(57)【要約】  半導体基板（１０）の上方に強誘電体キャパシタ（４２）を形成した後、強誘電体キャパシタ（４２）を直接覆うバリア膜（４６）を形成する。その後、層間絶縁膜（４８）を形成し、その平坦化を行う。次いで、層間絶縁膜（４８）に傾斜のある溝を形成する。続いて、全面にバリア膜（５０）を形成する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上方に形成された複数個の強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタを直接覆い、水素又は水の拡散を防止する第１のバリア膜と、
前記第１のバリア膜上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記強誘電体キャパシタに接続された配線と、
を有し、
前記層間絶縁膜は、前記複数個の強誘電体キャパシタのうちの少なくとも１個を上方及び側方から覆い、水素又は水の拡散を防止する１又は２以上の第２のバリア膜を含み、
前記１又は２以上の第２のバリア膜が、前記複数個の強誘電体キャパシタを共通に覆うことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２のバリア膜は、前記複数個の強誘電体キャパシタの間に位置する傾斜部を有し、
前記傾斜部と前記半導体基板の表面とがなす角度は、６０°以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２のバリア膜は、前記強誘電体キャパシタの上方に位置する平坦部を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２のバリア膜は、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ジルコニウム酸化膜、アルミニウム窒化膜、タンタル窒化膜及びアルミニウム酸窒化膜からなる群から選択された１種であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１のバリア膜は、アルミニウム酸化膜であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２のバリア膜は、少なくとも前記層間絶縁膜の他の部分を介して前記第１のバリア膜から離間されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２のバリア膜は、少なくとも前記層間絶縁膜の他の部分を介して前記配線から離間されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１及び第２のバリア膜の厚さは、１ｎｍ乃至１００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記配線は、複数の配線層にわたって形成され、
前記配線層間の１又は２以上の高さ位置に形成され、水素又は水の拡散を防止する第３のバリア膜を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記複数の配線層のうちで最も上に位置する最上配線層の上に形成された絶縁膜を有し、
前記絶縁膜には、前記最上配線層まで達するパッド開口部が形成されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第２のバリア膜は、互いに異なる物質からなり、互いに積層された少なくとも２種類の膜を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１２】
半導体基板の上方に強誘電体キャパシタを形成する工程と、
前記強誘電体キャパシタを直接覆い、水素又は水の拡散を防止する第１のバリア膜を形成する工程と、
前記第１のバリア膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に、前記強誘電体キャパシタに接続される配線を形成する工程と、
を有し、
前記層間絶縁膜を形成する工程は、前記複数個の強誘電体キャパシタのうちの少なくとも１個を上方及び側方から覆い、水素又は水の拡散を防止する１又は２以上の第２のバリア膜を形成することにより、前記１又は２以上の第２のバリア膜に、前記複数個の強誘電体キャパシタを共通に覆わせる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記層間絶縁膜を形成する工程は、
前記第１のバリア膜上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜を平坦化する工程と、
前記第１の絶縁膜に１又は２以上の溝を、当該１又は２以上の溝により前記複数個の強誘電体キャパシタのすべてが取り囲まれるように形成する工程と、
前記絶縁膜上及び前記溝の内部に前記第２のバリア膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記溝の側面と前記半導体基板の表面とがなす角度を６０°以下とすることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記溝を形成する工程と前記第２のバリア膜を形成する工程との間に、熱処理を施す工程を有することを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記熱処理を、少なくともＮ２Ｏを用いて発生させたプラズマ雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２のバリア膜として、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ジルコニウム酸化膜、アルミニウム窒化膜、タンタル窒化膜及びアルミニウム酸窒化膜からなる群から選択された１種を形成することを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１及び第２のバリア膜の厚さを、１ｎｍ乃至１００ｎｍとすることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記配線を、複数の配線層にわたって形成し、
前記配線層間の１又は２以上の高さ位置に、水素又は水の拡散を防止する第３のバリア膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記複数の配線層のうちで最も上に位置する最上配線層の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記最上配線層まで達するパッド開口部を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、強誘電体キャパシタを備えた不揮発性メモリに好適な半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタル技術の進展に伴い、大容量のデータを高速に処理又は保存する傾向が高まっている。このため、電子機器に使用される半導体装置の高集積化及び高性能化が要求されている。【０００３】
そこで、半導体記憶装置（ＤＲＡＭ）の高集積化を実現するため、ＤＲＡＭを構成する容量素子の容量絶縁膜として、珪素酸化物又は珪素窒化物に代えて、強誘電体材料又は高誘電率材料を用いる技術について、広く研究及び開発が行われている。【０００４】
また、低電圧で且つ高速での書き込み動作及び読み出し動作が可能な不揮発性ＲＡＭを実現するため、容量絶縁膜として、自発分極特性を有する強誘電体膜を用いた強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）についても、盛んに研究及び開発が行われている。【０００５】
強誘電体メモリは、強誘電体のヒステリシス特性を利用して情報を記憶する。強誘電体メモリには、１対の電極間のキャパシタ誘電体膜として強誘電体膜を有する強誘電体キャパシタがメモリセル毎に設けられている。強誘電体では、電極間の印加電圧に応じて分極が生じ、印加電圧が取り除かれても、自発分極が残る。また、印加電圧の極性が反転されると、自発分極の極性も反転する。従って、自発分極を検出すれば情報を読み出すことができる。そして、強誘電体メモリには、動作が高速であり、消費電力が低く、書き込み／読み出しの耐久性が優れている等の特徴がある。【０００６】
しかしながら、強誘電体メモリの設計及び製造に当たっては、強誘電体キャパシタの電気的特性が外部から侵入した水素ガスや水分により劣化しやすいという性質を克服する必要がある。Ｐｔ膜からなる下部電極と、ＰｂＺｒ１−ＸＴｉＸＯ３（ＰＺＴ）膜からなる強誘電体膜と、Ｐｔ膜からなる上部電極とを備えた従来の強誘電体キャパシタでは、水素分圧が４０Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）程度の雰囲気にて２００℃程度に基板を加熱すると、ＰｂＺｒ１−ＸＴｉＸＯ３膜の強誘電体特性がほぼ失われてしまう。また、強誘電体キャパシタが水分を吸着した状態や、水分が強誘電体キャパシタの近傍に存在する状態で熱処理を行うと、強誘電体膜の強誘電体特性が著しく劣化してしまう。【０００７】
そこで、従来、強誘電体メモリを製造するに当たり、強誘電体膜を形成した後には、可能な限り、水分の発生が少なく、且つ低温で行うことが可能な処理が選択されている。特に、層間絶縁膜を形成する際には、水素の発生量が比較的少ない原料ガスを用いたＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等が選択されている。【０００８】
