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　特願２０１７−５５７１３９「低誘電率かつ低湿式エッチング速度の誘電体薄膜を堆積させるための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年１１月１０日国際公開、ＷＯ２０１６／１７８９９１、平成３０年　６月１４日国内公表、特表２０１８−５１５９２１、請求項の数（１５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１６年４月２９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１５年５月２日、米国）を国際出願日とする出願であって、令和２年７月１０日付けで拒絶理由通知がされ、同年１０月１２日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出され、同年１１月１０日付けで拒絶査定（原査定）がされ、これに対し、令和３年３月１６日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされ、同年４月９日付けで前置報告がされ、同年７月１９日に上申書が提出されたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（令和２年１１月１０日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
Ａ．（進歩性）本願請求項１−５、１２、１４、１５に係る発明は、以下の引用文献１、６−８に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
Ｂ．（進歩性）本願請求項１−４、１０−１２、１４、１５に係る発明は、以下の引用文献２、６−８に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
Ｃ．（進歩性）本願請求項１−９、１２に係る発明は、以下の引用文献３、６−８に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
Ｄ．（進歩性）本願請求項９に係る発明は、以下の引用文献３、４、６−８に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
Ｅ．（進歩性）本願請求項１３に係る発明は、以下の引用文献１、２、５−８に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
　１．国際公開第２０１３／０２７５４９号
　２．特開２０１５−０１２１９６号公報
　３．特開２０１４−１４６７８６号公報
　４．特開２００７−２２１０３９号公報
　５．特開２０１４−０６３８５９号公報
　６．特開２０１３−１５３１４３号公報（周知技術を示す文献）
　７．特開２０１５−０１２０２１号公報（周知技術を示す文献）
　８．特開２０１４−１５４６３０号公報（周知技術を示す文献）
第３　審判請求時の補正について
　審判請求時の補正は、特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。
１　審判請求時の補正によって、請求項１に記載された「第１区画」、「第２区画」を、それぞれ、「
、第１ガスポートを備える
、第２ガスポートを備える
　また、「
第１ガスポートを備える
第２ガスポートを備える
２　審判請求時の補正によって、請求項１について、「前記第１ガスポート及び前記第２ガスポートのそれぞれは、それぞれの真空ポートによって取り囲まれる」という事項を追加する補正は、「第１ガスポート及び第２ガスポート」を限定する補正であるから、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものである。
　また、「前記第１ガスポート及び前記第２ガスポートのそれぞれは、それぞれの真空ポートによって取り囲まれる」という事項は、当初明細書の段落【００３８】、図４、５に記載されているから、当該補正は新規事項を追加するものではない。
　そして、下記第４から第６までに示すように、補正後の請求項１−１５に係る発明は、独立特許要件を満たすものである。
第４　本願発明
　本願請求項１−１５に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明１５」という。）は、令和３年３月１６日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１５に記載された事項により特定される発明であり、そのうちの本願発明１は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　第１ケイ素含有膜を形成するために、処理チャンバの、第１ガスポートを備える第１区画内で基板表面の少なくとも一部分をケイ素含有前駆体に曝露することと、
　炭素を含む第２ケイ素含有膜を形成するために、前記処理チャンバの、第２ガスポートを備える第２区画内で前記第１ケイ素含有膜を炭素含有前駆体に曝露することと、
　ケイ素−炭素膜を形成するために、前記処理チャンバの第３区画内で前記第２ケイ素含有膜をプラズマに曝露することとを含み、
　前記処理チャンバの隣接する区画は、不活性ガスにより分離され、
　前記第１ガスポート及び前記第２ガスポートのそれぞれは、それぞれの真空ポートによって取り囲まれる、処理方法。」
　なお、本願発明２−１５は、本願発明１を減縮した発明である。
第５　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
（１）引用文献１に記載の事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審が付与した。以下、同じ。）。
「技術分野
[0001]　この発明は、基板上に薄膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および記録媒体に関するものである。」
「[0013]　図１は、本実施形態で好適に用いられる
基板処理装置の縦型処理炉
処理炉２０２
[0014]　図１に示されているように、処理炉２０２は加熱手段（加熱機構）としてのヒータ２０７を有する。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース（図示せず）に支持されることにより垂直に据え付けられている。なお、ヒータ２０７は、後述するようにガスを熱で活性化させる活性化機構としても機能する。
[0015]　ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に反応容器（処理容器）を構成する反応管２０３が配設されている。
反応管２０３は
上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている
反応管２０３の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている
「[0031]　第１ガス供給管２３２ａからは、所定元素およびハロゲン基を含む第１の原料として、例えば、少なくともシリコン（Ｓｉ）元素とクロロ基とを含む
第１の原料ガスであるクロロシラン系原料ガス
クロロシラン系原料ガスとしては、例えばヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６、略称：ＨＣＤＳ）ガスを用いることができる
[0032]　第２ガス供給管２３２ｂからは、所定元素およびアミノ基（アミン基）を含む
第２の原料として
アミノシラン系原料ガス
アミノシラン系原料ガスとしては、例えばトリスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）ガスを用いることができる
「[0051]　次に、上述の基板処理装置の処理炉を用いて半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜を成膜するシーケンス例について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。
[0052]　なお、本発明の実施形態では、形成する膜の組成比が化学量論組成、または、化学量論組成とは異なる所定の組成比となるようにすることを目的として、形成する膜を構成する複数の元素を含む複数種類のガスの供給条件を制御する。例えば、形成する膜を構成する複数の元素のうち少なくとも一つの元素が他の元素よりも化学量論組成に対し過剰となるようにすることを目的として、供給条件を制御する。以下、形成する膜を構成する複数の元素の比率、すなわち、膜の組成比を制御しつつ成膜を行うシーケンス例について説明する。
[0053]　（第１シーケンス）
　まず、本実施形態の第１シーケンスについて説明する。
　図３は、本実施形態の第１シーケンスにおけるガス供給およびプラズマパワー供給のタイミングを示す図であり、図３（ａ）は、プラズマを用いず（ノンプラズマで）成膜を行うシーケンス例を示しており、
図３（ｂ）は、プラズマを用いて成膜を行うシーケンス例を示しており
図３（ｄ）は、図３（ｂ）に示すシーケンスの変形例を示している
[0054]　本実施形態の第１シーケンスでは、
　
処理室２０１内のウエハ２００に対して、クロロシラン系原料を供給し、その後、アミノシラン系原料を供給することで、ウエハ２００上にシリコン、窒素および炭素を含む第１の層を形成する工程と、
　
処理室２０１内のウエハ２００に対して、反応ガスとして
プラズマで活性化させた窒素含有ガスを供給することで、第１の層を改質して、第２の層としてシリコン炭窒化層
を形成する工程と、
　
を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に
シリコン炭窒化膜
を形成する
[0055]　以下、本実施形態の第１シーケンスを具体的に説明する。ここでは、
クロロシラン系原料ガスとしてＨＣＤＳガスを、アミノシラン系原料ガスとして３ＤＭＡＳガスを、窒素含有ガスとしてＮＨ３ガスを用い
図３のシーケンスにより、基板上に絶縁膜としてシリコン炭窒化膜（ＳｉＣＮ膜）
を形成する例について説明する
・・・
[0061]　［
ステップ１
　第１ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａ開き、第１ガス供給管２３２ａ内に
ＨＣＤＳガスを流す
ＨＣＤＳガスは
処理室２０１内に供給
・・・
[0064]　上述の条件下でＨＣＤＳガスを処理室２０１内に供給することで、ウエハ２００（表面の下地膜）上に、例えば１原子層未満から数原子層程度の厚さの
シリコン含有層が形成される
・・・
[0071]　
