【手続補正書】
【提出日】令和1年5月17日(2019.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理装置において使用するためのシャワーヘッドであって、
第１の表面および前記第１の表面に対向する第２の表面を有するプレナム区域と、前記第１の表面および前記第２の表面は前記シャワーヘッドの前記プレナム区域を少なくとも部分的に画定し、
複数のフェースプレート貫通穴を備えるフェースプレートと、前記複数のフェースプレート貫通穴は前記フェースプレートの第１の側から第２の側まで延在し、前記フェースプレートの前記第１の側は前記プレナム区域の前記第１の表面を画定し、前記フェースプレート貫通穴はそれぞれ約０．０４インチ（１．０１６ｍｍ）以下の径方向の直径を有し、
前記フェースプレートに対向するバックプレートと、前記バックプレートの側面は、前記プレナム区域の前記第２の表面を画定し、
前記バックプレートに連結され、前記プレナム区域と流体連通するステムと、
複数のバッフル貫通穴を有するバッフルプレートであって、前記バッフルプレートを通して前記バッフルプレートのエッジ付近にガス流を分配するように構成され、前記プレナム区域と前記ステムとの間の領域内に少なくとも部分的にまたは完全に配置される、バッフルプレートと
を備える、シャワーヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載のシャワーヘッドであって、前記領域は、前記バックプレートの前記側面に凹設され、前記プレナム領域と直接的に流体連通し、前記ステムと直接的に流体連通し、前記ステム、前記凹状領域、および前記プレナム区域はそれぞれ、円筒状区域を画定し、前記プレナム区域の直径は、前記凹状領域の外径よりも大きく、前記凹状領域の前記直径は、前記ステムの直径よりも大きい、シャワーヘッド。
【請求項３】
請求項１に記載のシャワーヘッドであって、前記バッフルプレートの多孔率は、約５％〜約２５％であり、前記複数のバッフル貫通穴は、前記バッフルプレートの中心よりも前記バッフルプレートの前記エッジのより近くに配置される、シャワーヘッド。
【請求項４】
請求項１に記載のシャワーヘッドであって、前記バッフルプレートの前記直径は、前記ステムの内径よりも大きく、前記フェースプレートの直径の少なくとも４分の１である、シャワーヘッド。
【請求項５】
請求項１に記載のシャワーヘッドであって、前記フェースプレート貫通穴のそれぞれの直径は、約０．０１インチ（０．２５４ｍｍ）〜約０．０３インチ（０．７６２ｍｍ）である、シャワーヘッド。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載のシャワーヘッドであって、前記フェースプレート貫通穴の個数は、約３００個〜約６００個である、シャワーヘッド。
【請求項７】
請求項１から５のいずれか一項に記載のシャワーヘッドであって、前記フェースプレート貫通穴の前記直径は、前記フェースプレートから出るガス流の空間的均一性を上昇させるように構成されている、シャワーヘッド。
【請求項８】
請求項１から５のいずれか一項に記載のシャワーヘッドであって、前記フェースプレート貫通穴の前記直径は、前記フェースプレートの外部から前記プレナム区域内に進むプラズマの逆流を軽減するように構成されている、シャワーヘッド。
【請求項９】
請求項１から５のいずれか一項に記載の前記シャワーヘッドを備える半導体処理ステーション。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体処理ステーションはさらに、  前記半導体処理ステーション内に基板を供給し、
前記基板の前記表面上に吸着されるように前記シャワーヘッドを介して前記半導体処理ステーションに反応ガスを導入し、
前記シャワーヘッドを介して前記半導体処理ステーションにパージガスを導入し、
前記基板の前記表面上の吸着された反応ガスから薄膜層を形成するためにプラズマを印加する
