(57)【要約】  ターゲットを均一にスパッタできるようにして、ターゲットの利用効率を飛躍的に増加でき、しかも基板付近での磁力線分布も垂直かつ均一性がよくチャージアップが発生しない構造の容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置を提供する。  本発明による容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置は、真空チャンバ（１）と、真空チャンバ（１）内に設置されるターゲット（２）と、真空チャンバ（１）内に磁場ゼロの環状磁気中性線を形成する磁場発生手段と、ターゲット（２）に高周波バイアスを印加して磁気中性線に沿ってプラズマを発生させる電場発生手段とを有し、磁気中性線のゼロ磁場近傍の磁場勾配を２ガウス／ｃｍ以上にし、プラズマによりターゲットをスッパタリングして、ターゲットに対向して設置される基板に成膜を行うように構成される。
2008007784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に基板に対向して設置されるターゲットと、
前記真空チャンバ内に磁場ゼロの環状磁気中性線を形成する磁場発生手段と、
前記ターゲットに高周波バイアスを印加して前記磁気中性線に沿ってプラズマを発生させる電場発生手段と
を有し、
前記磁気中性線のゼロ磁場近傍の磁場勾配を２ガウス/ｃｍ以上にし、前記プラズマにより前記ターゲットをスパッタリングして、前記ターゲットに対向して設置される基板に成膜を行う
ことを特徴とした容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置。
【請求項２】
前記電場発生手段に印加する電力の周波数が１３．５６ＭＨｚより高いことを特徴とする請求項１に記載の容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置。
【請求項３】
前記電場発生手段に印加する電力の周波数が２０ＭＨｚ以上であることを特徴とする請求項１に記載の容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置。
【請求項４】
前記磁場発生手段が３つの円筒型コイルを備え、前記真空チャンバ内の任意の位置に任意の磁場勾配によって環状磁気中性線を形成するように構成したことを特徴とした請求項１に記載の容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置。
【請求項５】
前記電場発生手段が、前記真空チャンバの頂縁部に絶縁体を介して真空密封して取り付けられる導電性天板と、前記天板に接続され前記天板に高周波電力を印加する高周波電源とを備えていることを特徴とした請求項１に記載の容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置。
【請求項６】
前記導電性天板の内面に前記ターゲットが装着されることを特徴とした請求項５に記載の容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置。
【請求項７】
前記ターゲットが金属であることを特徴とする請求項１に記載の容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置。
【請求項８】
さらに、前記基板を設置する基板ホルダに接続され、前記基板にバイアスを印加するＲＦ電源を有することを特徴とする請求項１に記載の容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置。
【請求項９】
さらに、前記ターゲットに接続され、ＤＣ電圧を重畳するＤＣ電源を有することを特徴とする請求項１に記載の容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置。
【請求項１０】
前記ＤＣ電源が高周波フィルタを介して前記天板に接続されていることを特徴とする請求項５に記載の容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置。
【請求項１１】
さらに、前記ターゲットに接続され、前記ターゲットに低周波バイアスを重畳する低周波発生手段を有することを特徴とする請求項１に記載の容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置。
【請求項１２】
