(57)【要約】  本発明の半導体集積回路装置は導電リードが短絡した場合でも、導電リード同士が短絡した場合、ボンディングワイヤの温度の上昇を押えることができ、半導体集積回路装置への信頼性が向上する。このために、本発明は、外部電源から半導体集積回路チップのハイサイドトランジスタへ電源を供給するための樹脂パッケージの導電リードと、半導体集積回路チップのボンディングパッドとを複数本のボンディングワイヤにより接続する。さらに、ＧＮＤ導電リードに接続されて半導体集積回路チップのローサイドトランジスタへ接地電位を供給するための樹脂パッケージの導電リードと、半導体集積回路チップのボンディングパッドとを複数本のボンディングワイヤにより接続する。
2007114057.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部出力負荷を駆動する高耐圧出力回路を内蔵した半導体集積回路チップと、前記半導体集積回路チップを搭載する樹脂パッケージとを有し、一端が樹脂パッケージの導電リードに接続され、他端が前記半導体集積回路チップ上のボンディングパッドに接続されたボンディングワイヤを有する半導体集積回路装置において、
少なくとも、半導体集積回路チップの電源部に電源を供給するボンディングパッドと、前記樹脂パッケージの導電リードとの間を、複数本のワイヤにより接続したことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
半導体集積回路チップの電源部に電源を供給するための導電リードと、半導体集積回路チップのボンディングパッドとの間、及びＧＮＤに接続されて半導体集積回路チップの電源部に接地電位を供給する導電リードと、半導体集積回路チップのボンディングパッドとの間を、複数本のワイヤで接続されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
複数本のワイヤが２本又は４本であることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
複数の導電リードを一組とする導電リードを用いたことを特徴とする請求項２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
複数のボンディングパッドを一組とするボンディングパッドを用いたことを特徴とする請求項２に記載の半導体集積回路装置。  
【請求項６】
請求項１記載の半導体集積回路装置を搭載し、この半導体集積回路装置に導電性リードを介して電源を供給する外部電源を有することを特徴とするＰＤＰドライバ。
【請求項７】
半導体集積回路装置に電源を供給する前記外部電源は、電流制限機能を有することを特徴とする請求項６に記載のＰＤＰドライバ。
【請求項８】
請求項１記載の半導体集積回路装置を搭載したことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
請求項７記載のＰＤＰドライバを搭載したことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高耐圧出力回路を内蔵する半導体集積回路チップが搭載された樹脂パッケージからなる半導体集積回路装置、およびその半導体集積回路装置を搭載するＰＤＰドライバ(Plasma Display Panel Driver)、およびそのＰＤＰドライバを搭載するプラズマディスプレイパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のＰＤＰドライバおよび半導体集積回路装置として、図３に示される構成が知られている。図３の符号において、１はハイサイドトランジスタ、２はローサイドトランジスタ、３はレベルシフト回路、４はプリドライバ、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄはボンディングパッド、６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄはボンディングワイヤ、７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは導電リード、８は半導体集積回路チップ、９は樹脂パッケージ、１０は外部出力負荷、１２は外部電源、１３はＤＣ／ＤＣコンバータを示している。【０００３】
半導体集積回路装置は半導体集積回路チップ８と、樹脂パッケージ９で構成され、半導体集積回路チップ８がエポキシ樹脂等により樹脂モールドされている。【０００４】
半導体集積回路チップ８内には高耐圧出力回路を備えている。この高耐圧出力回路は、ハイサイドトランジスタ１と、ローサイドトランジスタ２とが直列に配置され、これらのトランジスタ１，２に併設してレベルシフト回路３と、プリドライバ４と備え、周縁部に複数のボンディングパッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄが配置されている。この高耐圧出力回路はプリドライバ４に入力される信号でハイサイドトランジスタ１とローサイドトランジスタ２とをスイッチングすることにより、外部出力負荷１０に高圧電位あるいは接地電位を与える。【０００５】
樹脂パッケージ９の外周縁部には、半導体集積回路チップ８に高圧電位，接地電位，入力信号を与え、また、半導体集積回路チップ８から外部出力負荷１０に出力電位を与えるため、導電リード７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄが配置されている。この導電リード７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄと前記対応するボンディングパッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄとの間をボンディングワイヤ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄで接続している。【０００６】
