【事件の表示】
　特願２０１６−１１０１５２「固体撮像素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年１２月　７日出願公開、特開２０１７−２１６３９６、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２８年６月１日の出願であって、令和２年３月２３日付けで拒絶理由通知がされ、同年５月１８日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出され、同年１０月２２日付けで拒絶査定（原査定）がされ、これに対し、令和３年１月２５日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（令和２年１０月２２日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
１　本願請求項１〜６に係る発明は、以下の引用文献１に記載された発明及び以下の引用文献２〜４に記載された周知技術に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
　１.特開２０１４−２０３９６１号公報
　２.特開２０１１−１１９４８４号公報（周知技術を示す文献）
　３.特開平９−２５２１０３号公報（周知技術を示す文献）
　４.特開２０１１−１５１４２０号公報（周知技術を示す文献）
第３　本願発明
　本願請求項１−３に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明３」という。）は、令和３年１月２５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−３に記載された事項により特定される発明であり、以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
支持基板と、
　前記支持基板上に形成された、二次元状に配列された複数の光電変換素子を有する半導体層と、
　前記支持基板と前記半導体層との間に設けられた光反射構造と、
を備え、
　前記光反射構造は、前記半導体層側に平面を有する複数の半球を有する光透過層、前記光透過層の複数の前記半球の表面を一体に覆う反射金属及び前記反射金属とは異なる材料で形成された平坦化層を有し、
かつ前記光反射構造は、前記光電変換素子の下部に位置し、前記半球のそれぞれが複数の前記光電変換素子に対応して複数配列されている固体撮像素子。
【請求項２】
　前記光透過層は、非ドープ型窒化シリコン又は非ドープ型酸化シリコンを含む
請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
　前記支持基板は、石英又はシリコンを含む
請求項１又は２に記載の固体撮像素子。」
第４　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審で付加した。以下同じ。）。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
光電変換部を有する第１部材と、
　
凹面部を有する反射板を含む第２部材と
　
を備え、
　
前記第２部材は、前記第１部材の光入射面と反対側に、前記反射板の前記凹面部を前記光電変換部に向けて貼り合わせられた
　
固体撮像装置
【請求項２】
　
前記反射板は、上面に前記凹面部を有し、下面に平坦部を有する
　
請求項１記載の固体撮像装置
【請求項３】
　
前記凹面部は、絶縁膜の溝部に埋め込んだ金属材料膜を化学的機械的研磨法によりディッシングさせることにより形成された
　
請求項１記載の固体撮像装置
「【技術分野】
【０００１】
　本開示は、光電変換部の光入射面と反対側に反射板を有する固体撮像装置およびその製造方法、ならびにこの固体撮像装置を備えた電子機器に関する。」
「【００１３】
（第１の実施の形態）
　図１は、本開示の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の断面構成を表したものである。この固体撮像装置１は、カメラ等の電子機器に用いられるものであり、第１部材１０と第２部材２０とを接合面３０で貼り合わせた構成を有している。第１部材１０は、光電変換部１１を有するイメージセンサ基板である。第２部材２０は、凹面部２１Ａを有する反射板２１を含む反射板形成基板である。
