(57)【要約】従来の複数枚のフィルムを絶縁層に用いた多層回路基板の場合、フィルム同士の接続に接着剤を用いるため、接着剤が薄層化に悪影響を与える場合があった。そこで、フィルムを使った複数枚の両面基板を、プリプレグに形成された貫通孔に導電性ペーストが充填、硬化されたペースト接続層を介して張り合わせると共に、ペースト接続層に予め形成しておいた貫通孔に充填した導電性ペーストによって第２の配線同士を電気的に接続することで、接着剤を用いることなく多層基板製造を提供することができ、多層回路基板全体を薄型化できる。
2007046459.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３層の絶縁層を有し、表層から数えて２層目に形成された２層目絶縁層には、それを貫通する電気的接続が導電性ペーストであるペースト接続層を有し、
表層から数えて２層目に形成された２層目配線と、表層から数えて３層目に形成された３層目配線とが、前記ペースト接続層に埋設されていることを特徴とする多層プリント配線基板。
【請求項２】
４層以上の絶縁層を有し、少なくとも一方の表層から数えて２層目に形成された２層目絶縁層を貫通する電気的接続が導電性ペーストであるペースト接続層を有し、
少なくとも一方の表層から数えて２層目に形成された２層目配線と、表層から数えて３層目に形成された３層目配線とが、前記導電性ペースト接続層に埋設されていることを特徴とする多層プリント配線基板。
【請求項３】
前記ペースト接続層は、プリプレグと、前記プリプレグに形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項１に記載の多層プリント配線基板。
【請求項４】
前記ペースト接続層は、熱硬化性樹脂と、前記熱硬化性樹脂に形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項１に記載の多層プリント配線基板。
【請求項５】
前記ペースト接続層は、熱可塑性樹脂と、前記熱可塑性樹脂に形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項１に記載の多層プリント配線基板。
【請求項６】
前記３層の絶縁層のうちの少なくとも１つの最外層の絶縁層は樹脂フィルムからなり、
前記樹脂フィルムからなる最外層の絶縁層に接着剤を介することなく前記配線が形成されている、請求項１に記載の多層プリント配線基板。
【請求項７】
前記プリプレグはガラスエポキシもしくはアラミドエポキシである、請求項３に記載の多層プリント配線基板。
【請求項８】
前記樹脂中には、無機フィラーが１０ｗｔ％以上８５ｗｔ％以下の割合で充填されている請求項４に記載の多層プリント配線基板。
【請求項９】
前記樹脂中には、無機フィラーが１０ｗｔ％以上８５ｗｔ％以下の割合で充填されている請求項５に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１０】
最外層から数えて１層目の前記配線と、最外層から数えて２層目の前記配線との少なくとも一方は、スパッタ層を介して前記最外層の絶縁層に固定されている、請求項１に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１１】
最外層から数えて１層目の前記配線と、最外層から数えて２層目の前記配線との少なくとも一方は、めっき膜を介して前記最外層の絶縁層に固定されている、請求項１に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１２】
表層から数えて１層目に形成された１層目絶縁層を貫通する電気的接続が、めっきで行われている請求項１もしくは２のいずれか一つに記載のプリント配線基板。
【請求項１３】
前記３層の絶縁層のうちの最外層の絶縁層を貫通する電気的接続がめっきで形成されている、請求項１に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１４】
前記ペースト接続層は、プリプレグと、前記プリプレグに形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項２に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１５】
前記ペースト接続層は、熱硬化性樹脂と、前記熱硬化性樹脂に形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項２に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１６】
前記ペースト接続層は、熱可塑性樹脂と、前記熱可塑性樹脂に形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項２に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１７】
前記４層以上の絶縁層のうちの少なくとも１つの最外層の絶縁層は樹脂フィルムからなり、
前記樹脂フィルムからなる最外層の絶縁層に接着剤を介することなく前記配線が形成されている、請求項２に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１８】
最外層から数えて１層目の前記配線と、最外層から数えて２層目の前記配線との少なくとも一方は、スパッタ層を介して前記最外層の絶縁層に固定されている、請求項２に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１９】
最外層から数えて１層目の前記配線と、最外層から数えて２層目の前記配線との少なくとも一方は、めっき膜を介して前記最外層の絶縁層に固定されている、請求項２に記載の多層プリント配線基板。
【請求項２０】
前記４層以上の絶縁層のうちの最外層の絶縁層を貫通する電気的接続がめっきで形成されている、請求項２に記載の多層プリント配線基板。
【請求項２１】
絶縁基材に貫通孔を加工する孔加工ステップと、
前記貫通孔に導電性ペーストを充填してペースト接続層を形成するペースト接続層形成ステップと、
両面基板を作製する両面基板作製ステップと、
前記ペースト接続層に前記両面基板を積層し、積層体を作製する積層ステップと、
前記積層体を熱プレス加工する熱プレスステップとを備えた、多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２２】
絶縁基材に貫通孔を加工する孔加工ステップと、
前記貫通孔に導電性ペーストを充填してペースト接続層を形成するペースト接続層形成ステップと、
２層以上の層数を有する多層基板を作製する多層基板作製ステップと、
前記ペースト接続層の表裏面に前記両面基板を積層し、積層体を作製する積層ステップと、
前記積層体を熱プレス加工する熱プレスステップとを備えた、多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２３】
前記両面基板の、表裏面に形成された配線が電気的に接続されていることを特徴とする、請求項２１に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２４】
前記両面基板の表裏面に形成された配線の電気的接続がめっきによることを特徴とする、請求項２１に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２５】
前記両面基板の表裏の電気的接続が導電性ペーストによることを特徴とする、請求項２１に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２６】
前記両面基板の表裏面の配線を電気的に接続する為の層間接続を形成する層間接続形成ステップを、熱プレスステップ以降にも実行する請求項２１に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２７】
前記層間接続形成ステップは、少なくともブラインドビアを形成するビア加工ステップと、ブラインドビアにめっきを施すめっきステップとからなる、請求項２６に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２８】
前記両面基板の、表裏面に形成された配線が電気的に接続されていることを特徴とする、請求項２２に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２９】
前記両面基板の表裏面に形成された配線の電気的接続がめっきによることを特徴とする、請求項２２に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項３０】
前記両面基板の表裏の電気的接続が導電性ペーストによることを特徴とする、請求項２２に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項３１】
前記両面基板の表裏面の配線を電気的に接続する為の層間接続を形成する層間接続形成ステップを、熱プレスステップ以降にも実行する請求項２２に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項３２】
前記層間接続形成ステップは、少なくともブラインドビアを形成するビア加工ステップと、ブラインドビアにめっきを施すめっきステップとからなる、請求項３１に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、携帯電話や超小型携帯端末等に使われる多層プリント配線基板や、半導体チップをベアチップ実装する際に用いられるインターポーザ等に用いられる多層プリント配線基板、及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  従来、この種の多層プリント配線基板（以下、単に多層基板と呼ぶ）としては、任意の位置にＩＶＨ（インナービアホール：Ｉｎｎｅｒ  Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ：埋め込み穴）を形成したものが知られている。このような、従来の多層基板の一例が、例えば特開２００２−３５３６１９号公報に開示されている。【０００３】  そして市場からは多層基板の更なる薄層化が望まれていた。以下、多層基板を薄層化するための手段としてフィルムを使った多層基板について説明する。【０００４】  図９は従来の多層基板の一例を示す断面図であり、接着剤を用いてフィルムを積層する多層配線基板の一例である。図９において、フィルム１０上には配線１２よりなる所定パターンが形成されている。そして複数のフィルム１０は、接着剤１４によって配線１２と共に接着されている。また必要部分にＩＶＨ８を形成することで、異なる層に形成された配線１２同士を接続している。【０００５】  しかしながら、前記従来の構成では、フィルム１０同士を接続するために接着剤１４を用いているため、薄層化に限度があった。【０００６】  例えば図９で示した構成の場合、配線１２が片面に形成されたフィルム１０を用いて積層するため、４層の多層基板を作製する場合、接着剤１４が３層、フィルム１０が４層の合計７層分の厚みが必要となり、薄層化が難しかった。【０００７】  一方、図９で示した構成の応用として、配線１２を両面に形成したフィルム１０を２枚用意し、接着剤１４で貼り付けて４層の配線パターン層を有する多層基板とすることも考えられた。この場合、両面に配線１２が形成されたフィルム１０同士を、接着剤１４によって貼り付けることになる。しかしこの張り合わせの際に、接着剤１４が軟化、流動するため、向き合った配線１２同士を短絡させる可能性がある。【０００８】  本発明は、前記従来の課題を解決するもので、フィルムの積層に接着剤の代わりにプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ：シート材）を用いた多層基板を提供する。
【発明の開示】
【０００９】  前記従来の課題を解決するために、本発明は表裏面に配線パターンが形成された樹脂フィルムを使った両面プリント配線基板同士を、途中にプリプレグを挟んでプレス、一体化する。
【００１０】  本発明の場合、例えばプリプレグとして織布が樹脂で含浸されたものを用いて、配線が両面に形成されたフィルム同士を張り合わせるため、高圧でプレスした場合でもプリプレグに含まれる織布によって配線同士の短絡が防止できる。また、予めプリプレグに貫通孔を形成し導電性ペーストを充填しておくことで、両面プリント配線基板同士の接着と同時にＩＶＨの形成も可能となる。
【００１１】  このように、本発明の多層プリント配線基板及びその製造方法においては、接着剤の代わりにプリプレグを用いて積層することで、ＩＶＨを有する多層プリント配線基板を極薄で作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は実施の形態１における多層基板の断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは実施の形態２における４層基板の製造方法を説明する第１の断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは実施の形態２における４層基板の製造方法を説明する第２の断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは実施の形態２における４層基板の製造方法を説明する第３の断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは実施の形態２における４層基板の製造方法を説明する第４の断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは実施の形態２における４層基板の製造方法を説明する第５の断面図である。
【図３】図３は実施の形態３における多層基板の断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは実施の形態４における多層基板の製造方法を説明する第１の断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは実施の形態４における多層基板の製造方法を説明する第２の断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは実施の形態４における多層基板の製造方法を説明する第３の断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは実施の形態４における多層基板の製造方法を説明する第４の断面図である。
【図４Ｅ】図４Ｅは実施の形態４における多層基板の製造方法を説明する第５の断面図である。
【図５】図５は実施の形態５の多層基板の断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する第１の断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する第２の断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する第３の断面図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する第４の断面図である。
【図６Ｅ】図６Ｅは実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する第５の断面図である。
