【事件の表示】
　特願２０１６−２０２７８７「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　４月１９日出願公開，特開２０１８−　６４０５９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２８年１０月１４日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成３０年１１月２８日　　：上申書，手続補正書の提出
　令和　１年１２月１２日付け：拒絶理由通知書（起案日）
　令和　２年　２月１４日　　：意見書，手続補正書の提出
　令和　２年　３月３１日付け：拒絶査定（起案日）（以下「原査定」という。）
　令和　２年　７月　３日　　：審判請求書，手続補正書の提出
第２　令和２年７月３日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和２年７月３日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正について（補正の内容） 
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正は，補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし５のうち，請求項１を削除して，補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし４とする補正を含むものであり，そのうちの，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１は，以下のとおりである。（下線部は，補正箇所である。）
「【請求項１】
　一面に形成された半導体素子（３０）を有する半導体基板（１２）と，
　前記半導体基板の前記一面上に配置された層間絶縁膜（１４）と，
　前記層間絶縁膜内に配置された配線層（１６）と，
　前記層間絶縁膜に対して前記半導体基板と反対側に配置され，前記層間絶縁膜よりも硬質な硬質膜（１８）と，
　前記硬質膜に対して前記層間絶縁膜と反対側に配置され，前記配線層を介して前記半導体素子と接続された外部接続用の複数のパッド部（２０）と，
　電気的な絶縁性を有し，少なくとも前記パッド部同士の対向領域（Ｓｂ）に配置された表面保護膜（２２）と，を備え，
　前記表面保護膜は，内側膜（２２ａ）と，前記内側膜に対して前記パッド部と反対側に配置された外側膜（２２ｂ）と，を有し，
　前記内側膜は，１層のみで構成され，膜厚が１μｍ以上であり，前記外側膜よりも硬質にされており，
　前記表面保護膜は，前記パッド部におけるグランドに接続される第１パッド部と，誘導負荷に接続される第２パッド部との間に形成されて
おり，
　
前記内側膜は，前記第１パッド部から前記第２パッド部にわたって形成されて
（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の，令和２年２月１４日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５のうちの，特許請求の範囲の請求項２は，以下のとおりである。
「【請求項２】
　一面に形成された半導体素子（３０）を有する半導体基板（１２）と，
　前記半導体基板の前記一面上に配置された層間絶縁膜（１４）と，
　前記層間絶縁膜内に配置された配線層（１６）と，
　前記層間絶縁膜に対して前記半導体基板と反対側に配置され，前記層間絶縁膜よりも硬質な硬質膜（１８）と，
　前記硬質膜に対して前記層間絶縁膜と反対側に配置され，前記配線層を介して前記半導体素子と接続された外部接続用の複数のパッド部（２０）と，
　電気的な絶縁性を有し，少なくとも前記パッド部同士の対向領域（Ｓｂ）に配置された表面保護膜（２２）と，を備え，
　前記表面保護膜は，内側膜（２２ａ）と，前記内側膜に対して前記パッド部と反対側に配置された外側膜（２２ｂ）と，を有し，
　前記内側膜は，１層のみで構成され，膜厚が１μｍ以上であり，前記外側膜よりも硬質にされており，
　前記表面保護膜は，前記パッド部におけるグランドに接続される第１パッド部と，誘導負荷に接続される第２パッド部との間に形成されている半導体装置。」
２　補正の適否
　本件補正は，本件補正前の請求項１を削除して，補正後の請求項１ないし４とするとともに，本件補正前の請求項２に記載された発明を特定するために必要な事項である「内側膜」について，「前記内側膜は，前記第１パッド部から前記第２パッド部にわたって形成されている」と限定する補正事項を含むものであって，補正前の請求項２に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから，特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから，本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について，以下において検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は，上記「１（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載」に記載したとおりのものである。 
（２）引用文献の記載事項及び引用発明
ア　引用文献１
（ア）引用文献１の記載
　原査定の拒絶理由で引用された，本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２０１６−１１５８９２号公報（以下，引用文献１という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
半導体基板と，
　
前記半導体基板上に形成された複数の配線層と，
　
前記複数の配線層の最上層に形成されたパッド電極と，
　
前記パッド電極上に開口を有する保護膜と，
　
前記保護膜上および前記パッド電極上に形成された下地金属膜と，
　
前記下地金属膜上に形成され，上面と側面を有する再配線と，
　
前記再配線の前記側面を覆う絶縁膜からなる側壁バリア膜と，
　
前記再配線の前記上面を覆うキャップ金属膜と，
　
を有し，
　
前記再配線の前記上面および前記側面は，前記キャップ金属膜または前記側壁バリア膜で覆われており，前記キャップ金属膜と前記側壁バリア膜とは重なり部を有する，半導体装置
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，半導体装置およびその製造方法に関し，特に，半導体基板の主面上に形成された複数の配線層の上部に，金属膜で構成された再配線を有する半導体装置およびその製造方法に適用して有効な技術に関するものである。」
「【０００７】
