【事件の表示】
　特願２０１６−５７３６４２「半導体ウエハをプラズマ・ダイシングするための方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　９月１１日国際公開、ＷＯ２０１５／１３４１１１、平成２９年　６月　８日国内公表、特表２０１７−５１５３１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１５年１月２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１４年３月７日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成３０年１０月２６日付け：拒絶理由通知書
　平成３１年　１月２８日　　：意見書，手続補正書の提出
　平成３１年　２月１４日付け：拒絶査定
　令和　元年　６月２０日　　：審判請求書，手続補正書の提出
第２　本件補正について
　１　本件補正の内容
（１）　平成３１年１月２８日提出の手続補正書により補正された（以下「本件補正前」という。）特許請求の範囲の請求項１ないし２１は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　基板をプラズマ・ダイシングするための方法であって，
　壁を有する処理チャンバを設けるステップと，
　前記処理チャンバの前記壁に隣接してプラズマ源を設けるステップと，
　前記処理チャンバ内に加工物サポートを設けるステップと，
　フレームに取り付けられたサポート・フィルム上に中間リングと前記基板を置いて加工物を形成するステップと，
　前記処理チャンバ内の前記加工物サポート上に前記加工物を載せるステップと，
　前記プラズマ源によりプラズマを発生するステップと，
　前記発生されたプラズマにより前記加工物をエッチングするステップと，
　更なる処理のために前記処理チャンバ外に前記加工物を移送するステップと，
を含む，方法。
【請求項２】
　前記中間リングは，前記サポート・フィルムと接触する，請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　前記中間リングが所定の内径を有し，
　前記基板が外径を有することをさらに含み，
　前記中間リングの前記内径が，前記基板の前記外径よりサイズが大きい，請求項１に記載の方法。
【請求項４】
　前記中間リングは，前記基板と同一平面上に位置付けられる，請求項１に記載の方法。
【請求項５】
　前記中間リングは，１つ又は複数の部品をさらに含む，請求項１に記載の方法。
【請求項６】
　上側表面及び下側表面を有するサポート・フィルムをさらに含み，
　前記中間リングが，前記サポート・フィルムの前記上側表面上に位置付けられ，
　前記基板が，前記サポート・フィルムの前記上側表面上に位置付けられる，請求項１に記載の方法。
【請求項７】
　基板をプラズマ・ダイシングするための方法であって，
　壁を有する処理チャンバを設けるステップと，
　前記処理チャンバの前記壁に隣接してプラズマ源を設けるステップと，
　前記処理チャンバ内に加工物サポートを設けるステップと，
　フレームに取り付けられたサポート・フィルム上に中間リングと前記基板を置いて加工物を形成するステップと，
　前記プラズマ源と前記処理チャンバ内の前記加工物サポートとの間にカバー・リングを設けるステップと，
　前記処理チャンバ内の前記加工物サポート上に前記加工物を載せるステップと，
　前記プラズマ源によりプラズマを発生するステップと，
　前記発生されたプラズマにより前記加工物をエッチングするステップと，
　更なる処理のために前記処理チャンバの外に前記加工物を移送するステップと，を含む，方法。
【請求項８】
　前記中間リングは，前記カバー・リングに重ならない，請求項７に記載の方法。
【請求項９】
　前記中間リングは，前記カバー・リングに重なる，請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
　前記中間リングが所定の内径を有し，
　前記基板が外径を有し，
　前記中間リングの前記内径が，前記基板の前記外径よりサイズが大きい，請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
　前記中間リングは，前記基板と同一平面上に位置付けられる，請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
　前記中間リングはさらに，１つ又は複数の部品からなる，請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
　サポート・フィルムが上側表面及び下側表面を有し，
　前記中間リングが，前記サポート・フィルムの前記上側表面上に位置付けられ，前記基板が，前記サポート・フィルムの前記上側表面上に位置付けられる，請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
　基板をプラズマ・ダイシングするための方法であって，
　壁を有する処理チャンバを設けるステップと，
　前記処理チャンバの前記壁に隣接してプラズマ源を設けるステップと，
　前記処理チャンバ内に加工物サポートを設けるステップであって，前記加工物サポートは，静電チャックを有する，ステップと，
　フレームに取り付けられたサポート・フィルム上に中間リングと前記基板を置いて加工物を形成するステップと，
　前記処理チャンバ内の前記加工物サポート上に前記加工物を載せるステップと，
　前記プラズマ源によりプラズマを発生するステップと，
　前記発生されたプラズマにより前記加工物をエッチングするステップと，
　更なる処理のために前記処理チャンバの外に前記加工物を移送するステップと，を含む，方法。
【請求項１５】
　前記静電チャックが少なくとも１つのクランプ電極を有し，
　前記中間リングが，前記静電チャックの前記クランプ電極に重なる，請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
　前記静電チャックが少なくとも１つのクランプ電極を有し，
　前記中間リングが，前記静電チャックの前記クランプ電極に全面的に重なる，請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
　前記中間リングが所定の内径を有し，
　前記基板が外径を有し，
