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【手続補正書】
【提出日】平成30年12月14日(2018.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の遊技を行う遊技機であって、
日付情報および時刻情報を含む日時情報を記憶可能な手段であって、電断発生時を特定可能な日時情報と復電時を特定可能な日時情報を記憶可能な日時情報記憶手段と、
所定情報を記憶する所定情報記憶手段と、
前記日時情報に基づき、前記所定情報記憶手段に記憶された前記所定情報のうちの特定情報を初期化する初期化条件が成立するか否かを判定する判定手段とを備え、
前記判定手段は、
前記日付情報に基づき前記初期化条件が成立するか否かを判定する第１判定手段と、
前記第１判定手段による判定で前記初期化条件が成立しないときに、前記時刻情報に基づき前記初期化条件が成立するか否かを判定する第２判定手段と、
前記第１判定手段による判定で前記初期化条件が成立しないときに、該初期化条件が成立しない理由が第１理由と第２理由のいずれであるかを判定する第３判定手段と、を含み、
前記第２判定手段は、前記初期化条件が成立しない理由が前記第１理由と前記第２理由のいずれであるかに応じて前記時刻情報に基づく判定の判定基準を異ならせる、遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）  所定の遊技を行う遊技機（たとえば、スロットマシン１、パチンコ遊技機２０１）であって、
日付情報および時刻情報を含む日時情報を記憶可能な手段であって、電断発生時を特定可能な日時情報と復電時を特定可能な日時情報を記憶可能な日時情報記憶手段（たとえば、ＲＡＭ９１ｃ）と、
所定情報（たとえば、消化ゲーム数、エラー履歴情報などの情報）を記憶する所定情報記憶手段（たとえば、ＲＡＭ９１ｃ）と、
前記日時情報に基づき、前記所定情報記憶手段に記憶された前記所定情報のうちの特定情報（たとえば、消化ゲーム数、エラー履歴情報）を初期化する初期化条件（たとえば、図２２（ａ）の初期化条件、図３０の初期化条件）が成立するか否かを判定する判定手段（たとえば、図２１のＳｔ８，Ｓｔ１０，Ｓｔ１１，Ｓｔ１２，Ｓｔ１３を実行する処理、図２１のＳｔ８，Ｓｔ１０，Ｓｔ１１，Ｓｔ１２ａ，Ｓｔ１３ａを実行する処理）とを備え、
前記判定手段は、
前記日付情報に基づき前記初期化条件が成立するか否かを判定する第１判定手段（たとえば、図２１のＳｔ８を実行する処理、図２９のＳｔ８ａを実行する処理）と、
前記第１判定手段による判定で前記初期化条件が成立しないときに、前記時刻情報に基づき前記初期化条件が成立するか否かを判定する第２判定手段（たとえば、図２１のＳｔ１１，Ｓｔ１２，Ｓｔ１３を実行する処理、図２９のＳｔ１１ａ，Ｓｔ１２ａ，Ｓｔ１３ａを実行する処理）と、
前記第１判定手段による判定で前記初期化条件が成立しないときに、該初期化条件が成立しない理由が第１理由（復電日−電断日＝１日）と第２理由（復電日＝電断日）のいずれであるかを判定する第３判定手段と、を含み、
前記第２判定手段は、前記初期化条件が成立しない理由が前記第１理由と前記第２理由のいずれであるかに応じて、前記時刻情報に基づく判定の判定基準を異ならせる（たとえば、図２２（ａ）および図３０に示すように、復電日−電断日＝１日の場合には初期化条件２，３，２ａ，３ａの成否を判定し、復電日＝電断日の場合には初期化条件４，４ａの成否を判定する）。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月30日(2019.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者にとって有利な有利状態に制御可能な遊技機であって、
遊技者が操作可能な操作手段と、
所定期間内における前記操作手段の操作に基づく受付可能回数を決定する回数決定手段と、
前記回数決定手段によって決定された前記受付可能回数の範囲で前記操作手段が操作されたことに基づいて、特定演出を実行する特定演出実行手段と、を備え、
前記回数決定手段は、前記特定演出と異なる前記所定期間内において実行される演出態様に応じて、いずれの前記受付可能回数に決定するかの決定割合を異ならせ、
前記特定演出実行手段は、
前記操作手段が操作されるタイミングに応じて前記特定演出を実行するか否かの割合を異ならせ、
前記受付可能回数の残り回数が所定回数である場合は、前記所定回数でない場合と比較して高い割合で前記特定演出を実行する、遊技機。
【請求項２】
前記操作手段の操作を遊技者に促す演出および前記操作手段が操作された場合に実行する演出を含む操作演出を実行する操作演出実行手段をさらに備え、
前記特定演出実行手段は、前記操作演出に対応する操作に対しても前記受付可能回数を減算し、
前記回数決定手段は、前記操作演出が実行される場合には、前記操作演出が実行されない場合よりも多い受付可能回数を決定する、請求項１に記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（１）  遊技者にとって有利な有利状態（たとえば、大当り遊技状態）に制御可能な遊技機（たとえば、パチンコ遊技機１、スロットマシン）であって、
遊技者が操作可能な操作手段（たとえば、スティックコントローラ３１Ａ、トリガボタン、プッシュボタン３１Ｂ）と、
所定期間（たとえば、１回の変動期間）内における前記操作手段による操作に基づく受付可能回数（たとえば、１０，１５，２０，２５回のいずれか。他の回数、たとえば、５回〜９９回のいずれかであってもよい。）を決定する回数決定手段（たとえば、演出制御用ＣＰＵ１２０、図１６のステップＳ５４５、図１８の一発告知演出決定テーブル参照）と、
前記回数決定手段によって決定された前記受付可能回数の範囲で前記操作手段が操作されたことに基づいて、特定演出（たとえば、一発告知演出。大当りとすることが決定されている場合に実行される演出のみを含むことに限定されず、はずれとすることが決定されている場合に実行される演出を含むようにしてもよい。）を実行する特定演出実行手段（たとえば、演出制御用ＣＰＵ１２０、図２１のステップＳ７４４）と、を備え、
前記回数決定手段は、前記特定演出と異なる前記所定期間内において実行される演出態様（たとえば、リーチ態様、予告態様）に応じて、いずれの前記受付可能回数に決定するかの決定割合を異ならせ（たとえば、図１８の一発告知演出決定テーブルにおいて、操作予告演出の実行が有る場合および無い場合、ならびに、リーチとする場合および非リーチとする場合、ならびに、第１特別図柄の変動表示が実行される場合および第２特別図柄の変動表示が実行される場合、ならびに、大当りとする場合およびはずれとする場合で、操作可能回数の決定確率が異なる。）、
前記特定演出実行手段は、
前記操作手段が操作されるタイミング（たとえば、操作可能回数の残り回数が所定回数のタイミング。リーチ後のタイミングなど操作可能回数に関連しないタイミングであってもよい。）に応じて前記特定演出を実行するか否かの割合を異ならせ（たとえば、図２１の一発告知演出実行テーブルで示されるように、残りの操作可能回数が０回，７回のときはその他の回数であるときよりも一発告知演出の実行確率が高い。）、
