【事件の表示】
　特願２０１６−　９１２９４「積層構造体および半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　６月２９日出願公開、特開２０１７−１１８０９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２８年４月２８日（優先権主張　平成２７年１２月２１日）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和２年　１月１４日付け　：拒絶理由通知書
　令和２年　３月１９日　　　：意見書、手続補正書の提出
　令和２年　４月２７日付け　：拒絶査定
　令和２年　８月　４日　　　：審判請求書、手続補正書の提出
　令和３年　３月３１日付け　：拒絶理由通知書（当審）
　令和３年　６月　７日　　　：意見書、手続補正書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、令和３年６月７日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりである。
「【請求項１】
  ショットキー電極と、前記ショットキー電極上に直接または他の層を介して積層されている第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に積層されている第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に直接または他の層を介して積層されているオーミック電極とを少なくとも備える半導体装置であって、前記第１の半導体層および第２の半導体層が、コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含み、前記ショットキー電極が複数の層を有し、Ｔｉまたは／およびＡｕを含み、前記オーミック電極が複数の層を有し、Ｔｉまたは／およびＡｕを含むことを特徴とする半導体装置。」
第３　当審拒絶理由の概要
　令和３年３月３１日付け拒絶理由通知書（当審）（以下、「当審拒絶理由通知書」という。）で通知された拒絶理由の概要は、以下のとおりである。
（進歩性）この出願の請求項１に係る発明は、その優先日前に日本国内または外国において頒布された下記引用文献２に記載された発明と、下記引用文献１に記載された技術的事項に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　引用文献１：国際公開第２０１３／０３５８４４号 
　引用文献２：特開２０１５−２２７２７９号公報
第４　引用文献の記載及び引用発明
１　引用文献１の記載
（１）当審拒絶理由通知書で引用された引用文献１には、以下の事項が記載されている（下線は当審にて付与した。以下同様。）。
「[0014]（Ｇａ2Ｏ3系半導体素子の構成）
　図１は、実施の形態に係るＧａ2Ｏ3系ＭＥＳＦＥＴの断面図である。
Ｇａ2Ｏ3系ＭＥＳＦＥＴ１０
[0015]　
ソース電極１２とドレイン電極１３は、ｎ型β−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３を介して電気的に接続されて
ゲート電極１１とｎ型β−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３の界面はショットキー接合を形成し
[0016]　ｎ型α−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶膜３は、α−Ａｌ2Ｏ3基板２上に形成されたα−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3（０≦ｘ＜１）の単結晶膜である。ｎ型α−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶膜３は、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｍｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等のｎ型ドーパントを含む。ｎ型α−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶膜３は、例えば、１×１０15／ｃｍ3以上、１×１０19／ｃｍ3以下の濃度のｎ型ドーパントを含む。また、ｎ型α−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶膜３の厚さは、例えば、０．１〜１０μｍである。
[0017]　なお、α−Ａｌ2Ｏ3基板２とｎ型α−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶膜３との間に、アンドープβ−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜等の他の膜が形成されてもよい。この場合、α−Ａｌ2Ｏ3基板２上にアンドープβ−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜がエピタキシャル成長により形成され、アンドープβ−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜上にｎ型α−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶膜３がエピタキシャル成長により形成される。
