(57)【要約】  本発明は、高耐久性の低摩擦防汚層が形成された透明部材及びスキャナー用の読取ガラスを提供する。この透明部材は、表面の元素組成が、Ｆｅが０．１ａｔｍ％以下、Ｓｎが３ａｔｍ％以下である基材表面に、フッ素原子を含有する低摩擦防汚膜が形成されたことを特徴とする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の元素組成が、Ｆｅが０．１ａｔｍ％以下、Ｓｎが３ａｔｍ％以下である基材表面に、フッ素原子を含有する低摩擦防汚膜が形成されたことを特徴とする透明部材。
【請求項２】
前記低摩擦防汚膜が、フルオロアルキル基含有シラン化合物により形成されたものであることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の透明部材。
【請求項３】
前記低摩擦防汚膜を付与する前に、前記基材表面に活性化処理を施すことを特徴とする請求の範囲第１項又は第２項に記載の透明部材。
【請求項４】
前記活性化処理が、コロナ処理、プラズマ処理、大気圧プラズマ処理及び火炎処理から選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする請求の範囲第３項に記載の透明部材。
【請求項５】
前記基材が溶融フロートガラスであり、かつ該溶融フロートガラスのトップ面に、低摩擦防汚膜が形成されていることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第４項の何れか１項に記載の透明部材。
【請求項６】
請求の範囲第１項乃至第５項の何れか１項に記載の透明部材の低摩擦防汚膜が形成された面が通紙面であることを特徴とする読取ガラス。
【請求項７】
低摩擦防汚膜の形成された面とは反対の面に、帯電防止膜が形成されていることを特徴とする請求の範囲第６項に記載の読取ガラス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＰＰＣ複写機やスキャナー等に搭載される高耐久性の低摩擦防汚層を有する読み取り用の透明部材及び読取りガラスに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、原稿を光学的に読み取る読取装置（スキャナー等）において、原稿を焦点位置に正しく規制、配置させることを目的に、ガラス等の透明部材が用いられている。【０００３】
自動原稿搬送型複写機の搬送原稿読み取り用の透明部材としては、高表面滑性と低帯電性を兼ね備えたガラス部材が採用されるようになってきている。【０００４】
例えば、原稿を自動供給する際に、摩擦により発生する静電気やゴミにより給紙不良が発生するため、読取ガラスの表面にフッ素系の低摩擦防汚膜を形成して、低摩擦で、汚れが付着しないようにする技術が開示されている。【０００５】
しかし、繰り返し紙で擦られるような場合、低摩擦防汚膜が形成された基材表面には不純物等の影響により膜強度の弱い部分があり、繰り返し使用により膜剥がれが発生するため、磨耗に対し耐性を備えた低摩擦防汚膜が求められていた。【０００６】
かかる要求に対し、フロートガラスを用いた場合は、Ｓｎ含有量の少ないトップ面を選択し、フルオロアルキル基含有シラン化合物をその表面に付与することによる低摩擦防汚膜の高耐久化（例えば、特許文献１参照。）や、更には、ガラス基材の表面処理（酸処理、研磨、プラズマ処理、下地膜の形成など）によりシラノール基を増大させ、その上にフルオロアルキル基含有シラン化合物を付与することによる低摩擦防汚膜の結合力アップを行う技術（例えば、特許文献２参照。）が知られている。【０００７】
これらの従来技術では、ガラス基材上に滑り性や撥水性、防汚性等の機能を付与するには、不純物としてのＳｎ含有量を低減させることに、特に注目していた。【０００８】
しかしながら、本発明者らは、更に、低摩擦防汚膜の接着を阻害する因子として、Ｓｎ含有量以外に、もう一つの重要な因子があることを見いだし、本発明に至ったものである。
【特許文献１】特許第３１３０２４４号公報
【特許文献２】特開２００４−６７３９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、高耐久性の低摩擦防汚層が形成された透明部材及びスキャナー用の読取ガラスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の上記目的は、下記構成により達成された。【００１１】
１．表面の元素組成が、Ｆｅが０．１ａｔｍ％以下、Ｓｎが３ａｔｍ％以下である基材表面に、フッ素原子を含有する低摩擦防汚膜が形成されたことを特徴とする透明部材。【００１２】
２．前記低摩擦防汚膜が、フルオロアルキル基含有シラン化合物により形成されたものであることを特徴とする前記１に記載の透明部材。【００１３】
３．前記低摩擦防汚膜を付与する前に、前記基材表面に活性化処理を施すことを特徴とする前記１又は２に記載の透明部材。【００１４】
４．前記活性化処理が、コロナ処理、プラズマ処理、大気圧プラズマ処理及び火炎処理から選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする前記３に記載の透明部材。【００１５】
５．前記基材が溶融フロートガラスであり、かつ該溶融フロートガラスのトップ面に、低摩擦防汚膜が形成されていることを特徴とする前記１乃至４の何れか１項に記載の透明部材。【００１６】
６．前記１乃至５の何れか１項に記載の透明部材の低摩擦防汚膜が形成された面が通紙面であることを特徴とする読取ガラス。【００１７】
７．低摩擦防汚膜の形成された面とは反対の面に、帯電防止膜が形成されていることを特徴とする前記６に記載の読取ガラス。
【発明の効果】
【００１８】
本発明により、スキャナーや複写機などの、搬送原稿を読み取る画像形成装置の読取ガラスにおいて、原稿から発生する紙粉や、原稿に付着した粘着剤やゴミの読取ガラスへの付着により、スジノイズ等による複写画質が低下を防止することができ、優れた特徴としては２０万枚もの通紙にも耐える高耐久性能の低摩擦防汚膜を形成した読取ガラスを提供することができたことである。また、Ｆｅ含有量の少ない面を選ぶことで、赤外領域（高波長側）の画像読み取り力をアップすることもできた。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】２ステップ型の大気圧プラズマ装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】複写機の一例を示す断面構成図である。
【図３】搬送原稿読取部の読取ガラス近傍の拡大図である。
【符号の説明】
【００２０】
３、７  角形電極
４  基材
８  移動架台電極（第１電極）
９  支持台
１０  放電ガス
１１  薄膜形成ガス
１２  補助ガス
１３  放電ガス
１４  酸化ガス
３１、３３、３５  高周波電源
１００  画像形成装置
１３０、１３１  ミラーユニット
１３５  ＣＣＤ
Ａ  自動原稿搬送手段
Ｂ  読取部
Ｃ  画像制御手段
Ｄ  画像書き込み手段
Ｅ  画像形成手段
Ｆ  給紙手段
Ｇ１  読取ガラス
Ｇ２  プラテンガラス
Ｈ  定着手段
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を更に詳細に説明する。【００２２】
本発明は、スキャナーや複写機等の、搬送原稿を読み取る画像読取装置において、原稿に付着したゴミ、汚れ、粘着物や搬送時に発生する紙粉等が読取ガラスに付着して複写画質の低下を引き起こすことから、透明基材の表面のＦｅ含有量を特定の値以下として低摩擦防汚膜を形成することにより、耐久性の高い低摩擦防汚膜が得られ、汚れの付着を防止し、搬送性を向上した透明部材、特に読取ガラスを提供することができたものである。【００２３】
〈基材〉
本発明の透明部材としては、ガラス基材などの無機質の透明基材や、プラスチック基材などの有機質の透明基材が用いられる。前記ガラス基材としては、例えば、ソーダライムシリケートガラス基板などのアルカリ含有ガラス基板や、ホウケイ酸ガラス基板などの無アルカリガラス基板などが挙げられる。【００２４】
