【事件の表示】
　特願２０１５−１３６２９９「プラズマ処理装置及びガス供給部材」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　３月１７日出願公開，特開２０１６−　３６０１８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件審判請求に係る出願（以下，「本願」という。）は，２０１５年（平成２７年）　７月　７日（優先権主張　２０１４年（平成２６年）　７月３１日）の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成３１年　１月２４日付け：拒絶理由通知書
平成３１年　３月２５日　　：意見書，手続補正書の提出
令和　１年　８月２７日付け：拒絶理由（最後の拒絶理由）通知書
令和　１年１０月３１日　　：意見書，手続補正書の提出
令和　１年１２月１０日付け：令和　１年１０月３１日の手続補正についての補正の却下の決定，拒絶査定（原査定）
令和　２年　３月１２日　　：審判請求書，手続補正書の提出
令和　２年　４月１５日付け：前置報告書
令和　２年１０月１３日　　：上申書の提出
第２　本件補正について
１　本件補正の内容
（１）令和　２年　３月１２日付けの手続補正（以下，「本件補正」という。）により補正された，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１−８の記載は次のとおりである。（下線部は，補正箇所である。）
「　　【請求項１】
　処理容器と，
　前記処理容器の内部に設けられ，被処理基板を支持する支持部材と，
　円筒状のガス拡散室が内部に形成された上部電極と，
　前記上部電極の下面に設けられ，前記被処理基板をプラズマ処理するため第１の処理ガスを前記処理容器の内部に導入するガス供給孔が形成された第１の領域と，前記ガス供給孔が形成されない第２の領域と，第２の処理ガスを前記処理容器の内部に導入する前記ガス供給孔が形成された第３の領域とが前記被処理基板の中心側から前記被処理基板の径方向に沿って順に配置されたガス供給部材と
　を備え，
　前記ガス拡散室は，環状隔壁部材により中心側の第１ガス拡散室と前記第１ガス拡散室の外側の第２ガス拡散室とに区画されており，
　前記第１ガス拡散室は，前記第１の処理ガスを導入するための
第１の
　前記第２ガス拡散室は，
前記第２ガス拡散室の天井面の，前記第３の領域の前記ガス供給孔に対応する位置に対して
，
記第２の
　前記第１の領域は，前記第１ガス拡散室に対応する位置に配置されて
いる
　ことを特徴とするプラズマ処理装置。
　　【請求項２】
　前記第３の領域に形成された前記ガス供給孔は，前記被処理基板の径方向に沿って，前記被処理基板の周縁よりも１０ｍｍだけ内側の位置よりも外側の位置に配置されたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項３】
　前記第３の領域に形成された前記ガス供給孔は，前記被処理基板の径方向に沿って，前記被処理基板の周縁よりも１０ｍｍだけ内側の位置から前記被処理基板の周縁よりも１０ｍｍだけ外側の位置までの範囲に配置されたことを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項４】
　前記第３の領域に形成された前記ガス供給孔は，前記被処理基板の周縁よりも外側の位置または，該周縁上の位置に配置されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項５】
　前記第３の領域に形成された前記ガス供給孔は，前記被処理基板に近づくほど，前記被処理基板の中心軸に対する被処理基板の径方向の距離が拡がるように，前記被処理基板の中心軸に対して傾斜する傾斜部分を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項６】
　被処理基板が配置される処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部材であって，
　前記ガス供給部材の中央位置とエッジ部との中心線よりも該中央位置側に配置され，前記被処理基板をプラズマ処理するための第１の処理ガスを前記処理容器の内部に導入する第１のガス供給孔が形成された第１のガス供給領域と，
　前記ガス供給部材の中央位置とエッジ部との中心線よりも該エッジ部側に配置され，第２の処理ガスを前記処理容器の内部に導入する第２のガス供給孔が形成された第２のガス供給領域と，
　前記第１のガス供給領域と，前記第２のガス供給領域との間に配置され，ガス供給孔が形成されない非ガス供給領域と
　を備え，
　前記ガス供給部材は，円筒状のガス拡散室が内部に形成された上部電極の下面に設けられるものであり，
　前記ガス拡散室は，環状隔壁部材により中心側の第１ガス拡散室と前記第１ガス拡散室の外側の第２ガス拡散室とに区画されており，
　前記第１ガス拡散室は，前記第１の処理ガスを導入するための
第１の
　前記第２ガス拡散室は，
前記第２ガス拡散室の天井面の，前記第２のガス供給領域の前記第２のガス供給孔に対応する位置に対して
，
第２の
　前記第１のガス供給領域は，前記第１ガス拡散室に対応する位置に配置されており，　前記第２のガス供給領域及び前記非ガス供給領域は，前記第２ガス拡散室に対応する位置に配置されて
いる
　ことを特徴とするガス供給部材。
　　【請求項７】
　前記第２のガス供給孔は，前記被処理基板の周縁よりも外側の位置または，該周縁上の位置に配置されたことを特徴とする請求項６に記載のガス供給部材。
　　【請求項８】
　前記第２のガス供給孔は，前記被処理基板に近づくほど，前記被処理基板の中心軸に対する被処理基板の径方向の距離が拡がるように，前記被処理基板の中心軸に対して傾斜する傾斜部分を有することを特徴とする請求項６又は７に記載のガス供給部材。」
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，平成３１年　３月２５日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−８（以下，それぞれ「補正前の請求項１」−「補正前の請求項８」という。）の記載は次のとおりである。
