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　特願２０１６−５２３７３５「縁部クリティカルディメンジョンの均一性制御用のプロセスキット」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１２月３１日国際公開、ＷＯ２０１４／２０９４８９、平成２８年　９月２９日国内公表、特表２０１６−５３０７０５、請求項の数（１０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１４年（平成２６年）４月３０日（パリ条約による優先権主張　２０１３年６月２８日　米国、２０１３年９月６日　米国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２９年　４月　７日　　　手続補正書の提出
　平成３０年　２月２６日付け　拒絶理由通知書
　平成３０年１０月３１日付け　拒絶査定（以下、「原査定」という。）
　平成３１年　３月　７日　　　審判請求書、手続補正書の提出
　令和　２年　３月２７日付け　拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という
　　　　　　　　　　　　　　　。）通知書
　令和　２年　９月３０日　　　意見書、手続補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
１．この出願の請求項１−１４に係る発明は、その優先権主張日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先権主張日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
２．この出願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
３．この出願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２００３−２５７９３５号公報
２．特開２００６−０８６２３０号公報（周知技術を示す文献）
３．登録実用新案第３１３０２０５号公報（周知技術を示す文献）
４．特開２００４−２６６１２７号公報（周知技術を示す文献）
５．特開平０８−３３５５６８号公報
６．特開２０１１−０３５０２６号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は次のとおりである。
１．この出願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
２．この出願の請求項１１−１４に係る発明は、その優先権主張日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先権主張日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２００３−２５７９３５号公報（拒絶査定時の引用文献１）
第４　本願発明
　本願請求項１−１０に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明１０」という。）は、令和２年９月３０日付けの手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１−１０に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１−１０は以下のとおりである。
「【請求項１】
　露出した上面と、底面とを有する外側石英リングと、
　外側石英リングと係合するように構成され、これによってオーバーラップ領域を画定する内側シリコンリングであって、オーバーラップ領域において内側シリコンリングを覆う外側石英リングの面積は調整可能であり、外側石英リングの内径は前記面積を決定するために選択可能であり、内側シリコンリングは、
　　内面と、
　　上面と、
　　内面と上面との間に形成されたノッチとを有し、内面はリングアセンブリの内径を画定し、ノッチは、
　　　内面から延びる内側上面と、
　　　内側上面から上面まで延びる中間面を有し、ノッチは、基板の縁部を受け入れる大きさであり、オーバーラップ領域における外側石英リングの高さは、中間面の長さよりも大きく、
　　内側シリコンリングの外側部分の外側上面であって、オーバーラップ領域内で、外側石英リングの底面の内側部分の下にあり、接触するように構成された外側上面と、
　　半径方向内方かつ上方に傾斜し、外側上面と上面を結合する傾斜面を含む内側シリコンリングとを含むリングアセンブリ。
