(57)【要約】  直線性に優れる極小ピッチの銅配線ポリイミドフィルムが開示される。銅配線ポリイミドフィルムは、キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルム（１）を用いて、セミアディティブ法により２０〜４５μｍピッチの銅配線部分を含む銅配線ポリイミドフィルムの製造方法であって、（ａ）ポリイミドフィルム（２）表面に、フィルム側表面粗さＲｚが１．０μｍ以下、０．５μｍ〜２μｍの範囲の厚みを有する銅箔（４ｂ）が積層されている銅箔積層フィルムを用意する工程と、（ｂ）銅箔上面に、２０〜４５μｍピッチの配線パターンが形成可能なメッキレジストパターン層（１７）を形成する工程と、（ｃ）レジストから露出する銅箔部分に銅メッキ（１０）を行う工程と、（ｄ）メッキレジストを除去する工程と、（ｅ）メッキレジストを除去した部分に露出した銅箔を除去してポリイミドフィルム（８）を露出させる工程とを有する。
2007111268.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを用いて、セミアディティブ法により２０〜４５μｍピッチの銅配線部分を含む銅配線ポリイミドフィルムを製造する方法であって、
（ａ）ポリイミドフィルムの片面または両面に、このポリイミドフィルムと積層されている側の表面粗さＲｚが１．０μｍ以下であり且つ０．５μｍ〜２μｍの範囲の厚みを有する銅箔が直接積層されている銅箔積層フィルムを用意する工程（ａ）と、
（ｂ）工程（ａ）で用意された銅箔積層フィルムの銅箔上面に、２０〜４５μｍピッチの銅配線部分を含む配線パターンが形成可能であって、この配線パターンに対応する開口を有するメッキレジストパターン層を形成する工程（ｂ）と、
（ｃ）前記開口から露出する銅箔部分に銅メッキを行う工程（ｃ）と、
（ｄ）前記銅箔上のメッキレジストパターン層を除去する工程（ｄ）と、
（ｅ）前記メッキレジストパターン層を除去した部分に露出した銅箔を除去してポリイミドフィルムを露出させる工程（ｅ）と
を有することを特徴とする銅配線ポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項２】
前記工程（ａ）が、
銅箔の厚みが１〜８μｍの範囲であり、銅箔のポリイミドフィルムと積層されている側の表面粗さＲｚが１．０μｍ以下のキャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを提供する工程（ａ−１）と、
前記銅箔積層ポリイミドフィルムからキャリア箔を剥がす工程（ａ−２）と、
任意の工程であって、銅箔の厚みを０．５μｍ〜２μｍの範囲までエッチングにより薄くする工程（ａ−３）
を有することを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ａ）の０．５μｍ〜２μｍの範囲の厚みを有する銅箔は、エッチング処理された銅箔であることを特徴とする請求項１または２記載の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｂ）が、銅箔表面にメッキレジスト層を形成する工程と、フォトマスクを介して露光する工程と、現像により前記メッキレジストパターン層の開口部を形成する工程とを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｅ）が、フラッシュエッチングで行われることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
提供されるキャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムの銅箔の厚みが２〜４μｍの範囲であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
提供されるキャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを構成するポリイミドフィルムが、高耐熱性の芳香族ポリイミド層の片面或いは両面に熱圧着性のポリイミド層が積層一体化して得られたものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
２０〜４５μｍピッチの銅配線部分を有し、請求項１〜７のいずれかに記載の製造方法により製造された銅配線ポリイミドフィルム。
【請求項９】
ポリイミドフィルムの片面或いは両面に、ポリイミドフィルムと積層する側の銅箔の表面粗さＲｚが１．０μｍ以下であり銅箔の厚みが１〜８μｍであるキャリア付き銅箔が直接積層されているキャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルム。
【請求項１０】
ポリイミドフィルムの片面或いは両面に、ポリイミドフィルムと積層する側の銅箔の表面粗さＲｚが１．０μｍ以下であり銅箔の厚みが０．５〜２μｍであるエッチング処理された銅箔が直接積層されている銅箔積層ポリイミドフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを用いて、セミアディティブ法により微細配線を有する銅配線ポリイミドフィルムを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
銅箔積層ポリイミドフィルムは、薄くて軽量である特長を有するため、高性能の電子機器、とりわけ小型軽量化に好適な、高密度に配線されたフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）、テープ・オートメイティッド・ボンディング（ＴＡＢ）等に用いられている。電子機器の高集積化、微細化に伴い、さらに高密度実装に対応できる配線板が求められている。【０００３】
合成樹脂フィルムと金属との積層体の配線パターンを微細化する方法として、金属層の厚みを薄くすることが提案されている（例えば、特許文献１の３頁参照）。特許文献１には、合成樹脂フィルムの片面または両面に金属層を設けてなる金属積層体において、前記金属層が５ミクロン以下の金属箔である積層体が開示されている。具体的には、銅箔の厚さ３μｍで、ラインアンドスペースが２５μｍアンド２５μｍ（ピッチ５０μｍ）の回路を形成したことが記載されている。特許文献２には、厚みが１〜８μｍの銅箔、熱可塑性ポリイミド樹脂を主成分とする接着層、および耐熱性フィルムを備えた銅張積層体が開示されている。特許文献３の特許請求の範囲には、非熱可塑性ポリイミドフィルムの少なくとも片面に熱可塑性ポリイミドフィルムが形成され該熱可塑性樹脂層の表面に銅箔が積層された積層板であって,該銅箔の厚さが５μｍ以下である金属積層板が開示されている。【０００４】
しかし、エッチングパターン形状が良好でない場合には、さらにファインピッチ化を進めたときに、絶縁性および信頼性が低下すると考えられる。従って、単に銅箔を薄くするだけでは、ファインピッチ化に限界があると考えられる。また、銅箔が薄過ぎる場合には導体としての信頼性が低下する場合も考えられる。従って、最終製品としては適度な銅層の厚さを有しながら、ファインパターンを有する銅配線ポリイミドフィルムが求められていた。【０００５】
ところで、特許文献４〜６には、配線パターンの視認性を向上させるために、銅箔のフィルムとの接着面の粗度を小さくすること（例えば、Ｒｚが１．０μｍ以下（特許文献４、５参照））が記載されている。しかし、厚みの薄い銅箔への適用およびファインピッチ化に関する示唆はない。【０００６】
【特許文献１】ＷＯ２００２／０３４５０９号公報
【特許文献２】特開２００２−３１６３８６号公報
【特許文献３】特開２００３−０７１９８４号公報
【特許文献４】特開２００４−０４２５７９号公報
【特許文献５】特開２００４−０９８６５９号公報
【特許文献６】ＷＯ０３／０９６７７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを用いて、セミアディティブ法により直線性に優れる極小ピッチの銅配線ポリイミドフィルムを製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は以下の事項に関する。【０００９】
１．キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを用いて、セミアディティブ法により２０〜４５μｍピッチの銅配線部分を含む銅配線ポリイミドフィルムを製造する方法であって、
（ａ）ポリイミドフィルムの片面または両面に、このポリイミドフィルムと積層されている側の表面粗さＲｚが１．０μｍ以下であり且つ０．５μｍ〜２μｍの範囲の厚みを有する銅箔が直接積層されている銅箔積層フィルムを用意する工程（ａ）と、
（ｂ）工程（ａ）で用意された銅箔積層フィルムの銅箔上面に、２０〜４５μｍピッチの銅配線部分を含む配線パターンを形成可能で、この配線パターンに対応する開口を有するメッキレジストパターン層を形成する工程（ｂ）と、
（ｃ）前記開口から露出する銅箔部分に銅メッキを行う工程（ｃ）と、
（ｄ）前記銅箔上のメッキレジストパターン層を除去する工程（ｄ）と、
（ｅ）前記メッキレジストパターン層を除去した部分に露出した銅箔を除去してポリイミドフィルムを露出させる工程（ｅ）と
を有することを特徴とする銅配線ポリイミドフィルムの製造方法。【００１０】
２．  前記工程（ａ）が、
銅箔の厚みが１〜８μｍの範囲であり、銅箔のポリイミドフィルムと積層されている側の表面粗さＲｚが１．０μｍ以下のキャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを提供する工程（ａ−１）と、