「　　【請求項１】
　処理容器と，
　前記処理容器の内部に設けられ，被処理基板を支持する支持部材と，
　円筒状のガス拡散室が内部に形成された上部電極と，
　前記上部電極の下面に設けられ，前記被処理基板をプラズマ処理するため第１の処理ガスを前記処理容器の内部に導入するガス供給孔が形成された第１の領域と，前記ガス供給孔が形成されない第２の領域と，第２の処理ガスを前記処理容器の内部に導入する前記ガス供給孔が形成された第３の領域とが前記被処理基板の中心側から前記被処理基板の径方向に沿って順に配置されたガス供給部材と
　を備え，
　前記ガス拡散室は，環状隔壁部材により中心側の第１ガス拡散室と前記第１ガス拡散室の外側の第２ガス拡散室とに区画されており，
　前記第１ガス拡散室は，前記第１の処理ガスを導入するためのガス導入口を有し，
　前記第２ガス拡散室は，径方向内側に前記第２の処理ガスを導入するためのガス導入口を有し，
　前記第１の領域は，前記第１ガス拡散室に対応する位置に配置されており，
　前記第２の領域及び前記第３の領域は，前記第２ガス拡散室に対応する位置に配置されており，
　前記第３の領域は，前記第２ガス拡散室を介して導入される前記第２の処理ガスを前記第３の領域の前記ガス供給孔から噴出し，前記第１の領域の前記ガス供給孔から噴出されて前記被処理基板の中心側から前記被処理基板の径方向へ流れる前記第１の処理ガスの流れを妨げる気流壁を形成するように構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
　　【請求項２】
　前記第３の領域に形成された前記ガス供給孔は，前記被処理基板の径方向に沿って，前記被処理基板の周縁よりも１０ｍｍだけ内側の位置よりも外側の位置に配置されたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項３】
　前記第３の領域に形成された前記ガス供給孔は，前記被処理基板の径方向に沿って，前記被処理基板の周縁よりも１０ｍｍだけ内側の位置から前記被処理基板の周縁よりも１０ｍｍだけ外側の位置までの範囲に配置されたことを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項４】
　前記第３の領域に形成された前記ガス供給孔は，前記被処理基板の周縁よりも外側の位置または，該周縁上の位置に配置されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項５】
　前記第３の領域に形成された前記ガス供給孔は，前記被処理基板に近づくほど，前記被処理基板の中心軸に対する被処理基板の径方向の距離が拡がるように，前記被処理基板の中心軸に対して傾斜する傾斜部分を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項６】
　被処理基板が配置される処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部材であって，
　前記ガス供給部材の中央位置とエッジ部との中心線よりも該中央位置側に配置され，前記被処理基板をプラズマ処理するための第１の処理ガスを前記処理容器の内部に導入する第１のガス供給孔が形成された第１のガス供給領域と，
　前記ガス供給部材の中央位置とエッジ部との中心線よりも該エッジ部側に配置され，第２の処理ガスを前記処理容器の内部に導入する第２のガス供給孔が形成された第２のガス供給領域と，
　前記第１のガス供給領域と，前記第２のガス供給領域との間に配置され，ガス供給孔が形成されない非ガス供給領域と
　を備え，
　前記ガス供給部材は，円筒状のガス拡散室が内部に形成された上部電極の下面に設けられるものであり，
　前記ガス拡散室は，環状隔壁部材により中心側の第１ガス拡散室と前記第１ガス拡散室の外側の第２ガス拡散室とに区画されており，
　前記第１ガス拡散室は，前記第１の処理ガスを導入するためのガス導入口を有し，
　前記第２ガス拡散室は，径方向内側に前記第２の処理ガスを導入するためのガス導入口を有し，
　前記第１のガス供給領域は，前記第１ガス拡散室に対応する位置に配置されており，
　前記第２のガス供給領域及び前記非ガス供給領域は，前記第２ガス拡散室に対応する位置に配置されており，
　前記第２のガス供給領域は，記第２ガス拡散室を介して導入される前記第２の処理ガスを前記第２のガス供給孔から噴出し，前記第１のガス供給孔から噴出されて前記被処理基板の中心側から前記被処理基板の径方向へ流れる前記第１の処理ガスの流れを妨げる気流壁を形成するように構成されていることを特徴とするガス供給部材。
　　【請求項７】
　前記第２のガス供給孔は，前記被処理基板の周縁よりも外側の位置または，該周縁上の位置に配置されたことを特徴とする請求項６に記載のガス供給部材。
　　【請求項８】
　前記第２のガス供給孔は，前記被処理基板に近づくほど，前記被処理基板の中心軸に対する被処理基板の径方向の距離が拡がるように，前記被処理基板の中心軸に対して傾斜する傾斜部分を有することを特徴とする請求項６又は７に記載のガス供給部材。」
２　補正の適否について
（１）本件補正は，下記ア−ウ（以下，それぞれ「補正事項ア−ウ」という。）よりなるものである。
ア　本件補正前の請求項１，６に記載された「第２のガス拡散室」が有する「ガス導入口」について，その位置が，補正前は「径方向内側に」と記載されているのを，「
前記第２ガス拡散室の天井面の，前記第３の領域の前記ガス供給孔に対応する位置に対して
イ　本件補正前の請求項１，６に記載された「ガス導入口」について，「第１のガス拡散室」に設けられた「ガス導入口」を「
第１の
第２の
ウ　本件補正前の請求項１，６に記載された「前記第２の領域及び前記第３の領域は，前記第２ガス拡散室に対応する位置に配置されており，前記第３の領域は，前記第２ガス拡散室を介して導入される前記第２の処理ガスを前記第３の領域の前記ガス供給孔から噴出し，前記第１の領域の前記ガス供給孔から噴出されて前記被処理基板の中心側から前記被処理基板の径方向へ流れる前記第１の処理ガスの流れを妨げる気流壁を形成するように構成されている」を削除する補正。
