【事件の表示】
　特願２０１８−２２２９９０「ＡＬＤ反応炉における基板の装填」拒絶査定不服審判事件〔令和　１年　５月　９日出願公開，特開２０１９−　７１４２５，請求項の数（１３）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件審判請求に係る出願（以下，「本願」という。）は，２０１２年（平成２４年）１１月２３日を国際出願日とする特願２０１５−５４３４８７号の一部を，平成２９年　３月　７日に新たな特許出願とした特願２０１７−４２４８６号の一部を，平成３０年１１月２９日に更に新たな特許出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成３０年１２月１３日　　：手続補正書の提出
令和　１年　８月１３日付け：拒絶理由通知書
令和　１年１０月１６日　　：意見書，手続補正書の提出
令和　１年１２月２７日付け：拒絶査定
令和　２年　４月２３日　　：審判請求書，手続補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定（令和　１年１２月２７日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
理由２　本願請求項１−１３に係る発明は，以下の引用文献１−６に基いて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献１　特開２０１０−１８６９０４号公報
引用文献２　特開２００５−１２３３１５号公報
引用文献３　特開２０１２−１８６４８５号公報
引用文献４　特開２０１２−１７４７６３号公報
引用文献５　特開２００４−２８１６１３号公報
引用文献６　特開２０００−２８６３２１号公報
第３　審判請求時の補正について
　審判請求時の補正は，特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。
　審判請求時の補正は，補正前の請求項１，７に，「前記基板ホルダを真空中で回転させることは，前記基板ホルダを，該基板ホルダに備えられる回転中心において，回転軸の周りに回転させることを含む」と限定を加えるものであるから，特許請求の範囲の限縮を目的とするものである。
　また，審判請求時の補正は，本願の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲及び図面に記載された事項であり，新規事項を追加するものではないといえ，当該補正によっても，補正前の請求項に記載された発明とその補正後の請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一であることは明らかである。
　そして，「第４　本願発明」から「第６　対比・判断」までに示すように，補正後の請求項１−１３に係る発明は，独立特許要件を満たすものである。
第４　本願発明
　本願請求項１−１３に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明１３」という。）は，令和　２年　４月２３日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１３に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１は，以下のとおりの発明である。
「　　【請求項１】
　堆積反応炉の反応室内に基板を装填する方法であって，
　基板ホルダに複数の基板を供給すること，ただし前記複数の基板は前記基板ホルダ内で，水平に向けられた基板群の鉛直方向の積み重ねを形成する，前記供給することと，
　鉛直に向けられた基板群の水平方向の配列を形成するべく前記基板ホルダを真空中で回転させることと，
を含む，方法であって，前記基板ホルダを真空中で回転させることは，前記基板ホルダを，該基板ホルダに備えられる回転中心において，回転軸の周りに回転させることを含む，
方法。」
　なお，本願発明２−６は，概略，本願発明１を減縮した発明であり，発明本願発明７は，本願発明１に対応する装置に関する発明，本願発明８−１３は，概略，本願発明７を減縮した発明である。
第５　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
（１）　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（当審注：下線は，参考のために当審で付与したものである。以下同様である。）
「【０００３】
　基板を処理する場合，処理管内の基板に対して均一な処理を行うことが重要である。
　しかしながら，上記縦型処理管を備える基板処理装置で，比較的大口径，例えば約４００ｍｍ以上の口径の基板を処理する際，水平姿勢で配置された基板が自重により比較的大きく変形する場合がある。そのため，その基板に対して均一に所定の基板処理を行うことができない場合がある。