動作を実行するための命令で設定されているコントローラを備える、半導体処理ステーション。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体処理ステーションであって、前記プラズマは約５００Ｗ超のＲＦ電力にて印加され、前記薄膜層の膜非均一性は約０．５％未満である、半導体処理ステーション。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体処理ステーションであって、前記薄膜層の前記膜非均一性は約０．３％未満である、半導体処理ステーション。
【請求項１３】
請求項１０に記載の半導体処理ステーションであって、原子層堆積（ＡＬＤ）サイクルにおける前記薄膜層の形成は、約１．５秒未満で実行される、半導体処理ステーション。
【請求項１４】
半導体処理装置において使用するためのシャワーヘッドであって、
第１の表面および前記第１の表面に対向する第２の表面を有するプレナム区域と、前記第１の表面および前記第２の表面は前記シャワーヘッドの前記プレナム区域を少なくとも部分的に画定し、
複数のフェースプレート貫通穴を備えるフェースプレートと、前記複数のフェースプレート貫通穴は前記フェースプレートの第１の側から第２の側まで延在し、前記フェースプレートの前記第１の側は前記プレナム区域の前記第１の表面を画定し、前記複数のフェースプレート貫通穴は中央貫通穴および前記中央貫通穴を囲むエッジ貫通穴を備え、前記エッジ貫通穴は構成された前記シャワーヘッドの使用対象である基板の直径よりも大きな直径で前記フェースプレートの前記第２の側において周方向に配置され、
前記フェースプレートに対向するバックプレートと、前記バックプレートの側面は、前記プレナム区域の前記第２の表面を画定し、
前記バックプレートに連結され、前記プレナム区域と流体連通するステムと、
複数のバッフル貫通穴を有するバッフルプレートであって、前記バッフルプレートを通して前記バッフルプレートのエッジ付近にガス流を分配するように構成され、前記プレナム区域と前記ステムとの間の領域内に少なくとも部分的にまたは完全に配置される、バッフルプレートと
を備える、シャワーヘッド。
【請求項１５】
請求項１４に記載のシャワーヘッドであって、前記エッジ貫通穴は、約３００ｍｍ超の直径を有するリングに沿って前記フェースプレートの前記第２の側において周方向に配置される、シャワーヘッド。
【請求項１６】
請求項１４に記載のシャワーヘッドであって、前記エッジ貫通穴は、前記フェースプレートの前記第１の側から前記第２の側にかけて約９０度未満の角度で傾斜される、シャワーヘッド。
【請求項１７】
請求項１６に記載のシャワーヘッドであって、前記エッジ貫通穴は、前記フェースプレートの前記第１の側から第２の側にかけて約７５度未満の角度で傾斜される、シャワーヘッド。
【請求項１８】
請求項１４に記載のシャワーヘッドであって、前記エッジ貫通穴は、第１のリングおよび前記第１のリングを囲む第２のリングに沿って前記フェースプレートの前記第２の側において周方向に配置される、シャワーヘッド。
【請求項１９】
請求項１８に記載のシャワーヘッドであって、前記第１のリングは、約３００ｍｍ超の直径を有し、前記第２のリングは、約３１０ｍｍ超の直径を有する、シャワーヘッド。
【請求項２０】
請求項１８に記載のシャワーヘッドであって、前記第２のリングの前記エッジ貫通穴は、前記フェースプレートの前記第１の側から第２の側にかけて約７５度未満の角度で傾斜される、シャワーヘッド。
【請求項２１】
請求項１４から２０のいずれか一項に記載のシャワーヘッドであって、前記領域は、前記バックプレートの前記側面に凹設され、前記プレナム領域と直接的に流体連通し、前記ステムと直接的に流体連通し、前記ステム、前記凹状領域、および前記プレナム区域はそれぞれ、円筒状区域を画定し、前記プレナム区域の直径は、前記凹状領域の外径よりも大きく、前記凹状領域の前記直径は、前記ステムの直径よりも大きい、シャワーヘッド。
【請求項２２】
請求項１４から２０のいずれか一項に記載のシャワーヘッドであって、前記バッフルプレートの前記直径は、前記ステムの内径よりも大きく、前記フェースプレートの直径の少なくとも４分の１である、シャワーヘッド。
【請求項２３】
請求項１４から２０のいずれか一項に記載のシャワーヘッドであって、前記フェースプレート貫通穴のそれぞれの直径は、約０．０４インチ未満である、シャワーヘッド。
【請求項２４】
