【事件の表示】
　特願２０１５−５５５８７７「導電性粒子，導電材料及び接続構造体」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　４月２８日国際公開，ＷＯ２０１６／０６３９４１〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１５年（平成２７年）１０月２２日（優先権主張　平成２６年１０月２２日）を国際出願日とする出願であって，令和１年８月６日付けの拒絶理由の通知に対し，同年１０月１１日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされた後，同年１２月２３日付けで拒絶査定がなされ，これに対して令和２年４月１日に審判請求とともに手続補正がなされたものである。
　その後，令和２年１２月１８日付けで当審から拒絶理由の通知がなされ，令和３年２月１７日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされた。
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし７に係る発明は，令和３年２月１７日に提出された手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載されたとおりのものであるところ，補正された特許請求の範囲の請求項１（以下，「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
「基材粒子と，銅を含む第１の導電部と，パラジウムを含む第２の導電部と，複数の芯物質とを備え，
　前記基材粒子の外表面上に前記第１の導電部が配置されており，前記第１の導電部の外表面上に前記第２の導電部が配置されており，
　前記第２の導電部が外表面に複数の突起を有し，
　前記芯物質が，前記第２の導電部の前記突起の内側に配置されており，前記芯物質によって前記第２の導電部の外表面が隆起されており，
　前記芯物質の材料がアルミナであり，
　前記芯物質の平均径が１５０ｎｍ以上，３００ｎｍ以下である，導電性粒子。」
第３　拒絶の理由
　令和２年１２月１８日付けで当審から通知した拒絶理由は，以下の理由を含むものである。
１　本願発明は，本願の優先日前に日本国内または外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献２に記載された発明及び引用文献１及び７に記載された事項に基いて，その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
２　本願発明は，本願の優先日前に日本国内または外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献７に記載された発明及び引用文献２及び３に記載された事項に基いて，その優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献１：国際公開第２０１４／０５４５７２号
引用文献２：特開２００９−１３５０８６号公報
引用文献３：特開２０１１−２０４５３１号公報
引用文献７：国際公開第２０１３／０９４６３６号
第４　引用文献の記載
１　引用文献１
　引用文献１には，下記の事項が記載されている（下線は当審で付加。以下同様。）。
「[0008]　上述した特許文献１〜３には，導電層の外側の表面に突起を有する導電性粒子が開示されている。
導電性粒子により接続される電極，及び導電性粒子の導電層の表面には，酸化被膜が形成されていることが多い。上記導電層の突起は，導電性粒子を介して電極間を圧着する際に，電極及び導電性粒子の表面の酸化被膜を排除して，導電層と電極とを接触させるために形成されている。
２　引用文献２に記載された事項
　引用文献２には，下記の事項が記載されている。
「【請求項１】
　
樹脂粒子と，該樹脂粒子の表面に設けられた金属層と，を備え，
　前記金属層が，前記樹脂粒子に近い順に，銅又は銅合金を含有する第１の層と，パラジウムを含有する第２の層とが積層された構造を有することを特徴とする導電粒子。
「【００８８】
　
図１（ａ）は絶縁被覆導電粒子を接着剤３に分散した異方導電性接着剤である。絶縁被覆導電粒子は導電粒子２と絶縁性子粒子１より成る。次に図１（ｂ）に示すように第一の基板４と第二の基板６を準備し，異方導電性接着剤をその間に配置する。このとき，第一の電極５と第二の電極７が対抗するようにする。次に図３（ｃ）に示すように第一の基板４と第二の基板６を加圧加熱しつつ積層する。
「【実施例】
【００９０】
