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　特願２０１６−　４９３４０「電子装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　９月２１日出願公開、特開２０１７−１６８４８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２８年３月１４日の出願であって、令和元年１０月２５日付けで拒絶理由が通知され、令和元年１２月１３日に手続補正がなされ、令和２年６月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、令和２年９月２９日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に手続補正がなされたものである。
第２　令和２年９月２９日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和２年９月２９日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。）
「【請求項１】
　上面に第１の電極が形成された第１の基板と、
　前記第１の基板上に固定され、上面に第２の電極が形成された第２の基板と、
　前記第１の電極と前記第２の電極とを接続し、導電性を有するワイヤと、
　前記第２の基板を全て覆うように樹脂で形成された樹脂封止層と、
　前記第２の基板の上方に前記樹脂を介して配置され、
円柱形状または直方体形状の部分を有し、
の
　を備え、
　前記封止体の下面は、前記第２の基板と前記樹脂を介して対向し、前記第１の基板の平面に対して垂直方向の前記ワイヤの最高点よりも低く配置されていることを特徴とする電子装置。」
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の、令和元年１２月１３日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　上面に第１の電極が形成された第１の基板と、
　前記第１の基板上に固定され、上面に第２の電極が形成された第２の基板と、前記第１の電極と前記第２の電極とを接続し、導電性を有するワイヤと、
　前記第２の基板を全て覆うように樹脂で形成された樹脂封止層と、
前記第２の基板の上方に前記樹脂を介して配置され、熱伝導性を有する固体である封止体と、
　を備え、
　前記封止体の下面は、前記第２の基板と前記樹脂を介して対向し、前記第１の基板の平面に対して垂直方向の前記ワイヤの最高点よりも低く配置されていることを特徴とする電子装置。」
２　補正の適否
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「封止体」について「熱伝導性を有する固体である」とあったところを「円柱形状または直方体形状の部分を有し、熱伝導性の固体である」と限定するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。
（２）引用文献の記載事項
ア　引用文献１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１（特開２００８−１３５６８８号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。）。
「【０００１】
　本発明は、大きな発熱量の半導体素子を搭載する場合に適した
半導体装置
「【００２６】
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、製造工程中に半導体装置の金属細線がショートあるいは、未充填が発生することなく製造でき、且つ、放熱性に優れ、品質の安定した半導体装置およびその製造方法を提供することである。」
「【００５９】
　以下、本発明の実施の形態における半導体装置１０１について図面を参照しながら説明する。なお、理解し易いように、以下の説明では、基板の半導体素子搭載面側を上方として説明する。また、従来の半導体装置１００と略同機能の構成要素には同じ符号を付す。
【００６０】
　
（第１の実施の形態）
　図１は本発明の第１の実施の形態における半導体装置１０１の断面図を示すものである。
【００６１】
　図１に示すように、本実施の形態の
半導体装置１０１は、絶縁性樹脂からなり、
配線パターン２が形成されている基板３と、
基板３の主面である上面（半導体素子搭載面とも称す）に
搭載された半導体素子１と、
金属細線５と、
基板３の半導体素子搭載面側を覆い、この半導体素子１の主面（半導体素子１の回路面であり、
半導体素子１の上面）に対向するように配置された
熱伝導体９１と、基板３の半導体素子搭載面、半導体素子１、および熱伝導体９１の一部を封止する封止樹脂体６とを備え
【図１】
」
「【００６５】
　本実施の形態における半導体装置１０１の製造方法は、まず、図３（ａ）に示すように、両面に配線パターン２が形成されている基板３を用意し、図３（ｂ）に示すように、
基板３の上面の各ボンディング位置に対して、半導体素子１を接着剤４により接着固定して搭載する。
