【事件の表示】
　特願２０１８−５２８３１１「堆積チャンバでエピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造する方法，エピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造する装置，およびエピタキシャル層を有する半導体ウエハ」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　６月　８日国際公開，ＷＯ２０１７／０９３１０２，平成３０年１２月２７日国内公表，特表２０１８−５３８６９１，請求項の数（４）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１６年１１月２４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１５年１２月１日，ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする出願であって，平成３０年５月３１日付けで手続補正がされ，平成３１年３月２９日付けで拒絶理由通知がされ，令和元年７月１日付けで手続補正がされ，同年１２月１３日付けで拒絶理由通知がされ，令和２年３月６日付けで手続補正がされ，同年５月２２日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，同年９月３０日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（令和２年５月２２日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　１　本願請求項１に係る発明は，以下の引用文献１及び４に基づいて，また，本願請求項２に関する発明は，以下の引用文献１ないし４に基づいてその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　引用文献等一覧
　１．特開２０１３−０１６６３５号公報
　２．特開２０１３−１７５６４１号公報
　３．特開２０１４−０６０３２７号公報
　４．国際公開第２０１５／０３００４７号
　２　請求項２に係る発明は本願明細書の発明の詳細な説明に記載したものではないから，本願は，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
第３　審判請求時の補正について
　審判請求時の補正は，特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。
　そして，「第４　本願発明」から「第６　対比・判断」までに示すように，補正後の請求項１−４に係る発明は，独立特許要件を満たすものである。
第４　本願発明
　本願請求項１−４に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明４」という。）は，令和２年９月３０日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−４に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　堆積チャンバでエピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造するための方法であって，
　ロードロックチャンバで，基板ウエハを前記基板ウエハの背面の縁部領域においてサセプタの配置区域上へ配置することを備え，前記サセプタはリングとして具現され，
　前記サセプタと接触させ，前記サセプタおよび前記サセプタ上に位置する前記基板ウエハを前記ロードロックチャンバから前記堆積チャンバへ搬送することによって，前記サセプタおよび前記サセブタ上に位置する前記基板ウエハを前記堆積チャンバへ入れることと，
　前記基板ウエハ上にエピタキシャル層を堆積してエピタキシャル層を有する前記半導体ウエハを製造し，その間に前記ロードロックチャンバに被覆されるべきさらなる基板を搬入することと，
　前記サセプタと接触させ，前記サセプタおよび前記サセプタ上に位置するエピタキシャル層を有する半導体ウエハを前記堆積チャンバから前記ロードロックチャンバまで搬送することによって，前記堆積チャンバから取り出すこととを備え，前記方法はさらに，
　前記ロードロックチャンバで前記サセプタと前記エピタキシャル層を有する半導体ウエハとを分離することを含み，前記リング上にさらなる基板ウエハを載置することによって新たな堆積サイクルが開始される，方法。
【請求項２】
