【手続補正書】
【提出日】令和1年8月22日(2019.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体と、第１の導電体と、第２の導電体と、第３の導電体と、第４の導電体と、第５の導電体と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第３の絶縁体と、を有し、
前記第２の絶縁体は、開口部を有し、
前記酸化物半導体は、前記開口部の底面より露出され、
前記第１の絶縁体は、前記開口部の側面と接する領域を有し、
前記第１の導電体は、前記第１の絶縁体を介して前記開口部の側面と面する領域を有し、
前記第２の導電体の側面の第１の領域は、前記第１の絶縁体と接する領域であり、
前記第３の導電体の側面の第２の領域は、前記第１の絶縁体と接する領域であり、
前記第２の導電体の底面及び側面の第３の領域は、前記第４の導電体と接する領域であり、
前記第３の導電体の底面及び側面の第４の領域は、前記第５の導電体と接する領域であり、
前記第３の絶縁体は、前記酸化物半導体と接する領域を有する、半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第３の絶縁体は、前記酸化物半導体の有する酸素以外の主成分元素の少なくとも一を有する、半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、第４の絶縁体は、前記第１の絶縁体と接する領域を有し、前記酸化物半導体の有する酸素以外の主成分元素の少なくとも一を有する、半導体装置。
【請求項４】
半導体と、第１の導電体と、第２の導電体と、第３の導電体と、第４の導電体と、第５の導電体と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第３の絶縁体と、を有し、
前記第２の絶縁体は、開口部を有し、
前記半導体は、前記開口部の底面より露出され、
前記第１の絶縁体は、前記開口部の側面と接する領域を有し、
前記第１の導電体は、前記第１の絶縁体を介して前記開口部の側面と面する領域を有し、
前記第２の導電体の側面の第１の領域は、前記第１の絶縁体と接する領域であり、
前記第３の導電体の側面の第２の領域は、前記第１の絶縁体と接する領域であり、
前記第２の導電体の底面及び側面の第３の領域は、前記第４の導電体と接する領域であり、
前記第３の導電体の底面及び側面の第４の領域は、前記第５の導電体と接する領域であり、
前記第３の絶縁体は、前記半導体と接する領域を有する、半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記第１の導電体は、トランジスタのゲート電極として機能する領域を有し、
前記トランジスタは、ゲート線幅が、３ｎｍ以上６０ｎｍ以下である、半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかにおいて、互いに向かい合う、前記第２の導電体の端部と前記第３の導電体の端部との距離が、５ｎｍ以上８０ｎｍ以下となる領域を有する、半導体装置。
【請求項７】
第１の絶縁体上に第２の絶縁体を成膜し、
前記第２の絶縁体上に酸化物半導体を成膜し、
前記酸化物半導体上に第３の絶縁体を成膜し、
前記第３の絶縁体上に、リソグラフィー法により、レジストマスクを形成し、
前記レジストマスクをエッチングマスクとして、前記第３の絶縁体の一部をエッチングすることで、前記第３の絶縁体に、前記酸化物半導体の上面を露出する開口部を形成し、
前記第３の絶縁体上および前記酸化物半導体の露出部上に第１の導電体を成膜し、
前記第１の導電体上に第２の導電体を成膜し、
前記第２の導電体および前記第１の導電体を研磨することで、前記第３の絶縁体を露出させ、前記第３の絶縁体の露出部をエッチングし、
前記第１の導電体および前記第２の導電体をエッチングマスクとして、前記酸化物半導体および前記第２の絶縁体を前記第１の絶縁体が露出するまでエッチングし、
前記第１の絶縁体上、前記第１の導電体上および前記第２の導電体上に第４の絶縁体を成膜し、
前記第４の絶縁体に、前記第２の導電体を露出する開口部を形成し、
前記第２の導電体に、前記第１の導電体を露出する開口部を形成することで前記第２の導電体を第１の導電体層と第２の導電体層に分離し、
前記第１の導電体に前記酸化物半導体を露出する開口部を形成することで前記第１の導電体を第３の導電体層と第４の導電体層に分離し、
前記第４の絶縁体上および前記酸化物半導体上に第５の絶縁体を成膜し、
前記第５の絶縁体上に第３の導電体を成膜し、
前記第３の導電体および前記第５の絶縁体を研磨することで前記第４の絶縁体を露出し、
前記第２の絶縁体は、前記酸化物半導体の有する酸素以外の主成分元素の少なくとも一を有する、半導体装置の作製方法。
【請求項８】
第１の絶縁体上に第２の絶縁体を成膜し、
前記第２の絶縁体上に酸化物半導体を成膜し、
前記酸化物半導体上に第３の絶縁体を成膜し、
前記第３の絶縁体上に、リソグラフィー法により、レジストマスクを形成し、
