【事件の表示】
　特願２０１７−５０９７３０「シリコン基板を有する光電子モジュールおよびそのようなモジュールの作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　２月２５日国際公開、ＷＯ２０１６／０２８２２７、平成２９年１０月１９日国内公表、特表２０１７−５３１３１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１５年（平成２７年）８月１８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１４年８月１９日、米国、２０１４年９月２９日、米国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和元年　６月２６日付け：拒絶理由通知書
　令和元年１１月２８日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和２年　４月２３日付け：拒絶査定
　令和２年　８月２６日　　：審判請求書、手続補正書の提出
　令和３年　２月　４日　　：上申書の提出
第２　令和２年８月２６日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和２年８月２６日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
　１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所として、請求人が付したものである。）
「光電子モジュールであって、
　光電子デバイスが内または上に設けられたシリコン基板と、
　前記光電子デバイスの上方に配置された光学アセンブリと、
　前記シリコン基板を前記光学アセンブリから隔てるスペーサとを備え、
　前記スペーサは、前記光電子デバイスにより発せられた、および／または前記光電子デバイスにより検出可能な波長の光を実質的に透過しないか、または大幅に減衰させ、
　前記スペーサは、前記シリコン基板の側面を囲み、かつ、前記シリコン基板に直接接触
し、
　
前記スペーサの底部が前記シリコン基板の底部と面一である、
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の、令和元年１１月２８日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「光電子モジュールであって、
　光電子デバイスが内または上に設けられたシリコン基板と、
　前記光電子デバイスの上方に配置された光学アセンブリと、
　前記シリコン基板を前記光学アセンブリから隔てるスペーサとを備え、
　前記スペーサは、前記光電子デバイスにより発せられた、および／または前記光電子デバイスにより検出可能な波長の光を実質的に透過しないか、または大幅に減衰させ、
　前記スペーサは、前記シリコン基板の側面を囲み、かつ、前記シリコン基板に直接接触している、光電子モジュール。」
　２　補正の適否
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「スペーサ」について、「前記スペーサの底部が前記シリコン基板の底部と面一である」との限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下に検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。
（２）引用文献の記載事項
　ア　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２００８−２８３００２号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある（下線は当審が付した。以下同じ。）。
「【００２６】
　図１は、本発明の撮像素子モジュールの概略構成を示す断面図である。この撮像素子モジュールは、ベース回路基板１１ａ上にダイボンディングされた撮像素子１２を有しており、撮像素子１２が、ベース回路基板１１ａと、ボンディングワイヤーである金線１３によってワイヤーボンディングされている。
撮像素子１２上には、透光性部材としてのＩＲ（赤外線）カットガラス１４が接着剤１５によって取り付けられ
【００２７】
　