　本願発明者が検討している半導体装置は，高耐圧，高信頼性が要求されるため，ＨＡＳＴ（Highly Accelerated temperature and humidity Stress Test）試験と呼ばれる高温高湿度雰囲気中での動作試験を実施している。本願発明者の検討によれば，ＨＡＳＴ試験において，隣り合う再配線の間で，一方の再配線からＣｕが樹枝状に析出して，隣り合う再配線間の耐圧劣化または短絡が発生し，半導体装置の信頼性が低下していることが判明した。そして，Ｃｕの樹枝状の析出は，表面保護膜と有機保護膜との界面で発生していることも分かった。
【０００８】
　本願発明者の分析によれば，Ｃｕからなる再配線を覆う有機保護膜は，ポリイミド膜からなり，水分やハロゲンイオンを含んでいるため，再配線を構成するＣｕの表面が酸化され，その結果，Ｃｕイオン（イオン化したＣｕ）が発生する。また，半導体チップを封止するエポキシ樹脂にも水分やハロゲンイオンが含まれている。上記半導体装置では，隣り合う再配線の最小間隔（１５μｍ）は大きいものの，高電圧が印加され，隣り合う再配線間に高電界がかかる領域が存在し，この領域でＣｕの樹枝状の析出が発生していることが分かった。つまり，Ｃｕイオンが高電界の影響で，表面保護膜と有機保護膜との界面を移動（拡散）することで隣り合う再配線間の耐圧劣化または短絡が発生し，半導体装置の信頼性が低下していると考えている。」
「【００３０】
　図３は，隣り合う２つの信号入出力用の再配線ＲＭの拡大平面図を示している。隣り合う２つの再配線ＲＭは，互いに等しい平面形状を有するので，紙面上部に位置する再配線ＲＭを例に説明する。再配線ＲＭは，紙面のＸ方向に延在しており，その一端で，紙面のＸ方向に延在する配線９のパッド電極９ａに電気的に接続されている。再配線ＲＭの他端には，外部パッド電極１８が形成されている。再配線ＲＭは，第１平面パターンＰ１を有し，キャップ金属膜ＣＭは第２平面パターンＰ２を有している。第１平面パターンＰ１と第２平面パターンＰ２とは相似形であり，第２平面パターンＰ２は，第１平面パターンＰ１を拡大した形状を有する。再配線ＲＭの全周囲には，キャップ金属膜ＣＭで構成された張り出し部ＰＰが配置されている。つまり，第１平面パターンＰ１を張り出し部ＰＰの幅だけ拡大すると第２平面パターンＰ２となる。また，再配線ＲＭの全周囲にわたって，再配線の外側に側壁バリア膜１１ａが配置されている。側壁バリア膜１１ａは，再配線ＲＭの側面に接触している。側壁バリア膜１１ａの幅は，張り出し部ＰＰの幅よりも小である。
【００３１】
　また，再配線ＲＭの最小配線幅Ｌは，例えば１２μｍであり，隣り合う再配線ＲＭの最小配線間隔Ｓ１は１５μｍ，隣り合う張り出し部ＰＰ間の最小間隔Ｓ２は１０μｍ，張り出し部ＰＰの張り出し量は２．５μｍ，である。
【００３２】
　図４に示すように，例えば
ｐ型の単結晶シリコンからなる半導体基板１Ｐにはｐ型ウエル
２Ｐ，ｎ型ウエル
２Ｎ
が形成されており
【００３３】
　上記
ｐ型ウエル２Ｐ内には，半導体素子であるｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）が形成されている。
ｎ型ウエル２Ｎ内には，半導体素子であるｐチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｐ）が形成されており
【００３４】
　上記ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）およびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｐ）の上部には，半導体素子間を接続する金属膜からなる配線が形成されている。半導体素子間を接続する配線は，一般に３層〜１０層程度の多層配線構造を有しているが，図４には，多層配線の一例として，Ａｌ合金を主体とする金属膜で構成された３層の配線層（第１層Ａｌ配線５，第２層Ａｌ配線７，第３層Ａｌ配線９）が示されている。配線層とは，各配線層で形成された複数の配線を纏めて表す場合に使用する。配線層の膜厚は，第２層の配線層は第１層の配線層より厚く，第３層の配線層は第２層の配線層よりも厚い。
【００３５】
　ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）およびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｐ）と第１層Ａｌ配線５との間，第１層Ａｌ配線５と第２層Ａｌ配線７との間，および第２層Ａｌ配線７と第３層Ａｌ配線９との間には，それぞれ
酸化シリコン膜などからなる層間絶縁膜４，６，８
【００３６】
　上記
層間絶縁膜４は，例えば半導体素子を覆うように，半導体基板上１Ｐ上に形成され，第１層Ａｌ配線５はこの層間絶縁膜４上に形成され
第１層Ａｌ配線５は，例えば層間絶縁膜４に形成されたプラグｐ１を介して半導体素子であるｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）のソース領域ｎｓ，ドレイン領域ｎｄ，ゲート電極ｎｇに電気的に接続され
【００３７】
　
第２層Ａｌ配線７は，例えば層間絶縁膜６に形成されたプラグｐ２を介して第１層Ａｌ配線５に電気的に接続され
第３層Ａｌ配線９は，例えば層間絶縁膜８に形成されたプラグｐ３を介して第２層Ａｌ配線７に電気的に接続され
【００３８】
　なお，多層配線（３層配線）を化学的機械研磨法(ＣＭＰ法)によりＣｕを主体とする金属膜で形成する場合は，配線とプラグとを一体に形成するデュアルダマシン法で形成してよいことは勿論である。また，層間絶縁膜４，６，８は，酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）からなるが，炭素を含む酸化シリコン膜（ＳｉＯＣ膜），窒素と炭素を含む酸化シリコン膜（ＳｉＣＯＮ膜），フッ素を含む酸化シリコン膜（ＳｉＯＦ膜）の単層膜または積層膜で構成してよいことは勿論である。
【００３９】
　
多層配線の最上層の配線層である上記第３層Ａｌ配線９の上部には，ファイナルパッシベーション膜として
表面保護膜（保護膜，絶縁膜）１０が形成され
望ましくは，酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜を積層した２層構造
この表面保護膜１０に形成されたパッド開口（開口）１０ａの底部に露出した最上層の配線層である第３層Ａｌ配線９は，Ａｌパッドであるパッド電極（電極パッド，第１電極パッド）９ａを構成して
【００４０】
　上記第３層Ａｌ配線９は，パッド電極９ａに限らず，例えばパッド電極９ａに一体に形成される配線，パッド電極９ａに接続されない配線などを構成する。パッド電極９ａに接続されない配線は，半導体素子間あるいは回路間を電気的に接続し，半導体集積回路を構成する配線として使用される。
【００４１】
　
再配線ＲＭは，パッド開口１０ａを完全に埋めるように，パッド開口１０ａの内部に形成され，さらに，表面保護膜１０の上に延在して
【００４２】
