Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月24日(2019.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークに接触する第１部分と、前記第１部分と対向する第２部分と、を有する把持部と、
前記第１部分と前記第２部分との間の第１空間に設けられた粉粒体と、
を備え、
前記把持部を前記ワークに接触させた状態で、前記把持部の内部を減圧することで前記ワークを把持する把持ツールであって、
前記第１部分及び前記第２部分は、可撓性を有し、
前記第１部分および前記第２部分は、前記第１部分と前記第２部分とを結ぶ方向に変形可能に構成され、
前記第１部分の硬度は、４６．９未満である把持ツール。
【請求項２】
前記第１部分の硬度は、３１以下である請求項１記載の把持ツール。
【請求項３】
前記第１部分は、
前記第１部分から前記第２部分に向かう第１方向に窪んだ凹部と、
前記凹部の周りに設けられ、前記第１方向と反対の第２方向に突出した凸部と、
を有し、
前記凸部の硬度は、４６．９以下である請求項１記載の把持ツール。
【請求項４】
前記凸部の硬度は、３１以下である請求項３記載の把持ツール。
【請求項５】
前記第１空間に連通し、前記第１空間を減圧するための配管が接続される第１ポートと、
前記凹部および前記凸部に囲まれた第２空間に連通し、前記第２空間を減圧するための配管が接続される第２ポートと、
をさらに備えた請求項３または４に記載の把持ツール。
【請求項６】
前記第２ポートは、前記第２部分および前記凹部を貫通して設けられ、
前記第１方向に垂直な方向における前記凹部の寸法は、当該方向における前記第２ポートの前記貫通した部分の寸法よりも長い請求項５記載の把持ツール。
【請求項７】
前記第１部分の外周および前記第２部分の外周を保持する保持部をさらに備え、
前記第２部分は、前記保持部により保持された前記第２部分の外周よりも、前記第１部分から前記第２部分に向かう第１方向に向けて変形可能に構成された請求項１〜６のいずれか１つに記載の把持ツール。
【請求項８】
アームを有するロボット機構と、
前記アームの先端に取り付けられた、請求項１〜７のいずれか１つに記載の前記把持ツールと、
前記第１空間に接続され、前記第１空間を減圧するための第１減圧装置と、
前記ロボット機構および前記第１減圧装置の動作を制御するコントローラと、
を備えた把持システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】把持ツール及び把持システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明の実施形態は、把持ツール及び把持システムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、把持性能の高い把持ツール及び把持システムを提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
実施形態に係る把持ツールは、把持部及び粉粒体を備える。前記把持部は、ワークに接触する第１部分と、前記第１部分と対向する第２部分と、を有する。前記粉粒対は、前記第１部分と前記第２部分との間の第１空間に設けられている。前記把持ツールは、前記把持部をワークに接触させた状態で、前記把持部の内部を減圧することで前記ワークを把持する。前記第１部分及び前記第２部分は、可撓性を有する。前記第１部分および前記第２部分は、前記第１部分と前記第２部分とを結ぶ方向に変形可能に構成されている。前記第１部分の硬度は、４６．９未満である。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月22日(2019.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
ブッシュ７２のスプライン孔９０内に、スクリュ６０のスプライン軸８６が挿入されると、ブッシュ７２のスプライン孔９０の底部と、スクリュ６０のスプライン軸８６の端部が接触する。ブッシュ７２のスプライン孔９０の底部と、スクリュ６０のスプライン軸８６の端部が接触したことは、直線運動用モータ７６の出力トルクが上昇したことにより判断することができる。本実施の形態では、制御装置１８は、ステップＳ８（図３）において、直線運動用モータ７６の出力トルクが第１所定トルク以上となったときには、ブッシュ７２のスプライン孔９０の底部とスクリュ６０のスプライン軸８６の端部とが接触したと判断している。ブッシュ７２のスプライン孔９０の底部とスクリュ６０のスプライン軸８６の端部とが接触し、ブッシュ７２とスクリュ６０の組み付けが完了すると、直線運動用モータ７６は停止する（ステップＳ９）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
制御装置１８は、ステップＳ５において、直線運動用モータ７６の出力トルクが第２所定トルク未満となることなく、ブッシュ７２の回転角度が３６０[°]以上となったときには、ブッシュ７２のスプライン孔９０の底部とスクリュ６０のスプライン軸８６の端部とが接触したと判断している。ブッシュ７２のスプライン孔９０の底部とスクリュ６０のスプライン軸８６の端部とが接触し、ブッシュ７２とスクリュ６０の組み付けが完了すると、回転運動用モータ７０および直線運動用モータ７６は停止する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
ブッシュ７２のスプライン孔９０内に、スクリュ６０のスプライン軸８６が挿入されると、ブッシュ７２のスプライン孔９０の底部と、スクリュ６０のスプライン軸８６の端部が接触する。ブッシュ７２のスプライン孔９０の底部と、スクリュ６０のスプライン軸８６の端部が接触したことは、直線運動用モータ７６の出力トルクが上昇したことにより判断することができる。本実施の形態では、制御装置１８は、ステップＳ３１において、直線運動用モータ７６の出力トルクが第１所定トルク以上となったときには、ブッシュ７２のスプライン孔９０の底部とスクリュ６０のスプライン軸８６の端部とが接触したと判断している。ブッシュ７２のスプライン孔９０の底部とスクリュ６０のスプライン軸８６の端部とが接触し、ブッシュ７２とスクリュ６０の組み付けが完了すると、直線運動用モータ７６は停止する（ステップＳ３２）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
制御装置１８は、ステップＳ２７において、直線運動用モータ７６の出力トルクが第２所定トルク未満となることなく、ブッシュ７２の回転角度が３６０[°]以上となったときには、ブッシュ７２のスプライン孔９０の底部とスクリュ６０のスプラインン軸８６の端部とが接触したと判断している。ブッシュ７２のスプライン孔９０の底部とスクリュ６０のスプライン軸８６の端部とが接触し、ブッシュ７２とスクリュ６０の組み付けが完了すると、直線運動用モータ７６は停止する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2019055488.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2019055488.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2019055488.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月30日(2019.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ケース体と第２ケース体とを合わせて形成される基板収容部に遊技に関する所定の制御を司る制御基板を収容する遊技機用基板収容ケースを備えた遊技機において、
