【事件の表示】
　特願２０１６−２５２８０９「半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　７月　５日出願公開、特開２０１８−１０７３０３、請求項の数（３６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２８年１２月２７日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和元年７月２９日付け　：拒絶理由通知書
　令和元年９月１７日　　　：意見書，手続補正書の提出
　令和２年１月３１日付け　：拒絶査定
　令和２年４月１０日　　　：審判請求書，手続補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定（令和２年１月３１日付け拒絶査定）の概要は，本願の請求項１，３〜３６に係る発明は，以下の引用例１〜７に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない（理由２）というものである。
［引用例一覧］
１.国際公開第２０１６／２０４１２６号
２.国際公開第２０１６／１２０９９９号
３.国際公開第２０１５／０３７１０１号
４.国際公開第２０１３／００５３０４号
５.特開２００２−２２２９５２号公報
６.国際公開第２０１６／１２９０４１号
７.特開２０１３−１３８１７２号公報
第３　補正について
　審判請求時の補正（令和２年４月１０日提出の手続補正書による補正）は，特許法１７条の２第３項から第６項までの要件に違反するものとはいえない。
　審判請求時の補正による特許請求の範囲についての補正は，当該補正前の請求項２に「前記第２バッファ層の不純物濃度のピーク点は，前記第２バッファ層の中央部よりも前記第１バッファ層との接合部に近い場所に位置する」との事項を追加するものである。当該事項は，出願当初の明細書の段落［０１０７］に記載された事項であり，新規事項を追加するものではなく，また，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして，後記「第８　独立特許要件について」に示すように，補正後の請求項２に係る発明は，独立特許要件を満たすものである。
第４　本願発明
　本願の請求項１〜３６に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」〜「本願発明３６」という。）は，令和２年４月１０日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１〜３６に記載された事項により特定される発明であり，そのうちの本願発明１及び２は以下のとおりの発明である。
（本願発明１）
「　【請求項１】
　一方主面及び他方主面を有し，第１導電型のドリフト層を主要構成部として含む半導体基体と，
前記半導体基体内において，前記ドリフト層に対し他方主面側に前記ドリフト層に隣接して形成される第１導電型のバッファ層と，
　前記半導体基体の他方主面上に形成される，第１及び第２導電型のうち少なくとも一つの導電型を有する活性層と，
　前記半導体基体の一方主面上に形成される第１電極と，
　前記活性層上に形成される第２電極と，を備え，
　前記バッファ層は，
　前記活性層と接合し不純物濃度のピーク点を１つ有する第１バッファ層と，
　前記第１バッファ層および前記ドリフト層と接合し，不純物濃度のピーク点を少なくとも１つ有し，前記第１バッファ層より最大不純物濃度が低い第２バッファ層とを備え，
　前記第２バッファ層の最大不純物濃度は，前記ドリフト層の不純物濃度よりも高く，１．０×１０１５ｃｍ−３以下であり，
　前記第２バッファ層は，不純物濃度のピーク点をそれぞれ一つ有する複数のサブバッファ層の積層構造であり，
　前記複数のサブバッファ層のうち最も他方主面側のサブバッファ層である第１サブバッファ層は前記第１バッファ層と接合し，
　前記第２バッファ層の最大不純物濃度は，前記複数のサブバッファ層のピーク不純物濃度の最大値であり，
　前記複数のサブバッファ層のピーク不純物濃度は，他方主面から一方主面に向かう方向において低下する，
半導体装置。」
（本願発明２）
「　【請求項２】
　一方主面及び他方主面を有し，第１導電型のドリフト層を主要構成部として含む半導体基体と，
　前記半導体基体内において，前記ドリフト層に対し他方主面側に前記ドリフト層に隣接して形成される第１導電型のバッファ層と，
　前記半導体基体の他方主面上に形成される，第１及び第２導電型のうち少なくとも一つの導電型を有する活性層と，
　前記半導体基体の一方主面上に形成される第１電極と，
　前記活性層上に形成される第２電極と，を備え，
　前記バッファ層は，
　前記活性層と接合し不純物濃度のピーク点を１つ有する第１バッファ層と，
　前記第１バッファ層および前記ドリフト層と接合し，不純物濃度のピーク点を１つのみ有し，前記第１バッファ層より最大不純物濃度が低い第２バッファ層とを備え，
