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【手続補正書】
【提出日】令和1年6月19日(2019.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一部に穴（３１）が形成されている樹脂成形体であって、
成形時においてゲートから溶融樹脂が流入した部分であるゲート部（ＧＰ）と、
前記穴において、対向する内壁面同士を繋ぐように形成された内柱部（６０Ｂ）と、を備え、
前記内柱部は、
前記ゲート部から前記穴に向かう方向である樹脂流れ方向、に沿って伸びるように形成されており、
前記内柱部は、
前記樹脂流れ方向に対し垂直な断面の断面形状が、当該断面の位置によって変化する一方、
前記樹脂流れ方向に対し垂直な断面における断面積が、当該断面の位置によって変化しない形状となっている樹脂成形体。
【請求項２】
内部が高圧となるタンクの一部として形成されている、請求項１に記載の樹脂成形体。
【請求項３】
前記タンクはラジエータ用のタンクである、請求項２に記載の樹脂成形体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本開示に係る樹脂成形体は、一部に穴（３１）が形成されている樹脂成形体であって、成形時においてゲートから溶融樹脂が流入した部分であるゲート部（ＧＰ）と、穴において、対向する内壁面同士を繋ぐように形成された内柱部（６０Ｂ）と、を備える。内柱部は、ゲート部から穴に向かう方向である樹脂流れ方向、に沿って伸びるように形成されている。内柱部は、樹脂流れ方向に対し垂直な断面の断面形状が、当該断面の位置によって変化する一方、樹脂流れ方向に対し垂直な断面における断面積が、当該断面の位置によって変化しない形状となっている。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月17日(2019.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属片（１）の表面と第２の金属片（２）の裏面とが、前記第１の金属片の表面に形成された凸部（１１）によって接合された接合体であって、
前記第１の金属片の表面に形成され、前記第１の金属片と前記第２の金属片との間に配置された電気絶縁性のスペーサ（４）を備え、
前記第１の金属片および前記第２の金属片は、前記第１の金属片の表面のうち前記スペーサの外側の部分が前記第２の金属片から露出するように、互いに対向するように配置されており、
前記スペーサは、点状に形成されている接合体。
【請求項２】
前記スペーサは、前記第１の金属片の表面に接合されている請求項１に記載の接合体。
【請求項３】
前記スペーサの耐熱温度は、前記凸部が溶融する温度以上である請求項１または２に記載の接合体。
【請求項４】
前記スペーサの高さは、前記凸部の高さ以下である請求項１ないし３のいずれか１つに記載の接合体。
【請求項５】
前記スペーサは、前記第１の金属片の表面の面内方向において、前記凸部の両側に形成されている請求項１ないし４のいずれか１つに記載の接合体。
【請求項６】
第１の被溶接部材（１）の表面と第２の被溶接部材（２）の裏面とを抵抗溶接を用いて接合する接合体の製造方法であって、
前記第１の被溶接部材の表面に凸部（１１）を形成することと、
前記第１の被溶接部材の表面に電気絶縁性のスペーサ（４）を形成することと、
前記第２の被溶接部材の裏面が前記凸部に接触し、前記第１の被溶接部材と前記第２の被溶接部材との間に前記スペーサが配置され、前記第１の被溶接部材の表面のうち前記スペーサの外側の部分が前記第２の被溶接部材から露出するように、前記第１の被溶接部材と前記第２の被溶接部材とを重ねて配置することと、
前記第１の被溶接部材および前記第２の被溶接部材に電流を流して前記凸部を溶融させ、前記第１の被溶接部材と前記第２の被溶接部材とを溶融した前記凸部によって接合することと、を備え、
前記接合することでは、前記第１の被溶接部材の表面と前記第２の被溶接部材の表面とに電極（５、６）を接触させて、前記第１の被溶接部材および前記第２の被溶接部材に電流を流す接合体の製造方法。
【請求項７】
前記スペーサを形成することでは、前記スペーサの材料を前記第１の被溶接部材の表面に塗布することにより前記スペーサを形成する請求項６に記載の接合体の製造方法。
【請求項８】
前記スペーサの耐熱温度は、前記第１の被溶接部材のうち前記スペーサが形成された部分が前記接合することにおいて到達する温度以上である請求項６または７に記載の接合体の製造方法。
【請求項９】
前記スペーサの耐熱温度は、前記凸部が溶融する温度以上である請求項６ないし８のいずれか１つに記載の接合体の製造方法。
【請求項１０】
前記スペーサの高さは、前記接合することで溶融した前記凸部の高さ以下である請求項６ないし９のいずれか１つに記載の接合体の製造方法。
【請求項１１】
前記スペーサを形成することでは、前記第１の被溶接部材の表面の面内方向において、前記凸部の両側に前記スペーサを形成する請求項６ないし１０のいずれか１つに記載の接合体の製造方法。
【請求項１２】
前記スペーサを形成することでは、前記凸部を囲むように前記スペーサを形成する請求項１１に記載の接合体の製造方法。
【請求項１３】
前記スペーサを形成することでは、前記スペーサを点状に形成する請求項６ないし１１のいずれか１つに記載の接合体の製造方法。
【請求項１４】
前記スペーサを形成することでは、前記スペーサを直線状に形成する請求項６ないし１１のいずれか１つに記載の接合体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、第１の金属片（１）の表面と第２の金属片（２）の裏面とが、第１の金属片の表面に形成された凸部（１１）によって接合された接合体であって、第１の金属片の表面に形成され、第１の金属片と第２の金属片との間に配置された電気絶縁性のスペーサ（４）を備え、第１の金属片および第２の金属片は、第１の金属片の表面のうちスペーサの外側の部分が第２の金属片から露出するように、互いに対向するように配置されており、スペーサは、点状に形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、請求項６に記載の発明では、第１の被溶接部材（１）の表面と第２の被溶接部材（２）の裏面とを抵抗溶接を用いて接合する接合体の製造方法であって、第１の被溶接部材の表面に凸部（１１）を形成することと、第１の被溶接部材の表面に電気絶縁性のスペーサ（４）を形成することと、第２の被溶接部材の裏面が凸部に接触し、第１の被溶接部材と第２の被溶接部材との間にスペーサが配置され、第１の被溶接部材の表面のうちスペーサの外側の部分が第２の被溶接部材から露出するように、第１の被溶接部材と第２の被溶接部材とを重ねて配置することと、第１の被溶接部材および第２の被溶接部材に電流を流して凸部を溶融させ、第１の被溶接部材と第２の被溶接部材とを溶融した凸部によって接合することと、を備え、接合することでは、第１の被溶接部材の表面と第２の被溶接部材の表面とに電極（５、６）を接触させて、第１の被溶接部材および第２の被溶接部材に電流を流す。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月20日(2019.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