　パッド電極９ａと再配線ＲＭとの間には，下地金属膜ＵＭが介在している。下地金属膜ＵＭは，パッド電極９ａに接触して電気的に接続されており，表面保護膜１０のパッド開口１０ａにおいて，パッド電極９ａ上および表面保護膜１０の側面（側壁）に沿って形成され，さらに，表面保護膜１０の上面に延在している。下地金属膜ＵＭは，上面，下面および側面を有し，上面は再配線ＲＭと，下面はパッド電極９ａおよび表面保護膜１０と，側面は後述する側壁バリア膜１１ａと接している。後述するが，下地金属膜ＵＭは，３層構造の下地バリア膜で構成されており，パッド電極９ａの側から第１下地バリア膜ＵＭ１，第２下地バリア膜ＵＭ２および第３下地バリア膜ＵＭ３からなる。したがって，下地金属膜ＵＭの上面とは，第３下地バリア膜ＵＭ３の上面を意味し，下面とは第１下地バリア膜ＵＭ１の下面を意味する。下地金属膜ＵＭは，再配線ＲＭを構成する銅（Ｃｕ）が，表面保護膜１０等に拡散するのを防止する拡散バリア機能，および，再配線ＲＭに外部から水分等が侵入するのを防止する吸湿バリア機能を有する。下地金属膜ＵＭは，チタン（Ｔｉ）膜，窒化チタン（ＴｉＮ）膜，タンタル（Ｔａ）膜，窒化タンタル（ＴａＮ）膜，タングステン（Ｗ）膜，窒化タングステン（ＷＮ）膜，または，クロム（Ｃｒ）膜等で構成し，下地金属膜ＵＭの総膜厚は，５０ｎｍ〜３００ｎｍとするのが良い。ここでは，第１下地バリア膜ＵＭ１，第２下地バリア膜ＵＭ２および第３下地バリア膜ＵＭ３は，例えば，順に，チタン（Ｔｉ）膜，窒化チタン（ＴｉＮ）膜およびチタン（Ｔｉ）膜で構成し，それらの膜厚は，順に，１０ｎｍ，５０ｎｍおよび１０ｎｍとする。この膜厚は，表面保護膜１０の上面上における膜厚である。下地金属膜ＵＭは，単層で構成しても良い。
【００４３】
　また，再配線ＲＭは，上面，下面および側面を有しており，再配線ＲＭの下面は下地金属膜ＵＭの上面と接している。再配線ＲＭは，銅（Ｃｕ）を主成分とする銅膜であるが，Ａｌ等の添加物を含んでも良い。再配線ＲＭは，シード膜ＲＭ１とメッキ膜ＲＭ２との積層構造で構成されている。したがって，再配線ＲＭの下面とは，シード膜ＲＭ１の下面を意味し，上面とはメッキ膜ＲＭ２の上面を意味する。また，再配線ＲＭの側面（側壁）とは，シード膜ＲＭ１とメッキ膜ＲＭ２の積層構造の側面（側壁）を意味する。シード膜ＲＭ１の膜厚は５０ｎｍ〜３００ｎｍとし，メッキ膜ＲＭ２の膜厚は，５μｍ〜２０μｍである。ちなみに，第３層Ａｌ配線９の膜厚は，４００ｎｍ〜６００ｎｍであるので，再配線ＲＭは，第３層Ａｌ配線９，言い換えると，パッド電極９ａが形成された配線９の１０倍以上の膜厚を有する低抵抗の配線である。つまり，再配線ＲＭの膜厚は，パッド電極９ａが形成された配線９の膜厚よりも厚く，望ましくは，再配線ＲＭの膜厚はパッド電極９ａが形成された配線９の膜厚の１０倍以上である。再配線ＲＭは，断面視において，上面の幅が下面の幅よりも広い逆台形形状となっている。したがって，再配線ＲＭの側面は，再配線ＲＭの幅が上面から下面に向かって狭くなるテーパー形状をしており，これを逆テーパーと呼ぶ。逆に，再配線ＲＭの断面形状が台形形状である場合，つまり，再配線ＲＭの側面が，再配線ＲＭの幅が上面から下面に向かって広くなるテーパー形状を有する場合を，順テーパーと呼ぶ。
【００４４】
　再配線ＲＭの側面を覆うように側壁バリア膜１１ａが形成されている。側壁バリア膜１１ａは，再配線ＲＭの側面に沿って，再配線ＲＭの上面から下面に連続的に形成されており，再配線ＲＭの全周にわたって再配線ＲＭの側面を覆っている。側壁バリア膜１１ａは，再配線ＲＭの側面に接している。
【００４５】
　側壁バリア膜１１ａは，再配線ＲＭの逆テーパーを改善する効果（逆テーパー改善機能）がある。つまり，再配線ＲＭと側壁バリア膜１１ａの一体構造の側面は順テーパーになっているので，側壁バリア膜１１ａ上に形成する膜の被覆性が向上し，破れ（亀裂，不連続部分）の発生が低減できる。ただ，必ずしも，一体構造の側面を順テーパーにする必要はなく，再配線ＲＭの逆テーパーが順テーパー側に緩和されることが肝要である。側壁バリア膜１１ａは，断面視において略三角形形状を有し，再配線ＲＭの上面から下面に向かって，側壁バリア膜１１ａの幅が徐々に広がっている。側壁バリア膜１１ａの上端は，再配線ＲＭの上面と一致しているのが理想的であるが，上面よりも低くても良い。
【００４６】
　また，側壁バリア膜１１ａは，再配線ＲＭへの水分等の侵入を防止する吸湿バリア機能と，再配線ＲＭを構成する銅（Ｃｕ）の外部への移動（拡散）を防止する拡散バリア機能を持っても良い。側壁バリア膜１１ａには，
ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で形成した酸化シリコン膜または窒化シリコン膜を用いることができ，その膜厚（幅）は，０．１μｍ〜３μｍとするのが良
【００４７】
　例えば，側壁バリア膜１１ａの下端（下面）は，下地金属膜ＵＭの側面に接して，再配線ＲＭと下地金属膜ＵＭを覆っているので，窒化シリコン膜からなる側壁バリア膜１１ａの場合，側壁バリア膜１１ａと下地金属膜ＵＭとで，拡散バリア機能および吸湿バリア機能をより向上できる。さらに，側壁バリア膜１１ａは，表面保護膜１０に接しているので，側壁バリア膜１１ａと表面保護膜１０を，それぞれ窒化シリコン膜で構成した場合，側壁バリア膜１１ａと表面保護膜１０の接触部では，強固な密着性が得られ，拡散バリア機能および吸湿バリア機能をより向上できる。
【００４８】
　再配線ＲＭの上面および側壁バリア膜１１ａに接して，再配線ＲＭを覆うようにキャップ金属膜ＣＭが形成されている。キャップ金属膜ＣＭは，再配線ＲＭの上面の全体および側面の全体を覆っている。キャップ金属膜ＣＭは，再配線ＲＭを構成するシード膜ＲＭ１の側面（側壁）およびメッキ膜ＲＭ２の側面（側壁）を完全に覆っている。キャップ金属膜ＣＭは，上面と下面を有し，下面は再配線ＲＭの上面および側壁バリア膜１１ａと接しており，再配線ＲＭの外側の領域（再配線ＲＭが形成されていない領域）において，表面保護膜１０と接している。平面視において，キャップ金属膜ＣＭは，再配線ＲＭの側面（厳密には，再配線ＲＭの側面の下端部分）から再配線ＲＭの外側の領域（再配線ＲＭが形成されていない領域）に張り出し部ＰＰを有しており，張り出し部ＰＰにおいて，表面保護膜１０の上面とキャップ金属膜ＣＭの下面とは接している。つまり，平面視において，張り出し部ＰＰの先端であるキャップ金属膜ＣＭの端部は，再配線ＲＭの側面（側壁）上に形成されたキャップ金属膜ＣＭよりも再配線ＲＭの外側に位置している。また，張り出し部ＰＰは，平面視における再配線ＲＭの全周にわたって形成されている。
【００４９】
