【事件の表示】
　特願２０１７−　１７８４６「被加工物の処理装置，及び載置台」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　８月　９日出願公開，特開２０１８−１２５４６３，請求項の数（８）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件審判請求に係る出願（以下，「本願」という。）は，２０１７年（平成２９年）　２月　２日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
令和　１年　９月　９日　　：手続補正書の提出
令和　２年　６月１９日付け：拒絶理由通知
令和　２年　７月２０日　　：意見書，手続補正書の提出
令和　２年１２月２５日付け：拒絶査定
令和　３年　３月２３日　　：審判請求書，手続補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定（令和　２年１２月２５日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
理由２　本願請求項３，５，８，１１に係る発明は，以下の引用文献１−５に基いて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献１　特開２００２−００９０４９号公報
引用文献２　特開２００２−２１７１７８号公報
引用文献３　特開２０１４−０１１３８２号公報
引用文献４　特開２０１０−１２３８０９号公報
引用文献５　特開２００１−０６８５３８号公報
第３　審判請求時の補正について
　審判請求時の補正は，特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。
　審判請求時の補正前後における各請求項の対応関係は，概略，以下のとおりである。
　補正後　　　補正前
　請求項１　　請求項１を引用する請求項６
　請求項２　　請求項２
　請求項３　　請求項３を引用する請求項７
　請求項４　　請求項４
　請求項５　　請求項５
　請求項６　　請求項７
　請求項７　　請求項８
　請求項８　　請求項１０
　ここで，前記第２のとおり，補正前の請求項３，５，８，１１は拒絶査定されているが，補正前の請求項２，４，６，７，１０は拒絶査定されていない。
　そうすると，対応する補正後の請求項１−４，６，８は拒絶査定されておらず，補正後の請求項５，７は拒絶査定されているといえる。
　そして，「第４　本願発明」から「第６　対比・判断」までに示すように，補正後の請求項５，７に係る発明は，独立特許要件を満たすものである。
第４　本願発明
　本願請求項１−８に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明８」という。）は，令和　３年　３月２３日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−８に記載された事項により特定される，以下のとおりの発明である。
「　　【請求項１】
　被加工物の処理装置であって，
　　チャンバ本体と，
　　前記チャンバ本体の内部に設けられ前記被加工物を載置する載置台と，
　　冷媒を前記載置台に出力するチラーユニットと，
　を備え，
　前記載置台は，
　　前記チラーユニットから出力される前記冷媒が流れる冷却台と，
　　前記冷却台の上に設けられた静電チャックと，
　を備え，
　前記冷却台は，第１の部分と第２の部分と第１の流路と第２の流路と第３の流路とを備え，
　前記静電チャックは，前記第１の部分上に設けられ，
　前記第１の部分は，前記第２の部分上に設けられ，
　前記第１の流路は，第１の端部と第２の端部とを備え，前記第１の部分内に設けられ，
　前記第２の流路は，第３の端部と第４の端部とを備え，前記第２の部分内に設けられ，
　前記第３の流路は，前記第１の流路の前記第１の端部と前記第２の流路の前記第３の端部とに接続され，該第１の端部と該第３の端部との間に延在し，　前記チラーユニットは，前記第１の流路の前記第２の端部と前記第２の流路の前記第４の端部とに接続され，
　前記第１の流路は，前記静電チャックに沿うように前記第１の部分内に延在し，該静電チャックの上から見て，前記第１の端部から該静電チャックに沿って渦巻き状に延びて前記第２の端部に至り，
　前記第２の流路は，前記静電チャックに沿うように前記第２の部分内に延在し，
　前記チラーユニットから出力される前記冷媒は，前記第１の流路の前記第２の端部に入力し，該第１の流路，前記第３の流路，前記第２の流路を順に流れて，該第２の流路の前記第４の端部から前記チラーユニットに入力し，　前記第３の流路は，前記静電チャックの上から見て，該静電チャックの中央部と重なるように，前記第１の部分内と前記第２の部分内との間で延在し，　前記第２の流路は，前記静電チャックの上から見て，前記第３の端部から前記静電チャックに沿って渦巻き状に延びて前記第４の端部に至る，
処理装置。
　　【請求項２】
　被加工物の処理装置であって，
　　チャンバ本体と，
　　前記チャンバ本体の内部に設けられ前記被加工物を載置する載置台と，
　　冷媒を前記載置台に出力するチラーユニットと，
　　圧力調節装置と，
　を備え，
　前記載置台は，
　　前記チラーユニットから出力される前記冷媒が流れる冷却台と，
　　前記冷却台の上に設けられた静電チャックと，
　を備え，
　前記冷却台は，第１の部分と第２の部分と第１の流路と第２の流路と第３の流路と伝熱空間とを備え，
　前記静電チャックは，前記第１の部分上に設けられ，
　前記第１の部分は，前記第２の部分上に設けられ，
　前記第１の流路は，第１の端部と第２の端部とを備え，前記第１の部分内に設けられ，
　前記第２の流路は，第３の端部と第４の端部とを備え，前記第２の部分内に設けられ，
　前記第３の流路は，前記第１の流路の前記第１の端部と前記第２の流路の前記第３の端部とに接続され，該第１の端部と該第３の端部との間に延在し，
