【事件の表示】
　特願２０１８−１３２３８７「トランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年１０月２５日出願公開、特開２０１８−１６６２２０、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２６年１月２１日（優先権主張平成２５年１月２１日、平成２５年３月１５日）に出願された特許出願（特願２０１４−８３２９号、以下、「原出願」という。）の一部を、平成３０年７月１２日に特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願としたものであって、平成３０年８月８日付けで上申書が提出され、平成３１年４月１７日付けで拒絶理由通知がされ、令和１年６月２０日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出され、令和１年８月５日付けで拒絶理由通知がされ、令和１年１０月１８日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出され令和１年１１月１４日付けで拒絶査定（原査定）がされた。
　これに対し、令和２年２月２５日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされ、令和２年９月１６日付けで拒絶理由通知がされ、令和２年１１月１７日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出されたものである。
第２　本願発明
　本願請求項１、２に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」、「本願発明２」という。）は、令和２年１１月１７日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　ゲート電極と、
　前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に接する、ＩｎとＧａとＺｎとを有する酸化物半導体膜と、
　前記酸化物半導体膜上に接する、ＩｎとＧａとＺｎとを有する酸化物膜と、
　前記酸化物膜上の第１の電極と、
　前記酸化物膜上の第２の電極と、
　前記酸化物膜上、前記第１の電極上、及び前記第２の電極上の酸化物絶縁膜と、を有し、
　前記酸化物膜は、非単結晶構造であり且つｃ軸配向した結晶を有し、
　前記酸化物膜のＩｎに対するＧａの原子数比は、前記酸化物半導体膜のＩｎに対するＧａの原子数比よりも大きく、
　前記酸化物半導体膜の厚さは、前記酸化物膜の厚さよりも厚く、
　前記酸化物膜の伝導帯下端のエネルギーと、前記酸化物半導体膜の伝導帯下端のエネルギーとの差が、０．１ｅＶ以上であることを特徴とするトランジスタ。」
　なお、本願発明２は、本願発明１を減縮した発明である。
第３　引用文献、引用発明等
１．引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（国際公開第２０１１／１３２７６９号）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「技術分野
[0001]　本発明は、半導体装置およびそれを用いたＲＦＩＤタグ、表示装置などの電子装置に関し、特に、酸化物半導体をチャネル層に用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を有する半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。」
「発明が解決しようとする課題
[0011]　
酸化物半導体をチャネル層に用いた薄膜トランジスタで回路を形成する場合、低消費電力駆動の観点からは、小さいサブスレッショルド係数が要求され
・・・
[0015]　本発明の目的は、
酸化物半導体をチャネル層に用いた薄膜トランジスタにおいて、１００ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ以下のサブスレッショルド係数
を
実現する技術を提供するこ
「発明の効果
[0019]　本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
[0020]　
１００ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ以下のサブスレッショルド係数
を備えた薄膜トランジスタ
「[0023] 　（実施の形態１）
　
本実施の形態１は、ボトムゲート／トップコンタクト型薄膜トランジスタ
[0024]　まず、図１に示すように、絶縁性の基板１０を用意する。基板１０の材料としては、例えばシリコン（Ｓｉ）、サファイア、石英、ガラス、フレキシブルな樹脂シート（いわゆるプラスチックフィルム）などを例示することができる。・・・
[0025]　次に、図２に示すように、基板１０上に導電膜を形成した後、この導電膜をパターニングすることにより
ゲート電極１１を形成
[0027]　次に、図３に示すように、ゲート電極１１が形成された基板１０上に
ゲート絶縁膜１２を形成
・・・
[0030]　次に、図４に示すように、
ゲート絶縁膜１２上に酸化物半導体層１３を形成
[0031]　
上記酸化物半導体層１３は
少なくともＩｎと酸素（Ｏ）とを含み、さらにＺｎ、カドミウム（Ｃｄ）、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｓｎ、セリウム（Ｃｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）のうち、いずれか一種以上の元素を含む化合物である
[0032]　
上記酸化物半導体層１３を形成する際は
酸化物半導体層１３内の一部にＩｎ濃度の高い領域（図４に示す高濃度領域１３ｄ）が生じるように、Ｉｎ濃度プロファイルを制御しながら成膜する
酸化物半導体層１３内において、Ｉｎ濃度の高い領域（高濃度領域１３ｄ）は、酸素元素以外の構成元素で算出した場合、他の領域に比べてＩｎ濃度が３０原子％以上高い極大値を持つように成膜される
[0033]　
酸化物半導体層１３の全体の膜厚は、１００ｎｍ以下とする。また、高濃度領域１３ｄの膜厚は２０ｎｍ以下とし、好ましくは６ｎｍ以下とする
本実施の形態では、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｏ
膜厚２５ｎｍの酸化物半導体層１３
膜厚６ｎｍの高濃度領域１３ｄ
[0034]　次に、図５に示すように、
酸化物半導体層１３上に
ソース電極１４ｓおよびドレイン電極１４ｄを形成
[0035]　その後、ドライエアー雰囲気中において１２５℃、３時間のアニールを実施することにより、
本実施の形態１の薄膜トランジスタが完成する
[0036]　図６は、上記の方法で作製した薄膜トランジスタのゲート絶縁膜１２と酸化物半導体層１３との界面近傍における構成元素の組成分布を、エネルギー分散型Ｘ線スペクトロスコピー（ＥＤＸ）法により分析した結果を示したものである。
