【事件の表示】
　特願２０１６−５５０１３９「ＳｉＣ層を備えた半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　３月３１日国際公開、ＷＯ２０１６／０４７５３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１５年（平成２７年）９月１６日（優先権主張：平成２６年９月２４日）を国際出願日とする出願であって、その後の手続の概要は、以下のとおりである。
　令和　元年１０月　２日付け：拒絶理由通知書
　令和　元年１１月２１日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和　元年１２月２４日付け：拒絶理由（最後の拒絶理由）通知書
　令和　２年　３月１０日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和　２年　３月１９日付け：令和　２年　３月１０日付けの手続補正についての補正の却下の決定、拒絶査定（以下、「原査定」という。）
　令和　２年　６月２２日　　：審判請求書、手続補正書の提出
第２　令和　２年　６月２２日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和　２年　６月２２日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。）
　「【請求項１】
　シリコン基板と、
　前記シリコン基板の表面に形成された酸化シリコン層と、
　前記酸化シリコン層の表面に形成されたシリコン層と、
　前記シリコン層の表面上に形成された炭化シリコン層とを備え、
　前記酸化シリコン層の厚さは、
１．２μｍ
５μｍ
　前記炭化シリコン層の厚さは、０．５μｍ以上
２μｍ
り、
　
前記シリコン層の厚さは、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、
　
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の、令和　元年１１月２１日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
　「【請求項１】
　シリコン基板と、
　前記シリコン基板の表面に形成された酸化シリコン層と、
　前記酸化シリコン層の表面に形成されたシリコン層と、
　前記シリコン層の表面上に形成された炭化シリコン層とを備え、
　前記酸化シリコン層の厚さは、１μｍ以上２０μｍ以下であり、
　前記炭化シリコン層の厚さは、０．５μｍ以上３μｍ以下である、半導体装置。」
２　補正の適否
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「酸化シリコン層」、「炭化シリコン層」、「シリコン層」について、上記のとおり限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。
　
（２）引用文献の記載事項
ア　引用文献１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、国際公開第２００９／１５１１３３号（２００９年（平成２１年１２月１７日国際公開。以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。（下線は当審で付した。以下同じ。）
「背景技術
　
窒化ガリウムや窒化アルミニウム等の窒素化合物は、直接遷移型のワイドギャップ半導体であり、シリコン半導体に比べて絶縁破壌電界や飽和電子速度、化学的安定性に優れることから、次世代の発光デバイスや半導体デバイス材料として注目を集めている
埋め込み絶縁層を有するＳＯＩ基板は、回路の高速化と低消費電力化を図る上で優れており、次世代のＬＳＩ基板として有望視されている
「本発明において、上記
変性させた単結晶ＳｉＣ層の上に、さらに単結晶ＳｉＣをエピタキシャル成長させ、上記エピタキシャル成長させた単結晶ＳｉＣに対して窒素化合物半導体をエピタキシャル成長させる場合には、
窒素化合物半導体デバイスが得られる
「図１は、本発明の窒素化合物半導体基板の製造方法の一実施の形態を示す図である。
　この
窒素化合物半導体基板の製造方法は、まず、所定厚さの表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４とを有すＳｉ基板１を準備
　以下、各工程について詳しく説明する。
　