また、樹脂基材としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン類、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル或いはポリアリレート類、あるいはこれらの樹脂とシリカなどとの有機無機ハイブリッド樹脂等を挙げることが出来る。【００２５】
〈低摩擦防汚膜〉
本発明に係るフッ素原子を含有する低摩擦防汚膜は、好ましくはフッ素原子を含有する有機基を有する有機金属化合物により形成された薄膜であることが好ましい。【００２６】
本発明に好ましく用いられるフッ素原子を含有する有機基を有する有機金属化合物について、その詳細を以下に説明する。【００２７】
フッ素原子を含有する有機基を有する有機金属化合物において、フッ素原子を含有する有機基としては、フッ素原子を有するアルキル基、アルケニル基、アリール基等を有する有機基が挙げられるが、本発明に好ましく用いられるフッ素原子を含有する有機基を有する有機金属化合物としては、これらのフッ素原子を含有する有機基が、金属原子、例えば、珪素、チタン、ゲルマニウム、ジルコニウム、スズ、アルミニウム、インジウム、アンチモン、イットリウム、ランタニウム、鉄、ネオジウム、銅、ガリウム、ハフニウム等の金属に直接結合した有機金属化合物である。これらの金属のうちでは、珪素、チタン、ゲルマニウム、ジルコニウム、スズ等が更に好ましく、特に好ましいのは珪素、チタンである。これらのフッ素原子を含有する有機基は、金属化合物にいかなる形で結合していてもよく、例えば、シロキサン等複数の金属原子を有する化合物が、これらの有機基を有する場合、少なくとも１つの金属原子がフッ素原子を含有する有機基を有していれば良く、またその位置も問わない。【００２８】
上記のフッ素原子を含有する有機基を有する有機金属化合物を用いた薄膜形成方法によると、フッ素原子を含有する有機基を有する有機金属化合物が、シリカやガラス等の基板と結合を形成し易く、本発明の優れた効果を奏することができると推定している。【００２９】
本発明において用いられるフッ素原子を含有する有機基を有する有機金属化合物としては、下記一般式（１）で表される化合物が好ましい。【００３０】
【化１】
2007069494.tif 000002
【００３１】
上記一般式（１）において、ＭはＳｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、ＺｒまたはＳｎを表す。また、Ｒ1〜Ｒ6は各々水素原子または一価の基を表し、Ｒ1〜Ｒ6で表される基の少なくとも１つは、フッ素原子を含有する有機基であり、例えば、フッ素原子を含有するアルキル基、アルケニル基またはアリール基を有する有機基が好ましく、フッ素原子を含有するアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基等の基が、フッ素原子を含有するアルケニル基としては、例えば、３，３，３−トリフルオロ−１−プロペニル基等の基が、また、フッ素原子を含有するアリール基としては、例えば、ペンタフルオロフェニル基等の基が挙げられる。また、これらフッ素原子を含有するアルキル基、アルケニル基、またアリール基から形成されるアルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基等なども用いることができる。【００３２】
また、フッ素原子は、前記アルキル基、アルケニル基、アリール基等においては、骨格中の炭素原子のどの位置に任意の数結合していてもよいが、少なくとも１個以上結合していることが好ましい。また、アルキル基、アルケニル基骨格中の炭素原子は、例えば、酸素、窒素、硫黄等他の原子、また、酸素、窒素、硫黄等を含む２価の基、例えば、カルボニル基、チオカルボニル基等の基で置換されていてもよい。【００３３】
Ｒ1〜Ｒ6で表される基のうち、前記フッ素原子を有する有機基以外は、水素原子または１価の基を表し、１価の基としては、例えば、ヒドロキシ基、アミノ基、イソシアネート基、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基等の基が挙げられるが、これに限定されない。ｊは０〜１５０の整数を表し、好ましくは０〜５０、更に好ましいのはｊが０〜２０の範囲である。【００３４】
前記１価の基のうち、ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が好ましい。また、前記１価の基である前記アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基のうち、好ましいのは、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基である。【００３５】
また、Ｍで表される金属原子のうち、好ましいのは、Ｓｉ、Ｔｉである。【００３６】
前記１価の基は、更にその他の基で置換されていてもよく、特に限定されないが、好ましい置換基としては、アミノ基、ヒドロキシル基、イソシアネート基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、フェニル基等のアリール基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルカンアミド基、アリールアミド基、アルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル基、シリル基、アルキルシリル基、アルコキシシリル基等の基が挙げられる。【００３７】
また、前記フッ素原子を有する有機基、またはそれ以外のこれらＲ1〜Ｒ6で表される基は、Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｍ−（Ｍは、前記金属原子を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ１価の基を表し、１価の基としては前記フッ素原子を有する有機基またはＲ1〜Ｒ6として挙げられた前記フッ素原子を有する有機基以外の基を表す。）で表される基によって更に置換された複数の金属原子を有する構造であっても良い。これらの金属原子としては、Ｓｉ、Ｔｉなどが挙げられ、例えば、シリル基、アルキルシリル基、アルコキシシリル基等が挙げられる。【００３８】
前記Ｒ1〜Ｒ6において挙げられたフッ素原子を含有する基であるアルキル基、アルケニル基、またこれらから形成されるアルコキシ基、アルケニルオキシ基におけるアルキル基、アルケニル基としては、下記一般式（Ｆ）で表される基が好ましい。【００３９】
一般式（Ｆ）
Ｒｆ−Ｘ−（ＣＨ2）k−
上記一般式（Ｆ）において、Ｒｆは水素原子の少なくとも１つがフッ素原子により置換されたアルキル基、アルケニル基を表し、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロオクチル基、ヘプタフルオロプロピル基のようなパーフルオロアルキル基等の基、また、３，３，３−トリフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基等の基、また、１，１，１−トリフルオロ−２−クロルプロペニル基等のようなフッ素原子により置換されたアルケニル基が好ましく、中でも、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロオクチル基、ヘプタフルオロプロピル基等の基、また、３，３，３−トリフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基等の少なくとも２つ以上のフッ素原子を含有するアルキル基が好ましい。【００４０】
