【事件の表示】
　特願２０１６−　５３６８５「炭化珪素半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　９月２１日出願公開、特開２０１７−１６８７１９、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２８年３月１７日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和元年８月２９日付け　：拒絶理由通知書
　令和元年１０月３１日　　：意見書及び手続補正書の提出
　令和２年３月２６日付け　：拒絶査定
　令和２年６月２３日　　　：審判請求書及び手続補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定（令和２年３月２６日付け拒絶査定）の概要は，本願の請求項１〜４に係る発明は，本願出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用例１に記載された発明及び引用例３〜４に記載された技術的事項に基づいて,又は，引用例２に記載された発明及び引用例３〜４に記載された技術的事項に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用例一覧
１．特開２０１２−１９０８６５号公報
２．特開２０１４−２２９７０８号公報
３．特開２０１５−１３５８９２号公報
４．特表２００８−５０３８９４号公報
第３　本願発明
　本願の請求項１〜３に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」〜「本願発明３」という。）は，令和２年６月２３日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定される発明であり，そのうちの請求項１に係る発明は，以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　炭化珪素からなる半導体基板に不純物を導入し，前記半導体基板のおもて面の表面層に不純物領域を形成する導入工程と，
　前記導入工程の後，前記半導体基板のおもて面を厚さ１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の酸化膜で覆う被覆工程と，
　前記半導体基板のおもて面を前記酸化膜で覆った状態で，酸素を含むガス雰囲気に前記酸化膜を晒して１５００℃以上の温度の熱処理により前記不純物を活性化させる活性化工程と，
　前記活性化工程の後，前記半導体基板のおもて面に絶縁ゲート構造を形成する工程を含み，
　前記絶縁ゲート構造のゲート絶縁膜として前記酸化膜を残すことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。」
　本願発明２〜３は，本願発明１を減縮したものである。
第４　引用例の記載と引用発明
１．引用例１について
（１）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１（特開２０１２−１９０８６５号公報）には，次の記載がある。
「【００３２】
　次に，本実施の形態におけるＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法について，図２〜図８を参照して説明する。図２を参照して，本実施の形態におけるＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法では，まず工程（Ｓ１１０）として炭化珪素基板準備工程が実施される。この工程（Ｓ１１０）では，図３を参照して，たとえば昇華法により製造されたインゴットをスライスして得られた炭化珪素基板１が準備される。
【００３３】
　次に，工程（Ｓ１２０）としてエピタキシャル成長工程が実施される。この工程（Ｓ１２０）では，図３を参照して，
エピタキシャル成長により炭化珪素基板１の一方の主面１Ａ上に炭化珪素からなるバッファ層２およびドリフト層３が順次形成される。これにより，炭化珪素からなる基板としてのエピタキシャル成長層付き基板８が得られる
【００３４】
　次に，
工程（Ｓ１３０）としてイオン注入工程が実施される
たとえばＡｌ（アルミニウム）イオンがドリフト層３に注入されることにより，ｐ型ボディ領域４が形成される
たとえばＰ（リン）イオンがｐ型ボディ領域４に注入されることにより，ｐ型ボディ領域４内にｎ＋領域５が形成される
たとえばＡｌイオンがｐ型ボディ領域４に注入されることにより，ｐ型ボディ領域４内にｐ＋領域６が形成される
【００３５】
　次に，工程（Ｓ１４０）として保護膜形成工程が実施される。この工程（Ｓ１４０）では，図５を参照して，
工程（Ｓ１３０）においてイオン注入が実施されたエピタキシャル成長層付き基板８の主面３Ａ上に二酸化珪素からなる保護膜８０が形成される
また，保護膜８０の厚みは，たとえば０．１μｍ以上１μｍ以下とすることができる
【００３６】
　次に，
工程（Ｓ１５０）として活性化アニール工程が実施される。この工程（Ｓ１５０）では，工程（Ｓ１４０）において保護膜８０が形成されたエピタキシャル成長層付き基板８が，酸素原子を含むガスを含有する雰囲気中において１６００℃以上の温度域に加熱される。これにより，工程（Ｓ１３０）においてイオン注入によりエピタキシャル成長層付き基板８に導入された不純物が活性化し，所望の導電型のｐ型ボディ領域４，ｎ＋領域５およびｐ＋領域６が得られる
【００３７】
　このとき，工程（Ｓ１５０）においてエピタキシャル成長層付き基板８が，たとえばアルゴンガス雰囲気中において加熱された場合，図６に示すように炭化珪素と二酸化珪素との線膨張係数の違い等に起因して保護膜８０に亀裂８０Ａが生じるおそれがある。この場合，エピタキシャル成長層付き基板８から離脱した珪素原子が当該亀裂８０Ａを通して雰囲気中に放出される。その結果，表面荒れが発生する。
