【事件の表示】
　特願２０１８−５６７７３６号「被処理物体の表面に１価又は多価イオンを注入する方法及び方法を実施するデバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年１０月１８日国際公開、ＷＯ２０１８／１８８８０４号、令和元年９月５日国内公表、特表２０１９−５２５３９４号、請求項の数（１４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１８年（平成３０年）４月１日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１７年４月１３日、欧州特許庁）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和元年１０月２１日付け：拒絶理由通知書
　令和２年　３月３０日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和２年　４月２３日付け：拒絶査定
　令和２年　９月１０日　　：審判請求書、手続補正書の提出
第２　令和２年９月１０日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）の適否
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
「【請求項１】
　
天然及び合成サファイア、無機ガラス、ポリマーならびにセラミックから作成される時計ガラス用の
反射防止表面処理のために
　・少なくとも１つの１次電子ビーム（２８）を生成し、前記１次電子ビーム（２８）を、前記１次電子ビーム（２８）が前記イオン・ビーム（１２）を通過するように向けることであって、前記１次電子ビーム（２８）の電子と前記イオン・ビーム（１２）のイオンとの再結合によって、前記イオン・ビーム（１２）の発散が低減される、前記向けること、及び
　・前記１次電子ビームが前記イオン・ビーム（１２）を横断した後、標的（３２）上での前記１次電子ビーム（２８）の反射によって２次電子ビーム（３４）を生成すること
にあるステップも含み、前記標的（３２）は、前記２次電子ビーム（３４）が前記被処理物体（３０）の表面上に落下するように向ける、方法。」
とする補正（以下「補正事項１」という。）を含んでいる（下線は当審が付した。補正箇所を示す。）。
　独立項である請求項１１も同様の補正事項１を含んでいる。
２．補正の適否
　本件補正の補正事項１は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「被処理物体（３０）の表面に１価又は多価イオンを注入する方法」について、「天然及び合成サファイア、無機ガラス、ポリマーならびにセラミックから作成される時計ガラス用の」被処理物体（３０）の表面に「反射防止表面処理のために」１価又は多価イオンを注入する方法であるとの限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について以下に検討する。
（１）引用文献の記載事項
ア　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−２５４９５号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審が付した。以下同じ。）。
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
半導体製造プロセスにおいて半導体ウエハに不純物層を形成する際に用いられるイオン注入装置に
イオンにより帯電した半導体ウエハを中和するためのイオン注入装置用エレクトロンシャワー装置
（イ）「【００１７】図１に示すように、本発明のエレクトロンシャワー装置は、
イオンビーム発生装置
と半導体ウエハ７を載置するディスク６との間に設置され、ディスク６に向けて照射されるイオンビーム１１と直角方向に一次電子８を発生させるフィラメントアッセンブリー１と、イオンビーム１１の通路を包囲するとともに内壁に一次電子８を衝突させて二次電子９を発生させるターゲット２と、二次電子９を半導体ウエハ７側に到達し易くするために−１３００Ｖの電圧が印加されたバイアスアパチャー５と、ターゲット２を包囲するチルトベローズ３と、二次電子９を検出する二次電子検出部
とを有し、さらに、チルトベローズ３の内側でターゲット２の周囲に、設定通りの二次電子９を半導体ウエハ７へ供給するためのマイナス電圧が印加された二次電子輸送用サプレッサー４を設けて
【００１８】この二次電子輸送用サプレッサー４は、ターゲット２の周囲に設置された円筒状の筒体で構成され、二次電子９のエネルギーより若干大きいマイナスの電圧が印加されている。そして、チルトベローズ３およびディスク６の電位がＧＮＤに落ちているのに対し、二次電子輸送用サプレッサー４はＧＮＤとは絶縁されている。
【００１９】次に、図２を参照して本実施の形態の動作について説明する。なお、本実施の形態では、燐や砒素などのプラスのイオンビームを半導体ウエハに注入するイオン注入装置を用いた場合について説明する。
【００２０】イオンビーム発生装置（図示せず）で発生させたイオンビーム１１は、ディスク６に搭載された半導体ウエハ７に向けて照射される。このイオンビーム１１に対し直角方向に、フィラメントアッセンブリー１から熱電子（一次電子８）を放出し、ターゲット２に衝突させる。一次電子８の衝突によってターゲット２から電子（二次電子９）が放出される。この二次電子９は、バイアスアパチャー５に−１３００Ｖの電圧が印加されているため、ターゲット２から放出された後、ディスク６側に到達し易くなっている。
