【事件の表示】
　特願２０１７−５０９７０４「結晶性有機半導体材料の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　２月２５日国際公開、ＷＯ２０１６／０２７２１８、平成２９年　９月２８日国内公表、特表２０１７−５２８４４７、請求項の数（１９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１５年（平成２７年）８月１７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１４年８月１８日，欧州特許庁）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和元年１０月１８日付け　：拒絶理由通知書
　令和２年２月３日　　　：意見書，補正書の提出
　令和２年４月２１日付け　：拒絶査定
　令和２年７月１４日　　　：審判請求書，手続補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定（令和２年４月２１日付け拒絶査定）の概要は，本願の請求項１〜２２に係る発明は，本願優先日前に日本国内又は外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった，以下の引用文献１に記載された発明及び引用文献２及び５に記載された技術的事項に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用文献１.特開２００９−７８９６３号公報（以下「引用例１」という。）
引用文献２.特表２０１１−５１４８８４号公報（以下「引用例２」という。）
引用文献５.特表２０１１−５２２０９７号公報（以下「引用例３」という。）
第３　本願発明
　本願の請求項１〜１９に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」〜「本願発明１９」という。）は，令和２年７月１４日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１９に記載された事項により特定される発明であり，そのうちの本願発明１は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　結晶性有機半導体材料を製造する方法であって，
（ａ）少なくとも１種の溶媒（Ｌ１）と，（Ｌ１）とは異なる少なくとも１種の溶媒（Ｌ２）とを含有する溶媒混合物に少なくとも１種の有機半導体Ａ）を入れた溶液を用意する工程，ここで溶媒（Ｌ１）は，
・１０１３．２５ｍｂａｒで少なくとも１４０℃という沸点，
・２３℃で少なくとも１．２ｍＰａｓという粘度，及び
・２０℃で少なくとも３１．５ｍＮ／ｍという表面張力
を示し，
（ｂ）工程（ａ）で用意した溶液を基板表面に適用して，溶媒混合物を蒸発させ，有機半導体Ａ）を結晶化させる工程
を有し，前記少なくとも１種の有機半導体Ａ）が，
一般式（ＩＩ．ａ）のリレン化合物：
　　【化１】
上記式中，
　ｎは，１，２，３，又は４であり，
　Ｒa，及びＲbは相互に独立して，水素，非置換又は置換されたアルキル，非置換又は置換されたアルケニル，非置換又は置換されたアルカジエニル，非置換又は置換されたアルキニル，非置換又は置換されたシクロアルキル，非置換又は置換されたビシクロアルキル，非置換又は置換されたシクロアルケニル，及び非置換又は置換されたヘテロシクロアルキルから選択され，
　基Ｒn1，Ｒn2，Ｒn3，及びＲn4は，相互に独立して，水素，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ及びＣＮから選択され，
　溶媒（Ｌ１）が，以下のもの：
Ｌ１．１）式（Ｉ．１）の化合物：
　　【化２】
から選択される，２０℃，及び１０１３ｍｂａｒで液状の化合物少なくとも１種，
上記式中，
　Ｘ1及びＸ2は，*−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−であり，ここで*は，芳香族の炭素環に対する結合点であり，かつ，
　Ｒc，及びＲdは，独立して，非分枝状，及び分枝鎖状のＣ1〜Ｃ12アルキル，及びＣ2〜Ｃ12アルケニルから選択され，
Ｌ１．３）ヒドロキシ安息香酸エステル，
及びこれらの化合物の混合物
