(57)【要約】  表示電極１２，１３と誘電体層と保護層が形成される前面基板１０と，アドレス電極２４と隔壁２３と蛍光体２８が形成される背面基板２０とを耐熱性樹脂基板で構成する。そして，プラズマ放電に伴って発生する紫外線の照射により耐熱性樹脂基板から不純物ガスが放出されないようにするために，前面基板と背面基板には紫外線吸収層または紫外線反射層が形成される。前面基板に形成する保護層が紫外線吸収機能または紫外線反射機能を有していても良い。
2008007441.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向配置される前面基板と背面基板とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において，
前記前面基板と背面基板とを所定の基準温度まで耐熱性を有する樹脂基板で構成し，
前記前面基板上に表示電極とそれを被覆する誘電体層とその上の保護層とを前記基準温度以下のプロセスで形成する工程と，
前記背面基板表面を所定パターンに削って放電セルを画定する複数の凹部を有する隔壁を形成し，さらに前記背面基板上に前記表示電極に交差するアドレス電極と蛍光体とを前記基準温度以下のプロセスで形成する工程と，
さらに，前記背面基板上に紫外線吸収層または紫外線反射層を前記基準温度以下のプロセスで形成する工程と，
前記前面基板と背面基板とを前記基準温度以下の雰囲気中で封止する工程とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１において，
前記耐熱性を有する樹脂基板は，ポリアリレート基板であり，前記基準温度は２００℃以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１において，
前記前面基板上に前記表示電極を形成する工程が，透明電極材料を溶媒に混ぜたインクを前記前面基板上に噴射して透明電極パターンを形成し，当該溶媒が揮発する温度雰囲気中で前記溶媒を揮発させる第１のインクジェット成膜工程と，導電材料を溶媒に混ぜたインクを前記透明電極パターン上に噴射して導電電極パターンを形成し，当該溶媒が揮発する温度雰囲気中で前記溶媒を揮発させる第２のインクジェット成膜工程とを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１において，
前記前面基板上に前記表示電極を被覆する誘電体層を形成する工程が，前記基板を１７０〜１９５℃に保ちながら誘電体材料をスパッタ成長する工程であることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１において，
前記背面基板の表面に隔壁を形成する工程が，前記背面基板表面に凹部を露出するマスクパターンの形成と当該マスクパターンをマスクにしたエッチングとを含む工程，または，前記背面基板表面にレーザを照射して表面を溶発して前記凹部を形成する工程のいずれかを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項１において，
前記背面基板上に前記アドレス電極を形成する工程が，導電材料を溶媒に混ぜたインクを前記背面基板上に噴射してアドレス電極パターンを形成し，その後当該溶媒が揮発する温度雰囲気中で前記溶媒を揮発させる第３のインクジェット成膜工程を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項１において，
前記背面基板上に前記蛍光体を形成する工程が，蛍光体粒子を溶媒に混ぜたインクを前記凹部表面に噴射して蛍光体パターンを形成し，その後当該溶媒が揮発する温度雰囲気中で溶媒を揮発させる第４のインクジェット成膜工程を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項１において，
前記背面基板上に前記紫外線吸収層または紫外線反射層を形成する工程が，前記蛍光体を形成する工程の前に前記背面基板表面と前記凹部表面上に，紫外線吸収材料または紫外線反射材料を含有する樹脂シートを貼り付ける工程を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
請求項１において，