前記銅箔積層ポリイミドフィルムからキャリア箔を剥がす工程（ａ−２）と、
任意の工程であって、銅箔の厚みを０．５μｍ〜２μｍの範囲までエッチングにより薄くする工程（ａ−３）
を有することを特徴とする上記１記載の製造方法。【００１１】
３．  前記工程（ａ）の０．５μｍ〜２μｍの範囲の厚みを有する銅箔は、エッチング処理された銅箔であることを特徴とする上記１または２記載の製造方法。【００１２】
４．  前記工程（ｂ）が、銅箔表面にメッキレジスト層を形成する工程と、フォトマスクを介して露光する工程と、現像により前記メッキレジストパターン層の開口部を形成する工程とを有することを特徴とする上記１〜３のいずれかに記載の製造方法。【００１３】
５．  前記工程（ｅ）が、フラッシュエッチングで行われることを特徴とする上記１〜４のいずれかに記載の製造方法。【００１４】
６．  提供されるキャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムの銅箔の厚みが２〜４μｍの範囲であることを特徴とする上記１〜５のいずれかに記載の製造方法。【００１５】
７．  提供されるキャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを構成するポリイミドフィルムが、高耐熱性の芳香族ポリイミド層の片面或いは両面に熱圧着性のポリイミド層が積層一体化して得られたものであることを特徴とする上記１〜６のいずれかに記載の製造方法。【００１６】
８．  ２０〜４５μｍピッチの銅配線部分を有し、上記１〜７のいずれかに記載の製造方法により製造された銅配線ポリイミドフィルム。【００１７】
９．  ポリイミドフィルムの片面或いは両面に、ポリイミドフィルムと積層する側の銅箔の表面粗さＲｚが１．０μｍ以下であり銅箔の厚みが１〜８μｍであるキャリア付き銅箔が直接積層されているキャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルム。【００１８】
１０．  ポリイミドフィルムの片面或いは両面に、ポリイミドフィルムと積層する側の銅箔の表面粗さＲｚが１．０μｍ以下であり銅箔の厚みが０．５〜２μｍであるエッチング処理された銅箔が直接積層されている銅箔積層ポリイミドフィルム。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを用いて、セミアディティブ法により直線性に優れる極小ピッチの銅配線を形成できる。そのため、長期信頼性（配線間の絶縁性）に優れると共に、視認性の優れる極小ピッチの銅配線をポリイミドフィルム上に製造することができる。【００２０】
本発明により製造された銅配線ポリイミドフィルムは、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）やテープ・オートメイティッド・ボンディング（ＴＡＢ）、ＣＯＦなどの配線基板として利用することができる。【００２１】
また、本発明で規定されるキャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムは、ファインパターンを有する銅配線ポリイミドフィルムの製造方法に用いることができ、直線性に優れる極超ピッチの銅配線の形成が可能で、配線の視認性に優れる基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】片面キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを用いて、セミアディティブ法により片面銅配線ポリイミドフィルムを製造する工程の一例を説明する工程図である。
【図２】両面キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを用いて、セミアディティブ法により両面銅配線ポリイミドフィルムを製造する工程の一例を説明する工程図である。
【図３】両面キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを用いて、両面キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムより貫通孔を形成したところまでの製造工程の一例を説明する工程図である。
【図４】実施例２で得られた３０μｍピッチの銅配線を有するポリイミドフィルムの表面のＳＥＭ観察（１０００倍）を示す図である。
【図５】実施例３で得られた３０μｍピッチの銅配線を有するポリイミドフィルムの表面のＳＥＭ観察（１０００倍）を示す図である。
【図６】比較例１で得られた３０μｍピッチの銅配線を有するポリイミドフィルムの表面のＳＥＭ観察（１０００倍）を示す図である。
【符号の説明】
【００２３】
１：片面キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルム、
２：ポリイミドフィルム、
３，３’：キャリア付き銅箔、
４，４’：銅箔、
５，５’：キャリア、
８，８’：銅箔が除去されて現れるポリイミドフィルム表面、
９，９’：金属メッキ、
１０，１０’：銅メッキ、
１７，１７’：フォトレジスト層、
２１，２１’：導電化皮膜、
１００：両面キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルム、
１０１：両面銅配線ポリイミドフィルム、
１０２：両面に金属メッキされた両面銅配線ポリイミドフィルム。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の製造方法を、図面を参照して説明する。【００２５】
＜実施形態１＞
図１に、キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを用いて、セミアディティブ法により銅配線ポリイミドフィルムを製造する方法の一例を示す。本発明では公知のセミアディティブ法を用いることができる。【００２６】
本発明の工程（ａ）は、ポリイミドフィルムの片面または両面に、このポリイミドフィルムと積層されている側の表面粗さＲｚが１．０μｍ以下であり且つ０．５μｍ〜２μｍの範囲の厚みを有する銅箔が直接積層されている銅箔積層フィルムを用意する。この工程（ａ）は、一般に、サブ工程（ａ−１）〜（ａ−３）、即ち、銅箔の厚みが１〜８μｍの範囲であり、銅箔のポリイミドフィルムと積層されている側の表面粗さＲｚが１．０μｍ以下のキャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを提供する工程（ａ−１）、前記銅箔積層ポリイミドフィルムからキャリア箔を剥がす工程（ａ−２）、任意の工程であって、銅箔の厚みを０．５μｍ〜２μｍの範囲までエッチングにより薄くする工程（ａ−３）を含む。【００２７】
図１（ａ）に示すように、工程（ａ−１）で提供されるキャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルム１は、ポリイミドフィルム２とキャリア付き銅箔３とが積層された構造を有する。キャリア付き銅箔３は、銅箔４とキャリア５とが積層された構造を有する。ここで、銅箔の厚みは、１〜８μｍの範囲であり、銅箔のポリイミドフィルムと積層されている側の表面粗さＲｚは１．０μｍ以下である。【００２８】
次に、工程（ａ−２）では、図１（ｂ）に示すように、キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルム１よりキャリア箔５を剥がし、銅箔とポリイミドフィルムとが直接積層している銅箔積層ポリイミドフィルムが得られる。【００２９】
次に、工程（ａ−３）では、図１（ｃ）に示すように、銅箔積層ポリイミドフィルムの銅箔を薄くするために、必要に応じてエッチングを行う（ハーフエッチング）。この工程により、銅箔の厚みを０．５μｍ〜２μｍの範囲まで薄くする（図１では薄くした銅箔を符号４ｂで示す）。但し、用意したキャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムの銅箔がこの範囲の厚みを有している場合は、ハーフエッチングの工程を省略することも可能である。通常は、ハーフエッチングにより、銅箔を０．５μｍ以上薄くすることが好ましい。【００３０】
銅箔のハーフエッチングとしては、公知の方法を適宜選択して行うことが出来る。例えば、銅箔積層ポリイミドフィルムを公知のハーフエッチング液に浸漬する方法、あるいはスプレー装置でハーフエッチ液を噴霧する方法などで銅箔を更に薄くする方法を用いることができる。ハーフエッチ液としては、公知のものを用いることができ、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは過硫酸ソーダの水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原ユージライト製ＤＰ−２００や旭電化工業製アデカテックＣＡＰなどがあげられる。【００３１】
次の工程（ｂ）は、工程（ａ）で用意された銅箔積層フィルムの銅箔上面に、メッキレジストパターン層を形成する工程である。この工程は、一般に、図１（ｄ）に示すように、銅箔積層ポリイミドフィルムの銅箔の上部にフォトレジスト層１７を設け、次いで図１（ｅ）に示すように、配線パターンのマスクを用いて、フォトレジスト層を露光し、配線パターンとなる部位を現像除去する。レジストが現像除去された開口部分から、配線パターン部となる銅箔が現れる。レジスト開口部（レジスト除去部）は、配線パターンに対応するため、２０〜４５μｍピッチの銅配線部分の形成が可能なように、開口線幅、ピッチ等のパターンが設定される。【００３２】
