【手続補正書】
【提出日】令和1年5月17日(2019.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁体と、金属酸化物を有し、
前記ゲート絶縁体は、前記ゲート電極と前記金属酸化物との間に位置し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁体を介して、前記金属酸化物と重なる領域を有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記金属酸化物の上面と接する領域を有し、
前記金属酸化物は、第１の酸化物層と、前記第１の酸化物層に接する第２の酸化物層と、を有し、
前記第１の酸化物層は、第１のバンドギャップを有し、
前記第２の酸化物層は、前記第１のバンドギャップよりも大きい第２のバンドギャップを有し、
前記第１の酸化物層は、インジウムおよび亜鉛の一方または双方を有し、
前記第２の酸化物層は、インジウム、亜鉛、および元素Ｍ（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一、または複数）を有し、
前記金属酸化物は、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズの第１の領域と、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズの第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、キャリアとなる電子又はホールを流す機能を有し、前記第２の領域は、前記キャリアを流さない機能を有し、
前記ゲート電極の電圧を０Ｖに保持した状態において、前記第２の酸化物層の伝導帯下端とフェルミレベルとの差は、前記第１の酸化物層の伝導帯下端とフェルミレベルとの差より大きいトランジスタ。
【請求項２】
ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁体と、金属酸化物を有し、
前記ゲート絶縁体は、前記ゲート電極と前記金属酸化物との間に位置し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁体を介して、前記金属酸化物と重なる領域を有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記金属酸化物の上面と接する領域を有し、
前記金属酸化物は、第１の酸化物層と、前記第１の酸化物層に接する第２の酸化物層と、有し、
前記第１の酸化物層は、第１のバンドギャップを有し、
前記第２の酸化物層は、前記第１のバンドギャップよりも大きい第２のバンドギャップを有し、
前記金属酸化物は、前記第１の酸化物層を２層以上有し、
前記第１の酸化物層は、インジウムおよび亜鉛の一方または双方を有し、
前記第２の酸化物層は、インジウム、亜鉛、および元素Ｍ（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一、または複数）を有し、
前記金属酸化物は、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズの第１の領域と、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズの第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、キャリアとなる電子又はホールを流す機能を有し、前記第２の領域は、前記キャリアを流さない機能を有し、
前記ゲート電極の電圧を０Ｖに保持した状態において、前記第２の酸化物層の伝導帯下端とフェルミレベルとの差は、前記第１の酸化物層の伝導帯下端とフェルミレベルとの差より大きいトランジスタ。
【請求項３】
ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁体と、金属酸化物を有し、
前記ゲート絶縁体は、前記ゲート電極と前記金属酸化物との間に位置し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁体を介して、前記金属酸化物と重なる領域を有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記金属酸化物の上面と接する領域を有し、
前記金属酸化物は、第１の酸化物層と、前記第１の酸化物層に接する第２の酸化物層と、有し、
前記第１の酸化物層は、第１のバンドギャップを有し、
前記第２の酸化物層は、前記第１のバンドギャップよりも大きい第２のバンドギャップを有し、
前記金属酸化物は、前記第１の酸化物層を２層以上有し、
前記第１の酸化物層は、インジウムおよび亜鉛の一方または双方を有し、
前記第２の酸化物層は、インジウム、亜鉛、および元素Ｍ（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一、または複数）を有し、
前記金属酸化物は、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズの第１の領域と、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズの第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、キャリアとなる電子又はホールを流す機能を有し、前記第２の領域は、前記キャリアを流さない機能を有し、
前記ゲート電極に正の電圧が印加された状態において、前記第２の酸化物層の伝導帯下端は、前記第１の酸化物層の伝導帯下端よりエネルギーが低く、
前記ゲート電極に負の電圧が印加された状態において、前記第２の酸化物層の伝導帯下端は、前記第１の酸化物層の伝導帯下端よりエネルギーが高いトランジスタ。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記金属酸化物は、前記第１の酸化物層を、３層以上１０層以下を有するトランジスタ。
【請求項５】
ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁体と、第１の金属酸化物と、第２の金属酸化物と、第３の金属酸化物を有し、
前記ゲート絶縁体は、前記ゲート電極と前記第１の金属酸化物との間に位置し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁体および前記第１の金属酸化物を介して、前記第２の金属酸化物と重なる領域を有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記第２の金属酸化物の上面と接する領域を有し、
前記第３の金属酸化物は、前記第２の金属酸化物の上面と接する領域を有し、
前記金属酸化物は、第１の酸化物層と、前記第１の酸化物層に接する第２の酸化物層と、有し、
前記第１の酸化物層は、第１のバンドギャップを有し、
前記第２の酸化物層は、前記第１のバンドギャップよりも大きい第２のバンドギャップを有し、
前記第１の酸化物層は、インジウムおよび亜鉛の一方または双方を有し、
前記第２の酸化物層は、インジウム、亜鉛、および元素Ｍ（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一、または複数）を有し、
