(57)【要約】    【課題】  ファインピッチを実現できる多層プリント配線板を提供する。    【解決手段】  多層プリント配線板１０に耐熱性基板を内蔵３０させ、該耐熱性基板上に層間樹脂絶縁層５０と導体層５８とが交互に積層され、各導体層間がバイアホール６０にて接続されたビルドアップ配線層を形成する。Ｓi基板２０からなる耐熱性基板を用いることで、鏡面処理されたＳi基板表面にバイアホール４８を形成することで、凹凸のある樹脂基板上よりも細い配線を形成することができ、ファインピッチ化が実現できる。また、鏡面処理された表面に配線を形成することで、配線のバラツキが小さくなり、インピーダンスのバラツキを小さくできる。【選択図】  図１
2007129545.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐熱性基板と該耐熱性基板を内蔵する内蔵用配線基板とからなる耐熱性基板内蔵配線板であって：
前記耐熱性基板が、
コア基板と、
該コア基板の表面と裏面とを導通するスルーホール導体と、
コア基板上に形成されていて、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、各導体層間がバイアホール導体にて接続されたビルドアップ配線層と、からなること特徴とする耐熱性基板内蔵回路配線板。
【請求項２】
前記耐熱性基板は、さらに、
コア基板の表面に形成されたビルドアップ配線層の表面に、電子部品の電極と接続する実装用パッドを有し、
前記実装用パッドのピッチは、前記コア基板のスルーホール導体のピッチより狭いことを特徴とする請求項１に記載の耐熱性基板内蔵回路配線板。
【請求項３】
前記耐熱性基板は、さらに、
コア基板の裏面に形成されたビルドアップ配線層の表面に、内蔵用配線基板と電気的に接続する接続用パッドを有し、
前記接続用パッドのピッチは、前記コア基板のスルーホール導体のピッチより広いことを特徴とする請求項１に記載の耐熱性基板内蔵回路配線板。
【請求項４】
前記ビルドアップ配線層は、コア基板の表面上に形成された表面ビルドアップ層と、コア基板の裏面上に形成された裏面ビルドアップ層とから成り、
前記耐熱性基板は、さらに、
前記表面ビルドアップ層の表面に形成された電子部品の電極と接続する実装用パッドと、
前記裏面ビルドアップ層の表面に形成された電子部品の電極と内蔵用配線基板とを電気的に接続する接続用パッドとを有し、
前記実装用パッドピッチと前記スルーホール導体ピッチと前記接続用パッドピッチが、該実装用パッドピッチ、該スルーホール導体ピッチ、該接続用ピッチの順で大きくなることを特徴とする請求項１に記載の耐熱性基板内蔵回路配線板。
【請求項５】
請求項２において、前記ビルドアップ層上にソルダーレジスト層を設けたことを特徴とする請求項２に記載の耐熱性基板内蔵回路配線板。
【請求項６】
前記耐熱性基板と前記内蔵用配線基板の表面が実質的に同一平面であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１に記載の耐熱性基板内蔵回路配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、耐熱性基板を内蔵する耐熱性基板内蔵回路配線板に関し、特に、ＩＣチップを搭載するパッケージ基板に好適な耐熱性基板内蔵回路配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特開2002-344142号は、ＩＣチップを実装するための多層プリント配線板として、スルーホール導体を有する樹脂性のコア基板上に層間樹脂絶縁層と導体層を交互に積層し、導体層間をバイアホール導体で接続する多層プリント配線板を開示する。【０００３】
特開2001-102479号は、ＩＣチップとパッケージ基板とを電気的に接続するインターポーザを開示している。図２におけるインターポーザ本体２０はシリコンであり、シリコンを貫通するビア導体２７にＩＣチップの電極が接続していて、ICとは反対側のシリコン基板上に配線層が形成されている。
【特許文献１】特開2002-344142号
【特許文献２】特開2001-102479号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＩＣチップの微細化、高集積化に伴い、パッケージ基板の最上層に形成されるパッド数が増大し、パッド数の増大によってパッドのファインピッチ化が進行している。このパッドのファインピッチ化に伴い、パッケージ基板の配線ピッチも急速に細線化している。しかしながら、現在の樹脂製パッケージ基板の配線形成技術では、ＩＣチップのファインピッチ化に追従することが困難になってきている。【０００５】
