(57)【要約】  本発明は、ガラス体の表面上に形成されている反射防止膜の前駆体を含む塗膜の焼結処理と、ガラス体の強化処理とが同時に行われる工程を有する反射防止膜の形成方法を提供する。これにより、十分に低コストで反射防止膜を形成できる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス体の表面上に形成されている反射防止膜の前駆体を含む塗膜の焼結処理と、前記ガラス体の強化処理と、が同時に行われる工程を有する反射防止膜の形成方法。
【請求項２】
前記焼結処理及び前記強化処理が３００〜８００℃で行われる、請求項１記載の反射防止膜の形成方法。
【請求項３】
前記反射防止膜がシリカ系被膜である、請求項１又は２に記載の反射防止膜の形成方法。
【請求項４】
前記反射防止膜が多孔質のシリカ系被膜である、請求項１又は２に記載の反射膜の形成方法。
【請求項５】
（ａ）成分：シロキサン樹脂と、
（ｂ）成分：（ａ）成分を溶解可能な溶媒と、
（ｃ）成分：硬化促進触媒と、
を含有するシリカ系被膜形成用組成物を前記ガラス体の表面上に塗布し乾燥して得られるものである、請求項３又は４に記載の反射防止膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射防止膜の形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガラス又は透明プラスチックは、光学部品、レンズ、プリズム、光ディスク、カメラレンズ、眼鏡、液晶パネル、プラズマディスプレイ、ブラウン管、ディスプレイ、機器メーターフード、太陽電池、太陽電池パネル（太陽電池モジュール）、太陽光集光器、窓ガラス、車両用ガラス及びショーウインドガラス等の透明部材材料として用いられている。これら透明部材の表面には、しばしば反射防止を目的とした層である反射防止膜が形成されている。その形成方法としては、単層膜又は多層膜の真空蒸着あるいはディップコートなどの方法が挙げられる。一方、これら透明部材の中には、その用途・目的によって強化処理を要するものもある。特に太陽電池パネルのカバーガラス、建材用ガラス、自動車用ガラス及びディスプレイ用ガラスは、通常強化処理を施されている。【０００３】
単層の反射防止膜を用いて良好な反射防止効果を得るためには、その反射防止膜の屈折率が、透明部材の屈折率に対して１／２乗程度である必要がある。例えば、透明部材を構成する光学ガラスは、通常１．４７〜１．９２の屈折率を有する。そのため、反射防止膜の屈折率としては、１．２１〜１．３８程度が要求されることになる。無機材料のうち最も低い屈折率を示すのはＭｇＦ２であるが、それでも屈折率は１．３８程度である。通常のガラス材料や透明プラスチックの屈折率が１．５程度であることを鑑みると、それよりも低い屈折率を示す材料が望まれる。【０００４】
ところで、無機材料を主成分とする反射防止膜の形成手段としては、通常ＣＶＤ法が採用されている。しかしながら、ＣＶＤ法によって反射防止膜を形成する場合、真空プロセスを用いるため、生産性の向上に限界があり、工程上の制約が大きくなる。したがって、ＣＶＤ法は、太陽電池パネルのカバーガラス、建材用ガラス、自動車用ガラスの製造に適用するには、コストの面から実用的と言い難い。【０００５】
また、低屈折率の反射防止膜の要求に対して、反射防止膜材料を多孔質化して低屈折率化を図ろうとする試みがなされている（例えば、特許文献１〜１２参照。）。
【特許文献１】特開昭５８−１１６５０７号公報
【特許文献２】特開昭６２−２２６８４０号公報
【特許文献３】特開平１−３１２５０１号公報
【特許文献４】特開平３−１９９０４３号公報
【特許文献５】特開平５−１５７９０２号公報
【特許文献６】特開平６−３５０１号公報
【特許文献７】特開平６−１５７０７６号公報
【特許文献８】特開平７−１４０３０３号公報
【特許文献９】特開平７−１５０３５６号公報
【特許文献１０】特開平７−３３３４０３号公報
【特許文献１１】特開平９−２４９４１１号公報
【特許文献１２】特開２０００−１４７７５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１〜１２に記載のものを始めとする従来の反射防止膜の形成方法により反射防止膜を備えた透明部材を得るには、まだ高コストであり、更なる低コスト化が切望されている。【０００７】
そこで、本発明は上記事情にかんがみてなされたものであり、十分に低コストで反射防止膜を形成できる反射防止膜の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、ガラス体の表面上に形成されている反射防止膜の前駆体を含む塗膜の焼結処理と、上記ガラス体の強化処理とが同時に行われる工程を有する反射防止膜の形成方法を提供する。これにより本発明は、反射防止膜の形成工程の一部をガラス体の強化処理と兼ねて行うことになるので、十分な低コスト化が達成できると共に、工程の短縮化にも繋がるものである。【０００９】
本発明は、上述の焼結処理及び強化処理が４００〜８００℃で行われると好ましい。これにより、反射防止膜の屈折率を低くできる傾向にあると共に、ガラス体の強化をより有効に行うことができる。【００１０】
本発明は、反射防止膜がシリカ系被膜であると好ましい。シリカ系被膜は、その塗膜の焼結処理に適した温度がガラス体の強化処理の温度と同じ又は近似している。そのため、反射防止膜がシリカ系被膜であると、十分な低コスト化を達成できると共に、反射防止膜の屈折率を更に低くすることが容易となる。また、反射防止膜が多孔質のシリカ系被膜であると、屈折率を一層低くすることができ、反射防止効果の向上に繋がる。【００１１】
本発明は、上記塗膜が、（ａ）成分：シロキサン樹脂と、（ｂ）成分：（ａ）成分を溶解可能な溶媒と、（ｃ）成分：硬化促進触媒とを含有するシリカ系被膜形成用組成物を、ガラス体の表面上に塗布し乾燥して得られるものであると好ましい。このような塗膜を更に焼結することによって得られる反射防止膜は、特許文献１〜１３に記載の反射防止膜と比較して、特に低い屈折率を示すことが可能となる。これは、シリカ系化合物の中でも高分子量であるシロキサン樹脂と硬化促進触媒とを併用することにより、得られる反射防止膜（シリカ系被膜）が、従来の反射防止膜よりも十分に緻密な空孔を、極めて多数有することに起因すると考えられる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、十分に低コストで反射防止膜を形成する反射防止膜の形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る白板強化ガラスと反射防止膜とからなる積層体を示す模式断面図である。
【図２】反射防止膜（白板強化ガラス）の反射率の波長依存性を示す図である。
【図３】本発明のシリコン太陽電池の模式平面図である。
【図４】本発明のシリコン太陽電池の製造工程を示す工程断面図である。
【図５】本発明に係る複数の太陽電池を相互に配線接続する態様を示した模式図である。
【図６】本発明に係る太陽電池モジュールを透視した斜視模式図である。
【図７】本発明に係る太陽電池モジュールを部分的に示す模式断面図である。
【図８】本発明の実施例における反射防止膜について反射率の波長依存性を示す図である。
【図９】本発明の実施例における反射防止膜について反射率の波長依存性を示す図である。
【図１０】本発明の実施例における反射防止膜について反射率の波長依存性を示す図である。
【図１１】本発明の実施例における反射防止膜について反射率の波長依存性を示す図である。
【符号の説明】
【００１４】
１…シリコン基板、２…テクスチャー面、３…ｎ型層、４…反射防止膜、５…表面電極用銀ペースト、６…裏面電極用アルミペースト、７…表面銀電極（グリッド電極）、８…裏面アルミ電極、９…ｐ＋層、１０…表面銀電極（バス電極）、１１…裏面銀電極（バス電極）、５１…太陽電池、５２ａ、５２ｂ…タブ電極、５３…バックシート、５４…横タブ配線、５５、５６…電極タブ、５７…白板強化ガラス、５８…太陽電池封止材、６０…反射防止膜、１００…積層体、６００…太陽電池モジュール。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の反射防止膜の形成方法は、ガラス体の表面上に形成されている反射防止膜の前駆体を含む塗膜の焼結処理と、上記ガラス体の強化処理とが同時に行われる工程を有するものである。以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。また、本明細書における「（メタ）アクリレート」とは「アクリレート」及びそれに対応する「メタクリレート」を意味する。【００１６】
本実施形態の反射防止膜の形成方法は、シリカ系被膜形成用組成物をガラス体の表面上に塗布して塗膜を形成する塗布工程、塗膜に含まれる溶媒を除去する溶媒除去工程、及び塗膜の焼結処理と、上記ガラス体の強化処理とが同時に行われる焼結強化工程とを有する。【００１７】
〔塗布工程〕
塗布工程において、シリカ系被膜形成用組成物をガラス体の表面上に塗布する方法としては、特に限定されず、例えば、スピン塗布、刷毛塗り、スプレー塗布、スリット塗布、リップ塗布、印刷法などが挙げられる。【００１８】
塗布工程において用いられるシリカ系被膜形成用組成物は反射防止膜の前駆体であり、下記の（ａ）〜（ｃ）成分を含有する。また、この組成物は、必要に応じて（ｄ）成分及び／又はその他の成分を更に含有する。【００１９】
〈（ａ）成分〉
（ａ）成分はシロキサン樹脂であり、公知のものを使用できるが、樹脂の末端や側鎖などにＯＨ基を有することが好ましい。これにより、シリカ系被膜形成用組成物を硬化させるための加水分解縮合反応を一層進行させることができる。【００２０】
また、シロキサン樹脂は、溶媒への溶解性、機械特性、成形性等を向上させる観点から、重量平均分子量（Ｍｗ）が、５００〜１００００００であることが好ましく、５００〜５０００００であるとより好ましく、５００〜１０００００であることが更に好ましく、５００〜１００００であることが特に好ましく、５００〜５０００であることが極めて好ましい。この重量平均分子量が５００未満ではシリカ系被膜の成膜性が劣る傾向にあり、この重量平均分子量が１００００００を超えると、溶媒との相溶性が低下する傾向にある。なお、本明細書において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」という。）により測定され且つ標準ポリスチレンの検量線を使用して換算されたものである。【００２１】
重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、以下の条件によるＧＰＣにより測定することができる。
試料：シリカ系被膜形成用組成物１０μＬ
標準ポリスチレン：東ソー株式会社製標準ポリスチレン（分子量；１９００００、１７９００、９１００、２９８０、５７８、４７４、３７０、２６６）
検出器：株式会社日立製作所社製ＲＩ−モニター、商品名「Ｌ−３０００」
インテグレータ：株式会社日立製作所社製ＧＰＣインテグレータ、商品名「Ｄ−２２００」
ポンプ：株式会社日立製作所社製、商品名「Ｌ−６０００」
