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　特願２０１６−５４０９０５「極端紫外光源用搬送システム」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　３月１２日国際公開、ＷＯ２０１５／０３４６８７、平成２８年１１月　４日国内公表、特表２０１６−５３４４０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１４年（平成２６年）８月２１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１３年９月９日、米国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は次のとおりである。
　平成３０年　３月１５日付け：拒絶理由通知書
　平成３０年　６月１２日　　：意見書・手続補正書
　平成３０年１１月１３日付け：拒絶理由通知書（最初）
　平成３１年　２月１２日　　：意見書・手続補正書
　令和　元年　５月２３日付け：拒絶査定
　令和　元年　９月２０日　　：審判請求書
第２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、本願の請求項９に係る発明は、本願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった次の引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものを含むものである。
　引用文献：特開２０１３−４３６９号公報（原査定における引用文献３）
　周知例１：特開２０００−１４４４２１号公報（原査定における引用文献２）
　周知例２：特開平８−２７９４６８号公報（原査定における引用文献４）
第３　当審の判断
　１　本願発明の認定
　本願の請求項に係る発明は、平成３１年２月１２日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１８に記載された事項により特定されるものであるところ、そのうち、請求項９に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項９に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「増幅光ビームを生成するように構成された源と、真空チャンバと、プラズマに変換されたときに極端紫外光を放出する材料を備えたターゲット材を、前記真空チャンバ内の、前記増幅光ビームを受光するように構成されたターゲット位置に向かって誘導するように構成されたターゲット材送達システムと、前記放出された極端紫外光を集光及び反射するように構成されたコレクタと、を有する極端紫外光源と、
　フリーラジカルを通過させるように構成された材料を備える導管であって、前記導管は、前記導管の第１の端部により定義される第１の開口と、前記導管の側壁により定義され前記第１の開口から遠ざかる方向に沿って拡大する寸法を有する複数の他の開口と、を定義し、前記導管の前記側壁は、直線部分と、湾曲部分と、を有し、前記他の開口は、前記導管の前記湾曲部分にあり、前記導管は、使用時に金属材料を有し、前記導管の前記側壁は、前記真空チャンバの壁を貫通し、前記第１の開口が前記真空チャンバの外部にあり、前記他の開口が前記真空チャンバの内側にあって前記コレクタに向かって配向されている状態で位置決めされている、導管と、を有するラジカル搬送システムと、
を備える、システム。」
　２　引用発明の認定
（１）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１３−４３６９号公報（以下「引用文献」という。）には、次の記載がある（下線は、当審が付した。以下、同じ。）。
　ア　「【特許請求の範囲】」、
「
レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、
　
レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、
　
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
　
前記チャンバに接続される排気ポンプと、
　
前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの光学要素と、
　
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射される際に放出されて前記少なくとも１つの光学要素に付着した前記ターゲット物質のデブリをエッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部と、
　
前記少なくとも１つの光学要素の温度を制御するための少なくとも１つの温度調節機構と、
　
を備える、極端紫外光生成装置。
「
前記ターゲット物質は錫であ
「
前記エッチングガスはＨラジカルガスであ
「
前記エッチングガス導入部には、前記少なくとも１つの光学要素の表面に向けられた少なくとも１つの開口が設けられ
　イ　「【実施の形態】」、
「以下、本開示を実施するための形態を添付の図面を参照に詳細に説明する。以下の説明において、各図では本開示の内容を理解できる程度に形状、大きさ、および位置関係等が概略的に示されてあるに過ぎず、従って、本開示は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係等に限定されるものではない。各図では、構成の明瞭化のため、断面におけるハッチングの一部が省略されている。また、後述において例示する数値は、本開示の好適な例に過ぎず、従って、本開示は例示された数値に限定されるものではない。」（【０００８】）、
「実施の形態１
　本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。図１は、実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。」（【０００９】）、
