Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月25日(2019.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形体である封止樹脂体により封止されるリードフレームであって、
複数のスイッチング素子（７０）が個別に配置される複数のアイランド（６１１〜６１４）と、
架橋部材（９０）を介して前記スイッチング素子と接続され、該スイッチング素子が配置される前記アイランドとは別の配線（６２，６２０〜６２３）と、
複数の主端子（６３）と、複数の信号端子（６４）と、を有する複数の外部接続用端子と、
複数の前記外部接続用端子を連結するとともに、前記アイランド及び前記配線の少なくとも一方が連結されたタイバー（６６，６６０ａ，６６０ｂ，６６１ａ，６６１ｂ）と、を備え、
前記タイバーの延設方向と、同じ前記架橋部材の配置対象である前記アイランドにおける前記架橋部材の配置部（６０ａ）及び前記配線における前記架橋部材の配置部（６０ｂ）の並び方向が、平行とされており、
前記配置対象の少なくともひとつは、複数箇所で同一の前記タイバーに連結されているリードフレーム。
【請求項２】
前記配置対象は、前記主端子によって前記タイバーに連結されるとともに、電気的接続機能を提供せず、前記主端子よりも幅の狭いダミー端子（６５）によって前記タイバーに連結されている請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記タイバーが連結された外枠（６７）を備え、
前記ダミー端子は、前記タイバーを除く部分により、前記外枠に連結されている請求項２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記配置対象であるアイランドは、前記主端子及び前記信号端子のそれぞれによって、同じ前記タイバーに連結されている請求項１に記載のリードフレーム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本開示のひとつであるリードフレームは、成形体である封止樹脂体により封止されるリードフレームであって、
複数のスイッチング素子（７０）が個別に配置される複数のアイランド（６１１〜６１４）と、
架橋部材（９０）を介してスイッチング素子と接続され、該スイッチング素子が配置されるアイランドとは別の配線（６２，６２０〜６２３）と、
複数の主端子（６３）と、複数の信号端子（６４）と、を有する複数の外部接続用端子と、
複数の外部接続用端子を連結するとともに、アイランド及び配線の少なくとも一方が連結されたタイバー（６６，６６０ａ，６６０ｂ，６６１ａ，６６１ｂ）と、を備え、
タイバーの延設方向と、同じ架橋部材の配置対象であるアイランドにおける架橋部材の配置部（６０ａ）及び配線における架橋部材の配置部（６０ｂ）の並び方向が、平行とされており、
配置対象の少なくともひとつは、複数箇所で同一のタイバーに連結されている。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月8日(2019.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）ウエハであって、
基板層と、
前記基板層上のエピタキシャル層と、
前記ＶＣＳＥＬウエハを薄型化した後の前記ＶＣＳＥＬウエハの反りを制御するための歪補償層と、
を含み、
前記歪補償層は、前記基板層のエピタキシャル側の前記エピタキシャル層の外側、かつアノード層の少なくとも一部と前記エピタキシャル層との間に配置され、かつ、
前記歪補償層は、前記ＶＣＳＥＬウエハのエピタキシャル層内の圧縮歪みを少なくとも部分的に補償することによって、前記薄型化されたＶＣＳＥＬウエハの反りを制御する、ＶＣＳＥＬウエハ。
【請求項２】
請求項１に記載のＶＣＳＥＬウエハであって、前記歪補償層は、約０．２μｍ〜約０．７μｍの範囲の厚さを有する金属層である、ＶＣＳＥＬウエハ。
【請求項３】
請求項１に記載のＶＣＳＥＬウエハであって、前記歪補償層は、ニッケル−クロム（ＮｉＣｒ）層、プラチナ（Ｐｔ）層、またはクロム（Ｃｒ）層である、ＶＣＳＥＬウエハ。
【請求項４】
請求項１に記載のＶＣＳＥＬウエハであって、前記歪補償層は、前記アノード層の部分の間に配置される、ＶＣＳＥＬウエハ。
【請求項５】
請求項４に記載のＶＣＳＥＬウエハであって、前記歪補償層と前記アノード層の少なくとも一部との間の接着の促進に関連する接着層が、前記歪補償層と前記アノード層の少なくとも一部との間に配置される、ＶＣＳＥＬウエハ。
【請求項６】
請求項５に記載のＶＣＳＥＬウエハであって、前記接着層は、約０．００５μｍ〜約０．０３μｍの範囲の厚さを有するチタン（Ｔｉ）層である、ＶＣＳＥＬウエハ。
【請求項７】
請求項４に記載のＶＣＳＥＬウエハであって、前記歪補償層は、前記歪補償層に関連する電気抵抗を減少または最小化するために、前記アノード層の一部と部分的にオーバーラップしている、ＶＣＳＥＬウエハ。
【請求項８】
請求項１に記載のＶＣＳＥＬウエハであって、前記歪補償層は、前記ＶＣＳＥＬウエハの表面の大部分を被覆している、ＶＣＳＥＬウエハ。
【請求項９】
請求項１に記載のＶＣＳＥＬウエハであって、前記歪補償層は、誘電性パッシベーション層に少なくとも部分的に埋め込まれている、ＶＣＳＥＬウエハ。
【請求項１０】
請求項１に記載のＶＣＳＥＬウエハであって、前記歪補償層は、前記ＶＣＳＥＬウエハのＶＣＳＥＬによって光を放出する開口部を含むようにパターニングされている、ＶＣＳＥＬウエハ。
【請求項１１】
請求項１０に記載のＶＣＳＥＬウエハであって、前記歪補償層の厚さは、前記歪補償層によって提供され、前記開口部によって引き起こされる、歪補償の減少を補償するように選択される、ＶＣＳＥＬウエハ。
【請求項１２】
請求項１に記載のＶＣＳＥＬウエハであって、前記歪補償層は、前記歪補償層の応力−厚さの積に基づく歪補償を提供する、ＶＣＳＥＬウエハ。
【請求項１３】
請求項１に記載のＶＣＳＥＬウエハであって、前記歪補償層の一体化された応力−厚さの積は、少なくとも約４００メガパスカル−メートル（ＭＰａ−ｍ）である、ＶＣＳＥＬウエハ。
【請求項１４】
請求項１に記載のＶＣＳＥＬウエハであって、前記ＶＣＳＥＬウエハのＶＣＳＥＬは、底部放射ＶＣＳＥＬである、ＶＣＳＥＬウエハ。
【請求項１５】
垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）であって、
基板層と、
前記基板層上のエピタキシャル層と、
薄型化されたＶＣＳＥＬウエハのエピタキシャル層の圧縮歪みを少なくとも部分的に補償することによって前記薄型化されたＶＣＳＥＬウエハの反りを制御するための歪補償層と、
を含み、
前記歪補償層は、前記基板層のエピタキシャル側の前記エピタキシャル層の外側、かつアノード層の少なくとも一部と前記エピタキシャル層との間に配置されている、ＶＣＳＥＬ。
【請求項１６】
請求項１５に記載のＶＣＳＥＬであって、前記歪補償層は、約０．２μｍ〜約０．７μｍの範囲の厚さを有する金属層である、ＶＣＳＥＬ。
【請求項１７】
請求項１５に記載のＶＣＳＥＬであって、前記歪補償層は、ニッケル−クロム（ＮｉＣｒ）層、プラチナ（Ｐｔ）層、またはクロム（Ｃｒ）層である、ＶＣＳＥＬ。
【請求項１８】
