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【手続補正書】
【提出日】令和1年10月17日(2019.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高度分岐α−Ｄ−グルカンまたはその修飾型と、前記高度分岐α−Ｄ−グルカンが存在しない場合より向上した水溶解性を有する溶質化合物と、を含み、
前記修飾は、アセトキシ、リン酸、ヒドロキシプロピル、ヒドロキシエチル、カチオン基、カルボキシメチル、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリプロピレンオキシド、またはこれらの組み合わせから選択される化学基によるものであり、
前記高度分岐α−Ｄ−グルカンはパーセンテージ分岐密度が約７％より大きく、樹状構造を有していて、
前記高度分岐α−Ｄ−グルカンに対する前記溶質化合物の質量比が約１００：１から約１：１０００の範囲であり、前記溶質化合物は前記高度分岐α−Ｄ−グルカンの分岐部に取り込まれる、
溶質化合物の溶解性を向上させるための組成物。
【請求項２】
前記高度分岐α−Ｄ−グルカンは、グリコーゲン、フィトグリコーゲン、またはその修飾型である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
水性溶媒に対する前記溶質化合物の溶解速度は、前記高度分岐α−Ｄ−グルカンが存在しないときの前記溶質化合物の溶解速度よりも向上している、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記溶解性は、前記高度分岐α−Ｄ−グルカンが存在しないときの前記溶質化合物の溶解性に比して少なくとも約２倍に向上している、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記高度分岐α−Ｄ−グルカンは、修飾された高度分岐α−Ｄ−グルカンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記修飾された高度分岐α−Ｄ−グルカンは、抗体、抗原、アプタマー、タンパク質、ペプチド、アミノ酸、シクロデキストリン、糖類、脂質、核酸およびヌクレオチド、デンドリマー、酵素、蛍光基または染料、磁性基、金属イオン、金属ナノ粒子、量子ドット、ポリマーおよびブロックコポリマー、放射性基、またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも１つの基を含有する、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記修飾された高度分岐α−Ｄ−グルカンは、酸加水分解、酸化、焙焼デキストリン化、α−アミラーゼ、β−アミラーゼ、脱分枝酵素、トランスグルコシダーゼ、アミログルコシダーゼおよび／またはプロテアーゼを用いる酵素処理、漂白、剪断力処理、押出、混練、均質化、水熱処理、乾燥加熱、マイクロ波処理、放射線、またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも１つの処理によって調製される、請求項５に記載の組成物。
【請求項８】
前記溶質化合物は、疎水性化合物である、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記溶質化合物は、フェノール化合物である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記溶質化合物は、カロテノイド、クルクミノイド、フラボノイド、ステロール、フィトステロール、サポニン、サポゲニンからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
前記溶質化合物は、薬剤、ビタミン、殺虫剤、除草剤、酸化防止剤、ハーブエキス、漢方薬、着色剤、ホルモン、エッセンシャルオイル、またはこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
前記溶質化合物は、クルクミン、クェルセチン、ルテイン、レスベラトロール、レシチン、チモール、パクリタキセル、イブプロフェン、グリセオフルビンからなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１３】
請求項１に記載の組成物の製造方法であって、
少なくとも１種類の溶質化合物を第１の溶媒に溶解または分散させ、第１の溶液または分散液を形成する工程と、
少なくとも１種類の高度分岐α−Ｄ−グルカンまたはその修飾型を第２の溶媒に溶解または分散させ、第２の溶液または分散液を形成する工程と、
前記第１および第２の溶液または分散液を一緒に混合し、混合物を形成する工程と、
前記混合物から前記溶媒を除去して組成物を得る工程と、
を含み、
前記修飾は、アセトキシ、リン酸、ヒドロキシプロピル、ヒドロキシエチル、カチオン基、カルボキシメチル、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリプロピレンオキシド、またはこれらの組み合わせから選択される化学基によるものであり、
前記高度分岐α−Ｄ−グルカンはパーセンテージ分岐密度が約７％より大きく、樹状構造を有していて、
前記高度分岐α−Ｄ−グルカンに対する前記溶質化合物の質量比が約１００：１から約１：１０００の範囲であり、前記溶質化合物は前記高度分岐α−Ｄ−グルカンの分岐部に取り込まれる、
製造方法。
【請求項１４】
前記製造方法は、前記溶質化合物の溶解速度および／または安定性を向上させる、請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
混練、押出、均質化、超音波、高圧処理、高速処理、マイクロ波処理、放射線処理、熱処理、またはこれらの組み合わせによって、前記混合物を処理する工程をさらに含む、請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記溶媒は、噴霧乾燥、真空乾燥、凍結乾燥、ドラム乾燥、押出、超臨界抽出、またはこれらの組み合わせによって、前記混合物から除去される、請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記組成物は、他の成分をさらに含み、
前記他の成分は、薬学的に許容されるキャリアを含むがこれに限定されるものではない成分である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１８】
溶質化合物の溶解性、溶解速度、および／または安定性を向上させる方法であって、少なくとも１種類の高度分岐α−Ｄ−グルカンまたはその修飾型と、前記溶質化合物とを混合して混合物を形成することを含み、
前記修飾は、アセトキシ、リン酸、ヒドロキシプロピル、ヒドロキシエチル、カチオン基、カルボキシメチル、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリプロピレンオキシド、またはこれらの組み合わせから選択される化学基によるものであり、
前記高度分岐α−Ｄ−グルカンはパーセンテージ分岐密度が約７％より大きく、樹状構造を有していて、
