【事件の表示】
　特願２０１５−１０６５６５「酸化イットリウム膜の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年１２月２２日出願公開、特開２０１６−２１６３３２、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２７年　５月２６日の出願であって、平成３０年　５月２５日付けで手続補正書及び上申書が提出され、同年１１月２６日付けで拒絶理由通知がされ、平成３１年　４月　２日付けで意見書及び手続補正書が提出され、令和　１年　７月　５日付けで拒絶査定（以下、原査定という）がされ、これに対し、同年１０月１５日付けで拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正書が提出されたものである。
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次の通りである。
理由１（サポート要件）
　平成３１年　４月　２日付け手続補正書により補正された請求項１、２、４−８に係る発明は発明の詳細な説明に記載されたものでないから、この出願は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
理由２（進歩性）
　平成３１年　４月　２日付け手続補正書により補正された請求項１−８に係る発明は、以下の引用文献２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．龍田宗孝、ミスト法による高誘電率酸化イットリウム薄膜の作製、２０１４年度高知工科大学環境理工学群卒業論文要旨、2015.03発行
２．ALARCON-FLORES. G. et al.、Optical and structural characteristics of Y2O3 thin films synthesized from yttrium acetylacetonate、J. Mater. Sci.、2008発行、vol. 43、p. 3582-3588
第３　本願発明
　本願の請求項１〜７に係る発明は、令和　１年１０月１５日付けで提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された次のとおりのものであると認める。
「　【請求項１】
　イットリウムを含む金属ハロゲン化物または有機金属錯体の原料溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴を、不活性ガスであるキャリアガスで成膜室内に設置されている基体まで搬送し、ついで前記ミストまたは液滴を熱反応させて前記基体上に酸化イットリウム膜を膜厚が１μｍ以上になるまで成膜することを特徴とする酸化イットリウム膜の製造方法。
　　【請求項２】
　原料溶液が有機金属錯体を含む請求項１記載の製造方法。
　　【請求項３】
　有機金属錯体がイットリウムアセチルアセトナート錯体である請求項２に記載の製造方法。
　　【請求項４】
　原料溶液の溶媒がアルコールと水との混合溶媒である請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
　　【請求項５】
　アルコールが低級アルコールである請求項４記載の製造方法。
　　【請求項６】
　アルコールが混合溶媒中に１〜１０モル％含まれている請求項４または５に記載の製造方法。
　　【請求項７】
　熱反応を、４００℃〜６００℃の温度範囲内にて行う請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。」
　なお、当審決において、本願の請求項１乃至７に係る発明のうちいずれか一つ又は複数の発明を、単に「本願発明」ということがある。
第４　当審の判断
１　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
（１）発明の詳細な説明の記載事項
　本願明細書の発明の詳細な説明には、下記の事項が記載されている。（下線は当審が付加した。「…」は当審による省略を表す。以下同様。）
ア　「【技術分野】
　【０００１】
　
本発明は、耐プラズマ性部材または耐食性部材に有用な酸化イットリウム膜の製造方法に関する。
【背景技術】
　【０００２】
…【０００３】…
エアロゾルデポジション法
複雑な装置や工程が必要であり、多大な手間や時間が必要であった。
　【０００４】
　また特許文献３には
大気開放型ＣＶＤ法
後処理に大型の設備や複雑な工程が必要
簡便な酸化イットリウム膜の成膜方法が待ち望まれていた。
イ　「【０００６】
　
本発明は、結晶性酸化イットリウムを含む酸化イットリウム膜を工業的有利に製造することができる製造方法を提供することを目的とする。
