(57)【要約】  従来の電子部品実装基板は、回路基板に取付けられた金属ブロックにより作製された金属枠の脚部を半田等により基板に固着する事により、ＬＥＤ素子の発光に伴う熱を金属枠の脚部を介し基板に放熱し、熱の放出性能を向上させていたが、熱伝導性の低い接着剤層等の介在により、金属枠の高い熱伝導性を効率的に発揮できず、ＬＥＤ素子の温度上昇による、輝度や寿命において存在した一定の限界を改善するため、複数の導体が形成された回路基板の上面に、熱伝導性を有する枠を取付け、該枠と該回路基板のいずれかの導体を熱伝導的に接続して、半導体素子（ＬＥＤ素子）からの発熱を、直接又は間接的に、該枠と熱伝導的に接続された導体を経由し該枠表面より外気に効率的に熱放出を行った。
2007060966.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導体が形成された回路基板の上面に、熱伝導性を有する枠を備え、該枠と該回路基板のいずれかの導体が熱伝導的に接続された事を特徴とする電子部品実装基板。
【請求項２】
複数の導体が形成された回路基板の上面に、メッキ法により析出せしめた金属層で枠を形成し、該枠と該回路基板のいずれかの導体が熱伝導的に接続され、該回路基板の熱伝導的に接続された導体上に半導体素子が実装される事を特徴とする電子部品実装基板。
【請求項３】
前記枠が、電気的な極性を持たない事を特徴とした、請求項１、又は請求項２に記載の電子部品実装基板。
【請求項４】
前記枠が、電気的な極性を持つ事を特徴とした、請求項１、又は請求項２に記載の電子部品実装基板。
【請求項５】
前記回路基板に開口部を設け、前記枠と該回路基板のいずれかの導体が該開口部を介して熱伝導的に接続された事を特徴とする、請求項１、又は請求項２に記載の電子部品実装基板。
【請求項６】
前記枠と前記回路基板のいずれかの導体を金属層で被覆し、熱伝導的に接続した事を特徴とする、請求項１、又は請求項２に記載の電子部品実装基板。
【請求項７】
前記枠と前記回路基板のいずれかの導体を熱伝導的に接続する為に、機械的な接続を用いた事を特徴とする、請求項１に記載の電子部品実装基板。
【請求項８】
前記枠と前記回路基板のいずれかの導体を熱伝導的に接続する為に、溶接による接続を用いた事を特徴とする、請求項１に記載の電子部品実装基板。
【請求項９】
前記枠と前記回路基板のいずれかの導体を熱伝導的に接続する為に、該枠、又は該回路基板のいずれかの導体に突起を形成し、該突起を介して、枠と回路基板のいずれかの導体を熱伝導的に接続した事を特徴とする請求項１に記載の電子部品実装基板。
【請求項１０】
前記突起を、前記枠の底面開口部の周囲、又は前記枠の底面開口部を閉鎖するように形成した事を特徴とする、請求項９に記載の電子部品実装基板。
【請求項１１】
前記回路基板のいずれかの導体上に、ＬＥＤ素子が実装された事を特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の電子部品実装基板。
【請求項１２】
複数の導体が形成された回路基板の上面に、複数の導体の各々を被覆するバリアメタル層を形成し、更にそのバリアメタル層を含む全面に金属のメッキ層を形成した後、該メッキ層の枠形成部にマスク層を形成し、非マスク層部のメッキ層をエッチングした後、該マスク層を除去する工程を有する事を特徴とする、電子部品実装基板の製造方法。
【請求項１３】
複数の導体が形成された回路基板の上面に、熱伝導性を有する枠を取付けた後に、該回路基板の複数の導体、及び該枠に金属のメッキ層を形成し、該回路基板のいずれかの導体、及び該枠を、該金属のメッキ層にて接続する工程を有する事を特徴とする、電子部品実装基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品実装基板、及び該基板の製造方法に関するものであり、詳しくは表面実装型ＬＥＤに好適な電子部品実装基板、及び該基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品実装基板としては、図２０−Ａ〜図２０−Ｃに示すように樹脂積層品などからなる絶縁基材１０１の上面に複数の極性を持つ表面電極１０２、及び該各表面電極とそれぞれ電気的に接続された複数の極性を持つ裏面電極１０４を備えた回路基板１０６上に、金属ブロックより作製された脚部１３７を有する金属枠１０７が、接着剤層１０８にて取付けられ、金属枠１０７の開口部下の極性を持つ表面電極１０２上にダイボンド樹脂、又はダイボンドシート１１０を塗布、又は貼付け、ＬＥＤ素子１１１をそれぞれ搭載し、ＬＥＤ素子の電極１１３の一方が表面電極１０２の一方に金属細線１１２により接続され、同一のＬＥＤ素子の他方の電極１１３が他方表面電極１０２に金属細線１１２によりそれぞれ接続された後、樹脂１１４にてＬＥＤ素子１１１、金属細線１１２が封止されたもの（例えば、特許文献１参照）が存在する。【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２２９００３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の電子部品実装基板は、前記回路基板１０６に取付けられた金属ブロックにより作製された金属枠１０７の脚部１３７を半田等により基板に固着する事により、ＬＥＤ素子１１１の発光に伴う熱を金属枠１０７の脚部１３７を介し基板に放熱し、熱の放出性能を向上させている。しかしながら、構成として樹脂積層品などからなる回路基板１０６を支持板として金属枠１０７が接着剤層１０８にて取付けられ、ＬＥＤ素子１１１が実装、樹脂封止が行なわれた構造と成っており、ＬＥＤ素子１１１からの発熱が熱伝導率の高い金属体（通常Ｃｕにて形成され熱伝導率は４０３Ｗ／ｍ・Ｋ）により形成された表面電極１０２を介し熱伝導されるが、該表面電極１０２上に、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱伝導率が１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の熱伝導性の低い樹脂により構成された接着剤層１０８が介在し、且つエポキシ樹脂、シリコン樹脂等の熱伝導率が１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の熱伝導性の低い樹脂１１４により封止された構造となり、該表面電極１０２上が熱伝導性の低い部材にて閉鎖され、ＬＥＤ素子１１１からの発熱が効率的に金属枠１０７に熱伝導されず、その結果として、金属枠１０７の高い熱伝導性を効率的に発揮できず、その為、ＬＥＤ素子１１１の温度上昇による、輝度や寿命において一定の限界が存在した。【０００５】
また、回路基板１０６と、枠１０７との取付けは一般的に接着剤層１０８が用いられる事が多く、ＬＥＤ素子１１１から発せられた光がこの接着剤層１０８を透過し、光漏れを起こし、表面実装型ＬＥＤとしての輝度の損失を招いていた。【０００６】
そこで本発明は、上記問題を解決した構造を特徴とする電子部品実装基板、及び該基板の製造方法を提供する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の発明は、複数の導体が形成された回路基板の上面に、熱伝導性を有する枠を備え、該枠と該回路基板のいずれかの導体が熱伝導的に接続された事を特徴とする電子部品実装基板であり、ＬＥＤ素子(以下ＬＥＤ素子を含み半導体素子と記す)からの発熱を、直接又は間接的に、該枠と熱伝導的に接続された導体を経由し該枠表面より外気に効率的に熱放出を行なう事で半導体素子の温度上昇を抑制する。【０００８】
請求項２の発明は、複数の導体が形成された回路基板の上面に、メッキ法により析出せしめた金属層で金属枠を形成し、該金属枠と該回路基板のいずれかの導体が熱伝導的に接続され、該回路基板の熱伝導的に接続された該導体上に半導体素子が実装された事を特徴とする電子部品実装基板により、前記と同様、該枠表面より外気に効率的に熱放出を行なう事で半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じないものと成る。【０００９】
請求項３の発明は、前記回路基板上の前記枠が、電気的な極性を持たない事を特徴とした、請求項１、又は請求項２に記載の電子部品実装基板により、半導体素子の温度上昇を抑制する。【００１０】
請求項４の発明は、前記枠が、電気的な極性を持つ事を特徴とした、請求項１、又は請求項２に記載の電子部品実装基板により、半導体素子の温度上昇を抑制する。【００１１】
請求項５の発明は、前記回路基板に基板開口部を設け、前記枠と該回路基板のいずれかの導体が該基板開口部を介して熱伝導的に接続された事を特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の電子部品実装基板により、半導体素子の温度上昇を抑制する。【００１２】
請求項６の発明は、前記枠と前記回路基板のいずれかの導体を、金属層で被覆し、熱伝導的に接続した事を特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の電子部品実装基板により、半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じないものと成る。【００１３】
請求項７の発明は、前記枠と前記回路基板のいずれかの導体を熱伝導的に接続する為に、機械的な接続を用いた事を特徴とする、請求項１に記載の電子部品実装基板により、半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じないものと成る。【００１４】
