【手続補正書】
【提出日】令和1年9月6日(2019.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極配線に接続される複数の上アームスイッチング素子（２０ｕ）と、負極配線に接続される複数の下アームスイッチング素子（２０ｄ）とを有するスイッチング回路部（１０１）を備えた電力変換装置（１）であって、
複数のバスバー（４）と、
モジュール本体部（２０）からパワー端子（２１）を突出してなる複数の半導体モジュール（２）と、を有し、
上記バスバーとして、上記正極配線を構成する正極バスバー（４Ｐ）と、上記負極配線を構成する負極バスバー（４Ｎ）と、を有し、
上記半導体モジュールとして、上記上アームスイッチング素子を内蔵すると共に上記正極バスバーに接続される上記パワー端子である正極端子（２１Ｐ）を備えた第１半導体モジュール（２Ｐ）と、上記下アームスイッチング素子を内蔵すると共に上記負極バスバーに接続される上記パワー端子である負極端子（２１Ｎ）を備えた第２半導体モジュール（２Ｎ）と、を有し、
上記第１半導体モジュールと上記第２半導体モジュールとは、上記正極端子と上記負極端子とを突出方向に直交する方向に対向させた状態で、配置されており、
上記正極バスバー及び上記負極バスバーは、上記パワー端子の突出方向から見たとき、共に上記正極端子と上記負極端子との間に配される共存配置部（４１Ｐ、４１Ｎ）をそれぞれ有し、
上記共存配置部の少なくとも一部は、上記正極端子と上記負極端子との間の空間に配されており、
出力配線を構成する出力バスバー（４Ｏ）を有し、上記半導体モジュールは、上記パワー端子の一つとして、上記出力バスバーに接続される出力端子（２１Ｏ）を有し、上記第１半導体モジュールと上記第２半導体モジュールとは、互いの上記出力端子同士を対向配置させてなり、上記出力バスバーは、対向配置された上記出力端子同士の間の空間に配される出力介在部（４１Ｏ）を有し、該出力介在部に、上記第１半導体モジュールの上記出力端子と上記第２半導体モジュールの上記出力端子との双方が接続されている、電力変換装置。
【請求項２】
上記共存配置部は、互いの主面が対向するように配置された対向部（４４ｘ、４４ｚ）を有する、請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
上記共存配置部は、上記対向部として、上記正極端子と上記負極端子との並び方向に対向する並び対向部（４４ｘ）を有する、請求項２に記載の電力変換装置。
【請求項４】
上記共存配置部は、上記対向部として、上記パワー端子の突出方向に対向する突出対向部（４４ｚ）を有する、請求項２又は３に記載の電力変換装置。
【請求項５】
上記共存配置部は、上記対向部として、上記正極端子と上記負極端子との並び方向に対向する並び対向部（４４ｘ）と、上記突出対向部とを有する、請求項４に記載の電力変換装置。
【請求項６】
上記突出対向部における一対の上記共存配置部の間の間隔ｄ１は、上記並び対向部における一対の上記共存配置部の間の間隔ｄ２よりも小さい、請求項５に記載の電力変換装置。
【請求項７】
上記正極端子と上記負極端子との並び方向における上記突出対向部の長さＬ１は、上記パワー端子の突出方向における上記並び対向部の長さＬ２よりも長い、請求項５又は６に記載の電力変換装置。
【請求項８】
一対の上記共存配置部のうち、上記突出対向部が、上記モジュール本体部に近い側に配された上記共存配置部は、上記突出対向部を、上記パワー端子との接続部よりも上記モジュール本体部に近い位置に配置している、請求項４〜７のいずれか一項に記載の電力変換装置。
【請求項９】
一対の上記共存配置部のうち、上記突出対向部が上記モジュール本体部により近い側に配された上記共存配置部は、上記突出対向部を、上記パワー端子との接続部よりも上記モジュール本体部から遠い位置に配置している、請求項４〜７のいずれか一項に記載の電力変換装置。
【請求項１０】
上記第１半導体モジュール及び上記第２半導体モジュールの少なくとも一つは、互いに並列接続された複数のスイッチング素子を内蔵してなる、請求項１〜９のいずれか一項に記載の電力変換装置。