またＰＤＰドライバは、半導体集積回路チップ８と、樹脂パッケージ９と、外部出力負荷１０と、ＤＣ／ＤＣコンバータ１３と、外部電源１２とを備えている。ＤＣ／ＤＣコンバータ１３は外部電源１２の電位を高電圧に昇圧するために使用され、樹脂パッケージ９の高電圧電源の導電リード７ａに接続される。【０００７】
このような一般的なＰＤＰドライバおよび半導体集積回路装置の構成の場合、半導体集積回路チップ８の各ボンディングパッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄと各導電リード７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄとを、それぞれボンディングワイヤ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄによって接続する際、１本のボンディングワイヤで両者が接続されていた。（ＪＰ０６−８０６７１Ｂの図１を参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前記従来のＰＤＰドライバおよび半導体集積回路装置の構成によれば、通常動作時には問題なく所望の動作が得られる。しかし、通常動作している際、何らかの外部起因により導電リード同士が樹脂パッケージの外部で短絡すると、半導体集積回路装置は、特性劣化を起こすか、場合によっては半導体集積回路チップ８が破損することが知られている。【０００９】
特に、ＰＤＰドライバのような高電圧を用いたドライバで使用される半導体集積回路装置は、導電リード同士が短絡した場合には、ボンディングワイヤ６の温度が急に上昇することがある。【００１０】
即ち、高電圧電源導電リードと出力導電リード、または出力導電リードと接地電位導電リードが短絡した場合、過大電流が外部電源１２から破壊した半導体集積回路チップ８に流れ込む。ここで従来技術の半導体集積回路装置では、ボンディングパッド５と導電リード７は、１本のボンディングワイヤ６で接続されており、ボンディングワイヤ６自体のインピーダンスが大きく、電源から流れ込む過大電流により、ボンディングワイヤ６の温度が急に上昇することがある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、前記従来の課題を考慮し、導電リードが短絡した場合でもボンディングワイヤの温度上昇を防ぎ、信頼性を向上させる半導体集積回路装置、および、その半導体集積回路装置を搭載するＰＤＰドライバおよびプラズマディスプレイパネルを提供することを目的とする。【００１２】
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体集積回路装置は、外部出力負荷を駆動する高耐圧出力回路を内蔵した半導体集積回路チップと、前記半導体集積回路チップを搭載する樹脂パッケージとを有し、一端が樹脂パッケージの導電リードに接続され、他端が前記半導体集積回路チップ上のボンディングパッドに接続されたボンディングワイヤを有する半導体集積回路装置において、少なくとも、半導体集積回路チップの電源部に電源を供給するボンディングパッドと、前記樹脂パッケージの導電リードとの間を、複数本のワイヤにより接続する。【００１３】
また、本発明に係る半導体集積回路装置は、半導体集積回路チップの電源部に電源を供給するための導電リードと、半導体集積回路チップのボンディングパッドとの間、及びＧＮＤに接続されて半導体集積回路チップの電源部に接地電位を供給する導電リードと、半導体集積回路チップのボンディングパッドとの間を、複数本のワイヤで接続している。【００１４】
また、本発明に係る半導体集積回路装置は、複数本のワイヤが２本又は４本である。【００１５】
また、本発明に係る半導体集積回路装置は、複数の導電リードを一組とする導電リードを用ている。【００１６】
また、本発明に係る半導体集積回路装置は、複数のボンディングパッドを一組とするボンディングパッドを用いている。【００１７】
本発明に係る第１のＰＤＰドライバは、前記第１の半導体集積回路装置を搭載し、この半導体集積回路装置に導電性リードを介して電源を供給する外部電源を有する。【００１８】
本発明に係る第２のＰＤＰドライバは、第１のＰＤＰドライバの半導体集積回路装置に電源を供給する外部電源は、電流制限機能を有する。【００１９】
本発明に係る第１のプラズマディスプレイパネルは、第１の半導体集積回路装置を搭載している。【００２０】
本発明に係る第２のプラズマディスプレイパネルは、第２のＰＤＰドライバを搭載している。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る半導体集積回路装置によれば、ボンディングパッドと導電リードとを複数本のワイヤで接続している。また本発明に係るＰＤＰドライバによれば、外部電源は電流制限機能を有している。この構成により、ワイヤにおける消費電力を低減し、例えば、高電圧電源導電リードと出力導電リード、または出力導電リードと接地電位導電リードが短絡した場合でも、過大電流によるボンディングワイヤの温度上昇を抑制することができる。かかる半導体集積回路装置をＰＤＰドライバに用いれば、信頼性の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態１におけるＰＤＰドライバにおける半導体集積回路装置の構成図である。
【図２】本発明の実施形態２におけるＰＤＰドライバにおける半導体集積回路装置の構成図である。
【図３】従来のＰＤＰドライバにおける半導体集積回路装置の構成図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１であるＰＤＰドライバおよび半導体集積回路装置の構成図である。なお、図３にて説明した部材に対応する部材には同一符号を付した。【００２４】
