(57)【要約】  良好な放熱性を有し、かつ製造が容易である、半導体素子を備える半導体装置を提供する。  半導体素子（１２）には、第１の主面（１３）側に開口（１５）を位置させている非貫通の穴（１６）によって規定され、かつ非貫通の穴（１６）に導電材料（１７）が充填されることによって形成された、放熱経路（１８）が設けられるとともに、放熱板（１４）が、上記導電材料（１７）を介して半導体素子（１２）に接合される。導電材料（１７）として、好ましくは、はんだが用いられ、半導体素子（１２）と放熱板（１４）との間にはんだを介在させながら、溶融したはんだを非貫通の穴（１６）へと導入することによって、放熱経路（１８）が形成されるとともに、放熱板（１４）を半導体素子（１２）に接合した状態が得られる。
2007138771.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子の第１の主面に沿って配置される金属からなる放熱板と
を備え、
前記半導体素子には、前記第１の主面側に開口を位置させている非貫通の穴によって規定され、かつ前記非貫通の穴に導電材料が充填されることによって形成された、放熱経路が設けられ、
前記放熱板は、前記導電材料を介して前記半導体素子に接合されている、
半導体装置。
【請求項２】
前記導電材料ははんだからなる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子の前記第１の主面とは逆の第２の主面上に設けられる導体膜をさらに備え、前記非貫通の穴の底面は、前記導体膜によって規定される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置と、
キャビティを形成した配線基板と
を備え、
前記キャビティには、前記放熱板を外方へ向けた状態で前記半導体装置が収容されている、
電子部品モジュール。
【請求項５】
第１の主面側に開口を位置させている非貫通の穴が設けられた半導体素子を用意する工程と、
放熱経路を形成するため、前記非貫通の穴に充填されるべき導電材料としてのはんだを用意する工程と、
前記半導体素子の第１の主面に沿って配置されるべき金属からなる放熱板を用意する工程と、
前記放熱板を前記半導体素子の前記第１の主面に沿って配置し、かつ前記半導体素子の前記第１の主面と前記放熱板との間に前記はんだを介在させながら、溶融した前記はんだを前記非貫通の穴へと導入し、それによって、前記非貫通の穴を前記はんだによって充填した前記放熱経路を形成するとともに、前記はんだを介して前記放熱板を前記半導体素子に接合した状態とする工程と
を備える、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記溶融したはんだを非貫通の穴に導入する工程の前に、前記非貫通の穴の内面上および前記第１の主面上に金属膜を形成する工程をさらに備える、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置、半導体装置を備える電子部品モジュールおよび半導体装置の製造方法に関するもので、特に、半導体装置に備える半導体素子の放熱性を向上させるための改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を備える半導体装置において、半導体素子がその動作中に発熱を伴う場合、この発熱を効率良く放熱させることが、半導体素子の劣化あるいは破壊を防止し、半導体素子の信頼性を確保する上で重要である。そのため、半導体素子の放熱性を向上させるための技術が種々提案されている。【０００３】
この発明にとって興味ある放熱手段を備える半導体装置が、たとえば特開２００１−２８４５０３号公報（特許文献１）に記載されている。この特許文献１では、配線基板の主面上に導体バンプを介して搭載された半導体素子に関連して、放熱部材が設けられた構成が記載されている。放熱部材は、平板状部とその中央部に設けられた凸部とからなる。半導体素子には、その主面に対してほぼ垂直方向に貫通孔が設けられ、放熱部材は、その凸部が上記貫通孔に挿入されるとともに、平板状部が半導体素子の主面に沿って延びる状態で配置され、半導体素子における発熱を放散させるように作用する。【０００４】
このように、特許文献１に記載のものは、発熱を伴う半導体素子自身の内部に、放熱部材の一部、すなわち凸部を位置させることによって、良好な放熱性を発揮させている点で注目される。しかしながら、上記特許文献１に記載のものには、次のような解決されるべき課題がある。【０００５】
