【事件の表示】
　特願２０１３−２６６８９５「発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　７月１０日出願公開、特開２０１４−１３１０４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２５年１２月２５日（パリ条約による優先権主張　２０１２年１２月２７日、韓国）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２９年１２月　４日付け：拒絶理由通知（同年同月１２日発送）
平成３０年　３月　９日　　：手続補正、意見書提出
　　　同年　８月２０日付け：拒絶理由通知（同年同月２８日発送）
　　　同年１１月２７日　　：意見書提出
平成３１年　１月　８日付け：拒絶査定（同年同月１５日謄本送達）
令和　元年　５月１４日　　：審判請求、手続補正
令和　２年　３月１３日付け：拒絶理由通知（同年同月１７日発送）
　　　同年　６月１２日　　：手続補正、意見書提出
第２　当審における拒絶の理由
　令和２年３月１３日付けで当審が通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）は、次のとおりである。
１　令和２年６月１２日提出の手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）前の請求項１及び２０には、各発光セル間の具体的離隔距離及び各発光セルの発光領域の具体的形状配置についての特定はされておらず、例えば、当該各発光セル間の具体的離隔距離が極めて大きく取られ、結果として、各発光セルの発光領域の大きさが従来技術に比して小さいものも請求項１及び２０に含まれることになり、そのような、各発光セルの発光領域の大きさが従来技術に比して小さいものが、従来技術に比して「発光領域を増大させることで、発光効率を増大させ」たものとはいえないことは明らかであるから、本願特許請求の範囲は、本願発明が解決しようとする課題が解決できないものも包含する記載となっており、よって、本願は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
２　本件補正前の請求項１及び２０に記載された発明は、第２隣接発光セルについては、第２離隔距離を第１離隔距離と等しくし、各発光領域の第１方向の発光領域の長さを全て第１隣接発光セルと同じくして、発光領域の長さが比較的長い発光セルをより多くすることにより、発光装置の特性を向上できるにもかかわらず、そのようにしないで、あえて、第２離隔距離を第１離隔距離よりも大きくしているものといえ、このことは、明細書に記載された「発明が解決しようとする課題」に照らすと、その技術的意義が不明なものであり、本願明細書の発明の詳細な説明の記載は、出願時の技術常識を参酌しても、請求項１及び２０に係る発明の解決手段を当業者が理解することができる程度に記載されているとはいえないから、本願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
３　本件補正前の請求項１〜２２に係る発明は、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用例に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献
１　特表２００９−５１９６０５号公報
２　特表２０１０−５２１８０７号公報（周知例として）
３　特表２０１０−５１７２７３号公報（周知例として）
４　特開２０１１−１８１９２５号公報（周知例として）
５　米国特許出願公開第２０１１／００６２４５９号明細書（周知例として）
６　特開２００８−２３５８８３号公報（周知例として）
第３　当審の判断
　当審は、以下のとおり、上記第２のいずれの理由によっても、本願は拒絶されるべきものであると判断する。
１　本願の明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本願明細書等」という。）の記載
　本願明細書等（本件補正後のもの。）には、次の記載がある。
（１）特許請求の範囲の請求項１
「【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に、第１方向及び前記第１方向に直交する方向の第２方向に沿って、互いに離隔して配置された複数の発光セルと、
　隣接する発光セルを電気的に接続する複数個の連結配線とを含む発光素子であって、
　前記複数の発光セルは、第１〜第４発光セルを備え、
　前記第１及び第２発光セルは、前記第２方向に互いに隣接して配列され、前記複数個の連結配線のうち第１連結配線によって接続され、
　前記第１及び第４発光セルは、前記第１方向に互いに隣接して配列され、前記複数個の連結配線のうち第２連結配線によって接続され、
　前記第３及び第４発光セルは、前記第２方向に隣接して配列され、前記複数個の連結配線のうち第３連結配線によって接続され、
　前記第２及び第３発光セルは、前記第１方向に互いに隣接して配列され、前記連結配線によって接続されず、
　前記第１〜第４発光セルは、四角形状を有する第１導電型半導体層を備え、
　前記第１方向に互いに隣接する前記第１及び第４発光セルの各第１導電型半導体層の前記第１方向の第１長さは、前記第１方向に互いに隣接する前記第２及び第３発光セルの各第１導電型半導体層の第１方向の第２長さよりも短く、
　前記複数の発光セルのそれぞれの側面は、その傾斜角が３０°〜８０°となるように前記基板に対して傾斜する、
発光素子。」
（２）技術分野・背景技術
「【技術分野】
【０００１】
　本発明の実施形態は、発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
　窒化ガリウム（ＧａＮ）の金属有機化学気相蒸着法及び分子線成長法などの発達に基づいて、高輝度及び白色光の具現が可能な赤色、緑色及び青色発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）が開発された。
【０００３】
　このようなＬＥＤは、白熱灯と蛍光灯などの既存の照明器具に使用される水銀（Ｈｇ）のような環境有害物質が含まれていないので環境性に優れ、長寿命、低電力消費特性などのような長所があるので、既存の光源を代替している。このようなＬＥＤ素子の核心競争要素は、高効率及び高出力チップ、及びパッケージング技術による高輝度の具現である。
【０００４】
　高輝度を具現するために光抽出効率を高めることが重要である。光抽出効率を高めるために、フリップチップ（ｆｌｉｐ−ｃｈｉｐ）構造、表面凹凸の形成（ｓｕｒｆａｃｅ　ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ）、凹凸が形成されたサファイア基板（ＰＳＳ：Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ　Ｓａｐｐｈｉｒｅ　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、光結晶（ｐｈｏｔｏｎｉｃ　ｃｒｙｓｔａｌ）技術、及び反射防止膜（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　ｌａｙｅｒ）構造などを用いた様々な方法が研究されている。
【０００５】
　図１は、既存の発光素子１０の平面図を示す。
【０００６】
　図１に示す発光素子１０は、第１及び第２電極パッド２２，２４、９個の発光領域４０、及び隣接する発光領域４０を電気的に接続する連結金属３０で構成される。このとき、隣接する発光領域４０間の距離Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４は全て同一である。このような一般的な構造の発光素子１０に対して発光効率を増大させるための様々な方法が研究されている。
（３）発明の概要
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　本発明の実施形態では、発光領域を増大させることで、発光効率を増大させる発光素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　本発明の実施形態による発光素子は、基板と、前記基板上に互いに離隔して配置された複数の発光セルと、隣接する発光セルを電気的に接続する連結配線とを含み、前記複数の発光セルのうち前記連結配線によって接続されずに隣接する第１隣接発光セル間の第１離隔距離は、前記連結配線によって接続されて隣接する第２隣接発光セル間の第２離隔距離よりも小さい。
