【手続補正書】
【提出日】平成31年3月15日(2019.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザを有するデータ記憶システム内に設けられた熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ：Heat  Assisted  Magnetic  Recording）装置を動作温度に設定するステップと、
前記レーザから光を出力させるのに必要な最小電流量を示すしきい値レーザ電流を決定するステップと、
最適ビット誤り率（ＢＥＲ：Bit  Error  Rate）および最小隣接トラック干渉（ＡＴＩ：Adjacent  Track  Interface）を生じさせる電流量を示す最適レーザ電流を決定するステップと、
前記しきい値レーザ電流および前記最適レーザ電流をメモリに記憶するステップと、
前記しきい値レーザ電流を決定するステップと、前記最適レーザ電流を決定するステップと、前記しきい値レーザ電流および前記最適レーザ電流を校正テーブルに記憶するステップとを、許容可能な装置性能が２以上の動作温度で達成されるまで繰り返し実行するステップとを含む、方法。
【請求項２】
使用される前記２以上の動作温度とは異なる動作温度について、記憶された前記しきい値レーザ電流の値および前記最適レーザ電流の値から、しきい値電流および最適レーザ電流を補完するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記しきい値レーザ電流を決定するステップは、
前記レーザに電流を印加するステップと、
前記レーザからのレーザ出力光を光検出器が検出するまで前記レーザに印加される印加レーザ電流を増加させるステップと、
前記光検出器が前記レーザ出力光を検出したときの前記印加レーザ電流を、前記しきい値レーザ電流として取得するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記しきい値レーザ電流を決定するステップは、
前記レーザに電流を印加するステップと、
光近接場変換器（ＮＦＴ：Near  Field  Transducer）の出力が空気軸受面の温度を上昇させることによって、デュアルエンド抵抗温度係数（ＤＥＴＣＲ：Dual-Ended  Temperature  Coefficient  of  Resistance）センサの直流電圧の傾きが変化するまで、前記レーザに印加される印加レーザ電流を増加させるステップと、
前記デュアルエンド抵抗温度係数センサの直流電圧の傾きが変化したときの前記印加レーザ電流を、前記しきい値レーザ電流として取得するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記しきい値レーザ電流を決定するステップは、
前記レーザに電流を印加するステップと、
ボロメータの抵抗率が変化するまで、前記レーザに印加される印加レーザ電流を増加させるステップと、
前記ボロメータの抵抗率が変化したときの前記印加レーザ電流を、前記しきい値レーザ電流として取得するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記最適レーザ電流を決定するステップは、
動作レーザ電流の増加に伴うビット誤り率を監視するステップと、
最適ビット誤り率を生じさせる前記動作レーザ電流を、前記最適レーザ電流として取得するステップとを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記最適レーザ電流を決定するステップは、複数の異なる電流に亘って、媒体上のトラックに書き込まれるデータのビット誤り率がどこで最小となるかを決定するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記熱アシスト磁気記録装置を動作温度に設定するステップと、前記しきい値レーザ電流を決定するステップと、前記最適レーザ電流を決定するステップと、前記しきい値レーザ電流および前記最適レーザ電流をメモリに記憶するステップと、前記繰り返し実行するステップとは、前記データ記憶システムの製造プロセス中に実行される、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記データ記憶システムの正常動作中に、前記メモリに記憶されたデータを用いて、前記熱アシスト磁気記録装置のヒータパワーを調整するステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
レーザを有するデータ記憶システム内に設けられた熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ：Heat  Assisted  Magnetic  Recording）装置を動作温度に設定するステップと、
最適ビット誤り率（ＢＥＲ：Bit  Error  Rate）および最小隣接トラック干渉（ＡＴＩ：Adjacent  Track  Interface）を生じさせる電流量を示す最適レーザ電流を決定するステップと、
データを破損させるレーザ電流を決定するステップと、
前記データを破損させるレーザ電流および前記最適レーザ電流をメモリに記憶するステップと、
前記最適レーザ電流を決定するステップと、前記データを破損させるレーザ電流を決定するステップとを、許容可能な装置性能が２以上の動作温度で達成されるまで繰り返し実行するステップとを含む、方法。
【請求項１１】
使用される前記２以上の動作温度とは異なる動作温度について、記憶された前記データから、前記データを破損させるレーザ電流を補完するステップ、および前記最適レーザ電流を補完するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記最適レーザ電流を決定するステップは、
レーザ電流の増加に伴うビット誤り率を監視するステップと、
最適ビット誤り率（ＢＥＲ）を生じさせるレーザ電流を取得するステップとを含む、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記データを破損させるレーザ電流を決定するステップは、
前記最適レーザ電流および書き込み電流を媒体上のトラックに印加するステップと、
前記トラックにデータを書き込むとともにビット誤り率（ＢＥＲ）を測定することによって、確立されたビット誤り率を実現するステップと、
前記書き込み電流をゼロに設定するとともに、前記レーザ電流を低い値に設定するステップと、
前記確立されたビット誤り率とともに前記トラックにデータを書き込むステップと、
新たなビット誤り率を測定するステップと、
前記確立されたビット誤り率と前記新たなビット誤り率との間のビット誤り率の変化を算出するステップと、
前記確立されたビット誤り率とともに前記トラックにデータを書き込むステップと、前記新たなビット誤り率を測定するステップと、前記確立されたビット誤り率と新たなビット誤り率との間のビット誤り率の変化を算出するステップとを、増加させたレーザ電流量において前記変化がしきい値よりも大きくなるまで繰り返し実行するステップと、
前記レーザ電流を、前記データを破損させるレーザ電流として取得するステップとを含む、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
方法であって、
データ記憶システムの製造中に、レーザを有する熱アシスト磁気記録（ＨＡＭＲ：Heat  Assisted  Magnetic  Recording）装置のための校正テーブルを作成するステップを含み、
前記校正テーブルは、その後のアクセスのために前記データ記憶システムの動作中に前記データ記憶システムの不揮発性メモリに記憶され、
前記校正テーブルを作成するステップは、
ある動作温度で前記レーザから光を出力させるのに必要な最小電流量を決定するステップと、
前記動作温度と同じ温度で最適ビット誤り率を生じさせる電流量を決定するステップと、
前記光を出力させるのに必要な電流量、および前記最適ビット誤り率を生じさせる電流量を、前記不揮発性メモリに記憶された前記校正テーブルに保存するステップとを含み、
前記方法は、前記レーザから光を出力させるのに必要な最小電流量を決定するステップと、前記最適ビット誤り率を生じさせる電流量を決定するステップと、前記光を出力させるのに必要な電流量および前記最適ビット誤り率を生じさせる電流量を保存するステップとを、許容可能な装置性能が２以上の動作温度で達成されるまで繰り返し実行するステップをさらに含む、方法。
【請求項１５】
前記２以上の動作温度で前記レーザから光を出力させるのに必要なレーザ電流量が取得できない場合に、データを破損するレーザ電流を決定するとともに、前記データを破損させるレーザ電流を前記校正テーブルに保存するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記光を出力させるのに必要な電流量を決定するステップは、
前記レーザにレーザ電流を印加するステップと、
前記レーザからのレーザ出力光を光検出器が検出するまで前記レーザに印加される印加レーザ電流を増加させるステップと、
前記光検出器が前記レーザ出力光を検出したときの前記印加レーザ電流を、前記光を出力させるのに必要な電流として取得するステップとを含む、請求項１４または１５に記載の方法。