(57)【要約】  成膜方法は、物体(111)の表面を部分的にマスキングし、表面の露出部分(S1)に平行平板型のプラズマＣＶＤ装置(300)によって膜を形成する成膜方法であって、マスキングのための部材として、プラズマ発生空間に向く側に放電を誘発する突起(715,716,775)が形成された板状のマスク(71,71b,71c,71d,77,77b)を用いる。マスク端縁での異常放電の発生が突起の形成によって減少し、マスク近傍での局部的な膜厚増大が軽減される。
2007055030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体の表面を部分的にマスキングし、前記表面の露出部分に平行平板型のプラズマＣＶＤ装置によって膜を形成する成膜方法であって、
マスキングのための部材として、プラズマ発生空間に向く側に放電を誘発する突起が形成された板状のマスクを用いる
ことを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
フラットパネルディスプレイの製造において、電極が配列された基板に前記電極を部分的に覆う部材を重ね、前記基板の露出部分に平行平板型のプラズマＣＶＤ装置によって絶縁膜を形成する成膜方法であって、
前記基板のマスキングのための部材として、前記プラズマＣＶＤ装置におけるプラズマ発生空間に向く側に、放電を誘発する突起が形成された板状のマスクを用いる
ことを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
プラズマ発生空間を挟む電極対をもつ平行平板型のプラズマＣＶＤ装置による成膜において、膜を付着させる物体の表面を部分的にマスキングするためのマスクであって、
前記物体と対向する第１面と前記プラズマＣＶＤ装置におけるプラズマ発生空間に向く第２面とをもつ板状であり、前記第２面に前記電極対のうちの対向する電極との間での放電を誘発する突起が形成された
ことを特徴とする成膜におけるマスキングのためのマスク。
【請求項４】
前記突起は、平面視においてマスク端縁に沿って延びる帯状に形成されている
請求項３に記載の成膜におけるマスキングのためのマスク。
【請求項５】
前記突起を含めて絶縁体からなる
請求項３に記載の成膜におけるマスキングのためのマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学的気相堆積によって膜を形成する成膜方法および成膜におけるマスキングのためのマスクに関し、詳しくはマスクの改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
化学的気相堆積（Chemical Vapor Deposition : CVD）は、化学反応によって原料ガスから膜を形成する成膜手法であり、半導体装置をはじめとする微細デバイスの薄膜の形成からメートルオーダの物体のコーティングに至るまで工業的に幅広く応用されている。【０００３】
近年、ＣＶＤ法は、対角１メートル以上の大画面をもつフラットパネルディスプレイの製造にも用いられるようになった。特許３４８１１４２号公報には、ＡＣプラズマディスプレイパネルの製造において、電極を被覆する誘電体層をプラズマＣＶＤによって形成することが記載されている。化学的気相成長法によれば、薄くて厚さの均一な誘電体層を得ることができるとともに、一般的な材料である低融点ガラスよりも比誘電率の小さい二酸化珪素や有機酸化珪素などの物質からなる誘電体層を厚膜法よりも低い温度で形成することができる。【０００４】
フラットパネルディスプレイの基板のような比較的に大きな物体への成膜には、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置が適している。この種の装置は、材料ガスを広範囲に均等に噴き出すノズルを兼ねる上側電極と、物体を支持する台を兼ねる下側電極とを備え、下側電極上の物体と上側電極との間でプラズマを発生させるように構成されている。【０００５】
ＣＶＤによる成膜に際して、成膜対象の物体に成膜不用の箇所があるときには、その箇所に対してマスキングが行われる。マスキングに関する先行文献である特開２００３−３２４０７５号公報は、長方形のフレームと薄い帯状体である桟とを組み合わせたマスキング部材を開示している。
