【事件の表示】
　特願２０１７−１１２２３９「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年１２月２７日出願公開，特開２０１８−２０７００２，請求項の数（４）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２９年６月７日の出願であって，令和２年２月１４日付けで拒絶理由通知がされ，同年５月２０日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出され，同年８月１８日付けで拒絶理由通知がされ，同年１０月１６日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出され，令和３年１月２６日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，同年３月２９日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされ，同年５月１７日に前置報告がされ，同年６月２５日に審判請求人から前置報告に対する上申がされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（令和３年１月２６日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　本願請求項１〜４に係る発明は，以下の引用文献１，２に記載された発明及び周知技術（引用文献３〜６）に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．米国特許出願公開第２００９／０１１５０３９号明細書
２．特開２０１７−１７２０４号公報
３．特開平２−３０８１３３号公報
４．特開２００８−１７７５５０号公報
５．特開２０１１−２２２８２３号公報
６．特開２００５−５０８８６号公報
第３　本願発明
　本願請求項１〜４に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」〜「本願発明４」といいう。）は，令和３年３月２９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１は以下のとおりの発明である。
　「【請求項１】
　ペースト状のはんだを使用して，電極端子を基板に接合する，前記はんだの供給対象となる領域を囲むワイヤを備えた半導体装置の製造方法であって，
　（Ｓ１）前記基板の主面のうち，前記領域を前記ワイヤが囲んだ状態で，超音波接合により，当該ワイヤを当該主面に接合する工程と，
　（Ｓ２）前記領域に，前記電極端子を前記基板に接合するための前記はんだを供給する工程とを含み，
　平面視における前記ワイヤの形状は，閉ループ状であり，
　前記ワイヤの断面の形状は，円状であり，
　前記工程（Ｓ１）では，前記ワイヤに超音波振動を与えることにより，前記ワイヤを前記主面に接合する，
　半導体装置の製造方法。」
　なお，本願発明２〜４は，本願発明１を減縮した発明である。
第４　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（米国特許出願公開第２００９／０１１５０３９号明細書）には，次の事項が記載されている。なお，引用文献１の記載事項は，当審の訳文で示す（下線は当審が付した。以下，同様である。）。
　「[概要]
［０００６］この出願は，半導体デバイス及びおよびダイパッケージを製造するのに使用されるダイ取付け方法，及びこれらの方法により得られた半導体デバイスが記載されている。この方法は，ダイ取付けパッドを有するリードフレームを提供するステップと，ダイパッド上に周囲を画定するために境界フィーチャを使用するステップと，周囲内に導電性材料(はんだなど)を堆積するステップと，導電性材料を使用してダイパッドに集積回路を含むダイを取り付けるステップとを含む。境界フィーチャは，導電性材料の厚さを増加させて，ボンドラインの厚さを増加させ，結果として得られる半導体デバイスの耐久性および性能を増加させることを可能にする。
・・・
［００１５］
本明細書で説明する方法を用いて形成された１つの例示的な半導体デバイス
［００１６］ダイ２１０は，当該技術分野で公知の任意のタイプの半導体ダイを含むことができる。いくつかの実施形態では，ダイは，内部に集積回路が形成されたシリコンベースの基板を含む。ただし，ダイは，ＧａＡｓ，ＳｉＣ，ＧａＮ，または任意の他の適切な半導体材料から作製されてもよい。基板および集積回路は，任意の所望の機能を実行するために所望され，必要とされる任意の構成を有し得る。例えば，ダイ２１０は，１つ以上の複数の個別のトランジスタ，ダイオード，集積回路，または他の適切な半導体デバイスを含み得る。このように，
ダイ２１０は，電力調整，メモリ，処理，または任意の他の集積回路（ＩＣ）機能のような任意の数の機能を実行するように設計され得る
