【手続補正書】
【提出日】令和1年7月2日(2019.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理システムのためのガス送出システムであって、
入口および出口を含み、前記入口は第１のガス源と流体連通する、第１のバルブと、
第１の入口、第２の入口、および出口を含み、前記第１の入口は前記第１のバルブの前記出口と流体連通し、前記第２の入口は第２のガス源と流体連通する、第２のバルブと、
入口および出口を含み、前記入口は第３のガス源と流体連通する、第３のバルブと、
コネクタであって、
第１のガスチャネルと、
第１の端部および第２の端部を有する第２のガスチャネルを規定するシリンダと、
前記シリンダは、前記シリンダおよび前記第１のガスチャネルが共同で前記シリンダの外側表面と前記第１のガスチャネルの内側表面との間に流路を規定するように、前記第１のガスチャネル内部に少なくとも部分的に配置され、
前記流路は、前記第３のバルブの前記出口および前記第２のガスチャネルの前記第１の端部と流体連通し、
前記第２のガスチャネルの前記第２の端部と、前記第２のバルブの前記出口と、および処理チャンバのガス分配装置と流体連通する第３のガスチャネルと、
前記第２のガスチャネルの前記第１の端部は、前記第２のガスチャネルの前記第２の端部の入口に提供されたガスが、前記第２のチャネルを前記第２の端部から前記第１の端部まで流れて前記第１のガスチャネルの前記入口に流れ、前記第１のガスチャネルを通って前記第３のガスチャネルに流れるように、前記第１のガスチャネルの入口と流体連通すること、
を備えるコネクタと、
を備える、ガス送出システム。
【請求項２】
請求項１に記載のガス送出システムであって、前記第１のガス源は、パージ・ガス源を含む、ガス送出システム。
【請求項３】
請求項１に記載のガス送出システムであって、前記第２のガス源は、前駆体ガス源を含む、ガス送出システム。
【請求項４】
請求項１に記載のガス送出システムであって、入口および出口を含む第４のバルブをさらに備え、前記入口は第４のガス源と流体連通し、前記出口は前記流路と流体連通する、ガス送出システム。
【請求項５】
請求項４に記載のガス送出システムであって、前記第４のガス源は、洗浄ガス源を含む、ガス送出システム。
【請求項６】
請求項５に記載のガス送出システムであって、前記洗浄ガス源は、遠隔プラズマ洗浄（ＲＰＣ）ガスを含む、ガス送出システム。
【請求項７】
請求項１に記載のガス送出システムであって、前記第３のガス源は、酸化ガス源を含む、ガス送出システム。
【請求項８】
請求項１に記載のガス送出システムであって、前記基板処理システムは、原子層堆積を実行する、ガス送出システム。
【請求項９】
請求項１に記載のガス送出システムであって、さらに、前記第１のバルブ、前記第２のバルブ、および前記第３のバルブを制御するように構成されているコントローラを備える、ガス送出システム。
【請求項１０】
請求項９に記載のガス送出システムであって、前記コントローラは、
前記第１のバルブおよび前記第２のバルブを使用して、第１の所定期間中、前記第２のガス源から前駆体ガスを供給し、
前記第１のバルブおよび前記第２のバルブを使用して、第２の所定期間中、前記第１のガス源からパージ・ガスを供給し、
前記第３のバルブを使用して、第３の所定期間中、前記第３のガス源から酸化ガスを供給するように構成されている、ガス送出システム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のガス送出システムであって、
前記第１の所定期間は原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスのドーズ段に相当し、
前記第２の所定期間は前記ＡＬＤプロセスのバースト・パージ段に相当し、
前記第３の所定期間は前記ＡＬＤプロセスのドーズ・パージ段、ＲＦ段、およびＲＦパージ段に相当する、ガス送出システム。
【請求項１２】
請求項４に記載のガス送出システムであって、前記第４のバルブと前記コネクタ間の距離は１０インチ（２５４ｍｍ）〜４０インチ（１０１６ｍｍ）である、ガス送出システム。
【請求項１３】
請求項４に記載のガス送出システムであって、前記第４のバルブと前記コネクタ間の距離は５インチ（１２７ｍｍ）未満である、ガス送出システム。
【請求項１４】
基板処理システムにガスを供給するための方法であって、
第１のバルブを使用して、第１のガス源からガスを選択的に供給し、
第２のバルブを使用して、前記第１のガス源または第２のガス源からガスを選択的に供給し、
第３のバルブを使用して、第３のガス源からガスを選択的に供給し、
第１のガスチャネルと、
第１の端部および第２の端部を有する第２のガスチャネルを規定するシリンダと、
前記シリンダおよび前記第１のガスチャネルは共同で前記シリンダの外側表面と前記第１のガスチャネルの内側表面との間に流路を規定するように、前記第１のガスチャネル内部に少なくとも部分的に配置され、
前記流路は前記第３のバルブの出口および前記第２のガスチャネルの前記第１の端部と流体連通し、
前記第２のガスチャネルの前記第２の端部、前記第２のバルブの出口、および処理チャンバのガス分配装置と流体連通する第３のガスチャネルであって、前記第２のガスチャネルの前記第１の端部は、前記第２のガスチャネルの前記第２の端部の入口に提供されたガスが、前記第２のチャネルを前記第２の端部から前記第１の端部まで流れて前記第１のガスチャネルの前記入口に流れ、前記第１のガスチャネルを通って前記第３のガスチャネルに流れるように、前記第１のガスチャネルの入口と流体連通する、第３のガスチャネルと、
を含むコネクタを提供すること、
を備える、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、前記第１のガス源はパージ・ガス源を含む、方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の方法であって、前記第２のガス源は前駆体ガス源を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１４に記載の方法であって、さらに、前記流路と流体連通する出口を有する第４のバルブを使用して、第４のガス源からガスを選択的に供給することを備える、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、前記第４のガス源は洗浄ガス源を含む、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、前記洗浄ガス源は遠隔プラズマ洗浄（ＲＰＣ）ガスを含む、方法。
【請求項２０】
請求項１４に記載の方法であって、前記第３のガス源は酸化ガス源を含む、方法。
【請求項２１】
請求項１４に記載の方法であって、前記基板処理システムは原子層堆積を行う、方法。
【請求項２２】
請求項１４に記載の方法であって、さらに、コントローラを使用して、前記第１のバルブ、前記第２のバルブ、および前記第３のバルブを制御することを備える、方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法であって、前記コントローラは、
前記第１のバルブおよび前記第２のバルブを使用して、第１の所定期間中、前記第２のガス源から前駆体ガスを供給し、
前記第１のバルブおよび前記第２のバルブを使用して、第２の所定期間中、前記第１のガス源からパージ・ガスを供給し、
前記第３のバルブを使用して、第３の所定期間中、前記第３のガス源から酸化ガスを供給するように構成されている、方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法であって、
前記第１の所定期間は原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスのドーズ段に相当し、
前記第２の所定期間は前記ＡＬＤプロセスのバースト・パージ段に相当し、
前記第３の所定期間はが前記ＡＬＤプロセスのドーズ・パージ段、ＲＦ段、およびＲＦパージ段に相当する、方法。
【請求項２５】
請求項１７に記載の方法であって、前記第４のバルブと前記コネクタ間の距離は１０インチ（２５４ｍｍ）〜４０インチ（１０１６ｍｍ）である、方法。
【請求項２６】
請求項１７に記載の方法であって、前記第４のバルブと前記コネクタ間の距離は５インチ（１２７ｍｍ）未満である、方法。