Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月28日(2019.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化インジウムを主成分とし、表面の結晶状態がファセット状である結晶粒子を含むことを特徴とする結晶質酸化物半導体薄膜。
【請求項２】
前記表面の結晶状態がファセット状である結晶粒子が占める面積が５０％以上であることを特徴とする、請求項１に記載の結晶質酸化物半導体薄膜。
【請求項３】
インジウム元素以外の正三価の金属元素からなる群から選択される１種以上の元素を含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の結晶質酸化物半導体薄膜。
【請求項４】
前記インジウム元素以外の正三価の金属元素の含有量が、前記結晶質酸化物半導体薄膜中の全金属分に対し、８原子％超１７原子％以下であることを特徴とする、請求項３に記載の結晶質酸化物半導体薄膜。
【請求項５】
前記インジウム元素以外の正三価の金属元素が、アルミニウム、ガリウム、イットリウム及びランタノイド系元素からなる群から選択される１種又は２種以上であることを特徴とする、請求項３又は４に記載の結晶質酸化物半導体薄膜。
【請求項６】
さらに、正四価の金属元素からなる群から選択される１種以上の元素を含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の結晶質酸化物半導体薄膜。
【請求項７】
前記正四価の金属元素の含有量が、前記結晶質酸化物半導体薄膜中の全金属分に対し、０．０１原子％以上１原子％以下であることを特徴とする、請求項６に記載の結晶質酸化物半導体薄膜。
【請求項８】
前記正四価の金属元素が、スズ、ジルコニウム及びセリウムからなる群から選択される１種以上であることを特徴とする、請求項６又は７に記載の結晶質酸化物半導体薄膜。
【請求項９】
バンドギャップが、３．６ｅＶ以上であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の結晶質酸化物半導体薄膜。
【請求項１０】
酸化インジウムを主成分とするスパッタリングターゲットを用い、不純物ガスを実質的に含まないアルゴン及び酸素の混合ガスをスパッタガスとして用いてスパッタリングにより酸化物薄膜を成膜する工程、及び
得られた酸化物薄膜を加熱する工程
を含むことを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の結晶質酸化物半導体薄膜の製造方法。
【請求項１１】
前記スパッタガス中の不純物ガスの割合が、０．１体積％以下であることを特徴とする、請求項１０に記載の結晶質酸化物半導体薄膜の製造方法。
【請求項１２】
前記スパッタリングターゲットが、アルミニウム、ガリウム、イットリウム及びランタノイド系元素からなる群から選択される１種以上の元素を含有することを特徴とする、請求項１０又は１１に記載の結晶質酸化物半導体薄膜の製造方法。
【請求項１３】
前記加熱温度が、２５０℃以上５００℃以下であることを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれかに記載の結晶質酸化物半導体薄膜の製造方法。
【請求項１４】
前記加熱する工程において、１５０℃から２５０℃までの昇温速度が、２０℃／分以下であることを特徴とする、請求項１０〜１３のいずれかに記載の結晶質酸化物半導体薄膜の製造方法。
【請求項１５】
前記加熱の時間が、０．１時間以上５時間以下であることを特徴とする、請求項１０〜１４のいずれかに記載の結晶質酸化物半導体薄膜の製造方法。
【請求項１６】
ソース電極及びドレイン電極と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、保護絶縁膜と、酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、ゲート絶縁膜と保護絶縁膜の間に位置し、請求項１〜９のいずれかに記載の結晶質酸化物半導体薄膜からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１７】
飽和移動度が３０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上である、請求項１６に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１８】
ドレイン電圧０．１Ｖにおいて、線形領域での電界効果移動度の方法で求めたＶｇ−μカーブより、Ｖｇ＝Ｖｔｈ＋５の移動度が１０ｃｍ２／Ｖｓ以上であり、Ｖｇ＝ＶｔｈからＶｔｈ＋２０の平均移動度がその範囲の最大移動度の５０％以上であることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１９】
請求項１６〜１８のいずれかに記載の薄膜トランジスタを用いた電気機器又は車両。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月14日(2019.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ディスク用マガジン
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本開示は、複数枚のディスク（ＣＤやＤＶＤなどのディスク状の情報記憶媒体）を積層状態で収納するディスクトレイと、当該ディスクトレイを収納するトレイホルダとを備えるディスク用マガジンに関する。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月18日(2019.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子機器と通信可能に接続される情報処理装置にて処理される指示情報のデータ構造であって、
前記指示情報には、前記複数の電子機器同士が連係して動作するための動作指示が、当該動作指示が送信される前記電子機器のそれぞれに対応付けて記述されており、
連係手続に応じて通信接続された前記複数の電子機器について、各電子機器の機器識別情報の組み合わせに対応する前記指示情報が前記情報処理装置で処理されると、当該指示情報が解釈され、
当該解釈に従った前記動作指示が対応する前記電子機器のそれぞれに送信されることで、前記指示情報に従って前記複数の電子機器同士を連係動作させる
ことを特徴とする、データ構造。
【請求項２】
前記指示情報は、スクリプト形式で記述される
ことを特徴とする、請求項１に記載のデータ構造。
【請求項３】
前記指示情報は、動作を実行する主体、使用されるＡＰＩの関数、関数に設定されるパラメータ、実行される関数の組み合わせ、または、実行される関数の実行順序の少なくとも一つが記述される
ことを特徴とする、請求項２に記載のデータ構造。
【請求項４】
前記動作指示は、機能呼び出し、または、ＡＰＩパラメータである
ことを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載のデータ構造。
【請求項５】