【００６６】
　
次に、
基板３上に搭載した半導体素子１の電極パッド
と基板３の上面に設けられた配線パターン２とを金属細線５により電気的に接続する。
 
【図３】
」
「【０１０８】
　（第３の実施の形態）
　
本第３の実施の形態の半導体装置１０４では、上記第１の実施の形態における半導体装置１０１とは熱伝導体の形状が異なる。
「【０１１５】
　なお、熱伝導体の形状は、本実施の形態の熱伝導体９４の形状に限定されない。
以下に本実施の形態における変形の形態１を
説明する。
本実施の形態における半導体装置１０４と変形の形態１における半導体装置１０５とでは、熱伝導体９５の形状のみが異なる。
「【０１１６】
　
（変形の形態１）
　図１３は、変形の形態１における半導体装置を示す断面図である。また、図１４は、変形の形態１における熱伝導体の製造工程を説明する図である。
【０１１７】
　図１３に示すように、
この半導体装置１０５でも、熱伝導体９５の露出部の一部に半導体素子１に近づくような窪み部１９が設けられ
窪み部１９はすり鉢状に一体形成され
窪み部１９の底面部１９ｂが半導体素子１の主面と略平行な状態で近接された配置とされ
【図１３】        
【０１１８】
　ここで、図１４を参照しながら、この熱伝導体９５の製造方法について説明する。
　図１４（ａ）に示すように、
熱伝導体９５は
金属板を
加工して作製する。
【０１１９】
　次に、図１４（ｂ）に示すように、熱伝導体９５の角部に上記実施の形態１と同様の支持部９ａが形成されると共に、絞り加工などを施し、開口部１５が窪み部１９の傾斜部１９ａ内に配置されるように、その外周部をすり鉢状に下方に成形して、
封止樹脂体６内に埋没する窪み部１９
【図１４】
【０１２０】
　ここで、
窪み部１９は金属細線５に接触しないように形成され、
【０１２１】
　また、
窪み部１９を半導体素子１の主面の中心の鉛直方向に位置するように設け、
窪み部１９の形状
多角形状であっても構わない。
【０１２２】
　そして、この変形の形態１の半導体装置１０５が奏する効果は、本第３の実施の形態が奏する上記の効果に付け加え、熱伝導体９５の窪み部１９の底面１９ｂには開口部を設けていないので、底面１９ｂを半導体素子１の主面に近接させたり当接させたりすることが可能になる。したがって、図１３に示すように、
熱伝導体９５の窪み部１９の底面１９ｂを半導体素子１の主面に近接させることで、放熱効果を高めることができ
　したがって、引用文献１には、次の技術事項が記載されているものと認められる。
ａ　段落【０００１】より、引用文献１は、「半導体装置」に関するものであることがわかる。
ｂ　段落【００６１】より、（第１の実施の形態）における「半導体装置１０１」は、「絶縁性樹脂からなり、配線パターン２が形成されている基板３と、基板３の主面である上面（半導体素子搭載面とも称す）に搭載された半導体素子１と、金属細線５と、基板３の半導体素子搭載面側を覆い、この半導体素子１の主面（半導体素子１の回路面であり、半導体素子１の上面）に対向するように配置された熱伝導体９１と、基板３の半導体素子搭載面、半導体素子１、および熱伝導体９１の一部を封止する封止樹脂体６とを備え」ていることを読み取ることができる。
ｃ　段落【００６５】、【００６６】より、（第１の実施の形態）における「半導体装置１０１」は、「基板３の上面の各ボンディング位置に対して、半導体素子１を接着剤４により接着固定して搭載し、次に、基板３上に搭載した半導体素子１の電極パッドと基板３の上面に設けられた配線パターン２とを金属細線５により電気的に接続」することを読み取ることができる。
ｄ　段落【０１１６】より、（変形の形態１）における「半導体装置１０５」では、「熱伝導体９５の露出部の一部に半導体素子１に近づくような窪み部１９が設けられ、窪み部１９はすり鉢状に一体形成され、窪み部１９の底面部１９ｂが半導体素子１の主面と略平行な状態で近接された配置とされ」ていることを読み取ることができる。
ｅ　段落【０１１８】より、（変形の形態１）における「半導体装置１０５」の「熱伝導体９５は金属板を加工して作製」することを読み取ることができる。
ｆ　段落【０１１９】より、（変形の形態１）における「半導体装置１０５」の「窪み部１９」は「封止樹脂体６内に埋没」することを読み取ることができる。
ｇ　段落【０１２０】、【０１２１】より、（変形の形態１）における「半導体装置１０５」では、「窪み部１９は金属細線５に接触しないように形成され、」「窪み部１９を半導体素子１の主面の中心の鉛直方向に位置するように設け、窪み部１９の形状」は「多角形状であっても構わ」ないことを読み取ることができる。
ｈ　段落【０１２２】より、（変形の形態１）における「半導体装置１０５」では、「熱伝導体９５の窪み部１９の底面１９ｂを半導体素子１の主面に近接させることで、放熱効果を高めることができ」ることを読み取ることができる。