前記低周波発生手段が、低周波電源と、前記低周波電源を前記天板に接続するマッチング装置とを備えていることを特徴とする請求項５に記載の容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置。
【請求項１３】
さらに、前記真空チャンバ内に設けられ、前記ターゲットと前記基板との間の領域を囲む防着部材を有することを特徴とする請求項１に記載の容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大面積基板に均一性良くスパッタ成膜し、電子デバイス、半導体デバイス、機能性膜を製造するのに使用される容量結合型磁気中性線（ＮＬＤ）プラズマスパッタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパッタ技術としては、金属膜形成用としてＤＣバイアススパッタが広範に使用されている。
また、絶縁膜の形成には高周波バイアスないしはパルスバイアスＤＣスパッタ装置が用いられている。これらのスパッタ装置は成膜速度を高めるため永久磁石によって形成される磁場とバイアス電場とで発生するＥｘＢドリフト現象によるマグネトロン放電を利用している。【０００３】
一方、真空チャンバの外側に３つの円筒コイルを配置して磁気中性線を形成し、この磁気中性線に沿ってプラズマを発生させるようにしたＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma; 誘導結合プラズマ）型の低圧・高密度磁気中性線プラズマ源も提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平７−９０６３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
マグネトロンスパッタの最大の課題はターゲットの使用効率である。マグネトロンスパッタにおいてはＥｘＢドリフト部での局所的高密度プラズマによるスパッタを利用しているので、局部的にエロジョン領域が限定され、磁石を回転させてもターゲットの利用効率は限定されてしまう。また、基板に対して斜め成分の磁力線分布を持つため、チャージアップによるデバイス損傷の問題も抱えている。【０００５】
このため、低圧・高密度プラズマによる均一スパッタ法が長年望まれているが、現在までのところマグネトロンスパッタより優れた方法は提案されていない。現在、マグネトロンスパッタ法は大変優れた成膜法であるが、ターゲットの使用効率が５０％未満であることと均一成膜を行うための磁場配置が大変難しいと言う課題を常に抱いている。【０００６】
一方、ＩＣＰ型のプラズマ源は均一高密度プラズマが形成されるものの高周波電力を導入するため、アンテナ近傍の真空隔壁を誘電体で構成する必要があり、金属成膜に適用できないと言う課題がある。即ち、ＩＣＰ型プラズマ源を用いたスパッタで成膜した場合、誘電体隔壁内面に金属膜が成膜し、プラズマを形成するアンテナ電場を遮蔽してしまうため、プラズマ維持ができないからである。【０００７】
さらに、従来、磁場を利用しないプラズマ源では、放電圧力が高く、気相中でスパッタ粒子同志が衝突し合い、大きなクラスターとなって表面に付着するので、粗い膜が形成されてしまうという問題がある。【０００８】
そこで、本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決して、ターゲットを均一にスパッタできるようにして、ターゲットの利用効率を飛躍的に増加でき、しかも基板付近での磁力線分布も垂直かつ均一性がよくチャージアップが発生しない構造の容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明による容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置は、真空チャンバと、真空チャンバ内に設置されるターゲットと、真空チャンバ内に磁場ゼロの環状磁気中性線を形成する磁場発生手段と、ターゲットに高周波バイアスを印加して磁気中性線に沿ってプラズマを発生させる電場発生手段とを有し、磁気中性線のゼロ磁場近傍の磁場勾配を２ガウス/ｃｍ以上にし、プラズマによりターゲットをスパッタリングして、ターゲットに対向して設置される基板に成膜を行うことを特徴としている。【００１０】
本発明による容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置において、電場発生手段に印加する電力の周波数は１３．５６ＭＨｚより高く、好ましくは２０ＭＨｚ以上であり得る。【００１１】
