(57)【要約】  本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子において、基板電極表面に付着した異物の除去を効果的に行うとともに、不良基板を早い段階で排除し、異物に起因するリーク電流の発生を防止する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造を提供する。  有機エレクトロルミネッセンス素子の製造におけるウェット洗浄工程において、洗浄溶媒に混入している異物の粒子数の管理及び監視を行い、洗浄性能の向上を図るとともに洗浄溶媒の異物粒子数の検査監視を行い清浄度を判断し、その結果に基づき洗浄不良品を早い段階で排除する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも第一電極と有機物質からなる発光層の一層以上と第二電極を成膜してなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記基板上に第一電極を成膜してなる有機エレクトロルミネッセンス基板を洗浄溶媒を用いて洗浄を行うウェット洗浄工程を具備するとともに、前記ウェット洗浄工程は前記洗浄溶媒に混入している異物の粒子数を測定する粒子数測定工程と前記粒子数を分析する粒子数分析工程とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
前記ウェット洗浄工程は、前記粒子数分析工程により得られる分析データから、前記ウェット洗浄工程の終了、または有機エレクトロルミネッセンス基板の清浄度の良否を判定する演算工程を有することを特徴とする請求の範囲第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
基板上に少なくとも第一電極と有機物質からなる発光層の一層以上と第二電極を成膜してなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記基板上に第一電極を成膜してなる有機エレクトロルミネッセンス基板を洗浄溶媒を用いて洗浄を行うウェット洗浄工程を具備するとともに、
前記ウェット洗浄工程は、予め規定した所定粒子サイズ以上の異物の粒子数が単位容量当たり所定の粒子数以下である洗浄溶媒を流水供給方式で供給し洗浄することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
前記ウェット洗浄工程は、予め規定した所定粒子サイズ以上の異物の粒子数が単位容量当たり所定の粒子数以下である洗浄溶媒を流水供給方式で供給し洗浄することを特徴とする請求の範囲第１項または第２項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
前記ウェット洗浄工程の流水供給方式が、超音波浴槽オーバーフロー方式であることを特徴とする請求の範囲第３項または第４項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
前記ウェット洗浄工程の流水供給方式が、流水シャワー方式であることを特徴とする請求の範囲第３項または第４項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
前記ウェット洗浄工程の流水供給方式が、超音波振動を付与した流水シャワー方式であることを特徴とする請求の範囲第３項または第４項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項８】
前記洗浄溶媒は、超純水であることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第７項の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項９】
前記洗浄溶媒は、イソプロピルアルコールであることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第７項の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１０】
前記ウェット洗浄工程は、該ウェット洗浄工程の最終工程であることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第９項の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１１】
前記ウェット洗浄工程で洗浄を行った前記有機エレクトロルミネッセンス基板に乾燥及びドライ洗浄を行い、その後有機層を成膜することを特徴とする請求の範囲第１０項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１２】
前記乾燥は、スピン乾燥法であることを特徴とする請求の範囲第１１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１３】
前記乾燥は、熱風乾燥法であることを特徴とする請求の範囲第１１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１４】
前記乾燥は、エアナイフ乾燥法であることを特徴とする請求の範囲第１１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１５】
前記ドライ洗浄は、ＵＶオゾン洗浄であることを特徴とする請求の範囲第１１項乃至第１４項の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１６】
前記ドライ洗浄は、酸素プラズマ洗浄であることを特徴とする請求の範囲第１１項乃至第１４項の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１７】
前記ウェット洗浄の最終工程後から前記有機層の成膜開始までの基板移動環境雰囲気が、ＪＩＳＢ９９２０規格で清浄度クラス１０００以下で管理されることを特徴とする請求の範囲第１０項乃至第１６項の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１８】
前記ウェット洗浄の最終工程後から前記有機層の成膜開始までの時間が、２０時間以内であることを特徴とする請求の範囲第１０項乃至第１６項の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１９】
請求の範囲第１項乃至第１８項の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法で製造することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子とも言う）の製造方法に関する。詳しくは、有機ＥＬ素子を形成する電極成膜基板（有機エレクトロルミネッセンス基板）の洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットディスプレイなどの表示装置や、電子写真複写機、プリンタ−などの光源に有機ＥＬ素子の使用が検討されている。【０００３】
この有機ＥＬ素子は蛍光性有機物の非常に薄い薄膜を第一電極（以下、陽極とも言う）と第二電極（以下、陰極とも言う）ではさみ電流を流すことで発光する電流駆動型発光素子である。通常、有機物は絶縁体であるが有機層の膜厚を非常に薄くすることにより電流注入が可能となり有機ＥＬ素子として駆動する事が可能となる。そして１０Ｖ以下の低電圧で駆動することが可能であり、これにより高効率な発光を得ることも可能なため将来のディスプレイとして注目を浴びている。【０００４】
特に最近においては従来の励起一重項を用いる有機ＥＬ素子の効率を遙かにしのぐ励起三重項を用いるリン光発光有機ＥＬ素子がＳ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔ等により見い出されている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．（１９９９），７５（１），４−６）。さらにＣ．Ａｄａｃｈｉ等が報告（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９０，５０４８（２００１））しているように６０ｌｍ／Ｗにも及ぶ視感度効率を出すまでに及び、このような素子はディスプレイのみならず、照明への応用が期待される。【０００５】
有機ＥＬ素子においては、有機層は非常に薄いため有機エレクトロルミネッセンス基板の平滑性の影響を受けやすく、電極表面に付着したゴミ（微細な塵）等の異物による電極表面の粗さに影響される。【０００６】
前記異物による電極表面の粗さは、第一電極と第二電極間の電流のリーク発生の原因となり、逆方向への電流即ちリーク電流があるとクロストークや輝度ムラ等の有機ＥＬ素子の表示品質の低下を招き、更には不良な素子の発熱等発光に寄与しないエネルギー消費が発生し、発光効率が低下する。【０００７】
更に、有機層の成膜において、前記異物による電極表面の粗さに起因する突起により陰となる未蒸着部分や薄膜部が原因となり、電極ショートあるいは薄膜化部分の電流集中による絶縁破壊により電極ショートが生ずるという問題がある。【０００８】