クロロシラン系原料ガスとしては、ＨＣＤＳガスの他、テトラクロロシラン、すなわちシリコンテトラクロライド（ＳｉＣｌ４、略称：ＳＴＣ）ガス、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３、略称：ＴＣＳ）ガス、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２、略称：ＤＣＳ）ガス、モノクロロシラン（ＳｉＨ３Ｃｌ、略称：ＭＣＳ）ガス等の無機原料を用いてもよい
[0072]　［
ステップ２
　
ステップ１が終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後
３ＤＭＡＳガスを流す
３ＤＭＡＳガスは
処理室２０１内へ供給
・・・
[0075]　３ＤＭＡＳガスの供給により、ステップ１でウエハ２００上に形成されたシリコン含有層と３ＤＭＡＳガスとが反応する。これにより
シリコン含有層は、シリコン（Ｓｉ）、窒素（Ｎ）及び炭素（Ｃ）を含む第１の層へと改質される
Ｓｉ、Ｎ及びＣを含む層となる
[0078]　
アミノシラン系原料ガスとしては、３ＤＭＡＳガスの他、テトラキスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、略称：４ＤＭＡＳ）ガス、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］２Ｈ２、略称：２ＤＥＡＳ）ガス、ビスターシャリーブチルアミノシラン（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２、略称：ＢＴＢＡＳ）ガス、ヘキサメチルジシラザン（（ＣＨ３）３Ｓｉ−ＮＨ−Ｓｉ（ＣＨ３）３、略称：ＨＭＤＳ）ガス等の有機原料を用いてもよい
[0079]　［
ステップ３
　
ステップ２が終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後
ＮＨ３ガスを流す
ＮＨ３ガスはプラズマ励起され、活性種として
処理室２０１内に供給され、排気管２３１から排気される（図３（ｂ）参照）
このときウエハ２００に対して
プラズマで活性化されたＮＨ３ガスが供給されることとなる
・・・
[0081]　ＮＨ３ガスをプラズマ励起することなく熱で活性化させて流すときは、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して処理室２０１内の圧力を例えば１〜３０００Ｐａの範囲内の圧力とする。処理室２０１内の圧力をこのような比較的高い圧力帯とすることで、ＮＨ３ガスをノンプラズマで熱的に活性化させることが可能となる。なお、ＮＨ３ガスは熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する窒化をソフトに行うことができる。また、
ＮＨ３ガスをプラズマ励起することにより活性種として流す
[0082]　このとき処理室２０１内に流しているガスは、処理室２０１内圧力を高くすることで熱的に活性化されたＮＨ３ガス、もしくは、ＮＨ３ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種であり、処理室２０１内にはＨＣＤＳガスも３ＤＭＡＳガスも流していない。したがって、ＮＨ３ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化された、もしくは、
活性種となったＮＨ３ガスは、ステップ２でウエハ２００上に形成されたＳｉ、Ｎ及びＣを含む第１の層の少なくとも一部と反応する
これにより第１の層は窒化されて、シリコン炭窒化層（ＳｉＣＮ層）
を含む第２の層へと改質される
・・・
[0092]　上述した
ステップ１〜３を１サイクルとして、このサイクルを１回以上（所定回数）行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のシリコン炭窒化膜（ＳｉＣＮ膜）
を成膜する
・・・
[0094]　なお、上述したステップ１とステップ２とを交互に所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、を交互に所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＣＮ膜、または、ＳｉＮ膜を成膜するようにしてもよい。すなわち、上述した
ステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定膜厚のＳｉＣＮ膜
を成膜するようにしてもよい
「[0128]　（第３シーケンス）
　　次に、本実施形態の第３シーケンスについて説明する。
　　図５は、本実施形態の第３シーケンスにおけるガス供給およびプラズマパワー供給のタイミングを示す図であり、図５（ａ）は、プラズマを用いず（ノンプラズマで）成膜を行うシーケンス例を示しており、
図５（ｂ）は、プラズマを用いて成膜を行うシーケンス例を示しており
図５（ｄ）は、図５（ｂ）に示すシーケンスの変形例を示している
　図１、３、５は、以下のとおりのものである。
（２）引用文献１に記載された発明
　したがって、上記引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「基板処理装置における処理方法であって、
　前記基板処理装置の縦型処理炉２０２は、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている反応管２０３を有し、反応管２０３の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されており、
　処理室２０１内にクロロシラン系原料ガスを流し、シリコン含有層を形成するステップ１と、
　ステップ１が終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後、処理室２０１内にアミノシラン系原料ガスを流し、シリコン含有層は、シリコン（Ｓｉ）、窒素（Ｎ）及び炭素（Ｃ）を含む第１の層へと改質して、Ｓｉ、Ｎ及びＣを含む層とするステップ２と、
　ステップ２が終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後、処理室２０１内に窒素含有ガスを流すステップ３であって、
　該窒素含有ガスはプラズマ励起することにより活性種として流すものであり、
　ステップ２で形成された第１の層は窒化されて、シリコン炭窒化層（ＳｉＣＮ層）を含む第２の層へと改質される、ステップ３とを含み、
　ステップ１〜３を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことにより、又は、ステップ１〜２を１セットとしてこのセットを所定回数行う工程と、ステップ３を行う工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上に所定組成のシリコン炭窒化膜（ＳｉＣＮ膜）を成膜し、
　アミノシラン系原料ガスとしては、３ＤＭＡＳガスの他、テトラキスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、略称：４ＤＭＡＳ）ガス、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］２Ｈ２、略称：２ＤＥＡＳ）ガス、ビスターシャリーブチルアミノシラン（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２、略称：ＢＴＢＡＳ）ガス、ヘキサメチルジシラザン（（ＣＨ３）３Ｓｉ−ＮＨ−Ｓｉ（ＣＨ３）３、略称：ＨＭＤＳ）ガス等の有機原料を用いてもよい、基板処理方法。」
２　引用文献２について
（１）引用文献２の記載事項
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献２には、次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、
基板上に薄膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法
「【００１０】
＜本発明の第１実施形態＞
　以下に、本発明の第１実施形態について、図１〜図３を用いて説明する。
【００１１】
（１）基板処理装置の構成
　図１に示すように、
処理炉２０２
【００１２】
　ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に
反応容器（処理容器）を構成する反応管２０３が配設されている
反応管２０３は、
上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている
反応管２０３の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を
水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている
「【００２０】
　このように、本実施形態では、反応管２０３の内壁と、積載された複数のウエハ２００の端部（外周）と、で定義される円環状の縦長に伸びた空間内、つまり、円筒状の空間内に配置したノズル２４９ａ〜２４９ｄおよびバッファ室２３７を経由してガスを搬送している。そして、ノズル２４９ａ〜２４９ｄおよびバッファ室２３７にそれぞれ開口されたガス供給孔２５０ａ〜２５０ｅから、ウエハ２００の近傍で初めて反応管２０３内にガスを噴出させている。そして、反応管２０３内におけるガスの主たる流れを、ウエハ２００の表面と平行な方向、すなわち水平方向としている。このような構成とすることで、各ウエハ２００に均一にガスを供給でき、各ウエハ２００に形成される薄膜の膜厚を均一にすることが可能となる。ウエハ２００の表面上を流れたガス、すなわち、反応後の残ガスは、排気口、すなわち、後述する排気管２３１の方向に向かって流れる。但し、この残ガスの流れの方向は、排気口の位置によって適宜特定され、垂直方向に限ったものではない。
・・・
【００２６】
　ガス供給管２３２ｅからは、窒化ガス（窒素含有ガス）が、ＭＦＣ２４１ｅ、バルブ２４３ｅ、ガス供給管２３２ｃ、ノズル２４９ｃ、バッファ室２３７を介して処理室２０１内へ供給される。窒化ガスとしては、例えば、アンモニア（ＮＨ３）ガスを用いることができる。
【００２７】
　ガス供給管２３２ｄからは、炭素（Ｃ）を含むガス（炭素含有ガス）として、例えば、炭化水素系ガスが、ＭＦＣ２４１ｄ、バルブ２４３ｄ、ノズル２４９ｄを介して処理室２０１内へ供給される。炭素含有ガスとしては、例えば、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）ガスを用いることができる。
【００２８】
　ガス供給管２３２ｆからは、窒素（Ｎ）および炭素（Ｃ）を含むガスとして、例えば、アミン系ガスが、ＭＦＣ２４１ｆ、バルブ２４３ｆ、ガス供給管２３２ｄ、ノズル２４９ｄを介して処理室２０１内へ供給される。
・・・
【００３０】