前記前面基板上に形成される保護層が，前記紫外線吸収材料または紫外線反射材料で形成されて前記紫外線吸収層または紫外線反射層を兼ねることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
請求項１において，
前記前面基板上に表示電極と誘電体層を形成した状態を不活性ガス雰囲気中または放電ガス雰囲気中において，前記保護層を形成し，当該不活性ガス雰囲気中または放電ガス雰囲気中で当該前面基板と背面基板とを接着剤により封止することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０において，
前記誘電体層上に酸化マグネシウムを蒸着して前記保護層を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１２】
放電空間を介して対向配置される前面基板と背面基板とを有するプラズマディスプレイパネルにおいて，
前記前面基板と背面基板とが所定の基準温度まで耐熱性を有する樹脂基板であり，
前記前面基板上に表示電極とそれを被覆する誘電体層と当該誘電体層をプラズマ放電から保護すると共に紫外線を吸収または遮蔽する保護層とが形成され，
前記背面基板表面に放電空間を画定する複数の凹部を有する隔壁が形成され，さらに前記背面基板上に前記表示電極と交差するアドレス電極が，前記凹部表面上に蛍光体がそれぞれ形成され，
さらに，前記背面基板と前記蛍光体との間に紫外線吸収層または紫外線反射層が形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，プラズマディスプレイパネルの製造方法に関し，特に，ガラス基板に比較して軽量化できる樹脂基板を利用したプラズマディスプレイパネルの製造方法とそのプラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネルは，平面型テレビジョンやパーソナルコンピュータの表示パネルとして普及している。従来のプラズマディスプレイパネルは，前面基板と背面基板の両方が無色透明のガラス基板で構成され，前面基板上には表示電極，誘電体層，保護層などが形成され，背面基板上には発光領域を画定する隔壁と，アドレス電極と，蛍光体層などが形成される。そして，両基板間の周辺部が封止ガラスで封止され，放電空間を真空排気してから放電ガスの封入が行われる。【０００３】
従来のプラズマディスプレイパネルは，前面基板上の誘電体層を形成するために低融点ガラスペーストを塗布して高温焼成する工程が必要であり，また背面基板上の隔壁を形成するために低融点ガラスを厚く塗布してサンドブラスト法でパターニングして高温焼成する工程があり，さらに背面基板上に封止用の低融点ガラスを周辺に塗布して前面基板と貼り合わせて高温焼成する工程がある。そして，前面基板に形成した保護層を活性化するために組み立て工程で高温処理をする工程もある。【０００４】
上記のとおり，数々の高温処理の要請から両基板は高温処理に耐えることができるガラス基板が採用されている。【０００５】
上記の焼成工程などの高温処理を避けるパネル構造や製造方法については，例えば特許文献１に記載されている。これには，表示電極と保護層を形成した誘電体フィルムを背面ガラス基板に封止し，更に前面ガラス基板を誘電体フィルムに貼り付けることが記載されている。しかし，背面基板はガラス基板である。【０００６】
また，特許文献２には，背面基板上に隔壁の形成を簡単化するために射出成形法により表面に隔壁を有する合成樹脂の背面基板を形成することが提案されている。前面基板についての記載はないし，合成樹脂の背面基板に電極などを形成する製造プロセスについての記載もない。【０００７】
さらに，特許文献３には，パネルの軽量化のために前面ガラス基板に代えてフィルム状基板を採用することが記載されている。ただし，背面基板はガラス基板である。【０００８】
そして，特許文献４には，背面基板の隔壁を有機高分子材料で形成することが記載されている。
【特許文献１】特開平１０−３４０６７６号公報
【特許文献２】特開２００２−１７０４９５号公報
【特許文献３】特開２００３−１９７０９５号公報
