【手続補正書】
【提出日】平成31年1月8日(2019.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］半導体チップと、
導電部と、
前記半導体チップと前記導電部との間に設けられたボンディングワイヤと、
前記半導体チップ、前記導電部の少なくとも一部、及び前記ボンディングワイヤを覆うモールド樹脂部と、少なくとも前記ボンディングワイヤの表面と前記モールド樹脂部との聞に設けられた分子接合層と、を備え、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記ボンディングワイヤに含まれる第１金属と化学結合し、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記モールド樹脂部に含まれる樹脂と化学結合した、
半導体パッケージ。
［２］前記分子接合層は、前記ボンディングワイヤの前記第１金属と前記モールド樹脂部の前記樹脂との両方に共有結合した分子接合体を含む
［１］に記載の半導体パッケージ。
［３］前記分子接合層は、前記ボンディングワイヤの表面と前記モールド樹脂部との聞に設けられて前記ボンディングワイヤと前記モールド樹脂部との両方に化学結合した第１部分と、前記導電部の表面と前記モールド樹脂部との聞に設けられて前記導電部と前記モールド樹脂部との両方に化学結合した第２部分とを有した、
［１］に記載の半導体パッケージ。
［４］前記導電部は、この導電部の表面に金属めっき層を含み、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記金属めっき層に含まれる第２金属と前記モールド樹脂部に含まれる前記樹脂との両方に化学結合した
［３］に記載の半導体パッケージ。
［５］前記導電部は、第３金属によって形成された導電部本体をさらに有し、
前記金属めっき層は、前記導電部本体の表面に設けられたバリア層である
［１］に記載の半導体パッケージ。
［６］前記第２金属は、前記第３金属よりも拡散係数が小さい
［５］に記載の半導体パッケージ。
［７］前記第２金属は、ニッケル、ニッケル合金、チタン、チタン合金、タングステン、及びタングステン合金の少なくとも１つを含む
［５］に記載の半導体パッケージ。
［８］前記導電部は、少なくとも一部が前記モールド樹脂部の外部に突出したリードフレームである
［４］に記載の半導体パッケージ。
［９］前記導電部は、前記半導体パッケージの基板の導電パッドである
[３］に記載の半導体パッケージ。
［１０］前記分子接合層は、トリアジンジチオール残基を含む、
[１]に記載の半導体パッケージ。
［１１］前記分子接合層の少なくとも一部は、単分子膜状である
[１]に記載の半導体パッケージ。
［１２］表面に金属めっき層を有した導電部と、
前記金属めっき層の表面に設けられた分子接合層と、
前記分子接合層によって前記金属めっき層に接合された樹脂部と、
を備え、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記金属めっき層に含まれる金属と化学結合し、
前記分子接合層の少なくとも一部は、前記樹脂部に含まれる樹脂と化学結合した、
半導体パッケージ。
［１３］半導体チップと導電部とをボンディングワイヤによって電気的に接続し、
少なくとも前記ボンディングワイヤの表面に分子接合剤を塗布することで分子接合層を形成し、
少なくとも(at least by)、半導体チップ、前記導電部の少なくとも一部、及び前記ボンディングワイヤを覆う樹脂を供給することで、前記分子接合層によって少なくとも前記ボンディングワイヤに接合されたモールド樹脂部を形成する、
半導体パッケージの製造方法。
［１４］前記分子接合剤は、金属及び樹脂の両方に化学結合可能である
［１３］に記載の半導体パッケージの製造方法。
［１５］前記ボンディングワイヤの表面における前記分子接合層の少なくとも一部を単分子膜状に形成する、
［１３］に記載の半導体パッケージの製造方法。
［１６］前記分子接合層剤を、前記ワイヤボンディングの表面に塗布するのと略同時に、前記導
電部の表面にも塗布する
［１３］に記載の半導体パッケージの製造方法。
［１７］前記分子接合層剤を、前記ワイヤボンディングの表面及び前記導電部の表面に塗布するのと略同時に前記半導体チップの表面にも塗布する
［１６］に記載の半導体パッケージの製造方法。
［１８］前記分子接合剤は、トリアジン誘導体を含む
［１３］に記載の半導体パッケージの製造方法。
［１９］前記トリアジン誘導体は、一般式（Ｃ１）で表される化合物である。
（式中、Ｒは、炭化水素基又は異種原子もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を示し、Ｘは、水素原子又は炭化水素基を示し、Ｙは、アルコキシ基を示し、
Ｚは、塩を形成していてもよい、チオール基、アミノ基もしくはアジド基、又は異種原子もしくは官能基が介在しでもよい炭化水素基を示し、ｎ１は１〜３までの整数であり、ｎ
２は１〜２までの整数である。）
[１８]に記載の半導体パッケージの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その上に端子を有する半導体チップと、
外部装置に接続するリードフレームと、
前記端子と前記リードフレームを接続するボンティングワイヤと、
前記半導体チップと前記ボンディングワイヤを封入し、前記リードフレームの一部が外に延出しているモールド樹脂層と、
前記ボンディングワイヤの表面に第１部分を有し、前記ボンディングワイヤの材料及び前記モールド樹脂層の材料に共有結合した第１分子部分と、前記リードフレームの表面に第２の部分を有し、前記リードフレームの材料及び前記モールド樹脂層の材料に共有結合した第２分子部分とを有する分子接合層とを含み、
前記リードフレームは、その本体上に金属めっき層を含み、前記第２分子部分は、前記金属めっき層の金属に共有結合しており、