請求項１４から２０のいずれか一項に記載のシャワーヘッドであって、前記エッジ貫通穴は、前記フェースプレートから出るガス流の空間的均一性を上昇させるように配置されている、シャワーヘッド。
【請求項２５】
請求項１４から２０のいずれか一項に記載の前記シャワーヘッドを備える半導体処理ステーション。
【請求項２６】
請求項２５に記載の半導体処理ステーションはさらに、
前記半導体処理ステーション内に基板を供給し、
前記基板の前記表面上に吸着されるように前記シャワーヘッドを介して前記半導体処理ステーションに反応ガスを導入し、
前記シャワーヘッドを介して前記半導体処理ステーションにパージガスを導入し、
前記基板の前記表面上の吸着された反応ガスから薄膜層を形成するためにプラズマを印加する
動作を実行するための命令で設定されているコントローラを備える、半導体処理ステーション。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４８】
以上、明瞭化および理解を促すために幾分か詳細に説明したが、特定の変更および修正が添付の特許請求の範囲内で実施されてもよいことが理解されよう。説明したプロセス、システム、および装置を実施する多数の代替的な方法が存在する点に留意されたい。したがって、記載した実施形態は、例示としておよび非限定的なものとして見なされるべきである。
適用例１：半導体処理装置において使用するためのシャワーヘッドであって、
第１の表面および前記第１の表面に対向する第２の表面を有するプレナム区域と、前記第１の表面および前記第２の表面は前記シャワーヘッドの前記プレナム区域を少なくとも部分的に画定し、
前記プレナム区域と流体連通する１つまたは複数のガス入口と、
複数のフェースプレート貫通穴を備えるフェースプレートと、前記複数のフェースプレート貫通穴は前記フェースプレートの第１の側から第２の側まで延在し、前記フェースプレートの前記第１の側は前記プレナム区域の前記第１の表面を画定し、前記フェースプレート貫通穴はそれぞれ約０．０４インチ（１．０１６ｍｍ）未満の直径を有し、
前記１つまたは複数のガス入口の近傍に配置されているバッフルと
を備える、シャワーヘッド。
適用例２：適用例１に記載のシャワーヘッドであって、前記バッフルは、複数のバッフル貫通穴を備える、シャワーヘッド。
適用例３：適用例２に記載のシャワーヘッドであって、前記バッフルの多孔率は、約５％〜約２５％である、シャワーヘッド。
適用例４：適用例１に記載のシャワーヘッドであって、前記バッフルは、前記プレナム区域と前記１つまたは複数のガス入口との間の領域に配置されている、シャワーヘッド。
適用例５：適用例１に記載のシャワーヘッドであって、前記フェースプレート貫通穴のそれぞれの直径は、約０．０１インチ（０．２５４ｍｍ）〜約０．０３インチ（０．７６２ｍｍ）である、シャワーヘッド。
適用例６：適用例１から５のいずれか一項に記載のシャワーヘッドであって、前記フェースプレート貫通穴の個数は、約３００個〜約６００個である、シャワーヘッド。
適用例７：適用例１から５のいずれか一項に記載のシャワーヘッドであって、前記フェースプレート貫通穴の前記直径は、前記フェースプレートから出るガス流の空間的均一性を上昇させるように構成されている、シャワーヘッド。
適用例８：適用例１から５のいずれか一項に記載のシャワーヘッドであって、前記フェースプレート貫通穴の前記直径は、前記フェースプレートの外部から前記プレナム区域内に進むプラズマの逆流を軽減するように構成されている、シャワーヘッド。
適用例９：適用例１から５のいずれか一項に記載の前記シャワーヘッドを備える半導体処理ステーション。
適用例１０：適用例９に記載の半導体処理ステーションはさらに、  前記半導体処理ステーション内に基板を供給し、
前記基板の前記表面上に吸着されるように前記シャワーヘッドを介して前記半導体処理ステーションに反応ガスを導入し、
前記シャワーヘッドを介して前記半導体処理ステーションにパージガスを導入し、
前記基板の前記表面上の吸着された反応ガスから薄膜層を形成するためにプラズマを印加する
動作を実行するための命令で設定されているコントローラを備える、半導体処理ステーション。
適用例１１：適用例１０に記載の半導体処理ステーションであって、前記プラズマは約５００Ｗ超のＲＦ電力にて印加され、前記薄膜層の膜非均一性は約０．５％未満である、半導体処理ステーション。