一方、上述したパッケージ基板とＩＣチップとの間にインターポーザを介在させると、半田リフローにより接続するパッドの数が増える。半田リフローによる接続は、電気めっき等による電荷移動による接続と比較して信頼性が低く、パッド数の増大に伴い、信頼性が低下するという課題が生じる。【０００６】
本発明が目的とする１は、ファイン化を実現できる耐熱性基板内蔵回路配線板を提供することにある。その他の目的は、電子部品（例えばＩＣチップ）の配線層を耐熱性基板にとりこむことで電子部品の歩留まりを上げたり、電子部品の製造コストを低減することにある。別の目的としては、耐熱性基板内蔵回路配線板全体の熱膨張係数を小さくすることにある。さらに、配線板、特に耐熱性基板内蔵回路配線板の信頼性を向上することにある。また、内蔵される耐熱性基板と耐熱性基板を内蔵する内蔵用配線基板間の電気的な接続信頼性を向上したり、両者間の剥離を防止して内蔵用配線基板の絶縁層や導体層にクラックが発生することを防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
発明者らは、上記目的の実現に向け鋭意研究した結果、耐熱性基板と該耐熱性基板を内蔵する内蔵用配線基板とからなる耐熱性基板内蔵配線板であって、耐熱性基板が、コア基板と、該コア基板の表面と裏面とを導通するスルーホール導体と、コア基板上に形成されていて、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、各導体層間がバイアホール導体にて接続されたビルドアップ配線層とから成る耐熱性基板内蔵回路配線板を形成するとの着想に至った。【０００８】
Ｓｉ（シリコン）基板のような半導体用基板からなるコア基板を用いることで、平坦性に優れたＳｉ基板表面にビルドアップ配線層を形成できるので、凹凸のある樹脂基板上よりも細い配線や厚み精度に優れた導体回路を形成することができ、回路配線板のファインピッチ化が実現できる。また、鏡面処理された表面にビルドアップ配線層を形成することで、配線のバラツキが小さくなり、インピーダンスのバラツキを小さくできる。更に、コア基板上にビルドアップ配線層を形成することにより、高密度化が図られ、小型化でき、層数を低減することで薄板化が可能となる。また、コア基板表面あるいはビルドアップ配線層上もしくは、ビルドアップ配線層内にＬ（インダクタ）、Ｃ（コンデンサ）、Ｒ（抵抗）、ＶＲＭ（ＤＣ−ＤＣコンバータ）等の受動素子を形成することにより電源強化、ノイズ除去を図ることができる。さらに、ＩＣ側の再配線層の一部を耐熱性基板側に形成することで、ＩＣの歩留まりや製造コストを改善することもできる。【０００９】
またさらに、回路配線板に耐熱性基板を内蔵させることで、耐熱性基板の接続用パッドに対して、めっき等により接続を取ることができ、信頼性を向上させることができる。また、特開２００１−１０２４７９号のようなインターポーザとは異なるので、半田バンプによる接続点数が減り、基板が受けるリフロー回数が減る。【００１０】
熱膨張係数が小さいコア基板に再配線層を形成するため、再配線層を形成しない時に比べ、耐熱性基板内蔵回路配線板に対する耐熱性基板の占有率が大きくなる。その結果、再配線層無しに比べ耐熱性基板内蔵回路配線板の熱膨張係数が小さくできる（耐熱性基板内蔵回路配線板の熱膨張係数が樹脂基板と電子部品の間の熱膨張係数になる）。熱膨張係数が小さくなると、電子部品と耐熱性基板内蔵回路配線板間や耐熱性基板内蔵回路配線板と耐熱性基板内蔵回路配線板と接続するマザーボード間のせん断応力が小さくなるので、電子部品と耐熱性基板内蔵回路配線板間や耐熱性基板内蔵回路配線板間とマザーボード間を接続する接続部材（例えば半田）の破壊が発生し難くなる。また、コア基板に再配線層を形成するため、コア基板に形成されるスルーホール導体間のピッチが広くなる。その結果、低熱膨張係数のコア基板にクラックが発生し難くなる。コア基板とコア基板に形成されたスルーホール導体では熱膨張係数が異なるため、スルーホール導体周辺ではコア基板がスルーホール導体により変形する。スルーホール導体間隔が小さければ小さいほど、スルーホール導体間のコア基板の変形量が大きくなる。また、再配線層を設けることで、コア基板全体にわたってスルーホール導体を形成できる。このため、コア基板内で熱膨張係数やヤング率が略均一となるので、コア基板の反りが小さくなり、コア基板のクラックや耐熱性基板と内蔵用配線基板間の剥離を防止できる。コア基板全体に略均一にスルーホール導体を配設するためには、コア基板の表面上にのみビルドアップ層（表面再配線層）を形成するのが好ましい。【００１１】
