(57)【要約】剥離した被膜物質由来の有機物が溶解した剥離液を再生剥離液にする処理を行う工程と、新たに補充された剥離液と再生剥離液とを基体上の被膜物質に接触させて、基体から被膜物質を剥離する工程と、を含む剥離工程と、剥離工程により被膜物質が剥離された基体の表面を水で洗浄する工程と、洗浄された基体を乾燥空気により乾燥する工程と、を含む除去工程と、を含む基体の製造方法であって、除去工程が行われた基体上の有機物の残渣が、所定の管理値以下である基体の製造方法を提供する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上の被膜物質に剥離液を接触させて前記基体から前記被膜物質を剥離する剥離工程と、前記剥離工程により被膜物質が少なくとも一部剥離された基体から前記被膜物質由来の有機物の残渣を除去する除去工程と、を含む基体の製造方法であって、
前記剥離工程は、
剥離した前記被膜物質由来の有機物が溶解した剥離液を再生剥離液にする処理を行う工程と、
新たに補充された剥離液と前記再生剥離液とを前記基体上の被膜物質に接触させて、前記基体から前記被膜物質を剥離する工程と、
を含み、
前記除去工程は、
前記剥離工程により前記被膜物質が剥離された前記基体の表面を水で洗浄する工程と、
洗浄された前記基体を乾燥空気により乾燥する工程と、
を含み、
前記除去工程が行われた前記基体上の前記有機物の残渣が、所定の管理値以下である、
基体の製造方法。
【請求項２】
前記剥離工程には、
前記被膜物質が剥離して前記被膜物質由来の有機物が溶解した剥離液を受ける接触槽と、前記接触槽内の前記有機物が溶解した剥離液を前記再生剥離液にする処理が行われる処理槽とを有する循環型剥離装置が用いられ、
前記循環型剥離装置の剥離液中の有機物濃度は、
剥離液に溶解した有機物が前記接触槽に流入する流入速度のデータと、剥離液が前記循環型剥離装置から排出された剥離液の排出速度のデータと、剥離液が前記接触槽から前記処理槽に流出する流出速度のデータとを含むデータが記憶されたデータ記憶手段と、
第１の時刻において、前記接触槽内の有機物濃度のデータと、前記流入速度のデータと、前記排出速度のデータと、前記流出速度のデータとから、前記第１の時刻から単位時間経過した第２の時刻における前記接触槽内の有機物濃度を計算する第１の濃度計算手段と、
前記第２の時刻において、前記接触槽内の有機物濃度のデータと、前記流入速度のデータと、前記排出速度のデータと、前記流出速度のデータと、再生剥離液が前記処理槽から前記接触槽へ流入する流入速度のデータと、新たに補充された剥離液が前記接触槽に流入する流入速度のデータとから、前記第２の時刻から単位時間経過した第３の時刻における接触槽内の有機物濃度を計算する第２の濃度計算手段とを含む濃度計算手段であり、かつ、
前記第２の濃度計算手段を用いて、前記第３の時刻における前記接触槽内の有機物濃度を、前記第２の時刻における前記接触槽内の有機物濃度として、前記接触槽内の有機物濃度を、所定回数繰り返して計算する濃度計算手段と、
前記濃度計算手段により計算された前記有機物濃度を表す信号を出力する出力手段と、
を有する計算装置により計算される、
請求項１記載の基体の製造方法。
【請求項３】
前記計算装置は、前記濃度計算手段により計算された有機物濃度と、前記被膜物質由来の有機物が溶解した剥離液を前記再生剥離液にする処理を行う循環型剥離装置における有機物濃度の実測値とに基づいて得られた補正係数が記憶された補正係数記憶手段を有し、
前記濃度計算手段が、前記計算された有機物濃度と前記補正係数とにより補正後の有機物濃度を計算し、前記補正後の有機物濃度により前記接触槽内及び前記処理槽内の有機物濃度を計算する、
請求項２記載の基体の製造方法。
【請求項４】
前記計算装置は、前記出力手段から出力された前記信号に基づき、前記接触槽及び前記処理槽への流量を含む操作量を制御する制御手段を、さらに有する、
請求項３記載の基体の製造方法。
【請求項５】
前記剥離液は炭酸エチレンを主成分とし、
前記剥離工程は剥離した前記被膜物質由来の有機物が溶解した剥離液をオゾン処理により前記再生剥離液とする、
請求項１〜４のいずれか一項記載の基体の製造方法。
【請求項６】
前記基体は平面表示パネルである、
請求項１〜５のいずれか一項記載の基体の製造方法。
【請求項７】
前記基体は集積回路基板である、
請求項１〜６のいずれか一項記載の基体の製造方法。
【請求項８】
前記所定の管理値が１．５個／ｍ２である、
請求項１〜７のいずれか一項記載の基体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、基体上の被膜物質に剥離液を接触させて基体から被膜物質を剥離する剥離工程と、剥離工程により被膜物質が少なくとも一部剥離された基体から被膜物質由来の有機物の残渣を除去する除去工程と、を含む基体の製造方法に関する。特に、除去工程が行われた基体上の前記有機物の残渣について管理が可能な基体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  電子デバイス用基板等をフォトリソグラフィー法によって作製する工程では、剥離液を用いてフォトレジストを除去する工程がある。従来の一般的な剥離装置では、フォトレジストの剥離性能を維持するために、フォトレジスト由来の剥離液中に溶解した有機物の濃度を管理値以下に維持しなければならず、定期的または連続的に剥離液の一部を剥離装置から外部に排出することによって、有機物濃度を管理している。このため、大量の廃液が排出され、環境汚染および製造コスト等の点で大きな問題になっている。【０００３】  近年、剥離装置内において、基体上に被膜されたフォトレジストを剥離溶解した後のフォトレジスト由来の有機物を含む剥離液をオゾン処理により再生し、剥離液として再使用ないし循環使用するプロセスが提案されている（例えば、特許文献１乃至３参照）。
【特許文献１】特開２００３−２０３８５６号公報
【特許文献２】特開２００３−３３０２０６号公報
【特許文献３】特開２００３−３０５４１８号公報
