【事件の表示】
　特願２０１６−５３４４８５「薄型基板およびその製造方法、並びに基板の搬送方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　１月２１日国際公開、ＷＯ２０１６／０１０１０６、請求項の数（２６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１５年（平成２７年）７月１６日（優先権主張　平成２６年７月１６日）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成３０年１１月　５日付け　　　　拒絶理由通知書
　平成３１年　３月　８日　　　　　　意見書、手続補正書の提出
　平成３１年　４月１８日付け　　　　拒絶査定（以下、「原査定」とい
　　　　　　　　　　　　　　　　　　う。）
　令和　元年　７月１８日　　　　　　審判請求書の提出
　令和　２年　５月　７日付け　　　　拒絶理由（以下、「当審拒絶理由
　　　　　　　　　　　　　　　　　　」という。）通知書
　令和　２年　７月１３日　　　　　　意見書、手続補正（以下、「本件補
　　　　　　　　　　　　　　　　　　正」という。）書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし２６に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明２６」という。）は、本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２６に記載された事項により特定される発明であり、以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　表面に電子素子が形成される基板の製造方法であって、
　表面に電子素子が形成される基板の搬送用基板が接合される接合予定面と該基板を搬送するための搬送用基板の接合予定面の少なくとも一方に、無機材料層を形成する形成工程と、
　基板と搬送用基板とを互いに押し付けて、無機材料層を介して基板と搬送用基板とを接合する接合工程と、
　基板と搬送用基板とを剥離する剥離工程と、を備え、
　無機材料層を形成する形成工程が、真空中で行われること、
　基板接合工程の前に、接合強度をコントロールするため、および、接合強度の変化を生じ難くするために、基板と搬送用基板の接合面の少なくとも一方を窒素、アルゴン、またはこれらの混合ガスを含むガス雰囲気中に晒すこと、
　基板と搬送用基板とを接合する接合工程が、バックグラウンド圧力が１×１０−８Ｐａ以上大気圧未満である、真空ないしは減圧雰囲気中で行われること、
を特徴とする製造方法。
　　【請求項２】
　接合工程の前または後、かつ剥離工程の前に、基板上に電子素子を形成する電子素子形成工程、並びに、電子素子を他の基板で封止する封止工程をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
　　【請求項３】
　接合工程の前に、基板か搬送用基板の少なくとも一方の接合面を、所定の運動エネルギーを備える粒子を照射することで活性化させる表面活性化工程をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
　　【請求項４】
　接合工程の前に、無機材料層の表面を、所定の運動エネルギーを備える粒子を照射することで活性化させる表面活性化工程をさらに備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の製造方法。
　　【請求項５】
　接合工程の前に、基板の一部を選択的に表面活性化することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の製造方法。
　　【請求項６】
　接合工程の前に、無機材料層の一部を選択的に表面活性化することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の製造方法。
　　【請求項７】
　異なる種類の複数の無機材料層が形成されることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の製造方法。
　　【請求項８】
　基板がガラスであることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の製造方法。
　　【請求項９】
　基板が有機材料からなるフィルムであることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の製造方法。
　　【請求項１０】
　基板がシリコンまたは化合物半導体からなるウェハーであることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の製造方法。
　　【請求項１１】
　基板が複数の層で構成され、ガラスからなる層を含み、有機材料からなる層を含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の製造方法。
　　【請求項１２】
　基板が、ガラスからなる層と、有機材料からなる層で構成され、有機材料からなる層の側が搬送用基板に接合されることを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
　　【請求項１３】
　基板が複数の層で構成され、シリコンまたは化合物半導体からなる層を含み、有機材料からなる層を含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の製造方法。
　　【請求項１４】
　基板が、シリコンまたは化合物半導体からなる層と、有機材料からなる層で構成され、有機材料からなる層の側が搬送用基板に接合されることを特徴とする請求項１３に記載の製造方法。
　　【請求項１５】
　無機材料層を形成する形成工程の前に、基板の接合予定面に樹脂材料層と基材層とを含むフィルムが設けられることを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載の製造方法。
　　【請求項１６】
　基板の厚みが０．５μｍ以上０．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１から１５のいずれか一項に記載の製造方法。
　　【請求項１７】
　搬送用基板が、厚みが０．１ｍｍ以上１．１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１から１６のいずれか一項に記載の製造方法。
