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【手続補正書】
【提出日】令和1年5月9日(2019.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、前記発光素子が発生した光を受光する受光素子と、前記発光素子が発生するべき光の光量を示す目標値と前記受光素子によって検出された光の光量とを比較し比較結果に応じた制御信号を発生する比較回路と、前記制御信号に応じた駆動信号を前記発光素子に供給する駆動回路とを備える駆動装置であって、
前記駆動回路は、前記制御信号を入力とし前記駆動信号を出力とする前記駆動回路のゲインを前記目標値に応じて変更するためのゲイン変更スイッチを有する、
ことを特徴とする駆動装置。
【請求項２】
前記駆動回路は、前記制御信号に応じて、容量が接続されたノードの充放電を行う充放電回路と、前記ノードの電圧に応じた電流を前記発光素子に供給する電流供給回路とを含み、
前記ゲイン変更スイッチは、前記目標値に応じて前記駆動回路のゲインが変更されるように前記電流供給回路のゲインを変更するためのスイッチを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の駆動装置。
【請求項３】
前記電流供給回路は、前記ノードの電圧を電流に変換する電圧電流変換回路と、前記電圧電流変換回路から出力される電流に応じた電流を出力する電流電流変換回路とを含み、
前記スイッチは、前記電流電流変換回路の出力する電流の、前記電圧電流変換回路から出力される電流に対するゲインを変更する、
ことを特徴とする請求項２に記載の駆動装置。
【請求項４】
前記電流電流変換回路は、前記電圧電流変換回路から出力される電流を受けて第１のミラー電流を発生する第１のカレントミラー回路と、前記第１のミラー電流を受けて第２のミラー電流を発生する第２のカレントミラー回路とを含み、
前記スイッチは、前記第２のカレントミラー回路に含まれる複数のトランジスタのうち、前記第２のミラー電流を発生させるために動作させるトランジスタの個数を決定する、
ことを特徴とする請求項３に記載の駆動装置。
【請求項５】
前記スイッチは、前記複数のトランジスタのゲートを互いに接続する、
ことを特徴とする請求項４に記載の駆動装置。
【請求項６】
前記電流電流変換回路は、前記電圧電流変換回路から出力される電流のミラー電流を発生する複数のミラー回路を含み、
前記スイッチは、前記複数のミラー回路のうち前記駆動信号の発生のために動作させるミラー回路の個数を決定する、
ことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の駆動装置。
【請求項７】
前記目標値が基準値より小さい場合の前記電流供給回路のゲインは、前記目標値が前記基準値より大きい場合の前記電流供給回路のゲインより小さい、
ことを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の駆動装置。
【請求項８】
前記駆動回路は、前記制御信号に応じて、容量が接続されたノードの充放電を行う充放電回路と、前記ノードの電圧に応じた電流を発生する電圧電流変換回路と、前記電圧電流変換回路が発生した電流の大きさをシフトさせたシフト電流を発生するシフト回路と、を含み、前記ゲイン変更スイッチは、前記シフト回路の活性化および非活性化を制御するためのスイッチを含み、
前記シフト回路が活性化されている場合は、前記電圧電流変換回路が発生した電流の大きさを前記シフト回路がシフトさせたシフト電流に応じた駆動電流が前記発光素子に供給され、前記シフト回路が非活性化されている場合は、前記電圧電流変換回路が発生した電流に応じた駆動電流が前記発光素子に供給される、
ことを特徴とする請求項１に記載の駆動装置。
【請求項９】
前記シフト電流は、前記電圧電流変換回路が発生した電流より小さい、
ことを特徴とする請求項８に記載の駆動装置。
【請求項１０】
前記目標値が基準値より小さい場合に前記シフト回路が活性化され、前記目標値が前記基準値より大きい場合に前記シフト回路が非活性化される、
ことを特徴とする請求項８又は９に記載の駆動装置。
【請求項１１】
前記シフト回路は、前記電圧電流変換回路の出力ノードと基準電位との間の経路に配置された電流源を含み、前記スイッチは、前記経路に設けられている、
ことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の駆動装置。
【請求項１２】
前記駆動回路は、前記制御信号に応じて、容量が接続されたノードの充放電を行う充放電回路と、前記ノードの電圧に応じた電流を前記発光素子に供給する電流供給回路とを含み、
前記ゲイン変更スイッチは、前記目標値に応じて前記ゲインが変更されるように前記充放電回路が前記容量を充放電させる電流の大きさを変更するためのスイッチを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の駆動装置。
【請求項１３】
前記充放電回路は、サンプルモードでは前記容量の充放電を行い、ホールドモードでは前記容量の充放電を行わない、
ことを特徴とする請求項２乃至１２のいずれか１項に記載の駆動装置。
【請求項１４】
前記目標値、および、前記目標値に応じて前記ゲインを変更するように前記ゲイン変更スイッチを制御するためのゲイン制御信号を発生する制御部を更に備える、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の駆動装置。
【請求項１５】
前記駆動回路は、前記制御信号を受けて前記駆動信号を出力し、前記駆動信号は、前記制御信号の値と前記ゲインとによって定まり、前記ゲインは、前記駆動信号の値と前記制御信号の値との比である、
ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の駆動装置。
【請求項１６】
発光素子と、前記発光素子が発生した光を受光する受光素子と、前記発光素子が発生するべき光の光量を示す目標値と前記受光素子によって検出された光の光量とを比較し比較結果に応じた制御信号を発生する比較回路と、前記制御信号に応じて、容量が接続されたノードの充放電を行う充放電回路と、前記ノードの電圧に応じた電流を発生する電圧電流変換回路と、前記電圧電流変換回路の出力ノードと基準電位との間の経路に配置された電流源と、前記経路に配置されたスイッチとを含むことを特徴とする駆動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月13日(2019.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送経路を搬送される用紙に形成された画像を測色する測色計と、
前記測色計に対向して配置され、前記測色計から照射される光を反射する第２背景部材と、
前記測色計と、前記第２背景部材との間に配置され、前記測色計と、前記第２背景部材との間を通過する前記用紙をガイドするガイド部材と、
前記測色計に対向して配置され、前記用紙の動きを規制する規制部材と、
を備え、
前記規制部材は、
前記測色計の測色位置の前記用紙が搬送される方向に対して上流側に配置され、転がり部材からなる第１部材と、
前記測色計の測色位置の前記用紙が搬送される方向に対して下流側に配置され、転がり部材からなる第２部材と、
前記第１部材及び前記第２部材を前記ガイド部材に押し付ける押圧部材と、