前記指示情報は、前記電子機器の動作のために当該電子機器に記憶されているプログラムの更新の情報を含む
ことを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載のデータ構造。
【請求項６】
前記指示情報は、他の前記指示情報を無効化する情報を含む
ことを特徴とする、請求項１から５のいずれか１項に記載のデータ構造。
【請求項７】
複数の電子機器と通信可能に接続される情報処理装置にて実行される電子機器制御方法であって、
前記情報処理装置で処理される指示情報として、前記複数の電子機器同士が連係して動作するための動作指示が、当該動作指示が送信される前記電子機器のそれぞれに対応付けて記述されたものを用意しておき、
連係手続に応じて通信接続された前記複数の電子機器について、各電子機器の機器識別情報の組み合わせに対応する前記指示情報を前記情報処理装置で処理して、当該指示情報を解釈し、
当該解釈に従った前記動作指示が対応する前記電子機器のそれぞれに送信することで、前記指示情報に従って前記複数の電子機器同士を連係動作させる
ことを特徴とする、電子機器制御方法。
【請求項８】
複数の電子機器と通信可能に接続される情報処理装置に実行させる電子機器制御プログラムであって、
前記情報処理装置で処理される指示情報として、前記複数の電子機器同士が連係して動作するための動作指示が、当該動作指示が送信される前記電子機器のそれぞれに対応付けて記述されたものを用意するステップと、
連係手続に応じて通信接続された前記複数の電子機器について、各電子機器の機器識別情報の組み合わせに対応する前記指示情報を前記情報処理装置で処理して、当該指示情報を解釈するステップと、
当該解釈に従った前記動作指示が対応する前記電子機器のそれぞれに送信することで、前記指示情報に従って前記複数の電子機器同士を連係動作させるステップと、
を前記情報処理装置に実行させる電子機器制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】データ構造、電子機器制御方法、および、電子機器制御プログラム
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月8日(2019.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホストプロセッサからメモリへのアクセス要求を受け付けるコマンド受付部と、
前記アクセス要求が分類して格納された複数のキューのいずれかから前記アクセス要求を読み出し、実行するコマンド処理部と、
を含むメモリコントローラを備え、
前記コマンド処理部は、前記複数のキューを分類してなるグループ内で、前記キューごとに設定された規則に応じたタイミングで、前記複数のキューのうち要求読み出し先のキューを次へ切り替えるとともに、前記グループごとに設定された処理の制限に基づくタイミングで、前記要求読み出し先のキューを次のグループへ切り替えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記複数のキューは、アクセスの内容および優先度によって分類された前記アクセス要求をそれぞれ格納するとともに、当該アクセスの内容によって前記グループに分けられ、
前記コマンド処理部は、前記グループごとに独立して設定された処理上限数または制限時間に到達した時点で、前記要求読み出し先のキューを次のグループへ切り替えることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記コマンド処理部は、前記優先度によって設定された規則に応じたタイミングで、読み出し先のキューを前記グループ内で切り替えることを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記メモリコントローラは、前記メモリの管理に必要な処理の要求を発行する管理コマンド生成部をさらに備え、
前記複数のキューはさらに、前記管理コマンド生成部が発行した管理用処理の要求を格納するキューを含み、
前記コマンド処理部は、前記キューから、前記管理用処理の要求を読み出してさらに実行することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記コマンド処理部は、前記管理用処理の要求を格納するキューを読み出し先としている際、設定された制限時間を経過したタイミングで、要求読み出し先を次のキューへ切り替えることを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記コマンド処理部は、前記管理用処理の要求を格納するキューを読み出し先としている際、別のキューに所定の優先度を有するアクセス要求が格納されたタイミングで、要求読み出し先を当該別のキューへ切り替えることを特徴とする請求項４または５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記コマンド処理部は、前記ホストプロセッサが通知したタイミングで、前記管理用処理の要求を格納するキューを要求読み出し先とすることを特徴とする請求項４から５のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記コマンド処理部は、前記管理用処理のうち読み出し処理の要求を読み出す期間と、書き込み処理の要求を読み出す期間を分離することを特徴とする請求項４から７のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記管理用処理は、あるブロックに格納されたデータを別のブロックに待避させたうえで元のブロックのデータを消去する処理を含むことを特徴とする請求項４から８のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記管理用処理は、１メモリセル当たり１ビットを記録するＳＬＣ（Single Level Cell）領域に書き込まれたデータを、１メモリセル当たり３ビットを記録するＴＬＣ（Triple Level Cell）領域にコピーする処理を含むことを特徴とする請求項４から８のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記メモリコントローラは、前記キューに格納済みの前記管理用処理の要求量および、前記管理用処理の要求が発行されるタイミングの予測結果の少なくともいずれかに基づき、前記キューごとに設定された規則および前記グループごとに設定された処理の制限の少なくともいずれかを変更するコマンド調整部をさらに備えたことを特徴とする請求項４から１０のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記メモリコントローラは、前記キューに格納済みの前記管理用処理の要求量および、前記管理用処理の要求が発行されるタイミングの予測結果の少なくともいずれかに基づき、前記ホストプロセッサへアクセス要求の発行制御を依頼するコマンド調整部をさらに備えたことを特徴とする請求項４から１０のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項１３】
