(57)【要約】  レチクル（Ｒ）がその＋Ｘ、−Ｘ端部において柔軟なレチクルホルダ（７２Ａ，７２Ｂ）により支持されるので、レチクルの被支持部分に凹凸が存在する場合であっても、レチクルホルダ表面がその凹凸に倣って変形し、レチクルの変形を極力抑制することができる。また、レチクルホルダは、一直線上に無い３点で当接する支持ピン（８４Ａ〜８４Ｃ）により、その当接する部分における高さ方向（Ｚ軸方向）に関する位置決めがされるとともに、一直線上に無い３点で当接するピストン部材（８６Ａ〜８６Ｃ）を含む自重キャンセル機構により、レチクルとレチクルホルダの自重に起因する撓みが抑制される。
2007135998.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略平板状の物体を保持する保持装置であって、
テーブルと；
該テーブル上に設けられた当接部材と；
前記テーブル上に水平面内の移動が拘束された状態で設けられ、かつ下方から当接する前記当接部材によってその当接部分における高さ方向に関する位置決めがされ、前記物体をその周縁部の少なくとも一部において下方から支持する柔軟な支持部材と；
前記支持部材に下方から当接し、その当接部分における前記物体と前記支持部材の自重を支持する自重キャンセル機構と；を備える保持装置。
【請求項２】
請求項１に記載の保持装置において、
前記支持部材上で、前記物体を吸着保持する吸着機構を更に備える保持装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の保持装置において、
前記当接部材は、３つ設けられ、該３つの当接部材は、同一直線上に無い３点で前記支持部材に下方から当接する保持装置。
【請求項４】
請求項３に記載の保持装置において、
前記自重キャンセル機構は、ｍ個（ｍは３以上の奇数）設けられ、該ｍ個の自重キャンセル機構は同一直線上に無いｍ点で前記支持部材に下方から当接する保持装置。
【請求項５】
請求項４に記載の保持装置において、
前記各自重キャンセル機構は、気体の圧力で前記物体と前記支持部材との自重を支持する保持装置。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の保持装置において、
前記当接部材が前記支持部材に下方から当接する３点と、前記自重キャンセル機構が前記支持部材に下方から当接するｍ点の合計（３＋ｍ）点は、２列ｎ行（ｎは３以上の自然数）の配置とされている保持装置。
【請求項７】
請求項６に記載の保持装置において、
同一列内で隣り合う当接点同士の間隔は等間隔に設定されている保持装置。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の保持装置において、
前記支持部材は、前記当接点の行と平行な方向に関する前記物体の一端と他端とをそれぞれ支持する一対の支持板を有し、
前記２列のうちの一方の列をなす当接点が前記一対の支持板の一方の下面に存在し、前記２列のうちの他方の列をなす当接点が前記一対の支持板の他方の下面に存在する保持装置。
【請求項９】
略平板状の物体を保持する保持装置であって、
テーブルと；
該テーブル上に設けられた３つの第１の当接部材と；
前記テーブル上に水平面内の移動が拘束された状態で設けられ、かつ下方から当接する前記３つの第１の当接部材によって同一直線上に無い３つの第１の当接点で３点支持され、各第１の当接点における高さ方向に関する位置決めがされ、前記物体をその周縁部の少なくとも一部において下方から支持する柔軟な支持部材と；
前記支持部材に対して下方から同一直線上に無いｍ個（ｍは３以上の奇数）の第２の当接点で当接するｍ個の第２の当接部材と；を備え、
前記３つの第１の当接点と前記ｍ個の第２の当接点とは、２列ｎ行（ｎは３以上の自然数）の配置とされている保持装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の保持装置において、
前記支持部材上で、前記物体を吸着保持する吸着機構を更に備える保持装置。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の保持装置において、
前記各第２の当接部材は、気体の圧力で前記物体と前記支持部材の自重を支持する自重キャンセル機構の一部を構成する保持装置。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれか一項に記載の保持装置において、
前記支持部材は、前記当接点の行と平行な方向に関する前記物体の一端と他端とをそれぞれ支持する一対の支持板を有し、
前記２列のうちの一方の列をなす当接点が前記一対の支持板の一方の下面に存在し、前記２列のうちの他方の列をなす当接点が前記一対の支持板の他方の下面に存在する保持装置。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれか一項に記載の保持装置において、
同一列内で隣り合う当接点同士の間隔は等間隔に設定されている保持装置。
【請求項１４】
マスクに形成されたパターンを基板上に転写する露光装置であって、
前記物体として前記マスクを支持する請求項１〜１３のいずれか一項に記載の保持装置を具備する露光装置。
【請求項１５】
マスクに形成されたパターンを基板上に転写する露光装置であって、
前記物体として前記マスクを支持する請求項６〜１３のいずれか一項に記載の保持装置と；
前記マスクと前記基板とを前記列と平行な方向に同期移動する同期移動装置と；を備える露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は保持装置及び露光装置に係り、更に詳しくは、略平板状の物体を保持する保持装置及び該保持装置を備える露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、液晶表示素子等のマイクロデバイスを製造するためのリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル（以下「レチクル」と総称する）に形成されたパターンをレジスト等が塗布されたウエハ又はガラスプレート等の感光物体（以下、「ウエハ」と総称する）上に転写する露光装置が用いられている。【０００３】
この種の露光装置では、レチクルを保持するレチクルステージが設けられている。このレチクルステージ上で、レチクルは転写すべきパターンが形成されていない周縁部において、レチクルホルダによって保持されている。【０００４】