【０００４】
　本発明は，比較的大口径の基板に対して基板処理を行う場合であっても，その基板に対して均一に基板処理を行うことが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。」
「【００１６】
（移載室１２４）
　筐体１１１の前室１１７の後方には，ウエハ載置台１２２の設置空間（前室１１７）から，流体的に隔離された移載室（搬送室）１２４が設けられている。移載室１２４内には，ウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設けられている。ウエハ移載機構１２５は，ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａと，ウエハ移載装置１２５ａを移動させるための移動機構１２５ｂと，を有する。
【００１７】
　
移動機構１２５ｂは，ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウエハ移載装置１２５ａの連続動作により，ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として，基板保持具２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
【００１８】
　
本実施形態では，ウエハ２００が装填される基板保持具２１７は，水平姿勢と垂直姿勢との間で姿勢変換可能に構成されている。
【００１９】
（姿勢変換移動機構１１５）
　
第１のシール部２１９０の近傍（例えば下方）には，姿勢変換移動機構１１５が備えられている。例えば，姿勢変換移動機構１１５は，基板保持具２１７を保持する第１のシール部２１９０を，基板保持具２１７に保持されるウエハ２００が水平姿勢となる状態と垂直姿勢となる状態との間で姿勢変換する機構
「【００８９】
（基板処理装置１０１の動作）
　
次に，本発明の一実施形態にかかる基板処理装置１０１の動作について説明する。図７は，本発明の一実施形態にかかる基板処理装置１０１の動作を説明するためのフローチャートである。
　図７を参照しながら，上記構成にかかる処理炉２０２を用いて，半導体デバイスの製造工程の一工程として，ウエハ２００に熱処理を行う方法について説明する。
【００９０】
（Ｓ１）
　装填前処理として，先ず，ポッド１１０が載置台１２２に移載される。ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０は，キャップ着脱機構１２３によって閉じられており，移載室１２４にはクリーンエアが流通され，充満されている。
【００９１】
　
例えば，移載室１２４にはクリーンエアとして窒素ガスが充満することにより，酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と，筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
　不図示のポッド搬送装置によって，載置台１２２に載置されたポッド１１０は，その開口側端面が筐体１１１の正面壁におけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられる。ポッド１１０のキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され，ウエハ出し入れ口を開放される。
【００９２】
　
ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると，ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ，不図示のノッチ合わせ装置にてウエハ２００を整合した後，基板保持具２１７に装填（チャージング）される。
【００９３】
（Ｓ１０）
　詳細には，ステップＳ１０では，図５（Ａ）〜図５（Ｄ），図６（Ａ），図６（Ｂ）に示すように，基板保持具２１７に，複数のウエハ２００を略垂直姿勢で略水平方向に配列した状態で保持し，固定部（可動保持部２１７ｃ）により，ウエハ２００を略垂直姿勢で略水平方向に配列した状態で固定する（Ｓ１０）。
【００９４】
　
本実施形態では，上記ステップＳ１０における基板保持具２１７の固定部により，複数のウエハ２００を水平姿勢で垂直方向に配列した状態で固定する固定する工程として，図７，図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に示されるステップＳ１１〜Ｓ１３を実行する。
【００９５】
　本実施形態では，図８（Ａ）に示すように，基板保持具２１７の各支柱２１７３ａ，２１７３ｂ，２１７３ｃ）には，ウエハ２００を保持するための複数の保持溝２１７ｈが形成されている。この保持溝２１７ｈの溝幅（支柱の長手方向に沿った長さ）は，ウエハ２００の厚さより幅広に形成されている。