特許文献２に開示された技術は、理論的には、ロール偏芯量の正しい検出を可能とするものであるが、現実には、とくに圧延速度が高速の場合には、ロール偏芯量を精度よく検出することができないという問題がある。現実の圧下位置制御装置は、専用のハードウェアで構成されているため、圧下位置制御装置からロール偏芯制御装置へ圧下位置の実績値をイータフェースする際の圧下位置データの更新時間に制約が生じる。したがって、圧延速度が高速の場合には、圧下位置データの更新遅れが生じると、ゲージメータ板厚を正しく計算できなくなり、ロール偏芯量を精度よく検出することができないという問題が生じる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
なお、バックアップロール２の偏芯量は、圧延中に変化するため、ロール偏芯量学習テーブル２３の忘却係数を考慮して、学習ゲインＧ2は、０．９以上で１．０未満の値に設定するのがよい。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月8日(2019.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像安定化方法であって、設定焦点距離が未知のレンズ（１４）を備えるビデオカメラ（１０）を用いてビデオを取り込んで、画像安定化処理を実行するステップであって、前記画像安定化処理が、前記カメラの変位を検出するハードウェア検出器（２８）からの入力値及び調整可能な焦点距離値に対して行われる、ステップと、
前記ハードウェア検出器からの入力値及び前記調整可能な焦点距離値に基づいて、取り込まれたビデオの中の変位を補正するステップと、
前記ビデオの現在補正された画像と前記ビデオの以前の画像との比較に基づいて、現在設定された焦点距離値での、前記画像安定化処理の現在の動作における、前記取り込まれたビデオにおけるシーン中の静止物体の変位を評価するステップと、
前記評価された変位が閾値未満又は最小となるまで前記調整可能な焦点距離値を調整するステップと
を有する画像安定化方法。
【請求項２】
前記調整可能な焦点距離値が、ユーザ入力に基づいて調整される、請求項１に記載の画像安定化方法。
【請求項３】
前記閾値が所定値である、請求項１又は２に記載の画像安定化方法。
【請求項４】
前記閾値がオペレーターによって設定される、請求項１から３のいずれか一項に記載の画像安定化方法。
【請求項５】
前記調整可能な焦点距離値は、前記変位が所定の閾値未満となるまで、反復最適化処理に従って調整される、請求項１から４のいずれか一項に記載の画像安定化方法。
【請求項６】
前記調整可能な焦点距離値を出力することを更に含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の画像安定化方法。
【請求項７】
前記評価された変位が閾値未満となるまで画像ストリーム内の連続画像に対して評価が実行される、請求項１から６のいずれか一項に記載の画像安定化方法。
【請求項８】
前記ハードウェア検出器が角度シフトを検出する、請求項１から７のいずれか一項に記載の画像安定化方法。
【請求項９】
前記ハードウェア検出器が、ジャイロスコープ装置又はチルトメーター／チルトセンサ又は加速度計などの傾斜計である、請求項１から８のいずれか一項に記載の画像安定化方法。
【請求項１０】
前記ハードウェア検出器が、連続的に前記ビデオカメラの変位を検出し、前記変位のタイムスタンプが個々のフレームのデータと相関され得る、請求項１から９のいずれか一項に記載の画像安定化方法。
【請求項１１】
ビデオカメラシステムのための前記焦点距離を定量化するプロセスにおける請求項１から１０のいずれか一項に記載の画像安定化方法の使用であって、前記プロセスが、前記方法を適用する前又は適用している間に直接的又は間接的に前記ビデオカメラに対して揺れ又は振動を誘発することを含む、使用。
【請求項１２】
設定焦点距離が未知のレンズ（１４）を備えるビデオカメラ（１０）からの出力画像の画像安定化のためのシステムであって、前記システムが、
前記ビデオカメラの変位を検出し、前記変位の出力を提供するハードウェア検出器（２８）、及び
前記ハードウェア検出器からの検出された前記変位の前記出力と、推測される設定焦点距離を表す調整可能な焦点距離値とに基づいて画像中のシフト補正を実行し、
連続的シフト補正された画像間の比較に基づいて、同じ焦点距離値での、画像安定化処理の現在の動作における、シーン中の静止物体の変位を評価し、且つ
連続的シフト補正された画像間の評価された前記変位が閾値未満又は最小となるまで前記調整可能な焦点距離値を調整する
ように構成された処理装置
を備える、画像安定化システム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月15日(2019.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表わされるペロブスカイト型金属酸化物と、
ＭｎおよびＮｉの少なくとも一方と、
Ｍｇを含み、
前記Ｎｉの含有量が前記ペロブスカイト型金属酸化物１ｍｏｌに対して０．０５０ｍｏｌ以下であり、前記Ｍｎの含有量が前記ペロブスカイト型金属酸化物１ｍｏｌに対して０．００５ｍｏｌ以下であり、前記Ｍｇの含有量が０．００１ｍｏｌ以上０．０２０ｍｏｌ以下である圧電材料。
一般式（１）（ＮａｘＢａ１−ｙ）（ＮｂｙＴｉ１−ｙ）Ｏ３（式中、０．８３≦ｘ≦０．９５、０．８５≦ｙ≦０．９５、０．９５≦ｘ／ｙ≦１．０５）
【請求項２】
前記圧電材料を構成する結晶粒の平均円相当径が０．５μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の圧電材料。
【請求項３】
少なくとも、Ｎａ、Ｎｂ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｍｇを含有し、かつＭｎおよびＮｉの少なくとも一方を含有する原料粉末を焼成する工程と、
請求項１に記載の圧電材料を得る工程を有し、
前記原料粉末に含まれるＮａとＮｂのモル比が０．９５≦Ｎａ／Ｎｂ≦１．１０であることを特徴とする圧電材料の製造方法。
【請求項４】
焼成温度が１２００℃以下であることを特徴とする請求項３に記載の圧電材料の製造方法。
【請求項５】