[0037]　分析した元素は、
酸化物半導体層１３中の酸素を除いた構成元素（Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ａｌ）
[0038]　図６に示すように、
ゲート絶縁膜１２との界面から６ｎｍまでの領域にＩｎ濃度の高い領域（高濃度領域１３ｄ）が形成されてい
[0039]　図７は、上記の方法で作製した薄膜トランジスタのゲート電圧（Ｖｇ）とドレイン電流（Ｉｄ）との関係を示すグラフである。図７に示すように、この薄膜トランジスタのサブスレッショルド係数は、６８ｍＶ／ｄｅｃａｄｅであった。また、電界効果移動度は５０ｃｍ２／Ｖｓ以上を示し、オン電流は２×１０−４Ａを示した。
[0040]　（比較例１）
　酸化物半導体層１３内において、高濃度領域１３ｄのＩｎ濃度のピーク値と、他の領域のＩｎ濃度との差を３０原子％未満とした以外は、上記実施の形態１と同一の条件で薄膜トランジスタを作製した。
[0041]　図８は、比較例１の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜１２と酸化物半導体層１３との界面近傍における構成元素の組成分布を、エネルギー分散型Ｘ線スペクトロスコピー（ＥＤＸ）法により分析した結果を示したものである。
[0042]　分析した元素は、酸化物半導体層１３中の酸素を除いた構成元素（Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ａｌ）と、ゲート絶縁膜１２中の酸素を除いた構成元素（Ｓｉ）である。分析に使用したビーム径は１ｎｍ以下とした。図８の横軸の原点（０）は、ゲート絶縁膜１２と酸化物半導体層１３との界面とした。
[0043]　図８に示すように、ゲート絶縁膜１２との界面から６ｎｍまでの領域にＩｎ濃度の高い領域（高濃度領域１３ｄ）が形成されていることが確認できる。このとき、高濃度領域１３ｄ内におけるＩｎ濃度の極大値と、他の領域のＩｎ濃度との差は、３０原子％未満であった。また、この薄膜トランジスタのサブスレッショルド係数は、１５０ｍＶ／ｄｅｃａｄｅであった。電界効果移動度は５０ｃｍ２／Ｖｓ以上を示し、オン電流は２×１０−４Ａを示した。
[0044]　この結果から、酸化物半導体層１３内において、高濃度領域１３ｄと他の領域のＩｎ濃度差が小さくなると、電界効果移動度やオン電流には変化がないものの、サブスレッショルド係数が著しく増加することが分かった。その理由として、酸化物半導体層１３内の他の領域（高濃度領域１３ｄ以外の領域）でもＩｎ濃度が比較的高くなるため、キャリア伝導に起因するＩｎ元素の５ｓ電子が上記他の領域でもキャリアのネットワークを形成できるようになる。その結果、見掛け上、酸化物半導体層１３全体が膜厚の大きい単層のチャネル層として機能するためと推測される。
[0045]　このように、酸化物半導体層１３内の高濃度領域１３ｄにおけるＩｎ濃度の極大値と、他の領域のＩｎ濃度との差を３０原子％以上とすることにより、１００ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ以下のサブスレッショルド係数と、５０ｃｍ２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、２×１０−４Ａ以上のオン電流とを示す薄膜トランジスタを実現することができる。従って、実施の形態１の薄膜トランジスタを使って回路を形成することにより、低電圧で高速動作が可能な高性能薄膜トランジスタ回路を実現することが可能となる。」
「[0046]（実施の形態２）
　前記実施の形態１と同様の材料、プロセスを用い、高濃度領域（１３ｄ）の膜厚が（１）６ｎｍ以下、（２）２０ｎｍ、（３）５０ｎｍである３種の薄膜トランジスタを作製し、高濃度領域の膜厚とサブスレッショルド係数との関係を調べた。ここでは、高濃度領域におけるＩｎ濃度の極大値と、他の領域のＩｎ濃度との差を４０原子％以上とした。図９にその結果を示す。また、比較のために、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ（ＩＧＺＯ）からなる酸化物半導体層の膜厚とサブスレッショルド係数との関係も図９に示した。
[0047]　図９に示すように、高濃度領域の膜厚が６ｎｍ以下のとき、サブスレッショルド係数は７０ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ程度を示し、膜厚が２０ｎｍのときは、１００ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ以下を示した。高濃度領域の膜厚が増加するにつれてサブスレッショルド係数が増加し、膜厚が５０ｎｍのときは、約２００ｍＶ／ｄｅｃａｄｅを示した。また、Ｉｎ-Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ（ＩＧＺＯ）からなる単層の酸化物半導体層の場合は、その膜厚が２５ｎｍのとき、サブスレッショルド係数が２００ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ以上となった。
[0048]　これらの結果から、
１００ｍＶ／ｄｅｃａｄｅのサブスレッショルド係数を実現するためには、高濃度領域の膜厚を２０ｎｍ以下にしなければならない
[0049]　このように、
膜厚が２０ｎｍ以下の高濃度領域におけるＩｎ濃度の極大値と、他の領域のＩｎ濃度との差を４０原子％以上とすることにより、１００ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ以下のサブスレッショルド係数と、５０ｃｍ２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、２×１０−４Ａ以上のオン電流とを示す薄膜トランジスタを実現することができる
「[0064] （実施の形態６）
　本実施の形態６は、ボトムゲート／ボトムコンタクト型薄膜トランジスタに適用したものである。ここで、ボトムゲートとは、ゲート電極がチャネル層よりも下層に配置される構造を示し、ボトムコンタクトとは、ソース電極およびドレイン電極がチャネル層よりも下層に配置される構造を示している。
[0065] 　ボトムゲート／ボトムコンタクト型薄膜トランジスタを製造するには、まず、図１６に示すように、基板１０上にゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、ソース電極１４ｓおよびドレイン電極１４ｄをこの順で形成する。使用する材料およびプロセスは、前記実施の形態１と同じである。
[0066] 　次に、図１７に示すように、前記実施の形態１のプロセスを用いてソース電極１４ｓおよびドレイン電極１４ｄの上部に酸化物半導体層１３を形成する。本実施の形態６の
酸化物半導体層１３は