【請求項１１】
互いに隣り合う位置に配置された上記第１半導体モジュールと上記第２半導体モジュールとの間には、冷媒流路を内部に有する冷却管（３）が介在している、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電力変換装置。
【請求項１２】
上記共存配置部における上記正極バスバーと上記正極端子との接続部（１１Ｐ）と、上記共存配置部における上記負極バスバーと上記負極端子との接続部（１１Ｎ）とは、上記パワー端子の突出方向における位置が同等である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の電力変換装置。
【請求項１３】
上記共存配置部における上記正極バスバーと上記正極端子との接続部と、上記共存配置部における上記負極バスバーと上記負極端子との接続部とは、上記パワー端子の突出方向における位置が互いに異なる、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の電力変換装置。
【請求項１４】
隣り合う上記第１半導体モジュールと上記第２半導体モジュールとの間に配された、上記出力介在部と上記共存配置部とは、それぞれの上記パワー端子との接続部（１１Ｐ、１１Ｎ、１１Ｏ）を、上記パワー端子の突出方向における同等の位置に有する、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の電力変換装置。
【請求項１５】
上記出力介在部は、上記パワー端子の突出方向を向く主面を有する基板部（４５１）と、該基板部から上記パワー端子の突出方向に立ち上がる一対の立設部（４５２）とを有し、上記基板部は、上記パワー端子の突出方向において、上記出力端子の先端との距離よりも上記モジュール本体部との距離の方が短い、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の電力変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一態様は、正極配線に接続される複数の上アームスイッチング素子（２０ｕ）と、負極配線に接続される複数の下アームスイッチング素子（２０ｄ）とを有するスイッチング回路部（１０１）を備えた電力変換装置（１）であって、
複数のバスバー（４）と、
モジュール本体部（２０）からパワー端子（２１）を突出してなる複数の半導体モジュール（２）と、を有し、
上記バスバーとして、上記正極配線を構成する正極バスバー（４Ｐ）と、上記負極配線を構成する負極バスバー（４Ｎ）と、を有し、
上記半導体モジュールとして、上記上アームスイッチング素子を内蔵すると共に上記正極バスバーに接続される上記パワー端子である正極端子（２１Ｐ）を備えた第１半導体モジュール（２Ｐ）と、上記下アームスイッチング素子を内蔵すると共に上記負極バスバーに接続される上記パワー端子である負極端子（２１Ｎ）を備えた第２半導体モジュール（２Ｎ）と、を有し、
上記第１半導体モジュールと上記第２半導体モジュールとは、上記正極端子と上記負極端子とを突出方向に直交する方向に対向させた状態で、配置されており、
上記正極バスバー及び上記負極バスバーは、上記パワー端子の突出方向から見たとき、共に上記正極端子と上記負極端子との間に配される共存配置部（４１Ｐ、４１Ｎ）をそれぞれ有し、
上記共存配置部の少なくとも一部は、上記正極端子と上記負極端子との間の空間に配されており、
出力配線を構成する出力バスバー（４Ｏ）を有し、上記半導体モジュールは、上記パワー端子の一つとして、上記出力バスバーに接続される出力端子（２１Ｏ）を有し、上記第１半導体モジュールと上記第２半導体モジュールとは、互いの上記出力端子同士を対向配置させてなり、上記出力バスバーは、対向配置された上記出力端子同士の間の空間に配される出力介在部（４１Ｏ）を有し、該出力介在部に、上記第１半導体モジュールの上記出力端子と上記第２半導体モジュールの上記出力端子との双方が接続されている、電力変換装置にある。