【事件の表示】
　特願２０１５−１９８６６８「極低温流体混合物で基板を処理するシステムおよび方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　５月１９日出願公開，特開２０１６−　８６１５７，請求項の数（２２）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成２７年１０月６日（パリ条約による優先権主張：２０１４年１０月６日，２０１５年３月３１日，アメリカ合衆国）の出願であって，令和元年６月７日付けで拒絶理由が通知され，同年１２月１０日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ，令和２年４月１６日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，同年８月２１日に拒絶査定不服審判の請求がされ，同年９月１日に上申書が提出されたものである。
第２　原査定の理由の概要
　原査定（令和２年４月１６日付け拒絶査定）の理由の概要は次のとおりである。
　本願請求項１ないし２２に係る発明は，以下の引用文献１ないし３に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　引用文献等一覧
１．特開２０１３−２６３２７号公報
２．特開２００４−３１９２４号公報
３．特開２００３−５９８８９号公報
第３　本願発明
　本願請求項１ないし２２に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明２２」という。）は，令和元年１２月１０日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２２に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１，及び，本願発明１３は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　マイクロ電子基板を処理する方法であって，
　真空処理チャンバ内に，前記マイクロ電子基板を受容するステップであって，前記真空処理チャンバは，入口および出口を有する流体膨張部材を有し，前記真空処理チャンバは，圧力が35Torr以下であり，前記マイクロ電子基板は，該マイクロ電子基板と前記流体膨張部材の前記出口との間に2mmから50mmの範囲のギャップ距離を提供するように配置される，ステップと，
　前記流体膨張部材の前記入口に，加圧され冷却された流体混合物を供給するステップであって，前記流体混合物は，アルゴンおよび窒素の少なくとも一つを含み，前記流体混合物は，前記流体膨張部材の前記入口に供給される際，温度が70Kから270Kの範囲であり，供給圧力により，1重量%未満の液体を含む気相となる，ステップと，
　前記流体膨張部材の前記出口を介して，前記真空処理チャンバ内で前記加圧され冷却された流体混合物を膨張させ，ガスクラスタのジェットを生成するステップであって，前記ガスクラスタのジェットの少なくとも一部は，前記マイクロ電子基板にわたって横方向に流れ，前記マイクロ電子基板と接触する，ステップと，
　前記横方向に流れるガスクラスタのジェットを用いて，前記マイクロ電子基板から対象物を除去するステップと，
　を有する方法。」
「【請求項１３】
　マイクロ電子基板を処理する方法であって，
　35Torr以下のチャンバ圧力を有する処理チャンバ内に前記マイクロ電子基板を受容するステップであって，前記真空処理チャンバは，入口および出口を有する流体膨張部材を有し，前記マイクロ電子基板は，該マイクロ電子基板と前記出口の間に2mmから50mmの範囲のギャップ距離を提供するように配置される，ステップと，
　前記流体膨張部材の前記入口に，加圧され冷却された流体混合物を供給するステップであって，前記流体混合物は，前記入口に供給される際に，温度が70Kから270Kの範囲であり，前記流体混合物は，水素，ネオン，およびヘリウムの少なくとも一つと，窒素およびアルゴンの少なくとも一つとを含む，ステップと，
　前記流体膨張部材の前記出口を介して，前記処理チャンバ内で前記流体混合物を膨張させ，ガスクラスタのジェットを生成するステップであって，前記ガスクラスタのジェットの少なくとも一部は，前記マイクロ電子基板にわたって横方向に流れ，前記マイクロ電子基板と接触する，ステップと，
　前記ガスクラスタのジェットを用いて，前記マイクロ電子基板から対象物を除去するステップと，
　を有する方法。」
　なお，本願発明２ないし１２，及び，本願発明１４ないし２２は，それぞれ，本願発明１，及び，本願発明１３を減縮した発明である。
第４　引用文献，引用発明
　１　引用文献１について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
　付着物の付着した被処理体の表面から付着物を除去する洗浄方法において，
　被処理体の表面及び付着物の少なくとも一方に対して，エッチング処理を含む前処理を行う工程と，
　被処理体の置かれる処理雰囲気よりも圧力の高い領域から，前記被処理体の表面に露出している膜に対して反応性を持たない洗浄用ガスを処理雰囲気に吐出し，断熱膨張により前記洗浄用ガスの原子または分子の集合体であるガスクラスターを生成させる工程と，
　前記前処理の行われた被処理体の表面に，洗浄用ガスのガスクラスターを照射して，付着物を除去する工程と，を含むことを特徴とする洗浄方法。」
「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は，被処理体の表面に付着したパーティクルなどの付着物を除去する洗浄方法
「【発明を実施するための形態】
【００１５】
