【事件の表示】
　特願２０１７−　２２３９３「銅端子材及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　８月１６日出願公開、特開２０１８−１２９２２６、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件に係る出願は、平成２９年２月９日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和２年　９月１１日付け：拒絶理由通知書
　令和２年１０月２６日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和２年１１月２０日付け：拒絶査定（以下、「原査定」という。）
　令和３年　１月２６日　　：審判請求書、手続補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定の概要は以下のとおりである。
（進歩性）この出願の請求項１〜７に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された以下の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献１：特開２０１５−１３７４２１号公報
引用文献２：特開平５−１３６７号公報（周知技術を示す文献）
引用文献３：特開２００７−１２８６８４号公報（周知技術を示す文献）
引用文献４：特開２０１５−５３２５１号公報
第３　審判請求時の補正
１．令和３年１月２６日に審判請求と同時にした手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　本件補正により、特許請求の範囲の記載は、次のとおり補正された（下線部は、補正箇所である。）。
「【請求項１】
　銅または銅合金からなる基材上に厚さ０．１μｍ以上１０．０μｍ以下の拡散防止層が形成されるとともに、該拡散防止層
の一
【請求項２】
　前記拡散防止層が、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金のいずれかからなる１層以上の金属層によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の銅端子材。
【請求項３】
　前記拡散防止層における前記粒径調整部の上に、金、金合金、銀、銀合金、パラジウム、パラジウム合金、白金、白金合金、ロジウム、ロジウム合金のいずれか１層以上からなる厚さ０．１μｍ以上５．０μｍ以下の貴金属層が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の銅端子材。
【請求項４】
　請求項１から３のいずれか一項に記載の銅端子材を製造する方法であって、前記基材の表面に金属被覆層を形成した後、該金属被覆層の表面
の一
【請求項５】
　前記レーザ光が、固体レーザ、ファイバーレーザ、半導体レーザもしくはガスレーザより得られる、波長が４００ｎｍ以上１１μｍ以下の範囲のレーザ光であることを特徴とする請求項４記載の銅端子材の製造方法。
【請求項６】
　請求項３記載の銅端子材を製造する方法であって、前記基材の表面に金属被覆層を形成した後、該金属被覆層の表面
の一
【請求項７】
　前記レーザ光が、固体レーザ、ファイバーレーザ、半導体レーザもしくはガスレーザより得られる、波長が２００ｎｍ以上１．１μｍ以下の範囲のレーザ光であることを特徴とする請求項６記載の銅端子材の製造方法。」
２．本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の特許請求の範囲の記載は、令和２年１０月２６日に手続補正した特許請求の範囲の記載によって特定される次のとおりである。
「【請求項１】
　銅または銅合金からなる基材上に厚さ０．１μｍ以上１０．０μｍ以下の拡散防止層が形成されるとともに、該拡散防止層の少なくとも一部に、平均結晶粒径が０．３μｍ以上とされた粒径調整部が形成され、該粒径調整部以外の領域における前記拡散防止層の平均結晶粒径は０．３μｍ未満とされており、前記基材のうち、前記粒径調整部に接する部分に、該粒径調整部との境界面から１μｍ以上５０μｍ以下の厚さの範囲で前記拡散防止層中の金属の含有率が１．０質量％以上となる変質層が形成されていることを特徴とする銅端子材。
【請求項２】
　前記拡散防止層が、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金のいずれかからなる１層以上の金属層によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の銅端子材。
【請求項３】
　前記拡散防止層における前記粒径調整部の上に、金、金合金、銀、銀合金、パラジウム、パラジウム合金、白金、白金合金、ロジウム、ロジウム合金のいずれか１層以上からなる厚さ０．１μｍ以上５．０μｍ以下の貴金属層が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の銅端子材。
【請求項４】
　請求項１から３のいずれか一項に記載の銅端子材を製造する方法であって、前記基材の表面に金属被覆層を形成した後、該金属被覆層の表面の少なくとも一部にレーザ光を照射することにより、前記金属被覆層を、前記レーザ光が照射された部分が前記粒径調整部とされた前記拡散防止層とするとともに、前記粒径調整部に接する部分の前記基材に前記変質層を形成することを特徴とする銅端子材の製造方法。
