Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月23日(2019.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器の動きを検出する動き検出手段と、
物体の近接を検出する近接検出手段と、
接眼部に接眼して視認可能な表示手段と、
前記近接検出手段の近接検出情報が閾値より近い距離に対応する場合に前記表示手段の表示を開始するように制御する制御手段であって、前記動き検出手段が第１の動きを検出した場合に、前記閾値をより遠い距離に対応する値に変更する制御手段と
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記第１の動きは、前記接眼部にユーザが接眼するために前記電子機器を動かす動きである請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記第１の動きは、鉛直方向又は水平方向の所定変化量以上の動きであることを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記制御手段は、前記第１の動きを検出してから所定時間が経過するまでに前記近接検出手段が近接を検出しなかった場合に、前記閾値を変更前の値に戻すように制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記制御手段は、前記動き検出手段が前記第１の動きとは異なる第２の動きを検出した場合に、前記近接検出手段の検出動作を停止するか、前記近接検出手段の検出結果に応じた前記表示手段の表示の制御を停止することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記制御手段は、前記表示手段の表示を行っている際に、前記近接検出手段の近接検出情報が閾値より遠い距離を示した場合に前記表示手段の表示を終了するように制御し、
前記表示手段の表示を終了させるための前記閾値は、前記動き検出手段で前記第１の動きを検出したか否かに関わらない閾値であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項７】
電子機器の動きを検出する動き検出手段と
物体の近接を検出する近接検出手段と、
接眼部に接眼して視認可能な表示手段と、
前記近接検出手段の近接検出情報が閾値より近い距離に対応する場合に前記表示手段の表示を開始するように制御する制御手段であって、前記動き検出手段が第２の動きを検出した場合に、前記近接検出手段の検出動作を停止するか、前記近接検出手段の検出結果に応じた前記表示手段の表示の制御を停止する制御手段と
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項８】
前記第２の動きは、前記電子機器を持ったユーザが歩行している際の前記電子機器の動きであることを特徴とする請求項５または７に記載の電子機器。
【請求項９】
前記第２の動きは、鉛直方向又は水平方向の周期的な動きであることを特徴とする請求項５、７、８のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記動き検出手段が前記第２の動きを検出すると、省電力モードに移行するまでの無操作時間の閾値を短くすることを特徴とする請求項５、７乃至９のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１１】
前記制御手段は、前記近接検出手段の検出動作の停止または前記近接検出手段の検出結果に応じた前記表示手段の表示の制御停止の後、ユーザの操作があると、前記近接検出手段の動作を再開するか、前記近接検出手段での検出結果に応じた前記表示手段の表示の制御を再開することを特徴とする請求項５、７乃至１０のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１２】
前記制御手段は、前記近接検出手段の検出動作の停止または前記近接検出手段の検出結果に応じた前記表示手段の表示の制御停止の後、前記動き検出手段が前記第１の動きを検出すると、前記近接検出手段の動作を再開するか、前記近接検出手段での検出結果に応じた前記表示手段の表示の制御を再開することを特徴とする請求項５、７乃至１１のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１３】
前記表示手段と異なる、接眼せずに視認可能な第２の表示手段をさらに有し、
前記制御手段は、前記近接検出手段で近接を検出したことに応じて前記第２の表示手段から前記表示手段に表示を切り替え、前記近接検出手段で近接を検出しなくなったことに応じて前記表示手段から前記第２の表示手段に表示を切り替える
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１４】
撮像手段を有する撮像装置であることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１５】
動きを検出する動き検出手段と、
物体の近接を検出する近接検出手段と、
接眼部に接眼して視認することが可能な表示手段
とを有する電子機器の制御方法であって、
前記近接検出手段の近接検出情報が閾値より近い距離に対応する場合に前記表示手段の表示を開始するように制御する制御ステップと、
前記動き検出手段が第１の動きを検出した場合に、前記閾値をより遠い距離に対応する値に変更するステップ
とを有することを特徴とする電子機器の制御方法。
【請求項１６】
動きを検出する動き検出手段と、
物体の近接を検出する近接検出手段と、
接眼部に接眼して視認可能な表示手段
とを有する電子機器の制御方法であって、
前記近接検出手段の近接検出情報が閾値より近い距離に対応する場合に前記表示手段の表示を開始するように制御する制御ステップと、
前記動き検出手段が第２の動きを検出した場合に、前記近接検出手段の検出動作を停止するか、前記近接検出手段の検出結果に応じた前記表示手段の表示の制御を停止するステップ
とを有することを特徴とする電子機器の制御方法。
【請求項１７】
コンピュータを、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載された電子機器の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１８】
コンピュータを、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載された電子機器の各手段として機能させるためのプログラムを格納したコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る電子機器は、
電子機器の動きを検出する動き検出手段と、
物体の近接を検出する近接検出手段と、
接眼部に接眼して視認可能な表示手段と、
前記近接検出手段の近接検出情報が閾値より近い距離に対応する場合に前記表示手段の表示を開始するように制御する制御手段であって、前記動き検出手段が第１の動きを検出した場合に、前記閾値をより遠い距離に対応する値に変更する制御手段と
を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月3日(2019.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