上記Ｓｉ基板１は、Ｓｉ母材２の表面近傍に、埋め込み絶縁層４として所定厚みのＳｉＯ２層が形成され、表面に所定厚さの表面Ｓｉ層３が形成されたものである。上記埋め込み絶縁層４の厚みは、約１〜２００ｎｍ程度の厚みになるよう設定されている
　ついで、上記Ｓｉ基板１の表面Ｓｉ層３の厚みを薄くし薄膜化する。この薄膜化は、例えば、Ｓｉ基板１を酸化雰囲気で加熱処理することにより、埋め込み絶縁層４との界面８近傍に所望厚みのＳｉ層を残存させるよう、表面Ｓｉ層３の表面から所定深さを酸化させて酸化物層９を形成したのち、表面の酸化物層９をフッ化水素酸等でエッチングすることにより除去し、界面８近傍に残存させた所望厚みのＳｉ層を露出させることにより薄膜化することが行われる。
　このとき、薄膜化した表面Ｓｉ層３の厚みは、６ｎｍ〜４０ｎｍ程度に設定するのが好ましく、より好ましいのは８ｎｍ〜３０ｎｍ程度であり、さらに好ましいのは１０ｎｍ〜２７ｎｍ程度である。
　上記薄膜化した表面Ｓｉ層３の厚みが６ｎｍ未満では、その後の変成工程によって十分な厚みの残存Ｓｉ層５を残すことができないうえ、十分な厚みの一次単結晶ＳｉＣ層６も生成することができないからである。また、上記薄膜化した表面Ｓｉ層３の厚みが４０ｎｍを超えると、後述する変性処理に時間を要することとなったり、残存Ｓｉ層５の厚みが厚くなりすぎて上記界面８近傍にボイド等の欠陥が生じやすくなったりするからである。
　上記薄膜化後の表面Ｓｉ層３の厚みは、Ｓｉ基板１を酸化雰囲気で加熱処理して酸化物層９を形成するときの雰囲気、温度、時間等の酸化処理条件を調整し、もともとの表面Ｓｉ層３の厚みに対して形成させる酸化物層９の厚みを調整することにより設定することができる。
　つぎに、上記
Ｓｉ基板１を炭素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ層６に変成させる
　上記変成工程は、例えば、図２に示す装置により行われる。この装置は、ヒータ１１を有する加熱炉１０と、上記加熱炉１０内に導入される雰囲気ガス（水素ガスＧ１および炭化水素ガスＧ２）を貯留するボンベ１３，１４とを備えている。１２は水素ガスＧ１と炭化水素ガスＧ２とを混合して混合ガスとして加熱炉１０に供給する混合器である。
　上記装置により、上記Ｓｉ基板１を加熱炉１０内に設置し、上記加熱炉１０内に水素ガスＧ１と炭化水素系ガスＧ２との混合ガス（Ｇ１＋Ｇ２）を供給しながら、加熱炉１０内の雰囲気温度を上昇させて、前記Ｓｉ基板１の表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ層６に変成させることが行われる。
　より詳しく説明すると、上記Ｓｉ基板１を加熱炉１０内に設置して、加熱炉１０内に水素ガスＧ１に対して炭化水素系ガスＧ２を１体積％の割合で混合した混合ガス（Ｇ１＋Ｇ２）を供給する。また、この混合ガス（Ｇ１＋Ｇ２）の供給と同じくして、加熱炉１０内の雰囲気温度を５００℃〜シリコンの溶融点未満、好ましくは１２００〜１４０５℃に加熱する。この加熱によって、Ｓｉ基板１の表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ層６に変成させる。
　ここで、前記水素ガスＧ１はキャリアガスであり、炭化水素ガスＧ２としては例えばプロパンガスを使用する。例えば、水素ガスＧ１のボンベ１３からの供給量が１０００ｃｃ／分であったならば、炭化水素ガスＧ２のボンベ１４からの供給量を１０ｃｃ／分とする。単結晶ＳｉＣ層６の厚みは、同層の欠損欠陥の低減ならびに３次元成長抑制のため、３ｎｍ〜２０ｎｍ程度に設定することが好ましく、より好ましいのは４ｎｍ〜１０ｎｍ程度であり、さらに好ましいのは５ｎｍ〜７ｎｍ程度である。
　このとき、
表面Ｓｉ層３における表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４との界面８近傍領域に残存Ｓｉ層５を残すことが行なわれる。上記残存Ｓｉ層５の厚みは、３〜２０ｎｍに設定するのが好ましく、より好ましいのは３〜１７ｎｍである
　上記残存Ｓｉ層５の厚みは、変性処理の雰囲気、温度、時間等の条件を調節することにより、薄膜化したときの表面Ｓｉ層３の厚みに対して形成させる単結晶ＳｉＣ層６の厚みを調節することにより設定することができる。
　必要に応じて、上記工程を過剰に行って単結晶ＳｉＣ層６を上記単結晶ＳｉＣ層６の上に堆積させることが行われる。上記工程を過剰に行う（例えば数分〜数時間継続させる）ことにより、上記単結晶ＳｉＣ層６の上に炭素薄膜が堆積される。
　ついで、上記
単結晶ＳｉＣ層６をシード層としてエピタキシャル成長により、単結晶ＳｉＣを成長させ、単結晶ＳｉＣエピタキシャル層７を堆積させる