　［第１の実施の形態：シリコン基板］
　本発明の洗浄方法の第１の実施の形態について，図１〜図５を参照して説明する。始めに，この洗浄方法が適用されるウエハＷの構成及び当該洗浄方法の概略について説明する。このウエハＷは，図１に示すように，シリコン（Ｓｉ）により構成されており，例えば凹部である溝５と凸部であるライン６とからなるパターン７が表面に形成されている。そして，この洗浄方法は，後述するように，前記ライン６の倒れやウエハＷの表面の膜荒れといったウエハＷに対するダメージの発生を抑制しながら，図２に示すようなウエハＷ表面の付着物１０を容易に除去できるように構成されている。
　＜途中省略＞
【００２０】
　続いて，
ガスクラスターを用いて，ウエハＷの表面から付着物１０を除去する
このガスクラスターは，ウエハＷの置かれる処理雰囲気よりも圧力の高い領域から処理雰囲気にガスを供給して，断熱膨張によりガスの凝縮温度まで冷却することによって，ガスの原子または分子が集合体として寄り集まって生成する物質である
ガスクラスターを発生させるためのノズル２３の一例を示している。このノズル２３は，上下方向に伸びると共に下端部が開口するように概略円筒形状に形成された圧力室３２と，この圧力室３２の下端部に接続され，圧力室３２の下端周縁部から当該圧力室３２の中央部に向かって周方向に亘って水平に縮径してオリフィス部３２ａをなすと共に，このオリフィス部３２ａから下方に向かうにつれて拡径するガス拡散部３３と，を備えている。前記オリフィス部３２ａにおける開口径及びオリフィス部３２ａと載置台２２上のウエハＷとの間の離間距離は，夫々例えば０．１ｍｍ及び６．５ｍｍ程度となっている。このノズル２３の上端側には，圧力室３２内に例えば二酸化炭素（ＣＯ2）ガスを供給するためのガス供給路３４が接続されている
【００２１】
　そして，
処理雰囲気における処理圧力を例えば１〜１００Ｐａ程度の真空雰囲気に設定すると共に，ノズル２３に対して例えば０．３〜２．０ＭＰａ程度の圧力で二酸化炭素ガスを供給する。この二酸化炭素ガスは，処理雰囲気に供給されると，急激な断熱膨張により凝縮温度以下に冷却されるので，互いの分子同士がファンデルワールス力により結合して，集合体であるガスクラスターとなる。
非イオン化の状態でウエハＷに向かって垂直に照射される
【００２２】
　ウエハＷの表面の付着物１０は，既述のように前処理により当該ウエハＷとの間の付着力が極めて弱くなっていて，下地膜１２の表面とわずかに接触した状態となっている。そのため，
ウエハＷ上の付着物１０にガスクラスターが衝突すると，
このガスクラスターの吐出圧力により付着物１０がウエハＷの表面から吹き飛ばされて除去される
【００２３】
　
こうしてウエハＷの面内に亘ってガスクラスターが照射されるように，ウエハＷをノズル２３に対して相対的に水平方向に移動させると，面内に亘って付着物１０が除去されて洗浄処理が行われる
【００２４】
　続いて，ウエハＷに対して既述のフッ化水素水溶液の蒸気を供給する装置やガスクラスターを照射する装置を含めた処理装置について，以下に説明する。始めに，フッ化水素の蒸気をウエハＷに供給する装置について図６を参照して説明する。この装置には，ウエハＷを載置する載置台４１が内部に設けられた処理容器４２と，この処理容器４２内にフッ化水素水溶液の蒸気を供給するための前処理機構である気化器４３と，が設けられて前処理モジュールをなしている。図６中４４はウエハＷの搬送口，４５は載置台４１上のウエハＷの表面においてフッ化水素の蒸気の凝縮を抑えるためのヒーターである。
【００２５】
　載置台４１上のウエハＷに対向するように，処理容器４２の天井面には，気化器４３から伸びるガス供給路４６の一端側が接続されており，このガス供給路４６から例えば窒素（Ｎ2）ガスなどのキャリアガスと共にフッ化水素の蒸気がウエハＷに供給されるように構成されている。図６中Ｖ及びＭは夫々バルブ及び流量調整部である。
　処理容器４２の床面には，当該処理容器４２内の雰囲気を排気するための排気口５１が例えば複数箇所に形成されており，この排気口５１から伸びる排気路５２には，バタフライバルブなどの圧力調整部５３を介して真空ポンプ５４が接続されている。　
　そして，この処理容器４２では，気化器４３において蒸発したフッ化水素水溶液の蒸気がキャリアガスにより載置台４１上のウエハＷに対して供給されると，既述のように自然酸化膜１１が溶解する。
【００２６】
　次に，
ウエハＷに対してガスクラスターを照射する装置について，図７を参照して説明する。この装置には，図７に示すように，ウエハＷを内部に収納して付着物１０の除去処理を行うための洗浄処理室２１が設けられており，この洗浄処理室２１内には，ウエハＷを載置するための載置台２２が配置されている。洗浄処理室２１の天井面における中央部には，上方側に向かって円筒状に突出する突出部２１ａが形成されており，この突出部２１ａには既述のノズル２３がガスクラスターの生成機構として設けられている。このノズル２３は，この例では鉛直方向下方側を向いている。図７中４０は搬送口であり，Ｇはこの搬送口４０の開閉を行うゲートバルブである
【００２７】
　例えば搬送口４０に寄った位置における洗浄処理室２１の床面には，ここでは図示を省略するが，載置台２２に形成された貫通口を貫通するように配置された支持ピンが設けられている。そして，載置台２２に設けられた図示しない昇降機構及び前記支持ピンの協働作用によって，載置台２２に対してウエハＷを昇降させて，洗浄処理室２１の外部の図示しないウエハ搬送アームとの間においてウエハＷを受け渡すように構成されている。洗浄処理室２１の床面には，当該洗浄処理室２１内の雰囲気を真空排気するための排気路２４の一端側が接続されており，この排気路２４の他端側にはバタフライバルブなどの圧力調整部２５を介して真空ポンプ２６が接続されている。
