【事件の表示】
　特願２０１７−２２１８２９「サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔令和　１年　６月２０日出願公開、特開２０１９−　９６６３９、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２９年１１月１７日の出願であって、令和２年１２月１０日付けで拒絶理由通知がされ、同年１２月２３日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出され、令和３年３月１６日付けで拒絶査定（原査定）がされ、これに対し、同年４月２７日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（令和３年３月１６日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　本願請求項１、２、５、７、８に係る発明は、以下の引用文献１、２に基づいて、その発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明できたものである。また、本願請求項３、４に係る発明は、以下の引用文献１−３に基づいて、当業者が容易に発明できたものである。また、請求項６に係る発明は、以下の引用文献１−４に基づいて、当業者が容易に発明できたものである。したがって、本願請求項１−８に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．特開２０１１−１４４０９１号公報
２．特表２００２−５０２１１７号公報
３．特開平１０−０９８０４８号公報
４．特開２００７−２５１０７８号公報
第３　審判請求時の補正について
　審判請求時の補正は、特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。
　審判請求時の補正によって、請求項１に「前記外周支持部が、前記サセプタの周方向における全周に設けられており、」、「前記ザグリは、前記サセプタの上面と前記外周支持部の外周縁との間に前記上面に直角な段差を形成する側壁部と、前記外周支持部の内周縁と前記中央部の外周縁との間に、前記サセプタの上面に対して直角に設けられる段差部とを有し、」、「前記ウェーハの直径は３００ｍｍであり、」、「前記サセプタの中心を通り前記サセプタの上面に直角な平面で前記サセプタを切った断面で見て、前記外周支持部の水平方向における寸法が５ｍｍ以下であり、」、「前記中央部は水平面を形成するように設けられ、」、「前記サセプタの上面に対する前記中央部の深さは０．８ｍｍ〜１．８ｍｍである」という事項を追加する補正（以下、それぞれ順に「補正事項１」−「補正事項６」という。）は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるか、また、当該補正事項１−補正事項６は新規事項を追加するものではないかについて検討する。
　補正事項１は、補正前の請求項１の「外周支持部」が「前記サセプタの周方向における全周に設けられて」いることを限定する補正であって、補正前の発明と補正後の発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　補正事項２は、補正前の請求項１の「ザグリ」が、「前記サセプタの上面と前記外周支持部の外周縁との間に前記上面に直角な段差を形成する側壁部と、前記外周支持部の内周縁と前記中央部の外周縁との間に、前記サセプタの上面に対して直角に設けられる段差部とを有」することを限定する補正であって、補正前の発明と補正後の発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　補正事項３は、補正前の請求項１の「ウェーハ」の「直径は３００ｍｍであ」ることを限定する補正であって、補正前の発明と補正後の発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　補正事項４は、補正前の請求項１の「外周支持部」の「水平方向における寸法」が「前記サセプタの中心を通り前記サセプタの上面に直角な平面で前記サセプタを切った断面で見て、」「５ｍｍ以下であ」ることを限定する補正であって、補正前の発明と補正後の発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　補正事項５は、補正前の請求項１の「中央部」が「水平面を形成するように設けられ」ていることを限定する補正であって、補正前の発明と補正後の発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　補正事項６は、補正前の請求項１の「中央部」の「前記サセプタの上面に対する」「深さ」が「０．８ｍｍ〜１．８ｍｍである」ことを限定する補正であって、補正前の発明と補正後の発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、補正事項１−６で追加した上記事項は、当初明細書の段落【００２０】、【００２２】−【００２４】、【００２６】に記載されているから、上記追加した事項は、当初明細書等に記載された事項であり、新規事項を追加するものではないといえる。
