【手続補正書】
【提出日】令和1年10月16日(2019.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この目標を達成できるようにする本発明の主題は、長手方向と名付けられた方向に沿って主として延びる、且つ前記長手方向に沿ってその端部の１つに位置する少なくとも１つの固着部によって、前記長手方向と平行な平面基板に連結された機械的構造であって、基板と平行な平面において屈曲できる機械的構造を含むマイクロエレクトロメカニカルデバイスであって、前記機械的構造が、接合部と名付けられた部分を含み、接合部が、前記又は各前記固着部に機械的構造を連結し、且つ抵抗型変換器を形成するために、電流を注入するための第１及び第２のゾーンを呈する抵抗領域を含み、前記抵抗領域が、前記又は１つの前記固着部から前記長手方向に主として延び、且つ基板に平行な前記平面における前記機械的構造の屈曲が前記抵抗領域における非ゼロの平均歪みを誘起するように、および逆も同様であるように、配置され、
−  前記第１の注入ゾーンが、前記固着部によって担持されることと、
−  前記第２の注入ゾーンが、前記基板に固定されない、且つ前記長手方向にほぼ直角な、横方向と名付けられた方向に延びる導電要素によって担持されることと、
を特徴とするマイクロエレクトロメカニカルデバイスである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の別の主題は、電気作動回路を含むタイプの、本発明の実施形態による第１のマイクロエレクトロメカニカルデバイス、及び電気検出回路を含むタイプの、本発明の実施形態による第２のマイクロエレクトロメカニカルデバイスを含むマイクロエレクトロメカニカルシステムであって、第１及び第２のデバイスの機械的構造が、機械的に結合され、第１のデバイスの作動回路が、作動周波数と名付けられた周波数の、および、直流電気信号に重畳された、又は作動周波数とは異なる周波数の、交流電気信号を注入するように構成され、第２のデバイスの検出回路が、同じ周波数における抵抗の変動を測定するように構成されるマイクロエレクトロメカニカルシステムである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
前述のように、これらの抵抗は、解放された機械構造ゾーンに配置され、そこにおいて、平面における屈曲歪みは、基板に平行な平面における前記構造の屈曲が抵抗において非ゼロの平均歪みを誘起するように、ただ１つの符号をもち（検出において変換器を使用するため）、逆も同様であり、熱膨張によって発生された機械的な歪みが、かかる屈曲を引き起こす（作動において変換器を使用するため）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
相反的に、ＤＣ電圧に重畳された、逆位相で交番する電圧（又は実際には、ＤＣ成分がない状態で、求められるＰ１の振動周波数の半分と等しい周波数における直角位相のＡＣ電圧）をＰＬＳ１及びＰＬＳ２に印加することによって、差動作動をもたらすことが可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向と名付けられた方向（ｘ）に沿って主として延びる、且つ前記長手方向に沿ってその端部の１つに位置する少なくとも１つの固着部（ＡＰＬＭ１、ＡＰＬＭ２）によって、平面基板（Ｓ）に連結された機械的構造（Ｐ１）であって、基板と平行な平面において屈曲できる機械的構造（Ｐ１）を含むマイクロエレクトロメカニカルデバイスであって、前記機械的構造が、接合部と名付けられた部分を含み、接合部が、前記又は各前記固着部に機械的構造を連結し、且つ抵抗型変換器を形成するために、電流を注入するための第１（ＰＬＭ１）及び第２（Ｉ２）のゾーンを呈する抵抗領域（Ｒ１）を含み、前記抵抗領域が、前記又は１つの前記固着部から前記長手方向に主として延び、且つ基板に平行な前記平面における前記機械的構造の屈曲が前記抵抗領域における非ゼロの平均歪みを誘起するように、および逆も同様であるように、配置され、
−  前記第１の注入ゾーン（ＰＬＭ１）が、前記固着部（ＡＰＬＭ１）によって担持されることと、
−  前記第２の注入ゾーン（Ｉ２）が、前記基板に固定されない、且つ前記長手方向にほぼ直角な、横方向（ｙ）と名付けられた方向に延びる導電要素によって担持されることと、
基板（Ｓ）が、長手方向（ｘ）及び横方向（ｙ）によって画定された平面と平行であることと、
を特徴とするマイクロエレクトロメカニカルデバイス。
【請求項２】
前記抵抗領域がまた、前記基板に固定されない、前記横方向に延びる導電要素であって、第１の注入ゾーンと第３の注入ゾーンとの間に配置される前記第２の注入ゾーンを担持する導電要素とは別個の導電要素によって担持される、電流を注入するための少なくとも１つの第３のゾーン（Ｉ１）を呈する、請求項１に記載のマイクロエレクトロメカニカルデバイス。
【請求項３】
前記機械的構造が、半導体材料で作製され、前記注入ゾーンが、この半導体材料のそれぞれの部分の上に堆積された、オーミックコンタクトを形成する金属層を含む、請求項１又は２に記載のマイクロエレクトロメカニカルデバイス。
