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【手続補正書】
【提出日】令和1年5月10日(2019.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の領域を有する不揮発性のストレージの各領域をＭＬＣ（Ｍｕｌｔｉ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｅｌｌ）モードのパーティション又はＳＬＣ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｅｌｌ）モードのパーティションに設定する設定手段と、
前記設定手段によりＳＬＣモードのパーティションに設定された領域のデータリフレッシュの回数よりも、前記設定手段によりＭＬＣモードのパーティションに設定された領域のデータリフレッシュの回数の方が多くなるようにデータリフレッシュを行う制御手段と、を有することを特徴とするストレージ制御装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記設定手段によりＭＬＣモードのパーティションに設定された領域を定期的にデータリフレッシュし、前記設定手段によりＳＬＣモードのパーティションに設定された領域を前記定期的なデータリフレッシュのうち規定回数に１回、データリフレッシュすることを特徴とする請求項１に記載のストレージ制御装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記設定手段によりＭＬＣモードのパーティションに設定された領域を所定期間ごとにデータリフレッシュし、前記設定手段によりＳＬＣモードのパーティションに設定された領域を前記所定期間より長い期間ごとにデータリフレッシュすることを特徴とする請求項１に記載のストレージ制御装置。
【請求項４】
前記不揮発性のストレージは、ｅＭＭＣ（ｅｍｂｅｄｄｅｄ  Ｍｕｌｔｉ  Ｍｅｄｉａ  Ｃａｒｄ）であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のストレージ制御装置。
【請求項５】
前記ストレージ制御装置は、画像形成装置であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のストレージ制御装置。
【請求項６】
前記ＭＬＣモードのパーティションに設定された領域にはファームウェアプログラムを記憶し、前記ＳＬＣモードのパーティションに設定された領域にはジョブデータを記憶することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のストレージ制御装置。
【請求項７】
複数の領域を有するストレージ制御装置が実行する情報処理方法であって、
不揮発性のストレージの各領域をＭＬＣモードのパーティション又はＳＬＣモードのパーティションに設定する設定工程と、
前記設定工程によりＭＬＣモードのパーティションに設定された領域のデータリフレッシュ回数が、前記設定工程によりＳＬＣモードのパーティションに設定された領域のデータリフレッシュ回数より多くなるようにデータリフレッシュを行う制御工程と、を含むことを特徴とする情報処理方法。
【請求項８】
前記ＭＬＣモードのパーティションに設定された領域を定期的にデータリフレッシュし、前記ＳＬＣモードのパーティションに設定された領域を前記定期的なデータリフレッシュのうち規定回数に１回、データリフレッシュすることを特徴とする請求項７に記載の情報処理方法。
【請求項９】
前記ＭＬＣモードのパーティションに設定された領域を所定期間ごとにデータリフレッシュし、前記ＳＬＣモードのパーティションに設定された領域を前記所定期間より長い期間ごとに、データリフレッシュすることを特徴とする請求項７に記載の情報処理方法。
【請求項１０】
前記不揮発性のストレージは、ｅＭＭＣ（ｅｍｂｅｄｄｅｄ  Ｍｕｌｔｉ  Ｍｅｄｉａ  Ｃａｒｄ）であることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の情報処理方法。
【請求項１１】
前記ストレージ制御装置は、画像形成装置であることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の情報処理方法。
【請求項１２】
前記ＭＬＣモードのパーティションに設定された領域にはファームウェアプログラムを記憶し、前記ＳＬＣモードのパーティションに設定された領域にはジョブデータを記憶することを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の情報処理方法。
【請求項１３】
コンピュータを、請求項１乃至６のいずれか１項に記載のストレージ制御装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、複数の領域を有する不揮発性のストレージの各領域をＭＬＣモードのパーティション又はＳＬＣモードのパーティションに設定する設定手段と、前記設定手段によりＳＬＣモードのパーティションに設定された領域のデータリフレッシュの回数よりも、前記設定手段によりＭＬＣモードのパーティションに設定された領域のデータリフレッシュの回数の方が多くなるようにデータリフレッシュを行う制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月14日(2019.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
前記筐体に設けられ、決済に用いる磁気カードを通過させる通過溝と、
前記通過溝を通過する前記磁気カードから決済情報を読み取る磁気読取手段と、
前記磁気読取手段の周囲の少なくとも一部を視認可能にする視認部と
を備えることを特徴とする決済情報読取装置。
【請求項２】
前記通過溝は、前記筐体の一側面に隣接して平行に延びるように配置され、
前記磁気読取手段は、前記通過溝と前記筐体の一側面との間に配置され、
前記視認部は、前記通過溝と前記筐体の一側面との間に設けられた凹部であることを特徴とする請求項１に記載の決済情報読取装置。
【請求項３】
前記凹部は、前記筐体を貫通する貫通孔であることを特徴とする請求項２に記載の決済情報読取装置。
【請求項４】
筐体と、
前記筐体に設けられ、決済に用いる磁気カードを通過させる通過溝と、
前記通過溝を通過する前記磁気カードから決済情報を読み取る磁気読取手段と、
前記筐体の側壁のうち前記通過溝に前記磁気カードを挿通させるための取込口が設けられた第一側面と、
前記筐体の側壁のうち前記通過溝から前記磁気カードを排出させるための排出口が設けられた第二側面と
を備え、
前記第一側面と前記第二側面とを結ぶ方向を幅方向とするとき、
前記磁気読取手段と前記第一側面との間および前記磁気読取手段と前記第二側面との間に、前記磁気読取手段の幅方向の寸法よりも幅方向の寸法の長い空間が生じないようにする占有部材が配置されることを特徴とする決済情報読取装置。
【請求項５】
筐体と、
前記筐体に設けられ、決済に用いる磁気カードを通過させる通過溝と、
