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【手続補正書】
【提出日】平成31年3月25日(2019.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転自在に支持され周方向に複数の磁極部（２２）を有する回転子（１２）と、
前記回転子と同軸配置され、多相交流電流が通電される固定子巻線（３０）が巻装された固定子コア（２５）を備える固定子（１３）と、
を備え、
前記固定子コアは、複数の鋼板を積層して構成され、環状のヨーク（２６）と、該ヨークから径方向に延びる複数のティース（２７）とを有しており、
前記固定子巻線は、前記磁極部ごとに導線が分布巻により巻装されることで構成されており、
前記ティースには、前記鋼板よりも鉄損係数の低い軟磁性体からなり、かつ前記ティースの表面の少なくとも一部を覆う被覆部（４０，５０，６４）が設けられている回転電機。
【請求項２】
前記固定子コアには、１極１相当たり２個ずつの前記ティースが設けられている請求項１に記載の回転電機。
【請求項３】
前記ティースにおいて前記回転子に対向する対向面の少なくとも一部が前記被覆部により覆われている請求項１又は２に記載の回転電機。
【請求項４】
前記固定子コアの前記ティースの先端側において、隣り合うティースどうしの間に空隙が設けられており、
前記ティースにおいて前記回転子に対向する対向面の少なくとも一部が前記被覆部により覆われている請求項１又は２に記載の回転電機。
【請求項５】
前記ティースは、前記回転子側の先端部に周方向に延びる鍔部（２８）を有しており、
前記ティースにおいて前記回転子に対向する対向面と前記鍔部の周方向の側面とが前記被覆部により覆われている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の回転電機。
【請求項６】
前記固定子コアは、前記鋼板と同じ平面形状を有し前記鋼板に重ねて配置される重なり部（６３）と、前記重なり部において前記ティースに相当する部分の先端部にて前記鋼板の積層方向に延びる延伸部（６４）とを有する部材（６２）を備え、
前記部材は、前記鋼板よりも鉄損係数の低い軟磁性体からなり、前記延伸部により前記被覆部が構成されている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の回転電機。
【請求項７】
前記ティースにおいて周方向の側面の少なくとも一部が前記被覆部により覆われている請求項１乃至６のいずれか１項に記載の回転電機。
【請求項８】
前記ティースの側面に設けられた前記被覆部は、径方向内側と径方向外側とで厚みが異なり、前記回転子に対向する側ほど厚くなっている請求項７に記載の回転電機。
【請求項９】
前記被覆部は、前記軟磁性体として鉄−ケイ素系合金の粒子を絶縁層で覆った磁性紛体を用いその磁性粉体の成形体により構成されている請求項１乃至８のいずれか１項に記載の回転電機。
【請求項１０】
前記回転子は、前記固定子と対向する側において周方向に配置された複数の磁極部（２２）を有しており、
前記回転子において前記磁極部の表面の少なくとも一部が、前記鋼板よりも鉄損係数の低い軟磁性体からなる被覆部（７０）により覆われている請求項１乃至９のいずれか１項に記載の回転電機。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月25日(2019.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック材料及びキャビティを含むパッケージボディーと、
前記キャビティの底面の上に配置される少なくとも１つの電極パターンと、
該少なくとも１つの電極パターンの上に配置される発光素子と、
前記パッケージボディーに配置される放熱部と、
を具備し、
前記パッケージボディーが、
前記放熱部の外側に配置される複数の下部セラミック層と、
前記キャビティの側壁を形成する複数の上部セラミック層と、
前記放熱部を覆うように前記複数の下部セラミック層と前記複数の上部セラミック層との間に配置される第３のセラミック層と、
を含み、
前記第３のセラミック層の厚みが前記複数の下部セラミック層のうちの１つの下部セラミック層の厚みより小さい、発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記第３のセラミック層が、前記放熱部の上に配置される第１の部分と、該第１の部分の外側に配置される第２の部分と、を含み、
前記第１の部分の厚みが、前記第２の部分の厚みより小さい、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記第３のセラミック層の前記第１の部分が前記放熱部に直接接触する、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記第３のセラミック層の厚みが前記複数の下部セラミック層の厚みより小さい、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記第３のセラミック層の厚みが前記複数の上部セラミック層のうちの１つの上部セラミック層の厚みより小さい、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記複数の上部セラミック層が、前記第３のセラミック層に最も近くに配置される第２のセラミック層を含み、
該第２のセラミック層がオープン領域を含み、前記発光素子が前記オープン領域に配置される、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記第２のセラミック層の厚みが前記第３のセラミック層の厚みより大きい、請求項６に記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記第２のセラミック層の厚みが前記第３のセラミック層の厚みと同一である、請求項６に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記オープン領域の幅が前記放熱部の最大の幅より小さい、請求項６に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記オープン領域の幅が前記放熱部の最大の幅より大きい、請求項６に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１１】
前記放熱部が金属又は合金を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１２】
前記放熱部がＣｕＷを含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１３】
前記発光素子の上に配置され蛍光体を含むモールディング部をさらに具備する、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１４】
前記発光素子が前記第３のセラミック層を介して前記放熱部に熱接触する、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１５】
前記発光素子が近紫外線又は深紫外線を放出する、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１６】