請求項８の発明は、前記枠と前記回路基板のいずれかの導体を熱伝導的に接続する為に、溶接による接続を用いた事を特徴とする、請求項１に記載の電子部品実装基板により、半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じないものと成る。【００１５】
請求項９の発明は、前記枠と前記回路基板のいずれかの導体を熱伝導的に接続する為に、該枠、又は該回路基板のいずれかの導体の接続面に突起を形成し、該突起を介して、枠と回路基板のいずれかの導体を接続した事を特徴とする電子部品実装基板により、半導体素子の温度上昇を抑制する。【００１６】
請求項１０の発明は、前記突起を、前記枠の底面開口部の周囲、又は前記枠の底面開口部を閉鎖するように形成した事を特徴とする、請求項９に記載の電子部品実装基板により、半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じないものと成る。【００１７】
請求項１１の発明は、前記回路基板のいずれかの導体上に、ＬＥＤ素子が実装された事を特徴とする、請求項１、請求項２、又は請求項９に記載の電子部品実装基板を用いる事により、ＬＥＤ素子の温度上昇を抑制し、又特定の該請求項の電子部品実装基板においては光漏れが生じないものと成る。【００１８】
請求項１２の発明は、複数の導体が形成された回路基板の上面に、複数の導体の各々を被覆するバリアメタル層を形成し、更にそのバリアメタル層を含む全面に金属のメッキ層を形成した後、該メッキ層の枠形成部にマスク層を形成し、非マスク層部のメッキ層のエッチングを行なった後に該マスク層を除去する工程を有する事を特徴とする、電子部品実装基板の製造方法により、半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じない電子部品実装基板を提供する事が可能と成る。【００１９】
請求項１３の発明は、複数の導体が形成された回路基板の上面に、熱伝導性を有する該枠を取付けた後に、該回路基板の複数の導体、及び該枠に金属のメッキ層を形成し、該回路基板のいずれかの導体、及び該枠を、該金属のメッキ層にて熱伝導的に接続する工程を有する事を特徴とする、電子部品実装基板を製造する方法により、半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じない電子部品実装基板を提供する事が可能と成る。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１に示す本発明の電子部品実装基板は、半導体素子からの発熱が、回路基板に形成された導体を介して、熱伝導性を有する枠に直接、又は間接的に熱伝導され、該枠の表面から外気に放熱される事により、半導体素子の温度上昇が抑制される事となる。ことに表面実装型ＬＥＤにおいては、ＬＥＤ素子の温度上昇が抑制され、より電流量に比例した高輝度及び、寿命の向上が得られるものとなる。【００２１】
請求項２に示す本発明の電子部品実装基板は、複数の導体が形成された回路基板の上面に、メッキ法により析出せしめた金属層で金属枠を形成し、該回路基板上のいずれかの導体と該金属枠が熱伝導的に一体と成り、該回路基板と熱伝導的に接続された該導体上に半導体素子が実装される事により、半導体素子からの発熱が該枠の表面から外気に放熱され、前記と同様の効果が得られる。ことに表面実装型ＬＥＤにおいては、光漏れの原因であった接着剤層１０８が無く回路基板と金属枠の間が遮蔽される事により、輝度が向上するものと成る。【００２２】
請求項３に示す本発明の電子部品実装基板は、前記回路基板上の前記枠が電気的な極性を持たない事により、該枠とより大きな放熱効果を有する筐体と熱伝導的に接続する事が可能と成り、より大きな放熱効果を得るものとなる。【００２３】
請求項４に示す本発明の電子部品実装基板は、前記回路基板上の前記枠が電気的な極性を持つ事により、前記枠が半導体素子からの発熱に対する放熱効果、及び半導体素子の駆動に関与する接続端子としての使用が可能となる。【００２４】
請求項５に示す本発明の電子部品実装基板は、前記回路基板に基板開口部を設ける事により、該回路基板の表裏に形成された導体のいずれにおいても、該基板開口部を介して前記枠に熱伝導的に接続する事が可能と成り、前記と同様に半導体素子の温度上昇が抑制される事となる。【００２５】
請求項６に示す本発明の電子部品実装基板は、前記枠と前記回路基板のいずれかの導体を金属層により被覆し、熱伝導的に接続する事により、前記と同様に半導体素子の温度上昇が抑制される事となる。ことに表面実装型ＬＥＤにおいては、光漏れの原因であった接着剤層が該金属層にて被覆され、光の遮断効果が得られ輝度が向上するものと成る。【００２６】
請求項７に示す本発明の電子部品実装基板は、鋲止め、ねじ止め等の機械的な方法により前記枠と前記回路基板の表面に形成されたいずれかの導体を、接着剤層を介さずに熱伝導的に接続する事が可能と成り、半導体素子からの発熱を効率良く該枠表面より外気に放熱する事が可能となる。【００２７】
請求項８に示す本発明の電子部品実装基板は、ろう付、半田付け、超音波溶接等の溶接法を用い、前記枠と前記回路基板の表面に形成されたいずれかの導体を、接着剤層を介さず金属拡散層を形成する事により熱伝導的に接続する事が可能と成り、半導体素子からの発熱を効率良く該枠表面より外気に放熱する事が可能と成る。ことに表面実装型ＬＥＤにおいては、光漏れの原因であった接着剤層が無く、回路基板と枠の間が遮蔽される事により、輝度が向上するものと成る。【００２８】
請求項９に示す本発明の電子部品実装基板は、前記枠、又は前記回路基板のいずれかの導体に突起を形成し、該突起を介して該枠と該回路基板の表面に形成されたいずれかの導体を熱伝導的に接続する事により、半導体素子からの発熱を該枠表面より外気に放熱する事が可能となる。【００２９】
請求項１０に示す本発明の電子部品実装基板は、前記請求項９に記載の該突起を前記枠底面開口部の周囲、又は該枠の底面開口部を閉鎖するように形成されており、ことに表面実装型ＬＥＤにおいては、ＬＥＤ素子からの発熱を該枠表面より外気に放熱する事が可能と成り、且つＬＥＤ素子から発せられる光が該突起により遮断され、輝度が向上するものと成る。【００３０】
請求項１１に示すように、前記に示した本発明の電子部品実装基板は、表面実装型ＬＥＤに好適であり、ＬＥＤ素子からの発熱が、前記回路基板上に形成されたいずれかの導体を介し、該枠の表面から効率良く外気に放熱され、ＬＥＤ素子の温度上昇が抑制され、より電流量に比例した高輝度及び、寿命の向上が得られるものと成る。【００３１】
また、前記に示した特定の請求項の電子部品実装基板においては、光の遮断効果も有する事より、より輝度が向上するものと成る。【００３２】
従って、本発明の電子部品実装基板を表面実装型ＬＥＤに用いる事により、品質面における機能性の向上や信頼性の向上が得られ、ＬＥＤ素子一つあたりの発光効率も向上する事により、従来において必要であった一定の輝度の確保に対する単位素子数を減少させる事が可能と成り大きな経済効果を有するものとなる。【００３３】
請求項１２に示す電子部品実装基板の製造方法を用いる事により、半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じない電子部品実装基板を提供する事が可能と成る。【００３４】
請求項１３に示す電子部品実装基板の製造方法を用いる事により、半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じない電子部品実装基板を提供する事が可能と成り、金属層を厚くする事により、放熱効果もより向上するものと成る。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１−Ａ】本発明の電子部品実装基板の第１実施例であり、内部配線を透視により示した斜視図である。
【図１−Ｂ】本発明における第１実施例を示す図１−Ａの分解図である。
【図１−Ｃ】図１−ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図１−Ｄ】図１−ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図２−Ａ】本発明における該基板の第２実施例を示す分解図である。
【図２−Ｂ】図２−ＡのＡ−Ａ’断面における該基板の断面図である。
【図２−Ｃ】図２−ＡのＢ−Ｂ’断面における該基板の断面図である。
【図３−Ａ】本発明における該基板の第３実施例を示す分解図である。
【図３−Ｂ】図３−ＡのＡ−Ａ’断面における該基板の断面図である。
【図３−Ｃ】図３−ＡのＢ−Ｂ’断面における該基板の断面図である。
【図４−Ａ】本発明における該基板の第４実施例を示す分解図である。
【図４−Ｂ】図４−ＡのＡ−Ａ’断面における該基板の断面図である。
【図４−Ｃ】図４−ＡのＢ−Ｂ’断面における該基板の断面図である。
【図４−Ｄ】本発明における該基板の第４実施例を示す図４−Ａの表面電極３と裏面電極５を金属層９にて接続した事を示す断面図である。
【図４−Ｅ】本発明における該基板の第４実施例を示す図４−Ａの表面電極３と裏面電極５を金属層９にて接続した事を示す断面図である。
【図５−Ａ】本発明における該基板の第５実施例を示す斜視図である。
【図５−Ｂ】図５−ＡのＣ−Ｃ’断面図である。
【図６−Ａ】本発明における該基板の第６実施例を示す斜視図である。
