【事件の表示】
　特願２０１７−５３７３７０号「複数のオプトエレクトロニクス半導体素子を製造する方法およびオプトエレクトロニクス半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年７月２１日国際公開、ＷＯ２０１６／１１３３１４号、平成３０年３月２９日国内公表、特表２０１８−５０８９８４号、請求項の数（１７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２０１６年１月１３日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１５年１月１５日　ドイツ）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２９年　９月１４日　　：翻訳文（特許請求の範囲、明細書及び図面
　　　　　　　　　　　　　　　）提出
　平成３０年　８月１４日付け：拒絶理由通知書
　平成３０年１１月２０日　　：意見書、補正書の提出
　平成３１年　３月２５日付け：拒絶査定（謄本発送　同年４月１日　以下
　　　　　　　　　　　　　　　「原査定」という。）
　　令和元年　８月　１日　　：審判請求書の提出
　　令和２年　３月１７日付け：拒絶理由通知書（同年同月２３日発送、以
　　　　　　　　　　　　　　　下「当審拒絶理由」という。）
　　令和２年　９月２３日　　：意見書、補正書の提出（以下、この手続補
　　　　　　　　　　　　　　　正書による手続補正を「本件補正」という
　　　　　　　　　　　　　　　。）
２．本件発明について
　本願請求項１ないし１７に係る発明（以下「本件発明１」ないし「本件発明１７」とそれぞれいう。）は、本件補正により補正がされた特許請求の範囲の請求項１ないし１７に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、本件発明１及び１０は、次のとおりのものである（なお、Ａ１〜Ｈ１は、本件発明１を分説するために、また、Ａ２〜Ｈ２は、本件発明１０を分説するために当審で付した。）
「【請求項１】
Ａ１　複数のオプトエレクトロニクス半導体素子（１）を製造する方法であって、当該方法は、
Ｂ１　ａ）機械的に相互に接続されている複数の素子領域（３）を有している、半導体層列（２０）を備える結合体（３０）を準備するステップ、
Ｃ１　ｂ）各素子領域上に少なくとも１つの接続面が形成されるように、前記半導体層列の上に複数の接続面（４）を形成するステップ、
Ｄ１　ｃ）前記接続面の間の間隙（４５）を満たす成形材料（５０）を前記半導体層列の上に形成するステップ、
Ｅ１　ｄ）前記成形材料を備える前記結合体を個別化するステップを有しており、
Ｆ１　　前記個別化時に前記成形材料から複数の成形体（５）が形成され、前記成形体（５）にはそれぞれ、前記結合体の素子領域から生じた半導体本体（２）が割り当てられており、
Ｇ１　前記半導体本体および前記成形体は、ステップｄ）の後、別の結合体（３５）を形成するために、別の成形材料（５５０）によって包囲され、前記成形材料および前記別の成形材料は、前記半導体本体において生成される、または受信されるべきビームに対して不透過性であり、前記別の成形材料は、前記半導体層列とは反対側に位置する面で前記別の成形材料によって前記接続面が完全に覆われるように形成され、かつ前記接続面は前記別の結合体の分断の前に、別のステップにおいて露出される、
Ｈ１　複数のオプトエレクトロニクス半導体素子（１）を製造する方法。
【請求項１０】
Ａ２　オプトエレクトロニクス半導体素子（１）であって、当該オプトエレクトロニクス半導体素子（１）は、
Ｂ２　・ビームの生成および／または受信のために設けられている半導体本体（２）と、
Ｃ２　・ビーム透過面（１０）と、
Ｄ２　・前記半導体本体の、前記ビーム透過面とは反対側に位置する面に配置されている少なくとも１つの接続面（４）と、
Ｅ２　・前記半導体本体の、前記ビーム透過面とは反対側に配置されており、かつ前記半導体本体および前記接続面に接している成形体（５）と、
Ｆ２　・前記オプトエレクトロニクス半導体素子（１）を、前記ビーム透過面に平行に延在するラテラル方向において制限する、前記オプトエレクトロニクス半導体素子（１）の側面（１５）を形成し、かつ部分的に、前記成形体および前記半導体本体に接している別の成形体（５５）とを有しており、
Ｇ２　前記成形体と前記別の成形体は部分的に、ビーム透過面とは反対側に位置する背面を形成し、
Ｘ２　前記成形体および前記別の成形体は、前記半導体本体において動作時に生成される、または受信されるべきビームに対して不透過性である、
Ｈ２　オプトエレクトロニクス半導体素子（１）。」
３．引用文献の記載事項
（１）引用文献１及び引用発明１
ア　引用文献１には下記の記載がある（下線は当審が付した。以下同じ。）。
（ア）「【００１８】
　図１は本発明の第１実施形態に従う発光素子を示す側断面図であり、図２は図１の発光素子の底面図の例を示す図である。
【００１９】
　図１及び図２を参照すると、発光素子１００は、基板１１１、第１半導体層１１３、第１導電型半導体層１１５、活性層１１７、第２導電型半導体層１１９、反射電極層１３１、絶縁層１３３、第１電極１３５、第２電極１３７、第１連結電極１４１、第２連結電極１４３、及び支持部材１５１を含む。・・・
【００４９】
　
前記発光素子１００は、前記第１導電型半導体層１１５、活性層１１７、及び前記第２導電型半導体層１１９
発光構造物１２０
【００７４】
　前記支持部材１５１は発光素子１００を支持する支持層として使われる。前記支持部材１５１は絶縁性材質で形成され、前記絶縁性材質は、例えばシリコンまたはエポキシのような樹脂層で形成される。他の例として、前記絶縁性材質はペーストまたは絶縁性インキを含むことができる。・・・
【００７９】
　ここで、前記支持部材１５１の下面面積は、前記基板１１１の上面と実質的に同一な面積で形成される。前記支持部材１５１の下面面積は、前記第１導電型半導体層１１５の上面面積と実質的に同一な面積で形成される。また、前記支持部材１５１の下面幅は前記基板１１１の上面と前記第１導電型半導体層１１５の上面幅と同一な幅で形成される。これは、
支持部材１５１を形成した後、個別チップに分離することによって、前記支持部材１５１と前記基板１１１及び前記第１導電型半導体層１１５の側面が同一平面上に配置され