また、磁場発生手段は、３つの円筒型コイルを備え、真空チャンバ内の任意の位置に任意の磁場勾配によって環状磁気中性線を形成するように構成され得る。【００１２】
電場発生手段は、真空チャンバの頂縁部に絶縁体を介して真空密封して取り付けられる導電性天板と、天板に接続され天板に高周波電力を印加する高周波電源とを備え得る。【００１３】
本発明による容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置において用いられるターゲットは金属ターゲットであり得る。【００１４】
さらに、本発明の一つの実施形態による容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置においては、基板を設置する基板ホルダに接続され、基板にバイアスを印加するＲＦ電源が設けられ得る。【００１５】
また、本発明の一つの実施形態による容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置においては、ターゲットに接続され、ＤＣ電圧を重畳するＤＣ電源が設けられ得る。【００１６】
ＤＣ電源は高周波フィルタを介して天板に接続され得る。【００１７】
また、本発明の別の実施形態による容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置においては、ターゲットに接続され、ターゲットに低周波バイアスを重畳する低周波発生手段が設けられ得る。【００１８】
低周波発生手段は、低周波電源と、低周波電源を天板に接続するマッチング装置とを備え得る。【００１９】
本発明による容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置においては、さらに、真空チャンバ内に設けられ、ターゲットと基板との間の領域を囲む防着部材が設けられ得る。
【発明の効果】
【００２０】
本発明による容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置においては、磁気中性線のゼロ磁場近傍の磁場勾配を２ガウス／ｃｍ以上とすることで、ゼロ磁場近傍における電子を磁場勾配により捕捉し、高周波電場で効率良く加速して低圧でも高密度プラズマが形成できるようになった。その結果、ターゲットは均一にスパッタでき、ターゲットの利用効率を飛躍的に増加させることができるばかりでなく、基板付近での磁力線分布も垂直かつ均一性がよくチャージアップが発生しなくなるという効果が得られる。【００２１】
また、プラズマ密度を高めるため、電場発生手段に印加する電力の周波数を１３．５６ＭＨｚより高く構成した場合には、プラズマ密度が上昇することによりゼロ磁場付近に磁場勾配により捕捉される電子が多くなり、効率よく高周波電場を吸収するようになり、その結果、１０１１ｃｍ−３台の密度プラズマが得られるようになる。比較として、マグネトロンによるプラズマ密度はＥｘＢドリフト部では１０１２ｃｍ−３台であり、それより離れた（垂直磁場）所では１０１０ｃｍ−３台であり、プラズマの濃淡が大きいが、本発明においてこのように構成することによりプラズマは、プラズマ密度が高く、均一となる。これにより、マグネトロンスパッタでは、ターゲットの使用効率が５０％より低い、最大でも４５％程度であったものが、本発明ではターゲットの使用効率５０〜７０％が可能となる。【００２２】
また、ゼロ磁場近傍の磁場勾配を高めて磁場による電子捕捉を高効率化すると共に、バイアス高周波電源の周波数を２０ＭＨｚ以上とすることにより、電子による高周波電力吸収を高効率化して、従来困難だったＣＣＰ型ＮＬＤプラズマの高密度が達成でき、金属スパッタ装置として使用できるようになる。【００２３】
また、本発明では、陰極結合型プラズマ（Cathode Coupled Plasma；ＣＣＰ）源を使用することにより、ＩＣＰプラズマ発生装置のように電場発生手段を真空チャンバの外に設置する必要がなく、そのため真空チャンバの壁を誘電体で形成する必要がなくなる。このため、金属膜を成膜する場合でも電場の導入を阻害せずプラズマを発生することができるようになる。【００２４】
また、通常、陰極結合型プラズマ源では、放電圧力は２Ｐａ以上であるが、ＮＬＤを用いることにより２Ｐａより低圧でも放電する。さらに１Ｐａ以下でも放電が可能となる。このため、スパッタ粒子の自由工程が長くなり、緻密な膜を形成することができる。【００２５】
さらに、ターゲットに高周波電源に加え、ＤＣ電源もしくは低周波原源を接続して重畳する構成を採用した場合には、ターゲットヘのバイアスの制御と、電場（高周波）導入の制御が個別に行えるため制御が容易となる。【００２６】
