【事件の表示】
　特願２０１８−２１１９１９「光電変換装置」拒絶査定不服審判事件〔平成３１年　２月１４日出願公開、特開２０１９−　２４１２６、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年１１月２日（優先権主張：平成２１年１１月６日）に出願した特願２０１０−２４６１９５号（以下「原出願」という。）の一部を平成２６年２月２５日に新たな特許出願とした特願２０１４−３３８９６号の更にその一部を平成２７年２月１７日に新たな特許出願とした特願２０１５−２８３２２号の更にその一部を平成２８年７月２６日に新たな特許出願とした特願２０１６−１４６０１５号の更にその一部を平成２９年１１月１４日に新たな特許出願とした特願２０１７−２１８８３５号の更にその一部を平成３０年１１月１２日に新たな特許出願としたものであって、その後の手続の概要は、以下のとおりである。
　平成３０年１２月　３日　　：上申書の提出
　令和　元年　９月２５日付け：拒絶理由通知書（起案日）
　令和　元年１１月２０日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和　２年　４月１４日付け：拒絶査定（起案日）（以下、「原査定」という。）
　令和　２年　７月　６日　　：審判請求書の提出
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
　本願請求項１、２に係る発明は、以下の引用文献１−４に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．特表２００９−５３５８１９号公報
２．特開２００９−１３５３１９号公報（周知技術を示す文献）
３．特開２００２−２４６５８０号公報（周知技術を示す文献）
４．米国特許出願公開第２００７／００１８０７５号明細書（周知技術を示す文献）
第３　本願発明
　本願請求項１、２に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」、「本願発明２」という。）は、令和　元年１１月２０日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１、２は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　光電変換素子と、転送トランジスタと、増幅トランジスタと、を有し、
　前記光電変換素子は、前記転送トランジスタを介して、前記増幅トランジスタと電気的に接続され、
　前記転送トランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、
　前記増幅トランジスタは、シリコン半導体層にチャネル形成領域を有し、
　前記転送トランジスタは、前記増幅トランジスタ上に形成された絶縁膜を介して設けられている光電変換装置。
【請求項２】
　第１及び第２の光電変換素子と、第１及び第２の転送トランジスタと、増幅トランジスタと、を有し、
　前記第１の光電変換素子は、前記第１の転送トランジスタを介して、前記増幅トランジスタと電気的に接続され、
　前記第２の光電変換素子は、前記第２の転送トランジスタを介して、前記増幅トランジスタと電気的に接続され、
　前記第１及び第２の転送トランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、
　前記増幅トランジスタは、シリコン半導体層にチャネル形成領域を有し、
　前記第１及び第２の転送トランジスタは、前記増幅トランジスタ上に形成された絶縁膜を介して設けられている光電変換装置。」
第４　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審により付加したもの。以下同じ。）
「【００１５】
　次に図について述べるが、類似の参照番号は類似の要素を示し、図２は、形成されたトランジスタがピクセル回路のためのトランスファートランジスタである、一実施形態にしたがって構成された撮像（imager）ピクセル回路２００の構造の最初の段階の断面図を示す。
ピクセル回路２００は、第一の導電体型であるシリコン（Ｓｉ）基板２０５、基板２０５内に形成され、ピクセルを囲い、分離させるＳＴＩ領域２１０を含む
第二の導電体型であるドープ領域２１５は基板２０５内に形成され、光変換デバイス２１４（図３）の一部になる
光変換デバイス２１４（図３）は埋め込みフォトダイオードである
【００１６】
　図３は撮像ピクセル回路２００の形成の次に続く段階の断面図を示す。光変換デバイス２１４のためのドープ表面層２１６が注入される。ドープ表面層２１６は第一の導電体型にドーピングされる。例示的には、ドープ表面層２１６は高ドープｐ＋表面層であり、深さ約０．１マイクロメートルに形成される。ホウ素、インジウム、または、他の適当なｐ型ドーパントなどのｐ型ドーパントが、ｐ＋表面層２１６を形成するために使用されてよい。
