【事件の表示】
　特願２０１６−５５６３５３「薄膜トランジスタおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　５月　６日国際公開、ＷＯ２０１６／０６７５９０、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１５年（平成２７年）１０月２７日（優先権主張２０１４年（平成２６年）１０月２９日）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和　１年　６月１９日付け：拒絶理由通知書
　令和　１年　８月２０日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和　１年１１月２９日付け：最後の拒絶理由通知書
　令和　２年　１月２４日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和　２年　２月２７日付け：令和２年１月２４日付け手続補正書による補正の却下の決定、拒絶査定
　令和　２年　６月　３日　　：審判請求書、手続補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定（令和２年２月２７日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
１　本願請求項１−９に係る発明は、以下の引用文献１−７に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
　１．特開２００５−２５９７３７号公報
　２．特開２００９−１１１０００号公報
　３．特開２００５−２１６７０５号公報
　４．国際公開第２０１４／０４５５４３号（周知技術を示す文献）
　５．国際公開第２０１１／０５２７２１号（周知技術を示す文献）
　６．特開２００８−３１１４０２号公報（周知技術を示す文献）
　７．特開２０１０−１９９１３０号公報
第３　本願発明
　本願請求項１−９に係る発明（以下、それぞれ順に「本願発明１」−「本願発明９」という。）は、令和２年６月３日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−９に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１、５、６は、以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　基板上に少なくともゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極に接続された半導体層と、保護層とを有する薄膜トランジスタであって、ウェット成膜法で形成した前記ソース電極および前記ドレイン電極表面が凹凸構造を有し、
　前記凹凸構造における、隣り合う凸部同士または隣り合う凹部同士の周期の平均である平均周期が２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、かつ、凸部の高さが最も高い測定点と前記凸部と隣り合う凹部の最も低い測定点との距離の平均である平均高さが２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、
　前記ソース電極および前記ドレイン電極の表面の表面積率が、１．０５以上１．３以下であり、ソース電極およびドレイン電極が、ペンタフルオロベンゼンチオールと化学的に反応させた自己集積化膜（ＳＡＭ）の表面処理されている、
薄膜トランジスタ。」
「【請求項５】
　基板上にゲート電極と、ゲート絶縁層と、ウェット成膜法で形成したソース電極およびドレイン電極とを順次形成する工程と、前記ソース電極と前記ドレイン電極表面に凹凸構造を形成する工程と、前記ソース電極、前記ドレイン電極およびその間に、半導体材料を塗布して、前記ソース電極および前記ドレイン電極に接続された半導体層を形成する工程と、保護層を形成する工程とを有し、
　前記凹凸構造における、隣り合う凸部同士または隣り合う凹部同士の周期の平均である平均周期が２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、かつ、凸部の高さが最も高い測定点と前記凸部と隣り合う凹部の最も低い測定点との距離の平均である平均高さが２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、
　前記ソース電極および前記ドレイン電極の表面の表面積率が、１．０５以上１．３以下であり、ソース電極およびドレイン電極が、ペンタフルオロベンゼンチオールと化学的に反応させた自己集積化膜（ＳＡＭ）の表面処理されている、薄膜トランジスタの製造方法。」
「【請求項６】
　基板上にウェット成膜法で形成したソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、前記ソース電極および前記ドレイン電極に凹凸構造を形成する工程と、前記ソース電極、前記ドレイン電極およびその間に、半導体材料を塗布して、前記ソース電極および前記ドレイン電極に接続された半導体層を形成する工程と、ゲート絶縁層と、ゲート電極とを順次形成する工程とを有し、                                                         
　前記凹凸構造における、隣り合う凸部同士または隣り合う凹部同士の周期の平均である平均周期が２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、かつ、凸部の高さが最も高い測定点と前記凸部と隣り合う凹部の最も低い測定点との距離の平均である平均高さが２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、
　前記ソース電極および前記ドレイン電極の表面の表面積率が、１．０５以上１．３以下であり、ソース電極およびドレイン電極が、ペンタフルオロベンゼンチオールと化学的に反応させた自己集積化膜（ＳＡＭ）の表面処理されている、薄膜トランジスタの製造方法。」
第４　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は合議体が付加した。以下、同じ。）。
ア　「【技術分野】
【０００１】 
　本発明は特性の良い有機半導体及びその製造方法に関する。」
イ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　本発明の目的は、有機半導体材料を用いた有機薄膜トランジスタにおいて、且つソース電極及びドレイン電極の材料に導電性ペーストを用いたことを特徴とする有機半導体素子において、デバイス特性の良好な有機半導体素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　上記目的は、本発明による有機半導体素子を提供することで達成された。即ち、有機半導体材料を用いた有機薄膜トランジスタにおいて、有機薄膜トランジスタが基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体膜、ソース電極、ドレイン電極によって構成されており、ソース電極及びドレイン電極に用いる電極材料は樹脂及び導電性粉末を含有する導電性ペーストであることを特徴とし、且つ該電極材料の仕事関数が４ｅＶ以上であることを特徴とする有機半導体素子により、上記目的を叶えられることを見出した。
【０００８】
　
