(57)【要約】  本発明は、製膜性に優れ、且つ、バイポーラ性を有し、単層型有機ＥＬ素子を形成させた場合も発光するため、有機ＥＬ材料等の分野に幅広く適応可能であり、特に有機ＥＬ素子に適しているＳｙｍ−トリインドール誘導体を提供する。  本発明は、一般式（１）2007015414.tif 000052（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立して、水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基等を示し、Ｒ６は、Ｃ２〜Ｃ１２アルキル基等を表わす。）で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体、その製造方法及びそれを用いた有機ＥＬ素子である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2007015414.tif 000030
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立して、水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わし、Ｒ６はＣ２〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ２〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基又はＣ２〜Ｃ１２ハロアルキル基を表わす。）
で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体。
【請求項２】
一般式（２）
【化２】
2007015414.tif 000031
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立して、水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わし、Ｙは臭素又はヨウ素を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体を、パラジウム触媒の存在下、環状ジボロン化合物と反応させ、一般式（３）
【化３】
2007015414.tif 000032
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は前記と同じ意味を表わし、Ｒ７は環状ホウ酸エステル残基を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体を得て、更に一般式（４）
【化４】
2007015414.tif 000033
（式中、Ｘは臭素又はヨウ素を表わし、Ｒ６はＣ２〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ２〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基又はＣ２〜Ｃ１２ハロアルキル基を表わす。）
で表されるハロゲノトリインドール化合物を反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化５】
2007015414.tif 000034
（式中、Ｒ１〜Ｒ６は前記と同じ意味を表わす。）
で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体の製造方法。
【請求項３】
一般式（５）
【化６】
2007015414.tif 000035
（式中、Ｒ６はＣ２〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ２〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基又はＣ２〜Ｃ１２ハロアルキル基を表わし、Ｒ８は水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わす。）
で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体。
【請求項４】
一般式（６）
【化７】
2007015414.tif 000036
（式中、Ｒ８は水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わし、Ｙは臭素又はヨウ素を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体を、パラジウム触媒の存在下、環状ジボロン化合物と反応させ、一般式（７）
【化８】
2007015414.tif 000037
（式中、Ｒ７は環状ホウ酸エステル残基を表わし、Ｒ８は前記と同じ意味を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体を得て、更に一般式（４）
【化９】
2007015414.tif 000038
（式中、Ｘは臭素又はヨウ素を表わし、Ｒ６はＣ２〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ２〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基又はＣ２〜Ｃ１２ハロアルキル基を表わす。）
で表されるハロゲノトリインドール化合物と反応させることを特徴とする、一般式（５）
【化１０】
2007015414.tif 000039
（式中、Ｒ６及びＲ８は前記と同じ意味を表わす。）
で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体の製造方法。
【請求項５】
一般式（３）
【化１１】
2007015414.tif 000040
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立して、水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わし、Ｒ７は環状ホウ酸エステル残基を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体を、一般式（４）
【化１２】
2007015414.tif 000041
（式中、Ｘは臭素又はヨウ素を表わし、Ｒ６は、Ｃ２〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ２〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基又はＣ２〜Ｃ１２ハロアルキル基を表わす。）
で表されるハロゲノトリインドール化合物と反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化１３】
2007015414.tif 000042
（式中、Ｒ１〜Ｒ６は前記と同じ意味を表わす。）
で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体の製造方法。
【請求項６】
一般式（７）
【化１４】
2007015414.tif 000043
（式中、Ｒ７は環状ホウ酸エステル残基を表わし、Ｒ８は水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体を、一般式（４）
【化１５】
2007015414.tif 000044
（式中、Ｘは臭素又はヨウ素を表わし、Ｒ６は、Ｃ２〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ２〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基又はＣ２〜Ｃ１２ハロアルキル基を表わす。）
で表されるハロゲノトリインドール化合物と反応させることを特徴とする、一般式（５）
【化１６】
2007015414.tif 000045
（式中、Ｒ６及びＲ８は前記と同じ意味を表わす。）
で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体の製造方法。
【請求項７】
一般式（３）
【化１７】
2007015414.tif 000046
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立して、水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わし、Ｒ７は環状ホウ酸エステル残基を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体。
【請求項８】
一般式（２）
【化１８】
2007015414.tif 000047
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立して、水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わし、Ｙは臭素又はヨウ素を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体を、パラジウム触媒の存在下、環状ジボロン化合物と反応させることを特徴とする、一般式（３）
【化１９】
2007015414.tif 000048
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は前記と同じ意味を表わし、Ｒ７は環状ホウ酸エステル残基を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体の製造方法。
【請求項９】
一般式（７）
【化２０】
2007015414.tif 000049
（式中、Ｒ７は環状ホウ酸エステル残基を示し、Ｒ８は水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体。
【請求項１０】
一般式（６）
【化２１】
2007015414.tif 000050
（式中、Ｒ８は水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わし、Ｙは臭素又はヨウ素を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体を、パラジウム触媒の存在下、環状ジボロン化合物と反応させることを特徴とする、一般式（７）
【化２２】
2007015414.tif 000051
（式中、Ｒ７は環状ホウ酸エステル残基を表わし、Ｒ８は前記と同じ意味を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体の製造方法。
【請求項１１】
請求項１又は請求項３に記載のオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体からなる有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
【請求項１２】
陰極と陽極間に少なくとも発光層を有する一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は新規なオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体、その製造方法及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス（以下、単に「有機ＥＬ」と略記することがある。）材料、有機ＥＬ素子を提供するものである。
【背景技術】
【０００２】
本発明者らは、有機ＥＬ材料、有機ＥＬ素子に適したＳｙｍ−トリインドール誘導体について既に提案している（特許文献1参照）。【０００３】
【特許文献１】国際出願ＰＣＴ／ＪＰ２００５／０２１４０号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、より簡単な構造の有機ＥＬ素子に適用可能なＳｙｍ−トリインドール誘導体を提供することを課題としてなされた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記のような状況に鑑み、単層型に代表される、より簡単な構造の有機ＥＬ素子に適用可能なＳｙｍ−トリインドール誘導体を開発するべく、本発明者がＳｙｍ−トリインドール誘導体について、前記特許（国際出願ＰＣＴ／ＪＰ２００５／０２１４０号）出願の後も更に鋭意研究を継続したところ、意外にも、オキサジアゾール骨格を置換基として有するＳｙｍ−トリインドール誘導体が、電気化学的特性を示すサイクリックボルタモメトリー（ＣＶ）測定においてバイポーラ性を示し、更にこのオキサジアゾール骨格を置換基として有するＳｙｍ−トリインドール誘導体は、単層型及び積層型有機ＥＬ素子構造にて発光を与える化合物であることを見出し、又、当該オキサジアゾール骨格を置換基として有するＳｙｍ−トリインドール誘導体は、５−ハロゲノトリインドール類とオキサジアゾール置換基を有するフェニルボロン酸エステル類を反応させることにより容易に選択的に合成できることを見出し、これらのことから上記課題を解決できることが判り、この知見に基づき本発明を完成するに至った。