　ガス供給管２３２ｇ〜２３２ｊからは、不活性ガスとして、例えば、窒素（Ｎ２）ガスが、それぞれＭＦＣ２４１ｇ〜２４１ｊ、バルブ２４３ｇ〜２４３ｊ、ガス供給管２３２ａ〜２３２ｄ、ノズル２４９ａ〜２４９ｄ、バッファ室２３７を介して処理室２０１内へ供給される。
・・・
【００３７】
　また、主に、ガス供給管２３２ｇ〜２３２ｊ、ＭＦＣ２４１ｇ〜２４１ｊ、バルブ２４３ｇ〜２４３ｊにより、不活性ガス供給系が構成される。ガス供給管２３２ａ〜２３２ｄにおけるガス供給管２３２ｇ〜２３２ｊとの接続部より下流側、ノズル２４９ａ〜２４９ｄ、バッファ室２３７を不活性ガス供給系に含めて考えてもよい。不活性ガス供給系はパージガス供給系としても機能する。」
「【００４９】
（２）基板処理工程
　次に、上述の基板処理装置の処理炉を用いて、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に薄膜を成膜するシーケンス例について説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。
【００５０】
　本実施形態の成膜シーケンスでは、
　基板に対して所定元素を含む原料ガスを供給する工程と、
　基板に対してＮ、ＣおよびＯを含む反応ガスを供給する工程と、
　を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に、所定元素を含む酸炭窒化膜を形成する。
【００５１】
　原料ガスを供給する工程では、所定元素を含む第１の層を形成し、反応ガスを供給する工程では、所定元素を含む第１の層と反応ガスとを反応させることで第１の層を改質して、第２の層として、所定元素を含む酸炭窒化層を形成する。
【００５２】
　「原料ガスを供給する工程と、反応ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行う」とは、原料ガスを供給する工程と、反応ガスを供給する工程と、を交互に、または、同時に行うサイクルを１サイクルとした場合、このサイクルを１回もしくは複数回行うことを意味する。すなわち、このサイクルを１回以上行うことを意味する。換言すると、原料ガスを供給する工程と、反応ガスを供給する工程と、を交互に、または、同時に行うサイクルを、１回行うこと、もしくは、複数回繰り返すことを意味する。但し、このサイクルは複数回繰り返すのが好ましい。
【００５３】
　以下に、本実施形態の成膜シーケンスについて、図４、図５（ａ）を用いて説明する。
【００５４】
　図４、図５（ａ）に示す成膜シーケンスでは、
　
ウエハ２００に対してＳｉを含む原料ガスとしてクロロシラン系原料ガス（ＨＣＤＳガス）を供給する工程と、
　
ウエハ２００に対してＮ、ＣおよびＯを含む反応ガスとしてイソシアナート系ガス（ＨＮＣＯガス）を供給する工程と、
　
を含むサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上に、Ｓｉを含む酸炭窒化膜としてシリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）を形成する
【００５５】
　図４、図５（ａ）は、原料ガスを供給する工程と、反応ガスを供給する工程と、を交互に所定回数行う例を示している。
・・・
【００６１】
（ＳｉＯＣＮ膜形成工程）
　その後、次の２つのステップ、すなわち、ステップ１ａ，２ａを順次実行する。
【００６２】
［
ステップ１ａ
（ＨＣＤＳガス供給）
　バルブ２４３ａを開き、ガス供給管２３２ａ内に
ＨＣＤＳガスを流す
ＨＣＤＳガスは
処理室２０１内へ供給
・・・
【００６８】
　上述の条件下で
ウエハ２００に対してＨＣＤＳガスを供給することにより、ウエハ２００（表面の下地膜）上に、第１の層として
Ｃｌを含むＳｉ含有層が形成される
・・・
【００７４】
（残留ガス除去）
　第１の層が形成された後、バルブ２４３ａを閉じ、ＨＣＤＳガスの供給を停止する。このとき、ＡＰＣバルブ２４４は開いたままとし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第１の層形成に寄与した後のＨＣＤＳガスを処理室２０１内から排除する。このとき、バルブ２４３ｇ〜２４３ｊは開いたままとし、不活性ガスとしてのＮ２ガスの処理室２０１内への供給を維持する。Ｎ２ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室２０１内に残留する未反応もしくは第１の層形成に寄与した後のＨＣＤＳガスを処理室２０１内から排除する効果を高めることができる。
・・・
【００７６】
　原料ガスとしては、ＨＣＤＳガスの他、テトラクロロシランすなわちシリコンテトラクロライド（ＳｉＣｌ４、略称：ＳＴＣ）ガス、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３、略称：ＴＣＳ）ガス、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２、略称：ＤＣＳ）ガス、モノクロロシラン（ＳｉＨ３Ｃｌ、略称：ＭＣＳ）ガス等のクロロシラン系原料ガスを用いてもよい。また、（エチルメチルアミノ）シラン（ＳｉＨ３［Ｎ（ＣＨ３）（Ｃ２Ｈ５）］）ガス、（ジメチルアミノ）シラン（ＳｉＨ３［Ｎ（ＣＨ３）２］）ガス、（ジエチルピペリジノ）シラン（ＳｉＨ３［ＮＣ５Ｈ８（Ｃ２Ｈ５）２］）ガス、ビス（ジエチルアミノ）シラン（ＳｉＨ２［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］２、略称：ＢＤＥＡＳ）ガス、ビス（ターシャリブチルアミノ）シラン（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２、略称：ＢＴＢＡＳ）ガス、ビス（ジエチルピペリジノ）シラン（ＳｉＨ２［ＮＣ５Ｈ８（Ｃ２Ｈ５）２］２、略称：ＢＤＥＰＳ）ガス、トリス（ジエチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］３、略称：３ＤＥＡＳ）ガス、トリス（ジメチルアミノ）シラン（ＳｉＨ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、略称：３ＤＭＡＳ）ガス、テトラキス（ジエチルアミノ）シラン（Ｓｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］４、略称：４ＤＥＡＳ）ガス、テトラキス（ジメチルアミノ）シラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、略称：４ＤＭＡＳ）ガス等のアミノシラン系原料ガスを用いてもよい。
【００７７】
　不活性ガスとしては、Ｎ２ガスの他、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いてもよい。
【００７８】
［
ステップ２ａ
（ＨＮＣＯガス供給）
　
ステップ１ａが終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後
ＨＮＣＯガスを流す
・・・
【００８１】
　上述の条件下でウエハ２００に対してＨＮＣＯガスを供給することにより、ステップ１ａでウエハ２００上に形成された第１の層とＨＮＣＯガスとが反応する。すなわち、第１の層に含まれるハロゲン元素（ハロゲン基）の原子であるＣｌ（クロロ基）と、ＨＮＣＯガスに含まれるリガンド（Ｈ）と、を反応させることができる。・・・
【００８２】
　この一連の反応により、
第１の層中からＣｌが脱離すると共に、第１の層中に、Ｎ成分、Ｃ成分、Ｏ成分が新たに取り込まれ、第１の層は、Ｓｉ、Ｏ、ＣおよびＮを含む第２の層、すなわち、シリコン酸炭窒化層（ＳｉＯＣＮ層）へと変化する（改質される
「【０１２５】
＜本発明の第３実施形態＞
 次に、本発明の第３実施形態について説明する。
【０１２６】
　上述の第１実施形態では、ステップ１ａ，２ａを含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に、ＳｉＯＣＮ膜を形成する例について説明した。本実施形態では、
上述のステップ１ａ，２ａと同様に行うステップ１ｃ，２ｃに加えて、基板に対して窒化ガスを供給するステップ３ｃをさらに含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に、ＳｉＯＣＮ膜
を形成する例について説明する
【０１２７】
（第１シーケンス）
　まず、本実施形態の第１シーケンスについて、図９、図１０を用いて説明する。
【０１２８】
　本実施形態の第１シーケンスでは、
　
ウエハ２００に対してＳｉを含む原料ガスとしてクロロシラン系原料ガス（ＨＣＤＳガス）を供給する工程と、
　
ウエハ２００に対してＮ、ＣおよびＯを含む反応ガスとしてイソシアナート系ガス（ＨＮＣＯガス）を供給する工程と、
　
ウエハ２００に対して窒化ガス（ＮＨ３ガス）を供給する工程と、
　
を含むサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上に、ＳｉＯＣＮ膜
ＯＮ膜を形成する
【０１２９】
　本シーケンスが
第１実施形態の成膜シーケンスと異なるのは、ステップ１ａ，２ａと同様に行うステップ１ｃ，２ｃに加えてステップ３ｃをさらに含む点だけであり、その他は第１実施形態の成膜シーケンスと同様である
【０１３０】
［
ステップ３ｃ
（ＮＨ３ガス供給）
　
ステップ２ｃが終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後
ＮＨ３ガスを流す
ＮＨ３ガスは、プラズマ励起され、活性種として
処理室２０１内へ供給され
このときウエハ２００に対して
プラズマで活性化されたＮＨ３ガスが供給される
・・・
【０１３３】
　ＮＨ３ガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、ＡＰＣバルブ２４４を適正に調整して、処理室２０１内の圧力を、例えば１〜１００Ｐａの範囲内の圧力とする。・・・
【０１３４】
　このとき、処理室２０１内へ流しているガスは、処理室２０１内の圧力を高くすることで熱的に活性化されたＮＨ３ガス、もしくは、ＮＨ３ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種であり、処理室２０１内へはＨＣＤＳガスもＨＮＣＯガスも流していない。したがって、ＮＨ３ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化された、もしくは、
活性種となったＮＨ３ガスは、ステップ２ｃでウエハ２００上に形成された第２の層の少なくとも一部と反応する
・・・
【０１３７】
　また、図１０（ｂ）に示すように、
ＮＨ３ガスをプラズマ励起することにより得られた活性種を処理室２０１内へ流すことで、第２の層をプラズマ窒化して第３の層へと改質（変化）させる
