【事件の表示】
　特願２０２０−　４１６２２「構造体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔、請求項の数（１５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，令和２年２月１３日に出願した特願２０２０−２２４４３号の一部を令和２年３月１１日に新たな特許出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和２年４月６日付け　　：拒絶理由通知書
　令和２年４月２７日　　　：意見書，手続補正書の提出
　令和２年６月１５日付け　：拒絶査定
　令和２年９月８日　　　　：審判請求書，手続補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定（令和２年６月１５日付け拒絶査定）の概要は，本願の請求項１〜１５に係る発明は，本願出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用例１に記載された発明及び引用例２〜６に記載された技術的事項に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用例一覧
１．特許第６６２５２６０号公報
２．特開２０１４−１５４７５４号公報
３．特開２０１２−１６９５６２号公報
４．特開２００８−７１８０１号公報
５．特開平５−６２９６６号公報
６．特開２０００−６０２００号公報
第３　本願発明
　本願の請求項１〜１５に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」〜「本願発明１５」という。）は，令和２年９月８日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載された事項により特定される発明であり，そのうちの本願発明１は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
ＩＩＩ族窒化物で構成された被エッチング領域を有する処理対象物を，ペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液中に浸漬された状態で容器に収容する工程と，
　前記エッチング液の所定温度への加熱により硫酸イオンラジカルを生成させ，前記被エッチング領域への光照射によりホールを生成させることで，前記被エッチング領域をエッチングする工程と，
を有し，
　前記所定温度を，４５℃以上１００度未満とし，
　前記エッチング液は，ペルオキソ二硫酸イオンの塩を，前記エッチング液が調整される時点でのペルオキソ二硫酸イオン濃度である調整時濃度が所定濃度となるように，水に溶解させることで調整されたものであり，
　前記調整時濃度を，前記エッチング液の温度を４５℃以上に上昇させたときのエッチングレートが，前記エッチング液の温度が上昇するほど増加し，前記エッチング液の温度が４５℃未満であるときのエッチングレートよりも高くなるような濃度とする，構造体の製造方法。」
　本願発明２〜１５は，本願発明１を減縮した発明である。
第４　引用例の記載と引用発明
１．引用例１について
（１）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である引用例１（特許第６６２５２６０号公報）には，次の記載がある。（下線は当審で付加。以下同じ。）
「【００４２】
　アノード電極３４０にＵＶ光３７１が照射されることで，アノード電極３４０およびカソード電極３３０では，それぞれ以下の反応が進行する。
アノード電極３４０では，ＵＶ光３７１の照射で発生したホールによりＧａＮがＧａ３＋とＮ２とに分解され（化１），さらにＧａ３＋がＯＨ−基によって酸化されることで（化２），酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）が生成する。生成されたＧａ２Ｏ３が，電解液３２０であるＮａＯＨ水溶液により溶解されることで，アノード電極３４０が，つまりＧａＮ材料１００が，エッチングされる。このようにして，ＰＥＣエッチングが行われる
（アノード反応）
【化1】
【化2】
【化3】
（カソード反応）
【化4】
　」
「【０１１８】
　図２４（ａ）〜２４（ｄ）は，第７実施形態による無電極ＰＥＣエッチング態様を例示する概略図である。図２４（ａ）を参照する。
ＧａＮ材料１００（以下，ウエハ１００ともいう）を用意する
【０１１９】