電極、および圧電材料部を有する圧電素子であって、前記圧電材料部が請求項１または２に記載の圧電材料であることを特徴とする圧電素子。
【請求項６】
前記電極と前記圧電材料部が交互に積層された請求項５に記載の圧電素子。
【請求項７】
前記電極がＡｇとＰｄを含み、前記Ａｇの含有重量Ｍ１と前記Ｐｄの含有重量Ｍ２との重量比Ｍ１／Ｍ２が１．５≦Ｍ１／Ｍ２≦９．０であることを特徴とする請求項６に記載の圧電素子。
【請求項８】
前記電極がＮｉおよびＣｕの少なくともいずれか１種を含むことを特徴とする請求項６に記載の圧電素子。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか１項に記載の圧電素子を配した振動部を備えた液室と、前記液室と連通する吐出口を少なくとも有する液体吐出ヘッド。
【請求項１０】
被転写体の載置部と請求項９に記載の液体吐出ヘッドを備えた液体吐出装置。
【請求項１１】
請求項５乃至８のいずれかの項に記載の圧電素子を配した振動体と、前記振動体と接触する移動体とを少なくとも有する超音波モータ。
【請求項１２】
駆動部に請求項１１に記載の超音波モータを備えた光学機器。
【請求項１３】
請求項５乃至８のいずれか１項に記載の圧電素子を振動板に配した振動体を有する振動装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の振動装置を振動部に備えた塵埃除去装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の塵埃除去装置と撮像素子ユニットとを少なくとも有する撮像装置であって、前記塵埃除去装置の振動板を前記撮像素子ユニットの受光面側に設けたことを特徴とする撮像装置。
【請求項１６】
請求項５乃至８のいずれか１項に記載の圧電素子を備えた圧電音響部品。
【請求項１７】
請求項５乃至８のいずれか１項に記載の圧電素子を備えた電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決する本発明の圧電材料は、下記一般式（１）で表わされるペロブスカイト型金属酸化物と、ＮｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一方と、Ｍｇとからなる圧電材料である。前記Ｎｉの含有量が前記ペロブスカイト型金属酸化物１ｍｏｌに対して０．０５ｍｏｌ以下である。また、前記Ｍｎの含有量が前記ペロブスカイト型金属酸化物１ｍｏｌに対して０．００５ｍｏｌ以下である。また、前記Ｍｇの含有量が０．００１ｍｏｌ以上０．０２ｍｏｌ以下であることを特徴とする圧電材料である。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月27日(2019.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高アスペクト比の特徴部を形成する方法であって、
処理チャンバ内に配置された基板上に、且つ真空の存在下で、一つ以上の酸化ケイ素／窒化ケイ素含有スタックを堆積させることを含み、前記一つ以上の酸化ケイ素／窒化ケイ素含有スタックを堆積させることは、
（ａ）第一のプロセスガスを活性化させて、第一のプラズマにすることと、
（ｂ）前記基板上に前記第一のプラズマから第一の膜層を堆積させることと、
（ｃ）第二のプロセスガスを活性化させて、第二のプラズマにすることと、
（ｄ）前記第一の膜層の上に前記第二のプラズマから、ある屈折率を有する第二の膜層を堆積させることと、
既定の数の第一の膜層及び第二の膜層が前記基板上に堆積されるまで、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）を繰り返すことであって、前記第一の膜層及び前記第二の膜層は、酸化ケイ素層又は窒化ケイ素層であり、前記第一の膜層は、前記第二の膜層と異なる、繰り返すことと、
（ｅ）第三のプロセスガスを活性化させて、第三のプラズマにすることと、
（ｆ）前の層の上に前記第三のプラズマから第三の膜層を堆積させることと、
（ｇ）第四のプロセスガスを活性化させて、第四のプラズマにすることと、
（ｈ）前記第三の膜層の上に前記第四のプラズマから、前記第二の膜層の前記屈折率より大きい屈折率を有する第四の膜層を堆積させることと、
既定の数の第三の膜層及び第四の膜層が堆積されるまで、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、及び（ｈ）を繰り返すことであって、前記第三の膜層及び前記第四の膜層は、酸化ケイ素層又は窒化ケイ素層であり、前記第三の膜層は、前記第四の膜層と異なる、繰り返すことと
を含む、方法。
【請求項２】
前記第一のプロセスガスは、ケイ素含有ガス及び酸素含有ガスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ケイ素含有ガスは、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）であり、前記酸素含有ガスは、Ｎ２Ｏである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第二のプロセスガスは、ケイ素含有ガス及び窒素含有ガスを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第二のプロセスガスの前記ケイ素含有ガスは、シラン（ＳｉＨ４）であり、前記窒素含有ガスは、ＮＨ３である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第二のプロセスガス及び前記第四のプロセスガスは、各々、窒素含有ガスを含み、前記第四のプロセスガス中の前記窒素含有ガスの流量は、前記第二のプロセスガス中の前記窒素含有ガスの流量と比べて増加される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第二のプロセスガス及び前記第四のプロセスガスは、各々、ケイ素含有ガスを含み、前記第四のプロセスガス中の前記ケイ素含有ガスの流量は、前記第二のプロセスガス中の前記ケイ素含有ガスの流量と比べて増加される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記高アスペクト比の特徴部が、約１０：１から約２０：１の幅に対する高さの比を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
（ｉ）第五のプロセスガスを活性化させて、第五のプラズマにすることと、
（ｊ）前の層の上に前記第五のプラズマから第五の膜層を堆積させることと、
（ｋ）第六のプロセスガスを活性化させて、第六のプラズマにすることと、
（ｌ）前記第五の膜層の上に前記第六のプラズマから、前記第四の膜層の前記屈折率より大きい屈折率を有する第六の膜層を堆積させることと、