　上記単結晶ＳｉＣエピタキシャル層７のエピタキシャル成長は、例えば、下記の条件により単結晶ＳｉＣを成長させることができる。すなわち、単結晶ＳｉＣ層６が形成されたＳｉ基板１を処理チャンバー内に配置し、上記処理チャンバー内にモノメチルシランまたはシランおよびプロパン等の炭化水素系とを含有する原料ガスを、大気圧以下の圧力下において約１〜１０００ｓｃｃｍ程度のガス流量で供給しながら、温度５００℃〜シリコンの溶融点未満、好ましくは８００〜１４０５℃で処理することにより、上記単結晶ＳｉＣ層６をシード層としてエピタキシャル成長により、単結晶ＳｉＣを成長させることができる。
　ここで、上記変性処理やエピタキシャル成長で形成されるＳｉＣや埋め込み絶縁層４（ＳｉＯ２）を構成するＳｉ分は、高温化において一部がＣＯ２となって昇華すると考えられる。また、ＳｉＣとＳｉＯ２が接触した状態で高温化に晒されると、ＳｉＣとＳｉＯ２との間で相互変性すると考えられる。
　このとき、単結晶ＳｉＣ層６と埋め込み絶縁層４（ＳｉＯ２）との間に残存Ｓｉ層５が存在しなければ、単結晶ＳｉＣ層６を構成するＳｉＣの一部がＳｉＯ２に変性したり、反対に埋め込み絶縁層４を構成する ＳｉＯ２一部がＳｉＣに変性したりすることが起こって、結果的に、単結晶ＳｉＣ層６と埋め込み絶縁層４の界面の平坦性が崩れ、「うねり」になって現れるものと考えられる。
　そこで、本発明のように、変性処理後に単結晶ＳｉＣ層６と埋め込み絶縁層４（ＳｉＯ２）の間に、適切な厚みの残存Ｓｉ層５を存在させることにより、上記のようなＳｉＣとＳｉＯ２と相互変性が防止され、残存Ｓｉ層５と埋め込み絶縁層４との界面８の平坦性が維持されるものと考えられる。また、変性処理後に単結晶ＳｉＣ層６に何らかの欠陥があった場合でも、残存Ｓｉ層５の存在により欠陥が埋め込み絶縁層４まで至らず、Ｓｉの昇華を防止し、残存Ｓｉ層５と埋め込み絶縁層４との界面８の平坦性が維持されるものと考えられる。
　残存Ｓｉ層５と埋め込み絶縁層４との界面８の平坦性が維持されると、変性処理によって得られる単結晶ＳｉＣ層６の厚みも平坦化し、結晶面がそろった状態になると考えられる。そうすると、その後にエピタキシャル成長によって単結晶ＳｉＣを成長させた場合にも、そろった状態のＳｉＣの結晶性が維持されるため、従来よりもはるかにきれいな単結晶で膜厚も均一な単結晶ＳｉＣエピタキシャル層７が得られるようになる。
　つぎに、図１（Ｄ）に示すように、上記
単結晶ＳｉＣエピタキシャル層７の上に、エピタキシャル成長により窒素化合物半導体層１５を堆積させる
　上記窒素化合物半導体層１５のエピタキシャル成長は、例えば、下記の条件により行なうことができる。すなわち、単結晶ＳｉＣエピタキシャル層７が形成されたＳｉ基板１を処理チャンバー内に配置し、上記処理チャンバー内に有機Ａｌ系ガスおよび／または有機Ｇａ系ガスおよびアンモニアガスとを含有する原料ガスを、大気圧以下の圧力下において約１００〜５０００ｓｃｃｍ程度のガス流量で供給し、温度５００℃〜シリコンの溶融点未満、好ましくは４００〜１２００℃程度で処理することにより、上記単結晶ＳｉＣエピタキシャル層７の上にエピタキシャル成長により、ＡｌＮ層、ＧａＮ層、ＡｌＧａＮ層等のいずれかもしくはこれらの積層構造の窒素化合物半導体層１５を成長させることができる。」（第１２ページ第１１行−第１７ページ第１３行）
「〔実施例Ａ２〕
　表面Ｓｉ層３の厚みが１０〜１４ｎｍの（１１１）ＳＩＭＯＸ基板（ＳＯＩ−Ａ）、表面Ｓｉ層３の厚みが１８〜２２ｎｍの（１１１）ＳＩＭＯＸ基板（ＳＯＩ−Ｂ）の（１１１＞貼り合わせＳＯＩ基板（ＳＯＩ−Ｃ）を出発材料として準備し、実施例Ａ１と同条件で炭化熱処理を実施した。この工程により、
表面Ｓｉ層３は表面側から３〜７ｎｍのシリコン層が炭化されて、３〜７ｎｍ厚の単結晶ＳｉＣ層６へと変成された
下層部に、３〜１１ｎｍ
の残存Ｓｉ層５が残存した膜構造となった
　引き続き、ウェハを減圧エピタキシャル成長炉に挿入し、約２×１０−４ｔｏｒｒの減圧下にてモノメチルシランを３ｓｃｃｍで当該エピタキシャル成長炉に導入しつつ、ウェハ温度が１１５０℃に達するまで加熱昇温し、当該温度で１０分間保持して、
単結晶ＳｉＣ層 （シード層）６上に約１００ｎｍ厚の単結晶ＳｉＣエピタキシャル層７を堆積した
　このあと、エピタキシャル成長炉の加熱用ヒーターへの通電を止め、同時にモノメチルシランガスの導入を止め、この状態で電気炉の試料全体が所定の低温、例えば８０℃程度に低下するまで冷却してウェハを炉外に取り出した。引き続き、ウェハを減圧エピタキシャル成長炉に挿入し、実施例Ａ１と同条件で約３ｎｍ厚のＡｌＮバッファ層を堆積した。引き続き、ウェハを減圧エピタキシャル成長炉に挿入し、実施例Ａ１と同条件で、約３００ｎｍ厚のＧａＮエピタキシャル層を堆積した。」（第２０ページ第２６行−第２１ページ第２１行）
