【事件の表示】
　特願２０１５−２１６０３５「化合物半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　５月２５日出願公開，特開２０１７−　９２０８３〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２７年１１月２日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成３１年　４月１５日付け：拒絶理由通知書
　令和　１年　６月２１日　　：意見書，手続補正書の提出
　令和　１年１０月１１日付け：拒絶理由（最後の拒絶理由）通知書
　令和　１年１２月２７日　　：意見書，手続補正書の提出
　令和　２年　５月１４日付け：令和１年１２月２７日の手続補正についての補正の却下の決定，拒絶査定（原査定）
　令和　２年　８月２６日　　：審判請求書，手続補正書の提出
　令和　２年１０月　８日付け：前置報告書
　令和　２年１１月１２日　　：上申書の提出
第２　令和２年８月２６日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和２年８月２６日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正について（補正の内容） 
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正は，補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし６を，補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし６と補正するものであり，そのうちの，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１は，以下のとおりである。（下線部は，補正箇所である。）
「【請求項１】
　基板と，
　前記基板上方のチャネル層と，
　前記チャネル層上方のキャリア供給層と，
　前記チャネル層及び前記キャリア供給層上方のゲート電極，ソース電極及びドレイン電極と，
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間で前記キャリア供給層を覆う絶縁膜と，
　を有し，
　前記絶縁膜は，
　前記ゲート電極下で前記ゲート電極と直接的に接触する，陰イオンを含有する第１の領域と，
　前記第１の領域よりも前記ソース電極側又は前記ドレイン電極側に前記第１の領域よりも陰イオンの含有量が小さい第２の領域と，
　を有し，
　
前記キャリア供給層の上方は，リセス領域を有し，
　
前記ゲート電極は，平面視で前記リセス領域に重なり合う部分と前記リセス領域に重なり合わない部分とを有し，
　
前記絶縁膜の前記第１の領域は，前記リセス領域に合わせて下方に窪み，
　前記第２の領域は，前記ゲート電極と直接的に接触する前記第１の領域
のうち前記リセス領域に合わせて下方に窪んでいない部分
（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の，令和１年６月２１日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６のうちの，特許請求の範囲の請求項１は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　基板と，
　前記基板上方のチャネル層と，
　前記チャネル層上方のキャリア供給層と，
　前記チャネル層及び前記キャリア供給層上方のゲート電極，ソース電極及びドレイン電極と，
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間で前記キャリア供給層を覆う絶縁膜と，
　を有し，
　前記絶縁膜は，
　前記ゲート電極下で前記ゲート電極と直接的に接触する，陰イオンを含有する第１の領域と，
　前記第１の領域よりも前記ソース電極側又は前記ドレイン電極側に前記第１の領域よりも陰イオンの含有量が小さい第２の領域と，
　を有し，
　前記第２の領域は，前記ゲート電極と直接的に接触する前記第１の領域と同じ層内に存することを特徴とする化合物半導体装置。」
　２　補正の適否
　本件補正は，請求項１についての補正事項（以下「補正事項１」という。）を含むものであるところ，当該補正事項１は，本件補正前の請求項１について，「キャリア供給層」について，「キャリア供給層の上方は，リセス領域を有し」と限定する補正と，「ゲート電極」について，「平面視で前記リセス領域に重なり合う部分と前記リセス領域に重なり合わない部分とを有し」と限定する補正と，「絶縁膜」について，「絶縁膜の前記第１の領域は，前記リセス領域に合わせて下方に窪み」と限定する補正と，「第２の領域」の位置について，第１の領域のうちの「前記リセス領域に合わせて下方に窪んでいない部分」と同じ層内であることを限定する補正を含むものあって，本件補正前の発明と本件補正後の発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　したがって，当該補正事項１は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから，本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について，以下において検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は，上記「１（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載」に記載したとおりのものである。 