また、Ｘは単なる結合手または２価の基である、２価の基としては−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子またはアルキル基を表す）等の基、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯＮＨ−、−ＳＯ2ＮＨ−、−ＳＯ2−Ｏ−、−ＯＣＯＮＨ−、【００４１】
【化２】
2007069494.tif 000003
【００４２】
等の基を表す。【００４３】
ｋは０〜５０、好ましくは０〜３０の整数を表す。【００４４】
Ｒｆ中にはフッ素原子のほか、他の置換基が置換されていてもよく、置換可能な基としては、前記Ｒ1〜Ｒ6において置換基として挙げられた基と同様の基が挙げられる。また、Ｒｆ中の骨格炭素原子が他の原子、例えば、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ0−（Ｒ0は水素原子または置換もしくは非置換のアルキル基を表し、また前記一般式（Ｆ）で表される基であってもよい）、カルボニル基、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＳＯ2ＮＨ−等の基によって一部置換されていてもよい。【００４５】
前記一般式（１）で表される化合物のうち、好ましいのは下記一般式（２）で表される化合物である。【００４６】
一般式（２）
［Ｒｆ−Ｘ−（ＣＨ2）k］q−Ｍ（Ｒ10）r（ＯＲ11）t
一般式（２）において、Ｍは前記一般式（１）と同様の金属原子を表し、Ｒｆ、Ｘは前記一般式（Ｆ）におけるＲｆ、Ｘと同様の基を表し、ｋについても同じ整数を表す。Ｒ10はアルキル基、アルケニル基を、またＲ11はアルキル基、アルケニル基、アリール基を表し、それぞれ、前記一般式（１）のＲ1〜Ｒ6の置換基として挙げた基と同様の基により置換されていてもよいが、好ましくは、非置換のアルキル基、アルケニル基を表す。また、ｑ＋ｒ＋ｔ＝４であり、ｑ≧１、またｔ≧１である。また、ｒ≧２の時２つのＲ10は連結して環を形成してもよい。【００４７】
一般式（２）のうち、更に好ましいものものは、下記一般式（３）で表される化合物である。【００４８】
一般式（３）
Ｒｆ−Ｘ−（ＣＨ2）k−Ｍ（ＯＲ12）3
上記一般式（３）において、Ｒｆ、Ｘまたｋは、前記一般式（２）におけるものと同義である。また、Ｒ12も、前記一般式（２）におけるＲ11と同義である。また、Ｍも前記一般式（２）におけるＭと同様であるが、特に、Ｓｉ、Ｔｉが好ましく、最も好ましいのはＳｉである。【００４９】
本発明において、フッ素原子を含有する有機基を有する有機金属化合物の他の好ましい例は、下記一般式（４）で表される化合物が挙げられる。【００５０】
【化３】
2007069494.tif 000004
【００５１】
上記一般式（４）において、Ｒ1〜Ｒ6は、各々前記一般式（１）におけるＲ1〜Ｒ6と同義である。ここにおいても、Ｒ1〜Ｒ6の少なくとも１つは、前記フッ素原子を有する有機基であり、前記一般式（Ｆ）で表される基が好ましい。Ｒ7は水素原子、または置換もしくは非置換のアルキル基を表す。また、ｊは０〜１００の整数を表し、好ましくは０〜５０、最も好ましいのはｊが０〜２０の範囲である。【００５２】
本発明において用いられる他の好ましいフッ素原子を有する化合物として、下記一般式（５）で表されるフッ素原子を含有する有機基を有する有機金属化合物がある。【００５３】
一般式（５）
［Ｒｆ−Ｘ−（ＣＨ2）k−Ｙ］m−Ｍ（Ｒ8）n（ＯＲ9）p
一般式（５）において、ＭはＩｎ、Ａｌ、Ｓｂ、ＹまたはＬａを表す。Ｒｆ、Ｘは前記一般式（Ｆ）におけるＲｆ、Ｘと同様の基を表し、Ｙは単なる結合手または酸素を表す。ｋについても同じく０〜５０の整数を表し、好ましくは３０以下の整数である。Ｒ9はアルキル基またはアルケニル基を、またＲ8はアルキル基、アルケニル基またはアリール基を表し、それぞれ、前記一般式（１）のＲ1〜Ｒ6の置換基として挙げた基と同様の基により置換されていてもよい。また、一般式（５）において、ｍ＋ｎ＋ｐ＝３であり、ｍは少なくとも１であり、ｎは０〜２を、またｐも０〜２の整数を表す。ｍ＋ｐ＝３、即ちｎ＝０であることが好ましい。【００５４】
本発明において用いられる他の好ましいフッ素原子を含有する化合物として、下記一般式（６）で表されるフッ素原子を有する有機基を有する有機金属化合物がある。【００５５】
一般式（６）
Ｒｆ1（ＯＣ3Ｆ6）m1−Ｏ−（ＣＦ2）n1−（ＣＨ2）p1−Ｚ−（ＣＨ2）q1−Ｓｉ−（Ｒ2）3
一般式（６）において、Ｒｆ1は炭素数１〜１６の直鎖状又は分岐状のパーフルオロアルキル基、Ｒ2は加水分解基、Ｚは−ＯＣＯＮＨ−又は−Ｏ−を表し、ｍ１は１〜５０の整数、ｎ１は０〜３の整数、ｐ１は０〜３の整数、ｑ１は１〜６の整数を表し、６≧ｎ１＋ｐ１＞０である。【００５６】
Ｒｆ1に導入しうる直鎖状又は分岐状のパーフルオロアルキル基の炭素数は、１〜１６がより好ましく、１〜３が最も好ましい。従って、Ｒｆ1としては、−ＣＦ3、−Ｃ2Ｆ5、−Ｃ3Ｆ7等が好ましい。【００５７】
Ｒ2に導入しうる加水分解基としては、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＯＲ11、−ＯＣＯＲ11、−ＣＯ（Ｒ11）Ｃ＝Ｃ（Ｒ12）2、−ＯＮ＝Ｃ（Ｒ11）2、−ＯＮ＝ＣＲ13、−Ｎ（Ｒ12）2、−Ｒ12ＮＯＣＲ11などが好ましい。Ｒ11はアルキル基などの炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を、またはフェニル基などの炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ12は水素原子またはアルキル基などの炭素数１〜５の脂肪族炭化水素を表し、Ｒ13はアルキリデン基などの炭素数３〜６の二価の脂肪族炭化水素基を表す。これらの加水分解基の中でも、−ＯＣＨ3、−ＯＣ2Ｈ5、−ＯＣ3Ｈ7、−ＯＣＯＣＨ3及び−ＮＨ2が好ましい。【００５８】
上記一般式（６）におけるｍ１は１〜３０であることがより好ましく、５〜２０であることが更に好ましい。ｎ１は１または２であることがより好ましく、ｐ１は１または２であることがより好ましい。また、ｑ１は１〜３であることがより好ましい。【００５９】
本発明において用いられる他の好ましいフッ素原子を有する化合物として、前記一般式（７）で表されるフッ素原子を含有する有機基を有する有機金属化合物がある。【００６０】
【化４】
2007069494.tif 000005
【００６１】
一般式（７）において、Ｒｆは炭素数１〜１６の直鎖状または分岐状パーフルオロアルキル基、Ｘはヨウ素原子または水素原子、Ｙは水素原子または低級アルキル基、Ｚはフッ素原子またはトリフルオロメチル基、Ｒ21は加水分解可能な基、Ｒ22は水素原子または不活性な一価の有機基を表し、ａ、ｂ、ｃ、ｄはそれぞれ０〜２００の整数、ｅは０または１、ｍおよびｎは０〜２の整数、ｐは１〜１０の整数を表す。【００６２】
前記一般式（７）において、Ｒｆは、通常、炭素数１〜１６の直鎖状または分岐状パーフルオロアルキル基であり、好ましくは、ＣＦ3基、Ｃ2Ｆ5基、Ｃ3Ｆ7基である。Ｙにおける低級アルキル基としては、通常、炭素数１〜５のものが挙げられる。【００６３】
Ｒ21の加水分解可能な基としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、Ｒ23Ｏ基、Ｒ23ＣＯＯ基、（Ｒ24）2Ｃ＝Ｃ（Ｒ23）ＣＯ基、（Ｒ23）2Ｃ＝ＮＯ基、Ｒ25Ｃ＝ＮＯ基、（Ｒ24）2Ｎ基、及びＲ23ＣＯＮＲ24基が好ましい。ここで、Ｒ23はアルキル基等の通常は炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基またはフェニル基等の通常は炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基、Ｒ24は水素原子またはアルキル基等の通常は炭素数１〜５の低級脂肪族炭化水素基、Ｒ25はアルキリデン基等の通常は炭素数３〜６の二価の脂肪族炭化水素基である。さらに好ましくは、塩素原子、ＣＨ3Ｏ基、Ｃ2Ｈ5Ｏ基、Ｃ3Ｈ7Ｏ基である。【００６４】