【０００９】
　前記第１隣接発光セルが第１方向に離隔した前記第１離隔距離は、前記第２隣接発光セルが前記第１方向に離隔した第２−１離隔距離よりも小さくすることができる。
【００１０】
　前記第１隣接発光セルが第１方向に離隔した前記第１離隔距離は、前記第２隣接発光セルが前記第１方向と異なる第２方向に離隔した第２−２離隔距離よりも小さくすることができる。
【００１１】
　前記第１隣接発光セルが第１方向に離隔した前記第１離隔距離は、前記第２隣接発光セ
ルが前記第１方向に離隔した第２−１離隔距離よりも小さくし、前記第１離隔距離は、前記第２隣接発光セルが前記第１方向と異なる第２方向に離隔した第２−２離隔距離よりも小さくすることができる。
【００１２】
　前記第２−１離隔距離と前記第２−２離隔距離とは同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
【００１３】
　前記第１離隔距離は、前記第２−１離隔距離と同一であってもよい。
【００１４】
　前記第１離隔距離は、前記第２−２離隔距離と同一であってもよい。
【００１５】
　前記第１離隔距離は、前記第２離隔距離の０．２倍以上であり、前記第２離隔距離未満であってもよく、前記第１方向は垂直方向であり、前記第２方向は水平方向であってもよい。
【００１６】
　前記第１隣接発光セルの個数は、前記第２隣接発光セルの個数よりも多くてもよい。
【００１７】
　前記複数の発光セルのそれぞれは、前記基板上に順次配置された第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と；前記第１導電型半導体層上に配置された第１電極と；前記第２導電型半導体層上に配置された第２電極と；を含むことができる。
【００１８】
　前記発光構造物の側面は、前記基板に対して傾斜することができる。
【００１９】
　前記第１離隔距離は、前記第１隣接発光セルの前記第１導電型半導体層間の離隔距離に該当し、前記第２離隔距離は、前記第２隣接発光セルの前記第１導電型半導体層間の離隔距離に該当することができる。
【００２０】
　前記第１離隔距離は、前記第１隣接発光セルの前記第２導電型半導体層間の離隔距離に該当し、前記第２離隔距離は、前記第２隣接発光セルの前記第２導電型半導体層間の離隔距離に該当することができる。
【００２１】
　前記複数の発光セルのそれぞれは、前記第２導電型半導体層と前記第２電極との間に配置された伝導層をさらに含み、前記第１離隔距離は、前記第１隣接発光セルの前記伝導層間の離隔距離に該当し、前記第２離隔距離は、前記第２隣接発光セルの前記伝導層間の離隔距離に該当することができる。
【００２２】
　前記第１離隔距離は４μｍ〜２０μｍであり、前記第２離隔距離は２０μｍより大きく、前記第１離隔距離は１０μｍ〜２５μｍであり、前記第２離隔距離は２５μｍより大きくてもよい。
【００２３】
　前記発光素子は、前記連結配線と前記第２隣接発光セルとの間に配置されて、前記連結配線と前記第２隣接発光セルとを電気的に絶縁させる絶縁層をさらに含むことができる。
【００２４】
　前記複数の発光セルのうちの一部の前記第１電極または第２電極のうち少なくとも一つは、前記連結配線と一体型であってもよい。
【発明の効果】
【００２５】
　本発明の様々な実施形態による発光素子は、既存より発光領域がさらに広いので、光度及び動作電圧が改善され、電流密度が減少して信頼性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
　下記の図面を参照して実施形態について詳細に説明する。ただし、図面中、同一の構成要素には同一の参照符号を付する。
【図１】既存の発光素子の平面図である。
【図２】実施形態に係る発光素子の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。
【図５】図２のＣ−Ｃ’線に沿って切断した断面図である。
【図６】図２に示した発光素子の回路図である。
【図７】発光面積の増加による光度及び動作電圧を示すグラフである。
【図８】実施形態に係る発光素子を含む照明装置の分解斜視図である。
【図９】実施形態に係る発光素子を含む表示装置を示す図である。
（４）発明を実施するための形態
【発明を実施するための形態】
【００２７】
　以下、本発明を具体的に説明するために実施形態を挙げて説明し、発明に対する理解を助けるために、添付の図面を参照して詳細に説明する。しかし、本発明に係る実施形態は、様々な形態に変形可能であり、本発明の範囲が、以下に詳述する実施形態に限定されると解釈されてはならない。本発明の実施形態は、当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
【００２８】
　本発明の実施形態の説明において、各構成要素の「上／上部または下／下部（ｏｎ　ｏｒ　ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合において、「上／上部または下／下部（ｏｎ　ｏｒ　ｕｎｄｅｒ）」は、二つの構成要素が互いに直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）接触したり、一つ以上の他の構成要素が前記二つの構成要素の間に配置されて（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）形成されることを全て含む。
【００２９】
　また、「上／上部又は下／下部（ｏｎ　ｏｒ　ｕｎｄｅｒ）」と表現される場合、一つの構成要素を基準にして上側方向のみならず、下側方向の意味も含むことができる。
【００３０】
　図２は、実施形態に係る発光素子１００の平面図を示し、図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面図を示し、図４は、図２のＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図を示し、図５は、図２のＣ−Ｃ’線に沿って切断した断面図を示す。
【００３１】
　図２乃至図５を参照すると、発光素子１００は、第１〜第Ｍ伝導層１１０−１〜１１０−Ｍ（ここで、Ｍは、３以上の正の整数）、第１ボンディングパッド（ｂｏｎｄｉｎｇ　ｐａｄ）１２２、第１〜第Ｎ連結配線１２４−１〜１２４−Ｎ（ここで、Ｎは、２以上の正の整数）、第２ボンディングパッド１２６、基板１３０及び発光構造物１４０を含む。
【００３２】
　・・・（中略）・・・
【００３４】
　以下、説明の便宜上、発光セル（または、発光領域）の個数Ｍは９であると仮定するが、実施形態はこれに限定されず、発光セルが９個より多いか、または少ない場合にも同一に適用することができる。
【００３５】
　発光セルは、基板１３０上に水平方向に互いに離隔して配列される。
【００３６】
　まず、複数の発光領域Ｐ１〜ＰＭを順に第１発光領域〜第Ｍ発光領域という。すなわち、第１ボンディングパッド１２２が位置する発光領域を第１発光領域Ｐ１といい、第２ボンディングパッド１２６が位置する発光領域を第９発光領域Ｐ９という。
【００３７】
　第１〜第Ｍ発光セルは、基板１３０の第１〜第Ｍ発光領域にそれぞれ配置される。すなわち、第１発光セルは基板１３０の第１発光領域Ｐ１に配置され、第２発光セルは基板１３０の第２発光領域Ｐ２に配置され、第３発光セルは基板１３０の第３発光領域Ｐ３に配置され、第４発光セルは基板１３０の第４発光領域Ｐ４に配置され、第５発光セルは基板１３０の第５発光領域Ｐ５に配置され、第６発光セルは基板１３０の第６発光領域Ｐ６に配置され、第７発光セルは基板１３０の第７発光領域Ｐ７に配置され、第８発光セルは基板１３０の第８発光領域Ｐ８に配置され、第９発光セルは基板１３０の第９発光領域Ｐ９に配置される。このように、第ｍ発光セル（１≦ｍ≦Ｍ）は、基板１３０の第ｍ発光領域Ｐｍに配置される。以下、説明の便宜上、第ｍ発光セルを‘Ｐｍ’と呼ぶ。
【００３８】