前記金属酸化物は、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズの第１の領域と、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズの第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、キャリアとなる電子又はホールを流す機能を有し、前記第２の領域は、前記キャリアを流さない機能を有し、
前記ゲート電極の電圧を０Ｖに保持した状態において、前記第２の酸化物層の伝導帯下端とフェルミレベルとの差は、前記第１の酸化物層の伝導帯下端とフェルミレベルとの差より大きいトランジスタ。
【請求項６】
ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁体と、第１の金属酸化物と、第２の金属酸化物と、第３の金属酸化物を有し、
前記ゲート絶縁体は、前記ゲート電極と前記第１の金属酸化物との間に位置し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁体および前記第１の金属酸化物を介して、前記第２の金属酸化物と重なる領域を有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記第２の金属酸化物の上面と接する領域を有し、
前記第３の金属酸化物は、前記第２の金属酸化物の上面と接する領域を有し、
前記金属酸化物は、第１の酸化物層と、前記第１の酸化物層に接する第２の酸化物層と、有し、
前記第１の酸化物層は、第１のバンドギャップを有し、
前記第２の酸化物層は、前記第１のバンドギャップよりも大きい第２のバンドギャップを有し、
前記第２の金属酸化物は、前記第１の酸化物層を、２層以上を有し、
前記第１の酸化物層は、インジウムおよび亜鉛の一方または双方を有し、
前記第２のバンドギャップを有する酸化物層は、インジウム、亜鉛、および元素Ｍ（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一、または複数）を有し、
前記金属酸化物は、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズの第１の領域と、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズの第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、キャリアとなる電子又はホールを流す機能を有し、前記第２の領域は、前記キャリアを流さない機能を有し、
前記ゲート電極の電圧を０Ｖに保持した状態において、前記第２の酸化物層の伝導帯下端とフェルミレベルとの差は、前記第１の酸化物層の伝導帯下端とフェルミレベルとの差より大きいトランジスタ。
【請求項７】
ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁体と、第１の金属酸化物と、第２の金属酸化物と、第３の金属酸化物を有し、
前記ゲート絶縁体は、前記ゲート電極と前記第１の金属酸化物との間に位置し、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁体および前記第１の金属酸化物を介して、前記第２の金属酸化物と重なる領域を有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記第２の金属酸化物の上面と接する領域を有し、
前記第３の金属酸化物は、前記第２の金属酸化物の上面と接する領域を有し、
前記金属酸化物は、第１の酸化物層と、前記第１の酸化物層に接する第２の酸化物層と、有し、
前記第１の酸化物層は、第１のバンドギャップを有し、
前記第２の酸化物層は、前記第１のバンドギャップよりも大きい第２のバンドギャップを有し、
前記第２の金属酸化物は、前記第１の酸化物層を２層以上有し、
前記第１の酸化物層は、インジウムおよび亜鉛の一方または双方を有し、
前記第２の酸化物層は、インジウム、亜鉛、および元素Ｍ（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一、または複数）を有し、
前記金属酸化物は、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズの第１の領域と、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズの第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、キャリアとなる電子又はホールを流す機能を有し、前記第２の領域は、前記キャリアを流さない機能を有し、
前記第１の金属酸化物は、前記第１の酸化物層よりバンドギャップが大きいトランジスタ。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記第２の金属酸化物は、前記第１の酸化物層を、３層以上１０層以下を有するトランジスタ。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれか一において、
前記第２の金属酸化物は、チャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域のチャネル幅方向において、前記第３の金属酸化物は、前記第２の金属酸化物を覆う様に配されるトランジスタ。
【請求項１０】
請求項５乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１の金属酸化物のバンドギャップおよび前記第３の金属酸化物のバンドギャップは、前記第２の金属酸化物のバンドギャップより大きいトランジスタ。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１の酸化物層は、膜厚が０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域を有するトランジスタ。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第１の酸化物層は、膜厚が０．５ｎｍ以上２．０ｎｍ以下の領域を有するトランジスタ。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第２の酸化物層は、膜厚が０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域を有するトランジスタ。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記第２の酸化物層は、膜厚が０．１ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の領域を有するトランジスタ。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記第１の酸化物層のキャリア密度は、６×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２０ｃｍ−３以下であるトランジスタ。