すなわち、Ｎ濃度を増加させる方向に、また、Ｃ濃度、Ｏ濃度、Ｓｉ濃度を減少させる方向に、組成比を変化させつつ第２の層を第３の層へと改質させる
・・・
【０１４５】
（所定回数実施）
　上述した
ステップ１ｃ〜３ｃを１サイクルとして、このサイクルを１回以上（所定回数）行うことにより、ウエハ２００上に、所定組成及び所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜
を成膜する
【０１４６】
（第２シーケンス）
　次に、本実施形態の第２シーケンスについて、図１１、図１２を用いて説明する。
【０１４７】
　本実施形態の第２シーケンスでは、
　ウエハ２００に対してＳｉを含む原料ガスとしてクロロシラン系原料ガス（ＨＣＤＳガス）を供給する工程と、ウエハ２００に対してＮ、ＣおよびＯを含む反応ガスとしてイソシアナート系ガス（ＨＮＣＯガス）を供給する工程と、を交互に所定回数行う工程と、
　ウエハ２００に対して窒化ガス（ＮＨ３ガス）を供給する工程と、
　含むサイクルを所定回数行うことで、ウエハ２００上に、ＳｉＯＣＮ膜またはＳｉＯＮ膜を形成する。
【０１４８】
　図１２は、上述したステップ１ｃ，２ｃを１セットとしてこのセットを２回行った後、ステップ３ｃを行い、これを１サイクルとして、このサイクルをｎ回行うことにより、ウエハ２００上に所定組成及び所定膜厚のＳｉＯＣＮ膜またはＳｉＯＮ膜を成膜する例を示している。本シーケンスが第１シーケンスと異なるのは、上述したステップ１ｃ，２ｃを１セットとしてこのセットを複数回繰り返した後、ステップ３ｃを行う点だけであり、その他は第１シーケンスと同様に行うことができる。また、本シーケンスにおける処理条件も、上述の第１シーケンスと同様な処理条件とすることができる。」
　図１、１０、１２は、以下のとおりのものである。
 （２）引用文献２に記載された発明
　したがって、上記引用文献２には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「基板処理装置において、基板上に薄膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
　前記基板処理装置の処理炉２０２に配設された反応管２０３は、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成され、反応管２０３の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されており、
　処理室２０１内にクロロシラン系原料ガスを流し、ウエハ２００（表面の下地膜）上に、第１の層として、Ｃｌを含むＳｉ含有層を形成するステップ１ｃと、
　ステップ１ｃが終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後、処理室２０１内にＮ、ＣおよびＯを含む反応ガスとしてイソシアナート系ガスを流し、第１の層中からＣｌを脱離させると共に、第１の層中に、Ｎ成分、Ｃ成分、Ｏ成分を新たに取り込み、第１の層を、Ｓｉ、Ｏ、ＣおよびＮを含む第２の層、すなわち、シリコン酸炭窒化層（ＳｉＯＣＮ層）へと変化させる（改質する）ステップ２ｃと、
　ステップ２ｃが終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後、プラズマ励起され、活性種とされた窒化ガスを流すステップ３ｃであって、
　第２の層をプラズマ窒化して第３の層へと改質（変化）させる、すなわち、Ｎ濃度を増加させる方向に、また、Ｃ濃度、Ｏ濃度、Ｓｉ濃度を減少させる方向に、組成比を変化させつつ第２の層を第３の層へと改質させるステップ３ｃとを含み、
　ステップ１ｃ〜３ｃを１サイクルとして、このサイクルを１回以上（所定回数）行うことにより、ウエハ２００上に、所定組成のＳｉＯＣＮ膜を成膜する、半導体装置の製造方法。」
３　引用文献３について
（１）引用文献３の記載事項
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献３には、次の事項が記載されている。
「【請求項１】
　酸化感受性及び／又は窒化感受性基材の曝露表面上に、酸化シリコン材料又は窒化シリコン材料を形成する方法であって、
（ａ）前記酸化感受性及び／又は窒化感受性基材を、シリコン含有反応物の気相流に周期的に曝露すること；
（ｂ）反応チャンバのステーションにおいて、前記酸化感受性及び／又は窒化感受性基材を、酸化反応物又は窒素含有反応物の気相流に曝露すること；並びに
（ｃ）前記シリコン含有反応物の前記気相流が停止したら、約１２．５〜約１２５Ｗ／ステーションの高周波数の高周波電力を用いて前記反応チャンバ内でプラズマを周期的に着火すること
を備える、方法。
・・・
【請求項７】
　請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法であって、さらに、
（ｄ）前記反応チャンバのステーションにおいて、前記基材を、第２のシリコン含有反応物の気相流に周期的に曝露すること；
（ｅ）前記基材を、第２の酸化剤含有反応物の気相流又は第２の窒素含有反応物の気相流に曝露すること；並びに
（ｆ）前記第２のシリコン含有反応物の前記気相流が停止したら、約２５０〜約１５００Ｗ／ステーションの高周波数の高周波電力を用いて前記反応チャンバ内でプラズマを周期的に着火すること
によって、前記酸化シリコン又は窒化シリコン材料の上に、第２の酸化シリコン材料又は窒化シリコン材料を蒸着することを備える、方法。
・・・
【請求項３１】
　
反応感受性基材上にシリコン含有二重層を形成する方法であって、
（ａ）プラズマ強化原子層蒸着プロセスによって、第１のシリコン含有フィルムの層を形成すること；及び
（ｂ）プラズマ強化原子層蒸着プロセスによって、前記第１の層の上に第２のシリコン含有フィルムの層を形成すること
を備え、
　前記（ｂ）の操作は、前記（ａ）の操作において使用されるものよりも高い高周波電力を使用して実施される、方法。
【請求項３２】
　
反応感受性基材の曝露表面上にシリコン含有二重層を形成する方法であって、
（ａ）プラズマ強化原子層蒸着プロセスによって、第１のシリコン含有フィルムの層を形成すること；及び
（ｂ）プラズマ強化原子層蒸着プロセスによって、第２のシリコン含有フィルムの層を形成すること
を備え、
前記（ｂ）の操作は、前記（ａ）の操作よりも高い温度で実施される、方法。
・・・
【請求項３７】
　請求項３１又は３２に記載の方法であって、
　
前記シリコン含有フィルムは、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸窒化シリコン、酸炭化シリコン、又は窒化炭化シリコンフィルムである
「【発明の概要】
【０００３】
　ここで開示する様々な態様は、酸化感受性基材の表面の露出表面上にフィルムを蒸着する方法に属する。これらの方法は典型的には、反応物吸収及び反応の複数のサイクルによってフィルムを成長させる、表面媒介反応を含む。このようなある態様では、本方法は以下の操作を特徴とする：（ａ）酸化感受性基材を気相のシリコン含有反応物に曝露する；（ｂ）酸化感受性基材を、反応チャンバのステーションにおいて気相の酸化反応物に曝露する；及び（ｃ）シリコン含有反応物の流れが止まったら、約１２．５〜１２５Ｗ／ステーションの高周波数の高周波を用いて、反応チャンバ内でプラズマを周期的に着火する。本方法のいくつかの実装形態では、酸化反応物は基材に連続的に流れ、シリコン含有反応物は基材に断続的に流れる。他の実装形態では、酸化反応物は反応チャンバ内へとパルスとして流れる。
・・・
【０００５】
　いくつかの実施形態では、上述の本発明は更に、以下の一連の操作による第２の酸化シリコン材料の蒸着を特徴とする：（ｄ）酸化感受性基材を気相の第２のシリコン含有反応物に曝露する；（ｅ）酸化感受性基材を気相の第２の酸化反応物に曝露する；及び（ｆ）第２のシリコン含有反応物の気相流が止まったら、約２５０〜１５００Ｗ／ステーションの高周波数の高周波を用いて、反応チャンバ内でプラズマを周期的に着火する。いくつかの実装形態では、操作（ｄ）〜（ｆ）は約５０〜４００℃で実施され、いくつかの場合にはこれらの操作は１５０〜２５０℃又は３００〜４００℃に制限される。いくつかの実施形態では操作（ａ）〜（ｆ）は同一の温度で実施されるが、他の実施形態では操作（ａ）〜（ｃ）と操作（ｄ）〜（ｆ）は異なる温度で実施される。
・・・
【００１７】
　別の態様では、
反応感受性基材上にシリコン含有二重層を形成する方法は、以下の操作を特徴とするものであってよい：（ａ）プラズマ強化原子層蒸着プロセスにより、シリコン含有フィルムの第１の層を形成する；及び（ｂ）操作（ａ）で使用するものよりも高い高周波電力を用いて実施されるプラズマ強化原子層蒸着プロセスにより、シリコン含有フィルムの第２の層を第１の層の上に形成する
反応感受性基材上にシリコン含有二重層を形成する方法は、以下の操作を特徴とするものであってよい：（ａ）プラズマ強化原子層蒸着プロセスにより、シリコン含有フィルムの第１の層を形成する；及び（ｂ）操作（ａ）で使用するものよりも高い温度を用いて実施されるプラズマ強化原子層蒸着プロセスにより、シリコン含有フィルムの第２の層を第１の層の上に形成する
・・・
【００２０】
　具体的に開示する操作の多くがシリコン系酸化感受性基材に関係するが、本方法は多数の異なるタイプの酸化感受性基材表面上に使用してもよい。例えばいくつかの実装形態では、基材表面はコバルト、ゲルマニウム-アンチモン-テルル、シリコン-ゲルマニウム、窒化シリコン、炭化シリコン又は酸化シリコンであってよい。本明細書に記載する本方法を、上述のものに限定されない広範な酸化感受性基材に使用できることは、当業者には理解されるであろう。いくつかの実施形態では、シリコン含有フィルムは酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸窒化シリコン又は炭化シリコンフィルムである。」
「【００３２】
　ここで開示する様々な態様は、基材表面上にフィルムを蒸着する方法に属する。これらの方法は、
反応物吸収及び反応の複数のサイクルによってフィルムを成長させる、プラズマ賦活表面媒介反応を含む。いくつかの実装形態では、本方法は均一フィルム蒸着（ＣＦＤ）反応であり、１つ又は複数の反応物を基材表面に吸収し、その後反応させて、プラズマとの相互作用によって表面上にフィルムを形成する、ＣＦＤ反応を用いる
「【００４８】
　本明細書に記載する実施形態では、様々な異なるプロセスの順序を使用してよい。１つの可能なプロセスは、以下の操作順序を含む：（１）副反応物を連続的に流す；（２）１用量のシリコン含有反応物又は他の主反応物を提供する；（３）１をパージする；（４）基材をＲＦプラズマに曝露する；（５）２をパージする。別の代替プロセスは、以下の操作順序を含む：（１）不活性ガスを連続的に流す；（２）１用量のシリコン含有反応物又は他の主反応物を提供する；（３）１をパージする；（４）１用量の酸化剤又はその他の副反応物を提供しながら、基材をＲＦプラズマに曝露する；（５）２をパージする。他の例示的なプロセスフローを図１Ａ〜１Ｅに示す。