（イ）上記（ア）から、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「Ｓｉ母材２の表面近傍に、埋め込み絶縁層４として所定厚みのＳｉＯ２層が形成され、表面に所定厚さの表面Ｓｉ層３が形成されたＳｉ基板１を準備し、
　表面Ｓｉ層３における表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４との界面８近傍領域に残存Ｓｉ層５を残し、表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ層６に変成させ、
　単結晶ＳｉＣ層６をシード層としてエピタキシャル成長により、単結晶ＳｉＣを成長させ、単結晶ＳｉＣエピタキシャル層７を堆積させた、窒素化合物半導体デバイスであって、
　埋め込み絶縁層４の厚みは、約１〜２００ｎｍ程度の厚みになるよう設定され、
　３〜１１ｎｍの残存Ｓｉ層５が残存した膜構造となり、
　３〜７ｎｍ厚の単結晶ＳｉＣ層６上に約１００ｎｍ厚の単結晶ＳｉＣエピタキシャル層７を堆積した、窒素化合物半導体デバイス。」
イ　引用文献２
（ア）同じく原査定に引用され、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１１−２９５９４号公報（平成２３年２月１０日出願公開。以下「引用文献２」という。）には、次の記載がある。
「【背景技術】
【０００２】
　絶縁物上の単結晶Ｓｉ半導体層の形成は、シリコン・オン・インシュレーター（ＳＯＩ）技術として広く知られ、通常のＳｉ集積回路を作製するシリコン単結晶基板では到達しえない数々の優位点があることから、多くの研究が成されてきた。すなわち、ＳＯＩ技術を利用することで、
　１．誘電体分離が容易で高集積化が可能、２．対放射線耐性に優れている、３．浮遊容量が低減され高速化が可能、４．ウエル工程が省略できる、５．ラッチアップを防止できる、６．薄膜化による完全空乏型電界効果トランジスタが可能、
　等の優位点が得られる。
【０００３】
　このようなデバイス特性上の多くの利点を実現するために、ここ数十年に渡り、ＳＯＩ構造の形成方法について数多くの研究がなされてきている。
　また近年の
環境問題、省エネルギーに対応した半導体素子が数多く開発されているが、この用途では高電圧を扱う必要があり、そのため厚い素子分離膜（埋め込み酸化膜（ＢＯＸ層））をもつＳＯＩウェーハの要求が非常に強くなってきている
「【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
　このように、ＳＯＩウェーハの作製方法は数多く知られているが、分離酸化膜（ＢＯＸ層）はＳＩＭＯＸを除いて熱酸化膜であり、高電圧用途で使用されるような厚い分離酸化膜の形成には限界がある。何故なら熱酸化膜の厚さは酸化時間の１／２乗に比例するため、実用的には１μｍ程度が限界である。そして前述のようにＳＩＭＯＸはイオン注入により分離酸化膜を形成する方法のため、厚い酸化膜の形成には不適である。
【００１１】
　ここで、実際に熱酸化膜単膜で厚さを変えてどのくらいの電圧まで破壊されないかを調べた。その結果（絶縁破壊耐圧）を図４に示す。横軸が酸化膜厚、縦軸が絶縁破壊電圧値（Ｖｂｄ）である。
　この
図４から判るように、酸化膜厚が１μｍであれば、絶縁破壊電圧値は９００Ｖである。また、もっと大きな絶縁破壊電圧値、例えば約５０００Ｖであれば、１０μｍという厚い酸化膜が最低でも要求されることになる
【００１２】
　ところで、
今後は電気自動車等のように高い電圧を扱うデバイスが増えてくることが予想され、電圧もますます大きくなってくることが考えられる
　しかしながら実際の酸化工程を考慮すると、酸化膜厚が酸化時間の１／２乗に比例することを考えると通常の熱処理炉では１μｍ程度が限界である。そして、これ以上は高温炉の中にシリコン基板をかなりの長時間の間投入しておくしかなく、生産性等を考慮すると問題が多い。例えば、１１５０℃でパイロ酸化を行う場合、１０μｍまで成長させるには２０００分以上必要となる（例えば非特許文献１等参照）。」
「【００１７】
　このように、熱酸化膜の代わりにＣＶＤ酸化膜を形成することによって、その厚さが１μｍ以上、例えば１０μｍ以上と厚い酸化膜であっても容易に形成することができる。また、ＣＶＤ酸化膜の形成後に１１００℃〜１３００℃のアニールを行うことによって、ＣＶＤ酸化膜を改質することができ、熱酸化膜と同等の品質を持った酸化膜とすることができる。
　そしてこのような非常に厚く、熱酸化膜と同等の品質のＣＶＤ酸化膜を介して第１のシリコン基板と第２のシリコン基板を貼り合わせることによって、
