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【手続補正書】
【提出日】令和1年11月5日(2019.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第１の容量素子、第１の配線、第２の配線、バッファ回路、およびセンスアンプ回路を有し、
前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体膜と、第１のゲート電極と、第２のゲート電極と、第１のゲート絶縁膜と、第２のゲート絶縁膜とを有し、
前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜と、第３のゲート電極と、第３のゲート絶縁膜と、を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極に挟まれる領域を有し、
前記第１のゲート絶縁膜は、前記第１の酸化物半導体膜と、前記第１のゲート電極と、に挟まれる領域を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記第１の酸化物半導体膜と、前記第２のゲート電極と、に挟まれる領域を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、および窒化シリコンのうち、少なくとも一を有し、
前記第１の配線は、前記バッファ回路に電気的に接続され、
前記第２のゲート電極は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記センスアンプ回路に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、前記第１の容量素子の一方の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第１の容量素子の一方の電極に電気的に接続される半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタ、第１の配線、第２の配線、バッファ回路、およびセンスアンプ回路を有し、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体膜と、第１のゲート電極と、第２のゲート電極と、第１のゲート絶縁膜と、第２のゲート絶縁膜とを有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極に挟まれる領域を有し、
前記第１のゲート絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と、前記第１のゲート電極と、に挟まれる領域を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と、前記第２のゲート電極と、に挟まれる領域を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、および窒化シリコンのうち、少なくとも一を有し、
前記第１の配線は、前記バッファ回路に電気的に接続され、
前記第２のゲート電極は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記センスアンプ回路に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、前記第２の配線に電気的に接続される半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記半導体装置は、デコーダと、レベルシフタと、昇圧回路と、を有し、
前記レベルシフタは、前記昇圧回路に電気的に接続され、
前記バッファ回路は、前記レベルシフタに電気的に接続され、
前記レベルシフタは、前記バッファ回路を介して第１の電位、第２の電位および第３の電位を出力する機能を有し、
前記第２のゲート電極には、前記第１の電位、前記第２の電位および前記第３の電位より選択されるいずれか一が与えられ、
前記第２のゲート電極に、前記第１の電位または前記第２の電位を与えて、前記第２のゲート絶縁膜に電荷を捕獲させ、
前記第２のゲート電極に、前記第３の電位を与えて、前記第２のトランジスタをオフ状態とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２のゲート絶縁膜は、第１の層と、第１の層上の第２の層と、を有し、
前記第１の層および前記第２の層はそれぞれ、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、または窒化シリコンのうち少なくとも一から選ばれる材料を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月11日(2019.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
特定のタイプの半導体パッケージでは、種々の半導体ダイが「積み重ねられたダイ」の構成で配置される。そのようなパッケージでは、それらのダイのうち１若しくはそれ以上が他のダイ（またはスペーサー、基板など）から張り出す場合がある。図１は、そのようなパッケージを例示したものである。図１において、下側の半導体ダイ１０２は、基板１００により支持されている（ここで、ワイヤーループ１０８が、ダイ１０２上のボンディング位置と、基板１００上の別のボンディング位置との相互接続をもたらしている）。スペーサー１０４は、下側の半導体ダイ１０２と上側の半導体ダイ１０６間に配置される。上側の半導体ダイ１０６は、スペーサー１０４および下側の半導体ダイ１０２から張り出し、当該スペーサー１０４および半導体ダイ１０２に支持されていない部分を含む。そのため、上側の半導体ダイ１０６は「オーバーハングダイ」（張り出したダイ）と呼ばれることがある。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許第７，７６２，４４９号明細書
（特許文献２）  米国特許第７，６９９，２０９号明細書
（特許文献３）  米国特許第５，５６６，８７６号明細書
（特許文献４）  米国特許第８，３０２，８４０号明細書
（特許文献５）  米国特許出願公開第２０１２／００７４２０６号明細書
（特許文献６）  中国特許出願公開第１０１７４０４２７号明細書
（特許文献７）  特開平０７−１８３３２１号公報
（特許文献８）  特開２００７−１８０３４９号公報
（非特許文献）
（非特許文献１）  Ｓｅａｒｃｈ  Ｒｅｐｏｒｔ  ｉｓｓｕｅｄ  ｂｙ  Ｃｈｉｎａ  Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌ  Ｐｒｏｐｅｒｔｙ  Ａｄｍｉｎｉｓｔｒａｔｉｏｎ  ｉｎ  ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ  ｗｉｔｈ  ｒｅｌａｔｅｄ  Ｃｈｉｎｅｓｅ  Ｐａｔｅｎｔ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｎｏ．  ２０１６１０９５９２１７．４．
