【事件の表示】
　特願２０１５−　３７２０８「矩形配列のキャビティを備えたポリマーフレームを製作する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　６月２０日出願公開、特開２０１６−１１１３１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯   
　本願は、平成２７年２月２６日に出願したものであって（パリ条約による優先権主張平成２６年１２月５日、米国）、平成３０年１０月２日付け拒絶理由通知に対して平成３１年３月４日に手続補正がなされたが、令和１年５月２１日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、同年９月２７日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされたものである。
   
第２　令和１年９月２７日の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　令和１年９月２７日の手続補正を却下する。
［理由］
１　本件補正について
　令和１年９月２７日の手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするもので、本件補正前に、
「【請求項１】
　矩形キャビティの配列を規定するフレームワークであって、
　前記矩形キャビティの各々が矩形チップを収容するためにあり、ポリマーマトリクスを有する誘電材料を備え、
前記矩形キャビティの壁が、前記フレームワークに対して実質的に垂直であり、
　前記矩形キャビティのコーナーが、１００ミクロン未満の曲率半径を有し、
　前記矩形キャビティが、約０．９ｍｍｘ０．９ｍｍから約３１ｘ３１ｍｍまでの範囲の寸法を有し、且つ、５０ミクロンから３００ミクロンの範囲の深さを有し、
前記矩形キャビティは、前記矩形キャビティの所定寸法に対して＋−２５ミクロンの寸法誤差の範囲内で製作されるフレームワーク。
　【請求項２】
　前記矩形キャビティのコーナーが、５０ミクロン未満の曲率半径を有することを特徴とする請求項１に記載のフレームワーク。
　【請求項３】
　前記ポリマーマトリクスが、ポリイミド、エポキシまたはＢＴ（ビスマレイミド／トリアジン）またはそれらの混和物であることを特徴とする請求項１に記載のフレームワーク。
　【請求項４】
　前記誘電材料が、前記ポリマーマトリクス内に埋め込まれるセラミックフィラー、ガラスファイバおよびビア柱の少なくとも１つを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のフレームワーク。
　【請求項５】
　各前記矩形キャビティが、その中に配置されるべき矩形チップの高さを２０−５０ミクロン超える深さを有することを特徴とする請求項１に記載のフレームワーク。
　【請求項６】
　前記フレームワークが、機械的ツーリング、レーザーツーリングおよびウォータジェットツーリングの群から選ばれる技法によってダイシング可能であることを特徴とする請求項１に記載のフレームワーク。
　【請求項７】
　誘電材料のプレート内に矩形キャビティの配列を作り出すための方法であって、
　前記矩形キャビティの壁が、前記フレームワークに対して実質的に垂直であり、
　前記矩形キャビティのコーナーが、１００ミクロン未満の曲率半径を有し、
　前記矩形キャビティが、約０．９ｍｍｘ０．９ｍｍから約３１ｘ３１ｍｍまでの範囲の寸法を有し、且つ、５０ミクロンから３００ミクロンの範囲の深さを有し、
前記矩形キャビティは、前記矩形キャビティの所定寸法に対して＋−２５ミクロンの寸法誤差の範囲内で製作され、
熱および圧力の下で金属スタブの犠牲配列の上に前記誘電材料のシートを加圧するステップ、そして次に、
前記金属スタブをエッチング除去するステップ、を含む方法。
　【請求項８】
　前記誘電材料が、ポリマーマトリクスを備えることを特徴とする請求項７に記載の方法。
　【請求項９】
　前記誘電材料が、ガラスファイバを更に備えることを特徴とする請求項７に記載の方法。
　【請求項１０】
　前記誘電材料が、ポリマーマトリクスによって含浸される編ガラスファイババンドルのプリプレグを備えることを特徴とする請求項７に記載の方法。
　【請求項１１】
　前記金属スタブが、銅を備えることを特徴とする請求項７に記載の方法。
　【請求項１２】
　請求項７に記載の方法であって、前記金属スタブが：
（ｉ）バリアメタル基板上に連続的銅層を得るステップ；
（ｉｉ）フォトレジスト層を塗布するステップ；
（ｉｉｉ）前記フォトレジスト層をパターン化するステップ、および
（ｉｖ）前記パターン化されたフォトレジスト層をステンシルとして用いて、前記銅をエッチング除去するステップによって製作されることを特徴とする方法。
　【請求項１３】
　請求項７に記載の方法であって、前記金属スタブが：
（ａ）バリアメタル基板の上にフォトレジスト層を塗布するステップ；
（ｂ）前記フォトレジスト層をパターン化するステップ；