　以下，実施例及び比較例に基づき本発明を更に具体的に説明するが，本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【００９１】
（導電粒子１）
　平均粒径３．８μｍの架橋ポリスチレン粒子１０ｇをパラジウム触媒であるアトテックネネオガント８３４（アトテックジャパン株式会社製：商品名）を８重量％含有するパラジウム触媒化液１００ｍＬに添加し，３０℃で３０分攪拌した後，φ３μｍのメンブレンフィルタ（ミリポア社製）で濾過し，水洗を行った。その後，樹脂微粒子をｐＨ６．０に調整された０．５重量％ジメチルアミンボラン液に添加し，表面が活性化された樹脂微粒子を得た。
　その後，蒸留水に表面が活性化された樹脂微粒子を浸漬し，超音波分散した。その後，懸濁液を５０℃で攪拌しながら還元剤であるホルマリンと硫酸銅５水和物，水酸化ナトリウム，銅イオンに対する錯形成剤，を主成分とするＣＵＳＴ１６１０（日立化成工業株式会社製：商品名）を用いて，４０℃の条件にてめっき液添加法により
約５００Åの銅めっき厚を有する導電粒子を得た。
　
水洗と濾過を行った後，置換パラジウムめっき液であるＭＣＡ（株式会社ワールドメタル製：商品名）２５℃に導電粒子を浸漬し，約２００Åのパラジウム層
　その後，置換金めっきであるＨＧＳ−１００（日立化成工業株式会社製：商品名）８５℃に
　導電粒子を浸漬し，約２００Åの金層を形成し，導電粒子１を作製した。」
「【００９４】
（導電粒子４）
　
最外層の金めっきを行わなかったこと以外は導電粒子１と同様の方法で導電粒子４を作製した。
【００９５】
（導電粒子５）
　
最外層の金めっきを行わなかったこと以外は導電粒子３と同様の方法で導電粒子５を作製した。
「【０１４３】
　実施例，比較例で作製したサンプルの詳細を表２に，上記の測定及び試験の結果を表３に，それぞれ示す。
表３に示した様に，従来のニッケル／金めっき（比較例７）に比べて実施例１〜１０により作製したサンプルは導通抵抗が優れることが分かった。これは従来のニッケルに比べて銅の方が導電性に優れるためである。
また，銅のマイグレーションストップ層であるＰｄを用いなかった場合，導電粒子（実施例９と比較例５の比較），絶縁被覆導電粒子（実施例１と比較例１の比較）共に吸湿により絶縁性が低下する。従って，銅を用いた場合はマイグレーションストップ層としてパラジウム層を有することで信頼性が向上する。また，従来技術の様に，マイグレーションストップ層としてニッケルを用いた場合，金の有無により差があるものの小粒子被覆率が低下して絶縁性が低下する（比較例３と比較例４）。また，パラジウム層が厚いとマイグレーション防止効果が大きい（実施例１と実施例３と比較例２の比較）。
【０１４４】
【表２】
【０１４５】
【表３】
」
３　引用文献３に記載された事項
　引用文献３には，下記の事項が記載されている。
「【請求項１】
　
基材粒子と，該基材粒子の表面に設けられた銅層と，該銅層の表面に設けられたパラジウム層とを備え，
　前記パラジウム層の平均厚みが５ｎｍ以上であり，かつ，
　前記パラジウム層は，還元剤としてヒドラジン化合物を含むめっき液を用いて形成されたパラジウム層である，
導電性粒子
４　引用文献７に記載された事項
　引用文献７には，下記の事項が記載されている。
「[請求項1]　基材粒子と，
　
前記基材粒子を被覆している導電層と，
　
前記導電層内に埋め込まれている複数の芯物質とを備え，
　
前記導電層が外側の表面に複数の突起を有し，前記導電層の前記突起の内側に前記芯物質が配置されており，
　
前記基材粒子と前記芯物質との間に前記導電層が配置されており，
導電性粒子。
「[請求項5]　
前記導電層が，前記基材粒子を被覆している第１の導電層と，前記第１の導電層及び前記芯物質を被覆している第２の導電層とを備え，
　
前記芯物質は
前記第２の導電層内に埋め込まれており，
　
前記第２の導電層が外側の表面に複数の突起を有し，
　
前記第２の導電層の前記突起の内側に前記芯物質が配置されており，
　前記基材粒子と前記芯物質との間に，前記第１の導電層が配置されている，請求項１〜４のいずれか１項に記載の
導電性粒子
「[0003]　
上記異方性導電材料は，ＩＣチップとフレキシブルプリント回路基板との接続，及びＩＣチップとＩＴＯ電極を有する回路基板との接続等に用いられている。例えば，ＩＣチップの電極と回路基板の電極との間に異方性導電材料を配置した後，加熱及び加圧することにより，これらの電極を電気的に接続できる。
「[0008]　上述した特許文献１〜３には，導電層の外側の表面に突起を有する導電性粒子が開示されている。