前記受付可能回数の残り回数が所定回数（たとえば、０回，７回）である場合は、前記所定回数でない場合と比較して高い割合で前記特定演出を実行する（たとえば、図２１の一発告知演出実行テーブルで示されるように、残りの操作可能回数が０回，７回のときはその他の回数であるときよりも一発告知演出の実行確率が高い。）。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月9日(2018.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
麻雀牌が自動で掻き混ぜられ、卓表面にツモ牌の山が整列される機能と、各席の点棒箱内の点棒に基づいて各席の点数を検出する点数検出部と、を備えた自動麻雀卓を用いて行われる局履歴情報の取得方法であって、
ｎ（ｎは２以上の整数）番目の局を開始するために必要な操作部の操作時に発せられる信号をタイミング信号として、各席に対応する点数検出部により検出された（ｎ−１）番目の局の終了時の点数を読み出し、
ａ．（ｎ−１）番目の局の終了時の点数と、
ｂ．ｎが３以上のときは（ｎ−２）番目の局の終了時の点数と、ｎが２のときは配給原点と、
の比較結果に基づいて、局毎に、アガリをしたプレーヤーの席と、アガリのツモ、ロンの判別と、ロンの場合には振り込んだプレーヤーの席と、を検出し、検出結果を含む局履歴情報を記憶部に書き込むことを特徴とする麻雀の局履歴情報の取得方法。
【請求項２】
前記比較結果と、いずれの席のプレーヤーが親であるかを知らせるための親教示部により教示された教示結果と、に基づいて、局と、アガリをしたプレーヤーの席と、アガリのツモ、ロンの判別と、ロンの場合には振り込んだプレーヤーの席と、を対応付けた情報を含む局履歴情報を前記記憶部に書き込むことを特徴とする請求項１に記載の麻雀の局履歴情報の取得方法。
【請求項３】
前記局履歴情報は、各局ごとにプレーヤーのアガリであるか流局であるかの区別をするための情報が含まれていることを特徴とする請求項１または２に記載の麻雀の局履歴情報の取得方法。
【請求項４】
麻雀牌が自動で掻き混ぜられ、卓表面にツモ牌の山が整列される機能と、各席の点棒箱内の点棒に基づいて各席の点数を検出する点数検出部と、を備えた自動麻雀卓に用いられるデータ処理装置であって、
ｎ（ｎは２以上の整数）番目の局を開始するために必要な操作部の操作時に発せられる信号をタイミング信号として、各席に対応する点数検出部により検出された（ｎ−１）番目の局の終了時の点数を読み出し、
ａ．（ｎ−１）番目の局の終了時の点数と、
ｂ．ｎが３以上のときは（ｎ−２）番目の局の終了時の点数と、ｎが２のときは配給原点と、
の比較結果に基づいて、局毎に、アガリをしたプレーヤーの席と、アガリのツモ、ロンの判別と、ロンの場合には振り込んだプレーヤーの席と、を検出し、検出結果を含む局履歴情報を記憶部に書き込むように構成されたことを特徴とするデータ処理装置。
【請求項５】
（１）麻雀牌が自動で掻き混ぜられ、卓表面にツモ牌の山が整列される機能と、各席の点棒箱内の点棒に基づいて各席の点数を検出する点数検出部とを備えた自動麻雀卓本体と、
（２）記憶部と、
（３）ｎ（ｎは２以上の整数）番目の局を開始するために必要な操作部の操作時に発せられる信号をタイミング信号として、各席に対応する点数検出部により検出された（ｎ−１）番目の局の終了時の点数を読み出し、
ａ．（ｎ−１）番目の局の終了時の点数と、
ｂ．ｎが３以上のときは（ｎ−２）番目の局の終了時の点数と、ｎが２のときは配給原点と、
の比較結果に基づいて、局毎に、アガリをしたプレーヤーの席と、アガリのツモ、ロンの判別と、ロンの場合には振り込んだプレーヤーの席と、を検出し、検出結果を含む局履歴情報を前記記憶部に書き込むデータ処理部と、
を備えたことを特徴とする麻雀システム。
【請求項６】
前記比較結果と、いずれの席のプレーヤーが親であるかを知らせるための親教示部により教示された教示結果と、に基づいて、局と、アガリをしたプレーヤーの席と、アガリのツモ、ロンの判別と、ロンの場合には振り込んだプレーヤーの席と、を対応付けた情報を含む局履歴情報を前記記憶部に書き込むことを特徴とする請求項５に記載の麻雀システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】麻雀の局履歴情報の取得方法、データ処理装置及び麻雀システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、麻雀牌が自動で掻き混ぜられ、卓表面にツモ牌の山が整列される機能と、各席の点棒箱内の点棒に基づいて各席の点数を検出する点数検出部と、を備えた自動麻雀卓を用いて行われる局履歴情報の取得方法であって、
ｎ（ｎは２以上の整数）番目の局を開始するために必要な操作部の操作時に発せられる信号をタイミング信号として、各席に対応する点数検出部により検出された（ｎ−１）番目の局の終了時の点数を読み出し、
ａ．（ｎ−１）番目の局の終了時の点数と、
ｂ．ｎが３以上のときは（ｎ−２）番目の局の終了時の点数と、ｎが２のときは配給原点と、
の比較結果に基づいて、局毎に、アガリをしたプレーヤーの席と、アガリのツモ、ロンの判別と、ロンの場合には振り込んだプレーヤーの席と、を検出し、検出結果を含む局履歴情報を記憶部に書き込むことを特徴とする。
他の発明は、麻雀牌が自動で掻き混ぜられ、卓表面にツモ牌の山が整列される機能と、各席の点棒箱内の点棒に基づいて各席の点数を検出する点数検出部と、を備えた自動麻雀卓に用いられるデータ処理装置であって、
ｎ（ｎは２以上の整数）番目の局を開始するために必要な操作部の操作時に発せられる信号をタイミング信号として、各席に対応する点数検出部により検出された（ｎ−１）番目の局の終了時の点数を読み出し、
ａ．（ｎ−１）番目の局の終了時の点数と、
ｂ．ｎが３以上のときは（ｎ−２）番目の局の終了時の点数と、ｎが２のときは配給原点と、
の比較結果に基づいて、局毎に、アガリをしたプレーヤーの席と、アガリのツモ、ロンの判別と、ロンの場合には振り込んだプレーヤーの席と、を検出し、検出結果を含む局履歴情報を記憶部に書き込むように構成されたことを特徴とする。
更に他の発明は、麻雀システムであって、
（１）麻雀牌が自動で掻き混ぜられ、卓表面にツモ牌の山が整列される機能と、各席の点棒箱内の点棒に基づいて各席の点数を検出する点数検出部とを備えた自動麻雀卓本体と、
（２）記憶部と、
（３）ｎ（ｎは２以上の整数）番目の局を開始するために必要な操作部の操作時に発せられる信号をタイミング信号として、各席に対応する点数検出部により検出された（ｎ−１）番目の局の終了時の点数を読み出し、
ａ．（ｎ−１）番目の局の終了時の点数と、
ｂ．ｎが３以上のときは（ｎ−２）番目の局の終了時の点数と、ｎが２のときは配給原点と、
の比較結果に基づいて、局毎に、アガリをしたプレーヤーの席と、アガリのツモ、ロンの判別と、ロンの場合には振り込んだプレーヤーの席と、を検出し、検出結果を含む局履歴情報を前記記憶部に書き込むデータ処理部と、