前記パッケージボディーが、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、Ｓｉ３Ｎｙ、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２Ｏ３及びＡｌＮのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月31日(2019.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ内の基台上に載置された基板に設定されている加工領域をプラズマエッチングによって除去し、該基板よりも小さい基板を切り出すプラズマ加工方法であって、
前記基板の表面に、前記加工領域に対応した開口部を有する表面側マスクを形成する表面側マスク形成工程と、
前記基板を前記基台上に載置して、前記表面側マスクの開口部を通して前記基板を等方的にエッチングする表面側エッチング工程と、
前記表面側エッチング工程を実施した後、前記基板の裏面に貫通するまで、前記表面側マスクの開口部を通して前記基板を異方的にエッチングする貫通工程とを行い、
前記貫通工程において、基板を異方的にエッチングする方法は、エッチング処理と保護膜形成処理と交互に行って基板をエッチングする方法、又は、エッチングガス及び保護膜形成ガスを同時に用い、基板に印加するバイアス電力を徐々に大きくして基板をエッチングする方法であることを特徴とするプラズマ加工方法。
【請求項２】
前記表面側エッチング工程では、エッチングにより、平らな底面とテーパ状の両側面とを有する溝が形成されることを特徴とする請求項１記載のプラズマ加工方法。
【請求項３】
前記表面側エッチング工程及び貫通工程では、誘導結合プラズマが用いられることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ加工方法。
【請求項４】
前記貫通工程を実施した後、前記基板を等方的にエッチングする仕上げ工程を実施することを特徴とする請求項１乃至３記載のいずれかのプラズマ加工方法。
【請求項５】
前記基板の裏面には、絶縁層が形成されている又は絶縁性テープが接着されており、
前記貫通工程では、ノッチングを発生させることを特徴とする請求項１乃至４記載のいずれかのプラズマ加工方法。
【請求項６】
前記基板の裏面に、前記加工領域に対応した開口部を有する裏面側マスクを形成する裏面側マスク形成工程と、
前記貫通工程を実施した後、前記基板を表裏反転させて前記基台上に載置して、前記裏面側マスクの開口部を通して前記基板を等方的にエッチングする裏面側エッチング工程とを更に行うことを特徴とする請求項１乃至５記載のいずれかのプラズマ加工方法。
【請求項７】
処理チャンバ内の基台上に載置される基板に設定されている加工領域をプラズマエッチングによって除去し、該基板よりも小さい基板を切り出すプラズマ加工方法であって、
前記基板の表面に、前記加工領域に対応した開口部を有する表面側マスクを形成する表面側マスク形成工程と、
前記基板の裏面に、前記加工領域に対応した開口部を有する裏面側マスクを形成する裏面側マスク形成工程と、
前記基板を前記基台上に載置して、前記表面側マスクの開口部を通して前記基板を等方的にエッチングする表面側エッチング工程と、
前記表面側エッチング工程を実施した後、前記表面側マスクの開口部を通して前記基板を異方的にエッチングする深掘り工程と、
前記深掘り工程実施後に、前記基板を表裏反転させて前記基台上に載置して、前記裏面側マスクの開口部を通して前記基板を等方的にエッチングする裏面側エッチング工程と、
前記裏面側エッチング工程を実施した後、前記深掘り工程で形成されたトレンチの底面に貫通するまで、前記裏面側マスクの開口部を通して前記基板を異方的にエッチングする貫通工程とを行い、
前記貫通工程又は深掘り工程の少なくとも一方において、前記基板を異方的にエッチングする方法は、エッチング処理と保護膜形成処理と交互に行って基板をエッチングする方法、又は、エッチングガス及び保護膜形成ガスを同時に用い、基板に印加するバイアス電力を徐々に大きくして基板をエッチングする方法であることを特徴とするプラズマ加工方法。
【請求項８】
前記深掘り工程及び前記貫通工程の内の少なくともいずれか一方を実施した後、前記基板を等方的にエッチングする仕上げ工程を実施することを特徴とする請求項７記載のプラズマ加工方法。
【請求項９】
前記表面及び裏面の内の少なくともいずれか一方の面にマスクが形成されていない基板における、前記マスクが形成されていない面の全面をエッチングするシンニング工程を、前記表面側エッチング工程の前に実施することを特徴とする請求項１乃至８記載のいずれかのプラズマ加工方法。
【請求項１０】
表面及び裏面の内の少なくとも一方の面における外周縁部が面取りされるとともに、
外周面にエッチング処理と保護膜形成処理とが交互に行われた状態にあるスキャロップ形状を有していることを特徴とする基板。
【請求項１１】
前記スキャロップ形状は、前記外周面から外方に向けた方向の高さ寸法が２５０〜４００ｎｍであり、厚さ方向のピッチが４００〜６００ｎｍであることを特徴とする請求項１０記載の基板。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月6日(2018.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第１導電形の第３半導体層と、第２導電形の第４半導体層と、を有し、第１領域、第２領域、前記第１領域及び前記第２領域との間に設けられた第３領域とを有する半導体層と、
前記半導体層内に設けられ前記第２半導体層と対向し、前記第２領域から前記第１領域に向かう第１方向に延伸する第１電極と、
前記半導体層及び前記第１電極の間に設けられ、前記第２半導体層から前記第１電極に向かい前記第１方向に直交する第２方向の厚さが前記第１方向に沿って段階的に大きくなる第１絶縁膜と、
を備え、
前記第１領域では、前記第４半導体層は前記第１方向及び第２方向に直交する第３方向において前記第１半導体層上に設けられ、前記第１絶縁膜は前記第２方向において第１の厚さを有し、
前記第２領域では、前記第２半導体層は前記第３方向において前記第１半導体層及び前記第３半導体層の間に設けられ、前記第１絶縁膜は前記第２方向において第２の厚さを有し、
前記第３領域では、前記第１絶縁膜は前記第２方向において、前記第１の厚さより小さく前記第２の厚さより大きい第３の厚さを有する半導体装置。
【請求項２】
前記半導体層の前記第１半導体層側に設けられた第２電極と、
前記半導体層と前記第２電極との間に設けられた第１導電形の第５半導体層と、
をさらに備え、
前記第１電極は、前記半導体層の端部に向かって延びており、
前記第１領域は、前記半導体層の端部に位置する請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第３の厚さは、前記第２の厚さの１．３倍以上の厚さである請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体層内に設けられ、前記第１電極と前記第２電極との間に位置し、前記第１方向に延伸する第３電極と、