ウ　「【０００７】
　本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、
特定の条件下でミストＣＶＤ法を用いて酸化イットリウム膜を成膜すると、良質な酸化イットリウム膜が簡便に得られることを見出した。
このような製造方法が上記従来の問題を一挙に解決できるものであることを知見した。
エ　「【発明の効果】
　【０００９】
　
本発明の製造方法によれば、結晶性酸化イットリウムを含む酸化イットリウム膜を工業的有利に製造することができる
オ　「【発明を実施するための形態】
　【００１１】
　
本発明の酸化イットリウム膜の製造方法は、イットリウムを含む金属ハロゲン化物または有機金属錯体の原料溶液を霧化または液滴化し（霧化・液滴化工程）、得られたミストまたは液滴をキャリアガスで成膜室内に設置されている基体まで搬送し（搬送工程）、ついで前記ミストまたは液滴を熱反応させて前記基体上に酸化イットリウム膜を成膜する（成膜工程）ことを特徴とする。
カ　「【００１２】
　
原料溶液は、イットリウムを含む金属ハロゲン化物または有機金属錯体の原料溶液であれば特に限定されない。
イットリウムアセチルアセトナート錯体であることがより好ましい。
キ　「【００１７】（搬送工程）
　
搬送工程では、キャリアガスでもって前記ミストまたは前記液滴を成膜室内に搬送する。
本発明においては、前記キャリアガスが不活性ガスであるのが好ましい。
ク　「【００１８】
（成膜工程）
　
成膜工程では、成膜室内で前記ミストまたは液滴を熱反応させることによって、前記基体上に前記酸化イットリウム膜を成膜する。
膜厚は、成膜時間を調整することにより、１μｍ以上に設定することができる。
ケ　「　【００２７】
（実施例１）
…
　【００２８】
２．原料溶液の作製
　水とメタノールとの混合溶媒（水：メタノール＝５：９５（体積比））に、
イットリウムアセチルアセトナート
　【００２９】
３．成膜準備
　上記２．で得られた原料溶液４ａをミスト発生源４内に収容した。次に、基板１０として、サファイア基板、ガラス基板およびシリコン基板をそれぞれホットプレート８上に設置し、ホットプレート８を作動させて成膜室７内の温度を５００℃にまで昇温させた。次に、流量調節弁３ａ、３ｂを開いて、キャリアガス源であるキャリアガス供給手段２ａ、２ｂからキャリアガスを成膜室７内に供給し、成膜室７の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量を５．０Ｌ／分に、キャリアガス（希釈）の流量を０．５Ｌ／分にそれぞれ調節した。なお、
キャリアガスとして窒素を用いた。
　【００３０】
４．酸化イットリウム膜の形成
　次に、超音波振動子６を２．４ＭＨｚで振動させ、その振動を、水５ａを通じて原料溶液４ａに伝播させることによって、原料溶液４ａを霧化させてミスト４ｂを生成させた。
このミスト４ｂが、キャリアガスによって、供給管９内を通って、成膜室７内に導入され、大気圧下、５００℃にて、成膜室７内でミストが熱反応して、基板１０上に酸化イットリウム膜が形成された。
　【００３１】
５．評価
　上記４．にて得られた酸化イットリウム膜は、透明な連続膜であり、単層膜であった。また、Ｘ線回折装置を用いて膜の同定を実施したところ、
得られた膜はいずれもＹ２Ｏ３膜であった。また、機械的に基板から剥離しようとしても全く剥離せず、良好な密着性を有していた。
波長３５０ｎｍ〜８００ｎｍにおける光透過率が９０％以上であった。
自乗平均粗さ（ＲＭＳ）が２７．３８ｎｍであった。
自乗平均粗さ（ＲＭＳ）が４６．０２ｎｍであった。
自乗平均粗さ（ＲＭＳ）が３４．８３ｎｍであった。
コ　「【００３２】
（実施例２）
　成膜時間を１００分間としたこと以外は、
実施例１と同様にして透明な酸化イットリウム膜を得た。
　【００３３】
（実施例３）
　キャリアガスの流量を３．０Ｌ／分としたこと、及び成膜時間を１４０分間としたこと以外は、
実施例１と同様にして透明な酸化イットリウム膜を得た。
　【００３４】
（実施例４）
　成膜条件を５００℃３０分および４００℃３０分としたこと以外は、
実施例１と同様にして透明な酸化イットリウム膜を得た。
　【００３５】
（実施例５）
　成膜温度を４００℃とし、成膜時間を６０分としたこと以外は、
実施例１と同様にして透明な酸化イットリウム膜を得た。
サ　「【００３７】
　
実施例からわかる通り、本発明の酸化イットリウム膜は、いずれも膜厚が１μｍ以上であり、透明性も優れている。
（２）本願発明の課題について
　上記（１）イから、本願発明の課題は、「結晶性酸化イットリウムを含む酸化イットリウム膜を工業的有利に製造することができる製造方法を提供すること」であると認められる。
（３）サポート要件についての判断
