【事件の表示】
　特願２０１６−　　４５５１「多層基板」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　７月２１日出願公開、特開２０１６−１３１２４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２８年１月１３日（優先権主張　平成２７年１月１３日　日本国（ＪＰ））に特許出願したものであって、その手続の経緯の概略は以下のとおりである。
　平成２９年　７月１２日　　：手続補正書の提出
　平成３１年　１月　８日　　：手続補正書の提出
　令和　１年　９月２６日付け：拒絶理由通知書
　令和　２年　１月２９日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和　２年　６月２３日付け：拒絶査定
　令和　２年　９月２５日　　：審判請求書、手続補正書の提出
　令和　２年１０月３０日　　：手続補正書（方式）の提出
第２　令和２年９月２５日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和２年９月２５日にされた手続補正を却下する。
［理由］
１　補正の概要
　令和２年９月２５日にされた手続補正（以下、「本件補正」という。）は、令和２年１月２９日に手続補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された発明特定事項により特定される、
「内表面にメッキ膜が形成された貫通孔（以下、スルーホールという）を有する半導体基板が積層されている多層基板であって、
多層基板の平面視において、導電粒子が規則的に配置されており且つスルーホールが対向する位置に少なくとも導電粒子が存在し、
対向するスルーホールが導電粒子により接続され、該スルーホールが形成されている半導体基板同士が絶縁接着剤により接着している接続構造を有する多層基板。」
との発明（以下、「本願発明」という。）を、
「内表面にメッキ膜が形成された貫通孔（以下、スルーホールという）を有する
配線基板もしくは半導体基板上に、スルーホール
多層基板の平面視において、導電粒子が規則的に配置されており且つスルーホールが対向する位置に少なくとも導電粒子が存在し、
多層基板を構成する基板の間で、対向する貫通電極に捕捉されていない導電粒子の数が導電粒子の総数の５％以下であり、
対向するスルーホールが導電粒子により接続され、該スルーホールが形成されている半導体基板同士が絶縁接着剤により接着している接続構造を有する多層基板。」
との発明（以下、「本件補正発明」という。）とする補正を含むものである。なお、下線部は、補正箇所を示す。
２　補正の適否
　上記補正は、「内表面にメッキ膜が形成された貫通孔（以下、スルーホールという）を有する半導体基板」が積層される場所が、「内表面にメッキ膜が形成された貫通孔（以下、スルーホールという）を有する配線基板もしくは半導体基板上」であることを限定し、さらに、「導電粒子」の数について「多層基板を構成する基板の間で、対向する貫通電極に捕捉されていない導電粒子の数が導電粒子の総数の５％以下」とすることを限定する補正であり、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
　そこで、本件補正による請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下に検討する。
（１）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
ア　本件補正後の請求項１に「多層基板を構成する基板の間で、対向する貫通電極に捕捉されていない導電粒子の数が導電粒子の総数の５％以下であり」と記載されている。
　そして、本願明細書段落【０００４】の「この場合、図１４に示したように、貫通電極６は、一般に（ａ）半導体基板３に（ｂ）貫通孔４ｈを形成し、（ｃ）無電解メッキによりメッキ膜４ａを形成し、それをパターニングして貫通孔４ｈの内部にメッキ膜４ａを残すことでスルーホールを形成し、（ｄ）さらに所定のパターンにマスクを設けて電解メッキを行うことでスルーホール内に金属５を充填することにより形成される。」との記載からすれば、「貫通電極」とはスルーホール内に金属が充填されたものであって、「貫通電極」と「スルーホール」とは異なる構成である。
