【手続補正書】
【提出日】令和1年8月5日(2019.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理システムのためのガス供給システムであって、
第１マニホールドと、
第２マニホールドと、
Ｎ個のガスをＮ個のガス源から選択的に供給し、前記Ｎ個のガスの内のＰ個を含む第１ガス混合物を前記第１マニホールドに供給するとともに、前記Ｎ個のガスの内のＱ個を含む第２ガス混合物を前記第２マニホールドに供給するように構成されたガス供給サブシステムであって、Ｎ、Ｐ、および、Ｑは、整数であり、Ｐ＋Ｑは、Ｎ以下であり、Ｎは、３以上である、ガス供給サブシステムと、
前記第２ガス混合物を前記第２マニホールドから受け入れるために前記第２マニホールドの流出口と流体連通する流入口、前記第１マニホールドの流出口と流体連通する第１流出口、および、第２流出口を備えたガス分流器と、
バラストガス源と、
バラストガスを前記第２マニホールドに選択的に供給するために前記バラストガス源と連通する第１バルブと、
バラストガスを前記ガス分流器の前記第２流出口に選択的に供給するために前記バラストガス源と連通する第２バルブと、
を備え、
前記ガス分流器は、前記第２ガス混合物を、前記ガス分流器の前記第１流出口に出力される第１流量の第１部分および前記ガス分流器の前記第２流出口に出力される第２流量の第２部分に分流させ、
前記基板処理システムの第１区域が、前記ガス分流器の前記第１流出口に流体連通し、前記基板処理システムの第２区域が、前記ガス分流器の前記第２流出口に流体連通し、
前記第１マニホールドが前記第１ガス混合物を前記第１区域に供給する一方で、前記第２マニホールドが前記第２ガス混合物を前記第２区域に供給する、ガス供給システム。
【請求項２】
請求項１に記載のガス供給システムであって、前記ガス供給サブシステムは、Ｎ個のガス流路を備え、各ガス流路は、
前記Ｎ個のガス源の１つと流体連通する流入口を備えた第１バルブと、
前記第１バルブの流出口と流体連通する流入口を備えたマスフローコントローラと、
前記マスフローコントローラの流出口と流体連通する流入口、および、前記第１マニホールドと選択的に流体連通する流出口を備えた第２バルブと、
前記マスフローコントローラの前記流出口と流体連通する流入口、および、前記第２マニホールドと選択的に流体連通する流出口を備えた第３バルブと、
を備える、ガス供給システム。
【請求項３】
請求項１に記載のガス供給システムであって、前記第１バルブは、前記第２ガス混合物の流量が前記ガス分流器を通してチョーク流れ条件を作り出すのに不十分である場合に、前記バラストガスを前記第２マニホールドに供給する、ガス供給システム。
【請求項４】
請求項１に記載のガス供給システムであって、前記ガス分流器は、
Ｍ個（Ｍは０より大きな整数）のバルブと、
前記Ｍ個のバルブの内の対応する１つに連通するＭ個の制限オリフィスと、
を備える、ガス供給システム。
【請求項５】
請求項４に記載のガス供給システムであって、前記Ｍは１より大きく、前記Ｍ個の制限オリフィスの内の少なくとも２つは、異なるオリフィスサイズを有する、ガス供給システム。
【請求項６】
基板処理システムであって、
請求項１の前記ガス供給システムと、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に配置された基板支持体と、
前記処理チャンバの第１位置に配置され、前記第１区域に対応する第１インジェクタと、
前記第１位置から離間された前記処理チャンバの第２位置に配置され、前記第２区域に対応する第２インジェクタと、
を備える、基板処理システム。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理システムであって、前記処理チャンバは、誘電体窓を備え、前記第１インジェクタは、前記誘電体窓の開口部に配置される、基板処理システム。
【請求項８】
請求項６に記載の基板処理システムであって、前記処理チャンバは、側壁を備え、前記第２インジェクタは、前記側壁の少なくとも１つの上に配置される、基板処理システム。
【請求項９】
請求項６に記載の基板処理システムであって、さらに、
前記ガス分流器の前記第１流出口と流体連通する流入口、および、真空と流体連通する流出口を備えた第１バルブと、
前記ガス分流器の前記第２流出口と流体連通する流入口、および、真空と流体連通する流出口を備えた第２バルブと、