（３−１）請求項１に係る発明について
ア　上記（１）ウ、オ、キ及びクに摘示されるように、本願明細書の発明の詳細な説明には、「イットリウムを含む金属ハロゲン化物または有機金属錯体の原料溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴を、不活性ガスであるキャリアガスで成膜室内に設置されている基体まで搬送し、ついで前記ミストまたは液滴を熱反応させて前記基体上に酸化イットリウム膜を膜厚が１μｍ以上になるまで成膜することを特徴とする酸化イットリウム膜の製造方法」という請求項１に記載の発明に係る製造方法により、良質な結晶性酸化イットリウム膜が簡便に得られるとの事項が記載されている。
イ　また、上記（１）ケ〜サに示されるように、上記アに示される事項は、請求項１に記載の発明に係る製造方法により実際に酸化イットリウム膜を製造したいくつかの実験結果により裏付けられている。
ウ　ここで、請求項１に係る発明の個々の発明特定事項について検討するに、まず、原料溶液における「イットリウムを含む金属ハロゲン化物または有機金属錯体」については、イットリウムを含む有機金属錯体に該当する「イットリウムアセチルアセトナート」が、上記（１）カに示されるとおり好ましいものとして挙げられた化合物であるとともに、上記（１）ケ及びコに示されるように、実施例における実験において実際に用いられた化合物である。ここで、上記（１）クによれば、成膜室内で原料溶液のミストまたは液滴を熱反応させることによって、基体上に酸化イットリウム膜が成膜されるところ、金属ハロゲン化物や有機金属錯体を用いた成膜技術における技術常識を考慮すると、イットリウムアセチルアセトナートとは別の「イットリウムを含む金属ハロゲン化物または有機金属錯体」を用いることによっても、イットリウムアセチルアセトナートと同様の熱反応によって酸化イットリウム膜を成膜することができ、その際、イットリウムアセチルアセトナートと同様の熱反応により成膜を行っている以上、上記実施例と同様の作用機構により、良質な結晶性酸化イットリウム膜が簡便に得られる蓋然性が高いといえる。
　また、「イットリウムを含む金属ハロゲン化物または有機金属錯体」以外の請求項１に係る発明の発明特定事項についても同様であり、実施例で用いられた具体的物質と異なる「原料溶液」や「不活性ガス」を用いたり、実施例と異なる熱反応温度を採用しても、技術常識を考慮すると、実施例と同様の作用機構により、良質な結晶性酸化イットリウム膜が簡便に得られる蓋然性が高いといえる。
　よって、上記アに示される事項が実際には成り立たないと当業者が疑義を持つに至るといえる具体的な根拠は見あたらない。
エ　上記ア〜ウのとおりであるから、発明の詳細な説明には、請求項１に係る発明により、良質な結晶性酸化イットリウム膜が簡便に得られるという事項が十分な裏付けとともに記載されている。
　ここで、上記（１）ア、ウ及びエを参酌すると、請求項１に係る発明は、良質な結晶性酸化イットリウム膜が簡便に得られることにより、結晶性酸化イットリウムを含む酸化イットリウム膜を工業的有利に製造することができるものであると解される。してみれば、請求項１に係る発明は、当業者が本願発明の課題を解決することができるように記載されたものであるといえる。
（３−２）請求項２，４〜７に係る発明について
　請求項２，４〜７に係る発明は、請求項１に係る発明の発明特定事項をすべて有する酸化イットリウム膜の製造方法の発明である。
　そうすると、上記（３−１）と同様の検討により、請求項２，４〜７に係る発明は、発明の詳細な説明において、当業者が本願発明の課題を解決することができるように記載されたものであるといえる。
（４）小括
　以上のとおりであるから、原査定の理由１（サポート要件）を維持することはできない。
２　特許法第２９条第２項（進歩性）について
引用文献等一覧
１．龍田宗孝、ミスト法による高誘電率酸化イットリウム薄膜の作製、２０１４年度高知工科大学環境理工学群卒業論文要旨、2015.03発行
２．ALARCON-FLORES. G. et al.、Optical and structural characteristics of Y2O3 thin films synthesized from yttrium acetylacetonate、J. Mater. Sci.、2008発行、vol. 43、p. 3582-3588
３．特開２０１４−６３９７３号公報
４．特開２０１４−７２５１７号公報
５．特開２００７−１９７２９６号公報
６．特開２００４−７５４３０号公報
（１）引用文献の記載事項及び引用発明
ア　引用文献１
（ア）本願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である、龍田宗孝、ミスト法による高誘電率酸化イットリウム薄膜の作製、２０１４年度高知工科大学環境理工学群卒業論文要旨、2015.03発行（以下、「引用文献１」という）には、次の記載がある。