　第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭのそれぞれは、基板１３０上に配置された発光構造物１４０、第ｍ伝導層１１０−ｍ、及び第１及び第２電極を含む。一つの発光セルをなす発光構造物１４０は、境界領域Ｓによって他の発光セルの発光構造物１４０と区分することができる。境界領域Ｓは、第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭのそれぞれの周りに位置する領域であってもよく、基板１３０であってもよい。複数の第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭのそれぞれの面積は同一であってもよいが、これに限定されるものではない。例えば、他の実施形態によれば、複数の第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭのそれぞれの面積は互いに異なっていてもよい。更に他の実施形態によれば、複数の第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭの一部の面積は互いに同一であり、他部の面積は互いに異なっていてもよい。
【００３９】
　各発光セルＰ１〜ＰＭの発光構造物１４０は、基板１３０の上部に順次配置された第１導電型半導体層１４２、活性層１４４及び第２導電型半導体層１４６を含む。
【００４０】
　・・・（中略）・・・
【００５７】
　一方、第１〜第Ｎ連結配線１２４−１〜１２４−Ｎは、複数の発光セルＰ１〜ＰＭを互いに接続する役割を果たす。すなわち、第１〜第Ｎ連結配線１２４−１〜１２４−Ｎは、隣接する発光セルを電気的に接続する役割を果たす。すなわち、第ｉ連結配線１２４−ｉ（１≦ｉ≦Ｍ−１）は、第ｉ発光領域Ｐｉ、第ｉ＋１発光領域Ｐ（ｉ＋１）及びそれら［Ｐｉ，Ｐ（ｉ＋１）］の間の境界領域Ｓ上に位置して、隣接する第ｉ発光セルＰｉと第ｉ＋１発光セルＰ（ｉ＋１）とを電気的に接続する役割を果たす。例えば、第１連結配線１２４−１（ｉ＝１）は、隣接する第１発光セルＰ１と第２発光セルＰ２とを電気的に接続し、図５に示したように、第７連結配線１２４−７は、第７発光領域Ｐ７、第８発光領域Ｐ８及びそれら（Ｐ７，Ｐ８）の間の境界領域Ｓ上に位置して、隣接する第７発光セルＰ７と第８発光セルＰ８とを電気的に互いに接続する。
【００５８】
　図２乃至図５の場合、第１〜第Ｎ連結配線１２４−１〜１２４−Ｎによって第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭが電気的に互いに直列接続されている。この場合、Ｎ＝Ｍ−１である。第１〜第Ｎ連結配線１２４−１〜１２４−Ｎは、第１ボンディングパッド１２２が位置する第１発光セルＰ１を始点とし、第２ボンディングパッド１２６が位置する第Ｍ発光領域ＰＭを終点として、第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭを直列接続することができる。しかし、実施形態はこれに限定されず、第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭのうち少なくとも一部が連結配線によって電気的に互いに並列に接続されてもよい。
【００５９】
　・・・（中略）・・・
【００６１】
　図６は、図２に示された発光素子１００の回路図を示す。
【００６２】
　図２及び図６を参照すると、発光素子１００は、共通の一つの（＋）端子、例えば、一つの第１ボンディングパッド１２２を有し、共通の一つの（−）端子、例えば、一つの第２ボンディングパッド１２６を有することができる。
【００６３】
　一方、図１に示された既存の発光素子１０の場合、発光領域４０間の離隔距離（Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４）は全て同一である。反面、実施形態によれば、複数の発光セルＰ１〜ＰＭのうち、第１〜第Ｎ連結配線１２４−１〜１２４−Ｎのうちどの連結配線によっても互いに接続されずに隣接する発光セル（以下、‘第１隣接発光セル’という）間の離隔距離（以下、‘第１離隔距離’という）は、連結配線によって接続されて隣接する発光セル（以下、‘第２隣接発光セル’という）間の離隔距離（以下、‘第２離隔距離’という）よりも小さい。
【００６４】
　すなわち、図２を参照すると、第１及び第６発光セルＰ１，Ｐ６、第２及び第５発光セルＰ２，Ｐ５、第４及び第９発光セルＰ４，Ｐ９、及び第５及び第８発光セルＰ５，Ｐ８のそれぞれは、どの連結配線によっても互いに接続されずに隣接する第１隣接発光セルに該当する。また、第１及び第２発光セルＰ１，Ｐ２、第２及び第３発光セルＰ２，Ｐ３、第３及び第４発光セルＰ３，Ｐ４、第４及び第５発光セルＰ４，Ｐ５、第５及び第６発光セルＰ５，Ｐ６、第６及び第７発光セルＰ６，Ｐ７、第７及び第８発光セルＰ７，Ｐ８、及び第８及び第９発光セルＰ８，Ｐ９のそれぞれは、連結配線によって互いに接続されながら隣接する第２隣接発光セルに該当する。
【００６５】
　第１隣接発光セルは第１方向に隣接し、第２隣接発光セルは第１方向に隣接していてもよく、第２方向に隣接していてもよい。以下、第１方向に隣接する第２隣接発光セルを、‘第２−１隣接発光セル’といい、第２方向に隣接する第２隣接発光セルを、‘第２−２隣接発光セル’という。第１方向と第２方向とは互いに異なる方向である。例えば、第１方向と第２方向とは互いに直交し、第１方向は垂直方向で、第２方向は水平方向であってもよいが、実施形態はこれに限定されない。
【００６６】
　図２を参照すると、第３及び第４発光セルＰ３，Ｐ４は‘第２−１隣接発光セル’に該当し、第６及び第７発光セルＰ６，Ｐ７も‘第２−１隣接発光セル’に該当する。また、第１及び第２発光セルＰ１，Ｐ２、第２及び第３発光セルＰ２，Ｐ３、第４及び第５発光セルＰ４，Ｐ５、第５及び第６発光セルＰ５，Ｐ６、第７及び第８発光セルＰ７，Ｐ８、及び第８及び第９発光セルＰ８，Ｐ９のそれぞれは‘第２−２隣接発光セル’に該当する。
【００６７】
　以下、第２−１隣接発光セル間の離隔距離を、‘第２−１離隔距離’といい、第２−２隣接発光セル間の離隔距離を、‘第２−２離隔距離’という。
【００６８】
　一実施形態によれば、第１離隔距離は、第２−１離隔距離よりも小さく、第２−２離隔距離よりも小さくすることができる。このとき、第２−１離隔距離と第２−２離隔距離とは互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。例えば、第２−１離隔距離は、第２−２離隔距離よりも小さくてもよい。
【００６９】
　他の実施形態によれば、第１離隔距離は第２−１離隔距離より小さいが、第１離隔距離は第２−２離隔距離と同一であってもよい。このように、第２−１離隔距離と第２−２離隔距離とは互いに同一ではなく、異なっていてもよい。
【００７０】
　更に他の実施形態によれば、第１離隔距離は第２−２離隔距離より小さいが、第１離隔距離は第２−１離隔距離と同一であってもよい。このように、第２−１離隔距離と第２−２離隔距離とは互いに同一ではなく、異なっていてもよい。
【００７１】
　一方、発光構造物１４０の側面は、基板１３０に対して傾斜することができる。すなわち、図３に示したように、第１導電型半導体層１４２の側面は基板１３０に対して傾斜角θ１で傾斜し、露出された第１導電型半導体層１４２に隣接した側面は、傾斜角θ２で傾斜してもよい。このように、発光構造物１４０の側面を傾斜するように形成する理由は、隣接する発光セルを電気的に接続する連結配線が切れるのを防止するためである。例えば、発光構造物１４０の側面が傾斜せずに直角をなす場合（すなわち、θ１＝９０°である場合）、境界領域Ｓ上に配置される連結配線１２４−７が切れることもある。そのため、傾斜角θ１、θ２は、３０°〜８０°とすることができる。
【００７２】
　発光構造物１４０の側面が傾斜した場合、図２乃至図５を参照して、前述した第１離隔距離、第２−１離隔距離及び第２−２離隔距離のそれぞれについて具体的に説明すると、次の通りである。
【００７３】
　一実施形態によれば、第１離隔距離は、第１隣接発光セルの第１導電型半導体層間の離隔距離に該当することができる。すなわち、第１及び第６発光セルＰ１，Ｐ６の第１導電型半導体層１４２間の離隔距離Ｄ１１が第１離隔距離に該当し、第２及び第５発光セルＰ２，Ｐ５の第１導電型半導体層１４２間の離隔距離Ｄ１１が第１離隔距離に該当し、第４及び第９発光セルＰ４，Ｐ９の第１導電型半導体層１４２間の離隔距離Ｄ１１が第１離隔距離に該当し、第５及び第８発光セルＰ５，Ｐ８の第１導電型半導体層１４２間の離隔距離Ｄ１１が第１離隔距離に該当することができる。
【００７４】