導電性粒子により接続される電極，及び導電性粒子の導電層の表面には，酸化被膜が形成されていることが多い。上記導電層の突起は，導電性粒子を介して電極間を圧着する際に，電極及び導電性粒子の表面の酸化被膜を排除して，導電層と電極とを接触させるために形成されている。
「[0071]　上記芯物質，上記導電層及び上記第２の導電層に最も多く含まれる金属元素は，錫を含む合金，ニッケル，パラジウム，銅又は金であることが好ましく，ニッケル又はパラジウムであることがより好ましい。
[0072]　導電性粒子１のように，上記導電層は，１つの層により形成されていてもよい。さらに，導電性粒子１１，２１のように，上記導電層は複数の層により形成されていてもよい。すなわち，導電層は，単層であってもよく，２層以上の積層構造を有していてもよい。導電層が複数の層により形成されている場合には，最外層は，金層，ニッケル層，パラジウム層，銅層又は錫と銀とを含む合金層であることが好ましく，金層又はパラジウム層であることがより好ましく，金層であることが特に好ましい。最外層がこれらの好ましい導電層である場合には，電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また，最外層が金層である場合には，耐腐食性がより一層高くなる。」
「[0080]　［芯物質］
　
上記芯物質が上記導電層中に埋め込まれていることによって，上記導電層が外側の表面に複数の突起を有する。
[0081]　
上記突起を形成する方法としては，基材粒子の表面上に第１の導電層を形成した後，該第１の導電層上に芯物質を配置し，次に第２の導電層を形成する方法，及び基材粒子の表面上に導電層を形成する途中段階で，芯物質を添加する方法等が挙げられる。
[0082]　
上記芯物質を構成する物質としては，導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。
上記非導電性物質としては，
アルミナ
が挙げられる。
「[0085]　
上記芯物質の平均径（平均粒子径）は，好ましくは０．００１μｍ以上，より好ましくは０．０５μｍ以上，好ましくは０．９μｍ以下，より好ましくは０．２μｍ以下である。上記芯物質の平均径が上記下限以上及び上記上限以下であると，電極間の接続抵抗を効果的に低くすることができる。
「[0119]　
（実施例１）
　（１）パラジウム付着工程
　粒子径が５．０μｍであるジビニルベンゼン樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０５」）を用意した。この樹脂粒子をエッチングし，水洗した。次に，パラジウム触媒を８重量％含むパラジウム触媒化液１００ｍＬ中に樹脂粒子を添加し，攪拌した。その後，ろ過し，洗浄した。ｐＨ６の０．５重量％ジメチルアミンボラン液に樹脂粒子を添加し，
パラジウムが付着された樹脂粒子を得た。
[0120]　（２）無電解ニッケルめっき工程
　ニッケル−リン導電層を形成するために，硫酸ニッケル０．２５ｍｏｌ／Ｌ，次亜リン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌ，クエン酸ナトリウム０．１５ｍｏｌ／Ｌ及びモリブデン酸ナトリウム０．０１ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（ｐＨ８．０）を用意した。
[0121]　純水１０００ｍＬ中に得られたパラジウムが付着された樹脂粒子を添加して，超音波分散器にて分散することにより，懸濁液を得た。得られた懸濁液を６０℃にて攪拌しながら，上記ニッケルめっき液を懸濁液に徐々に滴下し，無電解ニッケルめっきを行った。その後，懸濁液をろ過することにより，粒子を取り出し，水洗し，乾燥することにより，
ニッケル−リン層（ニッケル−モリブデン−リン層（Ｎｉ−Ｍｏ−Ｐ層）である第１の導電層（厚み５．２ｎｍ）で樹脂粒子を被覆して，第１の導電層が形成された粒子を得た。
[0122]　（３）芯物質付着工程及び無電解ニッケルめっき工程
　
アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粒子スラリー（平均粒子径１００ｎｍ）を用意した。第１の導電層が形成された粒子と金属粒子スラリーとを用いて被覆した。
[0123]　ニッケル−リン導電層を形成するために，硫酸ニッケル０．２５ｍｏｌ／Ｌ，次亜リン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌ，クエン酸ナトリウム０．１５ｍｏｌ／Ｌ及びモリブデン酸ナトリウム０．０１ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（ｐＨ８．０）を用意した。