　被エッチング領域１１１〜１１３は，後述のように，エッチング液４２０中に浸漬された状態（エッチング液４２０と接触した状態）でＵＶ光４３１が照射されることにより，ＧａＮ材料１００がエッチングされる領域である。ウエハ１００の表面１００ｓ上に，ＵＶ光４３１を遮光する遮光性のマスク４１が形成されている。マスク４１は，被エッチング領域１１１〜１１３を露出させる開口を有する。ここでは，３つの被エッチング領域１１１〜１１３を例示するが，被エッチング領域の個数は，必要に応じて適宜変更されてよい。また，各被エッチング領域１１１等の形状および大きさ，複数の被エッチング領域１１１等の表面１００ｓ上における配置，等は，必要に応じて適宜変更されてよい。
【０１２０】
　図２４（ｂ）を参照する。
容器４１０内に，エッチング液４２０を用意する。エッチング液４２０は，第２実施形態（第１実験例）で説明した電解液３２０と同様な電解液と，当該電解液に溶解されたペルオキソ二硫酸カリウム（Ｋ２Ｓ２Ｏ８）と，を含む。当該電解液は，上述のように，例えば，ＮａＯＨ水溶液である。本実施形態の無電極ＰＥＣエッチングに用いられるエッチング液４２０は，水酸化物イオン（ＯＨ−）およびペルオキソ二硫酸イオン（Ｓ２Ｏ８２−）を含む
【０１２１】
　図２４（ｃ）を参照する。
マスク４１が形成されたウエハ１００を，ウエハ１００の表面１００ｓがエッチング液４２０の表面４２０ｓと平行になるように（水平になるように），表面１００ｓがエッチング液４２０中に浸漬された状態で，容器４１０内に収納する
【０１２２】
　なお，容器４１０内にエッチング液４２０を収納し，その後に容器４１０内にウエハ１００を収納する手順で，容器４１０内にウエハ１００およびエッチング液４２０が収納された状態としてもよいし，容器４１０内にウエハ１００を収納し，その後に容器４１０内にエッチング液４２０を収納する手順で，容器４１０内にウエハ１００およびエッチング液４２０が収納された状態としてもよい。容器４１０内にエッチング液４２０を用意する工程と，容器４１０内にウエハ１００を収納する工程とは，必要に応じ，どちらの手順で行われてもよい。
【０１２３】
　図２４（ｄ）を参照する。
ウエハ１００およびエッチング液４２０が静止した状態で，光照射装置４３０から，ＵＶ光４３１を，ウエハ１００の表面１００ｓに照射する
「【０１２５】
　
本実施形態の無電極ＰＥＣエッチングでは，以下の反応（化５）〜（化７）が生じ，第２実施形態の有電極ＰＥＣエッチングにおけるカソード反応（化４）が，（化７）に置き換わることで，ＧａＮ材料１００においてホールと対で発生した電子が，消費される
ＧａＮ材料１００におけるアノード反応（化１）〜（化３）は，無電極ＰＥＣエッチングと有電極ＰＥＣエッチングとで同様である。このようにして，本実施形態の無電極ＰＥＣエッチングによって，ＧａＮ材料１００をエッチングすることができる
【化5】
【化6】
【化7】
」
「【０１７９】
　温度センサ４８０は，エッチング液４２０の温度を測定する。
温度調整器４８１は，制御装置４４０に制御されることで，エッチング液４２０の温度を所定温度に調整する
（２）摘記の整理
　以上の摘記によれば，引用例１には次の事項が記載されているものと理解できる。
ア　ＧａＮ材料からなるウエハ１００を用意すること。当該ウエハ１００の表面１００ｓに，被エッチング領域１１１〜１１３が互いに離隔して画定されていること。（段落０１１８）
イ　ウエハ１００を，ペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液４２０中に浸漬された状態で容器４１０内に収納すること。（段落０１２０，０１２１）
ウ　ウエハ１００およびエッチング液４２０が静止した状態で，ＵＶ光４３１をウエハ１００の表面１００ｓに照射すること。（段落０１２３）
エ　ＧａＮ材料の被エッチング領域１１１〜１１３は，エッチング液４２０中に浸漬された状態でＵＶ光４３１が照射されることによりエッチングされること。（段落０１１９）
オ　アノード反応において，ＵＶ光で発生したホールによりＧａＮがＧａ３＋とＮ２とに分解され，Ｇａ３＋が酸化されて酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）が生成されること。当該酸化ガリウムが電解液により溶解されることで，ＧａＮ材料１００がエッチングされること。（段落００４２）
カ　ペルオキソ二硫酸イオンが熱又は光により硫酸ラジカルとなること。（化６）
キ　硫酸ラジカルを含むカソード反応により，ＧａＮ材料１００においてホールと対で発生した電子が消費され，無電極ＰＥＣエッチングが行われること。（段落０１２５，化７）