さらに、基板にバイアスを掛けることで、基板周辺でプラズマは発生し、イオン化率が高くなる。このイオンにより成膜された膜が叩かれることにより膜が緻密になる、或いはカバレッジが良くなる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一つの実施形態による容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置の構成を概略図。
【００２８】
【図２】図１の装置において真空チャンバ内に形成される磁場の等磁位線図。
【００２９】
【図３】本発明の装置における成膜速度のバイアス電力に対する依存性を示すグラフ。
【００３０】
【図４】本発明の装置におけるターゲット・基板間距離と１分間成膜時の膜厚分布の関係を示すグラフ。
【００３１】
【図５】本発明の装置における成膜分布の磁気中性腺の径への依存性を示すグラフ。
【００３２】
【図６】本発明の別の実施形態による容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置の構成を概略図。
【００３３】
【図７】本発明のさらに別の実施形態による容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置の構成を概略図。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。【００３５】
図１には、本発明の一つの実施形態による容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置を概略的に示している。図示装置において、１は真空チェンバで、その内部にはターゲット２及び基板３が対向して配置され、基板３は基板ホルダ４上に装着されている。また真空チャンバ１は排気口５を介して図示していない適当な排気ポンプに接続されている。【００３６】
真空チャンバ１の側壁の外側には図示したように三つの電磁コイル６、７、８が配置され、上下の電磁コイル６、８には同じ向きの同一定電流が流され、中間の電磁コイル７には逆向きの電流が流される。それにより、図２の等磁位線図で示すように、中間の電磁コイル７のレベルにおいて真空チャンバ１内に連続した磁場ゼロの領域ができ、円輪状の磁気中性線９が形成される。本発明においては、磁場ゼロの領域から１ｃｍ以内で磁場の強さが２ガウスとなるようにこれら三つの電磁コイル６、７、８に流す電流の大きさは設定され得る。円輪状の磁気中性線９の形成される位置及び大きさは、上下の電磁コイル６、８に流す電流と中間の電磁コイル７に流す電流との比を変えることによって適宜設定することができ、上の電磁コイル６に流す電流を下の電磁コイル８に流す電流より大きくすると、円輪状の磁気中性線９は下の電磁コイル８側に下がり、上の電磁コイル６に流す電流を下の電磁コイル８に流す電流より小さくすると、円輪状の磁気中性線９は上の電磁コイル６側に上がる。また、中間の電磁コイル７に流す電流を増していくと、磁気中性線９の円輪の径は小さくなると共に磁場ゼロの領域における磁場の勾配も緩やかになる。【００３７】
また、真空チャンバ１内において、ターゲット２と基板３との間の領域を囲んで防着部材１０、１１が配置されている。一方、真空チャンバ１の頂部には絶縁体１２を介して導電性天板１３が真空密封して装着され、この天板１３はマッチングボックス１４を介して高周波電源１５に接続され、従って天板１３はカソード電極として機能している。高周波電源１５の周波数は２０〜１００ＭＨｚである。【００３８】
電磁コイル６、７、８によって真空チャンバ１内に形成された図２に示す磁場の等磁位線図において法線方向が磁力線方向になる。電磁コイル７の内側に磁場の打ち消し合いによって形成される磁場ゼロの領域ができる。この付近に発生する電子群はｇｒａｄＢドリフトによりゼロ磁場領域に集まってくる。この集合の度合いはゼロ磁場近傍の磁場勾配に依存する。プラズマ中の電子は生成、滞在、消滅の過程で平衡が成り立っている。【００３９】
低圧で高密度プラズマを形成するためには、生成効率を上げるとともに消滅を低く抑えることが必要になる。生成効率が同じ場合には、消滅を低減するだけでも高密度プラズマは形成できる。この役割を果たすのが磁場勾配である。この磁場勾配を大きくすると、ゼロ磁場近傍に集合する電子群が大きくなり全体として均一スパッタが難しくなる。しかし、マグネトロン放電に比べればその不均一性は無視できる。【００４０】
