(57)【要約】  感応基板上に転写するためのパターンが形成されているマスクＭにおいて、前記パターンが形成されている面から離れた位置に配置された膜１０を備え、前記膜１０は、前記パターンが形成されている面に対して照射される光のうち必要な波長域の光を相対的に透過し、不要な波長域の光を相対的に透過させない。
2007094197.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクの保護装置であって、
必要な波長域の光を相対的に透過し、不要な波長域の光を相対的に透過させない膜と、
前記膜をマスク表面から離れた位置に配置する膜保持部材とを有する保護装置。
【請求項２】
請求項１の保護装置であって、前記必要な波長は露光波長である保護装置。
【請求項３】
請求項２の保護装置であって、前記露光波長はＥＵＶ光の波長である保護装置。
【請求項４】
マスクの保護装置であって、
前記マスク表面に立設される立設部と、該立設部から前記マスク表面に沿って張り出した支持部とを備える膜保持部材と、
前記膜保持部材により支持され、前記マスク面から離れた位置に配置される膜と、
を備え、
少なくとも前記立設部及び前記支持部は、フィルタを備える保護装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の保護装置であって、
更に、前記膜を支持するための梁を備える保護装置。
【請求項６】
請求項５に記載の保護装置であって、
前記梁は膜保持部材の内側に配置される保護装置。
【請求項７】
請求項５に記載の保護装置であって、
前記梁はワイヤ形状を有する保護装置。
【請求項８】
マスクを保護する保護装置であって、
マスク表面から離れた位置に配置される膜と、
前記膜の周囲を支持する膜保持部材と、
前記膜の内側部分を支持する梁とを備える保護装置。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか１項に記載の保護装置であって、
前記梁は前記マスクと前記感応基板とを走査方向に走査させて転写する際の前記走査方向に延びる方向に沿って略直線状に形成されている保護装置。
【請求項１０】
請求項５乃至９のいずれか１項に記載の保護装置であって、
前記梁は、前記走査方向と交差する方向に前記感応基板上に形成される静止露光領域の前記走査方向と交差する方向の形状または近似の形状で形成されている保護装置。
【請求項１１】
パターンが形成されるマスクであって、
前記マスクに固定された請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の保護装置を備えるマスク。
【請求項１２】
減圧雰囲気内で請求項１１に記載のマスクを用いて感応基板にパターンを転写する露光装置において、
前記膜の一方の面と他方の面とにかかる圧力の差が所定の値以下の値を維持することができる速度で、前記マスク周囲の雰囲気を大気圧雰囲気から前記減圧雰囲気へ移行、または前記減圧雰囲気から前記大気圧雰囲気へ移行させる露光装置。
【請求項１３】
請求項５乃至請求項８の何れか一項に記載の保護装置が固定されたマスクと感応基板とを投影光学系に対して走査方向に相対的に移動させて、前記マスクのパターンを前記感応基板上に転写する露光装置において、
前記梁により発生する露光光の光強度ムラを補正する光強度ムラ補正手段を備える露光装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の露光装置であって、
前記光強度ムラ補正手段は、前記走査方向に形成されている前記梁により発生する前記走査方向における露光光分布を補正する露光光分布補正手段を備える露光装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の露光装置であって、
前記感応基板上に形成される静止露光領域を決定するスリットを備え、
前記露光光分布補正手段は、前記スリットの形状を変化させることにより前記走査方向における前記露光光分布を補正する露光装置。
【請求項１６】
請求項１３乃至１５のいずれか１項に記載の露光装置であって、
前記光強度ムラ補正手段は、前記走査方向と交差する方向に形成されている前記梁により発生する前記露光光の露光量誤差を補正する露光量誤差補正手段を備える露光装置。
