【誤訳訂正書】
【提出日】平成30年12月19日(2018.12.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気メッキ装置であって、
（ａ）実質的に平坦な基材上に金属を電気メッキする間、電解質及びアノードを含むよう構成された、電気メッキ用チャンバと、
（ｂ）電気メッキ中、前記基材のメッキ面が前記アノードと分離されるように、前記実質的に平坦な基材を保持するよう構成された、基材ホルダと、
（ｃ）イオン抵抗性要素であって、
（ｉ）前記イオン抵抗性要素を貫通して延在する、電気メッキ中に前記イオン抵抗性要素を通してイオンを輸送するよう適合された、複数のチャネルと、
（ｉｉ）前記基材の前記メッキ面と実質的に平行であり、前記基材の前記メッキ面と空隙で分離されている、基材対面側部と、
（ｉｉｉ）前記イオン抵抗性要素の前記基材対面側部上に位置決めされた複数の隆起部と、を含む、イオン抵抗性要素と、
（ｄ）前記空隙に前記空隙を横断する前記電解質の横断流を導入するための、前記空隙への流入口と、
（ｅ）前記空隙内を流れる前記電解質の前記横断流を受承するための、前記空隙の流出口と、を備え、
前記流入口及び前記流出口は、電気メッキ中、前記基材の前記メッキ面上の方位的にほぼ対向する周上の位置に位置決めされ、
前記隆起部は平均して、前記電解質の前記横断流の方向に対して実質的に垂直に配向される、電気メッキ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記イオン抵抗性要素の前記基材対面側部と、前記基材の前記メッキ面との間の前記空隙は、前記基材の前記メッキ面と前記イオン抵抗性要素の平面との間を測定した場合に約１５ｍｍ未満である、電気メッキ装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記基材の前記メッキ面と前記隆起部の最高部との間の空隙は約０．５〜４ｍｍである、電気メッキ装置。
【請求項４】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部の高さは約２〜１０ｍｍである、電気メッキ装置。
【請求項５】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部のうちの少なくともいくつかは、少なくとも約３：１の長さ：幅アスペクト比を有する、電気メッキ装置。
【請求項６】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記イオン抵抗性要素上に、少なくとも２つの異なる形状及び／又はサイズの前記隆起部が存在する、電気メッキ装置。
【請求項７】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部のうちの少なくともいくつかの上に、電気メッキ中に電解質がそれを通って流れることができる１つ又は複数の切り欠き部を含む、電気メッキ装置。
【請求項８】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部のうちの少なくともいくつかは、前記イオン抵抗性要素の平面に対して実質的に垂直な面を備える、電気メッキ装置。
【請求項９】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部のうちの少なくともいくつかは、前記イオン抵抗性要素の平面から直角でない角度だけずれた面を備える、電気メッキ装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部のうちの少なくともいくつかの上に、三角形の上部を更に備える、電気メッキ装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部は、少なくとも第１の隆起部セグメント及び第２の隆起部セグメントを含み、
前記第１及び第２の隆起部セグメントはそれぞれ、前記電解質の前記横断流の方向から、実質的に等しいが符号が逆である角度だけずれている、電気メッキ装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記イオン抵抗性要素は、電場を成形し、電気メッキ中に前記基材付近の電解質流の性質を制御するよう構成される、電気メッキ装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記イオン抵抗性要素の下面の下に位置決めされた下側マニフォールド領域を更に備え、
