【事件の表示】
　特願２０１８−５５８８３７「マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　７月　５日国際公開、ＷＯ２０１８／１２３２０８、請求項の数（１２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１７年１０月１３日（優先権主張　２０１６年１２月２７日）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　２０２０年　４月２３日付け：拒絶理由通知書
　２０２０年　６月２３日　　：意見書、手続補正書の提出
　２０２０年　８月２８日付け：拒絶査定
　２０２０年１１月２０日　　：審判請求書の提出
第２　原査定の概要
　原査定（２０２０年　８月２８日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
（進歩性）この出願の請求項１〜１２に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献１〜３に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
１.国際公開第２０１６／１１１２６２号
２.特開２０１５−１１５８７０号公報
３.特開２０１３−　４６１０７号公報
　なお、各請求項に係る発明と各引用文献の対応関係は、以下のとおりである。
・請求項１〜１０に係る発明ついては、引用文献１、２に記載された発明を引用
・請求項１１、１２に係る発明については、引用文献１〜３に記載された発明を引用
第３　本願発明
　本願請求項１〜１２に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明１２」という。）は、２０２０年　６月２３日の手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定される以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　共通端子と、
　前記共通端子に接続されており、第１の通過帯域を有する、第１の帯域通過型フィルタと、
　前記共通端子に接続されており、前記第１の通過帯域よりも周波数が高い、第２の通過帯域を有する、第２の帯域通過型フィルタと、
を備え、
　前記第１の帯域通過型フィルタが、
　支持基板と、
　前記支持基板上に積層された圧電体と、
　前記圧電体上に設けられたＩＤＴ電極と、
を備える弾性波装置を有し、
　前記圧電体は、ニオブ酸リチウムであり、
　前記圧電体のオイラー角（φ，θ，ψ）が、（０°±５°，θ，０°±１０°）の範囲内であり、
　前記オイラー角におけるθが、３０°以上、３４°以下であり、
　前記弾性波装置がレイリー波を利用している、マルチプレクサ。
【請求項２】
　前記圧電体の膜厚は、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、０．１λ以上、１．０λ以下である、請求項１に記載のマルチプレクサ。
【請求項３】
　前記支持基板と前記圧電体との間に設けられており、伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体を伝搬する弾性波の音速よりも低い低音速材料からなる低音速材料層をさらに備える、請求項１又は２に記載のマルチプレクサ。
【請求項４】
　前記支持基板を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体を伝搬する弾性波の音速よりも高い、請求項１〜３のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項５】
　前記支持基板と前記低音速材料層との間に設けられており、伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体を伝搬する弾性波の音速よりも高い高音速材料からなる高音速材料層をさらに備える、請求項３に記載のマルチプレクサ。
【請求項６】
　前記ＩＤＴ電極が、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ａｕ及びこれらの金属を含む合金からなる群から選択された少なくとも１種である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項７】
　前記支持基板が、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ダイヤモンド、又はこれらの材料を主成分とする材料により構成されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項８】
　前記ＩＤＴ電極の厚みが、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、０．０２λ以上である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項９】
