【事件の表示】
　特願２０１７−１８８１７５「高出力素子」拒絶査定不服審判事件〔平成３１年　４月２５日出願公開、特開２０１９−　６７７８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２９年９月２８日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和元年６月１９日付け　：拒絶理由通知書
　令和元年１０月１７日　　：意見書，手続補正書の提出
　令和２年１月７日付け　　：拒絶理由通知書（最後）
　令和２年３月１３日　　　：意見書，手続補正書の提出
　令和２年５月１５日付け　：補正却下，拒絶査定
　令和２年８月２４日　　　：審判請求書，手続補正書の提出
　
第２　令和２年８月２４日にされた手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　令和２年８月２４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１．本件補正の内容
ア　本件補正は，本件補正前の令和元年１０月１７日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜６を本件補正後の請求項１〜４とする補正を含むものであって，本件補正前の請求項１及び本件補正後の請求項１は次のとおりである。（下線は補正箇所を示す。）
（ア）本件補正前の請求項１
「【請求項１】
　第１の窒化物半導体層と，
　前記第１の窒化物半導体層上に形成された第２の窒化物半導体層と，
　前記第２の窒化物半導体層上に形成され，Ａｌ元素を含有した第３の窒化物半導体層と，
を具備し，
　前記第２の窒化物半導体層は，ＩｎＮ層と，ＧａＮ層が交互に積層された多重量子井戸層
であることを特徴とする，高出力素子。」
（イ）本件補正後の請求項１
「【請求項１】
　第１の窒化物半導体層と，
　前記第１の窒化物半導体層上に形成され
，且つ，前記第１の窒化物半導体層と直接的に接する
　前記第２の窒化物半導体層上に形成され，Ａｌ元素を含有した第３の窒化物半導体層と，
を具備し，
　
前記第１の窒化物半導体層はＧａＮ層であり，
　前記第２の窒化物半導体層は，ＩｎＮ層
とＧ
，且つ，その最上層と最下層がＩｎＮ層である
であり，
　
前記第２の窒化物半導体層では，前記ＩｎＮ層の膜厚は１０ｎｍ以下であり，
　
前記第２の窒化物半導体層では，前記ＩｎＮ層と前記ＧａＮ層のペア数は１００以下であり，
　
前記第３の窒化物半導体層はＡｌＧａＮ層
イ　そして，請求項１に対する本件補正は以下の補正事項をその内容とするものである。
（補正事項１ａ）本件補正前の請求項１の「前記第１の窒化物半導体層上に形成された第２の窒化物半導体層」を，本件補正後の請求項１の「前記第１の窒化物半導体層上に形成され，且つ，前記第１の窒化物半導体層と直接的に接する第２の窒化物半導体層」に補正すること。
（補正事項１ｂ）本件補正前の請求項１に，「前記第１の窒化物半導体層はＧａＮ層であり」との事項を付加すること。
（補正事項１ｃ）本件補正前の請求項１の「前記第２の窒化物半導体層は，ＩｎＮ層と，ＧａＮ層が交互に積層された多重量子井戸層」を，本件補正後の請求項１の「前記第２の窒化物半導体層は，ＩｎＮ層とＧａＮ層が交互に積層され，且つ，その最上層と最下層がＩｎＮ層である多重量子井戸層」に補正すること。
（補正事項１ｄ）本件補正前の請求項１に，「前記第２の窒化物半導体層では，前記ＩｎＮ層の膜厚は１０ｎｍ以下であり」との事項を付加すること。
（補正事項１ｅ）本件補正前の請求項１に，「前記第２の窒化物半導体層では，前記ＩｎＮ層と前記ＧａＮ層のペア数は１００以下であり」との事項を付加すること。
（補正事項１ｆ）本件補正前の請求項１に，「前記第３の窒化物半導体層はＡｌＧａＮ層である」との事項を付加すること
ウ　また，本件補正のうち，補正前の請求項２〜６を補正後の２〜４とする補正は，以下の補正事項２〜６を含むものである。
（補正事項２）本件補正前の請求項２の「前記ＩｎＮ層の膜厚が１０ｎｍ以下であり、かつ前記ＧａＮ層の膜厚が２０ｎｍ以下であることを特徴とする、
　請求項１に記載の高出力素子。」
を，本件補正後の請求項２の
「前記第２の窒化物半導体層では、前記ＧａＮ層の膜厚が２０ｎｍ以下であることを特徴とする、
　請求項１に記載の高出力素子。」
に補正すること。
（補正事項３）本件補正前の請求項３を削除すること。
（補正事項４）本件補正前の請求項４を削除すること。