　前記第２バッファ層の最大不純物濃度は，前記ドリフト層の不純物濃度よりも高く，１．０×１０１５ｃｍ−３以下であり，前記第２バッファ層の不純物濃度のピーク点は，前記第２バッファ層の中央部よりも前記第１バッファ層との接合部に近い場所に位置する，
半導体装置。」
　また，本願発明３〜３６の概要は以下のとおりである。
・本願発明３〜３０は，本願発明１又は２を減縮した発明である。
・本願発明３１〜３５は，本願発明１又は２，並びに，本願発明１又は２を減縮した発明の製造方法の発明であり，本願発明１又は２の各構成を形成する工程を特定した構成を含む発明である。
・本願発明３６は，本願発明１又は２，並びに，本願発明１又は２を減縮した発明を適用した電力変換装置の発明である。
第５　引用例の記載と引用発明
１．引用例１について
（１）引用例１の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１には，図１とともに次の事項が記載されている。（下線は当審による。以下同じ。）
「[0003]　通常，ＦＳ層は，ＩＧＢＴのコレクタ電極近傍に設けられる。ただし，ＦＳ層を通常よりもエミッタ電極寄りの位置に設けると，スイッチング時の発振およびゲート電圧ゼロ時のコレクタ・エミッタ間の漏れ電流を抑制でき，かつ，ＲＢＳＯＡ（逆バイアス安全動作エリア）を改良することができる。特に，スイッチング時の発振等を抑制するためには，ＦＳ層の濃度が大きいほど効果的である。これに対して，ＦＳ層をコレクタ電極寄りの位置に設けると，エミッタ電極寄りの位置に設ける場合と比較して，ドリフト層が厚くなるので，大電流短絡耐量および耐圧が向上する。特に，大電流短絡耐量等を向上させるためには，ＦＳ層の濃度が小さいほど効果的である。このように，スイッチング時の発振等の抑制と大電流短絡耐量等の向上とは，ＦＳ層に対する要件が逆であるので両立させることが難しい。
[0004]　ここで，大電流短絡耐量とは，ゲート電圧を次第に上昇させて，ＩＧＢＴが破壊されるときの通電電流量により規定される耐量である。大電流短絡耐量を測定するには，スイッチングオン時間の時間幅を固定して，ＩＧＢＴを複数回オンオフして，スイッチングオンの回数を追うにつれて次第に入力するゲート電圧を上げることによりＩＧＢＴに大電流を流す。ＦＳ層が通常よりもエミッタ電極寄りの位置に設けられ，かつ，ＦＳ層の濃度が通常よりも大きい場合には，コレクタ側から移動するホールが抑えられる。これにより，ＩＧＢＴの電流成分において電子の比率がホールよりも多くなり，コレクタ側の電界が上昇する。コレクタ側の電界が上昇しすぎると，ＩＧＢＴが破壊に至る。」
「[0021] 　図１は，本発明の実施形態におけるＩＧＢＴ１００の断面を示す図である。
半導体装置としてのＩＧＢＴ１００は，半導体基板１０と，半導体基板１０のおもて１９に接して設けられたエミッタ電極５２および層間絶縁膜３６と，半導体基板１０の裏面に接して設けられたコレクタ電極５４とを備える
[0022]　
半導体基板１０は，第１導電型の半導体層としてのｎ−型のドリフト層１２と，第２導電型の半導体層としてのｐ型のベース層１８とを有する
第２の面１６は，第１の面１４の反対側に位置し，上述の半導体基板１０における裏面に一致する
[0023]　
ドリフト層１２は，第２の面１６の側に半導体層２０を有する
半導体層２０は，第１方向の異なる位置において，複数の不純物濃度ピークを有する
半導体層２０は，第１導電型のＦＳ層２２と，第１導電型のバッファ層２４と，第２導電型のコレクタ層２６とを有する。ＦＳ層２２，バッファ層２４およびコレクタ層２６は，この順で第１方向に並んで設けられる。第１方向とは，第１の面１４から第２の面１６へ向かう方向である。第１方向は，エミッタ電極５２からコレクタ電極５４へ向かう，半導体基板１０の厚み方向と読み替えてもよい
[0024]　第１導電型のＦＳ層２２は，第１方向の異なる位置において３つの不純物濃度ピークを有する。本例のＦＳ層２２は，空乏層の広がりを止める機能を有する。つまり，ＦＳ層２２は，第１の面１４近傍から伸長する空乏層を第２の面１６まで伸長させないという機能を有する。
本例のＦＳ層２２は，プロトン（Ｈ＋）をドープした領域であり，第１方向の異なる位置においてプロトン（Ｈ＋）のドープに起因する３つの不純物濃度のピークを有する領域である
[0025]　
第１導電型のバッファ層２４は，ＦＳ層２２よりも高い第１導電型の不純物濃度を有する層である
本例のバッファ層２４は，プロトン以外の第１導電型の不純物濃度ピークを有する
[0026]　第２導電型のコレクタ層２６は，半導体基板１０からホールを供給する機能を有する。コレクタ層２６は，バッファ層２４の不純物濃度ピークよりも高い不純物濃度ピークを有する層である。本例のコレクタ層２６は，ボロン（Ｂ）をドープした領域である。
[0027]　半導体基板１０は，トレンチ型のゲート電極３２と，ゲート絶縁膜３４と，第１導電型のエミッタ領域４４と，第２導電型のコンタクト領域４２とをさらに有する。ゲート絶縁膜３４は，少なくともベース層１８の一部において，トレンチ状に設けられる。ゲート電極３２は，ゲート絶縁膜３４に接して設けられる。」