第２部材２０は、第１部材１０の光入射面１０Ａと反対側に、反射板２１の凹面部２１Ａを光電変換部１１に向けて貼り合わせられている
【００１４】
　第１部材１０は、例えば、光電変換部１１の下方に、絶縁膜１２Ａ，１２Ｂと、ゲート電極１３と、第１金属配線層４１と、第２金属配線層４２とを、光電変換部１１に近い方からこの順に有している。光電変換部１１の上方には、層間絶縁膜１４を間にして、マイクロレンズ１５が配設されている。
【００１５】
　
第２部材２０は
半導体基板
２３上に、絶縁膜２２Ａと、反射板２１と、絶縁膜２２Ｂとをこの順に有している
【００１６】
　光電変換部１１は、例えば、ｐｎ接合を有するフォトダイオード（Photo Diode）からなる無機光電変換部である。
光電変換部１１は、半導体基板
１６
上に成長した半導体層１７の内部に設けられている
【００１７】
　絶縁膜１２Ａ，１２Ｂは、光電変換部１１の下方に設けられ、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）により構成されている。
【００１８】
　ゲート電極１３は、光電変換部１１からの信号電荷を転送するものであり、図示しないソースおよびドレインと共に転送トランジスタを構成している。
【００１９】
　第１金属配線層４１および第２金属配線層４２は、光電変換部１１の駆動、信号伝達、各部への電圧印加などを行うものであり、絶縁膜１２Ｂ中に設けられている。なお、図１では金属配線層として第１金属配線層４１および第２金属配線層４２の二層が設けられている場合を表しているが、金属配線層の積層数や構成は特に限定されない。
【００２０】
　層間絶縁膜１４は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）により構成されている。マイクロレンズ１５は、その上方から入射した光を、光電変換部１１の受光面へ集光させるものである。
【００２１】
　
反射板２１は、第１部材１０を透過してきた光Ｌ１を反射させて、光電変換部１１に向けて戻すことにより感度を向上させるものである。
【００２２】
　絶縁膜２２Ａ，２２Ｂは、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）により構成されている。
【００２３】
　この固体撮像装置１は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００２４】
　図２ないし図１１は、この固体撮像装置１の製造方法を工程順に表したものである。まず、第２半導体基板、例えばシリコン基板２３に、凹面部２１Ａを有する反射板２１を形成し、第２部材２０を形成する。
【００２５】
　すなわち、まず、図２に示したように、シリコン基板２３に、上述した材料よりなる絶縁膜２２Ａを形成する。
【００２６】
　次いで、
図３に示したように、
絶縁膜２２Ａに、反射板２１を形成するための溝部２４Ａを設ける
【００２７】
　続いて、図４に示したように、
絶縁膜２２Ａの上面および溝部２４Ａ内に、金属材料膜２５Ａを形成する
【００２８】
　そののち、
金属材料膜２５Ａを化学的機械的研磨法（ＣＭＰ；Chemical Mechanical Polishing）により研磨し、溝部２４Ａ内以外の金属材料膜２５Ａを除去する
これにより、図５に示したように、反射板２１が形成される
このとき、反射板２１は、上面が断面円弧状に窪み、凹面部２１Ａとなる
【００２９】
　
すなわち、溝部２４Ａ内以外の金属材料膜２５Ａが除去された状態からオーバー研磨を行うことで、反射板２１の上面はディッシングと称される現象により窪んでいく
【００３０】
　反射板２１を形成したのち、図６に示したように、絶縁膜２２Ａおよび反射板２１の上に、上述した材料よりなる絶縁膜２２Ｂを形成する。このとき、反射板２１上には、反射板２１に用いた材料が絶縁膜２２Ｂへと拡散するのを抑制するための拡散防止膜となるシリコン窒化膜、あるいは、シリコンカーバイド膜、シリコン窒化カーバイド膜などを形成する場合もあるが、図中では省略する。