（２）引用文献の記載事項及び引用発明
ア　引用文献２
（ア）引用文献２の記載
　原査定の拒絶理由で引用された，本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２０１１−１４７８９号公報（原査定で引用された引用文献２。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
「【請求項１】
　ヘテロ接合界面をチャネルとする窒化物系半導体電界効果トランジスタにおいて，
　制御ゲート電極と窒化物系半導体の間に負の電荷を有する第三の層を有し，
　前記ヘテロ接合を形成する前記窒化物半導体中に負のイオンを含むことを特徴とする窒化物系半導体電界効果トランジスタ。」
「【請求項７】
　前記負の電荷を有する第三の層が，負のイオンを含んだ絶縁体層よりなることを特徴とする請求項１記載の窒化物系半導体電界効果トランジスタ。」
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，窒化物系半導体デバイスに関し，さらに詳しくは，ゲート電圧が印加されていない時にドレイン電流が流れない，いわゆるノーマリオフ型の窒化物系半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタ（Ｈｅｔｅｒｏ−ｊｕｎｃｔｉｏｎ　Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ
　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＦＥＴ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
　ＧａＮ，ＡｌＧａＮ，ＩｎＧａＮなどのIII族窒化物半導体は，エネルギーバンドギャップが大きい等の材料の本質的特性から，従来のＳｉ，ＧａＡｓ等の半導体に比べ耐圧が高く，高電流密度が得られ，高温動作が可能であり，パワーデバイスへの適用が期待されている。
　特に，ＧａＮ系半導体は，ＡｌＧａＮ／ＧａＮ等のヘテロ接合の形成が可能であり，窒化物系半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ），別名，高電子移動度トランジスタ（Ｈｉｇｈ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｏｂｉｌｉｔｙ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＥＭＴ）が開発されている。
【０００３】
　ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ接合ＦＥＴは，
窒化物半導体の結晶構造による自発分極と，界面の歪によるピエゾ分極によりＡｌＧａＮ中で分極が起こり，その結果，ＡｌＧａＮ／ＧａＮ界面のＧａＮ側にマイナスの電荷（電子）が蓄積し，高濃度の二次元電子ガスを形成
【０００４】
　しかしながら，ＡｌＧａＮ／ＧａＮ系ＨＦＥＴは，ゲート電圧がゼロの場合でも二次元電子ガスを無くすことは難しいため，ゲート信号が入っていない時にもＦＥＴに電流が流れるノーマリオンのデバイスであり，ゲート信号が入っていない時にＦＥＴに電流が流れない，いわゆるノーマリオフ状態（エンハンスメント・モード）を達成しにくい。
　電源回路，モータ制御等のパワーデバイスに適用する場合には，ノーマリオフ動作が必須であり，ＡｌＧａＮ／ＧａＮ系ＨＦＥＴのノーマリオフ動作を達成するための方法が提案されている（例えば，非特許文献１，非特許文献２，特許文献１）。
【０００５】
　非特許文献１は，ＡｌＧａＮ層を薄くし，分極の効果を減少させる方法を提案している。また，非特許文献２は，サンプルをＣＦ４プラズマに曝すことによりＡｌＧａＮ層にフッ素イオン（Ｆ−イオン）を注入し，ＡｌＧａＮ層を負に帯電させる方法を提案している。さらに，特許文献１は，制御ゲート電極とＡｌＧａＮ層の間のゲート絶縁膜中に，ＡｌＧａＮ層中の正の電荷を相殺して余りある電子あるいはイオンを注入した負の電荷を有する浮遊ゲート等の層を設けることにより，ＡｌＧａＮ／ＧａＮ系ＨＦＥＴのしきい値電圧（Ｖｔｈ）を正の値に制御し，ノーマリオフを実現する方法を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
　　【特許文献１】特開２００８−１３０６７２号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ｍ．Ａ．Ｋａｈｎ他著，Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒ，６８巻，４号，１９９６年１月，５１４〜５１６頁
