【事件の表示】
　特願２０１７−１８８３１３「電子部品」拒絶査定不服審判事件〔平成３１年　４月２５日出願公開、特開２０１９−　６７７９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１７年９月２８日の出願であって、その手続の経緯は、概略、以下のとおりである。
　令和　１年　７月２２日付け：拒絶理由通知書
　令和　１年１０月２３日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和　２年　３月　４日付け：拒絶査定
　令和　２年　６月　９日　　：審判請求書、手続補正書の提出
第２　令和２年６月９日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　令和２年６月９日にされた手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　令和２年６月９日にされた手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするもので、請求項１について、
　本件補正前に、
「【請求項１】
　互いに対向している一対の端面と、一対の前記端面を連結している４つの側面と、を有し、半導体セラミックスからなる素体と、
　一対の前記端面及び４つの前記側面を覆うように配置され、電気絶縁性を有する薄膜層と、
　一対の前記端面側のそれぞれに配置されている第１外部電極及び第２外部電極と、
　前記素体内に配置されている内部導体と、を備え、
　前記薄膜層は、一対の前記端面及び４つの前記側面のそれぞれの表面形状に沿って形成されている非晶質ガラスコート層であり、
　前記第１外部電極及び前記第２外部電極のそれぞれは、前記薄膜層上に配置されていると共に前記内部導体と電気的に接続されている第１電極層と、前記第１電極層を覆うように配置されている第２電極層と、を有し、
　前記第２電極層の熱伝導率は、前記第１電極層の熱伝導率よりも低い、電子部品。」とあったところを、
　本件補正により、
「【請求項１】
　互いに対向している一対の端面と、一対の前記端面を連結している４つの側面と、を有し、半導体セラミックスからなる素体と、
　一対の前記端面及び４つの前記側面を覆うように配置され、電気絶縁性を有する薄膜層と、
　一対の前記端面側のそれぞれに配置されている第１外部電極及び第２外部電極と、
　前記素体内に配置されている内部導体と、を備え、
　前記薄膜層は、一対の前記端面及び４つの前記側面のそれぞれの表面形状に沿って形成されている非晶質ガラスコート層であり、
　前記第１外部電極及び前記第２外部電極のそれぞれは、前記薄膜層上に配置されていると共に前記内部導体と電気的に接続されている第１電極層と、前記第１電極層を覆うように配置されている第２電極層と、を有し、
　前記第２電極層の熱伝導率は、前記第１電極層の熱伝導率よりも低
く、
　
前記第１電極層は、前記素体の前記端面の全域を覆うように前記薄膜層上に直接配置されており、
　
前記第２電極層は、前記素体の前記端面と前記側面の一部とを覆うように配置され、前記側面においてのみ前記薄膜層上に直接配置されている
（当審注：本件補正前の請求項１、および本件補正の請求項１には「第１電極層の熱電導率」と記載されているが、「熱電導率」とは一般的な用語ではなく明細書中において用語の説明もなく、また明細書の段落［００３１］を参照すれば、「第１電極層２０の熱伝導率」と記載されていることから、上記記載は「第１電極層の熱伝導率」の誤記と認め、本件補正前の請求項１、および本件補正の請求項１を上記のように認定した。以下、同様。）
　上記の補正は、第１電極層について、「前記第１電極層は、前記素体の前記端面の全域を覆うように前記薄膜層上に直接配置されて」いることを限定すると共に、第２電極層について、「前記素体の前記端面と前記側面の一部とを覆うように配置され、前記側面においてのみ前記薄膜層上に直接配置されて」いることを限定したものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、上記補正事項は出願当初の明細書に記載されており、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
　そこで、特許請求の範囲の減縮を目的とする本件補正の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）否かについて以下検討する。