デガス装置：昭和電工株式会社製、商品名「Ｓｈｏｄｅｘ  ＤＥＧＡＳ」
カラム：日立化成工業株式会社製、商品名「ＧＬ−Ｒ４４０」、「ＧＬ−Ｒ４３０」、「ＧＬ−Ｒ４２０」をこの順番で連結して使用
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
測定温度：２３℃
流速：１．７５ｍＬ／分
測定時間：４５分【００２２】
好ましいシロキサン樹脂としては、例えば、下記一般式（１）；
Ｒ１ｎＳｉＸ４−ｎ  …（１）
で表される化合物を必須成分として加水分解縮合して得られる樹脂等が挙げられる。ここで、式中、Ｒ１は、Ｂ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子及びＴｉ原子のうちの少なくとも１種を含む基（炭素数１〜２０の有機基を除く。）、炭素数１〜２０の有機基、Ｈ原子、又は、Ｆ原子を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示し、ｎが２のとき、各Ｒ１は同一でも異なっていてもよく、ｎが０〜２のとき、各Ｘは同一でも異なっていてもよい。【００２３】
加水分解性基Ｘとしては、例えば、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アセトキシ基、イソシアネート基及びヒドロキシル基が挙げられる。これらの中では、組成物自体の液状安定性や塗布特性等の観点から、アルコキシ基又はアリールオキシ基が好ましく、アルコキシ基がより好ましい。【００２４】
加水分解性基Ｘがアルコキシ基である場合の、一般式（１）で表される化合物（アルコキシシラン）としては、例えば、それぞれ置換されていてもよい、テトラアルコキシシラン、トリアルコキシシラン及びジアルコキシシランが挙げられる。【００２５】
テトラアルコキシシランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン及びテトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシランが挙げられる。【００２６】
トリアルコキシシランとしては、例えば、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリプロポキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリメトキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリエトキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリメトキシシラン、ｔ−ブチルトリエトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｉｓｏ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、ペンタフルオロエチルトリメトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン及び３，３，３−トリフルオロプロピルトリエトキシシランが挙げられる。【００２７】
ジアルコキシシランとしては、例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジメチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジメチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジエチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジエチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジエチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジエチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニルジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジフェニルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ビス（３，３，３−トリフルオロプロピル）ジメトキシシラン及びメチル（３，３，３−トリフルオロプロピル）ジメトキシシランが挙げられる。【００２８】
加水分解性基Ｘがアリールオキシ基である場合の上記一般式（１）で表される化合物としては、例えば、それぞれ置換されていてもよい、テトラアリールオキシシラン、トリアリールオキシシラン及びジアリールオキシシランが挙げられる。テトラアリールオキシシランとしては、例えば、テトラフェノキシシランが挙げられる。トリアリールオキシシランとしては、例えば、トリフェノキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリフェノキシシラン、ｎ−プロピルトリフェノキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリフェノキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリフェノキシシラン、ｔ−ブチルトリフェノキシシラン及びフェニルトリフェノキシシランが挙げられる。ジアリールオキシシランとしては、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジフェノキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジフェノキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジフェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジフェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジフェノキシシラン及びジフェニルジフェノキシシランが挙げられる。【００２９】
また、Ｒ１が炭素数１〜２０の有機基である場合の上記一般式（１）で表される化合物としては、上記以外で、例えば、ビス（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）メタン、ビス（トリメトキシシリル）エタン、ビス（トリエトキシシリル）エタン、ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エタン、ビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）エタン、ビス（トリメトキシシリル）プロパン、ビス（トリエトキシシリル）プロパン、ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）プロパン及びビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）プロパン等のビスシリルアルカン、並びに、ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン及びビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）ベンゼン等のビスシリルベンゼンが挙げられる。【００３０】
Ｒ１がＳｉ原子を含む基である場合の一般式（１）で表される化合物としては、例えば、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキシジシラン、ヘキサ−ｎ−プロポキシジシラン及びヘキサ−ｉｓｏ−プロポキシジシラン等のヘキサアルコキシジシラン類、並びに、１，２−ジメチルテトラメトキシジシラン、１，２−ジメチルテトラエトキシジシラン及び１，２−ジメチルテトラプロポキシジシラン等のジアルキルテトラアルコキシジシラン類が挙げられる。【００３１】
加水分解性基Ｘがハロゲン原子（ハロゲン基）である場合の一般式（１）で表される化合物（ハロゲン化シラン）としては、例えば、上述した各アルコキシシラン分子中のアルコキシ基がハロゲン原子で置換されたものが挙げられる。さらに、加水分解性基Ｘがアセトキシ基である場合の一般式（１）で表される化合物（アセトキシシラン）としては、例えば、上述した各アルコキシシラン分子中のアルコキシ基がアセトキシ基で置換されたものが挙げられる。またさらに、加水分解性基Ｘがイソシアネート基である場合の一般式（１）で表される化合物（イソシアネートシラン）としては、例えば、上述した各アルコキシシラン分子中のアルコキシ基がイソシアネート基で置換されたものが挙げられる。さらにまた、加水分解性基Ｘがヒドロキシル基である場合の一般式（１）で表される化合物（ヒドロキシシラン）としては、例えば、上述した各アルコキシシラン分子中のアルコキシ基がヒドロキシル基で置換されたものが挙げられる。【００３２】
これら一般式（１）で表される化合物は、１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。【００３３】
また、シロキサン樹脂として、一般式（１）で表される化合物の多量体等の部分縮合物を加水分解縮合して得られる樹脂、一般式（１）で表される化合物の多量体等の部分縮合物と一般式（１）で表される化合物とを加水分解縮合して得られる樹脂、一般式（１）で表される化合物とその他の化合物とを加水分解縮合して得られる樹脂、並びに、一般式（１）で表される化合物の多量体等の部分縮合物と一般式（１）で表される化合物とその他の化合物とを加水分解縮合して得られる樹脂、などを使用することもできる。【００３４】
一般式（１）で表される化合物の多量体等の部分縮合物としては、例えば、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキサン、ヘキサ−ｎ−プロポキシジシロキサン、ヘキサ−ｉｓｏ−プロポキシジシロキサン等のヘキサアルコキシジシロキサン、部分縮合が進んだトリシロキサン、テトラシロキサン、オリゴシロキサン等が挙げられる。【００３５】
上記「その他の化合物」としては、例えば、重合性の２重結合又は３重結合を有する化合物が挙げられる。重合性の２重結合を有する化合物としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブテン、ブタジエン、イソプレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、カプロン酸ビニル、ステアリン酸ビニル、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、アクリロニトリル、スチレン、メタクリル酸、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸−ｎ−プロピル、メタクリル酸−ｉｓｏ−プロピル、メタクリル酸−ｎ−ブチル、アクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸フェニル、ビニルピリジン、ビニルイミダゾール、アクリルアミド、アリルベンゼン及びジアリルベンゼン、並びに、これらの化合物が部分縮合したものなどが挙げられる。３重結合を有する化合物としてはアセチレン及びエチニルベンゼン等が挙げられる。【００３６】