前記通過溝を通過する前記磁気カードから決済情報を読み取る磁気読取手段と、
前記磁気カードの通過方向において前記磁気読取手段と隣接する位置の前記筐体に設けられた凹部と
を備え、
前記凹部は、前記磁気カードの通過方向において前記磁気読取手段と重なる位置に設けられていることを特徴とする決済情報読取装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月23日(2019.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続部を介して接続可能でかつ記憶部を有するフラッシュ制御装置と接続部を介して接続可能な撮像装置において、
上記接続部に接続された上記フラッシュ制御装置と通信を行い、上記フラッシュ制御装置を制御する制御部を有し、
上記記憶部は、上記フラッシュ制御装置がフラッシュ機能を内蔵するか否かに関する情報を記憶し、
上記制御部は、上記フラッシュ制御装置と通信して上記フラッシュ制御装置がフラッシュ機能を内蔵するか否かに関する情報を判別し、判別結果に応じて上記フラッシュ制御装置の制御を切換えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
上記制御部は、上記接続部に接続されたフラッシュ制御装置と通信してフラッシュ制御装置を制御する際に、上記情報に基づいて上記フラッシュ制御装置に上記フラッシュ装置を内蔵していると判別した場合は、フラッシュ発光量制御範囲に関する第２の情報の通信を行い、上記フラッシュ機能が内蔵されていないと判別する場合は、上記フラッシュ発光量制御範囲に関する上記第２の情報を除外して通信を行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
上記フラッシュ制御装置は、フラッシュ装置とワイヤレス通信を行い、上記フラッシュ装置を制御することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
上記制御部は、上記情報に基づいて上記フラッシュ機能を内蔵していないと判別した場合であって、フラッシュのプリ発光による調光制御を行う際に、上記フラッシュ制御装置へプリ発光の回数を１回に制限する通信を行って制御することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項５】
上記制御部は、上記情報に基づいて上記フラッシュ機能を内蔵していないと判別した場合であって、フラッシュのプリ発光による調光制御を行う際に、上記フラッシュ制御装置へプリ発光の発光量を所定の発光光量に設定する通信を行って制御することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項６】
上記制御部は、上記情報に基づいて上記フラッシュ装置を内蔵していないと判別した場合であって、フラッシュのプリ発光による調光制御を行う際に、上記プリ発光の指示により上記フラッシュ装置によるプリ発光の検出結果に応じて本発光の発光光量を上記プリ発光の発光光量の相対値にて指示する通信を行うことを特徴とする請求項４または５に記載の撮像装置。
【請求項７】
接続部を介して撮像装置と接続可能なフラッシュ制御装置において、
フラッシュ機能を内蔵するか否かに関する情報を記憶する記憶部と、
上記撮像装置と通信を行うための第１通信部と、
外部フラッシュ装置と通信を行うための第２通信部と、
を有し、
上記第１通信部を介して上記撮像装置と通信を行う際に、上記記憶部に記憶された上記フラッシュ機能を内蔵するか否かに関する情報を送信することを特徴とするフラッシュ制御装置。
【請求項８】
フラッシュ機能を内蔵するか否かに関する情報を記憶する記憶部を有するフラッシュ制御装置と接続部を介して接続可能な撮像装置における発光制御方法において、
上記接続部に接続された上記フラッシュ制御装置と通信を行い、上記フラッシュ機能を内蔵するか否かに関する情報を受信し、上記フラッシュ機能を内蔵するか否かを判別し、
判別結果に応じて、上記フラッシュ制御装置の制御を切換える、
ことを特徴とする発光制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため第１の発明に係る撮像装置は、接続部を介して接続可能でかつ記憶部を有するフラッシュ制御装置と接続部を介して接続可能な撮像装置において、上記接続部に接続された上記フラッシュ制御装置と通信を行い、上記フラッシュ制御装置を制御する制御部を有し、上記記憶部は、上記フラッシュ制御装置がフラッシュ機能を内蔵するか否かに関する情報を記憶し、上記制御部は、上記フラッシュ制御装置と通信して上記フラッシュ制御装置がフラッシュ機能を内蔵するか否かに関する情報を判別し、判別結果に応じて上記フラッシュ制御装置の制御を切換える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第２の発明に係る撮像装置は、上記第１の発明において、上記制御部は、上記接続部に接続されたフラッシュ制御装置と通信してフラッシュ制御装置を制御する際に、上記情報に基づいて上記フラッシュ制御装置に上記フラッシュ装置を内蔵していると判別した場合は、フラッシュ発光量制御範囲に関する第２の情報の通信を行い、上記フラッシュ機能が内蔵されていないと判別する場合は、上記フラッシュ発光量制御範囲に関する上記第２の情報を除外して通信を行う。
第３の発明に係る撮像装置は、上記第１または第２の発明において、上記フラッシュ制御装置は、フラッシュ装置とワイヤレス通信を行い、上記フラッシュ装置を制御する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第７の発明に係るフラッシュ制御装置は、接続部を介して撮像装置と接続可能なフラッシュ制御装置において、フラッシュ機能を内蔵するか否かに関する情報を記憶する記憶部と、上記撮像装置と通信を行うための第１通信部と、外部フラッシュ装置と通信を行うための第２通信部と、を有し、上記第１通信部を介して上記撮像装置と通信を行う際に、上記記憶部に記憶された上記フラッシュ機能を内蔵するか否かに関する情報を送信する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第８の発明に係る発光制御方法は、フラッシュ機能を内蔵するか否かに関する情報を記憶する記憶部を有するフラッシュ制御装置と接続部を介して接続可能な撮像装置における発光制御方法において、上記接続部に接続された上記フラッシュ制御装置と通信を行い、上記フラッシュ機能を内蔵するか否かに関する情報を受信し、上記フラッシュ機能を内蔵するか否かを判別し、判別結果に応じて、上記フラッシュ制御装置の制御を切換える。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月17日(2019.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置であって、
画像形成部と、