前記高度分岐α−Ｄ−グルカンに対する前記溶質化合物の質量比が約１００：１から約１：１０００の範囲であり、前記溶質化合物は前記高度分岐α−Ｄ−グルカンの分岐部に取り込まれる、
方法。
【請求項１９】
前記混合が、少なくとも溶媒の存在下でなされる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
混練、押出、均質化、超音波、高圧処理、高速処理、マイクロ波処理、放射線処理、熱処理、またはこれらの組み合わせによって、前記混合物を処理する工程をさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記溶媒は、噴霧乾燥、真空乾燥、凍結乾燥、ドラム乾燥、熱乾燥、押出、超臨界抽出、またはこれらの組み合わせによって前記混合物から除去される、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月27日(2019.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記加速意図を、
ペダル回転角度が所定角度以上であること、又はペダルトルクが所定値以上であることを検出した場合に検出する
請求項５記載のモータ駆動制御装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月15日(2019.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ロール紙が取り付け可能な第１シャフトを着脱可能に支持する第１シャフト支持部を有する筺体と、
前記筺体に設けられる、前記第１シャフトに取り付けられた前記第１ロール紙の少なくとも一部を収容可能な第１収容部と、を備え、
前記第１シャフトが取り付けられていない第２ロール紙の外周面を支持して、該第２ロール紙の少なくとも一部を収容する収容部品を、前記第１シャフト支持部から前記第１シャフトが外された状態で、前記第１収容部に取り付け可能である
ことを特徴とするロール紙収容構造。
【請求項２】
前記第１収容部の底面は、下方に凹んだ形状に形成され、
前記収容部品の底部は、第２ロール紙が転がる方向に下方に傾斜する傾斜面を有する
ことを特徴とする、請求項１に記載のロール紙収容構造。
【請求項３】
前記収容部品の底部に、前記第２ロール紙を支持するための支持ローラを有する
ことを特徴とする、請求項１に記載のロール紙収容構造。
【請求項４】
前記収容部品の前壁に、前記第２ロール紙を支持するための支持ローラを有する
ことを特徴とする、請求項１に記載のロール紙収容構造。
【請求項５】
前記収容部品の収容空間は、前記第１シャフトよりも前記第１収容部の底面側に延在する
ことを特徴とする、請求項１に記載のロール紙収容構造。
【請求項６】
前記収容部品は、前記第１収容部の底面に取り付け可能である
ことを特徴とする、請求項１に記載のロール紙収容構造。
【請求項７】
前記収容部品は、前記第１収容部の底面に沿う形状の部分を有する
ことを特徴とする、請求項１に記載のロール紙収容構造。
【請求項８】
前記収容部品は、
前記第２ロール紙の外周面のうち下部を支持する載置部と、
前記第２ロール紙の外周面のうち、該第２ロール紙の回転により転がる方向の前部を支持する前部支持部と、を有する
ことを特徴とする、請求項１〜７の何れか一項に記載のロール紙収容構造。
【請求項９】
前記第２ロール紙の幅方向の位置を規制する位置決め部材を有し、
前記位置決め部材は、前記収容部品に着脱可能に取り付けられる
ことを特徴とする、請求項１〜８の何れか一項に記載のロール紙収容構造。
【請求項１０】
前記収容部品に着脱可能に支持される第２シャフトを備え、
前記第２シャフトに取り付けられた第３ロール紙は、前記収容部品に収容される
ことを特徴とする、請求項１〜９の何れか一項に記載のロール紙収容構造。
【請求項１１】
前記第２シャフトの一方端を支持する、前記収容部品に設けられた第１の第２シャフト支持部と、
前記第２シャフトの他方端を支持する、前記筺体に設けられた第２の第２シャフト支持部と、を有する
ことを特徴とする、請求項１０に記載のロール紙収容構造。
【請求項１２】
前記収容部品は、貫通孔を有し、
前記筺体は、非貫通孔を有し、
前記収容部品は、前記貫通孔と前記非貫通孔を介して、締結部材によって、前記筺体に固定される
ことを特徴とする請求項１〜１１の何れか一項に記載のロール紙収容構造。
【請求項１３】
前記請求項１〜１２の何れか一項に記載のロール紙収容構造を備えた画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記目的を達成するために、本発明のロール紙収容構造及び画像形成装置は、第１ロール紙が取り付け可能な第１シャフトを着脱可能に支持する第１シャフト支持部を有する筺体と、前記筺体に設けられる、前記第１シャフトに取り付けられた前記第１ロール紙の少なくとも一部を収容可能な第１収容部と、を備え、前記第１シャフトが取り付けられていない第２ロール紙の外周面を支持して、該第２ロール紙の少なくとも一部を収容する収容部品を、前記第１シャフト支持部から前記第１シャフトが外された状態で、前記第１収容部に取り付け可能であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月8日(2019.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサを使用して高分解能２次元(２Ｄ)レーダー画像を生成する方法であって、
関心領域において送信アンテナによってレーダーパルスを送信するステップと、
１組の受信アレイにおいて、前記関心領域における前記レーダーパルスの反射に対応するエコーを受信するステップであって、各アレイは１組の受信アンテナを含み、該１組の受信アンテナはスタティックであり、所定の角度範囲内の向きで前記関心領域の同じ側の異なるロケーションに分散されるものと、
受信アレイごとにエコーをサンプリングするステップであって、アレイごとに分散データを生成するものと、
前記分散データに圧縮センシング(ＣＳ)手順を適用するステップであって、前記高分解能２Ｄレーダー画像を生成するものと、
前記受信したエコーを用いて残差信号を初期化するステップと、を備え、
前記ＣＳ手順は反復ステップを含み、
前記分散した残差信号から２次元(２Ｄ)レーダー画像を生成するステップと、
前記２Ｄレーダー画像に閾値及び縮小プロセスを適用するステップであって、現在の反復についてスパース画像を生成するものと、
前記現在の反復の前記スパース画像を前回の反復のスパース画像と比較するステップであって、前記現在の反復の前記スパース画像と、前記前回の反復の前記スパース画像との間の相対誤差が所定の閾値よりも小さい場合、前記現在の反復の前記スパース画像を前記高分解能２Ｄレーダー画像とし、そうでない場合、密な残差信号から前記現在のスパース画像の信号を減算するとともに、前記生成するステップ、前記適用するステップ及び前記比較するステップを反復するもの、
を含む、方法。
【請求項２】
