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　特願２０１８−５１９８２２「低エネルギー放射線量子及び高エネルギー放射線量子の組み合わされた検出のための放射線検出器」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　４月２７日国際公開、ＷＯ２０１７／０６７８４６、平成３０年１２月２０日国内公表、特表２０１８−５３７６５８、請求項の数（１８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１６年（平成２８年）１０月１４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１５年１０月２１日、欧州特許庁）を国際出願とする出願であって、その手続の経緯の概要は以下のとおりである。
　令和　元年　７月１１日　　：手続補正書の提出
　令和　元年　９月３０日付け：拒絶理由通知書
　令和　２年　４月　３日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和　２年　５月１３日付け：拒絶査定（原査定）
　令和　２年　９月１８日　　：審判請求書、手続補正書の提出
　令和　２年１０月３０日　　：審判請求書（手続補正書）の提出
第２　原査定の概要
　原査定（令和２年５月１３日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　本願請求項１−１２に係る発明は引用文献１−２に記載された発明に基づいて、請求項１３−１４に係る発明は、引用文献１−３に記載された発明に基づいて、請求項１５に係る発明は、引用文献１−４に記載された発明に基づいて、請求項１６に係る発明は、引用文献１−５に記載された発明に基づいて、請求項１７−１８に係る発明は、引用文献１−６に記載された発明に基づいて、優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.特開２００６−１１３０６１号公報 
２.特開２０１２−０２６９３２号公報 
３.特開２０１３−０３７０１１号公報 
４.特表２０１５−５２９７９３号公報
５.特開２０１１−１６３９６６号公報
６.特開２０１０−１２７６３０号公報
第３　本願発明
　本願請求項１−１８に係る発明（以下「本願発明１」−「本願発明１８」という。）は、令和２年９月１８日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１８に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１、１３は以下のとおりの発明である。
「　　【請求項１】
　低エネルギー放射線量子であるＸ線及び高エネルギー放射線量子であるガンマ線の同時検出のための放射線検出器であって、前記放射線検出器は多層構造を有し、
　前記多層構造が、
　高エネルギー放射線量子が後方シンチレータ層によって吸収されることに応じてシンチレーションフォトンのバーストを放出する後方シンチレータ層と、
　後方シンチレータ層の後側に取り付けられた後方フォトセンサ層であって、前記後方シンチレータ層において生成されるシンチレーションフォトンを検出する後方フォトセンサ層と、
　前記後方フォトセンサ層と反対側の、前記後方シンチレータ層の前方に光学反射体をはさんで配された前方シンチレータ層であって、前記低エネルギー放射線量子が前記前方シンチレータ層によって吸収されることに応じてシンチレーションフォトンのバーストを放出する前方シンチレータ層と、
　前記後方シンチレータ層と反対側の、前記前方シンチレータ層の前側に取り付けられた前方フォトセンサ層であって、前記前方シンチレータ層において生成されるシンチレーションフォトンを検出する前方フォトセンサ層と、
を有し、前記高エネルギー放射線量子がガンマ線であり、前記低エネルギー放射線量子がＸ線であり、
　前記高エネルギー放射線量子は、前記後方シンチレータ層によって吸収される前に、前記前方フォトセンサ層及び前記前方シンチレータ層を通過し、
　前記後方フォトセンサ層は、２次元の各次元において後方フォトセンサ層ピクセルピッチを有するピクセルの２次元アレイを有し、前記前方フォトセンサ層は、前記２次元の各次元において前方フォトセンサ層ピクセルピッチを有するピクセルの２次元アレイを有し、前記後方フォトセンサ層ピクセルピッチが、前記前方フォトセンサ層ピクセルピッチに等しくない、放射線検出器。」
