(57)【要約】  カーボンナノチューブの成長に当たっては、内部の温度が室温の熱ＣＶＤチャンバに基板を搬送し、その内部に不活性ガス及び原料ガスの混合ガスを導入する。そして、チャンバ内部の圧力が、１ｋＰａに安定した後、１分間で５１０℃までチャンバ内の温度を昇温する。この結果、触媒粒子同士が融合することなく、各触媒粒子からカーボンナノチューブが直線状に成長し始める。続いて、３０分間程度、温度及び雰囲気を保持する。カーボンナノチューブが一旦成長し始めると、触媒粒子の表面は炭素に覆われるため、この３０分間程度の保持の間でも、触媒粒子同士が融合することはない。
2007074506.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上面に触媒粒子を付着させる工程と、
炭素原子を含む原料ガスが予め導入されたチャンバ内において、前記基板を５００℃／分以上の速度で昇温する工程と、
を有することを特徴とするカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項２】
炭素原子を含む原料ガスが予め導入されたチャンバ内において基板を昇温する第１の工程と、酸化性ガスが予め導入されたチャンバ内において基板を昇温する第２の工程と、
を繰り返す工程を有することを特徴とするカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項３】
前記基板の昇温を、前記基板の温度が４００℃以上になるまで継続することを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項４】
前記基板の昇温を、３０秒間以上継続することを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項５】
前記触媒粒子として、直径が５ｎｍ以下のものを用いることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項６】
前記触媒粒子は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項７】
前記触媒粒子は、更に、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｔａ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｕ、Ｖ、Ｈｆ及びＺｒからなる群から選択された少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項６に記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項８】
前記原料ガスとして、炭化水素ガスを用いることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項９】
前記原料ガスは、不活性ガスにより希釈されていることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項１０】
前記基板を昇温する工程における前記チャンバ内の圧力を０．１ｋＰａ乃至３０ｋＰａとすることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項１１】
前記基板を昇温する工程の後に、前記基板の温度をカーボンナノチューブが成長可能な温度に保持する工程を有することを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項１２】
前記保持する温度を４５０℃以下とすることを特徴とする請求項１１に記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項１３】
基板の上面に触媒粒子を付着させる触媒付着手段と、
炭素原子を含む原料ガスが予め導入されたチャンバ内において、前記基板を５００℃／分以上の速度で昇温する熱処理手段と、
を有することを特徴とするカーボンナノチューブの成長システム。
【請求項１４】
前記熱処理手段は、前記基板の昇温を、前記基板の温度が４００℃以上になるまで継続することを特徴とする請求項１３に記載のカーボンナノチューブの成長システム。
【請求項１５】
前記熱処理手段は、前記基板の昇温を、３０秒間以上継続することを特徴とする請求項１３に記載のカーボンナノチューブの成長システム。
【請求項１６】
前記熱処理手段は、前記基板を昇温する際に、前記チャンバ内の圧力を０．１ｋＰａ乃至３０ｋＰａとすることを特徴とする請求項１３に記載のカーボンナノチューブの成長システム。
【請求項１７】
前記熱処理手段は、前記基板を昇温した後に、前記基板の温度をカーボンナノチューブが成長可能な温度に保持することを特徴とする請求項１３に記載のカーボンナノチューブの成長システム。
【請求項１８】
前記熱処理手段は、前記保持する温度を４５０℃以下とすることを特徴とする請求項１７に記載のカーボンナノチューブの成長システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路等に好適なカーボンナノチューブの成長方法及び成長システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、カーボンナノチューブを成長させるに当たり、スパッタ法又は蒸着法に触媒金属の薄膜を形成した後、チャンバ内に還元性ガス又は不活性ガスを導入しながら触媒金属の薄膜を加熱して微粒子化している（特許文献１及び２）。その後、アセチレンガス等の原料ガスをチャンバ内に供給し始め、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法及びホットフィラメントＣＶＤ法等により、カーボンナノチューブを成長させるのである。【０００３】
