【手続補正書】
【提出日】平成31年4月25日(2019.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面に複数の凹部が配された半導体基板と、
前記複数の凹部に配された絶縁体と、を有し、
前記半導体基板は光電変換素子を有し、
前記光電変換素子は、第１導電型の第１半導体領域と、前記第１導電型と反対導電型であり信号電荷と同極性である第２導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域よりも不純物濃度が高く、少なくともその一部が前記第２半導体領域よりも前記一主面側に配された、前記第２導電型の第３半導体領域と、を有し、
前記一主面に垂直な第１断面において、前記第３半導体領域を間に挟んで隣り合うように前記複数の凹部のうち第１の凹部及び第２の凹部が配され、
前記第１断面において、前記第１半導体領域は、前記第１の凹部の下に配された第１部分と、前記第２の凹部の下に配された第２部分と、を含み、
前記第１断面において、前記一主面と平行な線に沿って前記第１部分、前記第２半導体領域、及び、前記第２部分がこの順に並ぶように、前記第１部分及び前記第２部分の間に前記第２半導体領域が配され、
前記第１断面において、前記一主面と垂直な線に沿って、前記一主面の側から前記第３半導体領域、前記第２半導体領域、及び、前記第１半導体領域の一部がこの順に並び、
前記第１断面において、前記第２半導体領域は前記第１半導体領域と接しており、
前記第１断面において、前記第１半導体領域の前記第１部分及び前記第２半導体領域により構成されるＰＮ接合部、ならびに、前記第１半導体領域の前記第２部分及び前記第２半導体領域により構成されるＰＮ接合部が、前記第１の凹部の前記第２の凹部の側の端を通り前記主面に垂直な線、及び、前記第２の凹部の前記第１の凹部の側の端を通り前記主面に垂直な線の間に配されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記一主面に垂直な、前記第１断面と交差する第２断面において、前記第３半導体領域を間に挟んで隣り合うように前記複数の凹部のうちの第３の凹部及び第４の凹部が配され、
前記第２断面において、前記第３の凹部及び前記第４の凹部の間に前記第２半導体領域が配され、
前記第２断面において、前記第１半導体領域は、前記第３の凹部の下に配された第３部分と、前記第４の凹部の下に配された第４部分と、を含み、
前記第２断面において、前記一主面と平行な線に沿って前記第３部分、前記第２半導体領域、及び、前記第４部分がこの順に並ぶように、前記第３部分及び前記第４部分の間に前記第２半導体領域が配され、
前記第２断面において、前記第１半導体領域の前記第３部分及び第２半導体領域により構成されるＰＮ接合部、ならびに、前記第１半導体領域の前記第４部分及び前記第２半導体領域により構成されるＰＮ接合部が、前記第３の凹部の前記第４の凹部の側の端を通り前記主面に垂直な線、及び、前記第４の凹部の前記第３の凹部の側の端を通り前記主面に垂直な線の間に配されていることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記半導体基板の前記一主面側に配され、前記一主面に対する平面視において、前記第３半導体領域を囲む前記第１導電型の第４半導体領域を有し、
前記第４半導体領域の不純物濃度は、前記第１半導体領域の不純物濃度よりも高く、
前記一主面に対する平面視において、前記複数の凹部は前記第４半導体領域内に配されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第４半導体領域の下に、前記第２半導体領域の少なくとも一部が配され、
前記半導体基板の前記一主面のうち、前記第３半導体領域が配された面を基準として、前記絶縁体の底の位置が、前記第４半導体領域と前記第２半導体領域前記少なくとも一部とがなすＰＮ接合部の位置より深いことを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第４半導体領域の下に、前記第２半導体領域の少なくとも一部が配され、
前記半導体基板の前記一主面のうち、前記第３半導体領域が配された面を基準として、前記絶縁体の底の位置が、前記第４半導体領域と前記第２半導体領域前記少なくとも一部とがなすＰＮ接合部の位置より浅いことを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項６】
一主面に複数の凹部が配された半導体基板と、
前記複数の凹部に配された絶縁体と、を有し、
前記半導体基板は光電変換素子を有し、
前記光電変換素子は、第１導電型の第１半導体領域と、前記第１導電型と反対導電型であり信号電荷と同極性である第２導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域よりも不純物濃度が高く、少なくともその一部が前記第２半導体領域よりも前記一主面側に配された、前記第２導電型の第３半導体領域と、を有し、
前記絶縁体と前記半導体基板との界面に接するように、前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高い前記第１導電型の第４半導体領域が配されており、
前記複数の凹部のそれぞれは、前記一主面に対する平面視において、前記第４半導体領域に囲まれるように配されており、
前記一主面に対する平面視において、前記第４半導体領域と前記第２半導体領域のうち少なくとも一部とが重なり、
前記一主面に垂直な断面において、前記複数の凹部の１つと、第２半導体領域のうち少なくとも一部との間に、前記第４半導体領域が配されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
前記一主面に対する前記平面視において、前記第２半導体領域が前記複数の凹部と重なることを特徴とする請求項６の光電変換装置。
【請求項８】
前記一主面に対する前記平面視において、前記第４半導体領域を囲んで配された素子分離部を有し、
