【事件の表示】
　特願２０１９−２０５５７９「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔令和　２年　２月１３日出願公開，特開２０２０−　２５１３４，請求項の数（１４）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２７年９月１５日に出願した特願２０１５−１８２０８３号の一部を令和元年１１月１３日に新たな特許出願としたものであって，令和２年８月４日付けで拒絶理由通知がされ，同年９月１０日付けで意見書が提出され，同年１０月１５日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，令和３年１月１８日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。
第２　原査定の理由の概要
　原査定（令和２年１０月１５日付け拒絶査定）の理由の概要は次のとおりである。
　本願の請求項１〜１４に係る発明は，以下の引用文献１〜５に記載された発明に基づいて，若しくは，以下の引用文献６，１〜５に記載された発明に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　引用文献等一覧
１.特開２０１３−１９４２９１号公報
２.特開２００６−２０６９８５号公報
３.特開２００２−０７６１８９号公報
４.特開２００９−２２４７０５号公報
５.特開２０１０−２５１７１９号公報
６.国際公開第２００９／１４２０７７号
第３　本願発明
　本願請求項１〜１４に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」〜「本願発明１４」といい，まとめて「本願発明」ともいう。）は，令和３年１月１８日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　互いに対向する第１及び第２の主面を持つ半導体基板の前記第１の主面に第１の主電極を形成する工程と，
　前記半導体基板の前記第２の主面に第２の主電極を形成する工程と，
　前記第１及び第２の主電極の表面を活性化する表面活性化処理を行う工程と，
　前記第１及び第２の主電極の表面を清浄化する表面清浄化処理を行う工程と，
　前記表面活性化処理及び前記表面清浄化処理の後に，前記第１及び第２の主電極上にそれぞれ第１及び第２のＮｉ膜をＰを含むめっき液を用いた湿式成膜法により同時に形成する工程と，
　前記第１及び第２のＮｉ膜をＰを含むめっき液を用いた湿式成膜法により同時に形成する工程の後に，前記半導体基板を加熱することで前記第１及び第２のＮｉ膜に含まれる結晶性Ｎｉの割合を変化させて前記第１及び第２のＮｉ膜がそれぞれ２％以上の結晶性Ｎｉを含むようにする工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　なお，本願発明２〜１４は，本願発明１を減縮した発明である。
第４　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２０１３−１９４２９１号公報）には，次の事項が記載されている（下線は当審が付した。以下，同様である。）。
　「【技術分野】
【０００１】
　この発明は，半導体装置およびその半導体装置の製造方法に関するもので，特に電力用パワー半導体装置の１つであるＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）等の表裏導通型の半導体装置の電極部に，はんだ付け性に優れた合金膜を備えた半導体装置およびその製造方法に係るものである。」
　「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　しかしながら上記特許文献１に示された技術は，メッキ処理時に裏面汚染を防止することとウエハのそりを抑制するために，ウエハのそり方向を制御して膜応力も制御して剥離テープを貼付することが示されている。この様な技術では，安定した品質を維持するための製造条件の管理も難しいため，製造コストの低減は難しい。また，ウエハにテープを貼付しそれを剥離するためプロセス数を増加させているため，必然的にウエハのハンドリング回数も増加し，そのことに起因したウエハ破損の確率も増加する。そのため，歩留まり低下の懸念もあり，製造コストを低減するのは難しいという問題点がある。