【請求項１７】
請求項１１に記載のマスクを用いて減圧雰囲気下で感応基板上にパターンを転写する露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体素子、液晶表示素子等のマイクロデバイスをリソグラフィ工程で製造するための回路パターン等が形成されているマスクを保護する保護装置、マスク及び該マスク上に形成されている回路パターン等の転写露光を行なう露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子回路の微細化に伴い、解像力を更に向上させるために、短い波長（５〜５０ｎｍ）のＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光を使用した投影リソグラフィ技術が開発されている。この波長域では、従来のレンズのような透過屈折型の光学素子を使用できず、ミラー等の反射型の光学素子を使用し、マスクも反射型マスクを用いる（例えば、米国特許６，２８５，４８１参照）。
【発明の開示】
【０００３】
ところで、半導体素子回路等を製造するための露光装置においては、マスク上に形成されているパターンに異物等が付着するのを防止するために、マスクのパターン面は薄膜で形成されたペリクル等により保護されている。しかしながら、ＥＵＶ用露光装置においては、露光光としてのＥＵＶ光がペリクル等の異物保護膜を透過する際にＥＵＶ光の光量が大きく減少し、スループットが低下するという問題があった。
【０００４】
この発明の目的は、パターン面を照射する光の光量の減少を防止することができる膜を備えた保護装置、マスク及び該マスク上に形成されているパターンの転写露光を行なう露光装置を提供することである。
【０００５】
この発明の第１の態様に従えば、マスクの保護装置であって、必要な波長域の光を相対的に透過し、不要な波長域の光を相対的に透過させない膜と、前記膜をマスク表面から離れた位置に配置する膜保持部材とを有する保護装置が提供される。
【０００６】
また、この発明の第２の態様に従えば、マスクの保護装置であって、前記マスク表面に立設される立設部と、該立設部から前記マスク表面に沿って張り出した支持部とを備える膜保持部材と、前記膜保持部材により支持され、前記マスク面から離れた位置に配置される膜と、を備え、少なくとも前記立設部及び前記支持部は、フィルタを備える保護装置が提供される。
【０００７】
また、この発明の第３の態様に従えば、マスクを保護する保護装置であって、マスク表面から離れた位置に配置される膜と、前記膜の周囲を支持する膜保持部材と、前記膜の内側部分を支持する梁とを備える保護装置が提供される。
【０００８】
また、この発明の第４の態様に従えば、減圧雰囲気内でこの発明のマスクを用いて感応基板にパターンを転写する露光装置において、前記膜の一方の面と他方の面とにかかる圧力の差が所定の値以下の値を維持することができる速度で、前記マスク周囲の雰囲気を大気圧雰囲気から前記減圧雰囲気へ移行、または前記減圧雰囲気から前記大気圧雰囲気へ移行させる露光装置が提供される。
【０００９】
また、この発明の第５の態様に従えば、この発明のマスクと感応基板とを投影光学系に対して走査方向に相対的に移動させて、前記マスクのパターンを前記感応基板上に転写する露光装置において、前記梁により発生する露光光の光強度ムラを補正する光強度ムラ補正手段を備える露光装置が提供される。
【００１０】
この発明の第１の態様に従う保護装置によれば、膜を備え、その膜がパターン面を照射するために必要な波長域の光を相対的に透過し、不要な光を相対的に透過させない波長選択フィルタの機能を兼ね備えている。したがって、この発明のマスクに形成されているパターンを露光装置を用いて感応基板上に露光する際に、露光装置が波長選択フィルタを備えなくとも、露光に必要な波長域の光によりパターンを照明することができ、露光光の光量の減少を防止することができる。
【００１１】
また、この発明の第２の態様に従う保護装置によれば、膜を備え、その膜の立設部及び支持部にフィルタが設けられているため、膜の一方の面と他方の面とにかかる圧力の差を適切に制御することができる。
【００１２】
