(57)【要約】  犠牲層からのアウトガスによる問題発生と犠牲層除去時の残渣発生を防止することができる、電子部品の製造方法を提供する。  基板１２上にポリアミドイミドを主成分とする犠牲層を形成する第１の工程と、犠牲層の一部分の上に素子部を形成する第２の工程と、犠牲層を除去して、素子部と基板１２との間に空隙１１を形成する第３の工程とを備える。【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にポリアミドイミドを主成分とする犠牲層を形成する第１の工程と、
前記犠牲層の一部分の上に素子部を形成する第２の工程と、
前記犠牲層を除去して、前記素子部と前記基板との間に空隙を形成する第３の工程とを備えたことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程において形成される前記素子部は、下部電極、圧電膜及び上部電極を含む圧電共振子の素子部であることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程と前記第２の工程との間に、
前記第２の工程における前記圧電膜の成膜温度以上、かつ、２８０℃以下の温度で、前記犠牲層をベークする工程を備えたことを特徴とする、請求項２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記第２の工程において、前記基板を１５０℃以上、かつ、２８０℃以下の温度に加熱した状態で、前記圧電膜を成膜することを特徴とする、請求項２又は３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記第１の工程は、
前記基板の表面にポリアミドイミド膜を形成する第１のステップと、
前記ポリアミドイミド膜上にフォトレジストを塗布する第２のステップと、
前記犠牲層に対応するフォトマスクを介して前記フォトレジストに紫外線を照射する第３のステップと、
前記フォトレジストを現像してフォトレジストパターンを形成する第４のステップと、
前記ポリアミドイミド膜のうち前記フォトレジストパターンの周囲に露出した部分をドライエッチングにより除去して、前記犠牲層を形成する第５のステップと、
前記犠牲層の上に残った前記フォトレジストパターンを除去する第６のステップとを含み、
前記第５のステップにおいて形成された前記犠牲層が前記基板の平面方向に対して８５度未満の順テーパを有する端面を備えるように、前記第２、第３及び第４のステップにより形成された前記フォトレジストパターンも順テーパを有していることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記第３の工程において、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ヒドロキシルアミン、ジメチルアセトアミド又はジメチルホルムアミドの少なくとも一つの有機溶剤を用いて前記犠牲層を除去することを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記第１の工程における前記ポリアミドイミドが感光性ポリアミドイミドであることを特徴とする、請求項１ないし６のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記第１の工程において、表面粗さＲａが２ｎｍ以下の前記犠牲層を形成することを特徴とする、請求項２ないし７のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品の製造方法に関し、詳しくは、犠牲層を用いる電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＢＡＷ（バルク弾性波）共振子や、ＭＥＭＳ（マイクロマシン）技術を用いた電子部品などにおいて、基板上に形成した犠牲層の一部分の上にメンブレン状の素子部を形成した後、犠牲層を除去する製造方法が用いられている。【０００３】
例えば特許文献１には、図６に示したような、基板４２上に、エアギャップ６２、第１の保護層４８、下部電極層５０、圧電層５２、上部電極層５４が形成されたＢＡＷ共振子を作製する場合、エアギャップ６２を形成するために、酸化亜鉛またはポリマーから成る犠牲層を用いることが開示されている。
【特許文献１】特表２００２−５０９６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
