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【手続補正書】
【提出日】平成30年12月12日(2018.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する固体撮像装置であって、
前記画素は、光電変換部と、前記光電変換部からの信号が入力される入力部を有する画素アンプと、リセット端子と前記入力部とを接続するスイッチとを含み、
前記固体撮像装置は、前記画素アンプからの信号が供給される信号線と、前記リセット端子に接続されたリセット線と、前記入力部の電圧をリセットするリセット部と、を備え、
前記リセット部は、第１期間において、前記入力部に第１電圧が与えられたことに応じて前記信号線に現れる第２電圧を保持する容量と、前記第１期間の後の第２期間において、前記容量によって保持された前記第２電圧に応じた第３電圧を前記リセット線を介して前記リセット端子に供給することによって前記スイッチを介して前記入力部をリセット電圧に設定する供給部と、を含み、
前記第１期間では、前記信号線と前記容量とが接続される一方で前記入力部と前記供給部とが切断され、前記第２期間では、前記入力部と前記供給部とが接続される一方で前記信号線と前記容量とが切断される、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記容量は、第１端子および第２端子を含み、前記供給部は、差動増幅器を含み、前記差動増幅器は、前記第２端子に接続された第１入力端子、基準電圧が供給される第２入力端子、および、出力端子を有し、
前記第１期間では、前記第１端子が前記信号線に接続され、前記第２端子が前記出力端子に接続され、
前記第２期間では、前記第１端子および前記出力端子が前記リセット線に接続される、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第２期間では、前記供給部は、前記第３電圧として、前記差動増幅器の入力オフセット電圧がキャンセルされた電圧を前記リセット端子に供給する、
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第２電圧と前記第３電圧とが等しい、
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１期間では、前記リセット線および前記スイッチを介して前記入力部に前記第１電圧が与えられ、前記出力端子が前記第２端子に接続される、
ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記画素は、前記第１期間において、前記入力部に前記第１電圧を与える電圧供給部を更に備える、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記容量は、第１端子および第２端子を含み、前記供給部は、差動増幅器を含み、前記差動増幅器は、前記第１端子および前記第２端子の一方に接続される第１入力端子、基準電圧が供給される第２入力端子、および、出力端子を有し、
前記第１期間では、前記第１端子が前記信号線に接続され、前記第２端子が前記出力端子に接続され、
前記第２期間では、前記第１端子が前記第１入力端子に接続され、前記第２端子および前記出力端子が前記リセット線に接続される、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記画素アンプは、ゲートが前記入力部に接続されたＭＯＳトランジスタで構成され、
前記第２期間では、前記供給部は、前記第３電圧として、前記画素アンプの出力において前記画素アンプの閾値電圧がキャンセルされる電圧を前記リセット端子に供給する、
ことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記画素アンプは、ゲートが前記入力部に接続されたＭＯＳトランジスタで構成され、前記画素は、前記入力部の電圧から前記ＭＯＳトランジスタの閾値電圧が差し引かれた電圧が前記信号線に出力されるように構成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記信号線に出力された信号を読み出す読出回路を更に備える、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記読出回路は、前記リセット部によって前記入力部の電圧がリセットされてから蓄積期間が経過した後に、前記信号線に出力された信号を第１信号として読み出し、その後、前記リセット部によって前記入力部の電圧がリセットされた直後に前記信号線に出力された信号を第２信号として読み出し、前記第１信号と前記第２信号との差分を画素信号として出力する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
複数の画素を有する固体撮像装置であって、
前記画素は、光電変換部と、前記光電変換部からの信号が入力される入力部を有する画素アンプと、リセット端子と前記入力部とを接続する第１スイッチとを含み、
前記固体撮像装置は、前記画素アンプからの信号が供給される信号線と、前記リセット端子に接続されたリセット線と、前記入力部の電圧をリセットするリセット部と、を備え、
前記リセット部は、
第１入力端子、参照電圧が供給される第２入力端子、および、前記リセット線に接続された出力端子を有する差動増幅器と、
第１端子、および、前記第１入力端子と接続された第２端子を有する容量と、
前記信号線と前記第１端子との接続を制御する第２スイッチと、
前記第１端子と前記リセット線との接続を制御する第３スイッチと、
前記第２端子と前記リセット線との接続を制御する第４スイッチと、を有する、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
第１実施形態では、クランプ期間（第１期間）では、信号線６と容量８とがスイッチ７によって接続される一方で、共通ノード１３（入力部ＩＡＮ）と供給部ＶＳとがスイッチ２によって切断される。リセット期間（第２期間）では、共通ノード１３（入力部ＩＡＮ）と供給部ＶＳとがスイッチ２によって接続される一方で、信号線６と容量８とがスイッチ７によって切断される。したがって、クランプ期間およびリセット期間を含むリセット動作期間において、画素ＰＩＸおよびリセット部３１とで負帰還回路が形成されることはない。よって、リセット動作期間に発振が起こることが防止される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
第２実施形態では、クランプ期間（第１期間）では、信号線６と容量８とがスイッチ７によって接続される一方で、共通ノード１３（入力部ＩＡＮ）と供給部ＶＳとがスイッチ２によって切断される。リセット期間（第２期間）では、共通ノード１３（入力部ＩＡＮ）と供給部ＶＳとがスイッチ２、２２によって接続される一方で、信号線６と容量８とがスイッチ７によって切断される。したがって、クランプ期間およびリセット期間を含むリセット動作期間において、画素ＰＩＸおよびリセット部３１とで負帰還間回路が形成されることはない。よって、リセット動作期間に発振が起こることが防止される。第２実施形態においても、第１実施形態と同様の低周波ノイズの低減効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月15日(2019.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素毎に第１の光電変換部と第２の光電変換部とを有する撮像素子から出力される画像データであって、前記第１の光電変換部から出力された第１の画像データと前記第２の光電変換部から出力された第２の画像データとを取得する取得手段と、