【００３８】
　これに対し，
本実施の形態における工程（Ｓ１５０）では，エピタキシャル成長層付き基板８が酸素原子を含むガスを含有する雰囲気中において加熱される
図７に示すように，エピタキシャル成長層付き基板８と保護膜８０との境界部に二酸化珪素膜８２が形成されるとともに，二酸化珪素からなり亀裂８０Ａを充填（修復）する亀裂抑制部８１が形成される。これにより，亀裂８０Ａの発生や成長が抑制され，表面荒れの発生が低減される
【００３９】
　ここで，上記酸素原子を含むガスとしては，たとえば酸素ガス，オゾンガス，一酸化窒素ガス，二酸化窒素ガス，一酸化炭素ガスなどを採用することができる。酸素ガスは，安価で取り扱いも容易であるため，上記酸素原子を含むガスとして特に好適である。また，工程（Ｓ１５０）では，エピタキシャル成長層付き基板８が，酸素ガス雰囲気中，または酸素ガスとアルゴンガスとを含有し，残部不純物からなる雰囲気中において加熱されてもよい。
【００４０】
　また，工程（Ｓ１５０）では，エピタキシャル成長層付き基板８の加熱温度は１７００℃以下とすることが好ましい。エピタキシャル成長層付き基板８の加熱温度を１７００℃以下とすることにより，二酸化珪素からなる保護膜８０，二酸化珪素膜８２および亀裂抑制部８１によって表面荒れをより確実に抑制することができる。
【００４１】
　さらに，上記工程（Ｓ１４０）と（Ｓ１５０）とは単一の工程として実施されてもよい。具体的には，たとえばエピタキシャル成長層付き基板８を，酸素ガスとアルゴンガスとを含有し，残部不純物からなる雰囲気に調整された反応室内において１１００℃以上１６００℃以下の温度域に加熱して５分間以上１２０分間以下の時間保持することにより保護膜８０を形成した後，雰囲気を変化させることなく同一の反応室内において１６００℃以上１７００℃以下の温度域に加熱して１分間以上３０分間以下の時間保持することにより活性化アニールを実施する。このように工程（Ｓ１４０）と（Ｓ１５０）とを単一の工程として実施することにより，ＭＯＳＦＥＴ１００の製造プロセスを簡略化することができる。
【００４２】
　次に，
工程（Ｓ１６０）として保護膜除去工程が実施される。この工程（Ｓ１６０）では，保護膜８０が除去される
【００４３】
　次に，
工程（Ｓ１７０）として酸化膜形成工程が実施される。この工程（Ｓ１７０）では，図８を参照して，たとえば酸素雰囲気中において１３００℃に加熱して６０分間保持する熱処理が実施されることにより，酸化膜（ゲート酸化膜）９１が形成される
【００４４】
　次に，
工程（Ｓ１８０）として電極形成工程が実施される。図８および図１を参照して，この工程（Ｓ１８０）では，まず，たとえばＣＶＤ法，フォトリソグラフィおよびエッチングにより，高濃度に不純物が添加された導電体であるポリシリコンからなるゲート電極９３が形成される
（２）摘記の整理と引用発明１
　以上の摘記を整理すると，引用例１には，「ＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法」（段落００３２）について，次の事項が記載されているものと理解できる。
ア　エピタキシャル成長により炭化珪素基板１の一方の主面１Ａ上に炭化珪素からなるバッファ層２およびドリフト層３を順次形成することで，炭化珪素からなるエピタキシャル成長層付き基板８が得られること。（段落００３２）
イ　イオン注入工程として，エピタキシャル成長層付き基板８のドリフト層３にＡｌ（アルミニウム）イオンを注入して，ｐ型ボディ領域４を形成すること。さらに，Ｐ（リン）イオンをｐ型ボディ領域４に注入して，ｐ型ボディ領域４内にｎ＋領域５を形成し，Ａｌイオンをｐ型ボディ領域４に注入して，ｐ型ボディ領域４内にｐ＋領域６を形成すること。（段落００３３，００３４）
　上記によれば，引用例１には，炭化珪素からなるエピタキシャル成長層付き基板８のエピタキシャル成長層に不純物イオンを注入してｐ型ボディ領域４，ｎ＋領域５及びｐ＋領域６を形成するイオン注入工程が記載されていると理解できる。
ウ　保護膜形成工程として，イオン注入が実施されたエピタキシャル成長層付き基板８の主面３Ａ上に二酸化珪素からなる，厚みが０．１μｍ以上１μｍ以下の保護膜８０を形成すること。（段落００３５）
エ　活性化アニール工程として，保護膜８０が形成されたエピタキシャル成長層付き基板８を，酸素原子を含むガスを含有する雰囲気中において１６００℃以上の温度域に加熱し，イオン注入によりエピタキシャル成長層付き基板８に導入された不純物を活性化すること。（段落００３６）
オ　前記活性化アニール工程において，エピタキシャル成長層付き基板８と保護膜８０との境界部に二酸化珪素膜８２が形成されるとともに，二酸化珪素からなり亀裂８０Ａを充填する亀裂抑制部８１が形成されること。（段落００３８）
カ　保護膜除去工程として，保護膜８０を除去すること（段落００４２）
キ　保護膜除去工程の後に，酸化膜形成工程として，ゲート酸化膜９１を形成すること（段落００４３）
ク　酸化膜形成工程の後に，電極形成工程として，ゲート電極９３を形成すること。（段落００４４）
　上記ア〜クから，引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「炭化珪素からなるエピタキシャル成長層付き基板８のエピタキシャル成長層に不純物イオンを注入してｐ型ボディ領域４，ｎ＋領域５及びｐ＋領域６を形成するイオン注入工程と，
　イオン注入が実施された前記エピタキシャル成長層付き基板８の主面３Ａ上に二酸化珪素からなる，厚みが０．１μｍ以上１μｍ以下の保護膜８０を形成する保護膜形成工程と，