しかしながら、このような従来の方法では、成長するカーボンナノチューブの直径が安定せず、特性にばらつきが生じやすいという問題点がある。【０００４】
カーボンナノチューブの直径の制御に関して、特許文献３に触媒パーティクルを用いてカーボンナノチューブを成長させる方法が記載されている。しかし、この特許文献３に記載の方法によっても、所期の目的は達成されるものの、カーボンナノチューブの直径及び特性がばらつくことがある。【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２６７９２６号公報
【特許文献２】特開２００２−５３０８０５号公報
【特許文献３】特開２００５−２２８８６号公報
【発明の開示】
【０００６】
本発明の目的は、カーボンナノチューブの直径及び特性のばらつきを抑制することができるカーボンナノチューブの成長方法及び成長システムを提供することにある。
【０００７】
本願発明者は、カーボンナノチューブの直径のばらつきの原因を究明すべく鋭意検討を重ねた結果、カーボンナノチューブを成長させる前の加熱中に、隣接する微粒子同士が融合することがあることを見出した。つまり、融合していない微粒子の直径は小さいままであるが、融合した結果の微粒子の直径は大きくなっているのである。このような理由により、従来の方法では、微粒子の直径を制御しきれず、カーボンナノチューブの直径及び特性がばらつくことがあるのである。
【０００８】
そして、本願発明者は、この見解に基づいて更に鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【０００９】
本発明に係るカーボンナノチューブの製造方法では、基板の上面に触媒粒子を付着させた後、炭素原子を含む原料ガスが予め導入されたチャンバ内において、前記基板を５００℃／分以上の速度で昇温する。
【００１０】
本発明に係るカーボンナノチューブの成長システムには、基板の上面に触媒粒子を付着させる触媒付着手段と、炭素原子を含む原料ガスが予め導入されたチャンバ内において、前記基板を５００℃／分以上の速度で昇温する熱処理手段と、が設けられている。
【００１１】
本発明においては、基板の昇温の前に触媒粒子を準備しておき、更に、原料ガスを導入してあるので、触媒粒子同士の融合が生じにくく、カーボンナノチューブの直径のばらつきを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係るカーボンナノチューブの成長方法を示す断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、図１Ａに引き続き、カーボンナノチューブの成長方法を示す断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、図１Ｂに引き続き、カーボンナノチューブの成長方法を示す断面図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、図１Ｃに引き続き、カーボンナノチューブの成長方法を示す断面図である。
【図１Ｅ】図１Ｅは、図１Ｄに引き続き、カーボンナノチューブの成長方法を示す断面図である。
【図１Ｆ】図１Ｆは、図１Ｅに引き続き、カーボンナノチューブの成長方法を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態における温度制御を示す図である。
【図３】図３は、カーボンナノチューブ１７の詳細を示す図である。
【図４】図４は、温度制御の一例を示す図である。
【図５Ａ】図５Ａは、実施例Ｎｏ．１に倣って成長させたカーボンナノチューブを示すＳＥＭ写真である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、実施例Ｎｏ．１に倣って成長させたカーボンナノチューブを模式的に示す図である。
【図６Ａ】図６Ａは、実施例Ｎｏ．２に倣って成長させたカーボンナノチューブを示すＳＥＭ写真である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、実施例Ｎｏ．２に倣って成長させたカーボンナノチューブを模式的に示す図である。
【図７Ａ】図７Ａは、実施例Ｎｏ．３に倣って成長させたカーボンナノチューブを示すＳＥＭ写真である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、実施例Ｎｏ．３に倣って成長させたカーボンナノチューブを模式的に示す図である。
【図８】図８は、実施例Ｎｏ．３における温度制御を示す図である。