ＩＲカットガラス１４の平坦な上面には、接着剤１８によって接着されたレンズ体１７が設けられ
【００２８】
　接着剤１８は、ＩＲカットガラス１４の平坦な上面における撮像素子１２ａの有効画素領域を取り囲む周囲に対応した外周縁部に沿って全周にわたって連続して設けられており、レンズ体１７は、支持部１７ａの下面とＩＲカットガラス１４の上面との間に適当な空間が形成された状態で接着されている。接着剤１８は、支持部１７ａの平坦な下面とＩＲカットガラス１４の平坦な上面との間の空間を気密状態に封止している。
【００２９】
　
ベース回路基板１１ａ上の撮像素子１２と、
ＩＲカットガラス１４と、レンズ体１７とは、
非透光性のモールド樹脂１６によって封止され
【００３０】
　図２は、図１に示す本発明の撮像素子モジュールの製造工程を示す概略図である。図１に示す撮像素子モジュールを製造するために、図２（ａ）に示すように、半導体ウェハ１２が準備される。半導体ウェハ１２には、撮像素子モジュールのそれぞれの撮像素子１２ａに対応した多数の撮像素子部分１２ｂが予め形成されている。各撮像素子部分１２ｂには、有効画素領域がそれぞれ設けられている。
【００３１】
　このような半導体ウェハが準備されると、それぞれの撮像素子部分１２ｂに対して、所定量の接着剤１５が一括して塗布される。この場合、接着剤１５は、各撮像素子部分１２ｂにおける有効画素領域の周囲に、全周にわたって連続した状態になるようにそれぞれ所定量ずつ塗布される。
【００３２】
　その後、それぞれの上面および下面が平坦面に形成された複数のＩＲカットガラス１４が準備されて、各撮像素子モジュールに対応したそれぞれの撮像素子部分１２ｂの有効画素領域と対向するように各ＩＲカットガラス１４が配置されて、全てのＩＲカットガラス１４が、接着剤１５によって、半導体ウェハ１２における全ての撮像素子部分１２ｂに一括して接着される。この場合、全てのＩＲカットガラス１４は、半導体ウェハ１２における全ての撮像素子部分１２ｂに対して所定の押圧力によって一括して押圧されるようになっており、これにより、各ＩＲカットガラス１４は、それぞれの下面と各撮像素子部分１１ｂにおける有効画素領域との間に所定の空間が気密状態で形成された状態で、しかも、それぞれの下面が各撮像素子部分１１ｂの上面に対して平行な状態で接着される。
【００３３】
　このような状態になると、図２（ｂ）に示すように、各ＩＲカットガラス１４のそれぞれの上面に接着剤１８が所定量ずつ一括して塗布される。この場合も、接着剤１８は、各ＩＲカットガラス１４の上面において、各撮像素子部分１２ｂの有効画素領域を取り囲む周囲に対応する外周縁部分に、全周にわたって連続するように一括して塗布される。その後、レンズ部１７ｂが上面から突出した直方体形状の複数のレンズ体１７が、各ＩＲカットガラス１４の上面に、接着剤１８によって接着される。この場合にも、全てのレンズ体１７は、各ＩＲカットガラス１４の上面に対して所定の押圧力によって一括して押圧されるようになっており、これにより、各レンズ体１７は、それぞれの下面と各ＩＲカットガラス１４の上面との間に所定の空間が気密状態で形成された状態で、しかも、それぞれの下面が各ＩＲカットガラス１４の上面に対して平行な状態で接着される。そして、各各撮像素子部分１２ｂの有効画素領域に対してレンズ部１７ｂが所定の位置になるうに、レンズ体１７が調整される。
【００３４】
　このようにして、各ＩＲカットガラス１４の上面にレンズ体１７がそれぞれ取り付けられると、図２（ｃ）に示すように、
ベース基板１１
上にダイボンディングされた撮像素子１２ａ
【００３５】
　ベース基板１１上のすべての撮像素子１２ａが、ＩＲカットガラス１４およびレンズ体１７とともにモールド樹脂１６によってモールドされると、ベース基板１１が、モールド樹脂１６とともに、ベース基板１１における各ベース回路基板部分１１ｂ毎にダイシングによって分断される。これにより、図２（ｄ）に示すように、本発明の撮像素子モジュールが形成される。この場合、相互に隣接する各レンズ体１７間にモールド樹脂１６をダイシングできる間隔が形成されていればよいために、ベース基板１１における各ベース回路基板部分１１ｂを密接させて形成することができる。その結果、ベース基板１１に対してベース回路基板部分１１ｂを歩留まりよく形成することができる。」
「【００４４】
　１１　　ベース基板
　１１ａ　ベース回路基板
　１１ｂ　ベース回路基板部分