その膜厚は５０ｎｍ
高濃度領域１３ｄの膜厚は、１０ｎｍ
「[0070] 　（実施の形態７）
　本実施の形態７は、トップゲート／トップコンタクト型薄膜トランジスタに適用したものである。ここで、トップゲートとは、ゲート電極がチャネル層よりも上層に配置される構造を示し、トップコンタクトとは、ソース電極およびドレイン電極がチャネル層よりも上層に配置される構造を示している。
[0071] 　トップゲート／トップコンタクト型薄膜トランジスタを製造するには、まず、図１９に示すように、基板１０上に酸化物半導体層１３を形成する。本実施の形態７
の酸化物半導体層１３は
その膜厚は５０ｎｍ
高濃度領域１３ｄは
その膜厚は５ｎｍ
　図４〜６は、以下のとおりのものである。
　図４、５から、高濃度領域１３ｄは、ゲート絶縁膜１２上に接する領域であることが見てとれる。
　図５から、ソース電極１４ｓおよびドレイン電極１４ｄは、酸化物半導体層１３の高濃度領域１３ｄ以外の領域の上に形成されていることが見てとれる。
　したがって、上記引用文献１には、実施の形態１のトランジスタとして、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ゲート電極１１と、
　ゲート電極１１上のゲート絶縁膜１２と、
　ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体層１３であって、
　　少なくともＩｎと酸素（Ｏ）とを含む、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｏからなり、
　　酸化物半導体層１３内の一部に、ゲート絶縁膜１２上に接する、Ｉｎ濃度の高い領域（高濃度領域１３ｄ）が形成されている酸化物半導体層１３と、
　酸化物半導体層１３のＩｎ濃度の高い領域（高濃度領域１３ｄ）以外の領域の上のソース電極１４ｓ及びドレイン電極１４ｄと、を有する薄膜トランジスタであって、
　酸化物半導体層１３を形成する際は、酸化物半導体層１３内において、Ｉｎ濃度の高い領域（高濃度領域１３ｄ）は、酸化物半導体層１３内において、酸素元素以外の構成元素（Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ａｌ）で算出した場合、他の領域に比べてＩｎ濃度が３０原子％以上高い極大値を持つように成膜される、薄膜トランジスタ。」
２．引用文献２について
　また、原査定で周知技術を示す文献として引用された引用文献２（特開２０１３−９２８５号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００９３】
 （実施の形態５）
　本実施の形態では、信号処理回路を構成するトランジスタ等の構成について、図６乃至図９、図１７を参照して説明する。
・・・
【０１０１】
　
図６
酸化物半導体層６４４と一部が接する電極６４２ａ及び電極６４２ｂと、酸化物半導体層６４４と電極６４２ａと電極６４２ｂとを覆うゲート絶縁層６４６と、ゲート絶縁層６４６上に酸化物半導体層６４４と重畳するように設けられたゲート電極６４８とを有する
・・・
【０１１３】
　また、図６や図７に示す構成では、ゲート電極６４８が酸化物半導体層６４４の上に配置される例を示した。しかしこれに限定されず、ゲート電極６４８は酸化物半導体層６４４の下に設けてもよい。
ゲート電極６４８を酸化物半導体層６４４の下に設けた例を図８に示す
「【０１２８】
 （実施の形態６）
　本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る記憶素子の作製方法について、図１０乃至図１５を参照して説明する。
【０１２９】
　図６に示した記憶素子の作製方法の一例について説明する。以下では、はじめに下部のトランジスタ６６０の作製方法について図１０及び図１１を参照して説明し、その後、
上部のトランジスタ６６２
の作製方法について図１２乃至図１５を参照して説明する
・・・
【０１４９】
 〈上部のトランジスタの作製方法〉
　次に、上部トランジスタ６６２及び容量素子６６４の作製方法について説明する。
図６に示した構成に対応する作製方法を図１２を参照して説明する
。図８に示した構成に対応する作製方法を図１４を参照して説明する
【０１５０】
  最初に、
図６に示した構成に対応する作製方法を図１２を参照して説明する
・・・
【０２１２】
　以上により、高純度化された酸化物半導体層６４４を用いたトランジスタ６６２と、容量素子６６４とが完成する（図１２（Ｃ）参照）。上述した作製方法により、酸化物半導体層６４４は水素濃度が十分に低減されて高純度化され、十分な酸素の供給により酸素欠乏に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位が低減される。こうして作製された酸化物半導体層６４４は、ｉ型化（真性化）または実質的にｉ型化されており、このような酸化物半導体層６４４をチャネル形成領域に用いることで、極めて優れたオフ電流特性のトランジスタ６６２を得ることができる。
【０２１３】
　次に、ゲート絶縁層６４６、ゲート電極６４８、及び電極６４９上に、
絶縁層６５０
を形成する
絶縁層６５０
は、酸化シリコン
を含む材料を用いて
形成することができる
・・・
【０２２４】
　次に、
図８に示した構成に対応する作製方法
【０２２５】
　図１２に示した作製方法と図１４に示した作製方法とでは、ゲート電極６４８、電極６４９、電極５０４、ゲート絶縁層６４６の作製方法が異なる。図１４に示した作製方法において、それ以外の作製方法以外の作製方法は図１２に示した作製方法と同様であるため説明は省略する。
【０２２６】
　電極５０２、電極５０３及び絶縁層６２８上に導電層を形成し、当該導電層を選択的にエッチングして、ゲート電極６４８、電極６４９、電極５０４を形成する（図１４（Ａ）参照）。当該導電層は、図１２に示した作製方法において、ゲート電極６４８、電極６４９を形成するために用いた導電層と同様の材料とし、同様の方法で作製することができるので説明は省略する。
【０２２７】
　次いで、ゲート電極６４８、電極６４９、電極５０４を覆うようにゲート絶縁層６４６を形成する（図１４（Ｂ）参照）。ゲート絶縁層６４６は図１２に示した作製方法においてゲート絶縁層６４６を形成するために用いた材料と同様の材料を用いて、同様の方法で作製することができるので説明は省略する。
【０２２８】
　次いで、ゲート絶縁層６４６上に、酸化物半導体層６４４を形成する（図１４（Ｂ）参照）。酸化物半導体層６４４は、図１２に示した作製方法において酸化物半導体層６４４を形成するために用いた酸化物半導体層と同様の材料とし、同様の方法で作製することができるので説明は省略する。
【０２２９】
　次に、酸化物半導体層６４４上に導電層を形成し、当該導電層を選択的にエッチングして、電極６４２ａ、電極６４２ｂを形成する（図１４（Ｃ）参照）。当該導電層は、図１２に示した作製方法において、電極６４２ａ、電極６４２ｂを形成するために用いた導電層と同様の材料とし、同様の方法で作製することができるので説明は省略する。