酸化亜鉛スズ（zinc　tin　oxide：ＺＴＯ）２２５の層はＳＴＩ領域２１０、ドープ領域２１５、２１６の一部分およびＳｉＯ２層２２０部分の上に形成される
ＺＴＯ層２２５は、
トランスファートランジスタ２１９（図６）のために効果的な第二の選択的導電性チャネルを形成する半導体材料である
【００１７】
　ＺＴＯ薄膜は、３．３から３．９ｅＶの範囲で、広く直接的な光バンドギャップ（band　gap）特性を持つ。これは、この材料における大きなバースタイン−モスシフトによる。バースタイン−モス効果は、増加した自由電子濃度でみたされている伝導帯である。ＺＴＯはまた、酸化およびエッチングに関連した化学的安定性および、物理的な丈夫さを含む有用な性質を持つ。ＺＴＯでのキャリアの移動度は、公知の透明金属酸化物の中で最もよいものの一つであり、それゆえ、トランジスタベースの他の透明金属酸化物ゲート材料と比較して、高比率のオンおよびオフ電流がＺＴＯによって可能である。ＺＴＯ層２２５部分はピクセルのトランジスタのためのチャネル領域として使用される。ソース／ドレイン領域２８１は、好ましくは非常に低いショットキーバリアである伝統的なドーピングによってＺＴＯ層に形成されることができる。代わりに、ソース／ドレイン領域２８１は直接金属蒸着（direct metal deposition）によってＺＴＯ層２２５上に形成されることもできる。
【００１８】
　図４は、撮像ピクセル回路２００の形成の次に続く段階の断面図を示す。透明誘電体層２３０はＺＴＯ層２２５部分の上に形成される。誘電体層２３０は典型的に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化スズ（ＴｉＯ３）、または原子層蒸着二酸化ケイ素（ＡＬＤ　ＳｉＯ２）のような材料で構成される。
【００１９】
　図５は、撮像ピクセル回路２００の形成の次に続く段階の断面図を示す。トランスファーゲート電極２４０は少なくとも誘電性材料２３０部分上に形成される。リセットトランジスタ２２１のリセットゲート電極２４１はＳｉＯ２層２２０の一部を覆って形成される。トランスファーゲート電極２４０は任意の適切な導電性材料であってよく、好ましくは、放射エネルギーを透過する材料で、ドープポリシリコンもしくは酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）のような透明材料を含むがそれに限定されない。トランスファーゲート電極２４０は誘電体層２３０の一部もしくは全体を覆うことができる。トランスファートランジスタ２１９への透明材料の使用は、トランスファートランジスタ２１９（図６）が、光変換デバイス２１４の少なくとも一部を覆って直接配置されることを可能にする。それはまた、光変換デバイス２１４の全体を覆って配置されてもよく、フィルファクタおよび量子効果における劇的な改良を提供している。実施形態は、ＺＴＯ層２２５で約１００Åから２５００Å、誘電体層２３０で約５０Åから３００Å、トランスファートランジスタゲート電極２４０で約５００Åから１０００Åの範囲の厚さである。ＺＴＯ層２２５の厚さは、異なる実施例によって変化してもよい。例えば、吸収損を減少させるために薄くし、平坦化のためには厚くする。「フィルファクタ」は、ピクセルの表面積に対するフォトダイオードの光感光領域のサイズの基準である。アクティブピクセルセンサ（ＡＰＳ）技術においては、それぞれのピクセルがアクティブ回路を形成するトランジスタを含む。
【００２０】
　一般的に、これらのトランジスタは光感光領域ではなく、それゆえピクセルのフィルファクタを減少させる。それは、トランジスタは、トランジスタを形成していなければフォトダイオードの面積を増加させることのできる空間（表面積）を占めるからである。
【００２１】
　フローティング拡散領域２４５、および、リセットトランジスタ２２１（図６）のソース／ドレイン領域２５１は、プラズマドーピング（ＰＬＡＤ）工程を含む、公知の方法によって注入される（implanted ）。フローティング拡散領域２４５およびリセットトランジスタ２２１（図６）のソース／ドレイン領域２５１は、第二の導電性型の領域として形成され、この例ではｎ型である。リン、ヒ素、もしくはアンチモンのような任意の適切なｎ型ドーパントが使われてもよい。フローティング拡散領域２４５はトランスファートランジスタ２１９（図６）ゲートスタックとリセットトランジスタ２２１ゲートスタックの間に形成される。リセットトランジスタ２２１のソース／ドレイン領域２５１はリセットトランジスタ２２１と第二のＳＴＩ領域２１１の間に形成される。