（２）上記補正事項ア−ウについて検討すると，補正事項ア−ウは，令和　１年１２月１０日付け拒絶査定の理由で，特許請求の範囲の記載が不明確とされた部分を明確にするものといえ，明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また，本件補正によっても，補正前の請求項に記載された発明とその補正後の請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一であることは明らかである。
（３）以上から，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる，明瞭でない記載の釈明を目的とするものであるから，特許法第１７条の２第５項の規定に適合するものである。
　したがって，本件補正は適法になされたものである。
３　本件補正発明
　上記２での検討より，本件補正は適法になされたものであるから，本件補正発明は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の以下のとおりである。
「　【請求項１】
　処理容器と，
　前記処理容器の内部に設けられ，被処理基板を支持する支持部材と，
　円筒状のガス拡散室が内部に形成された上部電極と，
　前記上部電極の下面に設けられ，前記被処理基板をプラズマ処理するため第１の処理ガスを前記処理容器の内部に導入するガス供給孔が形成された第１の領域と，前記ガス供給孔が形成されない第２の領域と，第２の処理ガスを前記処理容器の内部に導入する前記ガス供給孔が形成された第３の領域とが前記被処理基板の中心側から前記被処理基板の径方向に沿って順に配置されたガス供給部材と
　を備え，
　前記ガス拡散室は，環状隔壁部材により中心側の第１ガス拡散室と前記第１ガス拡散室の外側の第２ガス拡散室とに区画されており，
　前記第１ガス拡散室は，前記第１の処理ガスを導入するための第１のガス導入口を有し，
　前記第２ガス拡散室は，前記第２ガス拡散室の天井面の，前記第３の領域の前記ガス供給孔に対応する位置に対して径方向内側に，前記第２の処理ガスを導入するための第２のガス導入口を有し，
　前記第１の領域は，前記第１ガス拡散室に対応する位置に配置されている，
　ことを特徴とするプラズマ処理装置。」
第３　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由（令和　１年　８月２７日付け拒絶理由）の概要は，以下のとおりである。
理由１　この出願の請求項１−８に係る発明は，下記の引用文献１−３に記載された発明に基づいて，本願の優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献１　特開２００６−２１０７２７号公報
引用文献２　特開２０１３−０２１０５０号公報
引用文献３　特開２００８−０６０１９７号公報
第４　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（当審注：下線は，参考のために当審で付与したものである。以下同様である。）
「【００１８】
　上記問題に鑑み，
本発明は，ＣＤシフトの面内均一性に優れたプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
　本発明者らは，その後検討を進めた結果，具体的な構造を実現するに至った。その構造について以下説明する。上記従来技術の問題点を解決するために，本発明は，プラズマエッチング装置において，複数のガス供給手段と複数のガスの流量を調節する流量調節手段と，混合ガスを任意の流量比において２つに分流するガス分流手段と，ガス分流手段の下流の２つのガス配管に任意の流量で他の処理ガスを導入し合流させる合流部とを有し，その合流部を経由した第１および第２処理ガスを処理室に導入する。このとき，第１および第２処理ガスを，それぞれ第１および第２処理ガス導入管を通し，処理室蓋と被処理体に対向する位置に設置されたシャワーヘッドプレートとの間の空間に導入する。
また，このとき，シャワーヘッドプレート中央部にガス導入孔（ガス導入口）を有する中央側ガス導入領域と，中央側ガス導入領域の外周側にガス導入孔を有しない領域と，その領域のさらに外周側にガス導入孔（ガス導入口）を有する外周側ガス導入領域とを設ける。さらに，処理室蓋の処理室側の一部領域もしくはシャワーヘッドプレートの一部領域に凸部を設けることによって，第１および第２処理ガスの混合を防ぐ仕切りを形成する。
「【００２４】
　以下，本発明の第１の実施例について図１〜図５を用いて詳しく説明する。まず，図１を用いて，本発明の第１の実施例を適用したマイクロ波ＥＣＲプラズマエッチング装置およびそのガス系の構成を説明する。
「【００３０】
　
処理室側壁２０の上に絶縁体（本実施例では石英製とする）によって構成された処理室蓋２２が設置され，これにより構成される処理室２６内に被処理体保持台２８を設けている。
【００３１】
　図１および図２において，第１のガス導入管３０−１に導かれた第１処理ガス３６−１は，処理室蓋２２と絶縁体によって構成された石英製のシャワーヘッドプレート２４との間の中央側空間３２−１に導入される。被処理体１と対向する位置に設置されたシャワーヘッドプレート２４の中央付近には，ガス導入孔（第１のガス導入口）３４が形成された中央側ガス導入領域４２−１が構成されており，ここから処理室２６内に第１処理ガス３６−１が導入される。同様に，第２のガス導入管３０−２に導かれた第２処理ガス３６−２は，処理室蓋２２とシャワーヘッドプレート２４との間の空間３２−２に導入される。被処理体１と対向する位置に設置されたシャワーヘッドプレート２４には，中央側ガス導入領域４２−１の外側に外周側ガス導入領域４２−２が形成されており，その外周側ガス導入領域４２−２に形成されたガス導入孔（第２のガス導入口）３４を通して処理室２６内に第２処理ガス３６−２が導入される。
【００３２】
