スキャンパルスに対応してアドレスパルスが生成されると、奇数番目のＹ電極Ｙｉ及びアドレス電極Ａｊ間のアドレス放電が起こり、それを種火として奇数番目のＹ電極Ｙｉ及び奇数番目のＸ電極Ｘｉ間で放電が起こり、奇数番目のＸ電極Ｘｏに負電荷が蓄積され、奇数番目のＹ電極Ｙｉに正電荷が蓄積される。第１のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のサステイン放電期間ＴＳでは、奇数番目のＹ電極Ｙｉ及び奇数番目のＸ電極Ｘｅの表示セルのみが発光可能である。例えば、Ｙ電極Ｙ１及びＸ電極Ｘ１の表示セルのみが発光可能である。【００５４】
第１のフィールドのサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、図８の第１のフィールドのアドレス期間ＴＡと同じ電圧がＸ電極、Ｙ電極及びアドレス電極に印加される。【００５５】
次に、第２の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ２による第２のフィールドについて説明する。第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡでは、奇数番目のＹ電極Ｙ１，Ｙ３，Ｙ５，・・・に対してのみ負のスキャンパルスを順次スキャンして印加し、そのスキャンパルスに対応して正のアドレスパルスをアドレス電極Ａｊに印加することにより表示セルを選択する。その際、奇数番目のＸ電極Ｘｏｉにはグランド電位を印加し、偶数番目のＸ電極Ｘｅには正電圧を印加する。スキャンパルスに対応してアドレスパルスが生成されると、奇数番目のＹ電極Ｙｉ及びアドレス電極Ａｊ間のアドレス放電が起こり、それを種火として奇数番目のＹ電極Ｙｉ及び偶数番目のＸ電極Ｘｅ間で放電が起こり、偶数番目のＸ電極Ｘｅに負電荷が蓄積され、奇数番目のＹ電極Ｙｉに正電荷が蓄積される。第２のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のサステイン放電期間ＴＳでは、奇数番目のＹ電極Ｙｉ及び偶数番目のＸ電極Ｘｅの表示セルのみが発光可能である。例えば、Ｙ電極Ｙ１及びＸ電極Ｘ２の表示セルのみが発光可能である。【００５６】
第２のフィールドのサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、図８の第２のフィールドのアドレス期間ＴＡと同じ電圧がＸ電極、Ｙ電極及びアドレス電極に印加される。【００５７】
次に、第３の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ３による第３のフィールドについて説明する。第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡでは、偶数番目のＹ電極Ｙ２，Ｙ４，Ｙ６，・・・に対してのみ負のスキャンパルスを順次スキャンして印加し、そのスキャンパルスに対応して正のアドレスパルスをアドレス電極Ａｊに印加することにより表示セルを選択する。その際、奇数番目のＸ電極Ｘｏｉにはグランド電位を印加し、偶数番目のＸ電極Ｘｅには正電圧を印加する。スキャンパルスに対応してアドレスパルスが生成されると、偶数番目のＹ電極Ｙｉ及びアドレス電極Ａｊ間のアドレス放電が起こり、それを種火として偶数番目のＹ電極Ｙｉ及び偶数番目のＸ電極Ｘｅ間で放電が起こり、偶数番目のＸ電極Ｘｅに負電荷が蓄積され、偶数番目のＹ電極Ｙｉに正電荷が蓄積される。第３のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のサステイン放電期間ＴＳでは、偶数番目のＹ電極Ｙｉ及び偶数番目のＸ電極Ｘｅの表示セルのみが発光可能である。例えば、Ｙ電極Ｙ２及びＸ電極Ｘ２の表示セルのみが発光可能である。【００５８】
第３のフィールドのサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、図８の第１（第３）のフィールドのアドレス期間ＴＡと同じ電圧がＸ電極、Ｙ電極及びアドレス電極に印加される。【００５９】
次に、第４の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ４による第４のフィールドについて説明する。第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡでは、偶数番目のＹ電極Ｙ２，Ｙ４，Ｙ６，・・・に対してのみ負のスキャンパルスを順次スキャンして印加し、そのスキャンパルスに対応して正のアドレスパルスをアドレス電極Ａｊに印加することにより表示セルを選択する。その際、奇数番目のＸ電極Ｘｏｉには正電圧を印加し、偶数番目のＸ電極Ｘｅにはグランド電位を印加する。スキャンパルスに対応してアドレスパルスが生成されると、偶数番目のＹ電極Ｙｉ及びアドレス電極Ａｊ間のアドレス放電が起こり、それを種火として偶数番目のＹ電極Ｙｉ及び奇数番目のＸ電極Ｘｏ間で放電が起こり、奇数番目のＸ電極Ｘｏに負電荷が蓄積され、偶数番目のＹ電極Ｙｉに正電荷が蓄積される。第４のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のサステイン放電期間ＴＳでは、偶数番目のＹ電極Ｙｉ及び奇数番目のＸ電極Ｘｏの表示セルのみが発光可能である。例えば、Ｙ電極Ｙ２及びＸ電極Ｘ３の表示セルのみが発光可能である。【００６０】
第４のフィールドのサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、図８の第２（第４）のフィールドのアドレス期間ＴＡと同じ電圧がＸ電極、Ｙ電極及びアドレス電極に印加される。【００６１】
上記の第１〜第４のフィールド（４個の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１〜Ｖｓｙｎｃ４）を１周期とし、以後、同様の動作を繰り返す。以上のように、本実施形態によれば、第１及び第２のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１では奇数番目のＹ電極Ｙ１，Ｙ３，Ｙ５，・・・にのみスキャンパルスを印加し、第３及び第４のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１では偶数番目のＹ電極Ｙ２，Ｙ４，Ｙ６，・・・にのみスキャンパルスを印加する。【００６２】