高密度プラズマを形成する別の方法は生成効率を高めることである。ＣＣＰプラズマの維持は基板３からの二次電子生成とプラズマのシース端におけるシース加熱による。ターゲット２の材料にも依存するが金属からの二次電子放出確率は０．２前後であることを考えると、ＣＣＰにおけるプラズマ維持は主にシース加熱によっていると考えられる。シース加熱は、ターゲットバイアスが高周波バイアスで変動するに従いプラズマ電位が変動し、その変動によってシース端にある電子群がプラズマ中に加速されることを意味する。このシース加熱は周波数が高くなるほどその分、加熱頻度が高くなり、プラズマ密度を高くする。この効果はｆ二乗則と呼ばれる。【００４１】
磁場を用いることにはもう一つの付加的な利点として、電子トラップ効果による放電圧力を低下させることができることにある。スパッタ成膜では１Ｐａ以下の圧力が必要になる。即ち、ターゲット２から基板３までスパッタ粒子が無衝突で飛来することが必要であり、これは緻密な膜形成には欠かせない条件である。ＣＣＰスパッタでは圧力は２Ｐａ付近が放電の下限値であり、このときの窒素分子換算平均自由工程は約３ｍｍである。飛来して基板３に到達するまでに１０回以上の衝突を繰り返すことになり、飛来する問に他のスパッタ粒子との衝突によりクラスタリングが発生し、大きな固まりとなって基板３上に降り積もる。このようにして形成された膜は粗くがさがさした膜質となる。【００４２】
図３には、ターゲット２と基板３との間の距離を８０ｍｍにした時の成膜速度のバイアス電力に対する依存性を示している。この場合の圧力はＡｒ雰囲気で０．５Ｐａである。比較例として１３．５６ＭＨｚを用いたＣＣＰスパッタ時における成膜速度のパワー依存性も示す。【００４３】
図４には、ターゲット・基板間距離と１分間成膜時の膜厚分布の関係を示している。この場合の圧力はＡｒ雰囲気で０．５Ｐａであり、またターゲット２に印加した電力は４００Ｗである。図４から分かるようにターゲット２と基板３との間の距離が近くなると成膜速度は増すが、成膜の均一性は悪くなる。【００４４】
図５には、成膜分布の磁気中性腺９の径への依存性を示している。中間のコイル５の電流値を変えることにより磁気中性腺９の径を変えることができ、それによりプラズマ分布を変えることができる。エロジョン分布は磁気中性腺９の径に敏感であるが、成膜分布は磁気中性腺９の径に比較的鈍感であり、エロジョン領域を考慮したスパッタを行うことができる。【００４５】
以上のことより、周波数を高くして発生確率を高くし、ゼロ磁場近傍における閉じこめ量を増やすことにより高密度プラズマを形成することができ、ターゲット使用効率の高い大面積対応のスパッタ装置を提供することができる。【００４６】
図６には、本発明の別の実施形態による容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置を概略的に示している。図６に示す装置において、図１の実施形態による装置に対応した部分は同じ符号で示している。即ち、真空チェンバ１の内部にはターゲット２及び基板３が対向して配置され、基板３は基板ホルダ４上に装着されている。また真空チャンバ１は排気口５を介して図示していない適当な排気ポンプに接続されている。【００４７】
真空チャンバ１の側壁の外側には図示したように三つの電磁コイル６、７、８が配置され、上下の電磁コイル６、８には同じ向きの同一定電流が流され、中間の電磁コイル７には逆向きの電流が流される。それにより、図２の等磁位線図で示すように、中間の電磁コイル７のレベルにおいて真空チャンバ１内に連続した磁場ゼロの領域ができ、円輪状の磁気中性線９が形成される。本発明においては、磁場ゼロの領域から１ｃｍ以内で磁場の強さが２ガウスとなるようにこれら三つの電磁コイル６、７、８に流す電流の大きさは設定され得る。円輪状の磁気中性線９の形成される位置及び大きさは、上下の電磁コイル６、８に流す電流と中間の電磁コイル７に流す電流との比を変えることによって適宜設定することができ、上の電磁コイル６に流す電流を下の電磁コイル８に流す電流より大きくすると、円輪状の磁気中性線９は下の電磁コイル８側に下がり、上の電磁コイル６に流す電流を下の電磁コイル８に流す電流より小さくすると、円輪状の磁気中性線９は上の電磁コイル６側に上がる。また、中間の電磁コイル７に流す電流を増していくと、磁気中性線９の円輪の径は小さくなると共に磁場ゼロの領域における磁場の勾配も緩やかになる。【００４８】
