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　特願２０１６−　１８９３０「回路基板」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年１２月　１日出願公開、特開２０１６−２０１５３２、請求項の数（１１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２８年２月３日の出願（パリ条約による優先権主張２０１５年４月８日　韓国）であって、その手続きの経緯は以下のとおりである。
　令和　２年　１月１４日付け：拒絶理由通知
　令和　２年　３月２７日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和　２年　５月１９日付け：拒絶理由（最後の拒絶理由）通知
　令和　２年　７月　２日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和　２年　９月１７日付け：令和２年７月２日の手続補正についての補正の却下の決定、拒絶査定
　令和　３年　１月２７日　　：審判請求書、手続補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定（令和２年９月１７日付け拒絶査定）における拒絶の理由は、次のとおりである。
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
・請求項　１−１１
・引用文献等　３−７
引用文献等一覧
３．特開２０１３−１３５１６８号公報
４．特開２００５−３１１１８２号公報
５．特開２０１２−２５３１６７号公報（周知技術を示す文献）
６．特開２０１４−１９２５１８号公報（周知技術を示す文献）
７．特開２０１１−２２２５７９号公報（周知技術を示す文献；新たに引用された文献）
第３　本願発明
　本願の請求項１ないし１１に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１１」という。）は、令和３年１月２７日の手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定される発明であり、以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　上面と下面とを含む柱形状を有し、熱伝導性物質で形成され、前記上面から前記下面まで貫通する機能孔が備えられた熱伝達用構造体が絶縁部に挿入され、
　前記絶縁部には、さらに、コア層を含むコア部が備えられ、
　前記熱伝達用構造体の表面には、前記熱伝達用構造体と前記絶縁部とが密着するように、プライマー層が備えられ、
　前記プライマー層を貫通する第１ビア及び第２ビアが前記熱伝達用構造体の表面に接触し、
　前記コア層はグラファイトを含み、前記熱伝達用構造体の側面と接触する、回路基板。
　　【請求項２】
　前記機能孔に絶縁物質が充填された請求項１に記載の回路基板。
　　【請求項３】
　前記機能孔に充填された絶縁物質は、前記絶縁部と一体になるように形成される請求項２に記載の回路基板。
　　【請求項４】
　前記熱伝達用構造体の上面に一面が接触する前記第１ビアと、
　前記第１ビアの他面に接触する第１金属パターンと、
　前記第１金属パターンに接続する第１結合部材と、をさらに含む請求項３に記載の回路基板。
　　【請求項５】
　前記第１結合部材は、第１電子部品に接続可能に設けられ、
　前記第１電子部品は、第１領域と、動作の際に前記第１領域よりも温度が高くなる第２領域とを含む請求項４に記載の回路基板。
　　【請求項６】
　前記熱伝達用構造体の少なくとも一部が前記第１電子部品の垂直下方に位置するように形成される請求項５に記載の回路基板。
　　【請求項７】
　前記熱伝達用構造体の下面に一面が接触する前記第２ビアと、
　前記第２ビアの他面に接触する第２金属パターンと、
　前記第２金属パターンに接続する第２結合部材と、をさらに含み、
　前記熱伝達用構造体の熱が前記第２ビア及び前記第２金属パターンを経由して前記第２結合部材に移動する請求項６に記載の回路基板。
　　【請求項８】
　複数の絶縁層と、前記複数の絶縁層に形成される複数の金属層と、前記複数の絶縁層のうちの少なくとも一つの絶縁層を貫通し、前記複数の金属層のうちの少なくとも二つの金属層を接続させる複数のビアと、を含み、
　第１領域と、動作の際に前記第１領域よりも温度が高くなる第２領域とを含む第１電子部品に接続可能な複数のパッドが最外層の表面の金属層に形成された回路基板において、