「[0038]　図３は，第１実施形態におけるＡ１‐Ａ２間の不純物濃度ピーク（Ｐｘ）と不純物濃度ピーク間の境界（Ｖｙ）とを示す図である。本明細書において，Ｐｘ（ｘ＝１〜５）は不純物濃度のピークを示す。ピークＰｘは，不純物濃度の極大値である。ピークＰｘの位置および不純物濃度の高さは，ドープする不純物の加速電圧および不純物濃度によって，設定することができる。Ｖｙ（ｙ＝１〜４）は２つのＰ間における境界を示す。境界Ｖｙは２つのピークＰｘ間における不純物濃度の最小値である。
[0039]　図３において，縦軸は不純物濃度［／ｃｍ３］を示し，第１導電型および第２導電型を合わせた正味の不純物濃度（ネットドーピング）を示す。図３は，図１のＡ１‐Ａ２における不純物濃度に対応する。横軸は，半導体基板１０の第１方向における位置を示す。おもて面１９を位置０［μｍ］とし，第２の面１６を位置１１０［μｍ］とする。位置０［μｍ］と位置１０［μｍ］との間には，ドリフト層１２における第１の面１４が位置する。 
[0040]　本例は，耐圧１，２００ＶのＩＧＢＴ１００における不純物濃度のドープパターンである。本例では，Ａ１‐Ａ２は，おもて面１９から第２の面１６までに至る第１方向に沿った領域である。
 [0041]　本明細書では，
複数の不純物濃度ピークのうち第１の面１４に１番目に近い第１番目の不純物濃度ピークを第１のピークＰ１と称する。同様に，第１の面１４に２番目に近いものを第２のピークＰ２，３番目に近いものを第３のピークＰ３，４番目に近いものを第４のピークＰ４とそれぞれ称する
[0042]　また，
ピークＰ１とＰ２との間に境界Ｖ１を有する。同様に，ピークＰ２とＰ３との間に境界Ｖ２を有し，ピークＰ３とＰ４との間に境界Ｖ３を有し，ピークＰ４とＰ５との間に境界Ｖ４を有する
[0043]　本例では，
ピークＰ３において不純物濃度が低い順に，第１〜第４のドープパターンと称する。なお，後述する積分濃度は，第１〜第４のドープパターンの順に低い
[0044] 　図３は，４種類の異なるドープパターンを１つのグラフに示した図である。異なる種類のドープパターンは，異なるＩＧＢＴ１００に対応する。完成物としての１つのＩＧＢＴ１００は，１種類のドープパターンを有する。第１のドープパターンのトータルのドーズ量を１とした場合に，第２のドープパターンのトータルのドーズ量は１．４であり，第３のドープパターンのトータルのドーズ量は２．６であり，第４のドープパターンのトータルのドーズ量は４．５である。トータルのドーズ量の違いは，第３のピークおよび第３の境界近傍において特に顕著となる。
 [0045]　
４種類の異なる第１〜第４のドープパターンは，第３のピークＰ３−１，Ｐ３−２，Ｐ３−３およびＰ３−４，ならびに，第３の境界Ｖ３−１，Ｖ３−２，Ｖ３−３およびＶ３−４近傍において異なる不純物濃度を有する。しかし，その他の領域における４種類の異なるドープパターンは，一致する
第３のピークはＰ３−１，Ｐ３−２，Ｐ３−３およびＰ３−４の順に不純物濃度が高くなり，第３の境界はＶ３−１，Ｖ３−２，Ｖ３−３およびＶ３−４の順に不純物濃度が高くなる
 [0046]　
図４は，図３の位置８０［μｍ］から位置１１０［μｍ］までを示す拡大図である
[0047]　なお，第２の境界Ｖ２と第１のドープパターンにおける第３のピークＰ３−１との間には，第３のピークＰ３−１よりも小さい不純物濃度の極大値と不純物濃度の最小値とが観察される。しかしながら，第２の境界Ｖ２と第３のピークＰ３−１との間における不純物濃度の極小値および極大値は，ドープする不純物の加速電圧および不純物濃度によって意図的に形成したものではない。それゆえ，これらは本明細書において，ピークＰおよび境界Ｖではないものとする。 」
「[0050]　図５は，第１実施形態におけるＡ１‐Ａ２間の不純物濃度ピーク（Ｐｘ）と臨界積分濃度との関係を示す図である。縦軸は積分濃度［／ｃｍ２］を示し，横軸は図３および図４と同じく，半導体基板１０の第１方向における位置を示す。本例では，スケールの関係上，１１０［μｍ］近傍のグラフは省略している。
[0051]　本明細書では，ドリフト層１２とベース層１８との接合界面である第１の面１４からドリフト層１２の特定の位置まで，第１方向に沿って不純物濃度を積分した値を，積分濃度と称する。さらに，本明細書では，コレクタ電極５４およびエミッタ電極５２間に順バイアスが印加され，電界強度の最大値が臨界電界強度に達してアバランシェ降伏が発生した場合であって，第１の面１４から第１方向におけるドリフト層１２の特定位置までが空乏化する場合に，当該特定位置における不純物濃度の積分した値が臨界積分濃度に達すると称する。なお，ＩＧＢＴ１００において，コレクタ電極５４およびエミッタ電極５２の間に順バイアスが印加されるとは，コレクタ電極５４の電位がエミッタ電極５２の電位よりも高いことを意味する。
[0052]　順バイアス印加時に，臨界積分濃度に達する特定位置までのドリフト層１２は空乏化するが，当該特定位置よりも第１方向の先の領域は空乏化しない。本例では，