【０００６】
　この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであって，ＩＧＢＴ等の表裏導通型の半導体装置において，表裏に設けられた通電用金属膜として，はんだのぬれ性に優れた合金膜をウエハのそりをさらに増長させることのない半導体装置およびその半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。」
　「【課題を解決するための手段】
【０００７】
　・・・
　そして第３の発明は，
次のステップを備えた半導体装置の製造方法である。すなわち，ステップ１．半導体基板の第１の主面に第１の主電極，および第２の主面に第２の主電極を形成するステップ。
　
ステップ２．第１の主電極および第２の主電極をプラズマクリーニングを行い，脱脂後酸洗いといった表面を清浄にするステップ。
　
ステップ３．第１の主電極および第２の主電極を第１のジンケート処理後に，このジンケートを剥離するステップ。
　
ステップ４．第１の主電極および第２の主電極を第２のジンケート処理を行うステップ。
　
ステップ５．第１の主電極および第２の主電極上に非晶質の無電解Ｎｉメッキを行うステップ。
　
ステップ６．非晶質の無電解Ｎｉメッキ上に無電解Ａｕメッキを行うステップ。
　「【発明の効果】
【０００８】
　・・・
　第３の発明に係る半導体装置の製造方法は，上記のようなステップを備えているので，第１の主電極および第２の主電極上に同時に非晶質の無電解Ｎｉメッキに引き続き，無電解Ａｕメッキを行うので，ウエハのさらなるそりの増長が抑制でき，かつ
非晶質の無電解Ｎｉメッキ層を有しているので，温度や応力変化に伴う無電解Ｎｉメッキ層の結晶構造が変化したり，粒界ボイドが発生して皮膜が割れたりすることがなく，歩留まりの向上や，それに伴うエネルギー消費の削減，さらには，はんだ付け性の向上した半導体装置を製造できるという効果がある。
　「【発明を実施するための形態】
【００１０】
　以下，この発明をより理解するため，本願発明のすべての実施の形態で採用しているメッキ処理やジンケート処理についての一般的な概略を説明する。
　まず無電解Ｎｉメッキ，無電解Ａｕメッキ，無電解Ｐｄメッキ方法について説明する。なお，実施の形態は，全てウエハ状態で行うものとする。
（１）ウエハ上のＡｌ合金電極に，一般的に知られた脱脂，酸洗いした後にメッキをしても，強固な付着力を有したメッキ層は形成できない。その理由は，ウエハ上のＡｌ合金の表面には，強固な有機物残渣と酸化膜が形成されているためである。前記の残渣や酸化物が除去できずにメッキ膜が付着すると，Ａｌとメッキ金属との間で金属拡散が生じないため満足な付着力が確保できず，容易に剥離し，はんだ付けなどの電極の表面処理には使えない。
（２）前述した結果より，ウエハ上でのＡｌ合金電極へのメッキは，プラズマクリーニング，脱脂，酸洗い，第１ジンケート処理，ジンケート剥離，第２ジンケート処理，メッキの順番に実施する。なお，各工程の間には十分な水洗時間を確保し，前の工程の処理液や残渣が次工程に持ち込まれない様にする必要がある。一般的なメッキと異なる点は，プラズマクリーニング，ジンケート処理とジンケート剥離が工程内に付与されていることである。
（３）以下，各工程にそってその概略を説明する。最初にプラズマクリーニングについて説明する。プラズマクリーニングとはＡｌ合金電極上に焼きついてしまった一般的なメッキ前処理で除去できない有機物残渣を，プラズマで酸化分解するか叩き出し表面を清浄にする処理方法である。続いて脱脂，酸洗いを行う。脱脂はＡｌ合金表面に残留した軽度の有機物汚染や酸化膜を除去するために行う。続いて，Ａｌ表面を中和し，Ａｌの表面をエッチングして面を荒らし，後工程での処理液の反応性を高め，メッキの付着力を向上させるための処置を行う。ついで，ジンケート処理というものを実施し，その後，メッキをすることで，強固な付着力を持ったメッキ膜を成膜する。