【０００４】  特許文献１乃至３に記載されたプロセスでは、オゾンとの反応性が低い環状カーボネートを剥離液として採用する。一般に基体上に被膜された高分子物質からなる被膜物質を剥離溶解した後、溶解した被膜物質由来の有機物（以下、「溶解有機物」という。）を含む剥離液を装置内で再生し、剥離液として再使用しているために、剥離液の消費量が極めて少ない。【０００５】  高分子物質からなる溶解有機物が、オゾン処理槽で酸化分解されることにより低分子化合物となり、低分子化合物を含む剥離液は再び基板上の被膜物質を剥離溶解するための剥離液として使用される。低分子化合物は、剥離性能に悪影響を及ぼす限界濃度（以下、「許容濃度」という。）が、未分解の被膜物質由来の高分子物質からなる有機物と比較して極めて高い。したがって、低分子化合物を高濃度で含有する剥離液でも安定した高い剥離性能を確保でき、その結果剥離液の消費量を大幅に削減でき、経済性を向上させるとともに環境に対する負荷も低減させる。【０００６】  しかし、循環型剥離装置を用いるプロセスにおいては、剥離液中の高分子化合物からなる溶解有機物やその分解された低分子化合物の濃度が許容濃度を越えると、剥離性能の低下や、基体表面の汚染、すなわち、基体表面上への被膜物質残渣が再付着することにより、不良品が発生して製品歩留まりが低下する。従来、許容濃度を管理基準値内に管理するために、紫外線の吸光度測定等によって被膜物質由来の有機物の濃度を計測し、濃度管理を行っていたが、溶解有機物は紫外線−可視領域の吸収がないことから、吸光度測定による濃度管理ができなかった。【０００７】  したがって、当該有機物濃度がプロセスの稼動条件や稼動時間に伴い、どのように変化するのか予測できないため、オペレーターの経験的な勘に頼ることが多く、試行錯誤による稼動条件の適正化を行わなければならなかった。【０００８】  さらに、剥離装置の稼動時間に伴う剥離液中の溶解有機物の濃度に関する変化を予測することは困難であり、剥離装置内のプロセスにおける溶解有機物の濃度管理も困難であった。したがって、剥離液を効率的に利用することによって、剥離液の消費量を大幅に削減し、経済性を向上させるとともに環境に対する負荷を低減させることが達成すべき課題として挙げられる。
【発明の開示】
発明の概要
【０００９】  本発明は、上述の問題点と課題に鑑みてなされたものであり、第一の目的は、基体上の被膜物質に剥離液を接触させて基体から被膜物質を剥離する剥離工程と、剥離工程により被膜物質が少なくとも一部剥離された基体から被膜物質由来の有機物の残渣を除去する除去工程と、を含む基体の製造方法であって、除去工程が行われた基体上の有機物残渣について管理できるとともに、基体の歩留りを向上させることができる基体の製造方法を提供することにある。
【００１０】  第二の目的は、剥離液を効率的に利用することも可能となり、剥離液の消費量を大幅に削減でき、経済性を向上させるとともに、環境に対する負荷も低減させる基体の製造方法を提供することにある。
【００１１】  以上のような目的を達成するため、本発明に係る基体の製造方法においては、基体上の被膜物質に剥離液を接触させて前記基体から前記被膜物質を剥離する剥離工程と、前記剥離工程により被膜物質が少なくとも一部剥離された基体から前記被膜物質由来の有機物の残渣を除去する除去工程と、を含む基体の製造方法であって、
前記剥離工程は、
剥離した前記被膜物質由来の有機物が溶解した剥離液を再生剥離液にする処理を行う工程と、
新たに補充された剥離液と前記再生剥離液とを前記基体上の被膜物質に接触させて、前記基体から前記被膜物質を剥離する工程と、
を含み、
前記除去工程は、
前記剥離工程により前記被膜物質が剥離された前記基体の表面を水で洗浄する工程と、
洗浄された前記基体を乾燥空気により乾燥する工程と、
を含み、
前記除去工程が行われた前記基体上の前記有機物の残渣が、所定の管理値以下である。
【００１２】  更に、前記剥離工程には、
前記被膜物質が剥離して前記被膜物質由来の有機物が溶解した剥離液を受ける接触槽と、前記接触槽内の前記有機物が溶解した剥離液を前記再生剥離液にする処理が行われる処理槽とを有する循環型剥離装置が用いられ、
前記循環型剥離装置の剥離液中の有機物濃度は、
剥離液に溶解した有機物が前記接触槽に流入する流入速度のデータと、剥離液が前記循環型剥離装置から排出された剥離液の排出速度のデータと、剥離液が前記接触槽から前記処理槽に流出する流出速度のデータとを含むデータが記憶されたデータ記憶手段と、
第１の時刻において、前記接触槽内の有機物濃度のデータと、前記流入速度のデータと、前記排出速度のデータと、前記流出速度のデータとから、前記第１の時刻から単位時間経過した第２の時刻における前記接触槽内の有機物濃度を計算する第１の濃度計算手段と、
前記第２の時刻において、前記接触槽内の有機物濃度のデータと、前記流入速度のデータと、前記排出速度のデータと、前記流出速度のデータと、再生剥離液が前記処理槽から前記接触槽へ流入する流入速度のデータと、新たに補充された剥離液が前記接触槽に流入する流入速度のデータとから、前記第２の時刻から単位時間経過した第３の時刻における接触槽内の有機物濃度を計算する第２の濃度計算手段とを含む濃度計算手段であり、かつ、
前記第２の濃度計算手段を用いて、前記第３の時刻における前記接触槽内の有機物濃度を、前記第２の時刻における前記接触槽内の有機物濃度として、前記接触槽内の有機物濃度を、所定回数繰り返して計算する濃度計算手段と、
前記濃度計算手段により計算された前記有機物濃度を表す信号を出力する出力手段と、
を有する計算装置により計算される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態を説明するための循環型剥離装置の概要図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態に適用される有機物濃度計算装置の概略構成図である。
【図３】図３は、図２の有機物計算手段３００の有機物濃度計算の手順を示したフローチャートである。
【図４】図４は、本発明の第１実施形態に適用されるプログラムがコンピュータに実行させる手順を示したフローチャートである。
【図５】図５は、本発明の第１実施形態に適用される他の循環型剥離装置の概要図である。
【図６】図６は、本発明の第２実施形態を説明するための循環型剥離装置の概要図である。
【図７】図７は、本発明の第２実施形態に適用される他の循環型剥離装置の概要図である。
【発明の詳細な説明】
【００１４】
【全般的説明】
【００１５】  本発明に係る基体の製造方法においては、剥離した被膜物質由来の有機物が溶解した剥離液を再生剥離液にする処理を行う工程と、新たに補充された剥離液と再生剥離液とを基体上の被膜物質に接触させて、基体から被膜物質を剥離する工程と、を含む剥離工程と、剥離工程により被膜物質が剥離された基体の表面を水で洗浄する工程と、洗浄された基体を乾燥空気により乾燥する工程と、を含む除去工程とを有する。
【００１６】  具体的には、本発明に係る基体の製造方法は、
基体上の被膜物質に剥離液を接触させて前記基体から前記被膜物質を剥離する剥離工程と、前記剥離工程により被膜物質が少なくとも一部剥離された基体から前記被膜物質由来の有機物の残渣を除去する除去工程と、を含む基体の製造方法であって、
前記剥離工程は、
剥離した前記被膜物質由来の有機物が溶解した剥離液を再生剥離液にする処理を行う工程と、
新たに補充された剥離液と前記再生剥離液とを前記基体上の被膜物質に接触させて、前記基体から前記被膜物質を剥離する工程と、
を含み、
前記除去工程は、
前記剥離工程により前記被膜物質が剥離された前記基体の表面を水で洗浄する工程と、
洗浄された前記基体を乾燥空気により乾燥する工程と、
を含み、
前記除去工程が行われた前記基体上の前記有機物の残渣が、所定の管理値以下である、
ことを特徴とする。
【００１７】  上述した発明によれば、前記剥離工程を含むことから、再生剥離液を用いて基体上の被膜物質に接触させて基体から被膜物質を剥離するため、新たに補充する剥離液を極めて少なくすることができる。この結果、剥離液を効率的に利用することも可能となり、剥離液の消費量を大幅に削減でき、経済性を向上させるとともに、環境に対する負荷も低減させることができる。