【００２８】
　載置台２２は，当該載置台２２上のウエハＷに対して面内に亘ってノズル２３が相対的に走査されるように，洗浄処理室２１内において水平方向に移動自在に構成されている。具体的には，載置台２２の下方における洗浄処理室２１の床面には，Ｘ軸方向に沿って水平に伸びるＸ軸レール２７と，当該Ｘ軸レール２７に沿って移動自在に構成されたＹ軸レール２９と，が設けられている。そして，既述の載置台２２は，Ｙ軸レール２９の上方に支持されている。尚，載置台２２には，当該載置台２２上のウエハＷの温調を行うための図示しない温調機構が設けられている。
【００２９】
　圧力室３２の上端部には，洗浄処理室２１の天井面を貫通して伸びるガス供給路３４の一端側が接続されており，このガス供給路３４の他端側は，バルブ３６及び流量調整部３５を介して，二酸化炭素の貯留されたガス源３７に接続されている。前記圧力室３２には，図示しない圧力計が設けられており，後述の制御部６７により，この圧力計を介して当該圧力室３２内に供給されるガス流量が調整されるように構成されている。尚，ウエハＷから除去した付着物１０が当該ウエハＷに再付着することを防止するため，またパターン７へのダメージをできるだけ小さくするため，更には溝５の底面に付着した付着物１０を除去しやすくするために，載置台２２に対するノズル２３の角度や距離を図示しない駆動部により調整するようにしても良い。後述するように，前処理においてガスクラスターを照射する場合においても，同様にノズル２３の角度や距離を調整するようにしても良い，
【００３０】
　続いて，処理容器４２及び洗浄処理室２１を備えた処理装置の全体の構成について，図８を参照して説明する。この処理装置には，例えば２５枚のウエハＷが収納された密閉型の搬送容器であるＦＯＵＰ１を載置するための搬入出ポート６０が横並びに例えば３箇所に設けられており，これら搬入出ポート６０の並びに沿うように，大気搬送室６１が設けられている。この大気搬送室６１内には，ウエハＷを搬送するための多関節アームにより構成されたウエハ搬送機構６１ａが常圧搬送機構として設けられている。また，大気搬送室６１の側方側には，ウエハＷの向きの調整及び位置合わせを行うためのアライメント室６２が設けられており，この大気搬送室６１の側方側には，前記アライメント室６２に対向するように，既述の処理容器４２が接続されている。また，大気搬送室６１における搬入出ポート６０の反対側の面には，常圧雰囲気と大気雰囲気との間で雰囲気の切り替えを行うためのロードロック室６３が気密に接続されている。この例では，ロードロック室６３は，横並びに２箇所に設けられている。
【００３１】
　大気搬送室６１から見た時に，ロードロック室６３，６３よりも奥側には，真空雰囲気にてウエハＷの搬送を行う真空搬送機構である搬送アーム６４ａの設けられた真空搬送室６４が気密に接続されており，この真空搬送室６４には，既述の洗浄処理室２１が気密に設けられている。また，真空搬送室６４には，ウエハＷにパターン７を形成するためのプラズマエッチング処理の行われるエッチング処理室６５と，フォトレジストマスクのプラズマアッシング処理の行われるアッシング処理室６６と，が夫々気密に接続されている。尚，この真空搬送室６４に，付着物１０を除去した後の処理である例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理などを行う処理チャンバーを気密に接続しても良い。
【００３２】
　この処理装置には，装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部６７が設けられており，この制御部６７のメモリ内には，以上説明した前処理及び洗浄処理に加えて，エッチング処理及びアッシング処理を行うためのプログラムが格納されている。このプログラムは，ウエハＷに対する処理に対応した装置の動作を実行するようにステップ群が組まれており，ハードディスク，コンパクトディスク，光磁気ディスク，メモリカード，フレキシブルディスクなどの記憶媒体である記憶部６８から制御部６７内にインストールされる。
【００３３】
　この処理装置では，搬入出ポート６０にＦＯＵＰ１が載置されると，ウエハ搬送機構６１ａによりウエハＷが当該ＦＯＵＰ１から取り出される。このウエハＷには，例えば既述のパターン７に対応するようにパターニングされたフォトレジストマスクが表面に積層されている。次いで，アライメント室６２においてウエハＷのアライメントが行われた後，このウエハＷは大気雰囲気に設定されたロードロック室６３に搬入される。そして，ロードロック室６３内の雰囲気が真空雰囲気に切り替えられた後，ウエハＷは搬送アーム６４ａによりエッチング処理室６５及びアッシング処理室６６をこの順番で搬送されて，既述のパターン７の形成及びアッシング処理がこの順序で行われる。次いで，ウエハＷは，ロードロック室６３及び大気搬送室６１を介して処理容器４２内に搬送されて既述の前処理が行われた後，洗浄処理室２１に搬入されてガスクラスターの照射処理が行われる。その後，処理済みのウエハＷは，ロードロック室６３及び大気搬送室６１を介して元のＦＯＵＰ１に戻される。
【００３４】
　上述の実施の形態によれば，ウエハＷの表面に付着した付着物１０を除去するにあたり，ウエハＷに対して前処理としてフッ化水素の蒸気の供給を行い，ウエハＷの表面の自然酸化膜１１を溶解させている。そのため，付着物１０は，ウエハＷの表面とわずかにだけ接触した状態となり，当該表面との付着力が極めて弱くなる。従って，この付着物１０に対して二酸化炭素ガスからなるガスクラスターを照射することにより，当該付着物１０を容易に除去できる。そのため，既述のように微細なパターン７の形成されたウエハＷであっても，例えばガスクラスターの照射速度を抑えて付着物１０を除去できるので，例えばライン６の倒れなどといったダメージの発生を抑制できる。