【特許文献１】特許３４８１１４２号公報
【特許文献２】特開２００３−３２４０７５号公報
【発明の開示】
【０００６】
電極の配列された基板上にＣＶＤ法によって厚さ数μｍ〜２０μｍ程度の誘電体層を形成するプラズマディスプレイパネルの製造において、電極の端子部を露出させるために基板にマスクを重ねてマスキングを行うと、誘電体層の厚さが不均一になることがある。詳しくは、図１に示すようにマスクの近傍が他の部分よりも極端に厚くなるという現象が起きる。図１（Ａ）、図１（Ｂ）はともにマスクの両側に成膜する場合である。しかし、図１（Ａ）では曲線ａ１，ａ２が示すようにマスクの両側で膜が厚くなっており、図１（Ｂ）では曲線ａ４が示すようにマスクの片側で膜が厚くなっている。曲線ａ３はマスクの他の側では膜厚が均一であることを示している。実験によれば、マスクの幅ｗが小さくなるにつれて、マスクの片側で膜が厚くなることが多い。局部的に厚い部分の膜厚は、マスクから離れて厚さの均一な部分の膜厚（成膜の設定値）の２倍に達することがある。局部的に厚い部分の範囲はマスクからの距離が２〜３ｍｍ程度の範囲である。
【０００７】
誘電体層の厚さの不均一は、画面を構成するセル間の動作特性のばらつきを生む。高品位で安定した表示を行うには、誘電体層の厚さが均一であるのが望ましい。
【０００８】
本発明の目的はマスキングを行う成膜において膜厚を均一にすることである。
【０００９】
本発明の目的を達成する成膜方法は、物体の表面を部分的にマスキングし、前記表面の露出部分に平行平板型のプラズマＣＶＤ装置によって膜を形成する成膜方法であって、マスキングのための部材として、プラズマ発生空間に向く側に放電を誘発する突起が形成された板状のマスクを用いる。
【００１０】
成膜対象の物体にマスクを重ねることによって生じるマスク近傍で膜厚が増大する現象の原因として、マスク端縁での異常放電が考えられる。プラズマ発生のための電極間に所定厚さのマスクを配置することによって、マスクを配置しない場合には現れない電界分布の特異点が出現し、それがマスク端縁での異常放電を引き起こす。マスク幅が比較的に大きい場合にはマスクの両端縁で異常放電が生じると推定される。一方、マスク幅が小さい場合には、一方の端縁で異常放電が生じると、それによって他方の端縁での放電が抑制され、結果的に片方の端縁のみで異常放電が生じると推定される。異常放電が生じると、その近傍では材料ガスの化学反応が他の領域よりも活発になる。すなわち、原料ガスの分解速度が増大する。このため、成膜速度が増大し、膜厚が局部的に増大する。
【００１１】
本発明の成膜方法に係るマスクの突起は、物体表面の平面視におけるマスキング領域内で積極的に異常放電を起し、マスキング領域外（すなわち成膜領域）に影響を及ぼすマスク端縁での異常放電の発生を抑制する。これにより、膜厚の局部的な増大が低減される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】従来の成膜方法におけるマスクと膜厚との関係を示す図である。
【図２】プラズマディスプレイパネルのセル構造の一例を示す分解斜視図である。
【図３】表示電極のパターンを示す平面図である。
【図４】マスクパターンの適用例を示す模式図である。
【図５】プラズマディスプレイパネルの製造において誘電膜を形成するときにマスキングを要する領域を示す平面図である。
【図６】マスクの第１例を示す平面図である。
【図７】図６のａ−ａ矢視断面図である。
【図８】図６のマスクに形成された突起の形状を示す斜視図である。
【図９】プラズマＣＶＤ装置の概要を示す模式図である。
【図１０】本発明の成膜方法におけるマスクと膜厚との関係を示す図である。
【図１１】マスクの第２例を示す平面図である。
【図１２】マスクの第３例を示す平面図である。
【図１３】マスクの第４例を示す平面図である。
【図１４】図１３のｂ−ｂ矢視断面図である。
【図１５】マスクの第５例を示す平面図である。
【図１６】図１５のマスクに形成された突起の形状を示す斜視図である。
【図１７】マスクの第６例を示す平面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、プラズマディスプレイパネルの誘電膜の形成を例にあげて本発明の成膜方法を説明する。【００１４】
