【手続補正書】
【提出日】平成31年3月1日(2019.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理チャンバのためのエッジリングアセンブリであって、
第１のＲＦ電源に電気的に接続されるように構成されている静電チャック（ＥＳＣ）を取り囲むように構成されているエッジリングと、前記ＥＳＣは、基板を支持するための上面と、前記上面を取り囲む環状段差とを有し、前記環状段差は、前記上面よりも低い環状棚を画定し、
前記エッジリングの下方且つ前記環状棚の上方に配置されている環状電極と、
前記環状電極を前記ＥＳＣから隔離するために前記環状電極の下方に配置され、前記環状棚の上に位置決めされている誘電体リングと、
前記ＥＳＣを通るように及び前記誘電体リングを通るように配置されている複数の絶縁コネクタであって、第２のＲＦ電源と前記環状電極との間の電気的な接続をそれぞれ提供する複数の絶縁コネクタと、
を備えるエッジリングアセンブリ。
【請求項２】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記複数の絶縁コネクタのそれぞれは、同軸コネクタとして定められる、エッジリングアセンブリ。
【請求項３】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記複数の絶縁コネクタは、前記第２のＲＦ電源を前記第１のＲＦ電源から隔離するように構成されている、エッジリングアセンブリ。
【請求項４】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記エッジリングは上面を有し、前記エッジリングの前記上面は前記エッジリングの内径に画定されている段差エッジを有し、前記段差エッジの下部は前記基板が存在するときに前記基板が前記段差エッジの前記下部の上に延伸するように、前記ＥＳＣの前記上面よりも低い高さに位置するように構成されている、エッジリングアセンブリ。
【請求項５】
請求項４に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記環状電極の少なくとも一部は、前記エッジリングの前記段差エッジの下方に配置されている、エッジリングアセンブリ。
【請求項６】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
プラズマ処理時における前記環状電極へのＲＦ電力の印加は、前記プラズマ処理時に形成されるプラズマシースを、前記エッジリングを実質的に覆うように画定されている空間領域内へ放射状に広がらせる、エッジリングアセンブリ。
【請求項７】
請求項６に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記プラズマ処理時における前記環状電極への前記ＲＦ電力の印加は、前記基板のエッジ領域におけるイオン集束を低減する、エッジリングアセンブリ。
【請求項８】
請求項７に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記プラズマ処理時における前記環状電極への前記ＲＦ電力の印加は、前記基板の前記エッジ領域における、前記基板の上面に垂直な方向からのイオン軌道の傾斜を減少させる、エッジリングアセンブリ。
【請求項９】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記環状電極は、約５〜２８ミリメートルの半径方向幅を有する、エッジリングアセンブリ。
【請求項１０】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記環状電極は、約０．５〜５ミリメートルの厚さを有する、エッジリングアセンブリ。
【請求項１１】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記環状電極は、複数の同心電極として定められ、前記複数の同心電極のぞれぞれは、前記第２のＲＦ電源に電気的に接続されている、エッジリングアセンブリ。
【請求項１２】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記環状電極は、導電性材料の網の目状構造として定められる、エッジリングアセンブリ。
【請求項１３】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記環状電極は、前記エッジリングと一体化されている、エッジリングアセンブリ。
【請求項１４】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記環状電極は、前記エッジリングの半径方向幅と少なくとも同じ幅の半径方向幅を有する、エッジリングアセンブリ。
【請求項１５】
プラズマ処理のためのシステムであって、
プロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバ内に配置されている静電チャック（ＥＳＣ）であって、プラズマ処理時に基板を支持するように構成されている上面を有し、更に、前記上面を取り囲む環状段差を含む、静電チャック（ＥＳＣ）と、前記環状段差は前記上面よりも低い高さに環状棚を画定し、前記環状棚はエッジリングアセンブリに適応するように構成され、前記エッジリングアセンブリは前記ＥＳＣを取り囲むように構成されているエッジリングを含み、前記エッジリングの下方には、環状電極が配置され、前記環状電極の下方且つ前記環状棚の上方には誘電体リングが配置され、
前記ＥＳＣ内に配置されたバイアス電極であって、前記基板上にバイアス電圧を生成するために、第１のＲＦ電源からＲＦ電力を受信するように構成されているバイアス電極と、
前記ＥＳＣを通るように配置され、前記誘電体リングを通るように配置されるように構成されている複数の絶縁コネクタを備え、前記複数の絶縁コネクタのそれぞれは、第２のＲＦ電源と前記環状電極との間の電気的な接続を提供するように構成されている、システム。
【請求項１６】
請求項１５に記載のシステムであって、
前記複数の絶縁コネクタのそれぞれは、同軸コネクタとして定められる、システム。
【請求項１７】
請求項１５に記載のシステムであって、
前記複数の絶縁コネクタは、前記第２のＲＦ電源を前記第１のＲＦ電源から隔離するように構成されている、システム。
【請求項１８】
プラズマ処理のためのシステムであって、
プロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバ内に配置され、プラズマ処理時に基板を支持するように構成された上面を有し、更に、前記上面を取り囲む環状段差を含む静電チャック（ＥＳＣ）と、前記環状段差は、前記上面よりも低い高さに環状棚を画定し、前記環状棚は、エッジリングアセンブリに適応するように構成され、前記エッジリングアセンブリは、前記ＥＳＣを取り囲むように構成されているエッジリングを含み、前記エッジリングアセンブリは、更に、誘電体リングを含み、
前記ＥＳＣ内に配置されているバイアス電極であって、前記基板上にバイアス電圧を生成するために、第１のＲＦ電源からＲＦ電力を受信するように構成されているバイアス電極と、
前記ＥＳＣ内に配置されている環状電極であって、前記ＥＳＣの前記上面の周縁領域の下方に配置されている環状電極と、
前記ＥＳＣを通るように配置されている複数の絶縁コネクタであって、第２のＲＦ電源と前記環状電極との間の電気的な接続をそれぞれ提供するように構成されている複数の絶縁コネクタと、
を備え、
前記誘電体リングは、前記環状電極の下方に且つ前記環状棚の上方に配置されている、システム。
【請求項１９】
請求項１８に記載のシステムであって、
前記環状電極及び前記複数の絶縁コネクタは、前記第２のＲＦ電源を前記第１のＲＦ電源から隔離するように構成されている、システム。
【請求項２０】
請求項１８に記載のシステムであって、
前記環状電極の第１の部分は、前記ＥＳＣの前記上面上にあるときの前記基板の下方に配置され、前記環状電極の第２の部分は、前記基板の直径を超えて半径方向に広がる、システム。
【請求項２１】
請求項１８に記載のシステムであって、
前記第１のＲＦ電源及び前記第２のＲＦ電源は、既定の位相角差でそれぞれのＲＦ電力を提供するように構成されている、システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
図２Ｂ−１は、本開示の実装形態に従う、エッジリングアセンブリ２００の拡大断面図を示している。一部の実装形態では、エッジリングアセンブリ２００は、上面２１３を有するエッジリング２１０と、該エッジリング２１０の下方に位置決めされる誘導体リング２１１とを含む。誘電体リング２１１の下方には、更に、部分２１２が位置決めされる。環状電極２０２は、エッジリング２１０と誘電体リング２１１との間に位置決めされる。