前記第１領域、前記第２領域及び前記第３領域において、前記第１半導体層及び前記第３電極の間に設けられ、前記第２方向において第４の厚さを有する第２絶縁膜と、
をさらに備え、
前記第１の厚さは、前記第４の厚さと略同じである請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
第１電極と、
前記第１電極上に設けられた半導体層と、
前記半導体層内に設けられ、第１方向に延伸する第２電極と、
前記半導体層及び前記第２電極の間に設けられ、前記第２電極から前記半導体層に向かう第２方向の厚さが前記第１方向に沿って段階的に厚くなる第１絶縁膜と、
を備え、
前記第１方向及び前記第２方向は、前記第１電極から前記半導体層に向かう第３方向と直交し、
前記半導体層は、第１導電形の第１半導体層と、前記第３方向において前記第１半導体層上に設けられた第２導電形の第２半導体層と、前記第３方向において前記第２半導体層上に設けられた第１導電形の第３半導体層と、前記第１半導体層上に設けられ前記第１方向において前記第２半導体層に隣接する第２導電形の第４半導体層と、を有し、
前記第２半導体層が前記第１半導体層及び前記第３半導体層の間に設けられた領域における前記第１絶縁膜の前記第２方向における厚さは、前記第４半導体層が前記第１半導体層上に設けられた領域における前記第１絶縁膜の前記第２方向における厚さと略同じである半導体装置。
【請求項６】
前記半導体層内に設けられ、前記第１電極と前記第２電極との間に位置し、前記第１方向に延伸する第３電極と、
前記第１半導体層及び前記第３電極の間に設けられ、前記第２方向において第４の厚さを有する第２絶縁膜と、
をさらに備え、
前記第４半導体層が前記第１半導体層上に設けられた領域における前記第１絶縁膜の前記第２方向における厚さは、前記第４の厚さと略同じである請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
第１導電形の半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１導電形の第１半導体層と、
前記第１半導体層上に選択的に設けられた第２導電形の第２半導体層と、
前記第２半導体層上に選択的に設けられた第１導電形の第３半導体層と、
前記第１半導体層、前記第２半導体層及び前記第３半導体層を側面に有するトレンチと、
前記トレンチ内に設けられた第１電極と、
前記トレンチの前記側面と前記第１電極との間に設けられた第１絶縁膜と、
前記トレンチ内に設けられ、前記第１電極の上に位置し前記第２半導体層に対向する第２電極と、
前記トレンチの前記側面と前記第２電極との間に設けられた第２絶縁膜と、
前記半導体層の下面上に設けられた第３電極と、
前記第３半導体層上に設けられた第４電極と、
を備え、
前記第２絶縁膜は、前記半導体層上の素子領域から終端領域にかけて、相互に異なる３以上の厚さを有するように段階的に厚くなる半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、半導体層と、第１電極と、第１絶縁膜と、を備える。前記半導体層は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第１導電形の第３半導体層と、第２導電形の第４半導体層と、を有する。前記半導体層は、第１領域、第２領域、前記第１領域及び前記第２領域との間に設けられた第３領域とを有する。前記第１電極は、前記半導体層内に設けられ前記第２半導体層と対向し、前記第２領域から前記第１領域に向かう第１方向に延伸する。前記第１絶縁膜は、前記半導体層及び前記第１電極の間に設けられ、前記第２半導体層から前記第１電極に向かい前記第１方向に直交する第２方向の厚さが前記第１方向に沿って段階的に大きくなる。前記第１領域では、前記第４半導体層は前記第１方向及び第２方向に直交する第３方向において前記第１半導体層上に設けられ、前記第１絶縁膜は前記第２方向において第１の厚さを有する。前記第２領域では、前記第２半導体層は前記第３方向において前記第１半導体層及び前記第３半導体層の間に設けられ、前記第１絶縁膜は前記第２方向において第２の厚さを有する。前記第３領域では、前記第１絶縁膜は前記第２方向において、前記第１の厚さより小さく前記第２の厚さより大きい第３の厚さを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月3日(2018.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線を照射することによって試料を観察する試料観察方法において、
試料台の少なくとも一部をなし前記試料の内部を透過または散乱してきた荷電粒子によって発光する発光部材の上に直接または所定の部材を介して配置された前記試料に対して、前記荷電粒子線を照射するステップと、
前記発光部材の発光を検出して荷電粒子線顕微鏡画像を取得するステップと、を有し、
前記試料は生体試料であって、
固体または液体または気体の栄養材を含む培地を前記試料と共に前記発光部材に配置するステップと、
前記試料を前記発光部材の上で培養または増殖させるステップと、を少なくとも有することにより、
前記発光部材の上に直接または所定の部材を介して前記試料を配置するステップをさらに有する、試料観察方法。
【請求項２】
前記試料を液体の中に配置するステップと、
前記液体を前記発光部材の上に付着させるステップと、を少なくとも有することにより、
前記発光部材の上に直接または所定の部材を介して前記試料を配置するステップをさらに有する、請求項１記載の試料観察方法。
【請求項３】
前記試料を切片化するステップと、
前記切片化された試料を前記発光部材上に搭載するステップと、を少なくとも有することにより、
前記発光部材の上に直接または所定の部材を介して前記試料を配置するステップをさらに有する、請求項１記載の試料観察方法。
【請求項４】
荷電粒子線を照射することにより観察される試料が搭載される試料台において、
該試料台の少なくとも一部をなし、前記試料の内部を透過または散乱してきた荷電粒子によって発光する発光部材を有し、
該試料台は少なくとも凹形状である部分を有し、前記凹形状の凹部に前記試料が配置される、試料台。
【請求項５】
荷電粒子線を照射することにより観察される試料が搭載される試料台において、
該試料台の少なくとも一部をなし、前記試料の内部を透過または散乱してきた荷電粒子によって発光する発光部材を有し、
前記試料が載置される面に、該試料台と前記試料との密着性を高める材料がコーティングされている、試料台。
【請求項６】
該試料台と前記試料との密着性を高める材料は正の荷電状態の分子である、請求項５記載の試料台。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月5日(2019.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像に対してディザマトリクスを適用することでハーフトーン画像を出力する出力手段と、
前記ディザマトリクスを保持する保持手段と、
を備え、
前記ディザマトリクスは、
第１のサブマトリクスと第２のサブマトリクスとを有し、
前記第１のサブマトリクスと前記第２のサブマトリクスの位置に同じ濃度を持つ入力画像に対して適用されると、
前記第１のサブマトリクスの位置において、第１の形状のドットを、