前記遊技機用基板収容ケースは、前記第１ケース体および前記第２ケース体を封止して当該遊技機用基板収容ケースを開封不可とする封止手段を備え、
前記封止手段は、
前記第１ケース体と前記第２ケース体とを合わせた状態で連通形成された係止穴を有する、前記基板収容部とは別に設けられた被封止部と、
前記被封止部の前記係止穴に挿入されて係止される係止部材と、
前記被封止部の前記係止穴に前記係止部材が挿入されて係止された状態にて、前記係止部材が前記係止穴に挿入される方向から充填され、当該被封止部を構成する前記第１ケース体の一部と前記係止部材とが対向し且つ前記第２ケース体の一部と前記係止部材とが対向する箇所に付着した状態で硬化された硬化樹脂と、
を備え、
前記第１ケース体の一部と前記第２ケース体の一部は、前記係止穴の開口側の箇所に前記硬化樹脂が付着し、前記係止穴の底側の箇所に前記硬化樹脂が付着せず、
前記第１ケース体および前記第２ケース体は、前記基板収容部と前記被封止部とを連結支持する支持部を備え、
前記第１ケース体および前記第２ケース体の支持部の少なくとも一方は、前記被封止部よりも脆弱な脆弱支持部である
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、請求項１に記載の発明は、
第１ケース体と第２ケース体とを合わせて形成される基板収容部に遊技に関する所定の制御を司る制御基板を収容する遊技機用基板収容ケースを備えた遊技機において、
前記遊技機用基板収容ケースは、前記第１ケース体および前記第２ケース体を封止して当該遊技機用基板収容ケースを開封不可とする封止手段を備え、
前記封止手段は、
前記第１ケース体と前記第２ケース体とを合わせた状態で連通形成された係止穴を有する、前記基板収容部とは別に設けられた被封止部と、
前記被封止部の前記係止穴に挿入されて係止される係止部材と、
前記被封止部の前記係止穴に前記係止部材が挿入されて係止された状態にて、前記係止部材が前記係止穴に挿入される方向から充填され、当該被封止部を構成する前記第１ケース体の一部と前記係止部材とが対向し且つ前記第２ケース体の一部と前記係止部材とが対向する箇所に付着した状態で硬化された硬化樹脂と、
を備え、
前記第１ケース体の一部と前記第２ケース体の一部は、前記係止穴の開口側の箇所に前記硬化樹脂が付着し、前記係止穴の底側の箇所に前記硬化樹脂が付着せず、
前記第１ケース体および前記第２ケース体は、前記基板収容部と前記被封止部とを連結支持する支持部を備え、
前記第１ケース体および前記第２ケース体の支持部の少なくとも一方は、前記被封止部よりも脆弱な脆弱支持部である
ことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月6日(2018.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シーン内の寸法を求める方法であって、
センサーにより取得された前記シーンの単一奥行き画像を取得するステップと、
前記単一奥行き画像から平面を抽出するステップと、
前記平面の位相関係を求めるステップと、
前記平面及び前記位相関係に基づいて前記寸法を求めるステップと、
シーンタイプを用いて、前記単一奥行き画像から取得された前記平面の前記寸法の品質を評価するステップであって、前記品質が十分な場合には前記寸法を出力し、そうでなければ、前記センサーを再位置決めするガイダンスを出力する、ステップと、
を備え、
前記ステップは、プロセッサにおいて行われる
方法。
【請求項２】
前記シーンの赤、緑、及び青（ＲＧＢ）画像と前記奥行き画像を組み合わせて、ＲＧＢ−奥行き画像を形成する
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ガイダンスは、ユーザーに出力される
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ガイダンスは、前記センサーが載置されているロボットに出力される
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記抽出するステップは、
前記奥行き画像内の画素を群にセグメント化するステップと、
グラフにおいて前記群をノードとして表すステップであって、エッジは、隣接する群を表す、ステップと、
前記グラフに凝集型階層的クラスタリングを適用して、同一平面上のノードを結合するステップと、
を更に備えた請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記位相関係は、
２つの平面の法線ベクトルが互いに平行である場合、平行な平面を含み、
２つの平面が同一のパラメーターを有する場合、同一平面上の平面を含み、
２つの平面が平行でない場合、交差する平面を含み、
２つの平面の前記法線ベクトルが互いに直角をなす場合、直角をなす平面を含む
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記平面を抽出するために最小二乗手順を用いるステップを更に備えた
請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記シーンタイプは、所定の形状を画定する
請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記所定の形状は、箱形状及び開口形状を含む
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記箱形状は、２つの平行な平面の２つの組を含み、
前記２つの組は、互いに直角をなす
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記開口形状は、
同一平面上の２つの平面と、
前記同一平面上の２つの平面と直角をなす平面と、
を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
コンピューターにシーン内の寸法を求める処理を実行させる方法のステップを記憶した非一時的コンピューター可読記録媒体であって、
前記方法は、
センサーにより取得された前記シーンの単一奥行き画像を取得するステップと、
前記単一奥行き画像から平面を抽出するステップと、
前記平面の位相関係を求めるステップと、
前記平面及び前記位相関係に基づいて前記寸法を求めるステップと、
シーンタイプを用いて、前記単一奥行き画像から取得された前記平面の前記寸法の品質を評価するステップであって、前記品質が十分な場合には前記寸法を出力し、そうでなければ、前記センサーを再位置決めするガイダンスを出力する、ステップと、
を備えた非一時的コンピューター可読記録媒体。
【請求項１３】
メモリと通信するプロセッサを含む、シーン内の寸法を求めるシステムであって、
前記システムは、前記シーンの単一奥行き画像を取得し、カラー画像とともに前記単一奥行き画像を送信するように構成された奥行きセンサーを備え、
前記メモリは、前記プロセッサにシーン内の寸法を求める処理を実行させる方法のステップを記憶するように構成され、
前記処理は、
センサーにより取得された前記シーンの前記単一奥行き画像を取得するステップと、
前記単一奥行き画像から平面を抽出するステップと、
前記平面の位相関係を求めるステップと、
