【手続補正書】
【提出日】令和1年11月8日(2019.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面とは反対の第２面とを有する半導体層を有する光電変換装置であって、
前記半導体層は、
少なくとも４つの光電変換素子が配された第１領域と、
前記第２面に沿って設けられ、且つ前記第１面よりも前記第２面の近くに位置する仮想面をとったときに、前記半導体層内に設けられ、且つ仮想面を通る溝によって構成された第１分離部と、
前記半導体層内に設けられ、且つ前記仮想面を通る溝によって構成された第２分離部と、を有し、
前記第１面への平面視において、前記第１領域は、前記第１分離部と前記第２分離部との間に位置することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記半導体層は、絶縁体を含み前記第１面側に配された第３分離部と、
前記第１面の上に配されたゲート電極を有し、前記少なくとも４つの光電変換素子からの信号を読み出すための第１トランジスタと、を有し、
前記第１分離部と、前記第１領域と、前記第３分離部と、前記第１トランジスタと、前記第２分離部とがこの順に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記少なくとも４つの光電変換素子は第１素子領域に配され、前記第１トランジスタは第２素子領域に配され、
前記第１素子領域と前記第２素子領域は、前記第３分離部によって画定されていることを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記半導体層は、更に別の光電変換素子と、絶縁体を含み前記第１面側に配された第３分離部と、絶縁体を含み前記第１面側に配された第４分離部と、を有し、
前記第１分離部と、前記第１領域と、前記第３分離部と、前記第１トランジスタと、前記第２分離部と、前記別の光電変換素子とがこの順に配され、
前記第１面に対する平面視において、前記第２分離部は前記第４分離部に重畳することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記半導体層は、更に第２トランジスタと、絶縁体を含み前記第１面側に配された第５分離部と、を有し、
前記第２トランジスタと、前記第１分離部と、前記第１領域と、前記第３分離部と、前記第１トランジスタと、前記第２分離部と、前記別の光電変換素子とがこの順に配され、
前記第１面に対する平面視において、前記第２分離部は前記第４分離部に重畳し、前記第１分離部は前記第５分離部に重畳することを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記少なくとも４つの光電変換素子のそれぞれは、信号電荷が多数キャリアである第１導電型の不純物領域を有し、
前記半導体層は、信号電荷が少数キャリアである第２導電型の第２不純物領域を有し、
前記第２不純物領域は、２つの前記第１導電型の半導体領域の間に設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記少なくとも４つの光電変換素子は、第１光電変換素子と、第２光電変換素子と、第３光電変換素子と、第４光電変換素子と、を含み、
前記第１面に対する平面視において、前記第１光電変換素子と前記第４光電変換素子は第１方向に沿って配され、前記第２光電変換素子と前記第３光電変換素子は、前記第１方向と交わる第２方向に沿って配されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記半導体層は、前記少なくとも４つの光電変換素子にて生じた電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域と、前記第１光電変換素子と前記フローティングディフュージョン領域との間の導通を制御する第１転送トランジスタと、前記第２光電変換素子と前記フローティングディフュージョン領域との間の導通を制御する第２転送トランジスタと、前記第３光電変換素子と前記フローティングディフュージョン領域との間の導通を制御する第３転送トランジスタと、前記第４光電変換素子と前記フローティングディフュージョン領域との間の導通を制御する第４転送トランジスタと、を有し、
前記第１面に対する平面視において、前記フローティングディフュージョン領域は、前記第１光電変換素子と前記第４光電変換素子との間に位置し、前記第２光電変換素子と前記第３光電変換素子との間に位置することを特徴津する請求項７に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記半導体層は、前記第１面の上に配されたゲート電極を有し、前記少なくとも４つの光電変換素子からの信号を読み出すための第１トランジスタを有し、
前記第１面に対する平面視において、前記第１トランジスタのソースとドレインを結ぶ第１仮想線は、前記第２光電変換素子と前記第４光電変換素子とを結ぶ第２仮想線と平行になることを特徴とする請求項８に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第１分離部は、前記第１仮想線と平行な方向に延在することを特徴とする請求項９に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記第１分離部の前記溝には、固定電荷膜が配されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記第１分離部の前記溝は少なくとも一部が空洞であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