　そして、「第４　本願発明」から「第６　対比・判断」までに示すように、補正後の請求項１、２に係る発明は、独立特許要件を満たすものである。
第４　本願発明
　本願請求項１、２に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」、「本願発明２」という。）は、令和３年４月２７日付け手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１は、以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する際に前記ウェーハを載置させるサセプタであって、
 前記サセプタの上面に前記ウェーハを載置するための凹形状のザグリが形成されており、
　前記ザグリは、前記ウェーハの外周部が接触して支持される外周支持部と、前記外周支持部の内側に位置して前記ウェーハと接触しない中央部とを有しており、
　前記外周支持部は、前記中央部に向けて水平方向に対して６°以上９°以下の角度で下がるように傾斜しており、
　前記外周支持部が、前記サセプタの周方向における全周に設けられており、
　前記ザグリは、
　前記サセプタの上面と前記外周支持部の外周縁との間に前記上面に直角な段差を形成する側壁部と、　
　前記外周支持部の内周縁と前記中央部の外周縁との間に、前記サセプタの上面に対して直角に設けられる段差部とを有し、
　前記ウェーハの直径は３００ｍｍであり、
　前記サセプタの中心を通り前記サセプタの上面に直角な平面で前記サセプタを切った断面で見て、前記外周支持部の水平方向における寸法が５ｍｍ以下であり、
　前記中央部は水平面を形成するように設けられ、
　前記サセプタの上面に対する前記中央部の深さは０．８ｍｍ〜１．８ｍｍであることを特徴とするサセプタ。」
　なお、本願発明２は、本願発明１を減縮した発明である。
第５　引用文献、引用発明等
１．引用文献１について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審で付与した。以下、同じ。）。
「【技術分野】
【０００１】
 本発明は、
半導体基板上に気相成長させる際に用いる気相成長装置において、半導体基板を支持する気相成長用サセプタ
【背景技術】
【０００２】
　
エピタキシャル成長技術は、バイポーラトランジスタやＭＯＳＬＳＩ等の集積回路の製造に用いられる単結晶薄膜層を気相成長させる技術であり、清浄な半導体単結晶ウェーハ上に基板の結晶方位に合わせて均一な単結晶薄膜を成長させたり
【０００３】
　このような気相成長を行うための装置としては、縦型（パンケーキ型）、バレル型（シリンダー型）、さらに横型の３種類が一般的である。これらの成長装置の基本的な原理は共通しており、半導体基板を載置するための気相成長用サセプタを内部に備えた反応炉や、反応炉の外部に設けられるハロゲンランプ等からなる加熱手段等を備えて構成され、縦型のうち１枚ずつ処理する装置を枚葉式気相成長装置と呼んでいる。
【０００４】
　枚葉式気相成長装置は、半導体基板を支持する略円盤状のサセプタを備えており、サセプタ上の半導体基板を両面側から加熱しつつ主表面上に反応ガスを供給することで単結晶薄膜を気相成長させる構成になっている。
【０００５】
　このような、気相成長装置に用いるサセプタの部分断面図を図５（ａ）に、平面概略図を図５（ｂ）に示す。図５（ｂ）に示すように、サセプタ１００には主表面の中央部に、略円形のザグリ１０３を有しており、このザグリ１０３内に半導体基板Ｗを載置する。図５（ａ）、（ｂ）に示すザグリ１０３は、凹形状であって最外周の垂直な側壁１０２と基板を支持する底面１０１とからなる。
　このようなサセプタ１００のザグリ１０３内に半導体基板Ｗを載置する際、半導体基板Ｗとザグリ１０３との間に介在する雰囲気ガスのために、半導体基板Ｗがザグリ１０３内で横滑りして、偏心した位置に載置されることがある。このようになると、半導体基板Ｗの外周縁と側壁１０２との距離にバラツキが生じ、半導体基板Ｗの外周縁付近のガスフローが不均一になって、半導体基板Ｗの外周領域に成長させる単結晶薄膜の膜厚分布が悪化することがある。」
