Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月14日(2019.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、本発明においては、前記設置場所に固定される固定ユニットと、前記第１状態においては前記固定ユニットに固定され前記第２状態においては前記固定ユニットから離脱される移動ユニットと、を備え、前記固定ユニットは、該固定ユニットの位置情報を記憶する位置情報記憶手段を有するようにしてもよい。これによれば、仮に移動ユニットが入れ替わったとしても、設置場所における環境情報を、固定ユニットに搭載されたセンサ素子によって、連続性をもって取得することが可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【図１】本発明の実施例における環境センサユニットのブロック図である。
【図２】本発明の実施例における環境センサユニットの外観を示す三面図である。
【図３】本発明の実施例１における移動検出対応ルーチンの制御内容を示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施例２における移動検出対応ルーチン２の制御内容を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施例３における移動検出対応ルーチン３の制御内容を説明するためのフローチャートである。
【図６】本発明の実施例４における移動検出対応ルーチン４の制御内容を示すフローチャートである。
【図７】本発明の実施例５における移動検出対応ルーチン５の制御内容を説明するためのフローチャートである。
【図８】本発明の実施例６における移動検出対応ルーチン６の制御内容を示すフローチャートである。
【図９】本発明の実施例７における移動検出対応ルーチン７の制御内容を説明するためのフローチャートである。
【図１０】本発明の実施例８における環境センサユニットの外観を示す三面図である。
【図１１】本発明の実施例８における環境センサユニットとコンセントアダプタの外観を示す斜視図。
【図１２】本発明の実施例９における環境センサユニットと活動量計ユニットの外観図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本ルーチンが実行されると、先ずＳ１０１において、加速度センサ４ｅを用いて加速度データが取得される。Ｓ１０１の処理が終了するとＳ１０２に進む。Ｓ１０２においては、取得された加速度データが所定の閾値１以上か否かが判定される。これは、環境センサユニット１が移動している状態では、環境センサユニット１自体に加速度が作用し、測定される加速度が増加することを検出する処理である。そして、閾値１は、環境センサユニット１自体が使用者の移動に伴って加速度運動する際に測定される、加速度の下限の閾値として、実験的に定められたものであってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
Ｓ１０２において、取得された加速度の値が閾値１以上と判定された場合には、Ｓ１０３に進む。一方、取得された加速度の値が閾値１未満と判定された場合には、この時点で環境センサユニット１は設置場所に固定されていると判断されるので、Ｓ１０６に進む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
Ｓ２０２において、取得された気圧データの値が閾値２以上と判定された場合には、Ｓ１０３に進む。一方、取得された気圧データの値が閾値２未満と判定された場合には、環境センサユニット１が設置場所から移動している状態ではないと判断されるので、Ｓ１０６に進む。Ｓ１０３〜Ｓ１０６の処理は、実施例１と同等であるので、ここでは説明を省略する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
本ルーチンが実行されると、先ずＳ１０１において、加速度センサ４ｅを用いて加速度データが取得される。Ｓ１０１の処理が終了するとＳ２０１に進む。Ｓ２０１においては気圧センサ４ｄを用いて気圧データが取得される。Ｓ２０１の処理が終了すると、Ｓ１０２に進む。Ｓ１０２においては、取得された加速度データが所定の閾値１以上か否かが判
定される。Ｓ１０２において、取得された加速度の値が閾値１以上と判定された場合には、Ｓ２０２に進む。一方、取得された加速度の値が閾値１未満と判定された場合には、この時点で環境センサユニット１は設置場所に固定されていると判断されるので、Ｓ１０６に進む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
Ｓ３０２においては、取得された照度の値が所定の閾値３以下か否かが判定される。Ｓ３０２において、取得された照度の値が閾値３以下と判定された場合には、Ｓ１０３に進む。一方、取得された照度の値が閾値３より大きいと判定された場合には、この時点で環境センサユニット１は設置場所に固定されていると判断されるので、Ｓ１０６に進む。Ｓ１０３〜Ｓ１０６の処理は、実施例１と同等であるので、ここでは説明を省略する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
図１０には、本実施例における環境センサユニット１０の外観図を示す。環境センサユニット１０は、ＵＳＢタイプの環境センサユニットである。図１０（ａ）は環境センサユニット１０を、ＵＳＢコネクタ１０ｄの先端側から見た側面図、図１０（ｂ）は表面１０ａ側から見た正面図、図１０（ｃ）は一つの側面１０ｃ側から見た側面図である。本実施例における環境センサユニット１０の本体は、表面１０ａ側から見て略正方形、側面１０ｃ側から見て略長方形の直方体の筐体１０ｅを有しており、図１に示した構成要素（外部電源６を除く）がこの筐体１０ｅに収納されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
図１１には、環境センサユニット１０をコンセントアダプタ２０に接続した場合の斜視図を示す。環境センサユニット１０には、コンセントアダプタ２０が準備されており、図１１に示す状態で、コンセントアダプタ２０を設置場所（部屋等）のコンセントに差し込むことによって、環境センサユニット１０に安定した電力を供給することが可能であるとともに、環境センサユニット１０を安定した姿勢で設置場所に固定することが可能となっている。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月15日(2019.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の操舵方向及び前記車両の運転者の視線方向に関する情報を取得する情報取得部と、
手動運転モードの実行中における前記操舵方向と前記視線方向と前記車両の車速の関係に基づき前記手動運転モードの適否を判定する運転状態判定部と、
判定結果に応じた信号を出力する信号出力部と、
を備え、