また、強誘電体キャパシタを覆うバリア膜が形成された構造、及び強誘電体キャパシタの上方にバリア膜が形成された構造が提案されている。バリア膜としては、主に酸化アルミニウム膜が用いられている。これは、酸化アルミニウム膜が水素及び水分の拡散を防止する機能を有しているためである。【０００９】
しかしながら、バリア膜が設けられていても、使用環境等によっては十分な水素バリア性を確保することが困難なことがある。また、耐湿リングが設けられていても、十分な水素バリア性を確保することは困難である。【００１０】
【特許文献１】特開平９−２９３８６９号公報
【特許文献２】特開２００３−１１５５４５号公報
【特許文献３】特開２００１−２１０７９８号公報
【特許文献４】特開２００３−１７４１４５号公報
【発明の開示】
【００１１】
本発明の目的は、外部からの水素等の侵入に伴う特性の劣化を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１２】
本願発明者は、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【００１３】
本願発明に係る半導体装置には、半導体基板の上方に形成された複数個の強誘電体キャパシタと、前記強誘電体キャパシタを直接覆い、水素又は水の拡散を防止する第１のバリア膜と、前記第１のバリア膜上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記強誘電体キャパシタに接続された配線と、が設けられている。そして、前記層間絶縁膜は、前記複数個の強誘電体キャパシタのうちの少なくとも１個を上方及び側方から覆い、水素又は水の拡散を防止する１又は２以上の第２のバリア膜を含んでいる。また、前記１又は２以上の第２のバリア膜が、前記複数個の強誘電体キャパシタを共通に覆っている。
【００１４】
本願発明に係る半導体装置の製造方法では、半導体基板の上方に強誘電体キャパシタを形成した後、前記強誘電体キャパシタを直接覆い、水素又は水の拡散を防止する第１のバリア膜を形成する。次に、前記第１のバリア膜上に層間絶縁膜を形成する。次いで、前記層間絶縁膜上に、前記強誘電体キャパシタに接続される配線を形成する。そして、前記層間絶縁膜を形成する際に、前記複数個の強誘電体キャパシタのうちの少なくとも１個を上方及び側方から覆い、水素又は水の拡散を防止する１又は２以上の第２のバリア膜を形成することにより、前記１又は２以上の第２のバリア膜に、前記複数個の強誘電体キャパシタを共通に覆わせる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る方法によって製造する強誘電体メモリ（半導体装置）のメモリセルアレイの構成を示す回路図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の第１の実施形態に係る強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図２Ａに引き続き、強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、図２Ｂに引き続き、強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、図２Ｃに引き続き、強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、図２Ｄに引き続き、強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｆは、図２Ｅに引き続き、強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２Ｇ】図２Ｇは、図２Ｆに引き続き、強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２Ｈ】図２Ｈは、図２Ｇに引き続き、強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２Ｉ】図２Ｉは、図２Ｈに引き続き、強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２Ｊ】図２Ｊは、図２Ｉに引き続き、強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２Ｋ】図２Ｋは、図２Ｊに引き続き、強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図２Ｌ】図２Ｌは、図２Ｋに引き続き、強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第２の実施形態に係る強誘電体メモリを示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第３の実施形態に係る強誘電体メモリを示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の第４の実施形態に係る強誘電体メモリを示す断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明の第１の実施形態に係る強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａに引き続き、強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、図６Ｂに引き続き、強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、図６Ｃに引き続き、強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図６Ｅ】図６Ｅは、図６Ｄに引き続き、強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図６Ｆ】図６Ｆは、図６Ｅに引き続き、強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図６Ｇ】図６Ｇは、図６Ｆに引き続き、強誘電体メモリの製造方法を工程順に示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る方法によって製造する強誘電体メモリ（半導体装置）のメモリセルアレイの構成を示す回路図である。【００１７】
このメモリセルアレイには、一の方向に延びる複数本のビット線３、並びにビット線３が延びる方向に対して垂直な方向に延びる複数本のワード線４及びプレート線５が設けられている。また、これらのビット線３、ワード線４及びプレート線５が構成する格子と整合するようにして、強誘電体メモリの複数個のメモリセルがアレイ状に配置されている。各メモリセルには、強誘電体キャパシタ（記憶部）１及びＭＯＳトランジスタ（スイッチング部）２が設けられている。【００１８】
ＭＯＳトランジスタ２のゲートはワード線４に接続されている。また、ＭＯＳトランジスタ２の一方のソース・ドレインはビット線３に接続され、他方のソース・ドレインは強誘電体キャパシタ１の一方の電極に接続されている。そして、強誘電体キャパシタ１の他方の電極がプレート線５に接続されている。なお、各ワード線４及びプレート線５は、それらが延びる方向と同一の方向に並ぶ複数個のＭＯＳトランジスタ２により共有されている。同様に、各ビット線３は、それが延びる方向と同一の方向に並ぶ複数個のＭＯＳトランジスタ２により共有されている。ワード線４及びプレート線５が延びる方向、ビット線３が延びる方向は、夫々行方向、列方向とよばれることがある。但し、ビット線３、ワード線４及びプレート線５の配置は、上述のものに限定されない。【００１９】
このように構成された強誘電体メモリのメモリセルアレイでは、強誘電体キャパシタ１に設けられた強誘電体膜の分極状態に応じて、データが記憶される。【００２０】
（第１の実施形態）
次に、本発明の第１の実施形態について説明する。但し、ここでは、便宜上、半導体装置の断面構造については、その製造方法と共に説明する。図２Ａ乃至図２Ｌは、本発明の第１の実施形態に係る強誘電体メモリ（半導体装置）の製造方法を工程順に示す断面図である。【００２１】
先ず、図２Ａに示すように、シリコン基板等の半導体基板１０に、例えばＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）法により、素子領域を画定する素子分離領域１２を形成する。次いで、イオン注入法により、ドーパント不純物を導入することにより、ウェル１４を形成する。次いで、素子領域に、ゲート絶縁膜１６、ゲート電極（ゲート配線）１８、絶縁膜１９、サイドウォール絶縁膜２０及びソース／ドレイン拡散層２２を備えたトランジスタ２４を形成する。このトランジスタ２４が、図１中のＭＯＳトランジスタ２に相当する。【００２２】
次いで、全面に、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、例えば膜厚が２００ｎｍのＳｉＯＮ膜（シリコン酸化窒化膜）を形成する。更に、全面にプラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により、例えば膜厚が６００ｎｍのシリコン酸化膜を形成する。これらのＳｉＯＮ膜及びシリコン酸化膜から層間絶縁膜２６が構成される。次に、例えばＣＭＰ法により、層間絶縁膜２６の表面を平坦化する。【００２３】
次いで、図２Ｂに示すように、フォトリソグラフィー技術を用いて層間絶縁膜２６に、ソース／ドレイン拡散層２２に達するコンタクトホール３２と、ゲート電極（ゲート配線）１８に達するコンタクトホール（図示せず）とを形成する。次に、全面に、例えばスパッタ法により、膜厚が２０ｎｍ〜６０ｎｍのＴｉ膜を形成する。その後、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により、膜厚が３０ｎｍ〜５０ｎｍのＴｉＮ膜を形成する。Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜からバリアメタル膜（図示せず）が構成される。【００２４】