　前記保護膜８０が形成された前記エピタキシャル成長層付き基板８を，酸素原子を含むガスを含有する雰囲気中において１６００℃以上の温度域に加熱し，イオン注入により前記エピタキシャル成長層付き基板８に導入された不純物を活性化する活性化アニール工程と，
　前記保護膜８０を除去する保護膜除去工程と，
　前記保護膜除去工程の後，ゲート酸化膜９１を形成する酸化膜形成工程と，
　前記酸化膜形成工程の後，ゲート電極９３を形成する電極形成工程と，
を含み，前記活性化アニール工程において，前記エピタキシャル成長層付き基板８と前記保護膜８０との境界部に二酸化珪素膜８２が形成されるとともに，二酸化珪素からなり亀裂８０Ａを充填する亀裂抑制部８１が形成される，
　ＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法。」
２．引用例２について
（１）引用例２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例２（特開２０１４−２２９７０８号公報）には，次の記載がある。
「【００３３】
　他方，ＳｉＣ基板２の裏面には，ドレイン電極１８が形成されている。ドレイン電極１８は，裏面配線３０に接続されている。このように，縦型のＭＯＳＦＥＴ５を備えた半導体装置１が形成される。
　次に，図２および図３Ａ〜図３Ｆを参照して，
半導体装置１の製造方法を説明する
　図２は，図１の半導体装置１の製造工程を説明するための工程図であり，図３Ａ〜図３Ｆは，半導体装置１の製造工程を示す断面図である。
【００３４】
　半導体装置１を製造するには，たとえば，図３Ａに示すように，ｎ＋型のＳｉＣ基板２が準備される。次に，図３Ｂに示すように，ｎ型の不純物イオンを注入しながらＳｉＣがエピタキシャル成長されて，
ＳｉＣ基板２上にｎ−型のＳｉＣエピタキシャル層３が形成される
　次に，
ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に選択的に不純物イオンを注入する工程が行われる（Ｓ１：不純物イオン注入工程）
【００３５】
　次に，図３Ｃに示すように，ｎ＋型ソース領域６を形成すべき領域に選択的に開口を有するイオン注入マスク２２がＳｉＣエピタキシャル層３の表面に形成される。そして，イオン注入マスク２２を介してｎ型の不純物イオンがＳｉＣエピタキシャル層３に注入される。これにより，ｎ＋型ソース領域６が形成される。その後，イオン注入マスク２２は除去されて，図３Ｄに示すように，ＳｉＣ基板２が熱処理炉２３に載置される。
【００３６】
　
熱処理炉２３にＳｉＣ基板２が載置された後，１４００℃以上の温度の下，酸素原子を含むガス雰囲気中においてＳｉＣ基板２（ＳｉＣエピタキシャル層３）に熱処理が施される。この熱処理により，ＳｉＣエピタキシャル層３に注入された不純物イオンが活性化されると共に，ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に熱酸化膜２４が形成される（Ｓ２：不純物イオン活性化工程）
【００３７】
　
不純物イオン活性化工程（Ｓ２）における熱処理炉２３の温度条件は，具体的に，次のようになる
このとき，熱処理炉２３の温度は，１６００℃〜１８００℃であることが好ましい
　そして，１６００℃〜１８００℃の温度の下で，１ｍｉｎ〜３０ｍｉｎの間，ＳｉＣ基板２の熱処理が継続される。その後，熱処理炉２３は，１００℃／ｍｉｎ〜２００℃／ｍｉｎの降温速度で８００℃に至るまで冷却される。
【００３８】
　この不純物イオン活性化工程（Ｓ２）は，酸素原子を含むガス雰囲気の下で行われるので，ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に酸素原子が継続的に供給される。そのため，ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に熱酸化膜２４を確実に形成することができ，かつ，熱酸化膜２４が気化することを抑制することができる。この熱酸化膜２４は，たとえば，０．０５μｍ〜０．１μｍの膜厚に形成されることが好ましい。不純物イオン活性化工程（Ｓ２）が終了した後，ＳｉＣ基板２は，熱処理炉２３から取り出される。
【００３９】
　次に，
ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に形成された熱酸化膜２４が，エッチング処理により除去される（Ｓ３：エッチング工程）
　ウエットエッチングが使用される場合には，ＨＦ（フッ酸）を含むエッチング液を使用することが好ましい。ＨＦは，熱酸化膜２４をエッチング可能な液の中でも，熱酸化膜２４に対するエッチングレートが比較的に速い。そのため，エッチングの処理時間を短縮しつつ，製造コストを低減することができる。
【００４０】
　また，ケミカルドライエッチングを用いた場合においても，化学反応を用いて熱酸化膜２４をエッチングするので，熱酸化膜２４を除去する際に，前述のウエットエッチングの場合と同様に，ＳｉＣエピタキシャル層３の表面にエッチングダメージが発生することを抑制することができる。
　
次に，図３Ｅに示すように，ＳｉＣエピタキシャル層３の表面を酸化させて形成された薄い酸化膜２５上に，不純物イオンが注入されたポリシリコン層２６が形成される。そして，ゲート電極１０を形成すべき領域を覆うハードマスク（図示せず）がポリシリコン層２６上に選択的に形成されて，ポリシリコン層２６の不要な部分がエッチングされる。これにより，ゲート電極１０が形成される（Ｓ４：ゲート電極形成工程）
「【００５３】
　したがって，半導体装置１の構成によれば，良好なチャネル移動度を実現できると共に，ゲート酸化膜１１の劣化を抑制できるＭＯＳＦＥＴ５を提供することができる。
　次に，図５〜図６Ｂを参照して，
