【事件の表示】
　特願２０１６−５１２０６５号「イオン源及びその動作方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１１月６日国際公開、ＷＯ２０１４／１７９６７７号、平成２８年８月４日国内公表、特表２０１６−５２２９６４号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１４年（平成２６年）５月２日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１３年（平成２５年）５月３日　米国）を国際出願日とする特願２０１６−５１２０６５号であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２７年１２月　２日　　：翻訳文提出
　平成２９年　４月１８日　　：手続補正書の提出
　平成３０年　２月２８日付け：拒絶理由通知
　平成３０年　５月　９日　　：意見書、手続補正書の提出
　平成３０年１０月　９日付け：拒絶理由通知（最後）
　平成３１年　１月　８日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和元年　６月１１日付け：平成３１年１月８日になされた手続補正についての補正の却下の決定、拒絶査定（謄本発送　令和元年７月２日）
　令和元年１０月３０日　　：審判請求書、手続補正書の提出
　令和２年　３月１１日　　：上申書の提出
第２　令和元年１０月３０日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和元年１０月３０日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１を引用する請求項３の記載は次のとおり補正された（下線部は、当審が付したものであり、補正箇所である。）
「【請求項１】
　イオン源チャンバと、
　前記イオン源チャンバ内に配置され、電子を放出して前記イオン源チャンバ内にアークプラズマを発生するように構成されたカソードと、
　電子を前記アークプラズマ中に跳ね返すように構成されたリペラーと、
　前記イオン源チャンバ内に配置された反応性挿入体とを具えたイオン源であって、
　前記イオン源チャンバ及び前記カソードは難溶性金属を含み、
　前記反応性挿入体は、前記イオン源チャンバ内に導入されるハロゲン種と相互作用して、第１組の動作条件下で前記イオン源チャンバ内の前記難溶性金属の第１エッチング速度を生じさせ、この第１エッチング速度は、前記反応性挿入体を前記イオン源チャンバ内に配置しない際の前記第１組の動作条件下での、前記イオン源チャンバ内の前記難溶性金属の第２エッチング速度よりも低く、これにより、エッチングされた前記難溶性金属の再堆積によって生じる、前記イオン源チャンバの内面上における前記難溶性金属の再成長を防止
し、
　
前記反応性挿入体は、イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作すると共に、犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生
　ことを特徴とするイオン源。
【請求項３】
　前記反応性挿入体がシリコンを含むことを特徴とする請求項１に記載のイオン源。」
　
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の、平成３０年５月９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１を引用する請求項３の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　イオン源チャンバと、
　前記イオン源チャンバ内に配置され、電子を放出して前記イオン源チャンバ内にアークプラズマを発生するように構成されたカソードと、
　電子を前記アークプラズマ中に跳ね返すように構成されたリペラーと、
　前記イオン源チャンバ内に配置された反応性挿入体とを具えたイオン源であって、
　前記イオン源チャンバ及び前記カソードは難溶性金属を含み、
　前記反応性挿入体は、前記イオン源チャンバ内に導入されるハロゲン種と相互作用して、第１組の動作条件下で前記イオン源チャンバ内の前記難溶性金属の第１エッチング速度を生じさせ、この第１エッチング速度は、前記反応性挿入体を前記イオン源チャンバ内に配置しない際の前記第１組の動作条件下での、前記イオン源チャンバ内の前記難溶性金属の第２エッチング速度よりも低く、これにより、エッチングされた前記難溶性金属の再堆積によって生じる、前記イオン源チャンバの内面上における前記難溶性金属の再成長を防止することを特徴とするイオン源。
【請求項３】
　前記反応性挿入体がシリコンを含むことを特徴とする請求項１に記載のイオン源。」
２　補正の適否
２−１　新規事項
（１）本件補正は、本件補正前の請求項１を引用する請求項３に記載された発明を特定するために必要な事項である「シリコンを含む」「反応性挿入体」について、「イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作すると共に、犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生する」との限定を付加するものである。
（２）上記（１）の「イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作する」こと、及び、「犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生する」ことに関して、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）には下記のとおり記載されている。
「【０００７】
　種々の好適な実施形態では、イオン源が、イオン源の性能を向上させ、及び／または動作寿命を延長するように構成される。本実施形態により構成したイオン源は、難溶性金属で構成され高温で動作するように設計されたイオン源を含む。こうしたイオン源には傍熱カソード（ＩＨＣ）型イオン源が含まれ、ＩＨＣイオン源では、カソードが２０００℃を超える温度、例えば約２２００℃で動作することができる。これらのイオン源は、少なくとも部分的に、タングステン、モリブデン、または他の難溶性材料で構成することができる。動作中には、イオン源チャンバ壁のようなイオン源の他の部分が、５００℃〜約１０００℃、特に５００℃〜約８００℃の範囲内の温度に達し得る。本実施形態では、難溶性金属で構成されたイオン源に反応性挿入体をイオン源チャンバ内に配置して設け、この反応性挿入体は、アーク放電（アークプラズマ）をイオン源チャンバ内に点孤する際に発生するエッチング種に晒される。ハロゲンガス、ハロゲンガスまたはハロゲンガスの生成物のようなハロゲン種を用いたイオン源の動作中に、反応性挿入体がハロゲン種と共に相互作用して、イオン源チャンバ内での難溶性金属のエッチングを低減する。本明細書で用いる「ハロゲン種」とは、プラズマ中に生成され得るあらゆるハロゲン含有ガス化合物及びその誘導体を称する。このことは、イオン源構成部品の腐食を低減すると共に、エッチングされた難溶性金属の再堆積によって生じるイオン源の高温表面上の難溶性金属成長を防止する有益な効果を有する。難溶性金属成長の低減は、再成長する難溶性金属堆積物によって発生し得る不安定性及び／または短絡を低減または防止する。以下に詳述するように、