【００８６】
　前記の
発光素子１００
光が放出
【００８８】
　図３乃至図９は、本発明の第１実施形態に従う発光素子の製造過程を示す図である。以下の製造過程は説明の容易性のために個別素子として図示されたが、
ウエハレベルで製造され、個別素子は後述する処理工程を通じて製造される
【００８９】
　図３を参照すると、
基板１１１は成長装備にローディングされ、その上にＩＩ族乃至ＶＩ族元素の化合物半導体が層またはパターン形態に形成され
【００９０】
　ここで、前記
基板１１１
上面には凹凸パターンの
光抽出構造が形成され、
凹凸パターンは光の臨界角を変化させて光抽出効率を改善させる
【００９９】
　図４を参照すると、
発光構造物１２０
【０１０２】
　図５を参照すると、
前記発光構造物１２０の上
【０１０５】
　
前記第１導電型半導体層１１５の上に第１電極１３５を形成し、前記反射電極層１３１の上に第２電極１３７を形成
【０１０９】
　図６を参照すると、
前記第１電極１３５の上に第１連結電極１４１をボンディングし、前記第２電極１３７の上に第２連結電極１４３をボンディング
【０１１１】
　図７を参照すると、支持部材１５１は前記絶縁層１３３の上にスキージまたは／及びディスペンシング方式により形成する。前記支持部材１５１は、シリコンまたはエポキシのような樹脂物の内に熱拡散剤を添加して絶縁性支持層に形成される。・・・
【０１１９
】　図７のように製造された発光素子を１８０度回転させた後、図８のように前記基板１１１の上面Ｓ１、即ち半導体層が形成された面（下面）の反対側の面には第１エッチング方式により複数の突起１１を有する第１パターン部を形成するようになる。・・・
【０１２０】
　図９の発光素子は個別チップ単位でスクライビング、ブレーキングまたは／及びカッティングして、図１のような個別発光素子に提供できる。前記発光素子はウエハレベルでパッケージングされることで、モジュール基板の上に別途のワイヤー無しでフリップボンディング方式により搭載できる。図９の発光素子は、図１０のようにモジュール基板１７０の上に搭載されて発光モジュールのような装置に利用できる。」　
（イ）「【０１９２】
　図２５は、図１の
発光素子が搭載された発光素子パッケージ
【０１９３】
　図２５を参照すると、発光素子パッケージ２００は、胴体部２１１、前記胴体部２１１に設置された第１リード電極２１５及び第２リード電極２１７、モールディング部材２１９、及び発光素子１００を含む。
【０１９４】
　前記胴体部２１１は高反射樹脂系列（例；ＰＰＡ）、ポリマー系列、プラスチック系列のうちから選択的に射出成形されるか、単層または多層の基板積層構造で形成される。前記胴体部２１１は上部が開放されたキャビティ２１２を含み、前記キャビティ２１２の周り面は傾斜するか、キャビティ底面に対して垂直するように形成される。
【０１９５】
　前記キャビティ２１２には第１リード電極２１５及び第２リード電極２１７が配置され、前記第１リード電極２１５及び第２リード電極２１７は互いに離隔する。
【０１９６】
　前記第１リード電極２１５及び第２リード電極２１７の上に発光素子１００がフリップ方式によりボンディングされる。即ち、前記発光素子１００の第１連結電極１４１は第１リード電極２１５にボンディングされ、前記第２連結電極１４３は第２リード電極２１７にボンディングされる。
【０１９７】
　
前記第１リード電極２１５及び前記第２リード電極２１７の上面
発光素子１００の下面
第１連結電極１４１、第２連結電極１４３
【０１９８】
　前記発光素子１００の
支持部材１５１
【０１９９】
　前記キャビティ２１２の内には
モールディング部材２１９
前記モールディング部材２１９はシリコンまたはエポキシのような透光性樹脂材質で形成され
【０２００】
　
前記発光素子１００の内部で発生した光は発光素子１００の上面及び側面を通じて大部分の光が抽出され、前記抽出された光は前記モールディング部材２１９を通じて外部に放出
（ウ）「【０３０４】
　前記胴体部２１１は高反射樹脂系列（例；ＰＰＡ）、ポリマー系列、プラスチック系列のうちから選択的に射出成形されるか、単層または多層の基板積層構造で形成される。前記胴体部２１１は上部が開放されたキャビティ２１２を含み、前記
キャビティ２１２の周り面２１２Ａ
キャビティ底面に対して垂直
（エ）図１〜９及び図２５は次のとおりである。
（オ）上記（ア）ないし（ウ）の記載を踏まえて、上記（エ）の図１、３〜９及び２５をみると下記の各点を見てとることができる。
・支持部材１５１は、第１電極１３５と第１連結電極１４１、及び、第２電極１３７と第２連結電極１４３の間隙を満たすこと。
・個別チップに分離する（【００７９】）時に複数の支持部材１５１が形成され、前記支持部材１５１にはそれぞれ発光構造物１２０が割り当てられること。
（カ）上記（ア）ないし（ウ）の記載を踏まえて、上記（エ）の図２５をみると下記の各点を見てとることができる。
・発光構造物１２０の、基板１１１とは反対側に位置する面に第１連結電極１４１及び第２連結電極１４３が配置されていること。
・支持部材１５１が、発光構造物１２０の基板１１１とは反対側に配置されており、かつ発光構造物１２０および第１連結電極１４１及び第２連結電極１４３に接していること。・モールディング部材２１９が、部分的に、支持部材１５１および発光構造物１２０に接していること。
・支持部材１５１とモールディング部材２１９は部分的に、基板１１１とは反対側に位置する第１リード電極２１５及び第２リード電極２１７の上面に接する発光素子１００の下面と同じ高さの面を形成する（【０１９７】）こと。
イ　上記アによれば、引用文献１には下記の各発明（以下それぞれ「引用発明１」及び「引用発明１´」という。）が記載されていると認められる（ａ１〜ｈ１及びａ２〜ｈ２は、それぞれ構成Ａ１〜Ｈ１、及びＡ２〜Ｈ２に対応させて当審が付した。）。
・（引用発明１）
「ａ１　複数の発光素子１００が搭載された発光素子パッケージ２００を製造する方法であって、当該方法は、
ｂ１　ウエハレベルで製造され（【００８８】）、上にＩＩ族乃至ＶＩ族元素の化合物半導体が層またはパターン形態に形成され（【００８９】）、当該化合物半導体は、第１導電型半導体層１１５、活性層１１７及び第２導電型半導体層１１９を発光構造物１２０とする発光素子１００である（【００４９】）基板１１１を準備するステップ、