しかるに、最近におけるレチクルの大型化に伴い、レチクルの変形及びその表面形状、あるいはそれらのレチクル間差などが露光精度に与える影響も大きくなってきている。すなわち、レチクルホルダではレチクルを支持した状態で真空吸着等することによりレチクルの２次元面内の移動を拘束することが多い。しかし、レチクルの被吸着面が平坦でない場合には、吸着の際に、レチクルホルダの表面形状にレチクルの被吸着面が倣うため、レチクルに変形が生じる。この変形はレチクルを吸着する場合に限らず、レチクルの自重によっても起こりうる。一方、この変形は、露光時においては、レチクルパターン像のディストーションの原因となり、露光精度に影響を与えてしまう。【０００５】
これを回避するための技術として、特許文献１に、「マスク（レチクル）テーブルがマスク（レチクル）を保持する少なくとも１つの柔軟部材を含み、その少なくとも１つの柔軟部材がマスク（レチクル）の形状に実質的に一致するように従動する」という技術が開示されている。【０００６】
しかしながら、上記特許文献１のような柔軟部材を用いた場合（例えば、同文献の図４に示されるような構成を採用した場合）には、該柔軟部材とレチクルとの自重により、柔軟部材自体が撓んでしまう。この撓みは、例えばレチクルをスキャンして露光する走査型露光装置の場合にあっては、スキャン方向に関する位置毎にレチクルの断面形状を異ならせるため、このスキャン方向に関する位置毎の断面形状の変化による影響を受けずに露光を行うことは非常に困難である。【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１９６３０３号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述した事情の下になされたものであり、第１の観点からすると、  略平板状の物体を保持する保持装置であって、テーブルと；該テーブル上に設けられた当接部材と；前記テーブル上に水平面内の移動が拘束された状態で設けられ、かつ下方から当接する前記当接部材によってその当接部分における高さ方向に関する位置決めがされ、前記物体をその周縁部の少なくとも一部において下方から支持する柔軟な支持部材と；前記支持部材に下方から当接し、その当接部分における前記物体と前記支持部材の自重を支持する自重キャンセル機構と；を備える第１の保持装置である。【０００９】
本発明は、第２の観点からすると、略平板状の物体を保持する保持装置であって、テーブルと；該テーブル上に設けられた３つの第１の当接部材と；前記テーブル上に水平面内の移動が拘束された状態で設けられ、かつ下方から当接する前記３つの第１の当接部材によって同一直線上に無い３つの第１の当接点で３点支持され、各第１の当接点における高さ方向に関する位置決めがされ、前記物体をその周縁部の少なくとも一部において下方から支持する柔軟な支持部材と；前記支持部材に対して下方から同一直線上に無いｍ個（ｍは３以上の奇数）の第２の当接点で当接するｍ個の第２の当接部材と；を備え、前記３つの第１の当接点と前記ｍ個の第２の当接点とは、２列ｎ行（ｎは３以上の自然数）の配置とされている第２の保持装置である。【００１０】
本発明は第３の観点からすると、マスクに形成されたパターンを基板上に転写する露光装置であって、前記物体として前記マスクを支持する本発明の第１、第２の保持装置のいずれかを具備する第１の露光装置である。【００１１】
本発明は第４の観点からすると、マスクに形成されたパターンを基板に転写する露光装置であって、前記物体として前記マスクを支持する、２列ｎ行（ｎは３以上の自然数）の当接点で支持された支持部材を備える本発明の第１、第２の保持装置のいずれかと；前記マスクと前記基板とを前記列と平行な方向に同期移動する同期移動装置と；を備える第２の露光装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】一実施形態に係る露光装置を示す概略図である。
【図２】図１のレチクルステージを含むレチクルステージ装置の平面図である。
【図３】レチクル微動ステージを取り出して示す斜視図である。
【図４】図４（Ａ）は、レチクルホルダ７２Ａ及び支持機構８０Ａを断面して示す図であり、図４（Ｂ）は、レチクルホルダ７２Ｂ及び支持機構８０Ｂを断面して示す図である。
【図５】レチクルが３点で支持された場合の自重に起因する変形を説明するための図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態を図１〜図５に基づいて説明する。【００１４】
図１には、本発明の一実施形態の露光装置１００の全体構成が概略的に示されている。この露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置である。後述するように本実施形態では、投影光学系ＰＬが設けられており、以下においては、この投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行な方向をＺ軸方向、これに直交する面内でレチクルＲとウエハＷとが相対走査される走査方向（図１における紙面と平行な方向）をＹ軸方向、このＹ軸に直交する非走査方向（図１における紙面に直交する方向）をＸ軸方向とし、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸回りの回転（傾斜）方向をそれぞれθｘ、θｙ、及びθｚ方向とする。【００１５】
露光装置１００は、光源及び照明光学系を含む照明系１２、レチクルＲをＹ軸方向に所定のストロークで駆動するとともに、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びθｚ方向に微少駆動するレチクルステージ装置１１２、投影光学系ＰＬ、ウエハＷが載置されるウエハステージＷＳＴ、オフアクシス方式のアライメント検出系ＡＳ、及びワークステーションなどのコンピュータから成り、装置全体を統括制御する主制御装置２０等を備えている。【００１６】
照明系１２は、例えば特開２００１−３１３２５０号公報（対応する米国特許出願公開２００３／００２５８９０号明細書）などに開示されるように、光源、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、ビームスプリッタ、リレーレンズ、可変ＮＤフィルタ、レチクルブラインド等（いずれも不図示）を含んで構成されている。この照明系１２では、レチクルブラインドで規定されレチクルＲ上でＸ軸方向に細長く伸びるスリット状の照明領域を照明光（露光光）ＩＬによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ＩＬとしては、一例としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられている。また、オプティカルインテグレータとしては、フライアイレンズ、ロッドインテグレータ（内面反射型インテグレータ）あるいは回折光学素子などを用いることができる。【００１７】