【０２３０】
　
これ以降の作製工程は図１２で示した工程と同様である
【０２３１】
　以上の工程より、図８に示すような構成の記憶素子を作製することができる。」
「【０２４０】
 （実施の形態７）
　
トランジスタ６６２の酸化物半導体層６４４の一形態
【０２４１】
　
本実施の形態の酸化物半導体層は、第１の結晶性酸化物半導体層上に第１の結晶性酸化物半導体層よりも厚い第２の結晶性酸化物半導体層を有する積層構造である
・・・
【０２４３】
　次に、絶縁層４３７上に
膜厚１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の酸化物半導体膜
【０２４４】
　本実施の形態では、酸化物半導体用ターゲット（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体用ターゲット（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］）を用いて、基板とターゲットの間との距離を１７０ｍｍ、基板温度２５０℃、圧力０．４Ｐａ、直流（ＤＣ）電源０．５ｋＷ、酸素のみ、アルゴンのみ、又はアルゴン及び酸素雰囲気下で
膜厚５ｎｍの第１の酸化物半導体膜を成膜
【０２４５】
　次いで、基板を配置するチャンバー雰囲気を窒素、または乾燥空気とし、第１の加熱処理を行う。第１の加熱処理の温度は、４００℃以上７５０℃以下とする。
第１の加熱処理によって第１の結晶性酸化物半導体層４５０ａを形成
【０２４６】
　成膜時の基板温度や第１の加熱処理の温度にもよるが、第１の加熱処理によって、膜表面から結晶化が起こり、膜の表面から内部に向かって結晶成長し、
Ｃ軸配向した結晶が得られる
【０２４７】
　第１の加熱処理によって、酸化物絶縁層である絶縁層４３７中の酸素を第１の結晶性酸化物半導体層４５０ａとの界面またはその近傍（界面からプラスマイナス５ｎｍ）に拡散させて、第１の結晶性酸化物半導体層の酸素欠損を低減する。
【０２４８】
　次いで、
第１の結晶性酸化物半導体層４５０ａ上に１０ｎｍよりも厚い第２の酸化物半導体膜を形成する
【０２４９】
　本実施の形態では、酸化物半導体用ターゲット（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体用ターゲット（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］）を用いて、基板とターゲットの間との距離を１７０ｍｍ、基板温度４００℃、圧力０．４Ｐａ、直流（ＤＣ）電源０．５ｋＷ、酸素のみ、アルゴンのみ、又はアルゴン及び酸素雰囲気下で
膜厚２５ｎｍの第２の酸化物半導体膜を成膜
【０２５０】
　次いで、基板を配置するチャンバー雰囲気を窒素、または乾燥空気とし、第２の加熱処理を行う。第２の加熱処理の温度は、４００℃以上７５０℃以下とする。
第２の加熱処理によって第２の結晶性酸化物半導体層４５０ｂを形成する
・・・
【０２５２】
　次いで、第１の結晶性酸化物半導体層４５０ａと第２の結晶性酸化物半導体層４５０ｂからなる酸化物半導体積層を加工して
島状の酸化物半導体積層からなる酸化物半導体層４５３を形成する
・・・
【０２５５】
　また、上記作製方法により、
得られる第１の結晶性酸化物半導体層及び第２の結晶性酸化物半導体層は、Ｃ軸配向を有している
Ｃ軸配向を有した結晶（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌ； ＣＡＡＣとも呼ぶ）を含む酸化物を有する
【０２５６】
　なお、第１及び第２の結晶性酸化物半導体層は、上述の実施の形態において示した酸化物半導体によって形成することができる。
【０２５７】
　また、第１の結晶性酸化物半導体層上に第２の結晶性酸化物半導体層を形成する２層構造に限定されず、第２の結晶性酸化物半導体層の形成後に第３の結晶性酸化物半導体層を形成するための成膜と加熱処理のプロセスを繰り返し行って、３層以上の積層構造としてもよい。
【０２５８】
　
上記作製方法で形成された酸化物半導体積層からなる酸化物半導体層４５３を、図６乃至図９に示した酸化物半導体層６４４として用いることができる
【０２５９】
　また、酸化物半導体層６４４として本実施の形態の酸化物半導体積層を用いたトランジスタにおいては、電流は、主として酸化物半導体積層の界面を流れるトランジスタ構造であるため、トランジスタに光照射が行われ、またはＢＴストレスが与えられても、トランジスタ特性の劣化は抑制される、または低減される。
【０２６０】
　酸化物半導体層４５３のような第１の結晶性酸化物半導体層と第２の結晶性酸化物半導体層の積層をトランジスタに用いることで、安定した電気的特性を有し、且つ、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
【０２６１】
　本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。」
　図６、８は、以下のとおりのものである。
　したがって、上記引用文献２には、図８に示されるトランジスタ６６２において、実施の形態７の、酸化物半導体層６４４として、酸化物半導体積層からなる酸化物半導体層４５３を用いたものとして、以下の技術的事項が記載されていると認められる。
「酸化物半導体からなるトランジスタ６６２であって、
　酸化物半導体層６４４は、第１の結晶性酸化物半導体層上に第１の結晶性酸化物半導体層よりも厚い第２の結晶性酸化物半導体層を有する積層構造であり、
　第１の結晶性酸化物半導体層及び第２の結晶性酸化物半導体層は、ｃ軸配向した結晶を有し、
　酸化物半導体層６４４、電極６４２ａ及び電極６４２ｂ上に、酸化シリコン等を含む材料からなる絶縁層６５０を備えるトランジスタ６６２。」
３．引用文献３について
　また、原査定で周知技術を示す文献として引用された引用文献３（特開２０１２−１３４４７２号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００６４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、酸化物半導体層と当該酸化物半導体層の一部と接する絶縁層との界面状態が良好な
ボトムゲート型トランジスタ
【００６５】
図２（Ａ）に示すように、基板２００上に
ゲート電極層２０１
・・・
【００６７】
次いで、ゲート電極層２０１を覆う
ゲート絶縁層２０２を形成する
・・・
【００７１】
次いで、図２（Ｂ）に示すように
ゲート絶縁層２０２上に接して酸化物半導体層を形成する
【００７２】
次いで、酸化物半導体層を加工して島状の酸化物半導体層２０３を形成する
【００７３】
このように、窒素が添加されたゲート絶縁層２０２ａに接して酸化物半導体層２０３を設けることによって、
当該窒素が添加されたゲート絶縁層２０２ａと接する酸化物半導体層２０３の界面近傍にもまた、結晶性の高い酸化物半導体層２０７を形成する