【００３１】
　続いて、
図７に示したように、例えばＣＭＰ法により、絶縁膜２２Ｂの上面を平坦化する。以上により、第２部材２０が形成される
【００３２】
　一方、図８に示したように、第１半導体基板、例えばシリコン（Ｓｉ）基板１６に光電変換部１１を形成し、第１部材１０を形成する。
【００３３】
　すなわち、シリコン基板１６上に半導体層１７を成長させ、この半導体層１７内に光電変換部１１を形成する。次いで、半導体層１７の上に、絶縁膜１２Ａを形成する。続いて、絶縁膜１２Ａの上に、ゲート電極１３，絶縁膜１２Ｂ，第１金属配線層４１および第２金属配線層４２を形成する。これにより、第１部材１０が形成される。
【００３４】
　そののち、同じく図８に示したように、第２部材２０を、第１部材１０の光入射面１０Ａと反対側に、反射板２１の凹面部２１Ａを光電変換部１１に向けて貼り合わせる。貼り合わせ方法としては、例えばプラズマ照射による表面活性化接合法を用いることが可能である。
【００３５】
　続いて、図９に示したように、例えば研削加工法により、第１部材１０のシリコン基板１６を除去する。
【００３６】
　そののち、図１０に示したように、光電変換部１１上に層間絶縁膜１４を形成する。続いて図１１に示したように、層間絶縁膜１４上にマイクロレンズ１５を配設する。以上により、図１に示した固体撮像装置１が完成する。
【００３７】
　
図１２および図１３は、凹面部２１Ａの窪み量の制御方法を説明するためのものであり、溝部２４および隣接する絶縁膜２２Ａの寸法と凹面部２１Ａの窪み量との関係を表している。図１２に示したように、絶縁膜２２Ａの幅Ｗ１の溝部２４Ａの幅Ｗ２に対する比率が大きい場合には、凹面部２１Ａの窪み量Ｄは小さくなる。一方、図１３に示したように、絶縁膜２２Ａの幅Ｗ１が狭くなるに従い、凹面部２１Ａの窪み量Ｄは大きくなる。
溝部２４Ａと絶縁膜２２Ａとの寸法比率Ｗ２：Ｗ１を最適にすることにより、所望の曲率を有する反射板２１を形成することが可能となる
【００３８】
　ここで、
絶縁膜２２Ａの寸法Ｗ１は、溝部２４Ａの寸法Ｗ２の１／３（３分の１）以下にすることが好ましい
【００３９】
　この固体撮像装置１では、光電変換部１１に、マイクロレンズ１５を介して
光Ｌ１が入射すると、光Ｌ１は、光電変換部１１を通過し、その通過過程において光電変換される
光電変換部１１を透過してきた光Ｌ１は、反射板２１の凹面部２１Ａによって反射され、その反射光Ｌ２が再び光電変換部１１へと入射し
・・・
【００４１】
　また、図１５に示したように、第１部材１０と第２部材２０との貼り合わせ工程を行わずに断面円弧状の反射板２１を形成するには、例えば、次のような方法が考えられる。すなわち、シリコン基板１６に光電変換部１１を形成し、絶縁膜１２Ａで被覆する。続いて、絶縁膜１２Ａの上に下地層１２Ｃを形成し、この下地層１２Ｃをエッチングによりドーム状に成形し、その上に反射板２１となる金属材料層を成膜する。しかし、この方法では、
下地層１２Ｃをドーム状に成形するためのエッチング制御が困難
【００４２】
　これに対して本実施の形態では、光電変換部１１を有する第１部材１０と、凹面部２１Ａを有する反射板２１を含む第２部材２０とを接合面３０で貼り合わせるようにしている。よって、
困難なエッチング制御を用いることなく、ＣＭＰのオーバー研磨によるディッシングという簡素な工程で、凹面部２１Ａを有する反射板２１を含む第２部材２０を形成することが可能となり
【００４３】
　このように本実施の形態では、光電変換部１１を有する第１部材１０と、凹面部２１Ａを有する反射板２１を含む第２部材２０とを接合面３０で貼り合わせるようにしている。よって、
困難なエッチング制御を用いることなく、ＣＭＰのオーバー研磨によるディッシングという簡素な工程で、凹面部２１Ａを有する反射板２１を含む第２部材２０を形成することが可能となる
【００４４】
　また、反射板２１の凹面部２１Ａは、金属材料膜２５Ａの化学的機械的研磨によるディッシング現象を利用して形成されているので、溝部２４Ａの幅Ｗ２を適切に設定することにより、窪み量Ｄの制御性を高め、感度のばらつきが小さい固体撮像装置１を得ることが可能となる。
【００４５】