高品質かつ高絶縁性の高電圧用途に好適なＢＯＸ層の厚さが例えば１μｍ以上
と厚いＳＯＩウェーハを容易かつ高歩留りで製造することができる
（イ）上記（ア）から、引用文献２には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
　「環境問題、省エネルギーに対応した半導体素子が数多く開発されているが、この用途では高電圧を扱う必要があること。」
　「高品質かつ高絶縁性の高電圧用途に好適なＢＯＸ層の厚さが例えば１μｍ以上と厚いＳＯＩウェーハ。」
ウ　引用文献３
（ア）同じく原査定に引用され、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００７−２８１１９６号公報（平成１９年１０月２５日出願公開。以下「引用文献３」という。）には、次の記載がある。
「【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　上記したように、
ＳＯＩ構造半導体基板を用いて高耐圧の半導体装置を実現するには、断面の縦方向において印加電圧をＳＯＩ層と埋め込み酸化膜に分配して所望の耐圧が得られるように、
埋め込み酸化膜の厚さを最適設計する必要がある
ＳＯＩ基板の反り等の関係で、達成できる埋め込み酸化膜の膜厚の上限は４μｍ程度である
（イ）上記（ア）から、引用文献３には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
　「ＳＯＩ構造半導体基板を用いて高耐圧の半導体装置を実現するには、所望の耐圧が得られるように、埋め込み酸化膜の厚さを最適設計する必要があること。」
　「ＳＯＩ基板の反り等の関係で、達成できる埋め込み酸化膜の膜厚の上限は４μｍ程度であること。」
エ　引用文献４
（ア）同じく原査定に引用され、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００９−６５０８２号公報（平成２１年３月２６日出願公開。以下「引用文献４」という。）には、次の記載がある。
「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は、高速および高効率半導体デバイス等に用いられる３Ｃ−ＳｉＣ（立方晶炭化ケイ素）と、ＧａＮ（六方晶窒化ガリウム）およびＡｌＮ（六方晶窒化アルミニウム）に代表される窒化物等の化合物半導体単結晶層とからなる化合物半導体基板に関する
「【００１６】
　
３Ｃ−ＳｉＣ単結晶バッファー層２の厚さは、実用性の観点から、０．０５〜２μｍであることが好ましい
　前記
厚さが０．０５μｍ未満である場合、バッファー（緩衝）効果が不十分となる
　一方、前記厚さが２μｍを超えると、３Ｃ−ＳｉＣ単結晶バッファー層２形成の際、ミスフィット転位が発生する等により、好ましくない。
　前記３Ｃ−ＳｉＣ単結晶バッファー層２の厚さは、０．１〜１μｍであることがより好ましい。」
（イ）上記（ア）から、引用文献４には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
　「窒化物等の化合物半導体単結晶層とからなる高速および高効率半導体デバイスであって、３Ｃ−ＳｉＣ単結晶バッファー層２の厚さは、実用性の観点から、０．０５〜２μｍであること。」
オ　引用文献５
（ア）本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００６−２２２４０２号公報（平成１８年８月２４日出願公開。以下「引用文献５」という。）には、次の記載がある。
「【請求項１】
　
Sｉ（１１０）基板上にβ−ＳｉＣ薄膜の一層のみ、または、β−ＳｉＣ薄膜およびＡｌＮ薄膜の二層の中間層を用いることを特徴とする窒化ガリウム化合物半導体
【請求項２】
　中間層のβ−ＳｉＣの面方位（１１１）であることを特徴とする。
【請求項３】
　
中間層は、０．０２〜５μmのβ−ＳｉＣ層
を用いること
「【０００８】
　上記の要求および問題点に対して、ＳｉＣ結晶成長による緩衝層の厚み増加を提案しているが（整理番号：ＴＳＡ４２０５Ｐ）、使用するＳｉ基板の面方位を（１１１）に限定していた。
　面方位（１１１）のＳｉ基板を用いた際の問題点としては、中間層としてＳｉＣ層を成長した場合、面方位（１１１）に成長するが反りが大きく、Ｓｉ基板厚さが薄くなるに従って必要膜厚の成長が困難になる。例えば、
Ｓｉ基板厚さ４００μmに対してＳｉＣ中間層厚さ２μm以上でクラックが発生した。
「【００１３】