４つのドープパターンにおけるＦＳ層２２のピーク位置（ピークＰ１〜ピークＰ３）を調節することにより，ドリフト層１２における臨界積分濃度の位置を調節することができる
[0053]　本例では，第１〜第４のドープパターンにおいて，第１方向における第１の面１４から，境界Ｖ１までにおける積分濃度が，臨界積分濃度以下である。また，第１〜第４のドープパターンにおいて，第１方向における第１の面１４から，境界Ｖ２までの積分濃度が，臨界積分濃度以下である。
[0054]　さらに本例では，第１のドープパターンにおいて，第１方向における第１の面１４から境界Ｖ３−１までの積分濃度が，臨界積分濃度以下である。また，第２のドープパターンにおいても，第１方向における第１の面１４から境界Ｖ３−２までの積分濃度が，臨界積分濃度以下である。しかし，第３〜第４のドープパターンにおいては，第１方向における第１の面１４から，境界Ｖ３までの積分濃度は臨界積分濃度を超える。なお，第２のドープパターンにおいては，第１方向における第１の面１４から，ピークＰ３−２までの積分濃度が，臨界積分濃度以下である。
[0055]　図６は，図５の位置８０［μｍ］から位置１１０［μｍ］までを示す拡大図である。
本例では，ピークＰ１，Ｐ２およびＰ３の３つのピークによりＦＳ層２２を形成する。ＦＳ層２２の第１のピークＰ１においては臨界積分濃度に達しないので，ＦＳ層２２を比較的エミッタ電極５２寄りに比較的高い濃度で設けることができる。これによりスイッチング時の発振を抑制することができる。また本例では，ＦＳ層２２またはバッファ層２４において臨界積分濃度に達するので，ＦＳ層２２またはバッファ層２４において空乏層の伸びを抑えることができる
 [0056]　本例では，さらに，
ＦＳ層２２よりも高濃度のバッファ層２４（ピークＰ４）と，バッファ層２４よりも高濃度のコレクタ層２６（ピークＰ５）を有する
　引用例１の図１として，以下の図面が示されている。
　引用例１の図４として，以下の図面が示されている。
（２）摘記事項の整理と引用発明１
　以上によれば，引用例１には次の事項が記載されていると理解できる。
ア　半導体基板１０と，半導体基板１０のおもて１９に接して設けられたエミッタ電極５２および層間絶縁膜３６と，半導体基板１０の裏面に接して設けられたコレクタ電極５４とを備える半導体装置としてのＩＧＢＴ。（段落００２１）
イ　半導体基板１０は，第１導電型の半導体層としてのｎ−型のドリフト層１２を有すること。（段落００２２）
ウ　ドリフト層１２の半導体基板１０の裏面側に，第１導電型のＦＳ層２２と，第１導電型のバッファ層２４と，第２導電型のコレクタ層２６とが，この順で，エミッタ電極からコレクタ電極へ向かう半導体基板１０の厚み方向に並んで形成されており，ＦＳ層２２が，おもて１９側でドリフト層１２に接すること。（段落００２３及び図１）
エ　コレクタ層２６が半導体基板１０の裏面上に形成されること。（図１）
オ　ＦＳ２２層がピークＰ１，Ｐ２およびＰ３の３つのピークを有すること。（段落００５５）
カ　ピークＰ３は，第１〜第４のドープパターンに対応して第３のピークＰ３−１，Ｐ３−２，Ｐ３−３，Ｐ３−４という異なる不純物濃度のピークを有すること。（段落００４３，００４５）
キ　第１のドープパターンにおいて，ピークＰ１，Ｐ２及びＰ３−１における不純物濃度が，ドリフト層１２の不純物濃度よりも高く，１．０×１０１５ｃｍ−３以下であること。（図４）
ク　バッファ層２４はＦＳ層よりも高い第１導電型不純物濃度を有する層であり，バッファ層２４がＦＳ層２２よりも高濃度のピークＰ４を有すること。（段落００２５，００５６）
ケ　コレクタ層２６がバッファ層２４のピークＰ４よりも高濃度の不純物濃度ピークＰ５を有すること（段落００５６及び図４）
コ　ピークＰ３とピークＰ４との間に境界Ｖ３を有し，ピークＰ４とピークＰ５との間に境界Ｖ４を有すること。（段落００４２及び図４）
　以上のア〜コによれば，上記引用例１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「おもて１９と裏面を有し，第１導電型の半導体層としてのｎ−型のドリフト層１２を有する半導体基板１０と，
ドリフト層の裏面側に形成される第１導電型のＦＳ層２２と，
前記半導体基板１０の裏面上に形成された第２導電型のコレクタ層２６と，
前記半導体基板１０のおもて１９に接して設けられたエミッタ電極５４と，
前記コレクタ層２６上に形成されるコレクタ電極５４と，を備え，
前記コレクタ層２６と境界Ｖ4で接し不純物濃度のピークＰ４を有するバッファ層２４と，
境界Ｖ２で前記バッファ層２４と接し，おもて１９側で前記ドリフト層１２と接し，
ピークＰ１，Ｐ２及びＰ３−１という３つの不純物濃度のピークを有し，前記バッファ層３５よりも不純物濃度が低い，ＦＳ層２２と，
前記ＦＳ層２２の最大不純物濃度は，前記ドリフト層１２の不純物濃度よりも高く，１．０×１０１５ｃｍ−３以下であり，
前記ＦＳ層２２のピークＰ３−１は，境界Ｖ３で前記バッファ層２４のピークＰ４と接する，
ＩＧＢＴ。」