請求項１５に記載のＶＣＳＥＬであって、前記歪補償層は、ＶＣＳＥＬウエハの表面の大部分を被覆している、ＶＣＳＥＬ。
【請求項１９】
請求項１５に記載のＶＣＳＥＬであって、前記歪補償層は、前記ＶＣＳＥＬによって光を放出する開口部を含むようにパターニングされている、ＶＣＳＥＬ。
【請求項２０】
面発光レーザの薄型化されたウエハであって、
基板層上のエピタキシャル層と、
前記薄型化されたウエハのエピタキシャル層の圧縮歪みを少なくとも部分的に補償することによって、前記薄型化されたウエハの反りを制御するための歪補償層と、
を含み、
前記歪補償層は、前記基板層のエピタキシャル側の前記エピタキシャル層の外側、かつアノード層の少なくとも一部と前記エピタキシャル層との間に配置されている、面発光レーザの薄型化されたウエハ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月2日(2019.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
読み出し線層における複数の読み出し線と、
書き込み線層における複数の書き込み線と、
前記読み出し線層と前記書き込み線層との間に配設されるスピン蓄積線層における複数のスピン蓄積線であって、前記読み出し線および前記書き込み線を水平に横断する、スピン蓄積線と、
複数の垂直磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルと、
を備え、
前記垂直ＭＲＡＭセルは、スピン蓄積線と書き込み線との間に結合される偏光子、および、前記スピン蓄積線と読み出し線との間に結合される磁気トンネル接合であって、前記磁気トンネル接合および前記偏光子が垂直に整列されるようにする磁気トンネル結合を含む、装置。
【請求項２】
前記垂直ＭＲＡＭセルの面密度は、１セル当たり、プロセスフィーチャサイズの２乗の４倍である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記垂直ＭＲＡＭセルは、前記磁気トンネル結合と前記読み出し線との間に配設される読み出しセレクタ、および、前記偏光子と前記書き込み線との間に配設される書き込みセレクタをさらに備える、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記読み出しセレクタおよび前記書き込みセレクタは前記偏光子および前記磁気トンネル接合と垂直に整列される、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記読み出しセレクタはユニポーラセレクタを含み、前記書き込みセレクタはバイポーラセレクタを含む、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記読み出し線は前記書き込み線に平行であり、前記スピン蓄積線は前記読み出し線および前記書き込み線に直角である、請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記磁気トンネル結合は、固定層、障壁層、および自由層を含み、前記障壁層は前記固定層と前記自由層との間に配設され、前記自由層は前記スピン蓄積線と接触している、請求項１から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記固定層の磁気モーメント、前記自由層の磁気モーメント、および前記偏光子の磁気モーメントは、前記障壁層に垂直である、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記スピン蓄積線は、銀、銅、アルミニウム、およびグラフェンのうちの１つまたは複数を含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記偏光子はスピン分極した強磁性材料を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
第２の複数の垂直ＭＲＡＭセルをさらに含み、前記複数の垂直ＭＲＡＭセルおよび前記第２の複数の垂直ＭＲＡＭセルは３次元アレイを形成し、前記第２の複数の垂直ＭＲＡＭセルは、前記読み出し線および前記書き込み線のうちの１つまたは複数を前記複数の垂直ＭＲＡＭセルと共有する、請求項１から１０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記読み出し線、前記書き込み線、および前記スピン蓄積線に対する電圧を制御することによって前記垂直ＭＲＡＭセルに対する読み出し動作および書き込み動作を行うコントローラをさらに含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）アレイを備えるシステムであって、
前記磁気ランダムアクセスメモリアレイは、
複数の読み出し線と、
複数の書き込み線と、
前記読み出し線と前記書き込み線との間に配設されるスピン蓄積層における複数のスピン蓄積線であって、前記読み出し線および前記書き込み線に直角であるスピン蓄積線と、
複数のＭＲＡＭセルであって、書き込みセレクタ、偏光子、磁気トンネル接合、および読み出しセレクタを含み、前記書き込みセレクタおよび偏光子は前記スピン蓄積線と前記書き込み線との間に直列に電気的に結合され、前記読み出しセレクタおよび磁気トンネル接合は前記スピン蓄積線と前記読み出し線との間に直列に電気的に結合される、ＭＲＡＭセルと、
前記読み出し線、前記書き込み線、および前記スピン蓄積線に対する電圧を制御することによって前記アレイに対する読み出し動作および書き込み動作を行うコントローラと、を含む、システム。
【請求項１４】
前記コントローラは、選択されたＭＲＡＭセルに対する読み出し動作を、読み出し電圧を前記選択されたセルに対する読み出し線に結合し、前記選択されたセルのためのスピン蓄積線を接地し、および、前記読み出し電圧の半分を他の読み出し線、他のスピン蓄積線、および前記書き込み線に結合することによって行う、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記コントローラは、第１のビット値を選択されたセルに書き込むための書き込み動作を、書き込み電圧を前記選択されたセルに対する書き込み線に結合し、前記選択されたセルのためのスピン蓄積線を接地し、および、前記書き込み電圧の半分を、他の書き込み線、他のスピン蓄積線、および前記読み出し線に結合することによって行う、請求項１３又は１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記コントローラは、前記書き込み動作中、前記選択されたセルに対する読み出し線に前記書き込み電圧の半分より大きい電圧を加える、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記コントローラは、前記第１のビット値と異なる第２のビット値を前記選択されたセルに書き込むための書き込み動作を、前記書き込み電圧を前記選択されたセルに対する前記スピン蓄積線に結合し、前記選択されたセルのための前記書き込み線を接地し、および前記書き込み電圧の半分を、他の書き込み線、他のスピン蓄積線、および前記読み出し線に結合することによって行う、請求項１５又は１６に記載のシステム。
【請求項１８】
磁気抵抗を利用してデータ値を記憶する手段と、