フローティング拡散領域２４５は、誘電体として機能するＳｉＯ２層２２０の下のドープ領域２１５とフローティング拡散領域２４５の間の第一のチャネルを通して、光変換デバイス２１４から集められた電荷を蓄積する
【００２２】
　図６は開示された実施形態にしたがって構成された
撮像ピクセル回路２００
トランスファートランジスタ２１９ゲートスタックは、この時点で、ＳｉＯ２層２２０、ＺＴＯ層２２５、誘電体層２３０、およびトランスファーゲート電極２４０を含む
ＺＴＯ層２２５にトランスファートランジスタ２１９の第二のチャネルとしての機能を与える
トランスファートランジスタ２１９は、ゲート電極２４０上のゲート制御信号の実施例に関する光変換デバイス２１４から電荷を転送するために機能する二つのチャネルを有する。すなわちドープ領域２１５とフローティング拡散領域２４５の間の基板２０５の領域、およびソース／ドレイン領域２８１の間のＺＴＯ層領域２２５である。
【００２３】
　
読み出し回路６００（配線略図に示される）は導線２６０を介してフローティング拡散領域２４５に接続する。読み出し回路６００は、導線２６０を介してフローティング拡散領域２４５に接続するゲートを持つソースフォロワートランジスタ６１０を含み、第一のソース／ドレイン領域はピクセル供給電圧Ｖａａｐｉｘに接続する。
【００２４】
　示された実施形態は、光変換デバイス２１４上に部分的にもしくは全体的に供給されうるトランスファートランジスタのための透明薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を供給する。伝統的な処理方法はピクセル２００を完成させるために使用される。例えば、ゲートラインに接続するための、絶縁、遮蔽、または金属被覆層、ならびにピクセル２００へのその他の接続が形成されてもよい。さらに、表面全体は、例えば、二酸化ケイ素、ＢＳＧ、ＰＳＧ、またはＢＰＳＧなどの不活性化層（不図示）で被覆されてよく、コンタクトホールを供給するためにＣＭＰ平坦化およびエッチングがなされ、コンタクトを供給するために金属被覆がなされる。伝統的な導体と絶縁体の層は、構体の相互接続およびピクセル２００と周辺回路の接続に使用されてもよい。
【００２５】
　加えて、
ピクセル回路内
トランスファートランジスタ２１９
ソースフォロワートランジスタ６１０
（２）引用発明１
　したがって、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「第一の導電体型であるシリコン（Ｓｉ）基板２０５、基板２０５内に形成され、ピクセルを囲い、分離させるＳＴＩ領域２１０を含む、ピクセル回路２００であって、
　第二の導電体型であるドープ領域２１５は基板２０５内に形成され、光変換デバイス２１４の一部になり、光変換デバイス２１４は埋め込みフォトダイオードであり、
　ピクセル回路内に、トランスファートランジスタ２１９、ソースフォロワートランジスタ６１０を有し、
　トランスファートランジスタ２１９は、ゲート電極２４０上のゲート制御信号の実施例に関する光変換デバイス２１４から電荷を転送するために機能する二つのチャネル、すなわち、ドープ領域２１５とフローティング拡散領域２４５の間の基板２０５の領域、およびソース／ドレイン領域２８１の間のＺＴＯ層領域２２５を有し、
　フローティング拡散領域２４５は、誘電体として機能するＳｉＯ２層２２０の下のドープ領域２１５とフローティング拡散領域２４５の間の第一のチャネルを通して、光変換デバイス２１４から集められた電荷を蓄積し、
　読み出し回路６００は、導線２６０を介してフローティング拡散領域２４５に接続するゲートを持つソースフォロワートランジスタ６１０を含む、ピクセル回路２００。」
２　引用文献２について
（１）引用文献２の記載事項
　また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００４４】
　図４に、本発明に係る固体撮像装置、いわゆる
ＣＭＯＳイメージセンサ
４つの画素、すなわち光電変換素子である４つのフォトダイオードに対して、転送トランジスタを除く他の画素トランジスタを共有した画素構成の組（以下、共有画素という）を配列した場合である
【００４５】
　本実施の形態に係る固体撮像装置３１は、複数の共有画素３２が規則性をもって２次元配列された撮像部（いわゆる画素部）３と、撮像部３の周辺に配置された周辺回路、すなわち垂直駆動部４、水平転送部５及び出力部６とを有して構成される。
共有画素３２は、複数、本例では４つの光電変換素子であるフォトダイオードＰＤと、４つの転送トランジスタと、各１つのリセットトランジスタ、増幅トランジスタ及び選択トランジスタとから構成される