「図１に示されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成用の空間を画定する気密性の高いチャンバ１１と、チャンバ１１と露光装置（不図示）とを光学的に接続する露光装置接続部１３と、チャンバ１１内に
ＥＵＶ光の生成材料となる
ターゲット物質を
プラズマ化するためのパルス状のレーザ光
「チャンバ１１には、ウィンドウＷ１およびＷ２が設けられてもよく、プリパルスレーザ光Ｌ１ａおよびメインパルスレーザ光Ｌ１ｂはそれぞれウィンドウＷ１およびＷ２を透過してチャンバ１１内部に入射してもよい。チャンバ１１内部には、ウィンドウＷ１およびＷ２を介して入射したプリパルスレーザ光Ｌ１ａおよびメインパルスレーザ光Ｌ１ｂをそれぞれチャンバ１１内のプラズマ生成領域Ｐ１における所定の位置で集光するための軸外放物面ミラーＭ２およびＭ３と、プラズマ生成領域Ｐ１で生成されたＥＵＶ光Ｌ２が露光装置接続部１３内に設定された中間集光点ＩＦで集光されるように反射するＥＵＶ集光ミラーＭ１と、が設けられてもよい。」（【００１１】）、
「このような構成において、ＥＵＶ光生成コントローラ１０は、ドロップレットコントローラ１４ａを制御することで、ドロップレット生成器１４ｂからドロップレットＤが出力されるタイミングを制御してもよい。ドロップレット生成器１４ｂから出力されたドロップレットＤは、プラズマ生成領域Ｐ１に到着し得る。ドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１に到着するタイミングに合わせて、ドロップレットＤには、プリパルスレーザＰＬから出力されたプリパルスレーザ光Ｌ１ａがウィンドウＷ１および軸外放物面ミラーＭ２を介してＥＵＶ集光ミラーＭ１の側面側から集光されてもよい（１段目のレーザ照射）。これにより、ドロップレットＤを構成するターゲット物質が拡散して、液滴状のターゲット物質が弱いプラズマ、中性粒子、クラスターやフラグメント等が混在した状態に変容し得る。以下の説明では、この状態にあるターゲット物質を「拡散したターゲット」と称する。」（【００１２】）、
「
プラズマ生成領域Ｐ１で生成された拡散したターゲット
がプラズマ化し
ＥＵＶ光Ｌ２は、このプラズマが脱励起する際に放射され
「
プラズマから放射されたＥＵＶ光Ｌ２は、その反射面が回転楕円面形状のＥＵＶ集光ミラーＭ１によって反射されることで、露光装置接続部１３へ向けて反射され
「実施の形態１では、レーザ光の２段階照射によってターゲット物質（ドロップレットＤ）がプラズマ化されるが、これに限らず、１段階または３段階以上のレーザ照射によってターゲット物質がプラズマ化されてもよい。さらに、実施の形態１では、ターゲット物質が液滴状で供給される場合を例に挙げたが、これに限らず、予めチャンバ１１内に配置されたローテーション可能な固体ターゲット物質が用いられてもよい。」（【００１５】）、
「
プラズマ生成領域Ｐ１で生成されたプラズマからは、ＥＵＶ光Ｌ２が放射された後、イオン、原子、帯電した粒子、中性の粒子など、ターゲット物質であるＳｎの粒子（以下、Ｓｎデブリという）が発生し
このＳｎデブリは、プラズマ生成領域Ｐ１から放出された後、チャンバ１１内に配置されたＥＵＶ集光ミラーＭ１
などの光学要素に付着し、堆積
「そこで、実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置１は、
チャンバ１１内に水素ラジカル（以下、ＨラジカルまたはＨ＊と記す）を供給するためのラジカル生成器
を備え
ラジカル生成器
から放出されたＨラジカルは、チャンバ１１内に延在するガス導入管
を介してチャンバ１１内に供給され
ラジカル生成器
およびガス導入管
は、チャンバ１１内に配置された光学要素に付着したＳｎデブリをエッチングするためのエッチングガス（Ｈラジカルおよびラジカル化されなかったＨ２ガス）を光学要素の表面に沿って流
「
ガス導入管
のガス放出口は、チャンバ１１内に配置されたＥＵＶ集光ミラーＭ１
などの光学要素に
向けられ
ガス放出口は、少なくとも１つの開口であ
「Ｈラジカルを光学要素表面に沿って流すことによって生成されたスタナンガスは、排気ポンプ１２によってチャンバ１１外へ排気されてもよい。実施の形態１では、付着したＳｎデブリを高効率でエッチング反応させるために、水素がラジカルの状態で供給されるのが好ましいが、これに限らず、水素分子（Ｈ２）の状態で供給されてもよい。この場合、水素分子がプラズマ生成領域Ｐ１で放射される紫外光、真空紫外光、ＥＵＶ光等によってＨラジカルへ変容すると、そのＨラジカルが光学要素に付着したＳｎデブリと反応してスタナン（ＳｎＨ４）が生成され得る。この結果、光学要素に付着したＳｎデブリがエッチングされて光学要素の性能劣化を抑制することができる。この場合、ラジカル生成器１５ａ〜１５ｃは必須ではなく、ラジカル生成器１５ａ〜１５ｃの代わりに水素ガス供給源が設けられてもよい。水素ガス供給源は露光装置が設置される設備に備えられていてもよいし、ＥＵＶ光生成装置および露光装置のいずれかに設けられていてもよい。」（【００１９】）、
「チャンバ１１内には、たとえば板状のパーティション１１ａ〜１１ｃが配置されてもよい。このパーティション１１ａ〜１１ｃによって、チャンバ１１内でのガス（Ｈラジカル、水素ガス、スタナンガス等）の流れがコントロールされ得る。この結果、光学要素に付着したＳｎデブリを効率よくエッチングしつつ、生成されたスタナンガスを効率よく排出することが可能となる。パーティション１１ｂと１１ｃとの間に形成される開口部Ａ１は、エッチングガスの流路の機能とメインパルスレーザ光Ｌ１ｂの光路の機能とを果たしてもよい。パーティション１１ａと１１ｂとの間に形成される開口部Ａ２は、エッチングガスの流路の機能とプリパルスレーザ光Ｌ１ａの光路の機能とを果たしてもよい。」（【００２０】）、