【図６Ｆ】図６Ｆは実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する第６の断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは実施の形態７の多層基板の製造方法を説明する第１の断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは実施の形態７の多層基板の製造方法を説明する第２の断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは実施の形態７の多層基板の製造方法を説明する第３の断面図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは実施の形態７の多層基板の製造方法を説明する第４の断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは実施の形態９の多層基板の製造方法を説明する第１の断面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは実施の形態９の多層基板の製造方法を説明する第２の断面図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは実施の形態９の多層基板の製造方法を説明する第３の断面図である。
【図８Ｄ】図８Ｄは実施の形態９の多層基板の製造方法を説明する第４の断面図である。
【図９】図９は従来の多層基板の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００１３】  １０２ａ，１０２ｂ  フィルム
１０４ａ，１０４ｂ  第１の配線
１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ，１０６ｄ  第２の配線
１０８  絶縁層
１１０  ＩＶＨ
１１２  層間接続部
１１４ａ，１１４ｂ  両面基板
１１６ａ，１１６ｂ  ペースト接続層
１１８  多層基板
１２０  層間絶縁層
１２２  プリプレグ
１２４  貫通孔
１２６  導電性ペースト
１２８  ブラインドビア
１３０  金属膜
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】  （実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における多層基板について、図面を参照しながら説明する。【００１５】  図１は本発明の実施の形態１における多層基板の断面図である。【００１６】  図１に示すとおり、この多層基板は、フィルム１０２ａ，１０２ｂ、第１の配線１０４ａ，１０４ｂ、第２の配線１０６ａ，１０６ｂ，絶縁層１０８、ＩＶＨ１１０、層間接続部１１２、両面基板１１４ａ，１１４ｂ、ペースト接続層１１６を、主要な構成要素として有している。【００１７】  ここでフィルム１０２ａの片面には第１の配線１０４ａが、もう片面には第２の配線１０６ａが形成され、両面基板１１４ａを構成している。同様に両面基板１１４ｂは、フィルム１０２ｂの各面に第１の配線１０４ｂと第２の配線１０６ｂが形成され、互いの配線が層間接続部１１２で接続されている。またペースト接続層１１６は、絶縁層１０８とＩＶＨ１１０から構成されている。そして両面基板１１４ａと両面基板１１４ｂはペースト接続層１１６で一体化される。そして同時に、両面基板１１４ａの第２の配線１０６ａと、両面基板１１４ｂの第２の配線１０６ｂは、ＩＶＨ１１０によって電気的に接続される。またこれら配線部の厚みに関しても、両面基板１１４ａに形成された第２の配線１０６ａや、両面基板１１４ｂに形成された第２の配線１０６ｂがペースト接続層１１６に埋没されることによって、その配線厚みがペースト接続層１１６によって吸収できる。【００１８】  なお、図１を用いて配線や絶縁層の数え方について説明する。図１の上を表として、上から下に数えた場合、表層から数えて１層目の１層目絶縁層（これは表層に相当する）がフィルム１０２ａに、表層から数えて２層目の２層目絶縁層が絶縁層１０８に、表層から３層目の３層目絶縁層がフィルム１０２ｂに、それぞれ相当する。同様に、表層から数えて１層目の１層目配線（もしくは表層の配線）が第１の配線１０４ａ、表層から数えて２層目の２層目配線が第２の配線１０６ａ、表層から数えて３層目の３層目配線が第２の配線１０６ｂ、表層から数えて４層目の４層目配線が第１の配線１０４ｂに相当する。なお図１は、４層構造（配線が４層あることを意味する）で、上下対象であるため、上から下に数えても、下を表として下から上に数えても実質的な違いは無いが、本発明の実施形態においては原則的に上を表として上から下に数えるものとする。【００１９】  図１において、表層から数えて２層目に形成された２層目絶縁層である絶縁層１０８を貫通する電気的接続が、ＩＶＨ１１０に相当する。そして、表層から数えて２層目に形成された２層目配線である第２の配線１０６ａと、表層から数えて３層目に形成された３層目配線である第２の配線１０６ｂとが、前記絶縁層１０８に埋設されることになる。【００２０】  なお実施の形態１においてＩＶＨ１１０は、絶縁層１０８に形成された貫通孔（後の図２Ａにおいて、貫通孔１２４を説明する）の中に導電性ペースト（後の図２Ｂにおいて、導電性ペースト１２６を説明する）が充填されたものである。そしてこのＩＶＨ１１０が両面基板１１４ａと１１４ｂの間に形成され、第２の配線１０６ａと１０６ｂを接続する。実施の形態１において、ペースト接続層１１６の任意の位置にＩＶＨ１１０を形成できる。このように図１では、フィルム１０２を用いた複数枚の両面基板１１４ａ、１１４ｂの厚みを吸収すると同時に、層間の接続をＩＶＨ１１０によって行う。【００２１】  なお実施の形態１において、ペースト接続層１１６を構成する部材として、例えばプリプレグを選ぶことができる。このプリプレグは、半硬化の樹脂からなるものである。また、ＩＶＨ１１０を構成する部材として、硬化型導電性ペーストを用いることができる。このように本発明において、プリプレグ及び硬化型導電性ペーストを使うことで、接着剤を使うことなく、多層基板を形成することができるため、多層基板の総厚を大幅に薄層化できる。また、互いに向き合った配線同士を接続する場合にも、プリプレグに含まれる織布によって配線同士の接触による短絡を防止できる。【００２２】  なお、多層基板の寸法は３００ｍｍ×５００ｍｍ±２００ｍｍ程度が望ましい。１００ｍｍ×３００ｍｍより寸法が小さい場合、製品の取れ数が少なくなるためコストアップする可能性がある。また５００ｍｍ×７００ｍｍより基板寸法が大きくなると、工程内での取り扱い性、寸法変化等への影響が現れる場合がある。【００２３】  以上のように、表層から数えて２層目に形成された２層目絶縁層（図１の絶縁層１０８に相当）を貫通する電気的接続が導電性ペースト（図１のＩＶＨ１１０に相当）とする。【００２４】  そして表層から数えて２層目に形成された２層目配線（図１において第２の配線１０６ａに相当する）と、表層から数えて３層目に形成された３層目配線（図１において第２の配線１０６ｂに相当する）が、前記ペースト接続層１１６によって埋設されると共に、電気的に接続する。【００２５】  このようにして、実施の形態１では接着剤を使うことなく４層基板（配線が４層のことを意味する）を構成することができ、４層基板の薄層が可能となる。【００２６】  （実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２における多層基板の製造方法について説明する。実施の形態２は４層基板の製造方法の一例であり、例えば実施の形態１で説明した４層基板の製造方法の一例に相当する。図２Ａ〜図２Ｅは、実施の形態２における４層基板の製造方法を説明する断面図である。【００２７】  まず、図２Ａに示すように、プリプレグ１２２に貫通孔１２４を形成する。この時、予めプリプレグ１２２の表面にが貼り付けられた状態のまま、貫通孔１２４を形成することが望ましい。貫通孔１２４の形成には金型、ドリル、レーザ等を用いることができる。またプリプレグの材料には市販品の例えば、後述するガラスエポキシ、あるいはアラミドエポキシ等を使うことができる。【００２８】  次に、図２Ｂに示すように、貫通孔１２４の内部に導電性ペースト１２６を充填する。例えば、プリプレグ１２２とその上に形成された保護フィルム（図示していない）をマスクとして、スキージ等で導電性ペースト１２６を擦り付けるか、もしくは充填することで、セルファライメント的（自己整合的）に、プリプレグ１２２に形成された貫通孔１２４だけに導電性ペースト１２６を充填することができる。そして導電性ペースト１２６を充填した後、前記保護フィルムを剥がすことで、図２Ｂの状態を得る。【００２９】  図２Ｃは、両面基板１１４ａの断面図である。図２Ｃにおいて、両面基板１１４ａは、フィルム１０２ａの片面に第１の配線１０４ａが、他面に第２の配線１０６ａが形成されている。そして前記フィルム１０２ａを貫通するように形成された層間接続部１１２が、第１の配線１０４ａと第２の配線１０６ａを層間接続する。【００３０】  ここで、フィルム１０２ａの材質として、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム等の高耐熱性樹脂フィルムを使うことが望ましく、特にアラミドフィルムが好ましい。高耐熱性の樹脂フィルムを用いることで、半田付け工程等での熱影響を抑えられる。また、フィルム１０２ａの厚みとしては１００μｍ以下、特に３μｍ以上５０μｍ以下（望ましくは３０μｍ以下、更に可能なれば２５μｍ以下）を選ぶことが望ましい。このように極薄の耐熱性フィルムを用いることで、出来上がった多層基板の総厚を薄くできる。なお、こうした耐熱性フィルムの両面に、接着剤を使うことなく導電体層を形成した基板材料を選ぶことができる。こうした接着剤を用いることなく耐熱性フィルムと導電体層を形成した銅張りフィルムを用いることで、多層基板の耐熱性や信頼性を高められる。【００３１】  図２Ｄは、図２Ｂの導電性ペースト１２６が充填されたプリプレグ１２２と、図２Ｃの両面基板１１４ａを互いに位置合わせする状態を示す。図２Ｄに示すように、導電性ペースト１２６が所定位置に充填されたプリプレグ１２２の両側に、両面基板１１４ａ、１１４ｂをセットする。そして、プリプレグ１２２側の第２の配線１０６ａ、１０６ｂと、導電性ペースト１２６を位置合わせする。そして、位置合わせした状態で、真空プレスで加熱圧着させる（真空プレスは図示していない）。そして真空プレスが終了した後、プレスしたサンプルを取り出す。図２Ｅは真空プレス終了後のサンプルの断面図に相当する。【００３２】  なお、真空プレスによって加圧圧着��せるのと同時に、所定の温度プロファイルでサンプルを加熱硬化させる。そうすると、プリプレグ１２２が一旦軟化したあと硬化し、絶縁層１０８へと変化する。プリプレグ１２２が軟化した際に、両面基板１１４ａ、１１４ｂに形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｂを埋没させ、その配線厚みを吸収する。そして、配線厚みを吸収した状態でプリプレグ１２２が硬化し、絶縁層１０８となり、両面基板１１４ａ、１１４ｂを強固に固定する。また、このときプリプレグ１２２に埋め込まれた導電性ペースト１２６も同時に硬化し、ＩＶＨ１１０へと変化する。こうしてＩＨ１１０を有する４層基板を構成する。そして第２の配線１０６ａ、１０６ｂの厚みは低減し、配線による凹凸は平坦化する。【００３３】  次に、プリプレグについて説明する。ここでプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ：事前含浸処理シート材）とは、活性樹脂を含浸させた繊維素材あるいは織布である。これはまだ完全には硬化していない状態であるため、エネルギーを加えて同時に成形できる。このようにプリプレグを使うことで、成形時での配線同士の接触による短絡を防止でき、更にプレス成型時の変形や寸法バラツキを抑えられると共に、出来上がった多層基板の強度アップも可能となる。なお含浸させる樹脂としては、熱硬化性樹脂を使うことが望ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂やイミド樹脂を使うことができる。また繊維素材あるいは織布としては、ガラス繊維以外に、芳香族系を含むポリアミド、アラミド等の部材を用いることができる。【００３４】  なおプリプレグの硬化温度は、８５℃から２２０℃の範囲が望ましい。温度が２３０℃以上の場合、樹脂硬化にバラツキが発生し、寸法の精度に影響を与える場合がある。また温度が８５℃より低い場合、樹脂硬化の時間が増加し、硬化状態に影響を与える場合がある。また、フィルム１０２の厚みが５０μｍ以下と薄い場合、１８０℃以上２２０℃以下の温度範囲で、プリプレグ１２２の硬化を行うことが望ましい。こうすることで、両面基板１１４ａ、１１４ｂの表面に形成された配線のうち、プリプレグ１２２の側に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｄをプリプレグ１２２の中に埋没できる。【００３５】  また、圧力範囲は２ＭＰａ（メガパスカル、圧力の単位）以上６ＭＰａ以下が望ましい。２ＭＰａ未満の場合、図６Ｆに示す多層基板の密着性にばらつきが発生する可能性がある。また、圧力の印加時間は１分以上３時間未満が望ましい。圧力の印加時間が１分未満の場合、プレスによるバラツキが発生する場合がある。また、プレス時間が３時間を越えると、生産性に影響を与えてしまう。このため、圧力２ＭＰ以上６ＭＰａ以下、特に、４ＭＰａ以上６Ｍｐａ以下が望ましい。一般的な多層基板の場合、２〜３ＭＰａで積層されることが多いが、本実施の形態の場合、フィルム１０２が薄く、厚みバラツキの影響を受け易いうえに、導電性ペースト１２６を用いる等のために、積層圧力は５Ｍｐａ程度、例えば４ＭＰａ以上６ＭＰａ以下と、高めにすることが望ましい。【００３６】  更に詳しく説明する。まず布状のプリプレグとしてはガラスエポキシ系の市販品、具体的には、織布としてガラス繊維を用い、これをエポキシ系の樹脂を含浸したもの���選んだ。そして図２Ａに示すように、プリプレグ上に保護フィルム（図示していない）を形成し、そのままの状態で所定位置に貫通孔１２４を形成した。次に、前記保護フィルムの上に導電性ペースト１２６を所定量添加し、スキージ（ゴムベラ）で前記導電性ペースト１２６を刷り込むようにして、プリプレグ１２２に形成された貫通孔１２４に充填した。その後、保護フィルムを剥離することで、図２Ｂの状態とした。【００３７】  次に、両面銅張りフィルムを用意した。具体的にはポリイミドフィルム（厚み１０μｍ）の両面に接着剤を使うことなく導電体層を形成したものを用いた。次に、前記両面銅張りフィルムの導電体層を所定パターンに加工し、図２Ｃの両面基板１１４ａとした。【００３８】  次に、図２Ｄに示すように、導電性ペースト１２６の充填されたプリプレグ１２２の両面に、両面基板１１４ａ、１１４ｂを所定治具（図示していない）によって位置合わせした。その後、真空プレスで所定時間、所定温度でプレスして一体化した。この際、必要に応じて加熱、加圧することが望ましい。この一体化と同時に、導電性ペースト１２６によって両面基板１１４ａ、１１４ｂのプリプレグ１２２側に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｂを電気的に接続する。【００３９】  こうして図２Ｅに示すような、極薄の多層基板を作製した。