前述の第１実施形態に係る半導体装置１の製造工程の変形例について説明する
　図５は，図２の製造工程の変形例を説明するための工程図である。図６Ａおよび図６Ｂは，図５の半導体装置１の製造工程を説明するための断面図である。
【００５４】
　図５に係る半導体装置１の製造工程が前述の図２に係る半導体装置１の製造工程と相違する点は，不純物イオン活性化工程（Ｓ２）に先立って，前処理酸化膜形成工程（Ｓ７）が追加されている点である。その他の工程は，図２の場合と同様である。図５〜図６Ｂにおいて，前述の図１〜図３Ｆに示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して，説明を省略する。
【００５５】
　
第１実施形態の変形例に係る半導体装置１の製造工程では，図６Ａに示すように，不純物イオン活性化工程（Ｓ２）に先立って，ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に前処理酸化膜２８が形成される（Ｓ７：前処理酸化膜形成工程）。
　
前処理酸化膜２８は，拡散炉１２３内においてＳｉＣエピタキシャル層３の表面に熱酸化処理を施すことにより形成される
この際に形成される前処理酸化膜２８の膜厚は，たとえば，０．０５μｍ〜０．１μｍであることが好ましいが，この数値に限定されるものではなく，適宜変更可能である
【００５６】
　このように，酸素原子を含むガス雰囲気中で前処理酸化膜形成工程（Ｓ７）を行うことにより，ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に前処理酸化膜２８を効率的に形成できながら，形成された前処理酸化膜２８の気化を抑制することができる。
　
前処理酸化膜形成工程（Ｓ７）の後，図６Ｂに示すように，ＳｉＣ基板２が熱処理炉２３に載置される。熱処理炉２３にＳｉＣ基板２が載置された後，前述の第１実施形態と同様の条件の下，ＳｉＣ基板２（ＳｉＣエピタキシャル層３）に不純物イオン活性化工程（Ｓ２）が施される
【００５７】
　
この不純物イオン活性化工程（Ｓ２）では，ＳｉＣエピタキシャル層３に注入された不純物イオンが活性化されると共に
ＳｉＣエピタキシャル層３の表面がさらに酸化されて熱酸化膜２４が形成される。これにより，ＳｉＣエピタキシャル層３の表面には，熱酸化膜２４と前処理酸化膜２８とを一体的に含む複合酸化膜４０が形成される
【００５８】
　
不純物イオン活性化工程（Ｓ２）が終了した後は，前述の第１実施形態と同様にエッチング工程（Ｓ３）〜ドレイン電極形成工程（Ｓ６）が順に実施されて半導体装置１が製造される
次に，再度図６Ａを参照して，前処理酸化膜形成工程（Ｓ７）において拡散炉１２３に供給される酸素原子を含むガスの条件について説明する。」
（２）摘記の整理と引用発明２
　以上の摘記を整理すると，引用例２には，「半導体装置１の製造方法」（段落００３３）について，次の事項が記載されているものと理解できる。
ア　ＳｉＣ基板２上に形成されたＳｉＣエピタキシャル層３の表面に選択的に不純物イオンを注入する不純物イオン注入工程（Ｓ１）を行うこと。（段落００３４）
イ　ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に熱酸化処理を施すことにより，膜厚０．０５μｍ〜０．１μｍの前処理酸化膜２８を形成する，前処理酸化膜形成工程（Ｓ７）を行うこと。（段落００５５）
ウ　前処理酸化膜形成工程（Ｓ７）の後，１４００℃以上の温度の下，酸素原子を含むガス雰囲気中においてＳｉＣ基板２及びＳｉＣエピタキシャル層３に熱処理を行うことで，ＳｉＣエピタキシャル層３に注入された不純物イオンを活性化すること。また，活性化の温度として１６００℃〜１８００℃が好ましいこと。（段落００３６，００３７）
エ　上記ウの不純物イオンの活性化と共に，ＳｉＣエピタキシャル層３の表面がさらに酸化されて熱酸化膜２４が形成され，熱酸化膜２４と前処理酸化膜２８とを一体的に含む複合酸化膜４０が形成される，不純物イオン活性化工程（Ｓ２）を行うこと。（段落００３６，００５６，００５７）
オ　不純物イオン活性化工程（Ｓ２）が終了した後，ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に形成された熱酸化膜２４を，エッチング処理により除去する，エッチング工程（Ｓ３）を行うこと。（段落００５８，００３９）
　このとき，熱酸化膜２４の上層にある前処理酸化膜２８も同時に除去されることは明らかである。
カ　上記エッチング工程（Ｓ３）の後，ＳｉＣエピタキシャル層３の表面を酸化させて形成された薄い酸化膜２５上に，不純物イオンが注入されたポリシリコン層２６を形成し，ポリシリコン層２６の不要な部分をエッチングしてゲート電極１０を形成する，ゲート電極形成工程（Ｓ４）を行うこと。（段落００４０）
　上記ア〜カから，引用例２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
「ＳｉＣ基板２上に形成されたＳｉＣエピタキシャル層３の表面に選択的に不純物イオンを注入する不純物イオン注入工程（Ｓ１）と，
　前記ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に熱酸化処理を施すことにより，膜厚０．０５μｍ〜０．１μｍの前処理酸化膜２８を形成する，前処理酸化膜形成工程（Ｓ７）と，
　前記前処理酸化膜形成工程（Ｓ７）の後，１６００℃〜１８００℃の温度の下，酸素原子を含むガス雰囲気中において前記ＳｉＣ基板２及び前記ＳｉＣエピタキシャル層３に熱処理を行うことで，前記ＳｉＣエピタキシャル層３に注入された不純物イオンを活性化すると共に，ＳｉＣエピタキシャル層３の表面がさらに酸化されて熱酸化膜２４が形成され，前記熱酸化膜２４と前記前処理酸化膜２８とを一体的に含む複合酸化膜４０が形成される，不純物イオン活性化工程（Ｓ２）と，
