Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月24日(2019.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
帯状の金属板の幅方向に並ぶ第１〜第Ｎ（Ｎは２以上の自然数）の位置において、所定の第１〜第Ｎの打ち抜き形状に沿って前記金属板を打ち抜いて、前記第１〜第Ｎの打ち抜き形状にそれぞれ対応する第１〜第Ｎの打ち抜き部材を形成する第１の工程と、
複数の前記打ち抜き部材を積層して積層体を形成する第２の工程とを含み、
前記第１〜第Ｎの打ち抜き部材にはそれぞれ、前記第２の工程での積層時において互いに重なり合う位置に、凹状又は凸状を呈する複数の異形部が形成されており、
前記第ｋ（ｋは１〜Ｎの自然数）の打ち抜き部材の形状と前記第ｍ（ｍは１〜Ｎで且つｍ≠ｋを満たす自然数）の打ち抜き部材の形状とが相互に一致しないように、前記第ｋの打ち抜き部材における前記複数の異形部のうち少なくとも一つの異形部の形状又は配置が、前記第ｍの打ち抜き部材における前記複数の異形部のうち少なくとも一つの異形部の形状又は配置と異なっている、積層鉄心の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月19日(2019.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、前記第１の面と対向する第２の面を有する半導体層と、
前記第１の面に接する第１の電極と、
前記第２の面に接する第２の電極と、
前記半導体層の中に設けられ、前記第１の面に略平行な第１の方向に伸長する複数の第１のトレンチと、
前記半導体層の中に設けられ、前記複数の第１のトレンチを囲む第２のトレンチと、
前記複数の第１のトレンチの、それぞれの中に設けられた第１のゲート電極と、
前記複数の第１のトレンチの、それぞれの中に設けられ、前記第１のゲート電極と前記第２の面との間に設けられた第１のフィールドプレート電極と、
前記複数の第１のトレンチの、それぞれの中に設けられ、前記第１のゲート電極と前記半導体層との間に位置し第１の膜厚を有する第１の部分と、前記第１のフィールドプレート電極と前記半導体層との間に位置し前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有する第２の部分と、前記第１のフィールドプレート電極と前記半導体層との間の前記第２の部分と前記第２の面との間に位置し前記第２の膜厚よりも厚い第３の膜厚を有する第３の部分と、を有する第１の絶縁層と、
前記第２のトレンチの中に設けられた第２のフィールドプレート電極と、
前記第２のトレンチの中に設けられ、前記第２のフィールドプレート電極と前記半導体層との間に設けられた第２の絶縁層と、
前記半導体層の中に設けられ、前記複数の第１のトレンチの中の隣接する２本の第１のトレンチの間に位置する第１導電型の第１の半導体領域と、
前記半導体層の中に設けられ、前記第１の半導体領域と前記第２の面との間に位置する第２導電型の第２の半導体領域と、
前記半導体層の中に設けられ、前記第１の半導体領域と前記第１の電極との間に位置し、前記第１の電極に電気的に接続された第２導電型の第３の半導体領域と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記複数の第１のトレンチの、それぞれの前記第１の方向の端部と前記第２のトレンチとの間の第１の距離が、前記複数の第１のトレンチの中の隣接する２本の第１のトレンチの間の第２の距離よりも小さい請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の距離が前記第２の距離の９０％以下である請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数の第１のトレンチの、それぞれの前記第１の方向の端部と前記第１の半導体領域の前記第１の方向の端部との間の距離が、前記第１の半導体領域と前記複数の第１のトレンチの前記第２の面の側の端部との間の距離以上である請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記複数の第１のトレンチの、それぞれの前記第１の方向の端部と前記第１のゲート電極との間に、前記第１のフィールドプレート電極が位置する請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の絶縁層の膜厚が、前記第１の面から前記第２の面に向かう方向に連続的に薄くなる請求項１ないし請求項５いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記複数の第１のトレンチの、それぞれの前記第１の方向の端部と前記第２のトレンチとの間に、前記第１の半導体領域が位置する請求項１ないし請求項６いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２の膜厚が前記第３の膜厚の４０％以上６０％以下である請求項１ないし請求項７いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２のトレンチの中に設けられた第２のゲート電極を、更に備え、前記第２のフィールドプレート電極は、前記第２のゲート電極と前記第２の面との間に設けられる請求項１ないし請求項８いずれか一項記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月19日(2019.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
金属板と、
前記半導体チップと前記金属板との間に設けられ、第１の金属層と、第２の金属層と、前記第１の金属層と前記第２の金属層との間の絶縁層を有し、前記第２の金属層が、第１の膜厚を有する第１の領域と、第２の膜厚を有する第２の領域と、前記第１の膜厚及び前記第２の膜厚よりも厚い第３の膜厚を有する第３の領域を有し、前記第３の領域は前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置する絶縁基板と、
前記第２の金属層と前記金属板との間に設けられたはんだ層と、
を備え、
前記金属板は、前記絶縁基板に対向する面の反対の面が凸形状となるよう湾曲している半導体装置。
【請求項２】
前記第１の膜厚及び前記第２の膜厚は、前記第３の膜厚の０．４倍以上０．９倍以下である請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップの第１の端部と、前記第１の領域と前記第３の領域との境界部とを仮想的に結ぶ第１の線分と、前記第２の金属層と前記絶縁層との界面との間の角度が４５度以下であり、