ｃ１　前記第１導電型半導体層１１５の上に第１電極１３５を形成し、前記反射電極層１３１の上に第２電極１３７を形成し（【０１０５】）、前記第１電極１３５の上に第１連結電極１４１をボンディングし、前記第２電極１３７の上に第２連結電極１４３をボンディングするステップ（【０１０９】）、
ｄ１　第１電極１３５と第１連結電極１４１、及び、第２電極１３７と第２連結電極１４３の間隙を支持部材１５１で満たすステップ（上記「ア」「（オ）」）、
ｅ１　支持部材１５１を形成した後、個別チップに分離するステップを有しており（【００７９】）、
ｆ１　個別チップに分離する時に複数の支持部材１５１が形成され、前記支持部材１５１にはそれぞれ発光構造物１２０が割り当てられ（上記「ア」「（オ）」）、
ｇ１　個別チップに分離した後に、シリコンまたはエポキシのような透光性樹脂材質で形成され（【０１９９】）、前記発光素子１００の内部で発生した光は発光素子１００の上面及び側面を通じて大部分の光が抽出され、前記抽出された光は前記モールディング部材２１９を通じて外部に放出（【０２００】）されるモールディング部材２１９によって包囲され、前記モールディング部材２１９は、前記接続面が完全に覆われるように形成される、
ｈ１　複数の発光素子１００が搭載された発光素子パッケージ２００を製造する方法。」　
・（引用発明１´）
「ａ２　発光素子１００が搭載された発光素子パッケージ２００であって、当該発光素子パッケージ２００は（【０１９２】）、
ｂ２　光を放出する（【００８６】）前記発光素子１００は、第１導電型半導体層１１５、活性層１１７及び第２導電型半導体層１１９からなる発光構造物１２０と（【００４９】）、
ｃ２　上面には凹凸パターンの光抽出構造が形成され、前記凹凸パターンが光の臨界角を変化させて光抽出効率を改善させる基板１１１と（【００９０】）、
ｄ２　前記発光構造物１２０の、基板１１１とは反対側に位置する面に配置されている第１連結電極１４１及び第２連結電極１４３と（上記「ア」「（カ）」）、
ｅ２　前記発光構造物１２０の基板１１１とは反対側に配置されており、かつ発光構造物１２０および第１連結電極１４１及び第２連結電極１４３に接している支持部材１５１と（上記「ア」「（カ）」）、
ｆ２　部分的に、支持部材１５１および発光構造物１２０に接し（上記「ア」「（カ）」）、発光素子パッケージ２００を基板１１１に平行に延在する図面視横方向において制限する垂直なキャビティ２１２の周り面２１２Ａを形成する（【０３０４】）、シリコンまたはエポキシのような透光性樹脂材質で形成され（【０１９９】）、前記発光素子１００の内部で発生した光は発光素子１００の上面及び側面を通じて大部分の光が抽出され、前記抽出された光は前記モールディング部材２１９を通じて外部に放出（【０２００】）するモールディング部材２１９と、
ｇ２　支持部材１５１とモールディング部材２１９は部分的に、基板１１１とは反対側に位置する第１リード電極２１５及び第２リード電極２１７の上面に接する発光素子１００の下面と同じ高さの面を形成する（【０１９７】）
ｈ２　発光素子１００が搭載された発光素子パッケージ２００（【０１９２】）。」
（２）引用文献２及び引用発明２
ア　引用文献２には下記の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、照明器具、ディスプレイ、携帯電話のバックライト、動画照明補助光源、その他の一般的民生用光源などに用いられる発光装置及びその製造方法に関する。」　
（イ）「【００１５】
　（発光装置の構造）
　本実施の形態の
発光装置１００
発光素子１０４と
接着部材１０３と、
　発光素子１０４の正電極１０４ａ及び負電極１０４ｂには、Ａｕ等の金属バンプ１０５が設けられていてもよい。この場合、発光素子１０４の正電極１０４ａ及び負電極１０４ｂは、
金属バンプ１０５
　また、発光装置１００は、発光素子１０４とともに、第１導電部材１０１及び第２導電部材１０２の少なくとも一面を被覆する
封止部材１０６
封止部材１０６は、発光装置１００の上面、側面及び下面の一部を形成している
【００２４】
　（ダイボンディング工程）
　次いで、第１導電部材及び第２導電部材の上に、接着部材を介して発光素子を載置する。接着部材は、第１導電部材及び第２導電部材と、発光素子との間に介在するように形成する。
【００２５】
　図４（ｄ）は、第１導電部材及び第２導電部材の上に、接着部材を設けた状態を示している。接着部材を形成する方法としては、ディスペンス、ピン転写、印刷等が挙げられる。
【００２６】
　接着部材は、異方性導電材料を用いることが好ましい。異方性導電材料は、樹脂ボールを金属層で覆った導電性フィラーや、さらにこの金属層の外郭を絶縁膜で覆った導電性フィラーなどを、樹脂などの絶縁部材に混合したものをいう。
　接着部材は、ペースト状、固体状（シート状、ブロック状、粉末状）のものを用いることができ、特にペースト状が好ましい。接着部材の形状は、接着部材の組成や導電部材の形状、発光素子の電極の形状等に応じて、適宜選択することができる。・・・
【００３０】
　（封止部材形成工程）
　次に、発光素子を被覆する封止部材をトランスファモールド、ポッティング、印刷などの方法で形成する。図４（ｆ）は、発光素子の上に封止部材を形成した状態を示す図である。封止部材は、上面を平坦な面としてもよく、或いは、中央が凹んだ、又は突出したような曲面状に形成してもよい。また、封止部材は、１層構造、又は組成が異なる２層以上の多層構造としてもよい。」
（ウ）図２は次のとおりである。
【図２】
（エ）上記（ア）及び（イ）の記載を踏まえて、上記（ウ）の図２をみると下記の各点を見てとることができる。
・発光素子１０４の封止部材１０６側は光透過面であること。
・金属バンプ１０５は、発光素子１０４の光透過面とは反対側に位置する面に配置されていること。
・接着部材１０３は、発光素子１０４の、光透過面とは反対側に配置されており、かつ発光素子１０４および金属バンプ１０５に接していること。
・封止部材１０６は、発光装置１００を光透過面に平行に延在する図面視横方向において制限する発光装置１００の側面を形成し、かつ部分的に、接着部材１０３および発光素子１０４に接していること。
・接着部材１０３と封止部材１０６は部分的に、光透過面とは反対側に位置する背面を形成すること。