（変形例１〜４）
　図１６ないし図１９は、反射板２１の平面構成の変形例１〜４を表したものである。図１６ないし図１８は、単位画素領域ＰＸＬが正方形の場合を表し、図１９は単位画素領域ＰＸＬが長方形の場合を表している。
【００４６】
（変形例１）
　反射板２１は、例えば図１６に示したように、矩形状の平面形状を有している。反射板２１と絶縁膜２２Ａとの寸法比率Ｗ２：Ｗ１は、上述したように適切に設定することにより、凹面部２１Ａの窪み量Ｄを制御することが可能となる。」
　図１〜１３、１６は、以下のとおりのものである。
　図１から、反射板２１は、それぞれは光電変換部１１の下部に位置していることが見てとれる。
　図１６から、二次元状に配列された複数の単位画素領域ＰＸＬが見てとれる。
（２）ア　上記（１）で摘記した、引用文献１の段落【００１３】の「第２部材２０は、第１部材１０の光入射面１０Ａと反対側に、反射板２１の凹面部２１Ａを光電変換部１１に向けて貼り合わせられている。」との記載、段落【００２１】の「反射板２１は、第１部材１０を透過してきた光Ｌ１を反射させて、光電変換部１１に向けて戻すことにより感度を向上させるものである。」との記載、及び段落【００３９】の「光電変換部１１を透過してきた光Ｌ１は、反射板２１の凹面部２１Ａによって反射され、その反射光Ｌ２が再び光電変換部１１へと入射し」との記載、並びに図１から、引用文献１には、「反射板２１は、光電変換部１１の下部に位置し、反射板２１のそれぞれが複数の光電変換部１１に対応して設けられている。」との技術的事項が記載されているものと認められる。
イ　固体撮像装置において、各単位画素領域が、それぞれ光電変換部を有することは技術常識であるから、上記（１）で摘記した、引用文献１の段落【００４５】〜【００４６】の記載及び図１６から、引用文献１には、固体撮像装置１が有する光電変換部１１は、「二次元状に配列された複数の光電変換部１１」であるとの技術的事項が記載されているものと認められる。
（３）上記（１）、（２）から、上記引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「二次元状に配列された複数の光電変換部１１を有する第１部材１０と、凹面部２１Ａを有する反射板２１を含む第２部材２０とを備え、
　前記第２部材２０は、前記第１部材１０の光入射面１０Ａと反対側に、前記反射板２１の前記凹面部２１Ａを前記光電変換部１１に向けて貼り合わせられており、
　前記反射板２１は、上面に前記凹面部２１Ａを有し、下面に平坦部２１Ｂを有し、
　前記凹面部２１Ａは、絶縁膜２２Ａの溝部２４Ａに埋め込んだ金属材料膜２５Ａを化学的機械的研磨法によりディッシングさせることにより形成された固体撮像装置１であって、
　第２部材２０は、半導体基板２３上に、絶縁膜２２Ａと、反射板２１と、絶縁膜２２Ｂとをこの順に有しており、絶縁膜２２Ｂの上面は平坦化されており、
　光電変換部１１は、半導体基板１６上に成長した半導体層１７の内部に設けられており、
　反射板２１は、光電変換部１１の下部に位置し、反射板２１のそれぞれが複数の光電変換部１１に対応して設けられており、
　入射光Ｌ１は、光電変換部１１を通過し、光電変換部１１を透過してきた光Ｌ１は、反射板２１の凹面部２１Ａによって反射され、その反射光Ｌ２が再び光電変換部１１へと入射する固体撮像装置１。」
２　その他の引用文献について
（１）引用文献２について
　また、原査定で周知技術を示す文献として引用された上記引用文献２には、図面とともに以下の事項が記載されている。
「【００４５】
　図１において、本実施形態１の
固体撮像素子２０は
半導体基板１の表面側に複数の受光部２（フォトダイオード）が
２次元状でマトリクス状に配置されている
・・・
【００４９】
　一方、半導体基板１の裏面側には、各受光部２にそれぞれ対応するように、反射材１１を凹面鏡形状にするための表面が凸レンズ状光透過材である透明材１２がそれぞれ形成されている。つまり、半導体基板１の裏面には、
各受光部２にそれぞれ対応する位置に凸状表面を持つ透明材１２と、透明材１２上に形成された反射材１１とにより、各受光部２側からの光を反射材１１の内面で反射させて各受光部２側にそれぞれ集光して戻すための凹面鏡手段１３が構成されている