既定の数の第五の膜層及び第六の膜層が前記基板上に堆積されるまで、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）、及び（ｌ）を繰り返すことであって、前記第五の膜層及び前記第六の膜層は、酸化ケイ素層又は窒化ケイ素層であり、前記第五の膜層は、前記第六の膜層と異なる、繰り返すことと
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第二の膜層の前記屈折率が、約１．８５から約１．９０であり、前記第四の膜層の前記屈折率が、約１．９１から約１．９５であり、前記第六の膜層の前記屈折率が、約１．９５から約２．１である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記一つ以上の酸化ケイ素／窒化ケイ素含有スタック上に一つ以上のパターニング層を形成することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
プラズマエッチング技術又はウェットエッチング技術を用いて、前記一つ以上の酸化ケイ素／窒化ケイ素含有スタックの中に一つ以上の高アスペクト比の特徴部を形成することを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
基板上に形成された一つ以上の第一の酸化ケイ素／窒化ケイ素含有スタックであって、
前記基板上に形成された第一の膜層、及び
前記第一の膜層の上に形成された、ある屈折率を有する第二の膜層を含み、前記第一の膜層及び前記第二の膜層は、酸化ケイ素層又は窒化ケイ素層であり、前記第一の膜層は、前記第二の膜層と異なる、一つ以上の第一の酸化ケイ素／窒化ケイ素含有スタックと、
前記一つ以上の第一の酸化ケイ素／窒化ケイ素含有スタック上に形成された一つ以上の第二の酸化ケイ素／窒化ケイ素含有スタックであって、
前の層の上に形成された第三の膜層、及び
前記第三の膜層の上に形成された、前記第二の膜層の前記屈折率より大きい屈折率を有する第四の膜層を含み、前記第三の膜層及び前記第四の膜層は、酸化ケイ素層又は窒化ケイ素層であり、前記第三の膜層は、前記第四の膜層と異なる、一つ以上の第二の酸化ケイ素／窒化ケイ素含有スタックと
を含む、膜構造。
【請求項１４】
前記一つ以上の第二の酸化ケイ素／窒化ケイ素含有スタック上に形成された一つ以上の第三の酸化ケイ素／窒化ケイ素含有スタックであって、
前の層の上に形成された第五の膜層、及び
前記第五の膜層の上に形成された、前記第四の膜層の前記屈折率より大きい屈折率を有する第六の膜層を含み、前記第五の膜層及び前記第六の膜層は、酸化ケイ素層又は窒化ケイ素層であり、前記第五の膜層は、前記第六の膜層と異なる、一つ以上の第三の酸化ケイ素／窒化ケイ素含有スタックを更に含む、請求項１３に記載の膜構造。
【請求項１５】
前記一つ以上の酸化ケイ素／窒化ケイ素含有スタックの中に形成された、約１０：１から約２０：１の幅に対する高さの比を有する、一つ以上の高アスペクト比の特徴部を更に有する、請求項１４に記載の膜構造。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月3日(2018.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の第１の酸化物膜と、
前記第１の酸化物膜の上面に接する領域を有する酸化物半導体と、
前記酸化物半導体の上面に接する領域を有する第２の酸化物膜と、
前記第２の酸化物膜の上面に接する領域を有する、第１の導電体及び第２の導電体と、
前記第１の導電体上及び前記第２の導電体上の、前記第２の酸化物膜の上面と接する領域を有する第３の酸化物膜と、
前記第３の酸化物膜上の第３の絶縁体と、
前記第３の絶縁体上の第３の導電体と、
前記第３の導電体上の第４の絶縁体と、
前記第４の絶縁体上の第５の絶縁体と、を有し、
前記第１の絶縁体は、酸化アルミニウム又は酸化ハフニウムを含み、
前記第２の絶縁体は、酸化シリコンを含み、
前記第４の絶縁体は、酸化シリコンを含み、
前記第５の絶縁体は、酸化アルミニウム又は酸化ハフニウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の酸化物膜の伝導帯下端のエネルギー準位は、前記酸化物半導体の伝導帯下端のエネルギー準位より真空準位に近く、
前記第２の酸化物膜の伝導帯下端のエネルギー準位は、前記酸化物半導体の伝導帯下端のエネルギー準位より真空準位に近いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
第４の導電体を有し、
前記第４の導電体は、前記第１の絶縁体と、前記第２の絶縁体との間に設けられ、
前記第４の導電体は、前記酸化物半導体を介して、前記第３の導電体と重なる領域を有し、
前記第１の導電体は、チャネル幅方向において、前記酸化物半導体の側面を面する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は２において、
さらに第５の導電体と、第６の導電体と、を有し、
前記第５の導電体は、前記第４の絶縁体の第１の開口及び前記第５の絶縁体の第２の開口を介して、前記第１の導電体に電気的に接続され、
前記第６の導電体は、前記第４の絶縁体の第３の開口及び前記第５の絶縁体の第４の開口を介して、前記第２の導電体に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の導電体及び前記第２の導電体の各々は、第１の層と、前記第１の層上の第２の層を有し、
前記第２の層は、銀、銅、ルテニウム、イリジウム、白金及び金から選ばれた一種以上の元素を含む金属、または銀、銅、ルテニウム、イリジウム、白金及び金から選ばれた一種以上の元素を含む酸化物が用いられることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の酸化物膜、前記酸化物半導体、前記第２の酸化物膜及び前記第３の酸化物膜の各々は、インジウム、元素Ｍ（Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆ）、亜鉛および酸素を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月20日(2018.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドを接触させてパターンを形成するインプリント材を基板上に吐出するインプリント材吐出装置であって、
前記インプリント材を収容する収容部を有する収容部材と、
前記収容部に接続する通路と、
前記インプリント材を吐出するための吐出口と、前記吐出口から前記インプリント材を吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子と、前記エネルギー発生素子と前記吐出口との間の領域と、を有する吐出部材と、