　後述するが，キャップ金属膜ＣＭは，第１キャップバリア膜ＣＭ１および第２キャップバリア膜ＣＭ２の積層構造からなり，第１キャップバリア膜ＣＭ１の下面が再配線ＲＭの上面および側壁バリア膜１１ａと接している。第１キャップバリア膜ＣＭ１は，再配線ＲＭへの水分等の侵入を防止する吸湿バリア機能または再配線ＲＭを構成する銅（Ｃｕ）の外部への移動（拡散）を防止する拡散バリア機能を有するバリア膜であり，第２キャップバリア膜ＣＭ２は，後述する，ワイヤ２７との接着性を向上させるための密着膜である。第１キャップバリア膜ＣＭ１としては，スパッタ法で形成されるチタン（Ｔｉ）膜，タンタル（Ｔａ）膜，タングステン（Ｗ）膜，ニッケル（Ｎｉ）膜，または，これらの内のいずれかの窒化膜が適している。また，第２キャップバリア膜ＣＭ２としては，スパッタ法で形成されるパラジウム（Ｐｄ）膜，金（Ａｕ）膜，白金（Ｐｔ）膜，ルテニウム（Ｒｕ）膜，イリジウム（Ｉｒ）膜，または，ロジウム（Ｒｈ）膜が適している。
【００５０】
　本実施の形態１では，第１キャップバリア膜ＣＭ１は，スパッタ法で形成したチタン（Ｔｉ）膜からなり，その膜厚は５０ｎｍであり，第２キャップバリア膜ＣＭ２は，スパッタ法で形成したパラジウム（Ｐｄ）膜からなり，それらの膜厚は，１７５ｎｍである。この膜厚は，再配線ＲＭの上面上における膜厚である。
【００５１】
　また，再配線ＲＭの側面に側壁バリア膜１１ａを設けているので，スパッタ法で形成した第１キャップバリア膜ＣＭ１および第２キャップバリア膜ＣＭ２は，再配線ＲＭの上面から側面に沿って表面保護膜１０上に至るまで，連続的に，破れ（亀裂，不連続部分）なしに形成されている。仮に，側壁バリア膜１１ａが無かったとすると，再配線ＲＭの厚さ方向において，言い換えると，再配線ＲＭの側面において，スパッタ法で形成した第１キャップバリア膜ＣＭ１および第２キャップバリア膜ＣＭ２に破れが発生する可能性がある。つまり，例えば，ＣＶＤ法で形成した膜に比べ，スパッタ法で形成した膜の被覆性が低いこと，再配線ＲＭの膜厚が非常に厚いこと，さらに，再配線ＲＭの側面が逆テーパーとなっていることに起因して，第１キャップバリア膜ＣＭ１および第２キャップバリア膜ＣＭ２に破れが発生する可能性が高くなる。本実施の形態１では，再配線ＲＭの側面に側壁バリア膜１１ａを設けているので，スパッタ法で形成した第１キャップバリア膜ＣＭ１および第２キャップバリア膜ＣＭ２の破れを防止することができる。
【００５２】
　このように，再配線ＲＭの上面および側壁バリア膜１１ａを完全に覆うように，キャップ金属膜ＣＭ（具体的には，第１キャップバリア膜）を設けたことで，破れの無い，水分または銅（Ｃｕ）に対するバリア機能を有するキャップ金属膜ＣＭで再配線ＲＭの上面および側面を完全に被覆している。したがって，再配線ＲＭの外部から水分，ハロゲンイオン等が再配線ＲＭ中に侵入するのを防止できる。また，再配線ＲＭを構成する銅（Ｃｕ）がイオン化して再配線ＲＭの外部に移動（拡散）するのを防止することができる。このように，再配線ＲＭの上面および側面を，バリア機能を有するキャップ金属膜ＣＭで完全に覆う構造とした場合には，側壁バリア膜１１ａは，逆テーパー改善機能があれば良いので，窒化シリコン膜だけでなく，酸化シリコン膜も用いることができる。また，側壁バリア膜１１ａとして，窒化シリコン膜を用いた場合，キャップ金属膜ＣＭは，再配線ＲＭの上面を完全に覆い，かつ，再配線ＲＭの上面から連続的に側壁バリア膜１１ａ上に延在して，部分的に側壁バリア膜１１ａと重なっている（重なり部分を有する）ことが肝要である。言い換えると，再配線ＲＭの上面側に位置する側壁バリア膜１１ａの端部を，キャップ金属膜ＣＭが覆っていれば良い。さらに，言い換えると，再配線ＲＭの上面を完全に覆うキャップ金属膜ＣＭは，表面保護膜１０の上面まで連続的に達している必要はなく，再配線ＲＭと側壁バリア膜１１ａとが接触している界面を覆っていれば十分である。
【００５３】
　また，前述したように，側壁バリア膜１１ａの上端が，再配線ＲＭの上面よりも低い場合には，再配線ＲＭの側面の一部が側壁バリア膜１１ａから露出した構造となるので，再配線ＲＭの上面を覆うキャップ金属膜ＣＭを，再配線ＲＭの側壁まで連続的に延在させて，側壁バリア膜１１ａから露出した再配線ＲＭの側面を覆い，さらに，側壁バリア膜１１ａと重なる構造とすることが肝要である。ここで，側壁バリア膜１１ａが酸化シリコン膜で形成されている場合は，キャップ金属膜ＣＭは，再配線ＲＭの上面から表面保護膜１０の上面まで達している必要がある。側壁バリア膜１１ａが窒化シリコン膜で形成されている場合は，上記のように，キャップ金属膜ＣＭが側壁バリア膜１１ａに重なる構造であれば良い。
【００５４】
　
再配線ＲＭの上面および側面を覆うように保護膜１２が形成されている
保護膜１２は，再配線ＲＭの上面（正確には，キャップ金属膜ＣＭの上面，第２キャップバリア膜ＣＭ２の上面）を部分的に露出する開口１２ａを有しており，再配線ＲＭの露出部分が外部パッド電極１８となって
保護膜１２は，有機膜，例えば，ポリイミド系樹脂やベンゾシクロブテン系樹脂，アクリル系樹脂，エポキシ系樹脂，または，シリコン系樹脂等で形成され
【００５５】
　
外部パッド電極１８には，例えば，銅（Ｃｕ）からなるワイヤ２７が接続（ワイヤボンディング，ボンディング接続）されている。
「【００７０】
　次に，側壁バリア膜１１ａを形成するために，再配線ＲＭの上面および側面ならびに下地金属膜ＵＭの側面を覆うようにＣＶＤ法（例えば，プラズマＣＶＤ法）を用いて無機絶縁膜１１を形成する。無機絶縁膜１１としては，酸化シリコン膜または窒化シリコン膜を用いることができるが，ここでは，膜厚が０．１μｍ〜３μｍの窒化シリコン膜を用いる。ＣＶＤ法で形成した膜は，スパッタ法で形成した膜に比べ被覆性に優れているので，再配線ＲＭの側面上に形成した無機絶縁膜１１により，再配線ＲＭの側面の凹凸を埋めることができ，再配線ＲＭの側面上に形成した無機絶縁膜１１の表面は平滑となっている。
【００７１】
　図１０は，図５に示すプロセスフロー図の「側壁バリア膜形成」工程（Ｓ５）および「キャップ金属膜ＣＭ形成」工程（Ｓ６）に対応している。
【００７２】
　再配線ＲＭの上面および側面を覆うように形成された無機絶縁膜１１に対して異方性ドライエッチングを施し，再配線ＲＭの側面上に側壁バリア膜１１ａを選択的に形成する。つまり，再配線ＲＭの上面上の無機絶縁膜１１は完全に除去され，表面保護膜１０上に形成されている無機絶縁膜１１は，再配線ＲＭの側面を除いて除去される。」
「【００９１】
　（実施の形態２）
　実施の形態２は，実施の形態１の側壁バリア膜１１ａの構造および製法に関する変形例である。実施の形態１と異なる部分に異なる符号を付して説明をする。同様の符号を付した部分は実施の形態１と同様である。実施の形態１と区別するために，本実施の形態２では，半導体チップ１Ｂとした。
【００９２】
　図１３は，本実施の形態２の半導体装置の断面図である。図１３は，図３のＡ−Ａ線に沿う断面に相当している。本実施の形態２の半導体装置では，
再配線ＲＭの上面および側面が側壁バリア膜１１ｂで覆われて
側壁バリア膜１１ｂは，再配線ＲＭの上面および側面に接触して，上面および側面を覆っており，さらに，表面保護膜１０の上面にも連続的に形成されて
【００９３】
　本実施の形態２では，
側壁バリア膜１１ｂは，拡散バリア機能および吸湿バリア機能を有する窒化シリコン膜で形成することが肝要である