【００２１】しかし、−１３００Ｖが印加されたバイアスアパチャー５だけでは、全ての二次電子９を半導体ウエハ７に到達させることができず、従来技術の所で述べたように、半導体ウエハ７に到達した二次電子９およびチルトベローズ３からＧＮＤに落ちた二次電子９が、ともに二次電子検出部１０で計測されてしまうのを避けるために、本発明では二次電子輸送用サプレッサー４を設置している。
【００２２】この二次電子輸送用サプレッサー４に、二次電子９のエネルギーよりも若干大きいマイナスの電圧を印加することによって、二次電子９がチルトベローズ３からＧＮＤに落ちるのを防止することができる。
【００２３】次に、本発明における第２の実施の形態について、図２を参照して説明する。エレクトロンシャワー装置の構成は、第１の実施の形態と同様であるので説明は省略する。すなわち、第１の実施の形態におけるエレクトロンシャワー装置は、二次電子輸送用サプレッサー４に一定のマイナス電圧を印加してイオン注入を行なうものであったが、本実施の形態では、二次電子輸送用サプレッサー４に電圧制御装置（図示せず）を接続し、二次電子輸送用サプレッサー４に印加するマイナス電圧値を可変できるようにしたものである。
【００２４】こうすることによって、各イオンビーム電流値に対し、最もチャージアップを抑制できる二次電子９をそれぞれ設定することが可能となり、チャージアップに対して厳しい製品にもチャージアップの抑制が可能となる。」
（ウ）図２は次のものである。
【図２】
（エ）上記（ア）によれば、引用文献１には、「半導体製造プロセスにおいて半導体ウエハに不純物層を形成する際に用いられるイオン注入装置に関するもので、特に、イオンにより帯電した半導体ウエハを中和するためのイオン注入装置用エレクトロンシャワー装置」（【０００１】）の発明が記載されているから、当該装置を用いた、イオンにより帯電した半導体ウエハを中和するためのイオン注入装置用エレクトロンシャワー装置を用いた、半導体製造プロセスにおいて半導体ウエハに不純物層を形成する際に用いられるイオン注入方法の発明も記載されているといえる。
（オ）上記（ア）ないし（エ）によれば、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「イオンビーム発生装置と半導体ウエハを載置するディスクとの間に設置され、ディスクに向けて照射されるイオンビームと直角方向に一次電子を発生させるフィラメントアッセンブリーと（【００１７】）、
　前記イオンビームの通路を包囲するとともに内壁に一次電子を衝突させて二次電子を発生させるターゲットと（【００１７】）、
　前記二次電子を半導体ウエハ側に到達し易くするために−１３００Ｖの電圧が印加されたバイアスアパチャーと、前記ターゲットを包囲するチルトベローズと、二次電子を検出する二次電子検出部とを有し、さらに、チルトベローズの内側でターゲットの周囲に、設定通りの二次電子を半導体ウエハへ供給するためのマイナス電圧が印加された二次電子輸送用サプレッサーを設けてなる（【００１７】）、
　イオンにより帯電した半導体ウエハを中和するためのイオン注入装置用エレクトロンシャワー装置を用いた、半導体製造プロセスにおいて半導体ウエハに不純物層を形成する際に用いられるイオン注入方法（上記（エ））。」
イ　原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−１０９６４２号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、イオン注入時においてチャージアップによるダメージを防止するイオン注入機のチャージアップ防止装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の微細加工技術の進歩により、半導体装置はますます高集積化の一途をたどっている。イオン注入技術は、半導体を支える代表的な微細加工技術の一つであるが、イオン注入に伴う半導体ウエハのチャージアップが、半導体装置の特性を損ねる場合があるため、イオン注入機においては、これを防止する何等かの対策を講じることが必要とされる。」
（イ）「【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のイオン注入機のチャージアップ防止装置は、被加工物にイオン注入するためのイオンビームと交差するところの電子供給用イオンビームを発生するイオン源と、このイオン源より放出するイオンに合流する電子を発生する電子発生手段とを備えている。
【０００９】請求項２記載のイオン注入機のチャージアップ防止装置は、請求項１記載のイオン注入機のチャージアップ防止装置において、イオン源より放出した電子供給用イオンビームの下流に負電圧を印加する電極を設けている。請求項３記載のイオン注入機のチャージアップ防止装置は、電子供給手段および被加工物を覆う磁気遮蔽物を設けたことを特徴とする。
【００１０】
【作用】請求項１記載の構成によれば、電子供給用イオンビームの持つ正の空間電荷の中を電子発生手段より放出された負電荷を持つ電子が効率よく輸送され、被加工物表面に生じた正のチャージアップが中和される。イオンビームの持つ正の空間電荷が低速電子の持つ負の空間電荷を中和するため、電子の運動が妨げられることがなく、正のチャージアップに対して効率よく中和することができる。このため、供給する電子のエネルギーは極めて低くてよく、低速の電子のみを供給してやれば、電子による負のチャージアップも避けることができる。したがって、電子照射量の安定性と操作性が向上する。
【００１１】さらに、請求項２記載の構成によれば、イオン源より放出した電子供給用イオンビームの下流に負電圧を印加する電極を設けたことにより、電子供給用イオンビームの下流が負にバイアスされているので、電子発生手段より放出された電子がここで反射される。したがって、このビーム下流への電子の損失が抑えられ、結果的に電子の供給効率が向上し、延いては電子発生手段の寿命の向上にもつながる。