良好なデバイス特性を得る為には、電極と有機半導体材料との界面で授受される電荷の注入効率が良いことが好ましい。電荷注入効率とはソース電極から放出された電荷に対して有機半導体材料に注入された電荷の割合、あるいは、有機半導体材料から放出された電荷に対してドレイン電極に注入された電荷の割合のことである
【０００９】
　電荷注入効率を決める要因の一つとしてソース電極及びドレイン電極と有機半導体材料とのエネルギー障壁がある。有機半導体材料とソース電極及びドレイン電極とのエネルギー障壁の差は小さいことが好ましい。特に、Ｐ型有機半導体において、有機半導体材料のＨＯＭＯ準位がソース電極又はドレイン電極の仕事関数より深いことが好ましく、又、Ｎ型有機半導体素子において、有機半導体材料のＬＵＭＯ準位がソース電極又はドレイン電極の仕事関数より浅いことが好ましい。
【００１０】
　又、電荷注入効率を向上する方法として、電極の表面積を大きくすることにより電極と有機半導体材料との接触面積の増大が望め、電荷注入量を増大できることが期待される。
【００１１】
　本発明において、上述した有機半導体材料とソース電極及びドレイン電極とのエネルギー障壁の差を小さくし、且つ電極と有機半導体材料との接触面積を大きくする方法として、有機半導体材料を用いた有機薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の製造方法において、導電性ペーストを用いた印刷工程によってソース電極及びドレイン電極から選ばれる少なくとも一方の電極を形成した後、紫外線照射処理を施す工程を有することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明にかかる有機半導体素子を用いることにより、ローコスト且つ良好なデバイス特性を示す薄膜トランジスタを得ることができる。」
ウ　「【００１３】
　以下に好ましい実施の形態を挙げて、本発明をさらに詳細に説明する。まず、本発明にかかる
有機薄膜トランジスタの構造例を図１に示す。１０１は基板、１０２は導体膜からなるゲート電極、１０３はゲート絶縁膜、１０４はソース電極、１０５はドレイン電極、１０６は有機半導体膜である
・・・
【００２０】
　本発明にかかる有機半導体素子に用いる
電極は印刷技術を用いて形成される
・・・
【００２４】
　本発明にかかる
有機半導体素子に用いる電極の形成工程としては、導電性材料を用いて印刷により電極領域を形成し、続いてクリーンオーブンで熱処理を行った後、該電極面に紫外線照射処理を施すことにより形成できる
・・・
【００２６】
　
上記の方法によって形成されたソース電極及びドレイン電極から選ばれるどちらか一方の電極は表面積の観点から表面粗さは３ｎｍ〜１０ｎｍの範囲にあり、且つ点粗さは１０ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい
【００２７】
　
該電極の形成に用いることができる印刷技術としては、スクリーン印刷、オフセット印刷、マイクロコンタクト印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷などの方式が挙げられる
エ　「【００３４】
＜デバイスの作製＞
【実施例１】
【００３５】
　本発明にかかる有機薄膜トランジスタの作製方法を説明する。
【００３６】
　基板にはガラスエポキシ、ゲート電極には銅、ゲート絶縁膜にはＡｌ２Ｏ３、ソ−ス電極及びドレイン電極には銀ペーストＥＣＭ−１００ ＡＦ４８１０（商品名：太陽インキ製造株式会社製）を用いた。有機半導体には、該有機半導体材料のＨＯＭＯ準位がソース電極及びドレイン電極の仕事関数より０．３ｅＶ高いペンタセンを材料として用いた。該ペンタセンは昇華精製したものを使用した。
【００３７】
　図２〜図６は、本発明にかかる有機薄膜トランジスタの作成方法を示す模式図である。
【００３８】
　図２において、２０１は基板、２０２は導体膜である。２０１と２０２は、ガラスエポキシ基板と銅箔の組み合わせで一体となったプリント回路基板、基板厚さ０．２ｍｍ、導体膜である銅箔の膜厚３５μｍのものを使用した。
【００３９】
　次に、導体膜に対しウェットエッチングによりパターニングを施し、所望のゲート形状に加工した。図３は配線形状に加工した後の状態を示す。２０２がゲート電極となる導体膜である。ウェットエッチ後に、この導体膜部分を化学機械研磨ＣＭＰで研磨を行い、表面粗さが２ｎｍ〜１０ｎｍの範囲になるように調整を行った。該表面粗さは走査型プローブ顕微鏡（ＡＦＭ）ＳＰＡ−３８００（商品名：セイコーインスツルメンツ株式会社製）にて測定した。
【００４０】
　図４は、ゲート電極となる導体膜２０２上にゲート絶縁膜２０３を形成した状態を示す。ゲート絶縁膜２０３の形成にはマグネトロンスパッタを用いた。成膜領域はシャドーマスクで規定した。該ゲート絶縁膜の膜厚は２５０ｎｍである。
【００４１】
　図５は、ゲート絶縁膜２０３上にソース電極２０４とドレイン電極２０５を設けた状態を示す。
ソース電極２０４及びドレイン電極２０５の形成にはスクリーン印刷を用いた
表面粗さＲａは４．６ｎｍ
【００４２】
　図６は、有機半導体膜２０６を形成した状態を示す。有機半導体膜２０６の形成には真空蒸着を用いた。成膜領域はシャドーマスクで規定した。ペンタセンの膜厚は１５０ｎｍである。
【００４３】
　以上の工程を行ってトランジスタ素子Ａを作製した。
【実施例２】
【００４４】
　実施例１の有機半導体材料に使用したペンタセンをテトラセンに変更した以外は、実施例１と同様の工程によりトランジスタ素子Ｂを作製した。テトラセンのＨＯＭＯ準位はソース電極及びドレイン電極の仕事関数より０．２ｅＶ高い。
紫外線照射後のソース電極２０４及びドレイン電極２０５の表面粗さＲａは４．６ｎｍ
【００４５】
［比較例１］
　実施例１で行ったソース電極及びドレイン電極に光照射処理を施さなかった工程以外は、実施例１と同様の工程によりトランジスタ素子Ｃを作製した。紫外線照射後のソース電極２０４及びドレイン電極２０５の表面粗さＲａは２．０ｎｍ、ｎ点平均粗さＲｎは４．２ｎｍであった。紫外線照射後のソース電極２０４及びドレイン電極２０５の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を図８に示す。
【００４６】
［比較例２］
　実施例２で行ったソース電極及びドレイン電極に光照射処理を施さなかった工程以外は、実施例２と同様の工程によりトランジスタ素子Ｄを作製した。紫外線照射後のソース電極２０４及びドレイン電極２０５の表面粗さＲａは２．０ｎｍ、ｎ点平均粗さＲｎは４．２ｎｍであった。
【００４７】
＜電圧−電流特性の測定＞
　上記で得たトランジスタ素子の電圧−電流特性を半導体パラメータアナライザ、ＨＰ４１５５Ｂ（商品名：ＨＰ社製）で測定した。
【００４８】
＜移動度＞ 
　移動度は、下記の式（１）に従って算出した。
【００４９】
　　　　　　　　　　　
【００５０】
　ここで、Ｃｉはゲート絶縁膜の１×１ｃｍ２の静電容量である。Ｗ、Ｌはそれぞれ実施例で示したゲート長及びゲート幅である。得られた結果を表１中に示した。
【００５１】
【００５２】
＜仕事関数の測定＞
　［光照射処理した電極］
　ソース電極及びドレイン電極の仕事関数の値を得ることを目的として、実施例１と同様の工程により基板からソース電極及びドレイン電極を形成し、ソース電極及びドレイン電極の仕事関数を光電子分光装置ＡＣ−１（商品名：理研計器）にて測定した。続いて、実施例１と同様の工程によりペンタセンを用いた有機半導体膜を形成し、該有機半導体膜の仕事関数を測定した。
【００５３】