前記平面及び前記位相関係に基づいて前記寸法を求めるステップと、
シーンタイプを用いて、前記単一奥行き画像から取得された前記平面の前記寸法の品質を評価するステップであって、前記品質が十分な場合には前記寸法を出力し、そうでなければ、前記センサーを再位置決めするガイダンスを出力する、ステップと、
を備えたシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月8日(2019.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域に形成された複数の信号線と、
前記表示領域で前記複数の信号線に接続されている複数の画素を含む画素アレイと、
非表示領域に配置され前記複数の信号線に電気的に接続されたスキャン駆動回路およびデータ駆動回路と、
前記非表示領域に形成され、前記画素アレイの外郭に沿って前記画素アレイと隣接した位置に形成される単一または二つ以上の配線から構成されるダミーパターンを含み、
前記ダミーパターンは、
前記非表示領域内の前記画素アレイの縁に位置した第１画素から所定距離離隔した位置で前記第１画素のパターンに平行に形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記ダミーパターンが位置する前記所定距離は、隣接する二対の画素で互いに隣接する画素パターン間の間隔と同一であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記ダミーパターンの厚さは、隣接する二対の画素で互いに隣接する画素パターンの厚さと同一であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記ダミーパターンは、前記画素アレイおよび前記スキャン駆動回路の間の外郭領域に形成される第１ダミーパターンおよび前記画素アレイおよび前記データ駆動回路の間の外郭領域に形成される第２ダミーパターンを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１ダミーパターンおよび前記第２ダミーパターンは同一層（ｌａｙｅｒ）に形成されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１ダミーパターンおよび前記第２ダミーパターンは互いに異なる層に形成されブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ）形態に電気的に接続されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
アクティブ層、ゲート層、およびデータ金属層を有し、
前記第１ダミーパターンおよび前記第２ダミーパターンは前記アクティブ層、前記ゲート層、または前記データ金属層のうちのいずれか一つに形成されることを特徴とする請求項５または６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記ダミーパターンを構成する配線の両端部を接地配線または電源配線（ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳ）に接続して静電気遮蔽（ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ）回路として用いることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記ダミーパターンを構成する配線に静電気ダイオード回路を接続することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月5日(2019.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアとシェルを含み、シェルが、銀を含む金属イオンナノ粒子を含み、前記金属イオンナノ粒子は、１ｎｍ〜１０ｎｍの平均直径を有し、１ｎｍ〜３ｎｍの平均粒径の標準偏差を有する、抗菌性トナー粒子。
【請求項２】
前記コアが、ポリスチレン／アクリレート樹脂を含む、請求項１に記載のトナー粒子。
【請求項３】
前記コアが、スチレンアクリレート、スチレンブタジエン、スチレンメタクリレートまたはこれらの組合せからなる群から選択されるポリマーを含む、請求項１に記載のトナー粒子。
【請求項４】
前記コアが、ポリ（スチレン−アクリル酸アルキル）、ポリ（スチレン−１，３−ジエン）、ポリ（スチレン−メタクリル酸アルキル）、ポリ（スチレン−アクリル酸アルキル−アクリル酸）、ポリ（スチレン−１，３−ジエン−アクリル酸）、ポリ（スチレン−メタクリル酸アルキル−アクリル酸）、ポリ（メタクリル酸アルキル−アクリル酸アルキル）、ポリ（メタクリル酸アルキル−アクリル酸アリール）、ポリ（メタクリル酸アリール−アクリル酸アルキル）、ポリ（メタクリル酸アルキル−アクリル酸）、ポリ（スチレン−アクリル酸アルキル−アクリロニトリル−アクリル酸）、ポリ（スチレン−１，３−ジエン−アクリロニトリル−アクリル酸）、ポリ（アクリル酸アルキル−アクリロニトリル−アクリル酸）、ポリ（スチレン−ブタジエン）、ポリ（メチルスチレン−ブタジエン）、ポリ（メタクリル酸メチル−ブタジエン）、ポリ（メタクリル酸エチル−ブタジエン）、ポリ（メタクリル酸プロピル−ブタジエン）、ポリ（メタクリル酸ブチル−ブタジエン）、ポリ（アクリル酸メチル−ブタジエン）、ポリ（アクリル酸エチル−ブタジエン）、ポリ（アクリル酸プロピル−ブタジエン）、ポリ（アクリル酸ブチル−ブタジエン）、ポリ（スチレン−イソプレン）、ポリ（メチルスチレン−イソプレン）、ポリ（メタクリル酸メチル−イソプレン）、ポリ（メタクリル酸エチル−イソプレン）、ポリ（メタクリル酸プロピル−イソプレン）、ポリ（メタクリル酸ブチル−イソプレン）、ポリ（アクリル酸メチル−イソプレン）、ポリ（アクリル酸エチル−イソプレン）、ポリ（アクリル酸プロピル−イソプレン）、ポリ（アクリル酸ブチル−イソプレン）、ポリ（スチレン−アクリル酸プロピル）、ポリ（スチレン−アクリル酸ブチル）、ポリ（スチレン−ブタジエン−アクリル酸）、ポリ（スチレン−ブタジエン−メタクリル酸）、ポリ（スチレン−ブタジエン−アクリロニトリル−アクリル酸）、ポリ（スチレン−アクリル酸ブチル−アクリル酸）、ポリ（スチレン−アクリル酸ブチル−メタクリル酸）、ポリ（スチレン−アクリル酸ブチル−アクリロニトリル）、ポリ（スチレン−アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−アクリル酸）、ポリ（スチレン−ブタジエン）、ポリ（スチレン−イソプレン）、ポリ（スチレン−メタクリル酸ブチル）、ポリ（スチレン−アクリル酸ブチル−アクリル酸）、ポリ（スチレン−メタクリル酸ブチル−アクリル酸）、ポリ（メタクリル酸ブチル−アクリル酸ブチル）、ポリ（メタクリル酸ブチル−アクリル酸）、ポリ（アクリロニトリル−アクリル酸ブチル−アクリル酸）またはこれらの組合せから選択される樹脂を含む、請求項１に記載のトナー粒子。
【請求項５】
前記コアが、スチレン、アクリル酸ブチル、及びβ−カルボキシエチルアクリレートを含む、請求項１に記載のトナー粒子。
【請求項６】
前記コアが、ポリエステル樹脂を含む、請求項１に記載のトナー粒子。
【請求項７】
着色剤を含む、請求項１に記載のトナー粒子。
【請求項８】
前記金属イオンナノ粒子が、前記トナー粒子中、トナーの１２，０００〜１５，０００ｐｐｍ存在する、請求項１に記載のトナー粒子。
【請求項９】
請求項１に記載のトナー粒子を含む基材または表面。