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月26日(2019.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】分波器と通信機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通端子、第１端子及び第２端子を有する分波器であって、
前記共通端子及び前記第１端子間に直列接続された複数の第１フィルタ素子を含む第１フィルタと、
前記共通端子及び前記第２端子間に直列接続された複数の第２フィルタ素子を含む第２フィルタと、
前記分波器の中の対応する少なくとも３つの接続点の各一つにそれぞれが接続された少なくとも３つのインターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を含む付加回路と
を含み、
前記少なくとも３つの接続点は、前記共通端子と、前記第１端子と、前記第２端子と、前記共通端子及び前記第１端子間に延びる経路に沿って前記複数の第１フィルタ素子間に配置された第１ノードと、前記共通端子及び前記第２端子間に延びる経路に沿って前記複数の第２フィルタ素子間に配置された第２ノードとからなる群から選択される分波器。
【請求項２】
前記第１フィルタは第１通過帯域を有し、
前記第２フィルタは、前記第１通過帯域とは重ならない第２通過帯域を有する請求項１の分波器。
【請求項３】
前記少なくとも３つの接続点の各一つ及び前記付加回路間にそれぞれが接続された少なくとも３つの容量素子をさらに含む請求項２の分波器。
【請求項４】
前記少なくとも３つの接続点は、前記第１端子、前記第２端子及び前記共通端子を含み、
前記少なくとも３つのＩＤＴ電極は、
前記共通端子に接続された第１ＩＤＴ電極と、
前記第１端子に接続された第２ＩＤＴ電極と、
前記第２端子に接続された第３ＩＤＴ電極と
を含む請求項１の分波器。
【請求項５】
前記共通端子及び前記付加回路間に接続された第１容量素子と、
前記第１端子及び前記付加回路間に接続された第２容量素子と、
前記第２端子及び前記付加回路間に接続された第３容量素子と
の少なくとも一つをさらに含む請求項４の分波器。
【請求項６】
前記第１ＩＤＴ電極及び前記第３ＩＤＴ電極は、前記第２ＩＤＴ電極とは逆の電極極性方向に配置される請求項４の分波器。
【請求項７】
前記第１ＩＤＴ電極、前記第２ＩＤＴ電極及び前記第３ＩＤＴ電極は互いに同一の電極極性方向に配置される請求項４の分波器。
【請求項８】
前記付加回路の前記少なくとも３つのＩＤＴ電極は、前記第１端子に接続された第４ＩＤＴ電極をさらに含む請求項４の分波器。
【請求項９】
前記第２ＩＤＴ電極及び前記第４ＩＤＴ電極は、前記第１ＩＤＴ電極及び前記第３ＩＤＴ電極とは逆の電極極性方向に配置される請求項８の分波器。
【請求項１０】
前記付加回路の前記少なくとも３つのＩＤＴ電極は、前記共通端子に接続された第５ＩＤＴ電極５つのＩＤＴ電極を含む請求項８の分波器。
【請求項１１】
前記付加回路は、前記少なくとも３つのＩＤＴ電極の外側に配置された一対の反射器を含む請求項１の分波器。
【請求項１２】
前記一対の反射器は、前記少なくとも３つのＩＤＴ電極の極性方向に対して斜行して配置される請求項１１の分波器。
【請求項１３】
前記付加回路の前記少なくとも３つのＩＤＴ電極は、
前記共通端子に接続された第１ＩＤＴ電極と、
前記第１端子に接続された第２ＩＤＴ電極と、
前記第２端子に接続された第３ＩＤＴ電極と
を含む請求項１の分波器。
【請求項１４】
前記付加回路の前記少なくとも３つのＩＤＴ電極は、
前記第１ノードに接続された第１ＩＤＴ電極と、
前記第１端子に接続された第２ＩＤＴ電極と、
前記共通端子に接続された第３ＩＤＴ電極と、
前記第１端子に接続された第４ＩＤＴ電極と
を含む請求項１の分波器。
【請求項１５】
前記複数の第１フィルタ素子の少なくとも一つは、ＩＤＴ電極を含む共振器であり、
前記付加回路のＩＤＴ電極の電極指ピッチは、前記共振器のＩＤＴ電極の電極指ピッチの１／１．２〜１／１．３倍である請求項１４の分波器。
【請求項１６】
前記第１ＩＤＴ電極及び前記第３ＩＤＴ電極は、前記第２ＩＤＴ電極及び前記第４ＩＤＴ電極とは逆の極性方向を有するように配置される請求項１５の分波器。
【請求項１７】
前記第１ノード及び前記第１ＩＤＴ電極間に接続された第１容量素子と、
前記第１端子及び前記第２ＩＤＴ電極間に並びに前記第１端子及び前記第４ＩＤＴ電極間に接続された第２容量素子と、
前記共通端子及び前記３ＩＤＴ電極間に接続された第３容量素子と
をさらに含む請求項１４の分波器。
【請求項１８】
通信機器であって、
アンテナと、
受信回路と、
送信回路と、
前記送信回路に接続された第１端子、前記受信回路に接続された第２端子、及び前記アンテナに接続された共通端子を有するアンテナデュプレクサを含むデュプレクサモジュールと
を含み、
前記アンテナデュプレクサは、
前記共通端子及び前記第１端子間に直列接続された複数の第１フィルタ素子を有する送信フィルタと、
前記共通端子及び前記第２端子間に直列接続された複数の第２フィルタ素子を有する受信フィルタと、
前記アンテナデュプレクサの中の少なくとも３つの接続点の各一つにそれぞれが接続された少なくとも３つのインターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を含む付加回路と
を含み、
前記少なくとも３つの接続点は、前記共通端子と、前記第１端子と、前記第２端子と、前記共通端子及び前記第１端子間に延びる経路に沿って前記複数の第１フィルタ素子間に配置された第１ノードと、前記共通端子及び前記第２端子間に延びる経路に沿って前記複数の第２フィルタ素子間に配置された第２ノードとからなる群から選択される通信機器。
【請求項１９】
前記少なくとも３つの接続点及び前記付加回路間に接続された少なくとも一つの容量素子をさらに含む請求項１８の通信機器。
【請求項２０】
前記送信フィルタ及び前記受信フィルタはそれぞれが、ラダー型フィルタ及び縦結合型フィルタの一方である請求項１９の通信機器。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月28日(2019.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの処理装置と接続される処理装置であって、  
前記一つの処理装置が前記一つの処理装置に搭載される制御プログラムに基づいて制御動作を実行する期間中に、前記制御プログラムを代替する代替プログラムを取得し、
前記代替プログラムは、故障時に代替動作を行うためのプログラムである、処理装置。 
【請求項２】
請求項１に記載の処理装置において、
前記代替プログラムは、車両制御状態に応じて決定される処理装置。 
【請求項３】
請求項１に記載の処理装置において、
前記代替プログラムの送信は、制御指令より低い優先度で実行される処理装置。 
【請求項４】
請求項１に記載の処理装置において、
前記処理装置は、代替プログラムの実行を指示された場合に、前記代替プログラムの配置が完了している場合には前記配置された代替プログラムを実行し、配置が完了していない場合には前記配置を行っている代替プログラムとは異なる代替プログラムを実行することを特徴とする処理装置。 
