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　特願２０１５−２２３５６９「ドライエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　５月２５日出願公開、特開２０１７−　９２３５７、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２７年１１月１６日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和元年　５月１７日付け　：拒絶理由通知書
　令和元年　６月１４日　　　：意見書，補正書の提出
　令和元年　８月２２日付け　：拒絶査定
　令和元年　１２月２日　　　：審判請求書，手続補正書の提出
　令和２年　７月１５日付け　：拒絶理由通知書（当審）
　令和２年　９月１日　　　　：意見書，手続補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定（令和元年８月２２日付け拒絶査定）の概要は，本願の請求項１〜９に係る発明は，以下の引用文献１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用文献１．国際公開第２００８／００１８４４号
引用文献２．韓国公開特許第１０−２０１２−０１１３３４１号公報
引用文献３．特開２００７−３０２６６３号公報
引用文献４．特開平１０−１９９８６９号公報
第３　当審拒絶理由通知の概要
　当審拒絶理由通知（令和２年７月１５日付け拒絶理由通知）の概要は，以下の（理由１）〜（理由３）のとおりである。
（理由１）本願の請求項１〜６に係る発明は，以下の引用例１に記載された発明及び引用例２〜５に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
（理由２）本願の請求項１〜７に係る発明は，発明の詳細な説明に記載したものでないから，特許法３６条６項１号に規定する要件を満たしていない。
（理由３）本願の請求項４〜７に係る発明は明確でないから，特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていない。
引用例１．国際公開第２００８／００１８４４号（拒絶査定の引用文献１）
引用例２．特開２００７−３０２６６３号公報（拒絶査定の引用文献３）
引用例３．特開平１０−１９９８６９号公報（拒絶査定の引用文献４）
引用例４．特開平３−２７６６２６号公報
引用例５．特開平７−２６３４０９号公報
第４　本願発明
　本願の請求項１〜５に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」〜「本願発明５」という。）は，令和２年９月１日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定される発明であり，そのうちの本願発明１は以下のとおりである。
「【請求項１】
　純度が９９．７質量％以上であり，
　窒素含有量が０．３体積％以下であり，
　水分含有量が０．０３質量％以下であり，
　誘導結合プラズマ質量分析計により測定したＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ及びＳｂの各金属成分の濃度の和が４７７質量ｐｐｂ以下であり，
　Ｆｅの濃度が１５３質量ｐｐｂ以下であり，Ｎｉの濃度が１２１質量ｐｐｂ以下であり，Ｃｒの濃度が７７質量ｐｐｂ以下であり，Ａｌの濃度が７３質量ｐｐｂ以下であり，Ｓｂの濃度が５３質量ｐｐｂ以下である
ヘキサフルオロプロペンからなるドライエッチングガスをプラズマ化して得られるプラズマガスを用いて，半導体基板上に形成されたシリコン酸化物，シリコン窒化物，およびシリコン酸窒化物からなる群より選ばれる少なくとも１種のシリコン系材料を，前記シリコン系材料の上に形成された開口部を有するレジストパターンをマスクとして，前記マスクに対して，前記シリコン系材料との選択比が１０以上で選択的にエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。」
　本願発明２〜５は，本願発明１を減縮した発明である。
第５　引用例の記載と引用発明
１．引用例１について
（１）引用例１の記載事項
　当審拒絶理由通知で引用された引用例１には，表1とともに次の記載がある。（下線は当審による。以下同じ。）
「【0043】
　このようにして，
粗へキサフルオロプロピレンを上記吸着剤と接触させた後，蒸留することにより，含塩素化合物，ハイドロカーボン類，低沸成分の含有量を低減でき，純度が９９．９９ｖｏｌ％以上の高純度ヘキサフルオロプロピレンを得ることができる