　前記中間リングの前記内径が，前記基板の前記外径よりサイズが大きい，請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
　前記中間リングは，前記基板と同一平面上に位置付けられる，請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
　前記中間リングはさらに，１つ又は複数の部品からなる，請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
　サポート・フィルムが上側表面及び下側表面を有し，
　前記中間リングが，前記サポート・フィルムの前記上側表面上に位置付けられ，
　前記基板が，前記サポート・フィルムの前記上側表面上に位置付けられる，請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
　基板をプラズマ・ダイシングするための方法であって，
　剛体フレームに取り付けられた柔軟な膜上に中間リングと少なくとも１つの基板が配置される加工物を組み立てるステップと，
　前記加工物を処理チャンバの内部に移送するステップと，
　前記処理チャンバの内部で前記加工物の前記基板をプラズマに晒すステップと，
　前記剛体フレームを除去することによって前記加工物を修正するステップと，
　プラズマを使用して前記修正加工物を処理するステップと，
　更なる処理のために前記処理チャンバの外に前記加工物を移送するステップと，を含む，方法。」
（２）　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１（以下「本願発明１」という。）は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　基板をプラズマ・ダイシングするための方法であって，
　壁を有する処理チャンバを設けるステップと，
　前記処理チャンバの前記壁に隣接してプラズマ源を設けるステップと，
　前記処理チャンバ内に加工物サポートを設けるステップと，
　フレームに取り付けられたサポート・フィルム上に中間リングと前記基板を置いて加工物を形成するステップと，
　前記処理チャンバ内の前記加工物サポート上に前記加工物を載せるステップと，
　前記プラズマ源によりプラズマを発生するステップと，
　前記発生されたプラズマにより前記加工物をエッチングするステップと，
　更なる処理のために前記処理チャンバ外に前記加工物を移送するステップと，
を含む，方法。」
　２　補正の適否について 
　本件補正は，本件補正前の特許請求の範囲について補正しようとするものであるところ，本件補正は，本件補正前の請求項２ないし２１を削除するものであるから，本件補正は，特許法１７条の２第５項１号に掲げる，同法３６条５項に規定する請求項の削除を目的とする補正である。
　したがって，本件補正は適法になされたものである 。
第３　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１に係る発明は，本願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用文献１．国際公開第２０１２／１２５５６０号
引用文献２．米国特許第５３８９１８２号明細書
第４　引用文献の記載及び引用発明
　１　引用文献１の記載
　引用文献１には，以下の事項が記載されている。（日本語訳は，対応する日本語公報である，特表２０１４−５１３８６８号公報に基づく。） 
「
The present invention describes a plasma processing apparatus which allows for plasma dicing of a semiconductor substrate.
The substrate/tape/frame assembly is transferred into a vacuum processing chamber and exposed to reactive gas plasma where the unprotected areas between the die are etched away.
During this process, the frame and tape are protected from damage by the reactive gas plasma
The processing leaves the die completely separated.
After transfer of the substrate/tape/frame assembly out of the process chamber, the die are removed from the tape using well known techniques and are then further processed (e.g., packaged) as necessary.
　Another feature of the present invention is to provide 
a method for plasma dicing a substrate.
A process chamber having a wall with a plasma source adjacent to the wall of the process chamber is provided.
A work piece support within the process chamber is provided.
The work piece can be formed by adhering the substrate to a support film and then mounting the substrate with the support film to a frame.
The work piece is then loaded onto the work piece support for plasma processing.
A cover ring is disposed above the work piece.
A plasma is generated through the plasma source whereby the work piece is etched through the generated plasma.
