(57)【要約】  自由層１と、固定層３と、自由層１と固定層３との間に介設された非磁性層２と、自由層１に対して固定層３の反対側に隣接した二つの磁性層２０とを具備する磁気抵抗素子である。自由層１は、第１磁性層１１と、第２磁性層１３と、第１磁性層１１と第２磁性層１３との間に介設された第1非磁性層１２とを備える。第１磁性層１１の磁化と第２磁性層１３の磁化とは反強磁性結合している。二つの磁性層２０は、一方が自由層１における長軸方向の一方の端部で接し、他方が長軸方向の他方の端部で接する。
2007099874.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自由層と、
固定層と、
前記自由層と前記固定層との間に介設された非磁性層と、
前記自由層に対して前記固定層の反対側に隣接した二つの磁性層と
を具備し、
前記自由層は、
第１磁性層と、
第２磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に介設された第1非磁性層と
を備え、
前記第１磁性層の磁化と前記第２磁性層の磁化とは反強磁性結合し、
前記二つの磁性層は、一方が前記自由層における長軸方向の一方の端部で接し、他方が前記長軸方向の他方の端部で接する
磁気抵抗素子。
【請求項２】
請求の範囲１に記載の磁気抵抗素子において、
前記自由層における中央部の磁化の方向と、前記二つの磁性層の磁化の方向とは略直角を成す
磁気抵抗素子。
【請求項３】
請求の範囲２に記載の磁気抵抗素子において、
前記二つの磁性層は、強磁性体及び反強磁性体のいずれか一方である
磁気抵抗素子。
【請求項４】
請求の範囲２に記載の磁気抵抗素子において、
前記二つの磁性層は、前記自由層に含まれている
磁気抵抗素子。
【請求項５】
請求の範囲１乃至４のいずれか一項に記載の磁気抵抗素子において、
前記第1磁性層の磁気体積と前記第２磁性層の磁気体積とはほぼ等しい
磁気抵抗素子。
【請求項６】
請求の範囲１乃至５のいずれか一項に記載の磁気抵抗素子において、
前記自由層の平面構造は、前記長軸方向に沿った辺が、前記長軸方向と異なる方向に広がる
磁気抵抗素子。
【請求項７】
第１方向に延伸する複数の第１配線と、
前記第１方向に実質的に垂直な第２方向に延伸する複数の第２配線と、
前記複数の第１配線と前記複数の第２配線とが交差する位置のそれぞれに対応して設けられた複数のメモリセルと
を具備し、
前記複数のメモリセルの各々は、請求の範囲１乃至６のいずれか一項に記載の磁気抵抗素子を含み、
前記磁気抵抗素子は、前記長軸方向が、前記第１方向及び前記第２方向とは異なる
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項８】
請求の範囲７に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて、
前記複数の第１配線から選択される選択第１配線と前記複数の第２配線から選択される選択第２配線とに対応するメモリセルとしての選択セルについて、書込み動作は、書き込むデータに基づいて前記選択第１配線及び前記選択第２配線のうちの一方としての第１電流用配線を選択して第１書込み電流を供給し、その後、前記選択第１配線及び前記選択第２配線のうちの他方としての第２電流用配線に第２書込み電流を供給し、その後、前記第１書込み電流を停止し、その後、前記第２書込み電流を停止することで実行される
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項９】
磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法であって、
ここで、前記磁気ランダムアクセスメモリは、
第１方向に延伸する複数の第１配線と、
前記第１方向に実質的に垂直な第２方向に延伸する複数の第２配線と、
前記複数の第１配線と前記複数の第２配線とが交差する位置のそれぞれに対応して設けられた複数のメモリセルと
を具備し、
前記複数のメモリセルの各々は、磁気抵抗素子を含み、
前記磁気抵抗素子は、
自由層と、
固定層と、
前記自由層と前記固定層との間に介設された非磁性層と、
前記自由層に対して前記固定層の反対側に隣接した二つの磁性層と
を備え、
前記自由層は、
第１磁性層と、
第２磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に介設された第1非磁性層と
を含み、
前記第１磁性層の磁化と前記第２磁性層の磁化とは反強磁性結合し、
前記二つの磁性層は、一方が前記自由層における長軸方向の一方の端部で接し、他方が前記長軸方向の他方の端部で接し、
前記長軸方向が、前記第１方向及び前記第２方向とは異なり、
前記磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法は、
（ａ）前記複数の第１配線から選択第１配線を選択し、前記複数の第２配線から選択第２配線を選択するステップと、
（ｂ）書き込むデータに基づいて、前記選択第１配線及び前記選択第２配線のうちの一方としての第１電流用配線を選択して第１書込み電流を供給するステップと、
（ｃ）前記第１書込み電流供給後、前記選択第１配線及び前記選択第２配線のうちの他方としての第２電流用配線に第２書込み電流を供給するステップと、
（ｄ）前記第２書込み電流供給後、前記第１書込み電流を停止するステップと、
（ｅ）前記第１書込み電流停止後、前記第２書込み電流を停止するステップと
を具備する
磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法。
【請求項１０】
請求の範囲９に記載の磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法において、
前記自由層における中央部の磁化の方向と、前記二つの磁性層の磁化の方向とは略直角を成す
磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法。
【請求項１１】
請求の範囲１０に記載の磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法において、
前記二つの磁性層は、強磁性体及び反強磁性体のいずれか一方である
磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法。
【請求項１２】
請求の範囲１０に記載の磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法において、
前記二つの磁性層は、前記自由層に含まれている
磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法。
【請求項１３】
請求の範囲９乃至１２のいずれか一項に記載の磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法において、
前記第1磁性層の磁気体積と前記第２磁性層の磁気体積とはほぼ等しい
磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法。
【請求項１４】
請求の範囲９乃至１３のいずれか一項に記載の磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法において、
前記自由層の平面構造は、前記長軸方向に沿った辺が、前記長軸方向と異なる方向に広がる
磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリに関する。
【背景技術】
【０００２】
記憶素子の磁化の向きを制御することで、データを記憶する磁気ランダムアクセスメモリ（以下、ＭＲＡＭと記す）が知られている。磁化の向きの記録方法により、いくつかの種類のＭＲＡＭがある。【０００３】
米国特許６，５４５，９０６号公報に、トグル型磁気ランダムアクセスメモリ（以下、トグルＭＲＡＭと記す）が開示されている。このトグルＭＲＡＭでは、その記憶素子が積層フェリ構造体を自由層に用いたトンネル磁気抵抗素子である。このＭＲＡＭでは、書込み動作時におけるメモリセルの選択性が優れている。以下、トグルＭＲＡＭについて詳細に説明する。【０００４】
図１は、従来のトグルＭＲＡＭの構造を示す断面図である。このＭＲＡＭのメモリセル１１０の磁気抵抗素子１０５は、反強磁性層１０４、積層フェリ固定層１０３、非磁性層（トンネル絶縁層）１０２、及び積層フェリ自由層１０１を有し、各層は、この順に積層されている。積層フェリ固定層１０３は、積層フェリ構造を有し、強磁性層１１６、非磁性層１１５及び強磁性層１１４を含む。積層フェリ自由層１０１は、積層フェリ構造を有し、強磁性層１１３、非強磁性層１１２及び強磁性層１１１を含む。メモリセル１１０は、強磁性層１１３の磁化の向き１２２及び強磁性層１１１の磁化の向き１２１に基づいてデータを記憶する。磁気抵抗素子１０５は、互いに概ね垂直に交差する書込みワード線１２６とビット線１２７に挟まれている。【０００５】
図２は、従来のトグルＭＲＡＭの構造を示す上面図である。このＭＲＡＭでは、書込みワード線１２６とビット線１２７とが直交して複数本配置され（本図では各1本ずつ表示）、それぞれの交点に磁気抵抗素子１０５が配置される。磁気抵抗素子１０５は、磁化されやすい方向（磁化容易軸）がワード線１２６とビット線１２７とに対して概ね４５度（θ）の方向を向くように配置されている。これは、トグル動作を容易にするためである。【０００６】
