【事件の表示】
　特願２０１７−　９７３６２「磁気センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年１２月　６日出願公開、特開２０１８−１９４３９３、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１７年（平成２９年）５月１６日の出願であって、その手続の経緯の概略は、次のとおりである。
　令和２年　７月３１日付け：拒絶理由通知書
　　　同年　９月１４日　　：手続補正書、意見書の提出
　　　同年１０月２９日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。）
　　（同年１１月　４日　　：原査定の謄本の送達）
　　　同年１２月２３日　　：審判請求書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項１〜９に係る発明（以下、それぞれ請求項の番号に従って「本願発明１」などという。）は、令和２年９月１４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１〜９の記載は、次のとおりである。
「　　【請求項１】
　磁気検出素子及び複数の端子電極が形成された素子形成面と、前記素子形成面と略直交する実装面とを有するセンサチップと、
　互いに略直交する第１及び第２の表面を有する磁性体ブロックと、
　複数のランドパターンが形成された搭載面を有する回路基板と、を備え、
　前記センサチップは、前記実装面が前記回路基板の前記搭載面と対向するよう、前記回路基板に搭載され、
　前記磁性体ブロックは、前記第１の表面が前記センサチップの前記素子形成面と対向し、且つ、前記第２の表面が前記回路基板の前記搭載面と対向するよう、前記回路基板に搭載され、
　前記磁性体ブロックは、前記第１の表面と前記第２の表面の間に位置する切り欠き部を有しており、前記切り欠き部によって形成される空間に、前記複数の端子電極の少なくとも一部が配置されることを特徴とする磁気センサ。
　　【請求項２】
　前記空間に、前記複数の端子電極と前記複数のランドパターンをそれぞれ接続する複数の接続導体の少なくとも一部がさらに配置されることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
　　【請求項３】
　前記接続導体がハンダであることを特徴とする請求項２に記載の磁気センサ。
　　【請求項４】
　前記複数の端子電極は、前記素子形成面のエッジに沿って等間隔に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁気センサ。
　　【請求項５】
　前記磁性体ブロックの前記切り欠き部は、前記第１の表面と略平行な第３の表面と、前記第２の表面と略平行な第４の表面を含み、
　前記空間は、前記第３の表面、前記第４の表面、前記搭載面及び前記素子形成面に囲まれることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁気センサ。
　　【請求項６】
　前記磁性体ブロックの前記切り欠き部は、前記第１及び第２の表面に対して鈍角である第５の表面を含み、
　前記空間は、前記第５の表面、前記搭載面及び前記素子形成面に囲まれることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁気センサ。
　　【請求項７】
　前記磁性体ブロックの前記切り欠き部は凹型の曲面を含み、
　前記空間は、前記曲面、前記搭載面及び前記素子形成面に囲まれることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁気センサ。
　　【請求項８】
　前記磁気検出素子は、第１乃至第４の磁気検出素子を含み、
　前記第１及び第２の磁気検出素子は、前記磁性体ブロックの前記第１の表面から見て一方側に位置し、
　前記第３及び第４の磁気検出素子は、前記磁性体ブロックの前記第１の表面から見て他方側に位置することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の磁気センサ。
　　【請求項９】
　前記複数の端子電極は、前記素子形成面と前記実装面の境界であるエッジに沿って配置され、
　前記磁気検出素子は、前記複数の端子電極よりも前記エッジから離れた位置に設けられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の磁気センサ。」
第３　原査定における拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由の概要は、次のとおりである。
　本願の請求項１〜９に係る発明は、本願の出願前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった次の引用文献１〜５に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　引用文献１：特開２００９−２７６１５９号公報
　引用文献２：特開２００９−４７４４４号公報
　引用文献３：特開平５−２１２１５２号公報
　引用文献４：特開平１１−１９４１５９号公報
　引用文献５：実願昭５４−８６５９８号（実開昭５６−４８７７号）のマイクロフィルム
第４　引用文献に記載された発明の認定等
１　引用文献１に記載された事項と引用発明の認定
（１）　引用文献１に記載された事項
　原査定の拒絶の理由に引用された前記引用文献１（特開２００９−２７６１５９号公報）には、以下の事項が記載されている。なお、下線は当審が付したものであり、後記の引用発明の認定に直接用いるところに付してある。
「【００２６】
＜実施形態１＞
　本発明の第１の実施形態を、図１乃至図７を参照して説明する。図１は、ＧＭＲ素子の特性を説明する図である。図２乃至図５は、ＧＭＲチップの一例を示す図である。図６乃至図７は、本実施形態における磁気センサの一例を示す図である。
【００２７】
　まず、本発明にて用いられるＧＭＲ素子の特性について、図１を参照して説明する。ＧＭＲ素子は、入力される磁界の向きに応じて出力される抵抗値が変化するスピンバルブ型のＧＭＲ素子（巨大磁気抵抗効果素子）である。そして、図１に、ＧＭＲ素子に対する磁界Ｈの侵入角と、抵抗値との関係について示す。
【００２８】
　図１（ａ）の例におけるＧＭＲチップ１００は、その上面にＧＭＲ素子が形成されている。この