典型的なプラズマディスプレイパネルは図２に示されるセル構造をもつ。図２では２行中の３列に対応した６個のセルを含む部分が描かれ、内部構造を解り易くするために前面板１０と背面板２０とが分離されている。【００１５】
プラズマディスプレイパネル１は前面板１０と背面板２０と図示しない放電ガスとで構成される。前面板１０は、ガラス基板１１、第１の行電極Ｘ、第２の行電極Ｙ、誘電膜１７、および保護膜１８を備える。行電極Ｘおよび行電極Ｙのそれぞれは、パターニングされた透明導電膜１４と金属膜１５の積層体である。背面板２０は、ガラス基板２１、列電極Ａ、誘電膜２２、複数の隔壁２３、赤（Ｒ）の蛍光体２４、緑（Ｇ）の蛍光体２５、および青（Ｂ）の蛍光体２６を備える。【００１６】
面放電を生じさせる表示電極としてガラス基板１１の内面に交互に配列された行電極Ｘおよび行電極Ｙは、誘電膜１７および保護膜１８によって被覆されている。誘電膜１７はＡＣプラズマディスプレイパネルに必須の要素である。誘電膜１７で被覆することにより、誘電膜１７に蓄積する壁電荷を利用して面放電を繰り返し起すことができる。保護膜１８は誘電膜１７に対するスパッタリングを防ぐ。【００１７】
なお、本発明の実施において行電極の配列は広く知られる２つの形態のどちらでもよい。１つは、図２のように隣接する行の間の電極間隙を各行における電極間隙（面放電ギャップ）よりも広くするものである。他の１つは、全ての行電極間隙を等しくするものである。【００１８】
図３は表示電極のパターンを示す。表示電極群４０を構成する行電極Ｘおよび行電極Ｙは、画面６０からガラス基板１１の端縁の近傍まで延長されており、それぞれの先端に駆動ユニットとの導電接続のための端子Ｘｔ，Ｙｔが設けられている。図３において、行電極Ｘの端子Ｘｔはガラス基板１１の左端側に配置され、行電極Ｙの端子Ｙｔはガラス基板１１の右端側に配置されている。端子Ｘｔの配列ピッチは画面６０での行電極Ｘの配列ピッチと異なるので、行電極Ｘの左端の部分（端子Ｘｔを含む）は屈曲した帯状にパターニングされている。この屈曲した部分は透明導電膜１４と金属膜１５の積層体ではなく、金属膜１５のみからなる。同様に、行電極Ｙの右端の部分（端子Ｙｔを含む）は屈曲した帯状にパターニングされており、この屈曲した部分は金属膜１５のみからなる。【００１９】
以上の構成をもつプラズマディスプレイパネル１は、前面板１０および背面板２０を別個に作製し、その後に貼り合わす手順で製造される。一般に、前面板１０の作製にはガラス基板１１の２倍以上の面積をもつマザーガラス板が用いられ、複数個の前面板１０が一括に作製される。同様に複数個の背面板２０も一括に作製される。前面板１０と背面板２０の貼り合わせに先立ってマザーガラス板の分割が行われ、個別化された前面板１０と個別化された背面板２０とが貼り合わせによって一体になる。【００２０】
前面板１０の作製において、誘電膜１７はＣＶＤ法によって形成され、その際に端子Ｘｔ，Ｙｔに対するマスキングが行われる。マスキングを行わなければ、誘電膜１７を形成した後に端子Ｘｔ，Ｙｔを露出させるために誘電膜１７の一部をエッチングまたは研磨によって取り除かなければならない。マスキングを行うことにより、誘電膜１７を部分的に取り除く工程が不要になり、製造時間が短縮されるとともに歩留まりが向上し、生産性が高まる。【００２１】
図４（Ａ）〜（Ｅ）はマスクパターンの適用例を示す。各図において左から順に、マスクパターン、マザーガラス板とそれに含まれるガラス基板との位置関係、およびマザーガラス板とマスクとの位置関係が描かれている。図中のハッチングはプラズマディスプレイパネルのガラス基板として切り出される領域を示し、破線はマスクによって隠れるガラス基板の端縁を示す。【００２２】
図４（Ａ）および（Ｂ）のように、四角形のマスクパターンＰ１はマザーガラス板から１つのガラス基板のみを作製する１枚取り（１イン１）、または２つのガラス基板を作製する２枚取り（２イン１）に適用可能である。図４（Ｃ）および（Ｄ）のように、２つの開口をもつマスクパターンＰ２は２枚取り、または４つのガラス基板を作製する４枚取り（４イン１）に適用可能である。そして、図４（Ｅ）のように２列に並んだ４つの開口をもつマスクパターンＰ４は４枚取りに適用可能である。【００２３】