次に、従来のトグルＭＲＡＭの書込み動作の原理について説明する。トグルＭＲＡＭの場合、書込みは、「１」→「０」か「０」→「１」しか行えない。すなわち、「１」に「１」を上書きすることや、「０」に「０」を上書きすることは出来ない。そのため、従来のトグルＭＲＡＭの書込み動作は、選択されたメモリセル１１０（以下、選択セルと記す）に対して予め読出しを実行し、その読出したデータ（「０」又は「１」）と書き込もうとするデータ（「０」又は「１」）とが等しい場合には書込み動作を行わず、異なる場合にはトグル動作による書込み（トグル書込み）を行う。【０００７】
図３Ａ〜図３Ｈは、従来のトグルＭＲＡＭにおけるトグル動作原理を示す図である。図３Ａは、ビット線１２７に流れる書込み電流ＩＢＬのタイミングチャートである。図３Ｂは、ワード線１２６に流れる書込み電流ＩＷＬのタイミングチャートである。図３Ｃは、選択セルにおける強磁性層１１３の磁化の向き１２２ｓ（太矢印）及び強磁性層１１１の磁化の向き１２１ｓ（細矢印）の時間変化である。図３Ｄは、書込み電流ＩＢＬと書込み電流ＩＷＬとにより発生する磁場の向きの時間変化である。図３Ｅは、選択セルと同一ビット線１２７の非選択セルにおける強磁性層１１３の磁化の向き１２２ａ（太矢印）及び強磁性層１１１の磁化の向き１２１ａ（細矢印）の時間変化である。図３Ｆは、書込み電流ＩＢＬにより発生する磁場１２３の向きである。図３Ｇは、選択セルと同一ワード線１２６の非選択セルにおける強磁性層１１３の磁化の向き１２２ｂ（太矢印）及び強磁性層１１１の磁化の向き１２１ｂの時間変化である。図３Ｈは、書込み電流ＩＷＬにより発生する磁場の向き１２５である。【０００８】
図３Ａを参照して、トグル動作は、時刻ｔ２でビット線１２７に書込み電流ＩＢＬを供給する。時刻ｔ３でワード線１２６に書込み電流ＩＷＬを供給する。時刻ｔ４で書込み電流ＩＢＬを停止させる。時刻ｔ５で書込み電流ＩＷＬを停止させる。以上の一連の電流制御により、書込み電流ＩＷＬが供給される選択ワード線１２６と書込み電流ＩＢＬが供給される選択ビット線１２７の交点の選択セルに、図３Ｄに示す磁場１２３−磁場１２４−磁場１２５のような磁場が加わる。それにより、図３Ｃに示すように、選択セルの強磁性層１１３の磁化の向き１２２ｓ及び強磁性層１１１の磁化の向き１２１ｓが回転して、データを書き込むことができる。すなわち、初期状態が「０」の状態である場合は「１」の状態に、「１」の状態である場合は「０」の状態に書き換えられる（トグルされる）。【０００９】
このとき、選択セルと同一ビット線１２７の非選択セルには、図３Ｆに示す磁場１２３のような一方向の磁場しか加わらない。そのため、図３Ｅに示すように、その非選択セルの強磁性層１１３の磁化の向き１２２ａ及び強磁性層１１１の磁化の向き１２１ａは多少の変動はあるが、元に戻るので、データは書き込まれない。同様に、選択セルと同一ワード線上１２６の非選択セルには、図３Ｈに示す磁場１２５のような一方向の磁場しか加わらない。そのため、図３Ｇに示すように、その非選択セルの強磁性層１１３の磁化の向き１２２ｂ及び強磁性層１１１の磁化の向き１２１ｂは多少の変動はあるが、元に戻るので、データは書き込まれない。したがって、トグル書込みは、選択セルの書込み時に非選択セルも書き込んでしまう多重書込みをなくすことができる。【００１０】
トグル書込みのもう一つの長所は、書込み電流の向きが一方向に固定されているので、単極性の電圧のみを発生させればよい点である。その結果、書込み用のトランジスタとして、小さいトランジスタを用いることができる。【００１１】
しかし、従来のトグルＭＲＡＭは、「１」と「０」を書き分けられない。そのため、書込みサイクルにおいても、一度読出しを行い、書込みを行うか否かを判断し、その後に書込みを行う必要がある。その結果、書込みサイクルが読出し時間の分だけ長くなり、書込み速度が遅くなるという欠点がある。書込みサイクルでの読出しを省略できると書込み速度が向上することから、「１」／「０」を書き分けられる技術が望まれる。【００１２】
米国特許６，５４５，９０６号公報には、「１」／「０」を書き分けられる技術として、ダイレクト書込みについても記載されている。ダイレクト書込みは、積層フェリ自由層を構成する二層の強磁性層の合計の磁気モーメントが外部磁界に応答し、臨界磁界以上の磁界で反転する書込み方法である。この方法は、磁界を印加した向きに合計した磁気モーメントが向くように磁化が配置するので、事前に読出しを行うことなく、「１」／「０」を書き込むことができる。この方法の欠点は、多重書込みが起こりやすい点である。この方法のもう一つの欠点は、書込み電流を両方向に流せるように、両極性の電圧が必要で、その結果、書込み用のトランジスタとして、大きなトランジスタを必要とする点である。【００１３】
関連する技術として特開平１１−２７３３３６号（米国特許５，９４６，２２８号）公報に反転用の中心核形成を備えた細長い磁気ＲＡＭセルが開示されている。この磁気デバイスは、第１の磁気領域と、磁気印加構造とを含む。第１の磁気領域は、印加された磁気刺激に応じて２通りの磁気状態のそれぞれに変化可能である。磁気印加構造は、第１の磁気領域の好ましい一部分だけに磁気刺激を印加するために第１の磁気領域に対して配置されている。第１の磁気領域がその中心部分で実質的に対向する２通りの磁化方向のいずれか一方を呈することができるようにしながら、細長い第１の磁気領域のそれぞれの端部で共通の磁化方向を維持するように、第１の磁気領域が形成され、又は、第１の磁気領域が端部に固定磁化ソースを含んでいても良い【００１４】
米国特許６，７９８，６９０号公報に磁気抵抗メモリが開示されている。その磁気抵抗メモリは、二つの磁性層に挟まれた非磁性層を具備する。当該磁性層は、磁化困難軸に沿う第１端部磁化を補助するために磁気体積の広がった第１端部と、磁化困難軸に沿う第２端部磁化を補助するために磁気体積の広がった第２端部と、磁化容易軸に沿う本体磁化を補助するために第１端部と第２端部と接続する本体とを備える。第１端部と第２端部とはＩ型に構成されていても良い。【００１５】
特表２００３−５１８６９９号（ＷＯ００／００７１９１号）公報にＭＲＡＭアレイの読み取り／書込み方法が開示されている。この磁気メモリのアレイに書込みおよび／または読み取りを行う方法は、 磁気セルのアレイを提供する段階と、 初期化困難軸磁界をアレイの第１方向に印加する段階と、 書込みのためにアレイ中のセルを選択する段階と から構成される。ここで、アレイは、各磁気セルが磁化容易軸および磁化困難軸および終端磁区磁界を有し、電流が印加されるとアレイ中の各セルが容易軸磁界を発生させる第１電流線および困難軸磁界を発生させる第２直角電流線（１２）を具備する。初期化困難軸磁界は、固定方向の全てのセル中の終端磁区磁界をスイッチするかまたは保持する。セルを選択する段階は、選択されたセルと関連する第１電流線に電流を供給して容易軸磁界を生成し、同時に選択されたセルと関連する第２電流線に電流を供給して困難軸磁界を生成し、電流を困難軸磁界を第１方向に生成する第２電流線に供給する。【００１６】
特開２００３−１６３３３０号公報に磁気メモリが開示されている。この磁気メモリは、第１の磁気抵抗効果素子と、第１の磁気抵抗効果素子の上に延設された第１の配線と、第１の配線の上に設けられた第２の磁気抵抗効果素子と、第２の磁気抵抗効果素子の上において第１の配線と交差する方向に延設された第２の配線とを備える。第１及び第２の磁気抵抗効果素子は略同一方向の磁化異方性を有する磁気記録層を有する。第１及び第２の配線に電流を流すことにより形成される磁界によって第２の磁気抵抗効果素子の磁気記録層の磁化が反転可能である。第１及び第２の磁気抵抗効果素子の磁気記録層の磁化方向の少なくとも一部は第１及び第２の配線の少なくともいずれかに対して傾斜してなる。【００１７】
特開２００３−３３２５３７号公報に磁気メモリ素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリが開示されている。この磁気メモリ素子は、少なくとも２層の強磁性体層が非磁性中間層を介して積層され、該非磁性中間層を挟む少なくとも一方の強磁性層の磁化方向を変化させることによって情報を記録し、磁気抵抗効果によってその状態を読み出す。そして、少なくとも該磁気メモリ素子の平面形状の一部に、サイクロイドないしはサイクロイド状の曲線を含む。
【発明の開示】
【００１８】
本発明の目的は、多重書込みを防止しながら、「１」／「０」を書き分けることが可能な磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリを提供することにある。
【００１９】
また、本発明の他の目的は、多重書込みを防止しながら、トグル書込みにおける書込み速度を向上させることが可能な磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリを提供することにある。
【００２０】
この発明のこれらの目的とそれ以外の目的と利益とは以下の説明と添付図面とによって容易に確認することができる。
【００２１】
上記課題を解決するために、本発明の磁気抵抗素子は、自由層と、固定層と、自由層と固定層との間に介設された非磁性層と、自由層に対して固定層の反対側に隣接した二つの磁性層とを具備する。自由層は、第１磁性層と、第２磁性層と、第１磁性層と第２磁性層との間に介設された第1非磁性層とを備える。第１磁性層の磁化と第２磁性層の磁化とは反強磁性結合している。二つの磁性層は、一方が自由層における長軸方向の一方の端部で接し、他方が長軸方向の他方の端部で接する。
【００２２】
