【手続補正書】
【提出日】令和1年8月14日(2019.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理チャンバのためのエッジリングアセンブリであって、
ＲＦ電源への電気的接続のために構成された静電チャック（ＥＳＣ）を取り巻くように構成される上方エッジリングであって、前記ＥＳＣは、基板を支えるための上面と、前記上面を取り巻く環状段差とを有し、前記環状段差は、前記上面よりも低い環状棚を画定し、かつ前記環状棚の上方に配置され、電気絶縁材料で形成される、上方エッジリングと、
前記環状段差の中で前記上方エッジリングの下方に配置され、前記環状棚の上に配置される下方内側エッジリングであって、導電性材料で形成され、前記ＥＳＣから電気的に絶縁される下方内側エッジリングと、
前記下方内側エッジリングを取り巻き、電気絶縁材料で形成された下方外側エッジリングと、
を備えるエッジリングアセンブリ。
【請求項２】
前記下方外側エッジリングは、更に、前記環状段差の中で前記上方エッジリングの下方に配置され、前記環状棚の上に配置される、請求項１記載のエッジリングアセンブリ。
【請求項３】
前記下方外側エッジリングの一部は、前記上方エッジリングを取り囲む、請求項２記載エッジリングアセンブリ。
【請求項４】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方内側エッジリングと前記ＥＳＣとの間の誘電体分離が、既定の静電容量を提供するように構成され、前記ＲＦ電源から前記ＥＳＣに伝達される電力は、前記既定の静電容量によって決定される既定の相対量で前記下方内側エッジリングに伝達されるエッジリングアセンブリ。
【請求項５】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記上方エッジリングは、石英材料で形成されるエッジリングアセンブリ。
【請求項６】
請求項２に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方外側エッジリングは、石英材料で形成されるエッジリングアセンブリ。
【請求項７】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方内側エッジリングは、アルミニウム材料で形成されるエッジリングアセンブリ。
【請求項８】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方内側エッジリングは、前記ＥＳＣからの電気的絶縁を提供する陽極酸化アルミニウム表面を有するエッジリングアセンブリ。
【請求項９】
請求項２に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方内側エッジリング及び前記下方外側エッジリングは、前記ＥＳＣの前記環状棚の上に直接配置されるエッジリングアセンブリ。
【請求項１０】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
プラズマ処理時における前記ＲＦ電源から前記ＥＳＣへのＲＦ電力の供給が、前記ＥＳＣへの前記下方内側エッジリングの容量結合を提供するエッジリングアセンブリ。
【請求項１１】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
プラズマ処理時における容量結合は、前記プラズマ処理時に画定されるプラズマシースを、前記上方エッジリングを実質的に覆うように画定される空間領域内で半径方向に広がらせるエッジリングアセンブリ。
【請求項１２】
請求項１１に記載のエッジリングアセンブリであって、
プラズマ処理時における前記容量結合は、前記基板の縁領域におけるイオン集束を低減するエッジリングアセンブリ。
【請求項１３】
請求項１２に記載のエッジリングアセンブリであって、
プラズマ処理時における前記容量結合は、前記基板の前記縁領域におけるイオン軌道の、前記基板の上面に垂直な方向からの傾斜を低減するエッジリングアセンブリ。
【請求項１４】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記上方エッジリングは、環状に成形され、約１５〜２４ｍｍの半径方向厚さと、約２〜５ｍｍの高さとを有するエッジリングアセンブリ。
【請求項１５】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方内側エッジリングは、環状に成形され、約１５〜２０ｍｍの半径方向厚さと、約８〜１５ｍｍの高さとを有するエッジリングアセンブリ。
【請求項１６】
請求項１５に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方内側エッジリングの内径は、前記ＥＳＣの前記環状段差によって画定される側壁と、前記下方内側エッジリングとの間に環状の隙間を画定するために、前記側壁の直径を約０．５〜１ｍｍ上回るエッジリングアセンブリ。