ハロゲン種及び／または反応性挿入体は、イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作することができ、このイオン化ポテンシャルは約１１eV以下である。このことは、アークプラズマ中の電子温度を低下させ、暗示的にプラズマ電位を低下させ、これにより、アークチャンバ壁の前方またはアーク電極の前方にあるシースを横断するイオンの低い衝撃エネルギーを生じさせる、という効果を有する。低いイオンエネルギーは、難溶性金属表面のイオンスパッタ量の低減に形を変える。反応性挿入体は、ハロゲン種を有する反応生成物を発生し、これによりハロゲン種と難溶性金属表面との反応を低減するための犠牲材料としても機能し、これにより、イオン源の動作中に、こうした表面のエッチング速度が、反応性挿入体が無い際のエッチング速度に比べて低下する。
【０００８】
　図１Ａに、本発明の実施形態によるイオン源１００の一般的特徴を示す。イオン源１００は、イオン源チャンバ１０２を含む傍熱カソード（ＩＨＣ）型イオン源であり、イオン源チャンバ１０２は、カソード１０４、リペラー１０８、及び抽出スリット１１３を有する抽出プレート１１２を収容する。イオン源１００は、カソード１０４を加熱するためのフィラメント１０６も含む。動作中には、気体種のような種が、ガス・マニホールド（多岐管）１１０によってガス注入口１１１を通してイオン源チャンバ１０２の内部１１４に供給される。ガス・マニホールド１１０は、気体種または蒸気の形態の供給原料を供給することができ、この供給原料はイオン源チャンバ１０２内でイオン化される。本発明によれば、適切な供給原料は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、珪素（Ｓｉ）、水素（Ｈ）、及びフッ素（Ｆ）の気体化合物を１つ以上含む。実施形態はこの関係に限定されない。
【０００９】
　カソード１０４が加熱され、チャンバ１０２とカソード１０４及びリペラー１０８との間に電位差（電圧）が印加されると、プラズマ１１６を発生することができ、カソードとリペラーとは同じ電位に保持される。イオン源１００は、カソード１０４及びフィラメント１０６用の電源を含む種々の従来構成要素に結合され、これらの構成要素は明瞭にするために図示しない。種々の実施形態では、イオン源チャンバ、及びカソード１０４及びリペラー１０８を含むその内部の構成要素が、タングステン、モリブデン、または他の難溶性金属で構成される。種々の実施形態では、供給原料をハロゲン種の形態で供給することができる。例えば、イオン源１００は、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｉ、または他の種のイオン注入用の従来のビームライン装置内で使用することができ、これらの種の各々はハロゲン含有前駆体種から導出することができる。
イオン源１００が発生するイオン用の前駆体として用いることができるハロゲン種
ＢＦ３、ＰＦ３、ＳｉＦ４、Ｂ２Ｆ４、ＧｅＦ４を含む。
ハロゲン種の生成物
ＢＦ３ガスをイオン源に供給して、
ＢＦ３イオン、ＢＦ２中性体、ＢＦ２イオン、ＢＦ中性体、ＢＦイオン、Ｆ中性体、Ｆの正及び負イオン、及び他の中性ラジカルまたはイオンＢｘＦｙのすべて
がハロゲン種である
【００１０】
　図１にさらに示すように、イオン源１００は一対の反応性挿入体１１８を含む。図に示す例では、第１反応性挿入体１１８をイオン源チャンバ１０２の第１領域（上部）内に示すのに対し、第２反応性挿入体をイオン源チャンバの第２領域（下部）内に示す。他の実施形態では、単一の反応性挿入体または３つ以上の反応性挿入体をイオン源内に含めることができる。特に、他の実施形態では、図１Ｂの透視図に見られるように、一対の反応性挿入体を、イオン源チャンバ１０２のそれぞれ左部領域及び右部領域内に配置することができる。以下に詳述するように、
反応性挿入体１１８は、ハロゲン含有種と反応して、イオン源チャンバ１０２内での難溶性金属材料のエッチングまたは腐食を制限する
カソード１０４及びリペラー１０８
難溶性金属で構成されている
【００１１】
　
タングステンで構成されたＩＨＣイオン源の場合
挿入体１１８に用いられる材料と、イオン源チャンバ１０２に供給されるハロゲン種との特定の組合せが、タングステンの腐食を低減するに当たり特に有効であ
イオン源１００の動作中に、反応性挿入体１１８と反応種との組合せを提供することによって、アークプラズマ１１６の化学的性質及びエネルギー論を、タングステン・エッチングを低減する様式に変化させることができる。
【００１２】
　
一組の実験では、単一プレートから成るα-アルミナ
挿入体をタングステンＩＨＣイオン源チャンバ内に配置し、このチャンバ内に、異なるフッ素化ガスを用いて放電を生成した
一例では、ＮＦ３をイオン源チャンバに供給しながら、イオン源内のアークプラズマを６５時間動作させた
後には、カソード及びリペラーの表面上の厚さ約１〜３mmの堆積物を含む大量のタングステン堆積物が、イオン源チャンバ全体にわたって観測され
第２の例では、ほぼ同一の動作条件下で、但しＢＦ３をイオン源チャンバに供給して、イオン源内のアークプラズマを１２０時間動作させた。動作後には、小量のタングステン再堆積しか観測されなかった。
【００１３】
　
他の実験では、ＮＦ３及びＢＦ３ベースのアークプラズマの両者を用いたイオン源の動作中に抽出したイオンビームの質量スペクトルを収集して比較した。
ＩＨＣイオン源に２．１sccm（標準状態で２．１cm3/分）のＮＦ３及び０．４sccmのＨ２を供給した際
の結果は、６５時間の動作後にカソード上に大量に再堆積したタングステンの観測と併せて、２．１sccmのＮＦ３及び０．４sccmのＨ２のガス流量条件下で大量のタングステン元素種がイオン源放電中に生成されることを示している。
【００１４】
　
これとは対照的に、
２．３sccmのＢＦ３をイオン源チャンバに供給した際
の結果は、アルミナ挿入体の存在下で、２．３sccmのＢＦ３のガス流量条件下でのイオン源の動作が、２．１sccmのＮＦ３／０．１sccmのＨ２の下でのイオン源の動作に比べて大幅に低下したイオン源放電中のタングステンのエッチング速度を生じさせることを示している。
【００１５】
　
これらの結果
ＢＦ３ベースのプラズマとＮＦ３ベースのプラズマとの間の変化が、所定の一組の動作条件についてのプラズマ密度の大幅な変化を生じさせることが観測され
プラズマ密度が比較的小さいと、プラズマプルーム
とカソード電位との電位差（
カソード降下
）は比較的高
プラズマ密度が減少するに連れて、カソード降下はより大きくなるように調整され、これにより、プラズマプルームを出るイオンのより高い運動エネルギーをもたら
イオン衝撃下でのカソードからのより高い二次電子放出を生じさせ
プラズマが動的平衡を維持することを可能に
プラズマ密度が比較的高ければ、カソード降下は比較的小さくな
平衡を維持するために、プラズマからカソードに向けて加速されるイオンに与えられるより小さいイオンエネルギーは、カソードに衝突するより多数のイオンによって補償される
【００１６】
　
ＢＦ３プラズマとＮＦ３プラズマとの間でのプラズマ特性の変化は、