ク　エッチング液４２０の温度を所定温度に調整すること。（段落０１７９）
（３）引用発明１
　上記ア〜クによれば，引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「互いに離隔した被エッチング領域１１１〜１１３が表面１００ｓに画定されたＧａＮ材料からなるウエハ１００を用意する工程と，
ウエハ１００をペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液４２０中に浸漬された状態で容器４１０内に収納する工程と，
ＵＶ光４３１をエッチング液４２０中に浸漬された状態のウエハ１００の表面１００ｓに照射して，ＧａＮ材料の被エッチング領域１１１〜１１３をエッチングする工程と，
を有し，
熱又は光により生成された硫酸ラジカルと，ＵＶ光でＧａＮ材料に発生したホールによりＧａＮ材料がエッチングされる無電極ＰＥＣエッチングが行われ，
エッチング液４２０の温度が所定温度に調整される，
無電極ＰＥＣエッチング方法。」
２．引用例２について
（１）引用例２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である引用例２（特開２０１４−１５４７５４号公報）には，次の記載がある。
「【００２８】
＜メカニズム＞ 
　本発明によるシリコンエッチング及びレジスト剥離のメカニズムは以下の通りである。 即ち，硫酸溶液の電解液中には，硫酸の電気分解により，以下の反応で生成した過硫酸であるペルオキソ二硫酸イオン（Ｓ２Ｏ８２−）を含む。 
　　２ＳＯ４２−→Ｓ２Ｏ８２−＋２ｅ−
又は 
　　２ＨＳＯ４−→Ｓ２Ｏ８２−＋２Ｈ＋＋２ｅ− 
この
ペルオキソ二硫酸イオン（Ｓ２Ｏ８２−）は高温加熱すると励起して自己分解（活性化）し，硫酸ラジカル（ＳＯ４・−）を生成する
　　Ｓ２Ｏ８２−→２ＳＯ４・−
生成した硫酸ラジカルの高い酸化力（ＳＯ４・−＋ｅ−→ＳＯ４２−）によりレジストが除去されるが，本発明で用いるエッチング液は，更にフッ酸（ＨＦ）を含むため，以下の反応でシリコンエッチングすることができる。 
ペルオキソ二硫酸イオンの活性化： 
　　２Ｓ２Ｏ８２−→４ＳＯ４−・（１００℃以上の温度で活性化） 
活性化したペルオキソ二硫酸イオンによる酸化反応： 
　　Ｓｉ＋２Ｈ２Ｏ＋４ＳＯ４−・−→ＳｉＯ２＋４ＨＳＯ４− 
フッ酸による溶解反応：ＳｉＯ２＋６ＨＦ →Ｈ２ＳｉＦ６＋２Ｈ２Ｏ」
（２）引用例２の技術的事項
　上記によれば，引用例２には次の技術的事項が記載されているものと理解できる。
ア　ペルオキソ二硫酸イオンは高温加熱すると励起して自己分解（活性化）し，硫酸ラジカルを生成すること。
イ　ペルオキソ二硫酸イオンは１００℃以上の温度で活性化すること。
３．引用例３について
（１）引用例３の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である引用例３（特開２０１２−１６９５６２号公報）には，次の記載がある。
「【０００９】
　硫酸の電解分解により生成した
過硫酸は，ペルオキソ二硫酸とペルオキソ一硫酸の混合状態であると考えられ，過硫酸が自己分解するときに生成する硫酸ラジカルが非常に強い酸化剤である
過硫酸により窒化物が酸化すると半導体表面は，例えばＧａ２Ｏ３（ＧａＮ半導体の場合）となる
半導体材料と硫酸溶液の接触時間を長くした場合，Ｇａ２Ｏ３などの化合物酸化物が電解溶液中の硫酸に溶解してエッチングが進む
「【００１５】
　上記
過硫酸含有硫酸溶液は，窒化物半導体表面に接触させる際に，１２０〜１９０℃の液温を有するのが望ましい。該液温は溶液を加熱することにより調整する
加熱を行う手段は特に限定されるものではないが，加熱後，窒化物を含む化合物半導体表面に接触させるまでの時間が長いと，過硫酸含有硫酸溶液中の過硫酸が自己分解してしまい，十分な酸化力が得られなくなるので，溶液を急速に加熱できるものが望ましい。また，加熱後，前記接触に至るまでの経路長をできるだけ短くするのが望ましい。
　上記液温が
１２０℃未満であると，酸化力が十分でなく，一方，１９０℃を超えると過硫酸の自己分解が早期に進行してしまい
（２）引用例３の技術的事項
　上記によれば，引用例３には次の技術的事項が記載されているものと理解できる。
ア　過硫酸はペルオキソ二硫酸を含み，過硫酸が自己分解により生成する硫酸ラジカルは非常に強い酸化剤であるため，ＧａＮ半導体を酸化してエッチングが進むこと。（段落０００９）