【請求項５】
請求項１に記載の処理装置において、
前記処理装置は、安全維持制御を行った後に代替プログラムの取得を行うことを特徴とする処理装置。 
【請求項６】
請求項１に記載の処理装置において、
前記処理装置は、前記一つの処理装置、及び他の処理装置に接続され、
前記一つの処理装置は前記制御動作を実行する期間中に、前記代替プログラムを前記他の処理装置に送信する処理装置。 
【請求項７】
請求項６に記載の処理装置において、
故障発生後の代替プログラムの送信について、通常時よりも高い優先度を割り当てることを特徴とする処理装置。 
【請求項８】
請求項１に記載の処理装置と通信を行う車載制御システムであり、
他の処理装置を備え、
前記一つの処理装置が前記制御動作を実行する期間に、前記代替プログラムを前記他の処理装置が取得する車載制御システム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月19日(2019.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
旋回式作業機械であって、
基体と、
旋回可能となるように前記基体に搭載される旋回体と、
可変容量型油圧モータからなり、作動油の供給を受けることにより前記旋回体を旋回さ
せるための旋回トルクを当該旋回体に与える旋回モータと、
当該旋回モータの容量を制御する容量制御装置と、
前記旋回モータに供給されるべき作動油を吐出する油圧ポンプと、
前記旋回体を旋回させるための旋回指令操作を受けることにより前記油圧ポンプから前記旋回モータへの作動油の供給を許容して当該旋回モータを作動させる旋回制御装置と、
前記旋回体を停止状態に保つように当該旋回体に停止保持力を与えるブレーキ状態と当該旋回体が旋回可能となるように当該旋回体を解放するブレーキ解除状態とに切換可能な旋回パーキングブレーキと、
当該旋回パーキングブレーキを前記ブレーキ状態と前記ブレーキ解除状態とに切換えるブレーキ切換装置と、
前記旋回制御装置が前記旋回指令操作を受けて前記油圧ポンプから前記旋回モータへの作動油の供給を許容した後に前記旋回パーキングブレーキを前記ブレーキ状態から前記ブレーキ解除状態に切換えるように前記ブレーキ切換装置にブレーキ解除指令を入力するブレーキ解除指令部と、
前記旋回制御装置により制御される前記油圧モータの容量を制限する容量制限部と、を備え、当該容量制限部は、前記旋回制御装置が前記旋回指令操作を受けて前記油圧ポンプから前記旋回モータへの作動油の供給を許容した後、前記ブレーキ切換装置へのブレーキ解除指令の入力による前記旋回パーキングブレーキの前記ブレーキ解除状態への切換が行われるブレーキ解除時点までは、前記容量制御装置により制御される前記旋回モータの容量を予め設定されたブレーキ解除用容量以下の容量に制限し、当該ブレーキ解除時点後に前記容量制御装置が前記ブレーキ解除用容量を超えて前記旋回モータの容量を増大させることを許容する、旋回式作業機械。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月8日(2019.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上層防汚塗料組成物（ａ）より形成される上層防汚塗膜（Ａ）、及び
下層防汚塗料組成物（ｂ）より形成される下層防汚塗膜（Ｂ）を有し、
前記上層防汚塗膜（Ａ）は前記下層防汚塗膜（Ｂ）の上層に積層され、
前記下層防汚塗料組成物（ｂ）が、下記式（Ｉ）で表されるシリルエステル基又は下記式（II）で表される金属エステル基を有する加水分解性重合体（Ｃ）を含有し、
【化１】
2019085579.tif 000001
（式中、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ独立に一価の炭化水素基を表し、＊は結合位置を示す。）
【化２】
2019085579.tif 000002
（式中、Ｍは金属を示し、＊は結合位置を示す。）
前記上層防汚塗膜（Ａ）及び前記下層防汚塗膜（Ｂ）の溶剤可溶分の酸価をそれぞれＡＶＡ、ＡＶＢとしたとき、下記式（１）を満たすことを特徴とする、積層防汚塗膜。
ＡＶＡ＞ＡＶＢ            （１）
【請求項２】
前記上層防汚塗料組成物（ａ）が、下記式（Ｉ）で表されるシリルエステル基又は下記式（II）で表される金属エステル基を有する加水分解性重合体（Ｃ）を含有する、請求項１に記載の積層防汚塗膜。
【化３】
2019085579.tif 000003
（式中、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ独立に一価の炭化水素基を表し、＊は結合位置を示す。）
【化４】
2019085579.tif 000004
（式中、Ｍは金属を示し、＊は結合位置を示す。）
【請求項３】
前記上層防汚塗料組成物（ａ）及び前記下層防汚塗料組成物（ｂ）が、下記式（Ｉ）で表されるシリルエステル基を有する加水分解性重合体（Ｃ）を含有する、請求項１又は２に記載の積層防汚塗膜。
【化５】
2019085579.tif 000005
（式中、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ独立に一価の炭化水素基を表し、＊は結合位置を示す。）
【請求項４】
前記ＡＶＡが４５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であり、かつ、前記ＡＶＢが４５ｍｇＫＯＨ／ｇ未満である、請求項３に記載の積層防汚塗膜。
【請求項５】
前記上層防汚塗料組成物（ａ）が下記式（II）で表される金属エステル基を有する加水分解性重合体（Ｃ）を含有する、請求項１又は２に記載の積層防汚塗膜。
【化６】
2019085579.tif 000006
（式中、Ｍは金属を示し、＊は結合位置を示す。）
【請求項６】
前記ＡＶＡが１００ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であり、かつ、前記ＡＶＢが１００ｍｇＫＯＨ／ｇ未満である、請求項５に記載の積層防汚塗膜。
【請求項７】
前記加水分解性重合体（Ｃ）が、更に下記式（III）で表される基を有する共重合体である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の積層防汚塗膜。
【化７】
2019085579.tif 000007
（式中、Ｘは炭素数２〜１０の二価の炭化水素基を表し、Ｙは水素原子又は炭素数１〜３０の一価の炭化水素基を表し、ｎは１〜５０の整数であり、＊は結合位置を示す。）
【請求項８】
前記上層防汚塗料組成物（ａ）及び／又は前記下層防汚塗料組成物（ｂ）が、モノカルボン酸化合物（Ｄ）及び／又はその金属塩を含有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の積層防汚塗膜。
【請求項９】
前記モノカルボン酸（Ｄ）が、炭素原子数１０〜４０の飽和又は不飽和の脂肪族モノカルボン酸、炭素数３〜４０の飽和又は不飽和の脂環式モノカルボン酸、及びこれらの塩よりなる群から選択される少なくとも１種である、請求項８に記載の積層防汚塗膜。