【請求項１０】
前記トナー粒子は画像を有する、請求項９に記載の基材または表面。
【請求項１１】
紙を含む、請求項９に記載の基材または表面。
【請求項１２】
１つ以上の色を有する、請求項９に記載の基材または表面。
【請求項１３】
二次元である、請求項９に記載の基材または表面。
【請求項１４】
三次元構造を有する、請求項９に記載の基材または表面。
【請求項１５】
前記トナー粒子は、コーティングを有する、請求項９に記載の基材または表面。
【請求項１６】
紙、プラスチック、布地、セラミック、木材、岩または金属を含む、請求項９に記載の基材または表面。
【請求項１７】
印刷されたコード、印刷された文字または印刷されたロゴを含む、請求項９に記載の基材または表面。
【請求項１８】
メニュー、医療用デバイス、医療用装置、食品用包装、食品用梱包、化粧品用包装、化粧品用梱包、化粧品、食品用製品、台所用製品、加熱または冷却するダクト配管、建築材料、絶縁製品またはクリーンルーム表面を含む、請求項９に記載の基材または表面。
【請求項１９】
周囲条件にさらされる、請求項９に記載の基材または表面。
【請求項２０】
前記金属イオンナノ粒子は、銀コンポジットを含む、請求項９に記載の基材または表面。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月24日(2019.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、表示素子と、検知素子と、を有し、
前記基材は、透光性を備え、
前記表示素子は、前記基材と重なる領域を備え、
前記検知素子は、前記表示素子と前記基材の間に配設され、
前記表示素子は、前記基材がある側に表示をする機能を備え、
前記検知素子は、前記基材がある側に近接または接触するものを検知する機能を備え、
前記検知素子は、
第１の導電膜と、
前記第１の導電膜および前記基材の間に第２の導電膜と、
前記第１の導電膜および前記第２の導電膜の間に絶縁膜と、を備えるタッチパネル。
【請求項２】
前記表示素子は、液晶材料と、第３の導電膜と、を備え
前記第３の導電膜は、前記液晶材料の配向を制御する電界を、前記第１の導電膜との間に印加することができるように配設される、請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
トランジスタを有し、
前記第３の導電膜は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続される、請求項１または請求項２に記載のタッチパネル。
【請求項４】
走査線と、信号線と、を有し、
前記走査線は、前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記信号線は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続され、
前記走査線と電気的に接続される複数のトランジスタと、
前記信号線と電気的に接続される複数のトランジスタと、を有し、
前記第１の導電膜または第２の導電膜は、前記走査線または前記信号線と重なる開口部を備える、請求項３に記載のタッチパネル。
【請求項５】
演算装置と、請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載のタッチパネルと、を有し、
前記演算装置は位置情報を供給され、画像情報および制御情報を供給する機能を備え、
前記タッチパネルは、前記位置情報を供給する機能を備え、前記画像情報および前記制御情報を供給される機能を備え、
前記タッチパネルは、前記画像情報を表示する表示部および前記位置情報を供給する入力部を備え、
前記入力部は、ポインタの位置を検知して、位置に基づいて決定された前記位置情報を供給する機能を備え、
前記演算装置は、前記位置情報に基づいて前記ポインタの移動速度を決定する機能を備え、
前記演算装置は、前記画像情報のコントラストまたは明るさを前記ポインタの前記移動速度に基づいて決定する機能を備える情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月26日(2019.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１ストレージインターフェイスコネクタ、ケーブルコネクタ、及びストレージアダプタ回路を含むストレージマザーボードを備え、
前記ストレージアダプタ回路は、前記ケーブルコネクタに連結されたホスト側インターフェイス及び複数の第１ストレージ側インターフェイスを有し、
前記複数の第１ストレージ側インターフェイスの各々は、前記複数の第１ストレージインターフェイスコネクタのそれぞれのストレージインターフェイスコネクタに連結され、
前記ストレージアダプタ回路は、
ホストインターフェイスプロトコルから第１ストレージインターフェイスプロトコルに通信を変換する第１プロトコル変換器と、
ホストインターフェイスプロトコルから第２ストレージインターフェイスプロトコルに通信を変換する第２プロトコル変換器と、
前記第１ストレージインターフェイスプロトコルを使用する複数のストレージ装置に前記第１プロトコル変換器を連結する第１統合装置と、
前記第２ストレージインターフェイスプロトコルを使用する複数のストレージ装置に前記第２プロトコル変換器を連結する第２統合装置と、
ストレージアダプタ回路コントローラと、を含み、
前記ストレージアダプタ回路コントローラは、
前記複数の第１ストレージインターフェイスコネクタの中の一つのコネクタに連結されたマスストレージ装置のプロトコルを検出し、
前記検出されたプロトコルが第１プロトコルである場合、前記第１プロトコル変換器を前記ホスト側インターフェイスに連結し、前記第１統合装置を前記第１プロトコル変換器と前記複数の第１ストレージ側インターフェイスとの間に連結し、
前記検出されたプロトコルが第２プロトコルである場合、前記第２プロトコル変換器を前記ホスト側インターフェイスに連結し、前記第２統合装置を前記第２プロトコル変換器と前記複数の第１ストレージ側インターフェイスとの間に連結することを特徴とするストレージシステム。
【請求項２】
前記第１プロトコル変換器は、ＳＡＳ（Ｓｅｒｉａｌ  Ａｔｔａｃｈｅｄ  ＳＣＳＩ）のためのＰＣＩｅホストバスアダプタであり、
前記第１統合装置は、ＳＡＳ拡張器であることを特徴とする請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項３】
前記第２プロトコル変換器は、ＳＡＴＡ（Ｓｅｒｉａｌ  Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）のためのＰＣＩｅホストバスアダプタであり、
前記第２統合装置は、ＳＡＴＡ拡張器であることを特徴とする請求項２に記載のストレージシステム。
【請求項４】
前記ホストインターフェイスプロトコルを使用する複数のストレージ装置に連結される第３統合装置を更に含み、
前記検出されたプロトコルが前記ホストインターフェイスプロトコルである場合、前記ストレージアダプタ回路コントローラは、前記第３統合装置を前記ホスト側インターフェイスに連結することを特徴とする請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項５】
前記ホストインターフェイスプロトコルは、ＰＣＩｅであることを特徴とする請求項４に記載のストレージシステム。
【請求項６】
前記ホストインターフェイスプロトコルは、Ｅｔｈｅｒｎｅｔ（登録商標）であることを特徴とする請求項４に記載のストレージシステム。