【図６−Ｂ】図６−ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図６−Ｃ】図６−ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図７−Ａ】本発明の実施例において極性を持たない熱伝導性枠７、又は金属枠２１に筐体を取付けた斜視図である。
【図７−Ｂ】図７−ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図８】本発明の実施例において極性を持つ熱伝導性枠７を基板２４に取付けた斜視図である。
【図９−Ａ】本発明における該基板の第７実施例を示す斜視図である。
【図９−Ｂ】図９−ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図１０−Ａ】本発明における該基板の第８実施例を示す斜視図である。
【図１０−Ｂ】図１０−ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図１１−Ａ】本発明における該基板の第９実施例を示す斜視図である。
【図１１−Ｂ】図１１−ＡのＢ−Ｂ’断面図である。
【図１１−Ｃ】第９実施例の熱伝導性枠７と表面電極３とをカシメにより熱伝導的な接続を行った断面図である。
【図１２−Ａ】本発明における該基板の第１０実施例を示す分解図である。
【図１２−Ｂ】図１２−ＡのＢ−Ｂ’断面における該基板の断面図である。
【図１２−Ｃ】第１０実施例の熱伝導性枠７に形成された枠凹部３５と表面電極３上に形成された導電性の突起２８とを挿入接触させた事により熱伝導的な接続を行った事を示す断面図である。
【図１３−Ａ】本発明における該基板の第１１実施例を示す分解図である。
【図１３−Ｂ】図１３−ＡのＢ−Ｂ’断面における該基板の断面図である。
【図１３−Ｃ】第１１実施例の導電性の突起２８を熱伝導性枠７の底面開口部２９を閉鎖するように形成し、熱伝導性枠７と表面電極３とを熱伝導的に接続を行った構造を示す断面図である。
【図１４】第１１実施例における変形実施例の断面図であり、（Ａ）は熱伝導性枠７、導電性の突起２８、表面電極３に金属層９が析出した状態を示し、（Ｂ）は金属層９を厚み方向に成長させた状態を示している。
【図１５】第１実施例に示す金属層９の電解メッキ法による形成過程の説明のための断面図であり、（Ａ）は熱伝導性枠７からの金属層９の成長、及び表面電極３からの金属層９の成長を示し、（Ｂ）は絶縁性の接着剤層８を金属層９が被覆した状態を示し、（Ｃ）は被覆された金属層９を厚み方向に成長させた状態を示している。
【図１６−Ａ】第１実施例の変形実施例を示す該基板の斜視図である。
【図１６−Ｂ】図１６−ＡのＡ−Ａ’断面図である。
【図１７−Ａ】本発明における該基板の第１２実施例の断面図である。
【図１７−Ｂ】第１２実施例の変形実施例の断面図である。
【図１８】本発明の電子部品実装基板の第６実施例の作製工程フロー図であり、（Ａ）は第１工程、（Ｂ）は第２工程、（Ｃ）は第３工程、（Ｄ）は第４工程、（Ｅ）は第５工程、（Ｆ）は第６工程を示す。
【図１９】本発明の電子部品実装基板の第１実施例の作製工程フロー図であり、（Ａ）は第１工程、（Ｂ）は第２工程、（Ｃ）は第３工程、（Ｄ）は第４工程を示す。
【図２０−Ａ】従来の電子部品実装基板の斜視図である。
【図２０−Ｂ】図２０−Ａの分解図である。
【図２０−Ｃ】図２０−Ａの断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１      絶縁基材
２      極性を持つ表面電極（導体）
３      極性を持たない表面電極（導体）
４      極性を持つ裏面電極（導体）
５      極性を持たない裏面電極（導体）
６      回路基板
７      熱伝導性枠
８      接着剤層
９、９ａ、９ｂ      金属層
１０    ダイボンド樹脂又はダイボンドシート
１１    ＬＥＤ素子（半導体素子）
１２    金属細線
１３    ＬＥＤ素子の電極
１４    樹脂
１５    スルホール
１６、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ    金属表面処理層
１７    絶縁性樹脂
１８    半田付け部
１９    ＬＥＤ搭載用孔
２１    金属枠
２２    筐体
２４    基板
２５    基板開口部
２６    枠開口部
２７    鋲
２８、２８ａ    導電性の突起
２９    熱伝導性枠の底面開口部
３０    金属拡散層
３１    バリアメタル層
３２    金属のメッキ層
３３    エッチングレジスト層
３４    カシメ部
３５    枠凹部
３６    接触部
３７    デバイド部
３８    ツェナー素子
１０１    絶縁基材
１０２    極性を持つ表面電極（導体）
１０４    極性を持つ裏面電極（導体）
１０６    回路基板
１０７    金属枠
１０８    接着剤層
１１０    ダイボンド樹脂又はダイボンドシート
１１１    ＬＥＤ素子
１１２    金属細線
１１３    ＬＥＤ素子の電極
１１４    樹脂
１３７    金属枠の脚部
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下に、添付図面に基づいて本発明に係わる電子部品実装基板、及び該基板の製造方法の実施例を詳細に説明する。図１−Ａ〜図１−Ｃは、電子部品実装基板の第１実施例であり、図１−Ａは、内部配線を透視により示した斜視図、図１−Ｂは、分解図、図１−Ｃは、図１−ＡのＡ−Ａ’断面図で、図１−Ｄは、図１−ＡのＢ−Ｂ’断面図である。【００３８】
詳細に説明すると、回路基板６は、絶縁基材１の上面に複数の導体、即ち複数の正と負の極性を持つ表面電極２（以下極性を持つ表面電極２と記す）と一つ以上の極性を持たない表面電極３、及び絶縁基材１の下面に各表面電極と電気的に接続された、複数の正と負の極性を持つ裏面電極４（以下極性を持つ裏面電極４と記す）と一つ以上の極性を持たない裏面電極５が形成されている。次に該回路基板６上の、極性を持たない表面電極３上面に、熱伝導性を有する枠７（以下熱伝導性枠７と記す）を接着剤層８を用いて貼付ける。【００３９】
該熱伝導性枠７、極性を持たない表面電極３、及びこれら両者に介在する接着剤層８の表面を被覆するように金属層９（９ａは熱伝導を目的とした金属層、９ｂは表面処理を目的とした金属層）を形成し、該枠７と該表面電極３とを金属層９により熱伝導的に接続する（図１−Ｄ参照）。更に、該回路基板６上の極性を持たない表面電極３上に、ダイボンド樹脂、又はダイボンドシート１０を用いＬＥＤ素子１１を搭載し、金属細線１２により一方のＬＥＤ素子の電極１３と一方の電気的な極性を持つ表面電極２を接続し、金属細線１２により他方のＬＥＤ素子の電極１３と他方の電気的な極性を持つ表面電極２とをそれぞれ接続し、樹脂１４にてＬＥＤ素子１１、金属細線１２を封止した構造を特徴とする（図１−Ｃ参照）。【００４０】
前記、図１−Ａ〜図１−Ｄによれば、ＬＥＤ素子１１からの発熱が、極性を持たない表面電極３より金属層９を介し外気に放熱される経路を持ち、ＬＥＤ素子１１からの発熱が効率良く外気に放熱される事と成り、ＬＥＤ素子１１の温度上昇が抑制され、より電流量に比例した高輝度が得られ、寿命の向上が得られるものと成る。特に、熱伝導性枠７が金属体にて構成されている場合においては、熱放出の媒体となる金属の容量、及び熱放出に関与する外気との接触面が増加し、ＬＥＤ素子１１からの発熱がより効率良く外気に放出されるものと成り、上記効果がより優れたものと成る。【００４１】
また、前記図面によれば理解できるように、回路基板６と、該熱伝導性枠７との取付けに用いられる接着剤層８の界面は金属層９により被覆されているので、光漏れが無く、表面実装型ＬＥＤとしての輝度の損失を招く問題は改善されるものとなり、且つ金属層９により該熱伝導性枠７と回路基板６が接続された構造となるので、該熱伝導性枠７と回路基板６との密着強度の向上も得られる。【００４２】
図２−Ａ〜図２−Ｃは、本発明の電子部品実装基板の第２実施例であり、図２−Ａは分解図、図２−Ｂは図２−ＡのＡ−Ａ’断面における該基板の断面図、図２−Ｃは図２−ＡのＢ−Ｂ’断面における該基板の断面図である。絶縁基材１の上に形成された極性を持たない表面電極３と、極性を持つ表面電極２が回路基板６の端面に形成されたスルホール１５により極性を持つ裏面電極４に電気的に接続された構造を持つ回路基板６において、該極性を持つ表面電極２上の金属細線１２の接続個所を除く部分を絶縁性樹脂１７にて被覆し、熱伝導性枠７と極性を持たない表面電極３を接着剤層８を用いて貼付け、金属層９を形成し、該熱伝導性枠７と該表面電極３とを金属層９により熱伝導的に接続した事を特徴としている。【００４３】
この図２−Ａ〜図２−Ｃの様に、前記熱伝導性枠７下に極性を持つ表面電極２が一方、又は両方形成されている場合は、該熱伝導性枠７（ここでは金属表面を有する場合）を各表面電極とを接着剤層８のみを用いて貼付けると、該熱伝導性枠７と各表面電極との貼付け時に該熱伝導性枠７が各電極と接触（ペネトレーション）を起し短絡を起す危険性がある。且つ熱伝導性枠７と各表面電極を金属層９にて電気的に接続する際にも短絡が発生する為、極性を持つ表面電極２の一方、又は両方を予め絶縁性樹脂１７にて被覆し、極性を持つ表面電極２が同時に熱伝導性枠７と接続される事を回避するので、第１実施例と同等の効果を備える事が可能と成る。【００４４】