【特許文献４】特開平０９−２４５６５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来の前面と背面にガラス基板を採用したプラズマディスプレイパネルは，パネルサイズの大型化に伴いその重量が問題視されてきている。たとえば，４２インチ型で約９Kｇ，５５インチ型では約１５Kgと重量化の一途をたどっており軽視することができない。【００１０】
また，製造プロセスにおいて前述のとおり高温焼成工程を繰り返す必要があり，製造コストの低減を困難にしている。【００１１】
そこで，本発明の目的は，軽量化と共に低温プロセスによるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために，本発明の第１の側面によれば，表示電極と誘電体層と保護層が形成される前面基板と，アドレス電極と隔壁と蛍光体が形成される背面基板とを，耐熱性樹脂基板で構成する。そして，前面基板では，インクジェット法により表示電極を形成し，酸化シリコンをスパッタ法により形成して誘電体層とする。また，背面基板では，樹脂基板表面をエッチングまたはレーザ加工して隔壁を形成し，インクジェット法によりアドレス電極の形成と蛍光体の形成を行う。そして，両基板の封止を低融点ガラスに代えて接着剤により行う。また，前面基板上の保護層の形成と両基板の封止，放電空間の排気と放電ガスの封入とを不活性ガス雰囲気中または放電ガス雰囲気中で行って，保護層のアニール工程を不要にする。【００１３】
上記のような低温プロセスを組み合わせることで，約２００℃以下の低温プロセスでパネルを製造することができ，ガラス基板よりも軽量であるが耐熱性が低い耐熱性樹脂基板の採用を可能にすることができる。【００１４】
上記の目的を達成するために，本発明の第２の側面によれば，表示電極と誘電体層と保護層が形成される前面基板と，アドレス電極と隔壁と蛍光体が形成される背面基板とを，耐熱性樹脂基板で構成する。そして，プラズマ放電に伴って発生する紫外線の照射により耐熱性樹脂基板から不純物ガスが放出されないようにするために，前面基板と背面基板には紫外線吸収層または紫外線反射層が形成される。前面基板に形成する保護層が紫外線吸収機能または紫外線反射機能を有していても良い。【００１５】
上記のように軽量化のために樹脂基板を採用してもプラズマ放電に伴う紫外線照射により放電空間の雰囲気が変化しないようにすることができる。【００１６】
上記の目的を達成するために，本発明の第３の側面によれば，放電空間を介して対向配置される前面基板と背面基板とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において，
前記前面基板と背面基板とを所定の基準温度まで耐熱性を有する樹脂基板で構成し，
前記前面基板上に表示電極とそれを被覆する誘電体層とその上の保護層とを前記基準温度以下のプロセスで形成する工程と，
前記背面基板表面を所定パターンに削って放電セルを画定する複数の凹部を有する隔壁を形成し，さらに前記背面基板上に前記表示電極に交差するアドレス電極と蛍光体とを前記基準温度以下のプロセスで形成する工程と，
さらに，前記背面基板上に紫外線吸収層または紫外線反射層を前記基準温度以下のプロセスで形成する工程と，
前記前面基板と背面基板とを前記基準温度以下の雰囲気中で封止する工程とを有する。【００１７】
上記の第３の側面において，好ましい態様では，前記耐熱性を有する樹脂基板は，ポリアリレート基板であり，前記基準温度は２００℃以下であることを特徴とする。【００１８】
上記の目的を達成するために，本発明の第４の側面によれば，放電空間を介して対向配置される前面基板と背面基板とを有するプラズマディスプレイパネルにおいて，
前記前面基板と背面基板とが所定の基準温度まで耐熱性を有する樹脂基板であり，
前記前面基板上に表示電極とそれを被覆する誘電体層と当該誘電体層をプラズマ放電から保護すると共に紫外線を吸収または遮蔽する保護層とが形成され，
前記背面基板表面に放電空間を画定する複数の凹部を有する隔壁が形成され，さらに前記背面基板上に前記表示電極と交差するアドレス電極が，前記凹部表面上に蛍光体がそれぞれ形成され，
さらに，前記背面基板と前記蛍光体との間に紫外線吸収層または紫外線反射層が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば，前面基板と背面基板とが樹脂基板で構成されるのでパネルを軽量化させることができ，さらに低温プロセスで製造するので製造コストを下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板の平面図である。