前記取得手段によって取得された第１の画像データと第２の画像データとを合成して合成画像データを生成する合成手段と、
前記合成手段によって生成された合成画像データを含むＲＡＷ画像ファイルを生成する生成手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記生成手段は、前記ＲＡＷ画像ファイルの画像データ格納領域に前記合成画像データを格納して前記ＲＡＷ画像ファイルを生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記生成手段は、前記ＲＡＷ画像ファイルのメタデータ格納領域に、前記画像データ格納領域に格納されている画像データが合成された画像データであることを示す情報を格納して前記ＲＡＷ画像ファイルを生成することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記合成画像データを再合成することが可能な形式で画像ファイルを生成することの要否を入力する入力手段をさらに備え、
前記入力手段により前記再合成することが可能な形式で画像ファイルを生成すると入力された場合に、前記生成手段は、前記合成画像データと前記第１の光電変換部から出力された第１の画像データとを含む前記ＲＡＷ画像ファイルを生成することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記生成手段は、前記ＲＡＷ画像ファイルの画像データ格納領域に前記合成画像データを格納し、前記ＲＡＷ画像ファイルのメタデータ格納領域に前記第１の画像データを格納して前記ＲＡＷ画像ファイルを生成することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記入力手段により前記再合成することが可能な形式で画像ファイルを生成すると入力された場合に、前記生成手段は、さらに前記合成画像データを生成するための合成パラメータを格納して前記画像ファイルを生成することを特徴とする請求項４又は５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記入力手段により前記再合成することが可能な形式で画像ファイルを生成しないと入力された場合に、前記生成手段は、前記第１の光電変換部から出力された第１の画像データを含まないＲＡＷ画像ファイルを生成することを特徴とする請求項４〜６の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記取得手段は、さらに前記第１の画像データの線キズの行番号の情報をも取得し、
前記合成手段は、前記取得した線キズの行番号の情報に基づいて前記第１の画像データの線キズを補正し、前記補正した第１の画像データと前記第２の画像データとを合成して前記合成画像データを生成することを特徴とする請求項４〜７の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記合成手段は、さらに前記補正した第１の画像データにシェーディング補正を行って、前記第２の画像データと合成することを特徴とする請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記入力手段により前記再合成することが可能な形式で画像ファイルを生成すると入力された場合に、前記生成手段は、さらに線キズを補正したことを示す情報を格納して前記画像ファイルを生成することを特徴とする請求項８又は９に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記取得手段は、前記第１の光電変換部から出力されたデータと前記第２の光電変換部から出力されたデータとが加算された画像データの画素値から、前記第１の画像データの画素値を減算することによって前記第２の画像データを取得することを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記合成手段は、同色の画素が重なるようにずらして前記第１の画像データと前記第２の画像データとを合成することを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
前記合成手段は、重み付け係数を加重加算して前記第１の画像データと前記第２の画像データとを合成することを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１４】
画素毎に第１の光電変換部と第２の光電変換部とを有する撮像素子から出力される画像データであって、前記第１の光電変換部から出力された第１の画像データと前記第２の光電変換部から出力された第２の画像データとを取得する取得工程と、
前記取得工程において取得された第１の画像データと第２の画像データとを合成して合成画像データを生成する合成工程と、
前記合成工程において生成された合成画像データを含むＲＡＷ画像ファイルを生成する生成工程と、
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項１５】
画素毎に第１の光電変換部と第２の光電変換部とを有する撮像素子から出力される画像データであって、前記第１の光電変換部から出力された第１の画像データと前記第２の光電変換部から出力された第２の画像データとを取得する取得工程と、
前記取得工程において取得された第１の画像データと第２の画像データとを合成して合成画像データを生成する合成工程と、
前記合成工程において生成された合成画像データを含むＲＡＷ画像ファイルを生成する生成工程と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項１６】
請求項１５に記載のプログラムを記憶したことを特徴とするコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月20日(2019.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着目画像中の被写体を検出する被写体検出手段と、
前記被写体ごとの陰影の程度を示す陰影状態を検出する状態検出手段と、
検出された前記陰影状態に基づいて、前記被写体の補正の前の陰影の程度と補正の後の陰影の程度の序列が入れ替わらないように、前記着目画像中の対象となる被写体ごとに、目標となる陰影の状態である目標陰影状態を設定する目標設定手段と、
前記着目画像に対して、前記状態検出手段により検出された陰影状態と前記目標陰影状態とに基づいて、前記対象となる被写体ごとに仮想光源の設定を決定する光源設定手段と、