【図９Ａ】図９Ａは、本発明の第２の実施形態に係るカーボンナノチューブの成長方法を示す断面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、図９Ａに引き続き、カーボンナノチューブの成長方法を示す断面図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、図９Ｂに引き続き、カーボンナノチューブの成長方法を示す断面図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは、図９Ｃに引き続き、カーボンナノチューブの成長方法を示す断面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、温度制御の他の一例を示す図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、温度制御の更に他の一例を示す図である。
【図１１】図１１は、温度制御及び雰囲気制御の一例を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。【００１４】
（第１の実施形態）
先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１Ａ乃至図１Ｆは、本発明の第１の実施形態に係るカーボンナノチューブの成長方法を工程順に示す断面図である。【００１５】
本実施形態では、先ず、図１Ａに示すように、Ｓｉ基板１１上にＳｉＯ２膜１２を形成する。ＳｉＯ２膜１２の厚さは、例えば３５０ｎｍ程度とする。次に、円形の開口部１３ａを有するレジストパターン１３をＳｉＯ２膜１２上に形成する。開口部１３ａの直径は、例えば２μｍ程度とする。【００１６】
次いで、レジストパターン１３を用いてＳｉＯ２膜１２をパターニングする。この結果、図１Ｂに示すように、ＳｉＯ２膜１２に円筒状の開口部１４が形成される。【００１７】
その後、図１Ｃに示すように、開口部１４の底部に触媒層１５を形成する。触媒層１５としては、例えば厚さが１ｎｍ程度のＴｉ膜を形成する。【００１８】
続いて、図１Ｄに示すように、触媒層１５上に直径がほぼ均一に揃った複数の触媒粒子１６を付着させる。触媒粒子１６の直径は、例えば５ｎｍ以下とする。触媒粒子１６としては、例えばＣｏ粒子、Ｎｉ粒子又はＦｅ粒子を用いる。また、これらの合金粒子を用いてもよい。このとき、図１Ｄに示すように、触媒粒子１６がレジストパターン１３上に付着することもある。触媒粒子１６を付着する方法は、特に限定されない。例えば、特開２００５−２２８８６号公報に記載された方法を採用すればよい。【００１９】
次に、図１Ｅに示すように、レジストパターン１３をアッシング等により除去する。この結果、例えレジストパターン１３上に触媒粒子１６が付着していても、これらは除去される。【００２０】
次いで、図１Ｆに示すように、触媒層１５上の触媒粒子１６からカーボンナノチューブ１７を成長させる。カーボンナノチューブ１７の成長に当たっては、内部の温度が例えば室温（Ｒ．Ｔ．）の熱ＣＶＤチャンバ（図示せず）に触媒層１５が形成されたＳｉ基板１１を搬送し、その内部に不活性ガス及び原料ガスの混合ガスを導入する。混合ガスとしては、例えば混合比が９０：１０のアルゴン及びアセチレンの混合ガスを用いる。つまり、原料ガス（アセチレンガス）が不活性ガス（アルゴンガス）により希釈されたものを用いる。そして、チャンバ内部の圧力が、例えば１ｋＰａに安定した後、図２に示すように、１分間で５１０℃までチャンバ内の温度を昇温する。この結果、触媒粒子１６同士が融合することなく、各触媒粒子１６からカーボンナノチューブ１７が直線状に成長し始める。【００２１】
続いて、例えば３０分間程度、温度及び雰囲気を保持する。カーボンナノチューブ１７が一旦成長し始めると、触媒粒子１６の表面は炭素に覆われるため、この３０分間程度の保持の間でも、触媒粒子１６同士が融合することはない。そして、保持が終了すると、雰囲気を保持したまま温度を室温まで下げる。【００２２】
このような本実施形態によれば、触媒粒子１６を触媒層１５上に付着させてから加熱を開始する前に、既に原料ガスをチャンバ内に供給しているため、加熱開始から速やかにカーボンナノチューブ１７が成長し始める。従って、上述のように、触媒粒子１６同士の融合が生じない。更に、昇温速度を高速にしているため、触媒粒子１６同士の融合をより確実に防止することができる。この結果、カーボンナノチューブ１７の直径は、付着させた触媒粒子１６の直径に依存したもののとなる。そして、本実施形態では、触媒粒子１６として、直径がほぼ揃ったもの（例えば、５ｎｍ程度）を用いているため、そこから成長するカーボンナノチューブ１７の直径のばらつきも極めて小さなものとなる。【００２３】
なお、上述の実施形態によって成長したカーボンナノチューブ１７には、厳密には、図３に示すように、直線状の部分１７ａと縮れた部分１７ｂとが存在する。これは、高速昇温時にカーボンナノチューブ１７が直線状に成長するのに対し、温度保持時には、カーボンナノチューブ１７が縮れながら成長するからである。これらの部分の特性を比較すると、直線状の部分１７ａにおいて、欠陥が少なく、抵抗値が低い。このため、直線状の部分１７ａが長く成長するような条件を選択することが好ましい。本願発明者がこれまでに行った試験結果によると、例えば、チャンバ内の圧力を０．１ｋＰａ乃至３０ｋＰａとすることが好ましく、昇温速度を５００℃／分以上とすることが好ましい。昇温に当たり、スパイクアニールを行うことは有効である。スパイクアニールによれば、例えば５００℃／秒以上の昇温も可能だからである。更に、昇温にかける時間も特に限定されず、例えば３０秒間以上又は１分間以上とする。【００２４】
また、昇温後に温度を保持する必要はなく、図４に示すように、昇温が完了したら速やかに温度を下げ始めてもよい。【００２５】