図８の第１のサブフィールドＳＦ１の輝度を１とすると、本実施形態（図９）では輝度を時間的に分散させて第１のサブフィールドＳＦ１の輝度を０．５にすることができる。すなわち、本実施形態は、図８に比べ、最小輝度単位を小さくすることができるので、より暗い階調表示が可能になり、階調表現を豊かにすることができる。【００６３】
また、本実施形態の第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡは、図８の第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡに対して、約半分の時間に短縮することができる。【００６４】
本実施形態では、表示の周期は、第１〜第４のフィールド（垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１〜Ｖｓｙｎｃ４）が１周期である。第１及び第３のフィールドのサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０ではそれぞれ全ライン内の半分のライン内で発光させる表示セルを選択し、第２及び第４のフィールドのサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０ではそれぞれ全ライン内の残りの半分のライン内で発光させる表示セルを選択する。また、第１のフィールドのサブフィールドＳＦ１では全ライン内の１／４のライン内で発光させる表示セルを選択し、第２のフィールドのサブフィールドＳＦ１では全ライン内の他の１／４のライン内で発光させる表示セルを選択し、第３のフィールドのサブフィールドＳＦ１では全ライン内のさらに他の１／４のライン内で発光させる表示セルを選択し、第４のフィールドのサブフィールドＳＦ１では全ライン内の残りの１／４のライン内で発光させる表示セルを選択する。【００６５】
（第３の実施形態）
図１０は、本発明の第３の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図であり、図６に対応する。本実施形態のプラズマディスプレイ装置は、図１のプラズマディスプレイ装置の構成を有する。ここで、第１のサブフィールドＳＦ１は、フィールド内のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０の中で輝度の重み付けが２番目に小さいサブフィールドである。第２のサブフィールドＳＦ２は、フィールド内のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０の中で輝度の重み付けが最も小さいサブフィールドである。【００６６】
図２６は、図１０の第１及び第２のフィールドのサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。破線の○印は、放電のタイミング及び場所を示す。【００６７】
まず、第１の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１による第１のフィールドについて説明する。第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡでは、図７の第１のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第２〜第１０のサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、図６の第１のフィールドの各サブフィールドのアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。【００６８】
第２のサブフィールドＳＦ２は、リセット期間ＴＲを有さず、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。すなわち、第１のサブフィールドＳＦ１のリセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳに続き、第２のサブフィールドＳＦ２のアドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳが実行される。【００６９】
第１のサブフィールドＳＦ１では、アドレス期間ＴＡで発光させる表示セルの選択を行い、それに続くサステイン放電期間ＴＳで選択された表示セルの発光を行う。第２のサブフィールドＳＦ２では、リセット期間ＴＲなしに、アドレス期間ＴＡが実行される。第２のサブフィールドＳＦ２のアドレス期間ＴＡでは、第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの表示セルの選択が生かされた状態で、再び発光させる表示セルの選択を行う。第２のサブフィールドＳＦ２のサステイン放電期間ＴＳでは、第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡ及び／又は第２のサブフィールドＳＦ２のアドレス期間ＴＡで選択された表示セルの発光を行う。【００７０】
リセット期間ＴＲでは、リセットのためのＸ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉ間の放電が起こり、発光する。この発光は、画像データの階調値に関係のない背景発光であり、コントラストを低下させる原因となる。本実施形態の第２のサブフィールドＳＦ２では、その前の第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡにおける表示セルの選択をリセットするためのリセット期間ＴＲを有さない。したがって、背景発光を低減し、コントラストを向上させることができる。【００７１】
なお、図２６に示すように、第２のサブフィールドＳＦ２はリセット期間ＴＲを有さないので、第１のサブフィールドＳＦ１のサステイン放電期間ＴＳの最終部のＸ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉ間に傾斜パルスの電圧が印加される。この傾斜パルスにより、第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡで表示セルの選択を行った奇数番目のＸ電極Ｘｉ及び奇数番目のＹ電極Ｙｉ間で電荷調整のための放電が生じる。【００７２】