前記仮想光源を用いて前記着目画像中の前記対象となる被写体の明るさを補正する補正手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記被写体検出手段により複数の被写体が検出された場合には、前記状態検出手段により検出された前記被写体ごとの陰影状態に基づいて前記複数の被写体の中から選択された被写体を、前記対象となる被写体とすることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記陰影状態とは、前記着目画像を撮影した際に、前記被写体を照らしている環境光によって、前記被写体に対応する被写体領域に生じた陰影の特性を表す情報であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記陰影状態とは、被写体領域の中の明るさの分布と、前記被写体領域の中のコントラストを表す情報と、前記被写体領域の中で陰影が生じている領域の輪郭の特性と、前記被写体領域の中で陰影が生じている領域の面積を表す情報のうちの少なくとも一つの情報を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記目標設定手段は、前記着目画像中において、前記陰影の程度が最も高い被写体については前記陰影の程度を下げ、前記陰影の程度が最も低い被写体については前記陰影の程度を上げるよう前記目標陰影状態を決定することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記目標設定手段は、複数の前記被写体のそれぞれに対して、被写体の陰影状態を表す評価値を算出し、前記評価値が目標となる評価値となるよう前記目標陰影状態を決定することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記評価値は、被写体領域の中の輝度が最も高い部分と最も低い部分との輝度の比を示すコントラスト値であることを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記目標設定手段は、前記着目画像中の複数の前記被写体に対する前記評価値を比較した結果に基づいて、前記目標陰影状態を、被写体毎に異なる状態にするか、被写体間で同一の状態とするかを決定することを特徴とする請求項６又は７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記目標設定手段は、複数の前記被写体間での前記評価値の差分が所定値よりも大きい場合に、前記目標陰影状態を、被写体毎に異なる状態にするよう決定することを特徴とする請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記目標設定手段は、複数の前記被写体に対する前記評価値を比較した結果に基づいて、前記対象とする被写体を決定することを特徴とする請求項６乃至９の何れか一項に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記仮想光源の設定とは、前記仮想光源の前記被写体に対する位置と、前記仮想光源の発する仮想的な照明光の強度とを含むことを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記陰影状態は、被写体領域の中のコントラストを表す情報であるコントラスト値により示され、
前記光源設定手段は、前記目標陰影状態を示す目標コントラスト値が、前記状態検出手段により検出された陰影状態を示すコントラスト値よりも小さい場合には、前記仮想光源の位置を、前記被写体の法線に対して前記被写体を照らしている環境光と反対側に設定し、前記状態検出手段により検出された陰影状態を示すコントラスト値が前記目標陰影状態を示す目標コントラスト値よりも小さい場合には、前記仮想光源の位置を、前記被写体の法線に対して前記環境光と同じ側に設定することを特徴とする請求項１１に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
着目画像中の被写体を検出する被写体検出手段と、
前記被写体ごとの陰影の程度を示す陰影状態を検出する状態検出手段と、
検出された前記陰影状態に基づいて、前記被写体の補正の前の陰影の程度と補正の後の陰影の程度の序列が入れ替わらないように、前記着目画像中の対象となる被写体ごとに、目標となる陰影の状態である目標陰影状態を設定する目標設定手段と、
前記着目画像に対して、前記状態検出手段により検出された陰影状態と前記目標陰影状態とに基づいて、前記対象となる被写体ごとに仮想光源の設定を決定する光源設定手段と、
前記仮想光源を用いて前記着目画像中の前記対象となる被写体の明るさを補正する補正手段と
してコンピュータを機能させるためのプログラム。
【請求項１４】
着目画像中の被写体を検出する被写体検出工程と、
前記被写体ごとの陰影の程度を示す陰影状態を検出する状態検出工程と、
検出された前記陰影状態に基づいて、前記被写体の補正の前の陰影の程度と補正の後の陰影の程度の序列が入れ替わらないように、前記着目画像中の対象となる被写体ごとに、目標となる陰影の状態である目標陰影状態を設定する目標設定工程と、
前記着目画像に対して、前記状態検出工程により検出された陰影状態と前記目標陰影状態とに基づいて、前記対象となる被写体ごとに仮想光源の設定を決定する光源設定工程と、
前記仮想光源を用いて前記着目画像中の前記対象となる被写体の明るさを補正する補正工程と
を有することを特徴とする画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月25日(2019.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素によって構成された表示領域と、該表示領域の外側に設けられた端子領域と、を備えた表示装置であって、
前記端子領域に形成された端子配線と、
前記画素に形成された画素配線と、
前記表示領域を覆う封止膜と、
前記端子領域において、前記端子配線の上層に形成されるとともに、前記表示領域において前記画素配線の上層に形成される絶縁膜と、
前記端子領域において、前記絶縁膜の上層に形成され、前記封止膜及び前記絶縁膜とはとは異なる材料からなる防止膜と、
を有し、
前記端子配線は、前記端子領域の電気的接続領域において露出し、
前記絶縁膜及び前記防止膜の側面部は前記端子領域において露出している、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記画素において、さらに、前記絶縁膜の上層に形成された陽極電極を有し、
前記絶縁膜は、前記陽極電極と前記画素配線の間に静電容量を形成することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は、前記防止膜に対するエッチングの選択比が高い材料で形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、窒化ケイ素によって形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記防止膜は、酸化ケイ素又は酸化アルミニウムによって形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記表示装置は、さらに、