【００１２】請求項３記載の構成によれば、電子供給手段および被加工物を覆う磁気遮蔽物を設けたことにより、外部磁界の侵入を防ぐことができるため、低速の電子の輸送が外部で生ずる様々な磁界の影響を受けることがなくなり、電子照射量の再現性が向上し、中和の再現性が向上する。」
（ウ）「【００１６】なお、イオン源１１は、デュオプラズマトロン型としたが、他のＰＩＧ型あるいはＴＰＤ型などの直流放電方式や、ＲＦ放電方式、ＥＣＲ放電方式等としても良いことは言うまでもない。また、電子源１２は、タングステン製フィラメントとしたが、モリブテン製フィラメント等、他の高融点材料を用いても良いことは言うまでもない。」
（エ）図２は次のものである。
【図２】
ウ　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−２１３９６８号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の事項が記載されている。
（ア）「【技術分野】
【０００１】 
本発明は、堆積基板上の有機材料膜又は高分子材料膜に注入イオンを含むプラズマ流を照射し、内包フラーレンなどのイオン注入膜を形成するイオン注入方法、及び、イオン注入装置に関する。」
（イ）「【００３０】
（内包フラーレンの製造装置）
＜第一具体例＞
　図１（ａ）は、本発明のイオン注入装置の第一具体例に係る断面図である。本発明の第一具体例は、接触電離方式のプラズマ生成装置によりアルカリ金属イオンからなるプラズマを生成し、生成したプラズマを堆積基板に照射し、同時にフラーレン蒸気を堆積基板に噴射し、アルカリ金属内包フラーレンを製造するイオン注入装置である。
【００３１】
　真空チャンバー１は、真空ポンプ２により約１０−４Ｐａの真空度に排気している。アルカリ金属昇華オーブン４により、オーブンに充填したアルカリ金属を昇華し、アルカリ金属蒸気導入管５よりホットプレート６にアルカリ金属蒸気を噴射する。アルカリ金属蒸気はホットプレート６上で電離しアルカリ金属イオンと電子からなるプラズマが生成する。
【００３２】
　真空チャンバー１の周りに電磁コイル３を配置して、生成したプラズマに均一磁場（Ｂ＝２〜７ｋＧ）を作用させる。プラズマを構成するイオンと電子は磁場方向に直交する平面内でラーモア運動と呼ばれる円運動する。そのため、プラズマはホットプレートとほぼ同一形状の断面を持つ空間内に閉じ込められ、拡散によりホットプレート６から、真空チャンバー１内でプラズマ生成装置の対面に配置した堆積基板１０に向かって流れるプラズマ流７となる。
【００３３】
　堆積基板１０には、バイアス電圧印加用電源１１により正のバイアス電圧と負のバイアス電圧を交互に印加する。プラズマ中のアルカリ金属イオンは、堆積基板１０に印加されたバイアス電圧が負電圧となるタイミングで加速エネルギーが与えられ、堆積基板１０に向かって照射される。同時に、フラーレンをフラーレン昇華オーブン８で昇華してフラーレン蒸気導入管９から堆積基板１０に向かって噴射する。堆積基板１０上、又は、堆積基板１０の近傍でフラーレン分子にアルカリ金属イオンが衝突し、アルカリ金属内包フラーレンが生成される。
【００３４】
　また、バイアス電圧が正電圧となるタイミングで、プラズマ中の電子が堆積基板１０に向けて照射され、フラーレン膜上に蓄積した正電荷が中和される。
【００３５】
＜第二具体例＞
　図１（ｂ）は、本発明のイオン注入装置の第二具体例に係る断面図である。本発明の第二具体例は、ＥＣＲプラズマ生成装置により窒素イオンからなるプラズマを生成し、生成した窒素イオンをフラーレンに注入し、窒素内包フラーレンを製造する内包フラーレン製造装置である。
【００３６】
　真空チャンバー２１とプラズマ生成室２６は、連通した真空容器であり、真空ポンプ２２により約１０−４Ｐａの真空度に排気している。プラズマ生成室２６に窒素ガス導入管２５から窒素ガスを導入し、マイクロ波発振器２４により前記窒素ガスを構成する原子や分子を励起して窒素プラズマを生成する。電磁コイル２７、２８は、例えば、プラズマ生成室２６を取り巻くように円形とされたものを互いに離間状態で配置し、同方向に電流を流す。電磁コイル２７、２８の近傍では強い磁場が形成され、電磁コイル２７、２８の間では弱い磁場が形成される。強い磁場のところでイオンや電子の跳ね返えりが起きるので、一時的に閉じ込められた高エネルギーのプラズマが形成され、窒素１個からなるＮ＋イオンを多く含むプラズマ３０を発生させることができる。
【００３７】
　PMHアンテナ２９は、複数のコイルエレメントの位相を変えて高周波電力(13.56MHz,MAX2kW)を供給するもので、各コイルエレメント間にはより大きな電界差が生じることになる。従って、プラズマ生成室２６内において発生するプラズマ３０はその全域においてより高密度なものになる。
【００３８】
　生成したプラズマ３０は電磁コイル２３により形成された均一磁場（Ｂ＝２〜７ｋＧ）に沿って真空チャンバー２１内の軸方向に閉じ込められ、プラズマ生成室２６から真空チャンバー２１内に配置した堆積基板３６に向かって流れ、プラズマ流３３となる。プラズマ流３３の途中に、電子温度制御電源３２により制御電圧を印加したグリッド電極３１を配置することにより、プラズマ中の電子のエネルギー及び窒素イオン密度を制御することができる。
【００３９】
　堆積基板３６には、バイアス電圧印加用電源３７により正のバイアス電圧と負のバイアス電圧を交互に印加する。プラズマ中の窒素イオンは、堆積基板３６に印加されたバイアス電圧が負電圧となるタイミングで加速エネルギーが与えられ、堆積基板３６に向かって照射される。同時に、フラーレンをフラーレン昇華オーブン３４で昇華してフラーレン蒸気導入管３５から堆積基板３６に向かって噴射する。堆積基板３６上、又は、堆積基板３６の近傍でフラーレン分子に窒素イオンが衝突し、窒素内包フラーレンが生成される。