次に、全面に、例えばＣＶＤ法により、膜厚が５００ｎｍのタングステン膜（図示せず）を形成する。ＣＭＰ法により、層間絶縁膜２６の表面が露出するまで、タングステン膜及びバリアメタル膜を研磨する。この結果、コンタクトホール３２等内に埋め込まれ、タングステンを含有する導体プラグ３４が形成される。【００２５】
次いで、図２Ｃに示すように、全面に、例えばプラズマＣＶＤ法により、膜厚が１００ｎｍの酸化防止膜２８を形成する。酸化防止膜２８としては、例えばＳｉＯＮ膜又はシリコン窒化膜を形成する。次に、全面に、例えばプラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により、膜厚が１３０ｎｍのシリコン酸化膜３０を形成する。続いて、窒素（Ｎ２）雰囲気中で熱処理を行う。例えば、熱処理温度は６５０℃とし、熱処理時間は３０分間〜６０分間とする。【００２６】
次に、図２Ｄに示すように、全面に、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により、膜厚が２０ｎｍ〜１００ｎｍの酸化アルミニウム膜３６ａを形成する。更に、全面に、例えばスパッタ法により、膜厚が１００ｎｍ〜３００ｎｍ（例えば１７５ｎｍ）のＰｔ膜３６ｂを下部電極膜として形成する。酸化アルミニウム膜３６ａ及びＰｔ膜３６ｂから積層膜３６が構成される。【００２７】
次いで、同じく図２Ｄに示すように、全面に、例えばスパッタ法により、強誘電体膜３８を形成する。強誘電体膜３８としては、例えば膜厚が１００ｎｍ〜２５０ｎｍ（例えば１５０ｎｍ）のＰＺＴ膜を形成する。なお、強誘電体膜３８の形成方法はスパッタ法に限定されるものではない。例えば、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ（Metal Organic Deposition）法、ＭＯＣＶＤ法等により強誘電体膜３８を形成してもよい。【００２８】
次いで、例えばＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法により、酸素雰囲気中にて熱処理を行う。熱処理温度は６５０℃〜８００℃（例えば７５０℃）とし、熱処理時間は３０秒間〜１２０秒間（例えば６０秒間）とする。【００２９】
次いで、同じく図２Ｄに示すように、例えばスパッタ法又はＭＯＣＶＤ法により、例えば膜厚が２５ｎｍ〜７５ｎｍのＩｒＯＸ膜４０ａを形成する。次いで、アルゴン及び酸素雰囲気にて、例えば６００℃〜８００℃、１０秒間〜１００秒間の熱処理を行う。この結果、強誘電体膜３８を構成する強誘電体材料が完全に結晶化すると共に、強誘電体膜３８とＩｒＯＸ膜４０ａとの界面が平滑（フラット）になる。次いで、例えばスパッタ法又はＭＯＣＶＤ法により、例えば膜厚が１５０ｎｍ〜２５０ｎｍのＩｒＯＹ膜４０ｂを形成する。この際、工程劣化を抑えるために、ＩｒＯＹ膜４０ｂの酸素の組成比Ｙが、ＩｒＯＸ膜４０ａの酸素の組成比Ｘより高くなるようにする。ＩｒＯＸ膜４０ａ及びＩｒＯＹ膜４０ｂから強誘電体キャパシタの上部電極膜４０が構成される。【００３０】
なお、上部電極膜を３層構造としてもよい。３層構造の上部電極を形成する場合、例えばスパッタ法又はＭＯＣＶＤ法により、膜厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍ（例えば５０ｎｍ）の第１のＩｒＯＸ膜を形成した後、例えばスパッタ法又はＭＯＣＶＤ法により、膜厚が１００ｎｍ〜３００ｎｍの第２のＩｒＯＹ膜を形成する。この時、第２のＩｒＯＹ膜中の酸素の組成比が、第１のＩｒＯＸ膜中の酸素の組成比より高くなるようにする。そして、例えばスパッタ法又はＭＯＣＶＤ法により、膜厚が２０ｎｍ〜１００ｎｍ（例えば７５ｎｍ）のＩｒ膜を形成する。Ｉｒ膜の成膜温度は、例えば４５０℃とする。Ｉｒ膜は、第１及び第２のＩｒＯＸ膜の表面が還元されるのを防止し、後に形成される導体プラグとの間のコンタクト抵抗を低減する作用を奏する。【００３１】
次いで、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成し、フォトリソグラフィーにより、フォトレジスト膜を強誘電体キャパシタの上部電極の平面形状にパターニングする。続いて、上部電極膜４０をエッチングする。エッチングガスとしては、例えばＡｒガス及びＣｌ２ガスを用いる。その後、フォトレジスト膜を除去する。次いで、例えば酸素雰囲気にて、４００℃〜７００℃（例えば６５０℃）、３０分間〜１２０分間（例えば６０分間）の熱処理を行う。この熱処理は、上部電極（パターニングされた上部電極膜４０）の表面に異常が生ずるのを防止するためのものである。【００３２】
次いで、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成し、フォトリソグラフィーにより、フォトレジスト膜を容量絶縁膜の平面形状にパターニングする。続いて、強誘電体膜をエッチングする。その後、フォトレジスト膜を除去する。次いで、酸素雰囲気にて、３００℃〜４００℃（例えば３５０℃）、３０分間〜１２０分間（例えば６０分間）の熱処理を行う。【００３３】
次いで、同じく図２Ｄに示すように、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により、バリア膜４４を形成する。バリア膜４４としては、例えば膜厚が２０ｎｍ〜１５０ｎｍの酸化アルミニウム膜を形成する。酸化アルミニウム膜を形成する方法はスパッタ法又はＣＶＤ法に限定されないが、ＭＯＣＶＤ法以外の方法を採用することが好ましい。次いで、酸素雰囲気にて、例えば４００℃〜６００℃、３０分間〜１２０分間の熱処理を行う。【００３４】
次いで、全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜（図示せず）を形成し、フォトリソグラフィーにより、フォトレジスト膜を強誘電体キャパシタの下部電極の平面形状にパターニングする。続いて、バリア膜４４及び下部電極膜３６をエッチングする。この結果、下部電極が形成される。パターニングされた上部電極膜４６、強誘電体膜３８及び株電極膜３６から強誘電体キャパシタ４２が構成され、この強誘電体キャパシタ４２が図１中の強誘電体キャパシタ１に相当する。また、バリア膜４４は、上部電極膜４０及び強誘電体膜３８を覆うように残存する。その後、フォトレジスト膜を除去する。次いで、酸素雰囲気にて、例えば３５０℃〜６００℃、３０分間〜６０分間の熱処理を行う。【００３５】
次いで、全面に、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により、バリア膜４６を形成する。バリア膜４６としては、例えば膜厚が２０ｎｍ〜５０ｎｍの酸化アルミニウム膜を形成する。バリア膜４６により強誘電体キャパシタ４２の全体が覆われる。【００３６】
バリア膜４６の形成後には、酸素雰囲気にて、例えば５００℃〜７００℃、３０分間〜１２０分間の熱処理を行う。この結果、強誘電体膜３８に酸素が供給され、強誘電体キャパシタ４２の電気的特性が回復する。【００３７】
次いで、図２Ｅに示すように、全面に、例えばプラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により、例えば膜厚が１５００ｎｍのシリコン酸化物から構成される層間絶縁膜４８を形成する。層間絶縁膜４８としてシリコン酸化膜を形成する場合には、原料ガスとして、例えば、ＴＥＯＳガスと酸素ガスとヘリウムガスとの混合ガスを用いる。なお、層間絶縁膜５０として、例えば、絶縁性を有する無機膜等を形成してもよい。層間絶縁膜５０の形成後、例えばＣＭＰ法により、層間絶縁膜４８の表面を平坦化する。【００３８】
次いで、図２Ｆに示すように、フォトリソグラフィー技術を用い、層間絶縁膜４８にバリア膜４６まで到達する溝４９を形成する。溝４９の位置は、例えばアレイ状に配置されているすべての強誘電体キャパシタ４２を取り囲むようにしてもよく、また、アレイ状に配置されている強誘電体キャパシタ４２のうちの１又は２以上を取り囲む溝４９を複数箇所に形成してもよい。【００３９】
なお、本実施形態では、バリア膜４６として酸化アルミニウム膜が形成されているため、溝４９の形成に当たってはバリア膜４６をエッチングストッパ膜として用いることができる。このような酸化アルミニウム膜が形成されていない場合には、酸化防止膜２８をエッチングストッパ膜として用いてもよい。【００４０】
そして、本実施形態では、図２Ｆに示すように、溝４９の形成に続けて溝４９の側壁を傾斜させる。この加工に当たっては、例えばＡｒガスを用いたエッチングを行う。側壁の傾斜角度は６０°以下とすることが好ましい。【００４１】
次いで、Ｎ２Ｏガス又はＮ２ガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う。熱処理の結果、層間絶縁膜４８中の水分が除去されると共に、層間絶縁膜４８の膜質が変化し、層間絶縁膜４８中に水分が入りにくくなる。この熱処理における基板温度は、例えば３５０℃とする。Ｎ２Ｏガスの流量は、例えば１０００ｓｃｃｍとする。Ｎ２ガスの流量は、例えば２８５ｓｃｃｍとする。対向電極のギャップは、例えば７．６２ｍｍ（０．３インチ）とする。印加する高周波電力は、例えば５２５Ｗとする。チャンバ内の気圧は、例えば約４００Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）とする。なお、熱処理を行った後に、Ｎ２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気に層間絶縁膜４８を暴露してもよい。熱処理により、層間絶縁膜４８中に存在する水分が除去される。そして、Ｎ２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気に層間絶縁膜４８を暴露すると、層間絶縁膜４８の膜質が変化し、層間絶縁膜４８中に水分が入り込みにくくなる。【００４２】