【００１８】  また、前記除去工程を含むことから、基体上への被膜物質が再付着することによる基体表面の汚染を防止して、不良品が発生することによる製品歩留まりを向上させることができる。
【００１９】  さらに、除去工程が行われた基体上の有機物の残渣が所定の管理値以下であることから、製品である基体の品質管理基準として、基体上の有機物の残渣の個数等を採用した場合、製品の歩留りを大幅に向上することができるとともに、品質管理基準内において連続製造も可能となる。
【００２０】  本発明に係る方法として、剥離工程には、被膜物質が剥離して被膜物質由来の有機物が溶解した剥離液を受ける接触槽と、接触槽内の有機物が溶解した剥離液を再生剥離液にする処理が行われる処理槽とを有する循環型剥離装置が用いられ、循環型剥離装置の剥離液中の有機物濃度は、剥離液に溶解した有機物が接触槽に流入する流入速度のデータと、剥離液が循環型剥離装置から排出された剥離液の排出速度のデータと、剥離液が接触槽から処理槽に流出する流出速度のデータとを含むデータが記憶されたデータ記憶手段と、第１の時刻において、接触槽内の有機物濃度のデータと、流入速度のデータと、排出速度のデータと、流出速度のデータとから、第１の時刻から単位時間経過した第２の時刻における接触槽内の有機物濃度を計算する第１の濃度計算手段と、第２の時刻において、接触槽内の有機物濃度のデータと、流入速度のデータと、排出速度のデータと、流出速度のデータと、再生剥離液が処理槽から接触槽へ流入する流入速度のデータと、新たに補充された剥離液が接触槽に流入する流入速度のデータとから、第２の時刻から単位時間経過した第３の時刻における接触槽内の有機物濃度を計算する第２の濃度計算手段とを含む濃度計算手段であり、かつ、第２の濃度計算手段を用いて、第３の時刻における接触槽内の有機物濃度を、第２の時刻における接触槽内の有機物濃度として、接触槽内の有機物濃度を、所定回数繰り返して計算する濃度計算手段と、濃度計算手段により計算された有機物濃度を表す信号を出力する出力手段と、を有する計算装置により計算される、ことが好ましい。
【００２１】  上述した発明によれば、濃度計算手段を有することから、記憶されたデータに基づく溶解有機物の濃度を計算するに際し、剥離開始後の稼動時間に伴う溶解有機物濃度の変化を複雑な物性計算に基づいて計算することなく、簡易に的確に有機物濃度を計算でき、同時に有機物濃度の変化を予測できる。
【００２２】  したがって、剥離装置内のプロセスにおける有機物濃度の管理を容易にし、その結果、剥離液を効率的に利用することも可能となり、剥離液の消費量を大幅に削減でき、経済性を向上させるとともに環境に対する負荷も低減できる。
【００２３】  具体的には、剥離液の抜き出し交換作業が必要なくなるため、基体の連続生産が可能となり、基体の生産効率を向上させることができる。また、不慮の運転条件の変更に伴う有機物濃度の変化も予測することができるため、トラブルを未然に防ぐことができる。
【００２４】  ここで、「記憶されたデータ」とは、槽内の有機物濃度のデータと、剥離液に溶解した有機物が接触槽に流入する流入速度のデータと、剥離液が循環型剥離装置から排出された剥離液の排出速度のデータと、剥離液が接触槽から処理槽に流出する流出速度のデータ、再生剥離液が処理槽から接触槽へ流入する流入速度のデータと、新たに補充された剥離液が接触槽に流入する流入速度のデータ等であり、有機物濃度を計算する際に入力され記憶されたデータに限られず、計算する以前に既に記憶されたデータも含まれる。したがって、想定値に限定されず、実測値であってもよい。
【００２５】  また、データ記憶手段を有することから、キーボードやタッチパネル等から直接入力された有機物濃度データ等の想定値が記憶された場合には、剥離液中の有機物濃度の変化を予測できるだけでなく、予測結果を踏まえたプロセス検討にも利用可能となり、さらには、様々な操業状態、例えば基体の種類が変更された状態であっても、製造管理者は簡易かつ適切な操業条件を指示することが可能となる。一方、剥離装置に設けられた計装機器からの実測値等が入力されて記憶された場合には、装置稼動中においても、剥離液中の有機物濃度の変化が予測可能となり、剥離装置内の剥離液の管理が容易となる。
【００２６】  また、出力手段を有することから、表示装置を出力手段に設けることにより、オペレーターは剥離液中の有機物濃度の変化を視認でき、分析頻度の削減や液抜き等の作業段取りも可能となり、作業効率の向上も図れる。また、紙やＣＤＲＯＭ等の記録媒体に記録することにより、操業指示書の作成や、過去の計算結果の参照等が容易となる。
【００２７】  さらに、計算装置が有機物濃度の分析装置を組み込んだ場合、精度の高い濃度管理が可能となる。この結果、本発明の基体の製造方法により、計算装置を備えた循環型剥離装置の無人操業も可能となり、完全自動化も可能となる。
【００２８】  なお、本発明に係る発明によれば、基体上の油膜、塗膜、有機汚染被膜、微粒子等の一般的な有機物の被膜の溶解にも適用可能である。
【００２９】  本発明に係る方法として、計算装置は、濃度計算手段により計算された有機物濃度と、被膜物質由来の有機物が溶解した剥離液を再生剥離液にする処理を行う循環型剥離装置における有機物濃度の実測値とに基づいて得られた補正係数が記憶された補正係数記憶手段を有し、濃度計算手段が、計算された有機物濃度と補正係数とにより補正後の有機物濃度を計算し、補正後の有機物濃度により接触槽内及び処理槽内の有機物濃度を計算する、ことが好ましい。
【００３０】  上述した発明によれば、補正係数記憶手段を有することから、最小二乗法等の公知の手法を用いて、剥離液中の有機物濃度の計算値を実測値にあわせる補正するための補正係数を同定して記憶することが可能となり、装置の製造可能な条件範囲において、予め補正係数をデータベース化することが可能となる。この結果、基体の種類ごとに、データベース化された補正係数を用いることにより、生産性や経済性を考慮した最適な操業条件を容易に決定することができる。
【００３１】  さらに、処理槽における処理を行わない仮想プロセスに基づき計算された有機物濃度を補正係数により補正した有機物濃度を計算できる濃度計算手段を有することから、接触槽内及び処理槽内の有機物濃度を計算可能にするだけでなく、物性計算に基づく有機物濃度を計算する必要がなくなり、簡易にかつ迅速に、有機物濃度を計算することができる。
【００３２】  本発明に係る方法として、計算装置は、出力手段から出力された信号に基づき、接触槽及び処理槽への流量を含む操作量を制御する制御手段を、さらに有する、
ことが好ましい。
【００３３】  上述した発明によれば、制御手段を有することから、有機物濃度の管理範囲内で、接触槽及び処理槽への流量（流入量・流出量）、圧力、温度等の操作量を制御可能となり、実プロセスを自動制御することも可能となる。この結果、操業条件の変更や、剥離液の延命等に、装置の運転者の勘や経験に頼ることなく、簡易かつ安全に、有機物濃度を管理することが可能となる。