【００５０】
　このように、透明材１２上に反射材１１が形成され、反射材１１の内面（凹面鏡）で光を各受光部２側にそれぞれ集光させて反射させる。反射材１１の凹面鏡の焦点は、マイクロレンズ１０により入射光が各受光部２にそれぞれ集光する入射光焦点位置Ｆに合わせて集光するように構成している。要するに、各受光部２の裏面側に、内面が凹面鏡をした反射材１１を、各受光部２などを透過した入射光が反射材１１の凹面鏡で反射し、反射材１１の凹面鏡からの反射光がマイクロレンズ１０からの各受光部２の入射光焦点位置Ｆで焦点を結ぶように、凹面鏡形状の曲率を設定している。
【００５１】
　凹面鏡手段１３の凹面形状による反射光焦点位置Ｆと、マイクロレンズ１０による入射光焦点位置Ｆとは互いに一致して共に受光部２の所定位置に設定されている。より詳しくは、凹面鏡手段１３およびマイクロレンズ１０の各入射光焦点位置Ｆが共にＮ型半導体領域２ａとその表面のＰ型半導体領域２ｂとのＰＮ接合位置に設定されている。
【００５２】
　透明材１２の材質は、酸化シリコン膜または窒化シリコン膜などの透明シリコン系膜であり、反射材１１の材質はアルミニュウムなどの金属膜である。また、凹面鏡手段１３の平面視外形は、受光部２の平面視形状（正方形または矩形など４角形状）を内包する平面視矩形であって、透明材１２と半導体基板１との接着面の後述の直径δとする円を内包する平面視矩形である。」
　図１は、以下のとおりのものである。
　上記記載からみて、当該引用文献２には、以下の技術的事項が記載されていると認められる。
「半導体基板１の表面側に複数の２次元状でマトリクス状に配置されている受光部２を有する固体撮像素子２０において、
　各受光部２にそれぞれ対応する位置に凸状表面を持つ透明材１２と、透明材１２上に形成された反射材１１とにより、各受光部２側からの光を反射材１１の内面で反射させて各受光部２側にそれぞれ集光して戻すための凹面鏡手段１３が構成されていること。」
（２）引用文献３について
　また、原査定で周知技術を示す文献として引用された上記引用文献３には、図面とともに以下の事項が記載されている。
「【００１２】図１は、図４と対比により示す光電変換部の断面を示す断面図である。本発明の実施の形態に係る
ＣＣＤ固体撮像素子は、この光電変換部２０をマトリックス状に配置して形成される
【００１３】ここで
この光電変換部２０は
光電変換領域の下層に
反射膜２１が形成される
この反射膜２１は、光電変換領域の下側において、断面が円弧形状になるように凹状に形成され、これにより光電変換領域を透過してこの反射膜２１にまで到達した入射光を光電変換領域に向けて反射するようになされている
【００１４】これにより図２に示すように、光電変換領域を透過してポテンシャルバリアーを飛び越えるような長波長の入射光については、再び光電変換領域に戻して光電変換に利用することができる。従ってこの光電変換部２０は、従来に比して入射光量に対する蓄積電荷生成量を増大することができ、その分感度を向上することができる。
【００１５】具体的に、この反射膜２１は、Ｎ形半導体基板２３にエッチングにより断面円弧形状の凹部を形成した後、アルミニューム膜を蒸着して形成され、シリコン基板８は、その後エピタキシャル成長により反射膜２１上にＰ型の領域を堆積して形成されるようになされている。」
　図１は、以下のとおりのものである。
　上記記載からみて、当該引用文献３には、以下の技術的事項が記載されていると認められる。
「マトリックス状に配置して形成された光電変換部２０を有するＣＣＤ固体撮像素子において、
　光電変換部２０は、光電変換領域１２、１３の下層に反射膜２１が形成され、反射膜２１は、断面が円弧形状になるように凹状に形成され、これにより光電変換領域を透過してこの反射膜２１にまで到達した入射光を光電変換領域に向けて反射するようになされていること。」
（３）引用文献４について
　また、原査定で周知技術を示す文献として引用された上記引用文献４には、図面とともに以下の事項が記載されている。
「【００１８】
　本発明の固体撮像素子に係る実施の形態の一例（第１例）を、図１の概略構成断面図によって説明する。
【００１９】
　図１に示すように、本発明の
固体撮像素子１は