イ　また、「導電粒子の総数の５％以下」について、本願明細書には、「第１半導体基板３Ａと第２半導体基板３Ｂの間には、対向するスルーホール４Ａ、４Ｂに捕捉されていない導電粒子１１が存在するとしても、そのような導電粒子１１の数は、第１半導体基板と第２半導体基板の間に存在する導電粒子の総数の好ましくは５％以下、より好ましくは０．５％以下、特に導電粒子１１の略すべてがスルーホール４Ａ、４Ｂで捕捉されているようにする。」（段落【００２６】を参照）と、「この異方導電性フィルム１０を半導体基板３Ａ、３Ｂの接続に使用した後において、対向する半導体基板３Ａ、３Ｂの間で、スルーホール４Ａ、４Ｂに捕捉されていない導電粒子１１の数は、対向する半導体基板３Ａ、３Ｂの間に存在する導電粒子１１の総数の好ましくは５％以下となる。」（段落【００５７】を参照）と記載されているのみであり、基板の間に存在する導電粒子の総数の５％以下とする対象を、「対向する貫通電極に捕捉されていない導電粒子の数」とする記載又は示唆は見当たらない。
ウ　さらに、本願明細書段落【００１７】の「また、半導体基板に、スルーホール内に金属を充填して貫通電極を形成することなく、スルーホール同士を導電粒子で接続し、かつ、接続に寄与しない導電粒子が半導体基板間で低減しているので多層基板の製造コストが顕著に抑制される。また、同様の理由で、計装工数の削減にも効果がある。」との記載からすれば、本願明細書に記載された多層基板では「貫通電極」を形成することは排除されている。
エ　したがって、「多層基板を構成する基板の間で、対向する貫通電極に捕捉されていない導電粒子の数が導電粒子の総数の５％以下であ」る本件補正後の請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものとはいえない。 
　よって、本件補正発明は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に既定する要件を満たしていないから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（２）予備的見解（特許法第２９条第２項について）
　上記（１）で述べた「貫通電極」は「スルーホール」の誤記であると解釈して、進歩性についても検討しておく。
ア　本件補正発明
　本件補正発明は、上記「１」に記載したとおりのものである。
イ　引用文献の記載事項
（ア）引用文献１
ａ　原査定の拒絶の理由で引用された、特開２００５−２７７１１２号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
（ａ）「【００１６】
　以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。 図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施の形態で、４層の配線パターンを有するフレキシブル
多層配線基板
（中略）
【００１９】
　次いで、図１（ｂ）に示すように、
両面配線基板用基材１
に
スルーホール（開口部）４を形成する
（中略）
【００２１】
　そして、図１（ｃ）に示すように、
スルーホール４の内壁に例えば無電解銅めっきを施した後、その表面に例えば電解銅めっきによって接続端子層（接続端子部）５を形成する。
（中略）
【００２３】
　さらに、図１（ｄ）に示すように、公知のリソグラフィ法によってパターニングを行い、スルーホール４の周囲に例えばランド部（配線パターン）３０を形成し、
これにより
配線基板１０を得る。
【００２４】
　そして、
このような方法によって作成した複数
配線基板１０ａ、１０ｂのうち、
配線基板１０ａのスルーホール４ａの縁部（接続端子層５ａ）上に１つの導電性粒子１１を載置する。
（中略）
【００２７】
　そして、図１（ｅ）に示すように、第２の両面
配線基板１０ｂの一方の面上に絶縁性接着剤層１２
形成する。
（中略）
【００３１】
　そして、第１の両面
配線基板１０ａ上の導電性粒子１１と
配線基板１０ｂ上の絶縁性接着剤層１２を対向させた状態で双方のスルーホール４ａ、４ｂの位置合わせを行い
配線基板１０ａ、１０ｂを加熱しつつ圧接を行
【００３２】
　これにより、図１（ｆ）に示すように、第１及び第２の両面
配線基板１０ａ、１０ｂのスルーホール４ａ、４ｂの縁部、即ち接続端子層５ａ、５ｂによって導電性粒子１１が挟持され
導電性粒子１１を介して
面配線基板１０ａ、１０ｂ
が電気的に接続されるとともに第１及び第２の配線基板１０ａ、１０ｂが接着され
（中略）
【００３５】
　図２（ａ）〜（ｂ）は、本発明の他の実施の形態で、６層の配線パターンを有するフレキシブル多層配線基板を製造する工程を示す断面図である。以下、上記実施の形態と対応する部分については同一の符号を付しその詳細な説明を省略する。