前記第２半導体領域は、前記素子分離部と接することを特徴とする請求項６または７に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記一主面に対する前記平面視において、前記第４半導体領域を囲んで配された素子分離部を有し、
前記複数の凹部は、前記素子分離部に囲まれていることを特徴とする請求項３乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記一主面に対する平面視において、前記複数の凹部は、前記第１半導体領域と重なることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記半導体基板上の絶縁膜に設けられた開口に配され、前記第３半導体領域と接する導電体を有する請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記一主面に対する平面視において、前記第３半導体領域は、前記第２半導体領域に囲まれていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記一主面に垂直な方向において、
前記第２半導体領域の一部は、前記第１半導体領域と前記第３半導体領域の間にあることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
前記一主面に垂直な方向において、
前記第２半導体領域の一部は、前記第１半導体領域と前記第４半導体領域の間にあることを特徴とする請求項３乃至１３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
前記絶縁体は、酸化シリコンからなる請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１６】
前記絶縁体は、ＬＯＣＯＳであることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１７】
前記絶縁体は、前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜の一部であることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１８】
前記第２半導体領域の不純物濃度は、前記第１半導体領域の不純物濃度より高いことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１９】
前記第４半導体領域の不純物濃度は、前記第２半導体領域の不純物濃度より高いことを特徴とする請求項３乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の光電変換装置を有し、原稿を読み取って画像データを生成する読み取り部と、
前記画像データに基づくデータを処理する処理部と、を備えることを特徴とする画像読み取り装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本願発明の１様態は、一主面に複数の凹部が配された半導体基板と、前記複数の凹部に配された絶縁体と、を有し、前記半導体基板は光電変換素子を有し、前記光電変換素子は、第１導電型の第１半導体領域と、前記第１導電型と反対導電型であり信号電荷と同極性である第２導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域よりも不純物濃度が高く、少なくともその一部が前記第２半導体領域よりも前記一主面側に配された、前記第２導電型の第３半導体領域と、を有し、前記一主面に垂直な第１断面において、前記第３半導体領域を間に挟んで隣り合うように前記複数の凹部のうち第１の凹部及び第２の凹部が配され、前記第１断面において、前記第１半導体領域は、前記第１の凹部の下に配された第１部分と、前記第２の凹部の下に配された第２部分と、を含み、前記第１断面において、前記一主面と平行な線に沿って前記第１部分、前記第２半導体領域、及び、前記第２部分がこの順に並ぶように、前記第１部分及び前記第２部分の間に前記第２半導体領域が配され、前記第１断面において、前記一主面と垂直な線に沿って、前記一主面の側から前記第３半導体領域、前記第２半導体領域、及び、前記第１半導体領域の一部がこの順に並び、前記第１断面において、前記第２半導体領域は前記第１半導体領域と接しており、前記第１断面において、前記第１半導体領域の前記第１部分及び前記第２半導体領域により構成されるＰＮ接合部、ならびに、前記第１半導体領域の前記第２部分及び前記第２半導体領域により構成されるＰＮ接合部が、前記第１の凹部の前記第２の凹部の側の端を通り前記主面に垂直な線、及び、前記第２の凹部の前記第１の凹部の側の端を通り前記主面に垂直な線の間に配されている光電変換装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また本願の別の一様態は、一主面に複数の凹部が配された半導体基板と、前記複数の凹部に配された絶縁体と、を有し、前記半導体基板は光電変換素子を有し、前記光電変換素子は、第１導電型の第１半導体領域と、前記第１導電型と反対導電型であり信号電荷と同極性である第２導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域よりも不純物濃度が高く、少なくともその一部が前記第２半導体領域よりも前記一主面側に配された、前記第２導電型の第３半導体領域と、を有し、前記絶縁体と前記半導体基板との界面に接するように、前記第１半導体領域よりも不純物濃度が高い前記第１導電型の第４半導体領域が配されており、前記複数の凹部のそれぞれは、前記一主面に対する平面視において、前記第４半導体領域に囲まれるように配されており、前記一主面に対する平面視において、前記第４半導体領域と前記第２半導体領域のうち少なくとも一部とが重なり、前記一主面に垂直な断面において、前記複数の凹部の１つと、第２半導体領域のうち少なくとも一部との間に、前記第４半導体領域が配されている光電変換装置に関する。