　前記チラーユニットは，前記第１の流路の前記第２の端部と前記第２の流路の前記第４の端部とに接続され，
　前記第１の流路は，前記静電チャックに沿うように前記第１の部分内に延在し，
　前記第２の流路は，前記静電チャックに沿うように前記第２の部分内に延在し，
　前記チラーユニットから出力される前記冷媒は，前記第１の流路の前記第２の端部に入力し，該第１の流路，前記第３の流路，前記第２の流路を順に流れて，該第２の流路の前記第４の端部から前記チラーユニットに入力し，
　前記伝熱空間は，前記第１の部分と前記第２の部分との間において前記静電チャックに沿って延在し，該伝熱空間内の圧力を調節する圧力調節装置に接続される，
　処理装置。
　　【請求項３】
　被加工物の処理装置であって，
　　チャンバ本体と，
　　前記チャンバ本体の内部に設けられ前記被加工物を載置する載置台と，
　　冷媒を前記載置台に出力するチラーユニットと，
　　圧力調節装置と，
　　伝熱空間と，
　を備え，
　前記載置台は，
　　前記チラーユニットから出力される前記冷媒が流れる冷却台と，
　　前記冷却台の上に設けられた静電チャックと，
　を備え，
　前記冷却台は，第１の部分と第２の部分と第１の流路と第２の流路と第３の流路とを備え，
　前記静電チャックは，前記第１の部分上に設けられ，
　前記第１の部分は，前記第２の部分上に設けられ，
　前記第１の流路は，第１の端部と第２の端部とを備え，前記第１の部分内に設けられ，
　前記第２の流路は，第３の端部と第４の端部とを備え，前記第２の部分内に設けられ，
　前記第３の流路は，前記第１の流路の前記第１の端部と前記第２の流路の前記第３の端部とに接続され，該第１の端部と該第３の端部との間に延在し， 
　前記チラーユニットは，前記第１の流路の前記第２の端部と前記第２の流路の前記第４の端部とに接続され，
　前記第１の流路は，前記静電チャックに沿うように前記第１の部分内に延在し，
　前記第２の流路は，前記静電チャックに沿うように前記第２の部分内に延在し，
　前記チラーユニットから出力される前記冷媒は，前記第１の流路の前記第２の端部に入力し，該第１の流路，前記第３の流路，前記第２の流路を順に流れて，該第２の流路の前記第４の端部から前記チラーユニットに入力し，
　前記伝熱空間は，前記静電チャックと前記冷却台との間に設けられ，該静電チャックに沿って延在し，該伝熱空間内の圧力を調節する圧力調節装置に接続され，
　前記第３の流路は，前記静電チャックの上から見て，該静電チャックの中央部と重なるように，前記第１の部分内と前記第２の部分内との間で延在し，　前記第１の流路は，前記静電チャックの上から見て，前記第１の端部から該静電チャックに沿って渦巻き状に延びて前記第２の端部に至り，　前記第２の流路は，前記静電チャックの上から見て，前記第３の端部から前記静電チャックに沿って渦巻き状に延びて前記第４の端部に至る，
　処理装置。
　　【請求項４】
　前記伝熱空間は，複数の第１の領域に気密に分離され，
　前記圧力調節装置は，前記複数の第１の領域のそれぞれに接続され，該複数の第１の領域のそれぞれの内部の圧力を調節する，
　請求項２に記載の処理装置。
　　【請求項５】
　被加工物の処理装置であって，
　　チャンバ本体と，
　　前記チャンバ本体の内部に設けられ前記被加工物を載置する載置台と，
　　冷媒を前記載置台に出力するチラーユニットと，
　　圧力調節装置と，
　　伝熱空間と，
　を備え，
　前記載置台は，
　　前記チラーユニットから出力される前記冷媒が流れる冷却台と，
　　前記冷却台の上に設けられた静電チャックと，
　を備え，
　前記冷却台は，第１の部分と第２の部分と第１の流路と第２の流路と第３の流路とを備え，
　前記静電チャックは，前記第１の部分上に設けられ，
　前記第１の部分は，前記第２の部分上に設けられ，
　前記第１の流路は，第１の端部と第２の端部とを備え，前記第１の部分内に設けられ，
　前記第２の流路は，第３の端部と第４の端部とを備え，前記第２の部分内に設けられ，
　前記第３の流路は，前記第１の流路の前記第１の端部と前記第２の流路の前記第３の端部とに接続され，該第１の端部と該第３の端部との間に延在し，
　前記チラーユニットは，前記第１の流路の前記第２の端部と前記第２の流路の前記第４の端部とに接続され，
　前記第１の流路は，前記静電チャックに沿うように前記第１の部分内に延在し，
　前記第２の流路は，前記静電チャックに沿うように前記第２の部分内に延在し，
　前記チラーユニットから出力される前記冷媒は，前記第１の流路の前記第２の端部に入力し，該第１の流路，前記第３の流路，前記第２の流路を順に流れて，該第２の流路の前記第４の端部から前記チラーユニットに入力し，
　前記伝熱空間は，前記静電チャックと前記冷却台との間に設けられ，該静電チャックに沿って延在し，該伝熱空間内の圧力を調節する圧力調節装置に接続され， 
　前記伝熱空間は，複数の第２の領域に気密に分離され，
　前記圧力調節装置は，前記複数の第２の領域のそれぞれに接続され，該複数の第２の領域のそれぞれの内部の圧力を調節し，前記複数の第２の領域のそれぞれの圧力調節によって静電チャックから冷却台への熱量を調節することにより抜熱の速さを該複数の第２の領域のそれぞれにおいて調節する，
　処理装置。
　　【請求項６】
　前記第３の流路は，前記静電チャックの上から見て，該静電チャックの中央部と重なるように，前記第１の部分内と前記第２の部分内との間で延在し，
　前記第１の流路は，前記静電チャックの上から見て，前記第１の端部から該静電チャックに沿って渦巻き状に延びて前記第２の端部に至り，
　前記第２の流路は，前記静電チャックの上から見て，前記第３の端部から前記静電チャックに沿って渦巻き状に延びて前記第４の端部に至る，
　請求項２，請求項４，請求項５の何れか一項に記載の処理装置。
　　【請求項７】
　前記第１の流路は，断面積の大きさが略一定の領域を含む，
