【手続補正書】
【提出日】平成31年3月14日(2019.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の半導体構造体を用意する工程と、
前記半導体構造体を検査する工程と、を有し、
前記半導体構造体を検査する工程は、
光源から前記半導体構造体の表面に対して斜めの方向に光を照射し、前記表面で反射または散乱された反射光を二次元の検出器によって検出する測定を、前記半導体構造体の前記表面のうちの少なくとも所定範囲内の複数個所で行い、前記複数個所で測定した前記反射光の強度を積算した積算値の、前記検出器での位置に対する分布である反射光分布を取得する工程と、
前記検出器での位置をｒ、第１ガウス関数のパラメータをＡ１、μ１およびσ１、第２ガウス関数のパラメータをＡ２、μ２およびσ２としたときに、以下の式（１）で表される多重ガウス関数Ｆ（ｒ）によって、前記反射光分布が検出された前記検出器での位置ｒの範囲全体に亘って前記反射光分布をフィッティングし、前記半導体構造体の表面粗さに相当する指標として前記第２ガウス関数のパラメータＡ２およびσ２のうち少なくともいずれかを取得する工程と、を有する
半導体構造体の製造方法。
【数１】
2018151321.tif 000001
（ただし、σ２＞σ１とする。）
【請求項２】
前記第２ガウス関数のパラメータに基づいて前記半導体構造体を選別する工程を有する請求項１に記載の半導体構造体の製造方法。
【請求項３】
前記半導体構造体を検査する工程よりも前に、前記第２ガウス関数のパラメータと前記半導体構造体の表面粗さとを対応させた粗さ対応関係を用意する工程を有し、
前記半導体構造体を検査する工程は、
前記パラメータを取得する工程で取得された前記第２ガウス関数のパラメータを前記粗さ対応関係に当てはめて前記半導体構造体の表面粗さを算出する工程を有する
請求項１又は２に記載の半導体構造体の製造方法。
【請求項４】
前記パラメータを取得する工程では、
前記第２ガウス関数のパラメータを取得するとともに、前記半導体構造体の湾曲に相当する指標として前記第１ガウス関数のパラメータＡ１およびσ１のうち少なくともいずれかを取得する
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体構造体の製造方法。
【請求項５】
板状の半導体構造体を用意する工程と、
前記半導体構造体を検査する工程と、を有し、
前記半導体構造体を検査する工程は、
光源から前記半導体構造体の表面に対して斜めの方向に光を照射し、前記表面で反射または散乱された反射光を二次元の検出器によって検出する測定を、前記半導体構造体の前記表面のうちの少なくとも所定範囲内の複数個所で行い、前記複数個所で測定した前記反射光の強度を積算した積算値の、前記検出器での位置に対する分布である反射光分布を取得する工程と、
前記検出器での位置をｒ、第１ガウス関数のパラメータをＡ１、μ１およびσ１、第２ガウス関数のパラメータをＡ２、μ２およびσ２としたときに、以下の式（１）で表される多重ガウス関数Ｆ（ｒ）によって、前記反射光分布が検出された前記検出器での位置ｒの範囲全体に亘って前記反射光分布をフィッティングし、前記半導体構造体の湾曲量に相当する指標として前記第１ガウス関数のパラメータＡ１およびσ１のうち少なくともいずれかを取得する工程と、を有する
半導体構造体の製造方法。
【数２】
2018151321.tif 000002
（ただし、σ２＞σ１とする。）
【請求項６】
光源から板状の被測定体の表面に対して斜めの方向に光を照射し、前記表面で反射または散乱された反射光を二次元の検出器によって検出する測定を、前記被測定体の前記表面のうちの少なくとも所定範囲内の複数個所で行い、前記複数個所で測定した前記反射光の強度を積算した積算値の、前記検出器での位置に対する分布である反射光分布を取得する工程と、