【００３４】  本発明に係る方法として、剥離液は炭酸エチレンを主成分とし、剥離工程は剥離した被膜物質由来の有機物が溶解した剥離液をオゾン処理により再生剥離液とする、ことが好ましい。
【００３５】  上述した発明によれば、オゾンとの反応性が低い炭酸エチレン主成分とする剥離液を採用し、溶解有機物を含む剥離液を装置内で再生し、剥離液として再使用するため、剥離液の消費量を極めて少なく抑えることが可能となる。オゾン処理による酸化分解後の低分子化合物は、許容濃度が極めて高いことから、高濃度剥離液でも安定した剥離が可能となり高い剥離性能を確保でき、その結果剥離液の消費量を大幅に削減でき、経済性を向上させるともに環境に対する負荷も低減できる。また、特に、炭酸エチレンを採用することにより、金属へのダメージを少なくすることができる。
【００３６】  また、本発明に係る方法として、除去工程が行われた基体上の有機物の残渣に関する所定の管理値が１．５個／ｍ２である、ことが好ましい。
【００３７】  上述した発明によれば、製造された基体の評価基準として、除去工程が行われた基体上の有機物の残渣に関する１．５個／ｍ２という管理値を採用して基体を管理することにより、製品である基体の生産性（歩留り）を向上させることができる。この結果、採用した管理値の範囲内であれば、計算装置を備えた循環型剥離装置の無人操業も可能となり、剥離工程の完全自動化も可能となる。
【００３８】  さらに、本発明に係る方法においては、基体として平面表示パネル又は集積回路基板を採用することが望ましい。
【００３９】  その他、循環型剥離装置の剥離液中の有機物濃度計算をコンピュータに実行させるためのプログラムとして、
基体上の被膜物質に剥離液を接触させることによって、前記被膜物質が剥離して前記被膜物質由来の有機物として剥離液に溶解する接触槽と、前記接触槽内の前記有機物が溶解した剥離液を処理して再生剥離液とする処理槽とを有する循環型剥離装置の剥離液中の有機物濃度計算をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
剥離液に溶解した有機物が接触槽に流入する流入速度のデータと、剥離液が循環型剥離装置から排出された剥離液の排出速度のデータと、剥離液が接触槽から処理槽に流出する流出速度のデータとを含む記録されたデータを読み出す読み出しステップと、
第１の時刻において、接触槽内の有機物濃度のデータと、前記流入速度のデータと、前記排出速度のデータと、前記流出速度のデータとから、第１の時刻から単位時間経過した第２の時刻における接触槽内の有機物濃度を計算する第１の濃度計算ステップと、
前記第２の時刻において、接触槽内の有機物濃度のデータと、前記流入速度のデータと、前記排出速度のデータと、前記流出速度のデータと、再生剥離液が処理槽から前記接触槽へ流入する流入速度のデータと、新たに補充された剥離液が接触槽に流入する流入速度のデータとから、第２の時刻から単位時間経過した第３の時刻における接触槽内の有機物濃度を計算する第２の濃度計算ステップと、
前記第３の時刻における接触槽内の有機物濃度を、前記第２の時刻における接触槽内の有機物濃度として、前記第２の濃度計算ステップにおける接触槽内の有機物濃度を所定回数繰り返して計算する第３の濃度計算ステップと、
計算された前記有機物濃度を表す信号を出力する信号出力ステップと、
を実行させる、ことも好ましい。
【００４０】  上述したプログラムの発明によれば、第１から第３の濃度計算ステップを有することから、記憶されたデータに基づく剥離液中の溶解有機物の濃度を計算するに際し、剥離開始後の稼動時間に伴う溶解有機物の濃度変化を複雑な物性計算に基づいて計算せずに、簡易に的確に有機物濃度の計算ができ、同時に有機物濃度変化を予測できる。そして、剥離装置内のプロセスにおける有機物濃度の管理を容易にし、その結果、剥離液を効率的に利用することも可能となり、剥離液の消費量を大幅に削減でき、経済性を向上させるとともに環境に対する負荷も低減できる。
【００４１】  また、読み出しステップを有することから、キーボードやタッチパネル等から直接入力された理想値が記憶された場合、剥離液中の溶解有機物の濃度変化を予測できるだけでなく、予測結果を踏まえたプロセス検討に利用可能となり、さらには、製造管理者は簡易に適切な操業条件を指示することが可能となる。また、剥離装置に設けられた計装機器からの実測値等が入力され記憶された場合には、装置稼動中においても、剥離液中の有機物濃度の変化を予測可能となり、剥離装置内の剥離液の管理が容易となる。
【００４２】  また、信号出力ステップを有することから、表示装置をさらに設けることにより、簡易に、溶解有機物の濃度変化を把握でき、分析頻度の削減や液抜き等の作業段取りも可能となる。また、紙やＣＤＲＯＭ等の記録媒体に記録することにより、操業指示書の作成や、過去の計算結果の参照等が容易となる。
【００４３】  さらに、上述のプログラムとして、剥離液が、環状カーボネートまたは環状エステルであり、循環型剥離装置が、被膜物質由来の有機物が溶解した剥離液を処理槽においてオゾン処理を施し、記憶されたデータが、計算された有機物濃度を、処理槽においてオゾン処理を施す循環型剥離装置における有機物濃度の実測値に補正するための補正係数を含み、接触槽内の有機物濃度を計算するステップに続いて、計算された有機物濃度を補正係数により補正し、接触槽内及び処理槽内の有機物濃度を計算するステップを、有することが望ましい。
【図示された実施形態の説明】
【００４４】  以下、本発明の実施形態を図面を参照しつつ詳細に説明する。第１実施形態においては、図１〜図５を用いて、基体の製造方法の剥離工程について説明し、第２実施形態においては、図６〜図７を用いて、前記剥離工程に、さらに除去工程を付加した基体の製造方法について説明する。
【００４５】  ここで、剥離工程とは、基体上の被膜物質に剥離液を接触させて、基体から被膜物質を剥離する工程であって、剥離した被膜物質由来の有機物が溶解した剥離液を再生剥離液にする処理を行い、新たに補充された剥離液と再生剥離液とを基体上の被膜物質に接触させて、基体から被膜物質を剥離する工程である。また、除去工程とは、剥離工程により被膜物質が少なくとも一部剥離された基体から被膜物質由来の有機物の残渣を除去する工程であって、剥離工程により被膜物質が剥離された基体の表面を水で洗浄し、洗浄された基体を乾燥空気により乾燥する工程である。
【００４６】＜＜第１実施形態＞＞
本発明の基体の製造方法の剥離工程は、循環型剥離装置を用いて、基体上の被膜物質に剥離液を接触させて、基体から被膜物質を剥離する。
【００４７】［循環型剥離装置］
本実施形態において用いられる循環型剥離装置として、枚様式の連続基体処理装置を採用し、図１に本実施形態を説明するための循環型剥離装置の概要図を示す。循環型剥離装置は、接触槽１０、オゾン処理槽２０、脱気槽３０、再生液槽４０、新液槽５０、接触チャンバー６０、から構成されている。