【発明の効果】
【０００６】
本発明により新規なオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体が提供される。該オキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体は、製膜性に優れ、且つ、バイポーラ性を有し、単層型有機ＥＬ素子を形成させた場合も発光するため、有機ＥＬ材料、各種帯電防止、静電、コンデンサ、電池、化学センサー、表示素子、液晶、太陽電池、フォトダイオード、フォトトランジスタ、非線形材料、フォトリフラクティブ材料、防錆剤、接着剤、繊維、帯電防止塗料、電着塗料、メッキプライマー、電気防食等の分野に幅広く適応可能であり、特に有機ＥＬ素子に適している。有機ＥＬ素子は、フラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯、照明等に好適に利用できる。    
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】Ｓｙｍ−Ｎ−（２−エチルヘキシル）−５−〔５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル〕フェニルトリインドールのサイクリックボルタモグラムである。
【図２】実施例６で製造した有機ＥＬ素子及び通電試験回路の構成を表わす模式図である。
【図３】実施例７で製造した有機ＥＬ素子及び通電試験回路の構成を表わす模式図である。
【図４】実施例８で製造した有機ＥＬ素子及び通電試験回路の構成を表わす模式図である。
【図５】実施例９で製造した有機ＥＬ素子及び通電試験回路の構成を表わす模式図である。
【符号の説明】
【０００８】
１    ＩＴＯ基盤
２    Ｎ−（２−エチルヘキシル）−５−[４−〔５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イルフェニル〕]トリインドール層
３    アルミニウム層
４    電源
５    ＩＴＯ基盤
６    ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層
７    Ｎ−（２−エチルヘキシル）−５−[４−〔５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イルフェニル〕]トリインドール層
８    アルミニウム層
９    電源
１０    ＩＴＯ基盤
１１    Ｎ−（２−エチルヘキシル）−５−[４−〔５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イルフェニル〕]トリインドール層
１２    フッ化リチウム層
１３    アルミニウム層
１４    電源
１５    ＩＴＯ基盤
１６    ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層
１７    Ｎ−（２−エチルヘキシル）−５−[４−〔５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イルフェニル〕]トリインドール
１８    フッ化リチウム層
１９    アルミニウム層
２０    電源
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明は下記〔１〕乃至〔１２〕に記載の発明を提供するものである。【００１０】
〔１〕一般式（１）
【化１】
2007015414.tif 000002
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立して、水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わし、Ｒ６はＣ２〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ２〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基又はＣ２〜Ｃ１２ハロアルキル基を表わす。）
で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体。【００１１】
〔２〕一般式（２）
【化２】
2007015414.tif 000003
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立して、水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わし、Ｙは臭素又はヨウ素を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体を、パラジウム触媒の存在下、環状ジボロン化合物と反応させ、一般式（３）
【化３】
2007015414.tif 000004
式中、Ｒ１〜Ｒ５は前記と同じ意味を表わし、Ｒ７は環状ホウ酸エステル残基を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体を得て、更に一般式（４）
【化４】
2007015414.tif 000005
（式中、Ｘは臭素又はヨウ素を表わし、Ｒ６はＣ２〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ２〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基又はＣ２〜Ｃ１２ハロアルキル基を表わす。）
で表されるハロゲノトリインドール化合物を反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化５】
2007015414.tif 000006
（式中、Ｒ１〜Ｒ６は前記と同じ意味を表わす。）
で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体の製造方法。【００１２】
〔３〕一般式（５）
【化６】
2007015414.tif 000007
（式中、Ｒ６はＣ２〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ２〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基又はＣ２〜Ｃ１２ハロアルキル基を表わし、Ｒ８は水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わす。）
で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体。【００１３】
〔４〕一般式（６）
【化７】
2007015414.tif 000008
（式中、Ｒ８は水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わし、Ｙは臭素又はヨウ素を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体を、パラジウム触媒の存在下、環状ジボロン化合物と反応させ、一般式（７）
【化８】
2007015414.tif 000009
（式中、Ｒ７は環状ホウ酸エステル残基を表わし、Ｒ８は前記と同じ意味を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体を得て、更に一般式（４）
【化９】
2007015414.tif 000010
（式中、Ｘは臭素又はヨウ素を表わし、Ｒ６はＣ２〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ２〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基又はＣ２〜Ｃ１２ハロアルキル基を表わす。）
で表されるハロゲノトリインドール化合物と反応させることを特徴とする、一般式（５）
【化１０】
2007015414.tif 000011
（式中、Ｒ６及びＲ８は前記と同じ意味を表わす。）
で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体の製造方法。【００１４】
〔５〕一般式（３）
【化１１】
2007015414.tif 000012
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立して、水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わし、Ｒ７は環状ホウ酸エステル残基を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体を、一般式（４）
【化１２】
2007015414.tif 000013
（式中、Ｘは臭素又はヨウ素を表わし、Ｒ６はＣ２〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ２〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基又はＣ２〜Ｃ１２ハロアルキル基を表わす。）
で表されるハロゲノトリインドール化合物と反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化１３】
2007015414.tif 000014
（式中、Ｒ１〜Ｒ６は前記と同じ意味を表わす。）
で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体の製造方法。【００１５】
〔６〕一般式（７）
【化１４】
2007015414.tif 000015
（式中、Ｒ７は環状ホウ酸エステル残基を表わし、Ｒ８は水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体を、一般式（４）
【化１５】
2007015414.tif 000016
（式中、Ｘは臭素又はヨウ素を表わし、Ｒ６はＣ２〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ２〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基又はＣ２〜Ｃ１２ハロアルキル基を表わす。）
で表されるハロゲノトリインドール化合物と反応させることを特徴とする、一般式（５）
【化１６】
2007015414.tif 000017
（式中、Ｒ６及びＲ８は前記と同じ意味を表わす。）
で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体の製造方法。【００１６】
〔７〕一般式（３）
【化１７】
2007015414.tif 000018
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立して、水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わし、Ｒ７は環状ホウ酸エステル残基を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体。【００１７】
〔８〕一般式（２）
【化１８】
2007015414.tif 000019
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立して、水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わし、Ｙは臭素又はヨウ素を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体を、パラジウム触媒の存在下、環状ジボロン化合物と反応させることを特徴とする、一般式（３）
【化１９】
2007015414.tif 000020
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は前記と同じ意味を表わし、Ｒ７は環状ホウ酸エステル残基を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体の製造方法。【００１８】
〔９〕一般式（７）
【化２０】
2007015414.tif 000021
（式中、Ｒ７は環状ホウ酸エステル残基を示し、Ｒ８は水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体。【００１９】
〔１０〕一般式（６）
【化２１】
2007015414.tif 000022