マスクの寸法はプラズマディスプレイパネルの画面サイズに応じて選定される。例えば、対角４２インチの画面をもつプラズマディスプレイパネルのガラス基板はおよそ９９４ｍｍ×５８５ｍｍの大きさをもつ。このガラス基板を４枚取りで作製する場合のマザーガラス板は少なくとも１９８８ｍｍ×１１７０ｍｍの大きさをもつ。マスクの外形はマザーガラス板よりも大きい。マスクの開口は画面よりも大きく、ガラス基板よりも小さい。【００２４】
４枚取りを例に挙げると、誘電膜の形成に際して図５の領域Ｓ１１および領域Ｓ１２に対してマスキングを行わなければならない。図５においてマザーガラス板１１１には４個の表示電極群４０が２列に並べて形成されている。マザーガラス板１１１における４個の表示電極群４０のそれぞれの配置されている部分が、１個のプラズマディスプレイパネルにおける前面側のガラス基板１１に相当する。領域Ｓ１１は各表示電極群４０の図中上側の端子部に対応し、領域Ｓ１２は各表示電極群４０の図中下側の端子部に対応する。【００２５】
図６はマスキングに使用するマスクの構成の第１例を示す。【００２６】
まず、図示のマスク７１の基本構成を説明する。【００２７】
マスク７１は４枚取りに適用される絶縁材料からなる板状のマスキング部材である。平面視において、マスク７１は、四角形の環状部分と環状部分の内部を垂直水平両方向にそれぞれ２等分する十字状部分とからなり、４個の長方形の開口７１１，７１２，７１３，７１４をもつ。図では示されないが、実際にはマスク７１は所定長さの真っ直ぐな帯状の複数の板を組み合わせる手法によって作製される。各板は２０ｍｍ〜３０ｍｍ程度の幅をもち、組み合わせのための係合部を備える。組み合わせ式のマスク作製はコスト面で有利である、ただし、一体成形や平板に開口を設ける加工などの方法によってマスク７１を作製することも可能である。マスク７１の好適な材質はセラミックス、耐熱ガラス質などである。【００２８】
使用に際してマスク７１は厚さ約３０ｍｍのアルミニウムからなる四角形のフレーム７２によって支持される。フレーム７２はマザーガラス板よりも大きく且つ厚い。このことによってマザーガラス板が加熱によって反るのを防ぐ押さえ部材として十分な機械的強度がフレーム７２に備わっている。【００２９】
次に、マスク７１の特徴を説明する。【００３０】
マスク７１は、平面視において開口７１１〜７１４の端縁に沿って延びる帯状の突起７１５，７１６を備える。突起７１５は垂直方向に延び、突起７１６は水平方向に延びる。本例のマスク７１では、開口７１１〜７１４をそれぞれ取り囲むように、上記環状部分および十字状部分の双方に突起７１５，７１６が配置されている。環状部分における配置位置は、突起による異常放電が成膜領域に影響しないように、開口７１１〜７１４から適切距離（例えば数ｍｍ）だけ離れている。十字状部分における配置位置は十字を構成する垂直帯および水平帯のそれぞれにおける幅方向の中央であり、開口７１１〜７１４から離れている。【００３１】
図７および図８に示されるように、突起７１５，７１６はマスク７１の上面のみに形成されている。上面とは、表裏の２面のうち、マスキング対象であるマザーガラス板に重ねたときにマザーガラス板と対向する面（下面）ではない面であり、ＣＶＤにおけるプラズマ発生空間に向く面である。【００３２】
図８によく示されるように、突起７１５の横断面形状は三角形であり、突起７１５の外形は三角柱である。突起７１６も同様である。【００３３】
成膜への影響を小さくする上で、マスク７１が薄いのが望ましい。一方、マスク７１には機械的強度が求められる。これらを考慮すると、マスク７１における突起形成部分以外の部分の厚さｈ１の実用的な値は５±２ｍｍ程度である。【００３４】
突起７１５，７１６の寸法は、成膜時のガス流を極端に乱さず、且つマスク表面に放電を誘発する特異点を形成するという要件を満たすように選定されなければならない。突起７１５，７１６の高さｈ２の実用的な値は２ｍｍ〜５ｍｍ程度である。【００３５】
突起７１５，７１６をもつマスク７１の形成方法としては、厚さがｈ１とｈ２の合計以上である板状材料を用意して、不要部分を削り落す方法が好適である。この方法によれば、型成形と比べて頂の鋭利な突起が容易に得られるとともに、平板に突起を接合する方法と比べて耐久性に優れたマスク７１が得られる。【００３６】