　　【請求項１８】
　基板平面側からの平面視において、基板上に形成される電子素子を囲むように無機材料層が形成されることを特徴とする請求項１から１７のいずれか一項に記載の製造方法。
　　【請求項１９】
　無機材料層が離散的に形成されることを特徴とする請求項１から１７のいずれか一項に記載の製造方法。
　　【請求項２０】
　表面に電子素子が形成される基板の製造方法であって、
　表面に電子素子が形成される基板のフィルムが接合される接合予定面と該基板を搬送するためのフィルムの接合予定面の少なくとも一方に、無機材料層を形成する形成工程と、
　基板とフィルムとを互いに押し付けて、無機材料層を介して基板とフィルムとを接合する接合工程と、を備え、
　無機材料層を形成する形成工程が、真空中で行われること、
　基板接合工程の前に、接合強度をコントロールするため、および、接合強度の変化を生じ難くするために、基板とフィルムの接合面の少なくとも一方を窒素、アルゴン、またはこれらの混合ガスを含むガス雰囲気中に晒すこと、
　基板とフィルムとを接合する接合工程が、バックグラウンド圧力が１×１０−８Ｐａ以上大気圧未満である、真空ないしは減圧雰囲気中で行われること、
　該基板と該フィルムとを含むデバイス基板を製造すること、を特徴とする製造方法。
　　【請求項２１】
　接合工程がロール・ツー・ロール方式で行われることを特徴とする請求項２０に記載の製造方法。
　　【請求項２２】
　接合工程の前または後に、基板上に電子素子を形成する電子素子形成工程、並びに、電子素子を他の基板で封止する封止工程をさらに備えることを特徴とする請求項２０または２１に記載の製造方法。
　　【請求項２３】
　請求項１から２２のいずれか一項に記載の製造方法によって製造される薄型基板。
　　【請求項２４】
　請求項２３に記載の薄型基板の表面に電子素子を形成した電子素子形成基板。
　　【請求項２５】
　表面に電子素子が形成される基板の搬送用基板が接合される接合予定面と該基板を搬送するための搬送用基板の接合予定面の少なくとも一方に、無機材料層を形成する形成工程と、
　基板と搬送用基板とを互いに押し付けて、無機材料層を介して基板と搬送用基板とを接合する接合工程と、
　接合工程で接合した基板と搬送用基板の基板接合体を、基板接合体の基板上に電子素子を形成するために搬送することを含む電子素子形成工程と、
　基板と搬送用基板とを剥離する剥離工程と、を備え、
　無機材料層を形成する形成工程が、真空中で行われること、
　基板接合工程の前に、接合強度をコントロールするため、および、接合強度の変化を生じ難くするために、基板と搬送用基板の接合面の少なくとも一方を窒素、アルゴン、またはこれらの混合ガスを含むガス雰囲気中に晒すこと、
　基板と搬送用基板とを接合する接合工程が、バックグラウンド圧力が１×１０−８Ｐａ以上大気圧未満である、真空ないしは減圧雰囲気中で行われること、
を特徴とする基板の搬送方法。
　　【請求項２６】
　表面に電子素子が形成される基板のフィルムが接合される接合予定面と該基板を搬送するためのフィルムの接合予定面の少なくとも一方に、無機材料層を形成する形成工程と、
　基板とフィルムとを互いに押し付けて、無機材料層を介して基板とフィルムとを接合する接合工程と、
　接合工程で接合した基板とフィルムの基板接合体を、基板接合体の基板上に電子素子を形成するために搬送することを含む電子素子形成工程と、を備え、
　無機材料層を形成する形成工程が、真空中で行われること、
　基板接合工程の前に、接合強度をコントロールするため、および、接合強度の変化を生じ難くするために、基板とフィルムの接合面の少なくとも一方を窒素、アルゴン、またはこれらの混合ガスを含むガス雰囲気中に晒すこと、
　基板とフィルムとを接合する接合工程が、バックグラウンド圧力が１×１０−８Ｐａ以上大気圧未満である、真空ないしは減圧雰囲気中で行われること、
　該基板と該フィルムとを含むデバイス基板を製造すること、を特徴とする基板の搬送方法。」
第３　引用文献の記載及び引用発明
１　引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由及び当審拒絶理由に引用された、国際公開２０１３／１７９８８１号（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（下線は、当審で付した。以下同じ。）。
「技術分野」
「[0001]　本発明は、
ガラス基板を用いて液晶表示体、有機ＥＬ表示体などの電子デバイスを製造する際に使用されるガラス基板と支持基板との積層体であるガラス積層体
の製造方法
[0002]　近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）などの電子デバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行しており、これらの電子デバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。一方、薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、電子デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。
[0003]　そこで、最近では、上記の課題に対応するため、
無機薄膜付き支持ガラスの無機薄膜上にガラス基板を積層した積層体を用意し、積層体のガラス基板上に素子の製造処理を施した後、積層体からガラス基板を分離する方法が提案されている（特許文献１）。この方法によれば、ガラス基板の取扱い性を向上させ、
「[0013]　本発明のガラス積層体においては、支持基板とガラス基板との間にメタルシリサイド、窒化物、炭化物および炭窒化物からなる群から選択される少なくとも１種を含む無機層を介在させることを特徴の一つとする。所定の成分の無機層を介在させることにより、高温条件下におけるガラス基板の支持基板への接着を抑制することができ、所定の処理後において容易にガラス基板を剥離することができる。特に、これらの無機層ではその表面上に水酸基などの量が少なく、加熱処理時においても無機層とその上に積層されるガラス基板との間で化学結合が形成されにくくなるため、結果として高温処理後においても両者を容易に剥離できるようになったと推測される。一方、特許文献１で具体的に記載される金属酸化物の層表面上には多くの水酸基が存在し、加熱処理時にガラス基板との間で数多くの化学結合が形成されてしまい、ガラス基板の剥離性が低下したものと推測される。