次に、図２Ｇに示すように、全面に、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により、バリア膜５０を形成する。バリア膜５０としては、例えば、膜厚が５０ｎｍ〜１００ｎｍの酸化アルミニウム膜を形成する。強誘電体キャパシタ４２の上方では、平坦化された層間絶縁膜４８上にバリア膜５０が形成されるため、バリア膜５０は平坦となる。また、バリア膜５０は、溝４９内にも形成される。この時、溝４９の側壁が傾斜しているため（例えば６０°以上）、バリア膜５０は良好なカバレッジでほぼ均一に形成される。【００４３】
次に、図２Ｈに示すように、全面に、例えばプラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により、層間絶縁膜５２を形成する。層間絶縁膜５２としては、例えば膜厚が８００ｎｍ〜１０００ｎｍのシリコン酸化膜を形成する。なお、層間絶縁膜５２として、ＳｉＯＮ膜又はシリコン窒化膜等を形成してもよい。次に、例えばＣＭＰ法により、層間絶縁膜５２の表面を平坦化する。【００４４】
次いで、図２Ｉに示すように、フォトリソグラフィー技術を用い、層間絶縁膜５２、バリア膜５０及び層間絶縁膜４８に、強誘電体キャパシタ４２の上部電極４０まで達するコンタクトホール５３と、強誘電体キャパシタ４２の下部電極３６まで達するコンタクトホール（図示せず）とを形成する。【００４５】
次いで、酸素雰囲気にて、４００℃〜６００℃、３０分間〜１２０分間（６０分間）の熱処理を行う。基板温度は、例えば５００℃〜６００℃とする。この結果、強誘電体膜３８に酸素が供給され、強誘電体キャパシタ４２の電気的特性が回復する。なお、この熱処理を、酸素雰囲気中ではなく、オゾン雰囲気中で行ってもよい。オゾン雰囲気中にて熱処理が行われた場合にも、強誘電体膜３８に酸素が供給されて、強誘電体キャパシタ４２の電気的特性が回復する。【００４６】
その後、図２Ｊに示すように、フォトリソグラフィー技術を用い、層間絶縁膜５２、バリア膜５０、層間絶縁膜４８、バリア膜４６、シリコン酸化膜３０及び酸化防止膜２８に、導体プラグ３４まで達するコンタクトホール５４を形成する。続いて、Ａｒガスを用いたプラズマ洗浄を行う。この結果、導体プラグ３４の表面に存在する自然酸化膜等が除去される。プラズマ洗浄の条件は、例えば熱酸化膜が１０ｎｍ除去されるような条件とする。【００４７】
次に、全面に、例えばスパッタ法により、膜厚が２０ｎｍ〜１００ｎｍのＴｉＮ膜（図示せず）をバリアメタル膜として形成する。次いで、全面に、例えばＣＶＤ法により、膜厚が３００ｎｍ〜６００ｎｍのタングステン膜（図示せず）を形成する。その後、例えばＣＭＰ法により、層間絶縁膜５２の表面が露出するまで、タングステン膜及びバリアメタル膜を研磨する。この結果、図２Ｋに示すように、コンタクトホール５３、５４等内に埋め込まれ、タングステンを含有する導体プラグ５６が形成される。【００４８】
次いで、Ｎ２Ｏガス又はＮ２ガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う。熱処理の結果、タングステン膜等の研磨の際に層間絶縁膜５２及び５０中に入り込んだ水分が除去されると共に、層間絶縁膜５２の膜質が変化し、層間絶縁膜５２中に水分が入りにくくなる。また、この熱処理により、層間絶縁膜５２の表面が窒化され、層間絶縁膜５２の表面にＳｉＯＮ膜（図示せず）が形成される。この熱処理における基板温度は、例えば３５０℃とする。Ｎ２Ｏガスの流量は、例えば１０００ｓｃｃｍとする。Ｎ２ガスの流量は、例えば２８５ｓｃｃｍとする。対向電極のギャップは、例えば７．６２ｍｍ（０．３インチ）とする。印加する高周波電力は、例えば５２５Ｗとする。チャンバ内の気圧は、例えば約４００Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）とする。続いて、Ａｒガスを用いたプラズマ洗浄を行う。この結果、導体プラグ５６の表面に存在する自然酸化膜等が除去される。プラズマ洗浄の条件は、例えば熱酸化膜が１０ｎｍ除去されるような条件とする。【００４９】
次に、例えばスパッタ法により、膜厚が６０ｎｍのＴｉ膜、膜厚が３０ｎｍのＴｉＮ膜、膜厚が３６０ｎｍのＡｌＣｕ合金膜、膜厚が５ｎｍのＴｉ膜、及び、膜厚が７０ｎｍのＴｉＮ膜（いずれも図示せず）を順次形成する。この結果、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜、ＡｌＣｕ合金膜、Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜からなる積層膜が形成される。次に、フォトリソグラフィー技術を用い、積層膜をパターニングする。この結果、図２Ｌに示すように、積層膜からなる配線（第１金属配線層）５８が形成される。【００５０】
次に、例えば高密度プラズマＣＶＤ（High Density Plasma enhanced
Chemical Vapor Deposition）法により、膜厚が７５０ｎｍのシリコン酸化膜６０を形成する。次いで、プラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により、例えば膜厚が１１００ｎｍのシリコン酸化膜６２を形成する。原料ガスとしては、例えば、ＴＥＯＳガスと酸素ガスとヘリウムガスとの混合ガスを用いる。なお、シリコン酸化膜６０及び６２の形成方法は、上述のものに限定されるものではない。例えば、シリコン酸化膜６０及び６２の両方を、プラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により形成してもよい。【００５１】
次に、例えばＣＭＰ法により、シリコン酸化膜６２の表面を平坦化する。続いて、Ｎ２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う。熱処理の結果、シリコン酸化膜６２及び６０中の水分が除去されると共に、シリコン酸化膜６２及び６０の膜質が変化し、シリコン酸化膜６２及び６０中に水分が入り込みにくくなる。この熱処理における基板温度は、例えば３５０℃とする。【００５２】
次いで、フォトリソグラフィー技術を用い、シリコン酸化膜６２及び６０に、配線５８まで達するコンタクトホール６３を形成する。その後、Ａｒガスを用いたプラズマ洗浄を行う。この結果、配線５８の表面に存在する自然酸化膜等が除去される。プラズマ洗浄の条件は、例えば熱酸化膜が２５ｎｍ除去されるような条件とする。【００５３】
次に、例えばスパッタ法により、膜厚が１０ｎｍのＴｉ膜（図示せず）を形成する。更に、例えばＭＯＣＶＤ法により、膜厚が３．５μｍ〜７μｍのＴｉＮ膜（図示せず）を形成する。Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜からバリアメタル膜が構成される。次いで、例えばＣＶＤ法により、膜厚が３００ｎｍ〜６００ｎｍのタングステン膜（図示せず）を形成する。【００５４】
続いて、例えばＣＭＰ法により、シリコン酸化膜６２の表面が露出するまで、タングステン膜及びバリアメタル膜を研磨する。この結果、コンタクトホール６３内に埋め込まれ、タングステンを含有する導体プラグ６４が形成される。【００５５】
次に、Ｎ２Ｏガス又はＮ２ガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う。熱処理の結果、タングステン膜等の研磨の際にシリコン酸化膜６２及び６０中に入り込んだ水分が除去されると共に、シリコン酸化膜６２及び６０の膜質が変化し、シリコン酸化膜６２及び６０中に水分が入り込みにくくなる。この熱処理における基板温度は、例えば３５０℃とする。Ｎ２Ｏガスの流量は、例えば１０００ｓｃｃｍとする。Ｎ２ガスの流量は、例えば２８５ｓｃｃｍとする。対向電極のギャップは、例えば７．６２ｍｍ（０．３インチ）とする。印加する高周波電力は、例えば５２５Ｗとする。チャンバ内の気圧は、例えば約４００Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）とする。【００５６】
次に、例えばスパッタ法により、膜厚が６０ｎｍのＴｉ膜、膜厚が３０ｎｍのＴｉＮ膜、膜厚が３６０ｎｍのＡｌＣｕ合金膜、膜厚が５ｎｍのＴｉ膜、及び、膜厚が７０ｎｍのＴｉＮ膜（いずれも図示せず）を順次形成する。この結果、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜、ＡｌＣｕ合金膜、Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜からなる積層膜が形成される。次に、フォトリソグラフィー技術を用い、積層膜をパターニングする。この結果、積層膜からなる配線（第２金属配線層）６６が形成される。【００５７】
次に、例えば高密度プラズマＣＶＤ法により、膜厚が７５０ｎｍのシリコン酸化膜６８を形成する。次いで、プラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により、例えば膜厚が１１００ｎｍのシリコン酸化膜７０を形成する。なお、シリコン酸化膜６８及び７０の形成方法は、上述のものに限定されるものではない。例えば、シリコン酸化膜６８及び７０の両方を、プラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により形成してもよい。【００５８】