２．引用例２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例２には，図２６〜３１とともに次の記載がある。「[0175]　すなわち，
Ｎバッファ層１５のＮ型の不純物のピーク濃度ＰＣは，｛２×１０１４（ｃｍ−３）≦ＰＣ≦１．０×１０１６（ｃｍ−３）｝で規定されるピーク不純物濃度条件を満足することにより，Ｎ補助層２９を有しない実施の形態１の構造を含めて，安定的な耐圧を満足する等の効果を得ることができる
「[0178]　図２６〜図３１は，Ｎバッファ層１５をイオン注入時のイオン種の加速エネルギーを複数条件に設定して形成する場合の事例である。イオン種は，セレン，硫黄，リンやプロトン(水素)を想定する。また，プロトン(水素)を用いる場合は，アニーリング(温度：３５０〜４５０℃)によるドナー化でＮ層を形成する拡散層形成プロセス技術を用いる。プロトン(水素)は，イオン注入以外にもサイクロトロンを利用した照射技術でＳｉ中へ導入する。
[0179]　図２６〜図３１に示すように，Ｎバッファ層１５に関して，Ｓｉ中へイオン種を導入する際に加速エネルギーおよびドーズ量を複数条件に設定することで，
濃度変化ＬＣ２〜ＬＣ７に示すように不純物プロファイルの山はＮバッファ層１５中に複数存在する複数ピーク不純物プロファイルとなる。加えて，図２６〜図３１に示す各不純物プロファイルの山のピーク濃度がＮ−ドリフト層１４／Ｎバッファ層１５接合部に向けて低濃度化させている
「[0185]　そして，仮想濃度勾配Ｐδの許容範囲は，実施の形態１の濃度勾配δと同様，「０．０３≦Ｐδ≦０．７（decade ｃｍ−３/μm）」で規定される仮想濃度勾配条件を満足することが必要であり，他の電気的特性が劣化しないことを考慮する場合，「０．０３≦Ｐδ≦０．２（decade ｃｍ−３/μm）」で規定される仮想最適濃度勾配条件を満足することが望ましい。 [0186]　実施の形態２の第２〜第７の態様は，
Ｎバッファ層１５の主要部において，式(3)による仮想濃度勾配Ｐδが上記仮想濃度勾配条件を満足するため，実施の形態１や実施の形態２の第１の態様と同様，安定的な耐圧特性，オフ時におけるリーク電流の低減化に伴う低オフロス化，ターンオフ動作の制御性向上，及びターンオフ時の遮断能力の向上を図ることができる。
　引用例２の図２６として，以下の図面が示されている。
　引用例２の図２７として，以下の図面が示されている。
　引用例２の図２８として，以下の図面が示されている。
　引用例２の図２９として，以下の図面が示されている。
　引用例２の図３０として，以下の図面が示されている。
　
　引用例２の図３１として，以下の図面が示されている。
　以上によれば，引用例２には以下のア〜イの技術的事項が開示されているものと理解できる。
ア　Ｎバッファ層１５中に複数存在する複数ピーク不純物プロファイルにおいて，各不純物プロファイルの山のピーク濃度がＮ−ドリフト層１４／Ｎバッファ層１５接合部に向けて低濃度化させることで，仮想濃度勾配Ｐδが所定の仮想濃度勾配条件を満足するようにして，安定的な耐圧特性，オフ時におけるリーク電流の低減化に伴う低オフロス化，ターンオフ動作の制御性向上，及びターンオフ時の遮断能力の向上を図ること。
イ　Ｎバッファ層１５のＮ型の不純物のピーク濃度ＰＣを，｛２×１０１４（ｃｍ−３）≦ＰＣ≦１．０×１０１６（ｃｍ−３）｝で規定されるピーク不純物濃度条件を満足するようにすることで，安定的な耐圧を満足する等の効果を得ること。
３．引用例３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例３には，次の記載がある。
「[0021]　これに対して，実施例に係る半導体装置１０は，第１バッファ層１１３と第２バッファ層１１１とを備えている。第１バッファ層１１３は，バッファ層９０３と同様に，ボディ層１０４とドリフト層１０２とのＰＮ接合部から空乏層が広がって，コレクタ層１０１に到達することを抑制する。これによって，半導体装置１０のコレクタ−エミッタ間の耐圧が低下することを抑制できる。
水素イオンの活性化率は，リンイオンの活性化率の数％程度であるため，水素イオンの注入量は，リンイオンの注入量より必然的に高くなり，水素イオンの注入によって形成される結晶欠陥は，リンイオンの注入によって形成される結晶欠陥よりも多くなる
４．引用例４について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用例４には，次の記載がある。
「[0036]  実施の形態２．
　図２０は，本発明の実施の形態２に係る半導体装置を示す断面図である。トランジスタ領域及び終端領域において，Ｎ−型ドリフト層１の下にＮ型バッファ層２２が設けられている。
トランジスタ領域及びＰＮ接合領域において，Ｎ型バッファ層２２の下にＰ型コレクタ層２３が設けられている。終端領域において，Ｎ型バッファ層２２の下にＰ型コレクタ層２４が設けられている
[0037]　
図２１は，図２０のＥ−Ｅ´及びＦ−Ｆ´に沿った不純物濃度分布を示す図である