Ｒ22は水素原子または不活性な一価の有機基であり、好ましくは、アルキル基等の通常は炭素数１〜４の一価の炭化水素基である。ａ、ｂ、ｃ、ｄは各々０〜２００の整数であり、好ましくは１〜５０である。ｍおよびｎは、各々０〜２の整数であり、好ましくは０である。ｐは１または２以上の整数であり、好ましくは１〜１０の整数であり、さらに好ましくは１〜５の整数である。また、数平均分子量は５×１０2〜１×１０5であり、好ましくは１×１０3〜１×１０4である。【００６５】
また、前記一般式（７）で表されるシラン化合物の好ましい構造のものとして、ＲｆがＣ3Ｆ7基であり、ａが１〜５０の整数であり、ｂ、ｃ及びｄがいずれも０であり、ｅが１であり、Ｚがフッ素原子であり、ｎが０である化合物である。【００６６】
本発明に好ましく用いられるフッ素を含有する有機基を有する有機金属化合物、及び前記一般式（１）〜（７）で表される化合物の代表的化合物例を以下に挙げるが、本発明ではこれらの化合物に限定されるものではない。【００６７】
１：（ＣＦ3ＣＨ2ＣＨ2）4Ｓｉ
２：（ＣＦ3ＣＨ2ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2
３：（Ｃ8Ｆ17ＣＨ2ＣＨ2）Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3
４：ＣＨ2＝ＣＨ2Ｓｉ（ＣＦ3）3
５：（ＣＨ2＝ＣＨ2ＣＯＯ）Ｓｉ（ＣＦ3）3
６：（ＣＦ3ＣＨ2ＣＨ2）2ＳｉＣｌ（ＣＨ3）
７：Ｃ8Ｆ17ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（Ｃｌ）3
８：（Ｃ8Ｆ17ＣＨ2ＣＨ2）2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）2
９：ＣＦ3ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
１０：ＣＦ3ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣｌ3
１１：ＣＦ3（ＣＦ2）3ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣｌ3
１２：ＣＦ3（ＣＦ2）5ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣｌ3
１３：ＣＦ3（ＣＦ2）5ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
１４：ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣｌ3
１５：ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
１６：ＣＦ3（ＣＦ2）8ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3
１７：ＣＦ3（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3
１８：ＣＦ3（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）3
１９：ＣＦ3（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9）3
２０：ＣＦ3（ＣＦ2）5（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3
２１：ＣＦ3（ＣＦ2）5（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）3
２２：ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3
２３：ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）3
２４：ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＯＣＨ3）（ＯＣ3Ｈ7）2
２５：ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＯＣＨ3）2ＯＣ3Ｈ7
２６：ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣＨ3（ＯＣＨ3）2
２７：ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣＨ3（ＯＣ2Ｈ5）2
２８：ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣＨ3（ＯＣ3Ｈ7）2
２９：（ＣＦ3）2ＣＦ（ＣＦ2）8（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
３０：Ｃ7Ｆ15ＣＯＮＨ（ＣＨ2）3Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3
３１：Ｃ8Ｆ17ＳＯ2ＮＨ（ＣＨ2）3Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3
３２：Ｃ8Ｆ17（ＣＨ2）2ＯＣＯＮＨ（ＣＨ2）3Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
３３：ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）（ＯＣＨ3）2
３４：ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）（ＯＣ2Ｈ5）2
３５：ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）（ＯＣ3Ｈ7）2
３６：ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2Ｓｉ（Ｃ2Ｈ5）（ＯＣＨ3）2
３７：ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2Ｓｉ（Ｃ2Ｈ5）（ＯＣ3Ｈ7）2
３８：ＣＦ3（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）（ＯＣＨ3）2
３９：ＣＦ3（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）（ＯＣ2Ｈ5）2
４０：ＣＦ3（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）（ＯＣ3Ｈ7）2
４１：ＣＦ3（ＣＦ2）5（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）（ＯＣＨ3）2
４２：ＣＦ3（ＣＦ2）5（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）（ＯＣ3Ｈ7）2
４３：ＣＦ3（ＣＦ2）2Ｏ（ＣＦ2）3（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7）3
４４：Ｃ7Ｆ15ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）3Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3
４５：Ｃ8Ｆ17ＳＯ2Ｏ（ＣＨ2）3Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3
４６：Ｃ8Ｆ17（ＣＨ2）2ＯＣＨＯ（ＣＨ2）3Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