【００４０】
　また、バイアス電圧が正電圧となるタイミングで、プラズマ中の電子が堆積基板３６に向けて照射され、フラーレン膜上に蓄積した正電荷が中和される。
【００４１】
（分割基板）
　堆積基板を複数の電気的に分離された導電性基板（分割プレート）により構成し、各分割プレートに印加するバイアス電圧を独立に制御することにより、より効率的に内包フラーレンを製造することが可能である。
【００４２】
　図３（ａ）及び（ｂ）は、分割プレートにより構成した本発明に係る堆積基板の平面図である。図３（ａ）では、堆積基板は２枚の半月状のプレート５１、５２に分割されている。プレート５１には、バイアス電源５３から正電圧と負電圧を交互に印加するパルス電圧を印加する。同様に、プレート５２には、バイアス電源５４から正電圧と負電圧を交互に印加するパルス電圧を印加する。電圧を切り替えるタイミングは、バイアス電源５３、５４において同期させる。さらに、プレート５１に正電圧を印加している時は、プレート５２に負電圧を印加し、プレート５１に負電圧を印加している時は、プレート５２に正電圧を印加する。
【００４３】
　プレート５１に正電圧を印加し、プレート５２に負電圧を印加するタイミングでは、プラズマ中の正イオンはプレート５２に向かって照射され、電子はプレート５１に向かって照射される。また、プレート５１に負電圧を印加し、プレート５２に正電圧を印加するタイミングでは、プラズマ中の正イオンはプレート５１に向かって照射され、電子はプレート５２に向かって照射される。プラズマ中の正イオンが常にいずれかのプレートに向かって照射され、内包フラーレンが常に生成され続けるので、非分割プレートを用いた内包フラーレンの生成方法に比べて、内包フラーレンの生成効率が高い。
【００４４】
　図３（ｂ）では、堆積基板は、分割プレートの形状が半月状ではなく、中心円プレート５５とドーナツ状プレート５６に分割されている。プレート５５には、バイアス電源５７から正電圧と負電圧を交互に印加するパルス電圧を印加する。同様に、プレート５６には、バイアス電源５７から正電圧と負電圧を交互に印加するパルス電圧を印加する。電圧を切り替えるタイミングは、バイアス電源５７、５８において同期させる。さらに、プレート５５に正電圧を印加している時は、プレート５６に負電圧を印加し、プレート５５に負電圧を印加している時は、プレート５６に正電圧を印加する。
【００４５】
　図３（ａ）に示す堆積基板と同様に、図３（ｂ）に示す堆積基板においても、プラズマ中の正イオンが常にいずれかの堆積基板に向かって照射され、内包フラーレンが常に生成され続けるので、非分割プレートを用いた内包フラーレンの生成方法に比べて、内包フラーレンの生成効率が高い。
【００４６】
（電子照射装置）
　堆積膜に過度の正電荷が蓄積することによる膜剥がれの問題は、堆積基板に正電圧、負電圧を切り替えるパルス電圧を印加する方法を用いなくても、堆積基板に負の直流バイアス電圧を印加して、同時に、電子照射装置により堆積基板上の堆積膜に向けて電子を照射する方法を用いる場合でも、堆積膜上の正電荷を中和し、膜剥がれを防止することができる。
【００４７】
　プラズマ中の正イオンに常に加速エネルギーを与え、内包フラーレンを生成し続けながら、膜剥がれの問題を防止できるので、内包フラーレンの生成効率が高い。
【００４８】
（堆積基板の冷却）
　堆積膜の膜剥がれの原因は、正電荷の蓄積だけではない。プロセス中に堆積膜の温度がプラズマ照射により上昇し、プロセス終了後、堆積膜を取り出した時に堆積膜の温度が急激に下がり、堆積膜が収縮することも膜剥がれが発生する原因である。
【００４９】
　堆積膜の急激な温度変化を回避するために、堆積基板を冷却する。堆積基板の冷却方法は、例えば、冷却水を循環する方式を用いることができる。堆積基板の温度を０℃以上５０℃以下に制御し、さらに、（１）パルス電圧印加方式、又は、（２）電子照射方式と組み合わせることにより、膜剥がれ発生の防止効果をより高めることができる。」
エ　原査定の拒絶の理由に引用された特開平８−１０６８７６号公報（以下「引用文献４」という。）には、以下の事項が記載されている。
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に際して使用され、半導体基板にイオンを注入するためのイオン注入装置およびイオン注入方法に関する。」
（イ）「【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板にイオンビームを照射するイオン注入装置において、導電性の試料台に接続されている制御電源と、上記試料台上に載置された半導体基板のイオン注入時の基板表面電位をモニターする基板電位モニター手段と、上記基板電位モニター手段により得られた電位に応じて前記制御電源の出力電位を制御することにより、前記試料台の電位を制御する試料台電位制御手段とを具備することを特徴とする。
【００１６】また、本発明は、半導体基板にイオンビームを照射するイオン注入方法において、導電性の試料台上に載置された半導体基板のイオン注入時の基板表面電位をモニターし、モニターにより得られた電位に応じて前記半導体基板の試料台の電位を制御しながらイオン注入することを特徴とする。」
（ウ）「【００２７】また、基板電位モニター手段として、レーザー表面電位センサーを用いて基板表面電位をモニターするようにしてもよい。図４は、本発明の第２実施例に係る電子線供給機構付きのイオン注入装置の概略的な構成を示している。このイオン注入装置は、図６を参照して前述した電子線供給機構付きのイオン注入装置に前記第１実施例と同様に本発明を適用したものであり、基本的な構成は図１と同様であり、さらに、イオンビーム導入路の途中に取り付けた電子線供給機構20から発生する電子により半導体基板15の表面に蓄積した正電荷16を中和するために、図６中に示したような電子線供給機構20が付設されている。なお、図１、図６中と同一部分には同一符号を付している。」