次に、例えばＣＭＰ法により、シリコン酸化膜７０の表面を平坦化する。続いて、Ｎ２Ｏガス又はＮ２ガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う。熱処理の結果、シリコン酸化膜６８及び７０中の水分が除去されると共に、シリコン酸化膜６８及び７０の膜質が変化し、シリコン酸化膜６８及び７０中に水分が入り込みにくくなる。この熱処理における基板温度は、例えば３５０℃とする。Ｎ２Ｏガスの流量は、例えば１０００ｓｃｃｍとする。Ｎ２ガスの流量は、例えば２８５ｓｃｃｍとする。対向電極のギャップは、例えば７．６２ｍｍ（０．３インチ）とする。印加する高周波電力は、例えば５２５Ｗとする。チャンバ内の気圧は、例えば約４００Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）とする。【００５９】
次いで、フォトリソグラフィー技術を用い、シリコン酸化膜６８及び７０に、配線６６まで達するコンタクトホール７２を形成する。その後、Ａｒガスを用いたプラズマ洗浄を行う。この結果、配線６６の表面に存在する自然酸化膜等が除去される。プラズマ洗浄の条件は、例えば熱酸化膜が２５ｎｍ除去されるような条件とする。【００６０】
次に、例えばスパッタ法により、膜厚が１０ｎｍのＴｉ膜（図示せず）を形成する。更に、例えばＭＯＣＶＤ法により、膜厚が３．５μｍ〜７μｍのＴｉＮ膜（図示せず）を形成する。Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜からバリアメタル膜が構成される。次いで、例えばＣＶＤ法により、膜厚が３００ｎｍ〜６００ｎｍのタングステン膜（図示せず）を形成する。【００６１】
続いて、例えばＣＭＰ法により、シリコン酸化膜７０の表面が露出するまで、タングステン膜及びバリアメタル膜を研磨する。この結果、コンタクトホール７２内に埋め込まれ、タングステンを含有する導体プラグ７４が形成される。【００６２】
次に、Ｎ２Ｏガス又はＮ２ガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う。熱処理の結果、タングステン膜等の研磨の際にシリコン酸化膜７０及び６８中に入り込んだ水分が除去されると共に、シリコン酸化膜７０及び６８の膜質が変化し、シリコン酸化膜７０及び６８中に水分が入り込みにくくなる。この熱処理における基板温度は、例えば３５０℃とする。Ｎ２Ｏガスの流量は、例えば１０００ｓｃｃｍとする。Ｎ２ガスの流量は、例えば２８５ｓｃｃｍとする。【００６３】
次に、例えばスパッタ法により、膜厚が６０ｎｍのＴｉ膜、膜厚が３０ｎｍのＴｉＮ膜、膜厚が３６０ｎｍのＡｌＣｕ合金膜、膜厚が５ｎｍのＴｉ膜、及び、膜厚が７０ｎｍのＴｉＮ膜（いずれも図示せず）を順次形成する。この結果、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜、ＡｌＣｕ合金膜、Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜からなる積層膜が形成される。次に、フォトリソグラフィー技術を用い、積層膜をパターニングする。この結果、積層膜からなる配線（第３金属配線層）７６が形成される。【００６４】
次に、例えば高密度プラズマＣＶＤ法により、膜厚が７００ｎｍのシリコン酸化膜７８を形成する。なお、シリコン酸化膜７８の形成方法は、上述のものに限定されるものではない。例えば、シリコン酸化膜７８を、プラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により形成してもよい。【００６５】
次に、Ｎ２Ｏガス又はＮ２ガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う。熱処理の結果、シリコン酸化膜７８中の水分が除去されると共に、シリコン酸化膜７８の膜質が変化し、シリコン酸化膜７８中に水分が入り込みにくくなる。この熱処理における基板温度は、例えば３５０℃とする。Ｎ２Ｏガスの流量は、例えば１０００ｓｃｃｍとする。Ｎ２ガスの流量は、例えば２８５ｓｃｃｍとする。【００６６】
次に、例えばＣＶＤ法により、膜厚が５００ｎｍのシリコン窒化膜８０をシリコン酸化膜７８上に形成する。シリコン窒化膜８０により、水分の侵入が遮断され、水分により配線７６、６６及び５８等が腐食するという弊害が防止される。【００６７】
次に、フォトリソグラフィー技術を用い、シリコン窒化膜８０及びシリコン酸化膜７８に、電極パッドに達する開口部（図示せず）を形成する。その後、例えばスピンコート法により、例えば膜厚が２μｍ〜１０μｍのポリイミド膜８２を形成する。次に、フォトリソグラフィー技術を用い、ポリイミド膜８２に、電極パッドに達する開口部（図示せず）を形成する。このようにして、本実施形態に係る半導体装置を完成させる。【００６８】
このようにして製造された半導体装置においては、強誘電体キャパシタ４２と配線（第１金属配線層）５８との間に、バリア膜５０が存在する。【００６９】
表面に段差のある層間絶縁膜上にバリア膜を形成した場合には、バリア膜の被覆性があまり良好ではないため、バリア膜において水素の拡散を十分に防止することができないことがある。水素がキャパシタの誘電体膜に達すると、誘電体膜を構成する金属酸化物が水素により還元されてしまい、キャパシタの電気的特性が劣化する。【００７０】
これに対し、本実施形態では、平坦化された層間絶縁膜４８上にバリア膜５０が形成されているため、強誘電体キャパシタ４２の上方では、バリア膜５０は平坦になっている。平坦なバリア膜５０の被覆性は極めて良好であるため、バリア膜５０により水素を確実にバリアすることができる。しかも、本実施形態では、配線（第１金属配線層）５８よりも下方にバリア膜５０が形成されている。このため、シリコン酸化膜６０及び６２等の形成の際に水素が強誘電体キャパシタ４２まで達するという弊害をも、バリア膜５０により防止することができる。従って、本実施形態によれば、強誘電体膜３８に水素が達するという現象を確実に防止することができ、強誘電体膜３８を構成する金属酸化物が水素により還元されるという不具合を防止することができる。このため、本実施形態によれば、強誘電体キャパシタ４２の電気的特性の劣化を確実に防止することができる。【００７１】
また、本実施形態では、強誘電体キャパシタ４２がバリア膜５２により間接的に側方から取り囲まれている。このため、側方からの水素の強誘電体膜３８への到達を防止することができる。また、アレイ状に配列した強誘電体キャパシタ４２のうちで最も外側に位置するものにおける特性の劣化も確実に防止することができる。【００７２】
また、本実施形態では、バリア膜５０上に層間絶縁膜５２が形成され、層間絶縁膜５２上に配線５８が形成されている。従って、バリア膜５０の劣化が層間絶縁膜５２によって抑制され、バリア膜５０の機能が十分に発揮し得る。また、バリア膜５０上に層間絶縁膜５２を形成されているため、配線５８を形成するためのパターニングの際に、バリア膜５０までもがエッチングされるという事態を防止することができる。更に、配線５８についても高い信頼性を得ることができる。【００７３】
また、本実施形態では、導体プラグ５６が、ソース／ドレイン拡散層１４に直接接続されておらず、導体プラグ３４を介してソース／ドレイン拡散層１４に接続されている。【００７４】
仮に、導体プラグ５６をソース／ドレイン拡散層１４に直接接続しようとする場合には、層間絶縁膜５２及び４８等のみならず、バリア膜５０をもエッチングして、ソース／ドレイン拡散層１４まで達するコンタクトホールを形成する必要がある。しかし、酸化アルミニウム膜等のバリア膜５０のエッチング特性は層間絶縁膜５２及び４８等と大きく相違しているため、ソース／ドレイン拡散層１４にダメージを与えることなく、かかるコンタクトホールを形成することは極めて困難である。【００７５】
これに対し、本実施形態では、導体プラグ３４を介しているため、ソース／ドレイン拡散層１４にダメージを与えることなく、配線５８とソース／ドレイン拡散層１４とを電気的に接続することができる。従って、本実施形態によれば、信頼性の高い半導体装置を高い歩留りで製造することができる。【００７６】
また、本実施形態では、層間絶縁膜２６上に酸化防止膜２８が形成されている。このため、シリコン酸化膜３０等の形成の際に、導体プラグ３４の表面の酸化を防止することができ、導体プラグ５６と導体プラグ３４との間のコンタクト抵抗を低く抑えることができる。【００７７】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図３は、本発明の第２の実施形態に係る強誘電体メモリ（半導体装置）を示す断面図である。【００７８】
第２の実施形態では、バリア膜５０が、酸化アルミニウム膜５０ａ及び酸化チタン膜５０ｂから構成されている。酸化アルミニウム膜５０ａの厚さは、例えば２０ｎｍ〜５０ｎｍであり、酸化チタン膜５０ｂの厚さは、例えば２０ｎｍ〜１００ｎｍである。なお、酸化チタン膜５０ｂの代わりにシリコン窒化膜又は酸化タンタル膜等が形成されていてもよい。【００７９】
第２の実施形態に係る半導体装置を製造するに当たっては、第１の実施形態と同様にして溝４９の形成までの一連の処理を行った後、酸化アルミニウム膜５０ａ及び酸化チタン膜５０ｂを順次形成する。【００８０】
その後、第１の実施形態と同様にして、層間絶縁膜５２の形成から、パッド開口部の形成までの処理を行い、半導体装置を完成させる。【００８１】
このような第２の実施形態によれば、より高い水素バリア性を得ることができる。即ち、水素が強誘電体膜３８まで達するという不具合をより確実に防止することができる。従って、歩留まりをより向上させることができる。【００８２】