　　【請求項２】
　外側石英リングの底面の内側部分の下にある内側シリコンリングのオーバーラップ領域の下にある中間石英リングを含む、請求項１記載のリングアセンブリ。
　　【請求項３】
　オーバーラップ領域は、中間面のノッチから３０ｍｍまで内側シリコンリングに沿って延びる、請求項１記載のリングアセンブリ。
　　【請求項４】
　傾斜面は、内側シリコンリングの上面に対して４５度で配向される、請求項１記載のリングアセンブリ。
　　【請求項５】
　チャンバ本体と、
　チャンバ本体内に配置され、カソード電極が内部に配置された基板支持台座と、
　基板支持台座上に配置されたリングアセンブリを含み、リングアセンブリは、
　　露出した上面と、底面とを有する外側石英リングと、
　　外側石英リングと係合するように構成され、これによってオーバーラップ領域を画定する内側シリコンリングであって、オーバーラップ領域において内側シリコンリングを覆う外側石英リングの面積は調整可能であり、外側石英リングの内径は前記面積を決定するために選択可能であり、内側シリコンリングは、
　　内面と、
　　実質的に平坦な上面と、
　　内面と上面との間に形成されたノッチとを有し、内面はリングアセンブリの内径を画定し、ノッチは、
　　　内面から延びる内側上面と、
　　　内側上面から上面まで延びる中間面を有し、ノッチは、基板の縁部を受け入れる大きさであり、オーバーラップ領域における外側石英リングの高さは、中間面の長さよりも大きく、
　　内側シリコンリングの外側上面であって、オーバーラップ領域内で、外側石英リングの底面の内側部分の下にあり、接触するように構成され、オーバーラップ領域は、カソード電極の上に配置される外側上面と、
　　半径方向内方かつ上方に傾斜し、外側上面と上面を結合する傾斜面を含む内側シリコンリングとを含む、プラズマ処理チャンバ。
　　【請求項６】
　カソード電極は、内側シリコンリングを越えて延びている、請求項５記載のプラズマ処理チャンバ。
　　【請求項７】
　外側石英リングの底面の内側部分の下にある内側シリコンリングのオーバーラップ領域の下にある中間石英リングを含む、請求項５記載のプラズマ処理チャンバ。
　　【請求項８】
　オーバーラップ領域は、０ｍｍより大きく、３０ｍｍまでの半径方向の寸法を有する、請求項５記載のプラズマ処理チャンバ。
　　【請求項９】
　オーバーラップ領域は、中間面のノッチから３０ｍｍまで内側シリコンリングに沿って延びる、請求項５記載のプラズマ処理チャンバ。
　　【請求項１０】
　傾斜面は、内側シリコンリングの上面に対して４５度で配向される、請求項５記載のプラズマ処理チャンバ。」
第５　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由及び当審拒絶理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば
半導体ウエハ等の基板に対してプラズマにより例えばエッチングを行う装置
「【００１６】支持体４０の周囲には、例えば石英よりなる環状のベース体５が、支持体４０と上面の高さ位置が揃えられるように設けられており、
前記下部電極４の上面（詳しくは静電チャック４１の上面）のウエハＷの周囲には、支持体４０とベース体５との両方に跨って、導電体例えばシリコン（Ｓｉ）により形成された、環状の第１のリング（内側リング）６が設けられている。この第１のリング６は、ウエハＷの周縁及びその近傍の濃いプラズマを拡散させ、プラズマの均一性を高めるためのものであり、
【００１７】
この第１のリング６の周囲には、当該第１のリング６を取り囲むようにベース体５の上面に第２のリング７が設けられており、
【００１８】
第２のリング７は、第１のリング６を下部電極４及びベース体５に押さえ付けるカバーリングとしての役割を持つ他、第１のリング６により拡散されたプラズマを少し内側に寄せることによりウエハ周縁から第１のリング６の上方までのプラズマの均一性を高め、結果としてウエハＷの周縁部領域のプラズマの均一性をより高める役割を持っている。更に第２のリングは、後述するように処理容器２内のガスの流れを調整する役割と、第２のリング７が石英により構成されている場合には、後述するように石英がエッチングされることにより発生する酸素ラジカルによりウエハのエッチングを助けるという役割と、を有している。