　処理室２６内には被処理体保持台２８が設置されており，その上に被処理体１が保持されている。
「【００６７】
　
次に，本発明の第３の実施例を説明する。本実施例は，第１実施例で示したような処理室蓋２２と，シャワーヘッドプレート２４との間に，円盤状の処理室第２蓋（第２の処理室蓋）２２−２を追加設置した構造である。
【００６８】
　なお，この実施例においては，処理室２６に処理ガスを導入するためのガス系統については第１実施例で説明したものと同様なものを使用する。
【００６９】
　
この実施例は，第１実施例と同様に，シャワーヘッドプレート２４の中央部付近には中央側ガス導入領域４２−１が形成されており，この領域にあるガス導入孔３４を経由して第１処理ガス３６−１が処理室２６内に導入される。また，中央側ガス導入領域４２−１の外周には，ガス導入孔３４が形成されていない領域が存在する。さらにその外周には，外周側ガス導入領域４２−２が形成されており，この領域にあるガス導入孔３４を経由して第２処理ガス３６−２が処理室２６内に導入される。また，処理室第２蓋２２−２には，凹みと仕切り６７が形成されており，さらに中央には第１処理ガス導入穴７２が形跡されている。
【００７０】
　
側断面図に示すように，処理室第２蓋２２−２に形成された凹みと，シャワーヘッドプレート２４とによって，中央側空間３２−１および外周側空間３２−２が形成される。また，第１のガス導入管３０−１から導入された第１処理ガス３６−１は，処理室蓋（第１の処理室蓋）２２に形成された凹みと処理室第２蓋２２−２との間の空間を経由し，処理室第２蓋２２−２の中央部に形成された第１処理ガス導入穴７２を通り，処理室第２蓋２２−２の中央部とシャワーヘッドプレート２４との間に形成された中央側空間３２−１に導かれ，その後，中央側ガス導入領域４２−１からシャワーヘッドプレート２４に形成されたガス導入孔３４を経由して処理室２６内に導入される。
【００７１】
　
第２のガス導入管３０−２から導入された第２処理ガス３６−２は，処理室第２蓋２２−２の外周部とシャワーヘッドプレート２４の外周部との間に形成された外周側空間３２−２に導かれ，その後，外周側ガス導入領域４２−２からシャワーヘッドプレート２４に形成されたガス導入孔３４を経由して処理室２６内に導入される。
【００７２】
　
中央側空間３２−１と外周側空間３２−２との間は，処理室第２蓋２２−２に形成された突出部によって形成された仕切り６７によって隔離される。
【００７３】
　
以上説明した構成を用いることにより，石英で構成されたシャワーヘッドプレート２４に形成された中央側ガス導入領域４２−１および外周側ガス導入領域４２−２から，それぞれ組成および流量が異なる処理ガス３６−１と処理ガス３６−２を導入することが可能となる。また，第１実施例で説明したガス系の構成を用いることにより，第１実施例と同様に，中央側ガス導入領域４２−１と外周側ガス導入領域４２−２とから組成よび流量が異なる処理ガスを導入することができる。これによって，被処理体１表面の反応生成物の濃度分布およびラジカル（例えば酸素）の濃度分布を独立に制御することができ，被処理体１でのＣＤシフトの面内均一性を向上させることができる。
【００７４】
　さらに，第１および第２の実施例では，シャワーヘッドプレート２４に形成された外周側ガス導入領域４２−２において導入孔３４が形成されていない領域４４が一部存在していたが，本実施例においては，外周側ガス導入領域４２−２の全周において導入孔３４を形成することができる。そのため，シャワーヘッドプレート２４と被処理体１との間の距離が狭い場合においても，プラズマエッチングにおける被処理体１のエッチングレートやポリシリコンゲートのＣＤシフトの周方向の均一性が悪化する恐れがない。」
「【図１】
」
「【図７】
」
（２）引用文献１に記載されている事項を検討する。
ア　引用文献１の段落００２４，００３０−００３２及び図１の記載からすると，引用文献１には，第１の実施例として，「処理室側壁２０」の上に「処理室蓋２２」が設置され，これにより構成される「処理室２６」内に「被処理体１」が保持される「被処理体保持台２８」が設けられている「マイクロ波ＥＣＲプラズマエッチング装置」が記載されている。
　ここで，特に図１を参照すると，「処理室蓋２２」の下面に「シャワーヘッドプレート２４」が設けられていることは明らかである。
イ　引用文献１の段落００６７−００６９及び図７の記載からすると，引用文献１には，第３の実施例として，第１の実施例で示したような「処理室蓋２２」と，「シャワーヘッドプレート２４」との間に，「円盤状の処理室第２蓋（第２の処理室蓋）２２−２」を追加設置した構造が記載されている。
　ここで，第３の実施例においても，第１の実施例と同様に，「処理室側壁２０」の上に「処理室蓋２２」が設置され，これにより構成される「処理室２６」内に「被処理体１」が保持される「被処理体保持台２８」が設けられていることは明らかである。
ウ　引用文献１の段落００６９−００７１及び図７の記載からすると，引用文献１の第３の実施例における「シャワーヘッドプレート２４」は，中央部付近に「中央側ガス導入領域４２−１」が形成されており，この領域にある「ガス導入孔３４」を経由して「第１処理ガス３６−１」が「処理室２６」内に導入され，「中央側ガス導入領域４２−１」の外周には「ガス導入孔３４が形成されていない領域」が存在し，さらにその外周には「外周側ガス導入領域４２−２」が形成されており，この領域にある「ガス導入孔３４」を経由して「第２処理ガス３６−２」が「処理室２６」内に導入されることが記載されている。
エ　引用文献１の段落００６９−００７２及び図７の記載からすると，引用文献１の「第２の処理室蓋２２−２」には，「凹み」と「仕切り６７」が形成されており，「凹み」と「シャワーヘッドプレート２４」とによって，「中央側空間３２−１」及び「外周側空間３２−２」が形成されること，また，「中央側空間３２−１」と「外周側空間３２−２」との間は，「仕切り６７」によって隔離されることが記載されている。