（日本語訳：「
本発明は，半導体基板のプラズマ・ダイシングを可能にするプラズマ処理装置について記載する
基板／テープ／フレーム・アセンブリは，真空の処理チャンバ内へ移動され
反応ガス・プラズマに露出されて，ダイ間の保護されていない領域がエッチング除去される。この処理中，フレーム及びテープは，反応ガス・プラズマによる損傷から保護される。この処理により，ダイは完全に分離される
基板／テープ／フレーム・アセンブリを処理チャンバから移動させた後，ダイはよく知られている技法を使用してテープから取り外され，次いで必要に応じてさらに処理（たとえばパッケージング）される
　本発明の別の特徴は，
基板をプラズマ・ダイシングする方法
壁を有する処理チャンバが供給され
処理チャンバの壁にプラズマ源が隣接している
処理チャンバ内の加工物支持部が供給される
加工物は，基板を支持フィルムに接着させ，次いで基板を支持フィルムとともにフレームに取り付けることによって形成することができる
加工物は，プラズマ処理のために加工物支持部上へロードされる
加工物の上にカバー・リングが配置される
プラズマ源によってプラズマが生成され
それによって加工物は，生成されたプラズマによってエッチングされる
「In Figure 8, 
the dimension (D) represents the distance between the outer diameter of the substrate (1) and the inner diameter of the frame (6). This may be 20 mm to 30 mm (e.g., Disco Corporation dicing frame is 250 mm for 200 mm substrates, so that the dimension (D) is nominally 25 mm).
the cover ring inner diameter should be greater than the diameter of the substrate (1) with a preferred diameter 5 mm greater than the substrate (e.g., 205 mm cover ring inner diameter for 200 mm substrate).
（日本語訳：図８では，
寸法（Ｄ）は，基板（１）の外径とフレーム（６）の内径との間の距離を表す。これは２０ｍｍ〜３０ｍｍとすることができる（たとえば，Ｄｉｓｃｏ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎのダイシング・フレームは２００ｍｍの基板に対して２５０ｍｍであり，したがって寸法（Ｄ）は公称で２５ｍｍである）
カバー・リングの内径は，基板（１）の直径より大きくするべきであり，好ましい直径は基板より５ｍｍ大きい（たとえば，２００ｍｍの基板の場合，カバー・リングの内径は２０５ｍｍである）
「Additional cooling of the substrate (1) is provided by the use of an Electrostatic chuck (ESC) (16). Such ESCs (16) are commonly used in semiconductor processing to apply downward force to the substrate (1) while a pressurized gas such as Helium is maintained between the substrate (1) and the electrode. This ensures that heat transfer can occur between the substrate (1) and the electrode, which is cooled. Typically, ESCs (16) are the same diameter or smaller than the substrate (1) to prevent unwanted exposure of the ESC (16) surface to potentially corrosive plasma gases that can decrease the lifetime of the ESC (16). With a substrate/tape/frame assembly (1A), the area outside the diameter of the substrate (1) is tape (5). Using a typical ESC (16), because the cover ring (20) is larger than the diameter of the substrate (1), 
there would be an area of tape (5) exposed to the plasma process that is not being clamped and cooled by the ESC (16) or being shielded from the plasma (7) by the cover ring (20).
Such an area of tape (5) would reach a high temperature and possibly fail.
　Figure 8 shows 
a filler ring (18) that extends from the outer diameter of the ESC (16) to the lifting mechanism (17).
This filler ring (18) is used to prevent the back surface of any exposed tape (5) from being contacted by the plasma (7).