［００１７］ダイパッド２２０は，当該技術分野で知られている任意のリードフレームの一部であってもよく，または別個のパドルであってもよい。同様に，ダイパッド２２０は，リードフレームの単一のダイパッドであってもよく，リードフレーム上の複数のダイパッドのうちの１つであってもよく，または半導体製造に使用される複数の接続されたリードフレームであってもよい。リードフレームが使用される場合，それは，ダイパッド２２０の領域内で相対的に平坦であるように形成される。リードフレームは，Ｉ／Ｏ相互接続システムの一部として機能し，ダイによって発生された熱の大部分を放散するための熱伝導経路を提供する。
・・・
［００１９］ダイ２１０及びダイパッド２２０は，導電性材料（層を形成する）２３０によって互いに取り付けられている。導電性材料２３０は，これら２つの構成要素を互いに結合することができる任意の導電性材料であってもよい。いくつかの実施形態では，
導電性材料２３０は，ダイボンディング工程で使用されるように構成されたはんだを含む。例えば，導電性材料２３０は，Ｐｂ−Ｓｎ，Ａｕ−Ｓｎ，または他のはんだであってもよい
［００２０］図４に示すように，ダイパッケージ２００は，導電性材料２３０を含む領域の周囲のダイパッド２２０上に周囲部を形成する境界フィーチャ２４０を含む。境界フィーチャ２４０は，ダイボンディング工程で使用される導電性材料２３０の量を増加させ，結果としてより高いＢＬＴをもたらすように機能する。換言すれば，境界フィーチャ２４０は，導電性材料２３０のための境界を形成するのに十分な高さの隆起した表面を含む。
［００２１］図４は，得られるＢＬＴの一例を示し，いくつかの実施形態では，ｔ２は３０ミルまでの範囲であり得る。他の実施形態では，この厚さは，約４〜約３０ミルの範囲であり得る。
［００２２］境界フィーチャ２４０によって画定される周囲部のサイズは，ダイのサイズに依存し，したがって，半導体デバイスのタイプが作られる。いくつかの実施形態では，周囲部は，約１００μｍ×約１００μｍ〜約２００００μｍ×約２００００μｍまで測定することができる。また，周囲部は実質的に長方形であるとして示されているが，その形状は，ダイ２１０の形状にも依存し，したがって，実質的に正方形，円形，三角形，又は多角形とすることができる。
［００２３］境界フィーチャ２４０は，完全な又は部分的な境界であってもよい。いくつかの実施形態では，図３及び図４に示されるように，境界フィーチャは，ダイパッド２２０上に完全な外周を形成してもよい。他の実施形態では，境界フィーチャ２４０は，部分周囲部を形成してもよく，周囲の約７５％又はさらに５０％以上の境界フィーチャ２４０が形成される。
［００２４］境界フィーチャ２４０は，所望の位置の周りに隆起した周囲部又は隆起表面を形成することができる任意の材料から作ることができる。例えば，境界フィーチャ２４０は，ダイパッド２２０の一体部分として形成されてもよく，任意の既知の堆積，マスク，及びエッチングプロセスを用いてダイパッド２２０上に堆積されてもよい。別の例では，境界フィーチャ２４０を形成するために，任意の公知の選択的堆積プロセスを使用することができる。
・・・
［００２７］次に，図５に示すように，
境界フィーチャ２４０がダイパッド２２０上に適用され，周囲部を形成する。境界フィーチャ２４０がダイパッドの一部として既に形成されていない場合には，所望の材料（すなわち，アルミニウム）のワイヤを所望の形状（すなわち，図５に示す矩形形状）に形成することによって，それらを製造することができる
［００２８］次に，
ワイヤは，公知の技術を用いてダイパッド２２０に取り付けられる
境界フィーチャ２４０は，ワイヤとダイパッドとの周りのステッチを包むワイヤボンディング技術を使用して取り付けられ得る
［００２９］別のタイプの接続が図６Ｂに示されている。これらの実施形態では，境界フィーチャ２４０は，周囲に沿って離散的な取り付け点のみを使用して周囲に沿って接続されて，少数の接続点のみを有するまばらなステッチを作ることができる。例えば，境界フィーチャのまばらなステッチ周囲部は，各コーナー上の１つの接続を有するダイパッド２２０に，境界フィーチャの各側に４つのステッチ（長方形として形成されているとき）に接続されてもよい。
［００３０］
次に
導電性材料２３０は，境界フィーチャ２４０によって画定される周囲内のダイパッド２２０上に堆積される
［００３１］
次いで，ダイ２１０は，当技術分野で公知の任意のプロセスを使用して導電性材料２３０上に配置される
得られた構造体は
導電性材料２３０をリフローさせるのに十分な時間および温度で加熱される
リフロープロセスが完了した後，ダイ２１０は，所望の高さを有するリフローされた導電性材料２３０によってダイパッド２２０に取り付けられている
　「
」
　「
」