　前記ＩＤＴ電極の厚みが、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、０．１λ以下である、請求項８に記載のマルチプレクサ。
【請求項１０】
　キャリアアグリゲーションに用いられる、請求項１〜９のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
【請求項１１】
　請求項１〜１０のいずれか１項に記載のマルチプレクサと、
　パワーアンプと、
を備える、高周波フロントエンド回路。
【請求項１２】
　請求項１１に記載の高周波フロントエンド回路と、
　ＲＦ信号処理回路と、
を備える、通信装置。」
第４　引用文献、引用発明等
１．国際公開第２０１６／１１１２６２号（以下、「引用文献１」という。）
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審が付与。）
「[0006]　本発明の目的は、
挿入損失が小さく、かつ低コストな複合フィルタ装置
「[0007]　本発明に係る複合フィルタ装置は、第１のフィルタと、通過帯域が異なる複数の第２のフィルタと、を備え、前記第１のフィルタ及び前記複数の第２のフィルタの一端が共通接続されており、前記第１のフィルタが、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板と、前記圧電基板上に設けられているＩＤＴ電極と、前記圧電基板上に前記ＩＤＴ電極を覆うように設けられている誘電体層と、を有し、前記第１のフィルタがレイリー波の基本波を利用しており、前記第１のフィルタの通過帯域が、前記複数の第２のフィルタのいずれの通過帯域よりも低い周波数帯域に配置されている。」
「[0030]　図１は、本発明の第１の実施形態に係る複合フィルタ装置のブロック図である。
　[0031]　複合フィルタ装置１は、
第１のフィルタ２と通過帯域の異なる複数の第２のフィルタ１２Ａ，１２Ｂとを有する。
　[0032]　
複合フィルタ装置１は、アンテナ端子１７を有する。第１のフィルタ２及び複数の第２のフィルタ１２Ａ，１２Ｂの一端は、アンテナ端子１７に共通接続されている。
　[0033]　図２は、第１の実施形態における第１のフィルタの回路図である。
　[0034]　
第１のフィルタ２は、ラダー型フィルタである。
第１〜第４の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４及び第１〜第４の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４は、弾性表面波共振子からなる。
　[0035]　図３（ａ）は、第１の実施形態における第１のフィルタで用いられている第１の直列腕共振子の平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分の断面図である。
　[0036]　
第１の直列腕共振子Ｓ１は、圧電基板３を有する。圧電基板３は、回転ＹカットのＬｉＮｂＯ３からなる。第１のフィルタ２は、レイリー波の基本波を利用している。圧電基板３のＬｉＮｂＯ３のカット角は、レイリー波の基本波を利用できればよく、
１１０°以上であり、かつ１５０°以下であることが望ましい。
　[0037]　
圧電基板３上には、ＩＤＴ電極４が設けられている。
　[0038]　図４に示す変形例のように、第１のフィルタのＩＤＴ電極２４は、複数の金属層２４ａ〜２４ｄを有していてもよい。なお、金属層の層数は特に限定されない。
　[0039]　
図３（ｂ）に戻り、圧電基板３上には、ＩＤＴ電極４を覆うように、誘電体層６が設けられている。
　[0040]　なお、第２〜第４の直列腕共振子Ｓ２〜Ｓ４及び第１〜第４の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４は、第１の直列腕共振子Ｓ１と同様の構成を有し、同じ圧電基板３上に構成されている。第１〜第４の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４及び第１〜第４の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４は、それぞれ適宜のＩＤＴ電極の厚み及びＩＤＴ電極の電極指間距離などを有し、図１に示した第１のフィルタ２を構成している。
　[0041]　本実施形態の複数の第２のフィルタ１２Ａ，１２Ｂも、複数の弾性表面波共振子を用いて構成されたラダー型フィルタである。
　[0042]　図５は、本発明の第１の実施形態における複数の第２のフィルタのうちの１つの第２のフィルタで用いられている弾性表面波共振子の拡大正面断面図である。
　[0043]　第２のフィルタ１２Ａで用いられている弾性表面波共振子は、ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板１３を有し、リーキー波を利用している。なお、上記弾性表面波共振子は、ＬｉＴａＯ３以外の圧電単結晶や圧電セラミックスなどからなる圧電基板を有していてもよい。
　[0044]　第２のフィルタ１２Ｂで用いられている弾性表面波共振子も、第２のフィルタ１２Ａで用いられている弾性表面波共振子と同様の構造を有する。
　[0045]　