また、特開2002-34414号のガラエポから成るコア基板（厚さ０．８mm程度）を用いることなく、シリコン等のコア基板（厚さ０．３mm程度）上にビルドアップ配線層を設けることで、回路配線板の厚みを薄くすることができ（特開2002-34414号の多層プリント配線板の厚みが１mm程度であるのに対して０．２〜０．５mm程度の厚みにできる）、インダクタンスを下げ電気特性を高めることが可能となる。さらに、層間樹脂絶縁層を備える内蔵用配線基板に低熱膨張率の基板から成るコア基板を内蔵させることで、耐熱性基板内蔵回路配線板の熱膨張係数をＩＣチップの熱膨張係数に近づけることができ、熱収縮差に起因するＩＣチップと耐熱性基板及び耐熱性基板内蔵回路配線板間の接合部材（例えば半田）の断線を防ぐことができる。【００１２】
耐熱性基板のコア基板を構成する材料は、Ｓｉが望ましいが、特に限定することはない。例えば、パイレックスガラス（パイレックスは登録商標である）、ジルコニア、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、アルミナ、ムライト、コージライト、ステアタイト、フォルステライト等のセラッミク基板が挙げられる。
この内、Ｓｉ基板は最も容易且つ安価に入手できるため、コストの観点で望ましい。【００１３】
ＩＣ等の電子部品と回路配線板（パケージ基板）との間の接合部に使うはんだ材料としては、特に限定することはないが、例えば、Ｓｎ／Ｐｂ，Ｓｎ／Ａｇ，Ｓｎ，Ｓｎ／Ｃｕ，Ｓｎ／Ｓｂ，Ｓｎ／Ｉｎ／Ａｇ，Ｓｎ／Ｂｉ，Ｓｎ／Ｉｎ，銅ペースト，銀ペースト，導電性樹脂等が挙げられる。
コア基板の貫通孔（スルーホール）は、導電性物質で充填してもよいし、貫通孔内壁にめっき導体（スルーホール導体）を形成し、その未充填部に絶縁剤あるいは導電性物質を充填した構造でもよい。貫通孔に充填する導電性物質は、特に限定することはないが、導電性ペーストよりは、例えば、銅、金、銀、ニッケル等の単一の金属もしくは、二種以上からなる金属で充填されていることが好ましい。それは、導電性ペーストと比較して、抵抗が低いため、ＩＣへの電源の供給がスムーズになったり、発熱量が低くなったりするからである。他の理由としては、貫通孔内が金属で完全に充填されているため、金属の塑性変形により、応力を吸収できるからである。スルーホール導体の未充填部に樹脂を充填する場合は、低弾性の樹脂が望ましい。応力を吸収できるからである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
[実施例１]
１．樹脂製パッケージ基板
図１は、樹脂製パッケージ基板を構成する実施例１の耐熱性基板内蔵回路配線板の構成を示している。該耐熱性基板内蔵回路配線板１０には耐熱性基板３０が内蔵されている。耐熱性基板３０は基材（コア基板）２０を備える。基材２０にはスルーホール導体３６が設けられ、スルーホール導体３６の両端にはスルーホールパッド３８が形成されている。また、コア基板２０の両面には導体回路３９が形成されている。基材２０の両面には、バイアホール導体４８、導体回路４９及び絶縁層４０とバイアホール導体１４８、導体回路１４９及び絶縁層１４０とからなる再配線層（ビルドアップ配線層）が配置されている。耐熱性基板内蔵回路配線板１０の表裏にはソルダーレジスト層７０が形成されており、ソルダーレジスト層７０は、バイアホール導体１４８や導体回路１４９の一部を露出させる開口７０ａが形成されている。バイアホール導体１４８や導体回路１４９の露出部が実装用パッド１４８Ｐに相当する。実装用パッド１４８Ｐ上には、半田バンプ７８Ｕが設けれている。該半田バンプ７８Ｕを介して、ＩＣチップ９０の電極９２が接続されることで、ＩＣチップ９０が搭載されている。【００１５】
一方、耐熱性基板３０のＩＣチップ反対側の面（下面）には、バイアホール導体６０及び導体回路５８の形成された層間樹脂絶縁層５０と、バイアホール導体１６０と導体回路１５８の形成された層間樹脂絶縁層１５０とが配設されている。該層間樹脂絶縁層１５０の上層にはソルダーレジスト層７０が形成されており、該ソルダーレジスト層７０の開口部７０ａを介して、バイアホール導体１６０に半田バンプ７８Ｄが形成されている。【００１６】