（補正事項５）本件補正前の請求項５を本件補正後の請求項３とし，本件補正前の「請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の」を本件補正後の「請求項１または請求項２に記載の」に補正すること。
（補正事項６）本件補正前の請求項６を本件補正後の請求項４とし，本件補正前の「請求項５に記載の」を本件補正後の「請求項４に記載の」に補正すること。
２．新規事項追加の有無及び補正目的の適否について
　上記補正事項１ａ〜１ｆ及び補正事項２〜６について，新規事項追加の有無及び補正目的の適否を検討する。
ア　補正事項１ａは，本件補正前の請求項１の「前記第１の窒化物半導体層上に形成された第２の窒化物半導体層」との事項に，「前記第１の窒化物半導体層と直接的に接する」との限定を付加するものであるから，特許請求の範囲の限定的減縮に該当する。そして，補正事項１ａは本願の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「当初明細書等」という。）の段落００１０及び段落００３０〜００３１の記載に基づくものである。
イ　補正事項１ｂは，本件補正前の請求項１の「第１の窒化物半導体層」が「ＧａＮ層」であるとの限定を付加するものであり，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして，補正事項１ｂは当初明細書等の段落００１０の記載に基づくものである。
ウ　補正事項１ｃは，本件補正前の請求項１の「多重量子井戸構造」について「その最上層と最下層がＩｎＮ層である」との限定を付加するものであり，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして，補正事項１ｃは当初明細書等の図２に基づくものである。
エ　補正事項１ｄは，本件補正前の請求項１の「ＩｎＮ層」について「前記ＩｎＮ層の膜厚は１０ｎｍ以下」との限定を付加するものであり，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして，補正事項１ｄは当初明細書等の段落００２２に基づくものである。
オ　補正事項１ｅは，本件補正前の請求項１の「多重量子井戸構造」について「前記ＩｎＮ層と前記ＧａＮ層のペア数は１００以下であり」との限定を付加するものであり，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして，補正事項１ｅは当初明細書等の段落００２２の記載に基づくものである。
カ　補正事項１ｆは，本件補正前の請求項１の「第３の窒化物半導体層」が「ＡｌＧａＮ層」であるとの限定を付加するものであり，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして，補正事項１ｆは当初明細書等の段落００１０の記載に基づくものである。
キ　補正事項２は，補正前の請求項２の「前記ＩｎＮ層の膜厚が１０ｎｍ以下であり」との事項が補正後の請求項１における限定事項として記載されることに連動して，補正後の請求項２においては削除したものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして，補正事項２は当初明細書等に記載された事項の範囲内でしたものである。
ク　補正事項３〜６は，補正前の請求項３，４の削除と，それに伴う請求項番号及び引用請求項の変更をその内容とするものであり，請求項の削除を目的とするものである。そして，補正事項３〜６は当初明細書等に記載された事項の範囲内でしたものである。
　以上ア〜クのとおり，上記補正事項１ａ〜１ｆ及び補正事項２〜６は，特許法１７条の２第３項の規定に適合し，同法１７条の２第５項１号及び２号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
３．独立特許要件について
　上記２．のとおり，請求項１に対する本件補正は特許法１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含んでいる。そこで，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて，以下で更に検討する。
３．１　本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明１」という。）は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１（上記１．（イ））に記載されたとおりのものである。