ａ　「［実験方法］YOx薄膜はメタノールと水の混合溶液にイットリウムアセチルアセトナートを溶解させた原料溶液をミスト化し、Si基板上で熱分解させることで形成した。また成膜基板温度を375〜450℃まで変化させ、比誘電率と絶縁耐圧、屈折率を評価した。」
ｂ　「［結果］非誘電率と屈折率の評価には膜厚200nmのYOxを、絶縁耐圧の評価には膜厚50nmのYOxを用いた。」
（イ）引用文献１に記載の技術的事項
　上記（ア）から、引用文献１には、下記の技術的事項が記載されているものと認められる。
　「水の混合溶液にイットリウムアセチルアセトナートを溶解させた原料溶液をミスト化し、成膜基板温度375〜450℃でSi基板上で熱分解させることで、膜厚200nm又は50nmのYOx薄膜を形成した。」
イ　引用文献２
（ア）本願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である、ALARCON-FLORES. G. et al.、Optical and structural characteristics of Y2O3 thin films synthesized from yttrium acetylacetonate、J. Mater. Sci.、2008発行、vol. 43、p. 3582-3588（以下、「引用文献２」という）には、次の記載がある。
ａ　「Abstract　
Yttrium oxide thin films are deposited on silicon substrates using the ultrasonic spray pyrolysis technique from the thermal decomposition of a β-diketonate, yttrium acetylacetonate (Y(acac)3).
（当審仮訳：概要　
超音波スプレー熱分解法を用い、シリコン基板上に、βジケトネートであるイットリウムアセチルアセトナート（Ｙ（ａｃａｃ）３）の熱分解による酸化イットリウムの堆積を行った。
ｂ　「Introduction
…
Yttrium oxide (Y2O3), is considered an interesting material for different technological applications due to its unique properties
Because of its transparency (in the ultraviolet and visible range of the electro magnetic spectrum), Y2O3 is a prospective material to be used as antireflection and protective layer [15]. In addition, recent studies consider Y2O3, as a good candidate to replace SiO2 in the microelectronic industry because of its high dielectric constant [16]. Furthermore, Y2O3 has been studied as a host matrix to obtain high efficiency phosphors when doped with rare-earth elements [17].
　In this work, we report the synthesis of Y2O3 thin films by means of the ultrasonic spray pyrolysis technique from Y(acac)3 as source of yttrium. For this task, the study of the thermal decomposition of the latter reagent was carried out first by means of thermogravimetry, differential scanning calorimetry, mass and infrared spectroscopies. The information obtained by these studies led us to determine the deposition conditions for Y2O3 thin films using the spray pyrolysis technique. 