上記問題に関し、下記のような技術が開示されている。【０００９】
正孔注入電極の有機化合物層に接する側の表面粗さを５．０ｎｍ以下、最大粗さを５５ｎｍ以下に、また表面に付着した異物の直径を３μｍ以下に規定する（例えば、特許文献１参照）。【００１０】
有機ＥＬ素子基板において、フィルム内、フィルムと電極との界面および電極表面における１μｍ以上の異物、突起物、穴、空孔などの欠陥の合計数を１ｍ2当たりの換算値で１００個以下に規定する（例えば、特許文献２参照）。【００１１】
有機ＥＬ層と対応する第１電極上の異物が存在しない部分における該第１電極の表面から保護膜の外面までの膜厚が、前記第１電極上に存在する異物の大きさより大きく形成する（例えば、特許文献３参照）。【００１２】
有機層の一層に温度上昇に伴い高抵抗化するリーク防止層を設けることにより、有機層中のある一カ所への電流の集中を防ぎ有機ＥＬ素子の破壊を防止する（例えば、特許文献４参照）。【００１３】
水の接触角が２５°未満となるように洗浄処理された、透明導電性基材の透明導電膜の表面に、素子を構成する単層または複層の有機層を形成する（例えば、特許文献５参照）。
【特許文献１】特開２００２−７５６６０号公報
【特許文献２】特開平６−１２４７８５号公報
【特許文献３】特開２００４−３６２９１２号公報
【特許文献４】特開２００４−９５３８８号公報
【特許文献５】特開平７−２２０８７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
有機ＥＬ素子は前述のように電極表面の粗さに影響され、前記電極表面の粗さに起因するリーク電流が発生すると有機ＥＬ素子の表示品質の低下を招く。従って、異物を除去し、前記電極表面の粗さを抑制することが必要となる。前記電極表面の異物除去の方法としては洗浄溶媒を用いた洗浄即ちウェット洗浄等が知られている。【００１５】
しかしながら、前記ウェット洗浄において、有機エレクトロルミネッセンス基板の洗浄後に電極表面に残存する異物は、洗浄溶媒に存在する異物の再付着が要因ともなっている。【００１６】
これに対し、特許文献１及び２では、電極の表面粗さ、電極表面に付着した異物について定義しているが、それを解決するための手段については言及していない。条件を満たす有機エレクトロルミネッセンス基板を抜き取り検査により良否を選別するが、多くの有機エレクトロルミネッセンス基板が不良品になる可能性もある。また、不良品を再度洗浄する、あるいは排除する等生産効率を低下させる要因になる。【００１７】
特許文献３では、第１電極の表面から保護膜の外面までの膜厚を、前記第１電極上に存在する異物の大きさより大きく形成することにより、保護層のピンホールをなくすことは可能で、水分及び酸素が有機層へ侵入することを防止することは可能であるが、電極間のショートによるリークを抑制することは困難である。また、異物除去の対策に至っていない。【００１８】
特許文献４では、リーク電流は抑制されるが、高抵抗化した部分は未発光となり、発光面積が小さくなる。また、リーク防止層を付設するため生産工程が増加し複雑となり生産性低下の要因となる。【００１９】
特許文献５では、水の接触角で有機エレクトロルミネッセンス基板の表面の汚染状態を検出する方法では、異物付着の有無を検出することは困難である。【００２０】
本発明は、上記状況に鑑みなされたもので、有機ＥＬ素子の製造におけるウェット洗浄工程において、有機エレクトロルミネッセンス基板を洗浄する際の洗浄溶媒に混入している異物の粒子数の管理及び監視を行い、有機エレクトロルミネッセンス基板の洗浄性能の向上を図ることにより電極間のショートによるリーク電流を抑制することができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的とする。【００２１】
また、前記洗浄溶媒に混入している異物の粒子数の検査監視を行い清浄度を判断し、その結果に基づき、有機エレクトロルミネッセンス基板の洗浄不良品を早い段階で排除することにより生産効率の向上を図ることができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的は、下記の構成により達成される。
（１）
基板上に少なくとも第一電極と有機物質からなる発光層の一層以上と第二電極を成膜してなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記基板上に第一電極を成膜してなる有機エレクトロルミネッセンス基板を洗浄溶媒を用いて洗浄を行うウェット洗浄工程を具備するとともに、前記洗浄工程は前記洗浄溶媒に混入している異物の粒子数を測定する粒子数測定工程と前記粒子数を分析する粒子数分析工程とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（２）
前記ウェット洗浄工程は、前記粒子数分析工程により得られる分析データから、前記ウェット洗浄工程の終了、または有機エレクトロルミネッセンス基板の清浄度の良否を判定する演算工程を有することを特徴とする（１）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（３）
基板上に少なくとも第一電極と有機物質からなる発光層の一層以上と第二電極を成膜してなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
前記基板上に第一電極を成膜してなる有機エレクトロルミネッセンス基板を洗浄溶媒を用いて洗浄を行うウェット洗浄工程を具備するとともに、
前記ウェット洗浄工程は予め規定した所定粒子サイズ以上の異物の粒子数が単位容量当たり所定の粒子数以下である洗浄溶媒を流水供給方式で供給し洗浄することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（４）
前記洗浄工程は、予め規定した所定粒子サイズ以上の異物の粒子数が単位容量当たり所定の粒子数以下である洗浄溶媒を流水供給方式で供給し洗浄することを特徴とする（１）または（２）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（５）
前記ウェット洗浄工程の流水供給方式が、超音波浴槽オーバーフロー方式であることを特徴とする（３）または（４）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（６）
前記ウェット洗浄工程の流水供給方式が、流水シャワー方式であることを特徴とする（３）または（４）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（７）
前記ウェット洗浄工程の流水供給方式が、超音波振動を付与した流水シャワー方式であることを特徴とする（３）または（４）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（８）
前記洗浄溶媒は、超純水であることを特徴とする（１）乃至（７）の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（９）
前記洗浄溶媒は、イソプロピルアルコールであることを特徴とする（１）乃至（７）の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（１０）
前記ウェット洗浄工程は、該ウェット洗浄工程の最終工程であることを特徴とする（１）乃至（９）の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（１１）
前記ウェット洗浄工程で洗浄を行った有機エレクトロルミネッセンス基板に乾燥及びドライ洗浄を行い、その後有機層を成膜することを特徴とする（１０）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（１２）
前記乾燥は、スピン乾燥法であることを特徴とする（１１）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（１３）
前記乾燥は、熱風乾燥法であることを特徴とする（１１）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（１４）
前記乾燥は、エアナイフ乾燥法であることを特徴とする（１１）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（１５）
前記ドライ洗浄は、ＵＶオゾン洗浄であることを特徴とする（１１）乃至（１４）の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（１６）
前記ドライ洗浄は、酸素プラズマ洗浄であることを特徴とする（１１）乃至（１４）の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（１７）
前記ウェット洗浄の最終工程後から前記有機層の成膜開始までの基板移動環境雰囲気が、ＪＩＳＢ９９２０規格で清浄度クラス１０００以下で管理されることを特徴とする（１０）乃至（１６）の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（１８）