　Ｓｉ表面炭化によるＳｉＣ層だけでなく０．０２μm以上の膜厚までＳｉＣヘテロエピタキシャル成長することで、格子不整合緩和の効果に加えてＳｉＣの高剛性により熱膨張差の応力を緩和して、その後、窒化ガリウム系化合物の必要膜厚までクラックを発生させずに成長することを可能にする。
　窒化ガリウム系化合物の膜厚増加に伴い、
中間層のＳｉＣ膜厚が厚いほどＳｉ基板との応力緩和の効果が発揮される
厚くなりすぎた場合、ＳｉＣ層とＳｉ基板との熱膨張差による大きな反りが発生し、プロセスが困難となる
（３）引用発明との対比
ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「窒素化合物半導体デバイス」は、本件補正発明の「半導体装置」に対応する。
（イ）引用発明の「窒素化合物半導体デバイス」は、「Ｓｉ母材２の表面近傍に、埋め込み絶縁層４として所定厚みのＳｉＯ２層が形成され、表面に所定厚さの表面Ｓｉ層３が形成されたＳｉ基板１を準備し、表面Ｓｉ層３における表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４との界面８近傍領域に残存Ｓｉ層５を残し、表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ層６に変成させ、単結晶ＳｉＣ層６をシード層としてエピタキシャル成長により、単結晶ＳｉＣを成長させ、単結晶ＳｉＣエピタキシャル層７を堆積させた」ものであり、「Ｓｉ母材２」と、「Ｓｉ母材２」の表面に形成されたＳｉＯ２層からなる「埋め込み絶縁層４」と、「埋め込み絶縁層４」の表面に形成された「残存Ｓｉ層５」と、「残存Ｓｉ層５」の表面上に形成された「単結晶ＳｉＣ層６」及び「単結晶ＳｉＣエピタキシャル層７」とを備えるものである。
　そうすると、引用発明の「Ｓｉ母材２」、「埋め込み絶縁層４」、「残存Ｓｉ層５」、「単結晶ＳｉＣ層６」及び「単結晶ＳｉＣエピタキシャル層７」は、それぞれ、本件補正発明の「シリコン基板」、「酸化シリコン層」、「シリコン層」、「炭化シリコン層」に相当する。
（ウ）引用発明では、「３〜１１ｎｍの残存Ｓｉ層５が残存した膜構造」とするものであり、引用発明の「残存Ｓｉ層５」の厚さは５ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲を含むことから、本件補正発明と引用発明とは、「前記シリコン層の厚さは、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である」点で一致する。
イ　上記アから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
（一致点）
　「シリコン基板と、
　前記シリコン基板の表面に形成された酸化シリコン層と、
　前記酸化シリコン層の表面に形成されたシリコン層と、
　前記シリコン層の表面上に形成された炭化シリコン層とを備え、
　前記シリコン層の厚さは、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、半導体装置。」
（相違点）
（相違点１）酸化シリコン層の厚さについて、本件補正発明では、「１．２μｍ以上５μｍ以下」であるのに対し、引用発明では、「約１〜２００ｎｍ程度」である点。
（相違点２）炭化シリコン層の厚さについて、本件補正発明では、「０．５μｍ以上２μｍ以下」であるのに対し、引用発明では、「単結晶ＳｉＣ層６」及び「単結晶ＳｉＣエピタキシャル層７」の合計１０３〜１０７ｎｍ程度である点。
（４）判断
　以下、相違点について検討する。
ア　相違点１について
　引用文献１の背景技術に「窒化ガリウムや窒化アルミニウム等の窒素化合物は、直接遷移型のワイドギャップ半導体であり、シリコン半導体に比べて絶縁破壌電界や飽和電子速度、化学的安定性に優れることから、次世代の発光デバイスや半導体デバイス材料として注目を集めている。」と記載されているように、優れた絶縁破壊電界を有するデバイスが注目されている。
　そして、引用文献２、３の技術的事項から、ＢＯＸ層の厚さを最適設計した高耐圧の半導体装置は、周知であり、引用文献３の技術的事項から、ＳＯＩ基板の反り等の関係で、ＢＯＸ層の厚さの上限は４μｍ程度であることが理解できる。
　そうすると、引用発明の「窒素化合物半導体デバイス」を、周知のＢＯＸ層の厚さを最適設計した高耐圧の半導体装置として用いるようにし、「埋め込み絶縁層４」の厚さを、相違点１に係る本件補正発明の範囲内の値とすることは、必要とする絶縁破壊電圧値や許容される基板の反りに応じて、当業者が適宜なし得たことである。
イ　相違点２について
　引用発明の「単結晶ＳｉＣ層６」及び「単結晶ＳｉＣエピタキシャル層７」は、その上に形成される窒素化合物半導体層とＳｉ基板との間にあるものであるから、中間の緩衝層といえる。