　ここで，引用文献１の図７の記載を参酌すると，「中央側空間３２−１」及び「外周側空間３２−２」は円筒状，「仕切り６７」は「環状」であり，「中央側ガス導入領域４２−１」は「中央側空間３２−１」に対応する位置に配置されているといえる。
オ　引用文献１の段落００７０−００７１及び図７には，「第１処理ガス３６−１」が，「処理室第２蓋２２−２」の中央部に形成された「第１処理ガス導入穴７２」を通り，「処理室第２蓋２２−２」の中央部と「シャワーヘッドプレート２４」との間に形成された「中央側空間３２−１」に導かれること，及び，「第２処理ガス３６−２」が，「処理室第２蓋２２−２」の外周部と「シャワーヘッドプレート２４」の外周部との間に形成された「外周側空間３２−２」に導かれることが記載されている。
　ここで，「外周側空間３２−２」が，「第２処理ガス３６−２」を導くための「ガス導入口」を備えていることは明らかである。
（３）　以上，（２）ア−オで示した事項，特に第３の実施例に関する事項を参酌すると，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
「処理室側壁２０の上に処理室蓋２２が設置され，これにより構成される処理室２６内に被処理体１が保持される被処理体保持台２８が設けられているマイクロ波ＥＣＲプラズマエッチング装置において，
　処理室蓋２２の下面には，シャワーヘッドプレート２４が設けられ，
　処理室蓋２２と，シャワーヘッドプレート２４との間には，円盤状の第２の処理室蓋２２−２が設置され，
　シャワーヘッドプレート２４は，中央部付近に中央側ガス導入領域４２−１が形成されており，この領域にあるガス導入孔３４を経由して第１処理ガス３６−１が処理室２６内に導入され，中央側ガス導入領域４２−１の外周には，ガス導入孔３４が形成されていない領域４３が存在し，さらにその外周には，外周側ガス導入領域４２−２が形成されており，この領域にあるガス導入孔３４を経由して第２処理ガス３６−２が処理室２６内に導入され，
　第２の処理室蓋２２−２には，凹みと環状の仕切り６７が形成されており，凹みとシャワーヘッドプレート２４とによって，仕切り６７によって隔離された中央側空間３２−１および外周側空間３２−２が形成され，
　中央側空間３２−１および外周側空間３２−２は，円筒状であり，中央側ガス導入領域４２−１が中央側空間３２−１に対応する位置に配置されており，
　第１処理ガス３６−１は，処理室第２蓋２２−２の中央部に形成された第１処理ガス導入穴７２を通り，処理室第２蓋２２−２の中央部とシャワーヘッドプレート２４との間に形成された中央側空間３２−１に導かれ，
　また，第２処理ガス３６−２は，処理室第２蓋２２−２の外周部とシャワーヘッドプレート２４の外周部との間に形成された外周側空間３２−２に導かれ，外周側空間３２−２には，第２処理ガス３６−２を導くためのガス導入口を備えていること。」
２　引用文献２について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，処理室内に配置された半導体ウエハ，太陽電池用基板，液晶基板などの被処理基板に対して所定のガスを供給して所定の処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　この種の基板処理装置としては，例えば処理室内に半導体ウエハなどの被処理基板（以下，単に「基板」と称する）を載置する載置台を兼ねた下部電極と，基板に向けてガスを噴出するガス導入部であるシャワーヘッドを兼ねた上部電極とを配設した平行平板型のプラズマ処理装置が知られている。プラズマ処理装置は，基板上にシャワーヘッドから所定のガスを供給した状態で両電極間に高周波電力を印加してプラズマを生成することによって，成膜やエッチングなど所定の処理を行うようになっている。
【０００３】
　
このようなプラズマ処理装置には，基板処理の面内均一性を向上すべく，シャワーヘッド内部を複数のガス室に仕切り，各ガス室ごとにガス供給配管を独立に接続するものが提案されている（例えば下記特許文献１，２）。これによれば，例えばセンタ側のガス孔とエッジ側のガス孔から別々にガスを基板上に噴出させることで，基板面内のガス濃度を局所的に調整して，エッチングの基板処理の面内均一性を向上できる。
「【００２３】
（第１実施形態）
　
先ず，本発明の第１実施形態にかかる基板処理装置について図面を参照しながら説明する。ここでは処理室内に上部電極と下部電極（サセプタ）を対向配置して上部電極から処理ガスを処理室内に供給する平行平板型電極構造の容量結合型の基板処理装置を例に挙げて説明する。図１は，本実施形態にかかる基板処理装置１００の概略構成を示す断面図である。
「【００３３】
　
処理室１０２内の上部には，下部電極としてのサセプタ１１６に対向するように平行に上部電極２００が配設されている。
【００３４】
　
上部電極２００は，ウエハＷのセンタ領域とその周りのエッジ領域に向けて同種のガス又は異種のガスを別々に導入可能なガス導入部（シャワーヘッド）としても機能するように構成されている。このような上部電極２００は，ウエハＷのセンタ領域に向けて供給するセンタガスのガス孔２１２を複数設けたセンタガス導入部２０４と，ウエハＷのエッジ領域に向けて供給するエッジガスのガス孔２１４を複数設けた環状のエッジガス導入部２０６とを備える
「【００４２】
（ガス導入部としての上部電極の構成例）
　ここで，本実施形態における上部電極２００の構成例について説明する。上部電極２００は，その周縁部を被覆するシールドリング２０２を介して処理室１０２の天井部に取り付けられている。
【００４３】
　ここでの上部電極２００は，載置台１１０上に載置されたウエハＷのセンタ領域とその周りのエッジ領域に向けて同種のガス又は異種のガスを別々に導入可能なガス導入部として構成されている。
【００４４】
　
具体的には，上部電極２００は，ウエハＷのセンタ領域に向けて供給するセンタガスのガス孔２１２を複数設けた略円板状のセンタガス導入部２０４と，このセンタガス導入部２０４の周りを囲むように設けられ，ウエハＷのエッジ領域に向けて供給するエッジガスのガス孔２１４を複数設けた環状のエッジガス導入部２０６とを備える。
【００４５】
