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　特願２０１６−　９６３７１「チップインダクター」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年１２月２８日出願公開、特開２０１６−２２５６１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成２８年５月１２日に出願したものであって（パリ条約による優先権主張２０１５年５月２７日韓国、２０１５年１０月１６日韓国）、平成２９年７月２５日付け拒絶理由通知に対して同年１１月１日に手続補正がなされ、平成３０年５月３１日付け拒絶理由通知に対して同年９月５日に手続補正がなされたが、平成３１年２月２８日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、令和１年７月５日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされ、令和２年６月８日付け当審の拒絶理由通知に対して同年８月１７日に手続補正がなされたものである。
  
第２　本願発明  
　本願の請求項１ないし２０に係る発明は、令和２年８月１７日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。  
  
「有機物及びコイル部を含むボディと、前記ボディの外側に配置され、前記コイル部と連結された外部電極と、を含み、
　前記コイル部は、第１の導電性パターン、前記第１の導電性パターンと対向する第２の導電性パターン、及び、前記第１の導電性パターンと前記第２の導電性パターンとの間に設けられる導電性ビアを有し、
　前記導電性ビアは、ＳｎまたはＳｎ系合金と、体積比で２０〜８０ｖｏｌ％の含量の有機物とが少なくとも混合された有機物−金属複合材料を有しており、
　前記導電性ビアと前記第１の導電性パターンとの第１界面において前記導電性ビア中の前記Ｓｎまたは前記Ｓｎ系合金と前記第１の導電性パターン中の金属とにより形成されたＳｎ系金属間化合物を有しており、
　前記導電性ビアと前記第２の導電性パターンとの第２界面において前記導電性ビア中の前記Ｓｎまたは前記Ｓｎ系合金と前記第２の導電性パターン中の金属との反応により形成されたＳｎ系金属間化合物を有している、チップインダクター。」  
  