　請求項１〜請求項６の何れか一項に記載の処理装置。
　　【請求項８】
　被加工物を載置する載置台であって，
　　チラーユニットから出力される冷媒が流れる冷却台と，
　　前記冷却台の上に設けられた静電チャックと，
　を備え，
　前記冷却台は，第１の部分と第２の部分と第１の流路と第２の流路と第３の流路と伝熱空間とを備え，
　前記静電チャックは，前記第１の部分上に設けられ，
　前記第１の部分は，前記第２の部分上に設けられ，
　前記第１の流路は，第１の端部と第２の端部とを備え，前記第１の部分内に設けられ，
　前記第２の流路は，第３の端部と第４の端部とを備え，前記第２の部分内に設けられ，
　前記第３の流路は，前記第１の流路の前記第１の端部と前記第２の流路の前記第３の端部とに接続され，該第１の端部と該第３の端部との間に延在し，
　前記チラーユニットは，前記第１の流路の前記第２の端部と前記第２の流路の前記第４の端部とに接続され，
　前記第１の流路は，前記静電チャックに沿うように前記第１の部分内に延在し，
　前記第２の流路は，前記静電チャックに沿うように前記第２の部分内に延在し，
　前記チラーユニットから出力される前記冷媒は，前記第１の流路の前記第２の端部に入力し，該第１の流路，前記第３の流路，前記第２の流路を順に流れて，該第２の流路の前記第４の端部から前記チラーユニットに入力し，
　前記伝熱空間は，前記第１の部分と前記第２の部分との間において前記静電チャックに沿って延在し，該伝熱空間内の圧力を調節する圧力調節装置に接続される，
　載置台。」
第５　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
（１）　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（当審注：下線は，参考のために当審で付与したものである。以下同様である。）
「【０００２】
【従来の技術】図４と図５は，従来のＩＣＰ方式のプラズマ源を搭載したプラズマ処理装置を示す。
【０００３】
図４に示すように，プラズマ処理装置は，熱交換流体を内部に流して温度制御されたステージ９ｃのステージ面上に被加工物である基板１１を載置してプラズマ処理を行うよう構成されている
【０００４】プラズマチャンバ３の上側には，絶縁部材５とヒータ２を介して上部電極としてのＩＣＰプラズマ源１が設けられ，下側にはプラズマチャンバ３内を高真空排気する排気口７が配置されている。排気口７の先には，図示していないプラズマチャンバ３内のガス圧力をコントロールするバルブと高真空排気を達成するターボポンプとその先端に取り付けられたドライポンプとが配置されている。
【０００５】プラズマチャンバ３の側壁には処理ガスの供給口６が配設されており，側壁の内側にはヒータ４が配置されている。このヒータ４とＩＣＰプラズマ源１の側に設けられたヒータ２によって，プラズマチャンバ３内で発生した堆積物の付着が防止される。
【０００６】
プラズマチャンバ３の内部には，基板１１を載置する下部電極としてのステージ９ｃが配設されており
【０００７】ステージ９ｃには，プラズマ処理を行う際の基板１１上でのレジスト焼けの発生などを防止するために，基板１１の温度を一定に保つよう各種の温度制御手段が設けられている。
【０００８】
まず，ステージ９ｃの内部には，水やエチレングリコールなどの熱交換流体の流路１０ｃが形成されている。熱交換流体は供給口２１ａから矢印Ｍ１方向に供給され，図５に示すようにステージ９ｃの周方向に沿って配置された流路１０ｃを通ってステージ９ｃの温度調整を行い，排出口２１ｂへから矢印Ｍ２方向に排出される。この熱交換流体は図示されていないチラーを介して循環され，常に一定の温度の熱交換流体がステージ９ｃ内に供給される。
【０００９】また，
ステージ９ｃの基板１１の設置面には静電チャック１７が配置され，この静電チャック１７により基板１１がステージ９ｃの面上に吸着保持され
【００１０】さらに，基板１１と静電チャック１７との間の微小空間ｄ１（図中では説明の都合上，極めて大きく描いている）にはヘリウムなどの温調ガスが充填され，基板１１の温度制御効率が高められる。温調ガスは，例えば，ステージ９ｃの中央部付近に穿設された温調ガス供給口２２ａより矢印Ｎ１方向に供給され，静電チャック１７の中心穴２２ｂ或いは外周部の細孔から放出され，静電チャック１７の表面に刻まれた溝部に沿って基板１１の裏面全面に供給される。」
「【００２５】（実施の形態１）図１と図２は，本発明の（実施の形態１）を示す。この（実施の形態１）では，熱交換流体をステージ９ａの内側と外側のうちの一方から他方へ流してプラズマ処理を行うよう構成した点で上記従来例とは異なる。
【００２６】このようなプラズマ処理方法を実現するために，この（実施の形態１）では，
図１に示すように構成されたプラズマ処理装置を用いる。上記従来例を示す図４と同様に構成されたプラズマ処理装置において，ステージ９ａの内部には，熱交換流体をステージ９ａ面の近傍でステージ９ａの内側から外側へ流して基板１１の温度制御を行うために，流路区間１８ａ〜１８ｄで構成された流路１０ａが形成されている。
【００２７】
熱交換流体は供給口２２ａから流路区間１８ａを通ってステージ９ａの中央部へ供給され，流路区間１８ｂによって中央部から外周部へ向かってステージ９ｂ面に同心円状に拡散され，外周部では流路区間１８ｃによってステージ９ａの下側へ流動して流路区間１８ｄにて排出口２１ｂへ送られ，プラズマチャンバ３の外部に設置された図示されていないチラーによって温度制御される。
「
」
「
」
（２）ここで，引用文献１に記載されている事項を検討する。
ア　段落００２６の「この（実施の形態１）では，図１に示すように構成されたプラズマ処理装置を用いる。上記従来例を示す図４と同様に構成されたプラズマ処理装置において」の記載を参酌すれば，図１の「プラズマ処理装置」においても，図４の「プラズマ処理装置」と同様の構成を有すると認められる。