「【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　
半導体基板として直径３００ｍｍのシリコンウェーハを多く使用するようになってから、デバイス製造プロセスでウェーハ割れが多く発生するようになった。
【０００９】
　本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、
気相成長中の半導体基板の外周縁のキズを低減することで割れを防止し、さらには、半導体基板の偏心を抑制することで、成長させる単結晶薄膜の膜厚分布の悪化を防止できる気相成長用サセプタ及びそれを用いた気相成長方法を提供することを目的とする
【課題を解決するための手段】
【００１０】
　上記目的を達成するために、本発明は、
気相成長装置において半導体基板を載置する凹形状のザグリを有する気相成長用サセプタであって、少なくとも、前記ザグリは底面と側壁とからなり、前記側壁は、周縁の一部に、前記ザグリ中心に向かって深さが増すように傾斜したテーパ状又は曲線状の断面形状を含む傾斜側壁が形成され、前記側壁の残りの周縁には、前記傾斜側壁が形成されていないものである
・・・
【００１６】
　このとき、
前記底面の外周領域に、前記ザグリ中心に向かって深さが増すように傾斜したテーパ状の断面形状を含む基板支持面が形成され、前記底面の外周領域に囲まれた中央領域に、前記基板支持面よりも深さが深い凹状の中央面が形成されたものである
　このように、底面の外周領域に、ザグリ中心に向かって深さが増すように傾斜したテーパ状の断面形状を含む基板支持面が形成され、底面の外周領域に囲まれた中央領域に、基板支持面よりも深さが深い凹状の中央面が形成されたものであれば、気相成長中のスリップ転位や半導体基板の裏面のキズの発生も防止して、半導体基板の割れをより低減することができるサセプタとなる。」
「【００２１】 
　本発明の気相成長用サセプタを用いることができる枚葉式気相成長装置を図３に示す。
　図３に示す枚葉式気相成長装置１２は、
気相成長させるシリコン単結晶ウェーハなどの半導体基板Ｗ
シリコン単結晶ウェーハ上にシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる
「【００２３】 
　
本発明の気相成長用サセプタ１０は、例えば図１、２に示すように、凹形状のザグリ１１を有する気相成長用サセプタ１０であって、ザグリ１１は底面１３と側壁１４とからなり、側壁１４は、周縁の一部に、ザグリ１１中心に向かって深さが増すように傾斜したテーパ状又は曲線状の断面形状（図２のＡ−Ａ’断面、図１（ａ））を含む傾斜側壁１５が形成され、側壁１４の残りの周縁には、傾斜側壁１５が形成されていない（図２のＢ−Ｂ’断面、図１（ｂ））ものである
【００２４】
　このように、ザグリ１１の側壁１４の一部に形成された傾斜側壁１５により、半導体基板Ｗがザグリ内で偏心するのを抑制して、成長させる単結晶薄膜の膜厚分布の悪化を防止しながら、傾斜側壁１５が形成されていない領域での半導体基板Ｗの外周縁へのキズの発生を低減できる。
　このような本発明の気相成長用サセプタ１０に半導体基板Ｗを載置する際に、機械的強度が弱い部分が傾斜側壁１５に接触しないように載置することが好ましい。たとえば、結晶面（１００）で切り出されたシリコン単結晶ウェーハの場合、結晶方位＜１１０＞に対応する外周縁付近の機械的強度が最も強い。このため、結晶面（１００）で切り出されたシリコン単結晶ウェーハの場合、結晶方位＜１００＞に対応する外周縁付近にキズが入るとウェーハ割れが発生しやすい傾向があるため、当該結晶方位＜１００＞の外周縁部付近が傾斜側壁１５が形成されていない領域に対応するようにウェーハを載置することで、ウェーハの機械的強度の弱い結晶方位の外周縁部キズを減らすことができる。これにより、デバイス製造工程でのウェーハの割れを効果的に防止することができる。」
「【００２８】 
　
図２に示す側壁１４の周縁の傾斜側壁１５が形成されていない領域のＢ−Ｂ’断面としては、
例えば図１（ｂ）に示すような垂直の断面とすることができる。
「【００３２】 
　また、
図１、２、４、８に示すように、底面１３の外周領域に、ザグリ１１中心に向かって深さが増すようにゆるやかに傾斜したテーパ状の断面形状を含む基板支持面１６が形成され、底面１３の外周領域に囲まれた中央領域に、
凹状の中央面１７が形成されたものであることが好ましい。
　これにより、気相成長中のスリップ転位や半導体基板Ｗの裏面のキズの発生も防止して、基板Ｗの割れをより低減することができるサセプタ１０となる。
 【００３３】
　このような
基板支持面１６の傾斜角としては、例えば１０度以下にするのが好適である
０．３度以上は傾斜させることが好ましい。
　また、図１（ａ）に示すように、
中央面１７は、