犠牲層にポリマー材料を用いる長所は、酸化亜鉛を用いる場合に比べて、プロセス時間を短縮できる、滑らかな犠牲層の表面と端面を得ることができる、エッチング液が圧電膜や電極に無害であることなどである。【０００５】
しかし、特許文献１に記載されているポリイミド、ポリアミドなどのポリマー材料を実際に犠牲層に用いてみると、アウトガスで真空槽を汚染したり、プロセスの熱によりポリマーの重合が進み基板にこびりつくため、後で行う犠牲層の除去が困難になる、などの問題が発生した。【０００６】
本発明は、かかる実情に鑑み、犠牲層からのアウトガスによる問題発生と犠牲層除去時の残渣発生を防止することができる、電子部品の製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した電子部品の製造方法を提供する。【０００８】
電子部品の製造方法は、第１ないし第３の工程を備える。前記第１の工程において、基板上にポリアミドイミドを主成分とする犠牲層を形成する。前記第２の工程において、前記犠牲層の一部分の上に素子部を形成する。前記第３の工程において、前記犠牲層を除去して、前記素子部と前記基板との間に空隙を形成する。【０００９】
ポリアミドイミドを主成分とする犠牲層を用いると、第２の工程において犠牲層からガス放出（アウトガス）が発生せず、第３の工程において犠牲層の除去が容易である。ポリアミドイミドを主成分とする犠牲層は、ポリイミド、ポリアミドなどのポリマー材料の犠牲層と同様に、酸化亜鉛を用いる場合に比べて、プロセス時間を短縮できる、滑らかな犠牲層の表面と端面を得ることができる、エッチング液が圧電膜や電極に無害であるなどの長所も有する。【００１０】
好ましくは、前記第２の工程において形成される前記素子部は、下部電極、圧電膜及び上部電極を含む圧電共振子の素子部である。【００１１】
この場合、平滑なポリアミドイミド犠牲層の表面が転写されるので、良好な圧電共振子の素子部を形成することができる。【００１２】
好ましくは、前記第１の工程と前記第２の工程との間に、前記第２の工程における前記圧電膜の成膜温度以上、かつ、２８０℃以下の温度で、前記犠牲層をベークする工程を備える。【００１３】
この場合、第２の工程の前に犠牲層からのアウトガスを終了させる。これによって、第２の工程以降において、犠牲層からのアウトガスによる装置汚染をなくすことができ、アウトガスを膜中に取り込むことによる特性不良をなくすことができる。【００１４】
好ましくは、前記第２の工程において、前記基板を１５０℃以上、かつ、２８０℃以下の温度に加熱した状態で、前記圧電膜を成膜する。【００１５】
この場合、圧電膜成膜時に基板を加熱することで、良好な圧電膜を形成することができるので、良好な特性の圧電共振子を作製することができる。【００１６】
好ましくは、前記第１の工程は、第１ないし第６のステップを含む。前記第１のステップにおいて、前記基板の表面にポリアミドイミド膜を形成する。前記第２のステップにおいて、前記ポリアミドイミド膜上にフォトレジストを塗布する。前記第３のステップにおいて、前記犠牲層に対応するフォトマスクを介して前記フォトレジストに紫外線を照射する。前記第４のステップにおいて、前記フォトレジストを現像してフォトレジストパターンを形成する。前記第５のステップにおいて、前記ポリアミドイミド膜のうち前記フォトレジストパターンの周囲に露出した部分をドライエッチングにより除去して、前記犠牲層を形成する。前記第６のステップにおいて、前記犠牲層の上に残った前記フォトレジストパターンを除去する。前記第５のステップにおいて形成された前記犠牲層が前記基板の平面方向に対して８５度未満の順テーパを有する端面を備えるように、前記第２、第３及び第４のステップにより形成された前記フォトレジストパターンも順テーパを有している。【００１７】
この場合、犠牲層の順テーパにより、素子部のメンブレン強度を向上し、素子破壊を低減することができる。【００１８】
好ましくは、前記第３の工程において、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ヒドロキシルアミン、ジメチルアセトアミド又はジメチルホルムアミドの少なくとも一つの有機溶剤を用いて前記犠牲層を除去する。【００１９】
この場合、犠牲層除去を短時間で行うことができる。【００２０】
好ましくは、前記第１の工程における前記ポリアミドイミドが感光性ポリアミドイミドである。【００２１】