前記サンプリングは一様である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＣＳ手順は、前記２Ｄレーダー画像におけるアーチファクトを低減する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＣＳ手順は、反復再構成方法において画像領域スパース性を用いる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＣＳ手順は、反復再構成方法において画像勾配領域スパース性を用いる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
高分解能２次元(２Ｄ)レーダー画像を生成するシステムであって、
関心領域においてレーダーパルスを送信するように構成された送信アンテナと、
前記関心領域における前記レーダーパルスの反射に対応するエコーを受信するように構成された１組の受信アレイであって、各アレイは１組の受信アンテナを含み、該１組の受信アンテナはスタティックであり、所定の角度範囲内の向きで前記関心領域の同じ側の異なるロケーションに分散されるものと、
受信アレイごとにエコーをサンプリングしてアレイごとに分散データを生成し、次に、前記分散データに圧縮センシング(ＣＳ)手順を適用して前記高分解能２Ｄレーダー画像を生成するように構成されたプロセッサと、
を備え、前記プロセッサは、
前記受信したエコーを用いて残差信号を初期化する処理を含み、
前記ＣＳ手順は反復処理を含み、
前記分散した残差信号から２次元(２Ｄ)レーダー画像を生成する処理と、
前記２Ｄレーダー画像に閾値及び縮小プロセスを適用する処理であって、現在の反復についてスパース画像を生成するものと、
前記現在の反復の前記スパース画像を前回の反復のスパース画像と比較する処理であって、前記現在の反復の前記スパース画像と、前記前回の反復の前記スパース画像との間の相対誤差が所定の閾値よりも小さい場合、前記現在の反復の前記スパース画像を前記高分解能２Ｄレーダー画像とし、そうでない場合、密な残差信号から前記現在のスパース画像の信号を減算するとともに、前記生成する処理、前記適用する処理及び前記比較する処理を反復するもの、
を含む、システム。
【請求項７】
前記ＣＳ手順は、前記２Ｄレーダー画像におけるアーチファクトを低減する、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記ＣＳ手順は、反復再構成において画像領域スパース性を用いる、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
前記ＣＳ手順は、反復再構成において画像勾配領域スパース性を用いる、請求項６に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月13日(2019.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信機によって生成されたレーダー信号を送信し、
前記送信されたレーダー信号のレーダーリターン信号を受信機に配信する
ように構成された１つ又は複数のアンテナと、
周期的なサンプルレートで前記レーダーリターン信号をサンプリングし、前記レーダー信号の送信に続く前記周期的なサンプルレートのタイミングはレンジビンに対応し、
ドップラー信号処理に基づいて、第１のレンジビンの前記サンプリングされたレーダーリターン信号の第１の信号パワー測定値を決定し、前記第１の信号パワー測定値は、地面信号パワー成分又は気象信号パワー成分のうちの少なくとも１つを含み、
前記第１の信号パワー測定値の品質を決定し、
前記第１の信号パワー測定値の品質が閾値を超える場合、前記第１の信号パワー測定値に基づいて、前記第１のレンジビンの前記サンプリングされたレーダーリターン信号の反射率値を推定し、
前記第１の信号パワー測定値の品質が前記閾値を下回る場合、
非ドップラー信号処理に基づいて、前記第１のレンジビンの前記サンプリングされたレーダーリターン信号の第２の信号パワー測定値を決定し、
前記第２の信号パワー測定値に基づいて、前記第１のレンジビンの前記サンプリングされたレーダーリターン信号の反射率値を推定する
ように構成された１つ又は複数のプロセッサと、
前記推定された反射率値を記憶するように構成されたメモリと
を備える、気象レーダーシステム。
【請求項２】
前記メモリはデータ構造を記憶するように構成され、
前記データ構造は、反射率の分布を規定する３次元（３−Ｄ）体積バッファを含み、
前記１つ又は複数のプロセッサは、前記第１の信号パワー測定値の品質が前記閾値を下回る場合、前記第２の信号パワー測定値に基づく前記推定された反射率値により前記データ構造の一部を更新するようにさらに構成される、請求項１に記載の気象レーダーシステム。
【請求項３】
１つ又は複数のアンテナによって、送信機によって生成されたレーダー信号を送信するステップと、
前記１つ又は複数のアンテナによって、前記送信されたレーダー信号のレーダーリターン信号を受信機に配信するステップと、
１つ又は複数のプロセッサによって、周期的なサンプルレートで前記レーダーリターン信号をサンプリングするステップであって、前記レーダー信号の送信に続く前記周期的なサンプルレートのタイミングはレンジビンに対応する、ステップと、
前記１つ又は複数のプロセッサによって、ドップラー信号処理に基づいて、第１のレンジビンの前記サンプリングされたレーダーリターン信号の第１の信号パワー測定値を決定するステップであって、前記第１の信号パワー測定値は、地面信号パワー成分又は気象信号パワー成分のうちの少なくとも１つを含む、ステップと、
前記１つ又は複数のプロセッサによって、前記第１の信号パワー測定値の品質を決定するステップと、
前記第１の信号パワー測定値の品質が閾値を超える場合、前記１つ又は複数のプロセッサによって、前記第１の信号パワー測定値に基づいて、前記第１のレンジビンの前記サンプリングされたレーダーリターン信号の反射率値を推定するステップと、
前記第１の信号パワー測定値の品質が前記閾値を下回る場合、
前記１つ又は複数のプロセッサによって、非ドップラー信号処理に基づいて、前記第１のレンジビンの前記サンプリングされたレーダーリターン信号の第２の信号パワー測定値を決定するステップと、
前記１つ又は複数のプロセッサによって、前記第２の信号パワー測定値に基づいて、前記第１のレンジビンの前記サンプリングされたレーダーリターン信号の反射率値を推定するステップと
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月9日(2019.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、方法、及びプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、情報処理装置、方法、及びプログラムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明の第１の様態に係る情報処理装置は、電子書籍の予想データ量を表示する情報処理装置であって、電子書籍化する頁画像の画質の程度、又は画像サイズを受け付ける受付手段と、前記受付手段によって受け付けた前記画質の程度、又は前記画像サイズに応じて前記電子書籍の予想データ量を表示する表示手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明の第２の様態に係る方法は、電子書籍の予想データ量を表示する情報処理装置が実行する方法であって、電子書籍化する頁画像の画質の程度、又は画像サイズを受け付ける受付ステップと、前記受付ステップで受け付けた前記画質の程度、又は前記画像サイズに応じて前記電子書籍の予想データ量を表示画面に表示する表示ステップと、を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明の第３の様態に係るプログラムは、電子書籍の予想データ量を表示する情報処理装置に用いるコンピュータを、電子書籍化する頁画像の画質の程度、又は画像サイズを受け付ける受付手段、前記受付手段によって受け付けた前記画質の程度、又は前記画像サイズに応じて前記電子書籍の予想データ量を表示画面に表示する表示手段、として機能させることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子書籍の予想データ量を表示する情報処理装置であって、