行列状に配置された複数の画素からなる画素部と、前記画素部を列方向に分割した複数の領域から並行に読み出された信号に、並行に予め決められた処理を行って出力する複数の出力手段とを有する撮像装置の制御方法であって、
制御手段による駆動制御により、前記画素部の予め決められた行の各画素から、予め決められた電圧に対応する補正用信号を前記出力手段に読み出す工程と、
補正手段が、前記複数の領域の各領域について、前記複数の出力手段を介して出力された前記補正用信号の列間の差を補正するゲインデータを生成する工程と、
前記制御手段による駆動制御により、前記画素部から画像信号を前記複数の出力手段に読み出す工程と、
前記補正手段が、前記生成されたゲインデータにより、前記複数の出力手段を介して出力された対応する前記複数の領域それぞれの前記画像信号を補正する工程と、を有し、
前記予め決められた行は、前記各領域における分割境界の行を含む一部の行であることを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
時刻ｔ２までの間に列回路ＣＯＬａｑ，ＣＯＬｂｑ内の蓄積部Ｃａｐからの読み出し制御用トランジスタＳＨをＯＮ−ＯＦＦし、基準電圧Ｎを増幅した電圧（基準レベルＮ）をＡＤ変換回路ＡＤａｑ，ＡＤｂｑに伝達するべき電圧として確定する。そして、時刻ｔ２においてＲＡＭＰ信号を発生し、基準レベルＮと等しくなるまでの経過時間をカウンタ回路Ｃｎｔでカウントすることで、基準レベルＮのＡＤ変換を行う。時刻ｔ２では、基準レベルＮ＜ＲＡＭＰであるので、比較器Ｃｏｍｐの出力端子はＨｉとなっている。カウンタ回路Ｃｎｔはこの比較器Ｃｏｍｐの出力をＥｎａｂｌｅ信号として動作する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
Ｓ５０６において、これら列毎の平均値を統合して全列の平均値ＡＶＥsvmで除算することにより補正用の画素列毎のゲインデータを生成する。このようにして画素列毎のゲインデータを生成する理由は以下の通りである。すなわち、補正値取得データには、全列の平均値ＡＶＥsvmに対し、例えば増幅回路Ａｍｐの列毎のゲイン差分や比較器Ｃｏｍｐを構成するトランジスタの閾値ばらつきに起因する列毎のゲイン差が含まれている。更に、転送ノードと各分割された垂直信号線ＶＬとの間のカップリング容量に起因する列毎のゲイン差等も含まれている。従って、平均値ＡＶＥsvmで各画素列の補正値取得データを除算することで、画素列毎のゲインデータを得ることができる。特に全列の平均値ＡＶＥsvmを、垂直信号線ＶＬａｑ，ＶＬｂｑのいずれかを経由した全列の補正値取得データから求めることで、同じ中間電圧ＶＭが入力された場合のａ領域とｂ領域の信号差を、各列毎に同一に合わせることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
例えば、上記第１〜第３の実施形態においては、垂直信号線を上下２分割した場合について説明したが、上下方向に３分割以上した場合にも、本発明を適用することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2017216632.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月27日(2019.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像と、該画像における被写体の深さに対応する深度情報の分布に関する深度マップを取得する取得手段と、
前記画像における被写体領域を指定する指定手段と、
前記画像を前記指定された被写体領域とその他の領域に分割する領域分割処理を実行する領域分割手段と、
前記分割された領域における深度情報の信頼度に基づいて、前記深度マップを整形する深度マップ整形手段と、を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
画像を取得する取得手段と、
前記画像における被写体領域を指定する指定手段と、
前記画像を前記指定された被写体領域とその他の領域に分割する領域分割処理を実行する領域分割手段と、
前記領域分割手段による領域分割処理の結果の信頼度に基づいて、前記画像における被写体の深さに対応する深度情報の分布に関する深度マップを取得するマップ取得手段と、を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
前記深度マップ整形手段は、前記被写体領域に属する画素位置の該被写体領域とその他の領域との境界までの前記画像上の距離に基づいて前記被写体領域における深度情報の信頼度の分布を示す信頼度マップを求める信頼度マップ算出手段を有し、
前記被写体領域の画素位置が前記境界に近いほど前記信頼度が低くなり、前記境界から遠いほど前記信頼度は高くなることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記領域分割手段は、前記被写体領域とその他の領域との境界に位置する画素周辺でエッジ抽出処理を行い、前記境界にエッジ部分が存在しない場合は前記信頼度が低いと判定し、前記領域分割処理のやり直しが必要であることを警告することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記マップ取得手段は、前記境界にエッジ部分が存在しない場合に、前記エッジ抽出処理により抽出されたエッジ情報を用いて前記深度マップを取得することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記深度マップ整形手段は、前記深度マップを整形する処理において、前記被写体領域とその他の領域の境界からの前記画像上の距離が遠くなるほど前記被写体領域における深度情報を平滑化する際の重みを大きくしてフィルタリングを行うことを特徴とする請求項１または３に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記境界からの前記画像上の距離と平滑化における重みの関係は、前記深度マップを取得するために複数の画像の相関演算を行う際に用いるテンプレート領域の範囲に基づいて決められることを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記深度マップ整形手段は、前記被写体領域と分割されたその他の領域では色信号の類似度を参照して平滑化を行うか否かを決めることを特徴とする請求項６または７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記深度マップ整形手段により整形された深度マップは、整形される前の深度マップに上書きされて保存されることを特徴とする請求項１、３、６、７、８のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記深度マップは、視差の異なる複数の画像の相関演算に基づいて取得されることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記相関演算は、前記相関演算に用いるテンプレート領域を前記被写体領域とその他の領域との境界でマスクすることにより行われることを特徴とする請求項１０に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記指定手段は、前記画像に対する所定の画像処理の指示を受けた場合にユーザによる前記被写体領域の指定を受け付けることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