【図２】前面基板の平面図と断面図である。
【図３】背面基板の平面図と断面図である。
【図４】本実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの製造プロセスのフローチャート図である。
【図５】前面基板に対する製造プロセスの断面図である。
【図６】背面基板に対する製造プロセスの断面図である。
【図７】背面基板に対する製造プロセスの断面図である。
【図８】前面基板のプロセスと両基板の組み立てプロセスを示す断面図である。
【図９】前面基板のプロセスと両基板の組み立てプロセスを示す別の断面図である。
【符号の説明】
【００２１】
１０：前面基板                    １２，１３：表示電極
２０：背面基板                    ２２：凹部
２３：隔壁                        ２４：アドレス電極
２８：蛍光体
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下，図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し，本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず，特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。【００２３】
図１は，本実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの前面基板と背面基板の平面図である。本実施の形態では，パネルの軽量化のために前面基板１０と背面基板２０とを耐熱性樹脂基板で構成する。具体的には，ポリアリレート樹脂基板であり，転移温度１９５℃，透過率約９０％，厚み０．５〜５ｍｍの基板である。【００２４】
前面基板１０には透明電極１２とその透明電極１２の中央部に重ねて形成される導電性のバス電極１３とからなる表示電極が複数本並列に配置される。一方，背面基板２０には表示電極１２，１３と交差するように縦方向に並列に配置される複数本のアドレス電極２４が形成される。また，背面基板２０の表面には，表示電極１２，１３とアドレス電極２４とが交差する放電セルを画定する凹部２２を形成するために格子状（井桁状，ボックス型，ワッフル型とも呼ばれる）の隔壁２３が形成される。【００２５】
図２は，前面基板の平面図と断面図である。図２には，バス電極１３に沿った断面図Ａ−Ａと，それに交差する方向に沿った断面図Ｂ−Ｂとが示されている。この図から明らかなとおり，耐熱性樹脂基板１０上に透明電極１２とバス電極１３が形成され，それら電極を被覆する誘電体層１４が形成され，さらに誘電体層上に保護層１５が形成される。透明電極１２は，例えばＩＴＯ（酸化インジウムと酸化錫からなる半導体）や酸化錫からなる電極であり，バス電極１３は銀粒子からなる電極であり，誘電体層１４はシリコン酸化膜からなり，保護層１５は酸化マグネシウムからなる。保護層１５は，プラズマ放電により発生する電荷の衝突から誘電体層を保護する機能と，電荷の衝突時に二次電子を放出して印加すべき放電電圧値を低下させる機能に加えて，プラズマ放電時に発生する紫外線を通さず樹脂基板１０に紫外線が達しないようにする機能を有する。紫外線が樹脂基板１０に照射されるとそれに伴って樹脂基板から不純物ガスが発生し放電ガス空間の状態を劣化させるので，それを防止する機能を有する。【００２６】
図３は，背面基板の平面図と断面図である。図３には，アドレス電極２４に沿った断面図Ｄ−Ｄと，それに交差する方向に沿った断面図Ｃ−Ｃとが示されている。この図から明らかなとおり，耐熱性樹脂基板２０の表面には，放電セルを画定する凹部２２をマトリクス状に形成する格子状の隔壁２３が形成されている。そして，凹部２２と隔壁２３上に縦方向に延びるアドレス電極２４が形成されている。さらに，アドレス電極２４を被覆するように背面基板２０の表示領域ＤＩＳの全面に紫外線吸収層または紫外線反射層２６が形成され，凹部２２の底面と斜面に蛍光体２８が形成される。蛍光体２８は，ＲＧＢの３原色に対応する３種類の蛍光体を有する。【００２７】