フォトレジストは、ネガ型やポジ型を用いることができ、液体状、フィルム状などを用いることができる。フォトレジストは、代表的にはネガ型のドライフィルムタイプのレジストを熱ラミネートにより、あるいはポジ型の液状タイプのレジストを塗工乾燥して銅箔上に形成する方法が挙げられる。ネガ型の場合は露光部以外が現像で除去され、一方ポジ型の場合は露光部が現像で除去される。ドライフィルムタイプのレジストは容易に厚い厚みのものが得られる。ネガ型ドライフィルムタイプのフォトレジストとして例えば旭化成製ＳＰＧ−１５２、日立化成製ＲＹ−３２１５などが挙げられる。【００３３】
また、フォトレジスト層を現像除去する方法としては、公知のフォトレジスト層の現像除去する薬剤を適宜選択して用いることができ、例えば炭酸ソーダ水溶液（１％など）などをスプレーしてフォトレジスト層を現像除去することができる。【００３４】
次の工程（ｃ）では、図１（ｆ）に示すように、フォトレジスト層１７を除去した開口から現れる銅箔の上部に銅メッキ層１０を設ける。銅メッキ工程としては、公知の銅メッキ条件を適宜選択して行うことができ、例えば、銅箔の露出部を酸等で洗浄し、代表的には硫酸銅を主成分とする溶液中で銅箔をカソード電極として０．１〜１０Ａ／ｄｍ２の電流密度で電解銅めっきを行ない、銅層を形成することができる。電解液として、例えば硫酸銅１８０〜２４０ｇ／ｌ、硫酸４５〜６０ｇ／ｌ、塩素イオン２０〜８０ｇ／ｌ、添加剤としてチオ尿素、デキストリン又はチオ尿素と糖蜜とを添加した溶液を使用することができる。【００３５】
次の工程（ｄ）では、図１（ｇ）に示すように、メッキレジストとして使用したフォトレジスト層１７を除去し、メッキレジストパターン層で覆われていた銅箔を露出させる。【００３６】
次の工程（ｅ）では、図１（ｈ）に示すように、前記メッキレジストパターン層を除去した部分に露出した銅箔を除去してポリイミドフィルム面８を露出させる。薄い銅箔の除去は、通常フラッシュエッチングにより行う。これにより銅配線ポリイミドフィルムを製造することができる。【００３７】
フラッシュエッチングに使用されるフラッシュエッチング液としては、公知のものを用いることができ、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは希薄な塩化第２鉄の水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原電産製ＦＥ−８３０、旭電化工業製ＡＤ−３０５Ｅなどがあげられる。ここで薄銅箔を除去する際、回路部（配線）の銅も溶解するが薄銅箔を除去するのに必要なエッチング量は少量であるため実質的に問題ない。【００３８】
さらに図１（ｉ）に示すように、必要により銅配線ポリイミドフィルムの銅配線の少なくとも一部に錫メッキなどの金属メッキ層９を設けることにより、金属メッキされた銅配線ポリイミドフィルムを製造することができる。【００３９】
＜実施形態２＞
この実施形態では、キャリア付銅箔を両面に積層したポリイミドフィルムを用いてセミアディティブ法により、回路を形成する方法の一例を図２に示す。【００４０】
工程（ａ−１）では、図２（ａ）に示すように、両面にキャリア付き銅箔を積層したポリイミドフィルム１００を用意する。この銅箔積層ポリイミドフィルム１００は、キャリア付き銅箔３とポリイミドフィルム２とキャリア付き銅箔３’が順に積層されており、キャリア付き銅箔３、３’は、それぞれ銅箔４、４’とキャリア５、５’の積層体である。ここで、銅箔の厚みは、１〜８μｍの範囲であり、銅箔のポリイミドフィルムと積層されている側の表面粗さＲｚは１．０μｍ以下である。【００４１】
次の工程（ａ−２）では、図２（ｂ）に示すように、両面キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルム１００よりキャリア箔５及びキャリア箔５’を剥がし、銅箔４とポリイミドフィルムと銅箔４’とが直接積層している両面銅箔積層ポリイミドフィルムが得られる。【００４２】
次の工程（ａ−３）では、図２（ｃ）に示すように、両面銅箔積層ポリイミドフィルムの銅箔（４，４’）を薄くするためのエッチングを行う（ハーフエッチング）。その後、両面銅箔積層ポリイミドフィルムの両面の電解銅箔およびポリイミド層の一部にレーザーなどを用いて、貫通孔３１を形成する。貫通孔は複数設けることができる。孔形成加工とハーフエッチングとは順序が逆になっても良い。ハーフエッチングにより、銅箔の厚みを０．５μｍ〜２μｍの範囲まで薄くする。【００４３】
次に、図２（ｄ）に示すように、銅箔積層ポリイミドフィルムの貫通孔３１のポリイミド表面と銅箔（４，４’）の上部に導電化皮膜２１、２１’、２１”を形成し、銅箔４と銅箔４’を導通させる。尚、好ましくは導電化皮膜と銅箔の厚みの合計も０．５μｍ〜２μｍの範囲にあることが好ましい。【００４４】
次の工程（ｂ）で、工程（ａ）で用意された銅箔積層フィルムの銅箔上面に、２０〜４５μｍピッチの銅配線部分を含む配線パターンが形成可能であって、この配線パターンに対応する開口を有するメッキレジストパターン層を形成する。この工程は、図２（ｅ）に示すように、銅箔積層ポリイミドフィルムの銅箔（４，４’）の上部にフォトレジスト層（１７、１７’）を設け、次いで図２（ｆ）に示すように、配線パターンのマスクを用いて、フォトレジスト層を露光し、配線パターンとなる部位を現像除去する。レジストが現像除去された開口部分から、配線パターンとなる複数の銅箔部分（３２、３２’）が現れる。レジスト開口部（レジスト除去部）は、配線パターンに対応するため、２０〜４５μｍピッチの銅配線部分の形成が可能なように、開口線幅、ピッチ等のパターンが設定される。ここで使用できるフォトレジストは、実施形態１で説明したものと同じである。【００４５】
次の工程（ｃ）では、図２（ｇ）に示すように、フォトレジスト層（１７、１７’）を除去した開口から現れる銅箔部分（３２、３２’）の上部に銅メッキ層（１０、１０’）を設ける。【００４６】
次の工程（ｄ）では、図２（ｈ）に示すように、メッキレジストとして使用したフォトレジスト層１７を除去し、メッキレジストパターン層で覆われていた銅箔を露出させる。【００４７】
次の工程（ｅ）では、図２（ｉ）に示すように、メッキレジストパターン層を除去した部分に露出した銅箔を除去してポリイミドフィルムを露出させる。薄い銅箔の除去は、通常フラッシュエッチングにより行う。これにより両面銅配線ポリイミドフィルム１０１を製造することができる。図２（ｉ）では、両面銅配線ポリイミドフィルム１０１のフラッシュエッチングで銅を除去した部分を記号８、８’で示す。両面銅配線ポリイミドフィルム１０１の貫通孔の上部に形成されている両面の銅配線は導通している。フラッシュエッチングに使用されるフラッシュエッチング液は、実施形態１で説明したものを使用することができる。【００４８】
さらに図２（ｊ）に示すように、必要により両面銅配線ポリイミドフィルム１０１の銅配線の少なくとも一部に錫メッキなどの金属メッキ層（９、９’）を設けることにより、金属メッキされた両面銅配線ポリイミドフィルム１０２を製造することができる。【００４９】
＜実施形態３＞
実施形態２で、最初に貫通孔３１を形成するプロセス（図２（ａ）〜（ｃ））の別の１例を図３（ａ）〜（ｄ）により説明する。【００５０】
図３（ａ）に示すように、実施形態２と同様の両面にキャリア付き銅箔を積層したポリイミドフィルム１００を用意する。【００５１】
図３（ｂ）に示すように、両面キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルム１００より片面のキャリア箔５のみを剥がし、銅箔４とポリイミドフィルムと銅箔４’とキャリア５’が直接積層している両面銅箔積層ポリイミドフィルムを得る。【００５２】
図３（ｃ）に示すように、両面銅箔積層ポリイミドフィルムの両面の電解銅箔およびポリイミド層の一部にレーザーなどを用いて、貫通孔３１を形成する加工を行う。この場合、キャリア５’にも貫通孔を形成してもよい。さらに銅箔４’とキャリア５’を残し、ブラインドビアを形成してもよい。貫通孔またはブラインドビアは複数設けることができる。図３（ｂ）又は図３（ｃ）の状態でのキャリア５’はフィルムの支持体として、又は貫通孔加工時の保護材として、有効に利用することができる。【００５３】
次に図３（ｄ）に示すように、キャリア５’を剥がし、さらに必要に応じて両面銅箔積層ポリイミドフィルムの銅箔（４，４’）を薄くするためにエッチングを行う（ハーフエッチング）。【００５４】
この後の工程は、実施形態２の図４（ｄ）以降の工程と同様に処理を行うことができる。【００５５】
上記実施形態１〜３の工程では、ロールツウロールで連続して処理することができる。【００５６】
実施形態２および実施形態３において、特に言及しない点に関しては、実施形態１と同様に処理することができるが、貫通孔に伴う変更点を説明する。【００５７】
貫通孔又はブラインドビア孔の形成は、片面又は両面のキャリア箔を引き剥がす前若しくは剥がした後に、例えばＵＶ−ＹＡＧレーザーで片面又は両面の銅箔と、ポリイミドフィルムの一部とを同時に除去することで行うことができる。または、ポリイミドフィルムに穴をあける部位の銅箔を予めエッチング等で除去した上で炭酸ガスレーザーを照射してポリイミドフィルムを除去しブラインドビアを形成したり、あるいはパンチまたはドリルにより両面を貫通する孔を形成してもよい。【００５８】