から選択され，
溶媒（Ｌ２）が，
・脂環式環を含む多環式炭化水素とは異なる脂肪族，脂環式，及び芳香族の炭化水素，
・芳香族エーテル，
・開鎖脂肪族エーテル，ポリエーテル，エーテルアルコール，及び環状エーテル，
・芳香族脂肪族ケトンとは異なるケトン，
・安息香酸アルキル，ヒドロキシ安息香酸エステル，およびアルキレンカーボナートとは異なるエステル，
・脂肪族，及び脂環式アルコール，
・ベンゼン系アルコール，
・ハロゲン化芳香族化合物，
・チオフェノール，及びアルキルチオ置換されたベンゼン，
・５員環，６員環，又は７員環のシクロヘテロアルキル基に縮合されたフェニル基を有する，芳香族化合物，
・５員環のヘテロアリール化合物，及びベンゾ縮合した５員環のヘテロアリール化合物，
・芳香族カルボン酸，
・芳香族アルデヒド，
・トリフルオロメチル置換されたベンゼン化合物，
・シアノ置換，又はイソシアノ置換されたベンゼン化合物，
・ニトロ置換されたベンゼン化合物，
・フェニルスルホン，
・６員環のヘテロアリール化合物，及びベンゾ縮合された６員環のヘテロアリール化合物，
・ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）およびＮ−メチルピロリドンとは異なる非プロトン性極性溶媒，及び
・これらの化合物の混合物
から選択される，前記方法。」
　本願発明２〜１５は，本願発明１を減縮した発明であり，本願発明１６は本願発明１〜１５のいずれかの発明により得られる有機半導体結晶の使用の発明である。また，本願発明１７は，本願発明１の「有機半導体材料を製造する方法」を「電子デバイス，光学デバイス，又はセンサの製造方法」に限定した発明であり，本願発明１８〜１９は，本願発明１７を減縮した発明である。
第４　引用例の記載と引用発明
１．引用例１について
（１）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１（特開２００９−７８９６３号公報）には，次の記載がある。
「【０００５】
　さらに，
基板上に，有機半導体化合物が可溶な有機溶媒を塗布して液膜を形成した後に有機半導体化合物を蒸着やスパッタリング等により付着させ，該化合物が前記有機溶媒に溶解した状態を経由して，その後に前記有機溶媒を蒸発させることで有機半導体化合物の薄膜を作製する方法が提案されている
「【０００９】
　本発明者らは鋭意検討を重ねた結果，
基板上に，有機半導体化合物が可溶な有機溶媒を塗布して液膜を形成した後に有機半導体化合物を蒸着やスパッタリング等により付着させ，該有機溶媒液膜中で有機半導体化合物を成長させて有機半導体化合物の単結晶薄膜を作製する方法において，前記有機溶媒の誘電率が有機半導体化合物の単結晶薄膜の形成に非常に大きな影響を及ぼし，誘電率が４．５以上である有機溶媒を用いた場合に振動現象を抑制することができ，大面積かつ均一な単結晶薄膜が得られるという予期せぬ効果を見出した
「【００１２】
　以下，本発明について詳細に説明する。
　
本発明の有機半導体化合物の単結晶薄膜の作製方法は，（１）誘電率が４．５以上でありかつ有機半導体化合物が可溶である有機溶媒を，基板上に塗布して液膜を形成する工程，（２）前記有機溶媒液膜に前記有機半導体化合物を供給し溶解させる工程，および（３）前記有機溶媒中で前記有機半導体化合物を結晶化させる工程を含むことを特徴とする
【００１３】
（１）有機溶媒液膜形成工程
  本発明では，まず，特定の有機溶媒を基板上に塗布して，有機溶媒液膜（以下，オイル薄膜ともいう。）を形成する
「【００１６】
　有機溶媒は，誘電率が４．５以上であるものが用いられる。誘電率が４．５以上の有機溶媒は，有機半導体化合物の溶解度が適度な範囲であり，このような有機溶媒を用いることで，有機半導体化合物を基板上に付着させる際に基板上に形成された有機溶媒液膜の表面が波打つ，いわゆる振動現象を抑制して有機半導体化合物の結晶を均一に成長させることができ，大面積かつ均一な単結晶薄膜を効率的に作製することが可能となる。この理由については，未だ明確にはわかっていないが，誘電率が高い有機溶媒は，基板ならびに有機半導体化合物の両方に対して適度な相互作用をもつために，基板界面上での単結晶薄膜作製プロセスが容易となり，また，単結晶化の速度と有機半導体化合物の溶解速度とのバランスをとることができると考えられている。」