（式中、Ｒ８は水素、フッ素、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基、アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基又はアリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基を表わし、Ｙは臭素又はヨウ素を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体を、パラジウム触媒の存在下、環状ジボロン化合物と反応させることを特徴とする、一般式（７）
【化２２】
2007015414.tif 000023
（式中、Ｒ７は環状ホウ酸エステル残基を表わし、Ｒ８は前記と同じ意味を表わす。）
で表されるオキサジアゾール誘導体の製造方法。【００２０】
〔１１〕〔１〕又は〔３〕に記載のオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体からなる有機エレクトロルミネッセンス素子材料。【００２１】
〔１２〕陰極と陽極間に少なくとも発光層を有する一層又は複数層からなる有機層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機層の少なくとも一層が〔１１〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２２】
本明細書において用いる用語について説明する。【００２３】
「ハロゲン」とは、フッ素、塩素、臭素又はヨウ素を示す。【００２４】
「Ｃ１〜Ｃ１２」等の表現は、これに続く基の炭素数が、この場合では１乃至１２であることを示す。【００２５】
「Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基」とは、炭素数１乃至１２の、直鎖又は分岐のＣ１〜Ｃ１２アルキル基を示し、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、３，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基等を例示できる。【００２６】
「Ｃ２〜Ｃ１２アルキル基」とは、炭素数２乃至１２の、直鎖又は分岐のＣ２〜Ｃ１２アルキル基を示し、具体的には、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、３，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基等を例示できる。【００２７】
「Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基」とは、同一又は相異なったハロゲンの１乃至２５個で置換された、直鎖又は分岐のＣ１〜Ｃ１２アルキル基を示し、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、２−クロロエチル基、２，２−ジクロロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基等を例示できる。【００２８】
「Ｃ２〜Ｃ１２ハロアルキル基」とは、同一又は相異なったハロゲンの１乃至２５個で置換された、直鎖又は分岐のＣ２〜Ｃ１２アルキル基を示し、２−クロロエチル基、２，２−ジクロロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基等を例示できる。【００２９】
「Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基」とは、「（前記意味を有するＣ１〜Ｃ１２アルキル）−Ｏ−基」を示し、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基等を例示できる。【００３０】
「Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルキル基」とは、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基等のＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基が、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、３，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基等のＣ１〜Ｃ１２アルキル基に置換してできる基であり、メトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基等を例示することができる。【００３１】
「アリールＣ１〜Ｃ１２アルキル基」とは、例えばフェニル基、ナフチル基、４−トリル基等に代表されるアリール基が、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、３，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基等のＣ１〜Ｃ１２アルキル基に置換してできる基であり、ベンジル基、ナフチルメチル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基等を例示することができる。【００３２】
「Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基」とは、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基等のＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基が、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基等のＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基に置換してできる基であり、メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基等を例示することができる。【００３３】
「アリールＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基」とは、例えばフェニル基、ナフチル基、４−トリル基等に代表されるアリール基が、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基等のＣ１〜Ｃ１２アルコキシ基に置換してできる基であり、ベンジルオキシ基、ナフチルメチルオキシ基、１−フェネチルオキシ基、２−フェネチルオキシ基等を例示することができる。【００３４】
以下、本発明について詳細に説明する。【００３５】
本発明〔１〕は一般式（１）で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体である。【００３６】
一般式（１）中のＲ１〜Ｒ５は同一又は相異なっていてもよく、それぞれ独立して、水素原子；フッ素原子；例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基；例えばトリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基；例えばメトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基等の（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えばベンジル基、ナフチルメチル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基等のアリール−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えばメトキシ基、エトキシ基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基；例えばメトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基等の（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）基；例えばベンジルオキシ基、ナフチルメチルオキシ基、１−フェネチルオキシ基、２−フェネチルオキシ基等のアリール−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）基を表わす。【００３７】
又、Ｒ６は、例えばエチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、３，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基等の直鎖又は分岐Ｃ２〜Ｃ１２アルキル基；例えばメトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基等の（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えばベンジル基、ナフチルメチル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基等のアリール−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えば２，２−ジクロロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基等のＣ２〜Ｃ１２ハロアルキル基を表わす。【００３８】
本発明の一般式（１）で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体の代表的なものを表１に例示するが、本発明の一般式（１）で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体はこれらに限定されるものではない。又、化合物番号は以後の記載において参照される。【００３９】
なお、表１中の略号は以下の意味を示す。
Ｅｔ：エチル基
ｎ−Ｐｒ：ｎ−プロピル基
ｎ−Ｂｕ：ｎ−ブチル基
ｎ−Ｐｅｎ：ｎ−ペンチル基
ｎ−Ｈｅｘ：ｎ−ヘキシル基
２−Ｅｔ−Ｈｅｘ：２−エチルヘキシル基
ｔ−ＢｕＯ：ｔｅｒｔ−ブトキシ基
ｎ−ＢｕＯ：ｎ−ブトキシ基
１−Ｍｅ−ＰｒＯ：１−メチルプロポキシ基
２−Ｍｅ−ＢｕＯ：２−メチルブトキシ基【００４０】
【表１】
2007015414.tif 000024
【００４１】
本発明〔２〕は一般式（２）で表されるオキサジアゾール誘導体を、パラジウム触媒の存在下、環状ジボロン化合物と反応させ、一般式（３）で表されるオキサジアゾール誘導体を得た後（工程１）、更に一般式（３）で表されるオキサジアゾール誘導体と一般式（４）で表されるハロゲノトリインドール化合物を反応させる（工程２）ことを特徴とする、一般式（１）で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドールの製造方法である。【００４２】
まず工程１について説明する。【００４３】
本工程１の原料として用いる一般式（２）で表されるオキサジアゾール誘導体について説明する。【００４４】
一般式（２）中のＲ１〜Ｒ５は同一又は相異なっていてもよく、それぞれ独立して、水素原子；フッ素原子；例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基；例えばトリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基；例えばメトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基等の、（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えばベンジル基、ナフチルメチル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基等のアリール−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えばメトキシ基、エトキシ基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基；例えばメトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基等の（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）基；例えばベンジルオキシ基、ナフチルメチルオキシ基、１−フェネチルオキシ基、２−フェネチルオキシ基等のアリール−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）基を表わす。又、Ｙは臭素原子又はヨウ素原子を表わす。【００４５】