を備え、
前記押圧部材は、
前記第１部材及び前記第２部材のそれぞれの軸心からずれた位置に配置されている、
画像読取装置。
【請求項２】
前記第１部材は、
少なくとも２つ設けられ、
前記用紙の搬送方向に沿った領域のうち、前記測色計の測色位置を通る領域からずれた位置に配置されている、
請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記第１部材は、
少なくとも２つが対向して配置され、
前記第２部材は、
少なくとも１つ設けられ、
前記用紙の搬送方向に沿った領域のうち、前記測色計の測色位置を通る領域に配置されている、
請求項２に記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記第１部材及び前記第２部材のそれぞれは、
前記転がり部材として、前記用紙が搬送されるにつれ、従動するコロから構成される、
請求項１〜３の何れか一項に記載の画像読取装置。
【請求項５】
前記第１部材及び前記第２部材のそれぞれは、
前記転がり部材として、前記用紙を搬送する駆動ローラーから構成される、
請求項１〜３の何れか一項に記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記押圧部材は、
前記用紙の剛度に応じて、前記第１部材及び前記第２部材を前記ガイド部材に押し付ける荷重が調整自在である、
請求項１〜５の何れか一項に記載の画像読取装置。
【請求項７】
前記ガイド部材は、
前記測色計に対向して配置され、前記用紙を前記用紙の搬送方向に沿ってガイドする第１ガイド部材と、
前記第１ガイド部材に対向して配置され、前記用紙を前記用紙の搬送方向に沿ってガイドする第２ガイド部材と、
を備え、
前記規制部材は、
前記第１ガイド部材に対向して配置されている、
請求項１〜６の何れか一項に記載の画像読取装置。
【請求項８】
前記ガイド部材は、
前記測色計に対向して配置され、前記用紙を前記用紙の搬送方向に沿ってガイドする第１ガイド部材と、
前記第１ガイド部材に対向して配置され、前記用紙を前記用紙の搬送方向に沿ってガイドする第２ガイド部材と、
を備え、
前記規制部材は、
前記第２ガイド部材に対向して配置されている、
請求項１〜６の何れか一項に記載の画像読取装置。
【請求項９】
前記用紙に形成された画像を読み取るスキャナーと、
前記スキャナーに対向して配置され、前記スキャナーから照射される光を反射する第１背景部材と、をさらに備える、
請求項１〜８の何れか一項に記載の画像読取装置。
【請求項１０】
前記測色計は、前記スキャナーの下流側に配置されている、
請求項９に記載の画像読取装置。
【請求項１１】
前記スキャナーは、
前記用紙の表面に形成された画像を読み取る位置と、前記用紙の裏面に形成された画像を読み取る位置と、にそれぞれ設けられ、
前記スキャナーにより読み取られた読取結果と、前記測色計により測色された測色結果とは、関連付けられる、
請求項９又は１０に記載の画像読取装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１の何れか一項に記載の画像読取装置と、
前記用紙に画像を形成する画像形成装置と、
を備える、
画像形成システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係る画像読取装置は、搬送経路を搬送される用紙に形成された画像を測色する測色計と、前記測色計に対向して配置され、前記測色計から照射される光を反射する第２背景部材と、前記測色計と、前記第２背景部材との間に配置され、前記測色計と、前記第２背景部材との間を通過する前記用紙をガイドするガイド部材と、前記測色計に対向して配置され、前記用紙の動きを規制する規制部材と、を備え、前記規制部材は、前記測色計の測色位置の前記用紙が搬送される方向に対して上流側に配置され、転がり部材からなる第１部材と、前記測色計の測色位置の前記用紙が搬送される方向に対して下流側に配置され、転がり部材からなる第２部材と、前記第１部材及び前記第２部材を前記ガイド部材に押し付ける押圧部材と、を備え、前記押圧部材は、前記第１部材及び前記第２部材のそれぞれの軸心からずれた位置に配置されている、ものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明に係る画像読取装置において、前記ガイド部材は、前記測色計に対向して配置され、前記用紙を前記用紙の搬送方向に沿ってガイドする第１ガイド部材と、前記第１ガイド部材に対向して配置され、前記用紙を前記用紙の搬送方向に沿ってガイドする第２ガイド部材と、を備え、前記規制部材は、前記第２ガイド部材に対向して配置されている、ことが好ましい。
また、本発明に係る画像読取装置において、前記用紙に形成された画像を読み取るスキャナーと、前記スキャナーに対向して配置され、前記スキャナーから照射される光を反射する第１背景部材と、をさらに備える、ことが好ましい。
また、本発明に係る画像読取装置において、前記測色計は、前記スキャナーの下流側に配置されている、ことが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月15日(2019.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
基地局から、複数のリソースユニット（ｒｅｓｏｕｒｃｅ  ｕｎｉｔ）の情報を含むトリガーフレーム（ｔｒｉｇｇｅｒ  ｆｒａｍｅ）を受信する第１の受信手段と、
前記通信装置と前記基地局との間の信号品質に基づいて決定された送信電力によって、前記第１の受信手段により受信した前記トリガーフレームにおいて前記通信装置のために指定されたリソースユニットにおいて、前記基地局へのデータ信号を送信する送信手段と、
前記信号品質が第１の品質である場合には第１の送信電力により前記データ信号を送信し、前記信号品質が前記第１の品質よりも低い第２の品質である場合には前記第１の送信電力よりも高い第２の送信電力で前記データ信号を送信するように前記送信手段を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記トリガーフレームは、前記制御手段が送信電力を制御するための情報を含むことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記トリガーフレームは、前記送信手段による前記データ信号の送信に用いられるリソースユニットと、前記通信装置の識別情報であるＡＩＤ（Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）とを対応付けた情報を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記送信手段は、前記トリガーフレームを受信してからＳＩＦＳ（Ｓｈｏｒｔ  ＩｎｔｅｒＦｒａｍｅ  Ｓｐａｃｅ）時間が経過すると、前記データ信号を送信することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記トリガーフレームは、ＩＥＥＥ８０２．１１シリーズに準拠した信号であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記リソースユニットは、ＩＥＥＥ８０２．１１シリーズに準拠した１つの周波数チャネルを複数の周波数帯域に分割したものであることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記通信品質は、前記周波数チャネルにおける電波強度であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記送信手段が送信した前記データ信号に対するＡＣＫを前記基地局から受信する第２の受信手段を更に有することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項９】