図１の符号において、１はハイサイドトランジスタ、２はローサイドトランジスタ、３はレベルシフト回路、４はプリドライバ、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄはボンディングパッド、６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄはボンディングワイヤ(ワイヤ)、７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは導電リード、８は半導体集積回路チップ、９は樹脂パッケージ、１０は外部出力負荷、１１は電流制限付ＤＣ／ＤＣコンバータ、１２は外部電源を示している。【００２５】
半導体集積回路装置は半導体集積回路チップ８と、樹脂パッケージ９で構成されている。樹脂パッケージ９はエポキシ樹脂等により樹脂モールドされている。【００２６】
前記半導体集積回路チップ８内には、高耐圧出力回路を多数備えている。この高耐圧出力回路は、ハイサイドトランジスタ１と、ローサイドトランジスタ２とが多数配置され、これらのトランジスタ１，２に、レベルシフト回路３と、プリドライバ４が併設されている。これら高耐圧出力回路をチップ８の一辺にそって平行に多数配置することでＰＤＰドライバにて使用される多出力の半導体集積回路チップ８は構成されている。さらに、半導体集積回路チップ８の周縁部にボンディングパッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄが配置されている。この高耐圧出力回路は、入力導電リードＩＮを通して外部よりプリドライバ４に入力される信号に従い、ハイサイドトランジスタ１とローサイドトランジスタ２をスイッチングすることにより、外部出力負荷１０に高圧電位か接地電位を与える。【００２７】
前記樹脂パッケージ９は、半導体集積回路チップ８に電源電位，接地電位，入力信号を入力し、また、半導体集積回路チップ８から外部出力負荷１０に出力電位を出力するため、導電リード７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄを備えている。この導電リード７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄと前記対応するボンディングパッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄとの間をボンディングワイヤ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄで接続している。【００２８】
ここで半導体集積回路チップ８に電源電位，接地電位を与えるためのボンディングパッド５ａ，５ｃは、半導体集積回路チップ８の一辺にそって配置された高耐圧出力回路を挟むように配置し、半導体集積回路チップ８の電源電位、接地電位の抵抗成分の低減を図っている。【００２９】
この実施の形態１では、ハイサイドトランジスタ１に電源電位を供給する配線１４の端部には、４つ一組のボンディングパッド５ａが設けられている。また、ローサイドトランジスタ２に接地電位を供給する配線１５の端部にも４つ一組のボンディングパッド５ｃが設けられている。ハイサイドトランジスタ１用のボンディングパッド５ａは半導体集積回路チップ８のコーナ部分に配置され、ローサイドトランジスタ２用のボンディングパッド５ｃは２組のボンディングパッド５ａの間に挟まれるように配置されている。【００３０】
外部電源１２と電流制限付ＤＣ／ＤＣコンバータ１１から、半導体集積回路装置内の半導体集積回路チップ８の第一電源部であるハイサイドトランジスタ１へ電源を供給するため、樹脂パッケージ９の前記ボンディングパッド５ａに対応する位置に、２つ一組の導電リード７ａが設けられている。この各々の導電リード７ａはＤＣ／ＤＣコンバータ１１からの配線１６に直接接続されている。【００３１】
そして、１つの導電リード７ａに複数本（本例では２本）のボンディングワイヤ６ａの一端が接続され、それぞれ１本のボンディングワイヤ６ａの他端は１つのボンディングパッド５ａに接続されている。従って、本実施の形態では、２つ一組の導電リード７ａと４つ一組のボンディングパッド５ａの間を４本のボンディングワイヤ６ａで接続して、半導体集積回路チップ８に外部電源１２からの電源電位を供給している。【００３２】
さらに、ＧＮＤ導電リードに接続されて半導体集積回路チップ８の第二電源部であるローサイドトランジスタ２へ接地電位を供給するため、樹脂パッケージ９のローサイドトランジスタ２用のボンディングパッド５ｃに対応する位置に、２つ一組の導電リード７ｃが設けられている。この各々の導電リード７ｃはＧＮＤに接続する配線１７に直接接続している。【００３３】
そして、１つの導電リード７ｃに２本のボンディングワイヤ６ｃの一端が接続され、それぞれ１本のボンディングワイヤ６ｃの他端は１つのボンディングパッド５ｃにされている。従って、本実施の形態では、２つ一組の導電リード７ｃと４つ一組のボンディングパッド５ｃの間を４本のボンディングワイヤ６ａで接続して、半導体集積回路チップ８に接地電位を供給している。【００３４】
ここで、ボンディングワイヤ６ａ，６ｃの前記本数、すなわち、電源電位と接地電位とを、半導体集積回路チップ８の高耐圧出力回路へ入力するためのボンディングパッド５ａ，５ｃと導電リード７ａ，７ｃとを接続するボンディングワイヤ６ａ，６ｃの本数は、各ボンディングワイヤの温度上昇を防ぐことができるワイヤ消費電力になるように選定しなければならない。【００３５】
具体的には、高電圧電源導電リードＶＤＤＨと出力導電リードＯＵＴ、または出力導電リードＯＵＴと接地電位導電リードＧＮＤが短絡した場合の外部電源１２からの過電流値と、使用するボンディングワイヤの本数で決まるインピーダンスとからボンディングワイヤにおける消費電力を概算して、樹脂パッケージ９の材質等も考慮して、ボンディングワイヤの急な温度上昇を防ぐことができるボンディングワイヤの本数を決定する。【００３６】