前記コマンド処理部は、所定の基準以上の優先度を有する読み出し要求をまとめて格納するキューから、当該読み出し要求を順次読み出し、実行することを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項１４】
前記ホストプロセッサからのアクセス要求の対象となるデータを格納するＮＡＮＤ型フラッシュメモリをさらに備えたことを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項１５】
情報処理を実施し、前記メモリコントローラに前記メモリへのアクセス要求を発行するホストプロセッサをさらに備えたことを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項１６】
ホストプロセッサからメモリへのアクセス要求を受け付けるステップと、
前記アクセス要求を分類して格納する複数のキューのいずれかから前記アクセス要求を読み出すステップと、
読み出したアクセス要求を実行するステップと、
を含み、
前記読み出すステップは、前記複数のキューを分類してなるグループ内で、前記キューごとに設定された規則に応じたタイミングで、前記複数のキューのうち要求読み出し先のキューを次へ切り替えるとともに、前記グループごとに設定された処理の制限に基づくタイミングで、前記要求読み出し先のキューを次のグループへ切り替えることを特徴とするメモリコントローラによるメモリアクセス方法。
【請求項１７】
ホストプロセッサからメモリへのアクセス要求を受け付ける機能と、
前記アクセス要求が分類して格納された複数のキューのいずれかから前記アクセス要求を読み出し、実行する機能と、
をメモリコントローラに実現させるコンピュータプログラムであって、
前記実行する機能は、前記複数のキューを分類してなるグループ内で、前記キューごとに設定された規則に応じたタイミングで、前記複数のキューのうち要求読み出し先のキューを次へ切り替えるとともに、前記グループごとに設定された処理の制限に基づくタイミングで、前記要求読み出し先のキューを次のグループへ切り替えることを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月22日(2019.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状部と、
前記筒状部の一端を覆い、中央部に開口部が設けられた環状の天板部と、
前記筒状部の内側に配置され、外周側が前記天板部の内面の少なくとも一部と平面視で重複する窓ガラスと、
前記天板部と前記窓ガラスとを接着する接着部材と、を備え、
前記天板部は、前記開口部の開口端が前記筒状部の内側に入り込むように窪んでおり、前記天板部の内面は、前記筒状部と前記天板部との繋り部から前記開口端にかけて平坦な傾斜面となっていることを特徴とするキャップ部材。
【請求項２】
前記筒状部から前記天板部にかけて一様な厚みを有する請求項１記載のキャップ部材。
【請求項３】
前記窓ガラスの一面が、前記筒状部の内側に突出する前記天板部の先端に当接しており、
前記接着部材は、前記天板部の内面と前記窓ガラスとの間に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のキャップ部材。
【請求項４】
筒状部と、
前記筒状部の一端を覆い、中央部に開口部が設けられた環状の天板部とを備え、
前記天板部は、前記開口部の開口端が前記筒状部の内側に入り込むように窪んでおり、前記天板部の内面は、前記筒状部と前記天板部との繋り部から前記開口端にかけて平坦な傾斜面となっているキャップ本体と、
前記キャップ本体の前記筒状部の内側に配置され、外周側が前記天板部の内面の少なくとも一部と平面視で重複する窓ガラスと、
前記天板部と前記窓ガラスとを接着する接着部材と
を有するキャップ部材と、
素子搭載側部を備えたステムと、
前記素子搭載側部に搭載された発光素子と
を含み、
前記キャップ部材が前記ステムに固定され、前記発光素子が前記キャップ部材によって気密封止されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
金属板を加工して、筒状部と底板とを備えたカップ状凹部材を形成する工程と、
前記カップ状凹部材の底板を加工して、中央部に開口部が設けられ、前記開口部の開口端が前記筒状部の内側に入り込むように窪んだ環状の天板部を形成する工程と
を有し、
前記天板部の内面が、前記筒状部と前記天板部との繋り部から前記開口端にかけて平坦な傾斜面となることを特徴とするキャップ部材の製造方法。
【請求項６】
前記天板部を形成する工程は、
前記底板の中央部を打ち抜いて開口部を形成して、前記筒状部の下端に繋がる前記天板部を得る工程と、
前記天板部を前記開口端が前記筒状部の内側に入り込むように窪ませる工程とを含むことを特徴とする請求項５に記載のキャップ部材の製造方法。
【請求項７】
前記天板部を形成する工程は、
前記底板を、前記底板の中央部が前記筒状部の内側に入り込むように窪ませる工程と、
前記底板の中央部を打ち抜いて開口部を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項５に記載のキャップ部材の製造方法。
【請求項８】
前記天板部を形成する工程の後に、
前記天板部の内面に接着部材を配置する工程と、
前記接着部材の上に窓ガラスを配置する工程と、
加熱処理することにより、前記接着部材を溶融させて前記窓ガラスを前記天板部の内面に接着する工程とを有することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載のキャップ部材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
以下の開示の一観点によれば、筒状部と、前記筒状部の一端を覆い、中央部に開口部が設けられた環状の天板部と前記筒状部の内側に配置され、外周側が前記天板部の内面の少なくとも一部と平面視で重複する窓ガラスと、前記天板部と前記窓ガラスとを接着する接着部材と、を備え、前記天板部は、前記開口部の開口端が前記筒状部の内側に入り込むように窪んでおり、前記天板部の内面は、前記筒状部と前記天板部との繋り部から前記開口端にかけて平坦な傾斜面となっているキャップ部材が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月19日(2019.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記ソース領域から前記ドレイン領域へ向かう方向における前記分離溝の長さがＬｄであり、