ＧＭＲ素子は、矢印Ａ方向の磁界を検出可能なよう当該矢印Ａ方向に磁化固定され
【００２９】
　そして、図１（ａ）において、ＧＭＲ素子は、当該ＧＭＲ素子の形成面に対して垂直に入射する磁界Ｈ中に配置されている。この場合に、ＧＭＲ素子の抵抗値は、図１（ｂ）に示すように、「Ｒｏ」となる。これに対し、磁界Ｈの向きが傾くと、図１（ａ）の点線にて示すように、ＧＭＲ素子面に対する磁界Ｈの入射角が、垂直方向から−△θ（△（デルタ）：変化量を表すこととして用いる）、あるいは、＋△θの角度だけ傾く。すると、ＧＭＲ素子は、上述したように一方向に磁化固定されているため、その方向において磁界の向きが変化することとなり、図１（ｂ）に示すように、ＭＲ抵抗値が変化する。このように、ＧＭＲ素子は、入射する磁界の向きが垂直な状態にて抵抗値をＲｏと設定したときに、当該磁界Ｈの向きが微小角度だけ傾いたときに特に抵抗値が大きく変化するという特性を有する。
【００３０】
　［構成］
　次に、図２乃至図５を参照して、本実施形態の磁気センサ１に用いるＧＭＲチップ１０の構成について説明する。
ＧＭＲチップ１０は、
略直方体形状であり、その一面（上面）に、４つのＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４が形成され
ＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、
ブリッジ回路を構成し
ＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ３と、ＧＭＲ素子Ｒ２，Ｒ４がそれぞれ直列に接続されており、当該直列接続されたＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ３とＲ２，Ｒ４とは、電源に対して並列に接続され、閉回路を構成している。
ＧＭＲ素子Ｒ１とＲ３の接続点Ｖａと、ＧＭＲ素子Ｒ２とＲ４の接続点Ｖｂと、の間における差動電圧を検出することが可能である。
【００３１】
　そして、本実施形態では、特に、図２に示すように、４つのＧＭＲ素子のうち、図４に示す
ブリッジ回路において相互に隣り合って接続されていない対となる２つのＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ４が、ほぼ同一箇所である素子形成部１１に形成されている。また、ブリッジ回路において相互に隣り合って接続されていない対となる他の２つのＧＭＲ素子Ｒ２，Ｒ３が、ほぼ同一箇所である素子形成部１２に形成され
全てのＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、同一方向、つまり、矢印Ａ方向に磁化固定され
【００３２】
　そして、上述したように、２つずつのＧＭＲ素子（Ｒ１とＲ４、Ｒ２とＲ３）が形成された各素子形成部１１，１２は、相互に離間して形成されている。例えば、図２に示すように、ＧＭＲチップ１０の長辺方向つまりＧＭＲ素子の磁化固定方向における両端付近に、各素子形成部１１，１２が形成されている。このとき、各素子形成部１１，１２は、その間に後述する磁性体２１が配置可能な領域を空けて形成されている。
【００３３】
　ここで、図５は、上述したＧＭＲチップ１０を側方から見た図であり、当該ＧＭＲチップ１０が磁界Ｈ中に配置されているときの様子を示す図である。この図に示すように、ＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の磁化固定方向Ａに対して磁界Ｈが垂直である状態から、当該磁界Ｈの向きが変化した場合には、全てのＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４に対してほぼ同一の角度だけ変化する。すると、全てのＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の抵抗値がほぼ同一の値だけ変化することとなる。ところが、この場合には、これらＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４にて構成された図４に示すブリッジ回路においては、上述した接続点Ｖａ−Ｖｂ間の差動電圧を検出することが困難となる。
【００３４】
　これに対して、本発明における磁気センサ１は、上述したＧＭＲチップ１０に形成されているブリッジ回路の周囲に、ＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４に入力される磁界Ｈの向きを変化させる磁性体２１を配置している。具体的に、本実施形態における
磁気センサ１は、基板Ｂ上に上述したＧＭＲチップ１０を搭載し、さらに、ＧＭＲチップ１０上に形成されたブリッジ回路の各素子形成部１１，１２の間に、磁性体２１を載置している
【００３５】
　［動作］
　次に、上記構成の磁気センサ１の動作を、図７を参照して説明する。図７は、上述した図５の例と同様に、
ＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の素子面に対してほぼ垂直な磁界Ｈ中に磁気センサ１が配置されている場合
磁性体２１よりも上方から当該磁性体２１の中心付近にかけては、磁界Ｈは磁性体２１に対して引き寄せられ、また、磁性体２１の中心付近から各素子形成部１１，１２が形成された下方においては、磁界Ｈは磁性体２１から離れる方向に曲折される
磁性体２１を挟んで位置する各素子形成部１１，１２（ＧＭＲ素子（Ｒ１とＲ４、Ｒ２とＲ３））に対しては、それぞれ反対方向の磁界Ｈが入射することとなる。
素子形成部１１のＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ４に対しては、磁化固定方向Ａと同一方向の向きに変化した磁界Ｈが入射し、素子形成部１２のＧＭＲ素子Ｒ２，Ｒ３に対しては、磁化固定方向Ａとは反対方向の向きに変化した磁界Ｈが入射することとなる
【００３６】
　すると、
ブリッジ回路においては、ＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ４の抵抗値と、ＧＭＲ素子Ｒ２，Ｒ３の抵抗値と、がそれぞれ反対の符号に変化する。
差動電圧の検出点であるＶａとＶｂの差が大きくなり、大きな差動電圧値を検出することができる
差動電圧を検出する回路は、
基板Ｂ上に形成されており、ＧＭＲチップ１０上に形成された上記ブリッジ回路に接続されることで、差動電圧を検出することができる
【００３７】