ＢＦ３プラズマ中に発生するイオン化ポテンシャルのＮＦ３プラズマに対する差によって説明することができ
ＢＦ３プラズマ
の分離生成物種の各々
のイオン化エネルギーは、
ＮＦ３プラズマの分離生成物についてのイオン化エネルギーよりも大幅に低い
ことは、Ａｌ２Ｏ３挿入体を用いたＩＨＣイオン源の動作中の測定によって確認され、
ＢＦ３ベースのプラズマでは、
タングステンのような材料のスパッタリングがより小さいことが期待される
【００１７】
【表１】
【００１８】
　なお、
ＮＦ３ベースのプラズマまたはＢＦ３ベースのプラズマについてアークプラズマを点孤する際に、アルミナ挿入体自体から導出されたガス種が、プラズマ特性を調整する働きを
アルミナ挿入体から発生するアルミニウム種は、アルミナ挿入体からアルミニウムがエッチングされる際に、ＮＦ３ベースのプラズマまたはＢＦ３ベースのプラズマ中のプラズマ密度を増加させる働きを
ＮＦ３ベースのプラズマの存在下では、
アルミニウム種は、イオンエネルギーを金属タングステンのスパッタリングが抑制される点まで低減する程度までプラズマ密度を増加させるのに十分な寄与をもたらさ
アルミナ挿入体とＢＦ３との組合せは、
十分に高いプラズマ密度を発生するのに十分であり、従って、より低いイオン衝撃エネルギーを発生して、イオン源チャンバ内のタングステンのスパッタリングを抑制する
【００１９】
　
追加的な実施形態では、反応性挿入体１１８を固体シリコン製とすることができる
イオン源１００の動作中には、固体シリコンが犠牲材料として機能することができ、
フッ素化ガスまたはフッ素ラジカルによって優先的にエッチングされ
ＢＦ３ガスがイオン源チャンバ１０２内に供給される
フッ素ガス及びフッ素化ガスは、シリコンと容易に反応してＳｉＦ２及びＳｉＦ４のようなフッ化シリコンを生成
イオン源チャンバ１０２の代表的な動作温度では、これらの各々が気相種であ
ＳｉＦ２及びＳｉＦ４生成物は、動作中にイオン源チャンバ１０２から容易に排出することができる
フッ化タングステンが反応性（シリコン）挿入体１１８と反応して、当該フッ化タングステンを金属タングステンに還元しながらフッ化シリコンを生成
シリコン表面は
タングステンのパシベーション層が反応性挿入体１１８上に形成されることを防止することができる
【００２０】
　反応性シリコン挿入体を有するイオン源を動作させる効果を評価するために一組の実験を行い、この実験では、固体シリコン挿入体が存在する動作中及び存在しない動作中に、ＩＨＣイオン源から質量スペクトルを収集した。図３に実験の結果を示し、この結果は、シリコン挿入体を有するＩＨＣイオン源の動作中に収集した質量スペクトル３０２（連続線）、及びシリコン挿入体なしのＩＨＣイオン源の動作中に収集した質量スペクトル３０４（破線）を含む。上述したように、各質量スペクトルは、異なる質量／電荷比を表す一連のピークを含む。特に、質量スペクトル３０２は、図に示すように、シリコンイオンまたはフッ化シリコンイオンを表す複数のピーク３０６、３０８、３１０、３１２、３１４、３１６を含む。これらの各々は質量スペクトル３０４中には存在せず、ピーク３０６〜３１６がシリコン挿入体の存在によって発生することを示している。他のホウ素、フッ素、及びフッ化ホウ素のピークは、質量スペクトル３０２及び質量スペクトル３０４の両者に共通であり、ＢＦ３ガスから導出された生成物のイオン種を表している。さらに、質量スペクトル３０４は、質量スペクトル３０２中には存在しない（あるいは大幅に低減された）ピーク３１８を含む。ピーク３１８はＷ２＋に割り当てることができ、これにより、シリコン挿入体が無い際のアークプラズマ中の実質的なタングステン種の存在を示すことができる。質量スペクトル３０２中の約９２amuの質量／電荷比におけるＷ２＋のピークの低減は、シリコン挿入体の使用によってハロゲンサイクルが大幅に抑制されることを示している。シリコンを反応性挿入体として使用する実施形態の利点は、イオン源の金属表面のエッチングを低減することに加えて、追加的な金属種がシリコン挿入体からアークプラズマ中に導入されないことを含む。これに加えて、イオン源を用いてシリコンに注入する用途では、犠牲シリコン挿入体の存在がアークプラズマ中でイオン化される気相シリコンの供給を増加させ、これにより、所定電力レベルでイオン源から抽出することができるシリコンビーム電流を増加させる。」
（３）上記（２）によれば、当初明細書等には、「シリコンを含む」（請求項３）「前記反応性挿入体は、」「犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生する」（請求項１）ことに関して、「反応性挿入体１１８を固体シリコン製とすることができる。イオン源１００の動作中には、固体シリコンが犠牲材料として機能することができ」ること、及び、ハロゲン種を有する反応生成物として「ＳｉＦ２及びＳｉＦ４のようなフッ化シリコン」を発生することは明記されているが（【００１９】）、当該「シリコンを含む」「反応性挿入体」が、「イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作する」ことは明記されていない。
　これに対して、上記（２）によれば、当初明細書等には、「
反応性挿入体」が、「イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生する
反応性挿入体」が
イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生する
　また、上記（２）によれば、当初明細書等には、「
反応性挿入体」が「犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生する
反応性挿入体」が「犠牲材料として機能」する
　さらに、ハロゲン種が
ＢＦ３である場合に、
反応性挿入体」が、「イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生する
ＢＦ３ベースのプラズマについてアークプラズマを点孤する際に、アルミナ挿入体自体から導出されたガス種が、プラズマ特性を調整する働きをする
アルミナ挿入体から発生するアルミニウム種は、アルミナ挿入体からアルミニウムがエッチングされる際に、」「ＢＦ３ベースのプラズマ中のプラズマ密度を増加させる働きをする
アルミナ挿入体とＢＦ３との組合せは、
十分に高いプラズマ密度を発生するのに十分であり、従って、より低いイオン衝撃エネルギーを発生して、イオン源チャンバ内のタングステンのスパッタリングを抑制する
　これに対して、当初明細書等には、ハロゲン種が
ＢＦ３である場合に、「シリコンを含む」「反応性挿入体」が、発生するハロゲン種を有する反応生成物としては「ＳｉＦ２及びＳｉＦ４のようなフッ化シリコン
ＳｉＦ２及びＳｉＦ４のようなフッ化シリコン」が、「イオン化ポテンシャルの低いガス種」であって、
プラズマ特性を調整する働きをする
ＢＦ３ベースのプラズマ中のプラズマ密度を増加させる働きをする
　また、「シリコンを含む」「
反応性挿入体」が発生する、ハロゲン種を有する反応生成物としての「ＳｉＦ２及びＳｉＦ４のようなフッ化シリコン
プラズマ特性を調整する働きをする
ＢＦ３ベースのプラズマ中のプラズマ密度を増加させる働きをする