次に、第２の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ２による第２のフィールドについて説明する。第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡでは、図７の第２のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第２〜第１０のサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、図６の第２のフィールドの各サブフィールドのアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。【００７３】
第１のフィールドと同様に、第２のフィールドの第２のサブフィールドＳＦ２は、リセット期間ＴＲを有さず、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。すなわち、第１のサブフィールドＳＦ１のリセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳに続き、第２のサブフィールドＳＦ２のアドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳが実行される。第２のサブフィールドＳＦ２では、その前の第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡにおける表示セルの選択をリセットするためのリセット期間ＴＲを有さないので、背景発光を低減し、コントラストを向上させることができる。【００７４】
また、図２６に示すように、第２のサブフィールドＳＦはリセット期間ＴＲを有さないので、第１のサブフィールドＳＦ１のサステイン放電期間ＴＳの最終部のＸ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉ間に傾斜パルスの電圧が印加される。この傾斜パルスにより、第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡで表示セルの選択を行った偶数番目のＸ電極Ｘｉ及び偶数番目のＹ電極Ｙｉ間で電荷調整のための放電が生じる。【００７５】
上記の第１及び第２のフィールド（２個の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１及びＶｓｙｎｃ２）を１周期とし、以後、同様の動作を繰り返す。第１及び第２の実施形態と同様に、最小輝度単位を小さくすることができ、より暗い階調表示が可能になり、階調表現を豊かにすることができる。また、第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡを短縮することができる。【００７６】
（第４の実施形態）
図１１は、本発明の第４の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図であり、図６に対応する。本実施形態のプラズマディスプレイ装置は、図１のプラズマディスプレイ装置の構成を有する。ここで、第１のサブフィールドＳＦ１は、フィールド内のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０の中で輝度の重み付けが２番目に小さいサブフィールドである。第２のサブフィールドＳＦ２は、フィールド内のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０の中で輝度の重み付けが最も小さいサブフィールドである。【００７７】
まず、第１の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１による第１のフィールドについて説明する。サブフィールドＳＦ１及びＳＦ３〜ＳＦ１０は、リセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。第２のサブフィールドＳＦ２は、リセット期間ＴＲを有さず、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。【００７８】
サブフィールドＳＦ１及びＳＦ３〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、図６の第１のフィールドの各サブフィールドのアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第２のサブフィールドＳＦ２のアドレス期間ＴＡでは、図７の第１のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。【００７９】
次に、第２の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ２による第２のフィールドについて説明する。サブフィールドＳＦ１及びＳＦ３〜ＳＦ１０は、リセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。第２のサブフィールドＳＦ２は、リセット期間ＴＲを有さず、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。【００８０】
サブフィールドＳＦ１及びＳＦ３〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、図６の第２のフィールドの各サブフィールドのアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第２のサブフィールドＳＦ２のアドレス期間ＴＡでは、図７の第２のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。【００８１】
上記の第１及び第２のフィールド（２個の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１及びＶｓｙｎｃ２）を１周期とし、以後、同様の動作を繰り返す。第３の実施形態と同様に、第２のサブフィールドＳＦ２では、その前の第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡにおける表示セルの選択をリセットするためのリセット期間ＴＲを有さないので、背景発光を低減し、コントラストを向上させることができる。また、第１の実施形態と同様に、最小輝度単位を小さくすることができ、より暗い階調表示が可能になり、階調表現を豊かにすることができる。また、第２のサブフィールドＳＦ２のアドレス期間ＴＡを短縮することができる。【００８２】