「　　【請求項１３】
　低エネルギーのＸ線放射線及び高エネルギーのガンマ放射線の同時検出のための放射線検出器であって、前記放射線検出器は多層構造を有し、
　前記多層構造が、
　Ｘ線放射線量子が前方シンチレータ層によって吸収されることに応じてシンチレーションフォトンのバーストを放出する前方シンチレータ層と、
　前記前方シンチレータ層の前側に取り付けられた前方フォトセンサ層であって、前記前方シンチレータ層において生成されるシンチレーションフォトンを検出する前方フォトセンサ層と、
　前記前方シンチレータ層の後方に配され、ガンマ放射線量子が後方シンチレータ層によって吸収されることに応じてシンチレーションフォトンのバーストを放出する後方シンチレータ層と、
　前記前方シンチレータ層と反対側の、前記後方シンチレータ層の後側に取り付けられた後方フォトセンサ層であって、前記後方シンチレータ層において生成されるシンチレーションフォトンを検出する後方フォトセンサ層と、
　前記前方シンチレータ層と前記後方シンチレータ層との間に配される光学デカップリング層であって、前記後方シンチレータ層又は前記前方シンチレータ層と一体的に形成されている光学反射体層である、光学デカップリング層と、を有する、放射線検出器。」
　
　なお、本願発明２−１２は、本願発明１を減縮した発明であり、本願発明１４−１８は、本願発明１３を減縮した発明である。
第４  引用文献、引用発明
１　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審が付した。以下同じ。）。
「【請求項１】
　
検出器の内部において透過Ｘ線および放出γ線を測定するための透過断層撮影−放出断層撮影複合装置におけるモジュール式検出装置であって、吸収事象を検出するために放射方向に重ね合わされて配置された少なくとも３つの異なる厚みの吸収層（Ａｘ）を有する検出装置において、
　少なくとも３つの全ての吸収層（Ａｘ）が単一の材料からなり、各吸収層（Ａｘ）は、検出された吸収事象の位置（ｘ）、時間（ｔ）およびエネルギー（Ｅ）の測定値を共通な評価ユニットに伝達することができる測定チップ（Ｃｘ）に接続され、この評価ユニットは、吸収事象の伝達された測定値からコンピュータ断層撮影（ＣＴ）信号、単光子放出断層撮影（ＳＰＥＣＴ）信号および陽電子放出断層撮影（ＰＥＴ）信号への分配を行なうことができ、吸収層は多数の検出要素に区分されている
　ことを特徴とする
透過断層撮影−放出断層撮影複合装置におけるモジュール式検出装置。
「【請求項６】
　
上側の吸収層（Ａ１）は、１５０ｋｅＶよりも小さい、ＣＴ検査に使用された低エネルギーのＸ線を少なくとも大部分検出する層厚を有する
【請求項７】
　
中間の吸収層（Ａ２）は、ＣＴ検査および／または核医学検査に使用された１００ｋｅＶ〜３００ｋｅＶの範囲のＸ線またはγ線を少なくとも大部分検出する層厚を有する
【請求項８】
　
少なくとも１つの下側の吸収層（Ａ３）は１ｃｍ以上の層厚を有し、５００ｋｅＶ以上のγ線を少なくとも大部分検出する
「【００１８】
　各検出器モジュールは
多数の検出要素を有し、これらの検出要素は、公知のマトリックス状に配置された検出器にまとめられて、断層撮影装置の検出器行および検出器列を形成する
「【００２３】
　図１は本発明による検出装置を備えた検出器モジュールの概略図を示す。検出装置は放射方向に厚くなっている３つの吸収層Ａ１，Ａ２，Ａ３からなり、半導体吸収層の下部にはそれぞれ、検出された吸収事象を測定するためのＣＭＯＳチップが配置されている。
この代替として検出装置はシンチレータ材料からなっていてもよく、その場合に測定チップは光センサチップとして構成されている。測定チップＣ１〜Ｃ３
吸収層Ａ１〜Ａ３は、それらの面に亘ってマトリックス状に個々の検出要素に区分され
「【００２６】
　図２は同様に本発明による検出装置を備えた検出器モジュールを示す。この場合には図１に示した検出装置と違って測定チップＣ１〜Ｃ３の位置の下側にそれぞれ１つの、例えばセラミックスである基板を有する層Ｓ１〜Ｓ２が配置されている。更に、吸収層Ａ１〜Ａ３は面内に異なるマトリックス状の区分を有する。この種の装置の場合には、図１に示した装置に比べると、測定チップがその下側にある基板によって機械的に安定であり、更に電気的にもすぐ次の吸収層に対して絶縁される点で有利である。
【００２７】