[0018]　
ゲート電極１１、ソース電極１２、及びドレイン電極１３は、
異なる２つの金属からなる２層構造、例えばＡｌ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｎｉ、Ａｕ／Ｃｏ、を有しても
[0019]　コンタクト領域１４、１５は、ｎ型α−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶膜３中に形成されたｎ型ドーパントの濃度が高い領域であり、それぞれソース電極１２及びドレイン領域１３が接続される。コンタクト領域１４、１５に主に含まれるｎ型ドーパントとｎ型α−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶膜３に含まれるｎ型ドーパントは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。コンタクト領域１４、１５は、例えば、１×１０18／ｃｍ3以上、５×１０19／ｃｍ3以下の濃度のｎ型ドーパントを含む。なお、コンタクト領域１４、１５は、Ｇａ2Ｏ3系ＭＥＳＦＥＴ１０に含まれなくてもよい。」
　なお、段落[0015]には、「ｎ型β−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３」という記載が３箇所になされているが、いずれの記載も「ｎ型α−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶膜３」の誤記と認めた。
「[請求項1]　
α−Ａｌ2Ｏ3基板上に直接、又は他の層を介して形成されたα−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶（０≦ｘ＜１）からなるα−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶膜と、
　前記α−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶膜上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
　前記α−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶膜の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域上に形成されたゲート電極と、
　を含むＧａ2Ｏ3系半導体素子
「[図1]
」
（２）上記（１）から、引用文献１には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
ア　ｎ型α−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３上に形成されたソース電極１２、ドレイン電極１３及びゲート電極１１を含むＧａ2Ｏ3系半導体素子において、ソース電極１２とドレイン電極１３は、ｎ型α−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３を介して電気的に接続されており、ゲート電極１１とｎ型α−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３の界面はショットキー接合を形成すること。（[請求項1]、[0014]〜[0015]、[図1]）
イ　ｎ型α−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３上の、ｎ型α−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３とショットキー接合を形成する電極（ゲート電極１１）が、異なる２つの金属からなる２層構造、例えばＡｌ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｎｉ、Ａｕ／Ｃｏ、を有してもよいこと。（[0015]、[0018]）
ウ　ｎ型α−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３上のソース電極１２、ドレイン電極１３が、異なる２つの金属からなる２層構造、例えばＡｌ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｎｉ、Ａｕ／Ｃｏ、を有してもよいこと。（[0018]）
２　引用文献２の記載
（１）当審拒絶理由通知書で引用された引用文献２には、以下の事項が記載されている。
「【請求項１】
　一軸に配向している金属を主成分として含む金属層上に、直接又は他の層を介して、
結晶性酸化物半導体を主成分として含む半導体層を備え
前記結晶性酸化物半導体が、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる１または２以上の金属を含む酸化物半導体であ
結晶性積層構造体
「【請求項９】
　請求項１〜８のいずれかに記載の結晶性積層構造体
からなる
半導体装置