　以上のように、上記構成の磁気センサを用いることで、磁界の検出精度の向上を図ることができる。その結果、磁気センサを種々の計測機器に利用することが可能となる。特に、本実施形態では、ブリッジ回路を一チップ上に形成できることから、個々のＧＭＲ素子のばらつきを小さくすることができ、このためブリッジ回路におけるオフセット電圧を抑制して、磁界検出精度のさらなる向上を図ることができる。加えて、ブリッジ回路を構成するＧＭＲ素子を複数の分割されたチップ上に形成することなく、一チップ上に形成しているため、チップ全体の小型化を図ることができ、これによりチップの製造効率も向上し、センサの低コスト化を図ることもできる。
【００３８】
　［製造方法］
　次に、上述した磁気センサ１の製造方法について説明する。まず、上述したようにブリッジ回路を構成し、各素子形成部１１，１２に配置されるよう、４つのＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４をＧＭＲチップ１０上に形成する（第一の工程）。続いて、このＧＭＲチップ１０上に、つまり、各素子形成部１１，１２の間に、磁性体２１を載置して配置する（第二の工程）。なお、必要に応じて、任意のタイミングにて、ＧＭＲチップ１０を基板上に配置し、また、各種配線を接続する。
【００３９】
　このようにして、磁気センサ１を製造することができ、単体で、あるいは、他の構成に組み込まれることで、各種計測機器として利用することができる。
【００４０】
＜実施形態２＞
　次に、本発明の第２の実施形態を、図８乃至図９を参照して説明する。
【００４１】
　［構成］
　図８に示すように、本実施形態における磁気センサ１は、上述した実施形態１におけるＧＭＲチップ１０上に配置された磁性体２１に加えて、さらに別の磁性体２２，２３（例えば、ソフトフェライト（軟磁性体））を２つ備えている。具体的には、ＧＭＲチップ１０の両端側に、つまり、上記各素子形成部１１，１２のさらに外側に、それぞれ磁性体２２，２３が配置されている。換言すると、素子形成部１１に対して素子形成部１２側とは反対側に位置するＧＭＲチップ１０の端部と、素子形成部１２に対して素子形成部１１側とは反対側に位置するＧＭＲチップ１０の端部と、にそれぞれ磁性体２２，２３が配置されている。これにより、図９に示すように、各磁性体２２，２３は、上記各素子形成部１１，１２に形成されたＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の素子面の下方に配置された状態となっている。
【００４２】
　［動作］
　次に、上記構成の磁気センサ１の動作を、図９を参照して説明する。図９は、上述した図７の例と同様に、ＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の素子面に対してほぼ垂直な磁界Ｈ中に磁気センサ１が配置されている場合を示している。すると、磁性体２１の中心付近から各素子形成部１１，１２が形成された下方においては、上述同様に、磁界Ｈは、磁性体２１から離れる方向に曲折され、さらに、ＧＭＲチップ１０の両端部に設けられた各磁性体２２，２３に引き寄せられる。従って、上述した実施形態１の場合と比較して、各素子形成部１１，１２（ＧＭＲ素子（Ｒ１とＲ４、Ｒ２とＲ３））に対しては、それぞれ反対方向により大きな角度を有して磁界Ｈが入射することとなる。具体的には、図９の点線矢印Ｙ１，Ｙ２に示すように、素子形成部１１のＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ４に対しては、磁化固定方向Ａと同一方向の向きに変化した磁界Ｈが入射し、素子形成部１２のＧＭＲ素子Ｒ２，Ｒ３に対しては、磁化固定方向Ａとは反対方向の向きに変化した磁界Ｈが入射することとなる。
【００４３】
　すると、ブリッジ回路においては、ＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ４の抵抗値と、ＧＭＲ素子Ｒ２，Ｒ３の抵抗値と、がそれぞれ反対の符号に変化する。例えば、ＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ４の抵抗値は＋ΔＲだけ変化し、ＧＭＲ素子Ｒ２，Ｒ３の抵抗値は−ΔＲだけ変化する。これにより、差動電圧の検出点であるＶａとＶｂの差が大きくなり、大きな差動電圧値を検出することができる。なお、差動電圧を検出する回路は、例えば、基板Ｂ上に形成されており、当該基板Ｂ上の差動電圧検出回路がＧＭＲチップ１０上に形成された上記ブリッジ回路に接続されることで、差動電圧を検出することができる。
【００４４】
　以上のように、上記構成の磁気センサを用いることで、磁界の検出精度の向上を図ることができる。その結果、磁気センサを種々の計測機器に利用することが可能となる。特に、本実施形態では、ブリッジ回路を一チップ上に形成できることから、個々のＧＭＲ素子のばらつきを小さくすることができ、このためブリッジ回路におけるオフセット電圧を抑制して、磁界検出精度のさらなる向上を図ることができる。加えて、ブリッジ回路を構成するＧＭＲ素子を複数の分割されたチップ上に形成することなく、一チップ上に形成しているため、チップ全体の小型化を図ることができ、これによりチップの製造効率も向上し、センサの低コスト化を図ることもできる。
【００４５】
　［製造方法］
　なお、上述した磁気センサ１の製造方法は、上記実施形態１と同様である。つまり、まず、上述したようにブリッジ回路を構成した４つのＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４をＧＭＲチップ１０上に形成する（第一の工程）。続いて、このＧＭＲチップ１０上に、及び、ＧＭＲチップ１０の両端部に、磁性体２１，２２，２３をそれぞれ配置する（第二の工程）。なお、必要に応じて、任意のタイミングにて、ＧＭＲチップ１０を基板Ｂ上に配置し、また、各種配線を接続する。
【００４６】
＜実施形態３＞
　次に、本発明の第３の実施形態を、図１０乃至図１１を参照して説明する。図１０に示すように、本実施形態における磁気センサ１は、上述した実施形態１におけるＧＭＲチップ１０上に配置された磁性体２１を備えておらず、上記実施形態２で説明した磁性体２２，２３（例えば、ソフトフェライト（軟磁性体））を、ＧＭＲチップ１０の両端側にそれぞれ備えた構成を採っている。
【００４７】