前記画像形成部を内部に収容し前記画像形成装置の外装を成す外装カバーであって、前記画像形成装置の背面において、前記画像形成装置の内部に吸気されて前記画像形成装置の内部に設けられた風路を通過した空気が排出される第一排気口と、前記画像形成装置の内部に設けられた他の風路を通過した空気が排出される第二排気口と、が形成された外装カバーと、
外装カバーの背面において前記第一排気口よりも前記外装カバーから突出し且つ前記画像形成装置の後方側から前記外装カバーを視た場合に鉛直方向において前記第一排気口の一部と重なる位置に設けられ、前記第一排気口に対向する空間と前記第二排気口に対向する空間とを隔てるように前記第二排気口をカバーして前記第二排気口から排出された空気を前記第一排気口と対向する空間以外の空間へ向けて案内する案内カバーと、を備える、
ことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記案内カバーは、前記第二排気口から排出される空気をろ過するフィルタを有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記第一排気口から排出される空気が通過する風路には電気基板が位置しており、前記電気基板の周囲を通過した空気が前記第一排気口から排出される、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記第二排気口から排出される空気が通過する風路には前記画像形成部が位置しており、前記画像形成部の周囲を通過した空気が前記第二排気口から排出される、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記案内カバーは、前記外装カバーとは別体として、前記外装カバーの背面に取り付けられている、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記案内カバーは、前記第二排気口から排出される空気を取り込む入口と当該空気を前記画像形成装置の外部に排出する出口と、を備えた排気ダクトである、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記第二排気口から排出される空気の風量は、前記第一排気口から排出される空気の風量よりも多い、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記案内カバーは、前記第二排気口から排出された空気を鉛直方向下側に向けて排出する、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記排気ダクトは、前記第一排気口を取り囲んで配置され、
前記排気ダクトは、前記排気ダクトの他の部分よりも前記背面からの突出量が小さい凹み部を形成している、
ことを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記外装カバーの背面には、前記外装カバーの内部に吸気されて定着ユニットが配置された風路を通過した空気を前記画像形成装置の外部に排出する第三排気口が設けられている、
ことを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記第三排気口から排出される空気の風量は前記第一排気口から排出される空気の風量よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１０に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
前記第三排気口は、前記第二排気口と共に前記案内カバーによって覆われている、
ことを特徴とする請求項１０に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様は、画像形成装置であって、画像形成部と、前記画像形成部を内部に収容し前記画像形成装置の外装を成す外装カバーであって、前記画像形成装置の背面において、前記画像形成装置の内部に吸気されて前記画像形成装置の内部に設けられた風路を通過した空気が排出される第一排気口と、前記画像形成装置の内部に設けられた他の風路を通過した空気が排出される第二排気口と、が形成された外装カバーと、外装カバーの背面において前記第一排気口よりも前記外装カバーから突出し且つ前記画像形成装置の後方側から前記外装カバーを視た場合に鉛直方向において前記第一排気口の一部と重なる位置に設けられ、前記第一排気口に対向する空間と前記第二排気口に対向する空間とを隔てるように前記第二排気口をカバーして前記第二排気口から排出された空気を前記第一排気口と対向する空間以外の空間へ向けて案内する案内カバーと、を備える、ことを特徴とする画像形成装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、案内カバーは、第一排気口と第二排気口とを隔てるように構成されており、一方の排気口から排出された空気が他方の排気口へ向けて流れるのを阻止する。これにより、簡易な構成であるにも関わらず、装置設置の際に例え第一排気口及び第二排気口を設けた背面側が壁などに向けられたとしても、装置内の空気は妨げられることなく複数の排気口から装置外へ排出される。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月25日(2019.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の焦点検出領域に対応する画像データに基づいて焦点評価値を生成する焦点検出装置において、
入力される画像データにフィルタ処理を施すフィルタ部と、
前記フィルタ部をリセットするリセット信号を生成するリセット部と、
前記リセット部がリセット信号を生成してから、前記画像データに所定の係数を乗算し、この係数が乗じられた画像データを前記フィルタ処理を施す画像データとして前記フィルタ部に入力する乗算部と、
前記係数を生成する係数生成部と、
前記フィルタ部の出力に基づいて、前記焦点検出領域内の前記焦点評価値を生成する積算部と、
を具備することを特徴とする焦点検出装置。
【請求項２】
前記係数生成部は、前記リセット部が前記リセット信号を生成した時から、前記係数を徐々に大きくすることを特徴とする請求項１に記載の焦点検出装置。
【請求項３】
前記係数生成部は、前記リセット部が前記リセット信号を生成した時から、前記係数を折線状または階段状に大きくすることを特徴とする請求項１に記載の焦点検出装置。
【請求項４】
前記係数生成部は、前記係数を変化させる期間の内、前記リセット部がリセット信号を生成した直後に生成される係数の変化の変化量を、それ以外の期間に生成される係数の変化の変化量よりも小さくすることを特徴とする請求項２または３に記載の焦点検出装置。
【請求項５】
前記係数生成部は、前記リセット部がリセット信号を生成してから、少なくとも前記焦点検出領域に対応する画像データが入力されるまで、前記生成する係数を変化させることを特徴とする請求項１に記載の焦点検出装置。
【請求項６】
前記係数生成部は、前記焦点検出領域に対応する画像データが入力された後も前記係数を生成することを特徴とする請求項５に記載の焦点検出装置。
【請求項７】