前記指定手段は、前記画像に所定の画像処理が自動で実施された結果に基づいて修正の指示を受けた場合に、ユーザによる前記被写体領域の指定を受け付けることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１４】
前記画像に前記所定の画像処理を施した結果を表示する表示手段をさらに有し、
前記指定手段は、前記表示手段により前記所定の画像処理を施した画像を表示しつつ、ユーザによる前記被写体領域の指定を受け付けることを特徴とする請求項１２または１３に記載の画像処理装置。
【請求項１５】
取得手段が、画像と、該画像における被写体の深さに対応する深度情報の分布に関する深度マップを取得するステップと、
指定手段が、前記画像における被写体領域を指定するステップと、
領域分割手段が、前記画像を前記指定された被写体領域とその他の領域に分割する領域分割処理を実行するステップと、
深度マップ整形手段が、前記分割された領域における深度情報の信頼度に基づいて、前記深度マップを整形するステップと、を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１６】
取得手段が、画像を取得するステップと、
指定手段が、前記画像における被写体領域を指定するステップと、
領域分割手段が、前記画像を前記指定された被写体領域とその他の領域に分割する領域分割処理を実行するステップと、
マップ取得手段が、前記領域分割処理の結果の信頼度に基づいて、前記画像における被写体の深さに対応する深度情報の分布に関する深度マップを取得するステップと、を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載された画像処理方法を、コンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１８】
請求項１５または１６に記載された画像処理方法を、コンピュータに実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータによる読み取りが可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明の画像処理装置は、画像と、該画像における被写体の深さに対応する深度情報の分布に関する深度マップを取得する取得手段と、前記画像における被写体領域を指定する指定手段と、前記画像を前記指定された被写体領域とその他の領域に分割する領域分割処理を実行する領域分割手段と、前記分割された領域における深度情報の信頼度に基づいて、前記深度マップを整形する深度マップ整形手段と、を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の画像処理装置は、画像を取得する取得手段と、前記画像における被写体領域を指定する指定手段と、前記画像を前記指定された被写体領域とその他の領域に分割する領域分割処理を実行する領域分割手段と、前記領域分割手段による領域分割処理の結果の信頼度に基づいて、前記画像における被写体の深さに対応する深度情報の分布に関する深度マップを取得するマップ取得手段と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月3日(2019.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
行列状に配置された複数の画素からなる画素部と、前記画素部を列方向に分割した複数の領域から並行に読み出された信号に、並行に予め決められた処理を行って出力する複数の出力手段とを有する撮像素子の制御方法であって、
制御手段が、前記複数の領域から補正データを取得するための信号を前記複数の出力手段に読み出す第１の駆動と、前記複数の領域から画像信号を前記複数の出力手段に読み出す第２の駆動とを行うように制御する制御工程と、
前記分割した領域ごとに備えられた複数の補正手段が、前記第１の駆動により読み出された信号から前記補正データを取得し、当該補正データにより前記画像信号を補正する補正工程と、を有し、
前記制御工程では、前記複数の領域それぞれについて、分割境界の行を含む一部の行の画素に対して、前記第１の駆動を行うことを特徴とする撮像素子の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
＜第４の実施形態＞
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。図８は第４の実施形態に係る撮像素子１１の構成例を示すブロック図である。第３の実施形態で説明した撮像素子１１との相違は、撮像素子１１を２つの半導体基板ＳＵＢ１およびＳＵＢ２上に分けて構成した点である。半導体基板ＳＵＢ１（図中破線）は、開口画素領域２０と遮光画素領域ＶＯＢａ，ＶＯＢｂとを含む。一方、半導体基板ＳＵＢ２は、列回路ＣＯＬａｑ，ＣＯＬｂｑ、ＡＤ変換回路ＡＤａｑ，ＡＤｂｑ、垂直走査回路２３、水平走査回路２４ａ，２４ｂ、ラインメモリＭＥＭａ，ＭＥＭｂ、減算回路７１ａ，７１ｂ等を含む。また、例えば両半導体基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２を互いに積層し、垂直信号線ＶＬａｑ，ＶＬｂｑ上の貫通電極ＶＩＡａ１〜ＶＩＡａ３およびＶＩＡｂ１〜ＶＩＡｂ３によって電気的に接続する。この貫通電極は、例えば、Through Silicon Via（ＴＳＶ）等である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2017216626.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2017216626.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2017216626.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月23日(2019.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
以下では、ノイズ量の指標値の他の例として、ＯＢ領域の画素値のバラツキ（分散や標準偏差など）を用いる場合について説明する。この場合、ＯＢ領域解析部１０８は、図３のＳ３０１において、ＯＢ領域の画素値に対して、下記の式１に基づく分散、又は下記の式２に基づく標準偏差を算出する。
2017216629.tif 000001
2017216629.tif 000002
ここで、
σ2：分散
σ：標準偏差
ｎ：画素数
ｘｉ：ｉ番目の画素の画素値
μ：全画素の平均値
である。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月4日(2019.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
魚を誘導するための電界を形成する電気パルスが印加される電極手段と、
前記電気パルスを発生させるための電力を供給する電池モジュールと、
を備えた電極装置。
【請求項２】
前記電極手段は、少なくとも部分的に導電性の表面を有する線状部を含む、
請求項１記載の電極装置。
【請求項３】