気相成長の際に半導体基板Ｗの裏面と接触しない深さに窪んだものとすることができる
【００３４】
　なお、本発明のサセプタは、
半導体基板をザグリの底面の基板支持面により接触して支持する
「【００３９】 
　これらのサセプタ１０の傾斜側壁を、図２に示すように、ザグリ中心となす中心角αが３０度の範囲の周縁領域に、回転対称に４か所形成した。
　そして、これらの
サセプタ１０に
直径３００ｍｍのシリコン単結晶ウェーハを載置した
　また、図１、２は、それぞれ「本発明の気相成長用サセプタの実施態様の一例を示す部分断面図」、「本発明の気相成長用サセプタの実施態様の一例を示す平面図」（段落【００１９】）であり、以下のとおりのものである。
　図１（ａ）、（ｂ）より、ザグリ１１が、サセプタ１０の上面に形成されていること、サセプタ１０は、半導体基板Ｗの外周部を、ザグリ１１の底面の基板支持面１６により接触して支持すること、中央面１７は、基板支持面１６の内側に位置していること、側壁１４は、サセプタ１０の上面と基板支持面１６の外周縁との間に段差を形成していることが見てとれる。
　また、図１（ａ）、（ｂ）、２より基板支持面１６が、サセプタ１０の周方向における全周に設けられていることが見てとれる。
（２）上記記載から、引用文献１には、次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ａ　気相成長用サセプタ１０は、シリコン単結晶ウェーハなどの半導体基板Ｗ上にシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる際に用いる（【００２１】）。
ｂ　側壁１４は、サセプタ１０の上面と基板支持面１６の外周縁との間に段差を形成しており、側壁１４の傾斜側壁１５が形成されていない領域は、垂直な断面とする（【００２８】及び図１（ｂ））。
ｃ　中央面１７は、基板支持面１６の内側に位置し、気相成長の際に半導体基板Ｗと接触しない深さに窪んだものである（【００３３】及び図１（ａ））。
（３）上記（１）、（２）から、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「気相成長装置において半導体基板Ｗを載置する凹形状のザグリ１１を、上面に有する気相成長用サセプタ１０であって、少なくとも、
　ザグリ１１は底面１３と側壁１４とからなり、側壁１４は、周縁の一部に、ザグリ１１中心に向かって深さが増すように傾斜したテーパ状又は曲線状の断面形状を含む傾斜側壁１５が形成され、側壁１４の残りの周縁には、傾斜側壁１５が形成されていないもので、
　底面１３の外周領域に、ザグリ１１中心に向かって深さが増すようにゆるやかに傾斜したテーパ状の断面形状を含む基板支持面１６が形成され、底面１３の外周領域に囲まれた中央領域に、基板支持面１６よりも深さが深い凹状の中央面１７が形成されたものであり、
　シリコン単結晶ウェーハなどの半導体基板Ｗ上にシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる際に用いるものであり、
　側壁１４は、サセプタ１０の上面と基板支持面１６の外周縁との間に段差を形成しており、側壁１４の傾斜側壁１５が形成されていない領域は、垂直な断面とされ、
　基板支持面１６は、サセプタ１０の周方向における全周に設けられており、
　基板支持面１６の傾斜角は、０．３度以上１０度以下であり、
中央面１７は、基板支持面１６の内側に位置し、気相成長の際に半導体基板Ｗと接触しない深さに窪んだものであり、
　半導体基板Ｗの外周部を、ザグリ１１の底面の基板支持面１６により接触して支持するものであり、
　半導体基板Ｗの直径は３００ｍｍである、気相成長用サセプタ１０。」
２．引用文献２について
　また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
　（技術分野）
　本発明は、一般的には半導体加工の分野に関し、より具体的には基板の背面との接触を最小限にする半導体基板処理のためのウェーハキャリヤ及び半導体装置に関する。」
「【０００９】
　より具体的には、基板との表面接触をできるだけなくしそれによって基板の背面への金属汚染と表面の損傷をできるだけなくすウェーハキャリヤを提供することが本発明の目的である。」
「【００１７】
　ウェーハキャリヤは、図２及び図３に関してより詳細に示される。
ウェーハキャリヤ４０は、プレート４２の周辺部に延びる平坦端部分領域４４と円形の窪んだ中央部領域４５を有する円形のプレート４２から構成される。窪んだ中央部領域４５は、窪んだ底面４６及び窪んだ底面４６の周辺部の周りの上方に傾斜した面４８から構成される。窪んだ中央部４５の縁端領域４９は、窪んだ底面４６の平面に垂直である。
【００１８】
　