【請求項５】
　前記レーザ光が、固体レーザ、ファイバーレーザ、半導体レーザもしくはガスレーザより得られる、波長が４００ｎｍ以上１１μｍ以下の範囲のレーザ光であることを特徴とする請求項４記載の銅端子材の製造方法。
【請求項６】
　請求項３記載の銅端子材を製造する方法であって、前記基材の表面に金属被覆層を形成した後、該金属被覆層の表面の少なくとも一部に前記貴金属層を形成し、該貴金属層の表面にレーザ光を照射することにより、前記金属被覆層を、前記レーザ光が照射された部分が前記粒径調整部とされた前記拡散防止層とするとともに、前記粒径調整部に接する部分の前記基材に前記変質層を形成することを特徴とする銅端子材の製造方法。
【請求項７】
　前記レーザ光が、固体レーザ、ファイバーレーザ、半導体レーザもしくはガスレーザより得られる、波長が２００ｎｍ以上１．１μｍ以下の範囲のレーザ光であることを特徴とする請求項６記載の銅端子材の製造方法。」
３．本件補正の適否
（１）補正事項１
　本件補正前の請求項１の「該拡散防止層の少なくとも一部に、平均結晶粒径が０．３μｍ以上とされた粒径調整部が形成され」を「該拡散防止層
の一
　また、上記補正事項は、願書に最初に添付した明細書（以下、「当初明細書」という。）の段落【００２１】及び【図１】に記載されているから、上記補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてするものであって、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
（２）補正事項２
　本件補正前の請求項４の「該金属被覆層の表面の少なくとも一部にレーザ光を照射する」を「該金属被覆層の表面
の一
　また、上記補正事項は、当初明細書の段落【００２６】及び【図３】に記載されているから、上記補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてするものであって、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
（３）補正事項３
　本件補正前の請求項６の「該金属被覆層の表面の少なくとも一部に前記貴金属層を形成し」を「該金属被覆層の表面
の一
　また、上記補正事項は、当初明細書の段落【００３０】及び【図６】に記載されているから、上記補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてするものであって、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正前の請求項１〜７と、本件補正後の請求項１〜７に係る発明とは、特許法第１７条の２第４項に規定する一群の発明に該当する。
　上記のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項〜第５項に規定する要件を満たすものである。
　そして、補正後の請求項１〜７に係る発明は、同法同条第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができるものでなければならないので、以下、検討する。
４．独立特許要件について
（１）本願発明１〜７について
　本願の請求項１〜７に係る発明（以下、「本願発明１」〜「本願発明７」という。）は、令和３年１月２６日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定される、上記１．のとおりである。
（２）引用文献に記載された事項及び引用発明
ア　引用文献１に記載された事項及び引用発明について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献１には、以下の事項が記載されている（下線は当審において付与した。以下同様。）。
（ア）「【０００１】
　本発明は、
貴金属被覆材およびその製造方法に関する。特に、電気接点用の貴金属被覆材およびその製造方法に関する。
（イ）「【００１１】
　本発明の上記課題は以下の手段により解決される。
（１）
導電性金属基体上の最表面に貴金属層が設けられた電気接点用貴金属被覆材であって、導電性金属基体と前記貴金属層との間に１層以上の下地層が形成されており、前記下地層の平均結晶粒径が０．３μｍ以上であることを特徴とする電気接点用貴金属被覆材。
（２）
前記導電性金属基体が、銅または銅合金、鉄または鉄合金、あるいはアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる
（３）前記下地層が、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、亜鉛、亜鉛合金、銅、銅合金のうちいずれか１層以上からなる、（１）または（２）に記載の電気接点用貴金属被覆材。
（４）前記貴金属層が、金、金合金、銀、銀合金、白金、白金合金、パラジウム、パラジウム合金、ロジウム、ロジウム合金、ルテニウム、ルテニウム合金、イリジウム、イリジウム合金、オスミウム、オスミウム合金のうち、いずれか１層以上からなる、（１）〜（３）のいずれか１項に記載の電気接点用貴金属被覆材。