　このとき、第２離隔距離は、第２隣接発光セルの第１導電型半導体層間の離隔距離に該当することができる。まず、第２隣接発光セルが、第１方向に離隔した第２−１隣接発光セルである場合、第３及び第４発光セルＰ３，Ｐ４の第１導電型半導体層１４２間の離隔距離Ｄ２−１１が第２離隔距離に該当し、第６及び第７発光セルＰ６，Ｐ７の第１導電型半導体層１４２間の離隔距離Ｄ２−１１が第２離隔距離に該当することができる。または、第２隣接発光セルが、第２方向に離隔した第２−２隣接発光セルである場合、第１及び第２発光セルＰ１，Ｐ２の第１導電型半導体層１４２間の離隔距離Ｄ２−２１が第２離隔距離に該当し、第２及び第３発光セルＰ２，Ｐ３の第１導電型半導体層１４２間の離隔距離Ｄ２−２１が第２離隔距離に該当し、第４及び第５発光セルＰ４，Ｐ５の第１導電型半導体層１４２間の離隔距離Ｄ２−２１が第２離隔距離に該当し、第５及び第６発光セルＰ５，Ｐ６の第１導電型半導体層１４２間の離隔距離Ｄ２−２１が第２離隔距離に該当し、第７及び第８発光セルＰ７，Ｐ８の第１導電型半導体層１４２間の離隔距離Ｄ２−２１が第２離隔距離に該当し、第８及び第９発光セルＰ８，Ｐ９の第１導電型半導体層１４２間の離隔距離Ｄ２−２１が第２離隔距離に該当することができる。
【００７５】
　・・・（中略）・・・
【００８１】
　実施形態によれば、第１離隔距離は、第１隣接発光セル間の短絡を防止するために維持しなければならない第１隣接発光セル間の最小距離を考慮して決定される。また、第１離隔距離が大きすぎる場合、発光領域が広くなる面積が極めて小さいため、光度の改善及び動作電圧の改善の効果が小さいことがある。そのための第１離隔距離は、第２離隔距離の０．２倍以上であり、第２離隔距離未満であればよい。また、第２離隔距離は、第２隣接発光セル間の短絡が防止されて、第２隣接発光セルを安定的に接続できる程度に設定する。
【００８２】
　例えば、離隔距離Ｄ１１が第１離隔距離に該当し、離隔距離Ｄ２−１１，Ｄ２−２１が第２離隔距離に該当する場合、第１離隔距離は４μｍ〜２０μｍであり、第２離隔距離は２０μｍより大きくすることができる。または、離隔距離Ｄ１２が第１離隔距離に該当し、離隔距離Ｄ２−１２，Ｄ２−２２が第２離隔距離に該当する時、第１離隔距離は１０μｍ〜２５μｍであり、第２離隔距離は２５μｍより大きくすることができる。
【００８３】
　もし、発光構造物１４０の側面が基板１３０に対して傾斜していないと、Ｄ２−２１とＤ２−２２は同一であり、Ｄ２−１１とＤ２−１２は同一であり、Ｄ１１とＤ１２は同一であり得る。
【００８４】
　以下、図２乃至図５にそれぞれ示した発光素子１００において、発光セルＰ１〜ＰＭのそれぞれの面積は同一であり、Ｍ＝２１であると仮定する場合、発光セルの単位面積の増加による光度Ｐｏの改善及び動作電圧Ｖｆの改善を、次のように説明する。
【００８５】
　図７は、発光面積の増加による光度Ｐｏ及び動作電圧Ｖｆを示すグラフであって、横軸は発光面積を示し、縦軸は光度Ｐｏ及び動作電圧Ｖｆをそれぞれ示す。
【００８６】
　発光セルＰ１〜ＰＭのそれぞれの横（ｘ）と縦（ｙ）の大きさを変化させながら、光度Ｐｏ及び動作電圧Ｖｆの変化を説明すると、次の表１及び図７の通りである。
【００８７】
【表１】
　・・・（中略）・・・
【００８８】
　ここで、単位面積とは、一つの発光セルの面積を意味し、全体面積は、２１個の発光セルの面積を全て加算した面積を意味し、Ａｃｔｉｖｅ増加とは、発光領域の増加された程度であって、パーセントで示す。
【００８９】
　図２を参照すると、第１離隔距離が第２離隔距離より小さいので、第１、第２、第５、第８及び第９発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ５，Ｐ８，Ｐ９のそれぞれの第１方向への長さ（ｙ）が、第３、第４、第６及び第７発光セルＰ３，Ｐ４，Ｐ６，Ｐ７のそれぞれの第１方向への長さ（ｙ）より長い。このとき、第１〜第９発光セルＰ１〜Ｐ９の横の長さ（ｘ）が同一であれば、第３、第４、第６及び第７発光セルＰ３，Ｐ４，Ｐ６，Ｐ７のそれぞれの面積よりも第１、第２、第５、第８及び第９発光セルＰ１，Ｐ２，Ｐ５，Ｐ８，Ｐ９のそれぞれの面積がさらに広い。したがって、前述した表１及び図７からわかるように、実施形態のように、第１離隔距離が第２離隔距離より小さい程度による単位発光セルの面積の変化がたとえわずかであっても、発光セルの個数（Ｍ＝２１）が多くなれば、光度Ｐｏ及び動作電圧Ｖｆが改善可能であることがわかる。さらに、電流密度が減少することで、信頼性の改善が可能である。結局、実施形態の場合、第１隣接発光セルの第１離隔距離が第２隣接発光セルの第２離隔距離よりも小さいので、第１離隔距離が第２離隔距離より小さい分だけ、発光領域が既存の発光素子１０より広くなることができる。ここで、発光領域が広くなる分だけ、発光効率が改善される。
【００９０】
　特に、前述したように、発光構造物１４０の側壁が基板１３０に対して傾斜する場合、発光領域の損失が不可避である。この場合にも、本実施形態によれば、発光領域が増加する。
【００９１】
　さらに、このような実施形態の特徴を用いて、発光素子を設計する時に、第１方向に隣接する第１隣接発光セルの個数を第２隣接発光セルの個数よりも多くする場合、発光領域がさらに広くなることによって、発光効率をその分だけさらに改善することができる。
【００９２】
　前述した図２乃至図５に示した発光素子１００の第１〜第Ｍ発光セルＰ１〜ＰＭのそれぞれは水平型構造を有するものと例示したが、実施形態はこれに限定されない。すなわち、第１〜第Ｍ発光セルのそれぞれが垂直型またはフリップチップ構造を有する場合にも本実施形態を適用できることは勿論である。
　・・・（中略）・・・
【０１１１】
　以上、実施形態を中心に説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上で例示していない様々な変形及び応用が可能であるということが理解されるであろう。例えば、実施形態に具体的に示した各構成要素は変形実施が可能である。そして、このような変形及び応用に係る差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならない。」
２　理由１（サポート要件）について
（１）本願明細書等に記載された技術事項
　上記１で認定した本願明細書等の記載によれば、本願明細書等には、次の事項が記載されていると認められる。
ア　既存の発光素子１０においては、隣接する発光領域４０間の距離Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４は全て同一であること（【０００５】〜【０００６】）。
イ　本発明の実施形態では、発光領域を増大させることで、発光効率を増大させた発光素子を提供することが、発明が解決しようとする課題であること（【０００７】）。
ウ　実施形態によれば、複数の発光セルＰ１〜ＰＭのうち、第１〜第Ｎ連結配線１２４−１〜１２４−Ｎのうちどの連結配線によっても互いに接続されずに隣接する発光セル（以下、‘第１隣接発光セル’という）間の離隔距離（以下、‘第１離隔距離’という）は、連結配線によって接続されて隣接する発光セル（以下、‘第２隣接発光セル’という）間の離隔距離（以下、‘第２離隔距離’という）よりも小さいこと（【００６３】）。
エ　第１方向と第２方向とは互いに異なる方向であり、例えば、第１方向と第２方向とは互いに直交し、第１方向は垂直方向で、第２方向は水平方向であってもよく、第１方向に隣接する第２隣接発光セルを、‘第２−１隣接発光セル’といい、第２方向に隣接する第２隣接発光セルを、‘第２−２隣接発光セル’とすると、第１離隔距離は第２−１離隔距離より小さいが、第１離隔距離は第２−２離隔距離と同一であってもよく、また、第１離隔距離は第２−２離隔距離より小さいが、第１離隔距離は第２−１離隔距離と同一であってもよいこと（【００６５】、【００６９】、【００７０】）。
オ　実施形態によれば、第１隣接発光セルの第１離隔距離が第２隣接発光セルの第２離隔距離よりも小さいので、第１離隔距離が第２離隔距離より小さい分だけ、発光領域が既存の発光素子１０より広くなることができ、発光領域が広くなる分だけ、発光効率が改善されること（【００８９】）。
カ　隣接する発光セルを電気的に接続する連結配線が切れるのを防止するために、発光構造物１４０の側面は、基板１３０に対して傾斜することができること（【００７１】）
キ　発光構造物１４０の側壁が基板１３０に対して傾斜する場合、発光領域の損失が不可避であるが、この場合にも、本実施形態によれば、発光領域が増加すること（【００９０】）。
（２）検討
ア　前記１（１）の請求項１の記載によれば、「前記第１方向に互いに隣接する前記第１及び第４発光セルの各第１導電型半導体層の前記第１方向の第１長さは、前記第１方向に互いに隣接する前記第２及び第３発光セルの各第１導電型半導体層の第１方向の第２長さよりも短」いこと、及び「前記複数の発光セルのそれぞれの側面は、その傾斜角が３０°〜８０°となるように前記基板に対して傾斜する」ことが特定されている。