　そして，段落０００３，０００６，０００８−０００９の記載から，図１の「プラズマ処理装置」においても，「ステージ９ａ」のステージ面上に「被加工物である基板１１」を載置してプラズマ処理を行うよう構成され，「ステージ９ａ」が「プラズマチャンバ３」の内部に配設され，「熱交換流体」が「チラー」を介して循環され，「ステージ９ａ」内に供給され，「ステージ９ａ」の基板１１の設置面には「静電チャック１７」が配置され，この「静電チャック１７」により「基板１１」が「ステージ９ａ」の面上に吸着保持されていると認められる。
イ　段落００２６−００２７及び図１には，引用文献１の「ステージ９ａ」は，内部に「流路区間１８ａ〜１８ｄで構成された流路１０ａ」が形成されている点が記載されている。
　ここで，「流路１０ａ」の「流路区間１８ｃ」は，「熱交換流体」を「ステージ９ａの外周部において下側へ流動させる流路区間」と，「ステージ９ａの下側の外周部から流路区間１８ｄまでの流路区間」とを備えているものと認められる。
（３）　以上から，上記引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「熱交換流体を内部に流して温度制御されたステージ９ａのステージ面上に被加工物である基板１１を載置してプラズマ処理を行うよう構成されているプラズマ処理装置であって，
　プラズマチャンバ３の内部に，ステージ９ａが配設されており，
　熱交換流体はチラーを介して循環され，ステージ９ａ内に供給され，
　ステージ９ａの基板１１の設置面には静電チャック１７が配置され，この静電チャック１７により基板１１がステージ９ａの面上に吸着保持され，
　ステージ９ａの内部には，流路区間１８ａ〜１８ｄで構成された流路１０ａが形成されており，
　熱交換流体は供給口２２ａから流路区間１８ａを通ってステージ９ａの中央部へ供給され，流路区間１８ｂによって中央部から外周部へ向かってステージ９ｂ面に同心円状に拡散され，外周部では流路区間１８ｃによってステージ９ａの下側へ流動して流路区間１８ｄにて排出口２１ｂへ送られ，
　流路区間１８ｃは，熱交換流体をステージ９ａの外周部において下側へ流動させる流路区間と，ステージ９ａの下側の外周部から流路区間１８ｄまでの流路区間とを備える，
　プラズマ処理装置。」
２　引用文献２について
（１）　原査定の拒絶の理由において引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００１２】
【発明の実施の形態】以下に，本発明に係る処理装置及び処理方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明に係る処理装置を示す構成図，図２は図１中の載置台中に形成された熱媒体流路を示す水平断面図，図３は図１中の載置台中に形成された補助熱媒体流路を示す水平断面図である。ここでは，処理として前述したプレクリーニング処理を行う場合を例にとって説明する。この処理装置２０は，図示するように例えばアルミニウムにより内部が筒体状に成形された処理容器２４を有している。この処理容器２４の底部２６の中心部には，挿通孔２８が形成されると共に周辺部には，排気口３０が形成されており，この排気口３０には，図示しない真空引きポンプ等を介設した真空排気系３２が接続されており，容器内部を真空引き可能としている。この排気口３０は，容器底部２６に複数個，例えば等間隔で同一円周上に４個程度設けられ，各排気口３０は，真空排気系３２により共通に真空引きされている。
【００１３】また，この処理容器２４の側壁の一部には，ウエハ搬出入口３４が設けられ，ここに真空引き可能になされたトランスファチャンバ３６との間を連通・遮断する前記ゲートバルブ３８を設けている。尚，トランスファチャンバ３６に替えて，ロードロック室を設ける場合もある。この処理容器２４内には，例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウム製の円板状の載置台４０が設けられ，この上面に被処理体としての例えばシリコン基板よりなる半導体ウエハＷを載置するようになっている。この載置台４０の下面中央部には下方に延びる中空円筒状の脚部４２が一体的に形成されている。この脚部４２の下端は上記容器底部２６の挿通孔２８の周辺部にＯリング等のシール部材４４を介在させてボルト等を用いて気密に取り付け固定される。従って，この中空脚部４２内は，外側に開放され，処理容器２４内に対して気密状態となっている。
【００１４】上記載置台４０は，薄い円板状の上段ブロック４０Ａと，同じく薄い円板状の下段ブロック４０Ｂとを上下２段に分離して接合されて構成されている。そして，上段及び下段ブロック４０Ａ，４０Ｂはそれぞれ２ｃｍ程度の厚さに設定されると共に，両ブロック４０Ａ，４０Ｂの接合部には，その周縁部に沿ってＯリング等のシール部材４６が介在されており，両ブロック４０Ａ，４０Ｂ間に形成される微細な隙間４８を処理容器２４内側に対して気密にシールしている。そして，上記上段ブロック４０Ａ内には，図２にも示すように，断面が例えば矩形状になされた熱媒体流路５０が上段ブロック４０Ａの全域に亘って例えば１〜２周程度，あたかも巻回するように形成されている。また，上記下段ブロック４０Ｂ内にも，図３にも示すように，断面が例えば矩形状になされた熱媒体流路５２が下段ブロック４０Ｂの全域に亘って例えば１〜２周程度，あたかも巻回するように形成されている。尚，これらの流路５０，５２の巻回数は上述したものに限定されず，更に多く設定してもよい。」
「【００１８】更に，上記上段ブロック４０Ａと下段ブロック４２Ｂとの接合部の僅かな隙間４８には，これに不活性ガスよりなる熱対流用ガス，例えばヘリウムガスを供給するための熱対流用ガス供給機構９２が接続される。具体的には，上記隙間４８に熱対流用ガスライン９４を接続し，このライン９４の基端部にヘリウム源９６を接続している。尚，ヘリウムガスに替えてアルゴンガスを用いるようにしてもよい。そして，この熱対流用ガスライン９４には，上記ヘリウム源９６より開閉弁９８及びマスフローコントローラのような流量制御器１００が順次介設されている。」