・・・
【００６１】
　図１Ａは、プラズマ賦活ＣＦＤプロセスの例示的実施形態のためのタイムチャート１００を概略的に示す。２回の完全なＣＦＤサイクルを示す。図示したように、
各ＣＦＤサイクルサイクルは、反応物Ａへの曝露段階１２０、その直後に続く反応物Ｂへの曝露段階１４０、反応物Ｂの排出段階１６０、及び最後にプラズマ賦活段階１８０を含む
プラズマ賦活段階１８０Ａ及び１８０Ｂのプロセス中にもたらされるプラズマエネルギは、表面吸収反応物種ＡとＢとの間の反応を賦活する
・・・
【００７３】
　ＣＦＤサイクルは典型的には、上述の曝露段階及び任意の排出段階に加えて「賦活段階」を含む。賦活段階は、基材表面に吸収された１つ又は複数の反応物の反応を駆動する役割を果たす。
図１Ａに示す実施例のプラズマ賦活段階１８０Ａにおいて、プラズマエネルギを供給して、表面吸収反応物ＡとＢとの間の表面反応を賦活する
「【００８５】
　開示した実施形態を実施するにあたり、多くの異なる反応物を用いてよい。蒸
着したフィルムがシリコンを含む場合、シリコン化合物は例えばシラン、ハロシラン又はアミノシランとすることができる
アミノシランはシリコン原子に結合した少なくとも１つの窒素原子を含むが、水素、酸素、ハロゲン及び炭素を含んでもよい
・・・
【００８７】
　いくつかの実施形態では、
蒸着したフィルムは窒素を含み、窒素含有反応物を用いなければならない
【００８８】
　
特定の実装形態では、酸素含有酸化反応物を使用する
「【０１０３】
　本明細書の記述の大半は酸化シリコンフィルムの形成に焦点を当てているが、本明細書に記載する発明は、他のタイプのフィルムを反応感受性基材上に形成するためにも使用できる。例えば、上述の温度及びＲＦ電力レベルを用いて、シリコン前駆物質及び窒素含有共反応物を用いるプラズマアシスト反応においてＳｉＮを形成できる。このようにして、窒化感受性基材の望ましくない窒化を防ぐことができる。その上、本方法は金属酸化物及び金属窒化物フィルムを含む非シリコン含有フィルムの蒸着にも使用できる。」
「【０１２１】
　
装置
　上述の実施形態のうち１つ又は複数において、いずれの適切なプロセスステーションを用いてよいことを理解されたい。例えば、図６はＣＦＤプロセスステーション１３００のある実施形態を概略的に示す。説明を簡潔にするために、ＣＦＤプロセスステーション１３００を、低圧環境を維持するための
プロセスチャンバ本体１３０２
・・・
【０１２６】
　シャワーヘッド１３０６はプロセスガスを基材１３１２へと分配する。図６に示す実施形態では、基材１３１２はシャワーヘッド１３０６の下側に位置し、架台１３０８上に静置された状態で示されている。シャワーヘッド１３０６はいずれの適切な形状を有してよく、プロセスガスを基材１３１２へと分配するためのポートを、いずれの適切な数及び配置で有してよいことを理解されたい。
・・・
【０１３７】
　いくつかの実施形態では、ヒータ１３１０によって架台１３０８を温度制御してよい。更に、いくつかの実施形態では、バタフライバルブ１３１８によって、ＣＦＤプロセスステーション１３００のための圧力制御を提供してよい。図６の実施形態に示すように、バタフライバルブ１３１８は、下流の真空ポンプ（図示せず）が提供する真空を絞る。しかしながらいくつかの実施形態では、プロセスステーション１３００の圧力制御を、ＣＦＤプロセスステーション１３００に導入される１つ又は複数のガスの流量を変化させることによって調整してよい。」
　図１Ａ、６は、以下のとおりのものである。
【図１Ａ】
【図６】
 （２）引用文献３に記載された発明
　したがって、上記引用文献３には、次の発明（以下、「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「プロセスチャンバ本体１３０２において、反応感受性基材上にシリコン含有二重層を形成する方法であって、
（ａ）プラズマ強化原子層蒸着プロセスにより、シリコン含有フィルムの第１の層を形成すること；及び（ｂ）操作（ａ）で使用するものよりも高い高周波電力を用いて実施されるプラズマ強化原子層蒸着プロセス、又は、操作（ａ）で使用するものよりも高い温度を用いて実施されるプラズマ強化原子層蒸着プロセスにより、シリコン含有フィルムの第２の層を第１の層の上に形成することを備え、
　シリコン含有フィルムは、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸窒化シリコン、酸炭化シリコン、又は窒化炭化フィルムであり、
　均一フィルム蒸着（ＣＦＤ）反応であり、１つ又は複数の反応物を基材表面に吸収し、その後反応させて、プラズマとの相互作用によって表面上にフィルムを形成する、ＣＦＤ反応を用いるものであり、
　各ＣＦＤサイクルは、反応物Ａへの曝露段階１２０、その直後に続く反応物Ｂへの曝露段階１４０、反応物Ｂの排出段階１６０、及び最後にプラズマ賦活段階１８０を含み、
　プラズマ賦活段階１８０Ａ及び１８０Ｂのプロセス中にもたらされるプラズマエネルギは、表面吸収反応物種ＡとＢとの間の反応を賦活するものであり、
　蒸着したフィルムがシリコンを含む場合、シリコン化合物は例えばシラン、ハロシラン又はアミノシランとすることができ、アミノシランはシリコン原子に結合した少なくとも１つの窒素原子を含むが、水素、酸素、ハロゲン及び炭素を含んでもよく、
　蒸着したフィルムが窒素を含む場合、窒素含有反応物を用いなければならず、
　特定の実装形態では、酸素含有酸化反応物を使用する、方法。」　
４　その他の文献について
（１）引用文献６について
　原査定の拒絶の理由で、周知技術を示す文献として提示された引用文献６には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体ウエハなどの基板を、互いに反応する２種類以上の反応ガスに交互に曝すことにより、反応生成物による薄膜を成膜する成膜方法に関する。」
「【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　ところで、半導体記憶素子の低コスト化の観点から、半導体ウエハ（以下、ウエハ）の大口径化が進められており、これに伴って、ウエハ面内における均一性の向上が求められている。このような要望に応える成膜方法として
、原子層成膜（ＡＬＤ）法
【０００５】
　ＡＬＤ法を、たとえば縦型のバッチ式成膜装置において実施する場合には、複数のウエハが収容されるプロセスチューブ内に、まず、反応ガスＡを所定の期間供給して、ウエハ表面に反応ガスＡを吸着させ、次に、プロセスチューブ内から反応ガスＡを排気すると共に、パージガスを供給してプロセスチューブから反応ガスＡをパージする。続けて、反応ガスＢをプロセスチューブ内へ所定の期間供給して、ウエハ表面上で反応ガスＡと反応ガスＢを反応させることにより、ウエハ表面に反応生成物を生成させる。以下、所定の膜厚を有する薄膜が得られるまで、上記の工程が繰り返される。バッチ式の成膜装置によりＡＬＤ法を実施する場合には、上述のように、反応ガスＡの供給、反応ガスＡの排気／パージ、反応ガスＢの供給、及び反応ガスＢの排気／パージというように、反応ガスＡと反応ガスＢを切り替えると共に、切り替えの間に排気／パージという工程が行われるため、成膜に時間がかかる。
【０００６】
　バッチ式の成膜装置に対して、いわゆる
回転テーブル式の成膜装置
この成膜装置は、真空容器内に回転可能に配置され、複数のウエハが載置される回転テーブルと、回転テーブルの上方に区画される反応ガスＡの供給領域、反応ガスＢの供給領域、及びこれらを分離する分離領域と、反応ガスＡ及び反応ガスＢの供給領域に対応して設けられる排気口と、これらの排気口に接続される排気装置とを有している
のような成膜装置においては、回転テーブルを回転することによって、反応ガスＡの供給領域、分離領域、反応ガスＢの供給領域、及び分離領域をウエハに通過させる。
成膜中には反応ガスＡ及び反応ガスＢを切り替える必要はなく
排気／パージ工程が不要となり、成膜時間を短縮できるという利点がある
「【００１４】
　（成膜装置）
　始めに、本発明の実施形態による成膜方法を実施するのに好適な成膜装置について説明する。 図１から図３までを参照すると、本発明の実施形態による成膜装置１は、ほぼ円形の平面形状を有する扁平な真空容器１と、この真空容器１内に設けられ、真空容器１の中心に回転中心を有する回転テーブル２と、を備えている。真空容器１は、有底の円筒形状を有する容器本体１２と、容器本体１２の上面に対して、例えばＯリングなどのシール部材１３（図１）を介して気密に着脱可能に配置される天板１１とを有している。
【００１５】
　回転テーブル２は、中心部にて円筒形状のコア部２１に固定され、このコア部２１は、鉛直方向に伸びる回転軸２２の上端に固定されている。回転軸２２は真空容器１の底部１４を貫通し、その下端が回転軸２２（図１）を鉛直軸回りに回転させる駆動部２３に取り付けられている。回転軸２２及び駆動部２３は、上面が開口した筒状のケース体２０内に収納されている。このケース体２０はその上面に設けられたフランジ部分が真空容器１の底部１４の下面に気密に取り付けられており、ケース体２０の内部雰囲気が外部雰囲気から隔離される。
【００１６】
　回転テーブル２の表面には、図２及び図３に示すように回転方向（周方向）に沿って複数（図示の例では５枚）半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）Ｗを載置するための円形状の凹部２４が設けられている。なお図３には便宜上１個の凹部２４だけにウエハＷを示す。この凹部２４は、ウエハＷの直径（例えば３００ｍｍ）よりも僅かに例えば４ｍｍ大きい内径と、ウエハＷの厚さにほぼ等しい深さとを有している。したがって、ウエハＷを凹部２４に載置すると、ウエハＷの表面と回転テーブル２の表面（ウエハＷが載置されない領域）とが同じ高さになる。
【００１７】
　図２及び図３は、真空容器１内の構造を説明する図であり、説明の便宜上、天板１１の図示を省略している。図２及び図３に示すように、回転テーブル２の上方には、各々例えば石英からなる反応ガスノズル３１、反応ガスノズル３２、及び分離ガスノズル４１，４２が配置されている。図示の例では、真空容器１の周方向に間隔をおいて、搬送口１５（後述）から時計回り（回転テーブル２の回転方向）に
分離ガスノズル４１
分離ガスノズル４２
【００１８】