　このような構成であって、図１１に示すように、各素子形成部１１，１２が形成された箇所においては、上述同様に、磁界Ｈの向きは、ＧＭＲチップ１０の両端部に設けられた各磁性体２２，２３に引き寄せられよう変化する。従って、各素子形成部１１，１２（ＧＭＲ素子（Ｒ１とＲ４、Ｒ２とＲ３））に対しては、それぞれ反対方向に角度を有して磁界Ｈが入射することとなる。つまり、図１１の点線矢印Ｙ１，Ｙ２に示すように、素子形成部１１のＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ４に対しては、磁化固定方向Ａと同一方向の向きに変化した磁界Ｈが入射し、素子形成部１２のＧＭＲ素子Ｒ２，Ｒ３に対しては、磁化固定方向Ａとは反対方向の向きに変化した磁界Ｈが入射することとなる。
【００４８】
　すると、ブリッジ回路においては、ＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ４の抵抗値と、ＧＭＲ素子Ｒ２，Ｒ３の抵抗値と、がそれぞれ反対の符号に変化する。例えば、ＧＭＲ素子Ｒ１，Ｒ４の抵抗値は＋ΔＲだけ変化し、ＧＭＲ素子Ｒ２，Ｒ３の抵抗値は−ΔＲだけ変化する。これにより、差動電圧の検出点であるＶａとＶｂの差が大きくなり、大きな差動電圧値を検出することができる。なお、差動電圧を検出する回路は、例えば、基板Ｂ上に形成されており、当該基板ＢにＧＭＲチップ１上に形成された上記ブリッジ回路が接続されることで、差動電圧を検出することができる。」
【図１】
「
」
【図２】
「
」
【図３】
「
」
【図４】
「
」
【図５】
「
」
【図６】
「
」
【図７】
「
」
（２）　図面から読み取れる事項の認定
　引用文献１において、当該磁性体２１は、段落【００３４】に記載されているように「ＧＭＲチップ１０上に形成されたブリッジ回路の各素子形成部１１，１２の間に」「載置」又は「ＧＭＲチップ１０の上方に配置」されるものであるところ、【図６】の記載から、以下の事項を読み取ることができる。
＜図面から読み取れる事項＞
「ＧＭＲチップ１０の素子形成部に載置される磁性体２１は略直方体形状であること。」
（３）　引用発明の認定
　上記（１）及び（２）の記載事項を総合すると、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「基板Ｂ上にＧＭＲチップ１０を搭載し、さらに、ＧＭＲチップ１０上に形成されたブリッジ回路の各素子形成部１１、１２の間に、磁性体２１を載置した磁気センサ１であって（【００３４】）、
　ＧＭＲチップ１０は、略直方体形状であり、その上面に、４つのＧＭＲ素子Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４が形成されたものであり、ＧＭＲ素子Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、ブリッジ回路を構成し、ＧＭＲ素子Ｒ１、Ｒ３と、ＧＭＲ素子Ｒ２、Ｒ４がそれぞれ直列に接続されており、当該直列接続されたＧＭＲ素子Ｒ１、Ｒ３とＲ２、Ｒ４とは、電源に対して並列に接続され、閉回路を構成しており、ＧＭＲ素子Ｒ１とＲ３の接続点Ｖａと、ＧＭＲ素子Ｒ２とＲ４の接続点Ｖｂと、の間における差動電圧を検出することが可能であり（【００３０】）、
　ブリッジ回路において相互に隣り合って接続されていない対となる２つのＧＭＲ素子Ｒ１、Ｒ４が、ほぼ同一箇所である素子形成部１１に形成され、また、ブリッジ回路において相互に隣り合って接続されていない対となる他の２つのＧＭＲ素子Ｒ２、Ｒ３が、ほぼ同一箇所である素子形成部１２に形成され（【００３１】）、
　全てのＧＭＲ素子Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、同一方向Ａに磁化固定され（【００３１】）、
　ＧＭＲ素子は、当該磁化固定方向Ａの磁界を検出可能なようにされており（【００２８】）、
　ＧＭＲチップ１０の素子形成部に載置される磁性体２１は略直方体形状であって（図面から読み取れる事項）、
　差動電圧を検出する回路は、基板Ｂ上に形成されており、ＧＭＲチップ１０上に形成された上記ブリッジ回路に接続されることで、差動電圧を検出することができ（【００３６】）、
　ＧＭＲ素子Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の素子面に対してほぼ垂直な磁界Ｈ中に磁気センサ１が配置されている場合、磁性体２１よりも上方から当該磁性体２１の中心付近にかけては、磁界Ｈは磁性体２１に対して引き寄せられ、磁性体２１の中心付近から各素子形成部１１、１２が形成された下方においては、磁界Ｈは磁性体２１から離れる方向に曲折され、素子形成部１１のＧＭＲ素子Ｒ１、Ｒ４に対しては、磁化固定方向Ａと同一方向の向きに変化した磁界Ｈが入射し、素子形成部１２のＧＭＲ素子Ｒ２、Ｒ３に対しては、磁化固定方向Ａとは反対方向の向きに変化した磁界Ｈが入射することとなるため、磁性体２１を挟んで位置する各素子形成部１１、１２（ＧＭＲ素子（Ｒ１とＲ４、Ｒ２とＲ３））に対しては、それぞれ反対方向の磁界Ｈが入射することとなり（【００３５】）、
　ブリッジ回路においては、ＧＭＲ素子Ｒ１、Ｒ４の抵抗値と、ＧＭＲ素子Ｒ２、Ｒ３の抵抗値と、がそれぞれ反対の符号に変化し、差動電圧の検出点であるＶａとＶｂの差が大きくなり、大きな差動電圧値を検出することができる（【００３６】）、
　磁気センサ１」
２　引用文献２に記載された事項
　原査定の拒絶の理由に引用された前記引用文献２（特開２００９−４７４４４号公報）には、以下の事項が記載されている。
「【００２３】
　本発明の第１の実施例を、図１乃至図４を参照して説明する。図１及び図２は、実施例１における磁気センサの構成の概略を示す図であり、図３は、磁気センサの使用時の様子を示す図である。図４は、ＧＭＲチップの向きを説明するための説明図である。
【００２４】
　まず、本実施例における磁気センサは、磁界の変化を検出する素子として、入力される磁界の向きに応じて出力される抵抗値が変化するスピンバルブ型のＧＭＲ素子（巨大磁気抵抗効果素子）を用いたＧＭＲチップ１（磁界検出チップ）を備えている。具体的に、ＧＭＲチップ１は、図１に示すように、略直方体形状であり、その一面に、所定の方向の磁界を検出可能なよう所定方向に磁化固定されたＧＭＲ素子１１と、このＧＭＲ素子１１から出力される出力信号である抵抗値を出力する１対の出力端子１２と、が形成されている。なお、図１に示す例では、１つのＧＭＲチップ１にＧＭＲ素子１１及び対となる出力端子１２が２組形成されているが、１組のＧＭＲ素子１１及び対となる出力端子１２が１つのＧＭＲチップ１に形成されていてもよく、３組以上のＧＭＲ素子１１及び対となる出力端子１２が１つのＧＭＲチップ１に形成されていてもよい。また、図１に示す例では、上述したＧＭＲチップ１が２つ並んで設けられているが、後述するように基板２上に搭載されるＧＭＲチップ１の数はこれに限定されない。