第１面と前記第１面とは反対の第２面とを有する半導体層を有する光電変換装置であって、
前記半導体層は、
第１光電変換素子と、前記第１面の上に配されたゲート電極を有し、前記第１光電変換素子からの信号を読み出すための第１トランジスタとが配された第１領域と、
第２光電変換素子と、前記第１面の上に配されたゲート電極を有し、前記第２光電変換素子からの信号を読み出すための第２トランジスタとが配された第２領域と、
前記第１面よりも前記第２面の近くに位置し、且つ前記第２面に沿った仮想面を取った時に、前記仮想面を通り、且つ前記半導体層に設けられた第１溝によって構成された第１分離部と、を有し、
前記第１面に対する平面視において、前記第１光電変換素子と前記第１分離部と前記第２光電変換素子は第１方向に沿ってこの順に配され、前記第１分離部は前記第１方向に交わる仮想線に沿って延在し、
前記半導体層は、前記第１面に対する平面視において前記仮想線上に位置し、前記第１領域と前記第２領域のウエルに電位を供給するためのウエルコンタクトを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項１４】
前記ウエルコンタクトは、前記第１面に対する平面視において、前記第１面に配された絶縁体からなる第２分離部で囲まれていることを特徴とする請求項１３に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
第１面と前記第１面とは反対の第２面とを有する半導体層を有する光電変換装置であって、
前記半導体層は、
第１光電変換素子と、第２光電変換素子と、第３光電変換素子と、第４光電変換素子と、
前記第１面よりも前記第２面の近くに位置し、且つ前記第２面に沿った仮想面を取った時に、前記仮想面を通り、且つ前記半導体層に設けられた第１溝によって構成された第１分離部と、
前記仮想面を通り、且つ前記半導体層に設けられた第２溝によって構成された第２分離部と、
ウエルに電位を供給するためのウエルコンタクトと、を有し、
前記第１面に対する平面視において、前記第１光電変換素子と前記第１分離部と前記第２光電変換素子は第１方向に沿ってこの順に設けられ、前記第３光電変換素子と前記第２分離部と前記第４光電変換素子は第２方向に沿ってこの順に設けられ、
前記第１面に対する平面視において、前記ウエルコンタクトは前記第１分離部と前記第２分離部との間に位置することを特徴とする光電変換装置。
【請求項１６】
前記平面視において、前記ウエルコンタクトは、前記第１光電変換素子と前記第４光電変換素子との間、且つ前記第２光電変換素子と前記第４光電変換素子との間に位置することを特徴とする請求項１５に記載の光電変換装置。
【請求項１７】
前記平面視において、前記第１分離部と前記第２分離部は仮想線に沿って延在し、前記ウエルコンタクトは前記仮想線上に位置することを特徴とする請求項１５または１６に記載の光電変換装置。
【請求項１８】
前記平面視において、前記第１光電変換素子と前記ウエルコンタクトと前記第４光電変換素子は第３方向に沿ってこの順に設けられ、前記第２光電変換素子と前記ウエルコンタクトと前記第４光電変換素子は前記第３方向に交差する第４方向に沿ってこの順に設けられていることを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１９】
前記第１光電変換素子と、前記第２光電変換素子と、前記第３光電変換素子と、前記第４光電変換素子のそれぞれは、信号電荷が多数キャリアである第１導電型の第１不純物領域と、前記信号電荷が少数キャリアである第２導電型の第２不純物領域を有し、
前記第１領域と、前記第２領域と、前記第３領域と、前記第４領域の前記第２不純物領域は、連通していることを特徴とする請求項１５乃至１８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項２０】
前記ウエルコンタクトは、導電体が接続した、前記第２不純物領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する前記第２導電型の第３不純物領域を有することを特徴とする請求項１９に記載の光電変換装置。
【請求項２１】
請求項１乃至２０のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から得られた信号を処理する信号処理装置、前記光電変換装置から得られた信号を記憶する記憶装置、および、前記光電変換装置で得られた情報を表示する表示装置の少なくともいずれかを備えるカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図３（ｇ）の例では、光電変換素子３０のｎ型の不純物領域４０を図２で説明した半導体領域１２４、さらには半導体領域１２３にまで延在して設けている。このように、半導体領域１２４、１２３を有効に活用して不純物領域４０の体積を大きくすることで、光電変換素子３０の感度や飽和を向上することができる。