【００１９】ここで図２を参照しながらウエハＷ、第１のリング６及び第２のリング７に関連する寸法について記載しておくと、ウエハＷは例えば８インチサイズであり、その直径ａ１は２００ｍｍである。また第１のリング６の外径ａ２はこの実施の形態において重要な点であり、ウエハＷの周縁部領域のエッチング速度の面内均一性を高くしかつその均一性が圧力変動に左右されにくくするために当該外径ａ２は２４５ｍｍ〜２６０ｍｍに設定される。ここでいう第１のリング６の外径ａ２とは、プラズマ処理空間に晒されている空間、つまり既述のようにウエハＷの周縁付近のプラズマを拡散させる役割を果たす部分の領域の外径を指すものであり、カバーリング７で覆われている部分は含まれない。
【００２０】このように本実施の形態においては、ウエハＷの周縁から第１のリング６の外周縁までの距離ａ３が２２．５ｍｍ〜３０ｍｍであることが必要である。そして第１のリング６はウエハＷに近接して設けられるものであり、それらの距離つまりウエハＷの周縁と第１のリング６の内周縁との距離ｂは例えば０〜２ｍｍ例えば１ｍｍである。従ってこの例では、第１のリング６のリング幅ｃは、２１．５ｍｍ〜２９ｍｍに設定されることになる。なお第２のリング７のリング幅ｄは例えば１０ｍｍに設定される。このリング幅ｄとは、第２のリング７において、プラズマを内側に寄せる役割を持つ部位例えば平坦な上面の部位の幅を指す。」
「【００２７】この実施の形態は、ウエハＷの周縁部領域、例えばウエハＷの周縁から内側１０ｍｍに至るまでの領域のレジストのエッチング速度、及び当該エッチング速度のプロセス圧力による影響が、ウエハＷの周縁から第１のリング６の外周縁までの距離ａ３に依存していることを見い出したことに基づいており、その好ましい値として２２．５ｍｍ〜３０ｍｍに設定している。このように距離ａ３を設定することにより、後述の実験結果から明らかなように、ウエハＷの周縁部領域とそれよりも内側の領域との間でレジストのエッチング速度が揃い、このためレジストの開口部の大きさが面内で均一になるから、面内にてパターンの線幅が揃った均一性の高いエッチング処理を行うことができる。またプロセス圧力が変化しても、前記周縁部領域におけるエッチング速度の圧力による変化と内側領域におけるエッチング速度の圧力による変化との差異が小さくなるので、エッチング速度の面内均一性に対する圧力の影響が小さくなる。従ってプロセス圧力のマージンを大きくとれるので、例えばプロセス中に圧力のみを変化させて、レジストマスクと被エッチング膜とのエッチング速度の選択比を調整することが容易になる。」
「【００２９】
【実施例】次に本発明の効果を裏付けるためのデータについて述べる。
（実施例１）
Ａ．実験条件
図１に示した装置を用い、第１のリング６の外径ａ２を２１５ｍｍ、２３５ｍｍ、２４５ｍｍ、２５０ｍｍ、２６０ｍｍ、２８０ｍｍの６通りに設定し、各条件毎に、圧力を１５ｍＴｏｒｒ、２５ｍＴｏｒｒ、３５ｍＴｏｒｒ、５０ｍＴｏｒｒの４通りに設定した。また第１のリング６の外周縁よりも内側の領域における単位面積当たりのバイアス電力を一定にするために、上記の各外径ａ２に対応してバイアス電力は、夫々１４００Ｗ、１５５０Ｗ、１５８５Ｗ、１６５０Ｗ、１８００Ｗ、１９５０Ｗに設定した。
Ｂ．実験結果
各条件において、ウエハＷの周縁から１０ｍｍ以内の領域において１６点のエッチング速度を調べると共に当該領域よりも内側の領域において２１点のエッチング速度を調べ、エッチング速度（エッチレート）の均一性を調べた。この均一性とは、（最大値−最小値）×１００／平均値の式で表される。第１のリング６の外径ａ２とエッチング速度の均一性との関係は、図３に示す通りである。図３において黒菱形は１５ｍＴｏｒｒ、白四角は２５ｍＴｏｒｒ、黒三角は３５ｍＴｏｒｒ、白丸は５０ｍＴｏｒｒに夫々対応するプロットである。エッチング速度の均一性の＋側は、ウエハＷの周縁部領域の方が内側の領域よりもエッチング速度が大きいことを示しており、エッチング速度の均一性の−側は、ウエハＷの周縁部領域の方が内側の領域よりもエッチング速度が小さいことを示している。
Ｃ．考察
第１のリング６の外径ａ２が２１５ｍｍ、２３５ｍｍの場合には、前記均一性がいずれの圧力においても＋１０％を越えており、また前記外径ａ２が２８０ｍｍの場合には、前記均一性が−１０％よりも悪くなっている。これに対して、圧力が２４５ｍｍ、２５０ｍｍ、２６０ｍｍの場合には、前記均一性が圧力によっては１０％よりも悪いものもあるが、全体として０％に寄っており、しかも圧力に対する前記均一性のばらつきが小さくなっている。従って前記外径ａ２が２４５ｍｍ〜２６０ｍｍの範囲が好適であり、２５０ｍｍ〜２６０ｍｍの範囲がより一層好適であることが理解される。
（実施例２）次にウエハＷ面内における電束密度のモデルを設定し、このモデルに基づいて上記の図３に示す実験結果が得られた理由について検討する。」
【図１】
【図２】
【図３】
