Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月13日(2019.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
次に、溶媒、エチレンカーボネート（ＥＣ）及びジメチルカーボネート（ＤＭＣ））を混合した後、電解質塩（六フッ化リン酸リチウム：ＬｉＰＦ６）を溶解させて電解液を調製した。この場合には、溶媒の組成を体積比でＥＣ：ＤＭＣ＝３０：７０とし、電解質塩の含有量を溶媒に対して１ｍｏｌ／ｋｇとした。４−フルオロ−１，３−ジオキソラン−２−オン（ＦＥＣ）は電解液作製後に２％添加した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
（実施例１−２、１−３）
リチウムの挿入量を変化させたこと以外は、実施例１−１と同様に、二次電池の製造を行った。実施例１−２は実施例１−１よりもリチウムの挿入量を増やし、実施例１−３では、実施例１−１、１−２よりもさらにリチウムの挿入量を増やした。リチウムの挿入量は、例えば、溶液Ｃへの浸漬時間を長くしたり、溶液Ｃ中のリチウムの添加量を増やすなどしたりすることで増やすことが可能である。また、撹拌機構を変化させＳｉの価数調整を行った。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月9日(2019.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被調査システム（６）のバリューチェーン（ＶＣ）内の基準を最適化する方法であって、
前記バリューチェーン（ＶＣ）の各段階（ＶＣＳ）で、前記被調査システム（６）に関連したアイテムが、対応する基準ｍを有する関連した組の故障モードｆｍを含み、各故障モードｆｍが、前記被調査システム（６）のグローバルシステム影響ｅを参照し、
前記バリューチェーン（ＶＣ）の各段階が、その基準ｍ、有効性値ｅｖ1、及び努力値ｅｖ2を別個に報告して、グローバルデータベース（３）に記憶されたＦＭＥＡメタモデルＭＭを使用して、前記被調査システム（６）の前記バリューチェーン（ＶＣ）全体の前記被調査システム（６）のグローバル故障モード影響解析（ＦＭＥＡ）を実行する方法。
【請求項２】
前記被調査システム（６）の前記バリューチェーンが、前記被調査システム（６）の実行時に自動的に最適化される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記被調査システム（６）の前記バリューチェーンが、設計段階（ＶＣＳ１）、生産段階（ＶＣＳ２）及び動作段階（ＶＣＳ３）の少なくとも１つを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記グローバルシステム影響ｅが、
前記被調査システム（６）の前記設計段階（ＶＣＳ１）で予測され、
前記生産段階（ＶＣＳ２）中に予測されるか、測定されるか、または予測されかつ測定され、
前記動作段階（ＶＣＳ３）中に測定される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記被調査システム（６）が、前記バリューチェーンの設計段階で設計され、生産段階で製造され、動作段階中に動作される最終製造製品を含む、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記被調査システム（６）の各検出されたグローバルシステム影響ｅに基づいて、前記グローバルデータベース（３）に記憶された前記ＦＭＥＡメタモデルが、故障モードｆｍと基準ｍの依存性のネットワークを遡って、適用される組の基準ｍ及び故障モードの少なくとも一方を最適化するために使用される、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記被調査システム（６）に関連した前記アイテムが、
前記バリューチェーンの前記設計段階に、前記被調査システム（６）のハードウェア構成要素及びソフトウェア構成要素の少なくとも一方を表わすデータ要素を含み、
前記バリューチェーンの前記生産段階に、前記被調査システム（６）を製造する生産工程及び生産設備の少なくとも一方を含み、
前記バリューチェーンの前記動作段階に、前記被調査システム（６）の物理的ハードウェア構成要素及び実装ソフトウェア構成要素の少なくとも一方を含む、請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記異なるバリューチェーン段階（ＶＣＳ）の前記基準ｍが、関連した基準パラメータを含む、請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記被調査システム（６）の前記バリューチェーン（ＶＣ）の前記設計段階（ＶＣＳ１）の前記基準ｍが、
設計試験基準、
故障除去基準、
設計変更基準、
冗長実施基準を含み、
前記被調査システム（６）の前記バリューチェーン（ＶＣ）の前記生産段階（ＶＣＳ２）の前記基準ｍが、
生製品質基準、
測定基準、
生産試験基準を含み、
前記被調査システム（６）の前記バリューチェーン（ＶＣ）の前記動作段階（ＶＣＳ３）の基準ｍが、
相互作用基準、
保守基準及び修理基準の少なくとも一方、
設計変更基準、
及びソフトウェアアップデート基準の少なくとも１つを含む、請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
被調査製造システム（６）のバリューチェーン（ＶＣ）の連続最適化を実行するように構成された最適化システム（１）であって、
前記バリューチェーン（ＶＣ）の各段階（ＶＣＳ）で、前記被調査システム（６）に関連したアイテムが、対応する基準ｍを有する関連した組の故障モードｆｍを含み、各故障モードｆｍが、前記被調査システム（６）のグローバルシステム影響ｅを参照し、
前記被調査システム（６）の前記バリューチェーン（ＶＣ）の各段階（ＶＣＳ）が、その基準ｍ、有効性値ｅｖ1及び努力値ｅｖ2を別々に報告して、メタモデルＭＭを使用してグローバルＦＭＥＡデータモデルを更新し、
前記最適化システム（１）が、前記最新グローバルＦＭＥＡデータモデルを使用して、バリューチェーン（ＶＣ）全体の前記被調査システム（６）のグローバル故障モード影響解析（ＦＭＥＡ）を実行して、最適化された組Ｍの基準ｍを生成するように構成された計算ユニット（２）を含む、最適化システム（１）。
【請求項１１】
前記被調査システム（６）の前記バリューチェーン（ＶＣ）が、設計段階（ＶＣＳ１）、生産段階（ＶＣＳ２）及び動作段階（ＶＣＳ３）の少なくとも１つを含む異なるバリューチェーン段階（ＶＣＳ）を含む、請求項１０に記載の最適化システム。
【請求項１２】
前記被調査システム（６）が、前記バリューチェーン（ＶＣ）の設計段階で設計され、生産段階で製造され、動作段階中に動作される最終製造製品を含む、請求項１０又は１１に記載の最適化システム。
【請求項１３】
前記被調査システム（６）の各検出されたグローバルシステム影響ｅに基づいて、前記グローバルデータベース（３）に記憶された前記ＦＭＥＡメタモデルＭＭが、故障モードｆｍ及び基準ｍの依存性のネットワークを遡って、適用される組の基準ｍ及び故障モードの少なくとも一方を最適化するために使用される、請求項１０から１２のいずれか１項に記載の最適化システム。
