【手続補正書】
【提出日】令和1年9月19日(2019.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型ＡｌＧａＮによって形成されたｎ型クラッド層と、
ＡｌＧａＮによって形成された障壁層を前記ｎ型クラッド層側に有する多重量子井戸層と、を含む窒化物半導体発光素子であって、
前記ｎ型クラッド層及び前記障壁層の間に位置する、Ｓｉを含んで形成されたトリガ層をさらに備え、
前記ｎ型クラッド層及び前記多重量子井戸層は、複数のＶピットが形成されており、
前記トリガ層における前記Ｓｉのドープ量は、前記ｎ型クラッド層中の前記転位の欠陥密度の５．０×１０９〜５．０×１０１０倍である、
窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記Ｖピットは、前記窒化物半導体発光素子の厚み方向に伸びる略逆円錐状の形状を有する、
請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
略逆円錐状の形状を有する前記Ｖピットの頂点は、前記ｎ型クラッド層中の転位から発生し、前記Ｖピットの底面は、前記多重量子井戸層内で終端する、
請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記Ｖピットは、前記ｎ型クラッド層の転位を始端とし、前記多重量子井戸層の前記ｎ型クラッド層と反対側の最外層のＡｌＧａＮによって形成された井戸層を終端として形成されている、
請求項３に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記トリガ層のＳｉ濃度は、５．０×１０１８ｃｍ−３〜５．０×１０１９ｃｍ−３である、
請求項１から４のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
基板上にｎ型ＡｌＧａＮを有するｎ型クラッド層を形成する工程と、
ＡｌＧａＮを有する障壁層を前記ｎ型クラッド層側に有する多重量子井戸層を形成する工程と、
前記ｎ型クラッド層及び前記障壁層の間に位置する、Ｓｉを含んで形成されたトリガ層を形成する工程とを備え、
前記トリガ層を形成する工程は、前記トリガ層のＳｉ濃度が前記ｎ型クラッド層中の前記転位の欠陥密度の５．０×１０９〜５．０×１０１０倍となるように前記Ｓｉの供給量を調整しながら形成することを特徴とする、
窒化物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで、本発明は、Ｖピットを形成することにより発光出力を向上させつつ、トリガ拡大層を不要とすることにより製造コストを低減することができる窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決することを目的として、ｎ型ＡｌＧａＮによって形成されたｎ型クラッド層と、ＡｌＧａＮによって形成された障壁層を前記ｎ型クラッド層側に有する多重量子井戸層と、を含む窒化物半導体発光素子であって、前記ｎ型クラッド層及び前記障壁層の間に位置する、Ｓｉを含んで形成されたトリガ層をさらに備え、前記ｎ型クラッド層及び前記多重量子井戸層は、複数のＶピットが形成されており、前記トリガ層における前記Ｓｉのドープ量は、前記ｎ型クラッド層中の前記転位の欠陥密度の５．０×１０９〜５．０×１０１０倍である、窒化物半導体発光素子を提供する。また、本発明は、基板上にｎ型ＡｌＧａＮを有するｎ型クラッド層を形成する工程と、ＡｌＧａＮを有する障壁層を前記ｎ型クラッド層側に有する多重量子井戸層を形成する工程と、前記ｎ型クラッド層及び前記障壁層の間に位置する、Ｓｉを含んで形成されたトリガ層を形成する工程とを備え、前記トリガ層を形成する工程は、前記トリガ層のＳｉ濃度が前記ｎ型クラッド層中の前記転位の欠陥密度の５．０×１０９〜５．０×１０１０倍となるように前記Ｓｉの供給量を調整しながら形成することを特徴とする、窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、Ｖピットを形成することにより発光出力を向上させつつ、トリガ拡大層を不要とすることにより製造コストを低減することができる窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
（実施の形態の作用及び効果）
以上説明したように、本発明の実施の形態に係る発光素子１は、ｎ型クラッド層３０
と多重量子井戸層のｎ型クラッド層３０側の障壁層５２ａとの間に、Ｖピット１００を発生させるトリガ層４０を備えている。また、このトリガ層４０におけるＳｉのドープ量は、ｎ型クラッド層中の転位の欠陥密度の５．０×１０９〜５．０×１０１０倍に調整されている。このようにして、特許文献１に記載されているようなトリガ層４０の他にトリガ拡大層を設けることなくＶピッドを形成することができる。このため、Ｖピットを形成することにより発光出力を向上させつつ、トリガ拡大層を不要とすることにより製造コストを低減することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
［１］ｎ型ＡｌＧａＮによって形成されたｎ型クラッド層（３０）と、ＡｌＧａＮによって形成された障壁層（５２ａ，５２ｂ，５２ｃ）を前記ｎ型クラッド層（３０）側に有する多重量子井戸層と、を含む窒化物半導体発光素子（１）であって、前記ｎ型クラッド層（３０）及び前記障壁層（５２ａ）の間に位置する、Ｓｉを含んで形成されたトリガ層（４０）をさらに備え、前記ｎ型クラッド層（３０）及び前記多重量子井戸層は、複数のＶピット（１００）が形成されており、前記トリガ層（４０）における前記Ｓｉのドープ量は、前記ｎ型クラッド層（３０）中の前記転位の欠陥密度の５．０×１０９〜５．０×１０１０倍である、窒化物半導体発光素子（１）。
［２］前記Ｖピット（１００）は、前記窒化物半導体発光素子（１）の厚み方向に伸びる略逆円錐状の形状を有する、前記［１］に記載の窒化物半導体発光素子（１）。
［３］略逆円錐状の形状を有する前記Ｖピット（１００）の頂点（１００ａ）は、前記ｎ型クラッド層（３０）中の転位から発生し、前記Ｖピット（１００）の底面（１００ｂ）は、前記多重量子井戸層（５０）内で終端する、前記［２］に記載の窒化物半導体発光素子（１）。
［４］前記Ｖピット（１００）は、前記ｎ型クラッド層（３０）の転位を始端とし、前記多重量子井戸層（５０）の前記ｎ型クラッド層（３０）と反対側の最外層のＡｌＧａＮによって形成された井戸層（５４ｃ）を終端として形成されている、前記［３］に記載の窒化物半導体発光素子（１）。
［５］前記トリガ層（４０）のＳｉ濃度は、５．０×１０１８ｃｍ−３〜５．０×１０１９ｃｍ−３である、前記［１］から［４］のいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素子（１）。
［６］基板（１０）上にｎ型ＡｌＧａＮを有するｎ型クラッド層（３０）を形成する工程と、ＡｌＧａＮを有する障壁層（５２ａ，５２ｂ，５２ｃ）を前記ｎ型クラッド層（３０）側に有する多重量子井戸層を形成する工程と、前記ｎ型クラッド層（３０）及び前記障壁層（５２ａ）の間に位置する、Ｓｉを含んで形成されたトリガ層（４０）を形成する工程とを備え、前記トリガ層（４０）を形成する工程は、前記トリガ層（４０）のＳｉ濃度が前記ｎ型クラッド層（３０）中の前記転位の欠陥密度の５．０×１０９〜５．０×１０１０倍となるように前記Ｓｉの供給量を調整しながら形成することを特徴とする、窒化物半導体発光素子（１）の製造方法。