ここで、プリプレグ１２２の厚みをさらに薄く、例えば４０μｍから２０μｍ、あるいはさらに１０μｍへと薄くすることで、総厚が１００μｍ以下、あるいは６０μｍ以下、更には３０μｍ以下といった極薄の多層基板が製造できる。【００４０】  以上のようにして、４層プリント配線基板の表層から数えて２層目の絶縁層を貫通する部分の電気的接続が導電性ペースト１２６であるペースト接続層１１６を有し、表層から数えて２層目に設けられた２層目配線と、表層から数えて３層目に設けられた３層目配線とが、前記ペースト接続層に埋設されていることを特徴とする４層プリント配線基板を作製できる。【００４１】  なお、４層プリント配線基板の表層から数えて２層目絶縁層は、図１における絶縁層１０８に相当する。４層プリント配線基板の表層から数えて１層目の１層目絶縁層は、図１においてフィルム１０２ａに相当する。表層から２層目に設けられた配線は、図１において、両面基板１１４ａの下に形成された第２の配線１０６ａに相当する。【００４２】  また、表層から３層目に設けられた配線は、図１において、両面基板１１４ｂの上に形成されペースト接続層１１６（もしくは絶縁層１０８）側に埋没された第２の配線１０６ｂに相当する。【００４３】  以上のように、実施の形態２において、表層から数えて２層目の配線と、表層から数えて３層目の配線（図１における第２の配線１０６ａ、１０６ｂに相当）を、両方とも同様にペースト接続層１１６に埋没することができるため、基板厚みを薄くした場合でもその配線厚みを吸収できるため、チップ部品や半導体チップ等の実装、表面平滑性が要求されるバンプ等を用いたベアチップ実装、更にはＣＰＵ実装用のインターポーザも含めて、実装性能を高められる。【００４４】  このように、ペースト接続層１１６は、プリプレグ１２２と前記プリプレグ１２２に形成された貫通孔１２���に充填された導電性ペースト１２６とすることで、ＩＶＨ１１０の形成位置を自由に設計できるため、回路基板の小型化、高性能化が可能となる。【００４５】  （実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３における多層基板について、図面を参照しながら説明する。実施の形態１と実施の形態３の違いは、多層化に用いているフィルムの枚数（実施の形態１では２枚、実施の形態３では３枚）である。【００４６】  図３は実施の形態３における多層基板の断面図である。図３では、フィルムを用いた両面基板１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃを、２枚のペースト接続層１１６ａ、１１６ｂを用いて互いに貼り合わせたものを示している。そして両面基板１１４ａの下面に形成された第２の配線１０６ａと、両面基板１１４ｂの上面に形成された第２の配線１０６ｂとを、ＩＨ１１０によって電気的に接続する。同様に両面基板１１４ｃの上面に形成された第２の配線１０６ｄと、両面基板１１４ｂの下面に形成された第２の配線１０６ｃとをＩＶＨ１１０によって電気的に接続する。【００４７】  このように３枚の両面基板１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ（配線の層数を計算すると、配線２層×３枚＝６層）をペースト接続層１１６ａ、１１６ｂを用いて一体化することで、配線合計６層のうち４層分の配線厚みを、前記ペースト接続層１１６ａ、１１６ｂに埋め込み吸収することができ、更なる薄層化が可能となる。【００４８】  なおペースト接続層１１６ａ、１１６ｂは、絶縁層１０８とＩＶＨ１１０から構成されている。ここでＩＶＨ１１０とはインナービアホール（層間接続のためのビア穴）の意味であり、本実施の形態の場合、任意の位置にＩＶＨ１１０を形成することができる。また、ペースト接続層１１６を構成する絶縁部材としてプリプレグ１２２を使うことができる。また、ＩＶＨ１１０を構成する導電部材として、硬化型導電性ペースト１２６を用いることが望ましい。このように本発明において、プリプレグ及び硬化型導電性ペーストを使うことで、接着剤を使うことなく、多層基板を構成できるため、多層基板を大幅に薄層化できる。【００４９】  以上のように、絶縁層が５層以上のプリント配線基板の、少なくとも表層から２層目の絶縁層（図３における上側の絶縁層１０８）を貫通する電気的接続が導電性ペースト１２６であるペースト接続層１１６を有し、少なくとも表層から２層目の配線（図３において第２の配線１０６ａ）と表層から３層目の配線（図３において第２の配線１０６ｂ）が、前記導電性ペースト接続層１１６に埋設することで、絶縁層が５層以上の多層プリント配線基板を薄層に形成できる。【００５０】  なおここで、表層から２層目の絶縁層の電気的接続が導電性ペーストであるペースト接続層とは、図３のペースト接続層１１６ａ、１１６ｂのことである。また、表層から数えて１層目の絶縁層とは、図３におけるフィルム１０２ａに相当する。表層から数えて２層目に設けられた２層目配線とは、図３において、上、下から数えた場合それぞれ両面基板１１４ａ、１１４ｃに形成されペースト接続層１１６ａ、１１６ｂに埋没された第２の配線１０６ａ、１０６ｄに相当する。また、表層から数えて３層目に設けられた３層目配線とは、図３において上から下に数えた場合（配線の場合、配線だけを数える）、両面基板１１４ｂの上に形成されてペースト接続層１１６ａに埋没された第２の配線１０６ｂに相当する。また下から上に数えた場合、両面基板１１４ｂの表面に形成された第２の配線１０６ｃに相当する。【００５１】  （実施の形態４）
以下、本発明の実施の形態４における多層基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図４Ａ〜４Ｅは実施の形態４における多層基板の製造方法を説明する断面図である。実施の形態４は、複数枚のフィルムを用いて多層化する製造方法の一例であり、例えば実施の形態３での多層基板の製造方法の一例を示すものである。【００５２】  まず図４Ａに示すように、プリプレグ１２２に貫通孔１２４を形成する。この時プリプレグ１２２の表面に保護フィルムが貼り付けられた状態のまま、貫通孔１２４を形成することができる。また、これら貫通孔１２４の形成は金型、ドリル、レーザ等を用いることができる。また、プリプレグとして、例えば布状の市販品を使うことができる。次に図４Ｂに示すように、貫通孔１２４の内部に導電性ペースト１２６を充填する。この充填はスクリーン印刷を用いることができる。例えば、プリプレグ１２２とその上に形成された保護フィルム（図示していない）の両方を貫通するようにして貫通孔１２４を形成した後、前記保護フィルムをマスクとして、スキージ等で導電性ペーストを擦り付けることで、セルフアライメント的（自己整合的）に、プリプレグ１２２に形成された貫通孔１２４だけに導電性ペースト１２６を充填することができる。そして前記保護フィルムを剥がすことで、図４Ｂの状態を得ることができる。【００５３】  図４Ｃは、両面基板１１４ａの断面図である。図４Ｃにおいて、フィルム１０２ａの表面には第１の配線１０４ａと、第２の配線１０６ａが形成され、層間接続部１１２を介して電気的に接続されている。フィルム１０２ａとしては、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム等の高強度で低熱膨張係数のフィルム部材を使うことが望ましく、特にアラミドフィルムが好ましい。熱膨張係数の小さい（特にシリコンに近い熱膨張係数の）樹脂フィルム１０２ａを用いることで、半導体チップのベアチップ実装やＣＰＵ周りのインターポーザ用途にも対応できる。フィルム１０２の厚みとしては１００μｍ以下、特に３μｍ以上５０μｍ以下、望ましくは３０μｍ以下、更に可能なれば２５μｍ以下を選ぶことが望ましい。このように極薄の耐熱性フィルムを用いることで、出来上がった多層基板の総厚を薄くできる。なおこうした耐熱性フィルムの両面に、接着剤を使うことなく導電体層を形成した基板材料を選ぶことができる。こうした接着剤を用いることなく、耐熱性フィルムと銅箔を張り付けた銅張りフィルムを用いることで、多層基板の耐熱性を高められるため、鉛フリー半田を用いた実装に対応しやすい。【００５４】  図４Ｄは、図４Ｂの導電性ペースト１２６が充填されたプリプレグ１２２ａ、１２２ｂと、複数枚の両面基板１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃを互いに位置合わせする様子を示す断面図である。【００５５】  図４Ｅは、図４Ｂの導電性ペースト１２６が充填されたプリプレグ１２２ａ、１２２ｂと、両面基板１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃを互いに一体化した後の様子を示す断面図である。具体的には、図４Ｄで示した状態のサンプルを、熱盤プレス等を使って互いに密着させると共に、所定の温度プロファイルで加熱することで、プリプレグ１２２ａ、１２２ｂが一旦軟化したあと硬化することとなり、絶縁層１０８に変化する。このときプリプレグ１２２ａ、１２２ｂに埋め込まれた導電性ペースト１２６も同時に加熱、硬化されＩＶＨ１１０となる。【００５６】  更に詳しく説明する。まずプリプレグ１２２としてはアラミドエポキシ系の市販品を使った。そして図４Ａに示すように、プリプレグ１２２上の保護フィルムとともに、所定位置に貫通孔１２４を形成した。次に、前記保護フィルムの上に導電性ペースト１２６を所定量添加し、スキージ（ゴムベラ）で前記導電性ペースト１２６を、プリプレグ１２２に形成された貫通孔１２４に充填する。そして保護フィルムを剥離することで、図４Ｂの状態とした。【００５７】  次に、両面銅張りフィルムを用意した。具体的には、厚み１０μｍのアラミドフィルムの両面に接着剤を使うことなく導電体層を形成したものを用いた。次に、前記両面銅張りフィルムの銅箔部分を所定パターンに加工し、図４Ｃの両面基板１１４ａとした。【００５８】  次に、図４Ｄに示すように、導電性ペースト１２６の充填されたプリプレグ１２２ａ、１２２ｂと、両面基板１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃを互いに交互に積み重ねて位置合わせした。その後、プレスで所定時間、所定温度で加熱しながら加圧して一体化した。この際、必要に応じて真空プレスしても良い。また、このプレス条件を、プリプレグ１２２が一旦軟化したあと硬化する条件とすることで、複数の両面基板１１４を、中央にセットしたプリプレグ１２２を用いて一体化できる。また、このプレス条件において、導電性ペースト１２６が、両面基板１１４のプリプレグ側に形成された第２の配線１０６ａ〜ｄを電気的に接続させる。【００５９】  こうして、図４Ｅに示すような、極薄の多層基板を作製した。ここで、プリプレグ１２２ａ、１２２ｂの厚みを薄く（例えば、４０μｍ、あるいは２０μｍ、より望ましくは１０μｍ）することで、総厚が１００μｍ以下、あるいは６０μｍ以下、更には３０μｍ以下といった極薄の多層基板が製造できる。【００６０】  （実施の形態５）
以下、本発明の実施の形態５における多層基板について説明する。図５は実施の形態５の多層基板の断面図である。実施の形態５と実施の形態３の違いは、実施の形態３では中央部が２層基板、実施の形態５では中央部が３層以上の多層基板である。このように、実施の形態５を用いることで、更に多様な形態で、フィルム等を用いた両面基板以外にも、様々な形態の多層基板を形成できる。【００６１】  図５において、多層基板１１８は、層間絶縁層１２０によって層間絶縁された複数層の配線１０４ｂや、層間絶縁層１２０等から構成され、層間絶縁層１２０の表面には第２の配線１０６ｂ、１０６ｃが形成されている。なお図５において、多層基板１１８の表面に形成された第２の配線１０６ｂ、１０６ｃは共にペースト接続層１１６ａ、１１６ｂに埋め込まれている。【００６２】  同様に、フィルム１０２ａ、１０２ｂの表面には第１の配線１０４ａ、１０４ｃと第２の配線１０６ａ、１０６ｄが形成され、互いに層間接続部１１２で電気的に接続されることで両面基板１１４ａ、１１４ｂが構成されている。【００６３】  そして図５に示すように、両面基板１１４ａのペースト接続層１１６ａ側に形成した第２の配線１０６ａと、多層基板１１８のペースト接続層１１６ａ側に形成された第２の配線１０６ｂを、共にペースト接続層１１６ａに埋没すると共に、ＩＶＨ１１０によって電気的に接続する。同様に、両面基板１１４ｂ上の第２の配線１０６ｄと、多層基板１１８表面の第２の配線１０６ｃを、ペースト接続層１１６ｂを貫通するＩＶＨ１１０によって接続する。【００６４】  このように、多層基板１１８を中央にして、その両側に両面基板１１４ａ、１１４ｂを形成し、これらをペースト接続層１１６を用いてその配線厚みを吸収すると共に一体化し、層間接続を行うことができる。また、実施の形態５では接着剤を使っていないため、薄層化が可能となる。【００６５】  （実施の形態６）
実施の形態６の多層基板の製造方法について、図６Ａ〜６Ｆを用いて詳しく説明する。図６Ａ〜６Ｆは実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する断面図であり、この多層基板の製造方法は、例えば実施の形態５で説明した図５の多層基板の製造方法に相当する。【００６６】  まず図６Ａに示すように、プリプレグ１２２に貫通孔１２４を形成する。貫通孔１２４の形成は金型、ドリル、レーザ等を用いることができる。またプリプレグには市販品を使うことができる。次に図６Ｂに示すように、貫通孔１２４の内部に導電性ペースト１２６を充填する。【００６７】  図６Ｃは、両面基板１１４ａの断面図である。図６Ｃにおいて、両面基板１１４ａは、フィルム１０２ａと、その表面に形成された第１の配線１０４ａと第２の配線１０６ａが層間接続部１１２で接続されたものから形成されている。図６Ｄは、多層基板１１８の断面である。多層基板１１８は、層間絶縁層１２０、層間接続部１１２、第１の配線１０４ｂから構成されている。そして層間絶縁層１２０に形成された層間接続部１１２を介して、異なる層に形成された第１の配線１０４ｂ同士を接続する。図６Ｅは、図６Ｂの導電性ペースト１２６が充填されたプリプレグと、図６Ｄの多層基板１１８を互いに位置合わせする様子を示す。そして真空プレス装置（図示していない）を用いて、これらを一体化する。図６Ｆは、図６Ｅの部材が一体化された後の様子を示す断面図である。【００６８】  次に、第２の配線１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ、１０６ｄをプリプレグ１２２の中に埋没させる一例について説明する。例えば図６Ｄで示した状態のサンプルを、真空プレス（あるいは真空加熱プレス）を使って互いに密着させると共に、所定の温度プロファイルで加熱することで、プリプレグ１２２が軟化し、第２の配線１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ、１０６ｄをプリプレグ１２２の中に埋没させる。その後、プリプレグ１２２が硬化し、絶縁層１０８となる。また、このときプリプレグ１２２に埋め込まれた導電性ペースト１２６も同時に加熱、硬化され、異なる層に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｂ同士を電気的に接続し、ＩＶＨ１１０となる。【００６９】  更に詳しく説明する。まず、プリプレグとしては市販品の厚み３０μｍでガラスエポキシ系のものを使った。そして、図６Ａに示すように、プリプレグ上の保護フィルムとともに、所定位置に貫通孔１２４を形成した。なお図６Ａに保護フィルムは図示していない。