基板又はウェーハを支持するために、
に示されるように、基板が窪んだ中央部領域４５に置かれる。とりわけ長所となるのは、本発明のウェーハキャリヤは、ウェーハをその周縁エッジのみで支持するようになっていることである。特に、基板は中央部領域に置かれて上方に傾斜した面４８の部分によりその周縁部で支持される。
「【００２０】
　図４に示されるように、とりわけ有利なのは、
ウェーハが窪んだ中央部４５の傾斜面４８により支持されるウェーハエッジ５０の周縁部に沿ってのみウェーハキャリアと接触する
ウェーハとの接触を最小限にする
【００２１】
　ウェーハキャリヤには様々な大きさの基板を収納できる。ウェーハキャリヤは、２００mm又は３００mmのウェーハを収納するためにそれぞれ約２００mm又は３００mmの直径を備える円形の中央部領域４５を有することが望ましいと考えられる。しかしながら、中央の窪んだ部分の直径はどのような大きさであってもよい。
窪んだ中央部４５の縁端領域４９は支持されるべきウェーハの厚さと一致することが望ましいと考えられる。例えば、縁端領域４９は、３００mmウェーハに対しては約０.７５mmから０.８０mmの深さを有する
【００２２】
　
ウェーハを支持するためには、上方に傾斜した面４８は、ウェーハの背面との接触が最小限になるよう選定される角度で傾斜されることが望ましい。
上方に傾斜した面４８は窪んだ底面４６の平面に対して約５度から４５度の範囲の角度で傾斜しているのが望ましいが、約１０度の角度が最も望ましい。
「【００２５】
　
ウェーハの背面と窪んだ底面４６との間に間隔をとることは、様々な理由で大切であるということを発明者達は発見した。
３００mmのウェーハに対して最も望ましい０.２５mmの間隔で、ウェーハの背面と窪んだ底面４６との間の間隔を付与することにより、本発明に合致する。
　図４は、以下のとおりのものである。
３．引用文献３について
　また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば、半導体ウエハーに各種熱処理、蒸着処理を施すときに用いられるウエハー熱処理装置に関する。」
「【０００６】この発明は上記問題に鑑み、ウエハーの外周端部を支持体の傾斜面により水平に支持して熱処理するので、結晶転移の生じる部分が少なくなり、ウエハー全体を均一に熱処理することができるウエハー熱処理装置の提供を目的とする。」
「【００２３】前述した支持体８は、図２、図３に示すように、熱伝導性が良く、耐熱性の高い炭化ケイ素（ＳｉＣ）により形成され、或いは、その表面をコーティング処理（ＳｉＣ−ＣＶＤコート）して構成されると共に、所定サイズにカットされたウエハーＡの外周端部Ａａと対向するリング形状であって、その外周端部Ａａが水平に支持される大きさ及び形状に部材本体８ａを形成している。部材本体８ａの内周部は、ウエハーＡの外周端部Ａａよりも若干小径に形成され、その外周部は、ウエハーＡの外周端部Ａａよりも若干大径に形成されている。
【００２４】且つ、
部材本体８ａの上面側内周部には、ウエハーＡの外周端部Ａａを支持する傾斜面８ｂを円周方向に連続して形成すると共に、その傾斜面８ｂを、外周側から内周側に向けて低くなる角度（例えば、約１０度〜約３０度）に斜設している。
「【００３１】
さらに、支持体８の傾斜面８ｂを、例えば、約１０度〜約３０度となる角度に斜設することで、ウエハーＡの載置位置及び載置姿勢が安定すると共に、傾斜面８ｂと線接触するウエハーＡの外周端部Ａａに対して、支持体８自体に伝導された熱が効率よく熱伝導されるため、ウエハーＡの外周端部Ａａを均一に熱処理することができる。
４．引用文献４について
　また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、気相成長方法に係り、例えば、エピタキシャル成長方法における成長条件を規定した方法に関する。」
「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　ところで、上述したシリコンウェハ２００の直径より若干大きめの径のザグリ穴が形成されているホルダ２１０にシリコンウェハ２００を載置して回転させると、その遠心力からシリコンウェハ２００は、シリコンウェハ面と平行な方向に移動し、ザグリ穴の側面の一部分に寄ってしまう。ここで、ＩＧＢＴ等のパワー半導体の製造に必要な数１０μｍ以上、例えば、５０μｍ以上の膜厚のシリコンエピタキシャル膜を形成する場合、上述したホルダ２１０では、シリコンウェハ２００の側面部分に成長したシリコンエピタキシャル膜とホルダ２１０のザグリ穴の側面に堆積した膜とが接触し、くっ付いて（接着して）しまい、シリコンウェハ２００を搬送する際にシリコンウェハ２００がホルダ２１０に貼り付いてしまうといった現象が発生する問題があった。」