４７：ＣＦ3（ＣＦ2）5ＣＨ（Ｃ4Ｈ9）ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
４８：ＣＦ3（ＣＦ2）3ＣＨ（Ｃ4Ｈ9）ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
４９：（ＣＦ3）2（ｐ−ＣＨ3−Ｃ6Ｈ5）ＣＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
５０：ＣＦ3ＣＯ−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
５１：ＣＦ3（ＣＦ2）3ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）Ｃｌ
５２：ＣＦ3ＣＨ2ＣＨ2（ＣＨ3）Ｓｉ（ＯＣＨ3）2
５３：ＣＦ3ＣＯ−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ3）3
５４：ＣＦ3ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）Ｃｌ2
５５：（ＣＦ3）2（ｐ−ＣＨ3−Ｃ6Ｈ5）ＣＯＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
５６：（ＣＦ3）2（ｐ−ＣＨ3−Ｃ6Ｈ5）ＣＯＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣ6Ｈ5）3
５７：（ＣＦ3Ｃ2Ｈ4）（ＣＨ3）2Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ3）3
５８：（ＣＦ3Ｃ2Ｈ4）（ＣＨ3）2Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（ＣＦ3Ｃ2Ｈ4）（ＣＨ3）2
５９：ＣＦ3（ＯＣ3Ｆ6）24−Ｏ−（ＣＦ2）2−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
６０：ＣＦ3Ｏ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）mＣＦ2ＣＯＮＨＣ3Ｈ6Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3  （ｍ＝１１〜３０）、
６１：（Ｃ2Ｈ5Ｏ）3ＳｉＣ3Ｈ6ＮＨＣＯＣＦ2Ｏ（ＣＦ2Ｏ）n（ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）pＣＦ2ＣＯＮＨＣ3Ｈ6Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3  （ｎ／ｐ＝約０．５、数平均分子量＝約３０００）
６２：Ｃ3Ｆ7−（ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2）ｑ−Ｏ−（ＣＦ2）2−［ＣＨ2ＣＨ｛Ｓｉ−（ＯＣＨ3）3｝］9−Ｈ  （ｑ＝約１０）
６３：Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）15ＣＦ（ＣＦ3）ＣＯＮＨＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3
６４：Ｆ（ＣＦ2）4［ＣＨ2ＣＨ（Ｓｉ（ＯＣＨ3）3）］2.02ＯＣＨ3
６５：（Ｃ2Ｈ5Ｏ）3ＳｉＣ3Ｈ6ＮＨＣＯ−［ＣＦ2（ＯＣ2Ｆ4）10（ＯＣＦ2）6ＯＣＦ2］−ＣＯＮＨＣ3Ｈ6Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3
６６：Ｃ3Ｆ7（ＯＣ3Ｆ6）24Ｏ（ＣＦ2）2ＣＨ2ＯＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
６７：ＣＦ3（ＣＦ2）3（Ｃ6Ｈ4）Ｃ2Ｈ4Ｓｉ（ＯＣＨ3）3
６８：（ＣＦ3）2ＣＦ（ＣＦ2）6ＣＨ2ＣＨ2ＳｉＣＨ3（ＯＣＨ3）2
６９：ＣＦ3（ＣＦ2）3（Ｃ6Ｈ4）Ｃ2Ｈ4ＳｉＣＨ3（ＯＣＨ3）2
７０：ＣＦ3（ＣＦ2）5（Ｃ6Ｈ4）Ｃ2Ｈ4Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3
７１：ＣＦ3（ＣＦ2）3Ｃ2Ｈ4Ｓｉ（ＮＣＯ）3
７２：ＣＦ3（ＣＦ2）5Ｃ2Ｈ4Ｓｉ（ＮＣＯ）3
７３：Ｃ9Ｆ19ＣＯＮＨ（ＣＨ2）3Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3
７４：Ｃ9Ｆ19ＣＯＮＨ（ＣＨ2）3ＳｉＣｌ3
７５：Ｃ9Ｆ19ＣＯＮＨ（ＣＨ2）3Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3
７６：Ｃ3Ｆ7Ｏ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）2−ＣＦ（ＣＦ3）−ＣＯＮＨ（ＣＨ2）Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3
７７：ＣＦ3Ｏ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）6ＣＦ2ＣＯＮＨ（ＣＨ2）3ＳｉＯＳｉ（ＯＣ2Ｈ5）2（ＣＨ2）3ＮＨＣＯＣＦ2（ＯＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3））6ＯＣＦ3
７８：Ｃ3Ｆ7ＣＯＯＣＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）2ＯＳｉ（ＣＨ3）2ＣＨ2ＯＣＯＣ3Ｆ7
７９：ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）3Ｓｉ（ＣＨ3）2ＯＳｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）3ＯＣＨ2ＣＨ2（ＣＦ2）7ＣＦ3
８０：ＣＦ3（ＣＦ2）5ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2ＯＳｉ（ＣＨ3）2（ＯＣ2Ｈ5）
８１：ＣＦ3（ＣＦ2）5ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2ＯＳｉ（ＣＨ3）（ＯＣ2Ｈ5）2
８２：ＣＦ3（ＣＦ2）5ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2ＯＳｉ（ＣＨ3）2ＯＳｉ（ＣＨ3）2（ＯＣ2Ｈ5）
上記例示した化合物の他には、フッ素置換アルコキシシランとして、
８３：（パーフルオロプロピルオキシ）ジメチルシラン
８４：トリス（パーフルオロプロピルオキシ）メチルシラン
８５：ジメチルビス（ノナフルオロブトキシ）シラン
８６：メチルトリス（ノナフルオロブトキシ）シラン
８７：ビス（パーフルオロプロピルオキシ）ジフェニルシラン
８８：ビス（パーフルオロプロピルオキシ）メチルビニルシラン
８９：ビス（１，１，１，３，３，４，４，４−オクタフルオロブトキシ）ジメチルシラン
９０：ビス（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロポキシ）ジメチルシラン
９１：トリス（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロポキシ）メチルシラン
９２：テトラキス（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロポキシ）シラン
９３：ジメチルビス（ノナフルオロ−ｔ−ブトキシ）シラン
９４：ビス（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロポキシ）ジフェニルシラン
９５：テトラキス（１，１，３，３−テトラフルオロイソプロポキシ）シラン
９６：ビス〔１，１−ビス（トリフルオロメチル）エトキシ〕ジメチルシラン
９７：ビス（１，１，１，３，３，４，４，４−オクタフルオロ−２−ブトキシ）ジメチルシラン
