【手続補正書】
【提出日】平成31年1月25日(2019.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質炭素ハードマスク膜を堆積させる方法であって、
基板を処理チャンバ内に配置するステップと、
キャリアガスを前記処理チャンバに供給するステップと、
ＣＨ４を含む炭化水素前駆体を前記処理チャンバに供給するステップと、
ＷＦa、ＮＦb、ＳＦc、およびＦ2から成る群からフッ素前駆体を１〜１０％の割合で前記処理チャンバに供給するステップであって、a、b、およびcが０より大きい整数であるステップと、
プラズマを前記処理チャンバに供給するステップ、またはプラズマを前記処理チャンバ内で発生させるステップのいずれか一方のステップであって、前記キャリアガス，前記炭化水素前駆体および前記フッ素前駆体は、前記フッ素前駆体のフッ素が前記炭化水素前駆体の水素と共に消費される気相反応を生じるように前記処理チャンバ内に存在して、前記基板上に堆積される非晶質炭素ハードマスク膜の前記フッ素の含有量が実質的に０となるように、前記炭化水素前駆体から前記水素を除去させるステップと
を含む、非晶質炭素ハードマスク膜を堆積させる方法。
【請求項２】
前記処理チャンバが、プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記フッ素前駆体中のフッ素が、気相反応で水素を減少させることにより、前記フッ素前駆体を用いない膜堆積と比較して、前記基板に堆積する前記非晶質炭素ハードマスク膜の炭素‐水素含有量を減少させる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記キャリアガスが、アルゴン（Ａｒ）、窒素分子（Ｎ2）、ヘリウム（Ｈｅ）、および／またはそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
非晶質炭素ハードマスク膜を堆積させる基板処理システムであって、
基板を支持するよう構成される基板支持部を含む処理チャンバと、
プロセスガスを前記処理チャンバに選択的に供給するよう構成されるガス供給システムと、
プラズマを前記処理チャンバに選択的に供給するよう構成されるプラズマ発生器と、
前記ガス供給システムおよび前記プラズマ発生器を制御するよう構成され、さらに、
キャリアガスを前記処理チャンバに供給し、
ＣＨ４を含む炭化水素前駆体を前記処理チャンバに供給し、
ＷＦa、ＮＦb、ＳＦc、およびＦ2から成る群からフッ素前駆体を１〜１０％の割合で前記処理チャンバに供給し、このとき、a、b、およびcが０より大きい整数であり、
プラズマを前記処理チャンバに供給すること、またはプラズマを前記処理チャンバ内で発生させることのいずれか一方を行い、このとき、前記キャリアガス，前記炭化水素前駆体およびフッ素前駆体は、前記フッ素前駆体のフッ素が前記炭化水素前駆体の水素と共に消費される気相反応を生じるように前記処理チャンバ内に存在して、前記基板上に堆積される非晶質炭素ハードマスク膜の前記フッ素の含有量が実質的に０となるように、前記炭化水素前駆体から前記水素を除去させるよう構成されるコントローラと
を含む基板処理システム。
【請求項６】
前記処理チャンバが、プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバを含む、請求項５に記載の基板処理システム。
【請求項７】
前記フッ素前駆体中のフッ素が、気相反応で水素を減少させることにより、前記フッ素前駆体を用いない膜堆積と比較して、前記基板に堆積する前記非晶質炭素ハードマスク膜の炭素‐水素含有量を減少させる、請求項５に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記キャリアガスが、アルゴン（Ａｒ）、窒素分子（Ｎ2）、ヘリウム（Ｈｅ）、および／またはそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項５に記載の基板処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
上述のように、プロセスステップに応じて、またはツールによって実行されるステップに応じて、コントローラは、他のツールの回路もしくはモジュール、他のツールコンポーネント、クラスタツール、他のインターフェイス、隣接ツール、近隣ツール、工場全体に配置された他のツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、または半導体製造工場内でウェハのコンテナをツールの場所および／もしくはロードポートとやり取りする資材搬送で使用するツールの１つまたは複数と通信してよい。また、本発明は、以下の適用例としても実施可能である。
［適用例１］非晶質炭素ハードマスク膜を堆積させる方法であって、
基板を処理チャンバ内に配置するステップと、
キャリアガスを前記処理チャンバに供給するステップと、
炭化水素前駆体を前記処理チャンバに供給するステップと、
ＷＦa、ＮＦb、ＳＦc、およびＦ2から成る群からフッ素前駆体を前記処理チャンバに供給するステップであって、a、b、およびcが０より大きい整数であるステップと、