【0044】
　
このような高純度ヘキサフルオロプロピレンは，半導体製造装置内または液晶製造装置内の堆積物を除去するためのクリーニングガスとして使用することができる
【0045】
　
上記クリーニングガスを使用して半導体製造装置をクリーニングする場合，プラズマ条件でクリーニングしてもよいし
チャンバーおよびその他の堆積物が蓄積している領域から堆積物をエッチングして取り除く
引用例１の表１として以下が示されている。
（２）記載事項の整理と引用発明１
　以上の摘記によれば，引用例１には以下の事項が記載されているといえる。
ア　純度が９９．９９ｖｏｌ％以上の高純度ヘキサフルオロプロピレン。（段落［００４３］，表１） 
イ　上記高純度ヘキサフルオロプロピレンを，半導体製造装置内の堆積物を除去するためのクリーニングガスとして使用すること。
（段落［００４４］）
ウ　上記クリーニングガスを使用した半導体製造装置をクリーニングする場合，プラズマ条件でクリーニングすること。（段落［００４５］）
エ　クリーニングにより，堆積物が蓄積している領域から堆積物をエッチングして取り除くこと。（段落［００４５］）
　上記ア〜エから，引用例１には次の発明が記載されているものと認められる。
「純度が９９．９９ｖｏｌ％以上のヘキサフルオロプロピレンからなるクリーニングガスをプラズマ条件で使用することにより，半導体製造装置内の堆積物をエッチングして取り除く方法」
２．引用例２について
　当審拒絶理由通知で引用された引用例２には，以下の事項が記載されている。
「【0002】
　半導体装置の高集積化に伴い，小さい空間に多くの情報を入れるための超微細パターンの形成に必要なドライエッチング工程がＵＬＳＩの核心工程として重要な位置を占めている。酸化シリコンで代表されるシリコン化合物層にドライエッチング工程を適用する場合，既存の飽和フルオロカーボン類エッチングガスでは微細な回路線幅（０．１３μm以下，アスペクト比２０以上）へのエッチングが難しい。その理由は，エッチングを行うための酸化シリコン化合物層は，保護膜であるフォトレジストまたはポリシリコンに対する選択性が低くて超微細パターンへのエッチングが難しく，既存の飽和フルオロカーボン類のドライエッチングガスは，エッチング後の残留物，例えばカーボンなどが完全に除去されないため，微細パターン形成に妨害を引き起こすためである。
従来の飽和フルオロカーボン類ドライエッチングガスの代替物質として，
１つの不飽和二重結合を含んでいるオクタフルオロシクロペンテン（Octafluorocyclopenten，以下「Ｃ５Ｆ８」という）が注目を浴びている
　Ｃ５Ｆ８は，沸点２６．８℃の既知物質である。
　半導体装置の益々の高集積化および高性能化に伴い，
Ｃ５Ｆ８を含んだ半導体製造用ガスも段々高純度化を要求している
特に最も重要な部分は残留する微量成分，すなわち金属成分である。この金属成分が基準値以上存在する場合，微細パターンの形成に致命的な影響を与えるうえ，半導体装置の性能を左右するため，これらガスの製造および精製過程のみならず，半導体装置の製造過程においても最も厳しく管理されている。近年，ユーザーは金属成分の含量を５ｐｐｂ以下の要求がある
「【0014】
　本発明の目的は，半導体製造用ドライエッチングガスにおいて，エッチングガスの全量に対しＣ５Ｆ８９９．９９５容量％以上，窒素ガス５０容量ｐｐｍ以下，酸素ガス５容量ｐｐｍ以下，水分５重量ｐｐｍ以下，金属成分含量５重量ｐｐｂ以下のエッチングガス，及びこのエッチングガスをオクタクロロシクロペンテンを出発物質として連続工程によって工業的な規模で製造する方法を提供することにある。
　また，本発明の目的は，ＵＬＳＩ製造の際にエッチングガスとして使用できる高純度のＣ５Ｆ８を効率よく製造する方法を提供することにある。具体的には，９９．９９５容量％以上の純度を有し，窒素ガス５０容量ｐｐｍ以下，酸素ガス５容量ｐｐｍ以下，水分５重量ｐｐｍ以下，金属成分５重量ｐｐｂ以下を含む半導体用ドライエッチングガスの製造方法を提供することにある。
特に，超微細パターンの形成および半導体装置の性能に致命的な金属成分，特にＡｌ，Ｃａ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｎａ，Ｎｉ，Ｚｎなどを５重量ｐｐｂ以下に除去する方法を
　本発明は，オクタクロロシクロペンテンを出発物質として高純度のオクタクロロシクロペンテンを連続工程で製造することにその特徴がある。
　Ｃ５Ｆ８を主成分とする半導体製造用エッチングガスにおいて，Ｃ５Ｆ８９９．９９５容量％以上，金属成分含量５重量ｐｐｂ以下の超高純度のエッチングガスは，未だこの分野で生産または販売されたことがない。」
３．引用例３について
