【手続補正書】
【提出日】令和1年10月17日(2019.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
そして、種々の実験と検討の結果、フッ素樹脂の表面に親水性の官能基としてアミノ基を導入した場合、メッキ層との密着力が顕著に向上することが分かった。そして、アミノ基の導入に高周波プラズマを用いた場合、例えばフッ素樹脂では、骨格となる炭素（Ｃ）原子に繋がったフッ素原子（Ｆ）がアミノ基で置換されて、十分に多くのアミノ基を導入できることが分かった。そして、十分多くのアミノ基を導入できるため、フッ素樹脂の表面自由エネルギーが大きくなり、フッ素樹脂を触媒溶液に対して親水化することができる。さらに、アミノ基がパラジウム等の金属触媒と結合することで密着力が十分に向上することが分かった。また、このアミノ基の導入は、高真空を必要とせず中程度の真空度の下に実施することができるため、コスト面でも好適であることが分かった。そして、この方法は、上記したフッ素樹脂のみならず、前記した種々の樹脂の全てに同様に適用できることが分かり、本発明を完成するに至った。そして、この方法はドライプロセスであり、廃液を処理する必要もないため、十分な生産性でコストを低減することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
即ち、本発明は、
高周波プラズマ装置のチャンバ内にアミノ基を含む材料ガスを供給して１〜１０００００Ｐａの圧力下でプラズマを発生させる高周波プラズマ処理を行って、前記チャンバ内にセットされた樹脂の表面の炭素骨格に前記アミノ基を導入、付与するアミノ基付与工程を備えている樹脂の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（１）本発明は、
高周波プラズマ装置のチャンバ内にアミノ基を含む材料ガスを供給して１〜１０００００Ｐａの圧力下でプラズマを発生させる高周波プラズマ処理を行って、前記チャンバ内にセットされた樹脂の表面の炭素骨格に前記アミノ基を導入、付与するアミノ基付与工程を備えている樹脂の製造方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
前記した通り、樹脂の表面に親水性の官能基としてアミノ基を導入した場合、密着力が顕著に向上する。そして、アミノ基の導入に高周波プラズマを用いた場合、例えばフッ素樹脂では、骨格となる炭素（Ｃ）原子に繋がったフッ素原子（Ｆ）がアミノ基で置換されて、十分に多くのアミノ基を導入することができるため、樹脂の表面自由エネルギーが大きくなり、密着力が十分に向上する。この結果、フッ素樹脂等の表面自由エネルギーが小さく導体層との密着性に乏しい樹脂にメッキ法を適用しても、樹脂の表面がメッキ液に対して親水化されているため金属触媒、例えば、パラジウムが樹脂表面に付与される。さらに、アミノ基がパラジウムと結合することで密着力が増加するため、樹脂とメッキ層（導体層）との間に十分な密着力を確保して、電気信号の高速伝送（高周波化）が可能な回路基板を製造することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
なお、アミノ基を導入する技術としては、上記した高周波プラズマ以外に、金属Ｎａとアンモニアによるウエット処理があるが、高周波プラズマは廃液が生成しないドライプロセスで処理できるため、より簡単なプロセスで、かつ低コストで処理することができ好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（２）そして、本発明においては、前記高周波プラズマ処理が、１〜１０００Ｐａの減圧下でプラズマを発生させる前記高周波プラズマ処理であることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
高周波プラズマを利用してアミノ基を付与した樹脂表面にさらに金属触媒を付与した場合、その後の銅メッキ工程において、金属触媒が触媒としての機能を発揮するため、樹脂に対して十分な密着力を有する銅メッキ層を導電層として形成することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
１．回路基板の製造工程の概要
はじめに、回路基板の製造工程の概要について説明する。図１は回路基板の製造工程を示す図である。図１に示すように、回路基板の製造は、先ず、基板状に成形した樹脂（樹脂基板）の表面に、高周波プラズマ処理によりアミノ基を付与して、樹脂基板の表面改質処理を行う。次に、触媒吸着により、アミノ基が付与された樹脂基板の表面にＰｄを付与させる。次に、表面にＰｄを付与させた樹脂基板を、希硫酸（Ｈ２ＳＯ４）溶液に浸漬して、Ｐｄを活性化させる。最後に、無電解メッキあるいは無電解メッキと電解メッキとの併用により、樹脂基板の表面にＣｕメッキ層を形成させる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
（ｂ）高周波プラズマ処理（アミノ基付与）工程