を備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月17日(2019.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞培養物中で増殖したノンエンベロープ又はシュードエンベロープウイルスを精製する方法であって、ノンエンベロープ又はシュードエンベロープウイルスを含む試料を界面活性剤で処理する工程を含み、界面活性剤が0.5％でのトリトンX-100、及び0.5％でのトリトンX-100と0.1％でのドデシル硫酸リチウムとの混合物からなる群から選択される、方法。
【請求項２】
細胞培養物中で増殖したウイルスがE型肝炎ウイルス(HEV)である、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
細胞培養物中で増殖したウイルスがA型肝炎ウイルス(HAV)又はブタパルボウイルス(PPV)のいずれかである、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
ウイルスがインビトロ細胞培養物中で生成する、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
インビトロ細胞培養物が樹立された細胞株を含む、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
樹立された細胞株がHepG2(ATCC番号HB-8065)及びHepG2/C3A(ATCC番号CRL-10741)からなる群から選択される、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
処理する工程を1時間で実施する、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
試料が清澄化したウイルス感染細胞溶解物懸濁液の超遠心分離から得られた上清である、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
試料が清澄化したウイルス感染細胞溶解物懸濁液のトランスフロー濾過に由来する保持液である、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
試料中のノンエンベロープ又はシュードエンベロープウイルスのレベルを測定する方法であって、試料が哺乳動物由来の血漿又は血液を含み、
a)細胞株及び培養培地を含む混合物に試料を提供する工程;
b)試料中に存在する場合は、ノンエンベロープ又はシュードエンベロープウイルスを増殖させるためにインキュベートして、インキュベートした部分を得る工程;
c)少なくとも1種の界面活性剤で処理して、処理した部分を得る工程であって、界面活性剤が0.5％でのトリトンX-100、及び0.5％でのトリトンX-100と0.1％でのドデシル硫酸リチウムとの混合物からなる群から選択される、工程;
d)処理した部分の一部を収集して、収集した部分を得る工程;並びに
e)収集した部分中のノンエンベロープ又はシュードエンベロープウイルスのレベルを測定する工程
を含む方法。
【請求項１１】
ノンエンベロープ又はシュードエンベロープウイルスがHEVである、請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
ノンエンベロープ又はシュードエンベロープウイルスがHAV又はPPVのいずれかである、請求項10に記載の方法。
【請求項１３】
ウイルスが樹立された細胞株を含むインビトロ細胞培養物中で増殖する、請求項10に記載の方法。
【請求項１４】
細胞株がHepG2(ATCC番号HB-8065)及びHepG2/C3A(ATCC番号CRL-10741)からなる群から選択される、請求項10に記載の方法。
【請求項１５】
試料がインキュベートした部分の一部を膜でトランスフロー濾過することによって得られた第1の保持液を含む、請求項10に記載の方法。
【請求項１６】
試料が、第1の保持液を得るためにインキュベートした部分の一部を膜でトランスフロー濾過し、第1の保持液を遠心分離することによって得られた第1の上清を含む、請求項10に記載の方法。
【請求項１７】
試料を少なくとも1種の界面活性剤又は界面活性剤の混合物で処理して第1の溶液を得る、請求項10に記載の方法。
【請求項１８】
更に、
a)第1の溶液を遠心分離することによって得られた第1のペレットを提供する工程;
b)第1のペレットをPBSに再懸濁することによって得られた第2の溶液を提供する工程;
c)第2の溶液を清澄化することによって得られた第3の溶液を提供する工程;
d)膜を使用して第3の溶液を濾過することによって得られた第1の濾液を提供する工程;及び
e)第1の濾液を限外濾過することによって得られた第2の保持液を提供する工程であって、第2の保持液が処理した部分を含む工程
を含む、請求項17に記載の方法。
【請求項１９】
ノンエンベロープ又はシュードエンベロープウイルスのレベルを測定する工程が生物学的物質を検出する工程を含む、請求項10に記載の方法。
【請求項２０】
生物学的物質が、ウイルスのポリヌクレオチド配列及び/又はポリペプチド配列を含む、請求項19に記載の方法。
【請求項２１】
生物学的物質がHEVリボ核酸である、請求項20に記載の方法。
【請求項２２】
生物学的物質を測定する工程が、
a)処理した部分の一部と溶解溶液を混合することによって得られたHEVリボ核酸を含む第1の反応混合物を提供する工程;
b)第1の試薬を第1の反応混合物に添加することによって得られた第2の反応混合物を提供する工程であって、第2の反応混合物がHEVリボ核酸と相補的であるデオキシリボ核酸を含む工程;
c)第2の反応混合物に、デオキシリボ核酸内の配列に少なくとも部分的に相補的である第2の試薬を添加する工程;
d)第2の反応混合物に、デオキシリボ核酸内の配列に少なくとも部分的に相補的である第3の試薬を添加する工程;
e)デオキシリボ核酸内の第2及び第3の試薬によって包含される配列を増幅する工程;並びに
f)増幅した配列の濃度を測定する工程
を含む、請求項21に記載の方法。
【請求項２３】
第2の試薬及び第3の試薬が、
a)5'-CGGCTATCGGCCAGAAGTT-3'(配列番号1)、
b)5'-CCGTGGCTATAACTGTGGTCT-3'(配列番号2)、及び
c)5'-FAM-TTTTTACGC-ZEN-AGGCTGCCAAGGCC-3IABkFQ-3'(配列番号3)
からなる群から選択されるオリゴヌクレオチド配列を含む、請求項22に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月5日(2019.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極が設けられる電極面、前記電極面に対向し、発光層が設けられる発光面、および、前記電極面と前記発光面との周端縁を連結する連結面を有する複数の光半導体素子の前記電極面を、仮固定シートに互いに間隔を隔てて仮固定する工程と、
シートを、互いに隣接する前記光半導体素子の第１隙間に充填し且つ前記複数の光半導体素子の前記発光面及び前記連結面を覆うように、前記複数の光半導体素子に形成する工程と、
前記複数の光半導体素子の前記発光面に付着する光反射層を除去する工程と、
互いに隣接する前記光半導体素子の間において、前記光反射層を切断する工程と