ここで実装用パッド１４８Ｐは、バイアホール導体１４８の直上やバイアホール導体１４８から延びている導体回路１４９上（バイアホール導体１４８の直上以外）に形成される。実装用パッド１４８Ｐは格子状や千鳥状に配置され、実装用パッド１４８Ｐ間のピッチは30〜150μｍピッチにすることができ、実装用パッド１４８Ｐ間の絶縁性、耐熱性基板３０の信頼性や電子部品の配線層をプリント配線板に取り込むことを考慮すると50〜100μｍピッチが好ましい。実装部の実装用パッド１４８Ｐは、そのピッチをビルドアップ層で拡張され、コア基板２０上の導体回路（スルーホール導体３６を閉塞する導体回路を含む、図１の中心のスルーホール導体３６上の導体回路３８参照）を介してスルーホール導体３６と導通している。ここで、スルーホール導体３６間のピッチは、実装用パッド１４８Ｐのピッチより大きく、３０〜２００μｍとすることができ、コア基板２０の絶縁信頼性、耐ヒートサイクル性や耐クラック性から７５〜１５０μｍが好ましい。コア基板２０の裏面上にもビルドアップ層（裏面再配線層）が形成されていて、その最裏面には、耐熱性基板３０を内蔵する内蔵用配線基板と電気的接点をとるための接続用パッド１４８Ｄが形成されている。接続用パッド１４８Ｄのピッチはスルーホール導体３６ピッチより大きく、50〜250μｍとすることができる。接続用パッド１４８Ｄは、バイアホール導体１４８の直上やバイアホール導体１４８から延びている導体回路１４９上に形成される。接続用パッド１４８Ｄ上に内蔵用配線基板のバイアホール導体６０が形成される。【００１７】
なお、図１において、表面再配線層を形成せず、基材２０表面上のスルーホールパッド３８や導体回路３９を実装用パッド１４８Ｐとしても良い。この場合、全実装用パッド１４８Ｐをスルーホール導体３６直上のスルーホールパッド３８としても良いし、外周に位置する実装用パッド１４８Ｐをスルーホール導体３６と接続している導体回路３９の一部（図１の両端のスルーホール導体３６と接続している導体回路３９参照）とし、中心部に位置する実装用パッド１４８Ｐをスルーホール導体３６直上のスルーホールパッド３８の一部としても良い。【００１８】
また、図１において、裏面再配線層を形成せず、基材２０の裏面上の導体回路３９やスルーホールパッド３８を接続用パッド１４８Ｄとしても良い。この場合、全接続用パッド１４８Ｄをスルーホール導体３６直上のスルーホールパッド３８としても良いし、コア基板２０の外周の接続用パッド１４８Ｄをスルーホール導体３６と接続している導体回路３９の一部（図１の両端のスルーホール導体３６と接続している導体回路３９参照）とし、中心部の接続用パッド１４８Ｄをスルーホール導体３６直上のスルーホールパッド３８の一部としても良い。コア基板２０に形成するスルーホール導体３６のピッチを拡張できる点や耐熱性基板３０の絶縁性、耐クラック性、耐ヒートサイクル性等が向上する点から、耐熱性基板３０は、基材２０と表面再配線層（表面ビルドアップ層）とからなることが好ましい。【００１９】
２．耐熱性基板の作成
実施例１の耐熱性基板の製造工程について図２〜図４を参照して説明する。
（１）シリコンからなる厚さ０．５mmの基材（コア基板）２０を用意する（図２（Ａ））。基材２０をグランディングして厚みを０．３mmに調整する（図２（Ｂ））。【００２０】
（２）ＵＶレーザ照射を行って、基材２０を貫通するスルーホール導体形成用開口２２を穿設する（図２（Ｃ））。ここでは、ＵＶレーザを用いたが、この代わりに、サンドブラスト、ＲＩＥにより開口を形成することもできる。【００２１】
（３）１０００℃で熱酸化処理を施し絶縁被膜２４を形成する（図２（Ｄ））。熱酸化処理の代わりに、ＣＶＤを行うこともできる。【００２２】
（４）スパッタによりＮｉ／Ｃｕの薄膜２６を形成する（図２（Ｅ））。スパッタの代わりに無電解めっきを用いることもできる。【００２３】
（５）薄膜２６をめっきリードとして、以下のめっき液と条件にて、電解銅めっき処理を施して、開口２２内に電解銅めっき２８を形成してスルーホール導体３６とし、更に基材２０の表面にも電解銅めっき２８を形成する（図３（Ａ））。
〔電解めっき液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度 ６．５ Ａ／ｄｍ2
時間 ３０ 分
温度 ２２±２ ℃【００２４】
（６）基材２０の表面に形成した電解銅めっき２８に対して、ＣＭＰ研磨を加える（図３（Ｂ））。【００２５】
（７）電解銅めっき２８に対してパターニングを加え、スルーホールパッド３８及び導体回路３９を形成する（図３（Ｃ））。【００２６】