イ　過硫酸含有硫酸溶液を窒化物半導体表面に接触させる際に液温を１２０〜１９０℃に調整することで，十分な酸化力を得ること。（段落００１５）
３．引用例４について
（１）引用例４の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である引用例４（特開２００８−７１８０１号公報）には，次の記載がある。
「【００１２】
　本発明によれば，
窒化シリコンの選択的なエッチングにおいて，その窒化シリコンのエッチングレートを高めることができるエッチング液，エッチング方法
「【００３７】
　そのため，硫酸（Ｈ２ＳＯ４）の割合を多くすれば，高集積化・微細化のために高い寸法精度，形状精度が必要となる処理にも対応ができるようになる。一方，硫酸（Ｈ２ＳＯ４）の割合を少なくすれば，シリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）とシリコン窒化膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）のエッチングレートをともに高くすることができる。そのため，硫酸（Ｈ２ＳＯ４）の割合を少なくすれば，寸法や形状に対する精度要求は比較的緩やかだが，高い生産性が必要となる処理にも対応ができるようになる。
【００３８】
　これらの観点から，好ましい混合体積比を例示するものとすれば，
リン酸：硫酸＝３００：３２〜１５０：３００程度
「【００４２】
　本発明者は，さらなる検討の結果，
エッチング液に酸化剤を添加すればさらに良好な寸法・形状の精度が得られる
【００４３】
　例えば，硫酸（Ｈ２ＳＯ４）の割合が少ないエッチング液を用いた場合，図３（ａ）で説明をしたようにポリシリコン層３（シリコン；Ｓｉ）が若干程度除去される場合がある。このような場合，
ポリシリコン層３（シリコン；Ｓｉ）の表面を酸化させて薄い酸化膜（ＳｉＯ2 ）を形成させることができれば，この部分のエッチングレートは塗布型酸化膜５（ＳｉＯ2 ）と同等となり，除去されることを抑制することができる
【００４４】
　ここで，
シリコン（Ｓｉ）の表面を酸化させるためには，酸化剤を添加すればよい。酸化剤としては，金属汚染を生じさせないものであればよく，具体的には，ペルオキソ二硫酸アンモニウム
【００４５】
　図６（ａ）は，酸化剤添加の効果を説明するためのグラフ図であり，図６（ｂ），（ｃ）は，酸化剤添加の効果を説明するためのウェーハの模式断面図である。 ウェーハ断面の構成は，図３（ａ）で説明したものと同様のため，その説明は省略する。図６（ａ）の横軸はペルオキソ二硫酸アンモニウム濃度を，縦軸はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）のエッチングレートを表している。また，図６（ｂ）は，エッチング液がリン酸（Ｈ３ＰＯ４）：３００ｍｌ，硫酸：１６０ｍｌの混合液の場合であり，図６（ｃ）は，エッチング液がリン酸（Ｈ３ＰＯ４）：３００ｍｌ，硫酸：１６０ｍｌ，ペルオキソ二硫酸アンモニウム：０．２ｍｏｌ／ｌの混合液の場合である。尚，図６（ａ），図６（ｂ），図６（ｃ）とも処理温度は１６０℃である。
【００４６】
　図６（ａ）からは，ペルオキソ二硫酸アンモニウム濃度が０．２ｍｏｌ／ｌの時，シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）のエッチングレートが最小となることが分かる。この場合，
好ましいペルオキソ二硫酸アンモニウム濃度を例示するものとすれば，０．１ｍｏｌ／ｌ以上，０．３ｍｏｌ／ｌ以下程度
（２）引用例４の技術的事項
　以上の摘記を総合すると，引用例４には次の技術的事項が記載されているものと理解できる。
・リン酸と硫酸を混合した窒化シリコンのエッチング液において，酸化剤としてペルオキソ二硫酸アンモニウムを好ましくは０．１ｍｏｌ／ｌ以上，０．３ｍｏｌ／ｌ以下程度添加することで，良好な寸法，形状の精度が得られること。
４．引用例５〜６について
（１）引用例５の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である引用例５（特開平５−６２９６６号公報）には，次の記載がある。
「【００１４】すなわち，飽和水溶液を使用すると，エッチング液の濃度上昇や濃度低下が生じないので再現性の高いエッチングを行うことができる。例えば，水の持込みがある場合にはエッチング槽の底に沈澱している結晶の溶解が生じ，また，水の蒸発が生じた場合は溶液から蓚酸の結晶が析出して平衡が保たれる。
【００１５】このように，