【請求項１４】
前記計算ユニット（２）が、前記被調査システム（６）の前記バリューチェーン（ＶＣ）のバリューチェーン段階（ＶＣＳ）によって報告される基準ｍ、有効性値ｅｖ1、努力値ｅｖ2、及び基準パラメータの少なくとも１つを受け取って、前記被調査システム（６）の前記異なるバリューチェーン段階（ＶＣＳ）のための最適化された組Ｍoptの基準ｍを自動的かつ繰り返し計算する通信インタフェースを含む、請求項１０から１３のいずれか１項に記載の最適化システム。
【請求項１５】
前記計算ユニット（２）が、前記被調査システム（６）の入力グローバル最適化基準ｃに応じて、前記最新グローバルＦＭＥＡデータモデルを使用して、バリューチェーン（ＶＣ）全体の前記被調査システム（６）の前記グローバル故障モード影響解析（ＦＭＥＡ）を実行するように構成された、請求項１０から１４のいずれか１項に記載の最適化システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月25日(2018.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで、本発明の目的は、認証情報の管理状況に応じて読取対象物の利用を制限する仕組みを提供することである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の目的を達成するための、読取対象物を、一時的に利用する読取対象物、または／及び、通常利用する読取対象物としてユーザ情報と紐づけて管理する管理手段と、前記読取対象物を読み取る読取手段と、前記読取手段で読み取られた読取対象物が通常利用する読取対象物であって、当該読取対象物と紐づく前記ユーザ情報に一時的に利用する読取対象物が紐づいている場合、当該ユーザ情報に紐づいている一時的に利用する読取対象物の利用を制限するよう制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、認証情報の管理状況に応じて読取対象物の利用を制限することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
読取対象物を、一時的に利用する読取対象物、または／及び、通常利用する読取対象物としてユーザ情報と紐づけて管理する管理手段と、
前記読取対象物を読み取る読取手段と、
前記読取手段で読み取られた読取対象物が通常利用する読取対象物であって、当該読取対象物と紐づく前記ユーザ情報に一時的に利用する読取対象物が紐づいている場合、当該ユーザ情報に紐づいている一時的に利用する読取対象物の利用を制限するよう制御する制御手段と
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記制御手段で利用を制限された一時的に利用する読取対象物に対応する前記管理手段の情報を削除する削除手段
を備えることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記削除手段は、前記ユーザ情報を、前記管理手段で一時的に利用する読取対象物とする読取対象物と紐づいて管理されないよう削除することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記管理手段は、前記読取対象物が前記読取手段で読み取られた読取時刻を管理し、
前記削除手段は、前記管理手段で一時的に利用する読取対象物として管理されている前記読取対象物の前記読取時刻に基づいて、前記ユーザ情報を、前記管理手段で一時的に利用する読取対象物とする読取対象物と紐づいて管理されないよう削除することを特徴とする請求項２または３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記管理手段は、記憶制御されるユーザ情報を管理し、
前記制御手段は、前記ユーザ情報に紐づいている一時的に利用する読取対象物の利用を制限することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
読取対象物を、一時的に利用する読取対象物、または／及び、通常利用する読取対象物としてユーザ情報と紐づけて管理する管理ステップと、
前記読取対象物を読み取る読取ステップと、
前記読取ステップで読み取られた読取対象物が通常利用する読取対象物であって、当該読取対象物と紐づく前記ユーザ情報に一時的に利用する読取対象物が紐づいている場合、当該ユーザ情報に紐づいている一時的に利用する読取対象物の利用を制限するよう制御する制御ステップと
を含むことを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項７】
コンピュータを、
読取対象物を、一時的に利用する読取対象物、または／及び、通常利用する読取対象物としてユーザ情報と紐づけて管理する管理手段と、
前記読取対象物を読み取る読取手段と、
前記読取手段で読み取られた読取対象物が通常利用する読取対象物であって、当該読取対象物と紐づく前記ユーザ情報に一時的に利用する読取対象物が紐づいている場合、当該ユーザ情報に紐づいている一時的に利用する読取対象物の利用を制限するよう制御する制御手段
として機能させることを特徴とする前記コンピュータで実行可能なプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月19日(2019.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ記憶装置に常駐する不揮発性メモリを備える装置であって、前記不揮発性メモリは、読み出し−書き込み非対称性を有する書き換え可能なインプレースメモリセルを備え、前記不揮発性メモリは、前記データ記憶装置の選択モジュールによって、事象の前に第１グループの階層に分割され、前記事象の後に第２グループの階層に分割され、前記第１グループの階層と前記第２グループの階層とは異なっている、装置。
【請求項２】
前記第１グループの階層は、前記第２グループの階層とは異なる数の階層を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１グループの階層及び前記第２グループの階層は、それぞれ仮想化される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第２グループの階層のそれぞれの階層は、物理ブロックアドレスの範囲に割り当てられる、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第２グループの階層のそれぞれの階層の範囲は、異なり、重複していない、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
方法であって、
データ記憶装置に常駐する不揮発性メモリを活性化させることであって、前記不揮発性メモリは、読み出し−書き込み非対称性を有する書き換え可能なインプレースメモリセルを備える、ことと、
前記不揮発性メモリを前記データ記憶装置の選択モジュールによって第１グループの階層に分割することと、