【００９６】
（Ｓ１１）
　ステップＳ１１では，図８（Ａ）に示すように，基板保持具２１７の各支柱２１７３ａ〜２１７３ｃの軸方向が垂直方向と一致するように，姿勢変換移動機構１１５により，基板保持具２１７を垂直姿勢にする。
【００９７】
　
続いて，図８（Ａ）に示すように，基板保持具２１７により，複数のウエハ２００を水平姿勢で垂直方向に配列した状態で保持する。
【００９８】
（Ｓ１２）
　ステップＳ１２では，図８（Ｂ）に示すように，基板保持具２１７の固定部（可動保持部２１７ｃ）により，複数のウエハ２００を水平姿勢で垂直方向に配列した状態で固定する。
【００９９】
（Ｓ１３）
　ステップＳ１３では，図８（Ｃ）に示すように，基板保持具２１７の固定部（可動保持部２１７ｃ）により複数のウエハ２００を固定したまま，ウエハ２００が垂直姿勢となるように，基板保持具２１７を姿勢変換移動機構１１５により水平軸まわりに９０°回転させて姿勢変換する。
【０１００】
　上記ステップＳ１１〜Ｓ１３により，上記支柱の保持溝２１７ｈに挿入された複数のウエハ２００が略垂直姿勢で水平方向に沿って配列した状態で，基板保持具２１７の固定部（可動保持部２１７ｃ）により固定された状態となる。
【０１０１】
（Ｓ２０）
　続いて，ステップＳ２０では，炉口側シール部２１９０が姿勢変換移動機構１１５によって移動されることにより，ウエハ２００を固定した基板保持具２１７が，処理炉２０２内に搬入（ローディング）され，シール部２１９０によりプロセスチューブ２０５の開口部２０２１が密閉される。
【０１０２】
（Ｓ３０）
　続いて，ステップＳ３０では，回転部２５５により基板保持具２１７を回転させつつ，プロセスチューブ２０５内にガスを供給して，ウエハ２００に所定の基板処理，例えば，酸化，拡散，アニールなどの基板処理が実施される。
「【図１】
」
「【図２】
」
「【図７】
」
「【図８】
」
（２）　上記（１）を参酌すると，上記引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「　ステップＳ１では，装填前処理として，移載室１２４にはクリーンエアが流通され，
　ステップＳ１０では，基板保持具２１７に，複数のウエハ２００を略垂直姿勢で略水平方向に配列した状態で保持し，固定部（可動保持部２１７ｃ）により，ウエハ２００を略垂直姿勢で略水平方向に配列した状態で固定され，
　ステップＳ２０では，炉口側シール部２１９０が姿勢変換移動機構１１５によって移動されることにより，ウエハ２００を固定した基板保持具２１７が，処理炉２０２内に搬入（ローディング）され，シール部２１９０によりプロセスチューブ２０５の開口部２０２１が密閉される，
基板処理装置１０１の動作であって，
　上記ステップＳ１０における基板保持具２１７の固定部により，複数のウエハ２００を水平姿勢で垂直方向に配列した状態で固定する固定する工程として，
　ステップＳ１１では，基板保持具２１７の各支柱２１７３ａ〜２１７３ｃの軸方向が垂直方向と一致するように，姿勢変換移動機構１１５により，基板保持具２１７を垂直姿勢にし，基板保持具２１７により，複数のウエハ２００を水平姿勢で垂直方向に配列した状態で保持し，
　ステップＳ１２では，基板保持具２１７の固定部（可動保持部２１７ｃ）により，複数のウエハ２００を水平姿勢で垂直方向に配列した状態で固定し， 
　ステップＳ１３では，基板保持具２１７の固定部（可動保持部２１７ｃ）により複数のウエハ２００を固定したまま，ウエハ２００が垂直姿勢となるように，基板保持具２１７を姿勢変換移動機構１１５により水平軸まわりに９０°回転させて姿勢変換する，
ステップＳ１１〜Ｓ１３を実行すること。」
２　その他の文献について
（１）　原査定の拒絶の理由において引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００１７】
　本発明に係る熱処理装置の実施の形態について以下に説明するが，先ず，装置の全体構成について図１及び図２を参照しながら説明する。この熱処理装置は，基板であるウエハＷを例えば１５枚棚状に収納したキャリアＣを搬入出するための搬入出ポートＡ１と，
ウエハＷを熱処理用の加熱炉内に搬入して所定の熱処理を行うためのローディングエリア（移載領域）Ａ２と，を備えており，
【００１８】
　搬入出ポートＡ１はキャリアＣが外部から搬入出される第１の載置台２１と，キャリアＣ内のウエハＷがローディングエリアＡ２に搬入出されるときに置かれる第２の載置台２２と，両載置台２１，２２の間でキャリアＣを搬送するキャリア搬送機構２３と，を備えている。このキャリアＣは，前後の工程との間でウエハＷを移送する際にウエハＷが大気中に置かれることを防止するために例えば蓋付きの密閉型キャリアとして構成され，仕切壁２０の開口部を開閉するドア２４に組み合わされた蓋開閉機構により蓋が取り外されてキャリアＣ内がローディングエリアＡ２の雰囲気に置かれるようになっている。