図３−Ａ〜図３−Ｃは、本発明の電子部品実装基板の第３実施例であり、図３−Ａは分解図、図３−Ｂは、図３−ＡのＡ−Ａ’断面図、図３−Ｃは図３−ＡのＢ−Ｂ’断面図である。第１実施例に示す図１−Ａの熱伝導性枠７下の極性を持たない表面電極３の外周部を除く事により、円形状とした（円形で無くても良い）表面電極３を形成し、現出する絶縁基材１上に接着剤層８を塗布、又は貼付け、熱伝導性枠７を接着固定し、該枠７と該表面電極３とが接触する事により熱伝導的に接続した事を特徴としている（１６ａ、１６ｂは金属表面処理層である）。【００４５】
この図３−Ａ〜図３−Ｃに示す様に、第１実施例の各図に見られる熱伝導性枠７と極性を持たない表面電極３の間に介在していた接着剤層８が無くなり、金属層９を形成しなくても該熱伝導性枠７と該表面電極３とが接触する事により熱伝導的に接続され、第１実施例と同等の効果が得られる。また、該表面電極３が熱圧着時における接着剤層８の枠７内への滲み出しを防ぐダム効果を有するものと成る。【００４６】
また、前記に示した表面電極３の外周部を完全に除去を行わずに段差を設け、同様の考えにて段差底部に接着剤層８を塗布、又は貼付け、前記熱伝導性枠７を接着固定しても良い（不図示）。【００４７】
また、第３実施例の該枠７と該表面電極３とを第１実施例、第２実施例に示す金属層９により熱伝導的に接続しても良く、これにより放熱効果を高める事ができる（不図示）。【００４８】
図４−Ａ〜図４−Ｃは、本発明の電子部品実装基板の第４実施例であり、図４−Ａは分解図、図４−Ｂは図４−ＡのＡ−Ａ’断面図、図４−Ｃは図４−ＡのＢ−Ｂ’断面図である。回路基板６は、支持板を兼ねた正と負の極性を持つ裏面電極４、及び極性を持たない裏面電極５と、該各裏面電極を一定間隔介して並べ、この該各裏面電極を保持すると共に、ＬＥＤ搭載用穴１９を形成し、極性を持つ裏面電極４と電気的に接続された極性を持つ表面電極２、極性を持たない表面電極３を備えたものである。次に、前記熱伝導性枠７と該表面電極３を接着剤層８を用い貼付け、該熱伝導性枠７と該表面電極３とを金属層９により熱伝導的に接続する。更に、該回路基板６の極性を持たない裏面電極５上に、ダイボンド樹脂、又はダイボンドシート１０を用いＬＥＤ素子１１を搭載し、金属細線１２によりＬＥＤ素子の電極１３と電気的な極性を持つ裏面電極４をそれぞれ接続し、樹脂１４により封止を行なったものである。【００４９】
この図４−Ａ〜図４−Ｃの様に、ＬＥＤ素子１１を搭載する電極（ここでは極性を持たない裏面電極５）が、前記熱伝導性枠７と熱伝導的に接続されていない場合においても、ＬＥＤ素子１１からの発熱が、間接的では有るが樹脂１４を伝い、該表面電極３を介する、又は直接該熱伝導性枠７に熱伝導され、ＬＥＤ素子１１からの発熱が効率良く外気に放出されるものとなる。【００５０】
また、図４−Ｄ、図４−Ｅの各断面図に示すように、ＬＥＤ素子１１が搭載された極性を持たない裏面電極５を金属層９により、極性を持たない表面電極３に熱伝導的に接続する事により、ＬＥＤ素子１１からの発熱がより効率的に熱伝導性枠７に熱伝導される事と成り、図４−Ｂ、図４−Ｃに示される構造よりも優れた放熱効果を有するものと成る。【００５１】
図５−Ａ、図５−Ｂは、本発明の電子部品実装基板の第５実施例であり、図５−Ａは斜視図、図５−Ｂは図５−ＡのＣ−Ｃ’断面図である。第１実施例に示す回路基板６上に形成していた極性を持たない表面電極３を、本実施例では形成せず、正と負の極性を持つ表面電極２を形成し、正と負の極性を持つ表面電極２のどちらか一方と熱伝導性枠７と接着剤層８を用い貼付け、金属層９を形成し、該熱伝導性枠７と該表面電極２の一方とを金属層９により電気的、熱伝導的に接続した事を特徴としている。【００５２】
この図５−Ａ、図５−Ｂの様に、上記構成の電子部品実装基板上にＬＥＤ素子１１を実装、樹脂１４により封止を行なう事により、第１実施例と同等の効果を備える事が可能と成る。【００５３】
また、図５−Ａ、図５−Ｂにおいて、実装されるＬＥＤ素子１１が、上下面にＬＥＤ素子の電極１３を備える場合は、一方の極性を持つ表面電極２上に導電性を有するダイボンド樹脂、又はダイボンドシート１０を用いＬＥＤ素子１１を搭載、下面に形成されたＬＥＤ素子の電極１３と接続し、他方の極性を持つ表面電極２と上面に形成されたＬＥＤ素子の電極１３を金属細線１２により接続しても良い（不図示）。【００５４】
前記第１実施例〜第５実施例を含み、本発明における回路基板６には、絶縁基材１上に導体を形成したもの、又は該絶縁基材１上に導体を形成したものを複数層形成させたもの、又はリードフレームに絶縁材料を貼付けたもの等が用いられる。【００５５】
熱伝導性枠７は、Ａｌ（熱伝導率２３６Ｗ／ｍ・Ｋ）、Ｆｅ（熱伝導率８３．５Ｗ／ｍ・Ｋ）、Ｃｕ（熱伝導率４０３Ｗ／ｍ・Ｋ）、Ｍｇ（熱伝導率１５７Ｗ／ｍ・Ｋ）等の金属体を主として形成されたもの、又は熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ未満のセラミック、絶縁性樹脂にて形成された枠の表面に金属層を付与したもの、金属体とセラミック、絶縁性樹脂の組合せにより構成される基板材料等により形成された枠の表面に金属層を付与したもの、カーボン等の導電性を有する物質にて形成された枠の表面に金属層を付与したものが用いられる。【００５６】
また、前記熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ未満のセラミック、絶縁性樹脂にて形成された枠、金属体とセラミック、絶縁性樹脂の組合せにより構成される基板材料等により形成された枠の表面に金属層を形成する手法としては、スパッタ法、蒸着法、電解メッキ法、無電解メッキ法等、又はいずれかの方法の組合せにより金属層を形成する事が好ましい。【００５７】
また、無電解メッキ法を用いる場合においては、セラミック、絶縁性樹脂等の絶縁性を示す枠材料に触媒を混入、又は枠の表面に付与させて用いても良い。【００５８】
また、電解メッキ法を用いる場合においては、セラミック、絶縁性樹脂等の絶縁性を示す枠材料表面にカーボン等の導電性を有する物質を付与させて用いても良い。【００５９】
また、前記Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ等の金属体を主体とし形成された枠の表面に、更なる金属の表面層を前記方法にて形成しても良い。【００６０】
また、前記熱伝導性枠７の表面の金属層には、Ｃｕ（熱伝導率４０３Ｗ／ｍ・Ｋ）、Ｎｉ（熱伝導率９４Ｗ／ｍ・Ｋ）、Ａｕ（熱伝導率３１９Ｗ／ｍ・Ｋ）、Ａｇ（熱伝導率４２８Ｗ／ｍ・Ｋ）、Ｐｄ（熱伝導率７２Ｗ／ｍ・Ｋ）、Ｓｎ（熱伝導率６８Ｗ／ｍ・Ｋ）、Ａｌ（熱伝導率２３６Ｗ／ｍ・Ｋ）、又はこれらの金属を複数積層させて用いても良い。【００６１】
また、各導体、即ち極性を持つ表面電極２、極性を持たない表面電極３、極性を持つ裏面電極４、極性を持たない裏面電極５には、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ等の金属を主体とした金属体、又は合金が用いられる。【００６２】
また、極性を持つ表面電極２、極性を持たない表面電極３、極性を持つ裏面電極４、極性を持たない裏面電極５の各表面には、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎメッキやこれらを複数積層させたメッキを行う事が好ましい。【００６３】
また、金属層９にはＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎメッキやこれらを複数積層させたメッキを行う事が好ましい。【００６４】
また、第３実施例に図示されているように、該熱伝導性枠７と該表面電極３とが接触する事により熱伝導的に接続される構造においては、前記金属層９を形成する必要性が無い事から、熱伝導性枠７には、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミック、絶縁性樹脂により構成されたもの、又は、Ａｌを用いた枠の表面にアルマイト層（熱伝導率８０Ｗ／ｍ・Ｋ）を形成したもの等も用いられる。【００６５】
また、金属細線１２には、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等などの金属が用いられる。【００６６】
また、ダイボンド樹脂には、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂等にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの金属や半田等の合金、ＩＴＯ、ＳｎＯ2などの金属酸化物の導電性材料を混合して作られたペーストが用いられ、ダイボンドシートにはエポキシ樹脂のシート等が用いられる。【００６７】
また、ＬＥＤ素子１１、金属細線１２の封止に用いられる樹脂１４には透光性樹脂、又は蛍光体樹脂が用いられる。【００６８】
図６−Ａ〜図６−Ｃは、本発明の電子部品実装基板の第６実施例であり、図６−Ａは斜視図、図６−Ｂは図６−ＡのＡ−Ａ’断面図、図６−Ｃは図６−ＡのＢ−Ｂ’断面図である。第１実施例を示す図の回路基板６上に、メッキ法により析出せしめた金属層にて金属枠２１を形成し、該金属枠２１と該表面電極３とが熱伝導的に接続された一体構造を特徴とするものである（１６ｃは金属表面処理層、３１はバリアメタル層である）。【００６９】
前記、図６−Ａ〜図６−Ｃによれば、回路基板６上の、該金属枠２１と該表面電極３とが熱伝導的に接続された一体構造を有する為、接着剤層８の必要性が無く、第１実施例と同様の効果を備えるものと成っている。【００７０】
また、金属枠２１には、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎ、又は、これらの金属を複数積層させて用いる事が好ましい。【００７１】