通信装置の制御方法であって、
基地局から、複数のリソースユニット（ｒｅｓｏｕｒｃｅ  ｕｎｉｔ）の情報を含むトリガーフレーム（ｔｒｉｇｇｅｒ  ｆｒａｍｅ）を受信する受信工程と、
前記通信装置と前記基地局との間の信号品質に基づいて決定された送信電力によって、前記受信工程において受信された前記トリガーフレームにおいて前記通信装置のために指定されたリソースユニットにおいて、前記基地局へのデータ信号を送信する送信工程と、
前記信号品質が第１の品質である場合には第１の送信電力により前記データ信号を送信し、前記信号品質が前記第１の品質よりも低い第２の品質である場合には前記第１の送信電力よりも高い第２の送信電力で前記データ信号を送信するように制御する制御工程と、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１０】
コンピュータを請求項１から８のいずれか１項に記載の通信装置として動作させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
他の通信装置が信号を送信してしまうと、電波干渉が生じ、エラーが発生してしまう。上記の課題を鑑み、適切な送信電力で信号を送信できるようにすることを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の通信装置は、基地局から、複数のリソースユニット（ｒｅｓｏｕｒｃｅ  ｕｎｉｔ）の情報を含むトリガーフレーム（ｔｒｉｇｇｅｒ  ｆｒａｍｅ）を受信する第１の受信手段と、前記通信装置と前記基地局との間の信号品質に基づいて決定された送信電力によって、前記第１の受信手段により受信した前記トリガーフレームにおいて前記通信装置のために指定されたリソースユニットにおいて、前記基地局へのデータ信号を送信する送信手段と、前記信号品質が第１の品質である場合には第１の送信電力により前記データ信号を送信し、前記信号品質が前記第１の品質よりも低い第２の品質である場合には前記第１の送信電力よりも高い第２の送信電力で前記データ信号を送信するように前記送信手段を制御する制御手段と、を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、適切な送信電力で信号を送信することができる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月22日(2019.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化物半導体膜、トランジスタ、半導体装置、表示装置、表示モジュール、電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、ＹまたはＳｎを表す。）と、Ｚｎと、を有する酸化物半導体膜であって、
前記酸化物半導体膜の前記Ｉｎ、前記元素Ｍ、及び前記Ｚｎの原子数の比は、前記Ｉｎ、前記元素Ｍ及び前記Ｚｎが、それぞれ（１＋α）（−１≦α≦１）、（１−α）、及びβ（βは正の実数）またはその近傍である酸化物半導体膜。
【請求項２】
Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、ＹまたはＳｎを表す。）と、Ｚｎと、を有する酸化物半導体膜であって、
前記酸化物半導体膜の前記Ｉｎ、前記元素Ｍ、及び前記Ｚｎの原子数の比は、前記Ｉｎ、前記元素Ｍ及び前記Ｚｎが、それぞれ（１＋α）（−１≦α≦１）、（１−α）、及びβ（βは正の非整数）またはその近傍である酸化物半導体膜。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体膜は層状構造を有する酸化物半導体膜。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
１≧α＞０であり、前記元素ＭがＧａであるときに、前記酸化物半導体膜は（ＩｎＯ２）−層が１層に対し（ＩｎγＧａ１−γＺｎＯ２）＋層が２層ずつ積み重なる層状構造を有する酸化物半導体膜。
【請求項５】
請求項１または請求項２において、
０＞α≧−１であり、前記元素ＭがＧａであるときに、前記酸化物半導体膜は（Ｉｎ１−γＧａγＯ２）−層が１層に対し（ＧａＺｎＯ２）＋層が２層ずつ積み重なる層状構造を有する酸化物半導体膜。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の前記酸化物半導体膜を有するトランジスタ。
【請求項７】
請求項６に記載の前記トランジスタを有する半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の前記半導体装置と、
表示素子と、を有する表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載の表示装置と、タッチセンサと、を有する表示モジュール。
【請求項１０】
請求項７に記載の半導体装置、請求項８に記載の表示装置、及び請求項９に記載の表示モジュールのいずれか一と、
操作キーまたはバッテリと、を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月17日(2019.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、酸化物半導体膜と、を有するトランジスタであって、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ゲート電極は、前記絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
前記トランジスタは、
前記トランジスタのソース電圧を０Ｖ、ドレイン電圧を２０Ｖとしたときのドレイン電流−ゲート電圧特性における、ゲート電圧が−１０Ｖより大きく１０Ｖ以下の範囲において、
電界効果移動度の最大値が、４０ｃｍ２／Ｖｓ以上１５０ｃｍ２／Ｖｓ未満であり、
しきい値電圧が、−１Ｖ以上１Ｖ以下であり、
Ｓ値が、０．３Ｖ／ｄｅｃａｄｅ未満であり、
オフ電流が、１×１０−１２Ａ／ｃｍ２未満である、
トランジスタ。
【請求項２】
第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上の第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極上の第３の絶縁膜と、を有するトランジスタであって、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極と重なるチャネル領域と、前記第３の絶縁膜と接するソース領域と、前記第３の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、
前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極とは、電気的に接続され、