（エ）図４は次のものである。
【図４】
オ　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６２−１５４４４７号公報（以下「引用文献５」という。）には、以下の事項が記載されている。
（ア）「（関連産業分野）
この発明は半導体製造ラインのイオン打ち込み装置におけるウエハーの帯電抑制装置に関するものである。」（第１頁右欄第１２〜１５行）
（イ）「イオンビーム５を挟んで電子銃６と対向する位置に、例えばアルミニウム製のターゲット７が設けられている。ターゲット７の一次電子１０を受ける面は傾斜しており、一次電子１０がこの面に当たると二次電子１１がビーム流方向に発生し一部イオンビーム５中に巻込まれ、ウエハー３表面上で正イオンを中和することになる。」（第３頁右上欄第１〜７行）
（ウ）第６図は次のものである。
第６図
カ　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２０１５／１７６８５０号公報（以下「引用文献６」という。）には、以下の事項が記載されている（仮訳は、特表２０１７−５１８４４０号公報に基づいて当審が作成した。）。
（ア）「For t
he high scratch resistance property
synthetic sapphire material is used in 
watch glasses,
a high light reflection may be a drawback when one wants to read information behind a sapphire material window
it may actually reduce the reading ability of for example a watch
（仮訳：その
高い耐引っかき傷性のために、合成サファイア材料は、
腕時計ガラス
に使用される
合成サファイア材料表面
高い光反射は、サファイア材料窓の後ろにある情報を読みたいときに欠点となり得る
時計
の読解力を低下させ得る
（イ）「All of the above gives rise to 
a need for a sapphire material treatment method to give enhanced anti-glare properties
（仮訳：上記のすべてのことから、
サファイア材料処理方法はより高い防眩性を与える必要がある
（ウ）「For this purpose, an object of the invention is 
a treatment method of a sapphire material, said method comprising bombardment of a surface of the sapphire material,
by a single- and/or multi-charged gas ion beam so as to produce an ion implanted layer in the sapphire material, wherein 
（仮訳：そのために、本発明の一目的は、
サファイア材料の処理方法であって、前記方法は、サファイア材料においてイオン注入層を生成するように、一価及び／又は多価ガスイオンビームによるサファイア材料の表面の照射を含み
（エ）「・ 
the ions for bombardment by a single- and/or multi-charged gas ion beam are produced by an electron cyclotron resonance (ECR) source
（仮訳：・
一価及び／又は多価ガスイオンビームによる照射用イオンが電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）源によって生成される
（オ）上記（ア）ないし（エ）によれば、引用文献６には、以下の発明（以下「引用発明６」という。）が記載されていると認められる。
「高い耐引っかき傷性のために、合成サファイア材料は腕時計ガラスに使用されるが、当該合成サファイア材料表面の高い光反射は、サファイア材料窓の後ろにある情報を読みたいときに欠点となり得るものであって、時計の読解力を低下させ得るため（上記（ア））、
　サファイア材料処理方法を用いてより高い防眩性を与える必要があり（上記（イ））、
　前記サファイア材料の処理方法は、サファイア材料においてイオン注入層を生成するように、一価及び／又は多価ガスイオンビームによるサファイア材料の表面の照射を含み（上記（ウ））、
　一価及び／又は多価ガスイオンビームによる照射用イオンが電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）源によって生成される（上記（エ））、
　サファイア材料処理方法（上記（イ））。」
（２）対比・判断
（２−１）引用発明１を主引例とする場合。
ア　本件補正発明と引用発明１とを対比する。
（ア）引用発明１の「半導体ウエハ」及び「イオン注入方法」は、本件補正発明の「被処理物体（３０）」及び「１価又は多価イオンを注入する方法」にそれぞれ相当するから、引用発明１の、「イオンにより帯電した半導体ウエハを中和するためのイオン注入装置用エレクトロンシャワー装置を用いた、半導体製造プロセスにおいて半導体ウエハに不純物層を形成する際に用いられるイオン注入方法」は、本件補正発明の「天然及び合成サファイア、無機ガラス、ポリマーならびにセラミックから作成される時計ガラス用の被処理物体（３０）の表面に反射防止表面処理のために１価又は多価イオンを注入する方法」と「被処理物体（３０）の表面に１価又は多価イオンを注入する方法」の点で一致する。