　図３に示すように、反応ガスノズル３１の導入ガスポート３１ａには配管１１０が接続されている。配管１１０は、所定の継ぎ手により２つの分岐管に分岐している。一方の分岐管には、開閉バルブＶ１及び流量調整器１１１（例えばマスフローコントローラ）を介してガス供給源１２１が接続され、他方の分岐管には、開閉バルブＶ３及び流量調整器１１３を介してガス供給源１２３が接続されている。ガス供給源１２１は、ジルコニウム（Ｚｒ）を含有する反応ガスとして、Ｚｒを含有する有機金属ガス（又は蒸気、以下同じ）を供給する。本実施形態においては、Ｚｒ含有有機金属ガスとして、テトラキス・エチルメチル・アミノジルコニウム（ＴＥＭＡＺ）が使用される。また、供給源１２１は、アルミニウム（Ａｌ）を含有する反応ガスとして、Ａｌを含有する有機金属ガスを供給する。本実施形態においては、Ａｌ含有有機金属ガスとして、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）が使用される。開閉バルブＶ１及びＶ３を相補的に開閉することにより、ＴＥＭＡＺ及びＴＭＡのいずれかが反応ガスノズル３１から真空容器１内へ供給される。
【００１９】
　一方、反応ガスノズル３２には、ＴＥＭＡＺを酸化してＺｒＯを生成し、ＴＭＡを酸化してＡｌＯを生成するオゾン（Ｏ３）ガスを供給する供給源（不図示）が開閉バルブ及び流量調整器（ともに不図示）を介して接続されている。 また、
分離ガスノズル４１、４２には、ＡｒやＨｅなどの希ガスや窒素ガスなどの不活性ガスの供給源が開閉バルブ及び流量調整器（ともに不図示）を介して接続されている
　図３は、以下のとおりのものである。
（２）引用文献７について
　原査定の拒絶の理由で、周知技術を示す文献として提示された引用文献７には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、処理ガスのプラズマ化によって得られたプラズマを用いて基板に対して成膜処理を行う成膜方法、この成膜方法が記録された記憶媒体及び成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）に対して行われる成膜処理として、成膜ガスと反応ガスとを交互に複数回繰り返して供給する
ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法
【０００３】
　ところで緻密性の高い良質な膜は応力が大きいため、膜の材質によっては、温度が変化したときにその応力と下地膜の応力との差が大きくなる場合がある。このため、薄膜に要求される品質として更に高品質化が要求されると、薄膜（上層膜）が下地膜から剥がれる懸念もあり、このような懸念を払拭する手法の確立が望まれる。
【０００４】
　特許文献１には、
公転しているウエハに対して互いに反応する２種類の反応ガスを順番に供給すると共に、ウエハが公転する経路の途中で当該ウエハ上の反応生成物のプラズマ改質を行う手法
「【００５３】
　また、以上説明した本発明の成膜方法を実施するための装置としては、既述のミニバッチ式の装置に代えて、枚葉装置を用いても良いし、あるいは
多数枚のウエハＷに対して一括して成膜を行うバッチ式の装置を用いても良い
（３）引用文献８について
　原査定の拒絶の理由で、周知技術を示す文献として提示された引用文献８には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、基板に対してプラズマ処理を行う基板処理装置及び成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　半導体ウエハなどの基板（以下「ウエハ」と言う）にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）などの薄膜を成膜する手法として、例えば特許文献１に記載の装置を用いた
ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法
回転テーブル上に５枚のウエハを周方向に並べると共に、この回転テーブルの上方側に複数のガスノズルを配置している。そして、公転している各々のウエハに対して互いに反応する複数種類の反応ガスを順番に供給して、反応生成物を積層している
（４）引用文献６−８に記載された周知技術
　上記（１）−（３）のとおり、「回転テーブル式の成膜装置において、ＡＬＤ法による成膜処理を行うこと。」という技術的事項は、本願優先日前において周知技術であったといえる。
第６　対比・判断
１　引用発明１との対比・判断
（１）本願発明１について
ア　対比
　本願発明１と引用発明１とを対比すると、次のことがいえる。
（ア）引用発明１における「反応管２０３」、「基板としてのウェハ２００」は、それぞれ、本願発明１における「処理チャンバ」、「基板表面」の「基板」に相当し、引用発明１における「基板処理方法」は本願発明１における「処理方法」に対応する。
（イ）引用発明１は、「処理室２０１内にクロロシラン系原料ガスを流し、シリコン含有層を形成するステップ１」を含むものであるところ、「クロロシラン系原料ガス」、「シリコン含有層」は、それぞれ、本願発明１における「ケイ素含有前駆体」、「第１ケイ素含有膜」に相当する。
　したがって、本願発明１と引用発明１とは、「第１ケイ素含有膜を形成するために、処理チャンバ内で基板表面の少なくとも一部分をケイ素含有前駆体に曝露すること」を含む点で一致する。
（ウ）引用発明１は、「ステップ１が終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後、処理室２０１内にアミノシラン系原料ガスを流し、シリコン含有層は、シリコン（Ｓｉ）、窒素（Ｎ）及び炭素（Ｃ）を含む第１の層へと改質して、Ｓｉ、Ｎ及びＣを含む層とするステップ２」を含み、「アミノシラン系原料ガスとしては、３ＤＭＡＳガスの他、テトラキスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、略称：４ＤＭＡＳ）ガス、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］２Ｈ２、略称：２ＤＥＡＳ）ガス、ビスターシャリーブチルアミノシラン（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２、略称：ＢＴＢＡＳ）ガス、ヘキサメチルジシラザン（（ＣＨ３）３Ｓｉ−ＮＨ−Ｓｉ（ＣＨ３）３、略称：ＨＭＤＳ）ガス等の有機原料を用いてもよい」ものであるところ、「３ＤＭＡＳガス」、「４ＤＭＡＳガス」等の例示されているアミノシラン系原料ガスは、いずれも炭素を含むから、引用発明１における「アミノシラン系原料ガス」、「シリコン（Ｓｉ）、窒素（Ｎ）及び炭素（Ｃ）を含む第１の層」は、それぞれ、本願発明１における「炭素含有前駆体」、「第２ケイ素含有膜」に対応する。
　したがって、本願発明１と引用発明１とは、「炭素を含む第２ケイ素含有膜を形成するために、前記処理チャンバ内で前記第１ケイ素含有膜を炭素含有前駆体に曝露すること」を含む点で一致する。
（エ）引用発明１は、「ステップ２が終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後、処理室２０１内に窒素含有ガスを流すステップ３であって、該窒素含有ガスはプラズマ励起することにより活性種として流すものであり、ステップ２で形成された第１の層は窒化されて、シリコン炭窒化層（ＳｉＣＮ層）を含む第２の層へと改質される、ステップ３」を含むものであるところ、引用発明１における「シリコン炭窒化層（ＳｉＣＮ層）を含む第２の層」は、本願発明１における「ケイ素−炭素膜」に相当する。
　したがって、本願発明１と引用発明１とは、「ケイ素−炭素膜を形成するために、前記処理チャンバ内で前記第２ケイ素含有膜をプラズマに曝露すること」を含む点で一致する。
（オ）したがって、本願発明１と引用発明１との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
＜一致点＞
　「第１ケイ素含有膜を形成するために、処理チャンバ内で基板表面の少なくとも一部分をケイ素含有前駆体に曝露することと、
　炭素を含む第２ケイ素含有膜を形成するために、前記処理チャンバ内で前記第１ケイ素含有膜を炭素含有前駆体に曝露することと、
　ケイ素−炭素膜を形成するために、前記処理チャンバ内で前記第２ケイ素含有膜をプラズマに曝露することとを含む、処理方法。」
＜相違点＞
＜相違点１Ａ＞
　「基板表面の少なくとも一部分をケイ素含有前駆体に曝露すること」について、本願発明１では、「処理チャンバの、第１ガスポートを備える第１区画内」で曝露するのに対し、引用発明１では、反応管２０３の「処理室２０１内」で行われるステップ１について、そのような特定はなされていない点。
＜相違点２Ａ＞
　「前記第１ケイ素含有膜を炭素含有前駆体に曝露すること」について、本願発明１では、「前記処理チャンバの、第２ガスポートを備える第２区画内」で曝露するのに対し、引用発明１では、反応管２０３の「処理室２０１内」で行われるステップ２について、そのような特定はなされていない点。
＜相違点３Ａ＞
　「前記第２ケイ素含有膜をプラズマに曝露すること」について、本願発明１では、「前記処理チャンバの第３区画内」で曝露するのに対し、引用発明１では、反応管２０３の「処理室２０１内」で行われるステップ３について、そのような特定はなされていない点。
＜相違点４Ａ＞
　「処理チャンバ」、並びに、処理チャンバの「第１区画」が備える「第１ガスポート」及び「第２区画」が備える「第２ガスポート」について、本願発明１では、「前記処理チャンバの隣接する区画は、不活性ガスにより分離され、前記第１ガスポート及び前記第２ガスポートのそれぞれは、それぞれの真空ポートによって取り囲まれる」ものであるのに対し、引用発明１では、「処理室２０１」について、そのような特定はなされていない点。
イ　相違点についての判断
　相違点１Ａ−４Ａは互いに関連することから、まとめて検討する。
（ア）上記「第４」の「４（４）」に記載のとおり、「回転テーブル式の成膜装置において、ＡＬＤ法による成膜処理を行うこと。」という技術的事項は、本願優先日前において、引用文献６−８に記載された周知技術であったといえる。
　しかしながら、引用発明１において、「前記基板処理装置の縦型処理炉２０２は、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている反応管２０３を有し、反応管２０３の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されており」、また、引用発明１のステップ１ないし３は、いずれも「処理室２０１内」に、それぞれ、「クロロシラン系原料ガスを流し」、「『ステップ１が終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後』、『アミノシラン系原料ガスを流し』」、「『ステップ２が終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後』、『窒素含有ガスを流す』」ものであるから、引用発明１は、縦型処理炉２０２の処理室２０１内における時間ベースの処理方法であるといえる。
