Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月22日(2019.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスであって、
複数のウェルを有し、それぞれのウェルが、分析対象の物質を含むように構成された試験プレートと、
前記物質の特徴を検知し、検知された特徴に基づいてセンサシグナルを作成するように構成され、複数のセンサがそれぞれのウェルと関連するように並べられ、前記複数のセンサの少なくとも１つのセンサが、前記複数のセンサの別のセンサによって検知される特徴とは異なる物質の特徴を検知するように構成されたセンサと、
前記センサに接続し、前記試験プレートに沿って配置された背面の上に並べられ、選択したセンサのセンサシグナルがデータ出力でアクセスすることができるように構成されたセンサ選択回路とを備える、デバイス。
【請求項２】
前記デバイスが、それぞれのウェルに光学的に問い合わせることができる１つ以上の光学的に透明な領域を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記センサ選択回路および前記センサのうち、少なくとも１つが、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記複数のセンサが、電気センサ、化学物質センサ、光学センサ、音響センサおよび酸素センサのうち２つ以上を備えている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記センサシグナルは、インピーダンス、光学スペクトル、表現型の署名、生物物理学署名、化学署名、機能的な署名、機械的な署名、細胞の運動、細胞の付着および拡散、細胞の侵襲、細胞増殖、細胞のシグナル導入、細胞の経路、毒性、細胞の電気穿孔、細胞の位置、細胞数、細胞の生存能力、細胞の剛性、マトリックスの剛性、細胞外のｐＨ、運動度、横方向の物質移動および垂直方向の物質移動、分析対象の細胞骨格に向けられた挙動の１つ以上についての情報を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
システムであって、
複数のウェルを有し、それぞれのウェルが、分析対象の物質を含むように構成された試験プレートと、
前記物質の特徴を検知し、検知された特徴に基づいてセンサシグナルを作成するように構成され、複数のセンサがそれぞれのウェルと関連するように並べられ、前記複数のセンサの少なくとも１つのセンサが、前記複数のセンサの別のセンサによって検知される特徴とは異なる物質の特徴を検知するように構成されたセンサと、
前記センサに接続し、前記試験プレートに沿って配置された背面の上に並べられ、選択したセンサのセンサシグナルがデータ出力でアクセスすることができるように構成されたセンサ選択回路と、
前記データ出力に存在する前記選択したセンサシグナルを受信し、処理するように構成されたリードアウト回路とを備える、システム。
【請求項７】
デバイスを製造する方法であって、
複数のウェルを有し、それぞれのウェルが、分析対象の物質を含むように構成された試験プレートを作成することと、
前記物質の特徴を検知し、検知された特徴に基づいてセンサシグナルを作成するように構成された複数のセンサを製造することと、
前記センサに接続し、選択したセンサのセンサシグナルがデータ出力でアクセスすることができるように構成されたセンサ選択回路を製造することと、
複数のセンサがそれぞれのウェルと関連するように前記ウェルに対して前記センサを並べことであって、前記複数のセンサのそれぞれが、前記複数のセンサの別のセンサによって検知される特徴とは異なる物質の特徴を検知するように構成されたウェルと関連する、並べることとを含む、方法。
【請求項８】
それぞれのウェルに関連する複数のセンサを用い、試験プレートのウェル中に配置された分析対象の物質の複数の特徴を時間経過に伴って検知することであって、前記複数のセンサの少なくとも１つが、前記複数のセンサの別のものによって検知される特徴とは異なる物質の特徴を検知するように構成される、検知することと、
検知された特徴に基づいてセンサシグナルを作成することと、
アドレスラインを活性化し、選択したセンサのセンサシグナルをデータ出力でアクセス可能にすることとを含む、方法。
【請求項９】
デバイスであって、
複数のウェルを有し、それぞれのウェルが分析対象の物質を含む、試験プレートと、
複数の音響センサであって、該複数の音響センサのそれぞれの音響センサが前記複数のウェルの１つのウェルに接続した、複数の音響センサと
を備え、
前記音響センサに接続し、前記試験プレートに沿って配置された背面の上に並べられ、選択したセンサのセンサシグナルがデータ出力でアクセスすることができるように構成されたセンサ選択回路をさらに備える、デバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月5日(2019.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面を横切って配置された複数の溝を有しており、前記複数の溝の各々は、前記第１の表面から遠ざかるように延びる１対のフィンによって囲まれている第１のローラと、
前記第１のローラに対して反対向きに回転するように構成され、第２の表面を横切って配置された複数のチャネルを有している第２のローラと
を備えており、
前記第１および第２のローラは、前記第１のローラの前記複数の溝が前記第２のローラの前記複数のチャネルと結合することで複数の囲いが形成されるように互いに整列する、霧化装置であって、
前記ローラのうちの少なくとも一方のローラの少なくとも表面を供給流体で被覆するように構成された流体源
をさらに備えており、
前記第１および第２のローラの前記結合した表面の各々の間にニップが定められ、前記供給流体は、前記第１および第２のローラが反対向きに回転するときに各々のニップの下流側において前記流体が引き延ばされるように、各々のニップを通って上流側から下流側へと引っ張られ、
複数の空気管をさらに備えており、各々の空気管は、前記複数の囲いのうちの対応する１つを通って延び、前記複数のニップの下流側へと向けられた空気をもたらすように構成されている、霧化装置。
【請求項２】
前記複数の空気管は、共通のマニホールドに接続されている、請求項１に記載の霧化装置。
【請求項３】
前記流体源は、複数の供給管を共通の供給流体配送レールに流体連通させて有している供給システムであり、前記複数の供給管は、前記第１のローラに整列させられ、少なくとも前記共通の供給流体配送レールからの供給流体を前記第１のローラの前記第１の表面に付着させるように構成されている、請求項１に記載の霧化装置。