記憶された前記データ値を変更するために、前記磁気抵抗を利用してデータ値を記憶する手段に、隣接して、磁気スピンを蓄積する手段と、
蓄積された前記磁気スピンを生成するために電気的な書き込み電流をスピン分極する手段と、を備え、
前記磁気抵抗を利用してデータ値を記憶する手段、前記磁気スピンを蓄積する手段、および前記スピン分極する手段は、クロスポイント型磁気抵抗メモリアレイにおいて垂直に整列される、装置。
【請求項１９】
第１の電圧が閾値を満たさないことに基づいて前記書き込み電流を阻止する手段をさらに備える、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
第２の電圧が閾値を満たさないことに基づいて読み出し電流を阻止する手段をさらに備え、前記読み出し電流を阻止する手段は、前記書き込み電流を阻止する手段から物理的に分離される、請求項１９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月27日(2019.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板上の前記インプリント材の粘性を増加させるための照射光を、前記型を介して前記インプリント材に照射する光学系と、
前記型を前記基板上のインプリント材に接触させた状態で、前記型と前記インプリント材とが接触する領域を囲む周辺領域に対して、前記照射光を照射するように前記光学系を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記型を前記基板上のインプリント材に接触させた状態で、前記周辺領域のうちの互いに異なる領域に対する前記照射光を照射するタイミングを変えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記型と前記インプリント材とが接触する状態を撮像する撮像部を有し、
前記撮像部の撮像結果から求まる前記インプリント材が前記周辺領域のうちの互いに異なる複数の領域のそれぞれに到達する時間に応じて前記照射光の照射を開始する時間を変えることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記型と前記インプリント材とが接触する領域の中心と前記周辺領域のうちの互いに異なる複数の領域のそれぞれまでの距離が短い順に前記照射光を照射することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記型と前記インプリント材とが接触する領域の中心から前記周辺領域のうちの互いに異なる複数の領域のそれぞれに向かって移動するインプリント材に対して、前記照射光の照射するタイミングを変えることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記周辺領域のうち前記型と前記インプリント材とが接触する前記型のメサ部のコーナーを含む領域が、前記周辺領域の他の領域よりも前記照射光の照射のタイミングが遅くなるように前記光学系を制御することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記インプリント材が前記周辺領域のうちの互いに異なる複数の領域のそれぞれに到達する前に、前記照射光の照射を開始することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記光学系は、前記照射光を照射するタイミングを変える光変調素子を有することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板上の前記インプリント材の粘性を増加させるための照射光を、前記型を介して前記インプリント材に照射する光学系と、
前記型を前記基板上のインプリント材に接触させた状態で、前記型と前記インプリント材とが接触する領域を囲む周辺領域に対して、前記照射光を照射するように前記光学系を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記型を前記基板上のインプリント材に接触させた状態で、前記周辺部に到達する時間が互いに異なる複数の領域に対する前記照射光を照射するタイミングを変えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記周辺領域のうちの互いに異なる複数の領域のそれぞれに向かって移動するインプリント材が前記周辺領域のうちの互いに異なる複数の領域のそれぞれに到達する時間に応じて前記照射光の照射時間を変えることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板上のインプリント材の粘性を増加させるための照射光を、前記型を介して前記インプリント材に照射する光学系と、
前記型を前記基板上のインプリント材に接触させた状態で、前記型と前記インプリント材とが接触する領域を囲む周辺領域に対して、前記照射光を照射するように前記光学系を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記基板上に供給された前記インプリント材の位置に応じて、前記周辺領域のうちの互いに異なる領域に対する前記照射光の照射するタイミングを変える、ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項１１】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板上のインプリント材の粘性を上げる硬化部と、
前記型を前記基板上のインプリント材に接触させた状態で、前記型と前記インプリント材とが接触する領域を囲む周辺領域のインプリント材の粘性を上げるように、前記硬化部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記型を前記基板上のインプリント材に接触させた状態で、前記インプリント材が前記周辺領域のうちの互いに異なる領域のそれぞれに到達する時間に応じて、前記周辺領域のうちの互いに異なる複数の領域に供給されたインプリント材の粘性を上げるタイミングを変える、ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか１項に記載のインプリント装置を用いて、基板上にパターンを形成する工程と、
パターンが形成された基板を加工する工程と、を有し、
加工された基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のインプリント装置は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板上の前記インプリント材の粘性を増加させるための照射光を、前記型を介して前記インプリント材に照射する光学系と、前記型を前記基板上のインプリント材に接触させた状態で、前記型と前記インプリント材とが接触する領域を囲む周辺領域に対して、前記照射光を照射するように前記光学系を制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記型を前記基板上のインプリント材に接触させた状態で、前記周辺領域のうちの互いに異なる領域に対する前記照射光を照射するタイミングを変えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月24日(2019.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の半導体装置の製造方法は、基板に対して処理を行い、半導体装置を製造する方法において、