　センタガス導入部２０４とエッジガス導入部２０６は，一体で構成してもよく，別体で構成してもよい。ここでは，図１に示すようにセンタガス導入部２０４とエッジガス導入部２０６を一体で構成した場合を例に挙げて説明する。
【００４６】
　
センタガス導入部２０４とエッジガス導入部２０６を一体で構成する場合は，例えば図１に示すようにセンタガス導入部２０４とエッジガス導入部２０６に渡って略円板状の電極板２１０を設け，電極板２１０を電極支持体２２０で着脱自在に支持した構成とする。
【００４７】
　
電極支持体２２０内には１つの略円板状の空間が設けられ，この空間はセンタガスが供給される略円板状のセンタバッファ室２２２とエッジガスが供給される環状のエッジバッファ室２２４とに環状隔壁部材２２５によって区画される。ガス供給装置３００からのセンタガスとエッジガスは各バッファ室２２２，２２４に別々に供給されるようになっている。
【００４８】
　
センタガス導入部２０４には，上記センタガスの各ガス孔２１２がセンタバッファ室２２２から電極板２１０の下面まで突き抜けて設けられている。センタガスの各ガス孔２１２は，ウエハＷのセンタ領域に向けてガスが噴出されるように配置される。
【００４９】
　
エッジガス導入部２０６には，エッジガスの各ガス孔２１４がエッジバッファ室２２４から電極板２１０の下面まで突き抜けて設けられている。上記エッジガスの各ガス孔２１４は，ウエハＷのエッジ領域に向けてガスが噴出されるように配置される。
【００５０】
　
このような構成によれば，ガス供給装置３００から供給されるセンタガスとエッジガスはそれぞれ，センタバッファ室２２２とエッジバッファ室２２４に別々に供給されて拡散する。そして，センタガスとエッジガスはそれぞれ各ガス孔２１２と各ガス孔２１４を介してウエハＷのセンタ領域とエッジ領域に向けて別々に噴出される。
「【００６１】
　このようなガス供給装置３００によれば，処理ガス供給部３１０からの処理ガスは，第１分岐配管３０４と第２分岐配管３０６によりセンタガスとエッジガスに分流される。このとき，分流量調整（例えばフロースプリッタ）が設けられていれば，それによって分流量が調整される。
【００６２】
　
そして，第１分岐配管３０４に分流された処理ガスはセンタガスとしてセンタバッファ室２２２に導入され，第２分岐配管３０６に分流された処理ガスはエッジガスとしてエッジバッファ室２２４に導入される。
【００６３】
　このとき，付加ガス供給部３２０から付加ガスが供給されている場合には，その付加ガスは付加ガス供給配管３０８を通って第２分岐配管３０６で処理ガスと混合する。混合されたガスはエッジガスとしてエッジバッファ室２２４に導入される。」
「【図１】
」
（２）引用文献２に記載されている事項を検討する。
ア　引用文献２の段落００２３，００３３−００３４及び図１の記載からすると，引用文献２には，処理室１０２内に上部電極２００と下部電極（サセプタ）１１６を対向配置して上部電極２００から処理ガスを処理室１０２内に供給する平行平板型電極構造の容量結合型の基板処理装置１００が記載されている。
イ　引用文献２の段落００４４−００４６及び図１の記載からすると，引用文献２の基板処理装置１００における上部電極２００は，ウエハＷのセンタ領域に向けて供給するセンタガスのガス孔２１２を複数設けた略円板状のセンタガス導入部２０４と，このセンタガス導入部２０４の周りを囲むように設けられ，ウエハＷのエッジ領域に向けて供給するエッジガスのガス孔２１４を複数設けた環状のエッジガス導入部２０６とを備えており，また，略円板状の電極板２１０を電極支持体２２０で支持した構成となっていることが記載されている。
ウ　引用文献２の段落００４７−００５０及び図１の記載からすると，引用文献２の電極支持体２２０内には１つの略円板状の空間が設けられ，この空間はセンタガスが供給される略円板状のセンタバッファ室２２２とエッジガスが供給される環状のエッジバッファ室２２４とに環状隔壁部材２２５によって区画されており，ガス供給装置３００から供給されるセンタガスとエッジガスはそれぞれ，センタバッファ室２２２とエッジバッファ室２２４に別々に供給されて拡散すること，及び，センタガスとエッジガスはそれぞれ各ガス孔２１２と各ガス孔２１４を介してウエハＷのセンタ領域とエッジ領域に向けて別々に噴出されることが記載されている。
エ　引用文献２の段落００６１−００６３及び図１の記載からすると，センタバッファ室２２２は，第１分岐配管３０４に分流された処理ガスがセンタガスとして導入されるセンタガス導入口を，エッジバッファ室２２４は，第２分岐配管３０６に分流された処理ガスがエッジガスとして導入されるエッジガス導入口を有していると認められる。
　ここで，特に図１を参照すると，エッジバッファ室２２４のエッジガス導入口は，エッジバッファ室２２４の天井面に設けられているとともに，エッジガスの各ガス孔２１４よりも径方向内側に設けられていると認められる。
（３）　以上，（２）ア−エで示した事項から，引用文献２には，次の発明（以下，「引用文献２記載事項」という。）が記載されているものと認める。
「処理室１０２内に上部電極２００と下部電極（サセプタ）１１６を対向配置して上部電極２００から処理ガスを処理室１０２内に供給する平行平板型電極構造の容量結合型の基板処理装置１００において，
　基板処理装置１００における上部電極２００は，略円板状の電極板２１０を電極支持体２２０で支持した構成となっており，
　電極支持体２２０内には１つの略円板状の空間が設けられ，この空間はセンタガスが供給される略円板状のセンタバッファ室２２２とエッジガスが供給される環状のエッジバッファ室２２４とに環状隔壁部材２２５によって区画されており，ガス供給装置３００から供給されるセンタガスとエッジガスはそれぞれ，センタバッファ室２２２とエッジバッファ室２２４に別々に供給されて拡散し，センタガスとエッジガスはそれぞれ各ガス孔２１２と各ガス孔２１４を介してウエハＷのセンタ領域とエッジ領域に向けて別々に噴出され，