前記第１不純物領域は、前記分離溝の前記ソース領域側の端部から前記長さＬｄの３分の１の寸法の範囲内に位置している、請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記ｐＭＯＳトランジスタＰＴＲは、ｐ+ソース領域ＳＣと、ｐ+ドレイン領域ＤＣと、ゲート絶縁膜ＧＩと、ゲート電極ＧＥとを有している。ｐ+ソース領域ＳＣとｐ+ドレイン領域ＤＣとは、互いに間隔をあけて半導体基板ＳＵＢの主表面ＭＳに配置されている。ゲート電極ＧＥは、ｐ+ソース領域ＳＣとｐ+ドレイン領域ＤＣとに挟まれる半導体基板ＳＵＢの主表面ＭＳ上にゲート絶縁膜ＧＩを介在して配置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図５に示されるように、ｎ型不純物領域ＮＨは、たとえば１×１０17ｃｍ-3〜６×１０17ｃｍ-3のｎ型不純物濃度ＣＡを有している。一方、ｎ-ウエル領域ＨＷＬは、たとえば５×１０15ｃｍ-3のｎ型不純物濃度ＣＢを有している。ｎ型不純物領域ＮＨとｎ-ウエル領域ＨＷＬとの境界は、たとえば１×１０16ｃｍ-3のｎ型不純物濃度を有する部分である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図４に示されるように、ソース領域ＳＣからドレイン領域ＤＣへ向かう方向（ソース−ドレイン方向）における分離溝ＴＮＣの長さはＬｄである。凹部ＨＬは、分離溝ＴＮＣのソース領域ＳＣ側の端部ＴＮＣＳから、上記長さＬｄの３分の１の寸法の範囲内に位置している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
またｎ型不純物領域ＮＨも、分離溝ＴＮＣのソース領域ＳＣ側の端部ＴＮＣＳから、分離溝ＴＮＣの長さＬｄの３分の１の寸法の範囲内に位置している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
図１４に示されるように、上記エッチング除去により導電膜ＧＥ１の表面が露出する。また上記エッチング除去により絶縁膜ＩＬは貫通孔ＴＨ内にのみ残存される。この貫通孔ＴＨ内に残存する絶縁膜ＩＬと絶縁膜ＢＩとにより分離絶縁膜ＳＩＳが形成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
図１５に示されるように、ゲート電極ＧＥの側壁に側壁絶縁膜ＳＷが形成される。この後、イオン注入などにより半導体基板ＳＵＢの主表面ＭＳにｎ型不純物およびｐ型不純物が注入される。これにより半導体基板ＳＵＢの主表面ＭＳにｐ+ソース領域ＳＣ、ｐ+ドレイン領域ＤＣおよびｎ+コンタクト領域ＷＣが形成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
また図２におけるｎＬＤＭＯＳトランジスタＬＮＴは、上記ｐＬＤＭＯＳトランジスタＬＰＴとは逆導電型の構成を有している。具体的には、ｎ+埋め込み領域ＢＬ上に、ｐ-ウエル領域ＨＷＬ（第１ウエル領域）が配置されている。そのｐ-ウエル領域ＨＷＬ上には、ｎ-ドリフト領域ＤＦＴとｐ型ウエル領域ＰＷＬ（第２ウエル領域）とが配置されている。ｐ型ウエル領域ＰＷＬ内の主表面ＭＳには、ｎ+ソース領域ＳＣと、ｐ+コンタクト領域ＷＣとが形成されている。ｎ-ドリフト領域ＤＦＴ内の主表面ＭＳには、ｎ+ドレイン領域ＤＣが形成されている。ｎ-ドリフト領域ＤＦＴの下側には、凹部ＨＬの真下に位置する部分を有するようにｐ型不純物領域ＰＨ（第１不純物領域）が配置されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
図２０は本実施の形態と比較例との各々におけるオン抵抗Ｒｓｐとゲート電流Ｉｇとの関係を示し、図２１は本実施の形態と比較例との各々におけるオフ耐圧ＢＶｏｆｆとゲート電流Ｉｇとの関係を示している。図２０および図２１の結果から、本実施の形態においては比較例に比べて、オン抵抗Ｒｓｐが１〜２％増加しているものの、オフ耐圧ＢＶｏｆｆを維持したままゲート電流Ｉｇを低下できることがわかる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
また本実施の形態においては、ｎ型不純物領域ＮＨは、分離溝ＴＮＣのソース領域ＳＣ側の端部ＴＮＣＳから、分離溝ＴＮＣの長さＬｄの３分の１の寸法の範囲内に位置している。このような範囲内にｎ型不純物領域ＮＨが位置していることにより、上述したＲＥＳＵＲＦ効果による高耐圧を維持することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
またｎ型不純物領域ＮＨのソース領域ＳＣ側の端部ＮＨＳと分離溝ＴＮＣのソース領域ＳＣ側の端部ＴＮＣＳとの間の上記ソース−ドレイン方向の寸法が上記分離溝ＴＮＣの長さＬｄの３分の１以下である。これにより、ｎ型不純物領域ＮＨによって、ゲート電極ＧＥへのホットキャリアの注入を十分に抑制することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３３】
2018101683.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月10日(2019.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
保持容量Ｃｓは、基板３１上に、第１電極３２Ｌ、第２電極３４Ｕおよび第３電極３８Ｕをこの順に有しており、第３電極３８Ｕは接続孔Ｈ２により、第１電極３２Ｌに電気的に接続されている。これら第１電極３２Ｌ、第２電極３４Ｕおよび第３電極３８Ｕは、平面視で互いに重なる部分を有している。即ち、保持容量Ｃｓは、電気的に接続された第１電極３２Ｌと第３電極３８Ｕとの間に、第２電極３４Ｕが挟持されたスタック構造の容量素子である。第１電極３２Ｌと第２電極３４Ｕとの間には、第１絶縁膜３３が設けられており、第２電極３４Ｕと第３電極３８Ｕとの間には、第２絶縁膜３６および第３絶縁膜３７が設けられている。第３電極３８Ｕは、層間絶縁膜３９に覆われている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
また、保持容量Ｃｓの第１電極３２Ｌ，第２電極３４Ｕおよび第３電極３８Ｕはそれぞれ、カットオフトランジスタＴｒ３（駆動トランジスタＴｒ１，書込トランジスタＴｒ２）のゲート電極３２，酸化物半導体膜３４およびソース・ドレイン電極３８Ａ，３８Ｂと同一工程で形成することが可能である。このように、半導体装置３０は、フォトリソグラフィ工程の増加を抑えて、簡便な製造を行うことができる。したがって、製造にかかるコストを抑えることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
タイミング制御部５１は、各種のタイミング信号（制御信号）を生成するタイミングジェネレータを有しており、これらの各種のタイミング信号を基に、信号処理部５２等の駆動制御を行うものである。信号処理部５２は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号に対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号を駆動部５３に出力するものである。駆動部５３は、例えば走査線駆動回路および信号線駆動回路などを含んで構成され、各種制御線を介して表示画素部５４の各画素を駆動するものである。表示画素部５４は、例えば有機ＥＬ素子または液晶表示素子等の表示素子（上述の表示素子層４０）と、表示素子を画素１１毎に駆動するための画素回路とを含んで構成されている。これらのうち、例えば、駆動部５３または表示画素部５４の一部を構成する各種回路に、上述の半導体装置３０，３０Ａが用いられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