まず、半導体素子には、放熱部材の凸部を挿入するための貫通孔が設けられる。この貫通孔の部分は、半導体素子において設けられるべき回路要素を配置するためのスペースとして利用できないため、回路要素の配置の観点から言えば、無駄なスペースとなる。その結果、半導体素子の小型化を阻害し、これに応じて、半導体素子を備える半導体装置、さらには半導体装置を備える電子部品モジュールの小型化が阻害されてしまう。【０００６】
また、凸部が形成された放熱部材を製造することが比較的煩雑であり、比較的高いコストを要する。この場合、半導体素子における上述の無駄なスペースをより小さくするために凸部を小さくすると、高精度の微細加工が必要となり、製造コストがより上昇する。他方、コスト上昇を抑えるため、凸部を大きくすると、半導体素子における前述した無駄なスペースがより大きくなってしまう。【０００７】
また、半導体素子に放熱部材を装着するにあたっては、放熱部材に形成された凸部を、半導体素子に設けられた貫通孔に挿入する必要があるが、この挿入に当たって、凸部と貫通孔とを位置合わせすることが比較的煩雑であり、生産性向上の障害となる。特に、放熱部材に複数の凸部が形成されている場合、これら複数の凸部を、半導体素子に設けられた複数の貫通孔に同時に挿入しなければならないため、位置合わせがより困難となり、生産性のさらなる低下を招く。
【特許文献１】特開２００１−２８４５０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、この発明の目的は、上述したような課題を解決し得る半導体装置、半導体装置を備える電子部品モジュールおよび半導体装置の製造方法を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に係る半導体装置は、半導体素子と、この半導体素子の第１の主面に沿って配置される金属からなる放熱板とを備えている。そして、上述した技術的課題を解決するため、半導体素子には、上記第１の主面側に開口を位置させている非貫通の穴によって規定され、かつこの非貫通の穴に導電材料が充填されることによって形成された、放熱経路が設けられ、上記放熱板は、上記導電材料を介して半導体素子に接合されていることを特徴としている。【００１０】
上記導電材料ははんだからなることが好ましい。【００１１】
また、この発明に係る半導体装置において、半導体素子の第１の主面とは逆の第２の主面上に、導体膜が設けられる場合、前述の非貫通の穴の底面は、この導体膜によって規定されることが好ましい。【００１２】
この発明は、また、上述のこの発明に係る半導体装置を備えるとともに、キャビティを形成した配線基板を備える、電子部品モジュールにも向けられる。この発明に係る電子部品モジュールでは、上記キャビティに、上記放熱板を外方へ向けた状態で半導体装置が収容されていることを特徴としている。【００１３】
さらに、この発明は、半導体装置の製造方法にも向けられる。この発明に係る半導体装置の製造方法は、次のような構成を備えることを特徴としている。【００１４】
すなわち、第１の主面側に開口を位置させている非貫通の穴が設けられた半導体素子が用意され、また、放熱経路を形成するため、上記非貫通の穴に充填されるべき導電材料としてのはんだが用意され、さらに、半導体素子の第１の主面に沿って配置されるべき金属からなる放熱板が用意される。【００１５】
そして、放熱板を半導体素子の第１の主面に沿って配置し、かつ半導体素子の第１の主面と放熱板との間にはんだを介在させながら、溶融したはんだを非貫通の穴へと導入し、それによって、非貫通の穴をはんだによって充填した放熱経路を形成するとともに、はんだを介して放熱板を半導体素子に接合した状態とする工程が実施される。【００１６】
この発明に係る半導体装置の製造方法において、上述のように、溶融したはんだを非貫通の穴に導入する工程の前に、非貫通の穴の内面上および第１の主面上に金属膜を形成する工程がさらに実施されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
この発明によれば、放熱経路を規定する穴が非貫通であるので、そこに充填される導電材料として、たとえば溶融はんだ、導電性ペーストまたは導電性接着剤などのような流動性のあるものを使用しても、導電材料が外へ流れ出すことがなく、穴内に留めておくことができる。したがって、上述の溶融はんだなどのような流動性のある導電材料を問題なく用いることができる。【００１８】