更に、高速昇温により到達させる温度は、カーボンナノチューブが成長可能な温度であればよく、例えば４００℃以上とする。その後に保持する温度も、カーボンナノチューブが成長可能な温度であればよい。但し、同一基板上に低誘電率膜等の熱に弱い部分が存在する場合には、４５０℃以下とすることが好ましい。【００２６】
また、原料ガスはアセチレンガスに限定されるものではなく、種々の炭化水素ガスを用いることも可能である。【００２７】
更に、触媒粒子には、Ｆｅ、Ｃｏ及び／又はＮｉだけでなく、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｔａ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｕ、Ｖ、Ｈｆ及び／又はＺｒが含有されていてもよい。これらの元素が含有されていると、カーボンナノチューブがより低温で成長を開始することがある。【００２８】
更にまた、カーボンナノチューブの成長にあたり、図１０Ａに示すように、高速昇温及び降温を繰り返してもよい。このとき、図１０Ｂに示すように、高速昇温と降温との間に温度保持を行ってもよい。このような繰り返しを行うことにより、長さ方向で特性が変化するカーボンナノチューブを得ることができる。【００２９】
更に、各温度プロファイルで原料ガス種類、圧力、温度及び温度勾配等を変えることも可能である。これらを応用すると、図１１に示すような制御により、カーボンナノチューブを成長させることも可能となる。【００３０】
即ち、先ず、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）及びアルゴン（Ａｒ）の混合ガス（１ｋＰａ）中で、５１０℃まで１分間で高速昇温する。この結果、ほとんどの触媒微粒子からカーボンナノチューブが成長するが、触媒微粒子によっては、そこからカーボンナノチューブが成長しないものもある。これは、成長が開始される前に触媒微粒子がカーボンで覆われてしまったためである。そこで、原料ガスを一旦真空引きし、チャンバ内に新たに酸素をチャンバ内圧力が１ｋＰａになるまで導入する。その後、室温から酸素雰囲気中で５１０℃まで１分間で高速昇温する。この処理により、触媒微粒子を覆っていたカーボンが除去される。【００３１】
続いて、室温まで降温し、再度、アセチレン及びアルゴンの混合ガス（１ｋＰａ）中で、５１０℃まで１分間で高速昇温する。この結果、最初の高速昇温時にはカーボンナノチューブが成長しなかった触媒微粒子のほとんどからカーボンナノチューブが成長する。【００３２】
そして、これらの処理を繰り返すことにより、触媒微粒子を効率よく利用することができる。即ち、ほとんどすべての触媒微粒子からカーボンナノチューブを成長させることが可能となる。この結果、１回の高速昇温では得られないような高密度に成長したカーボンナノチューブを得ることが可能となる。なお、２回目以降の高速昇温及び／又は酸化の条件を１回目の条件と異ならせてもよい。【００３３】
なお、カーボンナノチューブの成長システムを構築するに当たっては、触媒を付着させる装置と高速昇温等を行う熱処理装置とを個別に設けてもよく、一体化させてもよい。【００３４】
次に、本願発明者が実際に撮影したカーボンナノチューブのＳＥＭ写真を、図５Ａ、図６Ａ及び図７Ａに示す。また、図５Ｂ、図６Ｂ及び図７Ｂに、夫々５Ａ、図６Ａ及び図７Ａに示すＳＥＭ写真の内容を模式的に示す。図５Ａ及び図５Ｂに示すカーボンナノチューブは、上述の実施形態に係る方法（実施例Ｎｏ．１）に倣って成長させたものである。図６Ａ及び図６Ｂに示すカーボンナノチューブは、上述の実施形態に係る方法からチャンバ内の圧力を変更した方法（実施例Ｎｏ．２）に倣って成長させたものである。実施例Ｎｏ．２では、チャンバ内の圧力を１０ｋＰａとした。図７Ａ及び図７Ｂに示すカーボンナノチューブは、上述の実施形態に係る方法から温度制御を変更した方法（実施例Ｎｏ．３）に倣って成長させたものである。実施例Ｎｏ．３では、図８に示すように、チャンバ内部の圧力が１ｋＰａに安定した後、３０分間で５１０℃までチャンバ内の温度を昇温した。【００３５】
図５Ａ及び図５Ｂに示すカーボンナノチューブと図６Ａ及び図６Ｂに示すカーボンナノチューブとを比較すると分かるように、圧力が高いほど、直線状の部分が長いカーボンナノチューブが得られた。【００３６】
また、図５Ａ及び図５Ｂに示すカーボンナノチューブと図７Ａ及び図７Ｂに示すカーボンナノチューブとを比較すると分かるように、昇温速度が速いほど、直線状の部分が長いカーボンナノチューブが得られた。なお、図７Ａ及び図７Ｂに示すカーボンナノチューブにおいても、直径のばらつきが小さいという効果は得られた。【００３７】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図９Ａ乃至図９Ｄは、本発明の第２の実施形態に係るカーボンナノチューブの成長方法を工程順に示す断面図である。【００３８】
本実施形態では、先ず、図９Ａに示すように、Ｓｉ基板２１上にＳｉＯ２膜２２を形成する。ＳｉＯ２膜２２の厚さは、例えば３５０ｎｍ程度とする。【００３９】
次に、図９Ｂに示すように、ＳｉＯ２膜２２上に触媒層２５を形成する。触媒層２５としては、例えば厚さが１ｎｍ程度のＴｉ膜を形成する。【００４０】
