【事件の表示】
　特願２０１７−２３７８０８「マルチプレクサ，高周波フロントエンド回路及び通信装置」拒絶査定不服審判事件〔令和　１年　６月２７日出願公開，特開２０１９−１０６６２２，請求項の数（６）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　本願は，平成２９年１２月１２日の出願であって，令和２年３月６日付けで拒絶理由が通知され，令和２年６月１７日に手続補正がされ，令和２年７月１４日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，令和２年１０月６日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（令和２年７月１４日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
・請求項　１−７
・引用文献等　１−３
　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.米国特許出願公開第２０１７／０３５３１７４号明細書
２.特開２０００−１９６４０９号公報（周知技術を示す文献）
３.国際公開第２０１７／１５９４０９号（周知技術を示す文献）
第３　本願発明
　本願の請求項１−６に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明６」という。）は，令和２年１０月６日の手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−６に記載された事項により特定される以下のとおりの発明である。
「　【請求項１】
　共通端子，第１端子及び第２端子と，
　前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ第１経路上に配置され，複数の弾性波共振子を有する第１フィルタと，
　前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ第２経路上に配置され，通過帯域の周波数が前記第１フィルタより高い第２フィルタと，を備え，
　前記複数の弾性波共振子は，
　　前記第１経路上に配置された２以上の直列共振子と，
　　前記第１経路上のノードとグランドとを結ぶ経路上に配置された１以上の並列共振子と，を含み，
　前記２以上の直列共振子のうち前記共通端子に最も近い第１直列共振子は，前記並列共振子を間に介さずに前記共通端子に接続され，
　前記複数の弾性波共振子は，圧電性を有する基板と，前記基板上に形成された一対の櫛歯状電極からなるＩＤＴ電極と，前記ＩＤＴ電極を覆うように前記基板上に設けられた誘電体層と，を有し，
　前記第１直列共振子，及び，前記１以上の並列共振子のうち前記共通端子に最も近い第１並列共振子の前記誘電体層は，残りの前記複数の弾性波共振子の前記誘電体層よりも，厚みが薄く，
　前記第１フィルタにより発生する高次モードスプリアスの周波数は，前記第２フィルタの周波数通過帯域に含まれる，
　マルチプレクサ。
　　【請求項２】
　共通端子，第１端子及び第２端子と，
　前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ第１経路上に配置され，複数の弾性波共振子を有する第１フィルタと，
　前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ第２経路上に配置され，通過帯域の周波数が前記第１フィルタより高い第２フィルタと，を備え，
　前記複数の弾性波共振子は，
　　前記第１経路上に配置された１以上の直列共振子と，
　　前記第１経路上のノードとグランドとを結ぶ経路上に配置された２以上の並列共振子と，を含み，
　前記２以上の並列共振子は，前記１以上の直列共振子のうち前記共通端子に最も近い第１直列共振子から見て前記共通端子側に位置する第１並列共振子と，前記第１端子側に位置する並列共振子を含み，
　前記複数の弾性波共振子は，圧電性を有する基板と，前記基板上に形成された一対の櫛歯状電極からなるＩＤＴ電極と，前記ＩＤＴ電極を覆うように前記基板上に設けられた誘電体層と，を有し，
　前記第１並列共振子及び前記第１直列共振子の前記誘電体層は，残りの前記複数の弾性波共振子の前記誘電体層よりも，厚みが薄く，
　前記第１フィルタにより発生する高次モードスプリアスの周波数は，前記第２フィルタの周波数通過帯域に含まれる，
　マルチプレクサ。
　　【請求項３】
　前記誘電体層は，前記誘電体層の表面が前記基板の主面に対し平行となるように設けられている，
　請求項１または２に記載のマルチプレクサ。
　　【請求項４】
　前記基板は，ニオブ酸リチウム基板である，
　請求項１〜３のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
　　【請求項５】
　請求項１〜４のいずれか１項に記載のマルチプレクサと，
　前記マルチプレクサに接続された増幅回路と，を備える，
　高周波フロントエンド回路。
　　【請求項６】
　アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と，
　前記アンテナ素子と前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する請求項５に記載の高周波フロントエンド回路と，を備える，
　通信装置。」
第４　引用文献，引用発明等
１．引用文献１について
　原査定の理由に引用された米国特許出願公開第２０１７／０３５３１７４号明細書（以下，「引用文献１」という。当審訳としてファミリ文献の特開２０１７−２２０９２９号を参考にする。下線は当審が付与。）には，
「[0038] FIG.3 is a block diagram schematically illustrating an exemplary configuration of a filter device according to certain embodiments. 
The filter device200 includes a first filter210 and a second filter220. The first filter210 is connected between a common contact201, which can be connected to an antenna, and a first signal contact202 to allow an input signal to pass through. The second filter220 is connected between the common contact201 and the second signal contact203.
[0039] 
The first filter210 includes a plurality of surface acoustic wave (SAW) resonators. Only one SAW resonator212 of the plurality of resonators (referred to as a front-end resonator hereinafter) is connected to the common contact201. The remaining resonators (not shown) forming a SAW filter214 are connected between the front-end resonator212 and the first signal contact202 within the first filter210.
[0040] In one example, 
the front-end resonator212 and the SAW filter214 included in the first filter210 may form a ladder-type filter, which includes a plurality of series resonators (including the front-end resonator212) connected in series with one another between the common contact201 and the first signal contact202, and one or more parallel resonators connected between these series resonators and a ground contact (not shown).