（ｃ）前記パターン化されたフォトレジストに銅を電気メッキするステップ；
（ｄ）前記フォトレジストを除去するステップによって製作されることを特徴とする方法。
　【請求項１４】
　前記パターン化されたフォトレジスト層をステンシルとして用いて、前記銅をエッチング除去する曲率半径を有するコーナーで出会う実質的に平行した円滑な縁部を有することによって前記キャビティが特徴づけられることを特徴とする請求項７に記載の方法。
　【請求項１５】
　前記キャビティのコーナーが、５０ミクロン未満の曲率半径を有することを特徴とする請求項７に記載の方法。
　【請求項１６】
　銅ビアが、前記金属スタブと共に堆積されてかつ前記プレートの壁内に埋め込まれ、前記金属スタブとしてマスキングされる前記銅ビアが、エッチング除去されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
　【請求項１７】
　細長い銅セクショニング要素が、前記金属スタブおよび前記銅ビアと共に堆積されてかつ前記プレートの壁内に埋め込まれることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
　【請求項１８】
　ポリマー樹脂および補強ファイバを備える誘電フレームに埋め込まれるチップの取付方法であって、前記誘電フレームが、１００ミクロン未満の曲率半径によって頂点で出会う突き出るファイバのない隣接する円滑な壁によって特徴づけられる矩形キャビティを備え、
　前記矩形キャビティが、約０．９ｍｍｘ０．９ｍｍから約３１ｘ３１ｍｍまでの範囲の寸法を有し、且つ、５０ミクロンから３００ミクロンの範囲の深さを有し、
前記矩形キャビティは、＋−２５ミクロンの寸法誤差の範囲内で製作され、
前記チップと周囲の前記誘電フレームとの間の空間がフィラー材料によって充填されるチップの取付方法。
　【請求項１９】
　フィラー材料が、モールドコンパウンド、乾燥フィルムまたはプリプレグとして塗布されることを特徴とする請求項１８に記載のチップの取付方法。
　【請求項２０】
　前記誘電フレームが、銅ビアを更に備えることを特徴とする請求項１８に記載のチップの取付方法。」とあったところを、   
　本件補正後、
「【請求項１】
　矩形キャビティの配列を規定するフレームワークであって、
前記矩形キャビティの各々が矩形チップを収容するためにあり、ポリマーマトリクスを有する誘電材料を備え、
前記矩形キャビティの壁が、前記フレームワークに対して実質的に垂直であり、
　前記矩形キャビティのコーナーが、１００ミクロン未満の曲率半径を有し、
　前記矩形キャビティが、約０．９ｍｍから約３１ｍｍまでの範囲の
一辺の
前記矩形キャビティは、前記矩形キャビティの所定寸法に対して＋−２５ミクロンの寸法誤差の範囲内で製作されるフレームワーク。
　【請求項２】
　前記矩形キャビティのコーナーが、５０ミクロン未満の曲率半径を有することを特徴とする請求項１に記載のフレームワーク。
　【請求項３】
　前記ポリマーマトリクスが、ポリイミド、エポキシまたはＢＴ（ビスマレイミド／トリアジン）またはそれらの混和物であることを特徴とする請求項１に記載のフレームワーク。
　【請求項４】
　前記誘電材料が、前記ポリマーマトリクス内に埋め込まれるセラミックフィラー、ガラスファイバおよびビア柱の少なくとも１つを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のフレームワーク。
　【請求項５】
　各前記矩形キャビティが、その中に配置されるべき矩形チップの高さを２０−５０ミクロン超える深さを有することを特徴とする請求項１に記載のフレームワーク。
　【請求項６】
　前記フレームワークが、機械的ツーリング、レーザーツーリングおよびウォータジェットツーリングの群から選ばれる技法によってダイシング可能であることを特徴とする請求項１に記載のフレームワーク。
　【請求項７】
　誘電材料のプレート内に矩形キャビティの配列を作り出すための方法であって、
前記矩形キャビティの壁が、前記フレームワークに対して実質的に垂直であり、
　前記矩形キャビティのコーナーが、１００ミクロン未満の曲率半径を有し、
　前記矩形キャビティが、約０．９ｍｍから約３１ｍｍまでの範囲の
一辺の
前記矩形キャビティは、前記矩形キャビティの所定寸法に対して＋−２５ミクロンの寸法誤差の範囲内で製作され、
熱および圧力の下で金属スタブの犠牲配列の上に前記誘電材料のシートを加圧するステップ、そして次に、
前記金属スタブをエッチング除去するステップ、を含む方法。
　【請求項８】
　前記誘電材料が、ポリマーマトリクスを備えることを特徴とする請求項７に記載の方法。
　【請求項９】
　前記誘電材料が、ガラスファイバを更に備えることを特徴とする請求項７に記載の方法。
　【請求項１０】
　前記誘電材料が、ポリマーマトリクスによって含浸される編ガラスファイババンドルのプリプレグを備えることを特徴とする請求項７に記載の方法。
　【請求項１１】
　前記金属スタブが、銅を備えることを特徴とする請求項７に記載の方法。