（４）次に，ジンケート処理について詳しく説明する。ジンケート処理とは，Ａｌ合金の表面にＡｌの酸化膜を除去しつつ亜鉛（以下Ｚｎと記す。）の皮膜を形成する処理である。具体的には，Ｚｎがイオンとして溶解した水溶液に，Ａｌ合金を浸漬すると，Ｚｎの方がＡｌよりも標準酸化還元電位が貴であるため，Ａｌがイオンとして溶解しこの時生じた電子によってＺｎイオンがＡｌ合金の表面で電子を受け取りＡｌの表面にＺｎの皮膜を作る。またこの時にＡｌの酸化膜も除去される。この後，Ｚｎで被覆されたＡｌ合金を濃硝酸に浸漬しＺｎを溶解させると共に，Ａｌ表面に薄くて均一なＡｌ酸化物皮膜を形成する。そして再度Ａｌ合金を，Ｚｎ処理液に浸漬してＡｌ合金表面をＺｎで被覆しなおかつＡｌの酸化膜を除去する。この操作によって，Ａｌの酸化膜層は薄くなると共に平滑になる。回数を増やすほどＡｌの表面は均一になり，メッキ膜の出来ばえも良くなるが，生産性を考慮すると２回多くても３回が一般的である。
（５）そして，
無電解Ｎｉメッキを実施する
メッキ液中に含まれる還元剤
一般に還元剤として次亜りん酸が利用されているため，無電解ＮｉメッキにはＰが含まれている
（６）さらに，無電解Ａｕメッキを実施する。置換型の無電解Ａｕメッキは，無電解Ｎｉメッキの上に施すものであり，メッキ液中に含まれる錯化剤の作用によってＮｉとＡｕが置換する作用を利用したものである。置換型であるためＮｉの表面がＡｕで被覆されてしまうと反応が停止するため，厚く成膜するのは難しく，多くても０．１ｕｍ，一般的には０．０５ｕｍ程度の成膜をするものが多いが，はんだ付け用として利用する場合は，Ａｕメッキの厚さは上述した値でも少なすぎるといったことはない。
（７）最後に，無電解Ｐｄメッキについて説明する。無電解Ｐｄメッキは，無電解Ｎｉメッキの上に付着させ，さらにその上に無電解Ａｕメッキを施して利用するもので，Ｐｄの優れたバリヤ性により，無電解Ｎｉメッキ皮膜が無電解Ａｕメッキ皮膜を押しのけて這い上がり，それが酸化膜となってはんだ付け性等を低下させることを防止するため行うものである。無電解Ｐｄメッキの膜厚は０．３ｕｍ程度でバリヤ性が確保される。また，一般に無電解Ｎｉメッキと同様に，還元剤として次亜りん酸を利用しており，そのため無電解Ｐｄメッキ膜も非晶となる例が多い。また置換型Ａｕメッキは無電解Ｐｄメッキ膜とその下にある無電解Ｎｉメッキ膜から電子を得てＰｄ表面に置換析出する。」
　以上によれば，引用文献１には，以下の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「次のステップを備えた半導体装置の製造方法。
　ステップ１．半導体基板の第１の主面に第１の主電極，および第２の主面に第２の主電極を形成するステップ。
　ステップ２．第１の主電極および第２の主電極をプラズマクリーニングを行い，脱脂後酸洗いといった表面を清浄にするステップ。
　ステップ３．第１の主電極および第２の主電極を第１のジンケート処理後に，このジンケートを剥離するステップ。
　ステップ４．第１の主電極および第２の主電極を第２のジンケート処理を行うステップ。
　ステップ５．第１の主電極および第２の主電極上に，還元剤として次亜りん酸が含まれるめっき液を用いて非晶質の無電解Ｎｉメッキを行うステップ。
　ステップ６．非晶質の無電解Ｎｉメッキ上に無電解Ａｕメッキを行うステップ。」
２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開２００６−２０６９８５号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　「【００１６】
　このような無電解ニッケル−リンめっき皮膜の中でも，特に，上記
無電解ニッケル−リンめっき皮膜がＮｉ結晶を含むと共に，上記無電解ニッケル−リンめっき皮膜の，２θ／θスキャン法薄膜Ｘ線回折により検出されるＮｉ結晶のＮｉ（１１１）面の回折強度とＮｉ（２００）面の回折強度との比（Ｎｉ（２００）面の回折強度）／（Ｎｉ（１１１）面の回折強度）が１／１０以下
皮膜に含まれる各々のＮｉ結晶が，特定の方向に配向していることから，皮膜を加熱した際に起こる各々のＮｉ結晶の成長の方向性も一定方向となり，加熱による内部応力の増加が，特に起こりにくいものとなること
　以上から，引用文献２には，以下の事項が記載されている。