　図２から、第１のリング６は、上面と、静電チャック４１に面する面である内面を有し、内面から延びる内側上面と、内側上面から上面まで延びる中間面を有し、また、中間面で確定される領域は、ウエハＷを受け入れる大きさであることが見てとれる。
　さらに、図２から、第１のリング６と第２のリング７が係合しており、また、係合する部分により、オーバーラップする領域を備えていることが見てとれる。
　また、図２から、第２のリングは、上面及び底面を有し、上面は露出していることが見てとれる。
　そして、オーラップする領域について、第１のリング６は、上面の外側に、第２のリング７の底面に接触する外側上面を備えていることが見てとれる。
　さらに、第１のリング及び第２のリングにより、リング状の部品を成していると認められる。
　したがって、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ウエハＷに対してプラズマによりエッチング処理を行う装置のリング状の部品であって、
　ウエハＷの周囲に、支持体４０とベース体５との両方に跨って、シリコンにより形成された、環状の第１のリング６を設け、
　第１のリング６は、上面と、内面を有し、さらに、内面から延びる内側上面と、内側上面から上面まで延びる中間面を有し、また、中間面で確定される領域は、ウエハＷを受け入れる大きさであり、
　第１のリング６の周囲には、当該第１のリング６を取り囲むようにベース体５の上面に第２のリング７を設け、
　第１のリング６と第２のリングは係合しており、また、係合する部分により、オーバーラップする領域を備え、
　第２のリング７は、石英から構成され、
　第２のリング７は、底面と、露出した上面を有し、
　オーバーラップする領域について、第１のリング６は、上面の外側に、第２のリング７の底面に接触する外側上面を備えている、
　ウエハＷに対してプラズマによりエッチング処理を行う装置のリング状の部品。」
２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は半導体製造装置に係り、特に基板を載置する基板載置台を改善したものに関する。」
「【００７７】
　具体的には、図８に示すように、上面カバー１８は、ウェハ載置面１２、及びウェハ載置面１２の外側であってウェハ載置面１２と連続する凹所周辺部上面１２ａの略全面に嵌装される。ウェハ載置面１２と対応する上面カバー１８の対応領域上面にウェハ２００が
載置される。
【００７８】
　上面カバー１８には、その周辺部寄りに、ウェハ２００の外周を囲むリング状の凸条部１８ａを設ける。その凸条部１８ａの厚さは、上面カバー１８上に載置するウェハ２００の厚さと略同一に形成する。ウェハ２００の端面と凸条部１８ａの内周端面との間に、前述したようにウェハ搬送を許容する隙間Ｇを設ける。
【００７９】
　上面カバー１８とは別体で構成された逆Ｌ字状の周辺カバー１７は、その上端部１７ａを、凸条部１８ａの外周端面と突合せて、凸条部１８ａの外側の上面カバー１８の周辺部と重なるように配置させて嵌装する。この嵌装でも、周辺カバー１７は上面カバー１８とは溶接することなく、その断面逆Ｌ字状の上端部１７ａをサセプタ１１の周縁部に引っ掛けて垂下させるだけである。上面カバー１８は、周辺カバー１７と同様に、例えば石英で構成される。
【００８０】
　このように第３の実施の形態によれば、ウェハ載置面１２を含むサセプタ上面をウェハ２００とは別の上面カバー１８で覆い、その上面カバー１８の周辺部及びサセプタ１１の周辺部上面１３を周辺カバー１７で覆うようにしたので、サセプタ１１の外表面にサセプタ１１の構成材料であるＡｌＮ材が剥き出しになることがなく、プラズマによるサセプタ１１の外表面からの金属汚染の発生を抑制することができる。
【００８１】
　また、上面カバー１８に凸条部１８ａを設けてカバーリングの機能を持たせるようにしたので、ウェハ外周部での処理均一性（膜厚均一性）を改善できる。」
【図８】
３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
　考案の分野
　[0001]本考案の実施形態は、一般的には、半導体基板等において、高アスペクト比特徴部をエッチングするための真空処理チャンバに関する。更に詳細には、高アスペクト比特徴部をエッチングするための真空処理チャンバ内で用いるのに適している基板支持体に関する。」
「【００８５】
　[0096]本体１１０２の上面１１０４は、一般的には、内部領域１１１０と外部領域１１０８を含んでいる。内部領域１１１０は、外部領域１１０８に相対して隆起している。内部領域１１１０は、上面１１０４の外部領域１１０８と平行の位置にあってもよい。図１１に示された実施形態においては、傾斜領域１１１２は、上面１１０４の内部と外部の領域１１１０、１１０８の間の変わり目を画成している。」