　キャビティが備えられ、コア層を含むコア部と、
　前記キャビティに少なくとも一部が挿入され、熱伝導性物質で形成された熱伝達用構造体と、
　前記熱伝達用構造体及び前記コア部を覆う絶縁層と、を含み、
　前記コア層はグラファイトを含み、前記熱伝達用構造体の側面と接触し、
　前記熱伝達用構造体は、上面と下面とを含む柱形状を有し、
　前記上面から前記下面まで貫通する機能孔が備えられ、前記絶縁層を形成する物質が前記機能孔に充填され、
　前記熱伝達用構造体の表面には、前記熱伝達用構造体と前記絶縁層とが密着するように、プライマー層が備えられ、
　前記プライマー層を貫通する第１ビア及び第２ビアが形成された、回路基板。
　　【請求項９】
　前記熱伝達用構造体の上面に一面が接触する前記第１ビアと、
　前記第１ビアの他面に接触する第１金属パターンと、
　前記第１金属パターンに接続する第１結合部材と、をさらに含み、
　前記第１結合部材は、前記第１電子部品に接続可能に設けられる請求項８に記載の回路基板。
　　【請求項１０】
　前記熱伝達用構造体の下面に一面が接触する前記第２ビアと、
　前記第２ビアの他面に接触する第２金属パターンと、
　前記第２金属パターンに接続する第２結合部材と、をさらに含み、
　前記第１電子部品の熱が前記第１結合部材、前記第１金属パターン、前記第１ビア、前記熱伝達用構造体、第２ビア及び前記第２金属パターンを経由して前記第２結合部材に移動する請求項９に記載の回路基板。
　　【請求項１１】
　前記複数のパッドには熱が通過する第１パッド及び電気信号が通過する第２パッドが含まれ、前記第１結合部材は、前記第１パッドに接続可能に形成され、前記第２パッドに接続する導体は、前記熱伝達用構造体に接続しない請求項１０に記載の回路基板。」
第４　引用文献、引用発明等
１　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付与した。以下同様。）
「【０００９】
[第１実施形態]
本発明の第１実施形態に係る半田バンプを有するプリント配線板１００の断面が図６に示される。その
プリント配線板１００
銅製の放熱ブロック８０
コア基板３０
に
ビルドアップ層が形成されている。
【００１０】
コア基板３０は
放熱ブロック８０を収容するための貫通孔
２０を有する絶縁性基材３０Ｍ
を有する
主面と副面は対向する
貫通孔２０に
収容されている
放熱ブロックは主面と主面と反対側の副面を有し
「【００１２】
絶縁性基材３０Ｍの主面Ｆと
放熱ブロックの主面上に上側のビルドアップ層が形成され
上側のビルドアップ層は
絶縁層５０Ａと絶縁層上の導体層５８Ａと
絶縁層５０Ａを貫通するビア導体
６０Ｍで形成され
ビア導体
６０Ｍは放熱ブロック
の主面と導体層５８Ａを接続して
【００１３】
絶縁性基材３０Ｍの副面Ｓと
放熱ブロックの副面上に下側のビルドアップ層が形成され
下側のビルドアップ層は
絶縁層５０Ｂと絶縁層上の導体層５８Ｂと
絶縁層５０Ｂを貫通するビア導体
６０Ｄで形成され
ビア導体
６０Ｄは放熱ブロック
の副面と導体層５８Ｂを接続している
「【００３９】
上側のビルドアップ層上に半田バンプ７６Ｕを介して
ＩＣチップ９０がプリント配線板１００へ実装される。そして、プリント配線板１００がマザーボードに実装される（図７）
　図６
図７
　ここで、段落【００１０】に「放熱ブロックは主面と主面と反対側の副面を有している。」の記載を参酌すると、図６より、放熱ブロック８０は、主面と主面と反対側の副面を有している柱形状であることが見て取れる。
　上記記載より、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている（括弧内は、引用文献３の記載箇所を示す。）。
「コア基板３０にビルドアップ層が形成されているプリント配線板１００であって（【０００９】）、
　コア基板３０は放熱ブロック８０を収容するための貫通孔２０を有する絶縁性基材３０Ｍを有し（【００１０】）、
　貫通孔２０に収容されている銅製の放熱ブロック８０は、主面と主面と反対側の副面を有している柱形状であり（【０００９】、【００１０】、図６）、
　絶縁性基材３０Ｍの主面Ｆと放熱ブロックの主面上に上側のビルドアップ層が形成され、
　上側のビルドアップ層は、絶縁層５０Ａと絶縁層上の導体層５８Ａと、絶縁層５０Ａを貫通するビア導体６０Ｍで形成され、
　ビア導体６０Ｍは放熱ブロックの主面と導体層５８Ａを接続しており（【００１２】）、