前記ウェット洗浄の最終工程後から前記有機層の成膜開始までの時間が、２０時間以内であることを特徴とする（１０）乃至（１６）の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
（１９）
（１）乃至（１８）の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法で製造することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【００２３】
上記構成により、有機ＥＬ素子の製造における有機エレクトロルミネッセンス基板のウェット洗浄において、有機エレクトロルミネッセンス基板の洗浄後に有機エレクトロルミネッセンス基板の電極表面に残存する異物は、ウェット洗浄の洗浄溶媒に混入している異物の再付着が主な要因であるため、洗浄溶媒に混入している異物の粒子数（以下、パーティクルとも言う）を粒子数測定手段（以下、リキッドパーティクルカウンタまたはＬＰＣとも言う）で監視し分析することにより、有機エレクトロルミネッセンス基板における電極表面の清浄度を判断することが可能である。これにより、有機エレクトロルミネッセンス基板における電極表面の洗浄工程の終了あるいは所定時間の洗浄における清浄度の良否を判断することができ、良品な有機エレクトロルミネッセンス基板のみを次工程に送り、不良品を排除することができる。【００２４】
また、予め、洗浄溶媒に混入している異物の粒子数を規定し、前記規定以下の低異物粒子数の洗浄溶媒を洗浄に使用することにより、有機エレクトロルミネッセンス基板における電極表面の異物を効率よく除去することができるとともに安定した異物除去性能を確保でき、異物粒子が前記電極表面に再付着するのを抑制することができる。【００２５】
更に、ウェット洗浄の最終工程後から有機層成膜開始までの有機エレクトロルミネッセンス基板の移動環境雰囲気、時間を規定することにより、有機エレクトロルミネッセンス基板への異物の付着を防止し、ウェット洗浄終了後の有機エレクトロルミネッセンス基板の清浄度を有機層成膜開始まで維持できる。【００２６】
上記により、駆動時にリーク電流の発生が無い安定した品質で、かつ生産効率の良い有機ＥＬ素子の製造ができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】貯水超音波洗浄浴槽方式の洗浄工程の模式図である。
【図２】流水供給洗浄浴槽方式の洗浄工程の模式図である。
【図３】洗浄溶媒循環式とした流水供給洗浄浴槽方式の洗浄工程の模式図である。
【図４】流水供給シャワー方式の洗浄工程の模式図である。
【図５】洗浄溶媒循環式とした流水供給シャワー方式の洗浄工程の模式図である。
【図６】最終ウェット洗浄から有機層成膜までの工程略図である。
【図７】パッシブマトリックスのフルカラー有機ＥＬ素子の層構成を示す模式図である。
【図８】分析データ（異物粒子数）と洗浄時間の関係を表す概念図である。
【図９】分析データ（異物粒子数）と洗浄時間の関係を表す概念図である。
【図１０】分析データ（異物粒子数）と洗浄時間の関係を表す概念図である。
【図１１】分析データ（異物粒子数）と洗浄時間の関係を表す概念図である。
【図１２】分析データ（異物粒子数）と洗浄時間の関係を表す概念図である。
【図１３】分析データ（異物粒子数）と洗浄時間の関係を表す概念図である。
【符号の説明】
【００２８】
１  有機エレクトロルミネッセンス基板
２１  洗浄浴槽
２１Ａ  超音波発生装置
２２  洗浄溶媒
２３  洗浄溶媒貯水容器
２４  フィルター
３１  洗浄槽
３２  シャワーノズル
３２Ａ  超音波発生装置
５１  粒子数測定手段（ＬＰＣ）
５２  分析部
５３  演算部
５４  制御部
Ｐ１  供給ポンプ
Ｐ２  循環ポンプ
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下に本発明に係る有機ＥＬ素子の構成層と一般構成及び有機ＥＬ素子の製造方法の形態について順次説明する。【００３０】
なお、図７に、本発明に係る有機ＥＬ素子の一例として、パッシブマトリックス方式のフルカラー有機ＥＬ素子の層構成（図７（ａ））、及び図７（ａ）の矢示Ａ方向から見た正面図（図７（ｂ））を示したが、本発明に係る有機ＥＬ素子はこれに限定されるものではない。【００３１】
フルカラー有機ＥＬ素子９００は、支持体１上に、陽極９０２、正孔輸送層９０３、発光層９０４、電子輸送層９０５、陰極９０６をそれぞれパターン様に形成し、支持体１、バリアフィルム９０７及び接着層９０８でこれらの各層を封入した構成となっている。【００３２】
＜有機ＥＬ素子の構成層と一般構成＞
本発明に係る有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を下記に示すが、以下の形態に限定されるものではない。
（１）陽極／発光層ユニット／電子輸送層／陰極
（２）陽極／正孔輸送層／発光層ユニット／電子輸送層／陰極
（３）陽極／正孔輸送層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（４）陽極／正孔輸送層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ−層（以下、電子注入層とも言う）／陰極
（５）陽極／陽極バッファ−層（以下、正孔注入層とも言う）／正孔輸送層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ−層／陰極
ここで、発光層ユニットには、発光極大波長が各々４３０ｎｍ〜４８０ｎｍ、５１０ｎｍ〜５５０ｎｍ、６００ｎｍ〜６４０ｎｍの範囲にある少なくとも何れか１層の発光層を有する。【００３３】
発光層ユニットは、白色バックライト（以下、白色ＢＬとも言う）用途の場合では各色発光層の積層、もしくは各色発光材料の混合材料を使用することで、フルカラ−の場合は各色をパタ−ニングすることで達成される。【００３４】
《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィ−法で所望の形状のパタ−ンを形成してもよく、あるいはパタ−ン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパタ−ンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コ−ティング方式など湿式製膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシ−ト抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。【００３５】
《陰極》
一方、陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ未満）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシ−ト抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。【００３６】
また、陰極に上記金属を１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が発光した光を透過する有機ＥＬ素子を作製することができる。【００３７】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス基板とは、後記する支持体に上記のような陽極または陰極を成膜したものである。請求の範囲でいう第一電極とは陽極または陰極のいずれでもよい。また、支持体と第一電極の間に、有機ＥＬ素子の性能を向上させるために、公知の技術、例えば、支持体よりも屈折率の低い物質からなる層、を設けてもよい。【００３８】
次に、本発明の有機ＥＬ素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。【００３９】
《注入層：電子注入層、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。【００４０】
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティ−・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファ−層）と電子注入層（陰極バッファ−層）とがある。【００４１】
陽極バッファ−層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファ−層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファ−層、アモルファスカ−ボンバッファ−層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファ−層等が挙げられる。【００４２】