前記のようにして決定した本数のボンディングワイヤ６ａ，６ｃを使用することにより、本実施の形態の半導体集積回路装置では、通常動作している際、何らかの外部起因により導電リード７ａ，７ｃが樹脂パッケージ９の外部で短絡し、半導体集積回路チップ８が破壊した場合でも、ボンディングワイヤ６ａ，６ｃにおける温度上昇を防ぐことができるため、半導体集積回路装置への信頼性が向上する。【００３７】
また、本実施形態にて使用されるＤＣ／ＤＣコンバータ１１は、外部電源１２の電位を高電圧に昇圧するためにＰＤＰドライバにおいて使用される電流制限機能を有したＤＣ／ＤＣコンバータである。このため、高電圧電源導電リードＶＤＤＨと出力導電リードＯＵＴ、または出力導電リードＯＵＴを接地電位導電リードＧＮＤが短絡した場合でも、半導体集積回路チップ８内に流れ込む過電流を制限し、ボンディングワイヤ６ａ，６ｃにおいて消費する電力を低減することにより、半導体集積回路装置への信頼性が向上する。
【実施の形態２】
【００３８】
図２は本発明の実施の形態２であるＰＤＰドライバおよび半導体集積回路装置の構成図である。
【００３９】
この実施の形態２の基本的な構成は、前記実施の形態１と同じである。即ち、実施の形態２のＰＤＰドライバは、ハイサイドトランジスタ１、ローサイドトランジスタ２、レベルシフト回路３、プリドライバ４、導電リード７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ、半導体集積回路チップ８、樹脂パッケージ９、外部出力負荷１０、電流制限付ＤＣ／ＤＣコンバータ１１、外部電源１２は、前記実施の形態１と同じである。相違する点は、ボンディングパッド５ａ，５ｃ、ボンディングワイヤ６ａ，６ｃの構成である。
【００４０】
この実施の形態２では、ハイサイドトランジスタ１に電源電位を供給する配線１４の端部には、２つ一組のボンディングパッド５ａが設けられている。また、ローサイドトランジスタ２に接地電位を供給する配線１５の端部にも２つ一組のボンディングパッド５ｃが設けられている。ハイサイドトランジスタ１用のボンディングパッド５ａは半導体集積回路チップ８のコーナ部分に配置され、ローサイドトランジスタ２用のボンディングパッド５ｃは二組のボンディングパッド５ａの間に挟まれるように配置されている。
【００４１】
そして、樹脂パッケージ９の前記ボンディングパッド５ａに対応する位置に、２つ一組の導電リード７ａが設けられている。この各々の導電リード７ａはＤＣ／ＤＣコンバータ１１からの配線１６に直接接続されている。
【００４２】
そして、１つの導電リード７ａに１本のボンディングワイヤ６ａの一端が接続され、それぞれ１本のボンディングワイヤ６ａの他端は１つのボンディングパッド５ａに接続されている。従って、本実施の形態２では、２つ一組の導電リード７ａと２つ一組のボンディングパッド５ａの間を２本のボンディングワイヤ６ａで接続して、半導体集積回路チップ８に外部電源１２からの電源電位を供給している。
【００４３】
さらに、ＧＮＤ導電リードに接続されて半導体集積回路チップ８の第二電源部であるローサイドトランジスタ２へ接地電位を供給するため、樹脂パッケージ９のローサイドトランジスタ２用のボンディングパッド５ｃに対応する位置に、２つ一組の導電リード７ｃが設けられている。この各々の導電リード７ｃはＧＮＤに接続する配線１７に直接接続している。
【００４４】
そして、１つの導電リード７ｃに１本のボンディングワイヤ６ｃの一端が接続され、他端は１つのボンディングパッド５ｃにされている。従って、本実施の形態では、２つ一組の導電リード７ｃと２つ一組のボンディングパッド５ｃの間を２本のボンディングワイヤ６ａで接続して、半導体集積回路チップ８に接地電位を供給している。
【００４５】
この実施の形態２では、前記のように２本のボンディングワイヤ６ａ，６ｃを使用することにより、本実施の形態の半導体集積回路装置では、通常動作している際、何らかの外部起因により導電リード７ａ，７ｃが樹脂パッケージ９の外部で短絡し、半導体集積回路チップ８が破壊した場合でも、ボンディングワイヤ６ａ，６ｃにおける温度の上昇を防ぐことができるため、半導体集積回路装置への信頼性が向上する。
【００４６】
また、高電圧電源導電リードＶＤＤＨと出力導電リードＯＵＴ、または出力導電リードＯＵＴを接地電位導電リードＧＮＤが短絡した場合でも、半導体集積回路チップ８内に流れ込む過電流を制限し、ボンディングワイヤ６ａ，６ｃにおいて消費する電力を低減することにより、半導体集積回路装置への信頼性が向上する。
【００４７】
なお、上記の実施の形態１，２において、２つ一組の導電リード７ａ，７ｃ、又は２つ一組又は４つ一組のボンディングパッド５ａ，５ｃを用いて、２本又は４本のボンディングワイヤ６ａ，６ｃで接続した例を示したが、本発明は導電リード７ａ，７ｃ、ボンディングパッド５ａ，５ｃの数はかかる実施の形態に限定されるものではない。ボンディングワイヤへ、電源から過大電流が流れ込むことにより、ボンディングワイヤ６の過剰な温度の上昇が無いように複数本のボンディングワイヤ６ａ，６ｃを使用したものであればよく接続方法は限定されない。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、高耐圧出力回路を内蔵する半導体集積回路チップが搭載された樹脂パッケージからなる半導体集積回路装置に適用され、特に、ＰＤＰ駆動用のドライバに用いれば、高電圧電源導電リードと出力導電リード、および出力導電リードを接地電位導電リードが短絡した場合でも、半導体集積回路装置への信頼性が向上する。
【図１】
2007114057.tif 000003
【図２】
2007114057.tif 000004
【図３】