　以下においては、まず、ガラス積層体の好適態様について詳述し、その後、このガラス積層体を使用した電子デバイスの製造方法の好適態様について詳述する。
[0014]＜ガラス積層体＞
　図１は、本発明に係るガラス積層体の一実施形態の模式的断面図である。
　図１に示すように、ガラス積層体１０は、支持基板１２および無機層１４からなる無機層付き支持基板１６と、ガラス基板１８とを有する。
ガラス積層体１０中において、無機層付き支持基板１６の無機層１４の第１主面１４ａ（支持基板１２側とは反対側の表面）と、ガラス基板１８の第１主面１８ａとを積層面として、無機層付き支持基板１６とガラス基板１８とが剥離可能に積層している。
[0015]　また、このガラス積層体１０は、後述する部材形成工程まで使用される。即ち、
このガラス積層体１０は、そのガラス基板１８の第２主面１８ｂ表面上に液晶表示装置などの電子デバイス用部材が形成されるまで使用される。
「[0018]［無機層付き支持基板］
　無機層付き支持基板１６は、支持基板１２と、その表面上に配置（固定）される無機層１４とを備える。無機層１４は、後述するガラス基板１８と剥離可能に密着するように、無機層付き支持基板１６中の最外側に配置される。
　以下に、支持基板１２、および、無機層１４の態様について詳述する。
[0019]（支持基板）
　
支持基板１２は、第１主面と第２主面とを有し、第１主面上に配置された無機層１４と協働して、ガラス基板１８を支持して補強し、後述する部材形成工程（電子デバイス用部材を製造する工程）において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板１８の変形、傷付き、破損などを防止する基板である。
　支持基板１２としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、ＳＵＳ板などの金属板などが用いられる。支持基板１２は、部材形成工程が熱処理を伴う場合、ガラス基板１８との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板１８と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基板１２はガラス板であることが好ましい。特に、支持基板１２は、ガラス基板１８と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。
[0020]　支持基板１２の厚さは、後述するガラス基板１８よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、ガラス基板１８の厚さ、無機層１４の厚さ、および後述するガラス積層体１０の厚さに基づいて、支持基板１２の厚さが選択される。例えば、現行の部材形成工程が厚さ０．５ｍｍの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板１８の厚さおよび無機層１４の厚さの和が０．１ｍｍの場合、支持基板１２の厚さを０．４ｍｍとする。支持基板１２の厚さは、通常の場合、０．２〜５．０ｍｍであることが好ましい。
[0021]　支持基板１２がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、０．０８ｍｍ以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。
[0022]　支持基板１２とガラス基板１８との２５〜３００℃における平均線膨張係数（以下、単に「平均線膨張係数」という）の差は、好ましくは５００×１０-7／℃以下であり、より好ましくは３００×１０-7／℃以下であり、さらに好ましくは２００×１０-7／℃以下である。差が大き過ぎると、部材形成工程における加熱冷却時に、ガラス積層体１０が激しく反るおそれがある。ガラス基板１８の材料と支持基板１２の材料が同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができる。
[0023]（無機層）
　
無機層１４は、支持基板１２の主面上に配置（固定）され、ガラス基板１８の第１主面１８ａと接触する層である。無機層１４を支持基板１２上に設けることにより、高温条件下の長時間処理後においても、ガラス基板１８の接着を抑制することができる。
[0024]　
無機層１４は、
窒化物、
を含有する。なかでも、ガラス基板１８の無機層１４に対する剥離性がより優れる点で、
窒化ケイ素、
が好ましい。なかでも、窒化ケイ素
を含むことがより好ましい。上記の成分が好ましい理由としては、
窒化物、
中に含まれる、Ｓｉ、Ｎ
と、それら元素と組み合わされる元素との間の電気陰性度の差の大きさが起因していると推測される。電気陰性度の差が小さいと、分極が小さく、水との反応で水酸基を生成し難いため、ガラス基板の無機層１４に対する剥離性がより良好となる。より具体的には、ＳｉＮにおいてはＳｉ元素とＮ元素との電気陰性度の差が１．１４
である。
ＳｉＮが電気陰性度の差が最も小さく、ガラス基板１８の無機層１４に対する剥離性もより優れる。
　なお、無機層１４には、上記成分が２種以上含まれていてもよい。
[0025]　メタルシリサイドの組成は特に制限されないが、ガラス基板１８の剥離性がより優れる点で、Ｗ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、およびＢａからなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。さらに、上記金属／シリコン元素比を変化させることによって、無機層１４表面のＯＨ基数や表面平坦度を調整し、無機層１４とガラス基板１８との間の密着力の制御もできる。
　また、
窒化物の組成は特に制限されないが、ガラス基板１８の剥離性がより優れる点で、Ｓｉ
を含むことが好ましい。
上記金属／窒素元素比を変化させることによって、無機層１４表面のＯＨ基数や表面平坦度を調整し、無機層１４とガラス基板１８との間の密着力の制御もできる。
　また、炭化物および炭窒化物の組成は特に制限されないが、ガラス基板１８の剥離性がより優れる点で、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ、およびＮｂからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むことが好ましい。さらに、上記金属／炭素元素比を変化させることによって、無機層１４表面のＯＨ基数や表面平坦度を調整し、無機層１４とガラス基板１８との間の密着力の制御もできる。」