【請求項４】
前記共通の供給流体配送レールは、前記供給流体を加熱するように構成されている、請求項３に記載の霧化装置。
【請求項５】
第１の表面を横切って配置された複数の溝を有しており、前記溝は前記第１の表面から遠ざかるように延びる１対のフィンによって囲まれている第１のローラと、第２の表面を横切って配置された複数のチャネルを有している第２のローラと、を含む１対の反対向きに回転するローラであって、前記第１および第２のローラは、前記第１のローラの前記複数の溝が前記第２のローラの前記複数のチャネルと結合することで複数の囲いが形成され、前記第１のローラの前記第１の表面と前記第２のローラの前記第２の表面との間に複数のニップが定められるように互いに整列させられている１対の反対向きに回転するローラを使用して、流体を霧化させる方法であって、
流体源から前記流体を、上流側および下流側を有している前記複数のニップを通って引き込むステップと、
前記複数のニップの下流側において前記１対の反対向きに回転するローラの遠ざかる表面の間で前記流体を引き延ばし、複数の流体フィラメントを形成するステップと、
複数の空気管から少なくとも空気を吐出させるステップであって、各々の空気管は、前記複数の囲いのうちの対応する１つを通って延び、前記複数のニップの各々の下流側へと空気を導く、前記ステップと、
前記複数のニップの下流側において前記１対の反対向きに回転するローラの遠ざかる表面の間で前記引き延ばされる複数の流体フィラメントから複数の流体液滴を形成するステップと
を含む流体を霧化させる方法。
【請求項６】
供給システムから前記流体を送り出すステップ
をさらに含んでおり、
前記供給システムは、複数の供給管を共通の供給流体配送レールに流体連通させて備えており、前記複数の供給管は、前記第１のローラの前記第１の表面に整列させられ、少なくとも前記第１のローラの前記第１の表面へと前記流体を送り出すように構成されている、請求項５に記載の液体を霧化させる方法。
【請求項７】
前記流体を加熱するステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月5日(2019.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに隣接して配置され、上流側および下流側を有するニップを間に定める１対の回転するローラと、
前記ローラのうちの少なくとも一方を供給流体で被覆するように構成された流体源と、
１対の外側バッフルおよび前記外側バッフルの間に配置された内部バッフルを有しており、前記内部バッフルは、前記ニップの下流側へとバッフル流体を導くように構成され、前記外側バッフルは、前記バッフル流体の少なくとも一部分と前記ニップの下流側において前記１対のローラの遠ざかる表面の間で前記供給流体を引き延ばすことによって形成される流体液滴とを含む懸濁物を受け取るように構成されているバッフルユニットと
を備える霧化装置。
【請求項２】
側壁と出口ポートとを備えるハウジングをさらに備えており、前記１対の回転するローラ、前記流体源、および前記バッフルユニットは、前記ハウジング内に配置され、前記バッフルユニットは、前記ハウジングおよび出口ポートと結び付くようにさらに構成される、請求項１に記載の霧化装置。
【請求項３】
前記ハウジングの前記側壁は、絶縁性である、請求項２に記載の霧化装置。
【請求項４】
前記ハウジングの内部、前記１対の回転するローラ、前記流体源、前記供給流体、前記バッフル流体、および前記バッフルユニットのうちの少なくとも１つを加熱するように構成された熱源をさらに備える、請求項１に記載の霧化装置。
【請求項５】
前記１対の外側バッフルのうちの少なくとも一方は、前記懸濁物中の前記流体液滴の少なくとも一部を集めるように構成されている、請求項１に記載の霧化装置。
【請求項６】
互いに隣接して配置され、上流側および下流側を有するニップを間に定める１対の遠ざかる表面を有する１対の回転するローラと、
前記遠ざかる表面のうちの少なくとも一方を流体で被覆するように構成された流体源と、
１対の外側バッフルおよび前記外側バッフルの間に配置された内部バッフルを有しており、前記内部バッフルは、前記ニップの下流側へと空気を導くように構成され、前記外側バッフルは、前記空気の少なくとも一部分と前記ニップの下流側において前記遠ざかる表面の間で前記流体を引き延ばすことによって形成される流体液滴との懸濁物を受け取るように構成されているバッフルユニットと
を備える霧化装置。
【請求項７】
供給流体を霧化させる方法であって、
流体源から前記供給流体を、１対の回転するローラの間に定められ、上流側および下流側を有しているニップを通って引き込むステップと、
前記ニップの下流側において前記１対の回転するローラの遠ざかる表面の間で前記供給流体を引き延ばし、流体フィラメントを形成するステップと、
前記ニップの下流側に隣接して配置されたバッフルユニットの内部バッフルからバッフル流体の少なくとも一部分を吐出するステップと、
前記ニップの下流側において前記１対の回転するローラの遠ざかる表面の間で前記引き延ばされる供給流体フィラメントから形成される複数の供給流体液滴を、前記バッフル流体の少なくとも一部分に懸濁させるステップと
を含む方法。
【請求項８】
前記供給流体および前記バッフル流体の一方または両方を加熱するステップをさらに含む請求項７に記載の流体を霧化させる方法。
【請求項９】
前記バッフル流体および前記複数の供給流体液滴の前記懸濁物の少なくとも一部分を前記バッフルユニットの少なくとも表面上に集めるステップをさらに含む請求項７に記載の流体を霧化させる方法。
【請求項１０】
前記複数の霧化流体液滴の少なくとも物理的特性を検出するステップと、前記検出された物理的特性に応じて前記引き延ばし、吐出、または懸濁の各ステップのうちの少なくとも１つを変更するステップとをさらに含む請求項７に記載の流体を霧化させる方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月22日(2019.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＵＳ繊維が互いに交絡してなる音響透過性材料であって、
前記ＳＵＳ繊維のエッチングＥＳＣＡ法による最表面のＦｅ酸化成分の原子濃度が、１５Ａｔｏｍ％以上４０Ａｔｏｍ％以下であり、
前記ＳＵＳ繊維のエッチングＥＳＣＡ法による最表面のＣｒ酸化成分の原子濃度が１０Ａｔｏｍ％以下であることを特徴とする音響透過性材料。
【請求項２】