アドレス電極２４は，バス電極１３と同じ銀粒子からなり，紫外線吸収層２６はハイドライド系有機金属化合物，モリブデン，タングステンなどの紫外線吸収剤料を分散させたフィルムからなる。また，紫外線反射層としては，グラッシーカーボンを分散させたフィルムからなる。【００２８】
図１に示したとおり，表示電極のバス電極１３は銀粒子などから形成される不透明材料であり，背面基板２０の横方向に延びる隔壁２３の位置に整合するように形成される。また，図１，３の平面図には示されていないが，背面基板２０の周囲には，封止用の接着剤を塗布するための溝が形成され，さらに背面基板２０には，両基板を組み立てて封止した後に，内部の放電空間を排気したり放電ガスを封入したりするための通気孔が形成されている。【００２９】
さらに，背面基板２０の隔壁２３は，水平方向に延びる隔壁の高さが垂直方向に延びる隔壁の高さより低く形成されていることが望ましい。そのようにすることで，封止後の排気工程での排気コンダクタンスを良くすることができ，隔壁２３を超えて延びるアドレス電極２４の形成を容易にすることができる。【００３０】
図１〜３に示されたプラズマディスプレイパネルの構造で特徴的な点は，両基板を耐熱性樹脂基板にしてパネルの軽量化を図ったことにあり，それに伴って，プラズマ放電時の紫外線が樹脂基板に衝突して放電特性に影響を与える可能性のある不純物ガスが樹脂基板から放出されないようにするために，前面基板１０側にはＭｇＯの保護層１５が，背面基板２０側には紫外線吸収層２６が形成されていることにある。さらに，樹脂基板は従来の低融点ガラスペーストの焼成温度に耐えることができないので，背面基板２０の表面がエッチングなどで一部削られて隔壁２３が形成されていることにある。なお，隔壁は格子状に限らずストライプ状，デルタ状のものも適用できる。【００３１】
図４は，本実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの製造プロセスのフローチャート図である。前面基板に対しては工程Ｓ１０〜Ｓ１３が行われ，背面基板には工程Ｓ２０〜Ｓ２４が行われ，最後に両基板の組み立て，ガス封入などの工程Ｓ３０，Ｓ３１が行われる。そのうち，工程Ｓ１３，Ｓ３０，Ｓ３１が，同じ不活性ガス雰囲気中または放電ガス雰囲気中で行われる。本実施の形態では，耐熱性樹脂基板１０，２０を採用しているので，ガラス基板を利用する場合の高温焼成工程などの高温プロセスは採用せず，全て，樹脂基板が耐えられる基準温度，例えばポリアリレート樹脂基板の場合であれば約２００℃以下の温度の低温プロセスが採用される。図５以下の工程断面図を参照しながら製造プロセスについて説明する。【００３２】
図５は，前面基板に対する製造プロセスの断面図である。まず，前面基板１０としてポリアリレート樹脂基板を準備する（Ｓ１）。そして，前面基板１０の表面に直接または酸化シリコン膜を介して表示電極を構成する透明電極１２を形成する（Ｓ１０）。透明電極１２の形成は，トルエン，キシレン，エチルアルコールなどの溶媒にＩＴＯの粉末を混ぜたインクを，前面基板１０の表面にインクジェット法により噴射して透明電極パターンを形成し，その後，溶媒が揮発する程度の温度に基板を加熱して溶媒を揮発させることにより行われる。前述の溶媒の沸点は，それぞれトルエンが１１０．６℃，キシレンが１３８．３〜１４４．４℃，エチルアルコール７８．３２℃であるので，インクが塗布された後にそれら溶媒が揮発する程度の温度，例えば７０〜１５０℃に基板１０が加熱される。その結果，インクジェット法で塗布されたインクから溶媒が揮発し，ＩＴＯ材料の透明電極が形成される。【００３３】
上記のインクジェット法以外の方法としては，高周波プラズマを利用したプラズマ結晶化法によりＩＴＯ膜を全面に形成し，レジストマスクを利用したリソグラフィ技術によりパターニングして形成することでもよい。この場合のＩＴＯ膜形成時の温度は約１５０℃でよい。【００３４】
また，上記のインクジェット法におけるインクとして，ＩＴＯ以外に酸化錫粉末を溶媒に混ぜたインクを利用することもできる。この場合は，透明電極は酸化錫膜になる。【００３５】
従来のガラス基板を利用したプロセスでは，ＩＴＯの透明電極は３００〜４００℃雰囲気中でのスパッタリング法で形成されていた。それに対して，本実施の形態では上記のとおり７０〜１５０℃と低温プロセスで形成される。【００３６】