電子書籍化する頁画像の画質の程度、又は画像サイズを受け付ける受付手段と、
前記受付手段によって受け付けた前記画質の程度、又は前記画像サイズに応じて前記電子書籍の予想データ量を表示する表示手段と、
を備えたことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
請求項１の情報処理装置において、
前記頁画像から評価画像を切り出す切出手段と、
前記切出手段によって切り出された前記評価画像を前記受付手段によって受け付けた前記画質の程度、又は前記画像サイズに応じて電子書籍化する電子書籍化手段と、
前記頁画像に係る電子書籍の画像サイズと前記電子書籍化手段によって電子書籍化された前記評価画像のピクセル当たりのデータ量に基づいて、前記電子書籍のデータ量を推定する推定手段と、
を備え、
前記表示手段は、前記予想データ量として前記推定手段によって推定された前記電子書籍のデータ量を表示する、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の情報処理装置において、
前記表示手段は、前記電子書籍の横幅、及び縦幅のピクセル数を表示する、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の情報処理装置において、
前記受付手段は、ユーザーに操作子をスライドさせることよって、前記画質の程度、又は前記画像サイズを受け付ける、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項５】
電子書籍の予想データ量を表示する情報処理装置が実行する方法であって、
電子書籍化する頁画像の画質の程度、又は画像サイズを受け付ける受付ステップと、
前記受付ステップで受け付けた前記画質の程度、又は前記画像サイズに応じて前記電子書籍の予想データ量を表示画面に表示する表示ステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
電子書籍の予想データ量を表示する情報処理装置に用いるコンピュータを、
電子書籍化する頁画像の画質の程度、又は画像サイズを受け付ける受付手段、
前記受付手段によって受け付けた前記画質の程度、又は前記画像サイズに応じて前記電子書籍の予想データ量を表示画面に表示する表示手段、
として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月2日(2019.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＣ−ＰＴＭ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｃｅｌｌ  Ｐｏｉｎｔ  ｔｏ  Ｍｕｌｔｉ−ｐｏｉｎｔ）伝送によりマルチキャストサービスを提供する制御部と、
ＭＣＣＨ（Ｍｕｌｔｉｃａｓｔ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｃｈａｎｎｅｌ）とは異なる論理チャネルであるＳＣ−ＰＴＭ制御チャネルを介して、前記ＳＣ−ＰＴＭ伝送の設定に関するＳＣ−ＰＴＭ設定情報を送信し、前記ＳＣ−ＰＴＭ伝送用のトラフィックチャネルを介してマルチキャストデータを送信する送信部と、を備え、
前記送信部は、前記ＳＣ−ＰＴＭ制御チャネルに関するシステム情報ブロックを、ＢＣＣＨ（Ｂｒｏａｄｃａｓｔ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｃｈａｎｎｅｌ）を介して送信し、
前記送信部は、前記ＳＣ−ＰＴＭ設定情報を送信するための第１のリソース割当情報を、ＰＤＣＣＨ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｄｏｗｎｌｉｎｋ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｃｈａｎｎｅｌ）を介して送信し、
前記第１のリソース割当情報の送信には、前記ＳＣ−ＰＴＭ制御チャネル用の所定のＲＮＴＩ（Ｒａｄｉｏ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｔｅｍｐｏｒａｒｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）が適用され、
前記送信部は、前記ＳＣ−ＰＴＭ伝送により前記トラフィックチャネルを介してマルチキャストデータを送信するための第２のリソース割当情報を、ＰＤＣＣＨを介して送信し、
前記第２のリソース割当情報の送信には、前記所定のＲＮＴＩとは異なるＧ−ＲＮＴＩ（Ｇｒｏｕｐ−ＲＮＴＩ）が適用されることを特徴とする基地局。
【請求項２】
前記システム情報ブロックは、前記ＳＣ−ＰＴＭ制御チャネルがスケジュールされたサブフレームを示す情報と、前記ＳＣ−ＰＴＭ設定情報が変更されない期間を示す修正期間と、前記ＳＣ−ＰＴＭ設定情報の送信間隔を示す繰り返し周期と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基地局。
【請求項３】
ＳＣ−ＰＴＭ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｃｅｌｌ  Ｐｏｉｎｔ  ｔｏ  Ｍｕｌｔｉ−ｐｏｉｎｔ）伝送によりマルチキャストサービスが提供されるユーザ装置であって、
ＭＣＣＨ（Ｍｕｌｔｉｃａｓｔ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｃｈａｎｎｅｌ）とは異なる論理チャネルであるＳＣ−ＰＴＭ制御チャネルを介して、前記ＳＣ−ＰＴＭ伝送の設定に関するＳＣ−ＰＴＭ設定情報を受信し、前記ＳＣ−ＰＴＭ伝送用のトラフィックチャネルを介してマルチキャストデータを受信する受信部を備え、
前記受信部は、前記ＳＣ−ＰＴＭ制御チャネルに関するシステム情報ブロックを、ＢＣＣＨ（Ｂｒｏａｄｃａｓｔ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｃｈａｎｎｅｌ）を介して受信し、
前記受信部は、前記ＳＣ−ＰＴＭ設定情報を受信するための第１のリソース割当情報を、ＰＤＣＣＨ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｄｏｗｎｌｉｎｋ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｃｈａｎｎｅｌ）を介して受信し、