少なくとも一部の前記ＳＵＳ繊維同士が焼結している、ことを特徴とする請求項１記載の音響透過性材料。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月1日(2019.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着色剤（Ａ）、樹脂型分散剤（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）、有機溶剤（Ｄ）及び重合性化合物（Ｅ）を含有するカラーフィルタ用感光性着色組成物であって、
樹脂型分散剤（Ｂ）が、分子内に２つの水酸基と１つのチオール基とを有する化合物（ａ）の水酸基と、ピロメリット酸無水物及び／又はトリメリット酸無水物の酸無水物基と、の反応生成物の存在下で、水酸基含有エチレン性不飽和単量体（ｂ）を含むエチレン性不飽和単量体（ｃ）を重合させた水酸基含有重合体の水酸基と、１つのイソシアネート基及び１つ以上の（メタ）アクリロイル基を有する化合物（ｄ）のイソシアネート基と、を反応させた樹脂であり、
水酸基含有エチレン性不飽和単量体（ｂ）に由来する構成単位の含有量が、エチレン性不飽和単量体（ｃ）に由来する構成単位の全量に対して３５質量％以上８０質量％以下であり、
着色剤（Ａ）の含有量が、カラーフィルタ用感光性着色組成物の全固形分量に対して４０質量％以上であり、
光重合開始剤（Ｃ）がオキシムエステル系化合物を含む、カラーフィルタ用感光性着色組成物。
【請求項２】
（（ｃ）エチレン性不飽和単量体に由来する構成単位の全質量＋（ｄ）１つのイソシアネート基及び１つ以上の（メタ）アクリロイル基を有する化合物に由来する構成単位の全質量）／（（ｄ）１つのイソシアネート基及び１つ以上の（メタ）アクリロイル基を有する化合物に由来する構成単位中に含まれる（メタ）アクリロイル基のｍｏｌ数）として表される樹脂型分散剤（Ｂ）の側鎖における二重結合当量（Ｚ）が、３００〜６００ｇ／ｍｏｌである請求項１に記載のカラーフィルタ用感光性着色組成物。
【請求項３】
樹脂型分散剤（Ｂ）における水酸基含有エチレン性不飽和単量体（ｂ）に由来する構成単位の含有量が、エチレン性不飽和単量体（ｃ）に由来する構成単位の全量に対して３８質量％以上６０質量％以下である、請求項１又は２に記載のカラーフィルタ用感光性着色組成物。
【請求項４】
基材上に、請求項１〜３いずれか１項に記載のカラーフィルタ用感光性着色組成物から形成されてなるフィルタセグメントを具備するカラーフィルタ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月6日(2019.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサが、配置されるコンポーネントと、前記コンポーネントに設定されるプロパティと、に基づいて、ニューラルネットワークを構築するプログラムを作成するためのフォームを提供することと、
前記ニューラルネットワークに係る統計情報を提示することと、
を含む、情報処理方法。
【請求項２】
前記統計情報には、前記ニューラルネットワークにおけるアウトプットユニットの数、処理されるパラメータ数、または演算種類ごとの演算量のうち、少なくとも１つが含まれる、
請求項１に記載の情報処理方法。
【請求項３】
前記フォーム上に配置される前記コンポーネント、または前記コンポーネントに設定されるプロパティが変更されたことに基づいて算出される前記統計情報をリアルタイムに提示する、
請求項１または２に記載の情報処理方法。
【請求項４】
前記統計情報と、前記ニューラルネットワークが実装されるハードウェアのプロファイルと、に基づいて算出される前記ハードウェアにおける前記ニューラルネットワークの実行予測情報を提示すること、
をさらに含む、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の情報処理方法。
【請求項５】
前記実行予測情報には、前記ニューラルネットワークによる処理の実行時間、メモリ使用量、消費電力、または演算量のうち、少なくとも１つが含まれる、
請求項４に記載の情報処理方法。
【請求項６】
前記統計情報が前記ハードウェアにおける制限情報を逸脱したことに基づいて生成されるアラート情報を提示すること、
をさらに含む、
請求項４または５に記載の情報処理方法。
【請求項７】
前記統計情報を基に算出される、前記ニューラルネットワークによる処理を実行するためのクラウド上のコンピューティングリソースに係る見積情報を提示すること、
をさらに含む、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の情報処理方法。
【請求項８】
前記コンピューティングリソースに係る見積情報には、インスタンスのタイプ、前記インスタンスの数、金額、または前記コンピューティングリソース上に実装された前記ニューラルネットワークによる処理時間のうち少なくとも１つが含まれる、
請求項７に記載の情報処理方法。
【請求項９】
前記統計情報の値を変更するユーザの操作を受け付け、当該操作に基づいて変更される前記コンポーネントのプロパティ値と前記コンピューティングリソースに係る見積情報と、をリアルタイムに提示すること、
をさらに含む、
請求項７または８に記載の情報処理方法。
【請求項１０】
前記コンピューティングリソースに係る見積情報の値を変更するユーザの操作を受け付け、当該操作に基づいて変更される前記コンポーネントのプロパティ値と前記統計情報と、をリアルタイムに提示すること、
をさらに含む、
請求項７〜９のいずれか１項に記載の情報処理方法。
【請求項１１】
前記統計情報に含まれる要素を選択するユーザの操作を受け付け、選択された前記要素の値を、前記コンポーネントごとに比較して提示すること、
をさらに含む、
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の情報処理方法。
【請求項１２】
前記コンポーネントごとの前記要素の値と、当該要素の値の大きさを示すインジケータと、を前記フォーム上に配置された前記コンポーネントに関連付けて提示する、
請求項１１に記載の情報処理方法。
【請求項１３】
エミュレータ上における前記ニューラルネットワークの実行結果を提示すること、
をさらに含む、
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の情報処理方法。
【請求項１４】
ハードウェア上における前記ニューラルネットワークの実行結果を提示すること、
をさらに含む、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の情報処理方法。
【請求項１５】