この場合、基板上に成膜した犠牲層材料の膜を直接、露光、現像してパターニングできる。そのため、犠牲層材料の膜の上へのフォトレジストの塗布、露光、現像、犠牲層のパターニング（エッチング）、フォトレジスト除去の各ステップをなくし、工程を簡略化することができる。【００２２】
好ましくは、前記第１の工程において、表面粗さＲａが２ｎｍ以下の前記犠牲層を形成する。【００２３】
この場合、表面粗さＲａを２ｎｍ以下にすることによって、犠牲層上に形成された共振子の特性を向上することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の電子部品の製造方法によれば、犠牲層からのアウトガスによる問題発生と犠牲層除去時の残渣発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】電子部品の要部断面図である。（実施例１）
【図２】電子部品の要部平面図である。（実施例１）
【図３】電子部品の要部断面図である。（実施例２）
【図４】電子部品の要部断面図である。（実施例３）
【図５】電子部品の製造工程の説明図である。（実施例１）
【図６】電子部品の要部断面図である。（従来例）
【符号の説明】
【００２６】
１０，１０ａ，１０ｂ  圧電薄膜共振子（電子部品）
１１，１１ａ，１１ｂ  空隙
１２  基板
１４  下部電極
１５  圧電膜
１６  上部電極
１８  犠牲層
３０  他の機能デバイス（基板）
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態として実施例について、図１〜図５を参照しながら説明する。【００２８】
（実施例１）  実施例１の圧電薄膜共振子１０について、図１、図２及び図５を参照しながら説明する。図１及び図２は、圧電薄膜共振子１０の構造を模式的に示す要部断面図及び要部平面図である。図１は、図２の線Ｉ−Ｉに沿って切断した断面図である。【００２９】
圧電薄膜共振子１０は、ＢＡＷ共振子であり、基板１２上に、誘電体膜１３、下部電極膜１４、圧電膜１５及び上部電極膜１６が形成されている。基板１２と誘電体膜１３との間には、犠牲層１８（図２参照）を除去することにより形成された空隙１１（図１参照）によって、電極膜１４，１６が重なり合った積層方向（図１において上下方向、図２において紙面垂直方向）の部分の誘電体膜１３、下部電極膜１４、圧電膜１５及び上部電極膜１６からなる振動部２０が、基板１２から浮き上ったメンブレン構造となっている。【００３０】
メンブレン構造の端部は順テーパ形状となっている。すなわち、空隙１１の端部において、基板１２の上面１２ａと誘電体膜１３の下面とがなすテーパ角α，βは８５度未満である。テーパ角α，βは、４５度以下がより好ましい。【００３１】
圧電薄膜共振子１０は、集合基板（ウエハ）の状態で、以下の各工程を経て作製する。【００３２】
＜（１）犠牲層形成工程＞  基板１２には、安価で加工性に優れた基板を用いる。表面が平坦なＳｉやガラス基板は、なおよい。図５（ａ）に示すように、基板１２上に、ポリアミドイミドを主成分とする樹脂の膜２１（以下、「ポリアミドイミド膜２１」という。）をスピン塗布により形成する。スピン塗布時には、ポリアミドイミド樹脂を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下、「ＮＭＰ」という。）などの溶媒で希釈し、固形成分が数〜数十％となるようにするとよい。【００３３】
基板１２に成膜したポリアミドイミド膜２１を、圧電共振子のメンブレンに対応する形状（犠牲層１８の形状）に加工する。犠牲層１８の厚さは、メンブレンが撓んでも振動部２０が基板１２と接触しない厚さが必要であるので、作製上の容易さから５０ｎｍ以上、数μｍ以下が好ましい。また、犠牲層１８の端部と振動部２０との間の距離の最小値は、振動部２０の厚みの５０倍以下とする。このとき、犠牲層１８には、テーパ形状も同時に形成する。【００３４】
具体的には、図５（ｂ）に示すように、ポリアミドイミド膜２１上にフォトレジスト２２を塗布した後、フォトリソグラフィー技術によりフォトレジスト２２をパターニングする。パターニングしたフォトレジスト２２を１００〜１５０℃程度のベーク処理を数十秒〜数十分行うことで、図５（ｃ）に示すように、レジスト端面２２ａを、基板１２の平面方向に対する角度（テーパー角）が８５度未満のテーパ形状（順テーパ）にする。【００３５】
