【手続補正書】
【提出日】平成30年12月4日(2018.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造装置は、
ダイを撮像する撮像部と、
前記ダイと前記撮像部とを結ぶ線上に配置される照明部と、
前記撮像部および前記照明部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記ダイの外観検査時の前記照明部の照射面積を前記ダイの位置決め時の前記照明部の照射面積よりも狭くし、前記撮像部で前記ダイを撮像するよう構成される。
【請求項２】
請求項１の半導体製造装置において、さらに、
ウェハリングホルダを有するウェハ供給部を備え、
前記ウェハリングホルダは、
前記ダイが貼り付けられたダイシングテープを保持するウェハリングと、
前記ダイシングテープを引っ張って広げるエキスパンダと、
を備える。
【請求項３】
請求項１の半導体製造装置において、さらに、
前記ダイを既にボンディングされているダイ上にボンディングするボンディングヘッドを有するボンディング部を備える。
【請求項４】
請求項２または３の半導体製造装置において、
前記照明部は前記撮像部の中心線上に配置されるハーフミラーと前記ハーフミラーの横に配置される発光源と備える同軸照明である。
【請求項５】
請求項４の半導体製造装置において、
前記発光源は面発光源である。
【請求項６】
請求項５の半導体製造装置において、
前記発光源は周辺付近が発光する第１領域と中心付近が発光する第２領域とを備え、前記第１領域と前記第２領域との点灯および消灯を個別に制御可能であるよう構成される。
【請求項７】
請求項２または３の半導体製造装置において、
前記照明部は、
前記撮像部の中心線上に配置されるハーフミラーと前記ハーフミラーの横に配置される発光源と備える同軸照明部と、
前記同軸照明部の上部に配置されるリング照明部と、
を備える。
【請求項８】
請求項７の半導体製造装置において、
前記同軸照明部および前記リング照明部の点灯および消灯を個別に制御可能であるよう構成される。
【請求項９】
請求項２の半導体製造装置において、さらに、
前記ダイをピックアップするピックアップ部を備える。
【請求項１０】
請求項９の半導体製造装置において、さらに、
前記ピックアップされたダイを基板または既にボンディングされたダイ上にボンディングするボンディング部を備える。
【請求項１１】
請求項１０の半導体製造装置において、さらに、
前記ピックアップ部は中間ステージを備え、
前記ピックアップされたダイは前記中間ステージに載置され、
前記ボンディング部は前記中間ステージに載置されたダイを前記基板または既に前記基板にボンディングされたダイ上にボンディングするよう構成される。
【請求項１２】
請求項１０の半導体製造装置において、
前記ピックアップされたダイは上下反転され、
前記ボンディング部は前記上下反転されたダイを前記基板にボンディングするよう構成される。
【請求項１３】
請求項９の半導体製造装置において、さらに、
ダイを格納する容器を備え、
前記ピックアップされたダイは前記容器に載置されるよう構成される。
【請求項１４】
（ａ）ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングホルダを準備する工程と、
（ｂ）前記ダイシングテープを引き延ばす工程と、
（ｃ）撮像装置および照明装置を用いて前記ダイの外観を検査する工程と、
（ｄ）前記撮像装置および前記照明装置を用いて前記ダイの位置決めを行う工程と、
（ｅ）前記ダイをピックアップする工程と、
を備え、
前記（ｃ）工程は前記照明装置の発光面面積を前記（ｄ）工程の前記照明装置の発光面面積をよりも小さくして撮像する半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程との間に、前記ダイシングテープを介して前記ダイを吸着する工程を有し、
前記（ｄ）工程と前記（ｅ）工程との間に、前記ダイの吸着を解除する工程を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４の半導体装置の製造方法において、
前記照明装置は前記撮像装置の中心線上に配置されるハーフミラーと前記ハーフミラーの横に配置される発光源と備える同軸照明である半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６の半導体装置の製造方法において、
前記発光源は面発光源である半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７の半導体装置の製造方法において、
前記発光源は周辺付近が発光する第１領域と中心付近が発光する第２領域とを備え、前記第１領域と前記第２領域との点灯および消灯を個別に制御可能である半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１４の半導体装置の製造方法において、
前記照明装置は、
前記撮像装置の中心線上に配置されるハーフミラーと前記ハーフミラーの横に配置される発光源と備える同軸照明部と、
前記同軸照明部の上部に配置されるリング照明部と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９の半導体装置の製造方法において、
前記同軸照明部および前記リング照明部の点灯および消灯を個別に制御可能である半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１４の半導体装置の製造方法において、さらに、
（ｆ）前記ピックアップされたダイを中間ステージに載置する工程と、
（ｇ）前記中間ステージに載置されたダイの外観検査を行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１の半導体装置の製造方法において、
前記（ｇ）工程はステージ認識カメラで撮像して行う半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項１４の半導体装置の製造方法において、さらに、
（ｈ）既にボンディングされているダイの外観検査をする工程と、
（ｉ）ダイを前記既にボンディングされているダイ上にボンディングする工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項２３の半導体装置の製造方法において、
前記（ｈ）工程は基板認識カメラで撮像して行う半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
ダイボンダは、
ダイを撮像するウェハ認識カメラと、
前記ダイと前記ウェハ認識カメラとを結ぶ線上に配置される照明部と、
前記ウェハ認識カメラおよび前記照明部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記ダイの外観検査時の前記照明部の照射面積を前記ダイの位置決め時の前記照明部の照射面積よりも狭くし、前記ウェハ認識カメラで前記ダイを撮像するよう構成される。
【請求項２６】
請求項２５のダイボンダにおいて、さらに、
ウェハリングホルダを有するウェハ供給部を備え、
前記ウェハリングホルダは、
前記ダイが貼り付けられたダイシングテープを保持するウェハリングと、
前記ダイシングテープを引っ張って広げるエキスパンダと、
を備える。
【請求項２７】
請求項２５のダイボンダにおいて、さらに、
前記ダイを基板または既にボンディングされているダイ上にボンディングするボンディングヘッドと、
基板認識カメラと、
を備える。
【請求項２８】
請求項２６のダイボンダにおいて、
前記制御部は、前記ダイの外観検査を前記ダイシングテープを引っ張って広げて前記ウェハ認識カメラにて行う。
【請求項２９】
請求項２５のダイボンダにおいて、さらに、
前記ダイをピックアップするピックアップヘッドと、
前記ピックアップされたダイを載置する中間ステージと、
ステージ認識カメラと、
を備え、
前記制御部は、前記中間ステージに載置されたダイの外観検査を、前記ステージ認識カメラにて行うよう構成される。
【請求項３０】
請求項２７のダイボンダにおいて、
前記制御部は、前記既にボンディングされているダイの外観検査を前記基板認識カメラにて行うよう構成される。
【請求項３１】
請求項２７のダイボンダにおいて、
前記制御部は、複数のダイを積層するダイボンディングの場合、基板に既に実装された下層ダイの外観検査をピックアップされたダイのボンディング前に前記基板認識カメラにて行うよう構成される。