また、実施形態２および３では、パターンめっき法による配線部の形成の際（工程（ｃ））の際に、孔を導通するビア形成を電解めっきで同時に行うことが好ましい。この工程では、貫通孔またはブラインドビア内のデスミアを行ない、例えばパラジウム−スズ皮膜をパラジウム−スズコロイド触媒を用いて形成するいわゆるＤＰＳ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｐｌａｔｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）法にて貫通孔またはブラインドビア内に導電皮膜を形成する。そして両面の銅箔上にフォトタイプのドライフィルムメッキレジストを塗布又はラミネートした後、配線パターンのフォトマスクを介して露光した後に、１％炭酸ソーダ水溶液などをスプレー現像して配線パターンとなる部位と孔を導通させる部位のメッキレジスト層を除去し、薄銅箔の露出部を酸等で洗浄したのち、代表的には硫酸銅を主成分とする溶液中で薄銅箔をカソード電極として０．１〜１０Ａ／ｄｍ２の電流密度で電解銅めっきを行って、孔内及び両面の回路部に銅層を形成する。この状態が、図２（ｇ）に示した構造である。【００５９】
ここで、ＤＰＳ工程として例えば荏原ユージライトのライザトロンＤＰＳシステムがあげられる。ここでは、モノエタノールアミンを主剤とする水溶液で表面をトリートメントしてパラジウム−スズコロイド触媒の吸着しやすい状態を形成する、つづいてソフトエッチング液で薄銅箔のトリートメントされた吸着しやすい表面を除去し、銅箔表面にパラジウム−スズ皮膜が形成する事を抑制し、銅箔表面と電解めっきの密着強度を確保する。塩化ナトリウム、塩酸等にプレディップする。これらの工程の後、パラジウム−スズコロイドの液に浸漬するアクチベーティング工程でＰｄ−Ｓｎ被膜を形成させ、最後に炭酸ソーダ、炭酸カリおよび銅イオンを含むアルカリアクセラレーター浴および硫酸を含む酸性アクセラレーター浴で活性化する際に、活性化に用いるアルカリ性アクセラレーター浴に還元剤を添加すれば良い。添加することのできる還元剤の例としては、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒド類、カテコール、レゾルシン、アスコルビン酸等が挙げられる。還元剤を添加するアルカリ性アクセラレーター浴としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムおよび銅イオンを含むものが好ましい。前記の方法により、Ｐｄ−Ｓｎからなる抵抗値の低い被膜を得ることができる。【００６０】
キャリア付銅箔を両面に積層したポリイミドフィルムを用いてセミアディティブ法により、回路を形成する方法の具体的な例を示す。ロール巻状両面にキャリア付き銅箔を積層したポリイミドフィルムより、１０．５×２５ｃｍ角の試料を切り出し、両面のキャリア箔を剥がす。ＵＶ−ＹＡＧレーザー［エレクトロ・サイエンティフィック・インダストリーズ社製（ＥＳＩ社）、モデル５３２０、波長３５５μｍ］にて、両面の電解銅箔およびポリイミド層にレーザー加工し、スルーホールＶＩＡを形成するための貫通孔を形成する。銅箔をハーフエッチ液として荏原ユージライト製ＤＰ−２００を用いて２５℃・２分間浸漬し、銅箔厚みを１μｍにし、孔内のレーザースミア等を荏原ユージライト社のライザトロンＤＳ（デスミアー）プロセスによって除去後、同じく荏原ユージライト社のライザトロンＤＰＳプロセスにより導電化皮膜を形成する。ＤＰＳ処理した銅箔上にドライフィルムタイプのネガ型フォトレジスト（旭化成製ＳＰＧ−１５２）を１１０℃の熱ロールでラミネート後、回路形成部位（配線パターン）とスルーホールとなる部位以外を露光し、１％炭酸ソーダ水溶液で３０℃・２０秒間スプレー現像して未露光部のレジストを除去する。薄銅箔の露出部と導電化皮膜を形成した貫通孔内を脱脂・酸洗後、硫酸銅めっき浴中で薄銅箔をカソード電極として２Ａ／ｄｍ２の電流密度で２５℃、３０分間電解銅めっきを行ない、導電化皮膜を形成した貫通孔内部と銅メッキ１０μｍ厚みのパターンメッキを行う。続いて、２％苛性ソーダ水溶液を４２℃で１５秒間スプレー処理して、レジスト層を剥離した後、フラッシュエッチング液（旭電化工業製ＡＤ−３０５Ｅ）で３０℃・３０秒間スプレー処理し不要な部位の薄膜銅を除去すると３０μｍピッチの両面に銅配線を有するポリイミドフィルムを得ることができる。【００６１】
本発明の製造方法により形成された銅配線ポリイミドフィルムは、２０〜４５μｍピッチ、好ましくは２２〜４２μｍピッチ、さらに好ましくは２４〜４０μｍピッチ、より好ましくは２５〜３６μｍピッチ、特に好ましくは２６〜３０μｍピッチの銅配線部分を有する。ここでピッチとは銅配線と銅配線間のスペースとを併せた幅のことであり、３０μｍピッチとは、一例として銅配線１５μｍ、銅配線間のスペース１５μｍを示す。【００６２】
銅配線ポリイミドフィルムは、さらに銅配線の少なくとも一部に錫メッキなどの金属メッキすることができる。【００６３】
以上の製造プロセスの説明で、工程（ａ）において用意される銅箔積層フィルムは、ポリイミドフィルムの片面または両面に、
（１）このポリイミドフィルムと積層されている側の表面粗さＲｚが１．０μｍ以下、さらに好ましくは０．８μｍ以下、より好ましくは０．７μｍ以であり、（２）０．５μｍ〜２μｍの範囲、好ましくは０．７μｍ〜２μｍ、さらに好ましくは０．８μｍ〜１．８μｍ、特に好ましくは０．８μｍ〜１．５μｍの厚みを有する銅箔、好ましくはエッチング処理された銅箔が直接積層されている銅箔積層フィルムである。エッチング処理は、一般には、前述の工程（ａ−１）〜（ａ−３）により実施する。この銅箔積層フィルムは、以上の説明および実施例で示されるように、ファインピッチ銅配線ポリイミドフィルムの製造に極めて有用である。【００６４】
次に、本発明の前記工程（ａ−１）で使用される片面又は両面のキャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムについて説明する。キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムは、前述のとおり、ポリイミドフィルムの片面或いは両面に、ポリイミドフィルムと積層する側の銅箔の表面粗さＲｚが１．０μｍ以下であり銅箔の厚みが１〜８μｍであるキャリア付き銅箔が直接積層されている。【００６５】
キャリア付き銅箔において、キャリアの厚さは、特に限定されないが、厚みの薄い銅箔を補強できるものであればよく、キャリアの厚みが好ましくは１０〜４０μｍ、さらに好ましくは１０〜３５μｍ、より好ましくは１０〜１８μｍである。銅箔４の厚みは好ましくは１〜８μｍ、さらに好ましくは１〜６μｍ、より好ましくは２〜５μｍ、より好ましくは２〜４μｍであり、銅箔のポリイミドフィルムと積層する側の表面粗さＲｚが好ましくは１．０μｍ以下、さらに好ましくは０．８μｍ以下、より好ましくは０．７μｍ以下である。【００６６】
キャリア付き銅箔３とポリイミド、好ましくは高耐熱性の芳香族ポリイミド層の片面或いは両面に熱圧着性のポリイミドフィルムが積層一体化して得られた多層のポリイミドとの積層物では、１５０℃×１６８時間後でも優れた接着強度を有している配線基板を得ることができる。【００６７】
キャリア付き銅箔の銅箔は、電解銅箔や圧延銅箔などの銅及び銅合金などを用いることが出来、特に圧延銅箔を好ましく用いることができる。【００６８】
キャリア付き銅箔のキャリアは、特に材質は限定されないが、銅箔とはり合わすことができ、銅箔を補強保護し、容易に銅箔と引き剥がせ、ポリイミドを積層する積層温度に耐える役割を有するものであればよく、例えばアルミニウム箔、銅箔、表面をメタルコーティングした樹脂などを用いることができる。【００６９】
キャリア箔付電解銅箔では、キャリア箔の表面上に電解銅箔となる銅成分を電析させるので、キャリア箔には少なくとも導電性を有することが必要となる。【００７０】
キャリア箔は、連続した製造工程を流れ、少なくとも銅箔積層ポリイミドフィルムの製造終了時までは、銅箔層と接合した状態を維持し、ハンドリングを容易にしているものを用いることができる。【００７１】
キャリア箔は、キャリア箔付き銅箔をポリイミドフィルムに積層後、キャリア箔を引き剥がして除去するもの、キャリア箔付き銅箔をポリイミドフィルムに積層後、キャリア箔をエッチング法にて除去するものなどを用いることができる。【００７２】
キャリア付き銅箔において、金属或いはセラミックスの接合剤によってキャリアと銅箔とが接合されたものは、耐熱性に優れ好適に用いることができる。【００７３】
キャリア付き銅箔は、ポリイミドフィルムと積層する少なくとも片面がＮｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属又はこれらの金属を少なくとも１種含む合金で、粗化処理、防錆処理、耐熱処理、耐薬品処理などの表面処理されているものを用いることができ、さらにシランカップリング処理されたものを用いることができる。【００７４】
キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルム１のポリイミドフィルムは、キャリア付き銅箔の銅箔と直接積層することができ、プリント配線板、フレキシブルプリント回路基板、ＴＡＢテープ、ＣＯＦ基板等の電子部品のベース素材として用いられるポリイミドフィルム、該ポリイミドフィルムを構成する酸成分及びジアミン成分とから得られる、或いは該ポリイミドフィルムを構成する酸成分及びジアミン成分とを含むポリイミドなどを挙げることができる。【００７５】
ポリイミドフィルム２としては、線膨張係数（５０〜２００℃）がポリイミドフィルムに積層する銅箔の線膨張係数に近いことが好ましく、ポリイミドフィルムの線膨張係数（５０〜２００℃）は０．５×１０−５〜２．８×１０−５ｃｍ／ｃｍ／℃であることが好ましい。【００７６】
ポリイミドフィルムとしては、熱収縮率が０．０５％以下のものをもちいることが、熱変形が小さく好ましい。【００７７】