【請求項１０】
前記上層防汚塗料組成物（ａ）及び／又は前記下層防汚塗料組成物（ｂ）が、防汚剤（Ｅ）を含有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の積層防汚塗膜。
【請求項１１】
前記防汚剤（Ｅ）が、亜酸化銅、銅ピリチオン、亜鉛ピリチオン、４，５−ジクロロ−２−ｎ−オクチル−４−イソチアゾリン−３−オン、トラロピリル、ボラン−窒素系塩基付加物、及びメデトミジンよりなる群から選択される１種以上である、請求項１０に記載の積層防汚塗膜。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の積層防汚塗膜で被覆された防汚基材。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の積層防汚塗膜で被覆された船舶。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月13日(2019.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走行動作を行う下部走行体と、
前記下部走行体に旋回可能に搭載される上部旋回体と、
前記上部旋回体に取り付けられ、アタッチメントに含まれるブームと、
前記ブームに取り付けられ、前記アタッチメントに含まれるアームと、
周囲に存在する物体の距離情報を取得する装置と、
を有するショベルであって、
前記周囲に存在する物体の距離情報を取得する装置とカメラが前記上部旋回体に配置されている、
ショベル。
【請求項２】
前記周囲に存在する物体の距離情報を取得する装置の出力に基づいて、前記走行動作を制御する制御部を有する、
請求項１に記載のショベル。
【請求項３】
前記制御部は、前記周囲に存在する物体の距離情報を取得する装置の出力に基づく前記走行動作を制御する処理を、所定の制御周期で繰り返し実行する、
請求項２に記載のショベル。
【請求項４】
前記周囲に存在する物体の距離情報を取得する装置は、前記周囲に存在する物体を撮像することで距離情報を取得する、
請求項１乃至３の何れかに記載のショベル。
【請求項５】
前記周囲に存在する物体の距離情報を取得する装置の出力に基づいて、所定の高さ以上となる地物の有無を判断する、
請求項１乃至４の何れかに記載のショベル。
【請求項６】
前記周囲に存在する物体の距離情報を取得する装置の出力に基づいて、設置面から所定距離以上の深さの地物の有無を判断する、
請求項１乃至４の何れかに記載のショベル。
【請求項７】
前記周囲に存在する物体の距離情報と出力画像とを対応付ける表示部を有する、
請求項１乃至６の何れかに記載のショベル。
【請求項８】
走行動作を行う下部走行体と、前記下部走行体に旋回可能に搭載される上部旋回体と、前記上部旋回体に取り付けられ、アタッチメントに含まれるブームと、前記ブームに取り付けられ、前記アタッチメントに含まれるアームと、カメラとを有するショベルのショベル用周辺監視装置であって、
前記カメラとは別に、周囲に存在する物体の距離情報を取得する、
ショベル用周辺監視装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述の目的を達成するために、本発明の実施例に係るショベルは、走行動作を行う下部走行体と、前記下部走行体に旋回可能に搭載される上部旋回体と、前記上部旋回体に取り付けられ、アタッチメントに含まれるブームと、前記ブームに取り付けられ、前記アタッチメントに含まれるアームと、周囲に存在する物体の距離情報を取得する装置と、を有するショベルであって、前記周囲に存在する物体の距離情報を取得する装置とカメラが前記上部旋回体に配置されている。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月29日(2019.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
航空機点火システムに用いられる固体スパーク装置であって、
第１コイルと第２コイルとを有するトリガ変圧器と、
前記第１コイルに電気的に接続されたトリガ回路とを備え、
前記トリガ回路は、トリガ電圧まで前記トリガ回路が充電されたことに応じて前記第１コイルに電流を供給するように接続された複数の回路素子を含み、前記トリガ変圧器の前記第１コイルに流れる電流は、前記第２コイルに出力を誘導し、
前記固体スパーク装置は、前記第２コイルに電気的に接続される制御回路をさらに備え、前記制御回路は、前記第２コイルからの前記出力によって制御されるスイッチを含み、
前記固体スパーク装置は、点火器と、前記点火器にスパークを作り出すために十分なスパーク電圧まで充電する容量性蓄電素子との間に直列に接続可能な２端子装置である、固体スパーク装置。
【請求項２】
前記スパーク電圧は、３０００〜４２００ボルトの範囲内であり、
前記複数の回路素子は、前記容量性蓄電素子が前記スパーク電圧に充電されたときに前記トリガ回路が前記トリガ電圧に充電されるように構成される、請求項１に記載の固体スパーク装置。
【請求項３】
前記スパーク電圧は４０００ボルトである、請求項２に記載の固体スパーク装置。
【請求項４】
前記複数の回路素子の１つはダイアック（Diode for Alternating Current（ＤＩＡＣ
））である、請求項１に記載の固体スパーク装置。
【請求項５】
前記トリガ回路の前記複数の回路素子は、コンデンサと、前記コンデンサが前記トリガ電圧に充電されるように配線された複数の抵抗素子とを含む、請求項１に記載の固体スパーク装置。
【請求項６】
前記スイッチは、前記第２コイルからの前記出力を受けるように接続されたゲートを有するシリコン制御整流子（Silicon Controlled Rectifier（ＳＣＲ））である、請求項１に記載の固体スパーク装置。
【請求項７】
前記複数の回路素子は、容量性蓄電素子から受けた電圧がスパーク電圧に達するまで、前記第１コイルへの電流の供給を妨げる、請求項１に記載の固体スパーク装置。
【請求項８】
前記複数の回路素子は、前記トリガ回路の入力を介して充電されるコンデンサを含み、
前記トリガ回路は、前記コンデンサの電圧が前記トリガ電圧に達したときに前記第１コイルを通して前記コンデンサを放電するように構成される、請求項１に記載の固体スパーク装置。
【請求項９】
航空機点火システムに用いられる固体スパーク装置であって、
第１コイルと第２コイルとを有するトリガ変圧器と、
前記第１コイルに電気的に接続されたトリガ回路とを備え、
前記トリガ回路は、トリガ電圧まで前記トリガ回路が充電されたことに応じて前記第１コイルに電流を供給するように接続された複数の回路素子を含み、前記トリガ変圧器の前記第１コイルに流れる電流は、前記第２コイルに出力を誘導し、
前記固体スパーク装置は、前記第２コイルに電気的に接続される制御回路をさらに備え、前記制御回路は、前記第２コイルからの前記出力によって制御されるスイッチを含み、
前記複数の回路素子は、前記トリガ回路の入力を介して充電されるコンデンサを含み、
前記トリガ回路は、前記コンデンサの電圧が前記トリガ電圧に達したときに前記第１コイルを通して前記コンデンサを放電するように構成され、