次に、前記保護フィルムの上に、導電性ペースト１２６を所定量添加し、スキージ（ゴムベラ）で前記導電性ペースト１２６を前記保護フィルムの孔越しに、プリプレグ１２２に形成された貫通孔１２４に充填させた。その後、保護フィルムを剥離することで、図６Ｂの状態とした。なお図６Ｂにおいて保護フィルムは図示していない。【００７０】  次に、両面銅張りフィルムを用意した。具体的には、厚さ１０μｍのポリイミドフィルムの両面に接着剤を使うことなく、導電体層を形成したものを用いた。次に、前記両面銅張りフィルムの銅箔部分を所定パターンに加工し、図６Ｃの両面基板１１４ａとした。図６Ｃより、両面基板１１４ａは、フィルム１０２ａの両面に、第１の配線１０４ａと第２の配線１���６ａが形成されていることが判る。【００７１】  また図６Ｄに示すような多層基板１１８を用意した。図６Ｄにおいて、第１の配線１０４ｂは、層間絶縁層１２０を介して絶縁され、層間接続部１１２によって層間接続されている。そして多層基板１１８の表面には、第２の配線１０６ｂ、１０６ｃが形成されている。【００７２】  次に図６Ｅに示すように、導電性ペースト１２６の充填されたプリプレグ１２２の両面に、多層基板１１８、両面基板１１４ａ、１１４ｂをセットした。その後、図６Ｆに示すように、これらを所定時間、所定温度でプレスして一体化した。この際、必要に応じて真空プレスとしても良い。またこのプレス条件において、導電性ペースト１２６が、両面基板１１４ａ、１１４ｂのプリプレグ側に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｄと電気的に接続される。【００７３】  こうして図６Ｆに示すような、極薄の多層基板を作製した。ここで、フィルムやプリプレグ１２２、多層基板１１８の厚みを薄く、例えば、４０μｍ、あるいは２０μｍ、より望ましくは１０μｍにすることで、多層でありながらも極薄のプリント配線基板を製造できる。【００７４】  次に、プリプレグについて説明する。ここでプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ：事前含浸処理シート材）とは、活性樹脂を含浸させた繊維素材あるいは織布である。これはまだ完全には硬化していない状態であるため、エネルギーを加えて同時に成形できる。このようにプリプレグを使うことで、成形時での配線同士の接触による短絡を防止でき、更にプレス成型時の変形や寸法バラツキを抑えられると共に、出来上がった多層基板の強度アップも可能となる。なお含浸させる樹脂としては、熱硬化性樹脂を使うことが望ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂やイミド樹脂を使うことができる。また繊維素材あるいは織布としては、ガラス繊維以外に、芳香族系を含むポリアミド、アラミド等の部材を用いることができる。【００７５】  なおプリプレグの硬化温度は、８５℃から２２０℃の範囲が望ましい。温度が２３０℃以上の場合、樹脂硬化にバラツキが発生し、寸法の精度に影響を与える場合がある。また温度が８５℃より低い場合、樹脂硬化の時間が増加し、硬化状態に影響を与える場合がある。また、フィルム１０２の厚みが５０μｍ以下と薄い場合、１８０℃以上２２０℃以下の温度範囲で、プリプレグ１２２の硬化を行うことが望ましい。こうすることで、両面基板１１４ａ、１１４ｂの表面に形成された配線のうち、プリプレグ１２２の側に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｄをプリプレグ１２２の中に埋没できる。【００７６】  また、圧力範囲は２ＭＰａ（メガパスカル、圧力の単位）以上６ＭＰａ以下が望ましい。２ＭＰａ未満の場合、図６Ｆに示す多層基板の密着性にばらつきが発生する可能性がある。また、圧力の印加時間は１分以上３時間未満が望ましい。圧力の印加時間が１分未満の場合、プレスによるバラツキが発生する場合がある。また、プレス時間が３時間を越えると、生産性に影響を与えてしまう。このため、圧力２ＭＰ以上６ＭＰａ以下、特に、４ＭＰａ以上６Ｍｐａ以下が望ましい。一般的な多層基板の場合、２〜３ＭＰａで積層されることが多いが、本実施の形態の場合、フィル��１０２が薄く、厚みバラツキの影響を受け易いうえに、導電性ペースト１２６を用いる等のために、積層圧力は５Ｍｐａ程度、例えば４ＭＰａ以上６ＭＰａ以下と、高めにすることが望ましい。【００７７】  そして図６Ｅのように、導電性ペースト１２６が充填されてなるプリプレグ１２２の両側に両面基板を位置決め、セットした後、プレス装置を用いて、加熱圧着し、一体化させた。なおプレス条件としては、最適化したプレスプログラム、具体的には、室温から２００℃前後まで段階的に温度が上がった後、自動的に室温まで温度が下がるものであり、時間と共に圧力も変化させたものを使うことで、安定した物つくりが可能となる。こうして図６Ｆに示すような多層基板を作製した。【００７８】  （実施の形態７）
次に実施の形態７について、図７Ａ〜７Ｄを用いて説明する。実施の形態７では、表層がフィルムである多層基板を用い、めっき技術を用いて層間接続及び表層の配線を形成する場合について説明する。【００７９】  図７Ａ〜７Ｄは実施の形態７の多層基板の製造方法を説明する断面図であり、この多層基板の製造方法は、例えば実施の形態６で説明した多層基板の製造方法の一例であり、実施の形態１や実施の形態３で説明した多層基板等にも応用可能なものである。特に本実施の形態７では、多層基板の表層の配線及びその配線に接続された層間接続部を、めっき技術を用いて一体化することに特徴があり、より高性能で微細なパターンを形成できる。【００８０】  実施の形態７の特徴は、図７Ｂに示すブラインドビア１２８と、図７Ｃに示す金属膜１３０にある。まず図７Ａを用いて説明する。図７Ａは表層が樹脂フィルム１０２ａ、１０２ｂである多層基板の断面図である。図７Ａにおいて、中央には、層間絶縁層１２０や第１の配線１０４ｂ、層間接続部１１２からなる多層基板１１８が形成されている。そして多層基板１１８の、絶縁層１０８に面した側の第２の配線１０６ｂ、１０６ｃは、必要に応じてＩＶＨ１１０を介して、フィルム１０２ａ、１０２ｂの絶縁層１０８に面した側に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｄに接続されている。このようにして、多層基板１１８の表面に形成された第２の配線１０６ｂ、１０６ｃと、フィルム１０２ａの上に形成された第２の配線１０６ａや、フィルム１０２ｂの上に形成された第２の配線１０６ｄが、ＩＶＨ１１０を介して電気的に接続する。【００８１】  図７Ａに示す多層基板の両表面は、フィルム１０２ａ、１０２ｂで覆われている。次に図７Ｂ〜図７Ｄを用いて、フィルム１０２ａ、１０２ｂの表面に配線等を形成する様子を説明する。【００８２】  図７Ｂは、図７Ａで示した多層基板の両表面に形成されたフィルム１０２ａ、１０２ｂに孔を形成した後の断面図である。図７Ｂにおいて表層のフィルム１０２ａ、１０２ｂにはブラインドビア１２８が形成されており、ブラインドビア１２８の中、もしくはブラインドビア１２８の底には、フィルム１０２ａ、１０２ｂの絶縁層１０８側に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｄが露出している。【００８３】  図７Ｃは、フィルム１０２ａ、１０２ｂの上にブラインドビア１２８を埋めるように、金属膜１３０を形成した様子を示す断面図である。図７Ｃにおいて、フィルム１０２ａ、１０２ｂの表面には金属膜１３０が形成されることで、同時にブラインドビア１２８も金属膜１３０で覆うことができる。なおこのような金属膜１３０の形成方法としては、めっき法や薄膜法等を用いることができる。また金属膜１３０の形成は、図７Ｃに示すように基板の両面でも良いが、必要に応じて片面だけに形成しても良い。また図７Ｃより、ブラインドビア１２８を覆うように形成された金属膜１３０は、フィルム１０２の絶縁層１０８側に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｄにも電気的に接続することとなる。【００８４】  図７Ｄは、金属膜１３０をエッチング等で、所定パターンに形成した後の断面図を示す。図７Ｄに示すように、金属膜１３０を所定形状にパターニングする際、ブラインドビア１２８を覆う部分の金属膜１３０もビアフィル、もしくはビア埋め材をそのまま残すことで、第１の配線１０４ａとなる。そして第１の配線１０４ａは、ブラインドビア１２８を介して、第２の配線１０６ａとも電気的に接続される。【００８５】  このように、表層から数えて１層目の配線（図７Ｄにおいて配線１０４ａに相当）及び表層から数えて２層目の配線（図７Ｄにおいて、配線１０６ａに相当する）の少なくとも一方は、めっき膜を介して、１層目絶縁層に固定することによって、フィルム１０２ａ、１０２ｂ表面への金属膜１３０や第１の配線１０４ａ、１０４ｂ、第２の配線１０６ａ、１０６ｄ等を、安価でかつ高度な薄膜化が可能になり、更には厚みバラツキの少ない配線とすることができる。【００８６】  このように図７Ｃ、図７Ｄに示すように、ブラインドビア１２８に金属膜１３０を形成することで、表層から数えて１層目の絶縁層の電気的接続、つまりフィルム１０２ａ、１０２ｂに形成されたブラインドビア１２８を介して第１の配線１０４ａ、１０４ｃと第２の配線１０６ａ、１０６ｄを電気的接続することが可能となるため、信頼性が高く、配線抵抗の低い層間接続が可能となる。【００８７】  （実施の形態８）
実施の形態８では、めっき法の代わりに薄膜法、あるいは薄膜法とめっき法の組合せを用いた、多層基板の製造方法について説明する。実施の形態８と実施の形態７の違いは、薄膜法（実施の形態８）とめっき法（実施の形態７）の違いだけであり、共通点が多いので図７を用いて説明する。【００８８】  まず図７Ｂに示すブラインドビア１２８の形成としては、ＹＡＧ、ＣＯ２等のレーザ装置を使うことができる。ブラインドビア１２８等の表面への金属膜１３０の形成方法としては、最初にＮｉＣｒ等の下地層（シード層と呼ばれることもある）を１０〜５０Å程度形成し、この上に銅を電気めっきしても良い。あるいはシード層無しにフィルム１０２ａ、１０２ｂ上に銅を無電解めっきしても良い。あるいはフィルム１０２上に薄膜法（電子ビーム、スパッタ他）を用いて、直接銅を析出（デポジション）しても良い。なおこれらの場合、その厚みが１０Å以上、あるいは、より望ましくは電気めっきに使える程度の導電性が得られる程度あれば、その導電性を利用してその上に銅を電気めっきし、配線として必要な厚み（例えば５〜３０μｍ、あるいは薄層化が必要な場合は３〜１５μｍ程度が望ましい）を形成できる。このようにシード層あるいは金属下地層を使うか、あるいは金属膜の形成方法を工夫することで、フィルム１０２ａ、１０２ｂに対する部材の密着力を高められる。【００８９】  このように表層から数えて１層目の配線及び表層から数えて２層目に設けられた配線の少なくとも一方は、スパッタ膜を介して、表層から数えて１層目の絶縁層に固定することで、フィルム１０２ａ、１０２ｂ表面への金属膜１３０や第１の配線１０４ａ、１０４ｃ、第２の配線１０６ａ、１０６ｄ等の密着性を高められる。【００９０】  （実施の形態９）
次に、実施の形態９の多層基板の製造方法について説明する。実施の形態９では、図８Ａ〜８Ｄを用いて説明する。図８Ａ〜８Ｄは実施の形態９を説明する断面図であり、実施の形態９の特徴は下地電極層１３２にある。実施の形態８（図７Ａ〜７Ｄに示す）と実施の形態９（図８Ａ〜８Ｄに示す）の違いは、フィルム表面における下地電極層１３２の有無である。【００９１】  まず図８Ａに示すように、フィルム１０２ａ、１０２ｂの少なくとも露出面に下地電極層１３２を形成し、この下地電極層１３２に銅を用いる場合、下地層（あるいはアンカー層）として薄膜法やめっき法で形成する。このように下地電極層１３２を用いることで、配線１０４ａ、１０４ｃ等のフィルム１０２ａ、１０２ｂへの密着力を更に高められる。また必要に応じてＮｉＣｒやＣｒ等の薄膜を下地電極層１３２の更に下地層として使うこともできる。すなわち、下地電極層を単層としても良いし、複数層としても良い。この場合はＮｉＣｒやＣｒ等の薄膜を１０〜５０Å程度形成し、この上に銅を配線材として電気めっきで形成できる。なおＮｉＣｒやＣｒ等の厚みが１０Å以上１μｍ程度あれば、その導電性を利用してその上に銅を所定厚み、例えば５〜３０μｍ程度、あるいは薄層化が必要な場合３〜１５μｍ程度形成できる。このように下地電極層１３２を使うことで、配線１０４ａ、１０４ｃ等のフィルム１０２ａ、１０２ｂへの密着力を高められる。【００９２】  なお、図８Ｂに示すように、下地電極層１３２と共に、フィルム１０２ａ、１０２ｂにレーザ等を用いてブラインドビア１２８を形成することができる。そしてその後は、図７Ａ〜７Ｄと同様にして所定の厚みで第１の配線１０４ａ、１０４ｃや層間接続部１１２を形成できる。【００９３】  そして図８Ｃ，図８Ｄに示すように、図７Ｃ、図７Ｄと同様にブラインドビア１２８に金属膜１３０を形成することで、表層から数えて１層目の絶縁層の電気的接続、つまりフィルム１０２ａ、１０２ｂに形成されたブラインドビア１２８を介して第１の配線１０４ａ、１０４ｃと第２の配線１０６ａ、１０６ｄを電気的接続することが可能となるため、信頼性が高く、配線抵抗の低い層間接続が可能となる。【００９４】  （実施の形態１０）
実施の形態１０では、絶縁層に無機フィラーが添加されてなる樹脂フィルムを用いた多層基板の製造方法について説明する。実施の形態２（ガラスエポキシ系プリプレグを使用する）や実施の形態６（アラミド入りプリプレグを使用する）と、実施の形態１０（無機フィラー入り）との違いは、プレプリグの内容物すなわち添加物にある。なお実施の形態１０は、実施の形態２や実施の形態９と共通する部分が多いため、図２や図８を参照して説明する。【００９５】  なお、プリプレグに添加する無機フィラーとしては、アルミナやシリカ等のセラミック系の絶縁粉が望ましい。このように、プリプレグに予め無機フィラーを添加しておくことで、熱プレス時にプリプレグが流動しすぎることを防止できる。プリプレグが流動しすぎると、貫通孔１２４に充填された導電性ペースト１２６が流れてしまったり、ずれたりする可能性があるため、これを防止することが望ましい。このように、熱プレス時のプリプレグの軟化、流動化を一定量で抑えるには、こうした無機フィラーを１０〜８５ｗｔ％、より望ましくは２０〜８０ｗｔ％、更に高精度が要求される場合には４０〜６０ｗｔ％、添加することが望ましい。ここで無機フィラーの添加量が少なすぎる場合、第２の配線１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ、１０６ｄの埋没は容易であるが、ペースト接続層１１６へ悪影響する可能性もある。また無機フィラーの添加量が多すぎる場合、熱プレス時にペースト接続層１１６が流れなくなったり、あるいはずれたり、望ましい方向に流動しにくくなるが、第２の配線の埋没性に悪影響を与える可能性、例えば、第２の配線の凹凸が吸収できない可能性がある。【００９６】  更にまた、無機フィラーを添加しておくことで、熱プレス時に導電性ペースト１２６が軟化して異常流動したり、変形したりすることを防止できる。そしてＩＶＨ１１０における接続不良の発生の可能性を抑えられる。【００９７】  添加する無機フィラーの平均粒径は０．５μｍ以上５μｍ以下が望ましい。０．５μｍ未満の場合、ＢＥＴ（比表面積）が大きくなりすぎて、取り扱いにくい場合がある。また５μｍを超える場合、多層基板の薄層化に影響を与える場合がある。【００９８】  （実施の形態１１）