前記電極手段は、可撓性のワイヤを含む、請求項１又は２記載の電極装置。
【請求項４】
前記電気パルスを制御する制御手段をさらに備え、
前記電池モジュールは前記制御手段からの制御信号に応じて前記電極手段に前記電気パルスを印加するように構成されている、
請求項１乃至３いずれか１項記載の電極装置。
【請求項５】
前記制御手段は、魚に電気刺激を与えて前記電気刺激から魚が逃げるように促すことにより魚を誘導する電界が形成されるように、前記電気パルスを制御する、
請求項４記載の電極装置。
【請求項６】
前記制御手段は、水中に設置された複数の前記電極手段にそれぞれ印加される電気パルスを制御することにより、魚を誘導する前記電界を形成させる、
請求項４又は５記載の電極装置。
【請求項７】
互いに離間して水中に設置された複数の前記電極手段を備え、
前記複数の電極手段のうちの少なくとも１つの電極手段に前記電気パルスが印加されることにより、前記複数の電極手段のうち、前記電気パルスが印加された電極手段と隣り合う電極手段との間に前記電界が形成される、
請求項１乃至６いずれか１項記載の電極装置。
【請求項８】
前記複数の電極手段は、所定の領域を形成するように配置されており、
前記複数の電極手段のうちの少なくとも１つの電極手段に前記電気パルスが印加されることにより、前記所定の領域の内外への魚の移動を阻止するように、魚を誘導する前記電界が形成される、
請求項７記載の電極装置。
【請求項９】
前記複数の電極手段は、複数の所定の領域をそれぞれ形成するように配置されており、
前記複数の電極のうちの少なくとも１つの電極に前記電気パルスを印加することにより、前記複数の所定の領域間で魚を移動させるように、魚を誘導する前記電界が形成される、
請求項７又は８記載の電極装置。
【請求項１０】
前記電界が、魚を飼育するための生簀領域と、前記生簀領域への魚の出入りを可能にする出入口と、前記出入口を介して前記生簀領域と連通する誘導路と、を形成するように、複数の前記電極手段が配置されており、
前記生簀領域、前記出入口、及び／又は、前記誘導路において前記電界が形成されるように、前記電気パルスが制御される、
請求項１乃至９いずれか１項記載の電極装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電極装置
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月30日(2019.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方側の第１主面、他方側の第２主面、ならびに、前記第１主面および前記第２主面をそれぞれ接続する第１側面、第２側面、第３側面および第４側面を有する基板と、
前記基板の前記第１主面の上に形成され、光が生成される半導体層と、
前記基板の前記第２主面の全域を被覆し、前記半導体層で生成された光を前記半導体層に向けて反射させる光反射層と、
前記基板において、前記第１側面、前記第２側面、前記第３側面および前記第４側面からそれぞれ露出し、かつ、前記半導体層を露出させるように前記第１主面から前記第２主面側に間隔を空けて前記第１側面、前記第２側面、前記第３側面および前記第４側面にそれぞれ形成され、前記基板を構成する材料が変質することにより他の領域とは異なる物理的特性とされた改質層と、を含む、半導体発光素子。
【請求項２】
前記光反射層は、一様な材質で前記基板の前記第２主面を被覆している、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記改質層は、前記基板の厚さ方向に関して、前記光反射層に対向している、請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記半導体層は、一様な材質で前記基板の前記第１主面の上に形成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記半導体層は、前記基板の前記第１主面の全域を被覆している、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記半導体層は、前記基板の前記第１主面側からこの順に積層された第１導電型の第１半導体層、発光層および第２導電型の第２半導体層を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記第１半導体層は、外部に露出した第１露出部を含み、
前記第２半導体層は、外部に露出した第２露出部を含む、請求項６に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記半導体層は、前記第１半導体層を露出させるように、前記第１半導体層の一部、前記発光層および前記第２半導体層を選択的に切り欠いて形成されたメサ構造を含み、
前記第１半導体層の前記第１露出部は、前記メサ構造外の領域に形成され、
前記第２半導体層の前記第２露出部は、前記メサ構造に形成されている、請求項７に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記第１半導体層の前記第１露出部の上に形成され、前記第１半導体層に電気的に接続された第１コンタクト電極をさらに含む、請求項７または８に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記第１コンタクト電極は、前記第１露出部の周縁から前記第１露出部の内方に間隔を空けて形成されている、請求項９に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記第１コンタクト電極の上に形成され、前記第１コンタクト電極に電気的に接続された第１外部端子をさらに含む、請求項９または１０に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記第１外部端子は、平面視において前記第１コンタクト電極の周縁に取り囲まれた領域内に形成されている、請求項１１に記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
前記第２半導体層の前記第２露出部の上に形成され、前記第２半導体層に電気的に接続された第２コンタクト電極をさらに含む、請求項６〜１２のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
前記第２コンタクト電極は、平面視において前記第２露出部の周縁から前記第２露出部の内方に間隔を空けて前記第２半導体層の上に形成されている、請求項１３に記載の半導体発光素子。
【請求項１５】
前記第２コンタクト電極の上に形成され、前記第２コンタクト電極に電気的に接続された第２外部端子をさらに含む、請求項１３または１４に記載の半導体発光素子。
【請求項１６】
前記第２外部端子は、平面視において前記第２コンタクト電極の周縁に取り囲まれた領域内に形成されている、請求項１５に記載の半導体発光素子。
【請求項１７】
前記改質層は、前記第１側面、前記第２側面、前記第３側面および前記第４側面に沿って帯状に形成されている、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項１８】
前記改質層は、前記基板の前記第１主面と平行な方向に延びている、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項１９】