前記不揮発性メモリを第２グループの階層に変更することによって事象に適合することであって、前記第１グループの階層と前記第２グループの階層とは異なっている、ことと、
を含む、方法。
【請求項７】
前記第２グループの階層は、階層的構造に配列される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第２グループの階層のうちの第１の階層は、データが、前記第２グループの階層のうちの別の階層まで動かされる前に、最初に記憶されるキャッシュである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２グループの階層のそれぞれの階層は、前記第２グループの階層のそれぞれの階層に記憶されたデータのアクセス頻度に対応する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記選択モジュールは、前記データを動かすことを伴わずに、前記第２グループの階層のそれぞれの階層のデータを更新する、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
方法であって、
データ記憶装置に常駐する不揮発性メモリを活性化させることであって、前記不揮発性メモリは、読み出し−書き込み非対称性を有する書き換え可能なインプレースメモリセルを備える、ことと、
前記不揮発性メモリを前記データ記憶装置の選択モジュールによって第１グループの階層に分割することと、
前記データ記憶装置の選択モジュールによって事象を予測することと、
前記不揮発性メモリを第２グループの階層に変更することによって前記事象に率先的に適合することであって、前記第１グループの階層と第２グループの階層とは異なっている、ことと、
を含む、方法。
【請求項１２】
前記予測された事象は、前記データ記憶装置の性能パラメータを妨げるように前記選択モジュールによって予想される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記選択モジュールは、前記予測された事象に応じて前記第２グループの階層のうちの複数の異なる階層にデータを分割する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記選択モジュールは、前記予測された事象に応じて前記第２グループの階層のうちの複数の異なる階層にわたってデータをストライプ（stripe）する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記選択モジュールは、前記不揮発性メモリの整定時間を通して読み出される前記データ記憶装置のバッファメモリにデータのシャドウコピーを書き込む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２グループの階層のうちのマップ階層は、前記不揮発性メモリに常駐するデータのマップからなる、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月17日(2019.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】バッファ保有期間管理を備えた装置及び方法
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月29日(2019.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択モジュールに接続された不揮発性メモリからなるデータ記憶装置を備える装置であって、前記不揮発性メモリは、読み出し−書き込み非対称性を有する書き換え可能なインプレースメモリセルを備え、前記選択モジュールは、前記不揮発性メモリの一部をデータマップに専用化する、装置。
【請求項２】
前記書き換え可能なインプレースメモリは、ビットアドレス指定可能であり，抵抗ユニットと接触する選択層を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記抵抗ユニットは、ビット線と接触し、前記選択層は、ワード線と接触し、前記ビット線は、前記ワード線に直交するように配向される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記データマップは、前記不揮発性メモリに記憶されたデータの論理ブロックアドレス（ＬＢＡ）から物理ブロックアドレス（ＰＢＡ）への変換を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記書き換え可能なインプレースメモリの前記読み出し−書き込み非対称性は、データ書き込み後の整定時間に対応する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
方法であって、
選択モジュールに接続された不揮発性メモリからなるデータ記憶装置を活性化することであって、前記不揮発性メモリは、読み出し−書き込み非対称性を有する再書き込み可能なインプレースメモリセルを備える、ことと、
前記不揮発性メモリの一部を前記選択モジュールでデータマップに専用化することと、
を含む、方法。
【請求項７】
前記データマップは、前記選択モジュールによってインプレース更新される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記選択モジュールは、前記データ記憶装置のバッファメモリからシャドウコピーをロードすることによって、前記書き換え可能なインプレースメモリセルの整定時間内に書き込まれたデータに対する読み出し要求にサービスする、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記選択モジュールは、前記データ記憶装置のバッファメモリ内にシャドウマップを維持し、前記バッファメモリは、前記不揮発性メモリとは別個で異なる、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
方法であって、
選択モジュールに接続された不揮発性メモリからなるデータ記憶装置を活性化することであって、前記不揮発性メモリは、読み出し−書き込み非対称性を有する再書き込み可能なインプレースメモリセルを備える、ことと、
前記不揮発性メモリの一部を前記選択モジュールでデータマップに専用化することと、
前記選択モジュールを用いてイベントを予測することと、
前記予測されたイベントに適合するように前記データマップを変更し、前記データ記憶装置の性能計量値を維持することと、
を含む、方法。
【請求項１１】