照明系１２の下方に所定間隔をあけてレチクルステージ定盤１１６が水平に配置され、該レチクルステージ定盤１１６の上方（＋Ｚ側）にレチクルステージ装置１１２が、配置されている。【００１８】
レチクルステージ定盤１１６は、例えば不図示の４本の脚によって床面上で略水平に支持されている。レチクルステージ定盤１１６は、概略板状の部材から成り、そのほぼ中央には、照明光ＩＬの通路となるＸ軸方向を長手方向とする矩形開口がＺ軸方向に貫通して形成されている。レチクルステージ定盤１１６の上面がレチクルステージＲＳＴの移動面とされている。【００１９】
レチクルステージＲＳＴは、レチクルステージ定盤１１６の上面（移動面）の上方に例えば数μｍ程度のクリアランスを介して浮上支持されている。レチクルステージＲＳＴ上には、レチクルＲが、真空吸着により固定されている。レチクルステージＲＳＴは、図１に示されるレチクルステージ駆動系３４により、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直なＸＹ平面内で２次元的に（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びθｚ方向に）微少駆動可能であるとともに、レチクルステージ定盤１１６上をＹ軸方向に指定された走査速度で駆動可能となっている。なお、レチクルステージ装置１１２の詳細な構成等については後に詳述する。【００２０】
投影光学系ＰＬは、レチクルステージＲＳＴの図１における下方に配置されている。投影光学系ＰＬとしては、例えば、Ｚ軸方向と平行な光軸ＡＸに沿って配列される不図示の複数のレンズエレメントから成る屈折光学系が用いられている。また、この投影光学系ＰＬは、例えば両側テレセントリックで所定の投影倍率β（βは例えば１／４、１／５、１／８など）を有する。このため、照明系１２からの照明光ＩＬによって照明領域が照明されると、投影光学系ＰＬの第１面（物体面）とパターン面がほぼ一致して配置されるレチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介してその照明領域内のレチクルＲの回路パターンの縮小像（回路パターンの一部の縮小像）が、その第２面（像面）側に配置される、表面にレジスト（感光剤）が塗布されたウエハＷ上の前記照明領域に共役な露光領域に形成される。そして、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとの同期駆動によって、照明領域（照明光ＩＬ）に対してレチクルを走査方向（Ｙ軸方向）に相対移動するとともに、露光領域（照明光ＩＬ）に対してウエハＷを走査方向（Ｙ軸方向）に相対移動することで、ウエハＷ上の１つのショット領域（区画領域）の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルのパターンが転写される。【００２１】
なお、本実施形態では、上記の複数のレンズエレメントのうち、特定のレンズエレメント（例えば、所定の５つのレンズエレメント）がそれぞれ独立に駆動可能となっている。かかる特定のレンズエレメントの駆動は、特定のレンズエレメント毎に設けられた３個のピエゾ素子等の駆動素子によって行われる。すなわち、これらの駆動素子を個別に駆動することにより、特定のレンズエレメントを、それぞれ独立に、各駆動素子の変位量に応じて光軸ＡＸに沿って平行移動させることもできるし、光軸ＡＸと垂直な平面に対して所望の傾斜を与えることもできる。本実施形態では、上記の駆動素子を駆動するための駆動指示信号は、主制御装置２０からの指令ＭＣＤに基づいて結像特性補正コントローラ２５１によって出力され、これによって各駆動素子の変位量が制御される。【００２２】
このようにして構成された投影光学系ＰＬでは、主制御装置２０による結像特性補正コントローラ２５１を介したレンズエレメントの移動の制御により、ディストーション、像面湾曲、非点収差、コマ収差、又は球面収差等の諸収差（光学特性の一種）を調整することができる。【００２３】
ウエハステージＷＳＴは、投影光学系ＰＬの図１における下方で、不図示のベース上に配置され、その上面にウエハホルダ２５が載置されている。ウエハホルダ２５上にウエハＷが例えば真空吸着等によって固定されている。【００２４】
ウエハステージＷＳＴは、モータ等を含むウエハステージ駆動系２４により走査方向（Ｙ軸方向）及び非走査方向（Ｘ軸方向）に駆動される。【００２５】
ウエハステージＷＳＴの位置は、ウエハレーザ干渉計（以下、「ウエハ干渉計」という）１８によって、移動鏡１７を介して、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。ウエハステージＷＳＴの位置情報（又は速度情報）は、主制御装置２０に送られる。主制御装置２０は、その位置情報（又は速度情報）に基づきウエハステージ駆動系２４を介してウエハステージＷＳＴの駆動制御を行う。【００２６】
また、ウエハステージＷＳＴは、ウエハステージ駆動系２４によりＺ軸方向、θｘ方向（ピッチング方向）、θｙ方向（ローリング方向）及びθｚ方向（ヨーイング方向）にも微小駆動される。【００２７】
アライメント検出系ＡＳは、投影光学系ＰＬの側面に配置されている。本実施形態では、ウエハＷ上に形成された位置検出用マーク（ファインアライメントマーク）を観測する結像式アライメントセンサがアライメント検出系ＡＳとして用いられている。このアライメント検出系ＡＳの詳細な構成は、例えば、特開平９−２１９３５４号公報に開示されている。アライメント検出系ＡＳによる観測結果は、主制御装置２０に供給される。【００２８】
更に、図１の装置には、ウエハＷ表面の露光領域内部及びその近傍の領域のＺ軸方向（光軸ＡＸ方向）の位置を検出するための斜入射方式のフォーカス検出系（焦点検出系）の一つである、多点フォーカス位置検出系（２１，２２）が設けられている。この多点フォーカス位置検出系（２１，２２）の詳細な構成等については、例えば、特開平６−２８３４０３号公報（対応する米国特許第５，４４８，３３２号明細書）などに開示されている。多点フォーカス位置検出系（２１，２２）による検出結果は、主制御装置２０に供給される。【００２９】