第１のフィルタ２の通過帯域は、複数の第２のフィルタ１２Ａ，１２Ｂのいずれの通過帯域よりも低い周波数帯域に配置されている。
「［図１］
」
「［図２］
」
「［図３］
」
したがって、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
「挿入損失が小さく、かつ低コストな複合フィルタ装置であって（[０００６]）、
　第１のフィルタ２と通過帯域の異なる複数の第２のフィルタ１２Ａ，１２Ｂと、アンテナ端子１７を有し（[００３１、００３２]、[図１]）、
　第１のフィルタ２及び複数の第２のフィルタ１２Ａ，１２Ｂの一端は、アンテナ端子１７に共通接続されており（[００３２]、[図１]）、
　第１のフィルタ２の通過帯域は、複数の第２のフィルタ１２Ａ，１２Ｂのいずれの通過帯域よりも低い周波数帯域に配置されており（[００４５]）、
　第１のフィルタ２は、第１〜第４の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４及び第１〜第４の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４を回路構成として備えるラダー型フィルタであって、前記第１〜第４の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４及び第１〜第４の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４は、弾性表面波共振子からなり（[００３４]、[図２]）、
　第１のフィルタ２は、レイリー波の基本波を利用しており（[００３６]）、
　第１の直列腕共振子Ｓ１は、圧電基板３を有し、圧電基板３は、回転ＹカットのＬｉＮｂＯ３からなり、圧電基板３のＬｉＮｂＯ３のカット角は、レイリー波の基本波を利用できればよく、１１０°以上であり、かつ１５０°以下であることが望ましく（[００３６]、[図３]）、
　圧電基板３上には、ＩＤＴ電極４が設けられ、該ＩＤＴ電極４を覆うように、誘電体層６が設けられている（[００３７]、[００３９]、[図３]）、
　複合フィルタ装置。」
２．特開２０１５−１１５８７０号公報（以下、「引用文献２」という。）
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２３】
　本発明に係る弾性波デバイスでは、支持基板と圧電膜との間に、高音速膜及び低音速膜が配置されており、さらに高音速膜を含み、高音速膜より上方の構造部分において、メインモード及び高次モードのエネルギー集中度が上記特定の範囲とされているため、利用する弾性波のエネルギーを圧電膜及び低音速膜が積層されている部分に効果的に閉じ込めることができる。加えて、スプリアスとなる高次モードを高音速膜の支持基板側に漏洩させることができる。さらに、支持基板の上面が粗面であるため、支持基板の上面に達した高次モードが支持基板側に散乱するため、高次モードスプリアスをより一層抑制することが可能となる。よって、利用する弾性波による良好な共振特性やフィルタ特性などを得ることができ、しかも高次モードによる所望でない応答を抑制することが可能となる。」
「【００２６】
（第１の実施形態）
　図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態としての弾性表面波デバイスの模式正面断面図である。
【００２７】
　弾性表面波デバイス１は、支持基板２を有する。支持基板２の上面２ａに、音速が相対的に高い高音速膜３が積層されている。高音速膜３上に、音速が相対的に低い低音速膜４が積層されている。また、低音速膜４上に圧電膜５が積層されている。この圧電膜５の上面にＩＤＴ電極６が積層されている。なお、ＩＤＴ電極６は圧電膜５の下面に積層されていてもよい。
【００２８】
　上記支持基板２は、高音速膜３、低音速膜４、圧電膜５及びＩＤＴ電極６を有する積層構造を支持し得る限り、適宜の材料により構成することができる。このような材料としては、圧電体、誘電体または半導体等を用いることができる。本実施形態では、支持基板２は、ガラスからなる。
【００２９】
　上記支持基板２の上面２ａは、粗面である。上面２ａが粗面であることによる作用等の詳細については、図２１を参照して後述する。
【００３０】
　上記高音速膜３は、弾性表面波を圧電膜５及び低音速膜４が積層されている部分に閉じ込めるように機能する。本実施形態では、高音速膜３は、窒化アルミニウムからなる。もっとも、上記弾性波を閉じ込め得る限り、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素またはダイヤモンド等のさまざまな高音速材料を用いることができる。
【００３１】
　上記ＩＤＴ電極の電極指の周期で定まる弾性波の波長をλとする。本実施形態では、高音速膜を含み、高音速膜より上方の構造部分において、利用する弾性波であるメインモードのエネルギー集中度は９９．９％以上であり、かつ、スプリアスとなる高次モードのエネルギー集中度は９９．５％以下とされている。すなわち、利用する弾性波であるメインモードが高音速膜よりも上方の構造部分に確実に閉じ込められる。他方、スプリアスとなる高次モードは支持基板側に漏洩する。それによって、後述するように、利用する弾性波すなわちメインモードのエネルギーを、圧電膜５及び低音速膜４が積層されている部分に閉じ込めることができ、かつスプリアスとなる高次モードを高音速膜３の支持基板２側に漏洩させることが可能とされている。