（２）上記記載から、引用文献２には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
　「ＣＭＯＳイメージセンサにおいて、４つの光電変換素子であるフォトダイオードＰＤと、４つの転送トランジスタと、１つの増幅トランジスタとから構成される共有画素３２。」
３　引用文献３について
（１）引用文献３の記載事項
　また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２４】図１に示すように、本実施の形態における
ＣＭＯＳイメージセンサは、
半導体基板３１上に形成されたトランジスタ２２,２４と、このトランジスタ２２,２４上に層間絶縁膜３７を介して形成された半導体層３８と、この半導体層３８に形成された薄膜トランジスタ２６,２８と
から構成される
「【００５４】尚、上記
４つのトランジスタのレイアウトについては、上下や組み合わせ等は必要に応じて自由に設定することが可能である
（２）上記記載から、引用文献３には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
　「ＣＭＯＳイメージセンサにおいて、半導体基板３１上に形成されたトランジスタ２２、２４と、このトランジスタ２２、２４上に層間絶縁膜３７を介して形成された半導体層３８と、この半導体層３８に形成された薄膜トランジスタ２６、２８とから構成されること。」
４　引用文献４について
（１）引用文献４の記載事項
　また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４には、図面とともに次の事項が記載されている。（和訳は当審による。以下同じ。）
「[0038] FIG. 4 is a cross-section view of a pixel of a first example of an image sensor according to the present invention. 
The image sensor comprises a lower semiconductor substrate 100 and an upper semiconductor substrate 101 separated from each other by an intermediary insulating layer 102.
Each pixel comprises a photodiode 103 and an access transistor 104 formed in and above lower substrate 100, as well as 3 read transistors T1, T2, and T3 formed in and above upper substrate 101.
（「図４は、本発明に係るイメージセンサの第１実施例の画素の断面図である。
イメージセンサは、中間の絶縁層１０２によって互いに分離された下部半導体基板１００と上部半導体基板１０１を備えている。
各画素は、下部基板１００の内部及び上方に形成されたフォトダイオード１０３及びアクセストランジスタ１０４と、上部基板１０１の内部及び上方に形成された３個の読み出しトランジスタＴ１、Ｔ２、及びＴ３と、を有する。
（２）上記記載から、引用文献４には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
　「イメージセンサにおいて、中間の絶縁層１０２によって互いに分離された下部基板１００と上部基板１０１とを備え、下部基板１００に形成されたアクセストランジスタ１０４と、上部基板１０１に形成された３個の読み出しトランジスタＴ１、Ｔ２、及びＴ３を有すること。」
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明１とを対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明１の「埋め込みフォトダイオード」である「光変換デバイス２１４」は、本願発明１の「光電変換素子」に相当し、引用発明１の「ピクセル回路２００」は、「光変換デバイス２１４」から構成されるものであるから、本願発明１の「光電変換装置」に相当する。
イ　引用発明１の「トランスファートランジスタ２１９」、「ソースフォロワートランジスタ６１０」は、それぞれ、本願発明１の「転送トランジスタ」、「増幅トランジスタ」に相当する。