[0124]　得られた懸濁液を６０℃にて攪拌しながら，上記ニッケルめっき液を懸濁液に徐々に滴下し，無電解ニッケルめっきを行い，
厚み９０ｎｍの第２の導電層（ニッケル−モリブデン−リン層（Ｎｉ−Ｍｏ−Ｐ層）を形成した。
得られた導電性粒子は，第２の導電層の外側の表面に突起を有し，第２の導電層の突起の内側に芯物質が配置されていた。また，樹脂粒子と芯物質との間に，第１の導電層が配置されていた。
「[00127]　
（実施例４〜８）
　
ニッケル−リン層である第１の導電層の厚みを下記に示す値に変更したこと以外は実施例１と同様にして，導電性粒子を得た。
[0128]　第１の導電層の厚み：
　実施例４：１０μｍ
　実施例５：２０μｍ
　実施例６：１００μｍ
　実施例７：７５０μｍ
　実施例８：８６０μｍ」
「
[0138]　（実施例１１）
　（１）パラジウム付着工程
　
実施例１で得られたパラジウムが付着された樹脂粒子を用意した。
[0139]　（２）無電解ニッケルめっき工程
　硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ，ジメチルアミンボラン０．９２ｍｏｌ／Ｌ，クエン酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌ及びタングステン酸ナトリウム０．０１ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（ｐＨ８．５）を用意した。
[0140]　純水１０００ｍＬ中に得られたパラジウムが付着された樹脂粒子を添加して，超音波分散器にて分散することにより，懸濁液を得た。得られた懸濁液を６０℃にて攪拌しながら，上記ニッケルめっき液を懸濁液に徐々に滴下し，無電解ニッケルめっきを行った。その後，懸濁液をろ過することにより，粒子を取り出し，水洗し，乾燥することにより，
ニッケル−タングステン−ボロン層である第１の導電層（厚み５．１ｎｍ）で樹脂粒子を被覆して，第１の導電層が形成された粒子を得た。
[0141]　（３）芯物質付着工程及び無電解ニッケルめっき工程
　
アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粒子スラリー（平均粒子径１００ｎｍ）を用意した。第１の導電層が形成された粒子と金属粒子スラリーとを用いて被覆した。
[0142]　硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ，ジメチルアミンボラン０．９２ｍｏｌ／Ｌ，クエン酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌ及びタングステン酸ナトリウム０．０１ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（ｐＨ８．５）を用意した。
[0143]　得られた懸濁液を６０℃にて攪拌しながら，上記ニッケルめっき液を懸濁液に徐々に滴下し，
無電解ニッケルめっきを行い，厚み９０ｎｍの第２の導電層を形成した。
得られた導電性粒子は，第２の導電層の外側の表面に突起を有し，第２の導電層の突起の内側に芯物質が配置されていた。また，樹脂粒子と芯物質との間に，第１の導電層が配置されていた。
「[0145]　
（実施例１３）
　
ニッケル−タングステン−ボロン層である第１の導電層の厚みを２０ｎｍに変更したこと以外は実施例１１と同様にして，導電性粒子を得た。
「[0152]　
（実施例１５）
　（１）パラジウム付着工程
　
実施例１で得られたパラジウムが付着された樹脂粒子を用意した。
[0153]　（２）無電解ニッケルめっき工程
　硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ，ジメチルアミンボラン０．９２ｍｏｌ／Ｌ，クエン酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌ及びタングステン酸ナトリウム０．０１ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（ｐＨ８．５）を用意した。
[0154]　純水１０００ｍＬ中に得られたパラジウムが付着された樹脂粒子を添加して，超音波分散器にて分散することにより，懸濁液を得た。得られた懸濁液を６０℃にて攪拌しながら，上記ニッケルめっき液を懸濁液に徐々に滴下し，無電解ニッケルめっきを行った。その後，懸濁液をろ過することにより，粒子を取り出し，水洗し，乾燥することにより，
ニッケル−タングステン−ボロン層である厚み１０ｎｍの第１の導電層で樹脂粒子を被覆して，第１の導電層が形成された粒子を得た。