を有し、
前記通路は、前記収容部に収容されたインプリント材を前記通路の内部に供給するための、前記収容部に開口する第１の開口と、前記第１の開口から供給されたインプリント材を前記収容部に供給するための、前記収容部に開口する第２の開口とを有し、
前記通路の前記第１の開口と前記第２の開口との間には前記インプリント材をろ過するフィルタがあり、前記第１の開口から前記通路の内部に供給されたインプリント材は、前記領域を介さずに、前記第２の開口から前記収容部に供給されることを特徴とするインプリント材吐出装置。
【請求項２】
モールドを接触させてパターンを形成するインプリント材を基板上に吐出するインプリント材吐出装置であって、
前記インプリント材を収容する収容部を有する収容部材と、
前記収容部に接続する通路と、
前記インプリント材を吐出するための吐出口と、前記吐出口から前記インプリント材を吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子と、前記エネルギー発生素子と前記吐出口との間の領域と、を有する吐出部材と、
を有し、
前記通路は、前記収容部に収容されたインプリント材を前記通路の内部に供給するための、前記収容部に開口する第１の開口と、前記第１の開口から供給されたインプリント材を前記収容部に供給するための、前記収容部に開口する第２の開口とを有し、
前記通路の前記第１の開口と前記第２の開口との間には前記インプリント材をろ過するフィルタがあり、
前記通路は前記領域と異なる部分に設けられていることを特徴とするインプリント材吐出装置。
【請求項３】
前記収容部と前記吐出部材との間にはフィルタが形成されていない請求項１または２に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項４】
前記エネルギー発生素子は圧電素子である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項５】
前記収容部材は分離膜を有しており、前記分離膜によって充填液が充填された充填液部と前記収容部とが分離されている請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項６】
前記充填液部に充填された充填液の圧力を制御することで前記収容部のインプリント材の圧力を制御する請求項５に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項７】
前記第１の開口と前記第２の開口との間の通路にポンプが配置されている請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項８】
前記第１の開口から前記第２の開口に前記インプリント材を供給する際に、前記ポンプは前記フィルタよりも上流側に配置されている請求項７に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項９】
前記第１の開口と前記第２の開口とを結ぶ直線上に前記領域が存在しない請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項１０】
前記フィルタは平均口径が１０ｎｍ以下である請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項１１】
前記第１の開口から前記第２の開口に前記インプリント材を供給する際に、前記収容部のうち、重力方向下方の面を底面、上方の面を上面、底面と上面とをつなぐ面を側面としたときに、前記第１の開口と前記第２の開口とは前記収容部の同じ面にそれぞれ開口している請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項１２】
前記第１の開口から前記第２の開口に前記インプリント材を供給する際に、前記収容部のうち、重力方向下方の面を底面、上方の面を上面、底面と上面とをつなぐ面を側面としたときに、前記第１の開口と前記第２の開口とは前記収容部の異なる面にそれぞれ開口している請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項１３】
前記第１の開口と前記第２の開口とは前記側面のうち対向する２つの側面にそれぞれ開口している請求項１２に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項１４】
前記第１の開口は前記側面に開口し、前記第２の開口は前記収容部の上面に開口している請求項１２に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項１５】
前記第１の開口と前記第２の開口は、前記側面のうち、前記上面よりも前記底面に近い位置にそれぞれ開口している請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項１６】
前記収容部は大気連通口によって大気と連通している請求項１乃至１５のいずれか１項に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項１７】
前記上面に空気を捕獲する凹部が設けられている請求項１１乃至１６のいずれか１項に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項１８】
前記第１の開口から前記第２の開口に前記インプリント材を供給する際に、前記収容部の内部のインプリント材を前記吐出口から排出させる請求項１乃至１７のいずれか１項に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項１９】
前記収容部の内部の圧力を調整する圧力調整手段を備え、前記圧力調整手段により前記収容部の内部のインプリント材を前記吐出口から排出させる請求項１８に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項２０】
前記圧力調整手段は、前記第１の開口から前記第２の開口に供給する前記インプリント材の供給量および供給流量の少なくとも一方に基づいて、前記圧力を調整する請求項１９に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項２１】
前記吐出口から前記インプリント材を吸引する吸引手段を備え、前記第１の開口から前記第２の開口に前記インプリント材を供給する際に、前記吸引手段により前記収容部の内部のインプリント材を吸引して前記吐出口から排出させる請求項１８に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項２２】
前記吸引手段は、前記第１の開口から前記第２の開口に供給する前記インプリント材の供給量および供給流量の少なくとも一方に基づいて、前記インプリント材の吸引量または吸引流量を決定する請求項２１に記載のインプリント材吐出装置。