【請求項７】
前記第１プロトコル変換器は、ＳＡＳのためのＰＣＩｅホストバスアダプタであり、
前記第１統合装置は、ＳＡＳ拡張器であることを特徴とする請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項８】
前記第２プロトコル変換器は、ＳＡＴＡ（Ｓｅｒｉａｌ  Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）のためのＰＣＩｅホストバスアダプタであり、
前記第２統合装置は、ＳＡＴＡ拡張器であることを特徴とする請求項７に記載のストレージシステム。
【請求項９】
前記第１統合装置は、ルーティング回路を含むことを特徴とする請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項１０】
前記第１ストレージインターフェイスプロトコルは、ＳＡＴＡ、ＳＡＳ、Ｆｉｂｒｅ  Ｃｈａｎｎｅｌ、ＮＶＭｅ、Ｅｔｈｅｒｎｅｔ（登録商標）、及びＵＳＢからなるグループから選択されるプロトコルを含むことを特徴とする請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項１１】
前記複数の第１ストレージインターフェイスコネクタの中の一つのコネクタは、少なくとも２つの異なるストレージインターフェイスと互換性があることを特徴とする請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項１２】
前記複数の第１ストレージインターフェイスコネクタの中の一つのコネクタは、ＳＦＦ８６３９コネクタを含むことを特徴とする請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項１３】
前記複数の第１ストレージインターフェイスコネクタの中の一つのストレージコネクタにデータ経路によって連結されたマスストレージ装置を更に含み、
前記データ経路は、ケーブル、複数の印刷回路基板トレイス、及び無線リンクからなるグループから選択される経路を含むことを特徴とする請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項１４】
前記ケーブルコネクタは、ＰＣＩｅコネクタを含み、
前記ホストインターフェイスプロトコルは、ＰＣＩｅであることを特徴とする請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項１５】
１９インチラックのためのラックトレイを含むコンピューティングシステムであって、
前記ラックトレイは、
ＣＰＵ及びメモリを含むホストマザーボードと、
請求項１に記載のストレージマザーボードと、を備えることを特徴とするコンピューティングシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月29日(2019.4.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第４の導電層と、液晶層と、を有するタッチパネルであって、
前記第３の導電層は、前記第１の基板上に位置し、
前記第４の導電層は、前記第３の導電層と同一面上に離間して位置し、
前記液晶層は、前記第３の導電層よりも上側に位置し、
前記第２の導電層は、前記液晶層よりも上側に位置し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層よりも上側に位置し、
前記第１の導電層は、複数の開口を有するメッシュ状の形状を有し、
前記第２の導電層は、可視光を透過する機能を有し、且つ前記第３の導電層と重なる部分、及び前記第４の導電層と重なる部分を有し、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層は、可視光を透過する機能を有し、
前記第３の導電層は、前記開口の一と重なる部分を有し、
前記第４の導電層は、前記開口の他の一と重なる部分を有し、
平面視において、前記第１の導電層は、前記第３の導電層と前記第４の導電層との間に位置する部分を有する、
タッチパネル。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の導電層は、共通電極としての機能を有し、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層は、それぞれ画素電極としての機能を有する、
タッチパネル。
【請求項３】
第１の基板と、第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第４の導電層と、第５の導電層と、液晶層と、を有するタッチパネルであって、
前記第５の導電層は、前記第１の基板上に位置し、
前記第５の導電層は、前記第３の導電層と重なる部分、及び前記第４の導電層と重なる部分を有し、
前記第４の導電層は、前記第３の導電層と同一面上に離間して位置し、
前記液晶層は、前記第３の導電層、及び前記第５の導電層よりも上側に位置し、
前記第２の導電層は、前記液晶層よりも上側に位置し、
前記第１の導電層は、前記第２の導電層よりも上側に位置し、
前記第１の導電層は、複数の開口を有するメッシュ状の形状を有し、
前記第２の導電層は、可視光を透過する機能を有し、且つ前記第３の導電層と重なる部分、及び前記第４の導電層と重なる部分を有し、
前記第３の導電層は、前記開口の一と重なる部分を有し、
前記第４の導電層は、前記開口の他の一と重なる部分を有し、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層と、前記第５の導電層との一方は、可視光を透過する機能を有し、
平面視において、前記第１の導電層は、前記第３の導電層と前記第４の導電層との間に位置する部分を有し、
前記第３の導電層または前記第５の導電層は、櫛歯状の形状またはスリットを有する形状を有し、
前記開口の一と、前記第３の導電層と、前記第５の導電層とが互いに重なる部分と、
前記開口の一と、前記第３の導電層または前記第５の導電層の一方とが互いに重なり、且つ前記開口の一と、前記第３の導電層または前記第５の導電層の他の一方と重ならない部分と、を有する、
タッチパネル。
【請求項４】
請求項３において、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層は、それぞれ画素電極としての機能を有し、
前記第５の導電層は、共通電極としての機能を有する、
タッチパネル。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記第５の導電層は、前記第３の導電層及び前記第４の導電層よりも下側に位置する、
タッチパネル。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第２の導電層は、定電位が供給される端子と電気的に接続される、
タッチパネル。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の導電層よりも上側に第２の基板を有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、前記第２の基板に形成されている、
タッチパネル。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の導電層よりも上側に、遮光層を有し、
前記遮光層と、前記第１の導電層とは、互いに重なる部分を有する、