「[0034]（無機層付き支持基板の製造方法）
　
無機層付き支持基板１６の製造方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。例えば、蒸着法、スパッタリング法、または、ＣＶＤ法により、支持基板１２上に所定の成分からなる無機層１４を設ける
　製造条件は、使用される材料に応じて、適宜最適な条件が選択される。
　なお、必要に応じて、支持基板１２上に形成された無機層１４の表面性状（例えば、表面粗さＲａ）を制御するために、無機層１４の表面を削る処理を施してもよい。該処理としては、例えば、イオンスパッタリング法などが挙げられる。
[0035]［ガラス基板］
　
ガラス基板１８は、第１主面１８ａが無機層１４と密着し、無機層１４側とは反対側の第２主面１８ｂに後述する電子デバイス用部材が設けられる。
　ガラス基板１８の種類は、一般的なものであってよく、例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板１８は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、ＪＩＳ　Ｒ　３１０２（１９９５年改正）に規定されている線膨張係数が用いられる。」
「[0039]　ガラス基板１８の厚さは、特に限定されないが、ガラス基板１８の薄型化および／または軽量化の観点から、通常０．８ｍｍ以下であり、好ましくは０．３ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．１５ｍｍ以下である。０．８ｍｍ超の場合、ガラス基板１８の薄型化および／または軽量化の要求を満たせない。０．３ｍｍ以下の場合、ガラス基板１８に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。０．１５ｍｍ以下の場合、ガラス基板１８をロール状に巻き取ることが可能である。また、ガラス基板１８の厚さは、ガラス基板１８の製造が容易であること、ガラス基板１８の取り扱いが容易であることなどの理由から、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。
[0040]　なお、ガラス基板１８は２層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
[0041]　ガラス基板１８の第１主面１８ａ上には、さらに無機薄膜層が積層されていてもよい。
　無機薄膜層がガラス基板１８上に配置（固定）される場合、ガラス積層体中においては、無機層付き支持基板１６の無機層１４と無機薄膜層とが接触する。無機薄膜層をガラス基板１８上に設けることにより、高温条件下の長時間処理後においても、ガラス基板１８と無機層付き支持基板１６との接着をより抑制することができる。
　無機薄膜層の態様は特に限定されないが、好ましくは、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物、金属炭化物、金属炭窒化物、金属珪化物および金属弗化物からなる群から選ばれる少なくとも１つを含む。なかでも、ガラス基板１８の剥離性がより優れる点で、金属酸化物を含むことが好ましい。なかでも、酸化インジウムスズがより好ましい。」
「[0044]＜ガラス積層体およびその製造方法＞
　本発明のガラス積層体１０は、上述した無機層付き支持基板１６において無機層１４の第１主面１４ａとガラス基板１８の第１主面１８ａとを積層面として、無機層付き支持基板１６とガラス基板１８とを剥離可能に積層してなる積層体である。言い換えると、支持基板１２とガラス基板１８との間に、無機層１４が介在する積層体である。
　本発明のガラス積層体１０の製造方法は特に制限されないが、具体的には、常圧環境下で無機層付き支持基板１６とガラス基板１８とを重ねた後、ロールやプレスを用いて圧着させる方法が挙げられる。ロールやプレスで圧着することにより無機層付き支持基板１６とガラス基板１８とがより密着するので好ましい。また、ロールまたはプレスによる圧着により、無機層付き支持基板１６とガラス基板１８との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
[0045]　
真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が好ましく行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。
[0046]　無機層付き支持基板１６とガラス基板１８とを剥離可能に密着させる際には、無機層１４およびガラス基板１８の互いに接触する側の面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。クリーン度が高いほどその平坦性は良好となるので好ましい。
　洗浄の方法は特に制限されないが、例えば、無機層１４またはガラス基板１８の表面をアルカリ水溶液で洗浄した後、さらに水を用いて洗浄する方法が挙げられる。
[0047]　本発明のガラス積層体１０は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、ＰＶ、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、ガラス積層体１０が高温条件（例えば、３５０℃以上）で曝される（例えば、１時間以上）場合が多い。 　ここで、表示装置用パネルとは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）シャッターパネル等が含まれる。
[0048]＜電子デバイスおよびその製造方法＞
　次に、電子デバイスおよびその製造方法の好適実施態様について詳述する。
　図２は、本発明の電子デバイスの製造方法の好適実施態様における各製造工程を順に示す模式的断面図である。本発明の電子デバイスの好適実施態様は、部材形成工程および分離工程を備える。
　以下に、図２を参照しながら、各工程で使用される材料およびその手順について詳述する。まず、部材形成工程について詳述する。
[0049]［部材形成工程］
　部材形成工程は、ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成する工程である。
　より具体的には、図２（Ａ）に示すように、本工程において、ガラス基板１８の第２主面１８ｂ上に電子デバイス用部材２０が形成され、電子デバイス用部材付き積層体２２が製造される。