前記選択モジュールは、前記予測されたイベントに適応するように前記データマップを更新する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記予測されたイベントが、環境条件の変化である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記性能計量値は、データ読み出し待ち時間である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記選択モジュールは、前記データマップの一部を揮発性バッファメモリに複製することによって前記データマップを変更する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記選択モジュールは、第１のレベルマップ及び第２のレベルマップを含むマップ階層を生成することによって前記データマップを変更し、前記第１のレベルマップは、前記第２のレベルマップとは異なるメモリに記憶される、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月2日(2019.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッファメモリ、選択モジュール、及び不揮発性メモリを有するデータ記憶装置を備える装置であって、前記バッファメモリ並びに不揮発性メモリは異なるタイプのメモリを備え、前記不揮発性メモリは書き換え可能なインプレースメモリセルを備え、前記バッファメモリ並びに不揮発性メモリは、それぞれ、前記書き換え可能なインプレースメモリセルの整定時間が満了するまで、前記選択モジュールによって指示される保留データ要求に関連するデータを記憶し、前記選択モジュールは、前記書き込みデータが書き込まれるメモリセルに物理的に近接する前記不揮発性メモリの少なくとも１つのメモリセルへのアクセスを制限するように構成される、装置。
【請求項２】
前記データ記憶装置は、複数のビットアドレス指定可能なメモリセルを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記複数のビットアドレス指定可能なメモリセルの各メモリセルは、ビット線とワード線との間に配置される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
各ビット線は、各ワード線に直交するように配向される、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記複数のビットアドレス指定可能なメモリセルの第１のグループは、前記複数のビットアドレス指定可能なメモリセルの第２のグループの上に鉛直方向に積層される、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記複数のビットアドレス指定可能なメモリセルの各メモリセルは、抵抗ユニットと接触する選択層を含む、請求項２に記載の装置。
【請求項７】
前記複数のビットアドレス指定可能なメモリセルのどのメモリセルもトランジスタに取り付けられていない、請求項２に記載の装置。
【請求項８】
前記バッファメモリは揮発性である請求項１に記載の装置。
【請求項９】
方法であって、
バッファメモリ、選択モジュール、及び不揮発性メモリを有するデータ記憶装置を活性化することであって、前記バッファメモリ並びに不揮発性メモリは異なるタイプのメモリを備え、前記不揮発性メモリは書き換え可能なインプレースメモリセルを備える、ことと、
書き込み要求をリモートホストから受信することであって、前記書き込み要求は、前記書き込み要求に関連する書き込みデータを有する、ことと、
前記選択モジュールによって指示されるように、前記書き込みデータを前記バッファメモリ並びに不揮発性メモリに同時に書き込むことと、
前記バッファメモリからデータを取り出すことによって前記書き込みデータに対する最初の読み出し要求をサービスすることと、
前記選択モジュールのタイマがアクティブである間、前記不揮発性メモリから前記書き込みデータを読み出すことを遅延させることであって、前記タイマは前記不揮発性メモリの整定時間に対応する、ことと、
前記選択モジュールによって、前記書き込みデータが書き込まれるメモリセルに物理的に近接する前記不揮発性メモリの少なくとも１つのメモリセルへのアクセスを制限することと、
前記タイマが満了した後に前記不揮発性メモリからデータを取り出すことによって、前記書き込みデータに対する２回目の読み出し要求をサービスすることと、
を含む、方法。
【請求項１０】
前記不揮発性メモリは、前記整定時間中に不安定である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記整定時間は、前記選択モジュールの予測回路によって予測される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記予測される整定時間は、デフォルト整定時間とは異なる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記予測される整定時間は、前記データ記憶装置の高温に適応する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
方法であって、
バッファメモリ、選択モジュール、及び不揮発性メモリを有するデータ記憶装置を活性化することであって、前記バッファメモリ並びに不揮発性メモリは異なるタイプのメモリを備え、前記不揮発性メモリは書き換え可能なインプレースメモリセルを備える、ことと、
書き込み要求をリモートホストから受信することであって、前記書き込み要求は、前記書き込み要求に関連する書き込みデータを有する、ことと、
前記選択モジュールによって指示されるように、前記書き込みデータを前記バッファメモリ並びに不揮発性メモリに同時に書き込むことと、
前記バッファメモリからデータを取り出すことによって前記書き込みデータに対する最初の読み出し要求をサービスすることと、
前記選択モジュールのタイマがアクティブである間に前記書き込みデータを前記不揮発性メモリから読み出すことを遅延させることと、
前記選択モジュールによって、前記書き込みデータが書き込まれるメモリセルに物理的に近接する前記不揮発性メモリの少なくとも１つのメモリセルへのアクセスを制限することと、
前記タイマが満了した後に前記不揮発性メモリからデータを取り出すことによって、前記書き込みデータに対する２回目の読み出し要求をサービスすることと、
前記タイマの満了に応答して、前記バッファメモリから前記書き込みデータを削除することと、
を含む、方法。
【請求項１５】
前記選択モジュールは、前記タイマがアクティブである間、前記不揮発性メモリに書き込むことなく、前記バッファメモリ内の前記書き込みデータに更新を書き込む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記選択モジュールは、前記バッファメモリ内の前記書き込みデータにフラグを立てることによって、データが現在書き込まれているかどうかを評価する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記選択モジュールは、前記書き込みデータを第１のレベルマップ及び第２のレベルマップにマッピングする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１のレベルマップは前記バッファメモリに常駐し、前記第２のレベルマップは前記不揮発性メモリに常駐する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記選択モジュールは、前記バッファメモリに記憶されたシャドウマップを生成する、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月17日(2019.