【００７４】
酸化物半導体層において、窒素を多く含む領域（結晶性の高い酸化物半導体層２０７）は、窒素を多く含まない領域に比べてエネルギーギャップが小さく、キャリアを流しやすい
【００７５】
また、結晶性の高い酸化物半導体層２０７に含まれる結晶は、六方晶のウルツ鉱型結晶構造である。
【００７６】
即ち、窒素が添加されたゲート絶縁層２０２ａと酸化物半導体層２０３との界面近傍領域２１２は、他の領域に比べて結晶性が高くなる。更に当該界面近傍領域２１２は、他の領域に比べて均一性が高くなる。また、ゲート絶縁層２０２と酸化物半導体層２０３との界面には未結合手に起因する界面準位が少なくなるため、良好な界面状態を実現できる。
【００７７】
次いで酸化物半導体層２０３上に、導電膜を形成す
【００７８】
次いで、導電膜上に、フォトリソグラフィ技術またはインクジェット法により所望の形状のマスクを形成し、当該マスクを用いて
当該導電膜を選択的にエッチングすることで、ソース電極層２０４またはドレイン電極層２０５を形成するこ
【００７９】
ソース電極層２０４またはドレイン電極層２０５を形成した後、減圧下で加熱処理を行う。減圧下での加熱処理を行うことによって、酸化物半導体層２０３に含まれる過剰な水素（水や水酸基を含む）を除去することができる。減圧下での加熱処理を行った後、酸素プラズマ処理を行う。酸素プラズマ処理を行うことによって露出した酸化物半導体層２０３の表面近傍に酸素が添加される。酸素が添加された酸化物半導体層２０３ａの酸素濃度は、酸素が添加されていない酸化物半導体層２０３ｂの酸素濃度に比べて高くなる。
【００８０】
図２（Ｃ）に示すように、酸素プラズマ処理を行った後、スパッタリング法により、
ソース電極層２０４またはドレイン電極層２０５を覆い、且つ酸化物半導体層２０３の一部に接する保護絶縁層２０６を形成する
【００８１】
保護絶縁層２０６としては、酸化シリコン
を用いることができる
・・・
【００８４】
以上の工程で酸化物半導体層と当該酸化物半導体層と接する絶縁層との界面状態が良好なボトムゲート型トランジスタ２１１を作製することができる。
【００８５】
次に、図３（Ｂ）に示す、窒素濃度プロファイルを用いて、酸化物半導体層と当該酸化物半導体層と接する絶縁層との界面付近の窒素濃度の状態について、詳細に説明する。また図３（Ｃ）に示す、酸素濃度プロファイルを用いて、酸化物半導体層と当該酸化物半導体層と接する絶縁層との界面付近の酸素濃度の状態について、詳細に説明する。
図３（Ｂ）
は図２（Ｃ）において鎖線で切断した場合における膜厚方向における窒素濃度プロファイル
を示す模式図
図３（Ｂ）
における第１の絶縁層が図２（Ｃ）におけるゲート絶縁層
・・・
【００９４】
酸化物半導体層と第１の絶縁層との界面は、窒素濃度のピークを有するため、最も結晶性が高くなる。その結果、酸化物半導体層と第１の絶縁層との界面には未結合手に起因する界面準位が少なくなるため、良好な界面状態を実現できる。従って、酸化物半導体層と第１の絶縁層との界面が非晶質状態である場合と比べて、トランジスタの電気的特性の低下を防ぐことができる。
【００９５】
図３（Ｂ）に示す窒素濃度プロファイルを有するトランジスタ２１１は、第１の絶縁層と酸化物半導体層との界面近傍領域２１２における窒素濃度が高い。従って、当該界面近傍領域２１２は
ｃ軸配向を有する
「【０１１１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、酸化物半導体層と当該酸化物半導体層の一部と接する絶縁層との界面状態が良好な
ボトムゲート型トランジスタ
【０１１２】
 図８（Ａ）に示すように、基板３００上に
ゲート電極層３０１
・・・
【０１１４】
次いで、ゲート電極層３０１を覆う
ゲート絶縁層３０２
・・・
【０１１７】
次いで、図８（Ｂ）に示すよう
にゲート絶縁層３０２上に接して酸化物半導体層を形成する
・・・
【０１２０】
次いで、酸化物半導体層を加工して島状の酸化物半導体層３０３を形成する
【０１２１】
酸化物半導体層において、窒素を多く含む領域（窒素濃度の高い酸化物半導体層３０３ｄ）は、窒素を多く含まない領域（酸化物半導体層３０３ｃ）に比べてエネルギーギャップが小さく、キャリアを流しやすい
【０１２２】
窒素濃度の高い酸化物半導体層３０３ｄを形成する際、成膜時に導入する窒素ガス流量等を制御することで、結晶性の高低の制御や、結晶構造、及び結晶構造に付随するあらゆるパラメータを変化させることが可能になる。
【０１２３】
また、窒素濃度の高い酸化物半導体層３０３ｄに含まれる結晶は、六方晶のウルツ鉱型結晶構造であり、酸化物半導体層３０３ｃに含まれる結晶は、六方晶の非ウルツ鉱型結晶構造である。ウルツ鉱型結晶構造と非ウルツ鉱型結晶構造はともに六方晶であるので、ｃ軸方向からは六角形の格子像を確認できる。
【０１２４】
即ち、窒素が添加されたゲート絶縁層３０２ａと酸化物半導体層３０３との
界面近傍領域３１４は、他の領域に比べて結晶性が高くなる
【０１２５】
次いで酸化物半導体層３０３上に、導電膜を形成する
【０１２６】
次いで、導電膜上に、フォトリソグラフィ技術またはインクジェット法により所望の形状のマスクを形成し、当該マスクを用いて
当該導電膜を選択的にエッチングすることで、ソース電極層３０４またはドレイン電極層３０５を形成する
【０１２７】
ソース電極層３０４またはドレイン電極層３０５を形成した後、減圧下で加熱処理を行う。減圧下での加熱処理を行うことによって、酸化物半導体層３０３に含まれる過剰な水素（水や水酸基を含む）を除去することができる。減圧下での加熱処理を行った後、酸素プラズマ処理を行う。酸素プラズマ処理を行うことによって露出した酸化物半導体層３０３の表面近傍に酸素が添加される。酸素が添加された酸化物半導体層３０３ａの酸素濃度は、酸素が添加されていない酸化物半導体層３０３ｃの酸素濃度に比べて高くなる。
【０１２８】
 図８（Ｃ）に示すように、酸素プラズマ処理を行った後、スパッタリング法により、
ソース電極層３０４またはドレイン電極層３０５を覆い、且つ酸化物半導体層３０３の一部に接する保護絶縁層３０６を形成する
【０１２９】
保護絶縁層３０６としては、酸化シリコン
を用いることができる
【０１３０】
なお、保護絶縁層３０６の膜厚は、５０ｎｍ以上、好ましくは２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とする。保護絶縁層３０６を厚くすることで、保護絶縁層３０６からの酸素放出量を増加させることができると共に、その増加によって保護絶縁層３０６と酸化物半導体層３０３との界面における欠陥を低減することが可能である。
【０１３１】
保護絶縁層３０６の形成後、必要であれば、水素及び水分をほとんど含まない雰囲気下（窒素雰囲気、酸素雰囲気、乾燥空気雰囲気（例えば、水分については露点−４０℃以下、好ましくは露点−６０℃以下）など）で加熱処理（温度範囲１５０℃以上６５０℃以下、好ましくは２００℃以上５００℃以下）を行ってもよい。
