【手続補正書】
【提出日】令和1年8月26日(2019.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶成長方向を有する多結晶シリコン柱であって、
結晶成長方向に沿って成長する複数のシリコン結晶粒を含み、前記結晶成長方向において前記多結晶シリコン柱の前記シリコン結晶粒の平均結晶粒径及び抵抗率が逆に変動する傾向があり、
多結晶シリコン柱の前記平均欠陥面積率が１．５％以下である、前記多結晶シリコン柱。
【請求項２】
前記シリコン結晶粒の平均結晶粒径が前記結晶成長方向に沿って次第に増大し、且つ前記多結晶シリコン柱の抵抗率は前記結晶成長方向に沿って次第に減少する、請求項１に記載の多結晶シリコン柱。
【請求項３】
有効部分を更に含み、前記有効部分の少数キャリア寿命が２．０×１０−６秒以上であり、前記有効部分は前記底部部分を含む、請求項１に記載の多結晶シリコン柱。
【請求項４】
前記底部部分内で前記結晶方位｛１１２｝、｛１１３｝及び｛１１５｝を有する前記シリコン結晶粒の容積パーセントが４５％超である、請求項３に記載の多結晶シリコン柱。
【請求項５】
前記底部部分内で前記結晶方位｛１１２｝を有する前記シリコン結晶粒の容積パーセントが２５％〜３０％である、請求項３に記載の多結晶シリコン柱。
【請求項６】
前記底部部分内で前記結晶方位｛１１２｝を有する前記シリコン結晶粒の容積パーセントが、前記結晶方位｛１１３｝または｛１１５｝を有する前記シリコン結晶粒の容積パーセントよりも大きい、請求項３に記載の多結晶シリコン柱。
【請求項７】
前記多結晶シリコン柱が前記結晶成長方向に垂直な断面を有する結晶インゴットであり、前記断面が径方向長さを有し、前記底部部分内の前記シリコン結晶粒の平均結晶粒径対前記結晶インゴットの前記断面の径方向長さ比が０．０１以下である、請求項３に記載の多結晶シリコン柱。
【請求項８】
前記多結晶シリコン柱が前記結晶成長方向に垂直な断面を有する結晶ブリックであり、前記断面が径方向長さを有し、前記底部部分内の前記シリコン結晶粒の平均結晶粒径対前記結晶ブリックの前記断面の径方向長さの平均比が０．０６１以下である、請求項３に記載の多結晶シリコン柱。
【請求項９】
前記底部部分内の前記シリコン結晶粒の平均結晶粒径が１．０ｃｍ以下である、請求項３に記載の多結晶シリコン柱。
【請求項１０】
前記底部部分内の前記多結晶シリコン柱の酸素含有量は５．５ｐｐｍａ以上である、請求項３に記載の多結晶シリコン柱。
【請求項１１】
前記底部部分内の前記多結晶シリコン柱の抵抗率が１．５５Ω−ｃｍ以上である、請求項３に記載の多結晶シリコン柱。
【請求項１２】
前記底部部分内の８０％以上の前記多結晶シリコン柱の炭素含有量が４ｐｐｍａ以上である、請求項３に記載の多結晶シリコン柱。
【請求項１３】
前記底部部分内の６０％以上の前記多結晶シリコン柱の炭素含有量が５ｐｐｍａ以上である、請求項３に記載の多結晶シリコン柱。
【請求項１４】
前記底部部分内の２５％以上の前記多結晶シリコン柱の炭素含有量が６ｐｐｍａ以上である、請求項３に記載の多結晶シリコン柱。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多結晶シリコン柱
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
１  ＤＳＳ結晶成長炉
２  核形成促進層
４  鋳型
８  溶融シリコンスープ
１０  炉本体
１１  不活性ガス
１２  断熱ケージ
１３  ヒータ
１６  ボックス本体
１８  方向性凝固ブロック
１９  支柱
１２２  上部断熱カバー
１２４  下部断熱板
［付記１］
複数のシリコン結晶粒を含む多結晶シリコンウエハであって、
前記多結晶シリコンウエハの炭素含有量が４ｐｐｍａ超であり、且つ前記多結晶シリコンの抵抗率が１．５５Ω−ｃｍ以上である、前記多結晶シリコンウエハ。
［付記２］
前記シリコン結晶粒が少なくとも３つの結晶方位を含み、前記少なくとも３つの結晶方位が｛１１２｝、｛１１３｝及び｛１１５｝を含む、付記１に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記３］
前記底部部分内で前記結晶方位｛１１２｝、｛１１３｝及び｛１１５｝を有する前記シリコン結晶粒の容積パーセントが４５％超である、付記２に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記４］
前記底部部分内で前記結晶方位｛１１２｝を有する前記シリコン結晶粒の容積パーセントが２５％〜３０％である、付記２に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記５］
前記底部部分内で前記結晶方位｛１１２｝を有する前記シリコン結晶粒の容積パーセントが、前記結晶方位｛１１３｝または｛１１５｝を有する前記シリコン結晶粒の容積パーセントよりも大きい、付記２に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記６］
前記多結晶シリコンウエハが幅を有し、前記シリコン結晶粒の平均結晶粒径対前記多結晶シリコンウエハの幅比が０．０６１以下である、付記１に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記７］
前記シリコン結晶粒の平均結晶粒径が１．０ｃｍ以下である、付記１に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記８］