次に，透明電極１２の上に導電性のバス電極１３が形成される（Ｓ１１）。バス電極１３の形成は，トルエン，キシレン，エチルアルコールなどの溶媒に銀ナノ粒子を混ぜたインクを，前面基板１０の透明電極上にインクジェット法により噴射してバス電極パターンを形成し，その後，溶媒が揮発する程度の温度に基板１０を加熱することにより塗布されたインクから溶媒を揮発させることで行われる。溶媒の沸点や基板温度は，前述のＩＴＯの透明電極のインクジェット法と同じである。【００３７】
従来のガラス基板を利用したプロセスでは，バス電極は３００〜４００℃雰囲気中でのスパッタリング法でＣｒ，Ｃｕ，Ｃｒの三層構造を形成し，リソグラフィ工程でパターニングして形成されている。それに対して，本実施の形態では７０〜１５０℃と低温プロセスで形成される。【００３８】
次に，前面基板１０の表面全面に表示電極１２，１３を被覆する誘電体層１４が形成される（Ｓ１２）。この誘電体層１４の形成は，酸化シリコンのスパッタリング法により行われ，基板温度は１７０〜１９５℃程度である。従来の低融点ガラスペーストを塗布して焼成する場合に比較して大幅に低温下することができる。【００３９】
図６，図７は，背面基板に対する製造プロセスの断面図である。まず，背面基板２０としてポリアリレート樹脂基板を準備する（Ｓ２）。そして，背面基板２０の表面に放電セルに対応する凹部２２と，封止用の接着剤を塗布するための溝２５の部分を露出するレジストマスクを形成し，化学エッチングにより露出した部分をエッチングして，凹部２２と溝２３とを形成する（Ｓ２０）。凹部２２を形成したことにより，格子状の隔壁２５が形成される。また，接着剤を塗布するための溝２５は，背面基板２０の周辺の４辺に沿って形成され，凹部２２より深く形成する必要がある。したがって，溝２５を形成する際は，溝２５の部分のみを露出させたレジストマスクを形成し，凹部２２をエッチングした時よりも長時間かけて化学エッチングすることにより露出した部分をエッチングする。この化学エッチング工程では，常温２０〜３０℃の雰囲気中で行われる。【００４０】
または，化学エッチングに代えて，レーザ加工により凹部２２と溝２３を形成することもできる。レーザを凹部２２と溝２５の形成領域に照射して樹脂基板表面を溶発（アブレーション）させることで形成することができる。この場合も常温雰囲気中で行われる。【００４１】
従来の隔壁の形成には，低融点ガラスを塗布してサンドブラスト法でパターニングし高温焼成することで行われていたのに対して，本実施の形態では，基板表面を直接削ることで常温雰囲気でのプロセスにすることができる。【００４２】
次に，背面基板２０の表面上に縦方向に並ぶ凹部２２に沿って，導電材料からなるアドレス電極２４が形成される（Ｓ２１）。このアドレス電極２４の形成は，前述のバス電極の形成と同じであり，銀ナノ粒子を溶媒に混ぜたインクを，基板２０に噴射してアドレス電極パターンを形成し，インクの溶媒が揮発する程度に基板２０を加熱して溶媒を揮発させることにより行われる。溶媒の種類や基板温度は透明電極の場合と同じである。【００４３】
そして，背面基板２０の表示領域ＤＩＳ（図１，３参照）上全面に，紫外線吸収層または紫外線反射層２６が形成される（Ｓ２２）。周辺の溝２５上には形成する必要がない。紫外線吸収層は，ハイドライド系有機金属化合物，モリブデン，タングステンなどの真空紫外線吸収材料を分散させたフィルムを貼り付けることにより形成される。このときの貼り付け時の基板温度は，例えば８０〜１２０℃である。また，紫外線反射層としては，例えばグラッシーカーボンを分散させたフィルムを貼り付けることにより形成される。【００４４】
紫外線吸収層または紫外線反射層２６を設けることで，プラズマ放電時に発生する紫外線が樹脂基板２０に衝突して不純物ガスが発生して放電ガス状態を劣化させることを防止することができる。紫外線は蛍光体を励起して発光させる機能を有するので，紫外線吸収層よりも紫外線反射層のほうが発光効率の観点からは好ましい。かかる紫外線吸収層または紫外線反射層は，従来のパネルには利用されていない。【００４５】