【０１３２】
以上の工程で酸化物半導体層と当該酸化物半導体層と接する絶縁層との界面状態が良好なボトムゲート型トランジスタ３１３を作製することができる。
【０１３３】
次に、図９に示す、窒素濃度プロファイルを用いて、酸化物半導体層と当該酸化物半導体層と接する絶縁層との界面付近の窒素濃度の状態について、詳細に説明する。図９は図８（Ｃ）において鎖線で切断した場合における膜厚方向における窒素濃度プロファイル及び酸素濃度プロファイルを示す模式図である。図９における第１の絶縁層が図８（Ｃ）におけるゲート絶縁層であり、図８（Ｃ）における第２の絶縁層が図２における保護絶縁層である。
・・・
【０１３７】
図３（Ｂ）における酸化物半導体層と第１の絶縁層との界面に比べて、図９における酸化物半導体層と第１の絶縁層との界面には窒素が多く含まれており、結晶化が進行する。
【０１３８】
酸化物半導体層と第１の絶縁層との界面は、窒素濃度のピークを有するため、最も結晶性が高くなる。また当該窒素濃度のピーク値は、図３（Ｂ）における窒素濃度のピーク値よりも高くなる。その結果、酸化物半導体層と第１の絶縁層との界面には未結合手に起因する界面準位が少なくなるため、良好な界面状態を実現できる。従って、酸化物半導体層と第１の絶縁層との界面が非晶質状態である場合と比べて、トランジスタの電気的特性の低下を防ぐことができる。
【０１３９】
また、
図９に示す窒素濃度プロファイルを有するトランジスタ３１３は、第１の絶縁層と酸化物半導体層との界面近傍領域３１４における窒素濃度が高く、第１の絶縁層と酸化物半導体層との界面における窒素濃度は更に高い。従って、当該界面近傍領域３１４は
　したがって、上記引用文献３には、実施の形態２、実施の形態３のボトムゲート型トランジスタに関して、以下の技術的事項が記載されていると認められる。
「酸化物半導体からなるトランジスタ２１１、３１１において、
　酸化物半導体層２０３、３０３の、第１の絶縁層（ゲート絶縁層２０２、３０２）と酸化物半導体層との界面近傍領域２１２、３１４は、ｃ軸配向した結晶を有し、
　酸化物半導体層２０３、３０３、ソース電極層２０４、３０４及びドレイン電極層２０５、３０５上に、酸化シリコンなどからなる保護絶縁層２０６、３０６を備えるボトムゲート型トランジスタ２１１、３１１。」
４．引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（国際公開第２００９／０３４９５３号）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「[0012] 　以下、本発明の薄膜トランジスタを図面を参照して説明する。
　図１は、結晶質層及び非晶質層を積層してなる酸化物半導体膜を含む本発明の薄膜トランジスタの第１の実施形態を示す概略断面図である。
　薄膜トランジスタ１は、基板１０及び絶縁膜３０の間にゲート電極２０を挟持しており、
ゲート絶縁膜３０上には非晶質層４２及び結晶質層４４が積層してなる
　尚、図１の薄膜トランジスタ１はいわゆるチャンネルエッチ型薄膜トランジスタである。
[0013] 　本発明の薄膜トランジスタ１において、活性層である酸化物半導体膜４０は、非晶質層４２及び結晶質層４４が積層した構造を有する。酸化物半導体膜４０が結晶質層４４を有することにより、酸素分圧等の周囲の雰囲気の影響を防止でき、薄膜トランジスタ１の安定性を向上させることができる。安定性向上の結果、大気下及び真空下のいずれの雰囲気下であっても、電界効果移動度及びｏｎ−ｏｆｆ比が高く、また、ノーマリーオフを示すとともに、ピンチオフが明瞭である薄膜トランジスタ１とすることができる。また、薄膜トランジスタ１は高い安定性を有するため、エッチストッパー層を積層する必要がなく、大面積化が可能である。
[0014] 　酸化物半導体膜４０の膜厚は、通常３〜５００ｎｍであり、好ましくは５〜２００ｎｍ、より好ましくは１０〜８０ｎｍ、特に好ましくは１５〜６０ｎｍである。酸化物半導体膜４０の膜厚が３ｎｍ未満の場合、膜質が均一な酸化物半導体膜の成膜が困難となるおそれがある。一方、酸化物半導体膜４０の膜厚が５００ｎｍ超の場合、成膜時間が長くなるため、生産効率が落ちるおそれがあり、及び薄膜トランジスタ１がノーマリーオンになり、消費電力が大きくなるおそれがある。
[0015] 　
非晶質層４２の膜厚は、通常１〜２００ｎｍであり、好ましくは２〜１００ｎｍ、より好ましくは３〜７０ｎｍである
[0016] 　
結晶質層４４の膜厚は、好ましくは２ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上、さらに好ましくは１０ｎｍ以上、特に好ましくは２０ｎｍ以上である
　尚、結晶質層４４の膜厚の上限としては、２００ｎｍが挙げられる。
・・・
[0055] 　結晶質層及び非晶質層が含む元素の組み合わせとしては、好ましくは
結晶質層がインジウム及び亜鉛を含み、非晶質層がインジウム、亜鉛及びガリウムを含む組み合わせ
「［実施例］
[0082] 実施例１
（１）スパッタリングターゲットの製造
　原料として、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウムの粉末とを、原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）＝０．４、原子比Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）＝０．２、原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）＝０．４となるように混合し、この混合粉末を湿式ボールミルに供給して、７２時間混合粉砕し、原料微粉末を調製した。
　得られた原料微粉末を造粒し、直径１０ｃｍ、厚さ５ｍｍの寸法にプレス成形し、成形体を得た。この成形体を焼成炉に入れ、１４５０℃、１２時間の条件で焼成し、スパッタリングターゲットＩを得た。
　ターゲットＩと同様にして、原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．９３、原子比Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０７であるスパッタリングターゲットＩＩを得た。
・・・
[0090] （４）薄膜トランジスタの製造
　無アルカリガラス基板上にモリブデンを１５０ｎｍの厚さで成膜し、フォトリソグラフィー法を用いパターニングしてゲート電極とした。次に、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いてＳｉＮｘ（Ｘ＝４／３）を２００ｎｍの厚さで成膜し、ゲート絶縁膜とした。（１）で製造したターゲットＩ及びＩＩを用いて、（２）と同様にして
非晶質層及び結晶質層を積層してなる酸化物半導体膜をゲート絶縁膜上に成膜した
図１の構成を有する薄膜トランジスタ
・・・
[0093] 実施例２〜１６