９８：メチルトリス〔２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１，１−ビス（トリフルオロメチル）プロポキシ〕シラン
９９：ジフェニルビス〔２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）−１−トリルエトキシ〕シラン
等の化合物や、以下の化合物、
１００：（ＣＦ3ＣＨ2）3Ｓｉ（ＣＨ2−ＮＨ2）
１０１：（ＣＦ3ＣＨ2）3Ｓｉ−Ｎ（ＣＨ3）2【００６８】
【化５】
2007069494.tif 000006
【００６９】
更に、【００７０】
【化６】
2007069494.tif 000007
【００７１】
等のシラザン類や、
１０６：ＣＦ3ＣＨ2−ＣＨ2ＴｉＣｌ3
１０７：ＣＦ3（ＣＦ2）3ＣＨ2ＣＨ2ＴｉＣｌ3
１０８：ＣＦ3（ＣＦ2）5ＣＨ2ＣＨ2Ｔｉ（ＯＣＨ3）3
１０９：ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2ＴｉＣｌ3
１１０：Ｔｉ（ＯＣ3Ｆ7）4
１１１：（ＣＦ3ＣＨ2−ＣＨ2Ｏ）3ＴｉＣｌ3
１１２：（ＣＦ3Ｃ2Ｈ4）（ＣＨ3）2Ｔｉ−Ｏ−Ｔｉ（ＣＨ3）3
等のフッ素を有する有機チタン化合物、また、以下のようなフッ素含有有機金属化合物を例として挙げることができる。【００７２】
１１３：ＣＦ3（ＣＦ2）3ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）3ＧｅＣｌ
１１４：ＣＦ3（ＣＦ2）3ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2Ｇｅ（ＯＣＨ3）3
１１５：（Ｃ3Ｆ7Ｏ）2Ｇｅ（ＯＣＨ3）2
１１６：［（ＣＦ3）2ＣＨＯ］4Ｇｅ
１１７：［（ＣＦ3）2ＣＨＯ］4Ｚｒ
１１８：（Ｃ3Ｆ7ＣＨ2ＣＨ2）2Ｓｎ（ＯＣ2Ｈ5）2
１１９：（Ｃ3Ｆ7ＣＨ2ＣＨ2）Ｓｎ（ＯＣ2Ｈ5）3
１２０：Ｓｎ（ＯＣ3Ｆ7）4
１２１：ＣＦ3ＣＨ2ＣＨ2Ｉｎ（ＯＣＨ3）2
１２２：Ｉｎ（ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣ3Ｆ7）3
１２３：Ａｌ（ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣ3Ｆ7）3
１２４：Ａｌ（ＯＣ3Ｆ7）3
１２５：Ｓｂ（ＯＣ3Ｆ7）3
１２６：Ｆｅ（ＯＣ3Ｆ7）3
１２７：Ｃｕ（ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣ3Ｆ7）2
１２８：Ｃ3Ｆ7（ＯＣ3Ｆ6）24Ｏ（ＣＦ2）2ＣＨ2ＯＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3【００７３】
【化７】
2007069494.tif 000008
【００７４】
これら具体例で挙げられた各化合物は、東レ・ダウコーニングシリコーン（株）、信越化学工業（株）、ダイキン工業（株）（例えば、オプツールＤＳＸ）、旭ガラス社（例えば、サイトップ）また、Ｇｅｌｅｓｔ  Ｉｎｃ．ソルベイ  ソレクシス（株）（例えば、Ｆｌｕｏｒｏｌｉｎｋ  Ｓ１０）等により上市されており、容易に入手することができる他、例えば、Ｊ．Ｆｌｕｏｒｉｎｅ  Ｃｈｅｍ．，７９（１）．８７（１９９６）、材料技術，１６（５），２０９（１９９８）、Ｃｏｌｌｅｃｔ．Ｃｚｅｃｈ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，４４巻，７５０〜７５５頁、Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９０年，１１２巻，２３４１〜２３４８頁、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１０巻，８８９〜８９２頁，１９７１年、米国特許第３，６６８，２３３号明細書等、また、特開昭５８−１２２９７９号、特開平７−２４２６７５号、特開平９−６１６０５号、同１１−２９５８５号、特開２０００−６４３４８号、同２０００−１４４０９７号等の各公報に記載の合成方法、あるいはこれに準じた合成方法により製造することができる。【００７５】
本発明においては、これらのフッ素原子を含有する有機基を有する有機金属化合物を用いて、薄膜を基材上に形成する。これらの有機金属化合物を主成分とする原料を用いるとは、膜形成に係わる原料中、これらの成分が５０質量％以上含まれることであり、好ましくは７０質量％以上含まれることである。【００７６】
これらのフッ素原子を含有する有機基を有する有機金属化合物を用いて透明基材表面にフッ素原子を含有する低摩擦防汚膜を塗設する方法としては、スピンコート塗布、ディップ塗布、エクストルージョン塗布、ロールコート塗布スプレー塗布、グラビア塗布、ワイヤーバー塗布、エアナイフ塗布等、特に制限されないが、フッ素原子を含有する有機基を有する有機金属化合物を溶剤で希釈し、その中にガラス基材を浸積して塗布するディップコート法が簡便であり好ましい。【００７７】
本発明においては、フッ素原子を含有する低摩擦防汚膜は基材の少なくとも１面に、他の層を介さず塗設されていればよく、両面にフッ素原子含有膜が塗設されていてもよい。前記ディップコート法を用いると両面同時に塗設することができる。【００７８】
更に、本発明においては、特定のフッ素原子含有層を透明基材の１面に付与する前に該透明基材の表面をコロナ処理、プラズマ処理、大気圧プラズマ処理及び火炎処理から選ばれる少なくとも一つの活性化処理を施すことが好ましく、特に、後述する大気圧プラズマ処理或いはコロナ放電処理を行うことにより、フッ素原子含有膜の耐久性を著しく向上する効果が得られる。【００７９】
また、本発明において、透明部材を読取ガラスとして用いる場合は、低摩擦防汚膜を塗設する前に、原稿と接触する面（以下、通紙面ともいう）とは反対の面に、帯電防止用透明導電膜を形成し、その後低摩擦防汚膜をディップ法により両面に形成することが好ましい。通紙面とは反対の面に透明導電膜を形成したものであっても、背面電極効果により表面帯電抑制効果を有するものである。【００８０】
即ち、表面帯電状態では、表面から垂直に（アースに向かって）電気力線が立つが、背面に導電層があることにより、その電気力線が背面に向う（下に潜る）ことによって、表面の帯電が無くなるために、ゴミなどの静電的な吸着を抑制することができる。【００８１】
この帯電防止用透明導電膜は、アースが取られていることが好ましい。使用される透明導電膜としては、酸化インジウム、錫をドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）或いは酸化錫膜等が好ましく、これらの面積抵抗は１×１０9Ω／□以下であることが更に好ましく、特に１×１０6Ω／□以下であることが好ましい。これらの膜は真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法や後述する大気圧プラズマ法等により被着させることが好ましい。【００８２】
従来技術では、上記の様な透明導電膜は軟らかいため、その上に低摩擦層を形成しても透明導電膜ごと剥離されることがあったが、本発明の好ましい形態においては、膜面強度の低い透明導電膜をガラス基材の裏面（通紙面とは反対面）に形成し、ガラス基材の通紙面（原稿との接触面）に本発明の低摩擦防汚膜を付与することにより、低帯電でトナーや紙粉を寄せ付けず、かつ低摩擦で、膜強度が強い、汚れにくく、搬送性に優れ、高耐久性の読取ガラスを提供することができた。【００８３】
透明基材の表面に低摩擦防汚膜や透明導電膜を形成する前に基材表面をコロナ処理、プラズマ処理、大気圧プラズマ処理及び火炎処理から選ばれる少なくとも一つの活性化処理を行うことが好ましい。特に後述する大気圧プラズマ処理或いはコロナ放電処理を行うことによりフッ素原子含有膜の耐久性を著しく向上する効果が得られる。【００８４】
《ＸＰＳの測定》