「【００１８】
　
本発明に用いられる有機溶媒としては
さらに好ましくは，フタル酸エステル系化合物もしくはリン酸エステル系化合物である
【００１９】
　本発明に用いられる有機溶媒の具体例としては，例えば，クロロヘプタン（誘電率：５．５），クロロオクタン（誘電率：５．１），クロロトルエン（誘電率：４．７），ブロモヘプタン（誘電率：５．３），ジメトキシベンゼン（誘電率：４．５），アセトニトリル（誘電率：３７．５），アセトフェノン（誘電率：１７．３），アミルアルコール（誘電率：１５．８），ジメチルアミン（誘電率：６．３），
フタル酸メチルエステル（誘電率：８．５），フタル酸エチルエステル，フタル酸プロピルエステル，フタル酸ブチルエステル（誘電率：６．４），フタル酸ペンチルエステル，フタル酸ヘキシルエステル（誘電率：６．６），フタル酸ヘプチルエステル，フタル酸オクチルエステル（誘電率：５．１），フタル酸ノニルエステル，フタル酸（２−エチルヘキシル）エステル（誘電率：６．６）
「【００２４】
（２）有機半導体化合物供給工程
　
次に，基板上に形成された有機溶媒液膜に有機半導体化合物を供給し，有機溶媒中に有機半導体化合物を溶解させる
【００２５】
　
本発明で用いられる有機半導体化合物としては，半導体特性を示す有機化合物であればいかなるものであってもよいが
　本発明で用いられる有機半導体化合物としては，ｐ型であってもｎ型であってもよい。ｐ型有機半導体化合物の具体例としては，例えば，置換又は無置換の，ペンタセン類，ルブレン類，オリゴチオフェン類，フタロシアニン類などが挙げられる。また，ケミカル  レビュー誌，第１０７巻，第９５３〜１０１０頁，２００７年に記載されている有機半導体材料も好適に用いられる。高い移動度を得る目的としては，ペンタセン，ルブレン，オリゴチオフェンが特に好ましい。
　
ｎ型有機半導体化合物の具体例としては
ペリレン類などが挙げられる
　また，ｐ型有機半導体化合物結晶とｎ型有機半導体化合物結晶とを積層させてｐｎ接合型素子として利用してもよい。」
「【００２７】
（３）結晶化工程
　
次に，有機溶媒中で有機半導体化合物を結晶化させて，有機半導体化合物の単結晶薄膜を作製する
【００２８】
　有機溶媒中で有機半導体化合物の結晶成長させる，本発明の単結晶薄膜作製プロセスを行う温度は，２５℃以下の低温が好ましく（より好ましくは−１００℃以上２５℃以下であり），より好ましくは０℃以下（さらに好ましくは−７８℃以上０℃以下）である。低温で行うことにより，良好な単結晶薄膜をより効率的に形成することができる。この理由については，未だ明確なことはわかっていないが，次のように考えられている。すなわち，高温では，有機半導体材料の拡散する力が相対的に大きくなるため，多くの場所で単結晶の種が形成され，ランダムな方向に結晶が成長し，結晶軸の異なる界面が多く形成され，界面に対してアスペクト比の小さな，また，欠陥の多い結晶薄膜が形成されると考えられる。これに対し，低温になるほど，有機半導体単結晶の結晶生成過程と拡散過程のバランスがとれ，その結果，一定の方向（基板に対して水平な方向）に結晶が成長することが有利となり，欠陥のない大面積かつ均一な単結晶薄膜がより効率的に得られるようになると考えられる。
【００２９】
　なお，本発明の単結晶薄膜作製プロセスにおいて，単結晶の配列を制御するために，外部から電場，磁場，光，もしくは偏光を作用させてもよい。
【００３０】
　
有機半導体化合物の単結晶薄膜が形成された後，有機溶媒液膜を除去することが好ましい
　場合によっては，有機溶媒液膜をそのまま残してもよい。また，極微量のオイル薄膜（９）成分が残った状態であってもよい。通常の方法では，完全にオイル薄膜（９）成分を除去することは難しいため，本発明の方法で有機半導体化合物の単結晶薄膜を作製したかどうかは，有機半導体化合物の単結晶薄膜中のオイル成分の微量分析を行うことで可能となる。」
（２）摘記の整理
　以上の摘記によれば，引用例１には以下の事項が記載されているものと理解できる。
ア　（１）誘電率が４．５以上でありかつ有機半導体化合物が可溶である有機溶媒を，基板上に塗布して液膜を形成する工程，（２）前記有機溶媒液膜に前記有機半導体化合物を供給し溶解させる工程，および（３）前記有機溶媒中で前記有機半導体化合物を結晶化させる工程を含む有機半導体化合物の単結晶薄膜の作製方法。（段落００１２，００１３，００２４，００２７）