　引用例４の図２０として，以下の図面が示されている。
　引用例４の図２１として，以下の図面が示されている
　以上によれば，引用例４には，終端領域のＰ型コレクタ層２４の不純物濃度が，トランジスタ領域のＰ型コレクタ層２３の不純物濃度よりも低い態様が記載されていると理解できる。
５．引用例５について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用例５には，次の記載がある。
「【００４９】本実施形態が第１の実施形態と異なる点は，上記第１の実施形態における前記ｐ−型リサーフ層１２の代わりに，
複数条のｐ＋型ガードリング層１８が形成されていることである
６．引用例６について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用例６には，次の記載がある。
「[0015]　実施の形態１．
　図１は，本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す断面図である。活性領域の外側に終端領域が配置されている。ｎ−型ドリフト層１は互いに対向する表面と裏面を持つ。 
[0016]　ｐ型アノード層２が活性領域においてｎ−型ドリフト層１の表面に形成されている。ｐ型アノード層２の端部が活性領域の端部に一致する。典型的なｐ型ガードリング層３とチャネルストッパ層４が終端領域においてｎ−型ドリフト層１の表面に形成されている。アノード電極５が層間膜６の開口を介してｐ型アノード層２にオーミック接触している。
 [0017]　ｎ型バッファ層７がｎ−型ドリフト層１の裏面に形成されている。
ｎ型カソード層８及びｐ型カソード層９がｎ型バッファ層７の裏面に互いに横並びに形成されている。ｎ型層１０が活性領域と終端領域の境界領域においてｎ型バッファ層７の裏面にｎ型カソード層８及びｐ型カソード層９と横並びに形成されている。ｎ型層１０は，ｎ型カソード層８と同じ不純物濃度を有する
７．引用例７について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用例７には，次の記載がある。
「【0037】
　まず，ｎ-型ドリフト層１を構成する原石となる半導体基板を用意し，原石加工工程として表面の平坦化のための研磨などの表面加工を行う。次に，ｐ型領域４形成のためのイオン注入および熱拡散工程，トレンチ６の形成工程，トレンチ６内へのゲート絶縁膜７およびゲート電極８の形成工程，ボディｐ型領域４ｃおよびｎ+型不純物領域５形成のためのイオン注入および熱拡散工程を行う。その後，層間絶縁膜９を形成した後，コンタクトホール９ａの形成工程を行い，さらにＡｌなどの電極材料をパターニングして上部電極１０を形成する。そして，図示しないがポリイミド等のパッシベーション膜を成膜する。これにより，基板表面側の製造工程が終了する。
【0038】
　続いて，ｎ-型ドリフト層１を構成する半導体基板の裏面側を所望厚さとなるまで研削してから必要に応じてエッチングして表面平坦化を行する。そ
の後，リンＦＳ層２ａ形成のためのリンのイオン注入およびｐ+型不純物領域３形成のためのボロン（Ｂ）のイオン注入を行う。そして，レーザアニールによって表面側に影響を与えない局所的な熱処理を行い，注入されたイオンの拡散工程を行う。更に，Ａｌなどの電極材料を成膜するなどの下部電極１１の形成工程を行った後，プロトン照射工程および低温アニール工程などのプロトンＦＳ層２ｂの形成工程を行う
第６　対比・判断
１．本願発明１について
１．１　対比
　本願発明１と引用発明１とを比較する。
ア　引用発明１における「ｎ型」及び「ｐ型」は，本願発明１における「第１導電型」及び「第２導電型」に相当する。
イ　引用発明１における「半導体基板１０」が本願発明１における「半導体基体」に相当し，以下同様に，「おもて１９」が「一方主面」に，「裏面」が「他方主面」に，「ｎ−型のドリフト層１２」が「第１導電型のドリフト層」に，「第２導電型のコレクタ層２６」が「第１及び第２導電型のうち少なくとも一つの導電型を有する活性層」に，「エミッタ電極５２」が「第１電極」に，「コレクタ電極５４」が「第２電極」に，「ＩＧＢＴ」が「半導体装置」に，それぞれ相当する。
ウ　引用発明１における「バッファ層２４」は，「コレクタ層２６と境界Ｖ4で接し不純物濃度のピークＰ４を有する」ものであるから，本願発明１における「第１バッファ層」に相当し，両者はともに「前記活性層と接合し不純物濃度のピーク点を１つ有する」点で一致する。
エ　引用発明１における「ＦＳ層２２」は，「ピークＰ１，Ｐ２及びＰ３−１という３つの不純物濃度のピークを有し」た層であるから，本願発明１における「第２バッファ層」に対応する。そして，引用発明１の「ピークＰ１，Ｐ２及びＰ３−１という３つの不純物濃度のピーク」が，「不純物濃度のピーク点をそれぞれ一つ有する複数のサブバッファ層」に相当する。
オ　引用発明１における「バッファ層２４」及び「ＦＳ層２２」が，本願発明１における「バッファ層」に相当する。