　したがって、「シリコンを含む」「反応性挿入体」が、「犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生する」ものであるからといって、必ずしも、「イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作する」ものであると解することはできない。
（４）以上の検討によれば、「シリコンを含む」「反応性挿入体」が、「犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生する」ことに加えて「イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作する」ことは、本願の発明の詳細な説明及び図面の記載から把握されるすべての技術的事項を総合して導かれる事項とはいえない。
　よって、上記本件補正前の請求項１を引用する請求項３に記載された発明を特定するために必要な事項である「シリコンを含む」「反応性挿入体」について、「イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作すると共に、犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生する」との補正により追加された事項は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないとはいえない。
　したがって、本件補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてするものとはいえず、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。 
　
２−２　拡大先願
（１）上記２−１で検討したとおり、本件補正前の請求項１を引用する請求項３において、「シリコンを含む」「反応性挿入体」について、「イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作すると共に、犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生する」と補正することは、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないが、仮に、「シリコンを含む」「反応性挿入体」について、「犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生する」ことが、当然に「イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作する」ことであるとした場合は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていることとなり、本件補正は、本件補正前の請求項１を引用する請求項３に記載された発明を特定するために必要な事項である「反応性挿入体」について、「イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作すると共に、犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生する」との限定を付加するものであって、補正前の請求項１を引用する請求項３に記載された発明と補正後の請求項１を引用する請求項３に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１を引用する請求項３に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。
（２）本件補正発明
　本件補正発明は、上記「１」「（１）」に記載したとおりのものであって、分説すると次のとおりとなる。
「Ａ　イオン源チャンバと、
Ｂ　前記イオン源チャンバ内に配置され、電子を放出して前記イオン源チャンバ内にアークプラズマを発生するように構成されたカソードと、
Ｃ　電子を前記アークプラズマ中に跳ね返すように構成されたリペラーと、
Ｄ　前記イオン源チャンバ内に配置された反応性挿入体とを具えたイオン源であって、
Ｅ　前記イオン源チャンバ及び前記カソードは難溶性金属を含み、
Ｆ　前記反応性挿入体は、前記イオン源チャンバ内に導入されるハロゲン種と相互作用して、第１組の動作条件下で前記イオン源チャンバ内の前記難溶性金属の第１エッチング速度を生じさせ、この第１エッチング速度は、前記反応性挿入体を前記イオン源チャンバ内に配置しない際の前記第１組の動作条件下での、前記イオン源チャンバ内の前記難溶性金属の第２エッチング速度よりも低く、これにより、エッチングされた前記難溶性金属の再堆積によって生じる、前記イオン源チャンバの内面上における前記難溶性金属の再成長を防止し、
Ｇ　前記反応性挿入体は、イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作すると共に、犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生する
Ｈ　前記反応性挿入体がシリコンを含むことを特徴とするイオン源。」
　
（３）先願明細書の記載及び先願発明
ア　先願明細書の記載
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前の平成２４年８月２８日の出願であって、本願の優先日後であって本願出願前の平成２６年３月１３日に出願公開された特願２０１２−１８７１６８号（以下「先願明細書」という。特開２０１４−４４８８６号公報参照）には、図面とともに、次の記載がある（下線は、当審で付した。以下同じ。）。
ａ　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、イオン生成方法および
イオン源
ｂ　「【００１４】
　（第１の実施の形態）
　図１は、第１の実施の形態に係るイオン源のアークチャンバ内を示す模式図である。図２は、図１に示すイオン源のＡ-Ａ断面を示す模式図である。
【００１５】
　第１の実施の形態に係る
イオン源１０は、直流放電型のイオン源であり、アークチャンバ１２
を備える。
【００１６】
　アークチャンバ１２は、ソースガスを導入するガス導入口２４と、イオンビームが引き出される開口部としてのフロントスリット２６とが形成されている。
【００１７】
　
熱電子放出部１４は、アークチャンバ内に熱電子を放出するものであり、フィラメント２８とカソード３０とを有
ライナー１６は、アークチャンバ１２の内壁を覆うように設けられている
【００１８】
　フィラメント２８は、フィラメント電源３４で加熱され、先端に熱電子を発生させる。フィラメント２８で発生した（１次）熱電子は、カソード電源３６で加速され、カソード３０に衝突し、その衝突時に発生する熱でカソード３０を加熱する。加熱されたカソード３０は（２次）熱電子４０を発生し、この（２次）熱電子４０が、アーク電源３８によってカソード３０とアークチャンバ１２との間に印加されたアーク電圧によって加速され、ガス分子を電離するに十分なエネルギーを持ったビーム電子としてアークチャンバ１２中に放出される。
【００１９】
　一方、
イオン源１０は、カソード３０とリペラー１８を結ぶ軸方向にソース磁場コイルにより誘起される外部磁場Ｂが印加され
