【手続補正書】
【提出日】平成30年12月21日(2018.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の酸化物の層を制御可能にエッチングする方法であって、
（ａ）前記基板上の前記酸化物の表面を改質するために、処理チャンバに収納されている前記基板を活性水素含有種と接触させることであって、前記活性水素含有種は、１つ以上のＯＨ基を含む化合物であり、前記酸化物は、酸化シリコン、酸化ゲルマニウム、およびこれらの組み合わせからなる群より選択された酸化物であることと、
（ｂ）前記酸化物の前記表面が改質された後に、非表面結合活性水素種を前記処理チャンバから除去することと、
（ｃ）（ｂ）の後に、前記酸化物の前記改質された表面と反応する無水ＨＦを前記処理チャンバに流すことであって、前記反応は水を生成することと、
（ｄ）（ｃ）で生成された前記水を、前記基板の前記表面から除去することであって、前記活性水素含有種は、（ｄ）において水が前記酸化物の表面から脱離する条件下で前記酸化物の前記表面に吸着するまたは吸着を継続することができるアルコールであることと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
（ｃ）および（ｄ）は同時であり、水が前記反応で生成されながら前記基板の表面に吸着しない温度および圧力で実施される、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記活性水素含有種は、ブタノール、ブトキシエタノール、ブタンジオール、エチレングリコール、メチレングリコール、プロピレングリコール、アミルアルコール、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記活性水素含有種はブタノールである、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
（ｃ）および（ｄ）は同時に実施され、水は前記反応で生成されながら除去される、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記活性水素含有種は、ブタノール、ブトキシエタノール、エチレングリコール、メチレングリコール、プロピレングリコール、アミルアルコール、およびこれらの組み合わせからなる群より選択され、
前記動作（ａ）−（ｄ）は同じ温度で実施され、
水は前記反応で生成されながら前記酸化物の表面から除去される、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記動作（ａ）−（ｄ）は同じ温度で実施され、
水は前記反応で生成されながら前記酸化物の表面から除去される、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記処理チャンバへの前記無水ＨＦの前記流れは、（ｄ）の前に止まる、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
（ｄ）は、
（ｉ）前記基板の温度を上げることと、
（ｉｉ）前記処理チャンバの圧力を下げることと、
（ｉｉｉ）前記基板をプラズマで処理することと、
（ｉｖ）前記基板を電子ビームで処理することと、
（ｖ）前記基板を電磁放射で照射することと、
これらの組み合わせ
からなる群より選択される方法によって水を除去することを含む、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
動作（ａ）−（ｄ）は、前記基板から前記酸化物の０．５〜１０原子層を除去する、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
動作（ａ）−（ｄ）を含むサイクルを少なくとも２サイクル実施することを含む、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、
動作（ａ）−（ｄ）は、８０℃以上の単一温度で実施される、方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記基板にフォトレジストを塗布することと、
前記フォトレジストを露光することと、
前記フォトレジストをパターニングして、パターンを前記基板に転写することと、
前記フォトレジストを前記基板から選択的に除去することと、
を含む、方法。
【請求項１４】
基板上の酸化物を制御可能にエッチングするためのエッチング装置であって、
（ａ）処理ガスの導入用の導入口を有する処理チャンバと、
（ｂ）前記基板上の前記酸化物のエッチング時に、前記基板を定位置に保持するように構成されている前記処理チャンバ内の基板支持体と、
（ｃ）コントローラであって、
（ｉ）前記基板上の前記酸化物の表面を改質するために、前記処理チャンバに収納されている前記基板を活性水素含有種と接触させる工程を実行するプログラム命令であって、前記活性水素含有種は、１つ以上のＯＨ基を含む化合物であって、前記酸化物は、酸化シリコン、酸化ゲルマニウム、およびこれらの組み合わせからなる群より選択されるプログラム命令と、