【図１１】
４　引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路等の半導体装置を製造するためのプラズマ処理技術に係り、特にドライエッチングを行うプラズマ処理装置の石英治具、およびその再生方法、その再生使用方法、そのような石英治具を備えたプラズマ処理装置、およびそのようなプラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法に関する。」
「【００２４】
次に本発明に係るフォーカスリング２０について説明する。図２（ａ）は本発明に係るフォーカスリング２０の平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のフォーカスリング２０を、図２（ａ）中のＣ−Ｃ´線を通る平面で切断した断面を示した縦断面図であり、図２（ｃ）はフォーカスリング２０の断面を部分的に拡大した図である。フォーカスリング２０は、まず全体的には、内周縁を有し、この内周縁から外側に広がる平板状の形状を有している。そして、図２（ｂ）に示すように、フォーカスリング２０の主面である上面は、内周縁（中心）側に、上方に突出した凸部を有している。
【００２５】
より詳細には、図２（ｃ）に示すように、内周縁側には、凸部に対応する、平坦な表面を主面に有する第１の領域Ａ１が形成され、その外側に隣接して、やはり平坦な表面を主面に有する第２の領域Ａ２が形成されている。第２の領域Ａ２の表面の高さは第１の領域の表面の高さよりも低く、その間の境界には段差ｄ１が形成されている。この段差ｄ１の大きさは、所定枚数のウエハＷの処理、例えばプラズマエッチング処理に晒されて消耗しても、後述する再生操作で容易に再生することができる大きさであり、かつ、ウエハＷ処理時に電極間に供給される処理ガスの流れを乱すことのない大きさである。」
【図２】
５　引用文献５について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、被処理基板、例えば半導体ウエハの絶縁膜をエッチングするためのエッチング装置に関するものである。」
「【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき説明すると、図１は本実施例にかかるエッチング装置１の断面を模式的に示しており、このエッチング装置１における処理室２は、気密に閉塞自在な酸化アルマイト処理されたアルミニウムなどからなる円筒形状の処理容器３内に形成され、当該処理容器３自体は接地線４を介して接地されている。前記処理室２内の底部にはセラミックなどの絶縁支持板５が設けられており、この絶縁支持板５の上部に、被処理基板例えば直径８インチの半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）Ｗを載置するための下部電極を構成する略円柱状のサセプタ６が、上下動自在に収容されている。
【００１５】前記サセプタ６は、前記絶縁支持板５及び処理容器３の底部を遊貫する昇降軸７によって支持されており、この昇降軸７は、処理容器３外部に設置されている駆動モータ８によって上下動自在となっている。従って、この駆動モータ８の作動により、前記サセプタ６は、図１中の往復矢印に示したように、上下動自在となっている。なお処理室２の気密性を確保するため、前記サセプタ６と絶縁支持板５との間には、前記昇降軸７の外方を囲むように伸縮自在な気密部材、例えばベローズ９が設けられている。
【００１６】前記サセプタ６は、表面が酸化処理されたアルミニウムからなり、その内部には、温度調節手段、例えばセラミックヒータなどの加熱手段（図示せず）や、外部の冷媒源（図示せず）との間で冷媒を循環させるための冷媒循環路（図示せず）が設けられており、サセプタ６上のウエハＷを所定温度に維持することが可能なように構成されている。またかかる温度は、温度センサ（図示せず）、温度制御機構（図示せず）によって自動的に制御される構成となっている。
【００１７】また前記サセプタ６上には、ウエハＷを吸着保持するための静電チャック１１が設けられている。この静電チャック１１は、図２にその詳細を示したように、例えば導電性の薄膜１２をポリイミド系の樹脂１３によって上下から挟持した構成を有し、処理容器３の外部に設置されている高圧直流電源１４からの電圧が前記薄膜１２に印加されると、そのクーロン力によってウエハＷは、静電チャック１１の上面に吸着保持されるようになっている。もちろんそのような静電チャックに拠らず、機械的クランプによってウエハＷの周縁部を押圧するようにして、サセプタ６上にウエハＷを保持する構成としてもよい。