さらに、本実施形態の露光装置１００では、図示は省略されているが、レチクルＲの上方に、投影光学系ＰＬを介してレチクルＲ上のレチクルマークと基準マーク板のマークとを同時に観察するための露光波長を用いたＴＴＲ（Through The Reticle）アライメント光学系から成る一対のレチクルアライメント系が設けられている。これらのレチクルアライメント系としては、例えば特開平７−１７６４６８号公報（対応米国特許第５，６４６，４１３号明細書）などに開示されるものと同様の構成のものが用いられている。【００３０】
次にレチクルステージ装置１１２について詳細に説明する。図２には、レチクルステージ装置１１２が平面図にて示されている。【００３１】
レチクルステージ装置１１２は、図２に示されるように、レチクルステージ定盤１１６上方（＋Ｚ側）に配置されたレチクルステージＲＳＴ、及びレチクルステージＲＳＴを取り囲む状態で、レチクルステージ定盤１１６上方に配置されたカウンタマス１２０、及びレチクルステージＲＳＴを駆動するレチクルステージ駆動系等を備えている。【００３２】
カウンタマス１２０は、図２から分かるように、平面視矩形の枠状の形状を有し、下面（−Ｚ側の面）の四隅近傍に設けられた差動排気型の気体静圧軸受３４により、レチクルステージ定盤１１６上面に対して非接触で支持されている。このため、このカウンタマス１２０は、水平方向の力の作用により自由運動を行う。【００３３】
なお、カウンタマス１２０の姿勢を調整するためのトリムモータを設けることもできる。【００３４】
カウンタマス１２０の内側の空間（枠内）には、−Ｘ側端部近傍、＋Ｘ側端部近傍にＹ軸方向に伸びるＹ軸固定子１２２ａ、１２２ｂがそれぞれ配置され、これらＹ軸固定子１２２ａ、１２２ｂの内側にＹ軸方向に伸びるＹ軸ガイド１２４ａ，１２４ｂがそれぞれ配置されている。これらＹ軸固定子１２２ａ、１２２ｂ及びＹ軸ガイド１２４ａ，１２４ｂそれぞれの＋Ｙ側の端部は、カウンタマス１２０の＋Ｙ側の辺の内壁面に固定され、それぞれの−Ｙ側の端部は、カウンタマス１２０の−Ｙ側の辺の内壁面に固定されている。【００３５】
すなわち、Ｙ軸固定子１２２ａ、１２２ｂ及びＹ軸ガイド１２４ａ，１２４ｂは、カウンタマス１２０の＋Ｙ側辺と−Ｙ側辺の相互間に架設されている。この場合、Ｙ軸固定子１２２ａ，１２２ｂ、及びＹ軸ガイド１２４ａ，１２４ｂは、平面視で図２におけるカウンタマス１２０の中心を通るＹ軸方向の直線に関して、それぞれ対称に配置されている。【００３６】
Ｙ軸固定子１２２ａ、１２２ｂのそれぞれは、ＸＺ断面Ｔ字状の形状を有し、Ｙ軸方向に沿って所定ピッチで配置された複数の電機子コイルを有する電機子ユニットから成る。【００３７】
Ｙ軸ガイド１２４ａ，１２４ｂは、ＸＺ断面矩形の形状を有し、その周囲の四面（上面、下面、右側面、左側面）の平坦度が高く設定されている。【００３８】
レチクルステージＲＳＴは、図２に示されるように、Ｙ軸ガイド１２４ａ，１２４ｂに沿って移動するレチクル粗動ステージ２８と、該レチクル粗動ステージ２８に対してＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθｚ方向に３つのアクチュエータ（ボイスコイルモータなど）５４ａ，５４ｂ，５４ｃにより微小駆動可能なレチクル微動ステージ３０とを備えている。【００３９】
これを更に詳述すると、レチクル粗動ステージ２８は、平面視（上方から見て）逆Ｕ字状の形状を有し、そのＵ字の両端部（Ｙ軸方向を長手方向とする部分）は、不図示ではあるがＸＺ断面が矩形でＹ軸方向に貫通した開口がそれぞれ形成され、これらの開口の内部にＹ軸ガイド１２４ａ，１２４ｂがそれぞれ挿入されている。これらＵ字の両端部それぞれの内面（４面）には、複数の差動排気型の気体静圧軸受が設けられており、これら複数の差動排気型の気体静圧軸受により、Ｙ軸ガイド１２４ａ、１２４ｂとレチクル粗動ステージ２８とのＺ軸方向及びＸ軸方向の間隔が数μｍ程度に維持されるようになっている。また、レチクル粗動ステージ２８の−Ｘ側端面及び＋Ｘ側端面には、磁極ユニットから成るＹ軸可動子１４８ａ，１４８ｂが設けられている。【００４０】
Ｙ軸可動子１４８ａ，１４８ｂは、図２に示されるように、前述した一対のＹ軸固定子１２２ａ，１２２ｂにそれぞれ係合しており、Ｙ軸可動子１４８ａ，１４８ｂとＹ軸固定子１２２ａ,１２２ｂとによりレチクルステージＲＳＴをＹ軸方向に駆動する、ムービングマグネット型の電磁力駆動リニアモータから成る一対のＹ軸リニアモータＬＭａ，ＬＭｂが構成されている。なお、Ｙ軸リニアモータＬＭａ，ＬＭｂとしては、ムービングコイル型のリニアモータを用いても良い。【００４１】
図３にはレチクル微動ステージ３０が取り出して斜視図にて示されている。この図３及び図２から分かるように、レチクル微動ステージ３０は、ＸＺ断面略Ｕ字状の略平板状の部材から成るステージ本体７０と、該ステージ本体７０の＋Ｘ端部及び−Ｘ端部近傍それぞれの上方に設けられたＹ軸方向を長手方向とするレチクルホルダ７２Ａ，７２Ｂとを備えている。【００４２】
ステージ本体７０の中央部には、図３に示されるように、矩形開口部７０ａが形成されている。【００４３】
一方のレチクルホルダ７２Ａは、例えば、シリカ、ＣａＦ2、ＭｇＦ2、ＢａＦ2、Ａｌ2Ｏ3、ゼロデュア（ショット社の商品名）等の柔軟な部材から成り、Ｙ軸方向を長手方向とする平面視（上方から見て）長方形の略平板状の形状を有している。レチクルホルダ７２Ａは、−Ｘ側半分の厚さ（Ｚ軸方向に関する寸法）が厚く設定されており、その−Ｘ側半分の領域には、所定深さの凹部７３ａが形成されている。凹部７３ａは、Ｙ軸方向を長手方向とする平面視（上方から見て）矩形の形状を有しており、該凹部７３ａ内には、図４（Ａ）に示されるように、複数の突起部９５が設けられている。【００４４】
レチクルホルダ７２Ａは、ステージ本体７０上において、Ｙ軸方向を長手方向とするブロック状の部材７４Ａを介して片持ち支持されている。この場合、レチクルホルダ７２Ａと部材７４Ａとの間を、接着剤等により強固に固定することとしても良いし、例えば、部材７４Ａの上面に真空吸着機構を設け、該真空吸着機構による真空吸着により固定することとしても良い。【００４５】