2007114057.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月6日(2008.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部出力負荷を駆動する高耐圧出力回路を内蔵した半導体集積回路チップと、前記半導体集積回路チップを搭載する樹脂パッケージとを有し、一端が樹脂パッケージの導電リードに接続され、他端が前記半導体集積回路チップ上のボンディングパッドに接続されたボンディングワイヤを有する半導体集積回路装置において、
少なくとも、半導体集積回路チップの電源部に電源を供給するボンディングパッドと、前記樹脂パッケージの導電リードとの間を、複数本のワイヤにより接続したことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
半導体集積回路チップの電源部に電源を供給するための導電リードと、半導体集積回路チップのボンディングパッドとの間、及びＧＮＤに接続されて半導体集積回路チップの電源部に接地電位を供給する導電リードと、半導体集積回路チップのボンディングパッドとの間を、複数本のワイヤで接続されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
複数本のワイヤが２本又は４本であることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
複数の導電リードを一組とする導電リードを用いたことを特徴とする請求項２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
複数のボンディングパッドを一組とするボンディングパッドを用いたことを特徴とする請求項２に記載の半導体集積回路装置。  
【請求項６】
請求項１記載の半導体集積回路装置を搭載し、この半導体集積回路装置に導電性リードを介して電源を供給する外部電源を有することを特徴とするＰＤＰドライバ。
【請求項７】
半導体集積回路装置に電源を供給する前記外部電源は、電流制限機能を有することを特徴とする請求項６に記載のＰＤＰドライバ。
【請求項８】
請求項１記載の半導体集積回路装置を搭載したことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
請求項７記載のＰＤＰドライバを搭載したことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高耐圧出力回路を内蔵する半導体集積回路チップが搭載された樹脂パッケージからなる半導体集積回路装置、およびその半導体集積回路装置を搭載するＰＤＰドライバ(Plasma Display Panel Driver)、およびそのＰＤＰドライバを搭載するプラズマディスプレイパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のＰＤＰドライバおよび半導体集積回路装置として、図３に示される構成が知られている。図３の符号において、１はハイサイドトランジスタ、２はローサイドトランジスタ、３はレベルシフト回路、４はプリドライバ、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄはボンディングパッド、６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄはボンディングワイヤ、７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは導電リード、８は半導体集積回路チップ、９は樹脂パッケージ、１０は外部出力負荷、１２は外部電源、１３はＤＣ／ＤＣコンバータを示している。
【０００３】
半導体集積回路装置は半導体集積回路チップ８と、樹脂パッケージ９で構成され、半導体集積回路チップ８がエポキシ樹脂等により樹脂モールドされている。
半導体集積回路チップ８内には高耐圧出力回路を備えている。この高耐圧出力回路は、ハイサイドトランジスタ１と、ローサイドトランジスタ２とが直列に配置され、これらのトランジスタ１，２に併設してレベルシフト回路３と、プリドライバ４と備え、周縁部に複数のボンディングパッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄが配置されている。この高耐圧出力回路はプリドライバ４に入力される信号でハイサイドトランジスタ１とローサイドトランジスタ２とをスイッチングすることにより、外部出力負荷１０に高圧電位あるいは接地電位を与える。
【０００４】
樹脂パッケージ９の外周縁部には、半導体集積回路チップ８に高圧電位，接地電位，入力信号を与え、また、半導体集積回路チップ８から外部出力負荷１０に出力電位を与えるため、導電リード７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄが配置されている。この導電リード７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄと前記対応するボンディングパッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄとの間をボンディングワイヤ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄで接続している。
【０００５】
またＰＤＰドライバは、半導体集積回路チップ８と、樹脂パッケージ９と、外部出力負荷１０と、ＤＣ／ＤＣコンバータ１３と、外部電源１２とを備えている。ＤＣ／ＤＣコンバータ１３は外部電源１２の電位を高電圧に昇圧するために使用され、樹脂パッケージ９の高電圧電源の導電リード７ａに接続される。
【０００６】
このような一般的なＰＤＰドライバおよび半導体集積回路装置の構成の場合、半導体集積回路チップ８の各ボンディングパッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄと各導電リード７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄとを、それぞれボンディングワイヤ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄによって接続する際、１本のボンディングワイヤで両者が接続されていた。（特公平６−８０６７１号公報の図１を参照）