タッチパネル。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の導電層よりも上側に、円偏光板を有する、
タッチパネル。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第３の導電層よりも上側に、第１の着色層及び第２の着色層を有し、
前記第１の着色層は、前記開口の一と重なる領域を有し、
前記第２の着色層は、前記開口の他の一と重なる領域を有する、
タッチパネル。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１の導電層は、前記第１の着色層または前記第２の着色層と重なる部分を有する、
タッチパネル。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第３の導電層よりも上側であって、かつ、前記第２の導電層よりも下側にスペーサを有し、
前記スペーサは、前記第１の導電層と重なる部分を有する、
タッチパネル。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記液晶層と、前記第１の基板との間にトランジスタを有し、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第３の導電層とは、電気的に接続され、
前記トランジスタは、酸化物半導体を含む半導体層を有する、
タッチパネル。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記トランジスタは、第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有し、
前記第１のゲート電極は、前記半導体層よりも下側に位置し、
前記第２のゲート電極は、前記半導体層よりも上側に位置し、
前記第２のゲート電極と、前記半導体層と、前記第３の導電層とが、互いに重なる領域を有する、
タッチパネル。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記第２のゲート電極と、前記半導体層とは、同一の金属元素を含む、
タッチパネル。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記液晶層と、前記第１の基板との間にトランジスタを有し、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第３の導電層とは、電気的に接続され、
前記トランジスタは、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、または単結晶シリコンを含む半導体層を有する、
タッチパネル。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記トランジスタは、第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有し、
前記第１のゲート電極は、前記半導体層よりも下側に位置し、
前記第２のゲート電極は、前記半導体層よりも上側に位置し、
前記第２のゲート電極と、前記半導体層と、前記第３の導電層とが、互いに重なる領域を有する、
タッチパネル。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月9日(2019.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、及び電子部品
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路と、第１メモリセルと、を有する半導体装置であって、
前記回路は、第１トランジスタと、第２トランジスタと、第１容量素子乃至第６容量素子と、第１配線乃至第４配線と、第１センスアンプと、第２センスアンプと、を有し、
前記第１センスアンプは、第１入出力端子と、第２入出力端子と、を有し、
前記第２センスアンプは、第３入出力端子と、第４入出力端子と、を有し、
前記第１メモリセルは、前記第１センスアンプ及び前記第２センスアンプの上方に位置し、
前記第１配線は、前記第１容量素子の第１電極と、前記第１トランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第５容量素子の第１電極と、前記第１入出力端子と、電気的に接続され、
前記第２配線は、前記第２容量素子の第１電極と、前記第２トランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第６容量素子の第１電極と、前記第２入出力端子と、電気的に接続され、
前記第３配線は、前記第３容量素子の第１電極と、前記第１トランジスタのソース又はドレインの他方と、前記第６容量素子の第２電極と、前記第３入出力端子と、電気的に接続され、
前記第４配線は、前記第４容量素子の第１電極と、前記第２トランジスタのソース又はドレインの他方と、前記第５容量素子の第２電極と、前記第４入出力端子と、電気的に接続され、
前記第１メモリセルは、前記第１配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
さらに、第１ダミーセルを有し、
前記第１ダミーセルは、前記第１メモリセルと同じ構成を有し、
前記第１ダミーセルは、前記第１センスアンプ及び前記第２センスアンプの上方に位置し、
前記第１ダミーセルは、前記第３配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
さらに、第２メモリセルを有し、
前記第２メモリセルは、前記第１メモリセルと同じ構成を有し、
前記第２メモリセルは、前記第１センスアンプ及び前記第２センスアンプの上方に位置し、
前記第２メモリセルは、前記第３配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
さらに、第１ダミーセルと、第２ダミーセルと、を有し、
前記第１ダミーセル及び前記第２ダミーセルは、それぞれ前記第１メモリセルと同じ構成を有し、
前記第１ダミーセル及び前記第２ダミーセルは、前記第１センスアンプ及び前記第２センスアンプの上方に位置し、
前記第１ダミーセルは、前記第３配線と電気的に接続され、
前記第２ダミーセルは、前記第１配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタは、前記第１センスアンプ及び前記第２センスアンプの上方に位置し、
前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタの少なくとも一方は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタの少なくとも一方は、チャネル形成領域にシリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１メモリセル及び前記第２メモリセルは、それぞれ第７容量素子を有し、
前記第１容量素子乃至前記第７容量素子は、前記第１センスアンプ及び前記第２センスアンプの上方に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
回路と、第１メモリセル乃至第３メモリセルと、を有する半導体装置であって、
前記回路は、第１トランジスタ乃至第４トランジスタと、第１容量素子乃至第８容量素子と、第１配線乃至第６配線と、第１センスアンプと、第２センスアンプと、を有し、
前記第１センスアンプは、第１入出力端子と、第２入出力端子と、を有し、