「光学要素（たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ１ならびに軸外放物面ミラーＭ２およびＭ３）から、デブリが発生する領域であるプラズマ生成領域Ｐ１へ向けてガスが流れるように、パーティション１１ａ〜１１ｃを用いてガスの流れが制御されることで、光学要素へのＳｎデブリの入射が抑制され得る。これにより、光学要素へのＳｎデブリの付着を低減することが可能となり、光学要素の性能劣化をより確実に抑制することが可能となる。」（【００２１】）
　ウ　「・変形例１
　上述した実施の形態におけるガス導入管の変形例について、以下に図面を参照して詳細に説明する。以下の説明では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面に沿ってＨラジカルまたはＨ２ガスを流すためのガス導入管を例に挙げて説明する。」（【００６１】）、
「・変形例２
　変形例２によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１３Ａは、変形例２によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１３Ｂは、図１３Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ面に沿った断面図である。」（【００６５】）、
「図１３Ａおよび図１３Ｂに示されるように、
変形例２では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば２つ）のラジカル生成器１５Ａおよび１５Ｂが設けられて
ラジカル生成器１５Ａからは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、半弧状のガス導入管１６−２ａが延在し
同様に、ラジカル生成器１５Ｂからは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、半弧状のガス導入管１６−２ｂが延在し
ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂには、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に向けて開口された穴が略等間隔で設けられ
ラジカル生成器１５Ａおよび１５Ｂからガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂ内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂに設けられた穴から吹き出し
これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ
この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ
「ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂは、たとえばドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端から出力されるドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１に向けて進行すること、および、プラズマ生成領域Ｐ１を通過したドロップレットＤまたはドロップレットＤの残骸がドロップレット回収部１４ｄに向けて進行することを妨げないように、その一部に隙間が設けられてもよい。」（【００６７】）、
「・変形例４
　変形例４によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１５Ａは、変形例４によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の構成を概略的に示す。図１５Ｂは、図１５Ａに示されるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの構成を概略的に示すＸＶＢ−ＸＶＢ面に沿った断面図である。」（【００７２】）、
「図１５Ａおよび図１５Ｂに示されるように、
変形例４
ガス導入管１６−４は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見た形状が略直線であって
ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って弓状に歪曲した形状で
「このような形状を有するガス導入管１６−４は、ＥＵＶ光Ｌ２のオブスキュレーション領域Ｅ内に配置されるのが好ましい。オブスキュレーション領域とは、ＥＵＶ集光ミラーによって集光されるＥＵＶ光のうち、露光装置において利用されないＥＵＶ光の角度範囲に対応する領域のことをいう。すなわち、オブスキュレーション領域は、露光装置において利用されないＥＵＶ光の角度範囲に含まれる３次元的な領域である。」（【００７４】）、
「
ガス導入管１６−４には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の表面に沿ってエッチングガスが流れるように開口された穴が両側に略等間隔に設けられ
ラジカル生成器１５からガス導入管１６−４内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−４に設けられた穴から吹き出し
これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａを通る中心線付近から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流れ
この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされ
「ガス導入管１６−４は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って歪曲していてもよい。この構成により、ドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端からオブスキュレーション領域Ｅ内に出力されるドロップレットＤのプラズマ生成領域Ｐ１への進行を妨げることを抑制できる。」（【００７６】）