Although a separate filler ring (18) is shown, an extension of the ESC (16) would also prevent plasma (7) exposure to the backside of the tape (5).
（日本語訳：静電チャック（ＥＳＣ）（１６）の使用によって，基板（１）の追加の冷却が提供される。そのようなＥＳＣ（１６）は，基板（１）に下方への力を加えるために半導体処理で一般に使用されるが，基板（１）と電極との間にはヘリウムなどの加圧ガスが維持される。これにより，基板（１）と冷却された電極との間で熱伝達を行うことを確実にすることができる。通常，ＥＳＣ（１６）の寿命を減少させる可能性のある潜在的に腐食性のプラズマ・ガスに対するＥＳＣ（１６）の表面の望ましくない露出を防止するために，ＥＳＣ（１６）は基板（１）と同じ直径であり，又は基板（１）より小さい。基板／テープ／フレーム・アセンブリ（１Ａ）では，基板（１）の直径の外側の領域がテープ（５）である。典型的なＥＳＣ（１６）を使用することで，カバー・リング（２０）が基板（１）の直径より大きいため，ＥＳＣ（１６）によって固定及び冷却されておらず，又は
カバー・リング（２０）によってプラズマ（７）から遮蔽されていないため，プラズマ処理に露出されるテープ（５）の領域があるはずである
テープ（５）のそのような領域は高温に到達し，場合によっては機能しなくなるはずである
　図８は，
充填リング（１８）がＥＳＣ（１６）の外径からリフト機構（１７）まで延びることを示す。この充填リング（１８）は，露出されたいかなるテープ（５）の裏面にもプラズマ（７）が接触するのを防止するために使用される
別個の充填リング（１８）を示すが，ＥＳＣ（１６）を延ばすことでも，テープ（５）の裏側に対するプラズマ（７）の露出を防止するであろう
　２　引用発明
　したがって，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。），及び，技術的事項が記載されている。
（１）＜引用発明＞
「壁を有する処理チャンバを供給するステップと，
　処理チャンバの壁にプラズマ源を隣接させるステップと，
　処理チャンバ内の加工物支持部を供給するステップと，
　基板を支持フィルムに接着させ，次いで基板を支持フィルムとともにフレームに取り付けることによって加工物を形成するステップと，
　加工物を，プラズマ処理のために加工物支持部上へロードするステップと，
　加工物の上にカバー・リングを配置するステップと，
　プラズマ源によってプラズマを生成するステップと，
　加工物を，生成したプラズマによってエッチングするステップとを含む，
　基板のプラズマ・ダイシング方法であって，
　基板の外径とフレームの内径との間の距離を表す寸法（Ｄ）は，２０ｍｍ〜３０ｍｍであり（たとえば，Ｄｉｓｃｏ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎのダイシング・フレームは２００ｍｍの基板に対して２５０ｍｍであり，したがって寸法（Ｄ）は公称で２５ｍｍである），
　カバー・リングの内径は，基板の直径より大きく，好ましい直径は基板より５ｍｍ大きい（たとえば，２００ｍｍの基板の場合，カバー・リングの内径は２０５ｍｍである）
　基板のプラズマ・ダイシング方法。」
（２）＜技術的事項＞
・引用文献１に記載された，半導体基板のプラズマ・ダイシングを可能にするプラズマ処理装置の使用において，基板／テープ／フレーム・アセンブリは，真空の処理チャンバ内へ移動され，反応ガス・プラズマに露出されて，ダイ間の保護されていない領域がエッチング除去され，ダイが完全に分離される処理の後に，基板／テープ／フレーム・アセンブリを処理チャンバから移動させて，ダイはよく知られている技法を使用してテープから取り外され，次いで必要に応じてさらに処理（たとえばパッケージング）されること。
・カバー・リングによってプラズマから遮蔽されていないプラズマ処理に露出されるテープの領域は高温に到達し，場合によっては機能しなくなること。
・ＥＳＣの外径からリフト機構まで延びる充填リングが，露出されたいかなるテープの裏面にもプラズマが接触するのを防止するために使用されること。
・ＥＳＣを延ばすことでも，テープの裏側に対するプラズマの露出を防止できること。
　３　引用文献２の記載
　引用文献２には，以下の事項が記載されている。（日本語訳は，当審で作成した。） 
「After the protective coating has been removed from the wafer, portions of the spacer layer 68 or 92 must be removed to leave the mirror or accelerometer support beam. This undercut operation is typically done in a plasma reactor. To prevent exposing the adhesive 21 on the dicing tape 22 to the plasma, a protective cover may be placed over the exposed adhesive 21 of the dicing tape 22.」（４欄１７−２４行）
（日本語訳：保護コーティングがウェハから除去された後，スペーサ層６８または９２の一部は，ミラーまたは加速度計支持ビームを残すために除去されなければならない。このアンダーカット操作は，典型的にはプラズマリアクターで行われる。ダイシングテープ２２の接着剤２１がプラズマに露出するのを防ぐために，ダイシングテープ２２の露出した接着剤２１の上に保護カバーを置いてもよい。）
　４　引用文献２に記載された技術的事項
　したがって，引用文献２には，次の技術的事項が記載されている。
・プラズマリアクターで行われる操作において，ダイシングテープの接着剤がプラズマに露出するのを防ぐために，ダイシングテープの露出した接着剤の上に保護カバーを置くこと。