飽和溶液を使用すると，その温度により決められた溶解度を維持するために特定濃度の溶液を使用する場合に較べ，遙かに安定したエッチングを行うことができる
（２）引用例６の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である引用例６（特開２０００−６０２００号公報）には，次の記載がある。
「【００２９】
　図６Ａ〜Ｆは，本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子の製造方法を示す模式断面図である。異種基板３１の表面に，バッファ層３３と高温成長層３４とから成る下地層３２を形成する（図６Ａ）。次に，下地層３２上にｎ型クラッド層３５，活性層３６，ｐ型クラッド層３７，ｐ型コンタクト層３８，そして，１層以上の金属層から成る第１の接合層３９を形成する（図６Ｂ）。ここで，第１の接合層３９において，ｐ型コンタクト層３８上にｐ電極を形成した後，オーミック接触を得るためのアニール処理を行う。次に，１層以上の金属層から成る第２の接合層４１を表面に形成した支持基板４０を，第１の接合層３９と第２の接合層４１とが対向するように異種基板１の上に積層し，加熱圧着して接合する。
【００３０】
　次に，導電性の支持基板４０と接合した異種基板３１を実施の形態１と同様にして剥離する（図６Ｄ）。即ち，
酸又はアルカリであるエッチング液中で異種基板３１側からウエハ全面にレーザ光を照射することによって異種基板３１の剥離を行う
第５　対比・判断
１．本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明１の対比
　本願発明１と引用発明１を比較する。
ア　引用発明１における「互いに離隔した被エッチング領域１１１〜１１３が表面１００ｓに画定されたＧａＮ材料からなるウエハ１００」は，本願発明１における「ＩＩＩ族窒化物で構成された被エッチング領域を有する処理対象物」に相当する。
イ　引用発明１における「ウエハ１００をペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液４２０中に浸漬された状態で容器４１０内に収納する工程」は，本願発明１における「処理対象物を，ペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液中に浸漬された状態で容器に収容する工程」に相当する。
ウ　引用発明１において，「エッチング液４２０の温度は所定温度に調整され」ており，「熱又は光により生成された硫酸ラジカルと，ＵＶ光でＧａＮ材料に発生したホールによりＧａＮ材料がエッチングされる無電極ＰＥＣエッチングが行われ」ていることから，引用発明１における「ＵＶ光４３１をエッチング液４２０中に浸漬された状態のウエハ１００の表面１００ｓに照射して，ＧａＮ材料の被エッチング領域１１１〜１１３をエッチングする工程」は，本願発明１における「前記エッチング液の所定温度への加熱により硫酸イオンラジカルを生成させ，前記被エッチング領域への光照射によりホールを生成させることで，前記被エッチング領域をエッチングする工程」に相当する。
エ　引用発明１の「無電極ＰＥＣエッチング方法」は，ウエハ１００の互いに離隔した被エッチング領域をエッチングする方法であるから，本願発明１の「構造体の製造方法」に相当する。
　以上のア〜エによれば，本願発明１と引用発明１の一致点及び相違点は，次のとおりである。
（一致点）
「ＩＩＩ族窒化物で構成された被エッチング領域を有する処理対象物を，ペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液中に浸漬された状態で容器に収容する工程と，
　前記エッチング液の所定温度への加熱により硫酸イオンラジカルを生成させ，前記被エッチング領域への光照射によりホールを生成させることで，前記被エッチング領域をエッチングする工程と，
を有する，構造体の製造方法。」
である点。
（相違点１）
　本願発明１では「前記所定温度を，４５℃以上１００度未満」とするのに対し，引用発明１では，「エッチング液４２０の温度が所定温度に調整される」ことは特定されているが，所定温度の具体的範囲が特定されていない点。
（相違点２）
　本願発明１では「前記エッチング液は，ペルオキソ二硫酸イオンの塩を，前記エッチング液が調整される時点でのペルオキソ二硫酸イオン濃度である調整時濃度が所定濃度となるように，水に溶解させることで調整されたものであり，