前記改質層は、前記基板の前記第１主面側に形成された第１改質層、および、前記第１改質層から間隔を空けて前記基板の前記第２主面側に形成された第２改質層を含む、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項２０】
前記改質層は、前記基板の前記第１主面側に形成された第１改質層、および、前記第１改質層に重なるように前記基板の前記第２主面側に形成された第２改質層を含む、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項２１】
前記改質層は、前記基板の前記第１主面側に形成された第１改質層、前記第１改質層から間隔を空けて前記基板の前記第２主面側に形成された第２改質層、ならびに、前記第１改質層および前記第２改質層の間に形成された中間改質層を含む、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項２２】
前記中間改質層は、前記基板の前記第１主面側において前記第１改質層と重なり、前記基板の前記第２主面側において前記第２改質層と重なるように形成されている、請求項２１に記載の半導体発光素子。
【請求項２３】
前記改質層は、前記基板の前記第２主面から前記第１主面側に間隔を空けて形成されている、請求項１〜２２のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項２４】
前記改質層は、前記基板の前記第２主面から露出している、請求項１〜２２のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項２５】
前記改質層は、前記光反射層に接している、請求項２４に記載の半導体発光素子。
【請求項２６】
前記改質層は、前記基板の角部まで延びている、請求項１〜２５のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項２７】
前記改質層は、前記基板の前記角部から露出している、請求項２６に記載の半導体発光素子。
【請求項２８】
前記改質層は、前記半導体層の全域を露出させている、請求項１〜２７のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項２９】
前記光反射層は、金属膜を含む、請求項１〜２８のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項３０】
前記光反射層は、絶縁層を含む、請求項１〜２９のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項３１】
前記絶縁層は、屈折率の異なる複数の絶縁膜が積層された積層構造を有している、請求項３０に記載の半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月7日(2019.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端部にそれぞれ接合された固定側端板及び可動側端板によって内部が閉塞された絶縁容器と、前記固定側端板に固定され、端部に固定側電極が設けられた固定側電極棒と、前記固定側電極棒と同軸上に配置され、端部に前記固定側電極と接離可能な可動側電極が設けられた可動側電極棒と、前記可動側電極棒と前記可動側端板の間に気密に接合されたベローズとを備えた真空バルブであって、前記絶縁容器の内面の1箇所又は複数箇所に設けたられた第１係合部と、前記ベローズの前記可動側電極側の端部に設けられたベローズカバーと、前記ベローズカバーと前記可動側電極との間に配置されて前記可動側電極棒に前記絶縁容器の内面を摺動可能に取り付けられ、前記第１係合部と係合する第２係合部を有するガイド板とを備えたことを特徴とする真空バルブ。
【請求項２】
前記ベローズカバーは前記絶縁容器の内面を摺動可能に設けられ、前記第１係合部と係合する第３係合部を有することを特徴とする請求項１に記載の真空バルブ。
【請求項３】
前記第１係合部は凸部であり、前記第２係合部および前記第３係合部は凹部であることを特徴とする請求項２に記載の真空バルブ。
【請求項４】
前記第１係合部は多角形状面であり、前記第２係合部および前記第３係合部は多角形状体であることを特徴とする請求項２に記載の真空バルブ。
【請求項５】
両端部にそれぞれ接合された固定側端板及び可動側端板によって内部が閉塞された絶縁容器と、前記固定側端板に固定され、端部に固定側電極が設けられた固定側電極棒と、前記固定側電極棒と同軸上に配置され、端部に前記固定側電極と接離可能な可動側電極が設けられた可動側電極棒と、前記可動側電極棒と前記可動側端板の間に気密に接合されたベローズとを備えた真空バルブであって、前記絶縁容器の内面に配置されたシールドと、前記シールドの1箇所又は複数箇所に設けたられた第４係合部と、前記ベローズの前記可動側電極側の端部に設けられたベローズカバーと、前記ベローズカバーと前記可動側電極との間に配置されて前記可動側電極棒に前記絶縁容器の内面を摺動可能に取り付けられ、前記第４係合部と係合する第５係合部を有するガイド板とを備えたことを特徴とする真空バルブ。
【請求項６】
前記ベローズカバーは前記シールドの内面を摺動可能に設けられ、前記第４係合部と係合する第６係合部を有することを特徴とする請求項５に記載の真空バルブ。
【請求項７】
前記第４係合部は凸部であり、前記第５係合部および前記第６係合部は凹部であることを特徴とする請求項６に記載の真空バルブ。
【請求項８】
前記第４係合部は多角形状面であり、前記第５係合部および前記第６係合部は多角形状体であることを特徴とする請求項６に記載の真空バルブ。
【請求項９】
両端部にそれぞれ接合された固定側端板及び可動側端板によって内部が閉塞された絶縁容器と、前記固定側端板に固定され、端部に固定側電極が設けられた固定側電極棒と、前記固定側電極棒と同軸上に配置され、端部に前記固定側電極と接離可能な可動側電極が設けられた可動側電極棒と、前記可動側電極棒と前記可動側端板の間に気密に接合されたベローズとを備えた真空バルブであって、前記固定側電極と前記可動側電極は風車形電極で構成され、前記固定側電極の裏面に設けられた固定側アーク拡散防止板と、前記可動側電極の裏面に設けられた可動側アーク拡散防止板と、前記絶縁容器の内面の1箇所又は複数箇所に設けたられた第１係合部と、前記ベローズの前記可動側電極側の端部に設けられたベローズカバーと、前記可動側アーク拡散防止板のガイド板の機能を持たせた外周に設けられ、前記絶縁容器の内面を摺動可能に構成され、前記第１係合部と係合する第７係合部とを備えたことを特徴とする真空バルブ。
【請求項１０】
前記ベローズカバーは前記絶縁容器の内面を摺動可能に設けられ、前記第１係合部と係合する第３係合部を有することを特徴とする請求項９に記載の真空バルブ。
【請求項１１】
前記第１係合部は凸部であり、前記第７係合部は凹部であることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の真空バルブ。
【請求項１２】
前記第１係合部は多角形状面であり、前記第７係合部は多角形状体であることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の真空バルブ。
【請求項１３】