[0041] According to certain examples the second filter220 has a passband different from that of the first filter210. In one embodiment, 
the center frequency of the second filter220 may be within a band of approximately 1.2 to 1.4 times greater than the center frequency of the passband of the first filter210.
[0042] FIG.4A is a simplified cross-sectional view showing the structure of an example of the first filter210. In this example, 
the first filter210 includes a piezoelectric substrate310 having a flat main surface
Each of the SAW resonators forming the SAW filter214 and the front-end SAW resonator212 includes an interdigital transducer (IDT) electrode formed of a pair of interdigitated comb-shaped electrodes
The IDT electrodes320 are formed on the main surface of the piezoelectric substrate310
[0043] As shown in FIG.4A, the main surface of the piezoelectric substrate310 as well as the IDT electrodes320 are covered with a dielectric film330. In one example the dielectric film330 is made of silicon dioxide (SiO2). In one embodiment, 
the dielectric film has a first thicknessT1 in a first region corresponding to the SAW filter214, and a second thicknessT2 in a second region340 corresponding to the front-end resonator212. The second thicknessT2 is configured to be less than the first thicknessT1.
configuring the film thicknessT2 of the dielectric film330 in the region340 corresponding to the front-end resonator212 to be relatively smaller can prevent the occurrence of a Lamb wave, such that spurious emissions may be reduced in the passband of the second filter220.
（当審訳：
［００３８］
　図３は，所定の実施形態に係る分波器の典型的な構成を模式的に例示するブロック図である。
分波器２００は第１フィルタ２１０及び第２フィルタ２２０を含む。第１フィルタ２１０は，アンテナに接続可能な共通接点２０１と，第１信号接点２０２との間に接続され，入力信号を通過させる。第２フィルタ２２０は，共通接点２０１及び第２信号接点２０３間に接続される。
［００３９］
　
第１フィルタ２１０は複数の弾性表面波（ＳＡＷ）共振器を含む。複数の共振器のうちただ一つのＳＡＷ共振器２１２（以下，フロントエンド共振器と称する）が，共通接点２０１に接続される。残りの共振器（図示せず）は，ＳＡＷフィルタ２１４を形成し，第１フィルタ２１０においてフロントエンド共振器２１２及び第１信号接点２０２間に接続される。
［００４０］
　一例において，
第１フィルタ２１０に含まれるフロントエンド共振器２１２及びＳＡＷフィルタ２１４は，共通接点２０１及び第１信号接点２０２間に互いに直列接続された（フロントエンド共振器２１２を含む）複数の直列共振器と，当該直列共振器及びグランド接点（図示せず）間に接続された一以上の並列共振器とを含むラダー型フィルタを形成してよい。
［００４１］
　所定の例によれば，第２フィルタ２２０は，第１フィルタ２１０とは異なる通過帯域を有する。一つの実施形態において，
第２フィルタ２２０の中心周波数は，第１フィルタ２１０の通過帯域の中心周波数のほぼ１．２から１．４倍の一帯域内に存在してよい。
［００４２］
　図４Ａは，第１フィルタ２１０の一例の構造を示す単純化された断面図である。この例において，
第１フィルタ２１０は，平坦な主表面を有する圧電基板３１０を含む。
ＳＡＷフィルタ２１４及びフロントエンドＳＡＷ共振器２１２を形成する各ＳＡＷ共振器は，一対の入り組んだ櫛形電極からなるインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を含む。
ＩＤＴ電極３２０は，圧電基板３１０の主表面上に形成される。
［００４３］
　図４Ａに示されるように，
圧電基板３１０の主表面はＩＤＴ電極３２０とともに，誘電膜３３０によって覆われる。
誘電膜は，ＳＡＷフィルタ２１４に対応する第１領域に第１厚さＴ１を，フロントエンド共振器２１２に対応する第２領域３４０に第２厚さＴ２を有する。第２厚さＴ２は，第１厚さＴ１よりも小さくなるように構成される。
フロントエンド共振器２１２に対応する領域３４０における誘電膜３３０の膜厚Ｔ２が相対的に小さく構成されることにより，ラム波の発生が防止され得るので，第２フィルタ２２０の通過帯域におけるスプリアスが低減される。
Fig.3
Fig.4A
「[0046] FIG.5 is a graph illustrating signal reflectivity at the common contact201 of the first filter210, as indicated by a solid line, as a function of normalized frequency. Thus, the signal reflectivity is shown on the vertical axis of the graph, and the horizontal axis of the graph represents the normalized frequency f/f0 relative to a center frequency f0 in a passband232 of the first filter210. 
A spurious emission234 appears in a frequency band236 that extends over a range approximately 1.2 to 1.4 times greater than the center frequency f0 in the passband232 of the first filter210. The spurious emission234 is originated from a Lamb wave occurring in the silicon dioxide dielectric film330 of the first filter210.