　「無電解ニッケル−リンめっき皮膜がＮｉ結晶を含むと共に，上記無電解ニッケル−リンめっき皮膜の，２θ／θスキャン法薄膜Ｘ線回折により検出されるＮｉ結晶のＮｉ（１１１）面の回折強度とＮｉ（２００）面の回折強度との比（Ｎｉ（２００）面の回折強度）／（Ｎｉ（１１１）面の回折強度）が１／１０以下であるものは，皮膜に含まれる各々のＮｉ結晶が，特定の方向に配向していることから，皮膜を加熱した際に起こる各々のＮｉ結晶の成長の方向性も一定方向となり，加熱による内部応力の増加が，特に起こりにくいものとなること。」
３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（特開２００２−０７６１８９号公報）には，次の事項が記載されている。
　「【００２９】また更に前記
ニッケルメッキ層７は
熱処理を加えておくとニッケルメッキ層７の表層部（表面から約３００オングストロームの深さ）より金の析出を阻害するホウ素が揮散除去され，これによってニッケルメッキ層７の表面に金メッキ層８をより一層均一，かつ強固に被着させることができ，同時にニッケルメッキ層７に内在する応力が緩和されてクラック等の不具合が生じ難くなるとともにニッケルの結晶粒が粒成長して緻密化し，耐食性がさらに向上する
　以上によれば，引用文献３には，以下の事項が記載されている。
　「ニッケルメッキ層７に熱処理を加えておくとニッケルメッキ層７の表層部（表面から約３００オングストロームの深さ）より金の析出を阻害するホウ素が揮散除去され，これによってニッケルメッキ層７の表面に金メッキ層８をより一層均一，かつ強固に被着させることができ，同時にニッケルメッキ層７に内在する応力が緩和されてクラック等の不具合が生じ難くなるとともにニッケルの結晶粒が粒成長して緻密化し，耐食性がさらに向上すること。」
４　引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（特開２００９−２２４７０５号公報）には，次の事項が記載されている。
　「【００２２】
　前記熱処理（アニール）は，２７０℃以上の温度で行うことが好ましい。
熱処理温度を２７０℃以上とすることで，形成される銅薄膜３の結晶性を良好なものとし抵抗値を小さくすることができる
　以上によれば，引用文献４には，以下の事項が記載されている。
　「熱処理温度を２７０℃以上とすることで，形成される銅薄膜３の結晶性を良好なものとし抵抗値を小さくすることができること。」
５　引用文献５について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（特開２０１０−２５１７１９号公報）には，次の事項が記載されている。
　「【００５６】
　図２は，実施の形態にかかる半導体装置のおもて面電極の別の一例について示す断面図である。図２では，電極以外のその他の半導体構造は，図示省略する（以下，図３についても同様）。エミッタ電極６は，第１のアルミニウム膜６１と第１のニッケル膜６２との間に，チタンを主成分とする金属膜（以下，第１のチタン膜とする）６３を備えていても良い。第１のチタン膜６３は，高融点を有する。
【００５７】
　図３は，実施の形態にかかる半導体装置の裏面電極の別の一例について示す断面図である。コレクタ電極９は，第２のアルミニウム膜９１と第２のニッケル膜９２との間に，チタンを主成分とする金属膜（以下，第２のチタン膜とする）９３を備えていても良い。第１のチタン膜６３および第２のチタン膜９３は，第３の金属膜に相当する。」
　「【００８７】
　なお，従来と同様にジンケート処理を行う場合でも，第１のチタン膜６３を設けることで，実施の形態と同様の効果を得ることができる。その理由は，次に示すとおりである。ジンケート処理のエッチングによって，第１のニッケル膜６２の表面に，その下層に達する凹部が生じたとしても，第１のニッケル膜６２の下にある第１のチタン膜６３でエッチングを止めることができる。これにより，エミッタ電極６の表面に，第１のアルミニウム膜６１が露出するのを防ぐことができるので，エミッタ電極６とはんだとの密着性を確保することができる。第２のチタン膜９３についても同様である。」
６　引用文献６について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献６（国際公開第２００９／１４２０７７号）には，次の事項が記載されている。
　「技術分野
[0001]　この
発明は，半導体装置の製造方法に関し
　「[0016]　そこで，レジスト膜を用いないで