　本発明によれば、模範的に図１または図２に示した検出器モジュールをマトリックス状に組み立てて１つの完全な検出器を構成することができ、この場合に個々の検出器モジュールにおける多数の検出要素が検出器全体の行および列を形成する。」
　図１の記載から、上側の吸収層（Ａ１）の下側に、測定チップ（Ｃ１）を有し、中間の吸収層（Ａ２）の下側に、測定チップ（Ｃ２）を有し、下側の吸収層（Ａ３）の下側に、測定チップ（Ｃ３）を有していることが、見て取れる。
　したがって、上記引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「検出器の内部において透過Ｘ線および放出γ線を測定するための透過断層撮影−放出断層撮影複合装置におけるモジュール式検出装置であって、吸収事象を検出するために放射方向に重ね合わされて配置された少なくとも３つの異なる厚みの吸収層（Ａｘ）を有する検出装置において、
　検出装置はシンチレータ材料からなっていてもよく、その場合に測定チップは光センサチップとして構成され、
　上側の吸収層（Ａ１）は、１５０ｋｅＶよりも小さい、ＣＴ検査に使用された低エネルギーのＸ線を少なくとも大部分検出する層厚を有し、上側の吸収層（Ａ１）の下側に、測定チップ（Ｃ１）を有し、
　中間の吸収層（Ａ２）は、ＣＴ検査および／または核医学検査に使用された１００ｋｅＶ〜３００ｋｅＶの範囲のＸ線またはγ線を少なくとも大部分検出する層厚を有し、中間の吸収層（Ａ２）の下側に、測定チップ（Ｃ２）を有し、
　少なくとも１つの下側の吸収層（Ａ３）は１ｃｍ以上の層厚を有し、５００ｋｅＶ以上のγ線を少なくとも大部分検出し、下側の吸収層（Ａ３）の下側に、測定チップ（Ｃ３）を有し、
　吸収層Ａ１〜Ａ３は、それらの面に亘ってマトリックス状に個々の検出要素に区分され、
　これらの検出要素は、公知のマトリックス状に配置された検出器にまとめられて、断層撮影装置の検出器行および検出器列を形成する
　透過断層撮影−放出断層撮影複合装置におけるモジュール式検出装置。」
２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００８６】
　また、上述のような第１光電変換層３０が、第１蛍光材料２６を含んだシンチレータ層２４よりも放射線Ｘの照射側に隣接して配置されているので、放射線Ｘは、シンチレータ層２４の中では、まず第１光電変換層３０側のシンチレータ部分（例えば図８中の部分２４Ａ）に照射されることになる。したがって、第１光電変換層３０側のシンチレータ部分２４Ａが主に放射線Ｘを吸収して発光することになる。そして、シンチレータ層２４の中で主に放射線Ｘを吸収して発光するシンチレータ部分２４Ａが第１光電変換層３０側であると、当該シンチレータ部分２４Ａと第１光電変換層３０との距離が、第１光電変換層３０とシンチレータ層２４とが逆の配置に比べ、シンチレータ層２４の厚み分だけ短くなる。」
「【００９５】
−放射線検出器の構成−
　図１０は、本発明の第３実施形態に係る放射線検出器４００の断面構成を示した断面図である。
　同図に示すように、本発明の第３実施形態に係る放射線検出器４００の構成は、第１実施形態で説明した図３に示す構成と同様の構成を備えているが、第１実施形態と異なりシンチレータ層の第１蛍光材料と第２蛍光材料とが混合されず別層とされている。
【００９６】
　具体的に、本発明の第３実施形態に係る
放射線検出器４００
第１蛍光材料２６で構成された一方のシンチレータ層４０２と、第２蛍光材料２８で構成された他方のシンチレータ層４０４と、を備え
放射線Ｘの照射面３００とされたＴＦＴ基板３２から順に、第１光電変換層３０、一方のシンチレータ層４０２、他方のシンチレータ層４０４、第２光電変換層３４、ＴＦＴ基板３６が積層され
【００９７】
−作用−
　以上、本発明の第３実施形態に係る放射線検出器４００の構成によれば、放射線Ｘが当たると一方のシンチレータ層４０２は第１波長の光２６Ａを発光し、他方のシンチレータ層４０４は第２波長の光２８Ａを発光する。
　そして、第１光電変換層３０は、第２光電変換層３４側にある第２波長の光２８Ａを発光する他方のシンチレータ層４０４よりも第１光電変換層３０側にある第１波長の光２６Ａを発光する一方のシンチレータ層４０２との距離が短い分だけ、第２波長の光２８Ａよりも第１波長の光２６Ａを多く受光し、ノイズの少ない低圧画像を得ることができる。
　また、第２光電変換層３４は、第１光電変換層３０側にある第１波長の光２６Ａを発光する一方のシンチレータ層４０２よりも第２光電変換層３４側にある第２波長の光２８Ａを発光する他方のシンチレータ層４０４との距離が短い分だけ、第１波長の光２６Ａよりも第２波長の光２８Ａを多く受光し、ノイズの少ない高圧画像を得ることができる。」