また、この発明の第３の態様に従う保護装置によれば、膜を備え、その膜を支持する梁を備えているため、膜の厚さを薄くすることができ、パターン面を照射する光の光量の減少を防止することができる。
【００１３】
また、この発明の第４の態様に従う露光装置によれば、膜の一方の面と他方の面とにかかる圧力の差が所定の値以下の値を維持することができる速度で、マスクの周囲雰囲気を大気圧雰囲気から減圧雰囲気へ移行、または減圧雰囲気から大気圧雰囲気へ移行させるため、圧力差による力により膜が破損するのを防止することができる。
【００１４】
また、この発明の第５の態様に従う露光装置によれば、露光光の光強度ムラを補正する光強度ムラ補正手段を備えているため、この発明のマスクを用いて感応基板上に露光する場合においても、膜を支持する梁により発生する露光光の光強度ムラを適切に補正することができ、良好な露光を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施の形態にかかる露光装置の構成を示す図である。
【図２】第１の実施の形態にかかる露光領域規定部材の構成を示す図である。
【図３】第１の実施の形態にかかるマスクの構成を示す平面図である。
【図４】第１の実施の形態にかかるマスクの構成を示す断面図である。
【図５】Ｙ方向における照明強度分布を示すグラフである。
【図６】Ｙ方向における照明強度分布を補正するための照明強度分布を示すグラフである。
【図７】第１の実施の形態にかかる露光領域規定部材の構成を示す図である。
【図８】第１の実施の形態にかかる他のマスクの構成を示す図である。
【図９】第２の実施の形態にかかるマスクの構成を示す平面図である。
【図１０】第２の実施の形態にかかるマスクの構成を示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、この発明の第１の実施の形態にかかる露光装置及びマスクについて説明する。図１は、第１の実施の形態にかかる露光装置の概略構成を示す図である。また、以下の説明においては、図１中に示したＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。ＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＹ軸が感応基板としてのウエハＷに対して平行となるよう設定され、Ｚ軸がウエハＷに対して直交する方向に設定されている。図中のＸＹＺ直交座標系は、実際にはＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直方向に設定される。この実施の形態では、ウエハＷを移動させる方向（走査方向）をＸ方向に設定している。【００１７】
この露光装置は、ＥＵＶ光３２を射出するＥＵＶ光源３１を備えている。ＥＵＶ光源３１には電源装置３０が接続されており、電源装置３０を動作させることによりＥＵＶ光源３１からＥＵＶ光３２が射出される。また、電源装置３０は制御装置５１によりその動作を制御されており、電源装置３０の動作を制御することによりＥＵＶ光源３１から射出されるＥＵＶ光３２の光強度を変更することができ、ひいては露光量を変更することができる。【００１８】
ＥＵＶ光源３１から射出したＥＵＶ光３２は、照明光学系３３を構成し、コリメータミラーとして作用する凹面反射鏡３４を介してほぼ平行光束となり、オプティカルインテグレータ３５に入射する。オプティカルインテグレータ３５は、入射側フライアイミラー３５ａ及び射出側フライアイミラー３５ｂを備えている。入射側フライアイミラー３５ａは並列に配列され円弧状の形状を有する多数の要素ミラーにより構成されており、その入射面は後述するマスクＭ及びウエハＷ面と光学的に共役な位置またはその近傍に配置されている。入射側フライアイミラー３５ａに入射したＥＵＶ光は、入射側フライアイミラー３５ａの各要素ミラーにより波面分割される。【００１９】
入射側フライアイミラー３５ａに入射したＥＵＶ光は、入射側フライアイミラー３５ａにより反射され、射出側フライアイミラー３５ｂに入射する。射出側フライアイミラー３５ｂは、並列に配列され矩形の形状を有する多数の要素ミラーにより構成されており、その射出面は後述する投影光学系ＰＬの瞳位置と光学的に共役な位置またはその近傍に配置されている。入射側フライアイミラー３５ａの各要素ミラーにより反射されたＥＵＶ光は、射出側フライアイミラー３５ｂの各要素ミラーに入射する。したがって、射出側フライアイミラー３５ｂの射出側またはその近傍には、射出側フライアイミラー３５ｂを構成する要素ミラーの数に応じた多数の集光点が形成され、二次光源が形成される。【００２０】