イ　上記アによれば、引用文献２には下記の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる（ａ３〜ｈ３は、それぞれ構成Ａ２〜Ｈ２に対応させて当審が付した。）。
「ａ３　発光装置１００であって、当該発光装置１００は、
ｂ３　発光素子１０４と、
ｃ３　発光素子１０４の封止部材１０６側が光透過面であり、
ｄ３　前記発光素子１０４の、前記光透過面とは反対側に位置する面に配置されている金属バンプ１０５と、
ｅ３　前記発光素子１０４の、前記光透過面とは反対側に配置されており、かつ前記発光素子１０４および前記金属バンプ１０５に接している接着部材１０３と、
ｆ２　前記発光装置１００を光透過面に平行に延在する図面視横方向において制限する発光装置１００の側面を形成し、かつ部分的に、接着部材１０３および発光素子１０４に接している封止部材１０６とを有しており、
ｇ３　前記接着部材１０３と前記封止部材１０６は部分的に、光透過面とは反対側に位置する背面を形成する、
ｈ３　発光装置１００。」
４．引用発明との対比・判断
（１）本件発明１と引用発明１との対比
ア　対比
　本件発明１と引用発明１を対比すると、引用発明１の「発光素子１００が搭載された発光素子パッケージ２００」、「発光構造物１２０」、「第１電極１３５、第１連結電極１４１、第２電極１３７及び第２連結電極１４３」、「支持部材１５１」及び「モールディング部材２１９」は、本件発明１の「オプトエレクトロニクス半導体素子（１）」、「複数の素子領域（３）、半導体層列（２０）を備える結合体（３０）、及び、半導体本体（２）」、「接続面（４）」、「成形材料（５０）」及び「別の結合体（３５）、及び、別の成形材料（５５０）」にそれぞれ相当するから、引用発明１の構成ａ１ないしｆ１及びｈ１は、本件発明１の構成Ａ１ないしＦ１及びＨ１にそれぞれ相当する。
　したがって、本件発明１と引用発明１は、下記点で相違し、その余の点で一致する。
・相違点１
「前記半導体本体および前記成形体は、ステップｄ）の後、別の結合体（３５）を形成するために、別の成形材料（５５０）によって包囲され」た後、本件発明１は、「前記成形材料および前記別の成形材料は、前記半導体本体において生成される、または受信されるべきビームに対して不透過性であり、前記別の成形材料は、前記半導体層列とは反対側に位置する面で前記別の成形材料によって前記接続面が完全に覆われるように形成され、かつ前記接続面は前記別の結合体の分断の前に、別のステップにおいて露出され」るのに対して、引用発明１は、このような工程を備えないとともに、「モールディング部材２１９」は、「シリコンまたはエポキシのような透光性樹脂材質で形成され、前記発光素子１００の内部で発生した光は発光素子１００の上面及び側面を通じて大部分の光が抽出され、前記抽出された光は前記モールディング部材２１９を通じて外部に放出」（構成ｇ１）するものである点。
イ　判断
　相違点１について
　引用発明１の「モールディング部材２１９」は、「シリコンまたはエポキシのような透光性樹脂材質で形成され、前記発光素子１００の内部で発生した光は発光素子１００の上面及び側面を通じて大部分の光が抽出され、前記抽出された光は前記モールディング部材２１９を通じて外部に放出」する部材（構成ｇ１）であるから、当該「モールディング部材２１９」を「前記半導体本体において生成される、または受信されるべきビームに対して不透過性」の部材とすることは想定されない。
　また、引用文献１の記載を見ても、引用発明１において、「モールディング部材２１９」を「前記半導体本体において生成される、または受信されるべきビームに対して不透過性」の部材とした上で、上記相違点１に係る本件発明１の構成となすことが容易に想到し得たことであったとする証拠も見当たらない。
　したがって、引用発明１において、「モールディング部材２１９」を「前記半導体本体において生成される、または受信されるべきビームに対して不透過性」の部材とした上で、上記相違点１に係る本件発明１の構成となす動機も見当たらない。
　よって、本件発明１は、当業者であっても引用発明１に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）本件発明１０と引用発明１´との対比
ア　対比
　本件発明１０と引用発明１´を対比すると、引用発明１´の「発光素子１００が搭載された発光素子パッケージ２００」、「発光構造物１２０」、「基板１１１」、「第１連結電極１４１及び第２連結電極１４３」、「支持部材１５１」及び「モールディング部材２１９」は、本件発明１０の「オプトエレクトロニクス半導体素子（１）」、「半導体本体（２）」、「ビーム透過面（１０）」、「接続面（４）」、「成形体（５）」及び「別の成形体（５５）」にそれぞれ相当するから、引用発明１´の構成ａ２ないしｈ２は、本件発明１０の構成Ａ２〜Ｇ２及びＨ２にそれぞれ相当する。
　したがって、本件発明１０と引用発明１´は、下記点で相違し、その余の点で一致する。
・相違点２
　本件発明１０の「前記成形体および前記別の成形体」は、「前記半導体本体において動作時に生成される、または受信されるべきビームに対して不透過性である」のに対して、引用発明１´の「モールディング部材２１９」は、「シリコンまたはエポキシのような透光性樹脂材質で形成され、前記発光素子１００の内部で発生した光は発光素子１００の上面及び側面を通じて大部分の光が抽出され、前記抽出された光は前記モールディング部材２１９を通じて外部に放出」（構成ｆ２）するものである点。
イ　判断
　相違点２について
　引用発明１´の「モールディング部材２１９」は、「シリコンまたはエポキシのような透光性樹脂材質で形成され、前記発光素子１００の内部で発生した光は発光素子１００の上面及び側面を通じて大部分の光が抽出され、前記抽出された光は前記モールディング部材２１９を通じて外部に放出」する部材（構成ｆ２）であるから、当該「モールディング部材２１９」を「前記半導体本体において動作時に生成される、または受信されるべきビームに対して不透過性である」の部材とすることは想定されない。
　また、引用文献１の記載を見ても、引用発明１において、「モールディング部材２１９」を「前記半導体本体において生成される、または受信されるべきビームに対して不透過性」の部材することが周知の技術事項であった、あるいは、容易に想到し得た事項であるとする証拠も見当たらない。