　ここで、引用文献１の段落【０１０８】に「（第３の実施の形態）　本第３の実施の形態の半導体装置１０４では、上記第１の実施の形態における半導体装置１０１とは熱伝導体の形状が異なる。」と記載され、段落【０１１５】及び【０１２１】に「本実施の形態における半導体装置１０４と変形の形態１における半導体装置１０５とでは、熱伝導体９５の形状のみが異なる。」、「それ以外の点は、上記第３の実施の形態における半導体装置１０４と同一である。」と記載されていることから、段落【０１１６】以降に記載された「（変形の形態１）」における「半導体装置１０５」は、「第１の実施の形態における半導体装置１０１とは熱伝導体の形状が異なる」だけであると認められる。
　よって、上記ａないしｈより、引用文献１には、（変形の形態１）の「半導体装置１０５」として、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる（なお、用語の統一を図るため、第１の実施の形態について記載された上記ｂ、ｃにおける「熱伝導体９１」を、「熱伝導体９５」と書き換えた。）。
「絶縁性樹脂からなり、配線パターン２が形成されている基板３と、基板３の主面である上面（半導体素子搭載面とも称す）に搭載された半導体素子１と、金属細線５と、基板３の半導体素子搭載面側を覆い、この半導体素子１の主面（半導体素子１の回路面であり、半導体素子１の上面）に対向するように配置された熱伝導体９１と、基板３の半導体素子搭載面、半導体素子１、および熱伝導体９１の一部を封止する封止樹脂体６とを備え、
　基板３の上面の各ボンディング位置に対して、半導体素子１を接着剤４により接着固定して搭載し、次に、基板３上に搭載した半導体素子１の電極パッドと基板３の上面に設けられた配線パターン２とを金属細線５により電気的に接続し、
　熱伝導体９５の露出部の一部に半導体素子１に近づくような窪み部１９が設けられ、窪み部１９はすり鉢状に一体形成され、窪み部１９の底面部１９ｂが半導体素子１の主面と略平行な状態で近接された配置とされ、熱伝導体９５は金属板を加工して作製し、窪み部１９は封止樹脂体６内に埋没し、窪み部１９は金属細線５に接触しないように形成され、窪み部１９を半導体素子１の主面の中心の鉛直方向に位置するように設け、窪み部１９の形状は多角形状であっても構わず、
　熱伝導体９５の窪み部１９の底面１９ｂを半導体素子１の主面に近接させることで、放熱効果を高めることができる、
　半導体素子１。」
（３）対比・判断
ア　対比
　本件補正発明と引用発明とを対比すると、次のことがわかる。
（ア）引用発明における「基板３」は、「基板３の上面に」「配線パターン２」が「設けられ」ている。そして、該「配線パターン２」のうち、「基板３の上面の各ボンディング位置」に当たる「配線パターン２」は、「金属細線５」が「ボンディング」される電極とみなすことができる。
　よって、引用発明における「基板３」は、「基板３の上面に」、「金属細線５」が「ボンディング」される電極が形成されているといえるから、本件補正発明における「上面に第１の電極が形成された第１の基板」に相当するといえる。
（イ）引用発明における「半導体素子１」は、「基板３の主面である上面（半導体素子搭載面とも称す）に」「接着剤４により接着固定して搭載」され、「電極パッド」を備えているから、本件補正発明における「前記第１の基板上に固定され、上面に第２の電極が形成された第２の基板」に相当する。
（ウ）引用発明における「金属細線５」は、「基板３上に搭載した半導体素子１の電極パッドと基板３の上面に設けられた配線パターン２とを」「電気的に接続」しているから、本件補正発明における「前記第１の電極と前記第２の電極とを接続し、導電性を有するワイヤ」に相当する。
（エ）上記（イ）で述べたとおり、引用発明における「半導体素子１」は、本件補正発明における「第２の基板」に相当する。
　そして、引用発明における、「封止樹脂体６」は、「半導体素子１」と、該「半導体素子１」が「搭載」される「基板３の半導体素子搭載面」とを「封止」しているから、「封止樹脂体６」は「半導体素子１」（本件補正発明でいう「第２の基板」）全体を覆っていることは明らかである。
　よって、引用発明における「封止樹脂体６」は、本件補正発明における「前記第２の基板を全て覆うように樹脂で形成された樹脂封止層」に相当する。
（オ）ａ　引用発明における「熱伝導体９５」には「一部に半導体素子１に近づくような窪み部１９が設けられ、窪み部１９はすり鉢状に一体形成され、窪み部１９の底面部１９ｂが半導体素子１の主面と略平行な状態で近接された配置とされ」、「窪み部１９は封止樹脂体６内に埋没し」、「窪み部１９を半導体素子１の主面の中心の
鉛直方向
ｂ　よって、引用発明における「熱伝導体９５」は、「一部に」「すり鉢状」あるいは「多角形状」の「窪み部１９」が「設けられ」、「金属板を加工して作製」され、「半導体素子１の主面の」「鉛直方向に位置し」、「半導体素子１の主面」との間には「封止樹脂体６」が介在しているから、本件補正発明における「前記第２の基板の上方に前記樹脂を介して配置され、円柱形状または直方体形状の部分を有し、熱伝導性の固体である封止体」とは、「前記第２の基板の上方に前記樹脂を介して配置され、立体形状の部分を有し、熱伝導性の固体である封止体」の点で一致する。
ｃ　しかしながら、本件補正発明では、封止体が有する部分が「円柱形状または直方体形状」であるのに対し、引用発明では、「熱伝導体９５」の「一部に」「設けられ」た部分が、「すり鉢状」あるいは「多角形状」の「窪み部１９」である点で相違する。