前記半導体チップの第２の端部と、前記第１の領域と前記第３の領域との境界部とを仮想的に結ぶ第２の線分と、前記第２の金属層と前記絶縁層との界面との間の角度が４５度以下である請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁基板の外周部に位置する前記第１の領域に接する部分の前記はんだ層の厚さは、前記絶縁基板の中央部に位置する前記第２の領域に接する部分の前記はんだ層の厚さよりも薄い請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップと前記第１の金属層との間に設けられた接着層を、更に備える請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記絶縁基板の周囲を囲む枠体と、前記金属板との間に前記絶縁基板を挟む蓋と、前記絶縁基板と前記枠体との間、及び、前記絶縁基板と前記蓋との間に設けられた封止材を、更に備える請求項１ないし請求項５いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
第１の半導体チップと、
第２の半導体チップと、
金属板と、
前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップと前記金属板との間に設けられ、第１の金属層と、第２の金属層と、前記第１の金属層と前記第２の金属層との間の絶縁層を有し、前記第２の金属層が、第１の膜厚を有する第１の領域と、第２の膜厚を有する第２の領域と、第３の膜厚を有する第３の領域と、第４の膜厚を有する第４の領域と、第５の膜厚を有する第５の領域と、を有し、前記第３の膜厚及び前記第４の膜厚は、前記第１の膜厚、前記第２の膜厚、及び、前記第５の膜厚よりも厚く、前記第３の領域は前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置し、前記第４の領域は前記第２の領域と前記第５の領域との間に位置する絶縁基板と、
前記第２の金属層と前記金属板との間に設けられたはんだ層と、
を備える半導体装置。
【請求項８】
前記第３の領域は前記第１の半導体チップの直下に位置し、前記第４の領域は前記第２の半導体チップの直下に位置する請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記絶縁基板の周囲を囲む枠体と、前記金属板との間に前記絶縁基板を挟む蓋と、前記絶縁基板と前記枠体との間、及び、前記絶縁基板と前記蓋との間に設けられた封止材を、更に備える請求項７又は請求項８記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月7日(2019.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と第２の面を有する半導体層の中に設けられた第１導電型の第１のアノード領域と、
前記第１のアノード領域と前記第２の面との間に設けられた第２導電型の第１のカソード領域と、
前記第１のアノード領域と前記第１のカソード領域との間に設けられ、前記第１のカソード領域よりも第２導電型の不純物濃度の低い第２導電型のドリフト領域と、
前記半導体層の中に設けられて第１の方向に伸長する第１のトレンチと、
前記第１のトレンチの中に設けられた第１のトレンチ絶縁膜と、
前記第１のトレンチの中であって、前記第１のトレンチ絶縁膜の上に設けられ、前記第１のアノード領域に電気的に接続された第１のトレンチ電極と、を有する第１のダイオード部と、
前記半導体層の中に設けられた第１導電型の第２のアノード領域と、
前記第２のアノード領域と前記第２の面との間に設けられた第２導電型の第２のカソード領域と、
前記第２のアノード領域と前記第２のカソード領域との間に設けられた前記ドリフト領域と、
前記半導体層の中に設けられて前記第１の方向に伸長する第２のトレンチと、
前記第２のトレンチの中に設けられた第２のトレンチ絶縁膜と、
第２のトレンチの中であって、前記第２のトレンチ絶縁膜の上に設けられ、前記第２のアノード領域に電気的に接続された第２のトレンチ電極と、を有し、
前記第１の方向の幅が、前記第１のダイオード部の前記第１の方向に直交する第２の方向の幅よりも大きく、
前記第１のダイオード部の前記第１の方向に隣り合って設けられた第２のダイオード部と、
前記半導体層の中に設けられた第２導電型の第１のエミッタ領域と、
前記第１のエミッタ領域と前記第２の面との間に設けられた第１導電型の第１のコレクタ領域と、
前記第１のエミッタ領域と前記第１のコレクタ領域との間に設けられた前記ドリフト領域と、
前記第１のエミッタ領域と前記ドリフト領域との間に設けられた第１導電型の第１のベース領域と、
前記半導体層の中に設けられて前記第１の方向に伸長する第３のトレンチと、
前記第３のトレンチの中に設けられた第１のゲート絶縁膜と、
前記第３のトレンチの中であって、前記第１のゲート絶縁膜の上に設けられた第１のゲート電極と、を有し、
前記第１のダイオード部の前記第２の方向に隣り合って設けられ、前記第２のダイオード部の前記第１の方向に隣り合って設けられた第１のＩＧＢＴ部と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記第２のダイオード部の前記第１の方向の幅が６０μｍ以上である請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１のトレンチと前記第２のトレンチは連続している請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２のトレンチと前記第３のトレンチは離間している請求項１乃至請求項３いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１のコレクタ領域が前記第１のダイオード部に設けられた請求項１乃至請求項４いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１のカソード領域が前記第１のＩＧＢＴ部に設けられた請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の方向に隣り合う２つの前記第１のコレクタ領域の間に前記第１のカソード領域が設けられ、前記第１のコレクタ領域と前記第１のカソード領域が接続されている請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
第２のＩＧＢＴ部を更に、備え、
前記第２のＩＧＢＴ部は、
前記第１のダイオード部及び前記第２のダイオード部の前記第２の方向に隣り合って設けられ、
前記半導体層の中に設けられた第２導電型の第２のエミッタ領域と、
前記第２のエミッタ領域と前記第２の面との間に設けられた第１導電型の第２のコレクタ領域と、
前記第２のエミッタ領域と前記第２のコレクタ領域との間に設けられた前記ドリフト領域と、
前記第２のエミッタ領域と前記ドリフト領域との間に設けられた第１導電型の第２のベース領域と、
前記半導体層の中に設けられて前記第１の方向に伸長する第４のトレンチと、
前記第４のトレンチの中に設けられた第２のゲート絶縁膜と、
前記第４のトレンチの中であって、前記第２のゲート絶縁膜の上に設けられた第２のゲート電極と、を有し、