　そして、引用発明と引用文献４は、単結晶ＳｉＣからなる緩衝層に関する技術で共通し、引用発明において、引用文献４の技術的事項を考慮し、「単結晶ＳｉＣ層６」及び「単結晶ＳｉＣエピタキシャル層７」の厚さを実用性の観点から選択するようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　そうすると、引用発明の「単結晶ＳｉＣ層６」及び「単結晶ＳｉＣエピタキシャル層７」の厚さを、相違点２に係る本件補正発明の範囲内の値とすることは、必要とするバッファー（緩衝）効果等に応じて、当業者が適宜なし得たことである。
ウ　請求人の主張について
　請求人は、審判請求書において、「３．拒絶査定の違法性について
　（１）　請求項１に係る発明は、「前記酸化シリコン層の厚さは、１．２μｍ以上５μｍ以下であり、」という構成、および「前記炭化シリコン層の厚さは、０．５μｍ以上２μｍ以下であり、」という構成を含んでいます。
　請求項１に係る発明によれば、酸化シリコン層の厚さを１．２μｍ以上５μｍ以下とし、炭化シリコン層の厚さを０．５μｍ以上２μｍ以下とすることにより、炭化シリコン層へのクラックの発生及び基板の反りを抑止し、炭化シリコン層の結晶性を良好にしつつ、パワーデバイスとして半導体装置に要求される縦方向の耐圧を確保することができます。
・・・（略）・・・
　つまり、請求項１に係る発明は、炭化シリコン層へのクラックの発生を抑止しつつ、基板の反りを抑止しつつ、パワーデバイスとして半導体装置に要求される縦方向の耐圧を確保することができるという効果を有しています。この効果は、酸化シリコン層の厚さ範囲と炭化シリコン層の厚さ範囲との両方を請求項１に規定する範囲に設定してこそ得られるものです。請求項１に係る発明の酸化シリコン層の厚さ範囲と炭化シリコン層の厚さ範囲との両方を開示するものは、引用文献１〜４の中には存在しません。引用文献２および３は酸化シリコン層の厚さ範囲を開示するに過ぎず、引用文献４は炭化シリコン層の厚さ範囲を開示するに過ぎません。このため、この効果は、引用文献１〜４の記載から予測できるものではなく、請求項１に係る発明は、引用文献と比較した有利な効果を有しています。
　（２）　加えて、引用文献１〜４の組合せから、請求項１に係る発明の「前記酸化シリコン層の厚さは、１．２μｍ以上５μｍ以下であり、」という構成を得ることは困難です。
・・・（略）・・・
　このように、引用文献２および３では、デバイスに求められる耐圧を、ＳＯＩ基板で確保することを示唆しています。デバイスに求められる耐圧を、ＳＯＩ基板の酸化シリコン層の厚さと、ＳＯＩ基板上に形成された炭化シリコン層の厚さとの両方により確保することの動機付けとなるものは、引用文献２および３にはありません。
　このため、引用文献１に対して引用文献２または３を組み合わせることにより、デバイスに必要な縦方向の耐圧（明細書の段落００３８）を確保しようとした場合、当業者であれば、引用文献１のＳｉＣ層６および７の厚さを考慮することなく、引用文献１の埋め込み絶縁層４の厚さを必要な厚さまで厚くすることのみで、耐圧を確保するはずです。その結果、引用文献１の埋め込み絶縁層４の厚さは５μｍより大きくなり、基板に反りが生じます（本願の図３）。このことは、「１０００Ｖ以上の高耐圧を得ようとすると、５μｍより厚い埋め込み酸化膜と、５０μｍより厚いＳＯＩ層が必要である。」という引用文献３の記載からも読み取れます。
　従いまして、引用文献１〜４の組合せから、請求項１に係る発明の「前記酸化シリコン層の厚さは、１．２μｍ以上５μｍ以下であり、」という構成を得ることは困難です。
　（３）　上述のように、引用文献１〜４は、請求項１に係る発明の構成および効果を開示も示唆もしておらず、引用文献１〜４の組合せから請求項１に係る発明の構成を得ることは困難です。したがって、引用文献１〜４から請求項１に係る発明を得ることは、当業者にとって容易ではありません。ゆえに、請求項１に係る発明は進歩性を有しています。
　請求項２〜４は請求項１に従属しており、請求項１の発明特定事項の全てを含んでいます。上述のように請求項１に係る発明は進歩性を有していますので、請求項２〜４に係る発明もまた進歩性を有しています。」と主張している。
　しかしながら、上記ア、イのとおり、相違点１に係る本件補正発明の「前記酸化シリコン層の厚さは、１．２μｍ以上５μｍ以下であり、」という構成は、引用発明において、引用文献２、３に記載された技術的事項から、当業者が容易になし得たことであり、また相違点２に係る本件補正発明の「前記炭化シリコン層の厚さは、０．５μｍ以上２μｍ以下であり、」という構成は、引用発明において、引用文献４に記載された技術的事項から、当業者が容易になし得たことである。