前記トランジスタは、
前記トランジスタのソース電圧を０Ｖ、ドレイン電圧を２０Ｖとしたときのドレイン電流−ゲート電圧特性における、ゲート電圧が−１０Ｖより大きく１０Ｖ以下の範囲において、
電界効果移動度の最大値が、４０ｃｍ２／Ｖｓ以上１５０ｃｍ２／Ｖｓ未満であり、
しきい値電圧が、−１Ｖ以上１Ｖ以下であり、
Ｓ値が、０．３Ｖ／ｄｅｃａｄｅ未満であり、
オフ電流が、１×１０−１２Ａ／ｃｍ２未満である、
トランジスタ。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記トランジスタの電界効果移動度の前記最大値をμＦＥ（ｍａｘ）として表し、前記トランジスタのゲート電圧が２Ｖの電界効果移動度の値をμＦＥ（Ｖｇ＝２Ｖ）として表した場合、μＦＥ（ｍａｘ）／μＦＥ（Ｖｇ＝２Ｖ）が１以上１．５未満である、
トランジスタ。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記トランジスタの電界効果移動度の前記最大値をμＦＥ（ｍａｘ）として表し、前記トランジスタのゲート電圧が２Ｖの電界効果移動度の値をμＦＥ（Ｖｇ＝２Ｖ）として表した場合、μＦＥ（ｍａｘ）／μＦＥ（Ｖｇ＝２Ｖ）が１．５以上３未満である、
トランジスタ。
【請求項５】
絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、酸化物半導体膜と、を有するトランジスタであって、
前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記ゲート電極は、前記絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なる領域を有し、
前記トランジスタは、
前記トランジスタのソース電圧を０Ｖ、ドレイン電圧を２０Ｖとしたときのドレイン電流−ゲート電圧特性における、ゲート電圧が−１０Ｖより大きく１０Ｖ以下の範囲において、
電界効果移動度の最大値が、１０ｃｍ２／Ｖｓ以上１００ｃｍ２／Ｖｓ未満であり、
しきい値電圧が、−１Ｖ以上１Ｖ以下であり、
Ｓ値が、０．３Ｖ／ｄｅｃａｄｅ未満であり、
オフ電流が、１×１０−１２Ａ／ｃｍ２未満である、
トランジスタ。
【請求項６】
第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上の第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極上の第３の絶縁膜と、を有するトランジスタであって、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極と重なるチャネル領域と、前記第３の絶縁膜と接するソース領域と、前記第３の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、
前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極とは、電気的に接続され、
前記トランジスタは、
前記トランジスタのソース電圧を０Ｖ、ドレイン電圧を２０Ｖとしたときのドレイン電流−ゲート電圧特性における、ゲート電圧が−１０Ｖより大きく１０Ｖ以下の範囲において、
電界効果移動度の最大値が、１０ｃｍ２／Ｖｓ以上１００ｃｍ２／Ｖｓ未満であり、
しきい値電圧が、−１Ｖ以上１Ｖ以下であり、
Ｓ値が、０．３Ｖ／ｄｅｃａｄｅ未満であり、
オフ電流が、１×１０−１２Ａ／ｃｍ２未満である、
トランジスタ。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記トランジスタの電界効果移動度の前記最大値をμＦＥ（ｍａｘ）として表し、前記トランジスタのゲート電圧が２Ｖの電界効果移動度の値をμＦＥ（Ｖｇ＝２Ｖ）として表した場合、μＦＥ（ｍａｘ）／μＦＥ（Ｖｇ＝２Ｖ）が３以上１０未満である、
トランジスタ。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は、
第１の領域と、第２の領域と、が混在した複合酸化物半導体を有し、
前記第１の領域は、インジウム、亜鉛、及び酸素の中から選ばれるいずれか一つまたは複数を主成分とする複数の第１のクラスタを有し、
前記第２の領域は、インジウム、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）、亜鉛、及び酸素の中から選ばれるいずれか一つまたは複数を主成分とする複数の第２のクラスタを有し、
前記第１の領域は、前記複数の第１のクラスタが互いに繋がる部分を有し、
前記第２の領域は、前記複数の第２のクラスタが互いに繋がる部分を有する、
トランジスタ。
【請求項９】
請求項８において、
前記インジウム、前記元素Ｍ、及び前記亜鉛の原子数比は、
Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３近傍であり、
前記Ｉｎが４の場合、前記元素Ｍが１．５以上２．５以下であり、且つ前記Ｚｎが２以上４以下である、
トランジスタ。
【請求項１０】
請求項８において、
前記インジウム、前記元素Ｍ、及び前記亜鉛の原子数比は、
Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６近傍であり、
前記Ｉｎが５の場合、前記元素Ｍが０．５以上１．５以下であり、且つ前記Ｚｎが５以上７以下である、
トランジスタ。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のトランジスタを有する表示装置であって、
表示部を有し、
前記表示部の画素トランジスタとして前記トランジスタを有する、表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のトランジスタを有する表示装置であって、
表示部と、前記表示部の駆動回路部と、を有し、
前記駆動回路部が前記トランジスタを有する、表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のトランジスタを有する表示装置であって、
表示部と、ゲートドライバを有し、
前記ゲートドライバが前記トランジスタを有する、表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月19日(2019.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置から送信されたパケットを受信する受信手段と、
前記受信したパケットに含まれる前記外部装置の機種情報に基づいて、前記パケットの電波強度の補正値を決定する決定手段と、
前記決定手段で決定された前記補正値を用いて、前記パケットの電波強度を補正する補正手段と、
前記補正された前記パケットの電波強度を用いて所定の処理を実行する実行手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
複数種類の外部装置の機種情報それぞれに対応付けて、複数の補正値を記憶する記憶手段を更に有し、
前記決定手段は、前記記憶手段に記憶された前記複数の補正値の中から、前記受信したパケットに含まれる前記外部装置の機種情報に基づいて、前記パケットの電波強度の補正値を決定することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