次に，背面基板２０の凹部２２の底面と斜面に蛍光体２８が形成される（Ｓ２３）。この蛍光体の形成は，蛍光体ナノ粒子を溶媒に混ぜたインクを，基板２０に噴射して蛍光体パターンを形成し，溶媒が揮発する程度の温度に基板を加熱して溶媒を揮発させることで行われる。この溶媒と基板温度も，前面基板のバス電極形成と同じである。よって，基板温度は７０〜１５０℃の低温である。紫外線吸収層または紫外線反射層の上に蛍光体２８を形成して，紫外線が蛍光体２８には照射されるが樹脂基板には照射されないようにすることが必要である。【００４６】
従来では，蛍光体粉末と樹脂とを溶媒に混ぜたペーストを塗布し，乾燥させて溶媒を揮発させ，更に焼成工程により樹脂粉末を燃焼させていたため，高温処理が必要であった。それに対して，本実施の形態では低温プロセスで蛍光体を形成することができる。【００４７】
さらに，背面基板２０の周囲に形成した溝２５内に，封止用の接着剤２９をディスペンス法またはスクリーン印刷法により形成する（Ｓ２４）。この接着剤は，例えば，合成樹脂系，合成エストラマー系，合成複合系などの接着剤であり，エポキシ樹脂系接着剤（エポキシ，ポリアミドなど）が好ましい。この接着剤の塗布は常温で行われる。【００４８】
従来は，封止材として低融点ガラスペーストを塗布して，組み立て後に焼成していたので，高温処理が必要であったが，本実施の形態では接着剤を利用するので，それを硬化するための低温処理で良い。【００４９】
図８は，前面基板のプロセスと両基板の組み立てプロセスを示す断面図である。図８に示したプロセスＳ１３，Ｓ３０，Ｓ３１は，共通の不活性ガス雰囲気中で行われる。まず，窒素やフッ素などの不活性ガス雰囲気中で，前面基板１０の誘電体層１４上にＭｇＯからなる保護層１５を形成する（Ｓ１３）。ＭｇＯの保護層１５の形成は，基板を１７０〜１９０℃に加熱して行う蒸着法による。この保護膜１５の形成方法は，従来と同等である。【００５０】
ＭｇＯの保護層１５は，前述したとおりプラズマ放電による電荷の誘電体層１４への衝突を防止するとともに，二次電子を放出して放電電圧を低減する機能を有する。さらに，ＭｇＯの保護層１５は，プラズマ放電により発生する真空紫外線を通さない機能を有する。これにより，樹脂基板１０から不純物ガスが発生することが防止される。【００５１】
同じ不活性ガス雰囲気中で，図６，７で形成された背面基板２０が前面基板１０と位置合わせされ，接着剤２９を硬化させて封止が行われる（Ｓ３０）。この接着剤の硬化のために，基板１０，２０は例えば２０〜１５０℃にされる。この封止温度は，従来のガラスペーストの焼成温度よりも低い。【００５２】
そして，最後に，背面基板２０に形成した通気孔（図示せず）を介して，内部のガスを真空排気して両基板表面の不純物などが排気され，Ｎｅ，Ｘｅの放電ガスが封入され，最後に通気孔が閉じられる（Ｓ３１）。この排気と放電ガス封入とは常温で行われる。また，通気孔は接着剤により閉じられる。【００５３】
図８に示したとおり，前面基板１０に形成された保護層１５は不活性ガス雰囲気中内に保たれ大気中にさらされることはない。そのため，保護層１５に大気中の水分が吸着することが防止される。従来は，保護層１５に吸着された水分を除去するために，組み立て工程で高温雰囲気（３５０〜４５０℃）中で内部を排気してＭｇＯを活性化していた。本実施の形態は，そのような高温処理による活性化プロセスは不要になる。【００５４】
図９は，前面基板のプロセスと両基板の組み立てプロセスを示す別の断面図である。この例では，放電ガス雰囲気中で工程Ｓ１３とＳ３０が行われる。放電ガス雰囲気中で組み立てと封止工程Ｓ３０が行われるので，排気・放電ガス封入工程Ｓ３１が不要になる。それ以外は，図８と同じである。【００５５】
以上説明したとおり，本実施の形態によれば，耐熱性樹脂基板を前面基板と背面基板に採用し，それに伴って低温プロセスによりパネルを形成する。さらに，紫外線が樹脂基板に照射されないように紫外線吸収膜または紫外線反射膜を両基板にそれぞれ形成する。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明によれば，基板を軽量化でき，製造コストを低下させることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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