Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月8日(2019.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体からの光を撮像素子に導く光学機器であって、
物性変化により透過率が変化する第１の光量調整手段と、
該第１の光量調整手段を制御する制御手段とを備え、
該制御手段は、動画撮影モードにおいて、前記第１の光量調整手段の透過率が最大の状態で前記光の通過量を機械的に変化させる第２の光量調整手段が駆動した後、該第２の光量調整手段が駆動しない状態で前記第１の光量調整手段を駆動させることを特徴とする光学機器。
【請求項２】
前記第１の光量調整手段の透過率は、電圧の印加によって変化することを特徴とする請求項１に記載の光学機器。
【請求項３】
前記第１の光量調整手段を複数備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学機器。
【請求項４】
前記光学機器は、前記撮像素子を備える撮像装置と前記第２の光量調整手段を備えるレンズ装置とを接続するためのアダプタであることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の光学機器。
【請求項５】
前記光学機器は、前記撮像素子を備える撮像装置であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の光学機器。
【請求項６】
前記光学機器は、前記第２の光量調整手段を備えるレンズ装置であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の光学機器。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光学機器と、前記第２の光量調整手段と、前記第１及び第２の光量調整手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする撮像システム。
【請求項８】
前記制御手段は、前記動画撮影モードにおいて、前記第１の光量調整手段を駆動させる前に、光量調整量が所定制御範囲を超えると判断した場合には、前記撮像素子の感度を制御することを特徴とする請求項７に記載の撮像システム。
【請求項９】
前記制御手段は、前記動画撮影モードにおいて、前記第１の光量調整手段を駆動させる前に、前記第２の光量調整手段を開放状態とすることを特徴とする請求項７又は８に記載の撮像システム。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記動画撮影モードにおいて、前記第１の光量調整手段を駆動させる前に、前記第２の光量調整手段を開放状態とは異なる所定口径状態とすることを特徴とする請求項７又は８に記載の撮像システム。
【請求項１１】
前記制御手段は、前記動画撮影モードにおいて、前記第１の光量調整手段を駆動させる前に、前記第２の光量調整手段を駆動させることを特徴とする請求項７乃至１０の何れか一項に記載の撮像システム。
【請求項１２】
前記制御手段は、静止画撮影モードにおいて、前記第１の光量調整手段が駆動しない状態で前記第２の光量調整手段を駆動させることを特徴とする請求項７乃至１１の何れか一項に記載の撮像システム。
【請求項１３】
静音撮影モードを開始するためのスイッチを備え、前記制御手段は、前記スイッチがＯＦＦになっている場合には前記第２の光量調整手段を駆動させ、前記スイッチがＯＮになっている場合には前記第２の光量調整手段が駆動しない状態で前記第１の光量調整手段を駆動させることを特徴とする請求項７乃至１２のいずれか一項に記載の撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光学機器及びそれを備える撮像システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するための、本発明の一側面に係る光学機器は、被写体からの光を撮像素子に導く光学機器であって、物性変化により透過率が変化する第１の光量調整手段と、該第１の光量調整手段を制御する制御手段とを備え、該制御手段は、動画撮影モードにおいて、前記第１の光量調整手段の透過率が最大の状態で前記光の通過量を機械的に変化させる第２の光量調整手段が駆動した後、該第２の光量調整手段が駆動しない状態で前記第１の光量調整手段を駆動させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月20日(2019.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース線を駆動する機能を有するドライバＩＣであって、
出力ピンを有し、
外部から入力される画像信号から、アナログ信号を生成する機能と、
前記アナログ信号を前記出力ピンから出力する機能と、
外部から入力されるデジタル信号のデータに応じて、前記出力ピンから出力させるアナログ信号を交流電圧信号として出力するか、直流電圧信号として出力するかを設定する機能を備えるドライバＩＣ。
【請求項２】
第１出力ピンおよび第２出力ピンが設けられており、
外部からデジタル信号が入力され、
前記デジタル信号のデータには少なくとも第１乃至第３データがあり、
外部から入力される画像信号から第１アナログ信号を生成する機能と、
前記画像信号から第２アナログ信号を生成する機能と、
前記第２アナログ信号を前記第２出力ピンから出力する機能と、
前記デジタル信号のデータが前記第１データである場合、前記第１アナログ信号を交流電圧信号として前記第１出力ピンから出力し、かつ前記第２アナログ信号を直流電圧信号として前記第２出力ピンから出力する機能と、
前記デジタル信号のデータが前記第２データである場合、前記第１アナログ信号を交流電圧信号として前記第１出力ピンから出力し、かつ前記第２アナログ信号を交流電圧信号として前記第２出力ピンから出力する機能と、
前記デジタル信号のデータが前記第３データである場合、前記第１アナログ信号を直流電圧信号として前記第１出力ピンから出力し、かつ前記第２アナログ信号を直流電圧信号として前記第２出力ピンから出力する機能と、を備えるドライバＩＣ。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記画像信号および前記デジタル信号は、それぞれ差動信号であるドライバＩＣ。
【請求項４】
第１出力ピン、第２出力ピン、ロジック回路、シフトレジスタ、ラッチ回路、デジタル―アナログ変換回路、マルチプレクサ、および増幅回路を有するドライバＩＣであって、
前記ロジック回路は、
第１乃至第３制御信号を生成する機能と、
外部から入力される画像信号から第１デジタル信号および第２デジタル信号を生成する機能と、を備え、
前記ラッチ回路は、
前記シフトレジスタの出力信号に従い、前記第１デジタル信号および前記第２デジタル信号をラッチする機能と、
前記第１制御信号に従い、前記第１デジタル信号、および前記第２デジタル信号を出力する機能と、を備え、
前記デジタル―アナログ変換回路は、
前記第１デジタル信号のデータに基づき、極性が正の信号と負の信号とでなる第１アナログ信号対を生成する機能と、
前記第２デジタル信号のデータに基づき、極性が正の信号と負の信号とでなる第２アナログ信号対を生成する機能と、を備え、
