【手続補正書】
【提出日】平成31年2月14日(2019.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレンチゲートバイポーラトランジスタを備えた半導体装置であって、
第１表面を有する第１導電型の半導体基板と、
互いに隣接するように前記半導体基板に規定された第１領域および第２領域と、
前記第１領域に位置する前記半導体基板の前記第１表面から第１深さに達する第１トレンチ内に、第１絶縁膜を介在させて形成されたゲート電極と、
前記第１領域に位置する前記半導体基板の領域を介在させる態様で前記ゲート電極とは距離を隔てられ、前記第１表面から前記第１深さに達する第２トレンチ内に、第２絶縁膜を介在させて形成されたエミッタ電極と、
前記ゲート電極と前記エミッタ電極との間の前記第１領域に位置する前記半導体基板の前記第１表面から前記第１深さよりも浅い第２深さにわたり形成された第１導電型のソース領域と、
前記ゲート電極と前記エミッタ電極との間の前記第１領域に位置する前記半導体基板の前記第２深さから前記第２深さよりも深く、前記第１深さよりも浅い位置にわたり形成された第２導電型のベース領域と、
前記第２領域に位置する前記半導体基板の前記第１表面から前記第１深さよりも深い位置にわたり形成された第２導電型のフローティング領域と、
前記エミッタ電極、前記ソース領域および前記ベース領域に電気的に接続されたコンタクト部と
を備え、
前記コンタクト部は、前記エミッタ電極と前記ベース領域とに跨る態様で形成され、
前記コンタクト部のコンタクト底部は、前記エミッタ電極に接触している前記コンタクト底部の第１部分が、前記ベース領域に接触している前記コンタクト底部の第２部分よりも深い位置にある態様で傾斜している、半導体装置。
【請求項２】
前記ベース領域のベース底部は、前記エミッタ電極側の前記ベース底部の第１部分が、前記ゲート電極側の前記ベース底部の第２部分よりも深い位置にある態様で傾斜し、
前記ベース底部の前記第２部分から前記ゲート電極の下端までの長さは、前記ベース底部の前記第１部分から前記ゲート電極の下端までの長さよりも長い、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記コンタクト部の前記コンタクト底部が、前記エミッタ電極と前記ベース領域とに接触し、
前記コンタクト部のコンタクト側部が、前記ソース領域と前記ベース領域とに接触している、請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
トレンチゲートバイポーラトランジスタを備えた半導体装置であって、
第１表面を有する第１導電型の半導体基板と、
互いに隣接するように前記半導体基板に規定された第１領域および第２領域と、
前記第１領域に位置する前記半導体基板の前記第１表面から第１深さに達する第１トレンチ内に、第１絶縁膜を介在させて形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極と前記第２領域との間に位置する前記半導体基板の前記第１表面から前記第１深さよりも浅い第２深さにわたり形成された第１導電型のソース領域と、
前記ゲート電極と前記第２領域との間に位置する前記半導体基板の前記第２深さから前記第２深さよりも深い位置にわたり形成された第２導電型のベース領域と、
前記第１領域に位置する前記半導体基板の領域を介在させる態様で前記ゲート電極とは距離を隔てられ、前記第２領域に位置する前記半導体基板の領域に形成された、キャリアの流れを阻止する、エミッタ電極を含むキャリア通り抜け阻止部と、
前記エミッタ電極、前記ソース領域および前記ベース領域に電気的に接続されたコンタクト部と
を備え、
前記コンタクト部の底部が前記エミッタ電極に接触し、
前記コンタクト部のコンタクト側部が前記ソース領域および前記ベース領域に接触している、半導体装置。
【請求項５】
前記キャリア通り抜け阻止部は、
前記エミッタ電極と、
第２導電型のフローティング領域と
を含み、
前記エミッタ電極は、前記第１領域に位置する前記半導体基板の領域を介在させる態様で前記ゲート電極とは距離を隔てられ、前記第１表面から前記第１深さに達する第２トレンチ内に第２絶縁膜を介在させて形成され、
前記フローティング領域は、前記第２領域に位置する前記半導体基板の前記第１表面から前記第１深さよりも深い位置にわたり形成された、請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ベース領域のベース底部は、前記エミッタ電極側の前記ベース底部の第１部分が、前記ゲート電極側の前記ベース底部の第２部分よりも深い位置にある態様で傾斜し、
前記ベース底部の前記第２部分から前記ゲート電極の下端までの長さは、前記ベース底部の前記第１部分から前記ゲート電極の下端までの長さよりも長い、請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記エミッタ電極の上端は、前記ゲート電極の上端よりも低い位置にある、請求項５記載の半導体装置。
【請求項８】
前記エミッタ電極の幅は前記ゲート電極の幅よりも広い、請求項５記載の半導体装置。
【請求項９】
前記キャリア通り抜け阻止部は、前記エミッタ電極であり、
前記エミッタ電極は、前記第２領域の全域に位置する前記半導体基板の前記第１表面から前記第１深さに達する第２トレンチ内に第２絶縁膜を介在させて形成された、請求項４記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２絶縁膜の厚さは、前記第１絶縁膜の厚さよりも厚い、請求項９記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記ベース領域のベース底部は、前記エミッタ電極側の前記ベース底部の第１部分が、前記ゲート電極側の前記ベース底部の第２部分よりも深い位置にある態様で傾斜し、