前記第２のサブマトリクスの位置において、前記第１の形状のドットとは異なる形状で、かつ、前記第１の形状のドットを所定の角度回転した形状である第２の形状のドットを含む、ハーフトーン画像を出力するように構成されている
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記出力されたハーフトーン画像を前記所定の角度で回転させる回転処理を行う回転手段をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第１のサブマトリクスと前記第２のサブマトリクスとは隣り合っていることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記第１の形状のドット及び前記第２の形状のドットは凸部を有し、
前記第１の形状のドットが有する凸部の向きと、前記第２の形状のドットが有する凸部の向きとは異なる
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記所定の角度は、９０度、１８０度、２７０度のいずれかであることを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記入力画像の印刷処理に関する情報に基づいて、前記回転処理において画像を回転させるべき角度を９０度単位で判定する判定手段をさらに備えたことを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記印刷処理に関する情報は、前記入力画像の印刷条件を指定した印刷設定情報であり、
前記判定手段は、前記印刷設定情報で両面印刷が指定され、かつ、表面と裏面とで印刷すべき画像を反転する印刷条件が指定されていることに従って、前記画像を回転させるべき角度が１８０度であると判定する
ことを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記印刷処理に関する情報は、前記印刷処理を実行する印刷装置においてオートカセットチェンジ機能が有効に設定されている場合における用紙切れに伴い、印刷に用いる用紙の向きが切り替わることを示す情報であり、
前記判定手段は、前記用紙の向きが切り替わることを示す情報に基づき、前記画像を回転させるべき角度が９０度又は２７０度であると判定する
ことを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項９】
ディザマトリクスを保持する保持手段を備えた画像処理装置の制御方法であって、
入力画像に対して前記ディザマトリクスを適用することでハーフトーン画像を出力する工程を含み、
前記ディザマトリクスは、
第１のサブマトリクスと第２のサブマトリクスとを有し、
前記第１のサブマトリクスと前記第２のサブマトリクスの位置に同じ濃度を持つ入力画像に対して適用されると、
前記第１のサブマトリクスの位置において、第１の形状のドットを、
前記第２のサブマトリクスの位置において、前記第１の形状のドットとは異なる形状で、かつ、前記第１の形状のドットを所定の角度回転した形状である第２の形状のドットを含む、ハーフトーン画像を出力するように構成されている
ことを特徴とする制御方法。
【請求項１０】
コンピュータを請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置として機能させるためのプログラム。
【請求項１１】
中間調処理に用いるディザマトリクスのデータ構造であって、
前記ディザマトリクスは、
第１のサブマトリクスと第２のサブマトリクスとを有し、
前記第１のサブマトリクスと前記第２のサブマトリクスの位置に同じ濃度を持つ入力画像に対して適用されると、
前記第１のサブマトリクスの位置において、第１の形状のドットを、
前記第２のサブマトリクスの位置において、前記第１の形状のドットとは異なる形状で、かつ、前記第１の形状のドットを所定の角度回転した形状である第２の形状のドットを含む、ハーフトーン画像を出力するように構成されている
ことを特徴とするディザマトリクスのデータ構造。
【請求項１２】
前記第１の形状のドット及び前記第２の形状のドットは凸部を有し、
前記第１の形状のドットが有する凸部の向きと、前記第２の形状のドットが有する凸部の向きとは異なるよう、閾値が配置されている
ことを特徴とする請求項１１に記載のディザマトリクスのデータ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月29日(2018.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定の電子データが存在していたことを証明するための存在証明方法であって、  存在証明の登録対象となる電子データを登録する際に、コンピュータが、  前記電子データの内容に基づき決定されるバイト配列を有するトランザクションを生成して、当該トランザクションをデジタル署名した上で、ブロックチェーンが存在するネットワークにブロードキャストするステップと、  前記バイト配列と前記トランザクションに対応するトランザクション識別子とを関連付けて記憶するステップとを含み、  電子データの存在証明を検証する際に、コンピュータが、  前記トランザクション識別子をキーに前記ネットワーク上に存在する前記ブロックチェーンを検索して、前記トランザクション識別子に対応するトランザクションの有無を判定するステップと、  前記判定の結果が有の場合に、前記トランザクション識別子に対応する前記トランザクションからバイト配列を抽出するステップとを含み、  前記抽出されたバイト配列が検証を行う前記電子データのバイト配列と一致することにより前記電子データの存在が証明されることを特徴とする存在証明方法。
【請求項２】
前記バイト配列は、前記電子データの種別に応じてハッシュ値又はバイナリ表現のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の存在証明方法。
【請求項３】
前記バイト配列は、前記トランザクションのスクリプトに記述されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の存在証明方法。
【請求項４】
前記ネットワークは、仮想通貨ネットワークであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の存在証明方法。
【請求項５】
前記ブロードキャストされるトランザクションは、前記電子データの登録者によって指定された仮想通貨アドレスを送り先とすることを特徴とする請求項４に記載の存在証明方法。
【請求項６】