（ｉｉ）前記酸化物の表面が改質された後に、非表面結合活性水素種を前記処理チャンバから除去するためのプログラム命令と、
（ｉｉｉ）（ｉｉ）の後に、前記酸化物の前記改質された表面と反応する無水ＨＦを前記処理チャンバに流す工程を実行するプログラム命令であって、前記反応は水を生成するプログラム命令と、
（ｉｖ）（ｉｉｉ）で生成された前記水を、前記基板の前記表面から除去する工程を実行するプログラム命令であって、前記活性水素含有種は、（ｉｖ）において水が前記酸化物の表面から脱離する条件下で前記酸化物の前記表面に吸着するまたは吸着を継続することができるアルコールであるプログラム命令と、を含むコントローラと、
を備える、エッチング装置。
【請求項１５】
基板上の酸化物の層を制御可能にエッチングする方法であって、前記方法は、
（ａ）前記基板上の前記酸化物の層上にＨＦ層を吸着させるために、処理チャンバに収納されている前記基板を無水ＨＦと接触させることであって、前記酸化物は、酸化シリコン、酸化ゲルマニウム、およびこれらの組み合わせからなる群より選択されることと、
（ｂ）前記ＨＦが吸着した後に、非表面結合ＨＦを前記処理チャンバから除去することと、
（ｃ）前記基板上の前記ＨＦと反応させるために前記基板を活性水素含有種と接触させることであって、前記活性水素含有種は、１つ以上のＯＨ基を含む化合物であって、前記反応は水を生成することと、
（ｄ）（ｃ）で生成された前記水を前記基板の表面から除去することであって、前記活性水素含有種は、（ｄ）において水が前記酸化物の表面から脱離する条件下で前記酸化物の前記表面に吸着するまたは吸着を継続することができるアルコールであることと、
を含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
本明細書で述べる例および実施形態は図解のみを目的としており、これを踏まえた様々な修正または変更が当業者に示唆されることを理解されたい。明晰性のために様々な詳細が省略されているが、様々な設計代替案が実施されてよい。そのため、本明細書の例は限定的ではなく実施形態とみなし、本発明は本明細書で述べる詳細に限定されず、特許請求の範囲内で修正されてよい。
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
＜適用例１＞
基板上の酸化物層を制御可能にエッチングする方法であって、
（ａ）前記基板上の前記酸化物の表面を改質するために、処理チャンバに収納されている前記基板を活性水素含有種と接触させることであって、前記活性水素含有種は、１つ以上のＯＨ基を含む化合物または水素プラズマで生成される水素含有種であり、前記酸化物は、酸化シリコン、酸化ゲルマニウム、およびこれらの組み合わせからなる群より選択された酸化物であることと、
（ｂ）前記酸化物の前記表面が改質された後に、非表面結合活性水素種を前記処理チャンバから除去することと、
（ｃ）（ｂ）の後に、前記酸化物の前記改質された表面と反応する無水ＨＦを前記処理チャンバに流すことであって、前記反応は水を生成することと、
（ｄ）（ｃ）で生成された前記水を、前記基板の前記表面から除去することと、
を含む方法。
＜適用例２＞
適用例１に記載の方法であって、
（ｃ）および（ｄ）は同時であり、水が前記反応で生成されながら前記基板の表面に吸着しない温度および圧力で実施される、方法。
＜適用例３＞
適用例１に記載の方法であって、
前記活性水素含有種は、水が酸化物の表面から脱離する条件下で前記酸化物の前記表面に吸着するまたは吸着を継続することができるアルコールである、方法。
＜適用例４＞
適用例１に記載の方法であって、
前記活性水素含有種は、水素含有プラズマから形成され、水が前記酸化物の前記表面から脱離する条件下で水素含有プラズマを印加することによって前記酸化物の前記表面上にヒドロキシル（ＯＨ）結合が形成される、方法。
＜適用例５＞
適用例４に記載の方法であって、
前記水素含有プラズマは、Ｈ２、アンモニア、ヒドラジン、水、フッ化水素、塩化水素、シラン、ジシラン、メタン、エタン、ブタン、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される水素含有ガスを含むガスから形成される、方法。
＜適用例６＞
適用例５に記載の方法であって、
前記水素含有プラズマは、前記水素含有ガスを含むガス、並びに、水蒸気、酸素、一酸化二窒素、一酸化窒素、二酸化炭素、一酸化炭素、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される第２のガス、から形成される、方法。
＜適用例７＞
適用例１に記載の方法であって、
前記活性水素含有種は、プロパノール、ブタノール、ブトキシエタノール、ブタンジオール、エチレングリコール、メチレングリコール、プロピレングリコール、アミルアルコール、カルボン酸、およびこれらの組み合わせからなる群より選択される、方法。
＜適用例８＞