【００９４】
　図１４は，本実施の形態２の半導体装置の製造工程中の断面図である。実施の形態１の図５に示す工程（Ｓ１〜Ｓ４）を実施した後，実施の形態１と同様に，
再配線ＲＭの上面および側面を覆うように無機絶縁膜１１をＣＶＤ法で形成する。次に，レジストマスクＰＲ３を用いて，無機絶縁膜１１にエッチングを施すことにより，開口１３を有する側壁バリア膜１１ｂを形成する
【００９５】
　本実施の形態２では，実施の形態１とは異なり，側壁バリア膜１１ｂを形成する際に，異方性ドライエッチングを用いないという特徴が有る。
【００９６】
　また，キャップ金属膜ＣＭｂは，側壁バリア膜１１ｂに形成された開口１３の全体を覆い，側壁バリア膜１１ｂ上に延在して，側壁バリア膜１１ｂと重なっていることが肝要である。キャップ金属膜ＣＭｂは，再配線ＲＭの上面上に位置する，側壁バリア膜１１ｂの端部を覆っていれば十分であり，キャップ金属膜ＣＭｂは，再配線ＲＭの側面まで延在している必要はない。
【００９７】
　下地金属膜ＵＭ上に形成された再配線ＲＭの上面および側面は，拡散バリア機能または吸湿バリア機能を有する側壁バリア膜１１ｂまたはキャップ金属膜ＣＭで覆われている。そして，側壁バリア膜１１ｂの開口１３は，キャップ金属膜ＣＭｂで覆われ，キャップ金属膜ＣＭｂは，側壁バリア膜１１ｂ上に延在して，側壁バリア膜１１ｂと重なっている。上記構成により，再配線ＲＭに対する外部からの水分等の侵入または再配線ＲＭを構成する銅膜がイオン化して外部に移動（拡散）するのを防止することができ，再配線を有する半導体装置の信頼性を向上できる。」
「【図３】
」
「【図４】
」
　図４から，ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）及びｐチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｐ）は半導体基板１Ｐの上面側に形成されていることが見てとれる。
「【図１３】
」
　図１３から，再配線ＲＭは複数形成され，複数の再配線ＲＭの間には側壁バリア膜１１ｂが複数の再配線ＲＭにわたって形成され，２つの再配線ＲＭの間に形成された側壁バリア膜１１ｂ上には保護膜１２が形成されていることが見てとれる。
（イ）引用発明
ａ　上記（ア）の【００９１】の記載から，実施の形態２の半導体装置は，実施の形態１の説明内容が適用されるものと認められ，例えば，実施の形態２の半導体装置も，実施の形態１の半導体装置と同様に，半導体基板１Ｐ，層間絶縁膜４，６，８，３層の配線層，表面保護膜１０等を備えるものであり，実施の形態２の側壁バリア膜１１ｂは，実施の形態１の側壁バリア膜１１ａと同様に，「その膜厚（幅）は，０．１μｍ〜３μｍ」であると認められる。
ｂ　したがって，上記（ア）から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体基板１Ｐと，
　前記半導体基板１Ｐ上に形成された複数の配線層と，
　前記複数の配線層の最上層に形成されたパッド電極９ａと，
　前記パッド電極９ａ上に開口を有する表面保護膜１０と，
　前記表面保護膜上および前記パッド電極９ａ上に形成された下地金属膜ＵＭと，
　前記下地金属膜ＵＭ上に形成され，上面と側面を有する再配線ＲＭと，
　前記再配線ＲＭの前記側面を覆う絶縁膜からなる側壁バリア膜１１ｂと，
　前記再配線ＲＭの前記上面を覆うキャップ金属膜ＣＭと，
　を有し，
　前記再配線ＲＭの前記上面および前記側面は，前記キャップ金属膜ＣＭまたは前記側壁バリア膜１１ｂで覆われており，前記キャップ金属膜ＣＭと前記側壁バリア膜１１ｂとは重なり部を有する，半導体装置であって，
　ｐ型の単結晶シリコンからなる半導体基板１Ｐにはｐ型ウエル２Ｐ，ｎ型ウエル２Ｎが形成されており，
　ｐ型ウエル２Ｐ内には，半導体素子であるｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）が形成されており，ｎ型ウエル２Ｎ内には，半導体素子であるｐチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｐ）が形成されており，
　ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）及びｐチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｐ）は半導体基板１Ｐの上面側に形成され，
　酸化シリコン膜などからなる層間絶縁膜４，６，８を有し，
　層間絶縁膜４は，例えば半導体素子を覆うように，半導体基板上１Ｐ上に形成され，第１層Ａｌ配線５はこの層間絶縁膜４上に形成され，
　第１層Ａｌ配線５は，例えば層間絶縁膜４に形成されたプラグｐ１を介して半導体素子であるｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）のソース領域ｎｓ，ドレイン領域ｎｄ，ゲート電極ｎｇに電気的に接続され，
　第２層Ａｌ配線７は，例えば層間絶縁膜６に形成されたプラグｐ２を介して第１層Ａｌ配線５に電気的に接続され，
　第３層Ａｌ配線９は，例えば層間絶縁膜８に形成されたプラグｐ３を介して第２層Ａｌ配線７に電気的に接続され，
　多層配線の最上層の配線層である上記第３層Ａｌ配線９の上部には，ファイナルパッシベーション膜として表面保護膜（保護膜，絶縁膜）１０が形成され，望ましくは，酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜を積層した２層構造であり，
　この表面保護膜１０に形成されたパッド開口（開口）１０ａの底部に露出した最上層の配線層である第３層Ａｌ配線９は，Ａｌパッドであるパッド電極（電極パッド，第１電極パッド）９ａを構成しており，
　再配線ＲＭは，パッド開口１０ａを完全に埋めるように，パッド開口１０ａの内部に形成され，さらに，表面保護膜１０の上に延在しており，
　再配線ＲＭの上面および側面が側壁バリア膜１１ｂで覆われており，側壁バリア膜１１ｂは，再配線ＲＭの上面および側面に接触して，上面および側面を覆っており，さらに，表面保護膜１０の上面にも連続的に形成されており，
　側壁バリア膜１１ｂはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で形成した窒化シリコン膜であり，その膜厚（幅）は，０．１μｍ〜３μｍとするのが良く，
　再配線ＲＭの上面および側面を覆うように保護膜１２が形成されており，保護膜１２は，再配線ＲＭの上面（正確には，キャップ金属膜ＣＭの上面，第２キャップバリア膜ＣＭ２の上面）を部分的に露出する開口１２ａを有しており，再配線ＲＭの露出部分が外部パッド電極１８となっており，保護膜１２は，有機膜，例えば，ポリイミド系樹脂やベンゾシクロブテン系樹脂，アクリル系樹脂，エポキシ系樹脂，または，シリコン系樹脂等で形成され，
外部パッド電極１８には，例えば，銅（Ｃｕ）からなるワイヤ２７が接続（ワイヤボンディング，ボンディング接続）されており，