　絶縁性基材３０Ｍの主面と対向する副面Ｓと放熱ブロックの副面上に下側のビルドアップ層が形成され、
　下側のビルドアップ層は、絶縁層５０Ｂと絶縁層上の導体層５８Ｂと、絶縁層５０Ｂを貫通するビア導体６０Ｄで形成され、
　ビア導体６０Ｄは放熱ブロックの副面と導体層５８Ｂを接続している（【００１０】、【００１３】）、
　プリント配線板１００。」
２　引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２３】
　
基板３５は、
金属基材４２と、樹脂３８
を有した構成とされている。基板３５は、異なる熱膨張係数を有した半導体素子３１と実装基板４１とを
接続する
「【００３０】
　上記説明したように、
金属基材４２の半導体素子３１が接続される接続領域Ａに貫通穴３７を形成し、金属基材４２の実装基板４１が接続される接続領域Ｂに貫通穴３７よりも穴径の大きな貫通穴３６を形成して、貫通穴３６，３７に樹脂３８を充填することで、半導体素子３１と基板３５との間の熱膨張係数の差と、実装基板４１と基板３５との間の熱膨張係数の差とを小さくして、半導体素子３１及び実装基板４１が破損することを防止する
　図２から、樹脂３８に覆われた金属基材４２で構成された基板３５が見て取れる。
　以上の記載より、引用文献４には次の事項が記載されている。
・異なる熱膨張係数を有した半導体素子３１と実装基板４１とを接続するための基板３５であって、基板３５は樹脂３８に覆われた金属基材４２で構成されている（【００２３】、図２）。
・金属基材４２の半導体素子３１が接続される接続領域Ａに貫通穴３７を形成し、金属基材４２の実装基板４１が接続される接続領域Ｂに貫通穴３７よりも穴径の大きな貫通穴３６を形成して、貫通穴３６，３７に樹脂３８を充填することで、半導体素子３１と基板３５との間の熱膨張係数の差と、実装基板４１と基板３５との間の熱膨張係数の差とを小さくして、半導体素子３１及び実装基板４１が破損することを防止する（【００３０】）。
　上記記載事項より、引用文献４には次の技術が記載されているといえる。
「基板における半導体素子が接続される接続領域、及び基板における実装基板が接続される接続領域において、基板を構成する基材に貫通穴を形成して樹脂を充填することにより、半導体素子と基板との間及び実装基板と基板との間の熱膨張係数の差を小さくして、半導体素子及び実装基板が破損することを防止する技術。」
３　引用文献５について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００４５】
［金属ベース材３１］
  金属ベース材３１の材質は、特に限定されるものではないが、アルミニウム、鉄、銅、ステンレス又はこれらの合金が好ましく、特に、放熱性、価格、軽量性及び加工性の面でバランスが取れているという点で、アルミニウムが好ましい。また、金属ベース材３１は、熱伝導性絶縁層３２との密着性を向上させるため、熱伝導性絶縁層３２との接着面に、アルマイト処理、脱脂処理、サンドブラスト、エッチング、各種メッキ処理、カップリング剤などを使用したプライマー処理などの各種表面処理が施されていることが望ましい。」
４　引用文献６について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献６には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２３】
  ２枚の金属板２、３で挟まれた半導体チップ９、ボンディングワイヤ１５、ゲート端子１４の先端（ボンディングワイヤ１５との接続している側）は、プライマ（プライマ層７）で被覆され、その上を樹脂パッケージ１２でモールドされている。プライマは、硬い樹脂パッケージ１２と金属板２、３や半導体チップ９の間の接合性を高めるために塗布される下地材である。典型的には、樹脂パッケージにはエポキシ系の樹脂が用いられ、プライマには熱硬化ポリイミド系の樹脂が用いられる。プライマ層７は、樹脂パッケージ１２を生成する前に、金属板２、３に半導体チップ９がハンダ付けされたアセンブリの全体をプライマの溶液に浸して塗布され、形成される。樹脂パッケージ１２は、プライマ層７が形成されたアセンブリを金型に入れ、溶融したエポキシ系の樹脂を射出成形して作られる。樹脂パッケージ１２用のエポキシ系樹脂には、剛性を増すために金属フィラーが混合される場合がある。そのような場合、樹脂パッケージ１２と金属板等の接合性がさらに低くなるので、プライマ層７の重要性が増す。なお、プライマ層７の厚みは１０〜２０ミクロン程度であり、非常に薄いが、図３ではプライマ層７の厚みをデフォルメして描いてあること留意されたい。」