（８）基材２０の両面に絶縁層（例えば、ポリイミドや味の素社製のＡＢＦ）４０を設け、レーザにより開口４０ａを穿設する（図３（Ｄ））。【００２７】
（９）絶縁層４０の表面にスパッタによりＮｉ／Ｃｕの薄膜４４を形成し、薄膜の上に所定パターンのめっきレジスト４２を設ける（図３（Ｅ））。スパッタの代わりに無電解めっきを用いることもできる。【００２８】
（１０）電解銅めっき４４を形成することでバイアホール導体４８と導体回路４９を形成する（図４（Ａ））。その後、めっきレジスト４２を剥離し、レジスト下の薄膜４４をライトエッチングにより除去する（図４（Ｂ））【００２９】
更に、絶縁層１４０を形成し（図４（Ｃ））、バイアホール導体１４８と導体回路１４９を設けることで、耐熱性基板３０を形成する（図４（Ｄ））。【００３０】
以下、図５〜図７を参照して耐熱性基板内蔵回路配線板の製造工程について説明する。
（１）耐熱性基板を取り付けるための支持板３１を用意し（図５（Ａ））、支持板３１に上述した耐熱性基板３０を取り付ける（図５（Ｂ））。【００３１】
（２）支持板３１の下面に、１枚もしくは複数枚の層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）を貼り付け、圧力０．４５ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより耐熱性基板３０を内蔵する層間樹脂絶縁層５０を形成する（図５（Ｃ））。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６７Ｐａ、圧力０．４７ＭＰａ、温度８５℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で４０分間熱硬化させる。【００３２】
（３）次に、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅３〜３０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０〜５．０ｍｍ、１〜３ショットの条件で層間樹脂絶縁層５０にバイアホール用開口５０ａを穿設する（図５（Ｄ））。その後、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層の表面に存在する粒子を除去することにより、フィルドビア用開口５０ａの内壁を含む層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化する（図示せず）。開口５０ａより露出した部分が接続用パッド１４８Ｄとなる。【００３３】
（４）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）された該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層の表面およびフィルドビア用開口の内壁面に触媒核を付着させる。すなわち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｂＣl2 ）と塩化第一スズ（ＳｎＣl2 ）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与する。【００３４】
（５）次に、上村工業社製の無電解銅めっき水溶液（スルカップＰＥＡ）中に、触媒を付与した基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．３〜３．０μｍの無電解銅めっき膜を形成し、バイアホール用開口５０ａの内壁を含む層間樹脂絶縁層５０の表面に無電解銅めっき膜５２が形成された基板を得る（図６（Ａ））。
〔無電解めっき条件〕
３４度の液温度で４５分【００３５】
（６）無電解銅めっき膜５２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１１０ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっきレジスト５３を設ける（図６（Ｂ））。【００３６】
（７）ついで、基板３０を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し電解めっき膜５４を形成する（図６（Ｃ））。
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５    ｍｌ／ｌ
