【手続補正書】
【提出日】令和1年7月29日(2019.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素吸蔵金属及び水素吸蔵合金からなる群から選択された少なくとも１種の金属を含む基材と、前記基材上に設けられ、前記金属に対して相対的に仕事関数が低い低仕事関数物質を含む第１層と前記金属を含む第２層とが交互に積層された中間層と、前記中間層上に設けられ、前記金属を含む表面層と、を備えた核種変換反応に用いる構造体の評価方法であって、
前記構造体を所定温度に保持しながら、
前記表面層に光を照射して入射光と反射光の偏光の変化を測定し、
前記構造体の偏光の変化に基づいて消衰係数を算出し、
予め用意した構造体の消衰係数と、該予め用意した構造体を核種変換反応に供した際の反応収量との関係に基づいて消衰係数の閾値を予め設定し、
算出した前記消衰係数と、前記閾値とを比較し、この比較結果に基づいて前記構造体の健全性を評価する核種変換反応に用いる構造体の評価方法。
【請求項２】
前記偏光の変化の測定に、分光エリプソメータを用いる請求項１に記載の核種変換反応に用いる構造体の評価方法。
【請求項３】
前記表面層の表面から深さ１０ｎｍまでの間で反射するような入射角度で前記光を前記表面層に照射する請求項１に記載の核種変換反応に用いる構造体の評価方法。
【請求項４】
前記光の波長を２０μｍとしたときの前記消衰係数の前記閾値を、１７％以上４８％以下の範囲に設定する請求項１〜３のいずれかに記載の核種変換反応に用いる構造体の評価方法。
【請求項５】
水素吸蔵金属及び水素吸蔵合金からなる群から選択された少なくとも１種の金属を含む基材と、前記基材上に設けられ、前記金属に対して相対的に仕事関数が低い低仕事関数物質を含む第１層と前記金属を含む第２層とが交互に積層された中間層と、前記中間層上に設けられ、前記金属を含む表面層と、を備えた核種変換反応に用いる構造体の評価装置であって、
前記構造体を支持する構造体支持手段と、
前記構造体の温度を所定温度に保持する温度保持手段と、
前記表面層に光を照射し、入射光と反射光との偏光の変化を測定する測定手段と、
を備え、
前記測定手段により測定された前記構造体の偏光の変化に基づいて消衰係数が算出され、
予め用意した構造体の消衰係数と、該予め用意した構造体を核種変換反応に供した際の反応収量と、の関係に基づいて消衰係数の閾値が予め設定され、
算出された前記消衰係数と、前記閾値とを比較し、この比較結果に基づいて構造体の健全性を評価できるよう構成された核種変換反応に用いる構造体の評価装置。
【請求項６】
前記測定手段が、分光エリプソメータである請求項５に記載の核種変換反応に用いる構造体の評価装置。
【請求項７】
前記温度保持手段が、
前記構造体支持手段を囲い、該構造体が収容される閉鎖空間を画定する筐体と、
前記構造体の温度を計測する温度計測部と、
前記構造体の温度を調節する温度調節部と、
を備えている請求項５または６に記載の核種変換反応に用いる構造体の評価装置。
【請求項８】
前記光の波長を２０μｍとしたときの前記消衰係数の前記閾値が、１７％以上４８％以下の範囲に設定される請求項５〜７のいずれかに記載の核種変換反応に用いる構造体の評価装置。
【請求項９】
水素吸蔵金属及び水素吸蔵合金からなる群から選択された少なくとも１種の金属を含む基材と、前記基材上に設けられ、前記金属に対して相対的に仕事関数が低い低仕事関数物質を含む第１層と前記金属を含む第２層とが交互に積層された中間層と、前記中間層上に設けられ、前記金属を含む表面層と、を備えた核種変換反応に用いる構造体の製造装置であって、
前記測定手段が前記筐体の外部に設置された請求項７に記載の評価装置と、
前記筐体に接続され、前記筐体内を真空引きする排気手段と、
前記筐体内に配置され、ターゲットを支持するターゲット支持手段と、
前記ターゲットをスパッタするスパッタ手段と、
前記測定手段から照射される光を前記構造体に導くよう前記筐体の壁面に設けられた第１光学窓と、
前記構造体で反射された反射光を前記筐体の外に導出するよう前記筐体の壁面に設けられた第２光学窓と、
