【手続補正書】
【提出日】平成31年3月15日(2019.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に炭化タングステン膜を蒸着するための方法であって、
プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバ内に前記基板を配置する工程と、
搬送ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と、
誘電体前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と、
金属前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と、
前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバ内でプラズマを生成する工程と、
ＰＥＣＶＤを用いて、５００℃未満の処理温度で前記基板上に炭化タングステン膜を蒸着する工程と、
を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記金属前駆体ガスは、タングステン前駆体ガスを含む、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記タングステン前駆体ガスは、ＷＦａを含み、ａは、１以上の整数である、方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法であって、前記タングステン前駆体ガスは、ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルイミド）ビス（ジメチルアミド）タングステン（ＢＴＢＭＷ）を含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記搬送ガスは、水素分子（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、窒素分子（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、および／または、それらの組み合わせからなる群より選択される、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記誘電体前駆体ガスは、炭化水素前駆体ガスを含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記炭化水素前駆体ガスは、ＣｘＨｙを含み、ｘは２から１０までの整数、ｙは２から２４までの整数である、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記誘電体前駆体ガスは、窒化物系の前駆体ガスを含む、方法。
【請求項９】
請求項６に記載の方法であって、前記炭化水素前駆体ガスは、メタン、アセチレン、エチレン、プロピレン、ブタン、シクロヘキサン、ベンゼン、および、トルエンからなる群より選択される、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、前記炭化タングステン膜は、ナノ結晶である、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバは、台座から間隔を空けて配置された第１の電極を備え、
前記台座は、第２の電極を備え、
プラズマ発生器からのＲＦ電力が前記第２の電極に供給され、前記第１の電極は接地されている、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、前記第１の電極は、シャワーヘッドを含む、方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であって、前記誘電体前駆体ガスに対する金属前駆体ガスの割合は、２０％より大きい、方法。
【請求項１４】
炭化タングステン膜を蒸着するための方法であって、
プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバ内に基板を配置する工程と、
搬送ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と、
誘電体前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と、
金属前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と、
前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバ内でプラズマを生成する工程と、
ＰＥＣＶＤを用いて、前記基板上に炭化タングステン膜を蒸着する工程と、
を備え、
前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバは、台座から間隔を空けて配置された第１の電極を備え、
前記台座は、第２の電極を備え、
プラズマ発生器からのＲＦ電力が前記第２の電極に供給され、前記第１の電極は接地されている、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、前記金属前駆体ガスは、タングステン前駆体ガスを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、前記タングステン前駆体ガスは、ＷＦａを含み、ａは、１以上の整数である、方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の方法であって、前記タングステン前駆体ガスは、ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルイミド）ビス（ジメチルアミド）タングステン（ＢＴＢＭＷ）を含む、方法。
【請求項１８】
請求項１４に記載の方法であって、前記搬送ガスは、水素分子（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、窒素分子（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、および／または、それらの組み合わせからなる群より選択される、方法。
【請求項１９】
請求項１４に記載の方法であって、前記誘電体前駆体ガスは、炭化水素前駆体ガスを含む、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、前記炭化水素前駆体ガスは、ＣｘＨｙを含み、ｘは２から１０までの整数、ｙは２から２４までの整数である、方法。
【請求項２１】
請求項１４に記載の方法であって、前記誘電体前駆体ガスは、窒化物系の前駆体ガスを含む、方法。
【請求項２２】
請求項２０に記載の方法であって、前記炭化水素前駆体ガスは、メタン、アセチレン、エチレン、プロピレン、ブタン、シクロヘキサン、ベンゼン、および、トルエンからなる群より選択される、方法。