前記運転状態判定部は、前記操舵方向と前記視線方向の差分が基準角より大きく前記車速が基準速度より速い場合に前記手動運転モードが不適切であると判定し、前記操舵方向と前記視線方向の差分が基準角より大きく前記車速が基準速度以下の場合に前記手動運転モードが適切であると判定する運転状態判定装置。
【請求項２】
前記運転状態判定部は、前記操舵方向と前記視線方向の差分が基準角より大きい時間が基準時間より長い場合に前記手動運転モードが不適切であると判定する請求項１に記載の運転状態判定装置。
【請求項３】
前記情報取得部は、物体の検知に関する情報及び前記運転者による前記物体の認知に関する情報を取得し、
前記運転状態判定部は、前記物体が検知され且つ前記物体が未認知の場合に前記手動運転モードが不適切であると判定する請求項１又は２に記載の運転状態判定装置。
【請求項４】
前記信号出力部は、前記手動運転モードの不適切の判定に基づき前記手動運転モードを自動運転モードへ切り替えるための制御信号を出力する請求項１から３の何れか１項に記載の運転状態判定装置。
【請求項５】
前記信号出力部は、前記手動運転モードの不適切の判定に基づき自動運転モードを実行して前記車両を減速又は停止させるための制御信号を出力する請求項１から３の何れか１項に記載の運転状態判定装置。
【請求項６】
車両の操舵方向及び前記車両の運転者の視線方向に関する情報を取得する情報取得過程と、
手動運転モードの実行中における前記操舵方向と前記視線方向と前記車両の車速の関係に基づき前記手動運転モードの適否を判定する運転状態判定過程と、
判定結果に応じた信号を出力する信号出力過程と、
を備え、
前記運転状態判定過程において、前記操舵方向と前記視線方向の差分が基準角より大きく前記車速が基準速度より速い場合に前記手動運転モードが不適切であると判定し、前記操舵方向と前記視線方向の差分が基準角より大きく前記車速が基準速度以下の場合に前記手動運転モードが適切であると判定する運転状態判定方法。
【請求項７】
請求項１から５の何れか１項に記載の運転状態判定装置が備える各部としてコンピュータを機能させる運転状態判定のためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月5日(2019.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
周囲の環境に関わる物理量を検知可能な単一又は複数種類のセンサ素子と、通信手段とを備え、前記センサ素子の少なくとも一つが検知する物理量が、所定の規則で変動した場合に、前記通信手段から、個体識別情報を含む所定の保守用信号を発信する、複数の環境センサと、
前記通信手段から発信される前記保守用信号を受信可能であって、前記複数の環境センサを管理する管理用端末と、
を有する、環境情報取得システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明は、周囲の環境に関わる物理量を検知可能な単一又は複数種類のセンサ素子と、通信手段とを備え、前記センサ素子の少なくとも一つが検知する物理量が、所定の規則で変動した場合に、前記通信手段から、個体識別情報を含む所定の保守用信号を発信する、複数の環境センサと、前記通信手段から発信される前記保守用信号を受信可能であって、前記複数の環境センサを管理する管理用端末と、を有する、環境情報取得システムとしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月17日(2019.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタであって、
前記チャネル形成領域は、少なくとも２つの異なるエネルギーバンドギャップを有する領域を有し、
前記領域は、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下のナノサイズの粒子を有し、
前記ナノサイズの粒子は、モザイク状に分散または分布している、
トランジスタ。
【請求項２】
請求項１において、
前記２つの異なるエネルギーバンドギャップを有する領域は、第１のエネルギーバンドギャップを有する第１の領域と、第２のエネルギーバンドギャップを有する第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、ＩｎまたはＺｎを有し、
前記第２の領域は、Ｉｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｂ、Ｙ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｇ、Ｖ、Ｂｅ、またはＣｕの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を有し、
前記第２のエネルギーバンドギャップは、前記第１のエネルギーバンドギャップよりも大きい、
トランジスタ。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の材料は、Ｉｎ及びＺｎを有し、
前記第２の材料は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有する、
トランジスタ。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記第１のエネルギーバンドギャップは、２．４ｅＶまたはその近傍であり、
前記第２のエネルギーバンドギャップは、３．０ｅＶ以上４．０ｅＶ以下である、
トランジスタ。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項において、
前記第２の材料は、前記第１の材料よりもＧａ、Ａｌ、またはＳｉの含有量が多い、
トランジスタ。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか一項において、
前記第２の材料は、前記第１の材料よりもＧａの含有量が多い、
トランジスタ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載のトランジスタを有する表示装置であって、
表示部を有し、
前記表示部の画素トランジスタとして前記トランジスタを有する、表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載のトランジスタを有する表示装置であって、
表示部を有し、
前記表示部の駆動トランジスタとして前記トランジスタを有する、表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載のトランジスタを有する表示装置であって、
表示部と、ゲートドライバと、を有し、
前記ゲートドライバが前記トランジスタを有する、表示装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月1日(2019.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
読取対象物を読み取る読取手段と、