　１２　　半導体ウェハ
　１２ａ　撮像素子
　１２ｂ　撮像素子部分
　１３　　金線
　１４　　ＩＲカットガラス
　１５　　接着剤
　１６　　モールド樹脂
　１７　　レンズ体
　１７ａ　支持部
　１７ｂ　レンズ部」
「図１
」
「図２
」
　イ　引用文献１に記載された技術的な事項
（ア）上記【００３０】の記載及び図２（ａ）〜（ｃ）より、半導体ウェハ１２には、撮像素子モジュールのそれぞれの撮像素子１２ａに対応した多数の撮像素子部分１２ｂが予め形成され、当該半導体ウェハ１２は、各撮像素子部分１２ｂ毎に分割されて、撮像素子１２ａが形成されると、みてとれる。
　よって、
撮像素子１２ａは、分割された半導体ウェハ１２及び半導体ウェハ１２に形成された撮像素子部分１２ｂより構成され
（イ）上記【００２９】に記載のとおり、ベース回路基板１１ａ上の撮像素子１２と、ＩＲカットガラス１４と、レンズ体１７とは、非透光性のモールド樹脂１６によって封止されており、当該記載を踏まえ、図２（ｄ）より、
モールド樹脂１６は、撮像素子１２ａ、ＩＲカットガラス１４及びレンズ体１７を、一体に固定し
（ウ）上記【００２９】に記載のとおり、ベース回路基板１１ａ上の撮像素子１２は、非透光性のモールド樹脂１６によって封止されていることから、図２（ｄ）より、
モールド樹脂１６は、撮像素子１２ａの側面を囲み、かつ、撮像素子１２に直接接触している
　ウ　上記ア、イより、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。なお、参考までに、引用発明の認定に用いた引用文献１の記載等に係る段落番号等を括弧内に付してある。
＜引用発明＞
「ベース回路基板１１ａ上にダイボンディングされた撮像素子１２ａと、（【００３４】及び図２（ｄ））
　撮像素子１２ａ上には、透光性部材としてのＩＲ（赤外線）カットガラス１４が接着剤１５によって取り付けられ、（【００２６】及び図２（ｄ））
　ＩＲカットガラス１４の平坦な上面には、接着剤１８によって接着されたレンズ体１７が設けられ、（【００２７】）
　ベース回路基板１１ａ上の撮像素子１２ａと、ボンディングワイヤーである金線１３と、ＩＲカットガラス１４と、レンズ体１７とは、非透光性のモールド樹脂１６によって封止されている、撮像素子モジュールであって、（【００２９】及び図２（ｄ））
　撮像素子１２ａは、分割された半導体ウェハ１２及び半導体ウェハ１２に形成された撮像素子部分１２ｂより構成され、（上記イ（ア））
　モールド樹脂１６は、撮像素子１２ａ、ＩＲカットガラス１４及びレンズ体１７を、一体に固定し、（上記イ（イ））
　モールド樹脂１６は、撮像素子１２ａの側面を囲み、かつ、撮像素子１２に直接接触している、（上記イ（ウ））
　撮像素子モジュール。」
（３）引用発明との対比
　ア　本件補正発明と引用発明とを、以下に対比する。
（ア）引用発明の「撮像素子モジュール」は、本件補正発明の「
光電子モジュール
（イ）引用発明の「撮像素子１２ａ」は、「分割された半導体ウェハ１２及び半導体ウェハ１２に形成された撮像素子部分１２ｂより構成され」ている。
　一方、本件補正発明は、「光電子デバイスが内または上に設けられたシリコン基板」を備えている。
　したがって、両者の構成を対比すると、引用発明の「撮像素子部分１２ｂ」は、本件補正発明の「光電子デバイス」に相当するといえ、引用発明と本件補正発明とは、「
光電子デバイスが内に設けられた基板
（ウ）引用発明の「レンズ体１７」は、撮像素子１２ａ上に設けられ、撮像素子部分１２ｂ上に設けられているといえるから、本件補正発明の「
光学アセンブリ
前記光電子デバイスの上方に配置された
（エ）引用発明の「モールド樹脂１６」は、「撮像素子１２ａ、ＩＲカットガラス１４及びレンズ体１７を、一体に固定し」ており、「非透光性」であり、「撮像素子１２ａの側面を囲み、かつ、撮像素子１２ａに直接接触している」ものである。
　一方、本件補正発明の「スペーサ」は、「前記シリコン基板を前記光学アセンブリから隔てる」ものであり、「前記光電子デバイスにより発せられた、および／または前記光電子デバイスにより検出可能な波長の光を実質的に透過しないか、または大幅に減衰させ」、「前記シリコン基板の側面を囲み、かつ、前記シリコン基板に直接接触」するものである。
　ここで、引用発明の「モールド樹脂１６」及び本件補正発明の「スペーサ」を特定する、各事項を対比してみると、