陰極バッファ−層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファ−層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファ−層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファ−層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファ−層等が挙げられる。上記バッファ−層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。【００４３】
《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く、有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティ−・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホ−ルブロック）層がある。【００４４】
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。【００４５】
一般に有機ＥＬ素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。【００４６】
また、複数の発光色の異なる発光層を有する場合にはその発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、前記最短波発光層と、該最短波発光層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更に、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の５０質量％以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対し、そのイオン化ポテンシャルが０．３ｅＶ以上大きいことが好ましい。【００４７】
イオン化ポテンシャルは、化合物のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギ−で定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。
（１）米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ９８（Ｇａｕｓｓｉａｎ９８，Ｒｅｖｉｓｉｏｎ  Ａ．１１．４，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ  ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ  ＰＡ，２００２．）を用い、キ−ワ−ドとしてＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊を用いて構造最適化を行うことにより算出した値（ｅＶ単位換算値）の小数点第２位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。
（２）イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。光電子分光法による測定方法としては、例えば、低エネルギ−電子分光装置「Ｍｏｄｅｌ  ＡＣ−１」（理研計器社製）を用いる方法が挙げられる。また、紫外光電子分光法による測定方法を用いることも可能である。【００４８】
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては好ましくは３ｎｍ〜１００ｎｍで有り、更に好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍである。【００４９】
《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。【００５０】
（ホスト化合物）
本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、以下に示すホスト化合物とリン光性化合物（リン光発光性化合物ともいう）が含有されることが好ましい。【００５１】
ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であり、かつ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。【００５２】
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、リン光性化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。リン光性化合物の種類、ド−プ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用もできる。【００５３】
これらの公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。【００５４】
公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。【００５５】
特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等が挙げられる。【００５６】
本発明においては、複数の発光層を有するが、これら各層のホスト化合物の５０質量％以上が同一の化合物であることが、有機層全体に渡って均質な膜性状を得やすいことから好ましく、更には該化合物の燐光発光エネルギ−が２．９ｅＶ以上であることが、ド−パントからのエネルギ−移動を効率的に抑制し、高輝度を得る上で有利となることから好ましい。【００５７】
（リン光性化合物（リン光発光性化合物））
発光層に使用される材料（以下、発光材料という）としては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光性化合物を含有することが好ましい。これにより、より発光効率の高い有機ＥＬ素子とすることができる。【００５８】
本発明に係るリン光性化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物である。リン光量子収率は好ましくは０．１以上である。上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられるリン光性化合物は、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率が達成されればよい。【００５９】
リン光性化合物の発光は原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギ−をリン光性化合物に移動させることでリン光性化合物からの発光を得るというエネルギ−移動型、もう一つはリン光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光性化合物上でキャリアの再結合が起こりリン光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光性化合物の励起状態のエネルギ−はホスト化合物の励起状態のエネルギ−よりも低いことが条件である。【００６０】
リン光性化合物は、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。【００６１】
本発明で用いられるリン光性化合物としては、好ましくは元素の周期表で８族〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。【００６２】
以下に、リン光性化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０巻、１７０４〜１７１１に記載の方法等により合成できる。【００６３】
【化１】
2007010769.tif 000002
【００６４】
【化２】
2007010769.tif 000003
【００６５】
【化３】
2007010769.tif 000004
【００６６】
【化４】
2007010769.tif 000005
【００６７】
【化５】
2007010769.tif 000006
【００６８】
【化６】
2007010769.tif 000007
【００６９】
【化７】
2007010769.tif 000008
【００７０】
本発明においては、リン光性化合物のリン光発光極大波長としては特に制限されるものではなく、原理的には中心金属、配位子、配位子の置換基等を選択することで得られる発光波長を変化させることができる。【００７１】
本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。【００７２】
本発明で言うところの白色素子とは、２度視野角正面輝度を前記方法により測定した際に、１０００Ｃｄ／ｍ2でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がＸ＝０．３３±０．７７、Ｙ＝０．３３±０．７７の領域内にあることをいう。【００７３】