レチクルホルダ７２Ａの下側（−Ｚ側）には、支持機構８０Ａが設けられている。支持機構８０Ａは、該支持機構８０Ａ及びレチクルホルダ７２Ａを断面して示す図４（Ａ）等からわかるように、内部が中空とされた直方体状の形状を有する支持機構本体８２Ａと、該支持機構本体８２Ａの上面のＹ軸方向中央部に設けられた支持ピン８４Ａと、該支持ピン８４Ａから＋Ｙ側、−Ｙ側に所定距離だけ離れた位置にそれぞれ設けられた略円柱状（上端部が球面加工されている）のピストン部材８６Ａ、８６Ｂとを備えている。この場合、ピストン部材８６Ａ，支持ピン８４Ａ、及びピストン部材８６Ｂは、Ｙ軸方向に関して等間隔で配置されている。【００４６】
支持機構本体８２Ａ内部の中空部は、空気室９０とされている。該空気室９０には、支持機構本体８２Ａに形成された通気管路９２ａの一端が連通しており、該通気管路９２ａの他端には、給気管９４の一端部が外部から接続されている。この給気管９４の他端部には不図示の給気装置が接続されている。この給気装置は、例えばポンプ及び給気弁等を含んで構成されている。これらポンプ及び吸気弁などの各部の動作は、図１の主制御装置２０により制御される。【００４７】
また、支持機構本体８２Ａには、ＸＹ断面が円形の貫通孔９６ａ，９６ｂが上下方向（Ｚ軸方向）に沿って形成され、この貫通孔９６ａ，９６ｂに、前述したピストン部材８６Ａ，８６Ｂが摺動自在に挿入されている。【００４８】
更に、支持機構本体８２Ａには、略Ｌ字状の排気管路１０２ａが、貫通孔９６ａとは機械的に干渉しないように形成されている。この排気管路１０２ａは、支持ピン８４ＡにＺ軸方向に貫通する状態で形成された管路１０４ａ、及びレチクルホルダ７２ＡにＺ軸方向に貫通する状態で形成され管路１０６ａを介して凹部７３ａに連通状態とされている。この排気管路１０２ａの他端には、排気管１０８の一端部が接続され、該排気管１０８の他端部は、不図示の真空ポンプに接続されている。この真空ポンプの動作は、図１の主制御装置２０により制御される。【００４９】
図３に戻り、他方のレチクルホルダ７２Ｂも、レチクルホルダ７２Ａと左右対称ではあるが、ほぼ同様の構成となっている。すなわち、レチクルホルダ７２Ｂも、例えば、シリカ、ＣａＦ2、ＭｇＦ2、ＢａＦ2、Ａｌ2Ｏ3、ゼロデュア等の柔軟な部材から構成され、Ｙ軸方向を長手方向とする平面視（上方から見て）長方形の略平板状の形状を有している。このレチクルホルダ７２Ｂは、＋Ｘ側半部の厚さ（Ｚ軸方向に関する寸法）が厚く設定されており、その＋Ｘ側半分の領域には、所定深さの凹部７３ｂが形成されている。凹部７３ｂは、Ｙ軸方向を長手方向とする平面視（上方から見て）矩形の形状を有しており、該凹部７３ｂ内には、図４（Ｂ）に示されるように、複数の突起部１９５が設けられている。【００５０】
レチクルホルダ７２Ｂは、ステージ本体７０上において、Ｙ軸方向を長手方向とするブロック状の部材７４Ｂを介して片持ち支持されている。この場合においても、レチクルホルダ７２Ｂと部材７４Ｂとの間を、接着剤等により強固に固定することとしても良いし、例えば、部材７４Ｂの上面に真空吸着機構を設け、該真空吸着機構による真空吸着により固定することとしても良い。【００５１】
レチクルホルダ７２Ｂの下側（−Ｚ側）には、支持機構８０Ｂが設けられている。この支持機構８０Ｂは、該支持機構８０Ｂ及びレチクルホルダ７２Ｂを断面して示す図４（Ｂ）等からわかるように、内部に中空部が形成された直方体状の形状を有する支持機構本体８２Ｂと、該支持機構本体８２ＢのＹ軸方向中央部に設けられた略円柱状（上端部が球面加工されている）のピストン部材８６Ｃと、該ピストン部材８６Ｃから＋Ｙ側、−Ｙ側に所定距離だけ離れた位置にそれぞれ設けられた支持ピン８４Ｂ、８４Ｃとを備えている。これら支持ピン８４Ｂ，ピストン部材８６Ｃ、及び支持ピン８４Ｃは、Ｙ軸方向に関して等間隔で配置されている。また、これらの間隔は、前述した図４（Ａ）に示される支持機構８０Ａの支持ピンとピストン部材との間の間隔と同一とされ、ピストン部材８６Ａと支持ピン８４ＢのＹ位置、支持ピン８４Ａとピストン部材８６ＣのＹ位置、及びピストン部材８６Ｂと支持ピン８４ＣのＹ位置、のそれぞれが同一とされている。【００５２】
支持機構本体８２Ｂ内部の中空部は、空気室１９０とされている。この空気室１９０内の容積は、図４（Ａ）に示される支持機構本体８２Ａに設けられた空気室９０の容積の１／２とされている。該空気室１９０には、支持機構本体８２Ｂに形成された通気管路１９２ａの一端が連通しており、該通気管路１９２ａの他端には、外部から給気管１９４の一端部が接続されている。この給気管１９４の他端部には不図示の給気装置が接続されている。この給気装置は、例えばポンプ及び給気弁等を含んで構成され、それら各部の動作は、図１の主制御装置２０により制御される。また、支持機構本体８２Ｂには、ＸＹ断面が円形の貫通孔９６ｃが上下方向（Ｚ軸方向）に沿って形成され、該貫通孔９６ｃに、前述したピストン部材８６Ｃが摺動自在に挿入されている。【００５３】
更に、支持機構本体８２Ｂには、Ｌ字状の排気管路２０２ａが形成されている。この排気管路２０２ａの一端は、前述した支持ピン８４ＡにＺ軸方向に貫通する状態で形成された管路２０４ａ、及びレチクルホルダ７２ＢにＺ軸方向に貫通する状態で形成された管路２０６ａを介して凹部７３ｂに連通している。排気管路２０２ａの他端には、排気管２０８の一端部が接続され、排気管２０８の他端部は、不図示の真空ポンプに接続されている。この真空ポンプの動作は、図１の主制御装置２０により制御される。【００５４】
以上のように構成されるレチクルホルダ７２Ａ，７２Ｂ、及び支持機構８０Ａ，８０Ｂでは、レチクルホルダ７２Ａ，７２Ｂ上にレチクルＲが載置され、主制御装置２０の指示の下、不図示の真空ポンプが作動されると、レチクルＲとレチクルホルダ７２Ａの凹部７３ａとにより形成される空間、及びレチクルＲとレチクルホルダ７２Ｂの凹部７３ｂとの間に形成される空間内が減圧され、レチクルＲが真空吸着される。この場合、レチクルホルダ７２Ａ，７２Ｂが前述したように柔軟な部材から構成されていることから、レチクルホルダ７２Ａ，７２Ｂ上面が、レチクルＲの下面の形状に倣った変形をする。換言すれば、レチクルホルダ７２Ａ、７２Ｂの上面の形状が、レチクルＲの下面（被保持面）の形状に実質的に一致するように変形するようになっている。これにより、レチクルＲを真空吸着することによるレチクルＲの変形が抑制される。【００５５】
また、レチクルホルダ７２Ａ及び７２Ｂは、支持機構８０Ａ，８０Ｂの支持ピン８４Ａ〜８４Ｃにより下側から支持されている。したがって、レチクルホルダ７２Ａ及び７２Ｂは、支持ピン８４Ａ〜８４Ｃによって３点支持され、各支持点におけるＺ軸方向に関する位置が拘束されていることから、レチクルＲがそれら３点によってＺ軸方向に関して位置決めされることとなる。【００５６】