前記第１光学窓の前記筐体内側に開閉可能に設置された第１シャッター部材と、
前記第２光学窓の前記筐体内側に開閉可能に設置された第２シャッター部材と、
を備えている核種変換反応に用いる構造体の製造装置。
【請求項１０】
水素吸蔵金属及び水素吸蔵合金からなる群から選択された少なくとも１種の金属を含む基材と、前記基材上に設けられ、前記金属に対して相対的に仕事関数が低い低仕事関数物質を含む第１層と前記金属を含む第２層とが交互に積層された中間層と、前記中間層上に設けられ、前記金属を含む表面層と、を備えた核種変換反応に用いる構造体を支持する構造体支持手段と、
前記構造体の温度を所定温度に保持する温度保持手段と、
前記表面層に光を照射し、入射光と反射光との偏光の変化を測定する測定手段と、
内部に前記構造体が配置され、前記構造体を用いた核種変換反応および前記表面層が除去された前記構造体への電着を行う反応装置と、
前記反応装置に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記反応装置内を排気する排気手段と、
前記反応装置に、核種変換物質および前記金属を含有する電着液を供給する電着液供給部と、
前記反応装置に洗浄水を供給する洗浄水供給部と、
前記反応装置に酸溶液を供給する酸溶液供給部と、
を備え、
前記測定手段により測定された前記構造体の偏光の変化に基づいて消衰係数が算出され、
予め用意した構造体の消衰係数と、該予め用意した構造体を核種変換反応に供した際の反応収量と、の関係に基づいて消衰係数の閾値が予め設定され、
算出された前記消衰係数と、前記閾値とを比較し、この比較結果に基づいて構造体の健全性を評価できるよう構成されている核種変換システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、水素吸蔵金属及び水素吸蔵合金からなる群から選択された少なくとも１種の金属を含む基材と、前記基材上に設けられ、前記金属に対して相対的に仕事関数が低い低仕事関数物質を含む第１層と前記金属を含む第２層とが交互に積層された中間層と、前記中間層上に設けられ、前記金属を含む表面層と、を備えた核種変換反応に用いる構造体の評価方法であって、前記構造体を所定温度に保持しながら、前記表面層に光を照射して入射光と反射光の偏光の変化を測定し、前記構造体の変更の変化に基づいて消衰係数を算出し、予め用意した構造体の消衰係数と、該予め用意した構造体を核種変換に供した際の反応収量との関係に基づいて消衰係数の閾値を予め設定し、算出した前記消衰係数と、前記閾値とを比較し、この比較結果に基づいて前記構造体の健全性を評価する核種変換反応に用いる構造体の評価方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明は、核種変換のための構造体の健全性を非破壊で評価する評価方法および評価装置に関する。本発明に係る一態様では、構造体を所定温度に保持しながら、構造体の表面層に光を照射して入射光と反射光の偏光の変化を測定し、偏光の変化の測定値と、予め用意した構造体の偏光の変化の閾値とを比較し、比較結果に基づいて構造体の健全性を評価する。偏光の変化の測定には、分光エリプソメータを用いる。構造体の偏光の変化に基づき、消衰係数の値を求めるとよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
第１層５は、基材２に含まれる金属に対して相対的に仕事関数が低い低仕事関数物質を含む。低仕事関数物質は、電子を放出しやすい物質である、低仕事関数物質の仕事関数は、４．２ｅＶ以下である。低仕事関数物質は、例えば、酸化カルシウム（ＣａＯ、仕事関数１．２ｅＶ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３、仕事関数２．２ｅＶ）及びチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３、仕事関数４．２ｅＶ）などである。変換効率の観点から、低仕事関数物質は、酸化カルシウムを選択するとよい。