【００２５】
　そして、上記ＧＭＲチップ１が基板２に搭載されることで、磁気センサが構成される。このＧＭＲチップ１が搭載される基板２は、当該ＧＭＲチップ１の搭載面に、上述したＧＭＲチップ１に形成された出力端子１２と接続される接続端子２１が、当該出力端子１２の数と同数、及び、各出力端子１２の配置に対応して形成されている。例えば、図１の例では、８つの接続端子が直線状に形成されている。
【００２６】
　ここで、基板２に搭載する際のＧＭＲチップ１の向きについて説明する。図１に示すように、ＧＭＲチップ１は、出力端子１２及びＧＭＲ素子１１の形成面が、基板２の搭載面とほぼ垂直になる向きで、当該基板２上に配置される。このとき、ＧＭＲチップ１の各出力端子１２が、基板２上に形成された各接続端子２１にそれぞれ対応して、相互に近接して位置するよう配置される。これにより、図２（ｂ）の側方から見た図に示すように、ＧＭＲチップ１１の出力端子１２と、基板２の接続端子２１とが、若干の隙間を空けているが、ほぼ直角に位置するようになる。そして、相互に近接して配置されたＧＭＲチップ１の出力端子１２と基板２上に形成された接続端子２１とは、それらの間に配置される半田ボール３にて、物理的及び電気的に接続される。
【００２７】
　なお、このとき、ＧＭＲチップ１の一面、つまり、ＧＭＲ素子形成面と隣り合う一面が、基板２の搭載面に当接した状態で、当該搭載面にＧＭＲチップ１が載置される。これにより、ＧＭＲチップ１を基板２上に安定して搭載することができ、また、ＧＭＲチップ１と基板２とをより近くして配置できることから、上述したように、ほぼ直角に位置するＧＭＲチップ１１の出力端子１２と基板２の接続端子２１との距離もより近接して位置することとなる。従って、これらの接続が容易となり、また、金ボールや半田ボールなどを用いたボールボンディングにて接続することも可能であるため、後述するように、磁気センサの小型化を図ることができる。
【００２８】
　なお、本実施例における磁気センサは、上述したように、ＧＭＲ素子１１が形成されたＧＭＲ素子形成面１１ａが、基板２のＧＭＲチップ１搭載面に対してほぼ垂直に配置されるため、当該基板２の搭載面に垂直な方向の磁界を検出可能となる。従って、磁気センサを使用する際には、図３（ａ）に示すように、ＧＭＲ素子形成面１１ａが垂直に位置する基板２の載置面に対向して磁石７を配置し、当該磁石７による磁力線（矢印Ａ）がＧＭＲ素子形成面１１ａに平行となるよう配置することで、この磁力線の向きの変化を検出可能な磁気センサとして利用可能となる。具体的に、磁気センサは、図３（ｂ）に示すように、基板２に搭載されたＧＭＲチップ１を覆うよう、当該基板２の搭載面上を樹脂などの絶縁性部材４にて封止してパッケージ化することで構成される。この場合には、ＧＭＲチップ１が側面を向いて配置されるため、図３（ｂ）の符号４１に示す側面に平行な方向（矢印Ａ参照）の磁界に対して、検出感度を有することとなる。
【００２９】
　さらに、図４を参照して、ＧＭＲチップの検出向きについて説明する。図４に示すＸＹＺ空間では、ＸＹ平面に沿って基板が配置されていることとし、この基板上に上記本実施例におけるＧＭＲチップ１及び上述した従来例におけるＧＭＲチップ５０１が配置された状態を示す。すると、従来例におけるＧＭＲチップ５０１は素子面がＸＹ平面に平行であるため、当該ＸＹ平面に沿った磁界の向きを検出可能であるのに対し、本実施例のＧＭＲチップ１は素子面がＸＺ平面に平行であるため、当該ＸＺ平面に沿った磁界の向きを検出可能である。
【００３０】
　以上のように、本実施例における磁気センサは、基板２の搭載面に対して垂直に位置するＧＭＲチップ１の側面側に、当該ＧＭＲチップ１と基板２との接続部を構成する半田ボール３が位置することとなる。従って、図２（ｂ）に示すように、ＧＭＲチップ１の高さ方向に接続に必要な他の要素（半田ボールやワイヤーなど）が配置されないこととなり、基板２からの高さＨを抑制することができる。また、図２（ａ）に示すように、ＧＭＲチップ１の出力端子１２と基板２の接続端子２１との距離Ｄも近くできるため、ＧＭＲチップ１の搭載に必要な面積も小さくすることができる。ここで、図２２乃至図２３を参照して説明した従来例の磁気センサと比較すると、図２２（ｂ）、図２３に示すように、従来例では、接続に用いたワイヤーボンディングによるワイヤー５１３や金ボール５０３のため、基板５０２からの高さがＧＭＲチップ５０１の高さ以上になってしまうが（符号ｈ，ｈ’）、本実施例では、ＧＭＲチップ１の厚さＨを超えることがない。また、図２２（ａ）に示すように、従来例では、ワイヤー５１３のスペースを確保するためＧＭＲチップ５０１と基板５０２上の接続端子５１２との距離ｄを所定の距離まで離して配置する必要があったが、本実施例では、各端子１２，２１を近接配置させることができる。以上より、磁気センサの小型化を図ることができる。
【００３１】
　また、上述したように、ＧＭＲチップ１の出力端子１２の形成面を基板２に対して垂直に配置したことで、出力端子１２と接続端子２１との距離をより近接させて配置させることができ、半田ボール３による接続を実現できる。なお、接続は半田ボール３を用いたボールボンディングに限定されず、金ボールを用いたボールボンディングであってもよい。また、接続方法も、ボールボンディングに限定されず、他の手法にて接続されてもよい。そして、いかなる接続方法を用いた場合であっても、接続対象となる各端子１２，２１間が近接しているため、接続作業が容易となり、また、接続状態も安定しうる。その結果、磁気センサの製造が容易となり、構造効率が高まり、製造コストの削減をも図ることができる。
【００３２】
　ここで、本実施例では、基板２上に搭載されるＧＭＲチップ１を、その出力端子形成面１１ａが基板２に対してほぼ垂直になるよう配置する場合を例示したが、必ずしも垂直には配置されることに限定されない。基板２とＧＭＲチップ１の出力端子形成面とが成す角は、ほぼ垂直つまり９０度前後が望ましいが、０度から１８０度の間であってもよい。例えば、ＧＭＲチップ１の出力端子形成面１１ａが所定の傾斜を有して形成されていて、基板２と鈍角、あるいは、鋭角を成して配置され、かかる状態で出力端子１２と接続端子２１とが半田ボールなどで接続されてもよい。換言すると、ＧＭＲチップ１の出力端子１２の形成面が、基板２のＧＭＲチップ１の搭載面に平行ではなく、基板２にＧＭＲチップ１を搭載した状態における磁気センサの高さ方向に向かずに配置されることで、各端子１２，２１を接続するボールボンディングやワイヤーボンディングなどの接続手段が、磁気センサの高さ方向に突出しなければよい。