（当審訳：
［００４６］
　図５は，第１フィルタ２１０の共通接点２０１における信号反射率を，実線で表示されるように，規格化された周波数の関数として例示するグラフである。すなわち，信号反射率がグラフの縦軸に示され，グラフの横軸は，第１フィルタ２１０の通過帯域２３２における中心周波数ｆ０に対する，規格化された周波数ｆ／ｆ０を表す。
第１フィルタ２１０の通過帯域２３２における中心周波数ｆ０のほぼ１．２から１．４倍の範囲にわたって延びる周波数帯域２３６に，スプリアス２３４が現れる。スプリアス２３４は，第１フィルタ２１０の二酸化ケイ素誘電膜３３０のラム波に由来する
　の記載があり，図３によれば，フロントエンド共振器２１２は，共通接点２０１及び第１信号接点２０２間に直列接続されているから，
「分波器２００は第１フィルタ２１０及び第２フィルタ２２０を含み，第１フィルタ２１０は，アンテナに接続可能な共通接点２０１と，第１信号接点２０２との間に接続され，入力信号を通過させ，第２フィルタ２２０は，共通接点２０１及び第２信号接点２０３間に接続され，
　第２フィルタ２２０の中心周波数は，第１フィルタ２１０の通過帯域の中心周波数のほぼ１．２から１．４倍の一帯域内に存在し，
　第１フィルタ２１０は複数の弾性表面波（ＳＡＷ）共振器を含み，複数の共振器のうちただ一つのＳＡＷ共振器２１２（以下，フロントエンド共振器と称する）が，共通接点２０１に接続され，残りの共振器は，ＳＡＷフィルタ２１４を形成し，第１フィルタ２１０においてフロントエンド共振器２１２及び第１信号接点２０２間に接続され，
　第１フィルタ２１０に含まれるフロントエンド共振器２１２及びＳＡＷフィルタ２１４は，共通接点２０１及び第１信号接点２０２間に互いに直列接続された複数の直列共振器と，当該直列共振器及びグランド接点間に接続された一以上の並列共振器とを含むラダー型フィルタを形成し，フロントエンド共振器２１２は，共通接点２０１及び第１信号接点２０２間に直列接続され，
　第１フィルタ２１０は，平坦な主表面を有する圧電基板３１０を含み，ＳＡＷフィルタ２１４及びフロントエンドＳＡＷ共振器２１２を形成する各ＳＡＷ共振器は，一対の入り組んだ櫛形電極からなるインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を含み，ＩＤＴ電極３２０は，圧電基板３１０の主表面上に形成され，圧電基板３１０の主表面はＩＤＴ電極３２０とともに，誘電膜３３０によって覆われ，
　誘電膜は，ＳＡＷフィルタ２１４に対応する第１領域に第１厚さＴ１を，フロントエンド共振器２１２に対応する第２領域３４０に第２厚さＴ２を有し，第２厚さＴ２は，第１厚さＴ１よりも小さくなるように構成され，
　フロントエンド共振器２１２に対応する領域３４０における誘電膜３３０の膜厚Ｔ２が相対的に小さく構成されることにより，ラム波の発生が防止され得るので，第２フィルタ２２０の通過帯域におけるスプリアスが低減され，
　第１フィルタ２１０の通過帯域２３２における中心周波数ｆ０のほぼ１．２から１．４倍の範囲にわたって延びる周波数帯域２３６に，スプリアス２３４が現れ，スプリアス２３４は，第１フィルタ２１０の二酸化ケイ素誘電膜３３０のラム波に由来する，
　分波器。」（以下，「引用発明」という。）
　の発明が記載されている。
２．引用文献２について
　原査定の理由に引用された特開２０００−１９６４０９号公報（以下，「引用文献２」という。下線は当審が付与。）には，
「【００１４】本発明では，
各弾性表面波共振子どうしの保護膜１を分離し，２箇所以上の領域で膜厚を異なるようにしてもよいし，
「【００１８】このようにして，
Δｆの大きな共振子と小さな共振子を混在させ，ラダー型弾性表面波フィルタを構成すれば，図５に示すように肩特性が急峻で，通過帯域内の平坦な周波数特性を実現できる。
「【００３７】図１に示すように，
共振子２が５個の２．５段Ｔ型フィルタの場合，直列共振子の平均規格化保護膜膜厚を０．０２０〔λ〕となるよう，１段目を０．０２５〔λ〕，２段目を０．０２０〔λ〕，３段目を０．０１５〔λ〕とした。
また，並列共振子は平均が０．０１５〔λ〕となるよう，１段目を０．０２〔λ〕，２段目を０．０１〔λ〕とした。
【００３８】また，図１２に示すように，
共振子が５個の２．５段π型フィルタの場合，直列共振子の平均規格化保護膜膜厚を０．０１５〔λ〕となるよう，１段目を０．０２０〔λ〕，２段目を０．０２０〔λ〕とした。
また，並列共振子は平均が０．０２０〔λ〕となるよう，１段目を０．０２５〔λ〕，２段目を０．０２０〔λ〕，３段目を０．０１５〔λ〕とした。
【００３９】また，図１３に示すように，
共振子が６個（偶数）の３段型フィルタの場合，直列共振子の平均規格化保護膜膜厚を０．０１７〔λ〕となるよう，１段目を０．０２０〔λ〕，２段目を０．０１５〔λ〕，３段目を０．０２０〔λ〕とした。
また，並列共振子は平均が０．０２０〔λ〕となるよう，１段目を０．０２５〔λ〕，２段目を０．０２０〔λ〕，３段目を０．０１５〔λ〕とした。
　の記載があるから，
「各弾性表面波共振子どうしの保護膜１を分離し，２箇所以上の領域で膜厚を異なるようにし，