従って本工程１に使用できる一般式（２）で表されるオキサジアゾール誘導体として、具体的には、２−（４−ブロモフェニル）−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ヨードフェニル）−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−メチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−エチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−プロピルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−イソプロピルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ヨードフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−メトキシフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−ブトキシフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−フルオロフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−メトキシメチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−メトキシメチルオキシフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−トリフルオロメチルフェニル）−５−（４−ブロモフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（２−メチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（３−メチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（２，４−ジフルオロフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等を例示できる。【００４６】
本工程１に用いられる一般式（２）で表されるオキサジアゾール誘導体は公知の化合物であるか、或いは、対応するベンゾイルクロリドを、対応する４−ハロゲノフェニルテトラゾール誘導体と反応させる方法で製造することができる化合物である。【００４７】
本工程１に用いられる環状ジボロン化合物として、ビスピナコラトジボロン、ビスネオペンチルグリコラトジボロン等を例示できる。【００４８】
一般式（２）で表されるオキサジアゾール誘導体と環状ジボロン化合物とのモル比は、反応が進行すれば如何なるモル比でも差し支えないが、原料の一般式（２）で表されるオキサジアゾール誘導体１モルに対し、環状ジボロン化合物が、通常、１〜１０モル、好ましくは１〜３モルの範囲を例示できる。【００４９】
本工程１に用いられるパラジウム触媒としては、〔１，１−ビス（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン〕ジクロロパラジウム（ＩＩ）を例示できる。【００５０】
本工程１は一般に溶媒を用いて行う。本工程１の反応に用いられる溶媒として、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒；ジオキサン等のエーテル系溶媒を例示できるが、好ましくは非プロトン性極性溶媒であり、特にジメチルスルホキシドが良い。【００５１】
本工程１に用いられる溶媒の量は、撹拌が可能であれば如何なる量でも良いが、原料の一般式（２）で表されるオキサジアゾール誘導体１モルに対し、通常、０．１〜３０Ｌ（リットル）、好ましくは０．５〜５Ｌの範囲を例示できる。【００５２】
本工程１の反応温度は、反応が進行する温度であれば特にこだわらないが、好ましくは６０℃〜１００℃の範囲を例示できる。【００５３】
本工程１の反応時間は特に制限されないが、好ましくは１〜４８時間を例示できる。【００５４】
本工程１で製造できる一般式（３）で表されるオキサジアゾール誘導体としては、２−フェニル−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−フェニル−５−〔４−（５，５−ジメチル−１，３，２−ジオキソボロリナン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−メチルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−エチルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−プロピルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブチルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−イソプロピルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−〔４−（５，５−ジメチル−１，３，２−ジオキソボロリナン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−メトキシフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブトキシフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−フルオロフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−メトキシメチルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−メトキシメチルオキシフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−トリフルオロメチルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−フルオロフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（２−メチルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（３−メチルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（２，４−ジフルオロフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール等を例示できる。【００５５】
次に工程２について説明する。【００５６】
工程２は前の工程１で得られた一般式（３）で表されるオキサジアゾール誘導体を、一般式（４）で表されるハロゲノトリインドール化合物と反応させる工程である。【００５７】
一般式（４）中のＲ６は、例えばエチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、３，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基等の直鎖又は分岐Ｃ２〜Ｃ１２アルキル基；例えばメトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基等の（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えばベンジル基、ナフチルメチル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基等のアリール−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えば２，２−ジクロロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロチル基等の直鎖又は分岐Ｃ２〜Ｃ１２ハロアルキル基を表わし、Ｘは臭素原子又はヨウ素原子を表わす。【００５８】
従って、本工程２で使用できる一般式（４）で表されるハロゲノトリインドール化合物として、具体的には、Ｎ−エチル−５−ブロモトリインドール、Ｎ−エチル−５−ヨードトリインドール、Ｎ−プロピル−５−ブロモトリインドール、Ｎ−ブチル−５−ブロモトリインドール、Ｎ−ペンチル−５−ブロモトリインドール、Ｎ−ヘキシル−５−ブロモトリインドール、Ｎ−ヘキシル−５−ヨードトリインドール、Ｎ−（２−エチルヘキシル）−５−ブロモトリインドール、Ｎ−（２−エチルヘキシル）−５−ヨードトリインドール、Ｎ−（２，２−ジフルオロエチル）−５−ブロモトリインドール、Ｎ−（２，２，２−トリフルオロエチル）−５−ブロモトリインドール等を例示することができる。【００５９】
本工程２に用いられるハロゲノトリインドール化合物は公知の化合物であるか、又は、対応する５−ハロゲノオキシインドールを、オキシ塩化リンの存在下で反応させる方法で製造することができる。【００６０】
一般式（３）で表されるオキサジアゾール誘導体と一般式（４）で表されるハロゲノトリインドール化合物とのモル比は、反応が進行すれば如何なるモル比でも差し支えないが、原料の一般式（３）で表されるオキサジアゾール誘導体１モルに対して一般式（４）で表されるハロゲノトリインドール化合物が、通常、３〜３０モル、好ましくは６〜１５モルの範囲を例示できる。【００６１】
本工程２は一般に触媒を用いて行う。反応に用いられる触媒としては反応を促進すれば特にこだわらないが、好ましくはテトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム（０）に代表されるパラジウム触媒を例示できる。【００６２】
本工程２は一般に溶媒を用いて行う。本工程２に使用しうる溶媒としては、本工程の反応を阻害しなければ使用に制限はないが、好ましくは、例えばベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；例えばジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等の非プロトン性極性溶媒類；例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類；例えばモノグライム、ジグライム等の鎖状エーテル類；例えばメタノール、エタノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール−４００（ＰＥＧ−４００）等のアルコール類；水等が用いられる。【００６３】
本工程２に用いられる溶媒は、単独又は、任意の割合の混合溶媒として用いることができる。【００６４】
本工程２に用いる溶媒の量は、撹拌が可能であれば如何なる範囲でも構わないが、好ましくは、一般式（３）で表される原料のオキサジアゾール誘導体１モルに対し、０．１Ｌ〜１０Ｌの範囲を例示できる。【００６５】
本工程２の反応温度は、反応が進行する温度範囲であれば特に制限されないが、好ましくは４０℃〜用いる溶媒の還流温度の範囲を例示できる。【００６６】
又、本工程２の反応時間は、特に制限されないが、０．５時間〜４８時間を例示できる【００６７】
本発明〔３〕は、一般式（５）で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体であり、前記本発明〔１〕に包含されるもの（本発明〔１〕の部分を構成するもの）である。【００６８】
一般式（５）中のＲ６は、例えばエチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、３，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基等の直鎖又は分岐Ｃ２〜Ｃ１２アルキル基；例えばメトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基等の（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えばベンジル基、ナフチルメチル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基等のアリール−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えば２，２−ジクロロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロチル基等のＣ２〜Ｃ１２ハロアルキル基を表わす。Ｒ８は水素原子；フッ素原子；例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基；例えばトリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基；例えばメトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基等の（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えばベンジル基、ナフチルメチル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基等のアリール−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えばメトキシ基、エトキシ基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基；例えばメトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基等の（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）基；例えばベンジルオキシ基、ナフチルメチルオキシ基、１−フェネチルオキシ基、２−フェネチルオキシ基等のアリール−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）基を表わす。【００６９】