を備える、基板処理システム。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理システムであって、さらに、前記第２ガス混合物の前記第１部分および前記第２ガス混合物の前記第２部分の相対流量を計算するためのコントローラを備える、基板処理システム。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理システムであって、さらに、前記処理チャンバ内に配置され、前記コントローラと通信する圧力センサを備え、
前記コントローラは、
真空に対して前記第１バルブを開くと共に、真空に対して前記第２バルブを閉じ、
前記処理チャンバ内の較正ガスまたは前記第２ガス混合物の前記第１部分のうちの一方の圧力の上昇率を測定し、
真空に対して前記第２バルブを開くと共に、真空に対して前記第１バルブを閉じ、
前記処理チャンバ内の前記較正ガスまたは前記第２ガス混合物の前記第２部分のうちの一方の圧力の上昇率を測定する、
ことによって、前記第２ガス混合物の前記第１部分および前記第２ガス混合物の前記第２部分の前記相対流量を計算する、基板処理システム。
【請求項１２】
請求項１に記載のガス供給システムであって、
前記第１マニホールドは、前記ガス供給サブシステムと流体連通する第１混合マニホールド、および、前記第１混合マニホールドと流体連通する第１バルブ付マニホールドを含み、
前記第２マニホールドは、前記ガス供給サブシステムと流体連通する第２混合マニホールド、および、前記第２混合マニホールドと流体連通する第２バルブ付マニホールドを含む、ガス供給システム。
【請求項１３】
基板処理システムのためのガス供給システムであって、
第１マニホールドと、
第２マニホールドと、
Ｎ個のガスをＮ個のガス源から選択的に供給し、前記Ｎ個のガスの内のＰ個を含む第１ガス混合物を前記第１マニホールドに供給するとともに、前記Ｎ個のガスの内のＱ個を含む第２ガス混合物を前記第２マニホールドに供給するように構成されたガス供給サブシステムであって、Ｎ、Ｐ、および、Ｑは、整数であり、Ｐ＋Ｑは、Ｎ以下であり、Ｎは、３以上である、ガス供給サブシステムと、
流入口、第１流出口、および、第２流出口を備える第１ガス分流器であって、前記第１ガス分流器の前記流入口は、前記第１ガス混合物を前記第１マニホールドから受け入れるために前記第１マニホールドの流出口と流体連通し、前記第１ガス混合物を、前記第１ガス分流器の前記第１流出口に出力される第１部分および前記第１ガス分流器の前記第２流出口に出力される第２部分に分流させる第１ガス分流器と、
流入口、第１流出口、第２流出口、および、第３流出口を備えた第２ガス分流器であって、前記第２ガス分流器の前記流入口は、前記第２ガス混合物を前記第２マニホールドから受け入れるために前記第２マニホールドの流出口と流体連通する第２ガス分流器と、
コントローラと、
を備え、
前記第２ガス分流器は、前記第２ガス混合物を、前記第２ガス分流器の前記第１流出口に出力される第１部分、前記第２ガス分流器の前記第２流出口に出力される第２部分、および、前記第２ガス分流器の前記第３流出口に出力される第３部分に分流させ、
前記基板処理システムの第１区域が、前記第１ガス分流器の前記第１流出口および前記第２ガス分流器の前記第１流出口と流体連通し、
前記基板処理システムの第２区域が、前記第１ガス分流器の前記第２流出口および前記第２ガス分流器の前記第２流出口と流体連通し、
前記基板処理システムの第３区域が、前記第２ガス分流器の前記第３流出口と流体連通し、
前記第１ガス分流器が前記第１ガス混合物を前記第１区域に供給する一方で、前記第２ガス分流器が前記第２ガス混合物を前記第２区域に供給し、
前記コントローラは、（ｉ）第１条件が存在するか否か、または、第２条件が存在するか否かを決定し、（ｉｉ）前記第１条件または前記第２条件が存在するか否かに基づいて、バラストガスの供給を制御するように構成され、
前記第１ガス分流器の制限オリフィスを通る前記第２ガス混合物の流量が前記第１ガス分流器を通してチョーク流れ条件を作り出すのに不十分である場合に、前記第１条件が存在し、
前記制限オリフィスでチョーク流れ条件が存在する程に前記制限オリフィスにおけるガス圧力降下が大きい場合に、前記第２条件が存在する、ガス供給システム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のガス供給システムであって、前記ガス供給サブシステムは、Ｎ個のガス流路を備え、各ガス流路は、