両端部にそれぞれ接合された固定側端板及び可動側端板によって内部が閉塞された絶縁容器と、前記固定側端板に固定され、端部に固定側電極が設けられた固定側電極棒と、前記固定側電極棒と同軸上に配置され、端部に前記固定側電極と接離可能な可動側電極が設けられた可動側電極棒と、前記可動側電極棒と前記可動側端板の間に気密に接合されたベローズとを備えた真空バルブであって、前記絶縁容器の内面の1箇所又は複数箇所に設けたられた第１係合部と、前記ベローズの前記可動側電極側の端部に前記絶縁容器の内面を摺動可能に設けられ、前記可動側電極棒の傾きを抑制できる厚さで構成され、前記第１係合部と係合する第８係合部を有するベローズカバーとを備えたことを特徴とする真空バルブ。
【請求項１４】
前記第１係合部は凸部であり、前記第８係合部は凹部であることを特徴とする請求項１３に記載の真空バルブ。
【請求項１５】
前記第１係合部は多角形状面であり、前記第８係合部は多角形状体であることを特徴とする請求項１３に記載の真空バルブ。
【請求項１６】
前記ベローズカバーは金属で構成され、前記絶縁容器の内周と摺動する外周部のみ絶縁体で構成されたことを特徴とする請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の真空バルブ。
【請求項１７】
前記ベローズカバーは絶縁体で構成されたことを特徴とする請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の真空バルブ。
【請求項１８】
前記ガイド板は金属で構成され、前記絶縁容器の内周と摺動する外周部のみ絶縁体で構成されたことを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の真空バルブ。
【請求項１９】
前記ガイド板は絶縁体で構成されたことを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の真空バルブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
１  絶縁容器、１ａ  凸部、２  固定側端板、３  可動側端板、４  固定側電極棒、５  可動側電極棒、６  ベローズ、７  固定側電極、７ａ  スリット、８  可動側電極、８ａ  スリット、９  ベローズカバー、１０  ガイド板、１１  ベローズカバー、１２  ガイド板、１３  シールド、１４  ベローズカバー、１５  ガイド板、１６  固定側アーク拡散防止板、１７  可動側アーク拡散防止板、１９  ベローズカバー
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月23日(2019.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン源と、
前記イオン源から引き出されたイオンビームを加速する加速部と、
前記イオンビームの周回軌道を発生させるとともに、前記周回軌道の中に軌道集約領域を発生させるように形成された、等時性磁場を発生させる磁極と、
前記周回軌道の中に配置された局所磁場発生部と、
前記イオンビームの軌道を入射軌道調整部内で変更する変更部と、を備えた
ことを特徴とする加速器。
【請求項２】
請求項１に記載の加速器において、
前記変更部は、前記イオン源を回転させる角度調整器である
ことを特徴とする加速器。
【請求項３】
請求項２に記載の加速器において、
前記イオン源は、前記磁極内に収容された
ことを特徴とする加速器。
【請求項４】
請求項１項記載の加速器において、
前記変更部は、前記イオン源から引き出された前記イオンビームの軌道変更用の電場を発生させる電極である
ことを特徴とする加速器。
【請求項５】
請求項１項記載の加速器において、
前記変更部は、前記イオン源から引き出された前記イオンビームの軌道変更用の磁場を発生させる電磁石である
ことを特徴とする加速器。
【請求項６】
請求項１項記載の加速器において、
前記入射軌道調整部は、前記イオン源から引き出し後１周以内の範囲である
ことを特徴とする加速器。
【請求項７】
請求項１に記載された加速器と、
前記加速器から出射された前記イオンビームを照射する照射装置と、を備えた
ことを特徴とする粒子線照射装置。
【請求項８】
イオン源と、
前記イオン源から出射されたイオンビームを加速する加速部と、
前記イオンビームの周回軌道を発生させるとともに、前記周回軌道の中に軌道集約領域を発生させるように形成された、等時性磁場を発生させる磁極と、
前記周回軌道の中に配置された局所磁場発生部と、を備え、
前記イオンビームの取り出しエネルギーに応じて前記イオン源からの引き出し時から後のタイミングで前記イオンビームの軌道を変更する
ことを特徴とする加速器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するために、例えば特許請求の範囲に記載の構成を採用する。
本発明は、上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、イオン源と、前記イオン源から引き出されたイオンビームを加速する加速部と、前記イオンビームの周回軌道を発生させるとともに、前記周回軌道の中に軌道集約領域を発生させるように形成された、等時性磁場を発生させる磁極と、前記周回軌道の中に配置された局所磁場発生部と、前記イオンビームの軌道を入射軌道調整部内で変更する変更部と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月30日(2019.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１本又は２本以上の繊維糸と、絶縁皮膜を有する４本以上の発熱線とを６ｍｍ以上１２ｍｍ以下のピッチで撚った撚り線を有し、前記撚り線の外周には絶縁外皮が設けられていないヒータ線であって、前記繊維糸の外径が前記発熱線の直径の４倍以上で、前記繊維糸の本数よりも前記発熱線の本数が多く、前記繊維糸が中央又は中央寄りに配置され、前記発熱線が前記繊維糸の周りに配置されている、ことを特徴とするヒータ線。
【請求項２】
１本又は２本以上の繊維糸と、絶縁皮膜を有する４本以上の発熱線とを６ｍｍ以上１２ｍｍ以下のピッチで撚った撚り線を有し、前記撚り線の外周には絶縁外皮が設けられていないヒータ線であって、前記繊維糸の外径が前記発熱線の直径の２倍以下で、前記繊維糸の本数よりも前記発熱線２の本数が多く、前記繊維糸と前記前記発熱線とが分散して配置されている、ことを特徴とするヒータ線。
【請求項３】
前記繊維糸が、外径の異なる２種以上の繊維糸である、請求項１又は２に記載のヒータ線。
【請求項４】
前記繊維糸と前記発熱線との一次撚り線が複数撚られてなる二次撚り線である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のヒータ線。
【請求項５】
前記撚り線の外周に、さらに１本又は２本以上の繊維糸が設けられている、請求項１〜４のいずれか１項に記載のヒータ線。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のヒータ線が基材に設けられている、ことを特徴とする座席用ヒータ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月9日(2019.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内においてガスを供給し基板に所定の処理を行う処理空間と、前記処理空間と連通し前記処理空間の圧力よりも所定の割合小さい圧力を有する排気空間と、を有する基板処理装置における基板処理方法であって、