本工程では、高周波プラズマ処理により、アミノ基のプラズマを生成させ、生成させたプラズマを用いて、樹脂基板表面の炭素骨格にフッ素と置換する形でアミノ基を導入、付与する。図２Ａはフッ素樹脂のポリマー鎖を示す概念図であり、図２Ｂはアミノ基付与の反応機構を示す概念図である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
図２Ａに示すように、フッ素樹脂では炭素骨格にフッ素が結合されているが、図２Ｂに示すように、アンモニアガスを導入して高周波プラズマ処理によってアミノ基のプラズマ（ＮＨ２−）を生成させた場合、炭素骨格に結合されていたフッ素が置換されて炭素骨格にアミノ基が導入されて付与される（フッ素はＨＦとなって炭素骨格から離脱）。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
なお、上記において、アミノ基のプラズマは、１ｓｃｃｍ（ｓｔａｎｄａｒｄ  ｃｍ３／ｍｉｎ）以上の流量でアンモニアガスを導入し、プロセス圧力を１〜１，０００Ｐａに維持する雰囲気下、１〜１００ＭＨｚの高周波を０．０１〜３Ｗ／ｃｍ２のパワー密度で印加して高周波プラズマ処理することにより、生成される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
高周波プラズマ装置１は、前記したように、１ｓｃｃｍ以上の流量でアンモニアガスを導入し、プロセス圧力を１〜１，０００Ｐａに維持する雰囲気下、１〜１００ＭＨｚの高周波を０．０１〜３Ｗ／ｃｍ２のパワー密度で印加して高周波プラズマ処理することにより、アミノ基のプラズマを発生させることができる。マイクロ波に比べて周波数が低い高周波を印加しているため活性種（プラズマ）が加速されやすく、活性種の運動エネルギーが大きくなり、プラズマ処理対象物である樹脂基板６に対して平均自由工程の長い活性種を照射することができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波プラズマ装置のチャンバ内にアミノ基を含む材料ガスを供給して１〜１０００００Ｐａの圧力下でプラズマを発生させる高周波プラズマ処理を行って、前記チャンバ内にセットされた樹脂の表面の炭素骨格に前記アミノ基を導入、付与するアミノ基付与工程を備えている樹脂の製造方法。
【請求項２】
前記高周波プラズマ処理が、１〜１０００Ｐａの減圧下でプラズマを発生させる高周波プラズマ処理である請求項１に記載の樹脂の製造方法。
【請求項３】
前記アミノ基付与工程において、前記アミノ基を含む材料ガスとして、アンモニアまたは気体状のヒドラジンを用いる請求項１または請求項２に記載の樹脂の製造方法。
【請求項４】
前記アミノ基が付与された前記樹脂基板の表面に触媒液を接触させ、銅メッキが成長するための金属触媒をアミノ基を介して前記樹脂基板の表面へ付与させる工程を備えている請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の樹脂の製造方法。
【請求項５】
前記金属触媒が、パラジウムである請求項４に記載の樹脂の製造方法。
【請求項６】
無電解メッキ層を形成し、さらに、前記無電解メッキ層の上に電解メッキを用いて所定の厚みの電解銅メッキ層を形成する銅メッキ工程を備えている請求項４または請求項５に記載の樹脂の製造方法。
【請求項７】
前記金属触媒に無電解メッキを用いて銅メッキ層を形成する無電解メッキ工程と、
無電解メッキにより析出させた銅メッキ層上に電解メッキを用いて銅メッキ層を形成する電解メッキ工程とを有している請求項６に記載の樹脂の製造方法。
【請求項８】
前記樹脂が、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂およびエポキシ樹脂からなる群から選択された一つ以上の樹脂である請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の樹脂の製造方法。
【請求項９】
前記樹脂は、表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９８２に規定される算術平均粗さＲａで１μｍ以下である請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の樹脂の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の樹脂の製造方法により作製された樹脂を用いて回路基板を製造する回路基板の製造方法。
【請求項１１】
表面の炭素骨格にアミノ基が導入、付与されている樹脂。
【請求項１２】
フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂およびエポキシ樹脂からなる群から選択された一つ以上の樹脂である請求項１１に記載の樹脂。
【請求項１３】
前記アミノ基上に金属触媒が付与されている請求項１１または請求項１２に記載の樹脂。
【請求項１４】
前記金属触媒が、パラジウムである請求項１３に記載の樹脂。
【請求項１５】
前記パラジウムに所定の厚みの銅メッキ層が形成されている請求項１４に記載の樹脂。
【請求項１６】
請求項１１ないし請求項１５のいずれか１項に記載の樹脂を用いて作製された回路基板。
【請求項１７】
前記樹脂の表面に形成された銅メッキ層を用いて、回路パターンが形成されている請求項１６に記載の回路基板。