　前記調整時濃度を，前記エッチング液の温度を４５℃以上に上昇させたときのエッチングレートが，前記エッチング液の温度が上昇するほど増加し，前記エッチング液の温度が４５℃未満であるときのエッチングレートよりも高くなるような濃度とする」のに対し，引用発明１では，エッチング液４２０のペルオキソ二硫酸イオン濃度の調整方法が特定されていない点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑み，はじめに相違点２について検討する。
ア　上記第４の２．（２）に示したとおり，引用例２には，ペルオキソ二硫酸イオンは高温加熱すると励起して自己分解（活性化）し，硫酸ラジカルを生成すること，及び，ペルオキソ二硫酸イオンは１００℃以上の温度で活性化することが記載されている。また，上記第４の３．（２）に示したとおり，引用例３には，ペルオキソ二硫酸を含む過硫酸が自己分解により生成する硫酸ラジカルは非常に強い酸化剤であるため，ＧａＮ半導体を酸化してエッチングが進むこと，及び，過硫酸含有硫酸溶液を窒化物半導体表面に接触させる際に液温を１２０〜１９０℃に調整することで，十分な酸化力を得ることが記載されている。
　引用例２及び引用例３に記載されたこれらの技術的事項によれば，ペルオキソ二硫酸イオンを加熱することで硫酸ラジカルが生成され，ＧａＮのエッチングに十分な酸化力が得られることが，当業者に周知の事項であったといえる。
イ　しかしながら，引用例２及び引用例３には，ペルオキソ二硫酸イオンの濃度が所定の高い濃度でないときには，エッチング液の温度を上昇させてもエッチングレートの増加が見られないことについては記載も示唆もされていないから，引用例２及び引用例３の記載から，温度を上昇させたときにエッチングレートが上昇するような濃度に調整すること，すなわち，「前記調整時濃度を，前記エッチング液の温度を４５℃以上に上昇させたときのエッチングレートが，前記エッチング液の温度が上昇するほど増加し，前記エッチング液の温度が４５℃未満であるときのエッチングレートよりも高くなるような濃度とする」ように「ペルオキソ二硫酸イオンの塩を，前記エッチング液が調整される時点でのペルオキソ二硫酸イオン濃度である調整時濃度が所定濃度となるように，水に溶解させることで調整」することを，容易に想到することができたとはいえない。
　また，引用例４には，ペルオキソ二硫酸アンモニウムを好ましくは０．１ｍｏｌ／ｌ以上，０．３ｍｏｌ／ｌ以下程度添加したエッチング液が開示されているが，当該エッチング液は窒化シリコンのエッチング液であるから，ＧａＮのＰＥＣエッチング技術である引用発明１に適用することが容易であるとはいえない。
　さらに，引用例５及び引用例６にも，上記相違点２に係る濃度の調整方法について記載されていない。
ウ　したがって，引用発明１及び引用例２〜６に記載された技術的事項から上記相違点２に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得たことではないから，相違点１について検討するまでもなく，本願発明１は，引用発明１及び引用例２〜６に記載された技術的事項から，当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
２．本願発明２〜１５について
　本願発明２〜１５は本願発明１と同じ技術的事項を備える発明であるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用例１〜６に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
第６　原査定について
　審判請求時の補正により，本願発明１〜１５は
「前記エッチング液は，ペルオキソ二硫酸イオンの塩を，前記エッチング液が調整される時点でのペルオキソ二硫酸イオン濃度である調整時濃度が所定濃度となるように，水に溶解させることで調整されたものであり，
前記調整時濃度を，前記エッチング液の温度を４５℃以上に上昇させたときのエッチングレートが，前記エッチング液の温度が上昇するほど増加し，前記エッチング液の温度が４５℃未満であるときのエッチングレートよりも高くなるような濃度とする」
という事項を有するものとなっており，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用例１〜６に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。したがって，原査定の理由を維持することはできない。
第７　結言
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。