射出側フライアイミラー３５ｂにより反射されたＥＵＶ光は、平面反射鏡３６により偏向され、露光領域規定部材１の細長い円弧状の視野制限スリットＳを通過して、反射型マスクとしてのマスクＭ上に円弧状の照明領域を形成する。【００２１】
図２は、露光領域規定部材１の構成を示す図である。露光領域規定部材１は、マスクＭと投影光学系ＰＬとの間に配置され、ウエハＷ上の露光領域を規定する円弧状の視野制限スリットＳを有している。この円弧状の視野制限スリットＳをＥＵＶ光が通過することにより、マスクＭにおける照明領域が円弧状となる。なお、ウエハＷ上に導かれるＥＵＶ光による露光領域が所定形状に規定されていればよいため、ＥＵＶ光がマスクＭにより反射される前にＥＵＶ光を視野制限スリットＳによって制限するように構成してもよい。また、ＥＵＶ光がマスクＭにより反射された後にＥＵＶ光を視野制限スリットＳによって制限するように構成してもよい。なお、この実施の形態にかかる露光領域は、円弧状に規定されているが、他の形状を有するようにしてもよい。【００２２】
マスクＭはマスクステージ５５に搭載され、マスクステージ５５はＸ，Ｙ，Ｚの各軸方向及び各軸まわりの回転方向に移動可能に構成されている。図３は第１の実施の形態にかかるマスクＭの構成を示す平面図、図４はマスクＭの構成を示すＡ−Ａ断面図である。マスクＭは、図３及び図４に示すように、保護膜１０を有する保護装置を備えている。マスクＭのパターンが形成されている面から所定の距離、例えば１０ｍｍを保つ位置に配置されている異物保護膜１０を備えている。この位置は例えば、１−５０ｍｍ（好ましくは６−２０ｍｍ）程度の位置で決める事ができる。マスクＭと異物保護膜１０の距離が近すぎると異物保護膜１０上に付着した異物や後述する梁１４ａ，１４ｂ等の構造物の形状がウエハＷ上に転写されるため好ましくない。また、マスクＭと異物保護膜１０の距離が遠すぎるとマスクＭの直近に配置される他の構造物（例えば、露光領域規定部材１等）と機械的に干渉するので好ましくない。異物保護膜１０は、マスクＭのパターンが形成されている面に異物が付着するのを防止する。また、異物保護膜１０は、ＥＵＶ光３２のうち露光に必要な波長域の光、例えば波長１３．５ｎｍを含む光を相対的に透過し、露光に不要な波長域の光を相対的に吸収する部材、例えばジルコニウム薄膜により構成されている。なお、この薄膜は単層膜である必要は必ずしも無く、多層膜としてもよい。また、この例では不要な波長域の光を吸収するようにしたが、不要な波長域の光を反射させる構成としてもよい。言い換えれば、この膜は必要な波長域の光を相対的に透過し、不要な波長域の光を相対的に透過させない膜である。多層膜の構成とした場合、不要な光のみを反射する構成とすることが可能である。また、多層膜の構成の別の形態として、比較的自立膜として形成する事が容易なシリコン等の材料で第１の膜を形成し、第１の膜の上或いは下に不要光を低減する性質を持つ単層膜あるいは多層膜を形成するような構成としてもよい。例えば、２００ｎｍ厚のシリコンの上に１００ｎｍ厚のジルコニウムを形成してもよい。このような異物保護膜１０の全体の厚さとしては、露光光ができるだけ減衰しないような厚さであって、かつ、異物保護膜１０が自立する厚さであることが好ましい。異物保護膜１０の適当な厚さは保護膜の材料、面積、梁等の他の構造物の有無によって適宜決める事ができるが、例えば５０ｎｍ−１０００ｎｍ程度の厚さとすることができる。また、保護膜の材料として、不要な波長の光を積極的に除去しない場合には、シリコンやシリコン化合物、カーボン、ダイヤモンド、ポリイミド等他の材料を用いる事も可能である。このように、異物保護膜１０は、波長選択フィルタの機能を兼ね備えている。したがって、照明光学系３３は波長選択フィルタを備える必要がなく、装置全体の露光光の光量低下を軽減することができる。【００２３】