前記第１のリソース割当情報の受信には、前記ＳＣ−ＰＴＭ制御チャネル用の所定のＲＮＴＩ（Ｒａｄｉｏ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｔｅｍｐｏｒａｒｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）が適用され、
前記受信部は、前記ＳＣ−ＰＴＭ伝送により前記トラフィックチャネルを介してマルチキャストデータを受信するための第２のリソース割当情報を、ＰＤＣＣＨを介して受信し、
前記第２のリソース割当情報の受信には、前記所定のＲＮＴＩとは異なるＧ−ＲＮＴＩ（Ｇｒｏｕｐ−ＲＮＴＩ）が適用されることを特徴とするユーザ装置。
【請求項４】
前記システム情報ブロックは、前記ＳＣ−ＰＴＭ制御チャネルがスケジュールされたサブフレームを示す情報と、前記ＳＣ−ＰＴＭ設定情報が変更されない期間を示す修正期間と、前記ＳＣ−ＰＴＭ設定情報の送信間隔を示す繰り返し周期と、を含むことを特徴とする請求項３に記載のユーザ装置。
【請求項５】
ＳＣ−ＰＴＭ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｃｅｌｌ  Ｐｏｉｎｔ  ｔｏ  Ｍｕｌｔｉ−ｐｏｉｎｔ）伝送によりマルチキャストサービスが提供されるユーザ装置のための方法であって、
ＭＣＣＨ（Ｍｕｌｔｉｃａｓｔ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｃｈａｎｎｅｌ）とは異なる論理チャネルであるＳＣ−ＰＴＭ制御チャネルに関するシステム情報ブロックを、ＢＣＣＨ（Ｂｒｏａｄｃａｓｔ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｃｈａｎｎｅｌ）を介して受信する第１ステップと、
前記ＳＣ−ＰＴＭ制御チャネルを介して、前記ＳＣ−ＰＴＭ伝送の設定に関するＳＣ−ＰＴＭ設定情報を受信する第２ステップと、
前記ＳＣ−ＰＴＭ伝送用のトラフィックチャネルを介してマルチキャストデータを受信する第３ステップと、を備え、
前記第２ステップは、前記ＳＣ−ＰＴＭ設定情報を受信するための第１のリソース割当情報を、ＰＤＣＣＨ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｄｏｗｎｌｉｎｋ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｃｈａｎｎｅｌ）を介して受信するステップを含み、
前記第１のリソース割当情報の受信には、前記ＳＣ−ＰＴＭ制御チャネル用の所定のＲＮＴＩ（Ｒａｄｉｏ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｔｅｍｐｏｒａｒｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）が適用され、
前記第３ステップは、前記ＳＣ−ＰＴＭ伝送により前記トラフィックチャネルを介してマルチキャストデータを受信するための第２のリソース割当情報を、ＰＤＣＣＨを介して受信するステップを含み、
前記第２のリソース割当情報の受信には、前記所定のＲＮＴＩとは異なるＧ−ＲＮＴＩ（Ｇｒｏｕｐ−ＲＮＴＩ）が適用されることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基地局、ユーザ装置及び方法
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月8日(2019.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
以下、本構成の効果を例示する。
上述した故障検出装置３では、制御回路３２の少なくとも一部が信号出力部３２Ａとして機能し、共通信号線７１を介して検査用指示信号（複数の異常検出回路４２，５２，６２に対して異常時の動作を指示する信号）を出力する。そして、信号分配部７２は、制御回路３２から共通信号線７１に出力された検査用指示信号を複数の分岐信号線７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃによって各々の異常検出回路４２，５２，６２に伝送する。このような構成であるため、実際には各異常検出回路４２，５２，６２による検出対象位置に異常が生じていないときでも複数の異常検出回路４２，５２，６２に異常時の動作を行わせることができる。更に制御回路３２の少なくとも一部が判定部３２Ｂとして機能し、検査用指示信号の出力時に複数の異常検出回路４２，５２，６２から出力される信号に基づき、各々の異常検出回路４２，５２，６２が故障であるか否かをそれぞれ判定することができる。しかも、複数の異常検出回路４２，５２，６２に対して一斉に異常時の動作を指示することができ、これら異常検出回路４２，５２，６２に検査用の動作を迅速に行わせることができるため、複数の異常検出回路４２，５２，６２の少なくともいずれかにおいて故障が生じているか否かを、より短時間で判定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月10日(2019.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のスイッチング素子（Ｓｐ，Ｓｎ）を有し入力電力を変換して回転電機（１７）に出力する電力変換回路（１３、１３Ａ、１３Ｂ）、を制御する制御装置（１４、２０）であって、
前記回転電機により力行を行う際に、ＰＷＭ制御により前記複数のスイッチング素子をオンオフするＰＷＭ制御部と、
前記ＰＷＭ制御部により前記ＰＷＭ制御が実行されており且つ前記回転電機が所定回転速度未満で回転している低速回転状態が、所定時間よりも長く継続していることを判定する判定部と、
前記判定部により前記低速回転状態が前記所定時間よりも長く継続していると判定された場合に、前記ＰＷＭ制御よりも前記スイッチング素子のオンオフ頻度が低い所定制御を実行する所定制御部と、
を備え、
前記回転電機は、電機子巻線として多相二重巻線（１１Ｘ〜１１Ｚ、１１Ｕ〜１１Ｗ）を有しており、
前記多相二重巻線には、それぞれ前記電力変換回路（１３Ａ、１３Ｂ）が接続されており、
前記所定制御部は、前記判定部により前記低速回転状態が前記所定時間よりも長く継続していると判定された場合に、前記ＰＷＭ制御よりも前記スイッチング素子のオンオフ頻度が低い所定制御を実行し、且つ前記多相二重巻線に交互に電力が出力されるように前記複数のスイッチング素子をオンオフする電力変換回路の制御装置。
【請求項２】
前記所定制御部は、前記判定部により前記低速回転状態が前記所定時間よりも長く継続していると判定された場合に、前記所定制御として矩形波制御により前記複数のスイッチング素子をオンオフする請求項１に記載の電力変換回路の制御装置。
【請求項３】
前記ＰＷＭ制御部は、前記回転電機により力行を行う際に、所定周波数のキャリア信号を用いたＰＷＭ制御により前記複数のスイッチング素子をオンオフし、
前記所定制御部は、前記判定部により前記低速回転状態が前記所定時間よりも長く継続していると判定された場合に、前記所定制御として前記所定周波数よりも低い周波数のキャリア信号を用いたＰＷＭ制御により前記複数のスイッチング素子をオンオフする請求項１に記載の電力変換回路の制御装置。