５　引用文献７について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献７には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００１７】
  ＜硬化型熱伝導性組成物の硬化物層＞  図１を参照して、硬化型熱伝導性組成物の硬化物層１４は、発熱体１１a、１１b、放熱体１３と接する。これらの接触面は、熱抵抗ができる限り小さくなるよう密着している必要がある。これにより、発熱体から生じる熱を効率よく放熱体に伝えることが可能となる。硬化型熱伝導性組成物をプライマーを用いて接着することにより、硬化型熱伝導性組成物の硬化物層と、他構成物との間の熱抵抗を非常に小さくすることが可能である。」
第５　対比、判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明の「主面と主面と反対側の副面を有している柱形状」である「銅製の放熱ブロック８０」は、本願発明１の「上面と下面とを含む柱形状を有し、熱伝導性物質で形成」された「熱伝達用構造体」に相当する。
　但し、熱伝達用構造体が、本願発明１は「前記上面から前記下面まで貫通する機能孔が備えられ」ているのに対して、引用発明はそのような特定がない点で相違する。
イ　引用発明の「放熱ブロック８０」は「絶縁性基材３０Ｍ」の「貫通孔２０に収容され」、「放熱ブロックの主面上に」「絶縁層５０Ａ」からなる「上側のビルドアップ層が形成され」、「放熱ブロックの副面上に」「絶縁層５０Ｂ」からなる「下側のビルドアップ層が形成され」ているので、「放熱ブロック」は、「絶縁性基材３０Ｍ」、「絶縁層５０Ａ」及び「絶縁層５０Ｂ」に取り囲まれている。このことは、「放熱ブロック」が絶縁部に挿入されているともいえる。
　そうすると、引用発明において、「放熱ブロック」が、「絶縁性基材３０Ｍ」、「絶縁層５０Ａ」及び「絶縁層５０Ｂ」に取り囲まれていことは、本願発明１の「熱伝達用構造体が絶縁部に挿入され」ていることに相当する。
ウ　本願明細書の「絶縁部１２０が３層の絶縁層１０、１２１、１２１'で構成され、中心部に位置する絶縁層がコア部１０である場合が示されている」（段落【００２５】）の記載を参酌すると、引用発明の両面に「ビルドアップ層が形成されている」「絶縁性基材３０Ｍ」は、本願発明１の「前記絶縁部」に備えられた「コア部」に相当する。
　但し、コア部について、本願発明１は「コア部が」「コア層を含」み、「前記コア層はグラファイトを含み、前記熱伝達用構造体の側面と接触する」のに対して、引用発明にそのような特定がない点で相違する。
エ　引用発明の「放熱ブロック８０」には、絶縁性基材３０Ｍ、絶縁層５０Ａ及び絶縁層５０Ｂとの密着性を高める層は設けられていない。
　そうすると、本願発明１は「前記熱伝達用構造体の表面には、前記熱伝達用構造体と前記絶縁部とが密着するように、プライマー層が備えられ」ているのに対して、引用発明はそのような特定がない点で相違する。
オ　引用発明において「ビア導体６０Ｍは放熱ブロック主面と導体層５８Ａを接続しており」「ビア導体６０Ｄは放熱ブロックの副面と導体層５８Ｂを接続している」ことは、本願発明１の「第１ビア及び第２ビアが前記熱伝達用構造体の表面に接触」することに相当する。
　但し、第１ビア及び第２ビアについて、本願発明１が「前記プライマー層を貫通する」のに対して、引用発明はそのような特定がない点で相違する。
カ　引用発明の「プリント配線板１００」は「コア基板３０にビルドアップ層が形成されている」ので、本願発明１の「コア部が備えられ」た「絶縁部」を有する「回路基板」に相当する。
キ　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点及び相違点があるといえる。
（一致点）
「上面と下面とを含む柱形状を有し、熱伝導性物質で形成された熱伝達用構造体が絶縁部に挿入され、
　前記絶縁部にはコア部が備えられ、
　第１ビア及び第２ビアが前記熱伝達用構造体の表面に接触する、回路基板。」
（相違点１）
　熱伝達用構造体が、本願発明１は「前記上面から前記下面まで貫通する機能孔が備えられ」ているのに対して、引用発明はそのような特定がない点。
（相違点２）
　コア部について、本願発明１は「コア部が」「コア層を含」み、「前記コア層はグラファイトを含み、前記熱伝達用構造体の側面と接触する」のに対して、引用発明にそのような特定がない点。