【００１８】前記サセプタ６上の周辺には、静電チャック１１を囲むようにして、第１の環状体を構成する、平面が略環状の内側フォーカスリング２１が設けられている。この内側フォーカスリング２１は導電性のシリコンからなり、その内周側と外周側の上面に、夫々一段下がった段部２１ａ、２１ｂが形成されており、内周側の段部２１ａの上面は、前記静電チャック１１の上面と面一となるように設定され、この段部２１ａの上面は、静電チャック１１に保持されたウエハＷの周縁部下面が載置される。この内側フォーカスリング２１は、プラズマ中のイオンを効果的にウエハＷに入射させる機能を有している。
【００１９】前記内側フォーカスリング２１の外周には、平面が略環状の外側フォーカスリング２２が設けられている。この外側フォーカスリング２２は絶縁性の石英からなり、その内周部２２ａは、前記内側フォーカスリング２１の段部２１ｂの上に載置されるようにして設けられている。従って、内側フォーカスリング２１の外周辺と外側フォーカスリング２２の内周辺とは、前記各段部２１ｂと内周部２２ａとの部分で重合している。なお内側フォーカスリング２１の中央部２１ｃと、この外側フォーカスリング２２の上面とは面一になるように設定されている。また外側フォーカスリング２２の外周上縁部２２ｂは、外側に凸の湾曲形状に成形され、ガスが澱まず円滑に排出されるようになっている。この外側フォーカスリング２２は、後述のシールドリング４２と共に、プラズマの拡散防止機能を有している。」
【図１】
【図２】
６　引用文献６について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献６には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【要約】
【課題】リングの材料がシリコンであることから、半導体ウエハーと同様にリングもエッチングされてしまう。このため、被エッチング面積が増加してエッチングレートが低下してしまうという問題があった。
【解決手段】処理室内にウエハーＷＦが置かれ、導入される反応ガスをプラズマ化してウエハーＷＦにエッチング処理を施すドライエッチング装置であって、ウエハーＷＦを取り囲むように外側に配置され、導電性材料からなる環状の第１リング１１０と、第１リング１１０を取り囲むように外側に配置され、絶縁性材料からなる環状の第２リング１２０と、を備えた。」
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、ドライエッチング装置、このドライエッチング装置を用いた半導体装置の製造方法、およびこのドライエッチング装置における反応ガスの制御リングに関する。」
「【００４９】
　（第５変形例）
　上記実施例では、図３（ｂ）に示すように、第１リング１１０および第２リング１２０の幅、つまりウエハーＷＦのエッチング面と沿う方向における寸法は、凡そ同じであるものとしているが、特にこれに限るものでないことは勿論である。本変形例の制御リング１００の一例を図７に示した。図７は、図３（ｂ）に対応する図で、カソード電極１２に設置された本変形例の制御リング１００を示した断面図である。
【００５０】
　まず図７（ａ）に示したように、ウエハーＷＦの端部から第１リング１１０の外周までの幅Ｈ１が、第２リング１２０の幅Ｈ２よりも広くなるように制御リング１００が形成されていることとしてもよい。こうすれば、制御リング１００は、図示しないプラズマをウエハーＷＦの領域よりも大きな広がりで形成するので、チルトの発生の抑制効果が大きくなることが期待できる。一方、図７（ｂ）に示したように、第２リング１２０の幅Ｈ２が、ウエハーＷＦの端部から第１リング１１０の外周までの幅Ｈ１よりも広くなるように制御リング１００が形成されていることとしてもよい。こうすれば、制御リング１００は、図示しないプラズマをウエハーＷＦの領域に多く存在するように形成するので、エッチングレートの低下の抑制効果が大きくなることが期待できる。
【００５１】
　もとより、本変形例では、実際に生じているエッチングレートの低下およびチルトの発生に応じて、ウエハーＷＦの端部から第１リング１１０の外周までの幅Ｈ１と第２リング１２０の幅Ｈ２について、それぞれの寸法を適切に設定することが好ましい。」
【図７】
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明の石英から構成され、底面と、露出した上面を有する「第２のリング７」と、本願発明１の「露出した上面と、底面とを有する外側石英リング」は、「底面と、露出した上面とを有する外側石英リング」である点で共通する。