前記第１実施例〜第４実施例及び第６実施例に用いた各図は、該熱伝導性枠７及び金属枠２１が極性を持たないものと成っており、他の導電性を有するものと接触しても、電気的な短絡を起こす可能性が無い為、図７−Ａの斜視図、図７−Ｂの断面図に示すように、該熱伝導性枠７及び金属枠２１を筐体２２に取付ける事も可能となる。これにより、ＬＥＤ素子１１からの発熱が、該熱伝導性枠７及び金属枠２１を介して、より大きな放熱体である筐体２２に熱伝導され、さらに効率良く外気に放熱される事となる。【００７２】
前記第５実施例に用いた各図は、回路基板６の極性を持つ表面電極２と熱伝導性枠７が電気的、熱伝導的に接続されている事により、熱伝導性枠７が極性を持つものと成っており、該熱伝導性枠７がＬＥＤ素子１１を発光させる為の電極機能を有し、図８に示すように表面実装型ＬＥＤとして実装される場合において、基板２４上の接続端子として用いる事も可能となる。【００７３】
図９−Ａ、図９−Ｂは、本発明の電子部品実装基板の第７実施例であり、図９−Ａは斜視図、図９−Ｂは図９−ＡのＢ−Ｂ’断面図である。図９−Ａは、第４実施例に示す各図にて説明を行なった回路基板６に、基板開口部２５を設け、前記熱伝導性枠７と前記極性を持たない電極３を接着剤層８を用い貼付け、該熱伝導性枠７と該極性を持たない裏面電極５とを該基板開口部２５に形成された金属層９を介して熱伝導的に接続した事を特徴としたものである。【００７４】
この図９−Ａ、図９−Ｂの様に、基板開口部２５を設ける事により、回路基板６に形成された如何なる導体においても、該基板開口部２５に形成された金属層９を介して該熱伝導性枠７と熱伝導的に接続することが可能となる。【００７５】
図１０−Ａ、図１０−Ｂは、本発明の電子部品実装基板の第８実施例であり、図１０−Ａは斜視図、図１０−Ｂは図１０−ＡのＢ−Ｂ’断面図である。このように、第７実施例の図９−Ａ、図９−Ｂに示す基板開口部２５上の熱伝導性枠７に、枠開口部２６を設け、基板開口部２５、枠開口部２６を熱伝導的に接続しても良い。【００７６】
また、基板開口部２５に形成された金属層９の替わりに、導電性、及び熱伝導性の機能を有する金属体、又は金属ペーストを用いても良い。【００７７】
図１１−Ａ、図１１−Ｂは、本発明の電子部品実装基板の第９実施例であり、図１１−Ａは斜視図、図１１−Ｂは図１１−ＡのＢ−Ｂ’断面図である。このように、第１実施例と同じ回路基板６上の極性を持たない表面電極３に鋲２７により熱伝導性枠７を取付け、該熱伝導性枠７と該表面電極３とを熱伝導的に接続した事を特徴とするものである（１６は金属表面処理層である）。【００７８】
この図１１−Ａ、図１１−Ｂに示す構成であれば、表面電極３上の熱伝導性枠７を機械的に接続している事から、第１実施例に見られる接着剤層８の必要性が無く、熱伝導性枠７と表面電極３とを金属層９にて熱伝導的に接続する必要性は省かれ、第１実施例と同様の効果を備えるものと成っている。【００７９】
また、接続が機械的に行われている為、回路基板６と熱伝導性枠７の密着強度が、第１実施例の構成と比較して非常に高い密着強度が得られる。【００８０】
また、金属製の鋲２７を用いる事により、裏面電極５から金属製の鋲２７を介して該熱伝導性枠７に熱伝導されるものと成り、裏面電極５にＬＥＤ素子１１が搭載された場合においても、ＬＥＤ素子１１からの発熱が裏面電極５から金属製の鋲２７を介して熱伝導性枠７に熱伝導されるものと成る。【００８１】
また、図１１−Ｃの断面図は、表面電極３上の熱伝導性枠７が機械的に接続された別の実施例であり、表面電極３の外周部にカシメ部３４を形成し、表面電極３と熱伝導性枠７とを熱伝導的に接続したものである。また、このカシメ部３４にて密着強度が得られる場合においては接着剤層８は用いなくても良い。【００８２】
また、機械的な接続には、ボルト、ねじ込み等も含まれる。【００８３】
図１２−Ａ、図１２−Ｂは、本発明の電子部品実装基板の第１０実施例であり、図１２−Ａは分解図、図１２−Ｂは図１２−ＡのＢ−Ｂ’断面における電子部品実施基板の断面図である。このように、回路基板６上の極性を持たない表面電極３に、導電性の突起２８を形成し、該突起２８の上面が被覆されないように、接着剤層８を設けた後、熱伝導性枠７を取付け、該熱伝導性枠７と該突起２８の上面が接触、固定される事により、該熱伝導性枠７と該表面電極３とを該突起２８を介して電気的、熱伝導的に接続した事を特徴とするものである。【００８４】
上記構成により、ＬＥＤ素子１１からの発熱が効率良く外気に放熱されるものと成る。【００８５】
導電性の突起２８には、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属体、半田等の合金、或いは、導電性材料（Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属、半田等の合金、ＩＴＯ、ＳｎＯ2などの金属酸化物）を樹脂に混合して作られた導電ペースト、カーボン素材等を用いた高熱伝導性材料等が用いられる。【００８６】
また、図１２−Ｃの断面図に示すように、熱伝導性枠７に枠凹部３５を周囲、又は部分的に形成し、該凹部３５に突起２８を差込み、接触部３６により熱伝導的に接続させても良い。この構造によれば、前記回路基板６と該熱伝導性枠７が接着剤層８により接着固定される工程において、回路基板６と熱伝導性枠７が精度良く貼付けられる事が可能と成る。【００８７】
また、接触部３６の機械的な接続強度が所定の強度を満たすものであれば、接着剤層８は無くても良い。【００８８】
図１３−Ａ、図１３−Ｂは、本発明の電子部品実装基板の第１１実施例であり、図１３−Ａは分解図、図１３−Ｂは図１３−ＡのＢ−Ｂ’断面における該電子部品実装基板の断面図である。この図１３−Ａ、図１３−Ｂは、導電性の突起２８を、熱伝導性枠７の底面開口部２９の周囲に円形状に形成した事を特徴としている（２８ａは外周囲に形成した導電性突起である）。【００８９】
上記突起２８は、前記熱伝導性枠７の底面開口部２９の周囲に形成した事により、ＬＥＤ素子１１から発せられる光が、該突起２８により遮光される。【００９０】
また、上記突起２８は、熱伝導性枠７と回路基板６とを接着剤層８で貼付ける際の、加熱圧着による接着剤層８の滲み出しを防ぐ効果も備えており、この接着剤層８の滲み出しによる、ＬＥＤ素子１１搭載部、及び接続する各表面電極の汚染の発生を低減させ、更に工程内での接着剤層８の厚み条件、及び該枠７と回路基板６とを貼付ける際の加熱圧着条件等の管理範囲が広くなり、品質的にも安定し歩留まりの向上効果も有する。【００９１】
熱伝導性枠７の底面開口部２９の周囲に形成された導電性の突起２８の形状は、図１３−Ａ、図１３−Ｂに示す円形状に限らず、角型、その他異形状にて底面開口部２９の周囲に形成しても良い。【００９２】
また、図１３−Ｃに示すように、導電性の突起２８を底面開口部２９を閉鎖するように形成しても良く、この場合における突起２８の形成には、電解メッキ法、無電解メッキ法によりＮｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属が用いられ、底面開口部２９の内部に形成されている各電極もメッキ法にて形成される金属により被覆され導体体積が増し、ＬＥＤ素子１１からの発熱を、より効率良く熱伝導性枠７に伝える事が可能と成る。【００９３】
図１４は、第１１実施例の変形実施例であり、熱伝導性枠７、導電性の突起２８、導体３（極性を持たない表面電極３）を金属層９により熱伝導的に接続している構成を示しており、金属層９は、通常電解メッキ法を用いて形成される。図１４（Ａ）は、熱伝導性枠７、導電性の突起２８、表面電極３にそれぞれ金属層９が析出し、連続した金属層９を形成している。図１４（Ｂ）は金属層９を厚み方向に成長させて熱伝導性枠７と表面電極３の熱伝導的な接続を確実にしている。図１５は、第１実施例に示す金属層９の電解メッキ法による形成過程の説明図である。【００９４】
熱伝導性枠７、及び極性を持たない表面電極３に給電を行い（表面電極２に給電しても良い）図１５（Ａ）に示すように熱伝導性枠７からの金属層９の成長、及び該表面電極３からの金属層９の成長が開始され、次に図１５（Ｂ）に示すように絶縁性の接着剤層８を金属層９が被覆し、更に図１５（Ｃ）に示すように被覆された金属層９を厚み方向に成長させ、熱伝導性枠７と該表面電極３の熱伝導的な接続を確実にしている。図１４に示す実施例によれば第１実施例のように熱伝導性枠７からの金属層９の成長、及び表面電極３からの金属層９の成長による金属層９の一体化に頼らずとも、熱伝導性枠７と導電性の突起２８と表面電極３のそれぞれの金属層９による接続が可能と成り、電解メッキ工程の時間短縮効果、及びより高い放熱効果を得る事が可能と成る。【００９５】
また、図１６−Ａ、図１６−Ｂは、第１実施例の変形実施例を示し、熱伝導性枠７と熱伝導的に接続されていない極性を持つ表面電極２に金属層９を形成せず、金属層９の厚み分低く段差を設けてツェナー素子３８を表面電極２上に搭載している。よって、ＬＥＤ素子１１から発せられる光がツェナー素子３８により遮光されず、効率良く光が該枠７上の金属層９ｂに照射され効率良く上方に出射される。また、金属層９の厚みが増す事により放熱性も向上する。【００９６】
図１７−Ａは、本発明の電子部品実装基板の第１２実施例の断面図である。このように第１実施例の回路基板６上の極性を持たない表面電極３と、熱伝導性枠７を溶接により、該熱伝導性枠７上の金属表面処理層１６と該表面電極３とを金属拡散層３０を形成し熱伝導的に接続した事を特徴としている。【００９７】
上記構成によれば、第１実施例に見られる接着剤層８の必要性が無く、金属層９にて熱伝導的に接続する必要性は省かれ、且つ、第１実施例と同様の効果を備えるものと成る。【００９８】
