【手続補正書】
【提出日】平成31年3月14日(2019.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に突出部が形成された第１の電極端子と、
第２の電極端子と、
前記第１の電極端子と前記第２の電極端子とを導通する導電性粒子を含む異方性導電接着剤層と、を備え、
前記導電性粒子の圧縮前粒子径に対する前記突出部の高さの比は、６０％未満であり、
前記第１の電極端子の開口面積率は５５％以上であり、
前記第２の電極端子の高さは６μｍ以上である、
異方性導電接続構造体。
【請求項２】
前記第２の電極端子の硬度に対する前記第１の電極端子の硬度の比は１０％より大きい、請求項１記載の異方性導電接続構造体。
【請求項３】
前記第１の電極端子の表面には、前記突出部に囲まれた凹部が形成され、
前記第１の電極端子の凹部の短辺長さに対する前記導電性粒子の圧縮前粒子径の比は１０％未満である、請求項１または２記載の異方性導電接続構造体。
【請求項４】
前記第１の電極端子の表面には、前記突出部に囲まれた凹部が形成され、
前記第１の電極端子の凹部に存在する前記導電性粒子の平均占有面積率が２０％未満である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の異方性導電接続構造体。
【請求項５】
前記突出部は、前記第１の電極端子の表面の外縁全周にわたって形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の異方性導電接続構造体。
【請求項６】
前記第１の電極端子は、第１の電子部品に形成されるバンプである、請求項１〜５の何れか１項に記載の異方性導電接続構造体。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載の異方性導電接続構造体の製造方法であって、
第１の電子部品と第２の電子部品とを導電性粒子を含む異方性導電接着剤層を介して熱圧着する工程を含み、
前記異方性導電接続構造体は、
表面に突出部が形成された第１の電極端子と、
第２の電極端子と、
前記第１の電極端子と前記第２の電極端子とを導通する導電性粒子を含む異方性導電接
着剤層と、を備え、
前記導電性粒子の圧縮前粒子径に対する前記突出部の高さの比は、６０％未満であり、
前記第１の電極端子の開口面積率は５５％以上であり、
前記第２の電極端子の高さは６μｍ以上である異方性導電接続構造体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
異方性導電接続構造体１０は、第１の電子部品２０と、第１の電子部品２０上に形成された第１の電極端子２１と、第２の電子部品３０と、第２の電子部品３０上に形成された第２の電極端子３１と、接着剤層４０とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、第１の電極端子２１の表面には、突出部２２によって囲まれる凹部２３（いわゆるディンプル）が形成されている。従来では、このような突出部２２及び凹部２３は、接続不良の原因となると考えられていたことから、なるべく小さくすることが好ましいと考えられていた。しかし、本実施形態では、突出部２２を積極的に活用する。具体的には、突出部２２によって導電性粒子４２を捕捉することで、導電性粒子４２を第１の電極端子２１及び第２の電極端子３１の間に保持することができる。ここで、導電性粒子４２は接着剤層４０に含まれるものである。これにより、本実施形態では、接続抵抗を減少し、かつ、信頼性を高めることができる。具体的には、初期抵抗を低減することができ、かつ、冷熱サイクル試験後の不良率を低減することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
第２の電子部品３０は、例えば電子回路基板である。電子回路基板の種類は特に問われず、ＩＣチップ、各種のリジッド基板（例えば、ガラスエポキシ基板等）、フレキシブル基板などであってもよい。第２の電子部品３０は、例えばフレキシブル基板となる。第２の電子部品３０がフレキシブル基板となる場合、第２の電極端子３１の高さＨ２は後述する要件を満たしやすい。フレキシブル基板の種類も特に制限されず、例えばポリイミド基板であってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
