【手続補正書】
【提出日】平成31年3月7日(2019.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向において、第１方向前方を向く基材主面および第１方向後方を向く基材裏面を有し、前記第１方向に直角な第２方向において互いに反対側を向く一対の第１基材側面、前記第１方向および前記第２方向に直角な第３方向において互いに反対側を向く一対の第２基材側面を有する基材と、
前記基材主面に搭載された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を覆い、かつ、透光性を有し、前記第１方向視において、前記基材より小である封止樹脂と、
前記基材主面に形成された主面電極を有し、前記半導体発光素子への導通経路である配線パターンと、
前記第１方向視において、前記主面電極と重なるパターン被覆部を有し、前記第１方向視において、一方の前記第１基材側面に重なり、かつ、他方の前記第１基材側面から離間する、絶縁性の材質からなるレジスト層と、
を備えており、
前記パターン被覆部は、前記第２方向において、前記封止樹脂の端縁より外側に配置され、かつ、前記第１方向視において、一方の前記第２基材側面から他方の前記第２基材側面まで前記第３方向に繋がる樹脂流出防止部を有する、
ことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記レジスト層は、前記一方の前記第１基材側面と面一の側面を有している、
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記主面電極は、互いに離間した第１部分および第２部分を有している、
請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
第１方向において、第１方向前方を向く基材主面および第１方向後方を向く基材裏面を有し、前記第１方向に直角な第２方向において互いに反対側を向く一対の第１基材側面、前記第１方向および前記第２方向に直角な第３方向において互いに反対側を向く一対の第２基材側面を有する基材と、
前記基材主面に搭載された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を覆い、かつ、透光性を有し、前記第１方向視において、前記基材より小である封止樹脂と、
前記基材主面に形成された主面電極を有し、前記半導体発光素子への導通経路である配線パターンと、
前記第１方向視において、前記主面電極と重なるパターン被覆部を有し、絶縁性の材質からなるレジスト層と、
を備えており、
前記パターン被覆部は、前記第２方向において、前記封止樹脂の端縁より外側に配置され、かつ、前記第１方向視において、一方の前記第２基材側面から他方の前記第２基材側面まで前記第３方向に繋がる樹脂流出防止部を有しており、
前記主面電極は、互いに離間する第１部分および第２部分を有し、
前記レジスト層は、前記第１方向視において前記第１部分に重なる第１レジスト層、および、前記第１レジスト層から離間し、かつ、前記第１方向視において前記第２部分に重なる第２レジスト層を有する、
ことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項５】
前記第２レジスト層は、前記第２方向に離間し、かつ、前記第３方向に伸びる一対の端縁を有しており、
前記一対の端縁の各々は、前記第１方向視において、一部が湾曲している、
請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記樹脂流出防止部は、前記第１方向視において、線状であり、かつ、前記封止樹脂の前記第２方向の端縁と一致している、
請求項３ないし請求項５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記一対の第１基材側面は、前記第２方向に凹み、かつ、前記基材主面から前記基材裏面に貫通する第１スルーホール部および第２スルーホール部をそれぞれ有する、
請求項３ないし請求項６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記第１スルーホール部および前記第２スルーホール部は、前記第１方向視において、半円形状をなす、
請求項７に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記レジスト層は、前記第１方向視において、一方の前記第２基材側面から他方の前記第２基材側面まで前記第３方向に伸び、かつ、前記第２スルーホール部に近接する端縁を有しており、
前記レジスト層の前記端縁の一部は、前記第１方向視において、前記第２スルーホール部に沿って湾曲している、
請求項７または請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記配線パターンは、前記第１スルーホール部の表面に形成され、かつ、前記第１部分に繋がる第１側面電極、および、前記第２スルーホール部の表面に形成され、かつ、前記第２部分に繋がる第２側面電極を有する、
請求項７ないし請求項９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記配線パターンは、前記基材裏面に形成され、かつ、前記第１側面電極に繋がる第１裏面電極、および、前記基材裏面に形成され、かつ、前記第２側面電極に繋がる第２裏面電極を有する、
請求項１０に記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記第１裏面電極および前記第２裏面電極は、互いに離間して絶縁されている、