【００３５】
　この時，二酸化炭素ガスは，ウエハＷの下地膜１２に対して反応性を持っていない。また，ガスクラスターをイオン化せずにウエハＷに照射している。そのため，ウエハＷにガスクラスターを照射した時に，当該ウエハＷの表面が荒れたり，あるいは物理的に削れたりするダメージの発生が抑えられる。また，ガスクラスターをイオン化していないので，例えば既述の洗浄処理室２１にはガスあるいはガスクラスターをイオン化する装置が不要になり，そのため装置のコストを抑えることができる。
【００３６】
　また，処理容器４２内においてウエハＷをフッ化水素の蒸気の雰囲気中に暴露しているので，前処理によりウエハＷの全面に対して付着物１０の付着力を一度に低下させている。そのため，例えば従来の反応性ガスのガスクラスターだけを用いて付着物１０を除去していた例と比べて，短時間で面内に亘って均一に処理できるので，スループットを高めることができる。更に，前処理とガスクラスターの照射とを組み合わせることにより，ガスやガスクラスター，あるいは薬液だけを用いて付着物１０の除去を行う場合と比べて，ガスや薬液の使用量を抑えることができる。この時，前処理及びガスクラスターの照射のいずれの工程においても，ウエハＷに対して薬液を供給していないので，廃液処理に要するコストを抑えることができる。
【００３７】
　既述の前処理を行うことによって，ウエハＷの表面が導電性を持たない自然酸化膜１１から導電性を持つ下地膜１２となり，いわば当該表面が導電性を持つようになる。そのため，付着物１０と自然酸化膜１１とが既述の物理的な固着力に加えて例えば静電気力により互いに吸着している場合であっても，前処理により当該静電気力がなくなるか弱くなるので，付着物１０がウエハＷから除去されやすくなる。また，自然酸化膜１１と付着物１０とが互いに化学的に結合している場合であっても，当該結合している自然酸化膜１１をエッチングしていることから，既述のように付着物１０を容易に除去できる。」
「【００６０】
　
洗浄処理室２１にてウエハＷに照射するガスクラスターには，既述の各例では二酸化炭素ガスを用いたが，ガスクラスターに使用するガスとしては，二酸化炭素ガスに代えて，ウエハＷの下地膜１２に対して反応性を持たない非反応性ガス例えばアルゴン（Ａｒ）ガスや窒素（Ｎ2）ガスを用いても良いし，あるいはこれらガスを混合して用いても良い
二酸化炭素ガスからなるガスクラスターは，ガスクラスターのサイズ，すなわちガスクラスターの運動エネルギーが前記アルゴンガスや窒素ガスよりも大きく付着物１０の除去効果が大きいので，この二酸化炭素ガスを用いてガスクラスターを生成させることが好ましい
　更に，後述の実施例に示すように，前記非反応性ガスと共に，ウエハＷの表面または付着物１０の表面をエッチングするエッチングガスによりガスクラスターを発生させ，いわば前処理（エッチング処理）と付着物１０の除去処理とを同時に行っても良い。
　【００６１】
　また，以上の各例において，洗浄工程あるいは前処理工程においてガスクラスターをウエハＷに照射するノズル２３については，各々一つだけ設けたが，各々複数配置しても良い。この場合には，各々のノズル２３は，例えばウエハＷの上方側において，当該ウエハＷの外縁と同心円状となるようにリング状に複数並べると共に，このリング状に配置した複数のノズル２３からなる照射部をウエハＷの中心部側から外縁部に向かって複数周に亘って配置しても良い。また，ノズル２３を複数配置する場合には，ウエハＷの上方側に碁盤の目状に配置しても良い。
　【００６２】
　以上説明した処理装置としては，前処理を行う装置と二酸化炭素ガスからなるガスクラスターを照射する装置とを備えた構成を挙げたが，これら装置を互いに個別にスタンドアローンの装置として配置して，これら装置間において外部のウエハアームによりウエハＷの受け渡しを行っても良い。
　また，本発明は，付着物１０を除去するためのガスクラスターがイオン化していても，例えば解離の程度が弱い状態でイオン化していても権利範囲に含まれる。」
「
」
「
」
（２）上記記載から，引用文献１には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
　ａ　引用文献１には，被処理体の表面に付着したパーティクルなどの付着物を除去する洗浄方法に関する技術が記載されていること。
　ｂ　ウエハＷの表面から付着物１０を除去は，ガスクラスターを用いて行われるものであって，このガスクラスターは，ウエハＷの置かれる処理雰囲気よりも圧力の高い領域から処理雰囲気にガスを供給して，断熱膨張によりガスの凝縮温度まで冷却することによって，ガスの原子または分子が集合体として寄り集まって生成する物質であること。
　ｃ　ガスクラスターを発生させるためのノズル２３の一例は，上下方向に伸びると共に下端部が開口するように概略円筒形状に形成された圧力室３２と，この圧力室３２の下端部に接続され，圧力室３２の下端周縁部から当該圧力室３２の中央部に向かって周方向に亘って水平に縮径してオリフィス部３２ａをなすと共に，このオリフィス部３２ａから下方に向かうにつれて拡径するガス拡散部３３と，を備えており，前記オリフィス部３２ａにおける開口径及びオリフィス部３２ａと載置台２２上のウエハＷとの間の離間距離は，夫々例えば０．１ｍｍ及び６．５ｍｍ程度であり，このノズル２３の上端側には，圧力室３２内に例えば二酸化炭素（ＣＯ2）ガスを供給するためのガス供給路３４が接続されていること。