上記の磁気抵抗素子において、自由層における中央部の磁化の方向と、二つの磁性層の磁化の方向とは略直角を成す。
【００２３】
上記の磁気抵抗素子において、二つの磁性層は、強磁性体及び反強磁性体のいずれか一方である。
【００２４】
上記の磁気抵抗素子において、二つの磁性層は、自由層に含まれている。
【００２５】
上記の磁気抵抗素子において、第1磁性層の磁気体積と第２磁性層の磁気体積とはほぼ等しい。
【００２６】
上記の磁気抵抗素子において、自由層の平面構造は、長軸方向に沿った辺が、長軸方向と異なる方向に広がる。
【００２７】
上記課題を解決するために、本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、第１方向に延伸する複数の第１配線と、第１方向に実質的に垂直な第２方向に延伸する複数の第２配線と、複数の第１配線と複数の第２配線とが交差する位置のそれぞれに対応して設けられた複数のメモリセルとを具備する。複数のメモリセルの各々は、上記各項のいずれか一項に記載の磁気抵抗素子を含む。磁気抵抗素子は、長軸方向が、第１方向及び第２方向とは異なる。
【００２８】
上記の磁気ランダムアクセスメモリにおいて、複数の第１配線から選択される選択第１配線と複数の第２配線から選択される選択第２配線とに対応するメモリセルとしての選択セルについて、書込み動作は、以下のように実行される。まず、書き込むデータに基づいて選択第１配線及び選択第２配線のうちの一方としての第１電流用配線を選択して第１書込み電流を供給する。その後、選択第１配線及び選択第２配線のうちの他方としての第２電流用配線に第２書込み電流を供給する。その後、第１書込み電流を停止する。その後、第２書込み電流を停止する。
【００２９】
上記課題を解決するために、本発明は磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法である。ここで、磁気ランダムアクセスメモリは、第１方向に延伸する複数の第１配線と、第１方向に実質的に垂直な第２方向に延伸する複数の第２配線と、複数の第１配線と複数の第２配線とが交差する位置のそれぞれに対応して設けられた複数のメモリセルとを具備する。複数のメモリセルの各々は、磁気抵抗素子を含む。磁気抵抗素子は、自由層と、固定層と、自由層と固定層との間に介設された非磁性層と、自由層に対して固定層の反対側に隣接した二つの磁性層とを備える。自由層は、第１磁性層と、第２磁性層と、第１磁性層と第２磁性層との間に介設された第1非磁性層とを含む。第１磁性層の磁化と第２磁性層の磁化とは反強磁性結合している。二つの磁性層は、一方が自由層における長軸方向の一方の端部で接し、他方が長軸方向の他方の端部で接している。長軸方向が、第１方向及び第２方向とは異なる。磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法は、（ａ）複数の第１配線から選択第１配線を選択し、複数の第２配線から選択第２配線を選択するステップと、（ｂ）書き込むデータに基づいて、選択第１配線及び選択第２配線のうちの一方としての第１電流用配線を選択して第１書込み電流を供給するステップと、（ｃ）第１書込み電流供給後、選択第１配線及び選択第２配線のうちの他方としての第２電流用配線に第２書込み電流を供給するステップと、（ｄ）第２書込み電流供給後、第１書込み電流を停止するステップと、（ｅ）第１書込み電流停止後、第２書込み電流を停止するステップとを具備する。
【００３０】
上記の磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法において、自由層における中央部の磁化の方向と、二つの磁性層の磁化の方向とは略直角を成す。
【００３１】
上記の磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法において、二つの磁性層は、強磁性体及び反強磁性体のいずれか一方である。
【００３２】
上記の磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法において、二つの磁性層は、自由層に含まれている。
【００３３】
上記の磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法において、第1磁性層の磁気体積と第２磁性層の磁気体積とはほぼ等しい。
【００３４】
上記の磁気ランダムアクセスメモリの書込み方法において、自由層の平面構造は、長軸方向に沿った辺が、長軸方向と異なる方向に広がる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】図１は、従来のトグルＭＲＡＭの構造を示す断面図である。
【図２】図２は、従来のトグルＭＲＡＭの構造を示す上面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、従来のトグルＭＲＡＭにおけるトグル動作原理を示す図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、従来のトグルＭＲＡＭにおけるトグル動作原理を示す図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、従来のトグルＭＲＡＭにおけるトグル動作原理を示す図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、従来のトグルＭＲＡＭにおけるトグル動作原理を示す図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、従来のトグルＭＲＡＭにおけるトグル動作原理を示す図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、従来のトグルＭＲＡＭにおけるトグル動作原理を示す図である。
【図３Ｇ】図３Ｇは、従来のトグルＭＲＡＭにおけるトグル動作原理を示す図である。
【図３Ｈ】図３Ｈは、従来のトグルＭＲＡＭにおけるトグル動作原理を示す図である。
【図４】図４は、本発明の磁気ランダムアクセスメモリの実施の形態の構成を示すブロック図である。
【図５】図５は、本発明のＭＲＡＭの第１の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明のＭＲＡＭの第１の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す概略図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明のＭＲＡＭの第１の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す概略図である。
【図７Ａ】図７Ａは、積層フェリ自由層の磁化が取りうる安定状態の種類を示す図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、積層フェリ自由層の磁化が取りうる安定状態の種類を示す図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、積層フェリ自由層の磁化が取りうる安定状態の種類を示す図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、積層フェリ自由層の磁化が取りうる安定状態の種類を示す図である。
【図７Ｅ】図７Ｅは、積層フェリ自由層の磁化が取りうる安定状態の種類を示す図である。
【図７Ｆ】図７Ｆは、積層フェリ自由層の磁化が取りうる安定状態の種類を示す図である。
【図７Ｇ】図７Ｇは、積層フェリ自由層の磁化が取りうる安定状態の種類を示す図である。
【図７Ｈ】図７Ｈは、積層フェリ自由層の磁化が取りうる安定状態の種類を示す図である。
【図８Ａ】図８Ａは、本発明のＭＲＡＭにおける動作原理を示す図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、本発明のＭＲＡＭにおける動作原理を示す図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、本発明のＭＲＡＭにおける動作原理を示す図である。
【図８Ｄ】図８Ｄは、本発明のＭＲＡＭにおける動作原理を示す図である。
【図８Ｅ】図８Ｅは、本発明のＭＲＡＭにおける動作原理を示す図である。
【図９Ａ】図９Ａは、本発明のＭＲＡＭにおける動作原理を示す図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、本発明のＭＲＡＭにおける動作原理を示す図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、本発明のＭＲＡＭにおける動作原理を示す図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは、本発明のＭＲＡＭにおける動作原理を示す図である。
【図９Ｅ】図９Ｅは、本発明のＭＲＡＭにおける動作原理を示す図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、本発明のＭＲＡＭにおける非選択セルの磁化の向きの時間変化を示す図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、本発明のＭＲＡＭにおける非選択セルの磁化の向きの時間変化を示す図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、本発明のＭＲＡＭにおける非選択セルの磁化の向きの時間変化を示す図である。