以上のマスク７１を使用する誘電膜の成膜は、図９に示される平行平板型のプラズマＣＶＤ装置３００によって行われる。プラズマＣＶＤ装置３００は、金属製容器からなるチャンバ（反応室）３１０、材料ガスを広範囲に均等に噴き出すシャワープレート３２０、成膜対象物を支持する可動ベース３３０、上述したマスキング用のマスク７１、およびマスク７１を支持するフレーム７２を備える。【００３７】
シャワープレート３２０はプラズマ発生のための上側電極を兼ね、可動ベース３３０は下側電極を兼ねる。可動ベース３３０には成膜対象物を加熱するヒータが組み込まれている。【００３８】
チャンバ３１０の内部において、シャワープレート３２０と可動ベース３３０との間にマスク７１が配置される。図示の成膜時の状態では、可動ベース３３０には表示電極群４０の形成されたマザーガラス板１１１が載置され、マスク７１の下面が表示電極群４０の上面と当接している。表示電極群４０とシャワープレート３２０との間の空間でプラズマが発生する。マザーガラス板１１１とシャワープレート３２０との距離は１０ｍｍ〜２０ｍｍ程度に選定されており、この距離よりもマスク７１とシャワープレート３２０との距離は短い。【００３９】
本例の可動ベース３３０は上下に移動可能なリフト式である。マザーガラス板１１１の搬入時および搬出時には可動ベース３３０は下がり、固定配置されたマスク７１から離れる。チャンバ３１０にはインタロック機能をもった搬入・搬出のための機構が組み付けられている。【００４０】
成膜工程の概要は次のとおりである。【００４１】
マザーガラス板１１１を搬入したチャンバ３１０の内部を例えば２．５Ｔｏｒｒ〜３．５Ｔｏｒｒ程度の圧力に減圧し、マザーガラス板１１１を２００℃〜４００℃程度の温度に加熱した状態で、シャワープレート３２０の中央に設けられた導入孔３２１からチャンバ３１０内に原料ガスが導入される。二酸化珪素からなる誘電膜を形成する場合には、例えばシラン（ＳｉＨ4）と二酸化炭素（ＣＯ2）が導入される。導入された原料ガスはシャワープレート３１０からマザーガラス板１１１の全体に向かってほぼ均等に噴出する。【００４２】
原料ガスの導入と並行して、可動ベース３３０の下方に位置する主排気孔３１１を介してチャンバ３１０に対する排気が行われる。チャンバ３１０には図示しない真空計が設けられており、その出力に応じて排気系のバルブを制御することによってチャンバ３１０の真空度が一定に保たれる。【００４３】
このようにして一定量の原料ガスが供給されるチャンバ３１０の内部では、１．５ｋＷ〜２．５ｋＷの高周波電力の印加により発生したプラズマが原料ガスを活性化し、化学反応を促進させる。そして、化学反応で生じた膜材料がマザーガラス板１１１の成膜面Ｓ１に堆積し、誘電膜を形成する。本例での成膜面Ｓ１とは、電極群４０の形成されたマザーガラス板１１１における上面のうちの非マスキング部分であり、厳密には電極群４０の露出面と電極間の基板面とで構成される。【００４４】
このような成膜において、マスク７１の突起７１５，７１６（図９では突起７１５のみ図示）が膜厚の均一化に貢献する。突起７１５，７１６は、マスク７１と上側電極（シャワープレート３１０）との間で何らかの要因で異常放電８５が起きようとするとき、避雷針のごとく、その異常放電８５を突起形成位置で起す作用を奏する。突起形成位置で異常放電８５が起きることによって、成膜領域に影響が及ぶマスク端縁での異常放電が抑制される。すなわち、成膜領域内での局部的な成膜速度の増大が低減される。その結果、図１０の曲線ｂ１、ｂ２で示されるように膜厚の均一な誘電膜が得られる。【００４５】
突起７１５，７１６の配置数、配置位置、配置密度、および形状については、マスク寸法、マスクパターン、成膜環境（異常放電の発生状況）に応じて適宜変更することができる。各種の変形例の一部が以下の図１１〜図１７によって示される。【００４６】
図１１のマスク７１ｂの基本構成は上記マスク７１と同様である。マスク７１ｂにおいては、開口７１１〜７１４のうちの隣接する２個を分断する部分、すなわち十字状部分に突起７１５，７１６が配置されている。【００４７】
図１２のマスク７１ｃの基本構成は上記マスク７１と同様である。マスク７１ｃにおいては、開口７１１と開口７１２とを分断する部分および開口７１３と開口７１４とを分断する部分、すなわち十字状部分のうちの垂直帯に突起７１５が配置されている。【００４８】