　ｄ　処理雰囲気における処理圧力は，例えば１〜１００Ｐａ程度の真空雰囲気に設定すると共に，ノズル２３に対して例えば０．３〜２．０ＭＰａ程度の圧力で二酸化炭素ガスを供給すると，この二酸化炭素ガスは，処理雰囲気に供給される際に急激な断熱膨張により凝縮温度以下に冷却されて，互いの分子同士がファンデルワールス力により結合して，集合体であるガスクラスターとなり，非イオン化の状態でウエハＷに向かって垂直に照射され，ウエハＷ上の付着物１０にガスクラスターが衝突すると，このガスクラスターの吐出圧力により付着物１０がウエハＷの表面から吹き飛ばされて除去されること。
　ｅ　ウエハＷの面内に亘ってガスクラスターが照射されるように，ウエハＷをノズル２３に対して相対的に水平方向に移動させると，面内に亘って付着物１０が除去されて洗浄処理が行われること。
　ｆ　ウエハＷに対してガスクラスターを照射する装置は，以下の構造を備えること。
　すなわち，ウエハＷに対してガスクラスターを照射する装置が，
　ウエハＷを内部に収納して付着物１０の除去処理を行うための洗浄処理室２１と，
　この洗浄処理室２１内に配置された，ウエハＷを載置するための載置台２２と，
　洗浄処理室２１の天井面における中央部に形成された，上方側に向かって円筒状に突出する突出部２１ａであって，この突出部２１ａには既述のノズル２３がガスクラスターの生成機構として設けられており，このノズル２３は，この例では鉛直方向下方側を向いている突出部２１ａと，
　搬送口４０と，
　搬送口４０の開閉を行うゲートバルブＧとを備えること。
　ｇ　洗浄処理室２１にてウエハＷに照射するガスクラスターには，既述の各例では二酸化炭素ガスを用いたが，ガスクラスターに使用するガスとしては，二酸化炭素ガスに代えて，ウエハＷの下地膜１２に対して反応性を持たない非反応性ガス例えばアルゴン（Ａｒ）ガスや窒素（Ｎ2）ガスを用いても良いし，あるいはこれらガスを混合して用いても良いこと。
　ｈ　二酸化炭素ガスからなるガスクラスターは，ガスクラスターのサイズ，すなわちガスクラスターの運動エネルギーが前記アルゴンガスや窒素ガスよりも大きく付着物１０の除去効果が大きいので，この二酸化炭素ガスを用いてガスクラスターを生成させることが好ましいこと。
（３）したがって，上記（１）及び（２）から，上記引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。　
「ウエハＷを内部に収納して付着物１０の除去処理を行うための洗浄処理室２１と，
　前記洗浄処理室２１内に配置された，ウエハＷを載置するための載置台２２と，
　前記洗浄処理室２１の天井面における中央部に形成された，上方側に向かって円筒状に突出する突出部２１ａであって，この突出部２１ａにはノズル２３がガスクラスターの生成機構として設けられており，当該ノズル２３は，鉛直方向下方側を向いている突出部２１ａと，
　搬送口４０と，
　前記搬送口４０の開閉を行うゲートバルブＧと
を備える装置を用いて，ウエハＷの表面から付着物１０を除去する方法であって，
　前記ガスクラスターは，ウエハＷの置かれる処理雰囲気よりも圧力の高い領域から処理雰囲気にガスを供給して，断熱膨張によりガスの凝縮温度まで冷却することによって，ガスの原子または分子が集合体として寄り集まって生成される物質であり，
　前記ガスクラスターを発生させるためのノズル２３は，上下方向に伸びると共に下端部が開口するように概略円筒形状に形成された圧力室３２と，当該圧力室３２の下端部に接続され，圧力室３２の下端周縁部から当該圧力室３２の中央部に向かって周方向に亘って水平に縮径してオリフィス部３２ａをなすと共に，このオリフィス部３２ａから下方に向かうにつれて拡径するガス拡散部３３と，を備えており，前記オリフィス部３２ａにおける開口径及びオリフィス部３２ａと載置台２２上のウエハＷとの間の離間距離は，夫々０．１ｍｍ及び６．５ｍｍ程度であり，前記ノズル２３の上端側には，圧力室３２内に二酸化炭素（ＣＯ2）ガスを供給するためのガス供給路３４が接続されており，
　前記処理雰囲気における処理圧力は，１〜１００Ｐａ程度の真空雰囲気に設定すると共に，ノズル２３に対して０．３〜２．０ＭＰａ程度の圧力で二酸化炭素ガスを供給することで，前記二酸化炭素ガスが，処理雰囲気に供給される際に急激な断熱膨張により凝縮温度以下に冷却されて，互いの分子同士がファンデルワールス力により結合して，集合体であるガスクラスターとなり，非イオン化の状態でウエハＷに向かって垂直に照射され，ウエハＷ上の付着物１０にガスクラスターが衝突して，当該ガスクラスターの吐出圧力により付着物１０がウエハＷの表面から吹き飛ばされて除去されるものであり，
　前記ウエハＷの面内に亘ってガスクラスターが照射されるように，ウエハＷをノズル２３に対して相対的に水平方向に移動させて，面内に亘って付着物１０を除去する方法。」
　
　２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
洗浄ガス又は液体又はガスと液体の混合物を，微細ノズル穴を有する噴射ノズルより吹き出させて微細エアロゾルを生成し，その微細液滴又は微細固体又は気体又はそれらの２以上の混合物を被洗浄面に吹き付けるエアロゾル洗浄方法において，
エアロゾル生成ノズルを断熱化し，
該エアロゾル生成ノズル内の圧力を高く設定することで，エアロゾル生成ノズル内部をガスリッチの状態にすることを特徴とするエアロゾル洗浄方法。
【請求項２】
前記洗浄ガス又は液体又はガスと液体の混合物が，Ａｒ，Ｎ2，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｏ2，ＣＯ2，Ｎ2Ｏ，Ｈ2Ｏ，Ｋｒ，ＳＦ6，Ｘｅ，Ｈ2の各単独ガス又は混合ガスであることを特徴とする請求項１に記載のエアロゾル洗浄方法。
【請求項３】
前記洗浄ガス又は液体又はガスと液体の混合物がＡｒ，Ｎ2の各単独ガス又は混合ガスである時に，前記エアロゾル生成ノズル内の圧力を６００ｋＰａ〜３００ｋＰａの範囲に制御することを特徴とする請求項１に記載のエアロゾル洗浄方法。