前記第２センスアンプは、第３入出力端子と、第４入出力端子と、を有し、
前記第１メモリセル乃至前記第３メモリセルは、前記第１センスアンプ及び前記第２センスアンプの上方に位置し、
前記第１配線は、前記第１容量素子の第１電極と、前記第１トランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第７容量素子の第１電極と、前記第１入出力端子と、電気的に接続され、
前記第２配線は、前記第２容量素子の第１電極と、前記第２トランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第８容量素子の第１電極と、前記第２入出力端子と、電気的に接続され、
前記第３配線は、前記第３容量素子の第１電極と、前記第１トランジスタのソース又はドレインの他方と、前記第３トランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第４配線は、前記第４容量素子の第１電極と、前記第２トランジスタのソース又はドレインの他方と、前記第４トランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第５配線は、前記第５容量素子の第１電極と、前記第３トランジスタのソース又はドレインの他方と、前記第８容量素子の第２電極と、前記第３入出力端子と、電気的に接続され、
前記第６配線は、前記第６容量素子の第１電極と、前記第４トランジスタのソース又はドレインの他方と、前記第７容量素子の第２電極と、前記第４入出力端子と、電気的に接続され、
前記第１メモリセルは、前記第１配線と電気的に接続され、
前記第２メモリセルは、前記第３配線と電気的に接続され、
前記第３メモリセルは、前記第５配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１トランジスタ乃至前記第４トランジスタは、前記第１センスアンプ及び前記第２センスアンプの上方に位置し、
前記第１トランジスタ乃至前記第４トランジスタの少なくともいずれか一は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８において、
前記第１トランジスタ乃至前記第４トランジスタの少なくともいずれか一は、チャネル形成領域にシリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１メモリセル乃至前記第３メモリセルは、それぞれ第９容量素子を有し、
前記第１容量素子乃至前記第９容量素子は、前記第１センスアンプ及び前記第２センスアンプの上方に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第１メモリセル乃至前記第３メモリセルは、それぞれ第５トランジスタを有し、
前記第５トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一の半導体装置と、
プロセッサコアと、を有することを特徴とする電子部品。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月30日(2019.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルと、回路と、第１配線と、を有する半導体装置であって、
前記回路は、バッファ回路と、第１スイッチと、第１スイッチ回路乃至第ｐスイッチ回路と、第１容量素子乃至第ｐ容量素子と、を有し（ｐは２以上の整数）、
前記第１スイッチ回路乃至前記第ｐスイッチ回路は、それぞれ、第１端子と、第２端子と、第３端子と、第２スイッチと、第３スイッチと、を有し、
前記第１スイッチ回路乃至前記第ｐスイッチ回路において、前記第１端子は、前記第２スイッチを介して、前記第２端子と電気的に接続され、
前記第１スイッチ回路乃至前記第ｐスイッチ回路において、前記第１端子は、前記第３スイッチを介して、前記第３端子と電気的に接続され、
前記第１容量素子の第１電極は、前記メモリセルと電気的に接続され、
前記バッファ回路の入力端子は、前記第１スイッチを介して、前記メモリセルと電気的に接続され、前記第１容量素子の第２電極は、前記第１スイッチ回路の前記第１端子に電気的に接続され、
前記第ｐ容量素子の第２電極は、前記第ｐスイッチ回路の前記第１端子と電気的に接続され、
前記バッファ回路の出力端子は、前記第１スイッチ回路の前記第２端子と前記第ｐスイッチ回路の前記第２端子とに電気的に接続され、
前記第１スイッチ回路乃至前記第ｐスイッチ回路のそれぞれの前記第３端子は、前記第１配線と電気的に接続される半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記メモリセルは、前記回路の上方に位置する半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記メモリセルは、第１トランジスタを有し、
前記第１トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体で構成される半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１スイッチ乃至前記第３スイッチは、それぞれ、第２トランジスタを有し、
前記第２トランジスタのチャネル形成領域は、シリコンで構成される半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月7日(2018.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＭＲセンサのためのＭｇＯバリア層を作製する方法であって、
Ｍｇターゲットから第１のＭｇＯ源層を堆積するステップと、
酸素の存在下において反応性酸化物堆積プロセスを使用して、Ｍｇターゲットから前記第１のＭｇＯ源層上に第２のＭｇＯ源層を堆積するステップと、
Ｍｇターゲットから前記第２のＭｇＯ源層上に第３のＭｇＯ源層を堆積するステップと、
ＭｇＯバリア層を形成するよう、前記第１のＭｇＯ源層、前記第２のＭｇＯ源層および前記第３のＭｇＯ源層をアニールするステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記第２のＭｇＯ源層を堆積するステップはＯ２またはＯ−２イオンを伴う、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のＭｇＯ源層を堆積するステップは、第１のＭｇ層を堆積することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第３のＭｇＯ源層を堆積するステップは、第３のＭｇ層を堆積することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ＴＭＲセンサのためのＭｇＯバリア層を作製する方法であって、
第１のチャンバにおいて第１のＭｇ層を堆積するステップと、
前記第１のチャンバまたは前記第１のチャンバとは異なる第２のチャンバにおいて、酸素の存在下で、反応性酸化物堆積プロセスを使用して前記第１のＭｇ層上に第２のＭｇ層を堆積するステップと、
前記第１のチャンバ、前記第２のチャンバまたは第３のチャンバのいずれかにおいて前記第２のＭｇＯ層上に第３のＭｇ層を堆積するステップと、