タイミング制御部５５は、各種のタイミング信号（制御信号）を生成するタイミングジェネレータを有しており、これらの各種のタイミング信号を基に、駆動部５６の駆動制御を行うものである。駆動部５６は、例えば行選択回路、ＡＤ変換回路および水平転送走査回路などを含んで構成され、各種制御線を介して撮像画素部５７の各画素から信号を読み出す駆動を行うものである。撮像画素部５７は、例えばフォトダイオードなどの撮像素子（光電変換素子）と、信号読み出しのための画素回路とを含んで構成されている。信号処理部５８は、撮像画素部５７から得られた信号に対して様々な信号処理を施すものである。これらのうち、例えば、駆動部５６または撮像画素部５７の一部を構成する各種回路に、上述の半導体装置３０，３０Ａが用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月10日(2019.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一態様の画像処理装置は、
画像に含まれる人物部分に対して、肌色を美しくする処理である美肌処理を行う美肌処理手段と、
前記人物部分のうち、肌色部分であって、かつ化粧をしていない第１の部分と、肌色であって、かつ化粧をしている第２の部分と、を特定する特定手段と、
前記特定手段により特定される前記第１の部分の肌色に対応する第１の肌色情報と、前記第２の部分の肌色に対応する第２の肌色情報と、を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得される前記第１の肌色情報と、前記第２の肌色情報と、に基づき、前記美肌処理手段による美肌処理を調整する処理を行う画像処理手段と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像に含まれる人物部分に対して、肌色を美しくする処理である美肌処理を行う美肌処理手段と、
前記人物部分のうち、肌色部分であって、かつ化粧をしていない第１の部分と、肌色であって、かつ化粧をしている第２の部分と、を特定する特定手段と、
前記特定手段により特定される前記第１の部分の肌色に対応する第１の肌色情報と、前記第２の部分の肌色に対応する第２の肌色情報と、を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得される前記第１の肌色情報と、前記第２の肌色情報と、に基づき、前記美肌処理手段による美肌処理を調整する処理を行う画像処理手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記画像処理手段は、前記第１の肌色情報と前記第２の肌色情報の差分に基づき、前記美肌処理の強さを調整する処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記画像処理手段は、前記第１の部分及び前記第２の部分各々に対して、前記美肌処理を、その効果を強める又は弱める方向は共通であって、その度合いが異なるように処理を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記画像処理手段は、前記第１の肌色情報と前記第２の肌色情報との差分に基づき、前記美肌処理を調整する際の前記第１の部分に対する化粧の濃さを示すパラメータを更に取得することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記画像処理手段は、前記美肌処理として、前記第２の部分の化粧効果を強める又は弱めるように調整する処理を行うことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記画像処理手段は、前記美肌処理として、前記第２の部分の化粧効果を活かす又は化粧効果を変化させるように調整する処理を行うことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記特定手段は、前記画像に含まれる人物部分のうちの、前記第２の部分に隣接する位置に前記第１の部分を特定することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記取得手段は、前記特定手段により特定される前記第２の肌色情報の分散状況を、更に取得し、
前記画像処理手段は、前記取得手段により取得される前記第２の肌色情報の分散状況を更に加味して、前記美肌処理手段による美肌処理を調整する処理を行うことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記美肌処理は、肌の色を調整する第１の処理と、肌の明るさを調整する第２の処理とを含み、
前記画像処理手段は、前記第１の肌色情報及び前記第２の肌色情報に基づき、前記画像に含まれる人物部分に対して、前記第１の処理の調整の強さと前記第２の処理の調整の強さとを各々独立に設定して、前記美肌処理を調整する処理を行うことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記第１の部分は、前記画像に含まれる人物部分のうち、化粧効果のない部分であって地肌に相当する部分であることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
画像に含まれる人物の顔部分のうち、肌色部分を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出される肌色部分の肌色情報の分散状況を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得される肌色情報の分散状況に基づき、前記画像に含まれる人物の顔部分に対して肌色を調整する処理を行う画像処理手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項１２】
画像処理装置が実行する画像処理方法であって、
画像に含まれる人物部分に対して、肌色を美しくする処理である美肌処理を行う美肌ステップと、
前記人物部分のうち、肌色部分であって、かつ化粧をしていない第１の部分と、肌色であって、かつ化粧をしている第２の部分と、を特定する特定ステップと、
前記特定ステップにて特定される前記第１の部分の肌色に対応する第１の肌色情報と、前記第２の部分の肌色に対応する第２の肌色情報と、を取得する取得ステップと、
前記取得ステップにて取得される前記第１の肌色情報と、前記第２の肌色情報と、に基づき、前記美肌処理ステップでの美肌処理を調整する処理を行う画像処理ステップと、
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１３】
画像処理装置が実行する画像処理方法であって、
画像に含まれる人物の顔部分のうち、肌色部分を検出する検出ステップと、
前記検出ステップにて検出される肌色部分の肌色情報の分散状況を取得する取得ステップと、
前記取得ステップにて取得される肌色情報の分散状況に基づき、前記画像に含まれる人物の顔部分に対して肌色を調整する処理を行う画像補正ステップと、
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１４】
画像処理装置を制御するコンピュータに、
画像に含まれる人物部分に対して、肌色を美しくする処理である美肌処理を行う美肌処理機能と、