【００３２】
　なお、本明細書において、高音速膜とは、圧電膜５を伝搬する弾性波よりも、該高音速膜中のバルク波の音速が高速となる膜を言うものとする。また、低音速膜とは、圧電膜５を伝搬するバルク波よりも、該低音速膜中のバルク波の音速が低速となる膜を言うものとする。上記バルク波の音速を決定するバルク波のモードは、圧電膜５を伝搬する弾性波の使用モードに応じて定義される。高音速膜３及び低音速膜４がバルク波の伝搬方向に関し等方性の場合には、下記の表１に示すようになる。すなわち、下記の表１の左軸の弾性波の主モードに対し下記の表１の右軸のバルク波のモードにより、上記高音速及び低音速を決定する。Ｐ波は縦波であり、Ｓ波は横波である。
【００３３】
　なお、下記の表１において、Ｕ１はＰ波を主成分とし、Ｕ２はＳＨ波を主成分とし、Ｕ３はＳＶ波を主成分とする弾性波を意味する。
【００３４】
【表１】
【００３５】
　上記低音速膜４及び高音速膜３がバルク波の伝搬性において異方性である場合には下記の表２に示すように高音速及び低音速を決定するバルク波のモードが決まる。なお、バルク波のモードのうち、ＳＨ波とＳＶ波のより遅い方が遅い横波と呼ばれ、速い方が速い横波と呼ばれる。どちらが遅い横波になるかは、材料の異方性により異なる。回転Ｙカット付近のＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３では、バルク波のうちＳＶ波が遅い横波、ＳＨ波が速い横波となる。
【００３６】
【表２】
【００３７】
　上記低音速膜４を構成する材料としては圧電膜５を伝搬するバルク波よりも低音速のバルク波音速を有する適宜の材料を用いることができる。このような材料としては、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、また、酸化ケイ素にフッ素や炭素やホウ素を加えた化合物などを用いることができる。
【００３８】
　上記低音速膜及び高音速膜は、上記のように決定される高音速及び低音速を実現し得る適宜の誘電体材料からなる。
【００３９】
　圧電膜５は、適宜の圧電材料により形成することができるが、好ましくは、圧電単結晶からなる。圧電単結晶を用いた場合、オイラー角を選択することにより様々な特性の弾性波デバイスを容易に提供し得る。より好ましくは、タンタル酸リチウム単結晶またはニオブ酸リチウム単結晶が用いられ、その場合には、オイラー角を選択することにより弾性表面波デバイス１の共振特性やフィルタ特性をより一層高めることができる。
【００４０】
　ＩＤＴ電極６は、本実施形態では、Ａｌからなる。もっとも、ＩＤＴ電極６は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗまたはこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。また、ＩＤＴ電極６は、これらの金属もしくは合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。」
「【００４６】
　図２〜図５は、利用する弾性波であるメインモードのエネルギー分布を示す図であり、図６〜８は、高次モードのエネルギー分布を示す図である。なお、図２〜図８の結果は、以下の弾性表面波デバイス１を前提とした有限要素法により得られた結果である。上から順に、ＩＤＴ電極６：Ａｌ電極、厚み０．０８λ／圧電膜５：ＹカットＬｉＴａＯ３のＬｉＴａＯ３単結晶膜、厚み０．２５λ／低音速膜４：酸化ケイ素膜、厚み０．３４λ／高音速膜３：窒化アルミニウム膜、厚み０．１λ〜３．０λの間で変化させた／支持基板２：ガラス基板。」
「【００９２】
　上記第１の実施形態では、支持基板２としてガラス基板を用いたが、ガラスに代えてアルミナを用いてもよい。
【００９３】
　また、支持基板として、高抵抗なシリコンを用いてもよい。この場合、基板との容量結合を小さくすることができ、弾性表面波デバイスの挿入損失が改善されるため、シリコン支持基板の抵抗率は１００Ωｃｍ以上であることが好ましい。さらには、シリコン支持基板の抵抗率が１０００Ωｃｍ以上であれば、デバイスとしてアルミナやガラスと同等の挿入損失を得ながら、加工性が向上するので、製造プロセスの自由度が増して、より好ましい。さらには、抵抗率が４０００Ωｃｍであれば、弾性表面波デバイスのフィルタ特性をより改善できるため、より好ましい。」
３．特開２０１３−　４６１０７号公報（以下、引用文献３という。）
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００５９】