　又、実施例２と同様の工程により基板からソース電極及びドレイン電極を形成し、ソース電極及びドレイン電極の仕事関数を上述の光電子分光装置にて測定した。続いて、実施例２と同様の工程によりテトラセンを用いた有機半導体膜を形成し、該有機半導体膜の仕事関数を測定した。
【００５４】
［光照射処理を有さない電極］
　比較例１と同様の工程により基板からソース電極及びドレイン電極を形成し、ソース電極及びドレイン電極の仕事関数を上述の光電子分光装置にて測定した。続いて、比較例１と同様の工程によりペンタセンを用いた有機半導体膜を形成し、該有機半導体膜の仕事関数を上述の光電子分光装置にて測定した。
【００５５】
　比較例２と同様の工程により基板からソース電極及びドレイン電極を形成し、ソース電極及びドレイン電極の仕事関数を上述の光電子分光装置にて測定した。続いて、比較例１と同様の工程によりテトラセンを用いた有機半導体膜を形成し、該有機半導体膜の仕事関数を上述の光電子分光装置にて測定した。
【００５６】
　得られた結果と該結果から求めたエネルギー障壁の値を表２中に示した。
【００５７】
【００５８】
　表１に示した実験結果より、表２に示したようにエネルギー障壁の値が小さく、又、ソース電極及びドレイン電極の表面粗さ及び、点粗さの少なくともどちらか一方の値から類推される電極−有機半導体界面の接触面積の増大により良好なトランジスタ特性が得られることが分かった。」
オ　図１は、以下のとおりのものである。
　図１から、有機半導体膜１０６は、ソース電極１０４およびドレイン電極１０５に接続されたものであることが見てとれる。
（２）したがって、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板１０１、ゲート電極１０２、ゲート絶縁膜１０３、ソース電極１０４、ドレイン電極１０５、ソース電極１０４およびドレイン電極１０５に接続された有機半導体膜１０６を有する有機薄膜トランジスタであって、
　電極の形成工程は、導電性材料を用いて印刷により電極領域を形成し、続いてクリーンオーブンで熱処理を行った後、該電極面に紫外線照射処理を施すことにより形成するものであり、
　ソース電極及びドレイン電極から選ばれるどちらか一方の電極は表面積の観点から表面粗さは３ｎｍ〜１０ｎｍの範囲にあり、且つ点粗さは１０ｎｍ〜３０ｎｍであり、
　該電極の形成に用いることができる印刷技術としては、スクリーン印刷、オフセット印刷、マイクロコンタクト印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷などの方式が挙げられる、有機薄膜トランジスタ。」
２　引用文献２について
（１）また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【技術分野】
【０００１】 
　本発明は、有機半導体素子の製造方法、及び有機半導体素子に関し、特に電極と該電極に成膜される有機半導体膜を有する有機ＴＦＴの製造方法、及び有機ＴＦＴに関する。」
イ　「【００３０】
　有機ＴＦＴ１は、図１に示すように、基板Ｐ、ゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜ＩＦ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、半導体膜ＳＦ、及び
パッシベーション膜ＰＦ
・・・
【００３６】
　有機半導体層ＳＦの成膜方法は特に限定されるものではなく、真空蒸着やスピンコートなども用いることができるが、スクリーン印刷、インクジェット、マイクロコンタクトプリント、ディスペンサ、凸版、転写などの印刷法を用いると、塗布と同時にパターニングもできる為、製造コストを低減することができ特に好適である。
・・・
【００３８】
　
パッシベーション膜ＰＦ
・・・
【００４０】
　（実施例１）
　実施例１による有機ＴＦＴ１の製造方法を図１を用いて説明する。
【００４１】
　最初に、住友ベークライト社製のＰＥＳ基板ＰにＣｒをスパッタした後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングし、ゲート電極Ｇを形成した。続いてゲート電極Ｇの上に、ＪＳＲ社製のアクリル樹脂ＰＣ４０３をスピンコートし、ゲート絶縁膜ＩＦを形成した。
【００４２】
　次に、ＡｇＰｄナノインクをインクジェットプリンターを用いてゲート絶縁膜ＩＦの上にソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄの形状に印刷し触媒層１０１を形成した。その後、１８０℃に加熱したオーブン中で溶媒を揮発させた。
【００４３】
　次に、奥野製薬工業社製のＮｉ−Ｐめっき液ＮＮＰニコロンＬＴＣに５分間浸漬し、本発明の下地層に該当する
Ｎｉ−Ｐめっき層１０２を形成した
続いて
置換Ａｕめっき層１０３を形成した
触媒型無電解Ａｕめっき層１０４を形成し、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄを完成させた
【００４４】
　次に、完成されたソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄを覆うように、ＴＩＰＳペンタセン（６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン）をインクジェット法（以下、ＩＪ法とも記す）を用いて塗布し、有機半導体層ＳＦを成膜した。
【００４５】
　このようにして有機ＴＦＴ１を１０素子作成し、その特性を測定したところ、Ｉｏｎ（ＯＮ電流）の平均値は１１．７μＡと良好な特性を示し、また、そのばらつきは±２０％と小さかった。
【００４６】
　このように本発明に係る実施例１による
有機ＴＦＴ１においては、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄを多層構成とし、そのうち最も有機半導体層ＳＦに近い層を触媒型無電解Ａｕめっきにより形成した
【００４７】
　また、Ｎｉ−Ｐめっき層１０２と触媒型無電解Ａｕめっき層１０４の間に置換Ａｕめっき層１０３を設けることにより、触媒型無電解めっきを安定して行なうことができ、
表面が緻密で滑らかな電極
【００４８】
　また、有機半導体層ＳＦと接触するソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄの最上層がＡｕであると電気的接触が特に良好であり、下地層（被置換めっき層）にニッケル−リン合金を用いることにより、Ａｕの層をあまり厚くしなくても導電性を確保することができ製造コストを低減できることが確認できた。
・・・
【００５５】
　（実施例３）
　実施例３による有機ＴＦＴ１の構成を図３に示す。図３は、実施例３による有機ＴＦＴ１の概略構成を示す断面図である。
【００５６】
　最初に、図３に示すように、実施例１の場合と同様にして、触媒層１０１〜触媒型無電解Ａｕめっき層１０４を形成した。続いて
触媒型無電解Ａｕめっき層１０４の表面をチオール１１３で修飾する為に
ペンタフルオロベンゼンチオールのエタノール溶液に２０時間浸漬し
洗浄後
ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄを完成させた
【００５７】
　このようにして有機ＴＦＴ１を１０素子作成し、その特性を測定したところ、Ｉｏｎの平均値は１３．０μＡと良好な特性を示し、また、そのばらつきは±２０％と小さかった。」
（２）上記記載からみて、当該引用文献２には、以下の技術的事項が記載されていると認められる。
ア　「有機ＴＦＴにおいて、有機半導体層ＳＦ上にパッシベーション膜ＰＦを設けること。」