【００３６】
　図２（ａ）に示すように、本実施の形態においては、上記図１（ａ）〜（ｆ）に示す工程によって得られた多層配線基板２０と、上記図１（ａ）〜（ｄ）に示す工程によって得られた第３の両面配線基板１０ｃを用意する。
【００３７】
　そして、第３の両面
配線基板１０ｃのスルーホール４ｃの縁部（接続端子層５ｃ）上に１つの導電性粒子１１を載置する
【００３８】
　さらに、上述の実施の形態と同様に、第１の両面
配線基板１０ａの外側面上に絶縁性接着剤層１２
形成する。
【００３９】
　そして、第３の両面
配線基板１０ｃ上の導電性粒子１１と
配線基板１０ａ上の絶縁性接着剤層１２を対向させた状態で双方のスルーホール４ｃ、４ａの位置合わせを行い
加熱しつつ圧接する
【００４０】
　これにより、図２（ｂ）に示すように、第１及び第３の両面
配線基板１０ａ、１０ｃのスルーホール４ａ、４ｃの縁部、即ち接続端子層５ａ、５ｃによって導電性粒子１１が挟持され、
導電性粒子１１を介して第１及び第３の両面配線基板１０ａ、１０ｃ
が電気的に接続されるとともに第１及び第３の配線基板１０ａ、１０ｃが接着され
（中略）
【００６０】
　さらにまた、本発明は、フレキシブル基板のみで多層配線基板を形成することができるものであるが、
リジッド基板や、リジッド基板及びフレキシブル基板を混在させ
ることができる。
（ｂ）図１
「        
 」
（ｃ）図２
「 
」
ｂ　引用文献１の上記記載及び図面によれば、次の事項が記載されている。
（ａ）「ａ（ａ）」の段落【００１６】によれば、引用文献１には、多層配線基板が記載されている。
　そして、「ａ（ａ）」の段落【００１９】、【００２１】、【００２３】【００２４】によれば、多層配線基板は、スルーホールの内壁に無電解銅めっきを施し、その表面に電解銅めっきによって形成された接続端子層（接続端子部）を有する複数の配線基板を備え、「ａ（ｂ）」の図１（ｆ）によれば、複数の配線基板が積層されていることが見て取れる。
　よって、引用文献１には、スルーホールの内壁に無電解銅めっきを施し、その表面に電解銅めっきによって形成された接続端子層（接続端子部）を有する複数の配線基板が積層された多層配線基板が記載されているといえる。
（ｂ）「ａ（ａ）」の段落【００２４】、【００２７】、【００３１】、【００３２】及び「ａ（ｂ）」の図１によれば、配線基板１０ａのスルーホール４ａの縁部（接続端子層５ａ）上に１つの導電性粒子１１を載置し、スルーホール４ｂが形成された配線基板１０ｂの一方の面上に絶縁性接着剤層１２を形成し、配線基板１０ａ上の導電性粒子１１と配線基板１０ｂ上の絶縁性接着剤層１２を対向させた状態で双方のスルーホール４ａ、４ｂの位置合わせを行い、配線基板１０ａ、１０ｂを加熱しつつ圧接を行うことにより、配線基板１０ａ、１０ｂのスルーホール４ａ、４ｂの縁部、即ち接続端子層５ａ、５ｂによって導電性粒子１１が挟持され、導電性粒子１１を介して配線基板１０ａ、１０ｂが電気的に接続されるとともに配線基板１０ａ、１０ｂが接着されることが記載されている。
（ｃ）「ａ（ａ）」の【００３７】ないし【００４０】、及び、「ａ（ｃ）」の図２によれば、配線基板１０ｃのスルーホール４ｃの縁部（接続端子層５ｃ）上に１つの導電性粒子１１を載置し、配線基板１０ａの外側面上に絶縁性接着剤層１２が形成され、配線基板１０ｃ上の導電性粒子１１と配線基板１０ａ上の絶縁性接着剤層１２を対向させた状態で双方のスルーホール４ｃ、４ａの位置合わせを行い、加熱しつつ圧接することにより、配線基板１０ａ、１０ｃのスルーホール４ａ、４ｃの縁部、即ち接続端子層５ａ、５ｃによって導電性粒子１１が挟持され、導電性粒子１１を介して配線基板１０ａ、１０ｃが電気的に接続されるとともに配線基板１０ａ、１０ｃが接着されることが記載されている。
（ｄ）「ａ（ａ）」の段落【００６０】によれば、多層配線基板は、リジッド基板又は、リジッド基板及びフレキシブル基板を混在させて形成することができる。
ｃ　以上（ａ）ないし（ｄ）によれば、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「スルーホールの内壁に無電解銅めっきを施し、その表面に電解銅めっきによって形成された接続端子層（接続端子部）を有する複数の配線基板が積層された多層配線基板において、