【特許文献１】特公平６−８０６７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記従来のＰＤＰドライバおよび半導体集積回路装置の構成によれば、通常動作時には問題なく所望の動作が得られる。しかし、通常動作している際、何らかの外部起因により導電リード同士が樹脂パッケージの外部で短絡すると、半導体集積回路装置は、特性劣化を起こすか、場合によっては半導体集積回路チップ８が破損することが知られている。
【０００８】
特に、ＰＤＰドライバのような高電圧を用いたドライバで使用される半導体集積回路装置は、導電リード同士が短絡した場合には、ボンディングワイヤ６の温度が急に上昇することがある。
【０００９】
即ち、高電圧電源導電リードと出力導電リード、または出力導電リードと接地電位導電リードが短絡した場合、過大電流が外部電源１２から破壊した半導体集積回路チップ８に流れ込む。ここで従来技術の半導体集積回路装置では、ボンディングパッド５と導電リード７は、１本のボンディングワイヤ６で接続されており、ボンディングワイヤ６自体のインピーダンスが大きく、電源から流れ込む過大電流により、ボンディングワイヤ６の温度が急に上昇することがある。
【００１０】
本発明は、前記従来の課題を考慮し、導電リードが短絡した場合でもボンディングワイヤの温度上昇を防ぎ、信頼性を向上させる半導体集積回路装置、および、その半導体集積回路装置を搭載するＰＤＰドライバおよびプラズマディスプレイパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体集積回路装置は、外部出力負荷を駆動する高耐圧出力回路を内蔵した半導体集積回路チップと、前記半導体集積回路チップを搭載する樹脂パッケージとを有し、一端が樹脂パッケージの導電リードに接続され、他端が前記半導体集積回路チップ上のボンディングパッドに接続されたボンディングワイヤを有する半導体集積回路装置において、少なくとも、半導体集積回路チップの電源部に電源を供給するボンディングパッドと、前記樹脂パッケージの導電リードとの間を、複数本のワイヤにより接続する。
【００１２】
また、本発明に係る半導体集積回路装置は、半導体集積回路チップの電源部に電源を供給するための導電リードと、半導体集積回路チップのボンディングパッドとの間、及びＧＮＤに接続されて半導体集積回路チップの電源部に接地電位を供給する導電リードと、半導体集積回路チップのボンディングパッドとの間を、複数本のワイヤで接続している。
【００１３】
また、本発明に係る半導体集積回路装置は、複数本のワイヤが２本又は４本である。
また、本発明に係る半導体集積回路装置は、複数の導電リードを一組とする導電リードを用いている。
【００１４】
また、本発明に係る半導体集積回路装置は、複数のボンディングパッドを一組とするボンディングパッドを用いている。
本発明に係る第１のＰＤＰドライバは、前記第１の半導体集積回路装置を搭載し、この半導体集積回路装置に導電性リードを介して電源を供給する外部電源を有する。
【００１５】
本発明に係る第２のＰＤＰドライバは、第１のＰＤＰドライバの半導体集積回路装置に電源を供給する外部電源は、電流制限機能を有する。
本発明に係る第１のプラズマディスプレイパネルは、第１の半導体集積回路装置を搭載している。
【００１６】
本発明に係る第２のプラズマディスプレイパネルは、第２のＰＤＰドライバを搭載している。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る半導体集積回路装置によれば、ボンディングパッドと導電リードとを複数本のワイヤで接続している。また本発明に係るＰＤＰドライバによれば、外部電源は電流制限機能を有している。この構成により、ワイヤにおける消費電力を低減し、例えば、高電圧電源導電リードと出力導電リード、または出力導電リードと接地電位導電リードが短絡した場合でも、過大電流によるボンディングワイヤの温度上昇を抑制することができる。かかる半導体集積回路装置をＰＤＰドライバに用いれば、信頼性の向上が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１であるＰＤＰドライバおよび半導体集積回路装置の構成図である。なお、図３にて説明した部材に対応する部材には同一符号を付した。
【００１９】
図１の符号において、１はハイサイドトランジスタ、２はローサイドトランジスタ、３はレベルシフト回路、４はプリドライバ、５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄはボンディングパッド、６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄはボンディングワイヤ(ワイヤ)、７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは導電リード、８は半導体集積回路チップ、９は樹脂パッケージ、１０は外部出力負荷、１１は電流制限付ＤＣ／ＤＣコンバータ、１２は外部電源を示している。
【００２０】
半導体集積回路装置は半導体集積回路チップ８と、樹脂パッケージ９で構成されている。樹脂パッケージ９はエポキシ樹脂等により樹脂モールドされている。