「【００３９】
　図４は、ホルダにシリコンウェハが支持された状態の一例を示す上面図である。
図５は、図４に示すホルダにシリコンウェハが支持された状態の断面を示す断面図である。
　ホルダ１１０には、２段ザグリ穴が形成される。すなわち、シリコンウェハ１０１の径よりも大きい径でシリコンウェハ１０１の厚さの半分強の深さまで掘り込んだ第１のザグリ穴１１４が形成され、第１のザグリ穴１１４の底面から、シリコンウェハ１０１の径よりも若干大きい径で、かつ第１のザグリ穴１１４の径より小さい径でシリコンウェハ１０１の厚さの半分より小さい値の深さまで掘り込んだ第２のザグリ穴１１６が形成されている。
　そして、
第２のザグリ穴１１６の底面でシリコンウェハ１０１が支持されている
「【００４１】
　図６は、シリコンウェハ外周部と第１と第２のザグリ穴とを示す断面図である。
　図６に示すように、第１のザグリ穴１１４の底面の高さが、シリコンウェハ１０１のベベル部下面側に位置するように第２のザグリ穴１１６を掘り込む深さλ１を設定することが望ましい。例えば、図６における寸法λ１は、シリコンウェハ１０１の厚さの２０〜４０％が望ましい。
【００４２】
　具体的には、例えば、直径２００ｍｍのシリコンウェハの場合、厚さｔが０．７２５ｍｍなので、λ１＝０．２±０．０５ｍｍが望ましい。また、第１のザグリ穴１１４を掘り込む深さλ２は、シリコンウェハ１０１の厚さの５０〜６５％が望ましい。また、例えば、直径２００ｍｍのシリコンウェハの場合、厚さｔが０．７２５ｍｍなので、λ２＝０．４±０．０５ｍｍが望ましい。また、λ１：λ２≒１：２が望ましい。そして、
シリコンウェハ１０１の裏面に接触して保持する第２のザグリ穴１１６の底面の半径方向長さＬ２は、従来より若干長くして１〜４ｍｍが望ましい
【００４３】
　また、
第２のザグリ穴１１６の底面の半径方向長さＬ１は
シリコンエピタキシャル膜の膜厚の２倍以上の寸法に形成されることが望ましい
０．２４ｍｍ以上とすることが良い
例えば、Ｌ１は、１ｍｍとする
　図５、６は、以下のとおりのものである。
５．その他の文献について
　また、国際公開第２００９／０８４１５４号（以下、「周知例１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「[0001] 　本発明は、
単結晶基板上にエピタキシャル層を積層するエピタキシャル成長装置において、エピタキシャル成長時に単結晶基板を支持するためのエピタキシャル成長用サセプタ（以下では、単にサセプタと言うことがある）に関する。
「[0009] 　本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもので、単結晶基板の裏面の外周側において、局所的に著しいデポが発生するのを防止することができるエピタキシャル成長用サセプタを提供することを目的とする。」
「[0021] 　以下では、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
　図１に、本発明のエピタキシャル成長用サセプタの一例の概略を示す。図１（Ａ）が平面図であり、図１（Ｂ）はサセプタの一部の範囲における断面図である。また、図１（Ｃ）は他のサセプタの一部の範囲における断面図である。
　図１に示すように、まず、
本発明のサセプタ６には、内部に単結晶基板２を収容し、水平に支持するためのザグリ１０が形成されている。
このザグリ１０は、外周領域１１と、該外周領域１１に囲まれた中央領域１２を有している。
　
外周領域１１はテーパ形状であり、この外周領域上に、エピタキシャル成長が施される単結晶基板２が当接して水平に支持されるようになっている。一方、中央領域１２は、単結晶基板２が接触しないように、外周領域１１よりも深い位置に形成されている。
「[0024] 　また、
中央領域１２の形状（面形状）であるが、
単結晶基板２と接触していなければ良く、特に限定されない。例えば平坦な形状とすることが可能である。
「[0026] 　次に外周領域１１について述べる。
外周領域１１は、
傾斜角θが０°より大きく１°未満で傾斜したテーパ形状となっており、中央領域１２に向かって深さが増すように形成されている。
「[0031] 　また、
外周領域１１と中央領域１２の境界について述べる
外周領域の内縁１５から前記中央領域の外縁１６に向かって深さが増すように０．０５ｍｍ未満の高さの段差１３が形成されているものが好ましい。
[0032] 　本発明のように外周領域１１の傾斜角が１°未満の場合、上記外周領域１１から中央領域１２にかけての深さ方向の変化を０．０５ｍｍ未満に抑えたものとすることで、エピタキシャル成長時に、単結晶基板２の裏面の、ザグリ１０の外周領域１１と中央領域１２の境界に相当する部分に変位が生じてナノトポロジーの悪化が生じるのを効果的に防ぐことができる。
