【手続補正書】
【提出日】平成31年1月11日(2019.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型のドリフト層となる半導体基板に、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタが設けられた第１素子領域と、ダイオードが設けられた第２素子領域と、を備えたトレンチゲート型半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板のおもて面側であってトレンチの下端よりも浅い深さに設けられる第２導電型のベース領域と、前記第１素子領域において前記半導体基板のおもて面に選択的に設けられる第１導電型のエミッタ領域と、を少なくとも形成するおもて面素子構造形成ステップと、
前記半導体基板のおもて面に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成ステップと、
前記第１素子領域において前記層間絶縁膜を貫通する第１コンタクトホールと、前記第２素子領域において前記層間絶縁膜を貫通する第２コンタクトホールと、を形成するコンタクトホール形成ステップと、
前記第２素子領域の前記第２コンタクトホールを介してイオン注入を実施し、前記第２素子領域において前記半導体基板のおもて面に前記ベース領域よりも不純物濃度の高い第２導電型のコンタクト領域を選択的に形成するイオン注入ステップと、
を含むことを特徴とするトレンチゲート型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記イオン注入ステップでは、前記第２素子領域の前記コンタクト領域の深さを０．５μｍ以下に形成することを特徴とする請求項１に記載のトレンチゲート型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記イオン注入ステップでは、前記第１素子領域の前記第１コンタクトホールをマスクすることを特徴とする請求項１または２に記載のトレンチゲート型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記おもて面素子構造形成ステップでは、更に、前記第１素子領域において前記半導体基板のおもて面に前記ベース領域よりも不純物濃度の高い第２導電型のコンタクト領域を選択的に形成することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のトレンチゲート型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記コンタクトホール形成ステップでは、前記第１コンタクトホールと前記第２コンタクトホールとの、前記第１素子領域と前記第２素子領域とが並ぶ方向における幅を等しく形成することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のトレンチゲート型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記トレンチ間の間隔が前記第１素子領域と前記第２素子領域とで等しいことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のトレンチゲート型半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トレンチゲート型半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、トレンチゲート型半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、デザインルールの微細化を図ったＲＣ−ＩＧＢＴにおいて、良好なダイオード特性を実現することができるトレンチゲート型半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかるトレンチゲート型半導体装置の製造方法は、第１導電型のドリフト層となる半導体基板に、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタが設けられた第１素子領域と、ダイオードが設けられた第２素子領域と、を備えたトレンチゲート型半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板のおもて面側であってトレンチの下端よりも浅い深さに設けられる第２導電型のベース領域と、前記第１素子領域において前記半導体基板のおもて面に選択的に設けられる第１導電型のエミッタ領域と、を少なくとも形成するおもて面素子構造形成ステップと、前記半導体基板のおもて面に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成ステップと、前記第１素子領域において前記層間絶縁膜を貫通する第１コンタクトホールと、前記第２素子領域において前記層間絶縁膜を貫通する第２コンタクトホールと、を形成するコンタクトホール形成ステップと、前記第２素子領域の前記第２コンタクトホールを介してイオン注入を実施し、前記第２素子領域において前記半導体基板のおもて面に前記ベース領域よりも不純物濃度の高い第２導電型のコンタクト領域を選択的に形成するイオン注入ステップと、を含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
本発明にかかるトレンチゲート型半導体装置の製造方法によれば、デザインルールの微細化を図ったＲＣ−ＩＧＢＴにおいて、良好なダイオード特性を実現することができるという効果を奏する。
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかるトレンチゲート型半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。本明細書および添付図面においては、ｎまたはｐを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、ｎやｐに付す＋および−は、それぞれそれが付されていない層や領域よりも高不純物濃度および低不純物濃度であることを意味する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
以上のように、本発明にかかるトレンチゲート型半導体装置の製造方法は、チップの厚さ（ドリフト層の厚さ）を薄くすることで低損失を実現し、かつ高耐圧を実現したＲＣ−ＩＧＢＴに有用であり、特にデザインルールを微細化したＲＣ−ＩＧＢＴに適している。