実施の形態１１では、ペースト接続層に熱硬化性樹脂を用いる多層基板の製造方法について説明する。実施の形態１１で説明するように、ペースト接続層を構成する絶縁部材はプリプレグに限定する必要はない。熱硬化性の樹脂フィルムでも良いが、ＬＣＰ（液晶ポリマー樹脂）等の高機能性を有した熱可塑性樹脂も使うことができる。このような高精度で高強度な熱可塑性樹脂を用いることで、高精度な多層基板を製造できる。
【産業上の利用可能性】
【００９９】  以上のように、本発明の多層基板及びその製造方法は、フィルムや多層基板を組合せることによって、従来に無い極薄の多層基板を作製できるため、各種電子機器、携帯機器の小型化、薄型化の用途にも適用できる。従って、その産業上の利用可能性は極めて高い。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
2007046459.tif 000023
【図７Ｃ】
2007046459.tif 000024
【図７Ｄ】
2007046459.tif 000025
【図８Ａ】
2007046459.tif 000026
【図８Ｂ】
2007046459.tif 000027
【図８Ｃ】
2007046459.tif 000028
【図８Ｄ】
2007046459.tif 000029
【図９】
2007046459.tif 000030
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月19日(2007.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３層の絶縁層を有し、表層から数えて２層目に形成された２層目絶縁層には、それを貫通する電気的接続が導電性ペーストであるペースト接続層を有し、
表層から数えて２層目に形成された２層目配線と、表層から数えて３層目に形成された３層目配線とが、前記ペースト接続層に埋設されていることを特徴とする多層プリント配線基板。
【請求項２】
４層以上の絶縁層を有し、少なくとも一方の表層から数えて２層目に形成された２層目絶縁層を貫通する電気的接続が導電性ペーストであるペースト接続層を有し、
少なくとも一方の表層から数えて２層目に形成された２層目配線と、表層から数えて３層目に形成された３層目配線とが、前記導電性ペースト接続層に埋設されていることを特徴とする多層プリント配線基板。
【請求項３】
前記ペースト接続層は、プリプレグと、前記プリプレグに形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項１に記載の多層プリント配線基板。
【請求項４】
前記ペースト接続層は、熱硬化性樹脂と、前記熱硬化性樹脂に形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項１に記載の多層プリント配線基板。
【請求項５】
前記ペースト接続層は、熱可塑性樹脂と、前記熱可塑性樹脂に形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項１に記載の多層プリント配線基板。
【請求項６】
前記３層の絶縁層のうちの少なくとも１つの最外層の絶縁層は樹脂フィルムからなり、
前記樹脂フィルムからなる最外層の絶縁層に接着剤を介することなく前記配線が形成されている、請求項１に記載の多層プリント配線基板。
【請求項７】
前記プリプレグはガラスエポキシもしくはアラミドエポキシである、請求項３に記載の多層プリント配線基板。
【請求項８】
前記樹脂中には、無機フィラーが１０ｗｔ％以上８５ｗｔ％以下の割合で充填されている請求項４に記載の多層プリント配線基板。
【請求項９】
前記樹脂中には、無機フィラーが１０ｗｔ％以上８５ｗｔ％以下の割合で充填されている請求項５に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１０】
最外層から数えて１層目の前記配線と、最外層から数えて２層目の前記配線との少なくとも一方は、スパッタ層を介して前記最外層の絶縁層に固定されている、請求項１に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１１】
最外層から数えて１層目の前記配線と、最外層から数えて２層目の前記配線との少なくとも一方は、めっき膜を介して前記最外層の絶縁層に固定されている、請求項１に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１２】
表層から数えて１層目に形成された１層目絶縁層を貫通する電気的接続が、めっきで行われている請求項１もしくは２のいずれか一つに記載のプリント配線基板。
【請求項１３】
前記３層の絶縁層のうちの最外層の絶縁層を貫通する電気的接続がめっきで形成されている、請求項１に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１４】
前記ペースト接続層は、プリプレグと、前記プリプレグに形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項２に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１５】
前記ペースト接続層は、熱硬化性樹脂と、前記熱硬化性樹脂に形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項２に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１６】
前記ペースト接続層は、熱可塑性樹脂と、前記熱可塑性樹脂に形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる、請求項２に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１７】
前記４層以上の絶縁層のうちの少なくとも１つの最外層の絶縁層は樹脂フィルムからなり、
前記樹脂フィルムからなる最外層の絶縁層に接着剤を介することなく前記配線が形成されている、請求項２に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１８】
最外層から数えて１層目の前記配線と、最外層から数えて２層目の前記配線との少なくとも一方は、スパッタ層を介して前記最外層の絶縁層に固定されている、請求項２に記載の多層プリント配線基板。
【請求項１９】
最外層から数えて１層目の前記配線と、最外層から数えて２層目の前記配線との少なくとも一方は、めっき膜を介して前記最外層の絶縁層に固定されている、請求項２に記載の多層プリント配線基板。
【請求項２０】
前記４層以上の絶縁層のうちの最外層の絶縁層を貫通する電気的接続がめっきで形成されている、請求項２に記載の多層プリント配線基板。
【請求項２１】
絶縁基材に貫通孔を加工する孔加工ステップと、
前記貫通孔に導電性ペーストを充填してペースト接続層を形成するペースト接続層形成ステップと、
両面基板を作製する両面基板作製ステップと、
前記ペースト接続層に前記両面基板を積層し、積層体を作製する積層ステップと、
前記積層体を熱プレス加工する熱プレスステップとを備えた、多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２２】
絶縁基材に貫通孔を加工する孔加工ステップと、
前記貫通孔に導電性ペーストを充填してペースト接続層を形成するペースト接続層形成ステップと、
２層以上の層数を有する多層基板を作製する多層基板作製ステップと、
前記ペースト接続層の表裏面に前記両面基板を積層し、積層体を作製する積層ステップと、
前記積層体を熱プレス加工する熱プレスステップとを備えた、多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２３】
前記両面基板の、表裏面に形成された配線が電気的に接続されていることを特徴とする、請求項２１に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２４】
前記両面基板の表裏面に形成された配線の電気的接続がめっきによることを特徴とする、請求項２１に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２５】
前記両面基板の表裏の電気的接続が導電性ペーストによることを特徴とする、請求項２１に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２６】
前記両面基板の表裏面の配線を電気的に接続する為の層間接続を形成する層間接続形成ステップを、熱プレスステップ以降にも実行する請求項２１に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２７】
前記層間接続形成ステップは、少なくともブラインドビアを形成するビア加工ステップと、ブラインドビアにめっきを施すめっきステップとからなる、請求項２６に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２８】
前記両面基板の、表裏面に形成された配線が電気的に接続されていることを特徴とする、請求項２２に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項２９】
前記両面基板の表裏面に形成された配線の電気的接続がめっきによることを特徴とする、請求項２２に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項３０】
前記両面基板の表裏の電気的接続が導電性ペーストによることを特徴とする、請求項２２に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項３１】
前記両面基板の表裏面の配線を電気的に接続する為の層間接続を形成する層間接続形成ステップを、熱プレスステップ以降にも実行する請求項２２に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項３２】
前記層間接続形成ステップは、少なくともブラインドビアを形成するビア加工ステップと、ブラインドビアにめっきを施すめっきステップとからなる、請求項３１に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話や超小型携帯端末等に使われる多層プリント配線基板や、半導体チップをベアチップ実装する際に用いられるインターポーザ等に用いられる多層プリント配線基板、及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の多層プリント配線基板（以下、単に多層基板と呼ぶ）としては、任意の位置にＩＶＨ（インナービアホール：Ｉｎｎｅｒ  Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ：埋め込み穴）を形成したものが知られている。このような、従来の多層基板の一例が、例えば特開２００２−３５３６１９号公報に開示されている。
【０００３】
そして市場からは多層基板の更なる薄層化が望まれていた。以下、多層基板を薄層化するための手段としてフィルムを使った多層基板について説明する。
【０００４】
図９は従来の多層基板の一例を示す断面図であり、接着剤を用いてフィルムを積層する多層配線基板の一例である。図９において、フィルム１０上には配線１２よりなる所定パターンが形成されている。そして複数のフィルム１０は、接着剤１４によって配線１２と共に接着されている。また必要部分にＩＶＨ８を形成することで、異なる層に形成された配線１２同士を接続している。
【０００５】
しかしながら、前記従来の構成では、フィルム１０同士を接続するために接着剤１４を用いているため、薄層化に限度があった。
【０００６】
例えば図９で示した構成の場合、配線１２が片面に形成されたフィルム１０を用いて積層するため、４層の多層基板を作製する場合、接着剤１４が３層、フィルム１０が４層の合計７層分の厚みが必要となり、薄層化が難しかった。
【０００７】
一方、図９で示した構成の応用として、配線１２を両面に形成したフィルム１０を２枚用意し、接着剤１４で貼り付けて４層の配線パターン層を有する多層基板とすることも考えられた。この場合、両面に配線１２が形成されたフィルム１０同士を、接着剤１４によって貼り付けることになる。しかしこの張り合わせの際に、接着剤１４が軟化、流動するため、向き合った配線１２同士を短絡させる可能性がある。
【０００８】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、フィルムの積層に接着剤の代わりにプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ：シート材）を用いた多層基板を提供する。
【発明の開示】
【０００９】
前記従来の課題を解決するために、本発明は表裏面に配線パターンが形成された樹脂フィルムを使った両面プリント配線基板同士を、途中にプリプレグを挟んでプレス、一体化する。
【００１０】
本発明の場合、例えばプリプレグとして織布が樹脂で含浸されたものを用いて、配線が両面に形成されたフィルム同士を張り合わせるため、高圧でプレスした場合でもプリプレグに含まれる織布によって配線同士の短絡が防止できる。また、予めプリプレグに貫通孔を形成し導電性ペーストを充填しておくことで、両面プリント配線基板同士の接着と同時にＩＶＨの形成も可能となる。
【００１１】
このように、本発明の多層プリント配線基板及びその製造方法においては、接着剤の代わりにプリプレグを用いて積層することで、ＩＶＨを有する多層プリント配線基板を極薄で作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における多層基板について、図面を参照しながら説明する。
【００１３】
図１は本発明の実施の形態１における多層基板の断面図である。
【００１４】
図１に示すとおり、この多層基板は、フィルム１０２ａ，１０２ｂ、第１の配線１０４ａ，１０４ｂ、第２の配線１０６ａ，１０６ｂ、絶縁層１０８、ＩＶＨ１１０、層間接続部１１２、両面基板１１４ａ，１１４ｂ、ペースト接続層１１６を、主要な構成要素として有している。
【００１５】
ここでフィルム１０２ａの片面には第１の配線１０４ａが、もう片面には第２の配線１０６ａが形成され、両面基板１１４ａを構成している。同様に両面基板１１４ｂは、フィルム１０２ｂの各面に第１の配線１０４ｂと第２の配線１０６ｂが形成され、互いの配線が層間接続部１１２で接続されている。またペースト接続層１１６は、絶縁層１０８とＩＶＨ１１０から構成されている。そして両面基板１１４ａと両面基板１１４ｂはペースト接続層１１６で一体化される。そして同時に、両面基板１１４ａの第２の配線１０６ａと、両面基板１１４ｂの第２の配線１０６ｂは、ＩＶＨ１１０によって電気的に接続される。またこれら配線部の厚みに関しても、両面基板１１４ａに形成された第２の配線１０６ａや、両面基板１１４ｂに形成された第２の配線１０６ｂがペースト接続層１１６に埋没されることによって、その配線厚みがペースト接続層１１６によって吸収できる。
【００１６】