　前記エピタキシャル層を有する半導体ウエハの温度が６５０℃以上になる時点で前記堆積チャンバから取り出すことを含む，請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　エピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造するための装置であって，
　単一ウェハ気相堆積チャンバと，
　ロードロックチャンバと，
　基板ウエハを前記基板ウエハの背面の縁部領域において配置するための配置区域を有し，リングとして具現されるサセプタと，
　下方から前記サセプタと接触することで，前記サセプタおよび前記基板ウエハ，または前記サセプタ上に位置するエピタキシャル層を有する前記半導体ウエハを昇降させる，前記ロードロックチャンバのリフト要素と，
　前記基板ウエハを載置するための上部保持クランプと，
　前記エピタキシャル層を有する半導体ウエハを載置するための下部保持クランプと，
　前記エピタキシャル層を有する半導体ウエハを前記サセプタから分離するためのリフトピンと，
　前記サセプタおよび前記サセプタ上に位置する前記基板ウエハを前記ロードロックチャンバから前記堆積チャンバへ搬送するために，および，前記サセプタおよび前記サセプタ上に位置する前記エピタキシャル層を有する半導体ウエハを，前記堆積チャンバから前記ロードロックチャンバまで搬送するために，サセプタと接触する，搬送工具とを備える，装置。
【請求項４】
　前記サセプタは，内側端縁に前記配置区域を備える，請求項３に記載の装置。」
第５　引用文献，引用発明等
　１　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項 1】
 基板が載置された載置体と，
前記載置体が複数支持された載置体支持具と，
前記載置体支持具が収容される反応管と，
前記反応管の外側に設けられ，前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え，
前記載置体の，前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が，同じ粗さに表面加工されたことを特徴とする基板処理装置。」
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウェハ（以下，ウェハという。）等の基板を処理する基板処理装置や半導体装置の製造方法に関し，特に，鉛直方向に積層するように配置した複数の基板を熱処理する縦型装置において，サセプタ（載置体）上へ基板を載置し，該基板を載置したサセプタを，サセプタ支持具としてのボート（載置体支持具）へ搭載し，サセプタ上の基板を熱処理する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
　従来より縦型装置において，１０００℃〜１５００℃で複数のウェハを熱処理する際に，各ウェハをそれぞれリング状のサセプタ上に載置し，該ウェハを載置したサセプタをボートへ複数搭載した状態で熱処理することが行われている。このサセプタは，シリコン（Ｓｉ）又は炭化珪素（ＳｉＣ）で製作され，ボートへできるだけ多くのサセプタを搭載できるよう，厚さの制約がある。サセプタを用いる理由は，ウェハを直接ボートへ搭載して熱処理すると，ボートと接触するウェハ下面に接触傷やスリップと呼ばれる微細な亀裂（結晶欠陥）が生じやすくなるので，これを抑制するためである。
【０００３】
　ウェハ下面と接触するサセプタ上面には，ウェハ下面に接触傷やスリップが発生するのを抑制するため，適切な表面粗さとなるよう粗面加工を施しているが，ボートと接触するサセプタ下面は，厚さ等の外形寸法の精度は重要視されるものの，スリップ等の問題がないので，機械加工により平坦化したままであり粗面加工を施していない。
【０００４】
　下記の特許文献１には，サセプタへのウェハ基板の吸着を防止するために，サセプタ上面に凹部及び凸部を連続して形成する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献1】特開平１０−３４０８９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　上述のように，従来はサセプタ上面と下面の表面粗さが異なっていたが，このようにサセプタ上面と下面の表面粗さが異なっている状態で高温処理を行うと，サセプタが変形する場合があることが分かってきた。サセプタが変形すると，ボート上のサセプタが不安定なバタツキ状態となり，異物が発生し易くなる。また，ウェハの支持が不安定となり，スリップ発生の原因となる。
　本発明の目的は，高温処理においても，サセプタ変形を抑制することができる基板処理技術を提供することにある。 」
「【発明の効果】
【０００９】
　上記の構成によれば，高温処理においてもサセプタ変形を抑制することができ，異物発生やスリップ発生を抑制することができる。 」