この発明に係る半導体装置の製造方法によれば、上述したように、導電材料として流動性のあるものを用いることができるので、溶融したはんだの流動性を利用して、これを非貫通の穴へと導入し、それによって、非貫通の穴をはんだによって充填した放熱経路を形成するとともに、はんだを介して放熱板を半導体素子に接合した状態とすることができる。したがって、前述の特許文献１に記載の技術のように、放熱部材に予め凸部を形成しておき、凸部を半導体素子の貫通孔に挿入するといった煩雑な工程が不要となり、高い生産性をもって半導体装置を製造することができる。また、放熱板には予め凸部を形成しておく必要がなく、放熱板としては単なる平板状のものを用いることができるので、特許文献１に記載の放熱部材に比べて、低コストで製造することができる。【００１９】
上述した半導体装置の製造方法において、非貫通の穴の内面上および半導体素子の第１の主面上に金属膜を形成してから、溶融したはんだを非貫通の穴に導入するようにすれば、非貫通の穴による毛細管現象に加えて、金属膜による濡れ上がり現象が作用して、穴内にはんだを迅速にかつ高い充填性をもって導入することができる。【００２０】
また、この発明によれば、半導体素子における回路配置を妨げない範囲で、任意の数の放熱経路を半導体素子内の任意の場所に設けることができる。したがって、半導体素子中の発熱部に近接させて放熱経路を位置させると、より高い放熱効果を発揮させることができる。また、半導体素子における回路配置が本来不要な箇所に放熱経路を設けるようにすれば、半導体素子の、放熱経路の形成による大型化を避けることができる。【００２１】
また、この発明によれば、放熱板は、半導体素子に設けられた放熱経路を構成する導電材料を介して半導体素子に接合されており、この状態において、放熱経路はアンカー効果を働かせているので、放熱板の、半導体素子に対する接合強度を高くすることができる。【００２２】
この発明に係る半導体装置において、導電材料としてはんだを用いた場合、高い熱伝導率を得ることができ、放熱性を高めることができる。また、樹脂成分を含まず、融点の高いはんだを用いることで、半導体素子が発熱しても、接合状態の経時変化が生じることなく、半導体素子と放熱板との間で信頼性の高い接合状態を得ることができる。【００２３】
この発明に係る半導体装置において、半導体素子の第２の主面上に導体膜が設けられ、非貫通の穴の底面が、この導体膜によって規定されていると、導体膜、放熱経路および放熱板を接地経路として用いることができるようになり、その結果、低インピーダンス化を図り、半導体装置および半導体装置を備える電子部品モジュールの特性を向上させることができる。その結果、高周波対応が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】この発明の一実施形態による半導体装置１を備える電子部品モジュール２を示す断面図である。
【図２】図１の部分Ａを拡大して示す断面図である。
【図３】図１および図２を参照して説明した電子部品モジュール２の製造方法を説明するための図２に対応する図である。
【図４】図１および図２を参照して説明した電子部品モジュール２の他の製造方法を説明するための図２または図３に対応する図である。
【符号の説明】
【００２５】
１  半導体装置
２  電子部品モジュール
３  配線基板
１１  キャビティ
１２  半導体素子
１３  第１の主面
１４  放熱板
１５  開口
１６  非貫通の穴
１７  導電材料
１８  放熱経路
１９  第２の主面
２１  導体バンプ
２３  金属膜
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１は、この発明の一実施形態による半導体装置１を備える電子部品モジュール２を示す断面図である。図２は、図１の部分Ａを拡大して示す断面図である。【００２７】
電子部品モジュール２は、配線基板３を備えている。配線基板３は、複数のセラミック層または有機材料層を積層した多層構造を有していて、その内部には、いくつかの内部導体膜４およびいくつかのビアホール導体５が形成されている。これら内部導体膜４およびビアホール導体５を含む配線導体によって、たとえば、インダクタ、キャパシタおよび抵抗などの受動素子が形成される。【００２８】
配線基板３の上面上には、必要に応じて、いくつかの外部導体膜（図示せず。）が形成され、これら外部導体膜にはんだ６を介して接続された状態で、いくつかの表面実装部品７が実装され、さらに、これら表面実装部品７を覆うように、金属カバー８が配線基板３に装着される。配線基板３の下面上には、いくつかの外部導体膜９が形成される。これら外部導体膜９は、この電子部品モジュール２を、想像線で示したマザーボード１０上に実装する際の端子電極として機能するものである。【００２９】