　配線基板１０ａのスルーホール４ａの縁部（接続端子層５ａ）上に１つの導電性粒子１１を載置し、スルーホール４ｂが形成された配線基板１０ｂの一方の面上に絶縁性接着剤層１２を形成し、配線基板１０ａ上の導電性粒子１１と配線基板１０ｂ上の絶縁性接着剤層１２を対向させた状態で双方のスルーホール４ａ、４ｂの位置合わせを行い、配線基板１０ａ、１０ｂを加熱しつつ圧接を行うことにより、配線基板１０ａ、１０ｂのスルーホール４ａ、４ｂの縁部、即ち接続端子層５ａ、５ｂによって導電性粒子１１が挟持され、導電性粒子１１を介して配線基板１０ａ、１０ｂが電気的に接続されるとともに配線基板１０ａ、１０ｂが接着され、
　配線基板１０ｃのスルーホール４ｃの縁部（接続端子層５ｃ）上に１つの導電性粒子１１を載置し、配線基板１０ａの外側面上に絶縁性接着剤層１２が形成され、配線基板１０ｃ上の導電性粒子１１と配線基板１０ａ上の絶縁性接着剤層１２を対向させた状態で双方のスルーホール４ｃ、４ａの位置合わせを行い、加熱しつつ圧接することにより、配線基板１０ａ、１０ｃのスルーホール４ａ、４ｃの縁部、即ち接続端子層５ａ、５ｃによって導電性粒子１１が挟持され、導電性粒子１１を介して配線基板１０ａ、１０ｃが電気的に接続されるとともに配線基板１０ａ、１０ｃが接着され、
　リジッド基板又は、リジッド基板及びフレキシブル基板を混在させて形成することができる、
　多層配線基板。」
（イ）引用文献２
ａ　原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００２−１１０８９７号公報(以下、「引用文献２」という。)には、次の事項が記載されている。
「【００２０】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に係るマルチチップ半導体装置を示す断面図である。図１において、
配線基板１上に、複数の半導体チップ２ａ、２ｂが、
積層させている。
（中略）
【００２４】図２（ａ）に示すように、
半導体素子６ａが形成されたシリコン基板１０
（中略）
【００３０】
このようにして得た半導体チップ２ａ
ｂ　したがって、引用文献２には、次の技術が記載されている。
「配線基板上に、半導体素子が形成された複数のシリコン基板を積層させること。」
（ウ）引用文献３
ａ　原査定の拒絶の理由に引用された、特開平３−６２４１１号公報(以下、「引用文献３」という。)には、次の事項が記載されている。
（ａ）「このようにして得られた異方性導電フィルムは
所望の位置（すなわち、通常は、異方性導電フィルムによって接続されるべき端子部分に対応する位置）に導電粒子が選択的に配置されて
（ｂ）「第３図は、上述のようにして作製した異方性導電フィルムの一例を示す平面図であり、導電性粒子６が接着剤４または絶縁性フィルム９の所望の位置に選択的に散布されている。
　作製した
異方性導電フィルムは
ＩＣ実装基板に
搭載し、更にＩＣチップをその上に搭載
ＩＣチップの実装用として用いる
（ｃ）第３図
「
」
ｂ　したがって、引用文献３には、次の技術が記載されている。
「ＩＣ実装基板にＩＣチップを実装するための異方性導電フィルムにおいて、所望の位置（すなわち、通常は、異方性導電フィルムによって接続されるべき端子部分に対応する位置）に導電粒子が選択的に配置されること。」
ウ　引用発明との対比
　本件補正発明と引用発明１とを対比する。
（ア）引用発明の「多層配線基板」は、本件補正発明の「多層基板」に相当する。
　また、引用発明の「スルーホール」は、「内壁に無電解銅めっきを施し、その表面に電解銅めっきによって形成された接続端子層（接続端子部）」を有するのであるから、本件補正発明の「内表面にメッキ膜が形成された貫通孔（以下、「スルーホール」という）」に相当する。
　してみると、引用発明の「スルーホールの内壁に無電解銅めっきを施し、その表面に電解銅めっきによって形成された接続端子層（接続端子部）を有する複数の配線基板が積層された多層配線基板」と、本件補正発明とは、「内表面にメッキ膜が形成された貫通孔（以下、スルーホールという）を有する配線基板上に、スルーホールを有する基板が積層されている多層基板」である点で共通する。
　ただし、本件補正発明は、配線基板上に「半導体基板」が積層されているのに対し、引用発明はその旨特定されていない点で相違する。
（イ）引用発明では、「配線基板１０ａ、１０ｂのスルーホール４ａ、４ｂの縁部、即ち接続端子層５ａ、５ｂによって導電性粒子１１が挟持され」、「配線基板１０ａ、１０ｃのスルーホール４ａ、４ｃの縁部、即ち接続端子層５ａ、５ｃによって導電性粒子１１が挟持され」るから、対向する「スルーホール４ａ、４ｂ」及び「スルーホール４ａ、４ｃ」の各位置に「導電性粒子１１」が存在することは当然のことである。