　ターゲットＩ及びＩＩの組成を表１及び表２に記載の組成としたほかは実施例１と同様にしてターゲットＩ及びＩＩを製造した。次に、得られたターゲットＩ及びＩＩを用いて、雰囲気ガスの組成、酸素分圧、及び
酸化物薄膜Ｉ及びＩＩの膜厚を表１及び表２に記載の値としたほかは実施例１と同様にして酸化物半導体膜及び薄膜トランジスタを製造した
[0094]　［表１］
[0095]　［表２]
請求の範囲
[1]　　結晶質層及び非晶質層を積層してなる酸化物半導体膜を含む薄膜トランジスタ。
[2]　　
前記結晶質層がインジウムを含み
[3]　　
前記結晶質層が
正二価の金属元素をさらに含む
[4]　　
前記結晶質層が
亜鉛を含む
・・・
[6]　　前記非晶質層がインジウム及び亜鉛のうち少なくとも１つを含む請求項１〜５のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
[7]　　
前記非晶質層がインジウム、亜鉛及びガリウムを含む
[8]　　透明基材、ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極を備えてなる薄膜トランジスタにおいて、
　前記酸化物半導体膜が結晶質層及び非晶質層の積層体であり、
　
前記非晶質層がゲート絶縁膜と接し、
　
前記結晶質層が前記非晶質層と接し
・・・
[10]　　透明基材、ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極を備えてなる薄膜トランジスタにおいて、
　前記酸化物半導体膜が結晶質層及び非晶質層の積層体であり、
　
前記非晶質層がゲート絶縁膜と接し、
　
前記結晶質層が前記非晶質層と接し、
　前記酸化物半導体膜を覆うように形成された層間絶縁膜を有し、及び
　前記層間絶縁膜を貫通するビアホールを有し、前記ビアホールを介して前記ソース電極及びドレイン電極と前記結晶質層が電気的に接続している薄膜トランジスタ。
[11]　　透明基材、ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極を備えてなる薄膜トランジスタにおいて、
　前記酸化物半導体膜が結晶質層及び非晶質層の積層体であり、
　
前記非晶質層がゲート絶縁膜と接し、
　
前記結晶質層が前記非晶質層と接し、
　前記酸化物半導体膜を覆うように前記ゲート絶縁膜が形成しており、及び
　前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極を有する薄膜トランジスタ。」
　図１は、以下のとおりのものである。
　したがって、上記引用文献４には、以下の技術的事項が記載されていると認められる。
「結晶質層及び非晶質層を積層してなる積層構造の酸化物半導体膜を含む薄膜トランジスタであって、
　前記非晶質層がゲート絶縁膜と接し、
　前記結晶質層が前記非晶質層と接し、
　結晶質層がインジウム及び亜鉛を含み、非晶質層がインジウム、亜鉛及びガリウムを含み、
　非晶質層４２の膜厚は、通常１〜２００ｎｍであり、好ましくは２〜１００ｎｍ、より好ましくは３〜７０ｎｍであり、
　結晶質層４４の膜厚は、好ましくは２ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上、さらに好ましくは１０ｎｍ以上、特に好ましくは２０ｎｍ以上であり、
　酸化物薄膜II（結晶質層）の膜厚は、例えば、４０ｎｍであり、酸化物薄膜I（非晶質層）の膜厚は、例えば、３０ｎｍである、薄膜トランジスタ。」
第４　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明における「ソース電極１４ｓ」、「ドレイン電極１４ｄ」、「薄膜トランジスタ」、「ゲート電極１１」、「ゲート絶縁膜１２」は、それぞれ、本願発明１における「第１の電極」、「第２の電極」、「トランジスタ」、「ゲート電極」、「ゲート絶縁膜」に相当する。
イ　本願発明１の「前記ゲート絶縁膜上に接する、ＩｎとＧａとＺｎとを有する酸化物半導体膜」と、「前記酸化物半導体膜上に接する、ＩｎとＧａとＺｎとを有する酸化物膜」と、引用発明の「ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体層１３であって、少なくともＩｎと酸素（Ｏ）とを含む、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｏからなり、酸化物半導体層１３内の一部に、ゲート絶縁膜１２上に接する、Ｉｎ濃度の高い領域（高濃度領域１３ｄ）が形成されている酸化物半導体層１３」とを対比する。
　引用発明における「酸化物半導体層１３」のうち、「Ｉｎ濃度の高い領域（高濃度領域１３ｄ）」、「Ｉｎ濃度の高い領域（高濃度領域１３ｄ）以外の領域」は、それぞれ、本願発明１の「『前記ゲート絶縁膜上に接する』、『酸化物半導体膜』」、「『前記酸化物半導体膜上に接する』、『酸化物膜』」に対応する。
　また、引用発明における「酸化物半導体層１３」は、「少なくともＩｎと酸素（Ｏ）とを含む、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｏからな」るから、本願発明１の「酸化物半導体膜」及び「酸化物膜」とは、「ＩｎとＧａとＺｎとを有する」点で共通する。
　したがって、本願発明１と引用発明とは、「前記ゲート絶縁膜上に接する、ＩｎとＧａとＺｎとを有する酸化物半導体膜」と、「前記酸化物半導体膜上に接する、ＩｎとＧａとＺｎとを有する酸化物膜」を有する点で共通する。
エ　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
＜一致点＞
「ゲート電極と、
　前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に接する、ＩｎとＧａとＺｎとを有する酸化物半導体膜と、
　前記酸化物半導体膜上に接する、ＩｎとＧａとＺｎとを有する酸化物膜と、
　前記酸化物膜上の第１の電極と、
　前記酸化物膜上の第２の電極と、を有するトランジスタ。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
　本願発明１は、「前記酸化物膜上、前記第１の電極上、及び前記第２の電極上の酸化物絶縁膜」という構成を備えるのに対し、引用発明はそのような構成を備えていない点。
＜相違点２＞
　本版発明１は、「前記酸化物膜は、非単結晶構造であり且つｃ軸配向した結晶を有し」という構成を備えるのに対し、引用発明の「酸化物半導体層１３の高濃度領域１３ｄ以外の領域」はそのような構成を備えていない点。
＜相違点３＞
　本願発明１は、「前記酸化物膜のＩｎに対するＧａの原子数比は、前記酸化物半導体膜のＩｎに対するＧａの原子数比よりも大きく」という構成を備えるのに対し、引用発明では、「酸化物半導体層１３」における、「Ｉｎ濃度の高い領域（高濃度領域１３ｄ）以外の領域」と「Ｉｎ濃度の高い領域（高濃度領域１３ｄ）」について、Ｉｎに対する「Ｇａ」の原子数比について特定されておらず、本願発明１の上記のような構成を備えていない点。