　前記不純物イオン活性化工程（Ｓ２）が終了した後，ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に形成された前記熱酸化膜２４および前記前処理酸化膜２８を，エッチング処理により除去する，エッチング工程（Ｓ３）と，
　前記エッチング工程（Ｓ３）の後，前記ＳｉＣエピタキシャル層３の表面を酸化させて形成された薄い酸化膜２５上に，不純物イオンが注入されたポリシリコン層２６を形成し，ポリシリコン層２６の不要な部分をエッチングしてゲート電極１０を形成する，ゲート電極形成工程（Ｓ４）と，
　を含む半導体装置１の製造方法。」
３．引用例３について
（１）引用例３の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例３（特開２０１５−１３５８９２号公報）には，次の記載がある。
「【００１６】
　図２は，本実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法において，ドリフト層２を形成するまでを説明するための断面図である。まず，表面の面方位が（０００１）面であり，４Ｈのポリタイプを有するｎ型（第１導電型）で低抵抗の炭化珪素基板１を準備する。次に，
炭化珪素基板１の表面である（０００１）面上に，ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いたエピタキシャル成長により，例えば１〜２００μｍの厚さの炭化珪素からなるｎ型（第１導電型）のドリフト層２を形成する
「【００２３】
　図６に，本実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法において，熱処理時に用いる保護膜のうち熱酸化膜６が形成されるまでを説明するための断面図を示す。図５で得られた構造の，
ウェル領域３，ソース領域４，ウェルコンタクト用領域５を含むドリフト層２の表面に，７００〜１４００℃の範囲の温度での熱酸化処理によって熱酸化膜６を形成する
【００２４】
　熱酸化処理の雰囲気はドライＯ２でも，ウェット（水蒸気）Ｏ２でも良いし，ＮＯ，あるいはＮ２Ｏなどの酸窒化ガス雰囲気であっても良い。
熱酸化膜６の膜厚は，例えば５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であれば良い。ここで，熱酸化膜６の膜厚は後述するゲート絶縁膜１２の厚み以上とする
【００２５】
　図７に，本実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法において，熱処理時に用いる保護膜が形成されるまでを説明するための断面図を示す。
図６で得られた構造の熱酸化膜６上に，堆積法によって堆積絶縁膜１０を形成する
「【００２８】
　図７のように，
熱酸化膜６上に堆積絶縁膜１０が形成されて，熱酸化膜６と堆積絶縁膜１０からなる保護膜が形成される
【００２９】
　
次に，ドリフト層２，ウェル領域３，ソース領域４，ウェルコンタクト用領域５，熱酸化膜６，堆積絶縁膜１０が形成された炭化珪素基板１を，熱処理装置によって，例えばアルゴンなどの雰囲気中で，１３００〜２１００℃の範囲で熱処理（高温アニール）を行う。この熱処理により，イオン注入されたアルミニウムや窒素などの不純物が電気的に活性化される
【００３０】
　熱処理時の雰囲気ガスにはアルゴン，窒素などの不活性ガス雰囲気が好ましいが，水素，酸窒化などのガスであっても良い。
【００３１】
　また，熱処理時の温度は，１３００℃以上２１００℃以下であればよいが，好ましくは１５００℃以上１９００℃以下であればよい。１５００℃より低いと，イオン注入された不純物が電気的に十分活性化されず，また，１９００℃より高いと保護膜が昇華しやすくなり，熱処理時に堆積絶縁膜１０だけでなく熱酸化膜６も昇華されてしまう。熱酸化膜６の昇華が進むと，後述する所望の膜厚のゲート絶縁膜１２が形成できなくなってしまう。また，熱酸化膜６が全て消化されてしまうと，熱処理中にＳｉＣの表面荒れが生じて凹凸が発生する場合があるため，熱処理温度は１９００℃以下が望ましい。
【００３２】
　図８に，本実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法において，ゲート絶縁膜１２が形成されるまでを説明するための炭化珪素半導体装置の断面図を示す。
堆積絶縁膜１０をエッチングで除去することによって，熱酸化膜６の表面を露出させる
「【００３６】
　
堆積絶縁膜１０をエッチングする際には，熱酸化膜６までオーバーエッチングしてもよい。エッチング後の熱酸化膜６は，後述するようにゲート絶縁膜１２として用いられるが，熱酸化膜６のエッチング後の残膜厚を調整することにより，図８のように，所望の膜厚のゲート絶縁膜１２が形成される
【００３７】
　図９に，本実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法において，電極が形成されるまでを説明するための断面図を示す。
ゲート絶縁膜１２上に，多結晶珪素膜をＣＶＤ法によって形成し，フォトリソグラフィおよびエッチング技術によってパターニングすることにより，表面の電極であるゲート電極７を形成する
（２）引用例３に記載された技術的事項
　以上によれば，引用例３には，次の技術的事項が記載されているものと理解できる。
・炭化珪素半導体装置の製造方法において，炭化珪素基板にエピタキシャル成長されたドリフト層２の表面に熱酸化膜６を形成し，前記熱酸化膜６の上に堆積絶縁膜１０を形成し，前記熱酸化膜６及び前記堆積絶縁膜１０を保護膜として高温アニールを行うことで，イオン注入された不純物を電気的に活性化した後，前記堆積絶縁膜１０をエッチング除去し，前記熱酸化膜６をゲート絶縁膜として用いること。