前記多結晶シリコン柱の前記平均欠陥面積率が１．５％以下である、付記１に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記９］
前記多結晶シリコンウエハの酸素含有量が５．５ｐｐｍａ以上である、付記１に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記１０］
前記多結晶シリコンウエハの炭素含有量が５ｐｐｍａ以上である、付記１に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記１１］
前記多結晶シリコンウエハの炭素含有量が６ｐｐｍａ以上である、付記１に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記１２］
複数のシリコン結晶粒を含む多結晶シリコンウエハであって、
前記多結晶シリコンウエハの炭素含有量が４ｐｐｍａ超であり、且つ前記多結晶シリコンウエハの酸素含有量が５．５ｐｐｍａ以上である、前記多結晶シリコンウエハ。
［付記１３］
前記シリコン結晶粒が少なくとも３つの結晶方位を含み、前記少なくとも３つの結晶方位が｛１１２｝、｛１１３｝及び｛１１５｝を含む、付記１２に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記１４］
前記結晶方位｛１１２｝、｛１１３｝及び｛１１５｝を有する前記シリコン結晶粒の容積パーセンが４５％超である、付記６１に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記１５］
前記結晶方位｛１１２｝を有する前記シリコン結晶粒の容積パーセントが２５％〜３０％である、付記６１に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記１６］
前記結晶方位｛１１２｝を有する前記シリコン結晶粒の容積パーセントが前記結晶方位｛１１３｝または｛１１５｝を有する前記シリコン結晶粒の容積パーセントよりも大きい、付記６１に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記１７］
前記多結晶シリコンウエハが幅を有し、前記シリコン結晶粒の平均結晶粒径対前記多結晶シリコンウエハの幅比が０．０６１以下である、付記１２に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記１８］
前記シリコン結晶粒の平均結晶粒径が１．０ｃｍ以下である、付記１２に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記１９］
前記多結晶シリコンウエハの前記平均欠陥面積率が１．５％以下である、付記１２に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記２０］
前記多結晶シリコンウエハの炭素含有量が５ｐｐｍａ以上である、付記１２に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記２１］
前記多結晶シリコンウエハの炭素含有量が６ｐｐｍａ以上である、付記１２に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記２２］
複数のシリコン結晶粒を含む多結晶シリコンウエハであって、
前記多結晶シリコンウエハの炭素含有量が４ｐｐｍａ超であり、且つ前記多結晶シリコンウエハの平均欠陥面積率が１．５％以下である、前記多結晶シリコンウエハ。
［付記２３］
前記シリコン結晶粒は少なくとも３つの結晶方位を含み、前記少なくとも３つの結晶方位が｛１１２｝、｛１１３｝及び｛１１５｝を含む、付記２２に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記２４］
前記結晶方位｛１１２｝、｛１１３｝及び｛１１５｝を有する前記シリコン結晶粒の容積パーセントが、４５％以上である、付記７１に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記２５］
前記結晶方位｛１１２｝を有する前記シリコン結晶粒の容積パーセントが、２５％〜３０％である、付記７１に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記２６］
前記結晶方位｛１１２｝を有する前記シリコン結晶粒の容積パーセントが、前記結晶方位｛１１３｝または｛１１５｝を有する前記シリコン結晶粒の容積パーセントよりも大きい、付記７１に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記２７］
前記多結晶シリコンウエハが幅を有し、前記シリコン結晶粒の平均結晶粒径対前記多結晶シリコンウエハの幅比が０．０６１以下である、付記２２に記載の前記多結晶シリコンウエハ。
［付記２８］
前記シリコン結晶粒の平均結晶粒径が１．０ｃｍ以下である、付記２２に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記２９］
前記多結晶シリコンウエハの酸素含有量が５．５ｐｐｍａ以上である、付記２２に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記３０］
前記多結晶シリコンウエハの炭素含有量は５ｐｐｍａ以上である、付記２２に記載の多結晶シリコンウエハ。
［付記３１］
前記多結晶シリコンウエハの炭素含有量が６ｐｐｍａ以上である、付記２２に記載の多結晶シリコンウエハ。