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】不揮発性メモリ（ＮＶＭ）において複数の名前空間を管理する装置及び方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図１２は、図１１のＭＵＡアレイ２１２とフォワードマップ２１４で、第一名前空間２２４（ＮＳ１）が削除された状態を示す。第二名前空間２２６（ＮＳ２）は上述と同様であるが、マップ２１４内で連続性を維持し、断片化を防止するために、第四名前空間２２８（ＮＳ４）と第三名前空間２３４（ＮＳ３）がそれぞれシフトダウンされている。ＮＳ１のステータスは無効に設定されている。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月29日(2019.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面保護フィルムと、第１の粘着剤層と、偏光板と、第２の粘着剤層と、剥離フィルムとをこの順に有する光学積層体の製造方法であって、
前記第２の粘着剤層から前記剥離フィルムを剥離する剥離工程と、
剥離した前記剥離フィルムを前記第２の粘着剤層に再度貼り合せる再貼合工程と、を含み、
前記表面保護フィルムのきっかけ剥離力をＸ（Ｎ／５０ｍｍ）とし、前記剥離工程の前の前記剥離フィルムのきっかけ剥離力をＹ１（Ｎ／５０ｍｍ）とし、前記再貼合工程の後の前記剥離フィルムのきっかけ剥離力をＹ２（Ｎ／５０ｍｍ）としたとき、
Ｙ２＜Ｘ≦Ｙ１
を満足する、光学積層体の製造方法。
【請求項２】
Ｘ−Ｙ２＞０．１
を満足する、請求項１に記載の光学積層体の製造方法。
【請求項３】
前記剥離工程の後、前記再貼合工程の前に、前記偏光板および前記第２の粘着層のうち少なくとも一方の異物の有無を検査する異物検査工程を含む、請求項１または２に記載の光学積層体の製造方法。
【請求項４】
前記表面保護フィルムの引張弾性率と厚みとの積をＡとし、前記偏光板の引張弾性率と厚みとの積をＢとし、前記剥離フィルムの引張弾性率と厚みとの積をＣとしたとき、
Ａ＞Ｂ＋Ｃ
を満足する、請求項１〜３のいずれかに記載の光学積層体の製造方法。
【請求項５】
Ａ≦Ｂ＋Ｃ＋２５５５０
を満足する、請求項４に記載の光学積層体の製造方法。
【請求項６】
前記表面保護フィルムの厚みと、前記第１の粘着剤層の厚みとの合計が７５μｍ以上であり、
前記剥離フィルムの厚みが３８μｍ以下である、請求項１〜５のいずれかに記載の光学積層体の製造方法。
【請求項７】
前記偏光板が、偏光子と、前記偏光子の前記表面保護フィルム側に積層された保護層とを有し、
前記偏光子の厚みが１２μｍ以下である、請求項１〜６のいずれかに記載の光学積層体の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の光学積層体の製造方法により得られた前記光学積層体の前記剥離フィルムを剥離し、前記第２の粘着剤層を介して前記偏光板を光学部材に貼り合せる工程を含む、画像表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月6日(2019.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面保護フィルムと、第１の粘着剤層と、偏光板と、第２の粘着剤層と、剥離フィルムとをこの順に有し、
前記表面保護フィルムの引張弾性率と厚みとの積をＡとし、前記偏光板の引張弾性率と厚みとの積をＢとし、前記剥離フィルムの引張弾性率と厚みとの積をＣとしたとき、
Ａ＞Ｂ＋Ｃ
を満足する、光学積層体。
【請求項２】
前記表面保護フィルムのきっかけ剥離力をＸ（Ｎ／５０ｍｍ）とし、前記剥離フィルムのきっかけ剥離力をＹ（Ｎ／５０ｍｍ）としたとき、
Ｙ＜Ｘ
を満足する、請求項１に記載の光学積層体。
【請求項３】
Ｘ−Ｙ＞０．１
を満足する、請求項２に記載の光学積層体。
【請求項４】
前記表面保護フィルムの厚みと、前記第１の粘着剤層の厚みとの合計が７５μｍ以上であり、
前記剥離フィルムの厚みが３８μｍ以下である、請求項１〜３のいずれかに記載の光学積層体。
【請求項５】
前記偏光板が、偏光子と、前記偏光子の前記表面保護フィルム側に積層された保護層とを有し、
前記偏光子の厚みが１２μｍ以下である、請求項１〜４のいずれかに記載の光学積層体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の光学積層体の前記偏光板と、前記第２の粘着剤層を介して前記偏光板が貼り合された光学部材とを有する、画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月22日(2019.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）装置本体に対して開閉自在に配設された複数の開閉部材と、
（ｂ）装置本体に対して移動自在に配設され、開位置及び閉位置を採る開閉ユニットと、
（ｃ）該開閉ユニットと連結され、前記複数の開閉部材のうちの所定の開閉部材に対して係脱自在に配設された係合ユニットとを有するとともに、
（ｄ）該係合ユニットは第１の係合部材を、前記所定の開閉部材は第２の係合部材を備え、前記複数の開閉部材のうちの他の開閉部材が開かれる場合に、第１、第２の係合部材が係合させられ、前記他の開閉部材が閉じられる場合に、第１、第２の係合部材の係合が解除されることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
（ａ）前記所定の開閉部材が開かれる場合に、開閉ユニットが所定の開閉部材と連動して開位置に遷移させられ、
（ｂ）前記所定の開閉部材が閉じられる場合に、該所定の開閉部材が開閉ユニットに対して独立して閉じられる請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記第１、第２の係合部材は、前記所定の開閉部材が開かれる場合に係合させられ、前記所定の開閉部材が閉じられる場合に係合が解除される請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記第１、第２の係合部材は、前記開閉ユニットが開位置を採り、前記所定の開閉部材が閉じられている場合に、前記所定の開閉部材が開かれるときに係合させられる請求項１〜３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記所定の開閉部材は、前記他の開閉部材が閉じられている場合に開閉が制限され、前記他の開閉部材が開かれている場合に開閉が許容される請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記係合ユニットは、開閉ユニットに対して回動自在に配設された伸縮部材、開閉ユニットの所定の箇所と伸縮部材の所定の箇所とを連結する連結部材、及び前記伸縮部材の先端に回動自在に配設された前記第１の係合部材を備える請求項１〜５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