光電変換素子（例えばフォトダイオード）１１１が形成され
複数の単位画素が配列されたもの
【００２０】
　上記読み出しゲート電極１２１を含む
画素全面を、絶縁膜１４１を介して被覆するように反射膜１４０が形成されている
【００２１】
　上記反射膜１４０は、例えば、アルミニウム、酸化アルミニウム等で形成される。特に、アルミニウム膜は、可視光線に対しておよそ９０％以上の表面反射率を得ることができる。したがって、上記反射膜１４０にアルミニウム膜を採用することが好ましい。また、後に説明するが、反射させる光の波長が緑色光、赤色光であることを考慮すると、緑色光、赤色光の反射率が高真空蒸着法により形成された膜では９５％以上を有する銀を用いることも可能である。」
　上記記載からみて、当該引用文献４には、以下の技術的事項が記載されていると認められる。
「光電変換素子１１１が形成された複数の単位画素が配列された固体撮像素子１において、
　画素全面を、絶縁膜１４１を介して被覆するように反射膜１４０が形成されている固体撮像素子１。」
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
ア　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
（ア）引用発明における「固体撮像装置１」は、本願発明１における「固体撮像素子」に相当する。
（イ）引用発明は、「二次元状に配列された複数の光電変換部１１を有する第１部材１０と、凹面部２１Ａを有する反射板２１を含む第２部材２０とを備え」、「前記第２部材２０は、前記第１部材１０の光入射面１０Ａと反対側に、前記反射板２１の前記凹面部２１Ａを前記光電変換部１１に向けて貼り合わせられており」、「第２部材２０は、半導体基板２３上に、絶縁膜２２Ａと、反射板２１と、絶縁膜２２Ｂとをこの順に有しており」、「光電変換部１１は、半導体基板１６上に成長した半導体層１７の内部に設けられて」いるものであるところ、「絶縁膜２２Ａと、反射板２１と、絶縁膜２２Ｂとをこの順に有する構造」は「光反射構造」であるといえるから、引用発明は、「半導体基板２３と、半導体基板２３上に形成された、二次元状に配列された複数の光電変換部１１を有する半導体層１７と、半導体基板２３と半導体層１７との間に設けられた光反射構造と、を備える」ものであるといえる。
　また、引用発明の「光電変換部１１」、「半導体基板２３」、「半導体層１７」、及び上記「絶縁膜２２Ａと、反射板２１と、絶縁膜２２Ｂとをこの順に有する構造」（光反射構造）は、それぞれ本願発明１の「光電変換素子」、「支持基板」、「半導体層」、及び「光反射構造」に相当する。
　したがって、本願発明１と引用発明とは、「支持基板と、前記支持基板上に形成された、二次元状に配列された複数の光電変換素子を有する半導体層と、前記支持基板と前記半導体層との間に設けられた光反射構造と、を備え」る点で一致する。
（ウ）ａ　引用発明は、「第２部材２０は、半導体基板２３上に、絶縁膜２２Ａと、反射板２１と、絶縁膜２２Ｂとをこの順に有しており、絶縁膜２２Ｂの上面は平坦化されており」、「入射光Ｌ１は、光電変換部１１を通過し、光電変換部１１を透過してきた光Ｌ１は、反射板２１の凹面部２１Ａによって反射され、その反射光Ｌ２が再び光電変換部１１へと入射する」ものであるところ、「絶縁膜２２Ｂ」は「半導体層１７側に平面を有する」ものであり、「反射板２１」は「絶縁膜２２Ｂ」を「覆う」ものであるといえるとともに、当該「絶縁膜２２Ｂ」が光を透過する層であることは明らかである。
　したがって、引用発明の「絶縁膜２２Ｂ」は、本願発明１の「前記半導体層側に平面を有する光透過層」に相当する。
ｂ　引用発明において、「反射板２１」が上面に有する「凹面部２１Ａ」は、「絶縁膜２２Ａの溝部２４Ａに埋め込んだ金属材料膜２５Ａを化学的機械的研磨法によりディッシングさせることにより形成された」ものであるから、本願発明１の「反射金属」に対応し、「前記光透過層を覆う反射金属」に相当する。
　また、引用発明の「絶縁膜２２Ａ」は、本願発明１の「前記反射金属とは異なる材料で形成された平坦化層」に対応し、当該平坦化層とは、「前記反射金属とは異なる材料で形成された層」である点で共通する。