第５　対比 
　本願発明１と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
　引用発明の「壁を有する処理チャンバを供給するステップ」，「処理チャンバの壁にプラズマ源を隣接させるステップ」，「処理チャンバ内の加工物支持部を供給するステップ」，「加工物を，プラズマ処理のために加工物支持部上へロードするステップ」，「プラズマ源によってプラズマを生成するステップ」，及び，「加工物を，生成したプラズマによってエッチングするステップ」は，それぞれ，
　本願発明１の「壁を有する処理チャンバを設けるステップ」，「前記処理チャンバの前記壁に隣接してプラズマ源を設けるステップ」，「前記処理チャンバ内に加工物サポートを設けるステップ」，「前記処理チャンバ内の前記加工物サポート上に前記加工物を載せるステップ」，「前記プラズマ源によりプラズマを発生するステップ」，及び，「前記発生されたプラズマにより前記加工物をエッチングするステップ」に相当する。
　引用発明の「基板を支持フィルムに接着させ，次いで基板を支持フィルムとともにフレームに取り付けることによって加工物を形成するステップ」と，本願発明１の「フレームに取り付けられたサポート・フィルム上に中間リングと前記基板を置いて加工物を形成するステップ」とは，フレームに取り付けられたサポート・フィルム上に前記基板を置いて加工物を形成するステップである範囲において一致する。
　したがって，本願発明１と引用発明は，以下の構成において一致する。 
＜一致点＞
　基板をプラズマ・ダイシングするための方法であって，
　壁を有する処理チャンバを設けるステップと，
　前記処理チャンバの前記壁に隣接してプラズマ源を設けるステップと，
　前記処理チャンバ内に加工物サポートを設けるステップと，
　フレームに取り付けられたサポート・フィルム上に前記基板を置いて加工物を形成するステップと，
　前記処理チャンバ内の前記加工物サポート上に前記加工物を載せるステップと，
　前記プラズマ源によりプラズマを発生するステップと，
　前記発生されたプラズマにより前記加工物をエッチングするステップと，
　を含む，方法。」
　
　本願発明１と引用発明は，以下の点で相違する。
＜相違点＞
・相違点１
　本願発明１は，フレームに取り付けられたサポート・フィルム上に「中間リング」と前記基板を置いて加工物を形成するステップを含むのに対して，引用発明は，「中間リング」を置くことが特定されていない点。 
・相違点２
　本願発明１は，「更なる処理のために前記処理チャンバ外に前記加工物を移送するステップ」を含むのに対して，引用発明には，当該構成が特定されていない点。
第６　判断 
　１　相違点１について 
　上記第４の２（２）のとおり，引用文献１には，カバー・リングによってプラズマから遮蔽されていないプラズマ処理に露出されるテープの領域は高温に到達し，場合によっては機能しなくなること。
　ＥＳＣの外径からリフト機構まで延びる充填リングが，露出されたいかなるテープの裏面にもプラズマが接触するのを防止するために使用されること。
　ＥＳＣを延ばすことでも，テープの裏側に対するプラズマの露出を防止できることが記載されている。
　そうすると，上記記載から，引用発明において，テープが，プラズマに露出することが望ましくないこと，及び，テープの裏側は，ＥＳＣの外径からリフト機構まで延びる充填リング，又は，延ばされたＥＳＣによって，プラズマの接触から保護されることが理解される。
　一方，上記第４の４のとおり，引用文献２には，プラズマリアクターで行われる操作において，ダイシングテープの接着剤がプラズマに露出するのを防ぐために，ダイシングテープの露出した接着剤の上に保護カバーを置くことが記載されている。
　してみれば，引用文献１及び２に接した当業者であれば，テープのプラズマに対する露出によって生じる望ましくない影響を避けるために，テープがプラズマに露出することを避けること，すなわち，引用発明において，カバー・リングによってプラズマから遮蔽されていないプラズマ処理に露出されるテープの領域が，高温に到達し，場合によっては機能しなくなることを避けるために，引用文献２に記載された技術を適用して，ダイシングテープの露出した接着剤の上に保護カバー，すなわち，「中間リング」を置き，本願発明１の相違点１に係る構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
　２　相違点２について 
　上記第４の２（２）のとおり，引用文献１には，半導体基板のプラズマ・ダイシングを可能にするプラズマ処理装置の使用において，基板／テープ／フレーム・アセンブリは，真空の処理チャンバ内へ移動され，反応ガス・プラズマに露出されて，ダイ間の保護されていない領域がエッチング除去され，ダイが完全に分離される処理の後に，基板／テープ／フレーム・アセンブリを処理チャンバから移動させて，ダイはよく知られている技法を使用してテープから取り外され，次いで必要に応じてさらに処理（たとえばパッケージング）されることが記載されている。
　すなわち，引用文献１には，基板をプラズマ・ダイシングした後に，たとえばパッケージング等の更なる処理のために，基板／テープ／フレーム・アセンブリを処理チャンバから移動，すなわち，処理チャンバ外に移送することが記載されているのであるから，上記相違点２は，実質的なものではない。仮に相違点であるとしても，引用文献１の記載に基づいて，本願発明１の相違点２に係る構成を採用することは，当業者が容易になし得たことである。
　３　効果について 
　これらの相違点を総合的に勘案しても，本願発明１の奏する作用効果は，引用発明及び引用文献２に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
第７　むすび
　以上のとおり，本願発明１は，引用文献１，２に記載された発明に基づいて，その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。