請求項１１に記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
前記第１裏面電極および前記第２裏面電極の間には、絶縁体が配置されている、
請求項１２に記載の半導体発光装置。
【請求項１４】
前記半導体発光素子と前記配線パターンとを接続するワイヤを、さらに備える、
請求項１１ないし請求項１３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項１５】
前記第１部分は、前記半導体発光素子がダイボンディングされるダイボンディング部を有し、
前記第２部分は、前記ワイヤを介して前記半導体発光素子と導通するワイヤボンディング部を有する、
請求項１４に記載の半導体発光装置。
【請求項１６】
前記半導体発光素子は、前記第１方向前方を向く第１パッド部と、前記第１方向後方を向く第２パッド部と、を有し、
前記第１パッド部は、前記ワイヤがボンディングされ、前記ワイヤボンディング部と導通し、
前記第２パッド部は、導通性接合材により前記ダイボンディング部に接合され、前記ダイボンディング部と導通している、
請求項１５に記載の半導体発光装置。
【請求項１７】
前記第１部分は、前記第１方向視において、前記第１スルーホール部に繋がる部分近傍に配置され、前記第１側面電極に繋がる第１端縁部と、前記第１端縁部と前記ダイボンディング部とを繋ぐ第１連結部と、を有する、
請求項１６に記載の半導体発光装置。
【請求項１８】
前記第１部分は、前記第１連結部に繋がり、かつ、前記第１方向視において、前記基材主面の前記第３方向の一方の端縁から他方の端縁に向け伸びる第１帯状部を、さらに有する、
請求項１７に記載の半導体発光装置。
【請求項１９】
前記樹脂流出防止部は、前記第１方向視において、前記第１帯状部に重なる第１防止部を含む、
請求項１８に記載の半導体発光装置。
【請求項２０】
前記第２部分は、前記第１方向視において、前記第２スルーホール部に繋がる部分近傍に配置され、前記第２側面電極に繋がる第２端縁部と、前記第２端縁部と前記ワイヤボンディング部とを繋ぐ第２連結部と、を有する、
請求項１７ないし請求項１９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項２１】
前記第２部分は、前記第２連結部に繋がり、かつ、前記第１方向視において、前記基材主面の前記第３方向の一方の端縁から他方の端縁に向け伸びる第２帯状部を、さらに有する、
請求項２０に記載の半導体発光装置。
【請求項２２】
前記樹脂流出防止部は、前記第１方向視において、前記第２帯状部に重なる第２防止部を含む、
請求項２１に記載の半導体発光装置。
【請求項２３】
前記配線パターンは、Ｃｕからなる、
請求項１ないし請求項２２のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項２４】
前記配線パターンは、前記封止樹脂から露出し、かつ、前記レジスト層からも露出する部分に、Ａｕめっきが施されている、
請求項２３に記載の半導体発光装置。
【請求項２５】
前記封止樹脂は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、もしくは、ポリビニル系樹脂などの樹脂材料からなる、
請求項１ないし請求項２４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項２６】
前記封止樹脂は、前記第１方向前方に突き出たドーム状のドーム形状部を有する、
請求項２５に記載の半導体発光装置。
【請求項２７】
前記レジスト層の一部は、前記封止樹脂と前記基材主面との間に介在しており、かつ、当該一部は、前記封止樹脂および前記基材主面の各々に直接的に接している、
請求項１ないし請求項２６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項２８】
前記レジスト層の前記一部の上面は、前記樹脂流出防止部の上面と面一である、
請求項２７に記載の半導体発光装置。
【請求項２９】
前記レジスト層は、前記基材主面に接し、かつ、前記封止樹脂から露出する基材被覆部を含む、
請求項１ないし請求項２８のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項３０】
請求項１ないし請求項２９のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法であって、
前記基材を準備する基材準備工程と、
前記基材上に前記配線パターンを形成するパターン形成工程と、
前記配線パターンの一部を覆うように、前記基材に前記レジスト層を形成するレジスト形成工程と、
前記基材に前記半導体発光素子をダイボンディングするダイボンディング工程と、
一対の金型で前記基材を前記第１方向から挟み込み、前記金型の内部のキャビティ内に樹脂材料を注入し、前記封止樹脂を成形する金型成形工程と、を有しており、
前記金型成形工程の前の工程において、前記第１方向前方側から前記基材を押さえる前記金型が当接する領域を考慮して、前記樹脂流出防止部が、前記領域内で、一方の前記第２基材側面から他方の前記第２基材側面まで連続的に繋がるように、前記パターン形成工程および前記レジスト形成工程を行う、
ことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項３１】
前記レジスト形成工程において、フィルム状のレジストを圧着させて貼り付けた後、硬化させて前記レジスト層を形成する、
請求項３０に記載の半導体発光装置の製造方法。