また、前記熱伝導性枠７と前記表面電極３との接続が、金属拡散層３０による金属結合による為、回路基板６と熱伝導性枠７の密着強度が、非常に高く成る。【００９９】
また、溶接による接続方法としては、アーク溶接、電子ビーム溶接等の電気的エネルギーを用いる溶接法、及び半田を含むろう付け等による化学的エネルギーを用いる溶接法、及び圧接等による機械的エネルギーを用いる溶接法、及び超音波溶接法、レーザー溶接法等が用いられる。【０１００】
また、第１１実施例にて示されている図１３−Ａ、図１３−Ｂの接着剤層８に変えて半田を用いる事により、熱伝導性枠７の底面開口部２９の周囲に形成した導電性の突起２８が、半田溶融時における各電極への半田の流れ出し防止用ダムとしての効果を持つ。【０１０１】
また、前記に示す熱伝導性枠７の底面開口部２９の周囲に形成した導電性の突起２８を接着剤層８に変え、半田を同様の位置に設け、接着剤層８にて熱伝導性枠７を仮固定した後、半田溶融を行い、熱伝導性枠７と表面電極３とを溶接し、熱伝導性枠７と表面電極３とを熱伝導的に接続しても良い（不図示）。【０１０２】
また、該熱伝導性枠７と該表面電極３の溶接は、全面的、又は部分的に行っても良い。【０１０３】
また、図１７−Ｂは第１２実施例の変形実施例の断面図を示しており、極性を持たない表面電極３により閉鎖された基板開口部２５が設けられた回路基板６を用い、基板開口部２５を閉鎖した部分の極性を持たない表面電極３と熱伝導性枠７とを前記溶接法を用い部分的に溶接し、熱伝導的に接続しても良い。【０１０４】
また、本発明の第１０実施例で示す導電性の突起２８が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌなどの金属や半田等の合金で形成される場合には、前記にて説明を行ったいずれかの溶接法を用い、導電性の突起２８の上面と熱伝導性枠７間に金属拡散層３０を形成させ、金属的に接合する事も可能である。この場合、導電性の突起２８の上面と熱伝導性枠７の接合強度が付加される。【０１０５】
以上本発明の電子部品実装基板について種々の実施例について説明したが、熱伝導性枠７、又は金属枠２１の形状、及び内壁角度、高さにおいては使用目的に応じて設定し用いる事が好ましく、必要に応じ多段構造にする事、金属枠２１の上面に熱伝導性枠７を重ねて熱伝導的に接続する事なども可能である。【０１０６】
また、これらに限らず、それぞれの目的に応じて、前記第１実施例〜第１２実施例に示した構造を適宜組み合わせて用いる事ができる。【０１０７】
以下に、本発明の電子部品実装基板の製造方法の実施例について説明する。【０１０８】
図１８は、第６実施例に示す構造の電子部品実装基板の代表的な作製工程フローを部分的に示した、電気的接続を示したＡ−Ａ’部、及び熱伝導的な接続を示したＢ−Ｂ’部の合成断面図である。工程１として、図１８の（Ａ）のように、絶縁基材１の上面に複数の導体、即ち極性を持つ表面電極２と極性を持たない表面電極３、及び絶縁基材１の下面に各表面電極と電気的に接続された、極性を持つ裏面電極４と極性を持たない裏面電極５が形成された回路基板６を作製する。工程２として、図１８の（Ｂ）のように、回路基板６に形成された各電極を全面被覆するようにバリアメタル層３１を形成する。工程３として、図１８（Ｃ）のようにバリアメタル層３１を含む全面に、更なる金属のメッキ層３２をメッキ法により形成する。工程４として、図１８（Ｄ）のように、金属のメッキ層３２上に枠形成用、及び各裏面電極形成用のマスク層であるエッチングレジスト層３３を形成する。工程５として、図１８（Ｅ）のように、金属のメッキ層３２に対し腐食性を持ち、バリアメタル層３１に対し腐食性を持たないエッチング液を用い、金属のメッキ層３２をエッチングし金属枠２１、及び各裏面電極を形成する。工程６として、図１８（Ｆ）のように、エッチングレジスト層３３の除去を行なう。【０１０９】
図１８（Ａ）〜図１８（Ｆ）に示す工程を用いる事により、第６実施例の金属枠２１と該表面電極３とが熱伝導的に接続された一体構造を特徴とする本発明の電子部品実装基板を作製する事が可能となる。【０１１０】
また、図１８（Ｂ）に示すバリアメタル層３１には、金属のメッキ層３２をエッチングするときに腐食性を持たない（耐エッチング性のある）別の金属を用いる事が好ましく、Ａｕ、Ｎｉ又はＰｂ−Ｚｎ等の半田合金、Ｎｉ−Ａｕ合金等が用いられる。【０１１１】
また、バリアメタル層３１の形成においては、電解メッキ法、無電解メッキ法が用いられる。【０１１２】
また、金属のメッキ層３２に用いられる金属としては、Ｃｕが用いられ、電解メッキ法、無電解メッキ法により形成される。【０１１３】
また、エッチング液は、金属のメッキ層３２にＣｕ、バリアメタル層３１に前記記載の物質が用いられる場合において、アルカリエッチング液、過硫酸アンモニウム溶液、過酸化水素と硫酸の混合溶液等が使用される。【０１１４】
また、図１８（Ｆ）に示す工程６以後の工程として、エッチング工程において部分的に露出した各電極を被覆しているバリアメタル層３１は、除去、又は除去しなくても良い。【０１１５】
また、前記工程にて形成された各電極、及び金属枠２１には、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎメッキやこれらを複数積層させたメッキを行う事が好ましい。【０１１６】
図１９は、第１実施例に示す構造の本発明電子部品実装基板の代表的な作製工程フローを部分的に示した、電気的接続を示したＡ−Ａ’部、及び熱伝導的な接続を示したＢ−Ｂ’部の合成断面図である。工程１として、図１９（Ａ）のように、絶縁基材１の上面に複数の導体、即ち極性を持つ表面電極２と極性を持たない表面電極３、及び絶縁基材１の下面に各表面電極と電気的に接続された、極性を持つ裏面電極４と極性を持たない裏面電極５が形成された回路基板６を作製する。工程２として、図１９（Ｂ）のように、極性を持たない表面電極３上の熱伝導性枠７取付け部分に接着剤層８を設ける。工程３として、図１９（Ｃ）のように、熱伝導性枠７を、極性を持たない表面電極３上の熱伝導性枠７取付け部分に接着剤層８を介して貼付ける。工程４として、図１９（Ｄ）のように、電解メッキ法を用い各電極、熱伝導性枠７、及び極性を持たない表面電極３と熱伝導性枠７間に介在する接着剤層８の露出部分に金属層９を形成し、極性を持たない表面電極３と熱伝導性枠７を金属層９により熱伝導的に接続する。【０１１７】
前記図１９（Ａ）〜図１９（Ｄ）に示す工程を用いる事により、第１実施例の熱伝導性枠７と該表面電極３とが熱伝導的に接続された事を特徴とする本発明の電子部品実装基板を作製する事が可能となる。【０１１８】
また、工程２を示す図１９（Ｂ）では、極性を持たない表面電極３上の熱伝導性枠７取付け部分に接着剤層８を設けているが、熱伝導性枠７の底部、又は極性を持たない表面電極３上と熱伝導性枠７の底部の両方に接着剤層８を設けても良い。【０１１９】
また、前記と同様に絶縁基材１上に熱伝導性枠７の取付け部分がある場合は、絶縁基材１上、又は熱伝導性枠７の底部、又は絶縁基材１上と熱伝導性枠７の底部の両方に接着剤層８を設けても良い。【０１２０】
また、前記各実施例は、図示の通り本発明の電子部品実装基板を一個体にて説明しているが、製品の仕様において複数を連結させた構造とする事も可能である。【０１２１】
要は、回路基板６が複数の連結構造を取り、取付けられる熱伝導性枠７も複数の連結構造、又は回路基板６が複数の連結構造を取り、取付けられる熱伝導性枠７が一個体、又は回路基板６が一個体、取付けられる熱伝導性枠７が複数の連結構造の、いずれの構成においても本発明は適応可能となる。【０１２２】
また、回路基板６上にＬＥＤ素子１１を実装後、樹脂１４にて封止を行ったものに、熱伝導性枠７を取付け、回路基板６に形成されたいずれかの導体と該熱伝導性枠７を熱伝導的に接続する事も本発明においては適応可能となる。
【図１−Ａ】
2007060966.tif 000003
【図１−Ｂ】
2007060966.tif 000004
【図１−Ｃ】
2007060966.tif 000005
【図１−Ｄ】
2007060966.tif 000006
【図２−Ａ】
2007060966.tif 000007
【図２−Ｂ】
2007060966.tif 000008
【図２−Ｃ】
2007060966.tif 000009
【図３−Ａ】
2007060966.tif 000010
【図３−Ｂ】
2007060966.tif 000011
【図３−Ｃ】
2007060966.tif 000012
【図４−Ａ】
2007060966.tif 000013
【図４−Ｂ】
2007060966.tif 000014
【図４−Ｃ】
2007060966.tif 000015
【図４−Ｄ】
2007060966.tif 000016
【図４−Ｅ】
2007060966.tif 000017
【図５−Ａ】
2007060966.tif 000018
【図５−Ｂ】
2007060966.tif 000019
【図６−Ａ】
2007060966.tif 000020
【図６−Ｂ】
2007060966.tif 000021
【図６−Ｃ】
2007060966.tif 000022
【図７−Ａ】
2007060966.tif 000023
【図７−Ｂ】
2007060966.tif 000024
【図８】
2007060966.tif 000025
【図９−Ａ】
2007060966.tif 000026
【図９−Ｂ】
2007060966.tif 000027
【図１０−Ａ】
2007060966.tif 000028
【図１０−Ｂ】