本発明における表面の元素組成は、ＸＰＳ表面分析装置を用いて測定することができる。ＸＰＳ表面分析装置としては、いかなる機種も使用することができるが、本発明の実施例においてはＶＧサイエンティフィック社製ＥＳＣＡＬＡＢ−２００Ｒを用い、試料と検出器のなす角（テイクオフアングル）を３０°、スポット径１ｍｍφにして、検出深さを最表面数ｎｍとして測定した。【００８５】
基材表面のＳｎ量を０．１〜３ａｔｍ％以下とするためには、溶融フロート法により形成されたガラスにおいては、通常トップ面を選択することにより目的の範囲とすることができるが、前述の表面活性化処理を比較的長時間行うことにより表面のＳｎ濃度を低下することもできる。【００８６】
《大気圧プラズマ法》
ガラス基材表面の活性化処理やガラス基材の裏面に透明導電膜を形成する際に好ましく用いられる大気圧プラズマ法について、図を用いて説明する。【００８７】
図１は、２ステップ型の大気圧プラズマ装置の一例を示す概略構成図である。工程１（図中、一点鎖線で囲まれた領域）では、移動架台電極（第１電極）８と角形電極（第２電極）３により対向電極（放電空間）が形成され、該電極間に高周波電界が印加され、放電ガス１０、薄膜形成ガス１１及び補助ガス１２を含有するガス１がガス供給管１５を通して供給され、角形電極３に形成されたスリット５を通り放電空間に流出し、ガス１を放電プラズマにより励起し、移動架台電極８上に置かれた基材４の表面を励起されたガス１（図中、３７）に晒すことにより、基材表面に薄膜が形成される。【００８８】
次に、基材４は、移動架台電極８と共に工程２（図中、二点鎖線で囲まれた領域）に除々に移動する。【００８９】
工程２では、移動架台電極（第１電極）８と角形電極（第３電極）７とにより対向電極（放電空間）が形成され、該対向電極間に高周波電界が印加され、放電ガス１３及び酸化性ガス１４を含有するガス２がガス供給管１６を通して供給され、角形電極７に形成されたスリット６を通り放電空間に流出し、放電プラズマにより励起され、移動架台電極８上に置かれた基材４の表面を励起されたガス２（図中、３８）に晒すことにより、基材表面の薄膜が酸化処理される。移動架台電極８には支持台９上を往復移動、停止することが可能な移動手段（不図示）を有している。【００９０】
また、ガス２の温度を調整するため、供給パイプ１６の途中に温度調節手段１７を有することが好ましい。【００９１】
この工程１の薄膜形成工程と工程２の酸化処理工程間を移動架台により往復移動を繰り返すことにより、所望の膜厚を有する薄膜を形成することができる。【００９２】
第１電極（移動架台電極）８には第１電源３１が接続され、第２電極３には第２電源３３が接続され、それらの電極と電源の間には各々第１フィルター３２と第２フィルター３４が接続されている。第１フィルター３２は第１電源３１からの周波数の電流を通過しにくくし、第２電源３３からの周波数の電流を通過し易くし、また、第２フィルター３４はその逆で、第２電源３３からの周波数の電流を通過しにくくし、第１電源３１からの周波数の電流を通過し易くするというそれぞれの機能が備わったフィルターを使用する。【００９３】
図１の大気圧プラズマ処理装置の工程１では、第１電極８と第２電極３から構成され対向電極間に、第１電極８には第１電源３１からの周波数ω１、電界の強さＶ１、電流Ｉ１の第１の高周波電界が印加され、また第２電極３には第２電源３３からの周波数ω２、電界の強さＶ２、電流Ｉ２の第２の高周波電界が印加されるようになっている。第１電源３１は第２電源３３より高い高周波電界の強さ（Ｖ１＞Ｖ２）を印加出来、また第１電源８の第１の周波数ω１は第２電源３３の第２の周波数ω２より低い周波数を印加出来る。【００９４】
同様に、工程２では第１電極８と第３電極７から構成されている対向電極間に、第１電極８からは第１電源３１からの周波数ω１、電界の強さＶ１、電流Ｉ１の第１の高周波電界が印加され、また第３電極７からは第３電源３５からの周波数ω３、電界の強さＶ３、電流Ｉ３の第３の高周波電界が印加されるようになっている。【００９５】
第１電源３１は第３電源３５より高い高周波電界の強さ（Ｖ１＞Ｖ３）を印加出来、また第１電源８の第１の周波数ω１は第３電源３５の第２の周波数ω３より低い周波数を印加出来る。【００９６】
また、図１に前述の高周波電界の強さ（印加電界強度）と放電開始電界の強さＩＶ１の測定に使用する測定器を示した。２５及び２６は高周波電圧プローブであり、２７及び２８はオシロスコープである。【００９７】
上述の様に、対向電極を形成する角形電極３と移動架台電極８には周波数の異なる２種の高周波電界を重畳することにより、窒素ガスのような安価なガスを用いても良好なプラズマ放電を形成することが可能であり、その後速やかに酸化雰囲気での処理を施すことにより、優れた性能を有する薄膜を形成することが可能である。【００９８】
勿論、放電ガス、補助ガス、薄膜形成ガスの選択により、高周波電界を重畳することなく、１個の高周波電源によって大気圧プラズマ処理を行うことも可能である。【００９９】
また、ガラス基材の表面を大気圧プラズマにより活性化処理する場合は、工程１のみで高周波電界を印可し、薄膜形成ガスを供給せず、放電ガス、補助ガスを選択することにより行うことができる。【０１００】
次に、本発明の読取ガラスを用いた画像形成装置について説明する。【０１０１】
図２は、画像形成装置の一例を示す断面構成図である。【０１０２】
図２において、画像形成装置１００内には裏側枠体（図示せず）と左右の枠体１０１Ａ、１０１Ｂが設けられており、画像形成装置１００の骨格を形成している。枠体１０１Ａ、１０１Ｂには、自動原稿搬送手段Ａと、自動原稿搬送手段Ａにより搬送される原稿の画像を読み取るための読取部Ｂと、読み取った原稿画像を処理する画像制御基板Ｃと、感光体１１０、露光装置Ｄと帯電電極１１４とからなる静電潜像形成装置、現像装置１１６、クリーニング装置１２１等を含む画像形成手段Ｅと、記録紙Ｐを収納する給紙手段Ｆとが設けられている。【０１０３】
自動原稿搬送手段Ａは、原稿載置台１２６と、ローラＲ１を含むローラ群および原稿の移動通路を切り替えるための切換手段等（参照記号なし）を含む原稿搬送処理部２８とを主要素とする。【０１０４】
読取部Ｂは、本発明に係る読取ガラスＧ１及びプラテンガラスＧ２が設けられており、その下には光路長を一定に保つように往復移動できる２つのミラーユニット１３０、１３１、結像レンズ１３３、ライン状のＣＣＤ１３５から構成されている。【０１０５】
プラテンガラスＧ２上に置かれた原稿の読取には、露光手段Ｌ、ミラーユニット１３０、１３１が相対移動することにより、固定された原稿を走査読取りすることができる。【０１０６】
一方、自動原稿搬送手段Ａの原稿載置台２６上に載置された原稿は、原稿搬送処理部１２８によって１枚目が搬送され、ローラＲ１と読取ガラスＧ１との間を通過中に、露光手段Ｌにより露光が行われ、原稿からの反射光は、固定されたミラーユニット１３０、１３１及び結像レンズ１３３を経て固定されたＣＣＤ１３５上に入射する。１枚目が読み取られた後、順次原稿が搬送され読取が行われる。【０１０７】
読取部Ｂで読み取られた画像情報は、画像制御手段Ｃにより処理され、符号化されて画像制御手段Ｃ上に設けてあるメモリーに格納される。【０１０８】
画像データに従って、画像書き込み手段Ｄにおける半導体レーザが駆動され、回転多面鏡の回転で感光体１１０上に走査露光が行われる。【０１０９】
画像形成において、矢印方向（反時計方向）に回転する感光体１１０は、帯電電極１１４のコロナ放電作用により所定の表面電位を付与され、画像書き込み手段Ｄにより露光され、感光体１１０上に静電潜像が形成される。感光体１１０上の静電潜像は現像装置１１６により反転現像され、トナー像が形成される。【０１１０】
記録紙Ｐは、感光体１１０上のトナー像形成と同期を取って回転するレジストローラＲ１０により搬送される。【０１１１】
転写領域において、感光体１１０上のトナー像は転写電極により静電的に記録紙Ｐ上に転写され、次いで、当該記録紙Ｐは分離電極により除電されて感光体１１０から分離される。【０１１２】