前記下面は前記基材ホルダと反対側を向いている、電気メッキ装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電気メッキ装置であって、
中央電解質チャンバと
前記中央電解質チャンバから前記流入口及び前記下側マニフォールド領域の両方に前記電解質を送達するよう構成された１つ又は複数の供給チャネルと、を更に備える、電気メッキ装置。
【請求項１５】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記流入口と流体連通された横断流注入マニフォールドを更に備える、電気メッキ装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の電気メッキ装置であって、
前記横断流注入マニフォールドは、前記イオン抵抗性要素のキャビティによって少なくとも部分的に画定される、電気メッキ装置。
【請求項１７】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記イオン抵抗性要素の周縁部全体にわたって位置決めされた流れ制限リングを更に備える、電気メッキ装置。
【請求項１８】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
メッキ中に前記基材ホルダを回転させるための機構を更に備える、電気メッキ装置。
【請求項１９】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記流入口は、前記基材の前記メッキ面の周付近に、約９０〜１８０°の弧にわたって広がっている、電気メッキ装置。
【請求項２０】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記流入口内の方位的に別個の複数の流入口セグメントと、
前記方位的に別個の複数の流入口セグメントに前記電解質を送達するよう構成された、複数の電解質供給流入口と、
電気メッキ中に複数の前記電解質供給流入口内の前記電解質の複数の体積流量を独立して制御するよう構成された、１つ又は複数の流れ制御要素と、を更に備える、電気メッキ装置。
【請求項２１】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部は、前記基材の前記メッキ面と同延である、電気メッキ装置。
【請求項２２】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記流入口及び前記流出口は、電気メッキ中に前記基材の前記メッキ面上に剪断力を生成又は維持するために、前記空隙内で前記電解質の前記横断流を生成するよう適合される、電気メッキ装置。
【請求項２３】
請求項１に記載の電気メッキ装置であって、
前記隆起部は、複数の平行な列に配向され、
前記列は、非隆起空隙で分離された２つ以上の不連続な前記隆起部を含み、
隣接する前記列の前記非隆起空隙は実質的に、前記電解質の前記横断流の方向に互いに整列されていない、電気メッキ装置。
【請求項２４】
電気メッキ装置であって、
（ａ）実質的に平坦な基材上に金属を電気メッキする間、電解質及びアノードを含むよう構成された、電気メッキ用チャンバと、
（ｂ）電気メッキ中、前記基材のメッキ面が前記アノードと分離されるように、前記実質的に平坦な基材を保持するよう構成された、基材ホルダと、
（ｃ）イオン抵抗性要素であって、
（ｉ）前記イオン抵抗性要素を貫通して延在する、電気メッキ中に前記イオン抵抗性要素を通してイオンを輸送するよう適合された、複数のチャネルと、
（ｉｉ）前記基材の前記メッキ面と実質的に平行であり、前記基材の前記メッキ面と空隙で分離されている、基材対面側部と、
（ｉｉｉ）前記イオン抵抗性要素の前記基材対面側部上に位置決めされた段差であって、前記段差は高さ及び直径を有し、前記段差の前記直径は前記基材の前記メッキ面と同延であり、前記段差の前記高さ及び前記直径はメッキ中に前記電解質が前記基材ホルダの下、前記段差の上を通って前記空隙内へと流れることができる程度に十分に小さい、段差と、を含む、イオン抵抗性要素と、
（ｄ）前記空隙に前記電解質を導入するための、前記空隙への流入口と、
（ｅ）前記空隙内を流れる前記電解質の流れを受承するための、前記空隙の流出口と、を備え、
前記流入口及び前記流出口は、電気メッキ中に前記基材の前記メッキ面上に剪断力を生成又は維持するために、前記空隙内で前記空隙を横断する前記電解質の横断流を生成するよう適合される、電気メッキ装置。
【請求項２５】
標準的な直径の半導体ウエハ上に材料をメッキするための電気メッキ装置で使用するための、チャネル付きイオン抵抗性プレートであって、