イ　「有機ＴＦＴにおいて、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄを多層構成とし、そのうち最も有機半導体層ＳＦに近い層を触媒型無電解Ａｕめっきにより形成することにより、電極の表面が緻密で滑らかになり電極と有機半導体層ＳＦとの電気的接触を高められるものであり、
　触媒型無電解Ａｕめっき層１０４の表面をチオール１１３で修飾する為に、ペンタフルオロベンゼンチオールのエタノール溶液に浸漬し、洗浄後、乾燥させ、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄを完成させること。」
３　引用文献３について
（１）また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
基板上に、対向する第１電極の正孔注入電極と、第２電極の電子注入電極の間に、少なくとも一層の有機化合物から構成される発光層を設けた有機ＥＬ表示素子において、第１電極の正孔注入電極の有機化合物の発光層と接触する表面には、非周期的な凹凸を有し、かつ前記正孔注入電極の表面粗さＲａは、４〜１００ｎｍの範囲であり、かつ前記表面の非周期的な凹凸の凸部の半値幅ｒは、５〜２５０ｎｍの範囲であり、かつ前記表面の非周期的な凹凸の高低差ｈは、０．５＜ｈ／ｒ＜２．５の範囲であることを特徴とする有機ＥＬ表示素子。
イ　「【技術分野】
【０００１】 
　本発明は、
有機化合物を用いた有機ＥＬ表示素子に関し、更に詳しくは、正孔注入電極を有する有機ＥＬ表示素子およびその製造方法に関する
ウ　「【背景技術】
【０００２】
　近年、有機ＥＬ表示素子が盛んに研究されている。これは、Ｔａｎｇらは
正孔輸送層を導入し、正孔と電子がバランスよく正孔注入電極と電子注入電極から注入されることにより、低電圧駆動で、高輝度を有する有機ＥＬ表示素子が得られる
【０００３】
　有機ＥＬ表示素子の基本的な構造は、二層と三層がある。二層構造では、第１電極の正孔注入電極と、第２電極の電子注入電極との間に有機発光層があり、該有機発光層が、正孔輸送層／発光層或いは発光層／電子輸送層の二層積層させたものである。三層構造では、第１電極の正孔注入電極と、第２電極の電子注入電極との間の有機発光層が、正孔輸送層／発光層／電子輸送層を三層積層させたものである。
【０００４】
　今まで、高輝度、高効率の有機ＥＬ表示素子を実現するために、基本構造を有する有機ＥＬ表示素子をベースに、材料の研究が重ねられてきた。
高輝度の有機ＥＬ表示素子を実現する他の方法として、第１電極の正孔注入電極の表面に凹凸を形成し発光面積を増加させる方法も検討されている
【０００５】
　例えば、
第１電極の正孔注入電極（以下正孔注入電極と記す）及び第２電極の電子注入電極（以下電子注入電極と記す）から電子や正孔を発光層や電荷輸送層に効率よく注入させるために、一方の電極の表面に微細な凹凸を形成することによって発光層や電荷輸送層との接触面積を大きくする方法がある
【０００６】
・・・
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　本発明の課題としては、上記のような問題を解決することであり、
発光層や電荷輸送層との接触面積を大きくするため、一方の電極の表面に凹凸を形成しても、前記凹凸に起因するショートやダークスポットがなく、工程の少ない製造方法であり、高輝度で安定した有機ＥＬ表示素子を提供する
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　本発明の請求項１に係る発明は、
基板上に、対向する第１電極の正孔注入電極と、第２電極の電子注入電極の間に、少なくとも一層の有機化合物から構成される発光層を設けた有機ＥＬ表示素子において、第１電極の正孔注入電極の有機化合物の発光層と接触する表面には、非周期的な凹凸を有し、かつ前記正孔注入電極の表面粗さＲａは、４〜１００ｎｍの範囲であり、かつ前記表面の非周期的な凹凸の凸部の半値幅は、５〜２５０ｎｍの範囲である
・・・
【発明の効果】
【００１１】
　本発明によれば、
正孔注入電極に用いるＩＴＯの表面に
滑らかな凹凸を形成し、ＩＴＯの表面有効面積を増やすことによって、高輝度と長寿命の有機ＥＬ表示素子を作製できるという利点がある
エ　「【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
　以下、本発明の有機ＥＬ表示素子およびその製造方法について図１〜３を用いて詳細に説明する。
【００１３】
　図１は、本発明の有機ＥＬ表示素子の側断面図である。
基板１上に、順番に、表面に凹凸を有する第１電極の正孔注入電極３１（以下正孔注入電極と記す）と、有機発光層４と、第２電極の電子注入電極５（以下電子注入電極と記す）と
・・・
【００１５】
　次に、前記表面に凹凸を有する正孔注入電極３１では、基板１上に正孔注入電極２１用の透明導電膜をスパッタリングで成膜する（図２（ａ）参照）。なお、該膜厚は、１０ｎｍ〜３μｍである。
・・・
【００１７】
　次に、
前記正孔注入電極２１の表面に滑らかな凹凸を形成する。その粗さＲａは４〜１００ｎｍの範囲にあるが、好ましいＲａは６ｎｍである。また、前記正孔注入電極２１の表面の滑らかな凹凸の半値幅ｒは５〜２５０ｎｍの範囲であり
このとき、前記正孔注入電極の表面の滑らかな凹凸の高低差ｈは、０．５＜ｈ／ｒ＜２．５の範囲となる
・・・
【００１９】
　
正孔注入電極の表面に滑らかな非周期的な凹凸を形成することによって、正孔注入電極２１の表面積を増やすことができ、表面に凹凸を有する正孔注入電極３１が形成する。従って、表面に凹凸を有する正孔注入電極３１では、正孔注入効率を向上させ高輝度の発光を得られることが期待できる。
オ　「【実施例１】
【００３６】
　まず、ガラス基板１上に
スパッタリング法を用いて、正孔注入電極ＩＴＯを形成した
【００３７】
　次に、塩化第二鉄の４４％ｗｔ水溶液＋濃塩酸を１：１（容量）で調合したエッチング液を用いて、
正孔注入電極ＩＴＯの表面に対して、２０秒間のエッチングを行うことによって、表面に凹凸を有する正孔注入電極ＩＴＯ3を形成する。その時のＩＴＯ層の表面粗さＲａは４．２２８ｎｍである
【００３８】
　次に、有機発光層４として銅フタロシアニンと、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンと、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯体とを順番に、２０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。次に、電子注入電極５としてＡｌを真空蒸着で形成した。なお、電子注入電極５の膜厚は、１５０ｎｍである（図４（ｃ）参照）。
【００３９】
　次に、酸化Ｇｅを１μｍの厚さでイオンプレーティングし封止層６を形成した（図４（ｄ）参照）。
【００４０】
　最後に、接着剤９を介して捕水剤７を貼り付けた封止板８をガラス基板上に接着することによって、有機ＥＬ表示素子を封止した（図４（ｅ）参照）。
【実施例２】
【００４１】
　実施例１と同様の材料及び工程により実施例２を実施した。なお、実施例１と異なる条件は、図４（ｂ）に示す工程において、塩化第二鉄の４４％ｗｔ水溶液＋濃塩酸を１：１（体積比）で調合したエッチング液を用いて、
正孔注入電極に用いるＩＴＯの表面に対して、４０秒でエッチングを行うことによって、凹凸を形成する。その時のＩＴＯの表面粗さＲａは５．９９５ｎｍであった
【００４２】