ポリイミドフィルムとしては、単層、２層以上を積層した複層のフィルム、シートの形状として用いることができる。【００７８】
ポリイミドフィルムの厚みは、特に限定されないが、キャリア箔付き銅箔との積層が問題なく行なえ、製造や取扱が行なえ、銅箔を充分に支持できる厚みであれば良く、好ましくは１〜５００μｍ、より好ましくは２〜３００μｍ、さらに好ましくは５〜２００μｍ、より好ましくは７〜１７５μｍ、特に好ましくは８〜１００μｍのものを用いることが好ましい。【００７９】
ポリイミドフィルムとしては、基板の少なくとも片面がコロナ放電処理、プラズマ処理、化学的粗面化処理、物理的粗面化処理などの表面処理された基板を用いることもできる。【００８０】
キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムのポリイミドフィルムは、耐熱性のポリイミド層（ｂ）の片面又は両面に、銅箔と加圧又は加圧加熱することにより直接積層することができる熱圧着性ポリイミド層（ａ）を有する少なくとも２層以上の多層のポリイミドフィルムを用いることができる。【００８１】
またキャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムは、耐熱性ポリイミド層（ｂ）とキャリア付き銅箔とを、熱圧着性ポリイミド層（ａ）を介して加圧又は加圧加熱することにより積層したものを用いることができる。【００８２】
耐熱性ポリイミド層（ｂ）及びポリイミドフィルムの具体例としては、商品名「ユーピレックス（Ｓ、又はＲ）」（宇部興産社製）、商品名「カプトン」（東レ・デュポン社製、デュポン社製）、商品名「アピカル」（カネカ社製）などのポリイミドフィルム、又はこれらのフィルムを構成する酸成分とジアミン成分とから得られるポリイミドなどを挙げる事ができる。【００８３】
ポリイミドフィルムは、公知の方法で製造することができ、例えば単層のポリイミドフィルムでは、
（１）ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を支持体に流延又は塗布し、イミド化する方法、
（２）ポリイミド溶液を支持体に流延、塗布し、必要に応じて加熱する方法、などを用いることが出来る。【００８４】
２層以上のポリイミドフィルムでは、
（３）ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を支持体に流延又は塗布し、さらに２層目以上のポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を逐次前に支持体に流延又は塗布したポリアミック酸層の上面に流延又は塗布し、イミド化する方法、
（４）２層以上のポリイミドの前駆体であるポリアミック酸溶液を同時に支持体に流延又は塗布し、イミド化する方法、
（５）ポリイミド溶液を支持体に流延又は塗布し、さらに２層目以上のポリイミド溶液を逐次前に支持体に流延又は塗布したポリイミドフィルムの上面に流延又は塗布し、必要に応じて加熱する方法、
（６）２層以上のポリイミド溶液を同時に支持体に流延又は塗布し、必要に応じて加熱する方法、
（７）上記（１）から（６）で得られた２枚以上のポリイミドフィルムを直接、又は接着剤を介して積層する方法、などにより得ることができる。【００８５】
キャリア箔付き銅箔と、ポリイミドフィルムとを積層する場合、加熱装置、加圧装置又は加熱加圧装置を用いることができ、加熱条件、加圧条件は用いる材料により適宜選択してい行うことが好ましく、連続又はバッチでラミネートできれば特に限定されないが、ロールラミネート或いはダブルベルトプレス等を用いて連続して行うことが好ましい。【００８６】
キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムの製造方法の一例として、次の方法を挙げることができる。即ち、長尺状（長さ２００〜２０００ｍ）のキャリア付き銅箔と、長尺状のポリイミドフィルムと、長尺状のキャリア付き銅箔との順に３枚重ねて、必要に応じてさらに外側に保護フィルムを重ねて、好ましくは導入する直前のインラインで１５０〜２５０℃程度、特に１５０℃より高く２５０℃以下の温度で２〜１２０秒間程度予熱できるように熱風供給装置や赤外線加熱機などの予熱器を用いて予熱する。一対の圧着ロール又はダブルベルトプレスを用いて、一対の圧着ロール又はダブルベルトプレスの加熱圧着ゾーンの温度がポリイミドのガラス転移温度より２０℃以上高い温度から４００℃の温度範囲で、特にガラス転移温度より３０℃以上高い温度から４００℃の温度範囲で、加圧下に熱圧着する。特にダブルベルトプレスの場合には引き続いて冷却ゾーンで加圧下に冷却する。好適にはポリイミドのガラス転移温度より２０℃以上低い温度、特に３０℃以上低い温度まで冷却して、積層させ、ロール状に巻き取ることにより、ロール状の片面或いは両面キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを製造することができる。【００８７】
熱圧着前にポリイミドフィルムを予熱することにより、ポリイミドに含有されている水分等による、熱圧着後の積層体の発泡による外観不良の発生を防止したり、電子回路形成時の半田浴浸漬時の発泡を防止したりすることにより、製品収率の悪化を防ぐことができる。【００８８】
ダブルベルトプレスは、加圧下に高温加熱−冷却を行なうことができるものであって、熱媒を用いた液圧式のものが好ましい。【００８９】
両面キャリア箔付き銅箔層ポリイミドフィルムは、ダブルベルトプレスを用いて加圧下に熱圧着−冷却して積層することによって、好適には引き取り速度１ｍ／分以上とすることができ、得られる両面キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムは、長尺で幅が約４００ｍｍ以上、特に約５００ｍｍ以上の幅広の、接着強度が大きく（金属箔とポリイミドフィルムとのピール強度が０．７Ｎ／ｍｍ以上で、１５０℃で１６８時間加熱処理後でもピール強度の保持率が９０％以上である）、銅箔表面に皺が実質的に認めれられないほど外観が良好な両面キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを得ることができる。【００９０】
製品外観の良好な両面キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを量産するために、熱圧着性ポリイミドフィルムとキャリア付き銅箔銅箔との組み合わせを１組以上供給するとともに、最外層の両側とベルトとの間に保護材（つまり保護材２枚）を介在させ、加圧下に熱圧着−冷却して張り合わせて積層することができる。【００９１】
保護材としては、非熱圧着性で表面平滑性が良いものであれば、特に材質を問わず使用でき、例えば金属箔、特に銅箔、ステンレス箔、アルミニウム箔や、高耐熱性ポリイミドフィルム（宇部興産社製、ユーピレックスＳ、東レ・デュポン社製のカプトンＨ）などの厚み５〜１２５μｍ程度のものが好適に挙げられる。【００９２】
熱圧着性ポリイミドフィルムにおいて、耐熱性ポリイミド層（ｂ）は、プリント配線板、フレキシブルプリント回路基板、ＴＡＢテープ、ＣＯＦの基板等の電子部品のテープ素材として用いることができるベースフィルムを構成する耐熱性ポリイミドを用いることが好ましい。【００９３】
熱圧着性ポリイミドフィルムにおいて、耐熱性ポリイミド層（ｂ層）の耐熱性ポリイミドとしては、下記の特徴を少なくとも１つ有するもの、下記の特徴を少なくとも２つ有するもの［  １）と２）、１）と３）、２）と３）の組合せ］、特に下記の特徴を全て有するものを用いることができる。
１）単独のポリイミドフィルムとして、ガラス転移温度が３００℃以上、好ましくはガラス転移温度が３３０℃以上、さらに好ましくは確認不可能であるもの。
２）単独のポリイミドフィルムとして、線膨張係数（５０〜２００℃）（ＭＤ）が、耐熱性樹脂基板に積層する銅箔などの金属箔の熱膨張係数に近いことが好ましく、金属箔として銅箔を用いる場合耐熱性樹脂基板の熱膨張係数は５×１０−６〜２８×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃であることが好ましく、９×１０−６〜２０×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃であることが好ましく、さらに１２×１０−６〜１８×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃であることが好ましい。
３）単独のポリイミドフィルムとして、引張弾性率（ＭＤ、ＡＳＴＭ−Ｄ８８２）は３００ｋｇ／ｍｍ２以上、好ましくは５００ｋｇ／ｍｍ２以上、さらに７００ｋｇ／ｍｍ２以上であるもの。【００９４】
耐熱性ポリイミド層（ｂ）の耐熱性ポリイミドとしては、
（１）３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物及び１，４−ヒドロキノンジベンゾエート−３，３’，４，４’−テトラカルボン酸二無水物より選ばれる成分を少なくとも１種含む酸成分、好ましくはこれらの酸成分を少なくとも７０モル％以上、さらに好ましくは８０モル％以上、より好ましくは９０モル％以上含む酸成分と、
（２）ジアミン成分としてｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−トリジン及び４，４’−ジアミノベンズアニリドより選ばれる成分を少なくとも１種含むジアミン、好ましくはこれらのジアミン成分を少なくとも７０モル％以上、さらに好ましくは８０モル％以上、より好ましくは９０モル％以上含むジアミン成分とから得られるポリイミドなどを用いることができる。【００９５】