前記半導体集積回路チップ８内には、高耐圧出力回路を多数備えている。この高耐圧出力回路は、ハイサイドトランジスタ１と、ローサイドトランジスタ２とが多数配置され、これらのトランジスタ１，２に、レベルシフト回路３と、プリドライバ４が併設されている。これら高耐圧出力回路をチップ８の一辺にそって平行に多数配置することでＰＤＰドライバにて使用される多出力の半導体集積回路チップ８は構成されている。さらに、半導体集積回路チップ８の周縁部にボンディングパッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄが配置されている。この高耐圧出力回路は、入力導電リードＩＮを通して外部よりプリドライバ４に入力される信号に従い、ハイサイドトランジスタ１とローサイドトランジスタ２をスイッチングすることにより、外部出力負荷１０に高圧電位か接地電位を与える。
【００２１】
前記樹脂パッケージ９は、半導体集積回路チップ８に電源電位，接地電位，入力信号を入力し、また、半導体集積回路チップ８から外部出力負荷１０に出力電位を出力するため、導電リード７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄを備えている。この導電リード７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄと前記対応するボンディングパッド５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄとの間をボンディングワイヤ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄで接続している。
【００２２】
ここで半導体集積回路チップ８に電源電位，接地電位を与えるためのボンディングパッド５ａ，５ｃは、半導体集積回路チップ８の一辺にそって配置された高耐圧出力回路を挟むように配置し、半導体集積回路チップ８の電源電位、接地電位の抵抗成分の低減を図っている。
【００２３】
この実施の形態１では、ハイサイドトランジスタ１に電源電位を供給する配線１４の端部には、４つ一組のボンディングパッド５ａが設けられている。また、ローサイドトランジスタ２に接地電位を供給する配線１５の端部にも４つ一組のボンディングパッド５ｃが設けられている。ハイサイドトランジスタ１用のボンディングパッド５ａは半導体集積回路チップ８のコーナ部分に配置され、ローサイドトランジスタ２用のボンディングパッド５ｃは２組のボンディングパッド５ａの間に挟まれるように配置されている。
【００２４】
外部電源１２と電流制限付ＤＣ／ＤＣコンバータ１１から、半導体集積回路装置内の半導体集積回路チップ８の第一電源部であるハイサイドトランジスタ１へ電源を供給するため、樹脂パッケージ９の前記ボンディングパッド５ａに対応する位置に、２つ一組の導電リード７ａが設けられている。この各々の導電リード７ａはＤＣ／ＤＣコンバータ１１からの配線１６に直接接続されている。
【００２５】
そして、１つの導電リード７ａに複数本（本例では２本）のボンディングワイヤ６ａの一端が接続され、それぞれ１本のボンディングワイヤ６ａの他端は１つのボンディングパッド５ａに接続されている。従って、本実施の形態では、２つ一組の導電リード７ａと４つ一組のボンディングパッド５ａの間を４本のボンディングワイヤ６ａで接続して、半導体集積回路チップ８に外部電源１２からの電源電位を供給している。
【００２６】
さらに、ＧＮＤ導電リードに接続されて半導体集積回路チップ８の第二電源部であるローサイドトランジスタ２へ接地電位を供給するため、樹脂パッケージ９のローサイドトランジスタ２用のボンディングパッド５ｃに対応する位置に、２つ一組の導電リード７ｃが設けられている。この各々の導電リード７ｃはＧＮＤに接続する配線１７に直接接続している。
【００２７】
そして、１つの導電リード７ｃに２本のボンディングワイヤ６ｃの一端が接続され、それぞれ１本のボンディングワイヤ６ｃの他端は１つのボンディングパッド５ｃにされている。従って、本実施の形態では、２つ一組の導電リード７ｃと４つ一組のボンディングパッド５ｃの間を４本のボンディングワイヤ６ａで接続して、半導体集積回路チップ８に接地電位を供給している。
【００２８】
ここで、ボンディングワイヤ６ａ，６ｃの前記本数、すなわち、電源電位と接地電位とを、半導体集積回路チップ８の高耐圧出力回路へ入力するためのボンディングパッド５ａ，５ｃと導電リード７ａ，７ｃとを接続するボンディングワイヤ６ａ，６ｃの本数は、各ボンディングワイヤの温度上昇を防ぐことができるワイヤ消費電力になるように選定しなければならない。
【００２９】
具体的には、高電圧電源導電リードＶＤＤＨと出力導電リードＯＵＴ、または出力導電リードＯＵＴと接地電位導電リードＧＮＤが短絡した場合の外部電源１２からの過電流値と、使用するボンディングワイヤの本数で決まるインピーダンスとからボンディングワイヤにおける消費電力を概算して、樹脂パッケージ９の材質等も考慮して、ボンディングワイヤの急な温度上昇を防ぐことができるボンディングワイヤの本数を決定する。
【００３０】
前記のようにして決定した本数のボンディングワイヤ６ａ，６ｃを使用することにより、本実施の形態の半導体集積回路装置では、通常動作している際、何らかの外部起因により導電リード７ａ，７ｃが樹脂パッケージ９の外部で短絡し、半導体集積回路チップ８が破壊した場合でも、ボンディングワイヤ６ａ，６ｃにおける温度上昇を防ぐことができるため、半導体集積回路装置への信頼性が向上する。
【００３１】
また、本実施形態にて使用されるＤＣ／ＤＣコンバータ１１は、外部電源１２の電位を高電圧に昇圧するためにＰＤＰドライバにおいて使用される電流制限機能を有したＤＣ／ＤＣコンバータである。このため、高電圧電源導電リードＶＤＤＨと出力導電リードＯＵＴ、または出力導電リードＯＵＴを接地電位導電リードＧＮＤが短絡した場合でも、半導体集積回路チップ８内に流れ込む過電流を制限し、ボンディングワイヤ６ａ，６ｃにおいて消費する電力を低減することにより、半導体集積回路装置への信頼性が向上する。
（実施の形態２）
図２は本発明の実施の形態２であるＰＤＰドライバおよび半導体集積回路装置の構成図である。
【００３２】