【請求項２３】
請求項１４に記載の方法であって、前記炭化タングステン膜は、ナノ結晶である、方法。
【請求項２４】
請求項１４に記載の方法であって、前記第１の電極は、シャワーヘッドを含む、方法。
【請求項２５】
請求項１４に記載の方法であって、前記誘電体前駆体ガスに対する金属前駆体ガスの割合は、２０％より大きい、方法。
【請求項２６】
炭化タングステン膜を蒸着するための基板処理システムであって、
台座を備えたプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバと、
搬送ガス、誘電体前駆体ガス、および、金属前駆体ガスの内の少なくとも１つを選択的に供給するよう構成されたガス供給システムと、
前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバ内でプラズマを選択的に形成するよう構成されたプラズマ発生器と、
前記ガス供給システムおよび前記プラズマ発生器と通信するよう構成されたコントローラであって、さらに、
前記搬送ガス、前記誘電体前駆体ガス、および、前記金属前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給し、
前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバ内でプラズマを点火し、
ＰＥＣＶＤを用いて、５００℃未満の処理温度で基板上に炭化タングステン膜を蒸着するよう構成された、コントローラと、
を備える、基板処理システム。
【請求項２７】
炭化タングステン膜を蒸着するための基板処理システムであって、
台座を備えたプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバと、
前記台座から間隔を空けて配置された第１の電極であって、
前記台座は、第２の電極を備え、
前記第１の電極は接地されている、第１の電極と、
搬送ガス、誘電体前駆体ガス、および、金属前駆体ガスの内の少なくとも１つを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに選択的に供給するよう構成されたガス供給システムと、
ＲＦ電力を前記第２の電極に供給することにより、前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバ内でプラズマを選択的に形成するよう構成されたプラズマ発生器と、
前記ガス供給システムおよび前記プラズマ発生器と通信するよう構成されたコントローラであって、さらに、
前記搬送ガス、前記誘電体前駆体ガス、および、前記金属前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給し、
前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバ内で前記プラズマを点火し、
ＰＥＣＶＤを用いて、基板上に炭化タングステン膜を蒸着するよう構成された、コントローラと、
を備える、基板処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
上述のように、ツールによって実行される１または複数の処理工程に応じて、コントローラは、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近くのツール、工場の至る所に配置されるツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、もしくは、半導体製造工場内のツール位置および／またはロードポートに向かってまたはそこからウエハのコンテナを運ぶ材料輸送に用いられるツール、の内の１または複数と通信してもよい。本開示は、以下の適用例を含む。
［適用例１］
基板上に金属誘電体膜を蒸着するための方法であって、
プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバ内に前記基板を配置する工程と、
搬送ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と、
誘電体前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と、
金属前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と、
前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバ内でプラズマを生成する工程と、
５００℃未満の処理温度で前記基板上に金属誘電体膜を蒸着する工程と、
を備える、方法。
［適用例２］
適用例１に記載の方法であって、前記金属前駆体ガスは、チタン前駆体ガス、タンタル前駆体ガス、タングステン前駆体ガス、および、バナジウム前駆体ガスからなる群より選択される、方法。
［適用例３］
適用例１に記載の方法であって、前記金属前駆体ガスは、タングステン前駆体ガスを含む、方法。
［適用例４］
適用例３に記載の方法であって、前記タングステン前駆体ガスは、ＷＦａを含み、ａは、１以上の整数である、方法。
［適用例５］
適用例３に記載の方法であって、前記タングステン前駆体ガスは、ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルイミド）ビス（ジメチルアミド）タングステン（ＢＴＢＭＷ）を含む、方法。
［適用例６］
適用例１に記載の方法であって、前記搬送ガスは、水素分子（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、窒素分子（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、および／または、それらの組み合わせからなる群より選択される、方法。
［適用例７］
適用例１に記載の方法であって、前記誘電体前駆体ガスは、炭化水素前駆体ガスを含む、方法。
［適用例８］
適用例７に記載の方法であって、前記炭化水素前駆体ガスは、ＣｘＨｙを含み、ｘは２から１０までの整数、ｙは２から２４までの整数である、方法。
［適用例９］
適用例１に記載の方法であって、前記誘電体前駆体ガスは、窒化物系の前駆体ガスを含む、方法。
［適用例１０］
適用例７に記載の方法であって、前記炭化水素前駆体ガスは、メタン、アセチレン、エチレン、プロピレン、ブタン、シクロヘキサン、ベンゼン、および、トルエンからなる群より選択される、方法。
［適用例１１］
適用例１の方法であって、前記金属誘電体膜は、ナノ結晶である、方法。
［適用例１２］
適用例１に記載の方法であって、
前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバは、台座から間隔を空けて配置された第１の電極を備え、
前記台座は、第２の電極を備え、