　図１０は、以下のとおりである。
　したがって、上記引用文献２には次の技術的事項が記載されていると認められる（以下「引用文献２の技術的事項」という。）。
「第１蛍光材料２６で構成された一方のシンチレータ層４０２と、第２蛍光材料２８で構成された他方のシンチレータ層４０４と、を備え、
　放射線Ｘの照射面３００とされたＴＦＴ基板３２から順に、第１光電変換層３０、一方のシンチレータ層４０２、他方のシンチレータ層４０４、第２光電変換層３４、ＴＦＴ基板３６が積層され、
　放射線Ｘが当たると一方のシンチレータ層４０２は第１波長の光２６Ａを発光し、他方のシンチレータ層４０４は第２波長の光２８Ａを発光する放射線検出器４００。」
３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００４６】
　例えば、図６に示す本発明の変形例である
シンチレータプレート１０１のように、仕切板１０２の両面又は片面に、シンチレータ３，４によって発生するシンチレーション光を反射する反射面１０２ａ，１０２ｂが形成されてもよい。
　図６の記載から、反射面１０２ａの面に接するシンチレータ３及び反射面１０２ｂの面に接するシンチレータ４が、見て取れる。
　したがって、上記引用文献３には次の技術的事項が記載されていると認められる（以下「引用文献３の技術的事項」という。）。
「仕切板１０２の両面又は片面に、シンチレータ３，４によって発生するシンチレーション光を反射する反射面１０２ａ，１０２ｂが形成され、反射面１０２ａの面に接するシンチレータ３及び反射面１０２ｂの面に接するシンチレータ４を備えたシンチレータプレート１０１。」
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明の「検出器の内部において透過Ｘ線および放出γ線を測定するための透過断層撮影−放出断層撮影複合装置におけるモジュール式検出装置」は、本願発明１の「低エネルギー放射線量子であるＸ線及び高エネルギー放射線量子であるガンマ線の同時検出のための放射線検出器」に、
　引用発明の「『検出装置』は、『吸収事象を検出するために放射方向に重ね合わされて配置された少なくとも３つの異なる厚みの吸収層（Ａｘ）を有』し、『上側の吸収層（Ａ１）の下側に、測定チップ（Ｃ１）を有し、』『中間の吸収層（Ａ２）の下側に、測定チップ（Ｃ２）を有し、』『下側の吸収層（Ａ３）の下側に、測定チップ（Ｃ３）を有し』」は、本願発明１の「放射線検出器は多層構造を有し」に、
　引用発明の「『１ｃｍ以上の層厚を有し、５００ｋｅＶ以上のγ線を少なくとも大部分検出し、』『シンチレータ材料からなってい』る『少なくとも１つの下側の吸収層（Ａ３）』」は、本願発明１の「高エネルギー放射線量子が後方シンチレータ層によって吸収されることに応じてシンチレーションフォトンのバーストを放出する後方シンチレータ層」に、
　引用発明の「『光センサチップとして構成され、』『下側の吸収層（Ａ３）の下側』の『測定チップ（Ｃ３）』」は、本願発明１の「後方シンチレータ層の後側に取り付けられた後方フォトセンサ層であって、前記後方シンチレータ層において生成されるシンチレーションフォトンを検出する後方フォトセンサ層」に、
　引用発明の「放出γ線」は、本願発明１の「高エネルギー放射線量子がガンマ線」に、
　引用発明の「透過Ｘ線」は、本願発明１の「低エネルギー放射線量子がＸ線」に、
　それぞれ相当する。
イ　引用発明は「上側の吸収層（Ａ１）」は下側の吸収層（Ａ３）よりも上方であることは明らかであり、また、「少なくとも１つの下側の吸収層（Ａ３）は１ｃｍ以上の層厚を有し、５００ｋｅＶ以上のγ線を少なくとも大部分検出し、下側の吸収層（Ａ３）の下側に、測定チップ（Ｃ３）を有している」と特定されていることから、測定チップ（Ｃ３）の反対側の、下側の吸収層（Ａ３）の上方に上側の吸収層（Ａ１）が配置されている。
　そうすると、引用発明の「『１５０ｋｅＶよりも小さい、ＣＴ検査に使用された低エネルギーのＸ線を少なくとも大部分検出する層厚を有し、』『シンチレータ材料からなってい』る『上側の吸収層（Ａ１）』」は、本願発明１の「前記後方フォトセンサ層と反対側の、前記後方シンチレータ層の前方に光学反射体をはさんで配された前方シンチレータ層であって、前記低エネルギー放射線量子が前記前方シンチレータ層によって吸収されることに応じてシンチレーションフォトンのバーストを放出する前方シンチレータ層」と、「前記後方フォトセンサ層と反対側の、前記後方シンチレータ層の前方に配された前方シンチレータ層であって、前記低エネルギー放射線量子が前記前方シンチレータ層によって吸収されることに応じてシンチレーションフォトンのバーストを放出する前方シンチレータ層」の点で一致する。