　【請求項１２】
　請求項７に記載の方法であって、前記金属スタブが：
（ｉ）バリアメタル基板上に連続的銅層を得るステップ；
（ｉｉ）フォトレジスト層を塗布するステップ；
（ｉｉｉ）前記フォトレジスト層をパターン化するステップ、および
（ｉｖ）前記パターン化されたフォトレジスト層をステンシルとして用いて、前記銅をエッチング除去するステップによって製作されることを特徴とする方法。
　【請求項１３】
　請求項７に記載の方法であって、前記金属スタブが：
（ａ）バリアメタル基板の上にフォトレジスト層を塗布するステップ；
（ｂ）前記フォトレジスト層をパターン化するステップ；
（ｃ）前記パターン化されたフォトレジストに銅を電気メッキするステップ；
（ｄ）前記フォトレジストを除去するステップによって製作されることを特徴とする方法。
　【請求項１４】
　前記パターン化されたフォトレジスト層をステンシルとして用いて、前記銅をエッチング除去する曲率半径を有するコーナーで出会う実質的に平行した円滑な縁部を有することによって前記キャビティが特徴づけられることを特徴とする請求項７に記載の方法。
　【請求項１５】
　前記キャビティのコーナーが、５０ミクロン未満の曲率半径を有することを特徴とする請求項７に記載の方法。
　【請求項１６】
　銅ビアが、前記金属スタブと共に堆積されてかつ前記プレートの壁内に埋め込まれ、前記金属スタブとしてマスキングされる前記銅ビアが、エッチング除去されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
　【請求項１７】
　細長い銅セクショニング要素が、前記金属スタブおよび前記銅ビアと共に堆積されてかつ前記プレートの壁内に埋め込まれることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
　【請求項１８】
　ポリマー樹脂および補強ファイバを備える誘電フレームに埋め込まれるチップの取付方法であって、前記誘電フレームが、１００ミクロン未満の曲率半径によって頂点で出会う突き出るファイバのない隣接する円滑な壁によって特徴づけられる矩形キャビティを備え、
　前記矩形キャビティが、約０．９ｍｍから約３１ｍｍまでの範囲の
一辺の
前記矩形キャビティは、＋−２５ミクロンの寸法誤差の範囲内で製作され、
前記チップと周囲の前記誘電フレームとの間の空間がフィラー材料によって充填されるチップの取付方法。
　【請求項１９】
　フィラー材料が、モールドコンパウンド、乾燥フィルムまたはプリプレグとして塗布されることを特徴とする請求項１８に記載のチップの取付方法。
　【請求項２０】
　前記誘電フレームが、銅ビアを更に備えることを特徴とする請求項１８に記載のチップの取付方法。」とするものである。なお、下線は補正箇所を示す。
    
２　補正の適否
　上記の補正は、補正前の請求項１、７及び１８における「前記矩形キャビティが、約０．９ｍｍｘ０．９ｍｍから約３１ｘ３１ｍｍまでの範囲の寸法を有し、」を、「前記矩形キャビティが、約０．９ｍｍから約３１ｍｍまでの範囲の
一辺の
　ここで、補正前の請求項１、７及び１８の「約０．９ｍｍｘ０．９ｍｍ」及び「約３１ｘ３１ｍｍ」は、それぞれ一辺の長さが約０．９ｍｍ及び約３１ｍｍの四角形の面積を表しているから、矩形キャビティの一辺の寸法は約０．９ｍｍから約３１ｍｍまでの範囲にあるものと解される。
　そうすると、補正前の請求項１、７及び１８においても、矩形キャビティは約０．９ｍｍから約３１ｍｍまでの範囲の一辺の寸法を有しているから、補正後の請求項１、７及び１８に記載される発明は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当しない。
　さらに、令和１年５月２１日付け拒絶査定においては、記載不備を指摘してはいないから、請求項１、７及び１８についての本件補正は、特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる「明りょうでない記載の釈明（拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限る。）」を目的とするものにも該当しない。
　そして、本件補正前の請求項１、７及び１８においては、上記補正事項に対応する誤記は何ら認められないから、請求項１、７及び１８についての本件補正は、特許法第１７条の２第５項第３号に掲げる「誤記の訂正」を目的とするものにも該当しない。
　したがって、上記補正事項による補正は、特許法第１７条の２第５項第１号ないし第４号に掲げる、いずれの事項を目的としたものとも認められない。
　なお、請求人は、審判請求書において補正の根拠の説明を行っておらず、補正の根拠を示していない。
　よって、上記補正事項による補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定に違反する。
３　独立特許要件について（予備的見解）