　以上によれば，引用文献１には，半導体デバイスの形成方法であって（［００１５］），アルミニウムのワイヤからなる境界フィーチャ２４０は，ワイヤボンディング技術を使用してダイパッド２２に取り付けられること（［００２７］，［００２８］），次に，はんだを含む導電性材料２３０は，境界フィーチャ２４０によって画定される周囲内のダイパッド２２０上に堆積され（［００３０］），導電性材料は，はんだを含むこと（［００１９］），次いで，ダイ２１０は，導電性材料２３０上に配置され，えられた構造体は，導電性材料２３０をリフローさせるのに十分な時間および温度で加熱され，リフロープロセスが完了した後，ダイ２１０は，リフローされた導電性材料２３０によってダイパッド２２０に取り付けられること（［００３１］）が記載されている。
　そうすると，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「アルミニウムのワイヤからなる境界フィーチャ２４０を，ワイヤボンディング技術を使用してダイパッド２２に取り付け，
　次に，はんだを含む導電性材料２３０を，前記境界フィーチャ２４０によって画定される周囲内のダイパッド２２０上に堆積し，
　次いで，ダイ２１０を，前記導電性材料２３０上に配置し，得られた構造体を，前記導電性材料２３０をリフローさせるのに十分な時間および温度で加熱することにより，前記ダイ２１０を，リフローされた導電性材料２３０によって前記ダイパッド２２０に取り付ける半導体デバイスの形成方法。」
２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開２０１７−１７２０４号公報）には，次の事項が記載されている。
　「【００１９】
　本発明は，低コストで，かつ，はんだ量を増加させた場合のはんだ流れを防止し，絶縁基板４と電極端子７とのはんだ接合面の機械強度を向上させることが可能な技術であり，以下に詳細に説明する。
【００２０】
　＜実施の形態＞
　本発明の実施の形態について，図面を用いて以下に説明する。図１は，実施の形態に係る半導体装置の製造方法において電極端子の接合部の加熱前の状態を示す平面図であり，図２は，図１のA-A断面図である。
【００２１】
　図１と図２を用いて，
実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する
絶縁基板４（基板）における電極端子７が接合される位置の周囲でありかつその位置の全周を囲む位置に，糸はんだ３ａ（固体はんだ）が超音波接合で仮付けされる
（ａ））
【００２２】
　次に，
絶縁基板４における
糸はんだ３ａで囲まれた位置に糸はんだ３ａの内周に沿って，ペーストはんだ３が塗布（配置）された後（工程（ｂ）），ペーストはんだ３上に電極端子７が載置（配置）される（工程（ｃ））
ペーストはんだ３および糸はんだ３ａを加熱することで溶融させ，ペーストはんだ３および糸はんだ３ａを用いて電極端子７と絶縁基板４とが接合される（工程（ｄ））
　「【図１】
」
　「【図２】
」
　以上によれば，引用文献２には，以下の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「絶縁基板４における電極端子７が接合される位置の周囲でありかつその位置の全周を囲む位置に，糸はんだ３ａ（固体はんだ）を超音波接合で仮付けする工程（ａ），
　絶縁基板４における糸はんだ３ａで囲まれた位置に糸はんだ３ａの内周に沿って，ペーストはんだ３を塗布する工程（ｂ），
　ペーストはんだ３上に電極端子７を載置する工程（ｃ），
　ペーストはんだ３及び糸はんだ３ａを加熱することで溶融させ，ペーストはんだ３及び糸はんだ３ａを用いて電極端子７と絶縁基板４とを接合する工程（ｄ）を含む半導体装置の製造方法。」
３　周知技術について
（１）周知技術１
ア　原査定の拒絶の理由に周知技術を示す文献として引用された引用文献３（特開平２−３０８１３３号公報）には，次の事項が記載されている。
　「次に信号線Ｂの終点に配置された修正用ボンディングパッドと修正用ライン２に配置された修正用ボンディングパッドの両パッドにまたがるように
超音波アルミウェッジボンダーを用いて第１ボンドを行ない
このときのワイヤーの材質は，金，銅を用いてもよい
イ　原査定の拒絶の理由に周知技術を示す文献として引用された引用文献４（特開２００８−１７７５５０号公報）には，次の事項が記載されている。
　「【００６７】
　前記
ワイヤーボンディング工程は，基板等１１の端子部（インナーリード）の先端と半導体素子１３上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー１６で電気的に接続する工程である
前記ボンディングワイヤー１６としては，例えば金線，アルミニウム線又は銅線等が用いられる
による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により行われる。」
ウ　以上によれば，超音波接合可能なワイヤーの材質としてアルミニウム，銅又は金を用いることは，本願出願日前より周知の技術（以下，周知技術１」という。）である。
（２）周知技術２
ア　原査定の拒絶の理由に周知技術を示す文献として引用された引用文献５（特開２０１１−２２２８２３号公報）には，次の事項が記載されている。