　なお、図１（Ｃ）のように、
外周領域の内縁１５から前記中央領域の外縁１６に向かって深さが増すように０．０５ｍｍ未満の高さの段差１３が形成されているものであれば、単結晶基板２の裏面から、中央領域１２の貫通孔１４を比較的距離をおくことができ
　図１は、以下のとおりのものである。
第６　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明における「シリコン単結晶ウェーハなどの半導体基板Ｗ」、「ザグリ１１」、「気相成長用サセプタ１０」、「側壁１４」、「基板支持面１６」、「中央面１７」は、それぞれ本願発明１における「ウェーハ」、「ザグリ」、「サセプタ」、「側壁部」、「外周支持部」、「中央部」に相当ないし対応する。
イ　また、引用発明は、「気相成長装置において半導体基板Ｗを載置する凹形状のザグリ１１を、上面に有する気相成長用サセプタ１０」であって、「シリコン単結晶ウェーハなどの半導体基板Ｗ上にシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる際に用いるもの」であるから、本願発明１と引用発明とは、「ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する際に前記ウェーハを載置させるサセプタ」であって、「前記サセプタの上面に前記ウェーハを載置するための凹形状のザグリが形成されて」いる点で一致する。
ウ　また、引用発明において、「ザグリ１１は底面１３と側壁１４とからなり」、「底面１３の外周領域に、ザグリ１１中心に向かって深さが増すように傾斜したテーパ状の断面形状を含む基板支持面１６が形成され、底面１３の外周領域に囲まれた中央領域に、基板支持面１６よりも深さが深い凹状の中央面１７が形成されたものであり」、「中央面１７は、基板支持面１６の内側に位置し、気相成長の際に半導体基板Ｗと接触しない深さに窪んだものであり、半導体基板Ｗの外周部を、ザグリ１１の底面の基板支持面１６により接触して支持するもの」であるところ、ザグリ１１は、半導体基板Ｗの外周部が接触して支持される基板支持面１６と、基板支持面１６の内側に位置して半導体基板Ｗと接触しない中央面１７とを有しているといえる。
　したがって、本願発明１と引用発明とは、「前記ザグリは、前記ウェーハの外周部が接触して支持される外周支持部と、前記外周支持部の内側に位置して前記ウェーハと接触しない中央部とを有して」いる点で一致する。
エ　更に、引用発明において、「底面１３の外周領域に、ザグリ１１中心に向かって深さが増すようにゆるやかに傾斜したテーパ状の断面形状を含む基板支持面１６が形成され、底面１３の外周領域に囲まれた中央領域に、基板支持面１６よりも深さが深い凹状の中央面１７が形成されたもの」であるところ、基板支持面１６は、中央面１７に向けて水平方向に対して下がるように傾斜しているといえる。
　したがって、本願発明１と引用発明とは、「前記外周支持部は、前記中央部に向けて水平方向に対して」「下がるように傾斜している点で共通するといえる。
オ　更に、引用発明において、「基板支持面１６は、サセプタ１０の周方向における全周に設けられて」いるから、本願発明１と引用発明とは、「前記外周支持部が、前記サセプタの周方向における全周に設けられて」いる点で一致する。
カ　更に、引用発明において、「側壁１４は、サセプタ１０の上面と基板支持面１６の外周縁との間に段差を形成しており、側壁１４の傾斜側壁１５が形成されていない領域は、垂直な断面とされ」るから、本願発明１と引用発明とは、「前記ザグリ」は、「前記サセプタの上面と前記外周支持部の外周縁との間に前記上面に直角な段差を形成する側壁部」を有する点で一致する。
キ　更に、引用発明において、「半導体基板Ｗの直径は３００ｍｍである」から、本願発明１と引用発明とは、「前記ウェーハの直径は３００ｍｍである」点で一致する。
　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
＜一致点＞
「ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する際に前記ウェーハを載置させるサセプタであって、
　前記サセプタの上面に前記ウェーハを載置するための凹形状のザグリが形成されており、
　前記ザグリは、前記ウェーハの外周部が接触して支持される外周支持部と、前記外周支持部の内側に位置して前記ウェーハと接触しない中央部とを有しており、
　前記外周支持部は、前記中央部に向けて水平方向に対して下がるように傾斜しており、
　前記外周支持部が、前記サセプタの周方向における全周に設けられており、
　前記ザグリは、