ウ　引用発明の「『光センサチップとして構成され、』『上側の吸収層（Ａ１）の下側』の『測定チップ（Ｃ１）』」は、本願発明１の「前記後方シンチレータ層と反対側の、前記前方シンチレータ層の前側に取り付けられた前方フォトセンサ層であって、前記前方シンチレータ層において生成されるシンチレーションフォトンを検出する前方フォトセンサ層」と、「前方フォトセンサ層であって、前記前方シンチレータ層において生成されるシンチレーションフォトンを検出する前方フォトセンサ層」の点で一致する。
エ　引用発明は、下側の吸収層（Ａ３）の上側に、上側の吸収層（Ａ１）及び当該上側の吸収層（Ａ１）の下側の測定チップ（Ｃ１）を有し、「少なくとも１つの下側の吸収層（Ａ３）は・・・（中略）・・・、５００ｋｅＶ以上のγ線を少なくとも大部分検出し」ていることから、引用発明は、本願発明１の「前記高エネルギー放射線量子は、前記後方シンチレータ層によって吸収される前に、前記前方フォトセンサ層及び前記前方シンチレータ層を通過し」との構成を有している。
オ　引用発明の「『個々の検出要素は、』『公知のマトリックス状に配置された検出器にまとめられて、断層撮影装置の検出器行および検出器列を形成する』」は、本願発明１の「前記後方フォトセンサ層は、２次元の各次元において後方フォトセンサ層ピクセルピッチを有するピクセルの２次元アレイを有し、前記前方フォトセンサ層は、前記２次元の各次元において前方フォトセンサ層ピクセルピッチを有するピクセルの２次元アレイを有し」に相当する。
カ　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
（一致点）
　「低エネルギー放射線量子であるＸ線及び高エネルギー放射線量子であるガンマ線の同時検出のための放射線検出器であって、前記放射線検出器は多層構造を有し、
　前記多層構造が、
　高エネルギー放射線量子が後方シンチレータ層によって吸収されることに応じてシンチレーションフォトンのバーストを放出する後方シンチレータ層と、
　後方シンチレータ層の後側に取り付けられた後方フォトセンサ層であって、前記後方シンチレータ層において生成されるシンチレーションフォトンを検出する後方フォトセンサ層と、
　前記後方フォトセンサ層と反対側の、前記後方シンチレータ層の前方に配された前方シンチレータ層であって、前記低エネルギー放射線量子が前記前方シンチレータ層によって吸収されることに応じてシンチレーションフォトンのバーストを放出する前方シンチレータ層と、
　前方フォトセンサ層であって、前記前方シンチレータ層において生成されるシンチレーションフォトンを検出する前方フォトセンサ層と、
を有し、前記高エネルギー放射線量子がガンマ線であり、前記低エネルギー放射線量子がＸ線であり、
　前記高エネルギー放射線量子は、前記後方シンチレータ層によって吸収される前に、前記前方フォトセンサ層及び前記前方シンチレータ層を通過し、
　前記後方フォトセンサ層は、２次元の各次元において後方フォトセンサ層ピクセルピッチを有するピクセルの２次元アレイを有し、前記前方フォトセンサ層は、前記２次元の各次元において前方フォトセンサ層ピクセルピッチを有するピクセルの２次元アレイを有する放射線検出器。」
（相違点１）
　本願発明１は、後方シンチレータ層の前方に光学反射体をはさんで配された前方シンチレータ層であるのに対し、引用発明は、少なくとも１つの下側の吸収層（Ａ３）の上側に上側の吸収層（Ａ１）があるものの、光学反射体をはさんでいない点。
（相違点２）
　前方フォトセンサ層が、本願発明１は、前記後方シンチレータ層と反対側の、前記前方シンチレータ層の前側に取り付けられたものであるのに対し、引用発明は、上側の吸収層（Ａ１）の下側に、測定チップ（Ｃ１）を有している点。
（相違点３）
　本願発明１は、前記後方フォトセンサ層ピクセルピッチが、前記前方フォトセンサ層ピクセルピッチに等しくないのに対し、引用発明は、そのようなものか明らかでない点。
（２）相違点についての判断
　相違点１について
ア　引用文献３には、「仕切板１０２の両面に、シンチレータ３，４によって発生するシンチレーション光を反射する反射面１０２ａ，１０２ｂが形成され、反射面１０２ａの面に接するシンチレータ３及び反射面１０２ｂの面に接するシンチレータ４を備えたシンチレータプレート１０１。」の技術的事項が記載されている。