　エ　図１によれば、
ラジカル生成器１５が、チャンバ１１の外部に存在し、ガス導入管１６が、チャンバ１１の壁を貫通して
　オ　変形例２に係る図１３Ａによれば、
ガス導入管１６−２ａ及びガス導入管１６−２ｂは、
ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て直線状の部分をも備え
ガス導入管の当該半弧状の部分の側面に、Ｈラジカルが吹き出すための穴が設けられて
　カ　変形例４に係る図１５Ａ及び図１５Ｂによれば、ガス導入管１６−４は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って弓状に歪曲した部分（【００７３】）のほかに、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て、かつ、図１５ＡのＸＶＢ−ＸＶＢ面に沿った断面図上において、直線状の部分をも備えていることが見て取れるから、
ガス導入管１６−４は、
直線状の部分をも備え
ガス導入管１６−４の当該弓状に歪曲した形状の部分の側面に、Ｈラジカルが吹き出すための穴が設けられている
（２）上記（１）の各記載によれば、引用文献には、変形例２又は変形例４に関して、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。なお、引用発明の認定に用いた段落番号等を参考までに括弧内に付してある。
「レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、
　レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口が設けられたチャンバと、
　前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部と、
　前記チャンバに接続される排気ポンプと、
　前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの光学要素と、
　前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射される際に放出されて前記少なくとも１つの光学要素に付着した前記ターゲット物質のデブリをエッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部と、
　前記少なくとも１つの光学要素の温度を制御するための少なくとも１つの温度調節機構と、
　を備える、極端紫外光生成装置であって、（【請求項１】）
　前記ターゲット物質は錫であり、（【請求項２】）
　前記エッチングガスはＨラジカルガスであり、（【請求項４】）
　前記エッチングガス導入部には、前記少なくとも１つの光学要素の表面に向けられた少なくとも１つの開口が設けられており、（【請求項５】）
　レーザ光は、ターゲット物質をプラズマ化するためのパルス状のものであり、（【００１０】）
　ターゲット物質は、ＥＵＶ光の生成材料となるものであり、（【００１０】）
　プラズマ生成領域Ｐ１で生成された拡散したターゲットがプラズマ化し、ＥＵＶ光Ｌ２は、このプラズマが脱励起する際に放射されるものであって、（【００１３】）
　プラズマから放射されたＥＵＶ光Ｌ２は、その反射面が回転楕円面形状のＥＵＶ集光ミラーＭ１によって反射されることで、露光装置接続部１３へ向けて反射されるものであり、（【００１４】）
　プラズマ生成領域Ｐ１で生成されたプラズマからは、ＥＵＶ光Ｌ２が放射された後、イオン、原子、帯電した粒子、中性の粒子など、ターゲット物質であるＳｎの粒子（以下、Ｓｎデブリという）が発生し、このＳｎデブリは、プラズマ生成領域Ｐ１から放出された後、チャンバ１１内に配置されたＥＵＶ集光ミラーＭ１などの光学要素に付着し、堆積するものであり、（【００１６】）
　チャンバ１１内に水素ラジカル（以下、ＨラジカルまたはＨ＊と記す）を供給するためのラジカル生成器を備え、ラジカル生成器から放出されたＨラジカルは、チャンバ１１内に延在するガス導入管を介してチャンバ１１内に供給され、ラジカル生成器およびガス導入管は、チャンバ１１内に配置された光学要素に付着したＳｎデブリをエッチングするためのエッチングガス（Ｈラジカルおよびラジカル化されなかったＨ２ガス）を光学要素の表面に沿って流すものであり、（【００１７】）
　ガス導入管のガス放出口は、チャンバ１１内に配置されたＥＵＶ集光ミラーＭ１などの光学要素に向けられており、（【００１８】）
　ガス放出口は、少なくとも１つの開口であり、（【００１８】）
　ラジカル生成器１５が、チャンバ１１の外部に存在し、ガス導入管１６が、チャンバ１１の壁を貫通しており、（上記（１）エ）
　変形例２では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば２つ）のラジカル生成器１５Ａおよび１５Ｂが設けられており、ラジカル生成器１５Ａからは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、半弧状のガス導入管１６−２ａが延在し、同様に、ラジカル生成器１５Ｂからは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、半弧状のガス導入管１６−２ｂが延在し、ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂには、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に向けて開口された穴が略等間隔で設けられ、ラジカル生成器１５Ａおよび１５Ｂからガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂ内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂに設けられた穴から吹き出し、これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れ、この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされるものであり、（【００６６】）