【００４８】  接触槽１０は、基体上に被膜された被膜物質に対して剥離液の接触処理を行うチャンバー（接触がノズル供給による場合）から流出する剥離液を一時的に貯蔵する槽である。また、接触槽１０を、基体上の被膜物質に対して剥離液の接触処理を行う槽（接触が浸漬による場合）とすることもできる。さらに、基体から被膜物質の剥離を確実にするため、接触槽を複数連結して用いることも可能である。
【００４９】  ここで、剥離液をノズルから有機物の被膜表面に供給して剥離液の液膜を形成させ移動させる方法は、基体上の有機物に剥離液を接触させる方法と比較して、剥離速度の観点から有利である。一般に、ノズルから有機物の被膜表面に供給される剥離液量は、剥離装置の容量と剥離液の循環速度のバランスにより決定されるが、ノズルから供給される剥離液の噴霧圧力が高いほど剥離効果も大きい。なお、剥離速度を高めるために、基体上の被膜物質に剥離液を接触させる際に超音波を照射することもできる。
【００５０】  オゾン処理槽２０は、接触処理後の剥離液をオゾン処理する槽である。基体上の被膜物質に剥離液を接触させることにより高分子物質からなる溶解有機物を含む剥離液を、さらに別の基体に接触処理させるため、オゾン処理槽２０においてオゾン処理を施して再生剥離液とする。その結果、剥離液の使用量を削減でき、コストを大幅に削減することができる。オゾン処理が適用可能な剥離液としては、カーボネート基やエステル基を持つ有機化合物が代表的であり、具体的には、例えば、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート及びγブチロラクトンが好適に使用できる。
【００５１】  なお、本実施態様においては、接触処理を行う区域において同時にオゾン処理を施すと、酸化力の強いオゾンが基体上の回路構成材料にダメージを与える可能性があるため、オゾン処理槽２０を別個独立に設けている。
【００５２】  脱気槽３０は、オゾン処理槽２０の流出液を窒素ガス等によりバブリングし、液体中の溶存オゾンを除去する槽である。再生液槽４０は、脱気槽３０からの再生剥離液を一時的に貯蔵する槽である。新液槽５０は、消費された剥離液を補充するために純粋剥離液を供給する槽である。
【００５３】  循環型剥離装置における剥離液の流れは、循環系、流入系および流出系の３系統に分類される。一般に、流入系及び流出系の流速は循環系の流速と比べて小さい。
循環系は、高分子化合物からなる溶解有機物を含む剥離液及び酸化分解された低分子化合物が溶解した剥離液が循環する系である。具体的には、接触槽１０から順に剥離液が循環する、オゾン処理槽２０、脱気槽３０、再生液槽４０、そして接触槽１０と、その接続配管、ポンプ、オゾン発生装置等から構成される。
流入系は供給物質が外部から循環系内に供給される系であり、供給物質は、接触槽において基体表面上からの溶解有機物と、新液槽から配管を通じて供給される純粋な剥離液とがある。
流出系は物質が循環系から外部に流出する系であり、流出物質は、接触チャンバー６０からの排気であるミスト状の剥離液と、接触チャンバー６０内における剥離液による剥離後の基体に対して後述する洗浄処理を施す水洗槽７０に持ち出される基体表面上に付着した剥離液とがある。
【００５４】  接触槽１０や再生液槽４０内の剥離液温度は、剥離速度の観点から高い方が望ましく、さらに安定な剥離性能を保持するために一定に保つことが望ましい。好ましい液温は剥離液の種類によって異なるが、極性有機溶媒を用いる場合は４０〜１５０℃が好ましく、特に５０〜１２０℃が好ましい。液温が好ましい液温範囲以下の場合、剥離速度が低下し、液温が好ましい液温範囲以上の場合、排気量増加による剥離液消費量の増加を生じ、基体に損傷を与えやすくなる。
【００５５】  例えば、炭酸エチレンを主成分とする剥離液を用いた場合、被膜物質由来の有機物の残渣を減少させるためには、剥離液温度を７０〜９０℃に制御することが好ましい。これは、７０℃未満の場合には、有機物の剥離性や溶解性が低下し、残渣が多くなる傾向にあり、一方、９０℃を越える場合には、基体の金属膜が腐食し易くなり、欠陥が多くなる傾向にあることから、歩留りが低下するからである。
【００５６】  オゾン処理槽２０中の剥離液の温度に関しては、オゾンの溶解度の点から他の槽より低めに設定するのが好ましい。具体的には、２０〜１００℃が好ましく、特に４０〜８０℃が好ましい。溶解有機物に対するオゾンによる酸化分解の分解速度は有機物の種類により異なるが、分解が十分に進むと分子量１００以下の低分子化合物にまで分解する。分解生成物としては、グリコール酸、グリオキシル酸、シュウ酸、ギ酸のようなカルボン酸と、過酸化水素、水、二酸化炭素等の低分子物質が知られている。既に述べたように、これらの分解物が有機物の剥離性能に及ぼす影響は小さく、分解されていない溶解有機物と比べて許容濃度がかなり高い。
【００５７】［有機物濃度計算装置］
図２は、本実施形態の有機物濃度計算装置の全体を示す概略構成図である。図２に示すように、本装置は、データ記憶手段１００と、補正係数記憶手段２００と、濃度計算手段３００と、出力手段４００と、制御手段５００とからなる。
【００５８】  ここで、データ記憶手段１００には、槽内の有機物濃度のデータと、剥離液に溶解した有機物が接触槽に流入する流入速度のデータと、剥離液が接触槽から循環型剥離装置から排出された剥離液の排出速度のデータと、剥離液が接触槽から処理槽に流出する流出速度のデータと、再生剥離液が処理槽から接触槽へ流入する流入速度のデータと、新たに補充された剥離液が接触槽に流入する流入速度のデータ等が記憶されている。これらのデータは、有機物濃度を計算する際に入力され記憶されたデータに限られず、計算する以前に既に記憶されたデータも含まれる。したがって、これらのデータは想定値に限定されず、実測値であってもよく、キーボードやタッチパネル等から直接入力された有機物濃度データ等の想定値が記憶された場合には、剥離液中の有機物濃度の変化を予測できるだけでなく、予測結果を踏まえたプロセス検討に利用可能となり、さらには、製造管理者は簡易に適切な操業条件を指示することが可能となる。また、剥離装置に設けられた計装機器からの実測値等が入力されて記憶された場合には、装置稼動中においても、剥離液中の有機物濃度の変化を予測可能となり、剥離装置内の剥離液の管理が容易となる。
【００５９】  また、補正係数記憶手段２００は、剥離開始後の稼動時間に伴う剥離液中の有機物濃度を複雑なオゾン分解を考慮せずに計算した有機物濃度を、オゾン処理槽２０においてオゾン処理を施した循環型剥離装置における有機物濃度の実測値にあわせる補正をするための補正係数が記憶されている。これは、剥離液に溶解した有機物がオゾン処理によって低分子化合物に分解されると、有機物の分子が酸化により酸素を吸収するため、通常、重量が増加するが、重量変化の程度は有機物被膜の種類、有機物被膜の変性度（エッチング、アッシング、イオン注入等による）、オゾン処理の条件（オゾン濃度、処理時間、温度等）などによって変化するため、重量変化量を理論的に計算するのは困難である。そこで、後述する濃度計算手段３００によりオゾン処理を行わない仮想プロセスに基づき計算された有機物濃度を補正係数によって補正することにより有機物濃度を計算する。