【００３３】
　また、上記では、ＧＭＲチップ１の同一面にＧＭＲ素子１１及び対となる出力端子１２が形成されている場合を例示したが、それぞれが別々の面に形成されていてもよい。かかる場合であっても、出力端子１２の形成面が、ＧＭＲチップ１の側面、つまり、基板２に搭載された際に搭載面とほぼ垂直に位置するよう基板２に配置することで、上述したように、接続が容易となると共に、省スペース化を図ることができる。但し、ＧＭＲ素子１１と出力端子１２とは、通常、ＧＭＲチップ１の所定の一面にのみに対して積層形成するため、これらを同一面に形成した方が、ＧＭＲチップ１自体及び磁気センサの製造が容易となるため、望ましい。
【００３４】
　ここで、本実施例では、検出対象である磁界を検出するＧＭＲチップ１（磁界検出チップ）に搭載される磁界検出素子として、スピンバルブ型のＧＭＲ素子を用いる場合を例示するが、ホール素子やＭＲ素子など、他の磁界検出素子を用いてもよい。
【実施例２】
【００３５】
　次に、本発明の第２の実施例を、図５乃至図１６を参照して説明する。図５乃至図７は、本実施例における磁気センサの構成を示す図である。図８乃至図１３は、本実施例における磁気センサの変形例を説明する図である。図１４乃至図１６は、磁気センサの製造方法を説明する図である。
【００３６】
　まず、本実施例における磁気センサは、上述した実施例１の図１に示したものとほぼ同様の構成を採っている。つまり、基板２上に、それぞれ２つのＧＭＲ素子が形成されたＧＭＲチップ１０１，１０２を搭載し、合計４つのＧＭＲ素子を備えて構成されている。このとき、２つのＧＭＲチップ１０１，１０２は、それぞれに形成されたＧＭＲ素子Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄが直線状に配置されるよう、基板２上に並んで配置される。また、このとき、符号１０１のＧＭＲチップ１０１に形成された符号Ａ，ＢのＧＭＲ素子と、符号１０２のＧＭＲチップ１０２に形成された符号Ｃ，ＤのＧＭＲ素子と、の磁化固定方向（図５の矢印参照）が相互に反対向きとなるよう、各ＧＭＲチップ１０１，１０２の上下が反転されて配置される。つまり、符号Ａ，ＢのＧＭＲ素子の形成面と、符号Ｃ，ＤのＧＭＲ素子の形成面とが、相互に１８０度回転した状態で、各ＧＭＲチップ１０１，１０２が配置される。このとき、４つのＧＭＲ素子Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの形成面が同一直線上に配置されるため、各ＧＭＲ素子が同一平面上に位置している。
【００３７】
　そして、本実施例では、さらに、上記４つのＧＭＲ素子が、基板２上の接続端子２１に接続されることで、当該基板２の配線を介して、ＧＭＲ素子を２個ずつ直列に接続し、これらを並列に接続したブリッジ回路を形成している。具体的には、図５（ｂ）に示すように、ＧＭＲチップ１０１に形成された符号ＡのＧＭＲ素子と、これと磁化固定方向が反対に配置されたＧＭＲチップ１０２に形成された符号ＤのＧＭＲ素子とを直列に接続し、また、ＧＭＲチップ１０１に形成された符号ＢのＧＭＲ素子と、これと磁化固定方向が反対に配置されたＧＭＲチップ１０２に形成された符号ＣのＧＭＲ素子とを直列に接続し、これらを並列に接続する。そして、かかるブリッジ回路の差動電圧Ｖを検出可能なよう、基板２は構成されている（差動電圧検出手段）。つまり、図５（ｂ）の例では、直列接続されたＧＭＲ素子Ａ，Ｄの間と、同じく直列接続されたＣ，Ｂの間の差動電圧Ｖを検出するよう構成される。
【００３８】
　そして、図６（ａ）に示すように、上記配置のＧＭＲチップ１０１，１０２の各ＧＭＲ素子形成面１１ａに対して磁石７による磁力線（矢印Ａ）が平行になるよう、つまり、磁力線がＧＭＲチップ１０１，１０２を載置する図示しない基板の載置面に対して垂直になるよう、磁石７を配置することで、磁気センサとして利用可能となる。具体的に、図６（ｂ）に示すように、基板２に搭載されたＧＭＲチップ１０１，１０２を覆うよう、当該基板２の搭載面上を樹脂などの絶縁性部材１０４にて封止してパッケージ化されることで、磁気センサは構成される。この場合には、ＧＭＲチップ１０１，１０２が側面を向いて配置されるため、図６（ｂ）の符号１４１に示す側面に平行な方向の磁界（矢印Ａ参照）に対して、検出感度を有することとなる。
【００３９】
　以上のように構成されることで、４つのＧＭＲ素子が形成された面は、全て磁界の向きに沿って同一方向を向いているため、検出対象となる磁界の向き（図６の符号Ａ参照）が変化すると、各ＧＭＲ素子の抵抗値が変化する。このとき、上述したように各ＧＭＲ素子（Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）の磁化固定方向を２個ずつそれぞれ反対向きに設定しているため、図４（ｂ）に示すように、それぞれが＋、−の値に変化する。すると、ブリッジ回路の差動電圧が微小な磁界の変化であっても生じることとなり、高感度に磁界の向きを検出可能となる。また、各ＧＭＲ素子の形成面が同一平面上に位置しているため、各素子が同一条件にて磁界の向きを検出することができ、検出精度の向上を図ることができる。」
【図１】
「
」
【図２】
「
」
３　引用文献３に記載された事項
　原査定の拒絶の理由に引用された前記引用文献３（特開平５−２１２１５２号公報）には、以下の事項が記載されている。
「【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明のパチンコ台用磁気検出器は、磁気センサと、この磁気センサの前方側又は後方側、或いは両側に設けられた磁性体とを備えることを特徴とする。本発明の磁気検出器では、磁性体によって磁石の磁力線、つまり磁束が磁気センサに集中するように構成してあるため、磁気検出感度が向上すると共に磁気検出領域が広くなり、従来は検出不可能であったような弱い磁石でも広範囲に検出することができる。これに加えて、多数の磁力線が磁気センサを通過するため、自ずとＳ／Ｎ比が高くなり、磁気検出の安定性・確実性・信頼性が増す。」