耐熱性ポリイミド層（ｂ）を構成する酸成分とジアミン成分との組合せの一例としては、
１）３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と、ｐ−フェニレンジアミン或いはｐ−フェニレンジアミン及び４，４−ジアミノジフェニルエーテル、
２）３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物及びピロメリット酸二無水物と、ｐ−フェニレンジアミン或いはｐ−フェニレンジアミン及び４，４−ジアミノジフェニルエーテル、
３）ピロメリット酸二無水物と、ｐ−フェニレンジアミン及び４，４−ジアミノジフェニルエーテル、
４）３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とｐ−フェニレンジアミンとを主成分（合計１００モル％中の５０モル％以上）として得られるものを挙げることができる。これらのものは、プリント配線板、フレキシブルプリント回路基板、ＴＡＢテープ等の電子部品の素材として用いられ、広い温度範囲にわたって優れた機械的特性を有し、長期耐熱性を有し、耐加水分解性に優れ、熱分解開始温度が高く、加熱収縮率と線膨張係数が小さい、難燃性に優れるために好ましい。【００９６】
耐熱性ポリイミド層（ｂ）の耐熱性ポリイミドを得ることができる酸成分として、上記に示す酸成分の他に本発明の特性を損なわない範囲で、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルフィド二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス［（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、などの酸二無水物成分を用いることができる。【００９７】
耐熱性ポリイミド層（ｂ）の耐熱性ポリイミドを得ることができるジアミン成分として、上記に示すジアミン成分の他に本発明の特性を損なわない範囲で、ｍ−フェニレンジアミン、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，２−ジ（３−アミノフェニル）プロパン、２，２−ジ（４−アミノフェニル）プロパン、などのジアミン成分を用いることができる。【００９８】
熱圧着性ポリイミド層（ａ層）は、プリント配線板、フレキシブルプリント回路基板、ＴＡＢテープ、ＣＯＦ基板等の電子部品のテープ素材又は耐熱性ポリイミドと銅箔とを熱融着できる性質（熱圧着性）を有するか、又は加圧下熱融着できる性質（熱圧着性）を有する公知のポリイミドを用いることができる。【００９９】
熱圧着性ポリイミド層（ａ層）の熱圧着性ポリイミドは、好ましくは熱圧着性ポリイミドのガラス転移温度以上から４００℃以下の温度で銅箔とはり合せることができる熱圧着性を有するポリイミドである。【０１００】
熱圧着性ポリイミドフィルムの熱圧着性ポリイミド層（ａ層）の熱圧着性ポリイミドは、さらに、以下の特徴を少なくとも１つ有するもの、下記の特徴を少なくとも２つ有するもの［  １）と２）、１）と３）、２）と３）の組合せ］、下記の特徴を少なくとも３つ有するもの［  １）と２）と３）、１）と３）と４）、２）と３）と４）、１）と２）と４）などの組合せ］、特に下記の特徴を全て有するものを用いることができる。
１）熱圧着性ポリイミド層（ａ層）は、銅箔とａ層、又は銅箔と熱圧着性ポリイミドフィルムとのピール強度が０．７Ｎ／ｍｍ以上で、１５０℃で１６８時間加熱処理後でもピール強度の保持率が９０％以上、さらに９５％以上、特に１００％以上であるポリイミドであること。
２）ガラス転移温度が１３０〜３３０℃であること。
３）引張弾性率が１００〜７００Ｋｇ／ｍｍ２であること。
４）線膨張係数（５０〜２００℃）（ＭＤ）が１３〜３０×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃であること。【０１０１】
熱圧着性ポリイミド層（ａ層）の熱融着性ポリイミドは、
（１）３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルフィド二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物及び１，４−ヒドロキノンジベンゾエート−３，３’，４，４’−テトラカルボン酸二無水物などの酸二無水物より選ばれる成分を少なくとも１種含む酸成分、好ましくはこれらの酸成分を少なくとも７０モル％以上、さらに好ましくは８０モル％以上、より好ましくは９０モル％以上含む酸成分と、
（２）ジアミン成分としては、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンなどのジアミンより選ばれる成分を少なくとも１種含むジアミン、好ましくはこれらのジアミン成分を少なくとも７０モル％以上、さらに好ましくは８０モル％以上、より好ましくは９０モル％以上含むジアミン成分とから得られるポリイミドなどを用いることができる。【０１０２】
熱圧着性ポリイミド層（ａ層）のポリイミドを得ることができる酸成分とジアミン成分との組合せの一例としては、
（１）３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物及び２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の酸二無水物より選ばれる成分を少なくとも１種含む酸成分、好ましくはこれらの酸成分を少なくとも７０モル％以上、さらに好ましくは８０モル％以上、より好ましくは９０モル％以上含む酸成分と、
（２）ジアミン成分としては、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパンなどのジアミンより選ばれる成分を少なくとも１種含むジアミン、好ましくはこれらのジアミン成分を少なくとも７０モル％以上、さらに好ましくは８０モル％以上、より好ましくは９０モル％以上含むジアミン成分とから得られるポリイミドなどを用いることができる。【０１０３】
熱圧着性ポリイミド層（ａ層）のポリイミドを得ることができるジアミン成分として、上記に示すジアミン成分の他に本発明の特性を損なわない範囲で、ｍ−フェニレンジアミン、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，２−ジ（３−アミノフェニル）プロパン、２，２−ジ（４−アミノフェニル）プロパン、などのジアミン成分を用いることができる。【０１０４】
耐熱性ポリイミド層（ｂ層）のポリイミド及び熱融着性ポリイミド層（ａ層）のポリイミドは、公知の方法で合成することができ、ランダム重合、ブロック重合、或いはあらかじめ複数のポリイミド前駆体溶液或いはポリイミド溶液を合成しておき、その複数の溶液を混合後反応条件下で混合して均一溶液とする、いずれの方法によっても達成される。【０１０５】
耐熱性ポリイミド層（ｂ層）のポリイミド及び熱融着性ポリイミド層（ａ層）のポリイミドは、酸成分とジアミン成分とを、有機溶媒中、約１００℃以下、さらに８０℃以下、さらに０〜６０℃の温度で、特に２０〜６０℃の温度で、約０．２〜６０時間反応させてポリイミド前駆体の溶液とし、このポリイミド前駆体溶液をドープ液として使用し、そのドープ液の薄膜を形成し、その薄膜から溶媒を蒸発させ除去すると共にポリイミド前駆体をイミド化することにより製造することができる。【０１０６】
また溶解性に優れるポリイミドでは、ポリイミド前駆体溶液を１５０〜２５０℃に加熱するか、またはイミド化剤を添加して１５０℃以下、特に１５〜５０℃の温度で反応させて、イミド環化した後溶媒を蒸発させる、もしくは貧溶媒中に析出させて粉末とする。その後、該粉末を有機溶液に溶解してポリイミドの有機溶媒溶液を得ることができる。【０１０７】
ポリイミド前駆体溶液の重合反応を実施するに際して、有機極性溶媒中の全モノマーの濃度は、使用する目的や製造する目的に応じて適宜選択すればよく、例えば耐熱性ポリイミド層（ｂ層）のポリイミド前駆体溶液は、有機極性溶媒中の全モノマーの濃度が、好ましくは５〜４０質量％、さらに好ましくは６〜３５質量％、特に好ましくは１０〜３０質量％であることが好ましい。熱融着性ポリイミド層（ａ層）のポリイミド前駆体溶液は、有機極性溶媒中の全モノマーの濃度が１〜１５質量％、特に２〜８質量％となる割合であることが好ましい。【０１０８】
ポリイミド前駆体溶液の重合反応を実施するに際して、溶液粘度は、使用する目的（塗布、流延など）や製造する目的に応じて適宜選択すればよく、ポリアミック（ポリイミド前駆体）酸溶液は、３０℃で測定した回転粘度が、約０．１〜５０００ポイズ、特に０．５〜２０００ポイズ、さらに好ましくは１〜２０００ポイズ程度のものであることが、このポリアミック酸溶液を取り扱う作業性の面から好ましい。したがって、前記の重合反応は、生成するポリアミック酸が上記のような粘度を示す程度にまで実施することが望ましい。【０１０９】
熱融着性ポリイミド層（ａ層）は、上記の方法でポリイミド前駆体溶液を製造し、それに新たに有機溶媒を加え、希釈して用いることができる。【０１１０】
耐熱性ポリイミド層（ｂ層）のポリイミド及び熱融着性ポリイミド層（ａ層）のポリイミドは、ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物の略等モル量、ジアミン成分が少し過剰な量或いは酸成分が少し過剰な量を、有機溶媒中で反応させてポリイミド前駆体の溶液（均一な溶液状態が保たれていれば一部がイミド化されていてもよい）を得ることができる。【０１１１】