発光領域を含む読取対象物を読取対象とする場合、前記読取手段の読取機構を用いて前記発光領域を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記発光領域を前記読取手段に読み取らせ、当該読取中において、前記発光領域からの受光量の変化に基づきメッセージを表示する表示制御手段と、
を備えることを特徴とする読取装置。
【請求項２】
前記検出手段は、前記読取手段を移動させつつ、前記読取手段の受光部で前記発光領域からの光を受光することにより、前記発光領域を検出することを特徴とする請求項１に記載の読取装置。
【請求項３】
前記発光領域からの受光量が第１の閾値より低下したことが検出された場合、前記読取手段による読取動作を中止する制御手段を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の読取装置。
【請求項４】
前記表示制御手段は、前記読取動作を中止した場合、前記メッセージを表示することを特徴とする請求項３に記載の読取装置。
【請求項５】
前記読取手段の読取単位ごとに、前記発光領域からの受光量が前記第１の閾値より大きい第２の閾値より低下したか否かを判定する第１の判定手段、
をさらに備えることを特徴とする請求項３又は４に記載の読取装置。
【請求項６】
前記第１の判定手段により前記第２の閾値より低下したと判定された場合、前記発光領域を前記読取手段に読み取らせた読取結果を補正する補正手段、
をさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の読取装置。
【請求項７】
前記補正手段は、前記読取結果に対して、前記第２の閾値より低下する前の受光量と低下した後の受光量との比率に基づいて、当該読取結果を補正することを特徴とする請求項６に記載の読取装置。
【請求項８】
前記第１の判定手段により前記第２の閾値より低下したと判定された場合、前記制御手段は、前記読取手段による読取条件を変更し、当該変更した読取条件で前記発光領域を前記読取手段に読み取らせることを特徴とする請求項５に記載の読取装置。
【請求項９】
前記第１の判定手段により前記第２の閾値より低下したと判定された場合、前記受光量の変動量が基準の範囲内であるか否かを判定する第２の判定手段、をさらに備え、
前記第２の判定手段により前記基準の範囲内であると判定された場合、前記制御手段は、前記読取条件を変更する、
ことを特徴とする請求項８に記載の読取装置。
【請求項１０】
前記第２の判定手段により前記基準の範囲内でないと判定された場合、前記制御手段は、前記第２の判定手段により前記基準の範囲内であると判定されるまで、前記読取条件の変更を行わないことを特徴とする請求項９に記載の読取装置。
【請求項１１】
前記読取条件は読取速度を含み、前記制御手段は前記読取速度を遅くすることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の読取装置。
【請求項１２】
前記発光領域からの受光量が前記第２の閾値以上である場合、当該受光量を読取結果として記憶部に格納する格納手段、をさらに備えることを特徴とする請求項５乃至１１のいずれか１項に記載の読取装置。
【請求項１３】
前記制御手段が前記読取手段に読み取らせて得られる画素値のビット深度は、前記記憶部に前記読取結果として記憶される画素値のビット深度よりも大きいことを特徴とする請求項１２に記載の読取装置。
【請求項１４】
前記発光領域を含む読取対象物を読み取るモードの指定を受け付ける受付手段、をさらに備え、
前記受付手段により当該モードの指定を受け付けた場合、前記検出手段は、前記読取手段の読取機構により前記発光領域を検出する、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の読取装置。
【請求項１５】
読取対象物を読み取る読取手段を備える読取装置において実行される制御方法であって、
発光領域を含む読取対象物を読取対象とする場合、前記読取手段の読取機構を用いて前記発光領域を検出する検出工程と、
前記検出工程において検出された前記発光領域を前記読取手段に読み取らせ、当該読取中において、前記発光領域からの受光量の変化に基づきメッセージを表示する表示制御工程と、
を有することを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明に係る読取装置は、読取対象物を読み取る読取手段と、発光領域を含む読取対象物を読取対象とする場合、前記読取手段の読取機構を用いて前記発光領域を検出する検出手段と、前記検出手段により検出された前記発光領域を前記読取手段に読み取らせ、当該読取中において、前記発光領域からの受光量の変化に基づきメッセージを表示する表示制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月27日(2018.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素にて構成され、下地層（２〜４、１０２）が形成された半導体基板（１、１０１）を用意することと、
前記下地層に対してトレンチ（５ａ、１０３ａ）形成することと、
前記トレンチ内に埋め込みつつ、前記下地層の表面上に形成されるように、炭化珪素層（５０、１１０）をエピタキシャル成長させることと、
前記炭化珪素層の表面に、犠牲層（６０、１２０）を成膜することと、
前記犠牲層を成膜したのち、リフローによって前記犠牲層を平坦化することと、
平坦化後の前記犠牲層と共に前記炭化珪素層を、前記犠牲層と前記炭化珪素層とのエッチング選択比が１となるエッチング条件でドライエッチングしてエッチバックすることと、を含んでいる炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記エッチバックすることにおいては、前記エッチバックによって前記下地層の表面を露出させ、前記トレンチ内にのみ前記炭化珪素層を残す請求項１に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記犠牲層を成膜することでは、前記犠牲層としてＰＳＧ、ＢＰＳＧおよびＳＯＧのいずれか１つを成膜することである請求項１または２に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記トレンチを形成することにおいては、前記下地層に対して前記トレンチと異なる位置にアライメントトレンチ（５ｂ）を形成することを含み、
前記炭化珪素層をエピタキシャル成長させることにおいては、前記アライメントトレンチ内にも前記炭化珪素層を成長させ、
前記犠牲層を成膜することにおいては、前記アライメントトレンチを埋め込むように形成された前記炭化珪素層の上にも前記犠牲層を成膜し、