無電解めっきを行う方法として，次のような方法が提案されている
無電解ニッケルめっき液に浸漬することにより
無電解ニッケルめっき皮膜による突起電極が得られる
「発明が解決しようとする課題
・・・
[0021]　この発明は，上述した従来技術による問題点を解消するため，半導体基板の表裏の両面にめっき膜を形成する方法において，めっき膜の応力を半導体基板の両面で相殺し，半導体基板の反りを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また，この発明は，半導体装置をはんだ接合により実装するに際し，電極として積層された金属膜が剥離しにくい半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。」
　「[0057]　（実施の形態２）
　実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法について説明する。実施の形態２の説明および添付図面について，実施の形態１と重複する説明は省略する。実施の形態２では，実施の形態１と同様に，図１に示すフローチャートにしたがい，ステップＳ１〜ステップＳ８の工程を行う。これにより，
半導体基板１の表裏両面に，同時に無電解ニッケルめっき処理および置換金めっき処理を連続して行う
[0058]　図７および図８は，実施の形態２にかかる半導体装置の製造過程を示す断面図である。上述したステップＳ１〜Ｓ３までの工程では，実施の形態１と同様に，半導体基板１の表面層に，図示省略したベース領域およびエミッタ領域が形成される。そして，図２に示すように，
半導体基板１のおもて面に
アルミニウム電極６が形成される
[0059]　上述したステップＳ４〜Ｓ７までの工程において，半導体基板１の裏面に，図示省略するバッファ層およびコレクタ層が形成される。そして，図７に示すように，
半導体基板１の裏面に，裏面電極として，チタン膜１２およびアルミニウム膜１６が順次積層される
 [0060]　上述したステップＳ８の工程において，図８に示すように，
アルミニウム電極６およびアルミニウム膜１６の表面に，同時にニッケルめっき膜１４が形成される。そして，そのニッケルめっき膜１４の表面に置換金めっき膜１５が形成される
このとき，アルミニウム電極６の表面に，無電解ニッケルめっき処理の前処理としてダブルジンケート処理を行う
[0061]　アルミニウム膜１６を形成することにより，半導体基板１の表裏両面を同じ基板条件に近づけることができる。アルミニウム膜１６に代えて，アルミニウムシリコン膜または亜鉛膜を形成しても良い。半導体基板１の裏面にアルミニウム膜１６を形成することで，
半導体基板１の裏面にも，半導体基板１のおもて面と同様にダブルジンケート処理を行う
ダブルジンケート処理および無電解めっき処理を，半導体基板１の表裏両面に同時に行うことができる
[0062]　また，このような構成で裏面電極を形成することで，実施の形態１と同様に，半導体基板１と裏面電極との密着性を向上させることができる。その理由は，次に示すとおりである。図９および図１０は，実施の形態２にかかる半導体装置の裏面電極について示す断面図である。上述したステップＳ７の工程により，半導体基板１の裏面には，図９に示すように，裏面電極として，チタン膜１２およびアルミニウム膜１６が積層される。その後，ダブルジンケート処理中のエッチングによって，アルミニウム膜１６の表面に下層に達する凹凸が生じたとしても，アルミニウム膜１６と半導体基板１との間にあるチタン膜１２でエッチングを止めることができる。そのため，図１０に示すように，凹凸が生じたアルミニウム膜１６の表面にニッケルめっき膜１４が形成されたとしても，ニッケルめっき膜１４は，密着力の低い半導体基板１とは接触せずに，チタン膜１２と密着する。これにより，半導体基板１と裏面電極との密着力が向上し，半導体基板１から，裏面電極と各めっき膜とが積層されてなるコレクタ電極９が剥離しにくくなる。また，本実施の形態２においても，実施の形態１と同様に，チタン膜の代わりにモリブデン（Ｍｏ）膜を形成してもよい。