（第５の実施形態）
図１２は、本発明の第５の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図であり、図６に対応する。本実施形態のプラズマディスプレイ装置は、図１のプラズマディスプレイ装置の構成を有する。ここで、第１のサブフィールドＳＦ１は、フィールド内のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０の中で輝度の重み付けが２番目に小さいサブフィールドである。第２のサブフィールドＳＦ２は、フィールド内のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０の中で輝度の重み付けが最も小さいサブフィールドである。【００８３】
本実施形態（図１２）が第３の実施形態（図１０）と異なる点を説明する。本実施形態は、第１のサブフィールドＳＦ１のみならず、第２のサブフィールドＳＦ２においても、アドレス期間ＴＡでは、図７の第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第１のフィールドの第２のサブフィールドＳＦ２のアドレス期間ＴＡでは、図７の第１のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第２のフィールドの第２のサブフィールドＳＦ２のアドレス期間ＴＡでは、図７の第２のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。【００８４】
本実施形態は、第３の実施形態と同じ効果を有する。さらに、本実施形態は、第１及び第２のサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２のアドレス期間ＴＡを短縮することができるので、第３の実施形態に対して、各フィールドの時間をより短縮することができる。【００８５】
本実施形態では、サブフィールドＳＦ３〜ＳＦ１０において第１のライン数（全ライン数）のライン群内で発光させる表示セルを選択するアドレス期間ＴＡを有し、サブフィールドＳＦ１及びＳＦ２において前記第１のライン数よりも少ない第２のライン数（全ライン数の１／２）のライン群内で発光させる表示セルを選択するアドレス期間ＴＡを有する。【００８６】
（第６の実施形態）
図１３は、本発明の第６の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図であり、図６に対応する。本実施形態のプラズマディスプレイ装置は、図１のプラズマディスプレイ装置の構成を有する。ここで、第１のサブフィールドＳＦ１は、フィールド内のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０の中で輝度の重み付けが２番目に小さいサブフィールドである。第２のサブフィールドＳＦ２は、フィールド内のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０の中で輝度の重み付けが最も小さいサブフィールドである。【００８７】
本実施形態（図１３）が第５の実施形態（図１２）と異なる点を説明する。本実施形態は、第１及び第２のフィールドが１１個のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１１を有する。サブフィールドＳＦ３は、新たに追加されたものであり、リセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有し、例えばサブフィールドＳＦ２と同じ輝度の重み付けを有する。サブフィールドＳＦ４〜ＳＦ１１は、図１２のサブフィールドＳＦ３〜ＳＦ１０に対応する。【００８８】
第１のフィールドの第３のサブフィールドＳＦ３のアドレス期間ＴＡでは、図７の第１のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第２のフィールドの第３のサブフィールドＳＦ３のアドレス期間ＴＡでは、図７の第２のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。【００８９】
本実施形態では、第５の実施形態と同様に、第１及び第２のサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２のアドレス期間ＴＡを短縮することができるので、新たにサブフィールドＳＦ３を追加することができる。本実施形態は、第５の実施形態に比べ、サブフィールド数を増やすことができるので、表示可能な階調数を増やすことができる。【００９０】
本実施形態では、サブフィールドＳＦ４〜ＳＦ１０において第１のライン数（全ライン数）のライン群内で発光させる表示セルを選択するアドレス期間ＴＡを有し、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ３において前記第１のライン数よりも少ない第２のライン数（全ライン数の１／２）のライン群内で発光させる表示セルを選択するアドレス期間ＴＡを有する。【００９１】
（第７の実施形態）
図１４は、本発明の第７の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図であり、図８に対応する。本実施形態のプラズマディスプレイ装置は、図２のプラズマディスプレイ装置の構成を有する。ここで、第１のサブフィールドＳＦ１は、フィールド内のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０の中で輝度の重み付けが２番目に小さいサブフィールドである。第２のサブフィールドＳＦ２は、フィールド内のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０の中で輝度の重み付けが最も小さいサブフィールドである。本実施形態は、第３の実施形態（図１０）に対応するものである。【００９２】
図２７〜図３０は、図１４の第１〜第４のフィールドのサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２の具体的な波形例を示す図である。破線の○印は、放電のタイミング及び場所を示す。【００９３】