ビーム電子を放出するカソード３０と対向させてリペラー１８が設けられているため、ビーム電子は磁場Ｂに沿ってカソード３０とリペラー１８との間を往復移動し、アークチャンバ１２に導入されたソースガス分子と衝突電離しイオンを発生させ、アークチャンバ１２にプラズマ４２を生成する
【００２０】
　本実施の形態に係るイオン源１０は、（２次）熱電子４０を放出する直流放電型のイオン源であり、アークチャンバ１２の内部は非常に高温になる。そのため、
アークチャンバ１２は、高融点材料、具体的には、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ）などの高融点金属やそれらの合金、グラファイト（Ｃ）等で構成されてい
これにより、直流放電型イオン源のように、アークチャンバ内が比較的高温となる環境下でも、アークチャンバを溶けにくくできる
【００２１】
　
ソースガスには、Ａｒ等の希ガスやＨ２，ＰＨ３，ＡｓＨ３等の水素化物、ＢＦ３，ＧｅＦ４等のフッ化物やＩｎＣｌ３等の塩化物（ハロゲン化物）、ＣＯ２，ＣＯ等の酸化物が用いられ
励起されたイオンは、アークチャンバ１２内壁、フロントスリット２６、カソード３０、リペラー１８に入射して衝突すると、各部の構成素材（Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，グラファイト等）を、スパッタにより摩滅させる
【００２２】
　フッ素ラジカルは、イオン源１０を構成する部品の材料と化学結合し、ＷＦｘ，ＴａＦｘ，ＭｏＦｘ，ＣＦｘなどのフッ化物となる。これらフッ化物は、比較的低温でガス化するためアークチャンバー内で導入ソースガスとともにイオン化され、Ｗ＋，Ｔａ＋，Ｍｏ＋などのイオンビームとして導入ソースガスの主イオンビームとともに引き出されてしまう。
【００２３】
　一方、昨今のイオン注入では半導体素子の性能向上のため、高融点金属のような重金属イオン（Ｗ＋，Ｔａ＋，Ｍｏ＋など）による金属汚染（メタルコンタミ）の低減が厳しく要求されている。しかしながら、前述のように、イオンソースガスに含まれるフッ素と、イオン源を構成するアークチャンバ１２などの高融点材料とが化学結合してガス化し、コンタミイオンとしてアークチャンバ１２から引き出されることは好ましくない。
【００２４】
　また、イオンビームとして引き出されたこれらの重金属イオンは、ビームライン内に堆積するとともに、その一部はイオン注入部に到達して、注入ウエハの重金属汚染を引き起こし、半導体素子の歩留りを低下させる。さらに、
フッ素ラジカルは高温のイオン源の構成物（カソード、リペラー、フロントスリット、アークチャンバ等）を短時間で蝕耗させるとともに、一部の高温部材に堆積し、
【００２５】
　そこで、本発明者が鋭意検討した結果、以下の技術に想到した。つまり、
高温のイオンソース内で生じるソース物質のフッ化物や塩化物等のハロゲン化物由来の反応性の高いラジカルを、イオン源を構成する高融点金属からなるアークチャンバ１２と化学結合しないように、効率よく低減する
【００２６】
　このような知見を考慮し、本実施の形態に係るイオン生成方法は、高融点材料で構成されたアークチャンバ１２を備えた直流放電型のイオン源１０を用いるイオン生成方法である。このイオン生成方法は、アークチャンバ１２内でソースガスの分子と熱電子４０とを衝突させてプラズマ放電を起こしてイオンを発生させるイオン発生工程と、
イオン発生工程で生じたラジカルを、アークチャンバ１２の内壁の少なくとも一部を覆うように配置されたライナー１６と反応させる反応工程と、を含
ライナー１６は、アークチャンバ１２と比較して、ソースガスが分解された際に生じるラジカルと反応し易い材料で構成
【００２７】
　これにより、
イオン源１０は、ラジカルがライナー１６と反応することでアークチャンバ１２内のラジカルが減少し、ライナー１６以外のイオン源を構成する部分、例えば、アークチャンバ１２、リペラー１８、フロントスリット２６、カソード３０へのラジカルの作用が減少する
【００２８】
　本実施の形態に係るソースガスは、ハロゲン化物または酸化物のガスである。具体的には、ソースガスは、ＢＦ３，ＧｅＦ４，ＰＦ３，ＩｎＣｌ３，ＩｎＩ，ＩｎＢｒ，ＣＯ２およびＣＯからなる群より選択される少なくとも一種のガスである。これらのガスは、高温であってもガスの状態を維持できるため、直流放電型イオン源におけるソースガスに適している。
【００２９】
　これらの
ソースガスのうちハロゲン化物、例えば、ＢＦ３やＧｅＦ４等のフッ化物がイオン源１０のアークチャンバ１２に導入されると、前述したように所望のドーパントイオンを得るためにアークチャンバ１２内でプラズマ化され、種々のイオンが生成され
ＢＦ３の場合、生成されるイオンはＢ＋，ＢＦ＋，ＢＦ２＋，Ｆ＋，Ｆ２＋で、
ほとんどのイオンはアークチャンバ１２や、カソード３０、リペラー１８の表面に流入し中性化され
【００３０】
　これらのイオンの中でＦ＋やＦ２＋は中性化され、ＦやＦ２のフッ素ラジカルとなる。特に反応性の高いフッ素ラジカルは、アークチャンバ１２内壁に吸着し、壁面部材（Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃ等）と化学的に結合し、ＷＦｘ，ＭｏＦｘ，ＴａＦｘ，ＣＦｘなどが生じる。これらのフッ化物は、数百度以下の比較的低温で気化するため、イオン源１０がイオンを発生させている運転時に６００℃以上（または１０００℃以上、または１５００℃以上）に達するアークチャンバ１２内の壁面より気化してアークチャンバ１２の内壁を蝕耗する。
【００３１】
　
気化したフッ化物は、更に高温のカソード３０周辺やリペラー１８の表面で熱分解し、Ｆが解離し、Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃ等が堆積する、といった、いわゆる、ハロゲンサイクルが起こ
アークチャンバ１２内でフッ素ラジカルによる蝕耗や堆積が起こる
【００３２】
　そこで、本実施の形態では、このような
ラジカルを効率よく除去すべく、ライナー１６の材料として、Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃ等の高融点材料よりも融点が低いシリコン（Ｓｉ）を用いて
Ｓｉは、ＣＦ４プラズマ中のフッ素ラジカルやＣＦ２ラジカルに対して非常に選択性が高
【００３３】
　
この際の反応は、
　
Ｓｉ（固体）＋４Ｆ→ＳｉＦ４（ガス）
　
として表され
　つまり、
Ｓｉからなるライナー１６は、高融点材料よりも容易にエッチングされ易い犠牲材料として機能する
【００３４】
　このように本実施の形態に係るイオン形成方法は、前述の反応工程で生じた、ラジカルとライナーの材料であるＳｉとの化合物ガス（ＳｉＦ４）をイオン源１０から排気する排気工程を更に含んでいる。これにより、ラジカルを化合物ガスとして効率よくアークチャンバ１２の外へ排出できる。」
ｃ　図１、２は次のとおりである。
【図１】
【図２】
（イ）上記（ア）によれば、先願明細書には下記の各事項が記載されていると認められる。
ａ　「第１の実施の形態に係るイオン源１０は、直流放電型のイオン源であり、アークチャンバ１２」「を備える」（【００１５】）から、イオン源はアークチャンバを備えるといえる。