（イ）引用発明１の「イオンビーム発生装置」は、本件補正発明の「イオン源（１）」に相当するから、引用発明１の「イオンビーム」は「イオンビーム発生装置と半導体ウエハを載置するディスクとの間に設置され、ディスクに向けて照射される」ことは、本件補正発明の「前記方法は、前記被処理物体（３０）の表面の方に、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）型イオン源（１）により生成したイオン・ビーム（１２）を向けることにあるステップを含」むことと、「前記方法は、前記被処理物体（３０）の表面の方に、イオン源（１）により生成したイオン・ビーム（１２）を向けることにあるステップを含」むことの点で一致する。
（ウ）引用発明１の「標的（３２）」は、本件補正発明の「ターゲット」に相当する。
　また、引用発明１の「イオンビームと直角方向に」「発生させ」、「ターゲット」の「内壁に」「衝突させて二次電子を発生させる」「一次電子」は、本件補正発明の「１次電子ビーム（２８）」に相当する。
　さらに、引用発明１の「半導体ウエハ側に到達」する「二次電子」は、本件補正発明の「２次電子ビーム（３４）」にそれぞれ相当する。
　したがって、引用発明１の「フィラメントアッセンブリー」が「イオンビーム発生装置と半導体ウエハを載置するディスクとの間に設置され、ディスクに向けて照射されるイオンビームと直角方向に一次電子を発生させる」ことは、本件補正発明の「少なくとも１つの１次電子ビーム（２８）を生成し、前記１次電子ビーム（２８）を、前記１次電子ビーム（２８）が前記イオン・ビーム（１２）を通過するように向けることであって、前記１次電子ビーム（２８）の電子と前記イオン・ビーム（１２）のイオンとの再結合によって、前記イオン・ビーム（１２）の発散が低減される、前記向けること」と「少なくとも１つの１次電子ビーム（２８）を生成し、前記１次電子ビーム（２８）を、前記イオン・ビーム（１２）に向けること」の点で一致する。
（エ）引用発明１において、「ターゲット」の「内壁に一次電子を衝突させて二次電子を発生させる」ことは、当該一次電子をターゲットで反射させて二次電子を生成することであるといえるから、引用発明１の「前記イオンビームの通路を包囲するとともに内壁に一次電子を衝突させて二次電子を発生させるターゲット」は、本件補正発明の「前記１次電子ビームが前記イオン・ビーム（１２）を横断した後、標的（３２）上での前記１次電子ビーム（２８）の反射によって２次電子ビーム（３４）を生成すること」と「前記１次電子ビームが、標的（３２）上での前記１次電子ビーム（２８）の反射によって２次電子ビーム（３４）を生成すること」の点で一致する。
（オ）引用発明１において、「前記二次電子を半導体ウエハ側に到達し易くするために−１３００Ｖの電圧が印加されたバイアスアパチャーと、前記ターゲットを包囲するチルトベローズと、二次電子を検出する二次電子検出部とを有し、さらに、チルトベローズの内側でターゲットの周囲に、設定通りの二次電子を半導体ウエハへ供給するためのマイナス電圧が印加された二次電子輸送用サプレッサーを設けてなる」ことは、二次電子を半導体ウエハへ供給して、当該半導体ウエハの表面上に落下するように、二次電子を半導体ウエハに到達し易くなるように向けることであるから、本件補正発明の「前記標的（３２）は、前記２次電子ビーム（３４）が前記被処理物体（３０）の表面上に落下するように向ける」ことと、「前記２次電子ビーム（３４）が前記被処理物体（３０）の表面上に落下するように向ける」ことの点で一致する。
（カ）以上によれば、本件補正発明と引用発明１は、下記の点で一致するとともに、下記各点で相違する。
〈一致点〉
「被処理物体（３０）の表面に１価又は多価イオンを注入する方法であって、前記方法は、前記被処理物体（３０）の表面の方に、イオン源（１）により生成したイオン・ビーム（１２）を向けることにあるステップを含み、前記方法は、
　・少なくとも１つの１次電子ビーム（２８）を生成し、前記１次電子ビーム（２８）を前記イオン・ビーム（１２）に向けること、及び
　・前記１次電子ビームが、標的（３２）上での前記１次電子ビーム（２８）の反射によって２次電子ビーム（３４）を生成すること
にあるステップも含み、前記２次電子ビーム（３４）が前記被処理物体（３０）の表面上に落下するように向ける、方法。」
〈相違点〉
（相違点１）
　被処理物体（３０）の表面に１価又は多価イオンを注入する方法が、本件補正発明は「天然及び合成サファイア、無機ガラス、ポリマーならびにセラミックから作成される時計ガラス用の」被処理物体（３０）の表面に「反射防止表面処理のために」１価又は多価イオンを注入する方法であるのに対して、引用発明１は「半導体製造プロセスにおいて半導体ウエハに不純物層を形成する際に用いられるイオン注入方法」である点。
（相違点２）
　イオン源（１）が、本件補正発明は「電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）型イオン源（１）」であるのに対して、引用発明１のイオンビーム発生装置はこのように特定されない点。
（相違点３）
　１次電子ビーム（２８）が、本件補正発明は「イオン・ビーム（１２）を通過するように向け」られ、「前記１次電子ビーム（２８）の電子と前記イオン・ビーム（１２）のイオンとの再結合によって、前記イオン・ビーム（１２）の発散が低減される」のに対して、引用発明１の一次電子のビームはこのように特定されない点。
（相違点４）
　２次電子ビーム（３４）が被処理物体（３０）の表面上に落下するように向けることが、本件補正発明は「標的（３２）」よるとされるのに対して、引用発明１は、ターゲットによるとは特定されない点。
イ　判断