　「【００１０】
　本発明は，上記のような事情に鑑みてなされたものであり，鉛を含むはんだと同程度に高い伸び性を有しているが，比較して融点が低い
鉛フリーはんだをダイボンドはんだとして用いて，ダイパッド上にダイを固定した場合であっても，後工程でのリフロー処理においてダイボンドはんだが溶融したときに，溶融したダイボンドはんだがダイパッドとダイの間から流失するのを阻止できる
　「【００２４】
　回路装置１の製造に当たり，銅合金のような高い導電性を備えた金属板から，ダイパッド１２を備えたリードフレーム１３を，打ち抜き加工などによって形成する。つぎに，好ましくは
ダイパッド１２と同じ線膨張係数を持つ材料を用いて，ダイ１１が載置される領域の周囲に，ダム材２を形成する
２に腐食等の有害な変質を与えないことが望ましい。さらに，ダイパッド１２と同程度の線膨張係数を有することが望ましい。そのような接合剤の具体例として，銅ろう付けを挙げることができる。」
　「【００３０】
　上記の
本発明による回路装置１０では，その製造過程でのリフロー処理において，ダイボンドはんだ２０がその融点を超えた温度環境に晒される場合が生じても，溶融したダイボンドはんだ２０はダム材２で囲われた内側領域内にそのまま留まっており，ダム材２の外には流失しない
　「【図１】
」
イ　原査定の拒絶の理由に周知技術を示す文献として引用された引用文献６（特開２００５−５０８８６号公報）には，次の事項が記載されている。
　「【００１１】
しかしながら，
接着材としての半田の厚みを厚くしておくと半田を溶融させて電気素子を回路基板に接合する際，熔けた半田が回路基板上からセラミック基板上に流れ出て隣接する回路基板間を短絡させたり
という欠点を有していた
【００１２】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので，その目的は回路基板に電気素子を簡易に強固に接合させるとともに回路基板に接合された電気素子を常に適温とし電気素子を長期間にわたり正常，かつ安定に作動させることができる複合基板を提供することにある。」
　「【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の複合基板は図１
に示すように，電気素子１と回路基板３とが接合材５と介挿材７を介して接合され，介挿材７は，電気素子側面Ａと，回路基板側面Ｂとが略平行になるように配置されて構成される
　「【００２４】
また，介挿材７が貫通孔７ａを有する形状の場合，その断面形状は
図４（ｃ）に示すように四角であってもよい
　「【図１】
」
　「【図４】
」
ウ　以上によれば，溶融したはんだの流出を防止するために基板上に閉ループ状の部材を設けることは，本願出願前より周知の技術（以下，「周知技術２」という。）である。
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
ア（ア）引用発明１の「はんだを含む導電性材料２３０」と，本願発明１との「ペースト状のはんだ」とは，「はんだ」である点で共通する。
　また，引用発明１は「前記ダイ２１０を，リフローされた前記導電性材料２３０によってダイパッド２２０に取り付ける」のに対し，本願発明１は，「ペースト状のはんだを使用して，電極端子を基板に接合する」から，引用発明１の「ダイパッド２２０」は，本願発明１の「基板」に相当し，引用発明１の「ダイ２１０」と本願発明１の「電極端子」とは，いずれも部材であるといえるから，引用発明１と本願発明１とは，「はんだを使用して」，部材を「基板に接合する」点で共通する。
（イ）引用発明１において，「境界フィーチャ２４０」は，「アルミニウムのワイヤからなる」ものであり，「はんだを含む導電性材料２３０を，前記境界フィーチャ２４０によって画定される周囲内のダイパッド２２０上に堆積し」ていることから，「アルミニウムのワイヤからなる境界フィーチャ２４０」は，「はんだを含む導電性材料２３０」の供給対象となる領域を囲んでいるといえる。
　そうすると，引用発明１の「前記境界フィーチャ２４０によって画定される周囲内のダイパッド２２０上に堆積」される「アルミニウムのワイヤからなる境界フィーチャ２４０」は，本願発明１は，「前記はんだの供給対象となる領域を囲むワイヤ」に相当する。
　また，引用発明１の「半導体デバイスの形成方法」は，半導体装置の製造方法であるといえる。
（ウ）以上によれば，引用発明１と本願発明１とは，「はんだを使用して」，部材を「基板に接合する，前記はんだの供給対象となる領域を囲むワイヤを備えた半導体装置の製造方法」である点で共通する。
イ　引用発明１の「アルミニウムのワイヤからなる境界フィーチャ２４０を，ワイヤボンディング技術を使用してダイパッド２２に取り付け」る工程は，「ダイパッド２２」の主面のうち，「はんだを含む導電性材料２３０」の供給対象となる領域を「アルミニウムのワイヤからなる境界フィーチャ２４０」が囲んだ状態で，当該「境界フィーチャ２４０」を当該主面に接合しているといえるから，引用発明１と本願発明１とは，「前記基板の主面のうち，前記領域を前記ワイヤが囲んだ状態で」，「当該ワイヤを当該主面に接合する工程」を含んでいる点で共通する。