前記検出器での位置をｒ、第１ガウス関数のパラメータをＡ１、μ１およびσ１、第２ガウス関数のパラメータをＡ２、μ２およびσ２としたときに、以下の式（１）で表される多重ガウス関数Ｆ（ｒ）によって、前記反射光分布が検出された前記検出器での位置ｒの範囲全体に亘って前記反射光分布をフィッティングし、前記被測定体の表面粗さに相当する指標として前記第２ガウス関数のパラメータＡ２およびσ２のうち少なくともいずれかを取得する工程と、を有する
検査方法。
【数３】
2018151321.tif 000003
（ただし、σ２＞σ１とする。）
【請求項７】
光源から板状の被測定体の表面に対して斜めの方向に光を照射し、前記表面で反射または散乱された反射光を二次元の検出器によって検出する測定を、前記被測定体の前記表面のうちの少なくとも所定範囲内の複数個所で行い、前記複数個所で測定した前記反射光の強度を積算した積算値の、前記検出器での位置に対する分布である反射光分布を取得する工程と、
前記検出器での位置をｒ、第１ガウス関数のパラメータをＡ１、μ１およびσ１、第２ガウス関数のパラメータをＡ２、μ２およびσ２としたときに、以下の式（１）で表される多重ガウス関数Ｆ（ｒ）によって、前記反射光分布が検出された前記検出器での位置ｒの範囲全体に亘って前記反射光分布をフィッティングし、前記被測定体の湾曲量に相当する指標として前記第１ガウス関数のパラメータＡ１およびσ１のうち少なくともいずれかを取得する工程と、を有する
検査方法。
【数４】
2018151321.tif 000004
（ただし、σ２＞σ１とする。）
【請求項８】
板状の半導体構造体と、
前記半導体構造体に関するデータと、
を有し、
前記データは、
光源から前記半導体構造体の表面に対して斜めの方向に光を照射し、前記表面で反射または散乱された反射光を二次元の検出器によって検出する測定を、前記半導体構造体の前記表面のうちの少なくとも所定範囲内の複数個所で行い、前記複数個所で測定した前記反射光の強度を積算した積算値の、前記検出器での位置に対する分布である反射光分布を取得し、
前記検出器での位置をｒ、第１ガウス関数のパラメータをＡ１、μ１およびσ１、第２ガウス関数のパラメータをＡ２、μ２およびσ２として、以下の式（１）で表される多重ガウス関数Ｆ（ｒ）によって、前記反射光分布が検出された前記検出器での位置ｒの範囲全体に亘って前記反射光分布をフィッティングした場合に、
前記半導体構造体の表面粗さに相当する指標として取得される前記第２ガウス関数のパラメータＡ２およびσ２のうち少なくともいずれかを含む
データ付き半導体構造体。
【数５】
2018151321.tif 000005
（ただし、σ２＞σ１とする。）
【請求項９】
前記半導体構造体は、
ＩＩＩ族窒化物半導体からなる基板と、
前記基板上に設けられ、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体層と、を有し、
前記データでは、
レーザで構成された前記光源から前記半導体層の表面に対して５０°以上８０°以下の角度で波長４０５ｎｍの光を照射し、前記表面で反射または散乱された反射光を１ピクセルの一辺の長さが１．６７μｍである前記検出器によって検出する測定を、前記半導体層の前記表面の全範囲内で行い、前記表面の全範囲内で測定した前記反射光の強度を積算した積算値の、前記検出器での位置に対する分布を規格化した前記反射光分布を取得し、前記多重ガウス関数Ｆ（ｒ）によって前記反射光分布をフィッティングした場合に、
σ２≦９０
である
請求項８に記載のデータ付き半導体構造体。
【請求項１０】
板状の半導体構造体と、
前記半導体構造体に関するデータと、
を有し、
前記データは、
光源から前記半導体構造体の表面に対して斜めの方向に光を照射し、前記表面で反射または散乱された反射光を二次元の検出器によって検出する測定を、前記半導体構造体の前記表面のうちの少なくとも所定範囲内の複数個所で行い、前記複数個所で測定した前記反射光の強度を積算した積算値の、前記検出器での位置に対する分布である反射光分布を取得し、
前記検出器での位置をｒ、第１ガウス関数のパラメータをＡ１、μ１およびσ１、第２ガウス関数のパラメータをＡ２、μ２およびσ２として、以下の式（１）で表される多重ガウス関数Ｆ（ｒ）によって、前記反射光分布が検出された前記検出器での位置ｒの範囲全体に亘って前記反射光分布をフィッティングした場合に、