「【００１３】
　ヒータ２０６の内側には，ヒータ２０６と同心円状に反応管２０３が配設されている。反応管２０３は，石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱材料からなり，上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。
反応管２０３の内側の筒中空部には，処理室２０１が形成
「【００２０】
　本実施形態におけるサセプタ２とボート２１７の構造について説明する。 サセプタ（載置体）支持具としてのボート２１７は，例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり，ウェハ２００を載置したサセプタ２を複数，水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。サセプタ２は，例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で形成されている。 図２は，本実施形態におけるサセプタ２がボート２１７に支持されている状態を示す側面図であり，ボート２１７の一部を示す図である。図３は，本実施形態におけるサセプタ２の平面図である。図３に示すように，
本実施形態におけるサセプタ２は，上面視（上側から見た形状）がＣ字のリング状（Ｃ字状）をしており，２つのウェハ支持部２ｂを，繋ぎ部２ａで接続する構造である。ウェハ支持部２ｂは，その上面及び下面が同じ表面粗さに加工された平面をなし，その上面によりウェハ２００を面支持する。繋ぎ部２ａは，２つのウェハ支持部２ｂを繋ぎ固定する
【００２１】
　なお，
サセプタ２をＣ字のリング状に形成するのは，ウェハ２００を搬送するウェハ搬送機が，ウェハ２００をサセプタ２上に載置し易くするためである。ウェハ２００を載せた搬送機のフィンガーが，サセプタ２上に水平移動した後，Ｃ字の空隙部を通って下降することにより，ウェハ２００をサセプタ２上に載置できる。ウェハ２００をサセプタ２上から取り出すときは，ウェハ搬送機は逆の手順で動作する
「【００３７】
　次に，
上記構成に係る処理炉２０２を用いて，半導体デバイスの製造工程の一工程として，ウェハ２００などの基板上に，Ｅｐｉ−ＳｉＧｅ膜を形成する方法
【００３８】
　
ロードロック室１４０内において，ボート２１７に複数のサセプタ２が装填された状態で，複数枚のウェハ２００がそれぞれボート２１７上のサセプタ２に載置
複数枚のウェハ２００をサセプタ２に載置したボート２１７は，昇降モータ２４８による昇降台２４９及び昇降シャフト２５０の昇降動作により処理室２０１内に搬入（ボートローディング）される
「【００４０】
　第１のガス供給源１８０，第２のガス供給源１８１，第３のガス供給源１８２には，処理ガスとして，それぞれＳｉＨ４又はＳｉ２Ｈ６，ＧｅＨ４，Ｈ２が封入されており，次いで，これら処理ガス供給源からそれぞれの処理ガスが供給される。所望の流量となるようにＭＦＣ１８３，１８４，１８５の開度が調節された後，バルブ１７６，１７７，１７８が開かれ，それぞれの処理ガスがガス供給管２３２を流通して，処理室２０１の上部から処理室２０１内に導入される。導入されたガスは，処理室２０１内を通り，ガス排気管２３１から排気される。処理ガスは，処理室２０１内を通過する際にウェハ２００と接触し，
ウェハ２００の上面上にＥｐｉ−ＳｉＧｅ膜が堆積（デポジション）される
「【００４２】
　その後，
昇降モータ２４８によりシールキャップ２１９が下降されて，炉口１６１が開口されると共に，処理済ウェハ２００がボート２１７上のサセプタ２に載置された状態で，炉口１６１から反応管２０３の外部，つまりロードロック室１４０内に搬出（ボートアンローディング）される
「【００４５】
　以上，本発明を実施形態に基づき説明したが，本発明はこれに限定されるものではなく，その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
　
上記実施形態では，リング状のサセプタについて説明したが，リング状に限られず他の形状のサセプタであっても，本発明を適用することができる
　また，上記実施形態では，ウェハをボート上のサセプタに載置，取り出しする場所を真空置換可能なロードロック室としたが，基板への自然酸化膜の付着等がさほど問題とならない処理を行う場合には，真空置換可能なロードロック室に代えて，窒素ガス雰囲気やクリーンエア雰囲気を用い真空置換しないで行うように構成してもよい。
　また，
上記実施形態では，エピタキシャル成長装置を例示して説明した
「
」
「
」
　上記摘記を参酌すれば，上記図１ないし３から，引用文献１の実施形態において，ウェハ２００の背面の縁部領域が，サセプタ２の配置区域上へ配置されていることを見てとることができる。