[0155]　（３）芯物質付着工程及び無電解ニッケルめっき工程
　チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粒子スラリー（平均粒子径１００ｎｍ）を用意した。第１の導電層が形成された粒子と金属粒子スラリーとを用いて，第１の導電層の表面を金属粒子で被覆し，懸濁液を得た。
[0156]　硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ，ジメチルアミンボラン０．９２ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（ｐＨ７．０）を用意した。
[0157]　得られた懸濁液を６０℃にて攪拌しながら，上記ニッケルめっき液を懸濁液に徐々に滴下し，無電解ニッケルめっきを行い，厚み９０ｎｍの第２の導電層を形成した。その後，懸濁液をろ過することにより，粒子を取り出し，水洗し，乾燥することにより，導電性粒子を得た。
得られた導電性粒子は，第２の導電層の外側の表面に突起を有し，第２の導電層の突起の内側に芯物質が配置されていた。また，樹脂粒子と芯物質との間に，第１の導電層が配置されていた。
「[0160]　（実施例１８）
　
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粒子スラリー（平均粒子径１００ｎｍ）をアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粒子スラリー（平均粒子径１００ｎｍ）に変更したこと以外は実施例１５と同様にして，導電性粒子を得た。
[0161]　（実施例１９）
　
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粒子スラリー（平均粒子径１００ｎｍ）をアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粒子スラリー（平均粒子径１００ｎｍ）に変更したこと以外は実施例１６と同様にして，導電性粒子を得た。
[0162]　（実施例２０）
　
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粒子スラリー（平均粒子径１００ｎｍ）をアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粒子スラリー（平均粒子径１００ｎｍ）に変更したこと以外は実施例１７と同様にして，導電性粒子を得た。
第５　当審の判断
１　引用文献２に記載された発明を主引用発明とする場合
（１）引用発明２
　引用文献２には，特に【請求項１】から，次のとおりの発明が記載されていると認める（以下，「引用発明２」という。）。
「樹脂粒子と，該樹脂粒子の表面に設けられた金属層と，を備え，前記金属層が，前記樹脂粒子に近い順に，銅又は銅合金を含有する第１の層と，パラジウムを含有する第２の層とが積層された構造を有する，導電粒子。」
（２）対比・判断
　本願発明と引用発明２を対比する。
　引用発明２の「樹脂粒子」，「第１の層」，「第２の層」及び「導電粒子」は，本願発明の「基材粒子」，「第１の導電部」，「第２の導電部」及び「導電性粒子」にそれぞれ相当する。
　引用発明２の「粒子に近い順に，銅又は銅合金を含有する第１の層と，パラジウムを含有する第２の層とが積層された構造」は，本願発明の「前記基材粒子の外表面上に前記第１の導電部が配置されており，前記第１の導電部の外表面上に前記第２の導電部が配置されている」構造に相当する。
　したがって，本願発明と引用発明２は以下の点で一致する。
「基材粒子と，銅を含む第１の導電部と，パラジウムを含む第２の導電部と，を備え，前記基材粒子の外表面上に前記第１の導電部が配置されており，前記第１の導電部の外表面上に前記第２の導電部が配置されている，導電性粒子。」
　そして，本願発明と引用発明２は以下の点で相違する。
　本願発明は，「複数の芯物質」を備え，「第２の導電部が外表面に複数の突起を有し，前記芯物質が，前記第２の導電部の前記突起の内側に配置されており，前記芯物質によって前記第２の導電部の外表面が隆起されており，前記芯物質の材料がアルミナであり，前記芯物質の平均径が１５０ｎｍ以上，３００ｎｍ以下である」と特定されるのに対し，引用発明２はこのような特定がない点（以下，「相違点１」という。）。
　上記相違点１について検討する。