したがって、導電性粒子４２は、接着剤層４０内で第１の電極端子２１同士及び第２の電極端子３１同士の絶縁性を維持しつつ、第１の電極端子２１と第２の電極端子３１とを導通させることができる。すなわち、導電性粒子４２は、接着剤層４０内で第１の電極端子２１と第２の電極端子３１に挟持されることでこれらを導通し、異方性導電接続する。導電性粒子４２はショートしない程度に異方性導電接着剤内に分散していてもよく、個々に独立するように配置されていてもよい。この配置は、各電極端子のサイズや電極端子の配列方向における距離などによって適宜設定されるが、規則的であってもよい。また、導電性粒子４２は、後述する要件を満たす。なお、導電性粒子４２の圧縮前粒子径は、後述する要件が満たされるのであれば特に制限されないが、一例として１〜１０μｍである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
（２−５．要件４）
第２の電極端子３１の硬度に対する第１の電極端子２１の硬度の比（以下、「電極端子の硬度比」とも称する）は１０％より大きいことが好ましい。第１の電極端子２１が第２の電極端子３１よりも柔らかすぎる場合、圧縮時（すなわち、異方性導電接続時）に、第１の電極端子２１が大きく変形するからである。変形量が大きい場合、第１の電極端子２１同士が接触し、ショートする可能性がある。なお、各電極端子の硬度は、例えばビッカース硬度である。電極端子の硬度比は、１５％より大きいことがさらに好ましく、３０％より大きいことがさらに好ましい。電極端子の硬度比の上限値は特に制限されないが、１程度（すなわち、両者の硬度がほぼ一致）であってもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
＜１．実施例１＞
（１−１．第１の電子部品の準備）
第１の電子部品２０として、ＩＣチップを準備した。このＩＣチップには、第１の電極端子２１として複数のバンプが形成されていた。第１の電極端子２１には、高さＨ１＝１．５μｍの突出部２２が形成されていた。また、バンプサイズ（すなわち、第１の電極端子２１の平面形状）は、５０μｍ×５０μｍの正方形状であった。また、開口面積率は７３．９６％であった。したがって、要件２は満たされていた。また、第１の電極端子２１のビッカース硬度は５０Ｈｖであった。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
（１−２．第２の電子部品の準備）
第２の電子部品３０として、フレキシブル基板を準備した。具体的には、厚さ２５μｍのポリイミド基板（新日鐵化学社製ＣＳ１２−２５−００ＣＥ）にＣｕエッチング後、Ｎｉ／Ａｕめっきを施すことで、第２の電極端子３１を形成した。以上の工程により、フレキシブル基板を作製した。Ｎｉ／Ａｕめっきは電解めっき法により行った。第２の電極端子３１の高さＨ２は１２μｍであった。したがって、要件３は満たされていた。また、第２の電極端子３１の幅は５０μｍであった。したがって、第１の電極端子２１と第２の電極端子３１との有効接続面積は１８４９μｍ２であった。ここで、有効接続面積は、第１の電極端子２１の開口面積に対して第２の電極端子３１が占める面積を意味する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
また、第２の電極端子３１のビッカース硬度は１５０Ｈｖであった。したがって、電極端子の硬度比は３３．３％であった。したがって、要件４は満たされていた。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
＜２．実施例２＞
実施例２では、第１の電極端子２１のビッカース硬度を９０Ｈｖとした他は実施例１と同様の処理を行った。実施例２では、電極端子の硬度比は６０％となった。したがって、実施例２でも要件４は満たされていた。異方性導電接続構造体１０の構成及び評価結果を表１にまとめて示す。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
＜３．実施例３＞
実施例３では、第１の電極端子２１のビッカース硬度を２０Ｈｖとした他は実施例１と同様の処理を行った。実施例３では、電極端子の硬度比は１３．３％となった。したがって、実施例３でも要件４は満たされていた。ただし、硬度比が３０％以下となったので、第１の電極端子２１の若干の変形が確認された。異方性導電接続構造体１０の構成及び評価結果を表１にまとめて示す。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
＜４．実施例４＞
実施例４では、第２の電極端子３１のビッカース硬度を５００Ｈｖとした他は実施例１と同様の処理を行った。具体的には、第２の電極端子３１のめっきを無電解めっきで行うことで、上記ビッカース硬度を得た。実施例４では、電極端子の硬度比は１０％となった。したがって、実施例４では要件４は満たされていなかった。このため、圧着後に第１の電極端子２１が大きく変形した。しかし、第１の電極端子２１のピッチを広めにしていたため、ショートは発生しなかった。異方性導電接続構造体１０の構成及び評価結果を表１にまとめて示す。