【手続補正書】
【提出日】令和1年6月13日(2019.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非矩形状の表示領域内に、第１方向と第２方向とに沿って配列された、複数の画素と、
前記第１方向に沿う第１画素群に接続し前記第１方向に沿う走査線と、
前記第１方向に沿う第２画素群に接続し前記表示領域内で前記第１方向に沿う第１配線と、前記表示領域内で前記第２方向に沿う第２配線とを含む交差走査線と、
前記第２方向に沿う第３画素群に接続し前記第２方向に沿うデータ線と、
前記表示領域の外周辺部において、前記走査線と対向する第１辺部に配置され、前記走査線に走査信号を出力し更に前記交差走査線の第２配線を介して前記第１配線に走査信号を出力する走査回路群と、
前記外周辺部において前記１辺部と対向する第２辺部に配置され、前記走査信号が入力される画素の発光輝度に応じたデータ信号を前記データ線に出力するデータ信号回路群と
を備える表示装置。
【請求項２】
第１〜第ｐ（ｐは２以上の整数）の走査線と、
第１〜第ｑ（ｑは２以上の整数）の交差走査線とを備え、
前記第１〜第ｐの走査線の各々は、前記第２の方向に向けて順次配置され、
前記第１〜第ｑの交差走査線の第１配線の各々は、前記第２の方向に向けて順次配置され、
前記走査回路群は、（ｐ＋ｑ）個の走査回路を含み、
ｐ個の走査回路の各々は、前記第１辺部における、前記第２配線に対向する第３辺部に、前記第１〜第ｐの走査線の各々に対応して配置され、
ｑ個の走査回路の各々は、前記第１辺部における、前記第３辺部に対向する第４辺部に、前記第１〜第ｑの交差走査線の第２配線の各々に対応して配置される
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
第ｉ（ｉは１以上、ｑ未満の整数）の交差走査線の第２配線の長さは、第ｉ＋１の交差走査線の第２の配線の長さよりも短く、前記第ｉの交差走査線の第１配線の長さは、前記第ｉ＋１の交差走査線の第１の配線の長さよりも長い
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記表示領域を第１〜第４象限に分けた場合において、
前記第１象限と前記第２象限とに前記第１〜第ｐの走査線が配置され、
前記第３象限と前記第４象限とに前記第１〜第ｑの交差走査線の第１配線が配置される
請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第３辺部は、前記表示領域の第２象限の外周辺部であって、
前記第４辺部は、前記表示領域の第１象限の外周辺部であって、
前記第２辺部は、前記表示領域の第３象限と第４象限との外周辺部である
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記画素は、有機発光層を含む発光部と、容量と前記容量の電圧に応じた電流を前記発光部に流す駆動トランジスタとを含む画素回路とを有し、
前記画素回路は基板面に層状に形成され、前記発光部は、前記画素回路が形成された層の上側に形成され、
層状に形成された前記画素回路において、前記駆動トランジスタに含まれるソースとドレインの少なくとも１つに接続する配線が形成される配線層に前記第２配線と前記データ線とが形成され、前記容量の金属電極が形成される層に前記走査線と前記第１配線とが形成される
請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記画素は、有機発光層を含む発光部と、容量と前記容量の電圧に応じた電流を前記発光部に流す駆動トランジスタとを含む画素回路とを有し、
前記画素回路は基板面に層状に形成され、前記発光部は、前記画素回路が形成された層の上側に形成され、
層状に形成された前記画素回路において、前記駆動トランジスタに含まれるソースとドレインの少なくとも１つに接続する配線が形成される配線層に前記データ線が形成され、前記容量の第１金属電極が形成される層に前記走査線と前記第１配線とが形成され、前記容量の第２金属電極が形成される層に前記第２配線が形成される
請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第ｑの走査線に走査信号を出力する走査回路は、第１の交差走査線に走査信号を出力する走査回路に、前記第ｑの走査線を介して、走査開始タイミングを示すタイミング信号を出力する
請求項３に記載の表示装置。
【請求項９】
前記走査線は、さらに、前記第２方向に伸びる第３配線を含む
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
非矩形状の表示領域内に、第１方向と第２方向とに沿って配置された、複数の画素と、
前記第１方向に沿う第１画素群に接続し前記表示領域内で前記第１方向に沿う第１配線と、前記表示領域内で前記第２方向に沿う第２配線とを含む交差走査線と、