前記係数生成部は、前記係数を変化させる期間の内、前記係数の変化を開始した直後における係数の変化量、及び、前記係数の変化を終了する直前における係数の変化の変化量を、それらの間の期間における係数の変化の変化量よりも小さくすることを特徴とする請求項５または６に記載の焦点検出装置。
【請求項８】
前記係数は、“０”から“１”まで変化することを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の焦点検出装置。
【請求項９】
前記リセット部は、前記リセット信号を生成してから前記焦点検出領域に対応する画像データが入力されるまでの期間を、焦点検出時の手ブレ状態に応じて変更することを特徴とする請求項１に記載の焦点検出装置。
【請求項１０】
前記焦点検出装置は、撮影レンズと、前記撮影レンズを介して被写体からの光を撮像して画像データを生成する撮像素子と、を備える光学機器に搭載され、
前記リセット部は、前記リセット信号を生成してから前記焦点検出領域に対応する画像データが入力されるまでの期間を、前記撮影レンズの光学条件に応じて変更することを特徴とする請求項１に記載の焦点検出装置。
【請求項１１】
前記フィルタ部、前記乗算部及び前記係数生成部をそれぞれ複数持ち、
前記積算部は、前記複数のフィルタ部からの出力を選択的に積算することを特徴とする請求項１に記載の焦点検出装置。
【請求項１２】
所定の焦点検出領域に対応する画像データに基づいて焦点評価値を生成する焦点検出方法において、
入力される画像データにフィルタ処理を施すフィルタ部をリセットするリセット信号を生成することと、
前記リセット信号を生成してから、所定の係数を生成することと、
前記リセット信号を生成してから、前記画像データに前記係数を乗算し、この係数が乗じられた画像データを前記フィルタ処理を施す画像データとして前記フィルタ部に入力することと、
前記フィルタ部の出力に基づいて、前記焦点検出領域内の前記焦点評価値を生成することと、
を備えることを特徴とする焦点検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月1日(2019.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
演算装置と、入出力装置と、を有し、
前記演算装置は、位置情報を供給され、画像情報および制御情報を供給する機能を備え、
前記入出力装置は、前記位置情報を供給する機能を備え、前記画像情報および前記制御情報を供給され、
前記入出力装置は、前記画像情報を表示する表示部および前記位置情報を供給する入力部を備え、
前記表示部は、反射型の液晶素子および前記液晶素子と電気的に接続された画素回路を備え、
前記入力部は、ポインタの位置を検知して、前記位置に基づいて決定された位置情報を供給する機能を備え、
前記演算装置は、前記位置情報に基づいて前記ポインタの移動速度を決定する機能を備え、
前記演算装置は、生成する画像情報のコントラストまたは明るさを前記ポインタの移動速度に基づいて決定する機能を備える、情報処理装置。
【請求項２】
前記画素回路は、酸化物半導体を用いるトランジスタを備える、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記表示部は、青色を表示する画素、緑色を表示する画素および赤色を表示する画素を備え、
前記青色を表示する画素は、他の色を表示する画素より大きい面積を備える請求項１または請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記反射型の液晶素子は、液晶層および前記液晶層側から入射する光を反射する導電膜を備え、
前記導電膜は、前記トランジスタの半導体膜およびゲート電極として機能する導電膜と重なる領域を備え、
前記半導体膜は、前記導電膜および前記ゲート電極として機能する導電膜の間に配設される、請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記入力部は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、撮像装置、音声入力装置、視点入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上を含む、
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の情報処理装置。
【請求項６】
第１のステップにおいて、設定を初期化し、
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可し、
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、第１のモードまたは第２のモードで画像情報を表示し、
第４のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第５のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第３のステップに進むように選択し、
第５のステップにおいて、終了し、
前記割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備え、
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進むように決定し、
第７のステップにおいて、モードを変更し、
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了し、
前記第１のモードが選択されている場合、前記第３のステップにおいて、前記ポインタの移動速度が所定の速度より早い場合は、前記第２のモードが選択されている場合よりコントラストが低減された画像情報を表示し、前記ポインタの移動速度が所定の速度より遅い場合は、前記第２のモードが選択されている場合よりコントラストが強調された画像情報を表示する、情報処理装置のプログラム。
【請求項７】
第１のステップにおいて、設定を初期化し、
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可し、
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、第１のモードまたは第２のモードで画像情報を表示し、
第４のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第５のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第３のステップに進むように選択し、
第５のステップにおいて、終了し、
前記割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備え、
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進むように決定し、
第７のステップにおいて、モードを変更し、
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了し、