　再配線ＲＭは複数形成され，複数の再配線ＲＭの間には側壁バリア膜１１ｂが複数の再配線ＲＭにわたって形成され，２つの再配線ＲＭの間に形成された側壁バリア膜１１ｂ上には保護膜１２が形成されている，
　半導体装置。」
イ　引用文献２
（ア）原査定において周知技術を示す文献として引用され，本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００８−１４７７８６号公報（以下「引用文献２」という。）には，次の記載がある。
「【背景技術】
【０００２】
　負荷に接続されたトランジスタのオン・オフを切替えることによって，負荷に電力を供給する状態と電力を供給しない状態を切替えるスイッチング回路が知られている。例えば，インバータ回路は，トランジスタのオン・オフを切替えることによって直流電力を交流電力に変換し，その交流電力をモータに供給する。この種のスイッチング回路におけるトランジスタのオン・オフは，そのトランジスタのゲート電極（又はベース電極）に接続している駆動回路で制御される。」
「【００３２】
　図１は，本発明の一例で，絶縁ゲートトランジスタの駆動回路Ｋ１に関する回路図である。
【００３３】
　図１中に破線で囲った駆動回路Ｋ１は，絶縁ゲートトランジスタ２０を駆動するための回路である。絶縁ゲートトランジスタ２０は，図１においてエンハンスメント型ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下，ＥＮＭＯＳと略記）の回路記号で代表されているが，例えば別の種類のＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）であってもよいし，ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）であってもよい。絶縁ゲートトランジスタ２０がＭＯＳＦＥＴである場合には，電源Ｖｄｄ側の出力電極がドレイン電極となる。絶縁ゲートトランジスタ２０がＩＧＢＴである場合には，電源Ｖｄｄ側の出力電極がコレクタ電極となる。尚，図１の
絶縁ゲートトランジスタ２０には，抵抗負荷Ｒ３と誘導負荷Ｌ１が直列に接続されている。」
「【図１】
」
（イ）上記記載から，引用文献２には，次の技術が記載されていると認められる。
　絶縁ゲートトランジスタ２０には，抵抗負荷Ｒ３と誘導負荷Ｌ１が直列に接続されており，他方の電極はグランドに接続されている。
（３）引用発明との対比
ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）本件補正発明の「一面に形成された半導体素子（３０）を有する半導体基板（１２）」と引用発明の「半導体基板１Ｐ」とを対比する。
　引用発明の「ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）」，「半導体基板１Ｐ」は本件補正発明の「半導体素子（３０）」，「半導体基板（１２）」に相当する。
　また，引用発明の「ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）」が「半導体基板１Ｐの上面側に形成され」ている点は，本件補正発明の「半導体素子（３０）」が「半導体基板（１２）」の「一面に形成され」ている点に相当するから，本件補正発明と引用発明は「一面に形成された半導体素子（３０）を有する半導体基板（１２）」を有する点で一致する。
（イ）引用発明の「層間絶縁膜４，６，８」は，「半導体基板上１Ｐ上に」順次積層されるように「形成され」たものであるから，本件補正発明の「前記半導体基板の前記一面上に配置された層間絶縁膜（１４）」に相当する。
（ウ）引用発明の「第１層Ａｌ配線５」及び「第２層Ａｌ配線７」は，「層間絶縁膜４，６，８」内に形成されたものであるから，本件補正発明の「前記層間絶縁膜内に配置された配線層（１６）」に相当する。
（エ）本件補正発明の「前記層間絶縁膜に対して前記半導体基板と反対側に配置され，前記層間絶縁膜よりも硬質な硬質膜（１８）」と引用発明の「表面保護膜１０」とを対比する。
　引用発明の「表面保護膜１０」は本件補正発明の「硬質膜（１８）」に相当する。
　また，引用発明の「表面保護膜１０」は「層間絶縁膜４，６，８」上に形成された「第３層Ａｌ配線９の上部に」配置されるものであるから，本件補正発明の「硬質膜（１８）」が「前記層間絶縁膜に対して前記半導体基板と反対側に配置され」ている点に相当する。
　さらに，引用発明において，「層間絶縁膜４，６，８」は「酸化シリコン膜」により形成され，「表面保護膜１０」は「酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜を積層した２層構造」であり，一般的に「窒化シリコン膜」は「酸化シリコン膜」よりも硬度が高いことから，「窒化シリコン膜」を含む「表面保護膜１０」は「酸化シリコン膜」により形成された「層間絶縁膜４，６，８」よりも硬度が高いといえる。
　したがって，本件補正発明と引用発明は「前記層間絶縁膜に対して前記半導体基板と反対側に配置され，前記層間絶縁膜よりも硬質な硬質膜（１８）」を有する点で一致する。
（オ）本件補正発明の「前記硬質膜に対して前記層間絶縁膜と反対側に配置され，前記配線層を介して前記半導体素子と接続された外部接続用の複数のパッド部（２０）」と引用発明の「再配線ＲＭ」とを対比する。
　引用発明の「再配線ＲＭ」は，複数形成されるから，本件補正発明の「複数のパッド部（２０）」に相当する。
　引用発明の「再配線ＲＭ」が，「表面保護膜１０に形成されたパッド開口（開口）１０ａ」を「完全に埋めるように，パッド開口１０ａの内部に形成され，さらに，表面保護膜１０の上に延在して」形成される点は，本件補正発明の「複数のパッド部（２０）」が「前記硬質膜に対して前記層間絶縁膜と反対側に配置され」る点に相当する。
　引用発明において「第１層Ａｌ配線５は，例えば層間絶縁膜４に形成されたプラグｐ１を介して半導体素子であるｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）のソース領域ｎｓ，ドレイン領域ｎｄ，ゲート電極ｎｇに電気的に接続され，第２層Ａｌ配線７は，例えば層間絶縁膜６に形成されたプラグｐ２を介して第１層Ａｌ配線５に電気的に接続され，第３層Ａｌ配線９は，例えば層間絶縁膜８に形成されたプラグｐ３を介して第２層Ａｌ配線７に電気的に接続され，」「表面保護膜１０に形成されたパッド開口（開口）１０ａの底部に露出した最上層の配線層である第３層Ａｌ配線９は，Ａｌパッドであるパッド電極（電極パッド，第１電極パッド）９ａを構成しており，再配線ＲＭは，パッド開口１０ａを完全に埋めるように，パッド開口１０ａの内部に形成され」ていることから，「再配線ＲＭ」は「第１層Ａｌ配線５」及び「第２層Ａｌ配線７」を介して「ｎチャネル型ＭＩＳトランジスタ（Ｑｎ）」と接続されていると認められるから，本件補正発明と引用発明は「複数のパッド部（２０）」が「前記配線層を介して前記半導体素子と接続され」ている点で共通する。