前記マルチプレクサは、
前記第２制御信号のデータに基づき、前記第１アナログ信号対の一方を前記増幅回路に出力する機能と、
前記第３制御信号のデータに基づき、前記第２アナログ信号対の一方を前記増幅回路に出力する機能と、を備え、
前記増幅回路は、
前記マルチプレクサから出力された前記第１アナログ信号を増幅して、前記第１出力ピンに出力する機能と、
前記マルチプレクサから出力された前記第２アナログ信号を増幅して、前記第２出力ピンに出力する機能と、を備えるドライバＩＣ。
【請求項５】
表示パネル、およびドライバを有する電子機器であって、
前記ドライバは、前記表示パネルに電気的に接続され、
前記ドライバは、請求項１乃至４の何れか１項に記載のドライバＩＣを１または複数有する電子機器。
【請求項６】
表示パネル、ドライバ、照度センサ、および画像プロセッサを有する電子機器であって、
前記ドライバは、前記表示パネルに電気的に接続され、請求項１乃至４の何れか１項に記載のドライバＩＣを１または複数有し、
前記画像プロセッサは、
前記画像信号を生成する機能と、
前記照度センサの検知信号に応じて、前記画像信号の階調データを決定する機能と、を備える電子機器。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の表示パネルは、複数のサブ画素を有し、
前記複数のサブ画素は、それぞれ、交流駆動される第１表示素子、および直流駆動される第２表示素子を有する電子機器。
【請求項８】
請求項５又は６に記載の表示パネルは、複数のサブ画素を有し、
前記複数のサブ画素は、それぞれ、交流駆動される第１表示素子、直流駆動される第２表示素子、第１トランジスタ、および第２トランジスタを有し、
前記第１トランジスタは前記第１表示素子と電気的に接続され、
前記第２トランジスタは前記第２表示素子と電気的に接続され、
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタは同じ絶縁表面上に設けられている電子機器。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１トランジスタのチャネル形成領域は、金属酸化物を有し、
前記第２トランジスタのチャネル形成領域は、金属酸化物を有する電子機器。
【請求項１０】
請求項７乃至９の何れか１項において、
前記第１表示素子は液晶素子であり、
前記第２表示素子はエレクトロルミネセンス素子である電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月25日(2019.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサによって実行されたとき、前記プロセッサにハプティックチャレンジ応答機能を実施させる命令を記憶したコンピュータ可読媒体であって、
１以上のハプティック効果を生成することと、
ハプティック出力デバイスを介してハプティックチャレンジ質問として前記１以上のハプティック効果を提供することと、
前記ハプティックチャレンジ質問に対応する返答をユーザから受け取ることと、
検出しきい値及び識別しきい値の少なくとも一方を含む知覚しきい値を含む人間の知覚のモデルに基づいて、前記返答が前記ハプティックチャレンジ質問への正しい返答に対応するかどうかを判定することと、
を含む、コンピュータ可読媒体。
【請求項２】
前記判定することのための命令は、
前記ハプティックチャレンジ質問への前記正しい返答を予測することと、
前記正しい返答を前記ユーザから受け取られた前記返答と比較することと、
前記返答が前記正しい返答に一致するとき、前記ユーザが人間であると判定することと、
のための命令を含む、請求項１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項３】
前記予測することのための命令は、人間の知覚の前記モデル、アクチュエータ応答、及び前記ユーザに対するアクチュエータロケーションのうちの１以上に基づいて前記正しい返答を予測することのための命令を含む、請求項２に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項４】
前記返答が前記正しい返答に一致しないとき、前記生成すること、前記提供すること、前記受け取ること、前記予測すること及び前記比較することを繰り返すこと、
のための命令をさらに含む、請求項２に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項５】
前記生成することのための命令は、ウェブサイトとの前記ユーザの相互作用に応答して１以上のハプティック効果を生成するための命令を含み、前記返答が、前記ハプティックチャレンジ質問に対応する前記正しい返答に一致するとき、前記ユーザは、後続の相互作用を進めることを可能にされる、請求項１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項６】
前記相互作用は前記ユーザの認証に対応する、請求項５に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項７】
１以上の２次ハプティック効果を生成することと、
前記ハプティック出力デバイスを介して前記ユーザに２次ハプティックチャレンジ質問として前記１以上の２次ハプティック効果を提供することと、
前記２次ハプティックチャレンジ質問に対応する２次返答を前記ユーザから受け取ることと、
のための命令をさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項８】
前記１以上のハプティック効果のうちの少なくとも１つ、又は前記１以上の２次ハプティック効果のうちの少なくとも１つをチューニングするために前記２次返答を使用すること
のための命令をさらに含む、請求項７に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項９】
人間の知覚の前記モデルを構成又は更新するために前記２次返答を使用すること
のための命令をさらに含む、請求項７に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１０】
前記返答はハプティックフィードバックである、請求項１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１１】
前記ハプティックフィードバックは、ハプティックタスク又はジェスチャーベース相互作用である、請求項１０に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１２】
前記受け取ることのための命令は、
前記ユーザに複数の返答選択肢を提供することと、
前記ハプティックチャレンジ質問への正しい返答を含む前記複数の返答選択肢の中から前記返答を選択することを前記ユーザに要求することと、
を含む、請求項１に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１３】
前記複数の返答選択肢は、複数の画像、複数のビデオ記録、複数のオーディオ記録、及び複数のハプティック効果のうちの少なくとも１つを含む、請求項１２に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１４】