その後、図５（ｄ）に示すように、ドライエッチングにより、ポリアミドイミド膜２１とパターニングしたフォトレジスト２２の両方をエッチングする。レジスト端面２２ａの下部がエッチングされて小さくなりポリアミドイミド膜２１のレジスト端面２２ａから露出した部分をエッチングする。つまり、レジスト端面２２ａのエッチングされて小さくなった部分の形状をポリアミドイミド膜２１に転写する。これによって、ポリアミドイミド膜２１（すなわち、犠牲層１８）は、順テーパを有する端面２１ａを備える。ポリアミドイミド膜２１の端面２１ａのテーパ角は、４５度以下にするのが好ましい。テーパ角が小さい（テーパが緩やかである）程、メンブレンの強度が確保できる。【００３６】
このように、ポリアミドイミド膜２１をパターニングした後、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）により、図５（ｅ）に示すように、ポリアミドイミド膜２１上のフォトレジスト２２のみを除去する。ポリアミドイミド樹脂は、このアルカリ溶液（ＴＭＡＨ）にも耐えるため、ポリアミドイミド膜２１の表面が荒れることはなく、所望する領域にパターニングすることができる。【００３７】
犠牲層材料のポリアミドイミドには、感光性をもたせてもよい。例えば、ポリアミドイミドに感光剤を成分として含めることにより、あるいは感光性基を有する化合物でポリアミドイミド樹脂を変性することにより、感光性をもたせることができる。感光性をもたせると、感光性ポリアミドイミド膜（犠牲層膜）に直接、露光・現像工程を行うだけで犠牲層が得られる。したがって、フォトレジストを用いる必要がなくなり、フォトレジストの塗布、露光、現像、犠牲層膜エッチング、フォトレジストの除去の上記各ステップを削減できる。【００３８】
＜（１−ａ）犠牲層ベーク工程＞  その後、圧電膜１５の成膜温度以上、かつ２８０℃以下、好ましくは２８０℃近傍の高温でベークすることで、ＮＭＰなどの溶媒を気化させる。ベークは、溶媒を除去するために必要な時間行う。このようにベークすることで、後の工程でアウトガスによる装置汚染や、構成する膜にアウトガスが取り込まれることによる膜質異常を無くし、安定して共振子を作製することができる。【００３９】
＜（２）誘電体膜形成工程＞  次に、犠牲層を形成した基板の上に、全面を覆うようにスパッタ、ＣＶＤ、電子ビーム蒸着等で誘電体膜１３を形成した後、平坦化処理を施す。【００４０】
誘電体膜１３は、電極膜１４，１６と圧電膜１５からなる振動部２０を保護する効果を有し、パシベーション性に優れた窒化珪素などの窒化物、または酸化珪素などの酸化物を用いてもよい。【００４１】
また、この誘電体膜１３に、圧電膜１５に用いた材料と逆の周波数温度特性（ＴＣＦ）を持つ材料を用いると、共振子・フィルタの温度変化に対する周波数変化が小さくなり特性が向上する。例えば、圧電膜１５に酸化亜鉛や窒化アルミを用いた場合は、それらとは逆のＴＣＦをもつ酸化珪素を誘電体膜１３に用いるとよい。【００４２】
また、絶縁体で熱伝導率のよい窒化アルミを誘電体膜１３に用いてもよい。【００４３】
＜（３）下部電極膜形成工程＞  次に、平坦化処理を施した誘電体膜１３の上に、スパッタ、めっき、ＣＶＤ、電子ビーム蒸着などによる成膜と、フォトリソグラフィー技術によるパターニングを用いることにより、下部電極膜１４を形成する。このとき、Ｍｏ、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉなどの金属材料を主材とした下部電極膜１４を、犠牲層１８上から基板１２上にかけて帯状に形成する。すなわち、図１及び図２に示すように、下部電極膜１４の一方端１４ａが犠牲層１８上に配置されるようにする。【００４４】
＜（４）圧電膜形成工程＞  次に、下部電極膜１４及び誘電体膜１３の上に、スパッタなどによる成膜と、フォトリソグラフィー技術によるパターニングを用いることにより、酸化亜鉛や窒化アルミなどの圧電膜１５を形成する。圧電膜１５の成膜時は、良好な膜質を得るために、基板温度を１５０℃以上に加熱するとよい。このとき、＜（１−ａ）犠牲層ベーク工程＞においてベークしたポリアミドイミド樹脂を犠牲層１８に用いているので、犠牲層１８からのアウトガスによる装置汚染、膜質異常なく圧電膜を形成することができる。【００４５】
圧電膜１５は、フォトレジストなどの樹脂をマスクとして、ウェットエッチングなどによりエッチングして、図２に示した形状に形成する。圧電膜１５が酸化亜鉛（ＺｎＯ）の場合は、燐酸と酢酸の混合水溶液などの酸性水溶液により容易に酸化亜鉛薄膜をエッチングすることができる。また、窒化アルミ（ＡｌＮ）の場合は、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）によりエッチングすることができる。このエッチングのマスクに、犠牲層材料と同じポリアミドイミド樹脂を用いてもよい。【００４６】