【請求項４】
前記洗浄ガス又は液体又はガスと液体の混合物がＡｒ，Ｎ2の各単独ガス又は混合ガスである時に，その流量を４０ＳＬＭ〜２０ＳＬＭの範囲とすることを特徴とする請求項１又は３に記載のエアロゾル洗浄方法。
【請求項５】
前記噴射ノズルから微細液滴又は微細固体又は気体又はそれら２以上の混合物が吹き出される洗浄室の圧力を１０ｋＰａ〜５０Ｐａに制御することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のエアロゾル洗浄方法。」
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，エアロゾル洗浄方法及び装置に係り，特に，半導体ウェハ，光露光マスク又はレティクル，Ｘ線マスク又はレティクル，電子線（ＥＢ）マスク又はレティクル，イオンビーム（ＩＢ）マスク又はレティクル，リソグラフィ用マスク又はレティクル，フラットパネル基板，磁気ディスク基板，フライングヘッド用基板のような各種基板や，磁気ヘッド，マイクロマシン及びＭＥＭＳ（Micro　Electro　Mechanical　Systems）の表面を洗浄する際に用いるのに好適な，被洗浄物の微細構造等へダメージを与えることなく洗浄することが可能なエアロゾル洗浄方法及び装置に関する。」
「【０００５】
このうち，従来のエアロゾル吹付けによる洗浄では，図１（全体図）及び図２（要部詳細図）に示す如く，アルゴン（Ａｒ）ガス又は窒素（Ｎ2）ガス又は各ガスの混合ガスを，例えばヘリウム（Ｈｅ）クライオ冷凍機３６を用いた熱交換機３８で冷却して，エアロゾル生成ノズル（以下，単にエアロゾルノズルとも称する）２０のノズル孔２０Ａから真空の洗浄室４２内に噴出し，噴出す際の断熱膨張により更に冷却させて微細エアロゾル２２を形成し，ウェハ１０等の被洗浄物の表面に該エアロゾル２２を衝突させて洗浄する方式を採っている。」
「【００１６】
又，前記洗浄ガス又は液体又はガスと液体の混合物を，Ａｒ，Ｎ2，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｏ2，ＣＯ2，Ｎ2Ｏ，Ｈ2Ｏ，Ｋｒ，ＳＦ6，Ｘｅ，Ｈ2の各単独ガス又は混合ガスとしたものである。
【００１７】
又，前記洗浄ガス又は液体又はガスと液体の混合物がＡｒ，Ｎ2の各単独ガス又は混合ガスである時に，前記エアロゾル生成ノズル内の圧力を６００ｋＰａ〜３００ｋＰａの範囲に制御して，アルゴン及び窒素が，気体と液体の間の状態となるようにしたものである。アルゴン及び窒素は，温度１００Ｋでは，２００ｋＰａ以下で液体になり，７００ｋＰａ以上で完全に気体となる。」
　３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】低温に冷却した洗浄ガスをノズルから吹き出してエアロゾルとし，被洗浄物に衝突させて洗浄する低温エアロゾル洗浄方法において，
１つの冷却系統で冷却した洗浄ガスを，複数の洗浄室に交互に供給して，各洗浄室で交互に洗浄することを特徴とする低温エアロゾル洗浄方法。」
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，低温エアロゾル洗浄方法及び装置に係り，特に，半導体製造工程でのウェハ洗浄に用いるのに好適な，低温に冷却した洗浄ガスをノズルから吹き出してエアロゾルとし，被洗浄物に衝突させて洗浄する低温エアロゾル洗浄方法及び装置に関する。」
「【００１５】このようなアルゴンエアロゾル洗浄装置においては，図２に示す如く，洗浄室４２が２つ設けられた２洗浄室型モデル，あるいは，１洗浄室型モデルのいずれにおいても，各洗浄室４２毎にアルゴンエアロゾル２４を生成するために，アルゴンガスを液化点近傍の温度（９０Ｋ−１００Ｋ程度）まで冷却するＨｅ冷凍機３６を用いた熱交換器３８設置し，又，洗浄に使用したアルゴンガス等（パージガス６６や加速ガス５８を含む）を排気する大容量の排気ポンプ４０が設置されている。」
第５　対比・判断
　１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
　ａ　引用発明の「ウエハＷ」は，本願発明１の「マイクロ電子基板」に相当する。
　ｂ　引用発明は，「処理雰囲気における処理圧力は，１〜１００Ｐａ程度の真空雰囲気に設定」されるものであるから，引用発明の「洗浄処理室２１」は，本願発明１の「真空処理チャンバ」に相当する。
　ｃ　引用発明の「ガスクラスターを発生させるためのノズル２３」は，本願発明１の「入口および出口を有する流体膨張部材」に相当する。
　ｄ　引用発明の「ノズル２３に対して０．３〜２．０ＭＰａ程度の圧力で二酸化炭素ガスを供給すること」と，本願発明１の「前記流体膨張部材の前記入口に，加圧され冷却された流体混合物を供給するステップ」とは，「前記流体膨張部材の前記入口に，加圧された流体物を供給するステップ」である点で一致する。
　ｅ　引用発明の「前記処理雰囲気における処理圧力は，１〜１００Ｐａ程度の真空雰囲気に設定すると共に，ノズル２３に対して０．３〜２．０ＭＰａ程度の圧力で二酸化炭素ガスを供給することで，前記二酸化炭素ガスが，処理雰囲気に供給される際に急激な断熱膨張により凝縮温度以下に冷却されて，互いの分子同士がファンデルワールス力により結合して，集合体であるガスクラスターとなり，非イオン化の状態でウエハＷに向かって垂直に照射され」る工程と，本願発明１の「前記流体膨張部材の前記出口を介して，前記真空処理チャンバ内で前記加圧された流体物を膨張させ，ガスクラスタのジェットを生成するステップ」とは，「前記流体膨張部材の前記出口を介して，前記真空処理チャンバ内で前記加圧された流体物を膨張させ，ガスクラスタのジェットを生成するステップ」である点で一致する。