前記人物部分のうち、肌色部分であって、かつ化粧をしていない第１の部分と、肌色であって、かつ化粧をしている第２の部分と、を特定する特定機能と、
前記特定機能により特定される前記第１の部分の肌色に対応する第１の肌色情報と、前記第２の部分の肌色に対応する第２の肌色情報と、を取得する取得機能と、
前記取得機能により取得される前記第１の肌色情報と、前記第２の肌色情報と、に基づき、前記美肌処理手段による美肌処理を調整する処理を行う画像処理機能と、
を実現させることを特徴とするプログラム。
【請求項１５】
画像処理装置を制御するコンピュータに、
画像に含まれる人物の顔部分のうち、肌色部分を検出する検出機能と、
前記検出機能により検出される肌色部分の肌色情報の分散状況を取得する取得機能と、
前記取得機能により取得される肌色情報の分散状況に基づき、前記画像に含まれる人物の顔部分に対して肌色を調整する処理を行う画像処理機能と、
を実現させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月3日(2018.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物品を購入する購入者を識別する購入者コードと関連付けて、前記購入者が免税対象者であることを証明する証明物に記述された情報と、前記購入者が購入した物品の、当該物品を販売する店舗を識別するための店舗コードを含む販売に係る情報と、を記憶する購入者データファイルと、
物品購入に対して払い戻しを受けようとする購入者の購入者コードを受け取る第１の受取手段と、
前記第１の受取手段で受け取った前記購入者コードが関連付けられた前記購入者データファイルを受け取る第２の受取手段と、
電子署名の検出デバイスで検出された電子署名を受け取る第３の受取手段と、
前記第２の受取手段により受け取った前記購入者データファイル内の前記物品の販売に係る情報から店舗コードの数を取得し、免税措置に必要な電子書面のフォーマットデータを前記店舗コードの数だけ作成する作成手段と、
前記店舗コードの数だけ作成された前記電子書面のフォーマットデータの署名欄に、前記第３の受取手段で受け取った電子署名をそれぞれ入力する署名手段と、
前記署名欄に前記電子署名が入力された前記電子書面のデータを出力する出力手段と、を具備する免税処理システム。
【請求項２】
前記署名欄に前記電子署名が入力された前記電子書面を表示する表示手段、
をさらに具備する請求項１記載の免税処理システム。
【請求項３】
店舗コード別に事業者名を設定したデータテーブルと、
前記物品の販売に係る情報から取得した店舗コードに関連付けられた事業者名を前記データテーブルから取得し、その事業者名を前記店舗コードの数だけ作成された前記電子書面のフォーマットデータの事業者名欄にそれぞれ入力する入力手段と、
をさらに具備する請求項１または２記載の免税処理システム。
【請求項４】
物品を購入する購入者を識別する購入者コードと関連付けて、前記購入者が免税対象者であることを証明する証明物に記述された情報と、前記購入者が購入した物品の、当該物品を販売する店舗を識別するための店舗コードを含む販売に係る情報と、を記憶する購入者データファイルとともに、免税処理システムを構成する情報処理装置であって、
物品購入に対して払い戻しを受けようとする購入者を識別する購入者コードを受け取る第１の受取手段と、
前記第１の受取手段で受け取った前記購入者コードが関連付けられた前記購入者データファイルを受け取る第２の受取手段と、
電子署名の検出デバイスで検出された電子署名を受け取る第３の受取手段と、
前記第２の受取手段により受け取った前記購入者データファイル内の前記物品の販売に係る情報から店舗コードの数を取得し、免税措置に必要な電子書面のフォーマットデータを前記店舗コードの数だけ作成する作成手段と、
前記店舗コードの数だけ作成された前記電子書面のフォーマットデータの署名欄に、前記第３の受取手段で受け取った電子署名をそれぞれ入力する署名手段と、
前記署名欄に前記電子署名が入力された前記電子書面のデータを出力する出力手段と、を具備する情報処理装置。
【請求項５】
店舗コード別に事業者名を設定したデータテーブルと、
前記物品の販売に係る情報から取得した店舗コードに関連付けられた事業者名を前記データテーブルから取得し、その事業者名を前記店舗コードの数だけ作成された前記電子書面のフォーマットデータの事業者名欄にそれぞれ入力する入力手段と、
をさらに具備する請求項４記載の情報処理装置。
【請求項６】
物品を購入する購入者を識別する購入者コードと関連付けて、前記購入者が免税対象者であることを証明する証明物に記述された情報と、前記購入者が購入した物品の、当該物品を販売する店舗を識別するための店舗コードを含む販売に係る情報と、を記憶する購入者データファイルとともに、免税処理システムを構成する情報処理装置のコンピュータに、
物品購入に対して払い戻しを受けようとする購入者を識別する購入者コードを受け取る機能と、
前記購入者コードが関連付けられた前記購入者データファイルを受け取る機能と、
電子署名の検出デバイスで検出された電子署名を受け取る機能と、
受け取った前記購入者データファイル内の前記物品の販売に係る情報から店舗コードの数を取得し、免税措置に必要な電子書面のフォーマットデータを前記店舗コードの数だけ作成する機能と、
前記店舗コードの数だけ作成された前記電子書面のフォーマットデータの署名欄に、受け取った電子署名をそれぞれ入力する機能と、
前記署名欄に前記電子署名が入力された前記電子書面のデータを出力する機能と、
を実現させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
一実施形態において、免税処理システムは、購入者データファイル、第１の受取手段、第２の受取手段、第３の受取手段、作成手段、署名手段及び出力手段を備える。購入者データファイルは、物品を購入する購入者を識別する購入者コードと関連付けて、購入者が免税対象者であることを証明する証明物に記述された情報と、購入者が購入した物品の、当該物品を販売する店舗を識別するための店舗コードを含む販売に係る情報と、を記憶する。第１の受取手段は、物品購入に対して払い戻しを受けようとする購入者の購入者コードを受け取る。第２の受取手段は、第１の受取手段で受け取った購入者コードが関連付けられた購入者データファイルを受け取る。第３の受取手段は、電子署名の検出デバイスで検出された電子署名を受け取る。作成手段は、第２の受取手段で受け取った購入者データファイル内の物品の販売に係る情報から店舗コードの数を取得し、免税措置に必要な電子書面のフォーマットデータを店舗コードの数だけ作成する。署名手段は、店舗コードの数だけ作成された電子書面のフォーマットデータの署名欄に、第３の受取手段で受け取った電子署名をそれぞれ入力する。出力手段は、署名欄に電子署名が入力された電子書面のデータを出力する。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月2日(2019.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１または複数の記録部（１４，２４，３４，４４，５４）に対するデータの記録を制御するように構成された記録制御装置（１０）であって、