前記エッチバックすることでは、前記炭化珪素層の表面のうち前記アライメントトレンチに対応した位置に形成される凹みに含まれるファセット（５０ａ）が除去されるまで前記エッチバックを行う請求項１ないし３のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記下地層が形成された半導体基板を用意することにおいては、前記半導体基板として、第１または第２導電型の炭化珪素基板（１）を用い、前記下地層として、該炭化珪素基板の上に該前記炭化珪素基板よりも低不純物濃度とされる炭化珪素にて構成された第１導電型のドリフト層（２）と、炭化珪素にて構成された第２導電型のベース領域（３）と、前記ドリフト層よりも高不純物濃度の炭化珪素にて構成された第１導電型のソース領域（４）とが順に形成されたものを用意し、
前記エッチバックすることにおいては、前記ソース領域の表面を露出させるまで前記エッチバックを行うことで、前記トレンチ（５ａ）内に第２導電型のディープ層（５）を形成し、
前記ディープ層を形成したのち、前記ソース領域の表面から前記ベース領域よりも深いゲートトレンチ（６）と、該ゲートトレンチの内壁面に形成されるゲート絶縁膜（７）と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されるゲート電極（８）と、を有して構成されるトレンチゲート構造を形成することと、
前記ソース領域および前記ディープ層に電気的に接続されるソース電極（９）を形成することと、
前記半導体基板の裏面側に、ドレイン電極（１１）を形成することと、を含んでいる請求項１ないし４のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記下地層が形成された半導体基板を用意することにおいては、前記半導体基板として、第１導電型の炭化珪素基板（１０１）を用い、前記下地層として、該炭化珪素基板の上に該炭化珪素基板よりも低不純物濃度とされる炭化珪素にて構成された第１導電型のドリフト層（１０２）が形成されたものを用意し、
前記エッチバックすることにおいては、前記ドリフト層の表面を露出させるまで前記エッチバックを行うことで、前記トレンチ（１０３ａ）内に第２導電型のディープ層（１０３）を形成し、
前記ドリフト層および前記ディープ層に電気的に接続されるショットキー電極（１０４）を形成することと、
前記半導体基板の裏面側に、オーミック電極（１０５）を形成することと、を含んでいる請求項１ないし４のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月18日(2019.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】非水系リチウム蓄電素子の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程：
活物質以外のリチウム化合物を含む正極前駆体、負極、セパレータ、リチウムイオンを含む非水系電解液、及び外装体からなる非水系リチウム蓄電素子を提供する工程；並びに
前記非水系リチウム蓄電素子に対し、前記外装体の一部を開口させた状態で４．２Ｖ以上の電圧を印加して、前記正極前駆体に含まれる前記リチウム化合物を分解させると共に前記負極に前記リチウムイオンをプレドープし、かつ前記リチウム化合物の分解により生じたガスを前記外装体の開口部から排出する工程；
を含む、非水系リチウム蓄電素子の製造方法。
【請求項２】
以下の工程：
活物質以外のリチウム化合物を含む正極前駆体、負極、セパレータ、リチウムイオンを含む非水系電解液、及びガス抜き弁又はガス透過フィルムを備えた外装体からなる非水系リチウム蓄電素子を提供する工程；並びに
前記非水系リチウム蓄電素子に対し、４．２Ｖ以上の電圧を印加して、前記正極前駆体に含まれる前記リチウム化合物を分解させると共に前記負極に前記リチウムイオンをプレドープし、かつ前記リチウム化合物の分解により生じたガスを前記ガス抜き弁又は前記ガス透過フィルムから排出する工程；
を含む、非水系リチウム蓄電素子の製造方法。
【請求項３】
前記ガス抜き弁には逆止弁が付いている、請求項２に記載の非水系リチウム蓄電素子の製造方法。
【請求項４】
前記非水系リチウム蓄電素子の環境温度が、２５℃以上４５℃以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の非水系リチウム蓄電素子の製造方法。
【請求項５】
前記正極前駆体は、正極集電体と、前記正極集電体の片面又は両面上に設けられた、正極活物質を含む正極活物質層とを有し、かつ前記負極は、負極集電体と、前記負極集電体の片面又は両面上に設けられた、負極活物質を含む負極活物質層とを有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の非水系リチウム蓄電素子の製造方法。
【請求項６】
前記負極に前記リチウムイオンをプレドープした後に正極が形成され、かつ前記正極において、前記リチウム化合物は、前記正極活物質以外である、請求項５に記載の非水系リチウム蓄電素子の製造方法。
【請求項７】
前記正極、前記負極、前記セパレータ、前記非水系電解液、及び前記外装体からなる非水系リチウム蓄電素子であって、前記リチウム化合物の平均粒子径をＸ１とするとき、０．１μｍ≦Ｘ１≦１０．０μｍであり、前記正極活物質の平均粒子径をＹ１とするとき、２．０μｍ≦Ｙ１≦２０．０μｍであり、Ｘ１＜Ｙ１であり、前記正極中に含まれる前記リチウム化合物の量が１質量％以上５０質量％以下である非水系リチウム蓄電素子が製造される、請求項６に記載の非水系リチウム蓄電素子の製造方法。
【請求項８】
前記Ｘ１が、０．５μｍ以上５．０μｍ以下である、請求項７に記載の非水系リチウム蓄電素子の製造方法。
【請求項９】
前記正極中に含まれる前記リチウム化合物の量が、２質量％以上２０質量％以下である、請求項６〜８のいずれか１項に記載の非水系リチウム蓄電素子の製造方法。
【請求項１０】
前記正極活物質が、ＢＪＨ法により算出した直径２０Å以上５００Å以下の細孔に由来するメソ孔量をＶ１（ｃｃ／ｇ）、ＭＰ法により算出した直径２０Å未満の細孔に由来するマイクロ孔量をＶ２（ｃｃ／ｇ）とするとき、０．３＜Ｖ１≦０．８、及び０．５≦Ｖ２≦１．０を満たし、かつ、ＢＥＴ法により測定される比表面積が１，５００ｍ２／ｇ以上３，０００ｍ２／ｇ以下を示す活性炭である、請求項６〜９のいずれか１項に記載の非水系リチウム蓄電素子の製造方法。
【請求項１１】
前記正極活物質が、ＢＪＨ法により算出した直径２０Å以上５００Å以下の細孔に由来するメソ孔量をＶ１（ｃｃ／ｇ）、ＭＰ法により算出した直径２０Å未満の細孔に由来するマイクロ孔量をＶ２（ｃｃ／ｇ）とするとき、０．８＜Ｖ１≦２．５、及び０．８＜Ｖ２≦３．０を満たし、かつ、ＢＥＴ法により測定される比表面積が２，３００ｍ２／ｇ以上４，０００ｍ２／ｇ以下を示す活性炭である、請求項６〜９のいずれか１項に記載の非水系リチウム蓄電素子の製造方法。
【請求項１２】
前記リチウム化合物が、炭酸リチウム、酸化リチウム、又は水酸化リチウムである、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の非水系リチウム蓄電素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月16日(2019.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通電極基板であって、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含み、複数の孔が設けられた基板と、