ハプティックチャレンジ応答機能を実施する方法であって、
１以上のハプティック効果を生成するステップと、
ハプティック出力デバイスを介してユーザにハプティックチャレンジ質問として前記１以上のハプティック効果を提供するステップと、
前記ハプティックチャレンジ質問に対応する返答を前記ユーザから受け取るステップと、
検出しきい値及び識別しきい値の少なくとも一方を含む知覚しきい値を含む人間の知覚のモデルに基づいて、前記返答が前記ハプティックチャレンジ質問への正しい返答に対応するかどうかを判定するステップと、
を含む方法。
【請求項１５】
前記返答が正しい返答に対応するかどうかを判定するステップは、
前記ハプティックチャレンジ質問への前記正しい返答を予測するステップと、
前記正しい返答を前記ユーザから受け取られた前記返答と比較するステップと、
前記返答が前記正しい返答に一致するとき、前記ユーザが人間であると判定するステップと、
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記予測するステップは、人間の知覚の前記モデル、アクチュエータ応答、及び前記ユーザに対するアクチュエータロケーションのうちの１以上に基づく、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記返答が前記正しい返答に一致しないとき、前記生成するステップ、前記提供するステップ、前記受け取るステップ、前記予測するステップ及び前記比較するステップを繰り返すステップ
をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
１以上の２次ハプティック効果を生成するステップと、
前記ハプティック出力デバイスを介して前記ユーザに２次ハプティックチャレンジ質問として前記１以上の２次ハプティック効果を提供するステップと、
前記２次ハプティックチャレンジ質問に対応する２次返答を前記ユーザから受け取るステップと、
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記１以上のハプティック効果のうちの少なくとも１つ、又は前記１以上の２次ハプティック効果のうちの少なくとも１つをチューニングするために前記２次返答を使用するステップ
をさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
ハプティックチャレンジ応答機能を実施するためのシステムであって、
プログラム命令を記憶するように構成されるコンピュータメモリと、
プロセッサであって、
１以上のハプティック効果を生成し、
ハプティック出力デバイスを介してユーザにハプティックチャレンジ質問として前記１以上のハプティック効果を提供し、
前記ハプティックチャレンジ質問に対応する返答を前記ユーザから受け取り、
検出しきい値及び識別しきい値の少なくとも一方を含む知覚しきい値を含む人間の知覚のモデルに基づいて、前記返答が前記ハプティックチャレンジ質問への正しい返答に対応するかどうかを判定する
ために前記プログラム命令を実行するように構成されるプロセッサと、
を備える、システム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月1日(2019.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−局所位置決めシステム又は位置センサと
−製造された部品の一部の非破壊検査のために適合された非破壊試験機器（２）と
を含むシステムを用いて自動較正するための方法であって、
（ａ）試験対象物の試験対象物座標系において、前記試験対象物の表面上のターゲット位置を表わす第１の座標の組を決定すること、
（ｂ）前記非破壊試験機器（２）のメモリ内に、前記ターゲット位置を含む領域内で前記試験対象物の３次元構造を表わす構造データの関数である、厚みについての情報を含む較正データを含む較正ファイルを保存すること、及び
（ｃ）前記較正ファイル中の前記較正データを使用して前記非破壊試験機器（２）を較正すること
を含む方法。
【請求項２】
前記較正された非破壊試験機器（２）を使用して前記ターゲット位置を調べることを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ターゲット位置を含む領域内で前記試験対象物の３次元構造を表わす構造データを取得すること、及び
前記ターゲット位置と前記構造データに基づいて前記較正ファイルを生成すること
を更に含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記試験対象物の３次元構造を表わす構造データを取得すること、及び
前記非破壊試験機器（２）のディスプレイ画面（６）上に前記構造データのグラフィック表現を表示すること
を更に含み、
ここでステップ（ａ）は、前記試験対象物の前記表面上の前記ターゲット位置に対応する前記ディスプレイ画面（６）上の配置を選択するため、前記ディスプレイ画面（６）とやりとりすることを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ターゲット位置と前記構造データに基づいて、前記較正ファイルを生成することを更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記較正ファイルは前記非破壊試験機器（２）によって生成される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記較正ファイルはコンピュータシステムによって生成され、前記方法は、前記較正ファイルを前記非破壊試験機器（２）に送ることを更に含む、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記ターゲット位置及び前記構造データに基づいている較正ファイルに対する要求を較正データベースサーバーに送信すること、及び
前記要求の送信に応答して、前記較正データベースサーバーから前記較正ファイルを受信すること
を更に含む、請求項４から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
（ｄ）前記試験対象物に対して前記局所位置決めシステムを配置すること、
（ｅ）前記局所位置決めシステムの局所位置決めシステム座標系における座標を、前記試験対象物の試験対象物座標系における座標に変換するための変換行列を生成すること、及び
（ｆ）前記局所位置決めシステムの座標系で前記試験対象物の前記表面上の前記ターゲット位置を表わす第２の座標の組を決定することを更に含み、
ここでステップ（ａ）は、前記変換行列を使用して、第２の座標の組を第１の座標の組に変換することを含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
（ｄ）前記位置センサを前記非破壊試験機器に取り付けること、及び
（ｅ）前記位置センサが前記ターゲット位置と整列する配置まで前記非破壊試験機器（２）を移動すること
を更に含み、