前記第２のコレクタ領域と前記第１のコレクタ領域が接続され、
前記第２のコレクタ領域の前記第２の方向の幅が前記第１のコレクタ領域の前記第１の方向の幅よりも大きい請求項１乃至請求項７いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２のコレクタ領域の前記第２の方向の幅が６００μｍ以上である請求項８記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月26日(2019.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
センサ（２）と制御部（１）とが時分割多重化方式で通信するセンサシステムであって、
前記制御部は、複数の前記センサを接続可能に構成されており、接続された前記センサに一定時間ごとにデータ送信指示を出し、
前記制御部のデータ回収対象とされた前記センサの数が、前記一定時間に割り当てられたタイムスロットの数よりも少ないとき、前記センサは、データを送信するタイミングを決める送信用ＩＤを複数使用することで、複数のタイムスロットを使用して前記制御部へデータを送信するセンサシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、センサ（２）と制御部（１）とが時分割多重化方式で通信するセンサシステムであって、制御部は、複数のセンサを接続可能に構成されており、接続されたセンサに一定時間ごとにデータ送信指示を出し、制御部のデータ回収対象とされたセンサの数が、一定時間に割り当てられたタイムスロットの数よりも少ないとき、センサは、データを送信するタイミングを決める送信用ＩＤを複数使用することで、複数のタイムスロットを使用して制御部へデータを送信する。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月4日(2019.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のノード及び第２のノードの間に電気的に挿入された第１のスイッチと、
第１の信号ノード及び前記第１のノードの間に電気的に挿入された第１の容量素子と、
第２の信号ノード及び前記第２のノードの間に電気的に挿入された第２の容量素子と、
前記第１のノードに第１の極性で電気的に接続された第１の整流回路と、
前記第１のノードに前記第１の極性の逆の第２の極性で電気的に接続された第２の整流回路と、
前記第２のノードに前記第１の極性で電気的に接続された第３の整流回路と、
前記第２のノードに前記第２の極性で電気的に接続された第４の整流回路と、
を備えた半導体装置。
【請求項２】
前記第１のスイッチは、第１の制御ノードに電気的に接続された制御端子を有し、
前記第１の整流回路は、前記第１のノードと第２の制御ノードとの間に電気的に挿入され、
前記第２の整流回路は、前記第１のノードと前記第２の制御ノードとの間に電気的に挿入され、
前記第３の整流回路は、前記第２のノードと前記第２の制御ノードとの間に電気的に挿入され、
前記第４の整流回路は、前記第２のノードと前記第２の制御ノードとの間に電気的に挿入されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１のスイッチの前記制御端子は、前記第１の制御ノードを介して第１の制御信号を受け、
前記第１の整流回路、前記第２の整流回路、前記第３の整流回路、及び前記第４の整流回路は、前記第２の制御ノードを介して、前記第１の制御信号が論理的に反転された第２の制御信号を受ける
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の整流回路は、
ゲート及びドレインが互いに電気的に接続され、ソースが前記第１のノードに電気的に接続された第１のＮＭＯＳトランジスタを含み、
前記第２の整流回路は、
ゲート及びドレインが互いに電気的に接続され、ソースが前記第１のノードに電気的に接続された第１のＰＭＯＳトランジスタを含み、
前記第３の整流回路は、
ゲート及びドレインが互いに電気的に接続され、ソースが前記第２のノードに電気的に接続された第２のＮＭＯＳトランジスタを含み、
前記第４の整流回路は、
ゲート及びドレインが互いに電気的に接続され、ソースが前記第２のノードに電気的に接続された第２のＰＭＯＳトランジスタを含む
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１のスイッチは、第１の制御ノードに電気的に接続された制御端子を有し、
前記第１の整流回路は、
ゲート及びドレインが互いに電気的に接続されるとともに第２の制御ノードに電気的に接続され、ソースが前記第１のノードに電気的に接続された第１のＮＭＯＳトランジスタを含み、
前記第２の整流回路は、
ゲート及びドレインが互いに電気的に接続されるとともに前記第２の制御ノードに電気的に接続され、ソースが前記第１のノードに電気的に接続された第１のＰＭＯＳトランジスタを含み、
前記第３の整流回路は、
ゲート及びドレインが互いに電気的に接続されるとともに前記第２の制御ノードに電気的に接続され、ソースが前記第２のノードに電気的に接続された第２のＮＭＯＳトランジスタを含み、
前記第４の整流回路は、
ゲート及びドレインが互いに電気的に接続されるとともに前記第２の制御ノードに電気的に接続され、ソースが前記第２のノードに電気的に接続された第２のＰＭＯＳトランジスタを含む
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の整流回路は、カソードが前記第１のノードに電気的に接続された第１のダイオードを含み、
前記第２の整流回路は、アノードが前記第１のノードに電気的に接続された第２のダイオードを含み、
前記第３の整流回路は、カソードが前記第２のノードに電気的に接続された第３のダイオードを含み、
前記第４の整流回路は、アノードが前記第２のノードに電気的に接続された第４のダイオードを含む
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１のスイッチは、第１の制御ノードに電気的に接続された制御端子を有し、
前記第１の整流回路は、
アノードが第２の制御ノードに電気的に接続され、カソードが前記第１のノードに電気的に接続された第１のダイオードを含み、
前記第２の整流回路は、
カソードが前記第２の制御ノードに電気的に接続され、アノードが前記第１のノードに電気的に接続された第２のダイオードを含み、
前記第３の整流回路は、
アノードが前記第２の制御ノードに電気的に接続され、カソードが前記第２のノードに電気的に接続された第３のダイオードを含み、
前記第４の整流回路は、
カソードが前記第２の制御ノードに電気的に接続され、アノードが前記第２のノードに電気的に接続された第４のダイオードを含む
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１のスイッチの前記制御端子は、前記第１の制御ノードを介して第１の制御信号を受け、