第１バルブと、
第１バルブの流出口と流体連通する流入口を備えたマスフローコントローラと、
前記マスフローコントローラの流出口と流体連通する流入口、および、前記第１マニホールドと選択的に流体連通する流出口を備えた第２バルブと、
前記マスフローコントローラの前記流出口と流体連通する流入口、および、前記第２マニホールドと選択的に流体連通する流出口を備えた第３バルブと、
を備える、ガス供給システム。
【請求項１５】
請求項１３に記載のガス供給システムであって、さらに、
バラストガス源と、
バラストガスを前記第１マニホールドへ選択的に供給するために前記バラストガス源に流体連通する第１バルブと、
バラストガスを前記第２マニホールドへ選択的に供給するために前記バラストガス源に流体連通する第２バルブと、
を備える、ガス供給システム。
【請求項１６】
請求項１５に記載のガス供給システムであって、前記第２バルブは、前記第２ガス混合物の流量が前記第２ガス分流器を通してチョーク流れ条件を作り出すのに不十分である場合に、前記バラストガスを前記第２マニホールドに供給する、ガス供給システム。
【請求項１７】
請求項１３に記載のガス供給システムであって、前記第１ガス分流器は、
Ｍ個（Ｍは０より大きな整数）のバルブと、
前記Ｍ個のバルブの内の対応する１つに連通するＭ個の制限オリフィスと、
を備える、ガス供給システム。
【請求項１８】
請求項１７に記載のガス供給システムであって、前記Ｍは１より大きく、前記Ｍ個の制限オリフィスの内の少なくとも２つは、異なるオリフィスサイズを有する、ガス供給システム。
【請求項１９】
請求項１３に記載のガス供給システムであって、さらに、
前記第２ガス分流器の前記第１流出口と流体連通する流入口、および、真空と流体連通する流出口を備えた第１バルブと、
前記第２ガス分流器の前記第２流出口と流体連通する流入口、および、真空と流体連通する流出口を備えた第２バルブと、
前記第２ガス分流器の前記第３流出口と流体連通する流入口、および、真空と流体連通する流出口を備えた第３バルブと、
を備える、ガス供給システム。
【請求項２０】
請求項１９に記載のガス供給システムであって、さらに、前記第２ガス分流器の前記第３流出口と流体連通する流入口、および、前記第３区域と流体連通する流出口を備えた第４バルブを備える、ガス供給システム。
【請求項２１】
請求項２０に記載のガス供給システムであって、前記コントローラは、前記第２ガス混合物の第２部分および前記第２ガス混合物の第３部分の流量が前記第２ガス分流器を通してチョーク流れ条件を作り出すのに不十分である場合に、前記第１バルブ、前記第２バルブ、および、前記第４バルブを閉じて、前記第２ガス混合物の第１部分を真空に迂回させるように構成されている、ガス供給システム。
【請求項２２】
基板処理システムであって、
請求項１３の前記ガス供給システムと、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に配置された基板支持体と、
前記処理チャンバの第１位置に配置され、中央インジェクタおよびサイドインジェクタを含む第１インジェクタであって、前記中央インジェクタは前記第１区域に対応し、前記サイドインジェクタは前記第２区域に対応する、第１インジェクタと、
前記第１位置から離間された前記処理チャンバの第２位置に配置され、前記第３区域に対応する第２インジェクタと、
を備える、基板処理システム。
【請求項２３】
請求項２２に記載の基板処理システムであって、前記処理チャンバは、誘電体窓を備え、前記第１インジェクタは、前記誘電体窓の空洞内に配置される、基板処理システム。
【請求項２４】
請求項２２に記載の基板処理システムであって、前記処理チャンバは、側壁を備え、前記第２インジェクタは、前記側壁の少なくとも１つの上に配置される、基板処理システム。
【請求項２５】
請求項２２に記載の基板処理システムであって、さらに、
前記第２ガス分流器の前記第１流出口と流体連通する流入口、および、真空と流体連通する流出口を備えた第１バルブと、
前記第２ガス分流器の前記第２流出口と流体連通する流入口、および、真空と流体連通する流出口を備えた第２バルブと、
前記第２ガス分流器の前記第３流出口と流体連通する流入口、および、真空と流体連通する流出口を備えた第３バルブと、
を備える、基板処理システム。
【請求項２６】
請求項２５に記載の基板処理システムであって、前記コントローラは、前記第２ガス混合物の前記第１部分、前記第２ガス混合物の前記第２部分、および、前記第２ガス混合物の前記第３部分の相対流量を計算するためのものである、基板処理システム。