　そして、引用発明１´において、「モールディング部材２１９」を「前記半導体本体において生成される、または受信されるべきビームに対して不透過性」とした上で、上記相違点２に係る本件発明１０の構成となす動機も見当たらない。
　したがって、引用発明１´は本件発明１０ではない。また、本件発明１０は、当業者であっても引用発明１´に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（３）本件発明１０と引用発明２との対比
ア　対比
　本件発明１０と引用発明２を対比すると、引用発明２の「発光装置１００」、「発光素子１０４」、「光透過面」、「金属バンプ１０５」、「接着部材１０３」及び「封止部材１０６」は、本件発明１０の「オプトエレクトロニクス半導体素子（１）」、「半導体本体（２）」、「ビーム透過面（１０）」、「接続面（４）」、「成形体（５）」及び「別の成形体（５５）」にそれぞれ相当するから、引用発明２の構成ａ３ないしｈ３は、本件発明１０の構成Ａ２〜Ｇ２及びＨ２にそれぞれ相当する。
　したがって、本件発明１０と引用発明２は、下記点で相違し、その余の点で一致する。
・相違点３
　本件発明１０の「前記成形体および前記別の成形体」は、「前記半導体本体において動作時に生成される、または受信されるべきビームに対して不透過性である」のに対して、引用発明２の「封止部材１０６」は、このように特定されない点。
イ　判断
　相違点３について
　引用発明２の「封止部材１０６」に関して、「発光素子１０４の封止部材１０６側が光透過面であ」（構成ｃ３）るから、当該「封止部材１０６」を「前記半導体本体において動作時に生成される、または受信されるべきビームに対して不透過性である」部材とすることは想定されない。
　また、引用文献２の記載を見ても、引用発明２において、「封止部材１０６」を「前記半導体本体において動作時に生成される、または受信されるべきビームに対して不透過性である」の部材することが周知の技術事項であった、あるいは、容易に想到し得た事項であるとする証拠も見当たらない。
　そして、引用発明２において、「封止部材１０６」を「前記半導体本体において動作時に生成される、または受信されるべきビームに対して不透過性である」部材となし、上記相違点３に係る本件発明１０の構成となす動機も見当たらない。
　したがって、引用発明２は本件発明１０ではない。また、本件発明１０は、当業者であっても引用発明２に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（４）本件発明２〜９、１１〜１７について
　本件発明２ないし９は本件発明１を減縮した発明であり、本件発明１１ないし１７は本件発明１０を減縮した発明である。
　したがって、上記（１）における本件発明１と同じ理由により、本件発明２〜９は、当業者であっても引用発明１に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　また、上記（２）及び（３）における本件発明１０と同じ理由により、引用文献１´あるいは引用発明２は、本件発明１１〜１７ではなく、また、本件発明１１〜１７は、当業者であっても引用発明１´あるいは引用発明２に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
５．当審拒絶理由の概要及び当審拒絶理由についての判断
　当審拒絶理由は、（平成３０年１１月２０日付けの手続補正により補正された）請求項１ないし１９に係る発明に関して、請求項１ないし１０に係る発明は、引用発明１及び引用文献１に記載されている事項に基づいて、当業者であれば容易になし得たものであり、請求項１１ないし１９に係る発明は、引用発明１´及び引用文献１に記載されている事項に基づいて、あるいは、引用発明２及び引用文献２に記載されている事項に基づいて、当業者であれば容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないというものである。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
引用文献１．特開２０１３−１０６０４８号公報
引用文献２．特開２０１１−１８１６５５号公報
　しかしながら、上記「４」「（１）」及び「（４）」で検討したとおり、本件発明１ないし９は、当業者であっても引用発明１及び引用文献１に記載されている事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　また、上記「４」「（２）」ないし「（４）」で検討したとおり、引用文献１´あるいは引用発明２は、本件発明１１〜１７ではなく、また、本件発明１１〜１７は、当業者であっても引用発明１´及び引用文献１に記載されている事項に基づいて、あるいは、引用発明２及び引用文献２に記載されている事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　したがって、本件補正により当審拒絶理由は解消された。
６．原査定の概要及び原査定についての判断
（１）原査定は、（平成３０年１１月２０日付けの手続補正により補正された）請求項１ないし１９に係る発明に関して、引用文献１´〜３´に記載された事項に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
引用文献１´．国際公開第２００６／０３５６６４号
引用文献２´．特開２０１２−２２２３２０号公報
引用文献３´．特開２０１３−２０１２７３号公報
（２）引用文献１´ないし３´の記載事項
（２−１）引用文献１´
ア　引用文献１´には下記の記載がある。
（ア）「［００２６］《第１実施形態》
　図１は本発明の第１実施形態に係る半導体発光素子の一例であるＬＥＤチップ１を配線基板４０に導電性接着材料層の一例であるはんだ３１を介して実装した発光装置を示す縦断面図であり、図２はＬＥＤチップ１の底面図である。図１は図２中のＡ−Ａ線の位置における断面を模式的に示している。なお、図１の断面図は、本発明の理解を容易にするために、一部誇張して表現している。以下、図の下方向に各層、及び各電極を積層していくように説明する。
［００２７］　図１において、
ＬＥＤチップ１
素子基板１１と、素子基板１１を覆うように素子基板１１上に形成されたｎ型半導体層１２と、ｎ型半導体層１２の角部のｎ電極用領域１２ａを除いたｎ型半導体層１２のｐ型半導体層用領域１２ｂ上に形成されたｐ型半導体層１３と、ｎ電極用領域１２ａ上に形成された第１ｎ電極１４と、ｐ型半導体層１３上に形成された第１ｐ電極１５とにより構成される基礎チップ１０（図３参照）を備え