発光層は上記化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコ−ト法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。【００７４】
白色パネルにおいては、発光層は発光極大波長が各々４３０ｎｍ〜４８０ｎｍ、５１０ｎｍ〜５５０ｎｍ、６００ｎｍ〜６４０ｎｍの範囲にある発光スペクトルの異なる少なくとも３層以上の層を含むことが好ましい。３層以上であれば、特に制限はない。４層より多い場合には、同一の発光スペクトルを有する層が複数層あってもよい。発光極大波長が４３０ｎｍ〜４８０ｎｍにある層を青発光層、５１０ｎｍ〜５５０ｎｍにある層を緑発光層、６００ｎｍ〜６４０ｎｍの範囲にある層を赤発光層と、以下称する。【００７５】
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、通常２ｎｍ〜５μｍ、好ましくは２ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。本発明においては、更に１０ｎｍ〜２０ｎｍの範囲にあるのが好ましい。薄すぎると膜の均質性が得られにくい。またこれより厚いと発光を得るのに高電圧を要するため好ましくない。膜厚を２０ｎｍ以下にすると電圧面のみならず、駆動電流に対する発光色の安定性が向上する効果があり好ましい。【００７６】
個々の発光層の膜厚は、好ましくは２ｎｍ〜１００ｎｍの範囲で選ばれ、２ｎｍ〜２０ｎｍの範囲にあるのが更に好ましい。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はないが、３発光層中、青発光層（複数層ある場合はその総和）が最も厚いことが好ましい。【００７７】
また、前記の極大波長を維持する範囲において、各発光層には複数の発光性化合物を混合してもよい。例えば、青発光層に、極大波長４３０ｎｍ〜４８０ｎｍの青発光性化合物と、同５１０ｎｍ〜５５０ｎｍの緑発光性化合物を混合して用いてもよい。【００７８】
《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。【００７９】
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾ−ル誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、イミダゾ−ル誘導体、ポリアリ−ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリ−ルアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾ−ル誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマ−、特にチオフェンオリゴマ−等が挙げられる。【００８０】
正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。【００８１】
芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエ−テル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオ−ドリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾ−ル、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスタ−バ−スト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。【００８２】
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。【００８３】
また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ  ｅｔ．ａｌ．著（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の有機ＥＬ素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。【００８４】
正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコ−ト法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。【００８５】
また、不純物をド−プしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、特開２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）などに記載されたものが挙げられる。【００８６】
《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。【００８７】
従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾ−ル誘導体において、オキサジアゾ−ル環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾ−ル誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。【００８８】
また、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノ−ル）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノ−ル）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノ−ル）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノ−ル）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノ−ル）アルミニウム、ビス（８−キノリノ−ル）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリ−もしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。【００８９】
電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコ−ト法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。【００９０】
また、不純物をド−プしたｎ性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開平１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、特開２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）などに記載されたものが挙げられる。【００９１】
《支持体》
一般に、有機ＥＬ素子に用いることのできる支持体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明であっても不透明であってもよい。前記支持体としては、ガラス板、ポリマー板・樹脂フィルム等が挙げられる。前記支持体の形状は、枚葉シートあるいは連続帯状シートでもよい。【００９２】
支持体側から光を取り出す場合には、支持体は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持体としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。【００９３】
ガラス板としては、ソーダ石灰ガラス、バリウムストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等を挙げることができる。【００９４】
ポリマー板としてはポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド及びポリサルフォン等を挙げることができる。【００９５】