　ｆ　引用発明の「ウエハＷ上の付着物１０にガスクラスターが衝突して，当該ガスクラスターの吐出圧力により付着物１０がウエハＷの表面から吹き飛ばされて除去される」工程と，本願発明１の「前記ガスクラスタのジェットを用いて，前記マイクロ電子基板から対象物を除去するステップ」とは，「前記ガスクラスタのジェットを用いて，前記マイクロ電子基板から対象物を除去するステップ」である点で一致する。　
　ｇ　そうすると，本願発明１と引用発明の一致点と相違点は以下のとおりとなる。
＜一致点＞
「マイクロ電子基板を処理する方法であって，
　真空処理チャンバ内に，前記マイクロ電子基板を受容するステップであって，前記真空処理チャンバは，入口および出口を有する流体膨張部材を有する，ステップと，
　前記流体膨張部材の前記入口に，加圧された流体混合物を供給するステップと，
　前記流体膨張部材の前記出口を介して，前記真空処理チャンバ内で前記加圧された流体物を膨張させ，ガスクラスタのジェットを生成するステップと，
　前記ガスクラスタのジェットを用いて，前記マイクロ電子基板から対象物を除去するステップと，
　を有する方法。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願発明１では，ガスクラスタのジェットの生成が，
「前記真空処理チャンバは，圧力が35Torr以下であり，前記マイクロ電子基板は，該マイクロ電子基板と前記流体膨張部材の前記出口との間に2mmから50mmの範囲のギャップ距離を提供するように配置され」，前記流体膨張部材の前記入口に，「冷却された流体混合物を供給するステップであって，前記流体混合物は，アルゴンおよび窒素の少なくとも一つを含み，前記流体混合物は，前記流体膨張部材の前記入口に供給される際，温度が70Kから270Kの範囲であり，供給圧力により，1重量%未満の液体を含む気相となる」という条件のもとで行われているのに対して，
　引用発明は，「前記処理雰囲気における処理圧力は，１〜１００Ｐａ程度の真空雰囲気に設定」され，「オリフィス部３２ａと載置台２２上のウエハＷとの間の離間距離は，・・・６．５ｍｍ程度であり」，「前記ノズル２３の上端側には，圧力室３２内に二酸化炭素（ＣＯ2）ガスを供給するためのガス供給路３４が接続されて」いるものである点。
・相違点２：本願発明１では，「前記ガスクラスタのジェットの少なくとも一部は，前記マイクロ電子基板にわたって横方向に流れ，前記マイクロ電子基板と接触する」のに対して，引用発明では，「前記二酸化炭素ガスが，処理雰囲気に供給される際に急激な断熱膨張により凝縮温度以下に冷却されて，互いの分子同士がファンデルワールス力により結合して，集合体であるガスクラスターとなり，非イオン化の状態でウエハＷに向かって垂直に照射され」るものであって，「前記ウエハＷの面内に亘ってガスクラスターが照射されるように，ウエハＷをノズル２３に対して相対的に水平方向に移動させて，面内に亘って付着物１０を除去する」ものである点。
（２）判断
　上記相違点について検討する。
・相違点１について
　引用文献１ないし３のいずれにも，ガスクラスタのジェットの生成を，「供給圧力により，1重量%未満の液体を含む気相となる」条件で行うことは記載されておらず，また，このような構成が周知技術であったとも認められない。
　そして，本願発明１は，このような構成を備えることにより，本願明細書の【０００６】に記載された「サブ100nmの粒子に対する粒子除去効率の改善により，大きな（例えば100nmを超える）粒子の除去効率を低下させずに，および／または粒子の除去中にマイクロ電子基板特徴物に損傷を与えずに，予測できない結果が得られる」という格別の効果を奏するものと認められる。
　すなわち，上記相違点１について本願発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことではない。
　したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明１は，引用発明及び引用文献２，３に基いて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
　２　本願発明２ないし１２について
　本願発明２ないし１２も，本願発明１と同一の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明及び引用文献２，３に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
　３　本願発明１３について
（１）対比
　本願発明１３と引用発明とを対比する。
　ａ　引用発明の「ウエハＷ」は，本願発明１３の「マイクロ電子基板」に相当する。
　ｂ　引用発明は，「処理雰囲気における処理圧力は，１〜１００Ｐａ程度の真空雰囲気に設定」されるものであるから，引用発明の「洗浄処理室２１」は，本願発明１３の「真空処理チャンバ」に相当する。
　ｃ　引用発明の「ガスクラスターを発生させるためのノズル２３」は，本願発明１３の「入口および出口を有する流体膨張部材」に相当する。
　ｄ　引用発明の「ノズル２３に対して０．３〜２．０ＭＰａ程度の圧力で二酸化炭素ガスを供給すること」と，本願発明１３の「前記流体膨張部材の前記入口に，加圧され冷却された流体混合物を供給するステップ」とは，「前記流体膨張部材の前記入口に，加圧された流体物を供給するステップ」である点で一致する。