［００２８］　また、
ＬＥＤチップ１は、第１ｎ電極１４及び第１ｐ電極１５を覆うとともに、第１ｎ電極１４と第１ｐ電極１５とを絶縁するように形成された第１絶縁層１６と、第１絶縁層１６上
に形成され、第１絶縁層１４を貫通して第１ｎ電極１４に電気的に接続された第２ｎ電極１７及び第１ｐ電極１５に電気的に接続された第２ｐ電極１８を備えている
［００２９］　素子基板１１は、例えばサファイアにて形成された大略正四角形状の光透過性の基板である。ｎ型半導体層１２は、素子基板１１の（図１における）下面１１ａの全面を覆うように形成されている。ｐ型半導体層１３は、ｎ型半導体層１２のｐ型半導体層用領域１２ｂを覆うように形成されている。第１ｎ電極１４は、ｎ電極用領域１２ａの大略全面を覆うように、スパッタリングやメッキなどにより、例えば厚さ０．１μｍ〜０．３μｍ程度の薄膜で形成されている。ｎ電極用領域１２ａは、発光面であるｐｎ接合部２３の面積を大きく取るために、図２に示すように、ｐ型半導体層用領域１２ｂよりも十分に小さい領域（例えば、ｐ型半導体層用領域の１０％）とされている。第１ｐ電極１５は、ｐ型半導体層１３の大略全面を覆うように、スパッタリングやメッキなどにより、例えば厚さ０．１μｍ〜０．３μ程度の薄膜から形成されている。第１ｎ電極１４の下面１４ａと第１ｐ電極１５の下面１５ａとは、素子基板１１の下面１１ａを基準として大略同じ高さとなるように形成されている。
［００３０］　第１絶縁層１６は、電気的リークや静電気破壊などを抑制するために、第１ｎ電極１４と１ｐ電極１５との間、及び第１ｎ電極１４の下面１４ａ及び第１ｐ電極１５の下面１５ａの大略全面を覆うように形成されている。また、第１絶縁層１６は、このように形成されることで、後述する第２ｎ電極１７と第１ｐ電極１５とが接続されないようにしている。つまり、後述する第２ｎ電極１７と第１ｐ電極１５とを絶縁する。第１絶縁層１６は、シリコンの酸化膜や窒化膜などで形成され、例えば０．１μｍ〜０．３μの厚さに形成されている。第１絶縁層１６には、ｎ電極用開口１６ａと複数のｐ電極用開口１６ｂとがそれぞれ設けられている。
［００３１］第２ｎ電極１７と第２ｐ電極１８とは、第１絶縁層１６上にスパッタリングやメッキなどにより、例えば厚さ０．１μｍ〜０．３μ程度の薄膜で形成され、図２に示すように、素子基板１１の一つの対角線部を挟んで二等辺三角形状で大略同じ大きさとなるように形成されている。すなわち、第２ｎ電極１７の下面１７ａはｎ型半導体層１２と第１ｎ電極１４との接合面よりも面積が大きくされ、その分、第２ｐ電極１８の下面１８ａはｎ型半導体層１２とｐ型半導体層との接合面よりも面積が小さくされている。換言すれば、ＬＥＤチップ１では第１ｎ電極１４と第１ｐ電極１５とが、ほぼ同サイズに形成された第２ｎ電極１７と第２ｐ電極１８とへとそれぞれ配置を変えている。そして、第２ｎ電極１７は第１絶縁層１６のｎ電極用開口１６ａを介して第１ｎ電極１４に電気的に接続され、第２ｐ電極１８は複数のｐ電極用開口１６ｂを介して第１ｐ電極１５に電気的に接続されている。このとき、第２ｎ電極１７の下面１７ａと第２ｐ電極１８の下面１８ａとは、素子基板１１を基準として大略同じ高さとなるように形成されている。なお、ＬＥＤチップ１の各層及び各界面には電極と面との接合を強化したり、絶縁を強化する等のために、必要に応じて非常に薄Ｖ、他の層や膜を設けてもよい。
［００３２］本第１実施形態に係るＬＥＤチップ１は、以上のように構成されている。」
（イ）「［００４３］　次いで、上記のようにして製造したＬＥＤチップ１の集合体を、図６及び図７の一点鎖線Ｘ−Ｘの位置でダイシングにより切断し、１個１個のＬＥＤチップ１に分割する（ステツプＳ１５）。これにより、ＬＥＤチップ１の製造が完了する。なお、上記ＬＥＤチップ１の製造工程においては、第２ｎ電極１７及び第２ｐ電極１８がスパッタリングを利用して形成されると説明したが、これらの電極はメツキ（及び付随する処理）によって形成してもよい。」
（ウ）図１及び７は次のとおりである。
［図１］
［図７］
イ　上記アによれば、引用文献１´には下記の各発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる（ａ３ないしｃ３は、引用発明３を分説するために当審が付した。）。
「ａ３　素子基板１１と、素子基板１１を覆うように素子基板１１上に形成されたｎ型半導体層１２と、ｎ型半導体層１２の角部のｎ電極用領域１２ａを除いたｎ型半導体層１２のｐ型半導体層用領域１２ｂ上に形成されたｐ型半導体層１３と、ｎ電極用領域１２ａ上に形成された第１ｎ電極１４と、ｐ型半導体層１３上に形成された第１ｐ電極１５とにより構成される基礎チップ１０を備え（［００２７］）、
ｂ３　第１ｎ電極１４及び第１ｐ電極１５を覆うとともに、第１ｎ電極１４と第１ｐ電極１５とを絶縁するように形成された第１絶縁層１６と、第１絶縁層１６上に形成され、第１絶縁層１４を貫通して第１ｎ電極１４に電気的に接続された第２ｎ電極１７及び第１ｐ電極１５に電気的に接続された第２ｐ電極１８を備えている（［００２８］）、
ｃ３　ＬＥＤチップ１。」
（２−２）引用文献２´
ア　引用文献２´には下記の記載がある。
（ア）「【００８７】
　図３は、図２に示される発光素子転写シート１０の製造方法を示す工程図である。
【００８８】
　次に、上記した
発光素子転写シート１０を製造する方法
【００８９】
　この方法では、
まず、
発光素子シート１１を用意
【００９０】
　発光素子シート１１は、
複数
の発光素子３を一体的に備える発光素子３の集合体シートであって、
分割されることによって複数
の発光素子３を形成する
【００９１】
　具体的には、発光素子シート１１は、
面方向に長いシート状の光半導体層７
と、その光半導体層７の厚み方向一方側面
に、各発光素子３に対応するように接続された複数の電極部８と、光半導体層７の厚み方向他方側面
に積層された面方向に長いシート状の蛍光体層５とを備えている
【００９２】
　このような発光素子シート１１は、例えば、まず、上記した蛍光体組成物を、面方向に長いシート状に成形し、例えば、５０〜１５０℃に、加熱して乾燥することにより、蛍光体層５を形成し、次いで、蛍光体層５の厚み方向一方側面（裏面（図３（ａ）における下面））に、公知の方法により、面方向に長いシート状の光半導体層７を積層し、その後、光半導体層７の厚み方向一方側面（裏面（図３（ａ）における下面））に、電極部８を接続することにより、得ることができる。