なお、バリア膜５０の形成に当たり、層間絶縁膜４８上に酸化チタン膜５０ｂを形成した後に、酸化チタン膜５０ｂ上に酸化アルミニウム膜５０ａを形成してもよい。【００８３】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図４は、本発明の第３の実施形態に係る強誘電体メモリ（半導体装置）を示す断面図である。【００８４】
第３の実施形態では、配線（第１金属配線層）５８と配線（第２金属配線層）６６との間にバリア膜８４が形成され、配線（第２金属配線層）６６と配線（第３金属配線層）７６との間にバリア膜８６が形成されている。即ち、平坦化されたシリコン酸化膜６２上にバリア膜８４及びシリコン酸化膜６５が順次形成され、その上に配線６６が形成されている。また、平坦化されたシリコン酸化膜７０上にバリア膜８６及びシリコン酸化膜７１が順次形成され、その上に配線７６が形成されている。バリア膜８４及び８６は、例えば膜厚が５０ｎｍの酸化アルミニウム膜である。また、シリコン酸化膜６５及び７１の膜厚は、例えば１００ｎｍである。【００８５】
第３の実施形態に係る半導体装置を製造するに当たっては、第１の実施形態と同様にしてシリコン酸化膜６２の平坦化までの一連の処理を行った後、バリア膜８４及びシリコン酸化膜６５を順次形成する。その後、第１の実施形態と同様にして、配線６６の形成からシリコン酸化膜７０の平坦化までの一連の処理を行う。次いで、バリア膜８６及びシリコン酸化膜７１を順次形成する。【００８６】
その後、第１の実施形態と同様にして、配線７６の形成から、パッド開口部の形成までの処理を行い、半導体装置を完成させる。【００８７】
このような第３の実施形態によれば、より多数のバリア膜が形成されているため、より高い水素バリア性を得ることができる。従って、歩留まりをより向上させることができる。【００８８】
なお、バリア膜８４及び８６を、バリア膜５０と同様に、強誘電体キャパシタ４２を取り囲むように形成することも可能である。但し、工程数の増加、より深い溝の必要性及びバリア膜５０による十分な水素バリア性等を考慮すると、バリア膜８４及び８６は平坦な膜とすることが好ましい。【００８９】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。図５は、本発明の第４の実施形態に係る強誘電体メモリ（半導体装置）を示す断面図である。【００９０】
第４の実施形態では、第３の実施形態に対し、配線（第３金属配線層）７６の上方にバリア膜９０が形成されている。即ち、シリコン酸化膜７８上に、平坦化されたシリコン酸化膜８８が形成され、このシリコン酸化膜８８上にバリア膜９０が形成されている。そして、バリア膜９０上にシリコン酸化膜等の絶縁膜９２が形成され、絶縁膜９２上に、第１の実施形態と同様に、シリコン窒化膜８０及びポリイミド膜８２が形成されている。なお、バリア膜９０は、例えば膜厚が５０ｎｍ程度の酸化アルミニウム膜であり、絶縁膜９２の膜厚は、例えば１００ｎｍである。【００９１】
第４の実施形態に係る半導体装置を製造するに当たっては、第３の実施形態と同様にして、シリコン酸化膜７８の形成までの一連の処理を行った後、少なくともシリコン酸化膜７８の窪みが埋まる厚さのシリコン酸化膜８８を形成する。次に、シリコン酸化膜８８の表面を平坦化する。次いで、シリコン酸化膜８８上にバリア膜９０及び絶縁膜９２を順次形成する。平坦化されたシリコン酸化膜８８上にバリア膜９０が形成されるため、バリア膜９０は平坦になる。【００９２】
その後、第３の実施形態と同様にして、シリコン窒化膜９２の形成から、パッド開口部の形成までの処理を行い、半導体装置を完成させる。【００９３】
このような第４の実施形態によれば、最上層の配線７６の上方にも平坦なバリア膜９０が形成されているため、より高い水素バリア性を得ることができる。従って、歩留まりをより向上させることができる。【００９４】
（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態について説明する。第１〜第４の実施形態では、強誘電体キャパシタ４２の構造がプレーナ型とされているが、第５の実施形態には、構造がスタック型の強誘電体キャパシタが設けられている。以下、第５の実施形態について詳細に説明するが、便宜上、その断面構造については、その製造方法と共に説明する。図６Ａ乃至図６Ｇは、本発明の第５の実施形態に係る強誘電体メモリ（半導体装置）の製造方法を工程順に示す断面図である。【００９５】
本実施形態では、先ず、図６Ａに示すように、シリコン基板等の半導体基板３１１の表面にウェル３１２を形成する。次いで、半導体基板３１１の表面に、例えばＳＴＩ（shallow trench
isolation）により素子分離領域３１３を形成する。続いて、ゲート絶縁膜３１４、ゲート電極３１５、キャップ膜３１６、サイドウォール３１７、ソース／ドレイン拡散層３１８及びシリサイド層３１９をウェル３１２の表面に形成することにより、スイッチング素子としてＭＯＳトランジスタ３２０を形成する。このＭＯＳトランジスタ３２０が、図１におけるＭＯＳトランジスタ２に相当する。なお、各ＭＯＳトランジスタ３２０には、ソース及びドレイン用に２個のソース／ドレイン拡散層３１８を形成するが、その一方は、２個のＭＯＳトランジスタ３２０間で共有させる。【００９６】
次に、全面にシリコン酸窒化膜３２１（厚さ：２００ｎｍ）を、ＭＯＳトランジスタ３２０を覆うようにして形成し、更に全面に層間絶縁膜としてシリコン酸化膜３２２（厚さ：１０００ｎｍ）を形成し、ＣＭＰ（化学機械的研磨）等によりシリコン酸化膜３２２を平坦化する。シリコン酸窒化膜３２１は、シリコン酸化膜３２２を形成する際のゲート絶縁膜３１４等の水素劣化を防止するために形成されている。その後、各シリサイド層３１９まで到達するコンタクトホールをシリコン酸化膜３２２及びシリコン酸窒化膜３２１に形成することにより、プラグコンタクト部を開口する。そして、コンタクトホール内にグルー膜３２３を形成した後、例えばＣＶＤ法によりＷ膜を埋め込み、ＣＭＰを行って平坦化することにより、導体プラグ３２４を形成する。【００９７】
続いて、図６Ｂに示すように、シリコン酸化膜３２２上に、イリジウム膜３２５を、例えばスパッタ法で形成する。このときの条件としては、例えば基板温度を５００℃とし、成膜パワを１ｋＷとし、Ａｒガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、チャンバ内の圧力を０．３５Ｐａとし、成膜時間を１７６秒間とする。この結果、厚さが２５０ｎｍ程度のイリジウム膜３２５が得られる。【００９８】
次に、イリジウム膜３２５上に酸化イリジウム膜３２６を、例えばスパッタ法で形成する。このときの条件としては、例えば、基板温度を５０℃とし、成膜パワを１ｋＷとし、Ａｒガスの流量を６０ｓｃｃｍとし、Ｏ２ガスの流量を６０ｓｃｃｍとし、チャンバ内の圧力を０．３７Ｐａとし、成膜時間を１０秒間とする。この結果、厚さが２８ｎｍ程度の酸化イリジウム膜３２６が得られる。【００９９】
次いで、酸化イリジウム膜３２６上に白金膜３２７を、例えばスパッタ法で形成する。このときの条件としては、例えば、基板温度を３５０℃とし、成膜パワを１ｋＷとし、Ａｒガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、チャンバ内の圧力を０．３８Ｐａとし、成膜時間を８秒間とする。この結果、厚さが１５ｎｍ程度の白金膜３２７が得られる。【０１００】
その後、白金膜３２７上に白金酸化物膜３２８を、例えばスパッタ法で形成する。このときの条件としては、例えば、基板温度を３５０℃とし、成膜パワを１ｋＷとし、Ａｒガスの流量を３６ｓｃｃｍとし、Ｏ２ガスの流量を１４４ｓｃｃｍとし、チャンバ内の圧力を６．２Ｐａとし、成膜時間を２２秒間とする。この結果、厚さが２５ｎｍ程度の白金酸化物膜３２８が形成される。そして、白金酸化物膜３２８上に白金膜３２９を、例えばスパッタ法で形成する。このときの条件としては、例えば基板温度を１００℃とし、成膜パワを１ｋＷとし、Ａｒガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、チャンバ内の圧力を０．４Ｐａとし、成膜時間を３２秒間とする。この結果、厚さが５０ｎｍ程度の白金膜３２９が形成される。【０１０１】
これらのイリジウム膜３２５、酸化イリジウム膜３２６、白金膜３２７、白金酸化物膜３２８及び白金膜３２９からバリアメタル膜及び下部電極膜が構成される。バリアメタル膜及び下部電極膜として、次のような積層体を用いてもよい。例えば、（ａ）Ｉｒ膜上にＴｉ膜が形成された積層体、（ｂ）Ｉｒ膜上に、Ｔｉ膜及びＴｉＡｌＮ膜が順次形成された積層体、（ｃ）Ｐｔ膜上にＴｉ膜が形成された積層体、（ｄ）Ｐｔ膜上にＩｒＯ２膜が形成された積層体、（ｅ）Ｐｔ膜上にＲｕＯ２膜が形成された積層体、（ｆ）Ｐｔ膜上にＬＳＣＯ（（Ｌａ１−ＸＳｒＸ）ＣｕＯ３）膜が形成された積層体、（ｇ）Ｐｔ膜上に、Ｔｉ膜及びＴｉＡｌＮ膜が順次形成された積層体等を用いてもよい。つまり、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｐｄ、ＳｒＲｕＯ３及びＴｉＡｌＮからなる群から選択された少なくとも１種を含む金属又は金属酸化物の、単膜及び積層導電性膜を用いることができる。【０１０２】
上記の積層体を形成した後、例えば７５０℃で、Ａｒ雰囲気中の急速加熱処理（ＲＴＡ）を６０秒間施すことにより、白金膜３２９を結晶化させる。次いで、図６Ｃに示すように、白金膜３２９上に強誘電体膜、例えばＰＬＺＴ（（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）膜３３０を、例えばスパッタ法で形成し、その結晶化アニールを行う。ＰＬＺＴ膜３３０は、例えばＭＯＣＶＤ法により形成することもできるが、ＭＯＣＶＤ法を用いる場合には、下部電極膜の構成を他のものに変更することが望ましい。【０１０３】