「【００２０】図５の（ａ）では、磁気センサ１０の前方側に設けられた磁性体５１が角柱状の部分５１ａと５１ｂからなり、角柱状部分５１ａは部分５１ｂに垂直方向（鉛直方向）に延びている。又、センサ１０の後方側の磁性体５２も角柱状である。同図の（ｂ）では、（ａ）と同様に、前方側の磁性体６１が角柱状部分６１ａと６１ｂで構成されているが、角柱状部分６１ａが部分６１ｂに水平方向に延びている。同図の（ｃ）では、（ａ）と（ｂ）を組み合わせたもので、前方側の磁性体７１が十字状の部分７１ａと角柱状の部分７１ｂとからなる。
【００２１】更に図６の（ａ）においては、前方側の磁性体８１は、等角度間隔（１２０°）を置いて放射状に延びる３本の角柱状部分を持つ菱形状部分８１ａを有する。同図の（ｂ）と（ｃ）では、いずれも前方側の磁性体が面状体である。つまり、（ｂ）に示す磁性体９１は、矩形状（正方形）の部分９１ａを有し、（ｃ）に示すものは、図３に示した磁気検出器１’で用いたものと同じで、磁性体２１が円板状部分２１ａを有する。
【００２２】これら各種の磁性体においては、前記した検出感度の原理からも明らかなように検出距離に多少の差は生ずるが、パチンコ台の構造やスペース等を考慮し、任意の形状のものを自由に設定することができる。例えば、パチンコ台の入賞穴が水平方向に在る場合は図５の（ｂ）に示すものを、或いは入賞穴が三方向に在る場合には図６の（ａ）に示すものを用いるなど、検出方向に応じたものを選定することで、より安定性且つ信頼性良く磁石の磁気を高効率で検出することができる。
【００２３】なお、図４〜図６に示す各種磁性体において、構造的、強度的にサイズを大きくしたり、肉厚を厚くすることは何ら問題はなく、前方側の磁性体と後方側の磁性体を入れ換えても多少の感度差は発生するが問題なく使用できる。但し、集めた磁力線を全て磁気センサに進入させるためには、磁気センサと接する部分をセンサの感磁スペースに対応して細くすることが大切である。」
【図５】
「
」
【図６】
「
          
」
４　引用文献４に記載された事項
　原査定の拒絶の理由に引用された前記引用文献４（特開平１１−１９４１５９号公報）には、以下の事項が記載されている。
「【００２４】図５は、本発明に係る磁気センサで有利に使用することができる磁束案内部材の他の形状を示す図である。
【００２５】図５(a)に示すように、この磁束案内部材21は、底面の面積が小さく、頂面の面積が大きく、これらの端面をテーパ状の側面で結合した形状を有している。
【００２６】図６に示すように、このような形状により、広い方の端面で捕獲した磁束を収束させてＳＱＵＩＤに導くことにより、更に効率良く磁束をＳＱＵＩＤに導入させることができる。尚、この他にも、様々な形状のものを用意することにより、磁束案内部材を磁気センサとしての感度の調整等にも利用できる。
【００２７】尚、図５(a)では磁束案内部材の水平断面形状を円形としたが、図５(c)に示すように、ＳＱＵＩＤのホールパターンに合わせて矩形にしてもよい。更に、必要に応じて適宜任意の形状を選択すべきであることはいうまでもない。また、水平断面形状に係わらず、本発明の効果が得られることはいうまでもない。」
【図５】
「
」
【図６】
「
」
５　引用文献５に記載された事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（実願昭５４−８６５９８号（実開昭５６−４８７７号）のマイクロフィルム）には、以下の事項が記載されている。
（２頁１５行〜３頁５行）
「第２図は本考案の磁気検出装置の一実施例の図であり、第１図の従来の磁気検出装置に、強磁性体材料の円錐状の集磁片６の突出部７を磁気検出器２の両端部に向けて有する磁気検出装置を水中において使用した例であり、水中の磁速は集磁片６に集磁され集磁片の突出部７を通過するため、磁気検出器２の磁気検出値は増加し、当該集磁片を有する収納容器に収納しない場合に比べて２〜３倍の磁気検出値を示す。実験データでは１００ミリガウスの磁界で２００ミリガウスの検出値を得た。」
（第２図）
「
」
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）　本願発明１と引用発明の対比
　本願発明１と引用発明を対比する。
ア　本願発明１と引用発明は、磁気センサの発明である点で一致する。
イ（ア）　引用発明の「ＧＭＲ素子」は、磁化固定された方向の磁界を検出可能なものであるから、本願発明１の「磁気検出素子」に相当する。また、引用発明の「ＧＭＲチップ１０」は、「略直方体形状」であり、「ＧＭＲチップ１０」の、ＧＭＲ素子Ｒ１〜Ｒ４が形成された面と、基板Ｂ上に搭載されたときに基板Ｂに接する面を備えるものであるところ、このＧＭＲ素子Ｒ１〜Ｒ４が形成された面と基板Ｂに接する面は、それぞれ本願発明１の「磁気検出素子」が「形成された」「素子形成面」と「実装面」に相当する。また、引用発明の「ＧＭＲチップ１０」は、「磁気センサ１」において「磁界を検出可能」な「ＧＭＲ素子」を備える「チップ」であるから、本願発明１の「センサチップ」に相当する。
　よって、本願発明１と引用発明は、「磁気検出素子が形成された素子形成面と実装面とを有するセンサチップ」を備える点で共通する。
　（イ）　引用発明の「磁性体２１」は、「略直方体形状」であるから、互いに略直交する２つの表面を有し、ブロック状であることは明らかである。よって、本願発明１と引用発明は、「互いに略直交する第１の表面及び第２の表面を有する磁性体ブロック」を備える点で一致する。
　（ウ）　引用発明の「差動電圧を検出する回路」が「形成され」た「基板Ｂ」は、本願発明１の「回路基板」に相当する。また、引用発明の「基板Ｂ」における「ＧＭＲチップ１０」が「搭載される」面は、本願発明１の「回路基板」の「搭載面」に相当する。
　よって、本願発明１と引用発明は、「搭載面を有する回路基板」を備える点で共通する。
ウ（ア）　前記イの（ア）及び（ウ）でも検討したとおり、引用発明の「ＧＭＲチップ１０」は、「基板Ｂ上に」「搭載」されるものであるところ、当該「ＧＭＲチップ１０」の「基板Ｂ」に対向する面と「基板Ｂ」の「ＧＭＲチップ１０」に対向する面は、それぞれ本願発明１の「センサチップ」の「実装面」と「回路基板」の「搭載面」に相当する。この点も踏まえると、引用発明において、「ＧＭＲチップ１０」が「基板Ｂ上に」「搭載」されることは、本願発明１の「前記センサチップは、前記実装面が前記回路基板の前記搭載面と対向するよう、前記回路基板に搭載」されることに相当する。
　（イ）　引用発明の「磁性体２１」は、「ＧＭＲチップ１０」におけるＧＭＲ素子Ｒ１〜Ｒ４が形成された面に「載置」されているところ、この面に対向する「磁性体２１」の表面は、本願発明１の「磁性体ブロック」の「第１の表面」に相当する。また、前記イ（ア）でも検討したとおり、「ＧＭＲチップ１０」のＧＭＲ素子Ｒ１〜Ｒ４が形成された面は、本願発明１の「素子形成面」に相当する。