定着手段Ｈは加熱ローラ、加圧ローラ及びクリーニング手段Ｚを有し、定着手段の加圧、加熱により、トナー像は記録紙Ｐ上に溶融定着され、当該記録紙Ｐは、排紙ローラを経て排紙トレイＴ上に排紙される。【０１１３】
図３は、本発明に係る読取ガラスＧ１近傍の拡大断面図である。ローラＲ１は原稿を読取ガラスＧ１に圧接しながら搬送し、露光手段Ｌにより露光され、反射光がミラーユニット１３０．１３１を通り、不図示の結像レンズを経てＣＣＤに入射する。【０１１４】
本発明の読取ガラスは、少なくとも画像形成装置の画像読取部やスキャナーにおける搬送原稿読取部の読取ガラスに適用することを要件とし、通紙面（原稿と接触する面）は原稿との接触摩擦が繰り返し行われることから、本発明の低摩擦防汚層とすることにより、紙粉等の汚れの発生を防止するとともに、低付着性とすることにより、粘着物等の付着を防止し、汚れの低減を図り、且つ長期に亘り低摩擦防汚性を維持することができることを見いだしたものである。【０１１５】
また、本発明の読取ガラスはプラテンガラスＧ２にも適用することが好ましい。【０１１６】
更に、本発明においては、読取ガラスの原稿との接触面（通紙面）とは反対の面に透明導電膜を形成することが好ましく、透明導電膜を形成することにより、摩擦帯電を防止し、静電気による紙粉等の付着を防止することができる。
【実施例】
【０１１７】
以下の様にして、各読取ガラスを作製した。【０１１８】
ガラス基材：市販の３ｍｍ厚、化学強化ガラスを用いた。各々のガラス表面のＦｅ濃度を分析した。【０１１９】
また、ガラス基材の表面を、後述するコロナ放電処理又は大気圧プラズマによる活性化処理を行った。各試料におけるＦｅの濃度及び表面の活性化処理の組合せを表１に示す。【０１２０】
表面の元素組成の測定には、ＸＰＳ表面分析装置としてＶＧサイエンティフィック社製ＥＳＣＡＬＡＢ−２００Ｒを用いて測定した。試料と検出器のなす角（テイクオフアングル）を３０°、スポット径１ｍｍφとして、検出深さを最表面数ｎｍとして測定した。【０１２１】
各ガラス基材の両面にディップコート法により下記のフッ素原子含有膜を付与した。【０１２２】
フッ素原子含有膜を形成するシランカップリング剤としては、ダイキン社製オプツールＤＳＸを住友３Ｍ社製ＨＦＥ−７１００で０．１％に希釈し、該溶液中にガラス基材を浸積し、液滴を切り乾燥した。【０１２３】
化学強化ガラスのトップ面、ボトム面を区別する方法としては、前述のＸＰＳ表面分析装置による表面Ｓｎ濃度を測定する方法（通常、トップ面はＳｎ濃度が０．１〜１．０ａｔｍ％、ボトム面がＳｎ濃度が３．０ａｔｍ％以上）や、暗所で紫外光をガラス面に当てて、白濁して見える面をボトム面と判断する方法等用いることができる。【０１２４】
ガラス基材の表面活性化処理として、コロナ放電処理は春日電機社製ＡＰ−４００を用い、ギャップ３ｍｍで３０秒間の処理を行った。【０１２５】
また、実施例７は、実施例１と同じガラス基材を用い、後述する大気圧プラズマ法によりボトム面に透明導電膜としてＳｎＯ2膜を１０ｎｍ製膜した後、実施例１と同様にしてディップ法により両面に低摩擦防汚層を形成した。【０１２６】
ガラス基材の表面活性化処理として、下記に大気圧プラズマ法による処理を示す。【０１２７】
《大気圧プラズマによるガラス基材表面の活性化処理》
ガラス基材表面の活性化処理は図１の大気圧プラズマ装置を用いて、下記条件で工程１のみの処理を行った。【０１２８】
（電源条件）
重畳する電源：
高周波電源１：パール工業製高周波電源、電界周波数ω２：１３．５６ＭＨｚ、出力密度：１１Ｗ／ｃｍ2
高周波電源２：ハイデン研究所製インパルス高周波電源、電界周波数ω１：１００ｋＨｚ、出力密度：１６Ｗ／ｃｍ2
（電極条件）
第１電極の移動架台電極および第２電極の角形電極は角状の中空のチタンパイプに対し、誘電体としてセラミック溶射加工を行い作製した。【０１２９】
誘電体厚み：１ｍｍ
電極巾：４０ｍｍ
印加電極温度：９０℃
電極間ギャップ（図１中、Ｇ１）：４．５ｍｍ
（ガス条件）
放電ガス  Ｎ2：２０ｓｌｍ
補助ガス  Ｏ2：１ｓｌｍ
〈移動架台電極〉
移動架台電極の温度：２００℃
工程１の移動架台電極８には高周波電源１（図１中、電源３１）を接続し、角形電極３に高周波電源２（図１中、電源３３）を接続した。移動速度１００ｍｍ／ｓｅｃで各回数の往復処理を行った。【０１３０】
《大気圧プラズマによる透明導電性ＳｎＯ2膜の形成》
図１に示す大気圧プラズマ装置を用いて、２ステップ（工程１、工程２）製膜により透明導電膜の形成を行った。【０１３１】
工程１の角型電極３と工程２の角形電極７を並列に接続して電源の高圧側を接続し、移動架台電極８には電源の低圧側を接続した。図１において、電源として高周波電源３１のみを用いたものである。下記工程１の還元条件で薄膜を形成した後、直ちに工程２の酸化処理を行った。工程１、工程２を繰り返し、１０ｎｍのＳｎＯ2薄膜を形成した。【０１３２】
〔工程１：製膜工程〕
電源（パール工業性高周波電源）
ω：２７ＭＨｚ、出力密度：４．７Ｗ／ｃｍ2
電極間ギャップ：１．０ｍｍ
（ガス１条件）
テトラメチルスズ気化用Ａｒガス：０．２Ｌ／ｍｉｎ、１５℃
放電ガス：Ａｒ、９０Ｌ／ｍｉｎ
還元性ガス：Ｈ2、０．８Ｌ／ｍｉｎ
〔工程２：酸化工程〕
電源（工程１と共通）
ω：２７ＭＨｚ、出力密度：１３Ｗ／ｃｍ2
放電ギャップ：１．５ｍｍ
（ガス２条件）
放電ガス：Ａｒ、７０Ｌ／ｍｉｎ
酸化性ガス：Ｏ2、０．３Ｌ／ｍｉｎ
《評価》
得られた各読取ガラスを用いて下記の様な評価を行った。【０１３３】
〈強制摩耗試験〉
摩耗試験機ＨＥＩＤＯＮ−１４ＤＲ（ＨＥＩＤＯＮ社製）を用い、各読取ガラスの表面と、連量５５ｋｇのコピー用紙面とを、１ｋｇ／ｃｍ2、２０ｍｍ／ｓｅｃで、５０００
回の繰り返し摩耗試験を実施した。【０１３４】
〈接触角の測定〉
各読取ガラスの上記強制摩耗試験の前後における表面の接触角をＥＲＭＡ社製のＧ−１接触角測定器を用いて測定した。【０１３５】
《実機テスト》
〈マジック拭き取り試験〉
読取ガラスのローラで押されて通紙された部分に市販油性黒マジックインク（Ｍ５００−Ｔ１）を用いてマジック拭き取り試験を行った。【０１３６】
マジック拭き取りの評価基準は以下の通りである。【０１３７】
◎：書けない、よくはじく
○：書けない、はじく
△：書けるがふき取れる
×：ふき取れない
〈ゴミ付着、黒スジ〉
コニカミノルタビジネステクノロジーズ社製のｂｉｚｈａｂ  ３５０を用い、図３に示す複写機の読取部Ｂの読取ガラスＧ１の部分に各読取ガラスを適用して実写評価を行なった。【０１３８】
連量が５５ｋｇの市販Ａ４用紙を原稿として使用し、２０万枚自動連続通紙を実施した。通紙後、連量５５ｋｇの市販Ａ４用紙上に、ＪＩＳ規格セロハンテープ（ニチバン社製）を２０ｍｍ長さに市販テープカッターにて切断したものを縦１４列、横７列に一面に張った評価用原稿を準備し、前記評価装置に４回通紙した。４枚目にプリントされた画像に写った黒スジの本数を故障として評価、更に通紙後、天板を開き、読み取りガラス上に堆積した異物の数をゴミ付着数として評価した。【０１３９】
〈画質〉
上記試料を用い、下記ランクで目視により画質を評価した。【０１４０】
◎：筋ノイズ、点状故障なし
○：筋ノイズ、点状故障ほとんどなし
△：筋ノイズ、点状故障ややあり
×：筋ノイズ、点状故障多い
各評価した結果を表１に示す。【０１４１】
【表１】
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【０１４２】
本発明の読取ガラスは、比較試料に比べ、ゴミ付着数や黒スジ本数が非常に少なく、また、マジック拭き取り試験でも良好な結果を示し、耐久性に優れた低摩擦防汚膜が形成されていることが分かる。裏面にＳｎＯ2の透明導電膜を形成したものは、更に優れた性能を示すことが分かる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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