本発明の一般式（５）で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体の代表的なもの（前記表１に記載した化合物１２を含む）を表２に例示するが、本発明の一般式（５）で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体はこれらに限定されるものではない。又、化合物番号は以後の記載において参照される。【００７０】
なお、表２中の略号は以下の意味を示す。
ｔ−Ｂｕ：ｔｅｒｔ−ブチル基
２−Ｅｔ−Ｈｅｘ：２−エチルヘキシル基
ｎ−Ｏｃｔ：ｎ−オクチル基
ｎ−Ｈｅｘ：ｎ−ヘキシル基【００７１】
【表２】
2007015414.tif 000025
【００７２】
以下に示す本発明化合物の代表的な化合物である、Ｓｙｍ−Ｎ−（２−エチルヘキシル）−５−〔５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル〕フェニルトリインドール（化合物番号１２）のサイクリックボルタモグラムを図１に例示する。【００７３】
【化２３】
2007015414.tif 000026
【００７４】
本発明〔４〕は、一般式（６）で表されるオキサジアゾール誘導体を、パラジウム触媒の存在下、環状ジボロンと反応（工程３）させ、一般式（７）で表されるオキサジアゾール誘導体を得て、更に、一般式（４）で表されるハロゲノトリインドール化合物と反応（工程４）させることを特徴とする一般式（５）で表されるオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドールの製造法であり、前記本発明〔２〕に包含されるもの（本発明〔２〕の部分を構成するもの）である。【００７５】
まず本発明の工程３について説明する。【００７６】
本工程３は一般式（６）で表されるオキサジアゾール誘導体をパラジウム触媒の存在下、環状ジボロンと反応させ、一般式（７）で表されるオキサジアゾール誘導体を製造する工程であり、前記本発明〔２〕の工程１と同様である。【００７７】
本工程３の原料として用いる一般式（６）で表されるオキサジアゾール誘導体について説明する。【００７８】
一般式（６）中のＲ８は、水素原子；フッ素原子；例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基；例えばトリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基；例えばメトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基等の（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えばベンジル基、ナフチルメチル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基等のアリール−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えばメトキシ基、エトキシ基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基；例えばメトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基等の（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）基；例えばベンジルオキシ基、ナフチルメチルオキシ基、１−フェネチルオキシ基、２−フェネチルオキシ基等のアリール−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）基を表わし、Ｙは臭素原子又はヨウ素原子を表わす。【００７９】
従って、本工程に使用できる一般式（６）で表されるオキサジアゾール誘導体として、具体的に例えば、２−（４−ブロモフェニル）−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ヨードフェニル）−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−メチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−エチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−プロピルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−イソプロピルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ヨードフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−メトキシフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−ブトキシフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブロモフェニル）−５−（４−フルオロフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等を例示できる。【００８０】
本工程３に用いられるオキサジアゾール誘導体は公知の化合物であるか、対応するベンゾイルクロリドを、対応する４−ハロゲノフェニルテトラゾール誘導体と反応させる方法で製造することができる化合物である。【００８１】
環状ジボロン化合物としては、例えばビスピナコラトジボロン、ビスネオペンチルグリコラトジボロン等を例示できる。【００８２】
本工程３において原料に用いられる一般式（６）で表されるオキサジアゾール誘導体と環状ジボロン化合物とのモル比は、反応が進行すれば如何なるモル比でも差し支えないが、原料のオキサジアゾール誘導体１モルに対し、環状ジボロン化合物が、通常、１〜１０モル、好ましくは１〜３モルの範囲を例示できる。【００８３】
本工程３に用いられるパラジウム触媒としては、例えば〔１，１−ビス（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン〕ジクロロパラジウム（ＩＩ）を例示できる。【００８４】
本工程３は一般に溶媒を用いて行う。本工程３の反応に用いられる溶媒としては、例えばジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒；ジオキサンに代表されるエーテル系溶媒を例示できるが、好ましくは非プロトン性極性溶媒であり、特にジメチルスルホキシドが良い。【００８５】
本工程３に用いられる溶媒の量は、撹拌が可能であれば如何なる量でも良いが、原料のオキサジアゾール誘導体１モルに対し、通常、０．１〜３０Ｌ、好ましくは０．５〜５Ｌの範囲を例示できる。【００８６】
本工程３の反応温度は、反応が進行する温度であれば特にこだわらないが、好ましくは６０〜１００℃の範囲を例示できる。【００８７】
本工程３の反応時間は特に制限されないが、好ましくは１〜４８時間を例示できる。【００８８】
本工程３で製造できる一般式（７）で表されるオキサジアゾール誘導体としては、２−フェニル−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−フェニル−５−〔４−（５，５−ジメチル−１，３，２−ジオキソボロリナン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−メチルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−エチルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−プロピルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブチルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−イソプロピルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−〔４−（５，５−ジメチル−１，３，２−ジオキソボロリナン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−メトキシフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ブトキシフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−フルオロフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール等を例示できる。【００８９】
次に工程４について説明する。【００９０】
工程４は前の工程３で得られた一般式（７）で表されるオキサジアゾール誘導体と一般式（４）で表されるハロゲノトリインドール化合物を反応させる工程であり、前記本発明〔２〕の工程２と同様である。【００９１】
一般式（４）中のＲ６は、例えばエチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、３，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基等の直鎖又は分岐Ｃ２〜Ｃ１２アルキル基；例えばメトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基等の（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えばベンジル基、ナフチルメチル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基等のアリール−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えば２，２−ジクロロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロチル基等のＣ２〜Ｃ１２ハロアルキル基を表わし、Ｘは臭素原子又はヨウ素原子を表わす。【００９２】
従って、本工程４で使用できる一般式（４）で表されるハロゲノトリインドール化合物として、具体的に例えば、Ｎ−エチル−５−ブロモトリインドール、Ｎ−エチル−５−ヨードトリインドール、Ｎ−プロピル−５−ブロモトリインドール、Ｎ−ブチル−５−ブロモトリインドール、Ｎ−ペンチル−５−ブロモトリインドール、Ｎ−ヘキシル−５−ブロモトリインドール、Ｎ−ヘキシル−５−ヨードトリインドール、Ｎ−（２−エチルヘキシル）−５−ブロモトリインドール、Ｎ−（２−エチルヘキシル）−５−ヨードトリインドール、Ｎ−（２，２−ジフルオロエチル）−５−ブロモトリインドール、Ｎ−（２，２，２−トリフルオロエチル）−５−ブロモトリインドール等を例示できる。【００９３】
本工程４に用いられるハロゲノトリインドール化合物は公知の化合物であるか、或いは対応する５−ハロゲノオキシインドールを、オキシ塩化リンの存在下で反応させる方法で製造することができる化合物である。【００９４】
一般式（７）で表されるオキサジアゾール誘導体と一般式（４）で表されるハロゲノトリインドール化合物とのモル比は、反応が進行すれば如何なるモル比でも差し支えないが、原料の一般式（７）で表されるオキサジアゾール誘導体１モルに対し、一般式（４）で表されるハロゲノトリインドール化合物が、通常、３〜３０モル、好ましくは６〜１５モルの範囲を例示できる。【００９５】