【００１９】
　
ローディングエリアＡ２は，例えばクリーンエアのサイドフローが形成されており，各々がウエハＷを所定の経路にて移載する第１の移載手段３と第２の移載手段４とが設けられると共に，ウエハＷに対して熱処理を行う加熱炉５と，ウエハの姿勢を横向きと縦向きとの間で変更する姿勢変更手段６と，が設けられている。
【００２０】
　前記第１の移載手段３は，横向き姿勢のウエハＷの裏面側周縁部を下方側から支持する例えば複数枚のアームを所定の間隔をおいて積層したアームユニット３１が搬送基体３２に進退自在に設けられると共に，この搬送基体３２を横方向（熱処理装置の幅方向）及び上下方向に移動自在でかつ鉛直軸回りに回転自在とするための駆動系３３を備えている。
この第１の移載手段３は，キャリアＣと姿勢変更手段６との間でウエハＷの移載を行う役割を有している。
【００２１】
　
また第２の移載手段４は，姿勢変更手段６により縦向きにされたウエハＷの周縁部例えばデバイス形成領域の外側を左右から把持する一対のアームが前後方向に複数並べられたアームユニット４１が搬送基体４２に進退自在に設けられると共に，この搬送基体４２を横方向（熱処理装置の幅方向）及び上下方向に移動自在とするための駆動系４３を備えている。この第２の移載手段４は，姿勢変更手段６と加熱炉５との間でウエハＷの移載を行う役割を有している。
「【００２７】
　
続いて図１及び図２に記載したウエハＷの姿勢を変更する姿勢変更手段６について図６を参照しながら詳述する。図中６１は前面が開口する回転箱であり，この回転箱６１の内周面には段部６２がウエハＷの厚み相当の間隔をおいて上下に並んで形成されている。ウエハＷは段部６２間に挿入され，当該段部６２に裏面側を支持されて棚状に保持されるように構成されている。更に回転箱６１の背面側底部には，幅方向に水平に伸びる回転軸６４が設けられており，この回転軸６４の基端側は回転機構６５と接続されている。そして当該回転機構６５により回転軸６４が水平軸周りに９０度回転することにより，このウエハＷを収納した回転箱６１が前転および後転し，これによりウエハＷの姿勢が縦向きと横向きとの間で変更されるように構成されている。
【００２８】
　更に回転箱６１の背面には，例えば下端部から上端部に渡って縦に開口する開口部６１ａが形成されており，後転位置にある回転箱６１の開口部６１ａと対向するように基板突き上げ手段６６が配置されている。この基板突き上げ手段６６は，上昇して前記開口部６１ａを通過可能な突き上げ部材６７を備えており，この突き上げ部材６７の表面には図６（ｂ）に示すようにウエハＷの外周縁が係合される上部側側面が外に傾斜した溝部６７ａが形成されている。
この突き上げ部材６７の下方側には昇降機構６８が軸部６９を介して接続され，この昇降機構６８により突き上げ部材６７が上昇してウエハＷを上方に突き上げ，このウエハＷを第２の移載手段４が受け取る。即ち，基板突き上げ手段６６と，第２の移載手段４との協働作用によりウエハＷの受け渡しが可能なように構成されている。
【００２９】
　続いて，
上述の熱処理装置を用いてウエハＷを熱処理する工程について説明する。熱処理としては，ウエハＷの表面にシリコン酸化膜を形成するための酸化処理を例に挙げて説明する。
【００３０】
　
続いて第１の移載手段３のアームユニット３１がキャリアＣ内に進入し，複数枚例えば５枚のウエハＷを一括してキャリアＣから取り出して縦向きの回転箱６１に搬入する。この作業を順次繰り返してキャリアＣ内にあるウエハＷを回転箱６１に搬入した後，回転機構６５により回転軸６４が回転することにより回転箱６１が９０度後転する。これにより回転箱６１内に水平に保持されていたウエハＷの姿勢が縦向きに変更される。続いて，第２の移載手段４のアームユニット４１が回転箱６１の上方に案内され，更に基板突き上げ手段６６により回転箱６１内から上方に突き上げられた複数枚例えば１５枚のウエハＷを一括して受け取ってウエハボート７１に載置する。この作業を順次繰り返して所定枚数のウエハＷをウエハボート７１に載置した後，第２の移載手段４は後退する。
【００３１】
　
しかる後，ボートエレベータ７３が上昇して反応容器５１内に，ウエハＷを保持したウエハボート７１が搬入され，当該反応容器５１の開口部５３が蓋体７により閉じられて気密になる。
「【図１】
」
「【図２】
」
「【図６】
」
（２）上記（１）の記載から，上記引用文献２には次の事項（以下，「引用文献２記載事項」という。）が記載されていると認められる。
「　ローディングエリアＡ２は，クリーンエアのサイドフローが形成されており，各々がウエハＷを所定の経路にて移載する第１の移載手段３と第２の移載手段４とが設けられると共に，ウエハＷに対して熱処理を行う加熱炉５と，ウエハの姿勢を横向きと縦向きとの間で変更する姿勢変更手段６と，が設けられている，熱処理装置を用いてウエハＷを熱処理する工程であって，
　第１の移載手段３のアームユニット３１がキャリアＣ内にあるウエハＷを回転箱６１に搬入し，