まず、第１の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１による第１のフィールドについて説明する。第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡでは、図９の第１のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第２〜第１０のサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、図８の第１のフィールドの各サブフィールドのアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第３の実施形態と同様に、第２のサブフィールドＳＦ２は、リセット期間ＴＲを有さず、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。サブフィールドＳＦ１及びＳＦ３〜ＳＦ１０は、リセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。【００９４】
次に、第２の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ２による第２のフィールドについて説明する。第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡでは、図９の第２のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第２〜第１０のサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、図８の第２のフィールドの各サブフィールドのアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第３の実施形態と同様に、第２のサブフィールドＳＦ２は、リセット期間ＴＲを有さず、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。サブフィールドＳＦ１及びＳＦ３〜ＳＦ１０は、リセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。【００９５】
次に、第３の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ３による第３のフィールドについて説明する。第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡでは、図９の第３のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第２〜第１０のサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、図８の第１のフィールドの各サブフィールドのアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第３の実施形態と同様に、第２のサブフィールドＳＦ２は、リセット期間ＴＲを有さず、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。サブフィールドＳＦ１及びＳＦ３〜ＳＦ１０は、リセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。【００９６】
次に、第４の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ４による第４のフィールドについて説明する。第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡでは、図９の第４のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第２〜第１０のサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、図８の第２のフィールドの各サブフィールドのアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第３の実施形態と同様に、第２のサブフィールドＳＦ２は、リセット期間ＴＲを有さず、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。サブフィールドＳＦ１及びＳＦ３〜ＳＦ１０は、リセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。【００９７】
なお、図２７〜図３０に示すように、第３の実施形態と同様に、第１〜第４のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のサステイン放電期間ＴＳの最終部では、電荷調整放電のためにＸ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉ間に傾斜パルスの電圧を印加する。【００９８】
上記の第１〜第４のフィールド（４個の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１〜Ｖｓｙｎｃ４）を１周期とし、以後、同様の動作を繰り返す。第３の実施形態と同様に、第２のサブフィールドＳＦ２では、その前の第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡにおける表示セルの選択をリセットするためのリセット期間ＴＲを有さないので、背景発光を低減し、コントラストを向上させることができる。また、第２の実施形態と同様に、最小輝度単位を小さくすることができ、より暗い階調表示が可能になり、階調表現を豊かにすることができる。また、第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡを短縮することができる。【００９９】
（第８の実施形態）