（相違点３）
　本願発明１は「前記熱伝達用構造体の表面には、前記熱伝達用構造体と前記絶縁部とが密着するように、プライマー層が備えられ」ているのに対して、引用発明はそのような特定がない点。
（相違点４）
　第１ビア及び第２ビアについて、本願発明１が「前記プライマー層を貫通する」のに対して、引用発明はそのような特定がない点。
（２）相違点についての判断
　まず、相違点１について検討する。
　引用発明の「放熱ブロック８０」には、上面から下面まで貫通する孔は存在しない。そして、引用文献３には、放熱ブロック８０に孔をあける等の加工を施すことの記載も示唆もないことから、引用発明において、「放熱ブロック８０」に上面から下面まで貫通する機能孔を設けることの動機はない。
　引用文献４には、基板における半導体素子が接続される接続領域、及び基板における実装基板が接続される接続領域において、基板を構成する基材に貫通穴を形成して樹脂を充填することにより、半導体素子と基板との間及び実装基板と基板との間の熱膨張係数の差を小さくして、半導体素子及び実装基板が破損することを防止する技術が記載されている（上記「第４　２」）。
　ここで、引用発明の「プリント配線板１００」は、ＩＣチップ９０をマザーボードに実装するために、ＩＣチップ９０とマザーボードとを接続するためのものである（【００３９】、図７）。
　そうすると、ＩＣチップ及びマザーボードの熱膨張係数は、一般的に異なるのであるから、ＩＣチップ及びマザーボードが破損することを防止するため引用発明の「プリント配線板１００」に、引用文献４に記載された、半導体素子と基板との間及び実装基板と基板との間の熱膨張係数の差を小さくして、破損することを防止する技術の適用を試みることは、当業者が容易に想到し得ることであるといえる。
　しかしながら、引用発明に上記技術を適用したものは、ＩＣチップ及びマザーボードが破損することを防止するために、プリント配線板１００とＩＣチップとの接続領域及びプリント配線板１００とマザーボードとの接続領域の全てに渡る領域において、プリント配線板１００の基材をなす絶縁性基材３０Ｍに貫通穴を形成して樹脂を充填することによりプリント配線板１００の熱膨張係数を調整することになる。よって、絶縁性基材３０Ｍに貫通穴を形成して樹脂を充填することに換えて、「放熱ブロック８０」のみに貫通する穴を設けて、上記相違点１に係る構成を得ることは、当業者が容易になしえたこととはいえない。
　また、引用文献５ないし７はプライマーについて記載されているが、回路基板の熱伝達用構造体に、上面から下面まで貫通する機能孔を設けることは記載されていない。
　したがって、上記相違点１に係る構成は、引用発明、引用文献４ないし７に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　よって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用発明及び引用文献４ないし７に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
２　本願発明２ないし７について
　本願発明２ないし７も、本願発明１の「前記上面から前記下面まで貫通する機能孔が備えられた熱伝達用構造体」（相違点１に係る構成）を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明及び引用文献４ないし７に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
３　本願発明８ないし１１について
　本願発明８ないし１１も、本願発明１の「前記上面から前記下面まで貫通する機能孔が備えられ」た「熱伝達用構造体」を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明及び引用文献４ないし７に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
第６　原査定について
　本願発明１ないし１１は「前記上面から前記下面まで貫通する機能孔が備えられた熱伝達用構造体」を有するものであり、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献３ないし７に基づいて、容易に発明できたものとはいえない。したがって、原査定の理由を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。