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体装置、特に電力用または受発光用半導体装置に有用な結晶性積層構造体および前記結晶性積層構造体からなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　高耐圧、低損失および高耐熱を実現できる次世代のスイッチング素子として、バンドギャップの大きな酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）を用いた半導体装置が注目されており、インバータなどの電力用半導体装置への適用が期待されている。しかも、広いバンドギャップからＬＥＤやセンサー等の受発光装置としての応用も期待されている。当該酸化ガリウムは非特許文献１によると、インジウムやアルミニウムをそれぞれ、あるいは組み合わせて混晶することによりバンドギャップ制御することが可能であり、ＩｎＡｌＧａＯ系半導体として極めて魅力的な材料系統を構成している。ここでＩｎＡｌＧａＯ系半導体とはＩｎＸＡｌＹＧａＺＯ３（０≦Ｘ≦２、０≦Ｙ≦２、０≦Ｚ≦２、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．５〜２．５）を示し、酸化ガリウムを内包する同一材料系統として俯瞰することができる。」
「【００２０】
　本発明の結晶性積層構造体は、一軸に配向している金属を主成分として含む金属層上に、直接又は他の層を介して、結晶性酸化物半導体を主成分として含む半導体層を備えている。
・・・
【００２３】
　
前記結晶性酸化物半導体は、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる１または２以上の金属を含む酸化物半導体であ
前記酸化物半導体が、
α−Ｇａ２Ｏ３
であるのがより好ましい
　なお、前記半導体層は、結晶性酸化物半導体を主成分として含んでいれば、特に限定されないが、通常、前記結晶性酸化物半導体を５０モル％以上含む半導体層であり、好ましくは、８０モル％以上含む半導体層であり、より好ましくは、９０モル％以上含む半導体層である。」
「【００５１】
　本発明の結晶性積層構造体は、様々な半導体装置に有用であり、とりわけ、パワーデバイスに有用である。また、半導体装置は、電極が半導体層の片面側に形成された横型の素子（横型デバイス）と、半導体層の表裏両面側にそれぞれ電極を有する縦型の素子（縦型デバイス）に分類することができ、本発明においては、前記結晶性積層構造体を横型デバイスにも縦型デバイスにも好適に用いることができるが、中でも、縦型デバイスに用いることが好ましい。前記半導体装置としては、例えば、ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ）、接合電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）または発光ダイオードなどが挙げられる。本発明においては、前記半導体装置が、ＳＢＤ、ＭＯＳＦＥＴまたはＳＩＴであるのが好ましい。また、本発明においては、前記半導体装置が、ｐ型半導体層を含まないのが好ましい。　なお、本発明の結晶性積層構造体を半導体装置に用いる場合には
、本発明の結晶性積層構造体をそのまま又は所望により基板の剥離等を行って、半導体装置に用いることができる。
【００５２】 
　以下、
本発明の結晶性積層構造体の結晶性酸化物半導体薄膜をｎ型半導体層（ｎ＋型半導体やｎ−型半導体等）に適用した場合の好適な例
【００５３】
（ＳＢＤ）
　図７は、本発明に係る
ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）の一例
ｎ−型半導体層１０１ａ、ｎ＋型半導体層１０１ｂ、ショットキー電極１０５ａおよびオーミック電極１０５ｂを備え
【００５４】
　
ショットキー電極およびオーミック電極の材料は、公知の電極材料であってもよく、前記電極材料としては、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｖ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｈｆ、Ｗ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、ＮｄもしくはＡｇ等の金属またはこれらの合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン又はポリピロ−ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物などが挙げられ
「【００９５】
１−６．評価
　表１の実験についてのＸ線回折結果を図２４〜図２７に示す。サファイア基板上に形成した試料である図２４では白金、図２５では金が｛１１１｝面に配向していることが確認された。そしてそれぞれの薄膜上に一軸に配向しているコランダム構造の酸化ガリウム（α−Ｇａ２Ｏ３）単結晶が形成されていることを確認した。白金薄膜・金薄膜が一軸に配向し、その結果、白金薄膜・金薄膜上に結晶性の酸化ガリウム単結晶薄膜が形成されたと考えられる。また、酸化ガリウムの成膜温度を６００℃にして白金又は金の薄膜上に酸化ガリウム薄膜を成膜したところ、β型の酸化ガリウム単結晶薄膜を形成することができた。この場合にも、白金薄膜・金薄膜は成膜後に一軸に配向していることを確認した。」