　センタバッファ室２２２は，第１分岐配管３０４に分流された処理ガスがセンタガスとして導入されるセンタガス導入口を，エッジバッファ室２２４は，第２分岐配管３０６に分流された処理ガスがエッジガスとして導入されるエッジガス導入口を有しており，ここで，エッジガス導入口は，エッジバッファ室２２４の天井面に設けられているとともに，エッジガスの各ガス孔２１４よりも径方向内側に設けられていること。」
第５　対比
１　対比
　本件補正発明と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
ア　引用発明において，「処理室側壁２０」と「処理室蓋２２」とにより，「処理室２６」が構成されるから，引用発明の「処理室側壁２０」及び「処理室蓋２２」が，本件補正発明の「処理容器」に相当する。
　そして，引用発明の「被処理体１」，「被処理体保持台２８」が，それぞれ，本件補正発明の「被処理基板」，「支持部材」に相当する。
イ　引用発明の「中央側空間３２−１」，「外周側空間３２−２」は「円筒状」であり，それぞれ，「第１処理ガス３６−１」，「第２処理ガス３６−２」が導かれるから，引用発明の「中央側空間３２−１」，「外周側空間３２−２」が，本件補正発明の「円筒状のガス拡散室」に対応する。
　そして，引用発明の「円盤状の第２の処理室蓋２２−２」は，「凹みと環状の仕切り６７が形成されており，凹みとシャワーヘッドプレート２４とによって，仕切り６７によって隔離された中央側空間３２−１および外周側空間３２−２が形成され」ているから，本件補正発明の「上部電極」と，「円筒状のガス拡散室が内部に形成された」部材である点で一致する。
ウ　引用発明において，「円盤状の処理室第２蓋（第２の処理室蓋）２２−２」は，「処理室蓋２２」と，「シャワーヘッドプレート２４」との間に設置されているから，「シャワーヘッドプレート２４」は，「円盤状の処理室第２蓋（第２の処理室蓋）２２−２」の下面に設けられているといえる。
　ここで，引用発明は「マイクロ波ＥＣＲプラズマエッチング装置」であるから，「処理室２６」内に導入される「第１処理ガス３６−１」，「第２処理ガス３６−２」が，「被処理体１」をプラズマ処理するためのものであることは明らかである。
　そして，引用発明の「シャワーヘッドプレート２４」に設けられた「ガス導入孔３４」は，「中央側ガス導入領域４２−１」にある「ガス導入孔３４」を経由して「第１処理ガス３６−１」を「処理室２６内」に，「外周側ガス導入領域４２−２」にある「ガス導入孔３４」を経由して「第２処理ガス３６−２」を「処理室２６内」に導入するものである。
　すると，引用発明の「ガス導入孔３４」が，本件補正発明の「ガス供給孔」に相当し，引用発明の「中央側ガス導入領域４２−１」，「ガス導入孔３４が形成されていない領域４３」，「外周側ガス導入領域４２−２」が，それぞれ，本件補正発明の「前記被処理基板をプラズマ処理するため第１の処理ガスを前記処理容器の内部に導入するガス供給孔が形成された第１の領域」，「前記ガス供給孔が形成されない第２の領域」，「第２の処理ガスを前記処理容器の内部に導入する前記ガス供給孔が形成された第３の領域」に相当し，引用発明の「シャワーヘッドプレート２４」が，本件補正発明の「ガス供給部材」に相当する。
エ　引用発明における，環状の「仕切り６７」は，「中央側空間３２−１」と「外周側空間３２−２」とを隔離するものであるから，本件補正発明の「環状隔壁部材」に相当し，引用発明の，「中央側空間３２−１」，「外周側空間３２−２」が，本件補正発明の「第１ガス拡散室」，「第２ガス拡散室」に，それぞれ対応することは明らかである。
　また，引用発明の「第１処理ガス導入穴７」は，「第１処理ガス３６−１」を，「中央側空間３２−１」に導くものであるから，本件補正発明の「前記第１の処理ガスを導入するための第１のガス導入口」に相当する。
　そして，引用発明の「ガス導入口」は，「第２処理ガス３６−２」を，「外周側空間３２−２」に導くものであるから，本件補正発明の「第２のガス導入口」と，「前記第２の処理ガスを導入するための第２のガス導入口」である点で一致する。
オ　引用発明は「マイクロ波ＥＣＲプラズマエッチング装置」であるから，本件補正発明と「プラズマ処理装置」である点で一致する。
２　一致点・相違点
　したがって，本件補正発明と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「　処理容器と，
　前記処理容器の内部に設けられ，被処理基板を支持する支持部材と，
　円筒状のガス拡散室が内部に形成された部材と，
　前記部材の下面に設けられ，前記被処理基板をプラズマ処理するため第１の処理ガスを前記処理容器の内部に導入するガス供給孔が形成された第１の領域と，前記ガス供給孔が形成されない第２の領域と，第２の処理ガスを前記処理容器の内部に導入する前記ガス供給孔が形成された第３の領域とが前記被処理基板の中心側から前記被処理基板の径方向に沿って順に配置されたガス供給部材と
　を備え，
　前記ガス拡散室は，環状隔壁部材により中心側の第１ガス拡散室と前記第１ガス拡散室の外側の第２ガス拡散室とに区画されており，
　前記第１ガス拡散室は，前記第１の処理ガスを導入するための第１のガス導入口を有し，
　前記第２ガス拡散室は，前記第２の処理ガスを導入するための第２のガス導入口を有し，
　前記第１の領域は，前記第１ガス拡散室に対応する位置に配置されている，
　ことを特徴とするプラズマ処理装置。」
（相違点）
（相違点１）円筒状のガス拡散室が内部に形成された部材に関して，本件補正発明は，「上部電極」と特定されているのに対し，引用発明は，そのように特定されていない点。
（相違点２）第２ガス拡散室が有する第２のガス導入口について，本件補正発明は，「前記第２ガス拡散室の天井面の，前記第３の領域の前記ガス供給孔に対応する位置に対して径方向内側に，」有すると特定されているのに対し，引用発明は，そのように特定されていない点。
第６　相違点についての判断
１　相違点１，２について
　プラズマ処理装置として，基板に向けてガスを噴出するガス導入部であるシャワーヘッドを兼ねた上部電極と下部電極との間でプラズマを生成する，いわゆる，平行平板型のプラズマ処理装置は，例えば，上記引用文献２記載事項にあるように周知技術である。