前記画素において、前記陽極電極の上層に形成される自発光素子膜と、
前記自発光素子膜の上層に形成され、前記陽極電極との間に電圧を印加することで前記自発光素子膜を発光させる陰極電極と、
を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
複数の画素によって構成された表示領域と、該表示領域の外側に設けられた端子領域と、を備えた表示装置の製造方法であって、
前記端子領域に端子配線を形成する工程と、
前記画素に画素配線を形成する工程と、
前記端子領域の電気的接続領域を除く領域に、前記画素配線の上層に絶縁膜、及び、該絶縁膜の上層に防止膜を形成する工程と、
前記表示領域及び前記端子領域の全面を覆うように封止膜を形成する工程と、
前記端子領域に形成された前記封止膜をエッチングし、前記電気的接続領域において、前記端子配線を露出させる工程と、
を含み、
前記封止膜は、前記防止膜に対するエッチングの選択比が高い材料で形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁膜は、前記防止膜に対するエッチングの選択比が高い材料で形成されることを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記防止膜は、前記絶縁膜にプラズマ処理を行い、前記絶縁膜の表面を酸化させることによって形成されることを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁膜及び前記防止膜を形成する工程は、
前記端子領域を覆うように、前記絶縁膜を形成する工程と、
前記電気的接続領域に形成された前記絶縁膜をエッチングし、前記端子配線を露出させる工程と、
前記電気的接続領域を除く領域において、前記絶縁膜の上層に前記防止膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項７または８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記表示装置の製造方法は、さらに、前記画素において陽極電極を形成する工程を含み、
前記絶縁膜を形成する工程において、前記絶縁膜は、前記端子領域を覆うように形成されるとともに、前記表示領域において、前記画素配線の上層に形成されることで前記画素配線と前記陽極電極との間で静電容量を形成することを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月30日(2019.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信を行う通信部と、
端末装置に応じて決定される第１の処理時間と、通信環境に応じて決定される第２の処理時間と、に基づき、前記無線通信を介した通信における送信時間の最小単位を決定する制御部と、
を備える装置。
【請求項２】
前記制御部は、決定した前記最小単位に関する情報が、前記無線通信を介して前記端末装置に送信されるように制御する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第１の処理時間をＴＵＥ、前記第２の処理時間をＴＡＤＶとした場合に、前記最小単位ｓＴＴＩを、所定の係数ａに基づき以下に示す条件を満たすように決定する、請求項１または２に記載の装置。
【数１】
2017152758.tif 000001
【請求項４】
前記第１の処理時間に関する情報を、前記無線通信を介して前記端末装置から取得する取得部を備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第１の処理時間の候補に関する情報が、前記無線通信を介して前記端末装置に送信されるように制御し、
前記取得部は、前記第１の処理時間の候補に関する情報が前記端末装置に送信された後に、前記第１の処理時間に関する情報を、前記無線通信を介して前記端末装置から取得する、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記第１の処理時間の候補に関する情報がシステム情報として送信されるように制御する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第２の処理時間は、前記端末装置との間の距離に応じて決定される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記第１の処理時間が更新された場合に、更新後の当該第１の処理時間に応じて前記最小単位を新たに決定し、決定した当該最小単位に関する情報が、前記無線通信を介して前記端末装置に送信されるように制御する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記第２の処理時間が更新された場合に、更新後の当該第２の処理時間に応じて前記最小単位を新たに決定し、決定した当該最小単位に関する情報が、前記無線通信を介して前記端末装置に送信されるように制御する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
無線通信を行う通信部と、
前記無線通信を介した通信における送信時間の最小単位を決定するための、端末装置に応じて決定される第１の処理時間を示す情報が、前記無線通信を介して基地局に送信されるように制御する制御部と、
を備える、装置。
【請求項１１】
前記第１の処理時間と、通信環境に応じて決定される第２の処理時間と、に基づき決定された前記最小単位に関する情報を、前記無線通信を介して前記基地局から取得する取得部を備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記取得部は、前記第１の処理時間に関する情報が前記基地局に送信された後に、前記最小単位に関する情報を、前記無線通信を介して当該基地局から取得する、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記制御部は、前記第２の処理時間が更新された場合に、更新後の当該第２の処理時間に応じた前記第１の処理時間を示す情報が、前記無線通信を介して基地局に送信されるように制御する、請求項１１または１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記制御部は、所定の候補の中から決定された前記第１の処理時間に関する情報が、前記無線通信を介して前記基地局に送信されるように制御する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
前記第１の処理時間の前記候補に関する情報は、前記無線通信を介して前記基地局から送信される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記制御部は、送信バッファ量に関するレポートを前記基地局に送信する場合に、前記第１の処理時間を示す情報が当該レポートに関連付けられて当該基地局に送信されるように制御する、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１７】
無線通信を行うことと、
プロセッサが、端末装置に応じて決定される第１の処理時間と、通信環境に応じて決定される第２の処理時間と、に基づき、送信時間の最小単位を決定することと、