[0063]　以上，説明したように，実施の形態２によれば，実施の形態１と同様の効果が得られる。また，半導体基板１の裏面の表面層にアルミニウム膜１６が形成されるため，半導体基板１の裏面にもダブルジンケート処理を行うことで，無電解めっき処理において，ニッケルめっき膜１４が形成されやすくなる。さらに，無電解めっき処理を行う直前には，半導体基板１の表裏両面にアルミニウム膜が形成されていることになり，ダブルジンケート処理を行うに際し，半導体基板１の表裏両面に同時に行うことができる。これにより，半導体基板１の反りを抑制することができる。したがって，表裏両面に電極を有する半導体基板１を，高い良品率で製造することができる。」
　以上によれば，引用文献６には，以下の発明（以下，「引用発明６」という。）が記載されていると認められる。
　「半導体基板のおもて面にアルミニウム電極６を形成する工程と，
　半導体基板の裏面に，裏面電極として，チタン膜１２およびアルミニウム膜１６を順次積層する工程と，
　無電解ニッケルめっき処理の前処理として，アルミニウム電極６およびアルミニウム膜１６に同時にダブルジンケート処理を行う工程と，
　無電解ニッケルめっき処理および置換金めっき処理を連続して行い，アルミニウム電極６およびアルミニウム膜１６の表面に，同時にニッケルめっき膜１４を形成し，そのニッケルめっき膜１４の表面に置換金めっき膜１５を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。」
第５　対比・判断
１　引用発明１を主引用例とする進歩性について
（１）本願発明１について
ア　対比
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
（ア）引用発明１の「半導体基板の第１の主面」「および第２の主面」が互いに対向していることは技術常識であるから，引用発明１の「半導体基板の第１の主面に第１の主電極，および第２の主面に第２の主電極を形成するステップ」は，本願発明１の「互いに対向する第１及び第２の主面を持つ半導体基板の前記第１の主面に第１の主電極を形成する工程と，前記半導体基板の前記第２の主面に第２の主電極を形成する工程」に相当する。
（イ）本願明細書【００２２】には，「表面活性化処理として例えばプラズマを利用したプラズマクリーニングを行う」と記載されていることからすると，本願発明１の「表面活性化処理」はプラズマクリーニングを含んでいるから，引用発明１の「ステップ１．第１の主電極および第２の主電極をプラズマクリーニングを行い，脱脂後酸洗いといった表面を清浄にするステップ」は，本願発明１の「前記第１及び第２の主電極の表面を活性化する表面活性化処理を行う工程」に相当する。
（ウ）本願明細書の【００３０】には，「表面清浄化処理としてジンケート処理を行う」と記載されていることからすると，本願発明１の「表面清浄化処理」は，ジンケート処理を含んでいるといえるから，引用発明１の「ステップ２．第１の主電極および第２の主電極を第１のジンケート処理後に，このジンケートを剥離するステップ」及び「ステップ３．第１の主電極および第２の主電極を第２のジンケート処理を行うステップ」は，本願発明１の「前記第１及び第２の主電極の表面を清浄化する表面清浄化処理を行う工程」に相当する。
（エ）引用発明１の「第１の主電極および第２の主電極上に，還元剤として次亜りん酸が含まれるめっき液を用いて非晶質の無電解Ｎｉメッキを行うステップ」は，ステップ２及び３の後に行うものであり，Ｐを含むメッキ液を用いた湿式成膜法であって，第１及び第２の主電極上にＮｉ膜が同時に形成されることは明らかであるから，本願発明１の「前記表面活性化処理及び前記表面清浄化処理の後に，前記第１及び第２の主電極上にそれぞれ第１及び第２のＮｉ膜をＰを含むめっき液を用いた湿式成膜法により同時に形成する工程」に相当する。
（オ）以上から，本願発明１と引用発明１との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
＜一致点＞
「互いに対向する第１及び第２の主面を持つ半導体基板の前記第１の主面に第１の主電極を形成する工程と，
　前記半導体基板の前記第２の主面に第２の主電極を形成する工程と，
　前記第１及び第２の主電極の表面を活性化する表面活性化処理を行う工程と，
　前記第１及び第２の主電極の表面を清浄化する表面清浄化処理を行う工程と，