「
」
３　引用文献３について
（１）　原査定の拒絶の理由において引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００３２】
　（第１実施例）
　 図４Ａ，図４Ｂ，図４Ｃは，冷媒流路の設置態様の第１実施例を示す図である。図４Ａ，図４Ｂに示すように，第１実施例では，第１の冷媒管７０ａ，第２の冷媒管７０ｂは，下部電極１２（載置台）の内部のウエハＷが設置される領域に対応する領域に上下方向に分離して形成されている。具体的には，第２の冷媒管７０ｂは，下部電極１２の内部の上部領域に渦巻き状に形成されている。また，第１の冷媒管７０ａは，下部電極１２の内部の第２の冷媒管７０ｂが形成された領域の下部に渦巻き状に形成されている。また，図４Ｃは渦巻き状に形成された冷媒管７０ｂを上からみたときの概念図である。
【００３３】
　また，チラーユニット７１で冷却された冷媒は配管７２を介して流出し，配管７２から第１の配管７２ａ及び第２の配管７２ｂに分岐する。第１の配管７２ａは第１の冷媒管７０ａの一方の端部に連結されており，第２の配管７２ｂは第２の冷媒管７０ｂの一方の端部に連結されている。また，第１の冷媒管７０ａ内を通流した冷媒は，第１の冷媒管７０ａの他方の端部に連結された第１の配管７２ａを介して流出し，第２の冷媒管７０ｂ内を通流した冷媒は，第２の冷媒管７０ｂの他方の端部に連結された第２の配管７２ｂを介して流出する。第１の配管７２ａ及び第２の配管７２ｂを介して流出した冷媒は１本の配管７２に合流し，反転ユニット９２を介してチラーユニット７１へ戻り，チラーユニット７１で冷却されて再び下部電極１２の内部を通流して循環する。」
「
」
４　引用文献４について
（１）　原査定の拒絶の理由において引用された引用文献４には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００３１】
　
本実施形態に係るウエハ載置台４は，略円柱状をなしており，絶縁部材３の上に設けられた金属製，例えばアルミニウム製の載置台本体４１を有する。載置台本体４１の上には，ウエハＷの載置部として機能する，ウエハＷの載置面を有する静電チャック４２とを有している。
【００３２】
　
載置台本体４１の内部には，冷媒循環路４５が設けられており，この冷媒循環路４５には，冷媒導入管４６および冷媒排出管４７が接続されている。この冷媒循環路４５には，例えばフッ素不活性液体などの冷媒が冷媒供給機構４８から冷媒導入管４６を介して供給されて循環され，その冷熱がウエハＷに伝達されるようになっている。
「【００５１】
　＜第２の実施形態＞
　 次に，本発明の第２の実施形態に係るウエハ載置台（基板載置台）について説明する。図６は，本発明の第２の実施形態に係るウエハ載置台を示す断面図である。
本実施形態に係るウエハ載置台４′は，内部の冷媒循環路４５と静電チャック４２との間に伝熱コントロール部６０′が水平に設けられている。伝熱コントロール部６０′は，載置台本体４１内のウエハＷに対応する位置に設けられた，ウエハＷよりも大径の円板状をなす空間部６１′を有しており，その中は円環状の分離部材６１ｃにより副空間部として，中央空間部６１ａと外側空間部６１ｂとに同心円状に分離されている。
【００５２】
　
そして，中央空間部６１ａには，その中に伝熱ガスを供給する供給流路６３ａおよびその中から伝熱ガスを排出する排出流路６６ａが設けられており，これらはそれぞれ供給配管６４ａおよび排出配管６７ａを介して図示しない伝熱ガス供給機構および伝熱ガス排出機構に接続されている。また，外側空間部６１ｂには，その中に伝熱ガスを供給する供給流路６３ｂおよびその中から伝熱ガスを排出する排出流路６６ｂが設けられており，これらはそれぞれ供給配管６４ｂおよび排出配管６７ｂを介して図示しない上記伝熱ガス供給機構および伝熱ガス排出機構に接続されている。
【００５３】
　
このように伝熱コントロール部６０′では，空間部６１′を中央空間部６１ａと外側空間部６１ｂとに分け，これらに独立に伝熱ガスの供給および排出を行うようにしたので，中央空間部６１ａと外側空間部６１ｂに供給する伝熱ガスの圧力を異ならせたり，これらに異なる種類の伝熱ガスを供給することにより，伝熱コントロール部６０′の中央部分と外側部分とで伝熱を異ならせて別個に温度制御を行うことができる。
「
」
（２）　以上から，引用文献４には次の技術的事項が記載されている。
「　載置台本体４１と，載置台本体４１の上に，ウエハＷの載置面を有する静電チャック４２とを有し，
　載置台本体４１の内部には，冷媒循環路４５が設けられている
　ウエハ載置台４′であって，
　　載置台本体４１の内部の冷媒循環路４５と静電チャック４２との間に伝熱コントロール部６０′が水平に設けられ，
　伝熱コントロール部６０′は，円板状をなす空間部６１′を有しており，
　その中は円環状の分離部材６１ｃにより，中央空間部６１ａと外側空間部６１ｂとに同心円状に分離されており，
　中央空間部６１ａには，その中に伝熱ガスを供給する供給流路６３ａおよびその中から伝熱ガスを排出する排出流路６６ａが設けられており，これらはそれぞれ供給配管６４ａおよび排出配管６７ａを介して伝熱ガス供給機構および伝熱ガス排出機構に接続され，
　また，外側空間部６１ｂには，その中に伝熱ガスを供給する供給流路６３ｂおよびその中から伝熱ガスを排出する排出流路６６ｂが設けられており，これらはそれぞれ供給配管６４ｂおよび排出配管６７ｂを介して上記伝熱ガス供給機構および伝熱ガス排出機構に接続され，