記伸縮部材は、伸縮部材を伸長させる方向に付勢する付勢部材を備える請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記他の開閉部材は、閉じられている場合に、前記第２の係合部材を遮蔽し、第１、第２の係合部材の係合を阻止する遮蔽部材を備える請求項１〜５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そのために、本発明の画像形成装置においては、装置本体に対して開閉自在に配設された複数の開閉部材と、装置本体に対して移動自在に配設され、開位置及び閉位置を採る開閉ユニットと、該開閉ユニットと連結され、前記複数の開閉部材のうちの所定の開閉部材に対して係脱自在に配設された係合ユニットとを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そして、該係合ユニットは第１の係合部材を、前記所定の開閉部材は第２の係合部材を備え、前記複数の開閉部材のうちの他の開閉部材が開かれる場合に、第１、第２の係合部材が係合させられ、前記他の開閉部材が閉じられる場合に、第１、第２の係合部材の係合が解除される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、画像形成装置においては、装置本体に対して開閉自在に配設された複数の開閉部材と、装置本体に対して移動自在に配設され、開位置及び閉位置を採る開閉ユニットと、該開閉ユニットと連結され、前記複数の開閉部材のうちの所定の開閉部材に対して係脱自在に配設された係合ユニットとを有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そして、該係合ユニットは第１の係合部材を、前記所定の開閉部材は第２の係合部材を備え、前記複数の開閉部材のうちの他の開閉部材が開かれる場合に、第１、第２の係合部材が係合させられ、前記他の開閉部材が閉じられる場合に、第１、第２の係合部材の係合が解除される。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月25日(2018.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングと、
ユーザ入力エレメントと、
前記ユーザ入力エレメントに結合された位置センサであって、前記ユーザ入力エレメントの位置を検出するように構成され、前記位置をプロセッサに送信するようにさらに構成された、位置センサと、
前記ハウジング内に設置され、前記ユーザ入力エレメントに結合された、ハプティック出力デバイスであって、前記プロセッサからハプティック効果定義を受信するように構成され、受信した前記ハプティック効果定義に応じて前記ユーザ入力エレメントへの力を出力するようにさらに構成された、ハプティック出力デバイスと、
前記ユーザ入力エレメントが前記ハウジングの内部に移動していない又は前記ハウジングの内部に最大距離移動しているときに出力された前記力に応じて前記ユーザ入力エレメントが移動できるレンジを設けるように構成された、ハプティック減少防止コンポーネントと
を含む、周辺機器。
【請求項２】
前記ハプティック減少防止コンポーネントは、少なくとも１つのスプリングを含む、請求項１記載の周辺機器。
【請求項３】
前記スプリングは、前記ユーザ入力エレメントと前記ハウジングの外側部分との間に第１トラベルレンジがあるような位置に前記ユーザ入力エレメントを維持し、
出力された前記力に応じて前記ユーザ入力エレメントが移動できる前記レンジは、前記ユーザ入力エレメントと前記ハウジングの前記外側部分と間の前記第１トラベルレンジを含む
請求項２記載の周辺機器。
【請求項４】
前記スプリングは、オブジェクトが前記ユーザ入力エレメントを前記ハウジングの内部へと最大距離移動させたときに前記ユーザ入力エレメントと前記ハウジングの内側部分との間に第２トラベルレンジがあるような位置に前記ユーザ入力エレメントを維持し、
出力された前記力に応じて前記ユーザ入力エレメントが移動できる前記レンジは、前記ユーザ入力エレメントと前記ハウジングの前記内側部分との間の前記第２トラベルレンジを含む
請求項２又は３記載の周辺機器。
【請求項５】
前記力は、運動感覚ハプティック効果として前記ハプティック出力デバイスから前記ユーザ入力エレメントに伝達される、請求項１から４のいずれかに記載の周辺機器。
【請求項６】
前記ハプティック出力デバイスは、アクチュエータを含む、請求項１から５のいずれかに記載の周辺機器。
【請求項７】
前記アクチュエータは、双方向押／引力を及ぼすように構成されたモータを含む、請求項６記載の周辺機器。
【請求項８】
前記ハプティック効果定義は、前記ユーザ入力エレメントの前記位置に応じて前記プロセッサにより生成される、請求項１から７のいずれかに記載の周辺機器。
【請求項９】
前記ユーザ入力エレメントは、トリガを含む、請求項１から８のいずれかに記載の周辺機器。
【請求項１０】
ユーザ入力エレメントで経験されるハプティック効果を修正するためのコンピュータ実施方法であって、
周辺機器のユーザ入力エレメントの位置を受信するステップであって、前記周辺機器は、ハウジングと、ユーザ入力エレメントと、前記ハウジング内に設置され、かつ前記ユーザ入力エレメントに結合されたハプティック出力デバイスと、ハプティック減少防止コンポーネントとを含む、ステップと、
受信した前記ユーザ入力エレメントの位置に応じてハプティック効果定義を前記ハプティック出力デバイスに送信するステップと、
前記ハプティック出力デバイスに、前記ハプティック効果定義に応じて前記周辺機器の前記ユーザ入力エレメントへの力を出力させるステップと、
を含み、
前記ハプティック減少防止コンポーネントは、前記ユーザ入力エレメントが前記ハウジングの内部に移動していない又は前記ハウジングの内部に最大距離移動しているときに出力された前記力に応じて前記ユーザ入力エレメントが移動できるレンジを設ける
コンピュータ実施方法。
【請求項１１】
前記ハプティック減少防止コンポーネントは、少なくとも１つのスプリングを含む請求項１０記載のコンピュータ実施方法。
【請求項１２】
前記スプリングは、前記ユーザ入力エレメントと前記ハウジングの外側部分との間に第１トラベルレンジがあるような位置に前記ユーザ入力エレメントを維持し、
出力された前記力に応じて前記ユーザ入力エレメントが移動できる前記レンジは、前記ユーザ入力エレメントと前記ハウジングの前記外側部分との間の前記第１トラベルレンジを含む
請求項１１記載のコンピュータ実施方法。
【請求項１３】
前記スプリングは、オブジェクトが前記ユーザ入力エレメントを前記ハウジングの内部へと最大距離移動させたときに前記ユーザ入力エレメントと前記ハウジングの内側部分との間に第２トラベルレンジがあるような位置に前記ユーザ入力エレメントを維持し、
出力された前記力に応じて前記ユーザ入力エレメントが移動できる前記レンジは、前記ユーザ入力エレメントと前記ハウジングの前記内側部分との間の前記第２トラベルレンジを含む
請求項１１又は１２記載のコンピュータ実施方法。
【請求項１４】