　また、引用文献３の段落【０００８】には、ＳＯＩ基板の反り等の関係で、達成できる埋め込み酸化膜の膜厚の上限を設けることや、引用文献５の段落【０００８】、【００１３】には、ＳｉＣ中間層厚さ２μm以上でクラックが発生すること、厚くなりすぎた場合、ＳｉＣ層とＳｉ基板との熱膨張差による大きな反りが発生し、プロセスが困難となることが記載されているように、形成する膜にクラックや大きな反りが生じないように、厚さの上限を設けることは常套手段である。そして、引用発明において、高耐圧とするために「埋め込み絶縁層４」を厚くする際、及びバッファー効果を高めるために「単結晶ＳｉＣ層６」及び「単結晶ＳｉＣエピタキシャル層７」を厚くする際、基板の反りやＳｉＣ層のクラックが生じない膜厚を選択することは、当業者の通常の創作能力の発揮に過ぎず、請求人が主張する「炭化シリコン層へのクラックの発生を抑止しつつ、基板の反りを抑止しつつ、パワーデバイスとして半導体装置に要求される縦方向の耐圧を確保することができるという効果」は、当業者が予測し得たものであって、顕著ないし異質なものとは認められない。
　さらに、本願の段落【００３８】には、「一般的に、パワーデバイスとしての半導体装置においては、半導体装置におけるＳｉ基板を除く部分で、５６０Ｖ程度の縦方向の耐圧が要求されている。」と記載されているように、必要とする耐圧は５６０Ｖ程度である。対して、引用文献２の段落【００１１】には、「酸化膜厚が１μｍであれば、絶縁破壊電圧値は９００Ｖである」と記載されており、引用発明において、引用文献２の技術的事項から、「埋め込み絶縁層４」を１μｍ以上で形成すると、５６０Ｖの耐圧を確保することが可能であり、「引用文献１〜４の組合せから、請求項１に係る発明の「前記酸化シリコン層の厚さは、１．２μｍ以上５μｍ以下であり、」という構成を得ることは困難です」という請求人の主張は認められない。
　よって、請求人の上記主張を採用することはできない。
（５）判断についてのまとめ
　以上のとおりであるから、引用発明において、上記引用文献２−４に記載された技術的事項に基づいて、相違点１、２に係る本件補正発明の構成、それぞれを想到することは、当業者が容易になし得たことである。
　また、上記相違点１、２を総合的に勘案しても、本件補正発明は当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　したがって、本件補正発明は、引用発明及び引用文献２−４に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　本件補正についてのむすび
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１　本願発明
　令和　２年　６月２２日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和　元年１１月２１日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１−５に係る発明は、本願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２−４に記載された技術に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
引用文献１：国際公開第２００９／１５１１３３号
引用文献２：特開２０１１−２９５９４号公報
引用文献３：特開２００７−２８１１９６号公報
引用文献４：特開２００９−６５０８２号公報
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１ないし４及びその記載事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
４　対比・判断
　本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「酸化シリコン層」、「炭化シリコン層」、「シリコン層」に係る限定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（３）、（４）に記載したとおり、引用発明及び引用文献２−４に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明及び引用文献２−４に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。