【非特許文献２】Ｄｉ　Ｓｏｎｇ他著，ＩＥＥＥ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，２８巻，３号，２００７年３月，１８９〜１９１頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　しかしながら，非特許文献１の方法では，完全にノーマリオフにすることが難しく，また，ゲートに正のバイアスを加えても，ゲートに順方向電流が流れてしまうため，十分な二次元電子ガス濃度，すなわち，十分なチャネル電流を得ることは困難という問題がある。ＡｌＧａＮ上にＡｌ２Ｏ３等の薄い絶縁膜を付けてゲート順方向電流を抑える方法も検討されているが，Ａｌ２Ｏ３／ＡｌＧａＮ界面の界面準位を減らすことが難しく，電子がトラップされてチャネル電荷を増やすことができない。
【０００９】
　非特許文献２の方法では，ＣＦ４プラズマによりＡｌＧａＮ層がエッチングされたり，ＡｌＧａＮ層にダメージが入ったりして制御性が悪く，しきい値電圧をノーマリオフになるように精密に制御することが難しいという問題がある。
　さらに，特許文献１の方法は，ゲート電極とＡｌＧａＮ層の間の浮遊ゲート等の負に電荷を持つ層に付加する負の電荷量によってノーマリオフを実現することが可能であるが，相当量の電子あるいは負のイオンを付与する必要があるとい
う問題がある。」
「【００２２】
　図１に示すように，第１の実施形態に係る
窒化物系半導体電界効果トランジスタ１Ａ
は，サファイア基板９と，サファイア基板９上に形成されたＧａＮ層１０と，ＧａＮ層１０上に形成されたＡｌＧａＮ層１１と，ソース電極（Ｓ）２１と，ドレイン電極（Ｄ）２２と，ソース電極２１およびドレイン電極２２との間の動作領域上に化学気相堆積法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）により堆積された酸化Ｓｉ（ＳｉＯ２）からなるゲート酸化膜３１と，ゲート電極（Ｇ）３４で構成され
【００２３】
　このＡｌＧａＮ／ＧａＮ系ＨＦＥＴ（１Ａ）では，
バンドギャップの広いＡｌＧａＮ層１１と，ＡｌＧａＮ層１１よりもバンドギャップの狭いＧａＮ層１０とのヘテロ接合界面が形成され
【００２４】
　本発明のＡｌＧａＮ／ＧａＮ系ＨＦＥＴ（１Ａ）では，
ゲート酸化膜３１のゲート電極３４直下の領域中４０には，イオンの注入により，例えばフッ素イオンＦ−等の負のイオンが添加され
【００２５】
　図２は，第１の実施形態に係るＡｌＧａＮ／ＧａＮ系ＨＦＥＴ（１Ａ）の概略構造を示す断面図（ａ）と，エネルギーバンド図（ｂ），空間電荷を示す図（ｃ）である。同図は，ゲート酸化膜３１のみに負のイオンが添加されている場合を示している。
　図２（ａ）に示すＡｌＧａＮ／ＧａＮ系ＨＦＥＴ（１Ａ）の概略構造を示す断面図は，図１の図と同様である。
【００２６】
　図２（ｂ）および図２（ｃ）に示すように，ＧａＮ層１０とＡｌＧａＮ層１１のヘテロ接合により，ＡｌＧａＮ層１１中には，自発分極とピエゾ分極により，ゲート絶縁膜３１側には負の電荷５１が，ＧａＮ層１０側には正の電荷５２ができる。
【００２７】
　ゲート絶縁膜３１には負の電荷４０が付与されており，ＡｌＧａＮ層１１中の正の電荷５２からの電気力線は全てゲート絶縁膜３１中の負の電荷４０に向かい，ＧａＮ層１０側に負の電荷が誘起されることはない。
　ゲート絶縁膜３１の負の電荷４０がＡｌＧａＮ層１１中の正の電荷５２を補償して余りある十分な量ある場合には，ＧａＮ層１０中にも正の電荷５３が誘起される。この正の電荷５３は，イオン化した残留ドナーあるいはＧａＮ層１０中に誘起される正孔によってもたらされ，ＡｌＧａＮ／ＧａＮ系ＨＦＥＴ（１Ａ）のしきい値電圧Ｖｔｈを正の方向に移動させることが可能である。」
「
」
　図１から，ソース電極（Ｓ）２１，ドレイン電極（Ｄ）２２及びゲート電極（Ｇ）３４は，ＧａＮ層１０及びＡｌＧａＮ層１１の上方に形成されていること，ゲート酸化膜３１は，ソース電極（Ｓ）２１とドレイン電極（Ｄ）２２の間でＡｌＧａＮ層１１を覆う領域を有すること，ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０はゲート電極（Ｇ）３４に接触した領域であること，ゲート酸化膜３１のうちソース電極（Ｓ）２１とドレイン電極（Ｄ）２２の間でＡｌＧａＮ層１１を覆う領域であって，ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０以外の領域は，ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０と同じ層であり，且つ，ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０よりもソース電極（Ｓ）２１とドレイン電極（Ｄ）２２側に位置する領域を有することがみてとれる。
（イ）引用発明