ところで、本実施形態においては、ピストン部材８６Ａ〜８６Ｃがレチクルホルダ７２Ａ，７２Ｂに対して当接した状態とされているが、このような構成を採用せず、支持ピン８４Ａ〜８４Ｃのみでレチクルホルダ７２Ａ、７２Ｂを支持する場合には、図５に示されるように、レチクルＲ及びレチクルホルダ７２Ａ，７２Ｂの自重により、支持ピン８４Ａ〜８４Ｃにより支持されていない部分が撓んだ状態（図５では、実線にて示されている）となることが予想される。この撓みの発生により、レチクルＲのＸＺ断面がＹ位置毎に変化することとなる。【００５７】
このように、レチクルＲのＸＺ断面がＹ位置毎に変化する場合には、本実施形態のようにレチクルＲをＹ軸方向に移動しつつ露光を行う露光装置１００にあっては、レチクルＲのＸＺ断面のＹ位置毎の変化によりレチクルのパターン像の最良結像面も変化し、Ｙ位置に応じてベストフォーカス位置及びパターン像のディストーションが異なることになる。ウエハＷのフォーカス位置（光軸ＡＸ方向に関するウエハＷの位置）は、レチクルＲのＹ位置に応じて調整が可能であるが、ディストーションなどの収差の調整を、レチクルＲのＹ位置に応じて行うことは困難である。従って、レチクルＲのＹ位置に応じてパターン像のディストーション（形状誤差）が発生してしまうことになる。【００５８】
これに対し、本実施形態では、支持機構８０Ａ，８０Ｂに前述したようにピストン部材８６Ａ〜８６Ｃ及び空気室９０、１９０を設けることにより、上述したレチクルＲの撓みを発生を防止し、レチクルＲの変形のＹ位置依存性を排除することとしている。【００５９】
すなわち、ピストン部材８６Ａ〜８６Ｃには空気室９０，１９０内の気体の圧力が作用することにより、非常に弱いバネとしての効果が発揮される。すなわち、ピストン部材８６Ａ〜８６Ｃは、レチクルＲ自体が有する微小な凹凸に対しては力をほとんど与えず、レチクルＲとレチクルホルダ７２Ａ，７２Ｂとの自重のみを支持するような力を発生する。【００６０】
ピストン部材８６Ａ〜８６Ｃ及び空気室９０，１９０の作用について、以下、具体的な数値を用いて、説明する。【００６１】
例えば、レチクルＲの質量を３４０（ｇ）とした場合、支持ピン８４Ａ〜８４Ｃ、ピストン部材８６Ａ〜８６Ｃの６点それぞれにおける支持荷重Ｆは、
Ｆ＝０．３４×９．８／６＝０．５５３３〔Ｎ〕
となる。【００６２】
ここで、仮にピストン部材８６Ａ〜８６Ｃの半径を１（ｍｍ）とすると、断面積Ａはπ（ｍｍ2）となるため、空気室９０、１９０の内圧をＰ、外部の圧力をＰ0とすると、差圧（Ｐ−Ｐ0）は、
（Ｐ−Ｐ0）＝Ｆ／Ａ＝１７７〔ＫＰａ〕＝１．７４〔ａｔｍ〕
となる。【００６３】
ここで、外部の圧力Ｐ0を１〔ａｔｍ〕＝１０１．３２５〔ＫＰａ〕とすると、
Ｐ＝２７８〔ＫＰａ〕＝２．７４〔ａｔｍ〕
となるので、ピストン部材８６Ａ〜８６ＣがレチクルＲの自重を支持するためには、空気室９０，１９０内の圧力を上記圧力Ｐに設定する必要がある。【００６４】
この場合における、ピストン部材８６Ａ〜８６Ｃのバネ剛性（バネ定数）については、空気室の容積をＶ、初期状態における空気室の容積をＶ0、比熱比をγ、ピストンの移動量をＺとすると、以下のように算出することができる。【００６５】
ＰＶγ＝Ｃ、Ｖ＝Ｖ0＋ＡＺ、（Ｐ−Ｐ0）＝Ｆ／Ａ、より
Ｆ＝Ａ（Ｐ−Ｐ0）＝Ａ（ＣＶ-γ−Ｐ0）＝Ａ{Ｃ（Ｖ0＋ＡＺ）-γ−Ｐ0}【００６６】
したがって、バネ定数Ｋは、
Ｋ＝∂Ｆ／∂Ｚより、
Ｋ＝−Ａ2Ｃγ（Ｖ0＋ＡＺ）-γ-1＝−Ａ2γＰＶ-1
と表すことができる。【００６７】
ここで、面積Ａ＝π〔ｍｍ2〕、比熱比γ＝１．５、内圧Ｐ＝２７８〔ＫＰａ〕とし、空気室の容積Ｖ＝５０００ｍｍ3とすると、
Ｋ＝０．２６〔Ｎ／ｍ〕となる。【００６８】
すなわち、レチクルＲの平面度が１μｍ狂った場合であっても、ピストン部材から作用する力は、０．２６×１０-6〔Ｎ〕しか変化しないので、もともとピストン部材から作用している力（０．５５〔Ｎ〕）に対して、非常に小さな力しか変化しない（１ｐｐｍも変化しない）ことがわかる。このように、ピストン部材と空気室とによって構成される機構は、レチクルの平坦度の変化に対してはレチクルＲを変形させるほどの力を作用させない弱いばねとしての機能を有する。すなわち、これらピストン部材と空気室とによって、自重キャンセル機構が構成されている。【００６９】
図２に戻り、レチクル微動ステージ３０と前述のレチクル粗動ステージ２８との間には、３つの水平駆動用のボイスコイルモータ５４ａ〜５４ｃが設けられている。これらのボイスコイルモータ５４ａ〜５４ｃのうち、１つのボイスコイルモータ５４ｃは、図２に示されるように、レチクル微動ステージ３０の＋Ｘ側に設けられ、その他２つのボイスコイルモータ５４ａ，５４ｂは、レチクル微動ステージ３０の＋Ｙ側に設けられている。【００７０】
ボイスコイルモータ５４ａ〜５４ｃのそれぞれは、レチクル粗動ステージ２８側に固定された側面視Ｔ字状の電機子ユニットから成る固定子と、レチクル微動ステージ３０側に固定され、前記固定子に対して、図２中の両矢印が示す方向に微小駆動される磁極ユニットから成る可動子とを有している。すなわち、レチクル微動ステージ３０は、ボイスコイルモータ５４ｃにより、レチクル粗動ステージ２８に対してＸ軸方向に微小駆動されるとともに、ボイスコイルモータ５４ａ，５４ｂにより、レチクル粗動ステージ２８に対してＹ軸方向及びθｚ方向に微小駆動される。【００７１】
なお、図１では、レチクルステージＲＳＴの駆動を行う、リニアモータＬＭａ，ＬＭｂ及びボイスコイルモータ５４ａ〜５４ｃを含んで、レチクルステージ駆動系３４として図示されている。【００７２】
レチクル微動ステージ３０上のＸ軸移動鏡１５Ｘの反射面に向けてＸ軸干渉計１６Ｘからの干渉計ビームが照射され、Ｘ軸干渉計１６Ｘではその反射光を受光して基準面に対する相対変位を計測することにより、レチクル微動ステージ３０のＸ軸方向に関する位置を計測する。【００７３】
一方、レチクル微動ステージ３０上の一対のＹ軸移動鏡１５Ｙ１，１５Ｙ２の反射面に向けて、一対のダブルパス干渉計（以下、Ｙ軸干渉計と呼ぶ）１６Ｙ１，１６Ｙ２からの干渉計ビームが照射される。各干渉計ビームは、Ｙ軸移動鏡１５Ｙ１，１５Ｙ２を介して、レチクルステージ定盤１１６上に設けられた反射面１２１ａ，１２１ｂに照射され、該反射面１２１ａ，１２１ｂで反射したそれぞれの反射光が同一光路を戻り、それぞれのＹ軸干渉計で受光され、それぞれのＹ軸移動鏡１５Ｙ１，１５Ｙ２の基準位置からのＹ軸方向に関する相対位置が計測される。また、Ｙ軸干渉計１６Ｙ１,１６Ｙ２による各計測結果に基づいて、レチクル微動ステージ３０のヨーイング量（θｚ回転量）を計測することが可能となっている。【００７４】