イ　前記（１）イによれば、発光領域を増大させることで、発光効率を増大させた発光素子を提供することが、発明が解決しようとする課題とされ、ここで、前記（１）オによれば、第１隣接発光セルの第１離隔距離が第２隣接発光セルの第２離隔距離よりも小さいので、第１離隔距離が第２離隔距離より小さい分だけ、発光領域が既存の発光素子１０より広くなることができ、発光領域が広くなる分だけ、発光効率が改善されることとされている。
ウ　上記イによれば、前記アの請求項１の記載中の「前記第１方向に互いに隣接する前記第１及び第４発光セルの各第１導電型半導体層の前記第１方向の第１長さは、前記第１方向に互いに隣接する前記第２及び第３発光セルの各第１導電型半導体層の第１方向の第２長さよりも短」いことにより、第２及び第３発光セルの各第１導電型半導体層の第１方向の第２長さが比較的長いことから、発光領域が既存の発光素子１０より広くなることができ、発光領域が広くなる分だけ、発光効率が改善されることを意図していると解される。
エ　しかしながら、前記アの特定によれば、各セル間の、第１方向の長さの長短関係しか特定されていないため、例えば、第２及び第３発光セルの各第１導電型半導体層の第１方向の第２長さが従来技術と同じで、第１及び第４発光セルの各第１導電型半導体層の前記第１方向の第１長さが従来技術に比して小さいものも含まれることになる。そして、そのような、発光領域の大きさが従来技術に比して小さいものが、従来技術に比して「発光領域を増大させることで、発光効率を増大させ」たものとはいえないことは明らかであるから、前記１（１）の請求項１の特定のみでは、前記（１）イの、発明が解決しようとする課題が解決できないことが明らかである。
オ　ところで、前記（１）キによると、光構造物１４０の側壁が基板１３０に対して傾斜する場合、発光領域の損失が不可避であるが、この場合にも、本実施形態によれば、発光領域が増加することとされているところ、これは、当該「傾斜した場合」においても前記ウの作用は有効とするものであって、既存の発光素子であって「傾斜した場合」でないものとの対比において、実施形態に係る「傾斜した場合」のものの方が発光領域が必ず増加することをいうものでないことは明らかである。
カ　上記オから、前記アの「前記複数の発光セルのそれぞれの側面は、その傾斜角が３０°〜８０°となるように前記基板に対して傾斜する」との請求項１の特定事項は、当該特定事項を備えた状態での比較において、仮に前記ウの作用は得られるとしても、前記（１）キのとおり「発光領域の損失が不可避であ」り、これは、前記ウの「発光領域が広くなる分だけ、発光効率が改善される」ことに逆行するから、むしろ、同イの、発明が解決しようとする課題の解決を阻害する要因ともいえるものである。
キ　また、前記（１）カによれば、前記アの「前記複数の発光セルのそれぞれの側面は、その傾斜角が３０°〜８０°となるように前記基板に対して傾斜する」ことにより、隣接する発光セルを電気的に接続する連結配線が切れるのを防止できるとされているが、当該「防止できる」ことは、本願明細書の表記上、「解決しようとする課題」として記載されたものではなく、また、後記４（４）イのとおり、当該「傾斜させて」連結配線が切れるのを防止する技術自体が周知である。さらに、この出願の明細書全体から見ても「隣接する発光セルを電気的に接続する連結配線が切れるのを防止」することが、この出願が解決しようとする課題であると認めることはできない。
ク　前記ア〜キのとおりであるから、本願特許請求の範囲の請求項１は、本願発明が解決しようとする課題が解決できないものも包含する記載となっているといえる。
３　理由２（委任省令要件）について
（１）本願明細書等に記載された事項
　上記１で認定した本願明細書等の記載によれば、本願明細書等には、前記２（１）ア〜キの事項が記載されていると認められる。
（２）検討
ア　前記１（１）のとおり、本願特許請求の範囲の請求項１には、「前記第１方向に互いに隣接する前記第１及び第４発光セルの各第１導電型半導体層の前記第１方向の第１長さは、前記第１方向に互いに隣接する前記第２及び第３発光セルの各第１導電型半導体層の第１方向の第２長さよりも短」いとの特定（以下「本願特定事項」という。）がされている。
イ　前記２（２）エにおいて指摘したとおり、本願請求項１には、例えば、第２及び第３発光セルの各第１導電型半導体層の第１方向の第２長さが従来技術と同じで、第１及び第４発光セルの各第１導電型半導体層の前記第１方向の第１長さが従来技術に比して小さいものも含まれることになり、結局、発光領域の第１方向の長さの総和は従来技術よりも小さくなることになる。
ウ　そして、上記イの「発光領域の第１方向の長さの総和は従来技術よりも小さくなる」構成については、本願明細書の記載を見ても、その技術的意義が、前記２（１）イの「発光領域を増大させることで、発光効率を増大させる発光素子を提供する」との「発明が解決しようとする課題」に照らして不明なものである。
エ　よって、本願明細書の発明の詳細な説明の記載は、出願時の技術常識を参酌しても、請求項１に係る発明の解決手段を当業者が理解することができる程度に記載されているとはいえない。
４　理由３（進歩性）について
（１）本願発明
　本願特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は、前記第３　１（１）に記載されたとおりのものである。
（２）引用文献の記載
　当審拒絶理由に引用文献１として引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特表２００９−５１９６０５号公報（以下「引用文献」という。）には、以下の事項が記載されている。
ア「【０００１】
　本発明は、
交流駆動型発光素子に関し、特に、ブリッジ整流回路が形成された交流駆動型発光素子に関する
イ「【００１４】
　図３は、本発明による発光素子の平面図であり、図４は、図３の等価回路図である。
　本発明による発光素子は、図３に示すように、
基板１００と、発光セルブロック１４０と、ブリッジ整流回路１２０と、配線２６０とを備える。前記発光セルブロック１４０は、前記基板１００上に設けられたまま、直列で連結された複数個の発光セル１４１からなる。前記ブリッジ整流回路１２０は、前記基板１００上に設けられたまま、前記発光セルブロック１４０の周辺部を取り囲む複数個のダイオード１２１からなる。前記発光セルブロック１４０とブリッジ整流回路１２０は、配線２６０により連結される。
【００１５】
　
前記発光セルブロック１４０は、外部電源の印加の際に、光を放出する主発光源であり、複数個の発光セル１４１で構成される
【００１６】
　前記複数のダイオード１２１は、外部から印加される交流電源を常時印加正弦波に整流させるブリッジ整流回路１２０を構成し、このような複数のダイオード１２１としては、一般のダイオードのみならず、発光ダイオードが用いられ得る。」
ウ「【００２３】
　以下、このような構造の発光素子の製造方法について、図面を参照して説明する。
　以下、
上述した発光素子の製造方法を、図５乃至図７を参照して説明する。先ず、基板１００上に、ドープされていない窒化ガリウム（ＧａＮ）層（図示せず）をバッファ層として形成する。前記バッファ層上に、Ｎ型半導体層２００、活性層２２０、及びＰ型半導体層２４０を順次に結晶成長させる
【００２４】
　以降、
マスクを用いたフォトエッチング工程を行って基板１００を露出させ、それぞれのセルが電気的に分離されるようにする（図６）。すなわち、前記マスクをエッチングマスクとするエッチング工程を通じて、Ｐ型半導体層２４０、活性層２２０、Ｎ型半導体層２００の一部を除去し、基板１００を露出させる
【００２５】
　一方、上記したエッチング工程は、ウェットエッチング、ドライエッチング工程を行うことができ、本実施例では、プラズマを用いたドライエッチングを行うことが好ましい。
　
前記工程を行った後、各発光セルのＮ型半導体層２００が露出するように、Ｐ型半導体層２４０及び活性層２２０をエッチングする
【００２６】
　前記マスクを除去してから、
露出したＮ型半導体層２００上にＮ-電極（図示せず）を形成し、Ｐ型半導体層２４０上にＰ-電極（図示せず）を形成する
　以降、
前記Ｎ型半導体層２００上のＮ-電極と、隣接したＰ型半導体層２４０上のＰ-電極を、所定のブリッジ工程又はステップカバレッジ等を用いて配線２６０で連結することにより、図３のような発光素子を完成する