ここでステップ（ａ）は、前記位置センサが前記ターゲット位置と整列する間に、前記位置センサの出力に基づいて第１の座標の組を計算することを含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記構造データは、前記ターゲット位置での或いは前記ターゲット位置を含む前記領域内での前記試験対象物の以下の構造的特徴、すなわち、物理的な寸法、材料特性、締結具配置、構造的な異常、平均塗装厚み、隠れているストリンガ、及び電磁効果保護層のうちの一又は複数に関する情報を含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記構造データは、前記ターゲット位置を含む前記領域内での前記試験対象物への変更又は修理を特徴とするデータを含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記非破壊試験機器（２）が超音波非破壊試験機器である、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
製造された部品の一部の非破壊検査のために適合された非破壊試験機器（２）と、局所位置決めシステム又は位置センサと、コンピュータシステムとを備える自動較正のためのシステムであって、前記コンピュータシステムは、
（ａ）試験対象物の試験対象物座標系において、前記試験対象物の表面上のターゲット位置を表わす座標の組を決定すること、
（ｂ）前記ターゲット位置を含む領域内で前記試験対象物の３次元構造を表わす構造データを取得すること、
（ｃ）前記ターゲット位置及び前記構造データに基づいて較正ファイルを生成すること、
（ｄ）前記非破壊試験機器（２）のメモリ内に、前記ターゲット位置を含む領域内で前記試験対象物の３次元構造を表わす前記構造データの関数である、厚みについての情報を含む較正データを含む前記較正ファイルを保存すること、及び
（ｅ）前記較正ファイルの前記較正データを使用して前記非破壊試験機器（２）を較正すること
を実行するようにプログラムされた、システム。
【請求項１５】
前記非破壊試験機器（２）が超音波非破壊試験機器である、請求項１４に記載の自動較正のためのシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月13日(2019.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理システム、その制御方法、及びプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
情報処理システム、その制御方法、及びプログラムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の目的は、対象物が撮像された画像データを容易に取得可能な仕組みを提供することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明の情報処理システムは、１つの対象物に対応する複数の領域を有する前記対象物の選択画面に対するユーザの操作により、前記複数の領域のいずれに対しても前記対象物の選択を受け付け可能な選択受付手段と、前記選択受付手段により前記複数の領域のいずれかで前記対象物に対する選択を受け付けることで、当該選択を受け付けた前記対象物を撮像して画像データとして保存するべく、当該対象物を撮像するためのデータを投影するよう制御する投影制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、対象物が撮像された画像データを容易に取得可能とする仕組みを提供することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの対象物に対応する複数の領域を有する前記対象物の選択画面に対するユーザの操作により、前記複数の領域のいずれに対しても前記対象物の選択を受け付け可能な選択受付手段と、
前記選択受付手段により前記複数の領域のいずれかで前記対象物に対する選択を受け付けることで、当該選択を受け付けた前記対象物を撮像して画像データとして保存するべく、当該対象物を撮像するためのデータを投影するよう制御する投影制御手段と、
を備えることを特徴とする情報処理システム。
【請求項２】
投影手段により投影データが投影される投影面を撮像手段が撮像して画像データとして保存するための情報処理システムであって、
前記選択画面は、前記投影手段により投影される画面であり、
前記投影制御手段は、前記選択受付手段で前記複数の領域のいずれかで前記対象物に対する選択を受け付けることで、当該選択を受け付けた前記対象物を撮像して画像データとして保存するべく、前記撮像手段で前記対象物を撮像するための投影データを前記投影面に投影するよう制御することを特徴とする請求項１に記載の情報処理システム。
【請求項３】
前記投影制御手段は、前記複数の領域に前記画像データを投影させるか否かで当該画像データが前記対象物に対応付けて保存されているか否かを識別可能にする識別画面を投影するよう制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理システム。
【請求項４】
ユーザを特定するユーザ情報の入力を受け付けるユーザ情報受付手段を更に備え、
前記投影制御手段は、前記ユーザ情報受付手段で前記ユーザ情報の入力を受け付けた際に、過去に前記識別画面が投影されるように制御されていた場合には、前記ユーザ情報の前記識別画面が投影されるように制御することを特徴とする請求項３に記載の情報処理システム。
【請求項５】
前記投影制御手段は、前記ユーザ情報受付手段で前記ユーザ情報の入力を受け付けた際に、過去に前記識別画面が投影されるように制御されていなかった場合には、前記ユーザ情報の前記識別画面が投影されないように制御することを特徴とする請求項４に記載の情報処理システム。
【請求項６】
前記投影制御手段は、前記識別画面に、前記選択画面に遷移可能なボタンも投影し、投影面に対するユーザの操作により前記ボタンが選択された場合に、前記選択画面に遷移するように制御することを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項７】
前記撮像手段で撮像されて保存された前記画像データを、ユーザを特定するユーザ情報に対応付けて管理する管理手段を備えることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項８】
前記情報処理システムは、投影面による投影により、ユーザに商品の内容の説明を行うために用いられるものであり、
前記管理手段は、前記撮像手段で撮像されて保存された前記画像データを、前記商品を示す商品情報にも対応付けて管理していることを特徴とする請求項７に記載の情報処理システム。
【請求項９】
前記投影制御手段は、前記複数の領域が相対する向きで投影されるように制御することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項１０】
前記選択受付手段は、投影面上のユーザのジェスチャを取得することができるジェスチャセンサを介してユーザの操作を受け付けることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項１１】
１つの対象物に対応する複数の領域を有し、前記複数の領域のいずれに対しても前記対象物の選択を受け付け可能な選択画面が投影され、当該選択画面に対するユーザの操作により、前記対象物の選択を受け付ける選択受付ステップと、