このようにして得られるシロキサン樹脂は、１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。【００３７】
一般式（１）で表される化合物を加水分解縮合させる際に用いる水の量は、一般式（１）で表される化合物１モル当たり０．１〜１０００モルであることが好ましく、さらに好ましくは０．５〜１００モルである。この水の量が０．１モル未満では加水分解縮合反応が十分に進行しない傾向にあり、水の量が１０００モルを超えると加水分解中又は縮合中にゲル化物を生じる傾向にある。【００３８】
また、一般式（１）で表される化合物の加水分解縮合において、触媒を使用することも好ましい。このような触媒の種類としては、例えば、酸触媒、アルカリ触媒、金属キレート化合物等が挙げられる。【００３９】
酸触媒としては、例えば、有機酸及び無機酸が挙げられる。有機酸としては、例えば、蟻酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、マロン酸、コハク酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸、クエン酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、アジピン酸、セバシン酸、酪酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、ベンゼンスルホン酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルフォン酸及びトリフルオロエタンスルフォン酸が挙げられる。無機酸としては、例えば、塩酸、燐酸、硝酸、ホウ酸、硫酸及びフッ酸等が挙げられる。これらのなかで、有機酸としてはマレイン酸が好ましく、無機酸としては硝酸が好ましい。これら酸触媒は１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。【００４０】
アルカリ触媒としては、例えば、無機アルカリ及び有機アルカリが挙げられる。無機アルカリとしては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム及び水酸化セシウム等が挙げられる。有機アルカリとしては、例えば、ピリジン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、アンモニア、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデカシルアミン、ドデカシルアミン、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジペンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジヘキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジシクロペンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロペンチルアミン及びトリシクロヘキシルアミンが挙げられる。これらアルカリ触媒は１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。【００４１】
金属キレート化合物としては、金属及び多座配位子を有しているものであれば特に限定されず、更に有機基を有していてもよい。金属キレート化合物における金属としては、例えば、チタン、ジルコニウム、アルミニウム等が挙げられる。多座配位子としては、例えば、アセチルアセトナトイオン及びエチルアセトアセテートが挙げられる。有機基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基などのアルコキシ基が挙げられる。金属キレート化合物の具体例としては、トリメトキシ・モノ（アセチルアセトナト）チタン、トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナト）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナト）チタン、トリ−ｉｓｏ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナト）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナト）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナト）チタン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナト）チタン、ジメトキシ・ジ（アセチルアセトナト）チタン、ジエトキシ・ジ（アセチルアセトナト）チタン、ジｎ−プロポキシ・ジ（アセチルアセトナト）チタン、ジｉｓｏ−プロポキシ・ジ（アセチルアセトナト）チタン、ジｎ−ブトキシ・ジ（アセチルアセトナト）チタン、ジｓｅｃ−ブトキシ・ジ（アセチルアセトナト）チタン、ジｔｅｒｔ−ブトキシ・ジ（アセチルアセトナト）チタン、モノメトキシ・トリス（アセチルアセトナト）チタン、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナト）チタン、モノｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナト）チタン、モノｉｓｏ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナト）チタン、モノｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナト）チタン、モノｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナト）チタン、モノｔｅｒｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナト）チタン、テトラキス（アセチルアセトナト）チタン、トリメトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｉｓｏ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、ジメトキシ・ジ（エチルアセトアセテート）チタン、ジエトキシ・ジ（エチルアセトアセテート）チタン、ジｎ−プロポキシ・ジ（エチルアセトアセテート）チタン、ジｉｓｏ−プロポキシ・ジ（エチルアセトアセテート）チタン、ジｎ−ブトキシ・ジ（エチルアセトアセテート）チタン、ジｓｅｃ−ブトキシ・ジ（エチルアセトアセテート）チタン、ジｔｅｒｔ−ブトキシ・ジ（エチルアセトアセテート）チタン、モノメトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノｉｓｏ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノｔｅｒｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、テトラキス（エチルアセトアセテート）チタン等のチタンを有する金属キレート化合物、上記チタンを有する金属キレート化合物のチタンがジルコニウム、アルミニウム等に置換された化合物などが挙げられる。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。【００４２】
一般式（１）で表される化合物の加水分解縮合に際し、上述の触媒を用い加水分解を行うことが好ましい。しかしながら、シリカ系被膜形成用組成物が触媒を含むことにより、組成物の安定性が悪化する場合、及び／又は、他材料への腐食等の影響が懸念される場合もある。そのような場合は、例えば、加水分解後に、上記触媒を組成物から取り除いたり、他の化合物と反応させて触媒としての機能を失活させたりしてもよい。触媒を取り除く方法や反応させる方法に特に制限はないが、蒸留やイオンクロマトカラム等を用いて取り除いてもよい。また、一般式（１）で表される化合物から得られる加水分解生成物は、再沈等により組成物から取り出されてもよい。また、反応により触媒としての機能を失活させる方法としては、例えば、触媒がアルカリ触媒の場合、酸触媒を添加して、酸塩基反応により中和したりｐＨを酸性側にしたりする方法が挙げられる。同様に触媒が酸触媒の場合、アルカリ触媒を添加して、酸塩基反応により中和したりｐＨをアルカリ性側にしたりする方法が挙げられる。【００４３】
この触媒の使用量は、一般式（１）で表される化合物１モルに対して０．０００１〜１モルの範囲であることが好ましい。この使用量が０．０００１モル未満では実質的に反応が進行しない傾向にあり、１モルを超えると加水分解縮合時にゲル化が促進される傾向にある。【００４４】
さらに、この加水分解によって副生するアルコールはプロトン性溶媒であるため、エバポレータ等を用いて除去されることが好ましい。【００４５】
このようにして得られる樹脂は、溶媒への溶解性、機械特性、成形性等の観点から、重量平均分子量が、５００〜１００００００であることが好ましく、５００〜５０００００であるとより好ましく、５００〜１０００００であることが更に好ましく、５００〜１００００であることが特に好ましく、５００〜５０００であることが極めて好ましい。この重量平均分子量が５００未満では反射防止膜の成膜性が劣る傾向にあり、この重量平均分子量が１００００００を超えると、溶媒との相溶性が低下する傾向にある。【００４６】
シリカ系被膜形成用組成物が、それを塗布する下地への接着性及び機械強度を必要とする場合、シロキサン樹脂のシロキサン結合を形成しているＳｉ原子の１原子あたりに結合しているＨ原子、Ｆ原子、Ｂ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子、Ｔｉ原子及びＣ原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子の総数（これを、特定の結合原子（一般式（１）中のＲ１）の総数（Ｍ）とする。）が、１．３０〜０．２０であることが好ましく、１．００〜０．２０であることがより好ましく、０．９０〜０．２０であることが特に好ましく、０．８０〜０．２０であることが極めて好ましい。このようにすれば、シリカ系被膜のガラス体等への接着性及び機械強度の低下を抑制することができる。【００４７】
この特定の結合原子の総数（Ｍ）が０．２０未満では、シリカ系被膜の誘電特性が劣る傾向にあり、１．３０を超えると最終的に得られる反射防止膜のガラス体等との接着性や機械強度等が劣る傾向にある。また、上述の特定の結合原子のなかでも、シリカ系被膜の成膜性の点で、Ｈ原子、Ｆ原子、Ｎ原子、Ｓｉ原子、Ｔｉ原子及びＣ原子からなる群から選択される少なくとも１種の原子を含むことが好ましく、それらのなかでも、誘電特性及び機械強度の点において、Ｈ原子、Ｆ原子、Ｎ原子、Ｓｉ原子及びＣ原子からなる群から選択される少なくとも１種の原子を含むことがより好ましい。【００４８】