　上記２で検討したとおり、本件補正における、本件補正前の請求項１、７及び１８についての補正事項は、特許法第１７条の２第５項第１号ないし第４号に掲げる、いずれの事項を目的としたものとも認められない。
　仮に、本件補正が同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的としたものと認められるとした場合、本件補正後の上記請求項１に係る発明（令和１年９月２７日付け手続補正書の特許請求の範囲に記載された事項により特定される【請求項１】（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、上記１に本件補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
（２）引用文献
ア　引用文献１・引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１３−５１３８４号公報（以下、「引用文献１」という。）には、集合配線基板に関して、図面と共に以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
（ア）「【０００１】
　本発明は、
半導体素子が搭載される搭載部を有する複数の小型の配線基板が、搭載部を囲繞する貫通口を有するフレームに接合された集合配線基板に関するものである。
（イ）「【００１３】
　本例の集合配線基板３０は、図１に示すように、半導体素子１５を搭載するための複数の小型の配線導体１０が、これらの配線基板１０を支持するためのフレーム２０の下面に接合されて成る。
【００１４】
　
配線基板１０は
絶縁板１ａの上下に絶縁層１ｂを１層ずつ積層した絶縁基板１
を備えている。
配線基板１０の上面中央部には半導体素子１５が搭載される搭載部８が形成されている。
【００１５】
　
絶縁基板１を構成する絶縁板１ａは、ガラス繊維にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料からなり、
【００１６】
　絶縁板１ａの上下に積層された
絶縁層１ｂは、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料からなり、
（ウ）「【００２０】
　フレーム２０は図３（ａ）に示すように、絶縁板２１と、絶縁板２１を貫通する導通導体２２と、絶縁板２１の上下に形成されたソルダーレジスト層２３とを備えている。この
フレーム２０は、複数の配線基板１０を所定の配列で支持する支持体として機能し、支持される配線基板１０の配列に対応した位置に配線基板１０の搭載部８を囲繞する大きさの貫通口２４を有している。
（エ）図１の集合配線基板の断面図及び上面図を参照すると、
搭載部８及び貫通口２４は、半導体素子１５を収納する複数の凹部を形成し、貫通口２４の側壁は配線基板１０に対して垂直である。
（オ）図１（ｂ）の集合配線基板の上面図及び図３（ｂ）の集合配線基板におけるフレームの上面図を参照すると、
貫通口２４の四隅の角が曲面で形成されている。
・上記（ア）によれば、半導体素子が搭載される搭載部を有する複数の小型の配線基板が、搭載部を囲繞する貫通口を有するフレームに接合された集合配線基板に関するものである。
・上記（イ）によれば、配線基板１０は、絶縁板１ａの上下に絶縁層１ｂを１層ずつ積層した絶縁基板１を備え、配線基板１０の上面中央部には半導体素子１５が搭載される搭載部８が形成されている。
・上記（イ）によれば、絶縁基板１を構成する絶縁板１ａは、ガラス繊維にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料からなり、絶縁層１ｂは、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料からなる。
・上記（ウ）によれば、フレーム２０は、複数の配線基板１０を所定の配列で支持する支持体として機能し、支持される配線基板１０の配列に対応した位置に配線基板１０の搭載部８を囲繞する大きさの貫通口２４を有している。
・上記（エ）によれば、搭載部８及び貫通口２４は、半導体素子１５を収納する複数の凹部を形成し、貫通口２４の側壁は配線基板１０に対して垂直である。
・上記（オ）によれば、貫通口２４の四隅の角が曲面で形成されている。
　したがって、上記記載事項及び図面を勘案すると上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「半導体素子が搭載される搭載部を有する複数の小型の配線基板が、搭載部を囲繞する貫通口を有するフレームに接合された集合配線基板に関するものであって、
　配線基板１０は、絶縁板１ａの上下に絶縁層１ｂを１層ずつ積層した絶縁基板１を備え、配線基板１０の上面中央部には半導体素子１５が搭載される搭載部８が形成されており、
　絶縁基板１を構成する絶縁板１ａは、ガラス繊維にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料からなり、絶縁層１ｂは、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料からなり、