３．２　引用例の記載
（１）引用例１の記載と引用発明１
ア　原査定の拒絶の理由に引用文献２として引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００３−１９７６４６号公報（以下「引用例１」という。）には，図４，６とともに，次の記載がある。
「【０００４】
ＧａＮ系化合物を用いたＨＥＭＴ構造としては，ｎ型にドープしたＡｌＧａＮ電子供給層に，ＧａＮチャネル層をヘテロ接合したものが多く試みられているが
ＧａＮに代えて，電子の有効質量がより小さいＩｎＧａＮによりチャネル層を構成することが，電子移動度の向上ひいては素子の高速化を図る観点においてより有利であると考えられる
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，
ＭＯＶＰＥやＭＢＥ等の気相成長法によりＩｎＧａＮ層を成長する場合，層中に高濃度の点欠陥が発生しやすく，また，組成不均一が生じやすい欠点がある
得られるＩｎＧａＮ層は，理論的に予測される電子移動度が高いにも拘わらず，結果的に電子散乱の影響が顕著となり，十分な特性が得られない問題がある
【０００６】本発明の課題は，
ＩｎＧａＮ層をチャネル層として用いるとともに，点欠陥や組成不均一の影響を顕著に軽減
大出力・高速化が可能な電界効果トランジスタを提供すること
「【００２１】また，図４に示すＨＥＭＴ２においては，
チャネル層が多重量子井戸構造を有するＭＱＷ（Multiple Quantum Well）チャネル層１１９とされている。該ＭＱＷチャネル層１１９においては，前記した三角ポテンシャル構造の代わりに，図６に示すような複数のＩｎＧａＮ井戸層１１９ａにより２ＤＥＧ層が形成される。井戸層１１９ａの両側には，該井戸層１１９ａとの間にポテンシャル障壁を形成するために，井戸層１１９ａよりもバンドギャップの大きい化合物半導体からなる障壁層１１９ｂが形成される。障壁層１１９ｂは，井戸層１１９ａにおける電子閉じ込め効果を向上させるため，例えばＧａＮあるいはＡｌＧａＮにて構成するのがよい
【００２２】
井戸層１１９ａは，十分な電子閉じ込め効果を実現するために，その厚さｔ１を１０ｎｍ以下，望ましくは３ｎｍ以下に調整することが望ましい。
ＩｎＧａＮ井戸層１１９ａが，多重量子井戸構造の採用によりこの程度まで薄層化されると，ＩｎＧａＮ成長時の問題である欠陥発生や組成変動の影響が軽減され，電子散乱を生じにくくすることができる
　引用例１の図４として，以下の図面が示されている。
　　引用例１の図６として，以下の図面が示されている。
イ　以上の摘記を整理すると，引用例１には以下の事項が記載されているものと理解できる。
ａ　ｎ型にドープしたＡｌＧａＮ電子供給層と，ＩｎＧａＮ層をチャネル層としたＧａＮ系ＨＥＭＴ構造とすること。（段落０００４）
ｂ　ＩｎＧａＮ層をチャネル層として用いるとともに，ＩｎＧａＮ層の点欠陥や組成不均一の影響を顕著に軽減して，大出力・高速化が可能な電界効果トランジスタを提供すること（段落０００５，０００６）
ｃ　バッファ層１０２，ＭＱＷチャネル層１１９及びｎ−ＡｌＧａＮ電子供給層１１０が下からこの順に積層されたＨＥＭＴであること（段落００２１，図４）
ｄ　ＭＱＷチャネル層１１９がバッファ層１０２上に，バッファ層と接して形成されていること。（図４）
ｅ　ＭＱＷチャネル層１１９が，ＩｎＧａＮ井戸層１１９ａとＧａＮ障壁層１１９ｂが交互に積層された多重量子井戸構造であること（段落００２１，図４）
ｆ　ＩｎＧａＮ井戸層１１９ａの厚さが１０ｎｍ以下であること（段落００２２）
ウ　上記ａ〜ｆによれば，引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「バッファ層１０２と，
前記バッファ層１０２上に，前記バッファ層と接して形成されたＭＱＷチャネル層１１９と，
前記ＭＱＷチャネル層１１９上に積層されたｎ−ＡｌＧａＮ電子供給層１１０と，
を備え，
前記ＭＱＷチャネル層１１９が，ＩｎＧａＮ井戸層１１９ａとＧａＮ障壁層１１９ｂが交互に積層された多重量子井戸構造であり，
前記ＩｎＧａＮ井戸層１１９ａの厚さが１０ｎｍ以下である，
大出力・高速化が可能なＧａＮ系ＨＥＭＴ。」
エ　また，引用例１には次の技術的事項が記載されているものと理解できる。
ａ　ＩｎＧａＮ層を成長する場合，層中に高濃度の点欠陥が発生しやすく，また，組成不均一が生じやすいこと。（段落０００５）