複数種類のデータを取得するように構成されたデータ取得部（１７）と、
取得されたデータのうちの予め準備された記録条件と合致するデータを前記記録部に格納するように構成されたデータ格納部（Ｓ１１０、Ｓ１４０、Ｓ１９０、Ｓ６７０）と、
前記記録条件を古い記録条件として、外部から前記古い記録条件とは異なる新たな記録条件を受けると、前記古い記録条件に換えて前記新たな記録条件を利用する設定を行うように構成された条件変更部（Ｓ１３５、Ｓ１８５、Ｓ２６０）と、
当該記録制御装置の通信相手となる相手先装置（２０）であり、当該記録制御装置が管理する時刻を表す基準時刻情報を受けると、該基準時刻情報に、当該相手先装置が送信すべき情報を付加した応答データを返す相手先装置、に対して、前記基準時刻情報を送信するように構成された時刻送信部（Ｓ６３０）と、
前記応答データを取得し、前記応答データに含まれる基準時刻情報に基づいて前記応答データの生成時刻を設定するように構成された時刻設定部（Ｓ６５０）と、
を備え、
前記データ格納部は、前記応答データの生成時刻を対応付けてデータを記録させる
ように構成された記録制御装置。
【請求項２】
請求項１に記載の記録制御装置であって、
前記記録部に格納されたデータを当該記録制御装置の外部に位置する提供先装置（６０）に対して提供するデータ提供部（Ｓ１２０、Ｓ１５０、Ｓ２００）と、
プラグアンドプレイによる入力があると、少なくとも前記データ提供部が提供するデータの種別を変更するように構成された種別変更部（Ｓ１３５、Ｓ１８５、Ｓ２６０）と、
をさらに備えた記録制御装置。
【請求項３】
１または複数の記録部（１４，２４，３４，４４，５４）に対するデータの記録を制御するように構成された記録制御装置（１０）であって、
複数種類のデータを取得するように構成されたデータ取得部（１７）と、
取得されたデータのうちの予め準備された記録条件と合致するデータを前記記録部に格納するように構成されたデータ格納部（Ｓ１１０、Ｓ１４０、Ｓ１９０、Ｓ６７０）と、
前記記録条件を古い記録条件として、外部から前記古い記録条件とは異なる新たな記録条件を受けると、前記古い記録条件に換えて前記新たな記録条件を利用する設定を行うように構成された条件変更部（Ｓ１３５、Ｓ１８５、Ｓ２６０）と、
前記記録部に格納されたデータを当該記録制御装置の外部に位置する提供先装置（６０）に対して提供するデータ提供部（Ｓ１２０、Ｓ１５０、Ｓ２００）と、
プラグアンドプレイによる入力があると、少なくとも前記データ提供部が提供するデータの種別を変更するように構成された種別変更部（Ｓ１３５、Ｓ１８５、Ｓ２６０）と、
を備えた記録制御装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の記録制御装置であって、
前記条件変更部は、前記種別変更部によって前記データ提供部が提供するデータの種別が変更される際に、前記新たな記録条件を利用するよう設定する
ように構成された記録制御装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４の何れか１項に記載の記録制御装置であって、
前記記録部に格納されたデータを、データの提供先に応じて予め設定された形式に変換し、該変換後のデータを前記データの提供先に出力するように構成されたデータ出力部（２６Ｂ）、
をさらに備えた記録制御装置。
【請求項６】
１または複数の記録部（１４，２４，３４，４４，５４）に対するデータの記録を制御するように構成された記録制御装置（１０）であって、
複数種類のデータを取得するように構成されたデータ取得部（１７）と、
取得されたデータのうちの予め準備された記録条件と合致するデータを前記記録部に格納するように構成されたデータ格納部（Ｓ１１０、Ｓ１４０、Ｓ１９０、Ｓ６７０）と、
前記記録条件を古い記録条件として、外部から前記古い記録条件とは異なる新たな記録条件を受けると、前記古い記録条件に換えて前記新たな記録条件を利用する設定を行うように構成された条件変更部（Ｓ１３５、Ｓ１８５、Ｓ２６０）と、
前記記録部に格納されたデータを、データの提供先に応じて予め設定された形式に変換し、該変換後のデータを前記データの提供先に出力するように構成されたデータ出力部（２６Ｂ）と、
を備えた記録制御装置。
【請求項７】
請求項１〜請求項６の何れか１項に記載の記録制御装置であって、
前記記録部として、互いに異なる場所に配置された複数の記録部においてデータを記録可能な領域を表す空き領域を確認するように構成された領域確認部（Ｓ６１０）と、
前記空き領域の位置を示すアドレスを設定するように構成されたアドレス設定部（Ｓ６２０）と、
をさらに備え、
前記データ格納部は、前記アドレスに従って前記空き領域にデータを記録させる
ように構成された記録制御装置。
【請求項８】
請求項７に記載の記録制御装置であって、
前記領域確認部は、前記複数の記録部のうちの１つである特定記録部に対してデータを記録可能であるか否かを判定し、該特定記録部にデータを記録可能でない場合に、前記空き領域を確認するように構成され、
前記データ格納部は、前記特定記録部にデータを記録可能であれば、前記特定記録部にデータを記録させ、前記特定記録部にデータを記録不可能であれば、前記アドレスに従って前記空き領域にデータを記録させる
ように構成された記録制御装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月24日(2019.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、水系スラリーに対する安定性が高く、高容量であるとともに、サイクル特性及び初回効率が良好な非水電解質二次電池用負極活物質を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月15日(2019.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本明細書に開示された技術に係る蓄電モジュールは、複数の蓄電素子と、前記蓄電素子を接続する接続導体と、前記蓄電素子を収容する金属製のケースと、前記蓄電素子を保持する保持部材と、を備える蓄電モジュールであって、前記保持部材は、前記蓄電素子が嵌め入れられるキャップと、前記ケースに固定される固定部と、前記キャップと前記固定部との間に弾性伸縮可能に設けられ、樹脂で構成される樹脂弾性部と、を備えることに特徴を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
回路基板２０は平板形状の積層基板であり、電極１２のスペーサ部１４の高さ寸法と同等かまたはそれよりも僅かに厚い程度とされている。回路基板２０は、６つの貫通孔２１（２１Ａ〜２１Ｆ）と、複数の貫通孔２１間を導通させるための電力用パターン２２と、を備え、前述の電極肩部１３Ａに載置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