　実施例３は、実施例１または２の弾性波デバイスをモジュールに用いる例である。図１１は、実施例３に係るモジュールのブロック図である。図１１に示すように、モジュール１００は、ＲＦ（Radio Frequency）スイッチ７２、ＲＦＩＣ（Integrated Circuit）７４、デュープレクサ７６、パワーアンプ７８および９２、ローノイズアンプ８０、バンドパスフィルタ８２、８４および８６、およびローパスフィルタ９０を備えている。モジュール１００は、ＷＣＤＭＡ（Wideband Code Division Multiple Access）のバンドＩ、バンドII、バンドＶおよびバンドVIII並びにＧＳＭ（Global System for Mobile Communication）の８５０ＭＨｚ帯、９００ＭＨｚ帯、１８００ＭＨｚ帯および１９００ＭＨｚ帯の送受信可能な携帯電話端末用の通信モジュールである。」
第５　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明１とを対比すると、次のことがいえる。
（ア）『共通端子と、前記共通端子に接続されており、第１の通過帯域を有する、第１の帯域通過型フィルタと、前記共通端子に接続されており、前記第１の通過帯域よりも周波数が高い、第２の通過帯域を有する、第２の帯域通過型フィルタと、を備え、』について
　引用発明１においては、「第１のフィルタ２と通過帯域の異なる複数の第２のフィルタ１２Ａ，１２Ｂと、アンテナ端子１７を有し（[００３１、００３２]、[図１]）、第１のフィルタ２及び複数の第２のフィルタ１２Ａ，１２Ｂの一端は、アンテナ端子１７に共通接続されており（[００３２]、[図１]）、第１のフィルタ２の通過帯域は、複数の第２のフィルタ１２Ａ，１２Ｂのいずれの通過帯域よりも低い周波数帯域に配置されており（[００４５]）、」であるから、前記「アンテナ端子１７」は、本願発明１でいう『共通端子』に対応することは明らかである。
　してみると、引用発明１の「第１のフィルタ２」、「第２のフィルタ１２Ａ，１２Ｂ」は、それぞれ、本願発明１でいう『前記共通端子に接続されており、第１の通過帯域を有する、第１の帯域通過型フィルタ』と『前記共通端子に接続されており、前記第１の通過帯域よりも周波数が高い、第２の通過帯域を有する、第２の帯域通過型フィルタ』に対応する。
（イ）『前記第１の帯域通過型フィルタが、支持基板と、前記支持基板上に積層された圧電体と、
　前記圧電体上に設けられたＩＤＴ電極と、を備える弾性波装置を有し、』について
　引用発明１の「第１のフィルタ２」は、第１〜第４の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４及び第１〜第４の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４を回路構成として備えるラダー型フィルタであって、そして、回路構成の一つである「第１の直列腕共振子Ｓ１」は、「圧電基板３」を有し、該圧電基板３上には、「ＩＤＴ電極４が設けられ、該ＩＤＴ電極４を覆うように、誘電体層６が設けられて」いる。
　ここで、「第１の直列腕共振子Ｓ１」は、「第１のフィルタ２」の一部であるから、引用発明１における「圧電基板３」と「ＩＤＴ電極４」は、それぞれ、本願発明１でいう『圧電体』及び『圧電体上に設けられたＩＤＴ電極』に対応する。
　また、引用発明１の「第１のフィルタ２」を構成している「第１〜第４の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４及び第１〜第４の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４」は、「弾性表面波共振子」からなっていることを鑑みると、「弾性表面波共振子からなる直列腕共振子Ｓ１」を回路構成として備える「第１のフィルタ２」は、本願発明１でいう『弾性波装置』といえるものである。
　してみると、本願発明１と引用発明１とは、「第１の帯域通過型フィルタが、圧電体と、前記圧電体上に設けられたＩＤＴ電極と、を備える弾性波装置を有する」という点で共通している。
　なお、引用発明１には、「第１のフィルタ２」を構成している「第１の直列腕共振子Ｓ１」が「支持基板」を備えているか否かについては明らかでない。
（ウ）『前記圧電体は、ニオブ酸リチウムであり、前記圧電体のオイラー角（φ，θ，ψ）が、（０°±５°，θ，０°±１０°）の範囲内であり、前記オイラー角におけるθが、３０°以上、３４°以下であり、』について
　引用発明１の「第１の直列腕共振子Ｓ１」を構成している「圧電基板３」は、「回転ＹカットのＬｉＮｂＯ３からなり、圧電基板３のＬｉＮｂＯ３のカット角は、レイリー波の基本波を利用できればよく、１１０°以上であり、かつ１５０°以下であることが望ましい」ものである。
　ここで、本願発明１でいう『オイラー角』と引用発明１の「（回転Ｙカットの）カット角」は、いずれも、単結晶であるニオブ酸リチウムからウエハとして切り出し加工を行う際に，その切り出し角度、即ち、物体であるニオブ酸リチウムの三次元空間における姿勢、を表すものである。　
　してみると、本願発明１と引用発明１とは、「圧電体は、ニオブ酸リチウムであり、前記圧電体を切り出す際の三次元空間における姿勢が所定の範囲内である」という点で共通している。
（エ）『前記弾性波装置がレイリー波を利用している、』について
　引用発明１において、「第１のフィルタ２」は、レイリー波の基本波を利用しており、上記（イ）で言及したように、「第１のフィルタ２」は、本願発明１でいう『弾性波装置』といえるものであるから、引用発明１は、本願発明１でいう『弾性波装置がレイリー波を利用している』との構成を備えているといえる。