　伝熱コントロール部６０′では，空間部６１′を中央空間部６１ａと外側空間部６１ｂとに分け，これらに独立に伝熱ガスの供給および排出を行うようにしたので，中央空間部６１ａと外側空間部６１ｂに供給する伝熱ガスの圧力を異ならせたり，これらに異なる種類の伝熱ガスを供給することにより，伝熱コントロール部６０′の中央部分と外側部分とで伝熱を異ならせて別個に温度制御を行うことができる，
ウエハ載置台４′。」　
５　引用文献５について
（１）　原査定の拒絶の理由において引用された引用文献５には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２６】そして，上記下側電極部３８と下側絶縁体４２及び下側絶縁体４２と冷却ブロック４０は共に上下に接合されるが，これらの間にそれぞれ僅かな間隙の空間，すなわち上側電極側伝熱空間（上側空間）６２と下側電極側伝熱空間（下側空間）６４が発生することは避けられない。これらの両伝熱空間６２，６４に対して何ら手段を講じないと両伝熱空間６２，６４は処理容器２６内へ連通していることからプラズマ処理時に両伝熱空間６２，６４内が真空状態となって上下方向への伝熱効率が低下してしまう。そのために，リング状の両伝熱空間６２，６４の内周側及び外周側には，それぞれリング状に耐熱性メタルシール部材６６Ａ，６６Ｂ，６８Ａ，６８Ｂが介在されており，両伝熱空間６２，６４の気密性を高く維持している。更に，シール部材６６Ａ〜６８Ｂの気密性を高く維持しても，僅かにガスが漏れることは避けられないので，両伝熱空間６２，６４には，それぞれガス供給通路７０，７２が接続されており，後述するように圧力制御されたＡｒ，Ｈｅ，Ｎ2 等の不活性ガスより成る伝熱ガス，例えばＮ2 ガスを供給できるようになっている。」
「【００３０】次に，図３を参照して上記電極側伝熱空間６２，６４及びチャック側伝熱空間７４への伝熱ガスの供給系について説明する。図３に示すように，各電極側伝熱空間６２，６４及びチャック側伝熱空間７４へ連通される各ガス供給通路７０，７２，７６，７８には，それぞれマスフローコントローラのような流量制御機器８８Ａ〜８８Ｄが介設されて伝熱ガス源であるＮ2 ガス源９０，９２に接続されており，それぞれ電極側伝熱ガス供給手段９４とチャック側伝熱ガス供給手段９６を構成している。尚，Ｎ2 ガス源９０，９２は共用してもよい。そして，各流量制御機器８８Ａ〜８８Ｄは，各伝熱空間６２，６４，７４に設けられる耐熱圧力センサ９８Ａ〜９８Ｄの検出値に基づいて，制御部１００により制御されることになる。具体的には，各ガス供給通路７０，７２，７６，７８のガス出口７０Ａ，７２Ａ，７６Ａ，７８Ａの近傍に上記各耐熱圧力センサ９８Ａ〜９８Ｄは設けられており，対応する空間部分の圧力を検出するようになっている。尚，図３中の６６Ｃ〜６６Ｇは上述したと同様な構造の耐熱性メタルシール部材であり，各ガス供給通路をシールしている。ここで上記各耐熱圧力センサ９８Ａ〜９８Ｄは，全て同様な構造となっており，このセンサ構造を例えばセンサ９８Ａを例にとって図４を参照して説明する。」
「
」
６　その他の文献について
（１）　本願の出願前に公開された特開２０１１−８４７７０号公報（以下，「周知文献」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２９】
　
図５に示すように，第１の例の基板ホルダ１は，スパッタリング装置に代表されるプラズマ処理装置の真空容器（図示せず）内に設けられる。この基板ホルダ１は，ホルダ本体１Ａの基板保持側（上部）に配された静電チャック３上に静電吸着により基板１０を保持する。
【００３０】
　ホルダ本体１Ａは，例えば，基板１０として半導体ウエハを支持する円板状もしくは円柱状の支持部材である。ホルダ本体１Ａの内部には，循環媒体（冷却媒体）１０１を流すための循環媒体流通経路１００が区画形成されている。この循環媒体流通経路１００には，循環媒体１０１を循環供給する循環媒体供給手段２が接続され，循環媒体循環経路１００内へ循環媒体１０１を循環させることにより，ホルダ本体１Ａに熱交換機能及び排熱機能をもたせている。本例では，循環媒体供給手段２として温度制御センサ２Ａ付きの循環チラーを採用しており，循環チラー２は略２００℃以下の温度（具体的には，１００〜２５０℃の温度）に制御可能となっている。循環媒体１０１としては，例えば，フッ素系媒体もしくはエチレングリコールを混合した冷却水や純水を用いることができる。」
「【００３２】
　
ホルダ本体１Ａと静電チャック３との隙間には伝熱ガス（封止ガス）１０３が封止され，封止圧力を調整可能な伝熱ガス供給系１１０に接続された熱伝達能可変手段６が形成されている。
この断熱部材７は，ホルダ本体１Ａと静電チャック３を断熱し，ガス封止圧の調整による熱伝達率の制御を可能にする。
【００３３】
　
熱伝達能可変手段６は，ガス圧力の調整により熱伝達率が可変となるように，使用するガスの平均自由行程をもとに，クヌーセン数（Ｋｕ＝λ／Ｌ λ（ｍ）：分子の平均自由行程Ｌ（ｍ）：代表長さ）が１より大きな値が得られる隙間寸法とする。
【００３４】
　
伝熱ガスとしては，例えば，アルゴン（Ａｒ），ヘリウム（Ｈｅ），または窒素（Ｎ2）等の不活性ガスが使用できる。基板設定温度４５０℃で，Ａｒ，Ｈｅを用いる場合は，ホルダ本体１Ａと静電チャック３との隙間を０．１５〜０．５ｍｍに設定し，封止圧を１００Ｐａ，１０００Ｐａとすることで，下記表１のように熱伝達率が可変となる。
「
」
（２）　以上から，周知文献には次の技術的事項が記載されている。
「プラズマ処理装置の真空容器内に設けられる基板ホルダ１であって，
　ホルダ本体１Ａの基板保持側に配された静電チャック３上に静電吸着により基板１０を保持し，
　ホルダ本体１Ａと静電チャック３との隙間には伝熱ガス１０３が封止され，封止圧力を調整可能な伝熱ガス供給系１１０に接続された熱伝達能可変手段６が形成されており，
　熱伝達能可変手段６は，ガス圧力の調整により熱伝達率が可変となる，
基板ホルダ１。」
第６　対比・判断
１　本願発明５について
（１）対比