前記処理空間に第１のガスを供給する第１の工程と、
前記第１の工程の後、前記処理空間に前記第１のガスとは異なる第２のガスを供給する第２の工程と、
を有し、
前記基板の端部から前記処理空間と前記排気空間との境界までの距離をＬ、前記第２のガスの流れに垂直となる空間断面積をＳ（ｘ）、前記第２のガスの供給流量をＱ、前記処理空間の圧力をＰ、前記第２のガスに対する前記第１のガスの拡散係数をＤとしたときに、
下記の数式（３）により算出されるペクレ数Ｐｅが１より大きくなるように、前記第２の工程における前記基板の端部から前記処理空間と前記排気空間との境界までの距離Ｌ、前記第２のガスの流れに垂直となる空間断面積Ｓ（ｘ）及び前記第２のガスの供給流量Ｑの少なくとも１つを調整する基板処理方法。
【数３】
2017216391.tif 000001
【請求項２】
前記所定の割合が３０％以上である請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記第１の工程において、前記第１のガスをプラズマ化して供給する請求項１又は２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記第２の工程において、前記第２のガスをプラズマ化して供給する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記基板は載置台に載置されており、
前記ペクレ数Ｐｅが１となる場合の前記基板の端部から前記排気空間に向かう方向への距離をＬ１としたときに、
前記基板の半径と前記距離Ｌ１との和が前記載置台の半径よりも小さい請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記第１の工程と前記第２の工程とが繰り返し行われ、
前記ペクレ数Ｐｅが１より大きくなるように、前記第１の工程における前記基板の端部から前記処理空間と前記排気空間との境界までの距離Ｌ、前記第２のガスの流れに垂直となる空間断面積Ｓ（ｘ）及び前記第２のガスの供給流量Ｑの少なくとも１つを調整する請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記第１のガスはエッチングガスを含み、前記第２のガスは希ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガスの少なくとも１つのガスを含む請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記第１のガスは、希ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガスの少なくとも１つのガスを更に含み、
前記第２の工程において前記処理空間に供給される希ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガスの少なくとも１つのガスの流量が、前記第１の工程において前記処理空間に供給される希ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガスの少なくとも１つのガスの流量と同一である請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記第１のガスは成膜ガスを含み、前記第２のガスは希ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガスの少なくとも１つのガスを含む請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記第１のガスは、希ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガスの少なくとも１つのガスを更に含み、
前記第２の工程において前記処理空間に供給される希ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガスの少なくとも１つのガスの流量が、前記第１の工程において前記処理空間に供給される希ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガスの少なくとも１つのガスの流量と同一である請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記第２の工程の後、前記処理空間に第３のガスを供給する第３の工程と、
前記第３の工程の後、前記処理空間に前記第３のガスとは異なる第４のガスを供給する第４の工程と、
を有し、
前記ペクレ数Ｐｅが１より大きくなるように、前記第４の工程における前記基板の端部から前記処理空間と前記排気空間との境界までの距離Ｌと、前記第２のガスの流れに垂直となる空間断面積Ｓ（ｘ）と、前記第２のガスの供給流量Ｑとの少なくとも１つを調整する請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る基板処理方法は、処理容器内においてガスを供給し基板に所定の処理を行う処理空間と、前記処理空間と連通し前記処理空間の圧力よりも所定の割合小さい圧力を有する排気空間と、を有する基板処理装置における基板処理方法であって、前記処理空間に第１のガスを供給する第１の工程と、前記第１の工程の後、前記処理空間に前記第１のガスとは異なる第２のガスを供給する第２の工程と、を有し、前記基板の端部から前記処理空間と前記排気空間との境界までの距離をＬ、前記第２のガスの流れに垂直となる空間断面積をＳ（ｘ）、前記第２のガスの供給流量をＱ、前記処理空間の圧力をＰ、前記第２のガスに対する前記第１のガスの拡散係数をＤとしたときに、下記の数式（３）により算出されるペクレ数Ｐｅが１より大きくなるように、前記第２の工程における前記基板の端部から前記処理空間と前記排気空間との境界までの距離Ｌ、前記第２のガスの流れに垂直となる空間断面積Ｓ（ｘ）及び前記第２のガスの供給流量Ｑの少なくとも１つを調整する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月20日(2018.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力回路と、
電源電位が供給される第１配線を介して前記入力回路と電気的に接続される第１パッドと、
接地電位が供給される第２配線を介して前記入力回路と電気的に接続される第２パッドと、
第３配線を介して前記入力回路と電気的に接続される第３パッドと、
前記第１配線と前記第３配線との間に接続された第１ダイオードと、
前記第３配線と前記第２配線との間に接続された第２ダイオードと、を備え、
前記第１ダイオードの逆バイアス降伏電圧は、前記第２ダイオードの逆バイアス降伏電圧よりも大きく、
前記第２ダイオードの数は、前記第１ダイオードの数よりも多い、半導体装置。
【請求項２】
前記第１ダイオードのアノードは前記第３配線に、前記第１ダイオードのカソードは前記第１配線に、それぞれ接続され、