「【図７】
」
　図７から、上から、ショットキー電極１０５ａ、ｎ−型半導体層１０１ａ、ｎ＋型半導体層１０１ｂ、およびオーミック電極１０５ｂが積層されていることが見てとれる。
（２）上記（１）から、引用文献２には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「結晶性酸化物半導体を主成分として含む半導体層を備え、前記結晶性酸化物半導体が、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる１または２以上の金属を含む酸化物半導体である結晶性積層構造体からなる半導体装置であって、
前記結晶性酸化物半導体は、α−Ｇａ２Ｏ３であり、
当該結晶性積層構造体の結晶性酸化物半導体薄膜をｎ型半導体層（ｎ＋型半導体やｎ−型半導体等）に適用したショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）は、ｎ−型半導体層１０１ａ、ｎ＋型半導体層１０１ｂ、ショットキー電極１０５ａおよびオーミック電極１０５ｂを備え、
ショットキー電極１０５ａ、ｎ−型半導体層１０１ａ、ｎ＋型半導体層１０１ｂ、およびオーミック電極１０５ｂが積層され、
ショットキー電極１０５ａおよびオーミック電極１０５ｂの材料は、公知の電極材料であってもよく、前記電極材料としては、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｖ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｈｆ、Ｗ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、ＮｄもしくはＡｇ等の金属またはこれらの合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の金属酸化物導電膜、ポリアニリン、ポリチオフェン又はポリピロ−ルなどの有機導電性化合物、またはこれらの混合物などが挙げられる、
半導体装置。」
第５　対比
１　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「ショットキー電極１０５ａ」は、本願発明の「ショットキー電極」に相当する。
（２）本願発明の「前記ショットキー電極上に直接または他の層を介して積層されている第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に積層されている第２の半導体層」と、引用発明の「ｎ−型半導体層１０１ａ」及び「ｎ＋型半導体層１０１ｂ」とを対比する。
　引用発明の「ｎ−型半導体層１０１ａ」は、「ショットキー電極１０５ａ」に積層されている半導体層である。また、「ｎ＋半導体層１０１ｂ」は、「ｎ−型半導体層１０１ａ」に積層されている半導体層である。よって、引用発明の「ｎ−型半導体層１０１ａ」、「ｎ＋半導体層１０１ｂ」は、それぞれ、本願発明の「第１の半導体層」、「第２の半導体層」に相当する。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「前記ショットキー電極上に直接積層されている第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に積層されている第２の半導体層」を備える点で一致する。
（３）本願発明の「前記第２の半導体層上に直接または他の層を介して積層されているオーミック電極」と、引用発明の「オーミック電極１０５ｂ」とを対比する。
　引用発明の「オーミック電極１０５ｂ」は、本願発明の「オーミック電極」に相当する。
　そして、引用発明の「オーミック電極１０５ｂ」は「ｎ＋半導体層１０１ｂ」に積層されているから、本願発明と引用発明とは、「前記第２の半導体層上に直接積層されているオーミック電極」を備える点で一致する。
（４）本願発明の「前記第１の半導体層および第２の半導体層が、コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含」むことと、引用発明の「ｎ−型半導体層１０１ａ」及び「ｎ＋型半導体層１０１ｂ」とを対比する。
　引用発明の「ｎ−型半導体層１０１ａ」及び「ｎ＋型半導体層１０１ｂ」は「α−Ｇａ２Ｏ３」であり、「結晶性酸化物半導体薄膜」を適用したものであるといえるところ、「α−Ｇａ２Ｏ３」は「コランダム構造」をとるから、本願発明と引用発明とは、「前記第１の半導体層および第２の半導体層が、コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含」む点で一致する。
（５）引用発明の「半導体装置」は、本願発明の「半導体装置」に対応する。
２　以上のことから、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。
【一致点】
「ショットキー電極と、前記ショットキー電極上に直接積層されている第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に積層されている第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に直接積層されているオーミック電極とを少なくとも備える半導体装置であって、前記第１の半導体層および第２の半導体層が、コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含む半導体装置。」