イ　引用発明の「第１のリング６」は、シリコンにより形成され、さらに、「第１のリング６」の周囲には「第２のリング７」が「第１のリング６」を取り囲むように設けられ、また、「第１のリング６」と「第２のリング」は係合しており、加えて、係合する部分により、オーバーラップする領域を備えているから、引用発明の「第１のリング６」は、本願発明１の「外側石英リングと係合するように構成され、これによってオーバーラップ領域を画定する内側シリコンリング」に相当する。
ウ　また、引用発明の「第１のリング６」の「上面」、「内面」、「内側上面」、「中間面」は、本願発明１の「内側シリコン」の「上面」、「内面」、「内側上面」、「中間面」に相当する。
　そして、引用発明の「上面」、「内面」、「内側上面」、「中間面」は、本願発明１の「上面」、「内面」、「内側上面」、「中間面」と同様の関係を有しているから、引用発明も本願発明１の「内面と上面との間に形成されたノッチ」と同様の構成を有していると認められる。
　さらに、引用発明の「中間面」は、上記ノッチを構成するものであり、また、「中間面で確定される領域は、ウエハＷを受け入れる大きさであ」ることから、このことは、本願発明１の「ノッチは、基板の縁部を受け入れる大きさであ」ることに相当する。
　加えて、引用発明の「内面」は、リング状の部品の内径を画定しているといえるから、本願発明１の「内面はリングアセンブリの内径を画定し」ていることと、同様の関係を備えていると認められる。
エ　加えて、引用発明は、「オーラップする領域について、第１のリング６は、上面の外側に、第２のリング７の底面に接触する外側上面を備えている」から、この「外側上面」は、本願発明１の「内側シリコンリングの外側部分の外側上面であって、オーバーラップ領域内で、外側石英リングの底面の内側部分の下にあり、接触するように構成された外側上面」に相当する。
オ　そして、引用発明の「ウエハＷに対してプラズマによりエッチング処理を行う装置のリング状の部品」は、本願発明１の「リングアセンブリ」に対応する。
カ　そうすると、本願発明１と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
[一致点]
「底面と、露出した上面とを有する外側石英リングと、
　外側石英リングと係合するように構成され、これによってオーバーラップ領域を画定する内側シリコンリングであって、内側シリコンリングは、
　　内面と、
　　上面と、
　　内面と上面との間に形成されたノッチとを有し、内面はリングアセンブリの内径を画定し、ノッチは、
　　　内面から延びる内側上面と、
　　　内側上面から上面まで延びる中間面を有し、ノッチは、基板の縁部を受け入れる大きさであり、
　　内側シリコンリングの外側部分の外側上面であって、オーバーラップ領域内で、外側石英リングの底面の内側部分の下にあり、接触するように構成された外側上面と、
　　を含むリングアセンブリ。」
［相違点１］
　「底面と、露出した上面とを有する外側石英リング」について、本願発明１は「露出した上面と、底面とを有する外側石英リング」であるのに対して、引用発明の「第２のリング７」は、「上面」は露出しているものの、「底面」は露出していない点。
［相違点２］
　本願発明１は「オーバーラップ領域において内側シリコンリングを覆う外側石英リングの面積は調整可能であり、外側石英リングの内径は前記面積を決定するために選択可能であ」るのに対して、引用発明の「第２のリング７」は、オーバーラップする領域の調整を行っていない点。
［相違点３］
　本願発明１は、「オーバーラップ領域における外側石英リングの高さは、中間面の長さよりも大き」いのに対して、引用発明はそのようになっていない点。
［相違点４］
　本願発明１は、「内側シリコンリング」が「半径方向内方かつ上方に傾斜し、外側上面と上面を結合する傾斜面を含」んでいるのに対して、引用発明は対応する構成を備えていない点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑み、相違点４について先に検討すると、相違点４に係る「内側シリコンリング」が「半径方向内方かつ上方に傾斜し、外側上面と上面を結合する傾斜面を含」んでいるという構成は、上記引用文献２−６に記載されておらず、本願優先権主張日前に周知であったともいえない。
　したがって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても引用発明、引用文献２−６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２−４について