また、真空チャンバ１内において、ターゲット２と基板３との間の領域を囲んで防着部材１０、１１が配置されている。一方、真空チャンバ１の頂部には絶縁体１２を介して導電性天板１３が真空密封して装着され、この天板１３は一方では、マッチングボックス１４を介して高周波電源１５に接続され、他方では高周波フィルタ１６を介して直流電源１７に接続されている。従って導電性天板１３には高周波電源１５からの高周波電力に直流電源１７からの直流電圧が重畳されて印加されるように構成されている。高周波電源１５の周波数は２０〜１００ＭＨｚである。【００４９】
また、図６に示す実施形態では、基板３の装着される基板ホルダ４には高周波バイアス電源１８が接続され、この高周波バイアス電源１８は、４０〜１００ＭＨｚの高周波バイアス電力を基板３に印加する。【００５０】
図７には、本発明のさらに別の実施形態による容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置を概略的に示し、図７に示す装置において、図１の実施形態による装置に対応した部分は同じ符号で示している。即ち、真空チェンバ１の内部にはターゲット２及び基板３が対向して配置され、基板３は基板ホルダ４上に装着されている。また真空チャンバ１は排気口５を介して図示していない適当な排気ポンプに接続されている。【００５１】
真空チャンバ１の側壁の外側には図示したように三つの電磁コイル６、７、８が配置され、上下の電磁コイル６、８には同じ向きの同一定電流が流され、中間の電磁コイル７には逆向きの電流が流される。それにより、図２の等磁位線図で示すように、中間の電磁コイル７のレベルにおいて真空チャンバ１内に連続した磁場ゼロの領域ができ、円輪状の磁気中性線９が形成される。本発明においては、磁場ゼロの領域から１ｃｍ以内で磁場の強さが２ガウスとなるようにこれら三つの電磁コイル６、７、８に流す電流の大きさは設定され得る。円輪状の磁気中性線９の形成される位置及び大きさは、上下の電磁コイル６、８に流す電流と中間の電磁コイル７に流す電流との比を変えることによって適宜設定することができ、上の電磁コイル６に流す電流を下の電磁コイル８に流す電流より大きくすると、円輪状の磁気中性線９は下の電磁コイル８側に下がり、上の電磁コイル６に流す電流を下の電磁コイル８に流す電流より小さくすると、円輪状の磁気中性線９は上の電磁コイル６側に上がる。また、中間の電磁コイル７に流す電流を増していくと、磁気中性線９の円輪の径は小さくなると共に磁場ゼロの領域における磁場の勾配も緩やかになる。【００５２】
図示実施形態では、真空チャンバ１内において、ターゲット２と基板３との間の領域を囲んで防着部材１０、１１が配置されている。一方、真空チャンバ１の頂部には絶縁体１２を介して導電性天板１３が真空密封して装着され、この天板１３は一方では、マッチングボックス１４を介して高周波電源１５に接続され、他方ではマッチングボックス１９を介して低周波電源２０に接続されている。従って導電性天板１３には高周波電源１５からの高周波電力に低周波電源２０から低周波電圧が重畳されて印加されるように構成されている。高周波電源１５の周波数は２０〜１００ＭＨｚに選定され、低周波電源２０の周波数は１００ＫＨｚ〜４ＭＨｚに選定される。【００５３】
また、図７に示す実施形態でも図６の場合と同様に、基板３の装着される基板ホルダ４には高周波バイアス電源１８が接続され、この高周波バイアス電源１８は、４０〜１００ＭＨｚの高周波バイアス電力を基板３に印加するようにされている。【００５４】
図６及び図７に示す装置においても各部の動作及び設定条件は図１に示す実施形態の場合と同様に選択され得る。また動作機能及び作用についても図３〜図５に示すものと同様な結果が得られる。
【符号の説明】
【００５５】
１：真空チェンバ
２：ターゲット
３：基板
４：基板ホルダ
５：排気口
６：電磁コイル
７：電磁コイル
８：電磁コイル
９：円輪状の磁気中性線
１０：防着部材
１１：防着部材
１２：絶縁体
１３：導電性天板
１４：マッチングボックス
１５：高周波電源
１６：高周波フィルタ
１７：直流電源
１８：高周波バイアス電源
１９：マッチングボックス
２０：低周波電源
【図１】
2008007784.tif 000003
【図２】
2008007784.tif 000004
【図３】
2008007784.tif 000005
【図４】
2008007784.tif 000006
【図５】
2008007784.tif 000007
【図６】
2008007784.tif 000008
【図７】
2008007784.tif 000009
【国際調査報告】
2008007784.tif 000010
2008007784.tif 000011
2008007784.tif 000012
2008007784.tif 000013