を備えることを特徴とする、光反射層付光半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記シートは、前記シートの厚み方向に投影したときに前記複数の光半導体素子を含むように、前記厚み方向に対する直交方向に連続する形状を有していることを特徴とする、請求項１に記載の光反射層付光半導体素子の製造方法。
【請求項３】
電極が設けられる電極面、前記電極面に対向し、発光層が設けられる発光面、および、前記電極面と前記発光面との周端縁を連結する連結面を有する複数の光半導体素子の前記電極面を、仮固定シートに互いに間隔を隔てて仮固定する工程と、
蛍光体層を、互いに隣接する前記光半導体素子の間に第２隙間が形成されるように、前記複数の光半導体素子の前記発光面に形成する工程と、
光反射シートを前記第２隙間に充填して、光反射層を、前記第２隙間に面する前記蛍光体層の側面に形成する工程と、
前記蛍光体層の表面に付着する前記光反射層を除去する工程と、
互いに隣接する前記蛍光体層の間において、前記光反射層を切断する工程と
を備えることを特徴とする、光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記蛍光体層を形成する工程では、前記複数の光半導体素子の前記連結面にも形成することを特徴とする、請求項３に記載の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記蛍光体層を形成する工程は、
厚み方向に投影したときに前記複数の光半導体素子を含むように、前記厚み方向に対する直交方向に連続する形状を有する蛍光体シートを、互いに隣接する前記光半導体素子の第１隙間に充填する工程と、
互いに隣接する前記光半導体素子の間において、前記蛍光体層を、前記第２隙間が形成されるように、切断する工程と
を備えることを特徴とする、請求項３または４に記載の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記蛍光体層を形成する工程では、厚み方向に投影したときに前記複数の光半導体素子の前記発光面に対応するパターンを有する蛍光体シートを、前記複数の光半導体素子の前記発光面に配置し、
前記光反射層を形成する工程では、前記複数の光半導体素子の前記連結面に形成することを特徴とする、請求項３または４に記載の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記光反射シートは、前記光反射シートの厚み方向に投影したときに前記複数の光半導体素子を含むように、前記厚み方向に対する直交方向に連続する形状を有していることを特徴とする、請求項３〜６のいずれか一項に記載の光反射層および蛍光体層付光半導体素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月28日(2018.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを有し、
前記トランジスタは、チャネルの上方にあるゲート電極と、前記ゲート電極の側面を被覆するゲート絶縁層と、を有する半導体装置。
【請求項２】
トランジスタと、溝部が設けられた絶縁層と、を有し、
前記トランジスタは、前記溝部の内壁に沿って形成されたゲート絶縁層と、前記溝部の内側において前記ゲート絶縁層に接するゲート電極と、をチャネルの上方に有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記トランジスタは、金属、合金又は金属化合物を含む、ソース電極及びドレイン電極を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に前記トランジスタのチャネルが形成される半導体装置。
【請求項４】
トランジスタを有し、
前記トランジスタは、半導体層と、前記半導体層の上方にあるゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート電極に沿って前記ソース電極及び前記ドレイン電極よりも上側に延伸しているゲート絶縁層と、を有する半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、金属、合金又は金属化合物を含み、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に前記トランジスタのチャネルが形成される半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記トランジスタのチャネル長方向の断面視において、
前記ゲート電極の側面は、変曲点を少なくとも一つ以上有する半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記トランジスタのチャネル長方向の断面視において、
前記ゲート電極の側面は、２つ以上のテーパー角を有する半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記ゲート電極の上面は研磨面である半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記ゲート電極は、第１の層と第２の層とを有し、
前記第２の層の底面及び側面は、前記第１の層に被覆されている半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記ゲート電極は、ＴｉＮを含む層とＷを含む層とを有し、
前記Ｗを含む層の底面及び側面は、前記ＴｉＮを含む層に被覆されている半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれ一項において、
前記トランジスタは、チャネルに酸化物半導体を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月29日(2019.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の絶縁膜を成膜し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を成膜し、
前記第１の絶縁膜の一部および前記第２の絶縁膜の一部を除去することにより第１の開口部を形成し、
前記第１の開口部内および前記第２の絶縁膜の上面に第１の導電体を形成し、
前記第１の導電体の表面を平坦化して前記第１の導電体の一部を除去することにより、前記第１の開口部内に第２の導電体を形成し、
前記第２の絶縁膜上および前記第２の導電体上に第３の絶縁膜を成膜し、
前記第２の絶縁膜の一部と前記第３の絶縁膜の一部を除去することにより、前記第２の導電体の上面の一部と、前記第２の導電体の側面の一部とを露出させるように第２の開口部を形成し、
前記第２の導電体に接するように、前記第３の絶縁膜の上面および第２の開口部内へ第３の導電体を形成し、
前記第３の導電体の表面を平坦化して前記第３の導電体の一部を除去することにより、前記第２の開口部内に第４の導電体を形成する装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に第１の絶縁膜を成膜し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を成膜し、