２．引用文献
（１）特表２０１５−５０６１０３号公報
　原査定の拒絶の理由で引用された特表２０１５−５０６１０３号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面と共に以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【０００６】
　さらに、電気的構成素子は電気絶縁性の不動態層を有する。不動態層は、好適には、基体とは異なる材料を有するものとする。不動態層は、直接基体上に、とくに、基体の１つ又は複数の外面に直接配置し、したがって、基体と直接接触する。好適には、
不動態層は電気的構成素子の基体を包囲又は包被する
イ．「【０００９】
　
外部接点は、
不動態層に対して良好な焼結を生ずることができる
外部接点は
不動態層上に塗布した
金属ペーストとすることができる。
ウ．「【００１０】
　他の実施形態によれば、外部接点を可撓性金属複合層によって掩蔽及び包被する。可撓性金属複合層は、例えば、外部接点における金属質接点構造又は不動態層に直接接触しないすべての外面を掩蔽することができる。とくに、可撓性金属複合層は導電性を有するよう構成する。可撓性金属複合層は、好適には、合成材料、例えばポリマーを含むものとする。可撓性金属複合層はエポキシ硬化剤を含むことができる。さらに、可撓性金属複合層は、好適には、例えば、銅又は銀のような金属を含むものとする。合成材料には、例えば、粒子の形態として存在する金属を混入させる。さらに、可撓性金属複合層は、混入したポリマーに関連するものとすることができる。
可撓性金属複合層により、金属質接点構造は、外部接点を介して外部と電気的接触をすることができる。
エ．「【００１４】
　他の実施形態によれば、
可撓性金属複合層は、不動態層の部分領域に直接接触する。
可撓性金属複合層は、電気的構成素子の稜線部を越えて広がる複数の側面にわたり少なくとも部分的に掩蔽する
オ．「【００１５】
　他の実施形態によれば、
金属質接点構造を基体内に埋設する
カ．「【００３２】
　
図１は第１実施形態による電気的構成素子１の部分横断面図を示す
電気的構成素子１は、直方体として形成し、またセラミック材料を有する基体２を備える。
セラミック材料は、バリスタセラミック、とくに、ＺｎＯ−Ｂｉセラミックとする。
電気的構成素子１は、
バリスタ
として構成される
キ．「【００３３】
　
電気的構成素子１は、さらに、金属質接点構造３を有し、この接点構造３は複数の銀−パラジウムを含有する内部電極を含む
ク．「【００３４】
　さらに、
電気的構成素子１は、電気絶縁性のガラスによる不動態層５を有する。
不動態層５は、基体２上に直接塗布する
金属質接点構造３を外部接点６に接続
外部接点６は、銀を含む金属ペーストにより形成し、この金属ペーストは、不動態層５を設けた基体２に
浸漬法
塗布する
ケ．「【００３５】
　さらに、
可撓性金属複合層７により外部接点６を掩蔽及び包被する。可撓性金属複合層７は銀−ポリマーペーストにより形成する
「【図１】
」
・上記カには、「電気的構成素子１は、」「バリスタ」「として構成される」ことが記載されており、バリスタとして構成された電気的構成素子１であるといえる。
・上記カには、「電気的構成素子１は、」「直方体として形成し、またセラミック材料を有する基体２を備える。」「セラミック材料は、バリスタセラミック、とくに、ＺｎＯ−Ｂｉセラミックとする。」ことが記載されており、直方体として形成し、ＺｎＯ−Ｂｉセラミックを有する基体２といえる。
・上記クには、「電気的構成素子１は、電気絶縁性のガラスによる不動態層５を有する。」及び「不動態層５は、基体２上に直接塗布する」と記載されており、また、上記アには、「不動態層は電気的構成素子の基体を包囲又は包被する」と記載されているから、電気絶縁性のガラスによる不動態層５であって、基体２上に直接塗布して基体２を包囲又は包被しているといえる。
・上記キには、「電気的構成素子１は、さらに、金属質接点構造３を有し、」「この接点構造３は」「内部電極を含む」ことが記載されており、また、上記オには、「金属質接点構造を基体内に埋設する」ことが記載されているから、基体２内に埋設され内部電極を含む金属質接点構造３といえる。