第３　当審拒絶理由の概要
　当審において令和２年６月８日付けで通知した拒絶理由のうち理由１の概要は、請求項１に係る発明に対する拒絶理由を含むものであって、次のとおりである。
　本願の請求項１に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献１：特開２０１２−１８２３７９号公報
引用文献２：特開平１１−２５１７５１号公報（周知技術を示す文献）
引用文献３：特開２０００−３０５３３号公報
第４　引用文献
１　引用文献１（特開２０１２−１８２３７９号公報）
　引用文献１には、「多層チップ部品」に関して、図面と共に以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。  
（１）「【０００１】
　本発明は、
プリント基板を複数枚積層してなる多層集合基板を、切断することによって得られる多層チップ部品
に関する。
（２）「【００１４】
  ＜多層チップ部品＞
　本発明の
多層チップ部品は、
チップインダクタ
である。
【００１５】
  ［絶縁性基板］
　
絶縁性基板は、
熱可塑性樹脂を含むものである。
【００１６】
  ［導体配線層］
　導体配線層としては、種々公知の配線基板に用いられる導体配線層を使用することができる。
導体配線層の材料としては、
銅（Ｃｕ）である。
【００１７】
  ［多層集合基板］
　
多層集合基板は、上記絶縁性基板、および、絶縁性基板の少なくとも一方の表面に形成された導体配線層を有するプリント基板が複数枚積層されてなる
【００１８】
  ［多層チップ部品］
　多層集合基板を切断することによって得られる
多層チップ部品の切断面を含む表面上には、外部電極が設けられる。
【００１９】
  ［外部電極］
　本発明の多層チップ部品における外部電極は、Ｓｎを含有する第１金属と該第１金属よりも高い融点を有する第２金属との反応により生成する３００℃以上の融点を有する金属間化合物を含んでいる。」
（３）「【００３４】
　なお、図示していないが、
導体配線層
は
相互に電気的に接続されている。接続は
ビアホール導体により接続を行う
外部電極の形成に用いられるビアホール導体と同じ材料を用いてビアホール導体を形成する
【００３５】
  （２）  多層チップ部品を得るステップ
　上述のようにして得られた多層集合基板は、多層チップ部品となるブロックが複数形成されたものであり、その各々のブロックを分割するように、ダイシングや打ち抜きなどの種々公知の方法により切断される（図２（ｆ））。
【００３６】
  （３）  外部電極を形成するステップ
  ＜導電性ペーストの塗布＞
　このようにして得られた多層チップ部品の切断面を含む表面上に
導電性ペーストを用いて外部電極を形成する。
【００３７】
　
導電性ペーストとしては、上記第１金属および第２金属からなる金属成分と、フラックス成分とを混練してなるペーストが用いられる。
【００３８】
  （金属成分）
　金属成分としては、上述の第１金属および第２金属と同様のものが用いられる。導電性ペースト中における金属成分とは、具体的には、例えば、ペースト中に分散された状態で存在する第１金属からなる粉末（第１金属粉末）および第２金属からなる粉末（第２金属粉末）である。
【００３９】
　第１金属粉末および第２金属粉末の算術平均粒径は、１〜３０μｍであることが好ましい。小さすぎると製造コストが高くなる。また金属粉末の酸化が進み反応を阻害し易い問題がある。大きすぎるとビアホールに充填できなくなる問題が起きる。また、第１金属と第２金属との接続性や反応性を考慮すると、第１金属粉末および第２金属粉末中の酸素濃度は２０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、特に１０〜１０００ｐｐｍが好ましい。」
（４）「【００５６】
  ＜導電性ペーストの熱処理＞
　次に、導電性ペーストが切断面を含む表面上に塗布された多層チップ部品に対して、絶縁性基板を構成する樹脂が流れ出さない温度で熱処理を行うことにより、多層チップ部品の切断面に接して設けられた導体配線層２１と、外部電極とを電気的に接続する。
【００５７】
　熱処理の温度は、少なくとも一定時間の間、２３０℃以上に達することが好ましい。２３０℃に達しない場合は第１金属中のＳｎ（融点：２３２℃）が溶融状態とならず、金属間化合物を生成することができない。また、熱処理の最高温度は、３００℃以下であることが好ましい。３００℃を超えると、ＬＣＰ等の熱可塑性樹脂を含む絶縁性基板から、樹脂が流れ出してしまうおそれがあるからである。ＬＣＰは、分子量によるが、約３１５℃で流動を開始する。
【００５８】
　このようにして
熱処理することで、導電性ペースト
中のフラックス成分は分解、揮発し、第１金属中のＳｎと第２金属
が反応して金属間化合物を生成し、また、多層チップ部品の切断面に接して設けられた導体配線層
と導電性ペースト
とが接する部分において、導体配線層
を形成する金属と導電性ペーストに含まれる第１金属中のＳｎとが反応して合金層を形成する。この熱処理により、多層チップ部品の切断面に接して設けられた導体配線層
と電気的に接続された外部電極
が形成される
　上記（１）ないし（４）から、引用文献１には以下の事項が記載されている。
・上記（２）によれば、多層チップ部品は、チップインダクタとして使用できるものである。
・上記（１）及び（２）によれば、多層チップ部品は、プリント基板を複数枚積層してなる多層集合基板を切断することによって得られるものであり、多層チップ部品の切断面を含む表面上には、外部電極が設けられている。
　また、多層集合基板は、絶縁性基板、および、絶縁性基板の少なくとも一方の表面に形成された導体配線層を有するプリント基板が複数枚積層されてなるものである。
　そして、多層集合基板を構成する絶縁性基板は、熱可塑性樹脂を含み、導体配線層の材料は、銅（Ｃｕ）である。
・上記（３）によれば、導体配線層はビアホール導体により相互に電気的に接続されている。
　また、外部電極の形成に「ビアホール導体と同じ材料」を用いるから、ビアホール導体と外部電極は同じ材料の導電性ペーストを用いて形成されている。
・上記（２）及び（３）によれば、外部電極の形成に用いる導電性ペーストとしては、第１金属および第２金属からなる金属成分と、フラックス成分とを混練してなるペーストが用いられるものである。
・上記（４）によれば、熱処理することで、導電性ペースト中のフラックス成分は分解、揮発し、第１金属中のＳｎと第２金属が反応して金属間化合物を生成するものである。
　また、多層チップ部品の切断面に接して設けられた導体配線層と導電性ペーストとが接する部分において、導体配線層を形成する金属と導電性ペーストに含まれる第１金属中のＳｎとが反応して合金層を形成するものである。
　さらに、この熱処理により、多層チップ部品の切断面に接して設けられた導体配線層と電気的に接続された外部電極が形成されるものである。
　したがって、上記摘記事項および図面を総合勘案すると、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。  
  