　したがって，上記引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「処理炉２０２を用いて，半導体デバイスの製造工程の一工程として，ウェハ２００などの基板上に，Ｅｐｉ−ＳｉＧｅ膜を形成する方法であって，
　ロードロック室１４０内において，ボート２１７に複数のサセプタ２が装填された状態で，複数枚のウェハ２００をそれぞれウェハ２００の背面の縁部領域においてサセプタ２の配置区域上へ配置する工程と，
　複数枚のウェハ２００がサセプタ２に載置されたボート２１７を，昇降モータ２４８による昇降台２４９及び昇降シャフト２５０の昇降動作により，反応管２０３の内側の筒中空部に形成された処理室２０１内に搬入（ボートローディング）する工程と，
　ウェハ２００の上面上にＥｐｉ−ＳｉＧｅ膜を堆積（デポジション）する工程と，
　昇降モータ２４８によりシールキャップ２１９を下降し，炉口１６１を開口すると共に，処理済ウェハ２００をボート２１７上のサセプタ２に載置した状態で，炉口１６１から反応管２０３の外部，つまりロードロック室１４０内に搬出（ボートアンローディング）する工程とを含み，
　前記サセプタ２は，上面視（上側から見た形状）がＣ字のリング状（Ｃ字状）をしており，２つのウェハ支持部２ｂを，繋ぎ部２ａで接続する構造であり，ウェハ支持部２ｂは，その上面及び下面が同じ表面粗さに加工された平面をなし，その上面によりウェハ２００を面支持し，繋ぎ部２ａは，２つのウェハ支持部２ｂを繋ぎ固定するものであって，
　サセプタ２をＣ字のリング状に形成するのは，ウェハ２００を搬送するウェハ搬送機が，ウェハ２００をサセプタ２上に載置し易くするためであり，ウェハ２００を載せた搬送機のフィンガーが，サセプタ２上に水平移動した後，Ｃ字の空隙部を通って下降することにより，ウェハ２００をサセプタ２上に載置し，ウェハ２００をサセプタ２上から取り出すときは，ウェハ搬送機は逆の手順で動作するものである方法。」
　２　引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献４には，図面とともに次の事項が記載されている。
「［００６７］　また，ボートＡのローディング後，処理室内でのボートＡ上のウエハ２００の成膜処理と並行して，第２ジョブ情報で指定されたボート退避位置Ｃの空のボートＢが，ボート交換装置１５０により，ウエハ移載位置Ａに搬送される。そして，ウエハ移載位置Ａにおいて，第２ジョブ情報で指定されたポッドＰ２内のウエハ２００が，ウエハ移載機構１２５により，ボートＢに移載される。そして，ボートＡが処理炉２０２内から引き出され，ボート退避位置Ｃに搬送された後，ボートＢは，ボート交換装置１５０により，ウエハ移載位置Ａからボート下降位置Ｂに搬送され，シールキャップ２１９上に載置される。続いて，シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されて，ボートＢが処理炉２０２内の処理室へ搬入され，第２ジョブ情報で指定されたレシピＢで成膜処理される。」
「［００７０］　ポッドＰ１が載置台１２２から搬出された後，ポッドオープナ１２１には，ボートＢの成膜処理中に，回転棚１０５ないしロードポート１１４から，第３ジョブ情報で指定された次のポッドＰ３がポッド搬送装置１１８によって搬送される。並行して，第３ジョブ情報の使用ボートとして，ウエハ移載位置Ａ上の空ボートＡが設定される。このように，次のジョブ情報で指定されたポッド１１０が，ポッドオープナ載置台１２２上に載置されると，そのときウエハ移載位置Ａ上にある空ボート２１７が，次のジョブ情報で使用されるボートとして，制御部１０により設定される。そして，ポッドオープナ１２１により，ポッドＰ３の開放作業が行われる。ポッドＰ３の開放後，ウエハ移載位置Ａ上のボートＡに，ポッドＰ３内の未処理ウエハ２００が，ウエハ移載機構１２５により移載される。
［００７１］　そして，ボートＢが成膜処理終了後に処理炉２０２内から引き出され，ボート退避位置Ｃに搬送された後，ボートＡは，ボート交換装置１５０により，ウエハ移載位置Ａからボート下降位置Ｂに搬送され，シールキャップ２１９上に載置される。続いて，シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されて，ボートＡが処理炉２０２内の処理室へ搬入され，第３ジョブ情報で指定されたレシピＣで成膜処理される。」
　３　その他の引用文献について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献２の段落【０００６】−段落【００８５】，引用文献３の段落【００７０】の記載からみて，当該引用文献２，３には，６５０℃以上の温度で基板をチャンバから取り出すという技術的事項が記載されていると認められる。