前記実行結果には、前記ニューラルネットワークによる処理の実行時間、メモリ使用量、消費電力、または演算量のうち、少なくとも１つが含まれる、
請求項１３または１４に記載の情報処理方法。
【請求項１６】
配置されるコンポーネントと、前記コンポーネントに設定されるプロパティと、に基づいて、ニューラルネットワークを構築するプログラムを作成するためのフォームを提供するフォーム制御部、
を備え、
前記フォーム制御部は、前記ニューラルネットワークに係る統計情報を提示する、
情報処理装置。
【請求項１７】
フォーム上に配置されるコンポーネントと、前記コンポーネントに設定されるプロパティと、に基づいて、ニューラルネットワークを構築するプログラムを作成するプログラム作成部、
を備え、
前記プログラム作成部は、前記ニューラルネットワークに係る統計情報を算出する、
情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月29日(2019.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
商品を登録する登録処理を実行する登録手段と、
他の販売データ処理装置で精算可能に登録データを送信する送信処理を実行する送信手段と、
前記他の販売データ処理装置が備える登録手段による登録条件と、前記送信手段による前記送信処理の実行を受け付ける旨とを関連付けて表示する表示手段と、
を備えることを特徴とする販売データ処理装置。
【請求項２】
前記登録データを受信する受信手段と、
前記受信手段によって受信された前記登録データを用いて精算処理を実行するための現金を受け付ける受付手段と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の販売データ処理装置。
【請求項３】
店員が登録する状態である登録条件に関連付けられた表示が示す前記送信処理を禁止する禁止手段を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の販売データ処理装置。
【請求項４】
精算処理を実行するための現金を受け付ける受付手段をさらに備え、
前記表示手段は、前記受付手段が現金の受付を検出する前と後で、前記送信処理の実行を受け付ける旨の表示態様を異ならせることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の販売データ処理装置。
【請求項５】
販売データ処理装置としてコンピュータを機能させるプログラムであって、
前記コンピュータを、
商品を登録する登録処理を実行する登録手段、
他の販売データ処理装置で精算可能に登録データを送信する送信処理を実行する送信手段、
前記他の販売データ処理装置が備える登録手段による登録条件と、前記送信手段による前記送信処理の実行を受け付ける旨とを関連付けて表示する表示手段
として機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項６】
販売データ処理装置における販売データ処理方法であって、
商品を登録する登録処理を実行する登録ステップと、
他の販売データ処理装置で精算可能に登録データを送信する送信処理を実行する送信ステップと、
前記他の販売データ処理装置が備える登録部による登録条件と、前記送信ステップにおける前記送信処理の実行を受け付ける旨とを関連付けて表示する表示ステップと、
を含むことを特徴とする販売データ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様である販売データ処理装置は、商品を登録する登録処理を実行する登録手段と、他の販売データ処理装置で精算可能に登録データを送信する送信処理を実行する送信手段と、前記他の販売データ処理装置が備える登録手段による登録条件と、前記送信手段による前記送信処理の実行を受け付ける旨とを関連付けて表示する表示手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月25日(2019.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオレフィン多孔質フィルムを含む非水電解液二次電池用セパレータと、非水電解液と、を備え、
前記ポリオレフィン多孔質フィルムは、エタノールを含浸した状態における、波長５９０ｎｍの光に対する位相差が８０ｎｍ以下であり、
前記ポリオレフィン多孔質フィルムは、空隙率が３０体積％以上、６０体積％以下であり、
前記非水電解液は、下記式（Ａ）で表されるイオン電導度低下率Ｌが１．０％以上、６．０％以下である添加剤を０．５ｐｐｍ以上、３００ｐｐｍ以下含有する、非水電解液二次電池。
Ｌ＝（ＬＡ−ＬＢ）／ＬＡ・・・（Ａ）
（式（Ａ）中、ＬＡは、エチレンカーボネート／エチルメチルカーボネート／ジエチルカーボネート＝３／５／２（体積比）の割合で含む混合溶媒に、ＬｉＰＦ６の濃度が１ｍｏｌ／ＬとなるようにＬｉＰＦ６を溶解させた参照用電解液のイオン電導度（ｍＳ／ｃｍ）を表し、
ＬＢは、前記参照用電解液に、添加剤を１．０重量％溶解させた電解液のイオン電導度（ｍＳ／ｃｍ）を表す。）
【請求項２】
前記非水電解液二次電池用セパレータが、前記ポリオレフィン多孔質フィルムの片面または両面に多孔質層が積層された積層セパレータであり、
前記多孔質層が、ポリオレフィン、（メタ）アクリレート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂および水溶性ポリマーからなる群より１種以上選択される樹脂を含む、請求項１に記載の非水電解液二次電池。
【請求項３】
前記ポリアミド系樹脂が、アラミド樹脂である、請求項２に記載の非水電解液二次電池。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月25日(2019.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオレフィン多孔質フィルムを含む非水電解液二次電池用セパレータと、非水電解液と、を備え、
前記ポリオレフィン多孔質フィルムは、ブロッキング試験にて測定される剥離強度が０．２Ｎ以上であり、
前記ポリオレフィン多孔質フィルムは、前記ブロッキング試験前の突刺強度に対する、前記ブロッキング試験後の突刺強度の変化率が１５％以下であり、
前記非水電解液は、下記式（Ａ）で表されるイオン電導度低下率Ｌが１．０％以上、６．０％以下である添加剤を０．５ｐｐｍ以上、３００ｐｐｍ以下含有する、非水電解液二次電池。
Ｌ＝（ＬＡ−ＬＢ）／ＬＡ・・・（Ａ）