ウ　引用発明１では、「トランスファートランジスタ２１９は、ゲート電極２４０上のゲート制御信号の実施例に関する光変換デバイス２１４から電荷を転送するために機能する二つのチャネルを有し、ドープ領域２１５とフローティング拡散領域２４５の間の基板２０５の領域、およびソース／ドレイン領域２８１の間のＺＴＯ層領域２２５であり、フローティング拡散領域２４５は、誘電体として機能するＳｉＯ２層２２０の下のドープ領域２１５とフローティング拡散領域２４５の間の第一のチャネルを通して、光変換デバイス２１４から集められた電荷を蓄積」するものであるから、「光変換デバイス２１４」は、「トランスファートランジスタ２１９」を介して、「フローティング拡散領域２４５」と電気的に接続されている。更に、「導線２６０を介してフローティング拡散領域２４５に接続するゲートを持つソースフォロワートランジスタ６１０」を有するものであるから、引用発明１の「光変換デバイス２１４」は、「トランスファートランジスタ２１９」を介して、「ソースフォロワートランジスタ６１０」と電気的に接続されていると認められる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１とは、「前記光電変換素子は、前記転送トランジスタを介して、前記増幅トランジスタと電気的に接続され」る点で一致する。
エ　引用発明１の「トランスファートランジスタ２１９」は、「ＺＴＯ層領域２２５」にチャネルを形成することから、本願発明１と引用発明１とは、「前記転送トランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有」する点で一致する。
オ　したがって、本願発明１と引用発明１との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
（一致点）
　「光電変換素子と、転送トランジスタと、増幅トランジスタと、を有し、
　前記光電変換素子は、前記転送トランジスタを介して、前記増幅トランジスタと電気的に接続され、
　前記転送トランジスタは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有している光電変換装置。」
（相違点）
（相違点１）「増幅トランジスタ」について、本願発明１では、「シリコン半導体層にチャネル形成領域を有」するのに対し、引用発明１では、そのような特定はなされていない点。
（相違点２）本願発明１では、「前記転送トランジスタは、前記増幅トランジスタ上に形成された絶縁膜を介して設けられている」のに対し、引用発明１では、そのような特定はなされていない点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑みて、上記相違点２について先に検討する。
　上記引用文献３、４の技術的事項から、基板上のトランジスタ上に、絶縁膜を介して、他のトランジスタを形成することは、周知技術である。
　しかしながら、引用発明１の「トランスファートランジスタ２１９」は、「ドープ領域２１５とフローティング拡散領域２４５の間の基板２０５の領域」及び「ソース／ドレイン領域２８１の間のＺＴＯ層領域２２５」の二つの領域を、それぞれチャネルとして用いるものであり、「トランスファートランジスタ２１９」の構成に「基板２０５の領域」が必ず含まれるものである。
　そうすると、引用発明１において、当該周知技術を適用するならば、「トランスファートランジスタ２１９」の構成に「基板２０５の領域」が必ず含まれるものであるから、「トランスファートランジスタ２１９」は周知技術の「基板上のトランジスタ」に対応し、「基板２０５」上にある「トランスファートランジスタ２１９」上に、絶縁膜を介して、他のトランジスタを形成することとなり、相違点２に係る本願発明１の構成と相違するものと認められる。
　また、本願発明１の「前記転送トランジスタは、前記増幅トランジスタ上に形成された絶縁膜を介して設けられている」ことは、上記引用文献２にも記載されていない。
　したがって、上記相違点１について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても引用発明及び引用文献２−４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２について
　本願発明２は、本願発明１の「光電変換素子」及び「転送トランジスタ」を、「第１及び第２の光電変換素子」及び「第１及び第２の転送トランジスタ」に代えた発明であり、本願発明１の「前記転送トランジスタは、前記増幅トランジスタ上に形成された絶縁膜を介して設けられている」ことに対応する構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明及び引用文献２−４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明１、２は、当業者が引用発明及び引用文献２−４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。