ウ　引用発明１の「はんだを含む導電性材料２３０を，前記境界フィーチャ２４０によって画定される周囲内のダイパッド２２０上に堆積する」工程と，本願発明１の「前記領域に，前記電極端子を前記基板に接合するための前記はんだを供給する工程」とは，「前記領域に」，前記部材を「前記基板に接合するための前記はんだを供給する工程」である点で共通する。
エ　以上から，本願発明１と引用発明１との一致点と相違点は以下のとおりとなる。
＜一致点＞
　「はんだを使用して，部材を基板に接合する，前記はんだの供給対象となる領域を囲むワイヤを備えた半導体装置の製造方法であって，
　（Ｓ１）前記基板の主面のうち，前記領域を前記ワイヤが囲んだ状態で，当該ワイヤを当該主面に接合する工程と，
　（Ｓ２）前記領域に，部材を前記基板に接合するための前記はんだを供給する工程とを含む，
　半導体装置の製造方法。」
　
＜相違点＞
相違点１：「はんだ」について，本願発明１は，「ペースト状」であるのに対し，引用発明１は，ペースト状であるかどうか不明な点。
相違点２：「はんだを使用して」「基板に接合する」部材が，本願発明１は，「電極端子」であるのに対し，引用発明１は，「ダイ２１０」である点。
相違点３：本願発明１は，「超音波接合により，当該ワイヤを当該主面に接合」するものであって，「前記ワイヤに超音波振動を与えることにより，前記ワイヤを前記主面に接合する」のに対し，引用発明１は，「アルミニウムのワイヤからなる境界フィーチャ２４０を，ワイヤボンディング技術を使用してダイパッド２２に取り付け」ている点。
相違点４：本願発明１は，「平面視における前記ワイヤの形状は，閉ループ状であり，前記ワイヤの断面の形状は，円状であ」るのに対し，引用発明１は，そのような事項を備えているかどうか不明な点。
（２）判断
　事案に鑑み相違点２から検討する。
　本願発明１と引用発明２とを対比すると，引用発明２の「ペーストはんだ３」，「電極端子７」，「絶縁基板４」は，それぞれ，本願発明１の「ペースト状のはんだ」，「電極端子」，「基板」に相当するから，引用発明２と本願発明１とは，「ペースト状のはんだを使用して，電極端子を基板に接合する半導体装置の製造方法」である点で共通している。
　そうすると，引用発明２は，相違点２に係る本願発明１の構成を有しているといえるから，引用発明１において，「ダイ２１０」に代えて，引用発明２の「電極端子」を適用することが，当業者にとって容易に想到し得るものであるか否かについて以下に検討する。
　前記第４　１における引用文献１の［００１６］には，「ダイ２１０は，電力調整，メモリ，処理，または任意の他の集積回路（ＩＣ）機能のような任意の数の機能を実行するように設計され得る。」と記載されていることからすると，引用発明１において，「リフローされた導電性材料２３０によって前記ダイパッド２２０に取り付け」られる「ダイ２１０」は，集積回路（ＩＣ）等であって，「半導体デバイス」としての機能を実行するものである。
　一方，引用発明２において，「ペーストはんだ３及び糸はんだ３ａを用いて」「絶縁基板４」に接合されるのは，「電極端子」であり，当該「電極端子」は，何らかの機能を実行するものではない。
　そうすると，引用発明１において，「ダイ２１０」に代えて，引用発明２の「電極端子」を適用すると，引用発明１は，「ダイ２１０」が有している機能を実行できなくなるから，「半導体デバイス」として機能しなくなってしまう。
　したがって，引用発明１に引用発明２を適用することには阻害要因がある。そして，このことは，前記周知技術１，２によって左右されるものではない。
　よって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，引用発明１，引用発明２及び周知技術１，２に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。
２　本願発明２〜４について
　本願発明２〜４は，本願発明１を減縮した発明であり，いずれも本願発明１の全ての発明特定事項を有しているから，前記１（２）で検討したのと同様の理由により，引用発明１，引用発明２及び周知技術１，２に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。
第６　原査定について
　審判請求時の補正により，本願発明１〜４は，前記相違点２に係る本件発明１の事項を有するものとなっており，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用文献１，２に記載された発明及び周知技術（引用文献３〜６）に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。
　したがって，原査定の理由を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。