（５）（１）〜（４）のいずれか１項に記載の貴金属被覆材を製造する方法であって、電気めっき法にて導電性金属基体上に下地層を形成する際、添加剤中の化合物の硫黄、炭素、窒素、塩素の元素濃度を合計で１０００ｐｐｍ以下とすることを特徴とする、貴金属被覆材料の製造方法。
（６）前記下地層を形成する電気めっきの電流密度を１０Ａ/ｄｍ２未満とする、（５）に貴金属被覆材料の製造方法。
（７）前記下地層を形成した後、５０〜１５０℃で０．０８〜３時間の熱処理を行う、或いは、加工率１０％以上で圧延加工する、（５）または（６）に記載の貴金属被覆材料の製造方法。
（８）前記下地層を形成する電気めっきの電流密度を１０Ａ/ｄｍ２以上とし、
　前記下地層を形成した後、５０〜１５０℃で０．０８〜３時間の熱処理を行う、或いは、加工率１０％以上で圧延加工する、（５）に記載の貴金属被覆材料の製造方法。」
（ウ）「【００１４】
（電気接点用貴金属被覆材）
＜導電性金属基体＞
　
本発明に用いる導電性基体成分としては、銅または銅合金、鉄または鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金等が好ましく、中でも導電率の良い銅または銅合金が好ましい。
【００１５】
＜下地層＞
　
本発明における下地層を構成する金属は、所定の厚さで基体成分の拡散を防止でき、耐熱性を付与するものであれば特に制限はない。しかし、安価で被覆の容易なニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、亜鉛、亜鉛合金、銅、銅合金のうちいずれかからなることが好ましい。これらの金属からなる下地層は、密着性向上および基体成分の拡散防止に効果的である。
【００１６】
　
本発明における下地層の金属の平均結晶粒径は０．３μｍ以上とする。
このような平均結晶粒径を有する下地層が設けられた貴金属被覆材では、導電性金属基体の成分の拡散を抑制することができ、貴金属層の劣化防止に寄与する。
【００１７】
　さらに本発明において、
下地層の厚さは特に限定しないが、例えば下地層が厚さ０．００１〜５．０００μｍで形成されていることで、密着性及び耐熱性をより効果的に改善できる。下地層は、厚みが厚くなると曲げ加工性が悪化する傾向にあるので、１層以上の下地層の合計厚さが、最大でも５．０００μｍまで、好ましくは３．０００μｍ以下、さらに好ましくは１．０００μｍ以下で形成することが好ましい。本発明品は従来品（下地層の平均結晶粒径が０．３μｍより小径である場合）に比べ、下地層の結晶一つ一つの弾性域が広がるので、曲げ加工性は良好になる。
（エ）「【００２２】
（貴金属被覆材の製造方法）
＜下地層の粒径制御１＞
　本発明者らは、下地層の平均結晶粒径は、添加剤中の硫黄・炭素・窒素・塩素成分のうちいずれか１種類以上を含有する化合物の濃度によって左右されやすいということを見出した。添加剤が含有されためっき液では析出が微細になるため、これらの成分を極力排除（添加剤中の化合物の硫黄・炭素・窒素・塩素の元素濃度として１０００ｐｐｍ以下）することが重要である。よって、
添加剤中の化合物の硫黄・炭素・窒素・塩素の元素濃度が合計で１０００ｐｐｍ以下であるめっき液を使用することで、下地層の形成時点で下地層の平均結晶粒径を０．３μｍ以上とすることに成功した。
（オ）「【００２７】
＜下地層の粒径制御２＞
　本発明によれば、
下地層形成直後や下地層および貴金属層形成後に減面加工を行うことで、下地層に再結晶駆動力を導入して再結晶化しやすくすることができる。
（カ）「【００３２】
＜下地層の粒径制御３＞
　本発明によれば、
下地層の平均結晶粒径の粗大化を促進するために、下地層のめっき後に熱処理を行っても良い。バッチ型あるいは走間型などの手法によって熱処理（調質又は低温焼鈍ともいう）を施すことで、調質するとともに、下地層を再結晶化させることができる。
【００３３】
　以上述べてきたように、
下地層の粒径制御１〜３の製造方法によれば、めっき後の下地層の平均結晶粒径を０．３μｍ以上に制御できる。
（キ）「【００３７】
（貴金属被覆材の用途）
　
本発明にて得られた貴金属被覆材料は、特に耐熱性に優れるので、結果的に各製造工程での熱履歴経過後の表層汚染が少なく、かつ長期信頼性に優れる。このため、コネクタ、摺動接点、タクトスイッチ、シートスイッチ、摺動接点などの電気的接続を必要とする電気接点に適用することで、長期信頼性に優れた電気接点材料として活用することができる。
（ク）「【００４７】
　表１の結果より以下のことが明らかである。
　
比較例１では下地層の平均結晶粒径が０．３μｍ未満であるので、高温下での接触抵抗が時間の経過によって大きく上昇し、最表層中への基体成分の拡散量が著しく多い。従来例１においても下地層の平均結晶粒径が０．３μｍに達せず、接触抵抗が高温下、時間の経過によって大きく上昇し、最表層中への基体成分の拡散量が多い。従来例２において従来例１と同様、接触抵抗が高温下、時間の経過によって大きく上昇した。また最表層中への基体成分の拡散量が著しく多く、加えて、曲げ加工性試験において割れが生じ実用性がない。
　摘記事項（ア）〜（キ）から、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「銅または銅合金からなる導電性金属基体に厚さ０．００１〜５．０００μｍの下地層が形成され、下地層の金属の平均結晶粒径は０．３μｍ以上とする、貴金属被覆材料からなる電気接点。」
（３）対比・判断
ア　本願発明１について