４．引用例４について
（１）引用例４の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例４（特表２００８−５０３８９４号公報）には，次の記載がある。
段落００４５〜００４７，００４９〜００５０，００５３〜００５４
「【００４５】
　本発明のいくつかの実施形態の作製方法を説明する。図２から分かるように，
ｎ−エピタキシャル層１２がｎ＋炭化ケイ素基板１０の上に形成される
ついで，ｐ型エピタキシャル層１４が，ｎ−エピタキシャル層１２の上に成長される
【００４６】
　図３および４から分かるように，埋め込みｐ型領域１８およびソース領域２０は，ソース領域２０の位置に対応する開口を有するマスク層１００をパターニングすることにより形成することができる。
埋め込みｐ型領域１８は，パターニングされたマスク１００を用いてｐ型ドーパントをイオン注入することにより形成される
【００４７】
　図４から分かるように，
ソース領域２０を，パターニングされたマスク１００を利用してｐ型エピタキシャル層１４内にｎ型ドーパントを注入することにより形成することができる
「【００４９】
　図５および６から分かるように，マスク１１０が除去され，追加のマスク１１０が形成され，コンタクト領域１９に対応する開口を提供するようにパターニングされる。
ｐ型コンタクト領域１９が，パターニングされたマスク１３０を利用してイオン注入により形成される
【００５０】
　図７および８は，本発明のいくつかの実施形態のチャネル領域２１の形成を示している。図７から分かるように，マスク１１０が除去され，追加のマスク層１２０がコンタクト領域１９に対応する開口を有するようにパターニングされる。図８から分かるように，
チャネル領域２１は，パターニングされたマスク１２０を利用してｐ型エピタキシャル層１４内にｎ型ドーパントを注入することにより形成して，ｐ型エピタキシャル層１４を貫通してドリフト領域（例えば，ｎ型エピタキシャル層１２）まで延びるチャネル領域２１を形成することができる
「【００５３】
　
図９は，堆積された酸化物および／または他のパッシべーション材料で構成された追加のキャップ層１４０の形成を示している。キャップ層１４０は，約０．０１μｍから約１μｍの厚さを有することができる。キャップ層１４０が利用されていようとされていまいと，いずれにしてもデバイスは，いくつかの実施形態で約９００℃から約１８００℃の範囲の高温度アニール，いくつかの実施形態では５分など数分間約１６００℃にさらされ，ｎ型およびｐ型注入物が活性化されることがある
【００５４】
　図１０から分かるように，
アニールの後，キャップ層１４０がデバイスから取り除かれ，誘電体材料で構成された層３０’がデバイスの上に堆積されて，ゲート誘電体材料が提供される。あるいは，キャップ層１４０をゲート誘電体材料として使用することができる
いずれの場合においても，ゲートコンタクト２６は，ゲート誘電体材料の上に金属コンタクトを形成することにより形成することができる
（２）引用例４に記載された技術的事項
　以上によれば，引用例４には次の技術的事項が記載されているものと理解できる。
・炭化ケイ素デバイスの作成方法において，堆積された酸化物および／または他のパッシべーション材料で構成された約０．０１μｍから約１μｍの厚さの追加のキャップ層１４０を形成し，ｎ型およびｐ型注入物を活性化するアニールを行った後，当該キャップ層１４０をゲート誘電体材料として使用することができること。
第５　対比・判断
１．本願発明１について
（１）引用発明１との対比
　本願発明１と引用発明１を比較する。
ア　引用発明１における「炭化珪素からなるエピタキシャル成長層付き基板８」，「エピタキシャル成長層」及び「ｐ型ボディ領域４，ｎ＋領域５及びｐ＋領域６」が，本願発明１における「炭化珪素からなる半導体基板」，「半導体基板のおもて面の表面層」及び「不純物領域」に相当する。
イ　前記アから，引用発明１における「炭化珪素からなるエピタキシャル成長層付き基板８のエピタキシャル成長層に不純物イオンを注入してｐ型ボディ領域４，ｎ＋領域５及びｐ＋領域６を形成するイオン注入工程」が，本願発明１における「炭化珪素からなる半導体基板に不純物を導入し，前記半導体基板のおもて面の表面層に不純物領域を形成する導入工程」に相当する。
ウ　引用発明１における「二酸化珪素からなる」「保護膜８０」が，本願発明１における「酸化膜」に相当する。そうすると，引用発明１における「イオン注入が実施された前記エピタキシャル成長層付き基板８の主面３Ａ上に二酸化珪素からなる，厚みが０．１μｍ以上１μｍ以下の保護膜８０を形成する保護膜形成工程」は，本願発明１における「前記導入工程の後，前記半導体基板のおもて面を厚さ１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の酸化膜で覆う被覆工程」に対応し，両者は「酸化膜」（「二酸化珪素からなる」「保護膜８０」）の厚さが「１ｎｍ以上３０ｎｍ以下」である点を除き，一致する。
エ　引用発明１における「前記保護膜８０が形成された前記エピタキシャル成長層付き基板８を，酸素原子を含むガスを含有する雰囲気中において１６００℃以上の温度域に加熱し，イオン注入により前記エピタキシャル成長層付き基板８に導入された不純物を活性化する活性化アニール工程」は，本願発明１における「前記半導体基板のおもて面を前記酸化膜で覆った状態で，酸素を含むガス雰囲気に前記酸化膜を晒して１５００℃以上の温度の熱処理により前記不純物を活性化させる活性化工程」に相当する。