2007060966.tif 000029
【図１１−Ａ】
2007060966.tif 000030
【図１１−Ｂ】
2007060966.tif 000031
【図１１−Ｃ】
2007060966.tif 000032
【図１２−Ａ】
2007060966.tif 000033
【図１２−Ｂ】
2007060966.tif 000034
【図１２−Ｃ】
2007060966.tif 000035
【図１３−Ａ】
2007060966.tif 000036
【図１３−Ｂ】
2007060966.tif 000037
【図１３−Ｃ】
2007060966.tif 000038
【図１４】
2007060966.tif 000039
【図１５】
2007060966.tif 000040
【図１６−Ａ】
2007060966.tif 000041
【図１６−Ｂ】
2007060966.tif 000042
【図１７−Ａ】
2007060966.tif 000043
【図１７−Ｂ】
2007060966.tif 000044
【図１８】
2007060966.tif 000045
【図１９】
2007060966.tif 000046
【図２０−Ａ】
2007060966.tif 000047
【図２０−Ｂ】
2007060966.tif 000048
【図２０−Ｃ】
2007060966.tif 000049
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月25日(2007.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導体が形成された回路基板の上面に、熱伝導性を有する枠を備え、該枠が該回路基板上の複数の導体のうち半導体素子が実装される半導体素子実装用導体と熱伝導的に接続された事を特徴とする電子部品実装基板。
【請求項２】
複数の導体が形成された回路基板の上面に、メッキ法により析出せしめた金属層で枠を形成し、該枠が該回路基板上の複数の導体のうち半導体素子が実装される半導体素子実装用導体と熱伝導的に接続された事を特徴とする電子部品実装基板。
【請求項３】
前記枠が、電気的な極性を持たない事を特徴とした、請求項１、又は請求項２に記載の電子部品実装基板。
【請求項４】
前記枠が、電気的な極性を一つ持つ事を特徴とした、請求項１、又は請求項２に記載の電子部品実装基板。
【請求項５】
前記回路基板の端面に開口部を設け、前記半導体素子実装用導体が前記回路基板の下面に形成された導体と熱伝導的に接続され、
前記枠と前記回路基板の下面に形成された導体とが該開口部に形成された金属層を介して熱伝導的に接続された事を特徴とする、請求項１、又は請求項２に記載の電子部品実装基板。
【請求項６】
前記枠と前記回路基板上の半導体素子実装用導体とを金属層で被覆し熱伝導的に接続した事を特徴とする、請求項１、又は請求項２に記載の電子部品実装基板。
【請求項７】
前記枠と前記回路基板上の半導体素子実装用導体とを熱伝導的に接続する為に、機械的な接続を用いた事を特徴とする、請求項１に記載の電子部品実装基板。
【請求項８】
前記枠と前記回路基板上の半導体素子実装用導体とを熱伝導的に接続する為に、溶接による接続を用いた事を特徴とする、請求項１に記載の電子部品実装基板。
【請求項９】
前記枠と前記回路基板上の半導体素子実装用導体とを熱伝導的に接続する為に、該枠、又は該回路基板上の半導体素子実装用導体に導電性の突起を形成し、該突起を介して、該枠と該回路基板上の半導体素子実装用導体を熱伝導的に接続した事を特徴とする請求項１に記載の電子部品実装基板。
【請求項１０】
前記突起を、前記枠の底面開口部の周囲、又は前記枠の底面開口部を閉鎖するように形成した事を特徴とする、請求項９に記載の電子部品実装基板。
【請求項１１】
前記回路基板上の半導体素子実装用導体上に、ＬＥＤ素子が実装された事を特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の電子部品実装基板。
【請求項１２】
複数の導体が形成された回路基板の上面に、複数の導体の各々を被覆するバリアメタル層を形成し、更にそのバリアメタル層を含む全面に金属のメッキ層を形成した後、該メッキ層の枠形成部にマスク層を形成し、非マスク層部のメッキ層をエッチングした後、該マスク層を除去して枠を形成する工程を有する事を特徴とする、電子部品実装基板の製造方法。
【請求項１３】
回路基板上面に形成された複数の導体のうち、半導体素子が実装される半導体素子実装用導体と、熱伝導性を有する枠とを取付けた後に、該回路基板の複数の導体、及び該枠に金属のメッキ層を形成し、該回路基板上の半導体素子実装用導体、及び該枠を、該金属のメッキ層にて接続する工程を有する事を特徴とする、電子部品実装基板の製造方法。
【請求項１４】
前記枠と前記回路基板上の半導体素子実装用導体との間に接着剤層が介在され、
前記枠と前記回路基板上の半導体素子実装用導体との間には、
前記接着剤が介在する領域と、前記接着剤が介在することなく前記枠と前記半導体素子実装用導体層が当接する領域とを着する事を特徴とする、請求項１、又は請求項３〜請求項７のいずれか１に記載の電子部品実装基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
れた表面電極１０２を介し熱伝導されるが、該表面電極１０２上に、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱伝導率が１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の熱伝導性の低い樹脂により構成された接着剤層１０８が介在し、且つエポキシ樹脂、シリコン樹脂等の熱伝導率が１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の熱伝導性の低い樹脂１１４により封止された構造となり、該表面電極１０２上が熱伝導性の低い部材にて閉鎖され、ＬＥＤ素子１１１からの発熱が効率的に金属枠１０７に熱伝導されず、その結果として、金属枠１０７の高い熱伝導性を効率的に発揮できず、その為、ＬＥＤ素子１１１の温度上昇による、輝度や寿命において一定の限界が存在した。
［０００５］
また、回路基板１０６と、枠１０７との取付けは一般的に接着剤層１０８が用いられる事が多く、ＬＥＤ素子１１１から発せられた光がこの接着剤層１０８を透過し、光漏れを起こし、表面実装型ＬＥＤとしての輝度の損失を招いていた。
［０００６］
そこで本発明は、上記問題を解決した構造を特徴とする電子部品実装基板、及び該基板の製造方法を提供する事を目的とする。
課題を解決するための手段
［０００７］
請求項１の発明は、複数の導体が形成された回路基板の上面に、熱伝導性を有する枠を備え、該枠が該回路基板上の複数の導体のうち半導体素子が実装される半導体素子実装用導体と熱伝導的に接続された事を特徴とする電子部品実装基板であり、ＬＥＤ素子（以下ＬＥＤ素子を含み半導体素子と記す）からの発熱を、直接又は間接的に、該枠に経由させ、該枠表面より外気に効率的に熱放出を行なう事で半導体素子の温度上昇を抑制する。
［０００８］
請求項２の発明は、複数の導体が形成された回路基板の上面に、メッキ法により析出せしめた金属層で枠を形成し、該枠が該回路基板上の複数の導体のうち半導体素子が実装される半導体素子実装用導体と熱伝導的に接続された事を特徴とする電子部品実装基板により、前記と同様、該枠表面より外気に効率的に熱放出を行なう事で半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じないものと成る。
［０００９］
請求項３の発明は、前記回路基板上の前記枠が、電気的な極性を持たない事を特徴とした、請求項１、又は請求項２に記載の電子部品実装基板により、半導体素子の
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
温度上昇を抑制する。
［００１０］
請求項４の発明は、前記枠が、電気的な極性を一つ持つ事を特徴とした、請求項１、又は請求項２に記載の電子部品実装基板により、半導体素子の温度上昇を抑制する。
［００１１］
請求項５の発明は、前記回路基板の端面に開口部を設け、前記半導体素子実装用導体が前記回路基板の下面に形成された導体と熱伝導的に接続され、前記枠と前記回路基板の下面に形成された導体とが該開口部に形成された金属層を介して熱伝導的に接続された事を特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の電子部品実装基板により、半導体素子の温度上昇を抑制する。
［００１２］
請求項６の発明は、前記枠と前記回路基板上の半導体素子実装用導体とを金属層で被覆し、熱伝導的に接続した事を特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の電子部品実装基板により、半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じないものと成る。
［００１３］
請求項７の発明は、前記枠と前記回路基板上の半導体素子実装用導体とを熱伝導的に接続する為に、機械的な接続を用いた事を特徴とする、請求項１に記載の電子部品実装基板により、半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じないものと成る。
［００１４］