前記トリガ回路の前記複数の回路素子は、前記コンデンサと前記第１コイルとの間に電気的に接続されたスイッチを含み、
前記コンデンサが前記トリガ電圧に充電されたことに応じて、前記トリガ回路の前記スイッチは、前記第１コイルを通して前記コンデンサを放電する、固体スパーク装置。
【請求項１０】
前記トリガ回路は、前記トリガ回路の入力と前記コンデンサとの間に接続された分圧器を含む、請求項９に記載の固体スパーク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月29日(2018.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蓄熱用物質を含むコア部と、ポリウレタンポリウレアを含むシェル部とを有し、
体積平均粒子径が１００〜５００μｍであり、
前記蓄熱用物質が脂肪酸エステルと脂肪酸とを含む、蓄熱粒子。
【請求項２】
前記ポリウレタンポリウレアが、脂肪族ポリイソシアネートまたはその変性体に由来する構成単位を有する、請求項１に記載の蓄熱粒子。
【請求項３】
前記ポリウレタンポリウレアが、水酸基価が２５〜８０ＫＯＨｍｇ／ｇである、ポリブタジエンポリオールまたは水添ポリブタジエンポリオールに由来する構成単位を有する、請求項１または２に記載の蓄熱粒子。
【請求項４】
前記ポリウレタンポリウレアが、炭素数が１〜２０の脂肪族多価アルコールに由来する構成単位を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の蓄熱粒子。
【請求項５】
前記蓄熱用物質がヘキサデカン酸メチル、テトラデカン酸メチル、及びステアリン酸を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の蓄熱粒子。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の蓄熱粒子を製造する方法であって、
水を含む分散媒中に、蓄熱用物質、ポリイソシアネートおよびポリオールを含む原料組成物を分散させる、蓄熱粒子の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の蓄熱粒子を含む、蓄熱材。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月20日(2018.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオレフィンから構成されるポリオレフィン粒子を含み、
厚さが０．０５〜１ｍｍであり、
累積細孔分布の大径側から累積１０％、累積９０％に相当するメジアン細孔直径をそれぞれ、Ｄ１０、Ｄ９０としたとき、Ｄ１０／Ｄ９０比が１０以下のメジアン細孔直径分布を有し、
細孔容積が０．１ｃｍ3／ｇ以上２．０ｃｍ3／ｇ以下であり、かつ、メジアン細孔直径が１μｍ以上１５μｍ以下であり、かつ、連続空孔を有する、ポリオレフィン多孔質焼結成形体。
【請求項２】
アルミニウム含有量が１ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下である、請求項１に記載のポリオレフィン多孔質焼結成形体。
【請求項３】
塩素含有量が１０ｐｐｍ以下である、請求項１又は２に記載のポリオレフィン多孔質焼結成形体。
【請求項４】
前記厚さが０．１〜０．８ｍｍである、請求項１〜３のいずれか１項に記載のポリオレフィン多孔質焼結成形体。
【請求項５】
前記ポリオレフィンが、エチレンの単独重合体である、又は、エチレンと炭素数が３以上のオレフィンとの共重合体である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のポリオレフィン多孔質焼結成形体。
【請求項６】
前記ポリオレフィンが、粘度平均分子量５０万〜１０００万であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のポリオレフィン多孔質焼結成形体。
【請求項７】
前記ポリオレフィンが、親水性を有するエチレン性不飽和基含有モノマー又はその重合体から選ばれる少なくとも１種の分子鎖をグラフトさせたポリオレフィンである、請求項１〜６のいずれか１項に記載のポリオレフィン多孔質焼結成形体。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のポリオレフィン多孔質焼結成形体の製造方法であって、
前記ポリオレフィン粒子を金型内に充填することによって焼結成形を行う工程を有する、ポリオレフィン多孔質焼結成形体の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のポリオレフィン多孔質焼結成形体の製造方法であって、
前記ポリオレフィン粒子を堆積させることによって焼結成形を行う工程を有する、ポリオレフィン多孔質焼結成形体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のポリオレフィン多孔質焼結成形体と、当該ポリオレフィン多孔質焼結成形体が積層された基材と、を備える、積層体。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のポリオレフィン多孔質焼結成形体、又は請求項１０に記載の積層体を含む、吸着固定搬送用シート。
【請求項１２】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のポリオレフィン多孔質焼結成形体、又は請求項１０に記載の積層体を含む、イムノクロマト法による迅速検査キットの支持体用シート。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月11日(2019.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂に、該熱可塑性樹脂１００質量部に対して、相対結晶化度が５０％未満である非晶化セルロースを５質量部以上７０質量部以下、及び相溶化剤を４質量部以上８質量部以下含有してなる、樹脂組成物。
【請求項２】
相溶化剤の重量平均分子量が１０００以上１０００００以下である、請求項１記載の樹脂組成物。
【請求項３】
相溶化剤が以下に示す群の中から少なくとも一種類を含有する、請求項１又は２記載の樹脂組成物。
相溶化剤：酸無水物基、カルボキシル基、アミノ基、イミノ基、アルコキシシリル基、シラノール基、シリルエーテル基、ヒドロキシル基、及びエポキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の官能基を有するポリオレフィン系樹脂
【請求項４】
相溶化剤の非晶化セルロースに対する含有質量比（相溶化剤／非晶化セルロース）が０．８以下である、請求項１〜３いずれか記載の樹脂組成物。
【請求項５】
熱可塑性樹脂がポリオレフィン、ポリスチレン、ポリエステル、及びポリアミドから選ばれる１種又は２種以上を含む、請求項１〜４いずれか記載の樹脂組成物。
【請求項６】
熱可塑性樹脂がポリオレフィンを含む、請求項１〜５いずれか記載の樹脂組成物。
【請求項７】
ポリオレフィンがポリエチレン及びポリプロピレンから選ばれる１種又は２種である、請求項６記載の樹脂組成物。
【請求項８】