プロセッサによって実行されたときに、請求項１０から１３のいずれかの方法を実行することによって、前記プロセッサに、ユーザ入力エレメントにおいて経験されるハプティック効果を修正させる、記録された指示を有する非一時的コンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月17日(2019.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（止水部４０）
止水部４０は、図６に示すように、合成樹脂からなる防食剤４０Ａを電線１１や端子２０に付着させた後、硬化させて形成することができる。防食剤４０Ａは、例えば、ウレタンＵＶアクリレート樹脂、オレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂等を選択することができるが、紫外線（「光」の一例）の照射により硬化するウレタンＵＶアクリレート樹脂（「光硬化性樹脂」の一例）がより好ましい。また、熱によって硬化する樹脂としてもよい。紫外線を照射することで反応を開始する光開始剤や熱によって反応を開始する過酸化物を一つ、又は、複数種類添加してもよい。防食剤４０Ａの粘度は、種々の粘度とすることができるが、例えば、１０００〜１００００ｍＰａ・ｓとすることができる。硬化後の止水部４０は、一対のバレル片２８が止水部４０をかしめた際に止水部４０に損傷が生じない程度に弾性変形可能とすれば好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本実施形態によれば、以下の作用、効果を奏する。
端子付き電線１０は、導体部１２と導体部１２を包囲する絶縁被覆１３とを有する電線１１と、絶縁被覆１３の外面に密着する止水部４０と、導体部１２を圧着する導体圧着部２４と止水部４０の外面側に密着して止水部４０を保持する止水保持部２７とを有する端子２０と、を備える。
例えば比較例としての図１０に示すように、導体圧着部２４が導体部１２を圧着し、端子ＴＥのインシュレーションバレルＩＢが絶縁被覆１３をかしめた状態とした後に防食剤を塗布して止水部ＡＣを形成する構成では、インシュレーションバレルＩＢが絶縁被覆１３に（止水部を介さず）直接接触するため、車両の振動や経年劣化等によりインシュレーションバレルＩＢと絶縁被覆１３との間や底板部２２と絶縁被覆１３との間に隙間が生じやすい。電線１１に付着した水がこの隙間を通って、電線１１と端子ＴＥとの接続部分に浸入すると、電食が発生することが懸念される。本実施形態によれば、電線１１の絶縁被覆１３と止水保持部２７との間は止水部４０により水が通る隙間Ｇが生じにくくなるため、電線１１の導体部１２と端子２０とが接続された部分への水の浸入を抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月26日(2019.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーディオ信号を出力するオーディオプレーヤと有線又は無線によるネットワークを介して前記オーディオプレーヤの動作を制御するリモートコントローラとを備えるオーディオシステムにおいて、
前記リモートコントローラは、
予めアプリケーションソフトウェアを記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶されたアプリケーションソフトウェアが起動された場合に起動されたアプリケーションソフトウェアに応じた情報表示や各種の選択キーの表示を行う表示部と、
前記選択キーが選択されると前記選択キーが選択されたことを検知し、選択された前記選択キーに対応した指令信号を出力する操作部と、
前記操作部により出力された前記指令信号を入力し、入力された前記指令信号を、有線又は無線によるネットワークを介して、オーディオプレーヤに送信するネットワークインターフェース部と、
前記リモートコントローラ全体の動作を制御する制御部とを備え、
前記オーディオプレーヤは、
前記リモートコントローラが送信した前記指令信号を受信するネットワークインターフェース部と、
オーディオデータをデコードして再生し、再生して得られた音声信号を出力するオーディオ再生部と、
前記オーディオ再生部が出力した音声信号の入力を受け、入力を受けた音声信号を物理振動に変換して前記オーディオプレーヤの外部へ放音するスピーカ部と、
前記オーディオプレーヤの周囲の音波を集音する集音部と、
前記オーディオプレーヤ全体の動作を制御する制御部とを備え、
前記オーディオプレーヤの前記制御部は、前記集音部が集音した音波が異音であるか否かの判定を行い、前記オーディオプレーヤが当該判定の結果に応じて予め設定された動作を行うように制御する
ことを特徴とするオーディオシステム。
【請求項２】
請求項１記載のオーディオシステムにおいて、
前記オーディオプレーヤの前記制御部は、前記集音部が集音した音波が異音であると判定した場合、前記オーディオ再生部が前記記憶部に予め記憶された警告音データを再生し再生された警告音信号を前記スピーカ部に出力し、前記スピーカ部が前記オーディオ再生部から出力された警告音信号の入力を受け入力を受けた警告音信号を物理振動に変換し前記オーディオプレーヤの外部へ放音するように制御する
ことを特徴とするオーディオシステム。
【請求項３】
請求項１又は２記載のオーディオシステムにおいて、
前記オーディオプレーヤの前記制御部は、前記集音部が集音した音波が異音であると判定した場合、有線又は無線によるネットワークを介して、前記リモートコントローラに対して、異音検知情報を送信するように制御する
ことを特徴とするオーディオシステム。
【請求項４】
オーディオ信号を出力するオーディオプレーヤにおいて、
他の装置が送信した指令信号を受信するネットワークインターフェース部と、
オーディオデータをデコードして再生し、再生して得られた音声信号を出力するオーディオ再生部と、
前記オーディオ再生部が出力した音声信号の入力を受け、入力を受けた音声信号を物理振動に変換して前記オーディオプレーヤの外部へ放音するスピーカ部と、
前記オーディオプレーヤの周囲の音波を集音する集音部と、
前記オーディオプレーヤ全体の動作を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記集音部が集音した音波が異音であるか否かの判定を行い、当該判定の結果に応じて予め設定された動作を行うように制御する
ことを特徴とするオーディオプレーヤ。
【請求項５】
請求項４記載のオーディオプレーヤにおいて、
前記制御部は、前記ネットワークインターフェース部による指令信号の受信が遮断されたか否かを検出し、当該検出の結果に応じて予め設定された動作を行うように制御する
ことを特徴とするオーディオプレーヤ。
【請求項６】
請求項４又は５記載のオーディオプレーヤにおいて、
前記オーディオプレーヤの動作に必要となる電源の供給を受ける電源部を備え、
前記制御部は、前記電源部への電源供給が遮断されたか否かを検出し、当該検出の結果に応じて予め設定された動作を行うように制御する
ことを特徴とするオーディオプレーヤ。
【請求項７】
請求項４乃至６記載のオーディオプレーヤにおいて、
前記予め設定された動作とは、前記オーディオ再生部が前記記憶部に予め記憶された警告音データを再生し再生された警告音信号を前記スピーカ部に出力し、前記スピーカ部が前記オーディオ再生部から出力された警告音信号の入力を受け入力を受けた警告音信号を物理振動に変換し前記ワイヤレスオーディオプレーヤの外部へ放音する