（式（Ａ）中、ＬＡは、エチレンカーボネート／エチルメチルカーボネート／ジエチルカーボネート＝３／５／２（体積比）の割合で含む混合溶媒に、ＬｉＰＦ６の濃度が１ｍｏｌ／ＬとなるようにＬｉＰＦ６を溶解させた参照用電解液のイオン電導度（ｍＳ／ｃｍ）を表し、
ＬＢは、前記参照用電解液に、添加剤を１．０重量％溶解させた電解液のイオン電導度（ｍＳ／ｃｍ）を表す。
前記ブロッキング試験は、８０ｍｍ×８０ｍｍの２枚の前記ポリオレフィン多孔質フィルムを、１００ｍｍ×１００ｍｍの治具で挟み込み、３．５ｋｇの荷重をかけながら１３３℃±１℃の雰囲気下で３０分静置した後、前記荷重を取り除き、室温まで冷却した後に、２７ｍｍ×８０ｍｍの試験片に切り出し、当該試験片に対して１００ｍｍ／ｍｉｎの条件で剥離強度を測定する試験である。）
【請求項２】
前記非水電解液二次電池用セパレータが、前記ポリオレフィン多孔質フィルムの片面または両面に多孔質層が積層された積層セパレータであり、
前記多孔質層が、ポリオレフィン、（メタ）アクリレート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂および水溶性ポリマーからなる群より１種以上選択される樹脂を含む、請求項１に記載の非水電解液二次電池。
【請求項３】
前記ポリアミド系樹脂が、アラミド樹脂である、請求項２に記載の非水電解液二次電池。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月30日(2019.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板容器であって、
ドアフレームを含む容器シェルと、
前記ドアフレーム内に据えられたドアであって、ドア軸を中心として同心の外周を含むドアと、
前記容器シェル及び前記ドアフレームのうちの一方に取り付けられたガスケットと、
前記ガスケットの近くの複数の別個のラッチ位置で前記ドアを前記ドアフレームへ掛け止めする少なくとも１つの機械的ドアラッチと、
前記ドア及び前記ドアフレームの少なくとも一方に取り付けられた複数の磁気カプラとを含み、
前記複数の磁気カプラにより前記ドアと前記ドアフレームとの間に総磁気引力が生じる、基板容器。
【請求項２】
前記少なくとも１つの機械的ドアラッチが前記ドアに取り付けられる、請求項１に記載の基板容器。
【請求項３】
前記少なくとも１つの機械的ドアラッチが前記ドア内に取り付けられ、かつ前記ドアの前記外周の周りの前記複数の別個のラッチ位置で前記ドアを前記ドアフレームへ掛け止めするために、前記ドアの前記外周を通って前記ドアフレーム内へ延在する複数のラッチ先端を含む、請求項２に記載の基板容器。
【請求項４】
前記総磁気引力が所定の力の範囲内にある、請求項１に記載の基板容器。
【請求項５】
前記複数の磁気カプラのうちの第１の複数の磁気カプラが前記ドアフレームに近接して及び前記複数の別個のラッチ位置間に取り付けられ、
前記複数の磁気カプラのうちの第２の複数の磁気カプラが前記ドアに取り付けられ、前記複数の磁気カプラのうちの前記第２の複数の磁気カプラが前記複数の磁気カプラのうちの前記第１の複数の磁気カプラと実質的に整列しており、
前記総磁気引力が前記複数の磁気カプラのうちの前記第１の複数の磁気カプラと前記複数の磁気カプラのうちの前記第２の複数の磁気カプラとの間に生じる、請求項１に記載の基板容器。
【請求項６】
前記複数の磁気カプラのうちの前記第１の複数の磁気カプラ及び前記複数の磁気カプラのうちの前記第２の複数の磁気カプラが、前記ドア軸に対して平行な方向に実質的に整列する、請求項５に記載の基板容器。
【請求項７】
前記ドアフレームが、複数のポケットであって、その中に前記第１の複数の磁気カプラが取り付けられる、複数のポケットを規定する、請求項５に記載の基板容器。
【請求項８】
前記第１の複数の磁気カプラが磁化材料を含み、前記第２の複数の磁気カプラが鉄鋼材料を含む、請求項５に記載の基板容器。
【請求項９】
前記第１の複数の磁気カプラのうちの前記磁気カプラの少なくとも幾つかが、前記ドアフレームのそれぞれのエッジに近接してセンタリングされ、及び前記第２の複数の磁気カプラの少なくとも幾つかが、前記ドアのそれぞれのエッジに近接してセンタリングされる、請求項５に記載の基板容器。
【請求項１０】
磁気シールドが、基板搬送装置の内部チャンバと、前記第１の複数の磁気カプラ及び前記第２の複数の磁気カプラのうちの少なくとも一方との間に配置される、請求項５に記載の基板容器。
【請求項１１】
前記第１の複数の磁気カプラのうちの前記磁気カプラの又は前記第２の複数の磁気カプラの少なくとも幾つかが、非磁性ケーシングに含まれる磁化材料を含む、請求項５に記載の基板容器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月21日(2018.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化物の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室と、前記成膜室内に配置された一対のターゲットと、基板と、前記一対のターゲット間の空間を磁場空間とするためのマグネットと、を用いるスパッタリング法による酸化物の作製方法であって、
前記ターゲットはインジウムと、亜鉛と、元素Ｍ（元素Ｍはアルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ）と、酸素と、を有し、
前記一対のターゲット間に前記基板を配置し、
前記成膜室に、酸素または／および希ガスを有するスパッタガスを供給し
前記成膜室内の圧力を０．００５Ｐａ以上０．０９Ｐａ以下に調圧し、
前記一対のターゲットにスパッタ電力を供給してプラズマを生成して、前記プラズマ中のイオンを用いて前記一対のターゲットをスパッタし、
前記スパッタにより前記一対のターゲットから叩き出された粒子を、前記基板上に堆積させて成膜することを特徴とする酸化物の作製方法。
【請求項２】
成膜室と、前記成膜室内に配置された一対のターゲットと、基板と、前記一対のターゲット間の空間を磁場空間とするためのマグネットと、を用いるスパッタリング法による酸化物の作製方法であって、
前記ターゲットはインジウムと、亜鉛と、元素Ｍ（元素Ｍはアルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ）と、酸素と、を有し、
前記一対のターゲット間の空間の側方に前記基板を配置し、
前記成膜室に、酸素または／および希ガスを有するスパッタガスを供給し
前記成膜室内の圧力を０．００５Ｐａ以上０．０９Ｐａ以下に調圧し、
前記一対のターゲットにスパッタ電力を供給してプラズマを生成して、前記プラズマ中のイオンを用いて前記一対のターゲットをスパッタし、