前記第１の整流回路、前記第２の整流回路、前記第３の整流回路、及び前記第４の整流回路は、前記第２の制御ノードを介して、前記第１の制御信号が論理的に反転された第２の制御信号を受ける
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項にそれぞれ記載の複数の半導体装置と、
一端が前記複数の半導体装置のそれぞれの第１の信号ノードに電気的に接続され、他端が前記複数の半導体装置のそれぞれの第２の信号ノードに電気的に接続されたインダクタ素子と、
を備えた電圧制御発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、及び電圧制御発振器
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月4日(2019.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
第１電極と、
第２電極と、
第３電極であって、第１方向における前記第３電極の位置は、前記第１方向における前記第１電極の位置と、前記第１方向における前記第２電極の位置と、の間にある、前記第３電極と、
第１層であって、
Ａｌｙ１Ｇａ１−ｙ１Ｎ（０＜ｙ１＜１）及びｐ形のＡｌｚ１Ｇａ１−ｚ１Ｎ（０≦ｚ１＜１）のいずれかを含む第１半導体領域と、
Ａｌｙ２Ｇａ１−ｙ２Ｎ（０＜ｙ２＜１）及びｐ形のＡｌｚ２Ｇａ１−ｚ２Ｎ（０≦ｚ２＜１）のいずれかを含む第２半導体領域と、
Ａｌｙ３Ｇａ１−ｙ３Ｎ（０≦ｙ３＜１、ｙ３＜ｙ１、ｙ３＜ｙ２）を含む第３半導体領域と、
を含み、
前記第２半導体領域の少なくとも一部は、前記第１方向と交差する第２方向において、前記第２電極と、前記第１半導体領域の一部と、の間に位置し、
前記第３半導体領域の一部は、前記第２方向において前記第１半導体領域の前記一部と、前記第２半導体領域の前記少なくとも一部と、の間に位置し、
前記第３半導体領域の別の一部は、前記第２方向において前記第３電極と前記第１半導体領域の別の一部との間に位置し、
前記第１半導体領域は、前記第２方向において前記第１電極から離れた第１面を含み、
前記第２半導体領域は、前記第２方向において前記第２電極から離れ前記第１面が含まれる第１平面に沿う第２面と、前記第２方向において前記第３電極から離れ前記第１平面に対して傾斜した第３面と、を含む、前記第１層と、
前記第２方向において前記第１電極と前記第１面との間に設けられた第１部分領域、前記第２方向において前記第２電極と前記第２面との間に設けられた第２部分領域、及び、前記第２方向において前記第３電極と前記第３面との間に設けられた第３部分領域を含み、Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２Ｎ（０≦ｘ２＜１、ｘ２＜ｙ１、ｘ２＜ｙ２）を含む第２層と、
前記第２方向において前記第１電極と前記第１部分領域との間に設けられた第４部分領域、前記第２方向において前記第２電極と前記第２部分領域との間に設けられた第５部分領域、及び、前記第２方向において前記第３電極と前記第３部分領域との間に設けられた第６部分領域を含み、Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３Ｎ（０＜ｘ３＜１、ｘ２＜ｘ３、ｙ３＜ｘ３）を含む第３層であって、前記第４部分領域は、前記第１電極と電気的に接続され、前記第５部分領域は、前記第２電極と電気的に接続された前記第３層と、
前記第２方向において前記第３電極と前記第６部分領域との間に設けられた絶縁層と、
を備えた半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記第３厚さは、前記第２方向に沿う前記第１部分領域の第１厚さよりも薄い、請求項１２記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
実施形態において、第２層２０において、第１厚さｔ１は、例えば、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第３層３０において、第４部分領域ｐ４の厚さ（第２方向Ｄ２（Ｚ軸方向））に沿う長さは、例えば、１０ｎｍ以上ｎ１００ｍ以下である。
例えば、第６部分領域ｐ６の厚さ（第３方向Ｄ３に沿う長さ）は、第４部分領域ｐ４の厚さ（第２方向Ｄ２に沿った長さ）よりも薄く、第５部分領域ｐ５の厚さ（第２方向Ｄ２に沿った長さ）よりも薄い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
図１に示す例においては、第１電極５１と第３電極５３との間の第１方向Ｄ１（例えばＸ軸方向）に沿った第１距離ｄ１は、第２電極５２と第３電極５３との間の第１方向Ｄ１に沿った第２距離ｄ２よりも短い。１つの例において、第１距離ｄ１は約２μｍであり、第２距離ｄ２は約１５μｍである。このような長さの関係により、例えば、第１距離ｄ１側の電気抵抗を低くし、第２距離ｄ２側に高電界を印加することが可能となり、より好ましい。実施形態において、これらの距離の関係は逆でも良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
これらの電極の形成の後に、さらに、配線が形成されても良い。配線は、上記の電極の少なくとも１つと電気的に接続される。配線は、層間絶縁膜を含む多層構造を有しても良い。配線の一部は、フィールドプレート構造を有しても良い。例えば、半導体装置の一部における局所的な電界集中が緩和される。例えば、傾斜面のゲート部、または、段差部に対応したフィールドプレート構造が設けられても良い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６１】
図２７に示すように、第１層１０は、第１面１０ａ、第２面１０ｂ、第３面１０ｃ及び第４面１０ｄを含む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７０】
図３２に示すように、第１層１０は、第１面１０ａ、第２面１０ｂ、第３面１０ｃ及び第４面１０ｄを含む。第１面１０ａの上に、第１低Ａｌ濃度膜１６Ｌの一部が残る。第２面１０ｂの上に、第１低Ａｌ濃度膜１６Ｌの別の一部が残る。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７９】
図３７示すように、第１層１０は、第１面１０ａ、第２面１０ｂ、第３面１０ｃ及び第４面１０ｄを含む。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８６】
この例において、第１層１０の凸部１０Ｐに第３面１０ｃ及び第４面１０ｄが設けられる。この例において、第２方向Ｄ２（Ｚ軸方向）において、第１低Ａｌ濃度膜１６Ｌの一部と第３電極５３との間に、第３面１０ｃが位置する。第２方向Ｄ２において、第１低Ａｌ濃度膜１６Ｌの別の一部と第３電極５３との間に、第４面１０ｄが位置する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３０】