レベリング剤                  ５０    ｍｇ／ｌ
光沢剤                        ５０    ｍｇ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度                    １  Ａ／ｄｍ2
時間                        ７０  分
温度                        ２２±２  ℃【００３７】
（８）さらに、めっきレジスト５３を５％ＫＯＨで剥離除去し、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の導体回路５８及びバイアホール導体６０が形成される（図６（Ｄ））。引き続き、導体回路５８及びバイアホール導体６０の表面に粗化面を形成する（図示せず）。【００３８】
（９）上記（２）〜（８）の工程を繰り返すことにより、さらに上層のバイアホール導体１６０を有する層間絶縁層１５０を形成し（図７（Ａ））、支持板３１を除去することで多層配線板が得られる（図７（Ｂ））。【００３９】
（１０）次に、多層配線基板の両面に、市販のソルダーレジスト組成物７０を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行い、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７０ａを形成する（図７（Ｃ））。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口７０ａを有し、その厚さが１５〜２５μｍのソルダーレジストパターン層７０を形成する。開口７０ａより露出したバイアホール導体１４８や導体回路１４９の部分が実装用パッド１４８Ｐと成る。【００４０】
（１１）次に、ソルダーレジスト層７０が形成された基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７０ａの実装用パッド１４８Ｐに厚さ５μｍのニッケルめっき層（図示せず）を形成する。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層（図示せず）を形成する。ニッケル−金層以外にも、スズ、貴金属層（金、銀、パラジウム、白金など）の単層を形成してもよい。【００４１】
（１２）この後、基板のＩＣチップを載置する面のソルダーレジスト層７０の開口７０ａに、スズ−鉛を含有するはんだペーストを印刷し、さらに他方の面のソルダーレジスト層７０の開口７０ａにスズ−アンチモンを含有するはんだペーストを印刷し、２００〜２４０℃でリフローすることによりはんだバンプ（はんだ体）を形成し、はんだバンプ７８Ｕ、７８Ｄを有する耐熱性基板内蔵回路配線板が得られる（図７（Ｄ））。【００４２】
３．半導体装置の作製
図７（Ｄ）に示す耐熱性基板内蔵回路配線板（パッケージ基板）１０へのＩＣチップの取り付けについて説明する。
まず、ＩＣチップ９０を、耐熱性基板内蔵回路配線板１０に位置合わせして搭載する。その後、リフローを行って実装する（図１参照）。そして、耐熱性基板内蔵回路配線板１０とＩＣチップ９０間に封止剤（アンダーフィル：図示せず）を充填して、８０度で１５分、続いて、１５０度で２時間硬化する。【００４３】
[実施例２]
図８は、実施例２の耐熱性基板内蔵回路配線板の構成を示している。該耐熱性基板内蔵回路配線板１０には耐熱性基板３０が内蔵されている。耐熱性基板３０は基材２０を有し、基材２０にはスルーホール導体３６が設けられ、スルーホール導体３６の両端にはスルーホールパッド３８が形成されている。耐熱性基板３０のＩＣチップ側の面（上面）には、バイアホール導体４８及び絶縁層４０からなるビルドアップ配線層が配置されている。裏面には再配線層がない。バイアホール導体４８のソルダーレジスト層７０の開口７０ａには、半田バンプ７８Ｕが設けれている。該半田バンプ７８Ｕを介して、ＩＣチップ９０Ａ、ＩＣチップ９０Ｂの電極９２が接続されることで、ＩＣチップ（ＭＰＵ）９０Ａ、ＩＣチップ（メモリ）９０Ｂが搭載されている。【００４４】
耐熱性基板内蔵回路配線板１０の厚みは０．１〜１．０mmである。コア基板２０の厚みは０．０５〜０．５mmである。【００４５】
基材（コア基板）２０の熱膨張係数は３．０〜１０ppmであって、基材２０を介在することで、耐熱性基板内蔵回路配線板１０の熱膨張係数を小さくできる。ＩＣチップ９０Ａ、９０Ｂと樹脂製の耐熱性基板内蔵回路配線板１０間の熱膨張差による応力を小さくしている。この結果、ＩＣチップと樹脂製パッケージ間の半田バンプに掛かる応力を小さくしている。また、ＩＣチップの配線層の樹脂に応力を伝達しない。それ故、ＩＣチップの配線層の樹脂に亀裂、断線が発生しない。【００４６】