複数種類の外部装置の機種情報と複数種類の通信装置の機種情報とに対応付けて、複数の補正値を記憶する記憶手段を更に有し、
前記決定手段は、前記受信したパケットに含まれる前記外部装置の機種情報と、前記通信装置の機種情報とに基づいて、前記記憶手段に記憶された前記複数の補正値の中から、前記パケットの電波強度の補正値を決定することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項４】
複数種類の外部装置の機種情報のそれぞれに対応付けて、前記パケットを送信する各外部装置のチップの設置向きの情報を記憶し、かつ、前記チップの設置向きに対応付けた複数の補正値を記憶する記憶手段を更に有し、
前記決定手段は、前記受信したパケットに含まれる前記外部装置の機種情報に対応する前記記憶手段に記憶されている前記チップの設置向きに基づいて、前記記憶手段に記憶された前記複数の補正値の中から、前記パケットの電波強度の補正値を決定することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項５】
前記チップの設置向きは、垂直、或いは水平のいずれかであることを特徴とする請求項４に記載の通信装置。
【請求項６】
前記実行手段により実行される所定の処理は、前記補正手段により補正された前記パケットの電波強度に基づいて、前記通信装置と前記外部装置との間の距離を特定する処理であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記通信装置と前記外部装置との間の距離は、前記電波強度と前記距離とを対応付けたテーブルを参照して特定されることを特徴とする請求項６に記載の通信装置。
【請求項８】
前記実行手段により実行される所定の処理は、前記特定された前記距離が所定値以下の外部装置の一覧を表示する処理を更に含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の通信装置。
【請求項９】
通信装置を制御する制御方法であって、
前記通信装置の受信手段が、外部装置から送信されたパケットを受信する受信工程と、
前記通信装置の決定手段が、前記受信したパケットに含まれる前記外部装置の機種情報に基づいて、前記パケットの電波強度の補正値を決定する決定工程と、
前記通信装置の補正手段が、前記決定工程で決定された前記補正値を用いて、前記パケットの電波強度を補正する補正工程と、
前記通信装置の実行手段が、前記補正された前記パケットの電波強度を用いて所定の処理を実行する実行工程と、
を有することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１０】
コンピュータを、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の通信装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係る通信装置は以下のような構成を備える。即ち、
外部装置から送信されたパケットを受信する受信手段と、
前記受信したパケットに含まれる前記外部装置の機種情報に基づいて、前記パケットの電波強度の補正値を決定する決定手段と、
前記決定手段で決定された前記補正値を用いて、前記パケットの電波強度を補正する補正手段と、
前記補正された前記パケットの電波強度を用いて所定の処理を実行する実行手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月19日(2019.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ローカルエリアネットワークの無線アクセスポイントを介して外部装置に無線接続するインフラ接続と、外部装置にダイレクトに無線接続するダイレクト接続とを行う通信装置であって、
デバイスを探索する探索手段と、
前記探索手段によって発見したデバイスの一覧を表示する表示手段と、
前記表示された一覧の中からユーザによって選択されたデバイスに対して前記インフラ接続することを試み、前記選択されたデバイスに対する前記インフラ接続が失敗した場合に、前記選択されたデバイスに対して前記ダイレクト接続することを試みる接続手段と
を備えることを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記通信装置は、第１タイプの無線通信機能と第２タイプの無線通信機能とを備え、
前記探索手段は、前記第１タイプの無線通信機能を用いてデバイスを探索し、
前記接続手段は、前記第２タイプの無線通信機能を用いて前記インフラ接続及び前記ダイレクト接続を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記インフラ接続に必要な接続情報を、前記第１タイプの無線通信機能を用いて前記選択されたデバイスから取得する取得手段を更に備え、
前記接続手段は、前記取得手段で取得した前記接続情報に基づいて、前記選択されたデバイスに対して前記インフラ接続することを試みる
ことを特徴とする請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記接続情報は、前記選択されたデバイスのＩＰアドレスである
ことを特徴とする請求項３に記載の通信装置。
【請求項５】
前記第１タイプの無線通信機能は、ＢＬＥによる無線通信機能であり、
前記第２タイプの無線通信機能は、ＷＬＡＮ方式の無線通信機能である
ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記選択されたデバイスに対する前記インフラ接続が失敗した場合に、前記接続手段は、ダイレクト無線通信機能を開始するように前記選択されたデバイスに指示し、更に前記ダイレクト無線通信機能を開始した前記選択されたデバイスに対して前記ダイレクト接続することを試みる
ことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項７】
前記選択されたデバイスに対する前記インフラ接続が失敗した場合に、前記接続手段は、ＢＬＥによる無線通信機能を用いて、前記ダイレクト無線通信機能を開始するように前記選択されたデバイスに指示する
ことを特徴とする請求項６に記載の通信装置。
【請求項８】
前記ダイレクト接続を行うことがユーザによって指示されている場合、前記接続手段は、前記選択されたデバイスに対して前記インフラ接続することを試みることなく、前記選択されたデバイスに対して前記ダイレクト接続することを試みる
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項９】
デバイスへの接続履歴を記憶する記憶手段を更に備え、
前記接続履歴が、前記選択されたデバイスに対して前記ダイレクト接続を行ったことがあり、かつ、前記選択されたデバイスに対して前記インフラ接続を行ったことがないことを示す場合、前記接続手段は、前記選択されたデバイスに対して前記インフラ接続することを試みることなく、前記選択されたデバイスに対して前記ダイレクト接続することを試みる
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１０】
ローカルエリアネットワークの無線アクセスポイントを介して外部装置に無線接続するインフラ接続と、外部装置にダイレクトに無線接続するダイレクト接続とを行う通信装置の制御方法であって、