ｂ　「熱電子放出部１４は、アークチャンバ内に熱電子を放出するものであり、フィラメント２８とカソード３０とを有」（【００１７】）し、「イオン源１０は、カソード３０とリペラー１８を結ぶ軸方向にソース磁場コイルにより誘起される外部磁場Ｂが印加され」、「ビーム電子を放出するカソード３０と対向させてリペラー１８が設けられているため、ビーム電子は磁場Ｂに沿ってカソード３０とリペラー１８との間を往復移動し、アークチャンバ１２に導入されたソースガス分子と衝突電離しイオンを発生させ、アークチャンバ１２にプラズマ４２を生成する」（【００１９】）から、アークチャンバ内の熱電子放出部は熱電子を放出するカソードを有し、当該カソードは熱電子を放出してアークチャンバ内プラズマを生成するように構成されているとともに、リペラーを、ビーム電子を放出するカソードと対向させて設けることで、ビーム電子は磁場に沿ってカソードとリペラーとの間を往復移動し、当該カソードとリペラーとの間にプラズマが生成されるといえる。
ｃ　「イオン源１０は、直流放電型のイオン源であり、アークチャンバ１２」「を備え」（【００１５】）、「ライナー１６は、アークチャンバ１２の内壁を覆うように設けられていて」（【００１７】）、「Ｓｉからなるライナー１６は、高融点材料よりも容易にエッチングされ易い犠牲材料として機能する」（【００３３】）から、イオン源は、アークチャンバの内壁を覆うようにＳｉからなるライナーが設けられているといえる。
ｄ　「アークチャンバ１２は、高融点材料、具体的には、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ）などの高融点金属やそれらの合金、グラファイト（Ｃ）等で構成されてい」て、「これにより、直流放電型イオン源のように、アークチャンバ内が比較的高温となる環境下でも、アークチャンバを溶けにくくできる」（【００２０】）から、アークチャンバは、比較的高温となる環境下でも溶けにくいタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ）などの高融点金属やそれらの合金で構成されているといえる。
　また、「励起されたイオンは、アークチャンバ１２内壁、フロントスリット２６、カソード３０、リペラー１８に入射して衝突すると、各部の構成素材（Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，グラファイト等）を、スパッタにより摩滅させる」（【００２１】）から、カソードの構成素材はＷ，Ｔａ，Ｍｏ，グラファイト等であるといえる
ｅ　「
ソースガスには、Ａｒ等の希ガスやＨ２，ＰＨ３，ＡｓＨ３等の水素化物、ＢＦ３，ＧｅＦ４等のフッ化物やＩｎＣｌ３等の塩化物（ハロゲン化物）、ＣＯ２，ＣＯ等の酸化物が用いられ
ソース物質のフッ化物や塩化物等のハロゲン化物由来の反応性の高いラジカルを
イオン源を構成する高融点金属からなるアークチャンバ１２と化学結合しないように、効率よく低減する
ライナー１６は、アークチャンバ１２と比較して、ソースガスが分解された際に生じるラジカルと反応し易い材料で構成
ライナー１６は、高融点材料よりも容易にエッチングされ易い犠牲材料として機能する
アークチャンバ１２内のラジカルが減少し、ライナー１６以外のイオン源を構成する部分、
アークチャンバ１２、
カソード３０へのラジカルの作用が減少する
　また、「フッ素ラジカルは高温のイオン源の構成物（カソード、リペラー、フロントスリット、アークチャンバ等）を短時間で蝕耗させるとともに、一部の高温部材に堆積」（【００２４】）し、「気化したフッ化物は、更に高温のカソード３０周辺やリペラー１８の表面で熱分解し、Ｆが解離し、Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃ等が堆積する、といった、いわゆる、ハロゲンサイクルが起こ」り、「アークチャンバ１２内でフッ素ラジカルによる蝕耗や堆積が起こる（【００３１】）ところ、「イオン源１０は、ラジカルがライナー１６と反応することでアークチャンバ１２内のラジカルが減少し、ライナー１６以外のイオン源を構成する部分、例えば、アークチャンバ１２、リペラー１８、フロントスリット２６、カソード３０へのラジカルの作用が減少する」（【００２７】）。
　したがって、ラジカルがライナーと反応しないとイオン源のアークチャンバ内で、フッ素ラジカルは高温のイオン源の構成物（カソード、リペラー、フロントスリット、アークチャンバ等）を短時間で蝕耗させ、一部の高温部材にＷ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃ等が堆積するハロゲンサイクルが起こるところ、ラジカルがライナーと反応することでアークチャンバ内のラジカルが減少し、ライナー以外のイオン源を構成する部分であるアークチャンバ、リペラー、フロントスリット、カソードへのラジカルの作用が減少するといえる。
ｆ　「ラジカルを効率よく除去すべく、ライナー１６の材料として、Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃ等の高融点材料よりも融点が低いシリコン（Ｓｉ）を用いて」、「Ｓｉは、ＣＦ４プラズマ中のフッ素ラジカルやＣＦ２ラジカルに対して非常に選択性が高」（【００３２】）く、「この際の反応は、Ｓｉ（固体）＋４Ｆ→ＳｉＦ４（ガス）として表され」、「Ｓｉからなるライナー１６は、高融点材料よりも容易にエッチングされ易い犠牲材料として機能する」（【００３３】）から、ライナーは犠牲材料として機能するとともに、ライナーの材料としてシリコン（Ｓｉ）を用いた場合に、Ｓｉ（固体）＋４Ｆ→ＳｉＦ４（ガス）として表される反応により、ＳｉＦ４（ガス）を発生するといえる。
イ　上記アによれば、先願明細書には下記の発明（以下「先願発明」という。）が記載されていると認められる（ａないしｈは、構成ＡないしＨに対応させて当審が付した。）。
「ａ　イオン源のアークチャンバと（上記「ア」「（イ）」「ａ」）、
ｂ　前記アークチャンバ内の熱電子放出部は熱電子を放出してアークチャンバ内プラズマを生成するように構成されているカソードと（上記「ア」「（イ）」「ｂ」）、
ｃ　ビーム電子を放出するカソードと対向させて設けることで、ビーム電子は磁場に沿ってカソードとの間を往復移動し、当該カソードとの間にプラズマが生成されるリペラーと（上記「ア」「（イ）」「ｂ」）、
ｄ　前記イオン源は、前記アークチャンバの内壁を覆うようにＳｉからなるライナーが設けられ（上記「ア」「（イ）」「ｃ」）、
ｅ　前記アークチャンバは、比較的高温となる環境下でも溶けにくいタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ）などの高融点金属やそれらの合金で構成されるとともに、前記カソードの構成素材はＷ，Ｔａ，Ｍｏ，グラファイト等であり（上記「ア」「（イ）」「ｄ」）