次いで、図９Ｃに示すように、触媒層２５上に直径がほぼ均一に揃った複数の触媒粒子２６を付着させる。触媒粒子２６の直径は、例えば５ｎｍ以下とする。触媒粒子２６としては、例えばＣｏ粒子、Ｎｉ粒子又はＦｅ粒子を用いる。また、これらの合金粒子を用いてもよい。触媒粒子２６を付着する方法は、特に限定されない。例えば、第１の実施形態と同様に、特開２００５−２２８８６号公報に記載された方法を採用すればよい。【００４１】
その後、図９Ｄに示すように、触媒層２５上の触媒粒子２６からカーボンナノチューブ２７を成長させる。カーボンナノチューブ２７は、第１の実施形態におけるカーボンナノチューブ１７と同様の方法により成長させることができる。【００４２】
このような第２の実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
以上詳述したように、本発明によれば、基板の昇温の前に触媒粒子を準備しておき、更に、原料ガスを導入してあるので、触媒粒子同士の融合が生じにくい。このため、カーボンナノチューブの直径のばらつきを抑えることができる。
【図１Ａ】
2007074506.tif 000003
【図１Ｂ】
2007074506.tif 000004
【図１Ｃ】
2007074506.tif 000005
【図１Ｄ】
2007074506.tif 000006
【図１Ｅ】
2007074506.tif 000007
【図１Ｆ】
2007074506.tif 000008
【図２】
2007074506.tif 000009
【図３】
2007074506.tif 000010
【図４】
2007074506.tif 000011
【図５Ａ】
2007074506.tif 000012
【図５Ｂ】
2007074506.tif 000013
【図６Ａ】
2007074506.tif 000014
【図６Ｂ】
2007074506.tif 000015
【図７Ａ】
2007074506.tif 000016
【図７Ｂ】
2007074506.tif 000017
【図８】
2007074506.tif 000018
【図９Ａ】
2007074506.tif 000019
【図９Ｂ】
2007074506.tif 000020
【図９Ｃ】
2007074506.tif 000021
【図９Ｄ】
2007074506.tif 000022
【図１０Ａ】
2007074506.tif 000023
【図１０Ｂ】
2007074506.tif 000024
【図１１】
2007074506.tif 000025
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月15日(2008.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上面に触媒粒子を付着させる工程と、
炭素原子を含む原料ガスが予め導入されたチャンバ内において、前記基板を５００℃／分以上の速度で昇温する工程と、
を有することを特徴とするカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項２】
前記基板の昇温を、前記基板の温度が４００℃以上になるまで継続することを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項３】
前記基板の昇温を、３０秒間以上継続することを特徴とする請求項１又は２に記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項４】
前記触媒粒子は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項５】
前記触媒粒子は、更に、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｔａ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｕ、Ｖ、Ｈｆ及びＺｒからなる群から選択された少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項４に記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項６】
前記基板を昇温する工程における前記チャンバ内の圧力を０．１ｋＰａ乃至３０ｋＰａとすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項７】
炭素原子を含む原料ガスが予め導入されたチャンバ内において基板を昇温する第１の工程と、酸化性ガスが予め導入されたチャンバ内において基板を昇温する第２の工程と、
を繰り返す工程を有することを特徴とするカーボンナノチューブの成長方法。
【請求項８】
基板の上面に触媒粒子を付着させる触媒付着手段と、
炭素原子を含む原料ガスが予め導入されたチャンバ内において、前記基板を５００℃／分以上の速度で昇温する熱処理手段と、
を有することを特徴とするカーボンナノチューブの成長システム。
【請求項９】
前記熱処理手段は、前記基板の昇温を、３０秒間以上継続することを特徴とする請求項８に記載のカーボンナノチューブの成長システム。
【請求項１０】
前記熱処理手段は、前記基板を昇温する際に、前記チャンバ内の圧力を０．１ｋＰａ乃至３０ｋＰａとすることを特徴とする請求項８又は９に記載のカーボンナノチューブの成長システム。
【国際調査報告】
2007074506.tif 000026
2007074506.tif 000027
2007074506.tif 000028
2007074506.tif 000029