前記第１のモードが選択されている場合、前記第３のステップにおいて、前記ポインタの移動速度が所定の速度より早い場合は、前記第２のモードが選択されている場合よりコントラストが低減された画像情報を表示し、前記ポインタの移動速度が所定の速度より遅い場合は、前記第２のモードが選択されている場合よりコントラストが強調された画像情報を表示し、
前記第２のモードが選択されている場合、前記第３のステップにおいて、前記第１のモードが選択されている場合より低い頻度で選択信号を供給する、情報処理装置のプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月7日(2019.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上の第３の導電層と、
前記第３の導電層と同一面上に離間して設けられた第４の導電層と、
前記第３の導電層上の液晶層と、
前記液晶層上の第２の導電層と、
前記第２の導電層上の第１の導電層と、を有し、
前記第１の導電層は、可視光を遮光する機能を有し、且つ複数の開口を有するメッシュ状の形状を有し、
前記第２の導電層は、可視光を透過する機能を有し、且つ前記第１の導電層と重なる部分と、前記第３の導電層と重なる部分と、及び前記第４の導電層と重なる部分と、を有し、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層は、可視光を反射する機能を有し、
前記第３の導電層は、前記開口の一と重なる部分を有し、
前記第４の導電層は、前記開口の他の一と重なる部分を有し、
平面視において、前記第１の導電層は、前記第３の導電層と前記第４の導電層の間に位置する部分を有する、
タッチパネル。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の導電層は、共通電極として機能する部分を有し、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層は、それぞれ画素電極として機能する部分を有する、
タッチパネル。
【請求項３】
第１の基板上の第５の導電層と、
前記第５の導電層上の第３の導電層と、
前記第３の導電層と同一面上に離間して設けられた第４の導電層と、
前記第３の導電層上の液晶層と、
前記液晶層上の第２の導電層と、
前記第２の導電層上の第１の導電層と、を有し、
前記第１の導電層は、可視光を遮光する機能を有し、且つ複数の開口を有するメッシュ状の形状を有し、
前記第２の導電層は、可視光を透過する機能を有し、且つ前記第１の導電層と重なる部分と、前記第３の導電層と重なる部分と、及び前記第４の導電層と重なる部分と、を有し、
前記第３の導電層は、前記開口の一と重なる部分を有し、
前記第４の導電層は、前記開口の他の一と重なる部分を有し、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層と、前記第５の導電層の少なくとも一方は、可視光を反射する機能を有し、
平面視において、前記第１の導電層は、前記第３の導電層と前記第４の導電層の間に位置する部分を有し、
前記第３の導電層は、櫛歯状の形状を有し、
前記開口の一と、前記第３の導電層と、前記第５の導電層とが互いに重なる部分と、を有し、
前記開口の一と、前記第５の導電層とが互いに重なり、且つ前記第３の導電層と重ならない部分と、を有する、
タッチパネル。
【請求項４】
第１の基板上の第３の導電層と、
前記第３の導電層と同一面上に離間して設けられた第４の導電層と、
前記第３の導電層上の第５の導電層と、
前記第５の導電層上の液晶層と、
前記液晶層上の第２の導電層と、
前記第２の導電層上の第１の導電層と、を有し、
前記第１の導電層は、可視光を遮光する機能を有し、且つ複数の開口を有するメッシュ状の形状を有し、
前記第２の導電層は、可視光を透過する機能を有し、且つ前記第１の導電層と重なる部分と、前記第３の導電層と重なる部分と、及び前記第４の導電層と重なる部分と、を有し、
前記第３の導電層は、前記開口の一と重なる部分を有し、
前記第４の導電層は、前記開口の他の一と重なる部分を有し、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層と、前記第５の導電層の少なくとも一方は、可視光を反射する機能を有し、
平面視において、前記第１の導電層は、前記第３の導電層と前記第４の導電層の間に位置する部分を有し、
前記第５の導電層は、櫛歯状の形状を有し、
前記開口の一と、前記第３の導電層と、前記第５の導電層とが互いに重なる部分と、を有し、
前記開口の一と、前記第５の導電層とが互いに重なり、且つ前記第３の導電層と重ならない部分と、を有する、
タッチパネル。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層は、それぞれ画素電極として機能する部分を有し、
前記第５の導電層は共通電極として機能する部分を有する、
タッチパネル。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第２の導電層は、定電位が供給される端子と電気的に接続された、
タッチパネル。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第３の導電層上に、第１の着色層及び第２の着色層を有し、
前記第１の着色層は、前記開口の一と重なる部分を有し、
前記第２の着色層は、前記開口の他の一と重なる部分を有する、
タッチパネル。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１の導電層は、前記第１の着色層と前記第２の着色層の少なくとも一方と重なる部分を有する、
タッチパネル。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第３の導電層と、前記第２の導電層との間に、スペーサを有し、
前記スペーサは、前記第１の導電層と重なる部分を有する、
タッチパネル。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月7日(2019.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板と対向する第２の基板と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する面に設けられた第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第４の導電層と、第５の導電層と、絶縁層と、
前記第２の基板の前記第１の基板と対向する面に設けられた表示素子と、を有するタッチパネルであって、
前記第１の導電層、前記第２の導電層、及び前記第３の導電層は、同一面上に離間して設けられ、
平面視において、前記第１の導電層と前記第３の導電層との間に、前記第２の導電層が位置し、
前記第１の導電層と前記第４の導電層とは電気的に接続され、
前記第３の導電層と前記第４の導電層とは電気的に接続され、
前記第２の導電層と前記第４の導電層とは、前記絶縁層を介して重なる部分を有し、