イ　有機半導体化合物の単結晶薄膜が形成された後，有機溶媒液膜を除去すること。（段落００３０）
ウ　有機溶媒として，フタル酸エステル系化合物が好ましいこと（段落００１８）
エ　有機半導体化合物として，ペリレン類を用いること（段落００２５）
（３）引用発明１
　上記ア〜エから，引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「（１）誘電率が４．５以上でありかつ有機半導体化合物が可溶である有機溶媒を，基板上に塗布して液膜を形成する工程と，
（２）前記有機溶媒液膜に前記有機半導体化合物を供給し溶解させる工程と，
（３）前記有機溶媒中で前記有機半導体化合物を結晶化させる工程，
（４）前記結晶化の後，前記有機溶媒液膜を除去する工程と，
を含む有機半導体化合物の単結晶薄膜の作製方法であって，
前記有機溶媒がフタル酸エステル系化合物であり，
前記有機半導体化合物がペリレン類である，
有機半導体化合物の単結晶薄膜の作製方法。」
２．引用例２について　
（１）引用例２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例２（特表２０１１−５１４８８４号公報）には，次の記載がある。
「【０００４】
　従って，高スループットリールツーリール製造により製造され得る安価で且つ大面積の有機電子部品の可能な適用が与えられる場合，本技術分野においては，新規な有機ｎ型半導体化合物，とりわけ所望の特性，例えば，空気安定性，高電荷輸送効率，共通溶媒における良好な溶解性を有するものが望まれる。
【０００５】
　上記に鑑みて，
本教示は，有機半導体として利用され得る化合物，並びに上記で概説されるものを含む最高水準の技術の各種の欠陥及び欠点に対処することができる関連の材料，組成物，複合物及び／又は素子を提供する
【０００６】
　更に具体的には，
本教示は，半電導性活性を有する１−アルキル置換アルキル窒素官能化されたペリレンジイミド化合物及び誘導体を提供するものである
「【００４３】
　一局面において，
本教示は，式Ｉ：
【化６】
［
式中：
Ｒ1及びＲ2は，それぞれ存在する場合に，Ｈ，Ｃ1-30アルキル基，Ｃ2-30アルケニル基，Ｃ2-30アルキニル基，Ｃ1-30ハロアルキル基，及び３〜２２員環状部分から独立して選択され，ここでＣ1-30アルキル基，Ｃ2-30アルケニル基，Ｃ2-30アルキニル基，Ｃ1-30ハロアルキル基，及び３〜２２員環状部分のそれぞれは，ハロゲン，−ＣＮ，−ＮＯ2，−Ｃ（Ｏ）Ｈ，−Ｃ（Ｏ）ＯＨ，−ＣＯＮＨ2，−ＯＨ，−ＮＨ2，−ＣＯ（Ｃ1-10アルキル），−Ｃ（Ｏ）ＯＣ1-10アルキル，−ＣＯＮＨ（Ｃ1-10アルキル），−ＣＯＮ（Ｃ1-10アルキル）2，−Ｓ−Ｃ1-10アルキル，−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）n（Ｃ1-10アルキル），−ＮＨ（Ｃ1-10アルキル），−Ｎ（Ｃ1-10アルキル）2，Ｃ1-10アルキル基，Ｃ2-10アルケニル基，Ｃ2-10アルキニル基，Ｃ1-10ハロアルキル基，Ｃ1-10アルコキシ基，Ｃ6-14アリール基，Ｃ3-14シクロアルキル基，３〜１４員環シクロヘテロアルキル基及び５〜１４員環ヘテロアリール基から独立して選択される１〜４個の基で場合により置換され；
それらの両方が共通の炭素原子に結合する少なくともＲ1の１つ及びＲ2の１つは，Ｃ1-30アルキル基，Ｃ2-30アルケニル基，Ｃ2-30アルキニル基，Ｃ1-30ハロアルキル基，及び３〜２２員環状部分から独立して選択され，それぞれ，本明細書に記載されるように場合により置換され；
Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5及びＲ6は，独立してＨ又は電子求引性基であり；及び
ｎは，１，２，３又は４である
「【００４８】
　特定の実施態様において，
Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5及びＲ6の内の少なくとも１つは，Ｂｒ又は−ＣＮであってよい。例えば，Ｒ3は，Ｈ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ又は−ＣＮであってよく；Ｒ4は，Ｈ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ又は−ＣＮであってよく；Ｒ5は，Ｈ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ又は−ＣＮであってよく；及びＲ6は，Ｈ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ又は−ＣＮであってよい。特定の実施態様において，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5及びＲ6のそれぞれは，Ｂｒ又は−ＣＮであってよい。例えば，Ｒ3及びＲ4のそれぞれＢｒ又は−ＣＮであってよいが；一方でＲ5及びＲ6のそれぞれはＨである。他の実施態様において，Ｒ3及びＲ6のそれぞれはＢｒ又は−ＣＮであってよいが；一方でＲ4及びＲ5のそれぞれはＨである
「【００６７】
　本明細書に開示される化合物の特定の実施態様が共通溶媒に可溶であり得る場合，本教示は，電気素子，例えば，薄膜半導体，電界効果素子，有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ），有機光電装置，光検出器，コンデンサ，センサを製造する際の処理効果を提供することができる。本明細書で用いられる場合，少なくとも１ｍｇの化合物が１ｍＬの溶媒に溶解され得る場合，化合物は溶媒に可溶であると考えることができる。
一般有機溶媒の例としては，石油エーテル；アセトニトリル；芳香族炭化水素，例えば，ベンゼン，トルエン，キシレン，メシチレン；ケトン，例えば，アセトンやメチルエチルケトン；エーテル，例えば，テトラヒドロフラン，ジオキサン，ビス（２−メトキシエチル）エーテル，ジエチルエーテル，ジイソプロピルエーテル，ｔ−ブチルメチルエーテル；アルコール，例えば，メタノール，エタノール，ブタノール，イソプロピルアルコール；脂肪族炭化水素，例えば，ヘキサン；アセテート，例えば，酢酸メチル，酢酸エチル，ギ酸メチル，ギ酸エチル，酢酸イソプロピル，酢酸ブチル；アミド，例えば，ジメチルホルムアミドやジメチルアセトアミド；スルホキシド，例えば，ジメチルスルホキシド；ハロゲン化脂肪族及び芳香族炭化水素，例えば，ジクロロメタン，クロロホルム，塩化エチレン，クロロベンゼン，ジクロロベンゼン，トリクロロベンゼン；環式溶媒，例えば，シクロペンタノン，シクロヘキサノン，２−メチルピロリドンが挙げられる
「【０１０３】
　第１表に示されるように，
本教示の化合物は，例えばクロロホルムやジクロロベンゼン等の冷たい有機溶媒において５０ｍｇ／ｍＬもの高い溶解度を示すことができる
「【０１０７】
　第２表は，真空蒸着，
スピンコーティング，又はドロップキャスティングにより薄層半導体中に形成した本教示の特定の化合物
（２）引用例２の技術的事項
　以上によれば，引用例２には次の技術的事項が記載されているものと理解できる。
・上記式Ｉに示されるペリレンジイミド化合物が有機半導体として利用され，クロロホルムやジクロロベンゼン等の一般有機溶媒に可溶であり，スピンコーティングやドロップキャスティングにより成膜されること。
３．引用例３について
（１）引用例３の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例３（特表２０１１−５２２０９７号公報）には，次の記載がある。
「【００２３】
　更なる好ましい実施形態において，
式（Ｉ）の化合物は，式（Ｉ．Ｂ）
【化１０】
［
式中，
Ｒ1基，Ｒ2基，Ｒ3基及びＲ4基の内の少なくとも２つはＣｌであり，残りの基は水素であり；及び
Ｒa及びＲbは，それぞれ独立して水素，或いは非置換又は置換のアルキル，アルケニル，アルカジエニル，アルキニル，シクロアルキル，ビシクロアルキル，シクロアルケニル，ヘテロシクロアルキル，アリール又はヘテロアリールである］の化合物から選択される。
「【０１１０】
　
式（Ｉ），より具体的には式（Ｉ．Ａ）及び（Ｉ．Ｂ）の化合物は，特に有利には，有機半導体として適切である
「【０１３３】
　有利には，
一般式（Ｉ）の化合物を，溶液から加工することも可能である。その場合，一般式（Ｉ）の少なくとも１種の化合物（及び，適切な場合，更なる半導体材料）は，例えばスピンコーティングによって基板に塗布される。更に，式（Ｉ）の少なくとも１種の化合物は，溶液剪断によって基板に塗布される