　したがって，上記（ア）から，引用文献２には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「サファイア基板９と，サファイア基板９上に形成されたＧａＮ層１０と，ＧａＮ層１０上に形成されたＡｌＧａＮ層１１と，ソース電極（Ｓ）２１と，ドレイン電極（Ｄ）２２と，ソース電極２１およびドレイン電極２２との間の動作領域上に化学気相堆積法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）により堆積された酸化Ｓｉ（ＳｉＯ２）からなるゲート酸化膜３１と，ゲート電極（Ｇ）３４で構成され，
　ソース電極（Ｓ）２１，ドレイン電極（Ｄ）２２及びゲート電極（Ｇ）３４は，ＧａＮ層１０及びＡｌＧａＮ層１１の上方に形成されており，
　ゲート酸化膜３１は，ソース電極（Ｓ）２１とドレイン電極（Ｄ）２２の間でＡｌＧａＮ層１１を覆う領域を有し，
　バンドギャップの広いＡｌＧａＮ層１１と，ＡｌＧａＮ層１１よりもバンドギャップの狭いＧａＮ層１０とのヘテロ接合界面が形成され，
　窒化物半導体の結晶構造による自発分極と，界面の歪によるピエゾ分極によりＡｌＧａＮ中で分極が起こり，その結果，ＡｌＧａＮ／ＧａＮ界面のＧａＮ側にマイナスの電荷（電子）が蓄積し，高濃度の二次元電子ガスを形成され，
　ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０には，イオンの注入により，例えばフッ素イオンＦ−等の負のイオンが添加され，
　ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０はゲート電極（Ｇ）３４に接触した領域であり，
　ゲート酸化膜３１のうちソース電極（Ｓ）２１とドレイン電極（Ｄ）２２の間でＡｌＧａＮ層１１を覆う領域であって，ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０以外の領域は，ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０と同じ層であり，且つ，ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０よりもソース電極（Ｓ）２１とドレイン電極（Ｄ）２２側に位置する領域を有する，
　窒化物系半導体電界効果トランジスタ１Ａ。」
イ　引用文献４
（ア）引用文献４の記載
　前置報告書において引用された，本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２０１２−１２４４４１号公報（前置報告書で引用された引用文献４。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「【０００２】
　窒化物半導体であるＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＮまたは，これらの混晶からなる材料等は，広いバンドギャップを有しており，高出力電子デバイスまたは短波長発光デバイス等として用いられている。このうち，高出力デバイスとしては，電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ：Field effect transistor），特に，高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility Transistor）に関する技術が開発されている（例えば，特許文献１）。このような窒化物半導体を用いたＨＥＭＴは，高出力・高効率増幅器，大電力スイッチングデバイス等に用いられる。
【０００３】
　ところで，このような用途に用いられる
ＨＥＭＴ
ノーマリーオフ化の為の方法の一つとして，ゲート電極の直下の半導体層の一部を除去することによりゲートリセスを形成する方法があ
この方法により形成されるゲートリセス構造では，電極間の抵抗成分を増加させることなく，閾値電圧を正にすることが可能である等の利点を有している
「【００２４】
　次に，図３（ｃ）に示すように，塩素成分を含むガスを用いたＲＩＥ等のドライエッチングを行なうことにより，レジストパターン２１が形成されていない領域，即ち，開口領域２１ａにおける電子供給層１３の一部又は全部を除去し，ゲートリセス２２を形成する。」
「【００３４】
　次に，図５（ａ）に示すように，ゲートリセス２２が形成されている領域上に，絶縁膜３１を介しゲート電極３２を形成する。具体的には，絶縁膜３１上にフォトレジストを塗布し，露光装置による露光，現像を行なうことにより，ゲート電極３２が形成される領域に開口領域を有する不図示のレジストパターンを形成する。この後，真空蒸着により厚さが約３０ｎｍのＮｉ膜，厚さが約４００ｎｍのＡｕ膜を順次成膜することにより金属膜を形成する。更に，この後，有機溶剤等を用いたリフトオフを行なうことにより，レジストパターン上に形成された金属膜がレジストパターンとともに除去され，レジストパターンの形成されていない領域に成膜されている金属膜によりゲート電極３２が形成される。」
「【図５】（ｂ）
」