・上記クには、「金属質接点構造３を外部接点６に接続」「外部接点６は、銀を含む金属ペーストにより形成し、この金属ペーストは、不動態層５を設けた基体２に」「塗布する」ことが記載されており、上記イには、「外部接点は、」「不動態層に対して良好な焼結を生ずることができる。」こと、及び「不動態層上に塗布した」「金属ペーストとすることができる。」ことが記載されているから、銀を含む金属ペーストにより形成された外部接点６であって、不動態層上に塗布して焼結し金属質接点構造に接続されるといえる。
・上記ケには、「可撓性金属複合層７により外部接点６を掩蔽及び包被する。可撓性金属複合層７は銀−ポリマーペーストにより形成する」と記載されており、上記エには、「可撓性金属複合層は、不動態層の部分領域に直接接触する。」こと、及び「電気的構成素子の稜線部を越えて広がる複数の側面にわたり少なくとも部分的に掩蔽する」ことが記載されており、更に上記ウには、「可撓性金属複合層により、金属質接点構造は、外部接点を介して外部と電気的接触をすることができる。」と記載されているから、銀−ポリマーペーストにより形成された可撓性金属複合層７であって、外部接点６を掩蔽及び包被すると共に、電気的構成素子の稜線部を越えて広がる複数の側面にわたり少なくとも部分的に掩蔽して不動態層の部分領域に直接接触し、外部接点を介して金属質接点構造を外部と電気的接触させるといえる。
　上記アないしケの記載事項及び図面を総合勘案すると、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「バリスタとして構成された電気的構成素子１であって、
　直方体として形成し、ＺｎＯ−Ｂｉセラミックを有する基体２と、
　電気絶縁性のガラスであって、基体２上に直接塗布して基体２を包囲又は包被している不動態層５と、
　基体２内に埋設され内部電極を含む金属質接点構造３と、
　銀を含む金属ペーストにより形成され、不動態層上に塗布して焼結し金属質接点構造に接続される外部接点６と、
　外部接点６を掩蔽及び包被すると共に、電気的構成素子の稜線部を越えて広がる複数の側面にわたり少なくとも部分的に掩蔽して不動態層の部分領域に直接接触し、外部接点を介して金属質接点構造を外部と電気的接触させる銀−ポリマーペーストにより形成された可撓性金属複合層７と、
を有する電気的構成素子。」
（２）特開２００９−１７７０８５号公報
　原査定の拒絶の理由で引用された特開２００９−１７７０８５号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面と共に以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【００１３】
　図１は、一実施形態に係るセラミック素子を示す斜視図である。図２は、図１のセラミック素子のＩＩ−ＩＩ線に沿う端面図である。図１及び図２に示す
セラミック素子１
直方体状のセラミック素体２と、セラミック素体２の外部に設けられた下地電極１６と下地電極１６の外表面を覆うめっき層１８，２０とを有する外部電極４と、セラミック素体２の外表面を覆う保護層６とから構成される
イ．「【００２９】
ステップ１７（Ｓ１７）：保護層の形成
　Ｓ１６で得られたセラミック素体２を、バレル回転式ＲＦ（高周波）スパッタ装置に入れ、
ＳｉＯ２をターゲットとしてスパッタを行う。
スパッタを行うことにより、セラミック素体２の表面に、保護層６を形成する。
　上記アおよびイによれば、引用文献２には以下の技術事項が記載されていると認められる。
「直方体状のセラミック素体２と、セラミック素体２の外部に設けられた下地電極１６と下地電極１６の外表面を覆うめっき層１８，２０とを有する外部電極４と、セラミック素体２の外表面を覆う保護層６とから構成されるセラミック素子１において、ＳｉＯ２をターゲットとしてスパッタを行うことにより、セラミック素体２の表面に、保護層６を形成する。」
３．対比
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
（１）本願明細書の段落［００４６］には、電子部品としてＮＴＣサーミスタやバリスタ、ＰＴＣサーミスタが例示されていることから、引用発明１の「バリスタとして構成された電気的構成素子１」は、本願補正発明の「電子部品」に相当する。
（２）引用発明１の「ＺｎＯ−Ｂｉセラミック」は半導体セラミックスであるから、引用発明１の「ＺｎＯ−Ｂｉセラミックを有する基体２」は、本願補正発明の「半導体セラミックスからなる素体」に相当する。また、引用発明１の「直方体として形成」された「基体２」は、基体２が６面有しているといえるから、本願補正発明の「互いに対向している一対の端面と、一対の前記端面を連結している４つの側面」とを有する「素体」に相当する。