前記第２ダイオードのアノードは前記第２配線に、前記第２ダイオードのカソードは前記第３配線に、それぞれ接続される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１配線と前記第２配線との間に接続される保護回路をさらに備える、請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１ダイオードのウェル濃度と前記第２ダイオードのウェル濃度とは互いに異なる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１ダイオードおよび前記第２ダイオードのそれぞれは、ＭＯＳトランジスタで構成される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
入力回路と、
電源電位が供給される第１配線を介して前記入力回路と電気的に接続される第１パッドと、
接地電位が供給される第２配線を介して前記入力回路と電気的に接続される第２パッドと、
第３配線を介して前記入力回路と電気的に接続される第３パッドと、
前記第３配線と前記第２配線との間に接続された第１ダイオードと、
前記第１配線と前記第３配線との間に接続された第２ダイオードと、を備え、
前記第１ダイオードの逆バイアス降伏電圧は、前記第２ダイオードの逆バイアス降伏電圧よりも大きく、
前記第２ダイオードの数は、前記第１ダイオードの数よりも多い、半導体装置。
【請求項７】
前記第１ダイオードのアノードは前記第２配線に、前記第１ダイオードのカソードは前記第３配線に、それぞれ接続され、
前記第２ダイオードのアノードは前記第３配線に、前記第２ダイオードのカソードは前記第１配線に、それぞれ接続される、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１配線と前記第２配線との間に接続される保護回路をさらに備える、請求項６または７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１ダイオードのウェル濃度と前記第２ダイオードのウェル濃度とは互いに異なる、請求項６〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１ダイオードおよび前記第２ダイオードのそれぞれは、ＭＯＳトランジスタで構成される、請求項６〜９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月22日(2019.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記レンズ状凸部が複数個形成されることを特徴とする請求項１記載の気密封止用シリカガラス部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2017216389.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月14日(2019.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟骨細胞の集団から多能性幹細胞又は分化多能性幹細胞の集団を生成する方法であって、該方法は：
ａ）軟骨細胞の集団へとＯｃｔ３／４ポリペプチド、Ｓｏｘ２ポリペプチド、及びＫｌｆ４ポリペプチド、の１以上の発現を導く工程；及び
ｂ）色素内皮誘導因子（ＰＥＤＦ）の存在下で、工程ａ）の軟骨細胞を培養する工程を含む
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
バルプロ酸の存在下で工程ａ）の軟骨細胞を培養する工程をさらに含む
、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
多能性幹細胞又は分化多能性幹細胞は、Ｏｃｔ４、Ｒｅｘ−１、ＳＳＥＡ４、Ｔｒａ１−６０、及びＴｒａ１−８１から成る群から選択された２以上の遺伝子を発現する、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ＰＥＤＦは４ｎｇ／ｍＬ乃至２００ｎｇ／ｍＬの濃度で培養液中に存在する、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
軟骨細胞は、ヒト軟骨細胞である、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
発現を導く前記工程は、１以上の発現ベクターを軟骨細胞の集団に導入する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
１以上の発現ベクターは、レトロウイルス発現ベクター、レンチウイルス発現ベクター、アデノ随伴ウイルス発現ベクター、又はアデノウイルス発現ベクターを含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
１以上の発現ベクターは、選択マーカーを含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
軟骨細胞の集団から心筋細胞の集団を生成する方法であって、該方法は：
ａ）軟骨細胞の集団においてＯｃｔ３／４ポリペプチド、Ｓｏｘ２ポリペプチド、Ｋｌｆ４ポリペプチド、ｃ−Ｍｙｃポリペプチドの１以上の発現を導く工程；
ｂ）色素内皮誘導因子（ＰＥＤＦ）の存在下で心筋細胞を培養し、それによって多能性幹細胞又は分化多能性幹細胞の集団を生成する工程；
ｃ）工程ｂ）の後で、多能性幹細胞、又は分化多能性幹細胞の集団が胚様体を形成するのを可能にする工程；
ｄ）ＢＭＰ４の存在下で、胚様体を培養する工程を含む
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
ｅ）工程ｄ）の後で、１−３日間、Ａｃｔｉｖｉｎ  Ａ及びＦＧＦｂの存在下で、胚様体を培養する工程；
ｆ）工程ｄ）の後で、３−８日間、培養培地へ、ＤＫＫ及びＶＥＧＦの存在下で、胚様体を培養する工程；
ｇ）工程ｄ）の後で、８−１４日間、ＤＫＫ、ＶＥＧＦ及びＦＧＦｂの存在下で、胚様体を培養する工程をさらに含む、
ことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
０日目に、５ｎｇ／ｍｌのＢＭＰ４が、培養培地に加えられることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
１日目に、５ｎｇ／ｍｌ乃至２０ｎｇ／ｍｌのＢＭＰ４、１ｎｇ／ｍｌ乃至１０ｎｇ／ｍｌのＡｃｔｉｖｉｎ  Ａ、及び１ｎｇ／ｍｌ乃至１０ｎｇ／ｍｌのｂＦＧＦが、培養培地に加えられることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
３日目に、５０ｎｇ／ｍｌ乃至３００ｎｇ／ｍｌのＤＫＫ、及び１ｎｇ／ｍｌ乃至２０ｎｇ／ｍｌのＶＥＧＦ、及び１ｎｇ／ｍｌ乃至１０ｎｇ／ｍｌのｂＦＧＦが培養培地に加えられることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
３日目に、１５０ｎｇ／ｍｌのＤＫＫ、及び５ｎｇ／ｍｌのＶＥＧＦが、培養培地に加えられることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
８日目に、５０ｎｇ／ｍｌ乃至３００ｎｇ／ｍｌのＤＫＫ、１ｎｇ／ｍｌ乃至２０ｎｇ／ｍｌのＶＥＧＦ、及び１ｎｇ／ｍｌ乃至１０ｎｇ／ｍｌのｂＦＧＦが、培養培地に加えられることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
８日目に、１５０ｎｇ／ｍｌのＤＫＫ、１０ｎｇ／ｍｌのＶＥＧＦ、及び５ｎｇ／ｍｌのｂＦＧＦが、培養培地に加えられることを特徴とする請求項１０に記載の方法。