適用例１に記載の方法であって、
前記活性水素含有種はブタノールである、方法。
＜適用例９＞
適用例８に記載の方法であって、
（ｃ）および（ｄ）は同時に実施され、水は前記反応で生成されながら除去される、方法。
＜適用例１０＞
適用例１に記載の方法であって、
前記活性水素含有種は、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ブトキシエタノール、エチレングリコール、メチレングリコール、プロピレングリコール、アミルアルコール、およびこれらの組み合わせからなる群より選択され、
前記動作（ａ）−（ｄ）は同じ温度で実施され、
水は前記反応で生成されながら酸化物の表面から除去される、方法。
＜適用例１１＞
適用例１に記載の方法であって、
前記活性水素含有種は、選択された条件における水の飽和蒸気圧より低い、または水の飽和蒸気圧と実質的に同じ飽和蒸気圧を特徴とし、
前記動作（ａ）−（ｄ）は同じ温度で実施され、
水は前記反応で生成されながら酸化物の表面から除去される、方法。
＜適用例１２＞
適用例１に記載の方法であって、
前記活性水素含有種は、メタノール、エタノール、水、および（ａ）で酸化物の表面に吸着する水−アルコール共沸混合物からなる群より選択され、
前記無水ＨＦは、（ｃ）において制御された限定量で供給される、方法。
＜適用例１３＞
適用例１に記載の方法であって、
前記活性水素含有種は、（ａ）において第１の温度で酸化物の表面に吸着するメタノールまたはエタノールであって、
前記水は、（ｄ）において前記基板の温度を前記第１の温度より高い第２の温度に上げることによって除去される、方法。
＜適用例１４＞
適用例１１に記載の方法であって、
前記処理チャンバへの前記無水ＨＦの前記流れは、（ｄ）の前に止まる、方法。
＜適用例１５＞
適用例１に記載の方法であって、
（ｄ）は、
（ｉ）前記基板の温度を上げることと、
（ｉｉ）前記処理チャンバの圧力を下げることと、
（ｉｉｉ）前記基板をプラズマで処理することと、
（ｉｖ）前記基板を電子ビームで処理することと、
（ｖ）前記基板を電磁放射で照射することと、
これらの組み合わせ
からなる群より選択される方法によって水を除去することを含む、方法。
＜適用例１６＞
適用例１に記載の方法であって、
動作（ａ）−（ｄ）は、前記基板から酸化物の０．５〜１０原子層を除去する、方法。
＜適用例１７＞
適用例１に記載の方法であって、
動作（ａ）−（ｄ）を含むサイクルを少なくとも２サイクル実施することを含む、方法。
＜適用例１８＞
適用例１に記載の方法であって、
動作（ａ）−（ｄ）は、約８０℃以上の単一温度で実施される、方法。
＜適用例１９＞
適用例１に記載の方法であって、さらに、
前記基板にフォトレジストを塗布することと、
前記フォトレジストを露光することと、
前記フォトレジストをパターニングして、前記パターンを前記基板に搬送することと、
前記フォトレジストを前記基板から選択的に除去することと、
を含む、方法。
＜適用例２０＞
基板上の酸化物を制御可能にエッチングするためのエッチング装置であって、
（ａ）処理ガスの導入用の導入口を有する処理チャンバと、
（ｂ）前記基板上の前記酸化物のエッチング時に、前記基板を定位置に保持するように構成されている前記処理チャンバ内の基板支持体と、
（ｄ）コントローラであって、
（ｉ）前記基板上の前記酸化物の表面を改質するために、前記処理チャンバに収納されている前記基板を活性水素含有種と接触させるためのプログラム命令であって、前記活性水素含有種は、１つ以上のＯＨ基を含む化合物または水素含有プラズマで生成される水素含有種であって、前記酸化物は、酸化シリコン、酸化ゲルマニウム、およびこれらの組み合わせからなる群より選択されるプログラム命令と、
（ｉｉ）酸化物の表面が改質された後に、非表面結合活性水素種を前記処理チャンバから除去するためのプログラム命令と、
（ｉｉｉ）（ｂ）の後に、酸化物の前記改質された表面と反応する無水ＨＦを前記処理チャンバに流すためのプログラム命令であって、前記反応は水を生成するプログラム命令と、
（ｉｖ）（ｉｉｉ）で生成された前記水を、前記基板の前記表面から除去するためのプログラム命令と、を含むコントローラと、
を備える、装置。
＜適用例２１＞
基板上の酸化物層を制御可能にエッチングする方法であって、前記方法は、
（ａ）前記基板上の前記酸化物層上にＨＦ層を吸着させるために、処理チャンバに収納されている前記基板を無水ＨＦと接触させることであって、前記酸化物は、酸化シリコン、酸化ゲルマニウム、およびこれらの組み合わせからなる群より選択されることと、
（ｂ）前記ＨＦが吸着した後に、非表面結合ＨＦを前記処理チャンバから除去することと、
（ｃ）前記基板上の前記ＨＦと反応させるために前記基板を活性水素含有種と接触させることであって、前記活性水素含有種は、１つ以上のＯＨ基を含む化合物または水素プラズマで生成される水素含有種であって、前記反応は水を生成することと、
（ｄ）（ｃ）で生成された前記水を前記基板の表面から除去することと、
を含む方法。