オ　引用発明１における「前記保護膜８０を除去する保護膜除去工程」「ゲート酸化膜９１を形成する酸化膜形成工程」及び「ゲート電極９３を形成する電極形成工程」が，本願発明１における「前記活性化工程の後，前記半導体基板のおもて面に絶縁ゲート構造を形成する工程」に対応し，両者は「前記絶縁ゲート構造のゲート絶縁膜として前記酸化膜を残すこと」を除き，一致する。
カ　引用発明１は「炭化珪素からなるエピタキシャル成長層付き基板８」を用いた「ＭＯＳＦＥＴ１００」の製造方法の発明であるから，本願発明１と引用発明１は，ともに「炭化珪素半導体装置の製造方法」である点で一致する。
　以上ア〜カによれば，本願発明１と引用発明１の一致点及び相違点は，以下のとおりとなる。
＜一致点＞
「炭化珪素からなる半導体基板に不純物を導入し，前記半導体基板のおもて面の表面層に不純物領域を形成する導入工程と，
　前記導入工程の後，前記半導体基板のおもて面を酸化膜で覆う被覆工程と，
　前記半導体基板のおもて面を前記酸化膜で覆った状態で，酸素を含むガス雰囲気に前記酸化膜を晒して１５００℃以上の温度の熱処理により前記不純物を活性化させる活性化工程と，
　前記活性化工程の後，前記半導体基板のおもて面に絶縁ゲート構造を形成する工程を含む，
　炭化珪素半導体装置の製造方法。」である点。
＜相違点１−１＞
　本願発明１では，「半導体基板のおもて面」を覆う酸化膜が「厚さ１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の酸化膜」であるのに対し，引用発明１では，「保護膜８０」（本願発明１の「酸化膜」に相当。）の厚さが「０．１μｍ以上１μｍ以下」である点。
＜相違点１−２＞
　本願発明１では，「前記絶縁ゲート構造のゲート絶縁膜として前記酸化膜を残す」のに対し，引用発明１では，「前記保護膜８０を除去する保護膜除去工程」を行い，「前記保護膜除去工程の後，ゲート酸化膜９１を形成する酸化膜形成工程」を行っている点。
（２）引用発明１との相違点についての判断
　事案に鑑み，まず相違点１−２から検討する。
　引用例３（上記第４の３．（２）を参照）及び引用例４（上記第４の４．（２）を参照）によれば，炭化珪素半導体装置の製造方法において，活性化アニールの際に保護膜として用いた膜の少なくとも一部をゲート絶縁膜に転用することは，当業者に周知の技術であったと理解できる。
　しかしながら，引用発明１における「保護膜８０」は，「二酸化珪素からなり亀裂８０Ａを充填する亀裂抑制部８１が形成され」たものであり，亀裂が生じていることが前提とされた膜である。そうすると，技術常識からみて，半導体層との界面状態が良好であることが必須であるゲート絶縁膜として，「亀裂抑制部８１」を含む「保護膜８０」を転用することには，阻害要因があると認められる。よって，引用発明１において上記相違点１−２に係る構成とすることは，引用例３及び引用例４に示される周知技術に照らしたとしても，容易になし得たとはいえない。
　したがって，相違点１−１について判断するまでもなく，本願発明１は，引用発明１及び引用例３及び引用例４に記載された技術的事項から当業者が容易に発明できたものとはいえない。
（３）引用発明２との対比
　本願発明１と引用発明２を比較する。
ア　引用発明２における「ＳｉＣ基板２」及び「ＳｉＣエピタキシャル層３」が，本願発明１における「炭化珪素からなる半導体基板」に相当し，引用発明２における「ＳｉＣエピタキシャル層３」は，「前記半導体基板のおもて面の表面層」に相当する。
イ　上記アから，引用発明２における「ＳｉＣ基板２上に形成されたＳｉＣエピタキシャル層３の表面に選択的に不純物イオンを注入する不純物イオン注入工程（Ｓ１）」が，本願発明１における「炭化珪素からなる半導体基板に不純物を導入し，前記半導体基板のおもて面の表面層に不純物領域を形成する導入工程」に相当する。
ウ　引用発明２における「前処理酸化膜２８」は，本願発明１における「酸化膜」に相当する。そうすると，引用発明２における「前記ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に熱酸化処理を施すことにより，膜厚０．０５μｍ〜０．１μｍの前処理酸化膜２８を形成する，前処理酸化膜形成工程（Ｓ７）」は，本願発明１における「前記導入工程の後，前記半導体基板のおもて面を厚さ１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の酸化膜で覆う被覆工程」に対応し，両者は，「酸化膜」（「前処理酸化膜２８」）の膜厚の点を除き，一致する。
エ　引用発明２における「不純物イオン活性化工程（Ｓ２）」のうち，「１６００℃〜１８００℃の温度の下，酸素原子を含むガス雰囲気中において前記ＳｉＣ基板２及び前記ＳｉＣエピタキシャル層３に熱処理を行うことで，前記ＳｉＣエピタキシャル層３に注入された不純物イオンを活性化する」ことは，本願発明１における「酸素を含むガス雰囲気」において「１５００℃以上の温度の熱処理により前記不純物を活性化させる」ことに相当する。
オ　引用発明２における「不純物イオン活性化工程（Ｓ２）」においては，「ＳｉＣエピタキシャル層３の表面がさらに酸化されて熱酸化膜２４が形成され，前記熱酸化膜２４と前記前処理酸化膜２８とを一体的に含む複合酸化膜４０が形成される」ことから，本願発明１の「活性化工程」と引用発明２の「不純物イオン活性化工程（Ｓ２）」は，ともに「前記半導体基板のおもて面を前記酸化膜で覆った状態で，酸素を含むガス雰囲気に前記酸化膜を晒して」いる点で一致する。
カ　上記エ，オから，本願発明１と引用発明２は，ともに「前記半導体基板のおもて面を前記酸化膜で覆った状態で，酸素を含むガス雰囲気に前記酸化膜を晒して１５００℃以上の温度の熱処理により前記不純物を活性化させる活性化工程」を有する点で一致する。