＜（５）上部電極膜形成工程＞  次に、圧電膜１５上に、下部電極膜１４と同様に、上部電極膜１６を形成する。このとき、図１及び図２に示すように、上部電極膜１６の一方端１６ａが犠牲層１８上に配置されるようにする。【００４７】
＜（６）エッチホール形成工程＞  次に、犠牲層１８を露出させる部分、すなわちエッチホール（図示せず）を形成する。フォトリソグラフィー技術によりフォトレジストなどをパターニングし、反応性イオンエッチングや、ウェットエッチングなどにより犠牲層１８上の誘電体膜１３を除去し、エッチホールを形成する。たとえば、誘電体膜１３に酸化珪素を用いた場合、ＣＦ４などのフッ素系のガスを用いて反応性イオンエッチングを行う。また、フッ酸などの溶液でウェットエッチングしてもよい。エッチング後には、フォトレジストなどのエッチマスクをアセトンなどの有機溶媒により除去する。酸素プラズマを用いたドライエッチングでもよい。【００４８】
＜（７）空隙形成工程＞  次に、犠牲層１８をエッチホールからエッチングし、空隙１１を形成する。犠牲層に酸化亜鉛を用いる場合は、酸性水溶液により犠牲層をエッチングしなければならない。そのため、Ａｌなど、酸によりエッチングされる電極を用いる場合は、フォトリソグラフィー技術によりフォトレジストなどをパターニングすることで、電極を保護する必要がある。一方、犠牲層にポリアミドイミドを用いた場合、ＮＭＰにより容易に犠牲層を除去することができる。ＮＭＰによりポリアミドイミドを除去し、洗浄、乾燥させ、犠牲層１８を除去して空隙１１を形成する。ＮＭＰによる犠牲層除去後に、酸素プラズマなどによるドライエッチを併用してもよい。【００４９】
なお、ＮＭＰの代わりに、ヒドロキシルアミン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミドのいずれでも、ポリアミドイミドを除去できる。【００５０】
以上のようにして作製された圧電薄膜共振子１０は、ベークしたポリアミドイミド樹脂を犠牲層に用いるため、犠牲層形成工程後において犠牲層からのアウトガスをなくすことができる。これによって、装置汚染などによる工程トラブルがなくなり、安定して共振子を製造することができる。【００５１】
また、ベークしたポリアミドイミド樹脂を用いるため、アウトガスがないので、成膜中にアウトガスを膜中に取り込むことによる膜質異常などの悪影響による共振子特性劣化を改善できる。【００５２】
また、ポリアミドイミド樹脂は、２８０℃程度で熱処理しても、容易にＮＭＰなどの溶媒で除去することができるので、空隙形成工程において、犠牲層をＮＭＰにより短時間で容易にウェットエッチングすることができる。また、ＮＭＰはＡｌやＣｕなどの電極、ＺｎＯやＡｌＮなどの圧電膜を浸食しないため、空隙形成工程において、共振子構成膜を浸食することがなく、安定して共振子を製造することができる。【００５３】
Ｓｉ基板上にポリアミドイミド、ポリイミド、ポリアミドの犠牲層を形成し、数種類の加熱温度によりベーク処理した試料をＮＭＰ液に浸漬して剥離性を評価した。ポリアミドイミドは加熱温度２８０℃であっても剥離しやすかったが、ポリイミド、ポリアミドはこのような高温処理では剥離性が低下した。しかし、２８０℃以上で長時間の熱負荷を加えると、ポリアミドイミドであっても自己架橋が進み容易に除去できない。したがって、ベークにおける加熱温度やその後の工程（例えば、圧電膜１５の成膜工程）での温度は、２８０℃以下にするのが好ましい。【００５４】
良好な共振特性を得るには、共振子構成膜を形成する面が平坦でなければならない。犠牲層としてＺｎＯを用いる場合、通常スパッタリング法により成膜される。その場合、ＺｎＯの表面粗さＲａは、２〜数ｎｍである。一方、ポリアミドイミド樹脂の表面粗さＲａは、０．２〜０．５ｎｍ程度と非常に平坦である。ポリアミドイミド樹脂の犠牲層の表面粗さＲａが２ｎｍ以下であると、共振子の特性を向上することができる。【００５５】
犠牲層表面にパーティクルなどの凹凸がある場合、電極や圧電膜にクラックが入り、耐電力性不良や絶縁抵抗不良などの素子不良が発生する。スパッタリング法によりＺｎＯを形成する場合、パーティクルが多数発生するため、素子不良が発生しやすい。一方、ポリアミドイミド樹脂の表面は非常に平滑であり、パーティクルの発生もないので、素子不良を低減することができる。【００５６】
（実施例２）  実施例２の圧電薄膜共振子１０ａについて、図３を参照しながら説明する。【００５７】