コンピュータに、特定の電子データが存在していたことを証明するための存在証明方法を実行させるためのプログラムであって、前記存在証明方法は、  存在証明の登録対象となる電子データを登録する際に、コンピュータが、  前記電子データの内容に基づき決定されるバイト配列を有するトランザクションを生成して、当該トランザクションをデジタル署名した上で、ブロックチェーンが存在するネットワークにブロードキャストするステップと、  前記バイト配列と前記トランザクションに対応するトランザクション識別子とを関連付けて記憶するステップとを含み、  電子データの存在証明を検証する際に、コンピュータが、  前記トランザクション識別子をキーに前記ネットワーク上に存在する前記ブロックチェーンを検索して、前記トランザクション識別子に対応するトランザクションの有無を判定するステップと、  前記判定の結果が有の場合に、前記トランザクション識別子に対応する前記トランザクションからバイト配列を抽出するステップとを含み、  前記抽出されたバイト配列が検証を行う前記電子データのバイト配列と一致することにより前記電子データの存在が証明されることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月22日(2018.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶部と表示部とを備える情報処理装置であって、
前記表示部に表示されるメニューを介して設定値を受け付ける受付手段と、
前記メニューを介して設定値を受け付ける度に、該受け付けた設定値の設定項目が一括して変更されるべき特定の項目であるかどうかを判断する判断手段と、
前記受け付けた設定値の設定項目が前記特定の項目であったと判断された場合に、前記記憶部上のテーブルで該受け付けた設定値を管理する管理手段と、
前記テーブル内の１以上の設定値を反映するための第１指示部と、前記テーブルに１以上の設定値が存在する場合に該設定値の反映をキャンセルするための第２指示部と、を含む反映実行画面を、前記表示部に表示する制御手段と、を有し、
前記第２指示部に対する操作があった場合には、前記テーブル内の１以上の設定値がクリアされることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記表示部で、設定値を受け付けるためのメニューを表示することなく、前記反映実行画面を表示することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記反映実行画面において、前記第１指示部と前記第２指示部とを、前記テーブル内の１以上の設定値の設定項目の一覧とともに表示することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記情報処理装置は、印刷装置、ファクシミリ装置、スキャナ装置を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
記憶部と表示部とを備える情報処理装置の制御方法であって、
前記表示部に表示されるメニューを介して設定値を受け付ける受付工程と、
前記メニューを介して設定値を受け付ける度に、該受け付けた設定値の設定項目が一括して変更されるべき特定の項目であるかどうかを判断する判断工程と、
前記受け付けた設定値の設定項目が前記特定の項目であったと判断された場合に、前記記憶部上のテーブルで該受け付けた設定値を管理する管理工程と、
前記テーブル内の１以上の設定値を反映するための第１指示部と、前記テーブルに１以上の設定値が存在する場合に該設定値の反映をキャンセルするための第２指示部と、を含む反映実行画面を、前記表示部に表示する制御工程と、を有し、
前記第２指示部に対する操作があった場合には、前記テーブル内の１以上の設定値がクリアされることを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項６】
請求項５に記載の情報処理装置の制御方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成する本発明の情報処理装置は以下に示す構成を備える。
記憶部と表示部とを備える情報処理装置であって、前記表示部に表示されるメニューを介して設定値を受け付ける受付手段と、前記メニューを介して設定値を受け付ける度に、該受け付けた設定値の設定項目が一括して変更されるべき特定の項目であるかどうかを判断する判断手段と、前記受け付けた設定値の設定項目が前記特定の項目であったと判断された場合に、前記記憶部上のテーブルで該受け付けた設定値を管理する管理手段と、前記テーブル内の１以上の設定値を反映するための第１指示部と、前記テーブルに１以上の設定値が存在する場合に該設定値の反映をキャンセルするための第２指示部と、を含む反映実行画面を、前記表示部に表示する制御手段と、を有し、前記第２指示部に対する操作があった場合には、前記テーブル内の１以上の設定値がクリアされることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月27日(2018.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有する基材および当該基材に形成された配線パターンを具備する基板と、
前記基板に搭載されたＬＥＤチップと、
前記ＬＥＤチップと前記配線パターンとを導通させるワイヤと、を備えたＬＥＤ発光装置であって、
前記基材は、各々が主面に開口する主面開口部と当該主面開口部から前記裏面側に繋がるＬＥＤ収容部およびワイヤ収容部とを含む収容凹部を有し、
前記ＬＥＤチップは、前記厚さ方向視においてそのすべてが前記ＬＥＤ収容部に収容され且つ前記厚さ方向においてそのすべてが前記ＬＥＤ収容部に収容されており、
前記ワイヤは、前記厚さ方向視においてその一部が前記ワイヤ収容部に収容され且つ前記厚さ方向において前記一部が前記ワイヤ収容部に収容されており、
前記ＬＥＤ収容部と前記ワイヤ収容部とは、前記厚さ方向に直角である第一方向に並んで繋がっており、
前記ＬＥＤ収容部は、前記裏面に開口するＬＥＤ側裏面開口部を有することを特徴とする、ＬＥＤ発光装置。
【請求項２】
前記ＬＥＤ収容部は、前記主面開口部に繋がるＬＥＤ側側面を有し、
前記ワイヤ収容部は、前記主面開口部に繋がるワイヤ側側面を有し、
前記配線パターンは、前記ＬＥＤ側側面の少なくとも一部を覆うＬＥＤ側側面部および前記ワイヤ側側面の一部を覆うワイヤ側側面部を有する、請求項１に記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項３】
前記配線パターンは、前記ＬＥＤ側側面部に前記裏面側から繋がるとともに前記ＬＥＤ側裏面開口部を塞ぎ且つ前記ＬＥＤチップが接合されたＬＥＤ側底面部を有する、請求項２に記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項４】
前記配線パターンは、前記裏面側から前記ＬＥＤ側裏面開口部を覆い且つ前記ＬＥＤ側底面部と積層されたＬＥＤ側裏面電極部を有する、請求項３に記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項５】
前記ワイヤ収容部は、前記裏面に開口するワイヤ側裏面開口部を有する、請求項２ないし４のいずれかに記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項６】
前記配線パターンは、前記ワイヤ側側面部に前記裏面側から繋がるとともに前記ワイヤ側裏面開口部を塞ぎ且つ前記ワイヤがボンディングされたワイヤ側底面部を有する、請求項５に記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項７】
前記配線パターンは、前記裏面側から前記ＬＥＤ側裏面開口部を覆い且つ前記ワイヤ側底面部と積層されたワイヤ側裏面電極部を有する、請求項６に記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項８】