【請求項２３】
基板上のインプリント材にモールドを接触させて前記インプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板に前記インプリント材を吐出するインプリント材吐出装置として請求項１乃至２２のいずれかに記載のインプリント材吐出装置を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２４】
前記インプリント材は光硬化型樹脂であり、前記インプリント材に光を照射して前記インプリント材を硬化させる光照射装置を有する請求項２３に記載のインプリント装置。
【請求項２５】
前記インプリント材吐出装置は前記インプリント装置から取り外し可能なカートリッジ形態である請求項２３または２４に記載のインプリント装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和1年8月23日(2019.8.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
さらに有利な実施形態は、固体電解質の層が、５％よりも小さい、より好ましくは１％よりも小さい厚さばらつきで１０ｎｍ〜１００μｍに至るまでの範囲内の厚さを有している、固体電解質の層を形成する方法に関する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性固体電解質の層（１１１）を形成する方法において、
結晶性固体電解質の層を含むホスト基板（１００）を用意するステップと、
前記ホスト基板（１００）から受け取り基板（２０３）へと前記結晶性固体電解質の層を移動するステップと、
を含み、
前記ホスト基板から前記受け取り基板へと前記結晶性固体電解質の層を移動するステップが、
前記受け取り基板に前記ホスト基板を組み立てるステップであって、前記結晶性固体電解質の層が前記ホスト基板と前記受け取り基板との間にある、組み立てるステップと、
前記ホスト基板をシンニングするステップと、を含み、
前記ホスト基板をシンニングするステップが、
移動されるべき前記結晶性固体電解質の層を含む前記ホスト基板の一部を画定するように、前記ホスト基板内へ脆弱ゾーンを形成するステップと、
前記受け取り基板へ前記ホスト基板の前記一部を移動するように前記脆弱ゾーンのところで分離するステップと、を含む、ことを特徴とする、結晶性固体電解質の層（１１１）を形成する方法。
【請求項２】
前記結晶性固体電解質の層が、単結晶層である、請求項１に記載の結晶性固体電解質の層（１１１）を形成する方法。
【請求項３】
結晶性固体電解質の層を形成する方法であって、
結晶性固体電解質の層を含むホスト基板を用意するステップと、
前記ホスト基板から受け取り基板へと前記結晶性固体電解質の層を移動するステップと、
を含み、
前記結晶性固体電解質の層が、単結晶層である、結晶性固体電解質の層を形成する方法。
【請求項４】
前記ホスト基板（１００）が、結晶性固体電解質材料のバルク基板（１０１）又は支持基板（１０２）に設けられた結晶性固体電解質のドナー層（１１０）のいずれかを含むことを特徴とする、請求項１又は３に記載の結晶性固体電解質の層（１１１）を形成する方法。
【請求項５】
前記結晶性固体電解質のドナー層（１１０）が、堆積技術によって前記支持基板（１０２）に設けられていることを特徴とする、請求項４に記載の結晶性固体電解質の層（１１１）を形成する方法。
【請求項６】
前記ホスト基板から前記受け取り基板へと前記結晶性固体電解質の層を移動するステップが、前記受け取り基板（２０３）に前記ホスト基板（１００）を組み立てるステップ（Ｓ２）であって、前記結晶性固体電解質の層が前記ホスト基板（１００）と前記受け取り基板（２０３）との間にある、組み立てるステップ（Ｓ２）と、前記ホスト基板（１００）をシンニングするステップ（Ｓ３）とを含んでいる、請求項３に記載の結晶性固体電解質の層（１１１）を形成する方法。
【請求項７】
シンニングする前記ステップ（Ｓ３）が、移動されるべき前記結晶性固体電解質の層を含む前記ホスト基板の一部を画定するように、前記ホスト基板内へ脆弱ゾーン（３２０）を形成するステップ（Ｓ４）と、前記受け取り基板へ前記ホスト基板の前記一部を移動するように前記脆弱ゾーン（３２０）のところで分離するステップ（Ｓ５）とを含む、請求項６に記載の結晶性固体電解質の層（１１１）を形成する方法。
【請求項８】
前記脆弱ゾーン（３２０）を形成する前記ステップ（Ｓ４）が、原子種及び／又はイオン種の注入によって行われている、請求項１又は７に記載の結晶性固体電解質の層（１１１）を形成する方法。
【請求項９】
前記脆弱ゾーン（３２０）が、前記ホスト基板（１００）内の剥離層（３３０）を含み、前記剥離層は、分離することが生じる方法で分離する前記ステップ（Ｓ５）中に活性化される、請求項１又は７に記載の結晶性固体電解質の層（１１１）を形成する方法。
【請求項１０】
前記分離ステップ（Ｓ５）が、アニーリング、熱応力を加えること、機械的応力を加えること、照射手段を適用すること、及びエッチングのうちの少なくとも１つによって行われている、請求項７に記載の結晶性固体電解質の層を形成する方法。
【請求項１１】
前記結晶性固体電解質の層の材料が、０．０１Ｓ／ｃｍよりも大きいイオン伝導率を有している、請求項１又は３に記載の結晶性固体電解質の層（１１１）を形成する方法。
【請求項１２】
前記結晶性固体電解質の層（１１１）が、５％よりも小さい厚さばらつきで１０ｎｍ〜１００μｍに至るまでの範囲内の厚さを有している、請求項１又は３に記載の結晶性固体電解質の層（１１１）を形成する方法。
【請求項１３】
前記結晶性固体電解質の層（１１１）が、５／ｃｍ２よりも低い欠陥密度を有している、請求項１又は３に記載の結晶性固体電解質の層（１１１）を形成する方法。
【請求項１４】
前記結晶性固体電解質の層（１１１）の材料が、ペロブスカイト材料である、又はジルコニア、セリア、没食子酸塩、アルミナの群の中から選択されている、請求項１又は３に記載の結晶性固体電解質の層（１１１）を形成する方法。
【請求項１５】
前記受け取り基板上への前記結晶性固体電解質の層（１１１）の移動の後で、結晶性固体電解質の層のその後の移動のためにホスト基板としてさらに使用可能である前記ホスト基板の一部が残っている、請求項１又は３に記載の結晶性固体電解質の層（１１）を形成する方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか一項を用いて得られた結晶性固体電解質の層（１１１）を備えるデバイス。
【請求項１７】
アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間の結晶性固体電解質の層と、前記結晶性固体電解質の層に対向する前記アノード及び前記カソードの側面の電極とを備える固体酸化物燃料電池の製造の方法であって、前記アノード及び／又は前記カソード上へと前記結晶性固体電解質の層を移動させるために請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法を実行するステップを含む、固体酸化物燃料電池の製造の方法。
【請求項１８】
２つの電極と、前記２つの電極の間の結晶性固体電解質の層とを備える酸素センサの製造の方法であって、前記電極上へと前記結晶性固体電解質の層を移動させるために請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法を実行するステップを含む、酸素センサの製造の方法。
【請求項１９】
アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間の結晶性固体電解質の層と、前記結晶性固体電解質の層に対向する前記アノード及び前記カソードの側面の電極とを備える電池の製造の方法であって、前記アノード及び／又は前記カソード上へと前記結晶性固体電解質の層を移動させるために請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法を実行するステップを含む、電池の製造の方法。
【請求項２０】
主表面を有するドナー基板（７００）と、前記主表面上の複数の結晶性固体電解質の層とを備えるドナー構造（７０１）の製造の方法であって、前記複数の結晶性固体電解質の層の各々が、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法によって得られる、ドナー構造（７０１）の製造の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月14日(2019.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】送信装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第ｍ（ｍは２以上の整数）メモリセルと、第１乃至第ｍワード線と、第１ビット線と、アナログ回路と、を有し、
前記第ｉワード線（ｉは１以上、ｍ以下の整数）は、前記第ｉメモリセルに電気的に接続され、
前記第１乃至第ｍメモリセルは、前記第１ビット線を介して、前記アナログ回路に電気的に接続され、
前記第１乃至第ｍメモリセルは第１データに対応する電位を保持する機能を有し、
前記第１乃至第ｍワード線は第２データに対応する電位が与えられ、
前記アナログ回路は前記第１データと前記第２データの積和演算を行う機能を有し、
前記第１データまたは前記第２データは画像データを含むことを特徴とする送信装置。
【請求項２】
請求項１において、
第ｍ＋１乃至第ｍ＋ｍメモリセルと、第２ビット線と、を有し、
前記アナログ回路は、第１回路および第２回路を有し、
前記第ｍ＋ｉメモリセルは前記第ｉワード線に電気的に接続され、
前記第１回路は前記第１ビット線に電気的に接続され、
前記第２回路は、前記第２ビット線を介して、前記第ｍ＋１乃至第ｍ＋ｍメモリセルに電気的に接続され、
前記第１回路は前記第２回路と、カレント・ミラー回路を介して、電気的に接続されていることを特徴とする送信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月15日(2019.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
あるセンサパターンで配列された複数の感知素子と、
前記複数の感知素子における対応の１つとそれぞれ導電的に対にされた複数の導電性ルーティングトレースと
を備える入力装置であって、
センサルーティングトレースは、前記センサパターンと同一のベースパターンで配列された複数のベース電極のベースＲＣ負荷に比してその対応する対の前記感知素子のＲＣ負荷を減少するように構成されており、ベースセンサ電極は、ベースルーティングトレースと導電的に対にされ、前記ベースセンサ電極及びその対の前記ベースルーティングトレースは、そのサイズが、対にされる前記感知素子及び前記導電性ルーティングトレースのサイズと同一であり、前記ベースルーティングトレースは、前記ベースルーティングトレースと対にされる前記ベースセンサ電極にて終端されている、入力装置。
【請求項２】
少なくとも２つの前記導電性ルーティングトレースが前記複数の感知素子の１つと対にされている、請求項１に記載の入力装置。
【請求項３】
前記導電性ルーティングトレースの１つを、前記導電性ルーティングトレースと対にされる前記感知素子に結合する複数のビアを更に備える、請求項１又は２に記載の入力装置。
【請求項４】
当該入力装置は、前記導電性ルーティングトレースのうちの第１の導電性ルーティングトレースを前記感知素子の第１のセンサ電極に結合するビアを更に備え、
前記第１の導電性ルーティングトレースは、非結合端まで延び、前記ビアと前記非結合端との間に延びる前記第１の導電性ルーティングトレースの領域は、前記感知素子の第２のセンサ電極の下に配置されている、請求項１又は２に記載の入力装置。
【請求項５】
前記第１のセンサ電極は、前記第１の導電性ルーティングトレースに導電的に結合された前記感知素子のうちの唯一の感知素子である、請求項４に記載の入力装置。
【請求項６】
当該入力装置は、前記導電性ルーティングトレースのうちの第１の導電性ルーティングトレースを、前記複数の感知素子の、対となる第１のセンサ電極に結合する第１のビアを更に備え、
前記第１の導電性ルーティングトレースは、非結合端まで延びるものであり、
当該入力装置は、前記第１の導電性ルーティングトレースに直線的に整列された導電性のラインを更に備え、
前記導電性のラインは、前記第１のセンサ電極には結合されず、前記複数の感知素子の第２のセンサ電極の下に配置されている、請求項１又は２に記載の入力装置。
【請求項７】
少なくとも、前記複数の感知素子の第１のセンサ電極は、前記複数の感知素子の第２のセンサ電極より導電性の低いルーティングトレースと導電的に対にされている、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の入力装置。
【請求項８】
当該入力装置は、前記複数の感知素子の第１のセンサ電極に結合されたルーティングトレースに整列され且つ前記複数の感知素子の第２のセンサ電極の下に配置された導電性のラインを更に備え、前記導電性のラインは、前記第２のセンサ電極に結合されるが、前記第１のセンサ電極には結合されていない、請求項１又は２に記載の入力装置。
【請求項９】
前記複数の導電性ルーティングトレースのうちの第１の導電性ルーティングトレースを、前記感知素子の、対となる第１のセンサ電極に結合する第１のビアと、
前記複数の導電性ルーティングトレースのうちの第２の導電性ルーティングトレースを、前記感知素子の、対となる第２のセンサ電極に結合する第２のビアと