被エッチング膜が形成された基板の表面に重合用の原料であるイソシアネートとアミンとを供給して、尿素結合を有する重合体からなるマスク用の膜を形成する工程と、
前記マスク用の膜にエッチング用のパターンを形成する工程と、
次いで前記パターンを用いて前記被エッチング膜を処理ガスによりエッチングする工程と、
その後、前記基板を加熱して前記重合体を解重合して前記マスク用の膜を除去する工程と、
を含み、
前記イソシアネートはイソシアネート基を１つのみ有する一官能性分子であるか、あるいは前記アミンはアミノ基を１つのみ有する一官能性分子であることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の真空処理装置は、イソシアネートとアミンとを重合させて形成された尿素結合を有する重合体からなるマスク用の膜が被エッチング膜の上に形成され、前記マスク用の膜の上にマスクパターンを形成している膜が積層されている基板を、真空容器内にて処理ガスによりエッチングして前記マスクパターンを前記マスク用の膜に転写するための第１のエッチング処理モジュールと、
第１のエッチング処理モジュールにてエッチングされた基板を、真空容器内にて前記マスク用の膜をマスクとして処理ガスにより被エッチング膜をエッチングするための第２のエッチング処理モジュールと、
前記第２のエッチング処理モジュールにてエッチングされた後の基板を真空容器内にて加熱して前記マスク用の膜を解重合して除去するための除去モジュールと、
を備え、
前記イソシアネートはイソシアネート基を１つのみ有する一官能性分子であるか、あるいは前記アミンはアミノ基を１つのみ有する一官能性分子であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の基板処理装置は、被エッチング膜が形成された基板の表面に、イソシアネート、アミンを各々液体またはミストとして供給して尿素結合を有する重合体からなるマスク用の膜を形成するための成膜部と、
前記マスク用の膜が成膜された基板にレジストを塗布するためのレジスト塗布部と、
レジストが塗布された基板を加熱処理する露光前の加熱処理部と、
露光後の基板を加熱処理する露光後の加熱処理部と、
加熱処理された基板を現像するための現像処理部と、
基板を処理する各部の間の搬送を行うための搬送機構と、を備え、
前記イソシアネートはイソシアネート基を１つのみ有する一官能性分子であるか、あるいは前記アミンはアミノ基を１つのみ有する一官能性分子であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月2日(2019.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局において、モバイルデバイスのモデムの電力消費に関連するエネルギーメトリックを識別するステップと、
前記基地局と前記モバイルデバイスとの間の送信のために使用されることになる、1つまたは複数の変調およびコーディング方式(MCS)を決定するステップと、
前記エネルギーメトリックに少なくとも部分的に基づいて前記送信に関する前記モバイルデバイスによる低減したエネルギー消費を提供するMCSを識別するために、前記1つまたは複数の利用可能なMCSを反復的に評価するステップと、
前記基地局において、前記エネルギーメトリックと、前記送信のために前記モバイルデバイスによるエネルギー消費を低減する前記MCSとに少なくとも部分的に基づいて、前記基地局と前記モバイルデバイスとの間の送信を構成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記モバイルデバイスに関連する前記エネルギーメトリックは、前記基地局と前記モバイルデバイスとの間の前記送信に関連する1つまたは複数のパラメータを含み、前記1つまたは複数のパラメータは、前記基地局と前記モバイルデバイスとの間の前記送信を処理するための前記モバイルデバイスによって消費されるエネルギーの量に影響を与える少なくとも1つのパラメータを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記モバイルデバイスの能力を識別するステップをさらに含み、前記エネルギーメトリックは、前記モバイルデバイスの前記能力に少なくとも部分的に基づいて決定される、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記モバイルデバイスからメッセージを受信するステップをさらに含み、前記メッセージは、前記モバイルデバイスの前記能力を示す情報を含む、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記モバイルデバイスの前記能力は、前記モバイルデバイスによってサポートされる1つもしくは複数の送信モード(TM)、前記モバイルデバイスによってサポートされる1つもしくは複数のMCS、前記モバイルデバイスによってサポートされる1つもしくは複数のキャリアアグリゲーション(CA)方式、前記モバイルデバイスの帯域幅能力、前記モバイルデバイスによってサポートされるフレーム構造、前記モバイルデバイスのカテゴリー、前記モバイルデバイスによってサポートされる干渉管理技法、前記モバイルデバイスによってサポートされる1つもしくは複数のデュプレックスモード、またはそれらの組合せのうちの少なくとも1つを含む、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記エネルギーメトリックは、前記基地局がアクセスできるデータベースに記憶された情報に少なくとも部分的に基づいて決定される、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記エネルギーメトリックに少なくとも部分的に基づいて、前記基地局と前記モバイルデバイスとの間の後続送信の構成を変更するかどうかを周期的に決定するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
利用可能なネットワークリソースを決定するステップをさらに含み、前記エネルギーメトリックは、前記利用可能なネットワークリソースに少なくとも部分的に基づいて決定される、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記基地局と前記モバイルデバイスとの間の前記送信に関連するサービス品質(QoS)を決定するステップをさらに含み、前記基地局と前記モバイルデバイスとの間の前記送信は、前記決定されたQoSに少なくとも部分的に基づいて構成される、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記エネルギーメトリックに少なくとも部分的に基づいて、前記基地局と前記モバイルデバイスとの間の前記送信に関する第1のエネルギー消費を決定するステップと、
前記エネルギーメトリックに関係なく、前記基地局と前記モバイルデバイスとの間の送信に関する第2のエネルギー消費を決定するステップと、