（３）引用発明１の「電気絶縁性の」「不動態層５」が「基体２上に直接塗布して基体２を包囲又は包被」することは、基体２の外周に沿って不動態層を塗布し基体２を全体的に覆っているといえるから、本願補正発明の「一対の前記端面及び４つの前記側面を覆うように配置され」「一対の前記端面及び４つの前記側面のそれぞれの表面形状に沿って形成され」る「電気絶縁性を有する」「層」に相当する。更に、引用発明１の「ガラス」は、通常ガラスはアモルファスであるから、本願補正発明の「非晶質ガラスコート層」に相当する。
　ただし、本願補正発明が電気絶縁性を有する「薄膜層」であるのに対し、引用発明１の電気絶縁性の「不動態層５」は、薄膜であるか否か不明な点で相違する。
（４）引用発明１の「基体２内に埋設され内部電極を含む金属質接点構造３」は、本願補正発明の「素体内に配置されている内部導体」に相当する。
（５）引用発明１の「不動態層上に塗布して焼結し金属質接点構造に接続される外部接点６」は、外部接点６を不動態層上に配置するとともに、金属を含む外部接点と金属質接点構造とを接続するものであり、両者を電気的に接続しているといえるから、本願補正発明の「層上に配置されていると共に前記内部導体と電気的に接続されている第１電極層」に相当する。
（６）引用発明１の「外部接点６を掩蔽及び包被する」「可撓性金属複合層７」は、本願補正発明の「第１電極層を覆うように配置されている」「第２電極層」に相当する。
　また、「可撓性金属複合層７」が「外部接点を介して金属質接点構造を外部と電気的接触させる」ことは、内部電極を含む金属質接点構造と外部とを「外部接点６」「可撓性金属複合層７」を介して電気的に接続することといえ、「外部接点６」「可撓性金属複合層７」は基体２の外部に設けられた電極であるといえるから、引用発明１の「外部接点６」「可撓性金属複合層７」は、外部電極といえる。更に、引用文献１の図１を参照すれば、「外部接点６」「可撓性金属複合層７」は基体の端面に備えられており、バリスタにおいて外部電極を基体の両端面に備えることは技術常識であるから、引用文献１に記載の「外部接点６」「可撓性金属複合層７」も基体の両端面に備えられていると認められ、引用発明１の「外部接点６」「可撓性金属複合層７」は、本願補正発明の「一対の前記端面側のそれぞれに配置されている第１外部電極及び第２外部電極」に相当する。
（７）引用発明１の「外部接点６」を「銀を含む金属ペーストにより形成」し、「可撓性金属複合層７」を「銀−ポリマーペーストにより形成」することは、ポリマーペーストが金属ペーストより熱伝導率が低いことは明らかであるから、「可撓性金属複合層７」の熱伝導率は「外部接点６」よりも低いといえ、本願補正発明の「第２電極層の熱伝導率は、前記第１電極層の熱伝導率よりも低」いことに相当する。
（８）引用発明１の「不動態層上に塗布して焼結し金属質接点構造に接続される」「外部接点６」は、引用文献１の図１を参照すれば外部接点６が基体の端面に設けられていることが見て取れるから、本願補正発明の「前記第１電極層は、前記素体の前記端面の前記層上に直接配置されて」いることに相当する。また、引用発明１の「外部接点６を掩蔽及び包被すると共に、電気的構成素子の稜線部を越えて広がる複数の側面にわたり少なくとも部分的に掩蔽して不動態層の部分領域に直接接触」する「可撓性金属複合層７」は、引用文献１の図１を参照すれば可撓性金属複合層７が基体の端面と側面の一部とに設けられており、本願補正発明の「前記第２電極層は、前記素体の前記端面と前記側面の一部とを覆うように配置され、前記側面において前記層上に直接配置されて」いることに相当する。
　ただし、本願補正発明は「第１電極層」が「端面の全域」を覆っているのに対し、引用発明１の「外部接点６」は端面に備えられているものの、端面の全域を覆うことについて特定されていない点で相違する。また、上記相違に伴い、本願補正発明は「第２電極層」が「側面においてのみ」薄膜層上に直接配置されているのに対し、引用発明１の「可撓性金属複合層７」は側面において不動態層に直接接触しているものの、側面においてのみ直接接触することについて特定されていない点で相違する。
　そうすると、本願補正発明と引用発明１とは、
「互いに対向している一対の端面と、一対の前記端面を連結している４つの側面と、を有し、半導体セラミックスからなる素体と、