なお、特定の結合原子の総数（Ｍ）は、シロキサン樹脂の仕込み量から求めることができ、例えば、下記式（Ａ）；
Ｍ＝(Ｍ１＋(Ｍ２／２)＋(Ｍ３／３))／Ｍｓｉ  …（Ａ）
で表される関係を用いて算出できる。式中、Ｍ１は、特定の結合原子のうち単一の（ただ１つの）Ｓｉ原子と結合している原子の総数を示し、Ｍ２は、特定の結合原子のうち２つのＳｉ原子と結合している原子の総数を示し、Ｍ３は、特定の結合原子のうち３つのＳｉ原子と結合している原子の総数を示し、Ｍｓｉは、Ｓｉ原子の総数を示す。【００４９】
このようなシロキサン樹脂は１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。２種類以上のシロキサン樹脂を組み合わせる方法としては、例えば、異なる重量平均分子量を有する２種類以上のシロキサン樹脂を組み合わせる方法、異なる化合物を必須成分として加水分解縮合して得られる２種類以上のシロキサン樹脂を組み合わせる方法等が挙げられる。【００５０】
〈（ｂ）成分〉
（ｂ）成分は（ａ）成分を溶解可能である溶媒であれば特に限定されない。（ｂ）成分としては、例えば、プロトン供与性を示さない非プロトン性溶媒、及びプロトン供与性を示すプロトン性溶媒が挙げられる。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。【００５１】
非プロトン性溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｉｓｏ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｉｓｏ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジ−ｉｓｏ−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、γ−ブチロラクトン及びγ−バレロラクトン等のケトン系溶媒；ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチル−ｎ−ジ−ｎ−プロピルエーテル、ジ−ｉｓｏ−プロピルエーテル、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジエチルエーテル、テトラジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、テトラエチレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、テトラプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラプロピレングリコールジエチルエーテル、テトラジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、テトラプロ��レングリコールメチルモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、テトラプロピレングリコールメチルモノ−ｎ−ヘキシルエーテル及びテトラプロピレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル等のエーテル系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミル、シュウ酸ジエチル及びシュウ酸ジ−ｎ−ブチル等のエステル系溶媒；エチレングリコールメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール−ｎ−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート及びジプロピレングリコールエチルエーテルアセテート等のエーテルアセテート系溶媒；アセトニトリル、Ｎ―メチルピロリジノン、Ｎ―エチルピロリジノン、Ｎ―プロピルピロリジノン、Ｎ―ブチルピロリジノン、Ｎ―ヘキシルピロリジノン、Ｎ―シクロヘキシルピロリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、並びに、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。【００５２】
これらの非プロトン性溶媒のなかでは、厚膜化の観点から、エーテル系溶媒、エーテルアセテート系溶媒及びケトン系溶媒からなる群より選ばれる１種以上の溶媒が好ましい。更にこれらの中でも塗布ムラやはじきを抑制する観点から、１番目にエーテルアセテート系溶媒が好ましく、２番目にエーテル系溶媒が好ましく、３番目にケトン系溶媒が好ましい。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。【００５３】
プロトン性溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノール、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルアルコール、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール及びトリプロピレングリコール等のアルコール系溶媒；エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル及びトリプロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル系溶媒；並びに、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル及び乳酸ｎ−アミル等のエステル系溶媒などが挙げられる。【００５４】
これらのプロトン性溶媒のなかでは、保管安定性の観点から、アルコール系溶媒が好ましい。更にその中でも、塗布ムラやはじきを抑制する観点から、エタノール、イソプロピルアルコール及びプロピレングリコールプロピルエーテルからなる群より選ばれる１種以上の溶媒が好ましい。【００５５】
これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。【００５６】
非プロトン性溶媒の配合割合は、シリカ系被膜形成用組成物中の全溶媒量に対して７０質量％〜９０質量％であることが好ましく、７５質量％〜８５質量％であることがより好ましく、７３質量％〜８３質量％であることが特に好ましい。この配合割合が７０質量％未満では、塗布ムラが発生しやすい傾向にあり、９０質量％を超えると安定性が低下する傾向にある。【００５７】
プロトン性溶媒の配合割合は、シリカ系被膜形成用組成物の全溶媒量に対して０．１質量％〜１５質量％であることが好ましく、０．５質量％〜１０質量％であることがより好ましく、１．０質量％〜７質量％であることが特に好ましい。この配合割合が０．１質量％未満では安定性が低下する傾向にあり、１５質量％を超えると塗布ムラが発生しやすくなる傾向にある。【００５８】
（ｂ）成分のシリカ系被膜形成用組成物への配合方法は特に限定されない。この配合方法としては、例えば、（ａ）成分を調製する際の溶媒として用いる方法、（ａ）成分を調製後添加する方法、溶媒交換を行う方法、（ａ）成分を溶媒留去等で取り出した後に（ｂ）成分を加える方法等が挙げられる。【００５９】
シリカ系被膜形成用組成物におけるこれらの溶媒（非プロトン性溶媒とプロトン性溶媒との合計）の配合割合は、シリカ系被膜形成用組成物中の（ａ）成分（シロキサン樹脂）の濃度が５〜３０質量％となるような量であることが好ましく、１０〜３０質量％となるような量であることがより好ましく、１３〜３０質量％となるような量であることが更に好ましく、１５〜３０質量％となるような量であることが特に好ましく、１５〜２５質量％となるような量であることが極めて好ましい。溶媒量が過多になり（ａ）成分の濃度が５質量％未満になると、所望の膜厚を有するシリカ系被膜を形成し難くなる傾向にある。また、溶媒の量が過少で（ａ）成分の濃度が３０質量％を超えると、シリカ系被膜の成膜性等が悪化すると共に、組成物自体の安定性が低下する傾向がある。【００６０】
〈（ｃ）成分〉
（ｃ）成分は硬化促進触媒である。【００６１】
この硬化促進触媒は溶液中では触媒作用を示さず、塗布後の塗膜中で活性を示す特異なものである。硬化促進触媒は、硬化促進触媒能を有するものであれば特に限定されない。【００６２】
硬化促進触媒の硬化促進触媒能を調べる手段を以下１〜４に示す。
１．まず（ａ）成分及び（ｃ）成分からなる組成物を準備する。
２．続いて、ベイク（焼成）後の膜厚が１．０±０．１μｍになるようにシリコンウエハ上に、準備した組成物を塗布する。次に、塗布した組成物を所定の温度で３０秒間ベイクした後、得られる被膜の膜厚を測定する。この際、その膜厚が１．０±０．１μｍとなっていればよい。
３．続いて、被膜を積層したシリコンウエハを、２３±２℃の２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキシド（ＴＭＡＨ）水溶液に３０秒間浸漬し、更に水洗及び乾燥して、再度被膜の膜厚を測定する。この際、ＴＭＡＨ水溶液浸漬前後の被膜の膜厚変化が浸漬前の膜厚に対して２０％以内であるベイク時の最低温度を不溶解温度とする。
４．次いで、上記（ａ）成分及び（ｃ）成分からなる組成物に、硬化促進触媒能の有無を確認したい化合物を（ａ）成分の総量に対して０．０１質量％添加して新たな組成物を得る。得られた組成物について上記２及び３と同様の処理を施し、新たな組成物の不溶解温度を求める。【００６３】
この結果、硬化促進触媒能の有無を確認したい化合物を添加することにより、組成物の不溶解温度が低下すれば、その化合物は硬化促進触媒能を有するものと判断される。【００６４】
（ｃ）成分である硬化促進触媒としては、例えば、水酸化ナトリウム、塩化ナトリウム、水酸化カリウム、塩化カリウム等の硬化促進触媒能を有するアルカリ金属類、オニウム塩などが挙げられる。これらは１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。【００６５】
これらの中でも、得られるシリカ系被膜の電気特性及び機械強度を向上でき、更に、組成物の安定性を高めることができるという観点から、硬化促進触媒能を有するオニウム塩であると好ましく、硬化促進触媒能を有する４級アンモニウム塩であるとより好ましい。【００６６】
オニウム塩の一つとして、例えば、窒素含有化合物と、アニオン性基含有化合物及びハロゲン原子から選ばれる少なくとも１種とから形成される塩が挙げられる。上記窒素含有化合物の窒素と結合する原子は、Ｈ原子、Ｆ原子、Ｂ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子、Ｔｉ原子及びＣ原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子であることが好ましい。また、上記アニオン性基としては、例えば、水酸基、硝酸基、硫酸基、カルボニル基、カルボキシル基、カーボネート基及びフェノキシ基等が挙げられる。【００６７】