　ガス導入管１６−２ａ及びガス導入管１６−２ｂは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て直線状の部分をも備え、ガス導入管の当該半弧状の部分の側面に、Ｈラジカルが吹き出すための穴が設けられており、（上記（１）オ）
　変形例４では、ガス導入管１６−４は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見た形状が略直線であって、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って弓状に歪曲した形状であり、ガス導入管１６−４には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の表面に沿ってエッチングガスが流れるように開口された穴が両側に略等間隔に設けられ、ラジカル生成器１５からガス導入管１６−４内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−４に設けられた穴から吹き出し、これにより、Ｈラジカルが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａを通る中心線付近から略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流れ、この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされるものであり、（【００７５】）
　ガス導入管１６−４は、直線状の部分をも備え、ガス導入管１６−４の当該弓状に歪曲した形状の部分の側面に、Ｈラジカルが吹き出すための穴が設けられている、（上記（１）カ）
　極端紫外光生成装置。」
　３　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）本願発明の「増幅光ビームを生成するように構成された源と、真空チャンバと、プラズマに変換されたときに極端紫外光を放出する材料を備えたターゲット材を、前記真空チャンバ内の、前記増幅光ビームを受光するように構成されたターゲット位置に向かって誘導するように構成されたターゲット材送達システムと、前記放出された極端紫外光を集光及び反射するように構成されたコレクタと、を有する極端紫外光源と、」との特定事項について
　ア　本願発明の「増幅光ビームを生成するように構成された源と、」との特定事項について
　引用発明は、「レーザ装置」を備えるとともに、「レーザ光は、ターゲット物質をプラズマ化するためのパルス状のものであり」、「プラズマ生成領域Ｐ１で生成された拡散したターゲットがプラズマ化し、ＥＵＶ光Ｌ２は、このプラズマが脱励起する際に放射されるもの」であるから、引用発明の「レーザ光」は、本願発明の「増幅光ビーム」に相当し、引用発明の「レーザ装置」は、本願発明の「増幅光ビームを生成するように構成された源」に相当する。
　このように、引用発明は、本願発明の「増幅光ビームを生成するように構成された源」との特定事項を備える。
　イ　本願発明の「真空チャンバと、」との特定事項について
　引用発明の「チャンバ」は、技術常識に照らせば、本願発明の「真空チャンバ」に相当することが明らかである。
　よって、引用発明は、本願発明の「真空チャンバ」との特定事項を備える。
　ウ　本願発明の「プラズマに変換されたときに極端紫外光を放出する材料を備えたターゲット材を、前記真空チャンバ内の、前記増幅光ビームを受光するように構成されたターゲット位置に向かって誘導するように構成されたターゲット材送達システムと、」との特定事項について
（ア）引用発明の「ＥＵＶ光の生成材料となる」「ターゲット物質」は、本願発明の「ターゲット材」に相当する。
　そして、引用発明の「ターゲット物質」は、「レーザ光」により「プラズマ化」されるものであり、また、「このプラズマが脱励起する際に」「ＥＵＶ光Ｌ２」が「放射される」のであるから、引用発明の当該「ターゲット物質」は、本願発明でいう「プラズマに変換されたときに極端紫外光を放出する材料を備えた」ものといえる。
（イ）引用発明の「ターゲット物質」が「供給」される「前記チャンバ内の所定の領域」は、上記イにも照らせば、本願発明でいう（「ターゲット物質」が「供給」される）「前記真空チャンバ内の」「ターゲット位置」に相当する。
　そして、引用発明の「前記チャンバ内の所定の領域」は、「プラズマ生成領域Ｐ１」と一致すると解されるところ、「プラズマ生成領域Ｐ１」は、「レーザ光」が「ターゲット物質をプラズマ化する」現象が起きる「領域」であると解されるから、当該「前記チャンバ内の所定の領域」は、本願発明でいう「前記増幅光ビームを受光するように構成された」ものといえる。
　さらに、引用発明の「前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するためのターゲット供給部」は、本願発明の「ターゲット材送達システム」に相当し、また、上記イにも照らせば、当該「ターゲット供給部」は、本願発明の「前記真空チャンバ内の、前記増幅光ビームを受光するように構成されたターゲット位置に向かって誘導するように構成されたターゲット材送達システム」に相当するといえる。
（ウ）よって、引用発明は、本願発明の「プラズマに変換されたときに極端紫外光を放出する材料を備えたターゲット材を、前記真空チャンバ内の、前記増幅光ビームを受光するように構成されたターゲット位置に向かって誘導するように構成されたターゲット材送達システム」との特定事項を備える。
　エ　本願発明の「前記放出された極端紫外光を集光及び反射するように構成されたコレクタと、」との特定事項について
　引用発明の「ＥＵＶ光Ｌ２」が「反射される」「その反射面が回転楕円面形状のＥＵＶ集光ミラーＭ１」は、本願発明の「前記放出された極端紫外光を集光及び反射するように構成されたコレクタ」に相当する。