前記スパッタにより前記一対のターゲットから叩き出された粒子を、前記基板上に堆積させて成膜することを特徴とする酸化物の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記基板は、前記プラズマにおける陽光柱の領域に設置されることを特徴とする酸化物の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記一対のターゲットの一方から前記基板までの水平距離をＬ１とし、
前記一対のターゲットの他方から前記基板までの水平距離をＬ２とし、
前記Ｌ１および前記Ｌ２は、それぞれ１０ｍｍ以上２００ｍｍ以下であることを特徴とする酸化物の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
成膜時の前記基板の温度は、１０℃以上１００℃未満であることを特徴とする酸化物の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
成膜時の前記基板の温度は、１００℃以上５００℃以下であることを特徴とする酸化物の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
非晶質構造を有する表面上に形成されることを特徴とする酸化物の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記酸化物は、前記基板の法線方向における格子面間隔が０．２７ｎｍ以上０．２８ｎｍ以下であることを特徴とする酸化物の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月22日(2019.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、第２の電極と、ＥＬ層とを有し、
前記ＥＬ層は前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置し、
前記ＥＬ層は、正孔注入層と、第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層と、を有し、
前記正孔注入層は、前記第１の電極と前記第１の層との間に位置し、
前記第２の層は、前記第１の層と前記第３の層との間に位置し、
前記第４の層は、前記第３の層と前記第２の電極との間に位置し、
前記第１の層は第１の正孔輸送材料を有し、
前記第２の層は第２の正孔輸送材料を有し、
前記第３の層は第３の正孔輸送材料を有し、
前記第４の層は、ホスト材料と発光材料とを有し、
前記第２の正孔輸送材料のＨＯＭＯ準位は、前記第１の正孔輸送材料のＨＯＭＯ準位よりも深く、
前記ホスト材料のＨＯＭＯ準位は、前記第２の正孔輸送材料のＨＯＭＯ準位よりも深く、
前記第３の正孔輸送材料のＨＯＭＯ準位は、前記ホスト材料のＨＯＭＯ準位と同じまたは深く、
前記第２の正孔輸送材料のＨＯＭＯ準位と前記第３の正孔輸送材料のＨＯＭＯ準位の差が０．３ｅＶ以下である発光素子。
【請求項２】
第１の電極と、第２の電極と、ＥＬ層とを有し、
前記ＥＬ層は前記第１の電極と前記第２の電極との間に位置し、
前記ＥＬ層は、正孔注入層と、第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層と、を有し、
前記正孔注入層は有機アクセプタを有し、
前記正孔注入層は、前記第１の電極と前記第１の層との間に位置し、
前記第２の層は、前記第１の層と前記第３の層との間に位置し、
前記第４の層は、前記第３の層と前記第２の電極との間に位置し、
前記第１の層は第１の正孔輸送材料を有し、
前記第２の層は第２の正孔輸送材料を有し、
前記第３の層は第３の正孔輸送材料を有し、
前記第４の層は、ホスト材料と発光材料とを有し、
前記第２の正孔輸送材料のＨＯＭＯ準位は、前記第１の正孔輸送材料のＨＯＭＯ準位よりも深く、
前記ホスト材料のＨＯＭＯ準位は、前記第２の正孔輸送材料のＨＯＭＯ準位よりも深く、
前記第３の正孔輸送材料のＨＯＭＯ準位は、前記ホスト材料のＨＯＭＯ準位と同じまたは深く、
前記第２の正孔輸送材料のＨＯＭＯ準位と前記第３の正孔輸送材料のＨＯＭＯ準位の差が０．３ｅＶ以下である発光素子。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の正孔輸送材料のＨＯＭＯ準位が−５．４ｅＶ以上である発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の正孔輸送材料のＨＯＭＯ準位と前記第２の正孔輸送材料のＨＯＭＯ準位との差が０．３ｅＶ以下である発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記発光材料のＨＯＭＯ準位が、前記ホスト材料のＨＯＭＯ準位よりも高い発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光素子と、トランジスタ、または、基板と、を有する発光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発光装置と、センサ、操作ボタン、スピーカ、または、マイクと、を有する電子機器。
【請求項８】
請求項６に記載の発光装置と、筐体と、を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月4日(2019.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法、及びトランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に酸化物半導体を形成し、
前記酸化物半導体上に絶縁体を形成し、
前記絶縁体上に金属酸化物を形成し、
前記金属酸化物上に導電体を形成し、
前記酸化物半導体上の前記導電体、前記金属酸化物、前記絶縁体の一部を除去することで、前記酸化物半導体の一部を露出し、
前記露出した酸化物半導体の表面にプラズマ処理を行い、
前記露出した酸化物半導体、及び前記導電体上に窒化物絶縁体を形成し、