（カ）上記（オ）ａのとおり、引用発明における「熱伝導体９５」の「一部に」「設けられ」た「窪み部１９の底面部１９ｂ」と「半導体素子１の主面」との間には「封止樹脂体６」が介在していることは明らかである。
　よって、引用発明と本件補正発明とは、「前記封止体の下面は、前記第２の基板と前記樹脂を介して対向し、前記第１の基板の平面に対して垂直方向に低く配置されている」の点で一致する。
　しかしながら、本件補正発明では、前記封止体の下面が「前記ワイヤの最高点よりも低く」配置されているのに対し、引用発明では、窪み部１９の底面部１９ｂが金属細線５の最高点よりも低く配置されているか明らかでない点で相違する。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、次の点で一致し、また相違する。
（一致点）
　上面に第１の電極が形成された第１の基板と、
　前記第１の基板上に固定され、上面に第２の電極が形成された第２の基板と、
　前記第１の電極と前記第２の電極とを接続し、導電性を有するワイヤと、
　前記第２の基板を全て覆うように樹脂で形成された樹脂封止層と、
　前記第２の基板の上方に前記樹脂を介して配置され、立体形状の部分を有し、熱伝導性の固体である封止体と、
　を備え、
　前記封止体の下面は、前記第２の基板と前記樹脂を介して対向し、前記第１の基板の平面に対して垂直方向に低く配置されていることを特徴とする電子装置。」
（相違点１）
　本件補正発明では、封止体が有する部分が「円柱形状または直方体形状」であるのに対し、引用発明では、「すり鉢状」あるいは「多角形状」の「窪み部１９」である点。
（相違点２）
　本件補正発明では、前記封止体の下面が「前記ワイヤの最高点よりも低く」配置されているのに対し、引用発明では、「窪み部１９の底面部１９ｂ」（本件補正発明の「封止体の下面」に相当する。）が金属細線５（本件補正発明の「ワイヤ」に相当する。）の最高点よりも低く配置されているか明らかでない点。
イ　判断
　そこで上記相違点について検討する。
（ア）（相違点１）について
　熱伝導体の立体形状として「円柱形状または直方体形状」は、ありふれた形状である（なお、直方体形状については、必要であれば、特開平１−２４４６５２号公報の図１ないし図３に記載された「下面凸形状部８ａ」参照。）。
　よって、引用発明において、「熱伝導体９５」の「一部に」「設けられ」た「すり鉢状」あるいは「多角形状」の「窪み部１９」を、「円柱形状または直方体形状」とし、上記相違点１に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
（イ）（相違点２）について
　引用文献１の段落【０１２２】には「熱伝導体９５の窪み部１９の底面１９ｂを半導体素子１の主面に近接させることで、放熱効果を高めることができ、さらには、当接させる構成とする（但し、図１３においては当接させていない場合を図示している）ことで放熱効果を一層高めることができる」と記載されている。
　そして、引用発明における熱伝導体９５の「窪み部１９」は、「金属細線５に接触しないように」「半導体素子１の主面の中心の鉛直方向に位置するように設け」られているのであるから、引用発明において放熱効果を高めるため、引用文献１の段落【０１２２】の上記記載に基づき、「熱伝導体９５の窪み部１９の底面１９ｂを半導体素子１の主面に」、「当接」の直前にまで「近接させ」、「金属細線５」の「鉛直方向」の最高点よりも低く配置するようにして、上記相違点２に係る構成とすることは、「当接」による利益、不利益を考慮して当業者が適宜になし得たことである。
（ウ）そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
（４）まとめ
　したがって、本件補正発明は、引用文献１に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　令和２年９月２９日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１０に係る発明は、令和元年１２月１３日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由の概要
　原査定の拒絶の理由の「理由２」は、この出願の請求項１−５、７−１０に係る発明は、本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
＜引用文献等一覧＞
　１．特開２００８−１３５６８８号公報
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
４　対比・判断
　本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「封止体」についての限定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（３）、（４）に記載したとおり、引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。