ｆ　ソースガスには、Ａｒ等の希ガスやＨ２，ＰＨ３，ＡｓＨ３等の水素化物、ＢＦ３，ＧｅＦ４等のフッ化物やＩｎＣｌ３等の塩化物（ハロゲン化物）、ＣＯ２，ＣＯ等の酸化物が用いられ、ソース物質のフッ化物や塩化物等のハロゲン化物由来の反応性の高いラジカルを、イオン源を構成する高融点金属からなるアークチャンバと化学結合しないように、効率よく低減するために、前記ライナーは、アークチャンバと比較して、ソースガスが分解された際に生じるラジカルと反応し易い材料で構成し、ライナーは、高融点材料よりも容易にエッチングされ易い犠牲材料として機能することによって、アークチャンバ内のラジカルが減少し、ライナー以外のイオン源を構成する部分であるアークチャンバ、リペラー、フロントスリット、カソードへのラジカルの作用が減少するとともに、ラジカルがライナーと反応しないとイオン源のアークチャンバ内で、フッ素ラジカルは高温のイオン源の構成物（カソード、リペラー、フロントスリット、アークチャンバ等）を短時間で蝕耗させ、一部の高温部材にＷ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃ等が堆積するハロゲンサイクルが起こるところ、ラジカルがライナーと反応することでアークチャンバ内のラジカルが減少し、ライナー以外のイオン源を構成する部分であるアークチャンバ、リペラー、フロントスリット、カソードへのラジカルの作用が減少し（上記「ア」「（イ）」「ｅ」）、
ｇ　前記ライナーは犠牲材料として機能するとともに、ライナーの材料としてシリコン（Ｓｉ）を用いた場合に、Ｓｉ（固体）＋４Ｆ→ＳｉＦ４（ガス）として表される反応により、ＳｉＦ４（ガス）を発生する（上記「ア」「（イ）」「ｆ」）、
ｈ　イオン源（【０００１】）。
（４）先願発明との対比
ア　本件補正発明と先願発明とを対比する。
（ア）先願発明の「イオン源のアークチャンバ」（構成ａ）は、本件補正発明の「イオン源チャンバ」（構成Ａ）に相当する。
（イ）先願発明の「前記アークチャンバ内の熱電子放出部は熱電子を放出してアークチャンバ内プラズマを生成するように構成されているカソード」（構成ｂ）は、本件補正発明の「前記イオン源チャンバ内に配置され、電子を放出して前記イオン源チャンバ内にアークプラズマを発生するように構成されたカソード」（構成Ｂ）に相当する。
（ウ）先願発明の「リペラー」により「ビーム電子は磁場に沿ってカソードとの間を往復移動」することは、本件補正発明の「電子をアークプラズマ中に跳ね返す」ことに相当するから、先願発明の「ビーム電子を放出するカソードと対向させて設けることで、ビーム電子は磁場に沿ってカソードとの間を往復移動し、当該カソードとの間にプラズマが生成されるリペラー」（構成ｃ）は、本件補正発明の「電子を前記アークプラズマ中に跳ね返すように構成されたリペラー」（構成Ｃ）に相当する。
（エ）先願発明の「前記アークチャンバの内壁を覆うようにＳｉからなるライナーが設けられ」た「イオン源」（構成ｄ）は、本件補正発明の「前記イオン源チャンバ内に配置されたシリコンを含む反応性挿入体とを具えたイオン源」（構成Ｄ）に相当する。
（オ）先願発明の「前記アークチャンバは、比較的高温となる環境下でも溶けにくいタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ）などの高融点金属やそれらの合金で構成されるとともに、前記カソードの構成素材はＷ，Ｔａ，Ｍｏ，グラファイト等であ」（構成ｅ）ることは、本件補正発明の「前記イオン源チャンバ及び前記カソードは難溶性金属を含」（構成Ｅ）むことに相当する。
（カ）本件補正発明の「第１組の動作条件下」は格別の特定がなく、適宜の動作条件下程度の意味であると解される。
　先願発明は、「ソース物質のフッ化物や塩化物等のハロゲン化物由来の反応性の高いラジカルを、イオン源を構成する高融点金属からなるアークチャンバと化学結合しないように、効率よく低減するために、前記ライナーは、アークチャンバと比較して、ソースガスが分解された際に生じるラジカルと反応し易い材料で構成し、ライナーは、高融点材料よりも容易にエッチングされ易い犠牲材料として機能することによって、アークチャンバ内のラジカルが減少し、ライナー以外のイオン源を構成する部分であるアークチャンバ及びカソードへのラジカルの作用が減少する」（構成ｆ）から、ライナーを設けた場合の、ラジカルがアークチャンバ、リペラー、フロントスリット、カソードを構成する高融点金属（材料）をエッチングする速度は、ライナーを設けない場合の、ラジカルがアークチャンバ、リペラー、フロントスリット、カソードを構成する高融点金属（材料）をエッチングする速度より低くなることは明らかである。
　また、先願発明において、「ライナーは犠牲材料として機能するとともに、ライナーの材料としてシリコン（Ｓｉ）を用いた場合に、Ｓｉ（固体）＋４Ｆ→ＳｉＦ４（ガス）として表される反応により、ＳｉＦ４（ガス）を発生する」ことは、ライナー（Ｓｉ）とハロゲン種（Ｆ）とが相互作用することであるから、本件補正発明における「前記反応性挿入体は、前記イオン源チャンバ内に導入されるハロゲン種と相互作用」することに相当する。
　さらに、「ラジカルがライナーと反応しないとイオン源のアークチャンバ内で、フッ素ラジカルは高温のイオン源の構成物（カソード、リペラー、フロントスリット、アークチャンバ等）を短時間で蝕耗させ、一部の高温部材にＷ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃ等が堆積するハロゲンサイクルが起こるところ、ラジカルがライナーと反応することでアークチャンバ内のラジカルが減少し、ライナー以外のイオン源を構成する部分であるアークチャンバ、リペラー、フロントスリット、カソードへのラジカルの作用が減少」（構成ｆ）するから、ライナーを設けたことにより「ライナー以外のイオン源を構成する部分であるアークチャンバ、リペラー、フロントスリット、カソードへのラジカルの作用が減少」した場合には、一部の高温部材であるアークチャンバ、リペラー、フロントスリット、カソードにＷ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃ等が堆積するハロゲンサイクルへのラジカルの作用も減少し、一部の高温部材であるアークチャンバ、リペラー、フロントスリット、カソードへのＷ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃ等の堆積が減少するといえる。
　以上によれば、先願発明の「ソース物質のフッ化物や塩化物等のハロゲン化物由来の反応性の高いラジカルを、イオン源を構成する高融点金属からなるアークチャンバと化学結合しないように、効率よく低減するために、前記ライナーは、アークチャンバと比較して、ソースガスが分解された際に生じるラジカルと反応し易い材料で構成し、ライナーは、高融点材料よりも容易にエッチングされ易い犠牲材料として機能することによって、アークチャンバ内のラジカルが減少し、ライナー以外のイオン源を構成する部分であるアークチャンバ、リペラー、フロントスリット、カソードへのラジカルの作用が減少するとともに、ラジカルがライナーと反応しないとイオン源のアークチャンバ内で、フッ素ラジカルは高温のイオン源の構成物（カソード、リペラー、フロントスリット、アークチャンバ等）を短時間で蝕耗させ、一部の高温部材にＷ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃ等が堆積するハロゲンサイクルが起こるところ、ラジカルがライナーと反応することでアークチャンバ内のラジカルが減少し、ライナー以外のイオン源を構成する部分であるアークチャンバ、リペラー、フロントスリット、カソードへのラジカルの作用が減少」（構成ｆ）することは、本件補正発明の「前記反応性挿入体は、前記イオン源チャンバ内に導入されるハロゲン種と相互作用して、第１組の動作条件下で前記イオン源チャンバ内の前記難溶性金属の第１エッチング速度を生じさせ、この第１エッチング速度は、前記反応性挿入体を前記イオン源チャンバ内に配置しない際の前記第１組の動作条件下での、前記イオン源チャンバ内の前記難溶性金属の第２エッチング速度よりも低く、これにより、エッチングされた前記難溶性金属の再堆積によって生じる、前記イオン源チャンバの内面上における前記難溶性金属の再成長を防止」（構成Ｆ）することに相当する。