　上記相違点について検討する。
（ア）上記相違点１について検討する。
　引用発明１は、「イオンにより帯電した半導体ウエハを中和するためのイオン注入装置用エレクトロンシャワー装置を用いた、半導体製造プロセスにおいて半導体ウエハに不純物層を形成する際に用いられるイオン注入方法」であって、当該「イオン注入方法」は、イオンを半導体ウェハ内部にまで注入して半導体ウエハに不純物層を形成することを目的とする発明である。
　これに対して、本件補正発明は、「天然及び合成サファイア、無機ガラス、ポリマーならびにセラミックから作成される時計ガラス用の被処理物体（３０）の表面に反射防止表面処理のために１価又は多価イオンを注入する方法」であって、当該「イオン注入方法」は、反射防止表面処理を施すためにイオンを被処理物体の表面に注入するものであって、イオンを被処理物体内部にまで注入する必要性はない。
　そうすると、引用発明１と本件補正発明とは、そもそも技術分野が異なるのであって、半導体製造プロセスにおいて半導体ウエハに不純物層を形成する際に用いられるイオン注入方法である引用発明１を、
天然及び合成サファイア、無機ガラス、ポリマーならびにセラミックから作成される時計ガラス用の
反射防止表面処理のために
　そして、「天然及び合成サファイア、無機ガラス、ポリマーならびにセラミックから作成される時計ガラス用の被処理物体の表面に反射防止表面処理のために１価又は多価イオンを注入する方法」に関する構成は、引用文献２〜５にも記載されていない。
（イ）したがって、相違点２ないし４について検討するまでもなく、本件補正発明は、引用発明１及び引用文献２〜５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　請求項１１も、補正事項１を含むから同様に引用発明１及び引用文献２〜５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（２−２）引用発明６を主引例とする場合。
ア　本件補正発明と引用発明６とを対比する。
（ア）引用発明６の「腕時計ガラスに使用される」「合成サファイア材料」の「サファイア材料窓」は、本件補正発明の「合成サファイア」「から作成される時計ガラス用の被処理物体（３０）」に相当する。
　また、引用発明６の「より高い防眩性を与える」「サファイア材料処理方法」は、本件補正発明の「反射防止表面処理」に相当する。
　したがって、引用発明６の「高い耐引っかき傷性のために、合成サファイア材料は腕時計ガラスに使用されるが、当該合成サファイア材料表面の高い光反射は、サファイア材料窓の後ろにある情報を読みたいときに欠点となり得るものであって、時計の読解力を低下させ得るため、サファイア材料処理方法を用いてより高い防眩性を与える必要があり、前記サファイア材料の処理方法は、サファイア材料においてイオン注入層を生成するように、一価及び／又は多価ガスイオンビームによるサファイア材料の表面の照射を含」む「サファイア材料処理方法」は、本件補正発明の「天然及び合成サファイア、無機ガラス、ポリマーならびにセラミックから作成される時計ガラス用の被処理物体（３０）の表面に反射防止表面処理のために１価又は多価イオンを注入する方法」と「合成サファイアから作成される時計ガラス用の被処理物体（３０）の表面に反射防止表面処理のために１価又は多価イオンを注入する方法」の点で一致する。
（イ）引用発明６の「一価及び／又は多価ガスイオンビームによる照射用イオンが電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）源によって生成される」ことは、本件補正発明の「前記方法は、前記被処理物体（３０）の表面の方に、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）型イオン源（１）により生成したイオン・ビーム（１２）を向けることにあるステップを含」むことに相当する。
（ウ）以上によれば、本件補正発明と引用発明６は、下記の点で一致するとともに、下記各点で相違する。
〈一致点〉
「合成サファイアから作成される時計ガラス用の被処理物体（３０）の表面に反射防止表面処理のために１価又は多価イオンを注入する方法であって、前記方法は、前記被処理物体（３０）の表面の方に、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）型イオン源（１）により生成したイオン・ビーム（１２）を向けることにあるステップを含む、方法。」
〈相違点〉
（相違点５）
　本件補正発明は、「少なくとも１つの１次電子ビーム（２８）を生成し、前記１次電子ビーム（２８）を、前記１次電子ビーム（２８）が前記イオン・ビーム（１２）を通過するように向けることであって、前記１次電子ビーム（２８）の電子と前記イオン・ビーム（１２）のイオンとの再結合によって、前記イオン・ビーム（１２）の発散が低減される、前記向けること、及び
　・前記１次電子ビームが前記イオン・ビーム（１２）を横断した後、標的（３２）上での前記１次電子ビーム（２８）の反射によって２次電子ビーム（３４）を生成すること
にあるステップも含み、前記標的（３２）は、前記２次電子ビーム（３４）が前記被処理物体（３０）の表面上に落下するように向ける」構成を備えるのに対して、引用発明６はこのような構成を備えない点。
イ　判断
　上記相違点５について検討する。
（ア）引用発明６は、「腕時計ガラスに使用される」「合成サファイア材料表面の」「欠点となり得る」「高い光反射」を解消して「高い防眩性を与える」ために「サファイア材料においてイオン注入層を生成するように、一価及び／又は多価ガスイオンビームによるサファイア材料の表面の照射を」行う「サファイア材料処理方法」であって、「高い防眩性を与える」ために「サファイア材料に」生成される「イオン注入層」は、イオンをサファイア材料の表面に注入するものであって、イオンをサファイア材料内部にまで注入する必要性はない発明である。