「チップインダクタとして使用する多層チップ部品であって、
　多層チップ部品は、プリント基板を複数枚積層してなる多層集合基板を切断することによって得られるものであり、多層チップ部品の切断面を含む表面上には、外部電極が設けられており、
　多層集合基板は、絶縁性基板、および、絶縁性基板の少なくとも一方の表面に形成された導体配線層を有するプリント基板が複数枚積層されてなり、　多層集合基板を構成する絶縁性基板は熱可塑性樹脂を含み、導体配線層の材料は銅（Ｃｕ）であり、
　導体配線層はビアホール導体により相互に電気的に接続されており、
　ビアホール導体と外部電極は同じ材料の導電性ペーストを用いて形成されており、
　外部電極の形成に用いる導電性ペーストとしては、第１金属および第２金属からなる金属成分と、フラックス成分とを混練してなるペーストが用いられ、
　熱処理することで、導電性ペースト中のフラックス成分は分解、揮発し、第１金属中のＳｎと第２金属が反応して金属間化合物を生成し、また、多層チップ部品の切断面に接して設けられた導体配線層と導電性ペーストとが接する部分において、導体配線層を形成する金属と導電性ペーストに含まれる第１金属中のＳｎとが反応して合金層を形成し、この熱処理により、多層チップ部品の切断面に接して設けられた導体配線層と電気的に接続された外部電極が形成される、
多層チップ部品。」
２　引用文献２（特開平１１−２５１７５１号公報）
　引用文献２には、図面とともに以下の記載がある。
「【要約】
【課題】配線回路層と導体ペーストを充填して形成したバイアホール導体との接続信頼性に優れた配線基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】有機樹脂を含有する絶縁層２に形成した
バイアホール内に金属粉末を含む導体ペーストを充填してバイアホール導体５を形成した後、その両端に
Ｓｎ
を含む金属層８を形成し、
配線回路層９と金属層８との金属粒子間を、銅と金属層中の金属成分との合金からなるネック部Ａによって機械的に強固に
接続する。
「【００１６】本発明における大きな特徴は、図２の要部拡大図に示すように、
バイアホール導体５中の金属粒子６が、
Ｓｎ
の金属粉末７を主体とする金属層８を介して前記配線回路層４と電気的に接続してなり、その金属層８中の金属粒子７と配線回路層４としての例えば銅箔９とが、ネック部Ａによって接合してなる
　上記記載によれば、引用文献２には、多層配線基板に関して、以下の技術が記載されている。
「配線回路層と導体ペーストを充填して形成したバイアホール導体とを、銅とＳｎとの合金によって機械的に強固に接続すること」
３　引用文献３（特開２０００−３０５３３号公報）
　引用文献３には、図面とともに以下の記載がある。
「【００１１】本発明の
導電体ペースト組成物は、
導電体粒子；３０〜７０体積％
樹脂；７０〜３０体積％
【００１２】前記ペースト組成物においては、導電体粒子が、下記Ｉ〜ＩＶの群から選ばれる少なくとも一つの粒子であることが好ましい。（Ｉ）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウムから選ばれる少なくとも一つの粒子。（II）金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み合わせの合金粒子。（III）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウムから選ばれる少なくとも一つの金属で被覆された粒子。（IV）導電性または非導電性粒子を核とし、金、白金、銀、パラジウム、銅、ニッケル、錫、鉛、インジウム、亜鉛、クロムから選ばれる任意の組み合わせの合金で被覆された粒子。」
「【００６７】表２に各
ビアホール充填用導電体ペースト
導電体粒子と樹脂を
配合した
導電体粒子の含有量が比較例である３０体積％未満では、導電体粒子が不足しビアホール抵抗値が大きい。また導電体粒子の含有量が比較例の７０体積％を越えるとペースト粘度及びＴＩ値が高くなりビアホール充填作業性が困難であった。
　上記記載によれば、引用文献３には、以下の技術が記載されている。
「ビアホール充填用導電性ペーストにおける導電体粒子と樹脂の配合を、導電性粒子３０〜７０体積％、樹脂７０〜３０体積％にすること」
   