オニウム塩としては、例えば、アンモニウムハイドロオキシド、アンモニウムフルオライド、アンモニウムクロライド、アンモニウムブロマイド、ヨウ化アンモニウム、燐酸アンモニウム塩、硝酸アンモニウム塩、ホウ酸アンモニウム塩、硫酸アンモニウム塩、蟻酸アンモニウム塩、マレイン酸アンモニウム塩、フマル酸アンモニウム塩、フタル酸アンモニウム塩、マロン酸アンモニウム塩、コハク酸アンモニウム塩、酒石酸アンモニウム塩、リンゴ酸アンモニウム塩、乳酸アンモニウム塩、クエン酸アンモニウム塩、酢酸アンモニウム塩、プロピオン酸アンモニウム塩、ブタン酸アンモニウム塩、ペンタン酸アンモニウム塩、ヘキサン酸アンモニウム塩、ヘプタン酸アンモニウム塩、オクタン酸アンモニウム塩、ノナン酸アンモニウム塩、デカン酸アンモニウム塩、シュウ酸アンモニウム塩、アジピン酸アンモニウム塩、セバシン酸アンモニウム塩、酪酸アンモニウム塩、オレイン酸アンモニウム塩、ステアリン酸アンモニウム塩、リノール酸アンモニウム塩、リノレイン酸アンモニウム塩、サリチル酸アンモニウム塩、ベンゼンスルホン酸アンモニウム塩、安息香酸アンモニウム塩、ｐ−アミノ安息香酸アンモニウム塩、ｐ−トルエンスルホン酸アンモニウム塩、メタンスルホン酸アンモニウム塩、トリフルオロメタンスルフォン酸アンモニウム塩及びトリフルオロエタンスルフォン酸アンモニウム塩、等のアンモニウム塩が挙げられる。【００６８】
また、上記アンモニウム塩におけるアンモニウムイオンが、メチルアンモニウムイオン、ジメチルアンモニウムイオン、トリメチルアンモニウムイオン、テトラメチルアンモニウムイオン、エチルアンモニウムイオン、ジエチルアンモニウムイオン、トリエチルアンモニウムイオン、テトラエチルアンモニウムイオン、プロピルアンモニウムイオン、ジプロピルアンモニウムイオン、トリプロピルアンモニウムイオン、テトラプロピルアンモニウムイオン、ブチルアンモニウムイオン、ジブチルアンモニウムイオン、トリブチルアンモニウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン、エタノールアンモニウムイオン、ジエタノールアンモニウムイオン、トリエタノールアンモニウムイオン等に置換されたアンモニウム塩なども挙げられる。【００６９】
これらのオニウム塩のなかでは、シリカ系被膜の硬化促進の観点から、アンモニウム塩が好ましく、テトラメチルアンモニウム硝酸塩、テトラメチルアンモニウム酢酸塩、テトラメチルアンモニウムプロピオン酸塩、テトラメチルアンモニウムマレイン酸塩及びテトラメチルアンモニウム硫酸塩からなる群より選ばれる１種以上のアンモニウム塩がより好ましい。
これらアンモニウム塩は１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。【００７０】
（ｃ）成分の配合割合は、シリカ系被膜形成用組成物中の（ａ）成分１００質量部に対して０．００１０〜１．０重量部であることが好ましく、０．００５０質量部〜１．０質量部であることがより好ましく、０．００５０〜０．５０質量部であることが特に好ましい。この配合割合が０．００１０質量部未満では硬化性が低下する傾向にあり、また、ディスプレイ用途などに使用すると、反射防止膜の屈折率が上昇する傾向にある。一方、この配合割合が１．０質量部を超えると、シリカ系被膜形成用組成物の保管安定性が低下する傾向がある。【００７１】
なお、オニウム塩は、必要に応じて水や溶媒に溶解又は希釈した後でシリカ系被膜形成用組成物に添加して、所望の濃度に調整することができる。また、オニウム塩をシリカ系被膜形成用組成物に添加するタイミングは特に限定されない。このタイミングが、例えば、（ａ）成分の加水分解を行う時点、加水分解中、反応終了時、溶媒留去前後、酸発生剤を添加する時点等であってもよい。【００７２】
また更に、本実施形態のシリカ系被膜形成用組成物は、必要に応じて水を含んでいてもよいが、目的とする特性を損なわない範囲であることが好ましい。【００７３】
〈（ｄ）成分〉
本実施形態のシリカ系被膜形成用組成物は、上記（ａ）〜（ｃ）成分の他、（ｄ）成分：空隙形成剤を含有してもよい。これにより、反射防止膜の屈折率をより低くすることができる。【００７４】
空隙形成剤の具体例としては、例えば、ビニルエーテル系化合物、ポリオキシエチレン単位及び／又はポリオキシプロピレン単位などのポリオキシアルキレン単位を有するビニル系化合物あるいはその重合体等のポリオキシアルキレン単位を有する化合物、ビニルピリジン系化合物、スチレン系化合物、アルキルエステルビニル系化合物、（メタ）アクリレート系化合物、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアンハイドライド等が挙げられる。これらのなかでは、重合体の分解特性及び膜の機械強度の観点から、ポリオキシアルキレン単位を有する重合体が好ましく、ポリオキシプロピレン単位を有する重合体が特に好ましい。【００７５】
上記ポリオキシアルキレン単位としては、例えば、ポリオキシエチレン単位、ポリオキシプロピレン単位、ポリオキシテトラメチレン単位及びポリオキシブチレン単位が挙げられる。【００７６】
ポリオキシアルキレン単位を有する化合物としては、より具体的には、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオキシエチレンラノリン誘導体、アルキルフェノールホルマリン縮合物の酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシプロピレンアルキルエール及びポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル等のエーテル型化合物、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル及びポリオキシエチレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸塩等のエーテルエステル型化合物、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エステル、脂肪酸モノグリセリド、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル等のエステル型化合物、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール及びポリプロピレングリコール等のグリコール型化合物等が挙げられる。【００７７】
（メタ）アクリレート系化合物としては、例えば、アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステル、アクリル酸アルコキシアルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステル及びメタクリル酸アルコキシアルキルエステルが挙げられる。アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ−プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ペンチル及びアクリル酸ヘキシル等の炭素数１〜６のアクリル酸アルキルエステルが挙げられる。メタクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ−プロピル、メタクリル酸イソプロピル、メタクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸ペンチル及びメタクリル酸ヘキシル等の炭素数１〜６のメタクリル酸アルキルエステルが挙げられる。アクリル酸アルコキシアルキルエステルとしては、例えば、アクリル酸メトキシメチル及びアクリル酸エトキシエチル等が挙げられる。メタクリル酸アルコキシアルキルエステルとしては、メタクリル酸メトキシメチル及びメタクリル酸エトキシエチル等が挙げられる。【００７８】
（メタ）アクリレート系化合物は、ヒドロキシル基を有する化合物との共重合体を使用してもよい。ヒドロキシル基を有する化合物としては、例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、ジエチレングリコールアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、ジプロピレングリコールアクリレート、メタクリル酸、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、ジエチレングリコールメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート及びジプロピレングリコールメタクリレート等が挙げられる。【００７９】
ポリエステルとしては、例えば、ヒドロキシカルボン酸の重縮合物、ラクトンの開環重合物、脂肪族ポリオールと脂肪族ポリカルボン酸との重縮合物等が挙げられる。【００８０】
ポリカーボネートとしては、例えば、ポリエチレンカーボネート、ポリプロピレンカーボネート、ポリトリメチレンカーボネート、ポリテトラメチレンカーボネート、ポリペンタメチレンカーボネート及びポリヘキサメチレンカーボネート等の炭酸とアルキレングリコールとの重縮合物が挙げられる。【００８１】
ポリアンハイドライドとしては、ポリマロニルオキシド、ポリアジポイルオキシド、ポリピメイルオキシド、ポリスベロイルオキシド、ポリアゼライルオキシド及びポリセバコイルオキシド等のジカルボン酸の重縮合物等が挙げられる。【００８２】
なお、空隙形成剤は、溶媒への溶解性、シロキサン樹脂との相溶性、膜の機械特性、膜の成形性等の点から、重量平均分子量が２００〜１００００であることが好ましく、３００〜５０００であることがより好ましく、４００〜２０００であることがより好ましい。ここで、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定し、標準ポリスチレンの検量線を使用して換算した値である。【００８３】
（ｄ）成分の配合割合は、シリカ系被膜形成用組成物の全重量基準で、０．１〜１０質量％であることが好ましく、１〜５質量％であることがより好ましい。この配合割合が０．１質量％未満であると、空隙形成が不十分となる傾向がある。一方、１０質量％を越えると、膜強度が低下する場合がある。【００８４】
〈その他の成分〉
本実施形態のシリカ系被膜形成用組成物は、本発明の目的や効果を損なわない範囲で、さらに界面活性剤、シランカップリング剤、増粘剤、無機充填剤などが添加されてもよい。また、（ａ）成分であるシロキサン樹脂に空隙形成能を付与してもよい。また、シリカ系被膜形成用組成物に、さらに光酸発生剤、又は光塩基発生剤を含有してもよい。【００８５】