ＭｇＯバリア層を形成するよう前記第１の層、前記第２の層および前記第３の層をアニールするステップとを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月19日(2019.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＣＴ光源から出射された光を、第１の測定光路と参照光路に分割する第１の光分割器と、
第１の測定光路からの測定光を第２の光分割器を介して被検物に導光するための導光光学系であって、前記測定光による前記被検物からの反射光を前記第１の測定光路と第２の測定光路に分割する前記第２の光分割器を備える導光光学系と、
前記第１の測定光路を経由した前記反射光と、前記参照光路を経由した参照光との干渉である第１の干渉と、前記第２の測定光路を経由した前記反射光と、前記参照光路を経由した参照光との干渉である第２の干渉とを検出するための検出光学系と、
前記検出光学系から出力される出力信号を処理して被検物のＯＣＴデータを得る演算処理器と、
を備えることを特徴とする光コヒーレンストモグラフィー装置。
【請求項２】
前記第２の光分割器は、さらに、第１の測定光路からの測定光を第１の測定光と第２の測定光に分割することを特徴とする請求項１の光コヒーレンストモグラフィー装置。
【請求項３】
前記走査光学系は、前記第１の測定光と前記第２の測定光の分離方向に関して各測定光
を走査させ、
前記演算制御器は、前記検出光学系からの出力信号を処理して、同一部位での取得時間が異なる少なくとも２つの断層像を取得すると共に、前記同一部位に関するモーションコントラストデータを取得する請求項１又は２の光コヒーレンストモグラフィー装置。
【請求項４】
前記第１の測定光路からの測定光において、偏光成分が互いに異なる少なくとも２つの測定光を生成するための偏光生成器を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれかの光コヒーレンストモグラフィー装置。
【請求項５】
前記検出光学系は、前記第１の干渉を検出するための第１の光検出器と、前記第２の干渉を検出するための第２の光検出器とを備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの光コヒーレンストモグラフィー装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月8日(2019.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、タイヤおよび移動体
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を有するタイヤであり、
前記半導体装置は、回路部と、アンテナと、センサ素子と、を有し、
前記回路部は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記センサ素子は、前記タイヤの空気圧を測定する機能を有するタイヤ。
【請求項２】
半導体装置を有するタイヤであり、
前記半導体装置は、第１の回路部と、アンテナと、センサ素子と、を有し、
前記センサ素子は、前記タイヤの空気圧を測定する機能を有し、
前記第１の回路部は、アナログデジタル変換回路と、サンプルホールド回路を有し、
前記サンプルホールド回路は、バッファ回路と、第２の回路部と、を有し、
前記第２の回路部は、トランジスタと、容量素子と、を有し、
前記バッファ回路は、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に、アナログ電位を供給することができる機能を有し、
前記トランジスタをオフにすることで、前記トランジスタのソース又はドレインの他方および前記容量素子に前記アナログ電位に応じた電荷を保持する機能を有し、
前記バッファ回路は、前記アナログ電位に応じた電荷を保持した後に、電源電圧の供給が停止される機能を有するタイヤ。
【請求項３】
請求項２において、前記トランジスタは、酸化物半導体を有するタイヤ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記半導体装置は、無線により通信する機能を有するタイヤ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記半導体装置は、前記タイヤの側面に位置するタイヤ。
【請求項６】
第１の回路部と、アンテナと、複数のセンサ素子と、を有し、
前記第１の回路部は、アナログデジタル変換回路と、複数のサンプルホールド回路を有し、
前記サンプルホールド回路は、バッファ回路と、第２の回路部と、を有し、
前記第２の回路部は、トランジスタと、容量素子と、を有し、
前記バッファ回路は、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に、アナログ電位を供給することができる機能を有し、
前記第２の回路部は、前記トランジスタをオフにすることで、前記トランジスタのソース又はドレインの他方および前記容量素子に前記アナログ電位に応じた電荷を保持する機能を有し、
前記バッファ回路は、前記アナログ電位に応じた電荷を保持した後に、電源電圧の供給が停止される機能を有し、
前記複数のセンサ素子は、圧力、温度、歪み、または加速度のうち二つ以上を測定する機能を有する半導体装置。
【請求項７】
密閉された空間に設置され、
第１の回路部と、アンテナと、複数のセンサ素子と、を有し、
前記第１の回路部は、アナログデジタル変換回路と、複数のサンプルホールド回路を有し、
前記サンプルホールド回路は、バッファ回路と、第２の回路部と、を有し、
前記第２の回路部は、トランジスタと、容量素子と、を有し、
前記バッファ回路は、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に、アナログ電位を供給することができる機能を有し、
前記トランジスタは、前記トランジスタをオフにすることで、前記トランジスタのソース又はドレインの他方および前記容量素子に前記アナログ電位に応じた電荷を保持する機能を有し、
前記バッファ回路は、前記アナログ電位に応じた電荷を保持した後に、電源電圧の供給が停止される機能を有し、
前記複数のセンサ素子は、圧力、温度、歪み、または加速度のうち二つ以上を測定する機能を有する半導体装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記アナログデジタル変換回路は、コンパレータと、逐次比較レジスタと、デジタルアナログ変換回路と、を有する半導体装置。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、前記トランジスタは、酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項１０】
密閉された空間に設置され、
回路部と、アンテナと、センサ素子と、を有し、
前記センサ素子は、タイヤの空気圧を測定する機能を有し、
前記回路部は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一に記載の半導体装置を有するタイヤ。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項５、請求項１０及び請求項１１のいずれか一に記載の半導体装置と、
質問器と、を有し、
前記半導体装置は、前記タイヤの内部に位置し、
前記質問器は、前記タイヤの外部に位置する移動体。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一に記載の半導体装置と、
質問器と、を有し、
前記半導体装置と、前記質問器との距離は５ｃｍ以上２ｍ以下である移動体。