前記第１の絶縁膜の一部および前記第２の絶縁膜の一部を除去することにより第１の開口部を形成し、
前記第１の開口部内および前記第２の絶縁膜の上面に第１の導電体を形成し、
化学機械研磨法を用いて、前記第１の導電体の一部を除去することにより、前記第１の開口部内に第２の導電体を形成し、
前記第２の絶縁膜上および前記第２の導電体上に第３の絶縁膜を成膜し、
前記第２の絶縁膜の一部と前記第３の絶縁膜の一部を除去することにより、前記第２の導電体の上面の一部と、前記第２の導電体の側面の一部とを露出させるように第２の開口部を形成し、
前記第２の導電体に接するように、前記第３の絶縁膜の上面および第２の開口部内へ第３の導電体を形成し、
化学機械研磨法を用いて、前記第３の導電体の一部を除去することにより、前記第２の開口部内に第４の導電体を形成する装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第４の導電体上に素子を形成し、
前記素子は、酸化物半導体を有する装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜は、アルミニウムを有し、
前記第２の絶縁膜は、シリコンを有する装置の作製方法。
【請求項５】
第１の導電体と、第２の導電体と、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜の上面に接する領域と、前記第２の導電体の側面に接する領域と、を有し、
前記第２の導電体は、第１の厚さを有する第１の領域と、前記第１の厚さより大きい第２の厚さを有する第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第１の導電体の上面に接し、
前記第２の領域は、前記第１の絶縁膜の上面に接する装置。
【請求項６】
第１の導電体と、第２の導電体と、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜の上面に接する領域を有し、
前記第２の導電体は、前記第１の導電体上に位置する領域を有し、
前記第１の導電体の上面のうち、最も高い領域の高さは、前記第２の絶縁膜の上面のうち、最も高い領域の高さよりも高く、
前記第２の導電体の底面のうち、最も低い領域の高さは、前記第２の絶縁膜の上面のうち、最も高い領域の高さよりも低い装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、
酸化物半導体を有し、
前記第２の導電体の上に積層された前記酸化物半導体を有する装置。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜は、アルミニウムを有し、
前記第２の絶縁膜は、シリコンを有する装置。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれか一の装置が搭載された電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月5日(2019.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力半導体スイッチをオンに切り替える制御回路であって、
前記電力半導体スイッチのスイッチオン挙動を特徴付ける信号を受信するように構成された入力、
前記電力半導体スイッチのスイッチオン挙動を特徴付ける前記信号に基づいて、前記電力半導体スイッチのスイッチオン動作の過程で２つ以上の相を検出することと、前記電力半導体スイッチが前記２つ以上の相のいずれを現在通っているかを示す相検出信号を生成することとを行うように構成された相検出回路、及び
前記電力半導体スイッチをスイッチオンするため、前記相検出信号に応答して、前記電力半導体スイッチの制御入力に可変電流強度で電流を供給するように構成された可変電流源、
を備え、
前記制御回路が、前記電力半導体スイッチの前記スイッチオン挙動を特徴付ける前記信号に応答して、閉制御ループ内で前記可変電流源を制御するように構成されている、
電力半導体スイッチをオンに切り替える制御回路。
【請求項２】
前記電力半導体スイッチのスイッチオン挙動を特徴付ける前記信号が、前記電力半導体スイッチの前記制御入力に現れる制御入力電圧である、
請求項１の制御回路。
【請求項３】
前記相検出回路が、前記電力半導体スイッチのスイッチオン挙動を特徴付ける前記信号の特徴に基づいて、スイッチオン動作の前記過程で前記２つ以上の相を識別する、
請求項１または請求項２の制御回路。
【請求項４】
前記相検出回路が、１つまたは複数の比較器を含み、
前記１つまたは前記複数の比較器の各々が、前記電力半導体スイッチのスイッチオン挙動を特徴付ける前記信号と１つ以上の基準信号の１つとを比較するように構成され、及び、
前記電力半導体スイッチのスイッチオン挙動を特徴付ける前記信号がそれぞれの基準信号を上回ると、前記相検出回路が、前記電力半導体スイッチのスイッチオン動作の前記過程で、１つまたは複数の前記相の間の遷移を検出する、
請求項１から請求項３のいずれか一項の制御回路。
【請求項５】
前記相検出回路が、前記電力半導体スイッチのスイッチオン挙動を特徴付ける前記信号におけるピークの時点を識別するように構成されたピークタイミング検出回路を備え、及び、
前記相検出回路が、前記電力半導体スイッチの前記スイッチオン挙動を特徴付ける前記信号が前記ピークに達すると、２相間の遷移を検出するように構成されている、
請求項２から請求項４のいずれか一項の制御回路。
【請求項６】
前記相検出回路が、前記電力半導体スイッチの前記スイッチオン動作の前記過程で、少なくとも４つの相を検出するように構成されている、
請求項１から請求項４のいずれか一項の制御回路。
【請求項７】
前記可変電流源が、複数の並列駆動段を備える、
請求項１から請求項６のいずれか一項の制御回路。
【請求項８】
前記複数の駆動段の各々が、特定の倍数で所定の入力電流を増幅するように構成されている、
請求項７の制御回路。
【請求項９】
前記制御回路が、より高い電圧レベルをとる領域と、より低い電圧レベルをとる領域とを備え、及び、
前記入力電流が、前記より低い電圧レベルをとる領域における電流源により供給され、及び、
前記所定の入力電流が、前記より高い電圧レベルをとる領域内に、追加的なレベルシフタを使用せずに供給される、
請求項１から請求項８のいずれか一項の制御回路。
【請求項１０】
前記駆動段が、電流ミラー回路を備える、
請求項７から請求項９のいずれか一項の制御回路。
【請求項１１】
前記電力半導体スイッチの前記制御入力に供給される前記電流が、前記電力半導体スイッチの前記スイッチオン動作の前記過程における第１の相で、第１のレベルをもち、
前記電流が、前記電力半導体スイッチの前記スイッチオン動作の前記過程における第２の相の過程で、第２のレベルをもち、
前記電流が、前記電力半導体スイッチの前記スイッチオン動作の前記過程における第３の相において、第３のレベルをもち、
前記第３のレベルが、前記第１のレベルより小さく、かつ、前記第２のレベルより大きい、
請求項１から請求項１０のいずれか一項の制御回路。