エ　ここで、図３は次のものである。
オ　前記ウの「以降、前記Ｎ型半導体層２００上のＮ-電極と、
隣接した
直列で連結された
カ　上記エに示す図３における図示縦方向を「縦方向」、図示横方向を「横方向」とし、また、発光セルブロック１４０における、図示左上２列２行の合計４個の発光セル１４１について、左上隅の発光セルを「発光セルＡ」、その横方向右隣の発光セルを「発光セルＢ」とし、発光セルＢの縦方向下側の発光セルを「発光セルＣ」、発光セルＡの縦方向下側の発光セルを「発光セルＤ」とし、また、発光セルＡと発光セルＢを接続する配線２６０を「配線ａ」、発光セルＡと発光セルＤを接続する配線２６０を「配線ｂ」、発光セルＤと発光セルＣを接続する配線２６０を「配線ｃ」とすると、
　縦方向及び横方向は直交し、
　発光セルＡ〜発光セルＤが、縦方向及び横方向に沿って、互いに離隔して配置され、
　発光セルＡ及び発光セルＢは、横方向に互いに隣接して配列され、配線ａによって接続され、
　発光セルＡ及び発光セルＤは、縦方向に互いに隣接して配列され、配線ｂによって接続され、
　発光セルＣ及び発光セルＤは、横方向に隣接して配列され、配線ｃによって接続され、
　発光セルＢ及び発光セルＣは、縦方向に互いに隣接して配列され、配線によって接続されていないことが見て取れる。
キ　前記ウの「基板１００上に、ドープされていない窒化ガリウム（ＧａＮ）層（図示せず）をバッファ層として形成する。前記バッファ層上に、Ｎ型半導体層２００、活性層２２０、及びＰ型半導体層２４０を順次に結晶成長させる　・・・（中略）・・・　以降、マスクを用いたフォトエッチング工程を行って基板１００を露出させ、それぞれのセルが電気的に分離されるようにする（図６）。すなわち、前記マスクをエッチングマスクとするエッチング工程を通じて、Ｐ型半導体層２４０、活性層２２０、Ｎ型半導体層２００の一部を除去し、基板１００を露出させる」（【００２３】〜【００２４】）との記載から、各発光セル１４１が「Ｎ型半導体層２００」を備え、上記エの図３から、当該「Ｎ型半導体層２００」が平面視で方形状であることがわかる。
ク　引用発明
　上記アないしキの記載から、引用文献には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ブリッジ整流回路が形成された交流駆動型発光素子であって、（段落【０００１】）
　基板１００と、発光セルブロック１４０と、ブリッジ整流回路１２０と、配線２６０とを備え、
　発光セルブロック１４０は、基板１００上に設けられたまま、直列で連結された複数個の発光セル１４１からなり、
　ブリッジ整流回路１２０は、基板１００上に設けられたまま、発光セルブロック１４０の周辺部を取り囲む複数個のダイオード１２１からなり、
　発光セルブロック１４０とブリッジ整流回路１２０は、配線２６０により連結され（段落【００１４】）、
　発光セルブロック１４０は、外部電源の印加の際に、光を放出する主発光源であり、複数個の発光セル１４１で構成されるものであり（段落【００１５】）、
　複数個の発光セル１４１は、配線２６０により連結され（前記オ）、
　発光セルブロック１４０においては、発光セル１４１として発光セルＡ〜発光セルＤを備え、配線２６０として配線ａ〜配線ｃを備え、
　縦方向及び横方向は直交し、
　発光セルＡ〜発光セルＤが、縦方向及び横方向に沿って、互いに離隔して配置され、
　発光セルＡ及び発光セルＢは、横方向に互いに隣接して配列され、配線ａによって接続され、
　発光セルＡ及び発光セルＤは、縦方向に互いに隣接して配列され、配線ｂによって接続され、
　発光セルＣ及び発光セルＤは、横方向に隣接して配列され、配線ｃによって接続され、
　発光セルＢ及び発光セルＣは、縦方向に互いに隣接して配列され、配線によって接続されておらず（前記カ）、
　各発光セル１４１は、平面視で方形状であるＮ型半導体層２００を備える（前記キ）、
交流駆動型発光素子。」
（３）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「基板１００」は、本願発明の「基板」に相当する。
イ　引用発明の「発光セルブロック１４０は、基板１００上に設けられたまま、直列で連結された複数個の発光セル１４１からな」るところ、「縦方向及び横方向は直交し、
　発光セルＡ〜発光セルＤが、縦方向及び横方向に沿って、互いに離隔して配置され」る構成は、本願発明の「前記基板上に、第１方向及び前記第１方向に直交する方向の第２方向に沿って、互いに離隔して配置された複数の発光セル」に相当する。
ウ　引用発明の「複数個の発光セル１４１は、配線２６０により連結され」るから、当該配線２６０は、本願発明の「隣接する発光セルを電気的に接続する複数個の連結配線」に相当する。
エ　引用発明の「発光セルブロック１４０においては、発光セル１４１として発光セルＡ〜発光セルＤを備え、配線２６０として配線ａ〜配線ｃを備え、」「発光セルＡ及び発光セルＢは、横方向に互いに隣接して配列され、配線ａによって接続され、発光セルＡ及び発光セルＤは、縦方向に互いに隣接して配列され、配線ｂによって接続され、発光セルＣ及び発光セルＤは、横方向に隣接して配列され、配線ｃによって接続され、発光セルＢ及び発光セルＣは、縦方向に互いに隣接して配列され、配線によって接続されておらず」との構成は、
本願発明の「前記複数の発光セルは、第１〜第４発光セルを備え、前記第１及び第２発光セルは、前記第２方向に互いに隣接して配列され、前記複数個の連結配線のうち第１連結配線によって接続され、前記第１及び第４発光セルは、前記第１方向に互いに隣接して配列され、前記複数個の連結配線のうち第２連結配線によって接続され、前記第３及び第４発光セルは、前記第２方向に隣接して配列され、前記複数個の連結配線のうち第３連結配線によって接続され、前記第２及び第３発光セルは、前記第１方向に互いに隣接して配列され、前記連結配線によって接続されず」との構成に相当する。
オ　引用発明の「各発光セル１４１は、平面視で方形状であるＮ型半導体層２００を備える」ことは、本願発明の「前記第１〜第４発光セルは、四角形状を有する第１導電型半導体層を備え」ることに相当する。
カ　引用発明の「交流駆動型発光素子」は、本願発明の「発光素子」に相当する。
キ　したがって、引用発明は本願発明と次の点で一致する。
「基板と、
　前記基板上に、第１方向及び前記第１方向に直交する方向の第２方向に沿って、互いに離隔して配置された複数の発光セルと、
　隣接する発光セルを電気的に接続する複数個の連結配線とを含む発光素子であって、
　前記複数の発光セルは、第１〜第４発光セルを備え、
　前記第１及び第２発光セルは、前記第２方向に互いに隣接して配列され、前記複数個の連結配線のうち第１連結配線によって接続され、
　前記第１及び第４発光セルは、前記第１方向に互いに隣接して配列され、前記複数個の連結配線のうち第２連結配線によって接続され、
　前記第３及び第４発光セルは、前記第２方向に隣接して配列され、前記複数個の連結配線のうち第３連結配線によって接続され、
　前記第２及び第３発光セルは、前記第１方向に互いに隣接して配列され、前記連結配線によって接続されず、
　前記第１〜第４発光セルは、四角形状を有する第１導電型半導体層を備える、
発光素子。」
ク　一方、両者は以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本願発明は、「前記第１方向に互いに隣接する前記第１及び第４発光セルの各第１導電型半導体層の前記第１方向の第１長さは、前記第１方向に互いに隣接する前記第２及び第３発光セルの各第１導電型半導体層の第１方向の第２長さよりも短く」との構成を備えるのに対して、引用発明においては、各発光セルが四角形状を有し、第１方向及び第２方向にも一定の長さを有するものではあるが、上記本願発明に係る構成は備えない点。
《相違点２》
　本願発明は、「前記複数の発光セルのそれぞれの側面は、その傾斜角が３０°〜８０°となるように前記基板に対して傾斜する」構成を備えるのに対し、引用発明はそのような構成を備えない点。
（４）判断
ア　上記相違点１について検討する。
（ア）一般に、相互に配線で接続されている隣接発光セル間の離隔距離に比べて、相互に配線で接続されていない隣接発光セル間の離隔距離を小さくすることは、以下の周知文献１及び２にも示されているように、周知の配置であり、引用発明においても、当該周知の構成を採用することに困難はない。