　フレーム２０は、複数の配線基板１０を所定の配列で支持する支持体として機能し、支持される配線基板１０の配列に対応した位置に配線基板１０の搭載部８を囲繞する大きさの貫通口２４を有しており、
　搭載部８及び貫通口２４は、半導体素子１５を収納する複数の凹部を形成し、貫通口２４の側壁は配線基板１０に対して垂直であり、
　貫通口２４の四隅の角が曲面で形成されている、
配線基板。」
   
イ　引用文献２及び３
（ア）引用文献２                      
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１４−３３１５１号公報（以下、「引用文献２」という。）には、デバイスを配置する基板に関して、次の技術事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
（ａ）「【００２４】
　まず、図１，図２（ａ）のように、一方の面側から他方の面側に貫通する
複数の矩形の開口部１１ａが設けられた基板１１
【００２５】
　基板１１は、シリコン、セラミックス、ガラス、又は石英等のように剛性が高い材料により形成されていることが好ましい。本実施形態では、基板１１として、直径が６インチ、厚さが６５０μｍのシリコンウエハを使用する。そして、超音波加工等により
基板１１の所定の箇所を矩形にくり抜いて、開口部１１ａを形成する。
【００２６】
　後述するように、
開口部１１ａ内には複数のデバイスを配置する。それらのデバイスを開口部１１ａ内に配置したときに、開口部１１ａの壁面とデバイスとの間の隙間が例えば２ｍｍ〜３ｍｍとなるように、開口部１１ａの大きさを決定する。
（イ）引用文献３
　原査定において、周知技術を示す文献として引用された特開２０１４−１８７３６０号公報（以下、「引用文献３」という。）には、部品内蔵回路板に関して、次の技術事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
（ｂ）「【０１６１】
  〔測定・評価用サンプルの調製〕
  （１）部品が仮付けされた回路基板の準備
２５５ｍｍ×２５５ｍｍサイズの
内層回路基板に、
０．８ｍｍ×１．２ｍｍサイズのキャビティを
作製した。
内層回路基板のキャビティを介して
積層薄膜コンデンサ１００５、１．０ｍｍ×０．５ｍｍサイズ
を仮付けした。
（ウ）上記（ａ）の記載によれば、開口部１１ａの壁面とデバイスとの間の隙間が２ｍｍ〜３ｍｍとなるように、すなわちデバイスの形に合わせて、基板に設ける矩形の開口部１１ａの大きさを決定している。また、上記（ｂ）の記載によれば、積層薄膜コンデンサ１００５、１．０ｍｍ×０．５ｍｍサイズの形に合わせて、開口部である０．８ｍｍ×１．２ｍｍサイズのキャビティを回路基板に作製している。
　そうすると、上記引用文献２及び３には、基板に設けられた開口部の形状に関して、以下の技術事項が記載されている。
「配置するデバイスの形に合わせて、基板に矩形の開口部を形成すること」
ウ　引用文献４
　原査定において、周知技術を示す文献として引用された特開２０１３−２０７１９４号公報（以下、「引用文献４」という。）には、部品内蔵基板に関して、次の技術事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
（ア）「【００１５】
  （部品内蔵基板）
　
部品内蔵基板３は、
電子部品６が収容される貫通孔Ｔが形成されて、
（イ）「【００７７】
　また、平面視において、
第１基板８の貫通孔Ｔの開口の角部は、曲面である
【００７８】
　なお、平面視における、
第１基板８の貫通孔Ｔの開口の角部は、曲率半径が
３μｍ以上１００μｍ以下に設定されている。
　上記（ア）、（イ）の記載によれば、上記引用文献４には、電子部品を収納する貫通孔に関して、以下の技術事項が記載されている。
「貫通孔の開口の角部を曲率半径３μｍ以上１００μｍ以下の曲面に設定すること」
エ　引用文献３及び５
（ア）引用文献３
　原査定において、周知技術を示す文献として引用された上記引用文献３（特開２０１４−１８７３６０号公報）には、部品内蔵回路板に関して、次の技術事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
（ａ）「【００１５】
　＜部品が仮付けされた回路基板＞
　本発明の製造方法で使用する部品が仮付けされた回路基板（以下、「部品仮付け回路基板」ともいう。）は、第１及び第２の主面を有し、該第１及び第２の主面間を貫通する
キャビティが形成された回路基板
〜（中略）〜
【００１９】
　
回路基板１の基板２の厚さは、部品内蔵回路板の薄型化の観点から、
３００μｍ以下
５０μｍ以上
である。
（ｂ）【００２５】
　キャビティ２ａの開口形状は特に制限されず、矩形、円形、略矩形、略円形等の任意の形状としてよい。また、キャビティ２ａの開口寸法は、回路配線の設計にもよるが、例えば、