保持部材４０のキャップ４１は略平板形状をなし、下方に開口する３つの外嵌凹部４１Ｂと、上下に開口する３つの挿通孔４１Ａと、を備えている。各外嵌凹部４１Ｂは横断面が円形状をなし、その直径は、蓄電素子本体１１の直径よりもやや大寸であり、かつ後述のホルダ６０に設けられた収容凹部６１の１辺よりも小寸となっている。各外嵌凹部４１Ｂの頂面は、蓄電素子１０の本体肩部１１Ａが当接する突き当て面４４となっている。各挿通孔４１Ａは横断面が各外嵌凹部４１Ｂよりも小径の円形状をなしている。各挿通孔４１Ａは各外嵌凹部４１Ｂと同軸状に配され、各外嵌凹部４１Ｂの内部空間と連通している。また、キャップ４１の上面側には、扁平な円柱形状の基板受け部４１Ｃが複数突設されている。各基板受け部４１Ｃは、各挿通孔４１Ａの間に、前後それぞれ一つずつ配されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
このように、本実施形態の蓄電モジュールＢＭは、複数の蓄電素子１０と、蓄電素子１０を接続する回路基板２０と、蓄電素子１０を収容する金属製のケース５０と、蓄電素子１０を保持する保持部材４０と、を備える蓄電モジュールＢＭであって、保持部材４０は、蓄電素子１０が嵌め入れられるキャップ４１と、ケース５０に固定される固定部４２と、キャップ４１と固定部４２との間に弾性伸縮可能に設けられ、樹脂で構成される樹脂弾性部４３と、を備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、キャップ４１には回路基板２０に当接可能な基板受け部４１Ｃが設けられているから、電極１２が回路基板２０から受ける押圧力を分散させ、回路基板２０および電極１２におけるストレスを軽減することができる。特に本実施形態のようにネジ３０を電極１２に螺合する構成の場合、ネジ３０の締結力が回路基板２０と電極１２との当接箇所に集中することを抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月10日(2018.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光取出面と、前記光取出面と交差する側面であって光が入射する入光側面とを有する導光板と、
前記入光側面側に配置され、前記入光側面に入射される光を発する発光面を有する光源と、
床面を有し、前記導光板および前記光源を収納するフレームと、
前記導光板を前記床面側から支持する第１支持部材と、
前記導光板と前記第１支持部材とを接着する第１接着部材と、
前記光源を前記床面側から支持する第２支持部材と、
前記光源と前記第２支持部材とを接着する第２接着部材と
を備える面状照明装置。
【請求項２】
前記第１支持部材は、
第１基材と、
前記第１基材を前記床面側へ接着する第３接着部材とを備え、
前記第１接着部材は、
前記第３接着部材よりも単位面積当たりの接着強度が大きい
請求項１に記載の面状照明装置。
【請求項３】
前記第１接着部材は、
飛島状に設けられ、
前記第３接着部材は、
連続体である
請求項２に記載の面状照明装置。
【請求項４】
前記第１接着部材は、
熱圧着シートである
請求項１、２または３に記載の面状照明装置。
【請求項５】
前記第２支持部材は、
前記光取出面の平面視において前記第１支持部材と重なる位置まで延伸し、前記第１支持部材を前記床面側から支持し、
前記第２接着部材は、
前記光源と前記第２支持部材とを接着するとともに、前記第１支持部材と前記第２支持部材とを接着する
請求項１〜４のいずれか一つに記載の面状照明装置。
【請求項６】
前記第１接着部材は、
前記光源の出射方向を除いた領域に設けられ、
前記導光板は、
前記第１接着部材と接する底面に凹凸形状の凹凸部を有する
請求項１〜５のいずれか一つに記載の面状照明装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月28日(2019.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極板と、前記電極板の一方面に設けられた正極と、前記電極板の他方面に設けられた負極とを含む複数のバイポーラ電極が積層された積層体と、
前記複数のバイポーラ電極の各電極板の縁部を保持する複数の第１樹脂部と、前記積層体の積層方向から見て前記複数の第１樹脂部の周囲に設けられた筒状の第２樹脂部とを含む枠体と
を備える蓄電モジュールを作製する蓄電モジュールの製造装置であって、
前記第１樹脂部が設けられた前記バイポーラ電極を複数重ねた電極積層体が収容され、かつ、前記電極積層体が収容されたときに前記積層方向から見て前記電極積層体の周囲に空隙が形成されるキャビティと、前記キャビティの前記空隙に前記第２樹脂部となるべき樹脂を注入する注入口とを有する金型と、
前記樹脂を前記金型内に前記注入口を介して注入する射出器と、
前記積層方向から見て前記電極積層体の周囲であって前記注入口とは異なる箇所における前記金型に配置され、前記空隙内を流れてくる前記樹脂の到達を検知するセンサ部と、
前記射出器の樹脂注入を制御するとともに、前記センサ部が前記樹脂の到達を検知したタイミングに応じて、前記射出器の樹脂注入の保圧制御を始める制御部と
を備える、蓄電モジュールの製造装置。
【請求項２】
前記センサ部が、前記電極積層体の周囲を流れる前記樹脂同士が合流する箇所に配置されている、請求項１に記載の蓄電モジュールの製造装置。
【請求項３】
前記センサ部を複数備え、
前記金型が前記注入口を複数有し、前記電極積層体の周囲を流れる前記樹脂同士が合流する複数の箇所のうちの少なくとも一部に前記センサ部がそれぞれ配置されており、
前記複数の注入口が、前記積層方向から見て前記電極積層体の周回方向に関して等間隔に離間している、請求項１または２に記載の蓄電モジュールの製造装置。
【請求項４】
前記電極積層体が前記積層方向から見て矩形状であり、かつ、前記電極積層体の周囲に形成された前記空隙が前記積層方向から見て矩形環状であり、
前記金型に、前記矩形環状の空隙の四辺のそれぞれに４つのセンサ部が配置されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の蓄電モジュールの製造装置。
【請求項５】
前記センサ部が、前記積層方向から見て前記電極積層体の周回方向に離間した一対のセンサで構成されている、請求項１に記載の蓄電モジュールの製造装置。
【請求項６】
電極板と、前記電極板の一方面に設けられた正極と、前記電極板の他方面に設けられた負極とを含む複数のバイポーラ電極が積層された積層体と、
前記複数のバイポーラ電極の各電極板の縁部を保持する複数の第１樹脂部と、前記積層体の積層方向から見て前記複数の第１樹脂部の周囲に設けられた筒状の第２樹脂部とを含む枠体と
を備える蓄電モジュールを作製する蓄電モジュールの製造方法であって、
前記第１樹脂部が設けられた前記バイポーラ電極を複数重ねた電極積層体を金型のキャビティ内に収容して、前記積層方向から見て前記電極積層体の周囲に空隙を形成する工程と、
前記第２樹脂部となるべき樹脂を、前記金型に設けられた注入口を介して、制御部によって樹脂注入が制御されている射出器から前記キャビティの前記空隙に注入する工程と、
前記積層方向から見て前記電極積層体の周囲であって前記注入口とは異なる箇所における前記金型に配置されたセンサで、前記空隙内を流れてくる前記樹脂の到達を検知する工程と、
前記センサが前記樹脂の到達を検知したタイミングに応じて、前記制御部が前記射出器の樹脂注入の保圧制御を始める工程と
を含む、蓄電モジュールの製造方法。