ｂ　ＩｎＧａＮ井戸層１１９ａ多重量子井戸構造の採用により薄層化されると，ＩｎＧａＮ成長時の問題である欠陥発生や組成変動の影響が軽減され，電子散乱を生じにくくすることができること。（段落００２２）
（２）引用例２の記載
ア　原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平１１−２０４７７８号公報（以下「引用例２」という。）には，次の記載がある。
「【００２３】図２は，Ｉｎ組成ｘによる２次元電子ガスの移動度の変化を示した図である。ｘ＝１を除くすべての組成で電子移動度の増大は見られない。これは，
ＩｎxＧａ1-xＮ（０＜ｘ＜１）混晶において，現状では均一な組成分布をもつ膜が得られないことに起因しており，その結果，合金散乱が大きくなるためにＩｎＧａＡｓの場合のような移動度の増加が見られない。しかしながら，格子不整を考えた材料選択では不利であるが，ｘ＝１のＩｎＮは特異な移動度増大を示し，本発明においてチャネル材料として極めて優れていることが初めて見いだされた
ＩｎＮのチャネル層厚としてどのくらいの厚さまで許されるかを，２次元電子ガスの移動度の点から調べた
【００２４】図３は，チャネル層厚と電子移動度との相関を示す。
図３に示した結果から，チャネル層厚１００ｎｍ以上で急激に移動度が低下しており，これ以上の厚さでは結晶の乱れが大きく影響していることが分かる
【００２５】（実施例２）図４は，本発明の第２の実施例である窒化物系ＨＦＥＴの概要を示す断面図である。１１は（０００１）６Ｈ−ＳｉＣ基板，１２はアンドープＧａＮバッファ層（キャリア濃度５×１０16ｃｍ-3，膜厚２μｍ），１３はアンドープＡｌＮ障壁層（膜厚２０ｎｍ），
１４はアンドープＩｎＮ／ＧａＮチャネル層（膜厚１／１ｎｍ×ｌＯ周期）
【００２６】層構造の結晶成長方法としては，ＭＯＶＰＥ，ＭＢＥ法などを用いることができる。作製方法は実施例１とほぼ同様である。
同一の層構造を用いてホール測定を行った結果，室温における移動度２１００ｃｍ2／Ｖｓおよび７７Ｋにおける移動度８５００ｃｍ2／Ｖｓを確認した
【００２７】ゲート長さ１μｍ，ソースドレイン間距離５μｍのＦＥＴを作製し，その特性を評価した結果，室温において，最大発振周波数ｆｍａｘ＝１８ＧＨｚ，トランスコンダクタンスｇｍ＝１５０ｍＳ／ｍｍ，温度２５０℃においてｇｍ＝１２０ｍＳ／ｍｍであった。
【００２８】
ＩｎＮ単層の代わりにＩｎＮ／ＧａＮ多層構造を用いた場合，チャネル層のバンドギャップが大きくなり，窒化物系ＨＦＥＴの温度特性が向上する。ＩｎＮ／ＧａＮの場合，ＩｎＮに比べ最高動作温度がさらに５０℃高くなっていた
【００２９】多層構造の層厚としては，ソース電極から供給された電子がすべてのＩｎＮ層に供給されることが必要であり，そのためには多層構造の中にミニバンドが形成される必要がある。これは，多層構造中にミニバンドがない場合，各ＩｎＮ層が孤立し，すべてのＩｎＮ層がチャネルとして働かなくなるためである。したがって，各層の層厚はミニバンドが形成されるように十分に薄くなければならない。
【００３０】図５は，（ａ）ｎAlN＝ｎInNおよび（ｂ）ｎGaN＝ｎInN（ここでｎは分子層数）としたときの伝導帯におけるミニバンドを現わしたものである。図から明らかなように，ミニバンドが形成されるためには，ＩｎＮ／ＧａＮでは分子層数を９以下にする必要があり，ＩｎＮ／ＡｌＮでは分子層数を５以下にする必要がある。しかしながら，障壁層（ＧａＮおよびＡｌＮ）の厚みが薄くなればなるほどより厚い井戸層でもミニバンドが形成され，例えばＧａＮ層厚が１分子層の場合，ＩｎＮ層厚２０分子層でもミニバンドは形成される。」
イ　上記によれば，引用例２には次の技術的事項が記載されているものと理解できる。
ａ　窒化物系ＨＦＥＴのチャネル層をアンドープＩｎＮ／ＧａＮチャネル層（膜厚１／１ｎｍ×１０周期）構造とすることにより，室温における移動度２１００ｃｍ2／Ｖｓおよび７７Ｋにおける移動度８５００ｃｍ2／Ｖｓという特性が得られること。（段落００２５，００２６）
ｂ　チャネル層にＩｎＮ単層の代わりにＩｎＮ／ＧａＮ多層構造を用いた場合，窒化物系ＨＦＥＴの最高動作温度がＩｎＮに比べ最高動作温度が５０℃高くなること。（段落００２８）
ｃ　ＩｎxＧａ1-xＮ（０＜ｘ＜１）混晶において，現状では均一な組成分布をもつ膜が得られないため，合金散乱が大きくなり移動度の増加が見られないこと。（段落００２３）
ｄ　格子不整を考えた材料選択では不利であるが，ｘ＝１のＩｎＮは特異な移動度増大を示し，チャネル材料として極めて優れていること。（段落００２３）