【請求項１７】
請求項２に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方外側エッジリングは、環状に成形され、約１０〜１５ｍｍの半径方向厚さと、約８〜１５ｍｍの高さとを有するエッジリングアセンブリ。
【請求項１８】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記上方エッジリングは、上面を有し、前記上方エッジリングの前記上面は、前記上方エッジリングの内径に画定される段差縁を有し、前記段差縁の下部は、前記基板が存在するときに前記基板が前記段差縁の前記下部の上に広がるように、前記ＥＳＣの前記上面よりも低い高さに位置するように構成されるエッジリングアセンブリ。
【請求項１９】
請求項１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方内側エッジリングは、イットリアの外側被覆を含むエッジリングアセンブリ。
【請求項２０】
プラズマ処理のためのシステムであって、
プロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバ内に配置される静電チャック（ＥＳＣ）であって、前記ＥＳＣは、プラズマ処理時に基板を支えるように構成される上面を有し、更に、前記上面を取り巻く環状段差を含み、前記環状段差は、前記上面よりも低い高さに環状棚を画定する、ＥＳＣと、
環状棚の上方に配置される上方エッジリングであって、電気絶縁材料で形成される上方エッジリングと、
前記環状段差の中で前記上方エッジリングの下方に配置され、前記環状棚の上に配置される下方内側エッジリングであって、導電性材料で形成され、前記ＥＳＣから電気的に絶縁される下方内側エッジリングと、
前記下方内側エッジリングを取り巻き、電気絶縁材料で形成される下方外側エッジリングであって、その少なくとも一部は、前記環状段差の中で前記上方エッジリングの下方に配置され、かつ前記環状棚の上に配置される下方外側エッジリングと、
前記ＥＳＣ内に配置されるバイアス電極であって、前記基板にかかるバイアス電圧を生成するために第１のＲＦ電源からＲＦ電力を受け取るように構成されるバイアス電極と、
を備えるシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】エッジリングアセンブリおよびプラズマ処理のためのシステム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
以上の実施形態は、理解を明瞭にする目的で幾らか詳細に説明されてきたが、添付の特許請求の範囲内で、特定の変更及び修正が加えられることが明らかである。したがって、これらの実施形態は、例示的であって限定的ではないと見なされ、本明細書で与えられる詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲及びそれらの均等物の範囲内で変更されてよい。例えば、以下の適用例としても実施可能である。
［適用例１］
プラズマ処理チャンバのためのエッジリングアセンブリであって、
ＲＦ電源への電気的接続のために構成された静電チャック（ＥＳＣ）を取り巻くように構成される上方エッジリングであって、前記ＥＳＣは、基板を支えるための上面と、前記上面を取り巻く環状段差とを有し、前記環状段差は、前記上面よりも低い環状棚を画定し、かつ前記環状棚の上方に配置され、電気絶縁材料で形成される、上方エッジリングと、
前記環状段差の中で前記上方エッジリングの下方に配置され、前記環状棚の上に配置される下方内側エッジリングであって、導電性材料で形成され、前記ＥＳＣから電気的に絶縁される下方内側エッジリングと、
前記下方内側エッジリングを取り巻く下方外側エッジリングであって、前記環状段差の中で前記上方エッジリングの下方に配置され、前記環状棚の上に配置され、電気絶縁材料で形成される下方外側エッジリングと、
を備えるエッジリングアセンブリ。
［適用例２］
適用例１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方内側エッジリングと前記ＥＳＣとの間の誘電体分離が、既定の静電容量を提供するように構成され、前記ＲＦ電源から前記ＥＳＣに伝達される電力は、前記既定の静電容量によって決定される既定の相対量で前記下方内側エッジリングに伝達されるエッジリングアセンブリ。
［適用例３］
適用例１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記上方エッジリングは、石英材料で形成されるエッジリングアセンブリ。
［適用例４］
適用例１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方外側エッジリングは、石英材料で形成されるエッジリングアセンブリ。