　図５（ｂ）から，ゲート電極３２は，ゲートリセス２２にまたがるように，すなわち，ゲートリセス２２よりも幅広に形成されていること，また，ゲート電極３２がゲートリセス２２よりも幅広に形成されることにより，ゲート電極３２は，平面視でゲートリセス２２に重なる領域とゲートリセス２２に重ならない領域とを有し，絶縁膜３１のうち，ゲート電極３２に接触する領域は，ゲートリセス２２に合わせて下方に窪んだ領域と，絶縁膜３１のうちゲート電極３２に接触する領域以外の領域と同じ層内に位置する領域とを有することがみてとれる。
（イ）上記記載から，引用文献４には，次の技術が記載されていると認められる。
ａ　ＨＥＭＴにおいて，ノーマリーオフ化の為の方法の一つとして，ゲート電極の直下の半導体層の一部を除去することによりゲートリセスを形成する方法があり，この方法により形成されるゲートリセス構造では，電極間の抵抗成分を増加させることなく，閾値電圧を正にすることが可能である等の利点を有していること。（段落【０００３】）
ｂ　引用文献４に記載されたＨＥＭＴにおいて，ゲート電極３２は，ゲートリセス２２にまたがるように，すなわち，ゲートリセス２２よりも幅広に形成されていること，また，ゲート電極３２がゲートリセス２２よりも幅広に形成されることにより，ゲート電極３２は，平面視でゲートリセス２２に重なる領域とゲートリセス２２に重ならない領域とを有し，絶縁膜３１のうち，ゲート電極３２に接触する領域は，ゲートリセス２２に合わせて下方に窪んだ領域と，絶縁膜３１のうちゲート電極３２に接触する領域以外の領域と同じ層内に位置する領域とを有すること。（【図５】（ｂ））
ウ　引用文献５
（ア）引用文献５の記載
　前置報告書で引用された，本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２０１４−２０７２８７号公報（前置報告書で引用された引用文献５。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，高電子移動度トランジスタ（High Electron Mobility Transistor：HEMT）を備えた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　
従来より，ノーマリオフ型のＨＥＭＴを備えた半導体装置が提案されて
【０００３】
　具体的には，
この半導体装置では，電子走行層上に電子供給層がヘテロ接合されて積層された基板を用いて構成されて
電子供給層には，電子走行層に達し，電子走行層と電子供給層との界面に垂直となるゲートリセスが形成されており，ゲートリセス上には絶縁膜を介してゲート電極が形成されて
【０００４】
　このような半導体装置では，電子走行層に達するゲートリセスが形成されており，電子走行層のうちゲートリセスの底面直下に位置する部分には，ヘテロ接合による２次元電子ガス層が生成されない。
【０００５】
　そして，ゲート電極に所定の閾値以上の電圧を印加すると，電子走行層のうちゲート電極の直下に位置する部分にゲート電圧による２次元電子ガス層が生成される。このため，ヘテロ接合による２次元電子ガス層とゲート電圧による２次元電子ガス層とによってソース電極とドレイン電極との間に電流経路（チャネル）が形成され，ソース電極−ドレイン電極間に電流が流れてオン状態となる。
【０００６】
　つまり，上記ＨＥＭＴを備えた半導体装置では，
ゲート電極に所定の閾値以上のゲート電圧を加えない状態において，ソース電極−ドレイン電極間がオフ状態となるノーマリオフ特性を得ることができる
「【００１６】
（第１実施形態）
　本発明の第１実施形態について図面を参照しつつ説明する。本実施形態のＨＥＭＴを備えた半導体装置は，支持基板１，バッファ層２，電子走行層３，電子供給層４が順に積層された基板５を用いて構成されている。なお，本実施形態では，電子供給層４が本発明の第１半導体層に相当し，電子走行層３が本発明の第２半導体層に相当している。」
「【００１８】
　電子走行層３は，電子供給層４側の一面近傍に電流経路（チャネル）として機能する電子密度の高い第１，第２−２次元電子ガス層６ａ，６ｂが生成されるものであり，例えば，窒化ガリウム（ＧａＮ）が用いられる。
【００１９】
　電子供給層４は，電子走行層３よりも大きいバンドキャップを有するものが用いられ，電子走行層３とヘテロ接合されている。これにより，電子走行層３には，自発分極およびピエゾ分極により，電子供給層４との界面近傍に第１−２次元電子ガス層６ａが生成されている。このような電子供給層４としては，例えば，窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）が用いられる。
【００２０】
　そして，電子供給層４には，電子走行層３に達するゲートリセス７が形成されている。」
「【００２２】
　また，ゲートリセス７の壁面および電子供給層４上には絶縁膜８が形成されており，ゲートリセス７の壁面に形成された絶縁膜８上には，ポリシリコンや金属等で形成されるゲート電極９が埋め込まれている。」
「【００４０】