前記通信装置の探索手段が、デバイスを探索する探索工程と、
前記通信装置の表示手段が、前記探索工程で発見したデバイスの一覧を表示する表示工程と、
前記通信装置の接続手段が、前記表示された一覧の中からユーザによって選択されたデバイスに対して前記インフラ接続することを試み、前記選択されたデバイスに対する前記インフラ接続が失敗した場合に、前記選択されたデバイスに対して前記ダイレクト接続することを試みる接続工程と
を含むことを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の通信装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、例えば、通信装置として実現できる。本発明の一態様に係る通信装置は、ローカルエリアネットワークの無線アクセスポイントを介して外部装置に無線接続するインフラ接続と、外部装置にダイレクトに無線接続するダイレクト接続とを行う通信装置であって、デバイスを探索する探索手段と、前記探索手段によって発見したデバイスの一覧を表示する表示手段と、前記表示された一覧の中からユーザによって選択されたデバイスに対して前記インフラ接続することを試み、前記選択されたデバイスに対する前記インフラ接続が失敗した場合に、前記選択されたデバイスに対して前記ダイレクト接続することを試みる接続手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
なお、携帯端末１００は、インフラ接続での接続に失敗した場合には、ＢＴ通信によってＭＦＰ１１０のソフトウェアＡＰモードの開始を指示することで、ＭＦＰ１１０に対するダイレクト接続を開始することも可能である。この場合、携帯端末１００は、ダイレクト接続用のＳＳＩＤ及びパスキーをＢＴ通信によってＭＦＰ１１０から取得し、ＭＦＰ１１０によって形成される、ダイレクト接続用のＷＬＡＮへの無線接続を行う。なお、ＳＳＩＤは、ＭＦＰ１１０が無線ＡＰとして動作する際の当該無線ＡＰの識別情報の一例である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ＯＳ（オペレーティングシステム）３２０は、携帯端末１００全体の動作を制御するための基本ソフトウェアである。携帯端末１００には、後述するＭＦＰアプリケーション３００を含め、様々なアプリケーションをインストール可能である。ＯＳ３２０は、携帯端末１００上で動作するそれらのアプリケーションとの間で情報をやりとりし、各アプリケーションから受けた指示に従った処理を行う。例えば、ＯＳ３２０は、アプリケーションから受けた指示に従って、操作パネル２０６に表示する画面を変更したり、ＷＬＡＮ通信部２１１による無線通信を実行する。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月14日(2019.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性粒子と、赤外線レーザ光を吸収して発熱する絶縁被覆導電性粒子を含む赤外線吸収剤とを有する熱硬化型の異方性導電接着剤を介して、第１の端子列を備える第１の電子部品と、前記第１の端子列に対向する第２の端子列を備える第２の電子部品とを配置する配置工程と、
前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを熱加圧させ、前記第１の端子列と前記第２の端子列との間に導電性粒子を挟持させる熱加圧工程と、
前記第１の端子列と前記第２の端子列との間に導電性粒子が挟持された状態で赤外線レーザ光を照射し、前記異方性導電接着剤を本硬化させる本硬化工程と
を有する接続構造体の製造方法。
【請求項２】
前記熱加圧工程では、５０℃以上１２０℃以下の温度で熱加圧させる請求項１記載の接続構造体の製造方法。
【請求項３】
前記本硬化工程では、前記異方性導電接着剤の反応率が７０％以上となるように本硬化させる請求項１又は２記載の接続構造体の製造方法。
【請求項４】
前記異方性導電接着剤の最低溶融粘度が、１００００Ｐａ・ｓ以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項５】
前記赤外線吸収剤が、カーボンブラックを含む請求項１記載の接続構造体の製造方法。
【請求項６】
４０〜１００℃のガラス転移温度（Ｔｇ）又は軟化点を有する膜形成樹脂と、重合性化合物と、１００℃〜１５０℃の反応開始温度を有する重合開始剤と、赤外線レーザ光を吸収して発熱する絶縁被覆導電性粒子を含む赤外線吸収剤とを含有し、
最低溶融粘度が、１００００Ｐａ・ｓ以下である異方性導電接着剤。
【請求項７】
前記赤外線吸収剤が、カーボンブラックを含む請求項６記載の異方性導電接着剤。
【請求項８】
導電性粒子と、前記導電性粒子の平均粒径よりも小さい平均粒径を有する絶縁被覆導電性粒子とを含む熱硬化型の異方性導電接着剤を介して、第１の端子列を備える第１の電子部品と、前記第１の端子列に対向する第２の端子列を備える第２の電子部品とを配置する配置工程と、
前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを熱加圧させ、前記第１の端子列と前記第２の端子列との間に導電性粒子を挟持させる熱加圧工程と、
前記第１の端子列と前記第２の端子列との間に導電性粒子が挟持された状態で赤外線レーザ光を照射し、前記異方性導電接着剤を本硬化させる本硬化工程と
を有する接続構造体の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁被覆導電性粒子が、絶縁性樹脂層で被覆されてなる請求項８記載の接続構造体の製造方法。
【請求項１０】
４０〜１００℃のガラス転移温度（Ｔｇ）又は軟化点を有する膜形成樹脂と、重合性化合物と、１００℃〜１５０℃の反応開始温度を有する重合開始剤と、導電性粒子と、前記導電性粒子の平均粒径よりも小さい平均粒径を有する絶縁被覆導電性粒子と、赤外線レーザ光を吸収して発熱する赤外線吸収剤とを含有し、
最低溶融粘度が、１００００Ｐａ・s以下である異方性導電接着剤。
【請求項１１】
前記絶縁被覆導電性粒子が、絶縁性樹脂層で被覆されてなる請求項１０記載の異方性導電接着剤。
【請求項１２】
加熱及び赤外線レーザ光の照射により硬化する異方性導電接着剤であって、
４０〜１００℃のガラス転移温度（Ｔｇ）又は軟化点を有する膜形成樹脂と、重合性化合物と、１００℃〜１５０℃の反応開始温度を有する重合開始剤と、赤外線レーザ光を吸収して発熱する赤外線吸収剤とを含有し、
最低溶融粘度が、１００００Ｐａ・s以下である異方性導電接着剤。
【請求項１３】
導電性粒子と、導電性粒子の表面が絶縁性樹脂で被覆されてなり、赤外線レーザ光を吸収して発熱する絶縁被覆導電性粒子を含む熱硬化型の異方性導電接着剤を介して、第１の端子列を備える第１の電子部品と、前記第１の端子列に対向する第２の端子列を備える第２の電子部品とを配置する配置工程と、
前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを熱加圧させ、前記第１の端子列と前記第２の端子列との間に導電性粒子又は絶縁被覆導電性粒子を挟持させる熱加圧工程と、
前記第１の端子列と前記第２の端子列との間に導電性粒子又は絶縁被覆導電性粒子が挟持された状態で赤外線レーザ光を照射し、前記異方性導電接着剤を本硬化させる本硬化工程と
を有する接続構造体の製造方法。
【請求項１４】