【請求項１２】
前記相検出回路が、１つまたは複数の比較器により出力される内部信号を、前記制御回路内の高電圧レベルから前記制御回路内の低電圧レベルに変換するように構成されている、１つまたは複数のレベルシフタを備える、
請求項１から請求項１１のいずれか一項の制御回路。
【請求項１３】
前記電力半導体スイッチのスイッチオン動作の前記過程における前記２つ以上の相が、前記電力半導体スイッチの前記制御入力に現れる制御入力電圧に基づいて、及び、前記電力半導体スイッチの電力端子間に現れる電圧にさらに基づいて、検出される、
請求項１から請求項１２のいずれか一項の制御回路。
【請求項１４】
前記制御回路の相互コンダクタンスが、前記電力半導体スイッチの前記スイッチオン動作の前記過程で変更される、
請求項１から請求項１３のいずれか一項の制御回路。
【請求項１５】
電力半導体スイッチをスイッチオンする方法であって、
前記電力半導体スイッチのスイッチオン挙動を特徴付ける信号を受信することと、
前記電力半導体スイッチのスイッチオン挙動を特徴付ける前記信号における２つ以上の相を検出することと、
前記電力半導体スイッチをスイッチオンするため、前記電力半導体スイッチのスイッチオン挙動を特徴付ける前記信号に基づいて、閉制御ループ内で前記電力半導体スイッチの制御入力への電流を制御すること、
を含み、
前記電力半導体スイッチの前記制御入力への前記電流を制御することが、
前記電力半導体スイッチのスイッチオン挙動を特徴付ける前記信号における２つ以上の相を検出したことに応答して、前記電流を変化させること、を含む、
電力半導体スイッチをスイッチオンする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月11日(2019.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタのゲート及び前記容量素子の第１の端子は、ノードに電気的に接続され、
前記ノードは、前記第１のトランジスタを介して、電位Ｖ０が与えられ、
前記電位Ｖ０が与えられた後、前記第１のトランジスタをオフにすることで、前記ノードは電気的に浮遊状態とされ、
前記ノードの電位ＶＦＮの時間変化は、式（１）で表され、
前記式（１）において、
ｔは、前記ノードが電気的に浮遊状態にされてからの経過時間であり、
τは、時間の単位をもつ定数であり、βは、０．４以上０．６以下の定数であることを特徴とする半導体装置。
【数１】
2016174352.tif 000001
【請求項２】
第１及び第２のトランジスタと、
容量素子と、
インバータと、
容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタのゲート及び前記容量素子の第１の端子は、ノードに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記インバータの入力端子に電気的に接続され、
前記ノードは、前記第１のトランジスタを介して、電位Ｖ０が与えられ、
前記電位Ｖ０が与えられた後、前記第１のトランジスタをオフにすることで、前記ノードは電気的に浮遊状態とされ、
前記ノードの電位ＶＦＮの時間変化は、式（１）で表され、
前記式（１）において、
ｔは、前記ノードが電気的に浮遊状態にされてからの経過時間であり、
τは、時間の単位をもつ定数であり、βは、０．４以上０．６以下の定数であることを特徴とする半導体装置。
【数２】
2016174352.tif 000002
【請求項３】
第１乃至第３のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタのゲート及び前記容量素子の第１の端子に、ノードに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記ノードは、前記第１のトランジスタを介して、電位Ｖ０が与えられ、
前記電位Ｖ０が与えられた後、前記第１のトランジスタをオフにすることで、前記ノードは電気的に浮遊状態とされ、
前記ノードの電位ＶＦＮの時間変化は、式（１）で表され、
前記式（１）において、ｔは、前記ノードが電気的に浮遊状態にされてからの経過時間であり、τは、時間の単位をもつ定数であり、βは、０．４以上０．６以下の定数であることを特徴とする半導体装置。
【数３】
2016174352.tif 000003
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記τはアレニウスの式に従うことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記電位ＶＦＮの時間変化を測定することで、前記第１のトランジスタのオフ電流を測定することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月4日(2019.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
＜データの完全消去のための消去処理＞
次に、図４のフローチャートを参照して、図３に示す設定処理によって設定された消去モードでデータの消去処理を行う具体的な手順について説明する。ＭＦＰ１において動作しているＯＳのファイルシステム（ＦＳ）は、二次記憶装置６に格納されたファイルを管理している。図４に示す処理は、ファイルシステム上でファイル（データ）の削除が行われた際に実行される。なお、図４に示す各ステップの処理は、ＦＰＧＡやＡＳＩＣ等のハードウェアにより実現されてもよいし、ソフトウェアにより実現されてもよい。ソフトウェアにより実現される場合、各処理は、ＣＰＵ２０１が、二次記憶装置６等に格納された制御プログラムを読み出して実行する処理によって実現されてもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成31年1月30日(2019.1.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
ターゲット材料液滴の供給源と、照射領域で前記液滴を照射するビームを生成するレーザとを含むプラズマ発生システムとを備え、
前記プラズマは、ＥＵＶ放射線を生成し、
前記液滴供給源は、オリフィスを出る流体と、前記液滴が前記照射領域に進む時に少なくとも一部の隣接液滴間の間隔を低減させる異なる初速を有する液滴を発生させる外乱を前記流体に生成するサブシステムとを備え、
前記外乱は、基本周波数と変調周波数とを有する多周波数波形を備え、
前記基本周波数は、０．３ｖ／πｄ未満であり、ｖは前記液滴の流れ速度であり、ｄは前記液滴の直径であり、
前記変調周波数は、高調波搬送波周波数であり、
前記多周波数波形は、方形波、矩形波、及びピークを有する非正弦波から構成された波形の群から選択される、装置。
【請求項２】
前記多周波数波形は、少なくとも一つの液滴対を生成し、前記レーザは、前記照射領域において、前記液滴対の第１の液滴を照射し、前記液滴対の第２の液滴は、前記第１の液滴を照射することにより生成されたプラズマデブリからその後の液滴対を保護する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記レーザは、自己誘導レーザシステムを備え、