Once the films were deposited they were physically characterized
（当審仮訳：イントロダクション
…
酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）は、
その特有の性質のために、異なる技術的応用のための興味深い材料として考えられている［９，１４］。その（電磁スペクトルにおける紫外及び可視領域の）透明性のために、Ｙ２Ｏ３は反射防止層及び保護層として用いられることが見込まれる材料である［１５］。加えて、最近の研究において、Ｙ２Ｏ３はその高い比誘電率のために、マイクロエレクトロニクス業界においてＳｉＯ２を置換するための良い候補として考えられている［１６］。さらに、Ｙ２Ｏ３は、希土類元素でドープした際に高効率の蛍光体を得るためのホストマトリックスとして研究されてきた［１７］。
　本報告において、イットリウム源としてのＹ（ａｃａｃ）３からの超音波スプレー熱分解法によるＹ２Ｏ３薄膜の形成を報告する。この報告のために、まず、熱質量分析、示差走査熱量分析、質量分析及び赤外スペクトル分析を用いて、後者の試料（当審注：Ｙ（ａｃａｃ）３のこと）の熱分解について研究した。これらの研究により得られた情報により、スプレー熱分解法によるＹ２Ｏ３薄膜の堆積条件を決定した。
薄膜を堆積した後に物理的特性評価を行った。
ｃ　「
The Y2O3 thin films were deposited with a 0.03 M solution of Y(acac)3 in N-N Dimetylformamide (NN-DMF).
The mist is transported through a glass pipe to the heated substrate's surface where a thin solid film is obtained by means of a pyrolytic reaction.
being loaded into the deposition chamber
 The deposition substrate temperature was 400, 450, 500, and 550℃. Ultrapure air at 10 L/min was used as carrier gas.
 In general, the thickness of the Y2O3 films was around 1,000 Å.
（当審仮訳：
Ｎ−Ｎジメチルホルムアミド（ＮＮ−ＤＭＦ）中のＹ（ａｃａｃ）３の０．０３Ｍ溶液を用いて、Ｙ２Ｏ３薄膜を堆積した。
ミストはガラス管を通して加熱した基板表面に搬送され、そこで熱分解反応により固体薄膜が得られる。
基板は堆積チャンバに設置される
堆積基板の温度は４００、４５０、５００及び５５０℃であった。１０Ｌ／分の高純度空気をキャリアガスとして用いた。
一般的に、Ｙ２Ｏ３膜の厚さは１，０００Åであった。
ｄ　「
The X-ray diffraction patterns of the films are shown in Fig. 10. It can be observed that as the deposition temperature is increased, the crystalline structure of the films is improved.