【請求項４】
少なくとも１つの前記注入ゾーン（Ｉ１、Ｉ１ｉｎｔ）が、前記抵抗領域の範囲を超えて、前記接合部の幅全体にわたって延びる、請求項１から３のいずれか一項に記載のマイクロエレクトロメカニカルデバイス。
【請求項５】
少なくとも前記第２の注入ゾーンが、前記基板に固定されず、且つ前記横方向において可撓性を示す梁状要素（ＰＡＩ１）によって前記基板に固定されたコンタクトパッド（ＰＬＭ３）に連結される、請求項１から４のいずれか一項に記載のマイクロエレクトロメカニカルデバイス。
【請求項６】
前記梁状要素が、機械的構造の可撓性より大きい、前記横方向における可撓性を示す、請求項５に記載のマイクロエレクトロメカニカルデバイス。
【請求項７】
機械的構造の前記接合部が、前記長手方向に沿って向けられた、且つ接合部の中立ファイバの両側に配置された少なくとも２つの平行梁（Ｐ１ａ、Ｐ１ｂ）を含み、前記抵抗領域が、前記梁の１つに含まれる、請求項１から６のいずれか一項に記載のマイクロエレクトロメカニカルデバイス。
【請求項８】
機械的構造の前記接合部が、前記長手方向に沿って向けられた単一の梁（Ｐ１）を含み、前記抵抗領域が、前記梁の側部に配置され、梁の残りが、より高い電気抵抗率を示す材料で作製される、項請求項１から７のいずれか一項に記載のマイクロエレクトロメカニカルデバイス。
【請求項９】
前記注入ゾーンの２つの間における前記抵抗領域の時変電気抵抗を測定するように構成された電気検出回路（ＣＭＲ）もまた含む、請求項１から８のいずれか一項に記載のマイクロエレクトロメカニカルデバイス。
【請求項１０】
前記注入ゾーンを通って前記抵抗領域に交流電気信号を注入するように構成された電気作動回路（ＣＸ）もまた含む、請求項１から９のいずれか一項に記載のマイクロエレクトロメカニカルデバイス。
【請求項１１】
前記機械的構造が、前記接合部に含まれる２つの抵抗領域（Ｒ１０、Ｒ２０）であって、基板に平行な平面における前記接合部の屈曲が、前記抵抗領域における反対符号の非ゼロの平均歪みを誘起するような方法で配置された２つの抵抗領域（Ｒ１０、Ｒ２０）を含み、各前記抵抗領域が、電流を注入するための前記第１（ＰＬＳ１、ＰＬＳ２）及び前記第２（Ｉ１０）のゾーンを呈し、電流を注入するための前記第１のゾーンが分離される、請求項１から８のいずれか一項に記載のマイクロエレクトロメカニカルデバイス。
【請求項１２】
電流を注入するための第１の２つのゾーンの抵抗間における、経時的に変化する差を測定するように構成された電気検出回路（ＣＡＤＤ）もまた含む、請求項１１に記載のマイクロエレクトロメカニカルデバイス。
【請求項１３】
作動周波数と名付けられた同一周波数の、および、逆位相で、直流電気信号に重畳されている、又は前記作動周波数とは異なる周波数の、交流電気信号を、前記注入ゾーンを通して前記抵抗領域に注入するように構成された電気作動回路（ＣＡＤＤ）もまた含む、請求項１１に記載のマイクロエレクトロメカニカルデバイス。
【請求項１４】
作動周波数と名付けられた同一周波数の、および、直角位相で、直流電気信号に重畳されていない、又は前記作動周波数とは異なる周波数の、交流電気信号を、前記注入ゾーンを通して前記抵抗領域に注入するように構成された電気作動回路（ＣＡＤＤ）もまた含む、請求項１１に記載のマイクロエレクトロメカニカルデバイス。
【請求項１５】
請求項９に記載の第１のマイクロエレクトロメカニカルデバイス（Ｄ）、及び請求項１０に記載の第２のマイクロエレクトロメカニカルデバイス（Ｄ’）を含むマイクロエレクトロメカニカルシステムであって、第１及び第２のデバイスの機械的構造（Ｐ１、Ｐ１’）が、機械的に結合され、第１のデバイスの作動回路（ＣＸ）が、作動周波数と名付けられた周波数の、又は作動周波数とは異なる周波数の、直流電気信号に重畳された交流電気信号を注入するように構成され、第２のデバイスの検出回路（ＣＭＲ）が、同じ周波数における抵抗の変動を測定するように構成されるマイクロエレクトロメカニカルシステム。
【請求項１６】
請求項１４に記載の第１のマイクロエレクトロメカニカルデバイス、及び請求項１２に記載の第２のマイクロエレクトロメカニカルデバイスを含むマイクロエレクトロメカニカルシステムであって、第１及び第２のデバイスの機械的構造が、機械的に結合され、第１のデバイスの作動回路が、第１の周波数の交流電流を注入するように構成され、第２のデバイスの検出回路が、第１の周波数の２倍の第２の周波数における抵抗の変動を測定するように構成されるマイクロエレクトロメカニカルシステム。
【請求項１７】
請求項９に記載の第１のマイクロエレクトロメカニカルデバイス（Ｄ）、及び請求項１０に記載の第２のマイクロエレクトロメカニカルデバイス（Ｄ’）を含むマイクロエレクトロメカニカルシステムであって、第１及び第２のデバイスの機械的構造（Ｐ１、Ｐ１’）が、機械的に結合され、第１のデバイスの作動回路（ＣＸ）が、直流電気信号との重畳なしに、第１の周波数の交流電気信号を注入するように構成され、第２のデバイスの検出回路（ＣＭＲ）が、第１の周波数の２倍の第２の周波数における抵抗の変動を測定するように構成されるマイクロエレクトロメカニカルシステム。