　表面粗さＲａは、例えばＡＦＭ（原子間力顕微鏡）等で、極小の先端半径の触針を持つ検出器で連続測定した凹凸の断面曲線から算出され、極小の先端半径の触針により測定方向が１０μｍの区間内を多数回測定し、微細な凹凸の振幅に関する平均の粗さである。該振幅の
平均値である測定値Ｒａが、実施例１では表面粗さＲａは４．２２８ｎｍであり、実施例２では５．９９５ｎｍである
【００４３】
　前記ＩＴＯ表面の半値幅の測定方法を説明する。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で前記表面に滑らかな凹凸を有するＩＴＯのの凸部５１の半値幅ｒを測定した。ＳＥＭは試料に電子線を照射し、その表面形態を観察する装置である。図６に示すように、ＩＴＯの表面上のＳＥＭ像では、凸部５１が明るく、凹部６１が暗い画像となる。明るい画像（凸部５１）では、凸中心部５０が最も明るく（図上ｐ４）、暗い画像（凹部６１）では、凹中心部６０が最も暗い。半値幅の測定方法は、前記ＳＥＭ像により凸中心部５０から暗い画像の凹中心部６０までの距離を計測し、該計測値を半値幅とした。図６では、半値幅はｐ４からｐ２迄のＸ軸方向の距離ｒである。凹凸の高低差はｐ４からｐ２迄のＹ軸方向の距離ｈである。
半値幅が、実施例１は１２０ｎｍであり、実施例２では８０ｎｍであった
【００４４】
　以下に
比較例として、従来の製造方法を用いて有機ＥＬ表示素子を作製し、実施例３とした
【実施例３】
【００４５】
　比較するために、図４（ｂ）に示す工程を省く製造工程、すなわち、
正孔注入電極に用いるＩＴＯの表面に凹凸を形成しない以外に実施例１〜２と同じ工程で有機ＥＬ表示素子を作製した
実施例３では表面粗さＲａは１．３９ｎｍである
【００４６】
　これらの実施例１〜３の有機ＥＬ表示素子に電圧８Ｖを印加したところ、実施例１で作製した有機ＥＬ表示素子の発光輝度が、実施例３で作製した有機ＥＬ表示素子の発光輝度より１．２倍に増強した。また実施例２で作製した有機ＥＬ表示素子の発光輝度が、実施例３で作製した有機ＥＬ表示素子の発光輝度より２．３倍に増強した。
正孔注入電極に用いるＩＴＯの表面粗さが増加すると有機ＥＬの発光輝度も増加する傾向が観察された
（２）上記記載からみて、当該引用文献３には、以下の技術的事項が記載されていると認められる。
「基板上に、対向する第１電極の正孔注入電極と、第２電極の電子注入電極の間に、少なくとも一層の有機化合物から構成される発光層を設けた有機ＥＬ表示素子において、
　第１電極の正孔注入電極の有機化合物の発光層と接触する表面には、非周期的な凹凸を有し、かつ前記正孔注入電極の表面粗さＲａは、４〜１００ｎｍの範囲であり、好ましいＲａは６ｎｍであり、かつ前記表面の非周期的な凹凸の凸部の半値幅は、５〜２５０ｎｍの範囲であり、かつ前記正孔注入電極の表面の滑らかな凹凸の高低差ｈは、０．５＜ｈ／ｒ＜２．５の範囲であり、
　正孔注入電極の表面に滑らかな非周期的な凹凸を形成することによって、正孔注入電極２１の表面積を増やすことができ、表面に凹凸を有する正孔注入電極３１が形成されたものであり、従って、表面に凹凸を有する正孔注入電極３１では、正孔注入効率を向上させ高輝度の発光を得られ、
　正孔注入電極に用いるＩＴＯの表面に滑らかな凹凸を形成し、ＩＴＯの表面有効面積を増やすことによって、高輝度と長寿命の有機ＥＬ表示素子を作製できるという利点がある、有機ＥＬ表示素子。」
４　引用文献７について
（１）また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献７には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【技術分野】
【０００１】 
　本発明は、薄膜トランジスタの製造方法に関し、特に半導体保護膜を有する薄膜トランジスタの製造方法に関する。」
イ　「【実施例】
【００５７】
（実施例１−１）
　本発明の実施形態に係る
ボトムゲートボトムコンタクト型のＴＦＴ１の製造方法
【００５８】
　最初に、基板Ｐとしてガラスを用い、その上に、スパッタ法を用いてＣｒ膜を厚み５０ｎｍで成膜した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングし
ゲート電極Ｇを形成した
【００５９】
　次に、ＴＥＯＳ・ＣＶＤ法を用い、ＳｉＯ２膜を成膜し厚み５００ｎｍのゲート絶縁膜ＩＦを形成した（図２（ｂ））。
【００６０】
　次に、
スパッタ法を用いてＣｒ膜を厚み５ｎｍ、Ａｕ膜を５０ｎｍで成膜した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングしソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄを形成した
【００６１】
　次に、ポジ型感光性バンク剤ＮＰＡＲ−５０２（日産化学社製）をスピンコートを用いて塗布した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングし、撥液層ＣＦを形成した（図２（ｄ））。この時、撥液層ＣＦは、ソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄの間のチャネル領域を囲むように形成した。また、露光には、図９（ｂ）に示した遮光マスクＭ２を用い、撥液層ＣＦの撥液性は、インク塗布領域ＩＡの近傍が最も高く、周縁に向けて段階的に低下するようにした。
【００６２】
　次に、６，１３−ビストリエチルシリルエチニルペンタセンをテトラヒドロナフタレンに溶解した溶液（インクＩＫ）をインクジェット法を用いて、撥液層ＣＦに囲まれた領域（インク塗布領域ＩＡ）に塗布し（図２（ｅ））、乾燥させて半導体膜ＳＦを形成した（図２（ｆ））。
【００６３】
　次に、ポリビニルアルコール水溶液をインクジェット法を用いて半導体膜ＳＦの上に塗布、乾燥させて、保護膜ＰＦを形成し、ＴＦＴ１を完成させた（図２（ｇ））。
【００６４】
　このようにして完成させたＴＦＴ１を光学顕微鏡及びＡＦＭ（キーエンス社製）にて観察したところ、半導体膜ＳＦ、及び保護膜ＰＦが適正な膜厚で所定の位置に精度良く形成されていることが確認できた。
（実施例１−２）
　本発明の実施形態に係る
ボトムゲートボトムコンタクト型のＴＦＴ１の製造方法の実施例の別例
【００６５】
　最初に、基板Ｐとしてガラスを用い、その上に、スパッタ法を用いてＣｒ膜を厚み５０ｎｍで成膜した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングし
ゲート電極Ｇを形成した
【００６６】
　次に、スピンコート法を用い、感光性アクリレート材料であるオプトマーＰＣ４０３を成膜し厚み５００ｎｍのゲート絶縁膜ＩＦを形成した（図３（ｂ））。
【００６７】
　次に、
スパッタ法を用いてＣｒ膜を厚み５ｎｍ、Ａｕ膜を５０ｎｍで成膜した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングしソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄを形成した
【００６８】
　次に、感光性バンク剤ＮＰＡＲ−５０２（日産化学社製）をスピンコートを用いて塗布した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングし、撥液層ＣＦを形成した（図３（ｄ））。この時、撥液層ＣＦは、ソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄの間のチャネル領域を囲むように形成した。また、露光には、図９（ａ）に示した遮光マスクＭ１を用い、撥液層ＣＦの撥液性は、インク塗布領域ＩＡの近傍の第１の領域ＣＦａが、その周辺の第２の領域ＣＦｂよりも高くなるようにした。