（当審仮訳：
膜のＸ線回折パターンが図１０に示される。堆積温度が高いほど、膜の結晶構造が向上することが観察できる。
ｅ　「Conclusions　
Thin films with good optical and structural characteristics
（当審仮訳：結論　スプレー熱分解法を用いて、Ｙ（ａｃａｃ）３の分解により
良好な光学的及び構造的特性を有する薄膜
（イ）引用文献２に記載の発明
　上記（ア）ａ及びｃから、引用文献２には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「イットリウムアセチルアセトナートのＮ−Ｎジメチルホルムアミド溶液を霧化し、得られたミストを、高純度空気であるキャリアガスで、堆積チャンバに設置されたシリコン基板まで搬送し、前記ミストを熱分解反応させて、前記基板上にＹ２Ｏ３薄膜を厚さ１，０００Åになるまで堆積させる、Ｙ２Ｏ３薄膜の製造方法。」
ウ　引用文献３
（ア）本願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である、特開２０１４−６３９７３号公報（以下、「引用文献３」という）には、次の記載がある。
ａ　「【００１７】
　本発明は
、酸化亜鉛前駆体を含む原料溶液を霧化して発生したミストをキャリアガスによって基板上に搬送し、該基板上で熱化学反応させて酸化亜鉛層を形成するミスト化学気相成長法
サファイア基板上に酸化亜鉛を結晶成長させる酸化亜鉛結晶層の製造方法
ｂ　「【００３４】
＜キャリアガス＞
   
キャリアガスは、原料溶液を霧化して発生したミストをミストＣＶＤ装置の基板上に輸送するためのガス
   キャリアガスとして
具体的にはアルゴン等の不活性ガス、酸素、水蒸気等の酸化性ガス、窒素及びこれらのガスの混合ガス
（イ）引用文献３に記載の技術的事項
　上記（ア）によれば、引用文献３には、下記の技術的事項が記載されているものと認められる。
「酸化亜鉛前駆体を含む原料溶液を霧化して発生したミストを、アルゴン等の不活性ガス、酸素、水蒸気等の酸化性ガス、窒素及びこれらのガスの混合ガスであるキャリアガスにより基板上に搬送し、ミスト化学気相成長法により基板上に酸化亜鉛結晶層を成長させる。」
エ　引用文献４
（ア）本願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である、特開２０１４−７２５１７号公報（以下、「引用文献４」という）には、次の記載がある。
ａ　「【０００６】
本発明は、
コランダム型の結晶構造をもつ
半導体層
ｂ　「【００２２】
［半導体装置の製造方法、コランダム型結晶膜の成膜装置］
半導体装置の製造方法および
コランダム型結晶を成膜
　【００２３】
図６に示す成膜装置１９は
ミストＣＶＤ装置
　【００２４】
この成膜装置１９を用いたコランダム型結晶膜の成膜においては、まず、ヒータ２８によって成膜室２７が所定温度（例えば、３００〜５５０℃）にまで昇温される。その後、
下地基板等の被成膜試料２０が成膜室２７内の試料台２１上に配置される。
　【００２５】
被成膜試料２０の配置が完了すると、あらかじめ窒素源２２から送られてきた窒素ガスによって成膜室内部の雰囲気が十分に置換され、その後、超音波振動子２６の振動が開始される。
超音波振動子２６が所定周波数（例えば２．４ＭＨｚ）で振動すると、その振動が水２５ａを介して溶液２４ａに伝播し、溶液２４ａからミストが発生する。発生したミストは、窒素源２２から送られてきた窒素に押し出され、昇温後の成膜室２７に導入される。
　【００２６】
成
膜室２７に導入されたミストは、高温により分解されながらコランダム型結晶膜を成膜すべき被成膜試料２０の面に到達する。
被成膜試料２０の表面においてＣＶＤ反応が起こり、コランダム型結晶膜が成膜される。
ミストが到達した面の少なくとも一部分がコランダム型結晶膜によって覆われる。
（イ）引用文献４に記載の技術的事項
　上記（ア）から、引用文献４には、下記の技術的事項が記載されている。