第５　対比  
　本願発明と引用発明とを対比する。  
１　引用発明の「多層チップ部品」、及び多層チップ部品の切断面を含む表面上に設けられた「外部電極」は、本願発明の「ボディ」、及び「ボディの外側に配置され」た「外部電極」にそれぞれ相当する。
２　引用発明の「多層チップ部品」は、絶縁性基板に熱可塑性樹脂を含み、また部品内部にインダクタ（コイル）の配線を含むことが明白であり、本願発明の「有機物及びコイル部を含むボディ」に相当する。
３　引用発明の「外部電極」は、技術常識を考慮すると「多層チップ部品」のインダクタの配線に接続されるものであるから、本願発明の「前記コイル部と連結された外部電極」に相当する。
４　引用発明の多層集合基板の「導体配線層」は、切断された個々の多層チップ部品において、インダクタの配線パターンを形成することが明白であるから、本願発明のコイル部が有する「導電性パターン」に相当する。
　また、引用発明の多層集合基板において複数の「導体配線層」がプリント基板の積層によって互いに対向する配置にあること、及び切断された個々の多層チップ部品においても複数の「導体配線層」が互いに対向する配置にあることは明白といえ、本願発明の「前記コイル部は、第１の導電性パターン、前記第１の導電性パターンと対向する第２の導電性パターン」を有することに相当する。
５　引用発明の導体配線層を相互に電気的に接続する「ビアホール導体」は、本願発明の「前記第１の導電性パターンと前記第２の導電性パターンとの間に設けられる導電性ビア」に相当する。
６　引用発明のビアホール導体は、外部電極と同じ材料の導電性ペーストを用いて形成され、当該導電性ペーストは第１金属中にＳｎを含むから、本願発明の「前記導電性ビアは、Ｓｎが混合された材料を有して」いることに相当する。
　ただし、Ｓｎが混合された導電性ビアの材料について、本願発明は「ＳｎまたはＳｎ系合金と、体積比で２０〜８０ｖｏｌ％の含量の有機物とが少なくとも混合された有機物−金属複合材料」であるのに対して、引用発明にはその旨の特定がない点で相違する。
７　本願発明は「前記導電性ビアと前記第１の導電性パターンとの第１界面において前記導電性ビア中の前記Ｓｎまたは前記Ｓｎ系合金と前記第１の導電性パターン中の金属とにより形成されたＳｎ系金属間化合物を有しており、前記導電性ビアと前記第２の導電性パターンとの第２界面において前記導電性ビア中の前記Ｓｎまたは前記Ｓｎ系合金と前記第２の導電性パターン中の金属との反応により形成されたＳｎ系金属間化合物を有している」のに対し、引用発明にはその旨の特定がない点で相違する。
８　引用発明の「多層チップ部品」及び「外部電極」からなるチップインダクタは、本願発明の「チップインダクター」に相当する。　
　上記１ないし８から、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
  
＜一致点＞
「有機物及びコイル部を含むボディと、前記ボディの外側に配置され、前記コイル部と連結された外部電極と、を含み、
　前記コイル部は、第１の導電性パターン、前記第１の導電性パターンと対向する第２の導電性パターン、及び、前記第１の導電性パターンと前記第２の導電性パターンとの間に設けられる導電性ビアを有し、
　前記導電性ビアは、Ｓｎが混合された材料を有している、チップインダクター。」
  