　一対の前記端面及び４つの前記側面を覆うように配置され、電気絶縁性を有する層と、
　一対の前記端面側のそれぞれに配置されている第１外部電極及び第２外部電極と、
　前記素体内に配置されている内部導体と、を備え、
　前記層は、一対の前記端面及び４つの前記側面のそれぞれの表面形状に沿って形成されている非晶質ガラスコート層であり、
　前記第１外部電極及び前記第２外部電極のそれぞれは、前記層上に配置されていると共に前記内部導体と電気的に接続されている第１電極層と、前記第１電極層を覆うように配置されている第２電極層と、を有し、
　前記第２電極層の熱伝導率は、前記第１電極層の熱伝導率よりも低く、
　前記第１電極層は、前記素体の前記端面の前記層上に直接配置されており、
　前記第２電極層は、前記素体の前記端面と前記側面の一部とを覆うように配置され、前記側面において前記層上に直接配置されている、電子部品。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点１）
　本願補正発明が電気絶縁性を有する「薄膜層」であるのに対し、引用発明１の電気絶縁性の「不動態層５」は、薄膜であるか否か不明な点。
（相違点２）
　本願補正発明は「第１電極層」が「端面の全域」を覆っているのに対し、引用発明１の「外部接点６」は端面に備えられているものの、端面の全域を覆うことについて特定されていない点。
（相違点３）
　本願補正発明は「第２電極層」が「側面においてのみ」薄膜層上に直接配置されているのに対し、引用発明１の「可撓性金属複合層７」は側面において不動態層に直接接触しているものの、側面においてのみ直接接触することについて特定されていない点。
４．相違点についての判断
（１）相違点１について
　引用文献１に記載の発明において、不動態層をどのように形成するかは、保護性能、作業性等を考慮して適宜選択し得るものである。そして、引用文献２に記載のように、セラミック素子においてスパッタを行うことによりセラミック素体２の表面に保護層（ＳｉＯ２）を形成することは周知技術であるから、引用文献１に記載の発明において、スパッタを行うことにより不動態層を形成し薄膜とすることで相違点１に係る構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
（２）相違点２、相違点３について
　引用文献１の段落［００１３］を参照すれば、外部接点６は、少なくとも内部電極３が貫通する不動態層の開口部分に設けられればよいものであり、端面全域に設けることで技術的な不都合はない。よって、外部接点６を基体の端面の一部に設けるか全域を覆うように設けるかは、当業者であれば適宜選択し得るものである。また、引用文献１の段落［００３４］，［００５５］には、外部接点６を、不動態層を設けた基体に浸漬法により塗布することが開示されており、この場合、外部接点６は基体の端面の全域を覆うように不動態層上に設けることができるものと認められる。
　よって、引用文献１に記載の発明において、外部接点６を基体の端面の全域を覆うように設けて相違点２に係る構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
　また、外部接点６を基体の端面の全域を覆うよう不動態層上に設けた場合、可撓性金属複合層７は基体の端面においては不動態層と直接接触せず、側面においてのみ不動態層と直接接触することとなる。
　よって、引用文献１に記載の発明において、可撓性金属複合層７を側面においてのみ不動態層に直接接触するように設けて相違点３に係る構成とすることは当業者が容易になし得たことである。
（３）請求人の主張
　請求人は審判請求書にて、「引用発明１では、外部接点６は、素体の端面の全域を覆うように不動態層５上に直接配置されている構成とはなっていません。」「引用発明１では、可撓性複合層７は、側面においてのみ不動態層５上に直接配置されている構成とはなっていません。」と主張している。
　また、効果として「本願発明１では、第１電極層が端面の全域を覆うように薄膜層上に直接配置されているため、内部導体と第１電極層との接続を確実なものとしつつ、薄膜層と第１電極層との接合強度を高めることができます。そのため、本願発明１では、第１電極層が剥離することを抑制できます。また、本願発明１では、第１電極層において熱を分散し得るため、局所的に熱が集中することを抑制できます。また、本願発明１では、第２電極層が側面においてのみ薄膜層上に直接配置されているため、上記のように配置されている第１電極層を、薄膜層と第２電極層とによって、確実に覆うことができます。これにより、熱伝導率が比較的高い第１電極層が薄膜層と第２電極層とに覆われるため、電子部品が回路基板等に実装された場合に、回路基板等で発生した熱が素体に伝わることを抑制できます。」と主張している。