【請求項２７】
請求項２６に記載の基板処理システムであって、さらに、前記処理チャンバ内に配置され、前記コントローラと通信する圧力センサを備え、
前記コントローラは、
真空に対して前記第２バルブおよび前記第３バルブを開き、
真空に対して前記第１バルブを閉じ、
前記処理チャンバ内の較正ガスまたは前記第２ガス混合物の前記第１部分のうちの一方の圧力の第１上昇率を測定し、
真空に対して前記第１バルブおよび前記第３バルブを開き、
真空に対して前記第２バルブを閉じ、
前記処理チャンバ内の前記較正ガスまたは前記第２ガス混合物の前記第２部分のうちの一方の圧力の第２上昇率を測定し、
真空に対して前記第１バルブおよび前記第２バルブを開き、
真空に対して前記第３バルブを閉じ、
前記処理チャンバ内の前記較正ガスまたは前記第２ガス混合物の前記第３部分のうちの一方の圧力の第３上昇率を測定する、
ことによって、前記第２ガス混合物の前記第１部分、前記第２ガス混合物の前記第２部分、および、前記第２ガス混合物の前記第３部分の前記相対流量を計算する、基板処理システム。
【請求項２８】
請求項２７に記載の基板処理システムであって、前記コントローラは、前記第１上昇率、前記第２上昇率、および、前記第３上昇率に基づいて、前記第２ガス混合物の前記第１部分、前記第２ガス混合物の前記第２部分、および、前記第２ガス混合物の前記第３部分の相対流量を決定する、基板処理システム。
【請求項２９】
請求項１に記載のガス供給システムであって、前記第１マニホールドが前記第１ガス混合物を前記第１区域に供給する一方で、前記ガス分流器が前記第２ガス混合物を前記第１区域および前記第２区域の両方に供給する、ガス供給システム。
【請求項３０】
請求項１に記載のガス供給システムであって、前記第１区域は、基板の中央と前記基板のエッジとを含み、前記第２区域は、処理チャンバの側壁を含む、ガス供給システム。
【請求項３１】
請求項１に記載のガス供給システムであって、さらに、コントローラを備え、
前記コントローラは、（ｉ）第１条件が存在するか否か、または、第２条件が存在するか否かを決定し、（ｉｉ）前記第１条件または前記第２条件が存在するか否かに基づいて、バラストガスの供給を制御するように構成され、
前記ガス分流器の制限オリフィスを通る前記第２ガス混合物の流量が前記ガス分流器を通してチョーク流れ条件を作り出すのに不十分である場合に、前記第１条件が存在し、
前記制限オリフィスでチョーク流れ条件が存在する程に前記制限オリフィスにおけるガス圧力降下が大きい場合に、前記第２条件が存在する、ガス供給システム。
【請求項３２】
請求項１に記載のガス供給システムであって、前記ガス供給サブシステムは、前記Ｎ個のガスの内の１または複数を前記第１マニホールドおよび前記第２マニホールドの両方に選択的に供給するように構成されている、ガス供給システム。
【請求項３３】
請求項１に記載のガス供給システムであって、前記ガス供給サブシステムは、前記Ｎ個のガスの内の２または複数を前記第１マニホールドおよび前記第２マニホールドの両方に選択的に供給するように構成されている、ガス供給システム。
【請求項３４】
請求項１に記載のガス供給システムであって、前記ガス供給サブシステムは、前記Ｎ個のガスの内の３または複数を前記第１マニホールドおよび前記第２マニホールドの両方に選択的に供給するように構成されている、ガス供給システム。
【請求項３５】
請求項１に記載のガス供給システムであって、前記第１マニホールドは、複数の流入口を備え、前記第２マニホールドは、複数の流入口を備える、ガス供給システム。
【請求項３６】
請求項１に記載のガス供給システムであって、Ｑは、２以上であり、Ｐは、２以上である、ガス供給システム。
【請求項３７】
請求項１に記載のガス供給システムであって、Ｑは、３以上であり、Ｐは、３以上である、ガス供給システム。
【請求項３８】
請求項１３に記載のガス供給システムであって、前記第１ガス分流器が前記第１ガス混合物を前記第１区域に供給する一方で、前記第２ガス分流器が前記第２ガス混合物を前記第１区域および前記第２区域の両方に供給する、ガス供給システム。
【請求項３９】
基板処理システムのためのガス供給システムであって、
第１マニホールドと、
第２マニホールドと、