　よって、引用発明は、本願発明の上記特定事項を備える。
　オ　本願発明の「極端紫外光源」との特定事項について
　引用発明の「極端紫外光生成装置」が、本願発明でいう「極端紫外光源」を含むことは明らかである。
　よって、引用発明は、本願発明の上記特定事項を備える。
　カ　小括
　したがって、引用発明は、本願発明の「増幅光ビームを生成するように構成された源と、真空チャンバと、プラズマに変換されたときに極端紫外光を放出する材料を備えたターゲット材を、前記真空チャンバ内の、前記増幅光ビームを受光するように構成されたターゲット位置に向かって誘導するように構成されたターゲット材送達システムと、前記放出された極端紫外光を集光及び反射するように構成されたコレクタと、を有する極端紫外光源と、」との特定事項を備える。
（２）本願発明の「フリーラジカルを通過させるように構成された材料を備える導管であって、前記導管は、前記導管の第１の端部により定義される第１の開口と、前記導管の側壁により定義され前記第１の開口から遠ざかる方向に沿って拡大する寸法を有する複数の他の開口と、を定義し、前記導管の前記側壁は、直線部分と、湾曲部分と、を有し、前記他の開口は、前記導管の前記湾曲部分にあり、前記導管は、使用時に金属材料を有し、前記導管の前記側壁は、前記真空チャンバの壁を貫通し、前記第１の開口が前記真空チャンバの外部にあり、前記他の開口が前記真空チャンバの内側にあって前記コレクタに向かって配向されている状態で位置決めされている、導管と、を有するラジカル搬送システムと、」との特定事項について
　ア　本願発明の「フリーラジカルを通過させるように構成された材料を備える導管であって、」との特定事項について
　引用発明の「Ｈラジカル」は、本願発明の「フリーラジカル」に相当する。
　そして、引用発明の「ラジカル生成器から放出されたＨラジカル」を「チャンバ１１内に供給」するための「チャンバ１１内に延在するガス導入管」は、本願発明の「導管」に相当する。
　さらに、引用発明の「ガス導入管」は、「Ｈラジカル」を「チャンバ１１内に供給」するためのものであるから、本願発明でいう「フリーラジカルを通過させるように構成された材料を備える」ものであることは、明らかである。
　よって、引用発明は、本願発明の上記特定事項を備える。
　イ　本願発明の「前記導管は、前記導管の第１の端部により定義される第１の開口と、前記導管の側壁により定義され前記第１の開口から遠ざかる方向に沿って拡大する寸法を有する複数の他の開口と、を定義し、」との特定事項について
（ア）引用発明の「ガス導入管」は、「管」である以上、その端部に「開口」を備えることが明らかである。そして、引用発明は、「ラジカル生成器から放出されたＨラジカルは、チャンバ１１内に延在するガス導入管を介してチャンバ１１内に供給され」るものであるから、引用発明の「ガス導入管」が備える当該「開口」は、「ラジカル生成器から放出されたＨラジカル」を受けるように設けられているということができ、さらに、その「開口」が、本願発明の「前記導管の第１の端部により定義される第１の開口」に相当するといえる。
（イ）引用発明の「ガス導入管」は、「管」である以上、本願発明でいう「側壁」を備えることが明らかである。
　そして、引用発明の「変形例２」では、「ガス導入管の当該半弧状の部分の側面に、Ｈラジカルが吹き出すための穴が設けられて」いるから、引用発明の「ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂ」において「ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に向けて」「略等間隔で設けられ」た「開口された穴」は、「Ｈラジカルが吹き出すための穴」であって、本願発明でいう「前記導管の側壁により定義され」た「複数の他の開口」であるといえる。
　また、引用発明の「変形例４」では、「ガス導入管１６−４の当該弓状に歪曲した形状の部分の側面に、Ｈラジカルが吹き出すための穴が設けられている」から、引用発明の「ガス導入管１６−４」において「ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の表面に沿ってエッチングガスが流れるように」「両側に略等間隔に設けられた」「開口された穴」は、「Ｈラジカルが吹き出すための穴」であって、本願発明でいう「前記導管の側壁により定義され」た「複数の他の開口」であるといえる。
（ウ）以上によれば、引用発明は、本願発明でいう「前記導管は、前記導管の第１の端部により定義される第１の開口と、前記導管の側壁により定義され」た「複数の他の開口と、を定義」するものである。
　しかし、引用発明の当該「複数の他の開口」は、「前記第１の開口から遠ざかる方向に沿って拡大する寸法を有する」ものではない。
　ウ　本願発明の「前記導管の前記側壁は、直線部分と、湾曲部分と、を有し、」との特定事項について
（ア）引用発明の「変形例２」は、「半弧状のガス導入管１６−２ａ」及び「半弧状のガス導入管１６−２ｂ」が「延在」するとともに、「ガス導入管１６−２ａ及びガス導入管１６−２ｂは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て直線状の部分をも備え」るものである。そして、当該「ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て直線状の部分」は、当該「反射面側」から見ると「直線状」であるが、当該「反射面側」以外の側から見ても「直線状」であるとの明記はない。しかしながら、管として直線状のものを用いることは例示するまでもない慣用技術であって、特段の理由がなければ、直線状のものを用いると考えるのが自然であるところ、変形例２において、このような特段の理由は見当たらない。よって、引用発明の当該「ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て直線状の部分」を構成する「ガス導入管」の側壁が「直線状」であることは、引用文献に記載されているに等しい事項であるというべきであり、そうすると、当該「直線状の部分」の側壁は、本願発明の「直線部分」に相当する。