なお、図１を用いて配線や絶縁層の数え方について説明する。図１の上を表として、上から下に数えた場合、表層から数えて１層目の１層目絶縁層（これは表層に相当する）がフィルム１０２ａに、表層から数えて２層目の２層目絶縁層が絶縁層１０８に、表層から３層目の３層目絶縁層がフィルム１０２ｂに、それぞれ相当する。同様に、表層から数えて１層目の１層目配線（もしくは表層の配線）が第１の配線１０４ａ、表層から数えて２層目の２層目配線が第２の配線１０６ａ、表層から数えて３層目の３層目配線が第２の配線１０６ｂ、表層から数えて４層目の４層目配線が第１の配線１０４ｂに相当する。なお図１は、４層構造（配線が４層あることを意味する）で、上下対象であるため、上から下に数えても、下を表として下から上に数えても実質的な違いは無いが、本発明の実施形態においては原則的に上を表として上から下に数えるものとする。
【００１７】
図１において、表層から数えて２層目に形成された２層目絶縁層である絶縁層１０８を貫通する電気的接続が、ＩＶＨ１１０に相当する。そして、表層から数えて２層目に形成された２層目配線である第２の配線１０６ａと、表層から数えて３層目に形成された３層目配線である第２の配線１０６ｂとが、前記絶縁層１０８に埋設されることになる。
【００１８】
なお実施の形態１においてＩＶＨ１１０は、絶縁層１０８に形成された貫通孔（後の図２Ａにおいて、貫通孔１２４を説明する）の中に導電性ペースト（後の図２Ｂにおいて、導電性ペースト１２６を説明する）が充填されたものである。そしてこのＩＶＨ１１０が両面基板１１４ａと１１４ｂの間に形成され、第２の配線１０６ａと１０６ｂを接続する。実施の形態１において、ペースト接続層１１６の任意の位置にＩＶＨ１１０を形成できる。このように図１では、フィルム１０２を用いた複数枚の両面基板１１４ａ、１１４ｂの厚みを吸収すると同時に、層間の接続をＩＶＨ１１０によって行う。
【００１９】
なお実施の形態１において、ペースト接続層１１６を構成する部材として、例えばプリプレグを選ぶことができる。このプリプレグは、半硬化の樹脂からなるものである。また、ＩＶＨ１１０を構成する部材として、硬化型導電性ペーストを用いることができる。このように本発明において、プリプレグ及び硬化型導電性ペーストを使うことで、接着剤を使うことなく、多層基板を形成することができるため、多層基板の総厚を大幅に薄層化できる。また、互いに向き合った配線同士を接続する場合にも、プリプレグに含まれる織布によって配線同士の接触による短絡を防止できる。
【００２０】
なお、多層基板の寸法は３００ｍｍ×５００ｍｍ±２００ｍｍ程度が望ましい。１００ｍｍ×３００ｍｍより寸法が小さい場合、製品の取れ数が少なくなるためコストアップする可能性がある。また５００ｍｍ×７００ｍｍより基板寸法が大きくなると、工程内での取り扱い性、寸法変化等への影響が現れる場合がある。
【００２１】
以上のように、表層から数えて２層目に形成された２層目絶縁層（図１の絶縁層１０８に相当）を貫通する電気的接続が導電性ペースト（図１のＩＶＨ１１０に相当）とする。
【００２２】
そして表層から数えて２層目に形成された２層目配線（図１において第２の配線１０６ａに相当する）と、表層から数えて３層目に形成された３層目配線（図１において第２の配線１０６ｂに相当する）が、前記ペースト接続層１１６によって埋設されると共に、電気的に接続する。
【００２３】
このようにして、実施の形態１では接着剤を使うことなく４層基板（配線が４層のことを意味する）を構成することができ、４層基板の薄層が可能となる。
【００２４】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２における多層基板の製造方法について説明する。実施の形態２は４層基板の製造方法の一例であり、例えば実施の形態１で説明した４層基板の製造方法の一例に相当する。図２Ａ〜図２Ｅは、実施の形態２における４層基板の製造方法を説明する断面図である。
【００２５】
まず、図２Ａに示すように、プリプレグ１２２に貫通孔１２４を形成する。この時、予めプリプレグ１２２の表面にが貼り付けられた状態のまま、貫通孔１２４を形成することが望ましい。貫通孔１２４の形成には金型、ドリル、レーザ等を用いることができる。またプリプレグの材料には市販品の例えば、後述するガラスエポキシ、あるいはアラミドエポキシ等を使うことができる。
【００２６】
次に、図２Ｂに示すように、貫通孔１２４の内部に導電性ペースト１２６を充填する。例えば、プリプレグ１２２とその上に形成された保護フィルム（図示していない）をマスクとして、スキージ等で導電性ペースト１２６を擦り付けるか、もしくは充填することで、セルフアライメント的（自己整合的）に、プリプレグ１２２に形成された貫通孔１２４だけに導電性ペースト１２６を充填することができる。そして導電性ペースト１２６を充填した後、前記保護フィルムを剥がすことで、図２Ｂの状態を得る。
【００２７】
図２Ｃは、両面基板１１４ａの断面図である。図２Ｃにおいて、両面基板１１４ａは、フィルム１０２ａの片面に第１の配線１０４ａが、他面に第２の配線１０６ａが形成されている。そして前記フィルム１０２ａを貫通するように形成された層間接続部１１２が、第１の配線１０４ａと第２の配線１０６ａを層間接続する。
【００２８】
ここで、フィルム１０２ａの材質として、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム等の高耐熱性樹脂フィルムを使うことが望ましく、特にアラミドフィルムが好ましい。高耐熱性の樹脂フィルムを用いることで、半田付け工程等での熱影響を抑えられる。また、フィルム１０２ａの厚みとしては１００μｍ以下、特に３μｍ以上５０μｍ以下（望ましくは３０μｍ以下、更に可能なれば２５μｍ以下）を選ぶことが望ましい。このように極薄の耐熱性フィルムを用いることで、出来上がった多層基板の総厚を薄くできる。なお、こうした耐熱性フィルムの両面に、接着剤を使うことなく導電体層を形成した基板材料を選ぶことができる。こうした接着剤を用いることなく耐熱性フィルムと導電体層を形成した銅張りフィルムを用いることで、多層基板の耐熱性や信頼性を高められる。
【００２９】
図２Ｄは、図２Ｂの導電性ペースト１２６が充填されたプリプレグ１２２と、図２Ｃの両面基板１１４ａを互いに位置合わせする状態を示す。図２Ｄに示すように、導電性ペースト１２６が所定位置に充填されたプリプレグ１２２の両側に、両面基板１１４ａ、１１４ｂをセットする。そして、プリプレグ１２２側の第２の配線１０６ａ、１０６ｂと、導電性ペースト１２６を位置合わせする。そして、位置合わせした状態で、真空プレスで加熱圧着させる（真空プレスは図示していない）。そして真空プレスが終了した後、プレスしたサンプルを取り出す。図２Ｅは真空プレス終了後のサンプルの断面図に相当する。
【００３０】
なお、真空プレスによって加圧圧着させるのと同時に、所定の温度プロファイルでサンプルを加熱硬化させる。そうすると、プリプレグ１２２が一旦軟化したあと硬化し、絶縁層１０８へと変化する。プリプレグ１２２が軟化した際に、両面基板１１４ａ、１１４ｂに形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｂを埋没させ、その配線厚みを吸収する。そして、配線厚みを吸収した状態でプリプレグ１２２が硬化し、絶縁層１０８となり、両面基板１１４ａ、１１４ｂを強固に固定する。また、このときプリプレグ１２２に埋め込まれた導電性ペースト１２６も同時に硬化し、ＩＶＨ１１０へと変化する。こうしてＩＶＨ１１０を有する４層基板を構成する。そして第２の配線１０６ａ、１０６ｂの厚みは低減し、配線による凹凸は平坦化する。
【００３１】
次に、プリプレグについて説明する。ここでプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ：事前含浸処理シート材）とは、活性樹脂を含浸させた繊維素材あるいは織布である。これはまだ完全には硬化していない状態であるため、エネルギーを加えて同時に成形できる。このようにプリプレグを使うことで、成形時での配線同士の接触による短絡を防止でき、更にプレス成型時の変形や寸法バラツキを抑えられると共に、出来上がった多層基板の強度アップも可能となる。なお含浸させる樹脂としては、熱硬化性樹脂を使うことが望ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂やイミド樹脂を使うことができる。また繊維素材あるいは織布としては、ガラス繊維以外に、芳香族系を含むポリアミド、アラミド等の部材を用いることができる。
【００３２】
なおプリプレグの硬化温度は、８５℃から２２０℃の範囲が望ましい。温度が２３０℃以上の場合、樹脂硬化にバラツキが発生し、寸法の精度に影響を与える場合がある。また温度が８５℃より低い場合、樹脂硬化の時間が増加し、硬化状態に影響を与える場合がある。また、フィルム１０２の厚みが５０μｍ以下と薄い場合、１８０℃以上２２０℃以下の温度範囲で、プリプレグ１２２の硬化を行うことが望ましい。こうすることで、両面基板１１４ａ、１１４ｂの表面に形成された配線のうち、プリプレグ１２２の側に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｄをプリプレグ１２２の中に埋没できる。
【００３３】
また、圧力範囲は２ＭＰａ（メガパスカル、圧力の単位）以上６ＭＰａ以下が望ましい。２ＭＰａ未満の場合、図６Ｆに示す多層基板の密着性にばらつきが発生する可能性がある。また、圧力の印加時間は１分以上３時間未満が望ましい。圧力の印加時間が１分未満の場合、プレスによるバラツキが発生する場合がある。また、プレス時間が３時間を越えると、生産性に影響を与えてしまう。このため、圧力２ＭＰ以上６ＭＰａ以下、特に、４ＭＰａ以上６Ｍｐａ以下が望ましい。一般的な多層基板の場合、２〜３ＭＰａで積層されることが多いが、本実施の形態の場合、フィルム１０２が薄く、厚みバラツキの影響を受け易いうえに、導電性ペースト１２６を用いる等のために、積層圧力は５Ｍｐａ程度、例えば４ＭＰａ以上６ＭＰａ以下と、高めにすることが望ましい。
【００３４】
更に詳しく説明する。まず布状のプリプレグとしてはガラスエポキシ系の市販品、具体的には、織布としてガラス繊維を用い、これをエポキシ系の樹脂を含浸したものを選んだ。そして図２Ａに示すように、プリプレグ上に保護フィルム（図示していない）を形成し、そのままの状態で所定位置に貫通孔１２４を形成した。次に、前記保護フィルムの上に導電性ペースト１２６を所定量添加し、スキージ（ゴムベラ）で前記導電性ペースト１２６を刷り込むようにして、プリプレグ１２２に形成された貫通孔１２４に充填した。その後、保護フィルムを剥離することで、図２Ｂの状態とした。
【００３５】
次に、両面銅張りフィルムを用意した。具体的にはポリイミドフィルム（厚み１０μｍ）の両面に接着剤を使うことなく導電体層を形成したものを用いた。次に、前記両面銅張りフィルムの導電体層を所定パターンに加工し、図２Ｃの両面基板１１４ａとした。
【００３６】
次に、図２Ｄに示すように、導電性ペースト１２６の充填されたプリプレグ１２２の両面に、両面基板１１４ａ、１１４ｂを所定治具（図示していない）によって位置合わせした。その後、真空プレスで所定時間、所定温度でプレスして一体化した。この際、必要に応じて加熱、加圧することが望ましい。この一体化と同時に、導電性ペースト１２６によって両面基板１１４ａ、１１４ｂのプリプレグ１２２側に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｂを電気的に接続する。
【００３７】
こうして図２Ｅに示すような、極薄の多層基板を作製した。ここで、プリプレグ１２２の厚みをさらに薄く、例えば４０μｍから２０μｍ、あるいはさらに１０μｍへと薄くすることで、総厚が１００μｍ以下、あるいは６０μｍ以下、更には３０μｍ以下といった極薄の多層基板が製造できる。
【００３８】
以上のようにして、４層プリント配線基板の表層から数えて２層目の絶縁層を貫通する部分の電気的接続が導電性ペースト１２６であるペースト接続層１１６を有し、表層から数えて２層目に設けられた２層目配線と、表層から数えて３層目に設けられた３層目配線とが、前記ペースト接続層に埋設されていることを特徴とする４層プリント配線基板を作製できる。
【００３９】
なお、４層プリント配線基板の表層から数えて２層目絶縁層は、図１における絶縁層１０８に相当する。４層プリント配線基板の表層から数えて１層目の１層目絶縁層は、図１においてフィルム１０２ａに相当する。表層から２層目に設けられた配線は、図１において、両面基板１１４ａの下に形成された第２の配線１０６ａに相当する。
【００４０】
また、表層から３層目に設けられた配線は、図１において、両面基板１１４ｂの上に形成されペースト接続層１１６（もしくは絶縁層１０８）側に埋没された第２の配線１０６ｂに相当する。
【００４１】
以上のように、実施の形態２において、表層から数えて２層目の配線と、表層から数えて３層目の配線（図１における第２の配線１０６ａ，１０６ｂに相当）を、両方とも同様にペースト接続層１１６に埋没することができるため、基板厚みを薄くした場合でもその配線厚みを吸収できるため、チップ部品や半導体チップ等の実装、表面平滑性が要求されるバンプ等を用いたベアチップ実装、更にはＣＰＵ実装用のインターポーザも含めて、実装性能を高められる。
【００４２】
このように、ペースト接続層１１６は、プリプレグ１２２と前記プリプレグ１２２に形成された貫通孔１２４に充填された導電性ペースト１２６とすることで、ＩＶＨ１１０の形成位置を自由に設計できるため、回路基板の小型化、高性能化が可能となる。
【００４３】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３における多層基板について、図面を参照しながら説明する。実施の形態１と実施の形態３の違いは、多層化に用いているフィルムの枚数（実施の形態１では２枚、実施の形態３では３枚）である。
【００４４】
図３は実施の形態３における多層基板の断面図である。図３では、フィルムを用いた両面基板１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃを、２枚のペースト接続層１１６ａ、１１６ｂを用いて互いに貼り合わせたものを示している。そして両面基板１１４ａの下面に形成された第２の配線１０６ａと、両面基板１１４ｂの上面に形成された第２の配線１０６ｂとを、ＩＶＨ１１０によって電気的に接続する。同様に両面基板１１４ｃの上面に形成された第２の配線１０６ｄと、両面基板１１４ｂの下面に形成された第２の配線１０６ｃとをＩＶＨ１１０によって電気的に接続する。
【００４５】
このように３枚の両面基板１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ（配線の層数を計算すると、配線２層×３枚＝６層）をペースト接続層１１６ａ、１１６ｂを用いて一体化することで、配線合計６層のうち４層分の配線厚みを、前記ペースト接続層１１６ａ、１１６ｂに埋め込み吸収することができ、更なる薄層化が可能となる。
【００４６】
なおペースト接続層１１６ａ、１１６ｂは、絶縁層１０８とＩＶＨ１１０から構成されている。ここでＩＶＨ１１０とはインナービアホール（層間接続のためのビア穴）の意味であり、本実施の形態の場合、任意の位置にＩＶＨ１１０を形成することができる。また、ペースト接続層１１６を構成する絶縁部材としてプリプレグ１２２を使うことができる。また、ＩＶＨ１１０を構成する導電部材として、硬化型導電性ペースト１２６を用いることが望ましい。このように本発明において、プリプレグ及び硬化型導電性ペーストを使うことで、接着剤を使うことなく、多層基板を構成できるため、多層基板を大幅に薄層化できる。
【００４７】