Ｎ個のガスをＮ個のガス源から選択的に供給し、前記Ｎ個のガスの内のＰ個を含む第１ガス混合物を前記第１マニホールドに供給するとともに、前記Ｎ個のガスの内のＱ個を含む第２ガス混合物を前記第２マニホールドに供給するように構成されたガス供給サブシステムであって、Ｎ、Ｐ、および、Ｑは、整数であり、Ｐ＋Ｑは、Ｎ以下であり、Ｎは、３以上である、ガス供給サブシステムと、
流入口、第１流出口、および、第２流出口を備える第１ガス分流器であって、前記第１ガス分流器の前記流入口は、前記第１ガス混合物を前記第１マニホールドから受け入れるために前記第１マニホールドの流出口と流体連通し、前記第１ガス混合物を、前記第１ガス分流器の前記第１流出口に出力される第１部分および前記第１ガス分流器の前記第２流出口に出力される第２部分に分流させる第１ガス分流器と、
流入口、第１流出口、第２流出口、および、第３流出口を備えた第２ガス分流器であって、前記第２ガス分流器の前記流入口は、前記第２ガス混合物を前記第２マニホールドから受け入れるために前記第２マニホールドの流出口と流体連通する第２ガス分流器と、
を備え、
前記第２ガス分流器は、前記第２ガス混合物を、前記第２ガス分流器の前記第１流出口に出力される第１部分、前記第２ガス分流器の前記第２流出口に出力される第２部分、および前記第１ガス分流器の前記第３流出口に出力される第３部分に分流させ、
前記基板処理システムの第１区域が、前記第１ガス分流器の前記第１流出口および前記第２ガス分流器の前記第１流出口に流体連通し、
前記基板処理システムの第２区域が、前記第１ガス分流器の前記第２流出口および前記第２ガス分流器の前記第２流出口に流体連通し、
前記基板処理システムの第３区域が、前記第２ガス分流器の前記第３流出口に流体連通し、
前記第１ガス分流器が前記第１ガス混合物を前記第１区域に供給する一方で、前記第２ガス分流器が前記第２ガス混合物を前記第１区域、前記第２区域、および前記第３区域に供給し、
前記第１区域は、基板の中央を含み、前記第２区域は、前記基板のエッジを含み、前記第３区域は、処理チャンバの側壁を含む、ガス供給システム。
【請求項４０】
請求項１３に記載のガス供給システムであって、前記第１区域は、基板の中央を含み、前記第２区域は、前記基板のエッジを含み、前記第３区域は、処理チャンバの側壁を含む、ガス供給システム。
【請求項４１】
請求項１に記載のガス供給システムであって、前記第２バルブは、ガスラインを介して前記バラストガス源と流体連通し、前記ガスラインは、前記第２マニホールドおよび前記ガス分流器を迂回する、ガス供給システム。
【請求項４２】
請求項１に記載のガス供給システムであって、前記バラストガス源は、前記ガス供給サブシステムとは別個に設けられており、前記第２バルブから出力されたバラストガスは、前記第２マニホールドの流入口で受け入れられない、ガス供給システム。
【請求項４３】
請求項３９に記載のガス供給システムであって、さらに、前記第２ガス混合物を前記中央、前記エッジ、および前記側壁の方向に向けるように構成されたインジェクタを備える、ガス供給システム。
【請求項４４】
請求項１に記載のガス供給システムであって、前記バラストガスは、前記第２バルブから、前記第２マニホールドと前記ガス分流器とを迂回して前記ガス分流器の前記第２流出口に供給される、ガス供給システム。
【請求項４５】
請求項１に記載のガス供給システムであって、さらに、前記第２バルブおよび前記ガス分流器の前記第２流出口に接続され、前記バラストガスを前記第２バルブから前記ガス分流器の前記第２流出口に供給する導管を備える、ガス供給システム。
【請求項４６】
請求項１３に記載のガス供給システムであって、前記コントローラは、前記第１ガス分流器の前記制限オリフィスでチョーク流れ条件を作り出すために、前記バラストガスを前記第１マニホールドに供給するように構成されている、ガス供給システム。
【請求項４７】
請求項１３に記載のガス供給システムであって、さらに、供給バルブを供え、
前記ガス供給システムは、複数のマスフローコントローラおよび複数のバルブを備え、
前記コントローラは、前記第１条件が存在するか否か、または前記第２条件が存在するか否かに基づいて前記供給バルブを制御して、前記複数のマスフローコントローラおよび前記複数のバルブを迂回して前記第１マニホールドに前記バラストガスを供給するように構成されている、ガス供給システム。
【請求項４８】
請求項１３に記載のガス供給システムであって、前記バラストガスは、前記第１マニホールドから上流のマスフローコントローラに最初に供給されずに、前記第１マニホールドに供給される、ガス供給システム。