また、異物保護膜１０は異物保護膜保持部材１２より支持されており、更に異物保護膜１０の全面が梁１４ａ，１４ｂにより支持されている。梁１４ａ，１４ｂを備える事によって異物保護膜１０が破損しにくく、かつ、自立しやすくなるので、異物保護膜１０の厚さを薄くすることができ、露光波長の光の減衰が低減される。梁１４ａは、ワイヤ等の極細線状部材により形成されており、マスクＭとウエハＷとをＸ方向（走査方向）に走査させて転写する際の走査方向に延びる方向に沿って直線状に形成されている。また、梁１４ｂは、ワイヤ等の極細線状部材により形成されており、図４に示すように、Ｙ方向（走査方向と直交する方向）にウエハＷ上に形成される静止露光領域、即ち視野制限スリットＳのＹ方向における形状または近似の形状で形成されている。【００２４】
マスクＭにより反射されたＥＵＶ光は、複数の反射鏡（図１において例示的に６つの反射鏡Ｍ１〜Ｍ６）からなる投影光学系ＰＬを介して、ウエハＷ上にマスクＭのパターンの像を形成する。ウエハＷはウエハステージ５６に搭載され、ウエハステージ５６はＸ，Ｙ，Ｚの各軸方向及び各軸まわりの回転方向に移動可能に構成されている。【００２５】
マスクステージ５５及びウエハステージ５６のＸＹ方向の位置は、図示しない干渉計により各々測定される。干渉計による測定結果は制御装置５１に対して出力され、制御装置５１は、マスクステージ５５及びウエハスエージ５６に対して駆動信号５７，５８を出力する。制御装置５１からの駆動信号５７，５８に基づいて、リニアモータやエアアクチュエータ等の図示しないアクチュエータによりマスクステージ５５及びウエハステージ５６は移動する。【００２６】
この実施の形態においては、梁１４ａ，１４ｂにより露光領域内に発生する照明ムラ（光強度ムラ）を補正することができる。まず、梁１４ａは走査方向に沿って直線状に形成されているため、例えば図５のグラフに示すように梁１４ａにより１次元的に照明強度が変化し、照明ムラが発生する。この照明ムラが実際の露光工程において問題となる場合には、照明一様性が仕様を満たすように補正する事が可能である。例えば図６のグラフに示すような照明強度分布（露光光分布）、即ち図５に示す照明強度分布の逆分布を有する照明強度分布を与えることにより、梁１４ａにより発生した照明ムラ（露光光分布）を補正することができる。図６のグラフに示すような照明強度を与えるために、具体的には、視野制限スリットＳの形状を図７に示すような形状とする。なお、図７では視野制限スリットＳの形状として、紙面の上側部分のみ波型の形状としたが、下側もしくは上下の両方の形状を変えてもよく、また、視野制限スリットＳの開口部内に遮光体を適宜配置することによっても同様な補正を行うことが可能である。【００２７】
また、梁１４ｂはＹ方向に沿って形成されているため、走査露光する際に梁１４ｂにより露光光の露光量誤差が発生する。ここで、マスクステージ５５及びウエハステージ５６の走査速度を制御することにより、露光光の露光量を制御し、梁１４ｂにより発生した露光光の露光量誤差を補正することが可能である。具体的には、梁１４ｂ上を走査する際に、マスクステージ５５及びウエハステージ５６の走査を減速し、露光量を増大させることにより、梁１４ｂを介することによる露光量の減少を補正する。または、梁１４ｂ上を走査していない際に、マスクステージ５５及びウエハステージ５６の走査を加速し、露光量を減少させることにより、梁１４ｂを介することによる露光量の減少を補正する。【００２８】
また、電源装置３０を用いてＥＵＶ光源３１から射出されるＥＵＶ光３２の光強度を制御することにより、露光光の露光量を制御し、梁１４ｂにより発生した露光光の露光量誤差を補正してもよい。この場合には、梁１４ｂ上を走査する際には、ＥＵＶ光源３１から射出されるＥＵＶ光３２の光強度を増大させ、露光量を増大させることにより、梁１４ｂを介することによる露光量の減少を補正する。または、梁１４ｂ上を走査していない際に、ＥＵＶ光源３１から射出されるＥＵＶ光３２の光強度を減少させ、露光量を減少させることにより、梁１４ｂを介することによる露光量の減少を補正する。更に、光路の途中に減光フィルタを配置したり、ガスを流したりすることによって露光量の調整をすることも可能である。また、梁１４ｂが配置される領域以外の異物保護膜１０の厚さを相対的に厚くする事によって、梁１４ｂで減光される分を他の領域においても同量だけ減光するようにして、全体として露光量が均一となるようにすることも可能である。【００２９】