シリカ系被膜の膜厚を調整するために、例えば、上述のシリカ系被膜形成用組成物中の（ａ）成分の濃度を調整してもよい。また、スピン塗布法を用いる場合、回転数と塗布回数を調整することにより膜厚を調整することができる。（ａ）成分の濃度を調整して膜厚を制御する場合は、例えば、膜厚を厚くする場合には（ａ）成分の濃度を高くし、膜厚を薄くする場合には（ａ）成分の濃度を低くすることにより制御することができる。また、スピン塗布法を用いて膜厚を調整する場合は、例えば、膜厚を厚くする場合には、回転数を下げたり、塗布回数を増やしたりすればよい。膜厚を薄くする場合には、回転数を上げたり、塗布回数を減らしたりすればよい。【００８６】
〔溶媒除去工程〕
溶媒除去工程における溶媒除去（乾燥）温度は、溶媒を除去可能な温度であれば特に限定されず、溶媒の種類によっても異なる。この溶媒除去温度は、５０〜３５０℃であると好ましく、１００〜３００℃であるとより好ましい。この温度が５０℃未満では、塗膜中の溶媒が十分に除去し難い傾向にあり、３５０℃を超えると、膜厚が不均一になりやすくなる傾向にある。【００８７】
溶媒の除去は、例えば、ホットプレート上に塗膜を形成したガラス体を載置して、あるいは加熱炉中に塗膜を形成したガラス体を収容して、所定温度で加熱することによって行われてもよい。ただし、溶媒の除去方法は、これらに限定されない。【００８８】
なお、後述する焼結強化工程における諸条件によっては、溶媒除去工程を省略することも可能である。【００８９】
〔焼結強化工程〕
焼結強化工程においては、少なくとも、溶媒除去工程により得られる塗膜の焼結処理と、上記ガラス体の強化処理とが同時に行われる。以下、ガラス体としてガラス板を用いた場合の一実施態様を説明する。【００９０】
まず、適当な板厚のガラス板の主面上に、上述のシリカ系被膜形成用組成物を塗布して塗膜を得、必要に応じて塗膜中の溶媒を除去した積層体を準備する。次いで、この積層体を加熱炉に収容して加熱する。この加熱処理は塗膜の焼結処理であると共に、ガラス板を強化するための一工程でもある。【００９１】
加熱温度は３００〜８００℃程度が好ましく、４００〜８００℃程度がより好ましく、４００〜７００℃程度が更に好ましく、４５０〜６５０℃程度が特に好ましく、５００〜６００℃程度が極めて好ましい。加熱温度が３００℃を下回ると、ガラスの歪点に達せず、ガラスを強化し難い傾向にある。加熱温度が８００℃を超えると、得られる反射防止膜は多くの有機基が離脱した状態になりやすくなる傾向にある。そのため、その反射防止膜は、例えば８５℃、８５％ＲＨ条件下での恒温恒湿試験などの信頼性試験によって劣化しやすくなる傾向にある。【００９２】
焼結強化工程後の積層体に反りが生じることを抑制するために、焼結強化工程時の加熱時間を短くしたり、加熱温度を低くしたりしてもよい。また、ガラス板をより強化するためには、ガラス板材料のＪＩＳ  Ｒ３１０３−１に規定されている軟化点よりも１５０℃低い温度から、その軟化点よりも１５０℃高い温度までの範囲で加熱温度が設定されることが好ましい。さらには、この加熱温度は、上記軟化点よりも１００℃低い温度から、その軟化点よりも１００℃高い温度までの範囲であるとより好ましく、上記軟化点よりも７０℃低い温度から、その軟化点よりも７０℃高い温度までの範囲であると更に好ましく、上記軟化点よりも５０℃低い温度から、その軟化点よりも５０℃高い温度までの範囲であると特に好ましい。【００９３】
なお、ガラス体（ガラス板）の強化が必要ではなく、反射防止効果を特に発揮させる場合には、上記加熱温度は３００〜５００℃であってもよい。【００９４】
加熱処理後の積層体は加熱炉から取り出され、直ちにその表面への空気の吹き付けにより冷却される。【００９５】
ガラス板の強化は、ガラス板の表面及び内部間の応力の違いに基づいてなされるものである。このガラス板の強化は、例えば、ガラス板の加熱処理−冷却処理のサイクルを繰り返すことによって行われる。本実施形態のシリカ系被膜形成用組成物を塗布した面は、ガラス板内部と対比して、熱膨張率が特に大きく異なる傾向にある。そのため、通常のガラス板の強化処理では、ガラス板自体が反ってしまう可能性がある。そこで、このような場合には、シリカ系被膜形成用組成物を塗布した面と塗布していない面とで、ガラス板表面に吹き付ける空気の量を変えて、それぞれの面の冷却速度を変えることによって、反り等の変形を回避可能となる。【００９６】
より具体的に説明すると、まず焼結処理及び強化処理されるべき積層体は、搬送ロールによってローラーハース式加熱炉内を水平に搬送されながら、ガラス板を強化するのに十分な温度、例えば５００〜６００℃まで加熱される。その後、ローラーハース式加熱炉から取り出された積層体は、冷却炉内の上下に対向して配置される風吸出口の間に移送される。次に、それら風吸出口から風（例えば空気流）を積層体表面に吹き付けて、ガラス板の温度が歪点以下（通常のソーダライムガラスの場合には５２０℃以下、好ましくは４８０℃以下）になるまで冷却する。吹き付ける空気流の温度は例えば２５〜４００℃であってもよく、空気流の吹き付け圧力は０．１〜１０ｋｇｆ／ｃｍ２であってもよい。風吹出口又は冷却炉壁は、鏡面加工したＳＵＳ３０４等の材質を用いて輻射率を０．１以下にすると好ましい。これにより、輻射によるガラス板の冷却を抑制できるので、空気流によるガラス板表面の冷却熱伝達率の制御が一層容易になる。ガラス板表面の冷却熱伝達率を通常よりも増加させて冷却できると、２００〜９００秒程度の時間で加熱処理−冷却処理の１サイクルを行うことができる。【００９７】
上述の焼結強化工程における塗膜の焼結処理及びガラス板の強化処理は、ローラーハース式加熱炉を利用したものであるが、焼結処理及び強化処理は上記方法に限定されない。例えば、ガスハース式加熱炉を利用して積層体を水平に搬送しながら加熱し、ガスハース式加熱炉の出口から積層体が出た直後に積層体を冷却する方法であってもよい。あるいは、積層体を吊手により吊下げて搬送しながら加熱炉内で加熱し、この加熱炉の出口から積層体が出た直後に積層体を冷却する方法を用いてもよい。【００９８】
ガラス板内部の中心部における引張応力及びガラス板表面における圧縮応力は、ガラス板内部の中心部温度がガラスの固化温度（通常のソーダライムガラスの場合には５６０〜５７０℃）を経由して変化する際の、ガラス板表面と中心部との温度差（温度分布）に依存する。したがって、ガラス板の強化処理における諸条件（加熱温度、加熱時間等）は、所望とするガラス板の強化度、すなわち上記引張応力及び圧縮応力に基づいて決定される。【００９９】
本実施形態では、主に上述のシリカ系被膜形成用組成物を反射防止膜の原料とすることに起因して、屈折率が１．３程度の反射防止膜を形成することができる。【０１００】
なお、本実施形態ではガラス体が板状であるガラス板である場合について説明したが、ガラス体の形状は板状に限定されない。ガラス体の形状は、光学部品、レンズ、プリズム、光ディスク、カメラレンズ、眼鏡、液晶パネル、プラズマディスプレイ、ブラウン管、ディスプレイ、機器メーターフード、太陽電池、太陽電池パネル（太陽電池モジュール）、太陽光集光器、窓ガラス、車両用ガラス及びショーウインド等の用途に適した形状であればよい。よって、例えばレンズ状、円筒状等であってもよい。【０１０１】
本発明の反射防止膜は、特に太陽電池モジュールのカバーガラス上、建材用ガラス上、自動車用ガラス上、ディスプレイ用ガラス上に形成される反射防止膜として特に好適に用いられる。【０１０２】
次に、本実施形態の反射防止膜及びその形成方法を太陽電池モジュールの製造に適用した場合について、図を参照しつつ説明する。図１は、本実施形態に係る反射防止膜を、白板強化ガラス上に形成して得られる積層体を示す模式断面図である。図１に示す積層体１００は、白板強化ガラス５７とその表面上に形成された反射防止膜（シリカ系被膜）６０とを備えている。この積層体１００は、上述の反射防止膜の形成方法におけるガラス板として白板ガラスを用いることにより作製される。この積層体は後述する太陽電池モジュールの表面透明部材として用いられる。【０１０３】
図３は本実施形態に係るシリコン太陽電池（以下、単に「太陽電池」ともいう。）の表面側（ａ）と裏面側（ｂ）の電極配置を主に示した模式平面図である。太陽電池の表面側（ａ）では、光反射を抑制させ、太陽光をできるだけ多くｐ型シリコン基板１上に取り込むため、反射防止膜４を設けている。また、表面側（ａ）には、シリコン基板１中で局所的に発電した電気を集電するための表面銀電極（グリッド電極）７と、更に集電した電気を外部に取り出すための表面銀電極（バス電極）１０とが配置されている。表面電極は入射する太陽光を遮断するため、可能なかぎりその電極総面積を小さくすることが発電効率向上の観点で望ましい。したがって、太陽電池の表面側（ａ）では、表面銀電極（グリッド電極）７は図示の通り櫛形であると好ましく、表面銀電極（バス電極）１０は図示の通り帯状であると好ましい。また、表面電極材料は、コスト及び性能の観点から銀を主成分とするものが好ましい。【０１０４】
太陽電池の裏面側（ｂ）では、裏面側で発生した電気の抵抗によるロスを低減するために、裏面アルミ電極８が裏面全面に設けられ、集電用に裏面銀電極（バス電極）１１が配置される。後述するが、裏面アルミ電極８は、電極焼結時に発電能力を改善するＢＳＦ（Ｂａｃｋ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｆｉｅｌｄ）層であるｐ＋層９（図３において図示せず。）を形成する。【０１０５】
図４は本実施形態に係るシリコン太陽電池の製造工程（（ａ）〜（ｇ））を示す工程断面図である。（ｆ）に示す断面は図３（ａ）に示すＡ−Ａ線による断面の一部に相当する。なお、一般的に現在最も量産されている太陽電池は、多結晶シリコン基板又は単結晶シリコン基板を用いた結晶系の太陽電池であり、厚さ数百μｍ厚のｐ型シリコン基板を用いている場合が多い。以下の説明ではｐ型の結晶系の太陽電池を例にとって説明する。【０１０６】
図４の（ａ）工程では、ｐ型シリコン基板１が準備される。【０１０７】
（ｂ）工程では、鋳造インゴットからスライスした際に発生するシリコン基板１の表面のダメージ層を、例えば数質量％〜２０質量％濃度の苛性ソーダや炭酸苛性ソーダを用いて、１０〜２０μｍ厚ほど除去する。その後、同様のアルカリ低濃度溶液にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を添加した溶液で異方性エッチングを行なって、シリコン結晶の（１１１）面が表面に露出するようにテクスチャー面２を形成する。【０１０８】
続いて、（ｃ）工程では、例えばオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）、窒素及び酸素の混合ガス雰囲気中、８００〜９００℃で数十分間の加熱処理を行う。こうして、シリコン基板１の表面側のテクスチャー面２上に均一な厚さを有するｎ型層３を形成する。テクスチャー面２上に一様に形成されたｎ型層３のシート抵抗が３０〜８０Ω／□の範囲であると、良好な太陽電池の電気特性が得られるので好ましい。この際、ｎ型層はシリコン基板１の全面に形成された後、表面側のｎ型層３のみを残して、裏面側及び側面に形成されたｎ型層を選択的に除去する。それらのｎ型層を除去する際に、表面側のｎ型層３まで除去しないように、まず、例えば高分子レジストペーストをスクリーン印刷法で表面側のｎ型層３上に付着して乾燥させてレジスト膜を得る。その後、ｎ型層及びレジスト膜が形成されたシリコン基板１を、２０質量％水酸化カリウム溶液中に数分間浸漬する。こうして、裏面側及び側面に形成されたｎ型層を除去し、次いでレジスト膜を有機溶剤で除去する。【０１０９】