【図１０Ｄ】図１０Ｄは、本発明のＭＲＡＭにおける非選択セルの磁化の向きの時間変化を示す図である。
【図１１】図１１に、本発明のＭＲＡＭにおける「１」／「０」を書き分けることができる磁場領域を示すグラフである。
【図１２】図１２は、本発明のＭＲＡＭの第２の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す断面図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、本発明のＭＲＡＭの第２の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す概略図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、本発明のＭＲＡＭの第２の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す概略図である。
【図１４】図１４は、本発明のＭＲＡＭの第３の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す断面図である。
【図１５Ａ】図１５Ａは、本発明のＭＲＡＭの第３の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す概略図である。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、本発明のＭＲＡＭの第３の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す概略図である。
【図１６】図１６は、本発明のＭＲＡＭの第４の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す断面図である。
【図１７Ａ】図１７Ａは、本発明のＭＲＡＭの第４の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す概略図である。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、本発明のＭＲＡＭの第４の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す概略図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、磁気抵抗素子の平面構造の代替形状を示す概略図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、磁気抵抗素子の平面構造の代替形状を示す概略図である。
【図１８Ｃ】図１８Ｃは、磁気抵抗素子の平面構造の代替形状を示す概略図である。
【図１９】図１９は、本発明のＭＲＡＭの第５の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す断面図である。
【図２０Ａ】図２０Ａは、本発明のＭＲＡＭの第５の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す概略図である。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、本発明のＭＲＡＭの第５の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す概略図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリの実施の形態に関して、添付図面を参照して説明する。【００３７】
磁気抵抗素子では、その端部の磁化（以下、端部磁化とも記す）の方向が、その全体の磁化の方向の反転に影響する。しかし、端部磁化のトグル動作への影響は明らかではなかった。本発明の発明者は、実験の結果、端部磁化がある向きに固定されている場合、書き込み配線への電流の印加順序によって、トグル動作する場合としない場合があることを見いだした。本発明は上記発見に基づいてなされたものであり、単極性の電流で「１」／「０」を書き分けられる磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリを開示する。【００３８】
（第１の実施の形態）
本発明の磁気抵抗素子を適用した磁気ランダムアクセスメモリの第１の実施の形態について説明する。図４は、本発明の磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）の第１の実施の形態の構成を示すブロック図である。ＭＲＡＭは、メモリセルアレイ３１、複数の書込みワード線２６、複数の読出しワード線２８、複数のビット線２７、Ｘ側セレクタ３８、Ｘ側電流源回路３９、Ｘ側終端回路４０、Ｙ側セレクタ４１、Ｙ側電流源回路４２、読出し電流負荷回路４３、Ｙ側電流終端回路４４及びセンスアンプ４５を具備する。【００３９】
メモリセルアレイ３１は、行列に配列された複数のメモリセル１０を備える。複数の書込みワード線２６及び複数の読出しワード線２８は、Ｙ軸方向に延伸している。一端をＸ側セレクタ３８に、他端をＸ側終端回路にそれぞれ接続されている。書込みワード線２６と読出しワード線２８とは、一本ずつで組を成している。複数のビット線２７は、Ｙ軸方向に略垂直なＸ軸方向に延伸している。一端をＹ側セレクタ４１に、他端をＹ側終端回路４４にそれぞれ接続されている。【００４０】
Ｘ側セレクタ３８は、複数の読出しワード線２８及び複数の書込みワード線２６から、読出し動作時には所望の選択読出しワード線２８ｓを、書込み動作時には所望の選択書込みワード線２６ｓをそれぞれ選択する。Ｘ側電流源回路３９は、書込み動作時に、所望の選択書込みワード線２６ｓへ定電流を供給する。Ｘ側終端回路４０は、複数の複数の書込みワード線２６を終端する。【００４１】
Ｙ側セレクタ４１は、複数のビット線２７から、所望の選択ビット線２７ｓを選択する。Ｙ側電流源回路４２は、書込み動作時に、所望の選択ビット線２７ｓへ定電流を供給する。読出し負荷回路４３は、読出し動作時に、選択されたメモリセル１０（選択セル１０ｓ）とリファレンスセル用のメモリセル１０ｒ（リファレンスセル）とに所定の電流を供給する。Ｙ側終端回路４４は、複数のビット線２７を終端する。センスアンプ４５は、リファレンス１０ｒにつながるリファレンス用のビット線２７ｒの電圧と、選択セル１０ｓにつながるビット線２７ｓの電圧との差に基づいて、選択セル１０ｓのデータを出力する。【００４２】
メモリセル１０からのデータの読出しは、以下のようにして行う。なお、添え字のｓは選択されたことを示す。Ｘ側セレクタ３８で選択された選択読出しワード線２８ｓと、Ｙ側セレクタ３８で選択された選択ビット２７ｓとにより、それらの交点に対応するメモリセル１０が選択セル１０ｓとして選択される。選択セル１０ｓの磁気抵抗素子５へ、読出し電流負荷回路４３から選択ビット線２７ｓを介して定電流が供給される。選択ビット２７ｓが、磁気抵抗素子５の積層フェリ自由層１の状態に対応した電圧となる。一方、選択読出しワード線２８ｓとビット線２７ｒとで選択されるリファレンスセル１０ｒへも、同様にビット線２７ｒを介して定電流が供給される。ビット線２７ｒが、所定のリファレンス電圧となる。センスアンプ４５は、両電圧の大きさを比較して選択セル１０ｓのデータを判定する。たとえば、選択ビット線２７ｓの電圧が、リファレンス電圧よりも大きければデータは“１”、小さければデータは“０”と判定する。
なお、メモリセル１０へのデータの書込みは後述される。【００４３】
図５は、本発明のＭＲＡＭの第１の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す断面図である。メモリセル１０の磁気抵抗素子５は、反強磁性層４、積層フェリ固定層３、非磁性層（トンネル絶縁層）２、積層フェリ自由層１及び反強磁性層２０を備え、各層がこの順に積層されている。積層フェリ固定層３は、積層フェリ構造を有し、強磁性層１６、非磁性層１５及び強磁性層１４がこの順に積層されている。積層フェリ自由層１は、積層フェリ構造を有し、強磁性層１３、非磁性層１２及び強磁性層１１がこの順に積層されている。メモリセル１０は、強磁性層１３の磁化の向き２２及び強磁性層１１の磁化の向き２１に基づいてデータを記憶する。磁気抵抗素子５は、互いに概ね垂直に交差する書込み用ワード線２６とビット線２７との間に層間絶縁膜（図示されず）を介して設けられている。【００４４】
磁気抵抗素子５は、面に垂直に電流を流すことによって、非磁性層２を介して対向した強磁性層１３の磁化の向きと強磁性層１４の磁化の向きの相対角度に依存した抵抗を得ることができる。反強磁性層４は、積層フェリ固定層３の強磁性層１６の磁化の向きを磁気抵抗素子５の長軸方向である第３方向（磁化容易軸方向としてのＥ軸方向：後述）に固定し、書込み磁界によっても磁化の向きは反転しない。【００４５】
積層フェリ固定層３は、積層フェリ磁性構造体である。積層フェリ磁性構造体は２層の強磁性体（１６、１４）を備え、第１層と第２層との間に非磁性層１５を含む。非磁性層１５の膜厚は、強磁性層１６と強磁性層１４とが非磁性層１５により反強磁性結合するように決められている。強磁性層１６と強磁性層１４の磁化の向きは、Ｅ軸方向に固定されている。強磁性層１６と強磁性層１４の磁気体積（＝飽和磁化×体積）はほぼ等しくなるように設計される。【００４６】