この実施の形態２の基本的な構成は、前記実施の形態１と同じである。即ち、実施の形態２のＰＤＰドライバは、ハイサイドトランジスタ１、ローサイドトランジスタ２、レベルシフト回路３、プリドライバ４、導電リード７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ、半導体集積回路チップ８、樹脂パッケージ９、外部出力負荷１０、電流制限付ＤＣ／ＤＣコンバータ１１、外部電源１２は、前記実施の形態１と同じである。相違する点は、ボンディングパッド５ａ，５ｃ、ボンディングワイヤ６ａ，６ｃの構成である。
【００３３】
この実施の形態２では、ハイサイドトランジスタ１に電源電位を供給する配線１４の端部には、２つ一組のボンディングパッド５ａが設けられている。また、ローサイドトランジスタ２に接地電位を供給する配線１５の端部にも２つ一組のボンディングパッド５ｃが設けられている。ハイサイドトランジスタ１用のボンディングパッド５ａは半導体集積回路チップ８のコーナ部分に配置され、ローサイドトランジスタ２用のボンディングパッド５ｃは二組のボンディングパッド５ａの間に挟まれるように配置されている。
【００３４】
そして、樹脂パッケージ９の前記ボンディングパッド５ａに対応する位置に、２つ一組の導電リード７ａが設けられている。この各々の導電リード７ａはＤＣ／ＤＣコンバータ１１からの配線１６に直接接続されている。
【００３５】
そして、１つの導電リード７ａに１本のボンディングワイヤ６ａの一端が接続され、それぞれ１本のボンディングワイヤ６ａの他端は１つのボンディングパッド５ａに接続されている。従って、本実施の形態２では、２つ一組の導電リード７ａと２つ一組のボンディングパッド５ａの間を２本のボンディングワイヤ６ａで接続して、半導体集積回路チップ８に外部電源１２からの電源電位を供給している。
【００３６】
さらに、ＧＮＤ導電リードに接続されて半導体集積回路チップ８の第二電源部であるローサイドトランジスタ２へ接地電位を供給するため、樹脂パッケージ９のローサイドトランジスタ２用のボンディングパッド５ｃに対応する位置に、２つ一組の導電リード７ｃが設けられている。この各々の導電リード７ｃはＧＮＤに接続する配線１７に直接接続している。
【００３７】
そして、１つの導電リード７ｃに１本のボンディングワイヤ６ｃの一端が接続され、他端は１つのボンディングパッド５ｃにされている。従って、本実施の形態では、２つ一組の導電リード７ｃと２つ一組のボンディングパッド５ｃの間を２本のボンディングワイヤ６ａで接続して、半導体集積回路チップ８に接地電位を供給している。
【００３８】
この実施の形態２では、前記のように２本のボンディングワイヤ６ａ，６ｃを使用することにより、本実施の形態の半導体集積回路装置では、通常動作している際、何らかの外部起因により導電リード７ａ，７ｃが樹脂パッケージ９の外部で短絡し、半導体集積回路チップ８が破壊した場合でも、ボンディングワイヤ６ａ，６ｃにおける温度の上昇を防ぐことができるため、半導体集積回路装置への信頼性が向上する。
【００３９】
また、高電圧電源導電リードＶＤＤＨと出力導電リードＯＵＴ、または出力導電リードＯＵＴを接地電位導電リードＧＮＤが短絡した場合でも、半導体集積回路チップ８内に流れ込む過電流を制限し、ボンディングワイヤ６ａ，６ｃにおいて消費する電力を低減することにより、半導体集積回路装置への信頼性が向上する。
【００４０】
なお、上記の実施の形態１，２において、２つ一組の導電リード７ａ，７ｃ、又は２つ一組又は４つ一組のボンディングパッド５ａ，５ｃを用いて、２本又は４本のボンディングワイヤ６ａ，６ｃで接続した例を示したが、本発明は導電リード７ａ，７ｃ、ボンディングパッド５ａ，５ｃの数はかかる実施の形態に限定されるものではない。ボンディングワイヤへ、電源から過大電流が流れ込むことにより、ボンディングワイヤ６の過剰な温度の上昇が無いように複数本のボンディングワイヤ６ａ，６ｃを使用したものであればよく接続方法は限定されない。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、高耐圧出力回路を内蔵する半導体集積回路チップが搭載された樹脂パッケージからなる半導体集積回路装置に適用され、特に、ＰＤＰ駆動用のドライバに用いれば、高電圧電源導電リードと出力導電リード、および出力導電リードを接地電位導電リードが短絡した場合でも、半導体集積回路装置への信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施の形態１におけるＰＤＰドライバにおける半導体集積回路装置の構成図である。
【図２】本発明の実施形態２におけるＰＤＰドライバにおける半導体集積回路装置の構成図である。
【図３】従来のＰＤＰドライバにおける半導体集積回路装置の構成図である。
【符号の説明】
【００４３】
１    ハイサイドトランジスタ
２    ローサイドトランジスタ
３    レベルシフト回路
４    プリドライバ
５ａ  ボンディングパッド
５ｂ  ボンディングパッド
５ｃ  ボンディングパッド
５ｄ  ボンディングパッド
６ａ  ボンディングワイヤ(ワイヤ)
６ｂ  ボンディングワイヤ(ワイヤ)
６ｃ  ボンディングワイヤ(ワイヤ)
６ｄ  ボンディングワイヤ(ワイヤ)
７ａ  導電リード
７ｂ  導電リード
７ｃ  導電リード
７ｄ  導電リード
８    半導体集積回路チップ
９    樹脂パッケージ
１０  外部出力負荷
１１  電流制限付ＤＣ／ＤＣコンバータ
１２  外部電源
１３  ＤＣ／ＤＣコンバータ
１４  配線
１５  配線
１６  配線
１７  配線
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007114057.tif 000006
【図２】
2007114057.tif 000007
【図３】
2007114057.tif 000008
【国際調査報告】
2007114057.tif 000009
2007114057.tif 000010