　また，引用発明において「再配線ＲＭの露出部分が外部パッド電極１８となっており，」「外部パッド電極１８には，例えば，銅（Ｃｕ）からなるワイヤ２７が接続（ワイヤボンディング，ボンディング接続）されて」いることから，「再配線ＲＭ」は外部接続されるものであると認められるから，本件補正発明と引用発明は「外部接続用の複数のパッド部（２０）」である点で共通する。
（カ）本件補正発明の「電気的な絶縁性を有し，少なくとも前記パッド部同士の対向領域（Ｓｂ）に配置された表面保護膜（２２）と，を備え，前記表面保護膜は，内側膜（２２ａ）と，前記内側膜に対して前記パッド部と反対側に配置された外側膜（２２ｂ）と，を有し，前記内側膜は，１層のみで構成され，膜厚が１μｍ以上であり，前記外側膜よりも硬質にされており，前記表面保護膜は，前記パッド部におけるグランドに接続される第１パッド部と，誘導負荷に接続される第２パッド部との間に形成されており，前記内側膜は，前記第１パッド部から前記第２パッド部にわたって形成されている」点と引用発明の「側壁バリア膜１１ｂ」及び「保護膜１２」を含む構成とを対比する。
ａ　引用発明の「側壁バリア膜１１ｂ」，「保護膜１２」は，それぞれ本件補正発明の「内側膜（２２ａ）」，「外側膜（２２ｂ）」に相当し，引用発明の「側壁バリア膜１１ｂ」と「保護膜１２」を合わせたものは，本件補正発明の「表面保護膜（２２）」に相当する。
ｂ　引用発明において，「側壁バリア膜１１ｂ」は「窒化シリコン膜」からなり，「保護膜１２」は「有機膜，例えば，ポリイミド系樹脂やベンゾシクロブテン系樹脂，アクリル系樹脂，エポキシ系樹脂，または，シリコン系樹脂等で形成され」ることから，「側壁バリア膜１１ｂ」及び「保護膜１２」はともに絶縁性を有し，「側壁バリア膜１１ｂ」は１層のみで構成され，「側壁バリア膜１１ｂ」は「保護膜１２」よりも硬質であることは明らかである。
　したがって，本件補正発明と引用発明は「表面保護膜（２２）」が「電気的な絶縁性を有し」，「前記内側膜は，１層のみで構成され，」「前記外側膜よりも硬質にされて」いる点で一致する。
ｃ　引用発明の「２つの再配線ＲＭの間」は本件補正発明の「前記パッド部同士の対向領域（Ｓｂ）」に相当する。そして，引用発明において「２つの再配線ＲＭの間に形成された側壁バリア膜１１ｂ上には保護膜１２が形成されている」点は，本件補正発明の「少なくとも前記パッド部同士の対向領域（Ｓｂ）に配置された表面保護膜（２２）」を有する点で一致する。
ｄ　引用発明において，「側壁バリア膜１１ｂ」が「再配線ＲＭ」上に形成され，「保護膜１２」が「側壁バリア膜１１ｂ」上に形成される点は，本件補正発明の「前記表面保護膜は，内側膜（２２ａ）と，前記内側膜に対して前記パッド部と反対側に配置された外側膜（２２ｂ）と，を有」する点に相当する。
ｅ　引用発明における「２つの再配線ＲＭ」のそれぞれは本件補正発明の「第１パッド部」，「第２パッド部」に相当する。
　そして，引用発明において，「側壁バリア膜１１ｂ」は「２つの再配線ＲＭの間に形成され」るから，本件補正発明と引用発明は「前記表面保護膜は，前記パッド部における第１パッド部と，第２パッド部との間に形成され」る点で共通する。
ｆ　引用発明において「複数の再配線ＲＭの間には側壁バリア膜１１ｂが複数の再配線ＲＭにわたって形成され」る点は，本件補正発明の「前記内側膜は，前記第１パッド部から前記第２パッド部にわたって形成されている」点に相当する。
ｇ　上記ａ〜ｆから，本件補正発明と引用発明は「電気的な絶縁性を有し，少なくとも前記パッド部同士の対向領域（Ｓｂ）に配置された表面保護膜（２２）と，を備え，前記表面保護膜は，内側膜（２２ａ）と，前記内側膜に対して前記パッド部と反対側に配置された外側膜（２２ｂ）と，を有し，前記内側膜は，１層のみで構成され，前記外側膜よりも硬質にされており，前記表面保護膜は，前記パッド部における第１パッド部と，第２パッド部との間に形成されており，前記内側膜は，前記第１パッド部から前記第２パッド部にわたって形成されている」点で共通する。
（キ）引用発明の「半導体装置」は本件補正発明の「半導体装置」に相当する。
イ　以上のことから，本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
【一致点】
「一面に形成された半導体素子（３０）を有する半導体基板（１２）と，
　前記半導体基板の前記一面上に配置された層間絶縁膜（１４）と，
　前記層間絶縁膜内に配置された配線層（１６）と，
　前記層間絶縁膜に対して前記半導体基板と反対側に配置され，前記層間絶縁膜よりも硬質な硬質膜（１８）と，
　前記硬質膜に対して前記層間絶縁膜と反対側に配置され，前記配線層を介して前記半導体素子と接続された外部接続用の複数のパッド部（２０）と，
　電気的な絶縁性を有し，少なくとも前記パッド部同士の対向領域（Ｓｂ）に配置された表面保護膜（２２）と，を備え，
　前記表面保護膜は，内側膜（２２ａ）と，前記内側膜に対して前記パッド部と反対側に配置された外側膜（２２ｂ）と，を有し，
　前記内側膜は，１層のみで構成され，前記外側膜よりも硬質にされており，
　前記表面保護膜は，前記パッド部における第１パッド部と，第２パッド部との間に形成されており，
　前記内側膜は，前記第１パッド部から前記第２パッド部にわたって形成されている半導体装置。」
【相違点１】
　本件補正発明は，「内側膜は，膜厚が１μｍ以上であ」るのに対し，引用発明では，「側壁バリア膜１１ｂは」「その膜厚（幅）は，０．１μｍ〜３μｍ」である点。
【相違点２】
　本件補正発明では，「第１パッド部」は「グランドに接続され」，「第２パッド部」は「誘導負荷に接続される」ものであるのに対し，引用発明では「２つの再配線ＲＭ」が何に接続されるものであるか明記がない点。
（４）判断
　以下，相違点について検討する。
ア　相違点１について
（ア）相違点１に関連する本願の明細書の記載事項
　相違点１を検討するに当たり，本願の明細書において，「内側膜」の膜厚に関連した事項が記載されている事項を整理すると次のとおりである（下線は当審で付加したもの。）。
「【００３０】
　内側膜２２ａは，外側膜２２ｂよりも硬質なパッシベーション膜とされている。内側膜２２ａのヤング率は，例えば５０ＧＰａ以上とされている。本実施形態の内側膜２２ａのヤング率は，例えば，２４０ＧＰａ程度とされている。内側膜２２ａは，シリコン酸化膜（ＳｉＯ２，ＳｉＯ），又は，シリコン窒化膜（ＳｉＮ）を用いて形成されている。言い換えると，内側膜２２ａの主成分は，シリコン酸化膜，又は，シリコン窒化膜とされている。
【００３１】
　硬質膜１８は，パッド部２０と層間絶縁膜１４との間に配置されることでボンディングの応力を緩和できるが，パッド部２０上に配置されていないためパッド部２０のエレクトロマイグレーションを抑制できない。これに対し，内側膜２２ａが硬質膜とされていることで，パッド部２０にエレクトロマイグレーションが生じるのを抑制できる。エレクトロマイグレーションとは，イオンの移動により金属が変形する現象である。本実施形態において