前記ベース底部の前記第２部分から前記ゲート電極の下端までの長さは、前記ベース底部の前記第１部分から前記ゲート電極の下端までの長さよりも長い、請求項９記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記エミッタ電極の上端は、前記ゲート電極の上端よりも低い位置にある、請求項９記載の半導体装置。
【請求項１３】
トレンチゲートバイポーラトランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、
第１表面を有する第１導電型の半導体基板に、互いに隣接する第１領域と第２領域とを規定する工程と、
前記第１領域に位置する前記半導体基板の前記第１表面から第１深さに達する第１トレンチ内に第１絶縁膜を介在させてゲート電極を形成するとともに、前記第１トレンチとは距離を隔てて、前記半導体基板の前記第１表面から前記第１深さに達する第２トレンチ内に第２絶縁膜を介在させてエミッタ電極を形成する工程と、
前記第２領域に位置する前記半導体基板に第２導電型の不純物を導入することにより、フローティング領域を形成する工程と、
前記ゲート電極と前記エミッタ電極との間の前記第１領域に位置する前記半導体基板の前記第１表面から第２深さにわたり、第１導電型のソース領域を形成する工程と、
前記ゲート電極と前記エミッタ電極との間の前記第１領域に位置する前記半導体基板の前記第２深さから前記第２深さよりも深く、前記第１深さよりも浅い位置にわたり、第２導電型のベース領域を形成する工程と、
前記第１領域および前記第２領域を覆うように、コンタクト層間絶縁膜を形成する工程と、
前記コンタクト層間絶縁膜にエッチング処理を行うことにより、前記エミッタ電極と前記ソース領域とを跨ぐ態様で、前記エミッタ電極および前記ソース領域を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部が形成された前記コンタクト層間絶縁膜をエッチングマスクとして、前記エミッタ電極、前記ソース領域および前記ベース領域にエッチング処理を行うことにより、コンタクト開口部を形成する工程と、
前記コンタクト開口部内の残渣を除去する工程と、
前記コンタクト開口部内に、前記エミッタ電極、前記ベース領域および前記ソース領域に電気的に接続されるコンタクト部を形成する工程と
を備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記ベース領域を形成する工程は、前記コンタクト開口部を介して、前記ベース領域に第２導電型の不純物を注入し熱拡散させることにより、前記ベース領域における前記エミッタ電極側のベース底部の第１部分が、前記ベース領域における前記ゲート電極側の前記ベース底部の第２部分よりも深くなる態様で、前記ベース底部を傾斜させる工程を含む、請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記ゲート電極および前記エミッタ電極を形成する工程は、
前記第１トレンチ内および前記第２トレンチ内を充填する態様で、前記半導体基板を覆うように第１導電性膜を形成する工程と、
前記第１導電性膜の全面にエッチング処理を行うことにより、前記半導体基板の前記第１表面上に位置する前記第１導電性膜の部分を除去し、前記第１トレンチ内および前記第２トレンチ内のそれぞれに残される前記第１導電性膜の部分の上面の位置を、前記半導体基板の前記第１表面の位置よりも下げる工程と
を含む、請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記コンタクト開口部を形成する工程は、前記コンタクト開口部における前記エミッタ電極側の開口底面の第１部分は、前記コンタクト開口部における前記ベース領域側の前記開口底面の第２部分よりも深い位置になる態様で前記開口底面を傾斜する工程を含み、
前記コンタクト部を形成する工程は、前記コンタクト部における前記エミッタ電極側のコンタクト底部の第１部分が、前記ベース領域側の前記コンタクト底部の第２部分よりも深い位置にある態様で前記コンタクト底部を傾斜させる工程を含む、請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
（付記２）
付記１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ベース領域を形成する工程は、前記コンタクト開口部を介して、前記ベース領域に第２導電型の不純物を注入し熱拡散させることにより、前記ベース領域における前記エミッタ電極側のベース底部の第１部分が、前記ベース領域における前記ゲート電極側の前記ベース底部の第２部分よりも深くなる態様で、前記ベース領域の前記ベース底部を傾斜させる工程を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
（付記５）
付記４に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ベース領域を形成する工程は、前記コンタクト開口部を介して、前記ベース領域に第２導電型の不純物を注入し熱拡散させることにより、前記ベース領域における前記エミッタ電極側のベース底部の第１部分が、前記ベース領域における前記ゲート電極側の前記ベース底部の第２部分よりも深くなる態様で、前記ベース領域の前記ベース底部を傾斜させる工程を含む。