　してみると、引用発明における、対向する「スルーホール４ａ、４ｂ」及び「スルーホール４ａ、４ｃ」の各位置に「導電性粒子１１」が存在することと本件補正発明とは、「多層基板の平面視において、スルーホールが対向する位置に少なくとも導電粒子が存在」する点で共通する。
　ただし、導電粒子に関し、本件補正発明は、「導電粒子が規則的に配置」され、「多層基板を構成する基板の間で、対向する貫通電極に捕捉されていない導電粒子の数が導電粒子の総数の５％以下であ」るのに対し、引用発明はその旨特定されていない点で相違する。
（ウ）引用発明では、「配線基板１０ａ上の導電性粒子１１と配線基板１０ｂ上の絶縁性接着剤層１２を対向させた状態で双方のスルーホール４ａ、４ｂの位置合わせを行い、配線基板１０ａ、１０ｂを加熱しつつ圧接を行うことにより、配線基板１０ａ、１０ｂのスルーホール４ａ、４ｂの縁部、即ち接続端子層５ａ、５ｂによって導電性粒子１１が挟持され、導電性粒子１１を介して配線基板１０ａ、１０ｂが電気的に接続されるとともに配線基板１０ａ、１０ｂが接着され」、「配線基板１０ｃ上の導電性粒子１１と配線基板１０ａ上の絶縁性接着剤層１２を対向させた状態で双方のスルーホール４ｃ、４ａの位置合わせを行い、加熱しつつ圧接することにより、配線基板１０ａ、１０ｃのスルーホール４ａ、４ｃの縁部、即ち接続端子層５ａ、５ｃによって導電性粒子１１が挟持され、導電性粒子１１を介して配線基板１０ａ、１０ｃが電気的に接続されるとともに配線基板１０ａ、１０ｃが接着され」るから、対向する「スルーホール４ａ、４ｂ」及び「スルーホール４ａ、４ｃ」はそれぞれ「導電性粒子１１」により接続され、「スルーホール４ａ、４ｂ」が形成されている「配線基板１０ａ、１０ｂ」同士及び「スルーホール４ａ、４ｃ」が形成されている「配線基板１０ａ、１０ｃ」同士がそれぞれ「絶縁性接着材層１２」により接着している接続構造を有しているといえる。
　してみると、引用発明における上記接続構造と本件補正発明とは、「対向するスルーホールが導電粒子により接続され、該スルーホールが形成されている基板同士が絶縁接着剤により接着している接続構造」である点で共通する。
　ただし、接続構造に関し、本件補正発明は「半導体基板」同士が接着しているのに対し、引用発明はその旨特定されていない点で相違する。
　よって、上記（ア）ないし（ウ）によれば、本件補正発明と引用発明とは、以下の点で一致ないし相違する。
（一致点）
「内表面にメッキ膜が形成された貫通孔（以下、スルーホールという）を有する配線基板上に、スルーホールを有する基板が積層されている多層基板であって、
多層基板の平面視において、スルーホールが対向する位置に少なくとも導電粒子が存在し、
対向するスルーホールが導電粒子により接続され、該スルーホールが形成されている基板同士が絶縁接着剤により接着している接続構造を有する多層基板。」
（相違点１）
　本件補正発明は、配線基板上に「半導体基板」が積層されているのに対し、引用発明はその旨特定されていない点。
（相違点２）
　導電粒子に関し、本件補正発明は「導電粒子が規則的に配置」され、「多層基板を構成する基板の間で、対向する貫通電極に捕捉されていない導電粒子の数が導電粒子の総数の５％以下であ」るのに対し、引用発明はその旨特定されていない点。
（相違点３）
　接続構造に関し、本件補正発明は「半導体基板」同士が接着しているのに対し、引用発明はその旨特定されていない点。
エ　相違点に対する判断
（ア）相違点１及び相違点３について
ａ　引用発明の「多層配線基板」は、「リジッド基板又は、リジッド基板及びフレキシブル基板を混在させて形成することができる」ところ、リジット基板としてシリコン基板を使用することは技術常識であることからすれば（必要であれば、国際公開第２００６／０８２８１７号の段落［０００４］、特開２００６−３２４６１１号公報の段落【０００４】、特開２０１０−１０９１３７号公報の段落【００２１】、特開２０１２−９４７３４号公報の段落【００７７】を参照）、引用発明において「多層配線基板」を構成する「配線基板」に替えて半導体基板を採用する動機付けが存在する。
ｂ　そして、上記「イ（イ）」で述べたように、引用文献２には「配線基板上に、半導体素子が形成された複数のシリコン基板を積層させること」が記載されているところ、このような配線基板上に複数の半導体基板を積層させることは周知技術にすぎない（その他必要とあれば、特開２００４−１７９５０４号公報の段落【００３３】ないし【００３９】、【００４５】、図８，図１２、特開２００４−３３５９４８号公報の段落【００１７】ないし【００１９】、図４、特開２００５−３４０３８９号公報の段落【００１８】ないし【００２１】、図１を参照）。