ｅ　ＩｎＮチャネル層は層厚１００ｎｍ以上で結晶の乱れが大きく影響し急激に移動度が低下すること（段落００２４）
ウ　また，引用例２には次の記載がある。
「【００４１】導電性ＳｉＣ基板上のアンドープのＧａＮバッファ層を用いたＨＦＥＴ構造の場合，動作温度が低温において，キャリアがバッファ層や基板へと分散するため，移動度の増大が見られない。したがって，
ＧａＮをバッファ層として用いる場合，ＧａＮバッファ層の少なくとも一部分を半絶縁性にすることが必要である
【００４２】本発明では，
ドーバントとしてＣｒ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ａｕ，Ｖ，Ｎｂを添加することで半導体中に深い準位を形成し，半絶縁性窒化物半導体を得る事が可能となる。その結果，基板へのキャリアの流入を防ぐことが可能となり，移動度の増大が見られる
（３）引用例３の記載
　原査定の拒絶の理由に引用文献４として引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１７−１３９３９０号公報（以下「引用例３」という。）には，次の記載がある。
「【００１７】
　本実施の形態における半導体装置について，図１に基づき説明する。本実施の形態における半導体装置は，基板１０の上に，窒化物半導体層をエピタキシャル成長させることにより形成されている。具体的には，基板１０の上に，エピタキシャル成長により順次積層された核形成層２１，
バッファ層２２
電子走行層２４，電子供給層２５により形成されている。これにより，電子走行層２４における電子走行層２４と電子供給層２５との界面近傍には，２ＤＥＧ２４ａが生成される
【００２１】
　バッファ層２２は，バッファ層２２よりも上に形成される電子走行層２４の転位密度を低くし，結晶性を良好にするために形成する。本実施の形態においては，
バッファ層２２はｉ−ＧａＮにより形成されており
（４）引用例４の記載
　原査定の拒絶の理由に引用文献６として引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１６−１３４６１２号公報（以下「引用例４」という。）には，次の記載がある。
「【００２６】
　基板１１０は，例えばＳｉ基板である。または，サファイア基板，ＳｉＣ基板，ＺｎＳｅ基板，ＺｎＯ基板等その他の基板を用いてもよい。バッファ層１２０は，基板１１０の上に形成されている。
バッファ層１２０は，例えば，ＡｌＮまたはＧａＮである
「【００３２】
　２．ＨＥＭＴ素子２−１．ＨＥＭＴ素子の構造 図２は，本実施形態のＨＥＭＴ素子２００を示す概略構成図である。ＨＥＭＴ素子２００は，高電子移動度トランジスタである。ＨＥＭＴ素子２００は，第１の積層体１００の積層構造を有している。図２に示すように，
ＨＥＭＴ素子２００は
バッファ層１２０
３−３　補正発明１と引用発明１の対比
　補正発明１と引用発明１とを比較する。
ア　引用発明１における「バッファ層１０２」，「ＭＱＷチャネル層１１９」及び「ｎ−ＡｌＧａＮ電子供給層１１０」は，いずれも「ＧａＮ系ＨＥＭＴ」の構成要素である。そうすると，引用発明１における上記「バッファ層１０２」「ＭＱＷチャネル層１１９」及び「ｎ−ＡｌＧａＮ電子供給層１１０」は，補正発明１における「第１の窒化物半導体層」，「第２の窒化物半導体層」及び「第３の窒化物半導体層」にそれぞれ相当する。
イ　引用発明１における「ＭＱＷチャネル層１１９」は「前記バッファ層１０２上に，前記バッファ層と接して形成された」層であるから，補正発明１の「第２の窒化物半導体層」と引用発明１の「ＭＱＷチャネル層１１９」は，ともに「前記第１の窒化物半導体層上に形成され，且つ，前記第１の窒化物半導体層と直接的に接する」点で一致する。
ウ　補正発明１における「第３の窒化物半導体層」と引用発明１における「ｎ−ＡｌＧａＮ電子供給層」は，ともに「ＡｌＧａＮ層」であり「Ａｌ元素を含有」している点で一致する。
エ　補正発明１の「第２の窒化物半導体層」と引用発明１の「ＭＱＷチャネル層１１９」は，ともに「多重量子井戸構造」である点で一致する。
オ　バンドギャップからみて，補正発明１の「ＩｎＮ層」及び「ＧａＮ層」が，多重量子井戸層構造における「井戸層」及び「障壁層」であることは技術的に明らかである。そうすると，引用発明１における「ＧａＮ障壁層１１９ｂ」は補正発明１における「ＧａＮ層」に相当する。また，引用発明１における「ＩｎＧａＮ井戸層１１９ａ」は補正発明１における「ＩｎＮ層」に対応する。