次に（ｄ）工程では、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜又は酸化チタン膜からなる反射防止膜４をｎ型層３表面に一様な厚みで形成する。なお、この反射防止膜４は、本発明の反射防止膜であってもよいが、ここでは従来公知の反射防止膜を用いた場合として説明する。例えば、反射防止膜４が従来公知のシリコン酸化膜である場合、プラズマＣＶＤ法により、ＳｉＨ４ガス及びＮＨ３ガスを原材料にして、３００℃以上、減圧条件下で成膜形成する。この場合、屈折率は２．０〜２．２程度であり、最適な反射防止膜厚は７０〜９０ｎｍである。なお、このようにして形成される反射防止膜は絶縁体であることに注意すべきであり、表面電極をこの上に単に形成しただけでは、太陽電池として作用しない。【０１１０】
次いで、（ｅ）工程では、表面側のグリッド電極７及びバス電極１０を形成するための表面電極用銀ペースト５をスクリーン印刷法で付着乾燥させる。この場合、表面電極用銀ペースト５が反射防止膜４上に形成されている。次いで、裏面側においても表面側と同様に、裏面アルミ電極８及び裏面銀電極１１を形成するための裏面電極用アルミペースト６を印刷して乾燥させる。更に、図示はしないが、裏面側のバス電極を形成するための銀ペーストも印刷して乾燥させる。【０１１１】
そして、（ｆ）工程において、上述の各ペーストを同時に６００℃〜９００℃で数分間焼成する。すると、表面側では銀ペースト５中に含まれているガラス材料の作用で反射防止膜４が溶融している間に、銀材料がシリコンと接触し再凝固する。これによりグリッド電極７とｎ型層３との導通が確保される。なお、このようなプロセスはファイヤースルー法と呼ばれている。裏面電極用アルミペースト６は、上記焼成により裏面アルミ電極８を形成すると共に、シリコン基板１と反応して裏面アルミ電極８のシリコン基板１側にｐ＋層９を形成する。こうして太陽電池５１が得られる。【０１１２】
なお、銀電極の耐湿性向上を図るため、２００〜２５０℃の鉛・スズ共晶はんだ溶融槽に太陽電池５１を浸漬処理して、バス電極１０上に鉛はんだで被覆する場合もある。【０１１３】
図５は複数の太陽電池を相互に配線接続する態様を説明するための概略を示した模式図である。（ａ）は単独の太陽電池の表面側を示すものであり、（ｂ）は単独の太陽電池の裏面側を示すものであり、（ｃ）は複数の太陽電池を相互に配線接続した際の正面を示すものである。【０１１４】
上述のようにして得られた複数の太陽電池５１を相互に接続するために、まず、表裏のバス電極１０、１１上にそれぞれタブ電極５２ａ、５２ｂをはんだ付けにより形成する。表面側（ａ）では、表面銀電極（バス電極）１０上の全面に表面側用のタブ電極５２ａがはんだ付けにより形成される。この際、タブ電極５２ａは隣接した太陽電池に接続すべき部分が太陽電池の端部から側方に突出した状態になっている。裏面側（ｂ）では、裏面銀電極（バス電極）１１上の全面に裏面用のタブ電極５２ｂがはんだ付けにより形成される。裏面側（ｂ）においては表面側（ａ）とは異なり、タブ電極５２ｂが太陽電池の端部から側方に突出していない。【０１１５】
複数の太陽電池を相互に接続するタブ電極には、一般的に知られているものを用いることができ、例えば銅箔にはんだがコーティングされたものを用いてもよい。また、タブ電極における銅箔の厚さは０．１〜０．２ｍｍ程度、電極幅は１．０〜５．０ｍｍ程度のものであり、はんだコーティングの厚さは２０〜４０μｍ程度である。【０１１６】
次いで、正面（ｃ）に示すように、太陽電池５１の端部より側方に飛び出した表面側用のタブ電極５２ａを、隣接した太陽電池５１の裏面側用のタブ電極５２ｂにはんだ付けして、複数の太陽電池５１を相互に接続する。表面側用のタブ電極５２ａの飛び出した部分は、太陽電池５１の厚さを考慮し、（ｃ）に示すようにクランク状に曲げられていてもよい。この場合、表面側用のタブ電極５２ａのクランク状の加工は表面銀電極（バス電極）１０へのはんだ付け前に行うのが好ましい。【０１１７】
図６は、図５に示した複数の太陽電池５１を用いて作製した太陽電池モジュールを透視した斜視模式図を示す。また、図７は、図６のＢ−Ｂ線における断面のうち、太陽電池一枚分の断面を示した模式断面図である。太陽電池モジュール６００における複数の太陽電池５１の相互接続は、太陽電池５１の受光面側（表面側）がマイナス電極、裏面側がプラス電極となっている。したがって、モジュール６００内の全太陽電池を直列に接続する場合、最終的にはプラス電極のプラス取り出し電極タブ５５と、マイナス電極のマイナス取り出し電極タブ５６とをモジュールの外に引き出す構造となる。図６では図５の正面（ｃ）に示した接続態様で４枚の太陽電池が接続され、さらにこの４枚の太陽電池を横タブ配線５４によって接続している。なお、太陽電池が複数枚相互に接続された図６のような接続状態をアレイと呼称している。【０１１８】
太陽電池モジュール６００は長期信頼性が必要なため、図６及び図７に示すように、太陽電池アレイの表面側には太陽光を透過させながら雨水の侵入を防ぎ落下物等の衝撃を吸収する機能を備えた表面透明基材である白板強化ガラス５７を配する。更にその上に、上述した本実施形態に係る反射防止膜６０が形成されている。これら白板強化ガラス５７及び反射防止膜６０は、上述の積層体１００を成している。【０１１９】
裏面側には耐水性に優れたバックシート５３を配した構造となっている。バックシート５３としては、通常ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）樹脂によりＡｌフィルム等の金属箔を挟んだ積層構造を有するフィルムが好適に用いられる。太陽電池５１と白板強化ガラス５７やバックシート５３との間の間隙には、太陽電池封止材５８が充填されている。太陽電池封止材５８には、例えばＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）という光透過性の高い熱硬化型樹脂が用いられる。この太陽電池封止材５８は、間隙の充填と同時に、白板強化ガラス５７（積層体１００）、太陽電池５１及びバックシート５３を相互に接着する機能を有している。【０１２０】
このような太陽電池モジュールの作製工程を順に説明する。まず、上述のようにして得られた積層体１００の反射防止膜６０とは反対側にシート状の太陽電池封止材５８を載置する。更にその上にアレイ状に相互接続した太陽電池５１、シート状の太陽電池封止材５８、及びバックシート５３を順に積層する。この積層したものを１５０℃程度に加熱して、更に脱泡工程であるラミネートを行うことにより、太陽電池封止材５８が間隙をほぼ完全に充填し、図６及び７に示す構造の太陽電池モジュール６００が得られる。【０１２１】
以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【実施例】
【０１２２】
（調製例１）
まず、テトラエトキシシラン５１５．５ｇとメチルトリエトキシシラン４０２．０ｇとをジエチレングリコールジメチルエーテル１８５４．５ｇに溶解させた溶液中に、２．３８％のテトラメチルアンモニウム硝酸塩水溶液（ｐＨ＝３．６）１．３ｇを添加した。次いで、０．６４４質量％に調整した硝酸２７１．７ｇを攪拌下で３０分間かけて滴下した。滴下終了後３時間反応させた後、減圧下、温浴中で生成エタノール及びジエチレングリコールジメチルエーテルの一部を留去して、濃縮されたポリシロキサン溶液１６８１．９ｇを得た。このポリシロキサン溶液１６８１．９ｇにジエチレングリコールジメチルエーテル１２８．７ｇ、ポリプロピレングリコール（アルドリッチ社製、商品名「ＰＰＧ７２５」）８８．１ｇ、及びエタノール１００．０ｇを添加し、室温（２５℃）で３０分間攪拌溶解してシリカ系被膜形成用組成物であるポリシロキサン溶液を得た。ＧＰＣ法によりこのポリシロキサンの重量平均分子量を測定すると、８７０であった。【０１２３】
（調製例２）
まず、テトラエトキシシラン１３７．５ｇとメチルトリエトキシシラン１０７．２ｇとを仕込み、そこにジエチレングリコールジメチルエーテルを４８３．９ｇ添加して常温で２００回転数の速度で攪拌しながら溶解させた。これに６０％硝酸０．４７ｇを水７１．９８ｇに溶解した水溶液を攪拌下で３０分かけて滴下した。滴下終了後３時間反応させ、ポリシロキサン溶液を得た。このポリシロキサン溶液を減圧下、７５〜８５℃の温浴中に入れ、そのポリシロキサン溶液から生成したエタノール及び溶媒のジエチレングリコールジメチルエーテルの一部を留去して、濃縮されたポリシロキサン溶液５３０．１ｇを得た。ＧＰＣ法によりこのポリシロキサンの重量平均分子量を測定すると、１１１０であった。なお、空隙形成材として使用したポリプロピレングリコールの３５０℃における重量減少率は９９．９％であった。【０１２４】
次いで、濃縮されたポリシロキサン溶液４６４．４ｇ、さらに空隙形成剤としてポリプロピレングリコール（アルドリッチ社製、商品名「ＰＰＧ７２５」）２０．３４ｇ、ジエチレングリコールジメチルエーテル３９６．１ｇ、２．３８％のテトラメチルアンモニウム硝酸塩水溶液（ｐＨ＝３．６）１４．６ｇ、及び１％に希釈したマレイン酸水溶液４．５ｇを添加し、室温（２５℃）で３０分間攪拌溶解してシリカ系被膜形成用組成物を作製した。なお、空隙形成材として使用したポリプロピレングリコールの３５０℃における重量減少率は９９．９％であった。【０１２５】
（調製例３）
まず、テトラエトキシシラン１５４．６ｇとメチルトリエトキシシラン１２０．６ｇとをシクロヘキサノン５４３．３ｇに溶解させた溶液中に、７０％硝酸０．５２５ｇを溶解させた水８０．９８ｇを攪拌下で３０分かけて滴下した。滴下終了後５時間反応させた後、減圧下、温浴中で生成エタノール及びシクロヘキサノンの一部を留去して、濃縮されたポリシロキサン溶液５８３．７ｇを得た。ＧＰＣ法によりこのポリシロキサンの重量平均分子量を測定すると、１３５０であった。【０１２６】
次いで、濃縮されたポリシロキサン溶液５５３．９ｇに空隙形成材としてポリプロピレングリコール（アルドリッチ社製、商品名「ＰＰＧ７２５」）２４．８６ｇ、シクロヘキサノン４９８．７ｇ、２．３８％のテトラメチルアンモニウム硝酸塩水溶液（ｐＨ＝３．６）１７．８９ｇ、及び１％に希釈したマレイン酸水溶液５．５ｇを添加し、室温（２５℃）で３０分間攪拌溶解してシリカ系被膜形成用組成物を作製した。なお、空隙形成材として使用したポリプロピレングリコールの３５０℃における重量減少率は９９．９％であった。【０１２７】
［反射防止膜の製造］
（実施例１〜３）
調製例１〜３で得た各シリカ系被膜形成用組成物を、その塗膜厚さが硬化後に１７５±１０ｎｍになるように濃度を調整した。次いで、シリカ系被膜形成用組成物をシリコンウエハ及び白板ガラス上にそれぞれスプレー塗布して、シリコンウエハ又は白板ガラス上に塗膜を形成した積層体を得た。得られた積層体をホットプレートにて２５０℃で３分かけて加熱し、塗膜中の溶媒を除去した後、予め６３０℃に調整した石英チューブ炉に投入し、３０分間炉内に静置した。次いで、積層体を石英チューブ炉から取り出し、室温の圧縮空気を吹き付け冷却した。こうしてシリコンウエハ又は白板強化ガラス上に反射防止膜が形成された積層体を得た。なお調製例１〜３のシリカ系被膜形成用組成物に対応して、それぞれ実施例１〜３の積層体又は反射防止膜とした。【０１２８】