積層フェリ自由層１は、積層フェリ磁性構造体である。積層フェリ磁性構造体は２層の強磁性体（１３、１１）を備え、第１層と第２層との間に非磁性層１２を含む。非磁性層１２の膜厚は、強磁性層１３と強磁性層１１とが非磁性層１２により反強磁性結合するように決められている。強磁性層１３と強磁性層１１の磁化の向きは、Ｅ軸方向に固定されている。強磁性層１３と強磁性層１１の磁気体積（＝飽和磁化×体積）はほぼ等しくなるように設計される。【００４７】
反強磁性層２０は、強磁性層１１におけるＥ軸方向の両端部上に設けられている。反強磁性層２０の磁化の向きは、Ｅ軸方向に垂直な第４方向（磁化困難軸方向としてのＨ軸方向：後述）に固定されている。そのため、強磁性層１１における反強磁性層２０直下の部分は、その磁化の向きが、反強磁性層２０の磁化の向きに対して平行に固定されている。【００４８】
この磁気抵抗素子５は、従来知られた方法により製造することができる。例えば、反強磁性層４、積層フェリ固定層３、非磁性層２、積層フェリ自由層１及び反強磁性層２０をこの順番に積層し、適宜フォトリソグラフィーおよびエッチングの技術を用いることで製造することができる。また、このＭＲＡＭについては、従来知られた方法により製造することができる。【００４９】
図６Ａ〜図６Ｂは、本発明のＭＲＡＭの第１の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す概略図である。図６Ａはメモリセル近傍の上面図を示し、図６Ｂはメモリセルの磁気抵抗素子の上面図を示す。磁気抵抗素子５は、その長手方向（長軸方向）であるＥ軸方向が書込みワード線２６とビット線２７とに対して概ね４５度（θ）傾いた方向を向いている。これは、トグル動作を容易にするための配慮によるものである。磁気抵抗素子５はＥ軸方向に長軸を有し、この長軸に沿った辺の端が、第４方向（Ｅ軸方向と垂直なＨ軸方向）に広がる形状を有している。反強磁性層２０は、その磁気抵抗素子５の積層フェリ自由層１の広がった端部の領域のみと接するように形成されている。【００５０】
図７Ａ〜図７Ｈは、積層フェリ自由層１の磁化が取りうる安定状態の種類を示す図である。各領域の磁化の平均的な向きを矢印で示す。図７Ａ〜図７Ｈの各々において、幅の太い矢印は第１層の強磁性層１１の磁化の向き（２１、６１）、幅の細い矢印は第２層の強磁性層１３磁化の向き（２２、６２）をそれぞれ示す。いずれの場合でも、中央付近の磁化は長軸方向であるＥ軸方向（第３方向）に沿って向く。一方、端部付近の磁化は、端部が広いため、局所的な静磁エネルギーを下げるようにＨ軸方向（第４方向）に沿って向く。また、非磁性層を介して強磁性層１１と強磁性層１３とは反強磁性結合しているので、強磁性層１１の磁化と強磁性層１２の磁化とは局所的に反平行である。したがって、積層フェリ自由層１単独では、図７Ａ〜図７Ｈに示すように８種類の安定状態が存在する。【００５１】
本実施の形態の磁気抵抗素子５は、反強磁性層２０を積層フェリ自由層１と接触させることで８種類の安定状態を２種類に絞り込むことができる。反強磁性層２０は、積層フェリ自由層１の強磁性層１１の端部の領域に積層され、接した端部領域の磁化をＨ軸方向の所望の向きに設定できる。その端部領域の磁化の向きは、適切な書込み磁界を用いることにより、反転しないようにすることができる。その結果、強磁性層１１の端部領域の磁化は常にＨ軸方向の所望の向き（６１、６２）となり、中央付近の磁化はＥ軸方向のいずれかの向き（＋Ｅ方向／−Ｅ方向）を向いた（２１、２２）安定状態をとる。例えば、反強磁性層２０の磁化の向きを−Ｈ方向とすれば、積層フェリ自由層１の磁化の向きは、図７Ａ及び図７Ｂに示した２種類の安定状態をとる。これにより、中央付近の磁化の向き（２１、２２）で「０」と「１」を区別することができる。【００５２】
端部の磁化の向きは、静磁エネルギーと反強磁性層との交換エネルギーで固定される。この安定な端部磁化が書込み時に反転しない場合、トグル動作で中央付近の磁化が端部磁化と平行になって回転する場合と、反平行になって回転する場合とでエネルギーの分裂が起こる。これは、端部磁化と中央付近の磁化との面内の交換エネルギーが原因である。端部磁化と中央付近の磁化が平行である方が、反平行であるよりエネルギー的に低い。この性質を利用して「１」／「０」を書き分けることができる。以下にその詳細について説明する。【００５３】
図８Ａ〜図８Ｅは、本発明の「１」／「０」の書き分けができるＭＲＡＭにおける動作原理を示す図である。図８Ａは、ビット線２７に流れる書込み電流ＩＢＬのタイミングチャートである。図８Ｂは、書込みワード線２６に流れる書込み電流ＩＷＬのタイミングチャートである。図８Ｃは、書込みを行うメモリセル１０としての選択セル１０ｓにおける強磁性層１１の磁化の向き２１ｓ、６１ｓ（細矢印）及び強磁性層１３の磁化の向き２２ｓ、６２ｓ（太矢印）の時間変化である。図８Ｄは、選択セル１０ｓにおける強磁性層１１の磁化の向き２１ｓ、６１ｓ（細矢印）及び強磁性層１３の磁化の向き２２ｓ、６２ｓ（太矢印）の時間変化である。図８Ｃと図８Ｄとは、初期状態が異なる。図８Ｅは、書込み電流ＩＢＬと書込み電流ＩＷＬとにより発生する磁場の方向の時間変化である。【００５４】
図８Ｃは本発明の積層フェリ自由層１に、反時計回りに磁場を印加した場合のランダウ−リフシッツ−ギルバート方程式を用いたシミュレーション（以下、ＬＬＧシミュレーションと記す）結果の模式図である。本計算における磁気抵抗素子の構造は、強磁性層１１、非磁性層１２、強磁性層１３の積層フェリ構造である。反強磁性層２０による端部の磁化の向きの固定は行っていない。端部での磁場の大きさは、磁場が容易軸を向いたときに、フロップ磁場以上を通るように設定されている。初期状態として、強磁性層１１の中央部の磁化の向き２１ｓは左向き、強磁性層１３の中央部の磁化の向き２２ｓは右向きである。この磁気抵抗素子では、中央付近の磁化の向きでメモリ状態が決定する。ここでは、強磁性層１１の中央付近の磁化の向き２１が左向きの磁化状態を「１」と定義する。強磁性層１１の端部の磁化の向き６１ｓは下向き、強磁性層１３の端部の磁化の向き６２ｓは上向きである。また、同一層内での端部の磁化状態は平行である。この初期状態が「１」の状態で、トグル書込みを行うと、反時計回りの印加磁場に同期して、中央付近の磁化（２１ｓ、２２ｓ）は反時計回りに回転する。それにより、中央付近の磁化（２１ｓ、２２ｓ）が反転し、磁気抵抗素子５に「０」が書き込まれる。また、端部磁化（６１ｓ、６２ｓ）はトグル動作前後で同じ状態である。【００５５】
図８Ｄは、図８Ｃとは初期状態が異なる。初期状態として、強磁性層１１の中央部の磁化の向き２１ｓは右向き、強磁性層１３の中央部の磁化の向き２２ｓは左向きである。すなわち、初期状態は「０」の状態である。なお、端部磁化は、図８Ｃと同等である。この初期状態が「０」の状態で、トグル書込みを行うと、中央付近の磁化（２１ｓ、２２ｓ）は端部磁化（６１ｓ、６２ｓ）との交換結合エネルギーを下げる必要性から平行になりたがり、反時計回りに回転することができない。その結果、書込み終了後も磁気抵抗素子５は「０」のままである。【００５６】
図８Ｃ、図８Ｄに示すように、本端部磁化の向き６１、６２では、反時計回りに磁場を印加すると、磁気抵抗素子５に「０」が書き込める。【００５７】
図９Ａ〜図９Ｅは、本発明の「１」／「０」の書き分けができるＭＲＡＭにおける動作原理を示す図である。図９Ａは、ビット線２７に流れる書込み電流ＩＢＬのタイミングチャートである。図９Ｂは、書込みワード線２６に流れる書込み電流ＩＷＬのタイミングチャートである。図９Ｃは、選択セル１０ｓにおける強磁性層１１の磁化の向き２１ｓ、６１ｓ（細矢印）及び強磁性層１３の磁化の向き２２ｓ、６２ｓ（太矢印）の時間変化である。図９Ｄは、選択セル１０ｓにおける強磁性層１１の磁化の向き２１ｓ、６１ｓ（細矢印）及び強磁性層１３の磁化の向き２２ｓ、６２ｓ（太矢印）の時間変化である。図９Ｃと図９Ｄとで初期状態が異なる。図９Ｅは、書込み電流ＩＢＬと書込み電流ＩＷＬとにより発生する磁場の方向の時間変化である。【００５８】
図９Ｃは本発明の積層フェリ自由層１に、時計回りに磁場を印加した場合のＬＬＧシミュレーション結果の模式図である。初期状態は「０」の状態である。端部磁化の向きは、図８Ｃと同等である。この初期状態が「０」の状態で、トグル書込みを行うと、時計回りの印加磁場に同期して、中央付近の磁化（２１ｓ、２２ｓ）は時計回りに回転する。それにより、中央付近の磁化（２１ｓ、２２ｓ）が反転し、磁気抵抗素子５に「１」が書き込まれる。また、端部磁化（６１ｓ、６２ｓ）はトグル動作前後で同じ状態である。【００５９】
図９Ｄは、図９Ｃとは初期状態が異なる。初期状態は「１」の状態である。端部磁化の向きは、図８Ｃと同等である。この初期状態が「１」の状態で、トグル書込みを行うと、中央付近の磁化（２１ｓ、２２ｓ）は端部磁化（６１ｓ、６２ｓ）との交換結合エネルギーを下げる必要性から平行になりたがり、時計回りに回転することができない。その結果、書込み終了後も磁気抵抗素子５は「１」のままである。【００６０】
図９Ｃ、図９Ｄに示すように、本端部磁化の向き６１ｓ、６２ｓでは、時計回りに磁場を印加すると、磁気抵抗素子５に「１」が書き込める。【００６１】
図１０Ａ〜図１０Ｄは、本発明のＭＲＡＭにおける非選択セルの磁化の向きの時間変化を示す図である。図１０Ａは、選択セル１０ｓと同一ビット線２７の非選択セルにおける強磁性層１１の磁化の向き２１ａ及び強磁性層１３の磁化の向き２２ａの時間変化である。図１０Ｂは、書込み電流ＩＢＬにより発生する磁場の方向の時間変化である。図１０Ｃは、選択セル１０ｓと同一書込みワード線２６の非選択セルにおける強磁性層１１の磁化の向き２１ｂ及び強磁性層１３の磁化の向き２２ｂの時間変化である。図１０Ｄは、書込み電流ＩＷＬにより発生する磁場の方向の時間変化である。【００６２】