配線基板３の下面側には、キャビティ１１が形成される。キャビティ１１には、半導体装置１が収容される。半導体装置１は、半導体素子１２と、半導体素子１２の第１の主面１３に沿って配置される放熱板１４とを備えていて、放熱板１４を外方へ向けた状態でキャビティ１１に収容される。放熱板１４は、単なる平板状のものであり、たとえばＮｉ−Ｃｏ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ合金、Ｃｒ−Ｆｅ合金、Ｃｒ−Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ａｌなどのような熱伝導率の比較的高い金属から構成される。放熱板１４は、良好な放熱性を得るため、加工可能な範囲で、できるだけ薄い方が好ましい。【００３０】
図１では、半導体素子１２は断面図で示されていないため、主として図２を参照して、電子部品モジュール２のさらに詳細な構造について説明する。半導体素子１２には、第１の主面１３側に開口１５を位置させている非貫通の穴１６によって規定され、かつ非貫通の穴１６に導電材料１７が充填されることによって形成された、いくつかの放熱経路１８が設けられている。また、前述の放熱板１４は、上記導電材料１７を介して半導体素子１２に接合されている。【００３１】
上述の導電材料１７は、たとえばはんだ、導電性ペーストまたは導電性接着剤から構成されるが、特に好ましくは、はんだから構成される。なお、後述する製造方法の説明から明らかになるように、導電材料１７は、非貫通の穴１６内に位置する部分と穴１６の外側に位置する部分とで異なる材料となるようにされてもよい。【００３２】
半導体素子１２の第１の主面１３とは逆の第２の主面１９上には、いくつかの導体膜２０が形成される。この実施形態では、非貫通の穴１６は、その底面が導体膜２０によって規定されることにより非貫通状態とされる。【００３３】
また、半導体素子１２の第２の主面上には、いくつかの導体バンプ２１が設けられる。より詳細には、上述の導体膜２０上にアンダーバンプメタル２２が形成され、その上に導体バンプ２１が形成される。【００３４】
導体バンプ２１の材料としては、たとえば、はんだ、Ａｕまたは導電性樹脂などを用いることができるが、特に好ましくは、はんだが用いられる。導体バンプ２１がはんだから構成される場合、アンダーバンプメタル２２は、たとえば、導体膜２０上に形成したＴｉ膜およびその上に形成したＮｉ膜から構成される。【００３５】
一例として、導体バンプ２１を構成するはんだとして、Ｓｎ３．５Ａｇはんだ（融点２２１℃）が用いられ、導電材料１７を構成するはんだとして、Ａｕ２０Ｓｎはんだ（融点２８０℃）が用いられる。【００３６】
また、半導体素子１２における非貫通の穴１６の内面上および第１の主面１３上には、金属膜２３が形成される。前述した導電材料１７は、この金属膜２３に接するよう付与されている。また、半導体素子１２の第２の主面１９側を覆うように、保護膜２４が形成される。【００３７】
なお、図１および図２では図示を省略するが、半導体素子１２とキャビティ１１の内面との間には、アンダーフィル樹脂が注入される。【００３８】
上述したように、半導体素子１２および放熱板１４を備える半導体装置１は、配線基板３のキャビティ１１内に収容され、導体バンプ２１を介して、キャビティ１１の底面上に形成された導体膜２５に溶融接合される。導体膜２５は、たとえば、ビアホール導体５に電気的に接続されている。【００３９】
以上のように構成された電子部品モジュール２は、前述したように、マザーボード１０上に実装される。図２において想像線で示されているように、マザーボード１０は、導体膜２６を形成している。マザーボード１０上に電子部品モジュール２が実装されたとき、放熱板１４は、その全面にわたって、はんだ２７を介して導体膜２６に接合される。はんだ２７としては、たとえばＳｎ３Ａｇ０．５Ｃｕ（融点２１９℃）やＳｎ０．７Ｃｕ（融点２２７℃）が用いられる。【００４０】
半導体素子１２において生じた発熱は、放熱経路１８を通して放熱板１４へと伝達され、さらにはんだ２７および導体膜２６を介してマザーボード１０へと放熱される。このとき、放熱経路１８を、半導体素子１２中の発熱部に近接させて位置させることにより、より高い放熱効果を発揮させることができる。【００４１】