前記半導体ウエハのメッキ面と同延である、約２〜２５ｍｍの厚さを有するプレートと、
（ｉ）前記プレートの厚さを貫通して延在する、少なくとも約１０００個の非連通貫通孔であって、電気メッキ中に前記プレートを通してイオンを輸送するよう適合された貫通孔、又は、（ｉｉ）前記プレートの厚さ方向に沿った互いに接続される孔構造を形成する３次元チャネルネットワークと、
前記プレートの片側上に位置決めされた複数の隆起部と、を備え、
前記複数の隆起部は平均して、前記電気メッキ装置における前記チャネル付きイオン抵抗性プレート上の電解質の横断流の方向に対して実質的に垂直に配向される、チャネル付きイオン抵抗性プレート。
【請求項２６】
標準的な直径の半導体ウエハ上に材料をメッキするための電気メッキ装置で使用するための、チャネル付きイオン抵抗性プレートであって、
前記半導体ウエハのメッキ面と同延である、約２〜２５ｍｍの厚さを有するプレートと、
（ｉ）前記プレートの厚さを貫通して延在する、少なくとも約１０００個の非連通貫通孔であって、電気メッキ中に前記プレートを通してイオンを輸送するよう適合された貫通孔、又は、（ｉｉ）前記プレートの厚さ方向に沿った互いに接続される孔構造を形成する３次元チャネルネットワークと、
前記プレートの中央領域のプレートの膨隆部、及び前記プレートの周縁部に位置決めされた前記プレートの非膨隆部を備える、段差と、を備える、チャネル付きイオン抵抗性プレート。
【請求項２７】
基材を電気メッキするための方法であって、
（ａ）基材ホルダ内に実質的に平坦な基材を受承することであって、前記基材のメッキ面は露出しており、前記基材ホルダは電気メッキ中、前記基材の前記メッキ面がアノードと分離されるように前記基材を保持するよう構成されている、受承することと、
（ｂ）前記基材を電解質に浸漬することであって、
前記基材の前記メッキ面とイオン抵抗性要素の平面との間に空隙を形成し、
前記イオン抵抗性要素は前記基材の前記メッキ面と少なくともほぼ同延であり、
前記イオン抵抗性要素は電気メッキ中に前記イオン抵抗性要素を通してイオンを輸送するよう適合されており、
前記イオン抵抗性要素は前記イオン抵抗性要素の基材対面側部上に複数の隆起部を備え、前記隆起部は前記基材の前記メッキ面と同延である、浸漬することと、
（ｃ）（ｉ）側部流入口から前記空隙内へ入り、側部流出口から出るように；及び（ｉｉ）前記イオン抵抗性要素の下から前記イオン抵抗性要素を通過して前記空隙内へ入り、前記側部流出口から出るように、前記基材ホルダ内の前記基材と接触するように前記電解質を流すことであって、前記側部流入口及び前記側部流出口は、電気メッキ中に前記空隙に前記空隙を横断する前記電解質の横断流を生成するよう設計又は構成され、前記複数の隆起部は平均して、前記電解質の前記横断流の方向に対して実質的に垂直に配向される、前記電解質を流すことと、
（ｄ）前記基材ホルダを回転させることと、
（ｅ）前記（ｃ）と同様に前記電解質を流しながら、前記基材の前記メッキ面上に材料を電気メッキすることと、を備える、方法。
【請求項２８】
請求項２７に記載の方法であって、
前記空隙は、前記基材の前記メッキ面と前記イオン抵抗性要素の平面との間を測定した場合に約１５ｍｍ未満である、方法。
【請求項２９】
請求項２７に記載の方法であって、
前記基材の前記メッキ面と前記隆起部の最高部表面との間の空隙は約０．５〜４ｍｍである、方法。
【請求項３０】
請求項２７に記載の方法であって、
前記側部流入口は、方位的に別個であり流体連通していない２つ以上のセクションに分離され、
前記側部流入口の前記方位的に別個のセクションへの前記電解質の流れは独立して制御される、方法。
【請求項３１】
請求項２７に記載の方法であって、
前記空隙内に流れ配向要素が位置決めされ、
前記流れ配向要素によって、前記側部流入口から前記側部流出口への実質的に直線の流路に前記電解質を流すことができる、方法。
【請求項３２】
基材を電気メッキするための方法であって、
（ａ）基材ホルダ内に実質的に平坦な基材を受承することであって、前記基材のメッキ面は露出しており、前記基材ホルダは電気メッキ中、前記基材の前記メッキ面がアノードと分離されるように前記基材を保持するよう構成されている、受承することと、
（ｂ）前記基材を電解質に浸漬することであって、
前記基材の前記メッキ面とイオン抵抗性要素の平面との間に空隙を形成し、
前記イオン抵抗性要素は前記基材の前記メッキ面と少なくとも同延であり、
前記イオン抵抗性要素は電気メッキ中に前記イオン抵抗性要素を通してイオンを輸送するよう適合されており、