前記第1のエネルギー消費と前記第2のエネルギー消費との間の差を決定するステップと、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記基地局と前記モバイルデバイスとの間の前記送信を構成するステップは、リソースブロックの数を使用して前記送信をスケジューリングするステップをさらに含み、前記送信のためにスケジューリングされるリソースブロックの前記数は、前記エネルギーメトリックに少なくとも部分的に基づいて決定される、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
前記基地局と前記モバイルデバイスとの間の前記送信を構成するステップは、前記基地局と前記モバイルデバイスとの間の前記送信に使用されることになるトランスポートブロックサイズを決定するステップをさらに含み、前記トランスポートブロックサイズは、前記エネルギーメトリックに少なくとも部分的に基づいて決定される、請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
プロセッサによって実行されたときに、請求項1から12の何れか一項に記載の方法を前記プロセッサに実行させる、命令を記憶するコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１４】
モバイルデバイスのモデムの電力消費に関連するエネルギーメトリックを識別するための手段と、
基地局と前記モバイルデバイスとの間の送信のために使用されることになる、1つまたは複数の変調およびコーディング方式(MCS)を決定するための手段と、
前記エネルギーメトリックに少なくとも部分的に基づいて前記送信に関する前記モバイルデバイスによる低減したエネルギー消費を提供するMCSを識別するために、前記1つまたは複数の利用可能なMCSを反復的に評価するための手段と、
前記エネルギーメトリックと、前記送信のために前記モバイルデバイスによるエネルギー消費を低減する前記MCSとに少なくとも部分的に基づいて、前記基地局と前記モバイルデバイスとの間の送信を構成するための手段と、
を含む装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月23日(2019.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る車両用空気調和装置は、開口部から進入した外気を誘導する板部材と、前記板部材により誘導された前記外気を吸引して、室内に前記外気を送出する複数の室内送風機と、を備え、前記複数の室内送風機は、前記開口部の近くに配置された第一の室内送風機と、前記開口部に対して前記第一の室内送風機より遠くに配置された第二の室内送風機と、を含み、前記板部材は、前記開口部から前記第一の室内送風機へ前記外気が直接流入しないように進行方向を変更するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
以下、本発明の車両用空気調和装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面の形態は一例であり、本発明を限定するものではない。また、各図において同一の符号を付したものは、同一の又はこれに相当するものであり、これは明細書の全文において共通している。さらに、以下の図面では各構成部材の大きさの関係が実際のものとは異なる場合がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部から進入した外気を誘導する板部材と、
前記板部材により誘導された前記外気を吸引して、室内に前記外気を送出する複数の室内送風機と、を備え、
前記複数の室内送風機は、前記開口部の近くに配置された第一の室内送風機と、前記開口部に対して前記第一の室内送風機より遠くに配置された第二の室内送風機と、を含み、
前記板部材は、前記開口部から前記第一の室内送風機へ前記外気が直接流入しないように進行方向を変更する
ことを特徴とする車両用空気調和装置。
【請求項２】
前記板部材は、前記開口部に対向する位置に設けられる対向部を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の車両用空気調和装置。
【請求項３】
前記板部材は、前記外気を誘導する誘導方向に延びる誘導部を有する
ことを特徴とする請求項２に記載の車両用空気調和装置。
【請求項４】
前記板部材は、角部に面取り加工が施されている
ことを特徴とする請求項３に記載の車両用空気調和装置。
【請求項５】
前記板部材は、前記複数の室内送風機に近い側の一辺を軸として回動自在である
ことを特徴とする請求項１に記載の車両用空気調和装置。
【請求項６】
前記板部材は、前記外気を前記複数の室内送風機に分配する
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の車両用空気調和装置。
【請求項７】
前記板部材は、前記外気を均等に分配する
ことを特徴とする請求項６に記載の車両用空気調和装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月7日(2019.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顔料を含有するインクを記録媒体に付与する工程と、
有機酸を含有する処理液を、前記インクを付与する領域と少なくとも一部で重なるように前記記録媒体に付与する工程と、
を有する画像記録方法であって、
前記処理液は、
分子構造中に
アニオン性基と、
アミノ基または第四級アンモニウムと
を有し、かつ、
界面活性能を有する有機化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする画像記録方法。
【請求項２】
前記有機化合物のアニオン性基が、−ＣＯＯ−、−ＳＯ３−、−ＰＯ３２−、−ＣＯＯＭ１、−ＳＯ３Ｍ１、−ＰＯ３ＨＭ１、または−ＰＯ３Ｍ１２（Ｍ１は水素原子、アルカリ金属、アンモニウム、または有機アンモニウムを表す）であることを特徴とする請求項１に記載の画像記録方法。
【請求項３】
前記有機化合物のアニオン性基が、−ＣＯＯ−またはＣＯＯＭ１（Ｍ１は水素原子、アルカリ金属、アンモニウム、または有機アンモニウムを表す）であることを特徴とする請求項１または２に記載の画像記録方法。
【請求項４】
前記処理液のｐＨが０．５〜５であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の画像記録方法。
【請求項５】
前記有機酸が、シュウ酸、ギ酸、酢酸、酪酸、プロピオン酸、グリコール酸、マロン酸、リンゴ酸、マレイン酸、アスコルビン酸、レブリン酸、コハク酸、グルタル酸、グルタミン酸、フマル酸、クエン酸、１，２，３−プロパントリカルボン酸、酒石酸、乳酸、ピロリドンカルボン酸、ピロンカルボン酸、ピロールカルボン酸、フランカルボン酸、ビリジンカルボン酸、クマリン酸、チオフェンカルボン酸、ニコチン酸、オキシコハク酸、ジオキシコハク酸、またはピクリン酸であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像記録方法。
【請求項６】
前記有機酸の第一ｐＫａが０．５〜４．５であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の画像記録方法。
【請求項７】