【００６９】
　次に、テトラベンゾポルフィリン前駆体溶液（インクＩＫ）をインクジェット法を用いて、撥液層ＣＦに囲まれた領域（インク塗布領域ＩＡ）に塗布し（図３（ｅ））、加熱焼成して半導体膜ＳＦを形成した（図３（ｆ））。
【００７１】
　次に、ポリビニルアルコール水溶液をインクジェット法を用いて半導体膜ＳＦの上に塗布、乾燥させて、保護膜ＰＦを形成し、ＴＦＴ１を完成させた（図３（ｇ））。この時、ポリビニルアルコール水溶液の付着液滴の周縁部が撥液層ＣＦの、撥液性の低い第２の領域ＣＦｂに接触するように液滴量を調整した。
【００７１】
　このようにして完成させたＴＦＴ１を光学顕微鏡及びＡＦＭ（キーエンス社製）にて観察したところ、実施例１の場合と同様に、半導体膜ＳＦ、及び保護膜ＰＦが適正な膜厚で所定の位置に精度良く形成されていることが確認できた。
（実施例２）
　本発明の実施形態に係る
ボトムゲートトップコンタクト型のＴＦＴ１の製造方法
・・・
【００７８】
　このようにして完成させたＴＦＴ１を光学顕微鏡及びＡＦＭ（キーエンス社製）にて観察したところ、実施例１の場合と同様に、半導体膜ＳＦ、及び保護膜ＰＦが適正な膜厚で所定の位置に精度良く形成されていることが確認できた。
（実施例３）
　本発明の実施形態に係る
トップゲートボトムコンタクト型のＴＦＴ１の製造方法
【００７９】
　最初に、基板Ｐとしてガラスを用い、その上に、
スパッタ法を用いてＣｒ膜を厚み５ｎｍ、Ａｕ膜を５０ｎｍで成膜した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングしソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄを形成した
【００８０】
　次に、感光性バンク剤ＮＰＡＲ−５０２（日産化学社製）をスピンコートを用いて塗布した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングし、撥液層ＣＦを形成した（図５（ｂ））。この時、撥液層ＣＦは、ソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄの間のチャネル領域を囲むように形成した。また、露光には、図９（ａ）に示した遮光マスクＭ１を用い、撥液層ＣＦの撥液性は、インク塗布領域ＩＡの近傍の第１の領域ＣＦａが、その周辺の第２の領域ＣＦｂよりも高くなるようにした。
【００８１】
　次に、６，１３−ビストリエチルシリルエチニルペンタセンをテトラヒドロナフタレンに溶解した溶液（インクＩＫ）をインクジェット法を用いて、撥液層ＣＦに囲まれた領域（インク塗布領域ＩＡ）に塗布し（図５（ｃ））、乾燥させて半導体膜ＳＦを形成した（図５（ｄ））。
【００８２】
　次に、インクジェット法を用い、感光性アクリレート材料であるオプトマーＰＣ４０３を半導体膜ＳＦの表面に塗布、加熱しゲート絶縁膜ＩＦを形成した（図５（ｅ））。この時、オプトマーＰＣ４０３の付着液滴の周縁部が撥液層ＣＦの、撥液性の低い第２の領域ＣＦｂに接触するように液滴量を調整した。尚、この場合は、ゲート絶縁膜ＩＦが保護膜ＰＦを兼ねている。
【００８３】
　次に、マスク蒸着法を用いてＣｒ膜を厚み５０ｎｍで形成し、
ゲート電極Ｇを形成し、ＴＦＴ１を完成させた
【００８４】
　このようにして完成させたＴＦＴ１を光学顕微鏡及びＡＦＭ（キーエンス社製）にて観察したところ、実施例１の場合と同様に、半導体膜ＳＦ、及び保護膜ＰＦが適正な膜厚で所定の位置に精度良く形成されていることが確認できた。」
（２）上記記載からみて、当該引用文献７には、以下の技術的事項が記載されていると認められる。
「ボトムゲートボトムコンタクト型薄膜トランジスタの製造方法と、トップゲートボトムコンタクト型薄膜トランジスタの製造方法であって、スパッタ法を用いてソース電極Ｓ・ドレイン電極Ｄを形成すること。」
５　その他の文献について
（１）また、原査定において、周知技術を示す文献として引用された上記引用文献４には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「[0024]　ソース電極５、ドレイン電極６の材料は特に限定されるものではないが、例えば金、白金、アニミニウム、ニッケル、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの金属あるいは酸化物の薄膜若しくはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）やポリアニリンなどの導電性高分子や金や銀、ニッケルなどの金属コロイド粒子を分散させた溶液若しくは銀などの金属粒子を導電材料として用いた厚膜ペーストなどがある。
[0025] 　なお、ソース電極５とドレイン電極６の仕事関数の向上のため、
ソース電極５とドレイン電極６の表面を電子吸引性基を有する化合物で表面処理しても良い
ソース電極５とドレイン電極６の表面処理に用いる電子吸引性基を有する化合物は
ペンタフルオロベンゼンチオール
などを用いることができる
・・・
[0027] 　電子吸引性基を有する化合物としては、チオール化合物、ジスルフィド化合物、スルフィド化合物、シランカップリング剤が、ソース電極とドレイン電極への密着性が高いことから好ましい。
　さらには、
電子吸引性の官能基を有する化合物が、ソース電極５とドレイン電極６と、化学的に結合していることが好ましい
イ　「[0032]　次に、上記の各工程について、さらに詳しく説明する。
　本発明の第１実施形態では、ゲート電極２、キャパシタ電極３、ソース電極５、ドレイン電極６、
半導体層７、及び保護層８を形成する工程のうち、少なくとも１つが印刷法で行われることが望ましい
半導体層７、及び保護層８を
版印刷、
スクリーン印刷、インクジェット
などの塗布法が挙げられる
[0033] 　特に、半導体層７の形成方法が凸版印刷法であることが望ましい。
有機半導体
を用いる
（２）また、原査定において、周知技術を示す文献として引用された上記引用文献５には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「[0001]　本発明は、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド環からなる環状共役系骨格構造の両窒素原子に、２価の酸素原子、セレン原子または硫黄原子を有するアルキル基が結合された３，４：９，１０−ペリレンテトラカルボキシジイミド誘導体を含んでいる有機半導体材料、該材料からなる有機半導体薄膜、該有機半導体薄膜を利用した有機薄膜トランジスタに関する。」
イ　「[0049]　本発明の有機半導体材料からな
る有機半導体薄膜は
有機半導体材料を溶媒に溶解した溶解液を塗布することにより有機半導体薄膜を形成する溶液塗布法、印刷法を利用することもできる
インクジェット法、スクリーン印刷法、平版印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法などの印刷方法で有機半導体薄膜を形成することができる
ウ　「[0064] 　次に、本発明の有機薄膜トランジスタを形成する電極材料について説明する。ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極に用いる電極材料は、導電性を有する材料が用いられる。例えば、金・・・などの金属材料、およびこれらの合金、・・・、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）などの導電性酸化物、・・・などが使用できる。なお、有機半導体薄膜との接触面において電気抵抗が小さい金、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム、ＩＴＯ、ＩＺＯ、金／クロム合金がより好ましい。