　本願発明５と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
ア　引用発明の「被加工物である基板１１」は，本願発明５の「被加工物」に相当する。
　そして，引用発明の「プラズマ処理装置」は，「被加工物である基板１１を載置してプラズマ処理を行うよう構成されている」ものであるから，本願発明５の「処理装置」と，「被加工物の処理装置」である点で一致する。
イ　引用発明の「プラズマチャンバ３」が，本願発明５の「チャンバ本体」に相当することは明らかである。
　そして，引用発明の「ステージ９ａ」は，「プラズマチャンバ３の内部」に配設され，また，「ステージ９ａ」の基板の設置面には「静電チャック１７」が配置され，「静電チャック１７」により「基板１１」が「ステージ９ａ」の面上に吸着保持されるものである。
　すると，引用発明の「ステージ９ａ」及び「静電チャック１７」が，本願発明５の「載置台」と，「前記チャンバ本体の内部に設けられ前記被加工物を載置する載置台」である点で一致する。
ウ　引用発明の「熱交換流体」は，本願発明５の「冷媒」に相当する。
　そして，引用発明において，「熱交換流体」は「チラー」を介して循環され，「ステージ９ａ」内に供給されることから，引用発明の「チラー」が，本願発明５の「冷媒を前記載置台に出力するチラーユニット」に相当する。
エ　引用発明の「ステージ９ａ」には，「熱交換流体」が「チラー」を介して循環され，供給されるから，本願発明５の「冷却台」と，「前記チラーユニットから出力される前記冷媒が流れる冷却台」である点で一致する。
　また，引用発明の「静電チャック１７」は，引用文献１の図１を参照すると，「ステージ９ａ」の上に配設されているから，本願発明５の「静電チャック」と，「前記冷却台の上に設けられた静電チャック」である点で一致する。
オ　引用発明の「ステージ９ａ」は，内部に「流路１０ａ」を備えており，引用文献１の図１を参照すると，「ステージ９ａ」の上側部分には「流路区間１８ｂ」を，下側部分には「流路区間１８ｃ」における「ステージ９ａの下側の外周部から流路区間１８ｄまでの流路区間」を，それぞれ備えており，その間に「流路区間１８ｃ」における「ステージ９ａの外周部において下側へ流動させる流路区間」が延在している。
　ここで，引用発明の「流路区間１８ｂ」，「流路区間１８ｃ」における「ステージ９ａの下側の外周部から流路区間１８ｄまでの流路区間」，「流路区間１８ｃ」における「ステージ９ａの外周部において下側へ流動させる流路区間」が，本願発明５の「第１の流路」，「第２の流路」，「第３の流路」に，それぞれ対応する。
　そして，引用発明の「ステージ９ａ」において，「流路区間１８ｂ」を備える「上側部分」，「流路区間１８ｃ」における「ステージ９ａの下側の外周部から流路区間１８ｄまでの流路区間」を備える「下側部分」が，本願発明５の「第１の部分」，「第２の部分」に対応する。
　また，特に引用文献１の図１を参照すると，引用発明において，「静電チャック」は，「ステージ９ａ」の「上側部分」上に設けられ，「上側部分」は「下側部分」上に設けられていることは明らかである。
　以上から，引用発明の「ステージ９ａ」は，本願発明５の「冷却台」と，「前記冷却台は，第１の部分と第２の部分と第１の流路と第２の流路と第３の流路とを備え」，「前記静電チャックは，前記第１の部分上に設けられ，前記第１の部分は，前記第２の部分上に設けられ」る点で一致する。
カ　引用発明の「流路区間１８ｂ」の端部である，「流路区間１８ａ」と「流路区間１８ｂ」が接続する箇所，「流路区間１８ｂ」と「流路区間１８ｃ」が接続する箇所が，それぞれ，本願発明５の「第２の端部」，「第１の端部」に相当する。
　そして，引用発明の「流路区間１８ｂ」は，「ステージ９ａ」の「上側部分」内に設けられているから，本願発明５の「第１の流路」と，「第１の端部と第２の端部とを備え，前記第１の部分内に設けられ」る点で一致する。
　さらに，引用発明の「流路区間１８ｃ」における「ステージ９ａの下側の外周部から流路区間１８ｄまでの流路区間」の端部である，「ステージ９ａの外周部において下側へ流動させる流路区間」と「ステージ９ａの下側の外周部から流路区間１８ｄまでの流路区間」が接続する箇所，「ステージ９ａの下側の外周部から流路区間１８ｄまでの流路区間」と「流路区間１８ｄ」が接続する箇所が，それぞれ，本願発明５の「第３の端部」，「第４の端部」に相当する。
　そして，引用発明の「流路区間１８ｃ」における「ステージ９ａの下側の外周部から流路区間１８ｄまでの流路区間」は，「ステージ９ａ」の「下側部分」内に設けられているから，本願発明５の「第２の流路」と，「第３の端部と第４の端部とを備え，前記第２の部分内に設けられ」る点で一致する。
　また，上記記載から，引用発明の「流路区間１８ｃ」における「ステージ９ａの外周部において下側へ流動させる流路区間」が，本願発明５の「第３の流路」と，「前記第１の流路の前記第１の端部と前記第２の流路の前記第３の端部とに接続され，該第１の端部と該第３の端部との間に延在」する点で一致することは，明らかである。
キ　引用文献１の図１を参照すると，引用発明の「流路区間１８ｂ」，「流路区間１８ｃ」における「ステージ９ａの下側の外周部から流路区間１８ｄまでの流路区間」は，それぞれ，「静電チャック１７」に沿うように「ステージ９ａ」内に延在していると認められるから，本願発明５の「第１の流路」，「第２の流路」と，「前記第１の流路は，前記静電チャックに沿うように前記第１の部分内に延在し，前記第２の流路は，前記静電チャックに沿うように前記第２の部分内に延在」する点で一致する。
ク　引用発明において，「熱交換流体」は，「チラー」を介して循環され，「ステージ９ａ」内に供給され，また，「供給口２２ａから流路区間１８ａを通ってステージ９ａの中央部へ供給され，流路区間１８ｂによって中央部から外周部へ向かってステージ９ｂ面に同心円状に拡散され，外周部では流路区間１８ｃによってステージ９ａの下側へ流動して流路区間１８ｄにて排出口２１ｂへ送ら」れることから，本願発明５と，「前記チラーユニットから出力される前記冷媒は，前記第１の流路の前記第２の端部に入力し，該第１の流路，前記第３の流路，前記第２の流路を順に流れて，該第２の流路の前記第４の端部から前記チラーユニットに入力」する点で一致する。