【００６０】  濃度計算手段３００は、図２に示すように、第１の濃度計算手段３１０と第２の計算手段３２０とからなる。循環型剥離装置内のプロセスにおいて、剥離液の物質収支を計算することで、有機物濃度計算は可能であるが、本実施態様において提案した簡易な計算方法を、濃度計算手段３００による有機物濃度計算を示したフローチャートである図３を用いて説明する。
【００６１】  ここで、定常状態では、循環系を流れる剥離液の液量は一定なので、図１より、単位時間当りの溶解有機物を含む剥離液が接触槽１０に流入する液量と、再生剥離液が接触槽１０へ流入する液量と、新液槽５０から新たに補充された剥離液が接触槽１０に流入する液量との合計量は、剥離液が接触槽１０から循環型剥離装置から排出された剥離液の液量と、剥離液が接触槽１０から処理槽２０に流出する液量との合計量に等しくなる。
【００６２】  したがって、接触槽１０、オゾン処理槽２０、脱気槽３０、再生液槽４０、新液槽５０の容積「Ｌ」の各々を、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５とし、有機物濃度「％」の各々を、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５とし、剥離液に溶解した有機物の流入速度「Ｌ／ｍｉｎ」をＲとし、接触槽からの流出速度「Ｌ／ｍｉｎ」をＳ＋Ｒとし、新たに補充された剥離液の流入速度「Ｌ／ｍｉｎ」をＬとすると、再生剥離液の流入速度はＳ＋Ｒ「Ｌ／ｍｉｎ」となり、装置外部への排出速度はＲ＋Ｌ「Ｌ／ｍｉｎ」となる。
【００６３】  以下に、接触槽１０を例に、有機物濃度計算を説明する。濃度計算手段３００における有機物濃度計算は、初期値により計算する場合は、第１の濃度計算手段３１０により、その後、計算する場合は、第２の濃度計算手段３２０により行われる。なお、各槽における有機物濃度計算は同様の方法で行うことができる。
【００６４】  初めに、有機物濃度計算に必要な入力データをデータ記憶手段１００より読み込み、初期値として設定する（Ｓ１０）。読み込まれるデータは、最大計算時刻と、各槽の容積：Ｖ１〜Ｖ５「Ｌ」と、各槽の有機物濃度Ｄ１〜Ｄ５の初期値「％」と、補正係数と、基体上から剥離液の接触により溶解した有機物が流入する接触槽１０への流入速度：Ｒ「Ｌ／ｍｉｎ」と、新たに補充された剥離液が新液槽５０から流入する再生液槽４０への流入速度：Ｌ「Ｌ／ｍｉｎ」と、剥離液が接触槽１０から排出される循環型剥離装置外部への排出速度：Ｒ＋Ｌ「Ｌ／ｍｉｎ」と、剥離液が接触槽１０から流出する処理槽２０への流出速度：Ｓ＋Ｒ「Ｌ／ｍｉｎ」と、再生剥離液が再生液槽４０から流入する接触槽１０への流入速度：Ｓ＋Ｒ＋Ｌ「Ｌ／ｍｉｎ」とである。なお、接触槽１０からオゾン処理槽２０、脱気槽３０、再生液槽４０までの流出速度はＳ＋Ｒ「Ｌ／ｍｉｎ」である。さらに、時刻ｔは初期化され、０に設定されている。
【００６５】  次に、繰り返し計算を行うため、時刻ｔが最大計算時刻を越えているか否か判断する（Ｓ１１）。時刻ｔが最大計算時刻を越えていない（ＹＥＳ）と判別されたときは、時刻ｔに単位時間Δを加え（Ｓ１２）、単位時間経過後の各槽の有機物濃度Ｄ１〜Ｄ４の計算を行う（Ｓ１３〜Ｓ２０）。ここで、第２の濃度計算手段を用いて繰り返し計算を行う回数は、（最大計算時刻までの時間）／（単位時間）−２となる。例えば、最大計算時刻までの時間がΔの場合、第１の濃度計算手段により、第１の時刻から単位時間Δだけ経過した第２の時刻における槽内の有機物濃度を計算し、繰り返し計算は行わない。最大計算時刻までの時間が２Δの場合、第１の時刻から単位時間Δだけ経過した第２の時刻から、さらに単位時間Δだけ経過した第３の時刻における槽内の有機物濃度を第２の濃度計算手段により計算し、繰り返し計算は行わない。また、最大計算時刻が３Δの場合、第３の時刻から単位時間Δだけ経過した時刻から、さらに単位時間Δだけ経過した時刻における槽内の有機物濃度を計算するため、第２の濃度計算手段を用いた繰り返し計算を１回行う。
【００６６】  有機物濃度計算は、はじめに、特定した槽への有機物流入量Ａの計算を行う（Ｓ１３）。接触槽１０の有機物流入量Ａは、Ｒ＋Ｄ４×（Ｓ＋Ｒ＋Ｌ）／１００で計算できる。そして、特定した槽からの有機物流出量Ｂの計算を行う（Ｓ１４）。接触槽１０の有機物流出量Ｂは、Ｄ１×（（Ｓ＋Ｒ）＋（Ｒ＋Ｌ））／１００で計算できる。次いで、特定した槽内における有機物増加量Ｃの計算を行う（Ｓ１５）。接触槽１０の有機物増加量Ｃは、Ａ−Ｂで計算できる。最後に、特定した槽内の有機物濃度Ｄを計算する（Ｓ１６）。接触槽１０の有機物濃度Ｄは、（時刻ｔにおける接触槽１０の有機物濃度）＋Ｃ×Ｖ１×１００として計算する。
【００６７】  そして、有機物濃度計算を行っている槽がオゾン処理槽２０であるか否か判断する（Ｓ１７）。当該槽がオゾン処理槽２０である（ＹＥＳ）と判別したときには、計算した有機物濃度を補正係数により補正する（Ｓ１８）。この結果、オゾン処理後のオゾン処理槽２０における有機物濃度を計算できる。そして、Ｓ１９へ進む。また、当該槽がオゾン槽２０以外の槽である（ＮＯ）と判別したときには、そのまま、Ｓ１９へ進む。
【００６８】  Ｓ１９においては、特定した槽における有機物濃度の計算値を保存する（Ｓ１９）。その後、全ての槽について有機物濃度計算を行ったか否かを判断する（Ｓ２０）。全ての槽について有機物濃度計算をしている（ＹＥＳ）と判別したときは、繰り返し有機物濃度計算を行うため、Ｓ１１に戻る。計算していない槽がある（ＮＯ）と判別したときは、全ての槽について計算するためＳ１３に戻る。
【００６９】  一方、時刻ｔが最大計算時刻を越えている（ＮＯ）と判別したときは、有機物濃度計算を終了する。以上の計算により、簡易にかつ修正も容易に接触槽１０を含む各槽における有機物濃度を計算することができる。
【００７０】  出力手段４００は、濃度計算手段３００により計算された有機物濃度を表す信号を出力する。したがって、表示装置を出力手段に設けることにより、オペレーターは剥離液中の有機物濃度の変化を視認でき、分析頻度の削減や液抜き等の作業段取りも可能となり、作業効率の向上も図れる。また、紙やＣＤＲＯＭ等の記録媒体に記録することにより、操業指示書の作成や、過去の計算結果の参照等が容易となる。
【００７１】  制御手段５００は、出力手段４００から出力された信号に基づき、有機物濃度の管理範囲内で、接触槽及び処理槽への流量、圧力、温度等の操作量を制御する。したがって、有機物濃度実測値と有機物濃度計算値との差異に基づき、自動制御可能とすることも可能となる。具体的には、溶解有機物の接触槽１０への流入流量、剥離液の装置外部への排出流量を、直接又は間接的に、流量、圧力、温度等の操作量を調節することにより制御できる。例えば、剥離液の装置外部への排出流量の調整例としては、連続的又は定期的な剥離液の排出が挙げられる。有機物の接触槽１０への流入流量の調整例として、単位時間当りの基体処理枚数の増減が上げられる。
【００７２】［有機物濃度計算プログラム］