[0065] 　これらの電極の形成方法としては、特に限定するものではないが、例えば、
導電性材料を溶液に分散させた分散液を用いた印刷法、導電性材料を溶液に溶解させた溶解液を用いた印刷法
などの方法を用いて形成することができる
（３）また、原査定において、周知技術を示す文献として引用された上記引用文献６には、図面とともに次の事項が載されている。
ア　「【００２３】
　本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法について説明する。
【００２４】
　本発明の
有機薄膜トランジスタの製造方法は
該有機半導体層の保護層を有し
【００２５】
　《保護層》
　まず、本発明に係る保護層について説明する。
【００２６】
　本発明では、請求項１に記載のように、
有機半導体層を
保護層により保護する
・・・
【００３８】
　《保護層の形成方法》
　本発明に係る保護層の形成方法について説明する。」
【００３９】
　本発明に係る
保護層の形成手段としては
印刷法
が好ましい形成手段としてあげられる
・・・
【００４４】
　以下のパターニング形成される場合においても、同様である。
【００４５】
　本発明に係る保護層の形成では、ワックス材料がパターニングされることにより保護層形成が行われることが好ましい。
【００４６】
　パターニング形成される場合、種々の方法により行うことができるが、印刷法、溶融型インクジェット法、熱転写法等が好ましい方法としてあげられる。
【００４７】
　（ａ）印刷法
　印刷法は、別の基材（印刷版）上に保護層材料（保護層形成材料ともいう）をパターニング（印刷版にそって保護層形成材料をインキングする）した後、これを溶融状態で有機半導体層上に転写、印刷する方法である。
【００４８】
　即ち、融点以上に加熱、溶融状態となり流動化した保護層形成材料は、所謂印刷法によって、有機半導体層やチャネル領域等に所望のパターンに従ってパターニングすることが出来る。
【００４９】
　印刷法としては、例えば、
凸版印刷法
（４）上記引用文献４、５に記載されているように、「有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層を、インクジェット法、スクリーン印刷法、平版印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法等の方法で形成すること」は、周知技術である。
（５）上記引用文献４、６に記載されているように、「有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層上に保護層を、凸版印刷や凹版印刷等の印刷法やインクジェット法によって形成すること」は、周知技術である。
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明における「有機薄膜トランジスタ」、「基板１０１」、「ゲート電極１０２」、「ゲート絶縁膜１０３」、「ソース電極１０４」、「ドレイン電極１０５」、「有機半導体膜１０６」は、本願発明１における「薄膜トランジスタ」、「基板」、「ゲート電極」、「ゲート絶縁層」、「ソース電極」、「ドレイン電極」、「半導体層」に相当する。
イ　引用発明では、「電極の形成工程は、導電性材料を用いて印刷により電極領域を形成し、続いてクリーンオーブンで熱処理を行った後、該電極面に紫外線照射処理を施すことにより形成するものであり」、「該電極の形成に用いることができる印刷技術としては、スクリーン印刷、オフセット印刷、マイクロコンタクト印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷などの方式が挙げられる」ものであるから、ソース電極１０４およびドレイン電極１０５は、「ウェット成膜法で形成した」ものであるといえる。
　また、引用発明では、「ソース電極及びドレイン電極から選ばれるどちらか一方の電極は表面積の観点から表面粗さは３ｎｍ〜１０ｎｍの範囲にあり、且つ点粗さは１０ｎｍ〜３０ｎｍであ」るから、ソース電極１０４およびドレイン電極１０５表面が「凹凸構造」を有するものであるといえる。
　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
＜一致点＞
「基板上に少なくともゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極に接続された半導体層とを有する薄膜トランジスタであって、ウェット成膜法で形成した前記ソース電極および前記ドレイン電極表面が凹凸構造を有する、薄膜トランジスタ。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
　本願発明１は、「保護層」を備えるのに対し、引用発明はそのような構成を備えていない点。
＜相違点２＞
　ソース電極およびドレイン電極表面が有する「凹凸構造」について、本願発明１は、「前記凹凸構造における、隣り合う凸部同士または隣り合う凹部同士の周期の平均である平均周期が２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、かつ、凸部の高さが最も高い測定点と前記凸部と隣り合う凹部の最も低い測定点との距離の平均である平均高さが２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり」という構成を備えるのに対し、引用発明はそのような構成を備えていない点。
＜相違点３＞
　本願発明１は、「前記ソース電極および前記ドレイン電極の表面の表面積率が、１．０５以上１．３以下であり」という構成を備えるのに対し、引用発明はそのような構成を備えるか不明な点。
＜相違点４＞
　「ソース電極およびドレイン電極」について、本願発明１は、「ペンタフルオロベンゼンチオールと化学的に反応させた自己集積化膜（ＳＡＭ）の表面処理されている」という構成を備えるのに対し、引用発明はそのような構成を備えていない点。
（２）相違点についての判断
ア　相違点２、３について
　事案に鑑み、まず、上記相違点２、３について、まとめて検討する。
（ア）引用発明は、「ソース電極及びドレイン電極から選ばれるどちらか一方の電極は表面積の観点から表面粗さは３ｎｍ〜１０ｎｍの範囲にあり、且つ点粗さは１０ｎｍ〜３０ｎｍであり」、また、引用文献１には、上記「第５」「１（１）イ」に摘記のとおり、段落【０００８】には、「良好なデバイス特性を得る為には、電極と有機半導体材料との界面で授受される電荷の注入効率が良いことが好ましい。」と、段落【００１０】には、「又、電荷注入効率を向上する方法として、電極の表面積を大きくすることにより電極と有機半導体材料との接触面積の増大が望め、電荷注入量を増大できることが期待される。」と記載されているものの、ソース電極およびドレイン電極表面が有する「凹凸構造」における「平均周期」、「平均高さ」の数値範囲、並びに「前記ソース電極および前記ドレイン電極の表面の表面積率」の数値範囲に関連する記載も示唆も見出すことはできない。
　したがって、相違点２、３に係る本願発明１の上記構成は、引用発明に基づいたとしても当業者が容易に想到できるものではない。
（イ）次に、引用発明と引用文献３に記載された技術的事項の組み合わせについて検討する。