前記半導体構造体の湾曲量に相当する指標として取得される前記第１ガウス関数のパラメータＡ１およびσ１のうち少なくともいずれかを含む
データ付き半導体構造体。
【数６】
2018151321.tif 000006
（ただし、σ２＞σ１とする。）
【請求項１１】
前記半導体構造体は、
ＩＩＩ族窒化物半導体からなる基板と、
前記基板上に設けられ、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体層と、を有し、
前記データでは、
レーザで構成された光源から前記半導体層の表面に対して５０°以上８０°以下の角度で波長４０５ｎｍの光を照射し、前記表面で反射または散乱された反射光を１ピクセルの一辺の長さが１．６７μｍである前記検出器によって検出する測定を、前記半導体層の前記表面の全範囲内で行い、前記表面の全範囲内で測定した前記反射光の強度を積算した積算値の、前記検出器での位置に対する分布を規格化した前記反射光分布を取得し、前記多重ガウス関数Ｆ（ｒ）によって前記反射光分布をフィッティングした場合に、
０．５≦Ａ１≦１
である
請求項１０に記載のデータ付き半導体構造体。
【請求項１２】
光源から板状の被測定体の表面に対して斜めの方向に光を照射し、前記表面で反射または散乱された反射光を二次元の検出器によって検出する測定を、前記被測定体の前記表面のうちの少なくとも所定範囲内の複数個所で行い、前記複数個所で測定した前記反射光の強度を積算した積算値の、前記検出器での位置に対する分布である反射光分布を取得した結果に基づいて、
前記検出器での位置をｒ、第１ガウス関数のパラメータをＡ１、μ１およびσ１、第２ガウス関数のパラメータをＡ２、μ２およびσ２として、以下の式（１）で表される多重ガウス関数Ｆ（ｒ）によって、前記反射光分布が検出された前記検出器での位置ｒの範囲全体に亘って前記反射光分布をフィッティングする手順と、
前記反射光分布のフィッティング結果に基づいて、前記被測定体の湾曲量に相当する指標としての前記第１ガウス関数のパラメータＡ１およびσ１、前記被測定体の表面粗さに相当する指標としての前記第２ガウス関数のパラメータＡ２およびσ２、のうち少なくともいずれかを取得する手順と、
をコンピュータに実行させる
プログラム。
【数７】
2018151321.tif 000007
（ただし、σ２＞σ１とする。）
【請求項１３】
板状の半導体構造体と、
前記半導体構造体に関するデータを取得するよう、コンピュータに実行させるプログラムと、
を有し、
前記プログラムは、
光源から前記半導体構造体の表面に対して斜めの方向に光を照射し、前記表面で反射または散乱された反射光を二次元の検出器によって検出する測定を、前記半導体構造体の前記表面のうちの少なくとも所定範囲内の複数個所で行い、前記複数個所で測定した前記反射光の強度を積算した積算値の、前記検出器での位置に対する分布である反射光分布を取得した結果に基づいて、
前記検出器での位置をｒ、第１ガウス関数のパラメータをＡ１、μ１およびσ１、第２ガウス関数のパラメータをＡ２、μ２およびσ２として、以下の式（１）で表される多重ガウス関数Ｆ（ｒ）によって、前記反射光分布が検出された前記検出器での位置ｒの範囲全体に亘って前記反射光分布をフィッティングする手順と、
前記反射光分布のフィッティング結果に基づいて、前記半導体構造体の湾曲量に相当する指標としての前記第１ガウス関数のパラメータＡ１およびσ１、前記半導体構造体の表面粗さに相当する指標としての前記第２ガウス関数のパラメータＡ２およびσ２、のうち少なくともいずれかを取得する手順と、
を前記コンピュータに実行させる
プログラム付き半導体構造体。
【数８】
2018151321.tif 000008
（ただし、σ２＞σ１とする。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体構造体の製造方法、検査方法、データ付き半導体構造体、プログラム、およびプログラム付き半導体構造体