　加熱及び加圧して電極間を接続するための導電性粒子において，粒子表面の導電層の内側に芯物質を配置することで，導電層の外表面に複数の突起を有するものとし，これによって電極間の接続の際に電極及び導電性粒子の酸化皮膜を排除し，接続抵抗を低減させることは周知の技術事項である（必要ならば引用文献１の[0008]，引用文献７の[0003]，[0008]を参照。）。また，この芯物質にアルミナを用いること（引用文献７の[0082]及び実施例１，４ないし１４及び１８ないし２０），電極間の接続抵抗を効果的に低くするために芯物質の平均径をより好ましくは０．０５μｍ以上０．２μｍ以下のレベルで適宜調整することもまた周知の技術事項である(引用文献７の[0085])。
　そして，引用発明２の導電粒子は，電極間を加熱加圧することにより導電接続を図るものであって（引用文献２の【００８８】を参照。），その際に電極間の接続抵抗を低くすることは当然の課題であり，引用発明２の導電性粒子において，電極の状態を勘案した上で，引用文献１，７に示されるような周知技術を適用し，０．０５μｍ以上０．２μｍ以下のうち，適切な数値範囲，例えば０．１５μｍ以上０．２μｍ以下となる，相違点１に係る本願発明の特定事項を満たすものとすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
　そして，本願明細書全体を通じてみても，相違点１に係る本願発明の特定事項を採用したことにより，当業者が予測し得ない効果が奏されるものであるともいえない。
　よって，本願発明は，引用発明２，すなわち引用文献２に記載された発明及び引用文献１及び７に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
２　引用発明７に記載された発明を主引用発明とする場合
（１）引用発明７
　引用文献７には，特に[請求項1]，[請求項5]及び実施例１，４ないし１４及び１８ないし２０の記載から，次のとおりの発明が記載されていると認める（以下，「引用発明７」という。）。
「基材粒子と，
　前記基材粒子を被覆している導電層と，
　前記導電層内に埋め込まれている複数の芯物質とを備え，
　前記導電層が外側の表面に複数の突起を有し，前記導電層の前記突起の内側に前記芯物質が配置されており，
　前記基材粒子と前記芯物質との間に前記導電層が配置されており，前記基材粒子の表面と前記芯物質の表面とが距離を隔てており，前記基材粒子の表面と前記芯物質の表面との間の平均距離が５ｎｍを超える，導電性粒子であって，
　前記導電層が，前記基材粒子を被覆している厚み２０または１００ｎｍの第１の導電層と，前記第１の導電層及び前記芯物質を被覆している第２の導電層とを備え，
　前記芯物質は，前記第１の導電層の表面上に配置されており，かつ前記第２の導電層内に埋め込まれており，
　前記第２の導電層が外側の表面に複数の突起を有し，
　前記第２の導電層の前記突起の内側に前記芯物質が配置されており，
　前記基材粒子と前記芯物質との間に，前記第１の導電層が配置されている，導電性粒子であって，
　前記芯物質の材料がアルミナであり，芯物質の平均粒子径が１００ｎｍである，導電性粒子。」
（２）対比・判断
　本願発明と引用発明７を対比する。
　引用発明７の「第１の導電層」及び「第２の導電層」は，本願発明の「第１の導電部」及び「第２の導電部」にそれぞれ相当する。
　引用発明７の「前記導電層が外側の表面に複数の突起を有し，前記導電層の前記突起の内側に前記芯物質が配置されており」，「前記基材粒子と前記芯物質との間に前記導電層が配置されており」，「前記導電層が，前記基材粒子を被覆している」「第１の導電層と，前記第１の導電層及び前記芯物質を被覆している第２の導電層とを備え」，「前記芯物質は，前記第１の導電層の表面上に配置されており，かつ前記第２の導電層内に埋め込まれており」，「前記第２の導電層が外側の表面に複数の突起を有し」，「前記第２の導電層の前記突起の内側に前記芯物質が配置されており」，「前記基材粒子と前記芯物質との間に，前記第１の導電層が配置されている」なる構成は，本願発明の「基材粒子の外表面上に」「第１の導電部が配置されており，前記第１の導電部の外表面上に」「第２の導電部が配置されており，前記第２の導電部が外表面に複数の突起を有し」，「芯物質が，前記第２の導電部の前記内側に配置されており，前記芯物質によって前記第２の導電部の外表面が隆起されている」構成をみたす。
　したがって，本願発明と引用発明７は以下の点で一致する。
「基材粒子と，第１の導電部と，第２の導電部と，複数の芯物質とを備え，
　前記基材粒子の外表面上に前記第１の導電部が配置されており，前記第１の導電部の外表面上に前記第２の導電部が配置されており，
　前記第２の導電部が外表面に複数の突起を有し，
　前記芯物質が，前記第２の導電部の前記内側に配置されており，前記芯物質によって前記第２の導電部の外表面が隆起されている，導電性粒子。」