カ　引用発明１の「ＦＳ層２２」は「境界Ｖ２で前記バッファ層３５と接し，おもて１９側で前記ドリフト層１２と接し」ており，「ピークＰ１，Ｐ２及びＰ３−１という３つの不純物濃度のピークを有し，前記バッファ層３５よりも不純物濃度が低い」層であるから，本願発明１の「第２バッファ層」と引用発明１の「ＦＳ層２４」は，ともに「前記第１バッファ層および前記ドリフト層と接合し，不純物濃度のピーク点を少なくとも１つ有し，前記第１バッファ層より最大不純物濃度が低い」点で一致する。
キ　引用発明１の「前記ＦＳ層２２の最大不純物濃度は，前記ドリフト層１２の不純物濃度よりも高く，１．０×１０１５ｃｍ−３以下」であることは，本願発明１の「前記第２バッファ層の最大不純物濃度は，前記ドリフト層の不純物濃度よりも高く，１．０×１０１５ｃｍ−３以下」であることに相当する。
ク　引用発明１における「前記ＦＳ層２２のピークＰ３−１は境界Ｖ３で前記バッファ層のピークＰ４と接する」ことは，本願発明１における「前記複数のサブバッファ層のうち最も他方主面側のサブバッファ層である第１サブバッファ層は前記第１バッファ層と接合」することに相当する。
ケ　本願発明１と引用発明１は，ともに「前記第２バッファ層の最大不純物濃度は，前記複数のサブバッファ層のピーク不純物濃度の最大値」である点で一致する。
　以上のア〜ケによれば，本願発明１と引用発明１の一致点，相違点は以下のとおりである。
＜一致点＞
「一方主面及び他方主面を有し，第１導電型のドリフト層を主要構成部として含む半導体基体と，
前記半導体基体内において，前記ドリフト層に対し他方主面側に前記ドリフト層に隣接して形成される第１導電型のバッファ層と，
　前記半導体基体の他方主面上に形成される，第１及び第２導電型のうち少なくとも一つの導電型を有する活性層と，
　前記半導体基体の一方主面上に形成される第１電極と，
　前記活性層上に形成される第２電極と，を備え，
　前記バッファ層は，
　前記活性層と接合し不純物濃度のピーク点を１つ有する第１バッファ層と，
　前記第１バッファ層および前記ドリフト層と接合し，不純物濃度のピーク点を少なくとも１つ有し，前記第１バッファ層より最大不純物濃度が低い第２バッファ層とを備え，
　前記第２バッファ層の最大不純物濃度は，前記ドリフト層の不純物濃度よりも高く，１．０×１０１５ｃｍ−３以下であり，
　前記第２バッファ層は，不純物濃度のピーク点をそれぞれ一つ有する複数のサブバッファ層の積層構造であり，
　前記複数のサブバッファ層のうち最も他方主面側のサブバッファ層である第１サブバッファ層は前記第１バッファ層と接合し，
　前記第２バッファ層の最大不純物濃度は，前記複数のサブバッファ層のピーク不純物濃度の最大値である，
半導体装置。」である点。
＜相違点＞
　本願発明１では，「前記複数のサブバッファ層のピーク不純物濃度は，他方主面から一方主面に向かう方向において低下する」のに対し，引用発明１では，「ＦＳ層２２」における「ピークＰ１，Ｐ２及びＰ３−１」のピーク不純物濃度が「裏面」から「おもて１９」に向かう方向において低下することは特定されていない点。
１．２　相違点についての判断
　上記第５の２．ア，イで示したとおり，引用例２には，Ｎバッファ層１５中に複数存在する複数ピーク不純物プロファイルにおいて，各不純物プロファイルの山のピーク濃度がＮ−ドリフト層１４／Ｎバッファ層１５接合部に向けて低濃度化させること，及び，Ｎバッファ層１５のＮ型の不純物のピーク濃度ＰＣを，｛２×１０１４（ｃｍ−３）≦ＰＣ≦１．０×１０１６（ｃｍ−３）｝で規定されるピーク不純物濃度条件を満足するようにすることで，安定的な耐圧を満足する等の効果を得ることが記載されている。
　一方，引用例１の段落［００５５］には，「ＦＳ層２２を比較的エミッタ電極５２寄りに比較的高い濃度で設けることができる。これによりスイッチング時の発振を抑制することができる。」と記載されており，エミッタ電極寄り，すなわちドリフト層側に比較的高い濃度の領域を設けることでスイッチング時の発振を抑制することが示唆されていると理解できる。
　そうすると，引用発明１に対して，引用例２に記載された，ドリフト層側のピーク不純物濃度がより低くなるような不純物濃度プロファイルを適用する動機がなく，上記相違点に係る構成は，引用発明１及び引用例２から当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　また，引用例２におけるピーク不純物濃度条件は複数ピーク不純物プロファイルの最大不純物濃度は，｛２×１０１４（ｃｍ−３）≦ＰＣ≦１．０×１０１６（ｃｍ−３）｝であり，引用例２の図２６〜３１に示された複数ピーク不純物プロファイルにおいても，最大不純物濃度はいずれも１．０×１０１５ｃｍ−３を超えている。すなわち，引用例２には，各不純物プロファイルの山のピーク濃度がＮ−ドリフト層１４／Ｎバッファ層１５接合部に向けて低濃度化させる際に，最大不純物濃度を「１．０×１０１５ｃｍ−３以下」とすることは記載も示唆もされていない。