キ　引用発明２における「前記不純物イオン活性化工程（Ｓ２）が終了した後，ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に形成された前記熱酸化膜２４および前記前処理酸化膜２８を，エッチング処理により除去する，エッチング工程（Ｓ３）」と，「前記エッチング工程（Ｓ３）の後，前記ＳｉＣエピタキシャル層３の表面を酸化させて形成された薄い酸化膜２５上に，不純物イオンが注入されたポリシリコン層２６を形成し，ポリシリコン層２６の不要な部分をエッチングしてゲート電極１０を形成する，ゲート電極形成工程（Ｓ４）」は，本願発明１における「前記活性化工程の後，前記半導体基板のおもて面に絶縁ゲート構造を形成する工程」に対応し，両者は「前記絶縁ゲート構造のゲート絶縁膜として前記酸化膜を残すこと」を除き，一致する。
ク　引用発明２における「半導体装置１」は「ＳｉＣ基板２上に形成されたＳｉＣエピタキシャル層３」に形成されるものであるから，本願発明１と引用発明２は，ともに「炭化珪素半導体装置の製造方法」である点で一致する。
　以上ア〜クによれば，本願発明１と引用発明２の一致点及び相違点は，以下のとおりである。
＜一致点＞
　炭化珪素からなる半導体基板に不純物を導入し，前記半導体基板のおもて面の表面層に不純物領域を形成する導入工程と，
　前記導入工程の後，前記半導体基板のおもて面を酸化膜で覆う被覆工程と，
　前記半導体基板のおもて面を前記酸化膜で覆った状態で，酸素を含むガス雰囲気に前記酸化膜を晒して１５００℃以上の温度の熱処理により前記不純物を活性化させる活性化工程と，
　前記活性化工程の後，前記半導体基板のおもて面に絶縁ゲート構造を形成する工程を含む，
　炭化珪素半導体装置の製造方法。」である点。
＜相違点２−１＞
　本願発明１では，「半導体基板のおもて面」を覆う酸化膜が「厚さ１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の酸化膜」であるのに対し，引用発明２では，「前処理酸化膜２８」（本願発明１の「酸化膜」に相当。）の膜厚が「０．０５μｍ〜０．１μｍ」である点。
＜相違点２−２＞
　本願発明１では，「前記絶縁ゲート構造のゲート絶縁膜として前記酸化膜を残す」のに対し，引用発明２では，「ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に形成された前記熱酸化膜２４および前記前処理酸化膜２８を，エッチング処理により除去する，エッチング工程（Ｓ３）」の後，「前記ＳｉＣエピタキシャル層３の表面を酸化させて形成された薄い酸化膜２５上に，不純物イオンが注入されたポリシリコン層２６を形成し，ポリシリコン層２６の不要な部分をエッチングしてゲート電極１０を形成する，ゲート電極形成工程（Ｓ４）」を行っている点。
（４）引用発明２との相違点についての判断
　事案に鑑み，まず相違点２−２から検討する。
　上記第５の（２）でも述べたとおり，活性化アニールの際に保護膜として用いた膜の少なくとも一部をゲート絶縁膜に転用することは，引用例３及び引用例４に記載された，周知の技術であるといえる。
　一方，引用発明２は，保護膜として用いた熱酸化膜２４および前処理酸化膜２８を除去することが前提となっているため，活性化アニール時に形成される熱酸化膜２４の膜厚を制御することも，前処理酸化膜の膜厚をゲート絶縁膜に転用することを想定して設定することも特定されていない。
　そこで，引用例３及び引用例４の記載を検討する。
　引用例３には，熱酸化膜６と堆積絶縁膜１０からなる保護膜のうち，堆積絶縁膜１０を除去し，熱酸化膜６をオーバーエッチングして所望の膜厚のゲート絶縁膜とすることが記載されている（段落００３２，００３６）。しかしながら，引用発明２の熱酸化膜及び前処理酸化膜２８はともに熱酸化膜であり，複合酸化膜として一体のものと解されるから，積層膜を保護膜とする引用例３の技術を適用する動機がない。
　また，引用例４は，段落００５３〜００５４において，単にキャップ層１４０をゲート誘電体材料に転用できることが開示されているに止まり，どのようにしてゲート絶縁膜として転用するのかについての具体的な記載がない。そのため，除去することを前提として複合膜を形成している引用発明２において，ゲート絶縁膜として用いるための具体的な手段について説明されていない引用例４の技術的事項を適用する動機がない。
　よって，引用発明２において相違点２−２に係る構成とすることは，引用例３及び引用例４に記載された技術的事項から容易になし得たこととはいえない。
　したがって，相違点２−１について判断するまでもなく，本願発明１は，引用発明２及び引用例３〜４に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
（５）小括
　以上のとおり，本願発明１は，引用発明１及び引用例３〜４に記載された技術的事項に基づいて，又は，引用発明２及び引用例３〜４に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
２．本願発明２〜３について
　本願発明２〜３は本願発明１を減縮した発明であり，本願発明１と同じ技術的事項を備える発明であるから，本願発明１について上記１．の（２），（４）で示したのと同様の理由により，引用例１〜４から容易に発明をすることができたものとはいえない。
第６　原査定について
　審判請求時の補正により，本願発明１〜３は「前記絶縁ゲート構造のゲート絶縁膜として前記酸化膜を残す」という事項を有するものとなっており，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用例１〜４に基づいて，容易に発明をすることができたものとはいえない。したがって，原査定を維持することはできない。
第７　結言
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。