[実施例３]
図９を参照して実施例３に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の構成について説明する。
図１を参照して上述した実施例１では、コア基板の両面に再配線層を設けた。これに対して、実施例３では、コア基板上に再配線を設けていない。実施例３の構成でも、コア基板２０により耐熱性基板内蔵回路配線板を薄く構成できると共に、搭載したＩＣチップ（Chip set）９０Ａ、ＩＣチップ（ＧＰＬＩ）９０Ｂと耐熱性基板内蔵回路配線板３０との熱膨張係数を近づけ、熱収縮による断線を防ぐことができる。【００４７】
[実施例４]
図１０を参照して実施例４に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の構成について説明する。
図１を参照して上述した実施例１では、コア基板２０の両面に再配線層を設けた。これに対して、実施例４では、コア基板２０のＩＣチップ（メモリ）９０Ａ、ＩＣチップ（ロジック）９０Ｂ反対側の表面（下面）にビルドアップ配線層を設けてある。実施例４の構成でも実施例１とほぼ同様な効果を得ることができる。【００４８】
[実施例５]
図１１を参照して実施例５に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の構成について説明する。
図１を参照して上述した実施例１では、コア基板２０の両面に再配線層を設けた。これに対して、実施例５では、コア基板２０のＩＣチップ側の表面（上面）及びＩＣチップ反対側の表面（下面）の両面にビルドアップ配線層を設けてある。実施例５の構成は、耐熱性基板で再配線していないが、耐熱性基板内蔵回路配線板の熱膨張率を小さくできる。【００４９】
[実施例６]
図１２を参照して実施例６に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の構成について説明する。
図１を参照して上述した実施例１では、耐熱性基板３０が耐熱性基板内蔵回路配線板１０の層間絶縁層５０内に収容されていた。これに対して、実施例６では、耐熱性基板３０を表面に配置すると共に、耐熱性基板内蔵回路配線板の表面の層間樹脂絶縁層５０と耐熱性基板３０のＩＣチップ側の表面とが段差が無いように略平坦にしてある。また、上面にソルダーレジスト層が設けられていない。【００５０】
[実施例７]
図１３を参照して実施例７に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の構成について説明する。
図１を参照して上述した実施例１では、耐熱性基板３０が耐熱性基板内蔵回路配線板１０の層間絶縁層５０内に収容されていた。これに対して、実施例６では、耐熱性基板内蔵回路配線板の表面の層間樹脂絶縁層５０から耐熱性基板３０の表面が突出している。また、上面にソルダーレジスト層が設けられていない。【００５１】
[実施例８]
図１４を参照して実施例８に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の構成について説明する。
図１を参照して上述した実施例１では、耐熱性基板３０の下面側に耐熱性基板内蔵回路配線板のビルドアップ層５０、１５０が設けられていた。これに対して、実施例８では、耐熱性基板３０のＩＣチップ側の面上にも耐熱性基板内蔵回路配線板のビルドアップ配線層１５０が形成されている。【００５２】
[実施例９]
図１５を参照して実施例９に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の構成について説明する。
図１を参照して上述した実施例１では、耐熱性基板３０の基材２０の表面にスルーホールパッド３８や導体回路３９が形成されていた。これに対して、実施例９では、耐熱性基板３０の基材２０のＩＣチップ側の面のみにスルーホールパッド３８や導体回路３９が設けられている。【００５３】
[実施例１０]
図１６を参照して実施例１０に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の構成について説明する。