第６　対比・判断
　１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
　ａ　引用発明の「『ウェハ２００などの基板上に，Ｅｐｉ−ＳｉＧｅ膜を形成する方法』で用いられる『処理炉２０２』が備える『処理室２０１』を形成する『反応管２０３』」と，本願発明１の「堆積チャンバ」とは，「堆積処理用容器」である点で一致する。
　ｂ　引用発明の「Ｅｐｉ−ＳｉＧｅ膜」，「ウェハ２００」，及び，「ロードロック室１４０」は，それぞれ，本願発明１の「エピタキシャル層」，「基板ウエハ」，及び，「ロードロックチャンバ」に相当する。
　ｃ　引用発明のすべての工程が終了した後に，新たなウェハについて，引用発明の方法が使用されることは明らかであるから，引用発明と本願発明１は，いずれも，「前記サセプタ上にさらなる基板ウエハを載置することによって新たな堆積サイクルが開始される」ものである点で一致する。
　したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「堆積処理用容器でエピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造するための方法であって，
　ロードロックチャンバで，基板ウエハを前記基板ウエハの背面の縁部領域においてサセプタの配置区域上へ配置することを備え，
　前記サセプタと接触させ，前記サセプタおよび前記サセプタ上に位置する前記基板ウエハを前記ロードロックチャンバから前記堆積処理用容器へ搬送することによって，前記サセプタおよび前記サセブタ上に位置する前記基板ウエハを前記堆積処理用容器へ入れることと，
　前記基板ウエハ上にエピタキシャル層を堆積してエピタキシャル層を有する前記半導体ウエハを製造することと，
　前記サセプタと接触させ，前記サセプタおよび前記サセプタ上に位置するエピタキシャル層を有する半導体ウエハを前記堆積処理用容器から前記ロードロックチャンバまで搬送することによって，前記堆積処理用容器から取り出すこととを備え，前記方法はさらに，
　前記ロードロックチャンバで前記サセプタと前記エピタキシャル層を有する半導体ウエハとを分離することを含み，前記サセプタ上にさらなる基板ウエハを載置することによって新たな堆積サイクルが開始される，方法。」
（相違点）
（相違点１）「堆積処理用容器」が，本願発明１では，「堆積チャンバ」であると特定されているのに対して，引用発明では，「反応管２０３」が用いられている点。
（相違点２）「サセプタ」が，本願発明１では，「リングとして具現され」ているのに対して，引用発明では，「上面視（上側から見た形状）がＣ字のリング状（Ｃ字状）をしており，２つのウェハ支持部２ｂを，繋ぎ部２ａで接続する構造であり，ウェハ支持部２ｂは，その上面及び下面が同じ表面粗さに加工された平面をなし，その上面によりウェハ２００を面支持し，繋ぎ部２ａは，２つのウェハ支持部２ｂを繋ぎ固定するもの」である点。
（相違点３）本願発明１が，基板ウエハ上にエピタキシャル層を堆積してエピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造する「その間に前記ロードロックチャンバに被覆されるべきさらなる基板を搬入する」ものであるのに対して，引用発明は，そのような構成を備えていない点。
（２）相違点についての判断
　事案にかんがみ，上記相違点２について最初に検討する。
　引用文献１ないし４のいずれにも，「リングとして具現され」るサセプタは記載されていない。
　さらに，引用発明において，サセプタ２がＣ字のリング状に形成されているのは，ウェハ２００を搬送するウェハ搬送機が，ウェハ２００をサセプタ２上に載置し易くするためであり，ウェハ２００を載せた搬送機のフィンガーが，サセプタ２上に水平移動した後，Ｃ字の空隙部を通って下降することにより，ウェハ２００をサセプタ２上に載置し，ウェハ２００をサセプタ２上から取り出すときは，ウェハ搬送機は逆の手順で動作するものである。
　そうすると，引用発明において，サセプタの形状を，リングとすると，Ｃ字の空隙部が存在しなくなり，搬送機のフィンガーの通過を損なうことから，引用発明において，サセプタの形状を，リングとすることには阻害要因が存在する。
　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明，引用文献２ないし４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　２　本願発明２について
　本願発明２は，本願発明１と同一の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明及び引用文献２ないし４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