　まず、本工程で使用される電子デバイス用部材２０について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
[0050]（電子デバイス用部材（機能性素子））
　電子デバイス用部材２０は、ガラス積層体１０中のガラス基板１８の第２主面１８ｂ上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材２０としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材が挙げられる。表示装置用パネルとしては、有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル等が含まれる。
[0051]　例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、ｐ層／ｉ層／ｎ層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
　また、薄膜２次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
　また、電子部品用部材としては、ＣＣＤやＣＭＯＳでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。」
「[0057]［分離工程］
　分離工程は、上記部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体２２から無機層付き支持基板１６を剥離して、電子デバイス用部材２０およびガラス基板１８を含む電子デバイス２４（電子デバイス用部材付きガラス基板）を得る工程である。つまり、
電子デバイス用部材付き積層体２２を、無機層付き支持基板１６と電子デバイス用部材付きガラス基板２４とに分離する工程
　剥離時のガラス基板１８上の電子デバイス用部材２０が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板１８上に形成することもできる。」
　上記記載から、引用文献１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「ガラス基板１８の第２主面１８ｂ表面上に液晶表示装置などの電子デバイス用部材が形成されたガラス基板１８の製造方法であって、
　ガラス基板１８の取扱い性を向上させるために、支持基板１２上に、表面のOH基数や表面平坦度を調整した窒化珪素からなり、ガラス基板１８の第１主面１８ａと接触する層である無機層１４を蒸着法、スパッタリング法、または、ＣＶＤ法により設け、
　無機層付き支持基板１６とガラス基板１８を、気泡の混入の抑制を目的として、真空ラミネート法や真空プレス法により圧着しガラス積層体１０を製造し、
　ガラス積層体１０のガラス基板１８の第２主面１８ｂ上に電子デバイス用部材を形成し、
　電子デバイス用部材付き積層体１０から無機層付き支持基板１６を剥離する、
　電子デバイス用部材が形成されたガラス基板１８の製造方法。」
２　引用文献２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、国際公開２０１４／０８４２１７号（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
「技術分野
[0001]　本発明は、常温接合デバイス、常温接合デバイスを有するウェハおよび常温接合方法に関する。」
「[0019]　図３Ａは、本実施の形態に係る第１の常温接合方法の概要を示す模式図である。第１の常温接合方法では、図３Ａ（ａ）に示すように、
真空中に配置した接合対象の材料Ａおよび材料Ｂの表面に、イオンビームや原子ビームに代表される不活性元素の高速粒子ビームを照射する。その高速粒子ビームの粒子の衝突に応じて、材料Ａおよび材料Ｂの表面から酸化膜層や不純物層がスパッタされて除去される。これにより材料Ａおよび材料Ｂの表面は活性化し、それら表面にダングリングボンドと呼ばれる表面原子の結合手が現れる。
３　引用文献３の記載
　原査定の拒絶の理由及び当審拒絶理由に引用された、特開２０１３−８９９２２号公報（以下、「引用文献３」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置、当該剥離装置を備えた剥離システム、当該剥離装置を用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
　近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理すると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、例えば
ウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。
「【発明を実施するための形態】
【００２８】
　以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。
【００２９】
　剥離システム１では、図２に示すように
被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。
「【０１００】
　
この重合ウェハＴは、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの外周部のみを接着して接合させたものであってもよい。この場合、例えば支持ウェハＳの表面の外周部が被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇと接着して接合されるように形成されており、支持ウェハＳの表面の中心部が接着剤Ｇと接着されないように形成されている。
重合ウェハＴは、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの外周部の接着力が中心部の接着力よりも大きくなるように接着して接合されたものであってもよい。この場合、例えば被処理ウェハＷと支持ウェハＳの外周部には接着力の強い接着剤が用いられ、中心部には接着力の弱い接着剤が用いられる。
４　引用文献４の記載
　原査定の拒絶の理由及び当審拒絶理由に引用された、特開２０１３−１３５１８１号公報（以下、「引用文献４」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、フレキシブルデバイスの製造方法に関する。
【０００２】