（キ）先願発明の「ＳｉＦ４（ガス）」は、本件補正発明の「ガス種」及び「ハロゲン種を有する反応生成物」に相当するから、先願発明の「ライナーは犠牲材料として機能するとともに、ライナーの材料としてシリコン（Ｓｉ）を用いた場合に、ＳｉＦ４（ガス）を発生する」（構成ｇ）ことは、本件補正発明の「前記反応性挿入体は、イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作すると共に、犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生する」（構成Ｇ）ことと、「前記反応性挿入体は、ガス種を発生するように動作すると共に、犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生する」（構成Ｇ´）ことに相当する。
　ここで、上記（１）において、「シリコンを含む」「反応性挿入体」について、「犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生する」ことが、当然に「イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作する」ことであるとしたのであるから、先願発明の「ライナーは犠牲材料として機能するとともに、ライナーの材料としてシリコン（Ｓｉ）を用いた場合に、ＳｉＦ４（ガス）を発生する」（構成ｇ）ことも、当然に「イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作する」こととなる。
　したがって、先願発明の「ライナーは犠牲材料として機能するとともに、ライナーの材料としてシリコン（Ｓｉ）を用いた場合に、ＳｉＦ４（ガス）を発生する」（構成ｇ）ことは、本件補正発明の「前記反応性挿入体は、イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作すると共に、犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生する」（構成Ｇ）ことに相当する。
（ク）先願発明の「ライナーの材料としてシリコン（Ｓｉ）を用いた」（構成ｇ）「イオン源」（構成ｈ）は、本件補正発明の「前記反応性挿入体がシリコンを含むイオン源」（構成Ｈ）に相当する。
イ　以上アでの検討によれば、本件補正発明と先願発明とは、
「Ａ　イオン源チャンバと、
Ｂ　前記イオン源チャンバ内に配置され、電子を放出して前記イオン源チャンバ内にアークプラズマを発生するように構成されたカソードと、
Ｃ　電子を前記アークプラズマ中に跳ね返すように構成されたリペラーと、
Ｄ　前記イオン源チャンバ内に配置された反応性挿入体とを具えたイオン源であって、
Ｅ　前記イオン源チャンバ及び前記カソードは難溶性金属を含み、
Ｆ　前記反応性挿入体は、前記イオン源チャンバ内に導入されるハロゲン種と相互作用して、第１組の動作条件下で前記イオン源チャンバ内の前記難溶性金属の第１エッチング速度を生じさせ、この第１エッチング速度は、前記反応性挿入体を前記イオン源チャンバ内に配置しない際の前記第１組の動作条件下での、前記イオン源チャンバ内の前記難溶性金属の第２エッチング速度よりも低く、これにより、エッチングされた前記難溶性金属の再堆積によって生じる、前記イオン源チャンバの内面上における前記難溶性金属の再成長を防止し、
Ｇ　前記反応性挿入体は、イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作すると共に、犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生する
Ｈ　前記反応性挿入体がシリコンを含むイオン源。」
　である点で一致し、相違点はない。
　よって、先願発明は、本願補正発明である。
　したがって、本件補正発明は、先願発明と同一であり、しかも、本件補正発明の発明者が先願発明をした者と同一の者ではなく、また、本願の出願の時にその出願人が先願発明の出願人と同一の者でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　本件補正についてのむすび
　以上の２−１での検討によれば、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　また、２−２で検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条７項の規定に違反するので、同法第１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成３０年５月９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］「１」「（２）」に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、
理由３（拡大先願）
　この出願の請求項１、３〜１２、１４〜１５に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に特許掲載公報の発行又は出願公開がされた下記の特許出願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない、
　というものである。
先願：特願２０１２−１８７１６８号（特開２０１４−４４８８６号）
３　先願明細書の記載及び先願発明
　原査定の拒絶の理由で引用された先願明細書の記載事項及び先願発明は、前記第２［理由］「２」「２−２」「（２）」に記載したとおりである。
　
４　対比・判断
（１）対比
　本願発明は、前記第２［理由］「２」「２−２」で検討した本件補正発明から、「前記反応性挿入体は、イオン化ポテンシャルの低いガス種を発生するように動作すると共に、犠牲材料として機能して前記ハロゲン種を有する反応生成物を発生する」との限定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに限定をしたものに相当する本件補正発明が、前記第２［理由］「２」「２−２」「（３）」及び「（４）」で検討したとおり、先願発明と同一であるから、本願発明も先願発明と同一である。
　したがって、本願発明は、先願発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が先願発明をした者と同一の者ではなく、また、本願の出願の時にその出願人が先願発明の出願人と同一の者でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができないものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。