内側膜２２ａの膜厚は，１．０μｍ以上
【００３２】
　外側膜２２ｂは，内側膜２２ａよりも柔軟性に優れた材料を用いて形成されている。外側膜２２ｂは，例えば，ポリイミドを用いて形成されている。外側膜２２ｂは，表面１０ａの一部をなしている。外側膜２２ｂのヤング率は，例えば数ＧＰａとされている。」
「【００４５】
　図６では，内側膜２２ａの膜厚を変化させて，半導体装置１０に作用する熱的なストレスを評価した場合の評価結果を示している。図６の四角マーカは，パッド部２０同士がショートした場合の値を示している。図６の三角マーカは，パッド部２０同士がショートしなかった場合の値を示している。
内側膜２２ａが０μｍの場合，すなわち内側膜２２ａが形成されていない場合には，回転数が１０７回程度でパッド部２０同士がショートしている。また，内側膜２２ａが０．２μｍの場合においても，回転数が１０６〜１０７回の間でパッド部２０同士がショートしている。これに対して，内側膜２２ａが１．４μｍの場合には，回転数が１０９回でもパッド部２０同士がショートしていない。
「【図６】
」
（イ）上記（ア）の記載を踏まえつつ，以下，上記相違点１について検討する。
　引用発明の「側壁バリア膜１１ｂは」「その膜厚（幅）は，０．１μｍ〜３μｍ」であり，本件補正発明の「内側膜」の膜厚である「１μｍ以上」と数値範囲が重なる。
　引用発明の「側壁バリア膜１１ｂ」は「吸湿バリア機能および拡散バリア機能」を得るために形成されるものであり，「その膜厚（幅）は，０．１μｍ〜３μｍ」である。「側壁バリア膜１１ｂ」の厚みは，「側壁バリア膜１１ｂ」が形成される再配線や絶縁膜等対象物の寸法や達成したい「吸湿バリア機能および拡散バリア機能」の程度に応じて，当業者が適宜設定すべきものであるから，十分な「吸湿バリア機能および拡散バリア機能」を得るために「側壁バリア膜１１ｂ」の膜厚（幅）として，「０．１μｍ〜３μｍ」の範囲内で，１μｍ以上の厚みを採用することは，当業者が容易に想到し得たことである。
　また，本願明細書には，上記のとおり，段落【００３１】に「内側膜２２ａの膜厚は，１．０μｍ以上」と，段落【００４５】に「内側膜２２ａが０μｍの場合，すなわち内側膜２２ａが形成されていない場合には，回転数が１０７回程度でパッド部２０同士がショートしている。また，内側膜２２ａが０．２μｍの場合においても，回転数が１０６〜１０７回の間でパッド部２０同士がショートしている。これに対して，内側膜２２ａが１．４μｍの場合には，回転数が１０９回でもパッド部２０同士がショートしていない。」と記載されており，「内側膜」の膜厚を１μｍ以上とすることの意義について記載されているものの，本件補正発明においては，「内側膜は，１層のみで構成され，膜厚が１μｍ以上であり，前記外側膜よりも硬質にされて」いると記載されているのみであり，その材料について具体的に特定されておらず，「内側膜」の硬度についても「外側膜よりも硬質」であるとの記載のみであり，具体的な硬度が記載されていない。本願明細書によれば，エレクトロマイグレーションを抑制するために，硬質な内側膜を形成し，その膜厚を１μｍ以上とするものであるが，エレクトロマイグレーションを抑制するためには，一定の機械的強度が求められ，機械的強度は少なくとも材料とその厚みに依存するから，本件補正発明において，具体的に材料や硬度が特定されていない内側膜について，その膜厚を１μｍ以上としたとしても，その臨界的意義を認めることはできない。
　したがって，引用発明において，「側壁バリア膜１１ｂの膜厚（幅）」を「１μｍ以上」とすることは，当業者が容易に想到し得るものであり，かつ，「１μｍ以上」という下限値に臨界的意義は認められないから，引用発明において，本件補正発明のように「前記内側膜」を「膜厚が１μｍ以上」のものとすることは，当業者が容易になし得たことである。
イ　相違点２について
　引用発明に記載された半導体装置をどのような回路に適用するかは，当業者が適宜決めるべき事項である。そして，例えば引用文献２に記載されるように，トランジスタを誘導負荷とグランドに接続することも，本願出願時における周知技術であるので，引用発明において，「２つの再配線ＲＭ」の一方を誘導負荷に，他方をグランドに接続することは，当業者が容易になし得るものである。
ウ　そして，これらの相違点を総合的に勘案しても，本件補正発明の奏する作用効果は，引用発明及び引用文献２に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
　
エ　したがって，本件補正発明は，引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　本件補正についてのむすび
　よって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって，上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　令和２年７月３日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項に係る発明は，令和２年２月１４日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は，その請求項２に記載された事項により特定される，前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項２に係る発明は，本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用文献１：特開２０１６−１１５８９２号公報
引用文献２：特開２００８−１４７７８６号公報（周知技術を示す文献）
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１ないし２及びその記載事項は，前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
　
４　対比・判断
　本願発明は，上記「第２」の「２　補正の適否」で検討した本件補正発明において，「内側膜」の形成場所についての限定事項を削除したものである。
　そうすると，本願発明の特定事項を全て含み，更に他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が，上記「第２」の「２　補正の適否」において判断したとおり，引用発明及び引用文献２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，引用発明及び引用文献２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第４　むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
よって，結論のとおり審決する。