前記ワイヤ収容部は、前記ワイヤ側側面に前記裏面側から繋がるワイヤ側底面を有する、請求項２に記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項９】
前記配線パターンは、前記ワイヤ側底面の一部を覆い且つ前記ワイヤがボンディングされたワイヤ側底面部を有する、請求項８に記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項１０】
前記ワイヤ側底面は、前記ＬＥＤ側裏面開口部よりも前記厚さ方向において前記主面側に位置する、請求項８または９に記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項１１】
複数の前記ＬＥＤチップと、
各々が前記ＬＥＤチップと前記配線パターンとを導通させる複数の前記ワイヤと、を備えており、
前記基材は、複数の前記収容凹部を有し、
前記厚さ方向および前記第一方向のいずれに対しても直角である第二方向において隣り合う前記収容凹部どうしは、前記第一方向における前記ＬＥＤ収容部に対する前記ワイヤ収容部の位置が互いに反対である、請求項１ないし１０のいずれかに記載のＬＥＤ発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月19日(2018.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿を積載するための原稿積載部と、
前記原稿積載部に積載された原稿の幅方向を規制する規制ガイドと、
前記原稿を搬送する搬送手段と、
前記原稿が搬送される原稿搬送路と、
前記搬送手段により前記原稿搬送路を搬送中の前記原稿の画像を読取る画像読取手段と、
前記原稿の画像読み取りに関する画面を表示可能であり、前記原稿搬送路と重なって設けられた表示手段と
を備え、
前記規制ガイドは、前記表示手段における幅方向に移動して前記原稿の幅方向を規制し、
前記規制ガイドの移動範囲は、前記表示手段の幅方向における表示範囲内であることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記画像読取手段で読み取った画像を、前記原稿の搬送に連動して、前記表示手段にスクロールしながら表示することを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記規制ガイドは、前記画像読取装置の筐体における前記幅方向に対し、一方側に寄って配置され、
前記表示手段は、前記筐体の前面に設けられた表示パネルにおける前記一方側に寄って配置され、前記表示パネルにおける他方側には操作ボタンが設けられたことを特徴とする請求項１または２に記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記画像読取装置は、下部ユニットと前記下部ユニットに回動可能に取り付けられた上部ユニットとを有し、
前記表示手段は、前記上部ユニットに設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の画像読取装置。
【請求項５】
前記搬送手段によって搬送された原稿を積載する排出トレイを備え、
前記排出トレイは、前記表示手段と重なるように前記画像読取装置の本体に対して折り畳むことが可能であり、
前記下部ユニットの最下部には、前記本体の前方に突出する突出部を有し、
前記突出部における突出量は、前記排出トレイが前記画像読取装置の本体に折り畳まれた状態において、前記排出トレイの下方に収まる突出量であることを特徴とする請求項４に記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記画像読取手段に付着したゴミを検知する検知手段を備え、
前記原稿搬送路を示す画像に対し、ゴミが付着した位置を前記検知手段に基づいて明示して前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の画像読取装置。
【請求項７】
前記原稿の幅方向の読取領域を選択できる読取領域選択手段を有し、
前記表示手段において、選択された前記読取領域に対応する表示を行うことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の画像読取装置。
【請求項８】
前記表示手段を前記画像読取装置から取り外せることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の画像読取装置。
【請求項９】
前記規制ガイドの規制領域の中心線と、前記表示手段の幅方向の中心線が同じ位置になるように前記表示手段が配置されたことを特徴とした請求項１から８のいずれか一項に記載の画像読取装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、本発明に係る画像読取装置は、
原稿を積載するための原稿積載部と、
前記原稿積載部に積載された原稿の幅方向を規制する規制ガイドと、
前記原稿を搬送する搬送手段と、
前記原稿が搬送される原稿搬送路と、
前記搬送手段により前記原稿搬送路を搬送中の前記原稿の画像を読取る画像読取手段と、
前記原稿の画像読み取りに関する画面を表示可能であり、前記原稿搬送路と重なって設けられた表示手段と
を備え、
前記規制ガイドは、前記表示手段における幅方向に移動して前記原稿の幅方向を規制し、
前記規制ガイドの移動範囲は、前記表示手段の幅方向における表示範囲内であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月19日(2018.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを給送する給送手段を有する装置本体と、
第１の読取ユニットに設けられ、搬送路に沿って移動する前記シートの一方面を読み取る第１の読取センサと、
前記搬送路を挟んで前記第１の読取センサと対向して設けられる第２の読取ユニットに設けられ、前記シートの他方面の画像を読み取る第２の読取センサと、
前記第１の読取センサによって読み取り可能な位置に設けられ、前記第１の読取センサの読み取り背景となる第１背景部と、
前記第２の読取センサによって読み取り可能な位置に設けられ、前記第２の読取センサの読み取り背景となる第２背景部と、
前記第１の読取センサと前記第２背景部とを前記搬送路に沿って一体的に移動させる移動部と
を備え、
前記第１の読取ユニットは、前記第１の読取センサを内部に設け、前記第１の読取センサと対向する搬送面側にガラスが設けられたセンサケースを有し、
前記センサケースは前記装置本体に固定されていることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記移動部によって前記第１の読取センサと前記第２背景部とを前記搬送路に沿って一体的に移動させることで、
前記第１の読取センサが前記第１背景部を読み取り可能な位置から外れると同時に、前記第２の読取センサが前記第２背景部を読み取り可能な位置から外れることを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記第１背景部は前記搬送路と平行な方向において、前記第２の読取センサの反対側に第３背景部を有し、