　また、引用発明の「半弧状のガス導入管１６−２ａ」及び「半弧状のガス導入管１６−２ｂ」を構成する「ガス導入管」の側壁は、本願発明の「湾曲部分」に相当する。
（イ）引用発明の「変形例４」は、「ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って弓状に歪曲した形状」の「ガス導入管１６−４」を備えるとともに、「ガス導入管１６−４は、直線状の部分をも備え」るものである。
　よって、引用発明の「ガス導入管１６−４」の当該「直線状の部分」の側壁は、本願発明の「直線部分」に相当し、当該「弓状に湾曲した形状」の部分の側壁は、本願発明の「湾曲部分」に相当する。
（ウ）したがって、引用発明は、本願発明の上記特定事項を備える。
　エ　本願発明の「前記他の開口は、前記導管の前記湾曲部分にあり、」との特定事項について
　引用発明の「変形例２」は、「ガス導入管の当該半弧状の部分の側面に、Ｈラジカルが吹き出すための穴が設けられており」、また、「変形例４」は、「ガス導入管１６−４の当該弓状に歪曲した形状の部分の側面に、Ｈラジカルが吹き出すための穴が設けられている」から、上記イ及びウにも照らせば、引用発明は、本願発明の上記特定事項を備えるといえる。
　オ　本願発明の「前記導管は、使用時に金属材料を有し、」との特定事項について
　引用発明は、本願発明の上記特定事項を備えない。
　カ　本願発明の「前記導管の前記側壁は、前記真空チャンバの壁を貫通し、前記第１の開口が前記真空チャンバの外部にあり、」との特定事項について
　引用発明は、「ラジカル生成器１５が、チャンバ１１の外部に存在し、ガス導入管１６が、チャンバ１１の壁を貫通して」いるものであるから、上記イ（ア）及び上記（１）イにも照らせば、引用発明は、本願発明の上記特定事項を備える。
　キ　本願発明の「前記他の開口が前記真空チャンバの内側にあって前記コレクタに向かって配向されている状態で位置決めされている、」との特定事項について
　引用発明では、「ラジカル生成器から放出されたＨラジカルは、チャンバ１１内に延在するガス導入管を介してチャンバ１１内に供給され」るのであるから、引用発明の「変形例２」及び「変形例４」ともに、「Ｈラジカルが吹き出すための穴」は、本願発明でいう「前記真空チャンバの内側にあ」るといえる。
　そして、引用発明の「変形例２」では、「略等間隔で設けられ」た「開口された穴」は、「ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に向け」られたものであり、また、「変形例４」では、「両側に略等間隔に設けられた」「開口された穴」は、「ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の表面に沿ってエッチングガスが流れるように」されるのであるから、「変形例２」及び「変形例４」ともに、引用発明の「略等間隔に設けられた」「開口された穴」は、本願発明でいう「前記コレクタに向かって配向されている状態で位置決めされている」ものといえる。
　よって、引用発明は、本願発明の上記特定事項を備える。
　ク　本願発明の「導管と、を有するラジカル搬送システムと、」との特定事項について
　引用発明が、本願発明の上記特定事項を備えることは明らかである。
　ケ　小括
　よって、引用発明は、本願発明の「フリーラジカルを通過させるように構成された材料を備える導管であって、前記導管は、前記導管の第１の端部により定義される第１の開口と、前記導管の側壁により定義され」た「複数の他の開口と、を定義し、前記導管の前記側壁は、直線部分と、湾曲部分と、を有し、前記他の開口は、前記導管の前記湾曲部分にあり、」「前記導管の前記側壁は、前記真空チャンバの壁を貫通し、前記第１の開口が前記真空チャンバの外部にあり、前記他の開口が前記真空チャンバの内側にあって前記コレクタに向かって配向されている状態で位置決めされている、導管と、を有するラジカル搬送システムと、」との特定事項を備える。
　しかし、引用発明は、「複数の他の開口」について、「前記第１の開口から遠ざかる方向に沿って拡大する寸法を有する」ものではなく、また、「フリーラジカルを通過させるように構成された材料を備える導管」について、「前記導管は、使用時に金属材料を有」するものでもない。
（３）本願発明の「を備える、システム。」との特定事項について
　引用発明の「極端紫外光生成装置」は、本願発明の「システム」に相当する。
　よって、引用発明は、本願発明の上記特定事項を備える。
　４　一致点及び相違点の認定
　上記３によれば、本願発明と引用発明とは、
「増幅光ビームを生成するように構成された源と、真空チャンバと、プラズマに変換されたときに極端紫外光を放出する材料を備えたターゲット材を、前記真空チャンバ内の、前記増幅光ビームを受光するように構成されたターゲット位置に向かって誘導するように構成されたターゲット材送達システムと、前記放出された極端紫外光を集光及び反射するように構成されたコレクタと、を有する極端紫外光源と、
　フリーラジカルを通過させるように構成された材料を備える導管であって、前記導管は、前記導管の第１の端部により定義される第１の開口と、前記導管の側壁により定義された複数の他の開口と、を定義し、前記導管の前記側壁は、直線部分と、湾曲部分と、を有し、前記他の開口は、前記導管の前記湾曲部分にあり、前記導管の前記側壁は、前記真空チャンバの壁を貫通し、前記第１の開口が前記真空チャンバの外部にあり、前記他の開口が前記真空チャンバの内側にあって前記コレクタに向かって配向されている状態で位置決めされている、導管と、を有するラジカル搬送システムと、
を備える、システム。」である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　「複数の他の開口」について、本願発明は、「前記第１の開口から遠ざかる方向に沿って拡大する寸法を有する」のに対し、引用発明は、そうではない点。
［相違点２］