ａ　引用文献３には、上記「第５」「３（２）」に記載のとおり、以下の技術的事項が記載されていると認められる。
「基板上に、対向する第１電極の正孔注入電極と、第２電極の電子注入電極の間に、少なくとも一層の有機化合物から構成される発光層を設けた有機ＥＬ表示素子において、
　第１電極の
正孔注入電極の
表面には
凹凸を有し
凹凸の凸部の半値幅は、５〜２５０ｎｍの範囲であり、かつ前記正孔注入電極の表面の滑らかな凹凸の高低差ｈは、０．５＜ｈ／ｒ＜２．５の範囲であり
　正孔注入電極の表面に滑らかな非周期的な凹凸を形成することによって、
正孔注入電極２１の表面積を増やすことができ、表面に凹凸を有する正孔注入電極３１が形成されたものであり、従って、表面に凹凸を有する正孔注入電極３１では、正孔注入効率を向上させ
　正孔注入電極に用いるＩＴＯの表面に滑らかな凹凸を形成し、ＩＴＯの表面有効面積を増やすことによって、高輝度と長寿命の有機ＥＬ表示素子を作製できるという利点がある、有機ＥＬ表示素子。」
ｂ　引用文献３に記載された上記技術的事項は、「正孔注入電極の表面には、凹凸を有し、正孔注入電極２１の表面積を増やすことができ、表面に凹凸を有する正孔注入電極３１が形成されたものであり、従って、表面に凹凸を有する正孔注入電極３１では、正孔注入効率を向上させる」という事項であるといえるから、引用発明と引用文献３に記載された技術的事項は、「電極の表面が凹凸構造を有する」ものである点で共通するといえる。
　しかも、引用文献３に記載された上記技術的事項は、「凹凸の凸部の半値幅は、５〜２５０ｎｍの範囲であり、かつ前記正孔注入電極の表面の滑らかな凹凸の高低差ｈは、０．５＜ｈ／ｒ＜２．５の範囲であ」るところ、上記「第５」「３（１）オ」に摘記のとおり、引用文献３に記載の表面粗さＲａは、実施例１では４．２２８ｎｍであり、実施例２では５．９９５ｎｍであり、半値幅ｒは、実施例１では１２０ｎｍであり、実施例２では８０ｎｍであったから、凹凸の高低差ｈについて、実施例１では、６０ｎｍ＜ｈ＜３００ｎｍとなり、実施例２では、４０ｎｍ＜ｈ＜２００ｎｍとなり、実施例１、２における凹凸の高低差ｈは、請求項１に記載された「平均高さが２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下」と数値範囲が重なる。
　更に、上記（ア）のとおり、引用文献１の段落【０００８】、【００１０】には、「電荷の注入効率を向上させるために表面積を大きくする」旨が記載されている。
ｃ　そこで、引用発明と引用文献３に記載された技術的事項の組み合わせについて検討すると、引用文献１における「電荷の注入効率」とは、上記「第５」「１（１）イ」に摘記の段落【０００８】に記載のとおり、トランジスタにおける、「ソース電極から放出された電荷に対して有機半導体材料に注入された電荷の割合、あるいは、有機半導体材料から放出された電荷に対してドレイン電極に注入された電荷の割合のことである。」
　一方、引用文献３に記載の技術的事項は、「正孔注入電極の有機化合物の発光層と接触する表面に、非周期的な凹凸を有する」ものであるといえるから、当該技術的事項における「正孔注入効率」（電荷注入効率）とは、有機ＥＬ表示素子において、正孔注入電極から、有機化合物の発光層への電荷注入効率を意味するものである。
　したがって、引用文献１における「電荷注入効率」と引用文献３に記載の技術的事項における「電荷注入効率」とは、異なる素子における、技術的意味も異なる電荷注入効率であることが明らかであるから、引用発明において、引用文献３に記載の技術的事項を組み合わせる動機付けを見出すことはできない。
　よって、引用発明において、引用文献３に記載された技術的事項に基づき、相違点２、３に係る本願発明１の上記構成とすることは、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。
（ウ）また、上記「第５」の「２」、「４」、「５（１）−（３）」のとおり、引用文献２、引用文献４−７には、ソース電極およびドレイン電極表面が有する「凹凸構造」における「平均周期」、「平均高さ」の数値範囲、並びに「前記ソース電極および前記ドレイン電極の表面の表面積率」の数値範囲に関連する記載も示唆も見出すことはできない。
　したがって、引用発明において、引用文献２、３、７に記載された技術的事項及び引用文献４−６に記載された周知技術に基づき、相違点２、３に係る本願発明１の上記構成とすることは、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。
イ　したがって、上記相違点１、４について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用発明、引用文献２、３、７に記載された技術的事項及び上記周知技術に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２−４について
　本願発明２−４も、本願発明１の「前記凹凸構造における、隣り合う凸部同士または隣り合う凹部同士の周期の平均である平均周期が２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、かつ、凸部の高さが最も高い測定点と前記凸部と隣り合う凹部の最も低い測定点との距離の平均である平均高さが２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり」、「前記ソース電極および前記ドレイン電極の表面の表面積率が、１．０５以上１．３以下であり」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明、引用文献２、３、７に記載された技術的事項及び上記周知技術に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
３　本願発明５、６−９について
　本願発明５、６−９は、それぞれ本願発明１に対応する製造方法の発明、第２の実施の形態にかかる薄膜トランジスタ（トップゲート型）の製造方法の発明であり、本願発明１の「前記凹凸構造における、隣り合う凸部同士または隣り合う凹部同士の周期の平均である平均周期が２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、かつ、凸部の高さが最も高い測定点と前記凸部と隣り合う凹部の最も低い測定点との距離の平均である平均高さが２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり」、「前記ソース電極および前記ドレイン電極の表面の表面積率が、１．０５以上１．３以下であり」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同様の理由により、当業者であっても、引用発明、引用文献２、３、７に記載された技術的事項及び上記周知技術に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第６　原査定について
１　理由１（特許法第２９条第２項）について
　審判請求時の補正により、本願発明１−９は、「前記ソース電極および前記ドレイン電極の表面の表面積率が、１．０５以上１．３以下であり」という構成を有するものとなっており、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１−７に基づいて、容易に発明できたものとはいえない。
　したがって、原査定の理由１を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。