カ　上記オに加え，引用発明１の「ＩｎＧａＮ」と補正発明１の「ＩｎＮ」は，ともにＩｎxＧａ1-xＮ（０＜ｘ≦１）系半導体である点で共通する。そうすると，補正発明１と引用発明１は，ともに「ＩｎxＧａ1-xＮ（０＜ｘ≦１）系半導体層とＧａＮ層が交互に積層され」た「多重量子井戸層」を備える点で共通する。
キ　上記カから，引用発明１における「前記ＩｎＧａＮ井戸層１１９ａの厚さが１０ｎｍ以下である」ことは，補正発明１における「前記ＩｎＮ層の膜厚は１０ｎｍ以下である」ことに対応し，両者はともに，「ＩｎxＧａ1-xＮ（０＜ｘ≦１）系半導体層の膜厚は１０ｎｍである」点で共通する。
ク　引用発明１の「ＧａＮ系ＨＥＭＴ」は「大出力・高速化が可能」なトランジスタであるから，補正発明１の「高出力素子」に相当する。
　以上のア〜クによれば，補正発明１と引用発明１の一致点及び相違点は，以下のとおりである。
＜一致点＞
「第１の窒化物半導体層と，
　前記第１の窒化物半導体層上に形成され，且つ，前記第１の窒化物半導体層と直接的に接する第２の窒化物半導体層と，
　前記第２の窒化物半導体層上に形成され，Ａｌ元素を含有した第３の窒化物半導体層と，
を具備し，
　前記第２の窒化物半導体層は，ＩｎxＧａ1-xＮ（０＜ｘ≦１）系半導体層とＧａＮ層が交互に積層された多重量子井戸層であり，
　前記第２の窒化物半導体層では，前記ＩｎxＧａ1-xＮ（０＜ｘ≦１）系半導体層の膜厚は１０ｎｍ以下であり，
　前記第３の窒化物半導体層はＡｌＧａＮ層であることを特徴とする，高出力素子。」である点。
＜相違点１＞
　補正発明１では「第１の窒化物半導体層はＧａＮ層」であるのに対し，引用発明１では，「バッファ層」が「ＧａＮ層」であることが特定されていない点。
＜相違点２＞
　補正発明１では「多重量子井戸構造」が「ＩｎＮ層とＧａＮ層が交互に積層され」たものであるのに対し，引用発明１では「ＩｎＧａＮ井戸層１１９ａとＧａＮ障壁層１１９ｂが交互に積層された」ものである点。
＜相違点３＞
　補正発明１では「多重量子井戸構造」の「最上層と最下層がＩｎＮ層である」のに対し，引用発明１では，そのことが特定されていない点。
＜相違点４＞
　補正発明１では「ＩｎＮ層の膜厚は１０ｎｍ以下」であるのに対し，引用発明１では「ＩｎＧａＮ井戸層１１９ａの厚さが１０ｎｍ以下」である点。
＜相違点５＞
　補正発明１では「前記ＩｎＮ層と前記ＧａＮ層のペア数は１００以下」であるのに対し，引用発明１では，「ＩｎＧａＮ井戸層１１９ａとＧａＮ障壁層１１９ｂ」のペア数が特定されていない点。
３．４　相違点についての判断
（１）相違点２について
　事案に鑑み，はじめに相違点２について検討する。
ア　引用例２には，窒化物系ＨＦＥＴのチャネル層として，アンドープＩｎＮ／ＧａＮチャネル層（膜厚１／１ｎｍ×ｌ０周期）構造が記載されている（段落００２５，上記３．２（２）イのａ）。ここで，窒化物系ＨＦＥＴとＧａＮ系ＨＥＭＴが本質的に同じ構造であることは，技術常識である。
イ　また，当該チャネル層構造により，室温における移動度２１００ｃｍ2／Ｖｓおよび７７Ｋにおける移動度８５００ｃｍ2／Ｖｓという特性が得られること，ＩｎＮ単層の場合と比べてＨＦＥＴの最高動作温度が５０℃高くなることが記載されている（上記３．２（２）イのａ，ｂ）。上記の移動度は，技術常識（Ｓｉの電子移動度が約１４００ｃｍ2／Ｖｓ）に照らしても比較的高い移動度であるといえる。
ウ　一方，引用例１の目的は，大出力，高速化の可能な電界効果トランジスタを提供することであるから（段落０００６），チャネル層の移動度をより高く，動作温度をより高くする動機が存在する。
エ　加えて，引用例１には，ＩｎＧａＮ層を成長する場合，層中に高濃度の点欠陥が発生しやすく，また，組成不均一が生じやすいことが記載されているところ（段落０００５，上記３．２（１）エのａ），引用例２にも，ＩｎxＧａ1-xＮ（０＜ｘ＜１）混晶において，現状では均一な組成分布をもつ膜が得られないため，合金散乱が大きくなり移動度の増加が見られない旨が記載されている（段落００２３，上記３．２（２）イのｃ）。そうすると，引用例１と引用例２は，ＩｎＧａＮ層をチャネル層に用いる際の課題認識の点で共通する。