前記選択受付ステップにより前記複数の領域のいずれかで前記対象物に対する選択を受け付けることで、当該選択を受け付けた前記対象物を撮像して画像データとして保存するべく、当該対象物を撮像するためのデータを投影するよう制御する投影制御ステップと、
を含むことを特徴とする情報処理システムの制御方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の情報処理システムとして機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月12日(2019.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の半導体と、
前記半導体上の第１の導電体及び第２の導電体と、
前記第１の導電体及び前記第２の導電体上の第１の絶縁体と、
前記半導体上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の第３の絶縁体と、
前記第３の絶縁体上の第３の導電体と、を有し、
前記第３の絶縁体は前記第１の絶縁体の側面と接する領域を有し、
前記半導体は、前記第１の導電体の底面と重なる第１の領域と、前記第２の導電体の底面と重なる第２の領域と、前記第３の導電体の底面と重なる第３の領域と、を有し、
前記半導体の上面と前記第３の導電体の底面との間の長さは、前記第１の領域と前記第３の領域との間の長さよりも大きい、半導体装置。
【請求項２】
基板上の半導体と、
前記半導体上の第１の導電体及び第２の導電体と、
前記第１の導電体及び前記第２の導電体上の第１の絶縁体と、
前記半導体上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の第３の絶縁体と、
前記第３の絶縁体上の第３の導電体と、
前記第１の絶縁体及び前記第３の導電体上の第４の導電体を有し、
前記第３の絶縁体は前記第１の絶縁体の側面と接する領域を有し、
前記半導体は、前記第１の導電体の底面と重なる第１の領域と、前記第２の導電体の底面と重なる第２の領域と、前記第３の導電体の底面と重なる第３の領域と、を有し、
前記半導体の上面と前記第３の導電体の底面との間の長さは、前記第１の領域と前記第３の領域との間の長さよりも大きく、
前記第１の導電体または前記第２の導電体と、前記第４の導電体との間の長さは、前記第１の領域と前記第２の領域との間の長さよりも大きい、半導体装置。
【請求項３】
基板上の半導体と、
前記半導体上の第１の導電体及び第２の導電体と、
前記第１の導電体及び前記第２の導電体上の第１の絶縁体と、
前記半導体上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の第３の絶縁体と、
前記第３の絶縁体上の第４の絶縁体と、
前記第４の絶縁体上の第３の導電体と、を有し、
前記第４の絶縁体は前記第１の絶縁体の側面と接する領域を有し、
前記半導体は、前記第１の導電体の底面と重なる第１の領域と、前記第２の導電体の底面と重なる第２の領域と、前記第３の導電体の底面と重なる第３の領域と、を有し、
前記半導体の上面と前記第３の導電体の底面との間の長さは、前記第１の領域と前記第３の領域との間の長さよりも大きい、半導体装置。
【請求項４】
基板上の半導体と、
前記半導体上の第１の導電体及び第２の導電体と、
前記第１の導電体及び前記第２の導電体上の第１の絶縁体と、
前記半導体上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の第３の絶縁体と、
前記第３の絶縁体上の第４の絶縁体と、
前記第４の絶縁体上の第３の導電体と、
前記第１の絶縁体及び前記第３の導電体上の第４の導電体を有し、
前記第４の絶縁体は前記第１の絶縁体の側面と接する領域を有し、
前記半導体は、前記第１の導電体の底面と重なる第１の領域と、前記第２の導電体の底面と重なる第２の領域と、前記第３の導電体の底面と重なる第３の領域と、を有し、
前記半導体の上面と前記第３の導電体の底面との間の長さは、前記第１の領域と前記第３の領域との間の長さよりも、大きく、
前記第１の導電体または前記第２の導電体と、前記第４の導電体との間の長さは、前記第１の領域と前記第２の領域との間の長さよりも大きい、半導体装置。
【請求項５】
請求項２または請求項４において、
前記第１の導電体または前記第２の導電体と、前記第４の導電体との間の長さは、前記第１の領域と前記第２の領域との間の長さの１．５倍以上２倍以下である、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月3日(2019.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜であって、主面がｍ面であり、膜厚が２．２μｍ以上であることを特徴とする結晶性酸化物半導体膜。
【請求項２】
結晶性酸化物半導体が、ガリウムまたはインジウムを少なくとも含む請求項１記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項３】
結晶性酸化物半導体が、ガリウムを少なくとも含む請求項１または２に記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項４】
ドーパントを含む請求項１〜３のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項５】
ドーパントがスズまたはゲルマニウムである請求項４記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項６】
ｍ面に対して０．５°〜３°のオフ角を有している請求項１〜５のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項７】
ｍ面よりａ軸方向に０．５°〜３°のオフ角を有している請求項１〜６のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜と電極とを少なくとも含む半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月3日(2019.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜であって、主面が、ａ面、ｍ面またはｒ面であることを特徴とする結晶性酸化物半導体膜。
【請求項２】
結晶性酸化物半導体が、ガリウムまたはインジウムを少なくとも含む請求項１記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項３】
結晶性酸化物半導体が、ガリウムを少なくとも含む請求項１または２に記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項４】
ドーパントを含む請求項１〜３のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項５】
ドーパントがスズまたはゲルマニウムである請求項４記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項６】
主面がａ面またはｍ面である請求項１〜５のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項７】