　当審拒絶理由通知で引用された引用例３には，次の記載がある。
「【００５３】（第１実施例）次に，エッチング装置１００を用いて，
エッチングプロセスに用いるガスにＣ3Ｆ6とＡｒとＯ2とから成る混合ガスを使用して
【００５４】（第２実施例）また，処理室１０２内の全圧を変化させたときの，エッチング特性の結果を図４および図５に示す。なお，Ｃ3Ｆ6の流量を１３ｓｃｃｍ，Ａｒの流量を５６０ｓｃｃｍ，Ｏ2の流量を３ｓｃｃｍに固定し，Ｏ2／Ｃ3Ｆ6の標準状態流量比を０．２３に維持し，不図示の排気バルブを制御することにより全圧を変化させて，Ｃ3Ｆ6の分圧を制御した。また，他の条件は，第１実施例と同じである。
【００５５】（第３実施例）さらに，Ｏ2の流量を変化させたときの，エッチング特性の結果を図６および図７に示す。なお，処理室１０２内のプロセス圧は，４０ｍＴｏｒｒに維持し，Ａｒの流量を５６０ｓｃｃｍ，Ｃ3Ｆ6の流量を１３ｓｃｃｍに固定した。また，他の条件は，第１実施例と同じである。
【００５６】これら第１〜第３実施例における図２〜図７に示した結果から，Ｃ3Ｆ6とＯ2の流量比が０．１≦Ｏ2／Ｃ3Ｆ6≦１．０で，かつ分圧が０．５ｍＴｏｒｒ〜２．０ｍＴｏｒｒの範囲では，
ＳｉＯ2膜でのエッチングレートが５００ｎｍ／分以上で，フォトレジスト層に対するＳｉＯ2膜の選択比が約５以上であると共に，直径０．４μのコンタクトホールをアスペクト比５で抜くことができる
４．引用例４，５について
ア　当審拒絶理由通知で引用された引用例４には，次の記載がある。
「［実施例］
　第１実施例（第１の発明の一実施例に相当する。第１〜４図参照）
　先ず，第１図（Ａ）に示すように，拡散層２が形成されているシリコン基板のような基板１上全面に，
シリコン化合物系からなる被エツチング膜としてのＳｉＯ２膜３を形成し，この被エッチング膜３の上に，フォトリソグラフィの技法で，基板１の拡散層２と対応する部分に開口４ａを有するレジストパターン４を形成する
　次に，マグネトロンＲＩＥにより，＜１＞第１ステップのエッチングと，＜２＞第２ステップのエッチングとを行う。
＜１＞第１ステップのエッチングでは，ＣＸＦ２Ｘ＋２，ＣＸＦ２Ｘ（Ｘ≧２の整数）から選ばれる少なくとも一種を含む第１ガスなる高次のフロンガスを原料ガスとして，パワー密度を１．３Ｗ／ｃｍ3以上に設定し，第１図（Ｂ）に示すように，
レジストパターン４をマスクとして，被エッチング膜３を基板ｌの拡散層２が露出する直前までエッチングして，被エッチング膜３に孔５を形成する
原料ガス　；
Ｃ３Ｆ５　
圧　　　力；２Ｐａ
パワー密度；２．７６Ｗ／ｃｍ3
磁　　　場；１００Ｇ（基板ｌ上で）
とした。この第１ステップのエッチングでは，第２図に示すように，原料ガスとパワー密度とからして，高速異方性のエッチングである。」
（当審註：上記において，＜１＞は丸に数字の１を意味する。＜２＞も同様である。）
イ　また，当審拒絶理由通知で引用された引用例５には，次の記載がある。
「【００１０】エッチングガスを供給口５から放電管２内へ供給し，毎期口７より放電管内を減圧にして，マイクロ波と磁界によりプラズマを発生させ，高周波電源１０により高周波電力を印加してエッチングを行う装置である。図１及び図２に一実施例でエッチングしたときのエッチング速度と選択比の特性図を示す。図１，図２共にエッチングガスとしてＣ4Ｆ8を用い，酸素ガスの添加量に対するエッチング速度及び選択比を示している。また，図１は高マイクロ波出力印加（１ｋＷ）時のものであり，図２は低マイクロ波出力印加（７５０Ｗ）時のものである。低マイクロ波印加時では，酸素添加しても十分な選択比が得られないが，高マイクロ波を印加し酸素を添加することにより高選択比が得られる。本実施例はＣ4Ｆ8ガスを用いた場合を示しているが，これ以外のガスとしてＣ2Ｆ6，
Ｃ3Ｆ6
【００１１】本発明の他の実施例を図４により説明する。図４はエッチング処理後の，コンタクトホールのエッチング断面図を示す。図４において，
レジスト１８をマスクとし，シリコン酸化膜１７をエッチングするものである
ウ　以上の記載から，上記引用例４及び引用例５には以下の技術が記載されていると理解できる。
・ヘキサフルオロプロペンを用いて，半導体基板上に形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を，前記シリコン酸化膜やシリコン窒化膜上に形成されたレジストパターンをマスクとしてドライエッチングする技術。
第６　対比・判断
１．本願発明１と引用発明１との一致点及び相違点
　本願発明１と引用発明１を比較する。
本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）と，上記引用例１に記載された発明（以下「引用発明１」という。）を比較する。