［反射防止膜の評価］
シリコンウエハ上に形成された反射防止膜について、エリプソメータを用いて６３４ｎｍにおける屈折率を測定した。結果を表１に示す。【０１２９】
【表１】
2006132351.tif 000002
【０１３０】
また、図１の積層体１００におけるものと同様にして、白板強化ガラス上に形成された実施例１の反射防止膜について、積層体１００の反射防止膜６０側と同様の側から光を照射した場合の反射率の波長依存性をエリプソメータにより測定した。結果を図２に示す。破線ａは積層体１００の反射率を示し、実線ｂは白板強化ガラス５７のみの反射率を示す。この図２によると、シリコン系太陽電池が感度を有する全波長領域で、白板強化ガラス５７のみの場合よりも、白板強化ガラス５７上に反射防止膜６０を形成した場合の方が反射率は１％程度低くなった。【０１３１】
［太陽電池（モジュール）の評価］
実施例１の積層体（反射防止膜／白板強化ガラス）を用いて、上述と同様にして、図７に示すものと同様の太陽電池モジュールを作製した。また、比較例１に係る太陽電池モジュールとして、積層体（反射防止膜／白板強化ガラス）に代えて白板強化ガラス（旭硝子株式会社製、太陽電池カバーガラス）のみを用いた以外は実施例１と同様にして、太陽電池モジュールを作製した。これらの太陽電池モジュールについて、開放電圧（Ｖｏｃ）、電流密度（Ｊｓｃ）、曲線因子（ＦＦ）及び変換効率（Ｅｆｆ）を測定した。結果を表２に示す。【０１３２】
【表２】
2006132351.tif 000003
【０１３３】
本発明に係る反射防止膜（シリカ系皮膜）を形成したことによって、反射防止膜を形成しなかったものと比較して、電流密度が約０．６５ｍＡ／ｃｍ２増加し、変換効率（Ｅｆｆ）は絶対評価で０．３％向上した。これは、図２に示した評価結果の傾向と合致するものであった。【０１３４】
（実施例４）
白板ガラス上に、調製例２で得られたシリカ系被膜形成用組成物を滴下した後、下記条件でスピナーによりスピン塗布して、白板ガラス上に塗膜を形成して積層体を得た。スピン条件は、予備スピン：１０００ｒｐｍで１０秒、本スピン：２０００ｒｐｍで３０秒の条件とした。【０１３５】
得られた積層体をホットプレートにて２５０℃で５分かけて加熱し、塗膜中の溶媒を除去した。その後、予め炉内温度を５００℃、６００℃、７００℃に調整した半導体製造用縦型拡散炉（光洋サーモシステムズ社製、商品名「μ−ＴＦ」）それぞれに、溶媒除去後の積層体を投入し、３分間炉内に静置した。次いで、静置後の積層体を半導体製造用縦型拡散炉から取り出し、室温の圧縮空気を吹き付け冷却した。こうして白板強化ガラス上に反射防止膜が形成された積層体を得た。【０１３６】
なお、拡散炉による加熱は以下のように行った。まず、炉のフタの機能を併せ持つ可動ステージを上昇させ、炉を閉じた状態にした。次いで、閉じた状態のまま、所定の温度まで炉を加熱した。また、準備として、石英製のホルダーに半導体用のシリコンウエハを装填し、この上に上記積層体を置いた。炉が所定の温度に達したところで、可動ステージを下降させ、準備しておいた石英ホルダーを速やかに可動ステージ上に載せた。そして、可動ステージを再び上昇させて、炉を閉じた状態にした。この状態で３分間保持した後、可動ステージを下降させ、積層体を炉外に取り出した。【０１３７】
それぞれの炉内温度での加熱により、白板強化ガラスの上に反射防止膜を形成した積層体について、その反射防止膜側から光を照射した場合の反射率の波長依存性をエリプソメータにより測定した。結果を図８に示す。図中、（ｘ１）は５００℃、（ｘ２）は６００℃、（ｘ３）は７００℃の炉内温度で加熱した場合を示す。なお、（ｘ４）は、白板強化ガラス（旭硝子株式会社製、太陽電池カバーガラス）のみの場合を示す。この図８によると、シリコン系太陽電池が感度を有する全波長領域で、白板強化ガラスのみの場合よりも、白板強化ガラス上に反射防止膜を形成した場合の方が反射率は低くなることが分かった。【０１３８】
（実施例５）
白板ガラス上に、調製例２で得られたシリカ系被膜形成用組成物を滴下した後、下記条件でスピナーによりスピン塗布して、白板ガラス上に塗膜を形成して積層体を得た。スピン条件は、予備スピン：１０００ｒｐｍで１０秒、本スピン：２０００ｒｐｍで３０秒の条件とした。【０１３９】
得られた積層体をホットプレートにて２５０℃で５分かけて加熱し、塗膜中の溶媒を除去した。その後、炉内が室温である上記半導体製造用縦型拡散炉に、溶媒除去後の積層体を投入し、所定温度（３００℃、４００℃、５００℃又は６００℃）まで昇温して、１０分間その温度で炉内に静置した。次いで、静置後の積層体を半導体製造用縦型拡散炉から取り出し、室温の圧縮空気を吹き付け冷却した。こうして白板強化ガラス上に反射防止膜が形成された積層体を得た。【０１４０】
なお、加熱は以下のように行った。石英製のホルダーに半導体用のシリコンウエハを装填し、この上に上記積層体を置いた。次に、積層体と共に石英ホルダーを、炉のフタの機能を併せ持つ可動ステージ上に載せた。次いで、可動ステージを上昇させて炉を閉じた状態にした。次に、室温から所定の温度まで、２０分かけて炉内を昇温し、１０分間その温度で保持した後、２０分かけて、２００℃程度まで炉内を降温した。そして可動ステージを下降させ、積層体を炉外に取り出した。【０１４１】
それぞれの炉内温度での加熱により、白板強化ガラスの上に反射防止膜を形成した積層体について、その反射防止膜側から光を照射した場合の反射率の波長依存性をエリプソメータにより測定した。結果を図９に示す。図中、（ｙ１）は３００℃、（ｙ２）は４００℃、（ｙ３）は５００℃、（ｙ４）は６００℃の炉内温度で加熱した場合を示す。なお、（ｙ５）は、白板強化ガラス（旭硝子株式会社製、太陽電池カバーガラス）のみの場合を示す。この図９によると、シリコン系太陽電池が感度を有する全波長領域で、白板強化ガラスのみの場合よりも、白板強化ガラス上に反射防止膜を形成した場合の方が反射率は低くなることが判明した。【０１４２】
（実施例６）
白板ガラス上に、調製例３で得られたシリカ系被膜形成用組成物を滴下した後、下記条件でスピナーによりスピン塗布して、白板ガラス上に塗膜を形成して積層体を得た。スピン条件は、予備スピン：１０００ｒｐｍで１０秒、本スピン：２０００ｒｐｍで３０秒の条件とした。【０１４３】
得られた積層体をホットプレートにて２５０℃で５分かけて加熱し、塗膜中の溶媒を除去した。その後、予め炉内温度を５００℃、６００℃、７００℃に調整した半導体製造用縦型拡散炉（光洋サーモシステムズ社製、商品名「μ−ＴＦ」）それぞれに、溶媒除去後の積層体を投入し、３分間炉内に静置した。次いで、静置後の積層体を半導体製造用縦型拡散炉から取り出し、室温の圧縮空気を吹き付け冷却した。こうして白板強化ガラス上に反射防止膜が形成された積層体を得た。【０１４４】
なお、拡散炉による加熱は以下のように行った。まず、炉のフタの機能を併せ持つ可動ステージを上昇させ、炉を閉じた状態にした。次いで、閉じた状態のまま、所定の温度まで炉を加熱した。また、準備として、石英製のホルダーに半導体用のシリコンウエハを装填し、この上に上記積層体を置いた。炉が所定の温度に達したところで、可動ステージを下降させ、準備しておいた石英ホルダーを速やかに可動ステージ上に載せた。そして、可動ステージを再び上昇させて、炉を閉じた状態にした。この状態で３分間保持した後、可動ステージを下降させ、積層体を炉外に取り出した。【０１４５】
それぞれの炉内温度での加熱により、白板強化ガラスの上に反射防止膜を形成した積層体について、その反射防止膜側から光を照射した場合の反射率の波長依存性をエリプソメータにより測定した。結果を図１０に示す。（ｚ１）は５００℃、（ｚ２）は６００℃、（ｚ３）は７００℃の炉内温度で加熱した場合を示す。なお、（ｚ４）は、白板強化ガラス（旭硝子株式会社製、太陽電池カバーガラス）のみの場合を示す。この図１０によると、シリコン系太陽電池が感度を有する全波長領域で、白板強化ガラスのみの場合よりも、白板強化ガラス上に反射防止膜を形成した場合の方が反射率は低くなることが分かった。【０１４６】
（実施例７）
白板ガラス上に、調製例３で得られたシリカ系被膜形成用組成物を滴下した後、下記条件でスピナーによりスピン塗布して、白板ガラス上に塗膜を形成して積層体を得た。スピン条件は、予備スピン：１０００ｒｐｍで１０秒、本スピン：２０００ｒｐｍで３０秒の条件とした。【０１４７】
得られた積層体をホットプレートにて２５０℃で５分かけて加熱し、塗膜中の溶媒を除去した。その後、炉内が室温である上記半導体製造用縦型拡散炉に、溶媒除去後の積層体を投入し、所定温度（３００℃、４００℃、５００℃又は６００℃）まで昇温して、１０分間その温度で炉内に静置した。次いで、静置後の積層体を半導体製造用縦型拡散炉から取り出し、室温の圧縮空気を吹き付け冷却した。こうして白板強化ガラス上に反射防止膜が形成された積層体を得た。【０１４８】
なお、加熱は以下のように行った。石英製のホルダーに半導体用のシリコンウエハを装填し、この上に上記積層体を置いた。次に、積層体と共に石英ホルダーを、炉のフタの機能を併せ持つ可動ステージ上に載せた。次いで、可動ステージを上昇させて炉を閉じた状態にした。次に、室温から所定の温度まで、２０分かけて炉内を昇温し、１０分間その温度で保持した後、２０分かけて、２００℃程度まで炉内を降温した。そして可動ステージを下降させ、積層体を炉外に取り出した。【０１４９】
それぞれの炉内温度での加熱により、白板強化ガラスの上に反射防止膜を形成した積層体について、その反射防止膜側から光を照射した場合の反射率の波長依存性をエリプソメータにより測定した。結果を図１１に示す。図中、（ｗ１）は３００℃、（ｗ２）は４００℃、（ｗ３）は５００℃、（ｗ４）は６００℃の炉内温度で加熱した場合を示す。なお、（ｗ５）は、白板強化ガラス（旭硝子株式会社製、太陽電池カバーガラス）のみの場合を示す。この図１１によると、シリコン系太陽電池が感度を有する全波長領域で、白板強化ガラスのみの場合よりも、白板強化ガラス上に反射防止膜を形成した場合の方が反射率は低くなることが判明した。
【産業上の利用可能性】
【０１５０】
本発明によれば、十分に低コストで反射防止膜を形成する反射防止膜の形成方法を提供することができる。
【図１】
2006132351.tif 000004
【図２】
2006132351.tif 000005
【図３】
2006132351.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
2006132351.tif 000009
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2006132351.tif 000013
【図１１】
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【国際調査報告】
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