を備え、
前記第２の導電性ルーティングトレースは、前記第１のセンサ電極の下に延びている、請求項１又は２に記載の入力装置。
【請求項１０】
前記複数の導電性ルーティングトレースのうちの第１の導電性ルーティングトレースを、前記複数の感知素子の、対となる第１のセンサ電極に結合する第１のビアと、
前記複数の導電性ルーティングトレースのうちの第２の導電性ルーティングトレースを、前記複数の感知素子の、対となる第２のセンサ電極に結合する第２のビアと
を備え、
前記第２の導電性ルーティングトレースは、前記第１の導電性ルーティングトレースより幅が広い、請求項１又は２に記載の入力装置。
【請求項１１】
マトリクスアレイに配列され、該マトリクスアレイに関連した感知エリアにおける入力装置の存在を検出するように構成された複数のセンサ電極と、
処理システム及び端子端に結合するように構成されたコネクタ端を有する複数の導電性ルーティングトレースと
を備え、
前記複数のセンサ電極の各々は、前記導電性ルーティングトレースの少なくとも１つにより前記処理システムに結合され、前記複数の導電性ルーティングトレースのうちの第１の導電性ルーティングトレースは、複数のビアにより、前記複数のセンサ電極のうちの第１のセンサ電極に結合されている、入力装置。
【請求項１２】
前記第１のセンサ電極には、前記複数のセンサ電極のうちの第２のセンサ電極より多数の導電性ルーティングトレースが結合され、前記第２のセンサ電極は、前記第１のセンサ電極より前記処理システムに接近して配置される、請求項１１に記載の入力装置。
【請求項１３】
前記第１の導電性ルーティングトレースは、前記複数のセンサ電極のうちの第２のセンサ電極に結合された前記複数の導電性ルーティングトレースのうちの第２の導電性ルーティングトレースより幅が広い、請求項１１又は１２に記載の入力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月22日(2019.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
左右方向に対向して配置された左右のサイドフレームを有するシートフレームと、
前記左右のサイドフレームの間に配置された受圧部材と、
前記シートフレームに支持されたワイヤと、を備え、
前記受圧部材は、受圧部と、前記受圧部の左右両端部の少なくとも一部から左右方向外側かつ前記受圧部に対して乗員側に向けて斜めに延出した支持部とを有し、
前記受圧部材は、左右方向に並ぶ複数の孔を有することを特徴とする乗物用シート。
【請求項２】
前記複数の孔は、左右方向に長いことを特徴とする請求項１に記載の乗物用シート。
【請求項３】
前記複数の孔は、前記受圧部に位置することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の乗物用シート。
【請求項４】
前記受圧部は、左右方向に並ぶ第２の複数の孔を有し、
前記第２の複数の孔は、前記複数の孔に対して左右方向に直交する方向にずれて配置されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の乗物用シート。
【請求項５】
前記第２の複数の孔は、左右方向に長いことを特徴とする請求項４に記載の乗物用シート。
【請求項６】
前記受圧部は、左右方向に直交する方向の一方に位置する第１端縁と、左右方向に直交する方向の他方に位置する第２端縁と、を有し、
前記複数の孔は、前記第２端縁よりも前記第１端縁に近く、
前記第２の複数の孔は、前記第１端縁よりも前記第２端縁に近いことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の乗物用シート。
【請求項７】
前記乗物用シートは、前記シートフレームに被さったクッション材と、前記クッション材に被さった表皮材と、ヘッドレストと、をさらに備え、
前記受圧部材は、前記左右のサイドフレームとの間に隙間を有して配置されていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の乗物用シート。
【請求項８】
前記シートフレームは、シートバックフレームを有し、
前記受圧部材は、前記シートバックフレームに前記ワイヤを介して設けられていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の乗物用シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記した目的を達成するため、本発明の乗物用シートは、左右方向に対向して配置された左右のサイドフレームを有するシートフレームと、前記左右のサイドフレームの間に配置された受圧部材と、前記シートフレームに支持されたワイヤと、を備え、前記受圧部材は、受圧部と、前記受圧部の左右両端部の少なくとも一部から左右方向外側かつ前記受圧部に対して乗員側に向けて斜めに延出した支持部とを有し、前記受圧部材は、左右方向に並ぶ複数の孔を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記した乗物用シートにおいて、前記複数の孔は、左右方向に長い構成とすることができる。
前記した乗物用シートにおいて、前記複数の孔は、前記受圧部に位置する構成とすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記した乗物用シートにおいて、前記受圧部は、左右方向に並ぶ第２の複数の孔を有し、前記第２の複数の孔は、前記複数の孔に対して左右方向に直交する方向にずれて配置されている構成とすることができる。
前記した乗物用シートにおいて、前記第２の複数の孔は、左右方向に長い構成とすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記した乗物用シートにおいて、前記受圧部は、左右方向に直交する方向の一方に位置する第１端縁と、左右方向に直交する方向の他方に位置する第２端縁と、を有し、前記複数の孔は、前記第２端縁よりも前記第１端縁に近く、前記第２の複数の孔は、前記第１端縁よりも前記第２端縁に近い構成とすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記した乗物用シートにおいて、前記乗物用シートは、前記シートフレームに被さったクッション材と、前記クッション材に被さった表皮材と、ヘッドレストと、をさらに備え、前記受圧部材は、前記左右のサイドフレームとの間に隙間を有して配置されている構成とすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記した乗物用シートにおいて、前記シートフレームは、シートバックフレームを有し、前記受圧部材は、前記シートバックフレームに前記ワイヤを介して設けられている構成とすることができる。