前記第２背景部は前記搬送路と平行な方向において、前記第２の読取センサの反対側に第４背景部を有することを特徴とする請求項１または２に記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記第２の読取センサ、前記第１背景部、前記第３背景部および、
前記第１の読取センサ、前記第２背景部、前記第４背景部はそれぞれ、その順に隣接して配置されることを特徴とする請求項３に記載の画像読取装置。
【請求項５】
前記第１背景部および前記第２背景部の背景色が白色で、
第３背景部および前記第４背景部が黒色であることを特徴とする請求項３または４に記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記第２の読取センサは搬送方向と垂直な方向に移動可能である請求項１から５のいずれか一つに記載の画像読取装置。
【請求項７】
前記第４背景部は、前記第２背景部が取り付けられる固定部材の壁面であることを特徴とする請求項３から５のいずれか一つに記載の画像読取装置。
【請求項８】
前記第４背景部は、前記第２背景部との間における前記搬送路への法線と鈍角をなす傾斜面を有することを特徴とする請求項３から５又は７のいずれか一つに記載の画像読取装置。
【請求項９】
前記第１の読取ユニットの、前記搬送路と平行に前記第４背景部と対向する壁面は暗色面であることを特徴とする請求項３から５又は７若しくは８のいずれか一つに記載の画像読取装置。
【請求項１０】
前記第１の読取ユニットおよび前記第２の読取ユニットは、前記搬送路を挟んで点対称に配置された同一の構造であることを特徴とする請求項１から９のいずれか一つに記載の画像読取装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によれば、例えば、
シートを給送する給送手段を有する装置本体と、
第１の読取ユニットに設けられ、搬送路に沿って移動する前記シートの一方面を読み取る第１の読取センサと、
前記搬送路を挟んで前記第１の読取センサと対向して設けられる第２の読取ユニットに設けられ、前記シートの他方面の画像を読み取る第２の読取センサと、
前記第１の読取センサによって読み取り可能な位置に設けられ、前記第１の読取センサの読み取り背景となる第１背景部と、
前記第２の読取センサによって読み取り可能な位置に設けられ、前記第２の読取センサの読み取り背景となる第２背景部と、
前記第１の読取センサと前記第２背景部とを前記搬送路に沿って一体的に移動させる移動部と
を備え、
前記第１の読取ユニットは、前記第１の読取センサを内部に設け、前記第１の読取センサと対向する搬送面側にガラスが設けられたセンサケースを有し、
前記センサケースは前記装置本体に固定されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月8日(2019.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極及び負極を有する蓄電素子と、電解質と共に前記蓄電素子を封止する外装フィルムと、第１の金属材料からなり、前記正極に電気的に接続された正極タブと、前記第１の金属材料とは異なる第２の金属材料からなり、前記負極に電気的に接続された負極タブを備える蓄電セルと、
前記蓄電セルを収容する収容空間を形成し、前記第２の金属材料からなるバスバーを備えるフレームとを具備し、
前記正極タブと前記バスバーは溶接によって互いに接合され、前記正極タブに一方向に沿って連続的に配列する円弧状の溶接痕が形成され、前記溶接痕における前記正極タブと前記バスバーの界面に、前記第１の金属材料と前記第２の金属材料が不規則に入り込んだ材料混合部が形成されている
蓄電モジュール。
【請求項２】
正極及び負極を有する蓄電素子と、電解質と共に前記蓄電素子を封止する外装フィルムと、第１の金属材料からなり、前記正極に電気的に接続された正極タブと、前記第１の金属材料とは異なる第２の金属材料からなり、前記負極に電気的に接続された負極タブを備える蓄電セルと、
前記蓄電セルを収容する収容空間を形成し、前記第１の金属材料からなるバスバーを備えるフレームとを具備し、
前記負極タブと前記バスバーは溶接によって互いに接合され、前記負極タブに一方向に沿って連続的に配列する円弧状の溶接痕が形成され、前記溶接痕における前記負極タブと前記バスバーの界面に、前記第１の金属材料と前記第２の金属材料が不規則に入り込んだ材料混合部が形成されている
蓄電モジュール。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の蓄電モジュールであって、
前記第１の金属材料はアルミニウムであり、前記第２の金属材料は銅である
蓄電モジュール。
【請求項４】
第１の金属材料からなる第１の部材と、
前記第１の金属材料とは異なる第２の金属材料からなる第２の部材と
を具備し、
前記第１の部材と前記第２の部材は溶接によって互いに接合され、前記第１の部材に一方向に沿って連続的に配列する円弧状の溶接痕が形成され、前記溶接痕における前記第１の部材と前記第２の部材の界面において、前記第２の金属材料が前記第１の金属材料中に不規則に入り込んでいる
金属接合体。
【請求項５】
請求項４に記載の金属接合体であって、
前記第１の金属材料は前記第２の金属材料より融点が低い金属材料である
金属接合体。
【請求項６】
請求項５に記載の金属接合体であって、
前記第１の金属材料はアルミニウムであり、前記第２の金属材料は銅である
金属接合体。
【請求項７】
請求項４から６のうちいずれか一つに記載の金属接合体であって、
前記第１の部材と前記第２の部材の溶接痕は複数が形成されている
金属接合体。
【請求項８】
第１の金属材料からなる第１の部材を前記第１の金属材料とは異なる第２の金属材料に当接させ、
前記第１の部材に、一方向に沿って連続的に配列する円弧状の溶接痕を形成するように高エネルギー線を照射し、前記第１の部材を前記第２の部材に溶接する
金属接合体の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の金属接合体の製造方法であって、
前記第１の部材を前記第２の部材に溶接する工程は、前記第１の部材に、弧を描きながら弧の中心を一方向に移動させる走査経路で高エネルギー線を照射する
金属接合体の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の金属接合体であって、
前記第１の金属材料は前記第２の金属材料より融点が低い金属材料である
金属接合体の製造方法。
【請求項１１】
請求項８から１０のうちいずれか一つに記載の金属接合体の製造方法であって、
前記高エネルギー線はファイバーレーザーの照射光である
金属接合体の製造方法。
【請求項１２】
請求項８から１１のうちいずれか一つに記載の金属接合体の製造方法であって、
前記第１の部材を前記第２の部材に溶接する工程では、複数本の溶接痕が形成されるような走査経路で前記高エネルギー線が照射される
金属接合体の製造方法。
【請求項１３】
第１の金属材料からなる第１の部材を前記第１の金属材料とは異なる第２の金属材料に当接させ、
前記第１の部材に高エネルギー線を照射して前記第１の部材に前記第１の金属材料が融解した融解池を形成し、かつ前記第２の部材の前記融解池に当接する箇所において前記第２の金属材料を軟化させ、