各干渉計１６Ｘ，１６Ｙ１，１６Ｙ２の計測値は、主制御装置２０に供給され、該主制御装置２０によって前述のリニアモータＬＭａ，ＬＭｂ、ボイスコイルモータ５４ａ〜５４ｃが制御され、レチクル微動ステージ３０の３自由度方向の位置及び姿勢制御が行われる。なお、図１においては、代表的に干渉計１６Ｙ２、移動鏡１５Ｙ２が図示されている。【００７５】
なお、本実施形態においては、レチクルステージＲＳＴのＹ軸に沿った移動により、リニアモータＬＭａ，ＬＭｂの固定子１２２ａ、１２２ｂに反力が作用し、リニアモータＬＭａ，ＬＭｂの固定子１２２ａ、１２２ｂ、カウンタマス１２０、及びガイド１２４ａ、１２４ｂを含む構造体がレチクルステージＲＳＴとは反対方向に移動する。【００７６】
上述のように構成された本実施形態の露光装置１００によると、通常のスキャニング・ステッパと同様に、レチクルアライメント、アライメント系ＡＳのベースライン計測、並びにＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメント）方式のウエハアライメント等の所定の準備作業が行われた後、ウエハアライメントの結果等に基づいて、ウエハＷに対するステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行なわれる。このステップ・アンド・スキャン方式の露光は、ウエハＷ上の各ショット領域の露光のための走査開始位置（加速開始位置）へウエハステージＷＳＴを移動するショット間移動動作と、各ショット領域に対しレチクルＲのパターンを走査露光方式で転写する前述した走査露光動作とを繰り返すことにより、行われる。なお、本実施形態では、適宜、主制御装置２０による結像特性補正コントローラ２５１を介したレンズエレメントの移動制御により、ディストーション等の諸収差（光学特性の一種）を調整することとしている。【００７７】
以上詳細に説明したように、本実施形態によると、レチクルＲがその＋Ｘ、−Ｘ端部において柔軟なレチクルホルダ７２Ａ，７２Ｂにより支持されるので、レチクルの被支持部分に凹凸が存在する場合であっても、レチクルホルダ７２Ａ，７２Ｂがその凹凸に倣って変形するため、レチクルホルダ７２Ａ，７２ｂによる支持に伴うレチクルの変形を極力抑制することができる。また、レチクルホルダ７２Ａ，７２Ｂは、一直線上に無い３点で当接する支持ピン８４Ａ〜８４Ｃにより、その当接する部分における高さ方向（Ｚ軸方向）に関する位置決めがされるとともに、一直線上に無い３点で当接するピストン部材８６Ａ〜８６Ｃ（及び空気室）により、レチクルＲ及びレチクルホルダ７２Ａ，７２Ｂの自重に起因するレチクルホルダ７２Ａ，７２Ｂの撓みの発生を抑制することができ、これによりレチクルＲの自重による撓みの発生を抑制することができる。【００７８】
ここで、本実施形態では、ピストン部材８６Ａ，支持ピン８４Ａ、ピストン部材８６ＢがＹ軸に沿って配置され、支持ピン８４Ｂ，ピストン部材８６Ｃ、支持ピン８４ＣがＹ軸方向に沿って配置されることにより、各部材が２列３行に配置されていることから、列に平行な方向（Ｙ軸方向）に関する位置毎のレチクルＲの断面形状をほぼ均一にすることが可能となる。すなわち、レチクルＲのＸＺ断面の形状のＹ位置依存性を排除することができる。【００７９】
したがって、本実施形態の露光装置では、レチクルステージＲＳＴ上で保持されているレチクルＲのＸＺ断面形状のＹ位置依存性が排除されているので、露光中に、レチクルＲのＹ位置毎の投影光学系ＰＬの結像特性の補正を行う必要が無い。したがって、結像特性補正コントローラ２５１を介した投影光学系ＰＬの結像特性の初期調整のみで、高精度なパターン転写を実現することが可能となる。【００８０】
また、本実施形態では、ピストン部材８６Ａ〜８６Ｃのそれぞれがレチクルホルダ７２Ａ，７２Ｂに当接した状態でレチクルの自重を支持していることから、レチクルＲに直接接触することがなく、レチクルにキズが生じるのを回避することができる。【００８１】
なお、上記実施形態では、レチクルホルダ７２Ａ，７２ＢとレチクルＲとの間を真空吸着してレチクルＲを保持する場合について説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、磁気吸着など別の手段を用いることとしても良い。また、レチクルＲを吸着せずにレチクルホルダ７２Ａ，７２Ｂ上でレチクルＲを保持することとしても良い。【００８２】
なお、上記実施形態では、支持ピンを一直線上に無い３箇所に配置することとしたが、これに限らず、レチクルホルダ７２Ａ，７２Ｂを少なくとも１点で支持し（Ｚ軸方向に関して拘束し）、当該支持点以外の部分におけるレチクルとレチクルホルダの自重をピストン部材を含む自重キャンセル機構を用いて支持することとしても良い。【００８３】
なお、上記実施形態では、本発明における自重キャンセル機構として、気体の圧力でレチクルとレチクルホルダの自重を支持する機構を採用した場合について説明したが、これに限らず、磁力を用いてレチクルとレチクルホルダの自重を支持する機構を採用することとしても良い。【００８４】
なお、上記実施形態では、２列３行に支持ピンとピストン部材とが配列された場合について説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、例えば、２列４行とすることとしても良いし、それ以上の行数とすることとしても良い。【００８５】
なお、上記実施形態では、支持ピンとピストン部材とを合計６つ用いる場合について説明したが、これに限らず、合計５つとすることとしても良い。この場合、一方の列に２個、他方の列に３個含まれる配置となるが、この場合であっても、例えば、レチクルホルダを３箇所で支持する場合と比較すると、レチクル及びレチクルホルダの自重に起因する撓みを抑制することが可能となる。【００８６】
なお、上記実施形態では、同一列内で隣り合う（列に平行な方向に関して隣り合う）支持ピンとピストン部材との間の間隔が、等間隔である場合について説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、それぞれの間隔が異なっていても良い。【００８７】
なお、上記実施形態では、レチクルホルダが一対設けられる場合について説明したが、本発明がこれに限られるものではなく、例えば、レチクルの周縁部全体を支持する枠状の部材から成るレチクルホルダを採用することとしても良い。また、レチクルホルダとしては、図３に示されるような平板状の部材を採用する場合に限らず、その他の部材を用いることとしても良い。【００８８】