オ　さらに，引用例１には，ＩｎＧａＮ井戸層１１９ａ多重量子井戸構造の採用により薄層化されると，ＩｎＧａＮ成長時の問題である欠陥発生や組成変動の影響が軽減され，電子散乱を生じにくくすることができることが記載されているところ（段落００２２，上記３．２（１）エのｂ），引用例２にも，ＩｎＮチャネル層は層厚１００ｎｍ以上で結晶の乱れが大きく影響し急激に移動度が低下する（段落００２４，上記３．２（２）イのｅ）との記載から，ＩｎＮ層を１００ｎｍより薄くすることで結晶の乱れの影響を抑制できることが示唆されていると理解できる。引用例２に具体的に記載されたアンドープＩｎＮ／ＧａＮチャネル層も，ＩｎＮ層とＧａＮ層の厚さがいずれも１ｎｍであり，薄層化されているといえる。そうすると，引用例１と引用例２は，薄層化により結晶の乱れによる影響を低減するという，課題解決の方向性の点でも共通する。
カ　したがって，引用発明１において引用例２に記載された公知のチャネル層構造を採用し，「ＩｎＧａＮ井戸層」を「ＩｎＮ井戸層」に変更することは，当業者が容易に想到し得たことである。
　審判請求人は，審判請求書において以下のように述べ，引用文献２（引用例１と同じ文献）に基づいて補正発明１のＩｎＮ／ＧａＮ多重量子井戸層を想到することはたとえ当業者でも容易でないと主張している。
「引用文献２の段落[００１４]には，「ＩｎＧａＮの組成を，ＩｎＮ混晶比をｘとして，ＩｎｘＧａ１−ｘＮとしたとき，電子移動度の顕著な向上を図るためには，ｘを０．０５以上とすることが望ましい。他方，ｘが０．５を超えることは，ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層１１０（構成要件Ｈに相当）との格子不整合が甚だしくなり，性能低下を招くので好ましくない。」と記載されているからである。このようにＩｎＮ井戸層を用いたＭＱＷチャネル層１１９を実現するためには，ｘの値は性能低下を招く“１”に設定する必要がある。したがって，引用文献２に基づいて，本願の新請求項１に係る発明の「ＧａＮ層直上のＩｎＮ／ＧａＮ多重量子井戸層」中のＩｎＮ／ＧａＮ多重量子井戸層を想到することはたとえ当業者でも容易なことではないと思料する。」（第９頁第３段落）
　しかしながら，引用文献２（引用例１）の段落００１４の記載は，単層のＩｎＧａＮ層をチャネル層とした実施例（図１）に対する記載であり，多重量子井戸構造をチャネル層とした場合の実施例（図４）に対する記載ではない。仮にそうでないとしても，引用例２には，ＩｎＮが格子不整を考えた材料選択では不利であるが，特異な移動度増大を示し，チャネル材料として極めて優れていることが記載されているところ（段落００２３，上記３．２（２）イのｄ），上記の格子不整に伴う結晶の乱れの影響を抑制する具体的方策として１００ｎｍより薄層のＩｎＮ層を用いることが記載され，さらに，１ｎｍのＩｎＮ層及びＧａＮ層による多重量子井戸であれば十分な移動度が確保できることも記載されていることは，上記イ，オで述べたとおりである。
　したがって，引用発明１において，引用例２に記載された多重量子井戸構造を適用することが，審判請求人が指摘する引用文献２（引用例１）の段落００１４の記載により阻害されると認めることはできない。上記審判請求人の主張は採用できない。
（２）相違点３について
　多重量子井戸構造において，最上層と最下層をそれぞれ井戸層とするか障壁層とするかは，当業者が適宜選択すべき設計事項である。また，引用例１の段落００２１に「複数のＩｎＧａＮ井戸層１１９ａにより２ＤＥＧ層が形成される。」と記載されているとおり，井戸層に対応して２ＤＥＧが形成されることも，当業者に認識された事項であるから，井戸層を増やすことの効果も，当業者であれば直ちに察知し得たことであるといえる。
　そうすると，引用発明１において多重量子井戸構造の最上層と最下層を井戸層とすることは，当該井戸層の材料組成を問わず当業者が適宜なし得たことであり，上記（１）のとおり井戸層をＩｎＮ層に変更した場合でも，同様に適宜なし得たことであるといえる。また，その効果も当業者の予測の範囲内のものである。
（３）相違点４について
　上述のとおり，引用例２には，井戸層となるＩｎＮ層の膜厚が１ｎｍであることが記載（段落００２５）され，結晶性の乱れによる影響を抑制するために単層のＩｎＮチャネル層において１００ｎｍより薄い厚さとすることが記載（段落００２４）されている。
　一方，引用発明１において，井戸層であるＩｎＧａＮ層の膜厚は「１０ｎｍ以下」と規定されている。
　そうすると，引用発明１において引用例２記載の多重量子井戸構造を採用し，ＩｎＧａＮ井戸層をＩｎＮ井戸層に変更した際，膜厚をＩｎＧａＮ層と同様に「１０ｎｍ以下」とすることは，当業者が自然になし得たことであるといえる。
（４）相違点５について