　一方，引用例１においても，第２〜第４のドープパターンにおける第３のピークＰ３−２，Ｐ３−３及びＰ３−４は，いずれも１．０×１０１５ｃｍ−３を超えており，ＦＳ層２２の最大不純物濃度を「１．０×１０１５ｃｍ−３以下」としつつ，ピーク濃度を調整することは記載されておらず，示唆もされていない。
　そうすると，仮に引用発明１に引用例２に記載された技術を適用して「サブバッファ層のピーク不純物濃度は，他方主面から一方主面に向かう方向において低下する」濃度プロファイルにするとしても，当該適用において最大不純物濃度を「１．０×１０１５ｃｍ−３以下」とすることは，引用例１及び引用例２には記載も示唆もされていないから，本願発明１は，引用発明１に引用例２を適用することにより当業者が容易になし得たものではない。
　さらに，上記引用例３〜７にも，上記相違点に係る構成について記載も示唆もされていない。
　したがって，本願発明１は引用発明１及び引用例２〜７から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２．本願発明２について
　本願発明２は，本願発明１のうち
「一方主面及び他方主面を有し，第１導電型のドリフト層を主要構成部として含む半導体基体と，
前記半導体基体内において，前記ドリフト層に対し他方主面側に前記ドリフト層に隣接して形成される第１導電型のバッファ層と，
　前記半導体基体の他方主面上に形成される，第１及び第２導電型のうち少なくとも一つの導電型を有する活性層と，
　前記半導体基体の一方主面上に形成される第１電極と，
　前記活性層上に形成される第２電極と，を備え，
　前記バッファ層は，
　前記活性層と接合し不純物濃度のピーク点を１つ有する第１バッファ層と，
　前記第１バッファ層および前記ドリフト層と接合し，不純物濃度のピーク点を少なくとも１つ有し，前記第１バッファ層より最大不純物濃度が低い第２バッファ層とを備える，
半導体装置」
との構成に，以下の構成１を付加したものであると認められる。
（構成１）
「前記第１バッファ層および前記ドリフト層と接合し，不純物濃度のピーク点を１つのみ有し，前記第１バッファ層より最大不純物濃度が低い第２バッファ層とを備え，
　前記第２バッファ層の最大不純物濃度は，前記ドリフト層の不純物濃度よりも高く，１．０×１０１５ｃｍ−３以下であり，前記第２バッファ層の不純物濃度のピーク点は，前記第２バッファ層の中央部よりも前記第１バッファ層との接合部に近い場所に位置する」
上述の点と上記「１．１対比」を踏まえ本願発明２と引用発明１を比較すると，両者は上記構成１の点で相違し，その余の点で一致するものと認められる。
　そして，上記構成１は引用例２〜７のいずれにも記載されておらず，示唆もされていない構成である。
　したがって，本願発明２は引用発明１及び引用例２〜７から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
３．本願発明３〜３６について
　本願発明３〜３６は本願発明１，又は，本願発明２と同じ，又は対応する技術的事項を備える発明であるから，本願発明１又は本願発明２と同様の理由により，当業者であっても，引用例１〜７に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
４．まとめ
　以上のとおり，本願発明１〜３６は，原査定で引用された引用例１〜７に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
第７　原査定について
　上記第６の「１．本願発明１について」及び「３．本願発明３〜３６について」で判断したとおり，本願発明１，３〜３６は，原査定で引用された引用例１〜７に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　したがって，原査定の理由２を維持することはできない。
第８　独立特許要件について
　審判請求時にした補正による補正後の請求項２に係る発明は，上記「第４　本願発明」において本願発明２として記載されたとおりの発明であり，補正前の請求項２に「前記第２バッファ層の不純物濃度のピーク点は，前記第２バッファ層の中央部よりも前記第１バッファ層との接合部に近い場所に位置する」との事項を追加することで，補正前の請求項２に係る発明を更に限定したものである。
　そして，上記「第６　２．本願発明２について」で判断したように，本願発明２は，上記引用例１〜７から容易に発明することができたものではない。
　したがって，補正後の請求項２及び補正後の請求項２を引用する各請求項に係る発明は，独立特許要件を満たすものである。
　なお，拒絶査定のなお書きで新たに引用された引用例８（特開２００９−１７６８９２号公報：段落００４９〜０１２１及び図１４を特に参照）にも，上記「前記第２バッファ層の不純物濃度のピーク点は，前記第２バッファ層の中央部よりも前記第１バッファ層との接合部に近い場所に位置する」との事項は記載も示唆もされていないから，本願発明２は，上記引用例８から容易に発明をすることができたものではない。
第９　結言
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。