前記処理液中における前記有機酸の含有量が、前記処理液の全質量に対して、１０質量％以上９９質量％以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の画像記録方法。
【請求項８】
前記処理液中における前記有機化合物の濃度が０．１〜１０質量％であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の画像記録方法。
【請求項９】
前記界面活性能が、水に０．１質量％添加したときに水の静的表面張力を６０ｍＮ／ｍ以下に変化させる能力であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の画像記録方法。
【請求項１０】
前記処理液が水を含有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の画像記録方法。
【請求項１１】
前記有機化合物が、下記一般式（１）で表される２−アルキル−Ｎ−カルボキシアルキル−Ｎ−ヒドロキシアルキルイミダゾリニウムベタイン及び下記一般式（２）で表されるβ−アルキルアミノカルボン酸のアルカリ金属塩から選ばれる少なくとも１種の化合物であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の画像記録方法。
【化１】
2016215640.tif 000001
（式（１）中、Ｒ１は炭素数が１〜２０であり、かつ、分枝を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、炭素数が６〜２０のアリール基、ベンジル基または複素環基を示し、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、炭素数が１〜３のアルキレン基を示す。）
【化２】
2016215640.tif 000002
（式（２）中、Ｒ４は炭素数が１〜２０であり、かつ、分枝を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、炭素数が６〜２０のアリール基、ベンジル基または複素環基を示し、Ｒ５は炭素数が１〜３のアルキレン基を示し、Ｍはアルカリ金属を示す。）
【請求項１２】
前記インクがインクジェット方式の記録ヘッドから前記記録媒体に付与され、前記処理液がローラーで前記記録媒体に塗布される請求項１〜１１のいずれか１項に記載の画像記録方法。
【請求項１３】
前記記録媒体が中間転写体であり、該中間転写体上に形成された画像を中間転写体とは別の記録媒体に転写することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の画像記録方法。
【請求項１４】
記録媒体に付与される顔料を含有するインクを凝集させるために用いられる処理液であって、
分子構造中に
アニオン性基と、
アミノ基または第四級アンモニウムとを有し、かつ、
界面活性能を有する有機化合物を少なくとも１種含有する処理液。
【請求項１５】
顔料を含有するインクと、
記録媒体に付与される前記顔料を含有するインクを凝集させるために用いられる処理液と、を含むインクセットであって、
前記処理液は、
分子構造中に
アニオン性基と、
アミノ基または第四級アンモニウムとを有し、かつ、
界面活性能を有する有機化合物を少なくとも１種含有することを特徴とするインクセット。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月24日(2019.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料が排出される複数の開口部と、
１００℃以上の高温で排出される前記材料を保持する少なくとも１つのチャンバと、
前記少なくとも１つのチャンバを前記複数の開口部と接続する複数のチャネルと、
前記複数の開口部へ入り前記材料の滴を前記複数の開口部から排出するための複数の駆動ピンと、
を備える、ピン駆動型印字ヘッドであって、
前記印字ヘッドは高温で１０，０００ｃＰ以上の粘度を有する材料を排出するよう構成され、
前記少なくとも１つのチャンバは、前記材料を２５ｐｓｉ以上の圧力で保持するように構成され、前記複数の駆動ピンの発射周波数を１００Ｈｚ〜２０００Ｈｚの間に確保する、ピン駆動型印字ヘッド。
【請求項２】
第１の開位置において、前記複数の駆動ピンにより材料が関連付けられた開口部内へ入ることが可能となり、第２の閉位置において、前記複数の駆動ピンは関連付けられたチャネル内の材料が前記関連付けられた開口部へ入ることを阻止し、一方で同時に前記関連付けられた開口部へ入り前記材料を排出する、請求項１に記載の印字ヘッド。
【請求項３】
前記複数の駆動ピンの各々の前記第１の開位置における持続時間により、排出される前記材料の滴の量が判定される、請求項２に記載の印字ヘッド。
【請求項４】
各開口部は、１００μｍ〜３００μｍの直径を有する材料の滴を排出するよう構成され、前記複数の駆動ピンの前記発射周波数は、５００Ｈｚ〜１５００Ｈｚの間である、請求項２に記載の印字ヘッド。
【請求項５】
前記第２の閉位置において、前記複数の駆動ピンの各々は、前記開口部の外表面を規定する平面を通過して突き出す、請求項２に記載の印字ヘッド。
【請求項６】
前記複数の駆動ピンの動きを案内する複数のピンチャンバをさらに備える、請求項１に記載の印字ヘッド。
【請求項７】
前記複数の駆動ピンを移動させる複数のアクチュエータモジュールをさらに備え、前記複数の駆動ピンは、秒速１メートル（Ｍ／ｓ）以上の速度で移動し、２０Ｍ／ｓｅｃ２以上の割合で減速される、請求項１に記載の印字ヘッド。
【請求項８】
前記複数のアクチュエータモジュールは、電磁アクチュエータおよび圧電アクチュエータのうちの少なくとも１つを備え、前記複数の駆動ピンは５Ｍ／ｓ以上の速度で移動する、請求項７に記載の印字ヘッド。
【請求項９】
前記少なくとも１つのチャンバは、２００℃以上の高温で排出される前記材料を保持し、前記材料は、２００℃で５０，０００ｃＰ以上の粘度を有するエンジニアリングポリマーである、請求項８に記載の印字ヘッド。
【請求項１０】
前記材料は、２３０℃の温度で５００，０００ｃＰ以上の粘度を有する、請求項９に記載の印刷ヘッド。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのチャンバは、５０ｐｓｉ〜１５０ｐｓｉの圧力で前記材料を保持するよう構成される、請求項１に記載の印字ヘッド。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのチャンバは、３００℃以上の高温で前記材料を保持するよう構成される、請求項１０に記載の印字ヘッド。
【請求項１３】
前記少なくとも１つのチャンバは複数のチャンバを備え、前記複数のチャンバの各々１つが前記複数の開口部の１つ以上と関連付けられ、前記複数のチャンバの各々１つが材料を前記関連付けられた開口部へ提供する、請求項１に記載の印字ヘッド。
【請求項１４】
前記複数のチャンバは複数の異なる材料を保持し、各チャンバは材料を前記関連付けられた開口部へ提供する、請求項１３に記載の印字ヘッド。
【請求項１５】
前記複数のアクチュエータモジュールは、前記少なくとも１つのチャンバ、前記複数の開口部、および材料から離され、それにより、前記少なくとも１つのチャンバ、前記複数の開口部、および材料を、前記複数のアクチュエータモジュールより高い温度まで加熱することができる、請求項７に記載の印字ヘッド。