【請求項４】
複数のスイッチング素子（Ｓｐ，Ｓｎ）を有し入力電力を変換して回転電機（１７）に出力する電力変換回路、を制御する制御装置（１４、２０）であって、
前記回転電機は、電機子巻線として多相二重巻線（１１Ｘ〜１１Ｚ、１１Ｕ〜１１Ｗ）を有しており、
前記多相二重巻線には、それぞれ前記電力変換回路（１３Ａ、１３Ｂ）が接続されており、
前記回転電機により力行を行う際に、ＰＷＭ制御により前記複数のスイッチング素子をオンオフするＰＷＭ制御部と、
前記ＰＷＭ制御部により前記ＰＷＭ制御が実行されており且つ前記回転電機が所定回転速度未満で回転している低速回転状態が、所定時間よりも長く継続していることを判定する判定部と、
前記判定部により前記低速回転状態が前記所定時間よりも長く継続していると判定された場合に、前記多相二重巻線に交互に電力が出力されるように前記複数のスイッチング素子をオンオフする交互出力制御部と、
を備える電力変換回路の制御装置。
【請求項５】
前記回転電機は、エンジン（１０１）の始動を行うものであり、
前記ＰＷＭ制御部は、前記エンジンの始動を行う際に、ＰＷＭ制御により前記複数のスイッチング素子をオンオフする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電力変換回路の制御装置。
【請求項６】
前記回転電機は、エンジン（１０１）の燃料がカットされた状態で、前記エンジンをアイドル回転速度よりも低い回転速度で回転させる状態を維持するものであり、
前記ＰＷＭ制御部は、前記エンジンをアイドル回転速度よりも低い回転速度で回転させる状態を維持する際に、ＰＷＭ制御により前記複数のスイッチング素子をオンオフする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電力変換回路の制御装置。
【請求項７】
前記回転電機は、車両を走行させるものであり、
前記ＰＷＭ制御部は、前記車両を走行させる際に、ＰＷＭ制御により前記複数のスイッチング素子をオンオフする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電力変換回路の制御装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電力変換回路の制御装置（１４、２０）と、
前記回転電機（１７）と、前記電力変換回路（１３、１３Ａ、１３Ｂ）と、を備える回転電機ユニット（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月7日(2019.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＷＭ制御される複数のスイッチング素子（２１−２６）の動作により直流電力を交流電力に変換し、交流電動機（８０）に供給するインバータ（２０）と、
前記交流電動機に流れる電流を検出する一つ以上の電流センサ（８７、８８）から取得した電流値と前記交流電動機の回転角とを用いて、ＰＷＭ制御における三角波キャリアの（Ｎ／２）周期（Ｎは自然数）で制御演算を行うフィードバック制御演算部（４０）と、
前記電流センサが検出した電流値の取得において、キャリアの山と谷との間の期間であるキャリア半周期における電流値の平均値とみなされる値を取得可能なタイミングで電流値を取得する平均値取得部（５０）と、
を備え、
前記交流電動機に流れる電流信号が前記電流センサ及び制御装置の受信回路を経由し、制御演算に利用可能な値として認識されるまでの時間を検出遅れ時間と定義すると、
前記平均値取得部は、前記電流センサが検出した電流値を、キャリアの山又は谷のタイミングに対し前記検出遅れ時間を遅らせたタイミングで取得する交流電動機の制御装置。
【請求項２】
前記平均値取得部は、キャリアの山又は谷のタイミングで前記交流電動機の回転角を取得する請求項１に記載の交流電動機の制御装置。
【請求項３】
前記平均値取得部は、キャリアの山又は谷のタイミングに対し前記検出遅れ時間を遅らせたタイミングで、対応する電流値と同時に前記交流電動機の回転角を取得する請求項１に記載の交流電動機の制御装置。
【請求項４】
前記フィードバック制御演算部は、前記平均値取得部が取得した前記交流電動機の回転角から前記検出遅れ時間での回転角変化量に相当する補正値を減算して得られた補正後回転角を制御演算に用いる請求項３に記載の交流電動機の制御装置。
【請求項５】
前記フィードバック制御演算部は、互いに対応する電流値及び前記交流電動機の回転角を前記平均値取得部が取得した後、その電流値及び回転角を用いた制御演算を開始する請求項１〜４のいずれか一項に記載の交流電動機の制御装置。
【請求項６】
ＰＷＭ制御される複数のスイッチング素子（２１−２６）の動作により直流電力を交流電力に変換し、交流電動機（８０）に供給するインバータ（２０）と、
前記交流電動機に流れる電流を検出する一つ以上の電流センサ（８７、８８）から取得した電流値と前記交流電動機の回転角とを用いて、ＰＷＭ制御における三角波キャリアの（Ｎ／２）周期（Ｎは自然数）で制御演算を行うフィードバック制御演算部（４０）と、
前記電流センサが検出した電流値の取得において、キャリアの山と谷との間の期間であるキャリア半周期における電流値の平均値とみなされる値を取得可能なタイミングで電流値を取得する平均値取得部（５０）と、
を備え、
前記交流電動機に流れる電流信号が前記電流センサ及び制御装置の受信回路を経由し、制御演算に利用可能な値として認識されるまでの時間を検出遅れ時間と定義し、
前記スイッチング素子に指令されるゲート信号に対するＯＮ動作及びＯＦＦ動作の平均遅れ時間を素子動作遅れ時間とすると、
前記平均値取得部は、前記電流センサが検出した電流値を、キャリアの山又は谷のタイミングに対し、前記検出遅れ時間に前記素子動作遅れ時間を加算した加算遅れ時間を遅らせたタイミングで取得する交流電動機の制御装置。
【請求項７】
前記検出遅れ時間は、複数の前記電流センサ毎に個別に設定されている請求項１〜６のいずれか一項に記載の交流電動機の制御装置。
【請求項８】
前記フィードバック制御演算部は、前記検出遅れ時間が設定された全ての電流センサが検出した複数の電流値、及び、対応する前記交流電動機の回転角を前記平均値取得部が取得した後、それらの電流値及び回転角を用いた制御演算を開始する請求項７に記載の交流電動機の制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
フィードバック制御演算部は、交流電動機に流れる電流を検出する一つ以上の電流センサ（８７、８８）から取得した電流値と交流電動機の回転角とを用いて、ＰＷＭ制御における三角波キャリアの（Ｎ／２）周期（Ｎは自然数）で制御演算を行う。
平均値取得部は、電流センサが検出した電流値の取得において、キャリアの山と谷との間の期間であるキャリア半周期における電流値の平均値とみなされる値を取得可能なタイミングで電流値を取得する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の他の態様では、上記「検出遅れ時間」を定義し、さらに、スイッチング素子に指令されるゲート信号に対するＯＮ動作及びＯＦＦ動作の平均遅れ時間を「素子動作遅れ時間」とする。平均値取得部は、電流センサが検出した電流値を、キャリアの山又は谷のタイミングに対し、検出遅れ時間に素子動作遅れ時間を加算した加算遅れ時間を遅らせたタイミングで取得する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