前記多周波数波形は、少なくとも一つの液滴対を生成し、前記液滴対は、前記照射領域に到達し、前記液滴対の第１の液滴は、前記自己誘導レーザシステムに光を反射し、前記液滴対の第２の液滴を照射するレーザ発振出力レーザビームを開始してＥＵＶ発光プラズマを生成する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記多周波数波形は、少なくとも一つの液滴対を生成し、前記レーザは、前記照射領域において、前記液滴対の両方の液滴を照射する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
装置であって、
ターゲット材料液滴の供給源と、照射領域で前記液滴を照射するビームを生成するレーザとを含むプラズマ発生システムとを備え、
前記プラズマは、ＥＵＶ放射線を生成し、
前記液滴供給源は、オリフィスを出る流体と、前記流体に外乱を生成する電気起動可能な要素を有するサブシステムとを備え、前記電気起動可能な要素は、前記電気起動可能な要素の作動可能な応答範囲内の基本周波数と前記基本周波数の少なくとも１つの高調波とを発生させるのに、波形の周期の長さと比較して十分に短い立上り時間及び十分に短い立下り時間のうちの少なくとも一方を有する波形により駆動され、
前記外乱は、基本周波数と変調周波数とを有する多周波数波形を備え、
前記基本周波数は、０．３ｖ／πｄ未満であり、ｖは前記液滴の流れ速度であり、ｄは前記液滴の直径であり、
前記変調周波数は、高調波搬送波周波数である、装置。
【請求項６】
前記多周波数波形は、少なくとも一つの液滴対を生成し、前記レーザは、前記照射領域において、前記液滴対の第１の液滴を照射し、前記液滴対の第２の液滴は、前記第１の液滴を照射することにより生成されたプラズマデブリからその後の液滴対を保護する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記レーザは、自己誘導レーザシステムを備え、
前記多周波数波形は、少なくとも一つの液滴対を生成し、前記液滴対は、前記照射領域に到達し、前記液滴対の第１の液滴は、前記自己誘導レーザシステムに光を反射し、前記液滴対の第２の液滴を照射するレーザ発振出力レーザビームを開始してＥＵＶ発光プラズマを生成する、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記多周波数波形は、少なくとも一つの液滴対を生成し、前記レーザは、前記照射領域において、前記液滴対の両方の液滴を照射する、請求項５に記載の装置。
【請求項９】
流体をオリフィスに向けて流動させる段階と、
前記流体を乱して第１の液滴と第２の液滴を発生させ、前記第１の液滴が前記第２の液滴と異なる初速を有して前記第１及び第２の液滴間の間隔をこれらの液滴が照射領域に進む時に低減させる段階と、
液滴材料を前記照射領域で照射してプラズマを形成する段階と、を備え
前記外乱は、基本周波数と変調周波数とを有する多周波数波形を備え、
前記基本周波数は、０．３ｖ／πｄ未満であり、ｖは前記液滴の流れ速度であり、ｄは前記液滴の直径であり、
前記変調周波数は、高調波搬送波周波数であり、
前記多周波数波形は、前記基本周波数と前記基本周波数の少なくとも１つの高調波とを発生させるのに、前記多周波数波形の周期の長さと比較して十分に短い立上り時間及び十分に短い立下り時間のうちの少なくとも一方を有する、方法。
【請求項１０】
前記レーザは、前記照射領域において、前記第１の液滴を照射し、前記第２の液滴は、前記第１の液滴を照射することにより生成されたプラズマデブリからその後の液滴対を保護する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記レーザは、自己誘導レーザシステムを備え、
前記第１の液滴は、前記自己誘導レーザシステムに光を反射し、前記第２の液滴を照射するレーザ発振出力レーザビームを開始してＥＵＶ発光プラズマを生成する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記レーザは、前記照射領域において、前記第１及び第２の液滴を照射する、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記ピークを有する非正弦波は、高速パルス波形、高速ランプ波形、及びシンク関数波形から構成された波形の群から選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記多周波数波形は、前記多周波数波形の周期の長さと比較して十分に短い立上り時間及び十分に短い立下り時間のうちの少なくとも一方を有する、請求項１に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
図９〜図１２をここで参照すると、本出願人は、変調した例えば複数の周波数の上述の外乱波形に加えて、他の波形を用いて、制御しなければ単一の周波数正弦非変調波形外乱を用いた安定した液滴製造を制限するであろう周波数最小値（約０．３ｖ／（πｄ））よりも小さい合体した液滴の安定した流れを生成するように制御することができる合体液滴流れを発生させることができると判断した。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月30日(2019.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリビニルアルコール系樹脂中に二色性色素が配向された偏光子の製造方法であって、
前記偏光子の厚みは、１０μｍ以下であり、
基材上にポリビニルアルコール系樹脂を形成材料とする樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記基材と共に前記樹脂層を延伸する延伸工程と、
前記樹脂層に前記二色性色素を吸着させる染色工程と、
を含み、
前記樹脂層形成工程は、
前記基材上にポリビニルアルコール系樹脂を含む樹脂層用塗工液を塗布する工程と、
塗布された前記樹脂層用塗工液を乾燥させる工程と、
を含み、
前記樹脂層用塗工液はさらに水を含み、
前記樹脂層用塗工液を乾燥させる工程は８０℃以上で行われ、
前記樹脂層用塗工液を乾燥させる工程の長さは、１８０秒以下であることを特徴とする偏光子の製造方法。
【請求項２】
前記樹脂層形成工程よりも前に、前記基材上にプライマー層を形成するプライマー層形成工程をさらに含み、
前記プライマー層形成工程は、
前記基材上にプライマー層用塗工液を塗布する工程と、
塗布された前記プライマー層用塗工液を乾燥させる工程と、
を含む、請求項１に記載の偏光子の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂層用塗工液を乾燥させる工程における乾燥速度が、２．１質量％／秒以下である請求項１または２に記載の偏光子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月30日(2019.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