図１５は、本発明の第８の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図であり、図８に対応する。本実施形態のプラズマディスプレイ装置は、図２のプラズマディスプレイ装置の構成を有する。ここで、第１のサブフィールドＳＦ１は、フィールド内のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０の中で輝度の重み付けが２番目に小さいサブフィールドである。第２のサブフィールドＳＦ２は、フィールド内のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０の中で輝度の重み付けが最も小さいサブフィールドである。本実施形態は、第４の実施形態（図１１）に対応するものである。【０１００】
まず、第１の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１による第１のフィールドについて説明する。サブフィールドＳＦ１及びＳＦ３〜ＳＦ１０は、リセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。第２のサブフィールドＳＦ２は、リセット期間ＴＲを有さず、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。【０１０１】
サブフィールドＳＦ１及びＳＦ３〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、図８の第１のフィールドの各サブフィールドのアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第２のサブフィールドＳＦ２のアドレス期間ＴＡでは、図９の第１のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。【０１０２】
次に、第２の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ２による第２のフィールドについて説明する。サブフィールドＳＦ１及びＳＦ３〜ＳＦ１０は、リセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。第２のサブフィールドＳＦ２は、リセット期間ＴＲを有さず、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。【０１０３】
サブフィールドＳＦ１及びＳＦ３〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、図８の第２のフィールドの各サブフィールドのアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第２のサブフィールドＳＦ２のアドレス期間ＴＡでは、図９の第２のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。【０１０４】
次に、第３の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ３による第３のフィールドについて説明する。サブフィールドＳＦ１及びＳＦ３〜ＳＦ１０は、リセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。第２のサブフィールドＳＦ２は、リセット期間ＴＲを有さず、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。【０１０５】
サブフィールドＳＦ１及びＳＦ３〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、図８の第１のフィールドの各サブフィールドのアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第２のサブフィールドＳＦ２のアドレス期間ＴＡでは、図９の第３のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。【０１０６】
次に、第４の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ４による第４のフィールドについて説明する。サブフィールドＳＦ１及びＳＦ３〜ＳＦ１０は、リセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。第２のサブフィールドＳＦ２は、リセット期間ＴＲを有さず、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有する。【０１０７】
サブフィールドＳＦ１及びＳＦ３〜ＳＦ１０のアドレス期間ＴＡでは、図８の第２のフィールドの各サブフィールドのアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第２のサブフィールドＳＦ２のアドレス期間ＴＡでは、図９の第４のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。【０１０８】
上記の第１〜第４のフィールド（４個の垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ１〜Ｖｓｙｎｃ４）を１周期とし、以後、同様の動作を繰り返す。第４の実施形態と同様に、第２のサブフィールドＳＦ２では、その前の第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡにおける表示セルの選択をリセットするためのリセット期間ＴＲを有さないので、背景発光を低減し、コントラストを向上させることができる。また、最小輝度単位を小さくすることができ、より暗い階調表示が可能になり、階調表現を豊かにすることができる。また、第２のサブフィールドＳＦ２のアドレス期間ＴＡを短縮することができる。【０１０９】
（第９の実施形態）
図１６は、本発明の第９の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図であり、図８に対応する。本実施形態のプラズマディスプレイ装置は、図２のプラズマディスプレイ装置の構成を有する。ここで、第１のサブフィールドＳＦ１は、フィールド内のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０の中で輝度の重み付けが２番目に小さいサブフィールドである。第２のサブフィールドＳＦ２は、フィールド内のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１０の中で輝度の重み付けが最も小さいサブフィールドである。本実施形態は、第５の実施形態（図１２）に対応するものである。【０１１０】