「溶液からミストを発生させ、当該ミストを窒素により押し出して成膜室に導入し、当該ミストを高温により分解し、被成膜試料表面においてＣＶＤ反応させて被成膜試料の表面にコランダム型結晶膜を成膜する、コランダム型結晶膜を製造する。」
オ　引用文献５
（ア）本願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である、特開２００７−１９７２９６号公報（以下、「引用文献５」という）には、次の記載がある。
ａ　「【技術分野】
　【０００１】
　本発明は
金属酸化物微粒子の分散液
ｂ　「【０００９】
　例えば、半導体のエッチングチャンバーでは、チャンバー内壁や内部の部材などが腐食性ガスのプラズマによるダメージに曝されることによるコンタミネーションが問題となっているが、
本発明に係る金属酸化物分散液を用いれば、耐プラズマエロージョン性の高い酸化イットリウムの緻密な膜が容易に得られ
ｃ　「　【００５８】
　　（実施例１０）
　実施例１で得られた４質量％の
Ｙ2Ｏ3分散液を用いて、ディップコート法によって石英基板（寸法：幅５０ｍｍ×長さ５０ｍｍ×厚さ５ｍｍ）上にＹ2Ｏ3膜を形成した。
　【００５９】
　また、
同様の方法で膜厚を１μｍ（実施例１０−２）としたＹ2Ｏ3膜を形成し、
（イ）引用文献５に記載の技術的事項
　上記（ア）から、引用文献５には、下記の技術的事項が記載されているものと認められる。
「Ｙ2Ｏ3分散液を用いたディップコート法によって、基板上に耐プラズマエロージョン性の高い酸化イットリウム膜である膜厚１μｍのＹ2Ｏ3膜を形成した。」
カ　引用文献６
（ア）本願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である、特開２００４−７５４３０号公報（以下、「引用文献６」という）には、次の記載がある。
ａ　「【発明の詳細な説明】
　　【０００１】
　
本発明は、紫外線、可視光線及び近赤外線領域での光透過率が高い、透明な酸化イットリウム膜及びその製造方法に関する。
ｂ　「【０００７】
　
本発明の透明な酸化イットリウム膜を形成する基材
このような基材に透明な酸化イットリウム膜を形成した板状体は、プラズマを使用する各種の処理装置
ｃ　「【０００６】
　【発明の実施の形態】
　つぎに、図面を参照しながら本発明の実施の形態について詳細に説明するが、以下の具体例は本発明を限定するものではない。
本発明の透明な酸化イットリウム膜は、
通常の大気開放型ＣＶＤ装置を使用して製造することができる。
ｄ　「【００１７】
　大気開放型ＣＶＤ法により酸化イットリウム膜を形成した場合には、膜を構成する結晶粒子の成長は膜厚が０．５μｍ以上になると顕著になり、それに伴なって膜が白色を帯びる。
本発明の方法によれば、膜を構成する結晶粒子の成長を抑制して、平均粒子径０．０１〜μｍの酸化イットリウム多結晶粒子又はアモルファス酸化イットリウムにより膜を構成することができ、透明な酸化イットリウム膜が得られる。
　
本発明によれば、膜厚が０．０１〜１０μｍ程度の透明な酸化イットリウム膜を形成することができる。
特に１μｍ以上の透明な酸化イットリウム膜を得ることができる。
（イ）引用文献６に記載の技術的事項
　上記（ア）から、引用文献６には、下記の技術的事項が記載されているものと認められる。
「大気開放型ＣＶＤにより、プラズマを使用する各種の処理装置に用いられる板状体である基材上に膜厚１μｍ以上の透明な酸化イットリウム膜を製造する。」
（２）対比・判断
（２−１）請求項１に係る発明について
ア　引用発明と請求項１に係る発明との対比
ａ　一致点及び相違点について
　引用発明の「イットリウムアセチルアセトナート」、「溶液」、「堆積チャンバ」、「熱分解反応」、「Ｙ２Ｏ３薄膜」及び「堆積」は、それぞれ、請求項１に係る発明の「イットリウムを含む金属ハロゲン化物または有機金属錯体」、「原料溶液」、「成膜室」、「熱反応」、「酸化イットリウム膜」及び「成膜」に相当する。
　そうすると、引用発明は、「イットリウムを含む金属ハロゲン化物または有機金属錯体の原料溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴を、キャリアガスで成膜室内に設置されている基体まで搬送し、ついで前記ミストまたは液滴を熱反応させて前記基体上に酸化イットリウム膜を成膜することを特徴とする酸化イットリウム膜の製造方法。」である点で請求項１に係る発明と一致し、下記の点で相違する。