【請求項１６】
前記複数の駆動ピンは金属ワイヤを備える、請求項１に記載の印字ヘッド。
【請求項１７】
前記複数の駆動ピンは、低接着力の塗装膜で被覆され、排出された前記材料の前記複数の駆動ピンの先端からの分離を容易にする、請求項１に記載の印字ヘッド。
【請求項１８】
前記複数の駆動ピンの動きを案内する複数のピンチャンバをさらに含み、前記複数の駆動ピンは、段階的な構成を有し、前記複数のピンチャンバは、前記複数の駆動ピンの段階的な構成に係合して前記複数の駆動ピンの動きを止めるよう構成される、請求項７に記載の印字ヘッド。
【請求項１９】
前記複数の駆動ピンの動きを案内する複数のピンチャンバをさらに含み、前記複数の駆動ピンは、段階的な構成を有し、前記複数のピンチャンバは、前記複数の駆動ピンの段階的な構成に係合して密閉部を提供するよう構成される、請求項７に記載の印字ヘッド。
【請求項２０】
前記複数の開口部の各々は、前記複数のアクチュエータモジュールのうちの１つと関連付けられ、前記複数のアクチュエータモジュールは、関連付けられる開口部間の空間よりも離れた距離だけ互いに離されている、請求項７に記載の印字ヘッド。
【請求項２１】
前記複数の駆動ピンの各々１つのタイミングは、前記複数の駆動ピンの各々１つにより排出される前記材料の滴が一定のサイズであるよう制御される、請求項３に記載の印字ヘッド。
【請求項２２】
前記第１の開位置における前記複数の駆動ピンの各々１つの持続時間は、排出される前記材料の滴のサイズが多様であり得るよう制御される、請求項２に記載の印字ヘッド。
【請求項２３】
前記印字ヘッドは、排出された前記材料の滴が前記開口部から前記受信表面へ進む際に浮揚するよう、排出された前記材料の滴を受ける表面から離される、請求項１に記載の印字ヘッド。
【請求項２４】
前記印字ヘッドは、前記複数の駆動ピンが排出された前記材料の滴を前記受信表面へ運ぶよう、排出された前記材料の滴を受ける表面の近くに離される、請求項１に記載の印字ヘッド。
【請求項２５】
前記複数のアクチュエータは、前記複数のアクチュエータの動きを増幅するレバーアームまたは屈曲部のうちの１つを介して前記複数の駆動ピンを駆動する、請求項７に記載の印字ヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月22日(2019.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水性インクジェットプリンタであって、
水性インク滴を吐出するように構成された複数の印刷ヘッドと、
前記印刷ヘッドの温度よりも高い温度を有する受像面上にインク像を形成するように前記印刷ヘッドが水性インク滴を受像面に吐出するのを可能とするためにプロセス方向において前記複数の印刷ヘッドを通過する受像面と、
少なくとも１つのエアムーバと、
少なくとも１つの空気誘導部材が前記プロセス方向において互いに隣接する印刷ヘッドの異なる対の間に配置され、各空気誘導部材が前記プロセス方向において互いに隣接する印刷ヘッドの各対の間の領域内の空気及び蒸気を除去するために前記少なくとも１つのエアムーバが前記プロセス方向において互いに隣接する印刷ヘッド間の各領域において前記受像面にわたって空気を移動させるのを可能とするために前記少なくとも１つのエアムーバに空気圧で接続されている複数の空気誘導部材とを備える、水性インクジェットプリンタ。
【請求項２】
前記受像面が前記複数の印刷ヘッドを越えて前記プロセス方向に回転する中間画像形成部材である、請求項１に記載の水性インクジェットプリンタ。
【請求項３】
前記受像面が前記プロセス方向において前記複数の印刷ヘッドを越えて移動する媒体の連続ウェブである、請求項１に記載の水性インクジェットプリンタ。
【請求項４】
前記少なくとも１つのエアムーバが、さらに、
正の空気圧源を備える、請求項１に記載の水性インクジェットプリンタ。
【請求項５】
前記少なくとも１つのエアムーバが、前記空気誘導部材の各対における他の空気誘導部材の一端に空気圧で接続される、請求項４に記載の水性インクジェットプリンタ。
【請求項６】
前記少なくとも１つのエアムーバが、さらに、
正の空気圧源を備える、請求項５に記載の水性インクジェットプリンタ。
【請求項７】
各空気誘導部材が第１の端部及び第２の端部を有し、前記少なくとも１つのエアムーバが、さらに、
各空気誘導部材の前記第１の端部に空気圧で接続された第１のエアムーバと、
各空気誘導部材の前記第２の端部に空気圧で接続された第２のエアムーバとを備える、請求項１に記載の水性インクジェットプリンタ。
【請求項８】
前記第１のエアムーバが正の空気圧源であり、前記第２のエアムーバが負の空気圧源である、請求項７に記載の水性インクジェットプリンタ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月23日(2019.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変表示を行い、遊技者にとって有利な有利状態に制御可能な遊技機であって、
遊技媒体が進入可能な第１状態と遊技媒体が進入不可能な第２状態とに変化可能な可変手段と、
前記有利状態として、前記可変手段を前記第１状態に変化させる有利状態制御手段と、
前記可変手段に進入した遊技媒体が特定領域を通過したことにもとづいて、通常状態よりも前記有利状態に制御されやすい特別状態に制御する特別状態制御手段と、
未だ開始していない可変表示に関する情報を、保留記憶として記憶する記憶手段と、
前記有利状態において、前記有利状態に制御される保留記憶が前記記憶手段に記憶されていることを報知する報知演出を実行可能な報知演出実行手段と、を備え、
前記有利状態制御手段は、第１有利状態と該第１有利状態よりも遊技者にとって有利な第２有利状態と、に制御可能であり、
前記報知演出実行手段は、
前記特別状態において前記有利状態に制御される保留記憶が前記記憶手段に記憶されているときに、遊技媒体が前記特定領域を通過したタイミングにおいて前記報知演出を実行可能であり、
前記特別状態において前記第１有利状態に制御される保留記憶が前記記憶手段に記憶されているときに前記報知演出を実行しない一方、前記第２有利状態に制御される保留記憶が前記記憶手段に記憶されているときに前記報知演出を実行する、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（手段Ａ）本発明による遊技機は、可変表示を行い、遊技者にとって有利な有利状態に制御可能な遊技機であって、遊技媒体が進入可能な第１状態と遊技媒体が進入不可能な第２状態とに変化可能な可変手段と、前記有利状態として、前記可変手段を前記第１状態に変化させる有利状態制御手段と、前記可変手段に進入した遊技媒体が特定領域を通過したことにもとづいて、通常状態よりも前記有利状態に制御されやすい特別状態に制御する特別状態制御手段と、未だ開始していない可変表示に関する情報を、保留記憶として記憶する記憶手段と、前記有利状態において、前記有利状態に制御される保留記憶が前記記憶手段に記憶されていることを報知する報知演出を実行可能な報知演出実行手段と、を備え、前記有利状態制御手段は、第１有利状態と該第１有利状態よりも遊技者にとって有利な第２有利状態と、に制御可能であり、前記報知演出実行手段は、前記特別状態において前記有利状態に制御される保留記憶が前記記憶手段に記憶されているときに、遊技媒体が前記特定領域を通過したタイミングにおいて前記報知演出を実行可能であり、前記特別状態において前記第１有利状態に制御される保留記憶が前記記憶手段に記憶されているときに前記報知演出を実行しない一方、前記第２有利状態に制御される保留記憶が前記記憶手段に記憶されているときに前記報知演出を実行する、ことを特徴とする。