前記分子接合層は、以下の一般式（Ｃ１）で表されるトリアジン誘導体を含む
半導体装置。
【化１】
2018037639.tif 000001
（前記一般式中、Ｒは、炭化水素基、又は異種原子もしくは官能基が介在する炭化水素基を示し、Ｘは、水素原子又は炭化水素基を示し、Ｙは、アルコキシ基を示し、Ｚは、チオール基、アミノ基、アジド基、もしくはそのいずれかの塩、炭化水素基、又は異種原子もしくは官能基が介在する炭化水素基を示し、ｎ１は１〜３までの整数であり、ｎ２は１〜２までの整数である。）
【請求項２】
前記分子接合層の少なくとも一部は単分子層である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記分子接合層は、前記モールド樹脂層の外に延出する前記リードフレームの部分上には形成されない請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記分子接合層の第３部分は前記半導体チップの表面にあり、前記半導体チップの材料と前記モールド樹脂層の材料に共有結合した第３分子部分を含む請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップが導電性接合層を介して接合されているベースをさらに含み、
前記分子接合層の第３部分は、前記ベースの表面にあり、前記ベースの材料と前記モールド樹脂層の材料に共有結合した第３分子部分を含む請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記分子接合層は、前記半導体チップと前記ベースの露出された表面を被覆する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
その上に端子を有する半導体チップと、
外部装置に接続するリードフレームと、
前記端子と前記リードフレームを接続するボンティングワイヤと、
前記半導体チップと前記ボンディングワイヤを封入し、前記ボンディングワイヤの一部は、外に延出しているモールド樹脂層と、
前記リードフレームの表面に第１部分を有し、前記リードフレームの材料及び前記モールド樹脂層の材料に共有結合した第１分子部分を有する分子接合層とを含み、
前記リードフレームは、その本体上に金属めっき層を含み、前記第１分子部分は、前記金属めっき層の金属に共有結合しており、
前記分子接合層は、以下の一般式（Ｃ１）で表されるトリアジン誘導体を含む
半導体装置。
【化２】
2018037639.tif 000002
（式中、Ｒは、炭化水素基、又は異種原子もしくは官能基が介在する炭化水素基を示し、Ｘは、水素原子又は炭化水素基を示し、Ｙは、アルコキシ基を示し、Ｚは、塩を形成していてもよい、チオール基、アミノ基、アジド基、もしくはそのいずれかの塩、炭化水素基、又は異種原子もしくは官能基が介在する炭化水素基を示し、ｎ１は１〜３までの整数であり、ｎ２は１〜２までの整数である。）
【請求項８】
前記分子接合層の少なくとも一部は単分子層である請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記分子接合層は、前記モールド樹脂層の外に延出するリードフレームの部分上には形成されない請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記分子接合層の第２部分は前記半導体チップの表面にあり、前記半導体チップの材料と前記モールド樹脂層の材料に共有結合した第２分子部分を含む請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体チップが導電性接合層を介して接合されているベースをさらに含み、
前記分子接合層の第２部分は、前記ベース上にあり、前記ベースの材料と前記モールド樹脂層の材料に共有結合した第２分子部分を含む請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１２】
その上に端子を有する半導体チップと、
外部装置に接続するリードフレームと、
前記端子と前記リードフレームを接続するボンティングワイヤと、
前記半導体チップと前記ボンディングワイヤを封入し、前記ボンディングワイヤの一部が外に延出しているモールド樹脂層と、
前記ボンディングワイヤの表面に第１部分を有し、前記ボンディングワイヤの材料及び前記モールド樹脂層の材料に共有結合した第１分子部分を有する分子接合層とを含む半導体装置であって、
前記分子接合層は、前記半導体チップの端子、前記リードフレーム、及び前記半導体チップの露出された表面のそれぞれの上に部分をさらに含み、
前記部分は、各々、前記半導体チップの端子の材料及び前記モールド樹脂層の材料に共有結合した第２分子部分と、前記リードフレームの材料及び前記モールド樹脂層の材料に共有結合した第３分子部分と、前記半導体チップの材料及び前記モールド樹脂層の材料に共有結合した第４分子部分とを含む半導体装置。
【請求項１３】
その上に端子を有する半導体チップと、
外部装置に接続するリードフレームと、
前記端子と前記リードフレームを接続するボンティングワイヤと、
前記半導体チップと前記ボンディングワイヤを封入し、前記ボンディングワイヤの一部は、外に延出しているモールド樹脂層と、
前記リードフレームの表面に第１部分を有し、前記リードフレームの材料及び前記モールド樹脂層の材料に共有結合した分子部分を有する分子接合層とを含む半導体装置であって、
前記分子接合層は、前記半導体チップの端子、前記半導体チップの露出された表面、及び前記ボンディングワイヤのそれぞれの上に部分をさらに含み、前記部分は、各々、前記半導体チップの端子の材料及び前記モールド樹脂層の材料に共有結合した第２分子部分と、前記半導体チップの露出された表面及び前記モールド樹脂層の材料に共有結合した第３分子部分と、前記ボンディングワイヤの材料及び前記モールド樹脂層の材料に共有結合した第４分子部分とを含む半導体装置。