　Δｆの大きな共振子と小さな共振子を混在させ，ラダー型弾性表面波フィルタを構成すれば，通過帯域内の平坦な周波数特性を実現でき，
　共振子２が５個の２．５段Ｔ型フィルタの場合，直列共振子の１段目を０．０２５〔λ〕，２段目を０．０２０〔λ〕，３段目を０．０１５〔λ〕とし，並列共振子は平均が０．０１５〔λ〕となるよう，１段目を０．０２〔λ〕，２段目を０．０１〔λ〕とし，
　共振子が５個の２．５段π型フィルタの場合，直列共振子の１段目を０．０２０〔λ〕，２段目を０．０２０〔λ〕とし，並列共振子は１段目を０．０２５〔λ〕，２段目を０．０２０〔λ〕，３段目を０．０１５〔λ〕とし，
　共振子が６個（偶数）の３段型フィルタの場合，直列共振子の１段目を０．０２０〔λ〕，２段目を０．０１５〔λ〕，３段目を０．０２０〔λ〕とし，並列共振子は１段目を０．０２５〔λ〕，２段目を０．０２０〔λ〕，３段目を０．０１５〔λ〕とする，
ラダー型弾性表面波フィルタ。」（以下，「周知技術」という。）
　は周知である。
３．引用文献３について
　原査定の理由に引用された国際公開第２０１７／１５９４０９号（以下，「引用文献３」という。下線は当審が付与。）には，
「[0006]　本発明の目的は，
高い方の周波数帯域を通過帯域とする帯域通過型フィルタへのセザワ波の応答による悪影響を効果的に抑制することができる，複合フィルタ装置を提供することにある。
「[0026]　図１は，本発明の第１の実施形態に係る複合フィルタ装置の回路図である。本実施形態の複合フィルタ装置１は，キャリアアグリゲーションシステムに用いられるものである。
[0027]　図１に示すように，複合フィルタ装置１は，第１〜第４の帯域通過型フィルタ２〜５を有する。図１では，第３，第４の帯域通過型フィルタ４，５をブロックで略図的に示す。第１〜第４の帯域通過型フィルタ２〜５は，複数のキャリア，すなわち通信方式に対応するために設けられている。
[0028]　
複合フィルタ装置１は，第１の帯域通過型フィルタとしての第１の帯域通過型フィルタ２と，第２の帯域通過型フィルタとしての第２の帯域通過型フィルタ３とを有する。複合フィルタ装置１は，アンテナ端子１１を有する。アンテナ端子１１に，アンテナ共通端子１４が接続されている。
[0029]　第１〜第４の帯域通過型フィルタ２〜５のうち，
第１の帯域通過型フィルタ２は，あるＢａｎｄの受信フィルタを構成しており，第２の帯域通過型フィルタ３は，第１の帯域通過型フィルタ２とは異なるＢａｎｄの受信フィルタを構成している。第１の帯域通過型フィルタ２としての受信フィルタの通過帯域よりも，第２の帯域通過型フィルタ３である受信フィルタの通過帯域が高くされている。
[0030]　
アンテナ共通端子１４と受信端子１２との間に第１の帯域通過型フィルタ２が接続されている。アンテナ共通端子１４と受信端子１３との間に第２の帯域通過型フィルタ３が接続されている。
「[0033]　本実施形態の特徴は，直列腕共振子Ｓ１１〜Ｓ１６及び並列腕共振子Ｐ１１〜Ｐ１３が，以下に述べる特定の弾性波共振子からなることにあり，それによってセザワ波の影響が効果的に抑制されている。これを，より詳細に説明する。」
「[0044]　上記実施形態では，第１の帯域通過型フィルタ２において，複数の直列腕共振子Ｓ１１〜Ｓ１６及び並列腕共振子Ｐ１１〜Ｐ１３が，セザワ波の音速が４６４３．２ｍ／秒よりも速い弾性波共振子からなる。よって，第１の帯域通過型フィルタ２において，セザワ波の応答の影響を効果的に抑制し得ることがわかる。このように，
直列腕共振子Ｓ１１〜Ｓ１６及び並列腕共振子Ｐ１１〜Ｐ１３の全てが，セザワ波の音速が４６４３．２ｍ／秒よりも高い弾性波共振子からなることが望ましい。もっとも，直列腕共振子Ｓ１１〜Ｓ１６及び並列腕共振子Ｐ１１〜Ｐ１３のうちの少なくとも１個が，上記セザワ波の音速が４６４３．２ｍ／秒よりも高い弾性波共振子により構成されておれば，本発明に従って，セザワ波の影響を効果的に抑制することは可能である。
「[0046]　他方，
アンテナ共通端子１４及びアンテナ端子１１に最も近い直列腕共振子Ｓ１６が，上記のように，セザワ波の音速が４６４３．２ｍ／秒以上であることが望ましい。
「[0051]　ところで，
上記セザワ波の音速Ｖｓは，弾性波共振子や縦結合共振子型弾性波フィルタにおけるＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λと，セザワ波の周波数Ｆｓによって，Ｖｓ＝λ×Ｆｓとして決定することができる。
「[0058]　また，図１１に示す第４の実施形態のように，
第１の帯域通過型フィルタ２は，フィルタ部２Ａと，フィルタ部２Ａのアンテナ共通端子側に接続されている弾性波共振子４２とを有していてもよい。ここでは，フィルタ部２Ａは，直列腕共振子Ｓ４１，Ｓ４２及び並列腕共振子Ｐ４１，Ｐ４２を有するラダー型フィルタである。このフィルタ部２Ａが，第１の通過帯域を構成している。弾性波共振子４２は，第１の通過帯域を構成するものではない共振子である。
[0059]　他方，
弾性波共振子４２は，ＬｉＮｂＯ３基板，ＩＤＴ電極及び酸化ケイ素を主成分とする誘電体膜の積層構造を有するだけでなく，レイリー波を利用しており，セザワ波の音速が４６４３．２ｍ／秒以上とされている。
［図１１］
　の記載があるから，