ア　引用発明１における「純度が９９．９９ｖｏｌ％以上のヘキサフルオロプロピレン」は，本願発明１における「純度が９９．７質量％以上に精製されたヘキサフルオロプロペン」に相当する。
イ　引用発明１における「クリーニングガス」は，半導体製造装置内の堆積物をエッチング除去するものであるから，本願発明１の「ドライエッチングガス」に相当する。
ウ　引用発明１において「ヘキサフルオロプロピレン」を除いた残部は０．０１ｖｏｌ％であるから，本願発明１と引用発明１は，ともに「窒素含有量が０．３体積％以下であり，水分含有量が０．０３質量％以下」である点で一致する。
エ　引用発明１における，「クリーニングガス」を「プラズマ条件で使用すること」は，本願発明１における「ヘキサフルオロプロペンからなるドライエッチングガスをプラズマ化して得られるプラズマガスを用いて」「エッチングすること」に相当する。
オ　引用発明１における「堆積物をエッチングにより取り除く方法」は，本願発明１における「ドライエッチング方法」に相当する。
　以上のア〜オによれば，本願発明１と引用発明１の一致点，相違点は以下のとおりである。
＜一致点＞
「純度が９９．７質量％以上であり，
　窒素含有量が０．３体積％以下であり，
　水分含有量が０．０３質量％以下であり，
ヘキサフルオロプロペンからなるドライエッチングガスをプラズマ化して得られるプラズマガスを用いてエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。」である点。
＜相違点１＞
　本願発明１の「ドライエッチングガス」が「誘導結合プラズマ質量分析計により測定したＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ及びＳｂの各金属成分の濃度の和が４７７質量ｐｐｂ以下であり」，「Ｆｅの濃度が１５３質量ｐｐｂ以下であり，Ｎｉの濃度が１２１質量ｐｐｂ以下であり，Ｃｒの濃度が７７質量ｐｐｂ以下であり，Ａｌの濃度が７３質量ｐｐｂ以下であり，Ｓｂの濃度が５３質量ｐｐｂ以下である」のに対し，引用発明１の「クリーニングガス」は，「Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ及びＳｂの各金属成分」の濃度及び「各金属成分の濃度の和」が特定されていない点。
＜相違点２＞
　本願発明１では「半導体基板上に形成されたシリコン酸化物，シリコン窒化物，およびシリコン酸窒化物からなる群より選ばれる少なくとも１種のシリコン系材料を，前記シリコン系材料の上に形成された開口部を有するレジストパターンをマスクとして，前記マスクに対して，前記シリコン系材料との選択比が１０以上で選択的にエッチングする」のに対し，引用発明１では「半導体製造装置内の堆積物をエッチング」する点。
２．相違点に対する判断
　事案に鑑み，相違点１及び２についてまとめて検討する。
　引用例２の段落［０００２］の記載から，エッチングガスに含まれる金属成分が基準値以上に存在する場合に，微細パターンの形成に致命的な影響を与え，半導体装置の性能に影響を与えることは，当業者に周知の事項である。また，引用例２の段落［００１４］から，そのような致命的な影響を与える金属成分として，例えばＦｅ，Ｎｉ，Ａｌ等が周知であるといえる。引用例２の段落［０００２］には，「ユーザーは金属成分の含量を５ｐｐｂ以下の要求がある」との記載もある。
　一方，引用例１には金属不純物についての言及はないものの，少なくとも高純度のヘキサフルオロプロピレン（ヘキサフルオロプロペン）が好ましいことは示唆されているといえる。
　以上によれば，金属不純物含有量がより少ない高純度ヘキサフルオロプロペンガスを用いてエッチングを行うこと自体は，上記引用例２の周知事項を知る当業者であれば，引用発明１から容易になし得たことであるといえる。
　また，上記相違点２のうち，「半導体基板上に形成されたシリコン酸化物，シリコン窒化物，およびシリコン酸窒化物からなる群より選ばれる少なくとも１種のシリコン系材料を，前記シリコン系材料の上に形成された開口部を有するレジストパターンをマスクとしてエッチングする」技術は，引用例４及び５にも記載された周知技術である（第５の４．ウを参照）。
　しかしながら，ヘキサフルオロプロペンガスを用いたエッチングにおいて，「誘導結合プラズマ質量分析計により測定したＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ及びＳｂの各金属成分の濃度の和が４７７質量ｐｐｂ以下であり」，かつ，「Ｆｅの濃度が１５３質量ｐｐｂ以下であり，Ｎｉの濃度が１２１質量ｐｐｂ以下であり，Ｃｒの濃度が７７質量ｐｐｂ以下であり，Ａｌの濃度が７３質量ｐｐｂ以下であり，Ｓｂの濃度が５３質量ｐｐｂ以下である」と特定することにより，「前記マスクに対して，前記シリコン系材料との選択比が１０以上で選択的にエッチングする」ことは，引用例２〜５のいずれにも記載されておらず，示唆もされていない事項である。