【相違点１】
　本願発明は、「前記ショットキー電極が複数の層を有し、Ｔｉまたは／およびＡｕを含」むのに対し、引用発明では当該事項について特定されていない点。
【相違点２】
　本願発明は、「前記オーミック電極が複数の層を有し、Ｔｉまたは／およびＡｕを含」むのに対し、引用発明では当該事項について特定されていない点。
第６　判断
　上記相違点１及び相違点２について、まとめて検討する。
１　上記第４の２（２）のとおり、引用発明は、「前記結晶性酸化物半導体は、α−Ｇａ２Ｏ３であり、当該結晶性積層構造体の結晶性酸化物半導体薄膜をｎ型半導体層（ｎ＋型半導体やｎ−型半導体等）に適用したショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）は、ｎ−型半導体層１０１ａ、ｎ＋型半導体層１０１ｂ・・・を備え」たものであるから、引用発明の「ｎ−型半導体層１０１ａ」、「ｎ＋型半導体層１０１ｂ」は、ｎ型α−Ｇａ２Ｏ３から形成されるものである。
　また、上記第４の２（２）のとおり、引用発明は、「ショットキー電極１０５ａ、ｎ−型半導体層１０１ａ、ｎ＋型半導体層１０１ｂ、およびオーミック電極１０５ｂが積層され」たものである。
　したがって、引用発明において、「ショットキー電極１０５ａ」、「オーミック電極１０５ｂ」は、ｎ型α−Ｇａ２Ｏ３半導体層上に設けられた電極であり、それぞれ、ｎ型α−Ｇａ２Ｏ３半導体層とショットキー接触、オーミック接触をしているものである。
２　上記第４の１（２）イのとおり、引用文献１には、「ｎ型α−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３上の、ｎ型α−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３とショットキー接合を形成する電極が、異なる２つの金属からなる２層構造、例えばＡｌ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｎｉ、Ａｕ／Ｃｏ、を有してもよいこと。」、という技術的事項が記載されている。
　また、上記第４の１（２）ウのとおり、引用文献１には、「ｎ型α−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３上のソース電極１２、ドレイン電極１３が、異なる２つの金属からなる２層構造、例えばＡｌ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｎｉ、Ａｕ／Ｃｏ、を有してもよいこと。」、という技術的事項が記載されている。なお、引用文献１において、「ソース電極１２」及び「ドレイン電極１３」が、「ｎ型α−Ｇａ2Ｏ3単結晶膜３」とオーミック接合をしていることは明らかである。
　すると、引用文献１には、ショットキー電極やオーミック電極を複数の層から形成すること、及び、その電極材料としてＴｉまたはＡｕを用いることが記載されている。
３　ここで、引用発明においても、「前記電極材料としては、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｖ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｈｆ、Ｗ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、ＮｄもしくはＡｇ等の金属またはこれらの合金」と、「電極材料」の候補としてＴｉやＡｕが含まれているように、ショットキー電極やオーミック電極の材料として，ＴｉやＡｕは一般的なものであり、また、電極材料を様々な材料から最適化することは、当業者の通常の創作能力の発揮にすぎないものと認められる。
　そして、引用発明の、α−Ｇａ２Ｏ３からなるｎ型半導体層上に積層された、「ショットキー電極１０５ａ」、「オーミック電極１０５ｂ」の構造や材料として、引用文献１の技術的事項を適用し、「ショットキー電極１０５ａ」、「オーミック電極１０５ｂ」を、いずれも「複数層を有し」、「ＴｉまたはＡｕを含む」ものとすることにより、相違点１、２に係る本願発明の構成とすることは、当業者であれば容易になし得たことである。
４　請求人の令和３年６月７日提出の意見書における主張については、以下のとおりである。
ア　請求人は、上記意見書の４−１−１において、
「　本願請求項１に記載の発明（以下、「本発明」ともいう。）は、積層された関係にあり、各々がコランダム構造を有するとともに結晶性酸化物半導体を主成分とする第１の半導体層および第２の半導体層に対して、ショットキー電極が第１の半導体層上に積層され、オーミック電極が第２の半導体層上に積層されており、ショットキー電極が複数の層を有し、Ｔｉまたは／およびＡｕを含み、オーミック電極が複数の層を有し、Ｔｉまたは／およびＡｕを含むことを特徴とする半導体装置の発明です。