　多重量子井戸構造のペア数は当業者の設計事項であり，引用例１の段落００２１に記載のとおり，井戸層に対応して２ＤＥＧ層が形成されることも当業者の認識の範囲内の事項であるから，引用発明１において井戸層と障壁層のペア数を１００以下の所定の数とすることも，井戸層の材料組成を問わず適宜なし得たことであり，上記（１）のとおり井戸層をＩｎＮ層とした際に，「前記ＩｎＮ層と前記ＧａＮ層のペア数」を１００以下とすることも，格別の困難無くなし得たことである。また，その効果も当業者の予測の範囲内のものである。
（５）相違点１について
　上記３．２（２）ウ，（３），（４）で摘記した，引用例２の段落００４１〜００４２，引用例３の段落００１７，００２１，及び，引用例４の００２６，００３２の記載によれば，ＧａＮ系ＨＥＭＴのバッファ層としてＧａＮ層を用いることは，当業者の周知技術であると理解できる。
　そうすると，ＧａＮ系ＨＥＭＴである引用発明１における材料の特定されていない「バッファ層１０２」として，上記周知のＧａＮ層を用いることは，当業者が容易になし得たことである。
（６）小括
　したがって，補正発明１は，引用例２に記載された技術的事項及び引用例２〜４に示される周知技術に照らし，引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
３．５　独立特許要件についてのまとめ
　上記３．４のとおり，補正発明１は引用発明１及び引用例２〜４から当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
４．補正却下の決定についてのまとめ
　したがって，本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合しないものであるから，特許法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって，上記補正却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１．本願発明
　令和２年８月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜６に係る発明は，令和元年１０月１７日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，上記第２，１．アの（ア）に本件補正前の請求項１として摘記したとおりのものである。
２．原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１〜６に係る発明は，本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１又は２に記載された発明及び引用文献１〜６に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用文献１.特開平１１―２０４７７８号公報（引用例２）
引用文献２.特開２００３−１９７６４６号公報（引用例１）
引用文献３.特開２０１７−１７３１１号公報
引用文献４.特開２０１７−１３９３９０号公報（引用例３）
引用文献５.特開２０１３−４７３５号公報
引用文献６.特開２０１６−１３４６１２号公報（引用例４）
３．引用文献の記載
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１〜２，４，６の記載は，上記第２の３．２に引用例１〜４に記載された事項として摘記したとおりである。
４．対比・判断
　上記第２の２．で検討したように，補正発明１は，本件補正前の請求項１について，上記第２の１．イに示した補正事項１ａ〜１ｆの点を限定したものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをさらに限定したものである補正発明１が，上記第２の３．で示した理由のとおり，引用例２（引用文献１）に記載された技術的事項及び引用例２〜４（引用文献１，４，６）の周知技術に照らし引用発明１（引用文献２に記載された発明）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
５．本願発明についての結論
　上記４．のとおり，本願発明は，引用発明１並びに引用文献１に記載の技術的事項及び引用文献１，４，６に示される周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
第４　結言
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。