2019054196.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月7日(2019.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と第２の面を有する半導体層と、
前記半導体層の中に設けられた第１導電型の第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域と前記第１の面との間に設けられた第２導電型の複数の第２の半導体領域と、
前記第１の半導体領域と前記第１の面との間に設けられ、複数の前記第２の半導体領域の間に設けられた第１導電型の複数の第３の半導体領域と、
前記第２の半導体領域と前記第１の面との間に設けられ、少なくとも一部が前記第１の面に接して設けられ、前記第２の半導体領域よりも第２導電型不純物濃度が高い第４の半導体領域と、
前記第４の半導体領域と前記第１の面との間に設けられた第１導電型の第５の半導体領域と、
前記第２の半導体領域と前記第４の半導体領域との間に設けられ、単位深さ当たりの電気抵抗が、前記第２の半導体領域の単位深さ当たりの電気抵抗よりも高い第６の半導体領域と、
ゲート電極と、
前記第４の半導体領域の前記少なくとも一部と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁膜と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記第６の半導体領域は第１導電型であり、前記第６の半導体領域の第１導電型不純物濃度は、前記第３の半導体領域の第１導電型不純物濃度よりも低い請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第６の半導体領域は第２導電型であり、前記第６の半導体領域の第２導電型不純物濃度は、前記第２の半導体領域の第２導電型不純物濃度よりも低い請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第６の半導体領域は第２導電型であり、前記第６の半導体領域の幅は、前記第２の半導体領域の幅よりも狭い請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の半導体領域の第２導電型不純物濃度は、前記第１の面の側の端部から前記第２の面の側の端部に向かって単調に低下する請求項１乃至請求項４いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第６の半導体領域と前記第４の半導体領域との間に設けられ、前記第４の半導体領域よりも第２導電型不純物濃度が低い第７の半導体領域を更に備え、
前記第６の半導体領域の単位深さ当たりの電気抵抗が、前記第７の半導体領域の単位深さ当たりの電気抵抗よりも高い請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第６の半導体領域は第１導電型であり、前記第６の半導体領域の第１導電型不純物濃度は、前記第３の半導体領域の第１導電型不純物濃度よりも低い請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第６の半導体領域は第２導電型であり、前記第６の半導体領域の第２導電型不純物濃度は、前記第７の半導体領域の第２導電型不純物濃度よりも低い請求項６記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第６の半導体領域は第２導電型であり、前記第６の半導体領域の幅は、前記第２の半導体領域の幅及び前記第７の半導体領域の幅よりも狭い請求項６記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月7日(2019.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と第２の面を有する半導体層と、
前記第１の面に接して設けられた第１の電極と、
前記第２の面に接して設けられた第２の電極と、
前記半導体層の中に設けられた第１導電型の第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域と前記第１の面との間に設けられ、前記第１の面に接し、前記第１の電極に電気的に接続された第２導電型の第２の半導体領域と、
前記第２の半導体領域を囲んで設けられ、前記第１の半導体領域と前記第１の面との間に設けられ、前記第１の面に接し、第１の領域、前記第１の領域よりも前記第２の半導体領域から離れた第２の領域、前記第２の領域よりも前記第２の半導体領域から離れた第３の領域を有する第２導電型の第３の半導体領域を備え、
前記第１の領域、前記第２の領域、及び、前記第３の領域の第２導電型の不純物量は前記第２の半導体領域よりも少なく、前記第１の領域の少なくとも１部の第２導電型の不純物量は前記第２の領域の少なくとも１部よりも少なく、前記第３の領域の少なくとも１部の第２導電型の不純物量は前記第２の領域の少なくとも１部よりも少ない半導体装置。
【請求項２】
前記第１の領域の少なくとも１部の深さは、前記第２の領域の少なくとも１部よりも浅い請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の領域の少なくとも１部の第２導電型の不純物濃度は、前記第２の領域の少なくとも１部よりも低い請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の領域と前記第１の半導体領域との間に、前記第１の半導体領域よりも第１導電型の不純物濃度の高い第１導電型の第４の半導体領域を、更に備える請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の領域の前記第２の領域の少なくとも１部よりも第２導電型の不純物量の少ない部分の幅は、前記第３の半導体領域の幅の１０％以上４０％以下である請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２の領域の第２導電型の不純物量、及び、前記第３の領域の第２導電型の不純物量は、前記第２の半導体領域から離れるにしたがって低下する請求項１ないし請求項５いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第３の領域の少なくとも１部の第２導電型の不純物量は、前記第２の領域の少なくとも１部よりも多い請求項１ないし請求項６いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の面の上に設けられた絶縁層と、前記第１の面との間に前記絶縁層を挟み、前記第１の領域と前記第２の領域との境界の上に設けられた第１の導電層を、更に備える請求項１ないし請求項７いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１の面との間に前記絶縁層を挟み、前記第２の領域と前記第３の領域との境界の上に設けられた第２の導電層を、更に備える請求項８記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月21日(2019.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