　このように、ショットキー電極とオーミック電極の両方が複数の層を有し、かつＴｉまたは／およびＡｕを含む電極構成を、第１の半導体層および第１の半導体層上に積層されてなる第２の半導体層と組合せて半導体装置を構成することにより、段落番号［００３２］に記載のとおり、コランダム構造を有する半導体の半導体特性（例えば、耐久性、絶縁破壊電圧、耐圧、オン抵抗、安定性など）をより良好なものとすることができ、ショットキー特性も良好に発揮することができるだけでなく、段落番号［００３４］に記載のとおり、オーミック特性を良好に発揮することができます。特に、本発明によれば、ショットキー電極およびオーミック電極による上記した相乗効果として、半導体特性、特に、オン抵抗および耐圧を優れたものとすることができるという顕著な効果を有します（本願明細書の段落番号［００３２］、［００６２］、［００６３］、［００６４］等ご参照）。　また、第１の半導体層上に第２の半導体層が積層されているため、例えば、半導体層へドーパントをイオン注入することによって新たな半導体領域（例えばＭＥＳＦＥＴにおけるコンタクト領域）が設けられるといった、積層工程を伴わない場合と比べて、高温のアニール処理などの熱処理が不要となります。一般にイオン注入後のアニール処理は高温（例えば８００℃以上）での熱処理を伴いますので、本願発明の構成の場合、例えば結晶性酸化物半導体が準安定相のα−Ｇａ２Ｏ３である場合、結晶性酸化物半導体の結晶構造がコランダム構造（準安定相）からβガリア構造（安定相）に変化してしまうという問題が発生します。すなわち、第１の半導体層上に第２の半導体層が積層される構成からなる本発明は、イオン注入後の高温のアニール処理を必要としませんので、コランダム構造（準安定相）を維持することができます。そして、上述しましたように、優れた半導体特性を持つ半導体装置を提供することが可能となります。」
と、また、上記意見書の４−１−３において、
「　しかしながら、引用文献２に開示された上記の材料名は、ショットキー電極およびオーミック電極の材料候補全般として挙げられているだけに過ぎず、ショットキー電極の材料として好適な材料が何であるかを選択させるためのものではありません。すなわち、引用文献２には、上記したとおり、ショットキー電極とオーミック電極の両方が複数の層を有し、かつＴｉまたは／およびＡｕを含む電極構成を、第１の半導体層および第１の半導体層上に積層されてなる第２の半導体層と組合せて半導体装置を構成することにより、コランダム構造を有する半導体の半導体特性（例えば、耐久性、絶縁破壊電圧、耐圧、オン抵抗、安定性など）をより良好なものとすることができ、ショットキー特性も良好に発揮することができるだけでなく、オーミック特性を良好に発揮することができる点について何ら記載されておらず、示唆さえもありません。また、ショットキー電極の材料として引用文献２中に具体的に開示されている材料はＭｏとＡｌとの積層体のみであります。
　さらには、引用文献２の発明は、ショットキー電極やオーミック電極に着目した発明ではなく、結晶性酸化物半導体の材料を適切に選定することで半導体特性の向上を図ろうとする発明です。つまり、引例文献２に開示されたショットキー電極とオーミック電極の材料は、引用文献２の発明の目的や効果に影響を及ぼすものではなく、列挙されたショットキー電極およびオーミック電極の材料は、例示の範囲を超えるものではありません。さらに、上述のとおり、引用文献１においても、ショットキー電極およびオーミック電極の適切な材料および構成を特定することは困難です。」
と主張している。
　当該主張について以下のとおり検討する。
　まず、本願明細書の段落００６０−００６７には、ショットキー電極およびオーミック電極として、「ＴｉおよびＡｕ」を含むものは記載されているが、「ＴｉまたはＡｕ」を含むものは記載されておらず、顕著な効果を有するという請求人の主張は、請求項１に特定される本願発明に基づくものではない。
　また、引用発明においても、「前記電極材料としては、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｖ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｈｆ、Ｗ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、ＮｄもしくはＡｇ等の金属またはこれらの合金」と、「電極材料」の候補としてＴｉやＡｕが含まれているように、ショットキー電極やオーミック電極の材料として，ＴｉやＡｕは一般的な材料である。
　ここで、半導体装置の技術分野において、半導体の特性をより良好なものとすることは、極めて一般的な技術的課題にすぎず、「電極材料」を最適化することは、当業者の通常の創作能力の発揮にすぎない。
　そして、引用文献１には、ショットキー電極やオーミック電極を複数の層から形成すること、及び、その電極材料としてＴｉまたはＡｕを用いることが記載されており、引用発明において、それぞれ、α−Ｇａ２Ｏ３からなるｎ型半導体層上に積層された、「ショットキー電極１０５ａ」、「オーミック電極１０５ｂ」の構造や材料を設計するに際し、引用文献１に記載の具体的な例を適用し、これらの「ショットキー電極１０５ａ」、「オーミック電極１０５ｂ」を、いずれも「複数層を有し」、「ＴｉまたはＡｕを含む」ものとすることは、当業者であれば容易になし得たことである。　
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用文献１に記載された技術的事項に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。