　しかしながら、上記（２）で判断したように、外部接点６を基体の端面の全域を覆うよう不動態層上に設けることは当業者であれば適宜なし得るものであって、外部接点６を不動態層を設けた基体に浸漬法により塗布した場合には、外部接点６は基体の端面の全域を覆うように不動態層上に設けられるものと認められる。また、その場合、可撓性金属複合層７は、側面においてのみ不動態層に直接接触することとなる。更に、請求人の主張する効果について、出願当初の明細書には記載されておらず、上記構成を採用することにより得られる普通の効果であって格別なものではない。
　よって、請求人の審判請求書での主張は採用することができない。
（４）したがって、本願補正発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載の周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
５．むすび
　以上のとおり、本件補正の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１．本願発明
　令和２年６月９日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、令和１年１０月２３日にされた手続補正の特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】
　互いに対向している一対の端面と、一対の前記端面を連結している４つの側面と、を有し、半導体セラミックスからなる素体と、
　一対の前記端面及び４つの前記側面を覆うように配置され、電気絶縁性を有する薄膜層と、
　一対の前記端面側のそれぞれに配置されている第１外部電極及び第２外部電極と、
　前記素体内に配置されている内部導体と、を備え、
　前記薄膜層は、一対の前記端面及び４つの前記側面のそれぞれの表面形状に沿って形成されている非晶質ガラスコート層であり、
　前記第１外部電極及び前記第２外部電極のそれぞれは、前記薄膜層上に配置されていると共に前記内部導体と電気的に接続されている第１電極層と、前記第１電極層を覆うように配置されている第２電極層と、を有し、
　前記第２電極層の熱伝導率は、前記第１電極層の熱伝導率よりも低い、電子部品。」
２．原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載の周知技術に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
引用文献１：特表２０１５−５０６１０３号公報
引用文献２：特開２００９−１７７０８５号公報
３．引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１ないし２及びその記載事項は、前記「第２［理由］２．引用文献」に記載したとおりである。
４．対比・判断
　本願発明は、前記「第２［理由］１．本件補正」で検討した本願補正発明から、第１電極層について「前記第１電極層は、前記素体の前記端面の全域を覆うように前記薄膜層上に直接配置されて」いるとの限定事項を削除すると共に、第２電極層について「前記素体の前記端面と前記側面の一部とを覆うように配置され、前記側面においてのみ前記薄膜層上に直接配置されて」いるとの限定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに上記限定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２［理由］３．対比、４．判断、５．むすび」に記載したとおり、引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載の周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載の周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について検討するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。