を含む、方法。
【請求項１８】
無線通信を行うことと、
プロセッサが、前記無線通信を介した通信における送信時間の最小単位を決定するための、端末装置に応じて決定される第１の処理時間を示す情報が、前記無線通信を介して基地局に送信されるように制御することと、
を含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
次いで、基地局１００（判定部１５５）は、タイミングアドバンス値ＴＡＤＶの更新に伴い、前述した（式１）を満たすようにｓＴＴＩの設定を更新する（Ｓ２０９）。そして、基地局１００（通知部１５７）は、更新後のｓＴＴＩの設定に関する情報を端末装置２００に通知する（Ｓ２１１）。なお、ｓＴＴＩの設定に関する情報の通知方法については前述した通りである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
以上、図９を参照して、タイミングアドバンス値ＴＡＤＶの更新に伴い、ｓＴＴＩを再設定（更新）する場合の処理の流れの一例について説明した。以上のような制御により、基地局１００は、端末装置２００との間の通信環境（例えば、距離）に応じてｓＴＴＩを再設定することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
無線通信インタフェース８５５は、ＬＴＥ又はＬＴＥ−Ａｄｖａｎｃｅｄなどのいずれかのセルラー通信方式をサポートし、ＲＲＨ８６０及びアンテナ８４０を介して、ＲＲＨ８６０に対応するセクタ内に位置する端末に無線接続を提供する。無線通信インタフェース８５５は、典型的には、ＢＢプロセッサ８５６などを含み得る。ＢＢプロセッサ８５６は、接続インタフェース８５７を介してＲＲＨ８６０のＲＦ回路８６４と接続されることを除き、図１４を参照して説明したＢＢプロセッサ８２６と同様のものである。無線通信インタフェース８５５は、図１５に示したように複数のＢＢプロセッサ８５６を含み、複数のＢＢプロセッサ８５６は、例えばｅＮＢ８３０が使用する複数の周波数帯域にそれぞれ対応してもよい。なお、図１５には無線通信インタフェース８５５が複数のＢＢプロセッサ８５６を含む例を示したが、無線通信インタフェース８５５は単一のＢＢプロセッサ８５６を含んでもよい。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月30日(2019.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリント方法であって、
インプリントレジストの不連続部分が液体前処理コーティング上に広がって、広がったインプリントレジストを生じるように、インプリントレジストの不連続部分が基板上の液体前処理コーティング上に配置される工程と、
ここで、前記液体前処理コーティングが重合性成分からなり、前記インプリントレジストが重合性組成物であり、
前記広がったインプリントレジストをテンプレートと接触させる工程と、
前記広がったインプリントレジストと前記前処理コーティングを重合させ、前記基板上に重合層を得る工程と、
を有し、
前記液体前処理コーティングの表面張力が、インプリントレジストの表面張力よりも高いことを特徴とする、インプリント方法。
【請求項２】
前記前処理コーティングが重合開始剤を含まない、請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記広がったインプリントレジストと前記液体前処理コーティングとが、前記広がったインプリントレジストが前記テンプレートと接触する前に、複合重合性コーティングを形成する、請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項４】
さらに、前記重合層から前記テンプレートが分離されることからなる、請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項５】
基板上の前記液体前処理コーティングの厚さが、１ｎｍ〜１５ｎｍである、請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記液体前処理コーティングの表面張力が、インプリントレジストの表面張力よりも、０．５ｍＮ／ｍ〜２５ｍＮ／ｍ高い、請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項７】
半導体素子の製造方法であって、該製造方法が、
基板上に液体前処理コーティングを設置する工程と、
ここで、前記液体前処理コーティングは重合性成分からなり、
インプリントレジストの不連続部分が液体前処理コーティング上に広がって、広がったインプリントレジストを生じるように、インプリントレジストの不連続部分が基板上の液体前処理コーティング上に配置される工程と、
ここで、前記インプリントレジストが重合性組成物であり、前記液体前処理コーティングの表面張力が、インプリントレジストの表面張力よりも高く、
前記広がったインプリントレジストをテンプレートと接触させる工程と、
前記広がったインプリントレジストと前記前処理コーティングを重合させ、前記基板上に重合層を得る工程と、
前記重合層から前記テンプレートを分離する工程と、および
前記重合層を通って前記基板をエッチングする工程、
を有することを特徴とする、半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記液体前処理コーティングの設置が、スピンコート法、ディップコート法、化学蒸着（ＣＶＤ）、または物理蒸着（ＰＶＤ）を使用して前記基板をコーティングすることからなり、
さらに、インプリントリソグラフィーシステムを使用して基板上への重合層を生成するための基板をプロセッシングする工程、および
反応性イオンエッチングまたは高密度エッチングを使用して基板をエッチングする工程
からなることを特徴とする、
請求項７に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月25日(2019.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記の目的を達成するために、本発明は、ボディと、ボディに形成され燃料電池へと接続される燃料ガス供給流路と、燃料ガス供給流路の途中に形成され燃料電池から排出された燃料オフガスの流通するオフガス流路と、燃料ガス供給流路へ燃料ガスを噴射するインジェクタと、燃料ガス供給流路においてインジェクタより下流側に設けられ、インジェクタから噴射される燃料ガスと燃料オフガスとを混合するディフューザとを有した燃料ガス循環装置において、