　最近では、耐衝撃性や柔軟性にも優れるディスプレイの需要が高まりつつある。そこで、ディスプレイを構成している現行のガラス基板に代えて、フレキシブルフィルムを用いることが検討されている。
　しかしながら、フレキシブルフィルム上に電子素子を形成する際には、基材であるフレキシブルフィルムには平坦性が要求されるところ、フレキシブルフィルムはその撓みや反りによって平坦性を確保することが難しい。そのため、
フレキシブルフィルム上に電子素子を形成する場合には、支持基板上にフレキシブルフィルムを固定することにより、フレキシブルフィルムの平坦性を確保するという方法が採られている
「【００１６】
　≪実施の態様≫
　［フレキシブルデバイス］
　図１はフレキシブルデバイス１０の構造を示す模式断面図である。
　フレキシブルデバイス１０は、フレキシブルフィルム１１、当該フレキシブルフィルム１１の上に形成された電子素子１２を備える。
【００１７】
　フレキシブルフィルム１１は、可撓性を有する材料からなるフィルムである。
フレキシブルフィルム１１に用いることが可能な材料としては、例えば、ポリイミド、ポリイミドベンゾオキサゾール、ポリイミドベンゾイミダゾールのほかにポリイミドを単位構造として含む共重合体、ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレン、エチレン−プロピレン共重合体，エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体、ブタジエン−スチレン共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン等が挙げられる。
５　引用文献５の記載
　原査定の拒絶の理由及び当審拒絶理由に引用された、特開２０１４−１１３６８７号公報（以下、「引用文献５」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、薄ガラス積層体に関する。
【背景技術】
【０００２】
　近年、搬送性、収納性およびデザイン性等の観点から、表示装置、照明装置および太陽電池の軽量、薄型化が進んでいる。また、これらの装置に用いられるフィルム状の部材を、ロール・ツー・ロールプロセスにより、連続生産することも行われている。例えば、ロール・ツー・ロールプロセスにより加工または処理することが可能な可撓性材料として、薄ガラスが多用される（例えば、特許文献１、２）。
【０００３】
　薄ガラスは非常に脆いため、加工または処理する際に破損しやすく、破損により生じたガラス片が装置を汚染するという問題がある。
薄ガラスの破損を防止するため、また、破損した場合にも装置が汚染されることを防止するため、薄ガラスの表面に保護フィルムを貼着する方法が知られている
「【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜薄ガラス積層体の全体構成＞
　図１は、本発明の好ましい実施形態による薄ガラス積層体の概略断面図である。この薄ガラス積層体１００は、長尺状の薄ガラス１０と、薄ガラス１０の片面に貼着された保護フィルム２０とを備える。保護フィルム２０の幅は、薄ガラス１０の幅よりも狭い。また、薄ガラス１０は、幅方向の両端部において、保護フィルム２０の幅方向両端部から外側に延びる露出部１１、１１’を有する。すなわち、保護フィルム２０の幅方向の両端は、薄ガラス１０の幅方向の両端よりも内側にある。好ましくは、保護フィルム２０は、任意の適切な基材２１と粘着層２２とを有し、該粘着層２２を介して薄ガラス１０に貼着されている。保護フィルム２０は、薄ガラス１０の片面にのみ貼着されていてもよく、両面に貼着されていてもよい（図示例では片面）。
【００１０】
　実用的には、薄ガラス積層体はロール状に巻き取られた状態で提供され得る。ロール状の薄ガラス積層体は、ロール・ツー・ロールプロセスによる加工または処理に供され得る。加工または処理の後、上記保護フィルムは、必要に応じて剥離される。したがって、上記保護フィルムは剥離可能に薄ガラスに貼着されることが好ましい。なお、本明細書において、巻回された薄ガラス積層体を、加工・処理装置に備えられる加工ロール（例えば、搬送ロール、加熱ロール）と区別して、単にロールと称する。
【００１１】
　上記のように、保護フィルムの幅方向の最端部が薄ガラスの内側にあるようにして、薄ガラスと保護フィルムとを貼着することにより、ロール・ツー・ロールプロセスにおいて、薄ガラス自体を斜行および蛇行なく搬送し巻き取ることができる。より詳細には、本発明の薄ガラス積層体は、幅方向の端部が薄ガラスのみから構成されているため、エッジ検出器を用いて薄ガラス積層体の斜行および蛇行を矯正する場合に、該エッジ検出器は、薄ガラス自体の最端部を検出することができる。その結果、薄ガラス自体の最端部を基準として斜行および蛇行を矯正することができ、薄ガラスと保護フィルムとが厳密に平行でなくとも、薄ガラス自体は巻きずれが生じず精度よく巻き取られ得る。このような薄ガラス積層体は、巻き取り時において、薄ガラスの破損が防止される。また、薄ガラス自体の斜行および蛇行を矯正することができるため、薄ガラス積層体の薄ガラスに他の部材（例えば、樹脂フィルム）をロール・ツー・ロールプロセスにより積層する場合にも、精度よく積層体を得ることができる。さらに、本発明の薄ガラス積層体は、保護フィルムが薄ガラスからはみ出すことがないため、粘着性の保護フィルムを片面にのみ貼着させたとしても、保護フィルムが加工ロールに付着することがなく、加工または処理中の薄ガラスの破損が防止される。さらに、本発明の薄ガラス積層体は、このように片面を露出させ得るので、両面を保護した薄ガラスよりも多様な加工または処理（例えば、樹脂の塗工、樹脂フィルムの積層、スパッタリング、フォトレジスト）に供され得る。
【００１２】
　上記保護フィルムの幅方向の両端が上記薄ガラスの幅方向の両端よりも内側にある限りにおいて、薄ガラスの露出部の幅（図１における幅ａ、ａ’）は、長さ方向に一定であってもよく、一定でなくてもよい。本発明によれば、該露出部の幅が一定ではない場合（例えば、保護フィルムと薄ガラスとが厳密に平行ではない場合）であっても、エッジ検出器を用いて薄ガラス自体を斜行および蛇行させることなく巻き取り得る薄ガラス積層体を提供することができる。また、該露出部の幅は、幅方向で同じであってもよく、異なっていてもよい。上記薄ガラスの露出部の幅は、好ましくは１ｍｍ以上であり、より好ましくは３ｍｍ以上であり、さらに好ましくは５ｍｍ以上である。薄ガラスがこのような範囲の幅を有していることにより、加工または処理が終了して保護フィルムを剥離する際に、薄ガラス端部にかかる負荷を低減して、薄ガラスの破損を防止することができる。