本工程４は一般に触媒を用いて行う。反応に用いられる触媒としては反応が促進すれば特にこだわらないが、好ましくはテトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム（０）等のパラジウム触媒を例示できる。【００９６】
本工程４は一般に溶媒を用いて行う。使用しうる溶媒としては、本工程４の反応を阻害しなければ使用を制限されないが、好ましくは、例えばベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；例えばジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等の非プロトン性極性溶媒類；例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類；例えばモノグライム、ジグライム等の鎖状エーテル類；例えばメタノール、エタノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、PEG-400等のアルコール類；水等が用いられる。【００９７】
本工程４に用いられる溶媒は、単独又は、任意の割合の混合溶媒として用いることができる。【００９８】
本工程４に用いる溶媒の量は、撹拌が可能であれば如何なる範囲でも構わないが、好ましくは一般式（４）で表されるハロゲノトリインドール化合物１モルに対し、通常、０．１〜１０Ｌの範囲を例示できる。【００９９】
本工程４の反応温度は、反応が進行する温度範囲であれば特に制限されないが、好ましくは４０℃〜用いる溶媒の還流温度、の範囲を例示できる。【０１００】
又、本工程４の反応時間は、特に制限されないが、０．５〜４８時間を例示できる【０１０１】
本発明〔５〕は、前記、本発明〔２〕の工程２である。【０１０２】
本発明〔６〕は、前記、本発明〔４〕の工程４である。【０１０３】
本発明〔７〕について説明する。【０１０４】
本発明〔７〕は、一般式（３）で表されるオキサジアゾール誘導体である。【０１０５】
一般式（３）中のＲ１〜Ｒ５は同一又は相異なっていてもよく、それぞれ独立して、水素原子；フッ素原子；例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基；例えばトリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基；例えばメトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基等の（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えばベンジル基、ナフチルメチル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基等のアリール−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えばメトキシ基、エトキシ基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基；例えばメトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基等の（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）基；例えばベンジルオキシ基、ナフチルメチルオキシ基、１−フェネチルオキシ基、２−フェネチルオキシ基等のアリール−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）基を表わす。Ｒ７は、例えば、４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基、５，５−ジメチル−１，３，２−ジオキソボロリナン−２−イル基等の環状ホウ酸エステル残基を表わす。【０１０６】
本発明の一般式（３）で表されるオキサジアゾール誘導体の代表的なものを表３に例示するが、本発明の一般式（３）で表されるオキサジアゾール誘導体はこれらに限定されるものではない。又、化合物番号は以後の記載において参照される。【０１０７】
なお、表３中の略号は以下の意味を示す。
ｔ−Ｂｕ：ｔｅｒｔ−ブチル基
ｎ−ＢｕＯ：ｎ−ブトキシ基【０１０８】
【表３】
2007015414.tif 000027
【０１０９】
本発明〔８〕は前記、本発明〔２〕の工程１である。【０１１０】
本発明〔９〕は、一般式（７）で表されるオキサジアゾール誘導体であり、前記本発明〔７〕に包含されるもの（本発明〔７〕の部分を構成するもの）である。【０１１１】
一般式（７）中のＲ８は、水素原子；フッ素原子；例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基；例えばトリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２ハロアルキル基；例えばメトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基等の（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えばベンジル基、ナフチルメチル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基等のアリール−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）基；例えばメトキシ基、エトキシ基等の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基；例えばメトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基等の（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）基；例えばベンジルオキシ基、ナフチルメチルオキシ基、１−フェネチルオキシ基、２−フェネチルオキシ基等のアリール−（直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ）基を表わす。Ｒ７は、例えば、４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル基、５，５−ジメチル−１，３，２−ジオキソボロリナン−２−イル基等の環状ホウ酸エステル残基を表わす。【０１１２】
本発明の一般式（７）で表されるオキサジアゾール誘導体の代表的なものを表４に例示するが、本発明の一般式（７）で表されるオキサジアゾール誘導体はこれらに限定されるものではない。又、化合物番号は以後の記載において参照される。【０１１３】
なお、表４中の略号は以下の意味を示す。
ｔ−Ｂｕ：ｔｅｒｔ−ブチル基
ｎ−ＢｕＯ：ｎ−ブトキシ基【０１１４】
【表４】
2007015414.tif 000028
【０１１５】
本発明〔１０〕は前記、本発明〔４〕の工程１である。【０１１６】
本発明〔１１〕は、前記本発明〔１〕又は〔３〕のいずれかに記載のオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体からなる有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子材料である。【０１１７】
本発明〔１２〕は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を有する一層又は複数層からなる有機層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機層の少なくとも一層が、本発明〔１１〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。【０１１８】
本発明の有機ＥＬ素子の素子構造は、電極間に有機層（有機薄膜層）を１層あるいは２層以上積層した構造であり、その構造の例として陽極−発光層−陰極、陽極−正孔注入又は輸送層−発光層−電子注入又は輸送層−陰極、陽極−正孔注入又は輸送層−発光層−陰極及び陽極−発光層−電子注入又は輸送層−陰極等の構造が挙げられる。本発明のオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体は、上記のどの有機層に用いられてもよく、他の正孔輸送材料、発光材料、電子輸送材料にドープさせることもできる。又、本発明のオキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体は、単独で用いられても混合物の成分として用いても良い。【０１１９】
正孔注入又は輸送層の材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、陰極から注入された電子又は発光層で生成した励起子の、正孔注入層又は正孔輸送層への移動を防止し、且つ薄膜形成能力に優れた化合物が好ましい。例えば、Ｈ２Ｐｃ（「Ｐｃ」はフタロアシアニン残基を示す。）、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ２ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体；ナフタロシアニン誘導体；ポルフィリン誘導体；オキサゾール誘導体；オキサジアゾール誘導体；トリアゾール誘導体；イミダゾール誘導体；イミダゾロン誘導体；イミザゾールチオン誘導体；ピラゾリン誘導体；ピラゾロン誘導体；テトラヒドロイミダゾール誘導体；ヒドラゾン誘導体；アシルヒドラゾン誘導体；ポリアリールアルカン類；スチルベン類；ブタジエン類；例えばトリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン等の芳香族三級アミン及びこれら骨格を有したオリゴマー又はポリマー；ポリビニルカルバゾール類；例えばポリシラン、ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、ポリアニリン−カンファースルホン酸（ＰＡＮＩ−ＣＳＡ）等の導電性高分子等が例示できるがこれらに限定されるものではない。【０１２０】
電子注入又は輸送層の材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、陽極から注入された正孔又は発光層で生成した励起子の、電子注入層又は電子輸送層への移動を防止し、且つ薄膜形成能力に優れた化合物が好ましい。例えばフルオレノン類；アントラキノンジメタン類；ジフェニルキノン類；チオピランジオキシド類；トリアジン類；ペリレンテトラカルボン酸類；フレオレニリデンメタン類；アントロン類；例えば２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４’’−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス〔２−（５−フェニルオキサジアゾリル）〕ベンゼン、１，４−ビス〔２−（５−フェニルオキサジアゾリル）−４−ｔ−ブチルベンゼン〕、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４’’−ビフェニル）−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス〔２−（５−フェニルチアジアゾリル）〕ベンゼン、２−（４’−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４’’−ビフェニル）−１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス〔２−（５−フェニルトリアゾリル）〕ベンゼン等の含窒素五員環誘導体；例えば８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ〔ｈ〕キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ〔ｈ〕キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム等の金属錯体化合物が例示できるがこれらに限定されるものではない。又、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより電荷注入性を向上させることもできる。【０１２１】
電子注入層が絶縁体や半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、例えばＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ等のアルカリ金属カルコゲナイド；例えばＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＣａＳｅ等のアルカリ土類金属カルコゲナイド；例えばＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等のアルカリ金属のハロゲン化合物；例えばＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２等のアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選ばれる少なくとも一つの金属化合物を使用することが好ましい。【０１２２】