　そして、引用発明においては、配線で接続される方向が全て同じではなく、引用文献１の図３中、引用発明に係る図示左上隅の４個の発光セル（２行（横）×２列（縦））である発光セルＡないしＤに注目すると、発光セルＡ及び発光セルＤは縦方向に接続されているのに対し、発光セルＢ及び発光セルＣは同方向には接続されていないから、上記周知技術に照らせば、発光セルＢ及び発光セルＣの間は離隔距離が小さくなり、当該２個の発光セルの少なくとも一方は、１行目の２個のいずれかの発光セルに対して突出した形状となることは明らかである。すなわち、引用発明において上記周知技術を採用して、相互に配線で接続されている発光セル間の離隔距離に比べて、相互に配線で接続されていない発光セル間の離隔距離を小さくすることに格別な困難はない。
（イ）ここで、相互に接続された発光セルの寸法・形状を異なるものとして、隣接発光セル間の距離を小さくすることも、以下の周知文献３及び周知文献４に示されているように周知の構成であるから、上記のとおり離隔距離を小さくするに際して、発光セルＢ及び発光セルＣについて、隣り合う方向である縦方向に大きくして、同方向の長さを比較的長いものとし、逆に発光セルＡ及び発光セルＤについては、同方向の長さを比較的短いものとすることで相違点１に係る構成を備えることは、当業者が適宜になしえたことである。
（ウ）そして、前記３（２）において検討したとおり、相違点１に係る「前記第１方向に互いに隣接する前記第１及び第４発光セルの各第１導電型半導体層の前記第１方向の第１長さは、前記第１方向に互いに隣接する前記第２及び第３発光セルの各第１導電型半導体層の第１方向の第２長さよりも短く」する構成、すなわち、第１方向の第１長さよりも短い、第１方向の第２長さを有する発光セルを備えることは、解決しようとする課題に照らして技術的意義が不明なものであり、また、当該構成について、他に格別な技術的意義は見いだせない。
（エ）よって、引用発明において相違点１に係る構成を備えることは、当業者が適宜になしえたことである。
周知文献１：特表２０１０−５１７２７３号公報
ａ　当審拒絶理由において引用文献３として引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特表２０１０−５１７２７３号公報には、以下の記載がある。
「【００７５】
　図４は、本発明の主題のいくつかの実施の形態に従う大面積高電圧のモノリシック発光体１００の上面図である。図４に見られるように、
発光デバイス１００は共通基板２００上に複数の発光デバイス１１０を含む。発光デバイス１１０は、個別発光デバイス１１０の周囲を画定する分離領域１１２によって画定される
【００７６】
　図４から分かるように、
後続の行中の発光デバイス１１０のアノード１１６が、相互接続パターン１１８によって先の行中のデバイス１１０のカソード１１４に接続されている
【００７７】
　発光デバイス１１０のウエハ上に１又は複数のモノリシック発光体１００が形成されて、次に個々のモノリシック発光体１００に分離される。このように、分離された発光デバイス１１０はウエハからグループで分離され、いくつかの実施の形態では、ウエハの連続した領域からそれぞれのグループで分離されるため、各々の連続した領域は、複数の個別発光デバイス１１０を含むモノリシック構造１００を提供する。この分離プロセスは、例えばソーイング、罫書きおよび破断によって実行されるか、あるいはウエハ内のダイを分離するための当業者に既知の他の方法によって実行される。」
ｂ　ここで、図４は次のものである。
 
ｃ　上記ａとともに上記ｂの図４を参照すると、図示上から２行（横６個縦２個）の各発光デバイス１１０について、接続パターン１１８によって接続された発光デバイス１１０の間隔に比べて、接続されていない発光デバイス１１０間の間隔が狭いことが見て取れる。
周知文献２：特開２０１１−１８１９２５号公報
ａ　当審拒絶理由において引用文献４として引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０１１−１８１９２５号公報には、以下の事項が記載されている。
「【００４４】
　図１は本発明の第１実施形態（直列及び並列の組み合わせ）によるマルチセルアレイ発光装置を示す上部平面図であり、図２は図１に図示された発光装置に具現されたマルチセルアレイの等価回路図である。図３ａから図３ｃは図１に図示された発光装置のセル間の連結を説明するための部分側断面図である。
【００４５】
　図１に図示されたように、本実施形態による
半導体発光装置１０は、基板１１と、上記基板１１の上面に６×６に配列された複数の発光セルＣとを含む
【００４６】
　上記複数の発光セルＣは、図３ａ及び図３ｂに図示されたように、上記基板１１の上面に順に形成された第１導電型半導体層１２ａ、活性層１２ｃ及び第２導電型半導体層１２ｂを有する半導体多層膜１２を分離して得ることができる。
【００４７】
　・・・（中略）・・・
【００５０】
　本実施形態による半導体発光装置は、図２の等価回路図に示されたように、各列Ｓ１−Ｓ６において６個の発光セルＣが相互直列に連結され、６個の列Ｓ１−Ｓ６が相互並列に連結される直並列連結構造を有する。
【００５１】
　・・・（中略）・・・
【００５３】
　また、上記連結部は、上記各列Ｓ１−Ｓ６に属する発光セルＣが上記第１及び第２連結部１８ａ、１８ｂの間で相互直列に連結されるように形成された複数の相互連結部１５を含むことができる。上記相互連結部１５は、各列において隣接する発光セルＣを相互直列に連結しながら、各列Ｓ１−Ｓ６の両端に位置する発光セルを上記第１及び第２連結部１８ａ、１８ｂに連結することができる。本実施形態に採用される連結部はワイヤではなく、発光セルＣ、及び基板１１の表面の形状に沿って形成され、連結部の電気的接点以外の部分も発光セルＣおよび基板１１の表面から離れることはない。よって本実施形態においては、各々の発光チップＣをワイヤで連結する時に生じやすい、製造工程の複雑化、ワイヤのオープン不良、小型化困難等の不具合が生じにくい。また、発光セルＣと連結部との間には絶縁層１４が介在されるので、発光セルＣと連結部との意図しない短絡を防止することができる。」
ｂ　ここで、図１は次のものである。
 
ｃ　上記ａとともに上記ｂの図１を参照すると、図示上から２行（横６個縦２個）の各発光セルＣについて、相互連結部１５によって接続された発光セルＣの間隔に比べて、接続されていない発光セルＣ間の間隔が狭いことが見て取れる。
周知文献３：米国特許出願公開第２０１１／００６２４５９号明細書
ａ　当審拒絶理由において引用文献５として引用され、本願の優先日前に外国において頒布された刊行物である米国特許出願公開第２０１１／００６２４５９号明細書には、以下の事項が記載されている（日本語訳は当審で作成。）。
「[0078] Referring to FIGS. 5and 6, the basic unit 1000 is disposed on a substrate 21 and comprises a pairof half-wave light emitting cells 100a and 100b, a full-wave light emittingcell 200 and a pair of half-wave light emitting cells 300. The light emitting cells100a, 100b, 200 and 300 are electrically connected by wires 1221 and 2231.」
「[0106] Referring to FIG.11, the AC LED according to the present exemplary embodiment has a structure inwhich three basic units of the light emitting cells of FIG. 5, i.e., first tothird basic units 1000a, 1000b and 1000c (shown in FIG. 12), are connected inseries, and bonding pads 50a and 50b are connected to both ends of the threebasic units.」
（日本語訳：
[0078]図５および図６を参照すると、基本ユニット１０００は、基板２１上に配置され、一対の半波発光セル１００ａおよび１００ｂ、全波発光セル２００および一対の半波発光セル３００から構成されている。発光セル１００ａ、１００ｂ、全波発光セル２００、３００は、ワイヤ１２２１、２２３１によって電気的に接続されている。