キャビティ２ａの開口形状が矩形の場合、５ｍｍ×５ｍｍ以下
３ｍｍ×３ｍｍ以下
０．５ｍｍ×０．５ｍｍ以上である。
（ｃ）「【０１６１】
　〔測定・評価用サンプルの調製〕
　（１）部品が仮付けされた回路基板の準備
　２５５ｍｍ×２５５ｍｍサイズの
内層回路基板に、
０．８ｍｍ×１．２ｍｍサイズのキャビティを
作製した。内層回路基板としては、
基板の厚さ１５０μｍ、全体厚さ１８６μｍ、
を使用した。
（イ）引用文献５
　原査定において、周知技術を示す文献として引用された特開２０１０−２０５８７７号公報（以下、「引用文献５」という。）には、半導体素子を搭載する半導体装置に関して、次の技術事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
（ｄ）「【００１８】
　一例として、２つの
半導体素子を搭載する半導体装置
凹部６０において、
後に半導体素子の側面が当接されて
凹部の深さは、
２００μｍである。
       
（ウ）上記（ｂ）、（ｃ）の記載によれば、引用文献３には、電子部品を収納するキャビティの開口寸法に関して、以下の技術事項が記載されている。
「矩形のキャビティの開口寸法を５ｍｍ×５ｍｍ以下０．５ｍｍ×０．５ｍｍ以上、３ｍｍ×３ｍｍ以下０．５ｍｍ×０．５ｍｍ以上、あるいは０．８ｍｍ×１．２ｍｍの矩形とすること」
（エ）上記（ａ）、（ｃ）、（ｄ）の記載によれば、引用文献３及び５には、電子部品を収納するもの（キャビティ）となる凹部の深さに関して、以下の技術事項が記載されている。
「キャビティとなる凹部の深さを、３００μｍ以下５０μｍ以上とすること」
（３）対比   
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア．引用発明において「搭載部８及び貫通口２４」が形成する「半導体素子１５を収納する複数の凹部」は、本願補正発明の「キャビティ」に相当する。
イ．引用発明の配線基板１０の「搭載部８」は、配列に対応した位置で貫通口２４に囲繞されるから、本願補正発明の「配列を規定するフレームワーク」に相当する。
　ただし、キャビティの形状に関して、本願補正発明は「矩形キャビティ」であるのに対して、引用発明はその旨の特定がされていない点で相違する。
ウ．引用発明が「半導体素子１５を収納する複数の凹部」を有することは、本願補正発明の「キャビティの各々が」「チップを収容するためにあ」ることに相当する。
　ただし、キャビティに収容されるチップの形状に関して、本願補正発明は「矩形チップ」であるのに対して、引用発明はその旨の特定がされていない点で相違する。
エ．引用発明の「配線基板１０」が「絶縁板１ａ」及び「絶縁層１ｂ」に「熱硬化性樹脂」を含み、かつ「フレーム２０」によって「所定の配列」で支持されることは、ポリマーからなり、かつマトリクスを構成するといえ、また「配線基板１０」が誘電材料であるといえるから、本願補正発明の「ポリマーマトリクスを有する誘電材料」に相当する。
オ．引用発明の「貫通口２４の側壁は配線基板１０に対して垂直であ」ることは、本願補正発明の「前記矩形キャビティの壁が、前記フレームワークに対して実質的に垂直であ」ることに相当する。
カ．引用発明の「貫通口２４の四隅の角が曲面で形成されている」ことは、本願補正発明の「キャビティのコーナーが、」「曲率半径を有」することに相当する。
　ただし、本願補正発明は「前記矩形キャビティのコーナーが、１００ミクロン未満の曲率半径を有」するのに対して、引用発明はその旨の特定がされていない点で相違する。
キ．本願補正発明は「前記矩形キャビティが、約０．９ｍｍから約３１ｍｍまでの範囲の一辺の寸法を有し、且つ、５０ミクロンから３００ミクロンの範囲の深さを有」するのに対して、引用発明はその旨の特定がされていない点で相違する。
ク．本願補正発明は「前記矩形キャビティは、前記矩形キャビティの所定寸法に対して＋−２５ミクロンの寸法誤差の範囲内で製作される」のに対して、引用発明はその旨の特定がされていない点で相違する。
　そうすると、本願補正発明と引用発明とは次の点で一致ないし相違している。
＜一致点＞
「キャビティの配列を規定するフレームワークであって、
　前記キャビティの各々がチップを収容するためにあり、ポリマーマトリクスを有する誘電材料を備え、
　前記キャビティの壁が、前記フレームワークに対して実質的に垂直であり、
　前記キャビティのコーナーが、曲率半径を有するフレームワーク。」
＜相違点１＞
　キャビティの形状に関して、本願補正発明は「矩形キャビティ」であるのに対して、引用発明はその旨の特定がされていない点。
＜相違点２＞
　キャビティに収容されるチップの形状に関して、本願補正発明は「矩形チップ」であるのに対して、引用発明はその旨の特定がされていない点。
＜相違点３＞
　キャビティのコーナーの曲率半径に関して、本願補正発明は「前記矩形キャビティのコーナーが、１００ミクロン未満の曲率半径を有」するのに対して、引用発明はその旨の特定がされていない点。
＜相違点４＞