耐熱性ポリイミド層（ｂ層）のポリイミド及び熱融着性ポリイミド層（ａ層）のポリイミドは、アミン末端を封止するためにジカルボン酸無水物、例えば、無水フタル酸およびその置換体、ヘキサヒドロ無水フタル酸およびその置換体、無水コハク酸およびその置換体など、特に、無水フタル酸を添加して合成することができる。【０１１２】
耐熱性ポリイミド層（ｂ層）のポリイミド及び熱融着性ポリイミド層（ａ層）のポリイミドは、有機溶媒中、ジアミン（アミノ基のモル数として）の使用量が酸無水物の全モル数（テトラ酸二無水物とジカルボン酸無水物の酸無水物基としての総モルとして）に対する比として、０．９５〜１．０５、特に０．９８〜１．０２、そのなかでも特に０．９９〜１．０１であることが好ましい。ジカルボン酸無水物を使用する場合の使用量はテトラカルボン酸二無水物の酸無水物基モル量に対する比として、０．０５以下であるような割合の各成分を反応させることができる。【０１１３】
ポリイミド前駆体のゲル化を制限する目的でリン系安定剤、例えば亜リン酸トリフェニル、リン酸トリフェニル等をポリアミック酸重合時に固形分（ポリマー）濃度に対して０．０１〜１％の範囲で添加することができる。【０１１４】
また、イミド化促進の目的で、ドープ液中に塩基性有機化合物を添加することができる。例えば、イミダゾール、２−イミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、イソキノリン、置換ピリジンなどもイミド化促進剤をポリアミック酸に対して０．０５〜１０重量％、特に０．１〜２重量％の割合で使用することができる。これらは比較的低温でポリイミドフィルムを形成するため、イミド化が不十分となることを避けるために使用することができる。【０１１５】
また、接着強度の安定化の目的で、特に熱融着性ポリイミド用ポリアミック酸溶液に有機アルミニウム化合物、無機アルミニウム化合物または有機錫化合物を添加してもよい。例えば水酸化アルミニウム、アルミニウムトリアセチルアセトナートなどをポリアミック酸に対してアルミニウム金属として１ｐｐｍ以上、特に１〜１０００ｐｐｍの割合で添加することができる。【０１１６】
ポリアミック酸製造に使用する有機溶媒は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド、Ｎ−メチルカプロラクタム、クレゾール類などが挙げられる。これらの有機溶媒は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。【０１１７】
熱圧着性を有するポリイミドフィルムは、好適には（ｉ）共押出し−流延製膜法（単に、多層押出法ともいう。）によって、耐熱性ポリイミド層（ｂ層）のドープ液と熱圧着性ポリイミド層（ａ層）のドープ液とを積層、乾燥、イミド化して多層ポリイミドフィルムを得る方法、（ｉｉ）或いは耐熱性ポリイミド層（ｂ層）のドープ液を支持体上に流延塗布し、乾燥した自己支持性フィルム（ゲルフィルム）の片面或いは両面に熱圧着性ポリイミド層（ａ層）のドープ液を塗布し、乾燥、イミド化して多層ポリイミドフィルムを得る方法によって得ることができる。【０１１８】
共押出法は、公知の方法で行なうことが出来、例えば特開平３−１８０３４３号公報（特公平７−１０２６６１号公報）に記載されている方法などを用いることができる。【０１１９】
両面に熱圧着性を有する３層の熱圧着性ポリイミドフィルムの製造の一例を示す。【０１２０】
耐熱性ポリイミド層（ｂ層）用のポリアミック酸溶液と熱圧着性ポリイミド層（ａ層）用のポリアミック酸溶液とを三層共押出法によって、耐熱性ポリイミド層（ｂ層）の厚みが４〜４５μｍで両側の熱圧着性ポリイミド層（ａ層）の厚みの合計が３〜１０μｍとなるように三層押出し成形用ダイスに供給し、支持体上にキャストしてこれをステンレス鏡面、ベルト面等の支持体面上に流延塗布し、１００〜２００℃で半硬化状態またはそれ以前の乾燥状態とする自己支持性フィルムのポリイミドフィルムＡを得ることができる。【０１２１】
自己支持性フィルムのポリイミドフィルムＡは、２００℃を越えた高い温度で流延フィルムを処理すると、熱圧着性を有するポリイミドフィルムの製造において、接着性の低下などの欠陥を来す傾向にある。この半硬化状態またはそれ以前の状態とは、加熱および／または化学イミド化によって自己支持性の状態にあることを意味する。【０１２２】
得られた自己支持性フィルムのポリイミドフィルムＡは、熱圧着性ポリイミド層（ａ層）のガラス転移温度（Ｔｇ）以上で劣化が生じる温度以下の温度、好適には２５０〜４２０℃の温度（表面温度計で測定した表面温度）まで加熱して（好適にはこの温度で０．１〜６０分間加熱して）、乾燥及びイミド化して、耐熱性ポリイミド層（ｂ層）の両面に熱圧着性ポリイミド層（ａ層）を有するポリイミドフィルムを製造することができる。【０１２３】
得られた自己支持性フィルムのポリイミドフィルムＡは、溶媒及び生成水分が好ましくは約２０〜６０質量％、特に好ましくは３０〜５０質量％残存しており、この自己支持性フィルムを乾燥温度に昇温する際には、比較的短時間内に昇温することが好ましく、例えば、１０℃／分以上の昇温速度であることが好適である。乾燥する際に自己支持性フィルムに対して加えられる張力を増大することによって、最終的に得られるポリイミドフィルムＡの線膨張係数を小さくすることができる。【０１２４】
そして、前述の乾燥工程に続いて、連続的または断続的に前記自己支持性フィルムの少なくとも一対の両端縁を連続的または断続的に前記自己支持性フィルムと共に移動可能な固定装置などで固定した状態で、前記の乾燥温度より高く、しかも好ましくは２００〜５５０℃の範囲内、特に好ましくは３００〜５００℃の範囲内の高温度で、好ましくは１〜１００分間、特に１〜１０分間、前記自己支持性フィルムを乾燥および熱処理して、好ましくは最終的に得られるポリイミドフィルム中の有機溶媒および生成水等からなる揮発物の含有量が１重量％以下になるように、自己支持性フィルムから溶媒などを充分に除去するとともに前記フィルムを構成しているポリマーのイミド化を充分に行って、両面に熱圧着性を有するポリイミドフィルムを形成することができる。【０１２５】
前記の自己支持性フィルムの固定装置としては、例えば、多数のピンまたは把持具などを等間隔で備えたベルト状またはチェーン状のものを、連続的または断続的に供給される前記固化フィルムの長手方向の両側縁に沿って一対設置し、そのフィルムの移動と共に連続的または断続的に移動させながら前記フィルムを固定できる装置が好適である。また、前記の固化フィルムの固定装置は、熱処理中のフィルムを幅方向または長手方向に適当な伸び率または収縮率（特に好ましくは０．５〜５％程度の伸縮倍率）で伸縮することができる装置であってもよい。【０１２６】
なお、前記の工程において製造された両面に熱圧着性を有するポリイミドフィルムを、再び好ましくは４Ｎ以下、特に好ましくは３Ｎ以下の低張力下あるいは無張力下に、１００〜４００℃の温度で、好ましくは０．１〜３０分間熱処理すると、特に寸法安定性が優れた両面に熱圧着性を有するポリイミドフィルムとすることができる。また、製造された長尺の両面に熱圧着性を有するポリイミドフィルムは、適当な公知の方法でロール状に巻き取ることができる。【０１２７】
なお、上記の自己支持性フィルムの加熱減量とは、測定対象のフィルムを４２０℃で２０分間乾燥し、乾燥前の重量Ｗ１と乾燥後の重量Ｗ２とから次式によって求めた値である。【０１２８】
加熱減量（質量％）＝{（Ｗ１−Ｗ２）／Ｗ１}×１００
また、上記の自己支持性フィルムのイミド化率は、特開平９−３１６１９９記載のカールフィッシャー水分計を用いる手法で求めることができる。【０１２９】
自己支持性フィルムには、必要であれば、内部または表面層に微細な無機あるいは有機の添加剤を配合することができる。無機の添加剤としては，粒子状あるいは偏平状の無機フィラーを挙げることができる。有機の添加剤としてはポリイミド粒子、熱硬化性樹脂の粒子などを挙げる事ができる。使用量および形状（大きさ，アスペクト比）については、使用目的に応じて選択することが好ましい。【０１３０】
加熱処理は、熱風炉、赤外線加熱炉などの公知の種々の装置を使用して行うことができる。【０１３１】
本発明の片面或いは両面の銅配線ポリイミドフィルムは、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）、テープ・オートメイティッド・ボンディング（ＴＡＢ）、ＣＯＦなどの配線材料として使用することができる。
【実施例】
【０１３２】
以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明する。但し、本発明は実施例により制限されるものでない。【０１３３】
物性評価は以下の方法に従って行った。
１）ポリイミドフィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）：動的粘弾性法により、ｔａｎδのピーク値から求めた（引張り法、周波数６．２８ｒａｄ／秒、昇温速度１０℃／分）。
２）ポリイミドフィルムの線膨張係数（５０〜２００℃）：ＴＭＡ法により、２０〜２００℃平均線膨張係数を測定した（引張り法、昇温速度５℃／分）。
３）金属箔積層ポリイミドフィルムのピール強度（常態）、ポリイミドフィルムと接着フィルムのピール強度：ＪＩＳ・Ｃ６４７１に準拠し、同試験方法で規定された３ｍｍ幅リード（試料片）を作製し、巻内側と、巻外側の金属それぞれ９点の試験片について、クロスヘッド速度５０ｍｍ／分にて９０°ピール強度を測定した。ポリイミドフィルム及び銅箔積層ポリイミドフィルムは、９点の平均値をピール強度とする。ポリイミドフィルムと接着シートとの積層物は、３点の平均値をピール強度とする。金属箔の厚さが５μｍよりも薄い場合は、電気めっきにより２０μｍの厚さまでめっきして行なう。