　前記表面活性化処理及び前記表面清浄化処理の後に，前記第１及び第２の主電極上にそれぞれ第１及び第２のＮｉ膜をＰを含むめっき液を用いた湿式成膜法により同時に形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。」
　
＜相違点＞
相違点１：本願発明１は，「前記第１及び第２のＮｉ膜をＰを含むめっき液を用いた湿式成膜法により同時に形成する工程の後に，前記半導体基板を加熱することで前記第１及び第２のＮｉ膜に含まれる結晶性Ｎｉの割合を変化させて前記第１及び第２のＮｉ膜がそれぞれ２％以上の結晶性Ｎｉを含むようにする工程」を備えているのに対し，引用発明１は，そのような工程を備えていない点。
イ　相違点についての判断
　引用発明１の効果として，引用文献１の前記第４の１の【０００８】には，「非晶質の無電解Ｎｉメッキ層を有しているので，温度や応力変化に伴う無電解Ｎｉメッキ層の結晶構造が変化したり，粒界ボイドが発生して皮膜が割れたりすることがなく，歩留まりの向上や，それに伴うエネルギー消費の削減，さらには，はんだ付け性の向上した半導体装置を製造できるという効果がある。」と記載されているところ，上記非晶質の無電解Ｎｉメッキ層を，「２％以上の結晶性Ｎｉを含むようにする」と，上記効果が得られなくおそれがあるから，引用発明１において，相違点１に係る本願発明１の発明特定事項とすることには阻害要因がある。そして，このことは，引用文献２〜５に記載されている事項に左右されない。
　また，引用文献２〜５には，前記第４の２〜５にそれぞれ示した事項が記載されているものの，いずれの文献にも，相違点１に係る本願発明１の「前記半導体基板を加熱することで前記第１及び第２のＮｉ膜に含まれる結晶性Ｎｉの割合を変化させて前記第１及び第２のＮｉ膜がそれぞれ２％以上の結晶性Ｎｉを含むようにする工程」については記載も示唆もされていないから，仮に，引用発明１に引用文献２〜５に記載された発明を適用したとしても，相違点１に係る本願発明１の発明特定事項は得られない。
　したがって，本願発明１は，引用発明１及び引用文献２〜５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。
（２）本願発明２〜１４について
　本願発明２〜１４は，本願発明１を減縮したものであり，いずれも本願発明１の全ての発明特定事項を有しているから，本願発明１と同様の理由により，引用発明１及び引用文献２〜５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。
２　引用発明６を主引用例とする進歩性について
（１）本願発明１について
ア　対比
　本願発明１と引用発明６とを対比する。
（ア）引用発明６の「半導体基板のおもて面」と「半導体基板の裏面」とは，互いに対向していることは明らかであるから，引用発明６の「半導体基板のおもて面」，「アルミニウム電極６」，「半導体基板の裏面」，「裏面電極」は，それぞれ，本願発明１の「半導体基板の」「第１の主面」，「第１の主電極」，「半導体基板の」「第２の主面」，「第２の主電極」に相当する。
　そして，引用発明６の「半導体基板のおもて面にアルミニウム電極６を形成する工程と，半導体基板の裏面に，裏面電極として，チタン膜１２およびアルミニウム膜１６を順次積層する工程」は，本願発明１の「互いに対向する第１及び第２の主面を持つ半導体基板の前記第１の主面に第１の主電極を形成する工程と，前記半導体基板の前記第２の主面に第２の主電極を形成する工程」に相当する。
（イ）前記１（１）ア（ウ）で検討したように，本願発明１の「表面清浄化処理」は，ジンケート処理を含んでいるといえる。
　そうすると，引用発明６の「無電解ニッケルめっき処理の前処理として，アルミニウム電極６およびアルミニウム膜１６に同時にダブルジンケート処理を行う工程」は，本願発明１の「前記第１及び第２の主電極の表面を清浄化する表面清浄化処理を行う工程」に相当する。
（ウ）引用文献６の前記第４の６の[0016]の記載から，無電解ニッケルめっき処理には，無電解ニッケルめっき液が用いられるものであり，この処理は湿式成膜法であるといえる。
　また，引用発明６の「ダブルジンケート処理」は，「無電解ニッケルめっき処理の前処理として」行われるものであるから，「ダブルジンケート処理」の後に，「無電解ニッケルめっき処理」が行われるものである。