以下、交流電動機の制御装置の複数の実施形態を図面に基づいて説明する。第１〜第５実施形態を包括して「本実施形態」という。なお、第５実施形態は参考形態に相当する。
本実施形態の交流電動機の制御装置は、ハイブリッド自動車や電気自動車の動力源であるモータジェネレータ（以下「ＭＧ」）を駆動するシステムにおいて、三相交流モータであるＭＧの通電を制御する装置である。各実施形態の「ＭＧ」及び「ＭＧ制御装置」は、特許請求の範囲に記載の「交流電動機」及び「交流電動機の制御装置」に相当する。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月15日(2019.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メイン半導体素子部とセンス半導体素子部とを有するトレンチＭＯＳ型半導体装置であって、
前記メイン半導体素子部と前記センス半導体素子部とは、それぞれ、半導体基板の一面側に設けられたトレンチと、前記トレンチに充填される導電体と、前記半導体基板の一面側に前記トレンチに接して設けられる第１導電型のエミッタ領域と、前記半導体基板の一面側から前記トレンチよりも浅い深さに形成される第２導電型のチャネル領域と、を備え、
前記メイン半導体素子部および前記センス半導体素子部の前記エミッタ領域は、それぞれ、同じ平面形状であって、
前記センス半導体素子部は、前記メイン半導体素子部の表面パターンよりも前記センス半導体部の表面パターンにおける容量を低減する容量低減手段を更に備える
トレンチＭＯＳ型半導体装置。
【請求項２】
前記センス半導体素子部の前記容量低減手段は、前記メイン半導体素子部のチャネル領域よりも前記センス半導体素子部のチャネル領域を増やしたものである
請求項１に記載のトレンチＭＯＳ型半導体装置。
【請求項３】
前記メイン半導体素子部のうち最も前記センス半導体素子部側のトレンチと前記センス半導体素子部のうち最も前記メイン半導体素子部側のトレンチとの間に、前記トレンチよりも深い第２導電型のウェル領域を含む分離構造が設けられていて、
前記分離構造は、前記ウェル領域の上側に第１絶縁膜を挟んで設けられたゲート電極と、前記メイン半導体素子部のエミッタ電極と前記センス半導体素子部のエミッタ電極との間に介在する第２絶縁膜とを含み、
前記メイン半導体素子部のうち最も前記センス半導体素子部側のトレンチと前記ゲート電極との間および前記センス半導体素子部のうち最も前記メイン半導体素子部側のトレンチと前記ゲート電極との間に前記エミッタ電極を前記ウェル領域に接続するコンタクトが設けられていて、前記ウェル領域は前記ゲート電極に隣接する前記コンタクトの前記ゲート電極から離間した側の端部を越えて前記メイン半導体素子部側及び前記センス半導体素子部側まで延びている
請求項１または２に記載のトレンチＭＯＳ型半導体装置。
【請求項４】
前記センス半導体素子部は、前記ウェル領域によって取り囲まれている
請求項１から３のいずれか１項に記載のトレンチＭＯＳ型半導体装置。
【請求項５】
前記メイン半導体素子部と前記センス半導体素子部の活性領域面積比が１００〜１００００である請求項１から４のいずれか１項に記載のトレンチＭＯＳ型半導体装置。
【請求項６】
トレンチＭＯＳ型半導体装置が絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたは電界効果型トランジスタである請求項１から５のいずれか１項に記載のトレンチＭＯＳ型半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、前記課題を解消してその目的を達成するために、メイン半導体素子部とセンス半導体素子部とを有するトレンチＭＯＳ型半導体装置であって、前記メイン半導体素子部と前記センス半導体素子部とは、それぞれ、半導体基板の一面側に設けられたトレンチと、前記トレンチに充填される導電体と、前記半導体基板の一面側に前記トレンチに接して設けられる第１導電型のエミッタ領域と、前記半導体基板の一面側から前記トレンチよりも浅い深さに形成される第２導電型のチャネル領域と、を備え、前記メイン半導体素子部および前記センス半導体素子部の前記エミッタ領域は、それぞれ、同じ平面形状であって、前記センス半導体素子部は、前記メイン半導体素子部の表面パターンよりも前記センス半導体部の表面パターンにおける容量を低減する容量低減手段を更に備えるトレンチＭＯＳ型半導体装置とする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月29日(2019.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機材料の基板と、前記基板の上に形成された樹脂絶縁層とを備えた回路基板と、
前記回路基板の主面にバンプを介して搭載された半導体素子と、
前記半導体素子の横の前記主面に形成され、前記回路基板の縁と前記回路基板の対角線との、少なくとも一方に沿って延び、かつ前記基板よりも熱膨張率が大きな樹脂層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記樹脂層は、平面視において、前記回路基板の四辺の縁に沿って延びるリング状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂層は、平面視において、前記回路基板の相対する二辺に沿って帯状に延びることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂層の端部に、前記二辺とは異なる前記回路基板の残りの二辺に沿って延びる延長部を設けたことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記樹脂層の上面の高さは、前記半導体素子の上面の高さよりも低いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記樹脂層は、前記樹脂絶縁層よりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
無機材料の基板と、前記基板の上に形成された樹脂絶縁層とを備えた回路基板の主面に、前記回路基板の縁と前記回路基板の対角線との、少なくとも一方に沿って延びる樹脂層を形成する工程と、
前記回路基板の前記主面に、バンプを備えた半導体素子を搭載する工程と、
前記樹脂層を形成する工程の後に、前記バンプを加熱して溶融することにより、前記バンプを介して前記回路基板と前記半導体素子とを接続する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記樹脂層の材料として熱硬化性樹脂を採用すると共に、
前記バンプを加熱する工程において前記樹脂層を熱硬化させることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記回路基板の前記主面と前記半導体素子との間にアンダーフィル樹脂を充填する工程を更に有し、