　ａ　引用発明の「モールド樹脂１６」は、「撮像素子１２ａ、ＩＲカットガラス１４及びレンズ体１７を、一体に固定」するものであるから、「撮像素子１２ａ」及び「レンズ体１７」の位置を固定しているものと理解できる。
　したがって、引用発明の「モールド樹脂１６」は、本件補正発明の「
前記シリコン基板を前記光学アセンブリから隔てる
　ｂ　引用発明の「非透光性」との特定は、他の「透光性部材としてのＩＲ（赤外線）カットガラス１４」との特定を踏まえると、撮像素子１２ａが受光する光に対して「非透光性」であると解されるから、引用発明の「モールド樹脂１６」は、本件補正発明の「
前記光電子デバイスにより検出可能な波長の光を実質的に透過しないか、または大幅に減衰させ
　したがって、上記ａ及びｂより、引用発明の「モールド樹脂１６」は、本件補正発明の「
スペーサ
　イ　以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「光電子モジュールであって、
　光電子デバイスが内に設けられた基板と、
　前記光電子デバイスの上方に配置された光学アセンブリと、
　前記基板を前記光学アセンブリから隔てるスペーサとを備え、
　前記スペーサは、前記光電子デバイスにより検出可能な波長の光を実質的に透過しないか、または大幅に減衰させ、
　前記スペーサは、前記基板の側面を囲み、かつ、前記基板に直接接触する、光電子モジュール。」
＜相違点＞
・相違点１
　「基板」について、本件補正発明では、「シリコン基板」であるのに対して、引用発明では、「分割された半導体ウェハ１２」である点。
・相違点２
　「スペーサ」について、本件補正発明は、「前記スペーサの底部が前記シリコン基板の底部と面一である」のに対し、引用発明は、不明である点。
（４）判断
　以下、相違点１〜２について検討する。
　ア　相違点１について
　引用発明の「分割された半導体ウェハ１２」は、「撮像素子部分１２ｂ」が形成されているところ、撮像素子を形成する半導体ウェハとして、シリコンウェハが慣用されることは、技術常識（必要であれば、下記文献１参照。）である。
　したがって、引用発明の「分割された半導体ウェハ１２」として、シリコン基板を用いることは、当業者が容易になし得た事項である。
＜技術常識を示す文献＞
・文献１：特開２０１１−８２９２４号公報（令和元年６月２６日付け拒絶理由通知に提示された文献）
「【００１８】
　裏面照射型の撮像素子２は、周知のように、基板上に配線層が形成された構成を有しているとともに、光軸方向Ｌにおいて、５〜１０μｍの厚みに形成されており、その厚み公差は、基板が削られることにより、基板に既知の
ＳＯＩ（silicon on insulator）基板
単結晶のシリコン基板（バルク基板）
　イ　相違点２について
　引用発明の「撮像素子１２ａ（分割された半導体ウェハ１２及び半導体ウェハ１２に形成された撮像素子部分１２ｂ）」は、ベース回路基板１１ａ上にダイボンディングされているから、「撮像素子１２ａ」の底部と「ベース回路基板１１ａ」の表面との間には、接着剤が介在している。
　一方、引用発明の「モールド樹脂１６」は、ベース回路基板１１ａ上にモールドされた樹脂であるから、その底部は、ベース回路基板１１ａの表面に接していると解される。
　してみると、「撮像素子１２ａ」の底部と「モールド樹脂１６」の底部とは、接着剤の厚さ分だけ段差があるとも解し得る。
　しかしながら、ダイボンディングに際して、ダイ（素子）を押圧して固定することは技術常識であるから、押圧により、接着剤は薄く広がるものと解され、その厚さは、薄いものと解される。
　そうすると、引用発明において、「撮像素子１２ａ」の底部と「モールド樹脂１６」の底部と間には、薄い接着剤の分だけ段差があるとしても、当該段差は、ほとんどないものと考えられるから、実質的な段差はないと解することが相当であり、言い換えれば、「モールド樹脂１６」の底部と「撮像素子１２ａ」の底部とは、実質的に面一であると解される。
　ここで、本件補正発明の「前記スペーサの底部が前記シリコン基板の底部と面一である」との特定について、本願の発明の詳細な説明の記載を参酌すると、【００２４】において、「たとえば、いくつかの場合において、スペーサ３０の底部がシリコン基板２６Ａ、２６Ｂの底部と
実質的に面一
　したがって、上記相違点２は、実質的な相違点ではないものである。
　ウ　本件補正発明の効果について