前記基板の前記孔の内部に設けられた孔電極部と、
前記基板の前記第１面側に設けられた第１電極部と、
前記基板の前記第２面側に設けられた第２電極部と、を備え、
前記複数の孔は、前記孔電極部が前記基板の前記第１面側において前記第１電極部に電気的に接続され、且つ、前記孔電極部が前記基板の前記第２面側において前記第２電極部に電気的に接続されている複数の第１孔と、前記孔電極部が前記基板の前記第１面側において前記第１電極部から電気的に絶縁され、又は、前記孔電極部が前記基板の前記第２面側において前記第２電極部から電気的に絶縁されている複数の第２孔と、を含み、
前記基板は、前記第１孔と前記第２孔が設けられていない無孔領域を含む、貫通電極基板と、
前記無孔領域と重なるように設けられている受光素子と、
を含む、イメージセンサモジュール。
【請求項２】
貫通電極基板であって、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含み、複数の孔が設けられた基板と、
前記基板の前記孔の内部に設けられた孔電極部と、
前記基板の前記第１面側に設けられた第１電極部と、
前記基板の前記第２面側に設けられた第２電極部と、を備え、
前記複数の孔は、前記孔電極部が前記基板の前記第１面側において前記第１電極部に電気的に接続され、且つ、前記孔電極部が前記基板の前記第２面側において前記第２電極部に電気的に接続されている複数の第１孔と、前記孔電極部が前記基板の前記第１面側において前記第１電極部から電気的に絶縁され、又は、前記孔電極部が前記基板の前記第２面側において前記第２電極部から電気的に絶縁されている複数の第２孔と、を含み、
前記基板は、前記基板の第１面から第２面に貫通している開口部を含む、貫通電極基板と、
前記開口部と重なるように設けられている受光素子と、
を含む、イメージセンサモジュール。
【請求項３】
前記受光素子は、前記基板の前記第２面側に配置されている、請求項１又は２に記載のイメージセンサモジュール。
【請求項４】
前記受光素子に光を導くレンズを含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のイメージセンサモジュール。
【請求項５】
前記レンズと、前記無孔領域と、前記受光素子とが重なるように設けられている、または前記レンズと、前記開口部と、前記受光素子とが重なるように設けられている、請求項４に記載のイメージセンサモジュール。
【請求項６】
前記レンズは、前記第１孔と重ならないように設けられている、請求項４または５に記載のイメージセンサモジュール。
【請求項７】
前記レンズは、前記第２孔と重なるように設けられている、請求項４または５に記載のイメージセンサモジュール。
【請求項８】
前記第２孔は、前記第１孔よりも前記無孔領域又は前記開口部に近い位置に設けられている、請求項１から７のいずれか一項に記載のイメージセンサモジュール。
【請求項９】
前記第２孔は、複数の前記第１孔が配置されている領域よりも外側の領域に配置されている、請求項１から７のいずれか一項に記載のイメージセンサモジュール。
【請求項１０】
前記複数の第１孔は、前記無孔領域または前記開口部を囲むように設けられている、請求項１から９のいずれか一項に記載のイメージセンサモジュール。
【請求項１１】
前記複数の第２孔は、前記無孔領域または前記開口部を囲むように設けられている、請求項１から１０のいずれか一項に記載のイメージセンサモジュール。
【請求項１２】
貫通電極基板であって、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含み、複数の孔が設けられた基板と、
前記基板の前記孔の内部に設けられた孔電極部と、
前記基板の前記第１面側に設けられた第１電極部と、
前記基板の前記第２面側に設けられた第２電極部と、を備え、
前記複数の孔は、前記孔電極部が前記基板の前記第１面側において前記第１電極部に電気的に接続され、且つ、前記孔電極部が前記基板の前記第２面側において前記第２電極部に電気的に接続されている複数の第１孔と、前記孔電極部が前記基板の前記第１面側において前記第１電極部から電気的に絶縁され、又は、前記孔電極部が前記基板の前記第２面側において前記第２電極部から電気的に絶縁されている複数の第２孔と、を含み、
前記基板は、前記第１孔と前記第２孔が設けられていない無孔領域を含む、貫通電極基板と、
前記無孔領域と重なるように設けられている受光素子と、を含む、光デバイス。
【請求項１３】
貫通電極基板であって、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を含み、複数の孔が設けられた基板と、
前記基板の前記孔の内部に設けられた孔電極部と、
前記基板の前記第１面側に設けられた第１電極部と、
前記基板の前記第２面側に設けられた第２電極部と、を備え、
前記複数の孔は、前記孔電極部が前記基板の前記第１面側において前記第１電極部に電気的に接続され、且つ、前記孔電極部が前記基板の前記第２面側において前記第２電極部に電気的に接続されている複数の第１孔と、前記孔電極部が前記基板の前記第１面側において前記第１電極部から電気的に絶縁され、又は、前記孔電極部が前記基板の前記第２面側において前記第２電極部から電気的に絶縁されている複数の第２孔と、を含み、
前記基板は、前記基板の第１面から第２面に貫通している開口部を含む、貫通電極基板と、
前記開口部と重なるように設けられている受光素子と、
を含む、光デバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月11日(2019.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の特典を付与するか否かを判定し、該判定の結果に基づいて特典を付与する遊技機であって、
前記判定の結果に基づいて、所定の表示領域に複数種類の識別図柄を変動表示させる変動表示手段と、
所定の移行状態抽選で当選したこと、または直近の前記特典が付与されてから前記識別図柄の変動表示が所定回数実行されたことの少なくとも一方を移行条件として、所定の第１遊技状態および第２遊技状態を少なくとも含む複数種類の遊技状態の間で遊技状態を移行させる遊技状態移行手段と
を備え、
前記変動表示手段は、
前記第１遊技状態では、前記複数種類の識別図柄のうちの複数種類の第１識別図柄を変動表示させ、
前記第１遊技状態から前記第２遊技状態へ移行すると、前記複数種類の第１識別図柄に代えて、前記複数種類の識別図柄のうちの該第１識別図柄とは異なる複数種類の第２識別図柄を変動表示させるものであり、
前記複数種類の第１識別図柄は、文字を表す文字図柄と文字を含まない非文字図柄とが組み合わされると共に、前記文字図柄が前記非文字図柄の上に重ねて表示された識別図柄となっており、