　してみれば、引用発明の「多層配線基板」に引用文献２に記載された周知技術を採用し、「配線基板」に替えて半導体基板を採用し、相違点１及び相違点３に係る構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
（イ）相違点２について
ａ　上記「イ（ウ）」で述べたように、引用文献３には「ＩＣ実装基板にＩＣチップを実装するための異方性導電フィルムにおいて、所望の位置（すなわち、通常は、異方性導電フィルムによって接続されるべき端子部分に対応する位置）に導電粒子が選択的に配置されること」が記載されている。
　そして、このような半導体チップ部品又は基板と他の基板とを導電粒子を用いて電気的に接続する際、電極に対応する位置に導電粒子を選択的に配置させる技術は、慣用的に行われている技術にすぎず（必要とあれば、特開平３−３０４４６号公報の２頁左上欄３ないし１５行、同右上欄１３行ないし左下欄９行、３頁左上欄８ないし１２行、第２図、特開平７−３７９３３号公報の段落【０００７】、【００１６】ないし【００１８】、図１、図２、特開平７−１１５２６０号公報の段落【０００７】、【００１０】ないし【００１２】、【００１７】、図１、図５、特開平８−１４８４９２号公報の段落【０００７】、【００２４】ないし【００３０】、図１ないし図４、特開２００１−７７５３４号公報の段落【００６４】ないし【００６９】、図１ないし図３を参照）、このような導電粒子の配置は、接続される電極に対応する位置に選択的に配置するという規則に基づいて行われていることは明らかである。
　
ｂ　引用発明では、「配線基板１０ａのスルーホール４ａの縁部（接続端子層５ａ）上に１つの導電性粒子１１を載置し、配線基板１０ｂの一方の面上に絶縁性接着剤層１２を形成し、配線基板１０ａ上の導電性粒子１１と配線基板１０ｂ上の絶縁性接着剤層１２を対向させた状態で双方のスルーホール４ａ、４ｂの位置合わせを行い、配線基板１０ａ、１０ｂを加熱しつつ圧接を行うことにより、配線基板１０ａ、１０ｂのスルーホール４ａ、４ｂの縁部、即ち接続端子層５ａ、５ｂによって導電性粒子１１が挟持され、導電性粒子１１を介して配線基板１０ａ、１０ｂが電気的に接続される」ことからすれば、対向する「スルーホール４ａ、４ｂ」の位置に「導電性粒子１１」が配置されることは明らかである。
　してみると、引用発明において「導電性粒子１１」を配置する際、上記ａで述べた引用文献３に記載された慣用技術のように、「導電性粒子１１」を「スルーホール４ａ、４ｂ」に対応する位置に選択的に配置することは当業者にとって格別の技術的困難性を伴うことではない。
　よって、相違点２に係る「導電粒子が規則的に配置」されるようにすることは、当業者が引用発明及び引用文献３に記載された技術に基づいて当業者が容易になし得たことである。
ｃ　次に、本件補正発明でいう導電粒子が「捕捉されていない」について検討すると、本願明細書段落【００２３】に「スルーホール４Ａ、４Ｂの対向する間に導電粒子１１が選択的に配置されたとは、導電粒子１１が平面視にてもっぱらスルーホール４Ａ、４Ｂの対向面又はその近傍に存在し、スルーホール４Ａ、４Ｂに１個以上の導電粒子１１が捕捉されるように配置されていることをいう。」との記載からすれば、スルーホールが対向していない部位には導電粒子が配置されていないことも含むと解釈するのが自然である。
　そして、本件補正発明の「多層基板を構成する基板の間で、対向する貫通電極に捕捉されていない導電粒子の数が導電粒子の総数の５％以下」に関し（前述したように、上記「貫通電極」は、「スルーホール」の誤記として判断する。）、本願明細書には「第１半導体基板３Ａと第２半導体基板３Ｂの間には、対向するスルーホール４Ａ、４Ｂに捕捉されていない導電粒子１１が存在するとしても、そのような導電粒子１１の数は、第１半導体基板と第２半導体基板の間に存在する導電粒子の総数の好ましくは５％以下、より好ましくは０．５％以下、特に導電粒子１１の略すべてがスルーホール４Ａ、４Ｂで捕捉されているようにする。」（段落【００２６】）、「この異方導電性フィルム１０を半導体基板３Ａ、３Ｂの接続に使用した後において、対向する半導体基板３Ａ、３Ｂの間で、スルーホール４Ａ、４Ｂに捕捉されていない導電粒子１１の数は、対向する半導体基板３Ａ、３Ｂの間に存在する導電粒子１１の総数の好ましくは５％以下となる。」（段落【００５７】）と記載されているのみで、スルーホール４Ａ、４Ｂに捕捉されていない導電粒子１１の数が導電粒子１１の総数の５％以下の場合の効果と、５％を超えた場合の効果との差異が顕著なものであるか否か不明であり、上限値「５％」を上回ると不都合な具体例（比較例）は示されていない。