インジェクタとディフューザとの接続部に弾性部材を配置することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、燃料ガス循環装置において、燃料ガスの流通する燃料ガス供給流路がボディに形成されると共に、燃料ガスを噴射するインジェクタと、燃料ガス供給流路においてインジェクタの下流側に設けられインジェクタから噴射される燃料ガスと燃料オフガスとを混合するディフューザとを備え、このインジェクタとディフューザとの接続部に弾性部材を配置している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、燃料ガス供給流路の軸方向に沿った一端部と他端部との間に流路段部を有し、ディフューザの外周には流路段部に対応して当接するディフューザ段部を有すると共に、ボディに対して固定され、インジェクタに当接するアタッチメントを備え、流路段部とアタッチメントとの間でディフューザを挟持し、アタッチメントとディフューザとの接続部に弾性部材を配置するとよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、燃料ガス循環装置において、燃料ガスの流通する燃料ガス供給流路がボディに形成されると共に、燃料ガスを噴射するインジェクタと、燃料ガス供給流路においてインジェクタの下流側に設けられインジェクタから噴射される燃料ガスと燃料オフガスとを混合するディフューザとを備え、このインジェクタとディフューザとの接続部に弾性部材を配置することにより、インジェクタが作動して燃料ガスを噴射する際に発生する振動が弾性部材によって好適に吸収され、振動のボディやディフューザ側への伝達が低減される。その結果、弾性部材を設けるという簡素な構成で、燃料ガス循環装置において振動に起因した騒音や破損等の発生を低減することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボディと、該ボディに形成され燃料電池へと接続される燃料ガス供給流路と、該燃料ガス供給流路の途中に形成され前記燃料電池から排出された燃料オフガスの流通するオフガス流路と、前記燃料ガス供給流路へ燃料ガスを噴射するインジェクタと、前記燃料ガス供給流路において前記インジェクタより下流側に設けられ、前記インジェクタから噴射される燃料ガスと前記燃料オフガスとを混合するディフューザとを有した燃料ガス循環装置において、
前記インジェクタと前記ディフューザとの接続部に弾性部材を配置することを特徴とする燃料ガス循環装置。
【請求項２】
請求項１記載の燃料ガス循環装置において、
前記燃料ガス供給流路の軸方向に沿った一端部と他端部との間に流路段部を有し、前記ディフューザの外周には前記流路段部に対応して当接するディフューザ段部を有すると共に、
前記ボディに対して固定され、前記インジェクタに当接するアタッチメントを備え、
前記流路段部と前記アタッチメントとの間で前記ディフューザを挟持し、前記アタッチメントと前記ディフューザとの接続部に前記弾性部材を配置することを特徴とする燃料ガス循環装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の燃料ガス循環装置において、
前記アタッチメント又は前記ディフューザのいずれか一方と前記弾性部材との間にリング部材が介装されることを特徴とする燃料ガス循環装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月21日(2019.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
すなわち、図６に示すとおり、ｎ型ＧａＮ層３７とｐ型ＩｎＧａＮ層３８との間、ｎ型ＧａＮ層３９とｐ型ＩｎＧａＮ層３８との間にそれぞれノンドープのＩｎグレイデッド層４２、４３を、例えば膜厚３０ｎｍ形成することにより、ポテンシャルのスパイク発生を防止し、ヘテロ接合バイポーラトランジスタの性能劣化を防止することができる。ただ、グレイデッド層は、組成が徐々に変化するので、層内に組成に応じた分極が存在する。このため、グレイデッド層内では分極量に対応してキャリア濃度の分布ができる。これは参考文献１などで広く知られている現象である。なお、＋Ｃ面（Ｇａ面）方向にＩｎＧａＮのＩｎ組成がＩｎＧａＮ層からＧａＮ層に向かって減少する場合はグレイディッド層内にホール分布が存在する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2017152542.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月18日(2019.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
０次モードおよび複数の高次モードの光を出射する面発光レーザーと、
前記面発光レーザーを駆動するバイアス電流にマイクロ波を重畳し側波帯を発生させる手段と、
アルカリ金属ガスを封入した原子セルと、
前記原子セルを透過した光を検出する受光部と、
前記面発光レーザーと前記原子セルとの間に配置された前記高次モードの光をカットするモードフィルターと、を備えることを特徴とする量子干渉装置。
【請求項２】
前記モードフィルターは、前記面発光レーザーの光軸上にピンホールを有する光遮蔽板であることを特徴とする請求項１に記載の量子干渉装置。
【請求項３】
前記光遮蔽板には、光遮蔽領域に金属が配置されていることを特徴とする請求項２に記載の量子干渉装置。
【請求項４】
前記光遮蔽板には、光遮蔽領域に光吸収部材が配置されていることを特徴とする請求項２に記載の量子干渉装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の量子干渉装置を備えていることを特徴とする原子発振器。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の量子干渉装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】量子干渉装置、原子発振器および電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本適用例によれば、寿命が長く、信頼性に優れた量子干渉装置を備える原子発振器を提
供することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本適用例によれば、寿命が長く、信頼性に優れた量子干渉装置を備える電子機器を提供することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本適用例によれば、寿命が長く、信頼性に優れた量子干渉装置を備える移動体を提供することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
このような構成とすることで、モードフィルター３１Ａの光遮蔽領域４１に光吸収部材４４が形成されているため、光源部３から出射された０次モードを含む高次モードの光ＬＬにおいて、０次モードに比べモード径Ｗの大きい１次モード以上の高次モードの光ＬＬを光吸収部材４４に吸収させることができるため、不要な高次モードの光が受光部４に入射することを低減でき、ＥＩＴ信号のＳ／Ｎ比の低下を低減することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2017152514.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月5日(2018.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を収納する凹部を有する載置部が配置される電子部品搬送装置であって、