イ　しかしながら、引用発明は、「上側の吸収層（Ａ１）の下側に、測定チップ（Ｃ１）を有し、」「中間の吸収層（Ａ２）の下側に、測定チップ（Ｃ２）を有し、」「下側の吸収層（Ａ３）の下側に、測定チップ（Ｃ３）を有している」と特定されており、上側の吸収層（Ａ１）と中間の吸収層（Ａ２）の間には測定チップ（Ｃ１）があり、中間の吸収層（Ａ２）と下側の吸収層（Ａ３）の間には測定チップ（Ｃ２）があることから、上側の吸収層（Ａ１）と中間の吸収層（Ａ２）、又は中間の吸収層（Ａ２）と下側の吸収層（Ａ３）間には測定チップが存在しており、両層は直接接してはいない。
　そうすると、上記引用文献３の技術的事項は、シンチレータ３及びシンチレータ４の間にある反射面１０２ａ，１０２ｂが両面に形成された仕切板１０２の配置としたものなので、そもそも前提となる構成が異なるから、引用発明において、引用文献３の技術的事項を採用する動機付けはないというべきである。
　また、仮に、引用発明に引用文献３の反射面１０２ａ，１０２ｂが両面に形成された仕切板１０２を適用したとしても、上側の吸収層（Ａ１）の下側に、測定チップ（Ｃ１）を有し、その測定チップ（Ｃ１）の下側に、反射面１０２ａ，１０２ｂが両面に形成された仕切板１０２を配置し、当該仕切板１０２の下側に、中間の吸収層（Ａ２）を有するような構成となることから、そもそも充分検出器として機能するのか明らかでなく、仮に検出器として機能したとしても、相違点１に係る本願発明１の構成には到達しない。
ウ　さらに、引用発明に引用文献３の技術的事項を適用し、相違点１に係る本願発明１の構成に到達させようとする場合には、相違点２に係る本願発明１の構成が必要になることから、相違点１、２について併せて検討すると、まず、引用発明に引用文献２の技術的事項を適用し、上側の吸収層（Ａ１）の上側に、測定チップ（Ｃ１）を有すようにし、その後、引用文献３の技術的事項を適用して、上側の吸収層（Ａ１）と中間の吸収層（Ａ２）の間に反射面１０２ａ，１０２ｂが両面に形成された仕切板１０２としなければならないが、引用発明において、引用文献２、３の技術的事項を相違点１、２に係る本願発明１の構成のように取捨選択して採用する理由はなく、引用発明において引用文献２、３の技術的事項を併せて適用する動機付けはない。
エ　さらに、相違点１に係る本願発明１の後方シンチレータ層の前方に光学反射体をはさんで配された前方シンチレータ層の構成は、上記引用文献４−６には、記載されていない。
オ　したがって、上記相違点２及び３について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用発明、引用文献２−６の技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
２　本願発明２−１２について
　本願発明２−１２は、本願発明１を減縮する発明であるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明、引用文献２−６の技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
３　本願発明１３について
　本願発明１３は、本願発明１の後方シンチレータ層の前方に光学反射体をはさんで配された前方シンチレータ層と同様な構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明、引用文献２−６の技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
４　本願発明１４−１８について
　本願発明１４−１８は、本願発明１３を減縮する発明であるから、本願発明１３と同じ理由により、当業者であっても、引用発明、引用文献２−６の技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
第６　原査定について
　上記第５で検討したように、請求項１−１８に係る発明は、拒絶査定において引用された引用文献１に記載された発明、引用文献２−６の技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
　したがって、原査定の理由を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。