前記複数種類の第２識別図柄は、前記第１識別図柄から前記文字図柄を除外した前記非文字図柄となっている
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述した課題の少なくとも一部を解決するために、本発明の遊技機では次の構成を採用した。すなわち、
所定の特典を付与するか否かを判定し、該判定の結果に基づいて特典を付与する遊技機であって、
前記判定の結果に基づいて、所定の表示領域に複数種類の識別図柄を変動表示させる変動表示手段と、
所定の移行状態抽選で当選したこと、または直近の前記特典が付与されてから前記識別図柄の変動表示が所定回数実行されたことの少なくとも一方を移行条件として、所定の第１遊技状態および第２遊技状態を少なくとも含む複数種類の遊技状態の間で遊技状態を移行させる遊技状態移行手段と
を備え、
前記変動表示手段は、
前記第１遊技状態では、前記複数種類の識別図柄のうちの複数種類の第１識別図柄を変動表示させ、
前記第１遊技状態から前記第２遊技状態へ移行すると、前記複数種類の第１識別図柄に代えて、前記複数種類の識別図柄のうちの該第１識別図柄とは異なる複数種類の第２識別図柄を変動表示させるものであり、
前記複数種類の第１識別図柄は、文字を表す文字図柄と文字を含まない非文字図柄とが組み合わされると共に、前記文字図柄が前記非文字図柄の上に重ねて表示された識別図柄となっており、
前記複数種類の第２識別図柄は、前記第１識別図柄から前記文字図柄を除外した前記非文字図柄となっている
ことを特徴とする。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成31年1月9日(2019.1.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
合意
・  ＮＲでは、次の３つのビームフォーミング実装が検討されることになっている。
−  アナログビームフォーミング
−  デジタルビームフォーミング
−  ハイブリッドビームフォーミング
−  注：ＮＲのための物理層手順設計は、ＴＲＰ／ＵＥで採用されるビームフォーミング実装に関してＵＥ／ＴＲＰに依存しないことができるが、効率を損なわないためにビームフォーミング実装特有の最適化を追求するかもしれない。
・  ＲＡＮ１は、これらのチャネル／信号／測定／フィードバックについて、マルチビームベースのアプローチとシングルビームベースのアプローチの両方を検討する。
−  初期アクセス信号（同期信号とランダムアクセスチャネル）
−  システム情報配信
−  ＲＲＭ測定／フィードバック
−  Ｌ１制御チャネル
−  その他はＦＦＳ
−  注：ＮＲのための物理層手順設計は、少なくとも、スタンドアロンの初期アクセス手順において同期信号検出のためにＴＲＰにおいてマルチビーム又はシングルビームベースのアプローチが採用されるかどうかによらず可能な限り統一され得る。
−  注：シングルビームアプローチはマルチビームアプローチの特別な場合とすることができる。
−  注：シングルビームアプローチ及びマルチビームアプローチの個別最適化が可能である。
・  マルチビームベースのアプローチ
−  マルチビームベースのアプローチでは、ＴＲＰ／ＵＥのＤＬカバレッジエリア及び／又はＵＬカバレッジ距離をカバーするために複数のビームが使用される。
−  マルチビームベースのアプローチの一例は、ビーム掃引である。
・  ビーム掃引が信号（又はチャネル）に適用される場合、信号（チャネル）は複数のビームで送信／受信され、それらのビームは有限の継続時間における複数のインスタンスに存在する。
−  シングル／マルチビームは、単一のインスタンスにおいて送信／受信することができる。
−  その他はＦＦＳ
・  シングルビームベースのアプローチ
−  シングルビームベースのアプローチでは、シングルビームは、ＬＴＥセル固有チャネル／ＲＳの場合と同様に、ＴＲＰ／ＵＥのＤＬカバレッジエリア及び／又はＵＬカバレッジ距離をカバーするために使用され得る。
・  シングルビームベース及びマルチビームベースのアプローチの両方について、ＲＡＮ１は追加的に次のことを検討する可能性がある。
−  パワーブースト
−  ＳＦＮ
−  繰り返し
−  ビームダイバーシティ（マルチビームアプローチの場合のみ）
−  アンテナダイバーシティ
−  他のアプローチは排除されない。
・  シングルビームベース及びマルチビームベースのアプローチの組み合わせは除外されない。
合意
・ＲＡＮ１は、少なくともマルチビームベースのアプローチについてビームフォーミング手順とそのシステムへの影響を検討する。
−  マルチビーム及びシングルビームベースのアプローチにおけるオーバーヘッド、レイテンシ等のさまざまなメトリックを最適化するビームフォーミングのための物理層手順
−  ビームトレーニング、すなわち送信機ビーム及び／又は受信機ビームのステアリングを必要とするマルチビームベースのアプローチにおける物理層手順
・  例：周期的／非周期的下り／上りＴＸ／ＲＸビーム掃引信号。ここで、周期的信号は半静的又は動的に設定される可能性がある（ＦＦＳ）。
・  例：  ＵＬサウンディング信号
・  他の例は除外されない。
合意
・  ＴＲＰ内とＴＲＰ間のビームフォーミング手順の両方が考慮される。
・  ビームフォーミング手順は、以下の潜在的な使用事例に従って、ＴＲＰビームフォーミング／ビーム掃引のあり／なし、及びＵＥビームフォーミング／ビーム掃引のあり／なしで考慮される。
−    ＵＥの移動、ＵＥの回転、ビームブロッキング：
・  ＴＲＰでのビームの変更、ＵＥでは同じビーム
・  ＴＲＰでは同じビーム、ＵＥでのビームの変更
・  ＴＲＰでのビームの変更、ＵＥでのビームの変更
−  他の場合は除外されない。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月30日(2019.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿を搬送する搬送部と、
前記搬送部によって搬送される前記原稿の第１面の画像を、透明部材を介して読み取る読取部と、
前記透明部材に対して前記読取部とは反対側に設けられる第１の白基準部と、
第２の白基準部及び前記透明部材に対して前記第１の白基準部とは反対側に前記第２の白基準部が位置するように前記第２の白基準部の位置決めを行う位置決め部を備える白基準シート部材と、
前記読取部による前記第１の白基準部の読取結果と前記第２の白基準部の読取結果との相関を表す情報を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された前記情報に基づいて、前記読取部による前記原稿の画像の読取結果に対するシェーディング補正を行う補正部と、を備えることを特徴とする、
画像読取装置。
【請求項２】
前記原稿の搬送方向において前記読取部が前記原稿の画像を読み取る読取位置よりも下流側に設けられ、前記読取位置を通過した原稿をすくい上げる傾斜部をさらに備え、