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレ−ト（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレ−ト（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロ−スジアセテ−ト、セルロ−ストリアセテ−ト、セルロ−スアセテ−トブチレ−ト、セルロ−スアセテ−トプロピオネ−ト（ＣＡＰ）、セルロ−スアセテ−トフタレ−ト（ＴＡＣ）、セルロ−スナイトレ−ト等のセルロ−スエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコ−ル、ポリエチレンビニルアルコ−ル、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカ−ボネ−ト、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエ−テルケトン、ポリイミド、ポリエ−テルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエ−テルイミド、ポリエ−テルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレ−ト、アクリル或いはポリアリレ−ト類、ア−トン（商品名ＪＳＲ社製）或いはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ2／ｄａｙ／ａｔｍ以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、酸素透過度１０-3ｍｌ／ｍ2／ｄａｙ以下、水蒸気透過度１０-5ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。【００９６】
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素など素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよい。例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。【００９７】
バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシ−法、クラスタ−イオンビ−ム法、イオンプレ−ティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レ−ザ−ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コ−ティング法などを用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。【００９８】
不透明な支持体の例としては、例えばアルミニウム、ステンレス等の金属板・フィルムや不透明樹脂基板等が挙げられる。【００９９】
《封止手段》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば封止部材と、電極、支持体とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。【０１００】
一般に、封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に問わない。【０１０１】
具体的には、ガラス板、ポリマ−板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソ−ダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマ−板としては、ポリカ−ボネ−ト、アクリル、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリエ−テルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウムおよびタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。本発明においては、支持体が可とう性を有する事と素子を薄膜化できるということからポリマ−フィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。更には、ポリマ−フィルムは、酸素透過度１０-3ｍｌ／ｍ2／ｄａｙ以下、水蒸気透過度１０-5ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下のであることが好ましい。【０１０２】
接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマ−、メタクリル酸系オリゴマ−の反応性ビニル基を有する光硬化および熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステルなどの湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系などの熱および化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。【０１０３】
なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は、市販のディスペンサ−を使ってもよいし、スクリ−ン印刷のように印刷してもよい。【０１０４】
また、有機層を挟み支持体と対向する側の電極の外側に、該電極と有機層を被覆し、支持体と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素など素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシ−法、クラスタ−イオンビ−ム法、イオンプレ−ティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レ−ザ−ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コ−ティング法などを用いることができる。【０１０５】
封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相および液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体や、フッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することも可能である。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。【０１０６】
吸湿性化合物としては例えば金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等があげられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物および過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。【０１０７】
《光取出し加工》
有機エレクトロルミネッセンス素子は、空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。【０１０８】
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板の表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（例えば、米国特許第４７７４４３５明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（例えば、特開昭６３−３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（例えば、特開平１−２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（例えば、特開昭６２−１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（例えば、特開２００１−２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（例えば、特開平１１−２８３７５１号公報）などがある。【０１０９】
これらの方法を本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。【０１１０】
これらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。【０１１１】
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど、外部への取り出し効率が高くなる。【０１１２】
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマ−などが挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。またさらに１．３５以下であることが好ましい。【０１１３】
また、低屈折率媒質の厚みは、媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。【０１１４】
全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は、回折格子が１次の回折や、２次の回折といったいわゆるブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち、層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。【０１１５】