第１の位置と第２の位置との間を移動し、気体を噴出する噴出部と、
前記噴出部から噴出される前記気体の流量を検出する流量検出部と、を備え、
前記凹部は、前記第１の位置と前記第２の位置との間に位置するように配置され、
前記噴出部は、前記第１の位置と前記第２の位置との間を移動しているときに、前記気体を噴出し、
前記噴出部が前記気体を噴出しているときに、前記流量が変化する流量変化部を検出する電子部品搬送装置。
【請求項２】
前記噴出部は、前記電子部品を吸着して搬送する請求項１に記載の電子部品搬送装置。
【請求項３】
前記載置部は、固定されている請求項１または２に記載の電子部品搬送装置。
【請求項４】
前記載置部は、移動するように支持されている請求項１または２に記載の電子部品搬送装置。
【請求項５】
前記載置部は、当該電子部品搬送装置に前記電子部品を装填する際に用いられるものである請求項１または２に記載の電子部品搬送装置。
【請求項６】
前記流量変化部に基づいて、前記凹部の中心位置を検出する中心位置検出部を備える請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子部品搬送装置。
【請求項７】
前記載置部には、前記凹部が一方向に少なくとも３つ配置されており、
前記中心位置検出部は、最も離間した両側の２つの前記凹部の間に位置する前記凹部の中心位置を検出する請求項６に記載の電子部品搬送装置。
【請求項８】
前記噴出部は、前記第１の位置と前記第２の位置とを結ぶ線分と交差する線分の方向にも移動する請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電子部品搬送装置。
【請求項９】
前記噴出部は、前記線分に沿って往復移動する請求項８に記載の電子部品搬送装置。
【請求項１０】
前記流量の変化により、前記凹部の高さを検出する請求項１ないし９のいずれか１項に記載の電子部品搬送装置。
【請求項１１】
前記電子部品は、１辺が５ｍｍ以下の矩形をなす請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の電子部品搬送装置。
【請求項１２】
電子部品を収納する凹部を有する載置部が配置される電子部品検査装置であって、
第１の位置と第２の位置との間を移動し、気体を噴出する噴出部と、
前記噴出部から噴出される前記気体の流量を検出する流量検出部と、を備え、
前記電子部品を検査する検査部と、を備え、
前記凹部は、前記第１の位置と前記第２の位置との間に位置するように配置され、
前記噴出部は、前記第１の位置と前記第２の位置との間を移動しているときに、前記気体を噴出し、
前記噴出部が前記気体を噴出しているときに、前記流量が変化する流量変化部を検出する電子部品検査装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月28日(2019.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ半導体装置に用いるオーミック電極であって、
ＳｉＣ半導体層の上に形成され、ニッケルおよびニッケルシリサイドからなるグループから選択される材料からなるオーミックコンタクト層と、
該オーミックコンタクト層の上に形成され、ニッケルの拡散を防止するバリア層と、
該バリア層の上に形成され、亜鉛、ニッケル、チタン、マンガンのうち少なくとも１種以上を含む銅合金からなる電極層と、を含み、
上記電極層に含まれる亜鉛、ニッケルの量は、０．１ａｔ％以上、３ａｔ％以下、チタンの量は０．１ａｔ％以上、０．５ａｔ％以下、マンガンの量は、０．１ａｔ％以上、１ａｔ％以下であることを特徴とするオーミック電極。
【請求項２】
上記バリア層は、銅に対して非固溶の元素または銅と化合物を形成する元素で構成されることを特徴とする請求項１に記載のオーミック電極。
【請求項３】
上記バリア層は、モリブデン、タンタル、タングステン、ニオブ、チタンおよびこれらの窒化物からなるグループから選択される材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載のオーミック電極。
【請求項４】
上記バリア層の膜厚は、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のオーミック電極。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のオーミック電極を含むことを特徴とするＳｉＣ半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
【表１】
2017152667.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
【表３】
2017152667.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
表３のＮｏ．Ｂ−９〜Ｂ−１１は、Ｍｏをバリア層１２に用いて、Ｃｕ系の電極層１３を評価した結果である。６００℃で５分間の熱処理後も、Ｍｏバリア層１２によって相互拡散が抑制され、優れた電気抵抗率と耐熱性を示した。６００℃で５分間の熱処理後も、Ｃｕ／Ｍｏ間の反応は見られず、Ｍｏバリア層１２によって、ＮｉＳｉオーミックコンタクト電極１１からの元素拡散が抑制されていることが分かる。また、Ｃｕ系の電極層１３自体の耐熱性を向上させるために、Ｃｕ電極層１３に、ＮｉやＺｎの元素の添加が有効であることも分かる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
表３のＮｏ．Ｂ−１３、１４、２０は、バリア層１２にＴｉＮを用いて、Ｃｕ系の電極層１３を評価した結果である。４５０℃で３０分間の熱処理後には、電気抵抗率の増加や表面異常は観察されなかった。例えばＮｏ．Ｂ−１４に示すように、６００℃で５分間の熱処理によって、Ｃｕ電極層１３とＴｉＮバリア層１２との間で相互拡散が発生することが分かる。特に、Ｎｉ系のオーミックコンタクト電極１１を用いた場合は、拡散が顕著である。この原因としては、ＴｉＮはアモルファスであり、一部のＴｉから窒素が脱離し、拡散に寄与している可能性が考えられる。Ｔｉは、ＣｕとＮｉの双方と金属間化合物を形成するため、ＴｉとＮｉのいずれかがＣｕ電極中へ拡散していると予想される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
一方、Ｎｏ．Ｂ−２０（Ｃｕ−Ｚｎ電極層１３／ＴｉＮバリア層１２）では、Ｎｏ．Ｂ−１３に示すＣｕ電極層１３の場合に比較して、電気抵抗率の増加が小さくなっている。Ｃｕ中にＺｎをプレドープして、Ｃｕ−Ｚｎの電極層１３とすることにより、ＴｉＮからのＴｉ拡散を抑制していると予想される。Ｃｕ−ＺｎなどのＣｕ合金を電極層１３とすることで、耐熱性の改善だけではなく、ＮｉＳｉオーミックコンタクト層１１に対して、ＴｉＮバリア層１２の適用が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月9日(2019.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部にアルカリ金属が充填される原子セルであって、