「高い方の周波数帯域を通過帯域とする帯域通過型フィルタへのセザワ波の応答による悪影響を効果的に抑制することができる，複合フィルタ装置であって，
　複合フィルタ装置１は，第１の帯域通過型フィルタとしての第１の帯域通過型フィルタ２と，第２の帯域通過型フィルタとしての第２の帯域通過型フィルタ３とを有し，
　第１の帯域通過型フィルタ２は，あるＢａｎｄの受信フィルタを構成しており，第２の帯域通過型フィルタ３は，第１の帯域通過型フィルタ２とは異なるＢａｎｄの受信フィルタを構成しており，第１の帯域通過型フィルタ２としての受信フィルタの通過帯域よりも，第２の帯域通過型フィルタ３である受信フィルタの通過帯域が高くされ，
　アンテナ共通端子１４と受信端子１２との間に第１の帯域通過型フィルタ２が接続されている。アンテナ共通端子１４と受信端子１３との間に第２の帯域通過型フィルタ３が接続され，
　第１の帯域通過型フィルタ２において，直列腕共振子Ｓ１１〜Ｓ１６及び並列腕共振子Ｐ１１〜Ｐ１３の全てが，セザワ波の音速が４６４３．２ｍ／秒よりも高い弾性波共振子からなることが望ましく，直列腕共振子Ｓ１１〜Ｓ１６及び並列腕共振子Ｐ１１〜Ｐ１３のうちの少なくとも１個が，上記セザワ波の音速が４６４３．２ｍ／秒よりも高い弾性波共振子により構成されておれば，セザワ波の影響を効果的に抑制することは可能であり，
　アンテナ共通端子１４及びアンテナ端子１１に最も近い直列腕共振子Ｓ１６が，上記のように，セザワ波の音速が４６４３．２ｍ／秒以上であることが望ましく，
　上記セザワ波の音速Ｖｓは，弾性波共振子や縦結合共振子型弾性波フィルタにおけるＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長λと，セザワ波の周波数Ｆｓによって，Ｖｓ＝λ×Ｆｓとして決定することができ，
　あるいは，
　第１の帯域通過型フィルタ２は，フィルタ部２Ａと，フィルタ部２Ａのアンテナ共通端子側に接続されている弾性波共振子４２とを有していてもよく，フィルタ部２Ａは，直列腕共振子Ｓ４１，Ｓ４２及び並列腕共振子Ｐ４１，Ｐ４２を有するラダー型フィルタであって，第１の通過帯域を構成し，弾性波共振子４２は，第１の通過帯域を構成するものではない共振子であり，
　弾性波共振子４２は，セザワ波の音速が４６４３．２ｍ／秒以上とされている，
複合フィルタ装置。」（以下，「周知技術」という。）
　は周知である。
第５　対比
１．本願発明１に対して
　本願発明１と引用発明を対比する。
　引用発明の「共通接点２０１」，「第１信号接点」，「第２信号接点」及び「共振器」は，それぞれ本願発明１の「共通端子」，「第１端子」，「第２端子」及び「共振子」に相当する。
　引用発明の「分波器」は，周波数帯域毎に分波しているから「マルチプレクサ」であるといえる。
　引用発明の「第１フィルタ２１０」は，「共通接点２０１と，第１信号接点２０２との間に接続され」ていて，「複数の弾性表面波（ＳＡＷ）共振器を含」んでいるから，「前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ第１経路上に配置され，複数の弾性表面波共振子を有する第１フィルタ」であるといえる。
　引用発明により「第２フィルタ２２０の通過帯域におけるスプリアスが低減される」から，引用発明の「第２フィルタ２２０」は，「通過帯域」を有するフィルタであり，「共通接点２０１及び第２信号接点２０３間に接続され」ている。
　さらに，「第２フィルタ２２０の中心周波数は，第１フィルタ２１０の通過帯域の中心周波数のほぼ１．２から１．４倍の一帯域内に存在し」ているから，「第２フィルタ２２０」は，「通過帯域が前記第１フィルタよりも高い」といえる。
　したがって，引用発明の「第２フィルタ２２０」は，「前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ第２経路上に配置され，通過帯域の周波数が前記第１フィルタよりも高い第２フィルタ」であるといえる。
　引用発明は，「第１フィルタ２１０に含まれるフロントエンド共振器２１２及びＳＡＷフィルタ２１４は，共通接点２０１及び第１信号接点２０２間に互いに直列接続された複数の直列共振器と，当該直列共振器及びグランド接点間に接続された一以上の並列共振器とを含むラダー型フィルタを形成し」ているから，「前記複数の弾性波共振子は，前記第１経路上に配置された２以上の直列共振子と前記第１経路上のノードとグランドとを結ぶ経路上に配置された１以上の並列共振子，とを含」んでいるといえる。
　引用発明では第１フィルタ２１０に含まれる「ただ一つのＳＡＷ共振器２１２が，共通接点２０１に接続」され，「フロントエンド共振器２１２は，共通接点２０１及び第１信号接点２０２間に直列接続され」ているから，「ＳＡＷ共振器２１２」は，「前記２以上の直列共振子のうち前記共通端子に最も近い第１直列共振子」であって，「前記並列共振子を間に介さずに前記共通端子に接続され」ているといえる。