　その後，回転機構６５により回転軸６４が回転することにより回転箱６１が９０度後転することにより回転箱６１内に水平に保持されていたウエハＷの姿勢が縦向きに変更され，
　続いて，第２の移載手段４のアームユニット４１が回転箱６１の上方に案内され，回転箱６１内からウエハＷを受け取ってウエハボート７１に載置し，
　ボートエレベータ７３が上昇して反応容器５１内に，ウエハＷを保持したウエハボート７１が搬入される，
工程。」
（３）原査定の拒絶の理由において引用された引用文献３の，段落００１５−００１６，００２９−００３０，００４７−００５５，０１５７及び図１には，「基板処理装置の処理炉を用いて，基板上に絶縁膜を成膜する方法において，ＡＬＤ法を使用すること。」及び，「基板処理装置の処理炉として，縦型バッチ装置や横型装置がある。」という事項（以下，「引用文献３記載事項」という。）が記載されていると認められる。
（４）原査定の拒絶の理由において引用された引用文献４の，段落００１１−００１２及び図１には，「基板にＣＶＤ及びＡＬＤ等による成膜の処理を行うプロセスモジュールを，複数備える基板処理装置。」という事項（以下，「引用文献４載事項」という。）が記載されていると認められる。
（５）原査定の拒絶の理由において引用された引用文献５の，段落００５１−００５６及び図１−２には，「搬送室３４内部と前記ロードロック室３７内部とは略真空圧に同圧化されている状態で，基板搬送容器２７から未処理前記ウェーハ４３が前記ゲート口３７ａを通して前記ボート４１に移載すること。」という事項（以下，「引用文献５載事項」という。）が記載されていると認められる。
（６）原査定の拒絶の理由において引用された引用文献６の，段落００９２−００９３及び図６には，「真空処理装置６３で，基板８０に多層膜を成膜する方法において，予め真空槽６１内は真空排気されており，搬送室７０から，搬送機構で水平な状態の基板を真空槽６１内に搬入して，基板を基板ホルダ８０に密着保持させ，基板が保持された状態で，基板ホルダ８０をカソード６８1方向に起立させて，基板を立った状態とすること。」という事項（以下，「引用文献６載事項」という。）が記載されていると認められる。
（７）本願の出願前に公開された，特開平６−６９３１４号公報（以下，「引用文献７」という。）の，段落０００２−０００６，００１３−００２１及び図１，２，６，７には，「ウエハボート１０の両端の受部４７を支持するボート支持部１８と，このボート支持部１８を垂直面内に回転させる垂直回転駆動機構２２とを備えたウエハボート回転装置５０において，移載機構によりウエハＷをウエハボート１０に移載し，ウエハの移載が完了するとボート支持部１８の両端のアームによりウエハボート１０の両端を支持し，垂直回転駆動機構２２を回転軸２０を中心に９０°回転させてウエハボート１０を起立させる。」という事項（以下，「引用文献７記載事項」という。）が記載されていると認められる。
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
ア　引用発明における「基板保持具２１７」，「ウエハ２００」は，本願発明１の「基板ホルダ」，「基板」に相当することは明らかである。
　また，引用発明における「処理炉２０２」は，本願発明１の「堆積反応炉」と，基板に基板処理が実行される「炉」である点で一致し，本願発明１の「プロセスチューブ２０５」は，本願発明１の「反応室」に対応する。
　そして，引用発明は，「ウエハ２００を固定した基板保持具２１７が，処理炉２０２内に搬入（ローディング）され，シール部２１９０によりプロセスチューブ２０５の開口部２０２１が密閉される」から，本願発明１の「堆積反応炉の反応室内に基板を装填する方法」であるといえる。
イ　引用発明の，「基板保持具２１７の各支柱２１７３ａ〜２１７３ｃの軸方向が垂直方向と一致するように，姿勢変換移動機構１１５により，基板保持具２１７を垂直姿勢にし，基板保持具２１７により，複数のウエハ２００を水平姿勢で垂直方向に配列した状態で保持」する「ステップＳ１１」は，本願発明１の「基板ホルダに複数の基板を供給すること，ただし前記複数の基板は前記基板ホルダ内で，水平に向けられた基板群の鉛直方向の積み重ねを形成する，前記供給すること」に相当する。
ウ　引用発明の，「基板保持具２１７の固定部（可動保持部２１７ｃ）により複数のウエハ２００を固定したまま，ウエハ２００が垂直姿勢となるように，基板保持具２１７を姿勢変換移動機構１１５により水平軸まわりに９０°回転させて姿勢変換」する「ステップＳ１３」は，本願発明１の「鉛直に向けられた基板群の水平方向の配列を形成するべく前記基板ホルダを真空中で回転させることと」と，「鉛直に向けられた基板群の水平方向の配列を形成するべく前記基板ホルダを」「回転させること」で一致する。
エ　したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「　炉の室内に基板を装填する方法であって，