　上記相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明及び慣用技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
　なお、本願の発明の詳細な説明の【００２４】には、「上述の方法およびモジュールのさまざまな修正例が実現可能である。たとえば、いくつかの場合において、スペーサ３０の底部がシリコン基板２６Ａ、２６Ｂの底部と実質的に面一であってもよいが、他の場合において、スペーサがシリコン基板の底部を越えて多少突出してもよい（図５参照）。特に、スペーサ３０は、外部導電性コンタクト４２が位置する、シリコン基板の下面５０を越えて延在してもよい。」と記載されており、「面一」であることの技術的意義について、明記されてはいない。
　エ　結論
　したがって、本件補正発明は、引用発明及び慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　オ　請求人の主張について
　請求人は、審判請求書において、「原査定では、引用文献２（特開２００８−２８３００２号公報）の「半導体ウエハ１２」を本願発明の「シリコン基板」に対応させている。引用文献２の「半導体ウエハ１２」の底部は、一見すると、「モールド樹脂１６」の底部と面一に形成されていると錯覚されるかもしれない。
　しかし、引用文献２の「半導体ウエハ（撮像素子）１２」は「ベース回路基板１１」上に「ダイボンディング」されるものであり（引用文献２の段落［００２６］）、「ベース回路基板１１」上にダイボンド剤（接着剤）の層が形成され、その接着剤層の上に「撮像素子１２」が設けられるものであることは当業者にとって明らかな事項である。
　したがって、引用文献２の「撮像素子１２」の底部が「モールド樹脂１６」の底部と面一に形成されているとはいえない。」（第３頁第１４行〜第２３行）と主張している。
　しかしながら、上記イのとおり、接着剤が介在するとしても、その厚みは薄いことから、引用発明において、「撮像素子１２ａ」の底部と「モールド樹脂１６」の底部とは、実質的に面一であると解される。
　また、本件補正発明の「前記スペーサの底部が前記シリコン基板の底部と面一である」との特定は、審判請求書の第２頁【補正の説明】によれば、「本願明細書の段落［００２４］等の記載に基づくもの」であるところ、上記イのとおり、【００２４】には、「たとえば、いくつかの場合において、スペーサ３０の底部がシリコン基板２６Ａ、２６Ｂの底部と
実質的に面一
　したがって、請求人の主張は、上記判断を左右するものではない。
　３　本件補正についてのむすび
　本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
　１　本願発明
　令和２年８月２６日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和元年１１月２８日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
　２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１〜７に係る発明は、本願の最先の優先権主張の日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献に記載された技術的事項に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものを含むものである。
　特開２００８−２８３００２号公報
　３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
　
　４　対比・判断
　本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「前記スペーサの底部が前記シリコン基板の底部と面一である」との限定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（３）、（４）に記載したとおり、引用発明及び慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明及び慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。