　キャビティの寸法に関して、本願補正発明は「前記矩形キャビティが、約０．９ｍｍから約３１ｍｍまでの範囲の一辺の寸法を有し、且つ、５０ミクロンから３００ミクロンの範囲の深さを有」するのに対して、引用発明はその旨の特定がされていない点。
＜相違点５＞
　キャビティの寸法誤差に関して、本願補正発明は「前記矩形キャビティは、前記矩形キャビティの所定寸法に対して＋−２５ミクロンの寸法誤差の範囲内で製作される」のに対して、引用発明はその旨の特定がされていない点。
       
（４）判断   
　上記相違点について判断する。
ア　相違点１及び２について
　矩形の半導体素子は普通に使用されている。
　引用文献１記載の技術は、貫通口２４の大きさを封止に必要な最小限の大きさにとどめておくことで、注入する封止樹脂を低減するものであるから（【００２６】）、引用発明においても矩形の半導体素子を収納する際には、貫通口を必要最小限の大きさにとどめておくべく、凹部を矩形に形成して、注入する封止樹脂を低減することが明白といえ、上記相違点１及び２は実質的な相違ではない。
　仮に相違するとしても、引用文献２及び３に記載があるように（上記（２）イ（ウ）参照）、配置するデバイスの形に合わせて、基板に矩形の開口部を形成することは、普通に行われている周知の技術事項であるから、上記相違点１及び２に係る構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
　なお、上記相違点１及び２に関する事項として、請求人は審判請求書において「引用文献１の発明の各搭載部８（本願のキャビティに相当）はいずれも正方形であり本願の矩形形状とは異なり、また、引用文献２の発明は、１枚のウエファーの開口部に複数のチップを配置した後、樹脂を注入することにより疑似ＳｏＣチップを形成する発明であり、各チップの形状は正方形であるが、チップキャビティを使用しないチップ配置方式である旨主張している。
　しかしながら、上記検討のとおり、相違点１及び２は実質的な相違でなく、仮に相違するとしても、引用文献１に記載された発明、及び引用文献２、３に記載の周知の技術事項から当業者が容易になし得たことであるから、請求人の上記主張は採用することはできない。
イ　相違点３について
　引用文献４に記載があるように、電子部品を収容する貫通口の角部を曲率半径３μｍ以上１００μｍ以下の曲面に設定することは周知の技術事項である（上記（２）ウ参照。他にも必要であれば、特開２０１４−１３０９６２号公報の【００７２】−【００７３】、図１０及び図１１参照）。
　してみると、引用発明の貫通口２４の角部に周知の技術事項を用いて、上記相違点３に係る構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
ウ　相違点４について
　引用文献３に記載があるように（上記（２）エ（ウ）参照）、矩形のキャビティの開口寸法を５ｍｍ×５ｍｍ以下０．５ｍｍ×０．５ｍｍ以上、３ｍｍ×３ｍｍ以下０．５ｍｍ×０．５ｍｍ以上、あるいは０．８ｍｍ×１．２ｍｍとすることは、普通に行われている周知の技術事項である。
　また、引用文献３及び５に記載があるように（上記（２）エ（エ）参照）、キャビティとなる凹部の深さを３００μｍ以下５０μｍ以上とすることも、普通に行われている周知の技術事項である。
　ここで、キャビティの一辺の寸法や深さに関して、本願明細書には、一般的または典型的ダイサイズに関連して述べているのみであって（【００５９】、【００６０】及び【００８６】）、キャビティの一辺の寸法の範囲（約０．９ｍｍから約３１ｍｍ）及び深さの範囲（５０ミクロンから３００ミクロン）に臨界的意義は認められない。
　そうすると、引用発明の貫通口２４の開口や深さの寸法を、収納する半導体素子に合わせて、周知の技術事項である引用文献３及び５のように形成し、上記相違点４に係る構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
エ　相違点５について
　基板に開口部を形成する際の加工方法として、例えばレーザ加工を用いた場合には、加工精度を＋−２５ミクロンの寸法誤差の範囲内とすることは必要に応じて適宜なし得る事項である（必要であれば、特開２０１４−３２６７号公報の【００９６】、特開２００３−３２４１６８号公報の【００２７】参照）。
　引用発明のフレーム２０の絶縁板２１は、ガラス繊維にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料からなり（【００２１】参照）、貫通口の形成にレーザ加工を用いることの阻害要因はないから、レーザ加工により加工精度を＋−２５ミクロンの寸法誤差の範囲内として、上記相違点５に係る構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
　そして、本願補正発明の効果も、引用文献１に記載された発明、及び周知の技術事項から想到される構成から当業者が予想できる範囲のものである。
　よって、本願補正発明は、引用文献１に記載された発明、及び周知の技術事項から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