第１の実施の形態にかかるマスクによれば、パターン面に異物が付着するのを防止する異物保護膜１０を備え、その異物保護膜１０が露光するのに必要な波長域の光を透過し、不要な光を吸収する波長選択フィルタの機能を兼ね備えている。したがって、別途波長選択フィルタを備えなくとも、露光に必要な波長域の光によりパターンを照明することができ、別途波長選択フィルタを備える事により露光光の光量が減少することを防止できる。また、異物保護膜１０を支持する梁１４ａ，１４ｂを備えているため、異物保護膜１０の厚さを薄くすることができ、露光光の光量の減少を防止することができる。【００３０】
また、第１の実施の形態にかかる露光装置によれば、梁１４ａ，１４ｂにより発生する照明ムラが問題となる場合に適切に補正することができるため、良好な露光を行なうことができる。【００３１】
なお、第１の実施の形態にかかるマスクにおいては、図３に示すような梁１４ａ，１４ｂにより支持されている異物保護膜１０を備えているが、図８に示すような梁１４ｃ、即ちＸ方向（走査方向）に延びる方向に沿って直線状に形成されている梁のみを備えるようにしてもよい。この図８に示すマスクにおいては、図３に示すマスクＭと比較して異物保護膜１０の支持強度については弱くなるが、Ｙ方向に視野制限スリットＳの形状のＹ方向の形状で形成されている梁を備えていないため、梁による照明ムラの発生量が減少する。即ち、梁１４ｃによる１次元的な照明ムラの発生のみを補正すればよいため、照明ムラの補正も容易となる。【００３２】
次に、図面を参照して、この発明の第２の実施の形態にかかる露光装置及びマスクについて説明する。なお、この第２の実施の形態にかかる露光装置の構成は第１の実施の形態にかかる露光装置の構成と同一であるため、第２の実施の形態にかかる露光装置の構成の詳細な説明は省略する。また、第２の実施の形態にかかる露光装置の説明においては、第１の実施の形態にかかる露光装置と同一の構成には第１の実施の形態で用いたものと同一の符号を付して説明を行なう。【００３３】
図９は第２の実施の形態にかかるマスクＭ２の構成を示す平面図、図１０はマスクＭ２の構成を示すＢ−Ｂ断面図である。マスクＭ２は、図９及び図１０に示すように、マスクＭ２のパターンが形成されている面から所定の距離、例えば１０ｍｍを保つ位置に配置されている異物保護膜２０を備えている。異物保護膜２０は、マスクＭ２のパターンが形成されている面に異物が付着するのを防止する。【００３４】
また、異物保護膜２０は、異物保護膜保持部材２２により支持されている。異物保護膜保持部材２２は、マスクＭ２のパターンが形成されている面の周縁部に立設された立設部２２ａと、立設部２２ａからマスクＭ２のパターンが形成されている面に沿って張り出した支持部２２ｂとを備えている。立設部２２ａ及び支持部２２ｂは、それぞれ複数のフィルタ２４を備えている。フィルタ２４は、異物がマスクＭ２のパターン面内に侵入することを防止しつつ十分に大気が流通するように構成されている。【００３５】
フィルタを介して流通する大気の量は、フィルタの厚さと面積により定まる。また、除去可能な異物の量及びサイズは、フィルタの厚さにより決定する。したがって、フィルタの異物を除去する性能を維持しつつ、フィルタを介して流通する大気の量を増大させるためには、フィルタの面積を増大させる必要がある。そこで、この実施の形態においては、立設部２２ａ及び支持部２２ｂに可能な限り多くのフィルタ２４を設けている。異物保護膜２０は、後述するように大気状態と真空状態の空間を行き来するため、フィルタ２４により、異物保護膜２０の内側と外側との気圧差を小さくし、内側の面と外側の面との圧力差による力がかからないようにする。【００３６】
マスクＭ２は、異物保護膜２０に保護された状態で、露光する際に図示しないマスク搬送装置により図示しないロードロック室を介してマスクステージ５５に搬入され、露光を終えた際にマスク搬送装置によりマスクステージ５５からロードロック室を介して搬出される。ロードロック室は、真空排気及び大気開放可能に構成されている。【００３７】