＜相違点１＞
　Ｓｎが混合された導電性ビアの材料について、本願発明は「ＳｎまたはＳｎ系合金と、体積比で２０〜８０ｖｏｌ％の含量の有機物とが少なくとも混合された有機物−金属複合材料」であるのに対して、引用発明にはその旨の特定がない点。
  
＜相違点２＞  
　本願発明は「前記導電性ビアと前記第１の導電性パターンとの第１界面において前記導電性ビア中の前記Ｓｎまたは前記Ｓｎ系合金と前記第１の導電性パターン中の金属とにより形成されたＳｎ系金属間化合物を有しており、前記導電性ビアと前記第２の導電性パターンとの第２界面において前記導電性ビア中の前記Ｓｎまたは前記Ｓｎ系合金と前記第２の導電性パターン中の金属との反応により形成されたＳｎ系金属間化合物を有している」のに対して、引用発明にはその旨の特定がない点。  
  
第６　判断
　上記相違点１及び２について検討する。
　引用文献１記載の発明は、接合信頼性に優れた多層チップ部品を提供することを課題としており（【０００７】）、引用発明が導電性ペーストを用いて形成された外部電極やビアホール導体に、熱処理により金属間化合物や合金層を形成するのは、接合信頼性を高めるためである。
　ここで、多層配線基板において、配線回路層とビアホール導体との間に、銅とＳｎの合金または金属間化合物を形成して結合力を高めることは普通に行われているところ（上記「第４」「２」参照。他にも必要であれば、特開平１１−２５１７０３号公報の【００１８】及び【００２３】参照）、ビアホール導体の形成にＳｎまたはＳｎ系合金と熱硬化性樹脂を混合した導電性ペーストを使用し、加熱により配線回路層の銅と導電性ペーストのＳｎまたはＳｎ系合金とを反応させて金属間化合物を形成することは周知の技術事項である（特開２０１４−６０４０７号公報の【００４８】−【００４９】、【００５３】及び【００８１】−【００８２】、特開２０００−４９４６０号公報の【００２８】及び【００４４】参照）。
　また、ビアホール導体用の材料に樹脂を配合する際には、抵抗値の大きさや製造時の調整の困難さを考慮して、配合割合を調整することは普通に行われており、引用文献３に記載があるように、導電体粒子３０〜７０体積％、樹脂７０〜３０体積％とすることは（上記「第４」「３」参照）、当業者が普通に選択し得る範囲である。
　そうすると、接合信頼性が求められる引用発明のチップインダクタのビアホール導体に、周知の技術事項を適用して、配線回路層の銅と導電性ペーストのＳｎまたはＳｎ系合金とを反応させて金属間化合物を形成するようにし、導電性ペーストにおける導電体粒子と樹脂の配合を導電体粒子３０〜７０体積％、樹脂７０〜３０体積％にして、上記相違点１及び２に係る構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
  
　この点について、審判請求人は、令和２年８月１７日付け意見書において、出願時の技術常識においては、本願発明のように、あえて結果物として有機物を残存させる「有機物−金属複合材料」の導電性ビアでありながら、その導電性ビアと導電性パターンとの界面において、導電性ビア中のＳｎまたはＳｎ合金と、導電パターン中の金属とにより形成されたＳｎ系金属間化合物を形成させるという発想はなく、本願発明の構成に容易に想到すると判断することは妥当ではない旨主張している。
　しかしながら、上記で検討したとおり、ビアホール導体の形成にＳｎまたはＳｎ系合金と熱硬化性樹脂を混合した導電性ペーストを使用し、加熱により配線回路層の銅と導電性ペーストのＳｎまたはＳｎ系合金を反応させて金属間化合物を形成することは周知の技術事項である。また、当該周知の技術事項においては、加熱により硬化した樹脂が有機物としてビアホール導体に残ることは明白である。
　よって、審判請求人の上記主張を採用することはできない。
　そして、本願発明が奏する効果は、引用文献１に記載された発明、及び周知の技術事項から当業者が十分に予測できたものであって格別なものとはいえない。
　したがって、本願発明は、引用文献１に記載された発明、及び周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。  
  
第７　むすび  
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり、審決する。