　これに対して、引用文献１は、半導体製造プロセスにおいて半導体ウエハに不純物層を形成する際に用いられるイオン注入装置に関するもの（【０００１】）であり、引用文献２は、「半導体を支える代表的な微細加工技術の一つである」「イオン注入技術」（【０００２】）に関する発明であり、引用文献３は、「アルカリ金属内包フラーレンを製造するイオン注入装置」（【００３０】）に関する発明であり、引用文献４は、「半導体基板にイオンを注入するためのイオン注入装置およびイオン注入方法に関する」（【０００１】）に関する発明であり、引用文献５は、「半導体製造ラインのイオン打ち込み装置」（上記「（１）」「オ」「（ア）」）に関する発明であり、いずれも対象とする半導体の内部にまでイオンを注入することを目的とする前提において生じる半導体表面での帯電（チャージアップ）を抑制するために追加する構成であるから、イオンをサファイア材料の表面に注入することで対象の表面を粗面化する発明であって、イオンをサファイア材料内部にまで注入する必要性はない引用発明６とはそもそも技術分野が異なるため、引用文献１ないし５に記載された半導体表面での帯電（チャージアップ）を抑制するために追加する構成を引用発明６に適用する動機は認められず、さらには、イオンの注入がサファイアの表面にとどまる引用発明６と、イオンを半導体の内部まで注入する引用文献１ないし５に記載された構成とでは、イオンの注入の作用が異なり、引用発明６に引用文献１ないし５に記載された半導体表面での帯電（チャージアップ）を抑制するために追加する構成を適用することには技術的困難性が認められる。サファイア材料を対象とせず、イオンを対象の内部にまで注入することを目的とする発明である引用文献２ないし５に記載された構成を適用することは想定されないし、また、引用文献２ないし５に記載された構成はイオンをサファイア材料の表面に注入するものであって、イオンをサファイア材料内部にまで注入する必要性はない構成に変更した上で、引用発明６に適用することが容易に想到し得たということはできない。
（イ）したがって、本件補正発明は、引用発明６及び引用文献１〜５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　請求項１１も、補正事項１を含むから同様に引用発明６及び引用文献１〜５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（３）小括
　よって、本件補正の補正事項１は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
　また、本件補正のその余の補正事項についても、特許法第１７条の２第３項ないし第６項に違反するところはない。
３．むすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１ないし１４に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項により特定されるとおりのものである。
２．原査定の拒絶の理由
　原査定は、（令和２年３月３０日付けの手続補正により補正された）請求項１ないし７及び１０〜１２に係る発明は、引用発明１及び引用文献２に記載された事項に基いて、請求項８及び１３に係る発明は、引用発明１及び引用文献２、３記載された事項に基いて、そして、請求項９及び１４に係る発明は、引用発明１及び引用文献２、４に記載された事項に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
引用文献１：特開２００２−２５４９５号公報
引用文献２：特開平５−１０９６４２号公報
引用文献３：特開２００６−２１３９６８号公報
引用文献４：特開平８−１０６８７６号公報
引用文献５：特開昭６２−１５４４４７号公報
３．引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１ないし５及びその記載事項、引用発明は、前記第２の［理由］「２」「（１）」に記載したとおりである。
　
４．対比・判断
（１）上記「第２」「（２）」「（２−１）」で検討したとおり、本願発明１及び１１は、当業者であっても引用発明１及び引用文献２に記載された事項に記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　また、本願発明２ないし１０は本願発明１を限縮した発明であり、本願発明１２ないし１４は本願発明１１を限縮した発明であるから、本願発明１及び１１と同様の理由により、当業者であっても引用発明１、及び、引用文献２ないし４に記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　したがって、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
（２）また、上記「第２」「（２）」「（２−２）」で検討したとおり、本願発明１及び１１は、当業者であっても引用発明６及び引用文献５に記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえないし、また、本願発明２ないし１０は本願発明１を限縮した発明であり、本願発明１２ないし１４は本願発明１１を限縮した発明であるから、本願発明１及び１１と同様の理由により、当業者であっても引用発明６及び引用文献４、５に記載された事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　
第４　むすび
　以上の検討によれば、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。