プラズマを前記処理チャンバに供給するステップ、またはプラズマを前記処理チャンバ内で発生させるステップのいずれか一方のステップであって、前記フッ素前駆体のフッ素が、気相反応で前記炭化水素前駆体の水素と結合するステップと、
非晶質炭素ハードマスク膜を前記基板上に堆積させるステップと
を含む、非晶質炭素ハードマスク膜を堆積させる方法。
［適用例２］前記処理チャンバが、プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバを含む、適用例１に記載の方法。
［適用例３］前記基板に堆積する前記非晶質炭素ハードマスク膜が、１％未満のフッ素を有する、適用例１に記載の方法。
［適用例４］前記フッ素前駆体中のフッ素が、気相反応で水素を減少させることにより、前記フッ素前駆体を用いない膜堆積と比較して、前記基板に堆積する前記非晶質炭素ハードマスク膜の炭素‐水素含有量を減少させる、適用例３に記載の方法。
［適用例５］前記キャリアガスが、アルゴン（Ａｒ）、窒素分子（Ｎ2）、ヘリウム（Ｈｅ）、および／またはそれらの組み合わせから成る群から選択される、適用例１に記載の方法。
［適用例６］前記炭化水素前駆体がＣxＨyを含み、ｘが２〜１０の整数であり、ｙが２〜２４の整数である、適用例１に記載の方法。
［適用例７］前記炭化水素前駆体が、メタン、アセチレン、エチレン、プロピレン、ブタン、シクロヘキサン、ベンゼン、およびトルエンから成る群から選択される、適用例１に記載の方法。
［適用例８］前記フッ素前駆体が１〜１０％の割合で前記チャンバに供給される、適用例１に記載の方法。
［適用例９］前記フッ素前駆体が１〜３０％の割合で供給され、前記炭化水素前駆体が１０〜９５％の割合で供給され、かつ、前記キャリアガスが１０〜８９％の割合で供給される、適用例１に記載の方法。
［適用例１０］前記フッ素前駆体が１〜１０％の割合で供給され、前記炭化水素前駆体が１０〜３０％の割合で供給され、かつ、前記キャリアガスが６０〜８９％の割合で供給される、適用例１に記載の方法。
［適用例１１］非晶質炭素ハードマスク膜を堆積させる基板処理システムであって、
基板を支持するよう構成される基板支持部を含む処理チャンバと、
プロセスガスを前記処理チャンバに選択的に供給するよう構成されるガス供給システムと、
プラズマを前記処理チャンバに選択的に供給するよう構成されるプラズマ発生器と、
前記ガス供給システムおよび前記プラズマ発生器を制御するよう構成され、さらに、
キャリアガスを前記処理チャンバに供給し、
炭化水素前駆体を前記処理チャンバに供給し、
ＷＦa、ＮＦb、ＳＦc、およびＦ2から成る群からフッ素前駆体を前記処理チャンバに供給し、このとき、a、b、およびcが０より大きい整数であり、
プラズマを前記処理チャンバに供給すること、またはプラズマを前記処理チャンバ内で発生させることのいずれか一方を行い、このとき、前記フッ素前駆体のフッ素が、気相反応で前記炭化水素前駆体の水素と結合し、かつ
非晶質炭素ハードマスク膜を前記基板上に堆積させるよう構成されるコントローラと
を含む基板処理システム。
［適用例１２］前記処理チャンバが、プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバを含む、適用例１１に記載の基板処理システム。
［適用例１３］前記基板に堆積する前記非晶質炭素ハードマスク膜が、１％未満のフッ素を有する、適用例１１に記載の基板処理システム。
［適用例１４］前記フッ素前駆体中のフッ素が、気相反応で水素を減少させることにより、前記フッ素前駆体を用いない膜堆積と比較して、前記基板に堆積する前記非晶質炭素ハードマスク膜の炭素‐水素含有量を減少させる、適用例１３に記載の基板処理システム。
［適用例１５］前記キャリアガスが、アルゴン（Ａｒ）、窒素分子（Ｎ2）、ヘリウム（Ｈｅ）、および／またはそれらの組み合わせから成る群から選択される、適用例１１に記載の基板処理システム。
［適用例１６］前記炭化水素前駆体がＣxＨyを含み、ｘが２〜１０の整数であり、ｙが２〜２４の整数である、適用例１１に記載の基板処理システム。
［適用例１７］前記炭化水素前駆体が、メタン、アセチレン、エチレン、プロピレン、ブタン、シクロヘキサン、ベンゼン、およびトルエンから成る群から選択される、適用例１１に記載の基板処理システム。
［適用例１８］前記コントローラが、前記フッ素前駆体を１〜１０％の割合で前記チャンバに供給するよう構成される、適用例１１に記載の基板処理システム。
［適用例１９］前記コントローラが、前記フッ素前駆体を１〜３０％の割合で供給し、前記炭化水素前駆体を１０〜９５％の割合で供給し、かつ、前記キャリアガスを１０〜８９％の割合で供給するよう構成される、適用例１１に記載の基板処理システム。
［適用例２０］前記コントローラが、前記フッ素前駆体を１〜１０％の割合で供給し、前記炭化水素前駆体を１０〜３０％の割合で供給し、かつ、前記キャリアガスを６０〜８９％の割合で供給するよう構成される、適用例１１に記載の基板処理システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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