ケ　したがって，本願発明５と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「　被加工物の処理装置であって，
　　チャンバ本体と，
　　前記チャンバ本体の内部に設けられ前記被加工物を載置する載置台と，
　　冷媒を前記載置台に出力するチラーユニットと，
　を備え，
　前記載置台は，
　　前記チラーユニットから出力される前記冷媒が流れる冷却台と，
　　前記冷却台の上に設けられた静電チャックと，
　を備え，
　前記冷却台は，第１の部分と第２の部分と第１の流路と第２の流路と第３の流路とを備え，
　前記静電チャックは，前記第１の部分上に設けられ，
　前記第１の部分は，前記第２の部分上に設けられ，
　前記第１の流路は，第１の端部と第２の端部とを備え，前記第１の部分内に設けられ，
　前記第２の流路は，第３の端部と第４の端部とを備え，前記第２の部分内に設けられ，
　前記第３の流路は，前記第１の流路の前記第１の端部と前記第２の流路の前記第３の端部とに接続され，該第１の端部と該第３の端部との間に延在し，
　前記チラーユニットは，前記第１の流路の前記第２の端部と前記第２の流路の前記第４の端部とに接続され，
　前記第１の流路は，前記静電チャックに沿うように前記第１の部分内に延在し，
　前記第２の流路は，前記静電チャックに沿うように前記第２の部分内に延在し，
　前記チラーユニットから出力される前記冷媒は，前記第１の流路の前記第２の端部に入力し，該第１の流路，前記第３の流路，前記第２の流路を順に流れて，該第２の流路の前記第４の端部から前記チラーユニットに入力する，
　処理装置。」
（相違点）
（相違点１）本願発明５は，「前記静電チャックと前記冷却台との間に設けられ，該静電チャックに沿って延在」する「伝熱空間」を備え，「前記伝熱空間は，複数の第２の領域に気密に分離され」ると特定されているのに対し，引用発明は，そのように特定されていない点。
（相違点２）本願発明５は，「圧力調節装置」を備え，「前記伝熱空間」が，「該伝熱空間内の圧力を調節する圧力調節装置に接続され」るとともに，「前記複数の第２の領域のそれぞれに接続され，該複数の第２の領域のそれぞれの内部の圧力を調節し，前記複数の第２の領域のそれぞれの圧力調節によって静電チャックから冷却台への熱量を調節することにより抜熱の速さを該複数の第２の領域のそれぞれにおいて調節する」と特定されているのに対し，引用発明は，そのように特定されていない点。
（２）相違点についての判断
ア　相違点１について
　周知文献には，プラズマ処理装置の真空容器内に設けられる「基板ホルダ１」（本願発明５の「載置台」対応する。）において，「ホルダ本体１Ａ」（本願発明５の「冷却台」対応する。）と「静電チャック３」（本願発明５の「静電チャック」対応する。）との隙間に，伝熱ガス１０３が封止され，封止圧力を調整可能な伝熱ガス供給系１１０に接続された「熱伝達能可変手段６」（本願発明５の「伝熱空間」対応する。）が形成される点は記載されているが，該「熱伝達可変手段６」は，「複数の第２の領域に気密に分離され」ているものではない。
　また，引用文献４には，「ウエハ載置台４′」（本願発明５の「載置台」対応する。）において，「載置台本体４１」（本願発明５の「冷却台」対応する。）の内部の「冷媒循環路４５」と「静電チャック４２」（本願発明５の「静電チャック」対応する。）との間に「伝熱コントロール部６０′」（本願発明５の「伝熱空間」対応する。）が設けられ，該「伝熱コントロール部６０′」の円板状をなす空間部６１′が，「中央空間部６１ａと外側空間部６１ｂとに同心円状に分離され」（本願発明５の「前記伝熱空間は，複数の第２の領域に気密に分離され」に対応する。）る点は記載されているが，該「伝熱コントロール部６０′」は，「載置台本体４１」の内部に設けられており，「前記静電チャックと前記冷却台との間に設け」られるものではない。
　そして，「前記静電チャックと前記冷却台との間に設けられ，該静電チャックに沿って延在」するとともに，「複数の第２の領域に気密に分離され」た「伝熱空間」は，引用文献２−３，５にも記載されておらず，また，本願出願前において周知技術であるともいえない。
　してみると，当業者であっても，引用発明及び引用文献２−５，周知文献に記載された事項に基づいて，本願発明５の相違点１に係る構成とすることは，容易に発明できたものであるとはいえない。
イ　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明５は，当業者であっても引用発明及び引用文献２−５，周知文献に記載された事項に基づいて，容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明７について
　本願発明７は，本願発明５のすべての構成要素を備えた発明であるから，本願発明５と同じ理由により，当業者であっても，引用発明及び引用文献２−５，周知文献に記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
第７　原査定について
　本願発明５，７は，上記「第６　対比・判断」の「１　本願発明５について」の「（１）対比」における相違点１に係る構成を有するものとなっており，拒絶査定において引用された引用文献１及び引用文献２−５，周知文献に記載された事項に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。
　したがって，原査定の理由２を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。