　なお，上記では，ゲートリセス７が電子走行層３に達するものを説明したが，ゲートリセス７は，図３に示されるように，電子走行層３に達していなくてもよい。この場合，ゲートリセス７は，ノーマリオフ特性を得るため，第１−２次元電子ガス層６ａを実質的に分断する深さとされていることが必要である。本発明者らが検討したところ，電子走行層３には，電子供給層４の厚さが５ｎｍ以下の場合に実質的なチャネルとして機能するための電子密度を有する第１−２次元電子ガス層６ａが生成されないことを見出した。このため，図３のゲートリセス７は，ゲートリセス７の底面直下の電子供給層４が５ｎｍ以下となる深さとされている。」
「
」
　図３から，ゲート電極９は，ゲートリセス７にまたがるように，すなわち，ゲートリセス７よりも幅広に形成されていること，また，ゲート電極９がゲートリセス７よりも幅広に形成されることにより，ゲート電極９は，平面視でゲートリセス７に重なる領域とゲートリセス７に重ならない領域とを有し，絶縁膜８のうち，ゲート電極９に接触する領域は，ゲートリセス７に合わせて下方に窪んだ領域と，絶縁膜８のうちゲート電極９に接触する領域以外の領域と同じ層内に位置する領域とを有することがみてとれる。
（イ）上記記載から，引用文献５には，次の技術が記載されていると認められる。
ａ　従来より，ノーマリオフ型のＨＥＭＴを備えた半導体装置が提案されており，この半導体装置では，電子走行層上に電子供給層がヘテロ接合されて積層された基板を用いて構成されており，電子供給層には，電子走行層に達し，電子走行層と電子供給層との界面に垂直となるゲートリセスが形成されており，ゲートリセス上には絶縁膜を介してゲート電極が形成されており，ゲート電極に所定の閾値以上のゲート電圧を加えない状態において，ソース電極−ドレイン電極間がオフ状態となるノーマリオフ特性を得ることができること。（段落【０００２】，【０００３】，【０００６】）
ｂ　引用文献５に記載されたＨＥＭＴにおいて，ゲート電極９は，ゲートリセス７にまたがるように，すなわち，ゲートリセス７よりも幅広に形成されていること，また，ゲート電極９がゲートリセス７よりも幅広に形成されることにより，ゲート電極９は，平面視でゲートリセス７に重なる領域とゲートリセス７に重ならない領域とを有し，絶縁膜８のうち，ゲート電極９に接触する領域は，ゲートリセス７に合わせて下方に窪んだ領域と，絶縁膜８のうちゲート電極９に接触する領域以外の領域と同じ層内に位置する領域とを有すること。（【図３】）
（３）引用発明との対比
ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「サファイア基板９」は，本件補正発明の「基板」に相当する。
（イ）本件補正発明の「前記基板上方のチャネル層」と引用発明の「ＧａＮ層１０」とを対比する。
　引用発明の「ＧａＮ層１０」は，「サファイア基板９上に形成され」，「ＡｌＧａＮ／ＧａＮ界面のＧａＮ側にマイナスの電荷（電子）が蓄積し，高濃度の二次元電子ガスを形成され」るものであるので，本件補正発明の「前記基板上方のチャネル層」に相当する。
（ウ）本件補正発明の「前記チャネル層上方のキャリア供給層」と引用発明の「ＡｌＧａＮ層１１」とを対比する。
　引用発明の「ＡｌＧａＮ層１１」は，「ＧａＮ層１０上に形成され」，「ＡｌＧａＮ中で分極が起こり，その結果，ＡｌＧａＮ／ＧａＮ界面のＧａＮ側にマイナスの電荷（電子）が蓄積し，高濃度の二次元電子ガスを形成され」る層であるので，本件補正発明の「前記チャネル層上方のキャリア供給層」に相当する。
（エ）引用発明の「ゲート電極（Ｇ）３４」，「ソース電極（Ｓ）２１」，「ドレイン電極（Ｄ）２２」は，それぞれ本件補正発明の「ゲート電極」，「ソース電極」，「ドレイン電極」に相当する。
　また，引用発明の「ソース電極（Ｓ）２１，ドレイン電極（Ｄ）２２及びゲート電極（Ｇ）３４は，ＧａＮ層１０及びＡｌＧａＮ層１１の上方に形成されて」いることから，本件補正発明と引用発明とは「前記チャネル層及び前記キャリア供給層上方のゲート電極，ソース電極及びドレイン電極」を有する点で一致する。
（オ）引用発明の「ゲート酸化膜３１」は，「ソース電極（Ｓ）２１とドレイン電極（Ｄ）２２の間でＡｌＧａＮ層１１を覆う領域を有」するので，本件補正発明の「前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間で前記キャリア供給層を覆う絶縁膜」に相当する。
（カ）本件補正発明の「前記絶縁膜は，前記ゲート電極下で前記ゲート電極と直接的に接触する，陰イオンを含有する第１の領域と，前記第１の領域よりも前記ソース電極側又は前記ドレイン電極側に前記第１の領域よりも陰イオンの含有量が小さい第２の領域と，を有」することと，引用発明の「ゲート酸化膜３１」とを対比する。
　引用発明の「ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０には，イオンの注入により，例えばフッ素イオンＦ−等の負のイオンが添加され」ており，「ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０」は「ゲート電極（Ｇ）３４に接触した領域である」ことから，引用発明の「ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０」は本件補正発明の「第１の領域」に相当し，本件補正発明と引用発明は「前記絶縁膜は，前記ゲート電極下で前記ゲート電極と直接的に接触する，陰イオンを含有する第１の領域」を有する点で一致する。