なお、支持機構本体８２Ａ、８２Ｂを一体物として構成し、空気室９０と空気室１９０とを連通した状態で形成することとしても良い。【００８９】
なお、上記実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、本発明の適用範囲がこれに限定されないことは勿論である。すなわちステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置、さらに、ステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置、又はプロキシミティ方式の露光装置、又はミラープロジェクション・アライナーなどにも、本発明は適用できる。これらの場合においても、レチクルの変形が抑制された状態で露光を行うことができるので、高精度な露光を実現することが可能である。【００９０】
なお、上記実施形態の露光装置では、照明光ＩＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光に限らず、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）などの紫外光、あるいはＦ2レーザ光（波長１５７ｎｍ）、Ａｒ2レーザ光（波長１２６ｎｍ）、Ｋｒ2レーザ光（波長１４６ｎｍ）などの真空紫外光、又は超高圧水銀ランプからのｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）などの輝線などを用いることも可能である。また、ＹＡＧレーザの高調波、又は例えば国際公開第１９９９／４６８３５号パンフレット（対応米国特許７,０２３,６１０号明細書）に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。また、投影光学系は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでも良いし、投影光学系ＰＬは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。【００９１】
また、上記実施形態では、露光装置の照明光としては波長１００ｎｍ以上の光に限らず、波長１００ｎｍ未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、近年、７０ｎｍ以下のパターンを形成するために、ＳＯＲ又はプラズマレーザを光源として、軟Ｘ線領域（例えば５〜１５ｎｍの波長域）のＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）光を発生させるとともに、その露光波長（例えば１３．５ｎｍ）の下で設計されたオール反射縮小光学系、及び反射型マスクを用いたＥＵＶ露光装置の開発が行われている。この装置においては、円弧照明を用いてマスクとウエハを同期走査してスキャン露光する構成が考えられるので、かかる装置にも本発明を好適に適用することができる。【００９２】
また、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、本発明は適用できる。なお、電子線露光装置は、ペンシルビーム方式、可変成形ビーム方式、セルプロジェクション方式、ブランキング・アパーチャ・アレイ方式、及びマスク投影方式のいずれであっても良い。【００９３】
また、上記実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスク（レチクル）を用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターンまたは反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスク）を用いても良い。かかる可変成形マスクを用いる場合には、前述のアライメントマークの検出結果を考慮して、ウエハ上の複数の区画領域のうち、アライメントマーク検出時に露光していたショット領域より後に露光が行われる少なくとも一つの別のショット領域の露光の際に、電子データに基づいて形成すべき、透過パターン又は反射パターンを変化させることで、ウエハとパターン像との相対位置制御を行っても良い。【００９４】
なお、国際公開第２００４／５３９５５号パンフレットに開示される液浸露光装置に本発明を適用することも可能である。また、例えば特表２００４−５１９８５０号公報（対応米国特許第６,６１１,３１６号明細書）に開示されているように、２つのレチクルパターンを、双頭型の投影光学系を介してウエハ上で合成し、１回のスキャン露光によってウエハ上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも本発明を適用することができる。【００９５】
露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置、又は有機ＥＬ、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシン及びＤＮＡチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。【００９６】
なお、上記実施形態で引用した露光装置などに関する全ての公報、国際公開パンフレット、米国特許出願公開明細書及び米国特許明細書の開示を援用して本明細書の記載の一部とする。【００９７】
なお、半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した調整方法によりパターンの転写特性が調整される上記実施形態の露光装置で、マスクに形成されたパターンを感光物体上に転写するリソグラフィステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、パターンの転写特性が調整される上記実施形態の露光装置が用いられるので、高集積度のデバイスの生産性を向上することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
以上説明したように、本発明の保持装置は、略平板状の物体を保持するのに適している。また、本発明の露光装置は、マスクに形成されたパターンを基板に転写するのに適している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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