また、放熱経路１８は、導電機能をも有しているので、半導体素子１２の第２の主面１９上に形成されたいくつかの導体膜２０からなる回路における接地を、放熱経路１８および放熱板１４を経由して短距離で取ることができるため、接地経路の低インピーダンス化を図ることができる。したがって、半導体装置１および電子部品モジュール２の特性を向上させることができるとともに、高周波対応が容易となる。【００４２】
また、放熱経路１８は、半導体素子１２における回路配置が本来不要な箇所に設けることができるので、放熱経路１８を設けたために半導体素子１２が大型化することを避けることができる。【００４３】
また、放熱経路１８はアンカー効果を働かせることができるので、放熱板１４の、半導体素子１２に対する接合強度が高められ、ひいては、電子部品モジュール２のマザーボード１０に対する接合の信頼性を向上させることができる。【００４４】
次に、図３を参照しながら、電子部品モジュール２の製造方法について説明する。【００４５】
まず、図１に示すような配線基板３、表面実装部品７および金属カバー８が用意されるとともに、半導体素子１２が用意される。【００４６】
ここで、半導体素子１２に対しては、その第２の主面１９上に形成された導体膜２０上には、アンダーバンプメタル２２として、たとえば、厚み０．２μｍのＴｉ膜、およびその上に厚み５．０μｍのＮｉ膜が形成され、さらに、アンダーバンプメタル２２上に、たとえばＳｎ３．５Ａｇはんだからなる導体バンプ２１が形成され、また、たとえばＳｉＯ２からなる保護膜２４が形成される。【００４７】
他方、半導体素子１２の第１の主面１３側は、所望の厚みとなるように研削された後、エッチングによって非貫通の穴１６が設けられる。この穴１６は、一般的には、径方向寸法が６０μｍ程度の断面円形の穴とされるが、穴１６の大きさや断面形状は特に限定されるものではなく、たとえば、断面形状が正方形、長方形、三角形などであってもよい。【００４８】
次いで、非貫通の穴１６の内面上および第１の主面１３上に金属膜２３が形成される。金属膜２３の形成のため、たとえば、薄膜プロセスを適用して、厚み０．０５μｍのＴｉ膜を形成した後に、厚み０．１μｍのＡｕ膜を形成し、その後、電気めっきを適用して、厚み３．０μｍのＡｕ膜が形成される。【００４９】
他方、放熱経路１８を形成するため、非貫通の穴１６に充填されるべき導電材料１７としてのはんだが用意されるとともに、半導体素子１２の第１の主面１３に沿って配置されるべき放熱板１４が用意される。より具体的には、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｆｅ合金からなる金属板が用意され、これを圧延した後、表面処理として、ＮｉめっきおよびＡｕめっきが施される。次いで、はんだからなるシートを、上記金属板の片面に重ね合わせた状態で溶融させることにより、金属板に溶融接合させる。【００５０】
ここで、はんだとしては、たとえばＡｕ２０Ｓｎはんだが用いられる。このはんだの融点は、マザーボード１０上に電子部品モジュール２を実装する際に用いられるはんだ２７の融点より高いので、マザーボード１０上への実装時に再溶融して、半導体素子１２と放熱板１４との間の接合信頼性を劣化させることがない。上述した溶融接合は、一般的に、還元性雰囲気中において、ピーク温度３２０℃前後に設定されたリフロー炉を用いて実施される。【００５１】
次に、はんだからなるシートが接合された金属板は、所望の寸法に打ち抜かれ、放熱板１４が得られる。図３には、導電材料１７としてのはんだからなるシートが接合された放熱板１４が図示されている。【００５２】
なお、金属板を予め所望の寸法に打ち抜いて放熱板１４を得てから、はんだからなるシートを溶融接合させてもよい。また、はんだからなるシートに代えて、ソルダペーストを金属板または放熱板１４上に塗布してもよい。【００５３】
次に、半導体素子１２の導体バンプ２１上にフラックスをたとえば転写により付与し、配線基板３のキャビティ１１内の導体膜２５上に導体バンプ２１が位置するように、半導体素子１２が位置合わせされ、その状態で、リフローによって導体バンプ２１が導体膜２０に溶融接合される。その後、洗浄により、フラックスの残渣が除去される。【００５４】
次に、図示を省略するが、アンダーフィル樹脂が、半導体素子１２とキャビティ１１の内面との間に注入され、次いで硬化される。【００５５】