この目的のために，例えば，式（Ｉ）の化合物の溶液を第１基板に塗布し
【０１３４】
　
一般式（Ｉ）の化合物が溶液から加工される場合，使用溶媒は，低沸点又は高沸点を有することができる。適切な溶媒は，芳香族溶媒，例えば，トルエン，キシレン，メシチレン，ナフタレン，デカヒドロナフタレン，オクタヒドロナフタレン，クロロベンゼン若しくはジクロロベンゼン，とりわけオルト−ジクロロベンゼン，又は直鎖状若しくは環状エーテル，例えばテトラヒドロフラン，ジグリコールメチルエーテル若しくは芳香族エーテル，例えば，ジフェニルエーテルメトキシベンゼン，ペルフルオロポリエーテル，例えばＨＴ−６０若しくはＨＴ９０ＣＴ１３５（Ｓｏｌｖａｙから，ペルフルオロエチレングリコールのコポリマー，鎖の開始端及び終端にＣＦ3基を有するペルフルオロプロピレングリコール），Ｃ1〜Ｃ6−カルボン酸のＣ1〜Ｃ6−アルキルエステル，例えば，メチルアセテート，エチルアセテート，プロピルアセテート，ブチルアセテート，メチルプロピオネート，エチルプロピオネート，プロピルプロピオネート，ブチルプロピオネート及びそれらの混合物である
（２）引用例３の技術的事項
　以上によれば，引用例３には次の技術的事項が記載されているものと理解できる。
・上記式（Ｉ．Ｂ）に示される化合物が有機半導体であり，トルエン等の芳香族溶媒を用いることができ，上記化合物の溶液をスピンコーティングや溶液剪断により基板に塗布して加工できること。
第５　対比・判断
１．本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明１の対比
　本願発明１と引用発明１を比較する。
・引用発明１の「有機半導体化合物の単結晶薄膜の作製方法」は，本願発明１の「結晶性有機半導体材料を製造する方法」に対応する。
・引用発明１の「前記有機溶媒がフタル酸エステル系化合物」は本願発明１における「Ｌ１．１」式（Ｉ．１）の化合物」に相当するから，本願発明１と引用発明１は，
「溶媒（Ｌ１）が，以下のもの：
Ｌ１．１）式（Ｉ．１）の化合物：
　　【化２】
から選択される，２０℃，及び１０１３ｍｂａｒで液状の化合物少なくとも１種，
上記式中，
　Ｘ1及びＸ2は，*−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−であり，ここで*は，芳香族の炭素環に対する結合点であり，かつ，
　Ｒc，及びＲdは，独立して，非分枝状，及び分枝鎖状のＣ1〜Ｃ12アルキル，及びＣ2〜Ｃ12アルケニルから選択され，
Ｌ１．３）ヒドロキシ安息香酸エステル，
及びこれらの化合物の混合物
から選択され」たものである点で一致する。
そうすると，本願発明１と引用発明１の一致点及び相違点は，以下のとおりである。
（一致点）
「結晶性有機半導体材料を製造する方法であって，
溶媒（Ｌ１）が，以下のもの：
Ｌ１．１）式（Ｉ．１）の化合物：
　　【化２】
から選択される，２０℃，及び１０１３ｍｂａｒで液状の化合物少なくとも１種，
上記式中，
　Ｘ1及びＸ2は，*−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−であり，ここで*は，芳香族の炭素環に対する結合点であり，かつ，
　Ｒc，及びＲdは，独立して，非分枝状，及び分枝鎖状のＣ1〜Ｃ12アルキル，及びＣ2〜Ｃ12アルケニルから選択され，
Ｌ１．３）ヒドロキシ安息香酸エステル，
及びこれらの化合物の混合物
から選択される，前記方法。」である点。
（相違点１）
　本願発明１では，「（ａ）少なくとも１種の溶媒（Ｌ１）と，（Ｌ１）とは異なる少なくとも１種の溶媒（Ｌ２）とを含有する溶媒混合物に少なくとも１種の有機半導体Ａ）を入れた溶液を用意する工程」及び「（ｂ）工程（ａ）で用意した溶液を基板表面に適用して，溶媒混合物を蒸発させ，有機半導体Ａ）を結晶化させる工程」を有するのに対し，引用発明１では，「（１）誘電率が４．５以上でありかつ有機半導体化合物が可溶である有機溶媒を，基板上に塗布して液膜を形成する工程」「（２）前記有機溶媒液膜に前記有機半導体化合物を供給し溶解させる工程」「（３）前記有機溶媒中で前記有機半導体化合物を結晶化させる工程」及び「（４）前記結晶化の後，前記有機溶媒液膜を除去する工程」を含むものである点。
（相違点２）