　引用発明の第１フィルタ２１０は，「平坦な主表面を有する圧電基板３１０を含み，ＳＡＷフィルタ２１４及びフロントエンドＳＡＷ共振器２１２を形成する各ＳＡＷ共振器は，一対の入り組んだ櫛形電極からなるインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を含み，ＩＤＴ電極３２０は，圧電基板３１０の主表面上に形成され，圧電基板３１０の主表面はＩＤＴ電極３２０とともに，誘電膜３３０によって覆われ」ており，「櫛形電極」は「櫛歯状電極」であるから，「前記複数の弾性波共振子は，圧電性を有する基板と，前記基板上に形成された一対の櫛歯状電極からなるＩＤＴ電極と，前記ＩＤＴ電極を覆うように前記基板上に設けられた誘電体層と，を有し」ているといえる。
　引用発明は，「誘電膜は，ＳＡＷフィルタ２１４に対応する第１領域に第１厚さＴ１を，フロントエンド共振器２１２に対応する第２領域３４０に第２厚さＴ２を有し，第２厚さＴ２は，第１厚さＴ１よりも小さくなるように構成され」ている。
　したがって，本願発明１と引用発明とは，「所定の共振子の前記誘電体層は，残りの前記複数の弾性波共振子の前記誘電体層よりも，厚みが薄」い点で共通する。
　引用発明は，「第２フィルタ２２０の通過帯域におけるスプリアスが低減され」るのであって，スプリアスは「第１フィルタ２１０の通過帯域２３２における中心周波数ｆ０のほぼ１．２から１．４倍の範囲にわたって延びる周波数帯域２３６に」現れるから，引用発明の「スプリアス」は「第１フィルタ２１０により発生する高次モードスプリアス」であって「第２フィルタの通過帯域」に現れるといえる。
　したがって，引用発明は，「前記第１フィルタにより発生する高次モードスプリアスの周波数は，前記第２フィルタの周波数通過帯域に含まれる」といえる。
　したがって，本願発明１と引用発明とは，
「共通端子，第１端子及び第２端子と，
　前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ第１経路上に配置され，複数の弾性波共振子を有する第１フィルタと，
　前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ第２経路上に配置され，通過帯域の周波数が前記第１フィルタより高い第２フィルタと，を備え，
　前記複数の弾性波共振子は，
　　前記第１経路上に配置された２以上の直列共振子と，
　　前記第１経路上のノードとグランドとを結ぶ経路上に配置された１以上の並列共振子と，を含み，
　前記２以上の直列共振子のうち前記共通端子に最も近い第１直列共振子は，前記並列共振子を間に介さずに前記共通端子に接続され，
　前記複数の弾性波共振子は，圧電性を有する基板と，前記基板上に形成された一対の櫛歯状電極からなるＩＤＴ電極と，前記ＩＤＴ電極を覆うように前記基板上に設けられた誘電体層と，を有し，
　所定の共振子の前記誘電体層は，残りの前記複数の弾性波共振子の前記誘電体層よりも，厚みが薄く，
　前記第１フィルタにより発生する高次モードスプリアスの周波数は，前記第２フィルタの周波数通過帯域に含まれる，
　マルチプレクサ。」
　で一致し，以下の点で相違する。
　相違点
　前記誘電体層の厚みが薄い所定の共振子が，本願発明１は「前記第１直列共振子，及び，前記１以上の並列共振子のうち前記共通端子に最も近い第１並列共振子」であるのに対し，引用発明は「フロントエンド共振器２１２」である点。
　相違点について検討する。
　引用発明は，「共通接点２０１に接続され」ている「ただ一つのＳＡＷ共振器」が，「フロントエンド共振器」であって，「残りの共振器」は「ＳＡＷフィルタ」であり，「フロントエンド共振器」に対応する誘電膜の膜厚が「ＳＡＷフィルタ」に対応する膜厚よりも小さくなるように構成している。
　つまり，誘電膜の膜厚を薄くするのは「共通接点に接続されている
ただ一つ
　さらに，周知技術を参照しても，誘電膜の膜厚については何も記載されていない。
　そして，本願発明１（下線は当審が付与。）は，発明の詳細な説明【００３７】に
「図４に示すように，共通端子Ｐｏｒｔ１に最も近い直列共振子Ｓ１に抵抗を挿入した場合のリターンロスの増分は最大で０．７ｄＢであり，２番目に近い並列共振子Ｐ１に抵抗を挿入した場合のリターンロスの増分は最大で０．３８ｄＢである。一方，３番目に近い直列共振子Ｓ２に抵抗を挿入した場合のリターンロスの増分は最大で０．０５ｄＢであり，また，４番目以降の各共振子Ｐ２〜Ｐ４，Ｓ３〜Ｓ５に抵抗を挿入した場合のリターンロスの増分は約０ｄＢであり，リターンロスはほとんど増加しないとみなすことができる。このように，
第１フィルタ１１におけるリターンロスの増加は，共通端子Ｐｏｒｔ１の近くに位置する共振子，より具体的には共通端子Ｐｏｒｔ１側初段の直列共振子及び並列共振子で高次モードスプリアスが発生した場合ほど大きい。
　と記載され，発明の詳細な説明の【００７１】に
「図９は，共振子１１０の周波数温度特性の一例を示す図である。図９では，
誘電体層３２６が薄いほど，周波数温度特性が悪くなることが示されている。
第１フィルタ１１の全ての共振子１１０の誘電体層３２６を薄くすることも考えられるが，その場合は図９に示すように，周波数温度特性が悪化する。