図４は、本実施形態の有機物濃度計算プログラムがコンピュータに実行させる手順を示したフローチャートである。図３に示すように、本プログラムは、コンピュータに、はじめに、データ記憶手段１００と補正係数記憶手段２００に記憶されたデータの読み出し処理を実行させ（Ｓ３０）、次いで、有機物濃度計算手段３００により有機物濃度計算を（Ｓ３１）、そして、計算された有機物濃度を表す信号を出力する（Ｓ３２）一連の処理を実行させる。
【００７３】  以下、本発明の第１実施形態を具体的に示すため、下記実施例により詳細に説明するが、本発明が下記実施例に限定されるものではない。
（試験条件）
１．剥離液：エチレンカーボネートとして、東亜合成製の高純度ＥＣ（ＥＣ−Ｈ）をそのまま用いた。
２．基体：サイズ７３０×９２０ｍｍ２の液晶パネル用ガラス板に、ゲート電極材料であるアルミニウムをスパッタリング法で製膜後、クレゾールノボラック系のレジスト樹脂を膜厚１．５μｍで塗布・露光・現像処理し、更にアルミニウムのエッチングとアッシング処理を行ったものを基板として用いた。基板上のレジスト樹脂の被覆率は５０％である。
３．剥離装置と運転条件：図５に示したとおり、接触槽を２器設置した構成の循環型剥離装置を用いた。各槽の容量は接触槽１０、接触槽１１、オゾン処理槽２０、脱気槽３０、再生液槽４０の順に、４０、４０、４０、２０、４０Ｌである。脱気槽３０から再生液槽４０への流出速度は２０Ｌ／ｍｉｎ、レジスト流入量は０．５０ｍＬ／基板、基板による剥離液の持出量は１３．４ｍＬ／基板、排気によるミスト状剥離液の持出量は１〜４Ｌ／Ｈｒである。基板によって持ち出された剥離液は、洗浄処理後、廃水として排出される。排気中のミスト状剥離液は、接触処理を行うチャンバー上に冷却塔（４０℃に保持）を設置することにより、１Ｌ／Ｈｒまで低減することができる。排気中のミスト状剥離液と基板と一緒に持ち出される剥離液の合計量が剥離液の消費量となる。消費量分の剥離液を新液槽５０から定常的に補給し、剥離装置内の液量を一定に保持する。各槽中の剥離液の温度について、接触槽１０と再生液槽４０は８０℃、オゾン処理槽２０と脱気槽３０は６０℃、新液槽５０は５０℃に設定した。
４．オゾン発生装置の条件：酸素ガスを原料とする放電式オゾン発生装置により、濃度２００ｍｇ／Ｌのオゾン含有酸素ガスを流量１５Ｌ／ｍｉｎで定常的にオゾン処理槽中に導入した。
５．補正係数の決定：基板の処理速度を６０枚／Ｈｒとし、冷却塔を設置した上で排気による剥離液持出量１Ｌ／Ｈｒとして運転した。この条件での再生液槽４０のレジスト濃度計算値（オゾン分解が起らないと仮定して計算したレジスト濃度）と、レジスト分解物（カルボン酸及びカルボン酸エステル）の実測濃度は、１日後、３日後、５日後の推算値／実測値で、各々０．００４３／０．００６５、０．０１０３／０．０１５２、０．０１４１／０．０２１６であり、補正係数は１．５１と決定した。なお、有機物濃度の単位は、レジスト−ｋｇ／Ｌである。
６．許容濃度の決定
上記の装置稼動条件において、５日後の段階で基板表面にレジスト残渣が観察されたことから、レジスト分解物の許容濃度は０．０２１６レジスト−ｋｇ／Ｌと分かった。なお、レジスト残渣の問題を回避するため、稼動時間４日毎に剥離装置内を停止し、装置内の剥離液全量を新液と交換した。この液交換作業には８時間を要した。
【００７４】（比較例）
基板の処理速度を６０枚／Ｈｒとする上記の試験条件において、装置稼動４日＋液交換８時間のサイクルで剥離装置を運転すると、月当りの基板処理量は３９，８７７枚、剥離液の全消費量は２４４５Ｌであり、基板１枚当りの消費量に換算すると６１ｍＬとなる。
【実施例１】
【００７５】  基板の処理速度を半分に下げ３０枚／Ｈｒとして、液交換をおこなわず、連続稼動させて剥離処理を行った。この条件でのレジスト分解物濃度の計算結果（補正係数は１．５１を使用）と実測値を表２に示す。計算結果、平衡濃度は０．００１９５ｋｇ／Ｌであったため、運転時間を延ばしても許容濃度を越えることはないと予想された。剥離装置の運転を３０日まで続けたが、剥離性能に問題は見られなかった。表２に示す通り、稼動日数５日、１０日、１５日でのレジスト分解物濃度実測値と有機物濃度計算値とを比較すると、精度良く有機物濃度が計算されていることがわかる。【００７６】  この場合、月当りの基板処理量は２１，６００枚、月当りの液状剥離液の全消費量は１００９Ｌ、基板１枚当りの消費量は４７ｍＬとなり、試験条件と比較して約２４％の剥離液が節約できた。更には煩雑な剥離液交換作業が省略でき作業工数を低減することができた。
【実施例２】
【００７７】  基板の処理速度を６０枚／Ｈｒに戻し、冷却塔を実施例１より短くして排気による剥離液持出量を１．８Ｌ／Ｈｒに増やして運転した。この条件でのレジスト分解物濃度の計算結果と実測値を表３に示した。平衡濃度の計算結果は０．０２１０ｋｇ／Ｌであったため、運転時間を延ばしても許容濃度を越えることはないと予想された。剥離装置の運転を３０日まで続けたが、剥離性能に問題は見られなかった。表３に示す通り、実施例１と同様、稼動日数５日、１０日、１５日でのレジスト分解物濃度実測値と有機物濃度計算値とを比較すると、精度良く有機物濃度が計算されていることがわかる。【００７８】  この場合、月当りの基板処理量は４３，２００枚、液状剥離液の全消費量は１８７５Ｌ、基板１枚当りの消費量は４３ｍＬとなり、試験条件と比較して約２９％の剥離液が節約でき、生産量も約７％向上した。また、実施例１と同様、剥離液交換作業に伴う作業工数も不要である。【００７９】  以下の表１に比較例、実施例１及び実施例２に記載の稼動条件と剥離液消費量を示す。【００８０】
【表１】
2007004612.tif 000002
【００８１】
【表２】
2007004612.tif 000003
【００８２】
【表３】
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【００８３】＜＜第２実施形態＞＞
本発明の基体の製造方法の除去工程は、循環型剥離装置を用いた剥離工程により被膜物質が少なくとも一部剥離された基体から、被膜物質由来の有機物の残渣を除去する。第２実施形態においては、上述の第１実施形態において使用された循環型剥離装置と、有機物濃度計算装置と、有機物濃度計算プログラムとに、さらに、水洗層７０と、乾燥装置８０とが用いられる。すなわち、本実施形態においては、接触槽１０、オゾン処理槽２０、脱気槽３０、再生液槽４０、新液槽５０及び接触チャンバー６０から構成されるとともに、枚様式の連続基体処理装置が採用された循環型剥離装置と、水洗層７０と、乾燥装置８０とが用いられる。図６は本発明の第２実施形態を説明するための循環型剥離装置の概要図を示したものである。【００８４】  なお、第１実施形態と共通する構成要素には、同一の符号を付した。すなわち、同一の符号が付された構成要素は、同一の構成要素であるとともに、同一の機能を有する。【００８５】  水洗槽７０は、接触チャンバー６０内における剥離液による剥離後の基体に付着した剥離液及びレジスト残渣を純水により洗浄除去する槽である。そして、基体から洗浄除去された剥離液及びレジスト残渣は、図示しない後工程の廃水処理工程により処理される。【００８６】  乾燥装置８０は、水洗槽７０において純水による洗浄処理が行われた基体を、乾燥空気により乾燥する槽である。