　また，引用発明における「ゲート酸化膜３１のうちソース電極（Ｓ）２１とドレイン電極（Ｄ）２２の間でＡｌＧａＮ層１１を覆う領域であって，ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０以外の領域」は，「ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０よりもソース電極（Ｓ）２１とドレイン電極（Ｄ）２２側に位置する領域を有」し，「フッ素イオンＦ−等の負のイオンが添加され」る「ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０」よりも陰イオンの含有量が少ないことは明らかであるから，本件補正発明と引用発明とは「前記第１の領域よりも前記ソース電極側又は前記ドレイン電極側に前記第１の領域よりも陰イオンの含有量が小さい第２の領域」を有する点で一致する。
　したがって，本件補正発明と引用発明とは，「前記絶縁膜は，前記ゲート電極下で前記ゲート電極と直接的に接触する，陰イオンを含有する第１の領域と，前記第１の領域よりも前記ソース電極側又は前記ドレイン電極側に前記第１の領域よりも陰イオンの含有量が小さい第２の領域と，を有」する点で一致する。
（キ）本件補正発明の「前記第２の領域は，前記ゲート電極と直接的に接触する前記第１の領域のうち前記リセス領域に合わせて下方に窪んでいない部分と同じ層内に存する」ことと，引用発明の「ゲート酸化膜３１のうちソース電極（Ｓ）２１とドレイン電極（Ｄ）２２の間でＡｌＧａＮ層１１を覆う領域であって，ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０以外の領域は，ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０と同じ層であ」ることとを対比する。
　引用発明の「ゲート酸化膜３１のうちソース電極（Ｓ）２１とドレイン電極（Ｄ）２２の間でＡｌＧａＮ層１１を覆う領域であって，ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０以外の領域」は，「ゲート酸化膜３１のゲート電極（Ｇ）３４直下の領域中４０と同じ層であ」るので，本件補正発明と引用発明とは，後記の点で相違するものの，「前記第２の領域は，前記ゲート電極と直接的に接触する前記第１の領域と同じ層内に存する」点で共通する。
（ク）引用発明の「窒化物系半導体電界効果トランジスタ１Ａ」は，本件補正発明の「化合物半導体装置」に対応する。
イ　以上のことから，本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
【一致点】
「基板と，
　前記基板上方のチャネル層と，
　前記チャネル層上方のキャリア供給層と，
　前記チャネル層及び前記キャリア供給層上方のゲート電極，ソース電極及びドレイン電極と，
　前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間で前記キャリア供給層を覆う絶縁膜と，
　を有し，
　前記絶縁膜は，
　前記ゲート電極下で前記ゲート電極と直接的に接触する，陰イオンを含有する第１の領域と，
　前記第１の領域よりも前記ソース電極側又は前記ドレイン電極側に前記第１の領域よりも陰イオンの含有量が小さい第２の領域と，
　を有し，
前記第２の領域は，前記ゲート電極と直接的に接触する前記第１の領域と同じ層内に存する化合物半導体装置。」
【相違点１】
　本件補正発明は，「前記キャリア供給層の上方は，リセス領域を有」するのに対し，引用発明では「ＡｌＧａＮ層１１」がリセス領域を有することについて特定されていない点。
【相違点２】
　本件補正発明では，「前記ゲート電極は，平面視で前記リセス領域に重なり合う部分と前記リセス領域に重なり合わない部分とを有」するのに対し，引用発明では当該構成が特定されていない点。
【相違点３】
　本件補正発明では，「前記絶縁膜の前記第１の領域は，前記リセス領域に合わせて下方に窪」むものであるのに対し，引用発明では，当該構成について特定されていない点。
【相違点４】
　本件補正発明では，「第２の領域」は，「第１の領域のうち前記リセス領域に合わせて下方に窪んでいない部分」と同じ層内に存するものであるのに対し，引用発明では，ゲート酸化膜３１のうちの上記領域中４０（第１の領域）以外の領域（第２の領域）について，当該構成は特定されていない点。
（４）判断
　以下，相違点について検討する。
ア　相違点１〜４について
　相違点１〜４についてまとめて検討する。
（ア）前記２（２）イ（イ）及び２（２）ウ（イ）のとおり，引用文献４及び５には，ＨＥＭＴにおいて，ゲート電極の直下の半導体層の一部を除去しゲートリセスを形成することにより，ノーマリーオフ化を達成できることが，従前より知られていることが記載されており，当該事項は本願出願時における周知技術であるといえるから，引用発明において，ゲート電極（Ｇ）３４の直下の「ＡｌＧａＮ層１１」にリセスを形成することは，当業者が容易に想到し得るものである。