　「フリーラジカルを通過させるように構成された材料を備える導管」について、本願発明は、「前記導管は、使用時に金属材料を有」するのに対し、引用発明は、そうではない点。
　５　相違点の判断
（１）相違点１について
　引用発明は、ガス導入管（１６−２ａ，１６−２ｂ，１６−４）の一端に設けられたラジカル生成器（１５Ａ，１５Ｂ，１５）から送られたＨラジカルが、当該ガス導入管に沿って複数個設けられた穴から吹き出されるものであるとともに、当該Ｈラジカルが、略満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れるようにしたものといえる。
　他方で、管の一端に設けられたガス流入源から送られたガスを、当該管に沿って複数個設けられた穴から吹き出させる際に、それらの各穴からの吹き出しを均一にするために、当該各穴の大きさを、ガス流入源から離れるにしたがって、順次大きくするようにした構成は、広く一般に周知技術である（以下「周知技術１」という。例えば、原査定が提示した特開平８−２７９４６８号公報の【０００５】・【０００６】のほか、特開昭５２−４２０７５号公報の特許請求の範囲・第２頁左上欄第１８行〜右上欄第３行・第３図、特開昭５８−１７９４１１号公報の第２頁右上欄第４行〜第１２行、特開平１０−１９４８６７号公報の【００１１】、実公昭４９−４４５１７号公報の第１頁左欄末行〜右欄第２６行・第２図・第３図、特開平１１−２２７６７５号公報の【００２２】・図３（ハ）を参照。）。
　そうすると、引用発明において、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って流れるようにされるＨラジカルを、略満遍ないようにするために、周知技術１を採用し、相違点１に係る構成を得ることは当業者が容易に想到し得たことである。
（２）相違点２について
　引用発明のガス導入管は、ラジカルを通過させるものであるところ、引用文献には、このようなガス導入管をどのような材料で構成するのかにつき明記がないから、当業者は、引用発明を実施するに当たって、ガス導入管をいかなる材料で構成すべきかについて当然に検討するといえる。
　そして、ラジカルを搬送する際に、ラジカルの消滅を防ぐために、搬送路の内壁を絶縁体で被覆することは、周知技術（以下「周知技術２」という。例えば、原査定が提示した特開２０００−１４４４２１号公報の【００１５】・【００２９】・図３のほか、特開２００２−２９４４５４号公報の【００４９】・図９を参照。）である。
　そうすると、当業者であれば、引用発明のガス導入管を構成するに当たり、周知技術２を採用することは適宜なし得たことといえるのであり、そうであれば、管を形成する材料は適宜のものが使用できるのであるから、管の材料として最も典型的な材料の一つであるといえる金属材料を採用することは、当業者が適宜なし得たことにすぎない。
（３）本願発明の効果について
　本願発明の効果は、引用発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて当業者が予測し得るものである。
（４）請求人の主張について
　ア　請求人は、周知技術１に関して原査定が提示した周知例である特開平８−２７９４６８号公報が、「第１の開口から遠ざかる方向に沿って拡大する寸法を有する複数の他の開口」を開示しない旨主張する。
　そこで検討すると、当該公報の【０００５】及び【０００６】には、次の記載がある。
「ここでガラス基板Ｇに成膜される膜厚について高い面内均一性を得るためには、処理ガスをガラス基板Ｇに均一に供給することが必要である。ところで上述のインジェクタ１１に、
同じピッチで同じ大きさ（孔径）のガス吹き出し孔１２を形成すると、処理ガスは、インジェクタ１１の内部を、手前側のガスガス吹き出し孔１２から順次吹き出されながら先端側へ向って流れていくので、インジェクタ１１内部の処理ガスの流量はガスの流れ方向即ち先端側へ向うにつれて少なくなり
「このため従来では、
ガス吹き出し孔１２の
径を変えることによって、各ガス吹き出し孔１２からのガスの吹き出し量の均一化を図っていた
　このように、当該【０００６】には、「ガス吹き出し孔１２の径を、当該孔１２からのガスの吹き出し量の均一化を図るために、変える」との技術的事項が記載されているところ、当該技術的事項は、当該【０００５】に記載された、ガス吹き出し孔１２を同じピッチで同じ大きさとすると、ガスの流量が先端側に向けて少なくなることを前提とするものであると認められる。すなわち、当該技術的事項は、「ガスの流量が先端側に向けて少なくなることを前提としつつ、ガス吹き出し孔１２の径を、当該孔１２からのガスの吹き出し量の均一化を図るために、変える」、というものである。
　しかるに、ガス吹き出し孔の径が大きくなるほど、その吹き出し孔から吹き出されるガスの量が多くなることが自明であり、その逆もまた、自明である。そうすると、当該技術的事項のように、ガスの流量が先端側に向けて少なくなるという上記前提があるにもかかわらず、ガスの吹き出し量を均一にするというのであれば、ガス吹き出し孔１２の径を変える際の変え方は、先端側に向うにつれて大きくしていくほかないことが、明らかである。
　このように、当該公報の「ガス吹き出し孔１２の」「径を変えることによって、各ガス吹き出し孔１２からのガスの吹き出し量の均一化を図」ることの意味は、「ガス吹き出し孔１２の」「径を」先端側に向うにつれて大きくなるように「変えることによって、各ガス吹き出し孔１２からのガスの吹き出し量の均一化を図」ることであることが、当業者には明らかである。
　よって、当該公報は、「第１の開口から遠ざかる方向に沿って拡大する寸法を有する複数の他の開口」との技術的事項を開示していると認められる。
　イ　また、請求人は、当該公報には、「ガス吹き出し孔１２のピッチや径を設定することは非常に困難」である旨の記載がある旨主張するが、そうであるとしても、周知技術１が存在することの認定を左右するものではない。
　ウ　以上によれば、請求人の主張は、いずれも採用できない。
（５）相違点の判断の小括
　したがって、本願発明は、引用発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。