　してみると、「多層基板を構成する基板の間で、対向する貫通電極に捕捉されていない導電粒子の数が導電粒子の総数の５％以下」との数値範囲に格別の技術的意義を見出すことはできない。
ｄ　さらに、上記ａで述べた引用文献３に記載された技術は、電極に対応する位置に導電粒子を選択的に配置させる技術であって、電極以外の位置に導電粒子を配置することは特段想定していないことから、引用発明の「導電粒子」に引用文献３に記載された技術を含む慣用技術を採用した際に、「スルーホール４ａ」と「スルーホール４ｂ」との間の位置以外の導電粒子の数が導電粒子の総数の５％以下とすることは当業者が適宜なし得たことである。
ｅ　以上から、相違点２に係る構成は、引用発明に引用文献３に記載された技術を適用し、当業者が容易になし得たことである。
（ウ）そして、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明、引用文献２に記載された周知技術、及び引用文献３に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
（エ）審判請求人の主張について
ａ　請求人は、令和２年１０月３０日付けの手続補正書において、「引用文献４の第３図は、単なる概念図であり、引用文献４の異方性導電フィルムの導電粒子の配置を適正に表したものとはいえません。なぜならば、第３図の異方性導電フィルムは、第１図あるいは第２図に示すように製造されるものであり（第２頁右下１９行〜３頁左下５行）、結局のところ、導電粒子が接着剤４または絶縁性フィルム９の所望の位置に選択的に散布されているにすぎません。つまり、導電粒子は所望の位置の領域に存在しているものの、その領域内で規則的に配置されるようには製造されておらず、むしろその領域内では導電粒子はランダムに配置されていると解されます。」（２頁１４ないし２０行を参照）と主張する。なお、ここでいう引用文献４とは、上記「（イ）」で述べた引用文献３（特開平３−６２４１１号公報）である。
　しかしながら、本件補正発明の「導電粒子」に関し、「多層基板の平面視において、導電粒子が規則的に配置されており且つ貫通電極が対向する位置に少なくとも導電粒子が存在し」（すなわち、多層基板の平面視全体において、規則的に配置）と記載されているものの、「所望の位置の領域内で規則的に配置」することは何等規定されていないから、請求人の上記主張は特許請求の範囲に基づくものとはいえず採用できない。
ｂ　また、請求人は、上記手続補正書において、「本願請求項１に係る発明は、引用文献１、２及び４のいずれにも記載も示唆もされていない新たな特徴、即ち『多層基板を構成する基板の間で、対向する貫通電極に捕捉されていない導電粒子の数が導電粒子の総数の５％以下である』ことを有しています。しかも、この特徴により得られる『性能をシミュレーション解析し易くなり、改善工数を削減できる』という発明の効果について、引用文献１、２、４にはそのような効果を予期させるような記載はありません。」（２頁２４ないし２９行を参照）と主張する。
　しかし、「性能をシミュレーション解析し易くなり、改善工数を削減できる」との効果に関し、本願明細書の段落【００２６】に「その場合、第１半導体基板３Ａと第２半導体基板３Ｂの間には、対向するスルーホール４Ａ、４Ｂに捕捉されていない導電粒子１１が存在するとしても、そのような導電粒子１１の数は、第１半導体基板と第２半導体基板の間に存在する導電粒子の総数の好ましくは５％以下、より好ましくは０．５％以下、特に導電粒子１１の略すべてがスルーホール４Ａ、４Ｂで捕捉されているようにする。多層基板１Ａを構成するその他の半導体基板間においても同様である。このようにスルーホール４Ａ、４Ｂ、４Ｃの接続に寄与しない導電粒子１１を低減させることにより、性能をシミュレーション解析しやすくなり、改善工数を削減することができる。」と記載されているのみであり、「対向する貫通電極に捕捉されていない導電粒子の数が導電粒子の総数の５％以下」とするこで、このような効果が得られる理由が不明である。
　また、本願明細書の上記段落の記載以外を参酌しても、「スルーホール４Ａ、４Ｂに捕捉されていない導電粒子１１」の「数」を「第１半導体基板と第２半導体基板の間に存在する導電粒子の総数」の「５％以下」とすることで、「性能をシミュレーション解析し易くなり、改善工数を削減できる」という効果が得られる根拠は見当たらない。