前記イオン抵抗性要素は前記イオン抵抗性要素の基材対面側部上に段差を備え、前記段差は前記イオン抵抗性要素の中心領域に位置決めされ、前記イオン抵抗性要素の非膨隆部で囲まれている、浸漬することと、
（ｃ）（ｉ）側部流入口から前記段差を越えて空隙内へ入り、再び前記段差を越えて側部流出口から出るように；及び（ｉｉ）前記イオン抵抗性要素の下から前記イオン抵抗性要素を通過して前記空隙内へ入り、前記段差を越えて前記側部流出口から出るように、前記基材ホルダ内の前記基材と接触するように前記電解質を流すことであって、前記側部流入口及び前記側部流出口は、電気メッキ中に前記空隙に前記空隙を横断する前記電解質の横断流を生成するよう設計又は構成されている、前記電解質を流すことと、
（ｄ）前記基材ホルダを回転させることと、
（ｅ）前記（ｃ）と同様に前記電解質を流しながら、前記基材の前記メッキ面上に材料を電気メッキすることと、を備える、方法。
【請求項３３】
標準的な直径の半導体ウエハ上に材料をメッキするための電気メッキ装置で使用するための、チャネル付きイオン抵抗性プレートであって、
前記半導体ウエハのメッキ面と同延である、約２〜２５ｍｍの厚さを有するプレートと、
（ｉ）前記プレートの厚さを貫通して延在する、少なくとも約１０００個の非連通貫通孔であって、電気メッキ中に前記プレートを通してイオンを輸送するよう適合された貫通孔、又は、（ｉｉ）前記プレートの厚さ方向に沿った互いに接続される孔構造を形成する３次元チャネルネットワークであって、電気メッキ中に前記プレートを通してイオンを輸送するよう適合された、貫通孔、又は、３次元チャネルネットワークと、
前記プレートの一方の面上に位置決めされた複数の隆起部であって、複数の平行な列に配向され、前記複数の平行な列は、非隆起空隙で分離された２つ以上の不連続な隆起部を含み、隣接する列の前記非隆起空隙は、前記電気メッキ装置における前記チャネル付きイオン抵抗性プレート上の電解質の横断流の方向に互いに整列されていない、チャネル付きイオン抵抗性プレート。
【請求項３４】
標準的な直径の半導体ウエハ上に材料をメッキするための電気メッキ装置で使用するための、チャネル付きイオン抵抗性プレートであって、
前記半導体ウエハのメッキ面と同延である、約２〜２５ｍｍの厚さを有するプレートと、
（ｉ）前記プレートの厚さを貫通して延在する、少なくとも約１０００個の非連通貫通孔であって、電気メッキ中に前記プレートを通してイオンを輸送するよう適合された貫通孔、又は、（ｉｉ）前記プレートの厚さ方向に沿った互いに接続される孔構造を形成する３次元チャネルネットワークであって、電気メッキ中に前記プレートを通してイオンを輸送するよう適合された、貫通孔、又は、３次元チャネルネットワークと、
前記プレートの一方の面上に位置決めされた複数の隆起部であって、前記複数の隆起部は、第１の隆起部セグメントと第２の隆起部セグメントとを有し、前記第１の隆起部セグメント及び前記第２の隆起部セグメントはそれぞれ、電解質の横断流の方向から、等しいが符号が逆である角度だけずれており、前記電解質の前記横断流は、前記電気メッキ装置における前記チャネル付きイオン抵抗性プレートの上に位置する空隙を流れる、チャネル付きイオン抵抗性プレート。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２１】
図１５は、図１４の例（ｆ）の実施形態と同様の、交互になったタイプの切り欠き部を有する隆起部９０８の一例を示す。ここで、第１の切り欠き部９２１及び第２の切り欠き部９２２と呼ばれる２つのタイプの切り欠き部を使用する。この実施形態では、第１の切り欠き部９２１は隆起部９０８の底部にあり、第２の切り欠き部９２２は隆起部９０８の上部にある。隆起部全体は約１〜５ｍｍの高さ（ａ）及び約０．２５〜２ｍｍの厚さ（ｂ）を有してよい。第１の切り欠き部は、約０．２〜３ｍｍの高さ（ｃ）及び約２〜２０ｍｍの長さ（ｄ）を有してよい。隆起部９０８の上部に配置された第２の切り欠き部９２２もまた、約０．２〜３ｍｍの高さ（ｅ）及び約２〜２０ｍｍの長さ（ｆ）を有してよい。隣接する第１の切り欠き部９２１の間の距離（即ち第１の切り欠き部９２１の間隔）（ｇ）は、約４〜５０ｍｍであってよい。隣接する第２の切り欠き部９２２の間の距離（即ち第２の切り欠き部９２２の間隔）（ｈ）もまた、約４〜５０ｍｍであってよい。これらの寸法は理解を助けるためのものであり、限定を意図したものではない。ウエハ平面（ｗ）は、隆起部９０８の上側に示されている。ＣＩＲＰに取り付けられている隆起部９０８の基部と、ウエハ平面（ｗ）との間が、横断流マニフォールド２２６である。