＜相違点１＞
　引用発明におけるキャリアガスは「高純度空気」であるのに対し、請求項１に係る発明におけるキャリアガスは「不活性ガス」である点。
＜相違点２＞
　引用発明においてはＹ２Ｏ３薄膜を「厚さ１，０００Åになるまで」堆積させるのに対し、請求項１に係る発明においては酸化イットリウム膜を「膜厚が１μｍ以上になるまで」成膜する点。
ｂ　相違点２について
（ａ）　事案に鑑み、相違点２について検討するに、引用文献２に記載の発明は、上記（１）イ（ア）ｂ、ｄ及びｅからみて、最終的な目的としてＹ２Ｏ３薄膜の各種物理的特性を検討するためになされたものと解される。そうすると、引用文献１に接した当業者が、引用発明のＹ２Ｏ３薄膜を「膜厚が１μｍ以上になるまで」堆積するように変更する動機付けを見出すことはできない。
（ｂ）　また、引用文献１、３〜６を検討するに、引用文献１には、上記（１）ア（イ）のとおり、膜厚200nm又は50nmのYOx薄膜を形成することについて記載されているものの、膜厚を１μｍ以上とすることは記載されていない。引用文献３には、上記（１）ウ（イ）のとおり、酸化亜鉛結晶相について記載されているものの、膜厚が１μｍ以上のＹ２Ｏ３薄膜を形成することは記載されていない。引用文献４には、上記（１）エ（イ）のとおり、コランダム型結晶膜を製造する方法について記載されているものの、膜厚を１μｍ以上とすることは記載されていない。引用文献５には、上記（１）オ（イ）のとおり、Ｙ2Ｏ3分散液を用いたディップコート法により膜厚１μｍの酸化イットリウム膜を形成することが記載されているものの、原料溶液のミストを用いて酸化イットリウム膜を形成することは記載されていない。引用文献６には、上記（１）カ（イ）のとおり、膜厚１μｍ以上の透明な酸化イットリウム膜を製造することが記載されているものの、原料溶液のミストを用いて酸化イットリウム膜を形成することは記載されていない。そうすると、引用文献１、３〜６のいずれの記載からも、引用発明において、引用発明のＹ２Ｏ３薄膜を「膜厚が１μｍ以上になるまで」堆積するように変更する動機付けを当業者が得るといえる根拠は見あたらない。
（ｃ）　そして、引用文献１、３〜６の記載から、原料溶液のミストを用いて酸化イットリウム膜を形成するにあたって膜厚を１μｍ以上とすることが周知技術であるとは認められず、そのような周知技術に基づいて引用発明のＹ２Ｏ３薄膜を「膜厚が１μｍ以上になるまで」堆積するように変更する動機付けを当業者が得るともいえない。
（ｄ）　仮に、上記（１）オ（イ）及び（１）カ（イ）に示される引用文献５及び６に記載の技術的事項からみて、耐プラズマ用であり膜厚１μｍ以上である酸化イットリウム膜が周知技術であったとしても、上記（ａ）に示したとおり、引用文献２に記載の発明は、最終的な目的としてＹ２Ｏ３薄膜の各種物理的特性を検討するためになされたものであると解される上、引用文献２中の上記（１）イ（ア）ｂに摘示した記載は、背景技術として、Ｙ２Ｏ３薄膜が
保護層を含む様々な用途
（ｅ）　してみれば、相違点１について検討するまでもなく、請求項１に係る発明は、当業者であっても、引用発明及び引用文献１、３〜６の記載に基づいて、容易に発明をすることができたものとはいえない。
（２−２）請求項２〜７に係る発明について
　請求項２〜７に係る発明は、請求項１に係る発明の発明特定事項をすべて有する、酸化イットリウム膜の製造方法の発明である。
　そうすると、上記（２−１）と同様に、請求項２〜７に係る発明は、当業者であっても、引用発明及び引用文献１、３〜６の記載に基づいて、容易に発明をすることができたものとはいえない。
（３）小括
　以上のとおりであるから、原査定の理由２（進歩性）を維持することはできない。
３　小括
　以上のとおり、原査定の理由１〜２を維持することはできない。
第５　むすび
　以上の通り、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論の通り審決する。