　本願発明２−４も、本願発明１の「内側シリコンリング」が「半径方向内方かつ上方に傾斜し、外側上面と上面を結合する傾斜面を含」んでいるという構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明、引用文献２−６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
３　本願発明５−１０について
　本願発明５−１０は、本願発明１の「リングアセンブリ」と同様の構成を含む「プラズマ処理チャンバ」であり、本願発明１の「内側シリコンリング」が「半径方向内方かつ上方に傾斜し、外側上面と上面を結合する傾斜面を含」んでいるという構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明、引用文献２−６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
第７　原査定についての判断
１　特許法第２９条第２項について
　令和２年９月３０日付けの補正により、本願発明１−１０は、「内側シリコンリング」が「半径方向内方かつ上方に傾斜し、外側上面と上面を結合する傾斜面を含」んでいるという技術的事項を有するものとなった。当該「内側シリコンリング」が「半径方向内方かつ上方に傾斜し、外側上面と上面を結合する傾斜面を含」むことは、原査定における引用文献１−６には記載されておらず、本願優先権主張日前における周知技術でもないので、本願発明１−１０は、当業者であっても、原査定における引用文献１−６に基づいて容易に発明できたものではない。したがって、原査定を維持することはできない。
２　特許法第３６条第６項第１号について
　原査定では、請求項３、９の「外側セラミックスリングは、ノッチから約３０ｍｍまで内側シリコンリングに沿って延びる」という点は、発明の詳細な説明に記載されていないとしているが、令和２年９月３０日付けの補正において、請求項３、９の対応する記載は「オーバーラップ領域は、中間面のノッチから３０ｍｍまで内側シリコンリングに沿って延びる」としており、この記載は発明の詳細な説明の段落【００４４】に記載されているから、この拒絶の理由は解消した。
３　特許法第３６条第６項第２号について
（１）原査定では、請求項８の「オーバーラップ領域は、約０〜約３０ｍｍの間の半径方向の寸法を有する」という記載は「オーバーラップ領域」が０ｍｍの場合を含み、請求項５の「内側シリコンリングの外側上面であって、オーバーラップ領域内で、外側セラミックスリングの底面の内側部分の下にあり」という記載と矛盾しており、請求項８に記載された発明が明確でないとしているが、令和２年９月３０日付けの補正において、請求項８の対応する記載は「オーバーラップ領域は、０ｍｍより大きく、３０ｍｍまでの半径方向の寸法を有する」としているから、この拒絶の理由は解消した。
（２）原査定では、請求項３、４、８−１０の数値限定について、数値限定の数値の前に「約」なる語句が記載されており、数値限定の数値の範囲が明確でないから、請求項３、４、８−１０に記載された発明が明確でないとしているが、令和２年９月３０日付けの補正において、請求項３、４、８−１０の数値限定の数値の前の「約」なる語句は削除されているから、この拒絶の理由は解消した。
第８　当審拒絶理由についての判断
１　特許法第３６条第６項第１号について
（１）当審では、請求項１、２、５、７の「外側セラミックスリング」という構成は、発明の詳細な説明に記載されていないという拒絶の理由を通知しているが、令和２年９月３０日付けの補正において、「外側石英リング」と補正された結果、この拒絶の理由は解消した。
（２）当審では、請求項１１−１４の記載は、本願発明の課題解決手段が反映されておらず、本願明細書の発明の詳細な説明の記載及び本願の優先権主張日当時の技術常識に照らして、当業者が本願明細書に記載された発明の課題を解決できると認識できる範囲を超えているという拒絶の理由を通知しているが、令和２年９月３０日付けの補正において、請求項１１−１４は削除された結果、この拒絶の理由は解消した。
２　特許法第２９条第２項について
　当審では、請求項１１−１４について、上記引用文献１に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないという拒絶の理由を通知しているが、令和２年９月３０日付けの補正において、請求項１１−１４は削除された結果、この拒絶の理由は解消した。
第９　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。