　一方，本願発明と引用発明７は以下の点で相違する。
・本願発明は，導電部について「銅を含む第１の導電部」，「パラジウムを含む第２の導電部」と特定するのに対し，引用発明７は，このような特定がない点（以下，「相違点２」という。）。
・本願発明は，アルミナの平均径について，「１５０ｎｍ以上，３００ｎｍ以下」と特定するのに対し，引用発明７はこのように特定しない点（以下，「相違点３」という。）。
　上記相違点２について検討する。
　引用文献７には，電極間を接続して接続構造体を得るのに用いられる導電性粒子の導電層について「錫を含む合金，ニッケル，パラジウム，銅又は金であることが好ましい」こと（[0071]），「導電層が複数の層により形成されている場合には，最外層は，金層，ニッケル層，パラジウム層，導層又は錫と銀とを含む合金層であることが好ましく，金層又はパラジウム層であることがより好まし」いこと（[0072]）が記載されている。また，導電接続に用いられる導電性粒子について，内側層を銅の層とし，外側層をパラジウムの層とすることは，引用文献２ないし３に記載があるように周知の技術事項であり（引用文献２の【請求項１】，引用文献３の【請求項１】），さらに，引用文献２には，実施例と比較例の対比において，銅及びパラジウムの組み合わせがより優れていることも記載されている（【０１４３】ないし【０１４５】）。
　してみると，引用発明７の導電性粒子において，導電層の内側層を銅及び外側層をパラジウムとする組み合わせを採用することは当業者が容易に想到し得たことである。
　上記相違点３について検討する。
　引用文献７の[0082]では，芯物質の平均径について，電極間の接続抵抗を効果的に低くするために芯物質の平均径の下限をより好ましくは０．０５μｍ以上，上限をより好ましくは０．２μｍ以下とすることも記載されている。
　そして，引用発明７において，電極間の接続抵抗を低くすることは当然の課題であるから，引用発明７の導電性粒子において，接続抵抗を低くするために前記芯物質の平均径を電極の状態を勘案した上で調整し，０．０５μｍ以上０．２μｍ以下のうち，適切な数値範囲，例えば０．１５μｍ以上０．２μｍ以下となる，相違点３に係る本願発明の特定事項を満たすものとすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
　そして，本願明細書全体を通じてみても，相違点２及び３に係る本願発明の特定事項を採用したことにより，当業者が予測し得ない効果が奏されるものであるともいえない。
　よって，本願発明に係る発明は，引用文献７に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
３　審判請求人の意見書における主張について
　審判請求人は，令和３年２月１７日提出の意見書において，おおむね下記の点を主張している。
・本願発明のアルミナ粒子が「１５０ｎｍ〜３００ｎｍ」となる範囲は，本願明細書の段落［０１２９］，［０１３０］の表１，２に記載の実施例１，４−６，１０，１１，１４−１９及び参考例２，３，７−９，１２，１３と比較例１との対比より，「接続抵抗が効果的に低くなり，導電部の腐食がより一層生じ難くなる。」という効果がより奏されるものである。
・引用文献７には，[0085]に，「上記芯物質の平均径（平均粒子径）は，好ましくは０．００１μｍ以上，より好ましくは０．０５μｍ以上，好ましくは０．９μｍ以下，より好ましくは０．２μｍ以下である。上記芯物質の平均径が上記下限以上及び上記上限以下であると，電極間の接続抵抗を効果的に低くすることができる。」と記載されているが，その範囲はかなり広範囲なものであり，さらに引用文献７の実施例では，平均径が１００ｎｍである芯物質しか用いられておらず，「１５０ｎｍ〜３００ｎｍ」という範囲とすることは，引用文献７の記載から当業者が容易に想到し得るものではない。
　上記主張について検討する。
　芯物質の平均径によって接続抵抗が変わることは引用文献７の[0085]に記載されている事項であり，また，芯物質による突起によって電極及び導電性粒子の表面の酸化皮膜を排除することからすれば，用いられる部材の状態に応じて，芯物質の径や突起の高さを調整することは，当業者にとって当然のことといえる。
　してみると，引用発明７において，導電接続を図る部材に応じて，芯物質の粒径や突起の高さを適宜調整し，本願発明の特定事項を満たすものとすることは，当業者にとって何ら困難なことではない。
　したがって，審判請求人の主張は採用できない。
　第６　むすび
　以上のとおり，本願発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。