前記プラズマ処理は、アルゴンガス及び窒素ガスの混合雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記プラズマ処理は、１５０℃以上３００℃未満の温度で実施されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記窒化物絶縁体の形成は、１５０℃以上３００℃未満の温度で実施されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記プラズマ処理と、前記窒化物絶縁体の形成は、プラズマＣＶＤ装置を用いて連続的に処理されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記金属酸化物は、ゲート絶縁体として機能することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記金属酸化物は、ゲート電極として機能することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上の酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上の絶縁体と、
前記絶縁体上の金属酸化物と、
前記酸化物半導体、前記絶縁体、及び前記金属酸化物上の窒化物絶縁体と、を有するトランジスタであって、
前記トランジスタのチャネル長は０．２μｍ以上１．５μｍ未満であり、
前記絶縁体の膜厚は１０ｎｍ以上２００ｎｍ未満であり、
前記トランジスタの耐圧特性が８．０×１０６Ｖ／ｃｍ以上であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項８】
請求項７において、
前記チャネル長は、０．５μｍ以上１．０μｍ未満であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、
前記絶縁体の膜厚は、２０ｎｍ以上１５０ｎｍ未満であることを特徴とするトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月2日(2019.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜を有する半導体装置の作製方法であって、
酸化物半導体膜を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜上に絶縁膜を成膜する工程と、
前記絶縁膜上に導電膜を成膜する工程と、
前記導電膜上に第１の保護膜を成膜する工程と、
前記第１の保護膜上に第２の保護膜を形成する工程と、を有し、
前記第１の保護膜、前記導電膜、及び前記絶縁膜は、前記第２の保護膜をマスクに加工され、
前記第２の保護膜を除去した後に、前記導電膜及び前記絶縁膜は、前記第１の保護膜をマスクに、前記第２の保護膜よりも小さい面積で加工される、半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物半導体膜を有する半導体装置の作製方法であって、
酸化物半導体膜を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜上に絶縁膜を成膜する工程と、
前記絶縁膜上に導電膜を成膜する工程と、
前記導電膜上に第１の保護膜を成膜する工程と、
前記第１の保護膜上に第２の保護膜を形成する工程と、を有し、
前記第１の保護膜、前記導電膜、及び前記絶縁膜は、前記第２の保護膜をマスクに加工され、
前記第２の保護膜を除去した後に、前記導電膜及び前記絶縁膜は、前記第１の保護膜をマスクに、前記第２の保護膜よりも小さい面積で加工され、
前記第１の保護膜上から前記酸化物半導体膜に対してプラズマ処理を行い、
前記第１の保護膜を除去した後に、前記導電膜及び前記酸化物半導体膜上に窒化物絶縁膜が成膜される、半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記導電膜は、前記第２の保護膜の面積の１５％以上５０％以下で形成される、半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の保護膜は、無機材料により形成され、
前記第２の保護膜は、有機材料により形成される、半導体装置の作製方法。
【請求項５】
ガラス基板上の半導体膜と、
前記半導体膜上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上のゲート電極と、を有し、
前記半導体膜は、一対の低抵抗領域と、前記一対の低抵抗領域の間のチャネル領域と、を有し、
前記半導体膜は、前記ゲート電極と重なる領域を有し、
チャネル長方向において、前記低抵抗領域の幅は、前記チャネル領域のチャネル長と同じ、または前記チャネル領域のチャネル長よりも広い、半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記低抵抗領域の一部は、前記ゲート電極と重なる、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月3日(2019.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機膜堆積のための装置であって、
有機反応体を気化して反応体蒸気を形成するように構成された容器と、
基板を収容し、前記容器と選択的に流体連通するように構成された反応空間と、
前記容器の中の前記反応体を温度Ａ以上に維持し、
前記基板を前記温度Ａより低い温度Ｂに維持し、
前記反応体蒸気を前記容器から前記基板へ輸送し、
前記基板の上に有機膜を堆積する
ように構成された制御システムと、
を備える、装置。
【請求項２】
前記有機膜は、高分子を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記容器は、室温および大気圧で固体を収容する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記容器は、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）を収容する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記制御システムは、ケルビンで表わした温度Ｂに対する温度Ａの比を約１から約１．２５の間に維持するようにさらに構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記制御システムは、前記温度Ｂを前記温度Ａより約５℃から約５０℃低く維持するようにさらに構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記容器を前記反応空間へ流体接続するガスラインをさらに含み、前記制御システムは、前記ガスラインを温度Ｃに維持するようにさらに構成され、前記温度Ｃは、前記温度Ａより高い、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記反応空間に接続された出口ラインおよび不活性ガス供給源をさらに備え、前記制御システムは、前記反応体蒸気および第二の反応体の蒸気の供給の間に余分な反応体蒸気および副生成物を除去するようにさらに構成され、