（ア）対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
　引用発明の「銅または銅合金からなる導電性金属基体」は、本願発明１の「銅または銅合金からなる基材」に相当する。
　４．（２）アの摘記事項（ウ）に示すとおり、引用文献１の段落【００１５】に「これらの金属からなる下地層は、密着性向上および基体成分の拡散防止に効果的である。」と記載されているから、引用発明の「下地層」は、本願発明１の「拡散防止層」に相当する。
　引用発明の「下地層の金属の平均結晶粒径は０．３μｍ以上とする」ことは、「拡散防止層の平均結晶粒径が０．３μｍ以上とされ」ているという限りにおいて、本願発明１の「該拡散防止層の一部に、平均結晶粒径が０．３μｍ以上とされた粒径調整部が形成され」ていることに一致する。
　引用発明の「貴金属被覆材料からなる電気接点」は、「銅または銅合金からなる導電性金属基体」を有しているから、本願発明１の「銅端子材」に相当する。
　以上のことから、本願発明１と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
【一致点】
「銅または銅合金からなる基材上に拡散防止層が形成されるとともに、該拡散防止層の平均結晶粒径が０．３μｍ以上とされている銅端子材。」
【相違点１】
　本願発明１では、「拡散防止層」が「厚さ０．１μｍ以上１０．０μｍ以下」であるのに対し、引用発明では、「下地層」が「厚さ０．００１〜５．０００μｍ」である点。
【相違点２】
　本願発明１では、「該拡散防止層の一部に、平均結晶粒径が０．３μｍ以上とされた粒径調整部が形成され、該粒径調整部以外の領域における前記拡散防止層の平均結晶粒径は０．３μｍ未満とされて」いるのに対し、引用発明では、「下地層の金属の平均結晶粒径は０．３μｍ以上とする」点。
【相違点３】
　本願発明１では、「前記基材のうち、前記粒径調整部に接する部分に、該粒径調整部との境界面から１μｍ以上５０μｍ以下の厚さの範囲で前記拡散防止層中の金属の含有率が１．０質量％以上となる変質層が形成されている」のに対し、引用発明では、かかる構成が特定されていない。
（イ）判断
　事案に鑑み、上記相違点２について検討する。
　４．（２）アの摘記事項（エ）〜（カ）のとおり、引用文献１には、引用発明の下地層の金属の平均結晶粒径を０．３μｍ以上に制御する粒径制御１〜３の製造方法が記載されているが、あえて下地層の特定の範囲の結晶粒径を制御する旨の記載も示唆も無いことを鑑みれば、上記粒径制御１〜３の製造方法は、下地層全体に対して略均一に施されるものと認められる。
　また、４．（２）アの摘記事項（ク）のとおり、引用文献１には、下地層の金属の平均結晶粒径が０．３μｍ未満であると、高温下での接触抵抗が時間の経過によって大きく上昇し、最表層中への基体成分の拡散量が著しく多く、曲げ加工性試験において割れが生じ実用性がないことが記載されている。
　してみると、引用発明において、粒径制御１〜３の製造方法で平均結晶粒径が制御された下地層は、
全域にわたって
　そして、引用文献１には、下地層の一部の平均結晶粒径を０．３μｍ以上とし、その他の部分を０．３μｍ未満とすることを示唆する記載はない。
　してみると、引用発明において、下地層の一部の平均結晶粒径を０．３μｍ以上とし、それ以外の領域における下地層の平均結晶粒径を０．３μｍ未満とすることの動機付けはないし、下地層の平均結晶粒径を０．３μｍ未満とすることに阻害要因も存在するというべきである。
　よって、引用発明において、上記相違点２に係る本願発明１の構成とすることは、当業者といえども容易に想到し得たことではない。
　したがって、相違点１及び３について論じるまでもなく、本願発明１は、引用発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
イ　本願発明２〜７について
　本願発明２〜７は、本願発明１を限定するものであって、本願発明１の「該拡散防止層の一部に、平均結晶粒径が０．３μｍ以上とされた粒径調整部が形成され、該粒径調整部以外の領域における前記拡散防止層の平均結晶粒径は０．３μｍ未満とされて」いる点と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明に基いて容易に発明をすることができたものとはいえない。
５．小括
　以上のとおりであるから、本願発明１〜７は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明ではなく、その他の拒絶理由も発見できないから、特許出願の際独立して特許を受けることができる発明であるので、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
第４　原査定について
　本件補正により、本願発明１〜７は、「該拡散防止層の一部に、平均結晶粒径が０．３μｍ以上とされた粒径調整部が形成され、該粒径調整部以外の領域における前記拡散防止層の平均結晶粒径は０．３μｍ未満とされて」いるという発明特定事項を備えるものとなっており、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１に記載された発明に基いて、容易に発明をすることができたものとはいえない。
　したがって、原査定の理由を維持することはできない。
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。