又、電子輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ（バリウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｃｄ（カドミウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｔａ（タリウム）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｚｎ（亜鉛）から選ばれる少なくとも一つの原子を含む酸化物、窒素化物及び酸化窒化物などから選ばれる一種単独又は二種以上の組み合わせが例示できる。電子輸送層を構成する無機化合物は、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。【０１２３】
有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材料としては、Ｃ（炭素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｖ（バナジウム）、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｗ（タングステン）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）等及びそれらの合金、ＩＴＯ基盤、ＮＥＳＡ基盤に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化物、更にはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。【０１２４】
陰極に使用される導電性物質としては、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｎ（スズ）、Ｐｂ（鉛）、Ｔｉ（チタニウム）、Ｙ（イットリウム）、Ｌｉ（リチウム）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ａｌ（アルミニウム）等及びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、Ｍｇ−Ａｇ、Ｍｇ−Ｉｎ、Ｌｉ−Ａｌなどが代表として例示できるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されても良い。【０１２５】
有機ＥＬ素子では、効率よく発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分に透明にすることが好ましい。又、基盤も透明であることが好ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透明性が確保できるように設定する。発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが好ましい。基盤は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、ガラス基板及び透明性樹脂フィルムが好ましい。【０１２６】
該透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、ポリプロピレン等を例示できる。【０１２７】
本発明の有機ＥＬ素子の各有機層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、キャスティング、ロールコート、フローコーティング、インクジェット等の湿式成膜法のいずれかの方法を適用することができる。膜厚は特に制限されないが、適切な膜厚に設定する必要がある。一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られなくなる恐れがあり、逆に厚すぎると一定の光出力を得るために高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常、膜厚は、５ｎｍ〜１０μｍの範囲が好ましいが、特に１０ｎｍ〜０．２μｍが更に好ましい。【０１２８】
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、適切な溶媒に溶解又は分散させて有機溶液を調製し、薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。該溶媒としては、例えばジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；例えばクロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；例えばベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；例えばヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素類；例えばジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル類；例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール類；例えば酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル等のエステル類を例示できるがこれに限定されるものではない。又、これら溶媒は、単独で使用しても２種以上を任意の割合で混合して用いても良い。【０１２９】
又、いずれの有機層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。当該目的に使用可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体；ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂；ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂などが例示できる。又、添加剤としては、例えば公知の酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤などが挙げられる。【０１３０】
本発明により得られた有機ＥＬ素子の温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。【０１３１】
次に、実施例を挙げて本発明化合物の製造方法を具体的に説明するが、本発明は、これら実施例によって何ら限定されるものではない。【０１３２】
実施例１
窒素雰囲気下、温度計、ジムロートを備えた５０ｍＬ四径フラスコに、酢酸カリウム３０９ｍｇ（３．１５ｍｍｏｌ）、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４−ブロモフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール１．０７ｇ（３ｍｍｏｌ）、ビスピナコラトジボロン７９８ｍｇ（３．１４ｍｍｏｌ）、〔１，１−ビス（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン〕ジクロロパラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン錯体７３．５ｍｇ（０．０９ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド３０ｍＬを入れ８０℃で４時間反応した。反応終了後、室温まで冷却し、反応液を水３００ｍＬに投入し、酢酸エチルにて抽出した。酢酸エチル層は濃縮後、カラムクロマトグラフィー分離（ヘキサン：酢酸エチル＝３：１）を行い、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール０．５４ｇ（１．３４ｍｍｏｌ）を得た。【０１３３】
窒素雰囲気下、温度計、ジムロートを備えた１００ｍＬ四径フラスコに、テトラキストリフェニルフォスフィンパラジウム（０）４０ｍｇ（０．０３５ｍｍｏｌ）、Ｎ−（２−エチルヘキシル）−５−ブロモトリインドール０．２ｇ（０．２１８ｍｍｏｌ）、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール０．６ｇ（１．４９ｍｍｏｌ）、トルエン４０ｍＬ、飽和重曹水２０ｍＬ、エタノール５ｍＬを入れ４時間加熱還流した。反応終了後、室温まで冷却し、反応液を水３００ｍＬに投入し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層は濃縮後、カラムクロマトグラフィー分離（ヘキサン：酢酸エチル＝２：１）を行い、Ｎ−（２−エチルヘキシル）−５−[４−〔５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イルフェニル〕]トリインドール０．１８ｇ（０．１２ｍｍｏｌ）を得た。収率５４．６％（Ｎ−（２−エチルヘキシル）−５−ブロモトリインドール基準）【０１３４】
ｍｐ＝２８９℃
ＦＡＢ−ＭＳ（ＮＢＡ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）＝１５１１
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：８．５４（ｓ，３Ｈ）  ８．３１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，６Ｈ）  ８．１３（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，６Ｈ）  ７．９８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，６Ｈ）  ７．７８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，３Ｈ）  ７．７１（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，３Ｈ）  ７．５９（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，６Ｈ）  ５．０２（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，６Ｈ）  ２．１−２．０（ｍ，３Ｈ）  １．４０（ｓ，２７Ｈ）  １．２−０．７（ｍ，２４Ｈ）  ０．７−０．６（ｍ，９Ｈ）  ０．６−０．４（ｍ，９Ｈ）【０１３５】
実施例２
窒素雰囲気下、温度計、ジムロートを備えた５０ｍＬ四径フラスコに、酢酸カリウム１０５ｍｇ（１．０７ｍｍｏｌ）、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４−ブロモフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール０．５ｇ（１．５ｍｍｏｌ）、ビスネオペンチルグリコラトジボロン４００ｍｇ（１．７７ｍｍｏｌ）、〔１，１−ビス（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン〕ジクロロパラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン錯体３７ｍｇ（０．０４５ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド１０ｍＬを入れ８０℃で４時間反応した。反応終了後、室温まで冷却し、反応液を水１００ｍＬに投入し、酢酸エチルにて抽出した。酢酸エチル層は濃縮後、カラムクロマトグラフィー分離（ヘキサン：酢酸エチル＝３：１）を行い、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−〔４−（５，５−ジメチル−１，３，２−ジオキソボロリナン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール０．２２ｇ（０．５６ｍｍｏｌ）を得た。収率３７．６％【０１３６】
ｍｐ＝１９４〜１９７℃
ＭＳ＝３９０