乾燥は遠心脱水、熱風、赤外輻射等の方法により行われ、基体を乾燥させるとともに、基体表面上からレジスト残渣を除去する。この結果、レジスト残渣が基体表面に再付着することにより生じる基体表面の汚染を防止する。【００８７】  そして、水洗槽７０と乾燥装置８０とを用いた除去工程により、基体上のレジスト残渣を除去した後、品質検査を行う。これは、品質検査の評価基準の例として、基体上のレジスト残渣の密度が挙げられ、例えば基体が液晶用パネルである場合、基体上にレジスト残渣が存在すると、残渣の付着した周辺部分が画素として機能しないことから、表示中の液晶パネル上に黒点又は白点となる確率が高くなるからである。したがって、除去工程の後、基体上にレジスト残渣が存在しないことが望ましいが、本実施形態においては、レジスト残渣に関する液晶パネルの製造業者の要求基準範囲内で、ぼぼ１００％の歩留まりを達成可能な評価基準を管理値として採用した。具体的には、管理値として、レジスト残渣の密度１．５個／ｍ２を採用した。この結果、製造された基体の評価基準として、除去工程が行われた基体表面上のレジスト残渣の密度１．５個／ｍ２という管理値を採用したことにより、製品である基体の生産性（歩留り）をほぼ１００％の水準で達成することができるとともに、管理値の範囲内であれば、剥離工程及び除去工程の完全自動化も可能となる。【００８８】  以下、本発明の第２実施形態を具体的に示すため、下記実施例により詳細に説明するが、本発明が下記実施例に限定されるものではない。また、第２実施形態における試験条件は、第１実施形態の試験条件と共通の試験条件を採用した。【００８９】（比較例１）
基板の処理速度を６０枚／Ｈｒとし、排気による剥離液持出量１Ｌ／Ｈｒとして３０日間連続運転した。剥離工程及び除去工程の後、回路基板を無作為に１０枚抜き取り、基板表面を光学顕微鏡で観察した結果、基板表面上のレジスト残渣数は平均４．６個／ｍ２であった。また、最終的な回路基板の歩留りは１０％以下であった。【００９０】（比較例２）
上述の第１実施形態の比較例と同様に、基板の処理速度を６０枚／Ｈｒとする上記の試験条件において、装置稼動４日＋液交換８時間のサイクルで剥離装置を運転すると、月当りの基板処理量は３９，８７７枚、剥離液の全消費量は２４４５Ｌであり、基板１枚当りの消費量に換算すると６１ｍＬとなる。そして、剥離工程及び除去工程の後、回路基板を無作為に１０枚抜き取り、基板表面を光学顕微鏡で観察した結果、基板表面上のレジスト残渣数は平均２．１個／ｍ２であった。また、最終的な回路基板の歩留りは６５％であった。
【実施例３】
【００９１】  上述の第１実施形態の実施例１と同様の条件で剥離工程を行い、さらに、除去工程を行った後、回路基板を無作為に１０枚抜き取り、基板表面を光学顕微鏡で観察した結果、基板表面上のレジスト残渣数は平均０．４個／ｍ２であった。また、最終的な回路基板の歩留りは９５％であった。
【実施例４】
【００９２】  上述の第１実施形態の実施例２と同様の条件で剥離工程を行い、さらに、除去工程を行った後、回路基板を無作為に１０枚抜き取り、基板表面を光学顕微鏡で観察した結果、基板表面上のレジスト残渣数は平均１．０個／ｍ２であった。また、最終的な回路基板の歩留りは９１％であった。【００９３】  以下に、比較例１、比較例２、実施例３及び実施例４に記載の稼動条件、剥離液消費量、レジスト残渣数及び歩留りを示す。【００９４】
【表４】
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【００９５】  以上のように、第１実施形態によれば、剥離工程を含むことから、再生剥離液を用いて基体上の被膜物質に接触させて基体から被膜物質を剥離するため、新たに補充する剥離液を極めて少なくすることができる。この結果、剥離液を効率的に利用することも可能となり、剥離液の消費量を大幅に削減でき、経済性を向上させるとともに、環境に対する負荷も低減させることができる。【００９６】  さらに、剥離液中の溶解有機物の濃度を計算するに際し、剥離開始後の稼動時間に伴う溶解有機物の濃度変化を複雑な物性計算に基づいて計算せずに、簡易に的確に有機物濃度を計算でき、同時に有機物濃度の変化を予測できる。そして、剥離装置内のプロセスにおける有機物濃度の管理を容易にし、その結果、濃度管理のために必要な煩雑な薬液交換作業も削減でき、剥離液を効率的に利用することも可能となり、剥離液の消費量を大幅に削減でき、経済性を向上させるとともに環境に対する負荷も低減できる。【００９７】  また、基板の大型化によって剥離装置や運転条件が変更された場合でも、容易に溶解有機物の濃度が計算できるため、装置立上げ時の条件設定作業が短時間で済み、トラブル時の対処も容易になる。【００９８】  さらに、第２実施形態によれば、上述の第１実施形態と同様に、循環型剥離装置内の有機物濃度を簡易に的確に計算できるともに、有機物濃度の変化を予測できる。したがって、循環型剥離装置が運転管理値の基準内で稼動できるため、回路基板の汚染、すなわち、レジスト残渣の付着が回避できる。この結果、回路基板の歩留りを大幅に向上することができる。【００９９】  また、前記除去工程を含むことから、基体上への被膜物質が再付着することによる基体表面の汚染を防止して、不良品が発生することによる製品歩留まりを向上させることができる。【０１００】  さらに、除去工程が行われた基体上の有機物の残渣が所定の管理値以下であることから、製品である基体の品質管理基準として、基体上の有機物の残渣の個数等を採用した場合、製品の歩留りを大幅に向上することができるとともに、品質管理基準内において連続製造も可能となる。【０１０１】  なお、本実施形態においては、オゾン処理機構を含む剥離装置について例示したが、上述の実施形態には限られず、その他様々な実施形態が含まれる。例えば、オゾン処理を行わない従来の剥離装置の場合、更に濃度管理が容易となり、工業的価値を大きくすることができる。【０１０２】［発明の効果］
上述した発明によれば、前記剥離工程を含むことから、再生剥離液を用いて基体上の被膜物質に接触させて基体から被膜物質を剥離するため、新たに補充する剥離液を極めて少なくすることができる。この結果、剥離液を効率的に利用することも可能となり、剥離液の消費量を大幅に削減でき、経済性を向上させるとともに、環境に対する負荷も低減させることができる。【０１０３】  また、前記除去工程を含むことから、基体上への被膜物質が再付着することによる基体表面の汚染を防止して、不良品が発生することによる製品歩留まりを向上させることができる。【０１０４】  さらに、除去工程が行われた基体上の有機物の残渣が所定の管理値以下であることから、製品である基体の品質管理基準として、基体上の有機物の残渣の個数等を採用した場合、製品の歩留りを大幅に向上することができるとともに、品質管理基準内において連続製造も可能となる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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