【００１３】
　ロール状に巻き取られた薄ガラス積層体は、好ましくはロール側面、すなわち幅方向に露出した薄ガラスが保護材により保護される。さらに好ましくは、上記保護材は、ロールの表面の幅方向端部をさらに保護する。保護材としては、幅方向に露出した薄ガラスを保護し得る限り、任意の適切な保護材が用いられ得る。保護材としては、例えば、樹脂製板、木製板、金属製板、紙製板等から構成される円盤状または円周縁壁を有する円盤状の保護材が用いられ得る。」
「【００２６】
＜薄ガラス積層体の製造方法＞
　本発明の薄ガラス積層体は、
上記薄ガラスと上記保護フィルムとを任意の適切な方法により積層して製造することができる。例えば、ラミネートロール等を用いてロール・ツー・ロールプロセスにより積層することができる。
６　引用文献６の記載
　原査定の拒絶の理由及び当審拒絶理由に引用された、国際公開２０１３／１５４１０７号（以下、「引用文献６」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
「技術分野
[0001]　本願発明は、有機系接着剤を用いることなく、高分子フィルムを接合する技術に関する。」
「[0067]　真空チャンバ内のプロセス開始前の真空度を、１×１０−５パスカル（Ｐａ）以下とした。上記の無機材料層の形成から、表面活性化処理を経て、接合までの工程を、真空を破らずに行った。」
「[0084]＜２．　第二の実施形態＞
　図９は、第一の実施形態に係る
高分子フィルム同士の接合をより効率的に行うための、所謂ロールトゥロール方式
７　引用文献７の記載
　当審拒絶理由に引用された、国際公開２０１４／０８０８７４号（以下、「引用文献７」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている
「技術分野
[0001]　本発明は、絶縁膜を介した
支持基板と半導体基板との貼り合わせ法
「[0028]　次に、塗膜４ａを６００℃以上１２００℃以下で加熱する焼成処理を行い、塗膜４ａのポリシラザンをＳｉＯ2 又は
ＳｉＮに転化させて絶縁膜４とする
「[0030]　ポリシラザンをＳｉＮに転化する場合は、窒素を含む不活性雰囲気又は減圧真空下で６００℃以上１２００℃以下の加熱温度、好ましくは減圧真空下８００℃以上１０００℃以下の加熱温度で焼成処理を行う。加熱温度６００℃未満では、ＳｉＮへの転化は進行しない。また、加熱温度が高いほど、絶縁膜４の表面粗さが改善される傾向にあるが、１２００℃超ではＳｉＮが分解してしまう。」
「[0036]（工程３：半導体基板及び／又は支持基板の表面活性化処理工程）
　
貼り合わせの前に、半導体基板１のイオン注入された表面と、支持基板３上の絶縁膜４表面との双方もしくは片方に表面活性化処理を施す。
[0037]　
表面活性化処理は、基板表面に反応性の高い未結合手（ダングリングボンド）を露出させること、又はその未結合手にＯＨ基が付与されることで活性化を図るものであり、例えばプラズマ処理
による処理により行われる。
[0038]　
プラズマで処理をする場合、例えば、真空チャンバ中に半導体基板１及び／又は支持基板３を載置し、プラズマ用ガスを導入した後、１００Ｗ程度の高周波プラズマに５〜１０秒程度さらし、表面をプラズマ処理する。プラズマ用ガスとしては、半導体基板１を処理する場合、
アルゴンガス、又はこれらの混合ガス
支持基板３上の絶縁膜４を処理する場合は、
アルゴンガス、又はこれらの混合ガス
を用いる。この処理により、半導体基板１の表面の有機物が酸化して除去され、更に表面のＯＨ基が増加し、活性化する。
支持基板３（絶縁膜４）の表面の不純物が除去され、活性化する。
第４　対比
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明を対比すると、以下のとおりとなる。
ア　引用発明の「電子デバイス用部材」、「電子デバイス用部材が形成されたガラス基板１８」、「支持基板１６」、「無機層１４」は、それぞれ本願発明１の「電子素子」、「表面に電子素子が形成される基板」、「搬送用基板」、「無機材料層」に相当する。
イ　引用発明は、ガラス基板１８の取扱い性を向上させるために、支持基板１２上に、表面のOH基数や表面平坦度を調整した窒化珪素からなり、ガラス基板１８の第１主面１８ａと接触する層である無機層１４を蒸着法、スパッタリング法、または、ＣＶＤ法により設けており、この無機層１４を設けることは、本願発明１の「表面に電子素子が形成される基板の搬送用基板が接合される接合予定面と該基板を搬送するための搬送用基板の接合予定面の少なくとも一方に、無機材料層を形成する形成工程」に相当する。
ウ　引用発明の「無機層付き支持基板１６とガラス基板１８を、気泡の混入の抑制を目的として、真空ラミネート法や真空プレス法により圧着しガラス積層体１０を製造」することは、本願発明１の「基板と搬送用基板とを互いに押し付けて、無機材料層を介して基板と搬送用基板とを接合する接合工程」に相当する。また、本願発明１の「基板と搬送用基板とを接合する接合工程が、バックグラウンド圧力が１×１０−８Ｐａ以上大気圧未満である、真空ないしは減圧雰囲気中で行われること」から、引用発明と本願発明１とは、「基板と搬送用基板とを接合する接合工程が、真空中で行われる」点で一致する。
エ　引用発明の「電子デバイス用部材付き積層体１０から無機層付き支持基板１６を剥離する」ことは、本願発明１の「基板と搬送用基板とを剥離する剥離工程」に相当する。
オ　そうすると、本願発明１と引用発明とは、以下の点で一致し、また相違する。
［一致点］
「表面に電子素子が形成される基板の製造方法であって、
　表面に電子素子が形成される基板の搬送用基板が接合される接合予定面と該基板を搬送するための搬送用基板の接合予定面の少なくとも一方に、無機材料層を形成する形成工程と、
　基板と搬送用基板とを互いに押し付けて、無機材料層を介して基板と搬送用基板とを接合する接合工程と、
　基板と搬送用基板とを剥離する剥離工程と、を備え、
　基板と搬送用基板とを接合する接合工程が、真空中で行われること、
を特徴とする製造方法。」
［相違点１］
　本願発明１は、「無機材料層を形成する形成工程が、真空中で行われ」ているのに対して、引用発明は、真空中で行うとの明記がない点。
［相違点２］
　本願発明１が「基板接合工程の前に、接合強度をコントロールするため、および、接合強度の変化を生じ難くするために、基板と搬送用基板の接合面の少なくとも一方を窒素、アルゴン、またはこれらの混合ガスを含むガス雰囲気中に晒」しているのに対して、引用発明は対応する工程の明記がない点。