　前記サセプタの上面と前記外周支持部の外周縁との間に前記上面に直角な段差を形成する側壁部を有し、
　前記ウェーハの直径は３００ｍｍである、サセプタ。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
　「外周支持部」の傾斜について、本願発明１は、「前記外周支持部」は、「６°以上９°以下の角度」で傾斜しているのに対して、引用発明は、「基板支持面１６の傾斜角は、０．３度以上１０度以下」である点。
＜相違点２＞
　本願発明１は、「前記外周支持部の内周縁と前記中央部の外周縁との間に、前記サセプタの上面に対して直角に設けられる段差部」を有するのに対し、引用発明は、基板支持面１６と中央面１７との間に、係る構成を有していない点。
＜相違点３＞
　「外周支持部」の水平方向の寸法について、本願発明１は、「前記サセプタの中心を通り前記サセプタの上面に直角な平面で前記サセプタを切った断面で見て、前記外周支持部の水平方向における寸法が５ｍｍ以下である」のに対して、引用発明は、基板支持面１６の水平方向の寸法について特定がない点。
＜相違点４＞
　ザグリが有する「中央部」について、本願発明１は、「前記中央部は水平面を形成するように設けられ、前記サセプタの上面に対する前記中央部の深さは０．８ｍｍ〜１．８ｍｍである」のに対して、引用発明において、中央面１７は、「基板支持面１６よりも深さが深い凹状の中央面１７」であり、また、中央面１７の深さの特定がない点。
（２）相違点についての判断
ア　相違点１について
　まず相違点１について検討する。
　第５の２．で摘記した引用文献２の段落【００２０】、【００２２】に記載のように、引用文献２では、ウェーハを支持する上方に傾斜した面４８は、ウェーハとの背面との接触が最小限になるように選定される角度で傾斜され、その傾斜角の範囲として５°〜４５°としている。
　また、引用文献３、４及び周知例１では、ウェーハを支持する面の傾斜角として、それぞれ約１０°から約３０°、０°（水平）、０°より大きく１°未満となっており、いずれも本願発明１において、外周支持部が傾斜する「角度」の「６°以上９°以下」の範囲外となっている。
　そうすると、相違点１に係る本願発明１の「前記外周支持部」は、「６°以上９°以下の角度」で傾斜しているという構成は、引用文献２―４及び周知例１には記載されておらず、本願出願前において周知技術であるともいえない。
　加えて、引用発明は、第５の１．で摘記した引用文献１の段落【００３３】に記載のように、基板支持面１６の傾斜角を１０°以下とすることにより、半導体基板Ｗと基板支持面１６との接触面積が増大して、面積あたりの荷重が低減し、スリップ転位発生をより抑制するものであるから、半導体基板Ｗとの接触面積を増大することを目的とする引用発明において、「０．３度以上１０度以下」である「基板支持面１６の傾斜角」として、ウェーハの背面との接触面積を最小化することを目的とする引用文献２における傾斜角の範囲を採用することには動機付けはなく、むしろ、阻害要因がある。
　したがって、当業者といえども、引用発明、引用文献２−４に記載された技術的事項及び周知例１に基づいて、相違点１に係る本願発明１の「前記外周支持部」は、「６°以上９°以下の角度」で傾斜しているという構成を容易に想到することはできない。
イ　したがって、上記相違点２〜４について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用発明、引用文献２−４に記載された技術的事項及び周知例１に基づいて、容易に発明できたものとはいえない。
２．本願発明２について
　本願発明２は、本願発明１の「前記外周支持部は、前記中央部に向けて水平方向に対して６°以上９°以下の角度で下がるように傾斜している」と同一の構成を備えているものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明、拒絶査定において引用された引用文献２−４に記載された技術的事項、及び周知例１に基づいて、容易に発明できたものとはいえない。
第７　原査定について
１．理由１（特許法第２９条第２項）について
　本願発明１、２は、「前記外周支持部」は、「６°以上９°以下の角度」で傾斜しているという構成を有するものであり、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１−４に基づいて、容易に発明できたものとはいえない。したがって、原査定の理由１を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することができない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。