　ｅ　引用発明の「前記処理雰囲気における処理圧力は，１〜１００Ｐａ程度の真空雰囲気に設定すると共に，ノズル２３に対して０．３〜２．０ＭＰａ程度の圧力で二酸化炭素ガスを供給することで，前記二酸化炭素ガスが，処理雰囲気に供給される際に急激な断熱膨張により凝縮温度以下に冷却されて，互いの分子同士がファンデルワールス力により結合して，集合体であるガスクラスターとなり，非イオン化の状態でウエハＷに向かって垂直に照射され」る工程と，本願発明１３の「前記流体膨張部材の前記出口を介して，前記処理チャンバ内で前記流体物を膨張させ，ガスクラスタのジェットを生成する，ステップ」とは，「前記流体膨張部材の前記出口を介して，前記処理チャンバ内で前記流体物を膨張させ，ガスクラスタのジェットを生成する，ステップ」である点で一致する。
　ｆ　引用発明の「ウエハＷ上の付着物１０にガスクラスターが衝突して，当該ガスクラスターの吐出圧力により付着物１０がウエハＷの表面から吹き飛ばされて除去される」工程と，本願発明１３の「前記ガスクラスタのジェットを用いて，前記マイクロ電子基板から対象物を除去するステップ」とは，「前記ガスクラスタのジェットを用いて，前記マイクロ電子基板から対象物を除去するステップ」である点で一致する。
　ｇ　そうすると，本願発明１３と引用発明の一致点と相違点は以下のとおりとなる。
＜一致点＞
「マイクロ電子基板を処理する方法であって，
　処理チャンバ内に前記マイクロ電子基板を受容するステップであって，前記真空処理チャンバは，入口および出口を有する流体膨張部材を有する，ステップと，
　前記流体膨張部材の前記入口に，加圧された流体物を供給する，ステップと，
　前記流体膨張部材の前記出口を介して，前記処理チャンバ内で前記流体物を膨張させ，ガスクラスタのジェットを生成する，ステップと，
　前記ガスクラスタのジェットを用いて，前記マイクロ電子基板から対象物を除去するステップと，
　を有する方法。」
　
＜相違点＞
・相違点３：本願発明１３では，ガスクラスタのジェットの生成が，
真空処理チャンバのチャンバ圧力が「35Torr以下」であり，「前記マイクロ電子基板は，該マイクロ電子基板と前記出口の間に2mmから50mmの範囲のギャップ距離を提供するように配置され」，前記流体膨張部材の前記入口に，「冷却された流体混合物を供給するステップであって，前記流体混合物は，前記流体膨張部材の前記入口に供給される際，温度が70Kから270Kの範囲であり，前記流体混合物は，水素，ネオン，およびヘリウムの少なくとも一つと，窒素およびアルゴンの少なくとも一つとを含む」という条件のものとで行われているのに対して，
　引用発明は，「前記処理雰囲気における処理圧力は，１〜１００Ｐａ程度の真空雰囲気に設定」されるものであり，「オリフィス部３２ａと載置台２２上のウエハＷとの間の離間距離は，・・・６．５ｍｍ程度であり」，「前記ノズル２３の上端側には，圧力室３２内に二酸化炭素（ＣＯ2）ガスを供給するためのガス供給路３４が接続されて」いるものである点。
・相違点４：本願発明１３では，「前記ガスクラスタのジェットの少なくとも一部は，前記マイクロ電子基板にわたって横方向に流れ，前記マイクロ電子基板と接触する」のに対して，引用発明では，「前記二酸化炭素ガスが，処理雰囲気に供給される際に急激な断熱膨張により凝縮温度以下に冷却されて，互いの分子同士がファンデルワールス力により結合して，集合体であるガスクラスターとなり，非イオン化の状態でウエハＷに向かって垂直に照射され」るものであって，「前記ウエハＷの面内に亘ってガスクラスターが照射されるように，ウエハＷをノズル２３に対して相対的に水平方向に移動させて，面内に亘って付着物１０を除去する」ものである点。
（２）判断
　上記相違点について検討する。
・相違点３について
　上記第４の１（２）ｇのとおり，引用文献１には，「ガスクラスターに使用するガスとしては，二酸化炭素ガスに代えて，ウエハＷの下地膜１２に対して反応性を持たない非反応性ガス例えばアルゴン（Ａｒ）ガスや窒素（Ｎ2）ガスを用いても良いし，あるいはこれらガスを混合して用いても良いこと」が，記載されている。
　また，上記第４の２のとおり，引用文献２には，エアロゾル洗浄を，洗浄ガス又は液体又はガスと液体の混合物として，Ａｒ，Ｎ2，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｏ2，ＣＯ2，Ｎ2Ｏ，Ｈ2Ｏ，Ｋｒ，ＳＦ6，Ｘｅ，Ｈ2の各単独ガス又は混合ガスを用いて行うことが記載されている。
　しかしながら，引用文献１ないし３のいずれにも，対象物を除去する際に使用するガスクラスタのジェットの生成を，「水素，ネオン，およびヘリウムの少なくとも一つと，窒素およびアルゴンの少なくとも一つとを含む」流体混合物を用いて行う構成は記載されておらず，また，周知技術であったとも認められない。
　そして，本願発明１３は，このような構成を備えることにより，本願明細書の【００８７】に記載された「GCJスプレーの質量および／または速度を変化させる」ことができるという格別の効果を奏するものと認められる。
　すなわち，上記相違点３について本願発明１３の構成を採用することは当業者が容易になし得たことではない。
　したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明１３は，引用発明及び引用文献２，３に基いて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
　４　本願発明１４ないし２２について
　本願発明１４ないし２２も，本願発明１３と同一の構成を備えるものであるから，本願発明１３と同じ理由により，当業者であっても，引用発明及び引用文献２，３に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第６　むすび
　以上のとおり，本願発明１ないし２２は，当業者が引用発明及び引用文献２，３に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。