熱可塑性樹脂に、該熱可塑性樹脂１００質量部に対して、相対結晶化度が５０％未満である非晶化セルロースを５質量部以上７０質量部以下と相溶化剤を４質量部以上２０質量部以下とを配合する、樹脂組成物の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜７いずれかに記載の樹脂組成物を含有する成形体。
【請求項１０】
請求項１〜７いずれかに記載の樹脂組成物を加工して成形体とする、成形体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月23日(2019.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
２，５−ジメチルフランの転化率（Ｃ％）＝１００−（反応後の残留２，５−ジメチルフランのモル／添加された２，５−ジメチルフランの総モル）×１００（％）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
実施例５
触媒ＺＳＭ−５（２０ｇ）を乾燥させ、１２０℃で１２時間脱水した。触媒は、ＺＳＭ−５モレキュラーシーブ（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３の比＝３００を有する）１０部、結合剤としてアルミナ９０部の組成を有していた。反応基質は、２−メチルフラン ４０mL＋イソプロパノール ４０mLであった。反応の前、反応器をＮ２で５回パージした。その後、反応を３５０℃で６時間行った。反応圧力は、自生圧力であった。反応の後、反応結果は、質量スペクトルを用いて定性的に、かつクロマトグラムを用いて定量的に分析した。初期反応活性は３４％増加し、反応基質２，５−ジメチルフランの転化率は９３％であり、反応転化率は３９％増加し、キシレン選択性（ｏ−，ｍ−，ｐ−キシレン選択性）は７８％であり、キシレン選択性は３０％増加した。反応生成物の組成を表５に示した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
実施例６
触媒ＭＣＭ−２２（１ｇ）を乾燥させ、１２０℃で１２時間脱水した。触媒は、ＭＣＭ−２２モレキュラーシーブ（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３の比＝１５０を有する）４０部、結合剤としてアルミナ６０部の組成を有していた。反応基質は、２−メチルフラン ２０mL＋イソプロパノール ２０mLであった。反応の前、反応器をＣＯ２で５回パージした。気体圧力を５MPaに保持した。その後、反応を１００℃で２６時間行った。反応圧力は、自生圧力であった。反応の後、反応結果は、質量スペクトルを用いて定性的に、かつクロマトグラムを用いて定量的に分析した。初期反応活性は３６％増加し、反応基質２，５−ジメチルフランの転化率は９５％であり、反応転化率は４１％増加し、キシレン選択性（ｏ−，ｍ−，ｐ−キシレン選択性）は８３％であり、キシレン選択性は３５％増加した。反応生成物の組成を表６に示した
。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
実施例７
触媒Ｙ（１ｇ）を乾燥させ、１２０℃で１２時間脱水した。触媒は、Ｙモレキュラーシーブ（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３の比＝２５を有する）５０部、結合剤としてアルミナ５０部の組成を有していた。反応基質は、２−メチルフラン ４０mL＋イソプロパノール ４mLであった。反応の前、反応器をＮ２で５回パージした。その後、反応を２８０℃で６時間行った。反応圧力は、自生圧力であった。反応の後、反応結果は、質量スペクトルを用いて定性的に、かつクロマトグラムを用いて定量的に分析した。初期反応活性は３２％増加し、反応基質２，５−ジメチルフランの転化率は９１％であり、反応転化率は３７％増加し、キシレン選択性（ｏ−，ｍ−，ｐ−キシレン選択性）は８２％であり、キシレン選択性は３４％増加した。反応生成物の組成を表７に示した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
実施例８
触媒ＺＳＭ−５（１ｇ）を乾燥させ、１２０℃で１２時間脱水した。触媒は、ＺＳＭ−５モレキュラーシーブ（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３の比＝１５０を有する）５５部、結合剤としてアルミナ４５部の組成を有していた。反応基質は、２−メチルフラン ４０mL＋イソプロパノール ４０mLであった。反応の前、反応器をＮ２で５回パージした。水素と窒素との混合気体（１：１）を用いた。気体圧力を１MPaに保持した。その後、反応を２５０℃で８時間行った。反応圧力は、自生圧力であった。反応の後、反応結果は、質量スペクトルを用いて定性的に、かつクロマトグラムを用いて定量的に分析した。初期反応活性は２１％増加し、反応基質 ２，５−ジメチルフランの転化率は８３％であり、反応転化率は２９％増加し、キシレン選択性（ｏ−，ｍ−，ｐ−キシレン選択性）は７８％であり、キシレン選択性は３０％増加した。反応生成物の組成を表８に示した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
実施例９
触媒ＺＳＭ−５（２ｇ）を乾燥させ、１２０℃で１２時間脱水した。触媒は、ＺＳＭ−５モレキュラーシーブ（ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３の比＝５００を有する）６０部、結合剤としてアルミナ４０部の組成を有していた。反応基質は、フラン ４０mL＋エタノール＋sec−ブタノールの混合物 １００mL（エタノール対sec−ブタノールの混合比は１：１）であった。反応の前、反応器をＮ２で５回パージした。その後、反応を４００℃で６時間行った。反応圧力は、自生圧力であった。反応の後、反応結果は、質量スペクトルを用いて定性的に、かつクロマトグラムを用いて定量的に分析した。初期反応活性は２０％増加し、反応基質 ２，５−ジメチルフランの転化率は８１％であり、反応転化率は２７％増加し、芳香族炭化水素選択性は８３％であり、芳香族炭化水素選択性は３５％増加した。反応生成物の組成を表９に示した。
なお、前記芳香族炭化水素選択性にいう芳香族炭化水素には、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン及びキシレン（ｏ−、ｍ−、及びｐ−キシレン）を含めた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
【表１９】
2017137293.tif 000001
【表２０】
2017137293.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月4日(2019.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）：
（Ａ）疎水性シリカ    ０．０５〜６質量％、
（Ｂ）水溶性高分子    ０．６〜３．５質量％、
（Ｃ）アニオン界面活性剤    １〜１５質量％、
（Ｄ）ポリオール又はポリオールエーテル    ５０〜９０質量％