前記第１の部材に高エネルギー線を弧を描きながら弧の中心を一方向に移動させて照射して前記融解池を撹拌し、軟化した前記第２の金属材料を前記融解池に混合させる
金属接合体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月30日(2019.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体を有するトランジスタと、
前記トランジスタ上の第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体の開口部に設けられたプラグと、を有し、
前記第１の絶縁体は、酸化物を有し、
前記第２の絶縁体は、金属酸化物を有し、
前記プラグは、前記開口部の内壁に接する窒化金属膜と、前記窒化金属膜上のタングステン膜とを有する半導体装置。
【請求項２】
半導体を有する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ上の第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体の開口部に設けられたプラグと、
前記第１のトランジスタの下方の第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとの間に配置され、前記プラグと電気的に接続された配線と、を有し、
前記第１の絶縁体は、酸化物を有し、
前記第２の絶縁体は、金属酸化物を有し、
前記プラグは、前記開口部の内壁に接する窒化金属膜と、前記窒化金属膜上のタングステンとを有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第２の絶縁体は、酸化ハフニウムを有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第１の絶縁体は、酸化シリコンを有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月15日(2019.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像センサで撮影されたデジタル画像を符号化のため前処理する方法であって、
第１のデジタル画像を受信すること、
前記第１のデジタル画像の撮影時に前記画像センサの動作を表わす情報を受信すること、
動作を表わす前記情報に基づいて、前記デジタル画像の前処理の少なくとも１つのパラメータを修正すること、
前処理された画像を生成するために、修正された前記少なくとも１つのパラメータに従って前記第１のデジタル画像を前処理することを含み、
前記修正によって、前記前処理された画像の符号化時のビットレートは、パラメータが修正されていない前処理を適用することによって生成されるであろう前処理された画像の符号化時のビットレートよりも低くなる、方法。
【請求項２】
前記画像センサの前記動作が所定の閾値を超える場合には、前記第１のデジタル画像の前記前処理による処理が、前記動作が前記閾値以下であった場合よりも少なくなるように、前記前処理の前記少なくとも１つのパラメータが修正される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記前処理の前記少なくとも１つのパラメータは、少なくとも１つの前処理プロシージャが無効になるように修正される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つのパラメータは、少なくとも１つの前処理プロシージャが程度の差はあるものの前記第１のデジタル画像を処理するように、修正される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記前処理の前記少なくとも１つのパラメータは、別の方法では無効な少なくとも１つの前処理プロシージャが有効になるように修正される、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記前処理は、鮮明化、コントラスト付加、トーンマッピング、色補正、ノイズフィルタ処理、ぼかし、Ｂａｙｅｒパターンサンプリング、モザイク解除、ＨＤＲ合成、焦点制御、露出制御、及びゲイン制御からなるグループから選択された少なくとも１つの前処理プロシージャを実行することを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記画像センサの動作を表わす前記情報は、前記画像センサのパン、チルト及び／又はズームの動作を制御するコントローラによって提供される、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記画像センサの動作を表わす前記情報は、モーションセンサによって提供される、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つのパラメータは、前記画像センサの予定された動作に対して複数のフレームに亘って修正される、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記画像センサの予定された動作に対して、前記第１のデジタル画像をイントラフレームとして符号化することをさらに含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
画像センサで撮影された入力画像を符号化のため前処理するためのデジタル画像前処理システムであって、前記システムは、
入力画像を受信するように配置された画像受信モジュール、
前記入力画像の撮影時の前記画像センサの動作を表わす情報を受信するように配置された動作情報受信モジュール、及び
動作を表す前記情報に基づき、前記入力画像の前処理の少なくとも１つのパラメータを修正し、前処理された画像を生成するために、符号化前に前記入力画像を前処理するように配置された前処理モジュールを備え、
前記修正によって、前記前処理された画像の符号化時のビットレートは、パラメータが修正されていない前処理を適用することによって生成されるであろう前処理された画像の符号化時のビットレートよりも低くなる、デジタル画像前処理システム。
【請求項１２】
前記前処理モジュールは、鮮明化、コントラスト付加、トーンマッピング、色補正、ノイズフィルタ処理、ぼかし、Ｂａｙｅｒパターンサンプリング、モザイク解除、ＨＤＲ合成、焦点制御、露出制御、及びゲイン制御からなるグループから選択された少なくとも１つの前処理プロシージャを実行するように配置される、請求項１１に記載のデジタル画像前処理システム。
【請求項１３】
前記動作情報受信モジュールは、前記画像センサのパン、チルト及び／又はズームの動作を制御するコントローラ、並びに／又はモーションセンサに、通信可能に接続される、請求項１１又は１２に記載のデジタル画像前処理システム。
【請求項１４】
請求項１１から１３のいずれか一項に記載の前処理システムを備えるカメラ。
【請求項１５】
処理能力を有するデバイスに、当該処理能力を有するデバイスのプロセッサによって実行されたときに請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法を実行させる命令を有するコンピュータ可読記憶媒体。