（イ）したがって，引用発明において，引用文献４及び５に記載の周知技術に基づき，相違点１に係る本件補正発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
（ウ）また，引用発明において，「ＡｌＧａＮ層１１」にリセスを形成することにより，「ＡｌＧａＮ層１１を覆う」「ゲート酸化膜３１」についても，「ＡｌＧａＮ層１１」のリセスに沿って窪んだ形状となることは自明であることから，引用発明において，引用文献４及び５に記載の周知技術に基づき，相違点３に係る本件補正発明の構成を採用することも，当業者が容易になし得たことであるといえる。
（エ）さらに，前記２（２）イ（イ）及び２（２）ウ（イ）のとおり，引用文献４及び５において，ゲート電極がゲートリセスよりも幅広に形成されていることから，引用発明において，「ＡｌＧａＮ層１１」にリセスを形成するならば，それに際して，当該リセスをゲート電極（Ｇ）３４よりも狭い幅とすることは，当業者にとって容易である。
　そして，引用発明において，「ＡｌＧａＮ層１１」にゲート電極（Ｇ）３４よりも狭い幅のリセスを形成することにより，ゲート電極（Ｇ）３４は，平面視でリセスに重なる領域とリセスに重ならない領域とを有すること，及び，ゲート酸化膜３１のうち，ゲート電極（Ｇ）３４に接触する領域は，リセスに合わせて下方に窪んだ領域と，ゲート酸化膜３１のうちゲート電極（Ｇ）３４に接触する領域以外の領域と同じ層内に位置する領域とを有することは自明である。
　したがって，引用発明において，引用文献４及び５に記載の技術に基づき，相違点２及び４に係る本件補正発明の構成を採用することも，当業者が容易になし得たことであるといえる。
イ　そして，これらの相違点を総合的に勘案しても，本件補正発明の奏する作用効果は，引用発明及び引用文献４，５に記載された周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
　
ウ　したがって，本件補正発明は，引用発明及び引用文献４，５に記載された周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　本件補正についてのむすび
　よって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって，上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項に係る発明は，令和１年６月２１日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，その請求項１に記載された事項により特定される，前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１〜３，６に係る発明は，本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献２記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり，この出願の請求項１〜４，６に係る発明は，本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献２記載された発明に基づいて，その出願前にその発明に属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
２.特開２０１１−１４７８９号公報
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献２，並びにその記載事項は，前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
　
４　対比・判断
　本願発明は，前記第２［理由］２　で検討した本件補正発明において，（ア）「前記キャリア供給層の上方には，リセス領域が形成されて」いるとの事項を有さず，（イ）「前記ゲート電極は，平面視で前記リセス領域に重なり合う部分と前記リセス領域に重なり合わない部分とを有」するとの事項を有さず，（ウ）「前記絶縁膜の前記第１の領域は，前記リセス領域に合わせて下方に窪」むとの事項を有さず，前記第２の領域の位置する層が，第１の領域のうち，（エ）「前記リセス領域に合わせて下方に窪んでいない部分」と同じであるとの事項を有さないものである。
　そして，上記（ア）〜（エ）の事項は，前記第２［理由］２（３）イで指摘した，相違点１〜４に係る構成にそれぞれ相当するものである。　
　そこで，本願発明と引用発明とを対比すると，前記第２［理由］２（３）アのとおりであるから，同イ　に記載した本件補正発明と引用発明との【一致点】と同じ点で一致し，両者に相違点は認められない。
　したがって，本願発明は，引用文献２に記載された発明である。
５　本願発明についてのむすび
　以上のとおりであるから，本願発明は，特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当し，特許を受けることができない。
第４　むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。