結晶化アニールの後、ＰＬＺＴ膜３３０上に上部電極膜３３１をスパッタリングにより形成する。上部電極膜３３１は、例えば互いに組成の異なる２層の酸化イリジウム膜から構成する。１層目の酸化イリジウム膜の形成では、例えば基板温度を室温とし、成膜パワを２ｋＷとし、Ａｒガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、Ｏ２ガスの流量を５９ｓｃｃｍとする。そして、１層目の酸化イリジウム膜は、例えば５０ｎｍ程度とする。１層目の酸化イリジウム膜を形成した後には、アニールを行い、その後、２層目の酸化イリジウム膜を形成する。２層目の酸化イリジウム膜は、例えば７５乃至１２５ｎｍ程度とする。続いて、半導体基板（ウェーハ）３１１の背面（裏面）の洗浄を行う。【０１０４】
そして、上部電極膜３３１上にイリジウム密着膜（マスク密着膜）３３２を、例えばスパッタ法で形成する。このときの条件としては、例えば基板温度を４００℃以上とし、Ａｒガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、成膜パワを１ｋＷとし、成膜時間を７秒間とする。この結果、厚さが１０ｎｍ程度のイリジウム密着膜３３２が形成される。イリジウム密着膜３３２を形成した後、上部電極膜３３１、ＰＬＺＴ膜３３０、白金膜３２９、白金酸化物膜３２８、白金膜３２７、酸化イリジウム膜３２６及びイリジウム膜３２５をパターニングする際にハードマスクとして用いる窒化チタン膜（図示せず）及びＴＥＯＳを用いたシリコン酸化膜（図示せず）を順次形成する。窒化チタン膜は、例えば２００℃で形成し、その厚さは２００ｎｍ程度である。また、シリコン酸化膜は、例えば３９０℃で形成し、その厚さは３９０ｎｍ程度である。【０１０５】
次に、シリコン酸化膜及び窒化チタン膜をパターニングすることにより、スタック型の強誘電体キャパシタを形成する予定の領域のみにハードマスクを形成する。次いで、シリコン酸化膜及び窒化チタン膜をハードマスクとして用いたパターニング及びエッチング技術を用いて、イリジウム密着膜３３２、上部電極膜３３１、ＰＬＺＴ膜３３０、白金膜３２９、白金酸化物膜３２８、白金膜３２７、酸化イリジウム膜３２６及びイリジウム膜３２５を一括して加工することにより、図６Ｄに示すように、スタック構造の強誘電体キャパシタを形成する。この強誘電体キャパシタが、図１における強誘電体キャパシタ１に相当する。その後、ハードマスク（シリコン酸化膜及び窒化チタン膜）を除去する。続いて、酸素雰囲気にて、例えば３００〜５００℃、３０〜１２０分間の熱処理を行う。【０１０６】
次いで、全面に、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により、バリア膜３３５を形成する。バリア膜３３５としては、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により膜厚が２０ｎｍの酸化アルミニウム膜を形成する。続いて、成膜やエッチングプロセス等によるＰＬＺＴ膜３３０へのダメージを回復するために、回復アニールを施す。例えば酸素雰囲気にて、５００℃〜７００℃、３０分間〜１２０分間の熱処理を行う。【０１０７】
次に、全面に、例えばプラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により、例えば膜厚が１５００ｎｍのシリコン酸化物から構成される層間絶縁膜３３６を形成する。層間絶縁膜３３６としてシリコン酸化膜を形成する場合には、原料ガスとして、例えば、ＴＥＯＳガスと酸素ガスとヘリウムガスとの混合ガスを用いる。なお、層間絶縁膜３３６として、例えば、絶縁性を有する無機膜等を形成してもよい。層間絶縁膜３３６の形成後、例えばＣＭＰ法により、層間絶縁膜３３６の表面を平坦化する。【０１０８】
続いて、図６Ｅに示すように、フォトリソグラフィー技術を用い、層間絶縁膜３３６にバリア膜３３５まで到達する溝３３７を形成する。溝３３７の位置は、例えばアレイ状に配置されているすべての強誘電体キャパシタを取り囲むようにしてもよく、また、アレイ状に配置されている強誘電体キャパシタのうちの１又は２以上を取り囲む溝３３７を複数箇所に形成してもよい。【０１０９】
なお、本実施形態では、バリア膜３３５として酸化アルミニウム膜が形成されているため、溝３３７の形成に当たってはバリア膜３３５をエッチングストッパ膜として用いることができる。【０１１０】
そして、本実施形態では、図６Ｅに示すように、溝３３７の形成に続けて溝３３７の側壁を傾斜させる。この加工に当たっては、例えばＡｒガスを用いたエッチングを行う。側壁の傾斜角度は６０°以下とすることが好ましい。【０１１１】
次いで、Ｎ２Ｏガス又はＮ２ガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う。熱処理の結果、層間絶縁膜３３６中の水分が除去されると共に、層間絶縁膜３３６の膜質が変化し、層間絶縁膜３３６中に水分が入りにくくなる。【０１１２】
その後、図６Ｆに示すように、全面に、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により、バリア膜３３８を形成する。バリア膜３３８としては、例えば、膜厚が５０ｎｍ〜１００ｎｍの酸化アルミニウム膜を形成する。強誘電体キャパシタの上方では、平坦化された層間絶縁膜３３６上にバリア膜３３８が形成されるため、バリア膜３３８は平坦となる。また、バリア膜３３８は、溝３３７内にも形成される。この時、溝３３７の側壁が傾斜しているため（例えば６０°以上）、バリア膜３３８は良好なカバレッジでほぼ均一に形成される。【０１１３】
次に、図６Ｇに示すように、全面に、例えばプラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により、層間絶縁膜３３９を形成する。層間絶縁膜３３９としては、例えば膜厚が８００ｎｍ〜１０００ｎｍのシリコン酸化膜を形成する。なお、層間絶縁膜３３９として、ＳｉＯＮ膜又はシリコン窒化膜等を形成してもよい。次に、例えばＣＭＰ法により、層間絶縁膜３３９の表面を平坦化する。【０１１４】
その後、パターニング及びエッチング技術を用いて導体プラグ３２４まで到達するコンタクトホールを層間絶縁膜３３９、バリア膜３３８、層間絶縁膜３３６及びバリア膜３３５に形成する。【０１１５】
その後、第１の実施形態における導体プラグ５６の形成と同様にして、導体プラグ５６及び配線５８を形成する。続いて、第２の実施形態と同様にして、シリコン酸化膜６０の形成から、パッド開口部の形成までの処理を行い、半導体装置を完成させる。なお、強誘電体キャパシタに接続される配線５６はプレート線に接続され、導体プラグ５６を介してＭＯＳトランジスタ３２０に接続される配線はビット線に接続される。【０１１６】
このようなスタック型の強誘電体キャパシタに応用した実施形態においても、第１の実施形態等と同様に、側方から侵入する水素に対して十分なバリア効果を得ることが可能である。従って、歩留まりが向上すると共に、より厳しい条件下での寿命が向上する。【０１１７】
なお、本発明において、バリア膜は、酸化アルミニウム膜及び酸化チタン膜に限定されず、金属酸化膜又は金属窒化膜等の、少なくとも水素又は水の拡散を防止することができる膜であればよい。例えば、Ａｌ窒化膜、Ａｌ酸窒化膜、Ｔａ酸化膜、Ｔａ窒化膜及びＺｒ酸化膜、Ｓｉ酸窒化膜等を用いることができる。但し、金属酸化膜は緻密であるため、比較的薄い場合であっても、水素の拡散を確実に防止することが可能である。従って、微細化の観点からはバリア膜として金属酸化物を用いることが好ましい。【０１１８】
また、強誘電体膜を構成する物質の結晶構造は、ペロブスカイト型構造に限定されるものではなく、例えばＢｉ層状構造であってもよい。また、強誘電体膜を構成する物質の組成も特に限定されるものではない。例えば、アクセプタ元素として、Ｐｂ（鉛）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｂａ（バリウム）、Ｌｉ（リチウム）及び／又はＹ（イットリウム）が含有されていてもよく、ドナー元素として、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｖ（バナジウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、Ｍｎ（マンガン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｂｉ（ビスマス）及び／又はＳｒ（ストロンチウム）が含有されていてもよい。【０１１９】
強誘電体膜を構成する物質の化学式としては、例えば、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｃａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｃａ）（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｃａ）（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｗ）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｗ）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｃａ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｃａ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｗ）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｃａ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ）Ｏ３、ＳｒＢｉ２（ＴａｘＮｂ１−Ｘ）２Ｏ９、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９、Ｂｉ４Ｔｉ２Ｏ１２、Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ９、及びＢａＢｉ２Ｔａ２Ｏ９が挙げられるが、これらに限定されない。また、これらにＳｉが添加されていてもよい。【０１２０】