導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。【０１１６】
回折格子を導入する位置としては前述のとおり、いずれかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）でも良いが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。【０１１７】
このとき、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。【０１１８】
回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状など、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。【０１１９】
《集光シ−ト》
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を面光源用に使用する場合は、基板の光取出し側に、例えばマイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、あるいは、所謂集光シ−トと組み合わせることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。【０１２０】
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０μｍ〜１００μｍが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。【０１２１】
集光シ−トとしては、例えば液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシ−トとして例えば、住友スリ−エム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）などを用いることができる。プリズムシ−トの形状としては、例えば基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であっても良い。【０１２２】
また、発光素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シ−トと併用してもよい。例えば、拡散フィルム「ライトアップ」（（株）きもと製）などを用いることができる。【０１２３】
＜本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法の実施の形態＞
次に本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法の実施の形態について説明する。本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。【０１２４】
有機ＥＬ素子の層構成の例は、前述の有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例に記述したが、本実施の形態では、基板上に電極物質、例えばＩＴＯ（インジウムチンオキシド）等を成膜しフォトエッチングでパターニングを行うことにより第一電極（陽極）を形成した有機エレクトロルミネッセンス基板の電極表面のウェット洗浄工程及びウェット洗浄後の有機層成膜について説明する。【０１２５】
以下に、本発明に係るウェット洗浄工程の実施の形態について、図を参照して説明する。また、各実施の形態は、ウェット洗浄工程の最終工程で用いられることが好ましい。
（実施の形態１）
図１は、洗浄溶媒を貯水した超音波洗浄浴槽に有機エレクトロルミネッセンス基板を入れ洗浄する貯水式洗浄工程の実施形態１の模式図である。【０１２６】
図１に示すように、有機エレクトロルミネッセンス基板１を、超音波発生装置２１Ａを有する洗浄浴槽２１に入れ、洗浄溶媒２２に浸漬し超音波洗浄を行う。洗浄浴槽２１には、予め規定した所定粒子サイズ以上の異物の粒子数が単位容量当たり所定の粒子数以下である洗浄溶媒２２が貯水される。【０１２７】
異物は洗浄する前の洗浄溶媒に混入している場合もあるが、異物のほとんどは、有機エレクトロルミネッセンス基板の洗浄の際に混入してくるものである。【０１２８】
前記洗浄溶媒に混入している異物の粒子サイズ及び粒子数としては、０．５μｍ以上の粒子数の個数が１５００個／ｍｌ以下が好ましい。粒子サイズが０．５μｍ未満の異物は管理することが困難である。粒子サイズが０．５μｍ以上の異物の粒子数を管理することで、粒子サイズが０．５μｍ未満の異物の管理を省くことができる。粒子サイズが０．５μｍ以上の異物の粒子数が１５００個／ｍｌを超えると有機ＥＬ素子の駆動時にリーク電流が発生しやすくなる。【０１２９】
本発明においては、使用する洗浄溶媒の種類は、特に限定するものではないが、超純水あるいはイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）が好ましい。【０１３０】
有機エレクトロルミネッセンス基板１は、超音波発生装置２１Ａにより超音波振動を与えられた洗浄溶媒２２により洗浄される。【０１３１】
洗浄浴槽中の洗浄溶媒に混入している異物の粒子数は、ＬＰＣ（粒子数計測手段）５１により所定時間毎に計測される。前記所定時間の間隔は、洗浄工程の仕様により適宜設定が可能である。本実施形態では、１０秒毎としている。計測されたデータを基に、粒子数分析手段である分析部５２で単位容量当たりの粒子数に分析し、分析データは、演算手段である演算部５３に送られ基板清浄度（有機エレクトロルミネッセンス基板の清浄度、以下同じ）の判定が行われる。【０１３２】
前記基板清浄度の判定は、以下の何れかの方法で行われる。【０１３３】
演算部５３では、所定時間毎の分析データにおける、所定サンプル数の分析データ変化及び予め入力されている粒子数判定基準値から基板清浄度の良否の判定を行う。分析データのサンプル数は適宜設定が可能である。本実施の形態では、４サンプルのデータで判定を行っている。前記判定は、以下の２通りの何れかで行われる。【０１３４】
判定１）
所定時間毎の分析データの所定サンプル数において、粒子数判定基準値以下の粒子数でかつ分析データの変化が認められなくなったときに基板清浄度「良」とし、洗浄終了の判定を行う。また、分析データが判定基準値を超えた場合は洗浄を終了し、基板洗浄度「否」とする。図８は、判定１における分析データ（異物粒子数）と洗浄時間の関係を表す概念図である。【０１３５】
判定２）
予め定めた所定時間洗浄終了前の所定サンプル数において、粒子数判定基準値以下の粒子数でかつ分析データにデータの変化が認められないときに基板清浄度「良」とし、データの変化が認められるときに基板清浄度「否」と判定を行う。また、分析データが判定基準値を超えた場合は所定時間洗浄終了前でも洗浄を終了し、基板洗浄度「否」とする。図９は、判定２における分析データ（異物粒子数）と洗浄時間の関係を表す概念図である。【０１３６】
前記判定１）は、分析データが粒子数判定基準値以下の場合、基板清浄度「良」となるまで洗浄することができ、洗浄の時間的制約が無い場合に有効である。洗浄が終了した有機エレクトロルミネッセンス基板は、次工程に投入される。【０１３７】
また、前記判定２）は有機ＥＬ素子製造ラインの関係から洗浄の時間的制約がある場合に有効である。基板洗浄度「良」の有機エレクトロルミネッセンス基板は、次工程に投入される。基板洗浄度「否」の有機エレクトロルミネッセンス基板は、有機ＥＬ素子製造ラインから排除される。このように基板洗浄度「否」と判定された不良有機エレクトロルミネッセンス基板を工程の早い段階で排除できるため、生産効率の向上を図ることができる。前記不良有機エレクトロルミネッセンス基板は、別途再洗浄を行い有機ＥＬ素子製造ラインに投入することができる
前記判定結果は制御部５４に送られ、図示しない表示手段等に結果を表示するとともに超音波発生装置２１Ａのオン−オフ等の制御を行う。
（実施の形態２）
図２は、洗浄浴槽に有機エレクトロルミネッセンス基板を入れ、洗浄溶媒を流水供給方式で供給し洗浄を行う洗浄工程の実施形態２の模式図である。【０１３８】
図２に示すように、有機エレクトロルミネッセンス基板１を洗浄浴槽２１に入れ洗浄溶媒２２に浸漬し、洗浄溶媒２２を洗浄溶媒貯水容器２３より供給ポンプＰ１で洗浄浴槽２１に供給し、流水供給方式で基板１を洗浄する。洗浄浴槽２１には、予め規定した所定粒子サイズ以上の異物の粒子数が単位容量当たり所定の粒子数以下である洗浄溶媒２２が供給される。【０１３９】
前記洗浄溶媒に混入している異物の粒子サイズ及び粒子数としては、０．５μｍ以上の粒子数の個数が１５００個／ｍｌ以下が好ましい。粒子サイズが０．５μｍ未満の異物は管理することが困難である。粒子サイズが０．５μｍ以上の異物の粒子数を管理することで、粒子サイズが０．５μｍ未満の異物の管理を省くことができる。粒子サイズが０．５μｍ以上の異物の粒子数が１５００個／ｍｌを超えると有機ＥＬ素子の駆動時にリーク電流が発生しやすくなる。【０１４０】