（３）小括
　したがって，当業者といえども，引用発明１及び引用例２〜５に記載された技術的事項に基づいて，上記相違点１及び２に係る構成を想到することが容易になし得たとはいえないから，本願発明１は，引用発明１及び引用例２〜５に記載された事項から当業者が容易に発明できたものとはいえない。
３．本願発明２〜５について
　本願発明２〜５も，上記相違点１及び２に係る構成，すなわち，本願発明１の「誘導結合プラズマ質量分析計により測定したＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ及びＳｂの各金属成分の濃度の和が４７７質量ｐｐｂ以下であり」，「Ｆｅの濃度が１５３質量ｐｐｂ以下であり，Ｎｉの濃度が１２１質量ｐｐｂ以下であり，Ｃｒの濃度が７７質量ｐｐｂ以下であり，Ａｌの濃度が７３質量ｐｐｂ以下であり，Ｓｂの濃度が５３質量ｐｐｂ以下である」，「半導体基板上に形成されたシリコン酸化物，シリコン窒化物，およびシリコン酸窒化物からなる群より選ばれる少なくとも１種のシリコン系材料を，前記シリコン系材料の上に形成された開口部を有するレジストパターンをマスクとして，前記マスクに対して，前記シリコン系材料との選択比が１０以上で選択的にエッチングする」との構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，引用発明１及び引用例２〜５に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明できたものとはいえない。
第７　原査定についての判断
　当審拒絶理由通知後の補正により，本願発明１〜５は「誘導結合プラズマ質量分析計により測定したＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ及びＳｂの各金属成分の濃度の和が４７７質量ｐｐｂ以下であり」，「Ｆｅの濃度が１５３質量ｐｐｂ以下であり，Ｎｉの濃度が１２１質量ｐｐｂ以下であり，Ｃｒの濃度が７７質量ｐｐｂ以下であり，Ａｌの濃度が７３質量ｐｐｂ以下であり，Ｓｂの濃度が５３質量ｐｐｂ以下である」，「半導体基板上に形成されたシリコン酸化物，シリコン窒化物，およびシリコン酸窒化物からなる群より選ばれる少なくとも１種のシリコン系材料を，前記シリコン系材料の上に形成された開口部を有するレジストパターンをマスクとして，前記マスクに対して，前記シリコン系材料との選択比が１０以上で選択的にエッチングする」という事項を有するものとなっており，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用文献１〜４に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。したがって，原査定の理由を維持することはできない。
第８　当審拒絶理由について
１．特許法３６条６項１号について
　当審では，請求項１はＦｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ及びＳｂの濃度の和のみ特定されているところ，各金属成分の比率として任意のものを含む場合にまで発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できないから，請求項１に係る発明は発明の詳細な説明に記載されたものではないとの拒絶の理由を通知している。
　これに対し，令和２年９月１日提出の手続補正書でした補正により，当該補正前の請求項１に「Ｆｅの濃度が１５３質量ｐｐｂ以下であり，Ｎｉの濃度が１２１質量ｐｐｂ以下であり，Ｃｒの濃度が７７質量ｐｐｂ以下であり，Ａｌの濃度が７３質量ｐｐｂ以下であり，Ｓｂの濃度が５３質量ｐｐｂ以下である」との事項を付加する補正がされた結果，この拒絶の理由は解消された。
２．特許法３６条６項２号について
　当審では，請求項４は，請求項１と同じ「エッチングガス」の発明であり，かつ，請求項１を引用する請求項であるところ，請求項４における「添加ガスと不活性ガスとを含む」との記載は，その意味が不明確であるとの拒絶の理由を通知しているが，令和２年９月１日提出の手続補正書でした補正により，当該補正前の請求項４に「前記ドライエッチングガスは，前記ヘキサフルオロプロペンと，」との事項を追加する補正がされた結果，この拒絶の理由は解消された。
第９　結言
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。