前記第１の導電層は、複数の開口を有するメッシュ状の形状を有し、
前記開口と前記表示素子、前記第５の導電層とは、互いに重なる領域を有し、
前記第１の導電層と前記表示素子との間に、前記第５の導電層が位置し、
前記第５の導電層は、可視光を透過する機能を有する、
タッチパネル。
【請求項２】
請求項１において、
前記第５の導電層は、金属酸化物を含む、
タッチパネル。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第４の導電層と、前記第５の導電層とは、同一の膜を有している、
タッチパネル。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記表示素子は液晶を含む、
タッチパネル。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
着色層を有し、
前記着色層と、前記開口と、前記表示素子と、前記第５の導電層とは、互いに重なる部分を有する、
タッチパネル。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第５の導電層は、定電位が供給される端子と電気的に接続された、
タッチパネル。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月11日(2019.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層上の第１酸化物絶縁層と、
前記第１酸化物絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の第２酸化物絶縁層と、
前記第２酸化物絶縁層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、
前記酸化物半導体層上の側壁絶縁層と、
を有し、
前記酸化物半導体層の下面は、チャネル幅方向の断面において前記ゲート電極層の下面よりも高い位置にあり、
前記酸化物半導体層は、上面、および側面において前記ゲート電極層と対向する領域を有し、
前記側壁絶縁層は、前記ゲート絶縁層の側面と接する領域を有し、
前記酸化物半導体層は、第１領域乃至第３領域を有し、
前記第１領域は、前記ゲート電極層と重なる領域を有し、
前記第２領域は、前記第１領域と前記第３領域の間の領域であって、かつ前記側壁絶縁層と重なる領域を有し、
前記第２領域は、前記第１領域に比して抵抗の低い領域を有し、
前記第３領域は、前記第２領域に比して抵抗の低い領域を有し、
前記第２領域は、第１元素を有し、
前記第３領域は、前記第１元素および、第２元素を有する領域を有すること、
を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層の下に、第１導電層を有し、
前記第１導電層は、前記酸化物半導体層と重なる領域を有すること、
を特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１元素は、フッ素、リン、アルゴン、キセノンのいずれか一以上であって、
前記第２元素は、チタン、インジウム、モリブデン、タングステン、タンタルのいずれか一以上であること、
を特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第３領域は、合金を有する領域を有すること、
を特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置と、
筐体と、スピーカーと、
を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月6日(2018.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（００２）面のＸ線回折ピークの半値幅が、６°より小さいグラファイトと、
シリコンと、
前記グラファイトと前記シリコンとの間に位置する中間層と、を有し、
前記中間層は、酸素と炭素とシリコンとを含み、
前記酸素の濃度は、０．５ａｔｍ％〜５ａｔｍ％である、グラファイトとシリコンとの結合体。
【請求項２】
前記酸素の濃度は、０．７ａｔｍ％〜４ａｔｍ％である請求項１に記載のグラファイトとシリコンとの結合体。
【請求項３】
前記中間層は、シリコンと炭素と酸素以外、不可避の元素のみ含む請求項１または２に記載のグラファイトとシリコンとの結合体。
【請求項４】
前記中間層は、その厚みが２μｍ〜３０μｍである請求項１〜３のいずれか１項に記載のグラファイトとシリコンとの結合体。
【請求項５】
グラファイトとシリコンを積層し、加熱加圧時に、
酸素濃度を０．２ｖｏｌ％雰囲気にし、
加圧力を２４．５ＭＰａ以上にし、
加熱温度を１２６０℃以上とするグラファイトとシリコンとの結合体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月19日(2019.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の絶縁体を形成し、
前記第１の絶縁体に開口部を形成し、
前記開口部内に酸化物半導体を形成し、
前記第１の絶縁体の一部を除去し、前記酸化物半導体の側面を露出し、
前記酸化物半導体上に、第１の導電体及び第２の導電体を形成し、
前記第１の導電体、前記第２の導電体、および前記酸化物半導体上に第２の絶縁体を形成し、
前記第２の絶縁体上に第３の導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に第１の絶縁体を形成し、
前記第１の絶縁体に開口部を形成し、
前記開口部の内壁に沿って、酸化物半導体を形成し、
前記第１の絶縁体の一部を除去し、前記酸化物半導体の側面を露出し、
前記酸化物半導体上に、第１の導電体及び第２の導電体を形成し、
前記第１の導電体、前記第２の導電体、および前記酸化物半導体上に第２の絶縁体を形成し、
前記第２の絶縁体上に第３の導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体の一部は、前記第１の絶縁体に埋め込まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に第１の絶縁体を形成し、
前記第１の絶縁体に開口部を形成し、
前記開口部の内壁に沿って、第１の酸化物半導体を形成し、
前記第１の酸化物半導体の一部を除去し、島状の第２の酸化物半導体および島状の第３の酸化物半導体を形成し、
前記第２の酸化物半導体および前記第３の酸化物半導体上に、第１の導電体及び第２の導電体を形成し、
前記第１の導電体、前記第２の導電体、前記第２の酸化物半導体および前記第３の酸化物半導体上に第２の絶縁体を形成し、
前記第２の絶縁体上に第３の導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に第１の絶縁体を形成し、
前記第１の絶縁体に開口部を形成し、
前記開口部の内壁に沿って、第１の酸化物半導体を形成し、
前記第１の酸化物半導体の一部を除去し、環状の第２の酸化物半導体を形成し、