前記第２の白基準部は、前記位置決め部と前記傾斜部とが係合することによって位置決めされることを特徴とする、
請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記白基準シート部材は、前記位置決め部として開口部を備え、
前記第２の白基準部は、前記傾斜部が前記開口部に入り込むことによって位置決めされることを特徴とする、
請求項２に記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記搬送部及び前記読取部を備える原稿搬送ユニットと、
前記搬送部によって搬送される原稿の前記第１面とは反対側の第２面の画像を読み取る第２の読取部を備える読取ユニットと、を有し、
前記原稿搬送ユニットは、前記読取ユニットに対して開閉自在であり、閉じられたときに、前記搬送部によって搬送される原稿が通過するための空間を前記読取ユニットとの間に形成するための突起部を有し、
前記白基準シート部材は、前記突起部が入り込むための開口部を備え、
前記第２の白基準部は、前記突起部が前記開口部に入り込むことによって位置決めされることを特徴とする、
請求項１又は２に記載の画像読取装置。
【請求項５】
前記白基準シート部材は、前記原稿搬送ユニットが前記読取ユニットに閉じられた状態で前記読取部と前記透明部材との間の距離よりも大きい厚さを有し、
前記第２の白基準部は、前記白基準シート部材が前記読取部と前記透明部材との間でニップされた状態で前記読取部によって読み取られることを特徴とする、
請求項４に記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記搬送部及び前記読取部を備える原稿搬送ユニットと、
前記搬送部によって搬送される原稿の前記第１面とは反対側の第２面の画像を読み取る第２の読取部を備える読取ユニットと、を有し、
前記白基準シート部材は、前記原稿搬送ユニットが前記読取ユニットに閉じられた状態で前記読取部と前記透明部材との間の距離よりも大きい厚さを有し、
前記第２の白基準部は、前記白基準シート部材が前記読取部と前記透明部材との間でニップされた状態で前記読取部によって読み取られることを特徴とする、
請求項３に記載の画像読取装置。
【請求項７】
前記第２の白基準部は、前記原稿が搬送される第１方向と前記第１方向に直交する第２方向とにおいて、前記第１の白基準部よりも大きいことを特徴とする、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の画像読取装置。
【請求項８】
原稿を搬送する搬送部と、前記搬送部によって搬送される原稿の第１面の画像を、透明部材を介して読み取る読取部と、前記透明部材に対して前記読取部とは反対側に設けられる第１の白基準部と、前記読取部による前記第１の白基準部の読取結果に基づいてシェーディング補正を行う補正部と、を備える画像読取装置に取り付けられる白基準シート部材であって、
前記読取部によって読み取られる第２の白基準部と、
前記第２の白基準部が前記読取部によって読み取られる位置であって且つ前記透明部材に対して前記第１の白基準部とは反対側に前記第２の白基準部が位置するように前記第２の白基準部の位置決めを行う位置決め部と、を備えることを特徴とする、
白基準シート部材。
【請求項９】
前記第２の白基準部は、前記読取部により読み取られ、その読取結果が前記シェーディング補正に用いられることを特徴とする、
請求項８に記載の白基準シート部材。
【請求項１０】
前記位置決め部は、前記画像読取装置に設けられた第２の位置決め部により前記第２の白基準部材の位置決めを行うことを特徴とする、
請求項８又は９に記載の白基準シート部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像読取装置及び白基準シート部材
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、原稿に形成された画像を読み取る画像読取装置及び当該画像読取装置に取り付けられる白基準シート部材に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、白基準部が配置される位置に拘わらず、高精度なシェーディング補正を行うことが可能な画像読取装置を提供することを主たる目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の画像読取装置は、原稿を搬送する搬送部と、前記搬送部によって搬送される前記原稿の第１面の画像を、透明部材を介して読み取る読取部と、前記透明部材に対して前記読取部とは反対側に設けられる第１の白基準部と、第２の白基準部及び前記透明部材に対して前記第１の白基準部とは反対側に前記第２の白基準部が位置するように前記第２の白基準部の位置決めを行う位置決め部を備える白基準シート部材と、前記読取部による前記第１の白基準部の読取結果と前記第２の白基準部の読取結果との相関を表す情報を記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された前記情報に基づいて、前記読取部による前記原稿の画像の読取結果に対するシェーディング補正を行う補正部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、白基準部が配置される位置に拘わらず、高精度なシェーディング補正を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月5日(2018.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面、及び前記第１主面の反対側の第２主面を有する第１絶縁基材と、
前記第１主面に設けられた第１導波素子と、
前記第２主面に設けられた第２導波素子と、
前記第２導波素子に一端が電気的に接続された給電部と、
前記第１導波素子に一端が電気的に接続され、前記第２導波素子に他端が電気的に接続された短絡部と、を備え、
前記第１絶縁基材、前記第１導波素子、前記第２導波素子、前記給電部及び前記短絡部により、読取装置から送信された電波を受信する板状逆Ｆアンテナが構成され、
前記第１導波素子、前記短絡部、前記第２導波素子及び前記給電部により構成されるインダクタパターンと、前記第１導波素子、前記第２導波素子及び前記第１絶縁基材により構成されるコンデンサとにより、前記電波の周波数帯域で共振する共振回路が構成される、ＲＦタグ用アンテナ。
【請求項２】
前記給電部が前記第１絶縁基材の側面に設けられ、前記短絡部が前記第１絶縁基材の前記側面に設けられた、請求項１に記載のＲＦタグ用アンテナ。
【請求項３】
前記第１絶縁基材が誘電体である、請求項１または２に記載のＲＦタグ用アンテナ。
【請求項４】
前記第１絶縁基材は、長辺と短辺と高さとを有する直方体形状の誘電体からなり、
前記給電部と前記第１導波素子との間において、前記第１絶縁基材の短辺側の第１主面に、ＩＣチップを載置するＩＣチップ載置部が設けられた、請求項１から３のいずれか１項に記載のＲＦタグ用アンテナ。