　本願発明１では，「有機半導体Ａ」」が「一般式（ＩＩ．ａ）のリレン化合物：
　　【化１】
上記式中，
　ｎは，１，２，３，又は４であり，
　Ｒa，及びＲbは相互に独立して，水素，非置換又は置換されたアルキル，非置換又は置換されたアルケニル，非置換又は置換されたアルカジエニル，非置換又は置換されたアルキニル，非置換又は置換されたシクロアルキル，非置換又は置換されたビシクロアルキル，非置換又は置換されたシクロアルケニル，及び非置換又は置換されたヘテロシクロアルキルから選択され，
　基Ｒn1，Ｒn2，Ｒn3，及びＲn4は，相互に独立して，水素，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ及びＣＮから選択され」たものである対し，引用発明１では，「有機化合物半導体がペリレン類」と特定されているものの，具体的に本願発明１の上記「一般式（ＩＩ．ａ）のリレン化合物」とまで特定されていない点。
（相違点３）
　本願発明１では「少なくとも１種の溶媒（Ｌ１）と，（Ｌ１）とは異なる少なくとも１種の溶媒（Ｌ２）とを含有する溶媒混合物」を用いるのに対し，引用発明１では「誘電率が４．５以上でありかつ有機半導体化合物が可溶である有機溶媒」が「溶媒混合物」であることは特定されていない点。
（２）相違点についての判断
　はじめに相違点１について検討する。
　引用例１の段落０００５，０００９の記載によれば，引用発明１は，従来技術として知られていた「基板上に，有機半導体化合物が可溶な有機溶媒を塗布して液膜を形成した後に有機半導体化合物を蒸着やスパッタリング等により付着させ，該有機溶媒液膜中で有機半導体化合物を成長させて有機半導体化合物の単結晶薄膜を作製する方法」において，「誘電率が４．５以上である有機溶媒」を用いることで大面積かつ均一な単結晶薄膜を得るものであると理解できる。すなわち，引用発明１は，基板上に有機溶媒を塗布して液膜を形成した後に当該液膜に有機化合物半導体を付着させることが前提の発明であるといえる。
　そうすると，引用発明１において，「（ａ）少なくとも１種の溶媒（Ｌ１）と，（Ｌ１）とは異なる少なくとも１種の溶媒（Ｌ２）とを含有する溶媒混合物に少なくとも１種の有機半導体Ａ）を入れた溶液を用意する工程」及び「（ｂ）工程（ａ）で用意した溶液を基板表面に適用して，溶媒混合物を蒸発させ，有機半導体Ａ）を結晶化させる工程」に変更することは，引用発明１の上記前提を破棄する変更であり，当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
　確かに，引用例２（上記第４の２．（２）参照）及び引用例３（上記第４の３．（２）参照）によれば，本願発明１と同じリレン化合物の溶液を基板に塗布して有機半導体を成膜すること自体は周知技術であるといえる。しかしながら，溶媒の液膜を形成した後に当該液膜に有機化合物半導体を付着させることを前提とする引用発明１において，当該前提を破棄して上記の周知技術を適用する動機が引用例２，３に示されているとはいえない。
　したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明１は，引用発明１及び引用例２及び引用例３に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
２．本願発明２〜１９について
　本願発明２〜１９は本願発明１と同じ技術的事項を備える発明であるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用例１〜３に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
第６　原査定について
　審判請求時の補正により，当該補正前の請求項１〜２２に係る発明，すなわち原査定の対象とされた発明は，補正後の本願発明１〜１９のとおりに補正された。そして，上記第５に示すとおり，本願発明１〜１９は，上記引用例１〜３，すなわち原査定において引用された引用文献１，２，５に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。したがって，原査定を維持することはできない。
第７　結言
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。