【手続補正書】
【提出日】令和1年6月3日(2019.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面と端面とを有する基板を備え、前記主面は、周縁領域と、前記周縁領域によって囲まれる素子領域とを含み、さらに、
前記素子領域上と前記周縁領域上とに設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた第１の非晶質絶縁膜とを備え、
前記第１の非晶質絶縁膜は、前記周縁領域上に配置され、かつ、前記素子領域から分離されており、
前記第１の非晶質絶縁膜は、前記端面に沿ってストライプ状に延在しており、
前記第１の非晶質絶縁膜は、前記端面と面一である、半導体装置。
【請求項２】
前記素子領域と前記第１の非晶質絶縁膜との間において、前記第１の非晶質絶縁膜の下に設けられた前記第１の絶縁膜は、前記素子領域上に設けられた前記第１の絶縁膜から分離されており、
前記第１の非晶質絶縁膜の下に設けられた前記第１の絶縁膜は、前記端面に沿ってストライプ状に延在しており、
前記第１の非晶質絶縁膜の下に設けられた前記第１の絶縁膜は、前記端面と面一である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
主面と端面とを有する基板を備え、前記主面は、周縁領域と、前記周縁領域によって囲まれる素子領域とを含み、さらに、
前記周縁領域上に位置し、かつ、前記端面に沿って延在している第１のストライプ構造部と、
前記周縁領域上に位置し、かつ、前記端面に沿って延在している第２のストライプ構造部とを備え、
前記第２のストライプ構造部は、前記素子領域と前記第１のストライプ構造部との間に位置し、
前記第１のストライプ構造部は、前記第２のストライプ構造部よりも厚い、半導体装置。
【請求項４】
前記第１のストライプ構造部は、第１の絶縁膜の一部と、前記第１の絶縁膜の前記一部上に設けられた第３の絶縁膜とを含み、
前記第２のストライプ構造部は、前記第１の絶縁膜を含み、
前記第１の絶縁膜は、前記素子領域上と前記周縁領域上とに設けられており、
前記第１の絶縁膜の前記一部は、前記周縁領域上に設けられ、かつ、前記端面に沿ってストライプ状に延在しており、
前記第３の絶縁膜は、前記端面に沿ってストライプ状に延在している、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１のストライプ構造部は、第４の絶縁膜と、前記第４の絶縁膜上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられた第１の導電性膜とを含み、
前記第４の絶縁膜は、前記周縁領域上に設けられ、かつ、前記端面に沿ってストライプ状に延在しており、
前記第１の導電性膜は、前記端面に沿ってストライプ状に延在している、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記周縁領域上に設けられた前記第１の絶縁膜上に設けられた第３の絶縁膜をさらに備え、
前記第３の絶縁膜は、前記素子領域と前記第１の非晶質絶縁膜との間に設けられており、
前記第３の絶縁膜は、前記素子領域及び前記第１の非晶質絶縁膜から分離されており、
前記第３の絶縁膜は、前記端面に沿ってストライプ状に延在している、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
主面と、端面と、前記主面と前記端面とに接続される切欠部とを有する基板を備え、前記主面は、周縁領域と、前記周縁領域によって囲まれる素子領域とを含み、前記切欠部は、前記端面に沿ってストライプ状に延在しており、
前記切欠部は、前記主面に接続されている側面と、前記側面と前記端面とに接続されている底面とを有し、
前記切欠部は、前記基板の露出面のみで構成されている、半導体装置。
【請求項８】
前記素子領域上と前記周縁領域上とに設けられた第１の絶縁膜と、
前記周縁領域上に設けられた前記第１の絶縁膜上に設けられた第３の絶縁膜とをさらに備え、
前記第３の絶縁膜は、前記素子領域と前記切欠部との間に設けられており、
前記第３の絶縁膜は、前記素子領域から分離されており、
前記第３の絶縁膜は、前記端面に沿ってストライプ状に延在している、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
主面と、端面と、前記主面と前記端面とに接続される切欠部とを有する基板を備え、前記主面は、周縁領域と、前記周縁領域によって囲まれる素子領域とを含み、前記切欠部は、前記端面に沿ってストライプ状に延在しており、さらに、
前記切欠部上に設けられた第１の多結晶膜を備え、前記第１の多結晶膜は前記端面に沿ってストライプ状に延在している、半導体装置。
【請求項１０】
主面と、端面と、１つ以上の第１の溝部とを有する基板を備え、前記主面は、周縁領域と、前記周縁領域によって囲まれる素子領域とを含み、前記１つ以上の第１の溝部は、前記周縁領域に形成され、かつ、前記端面に沿ってストライプ状に延在しており、さらに、