主面がａ面である請求項１〜６のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の結晶性酸化物半導体膜と電極とを少なくとも含む半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月2日(2019.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、タッチパネル及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、
第２の絶縁膜と、
タッチセンサと、を有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極に接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接して設けられ、前記ゲート電極と重畳する位置に設けられた第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
前記第１の酸化物半導体膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に、前記第１の酸化物半導体膜と重畳する位置に設けられた第２の酸化物半導体膜と、
を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記第２の酸化物半導体膜が前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とによって挟持されるように、前記第２の酸化物半導体膜上に設けられ、
前記タッチセンサは、
第１の電極と、
第２の電極と、を有し、
前記第１の電極及び前記第２の電極のいずれか一方が、第３の酸化物半導体膜を含み、
前記第２の酸化物半導体膜および前記第３の酸化物半導体膜は同じ層の上面に接し、且つ同じ材料を含む、半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
一対の電極間に第２の絶縁膜を含む容量素子を有し、
前記容量素子は、可視光において透光性を有し、
前記容量素子の一対の電極の一方が、前記第３の酸化物半導体膜を含む、半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の電極及び前記第２の電極が、前記第３の酸化物半導体膜を含む、半導体装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の半導体装置と、
導電膜と、液晶素子と、を有するタッチパネルであって、
前記導電膜は画素電極としての機能を有し、
前記第３の酸化物半導体膜はコモン電極としての機能を有し、
前記容量素子の一対の電極の他方が前記導電膜を含む、タッチパネル。
【請求項５】
請求項２または請求項３に記載の半導体装置と、
導電膜と、液晶素子と、を有するタッチパネルであって、
前記第３の酸化物半導体膜は画素電極としての機能を有し、
前記導電膜はコモン電極としての機能を有し、
前記容量素子の一対の電極の他方が前記導電膜を含む、タッチパネル。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置と、
発光素子と、を有するタッチパネルであって、
前記発光素子は、下部電極と、上部電極と、前記下部電極および前記上部電極に挟持されたＥＬ層と、を備える、タッチパネル。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の電極及び前記第２の電極が、前記第３の酸化物半導体膜を含む、タッチパネル。
【請求項８】
請求項６において、
前記第１の電極及び前記第２の電極のいずれか他方が、前記上部電極としても機能する、タッチパネル。
【請求項９】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置と、
スイッチ、スピーカ、表示部または筐体と、を有する電子機器。
【請求項１０】
請求項４乃至請求項９のいずれか一項に記載のタッチパネルと、
スイッチ、スピーカ、表示部または筐体と、を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月27日(2019.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
０．１ｍｍ〜１００ｍｍの曲率半径を有する棒の上で基材を引っ張ることによって、固体インクマスクが前記基材から剥がれ落ちることと、
空気噴射、水または溶媒の流体噴射、回転ブラシ、又はこれらの組合せを用いて前記固体インクマスクを研磨することと、を含む、可撓性基板から前記固体インクマスクを除去するためのプロセス。
【請求項２】
前記棒は、円筒形であり、前記基材とともに回転する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記基材は、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホネート）である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記マスクは、厚みが１ミクロン〜１０００ミクロンである、請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記棒は、前記基材の処理方向に垂直に配向する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】
前記基材の上の残留インクを、溶媒を用いて除去することをさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
前記溶媒がトルエンである、請求項６に記載のプロセス。
【請求項８】
前記溶媒を含有する物理媒体を用いて前記残留インクを洗浄する、請求項６に記載のプロセス。
【請求項９】
固体インクフレークを集め、水又は空気を使用して、或いは粘着性の表面を使用することにより除去する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記水又は空気を濾過し、フレークを除去する、請求項９に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記可撓性基板は波形のうねりの線を有し、前記うねりの線は、基材が前記棒の上で引っ張られる処理方向に平行である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１２】
可撓性導電性膜に望ましいパターンになるように固体インクマスクを塗布することと、
前記膜の覆われていない部分をエッチング剤にさらし、可撓性導電性回路を作成することと、
０．１ｍｍ〜１００ｍｍの曲率半径を有する棒の上で前記膜を引っ張ることによって固体インクマスクを除去し、前記インクマスクが前記導電性膜から剥がれ落ちることと、
空気噴射、水または溶媒の流体噴射、回転ブラシ、又はこれらの組合せを用いて前記固体インクマスクを研磨することと、を含む、前記可撓性導電性回路を製造するためのプロセス。
【請求項１３】
前記導電性膜は、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホネート）である、請求項１２に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記エッチング剤は、次亜塩素酸ナトリウムである、請求項１２に記載のプロセス。