図１３のマスク７１ｄは、２枚取りまたは４枚取りに適用されるマスクパターンＰ２をもつ（図４参照）。マスク７１ｄにおいては、２個の開口７１７，７１８を分断する部分に、２つの平面視帯状の突起７１９が平行に配置されている。配置位置は、突起による異常放電が成膜領域に影響しないように、開口７１７，７１８から適切な距離だけ離れている。突起７１９の形状は上記の例の突起７１５，７１６と同様である。【００４９】
図１５のマスク７７は、上記マスク７１と同様に四角形の環状部分と環状部分の内部を垂直水平両方向にそれぞれ２等分する十字状部分とからなる板状のマスキング部材であり、４個の長方形の開口７７１，７７２，７７３，７７４をもつ。マスク７７の材質および作製方法も上記マスク７１と同様である。【００５０】
マスク７７の特徴は、開口７７１〜７７４の端縁に沿って円錐状の突起７７５が間隔を開けて配置されていることである。突起７７５は、環状部分および十字状部分の双方に形成され、開口７７１〜７７４をそれぞれ取り囲む。環状部分における突起７７５の配置位置は、突起による異常放電が成膜領域に影響しないように、開口７７１〜７７４から適切距離だけ離れている。十字状部分における配置位置は十字を構成する垂直帯および水平帯のそれぞれにおける幅方向の中央であり、開口７７１〜７７４から離れている。【００５１】
図１６に示されるように突起７７５はマスク７７の上面のみに形成され、図９のＣＶＤ装置３００においてプラズマ発生空間に向かって突き出る。突起７７５はマスク表面に放電を誘発する特異点を形成し、マスク端縁での異常放電の発生を抑制する。【００５２】
図１７のマスク７７ｂの基本構成は図１５のマスク７１と同様である。マスク７７ｂにおいては、開口７７１〜７７４のうちの隣接する２個を分断する部分、すなわち十字状部分に突起７７５が配置されている。【００５３】
図１５〜図１７の例において、突起７７５の形状を円錐に代えて三角錐、四角錐、その他の角錐、半球、円錐台、角錐台、立方体、短い柱状、針状などの任意の形状に変更することができる。全ての突起７７５の形状が一律である必要はなく、形状および大きさの異なる突起を配置してもよい。図１３のように２列に配列してもよい。３列またはそれ以上の列に配置してもよい。また、異常放電の起こり易い部位に他の部位と比べて密に配置することもできる。【００５４】
本発明の成膜方法の実施において、マスクパターンは成膜対象の形状に応じて選定されるべきものであり、図４に例示のパターンに限定されない。開口は多角形、円形、楕円、および不定形を含む任意の形状であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、化学的気相堆積法による膜の形成であって、化学反応のためのプラズマ発生に影響する厚さをもったマスクを使用しなければならない成膜に有用であり、例えば、プラズマディスプレイパネルおよび液晶パネルを含むフラットパネルディスプレイの製造に利用することができる。
【図１】
2007055030.tif 000003
【図２】
2007055030.tif 000004
【図３】
2007055030.tif 000005
【図４】
2007055030.tif 000006
【図５】
2007055030.tif 000007
【図６】
2007055030.tif 000008
【図７】
2007055030.tif 000009
【図８】
2007055030.tif 000010
【図９】
2007055030.tif 000011
【図１０】
2007055030.tif 000012
【図１１】
2007055030.tif 000013
【図１２】
2007055030.tif 000014
【図１３】
2007055030.tif 000015
【図１４】
2007055030.tif 000016
【図１５】
2007055030.tif 000017
【図１６】
2007055030.tif 000018
【図１７】
2007055030.tif 000019
【国際調査報告】
2007055030.tif 000020
2007055030.tif 000021
2007055030.tif 000022
2007055030.tif 000023