（オ）『マルチプレクサ』について
　本願発明１でいう『マルチプレクサ』とは、本願明細書の段落【００２４】から【００３９】及び【図１】、【図２】に記載されているようなものであることを踏まえると、引用発明１の「複合フィルタ装置」は、本願発明１でいう『マルチプレクサ』に対応するものといえる。
　したがって、本願発明１と引用発明１との間には、次の一致点、相違点がある。
（一致点）
「共通端子と、
　前記共通端子に接続されており、第１の通過帯域を有する、第１の帯域通過型フィルタと、
　前記共通端子に接続されており、前記第１の通過帯域よりも周波数が高い、第２の通過帯域を有する、第２の帯域通過型フィルタと、
を備え、
　前記第１の帯域通過型フィルタが、
　圧電体と、
　前記圧電体上に設けられたＩＤＴ電極と、
を備える弾性波装置を有し、
　前記圧電体は、ニオブ酸リチウムであり、
　前記圧電体を切り出す際の三次元空間における姿勢が所定の範囲内であり、
　前記弾性波装置がレイリー波を利用している、マルチプレクサ。」
（相違点）
（相違点１）本願発明１においては、『弾性波装置』が『支持基板』を有するのに対し、引用発明１の「第１のフィルタ２」を構成している「第１の直列腕共振子Ｓ１」が支持基板を有するか否かは、引用文献1には明示されていない点。
（相違点２）本願発明１の『圧電体』は、『オイラー角（φ，θ，ψ）が、（０°±５°，θ，０°±１０°）の範囲内であり、前記オイラー角におけるθが、３０°以上、３４°以下』であるのに対し、引用発明１の「圧電基板の回転ＹカットのＬｉＮｂＯ３」は、「カット角」が「１１０°以上であり、かつ１５０°以下」である点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑みて、上記相違点２について検討すると、本願発明１は、『圧電体のオイラー角（φ，θ，ψ）が、（０°±５°，θ，０°±１０°）の範囲内であり、前記オイラー角におけるθが、３０°以上、３４°以下』とする構成により、本願明細書の段落【００３１】、【００９９】に記載されるように、メインモードの共振周波数より低周波数側におけるスプリアスを抑制するという効果を奏する。この点について、引用文献１及び引用文献２には記載も示唆もされておらず、引用文献１及び引用文献２の記載からは予測し得ない効果を有するものといえる。
　なお、引用発明１において、「圧電基板のＬｉＮｂＯ３のカット角は、１１０°以上であり、かつ１５０°以下であることが望ましい」とする数値限定は、『オイラー角におけるθ』に換算すると、２０°以上６０°以下となり、本願発明１おける『オイラー角におけるθ』の数値限定と一部範囲が重複する。しかしながら、引用発明１の数値限定は、レイリー波の基本波を利用することにより、挿入損失を小さくするという技術的課題を解決するためのものである一方、本願発明１の数値限定は、本願明細書の段落【０００６】に記載されるように、スプリアスを抑制することにより、周波数帯域が低い帯域通過型フィルタの影響により、周波数帯域が高い帯域通過型フィルタのフィルタ特性が劣化し難くするという技術的課題を解決するためのものであって、両者の有する効果は異質なものといえる。
　以上を踏まえると、本願発明１は、当業者といえども、引用発明１及び引用文献２に記載の発明に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
　したがって、上記相違点1について検討するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用発明１及び引用文献２に記載の発明に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
　本願発明２〜１０も、本願発明１の『圧電体のオイラー角（φ，θ，ψ）が、（０°±５°，θ，０°±１０°）の範囲内であり、前記オイラー角におけるθが、３０°以上、３４°以下』とする構成と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明１及び引用文献２に記載の発明に基いて容易に発明できたものとはいえない。
　本願発明１１、１２も、本願発明１の『圧電体のオイラー角（φ，θ，ψ）が、（０°±５°，θ，０°±１０°）の範囲内であり、前記オイラー角におけるθが、３０°以上、３４°以下』とする構成と同一の構成を備えるものであり、引用文献３にも、『圧電体のオイラー角（φ，θ，ψ）が、（０°±５°，θ，０°±１０°）の範囲内であり、前記オイラー角におけるθが、３０°以上、３４°以下』とする構成は記載も示唆もされていないから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明１及び引用文献２、３に記載の発明に基いて容易に発明できたものとはいえない。
第６　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によって、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。