【請求項１５】
さらに、導電性膜と、溶媒を保持する少なくとも１つの第２のローラーとを接触させることによって、残留インクを除去することを含む、請求項１２に記載のプロセス。
【請求項１６】
前記溶媒は、トルエンである、請求項１５に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月1日(2019.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
符号化された映像データを復号する機能を有するデコーダであって、
ＦＰＧＡを有し、
前記ＦＰＧＡは、前記映像データを復号化するための少なくとも１つの処理を行い、
前記映像データの解像度が第１の解像度の場合、前記ＦＰＧＡの入力データ信号はバイナリ信号であり、かつ前記ＦＰＧＡのクロック周波数は、第１の周波数であり、
前記映像データの解像度が前記第１の解像度よりも低い場合、前記ＦＰＧＡの前記入力データ信号はパルス信号であり、かつ前記ＦＰＧＡのクロック周波数は、前記第１の周波数よりも低い第２の周波数であるデコーダ。
【請求項２】
請求項１において、
前記ＦＰＧＡはロジックエレメントを有し、
前記ロジックエレメントは、
前記入力データ信号が入力されるデータ入力部と、
前記入力データ信号を演算する演算回路と、
演算回路で演算されたデータ信号を処理し、出力データ信号を生成するデータ出力部と、を有し、
前記映像データの解像度が前記第１の解像度よりも低い場合、前記データ入力部は、前記入力データ信号をバイナリ信号に変換できる回路構成に設定され、かつ、前記データ出力部は、前記出力データ信号をパルス信号に変換できる回路構成に設定され、かつ、前記演算回路のパワーゲーティングが行われるデコーダ。
【請求項３】
符号化された映像データを復号する機能を有するデコーダであって、
前記映像データを復号化するための第１の処理を行う回路を有し、
前記映像データの解像度が第１の解像度の場合、前記回路の入力データ信号はバイナリ信号であり、かつ前記回路のクロック周波数は、第１の周波数であり、
前記映像データの解像度が前記第１の解像度よりも低い場合、前記回路の前記入力データ信号はパルス信号であり、かつ前記回路のクロック周波数は、前記第１の周波数よりも低い第２の周波数であるデコーダ。
【請求項４】
請求項３において、
前記回路は、
前記入力データ信号が入力されるデータ入力部と、
前記第１の処理を行う専用回路と、
専用回路で処理された信号から出力データ信号を生成するデータ出力部と、を有し、
前記映像データの解像度が前記第１の解像度よりも低い場合、前記データ入力部は、前記入力データ信号をバイナリ信号に変換できる回路構成に設定され、かつ、前記データ出力部は、前記出力データ信号をパルス信号に変換できる回路構成に設定され、かつ、前記専用回路のパワーゲーティングが行われるデコーダ。
【請求項５】
請求項１または２において、
前記ＦＰＧＡは、コンフィギュレーションメモリを有し、
前記コンフィギュレーションメモリは、保持容量と、前記保持容量に接続されたトランジスタとを有し、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体で形成されているデコーダ。
【請求項６】
請求項３において、
前記入力データ信号が入力されるデータ入力部と、
専用回路で処理された信号から出力データ信号を生成するデータ出力部と、を有し、
前記データ入力部、および前記データ出力部には、コンフィギュレーションメモリが接続されており、
前記コンフィギュレーションメモリは、保持容量と、前記保持容量に接続されたトランジスタとを有し、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体で形成されているデコーダ。
【請求項７】
放送信号を受信する機能を備える受信装置であって、
復調器と、請求項１乃至６の何れか１項に記載のデコーダとを有し、
前記復調器は、前記放送信号を復調する機能を有し、
前記デコーダは、復調された前記放送信号を処理する受信装置。
【請求項８】
表示部と、請求項７に記載の受信装置とを有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月28日(2019.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力スイッチを備える電力変換装置で使用されるコントローラーであって、
前記電力スイッチにより伝導されるスイッチ電流を表す電流検出信号と電流限界値とを比較するように接続された比較器であって、
当該比較器が、前記スイッチ電流が前記電流限界値に達したか否かを表す比較器出力信号を出力する、
当該比較器と、
前記電力変換装置の出力を表すフィードバック信号と前記比較器出力信号とを受信するように接続された駆動回路であって、
当該駆動回路が、前記比較器出力信号に応答して、前記電力スイッチのスイッチングを制御して前記電力変換装置の出力を調節する駆動信号を生成するように接続されており、
前記スイッチ電流が前記電流限界値に達した場合、当該駆動回路が前記電力スイッチをオフに切り替える、
当該駆動回路と、
前記フィードバック信号を受信することと、初期電流限界値を表す初期電流限界値信号を生成することとを行うように接続された電流限界値生成器であって、
前記電流限界値が、前記初期電流限界値に応答する、
当該電流限界値生成器と、
前記電力変換装置の軽負荷状態の出力と検出とをすることと、軽負荷信号を出力することとを行うように接続された軽負荷検出回路と、
変調信号を出力することと、前記軽負荷状態を示す前記軽負荷信号に応答して、前記初期電流限界値を変調することとを行うように接続された電流限界値変調回路と、
を備えるコントローラー。
【請求項２】
前記軽負荷状態が検出されない場合、前記電流限界値が実質的に前記初期電流限界値であり、
前記軽負荷状態が検出された場合、前記電流限界値が実質的に前記変調信号により変調された前記電流限界値である、
請求項１のコントローラー。
【請求項３】
前記初期電流限界値が閾値未満である場合、前記軽負荷検出回路は、前記軽負荷状態であると判定する、
請求項１のコントローラー。
【請求項４】
前記初期電流限界値が、複数の異なる値の１つである、
請求項１のコントローラー。
【請求項５】
前記変調信号が、三角波形、または、のこぎり波形である、
請求項１のコントローラー。
【請求項６】
前記電流限界値変調回路が、
クロック信号を受信することと、前記クロック信号に応答して、カウントをインクリメントまたはデクリメントすることとを行うように接続されたカウンターをさらに備え、
前記変調信号が、前記カウントの前記インクリメントまたはデクリメントに応答する、
請求項１のコントローラー。
【請求項７】
前記コントローラーが、
前記変調信号と前記初期電流限界値とを受信することと、前記電流限界値を出力することとを行うように接続された算術演算素子であって、
前記電流限界値が、前記変調信号と前記初期電流限界値との算術演算に応答する、
当該算術演算素子と、
前記軽負荷信号によって制御されるように接続されたスイッチであって、
当該スイッチがオンである場合、前記算術演算素子が、前記変調信号を受信する、
当該スイッチと、