【００９３】
　
次いで、
発光素子シート１１を複数に分割し、
【００９４】
　発光素子シート１１を分割する方法としては、特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
【００９５】
　なお、上記の分割によって得られた複数（例えば、８つ）の発光素子３を、次の工程（図３（ｂ）〜図３（ｄ））において、上下方向を反転させる。
【００９６】
　
次いで、
複数
の発光素子３を、離型基材１４上に、発光素子３の蛍光体層５が離型基材１４と対向するように、互いに間隔を隔てて配置
【００９７】
　なお、各発光素子３の間隔は、特に制限されず、目的および用途に応じて適宜設定される。
【００９８】
　
次いで、
離型基材１４上において、反射樹脂層４を、発光素子３を被覆するように、形成
【００９９】
　反射樹脂層４を形成する方法としては、特に制限されないが、例えば、上記した反射樹脂組成物を、例えば、印刷、ディスペンサなどの塗布方法により、離型基材１４の上に、発光素子３を被覆するように、塗布する。
【０１００】
　
次いで、
反射樹脂層４から電極部８の厚み方向一方側面
が露出するように、公知のエッチング法などによって、反射樹脂層４を一部除去する
【０１０１】
　詳しくは、電極部８の厚み方向一方側面（裏面（図３（ｄ）における上面））と、反射樹脂層４の厚み方向一方側面（裏面（図３（ｄ）における上面））とが面一となるように、反射樹脂層４を一部除去する。
【０１０２】
　これ
により、離型基材１４の上において、発光素子３を被覆するとともに、電極部８の厚み方向一方側面
を露出させるように、反射樹脂層４を形成し、発光素子転写シート１０を製造する
【０１０３】
　このような発光素子転写シート１０の製造方法およびそれにより得られる発光素子転写シート１０では、光反射成分を含有する反射樹脂層４を、発光素子３を被覆するように形成する。」
　
（イ）図３は次のとおりである。
イ　上記アによれば、引用文献２´には下記の事項（以下「引用文献２´に記載された事項」という。）が記載されていると認められる。
「まず、面方向に長いシート状の光半導体層７と、その光半導体層７の厚み方向一方側面に、各発光素子３に対応するように接続された複数の電極部８と、光半導体層７の厚み方向他方側面に積層された面方向に長いシート状の蛍光体層５とを備えている（【００９１】）、複数の発光素子３を一体的に備える発光素子３の集合体シートであって、分割されることによって複数の発光素子３を形成する（【００９０】）発光素子シート１１を用意し（【００８９】）、
　次いで、発光素子シート１１を複数に分割し（【００９３】）、
　次いで、複数の発光素子３を、離型基材１４上に、発光素子３の蛍光体層５が離型基材１４と対向するように、互いに間隔を隔てて配置（【００９６】）し、
　次いで、離型基材１４上において、反射樹脂層４を、発光素子３を被覆するように、形成し（【００９８】）、
　次いで、反射樹脂層４から電極部８の厚み方向一方側面が露出するように、公知のエッチング法などによって、反射樹脂層４を一部除去する（【０１００】）ことにより、離型基材１４の上において、発光素子３を被覆するとともに、電極部８の厚み方向一方側面を露出させるように、反射樹脂層４を形成し、発光素子転写シート１０を製造する（【０１０２】）、
　発光素子転写シート１０を製造する方法（【００８８】）。」
（２−３）引用文献３´
ア　引用文献３´には下記の記載がある。
「【００２９】
　以下、
半導体発光素子１１０の製造方法
【００３８】
　図３（ａ）に表したように、
支持基板１００の表面６ａの上に、粘着層７を形成
【００３９】
　
複数の半導体部品１００を粘着層７の上に並べ、複数の半導体部品１００を粘着層７によって支持基板６の表面６ａの上に固定する
により、加工体１０２を形成
これにより、加工体１０２
準備
【００４０】
　支持基板６には、例えば、シリコンウェーハ、ガラス基板、石英基板、セラミック基板またはポリテトラフルオロエチレン製基板などが用いられる。支持基板６に用いられる材料は、例えば、封止部４４を形成するための樹脂の硬化温度による変性、分解、及び、反りなどに耐えられる任意の材料でよい。支持基板６のＺ軸方向に見た形状は、円形状でもよいし、多角形状でもよい。粘着層７には、例えば、粘着剤、または、粘着剤を含む粘着シートなどが用いられる。粘着層７は、例えば、粘着剤を塗布したり、粘着シートを貼り付けたりすることによって形成される。粘着剤の塗布には、例えば、スピンコート法や印刷法などが用いられる。粘着シートの貼り付けには、例えば、ローラーラミネート法などが用いられる。粘着剤には、例えば、アクリル系粘着剤やゴム系粘着剤などが用いられる。
【００４１】
　複数の半導体部品１００は、発光部１５から放出される光のピーク波長に応じて、支持基板６の表面６ａの上に並べる。支持基板６には、例えば、１つのグループに属する複数の半導体部品１００を接着する。すなわち、支持基板６には、例えば、発光光のピーク波長の近い半導体部品１００を接着する。支持基板６に接着する１つのグループの半導体部品１００は、例えば、１つの成長用基板５から形成された半導体部品１００でもよいし、複数の成長用基板５から形成された半導体部品１００でもよい。支持基板６には、例えば、複数のグループの半導体部品１００をエリア毎に分けて接着してもよい。
【００４２】
　図３（ｂ）に表したように、
複数の半導体部品１００のそれぞれの上及び支持基板６の表面６ａの上
に、封止部４４となる樹脂膜４４ｆを形成
樹脂膜４４ｆは、複数の半導体部品１００のそれぞれの、発光部１５の側面１５ｓ、第１導電性ピラー４１の側面４１ｓ、及び、第２導電性ピラー４２の側面４２ｓを覆
樹脂膜４４ｆは、複数の半導体部品１００のそれぞれの、第１導電性ピラー４１の端部４１ａ、及び、第２導電性ピラー４２の端部４２ａも覆
樹脂膜４４ｆを塗布した後、樹脂膜４４ｆを硬化させ
【００４３】
　図３（ｃ）に表したように、例えば、
研削加工やウェットエッチング、または、ドライエッチングなどによって樹脂膜４４ｆの一部を削ることにより、第１導電性ピラー４１の端部４１ａ及び第２導電性ピラー４２の端部４２ａを露呈させる