を含有する皮膚洗浄剤組成物。
【請求項２】
成分（Ｂ）に対する成分（Ａ）の質量比〔（Ａ）／（Ｂ）〕が、０．０４〜３．５である請求項１記載の皮膚洗浄剤組成物。
【請求項３】
成分（Ａ）及び（Ｂ）の合計質量に対する成分（Ｄ）の質量比〔（Ｄ）／（（Ａ）＋（Ｂ））〕が、８〜４２である請求項１又は２記載の皮膚洗浄剤組成物。
【請求項４】
さらに、（Ｅ）ＨＬＢ１０〜２０の非イオン性界面活性剤を含有する請求項１〜３のいずれか１項記載の皮膚洗浄剤組成物。
【請求項５】
成分（Ｅ）に対する成分（Ｃ）の質量比〔（Ｃ）／（Ｅ）〕が、０．１〜１．０である請求項４記載の皮膚洗浄剤組成物。
【請求項６】
さらに、成分（Ｆ）両性界面活性剤を含有する請求項１〜５のいずれか１項記載の皮膚洗浄剤組成物。
【請求項７】
さらに、成分（Ｇ）水不溶性粒子を含有する請求項１〜６のいずれか１項記載の皮膚洗浄剤組成物。
【請求項８】
成分（Ａ）の含有量が、０．３〜４．５質量％である請求項１〜７のいずれか１項記載の皮膚洗浄剤組成物。
【請求項９】
成分（Ｂ）の含有量が、１．２〜２．８質量％である請求項１〜８のいずれか１項記載の皮膚洗浄剤組成物。
【請求項１０】
成分（Ｃ）の含有量が、４．２〜１０．５質量％である請求項１〜９のいずれか１項記載の皮膚洗浄剤組成物。
【請求項１１】
成分（Ｅ）の含有量が、５〜２５質量％である請求項４〜１０のいずれか１項記載の皮膚洗浄剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月2日(2019.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
甜茶、ルイボス、または紅茶の疎水性溶媒抽出物からなる群より選択される１種以上を有効成分とする、アストロサイトのグルコース代謝活性化剤。
【請求項２】
甜茶、ルイボス、または紅茶の疎水性溶媒抽出物からなる群より選択される１種以上を有効成分とする、脳内神経細胞賦活化剤。
【請求項３】
甜茶、ルイボス、または紅茶の疎水性溶媒抽出物からなる群より選択される１種以上を有効成分とする、脳機能低下抑制剤。
【請求項４】
甜茶、ルイボス、または紅茶の疎水性溶媒抽出物からなる群より選択される１種以上を有効成分とする、脳機能向上剤。
【請求項５】
甜茶、ルイボス、または紅茶の疎水性溶媒抽出物からなる群より選択される１種以上を有効成分とする、脳機能障害の予防または改善剤。
【請求項６】
甜茶、ルイボス、または紅茶の疎水性溶媒抽出物からなる群より選択される１種以上を有効成分とする、脳機能低下抑制用飲食品組成物。
【請求項７】
甜茶、ルイボス、または紅茶の疎水性溶媒抽出物からなる群より選択される１種以上を有効成分とする、脳機能向上用飲食品組成物。
【請求項８】
甜茶、ルイボス、または紅茶の疎水性溶媒抽出物からなる群より選択される１種以上を有効成分とする、脳機能障害の予防または改善用飲食品組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月11日(2019.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイフッ化水素酸を含むフッ硝酸水溶液と硝酸塩とを接触させ、ケイフッ化水素酸塩を析出させ、固液分離にて該ケイフッ化水素酸塩を分離・除去する、ケイフッ化水素酸の除去方法。
【請求項２】
ケイフッ化水素酸を含むフッ硝酸水溶液と硝酸塩とを接触させ、ケイフッ化水素酸塩を析出させ、固液分離にて該ケイフッ化水素酸塩を分離する工程を含む、フッ化水素酸と硝酸の混合物の製造方法。
【請求項３】
フッ化水素酸と硝酸の混合物を蒸留塔に供給し、硫酸の存在下でフッ化水素酸と硝酸とを分離し、それぞれ回収する、フッ化水素酸と硝酸の回収方法。
【請求項４】
フッ化水素酸と硝酸の混合物を蒸留塔に供給し、硫酸の存在下でフッ化水素酸と硝酸とを分離する工程を含む、フッ化水素酸の製造方法。
【請求項５】
フッ化水素酸と硝酸の混合物を蒸留塔に供給し、硫酸の存在下でフッ化水素酸と硝酸とを分離する工程を含む、硝酸の製造方法。
【請求項６】
ケイフッ化水素酸を含むフッ硝酸水溶液と硝酸塩とを接触させ、ケイフッ化水素酸塩を析出させ、固液分離にて該ケイフッ化水素酸塩を分離し、得られる残液を蒸留塔に供給し、硫酸の存在下でフッ化水素酸と硝酸とを分離し、それぞれ回収する、フッ化水素酸と硝酸の回収方法。
【請求項７】
更に、前記ケイフッ化水素酸塩をアルカリと接触させ、シリカとフッ化水素酸塩に分離する工程を含む、請求項１、２又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記アルカリが、アルカリ炭酸塩又はアルカリ水酸化物である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記アルカリ炭酸塩が炭酸カリウム又は炭酸ナトリウムであり、前記アルカリ水酸化物が水酸化カリウム又は水酸化ナトリウムである、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月26日(2018.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置され、前記基板に対して垂直に配向される垂直配向カーボンナノチューブを準備する工程と、
前記垂直配向カーボンナノチューブから、複数のカーボンナノチューブ単糸が並列配置されるように引き出されてなるカーボンナノチューブウェブを引き出す工程と、
前記カーボンナノチューブウェブを、前記複数のカーボンナノチューブ単糸の延びる方向が互いに沿うようにローラの周面に複数周巻き付け、積層して、積層体を形成する工程と、を含むことを特徴とする、ＣＮＴ積層体の製造方法。
【請求項２】
前記積層体を形成する工程において、前記ローラの周面に巻き付けた前記カーボンナノチューブウェブを前記ローラの軸線方向に切断して、前記積層体を前記ローラから離脱させて、シート状の前記積層体を形成することを特徴とする、請求項１に記載のＣＮＴ積層体の製造方法。
【請求項３】
前記積層体を形成する工程において、前記積層体に揮発性の液体を供給する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載のＣＮＴ積層体の製造方法。
【請求項４】
前記液体には、微粒子が分散されているか、金属塩および／または樹脂材料が溶解されていることを特徴とする、請求項３に記載のＣＮＴ積層体の製造方法。
【請求項５】
前記積層体を形成する工程において、前記積層体を前記カーボンナノチューブウェブの積層方向に加圧する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＣＮＴ積層体の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のＣＮＴ積層体の製造方法により製造されたＣＮＴ積層体に撚りをかけて、前記複数のカーボンナノチューブ単糸を互いに撚り合わせる工程を含むことを特徴とする、カーボンナノチューブ撚糸の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＣＮＴ積層体の製造方法およびカーボンナノチューブ撚糸の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月31日(2019.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの裏面全体に略均一に少なくとも２種類以上の異なる種類の金属めっきを積層して構成したことを特徴とする半導体ウェハ。