図３Ｄの実線および仮想線で示すように、次いで、クロム（熱膨張係数６．８（ｐｐｍ／Ｋ））からなり、厚みＴａが３０ｎｍである密着層８をスパッタリング法により形成し（第４工程）、続いて、銅（熱膨張係数１６．８（ｐｐｍ／Ｋ））からなり、厚みＴｂが１２０ｎｍである本体層９をスパッタリング法により形成した（第５工程）。これにより、平坦部２１および凹部２２を有するシールド層５を形成した。なお、シールド層５は、まだ、シールド開口部２７を有しておらず、つまり、密着層８を、中間絶縁層４の上面全面と、シールド層５の内側面１０と、中間開口部１５から露出する延出部１６の上面とに、連続して形成し、また、本体層９を、密着層８の上面全面に形成した。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月22日(2019.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料が、空洞を有する導電性部品の表面からエッチングされるか該表面に堆積される電解エッチングプロセスまたは電着プロセスにおいて使用するための装置であって、
電解液を収容するタンク内で前記導電性部品を支持するための支持部と、
前記タンク内に配置されるとともに前記電解液に浸漬されるように構成され、非接触の態様で前記導電性部品の少なくとも一部分を取り囲む形状を有する第１の極性の電極と、
前記電解液に接触するが、前記導電性部品には接触しない第２の極性の電極であって、前記第１の極性の電極の極性と反対の極性を有する第２の極性の電極と、
前記電解液に浸漬されるように構成され、前記導電性部品の前記空洞を通って延在する補助的な第２の極性の電極であって、前記第１の極性の電極の極性と反対の極性を有する補助的な第２の極性の電極と、
を備え、
使用時において、前記第１の極性の電極によって作り出される電界によって、前記導電性部品の少なくとも一部分と、前記第２の極性の電極および前記補助的な第２の極性の電極のうちの少なくとも一方と、の間に電気分散が生じる
装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記第１の極性の電極は、前記導電性部品の少なくとも一部分を受け入れるように構成された電極空間を少なくとも部分的に形成するために、離間した第１および第２の側方リムを備える
装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の装置であって、
前記第１の極性の電極は、電極空間を形成し、
前記第１の極性の電極空間の断面形状は、前記導電性部品の少なくとも一部分の断面形状に対応している
装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の装置であって、
前記第１の極性の電極は、閉ループを形成する
装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置であって、
前記第１の極性の電極は、該第１の極性の電極が閉ループを形成する第１の形態と、前記第１の極性の電極が閉ループを形成しない第２の形態と、を有する
装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の装置であって、
前記第１の極性の電極は、前記支持部によって支持される
装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって、
前記第１の極性の電極は、前記支持部から絶縁される
装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の装置であって、
さらに、前記導電性部品と前記第１の極性の電極との間の相対移動を生じさせるための駆動部を備える
装置。
【請求項９】
請求項８に記載の装置であって、
前記駆動部は、前記導電性部品を回転駆動させるように構成される
装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載の装置であって、
前記装置は、前記駆動部によって生じる、前記導電性部品と前記第１の極性の電極との間の相対移動中に、前記導電性部品と前記第１の極性の電極との間の距離が実質的に一定に維持されるように構成された
装置。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項１０のいずれか一項に記載の装置であって、
前記支持部は、前記電解液のタンク内に配置され得るフレームに取り付けられる
装置。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１に記載の装置であって、
さらに、前記第１の極性の電極に電気的に接続される電源を備える
装置。
【請求項１３】
方法であって、
請求項１ないし請求項１２のいずれか一項に記載の装置を用意する工程と、
前記第１の極性の電極が前記導電性部品の少なくとも一部分を非接触の態様で取り囲んだ状態で、前記導電性部品を前記タンク内に支持する工程と、
前記第１の極性の電極と、前記第２の極性の電極および前記補助的な第２の極性の電極のうちの少なくとも一方と、の間に電圧を印加し、前記導電性部品の少なくとも一部分と、前記第２の極性の電極または前記補助的な第２の極性の電極と、の間に電気分散を生じさせる工程と
を備える方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
さらに、電解中に、前記導電性部品と前記第１の極性の電極との間の相対移動を生じさせる工程を備える
方法。
【請求項１５】
請求項１６に記載の方法であって、
前記導電性部品は回転される
方法。
【請求項１６】
請求項１３ないし請求項１５のいずれか一項に記載の方法であって、
前記導電性部品と前記第１の極性の電極との間の距離は、前記導電性部品と前記第１の極性の電極との間の相対移動の間、実質的に一定に維持される
方法。
【請求項１７】
請求項１３ないし請求項１６のいずれか一項に記載の方法であって、
前記タンクの少なくとも一部分は、前記第２の極性の電極を形成する
方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月11日(2019.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電源系統を有する車両電源システム（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）であって、