＜相違点４＞
　本願発明１は、「前記酸化物半導体膜の厚さは、前記酸化物膜の厚さよりも厚く」という構成を備えるのに対し、引用発明では、「酸化物半導体層１３」における、「Ｉｎ濃度の高い領域（高濃度領域１３ｄ）以外の領域」の厚さと、「Ｉｎ濃度の高い領域（高濃度領域１３ｄ）」の厚さの大小関係について特定されていない点。
＜相違点５＞
　本願発明１は「前記酸化物膜の伝導帯下端のエネルギーと、前記酸化物半導体膜の伝導帯下端のエネルギーとの差が、０．１ｅＶ以上である」という構成を備えるのに対し、引用発明では、「酸化物半導体層１３」における、「高濃度領域１３ｄ以外の領域」と、「Ｉｎ濃度の高い領域（高濃度領域１３ｄ）」、それぞれの伝導帯下端のエネルギーについて特定されておらず、本願発明１の上記のような構成を備えていない点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑みて、上記相違点４について先に検討する。
ア　引用文献１には、実施の形態２について、段落[0049]に、「
膜厚が２０ｎｍ以下の高濃度領域
　また、引用文献１には、実施の形態１について、段落[0033]に、「酸化物半導体層１３の全体の膜厚は、１００ｎｍ以下とする。また、高濃度領域１３ｄの膜厚は２０ｎｍ以下とし、好ましくは６ｎｍ以下とする。」と記載されており、更に、引用文献１には、膜厚２５ｎｍの酸化物半導体層１３を堆積し、６ｎｍの高濃度領域１３ｄを形成すること、実施の形態６について、段落[0066]に、膜厚５０ｎｍの酸化物半導体層１３に１０ｎｍの高濃度領域１３ｄを形成すること、実施の形態７について、段落[0071]に、膜厚５０ｎｍの酸化物半導体層１３に５ｎｍの高濃度領域１３ｄを形成することが記載されており、どの例をとってみても、高濃度領域１３ｄが酸化物半導体層１３の全体の膜厚に対して５割以上を占める記載はない。
　したがって、引用文献１の上記記載に触れた当業者であれば、高濃度領域の膜厚をその他の領域の膜厚より厚くするならば、「本発明の目的」の「１００ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ以下のサブスレッショルド係数を実現する技術を提供すること」を達成できないと解される。
　よって、引用発明において、相違点４に係る本願発明１の上記構成とする動機付けを見いだせない。
イ　また、仮に、引用発明に、引用文献４に記載された技術的事項を組み合わせることを考慮したとしても、上記第３の４．のとおり、引用文献４に記載された技術的事項は、
「結晶質層及び非晶質層を積層してなる積層構造の酸化物半導体膜を含む薄膜トランジスタであって、
　前記非晶質層がゲート絶縁膜と接し、
　前記結晶質層が前記非晶質層と接し、
　結晶質層がインジウム及び亜鉛を含み、非晶質層がインジウム、亜鉛及びガリウムを含み、
　非晶質層４２の膜厚は、通常１〜２００ｎｍであり、好ましくは２〜１００ｎｍ、より好ましくは３〜７０ｎｍであり、
　結晶質層４４の膜厚は、好ましくは２ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上、さらに好ましくは１０ｎｍ以上、特に好ましくは２０ｎｍ以上であり、
　酸化物薄膜II（結晶質層）の膜厚は、例えば、４０ｎｍであり、酸化物薄膜I（非晶質層）の膜厚は、例えば、３０ｎｍである、薄膜トランジスタ。」
であり、引用文献４の［表１］には、実施例２として、「２層の酸化物薄膜のうち、ゲート絶縁膜と接する、下層の酸化物薄膜I（非晶質層）の膜厚を５０ｎｍとし、上層の酸化物薄膜II（結晶質層）の膜厚を２０ｎｍ」とする実施例が示されているものの、その他の実施例１、３〜１６は、ターゲットの組成が本願発明１とは異なるものも含めて、すべて、「ゲート絶縁膜と接する、下層の酸化物薄膜I（非晶質層）の膜厚を３０ｎｍとし、上層の酸化物薄膜II（結晶質層）の膜厚を４０ｎｍ」とする実施例であるから、引用文献４に記載された技術的事項に基づいて、引用発明において、当業者が、相違点４に係る本願発明１の「前記酸化物半導体膜の厚さは、前記酸化物膜の厚さよりも厚く」という構成を選択する動機付けを見いだすことはできない。
　したがって、仮に、引用文献４に記載された技術的事項を考慮したとしても、当業者といえども、引用発明及び引用文献４に記載された技術的事項から、相違点４に係る本願発明１の上記構成に容易に想到することはできない。
　また、相違点４に係る本願発明１の上記構成は、引用文献２、３には記載されておらず、原出願の出願前において周知技術であるともいえない。
　よって、本願発明１は、他の相違点について判断するまでもなく、当業者であっても、引用発明、引用文献４に記載された技術的事項、引用文献２、３に記載された周知技術に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２．本願発明２について
　本願発明２も、本願発明１の「前記酸化物半導体膜の厚さは、前記酸化物膜の厚さよりも厚く」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明、引用文献４に記載された技術的事項、引用文献２、３に記載された周知技術に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　原査定は、請求項１−３について、上記引用文献１−４に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　しかしながら、令和２年２月２５日付け手続補正により、補正前の請求項１は削除され、補正後の請求項１、２（補正前の請求項２、３）は、いずれも「前記酸化物半導体膜の厚さは、前記酸化物膜の厚さよりも厚い」という構成を有するものとなっている。
　そして、上記のとおり、本願発明１、２は、当業者であっても、上記引用文献１に記載された発明、上記引用文献４に記載された技術的事項、引用文献２、３に記載された周知技術に基づいて容易に発明できたものではない。
　したがって、原査定を維持することはできない。
第６　当審拒絶理由について
１．特許法第３６条第６項第１号について
　当審では、請求項１、２に係る発明が発明の詳細な説明に記載したものではないから、請求項１、２の記載は、サポート要件に適合するものではないとの拒絶の理由を通知しているが、令和２年１１月１７日付けの手続補正において、請求項１に、「前記酸化物膜の伝導帯下端のエネルギーと、前記酸化物半導体膜の伝導帯下端のエネルギーとの差が、０．１ｅＶ以上である」との記載が追加された結果、この拒絶の理由は解消した。
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明１、２は、当業者が引用発明、引用文献４に記載された技術的事項、引用文献２、３に記載された周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。