[0106]図１１を参照すると、本例示的な実施形態に従ったＡＣＬＥＤは、図５の発光セルの３つの基本ユニット、すなわち第１?第３の基本ユニット１０００ａ、１０００ｂ、１０００ｃ（図１２に示す）が直列に接続され、ボンディングパッド５０ａ、５０ｂが３つの基本ユニットの両端に接続されている構造を有する。）
ｂ　ここで、Ｆｉｇ．５及びＦｉｇ．１１は次のものである。
Ｆｉｇ．５
 
Ｆｉｇ．１１
ｃ　上記ａとともに、上記ｂのＦｉｇ．５及びＦｉｇ．１１を参照すると、Ｆｉｇ．１１の図示左下隅の３個の発光セル（すなわち、１個の全波発光セル２００及び一対（２個）の半波発光セル３００は、全波発光セル２００について、図示横方向の長さが半波発光セル３００よりも長くされて、全波発光セル２００にかかる横方向の発光セル間距離が詰められたものとなっていることが見て取れる。
周知文献４：特開２００８−２３５８８３号公報
ａ　当審拒絶理由において引用文献６として引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００８−２３５８８３号公報には、以下の事項が記載されている。
「【００９７】
　図６（ａ）は本発明により実現できるモノリシック発光ダイオードアレイのレイアウトで、図６（ｂ）に図示された等価回路によって表される形態を例示している。
【００９８】
　図６（ａ）に図示されたレイアウトによるモノリシック発光ダイオードアレイは、相互に反対側に位置した両辺に隣接して形成された第１及び第２ＬＥＤセルＡ１，Ａ２と第３及び第４ＬＥＤセルＣ１，Ｃ２とを含み、その間に位置した３つの第５ＬＥＤセルＢ１，Ｂ２，Ｂ３に区分して理解することが出来る。
【００９９】
　以下、図６（ｂ）を参照して、上記のモノリシック発光ダイオードアレイの配線構造を説明する。
【０１００】
　先ず、第１ＬＥＤセルＡ１のｎ側コンタクトと第２ＬＥＤセルＡ２のｐ側コンタクトは第１ＡＣ電源端Ｐ１に連結される。第３ＬＥＤセルＣ１のｐ側コンタクトと第２ＬＥＤセルＣ２のｎ側コンタクトは第２ＡＣ電源端Ｐ２に連結される。
【０１０１】
　３つの第５ＬＥＤセルＢ１，Ｂ２，Ｂ３は相互に直列に連結された構造を有している。一側辺に位置した、即ち第１及び第４ＬＥＤセルＡ１，Ｃ２の間に位置した第５ＬＥＤセルＢ１のｎ側コンタクトは第１及び第４ＬＥＤセルＡ１，Ｃ２のｐ側コンタクトとの共通接点を構成し、他の側辺に位置した、即ち第２及び第３ＬＥＤセルＡ２，Ｃ１の間に位置した第５ＬＥＤセルＢ３のｐ側コンタクトは第２及び第３ＬＥＤセルＡ２，Ｃ１のｎ側コンタクトとの共通接点を構成している。」
ｂ　ここで、図６は次のものである。
 
ｃ　上記ａとともに、上記ｂの図６を参照すると、例えば、第３ＬＥＤセルＣ１の図示縦方向長さが、図示横方向に隣接する第５ＬＥＤセルＢ３の縦方向長さより長くなり、縦方向の発光セル間距離が詰められたものとなっていることが見て取れる。
イ　前記相違点２について検討する。
（ア）一般に、発光セルを基板上に配列し、発光セル間を配線で接続した発光素子において、発光セルの側面を傾斜させたものとして、前記配線の断線を防ぐ技術は、以下の周知文献５及び６にも記載されているように周知の技術であり、当該傾斜の角度を３０°〜８０°の範囲内の値とすることも、周知文献５に記載されているように通常選択される程度の値である。
　そして、引用発明においても、発光セルを連結する配線２６０の断線を防ぐことが好ましいことは明らかであるから、引用発明において、前記周知の技術を適用して、相違点２に係る構成を備えることは、当業者が適宜になしえたことである。
周知文献５：特開２００２−２８９９２０号公報
ａ　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−２８９９２０号公報には、以下の事項が記載されている。
「【００３０】一方、メサエッチに際し、延在部の表面粗さがＲａ１００Å以下になるようなエッチング条件である鏡面エッチ液組成を用いると、基板までエッチングしていくプロセスにて、逆導電型半導体層から単結晶基板上に向けて、
各層の側面（順メサ部）の一部が垂直になりやすく、その順メサ部に個別電極を配線すると、そこで断線を生じるという課題があった。
　・・・（中略）・・・
【００５４】また、段差エッチの工程において、一導電型半導体層２の一部を露出させて延在部を設ける際に、その延在部を配した側とは反対側にも第２の延在部を形成するようにエッチングすれば、
順メサ形状を確保して、第２の延在部が形成され、順メサの一部が垂直になるといった不具合もなく、その結果、個別電極４の配線に断線等が発生しなくなった。
　・・・（中略）・・・
【００６９】本例では、第２の延在部を形成するには、一導電型半導体層２の電子注入層２ｃをエッチングされやすいＡｌＧａＡｓなどの材料にて形成して第２の延在部を設けようとするが、その反面、エッチング時間を長くすることで、えぐれた形状になる。したがって、電子注入層２ｃをエッチングし、オーミックコンタクト層２ｂが露出されることで、そのようなえぐれが発生する前にてエッチングを止めればよい。
その結果、所要通りの形状にした第２の延在部ができることに伴って、その上下に位置する一導電型半導体層２の端面および逆導電型半導体層３の端面が傾斜面となる
【００７０】
この傾斜面は基板に対する法線方向に対し、９０度未満であるが、８０〜６０度の範囲にすることが望ましい
【００７１】
８０度以下においては、個別電極４の断線が生じにくく、又、６０度未満になると、断線の心配はないが、順メサ部が長くなり、その分、チップサイズを大きくなる
ｂ　ここで、図２は次のものである。
 
ｃ　上記ａとともに、上記ｂの図２を参照すると、発光セルの側面を、傾斜の角度を６０°〜８０°の範囲内で傾斜させたものとして、配線の断線を防ぐことができることがわかる。
周知文献６：特開２００１−２５７３８０号公報
ａ　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−２５７３８０号公報には、以下の事項が記載されている。
「【０００６】カソード電極７６はｎ型ＧａＡｓ基板７１の裏面全面に、またアノード電極７７はｐ型ＧａＡｓ層７５の上に、それぞれ金属を蒸着し合金化することにより設けられている。アノード電極７７とワイヤボンディングパッド７９は、Ａｕによるアノード用配線７８により電気的に接続されている。
このアノード用配線７８は、図５に示すように順メサ方向に形成されているため、段切れを起こすことは無い
【０００７】なお、断切れとは、ある角度を為す２つの平面から成る面に金属膜を施した時に、２つの平面が角度を為して交差している場所で、金属膜が切断して導通が無くなる状態を言う。」
ｂ　ここで、図５は次のものである。
 
ｃ　上記ａとともに、上記ｂの図５を参照すると、発光セルの側面を傾斜させたものとして、配線の断線を防ぐことができることがわかる。
（５）請求人の主張について
　請求人は、令和２年６月１２日の意見書において、周知文献３及び４（当審拒絶理由における引用文献５及び６）の構成には、その基本的構成に、大きな違いがあり、それらから、回路構成についての周知技術を認定することはできない旨の主張をする。
　しかしながら、前記（４）ア（イ）での検討に併せて上記周知文献３及び４について認定したとおり、周知文献３及び４については、各発光セルの寸法・形状に係る周知の構成を認定したものであって、ここで、周知文献３及び４に記載されたものは、いずれも、基板上に配置された複数の発光セルを配線により接続したものであることに変わりはないのであるから、前記周知の構成の認定に特段支障はない。
　よって、前記請求人の主張は採用できない。
（６）小括
　よって、本願発明は、周知技術を勘案して、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１の記載により特定される発明は、発明の詳細な説明に記載したものではないから、本願は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしておらず、また、本願の発明の詳細な説明は、当業者が、本願の請求項１の記載により特定される発明の技術的な意義を当業者が理解できるように記載されたものでないから、本願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしておらず、さらに、本願発明は、引用発明、引用例の記載及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。