前記制御システムは、逐次堆積プロセスにおいて前記反応体蒸気と交互に第二の反応体の蒸気を前記基板へ輸送するようにさらに構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
有機膜を気相堆積するための方法であって、
気化器の中で第一の有機反応体を温度Ａで気化して第一の反応体の蒸気を形成するステップと、
反応空間の中で基板を前記温度Ａより低い温度Ｂで前記第一の反応体の蒸気に曝露するステップと、
前記基板の上に前記有機膜を堆積するステップと、
を含む方法。
【請求項１０】
前記有機膜は、高分子を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記高分子は、ポリイミドを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記有機膜は、ポリアミック酸を含み、前記ポリアミック酸をポリイミドへ変換するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記第一の反応体は、室温および大気圧で固体である、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記第一の反応体は、酸二無水物である、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
ケルビンで表わした温度Ｂに対する温度Ａの比は、約１から約１．１５の間である、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記温度Ｂは、前記温度Ａより約５℃から約５０℃の間だけ低い、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板は、平面でないトポグラフィーを含み、前記有機膜を堆積するステップは、前記基板の下部フィーチャの上に第一の厚さを形成するステップと、前記基板の上部領域区域の上に第二の厚さを堆積するステップとを含み、前記第一の厚さは、前記第二の厚さより大きく、
前記基板を曝露するステップは、前記基板の上に前記第一の反応体の化学種を自己制限的に吸着するステップを含み、前記方法は、
余分な前記第一の反応体を前記基板との接触から除くステップと、
前記第一の反応体の蒸気と第二の反応体とが実質的に混合しないように、前記基板を前記第二の反応体に曝露するステップと、
余分な前記第二の反応体を前記基板との接触から除くステップと、
をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１８】
基板の上の三次元構造体のアスペクト比を小さくするための方法であって、
第一の反応体を気化して第一の反応体の蒸気を形成するステップと、
反応空間の中で基板を前記第一の反応体の蒸気に曝露するステップであって、前記基板は、三次元構造を有するトポグラフィーを含む、ステップと、
有機膜を、堆積するにつれて前記有機膜が前記基板の上の前記三次元構造体のアスペクト比を小さくするように、前記トポグラフィーの上部フィーチャと比較して前記トポグラフィーの下部フィーチャの上で前記基板の上に優先的に堆積するステップであって、前記堆積は、前記基板を前記第一の反応体の蒸気に曝露することを含む、ステップと、
を含む方法。
【請求項１９】
前記気化は、温度Ａで行われ、前記基板は堆積時、温度Ｂであり、ケルビンで表わした温度Ｂに対する温度Ａの比は、約１から約１．１５の間である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記温度Ｂは、前記温度Ａより約５℃から約５０℃の間だけ低い、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記堆積するステップは、
前記基板を第二の反応体の蒸気に曝露して前記基板の上の前記第一の反応体の蒸気の化学種と反応させるステップと、
前記基板を前記第一の反応体の蒸気に曝露するステップと前記基板を前記第二の反応体の蒸気に曝露するステップとを交互に逐次的に繰り返すステップと、
をさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
気化温度Ａと基板温度Ｂとを、Ｂ＜Ａとなるように制御するステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記有機膜を堆積するステップは、ポリアミック酸膜を堆積するステップを含み、前記ポリアミック酸膜をポリイミド膜へ変換するステップをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第一の反応体は、有機反応体であり、前記曝露するステップは、前記反応空間を画定する反応器の側方を通って延在する加熱されたガスラインを通して前記第一の反応体の蒸気を、前記反応空間内の前記基板の上のガス分配ブロックへ供給するステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２５】
前記ガス分配ブロックは、前記反応空間に到達するまでの前記第一の反応体の蒸気と第二の反応体の蒸気とのために別々の流路を維持する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
気化器の中で第一の反応体を気化して第一の反応体の蒸気を形成するステップと、
反応空間の中で基板を前記第一の反応体の蒸気と第二の反応体の蒸気とに曝露するステップと、
前記第一の反応体の蒸気と前記第二の反応体の蒸気からのポリアミック酸膜を前記基板の上に堆積するステップと、
を含む、有機膜を形成する方法。
【請求項２７】
前記ポリアミック酸膜をポリイミドへ変換するステップをさらに含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記基板を前記第一の反応体の蒸気と前記第二の反応体の蒸気とに曝露するステップは、前記基板を約１００℃から約１５０℃の間の温度に維持するステップを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記第一の反応体は、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）を含む酸二無水物を含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
前記第二の反応体は、１，６−ジアミノヘキサン（ＤＡＨ）を含むジアミンを含む、請求項２６に記載の方法。