（イ）図３は次のとおりである。
イ　上記アによれば、引用文献３´には下記の事項（以下「引用文献３´に記載された事項」という。）が記載されていると認められる。
「支持基板１００の表面６ａの上に、粘着層７を形成し（【００３８】）、
　複数の半導体部品１００を粘着層７の上に並べ、複数の半導体部品１００を粘着層７によって支持基板６の表面６ａの上に固定することにより、加工体１０２を形成し、これにより、加工体１０２を準備し（【００３９】）、
　複数の半導体部品１００のそれぞれの上及び支持基板６の表面６ａの上に、封止部４４となる樹脂膜４４ｆを形成し、樹脂膜４４ｆは、複数の半導体部品１００のそれぞれの、発光部１５の側面１５ｓ、第１導電性ピラー４１の側面４１ｓ、及び、第２導電性ピラー４２の側面４２ｓを覆い、樹脂膜４４ｆは、複数の半導体部品１００のそれぞれの、第１導電性ピラー４１の端部４１ａ、及び、第２導電性ピラー４２の端部４２ａも覆い、樹脂膜４４ｆを塗布した後、樹脂膜４４ｆを硬化させ（【００４２】）、
　研削加工やウェットエッチング、または、ドライエッチングなどによって樹脂膜４４ｆの一部を削ることにより、第１導電性ピラー４１の端部４１ａ及び第２導電性ピラー４２の端部４２ａを露呈させる（【００４３】）、
　半導体発光素子１１０の製造方法（【００２９】）。」
（３）引用発明３との対比・判断
（３−１）本件発明１について
ア　対比
　本件発明１と引用発明３を対比すると、引用発明３の「ＬＥＤチップ１」、「素子基板１１を覆うように素子基板１１上に形成されたｎ型半導体層１２と、ｎ型半導体層１２の角部のｎ電極用領域１２ａを除いたｎ型半導体層１２のｐ型半導体層用領域１２ｂ上に形成されたｐ型半導体層１３」、「ｎ電極用領域１２ａ上に形成された第１ｎ電極１４と、ｐ型半導体層１３上に形成された第１ｐ電極１５」及び「第１ｎ電極１４及び第１ｐ電極１５を覆うとともに、第１ｎ電極１４と第１ｐ電極１５とを絶縁するように形成された第１絶縁層１６」は、本件発明１の「オプトエレクトロニクス半導体素子（１）」、「複数の素子領域（３）、半導体層列（２０）を備える結合体（３０）、及び、半導体本体（２）」、「接続面（４）」及び「成形材料（５０）」にそれぞれ相当するから、引用発明３の構成ａ１ないしｃ３は、本件発明１の構成Ａ１〜Ｄ１及びＨ１にそれぞれ相当する。
　したがって、本件発明１と引用発明３は、下記各点で相違し、その余の点で一致する。
・相違点４
　本件発明１は、「ｄ）前記成形材料を備える前記結合体を個別化するステップを有しており」、「前記個別化時に前記成形材料から複数の成形体（５）が形成され、前記成形体（５）にはそれぞれ、前記結合体の素子領域から生じた半導体本体（２）が割り当てられて」いるのに対して、引用発明３は、このように特定されない点。
・相違点５
　本件発明１は「前記半導体本体および前記成形体は、ステップｄ）の後、別の結合体（３５）を形成するために、別の成形材料（５５０）によって包囲され、前記成形材料および前記別の成形材料は、前記半導体本体において生成される、または受信されるべきビームに対して不透過性であり、前記別の成形材料は、前記半導体層列とは反対側に位置する面で前記別の成形材料によって前記接続面が完全に覆われるように形成され、かつ前記接続面は前記別の結合体の分断の前に、別のステップにおいて露出される」のに対して、引用発明３は、このような別の成形材料（５５０）に係る構成を備えない点。
イ　判断
　事案に鑑みて、相違点４及び５をまとめて検討する。
　引用発明３は相違点４及び５に係る本件発明１の構成をいずれも備えていないところ、引用文献２´及び３´には、別の成形材料に相当する樹脂で覆うことが記載されるにとどまり（引用文献２´に記載された事項、引用文献３´に記載された事項）、引用発明３に引用文献２´に記載された事項及び引用文献３´に記載された事項を適用しても、上記相違点４及び５に係る本件発明１の構成の特に、「ｄ）前記成形材料を備える前記結合体を個別化するステップを有しており」、「前記半導体本体および前記成形体は、ステップｄ）の後、別の結合体（３５）を形成するために、別の成形材料（５５０）によって包囲され」「前記別の成形材料は、前記半導体層列とは反対側に位置する面で前記別の成形材料によって前記接続面が完全に覆われるように形成され、かつ前記接続面は前記別の結合体の分断の前に、別のステップにおいて露出される」構成とすることは想定されない。
　また、引用文献１´ないし３´の記載を見ても、引用発明３において、「ｄ）前記成形材料を備える前記結合体を個別化するステップを有しており」、「前記半導体本体および前記成形体は、ステップｄ）の後、別の結合体（３５）を形成するために、別の成形材料（５５０）によって包囲され」「前記別の成形材料は、前記半導体層列とは反対側に位置する面で前記別の成形材料によって前記接続面が完全に覆われるように形成され、かつ前記接続面は前記別の結合体の分断の前に、別のステップにおいて露出される」構成とすることが容易に想到し得た事項であるとする証拠も見当たらず、また、このような構成となす動機も見当たらない。
　したがって、本件発明１は、当業者であっても引用発明３及び引用文献２、３に記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（３−２）本件発明１０について
　本件発明１０は方法の発明である本件発明１のカテゴリーを物の発明としたものであるから、本件発明１と同じ理由により、本件発明１０は、当業者であっても引用発明３及び引用文献２、３に記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（３−３）本件発明２〜９、１１〜１７について
　本件発明２ないし９は本件発明１を減縮した発明であり、本件発明１１ないし１７は本件発明１０を減縮した発明である。
　したがって、上記（４−１）及び（４−２）における本件発明１ないし本件発明１０と同じ理由により、本件発明２〜９、１１〜１７は、当業者であっても引用発明３及び引用文献２、３に記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　
（４）小括
　以上（３）での検討によれば、原査定を維持することはできない。
７．むすび
　以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。