（５）本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１　本願発明
　令和１年９月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２０に係る発明は、平成３１年３月４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載された事項により特定されたものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は上記「第２［理由］１」に本件補正前の請求項１として記載したとおりものである。
２　引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１の記載事項、引用発明、及び周知の技術事項は、上記「第２［理由］３（２）引用文献」に記載したとおりである。
３　対比・判断
　本願発明は、本願補正発明における「前記矩形キャビティが、約０．９ｍｍから約３１ｍｍまでの範囲の一辺の寸法を有し、」を、「前記矩形キャビティが、約０．９ｍｍｘ０．９ｍｍから約３１ｘ３１ｍｍまでの範囲の寸法を有し、」とするものであることから、上記「第２［理由］３（３）対比」における検討内容を踏まえると、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「キャビティの配列を規定するフレームワークであって、
　前記キャビティの各々がチップを収容するためにあり、ポリマーマトリクスを有する誘電材料を備え、
　前記キャビティの壁が、前記フレームワークに対して実質的に垂直であり、
　前記キャビティのコーナーが、曲率半径を有するフレームワーク。」
＜相違点１’＞
　キャビティの形状に関して、本願発明は「矩形キャビティ」であるのに対して、引用発明はその旨の特定がされていない点。
＜相違点２’＞
　キャビティに収容されるチップの形状に関して、本願発明は「矩形チップ」であるのに対して、引用発明はその旨の特定がされていない点。
＜相違点３’＞
　キャビティのコーナーの曲率半径に関して、本願発明は「前記矩形キャビティのコーナーが、１００ミクロン未満の曲率半径を有」するのに対して、引用発明はその旨の特定がされていない点。
＜相違点４’＞
　キャビティの寸法に関して、本願発明は「前記矩形キャビティが、約０．９ｍｍｘ０．９ｍｍから約３１ｘ３１ｍｍまでの範囲の寸法を有し、且つ、５０ミクロンから３００ミクロンの範囲の深さを有」するのに対して、引用発明はその旨の特定がされていない点。
＜相違点５’＞
　キャビティの寸法誤差に関して、本願発明は「前記矩形キャビティは、前記矩形キャビティの所定寸法に対して＋−２５ミクロンの寸法誤差の範囲内で製作される」のに対して、引用発明はその旨の特定がされていない点。
　上記相違点について検討する。
（１）相違点１’及び２’について
　上記相違点１’及び２’は、上記「第２［理由］３（３）対比」の相違点１及び２と同じであるから、上記「第２［理由］３（４）判断」のアと同様の理由により、相違点１’及び２’は実質的な相違ではない。
　仮に相違するとしても、配置するデバイスの形に合わせて、基板に矩形の開口部を形成することは、普通に行われている周知の技術事項であるから（引用文献２及び３（上記「第２［理由］３（２）イ（ウ）」）参照）、相違点１’及び２’に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
（２）相違点３’及び５’について
　上記相違点３’及び５’は、上記「第２［理由］３（３）対比」の相違点３及び５と同じであるから、上記「第２［理由］３（４）判断」のイ及びエと同様の理由により、引用発明において、相違点３’及び５’に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
（３）相違点４’について
　上記「第２［理由］３（４）判断」のウと同様の理由により、矩形のキャビティの開口寸法を５ｍｍ×５ｍｍ以下０．５ｍｍ×０．５ｍｍ以上、３ｍｍ×３ｍｍ以下０．５ｍｍ×０．５ｍｍ以上、あるいは０．８ｍｍ×１．２ｍｍとすることや（引用文献３（上記「第２［理由］３（２）エ（ウ）」参照）、キャビティとなる凹部の深さを３００μｍ以下５０μｍ以上とすることは（引用文献３及び５（上記「第２［理由］３（２）エ（エ）」）参照）、普通に行われている周知の技術事項であり、引用発明の貫通口２４の開口や深さの寸法を、収納する半導体素子に合わせて、周知の技術事項である引用文献３及び５のように形成し、上記相違点４’に係る構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
　したがって、本願発明は、引用文献１に記載された発明、及び周知の技術事項から当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。