使用する洗浄溶媒の種類は、特に限定するものではないが、超純水あるいはイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）が好ましい。【０１４１】
洗浄浴槽２１に供給された洗浄溶媒２２は、有機エレクトロルミネッセンス基板１を洗浄し洗浄浴槽２１から溢れた洗浄溶媒はオーバーフローにより洗浄浴槽外へ排出される。【０１４２】
洗浄浴槽２１中の洗浄溶媒の粒子数は、ＬＰＣ（粒子数計測手段）５１により所定時間毎に計測される。前記所定時間の間隔は、洗浄工程の仕様により適宜設定が可能である。本実施形態では、１０秒毎としている。計測されたデータを基に粒子数分析手段である分析部５２で単位容量当たりの粒子数に分析し、分析データは、演算手段である演算部５３に送られ基板清浄度の判定が行われる。【０１４３】
前記基板清浄度の判定は、以下の何れかの方法で行われる。【０１４４】
判定方法１）
演算部５３では、基板清浄度の良否判定のため、予め入力されている粒子数判定基準値と前記分析データに基づき判定を行う。前記判定方法１）は、以下の２通りの何れかで行われる。【０１４５】
判定方法１−１）
前記分析データの粒子数が前記粒子数判定基準値以下となったとき基板清浄度「良」とし、洗浄終了の判定を行う。図１０は、判定１１における分析データ（異物粒子数）と洗浄時間の関係を表す概念図である。【０１４６】
判定方法１−２）
予め定めた所定時間洗浄終了時の前記分析データの粒子数が前記粒子数判定基準値以下の場合は基板清浄度「良」と判定し、前記粒子数判定基準値を超える場合は基板清浄度「否」と判定を行う。図１１は、判定方法１−２）における分析データ（異物粒子数）と洗浄時間の関係を表す概念図である。【０１４７】
判定方法２）
演算部５３では、所定時間毎の分析データの所定サンプル数において、分析データの変化から基板清浄度の良否判定を行う。分析データのサンプル数は適宜設定が可能である。本実施の形態では、４サンプルのデータで判定を行っている。前記判定方法２）は、以下の２通りの何れかで行われる。【０１４８】
判定方法２−１）
所定時間毎の分析データの所定サンプル数において、データの変化が認められなくなったときに基板清浄度「良」とし、洗浄終了の判定を行う。図１２は、判定２１における分析データ（異物粒子数）と洗浄時間の関係を表す概念図である。【０１４９】
判定方法２−２）
予め定めた所定時間洗浄終了前の所定サンプル数の分析データにデータの変化が認められないときに基板清浄度「良」とし、データの変化が認められるときに基板清浄度「否」と判定を行う。図１３は、判定方法２−２）における分析データ（異物粒子数）と洗浄時間の関係を表す概念図である。【０１５０】
前記判定方法１−１）および、判定方法２−１）は、基板清浄度「良」となるまで洗浄することができ、洗浄の時間的制約が無い場合に有効である。洗浄終了した有機エレクトロルミネッセンス基板は、次工程に投入される。【０１５１】
また、前記判定方法１−２）および、判定方法２−２）は有機ＥＬ素子製造ラインの関係から洗浄の時間的制約がある場合に有効である。基板洗浄度「良」の有機エレクトロルミネッセンス基板は、次工程に投入される。基板洗浄度「否」の有機エレクトロルミネッセンス基板は、有機ＥＬ素子製造ラインから排除される。このように基板洗浄度「否」と判定された不良有機エレクトロルミネッセンス基板を工程の早い段階で排除できるため、生産効率の向上を図ることができる。前記不良有機エレクトロルミネッセンス基板は、別途再洗浄を行い有機ＥＬ素子製造ラインに投入することができる。【０１５２】
前記判定結果は制御部５４に送られ、図示しない表示手段等に結果を表示するとともに供給ポンプ及び以下に説明する超音波発生装置等のオン−オフ制御等を行う。【０１５３】
前記洗浄浴槽２１に超音波発生装置２１Ａを付設し洗浄浴槽を超音波洗浄浴槽とし、洗浄溶媒に超音波振動を付加することにより、より効率的な洗浄が可能になり、清浄度の向上及び洗浄時間の短縮を図ることができる。
（実施の形態３）
図３は、洗浄浴槽に有機エレクトロルミネッセンス基板を入れ、洗浄溶媒を流水供給方式で供給し、かつ洗浄溶媒を循環して洗浄を行う洗浄工程の実施形態３の模式図である。前記実施形態２との相違は、洗浄溶媒を循環式とし再使用を行い、洗浄溶媒の効率的使用を図るものである。【０１５４】
図３に示すように、洗浄浴槽２１に供給された洗浄溶媒２２は、有機エレクトロルミネッセンス基板１を洗浄し洗浄浴槽２１から循環ポンプＰ２により排出され、再び供給経路に送られ洗浄浴槽２１に供給され循環する。循環経路に異物を除去するフィルター２４を用い、洗浄溶媒を予め規定した所定粒子サイズ以上の異物の粒子数が単位容量当たり所定の粒子数以下に維持することが好ましい。【０１５５】
また、洗浄浴槽２１から循環ポンプＰ２により排出された洗浄溶媒を直接供給経路に送らず、図３の一点鎖線内に示すように洗浄溶媒貯水容器２３に一旦貯水し供給ポンプＰ１で供給しても良い。【０１５６】
上記相違点以外は、実施形態２と同じである。
（実施の形態４）
図４は、洗浄溶媒を流水シャワー方式で供給し洗浄を行う洗浄工程の実施形態４の模式図である。【０１５７】
図４に示すように、有機エレクトロルミネッセンス基板１を洗浄槽３１の図示しない基板保持手段で保持し、洗浄溶媒２２を洗浄溶媒貯水容器２３より供給ポンプＰ１でシャワーノズル３２を介して、有機エレクトロルミネッセンス基板１の洗浄面に流水シャワー方式で供給し、有機エレクトロルミネッセンス基板１を洗浄する。供給する洗浄溶媒２２の様態については実施の形態２の記載に準ずる。【０１５８】
有機エレクトロルミネッセンス基板１は、洗浄槽３１に溜められた洗浄溶媒と接しないよう、洗浄槽３１の最上液面より常に上部に保持される。【０１５９】
前記流水シャワー方式で有機エレクトロルミネッセンス基板を洗浄した洗浄溶媒は、洗浄槽３１に落下し溜められる。洗浄槽３１から溢れた洗浄溶媒はオーバーフローにより洗浄槽外へ排出される。【０１６０】
洗浄槽３１中の洗浄溶媒の粒子数は、ＬＰＣ（粒子数計測手段）５１により所定時間毎に計測される。前記所定時間の間隔は、洗浄工程の仕様により適宜設定が可能である。本実施形態では、１０秒毎としている。計測されたデータを基に粒子数分析手段である分析部５２で単位容量当たりの粒子数に分析し、分析データは、演算部５３に送られ基板清浄度の判定が行われる。【０１６１】
基板清浄度判定、判定方法の適用及び判定後の基板の各処理については、前記実施形態２の記載に準ずる。【０１６２】
前記判定結果は制御部５４に送られ、図示しない表示手段等に結果を表示するとともに供給ポンプ及び以下に説明する超音波発生装置等のオン−オフ制御等を行う。【０１６３】
前記シャワーノズル３２に超音波発生装置３２Ａを付設し、洗浄溶媒のシャワーに超音波振動を付加することにより、より効率的な洗浄が可能になり、清浄度の向上及び洗浄時間の短縮を図ることができる。
（実施の形態５）
図５は、洗浄溶媒を流水シャワー方式で供給し有機エレクトロルミネッセンス基板１の洗浄を行い、かつ洗浄溶媒を循環して洗浄を行う洗浄工程の実施形態５の模式図である。前記実施形態４との相違は、洗浄溶媒を循環式とし再使用を行い、洗浄溶媒の効率的使用を図るものである。【０１６４】
図５に示すように、シャワーノズル３２を介して供給された洗浄溶媒２２は、有機エレクトロルミネッセンス基板１を洗浄し洗浄槽３１から循環ポンプＰ２により排出され、再び供給経路に送られシャワーノズル３２を介して供給され循環する。循環経路に異物を除去するフィルター２４を用い、洗浄溶媒を予め規定した所定粒子サイズ以上の異物の粒子数が単位容量当たり所定の粒子数以下に維持することが好ましい。【０１６５】
また、洗浄槽３１から循環ポンプＰ２により排出された洗浄溶媒を直接供給経路に送らず、図５の一点鎖線内に示すように洗浄溶媒貯水容器２３に一旦貯水し供給ポンプＰ１で供給しても良い。【０１６６】
上記相違点以外は、実施形態４と同じである。【０１６７】
前記実施の形態１乃至５の何れかのウェット洗浄工程を最終ウェット洗浄工程としてウェット洗浄が終了した有機エレクトロルミネッセンス基板は乾燥、ドライ洗浄を経て有機層が成膜される。【０１６８】
図６は、最終ウェット洗浄から有機層成膜までを示した模式図である。【０１６９】
乾燥は、スピン乾燥法、熱風乾燥法またはエアナイフ乾燥法が好ましく用いられる。ドライ洗浄は、ＵＶオゾン洗浄、または酸素プラズマ洗浄が好ましく用いられる。【０１７０】
図６に示すように、最終洗浄前のウェット洗浄は一般室レベルの清浄度で可能である。しかし、最終洗浄後は有機エレクトロルミネッセンス基板の清浄度を維持するため、有機層成膜までの基板移動環境雰囲気がＪＩＳＢ９９２０規格で清浄度クラス１０００以下で管理されることが好ましい。また、最終洗浄後の基板清浄度の経時的劣化を防止するため、最終洗浄後から有機層成膜開始までの時間を２０時間以内とすることが好ましい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
2007010769.tif 000022
2007010769.tif 000023
2007010769.tif 000024
2007010769.tif 000025