複数の電源系統としての第１電源系統（２）および前記第１電源系統とは異なる第２電源系統（４）と、
前記第１電源系統または前記第２電源系統に接続された被制御部（２０、３７、４７）と、
前記第１電源系統または前記第２電源系統のうちの、前記被制御部が接続された電源系統とは異なる電源系統を表す制御元系統に接続され、前記被制御部が接続された電源系統と同じ電源系統を表す制御先系統の電圧変化の予兆を示すパラメータを取得するように構成されたパラメータ取得部（１０Ａ、１０Ｂ）と、
前記パラメータが示す予兆に応じて前記制御先系統の電圧変動を予測し、前記被制御部からの出力が一定になるように、前記被制御部に対する単位時間当たりの駆動パルス数、デューティ比、駆動電流のうちの少なくとも１つを表す給電状態を設定するように構成された作動設定部（１０Ａ、１０Ｂ）と、
を備える車両電源システム。
【請求項２】
請求項１に記載の車両電源システムであって、
前記制御先系統に接続され、電力を消費または発生させるように構成された消費発生部（３３、４３）、
をさらに備え、
前記作動設定部は、前記電圧変化の予兆を示すパラメータとして、前記消費発生部の作動状態を変更する旨を表す変更情報を取得する
ように構成された車両電源システム。
【請求項３】
複数の電源系統を有する車両電源システム（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）であって、
複数の電源系統としての第１電源系統（２）および前記第１電源系統とは異なる第２電源系統（４）と、
前記第１電源系統または前記第２電源系統に接続された被制御部（２０、３７、４７）と、
前記第１電源系統または前記第２電源系統のうちの、前記被制御部が接続された電源系統とは異なる電源系統を表す制御元系統に接続され、前記被制御部が接続された電源系統と同じ電源系統を表す制御先系統の電圧変化の予兆を示すパラメータを取得するように構成されたパラメータ取得部（１０Ａ、１０Ｂ）と、
前記パラメータが示す予兆に応じて前記被制御部の給電状態を設定するように構成された作動設定部（１０Ａ、１０Ｂ）と、
前記制御先系統に接続され、電力を消費または発生させるように構成された消費発生部（３３、４３）、
を備え、
前記作動設定部は、前記電圧変化の予兆を示すパラメータとして、前記消費発生部の作動を制御する制御装置から、前記消費発生部の作動状態を変更する旨を表す変更情報を取得する
ように構成された車両電源システム。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の車両電源システムであって、
前記作動設定部は、前記変更情報として、前記消費発生部が作動する要件が成立した旨を取得する
ように構成された車両電源システム。
【請求項５】
請求項２から請求項４の何れか１項に記載の車両電源システムであって、
前記作動設定部は、前記変更情報として、前記消費発生部に対する作動量の要求値を取得する
ように構成された車両電源システム。
【請求項６】
請求項１から請求項５の何れか１項に記載の車両電源システムであって、
前記第１電源系統（２）に接続された第１バッテリ（３１）と、
前記第２電源系統（４）に接続された第２バッテリ（４１）と、
をさらに備え、
前記第１バッテリのエネルギ密度は、前記第２バッテリのエネルギ密度と異なる
ように構成された車両電源システム。
【請求項７】
請求項６に記載の車両電源システムであって、
前記第１バッテリの電圧は、前記第２バッテリの電圧と異なる
ように構成された車両電源システム。
【請求項８】
請求項１から請求項７の何れか１項に記載の車両電源システムであって、
前記第１電源系統および前記第２電源系統を変圧しつつ接続するように構成されたＤＣＤＣコンバータ（２０）、
をさらに備えた車両電源システム。
【請求項９】
電源制御装置（１０Ａ，１０Ｂ）であって、
当該電源制御装置は、第１バッテリ（３１）が接続された第１電源系統、または第２バッテリ（４１）が接続された第２電源系統のうちの、被制御部（２０、３７、４７）が接続された電源系統とは異なる電源系統を表す制御元系統に接続されており、
前記被制御部が接続された電源系統と同じ電源系統を表す制御先系統の電圧変化の予兆を示すパラメータを取得するように構成された取得部（Ｓ１１０）と、
前記パラメータが示す予兆に応じて前記制御先系統の電圧変動を予測し、前記被制御部からの出力が一定になるように、前記被制御部に対する単位時間当たりの駆動パルス数、デューティ比、駆動電流のうちの少なくとも１つを表す給電状態を設定するように構成された制御設定部（Ｓ１４０，Ｓ１５０，Ｓ１６０）と、
を備える電源制御装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電源制御装置であって、
前記取得部は、前記電圧変化の予兆を示すパラメータとして、前記制御先系統に接続され、電力を消費または発生させるように構成された消費発生部（３３、４３）、の作動状態を変更する旨を表す変更情報を取得する
ように構成された電源制御装置。
【請求項１１】
電源制御装置（１０Ａ，１０Ｂ）であって、
当該電源制御装置は、第１バッテリ（３１）が接続された第１電源系統、または第２バッテリ（４１）が接続された第２電源系統のうちの、被制御部（２０、３７、４７）が接続された電源系統とは異なる電源系統を表す制御元系統に接続されており、
前記被制御部が接続された電源系統と同じ電源系統を表す制御先系統の電圧変化の予兆を示すパラメータを取得するように構成された取得部（Ｓ１１０）と、
前記パラメータが示す予兆に応じて前記被制御部の給電状態を設定するように構成された制御設定部（Ｓ１４０，Ｓ１５０，Ｓ１６０）と、
を備え、
前記取得部は、前記電圧変化の予兆を示すパラメータとして、前記制御先系統に接続され、電力を消費または発生させるように構成された消費発生部（３３、４３）、の作動状態を変更する旨を表す変更情報を、前記消費発生部の作動を制御する制御装置から取得する
ように構成された電源制御装置。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１に記載の電源制御装置であって、
前記取得部は、前記変更情報として、前記消費発生部が作動する要件が成立した旨を取得する
ように構成された電源制御装置。
【請求項１３】
請求項１０から請求項１２の何れか１項に記載の電源制御装置であって、
前記取得部は、前記変更情報として、前記消費発生部に対する作動量の要求値を取得する
ように構成された電源制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月17日(2019.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
故障時にシステムから運転手に運転を切り替えるまでの間の緊急軌道を計算する緊急軌道生成部を有する軌道生成判断部、を有し、
前記軌道生成判断部は、前記緊急軌道の最終状態が前記運転手に安全に引き渡せる状態となるよう計算し、さらに、