前記第２の酸化物半導体上に第２の絶縁体を形成し、
前記第２の酸化物半導体の一部を除去し、島状の第３の酸化物半導体および島状の第４の酸化物半導体を形成し、
前記第１の絶縁体および前記第２の絶縁体の一部を除去し、前記第３の酸化物半導体および第４の酸化物半導体の側面を露出し、
前記第３の酸化物半導体および前記第４の酸化物半導体上に、第１の導電体及び第２の導電体を形成し、
前記第１の導電体、前記第２の導電体、前記第３の酸化物半導体および前記第４の酸化物半導体上に第３の絶縁体を形成し、
前記第３の絶縁体上に第３の導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に第１の絶縁体を有し、
前記第１の絶縁体上に、酸化物半導体を有し、
前記酸化物半導体上に、第１の導電体、および第２の導電体を有し、
前記酸化物半導体上に、第２の絶縁体を有し、
前記第２の絶縁体上に、第３の導電体を有し、
前記酸化物半導体の一部は、前記第１の絶縁体に埋め込まれ、
前記第１の導電体と前記第１の絶縁体とは、第１の界面において接しており、
前記第２の導電体と前記第１の絶縁体とは、第２の界面において接しており、
前記第１の界面および前記第２の界面は、前記酸化物半導体の上面よりも低く、
前記第１の界面および前記第２の界面は、前記酸化物半導体の底面よりも高い、ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月11日(2019.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子であって、
キャリア；
前記キャリアに位置し、且つ第一活性層を含む第一半導体構造；
前記キャリアと前記第一半導体構造との間に位置し、且つ第二活性層を含む第二半導体構造；及び
前記第一半導体構造と前記第二半導体構造との間に位置するトンネル接合を含み、
操作時に、前記第一活性層は、第一主波長を有する第一光線を発し、且つ前記第二活性層は、発光しない、発光素子。
【請求項２】
請求項1に記載の発光素子であって、
前記第一活性層は、第一多重量子井戸構造を含み、前記第二活性層は、第二多重量子井戸構造を含む、発光素子。
【請求項３】
請求項1又は2に記載の発光素子であって、
前記第一半導体構造は、第一n型半導体層及び第一p型半導体層を含み、且つ前記第一活性層は、前記第一n型半導体層と前記第一p型半導体層との間に位置し、前記第二半導体構造は、第二n型半導体層及び第二p型半導体層を含み、且つ前記第二活性層は、前記第二n型半導体層と前記第二p型半導体層との間に位置する、発光素子。
【請求項４】
請求項1〜3のうちの任意の1項に記載の発光素子であって、
前記第一半導体構造に位置する第一頂部電極と、前記キャリアに位置する底部電極と、前記第二半導体構造に位置する第二頂部電極と、を更に含む、発光素子。
【請求項５】
請求項1〜4のうちの任意の1項に記載の発光素子であって、
前記第二半導体構造の上表面に位置する接触電極と、前記第二半導体構造の側表面に位置するブリッジ電極と、を更に含む、発光素子。
【請求項６】
請求項1〜5のうちの任意の1項に記載の発光素子であって、
前記第二半導体構造の抵抗は、200オーム以下である、発光素子。
【請求項７】
請求項1〜6のうちの任意の1項に記載の発光素子であって、
前記第一活性層は、InxGayAl(1-x-y)Asを含み、0≦x且つy≦1であり、前記第二活性層は、InaGabAl(1-a-b)Pを含み、0≦a且つb≦1である、発光素子。
【請求項８】
発光素子であって、
キャリア；
前記キャリアに位置する第一活性層；
前記キャリアと前記第一活性層との間に位置する第二活性層；
前記第一活性層と前記第二活性層との間に位置する反射層；
前記反射層と前記第二活性層との間に位置し、且つ側表面を有する半導体層；及び
前記側表面を覆うブリッジ電極を含む、発光素子。
【請求項９】
請求項8に記載の発光素子であって、
前記反射層は、ブラッグ反射(DBR)構造を含む、発光素子。
【請求項１０】
請求項8又は9に記載の発光素子であって、
前記キャリアと前記第二活性層との間に位置する接着層を更に含む、発光素子。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月19日(2019.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体と、
ゲート電極としての機能を有する第１の導電体と、
ソース電極またはドレイン電極の一方としての機能を有する第２の導電体と、
ソース電極またはドレイン電極の他方としての機能を有する第３の導電体と、
前記酸化物半導体上に位置し、前記酸化物半導体の上面及び側面に接する第１の絶縁体と、
ゲート絶縁体としての機能を有する第２の絶縁体と、を有し、
前記第２の導電体は、前記第１の絶縁体上に接し、
前記第３の導電体は、前記第１の絶縁体上に接し、
前記第２の導電体上及び前記第３の導電体上に、第３の絶縁体を有し、
前記第３の絶縁体は、前記第２の導電体と前記第３の導電体との間に位置し、前記第２の導電体及び前記第３の導電体と重ならない開口部を有し、
前記第３の絶縁体の前記開口部において、前記第１の導電体と前記第２の絶縁体が設けられ、
前記酸化物半導体の側面は、前記酸化物半導体の底面と平行な面に対する角度が、３０度以上６０度以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の絶縁体は、前記酸化物半導体の有する酸素以外の主成分元素の少なくとも一を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の導電体の線幅が、３ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
互いに向かい合う、前記第２の導電体の端部と前記第３の導電体の端部との距離が、５ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月12日(2018.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム又はアルミニウム合金を主成分とする基材と、
この基材の一方の面に積層され、絶縁性を有する熱伝導層と
を備える放熱基板であって、
上記熱伝導層が、
アルミナを主成分とするフィラー及びリン酸塩ガラスを主成分とするバインダーを含有する無機物層と、
この無機物層の一方の面に積層され、シリコン酸化物を主成分とするコーティング層と
を備え、
上記無機物層の平均厚みが３０μｍ以上１００μｍ以下、上記コーティング層の平均厚みが５μｍ以上２０μｍ以下であり、
上記無機物層におけるフィラーのメジアン径が１０μｍ以上３０μｍ以下、フィラーの含有量が４０質量％以上７０質量％以下であることを特徴とする放熱基板。
【請求項２】
上記コーティング層が上記シリコン酸化物の非晶質体を主体とする請求項１に記載の放熱基板。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の放熱基板を備えるデバイス。
【請求項４】