前記第２方向に沿う第２画素群に接続し前記第２方向に沿うデータ線と、
前記表示領域の外周辺部において前記第１配線と対向する第１辺部に配置され、前記交差走査線の第２配線を介して前記第１配線に走査信号を出力する走査回路群と、
前記外周辺部において前記１辺部と対向する第２辺部に配置され、前記走査信号が入力される画素の発光輝度に応じたデータ信号を前記データ線に出力するデータ信号回路群と
を備える表示装置。
【請求項１１】
第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の交差走査線を備え、
前記第１〜第ｎの交差走査線の第１配線の各々は、前記第２の方向に向けて順次配置され、
前記走査回路群は、ｎ個の走査回路を含み、
第１〜第ｍ（ｍは１以上、ｎ未満の整数）の走査回路は、前記第１方向の位置が内側から外側に向かうように、前記第２方向の位置が外側から内側に向かうように、前記第１〜第ｍの交差走査線の第２配線の各々に対応して配置され、
第ｍ＋１〜第ｎの走査回路は、前記第１方向の位置が外側から内側に向かうように、前記第２方向の位置が内側から外側に向かうように、前記第ｍ＋１から第ｎの交差走査線の第２配線の各々に対して配置される
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
第ｉ（ｉは１以上、ｍ以下の整数）の交差走査線の第２配線の長さは、第ｉ＋１の交差走査線の第２の配線の長さよりも長く、前記第ｉの交差走査線の第１配線の長さは、前記第ｉ＋１の交差走査線の第１配線の長さよりも短く、
第ｊ（ｊはｍ＋１以上、ｎ以下の整数）の交差走査線の第２配線の長さは、第ｊ＋１の交差走査線の第２の配線の長さよりも短く、前記第ｊの交差走査線の第１配線の長さは、前記第ｊ＋１の交差走査線の第１配線の長さよりも長い
請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記表示領域を第１〜第４象限に分けた場合において、
前記第１象限と前記第２象限とに前記第１〜第ｍの交差走査線の第１配線が配置され、
前記第３象限と前記第４象限とに前記第ｍ〜第ｎの交差走査線の第１配線が配置される
請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１〜第ｍの走査回路は、前記表示領域の第２象限の外周辺部に配置され、
前記第ｍ＋１〜第ｎの走査回路は、前記表示領域の第１象限の外周辺部に配置され、
前記第２辺部は、前記表示領域の第３象限と第４象限との外周辺部である
請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記画素は、有機発光層を含む発光部と、容量と前記容量の電圧に応じた電流を前記発光部に流す駆動トランジスタとを含む画素回路とを有し、
前記画素回路は基板面に層状に形成され、前記発光部は、前記画素回路が形成された層の上側に形成され、
層状に形成された前記画素回路において、前記駆動トランジスタに含まれるソースとドレインの少なくとも１つに接続する配線が形成される配線層に前記第２配線と前記データ線とが形成され、前記容量の金属電極が形成される層に前記第１配線が形成される
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記画素は、有機発光層を含む発光部と、容量と前記容量の電圧に応じた電流を前記発光部に流す駆動トランジスタとを含む画素回路とを有し、
前記画素回路は基板面に層状に形成され、前記発光部は、前記画素回路が形成された層の上側に形成され、
層状に形成された前記画素回路において、前記駆動トランジスタに含まれるソースとドレインの少なくとも１つに接続する配線が形成される配線層に前記データ線が形成され、前記容量の第１金属電極が形成される層に前記第１配線が形成され、前記容量の第２金属電極が形成される層に前記第２配線が形成される
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記交差走査線は、前記第１配線と前記第２配線とを接続する接続部を含み、前記接続部は、前記表示領域内に配置され、
前記走査回路群は、前記走査線に接続する走査回路と、前記交差走査線の第２配線に接続する走査回路とを含み、
前記走査線に接続する走査回路と、前記交差走査線の第２配線に接続する走査回路との間に、前記第１画素群が配置される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記交差走査線は、前記第１配線と前記第２配線とを接続する接続部を含み、前記接続部は、前記表示領域内に配置され、
前記第１〜第ｍ（ｍは１以上、ｎ未満の整数）の走査回路と、第ｍ＋１〜第ｎの走査回路との間に、前記第２画素群の少なくとも一部の画素が配置される、請求項１０に記載の表示装置。