　そうすると，引用発明６の「無電解ニッケルめっき処理および置換金めっき処理を連続して行い，アルミニウム電極６およびアルミニウム膜１６の表面に，同時にニッケルめっき膜１４を形成し，そのニッケルめっき膜１４の表面に置換金めっき膜１５を形成する工程」と，本願発明１の「前記表面活性化処理及び前記表面清浄化処理の後に，前記第１及び第２の主電極上にそれぞれ第１及び第２のＮｉ膜をＰを含むめっき液を用いた湿式成膜法により同時に形成する工程」とは，「前記表面清浄化処理の後に，前記第１及び第２の主電極上にそれぞれ第１及び第２のＮｉ膜をめっき液を用いた湿式成膜法により同時に形成する工程」である点で共通する。
（エ）以上から，本願発明１と引用発明６との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
＜一致点＞
「互いに対向する第１及び第２の主面を持つ半導体基板の前記第１の主面に第１の主電極を形成する工程と，
　前記半導体基板の前記第２の主面に第２の主電極を形成する工程と，
　前記第１及び第２の主電極の表面を清浄化する表面清浄化処理を行う工程と，
　前記表面清浄化処理の後に，前記第１及び第２の主電極上にそれぞれ第１及び第２のＮｉ膜をめっき液を用いた湿式成膜法により同時に形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。」
　
＜相違点＞
相違点２：本願発明１は，「前記第１及び第２の主電極の表面を活性化する表面活性化処理を行う工程」を備えているのに対し，引用発明６は，そのような工程を備えていない点。
相違点３：「めっき液」について，本願発明１は，「Ｐを含む」のに対し，引用発明６は，「Ｐを含む」かどうか不明である点。
相違点４：本願発明１は，「前記第１及び第２のＮｉ膜をＰを含むめっき液を用いた湿式成膜法により同時に形成する工程の後に，前記半導体基板を加熱することで前記第１及び第２のＮｉ膜に含まれる結晶性Ｎｉの割合を変化させて前記第１及び第２のＮｉ膜がそれぞれ２％以上の結晶性Ｎｉを含むようにする工程」を備えているのに対し，引用発明６は，そのような工程を備えていない点。
イ　相違点についての判断
　事案に鑑み相違点４から検討する。
　相違点４は，前記１（１）ア（オ）に示した，本願発明１と引用発明１との相違点１と同じ内容であるから，引用文献１には，相違点４に係る発明特定事項が記載も示唆もされていないことは明らかである。
　また，引用文献２〜５には，前記第４の２〜５にそれぞれ示した事項が記載されているものの，いずれの文献にも，相違点４に係る「前記半導体基板を加熱することで前記第１及び第２のＮｉ膜に含まれる結晶性Ｎｉの割合を変化させて前記第１及び第２のＮｉ膜がそれぞれ２％以上の結晶性Ｎｉを含むようにする工程」については記載も示唆もされていない。
　そうすると，仮に，引用発明６に引用文献１〜５に記載された発明を適用したとしても，相違点４に係る本願発明１の発明特定事項は得られない。
　よって，相違点２，３について判断するまでもなく，本願発明１は，引用発明６及び引用文献１〜５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。
（２）本願発明２〜１４について
　本願発明２〜１４は，本願発明１を減縮した発明であって，いずれも本願発明１の全ての発明特定事項を有しているから，本願発明１と同様の理由により，引用発明６及び引用文献１〜５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。
第６　原査定について
１　理由（特許法第２９条第２項）について
　審判請求時の補正により，本願発明１〜１４は，「前記半導体基板を加熱することで前記第１及び第２のＮｉ膜に含まれる結晶性Ｎｉの割合を変化させて前記第１及び第２のＮｉ膜がそれぞれ２％以上の結晶性Ｎｉを含むようにする工程」という事項を有するものとなっており，拒絶査定において引用された引用文献１〜５に記載された発明に基づいて，若しくは，引用文献６，１〜５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。
　したがって，原査定の理由１を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。