アルミニウム又はアルミニウム合金を主成分とする基材と、
この基材の一方の面に積層され、絶縁性を有する熱伝導層と
を備える放熱基板の製造方法であって、
上記基材の一方の面に、アルミナを主成分とするフィラー及びリン酸塩ガラスを主成分とするバインダー粒子を含有する無機物層用組成物を塗工及び焼成する工程と、
この塗工及び焼成工程後に形成される無機物層の一方の面に、シロキサン化合物を主成分とするコーティング層用組成物を塗工及び乾燥する工程と
を備え、
上記無機物層の平均厚みが３０μｍ以上１００μｍ以下、上記コーティング層の平均厚みが５μｍ以上２０μｍ以下であり、
上記無機物層におけるフィラーのメジアン径が１０ｍ以上３０μｍ以下、フィラーの含有量が４０質量％以上７０質量％以下であることを特徴とする放熱基板の製造方法。
【請求項５】
上記シロキサン化合物が、アルコキシシロキサン、そのオリゴマー又はそれを用いたポリシロキサンである請求項４に記載の放熱基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
［実施例４及び比較例１及び２］
バインダー粒子の種類及びメジアン径、フィラーのメジアン径及び添加量、無機物層の平均厚み、シロキサン化合物の種類並びにコーティング層の有無又は平均厚みを表１に記載の通りとした他は実施例１と同様にして放熱基板を得た。なお、表１中「−」は放熱基板がコーティング層を備えていないことを示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
【表１】
2017028019.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
【表２】
2017028019.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
表２に示されるように、実施例の放熱基板は、各層の割れ及び最低耐電圧に優れており、絶縁性に優れていた。特に、コーティング層として比較的低分子のシリコーンオリゴマーであるＫＲ４００を用いた実施例１、バインダー粒子の平均粒径が３μｍ、フィラーの平均粒径が２０μｍであり、かつ無機物層の平均厚みが８０μｍ以上である実施例２、３は最低耐電圧により優れていた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
一方、フィラーを有さない比較例１、無機物層の平均厚みが３０μｍ未満の比較例２は、無機物層やコーティング層の割れが生じ、また最低耐電圧も低く、絶縁性に劣っていた。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月5日(2019.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
このうち履歴データ管理テーブル５１０は、分析要求１００及び分析結果１０６の内容を記憶しているテーブルであり、入力されてきた分析要求１００ごと（分析処理ごと）に割り当てられた識別子（以下、履歴ＩＤという。）が格納される履歴ＩＤ５１１、他のテーブルとの対応付けのための情報（以下、参照ＩＤという。）が格納される参照ＩＤ５１２、履歴ＩＤ５１１の分析要求１００の直前に入力されてきた分析要求１００の履歴ＩＤが格納される前回分析ＩＤ５１３（なお、初回の分析の場合は「０」が設定される。）、履歴ＩＤ５１１の分析要求１００に対応して算出された故障相関度（分析結果１０６の品質を表す値。詳細は後述する。）が格納される故障相関度５１４、及び、故障相関度５１４が示す故障相関度に対する利用者１１０の評価が格納される採用フラグ５１５（例えば、利用者１１０が当該分析結果１０６に満足した場合には利用者１１０等によって「１」が格納され、満足しない場合には「０」が格納される。）の各項目を有する。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月19日(2019.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近年、クロマトグラフ（ガスクロマトグラフ、液体クロマトグラフ）装置、質量分析装置、分光測定装置などの分析機器における様々な制御には、ＣＰＵやＲＡＭ、ＲＯＭ、タイマなどを備えた汎用のコンピュータが利用されており、該コンピュータにインストールされている専用の制御ソフトウェア（場合によってはファームウェア）が該コンピュータ上で動作することで、分析機器における様々な制御が達成されるようになっている。特に、質量分析装置における各部への印加電圧の制御など、比較的高速で且つ高い精度の制御が要求される場合、コンピュータによる演算処理を利用した制御はごく一般的に利用されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明に係るタスク実行制御装置及び該装置用プログラムによれば、入力処理、演算処理、及び、出力処理、という三つの処理の順序は予め決まっており、予期しない順序で処理が実施されることがない。また、優先度の低い処理が長い時間に亘り実行されずに放置される事態も避けることができる。それにより、マルチタスク制御を安定的に行うことができる。また、本発明に係るタスク実行制御装置及び該装置用プログラムによれば、１サイクル中で一つの処理部で実行される処理の時間が所定の最大時間に制限されているため、例えば長い待ち時間を要するような処理がある場合に、その待ち時間の間に別の処理を実行することができる。それにより、何らの処理も実施していない無駄な待ち時間の発生を抑えることができ、時間を有効に利用して制御の高速化を実現することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図１における個別制御部２が図２に示すタスク実行制御装置１０に相当する。本実施例のタスク実行制御装置１０は、図示しないものの、ハードウェア構成として、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、Ｄ／Ａ変換器、Ａ／Ｄ変換器、タイマなどを含むコンピュータを中心としたものであり、機能ブロックとして、入力処理部１６、演算処理部１７、出力処理部１８、及び制御部１９、を備える。また、デジタルデータの入力が可能である複数のデジタル入力ポート１１と、内部のＡ／Ｄ変換器でデジタルデータに変換されるアナログ入力信号が入力される複数のアナログ入力ポート１２と、デジタルデータの出力が可能である複数のデジタル出力ポート１３と、内部のＤ／Ａ変換器で変換されたアナログ出力信号が出力される複数のアナログ出力ポート１４と、データの入出力が可能である汎用Ｉ／Ｏポート１５と、を備える。入力処理部１６は複数のデジタル入力ポート１１、アナログ入力ポート１２及び汎用Ｉ／Ｏポート１５に接続され、出力処理部１８は複数のデジタル出力ポート１３、アナログ出力ポート１４及び汎用Ｉ／Ｏポート１５に接続される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
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