既知の幾何形状を少なくとも一つ以上有する第１のパターン画像の投影を含む撮像画像において、前記第１のパターン画像における前記幾何形状に対応する領域の、前記幾何形状からの幾何学的な歪みを表す写像を算出する算出手段と、
第２のパターン画像における注目領域と、前記第２のパターン画像の投影を含む撮像画像における領域を前記写像に基づいて変換することにより得られた対応領域と、の対比により、前記第２のパターン画像と前記撮像画像との対応点を探索する探索手段と、を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
異なる位置にある第１と第２の撮像手段から取得された、既知の幾何形状を少なくとも一つ以上有する第１のパターン画像の投影を含む第１と第２の撮像画像のそれぞれについて、前記第１のパターン画像における前記幾何形状に対応する領域の、前記幾何形状からの幾何学的な歪みを表す写像を算出する算出手段と、
前記第１と第２の撮像手段から取得された、第２のパターン画像の投影を含む第３と第４の撮像画像のうち、前記第３の撮像画像における注目領域と、前記第４の撮像画像における対応領域との対比により、前記第３の撮像画像と前記第４の撮像画像との対応点を探索する探索手段と、を備え、
前記対応領域は前記第１の撮像画像について算出された写像と、前記第２の撮像画像について算出された写像とに基づいて前記第３の撮像画像における注目領域を変換することにより設定されることを特徴とする情報処理装置。
【請求項３】
前記探索手段は、前記対応領域の点に対応するエピポーラ線に沿って前記注目領域を探索することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記算出手段は、前記第１のパターン画像の投影を含む撮像画像の画素ごとに前記写像を算出し、
前記注目領域は、前記第２のパターン画像における注目画素とその周囲の近傍画素により形成され、
前記対応領域は、前記第２のパターン画像の投影を含む撮像画像における対応画素の周囲に、当該対応画素について算出された前記写像に基づいて前記周囲の近傍画素の位置が変換されて配置された領域であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記探索手段は、前記算出手段により算出された写像を初期値として、前記対応画素の更新に応じて写像を更新することを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記第１のパターン画像の投影を含む撮像画像と、前記第２のパターン画像の投影を含む撮像画像を、別々の撮像画像として取得する取得手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像とを混合したパターン画像の投影を含む撮像画像を取得する取得手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記第２のパターン画像は、非周期的なパターンを有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記第１のパターン画像は、階調または色調が異なる、既知の幾何形状が並んでいる画像であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記第１のパターン画像は、前記幾何形状が規則的に並んでいるパターン画像であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記探索手段により探索された前記対応点に基づいて、対象物体の表面の三次元座標を算出する座標算出手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
投影手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
撮像手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
情報処理装置の制御方法であって、
既知の幾何形状を少なくとも一つ以上有する第１のパターン画像の投影を含む撮像画像において、前記第１のパターン画像における前記幾何形状に対応する領域の、前記幾何形状からの幾何学的な歪みを表す写像を算出する工程と、
第２のパターン画像における注目領域と、前記第２のパターン画像の投影を含む撮像画像における領域を前記写像に基づいて変換することにより得られた対応領域と、の対比により、前記第２のパターン画像と前記撮像画像との対応点を探索する探索工程と、を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１５】
情報処理装置の制御方法であって、
異なる位置にある第１と第２の撮像手段から取得された、既知の幾何形状を少なくとも一つ以上有する第１のパターン画像の投影を含む第１と第２の撮像画像のそれぞれについて、前記第１のパターン画像における前記幾何形状に対応する領域の、前記幾何形状からの幾何学的な歪みを表す写像を算出する算出工程と、
前記第１と第２の撮像手段から取得された、第２のパターン画像の投影を含む第３と第４の撮像画像のうち、前記第３の撮像画像における注目領域と、前記第４の撮像画像における対応領域との対比により、前記第３の撮像画像と前記第４の撮像画像との対応点を探索する探索工程と、を有し、
前記対応領域は前記第１の撮像画像について算出された写像と、前記第２の撮像画像について算出された写像とに基づいて前記第３の撮像画像における領域を変換することにより設定されることを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１６】
コンピュータに、請求項１４または１５に記載の情報処理装置の制御方法の各工程を実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明の一態様による情報処理装置は、以下の構成を備える。すなわち、
既知の幾何形状を少なくとも一つ以上有する第１のパターン画像の投影を含む撮像画像において、前記第１のパターン画像における前記幾何形状に対応する領域の、前記幾何形状からの幾何学的な歪みを表す写像を算出する算出手段と、
第２のパターン画像における注目領域と、前記第２のパターン画像の投影を含む撮像画像における領域を前記写像に基づいて変換することにより得られた対応領域と、の対比により、前記第２のパターン画像と前記撮像画像との対応点を探索する探索手段と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
［装置の構成］
図１０は、第２の実施形態の情報処理装置１００を備える三次元計測装置１０００の構成例を示すブロック図である。第１の実施形態とは、撮像装置が１台追加され、第１の撮像装置２と第２の撮像装置３を有している点が異なる。第１の撮像装置２と第２の撮像装置３は、投影装置１によりパターン画像が投影された状態で、異なる位置から撮像を行う。なお、投影装置１、第１の撮像装置２、第２の撮像装置３は各々の座標系を一致させるための校正が予め行われており、校正データが情報処理装置１００内に保存されている。なお、情報処理装置１００のハードウエア構成は第１の実施形態（図１２）と同様である。