［適用例５］
適用例１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方内側エッジリングは、アルミニウム材料で形成されるエッジリングアセンブリ。
［適用例６］
適用例１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方内側エッジリングは、前記ＥＳＣからの電気的絶縁を提供する陽極酸化アルミニウム表面を有するエッジリングアセンブリ。
［適用例７］
適用例１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方内側エッジリング及び前記下方外側エッジリングは、前記ＥＳＣの前記環状棚の上に直接配置されるエッジリングアセンブリ。
［適用例８］
適用例１に記載のエッジリングアセンブリであって、
プラズマ処理時における前記ＲＦ電源から前記ＥＳＣへのＲＦ電力の供給が、前記ＥＳＣへの前記下方内側エッジリングの容量結合を提供するエッジリングアセンブリ。
［適用例９］
適用例１に記載のエッジリングアセンブリであって、
プラズマ処理時における前記容量結合は、前記プラズマ処理時に画定されるプラズマシースを、前記上方エッジリングを実質的に覆うように画定される空間領域内で半径方向に広がらせるエッジリングアセンブリ。
［適用例１０］
適用例９に記載のエッジリングアセンブリであって、
プラズマ処理時における前記容量結合は、前記基板の縁領域におけるイオン集束を低減するエッジリングアセンブリ。
［適用例１１］
適用例１０に記載のエッジリングアセンブリであって、
プラズマ処理時における前記容量結合は、前記基板の前記縁領域におけるイオン軌道の、前記基板の上面に垂直な方向からの傾斜を低減するエッジリングアセンブリ。
［適用例１２］
適用例１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記上方エッジリングは、環状に成形され、約１５〜２４ｍｍの半径方向厚さと、約２〜５ｍｍの高さとを有するエッジリングアセンブリ。
［適用例１３］
適用例１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方内側エッジリングは、環状に成形され、約１５〜２０ｍｍの半径方向厚さと、約８〜１５ｍｍの高さとを有するエッジリングアセンブリ。
［適用例１４］
適用例１３に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方内側エッジリングの内径は、前記ＥＳＣの前記環状段差によって画定される側壁と、前記下方内側エッジリングとの間に環状の隙間を画定するために、前記側壁の直径を約０．５〜１ｍｍ上回るエッジリングアセンブリ。
［適用例１５］
適用例１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方外側エッジリングは、環状に成形され、約１０〜１５ｍｍの半径方向厚さと、約８〜１５ｍｍの高さとを有するエッジリングアセンブリ。
［適用例１６］
適用例１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記上方エッジリングは、上面を有し、前記上方エッジリングの前記上面は、前記上方エッジリングの内径に画定される段差縁を有し、前記段差縁の下部は、前記基板が存在するときに前記基板が前記段差縁の前記下部の上に広がるように、前記ＥＳＣの前記上面よりも低い高さに位置するように構成されるエッジリングアセンブリ。
［適用例１７］
適用例１に記載のエッジリングアセンブリであって、
前記下方内側エッジリングは、イットリアの外側被覆を含むエッジリングアセンブリ。
［適用例１８］
プラズマ処理のためのシステムであって、
プロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバ内に配置される静電チャック（ＥＳＣ）であって、前記ＥＳＣは、プラズマ処理時に基板を支えるように構成される上面を有し、更に、前記上面を取り巻く環状段差を含み、前記環状段差は、前記上面よりも低い高さに環状棚を画定する、ＥＳＣと、
環状棚の上方に配置される上方エッジリングであって、電気絶縁材料で形成される上方エッジリングと、
前記環状段差の中で前記上方エッジリングの下方に配置され、前記環状棚の上に配置される下方内側エッジリングであって、導電性材料で形成され、前記ＥＳＣから電気的に絶縁される下方内側エッジリングと、
前記下方内側エッジリングを取り巻く下方外側エッジリングであって、前記環状段差の中で前記上方エッジリングの下方に配置され、前記環状棚の上に配置され、電気絶縁材料で形成される下方外側エッジリングと、
前記ＥＳＣ内に配置されるバイアス電極であって、前記基板にかかるバイアス電圧を生成するために第１のＲＦ電源からＲＦ電力を受け取るように構成されるバイアス電極と、
を備えるシステム。