前記レジストマスクをエッチングマスクとして、前記第３の絶縁体の一部をエッチングすることで、前記第３の絶縁体に、前記酸化物半導体の上面を露出する開口部を形成し、
前記第３の絶縁体上および前記酸化物半導体の露出部上に第１の導電体を成膜し、
前記第１の導電体上に第２の導電体を成膜し、
前記第２の導電体および前記第１の導電体を研磨することで、前記第３の絶縁体を露出させ、
前記第３の絶縁体の露出部をエッチングし、
前記第１の導電体および前記第２の導電体をエッチングマスクとして、前記酸化物半導体および前記第２の絶縁体を前記第１の絶縁体が露出するまでエッチングし、
前記第１の絶縁体上、前記第１の導電体上および前記第２の導電体上に第４の絶縁体を成膜し、
前記第４の絶縁体に、前記第２の導電体を露出する開口部を形成し、
前記第２の導電体に、前記第１の導電体を露出する開口部を形成することで前記第２の導電体を第１の導電体層と第２の導電体層に分離し、
前記第１の導電体に前記酸化物半導体を露出する開口部を形成することで前記第１の導電体を第３の導電体層と第４の導電体層に分離し、
前記第４の絶縁体上および前記酸化物半導体上に第５の絶縁体を成膜し、
前記第５の絶縁体上に第６の絶縁体を成膜し、
前記第６の絶縁体上に第３の導電体を成膜し、
前記第３の導電体、前記第６の絶縁体および前記第５の絶縁体を研磨することで前記第４の絶縁体を露出し、
前記第２の絶縁体は、前記酸化物半導体の有する酸素以外の主成分元素の少なくとも一を有する、半導体装置の作製方法。
【請求項９】
第１の絶縁体上に第２の絶縁体を成膜し、
前記第２の絶縁体上に酸化物半導体を成膜し、
前記酸化物半導体上に第１の導電体を成膜し、
前記第１の導電体上に第３の絶縁体を成膜し、
前記第３の絶縁体上に、リソグラフィー法により、レジストマスクを形成し、
前記レジストマスクをエッチングマスクとして、前記第３の絶縁体の一部をエッチングすることで、前記第３の絶縁体に、前記第１の導電体の上面を露出する開口部を形成し、
前記第３の絶縁体上および少なくとも露出された前記第１の導電体上に第２の導電体を成膜し、
前記第２の導電体を研磨することで、前記第３の絶縁体を露出させ、前記第３の絶縁体の露出部および前記第１の導電体の一部をエッチングし、
前記第１の導電体および前記第２の導電体をエッチングマスクとして、前記酸化物半導体および前記第２の絶縁体を前記第１の絶縁体が露出するまでエッチングし、
前記第１の絶縁体上および前記第２の導電体上に第４の絶縁体を成膜し、
前記第４の絶縁体に、前記第２の導電体を露出する開口部を形成し、
前記第２の導電体に、前記第１の導電体を露出する開口部を形成することで前記第２の導電体を第１の導電体層と第２の導電体層に分離し、
前記第１の導電体に前記酸化物半導体を露出する開口部を形成することで前記第１の導電体を第３の導電体層と第４の導電体層に分離し、
前記第４の絶縁体上および前記酸化物半導体上に第５の絶縁体を成膜し、
前記第５の絶縁体上に第３の導電体を成膜し、
前記第３の導電体および前記第５の絶縁体を研磨することで前記第４の絶縁体を露出し、
前記第２の絶縁体は、前記酸化物半導体の有する酸素以外の主成分元素の少なくとも一を有する、半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
第１の絶縁体上に第２の絶縁体を成膜し、
前記第２の絶縁体上に酸化物半導体を成膜し、
前記酸化物半導体上に第１の導電体を成膜し、
前記第１の導電体上に第３の絶縁体を成膜し、
前記第３の絶縁体上に、リソグラフィー法により、レジストマスクを形成し、
前記レジストマスクをエッチングマスクとして、前記第３の絶縁体の一部をエッチングすることで、前記第３の絶縁体に、前記第１の導電体の上面を露出する開口部を形成し、
前記第３の絶縁体上および少なくとも露出された前記第１の導電体上に第２の導電体を成膜し、
前記第２の導電体を研磨することで、前記第３の絶縁体を露出させ、前記第３の絶縁体の露出部および前記第１の導電体の一部をエッチングし、
前記第１の導電体および前記第２の導電体をエッチングマスクとして、前記酸化物半導体および前記第２の絶縁体を前記第１の絶縁体が露出するまでエッチングし、
前記第１の絶縁体上および前記第２の導電体上に第４の絶縁体を成膜し、
前記第４の絶縁体に、前記第２の導電体を露出する開口部を形成し、
前記第２の導電体に、前記第１の導電体を露出する開口部を形成することで前記第２の導電体を第１の導電体層と第２の導電体層に分離し、
前記第１の導電体に前記酸化物半導体を露出する開口部を形成することで前記第１の導電体を第３の導電体層と第４の導電体層に分離し、
前記第４の絶縁体上および前記酸化物半導体上に第５の絶縁体を成膜し、
前記第５の絶縁体上に第６の絶縁体を成膜し、
前記第６の絶縁体上に第３の導電体を成膜し、
前記第３の導電体、前記第６の絶縁体および前記第５の絶縁体を研磨することで前記第４の絶縁体を露出し、
前記第２の絶縁体は、前記酸化物半導体の有する酸素以外の主成分元素の少なくとも一を有する、半導体装置の作製方法。