前記安全に引き渡せる状態であることを前記運転手に報知する報知部を有する、ことを特徴とする車両制御システム。
【請求項２】
請求項１に記載の車両制御システムにおいて、
前記安全に引き渡せる状態は、引き渡し後の軌道とその後の軌道において、ハンドルの操舵角度、又は車体の操舵角度が所定角度以下の状態である、ことを特徴する車両制御システム。
【請求項３】
請求項１に記載の車両制御システムにおいて、
前記安全に引き渡せる状態は、引き渡し後の軌道とその後の軌道において、一定力以上のブレーキによる制動が必要ない状態である、ことを特徴とする車両制御システム。
【請求項４】
請求項１に記載の車両制御システムにおいて、
複数の認識装置から出力される外界認識情報を統合し、外界認識マップを作成する統合認識部を有し、
前記軌道生成判断部は、前記外界認識マップを使用して、軌道生成を行い、
前記統合認識部は、障害が発生した場合は、前記障害が発生した時刻以降の認識情報を前記外界認識マップの作成には使用せず、
前記障害が発生した時刻とは、障害が発生したと判断された時刻から所定時間を引いた時刻である、ことを特徴とする車両制御システム。
【請求項５】
請求項１に記載の車両制御システムにおいて、
前記緊急軌道を保持する軌道保持部と、認識判断部障害検知部で検知した障害の有無に基づいて前記軌道保持部で保持された緊急軌道で走行するかを切り替える軌道切替部と、を有する運動制御部、を有すること特徴する車両制御システム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月27日(2019.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エタノールの製造方法であって、
（ｉ）二酸化炭素ガス、酸素、および炭素質材料を、移動床又は固定床ガス化装置に噴射する工程；
ここで、前記ガス化装置が多段階ガス化装置であり、
前記炭素質材料の乾燥重量（トン）あたり１４キログラムモル（３０ポンドモル）から２３キログラムモル（５０ポンドモル）までの量の二酸化炭素を前記ガス化装置の下のチャンバに噴射し、
前記下のチャンバに噴射した、前記炭素質材料の乾燥重量（トン）あたり１４キログラムモル（３０ポンドモル）から２３キログラムモル（５０ポンドモル）までの量の二酸化炭素の少なくとも一部は種々の工業的な方法から得られる廃ガスから提供されるものでもよく、
（ｉｉ）二酸化炭素、一酸化炭素および水素を含む合成ガスを生成する工程；
ここで、前記合成ガスの水素と一酸化炭素との比は１以下であり、
一酸化炭素生成の増分は、二酸化炭素を使用しない場合と比較して少なくとも２．５％であり、
（ｉｉｉ）前記合成ガスを生体触媒に接触させて、メタノール、エタノール、プロパノール又はブタノール、或いはこれらの組合せを含有するアルコール混合物を製造する工程；
（ｉｖ）前記混合物からエタノールを選択的に回収する工程；
を含む、エタノール生産性が１０ｇ／Ｌ日を超える、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月13日(2019.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）カプリルヒドロキサム酸又はその塩、（Ｂ）ヒアルロン酸、その誘導体、又はそれらの塩、カルボキシビニルポリマー、その誘導体、又はそれらの塩、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、及びコラーゲンから選ばれる１種以上の水溶性高分子、（Ｃ）有機酸又はその塩、及び（Ｄ）ペンタンジオール、ヘキサンジオール、及びオクタンジオールから選ばれる１種以上のアルカンジオールを含有する皮膚外用剤であって、（Ｂ）水溶性高分子の含有量が皮膚外用剤の全量に対して０．００００１重量％以上５重量％以下である皮膚外用剤。
【請求項２】
（Ａ）カプリルヒドロキサム酸又はその塩の含有量が皮膚外用剤の全量に対して０．００００１重量％以上５重量％以下であり、（Ｃ）有機酸又はその塩の含有量が皮膚外用剤の全量に対して０．００００５重量％以上５重量％以下である、請求項１に記載の皮膚外用剤。
【請求項３】
（Ｃ）有機酸がコハク酸、クエン酸、乳酸及びそれらの塩から選ばれる１種以上である、請求項１又は２に記載の皮膚外用剤。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月27日(2019.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
認知機能に対するアセチルコリンエステラーゼ阻害剤の効果を改善または増強することによる、１２〜２２のミニメンタルステート検査スコアを有する患者におけるアルツハイマー病の治療に使用される医薬組成物であって、Ｎ−（２−（６−フルオロ−１Ｈ−インドール−３−イル）エチル）−３−（２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ）ベンジルアミンまたは薬学的に許容される塩を含み、前記患者に投与される有効１日量が約３０〜約６０ｍｇである、医薬組成物。
【請求項２】
アセチルコリンエステラーゼ治療の補助療法として、１２〜２２のミニメンタルステート検査スコアを有する患者におけるアルツハイマー病の治療に使用される医薬組成物であって、Ｎ−（２−（６−フルオロ−１Ｈ−インドール−３−イル）エチル）−３−（２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ）ベンジルアミンまたは薬学的に許容される塩を含み、前記患者に投与される有効１日量が約３０〜約６０ｍｇである、医薬組成物。
【請求項３】
前記薬学的に許容される塩が塩酸塩である、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記用量が速放性製剤として投与される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項５】
軽度から中度のアルツハイマー病を治療するための、請求項１〜４のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記アセチルコリンエステラーゼ阻害剤がドネペジルである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記アセチルコリンエステラーゼ阻害剤がリバスチグミンである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記アセチルコリンエステラーゼ阻害剤がガラタミンである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記有効１日量が３０ｍｇである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記有効１日量が６０ｍｇである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の医薬組成物。