　さらに，補正後の請求項２には「前記エピタキシャル層を有する半導体ウエハの温度が６５０℃以上になる時点で前記堆積チャンバから取り出す」と記載されている。
　そして，本願明細書の発明の詳細な説明には，「堆積チャンバから取り出すプロセスの間，エピタキシャル層を有する半導体ウエハの温度は，好ましくは，６５０℃以上であり，特に好ましくは７００℃以上である。」（段落００２５）ことが記載されている。
　そうすると，本願明細書の発明の詳細な説明の前記記載及び技術常識を踏まえれば，請求項２の前記記載は，「前記エピタキシャル層を有する半導体ウエハの温度が，（エピタキシャル層を形成する時点における温度である堆積温度から変化して，）６５０℃以上（の温度範囲に含まれる温度）になる時点で前記堆積チャンバから取り出す」という技術的事項を特定しているものと理解できる。
　してみると，本願発明２は，発明の詳細な説明に記載された発明であると認められるから，本願が，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないということもできない。
　３　本願発明３，４について
　本願発明３，４は，拒絶査定されていない発明であり，当業者であっても，引用発明，拒絶査定において引用された引用文献２ないし４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第７　原査定について
　１　理由１（特許法第２９条第２項）について
　審判請求時の補正により，本願発明１，２は「サセプタはリングとして具現され」という事項を有するものとなっており，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用文献１−４に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。したがって，原査定の理由１を維持することはできない。
　２　理由２（特許法第３６条第６項第１号）について
　補正後の請求項２には「前記エピタキシャル層を有する半導体ウエハの温度が６５０℃以上になる時点で前記堆積チャンバから取り出す」と記載されている。
　そして，日本語として，「なる」という動詞は，通常は，「物事ができ上がる。実現する。成就する。今までと違った状態・形に変わる。ある数値に達する。」という程度の意味で用いられる用語である。
　そうすると，請求項２の前記記載を，エピタキシャル層を有する半導体ウエハの温度が６５０℃以上ではない状態，すなわち，６５０℃未満の温度である状態から，６５０℃以上の温度というこれまでとは違った状態に達した時点において，堆積チャンバから取り出すという技術的事項を特定しているものと理解することが通常といえる。
　しかしながら，請求項１を引用する請求項２に係る発明は，「堆積チャンバでエピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造するための方法」に係る発明であって，堆積チャンバでエピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造する際の温度が通常は高温であること，及び，エピタキシャル層を有する半導体ウエハを堆積チャンバから取り出す際に，堆積温度よりもさらに基板の温度を昇温させることが普通は行われていないこと等の技術常識に照らせば，当業者であれば，請求項２の前記記載に対する前記解釈が適切でない可能性に思い至ることが自然といえる。
　そして，請求項２で使用されている用語の日本語としての用法が通常とは異なる場合があるとの理解のもと，本願の発明の詳細な説明の記載を参酌すれば，段落【００２５】には，「堆積チャンバから取り出すプロセスの間，エピタキシャル層を有する半導体ウエハの温度は，好ましくは，６５０℃以上であり，特に好ましくは７００℃以上である。」との記載がある。
　そうすると，技術常識及び発明の詳細な説明の記載を踏まえれば，請求項２の前記記載は，「前記エピタキシャル層を有する半導体ウエハの温度が，（エピタキシャル層を形成する時点における温度である堆積温度から変化して，）６５０℃以上（の温度範囲に含まれる温度）になる時点で前記堆積チャンバから取り出す」という技術的事項を特定しているものと理解でき，このような理解を妨げる特段の事情は認められない。
　してみると，本願発明２は，発明の詳細な説明に記載された発明であると認められるから，本願が，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないとまではいえない。
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。