前記導電性粒子の表面が、絶縁薄膜で被覆されてなる請求項１３記載の接続構造体の製造方法。
【請求項１５】
４０〜１００℃のガラス転移温度（Ｔｇ）又は軟化点を有する膜形成樹脂と、重合性化合物と、１００℃〜１５０℃の反応開始温度を有する重合開始剤と、導電性粒子と、導電性粒子の表面が絶縁性樹脂で被覆されてなり、赤外線レーザ光を吸収して発熱する絶縁被覆導電性粒子を含有し、
最低溶融粘度が、１００００Ｐａ・s以下である異方性導電接着剤。
【請求項１６】
前記導電性粒子の表面が、絶縁薄膜で被覆されてなる請求項１５記載の異方性導電接着剤。
【請求項１７】
導電性粒子の表面が絶縁性樹脂で被覆されてなり、赤外線レーザ光を吸収して発熱する絶縁被覆導電性粒子を含む熱硬化型の異方性導電接着剤を介して、第１の端子列を備える第１の電子部品と、前記第１の端子列に対向する第２の端子列を備える第２の電子部品とを配置する配置工程と、
前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを熱加圧させ、前記第１の端子列と前記第２の端子列との間に絶縁被覆導電性粒子を挟持させる熱加圧工程と、
前記第１の端子列と前記第２の端子列との間に絶縁被覆導電性粒子が挟持された状態で赤外線レーザ光を照射し、前記異方性導電接着剤を本硬化させる本硬化工程と
を有する接続構造体の製造方法。
【請求項１８】
前記絶縁被覆導電性粒子は、導電性粒子の表面が、熱可塑性の絶縁性樹脂で被覆されてなる請求項１７記載の接続構造体の製造方法。
【請求項１９】
４０〜１００℃のガラス転移温度（Ｔｇ）又は軟化点を有する膜形成樹脂と、重合性化合物と、１００℃〜１５０℃の反応開始温度を有する重合開始剤と、導電性粒子の表面が絶縁性樹脂で被覆されてなり、赤外線レーザ光を吸収して発熱する絶縁被覆導電性粒子を含有し、
最低溶融粘度が、１００００Ｐａ・s以下である異方性導電接着剤。
【請求項２０】
前記絶縁被覆導電性粒子は、導電性粒子の表面が、熱可塑性の絶縁性樹脂で被覆されてなる請求項１９記載の異方性導電接着剤。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月13日(2019.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設置面を有する基体と、
アルカリ金属原子が封入されている原子セルと、
前記アルカリ金属原子を励起する光を出射する光源と、
前記原子セルを透過した光を検出する光検出部と、
前記原子セル、前記光源および前記光検出部を前記設置面に沿った方向に並べた状態で一括して前記設置面に対して支持している支持部材と、を備えることを特徴とする量子干渉装置。
【請求項２】
前記原子セル、前記光源および前記光検出部の相対的な位置関係を固定している固定部材を備え、
前記支持部材は、前記固定部材よりも熱伝導率が低い材料を用いて構成されている請求項１に記載の量子干渉装置。
【請求項３】
前記固定部材は、金属材料を用いて構成されており、前記支持部材は、樹脂材料を用いて構成されている請求項２に記載の量子干渉装置。
【請求項４】
前記支持部材は、
前記接地面に垂直な方向から見て前記原子セル、前記光源および前記光検出部よりも外側に配置された脚部と、
前記脚部に接続され、前記原子セル、前記光源および前記光検出部を一体的に支持している梁部と、を備える、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の量子干渉装置。
【請求項５】
前記原子セル、前記光源および前記光検出部と前記接地面とは離間している、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の量子干渉装置。
【請求項６】
前記原子セル、前記光源、前記光検出部および前記支持部材を収納している内部空間を有し、前記内部空間が大気圧よりも減圧されているパッケージを備え、
前記基体が前記パッケージの一部を構成している請求項１ないし５のいずれか１項に記載の量子干渉装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の量子干渉装置を備えることを特徴とする原子発振器。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の量子干渉装置を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】量子干渉装置、原子発振器および電子機器
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月5日(2019.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、上記基板の一面側に設けられ、複数の電極が配列された電極領域と、上記電極が形成されていない非電極領域とを備え、
上記非電極領域に、一又は複数の窪みが形成されている電子部品。
【請求項２】
上記電極領域は、上記基板の相対向する一対の側縁の一方側及び他方側に沿って上記電極が配列され、
上記窪みは、上記基板の相対向する一対の側縁と平行に形成されている請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
上記窪みは、溝状に形成されている請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
上記窪みは、直線からなる溝である請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
上記基板は矩形状に形成され、
上記窪みは、上記基板の長手方向に沿って存在する請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
上記電子部品はＩＣチップである請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項７】
上記窪みは、上記基板の側面に臨まされている請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
第１の電子部品と第２の電子部品とが異方性導電接着剤を介して接続された接続体において、
少なくとも一方の上記電子部品は、
基板と、上記基板の上記回路基板上に接続される一面側に設けられ、複数の電極が配列された電極領域と、上記電極が形成されていない非電極領域とを備え、
上記非電極領域に、上記異方性導電接着剤が流入する一又は複数の窪みが形成されている接続体。
【請求項９】
上記異方性導電接着剤は、バインダー樹脂に導電性粒子が互いに非接触で独立して存在している請求項８に記載の接続体。
【請求項１０】
上記異方性導電接着剤は、導電性粒子が含有された導電性接着剤層と、上記導電性粒子が含有されていない絶縁性接着剤層とが積層され、上記導電性接着剤層側が上記基板の一面に貼付される請求項８に記載の接続体。
【請求項１１】
上記導電接着剤層は、上記導電性粒子が独立して配列されている請求項１０に記載の接続体。
【請求項１２】
基板と、上記基板の一面側に設けられ、複数の電極が配列された電極領域と、上記電極が形成されていない非電極領域とを備える電子部品の設計方法において、
上記非電極領域に、一又は複数の窪みを形成する電子部品の設計方法。
【請求項１３】
第１の電子部品と第２の電子部品とを異方性導電接着剤を介して接続する接続体の製造方法において、