ｃ　したがって、本願発明１と引用発明とは、「前記光反射構造は、前記半導体層側に平面を有する光透過層、前記光透過層の表面を覆う反射金属及び前記反射金属とは異なる材料で形成された層を有」する点で共通する。
（エ）引用発明は、「反射板２１と、絶縁膜２２Ｂとをこの順に有しており」、「反射板２１は、光電変換部１１の下部に位置し、反射板２１のそれぞれが複数の光電変換部１１に対応して設けられて」いるものであるから、「絶縁膜２２Ｂの反射板２１に覆われた部分のそれぞれが複数の光電変換部１１に対応して設けられている」といえる。
　更に、上記（イ）から、引用発明の「反射板２１」は「光反射構造」が有する部材であるといえるから、本願発明１と引用発明とは、「前記光反射構造は、前記光電変換素子の下部に位置し、光透過層の反射金属に覆われた部分のそれぞれが複数の前記光電変換素子に対応して複数配列されている」点で共通する。
イ　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
＜一致点＞
「支持基板と、
　前記支持基板上に形成された、二次元状に配列された複数の光電変換素子を有する半導体層と、
　前記支持基板と前記半導体層との間に設けられた光反射構造と、
を備え、
　前記光反射構造は、前記半導体層側に平面を有する光透過層、前記光透過層の表面を覆う反射金属及び前記反射金属とは異なる材料で形成された層を有し、
かつ前記光反射構造は、前記光電変換素子の下部に位置し、光透過層の反射金属に覆われた部分のそれぞれが複数の前記光電変換素子に対応して複数配列されている固体撮像素子。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
　光反射構造が有する光透過層と反射金属について、本願発明１は、「複数の半球を有する光透過層」、「前記光透過層の複数の前記半球の表面を一体に覆う反射金属」という構成、及び「前記半球のそれぞれが複数の前記光電変換素子に対応して複数配列されている」という構成を備えるのに対し、引用発明は、「前記反射板２１は、上面に前記凹面部２１Ａを有し」、「反射板２１と、絶縁膜２２Ｂとをこの順に有して」いるものの、引用発明の「絶縁膜２２Ｂ」は「複数の半球を有する」ものではなく（以下、「相違点１Ａ」という。）」、引用発明は、「反射板２１」は、絶縁膜２２Ｂの「複数の前記半球の表面を一体に覆う」という構成を備えるものでもなく（以下、「相違点１Ｂ」という。）、また、「前記半球のそれぞれが複数の前記光電変換素子に対応して複数配列されている」という構成も備えるものでもない点（以下、「相違点１Ｃ」という。）。
＜相違点２＞
　光反射構造について、本願発明１は、「前記反射金属とは異なる材料で形成された平坦化層」を有するという構成を備えるのに対し、引用発明の「絶縁膜２２Ａ」は「平坦化層」ではない点。
（２）相違点についての判断
ア　相違点１について
　まず、上記相違点１Ｂに係る「前記光透過層の複数の前記半球の表面を一体に覆う反射金属」との構成について、検討する。
　引用発明において、反射板２１が有する「前記凹面部２１Ａ」は、「絶縁膜２２Ａの溝部２４Ａに埋め込んだ金属材料膜２５Ａを化学的機械的研磨法によりディッシングさせることにより形成された」ものである。
　一方、凹面部２１Ａを金属膜２５Ａのディッシングさせることにより形成することについて、上記第４の１（１）に摘記のとおり、引用文献１の段落【００２６】〜【００２９】には、「図３に示したように、絶縁膜２２Ａに、反射板２１を形成するための溝部２４Ａを設ける」旨、「絶縁膜２２Ａの上面および溝部２４Ａ内に、金属材料膜２５Ａを形成する。」、「金属材料膜２５Ａを化学的機械的研磨法（ＣＭＰ；Chemical Mechanical Polishing）により研磨し、溝部２４Ａ内以外の金属材料膜２５Ａを除去する。これにより、図５に示したように、反射板２１が形成される。このとき、反射板２１は、上面が断面円弧状に窪み、凹面部２１Ａとなる。」、「すなわち、溝部２４Ａ内以外の金属材料膜２５Ａが除去された状態からオーバー研磨を行うことで、反射板２１の上面はディッシングと称される現象により窪んでいく。」と記載されている。