トグル書込み動作時に、選択セル１０ｓと同一ビット線２７の非選択セル１０には、図１０Ｂに示す磁場２３のような一方向の磁場しか加わらない。そのため、図１０Ａに示すように、その非選択セル１０の強磁性層１２の磁化の向き２１ａ及び強磁性層１３の磁化の向き２２ａは多少の変動はあるが、元に戻るので、データは書き込まれない、同様に、選択セル１０ｓと同一ワード線上２６の非選択セル１０には、図１０Ｄに示す磁場２５のような一方向の磁場しか加わらない。そのため、図１０Ｃに示すように、その非選択セル１０の強磁性層１１の磁化の向き２１ｂ及び強磁性層１３の磁化の向き方向２２ｂは多少の変動はあるが、元に戻るので、データは書き込まれない。したがって、選択セル１０ｄでのデータ書込み時に非選択セル１０へもデータを書き込んでしまう多重書込みをなくすことができる。【００６３】
以上のことから、図８Ａ〜図８Ｅ及び図９Ａ〜図９Ｅに示すような端部磁化の向き６１ｓ、６２ｓを採用した場合、「０」を書きたい場合はビット線２７に書込み電流ＩＢＬを先に流して書込みを行い、「１」を書きたい場合は書込みワード線２６に書込み電流ＩＷＬを先に流して書込みを行えばよい。このようにすれば、従来技術のトグルＭＲＡＭのような事前読出し動作と、書き込むか否かの判断を行う必要がない。それにより、書込み速度を向上させることができる。【００６４】
積層フェリ自由層１の強磁性層１１の端部磁化の向きを＋Ｈ方向へ磁化固着するには、反強磁性層２０との積層形成を用いることができる。ただし、積層フェリ固定層３にも反強磁性層４を用いてＥ方向に磁化固着を行う場合、ネール温度が異なる材料を選択し、ブロッキング温度が高い反強磁性層から段階的に行う必要がある。【００６５】
図１１に、本発明のＭＲＡＭにおける「１」／「０」を書き分けることができる磁場領域を示すグラフである。ただし、初期状態として積層フェリ自由層１の端部磁化の向き６１、６２は平行状態であるが、反強磁性層２０による端部磁化の向きの固定の効果は考慮していない。また、積層フェリ自由層１の強磁性層１１と強磁性層１３の磁気体積は等しいと仮定している。磁場領域５１の磁界領域でトグル書込みを行っても、積層フェリ自由層１の磁化の向きは磁界印加前後で変化はない。磁場領域５２、５３では、端部磁界が反転しうる領域である。磁場領域５３では、通常のトグル書込みで動作する。磁場領域５４では、「１」／「０」の書き分けができる。【００６６】
「１」／「０」を書き分けられる領域の上限を大きくするには、端部磁化の向き６１、６２が反転しないようにすればよい。磁場領域５１の磁界領域でトグル書込みを行っても、積層フェリ自由層１の磁化の向きは磁界印加前後で変化はない。図１１は、静磁結合によってのみ端部磁化の向きを安定化していた場合の結果であるが、反強磁性層２０の積層形成により端部磁化の向き６１、６２をさらに安定化することができる。しがたって、「１」／「０」を書き分けられる領域はさらに広がると期待される。【００６７】
メモリセル１０へのデータの書込みは、以下のようにして行う。ただし、全てのメモリセル１０の積層フェリ自由層１の第１強磁性層１１は、端部磁化の向き６１が＋Ｈ方向及び−Ｈ方向のいずれか一方に向くように統一されている。なお、添え字のｓは選択されたことを示す。【００６８】
Ｘ側セレクタ３８で選択された選択書込みワード線２６ｓと、Ｙ側セレクタ３８で選択された選択ビット線２７ｓとにより、それらの交点に対応するメモリセル１０が選択セル１０ｓとして選択される。選択セル１０ｓの磁気抵抗素子５へデータを書き込むために、Ｙ側電流源回路４２は選択ビット線２７ｓへ書込み電流ＩＢＬを、Ｘ側電流源回路４０は選択書込みワード線２６ｓへ書込み電流ＩＷＬをそれぞれ供給する。このとき、書き込むデータ（「１」及び「０」のいずれか）に応じて、書込み電流ＩＢＬ及び書込み電流ＩＷＬのいずれか一方を先に流し、他方を所定の時間遅れて流す。そして、先に流した電流を先に停止し、後に流した電流を後に停止する。その詳細は図８Ａ〜図８Ｅまたは図９Ａ〜図９Ｅの通りである。それにより、書き込むデータ（「１」及び「０」のいずれか）に対応するように、磁気抵抗素子５の積層フェリ自由層１の磁化の向き２１ｓの向きが維持または回転して、データが書き込まれる。【００６９】
上記のように、本発明の磁気抵抗素子５は、積層フェリ自由層１の中央付近の磁化（２１、２２）は長軸方向（Ｅ軸方向）を向き、その向きが「１」／「０」のデータを担っている。磁気抵抗素子５は、端部が広がっているため、局所的な静磁エネルギーを下げるように端部磁化（６１、６２）が長軸方向と略直角な方向（Ｈ軸方向）に沿って向く。また、非磁性層１２を介して上下の強磁性層１１、１３は反強磁性結合しているので、上下の強磁性層１１、１３の磁化は局所的に反平行である。さらに、反強磁性体２０を強磁性層１１の端部に積層すると、積層フェリ自由層１の端部磁化をＨ軸方向に設定かつ固定できる。この端部磁化の向き６１、６２は、書き込み動作時の中央付近の磁化（２１、２２）の反転に対して、交換結合を介して影響する。磁場の回転方向と端部磁化の向き（６１、６２）の組み合わせで、反転をアシストしてトグル動作する場合と、反転を妨げてトグル動作しない場合とがある。その結果、電流の印加順で「１」／「０」を書き分けることができる。【００７０】
本発明により、多重書込みを無くしつつ、「１」／「０」を書き分けられる磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリを得ることができる。そして、「１」／「０」を書き分けられることにより、従来のトグルＭＲＡＭのような書込み動作時のデータ読出しが不要となるので、書込み速度を向上することができる。【００７１】
（第２の実施の形態）
本発明の磁気抵抗素子を適用した磁気ランダムアクセスメモリの第２の実施の形態について説明する。本発明のＭＲＡＭの第２の実施の形態の構成は、第１の実施の形態（図４）と同様であるのでその説明を省略する。【００７２】
第１の実施の形態は反強磁性層を用いて「１」／「０」を書き分けられるトグルＭＲＡＭを提供するというものであるが、その構造の様々な変形が可能である。ここでは、以下の実施形態の基本となる考えを説明する。これまで説明してきたように、「１」／「０」を書き分けられる磁気抵抗素子は、通常のトグル動作する構造に加え、書込み動作後も反転しない困難軸方向を向いた磁化領域を自由層に備えていることに特徴がある。第１の実施の形態の磁気抵抗素子５では、端部が広がった形状を有する積層フェリ自由層１を自由層にすることで、端部の領域に磁気反転しない領域を実現した。前述したように、その形状のみの効果で「１」／「０」を書き分けられることをＬＬＧシミュレーションで確認した。第１の実施の形態の反強磁性層２０は、更に端部磁化を安定化するとともに、端部磁化の方向を統一するという役割がある。本実施の形態では、反強磁性層２０の代替として、強磁性層７０を用いることができる。【００７３】
図１２は、本発明のＭＲＡＭの第２の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す断面図である。メモリセル１０の磁気抵抗素子５は、反強磁性層４、積層フェリ固定層３、非磁性層（トンネル絶縁層）２、積層フェリ自由層１及び強磁性層７０を備え、各層がこの順に積層されている。本実施の形態では、反強磁性層２０ではなく強磁性層７０を有している点で、第１の実施の形態と異なる。強磁性層７０は、強磁性層１１におけるＥ軸方向の両端部上に設けられている。強磁性層７０の磁化の向きは、Ｅ軸方向に垂直なＨ軸方向に固定されている。そのため、強磁性層１１における強磁性層７０直下の部分は、その磁化の向きが、強磁性層７０の磁化の向きに対して反平行に固定されている。
その他の構成、動作及び製造方法については、第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。【００７４】
図１３Ａ〜図１３Ｂは、本発明のＭＲＡＭの第２の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す概略図である。図１３Ａはメモリセル近傍の上面図を示し、図１３Ｂはメモリセルの磁気抵抗素子の上面図を示す。磁気抵抗素子５は、その長手方向（長軸方向）であるＥ軸方向が書込みワード線２６とビット線２７とに対して概ね４５度（θ）傾いた方向を向いている。これは、トグル動作を容易にするための配慮によるものである。磁気抵抗素子５はＥ軸方向に長軸を有し、この長軸に沿った辺の端がＥ軸方向と垂直なＨ軸方向に広がる形状を有している。強磁性層７０は、その磁気抵抗素子５の積層フェリ自由層１の広がった端部の領域のみと接するように形成されている。【００７５】
本実施の形態の磁気抵抗素子５は、強磁性層７０を積層フェリ自由層１と接触させることで、図７Ａ〜図７Ｈの８種類の磁化の安定状態を２種類に絞り込むことができる。強磁性層７０は、積層フェリ自由層１の強磁性層１１の端部の領域に積層されている。そして、端部領域を初期化するために、端部を反転できるだけの大きな磁界を＋Ｈ方向へ印加し、元に戻す。そのようにすると、強磁性層１３より強磁性層７０の分だけ磁気体積が大きい強磁性層１１の端部領域の磁化を＋Ｈ方向に設定できる。その端部領域の磁化の向きは、適切な書込み磁界を用いることにより、反転しないようにすることができる。その結果、強磁性層１１の端部領域の磁化は＋Ｈ方向を向き、中央付近の磁化は、Ｅ軸方向のいずれかの向き（＋Ｅ方向／−Ｅ方向）を向いた図８Ａ、図８Ｂに示した安定状態をとる。中央付近の磁化の方向で「０」と「１」を区別することができる。【００７６】
