【手続補正書】
【提出日】令和1年11月15日(2019.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第一面及び第二面を有し、前記第一面と前記第二面とを結ぶ内側面により囲まれた貫通孔が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板の前記第一面の側に形成された半導体素子と、
前記半導体基板の前記第一面の側に形成された配線層と、
前記半導体基板の前記貫通孔の中に配され、前記半導体基板を貫通して前記配線層に接続された貫通電極と、
前記半導体基板の前記内側面と前記貫通電極との間に配された絶縁部材と、を有し、
前記絶縁部材は、前記半導体基板の前記内側面と前記貫通電極との間に配された第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜と前記貫通電極との間に配された第二の絶縁膜と、を含み、
前記絶縁部材が有するクラックが前記第一の絶縁膜にあり、前記クラックは前記第二の絶縁膜と前記内側面の間に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記内側面は、前記貫通孔の深さ方向において凸部と凹部とが交互に繰り返された形状を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第二の絶縁膜は前記第一の絶縁膜の側に、前記内側面の前記凸部に対応した凹部を有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記クラックは、前記内側面の前記凸部と前記第二の絶縁膜の前記凹部との間に位置することを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第一の絶縁膜は前記第二の絶縁膜の側に、前記内側面の前記凹部に対応した凹部を有することを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記絶縁部材が有する別のクラックが前記第二の絶縁膜にあり、前記別のクラックは、前記貫通電極と前記第一の絶縁膜の前記凹部との間に位置することを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第二の絶縁膜は前記第一の絶縁膜よりも厚いことを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記内側面の前記凸部の位置と、前記第一の絶縁膜の前記第二の絶縁膜の側の前記凹部の位置とが、前記貫通孔の深さ方向において互いに異なっていることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記絶縁部材が有する別のクラックが前記第二の絶縁膜にあり、前記第一の絶縁膜の前記クラックの位置と、前記第二の絶縁膜の前記別のクラックの位置とが、前記貫通孔の深さ方向において互いに異なっていることを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第一の絶縁膜が、酸化シリコン、窒化シリコン及び酸窒化シリコンのうちのいずれかからなり、
前記第二の絶縁膜が、酸化シリコン、窒化シリコン及び酸窒化シリコンのうちのいずれかからなることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体基板の前記第一面の側に設けられた支持基板をさらに有する請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体装置は固体撮像装置であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
半導体基板の第一面の側に半導体素子を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第一面の側に、層間絶縁層を介して配線層を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第一面に対向する第二面の側から前記半導体基板及び前記層間絶縁層を開口して、前記半導体基板及び前記層間絶縁層に、前記配線層に達する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の内側面に、第一の絶縁膜及び第二の絶縁膜を順に積層する工程と、
前記第一の絶縁膜及び前記第二の絶縁膜が積層された前記貫通孔の内部に導電材料を埋め込んで、前記導電材料からなる貫通電極を形成する工程とを有し、
前記第一の絶縁膜の成膜温度が、前記第二の絶縁膜の成膜温度よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
半導体基板の第一面の側に半導体素子を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第一面の側に、層間絶縁層を介して配線層を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第一面に対向する第二面の側から前記半導体基板及び前記層間絶縁層を開口して、前記半導体基板及び前記層間絶縁層に、前記配線層に達する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の内側面に、第一の絶縁膜及び第二の絶縁膜を順に積層する工程と、
前記第一の絶縁膜及び前記第二の絶縁膜が積層された前記貫通孔の内部に導電材料を埋め込んで、前記導電材料からなる貫通電極を形成する工程とを有し、
前記第一の絶縁膜及び前記第二の絶縁膜を順に積層する工程が、前記第一の絶縁膜を形成した後、前記第二の絶縁膜を形成する前に、前記半導体基板を加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記半導体基板を加熱する工程における熱処理の温度が、前記第一の絶縁膜及び前記第二の絶縁膜の成膜温度よりも高いことを特徴とする請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記半導体基板を加熱する工程における加熱速度が、前記第一の絶縁膜及び前記第二の絶縁膜の成膜時における加熱速度よりも大きいことを特徴とする請求項１４又は１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記貫通孔を形成する工程が、
前記半導体基板を前記貫通孔が貫通するように前記半導体基板を開口する工程と、
前記第一の絶縁膜及び前記第二の絶縁膜を形成する工程の後に、前記半導体基板を貫通した前記貫通孔が前記配線層に達するように前記層間絶縁層を開口する工程とを含むことを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第一の絶縁膜及び前記第二の絶縁膜を形成する工程が、ＣＶＤ法によりそれぞれ前記第一の絶縁膜及び前記第二の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記ＣＶＤ法が、プラズマＣＶＤ法であることを特徴とする請求項１８記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一観点によれば、互いに対向する第一面及び第二面を有し、前記第一面と前記第二面とを結ぶ内側面により囲まれた貫通孔が設けられた半導体基板と、前記半導体基板の前記第一面の側に形成された半導体素子と、前記半導体基板の前記第一面の側に形成された配線層と、前記半導体基板の前記貫通孔の中に配され、前記半導体基板を貫通して前記配線層に接続された貫通電極と、前記半導体基板の前記内側面と前記貫通電極との間に配された絶縁部材と、を有し、前記絶縁部材は、前記半導体基板の前記内側面と前記貫通電極との間に配された第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜と前記貫通電極との間に配された第二の絶縁膜と、を含み、前記絶縁部材が有するクラックが前記第一の絶縁膜にあり、前記クラックは前記第二の絶縁膜と前記内側面の間に位置することを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のさらに他の観点によれば、半導体基板の第一面の側に半導体素子を形成する工程と、前記半導体基板の前記第一面の側に、層間絶縁層を介して配線層を形成する工程と、前記半導体基板の前記第一面に対向する第二面の側から前記半導体基板及び前記層間絶縁層を開口して、前記半導体基板及び前記層間絶縁層に、前記配線層に達する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の内側面に、第一の絶縁膜及び第二の絶縁膜を順に積層する工程と、前記第一の絶縁膜及び前記第二の絶縁膜が積層された前記貫通孔の内部に導電材料を埋め込んで、前記導電材料からなる貫通電極を形成する工程とを有し、前記第一の絶縁膜及び前記第二の絶縁膜を順に積層する工程が、前記第一の絶縁膜を形成した後、前記第二の絶縁膜を形成する前に、前記半導体基板を加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。