　基板ホルダに複数の基板を供給すること，ただし前記複数の基板は前記基板ホルダ内で，水平に向けられた基板群の鉛直方向の積み重ねを形成する，前記供給することと，
　鉛直に向けられた基板群の水平方向の配列を形成するべく前記基板ホルダを回転させることと，
を含む，
方法。」
（相違点）
（相違点１）本願発明１は，「反応堆積炉」の「反応室」と特定されているのに対し，引用発明は，そのように特定されていない点。
（相違点２）鉛直に向けられた基板群の水平方向の配列を形成するべく基板ホルダを回転させることについて，本願発明１は，「鉛直に向けられた基板群の水平方向の配列を形成するべく前記基板ホルダを真空中で回転させ」，かつ，「前記基板ホルダを，該基板ホルダに備えられる回転中心において，回転軸の周りに回転させることを含む」と特定されているのに対し，引用発明は，そのように特定されていない点。
（２）相違点についての判断
ア　相違点２について
　事案に鑑みて，相違点２について最初に検討する。
　引用文献５記載事項には，「略真空圧に同圧化されている状態で」，「板搬送容器２７」から「未処理前記ウェーハ４３」を「ボート４１」に移載する」点が記載されているが，「ボート４１」を回転させるものではなく，本願発明１の，「鉛直に向けられた基板群の水平方向の配列を形成するべく前記基板ホルダを真空中で回転させ」，かつ，「前記基板ホルダを，該基板ホルダに備えられる回転中心において，回転軸の周りに回転させることを含む」点について，何ら記載されていない。
　また，引用文献６記載事項には，予め真空排気されている「真空槽６１」内に「基板」を搬入し，「基板」を「基板ホルダ８０に密着保持」させ，「基板ホルダ８０」を起立させることにより，基板を立った状態とすることが記載されているが，「基板ホルダ８０」に複数の「基板」を供給するものでなく，また，「鉛直に向けられた基板群の水平方向の配列を形成するべく」回転させるものでもない。
　そして，引用文献７記載事項には，「垂直回転駆動機構２２」により，「ボート支持部１８」を回転させ，「ウエハボート１０を起立させる」ことが記載されているが，「回転軸２０」は「垂直回転駆動機構２２」に設けられており，「ウエハボート１０」に設けられておらず，また，「真空中で回転させ」るとも特定されていない。
　さらに，引用文献２−４記載事項にも，相違点２に係る本願発明１の，「鉛直に向けられた基板群の水平方向の配列を形成するべく前記基板ホルダを真空中で回転させ」，かつ，「前記基板ホルダを，該基板ホルダに備えられる回転中心において，回転軸の周りに回転させることを含む」という構成は，記載されていない。
　また，相違点２に係る本願発明１の，「鉛直に向けられた基板群の水平方向の配列を形成するべく前記基板ホルダを真空中で回転させ」，かつ，「前記基板ホルダを，該基板ホルダに備えられる回転中心において，回転軸の周りに回転させることを含む」という構成は，上記引用発明及び文献２−７記載事項に記載されておらず，本願出願前において周知技術であるともいえない。
　してみると，当業者であっても，引用発明及び引用文献２−７記載事項に基づいて，本願発明１の相違点２に係る構成とすることは，容易に発明できたものであるとはいえない。
イ　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明及び引用文献２−７記載事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２−６について
　本願発明２−６は，本願発明１を減縮した発明であり，本願発明１と同一の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明及び引用文献２−７記載事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
３　本願発明７−１３について
　本願発明７は，本願発明１に対応する装置に関する発明，本願発明８−１３は，本願発明７を減縮した発明であり，本願発明１と同一の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明及び引用文献２−７記載事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
第７　原査定について
１　理由２について
　本願発明１−１３は，上記「第６　対比・判断」の「１　本願発明１について」の「（１）対比」における相違点２に係る構成を有するものとなっており，拒絶査定において引用された引用文献１及び引用文献２−６に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。
　したがって，原査定の理由２を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。