　よって、本願発明１と引用発明は、「前記磁性体ブロックは、前記第１の表面が前記センサチップの前記素子形成面と対向」する点で共通する。
（２）　一致点及び相違点
　上記（１）における対比の検討結果を総合すると、本願発明１と引用発明は、次の一致点において一致し、次の相違点１及び２において相違する。
＜一致点＞
「　磁気検出素子が形成された素子形成面と、実装面とを有するセンサチップと、
　互いに略直交する第１及び第２の表面を有する磁性体ブロックと、
　搭載面を有する回路基板と、を備え、
　前記センサチップは、前記実装面が前記回路基板の前記搭載面と対向するよう、前記回路基板に搭載され、
　前記磁性体ブロックは、前記第１の表面が前記センサチップの前記素子形成面と対向する、
　磁気センサ。」
＜相違点１＞
　本願発明１の「センサチップ」の「素子形成面」と「実装面」が「略直交」し、「磁性体ブロック」について「前記第２の表面が前記回路基板の前記搭載面と対向するよう、前記回路基板に搭載」されているのに対して、引用発明の「ＧＭＲチップ１０」のＧＭＲ素子Ｒ１〜Ｒ４が形成された面は基板Ｂ上に搭載されたときに基板Ｂに「対向」する面と「略直交」しておらず、「磁性体２１」は、「基板Ｂ」の「ＧＭＲチップ１０」が「搭載」される面と「対向」する面を有しておらず、「基板Ｂ」に「搭載」されない点。
＜相違点２＞
　本願発明１の「センサチップ」における「素子形成面」に「複数の端子電極」が形成され、「回路基板」における「搭載面」に「複数のランドパターン」が形成され、「磁性体ブロック」が「互いに略直交する」「前記第１の表面と前記第２の表面の間に位置する切り欠き部」を有し、「前記切り欠き部によって形成される空間に、前記複数の端子電極の少なくとも一部が配置」されるのに対して、引用発明の「ＧＭＲチップ１０」と「基板Ｂ」は、「ＧＭＲチップ１０」と「基板」の「差動電圧を検出する回路」を接続するための構成が明記されておらず、「ＧＭＲチップ１０」と「基板Ｂ」にそれぞれ「端子電極」と「複数のランドパターン」が形成されているか否か不明であり、「磁性体２１」は、「切り欠き部」を有しておらず、「前記切り欠き部によって形成される空間に、前記複数の端子電極の少なくとも一部が配置」されない点。
（３）　相違点についての当審の判断
　上記相違点１及び２は、相互に関連するため、これらを併せて検討したところ、以下のア及びイに示す理由により、相違点１及び２に係る構成につき、引用発明と引用文献２〜５に記載の事項から、当業者が容易に想到し得たものであるということはできない。
　ア　磁性体ブロックの切り欠きが各引用文献に開示されていない点について
　前記第４　２で示したとおり、引用文献２には、「ＧＭＲチップ１は、出力端子１２及びＧＭＲ素子１１の形成面が、基板２の搭載面とほぼ垂直になる向きで、当該基板２上に配置」され、「ＧＭＲチップ１１の出力端子１２と、基板２の接続端子２１とが、若干の隙間を空けているが、ほぼ直角に位置するようになり、相互に近接して配置されたＧＭＲチップ１の出力端子１２と基板２上に形成された接続端子２１とは、それらの間に配置される半田ボール３にて、物理的及び電気的に接続」されることは記載されている（段落【００２６】）。そして、前記第４の３〜５に示したとおり、引用文献３〜５に記載された事項から、磁気センサに適用する磁性体の形状を、種々の形状として良いことが読み取れる（引用文献３の【図５】、【図６】、引用文献４の【図５】、【図６】、引用文献５の第２図）。
　しかしながら、これらの引用文献２〜５においては、「磁性体ブロック」における「センサチップ」の「素子形成面」に接する面とこの面に直交する面の間に「切り欠き部」を設けることは記載も示唆もされていない。その結果、当然のことながら、当該引用文献２〜５において、「前記切り欠き部によって形成される空間に、前記複数の端子電極の少なくとも一部が配置されること」は、記載も示唆もされていない。
　また、「センサチップ」に「磁性体ブロック」を載置する際に、「磁性体ブロック」と半田ボール等の「接続導体」が干渉することは、引用文献１〜５に記載されておらず、また、当業者にとって自明なことともいえないから、この干渉を避けるという課題や干渉を避けるために「磁性体ブロック」に対して「センサチップ」に載置される面を含むように、「切り欠き部」を設ける思想を引用文献１〜５の記載から把握することもできない。
　イ　設計事項該当性について
　前記（ア）でも指摘したとおり、引用文献２〜５には、「磁性体ブロック」に「切り欠き部」を設け、さらに、「前記切り欠き部によって形成される空間」に、「センサチップ」の「素子形成面に形成」された「複数の端子電極」の少なくとも一部が「配置」することは、記載も示唆もされていない。
　そのため、引用発明において、「磁性体２１」を載置した「ＧＭＲチップ」を「基板Ｂ」に搭載するときの設計指針の選択肢として、「磁性体２１」の「ＧＭＲチップ」に対向する面を含むように「切り欠き部」を設け、さらに、「前記切り欠き部によって形成される空間に、前記複数の端子電極の少なくとも一部」を「配置」することが、本願出願前に当業者に知られているということはできない。よって、引用発明において、「磁性体２１」の「ＧＭＲチップ」に対向する面を含むように「切り欠き部」を設け、この「切り欠き部によって形成される空間」に、引用発明に明記されていない「ＧＭＲチップ」の「複数の端子電極の少なくとも一部」を「配置」することは、当業者が適宜行う設計変更ではない。
　ウ　相違点の判断のむすび
　上記ア及びイの検討のとおりであるから、本願発明１は、当業者であっても、引用発明と引用文献２〜５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
２　本願発明２〜９について
　本願発明２〜９も、前記相違点１及び２に係る構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明と引用文献２〜５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明１〜９は、引用発明と引用文献２〜５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものではない。したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。