をさらに備える、請求項１のコントローラー。
【請求項８】
前記算術演算素子が、端末装置である、
請求項７のコントローラー。
【請求項９】
前記変調信号が、デジタルステップ信号である、
請求項１のコントローラー。
【請求項１０】
前記コントローラーが、ジッタ信号を出力するように接続されたジッタ発生器をさらに含み、
前記ジッタ発生器が、前記電力スイッチのスイッチング周波数を変調する、
請求項１のコントローラー。
【請求項１１】
前記ジッタ信号が、算術演算素子により、または、クロック信号を生成するように接続された発振器により受信される、
請求項１０のコントローラー。
【請求項１２】
前記コントローラーが、前記フィードバック信号を受信することと、イネーブル信号を出力することとを行うように接続されたイネーブル回路をさらに含み、
前記イネーブル回路が、前記電力スイッチをオンに切り替えることを判定する、
請求項９のコントローラー。
【請求項１３】
前記ジッタ信号が、前記イネーブル回路により受信される、
請求項１１のコントローラー。
【請求項１４】
電力スイッチを備えるスイッチング電力変換装置用のコントローラーであって、
前記電力スイッチにより伝導される電流を表す電流検出信号と電流限界値とを比較することと、前記電力スイッチにより伝導される前記電流が前記電流限界値を上回ったことを示す前記比較に応答して、前記電流が前記電流限界値を上回ったことを示す信号を出力することとを行う比較器と、
前記電流が前記電流限界値を上回ったことを示す前記信号に応答して、前記電力スイッチをオフ状態に切り替える電力スイッチ駆動回路と、
前記スイッチング電力変換装置における軽負荷を検出することと、前記スイッチング電力変換装置における前記軽負荷に応答して、軽負荷信号を出力することとを行うように接続された軽負荷検出回路と、
前記スイッチング電力変換装置における前記軽負荷を示す前記軽負荷信号に応答して、前記電流限界値を変調する電流限界値変調回路と、
を備えるコントローラー。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月23日(2019.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
図７は、状態スコアの算定についての説明図である。図７に示すように、状態スコアは、「待機後移動＞待機前移動＞実待機」となる。これは、実待機状態の警備員は、装備を外しているなど、駆けつける準備を完了するまでに時間を要することが想定されるためである。一方、待機前移動状態や待機後移動状態の警備員は、すぐに現場で警備を行うことが可能な状態である。また、待機時間の公平性の為、実待機時間が長いほど優先度が高くなるように、実待機状態の時間経過に正比例して状態スコアが高くなるようにしている。さらに、実待機状態における状態スコアの傾きＡを累積警備時間が長いほど、小さくなるようにする。また、待機前移動状態では、時間経過と状態スコアとの関係を、負の傾きを有する比例としている。すなわち、待機前移動状態の開始からの時間経過に応じて状態スコアが一定比率で下がるよう構成している。これは、待機前移動状態となってから時間が経過するほど元の持ち場から離れ、警備中状態への復帰に時間を要し、非効率となるためである。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月19日(2019.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）表面に下地膜が形成された基板にハロゲン含有ガスを供給して、前記基板表面にハロゲン終端を形成する工程と、
（ｂ）酸素成分及び水素成分を含むＯＨ含有ガスを前記基板に供給して、前記基板表面をＯＨ終端化する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記（ａ）工程と前記（ｂ）工程との間には、前記基板が収容された処理室の雰囲気を排気する工程を有する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ｂ）工程では、前記ＯＨ含有ガスの供給と排気とを交互に行う請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記（ａ）工程では、前記ハロゲン含有ガスの供給と排気とを交互に行う請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記（ｂ）工程は、前記（ａ）工程の後に行われる請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記（ｂ）工程の後に、
（ｃ）前記基板に原料ガスを供給する工程と、
（ｄ）前記基板に反応ガスを供給する工程と、
を行わせる請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記（ａ）工程で、前記ハロゲン含有ガスが供給される前記下地膜は、不連続な吸着サイトを有する請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ハロゲン含有ガスは、フッ素元素を含む請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基板を収容する処理室と、
ハロゲン含有ガスを前記処理室に供給するハロゲン含有ガス供給部と、
酸素成分及び水素成分を含むＯＨ含有ガスを前記処理室に供給するＯＨ含有ガス供給部と、
前記ハロゲン含有ガス供給部と前記ＯＨ含有ガス供給部を制御して、
（ａ）表面に下地膜が形成された基板にハロゲン含有ガスを供給して、前記基板表面にハロゲン終端を形成する処理と、
（ｂ）ＯＨ含有ガスを前記基板に供給して、前記ハロゲン成分を脱離し、空いた結合手にＯＨ基を結合させて、前記基板表面をＯＨ終端化する処理と、
を行うよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項１０】
前記処理室の雰囲気を排気する排気部と、を有し、
前記制御部は、
前記（ｂ）処理では、前記ＯＨ含有ガスの供給と排気とを交互に行うよう、前記前記ＯＨ含有ガス供給部と前記排気部とを制御するように構成される請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記処理室の雰囲気を排気する排気部と、を有し、
前記制御部は、
前記（ａ）処理では、前記ハロゲン含有ガスの供給と排気とを交互に行うよう、前記ハロゲン含有ガス供給部と前記排気部とを制御するように構成される請求項９又は１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
（ａ）表面に下地膜が形成された基板が収容された基板処理装置の処理室に対してハロゲン含有ガスを供給して、前記基板表面にハロゲン終端を形成する手順と、
（ｂ）酸素成分及び水素成分を含むＯＨ含有ガスを前記基板に供給して、前記基板表面をＯＨ終端化する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
【請求項１３】
前記（ｂ）手順では、前記ＯＨ含有ガスの供給と排気とを交互に行わせる請求項１２に記載のプログラム。
【請求項１４】
前記（ａ）手順では、前記ハロゲン含有ガスの供給と排気とを交互に行わせる請求項１２又は１３に記載のプログラム。