本実施形態（図１６）が第７の実施形態（図１４）と異なる点を説明する。本実施形態は、第１のサブフィールドＳＦ１のみならず、第２のサブフィールドＳＦ２においても、アドレス期間ＴＡでは、図９の第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。第１〜第４のフィールドの第２のサブフィールドＳＦ２のアドレス期間ＴＡでは、それぞれ図９の第１〜第４のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。【０１１１】
本実施形態は、第７の実施形態と同じ効果を有する。さらに、本実施形態は、第１及び第２のサブフィールドＳＦ１及びＳＦ２のアドレス期間ＴＡを短縮することができるので、第７の実施形態に対して、各フィールドの時間をより短縮することができる。【０１１２】
（第１０の実施形態）
図１７は、本発明の第１０の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図であり、図６に対応する。本実施形態のプラズマディスプレイ装置は、図１のプラズマディスプレイ装置の構成を有する。【０１１３】
本実施形態（図１７）が第１の実施形態（図７）と異なる点を説明する。本実施形態は、第１及び第２のフィールドが１１個のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１１を有する。サブフィールドＳＦ２は、新たに追加されたものであり、リセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有し、例えばサブフィールドＳＦ１と同じ輝度の重み付けを有する。サブフィールドＳＦ３〜ＳＦ１１は、図７のサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０に対応する。【０１１４】
第１及び第２のフィールドの第２のサブフィールドＳＦ２のアドレス期間ＴＡでは、それぞれ図７の第１及び第２のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。【０１１５】
本実施形態では、第１の実施形態と同様に、第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡを短縮することができるので、新たなサブフィールドＳＦ２を追加することができる。本実施形態は、第１の実施形態に比べ、サブフィールド数を増やすことができるので、表示可能な階調数を増やすことができる。【０１１６】
（第１１の実施形態）
図１８は、本発明の第１１の実施形態によるプラズマディスプレイ装置の各電極の電圧波形例を示す図であり、図８に対応する。本実施形態のプラズマディスプレイ装置は、図２のプラズマディスプレイ装置の構成を有する。本実施形態は、第１０の実施形態（図１０）に対応する。【０１１７】
本実施形態（図１８）が第２の実施形態（図９）と異なる点を説明する。本実施形態は、第１〜第４のフィールドが１１個のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ１１を有する。サブフィールドＳＦ２は、新たに追加されたものであり、リセット期間ＴＲ、アドレス期間ＴＡ及びサステイン放電期間ＴＳを有し、例えばサブフィールドＳＦ１と同じ輝度の重み付けを有する。サブフィールドＳＦ３〜ＳＦ１１は、図９のサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ１０に対応する。【０１１８】
第１〜第４のフィールドの第２のサブフィールドＳＦ２のアドレス期間ＴＡでは、それぞれ図９の第１〜第４のフィールドの第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡの電圧と同じ電圧が、アドレス電極Ａｊ、Ｘ電極Ｘｉ及びＹ電極Ｙｉに印加される。【０１１９】
本実施形態では、第２の実施形態と同様に、第１のサブフィールドＳＦ１のアドレス期間ＴＡを短縮することができるので、新たなサブフィールドＳＦ２を追加することができる。本実施形態は、第２の実施形態に比べ、サブフィールド数を増やすことができるので、表示可能な階調数を増やすことができる。【０１２０】
第１〜第１１の実施形態は、１フィールドを複数のサブフィールドに分割してその組み合わせにより階調表現を行うフィールド時分割型のプラズマディスプレイ装置である。【０１２１】
輝度の重み付けが最も小さいサブフィールド及び／又は輝度の重み付けが２番目に小さいサブフィールドのみを複数の垂直同期信号の周期でアドレス期間ＴＡにおいて表示セルの選択を行う。スキャンパルスを間引くことにより、発光を時間的に分散して輝度レベルを調整し階調表現することができる。【０１２２】
また、例えば第２のサブフィールドＳＦ２のリセット期間ＴＳを削除することにより、不必要な発光を減らすことができ、背景輝度を低下させることができるため、プラズマディスプレイ装置の表示性能（コントラスト等）を向上させることができる。【０１２３】
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１２４】
最小輝度単位を小さくすることができるので、より暗い階調表示が可能になり、階調表現を豊かにすることができる。また、表示セルを選択する時間を短縮することができる。
【図１】
2008004296.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2008004296.tif 000007
【図６】
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【図７】
2008004296.tif 000009
【図８】
2008004296.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2008004296.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【国際調査報告】
2008004296.tif 000033
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