（但し、巻内とは、金属箔積層ポリイミドフィルム巻き取った内側のピール強度を意味し、巻外とは金属箔積層ポリイミドフィルム巻き取った外側のピール強度を意味する。）【０１３４】
４）金属箔積層ポリイミドフィルムの線間絶縁抵抗・体積抵抗：ＪＩＳ・Ｃ６４７１に準拠して測定した。
５）ポリイミドフィルムの機械的特性
・引張強度：ＡＳＴＭ・Ｄ８８２に準拠して測定した（クロスヘッド速度５０ｍｍ／分）。
・伸び率：ＡＳＴＭ・Ｄ８８２に準拠して測定した（クロスヘッド速度５０ｍｍ／分）。
・引張弾性率：ＡＳＴＭ・Ｄ８８２に準拠して測定した（クロスヘッド速度５ｍｍ／分）。【０１３５】
６）ＭＩＴ耐折性（ポリイミドフィルム）：ＪＩＳ・Ｃ６４７１により、全幅に渡って幅１５ｍｍの試験片を切出し、曲率半径０．３８ｍｍ、荷重９．８Ｎ、折り曲げ速度１７５回／分、左右折り曲げ角度１３５度で、ポリイミドフィルムが破断するまでの回数を測定したものである。【０１３６】
（参考例１）熱圧着性多層ポリイミドフィルムの製造例
Ｎ−メチル−２−ピロリドン中でパラフェニレンジアミン（ＰＰＤ）と３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ｓ−ＢＰＤＡ）とを１０００：９９８のモル比でモノマー濃度が１８％（重量％、以下同じ）になるように加え、５０℃で３時間反応させて、２５℃における溶液粘度が約１５００ポイズのポリアミック酸溶液（耐熱性ポリイミド用ドープ）を得た。【０１３７】
一方、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中で１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ−Ｒ）と２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ａ−ＢＰＤＡ）とを１０００：１０００のモル比で加え、モノマー濃度が２２％になるようにした。またトリフェニルホスフェートをモノマー重量に対して０．１％加え、５℃で１時間反応を続けて、２５℃における溶液粘度が約２０００ポイズであるポリアミック酸溶液のドープ（熱圧着性ポリイミド用ドープ）を得た。【０１３８】
三層押出し成形用ダイス（マルチマニホールド型ダイス）を設けた製膜装置を使用し、耐熱性ポリイミド用ドープと熱圧着性ポリイミド用ドープを三層押出ダイスの厚みを変えて金属製支持体上に流延し、１４０℃の熱風で連続的に乾燥し、固化フィルムを形成した。この固化フィルムを支持体から剥離した後、加熱炉で２００℃から４５０℃まで徐々に昇温して溶媒を除去し、イミド化を行って、長尺状の三層押出しポリイミドフィルムを巻き取りロールに巻き取った。得られた三層押出しポリイミドフィルムは、次のような物性を示した。【０１３９】
（熱圧着性多層ポリイミドフィルム）
厚み構成：３μｍ／９μｍ／３μｍ（合計１５μｍ）。
静摩擦係数：０．３７。
熱圧着性ポリイミドのＴｇ：２４０℃（動的粘弾性法、ｔａｎδピーク値、以下同じ）。
耐熱性ポリイミドのＴｇ：３４０℃以上。
線膨張係数（５０〜２００℃）：１８ｐｐｍ／℃（ＴＭＡ法）。
引張強度、伸び率：４６０ＭＰａ、９０％（ＡＳＴＭ・Ｄ８８２）。
引張弾性率：７０８０ＭＰａ（ＡＳＴＭ・Ｄ８８２）。
ＭＩＴ耐折性：１０万回まで破断せず。【０１４０】
＜実施例１：（キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルム）＞
ロール巻きした日本電解社製キャリア付き銅箔（ＹＳＮＡＰ−３Ｓ、キャリア厚み１８μｍ、銅厚み３μｍ、ポリイミド側の銅箔の表面粗さＲｚ０．６５μｍ）と、ダブルベルトプレス直前のインラインで２００℃の熱風で３０秒間加熱して予熱した熱圧着性ポリイミドフィルムと、宇部興産社製のポリイミドフィルム（ユーピレックス−Ｓ：２５μｍ）を、ダブルベルトプレスの加熱ゾーンの温度（最高加熱温度：３３０℃、冷却ゾーンの温度（最低冷却温度：１８０℃）で、連続的に圧着圧力：４０ｋｇ／ｃｍ２で、圧着時間２分で、連続的に熱圧着−冷却して積層して、ロール巻状片面キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルム（幅：５４０ｍｍ、長さ：１０００ｍ）を巻き取りロールに巻き取った。【０１４１】
得られたキャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムの銅箔とポリイミドフィルムの密着強度は１．２Ｎ／ｍｍであった。【０１４２】
＜実施例２：（銅箔積層ポリイミドフィルム、セミアディティブ法による銅配線ポリイミドフィルムの製造）＞
実施例１で作製したロール巻状片面キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムより、１０．５×２５ｃｍ角の試料を切り出し、キャリア箔を剥がした。【０１４３】
キャリア箔を剥がした銅箔積層ポリイミドフィルムの銅箔をハーフエッチング液として荏原ユージライト製ＤＰ−２００を用いて２５℃・２分間浸漬し、銅箔厚みを１μｍにした。【０１４４】
ハーフエッチング処理した銅箔上にドライフィルムタイプのネガ型フォトレジスト（旭化成製ＳＰＧ−１５２）を１１０℃の熱ロールでラミネートした後、回路形成部位（配線パターン）以外を露光し、１％炭酸ソーダ水溶液で３０℃・２０秒間スプレー現像して未露光部のレジストを除去し、薄銅箔の露出部を脱脂・酸洗したのち、硫酸銅めっき浴中で薄銅箔をカソード電極として２Ａ／ｄｍ２の電流密度で２５℃、３０分間電解銅めっきを行ない、銅メッキ１０μｍ厚みのパターンメッキを行なった。【０１４５】
続いて、２％苛性ソーダ水溶液を４２℃で１５秒間スプレー処理して、レジスト層を剥離した後、フラッシュエッチング液（旭電化工業製ＡＤ−３０５Ｅ）で３０℃・３０秒間スプレー処理し不要な部位の薄膜銅を除去し、３０μｍピッチの銅配線を有するポリイミドフィルムを得た。【０１４６】
得られた銅配線ポリイミドフィルム表面のＳＥＭ（倍率：１０００倍）画像を図４に示す。配線間の銅箔を除去したポリイミドフィルムの表面はきれいで、銅配線ボトム部位は直線性の高い回路が形成されていることが確認できた。【０１４７】
また、得られた銅配線を有するポリイミドフィルムは、銅配線を有するポリイミドフィルムの反対側から、ポリイミドフィルムを透して、銅配線を明確に確認することができた。【０１４８】
＜実施例３：（銅箔積層ポリイミドフィルム、セミアディティブ法による銅配線ポリイミドフィルムの製造）＞
実施例１において、キャリア付き銅箔として、日本電解社製キャリア付き銅箔（ＹＳＮＡＰ−２Ｓ、キャリア厚み１８μｍ、銅厚み２μｍ、ポリイミド側の銅箔の表面粗さＲｚ０．６５μｍ）を使用した以外は、実施例１と同様にしてキャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを製造した。このキャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを使用し、実施例２と同様にして銅配線ポリイミドフィルムを作製した。尚、ハーフエッチングの際には、銅箔の厚みが１μｍになるように時間を調整した。【０１４９】
作製した銅配線ポリイミドフィルムを、錫メッキ液（ローム＆ハース社；ＬＴ−３４Ｈ）に浸漬して、銅配線の表面に錫メッキを施した。錫メッキ後の銅配線ポリイミドフィルム表面のＳＥＭ画像を図５示す。配線の直線性が高く、ポリイミドフィルム表面もきれいな状態であることが確認できた。【０１５０】
長期安定性試験：
実施例３で銅配線ポリイミドフィルムを使用し、電気信頼性試験を行った。電気信頼性試験では、８５℃、８５％ＲＨの環境下で５２Ｖの直流電圧を印加し、抵抗を測定した。初期抵抗値は、１０１３Ωであり、１０００時間を越えても１０１３Ωを維持した。【０１５１】
＜比較例１＞
実施例１、２で使用した日本電解社製キャリア付き銅箔（ＹＳＮＡＰ−３Ｓ、キャリア厚み１８μｍ、銅厚み３μｍ、銅箔の表面粗さＲｚ０．６５μｍ）のかわりに、日本電解社製キャリア付き銅箔（ＹＳＮＡＰ−３Ｂ、キャリア厚み１８μｍ、銅厚み３μｍ、銅箔の表面粗さＲｚ１．２９μｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、キャリア付き銅箔積層ポリイミドフィルムを作製し、実施例２と同様にして３０μｍピッチの銅配線を有するポリイミドフィルムを得た。【０１５２】
得られた銅配線を有するポリイミドフィルムは、銅配線と配線間の銅箔を除去したポリイミドフィルム表面を、ＳＥＭ（倍率：１０００倍）で、画像を撮影し、図６に示す。【０１５３】
得られた銅配線を有するポリイミドフィルムは、銅配線を有するポリイミドフィルムの反対側から、ポリイミドフィルムを透して、銅配線を確認することができるが、実施例２及び実施例３よりも明確な確認は出来なかった。【０１５４】
図４〜図６とを比較すると、比較例（図６）では、銅箔を除去したポリイミドフィルムの表面は、図４及び図５に比べて荒れており、銅配線ボトム部位の直線性が図４及び図５よりも低下している。【０１５５】
実施例２で製造した銅配線ポリイミドフィルムは、実施例３の銅配線ポリイミドフィルムと同様の条件で電気信頼性試験を行うと、８５℃、８５％ＲＨの環境下で５２Ｖの直流電圧を印加し、初期抵抗値は、１０１３Ωであり、１０００時間を越えても１０１３Ωを維持すると考えられる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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