上記第１の電子部品と上記第２の電子部品の少なくとも一方は、上記請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子部品である、接続体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本技術に係る電子部品の設計方法は、基板と、上記基板の一面側に設けられ、複数の電極が配列された電極領域と、上記電極が形成されていない非電極領域とを備え、上記非電極領域に、一又は複数の窪みを形成するものである。
また、本技術に係る接続体の製造方法は、第１の電子部品と第２の電子部品とを異方性導電接着剤を介して接続する接続体の製造方法において、上記第１の電子部品と上記第２の電子部品の少なくとも一方は、上記記載の電子部品である。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月5日(2019.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、上記基板の一方の面に形成されたバンプとを備え、
上記バンプは、接続対象部品の電極と接続される接続面の面積が、上記基板側の基部の面積よりも大きい電子部品。
【請求項２】
上記バンプの断面積は、上記基部から上記接続面にかけて、規則的に増加する請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
上記バンプの側面の辺は直線である請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
上記バンプの側面の辺は非直線である請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項５】
複数の上記バンプが配列されたバンプ列が形成されている請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
上記バンプ列の各バンプは、同一方向から見た側面形状が同一である請求項５に記載の電子部品。
【請求項７】
上記バンプ列の各バンプは、同一方向から見た側面形状が非同一である請求項５に記載の電子部品。
【請求項８】
上記接続面は、上記基板と略平行である請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子部品の上記バンプと、上記バンプに対向した電極を備えた第２の電子部品が、導電性粒子を備えた異方性導電接着剤によって、異方性接続されている異方性接続構造体。
【請求項１０】
基板と、上記基板の一方の面に形成されたバンプとを備える電子部品の設計方法において、
上記バンプは、接続対象部品の電極と接続される接続面の面積が、上記基板側の基部の面積よりも大きくされている電子部品の設計方法。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子部品の上記バンプと、上記バンプに対向した電極を備えた第２の電子部品とを、導電性粒子を備えた異方性導電接着剤によって、異方性接続する異方性接続構造体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本技術に係る電子部品の設計方法は、基板と、上記基板の一方の面に形成されたバンプとを備える電子部品の設計方法において、上記バンプは、接続対象部品の電極と接続される接続面の面積が、上記基板側の基部の面積よりも大きくされているものである。
また、本技術に係る異方性接続構造体の製造方法は、上記記載の電子部品の上記バンプと、上記バンプに対向した電極を備えた第２の電子部品とを、導電性粒子を備えた異方性導電接着剤によって、異方性接続するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月28日(2019.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を搬送する基板搬送部と、
前記基板搬送部で搬送されてきた基板にダイを接着するダイボンディング部と、
前記ダイボンディング部でダイが接着された基板を収納するアンローダ部と
を備えたダイボンダであって、
前記基板搬送部は、
前記基板が搬送されるときに前記基板の両側の端部近傍を支持するガイド面を有して前
記基板をガイドする一対の基板ガイド部と、
前記一対の基板ガイド部の前記ガイド面の上方で前記基板の厚さよりも少し離れた部分
に有って前記ガイド面に沿って前記ガイド面に平行に張られた一対のワイヤと
を備えることを特徴とするダイボンダ。
【請求項２】
請求項１記載のダイボンダであって、前記一対のワイヤは、前記一対の基板ガイド部の
前記ガイド面に沿って動くことを特徴とするダイボンダ。
【請求項３】
請求項２記載のダイボンダであって、前記一対のワイヤは、前記一対の基板ガイド部の
前記ガイド面に沿って、前記ガイド面上を搬送される前記基板と同じ速さで動くことを特
徴とするダイボンダ。
【請求項４】
請求項３記載のダイボンダであって、前記ガイド面に沿って前記ガイド面に平行に張ら
れた前記一対のワイヤは、前記アンローダ部の直前で前記一対の基板ガイド部の前記ガイド面との間隔が前記ガイド面に平行に張られた部分よりも狭く形成されていることを特徴とするダイボンダ。
【請求項５】
請求項１記載のダイボンダであって、前記一対のワイヤと前記一対の基板ガイド部のガイド面との間隔を調整する間隔調整部を更に備えることを特徴とするダイボンダ。
【請求項６】
請求項１記載のダイボンダであって、前記基板上の異物を除去するクリーニングノズル
を更に備え、前記一対の基板ガイド部に支持された前記基板を前記ガイド面に平行に張ら
れた前記一対のワイヤの上方から前記クリーニングノズルで前記基板上の異物を除去することを特徴とするダイボンダ。
【請求項７】
基板を搬送する基板搬送部と、
前記基板搬送部で搬送されてきた基板にダイを接着するダイボンディング部と、
前記ダイボンディング部でダイが接着された基板を収納するアンローダ部と
を備えたダイボンダであって、
前記基板搬送部は、
前記基板が搬送されるときに前記基板の下側の面の端部近傍を支持する基板ガイド部と
、
前記基板ガイド部の上方で前記基板の上側の面の端部近傍をガイドするワイヤと、
前記基板ガイド部で支持された前記基板上の異物を除去するクリーニングノズルと
を備えることを特徴とするダイボンダ。
【請求項８】
請求項７記載のダイボンダであって、前記ワイヤは、前記基板ガイド部のガイド面に沿
って動くことを特徴とするダイボンダ。
【請求項９】
請求項８記載のダイボンダであって、前記ワイヤは、前記基板ガイド部の前記ガイド面
に沿って、前記ガイド面上を搬送される前記基板と同じ速さで動くことを特徴とするダイ
ボンダ。
【請求項１０】
請求項９記載のダイボンダであって、前記ガイド面に沿って前記ガイド面に平行に張られた前記ワイヤは、前記アンローダ部の直前で前記基板ガイド部の前記ガイド面との間隔が前記ガイド面に平行に張られた部分よりも狭く形成されていることを特徴とするダイボンダ。
【請求項１１】
請求項７記載のダイボンダであって、前記ワイヤと前記基板ガイド部のガイド面との間
隔を調整する間隔調整部を更に備えることを特徴とするダイボンダ。
【請求項１２】
請求項７記載のダイボンダであって、前記クリーニングノズルは、前記基板ガイド部の
ガイド面に平行に張られたワイヤの上方から前記基板ガイド部に支持された前記基板上の
異物を除去することを特徴とするダイボンダ。