即ち、異物保護膜２０により保護されたマスクＭ２は、マスク搬送装置により大気圧雰囲気内にあるロードロック室に搬入され、真空雰囲気の露光装置に対してマスクＭ２を搬入するためにロードロック室を真空排気し、ロードロック室内を真空雰囲気にする。この際、異物保護膜２０の内側の面と外側の面とにかかる圧力の差が所定の値以下の値を維持することができる速度、例えば１００Ｐａ／secの速度で、マスクＭ２を大気圧雰囲気から真空雰囲気（減圧雰囲気）へ移行する。この速度は、異物保護膜２０が許容可能な異物保護膜２０の内側と外側の面にかかる圧力差は異物保護膜２０の厚さ、材料等で決まる破壊強度や面積に応じて決まる全体に加わる力の値によって異なるため、これらを勘案して計算あるいは実験によって決める事が可能である。大気環境から真空環境へ移行していく際、一定量でロードロック室の排気を行うと、初期はこの内外の圧力差が大きくなるが、途中から圧力差が小さくなる。これは、時間に対する室内の真空度の変化が対数で表されるからである。従って、初期はゆっくりと真空廃棄を行い徐々に排気速度をあげることが好ましい。【００３８】
真空雰囲気へ移行されたロードロック室からマスクステージ５５に異物保護膜２０を備えたマスクＭ２を搬入し、露光を行なう。露光後、真空雰囲気内の露光装置から異物保護膜２０を備えたマスクＭ２が搬出され、真空雰囲気内のロードロック室に搬送される。そして、大気圧雰囲気のマスク搬送装置に対してマスクＭ２を引き渡すためにロードロック室を大気開放し、ロードロック室内を大気圧雰囲気にする。この際、異物保護膜２０の内側の面と外側の面とにかかる圧力の差が所定の値以下の値を維持することができる速度、例えば１００Ｐａ／ｓｅｃの速度で、マスクＭ２を真空雰囲気（減圧雰囲気）から大気圧雰囲気へ移行する。【００３９】
第２の実施の形態にかかるマスクによれば、パターン面に異物が付着するのを防止する異物保護膜２０を備え、その異物保護膜２０の立設部及び支持部に複数のフィルタ２４が設けられているため、異物保護膜２０の内側の面と外側の面とにかかる圧力の差を適切に制御することができる。したがって、内側の面と外側の面との圧力差による力により異物保護膜２０が破損するのを防止することができる。【００４０】
また、第２の実施の形態にかかる露光装置によれば、異物保護膜２０の内側の面と外側の面とにかかる圧力の差が所定の値以下の値を維持することができる速度で、マスクＭ２を大気圧雰囲気から真空雰囲気へ、または真空雰囲気から大気圧雰囲気へ移行することができるため、異物保護膜２０の内側の面と外側の面との圧力差による力により異物保護膜２０が破損するのを防止することができる。【００４１】
なお、以上説明した実施の形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。従って、実施の形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や、均等物も含む趣旨である。また、各要素の全てを発明の必須の構成とする必要は無く、適宜各要素を組み合わせても構わないし、一部の要素を用いない場合でも本発明の技術的範囲に属する。【００４２】
また、本開示は、２００６年２月１６日に提出された日本国特許出願２００６−３９４４７号に含まれた主題に関連し、その開示の全てはここに参照事項として明白に組み込まれる。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明のマスク及び露光装置は、マスク上に形成されている回路パターン等の転写露光に好適に用いることが出来る。
【図１】
2007094197.tif 000003
【図２】
2007094197.tif 000004
【図３】
2007094197.tif 000005
【図４】
2007094197.tif 000006
【図５】
2007094197.tif 000007
【図６】
2007094197.tif 000008
【図７】
2007094197.tif 000009
【図８】
2007094197.tif 000010
【図９】
2007094197.tif 000011
【図１０】
2007094197.tif 000012
【国際調査報告】
2007094197.tif 000013
2007094197.tif 000014
2007094197.tif 000015
2007094197.tif 000016