　してみれば、請求人の主張は採用できない。
オ　したがって、本件補正発明は、引用文献１に記載された発明、引用文献２に記載された技術、及び引用文献３に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　本件補正についてのむすび
　よって、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　したがって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１　本願発明
　令和２年９月２５日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１９に係る発明は、令和２年１月２９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１９に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（本願発明）は、その請求項１に記載された事項により特定される、上記「第２［理由］１」に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由の概要
　原査定の拒絶の理由のうち請求項１に係る発明は、本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００５−２７７１１２号公報に記載された発明、特開２００２−１１０８９７号公報に記載された周知技術、特開平３−６２４１１号公報に記載された技術に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、
というものである。
３　引用文献、引用発明
　引用文献１に記載された発明（引用発明）、引用文献２に記載された周知技術、及び引用文献３に記載された技術は、上記「第２［理由］２（２）」に記載したとおりである。
４　引用発明との対比
　本願発明は、前記「第２［理由］２」で検討した本件補正発明から、「内表面にメッキ膜が形成された貫通孔（以下、「スルーホール」という）を有する半導体基板」が積層される場所を、「配線基板もしくは半導体基板上」とする限定、及び「導電粒子」の数について「多層基板を構成する基板の間で、対向する貫通電極に捕捉されていない導電粒子の数が導電粒子の総数の５％以下」とする限定を削除したものに相当する。
　そうすると、上記「第２[理由]２（２）ウ」で述べた点を踏まえれば、上記本願発明と引用発明とは、以下の点で一致ないし相違する。
（一致点）
「内表面にメッキ膜が形成された貫通孔（以下、スルーホールという）を有する基板が積層されている多層基板であって、
多層基板の平面視において、スルーホールが対向する位置に少なくとも導電粒子が存在し、
対向するスルーホールが導電粒子により接続され、該スルーホールが形成されている基板同士が絶縁接着剤により接着している接続構造を有する多層基板。」
（相違点１’）
　基板に本願発明は、「半導体基板」が積層されているのに対し、引用発明はその旨特定されていない点。
（相違点２’）
　導電粒子に関し、本願発明は「導電粒子が規則的に配置」されるのに対し、引用発明はその旨特定されていない点。
（相違点３’）
　接続構造に関し、本願発明は「半導体基板」同士が接着しているのに対し、引用発明はその旨特定されていない点。
５　相違点に対する判断
（１）相違点１’及び相違点３’について
　上記「第２[理由]２（２）エ（ア）」で述べたように、引用発明の「多層配線基板」に引用文献２に記載された周知技術を採用し、「配線基板１０ａ」、「配線基板１０ｂ」に替えて半導体基板を採用し、相違点１’及び相違点３’に係る構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
（２）相違点２’について
　上記「第２［理由］（２）エ（イ）」で述べたように、引用発明において「導電性粒子１１」を配置する際、引用文献３に記載された技術のように、「導電性粒子１１」を「スルーホール４ａ、４ｂ」に対応する位置に選択的に配置することは当業者にとって格別の技術的困難性を伴うことではない。
　よって、相違点２’に係る「導電粒子が規則的に配置」されるようにすることは、当業者が引用発明及び引用文献３に記載された技術に基づいて当業者が容易になし得たことである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。