上記のように、第２の実施の形態では、第１の実施の形態の反強磁性体（反強磁性層２０）の代わりに強磁性体（強磁性層７０）を用いて、端部磁化の初期化を行うことができる。【００７７】
本実施の形態におけるＭＲＡＭの読出し及び書込み動作については、第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。【００７８】
本発明により、多重書込みを無くしつつ、「１」／「０」を書き分けられる磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリを得ることができる。そして、「１」／「０」を書き分けられることにより、従来のトグルＭＲＡＭのような書込み動作時のデータ読出しが不要となるので、書込み速度を向上することができる。【００７９】
（第３の実施の形態）
本発明の磁気抵抗素子を適用した磁気ランダムアクセスメモリの第３の実施の形態について説明する。本発明のＭＲＡＭの第３の実施の形態の構成は、第１の実施の形態（図４）と同様であるのでその説明を省略する。【００８０】
本実施の形態では、第１の実施の形態における反強磁性層２０の代替として、強磁性層を一部を硬質化した領域を用いることができる。【００８１】
図１４は、本発明のＭＲＡＭの第３の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す断面図である。メモリセル１０の磁気抵抗素子５は、反強磁性層４、積層フェリ固定層３、非磁性層（トンネル絶縁層）２及び積層フェリ自由層１を備え、各層がこの順に積層された構造を備えている。本実施の形態では、反強磁性層２０ではなく、強磁性層１１の一部を硬質化した領域８０を用いる点で、第１の実施の形態と異なる。積層フェリ自由層１の強磁性層１１において、その両端部はイオン照射により変質された領域８０となっている。
その他の構成、動作及び製造方法については、第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。【００８２】
図１５Ａ〜図１５Ｂは、本発明のＭＲＡＭの第３の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す概略図である。図１５Ａはメモリセル近傍の上面図を示し、図１５Ｂはメモリセルの磁気抵抗素子の上面図を示す。磁気抵抗素子５は長軸方向であるＥ軸方向が書込みがワード線２６とビット線２７とに対して概ね４５度（θ）傾いた方向を向いている。これは、トグル動作を容易にするための配慮によるものである。磁気抵抗素子５はＥ軸方向に長軸を有し、この長軸に沿った辺の端がＥ軸方向と垂直なＨ軸方向に広がる形状を有している。強磁性層１１の端部の領域８０は、イオン照射により強磁性層１１の中央部の磁化容易軸（Ｅ軸）から傾いた磁化困難軸（Ｈ軸）方向に異方性を有する。【００８３】
一般に、磁性層にイオンを照射することで、磁性層に磁気的な変化をもたらすことが可能である。一例としては、磁気的な異方性や交換結合を変化させることができる。局所的なイオン照射を行うには、マスクを利用する方法やフォーカスイオンビームを用いる方法が挙げられる。イオンとして、例えば、ＧａやＡｒを照射することで構造を変化させて、磁気特性を変質させることできる。本実施の形態では、磁場中で強磁性層１１の端部の領域のみイオンを照射し、異方性を局所的にＨ軸方向に傾けることで、書込み時に端部磁化の向きが反転し難いようにする。また、イオン照射で端部の磁化を減らし、積層フェリ自由層１の上下で磁気体積差をつけることもできる。【００８４】
本実施の形態の磁気抵抗素子５は、端部にイオン照射された強磁性層１１を用いて、図７Ａ〜図７Ｈの８種類の磁化の安定状態を２種類に絞り込むことができる。積層フェリ自由層１の強磁性層１１の端部にイオン照射で領域８０を形成することで、強磁性層１１と強磁性層１３とにおいて端部領域に磁気体積差がついている。この端部領域を初期化するために、端部領域を反転できるだけの大きな磁界を−Ｈ方向へ印加し、元に戻す。そうすると、強磁性層１１の端部領域ではイオン照射で磁気体積が減少した分だけその磁化が減少しているので、強磁性層１３の端部領域の磁化は相対的に大きくなる。すなわち、強磁性層１３の端部領域の磁化を−Ｈ方向に設定できる。その端部領域の磁化の向きは、適切な書込み磁界を用いることにより、反転しないようにすることができる。その結果、強磁性層１１の端部は＋Ｈ方向を向き、中央付近の磁化は、Ｅ軸方向のいずれかの向き（＋Ｅ方向／−Ｅ方向）を向いた図８Ａ、図８Ｂに示した安定状態をとる。中央付近の磁化の方向で「０」と「１」を区別することができる。【００８５】
上記のように、第３の実施の形態では、、第１の実施の形態の反強磁性体（反強磁性層２０）の代わりにイオン照射した領域８０を用いて、端部磁化の初期化を行うことができる。【００８６】
本実施の形態におけるＭＲＡＭの読出し及び書込み動作については、第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。【００８７】
本発明により、多重書込みを無くしつつ、「１」／「０」を書き分けられる磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリを得ることができる。そして、「１」／「０」を書き分けられることにより、従来のトグルＭＲＡＭのような書込み動作時のデータ読出しが不要となるので、書込み速度を向上することができる。【００８８】
（第４の実施の形態）
本発明の磁気抵抗素子を適用した磁気ランダムアクセスメモリの第４の実施の形態について説明する。本発明のＭＲＡＭの第４の実施の形態の構成は、第１の実施の形態（図４）と同様であるのでその説明を省略する。【００８９】
本実施の形態では、第１の実施の形態の磁気抵抗素子５の形状の代替として、端部が広がった形状では無い磁気抵抗素子５を用いることができる。【００９０】
図１６は、本発明のＭＲＡＭの第４の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す断面図である。メモリセル１０の磁気抵抗素子５は、反強磁性層４、積層フェリ固定層３、非磁性層（トンネル絶縁層）２、積層フェリ自由層１及び反強磁性層２０を備え、各層がこの順に積層されている。本実施の形態では、磁気抵抗素子５の形状が第１の実施の形態と異なる。
その他の構成、動作及び製造方法については、第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。【００９１】
図１７Ａ〜図１７Ｂは、本発明のＭＲＡＭの第４の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す概略図である。図１７Ａはメモリセル近傍の上面図を示し、図１７Ｂはメモリセルの磁気抵抗素子の上面図を示す。磁気抵抗素子５は長軸方向であるＥ軸方向が書込みがワード線２６とビット線２７とに対して概ね４５度（θ）傾いた方向を向いている。これは、トグル動作を容易にするための配慮によるものである。磁気抵抗素子５はＥ軸方向に長軸を有する長方形形状を有している。端部磁化は、局所的な静磁エネルギーを下げるように、Ｅ軸方向からＨ軸方向に傾きやすいが、第１の実施の形態磁気抵抗素子５の端部が広い形状ほどには、端部磁化は傾かない。反強磁性層２０は、その磁気抵抗素子５の積層フェリ自由層１の長軸の両端に対応する端部の領域のみと接するように形成されている。【００９２】
本実施の形態の磁気抵抗素子５は、反強磁性層２０を積層フェリ自由層１と接触させることで２種類の安定状態を有する。反強磁性層２０は、積層フェリ自由層１の強磁性層１１の端部の領域に積層され、接した端部領域の磁化をＨ軸方向の所望の向きに設定できる。その端部領域の磁化の向きは、適切な書込み磁界を用いることにより、反転しないようにすることができる。その結果、強磁性層１１の端部領域の磁化は常にＨ軸方向の所望の向きとなり、中央付近の磁化はＥ軸方向のいずれかの向き（＋Ｅ方向／−Ｅ方向）を向いた安定状態をとる。これにより、中央付近の磁化の方向で「０」と「１」を区別することができる。【００９３】
上記のように、本実施の形態では、第１の実施の形態の端部が広い形状の代わりに長方形を採用している。長方形であっても、反強磁性層２０を端部に積層することで、端部磁化の初期化が行える。そして、本実施の形態の磁気抵抗素子５が「１」／「０」を書き分けられることをＬＬＧシミュレーションで確認された。【００９４】
本発明により、多重書込みを無くしつつ、「１」／「０」を書き分けられる磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリを得ることができる。そして、「１」／「０」を書き分けられることにより、従来のトグルＭＲＡＭのような書込み動作時のデータ読出しが不要となるので、書込み速度を向上することができる。【００９５】