圧電薄膜共振子１０ａは、実施例１の圧電薄膜共振子１０と略同様に構成され、略同様に作製される。以下では、実施例１と同じ部分には同一の符号を用い、実施例１との相違点を中心に説明する。【００５８】
圧電薄膜共振子１０ａは、実施例１の圧電薄膜共振子１０と異なり、基板１２と下部電極膜１４との間に、誘電体膜が形成されていない。【００５９】
このような相違点があるため、圧電薄膜共振子１０ａの作製においては、実施例１において説明した＜（２）誘電体膜形成工程＞が不要である。また、＜（６）エッチホール形成工程＞を省くことができる。これにり、工程安定化、工数低減によるコストダウンが行える。また、共振特性を向上することができる。その他の工程は、実施例１と略同様である。【００６０】
ただし、＜（３）下部電極膜形成工程＞、＜（４）圧電膜形成工程＞、＜（５）上部電極膜形成＞の各工程において、誘電体膜がないため犠牲層は保護されないので、犠牲層のポリアミドイミド樹脂を溶解する有機溶剤を用いないようにする。＜（３）下部電極膜形成工程＞や＜（５）上部電極膜形成＞でのリフトオフや、＜（４）圧電膜形成工程＞でのマスク除去に、ポリアミドイミド樹脂が溶解しないアセトン等の非ＮＭＰ系の有機溶剤を用いる。【００６１】
（実施例３）  実施例３の圧電薄膜共振子１０ｂについて、図４を参照しながら説明する。【００６２】
圧電薄膜共振子１０ｂは、ＢＡＷ共振子の素子部が、他の機能デバイス３０上に作製されており、他の機能デバイス３０の機能を内蔵するようになっている。他の機能デバイス３０は、例えば、Ｓｉ基板上に形成したＬＣ回路や、ＧａＡｓ基板に作製した高周波デバイスなどや、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ）などのセラミック多層基板や、バランなどがである。【００６３】
圧電薄膜共振子１０ｂは、実施例２と同様に、ポリアミドイミドの犠牲層を用いて、他の機能デバイス３０上に、下部電極膜１４及び圧電膜１５、上部電極膜１６が形成され、振動部２０ｂが空隙１１ｂを介して他の機能デバイス３０から分離されている。【００６４】
犠牲層は、スピン塗布などにより平滑に形成することができ、凹凸のある面上にも容易に形成することができる。そのため、他の機能デバイス３０に凹凸があっても、その上にＢＡＷ共振子の素子部を作製することができる。そうすることで、圧電薄膜共振子１０ｂは、ＢＡＷ共振子やフィルタなどの他に周辺回路などを内蔵でき、高機能化・小型・低背化することができる。【００６５】
また、ＩＣやチップ型部品などの表面実装部品３２を搭載して凹凸を生じた他の機能デバイス３０上に、スピンコートなどにより平坦なポリアミドイミドを形成し、表面実装部品３２が埋め込まれた犠牲層を形成した上に素子部を形成した後、犠牲層を除去することによって、空隙１１ｂ内に表面実装部品３２を配置することができる。【００６６】
（まとめ）  犠牲層に用いるポリマー材料として、ポリアミドイミド樹脂を主成分とする有機材料を用いることによって、以下の効果が得られる。
（１）スピン塗布により、容易に、０．３〜数μｍの膜厚の犠牲層を形成したすることができる。
（２）犠牲層形成後、素子部形成前に、２８０℃程度のベークを行うことで、圧電膜成膜時の熱処理工程でもアウトガスがなく、設備を汚染することなく、良好な膜質の圧電膜を得ることができる。
（３）犠牲層のベーク後でも、ＮＭＰ、ヒドロキシルアミン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミドなどの有機溶剤により、容易に除去することができる。
（４）犠牲層の表面粗さＲａが０．４ｎｍ程度と非常に平坦になる。
（５）犠牲層は耐薬品性に優れるため、他の工程で腐食することなどがなく、所望する構造物を形成することできる。【００６７】
なお、本発明の電子部品の製造方法は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。【００６８】
本発明は、ＢＡＷ共振子以外に、センサやスイッチなどのＭＥＭＳ（マイクロマシン）技術を用いた電子部品など、種々の電子部品の製造に適用することができる。特に、圧電膜を有する電子部品に好適である。
【図１】
2006134744.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2006134744.tif 000007
【国際調査報告】
2006134744.tif 000008
2006134744.tif 000009