前記樹脂層を形成する工程において、前記アンダーフィル樹脂よりも粘度が高い樹脂を前記樹脂層の材料として使用することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記樹脂層の材料として熱硬化性樹脂を採用すると共に、
前記回路基板の前記主面にアンダーフィル樹脂を設ける工程を更に有し、
前記回路基板の前記主面に前記半導体素子を搭載する工程において、前記主面と前記半導体素子との間に前記アンダーフィル樹脂を介在させ、
前記バンプを加熱する工程において、前記樹脂層と前記アンダーフィル樹脂とを同時に熱硬化させることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
一側面によれば、無機材料の基板と、前記基板の上に形成された樹脂絶縁層とを備えた回路基板と、前記回路基板の主面にバンプを介して搭載された半導体素子と、前記半導体素子の横の前記主面に形成され、前記回路基板の縁と前記回路基板の対角線との、少なくとも一方に沿って延び、かつ前記基板よりも熱膨張率が大きな樹脂層とを有する半導体装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
なお、その樹脂層４０が厚過ぎると、図８（ａ）の工程で回路基板１を冷却するときに樹脂層４０の収縮量が大きくなり過ぎ、他方の主面１ｂを凸にして回路基板１が反るおそれがある。また、厚い樹脂層４０が邪魔で各半導体素子１１、１２の上面にヒートシンク５２を固着するのも困難となる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月7日(2019.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ金属がドープされた活物質を含むドープ電極を製造する電極製造方法であって、
前記ドープ電極を、沸点が５０℃以上１２０℃以下の非プロトン性溶剤を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程を含む電極製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電極製造方法であって、
前記非プロトン性溶剤が、カーボネート系溶剤、エステル系溶剤、エーテル系溶剤、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、ニトリル系溶剤、含硫黄系溶剤、及びアミド系溶剤から選ばれる少なくとも一種である電極製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の電極製造方法であって、
前記非プロトン性溶剤が、カーボネート系溶剤である電極製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電極製造方法であって、
前記洗浄工程の後に前記ドープ電極にガスを吹き付ける工程、及び前記洗浄工程の後に前記ドープ電極を真空下で減圧する工程から選択される少なくとも一種の工程を含む電極製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の電極製造方法であって、
前記ガスが、前記アルカリ金属がドープされた活物質に対して不活性なガスである電極製造方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の電極製造方法であって、
前記ガスが、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、及び水分が除去された除湿空気から選択される少なくとも一種である電極製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電極製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
本開示は、電極製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本開示の一局面は、アルカリ金属がプレドープされた高品質の電極を製造することができる電極製造方法を提供することが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本開示の一態様は、アルカリ金属がドープされた活物質を含むドープ電極を製造する電極製造方法であって、前記ドープ電極を、沸点が５０℃以上１２０℃以下の非プロトン性溶剤を含む洗浄液により洗浄する洗浄工程を含む電極製造方法である。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本開示の一態様における電極製造方法により製造したドープ電極は、前記洗浄工程において、非プロトン性溶剤を含む洗浄液により洗浄されている。そのため、ドープ電極の表面部分が剥がれたり、ドープ電極同士がくっついたりすることが生じにくい。その結果、高品質のドープ電極を製造することができる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月7日(2019.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極と対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に位置し、光電変換により電荷を発生させる光電変換層と、
前記第１電極と前記光電変換層との間に位置し、前記光電変換層から前記第１電極への正孔の移動と、前記第１電極から前記光電変換層への電子の移動とを抑制する第１電荷ブロッキング層と、
前記第２電極と前記光電変換層との間に位置し、前記光電変換層から前記第２電極への電子の移動と、前記第２電極から前記光電変換層への正孔の移動とを抑制する第２電荷ブロッキング層と、
前記第１電極または前記第２電極に接続されたゲート電極を有するトランジスタを含む検出回路であって、前記光電変換層への光の入射によって生じる前記ゲート電極の電圧の変化を検出する検出回路と
を備える光センサ。
【請求項２】
第１電極と、
前記第１電極と対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に位置し、光電変換により電荷を発生させる光電変換層と、
前記第１電極と前記光電変換層との間に位置する第１絶縁層と、
前記第２電極と前記光電変換層との間に位置する第２絶縁層と、
前記第１電極または前記第２電極に接続されたゲート電極を有するトランジスタを含む検出回路であって、前記光電変換層への光の入射によって生じる前記ゲート電極の電圧の変化を検出する検出回路と
を備える光センサ。
【請求項３】
前記第２電極から前記第１電極に向かう方向の電場を前記光電変換層内に発生させる電圧供給回路をさらに備える、請求項１または２に記載の光センサ。
【請求項４】
前記第１電極および前記第２電極の一方に直列に接続された固定容量をさらに備える、請求項１から３のいずれかに記載の光センサ。
【請求項５】
光を入射させない条件での前記第１電極と前記第２電極との間の容量値は、
前記固定容量の容量値よりも小さい、請求項４に記載の光センサ。
【請求項６】
前記第１電極および前記第２電極は、前記固定容量よりも光の入射側に位置している、請求項４または５に記載の光センサ。