磁気抵抗素子５の平面形状は、本実施の形態では長方形であり、第１〜第３の実施の形態では、中央縊れ両端広がりの形状であった。しかし、本発明はそれらの形状に限定されるものではない。図１８Ａ〜図１８Ｂは、磁気抵抗素子５の平面構造の代替形状を示す概略図である。図１８Ａの磁気抵抗素子５は、Ｅ軸方向に長軸を有し、この長軸に沿った辺の端部がＨ軸方向に広がる形状を有する。そして、更にその中央部がＨ軸方向に膨らんでいることを特徴とする。磁気抵抗素子５の中央部の膨らんだした形状は、フロップ磁界を下げる効果があり、低電流でデータを書き込める磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリを提供する。図１８Ｂの磁気抵抗素子５は、Ｅ軸方向に長軸を有し、この長軸に沿った辺の端部が、Ｈ軸方向からやや傾いた方向に広がる形状を有する。そして、更にその両端の傾きは互いに平行であることを特徴とする。図１８Ｃの磁気抵抗素子５は、Ｅ軸方向に長軸を有し、この長軸に沿った辺の端部が、Ｈ軸方向にからやや傾いた方向に広がる形状を有する。そして、更にその両端の傾きは、中心を通りＥ軸方向に垂直な平面に対し鏡面対称であるようことを特徴とする。図１８Ｂ、図１８Ｃともに、端部磁化の向きは、Ｅ軸方向から傾いた方向に向く。しかし、図１８Ｂでは両端の磁化の向きが平行になりやすく、図１８Ｃでは両端の磁化の向きは反平行になりやすい。「１」／「０」を書き分けるには平行である方が望ましく、図１８Ｂの方が好ましい。【００９６】
図１８のような平面形状を有する磁気抵抗素子５を用いても、第１〜第４の実施の形態と同様の効果を得ることができる。【００９７】
（第５の実施の形態）
本発明の磁気抵抗素子を適用した磁気ランダムアクセスメモリの第５の実施の形態について説明する。本発明のＭＲＡＭの第５の実施の形態の構成は、第１の実施の形態（図４）と同様であるのでその説明を省略する。【００９８】
本実施の形態では、第１の実施の形態の磁気抵抗素子５の代替として、上下を逆にして、積層フェリ固定層３を小さくした磁気抵抗素子５を用いることができる。【００９９】
図１９は、本発明のＭＲＡＭの第５の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す断面図である。このメモリセル１０では、読出しの信号量が大きくなり、書込み電流が低下し、かつ「１」／「０」を書き分けられる領域が広がる。メモリセル１０の磁気抵抗素子５は、反強磁性層２０、積層フェリ自由層１、トンネル絶縁層２、積層フェリ固定層３及び反強磁性層４を備え、各層がこの順に積層されている。積層フェリ自由層１は、積層フェリ構造を有し、強磁性層１１、非磁性層１２及び強磁性層１３を備える。積層フェリ固定層３は、積層フェリ構造を有し、強磁性層１４、非磁性層１５及び強磁性層１６がこの順に積層されている。積層フェリ固定層３は、積層フェリ自由層１の長手方向の中央部の領域上に非磁性層２を介して設けられている。の磁気抵抗素子５は、互いに概ね垂直に交差する書込み用ワード線２６とビット線２７との間に層間絶縁膜に（図示されず）を介して設けられている。【０１００】
図２０Ａ〜図２０Ｂは、本発明のＭＲＡＭの第５の実施の形態におけるメモリセル近傍の構成を示す概略図である。図２０Ａはメモリセル近傍の上面図を示し、図２０Ｂはメモリセルの磁気抵抗素子の上面図を示す。磁気抵抗素子５の積層フェリ自由層１及び非磁性層２は長軸方向であるＥ軸方向が書込みワード線２６とビット線２７とに対して概ね４５度（θ）傾いた方向を向いている。これは、トグル動作を容易にするための配慮によるものである。磁気抵抗素子５の積層フェリ自由層１および非磁性層２はＥ軸方向に長軸を有し、この長軸に沿った辺の端部が、Ｈ軸方向に広がる形状を有している。反強磁性層２０は、積層フェリ自由層１の広がった端部の領域のみと接するように形成されている。【０１０１】
積層フェリ固定層３は、積層フェリ自由層１の中央部の領域のみと接するように形成される。その形状は、長軸がＥ軸方向に平行な楕円や長方形に例示される。そのような形状を取ることにより、磁気抵抗素子５の中央部の領域に読出し電流を流すことができる。それにより、読出しの信号量を大きくすることができる。その結果、非磁性層２を介して対向した強磁性層１４の磁化と強磁性層１３の磁化の相対角度に依存した抵抗をより正確に得ることができる。これは、主に以下の理由による。強磁性層１４は、Ｅ軸方向に磁化しているのに対し、強磁性層１３は、中央部の磁化がＥ軸方向、端部の磁化がＨ軸方向を向く。「０」と「１」で、相対角度の変化が大きくなるように、強磁性層１４は強磁性層１３の中央部の磁化とのみ接することが好ましい。磁化の相対角度が大きくなることにより、読出しの信号量が増え、読出しの高速化および抵抗不良素子への耐性が向上する。【０１０２】
書込みワード線２６とビット線２７は、磁気抵抗素子５とその中央部が一致し、かつ素子の幅より細いことが好ましい。これは、磁気抵抗素子５の中央部に強い磁界が印加され、端部には強い磁界が印加されないようにすることで、積層フェリ自由層１の端部の磁化が反転しにくくなり、「１」／「０」を書き分けられる領域を広げるためである。さらに、配線の幅を狭くすることで、電流磁界変換効率を高め、書込み電流を低減する効果もある。【０１０３】
その他の構成、動作（ＭＲＡＭの読出し及び書込み動作を含む）及び製造方法については、第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。【０１０４】
本発明により、多重書込みを無くしつつ、「１」／「０」を書き分けられる磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリを得ることができる。そして、「１」／「０」を書き分けられることにより、従来のトグルＭＲＡＭのような書込み動作時のデータ読出しが不要となるので、書込み速度を向上することができる。【０１０５】
上記第１〜第５の実施の形態は、技術的矛盾が発生しない限り、適宜組み合わせて用いることが可能である。その場合にも、上述の効果と同等の効果を得ることができる。【０１０６】
本発明は上記第１〜第５の実施の形態に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形態は適宜変更され得ることは明らかである。【０１０７】
本発明により、多重書込みを防止しながら、「１」／「０」を書き分けることが可能な磁気抵抗素子及び磁気ランダムアクセスメモリを得ることができる。そして、「１」／「０」を書き分けることができるので、書込み速度を向上することが可能となる。
【図１】
2007099874.tif 000003
【図２】
2007099874.tif 000004
【図３Ａ】
2007099874.tif 000005
【図３Ｂ】
2007099874.tif 000006
【図３Ｃ】
2007099874.tif 000007
【図３Ｄ】
2007099874.tif 000008
【図３Ｅ】
2007099874.tif 000009
【図３Ｆ】
2007099874.tif 000010
【図３Ｇ】
2007099874.tif 000011
【図３Ｈ】
2007099874.tif 000012
【図４】
2007099874.tif 000013
【図５】
2007099874.tif 000014
【図６Ａ】
2007099874.tif 000015
【図６Ｂ】
2007099874.tif 000016
【図７Ａ】
2007099874.tif 000017
【図７Ｂ】
2007099874.tif 000018
【図７Ｃ】
2007099874.tif 000019
【図７Ｄ】
2007099874.tif 000020
【図７Ｅ】
2007099874.tif 000021
【図７Ｆ】
2007099874.tif 000022
【図７Ｇ】
2007099874.tif 000023
【図７Ｈ】
2007099874.tif 000024
【図８Ａ】
2007099874.tif 000025
【図８Ｂ】
2007099874.tif 000026
【図８Ｃ】
2007099874.tif 000027
【図８Ｄ】
2007099874.tif 000028
【図８Ｅ】
2007099874.tif 000029
【図９Ａ】
2007099874.tif 000030
【図９Ｂ】
2007099874.tif 000031
【図９Ｃ】
2007099874.tif 000032
【図９Ｄ】
2007099874.tif 000033
【図９Ｅ】
2007099874.tif 000034
【図１０Ａ】
2007099874.tif 000035
【図１０Ｂ】
2007099874.tif 000036
【図１０Ｃ】
2007099874.tif 000037
【図１０Ｄ】
2007099874.tif 000038
【図１１】
2007099874.tif 000039
【図１２】
2007099874.tif 000040
【図１３Ａ】
2007099874.tif 000041
【図１３Ｂ】
2007099874.tif 000042
【図１４】
2007099874.tif 000043
【図１５Ａ】
2007099874.tif 000044
【図１５Ｂ】
2007099874.tif 000045
【図１６】
2007099874.tif 000046
【図１７Ａ】
2007099874.tif 000047
【図１７Ｂ】
2007099874.tif 000048
【図１８Ａ】
2007099874.tif 000049
【図１８Ｂ】
2007099874.tif 000050
【図１８Ｃ】
2007099874.tif 000051
【図１９】
2007099874.tif 000052
【図２０Ａ】
2007099874.tif 000053
【図２０Ｂ】
2007099874.tif 000054
【国際調査報告】
2007099874.tif 000055
2007099874.tif 000056
2007099874.tif 000057
2007099874.tif 000058