内壁をコーティングし、第１分子により形成された第１コーティング層と、
前記第１コーティング層をコーティングし、前記第１分子と脱離反応する官能基と、非極性基と、を有する第２分子により形成された第２コーティング層と、
前記第２コーティング層をコーティングし、非極性の第３分子により形成された第３コーティング層と、
を含み、
前記第１分子は、アルカリ金属と置換反応しない金属酸化物である、原子セル。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１分子は、タンタル酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、またはチタン酸化物である、原子セル。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第２分子は、アルキルシラン、アルコール、またはポリイミドである、原子セル。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、
前記第３分子は、ポリプロピレン、ポリエチレン、またはポリメチルペンテンである、原子セル。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項において、
前記第１分子は、タンタル酸化物であり、
前記第２分子は、オクタデシルトリメトキシシランであり、
前記第３分子は、ポリプロピレンである、原子セル。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の原子セルと、
前記アルカリ金属を励起する励起光を出射する光出射部と、
前記原子セルを透過した前記励起光を検出する光検出部と、
を含む、量子干渉装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】原子セルおよび量子干渉装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
このような原子セルの製造方法では、コーティング層の剥離の可能性を低減することができる原子セルを製造することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
第２コーティング層２４を形成する第２分子としてＯＤＳを用いた場合、ＯＤＳのメトキシ基は、第１コーティング層２２を形成する第１分子の酸素に置換されて、図５に示すように、第１分子の酸素は、第１分子の金属原子（図示の例ではタンタル）と、ＯＤＳの珪素と、を結合する。これにより、第２コーティング層２４が形成される。ＯＤＳは、例えば、シクロヘキサン、ヘキサン、クロロホルム等の溶剤に分散した状態で、第１コーティング層２２の表面に塗布される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
第２コーティング層２４を形成する第２分子の炭化水素鎖（非極性基）は、図５に示すように、直鎖構造を有している。図示の例では、第２分子の各々を形成する炭素原子の鎖は、内壁１０ａの垂線と平行に延びている。これにより、第２コーティング層２４は、高い配向性を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
原子セル１００では、第１分子は、アルキルシラン、アルコール、またはポリイミドである。そのため、原子セル１００では、第２コーティング層２４の配向性を高くすることができる。すなわち、原子セル１００では、第２コーティング層２４を形成する第２分子の炭化水素鎖（非極性基）の各々は、同じ方向に延びている。これにより、原子セル１００では、第３コーティング層２６の配向性も高くすることができる。したがって、原子セル１００では、第２分子の間や第３分子の間にアルカリ金属が入り込むことを抑制することができる。さらに、仮に第３コーティング層２６が融解したとしても、第２コーティング層２４が配向しているため、ライプニングせずに、一度冷やすだけで第３コーティング
層２６の配向性を復活させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
４．  電子機器
次に、本実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。本発明に係る電子機器は、本発明に係る原子発振器を含む。以下では、本発明に係る電子機器として原子発振器２００を含む測位システムについて説明する。図１３は、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）衛星を利用した測位システム３００を説明するための図である。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月28日(2018.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個室使用状況を管理することができる個室管理システムにおいて、
個室の扉の開閉又は扉の施錠及び解錠を感知する扉センサーと、個室内での人の動きを感知する人感センサーと、管理部と、個室端末機を備え、
前記扉センサーと人感センサーと個室端末機は個室に設けられ、管理部は個室又は個室以外の場所に設けられ、
前記個室端末機は個室の扉センサー又は／及び人感センサーの少なくとも感知タイミング、感知継続時間に基づいて個室使用状況を検出し、検出した個室使用状況を前記管理部に送信できる、
ことを特徴とする個室管理システム。
【請求項２】
請求項１記載の個室管理システムにおいて、
管理部又は個室端末機は、人感センサーが個室内の人の動きを感知してから、所定時間以上継続して人の動きを感知しないときは、個室内の人に異常が発生したと判断することができる、
ことを特徴とする個室管理システム。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の個室管理システムにおいて、
管理部又は個室端末機は、個室使用者が個室から退出して個室が空きになってから、所定時間内に、人感センサーが感知しても、その感知は人以外の物の動きを感知した誤感知としてその誤感知をキャンセルして、退出後の空室状態を使用中と誤判断しないようにした、
ことを特徴とする個室管理システム。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の個室管理システムにおいて、
管理部又は個室端末機は、個室の扉が開いてから人感センサーが人の動きを感知すると、当該個室を仮入室と認識し、前記扉が開いてから閉められると、その後に、予め設定してある第１の時間内は、前記人感センサーが感知しても、その感知は個室使用中の人の感知ではなく個室使用前の誤感知であるため、その誤感知をキャンセルして、空いている個室を使用中と誤判断しないようにした、
ことを特徴とする個室管理システム。
【請求項５】
請求項４記載の個室管理システムにおいて、
管理部又は個室端末機は、予め定めてある第１の時間が経過してから、予め設定してある第２の時間内に、人感センサーが人の動きを感知しないときは仮入室と認識された個室を空室と認識し、人感センサーが人の動きを感知したときは仮入室と認識された個室を使用中と認識できるようにした、
ことを特徴とする個室管理システム。