【請求項５】
前記第１絶縁基材の前記第１主面に設けられた前記第１導波素子は、前記第１絶縁基材の前記第１主面の形状に沿った長方形状に形成され、
前記第１絶縁基材の前記第２主面に設けられた前記第２導波素子は、前記第１絶縁基材の前記第２主面の形状に沿った長方形状に形成され、
前記第１導波素子の短辺側の端部に凹部が切欠され、前記凹部に前記ＩＣチップ載置部が形成されている、請求項１から４のいずれか１項に記載のＲＦタグ用アンテナ。
【請求項６】
前記給電部および前記短絡部は、それぞれ矩形状で形成され、
前記第１絶縁基材の短辺側の側面に平行に設けられる、請求項１から５のいずれか１項に記載のＲＦタグ用アンテナ。
【請求項７】
前記第１導波素子及び第２導波素子は同一形状であり、前記第１導波素子及び第２導波素子の側辺の長さの合計はλ／４、λ／２、３λ／４、５λ／８（λ：前記電波の波長）のいずれかに等しい、請求項１から６のいずれか１項に記載のＲＦタグ用アンテナ。
【請求項８】
前記誘電体の誘電率が１以上５以下である、請求項３または４に記載のＲＦタグ用アンテナ。
【請求項９】
前記誘電体が発泡スチロールである、請求項３、４、および８のいずれか１項に記載のＲＦタグ用アンテナ。
【請求項１０】
前記第１絶縁基材は、ＲＦタグを取り付ける位置における被取付物の表面形状に応じた形状を有する、請求項１から９のいずれか１項に記載のＲＦタグ用アンテナ。
【請求項１１】
前記第１導波素子、前記第２導波素子、前記給電部及び前記短絡部は、可撓性を有する絶縁性のシート上に形成されている、請求項１から１０のいずれか１項に記載のＲＦタグ用アンテナ。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載のＲＦタグ用アンテナと、
前記電波に基づいて動作するＩＣチップと、を備え、
前記共振回路は、前記インダクタパターンのインダクタンスＬａ、前記コンデンサの静電容量Ｃａ及び前記ＩＣチップの内部の容量Ｃｂを考慮して設定された共振周波数を有する、ＲＦタグ。
【請求項１３】
前記共振回路の共振周波数ｆは、式（１）により与えられる、請求項１２に記載のＲＦタグ。
2018061277.tif 000001
（式中、Ｌａはインダクタパターンのインダクタンス、Ｃａは第１導波素子、第２導波素子及び第１絶縁基材により構成されるコンデンサの容量、ＣｂはＩＣチップの内部の容量をあらわす。）
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載のＲＦタグと、
導体と、を含み、
前記第１導波素子及び／又は前記第２導波素子が前記導体に電気的に接続し、前記導体が前記第１導波素子及び／又は第２導波素子とともに前記電波を受信する、ＲＦタグ付き導体。
【請求項１５】
前記ＲＦタグは、前記給電部を前記導体の端部側に設置することを特徴とする、請求項１４に記載のＲＦタグ付き導体。
【請求項１６】
前記第１導波素子及び／又は第２導波素子が第３絶縁基材を介して前記導体に接触し、前記導体が前記第１導波素子及び／又は第２導波素子とともに前記電波を受信する、請求項１４または１５に記載のＲＦタグ付き導体。
【請求項１７】
請求項１２または１３に記載のＲＦタグと、
前記ＲＦタグと通信可能な読取装置と、を含む、ＲＦタグシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月6日(2018.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両（９０、１９０）の動力源である主機モータ（３）に電力を供給する第１電源（１０）からの給電の許容または禁止を切り替えるリレー部（１５）を制御するリレー制御部（５３）と、
前記第１電源と前記主機モータとの間に接続され負荷（４５）に電力を供給する第２電源（４２）の充電状態を制御する充電状態制御部（５１）と、
を備え、
前記充電状態制御部は、前記リレー部の遮断を要する異常確定前であって、前記リレー部を遮断する可能性があるリレーオフ準備段階において、前記第２電源の充電量を減少させる充電量低減制御を行い、
前記第１電源のＳＯＣに応じ、前記充電量低減制御を切り替える電源システム制御装置。
【請求項２】
前記充電状態制御部は、
前記第１電源のＳＯＣが判定閾値以下の場合、前記充電量低減制御として、前記第２電源の電力により前記第１電源を充電し、
前記第１電源のＳＯＣが前記判定閾値より大きい場合、前記充電量低減制御として、前記負荷を駆動して前記第２電源の電力を消費する請求項１に記載の電源システム制御装置。
【請求項３】
前記第２電源は、ＤＣＤＣコンバータ（４１）を経由して前記第１電源と前記主機モータとの間に接続され、
前記充電状態制御部は、前記充電量低減制御において、前記ＤＣＤＣコンバータを駆動する請求項１または２に記載の電源システム制御装置。
【請求項４】
前記充電状態制御部は、前記主機モータが回生中である場合、前記充電量低減制御を行う請求項１〜３のいずれか一項に記載の電源システム制御装置。
【請求項５】
前記充電状態制御部は、前記第２電源の充電量が所定量以上の場合、前記充電量低減制御を行う請求項１〜４のいずれか一項に記載の電源システム制御装置。
【請求項６】
前記充電状態制御部は、車速が車速判定値以下であり、アクセル開度が減少したとき、または、アクセルペダルのオフ状態継続中の場合であって、前記リレーオフ準備段階のとき、前記充電量低減制御を行う請求項１〜５のいずれか一項に記載の電源システム制御装置。
【請求項７】
前記充電状態制御部は、前記第１電源の電圧が低圧異常確定閾値より高い値に設定される低圧側のリレーオフ準備値より低い場合、前記リレーオフ準備段階であると判断し、前記充電量低減制御を行う請求項１〜６のいずれか一項に記載の電源システム制御装置。
【請求項８】
前記充電状態制御部は、前記車両の外部環境に応じ、前記リレーオフ準備段階か否かを判断する請求項１〜７のいずれか一項に記載の電源システム制御装置。
【請求項９】
前記充電状態制御部は、前記車両が悪路走行中である場合、前記リレーオフ準備段階であると判断し、前記充電量低減制御を行う請求項８に記載の電源システム制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の電源システム制御装置は、リレー制御部（５３）と、充電状態制御部（５３）と、を備える。
リレー制御部は、車両（９０、１９０）の駆動源である主機モータ（３）に電力を供給する第１電源（１０）からの給電の許容または禁止を切り替えるリレー部（１５）を制御する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
充電状態制御部は、第２電源（４２）の充電状態を制御する。第２電源は、第１電源と主機モータとの間に接続され、負荷（４５）に電力を供給する。
充電状態制御部は、リレー部の遮断を要する異常確定前であって、リレー部を遮断する可能性があるリレーオフ準備段階において、第２電源の充電量を減少させる充電量低減制御を行う。充電状態制御部は、第１電源のＳＯＣに応じ、充電量低減制御を切り替える。