以上のように、絶縁層が５層以上のプリント配線基板の、少なくとも表層から２層目の絶縁層（図３における上側の絶縁層１０８）を貫通する電気的接続が導電性ペースト１２６であるペースト接続層１１６を有し、少なくとも表層から２層目の配線（図３において第２の配線１０６ａ）と表層から３層目の配線（図３において第２の配線１０６ｂ）が、前記導電性ペースト接続層１１６に埋設することで、絶縁層が５層以上の多層プリント配線基板を薄層に形成できる。
【００４８】
なおここで、表層から２層目の絶縁層の電気的接続が導電性ペーストであるペースト接続層とは、図３のペースト接続層１１６ａ、１１６ｂのことである。また、表層から数えて１層目の絶縁層とは、図３におけるフィルム１０２ａに相当する。表層から数えて２層目に設けられた２層目配線とは、図３において、上、下から数えた場合それぞれ両面基板１１４ａ、１１４ｃに形成されペースト接続層１１６ａ、１１６ｂに埋没された第２の配線１０６ａ、１０６ｄに相当する。また、表層から数えて３層目に設けられた３層目配線とは、図３において上から下に数えた場合（配線の場合、配線だけを数える）、両面基板１１４ｂの上に形成されてペースト接続層１１６ａに埋没された第２の配線１０６ｂに相当する。また下から上に数えた場合、両面基板１１４ｂの表面に形成された第２の配線１０６ｃに相当する。
【００４９】
（実施の形態４）
以下、本発明の実施の形態４における多層基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図４Ａ〜４Ｅは実施の形態４における多層基板の製造方法を説明する断面図である。実施の形態４は、複数枚のフィルムを用いて多層化する製造方法の一例であり、例えば実施の形態３での多層基板の製造方法の一例を示すものである。
【００５０】
まず図４Ａに示すように、プリプレグ１２２に貫通孔１２４を形成する。この時プリプレグ１２２の表面に保護フィルムが貼り付けられた状態のまま、貫通孔１２４を形成することができる。また、これら貫通孔１２４の形成は金型、ドリル、レーザ等を用いることができる。また、プリプレグとして、例えば布状の市販品を使うことができる。次に図４Ｂに示すように、貫通孔１２４の内部に導電性ペースト１２６を充填する。この充填はスクリーン印刷を用いることができる。例えば、プリプレグ１２２とその上に形成された保護フィルム（図示していない）の両方を貫通するようにして貫通孔１２４を形成した後、前記保護フィルムをマスクとして、スキージ等で導電性ペーストを擦り付けることで、セルフアライメント的（自己整合的）に、プリプレグ１２２に形成された貫通孔１２４だけに導電性ペースト１２６を充填することができる。そして前記保護フィルムを剥がすことで、図４Ｂの状態を得ることができる。
【００５１】
図４Ｃは、両面基板１１４ａの断面図である。図４Ｃにおいて、フィルム１０２ａの表面には第１の配線１０４ａと、第２の配線１０６ａが形成され、層間接続部１１２を介して電気的に接続されている。フィルム１０２ａとしては、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム等の高強度で低熱膨張係数のフィルム部材を使うことが望ましく、特にアラミドフィルムが好ましい。熱膨張係数の小さい（特にシリコンに近い熱膨張係数の）樹脂フィルム１０２ａを用いることで、半導体チップのベアチップ実装やＣＰＵ周りのインターポーザ用途にも対応できる。フィルム１０２の厚みとしては１００μｍ以下、特に３μｍ以上５０μｍ以下、望ましくは３０μｍ以下、更に可能なれば２５μｍ以下を選ぶことが望ましい。このように極薄の耐熱性フィルムを用いることで、出来上がった多層基板の総厚を薄くできる。なおこうした耐熱性フィルムの両面に、接着剤を使うことなく導電体層を形成した基板材料を選ぶことができる。こうした接着剤を用いることなく、耐熱性フィルムと銅箔を張り付けた銅張りフィルムを用いることで、多層基板の耐熱性を高められるため、鉛フリー半田を用いた実装に対応しやすい。
【００５２】
図４Ｄは、図４Ｂの導電性ペースト１２６が充填されたプリプレグ１２２ａ、１２２ｂと、複数枚の両面基板１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃを互いに位置合わせする様子を示す断面図である。
【００５３】
図４Ｅは、図４Ｂの導電性ペースト１２６が充填されたプリプレグ１２２ａ、１２２ｂと、両面基板１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃを互いに一体化した後の様子を示す断面図である。具体的には、図４Ｄで示した状態のサンプルを、熱盤プレス等を使って互いに密着させると共に、所定の温度プロファイルで加熱することで、プリプレグ１２２ａ、１２２ｂが一旦軟化したあと硬化することとなり、絶縁層１０８に変化する。このときプリプレグ１２２ａ、１２２ｂに埋め込まれた導電性ペースト１２６も同時に加熱、硬化されＩＶＨ１１０となる。
【００５４】
更に詳しく説明する。まずプリプレグ１２２としてはアラミドエポキシ系の市販品を使った。そして図４Ａに示すように、プリプレグ１２２上の保護フィルムとともに、所定位置に貫通孔１２４を形成した。次に、前記保護フィルムの上に導電性ペースト１２６を所定量添加し、スキージ（ゴムベラ）で前記導電性ペースト１２６を、プリプレグ１２２に形成された貫通孔１２４に充填する。そして保護フィルムを剥離することで、図４Ｂの状態とした。
【００５５】
次に、両面銅張りフィルムを用意した。具体的には、厚み１０μｍのアラミドフィルムの両面に接着剤を使うことなく導電体層を形成したものを用いた。次に、前記両面銅張りフィルムの銅箔部分を所定パターンに加工し、図４Ｃの両面基板１１４ａとした。
【００５６】
次に、図４Ｄに示すように、導電性ペースト１２６の充填されたプリプレグ１２２ａ、１２２ｂと、両面基板１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃを互いに交互に積み重ねて位置合わせした。その後、プレスで所定時間、所定温度で加熱しながら加圧して一体化した。この際、必要に応じて真空プレスしても良い。また、このプレス条件を、プリプレグ１２２が一旦軟化したあと硬化する条件とすることで、複数の両面基板１１４を、中央にセットしたプリプレグ１２２を用いて一体化できる。また、このプレス条件において、導電性ペースト１２６が、両面基板１１４のプリプレグ側に形成された第２の配線１０６ａ〜ｄを電気的に接続させる。
【００５７】
こうして、図４Ｅに示すような、極薄の多層基板を作製した。ここで、プリプレグ１２２ａ、１２２ｂの厚みを薄く（例えば、４０μｍ、あるいは２０μｍ、より望ましくは１０μｍ）することで、総厚が１００μｍ以下、あるいは６０μｍ以下、更には３０μｍ以下といった極薄の多層基板が製造できる。
【００５８】
（実施の形態５）
以下、本発明の実施の形態５における多層基板について説明する。図５は実施の形態５の多層基板の断面図である。実施の形態５と実施の形態３の違いは、実施の形態３では中央部が２層基板、実施の形態５では中央部が３層以上の多層基板である。このように、実施の形態５を用いることで、更に多様な形態で、フィルム等を用いた両面基板以外にも、様々な形態の多層基板を形成できる。
【００５９】
図５において、多層基板１１８は、層間絶縁層１２０によって層間絶縁された複数層の配線１０４ｂや、層間絶縁層１２０等から構成され、層間絶縁層１２０の表面には第２の配線１０６ｂ、１０６ｃが形成されている。なお図５において、多層基板１１８の表面に形成された第２の配線１０６ｂ、１０６ｃは共にペースト接続層１１６ａ、１１６ｂに埋め込まれている。
【００６０】
同様に、フィルム１０２ａ、１０２ｂの表面には第１の配線１０４ａ、１０４ｃと第２の配線１０６ａ、１０６ｄが形成され、互いに層間接続部１１２で電気的に接続されることで両面基板１１４ａ、１１４ｂが構成されている。
【００６１】
そして図５に示すように、両面基板１１４ａのペースト接続層１１６ａ側に形成した第２の配線１０６ａと、多層基板１１８のペースト接続層１１６ａ側に形成された第２の配線１０６ｂを、共にペースト接続層１１６ａに埋没すると共に、ＩＶＨ１１０によって電気的に接続する。同様に、両面基板１１４ｂ上の第２の配線１０６ｄと、多層基板１１８表面の第２の配線１０６ｃを、ペースト接続層１１６ｂを貫通するＩＶＨ１１０によって接続する。
【００６２】
このように、多層基板１１８を中央にして、その両側に両面基板１１４ａ、１１４ｂを形成し、これらをペースト接続層１１６を用いてその配線厚みを吸収すると共に一体化し、層間接続を行うことができる。また、実施の形態５では接着剤を使っていないため、薄層化が可能となる。
【００６３】
（実施の形態６）
実施の形態６の多層基板の製造方法について、図６Ａ〜６Ｆを用いて詳しく説明する。図６Ａ〜６Ｆは実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する断面図であり、この多層基板の製造方法は、例えば実施の形態５で説明した図５の多層基板の製造方法に相当する。
【００６４】
まず図６Ａに示すように、プリプレグ１２２に貫通孔１２４を形成する。貫通孔１２４の形成は金型、ドリル、レーザ等を用いることができる。またプリプレグには市販品を使うことができる。次に図６Ｂに示すように、貫通孔１２４の内部に導電性ペースト１２６を充填する。
【００６５】
図６Ｃは、両面基板１１４ａの断面図である。図６Ｃにおいて、両面基板１１４ａは、フィルム１０２ａと、その表面に形成された第１の配線１０４ａと第２の配線１０６ａが層間接続部１１２で接続されたものから形成されている。図６Ｄは、多層基板１１８の断面である。多層基板１１８は、層間絶縁層１２０、層間接続部１１２、第１の配線１０４ｂから構成されている。そして層間絶縁層１２０に形成された層間接続部１１２を介して、異なる層に形成された第１の配線１０４ｂ同士を接続する。図６Ｅは、図６Ｂの導電性ペースト１２６が充填されたプリプレグと、図６Ｄの多層基板１１８を互いに位置合わせする様子を示す。そして真空プレス装置（図示していない）を用いて、これらを一体化する。図６Ｆは、図６Ｅの部材が一体化された後の様子を示す断面図である。
【００６６】
次に、第２の配線１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ、１０６ｄをプリプレグ１２２の中に埋没させる一例について説明する。例えば図６Ｄで示した状態のサンプルを、真空プレス（あるいは真空加熱プレス）を使って互いに密着させると共に、所定の温度プロファイルで加熱することで、プリプレグ１２２が軟化し、第２の配線１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ、１０６ｄをプリプレグ１２２の中に埋没させる。その後、プリプレグ１２２が硬化し、絶縁層１０８となる。また、このときプリプレグ１２２に埋め込まれた導電性ペースト１２６も同時に加熱、硬化され、異なる層に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｂ同士を電気的に接続し、ＩＶＨ１１０となる。
【００６７】
更に詳しく説明する。まず、プリプレグとしては市販品の厚み３０μｍでガラスエポキシ系のものを使った。そして、図６Ａに示すように、プリプレグ上の保護フィルムとともに、所定位置に貫通孔１２４を形成した。なお図６Ａに保護フィルムは図示していない。次に、前記保護フィルムの上に、導電性ペースト１２６を所定量添加し、スキージ（ゴムベラ）で前記導電性ペースト１２６を前記保護フィルムの孔越しに、プリプレグ１２２に形成された貫通孔１２４に充填させた。その後、保護フィルムを剥離することで、図６Ｂの状態とした。なお図６Ｂにおいて保護フィルムは図示していない。
【００６８】
次に、両面銅張りフィルムを用意した。具体的には、厚さ１０μｍのポリイミドフィルムの両面に接着剤を使うことなく、導電体層を形成したものを用いた。次に、前記両面銅張りフィルムの銅箔部分を所定パターンに加工し、図６Ｃの両面基板１１４ａとした。図６Ｃより、両面基板１１４ａは、フィルム１０２ａの両面に、第１の配線１０４ａと第２の配線１０６ａが形成されていることが判る。
【００６９】
また図６Ｄに示すような多層基板１１８を用意した。図６Ｄにおいて、第１の配線１０４ｂは、層間絶縁層１２０を介して絶縁され、層間接続部１１２によって層間接続されている。そして多層基板１１８の表面には、第２の配線１０６ｂ、１０６ｃが形成されている。
【００７０】
次に図６Ｅに示すように、導電性ペースト１２６の充填されたプリプレグ１２２の両面に、多層基板１１８、両面基板１１４ａ、１１４ｂをセットした。その後、図６Ｆに示すように、これらを所定時間、所定温度でプレスして一体化した。この際、必要に応じて真空プレスとしても良い。またこのプレス条件において、導電性ペースト１２６が、両面基板１１４ａ、１１４ｂのプリプレグ側に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｄと電気的に接続される。
【００７１】
こうして図６Ｆに示すような、極薄の多層基板を作製した。ここで、フィルムやプリプレグ１２２、多層基板１１８の厚みを薄く、例えば、４０μｍ、あるいは２０μｍ、より望ましくは１０μｍにすることで、多層でありながらも極薄のプリント配線基板を製造できる。
【００７２】
次に、プリプレグについて説明する。ここでプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ：事前含浸処理シート材）とは、活性樹脂を含浸させた繊維素材あるいは織布である。これはまだ完全には硬化していない状態であるため、エネルギーを加えて同時に成形できる。このようにプリプレグを使うことで、成形時での配線同士の接触による短絡を防止でき、更にプレス成型時の変形や寸法バラツキを抑えられると共に、出来上がった多層基板の強度アップも可能となる。なお含浸させる樹脂としては、熱硬化性樹脂を使うことが望ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂やイミド樹脂を使うことができる。また繊維素材あるいは織布としては、ガラス繊維以外に、芳香族系を含むポリアミド、アラミド等の部材を用いることができる。
【００７３】
なおプリプレグの硬化温度は、８５℃から２２０℃の範囲が望ましい。温度が２３０℃以上の場合、樹脂硬化にバラツキが発生し、寸法の精度に影響を与える場合がある。また温度が８５℃より低い場合、樹脂硬化の時間が増加し、硬化状態に影響を与える場合がある。また、フィルム１０２の厚みが５０μｍ以下と薄い場合、１８０℃以上２２０℃以下の温度範囲で、プリプレグ１２２の硬化を行うことが望ましい。こうすることで、両面基板１１４ａ、１１４ｂの表面に形成された配線のうち、プリプレグ１２２の側に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｄをプリプレグ１２２の中に埋没できる。
【００７４】
また、圧力範囲は２ＭＰａ（メガパスカル、圧力の単位）以上６ＭＰａ以下が望ましい。２ＭＰａ未満の場合、図６Ｆに示す多層基板の密着性にばらつきが発生する可能性がある。また、圧力の印加時間は１分以上３時間未満が望ましい。圧力の印加時間が１分未満の場合、プレスによるバラツキが発生する場合がある。また、プレス時間が３時間を越えると、生産性に影響を与えてしまう。このため、圧力２ＭＰ以上６ＭＰａ以下、特に、４ＭＰａ以上６Ｍｐａ以下が望ましい。一般的な多層基板の場合、２〜３ＭＰａで積層されることが多いが、本実施の形態の場合、フィルム１０２が薄く、厚みバラツキの影響を受け易いうえに、導電性ペースト１２６を用いる等のために、積層圧力は５Ｍｐａ程度、例えば４ＭＰａ以上６ＭＰａ以下と、高めにすることが望ましい。