プラズマ発生器からのＲＦ電力が前記第２の電極に供給され、前記第１の電極は接地されている、方法。
［適用例１３］
適用例１２に記載の方法であって、前記第１の電極は、シャワーヘッドを含む、方法。
［適用例１４］
適用例１に記載の方法であって、前記誘電体前駆体ガスに対する金属前駆体ガスの割合は、２０％より大きい、方法。
［適用例１５］
適用例１に記載の方法であって、前記金属誘電体膜は、炭化タングステン膜、炭化タンタル膜、窒化タンタル膜、および、炭化バナジウム膜からなる群より選択される、方法。
［適用例１６］
金属誘電体膜を蒸着するための方法であって、
プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバ内に基板を配置する工程と、
搬送ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と、
誘電体前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と、
金属前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と、
前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバ内でプラズマを生成する工程と、
前記基板上に金属誘電体膜を蒸着する工程と、
を備え、
前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバは、台座から間隔を空けて配置された第１の電極を備え、
前記台座は、第２の電極を備え、
プラズマ発生器からのＲＦ電力が前記第２の電極に供給され、前記第１の電極は接地されている、方法。
［適用例１７］
適用例１６に記載の方法であって、前記金属前駆体ガスは、チタン前駆体ガス、タンタル前駆体ガス、タングステン前駆体ガス、および、バナジウム前駆体ガスからなる群より選択される、方法。
［適用例１８］
適用例１７に記載の方法であって、前記金属前駆体ガスは、タングステン前駆体ガスを含む、方法。
［適用例１９］
適用例１８に記載の方法であって、前記タングステン前駆体ガスは、ＷＦａを含み、ａは、１以上の整数である、方法。
［適用例２０］
適用例１８に記載の方法であって、前記タングステン前駆体ガスは、ビス（ｔｅｒｔ‐ブチルイミド）ビス（ジメチルアミド）タングステン（ＢＴＢＭＷ）を含む、方法。
［適用例２１］
適用例１６に記載の方法であって、前記搬送ガスは、水素分子（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、窒素分子（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、および／または、それらの組み合わせからなる群より選択される、方法。
［適用例２２］
適用例１６に記載の方法であって、前記誘電体前駆体ガスは、炭化水素前駆体ガスを含む、方法。
［適用例２３］
適用例２２に記載の方法であって、前記炭化水素前駆体ガスは、ＣｘＨｙを含み、ｘは２から１０までの整数、ｙは２から２４までの整数である、方法。
［適用例２４］
適用例１６に記載の方法であって、前記誘電体前駆体ガスは、窒化物系の前駆体ガスを含む、方法。
［適用例２５］
適用例２３に記載の方法であって、前記炭化水素前駆体ガスは、メタン、アセチレン、エチレン、プロピレン、ブタン、シクロヘキサン、ベンゼン、および、トルエンからなる群より選択される、方法。
［適用例２６］
適用例１６の方法であって、前記金属誘電体膜は、ナノ結晶である、方法。
［適用例２７］
適用例１６に記載の方法であって、
前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバは、台座から間隔を空けて配置された第１の電極を備え、
前記台座は、第２の電極を備え、
プラズマ発生器からのＲＦ電力が前記第２の電極に供給され、前記第１の電極は接地されている、方法。
［適用例２８］
適用例２７に記載の方法であって、前記第１の電極は、シャワーヘッドを含む、方法。
［適用例２９］
適用例１６に記載の方法であって、前記誘電体前駆体ガスに対する金属前駆体ガスの割合は、２０％より大きい、方法。
［適用例３０］
適用例１６に記載の方法であって、前記金属誘電体膜は、炭化タングステン膜、炭化タンタル膜、窒化タンタル膜、および、炭化バナジウム膜からなる群より選択される、方法。
［適用例３１］
金属誘電体膜を蒸着するための基板処理システムであって、
台座を備えたプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバと、
搬送ガス、誘電体前駆体ガス、および、金属前駆体ガスの内の少なくとも１つを選択的に供給するよう構成されたガス供給システムと、
前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバ内でプラズマを選択的に形成するよう構成されたプラズマ発生器と、 
前記ガス供給システムおよび前記プラズマ発生器と通信するよう構成されたコントローラであって、さらに、
前記搬送ガス、前記誘電体前駆体ガス、および、前記金属前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給し、
前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバ内でプラズマを点火し、
５００℃未満の処理温度で前記基板上に金属誘電体膜を蒸着するよう構成された、コントローラと、
を備える、システム。
［適用例３２］
金属誘電体膜を蒸着するための基板処理システムであって、
台座を備えたプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバと、
前記台座から間隔を空けて配置された第１の電極であって、
前記台座は、第２の電極を備え、
前記第１の電極は接地されている、第１の電極と、
搬送ガス、誘電体前駆体ガス、および、金属前駆体ガスの内の少なくとも１つを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに選択的に供給するよう構成されたガス供給システムと、
ＲＦ電力を前記第２の電極に供給することにより、前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバ内でプラズマを選択的に形成するよう構成されたプラズマ発生器と、
前記ガス供給システムおよび前記プラズマ発生器と通信するよう構成されたコントローラであって、さらに、
前記搬送ガス、前記誘電体前駆体ガス、および、前記金属前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給し、
前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバ内で前記プラズマを点火し、
前記基板上に金属誘電体膜を蒸着するよう構成された、コントローラと、
を備える、システム。