請求項８の発明は、前記枠と前記回路基板上の半導体素子実装用導体とを熱伝導的に接続する為に、溶接による接続を用いた事を特徴とする、請求項１に記載の電子部品実装基板により、半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じないものと成る。
［００１５］
請求項９の発明は、前記枠と前記回路基板上の半導体素子実装用導体を熱伝導的に接続する為に、該枠、又は該回路基板上の半導体素子実装用導体に導電性の突起を形成し、該突起を介して、枠と回路基板上の半導体素子実装用導体を熱伝導的に接続した事を特徴とする電子部品実装基板により、半導体素子の温度上昇を抑制する。
［００１６］
請求項１０の発明は、前記突起を、前記枠の底面開口部の周囲、又は前記枠の底面開口部を閉鎖するように形成した事を特徴とする、請求項９に記載の電子部品実装
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
基板により、半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じないものと成る。
［００１７］
請求項１１の発明は、前記回路基板上の半導体素子実装用導体上に、ＬＥＤ素子が実装された事を特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の電子部品実装基板を用いる事により、ＬＥＤ素子の温度上昇を抑制し、又特定の該請求項の電子部品実装基板においては光漏れが生じないものと成る。
［００１８］
請求項１２の発明は、複数の導体が形成された回路基板の上面に、複数の導体の各々を被覆するバリアメタル層を形成し、更にそのバリアメタル層を含む全面に金属のメッキ層を形成した後、該メッキ層の枠形成部にマスク層を形成し、非マスク層部のメッキ層のエッチングを行なった後に該マスク層を除去して枠を形成する工程を有する事を特徴とする、電子部品実装基板の製造方法により、半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じない電子部品実装基板を提供する事が可能と成る。
［００１９］
請求項１３の発明は、回路基板上面に形成された複数の導体のうち、半導体素子が実装される半導体素子実装用導体と、熱伝導性を有する枠とを取付けた後に、該回路基板の複数の導体、及び該枠に金属のメッキ層を形成し、該回路基板上の半導体素子実装用導体、及び該枠を、該金属のメッキ層にて接続する工程を有する事を特徴とする、電子部品実装基板を製造する方法により、半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じない電子部品実装基板を提供する事が可能と成る。請求項１４の発明は、前記枠と前記回路基板上の半導体素子実装用導体との間に接着剤層が介在され、前記枠と前記回路基板上の半導体素子実装用導体との間には、前記接着剤が介在する領域と、前記接着剤が介在することなく前記枠と前記半導体素子実装用導体層が当接する領域とを有する事を特徴とする、請求項１、及び請求項３〜請求項７のいずれか１に記載の電子部品実装基板を用いる事により、接着剤を介さず、直接半導体素子実装用導体から枠へ熱を直接伝導可能な領域を増やしてより枠からの熱放出効率を高め、半導体素子の温度上昇を抑制する。
発明の効果
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
［００２０］
請求項１に示す本発明の電子部品実装基板は、半導体素子からの発熱が、回路基板に形成された半導体素子実装用導体を介して、熱伝導性を有する枠に直接、又は間接的に熱伝導され、該枠の表面から外気に放熱される事により、半導体素子の温度上昇が抑制される事となる。ことに表面実装型ＬＥＤにおいては、ＬＥＤ素子の温度上昇が抑制され、より電流量に比例した高輝度及び、寿命の向上が得られるものとなる。
［００２１］
請求項２に示す本発明の電子部品実装基板は、複数の導体が形成された回路基板の上面に、メッキ法により析出せしめた金属層で金属枠を形成し、金属枠と回路基板上の複数の導体のうち半導体素子が実装される半導体素子実装用導体とが熱伝導的に一体と成り、該半導体素子実装用導体上に半導体素子が実装される事により、半導体素子からの発熱が半導体素子実装用導体を介して該枠に伝導し、該枠の表面から外気に放熱され、前記と同様の効果が得られる。ことに表面実装型ＬＥＤにおいては、光漏れの原因であった接着剤層１０８が無く回路基板と金属枠の間が遮蔽される事により、輝度が向上するものと成る。
［００２２］
請求項３に示す本発明の電子部品実装基板は、前記回路基板上の前記枠が電気的な極性を持たない事により、該枠とより大きな放熱効果を有する筐体と熱伝導的に接続する事が可能と成り、より大きな放熱効果を得るものとなる。
［００２３］
請求項４に示す本発明の電子部品実装基板は、前記回路基板上の前記枠が電気的な極性を持つ事により、前記枠が半導体素子からの発熱に対する放熱効果、及び半導体素子の駆動に関与する接続端子としての使用が可能となる。
［００２４］
請求項５に示す本発明の電子部品実装基板は、前記回路基板の端面に基板開口部を設ける事により、該回路基板の裏に形成された導体のいずれにおいても、該基板開口部を介して前記枠に熱伝導的に接続する事が可能と成り、前記と同様に半導体素子の温度上昇が抑制される事となる。
［００２５］
請求項６に示す本発明の電子部品実装基板は、前記枠と前記回路基板上の半導体素子実装用導体の表面とを金属層で被覆し、熱伝導的に接続する事により、半導体素子実装用導体からの熱が金属層を介して接着層などに熱阻害されることなく枠に伝導される。これにより、前記と同様に半導体素子の温度上昇が抑制される事とな
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
る。ことに表面実装型ＬＥＤにおいては、光漏れの原因であった接着剤層が該金属層にて被覆され、光の遮断効果が得られ輝度が向上するものと成る。
［００２６］
請求項７に示す本発明の電子部品実装基板は、鋲止め、ねじ止め等の機械的な方法により前記枠と前記回路基板上の半導体素子実装用導体を、接着剤層を介さずに熱伝導的に接続する事が可能と成り、半導体素子からの発熱を効率良く該枠表面より外気に放熱する事が可能となる。
［００２７］
請求項８に示す本発明の電子部品実装基板は、ろう付、半田付け、超音波溶接等の溶接法を用い、前記枠と前記回路基板上の半導体素子実装用導体を、接着剤層を介さず金属拡散層を形成する事により熱伝導的に接続する事が可能と成り、半導体素子からの発熱を効率良く該枠表面より外気に放熱する事が可能と成る。ことに表面実装型ＬＥＤにおいては、光漏れの原因であった接着剤層が無く、回路基板と枠の間が遮蔽される事により、輝度が向上するものと成る。
［００２８］
請求項９に示す本発明の電子部品実装基板は、前記枠、又は前記回路基板上の半導体素子実装用導体に導電性の突起を形成し、該突起を介して該枠と該回路基板上の半導体素子実装用導体を熱伝導的に接続する事により、半導体素子からの発熱を該枠表面より外気に放熱する事が可能となる。
［００２９］
請求項１０に示す本発明の電子部品実装基板は、前記請求項９に記載の該突起を前記枠底面開口部の周囲、又は該枠の底面開口部を閉鎖するように形成されており、ことに表面実装型ＬＥＤにおいては、ＬＥＤ素子からの発熱を該枠表面より外気に放熱する事が可能と成り、且つＬＥＤ素子から発せられる光が該突起により遮断され、輝度が向上するものと成る。
［００３０］
請求項１１に示すように、前記に示した本発明の電子部品実装基板は、表面実装型ＬＥＤに好適であり、ＬＥＤ素子からの発熱が、前記回路基板上の半導体素子実装用導体を介し、該枠の表面から効率良く外気に放熱され、ＬＥＤ素子の温度上昇が抑制され、より電流量に比例した高輝度及び、寿命の向上が得られるものと成る。
［００３１］
また、前記に示した特定の請求項の電子部品実装基板においては、光の遮断効果も有する事より、より輝度が向上するものと成る。
［００３２］
従って、本発明の電子部品実装基板を表面実装型ＬＥＤに用いる事により、品質面における機能性の向上や信頼性の向上が得られ、ＬＥＤ素子一つあたりの発光効率も向上する事により、従来において必要であった一定の輝度の確保に対する単位素子数を減少させる事が可能と成り大きな経済効果を有するものとなる。
［００３３］
請求項１２に示す電子部品実装基板の製造方法を用いる事により、半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じない電子部品実装基板を提供する事が可能と成る。
［００３４］
請求項１３に示す電子部品実装基板の製造方法を用いる事により、半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を実装した場合においては、従来の電子部品実装基板における光漏れが生じない電子部品実装基板を提供する事が可能と成り、金属層を厚くする事により、放熱効果もより向上するものと成る。請求項１４に示す電子部品実装基板を用いる事により、接着剤が介在する領域において、回路基板と枠との密着強度を確保することができるとともに、枠と半導体素子実装用導体層が当接する領域においては、枠と半導体素子実装用導体層間の電気的、熱伝導的接続が確保される。したがって、半導体素子から発熱した熱は半導体素子実装用導体に伝導し、その後、前枠と半導体素子実装用導体層が当接する領域において枠へ効率よく熱伝導され、ＬＥＤ素子の温度上昇が抑制され、より電流量に比例した高輝度及び、寿命の向上が得られるものと成る。
図面の簡単な説明
【国際調査報告】
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