また、本発明は強誘電体メモリへの適用に限定されるものではなく、例えば、ＤＲＡＭ等に適用されてもよい。ＤＲＡＭに適用される場合には、強誘電体膜の代わりに、例えば、（ＢａＳｒ）ＴｉＯ３膜（ＢＳＴ膜）、ＳｒＴｉＯ３膜（ＳＴＯ膜）、Ｔａ２Ｏ５膜等の高誘電体膜を用いればよい。なお、高誘電体膜とは、比誘電率が二酸化シリコンより高い誘電体膜のことである。【０１２１】
また、上部電極及び下部電極の組成も特に限定されない。下部電極は、例えば、Ｐｔ（プラチナ）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｒｅ（レニウム）、Ｏｓ（オスミウム）及び／又はＰｄ（パラジウム）から構成されていてもよく、これらの酸化物から構成されていてもよい。上部電極は、例えば、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓ及び／又はＰｄの酸化物から構成されていてもよい。また、上部電極は、複数の膜が積層されて構成されていてもよい。【０１２２】
更に、強誘電体メモリのセルの構造は、１Ｔ１Ｃ型に限定されるものでなく、２Ｔ２Ｃ型であってもよい。また、強誘電体メモリにおいては、強誘電体キャパシタ自体が、記憶部及びスイッチング部を兼用する構成となっていてもよい。この場合、ＭＯＳトランジスタのゲート電極の代わりに強誘電体キャパシタが形成されたような構造となる。即ち、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して強誘電体キャパシタが形成される。【０１２３】
また、強誘電体膜の形成方法は特に限定されない。例えば、ゾル−ゲル法、有機金属分解（ＭＯＤ）法、ＣＳＤ（Chemical Solution Deposition）法、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法、エピタキシャル成長法、スパッタ法、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法等を採用することができる。【０１２４】
なお、特許文献２（特開２００３−１１５５４５号公報）には、キャパシタを酸化タンタル膜等で覆った後に、酸化アルミニウム膜で更に覆うことが記載されている。しかしながら、このような構造を採用しても、側方から侵入する水素に対するバリア性能を十分に確保することは困難である。【０１２５】
また、特許文献３（特開２００１−２１０７９８号公報）には、窒化シリコン膜及び酸化アルミニウム膜からなる積層体によりキャパシタを直接覆うことが開示されている。しかしながら、このような構造を採用しても、側方から侵入する水素に対するバリア性能を十分に確保することは困難である。【０１２６】
また、特許文献４（特開２００３−１７４１４５号公報）には、ワード線が延びる方向と平行な方向に並ぶ複数の強誘電体キャパシタの間で上部電極を共有させ、これらの強誘電体キャパシタを直接覆う水素バリア膜を設け、これらの強誘電体キャパシタ間にも水素バリア膜を設け、ビット線が延びる方向と平行な方向に並ぶ複数の強誘電体キャパシタ間に隙間を設けることが記載されている。しかしながら、側方から侵入する水素に対するバリア性能を十分に確保することは困難である。特に、アレイ状に配列された強誘電体キャパシタのうちで最も外側に位置するものにおいて、劣化が生じやすい。更に、装置内部に隙間を設ける必要があるため、工程が複雑になると共に、十分な強度及び特性が低下する虞がある。更に、下部電極間に存在する水素バリア膜の影響で、強誘電体膜の結晶性が低下したり、強誘電体膜が剥がれやすくなったりする。
【産業上の利用可能性】
【０１２７】
以上詳述したように、本発明によれば、強誘電体キャパシタに対する側方からの水素等の侵入をも防止することができる。このため、歩留まりを向上させることが可能である。また、寿命を延ばすことも可能である。更に、使用温度範囲を拡大することも可能である。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図２Ｈ】
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【図２Ｉ】
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【図２Ｊ】
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【図２Ｋ】
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【図２Ｌ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2006134664.tif 000017
【図６Ａ】
2006134664.tif 000018
【図６Ｂ】
2006134664.tif 000019
【図６Ｃ】
2006134664.tif 000020
【図６Ｄ】
2006134664.tif 000021
【図６Ｅ】
2006134664.tif 000022
【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【手続補正書】
【提出日】平成19年12月22日(2007.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上方に形成された複数個の強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタを直接覆い、水素又は水の拡散を防止する第１のバリア膜と、
前記第１のバリア膜上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記強誘電体キャパシタに接続された配線と、
を有し、
前記層間絶縁膜は、前記複数個の強誘電体キャパシタのうちの少なくとも１個を上方及び側方から覆い、水素又は水の拡散を防止する１又は２以上の第２のバリア膜を含み、
前記１又は２以上の第２のバリア膜が、前記複数個の強誘電体キャパシタを共通に覆うことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２のバリア膜は、前記複数個の強誘電体キャパシタの間に位置する傾斜部を有し、
前記傾斜部と前記半導体基板の表面とがなす角度は、６０°以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２のバリア膜は、前記強誘電体キャパシタの上方に位置する平坦部を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記配線は、複数の配線層にわたって形成され、
前記配線層間の１又は２以上の高さ位置に形成され、水素又は水の拡散を防止する第３のバリア膜を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板の上方に強誘電体キャパシタを形成する工程と、
前記強誘電体キャパシタを直接覆い、水素又は水の拡散を防止する第１のバリア膜を形成する工程と、
前記第１のバリア膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に、前記強誘電体キャパシタに接続される配線を形成する工程と、
を有し、
前記層間絶縁膜を形成する工程は、前記複数個の強誘電体キャパシタのうちの少なくとも１個を上方及び側方から覆い、水素又は水の拡散を防止する１又は２以上の第２のバリア膜を形成することにより、前記１又は２以上の第２のバリア膜に、前記複数個の強誘電体キャパシタを共通に覆わせる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記層間絶縁膜を形成する工程は、
前記第１のバリア膜上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜を平坦化する工程と、
前記第１の絶縁膜に１又は２以上の溝を、当該１又は２以上の溝により前記複数個の強誘電体キャパシタのすべてが取り囲まれるように形成する工程と、
前記絶縁膜上及び前記溝の内部に前記第２のバリア膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記溝の側面と前記半導体基板の表面とがなす角度を６０°以下とすることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記溝を形成する工程と前記第２のバリア膜を形成する工程との間に、熱処理を施す工程を有することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記熱処理を、少なくともＮ2Ｏを用いて発生させたプラズマ雰囲気中で行うことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記配線を、複数の配線層にわたって形成し、
前記配線層間の１又は２以上の高さ位置に、水素又は水の拡散を防止する第３のバリア膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【国際調査報告】
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