【請求項２】
間に半導体ウェハを挟持するように、ウェハ保持盤とそれとは別体のウェハ圧接盤とを圧着固定する圧着治具とより構成し、
ウェハ保持盤は、
外周縁に懸架部を突設した一定幅員の環状支持板と、
環状支持板面に形成した位置決め部と、
環状支持板の内周縁部に形成したウェハ保持部と、により構成し、
ウェハ圧接盤は、
環状支持板の支持板面に圧接する環状板と、
環状支持板の位置決め部に嵌着自在となるように環状板面に形成した嵌着部と、
より構成してなる請求項１に記載の半導体ウェハを製造するための半導体ウェハめっき用治具。
【請求項３】
ウェハ保持盤とウェハ圧接盤との間に圧着治具を介して半導体ウェハを挟持圧着固定してめっき槽中に浸漬し、半導体ウェハ裏面に少なくとも２種類以上の異なる種類の金属めっきを形成し、水洗、乾燥することを特徴とする請求項２に記載の半導体ウェハめっき用治具を用いた半導体ウェハのめっき処理方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体ウェハにより製造した半導体装置。
【請求項５】
請求項２に記載の半導体ウェハめっき用治具によりめっき処理した半導体ウェハによって製造した半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月13日(2018.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両（５０）に設けられる熱交換ユニット（１０，１０Ａ）の制御を行う制御モジュール（１００，１００Ａ）であって、
前記熱交換ユニットは、
空調用の冷媒と空気との熱交換を行う第１熱交換器（７４０）と、
冷却水と空気との熱交換を行う第２熱交換器（３１）と、
前記第１熱交換器を通る冷媒の流れを調整するための装置である冷媒制御装置（７３０，７３０Ｍ）と、
前記第２熱交換器を通る冷却水の流れを調整するための装置である冷却水制御装置（３２）と、
前記第１熱交換器及び前記第２熱交換器を通る空気の流れを調整するための装置である空気制御装置（２１，２２，４０）と、を備えるものであり、
前記冷媒制御装置、前記冷却水制御装置、及び前記空気制御装置のうち、少なくとも１つの装置の動作を制御するための制御信号を、前記車両に設けられた少なくとも１つの電子制御ユニット（２００，３００）から受信する受信部（１１０）と、
前記冷媒制御装置、前記冷却水制御装置、及び前記空気制御装置のうちの少なくとも２つの装置を、前記制御信号に基づいて互いに連動して動作させる連動制御を行う制御部（１３０）と、を備え、
前記第１熱交換器は、前記車両に設けられた車両用空調装置が車室内の暖房を行う際の蒸発器として機能するものであり、
前記連動制御において、前記制御部は、
冷媒が流れる経路に設けられた電動膨張弁の動作と、
前記第１熱交換器及び前記第２熱交換器を通過する空気の流量を調整するシャッタ（２１）の動作と、を互いに連動させる制御モジュール。
【請求項２】
前記連動制御を行うために必要な全ての電力が、前記車両の内燃機関が停止した状態においても電力を供給し得る電源系統（ＰＬ１）から供給されるように構成されている、請求項１に記載の制御モジュール。
【請求項３】
前記冷媒制御装置、前記冷却水制御装置、及び前記空気制御装置のうち、前記連動制御において互いに連動して動作する装置の少なくとも１つと一体に構成されている、請求項１に記載の制御モジュール。
【請求項４】
前記冷媒制御装置と一体に構成されており、
当該冷媒制御装置は車両用空調装置に設けられた電動膨張弁（７３０）である、請求項３に記載の制御モジュール。
【請求項５】
前記連動制御を行うために必要なセンサ（６０）からの検知信号が入力される部分、である入力部（１２０）を更に備え、
前記入力部には、前記検知信号が、前記電子制御ユニットを介することなく前記センサから直接入力される、請求項３に記載の制御モジュール。
【請求項６】
前記制御部は、前記連動制御を行うために必要な処理を、所定の制御周期が経過する毎に繰り返し実行するものであって、
前記冷媒制御装置、前記冷却水制御装置、及び前記空気制御装置のうち、前記連動制御において互いに連動して動作する２つの装置を、それぞれ第１装置及び第２装置としたときに、
前記連動制御において前記第１装置の動作を制御するための第１処理と、前記連動制御において前記第２装置の動作を制御するための第２処理とが、単一の前記制御周期に含まれる期間内において実行されるように構成されている、請求項１に記載の制御モジュール。
【請求項７】
前記制御部は、
前記制御信号に基づいて調整される前記電動膨張弁の開度に応じて、前記シャッタの開度を調整する、請求項１に記載の制御モジュール。
【請求項８】
前記制御部は、
前記電動膨張弁の開度が小さくなると、前記シャッタの開度を大きくする、請求項７に記載の制御モジュール。
【請求項９】
前記制御部は、
前記冷媒制御装置、前記冷却水制御装置、及び前記冷媒制御装置のうちの少なくとも１つの装置に対し、制御用の信号を送信することによって、当該装置の制御を行うように構成されている、請求項１に記載の制御モジュール。
【請求項１０】
前記冷媒制御装置、前記冷却水制御装置、及び前記冷媒制御装置のうちの少なくとも１つの装置に対し、制御用の信号を送信するための集線装置（１４３，１４５）を更に備える、請求項９に記載の制御モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本開示に係る制御モジュールは、車両（５０）に設けられる熱交換ユニット（１０，１０Ａ）の制御を行う制御モジュール（１００，１００Ａ）である。上記熱交換ユニットは、空調用の冷媒と空気との熱交換を行う第１熱交換器（７４０）と、冷却水と空気との熱交換を行う第２熱交換器（３１）と、第１熱交換器を通る冷媒の流れを調整するための装置である冷媒制御装置（７３０，７３０Ｍ）と、第２熱交換器を通る冷却水の流れを調整するための装置である冷却水制御装置（３２）と、第１熱交換器及び第２熱交換器を通る空気の流れを調整するための装置である空気制御装置（２１，２２，４０）と、を備えるものである。制御モジュールは、冷媒制御装置、冷却水制御装置、及び空気制御装置のうち、少なくとも１つの装置の動作を制御するための制御信号を、車両に設けられた少なくとも１つの電子制御ユニット（２００，３００）から受信する受信部（１１０）と、冷媒制御装置、冷却水制御装置、及び空気制御装置のうちの少なくとも２つの装置を、制御信号に基づいて互いに連動して動作させる連動制御を行う制御部（１３０）と、を備える。第１熱交換器は、車両に設けられた車両用空調装置が車室内の暖房を行う際の蒸発器として機能するものであり、連動制御において、制御部は、冷媒が流れる経路に設けられた電動膨張弁の動作と、第１熱交換器及び第２熱交換器を通過する空気の流量を調整するシャッタ（２１）の動作と、を互いに連動させる。