図１を参照して上述した実施例１では、コア基板２０の両面にスルーホールパッド３８や導体回路３９が形成されていた。これに対して、実施例１０では、耐熱性基板３０の基材２０のＩＣチップ反対側の面のみにスルーホールパッド３８や導体回路３９が設けられている。【００５４】
[実施例１１]
図１７を参照して実施例１１に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の構成について説明する。
図１を参照して上述した実施例１では、コア基板２０の両面にスルーホールパッド３８や導体回路３９が形成されていた。これに対して、実施例１１では、基材２０上に導体回路が設けられていない。【００５５】
実施例２〜４、６〜１１では、実装用パッド１４８Ｐのピッチとスルーホール導体３６のピッチと接続用パッド１４８Ｄのピッチとが同一になっているが、この形態に限らない。図１を参照して上述した実施例１の様に、実装用パッド１４８Ｐのピッチ、スルーホール導体３６のピッチ、接続用パッド１４８Ｄのピッチの順で広くあることが望ましい。また、実施例２〜実施例１１で、複数の電子部品を搭載したが、例えば、片方をＭＰＵで、他方をメモリとし、コア基板２０上の表面両配線層（表面ビルドアップ層）に両者が信号をやり取りする配線を設けてもよい。その多の電子部品としては、チップセット、ロジック、グラフィック等がある。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施例１に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の断面図である。
【図２】実施例１に係る耐熱性基板の製造工程図である。
【図３】実施例１に係る耐熱性基板の製造工程図である。
【図４】実施例１に係る耐熱性基板の製造工程図である。
【図５】実施例１に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の製造工程図である。
【図６】実施例１に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の製造工程図である。
【図７】実施例１に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の製造工程図である。
【図８】本発明の実施例２に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の断面図である。
【図９】本発明の実施例３に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の断面図である。
【図１０】本発明の実施例４に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の断面図である。
【図１１】本発明の実施例５に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の断面図である。
【図１２】本発明の実施例６に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の断面図である。
【図１３】本発明の実施例７に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の断面図である。
【図１４】本発明の実施例８に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の断面図である。
【図１５】本発明の実施例９に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の断面図である。
【図１６】本発明の実施例１０に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の断面図である。
【図１７】本発明の実施例１１に係る耐熱性基板内蔵回路配線板の断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０  耐熱性基板内蔵回路配線板
２０  基材
３０  耐熱性基板
３６  スルーホール
３８  パッド
４０  絶縁層
４８  バイアホール
５０  層間絶縁層
６０  バイアホール
７８Ｕ  半田バンプ
７８Ｄ  半田バンプ
１５０  層間絶縁層
１６０  バイアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【国際調査報告】
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