　一方、上記「第４」の「４（１）」に摘記のとおり、引用文献６の段落【０００６】には、「この成膜装置は、真空容器内に回転可能に配置され、複数のウエハが載置される回転テーブルと、回転テーブルの上方に区画される反応ガスＡの供給領域、反応ガスＢの供給領域、及びこれらを分離する分離領域と、反応ガスＡ及び反応ガスＢの供給領域に対応して設けられる排気口と、これらの排気口に接続される排気装置とを有している。このような成膜装置においては、回転テーブルを回転することによって、反応ガスＡの供給領域、分離領域、反応ガスＢの供給領域、及び分離領域をウエハに通過させる。」と記載されているように、上記周知技術は、「回転テーブル式の成膜装置」における成膜処理であって、真空容器内の、反応ガスＡの供給領域、分離領域、反応ガスＢの供給領域、及び分離領域をウエハに通過させるものであるから、空間ベースの処理方法であるといえる。
　したがって、引用発明１と、上記周知技術とは、基板の処理方法が実施される装置の根本的な構造が異なり、引用発明１において上記周知技術を適用する動機付けはない。
　よって、当業者といえども、引用発明１及び引用文献６−８に記載された上記周知技術から、相違点１Ａ−４Ａに係る本願発明１の上記構成を容易に想到することはできない。
（イ）したがって、本願発明１は、当業者であっても引用発明１、引用文献６−８に記載された上記周知技術に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）本願発明２−１５について
　本願発明２−１５も、本願発明１の「処理チャンバの、第１ガスポートを備える第１区画内」、「前記処理チャンバの、第２ガスポートを備える第２区画内」、「前記処理チャンバの第３区画内」、「前記処理チャンバの隣接する区画は、不活性ガスにより分離され、前記第１ガスポート及び前記第２ガスポートのそれぞれは、それぞれの真空ポートによって取り囲まれる」と同一の構成を備えるものであり、引用文献５にも当該同一の構成は記載されていないから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明１、引用文献５−８に記載された上記周知技術に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２　引用発明２との対比・判断
（１）本願発明１について
ア　対比
　本願発明１と引用発明２とを対比すると、次のことがいえる。
（ア）引用発明２における「反応管２０３」、「基板としてのウエハ２００」は、それぞれ、本願発明１における「処理チャンバ」、「基板表面」の「基板」に相当し、引用発明２における「半導体装置の製造方法」は、本願発明１における「処理方法」に対応する。
（イ）引用発明２は、「処理室２０１内にクロロシラン系原料ガスを流し、ウエハ２００（表面の下地膜）上に、第１の層として、Ｃｌを含むＳｉ含有層を形成するステップ１ｃ」を含むものであるところ、「クロロシラン系原料ガス」、「Ｓｉ含有層」は、それぞれ、本願発明１における「ケイ素含有前駆体」、「第１ケイ素含有膜」に相当する。
　したがって、本願発明１と引用発明２とは、「第１ケイ素含有膜を形成するために、処理チャンバ内で基板表面の少なくとも一部分をケイ素含有前駆体に曝露すること」を含む点で一致する。
（ウ）引用発明２は、「ステップ１ａが終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後、処理室２０１内にＮ、ＣおよびＯを含む反応ガスとしてイソシアナート系ガスを流し、第１の層中からＣｌを脱離させると共に、第１の層中に、Ｎ成分、Ｃ成分、Ｏ成分を新たに取り込み、第１の層を、Ｓｉ、Ｏ、ＣおよびＮを含む第２の層、すなわち、シリコン酸炭窒化層（ＳｉＯＣＮ層）へと変化させる（改質する）ステップ２ｃ」を含むものであるところ、「Ｎ、ＣおよびＯを含む反応ガスとしてイソシアナート系ガス」は、炭素を含むから、引用発明２における「Ｎ、ＣおよびＯを含む反応ガスとしてイソシアナート系ガス」、「Ｓｉ、Ｏ、ＣおよびＮを含む第２の層、すなわち、シリコン酸炭窒化層（ＳｉＯＣＮ層）」は、それぞれ、本願発明１における「炭素含有前駆体」、「第２ケイ素含有膜」に対応する。
　したがって、本願発明１と引用発明２とは、「炭素を含む第２ケイ素含有膜を形成するために、前記処理チャンバ内で前記第１ケイ素含有膜を炭素含有前駆体に曝露すること」を含む点で一致する。
（エ）引用発明２は、「ステップ２ｃが終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後、プラズマ励起され、活性種とされた窒化ガスを流すステップ３ｃであって、第２の層をプラズマ窒化して第３の層へと改質（変化）させる、すなわち、Ｎ濃度を増加させる方向に、また、Ｃ濃度、Ｏ濃度、Ｓｉ濃度を減少させる方向に、組成比を変化させつつ第２の層を第３の層へと改質させるステップ３ｃ」を含むものであるところ、引用発明２における「『第２の層をプラズマ窒化して』『改質（変化）』させた『第３の層』」は、本願発明１における「ケイ素−炭素膜」に相当する。
　したがって、本願発明１と引用発明２とは、「ケイ素−炭素膜を形成するために、前記処理チャンバ内で前記第２ケイ素含有膜をプラズマに曝露すること」を含む点で一致する。
（オ）したがって、本願発明１と引用発明２との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
＜一致点＞
　「第１ケイ素含有膜を形成するために、処理チャンバ内で基板表面の少なくとも一部分をケイ素含有前駆体に曝露することと、
　炭素を含む第２ケイ素含有膜を形成するために、前記処理チャンバ内で前記第１ケイ素含有膜を炭素含有前駆体に曝露することと、
　ケイ素−炭素膜を形成するために、前記処理チャンバ内で前記第２ケイ素含有膜をプラズマに曝露することとを含む、処理方法。」
＜相違点＞
＜相違点１Ｂ＞
　「基板表面の少なくとも一部分をケイ素含有前駆体に曝露すること」について、本願発明１では、「処理チャンバの、第１ガスポートを備える第１区画内」で曝露するのに対し、引用発明２では、反応管２０３の「処理室２０１内」で行われるステップ１ｃについて、そのような特定はなされていない点。
＜相違点２Ｂ＞
　「前記第１ケイ素含有膜を炭素含有前駆体に曝露すること」について、本願発明１では、「前記処理チャンバの、第２ガスポートを備える第２区画内」で曝露するのに対し、引用発明２では、反応管２０３の「処理室２０１内」で行われるステップ２ｃについて、そのような特定はなされていない点。
＜相違点３Ｂ＞
　「前記第２ケイ素含有膜をプラズマに曝露すること」について、本願発明１では、「前記処理チャンバの第３区画内」で曝露するのに対し、引用発明２では、反応管２０３の「処理室２０１内」で行われるステップ３ｃについて、そのような特定はなされていない点。
＜相違点４Ｂ＞
　「処理チャンバ」、並びに、処理チャンバの「第１区画」が備える「第１ガスポート」及び「第２区画」が備える「第２ガスポート」について、本願発明１では、「前記処理チャンバの隣接する区画は、不活性ガスにより分離され、前記第１ガスポート及び前記第２ガスポートのそれぞれは、それぞれの真空ポートによって取り囲まれる」ものであるのに対し、引用発明２では、「処理室２０１」について、そのような特定はなされていない点。
イ　判断
　相違点１Ｂ−４Ｂは互いに関連することから、まとめて検討する。
（ア）上記「第４」の「４（４）」に記載のとおり、「回転テーブル式の成膜装置において、ＡＬＤ法による成膜処理を行うこと。」という技術的事項は、本願優先日前において、引用文献６−８に記載された周知技術であったといえる。
　しかしながら、引用発明２において、「前記基板処理装置の処理炉２０２に配設された反応管２０３は、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成され、反応管２０３の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウエハ２００を水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されており」、また、引用発明２のステップ１ｃないし３ｃは、いずれも「処理室２０１内」に、それぞれ、「クロロシラン系原料ガスを流し」、「『ステップ１ａが終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後』、『Ｎ、ＣおよびＯを含む反応ガスとしてイソシアナート系ガスを流し』」、「『ステップ２ｃが終了し処理室２０１内の残留ガスを除去した後』、『プラズマ励起され、活性種とされた窒化ガスを流す』」ものであるから、引用発明２は、基板としてのウエハ２００を水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている処理室２０１内における時間ベースの処理方法であるといえる。
　一方、上記「第４」の「４（１）」に摘記のとおり、引用文献６の段落【０００６】には、「この成膜装置は、真空容器内に回転可能に配置され、複数のウエハが載置される回転テーブルと、回転テーブルの上方に区画される反応ガスＡの供給領域、反応ガスＢの供給領域、及びこれらを分離する分離領域と、反応ガスＡ及び反応ガスＢの供給領域に対応して設けられる排気口と、これらの排気口に接続される排気装置とを有している。このような成膜装置においては、回転テーブルを回転することによって、反応ガスＡの供給領域、分離領域、反応ガスＢの供給領域、及び分離領域をウエハに通過させる。」と記載されているように、上記周知技術は、「回転テーブル式の成膜装置」における成膜処理であって、真空容器内の、反応ガスＡの供給領域、分離領域、反応ガスＢの供給領域、及び分離領域をウエハに通過させるものであるから、空間ベースの処理方法であるといえる。
　したがって、引用発明２と、上記周知技術とは、基板の処理方法が実施される装置の根本的な構造が異なり、引用発明２において上記周知技術を適用する動機付けはない。
　よって、当業者といえども、引用発明２及び引用文献６−８に記載された上記周知技術から、相違点１Ｂ−４Ｂに係る本願発明１の上記構成を容易に想到することはできない。
（イ）したがって、本願発明１は、当業者であっても引用発明２、引用文献６−８に記載された上記周知技術に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）本願発明２−１５について
　本願発明２−１５も、本願発明１の「処理チャンバの、第１ガスポートを備える第１区画内」、「前記処理チャンバの、第２ガスポートを備える第２区画内」、「前記処理チャンバの第３区画内」、「前記処理チャンバの隣接する区画は、不活性ガスにより分離され、前記第１ガスポート及び前記第２ガスポートのそれぞれは、それぞれの真空ポートによって取り囲まれる」と同一の構成を備えるものであり、引用文献５にも当該同一の構成は記載されていないから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明２、引用文献５−８に記載された上記周知技術に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