　また，引用文献２記載事項の「上部電極２００」における「電極支持体２２０」は，その内部に「センタバッファ室２２２」（本件補正発明の「第１ガス拡散室」に相当する。）と「エッジバッファ室２２４」（本件補正発明の「第２ガス拡散室」に相当する。）とを有し，「エッジバッファ室２２４」が有する「エッジガス導入口」（本件補正発明の「第２のガス導入口」に相当する。）について，「エッジバッファ室２２４」の天井面に設けられているとともに，「エッジガスの各ガス孔２１４」（本件補正発明の「第３の領域のガス供給孔」に相当する。）よりも径方向内側に設けられているものである。
　そして，引用発明の「第２の処理室蓋２２−２」と，引用文献２記載事項の「電極支持体２２０」とは，どちらも，プラズマ処理装置において，その内部に第１ガス拡散室，第２ガス拡散室が形成された部材であり，引用発明において周知技術である，平行平板型のプラズマ処理装置を採用し，円筒状のガス拡散室が内部に形成された部材を，上部電極と特定するとともに，引用文献２記載事項のように，第２のガス導入口の位置を特定することにより，本件補正発明の相違点１，２に係る構成とすることは，当業者が容易になし得たものである。
２　審判請求書における請求人の主張について
（１）審判請求書において，請求人は，
「　また，審査官殿は，補正の却下の決定において，以下の（Ａ）及び（Ｂ）を主張しています。
（Ａ）引用文献１にＥＣＲプラズマエッチング装置（以下，ＥＣＲ）への適用例が記載されているため，引用２に記載の公知の平行平板型プラズマエッチング装置（以下，ＣＣＰ）に変更することは設計事項である。
（Ｂ）引用文献１における第２のガス導入管(３０−２)の位置は設計事項に過ぎず，引用文献２のように変更することは容易である。
　（Ａ）については，引用文献１では，実施例としてＥＣＲのみを開示しており，他に適用可能な装置として，段落００７９に「絶縁物で構成された処理室蓋２２の上にアンテナを設置し，そのアンテナにＵＨＦ（Ultra　High　Frequency）帯の高周波を印加することによって，プラズマ３８を生成」するタイプ(ＵＨＦ−ＥＣＲ)，「絶縁物で構成された処理室蓋２２の上にコイルを設けそのコイルに高周波を印加し，誘導結合によって，プラズマ３８を生成」するタイプ（ＩＣＰ）を列挙しています。しかしながら，ＣＣＰについては，何ら記載も示唆もされていません。ＣＣＰは，平行に設置された一対の電極間にＲＦパワーを印加することによりプラズマを生成するものであり，電極を使用しないＥＣＲ等の装置とは，プラズマの生成原理やプラズマの性質（密度，分布など）が全く異なります。このため，引用文献１のＥＣＲを公知ないし周知のＣＣＰに変更し，その他の構成をそのまま用いると，引用文献１のＣＤシフトの面内均一性の向上という目的を達成することは困難になります。したがって，審査官殿の指摘するように，当業者がこのような変更を適宜なし得たということはできません。
　（Ｂ）については，ＥＣＲでは，マイクロ波が導波管を伝播し，石英製のシャワーヘッドプレートを通して処理容器内に導入されることによりプラズマが生成される構成上，処理ガスを処理容器の天井側（シャワーヘッド側）から導入することはできません。仮に天井側から導入しようとすれば，導入されるマイクロ波の分布は不均一となり，生成されたプラズマの分布を均一なものとすることができません。このため，引用文献１のＥＣＲにおいて，第２のガス導入管３０−２の位置が適宜決定し得た事項にすぎないとする認定は，何ら根拠がなく，失当であることは明らかです。
　以上より，引用文献１−３に基づいて当業者が本願発明に想到できたことの論理付けは何ら根拠がなく，これらの引用文献に基づき，本願発明が進歩性を欠如するとの認定は，著しく妥当性を欠くものといわざるを得ません。」
と主張をしている。
（２）そこで，上記請求人の主張について検討する。
　まず，上記（Ａ）について検討すると，引用文献１の段落００７３に，「石英で構成されたシャワーヘッドプレート２４に形成された中央側ガス導入領域４２−１および外周側ガス導入領域４２−２から，それぞれ組成および流量が異なる処理ガス３６−１と処理ガス３６−２を導入することが可能となる。〜中略〜これによって，被処理体１表面の反応生成物の濃度分布およびラジカル（例えば酸素）の濃度分布を独立に制御することができ，被処理体１でのＣＤシフトの面内均一性を向上させることができる。」と，また，引用文献２の段落０００３に，「例えばセンタ側のガス孔とエッジ側のガス孔から別々にガスを基板上に噴出させることで，基板面内のガス濃度を局所的に調整して，エッチングの基板処理の面内均一性を向上できる。」と記載されているように，引用文献１，２は，どちらも，中央領域と外周領域とから異なるガスを導入することにより，被処理基板の表面のガス濃度等を制御することで，基板処理の面内均一性を向上させるものである。
　すると，基板処理の面内均一性を向上させるという目的を達成するために，プラズマの生成原理やプラズマの性質が大きく関係するとは認められない。
　そして，引用文献１と引用文献２とは，プラズマの生成原理やプラズマの性質が異なるにも関わらず，同様の構成を有しているのであるから，むしろ，その動機付けがあるといえる。
　次に，上記（Ｂ）について検討する。
　上記１でも検討したように，引用文献２記載事項には，いわゆる，平行平板型のプラズマ処理装置において，第２のガス導入口の位置を，第２ガス拡散室の天井面に設ける点が記載されている。
　平行平板型のプラズマ処理装置においては，処理容器内の上下の電極間に高周波電力を印加することによりプラズマが生成されるものであり，マイクロ波がシャワーヘッドプレートを通して処理容器内に導入されることによりプラズマが生成されるものではないから，引用発明において引用文献２記載事項を採用した際に，第２のガス導入口の位置を，第２ガス拡散室の天井面としても，生成されるプラズマの分布が不均一なものとなるとはいえない。
　以上から，請求人の主張は，採用することができない。
第７　むすび
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。