　引用文献１の段落【００３７】には、「図１２および図１３は、凹面部２１Ａの窪み量の制御方法を説明するためのものであり、溝部２４および隣接する絶縁膜２２Ａの寸法と凹面部２１Ａの窪み量との関係を表している。図１２に示したように、絶縁膜２２Ａの幅Ｗ１の溝部２４Ａの幅Ｗ２に対する比率が大きい場合には、凹面部２１Ａの窪み量Ｄは小さくなる。一方、図１３に示したように、絶縁膜２２Ａの幅Ｗ１が狭くなるに従い、凹面部２１Ａの窪み量Ｄは大きくなる。・・・溝部２４Ａと絶縁膜２２Ａとの寸法比率Ｗ２：Ｗ１を最適にすることにより、所望の曲率を有する反射板２１を形成することが可能となる。」と記載されている。
　引用文献１の段落【００４１】〜【００４３】には、「下地層１２Ｃをドーム状に成形するためのエッチング制御が困難」である旨、及び、「困難なエッチング制御を用いることなく、ＣＭＰのオーバー研磨によるディッシングという簡素な工程で、凹面部２１Ａを有する反射板２１を含む第２部材２０を形成することが可能となる」旨が記載されている。
　これらの記載に照らすと、引用文献１において、「ディッシングさせること」により形成された反射板２１の凹面部２１Ａについて、具体的には、絶縁膜２２Ａに溝部２４Ａを設け、絶縁膜２２Ａの上面および溝部２４Ａ内に、金属材料膜を形成し、ＣＭＰにより溝部２４Ａ内外の金属材料膜を除去することにより、上面が凹面部２１Ａとなる反射板２１が形成されたものである旨が記載されており、また、凹面部２１Ａの窪み量Ｄは、絶縁膜２２Ａの幅Ｗ１と溝部２４Ａの幅Ｗ２の寸法比率を最適にすることにより、制御することができ、そして、エッチング制御を用いずに、ディッシングという簡素な工程で、凹面部２１を形成できる旨が開示されている。他方、引用文献１には、凹部２１Ａを、ディッシング工程を利用せずに形成することや、溝部２４Ａを設けず、絶縁膜２２Ａの幅Ｗ１をゼロとして形成することや形成できることは、記載も示唆もされていないから、引用文献１の記載に基づき、絶縁膜２２Ｂの「複数の前記半球状の表面を一体に覆う」という構成を導くことはできない。
　したがって、引用発明において、当業者であっても、相違点１Ｂに係る本願発明１の「前記光透過層の複数の前記半球の表面を一体に覆う反射金属」という構成とすることは容易になし得たこととは認められない。
　また、上記第５の２のとおり、引用文献２〜４に記載された技術的事項は、相違点１Ｂに係る本願発明１の「前記光透過層の複数の前記半球の表面を一体に覆う反射金属」という構成とは異なり、本願発明１の当該構成は、引用文献２〜４に記載されたものではないから、引用発明において、引用文献２〜４を参照した当業者であっても、相違点１Ｂに係る本願発明１の構成を容易に想到することはできない。
　したがって、上記相違点１Ａ、１Ｃについて判断するまでもなく、引用発明において、引用文献２〜４の記載に基づき、相違点１に係る本願発明１の構成とすることは、当業者が容易になし得たとはいえない。
イ　したがって、上記相違点２について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用発明及び引用文献２〜４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
２　本願発明２、３について
　本願発明２、３も、本願発明１の「前記光透過層の複数の前記半球の表面を一体に覆う反射金属」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明及び引用された引用文献２〜４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
第６　原査定について
１　理由１（特許法第２９条第２項）について
　審判請求時の補正により、本願発明１〜３は「前記光透過層の複数の前記半球の表面を一体に覆う反射金属」という構成を有するものとなっており、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１〜４に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。したがって、原査定の理由１を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。