　と記載されるように，リターンロスは共通端子Ｐｏｒｔ１側初段の直列共振子及び並列共振子で高次モードスプリアスが発生した場合ほど大きい，ということと，誘電体層が薄いほど周波数温度特性が悪くなるという状況，の２つを考慮して，全ての共振子１１０の誘電体層３２６を薄くするのでなく，全ての共振子１１０のうち第２フィルタ２１に大きな影響を与える「前記第１直列共振子，及び，前記１以上の並列共振子のうち前記共通端子に最も近い第１並列共振子」に限定して誘電体層を薄くしているものである。
　つまり，誘電体層の厚みを薄くする所定の共振子として「前記第１直列共振子，及び，前記１以上の並列共振子のうち前記共通端子に最も近い第１並列共振子」とすることは，高次モードスプリアス発生を抑制しながら，周波数温度特性を悪化させないという効果を有するものである。
　したがって，本願発明１は，引用発明及び周知技術より容易に発明をすることができた，とはいえない。
２．本願発明２に対して
　本願発明２と引用発明を対比する。
　引用発明の「共通接点２０１」，「第１信号接点」，「第２信号接点」及び「共振器」は，それぞれ本願発明２の「共通端子」，「第１端子」，「第２端子」及び「共振子」に相当する。
　引用発明の「分波器」は，周波数帯域毎に分波しているから「マルチプレクサ」であるといえる。
　引用発明の「第１フィルタ２１０」は，「共通接点２０１と，第１信号接点２０２との間に接続され」ていて，「複数の弾性表面波（ＳＡＷ）共振器を含」んでいるから，「前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ第１経路上に配置され，複数の弾性表面波共振子を有する第１フィルタ」であるといえる。
　引用発明により「第２フィルタ２２０の通過帯域におけるスプリアスが低減される」から，引用発明の「第２フィルタ２２０」は，「通過帯域」を有するフィルタであり，「共通接点２０１及び第２信号接点２０３間に接続され」ている。
　さらに，「第２フィルタ２２０の中心周波数は，第１フィルタ２１０の通過帯域の中心周波数のほぼ１．２から１．４倍の一帯域内に存在し」ているから，「第２フィルタ２２０」は，「通過帯域が前記第１フィルタよりも高い」といえる。
　したがって，引用発明の「第２フィルタ２２０」は，「前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ第２経路上に配置され，通過帯域の周波数が前記第１フィルタよりも高い第２フィルタ」であるといえる。
　引用発明は，「第１フィルタ２１０に含まれるフロントエンド共振器２１２及びＳＡＷフィルタ２１４は，共通接点２０１及び第１信号接点２０２間に互いに直列接続された複数の直列共振器と，当該直列共振器及びグランド接点間に接続された一以上の並列共振器とを含むラダー型フィルタを形成し」ているから，「前記第１経路上に配置された１以上の直列共振子と，前記第１経路上のノードとグランドとを結ぶ経路上に配置された並列共振子と，を含」んでいるといえる。
　引用発明では第１フィルタ２１０に含まれる「ただ一つのＳＡＷ共振器２１２が，共通接点２０１に接続」され，「フロントエンド共振器２１２は，共通接点２０１及び第１信号接点２０２間に直列接続され」ているから，共通端子には，直列共振子であるＳＡＷ共振器２１２だけが接続されており，「前記１以上の直列共振子のうち前記共通端子に最も近い第１直列共振子からみて前記共通端子側に位置する第１並列共振子」は存在しない。
　引用発明の第１フィルタ２１０は，「平坦な主表面を有する圧電基板３１０を含み，ＳＡＷフィルタ２１４及びフロントエンドＳＡＷ共振器２１２を形成する各ＳＡＷ共振器は，一対の入り組んだ櫛形電極からなるインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を含み，ＩＤＴ電極３２０は，圧電基板３１０の主表面上に形成され，圧電基板３１０の主表面はＩＤＴ電極３２０とともに，誘電膜３３０によって覆われ」ており，「櫛形電極」は「櫛歯状電極」であるから，「前記複数の弾性波共振子は，圧電性を有する基板と，前記基板上に形成された一対の櫛歯状電極からなるＩＤＴ電極と，前記ＩＤＴ電極を覆うように前記基板上に設けられた誘電体層と，を有し」ているといえる。
　引用発明は，「誘電膜は，ＳＡＷフィルタ２１４に対応する第１領域に第１厚さＴ１を，フロントエンド共振器２１２に対応する第２領域３４０に第２厚さＴ２を有し，第２厚さＴ２は，第１厚さＴ１よりも小さくなるように構成され」ている。
　したがって，本願発明２と引用発明とは，「所定の共振子の前記誘電体層は，残りの前記複数の弾性波共振子の前記誘電体層よりも，厚みが薄」い点で共通する。
　引用発明は，「第２フィルタ２２０の通過帯域におけるスプリアスが低減され」るのであって，スプリアスは「第１フィルタ２１０の通過帯域２３２における中心周波数ｆ０のほぼ１．２から１．４倍の範囲にわたって延びる周波数帯域２３６に」現れるから，引用発明の「スプリアス」は「第１フィルタ２１０により発生する高次モードスプリアス」であって「第２フィルタの通過帯域」に現れるといえる。
　したがって，引用発明は，「前記第１フィルタにより発生する高次モードスプリアスの周波数は，前記第２フィルタの周波数通過帯域に含まれる」といえる。
　したがって，本願発明２と引用発明とは，
「共通端子，第１端子及び第２端子と，