次に、図３に示すように、半導体素子１２の第１の主面１３側に、導電材料１７としてのはんだからなるシートを向けた状態で放熱板１４が半導体素子１２の第１の主面１３に沿って配置される。そして、半導体素子１２の第１の主面１３と放熱板１４との間に導電材料１７としてのはんだを介在させながら、溶融したはんだを、矢印２８で示すように、非貫通の穴１６へと導入する。このとき、非貫通の穴１６による毛細管現象に加えて、金属膜２３による濡れ上がり現象が作用して、導電材料１７としてのはんだは、穴１６内へ迅速にかつ高い充填性をもって導入されることができる。この工程は、たとえば、リフロー炉を用いて実施される。リフロー炉内の雰囲気は、好ましくは還元性雰囲気とされ、温度は、導電材料１７としてのはんだが十分に溶融する温度に選ばれる。リフロー炉内の温度は、一般的には、はんだの融点より３０〜５０℃高い温度に選ばれ、はんだが、たとえばＡｕ２０Ｓｎはんだの場合には、約３２０℃に選ばれることが好ましい。【００５６】
上述のように、非貫通の穴１６内に導入された導電材料１７としてのはんだが固化したとき、非貫通の穴１６がはんだによって充填された状態にある放熱経路１８が形成され、また、放熱板１４がこの導電材料１７としてのはんだを介して半導体素子１２に接合された状態となる。【００５７】
次に、図１に示すように、配線基板３の上面上に、表面実装部品７が実装され、その後、金属カバー８が配線基板３に装着されることによって、電子部品モジュール２が完成される。【００５８】
図４は、電子部品モジュール２、特に半導体装置１の製造方法の他の例を示す、図３に対応する図である。図４において、図２または図３に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。【００５９】
図４に示した製造方法では、放熱経路１８の形成方法に特徴がある。すなわち、非貫通の穴１６内に位置する導電材料１７と半導体素子１２および放熱板１４の間に位置する導電材料１７とが別の工程で付与される。言い換えると、半導体素子１２に放熱板１４を接合する前の段階で半導体素子１２の非貫通の穴１６が導電材料１７によって充填され、その後において、矢印２９で示すように、残りの導電材料１７を介して放熱板１４が半導体素子１２の第１の主面１３側に接合される。【００６０】
上述のように、非貫通の穴１６に充填される導電材料１７としては、流動性のある溶融はんだ、金属ペーストまたは導電性接着剤などを有利に用いることができる。また、非貫通の穴１６内に、金属をめっき成長させたり、薄膜プロセスにより金属膜を積み上げたりすることにより、非貫通の穴１６が導電材料１７によって充填されるようにしてもよい。さらに、非貫通の穴１６内に、別に用意された導電性材料からなる小片を挿入するようにしてもよい。残りの導電材料１７によって、放熱板１４を半導体素子１２に接合するに当たっては、導電材料１７として、はんだ、金属ペーストまたは導電性接着剤などを用いることができる。【００６１】
以上、この発明に係る実施形態について図面を参照しながら説明したが、その他種々の変形例が可能である。【００６２】
たとえば、半導体素子１２に設けられた非貫通の穴１６は、図示の実施形態では、導体膜２０によって底面が規定されたが、半導体素子１２の厚み方向の中間部に穴の底面が位置するようにしてもよい。【００６３】
また、図３を参照して説明した製造方法において、導電材料１７としてはんだを用いたが、はんだに代えて、流動性のある金属ペーストまたは導電性接着剤が用いられてもよい。【００６４】
また、図１に示すように、配線基板３の上面上には、表面実装部品７が実装されたが、このような表面実装部品７に加えて、あるいは表面実装部品７に代えて、たとえば別の半導体素子がフリップチップ実装またはワイヤボンディングによって搭載されてもよい。また、配線基板３の上面上には、表面実装部品７などの部品が搭載されなくてもよい。【００６５】
また、図１に示した電子部品モジュール２において、金属カバー８は、樹脂コートに置き換えられてもよい。【００６６】
また、配線基板３には、図示したキャビティ１１が以外のキャビティがさらに設けられていてもよい。
【図１】
2007138771.tif 000003
【図２】
2007138771.tif 000004
【図３】
2007138771.tif 000005
【図４】
2007138771.tif 000006
【国際調査報告】
2007138771.tif 000007
2007138771.tif 000008
2007138771.tif 000009
2007138771.tif 000010
2007138771.tif 000011