ことを特徴とするオーディオプレーヤ。
【請求項８】
請求項４乃至６記載のオーディオプレーヤにおいて、
前記予め設定された動作とは、有線又は無線によるネットワークを介して、前記リモートコントローラに対して、異音検知情報を送信する
ことを特徴とするオーディオプレーヤ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】オーディオシステムおよびオーディオプレーヤ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月3日(2019.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
外装部４２は、概略筒形状に形成されている。外装部４２は、コネクタ２３（コネクタシェル又はハウジング）と保護管２２との間に掛け渡されるように被着されている。外装部４２は、図示しない固定バンドによりコネクタ２３の外側と保護管２２の外側にそれぞれ締結固定されている。外装部４２は、コネクタ２３の外側と保護管２２の外側とにそれぞれ気密状に密着している。外装部４２の材料としては、例えばゴムやエラストマー等を用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月11日(2019.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に酸化膜が形成された半導体ウェーハに、前記酸化膜を除去可能な洗浄液を供給し、前記半導体ウェーハを回転させながら洗浄を行うことにより、前記半導体ウェーハの表面に形成された酸化膜を除去する半導体ウェーハの洗浄方法であって、
前記酸化膜の除去を、前記半導体ウェーハの表面に形成された酸化膜の８０％以上が除去されるまで前記半導体ウェーハの回転速度を３００ｒｐｍ以上として行い、その後前記半導体ウェーハの回転速度を１００ｒｐｍ以下に切り替えて前記酸化膜を完全に除去することで行うことを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。
【請求項２】
前記半導体ウェーハをシリコンウェーハとし、前記酸化膜を除去可能な洗浄液をフッ酸とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
【請求項３】
前記３００ｒｐｍ以上での回転速度での酸化膜除去を、前記半導体ウェーハの表面に形成された酸化膜の９０％が除去される前まで行い、その後前記半導体ウェーハの回転速度を１００ｒｐｍ以下に切り替えて前記酸化膜を完全に除去することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
【請求項４】
前記３００ｒｐｍ以上での回転速度での酸化膜除去を、前記酸化膜が形成された半導体ウェーハの純水に対する接触角が５°を超える前まで行い、その後前記半導体ウェーハの回転速度を１００ｒｐｍ以下に切り替えて前記酸化膜を完全に除去することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
【請求項５】
前記半導体ウェーハの表面に形成された酸化膜を完全に除去した後に、純水又はオゾン水洗浄を１００ｒｐｍ以下の回転速度で行うことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
【請求項６】
前記酸化膜を自然酸化膜とすることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月18日(2019.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
一般に質量分析装置は、試料中の化合物をイオン化するイオン源、化合物由来のイオンを質量電荷比（m/z）に応じて分離する四重極マスフィルタ等の質量分離器、分離されたイオンを検出する検出器、などを備える。ガスクロマトグラフと質量分析装置とを組み合わせたガスクロマトグラフ質量分析装置（ＧＣ−ＭＳ）の場合、気体試料中の化合物をイオン化するために、電子イオン化（ＥＩ＝Electron Ionization）法や化学イオン化（ＣＩ＝Chemical Ionization）法、或いは負化学イオン化（ＮＣＩ＝Negative Chemical Ionization）法などのイオン化法によるイオン源が用いられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図４は、電極Ｌ1〜Ｌ4に汚れが生じていない場合における、（電極Ｌ2への印加電圧，電極Ｌ3への印加電圧，電極Ｌ4への印加電圧）＝（−２０，５，−５０）、（−２０，０，−４０）、（−４０，５，−４０）、（−４０，０，−４５）の四つの組合せについての電極Ｌ1への印加電圧とピーク強度（図４では縦軸を感度で示しているがピーク強度と実質的に同じである）との関係を概略的に示すグラフである。一方、図５は、電極Ｌ1〜Ｌ4が汚れている場合における、（−４０，５，−４０）の組合せについての電極Ｌ1への印加電圧とピーク強度との関係を概略的に示すグラフである。図４では、電極Ｌ2〜Ｌ4への印加電圧の組合せによって電極Ｌ1への印加電圧の変化と感度の変化との関係を示す曲線の形状は異なるものの、電極Ｌ1への印加電圧の変化に対する感度の変化はいずれも滑らかな曲線となっている。これに対し、図５を見ると、電極Ｌ1への印加電圧と感度との関係を示す曲線の概略的な形状は図４の結果とほぼ同じであるものの、この曲線に従わない、つまりは感度がこの曲線から大きく外れた位置に現れるプロット点が少なからず存在している。この結果から、特定の印加電圧の組合せにおいて、より厳密にいえば或る印加電圧の組合せから別の組合せへの変化が特定の状態である場合に、感度に大きなばらつき（不連続性）が生じることが推測できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
チャージアップ判定部３４は上記指標値を所定の閾値と比較し、該指標値が閾値を超えている場合にはチャージアップの程度が許容範囲を超えている、つまりはリペラ電極１２４、レンズ電極１４ａ〜１４ｃの少なくとも一つの汚れの程度が大きい可能性が高いと判断する（ステップＳ５）。そして、チャージアップ判定部３４はその判定結果を、主制御部６を通して表示部８の画面上に表示する（ステップＳ６）。
ユーザはこの判定結果を確認し、必要に応じてサービス担当者等に装置の分解洗浄作業
を依頼すればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
なお、図４、図５を見れば分かるように、印加電圧の変化とピーク強度の変化との関係を示すグラフからチャージアップの程度は判定可能であるから、このグラフを表示部８の画面上に表示し、ユーザがそのグラフを確認したうえで装置の分解洗浄の必要性を判断するようにしてもよい。また、ステップＳ４で算出した指標値をそのまま表示して、その数値に基づいてユーザが装置の分解洗浄の必要性を判断するようにしてもよい。