適用例１２：適用例１１に記載の半導体処理ステーションであって、前記薄膜層の前記膜非均一性は約０．３％未満である、半導体処理ステーション。
適用例１３：適用例１０に記載の半導体処理ステーションであって、原子層堆積（ＡＬＤ）サイクルにおける前記薄膜層の形成は、約１．５秒未満で実行される、半導体処理ステーション。
適用例１４：半導体処理装置において使用するためのシャワーヘッドであって、
第１の表面および前記第１の表面に対向する第２の表面を有するプレナム区域と、前記第１の表面および前記第２の表面は前記シャワーヘッドの前記プレナム区域を少なくとも部分的に画定し、
前記プレナム区域と流体連通する１つまたは複数のガス入口と、
複数のフェースプレート貫通穴を備えるフェースプレートと、前記複数のフェースプレート貫通穴は前記フェースプレートの第１の側から第２の側まで延在し、前記フェースプレートの前記第１の側は前記プレナム区域の前記第１の表面を画定し、前記複数のフェースプレート貫通穴は中央貫通穴および前記中央貫通穴を囲むエッジ貫通穴を備え、前記エッジ貫通穴は構成された前記シャワーヘッドの使用対象である基板の直径よりも大きな直径で前記フェースプレートの前記第２の側において周方向に配置され、
前記１つまたは複数のガス入口の近傍に配置されているバッフルと
を備える、シャワーヘッド。
適用例１５：適用例１４に記載のシャワーヘッドであって、前記エッジ貫通穴は、約３００ｍｍ超の直径を有する貫通穴リングに沿って前記フェースプレートの前記第２の側において周方向に配置される、シャワーヘッド。
適用例１６：適用例１４に記載のシャワーヘッドであって、前記エッジ貫通穴は、前記フェースプレートの前記第１の側から前記第２の側にかけて約９０度未満の角度で傾斜される、シャワーヘッド。
適用例１７：適用例１６に記載のシャワーヘッドであって、前記エッジ貫通穴は、前記フェースプレートの前記第１の側から第２の側にかけて約７５度未満の角度で傾斜される、シャワーヘッド。
適用例１８：適用例１４に記載のシャワーヘッドであって、前記エッジ貫通穴は、第１のリングおよび前記第１のリングを囲む第２のリングに沿って前記フェースプレートの前記第２の側において周方向に配置される、シャワーヘッド。
適用例１９：適用例１８に記載のシャワーヘッドであって、前記第１のリングは、約３００ｍｍ超の直径を有し、前記第２のリングは、約３１０ｍｍ超の直径を有する、シャワーヘッド。
適用例２０：適用例１８に記載のシャワーヘッドであって、前記第２のリングの前記エッジ貫通穴は、前記フェースプレートの前記第１の側から第２の側にかけて約７５度未満の角度で傾斜される、シャワーヘッド。
適用例２１：適用例１４から２０のいずれか一項に記載のシャワーヘッドであって、前記プレナム区域の前記第１の表面は、構成された前記シャワーヘッドの使用対象である前記基板の前記直径よりも大きな直径を有する、シャワーヘッド。
適用例２２：適用例１４から２０のいずれか一項に記載のシャワーヘッドであって、前記バッフルは、前記プレナム区域と前記１つまたは複数のガス入口との間の領域に配置され、前記バッフルは、複数のバッフル貫通穴を備える、シャワーヘッド。
適用例２３：適用例１４から２０のいずれか一項に記載のシャワーヘッドであって、前記フェースプレート貫通穴のそれぞれの直径は、約０．０４インチ未満である、シャワーヘッド。
適用例２４：適用例１４から２０のいずれか一項に記載のシャワーヘッドであって、前記エッジ貫通穴は、前記フェースプレートから出るガス流の空間的均一性を上昇させるように配置されている、シャワーヘッド。
適用例２５：適用例１４から２０のいずれか一項に記載の前記シャワーヘッドを備える半導体処理ステーション。
適用例２６：適用例２５に記載の半導体処理ステーションはさらに、
前記半導体処理ステーション内に基板を供給し、
前記基板の前記表面上に吸着されるように前記シャワーヘッドを介して前記半導体処理ステーションに反応ガスを導入し、
前記シャワーヘッドを介して前記半導体処理ステーションにパージガスを導入し、
前記基板の前記表面上の吸着された反応ガスから薄膜層を形成するためにプラズマを印加する
動作を実行するための命令で設定されているコントローラを備える、半導体処理ステーション。