（手段１）他の態様の遊技機は、可変表示を行い表示結果を導出表示する可変表示装置（例えば、第１特別図柄表示器８ａまたは第２特別図柄表示器８ｂ）に特定表示結果（例えば、大当り図柄）が導出表示されたときに遊技者にとって有利な特定状態（例えば、大当り遊技状態）に制御する遊技機であって、遊技媒体（例えば、遊技球）が進入可能な第１状態（例えば、開放状態）と遊技媒体が進入不可能な第２状態（例えば、閉鎖状態）とに変化する可変入賞装置（例えば、第１特別可変入賞球装置２０ａ、第２特別可変入賞球装置２０ｂ）と、特定状態として、可変入賞装置を第１状態に変化させる特定状態制御手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ１４１０を実行する部分）と、可変入賞装置に進入した遊技媒体が該可変入賞装置内に設けられた特定領域（例えば、第２特別可変入賞球装置２０ｂ内に設けられた確変領域）を通過したことにもとづいて、通常状態（例えば、通常状態）よりも特定状態となりやすい特別状態（例えば、確変状態）に制御する特別状態制御手段（例えば、遊技制御用マイクロコンピュータ５６０におけるステップＳ１６６〜Ｓ１６８を実行する部分）と、可変入賞装置が第２状態であるときに遊技媒体が特定領域を通過したことにもとづいて、通過情報を外部出力する外部出力手段と、を備えることを特徴とする。そのような構成によれば、不正の虞がある特定領域への遊技媒体の通過を外部で認識可能とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月31日(2019.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者が操作する操作手段と、第１位置と、その第１位置とは異なる第２位置との間を動作可能とされる動作手段と、を備える遊技機において、
前記動作手段の動作態様を変化させ、操作に対する前記操作手段の反応の態様を切り替えるための切替手段を備え、
前記動作手段は、
前記操作手段と同期動作させるための同期動作手段と、
前記操作手段と非同期で動作させるための非同期動作手段と、を備え、
前記切替手段は、前記反応の態様の切替を、前記操作手段の非操作時に前記操作手段の配置が操作可能位置で維持された状態で実行可能に構成されることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この目的を達成するために請求項１記載の遊技機は、遊技者が操作する操作手段と、第１位置と、その第１位置とは異なる第２位置との間を動作可能とされる動作手段と、を備える遊技機であって、前記動作手段の動作態様を変化させ、操作に対する前記操作手段の反応の態様を切り替えるための切替手段を備え、前記動作手段は、前記操作手段と同期動作させるための同期動作手段と、前記操作手段と非同期で動作させるための非同期動作手段と、を備え、前記切替手段は、前記反応の態様の切替を、前記操作手段の非操作時に前記操作手段の配置が操作可能位置で維持された状態で実行可能に構成される。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月2日(2019.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トリミングデバイスを使用して、プラスターボードトリミング工程の石膏プラスターボード残余物から入手されるバンドラ屑を供給するステップと；
石膏プラスターボードを生産するために石膏スラリーにバンドラ屑の少なくとも一部を加えるステップと：
を含む、石膏プラスターボードを生産するための方法。
【請求項２】
バンドラ屑の量が、制御され、および／または、規制される
ことを特徴とする、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
バンドラ屑を供給するステップが、残余物を製粉することを含む
ことを特徴とする、
請求項１または２に記載の石膏プラスターボードを生産するための方法。
【請求項４】
バンドラ屑が、飽和プラスターボードの生産工程から入手され、ここで、疎水性剤は、シリコーン油である
ことを特徴とする、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
発泡剤が、石膏スラリーに加えられる
ことを特徴とする、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
いくつかの石膏プラスターボードが、連続的に生産され、ここで、先行するプラスターボードの残余物の少なくとも一部が、生産工程に戻される
ことを特徴とする、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
石膏スラリーに加えられるバンドラ屑の量が、Ｘであり、ここで、０．１ｇ／ｍ２≦Ｘ≦３０ｇ／ｍ２である
ことを特徴とする、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ナフタレンスルホネート系液化剤が石膏スラリーに加えられる
ことを特徴とする、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
トリミングデバイスが、バンドラ鋸である
ことを特徴とする、
請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
化粧しっくい、水およびシリコーン油の混合物を混合するステップと、
該混合物をひとかたまりに形成するステップと、
バンドラ屑を準備するためにかたまりを乾燥させ、および、細かく砕くステップと、を含む、石膏プラスターボードを生産するためのバンドラ屑を準備する方法。
【請求項１１】
石膏スラリーにおけるバンドラ屑の量Ｘが、０．２ｇ／ｍ２≦Ｘ≦１０ｇ／ｍ２である、石膏プラスターボードを生産するための添加物としてのバンドラ屑の使用。
【請求項１２】
トリミングデバイスを使用して、プラスターボードトリミングの石膏プラスターボード残余物から入手されるバンドラ屑を供給するためのデバイスと、
トリミングデバイスと、
石膏プラスターボードを生産するために石膏スラリーにバンドラ屑の少なくとも一部を加えるための手段と、
石膏スラリー内でバンドラ屑の量を制御し、および／または、規制するための制御および／または規制手段と
を含む、石膏プラスターボードを生産するための装置。
【請求項１３】
残余物を製粉するためのミル
を特徴とする、
請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
石膏スラリーに発泡剤および／または液化剤を加えるための手段
を特徴とする、
請求項１２または１３に記載の装置。
【請求項１５】
トリミングデバイスが、バンドラ鋸である
ことを特徴とする、
請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の装置。