　前記共通端子と前記第１端子とを結ぶ第１経路上に配置され，複数の弾性波共振子を有する第１フィルタと，
　前記共通端子と前記第２端子とを結ぶ第２経路上に配置され，通過帯域の周波数が前記第１フィルタより高い第２フィルタと，を備え，
　前記複数の弾性波共振子は，
　　前記第１経路上に配置された１以上の直列共振子と，
　　前記第１経路上のノードとグランドとを結ぶ経路上に配置された並列共振子と，を含み，
　前記複数の弾性波共振子は，圧電性を有する基板と，前記基板上に形成された一対の櫛歯状電極からなるＩＤＴ電極と，前記ＩＤＴ電極を覆うように前記基板上に設けられた誘電体層と，を有し，
　所定の共振子の前記誘電体層は，残りの前記複数の弾性波共振子の前記誘電体層よりも，厚みが薄く，
　前記第１フィルタにより発生する高次モードスプリアスの周波数は，前記第２フィルタの周波数通過帯域に含まれる，
　マルチプレクサ。」
　で一致し，下記の点で相違する。
　相違点１
　本願発明２は，「前記第１経路上のノードとグランドとを結ぶ経路上に配置された並列共振子」が「２以上」であるのに対し，引用発明は「１つ以上」である点。
　相違点２
　本願発明２は，「前記２以上の並列共振子は，前記１以上の直列共振子のうち前記共通端子に最も近い第１直列共振子から見て前記共通端子側に位置する第１並列共振子と，前記第１端子側に位置する並列共振子を含」んでいるのに対し，引用発明は，「ただ１つの共振子」が共通Ｐｏｒｔに接続されている点。
　相違点３
　誘電体層の厚みが薄い所定の共振子が，本願発明２は，「前記第１並列共振子及び前記第１直列共振子」であるのに対し，引用発明は，「ただ一つのＳＡＷ共振器」である点。
　事案に鑑み，相違点３について検討する。
　引用発明は，「共通接点２０１に接続され」ている「ただ一つのＳＡＷ共振器」が，「フロントエンド共振器」であって，「残りの共振器」は「ＳＡＷフィルタ」であり，「フロントエンド共振器」に対応する誘電膜の膜厚が「ＳＡＷフィルタ」に対応する膜厚よりも小さくなるように構成している。
　つまり，誘電膜の膜厚を薄くするのは「共通接点に接続されているただ一つのＳＡＷ共振器」であって，その他の共振器は「ＳＡＷフィルタ」を構成しているから，「前記第１並列共振子及び前記第１直列共振子」の２つの共振子について，その他の共振子よりも誘電膜の膜厚を薄くすることには阻害要因があるといえる。
　さらに，周知技術を参照しても，誘電体層の膜厚については何も記載されていない。
　そして，本願発明２（下線は当審が付与。）は，発明の詳細な説明【００３７】に
「図４に示すように，共通端子Ｐｏｒｔ１に最も近い直列共振子Ｓ１に抵抗を挿入した場合のリターンロスの増分は最大で０．７ｄＢであり，２番目に近い並列共振子Ｐ１に抵抗を挿入した場合のリターンロスの増分は最大で０．３８ｄＢである。一方，３番目に近い直列共振子Ｓ２に抵抗を挿入した場合のリターンロスの増分は最大で０．０５ｄＢであり，また，４番目以降の各共振子Ｐ２〜Ｐ４，Ｓ３〜Ｓ５に抵抗を挿入した場合のリターンロスの増分は約０ｄＢであり，リターンロスはほとんど増加しないとみなすことができる。このように，
第１フィルタ１１におけるリターンロスの増加は，共通端子Ｐｏｒｔ１の近くに位置する共振子
で高次モードスプリアスが発生した場合ほど大きい。
　と記載され，発明の詳細な説明の【００７１】に
「図９は，共振子１１０の周波数温度特性の一例を示す図である。図９では，
誘電体層３２６が薄いほど，周波数温度特性が悪くなることが示されている。
第１フィルタ１１の全ての共振子１１０の誘電体層３２６を薄くすることも考えられるが，その場合は図９に示すように，周波数温度特性が悪化する。
　と記載されるように，リターンロスは共通端子Ｐｏｒｔ１の近くに位置する共振子で高次モードスプリアスが発生した場合ほど大きい，ということと，誘電体層が薄いほど周波数温度特性が悪くなるという状況，の２つを考慮して，全ての共振子１１０の誘電体層３２６を薄くするのでなく，全ての共振子１１０のうち第２フィルタ２１に大きな影響を与える「前記第１直列共振子，及び，前記１以上の並列共振子のうち前記共通端子に最も近い第１並列共振子」に限定して誘電体層を薄くしているものである。
　つまり，誘電体層の厚みを薄くする所定の共振子として「前記第１直列共振子，及び，前記１以上の並列共振子のうち前記共通端子に最も近い第１並列共振子」とすることは，高次モードスプリアス発生を抑制しながら，周波数温度特性を悪化させないという効果を有するものである。
　したがって，その他の相違点について検討するまでもなく，本願発明２は，引用発明及び周知技術より容易に発明をすることができた，とはいえない。
３．本願発明３−６に対して，
　本願発明１又は２を引用して記載しており，本願発明１又は２の構成を有するから，同様の理由により引用発明及び周知技術より容易に発明をすることができた，とはいえない。
４．小括
　したがって，原査定の理由によって本願を拒絶することはできない。
第６　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によって，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。