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：８．１２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）  ８．０８（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ）  ７．９５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）  ７．５５（ｄ，Ｊ＝９Ｈｚ，２Ｈ）  ３．８１（ｓ，４Ｈ）  １．３８（ｓ，９Ｈ）  １．０５（ｓ，６Ｈ）【０１３７】
実施例３
窒素雰囲気下、温度計、ジムロートを備えた５０ｍＬ四径フラスコに、酢酸カリウム３０９ｍｇ（３．１５ｍｍｏｌ）、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４−ブロモフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール１．０７ｇ（３ｍｍｏｌ）、ビスピナコラトジボロン７９８ｍｇ（３．１４ｍｍｏｌ）、〔１，１−ビス（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン〕ジクロロパラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン錯体７３．５ｍｇ（０．０９ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド３０ｍＬを入れ８０℃で４時間反応した。反応終了後、室温まで冷却し、反応液を水３００ｍＬに投入し、酢酸エチルにて抽出した。酢酸エチル層は濃縮後、カラムクロマトグラフィー分離（ヘキサン：酢酸エチル＝３：１）を行い、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール０．５４ｇ（１．３４ｍｍｏｌ）を得た。収率４４．６％【０１３８】
ｍｐ＝１９３．９〜１９５．８℃
ＭＳ＝４０４
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：８．１３（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ）  ８．０８（ｄ，Ｊ＝９Ｈｚ，２Ｈ）  ７．９６（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ）  ７．５５（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ）  １．３８（ｓ，２１Ｈ）【０１３９】
実施例４
窒素雰囲気下、温度計、ジムロートを備えた５０ｍＬ四径フラスコに、酢酸カリウム３０９ｍｇ（３．１５ｍｍｏｌ）、２−（４−ｎ−ブチルフェニル）−５−（４−ブロモフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール１．０７ｇ（３ｍｍｏｌ）、ビスピナコラトジボロン７９８ｍｇ（３．１４ｍｍｏｌ）、〔１，１−ビス（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン〕ジクロロパラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン錯体７３．５ｍｇ（０．０９ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド３０ｍＬを入れ８０℃で４時間反応した。反応終了後、室温まで冷却し、反応液を水３００ｍＬに投入し、酢酸エチルにて抽出した。酢酸エチル層は濃縮後、カラムクロマトグラフィー分離（ヘキサン：酢酸エチル＝３：１）を行い、２−（４−ｎ−ブチルフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール０．４６ｇ（１．１４ｍｍｏｌ）を得た。収率３８．０％【０１４０】
ｍｐ＝１４６．１〜１４６．７℃
ＭＳ＝４０４
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：８．１３（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）  ８．０６（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）  ７．９６（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）  ７．３５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）  ２．７０（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ）  １．６５（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ）  １．４６−１．３１（ｍ，１４Ｈ）  ０．９５（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，３Ｈ）【０１４１】
実施例５
窒素雰囲気下、温度計、ジムロートを備えた５０ｍＬ四径フラスコに、酢酸カリウム３０９ｍｇ（３．１５ｍｍｏｌ）、２−（４−ｎ−ブトキシフェニル）−５−（４−ブロモフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール１．１２ｇ（３ｍｍｏｌ）、ビスピナコラトジボロン７９８ｍｇ（３．１４ｍｍｏｌ）、〔１，１−ビス（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン〕ジクロロパラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン錯体７３．５ｍｇ（０．０９ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド３０ｍＬを入れ８０℃で４時間反応した。反応終了後、室温まで冷却し、反応液を水３００ｍＬに投入し、酢酸エチルにて抽出した。酢酸エチル層は濃縮後、カラムクロマトグラフィー分離（ヘキサン：酢酸エチル＝３：１）を行い、２−（４−ｎ−ブトキシフェニル）−５−〔４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール０．４１ｇ（０．９８ｍｍｏｌ）を得た。収率３２．５％【０１４２】
ｍｐ＝１５６．５〜１５７．７℃
ＭＳ＝４２０
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：８．１２（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ）  ８．０８（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ）  ７．９５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）  ７．０２（ｄ，Ｊ＝９Ｈｚ，２Ｈ）  ４．０５（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ）  １．８９−１．７８（ｍ，２Ｈ）  １．６０−１．４８（ｍ，２Ｈ）  １．３８（ｓ，１２Ｈ）  １．００（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，３Ｈ）【０１４３】
実施例６
図２において符号１で示す２５ｍｍ×３５ｍｍ×１ｍｍの平坦化ＩＴＯ基盤（三容真空工業社製）上を純水、２−プロパノール、アセトン、クロロホルムの順に超音波洗浄をそれぞれ１０分間行った後、ＵＶオゾン洗浄を３分間行った。その基板上にＮ−（２−エチルヘキシル）−５−[４−〔５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イルフェニル〕]トリインドール−クロロホルム溶液（１ｗｔ％）を用いてスピンコート法で成膜（符号２）し、その後、５０℃で１５時間真空乾燥を行った。このときの膜厚は１００ｎｍであった。【０１４４】
この膜上にＡｌ（アルミニウム）を真空蒸着（符号３）し、陰極とした（６φ＝０．２８３ｃｍ２）。得られた有機ＥＬ素子について、図２において符号４で示す電源を用いて通電試験を行い、発光輝度、電圧、電流密度、発光効率を測定した。結果は表５に示す。【０１４５】
実施例７
図３において符号５で示す２５ｍｍ×３５ｍｍ×１ｍｍ厚の平坦化ＩＴＯ基盤（三容真空工業社製）上を純水、２−プロパノール、アセトン、クロロホルムの順に超音波洗浄をそれぞれ１０分間行った後、ＵＶオゾン洗浄を３分間行った。その基板上にスピンコート法で正孔注入層に用いるポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ，ＢＡＹＴＲＯＮ  Ｐ，ＡＩ４０８３）を２５ｎｍの膜厚で成膜（符号６）し、１００℃で１時間真空乾燥した。この膜上に、Ｎ−（２−エチルヘキシル）−５−[４−〔５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イルフェニル〕]トリインドール−クロロホルム溶液（１ｗｔ％）を用いてスピンコート法で成膜（符号７）し、その後、５０℃で１５時間真空乾燥を行った。このときの膜厚は１００ｎｍであった。【０１４６】
この膜上にＡｌ（アルミニウム）を真空蒸着（符号８）し、陰極とした（６φ＝０．２８３ｃｍ２）。得られた有機ＥＬ素子について、図３において符号９で示す電源を用いて通電試験を行い発光輝度、電圧、電流密度、発光効率を測定した。結果は表５に示す。【０１４７】
実施例８
図４において符号１０で示す２５ｍｍ×３５ｍｍ×１ｍｍ厚の平坦化ＩＴＯ基盤（三容真空工業社製）上を純水、２−プロパノール、アセトン、クロロホルムの順に超音波洗浄をそれぞれ１０分間行った後、ＵＶオゾン洗浄を３分間行った。その基板上に、Ｎ−（２−エチルヘキシル）−５−[４−〔５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イルフェニル〕]トリインドール−クロロホルム溶液（１ｗｔ％）を用いてスピンコート法で成膜（符号１１）し、その後、５０℃で１５時間真空乾燥を行った。このときの膜厚は１００ｎｍであった。【０１４８】
この膜上にＬｉＦを真空蒸着（符号１２）した後、Ａｌ（アルミニウム）を真空蒸着（符号１３）し、陰極とした（６φ＝０．２８３ｃｍ２）。得られた有機ＥＬ素子について、図４において符号１４で示す電源を用いて通電試験を行い、発光輝度、電圧、電流密度、発光効率を測定した。結果は表５に示す。【０１４９】
実施例９
図５において符号１５で示す２５ｍｍ×３５ｍｍ×１ｍｍ厚の平坦化ＩＴＯ基盤（三容真空工業社製）上を純水、２−プロパノール、アセトン、クロロホルムの順に超音波洗浄をそれぞれ１０分間行った後、ＵＶオゾン洗浄を３分間行った。その基板上にスピンコート法で正孔注入層に用いるポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ，ＢＡＹＴＲＯＮ  Ｐ，ＡＩ４０８３）を２５ｎｍの膜厚で成膜（符号１６）し、１００℃で１時間真空乾燥した。この膜上に、Ｎ−（２−エチルヘキシル）−５−[４−〔５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イルフェニル〕]トリインドール−クロロホルム溶液（１ｗｔ％）を用いてスピンコート法で成膜（符号１７）し、その後、５０℃で１５時間真空乾燥を行った。このときの膜厚は１００ｎｍであった。【０１５０】
この膜上にＬｉＦを真空蒸着（符号１８）した後、Ａｌ（アルミニウム）を真空蒸着（符号１９）し、陰極とした（６φ＝０．２８３ｃｍ２）。得られた有機ＥＬ素子について、図５において符号２０で示す電源を用いて通電試験を行い発光輝度、電圧、電流密度、発光効率を測定した。結果は表５に示す。【０１５１】
【表５】
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【産業上の利用可能性】
【０１５２】
本発明は、オキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体及びそれを用いた有機ＥＬ素子を与えるもので、オキサジアゾール置換型Ｓｙｍ−トリインドール誘導体は製膜性に優れ、且つバイポーラ性を有し、単層型有機ＥＬ素子を形成させた場合も発光するため、有機ＥＬ材料、各種帯電防止、静電、コンデンサ、電池、化学センサー、表示素子、液晶、太陽電池、フォトダイオード、フォトトランジスタ、非線形材料、フォトリフラクティブ材料、防錆剤、接着剤、繊維、帯電防止塗料、電着塗料、メッキプライマー、電気防食等に幅広く適応可能であり、特に有機ＥＬ素子に適している。有機ＥＬ素子は、フラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯、照明等に好適に利用できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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