(57)【要約】【解決手段】集積回路デバイスの封止アレイ中の集積回路デバイスを回復する方法は、アレイを試験する段階と、アレイ内の素子から切り離されていると思われるピンに電圧信号を印加する段階とを含む。【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリ回路素子と該メモリ回路素子に接続された複数の接続ピンとを有する集積回路デバイス中の障害を有する接続を回復する方法であって、前記方法は
集積回路プログラミング装置を用いてデバイス読出しコマンドを実行する段階、
メモリ回路素子から切り離されていると思われる接続ピンを特定する該プログラミング装置からのエラーメッセージを得る段階、及び
特定された接続ピンに電圧信号を印加する段階を含む方法。
【請求項２】
前記信号が前記メモリデバイスからの読み出しを行うための読出しコマンドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記印加の段階が、抵抗器を介して特定された前記接続ピンに前記信号を印加することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記信号の値が少なくとも５ボルトである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記信号の値が−５ボルトである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記抵抗器の値が１００キロオームである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも一個の外部接続ピンを有する集積回路デバイス内の障害を有する素子を回復する方法であって、該方法は外部接続ピンに所定のレベルの電圧信号を印加する段階を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は集積回路に関し、特に高温に曝された後のプラスチック封止集積回路メモリ装置の回復に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路装置は種々の電子論理回路やメモリ回路に広く使用されており、取り扱い可能とし且つ損傷から保護するために通常プラスチック材料で封止される。このデバイスの製造技術やデバイスが使用される回路が複雑化するにつれ、装置を封止する際の封止ユニット一個あたりの回路密度はかつてなく高くなっている。集積回路の設計ルールがより精緻なものへと移行しているため、表面電荷や封止外部の電荷の影響を受け易くなっている。
【０００３】
通常、集積回路メモリデバイスは、集積回路メモリ等の大規模アセンブリに使用される。このメモリの例としては、航空機等に使用されるクラッシュ保護メモリが挙げられる。クラッシュ保護メモリは、数々の重要な機器やコントロールレバー等の状態を表すデータを記録して、クラッシュ後の解析を行うために使用される。航空機の機器が複雑化するにつれ、種々の重要な装置の状態を示すデータを、クラッシュ後の解析のために記憶しておくには、増々大きなメモリ空間が要求される。しかし、保護ハウジングの物理的サイズを増大させるのに必要なコストは高いため、通常ＰＥＭデバイスと呼ばれる市販のプラスチック封止電子メモリアレイ等の高密度メモリデバイスを使用することが望まれる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
プラスチック封止メモリデバイスは、該デバイスをクラッシュ保護メモリ中での使用に適したものとする性質を有する。クラッシュ保護メモリは、クラッシュの衝撃に耐えうるのみならず、高温、例えば３００℃で例えば１時間等の長時間、あるいは＋２６０℃で１０時間等の高温にも耐える必要がある。しかし、電子メモリアレイ等の封止回路アレイ中のデバイスの故障率は高温に曝された後では増加する傾向にあることが観察されている。この現象は、例えば、「封止集積回路への材料及びポストモールドプロファイルの影響（THE EFFECTS OF MATERIALS AND POST-MOLD PROFILES ON ENCAPSULATED INTEGRATED CICUITS）」（Ｒ．Ｄ．モスバーガー（Mosbarger）ら、１９９４、ＩＥＥＥ／ＲＰＳ）の表題の刊行物（非特許文献１）等に文献記載されている。この刊行物には、これらのデバイスの種々の故障様式が記載されている。この刊行物の記載で注目すべきは、故障の原因は、電荷を蓄積した順方向にバイアスされたエンハンスメント型寄生電界効果トランジスタであり、これが外部電場をもたらし、高温曝露後に動作不能なデバイスを発生させることが判明したことである。ゆえに、このようなデバイスは、＋２６０℃程度の温度に耐えなければならないクラッシュ保護メモリ中に使用するには適切でないと思われる。
【非特許文献１】「"THE EFFECTS OF MATERIALS AND POST-MOLD PROFILES ON ENCAPSULATED INTEGRATED CICUITS", by R.D. Mosbarger, et al. 1994 IEEE/RPS」
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は従来技術におけるこれら及び他の問題を解決しようとするものである。即ち本発明に係る方法は、封止アレイ中の障害を有するデバイスを回復できるので、このようなデバイスを高温に曝される用途に適合させることができる。ＰＥＭデバイスを処理して、このようなデバイスを高温に曝される用途に適合させる方法は、アレイを試験する段階と、アレイ内の障害を有するデバイスを特定する段階と、特定された欠陥装置に接続された封止アレイの端子に所定レベルの電圧信号を印加する段階とを含む。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の方法に従って電圧信号を印加した後は、有利なことに、そのプラスチック封止メモリが再び高温に曝されても上述の問題を示さない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
電子的にプログラム可能なメモリからデータを回復する方法は、該メモリデバイスを周知且つ市販のデバイスプログラマ中に配置することを含む。このプログラマとしては、例えばＢＰマイクロシステムが販売するユニバーサルデバイスプログラマＢＰ−１４００等の装置を使用できる。この方法は更に次の段階：
好ましくはピンセットとイソプロピルアルコール、又は類似の装置を用いて部品の全てのリードを真っ直ぐにすると共に汚れを除去すること；
メモリユニットをよく知られたユニバーサルデバイスプログラマＢＰ−１４００等のデバイスプログラマに配置すること；及び
試験装置内において「読出し」コマンドを実行することを含む。
【０００８】
読出しエラーが起きると、このデバイスプログラマは、通常、デバイスから読出しできないことを示すエラーメッセージを出す。このエラーメッセージは、試験中のデバイスの接続ピンであって、封止されたデバイスの内部において適切に接続されていないと思われるピンを特定するものであることが好ましい。
【０００９】
本発明の方法は、試験装置によって適切な接続を有さないと判定された接続ピンの各々に負の電圧信号を印加する段階を更に含む。本発明の一適用例においては、特定されたピンに抵抗器を介して−５ボルトの信号を特定の時間印加する。具体的な適用例においては、特定されたピンに、好ましくは１００ｋΩの抵抗器を介して、電流を制限した−５ボルトの信号を印加する。この電圧は抵抗器を介して約１００ミリ秒の間印加される。
【００１０】
尚、試験対象のメモリユニットのリードは全て、信号発生装置をピンに接続する前にイソプロピルアルコール等の清浄溶液で汚れを除去することが好ましい。
【００１１】
本発明の例示的一実施態様においては、信号を所定の時間、デバイスのピンに印加するための装置はカリフォルニア州サンノゼのウルトラテストインターナショナルが販売するシリーズＭＴ−３カーブトレイスシステムである。他の好ましい装置を用いて、ピンに適切な電圧を適切な時間印加することもできる。
【００１２】
尚、試験対象のメモリユニットのリードは全て、信号発生装置をピンに接続する前にイソプロピルアルコール等の清浄溶液で汚れを除去することが好ましい。
【００１３】
本発明の好ましい実施態様では、本方法は、特定されたピンに適切な信号を印加する段階の後に装置を試験中のプログラマ中に再び置き、「読出し」コマンドを再度実行する段階を更に含む。この更なる段階を実行して、すべてのエラーが適切に修正されたか否かを決定することが好ましい。更なるエラーが発見された場合には、上述の方法の各段階を繰り返す。
【国際調査報告】
2006514396.tif 000002