３　引用発明３との対比・判断
（１）本願発明１について
ア　対比
　本願発明１と引用発明３とを対比すると、次のことがいえる。
（ア）引用発明３における「プロセスチャンバ本体１３０２」、「反応感受性基材」は、それぞれ、本願発明１における「処理チャンバ」、「基板表面」の「基板」に相当し、引用発明３における「シリコン含有二重層を形成する方法」は、本願発明１における「処理方法」に対応する。
（イ）引用発明３は、「（ａ）プラズマ強化原子層蒸着プロセスにより、シリコン含有フィルムの第１の層を形成すること；及び（ｂ）操作（ａ）で使用するものよりも高い高周波電力を用いて実施されるプラズマ強化原子層蒸着プロセス、又は、操作（ａ）で使用するものよりも高い温度を用いて実施されるプラズマ強化原子層蒸着プロセスにより、シリコン含有フィルムの第２の層を第１の層の上に形成することを備え、シリコン含有フィルムは、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸窒化シリコン、酸炭化シリコン、又は窒化炭化シリコンフィルムであり」、「各ＣＦＤサイクルは、反応物Ａへの曝露段階１２０、その直後に続く反応物Ｂへの曝露段階１４０」を含み、「蒸着したフィルムがシリコンを含む場合、シリコン化合物は例えばシラン、ハロシラン又はアミノシランとすることができ、アミノシランはシリコン原子に結合した少なくとも１つの窒素原子を含むが、水素、酸素、ハロゲン及び炭素を含んでもよく、蒸着したフィルムが窒素を含む場合、窒素含有反応物を用いなければならず、特定の実装形態では、酸素含有酸化反応物を使用」するものである。
　したがって、引用発明３において、「シリコン含有フィルムの第１の層を形成する」操作（ａ）は、各ＣＦＤサイクルにおける「反応物Ａへの曝露段階１２０」に対応し、「シリコン含有フィルムの第２の層を第１の層の上に形成する」操作（ｂ）は、各ＣＦＤサイクルにおける「反応物Ｂへの曝露段階１４０」に対応すると認められるから、引用発明３における「反応物Ａ」、「反応物Ｂ」は、それぞれ本願発明３の「ケイ素含有前駆体」、「炭素含有前駆体」に対応する。
　そして、「シリコン含有フィルムの第１の層」はシリコンを含有するから、その場合、「反応物Ａ」はシリコンを含有する前駆体を用いることが必要となることは明らかである。したがって、引用発明３の「反応物Ａ］、「シリコン含有フィルムの第１の層」は、それぞれ、本願発明１における「ケイ素含有前駆体」、「第１ケイ素含有膜」に相当するといえる。
　よって、本願発明１と引用発明３とは、「第１ケイ素含有膜を形成するために、処理チャンバ内で基板表面の少なくとも一部分をケイ素含有前駆体に曝露すること」を含む点で一致する。
　引用発明３は、更に、「シリコン含有フィルムは、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸窒化シリコン、酸炭化シリコン、又は窒化炭化シリコンフィルム」であるところ、このうち、シリコン含有フィルムが、「炭化シリコンフィルム」、「酸炭化シリコンフィルム」、「窒化炭化シリコンフィルム」である場合は、該フィルムは炭素を含むから、引用発明３における「反応物Ｂ」、「シリコン含有フィルムの第２の層」は、それぞれ、本願発明１における「炭素含有前駆体」、「第２ケイ素含有膜」に相当するといえる。
　したがって、本願発明１と引用発明３とは、「炭素を含む第２ケイ素含有膜を形成するために、前記処理チャンバ内で前記第１ケイ素含有膜を炭素含有前駆体に曝露すること」を含む点で共通する。
（ウ）引用発明３において、「シリコン含有フィルムは酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸窒化シリコン又は炭化シリコンフィルムであり」、「各ＣＦＤサイクル」は、「プラズマ賦活段階１８０」を含み、「プラズマ賦活段階１８０Ａ及び１８０Ｂのプロセス中にもたらされるプラズマエネルギは、表面吸収反応物種ＡとＢとの間の反応を賦活するものであり」であるところ、シリコン含有フィルムが「炭化シリコンフィルム」である場合は、該フィルムは「ケイ素−炭素膜」であるといえるから、引用発明３において、「プラズマ賦活段階１８０」後の、「シリコン含有フィルムの第２の層」は、本願発明１における「ケイ素−炭素膜」に相当する。
　したがって、本願発明１と引用発明３とは、「ケイ素−炭素膜を形成するために、前記処理チャンバ内で前記第２ケイ素含有膜をプラズマに曝露すること」を含む点で一致する。
（エ）したがって、本願発明１と引用発明３との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
＜一致点＞
　「第１ケイ素含有膜を形成するために、処理チャンバ内で基板表面の少なくとも一部分をケイ素含有前駆体に曝露することと、
　炭素を含む第２ケイ素含有膜を形成するために、前記処理チャンバ内で前記第１ケイ素含有膜を炭素含有前駆体に曝露することと、
　ケイ素−炭素膜を形成するために、前記処理チャンバ内で前記第２ケイ素含有膜をプラズマに曝露することとを含む、処理方法。」
＜相違点＞
＜相違点１Ｃ＞
　「基板表面の少なくとも一部分をケイ素含有前駆体に曝露すること」について、本願発明１では、「処理チャンバの、第１ガスポートを備える第１区画内」で曝露するのに対し、引用発明３では、「プロセスチャンバ本体１３０２」において行われる操作（ａ）ないし「反応物Ａへの曝露段階１２０」について、そのような特定はなされていない点。
＜相違点２Ｃ＞
　「前記第１ケイ素含有膜を炭素含有前駆体に曝露すること」について、本願発明１では、「前記処理チャンバの、第２ガスポートを備える第２区画内」で曝露するのに対し、引用発明３では、「プロセスチャンバ本体１３０２」において行われる操作（ｂ）ないし「反応物Ｂへの曝露段階１４０」について、そのような特定はなされていない点。
＜相違点３Ｃ＞
　「前記第２ケイ素含有膜をプラズマに曝露すること」について、本願発明１では、「前記処理チャンバの第３区画内」で曝露するのに対し、引用発明３では、「プロセスチャンバ本体１３０２」において行われる「プラズマ賦活段階１８０」について、そのような特定はなされていない点。
＜相違点４Ｃ＞
　「処理チャンバ」、並びに、処理チャンバの「第１区画」が備える「第１ガスポート」及び「第２区画」が備える「第２ガスポート」について、本願発明１では、「前記処理チャンバの隣接する区画は、不活性ガスにより分離され、前記第１ガスポート及び前記第２ガスポートのそれぞれは、それぞれの真空ポートによって取り囲まれる」ものであるのに対し、引用発明３では、「プロセスチャンバ本体１３０２」について、そのような特定はなされていない点。
イ　判断
　相違点１Ｃ−４Ｃは互いに関連することから、まとめて検討する。
（ア）上記「第４」の「４（４）」に記載のとおり、「回転テーブル式の成膜装置において、ＡＬＤ法による成膜処理を行うこと。」という技術的事項は、本願優先日前において、引用文献６−８に記載された周知技術であったといえる。
　しかしながら、引用発明３は、「プラズマチャンバ本体１３０２」における方法であり、また、「各ＣＦＤサイクルは、反応物Ａへの曝露段階１２０、その直後に続く反応物Ｂへの曝露段階１４０、反応物Ｂの排出段階１６０、及び最後にプラズマ賦活段階１８０を含み、プラズマ賦活段階１８０Ａ及び１８０Ｂのプロセス中にもたらされるプラズマエネルギは、表面吸収反応物種ＡとＢとの間の反応を賦活するもの」であるから、引用発明３は、プロセスチャンバ本体１３０２における時間ベースの処理方法であるといえる。
　一方、上記「第４」の「４（１）」に摘記のとおり、引用文献６の段落【０００６】には、「この成膜装置は、真空容器内に回転可能に配置され、複数のウエハが載置される回転テーブルと、回転テーブルの上方に区画される反応ガスＡの供給領域、反応ガスＢの供給領域、及びこれらを分離する分離領域と、反応ガスＡ及び反応ガスＢの供給領域に対応して設けられる排気口と、これらの排気口に接続される排気装置とを有している。このような成膜装置においては、回転テーブルを回転することによって、反応ガスＡの供給領域、分離領域、反応ガスＢの供給領域、及び分離領域をウエハに通過させる。」と記載されているように、上記周知技術は、「回転テーブル式の成膜装置」における成膜処理であって、真空容器内の、反応ガスＡの供給領域、分離領域、反応ガスＢの供給領域、及び分離領域をウエハに通過させるものであるから、空間ベースの処理方法であるといえる。
　したがって、引用発明３と、上記周知技術とは、基板の処理方法が実施される装置の根本的な構造が異なり、引用発明３において上記周知技術を適用する動機付けはない。
　よって、当業者といえども、引用発明３及び引用文献６−８に記載された上記周知技術から、相違点１Ｃ−４Ｃに係る本願発明１の上記構成を容易に想到することはできない。
（イ）したがって、本願発明１は、当業者であっても引用発明３、引用文献６−８に記載された上記周知技術に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）本願発明２−１５について
　本願発明２−１５も、本願発明１の「処理チャンバの、第１ガスポートを備える第１区画内」、「前記処理チャンバの、第２ガスポートを備える第２区画内」、「前記処理チャンバの第３区画内」、「前記処理チャンバの隣接する区画は、不活性ガスにより分離され、前記第１ガスポート及び前記第２ガスポートのそれぞれは、それぞれの真空ポートによって取り囲まれる」と同一の構成を備えるものであり、引用文献４にも当該同一の構成は記載されていないから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明３、引用文献４、６−８に記載された上記周知技術に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
第７　原査定について
１　理由Ａ−Ｅ（特許法第２９条第２項）について
　審判請求時の補正により、本願発明１−１５は、「処理チャンバの、第１ガスポートを備える第１区画内」、「前記処理チャンバの、第２ガスポートを備える第２区画内」、「前記処理チャンバの第３区画内」、「前記処理チャンバの隣接する区画は、不活性ガスにより分離され、前記第１ガスポート及び前記第２ガスポートのそれぞれは、それぞれの真空ポートによって取り囲まれる」という構成を有するものとなっている。
　したがって、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１−８に基づいて、容易に発明できたものであるとはいえない。
　よって、原査定の理由Ａ−Ｅを維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。