［相違点３］
　基板と搬送用基板とを接合する接合工程が、真空中で行われる点について、本願発明１が「基板と搬送用基板とを接合する接合工程が、バックグラウンド圧力が１×１０−８Ｐａ以上大気圧未満である、真空ないしは減圧雰囲気中で行われ」ているのに対して、引用発明の真空ラミネート法や真空プレス法がどのようなバックグラウンド圧力で行われているのか明記がない点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑みて、上記相違点２について先に検討する。
　相違点２に係る「基板接合工程の前に、接合強度をコントロールするため、および、接合強度の変化を生じ難くするために、基板と搬送用基板の接合面の少なくとも一方を窒素、アルゴン、またはこれらの混合ガスを含むガス雰囲気中に晒」すことは、上記引用文献２ないし７には記載されておらず、本願優先日前において周知技術であるともいえない。
　したがって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用発明及び引用文献２ないし７に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
２　本願発明２ないし１９及び２０ないし２２について
　本願発明２ないし１９及び２０ないし２２も、本願発明１の「基板接合工程の前に、接合強度をコントロールするため、および、接合強度の変化を生じ難くするために、基板と搬送用基板の接合面の少なくとも一方を窒素、アルゴン、またはこれらの混合ガスを含むガス雰囲気中に晒」すことと同様の工程を備える製造方法であるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明及び引用文献２ないし７に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
３　本願発明２３及び２４について
　本願発明２３及び２４は、それぞれ請求項１ないし２２に記載された製造方法により製造された薄型基板及びその薄型基板の表面に電子素子を形成した電子素子形成基板であるから、本願発明１の「基板接合工程の前に、接合強度をコントロールするため、および、接合強度の変化を生じ難くするために、基板と搬送用基板の接合面の少なくとも一方を窒素、アルゴン、またはこれらの混合ガスを含むガス雰囲気中に晒」すことにより、接合強度をコントロールし、および、接合強度の変化を生じ難くしているから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明及び引用文献２ないし７に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
４　本願発明２５及び２６について
　本願発明２５及び２６は、それぞれ本願発明１の「基板接合工程の前に、接合強度をコントロールするため、および、接合強度の変化を生じ難くするために、基板と搬送用基板の接合面の少なくとも一方を窒素、アルゴン、またはこれらの混合ガスを含むガス雰囲気中に晒」すこと同様の工程を備える基板の搬送方法であるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明及び引用文献２５及び２６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第５　原査定の概要及び原査定の判断
　原査定は、請求項１ないし３０について上記引用文献１ないし６に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。しかしながら、本件補正により請求項１ないし２６は、それぞれ「基板接合工程の前に、接合強度をコントロールするため、および、接合強度の変化を生じ難くするために、基板と搬送用基板の接合面の少なくとも一方を窒素、アルゴン、またはこれらの混合ガスを含むガス雰囲気中に晒」すこと、または、「基板接合工程の前に、接合強度をコントロールするため、および、接合強度の変化を生じ難くするために、基板と搬送用基板の接合面の少なくとも一方を窒素、アルゴン、またはこれらの混合ガスを含むガス雰囲気中に晒」すことにより生じる、接合強度をコントロールし、および、接合強度の変化を生じ難くしているから、上記第４のとおり、本願発明１ないし２６は、原査定で引用した引用文献１ないし６に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。したがって、原査定を維持することはできない。
第６　当審拒絶理由について
１　特許法第３６条第６項第２号について
（１）当審では、請求項２４の「不活性ガス」が、請求項１及び２０に記載された「不活性ガス」と同じ「不活性ガス」を意味するのか、異なる「不活性ガス」を意味するのか、不明であるとの拒絶の理由を通知しているが、本件補正により請求項２４を削除すると共に、請求項１及び２０に「基板と搬送用基板の接合面の少なくとも一方を窒素、アルゴン、またはこれらの混合ガスを含むガス雰囲気中に晒すこと、基板と搬送用基板とを接合する接合工程が、バックグラウンド圧力が１×１０−８Ｐａ以上大気圧未満である、真空ないしは減圧雰囲気中で行われること」との限定を加えた結果、この拒絶の理由は解消した。
（２）当審では、請求項２５の「不活性ガス」が、請求項２４に記載された「不活性ガス」を意味するのか、請求項１及び２０に記載された「不活性ガス」を意味するのか、不明であるとの拒絶の理由を通知しているが、本件補正により請求項２５を削除した結果、この拒絶の理由は解消した。
（３）当審では、請求項２９及び３０に記載された「基板の搬送方法」が、基板の搬送工程を特定していないために、請求項２９及び３０に記載された発明が「基板の搬送方法」であることが明確でないとの拒絶の理由を通知しているが、本件補正により対応する請求項２５及び２６に、それぞれ「接合工程で接合した基板と搬送用基板の基板接合体を、基板接合体の基板上に電子素子を形成するために搬送することを含む電子素子形成工程」及び「接合工程で接合した基板とフィルムの基板接合体を、基板接合体の基板上に電子素子を形成するために搬送することを含む電子素子形成工程」を付加した結果、これらの拒絶の理由は解消した。
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明１ないし２６は、当業者が引用発明及び引用文献２ないし７に記載された技術に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。