【００７５】
そして図６Ｅのように、導電性ペースト１２６が充填されてなるプリプレグ１２２の両側に両面基板を位置決め、セットした後、プレス装置を用いて、加熱圧着し、一体化させた。なおプレス条件としては、最適化したプレスプログラム、具体的には、室温から２００℃前後まで段階的に温度が上がった後、自動的に室温まで温度が下がるものであり、時間と共に圧力も変化させたものを使うことで、安定した物つくりが可能となる。こうして図６Ｆに示すような多層基板を作製した。
【００７６】
（実施の形態７）
次に実施の形態７について、図７Ａ〜７Ｄを用いて説明する。実施の形態７では、表層がフィルムである多層基板を用い、めっき技術を用いて層間接続及び表層の配線を形成する場合について説明する。
【００７７】
図７Ａ〜７Ｄは実施の形態７の多層基板の製造方法を説明する断面図であり、この多層基板の製造方法は、例えば実施の形態６で説明した多層基板の製造方法の一例であり、実施の形態１や実施の形態３で説明した多層基板等にも応用可能なものである。特に本実施の形態７では、多層基板の表層の配線及びその配線に接続された層間接続部を、めっき技術を用いて一体化することに特徴があり、より高性能で微細なパターンを形成できる。
【００７８】
実施の形態７の特徴は、図７Ｂに示すブラインドビア１２８と、図７Ｃに示す金属膜１３０にある。まず図７Ａを用いて説明する。図７Ａは表層が樹脂フィルム１０２ａ、１０２ｂである多層基板の断面図である。図７Ａにおいて、中央には、層間絶縁層１２０や第１の配線１０４ｂ、層間接続部１１２からなる多層基板１１８が形成されている。そして多層基板１１８の、絶縁層１０８に面した側の第２の配線１０６ｂ、１０６ｃは、必要に応じてＩＶＨ１１０を介して、フィルム１０２ａ、１０２ｂの絶縁層１０８に面した側に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｄに接続されている。このようにして、多層基板１１８の表面に形成された第２の配線１０６ｂ、１０６ｃと、フィルム１０２ａの上に形成された第２の配線１０６ａや、フィルム１０２ｂの上に形成された第２の配線１０６ｄが、ＩＶＨ１１０を介して電気的に接続する。
【００７９】
図７Ａに示す多層基板の両表面は、フィルム１０２ａ、１０２ｂで覆われている。次に図７Ｂ〜図７Ｄを用いて、フィルム１０２ａ、１０２ｂの表面に配線等を形成する様子を説明する。
【００８０】
図７Ｂは、図７Ａで示した多層基板の両表面に形成されたフィルム１０２ａ、１０２ｂに孔を形成した後の断面図である。図７Ｂにおいて表層のフィルム１０２ａ、１０２ｂにはブラインドビア１２８が形成されており、ブラインドビア１２８の中、もしくはブラインドビア１２８の底には、フィルム１０２ａ、１０２ｂの絶縁層１０８側に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｄが露出している。
【００８１】
図７Ｃは、フィルム１０２ａ、１０２ｂの上にブラインドビア１２８を埋めるように、金属膜１３０を形成した様子を示す断面図である。図７Ｃにおいて、フィルム１０２ａ、１０２ｂの表面には金属膜１３０が形成されることで、同時にブラインドビア１２８も金属膜１３０で覆うことができる。なおこのような金属膜１３０の形成方法としては、めっき法や薄膜法等を用いることができる。また金属膜１３０の形成は、図７Ｃに示すように基板の両面でも良いが、必要に応じて片面だけに形成しても良い。また図７Ｃより、ブラインドビア１２８を覆うように形成された金属膜１３０は、フィルム１０２の絶縁層１０８側に形成された第２の配線１０６ａ、１０６ｄにも電気的に接続することとなる。
【００８２】
図７Ｄは、金属膜１３０をエッチング等で、所定パターンに形成した後の断面図を示す。図７Ｄに示すように、金属膜１３０を所定形状にパターニングする際、ブラインドビア１２８を覆う部分の金属膜１３０もビアフィル、もしくはビア埋め材をそのまま残すことで、第１の配線１０４ａとなる。そして第１の配線１０４ａは、ブラインドビア１２８を介して、第２の配線１０６ａとも電気的に接続される。
【００８３】
このように、表層から数えて１層目の配線（図７Ｄにおいて配線１０４ａに相当）及び表層から数えて２層目の配線（図７Ｄにおいて、配線１０６ａに相当する）の少なくとも一方は、めっき膜を介して、１層目絶縁層に固定することによって、フィルム１０２ａ、１０２ｂ表面への金属膜１３０や第１の配線１０４ａ、１０４ｂ、第２の配線１０６ａ、１０６ｄ等を、安価でかつ高度な薄膜化が可能になり、更には厚みバラツキの少ない配線とすることができる。
【００８４】
このように図７Ｃ、図７Ｄに示すように、ブラインドビア１２８に金属膜１３０を形成することで、表層から数えて１層目の絶縁層の電気的接続、つまりフィルム１０２ａ、１０２ｂに形成されたブラインドビア１２８を介して第１の配線１０４ａ、１０４ｃと第２の配線１０６ａ、１０６ｄを電気的接続することが可能となるため、信頼性が高く、配線抵抗の低い層間接続が可能となる。
【００８５】
（実施の形態８）
実施の形態８では、めっき法の代わりに薄膜法、あるいは薄膜法とめっき法の組合せを用いた、多層基板の製造方法について説明する。実施の形態８と実施の形態７の違いは、薄膜法（実施の形態８）とめっき法（実施の形態７）の違いだけであり、共通点が多いので図７を用いて説明する。
【００８６】
まず図７Ｂに示すブラインドビア１２８の形成としては、ＹＡＧ、ＣＯ２等のレーザ装置を使うことができる。ブラインドビア１２８等の表面への金属膜１３０の形成方法としては、最初にＮｉＣｒ等の下地層（シード層と呼ばれることもある）を１０〜５０Å程度形成し、この上に銅を電気めっきしても良い。あるいはシード層無しにフィルム１０２ａ、１０２ｂ上に銅を無電解めっきしても良い。あるいはフィルム１０２上に薄膜法（電子ビーム、スパッタ他）を用いて、直接銅を析出（デポジション）しても良い。なおこれらの場合、その厚みが１０Å以上、あるいは、より望ましくは電気めっきに使える程度の導電性が得られる程度あれば、その導電性を利用してその上に銅を電気めっきし、配線として必要な厚み（例えば５〜３０μｍ、あるいは薄層化が必要な場合は３〜１５μｍ程度が望ましい）を形成できる。このようにシード層あるいは金属下地層を使うか、あるいは金属膜の形成方法を工夫することで、フィルム１０２ａ、１０２ｂに対する部材の密着力を高められる。
【００８７】
このように表層から数えて１層目の配線及び表層から数えて２層目に設けられた配線の少なくとも一方は、スパッタ膜を介して、表層から数えて１層目の絶縁層に固定することで、フィルム１０２ａ、１０２ｂ表面への金属膜１３０や第１の配線１０４ａ、１０４ｃ、第２の配線１０６ａ、１０６ｄ等の密着性を高められる。
【００８８】
（実施の形態９）
次に、実施の形態９の多層基板の製造方法について説明する。実施の形態９では、図８Ａ〜８Ｄを用いて説明する。図８Ａ〜８Ｄは実施の形態９を説明する断面図であり、実施の形態９の特徴は下地電極層１３２にある。実施の形態８（図７Ａ〜７Ｄに示す）と実施の形態９（図８Ａ〜８Ｄに示す）の違いは、フィルム表面における下地電極層１３２の有無である。
【００８９】
まず図８Ａに示すように、フィルム１０２ａ、１０２ｂの少なくとも露出面に下地電極層１３２を形成し、この下地電極層１３２に銅を用いる場合、下地層（あるいはアンカー層）として薄膜法やめっき法で形成する。このように下地電極層１３２を用いることで、配線１０４ａ、１０４ｃ等のフィルム１０２ａ、１０２ｂへの密着力を更に高められる。また必要に応じてＮｉＣｒやＣｒ等の薄膜を下地電極層１３２の更に下地層として使うこともできる。すなわち、下地電極層を単層としても良いし、複数層としても良い。この場合はＮｉＣｒやＣｒ等の薄膜を１０〜５０Å程度形成し、この上に銅を配線材として電気めっきで形成できる。なおＮｉＣｒやＣｒ等の厚みが１０Å以上１μｍ程度あれば、その導電性を利用してその上に銅を所定厚み、例えば５〜３０μｍ程度、あるいは薄層化が必要な場合３〜１５μｍ程度形成できる。このように下地電極層１３２を使うことで、配線１０４ａ、１０４ｃ等のフィルム１０２ａ、１０２ｂへの密着力を高められる。
【００９０】
なお、図８Ｂに示すように、下地電極層１３２と共に、フィルム１０２ａ、１０２ｂにレーザ等を用いてブラインドビア１２８を形成することができる。そしてその後は、図７Ａ〜７Ｄと同様にして所定の厚みで第１の配線１０４ａ、１０４ｃや層間接続部１１２を形成できる。
【００９１】
そして図８Ｃ，図８Ｄに示すように、図７Ｃ、図７Ｄと同様にブラインドビア１２８に金属膜１３０を形成することで、表層から数えて１層目の絶縁層の電気的接続、つまりフィルム１０２ａ、１０２ｂに形成されたブラインドビア１２８を介して第１の配線１０４ａ、１０４ｃと第２の配線１０６ａ、１０６ｄを電気的接続することが可能となるため、信頼性が高く、配線抵抗の低い層間接続が可能となる。
【００９２】
（実施の形態１０）
実施の形態１０では、絶縁層に無機フィラーが添加されてなる樹脂フィルムを用いた多層基板の製造方法について説明する。実施の形態２（ガラスエポキシ系プリプレグを使用する）や実施の形態６（アラミド入りプリプレグを使用する）と、実施の形態１０（無機フィラー入り）との違いは、プレプリグの内容物すなわち添加物にある。なお実施の形態１０は、実施の形態２や実施の形態９と共通する部分が多いため、図２や図８を参照して説明する。
【００９３】
なお、プリプレグに添加する無機フィラーとしては、アルミナやシリカ等のセラミック系の絶縁粉が望ましい。このように、プリプレグに予め無機フィラーを添加しておくことで、熱プレス時にプリプレグが流動しすぎることを防止できる。プリプレグが流動しすぎると、貫通孔１２４に充填された導電性ペースト１２６が流れてしまったり、ずれたりする可能性があるため、これを防止することが望ましい。このように、熱プレス時のプリプレグの軟化、流動化を一定量で抑えるには、こうした無機フィラーを１０〜８５ｗｔ％、より望ましくは２０〜８０ｗｔ％、更に高精度が要求される場合には４０〜６０ｗｔ％、添加することが望ましい。ここで無機フィラーの添加量が少なすぎる場合、第２の配線１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ、１０６ｄの埋没は容易であるが、ペースト接続層１１６へ悪影響する可能性もある。また無機フィラーの添加量が多すぎる場合、熱プレス時にペースト接続層１１６が流れなくなったり、あるいはずれたり、望ましい方向に流動しにくくなるが、第２の配線の埋没性に悪影響を与える可能性、例えば、第２の配線の凹凸が吸収できない可能性がある。
【００９４】
更にまた、無機フィラーを添加しておくことで、熱プレス時に導電性ペースト１２６が軟化して異常流動したり、変形したりすることを防止できる。そしてＩＶＨ１１０における接続不良の発生の可能性を抑えられる。
【００９５】
添加する無機フィラーの平均粒径は０．５μｍ以上５μｍ以下が望ましい。０．５μｍ未満の場合、ＢＥＴ（比表面積）が大きくなりすぎて、取り扱いにくい場合がある。また５μｍを超える場合、多層基板の薄層化に影響を与える場合がある。
【００９６】
（実施の形態１１）
実施の形態１１では、ペースト接続層に熱硬化性樹脂を用いる多層基板の製造方法について説明する。実施の形態１１で説明するように、ペースト接続層を構成する絶縁部材はプリプレグに限定する必要はない。熱硬化性の樹脂フィルムでも良いが、ＬＣＰ（液晶ポリマー樹脂）等の高機能性を有した熱可塑性樹脂も使うことができる。このような高精度で高強度な熱可塑性樹脂を用いることで、高精度な多層基板を製造できる。
【産業上の利用可能性】
【００９７】
以上のように、本発明の多層基板及びその製造方法は、フィルムや多層基板を組合せることによって、従来に無い極薄の多層基板を作製できるため、各種電子機器、携帯機器の小型化、薄型化の用途にも適用できる。従って、その産業上の利用可能性は極めて高い。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】実施の形態１における多層基板の断面図
【図２Ａ】実施の形態２における４層基板の製造方法を説明する第１の断面図
【図２Ｂ】実施の形態２における４層基板の製造方法を説明する第２の断面図
【図２Ｃ】実施の形態２における４層基板の製造方法を説明する第３の断面図
【図２Ｄ】実施の形態２における４層基板の製造方法を説明する第４の断面図
【図２Ｅ】実施の形態２における４層基板の製造方法を説明する第５の断面図
【図３】実施の形態３における多層基板の断面図
【図４Ａ】実施の形態４における多層基板の製造方法を説明する第１の断面図
【図４Ｂ】実施の形態４における多層基板の製造方法を説明する第２の断面図
【図４Ｃ】実施の形態４における多層基板の製造方法を説明する第３の断面図
【図４Ｄ】実施の形態４における多層基板の製造方法を説明する第４の断面図
【図４Ｅ】実施の形態４における多層基板の製造方法を説明する第５の断面図
【図５】実施の形態５の多層基板の断面図
【図６Ａ】実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する第１の断面図
【図６Ｂ】実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する第２の断面図
【図６Ｃ】実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する第３の断面図
【図６Ｄ】実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する第４の断面図
【図６Ｅ】実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する第５の断面図
【図６Ｆ】実施の形態６における多層基板の製造方法を説明する第６の断面図
【図７Ａ】実施の形態７の多層基板の製造方法を説明する第１の断面図
【図７Ｂ】実施の形態７の多層基板の製造方法を説明する第２の断面図
【図７Ｃ】実施の形態７の多層基板の製造方法を説明する第３の断面図
【図７Ｄ】実施の形態７の多層基板の製造方法を説明する第４の断面図
【図８Ａ】実施の形態９の多層基板の製造方法を説明する第１の断面図
【図８Ｂ】実施の形態９の多層基板の製造方法を説明する第２の断面図
【図８Ｃ】実施の形態９の多層基板の製造方法を説明する第３の断面図
【図８Ｄ】実施の形態９の多層基板の製造方法を説明する第４の断面図
【図９】従来の多層基板の一例を示す断面図
【符号の説明】
【００９９】
１０２ａ，１０２ｂ    フィルム
１０４ａ，１０４ｂ    第１の配線
１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ，１０６ｄ    第２の配線
１０８    絶縁層
１１０    ＩＶＨ
１１２    層間接続部
１１４ａ，１１４ｂ    両面基板
１１６ａ，１１６ｂ    ペースト接続層
１１８    多層基板
１２０    層間絶縁層
１２２    プリプレグ
１２４    貫通孔
１２６    導電性ペースト
１２８    ブラインドビア
１３０    金属膜
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９】
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【国際調査報告】
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