前記１つ以上の第１の溝部内に設けられた第１の多結晶膜を備え、前記第１の多結晶膜は、前記端面に沿ってストライプ状に延在している、半導体装置。
【請求項１１】
前記素子領域上と前記周縁領域上とに設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた第１の非晶質絶縁膜とを備え、
前記第１の非晶質絶縁膜は、前記１つ以上の第１の溝部と前記端面との間に配置され、かつ、前記素子領域から分離されており、
前記第１の非晶質絶縁膜は、前記端面に沿ってストライプ状に延在しており、
前記第１の非晶質絶縁膜は、前記端面と面一である、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１の絶縁膜上に設けられた第３の絶縁膜をさらに備え、
前記第３の絶縁膜は、前記素子領域と前記１つ以上の第１の溝部との間に配置されるとともに、前記素子領域及び前記第１の非晶質絶縁膜から分離されており、
前記第３の絶縁膜は、前記端面に沿ってストライプ状に延在している、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第１の多結晶膜は、前記第１の多結晶膜の内部に空洞を含んでいる、請求項９から請求項１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記周縁領域上に設けられた前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の導電性膜を備え、
前記第２の導電性膜は、前記第１の非晶質絶縁膜から分離されており、
前記第１の非晶質絶縁膜は、第１の非晶質絶縁膜部分と、第２の非晶質絶縁膜部分とを含み、
前記第２の導電性膜と、前記第１の非晶質絶縁膜部分と、前記第２の非晶質絶縁膜部分とは、前記端面に沿って配置されており、
前記第２の導電性膜は、前記第１の非晶質絶縁膜部分と前記第２の非晶質絶縁膜部分とに挟まれている、請求項１、２、６、１１、１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記素子領域と前記第２の導電性膜との間において、前記周縁領域上に設けられた前記第１の絶縁膜は、前記端面に沿ってストライプ状に延在する貫通孔を有する、請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記周縁領域上に設けられた前記第１の絶縁膜上に設けられた第６の絶縁膜をさらに備え、
前記第６の絶縁膜は、前記素子領域と前記第２の導電性膜との間に設けられるとともに、前記素子領域及び前記第２の導電性膜から分離されており、
前記第６の絶縁膜は、前記端面に沿ってストライプ状に延在している、請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１７】
第２の多結晶膜をさらに備え、
前記基板は、前記周縁領域における前記主面に形成され、かつ、前記端面に沿ってストライプ状に延在している第３の溝部を含み、
前記第２の多結晶膜は、前記第３の溝部内に設けられ、かつ、前記端面に沿ってストライプ状に延在しており、
前記第２の多結晶膜と前記第３の溝部とは、前記素子領域と前記第２の導電性膜との間に位置している、請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記素子領域は、前記周縁領域に隣接する耐圧保持領域と、前記耐圧保持領域によって囲まれている能動素子領域とを含む、請求項１から請求項１７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
本実施の形態の半導体装置１ｈの製造方法は、ウエハ１０の主面１０ａの周縁領域３に、第１の溝部１０ｃと、第２の溝部１０ｄとを形成すること（Ｓ１０）を備える。第１の溝部１０ｃと第２の溝部１０ｄとは、素子領域２から離れている。第１の溝部１０ｃと第２の溝部１０ｄとは、第１の方向に沿ってストライプ状に延在している。第１の溝部１０ｃと第２の溝部１０ｄとは、第１の方向に直交する第２の方向に互いに離れている。本実施の形態の半導体装置１ｈの製造方法は、第１の溝部１０ｃ及び第２の溝部１０ｄ内に第１の多結晶膜４２を形成すること（Ｓ１２）と、周縁領域３上に第１の絶縁膜１６を形成すること（Ｓ１ｈ）と、ブレードを用いて、第１の溝部１０ｃと第２の溝部１０ｄとに沿ってウエハ１０を切断すること（Ｓ３ｈ）を備える。ウエハ１０を切断する（Ｓ３ｈ）際、第１の溝部１０ｃの少なくとも一部と、第２の溝部１０ｄの少なくとも一部とが残存している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６２】
2018157022.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６７】
2018157022.tif 000002