【手続補正書】
【提出日】令和1年10月9日(2019.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板上に、転写パターンを形成するための薄膜を備えたマスクブランクであって、
前記薄膜は、ケイ素および窒素を含有する材料で形成され、
前記薄膜の前記透光性基板との界面の近傍領域と前記透光性基板とは反対側の表層領域を除いた領域である内部領域に厚さ方向で複数の測定箇所を設定し、Ｘ線光電子分光分析を行って前記内部領域の複数の測定箇所におけるＳｉ２ｐナロースペクトルの光電子強度の最大ピークＰＳｉ＿ｆｉをそれぞれ取得し、前記それぞれ取得した最大ピークＰＳｉ＿ｆｉの平均値ＰＳｉ＿ｆｉ＿ａｖを取得し、前記透光性基板に厚さ方向で複数の測定箇所を設定し、Ｘ線光電子分光分析を行って前記透光性基板の複数の測定箇所におけるＳｉ２ｐナロースペクトルの光電子強度の最大ピークＰＳｉ＿ｓｂをそれぞれ取得し、前記それぞれ取得した最大ピークＰＳｉ＿ｓｂの平均値ＰＳｉ＿ｓｂ＿ａｖを取得したとき、前記薄膜における前記平均値ＰＳｉ＿ｆｉ＿ａｖを前記透光性基板における前記平均値ＰＳｉ＿ｓｂ＿ａｖで除した数値（ＰＳｉ＿ｆｉ＿ａｖ）／（ＰＳｉ＿ｓｂ＿ａｖ）が１．０８以上である
ことを特徴とするマスクブランク。
【請求項２】
前記表層領域に厚さ方向で複数の測定箇所を設定し、Ｘ線光電子分光分析を行って前記表層領域の複数の測定箇所におけるＳｉ２ｐナロースペクトルの光電子強度の最大ピークＰＳｉ＿ｆｓをそれぞれ取得し、前記それぞれ取得した最大ピークＰＳｉ＿ｆｓの平均値ＰＳｉ＿ｆｓ＿ａｖを取得したとき、前記表層領域における前記平均値ＰＳｉ＿ｆｓ＿ａｖを前記透光性基板における前記平均値ＰＳｉ＿ｓｂ＿ａｖで除した数値（ＰＳｉ＿ｆｓ＿ａｖ）／（ＰＳｉ＿ｓｂ＿ａｖ）が１．０５以上であることを特徴とする請求項１記載のマスクブランク。
【請求項３】
前記表層領域に厚さ方向で複数の測定箇所を設定し、Ｘ線光電子分光分析を行って前記表層領域の複数の測定箇所におけるＮ１ｓナロースペクトルの光電子強度の最大ピークＰＮ＿ｆｓをそれぞれ取得し、前記それぞれ取得した最大ピークＰＮ＿ｆｓの平均値ＰＮ＿ｆｓ＿ａｖを取得し、前記内部領域に厚さ方向で複数の測定箇所を設定し、Ｘ線光電子分光分析を行って前記内部領域の複数の測定箇所におけるＮ１ｓナロースペクトルの光電子強度の最大ピークＰＮ＿ｆｉをそれぞれ取得し、前記それぞれ取得した最大ピークＰＮ＿ｆｉの平均値ＰＮ＿ｆｉ＿ａｖを取得したとき、前記表層領域における前記平均値ＰＮ＿ｆｓ＿ａｖを前記薄膜における前記平均値ＰＮ＿ｆｉ＿ａｖで除した数値（ＰＮ＿ｆｓ＿ａｖ）／（ＰＮ＿ｆｉ＿ａｖ）が０．９８以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のマスクブランク。
【請求項４】
前記内部領域における窒素含有量は、５０原子％以上であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のマスクブランク。
【請求項５】
前記表層領域は、前記内部領域よりも酸素含有量が多いことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のマスクブランク。
【請求項６】
前記Ｓｉ２ｐナロースペクトルでの光電子強度の最大ピークは、結合エネルギーが９６［ｅＶ］以上１０６［ｅＶ］以下の範囲での最大ピークであることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のマスクブランク。
【請求項７】
前記Ｎ１ｓナロースペクトルでの光電子強度の最大ピークは、結合エネルギーが３９２［ｅＶ］以上４０２［ｅＶ］以下の範囲での最大ピークであることを特徴とする請求項３記載のマスクブランク。
【請求項８】
前記Ｘ線光電子分光分析で前記薄膜に対して照射するＸ線は、ＡｌＫα線であることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載のマスクブランク。
【請求項９】
前記表層領域は、前記薄膜における前記透光性基板とは反対側の表面から前記透光性基板側に向かって１０ｎｍの深さまでの範囲にわたる領域であることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載のマスクブランク。
【請求項１０】
前記近傍領域は、前記透光性基板との界面から前記表層領域側に向かって１０ｎｍの深さまでの範囲にわたる領域であることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載のマスクブランク。
【請求項１１】
前記薄膜は、位相シフト膜であることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載のマスクブランク。
【請求項１２】
前記位相シフト膜は、ＡｒＦエキシマレーザーの露光光を１０％以上の透過率で透過させる機能と、前記位相シフト膜を透過した前記露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で１５０度以上２００度以下の位相差を生じさせる機能とを有することを特徴とする請求項１１記載のマスクブランク。
【請求項１３】
透光性基板上に、転写パターンを有する薄膜を備えた転写用マスクであって、
前記薄膜は、ケイ素および窒素を含有する材料で形成され、
前記薄膜の前記透光性基板との界面の近傍領域と前記透光性基板とは反対側の表層領域を除いた領域である内部領域に厚さ方向で複数の測定箇所を設定し、Ｘ線光電子分光分析を行って前記内部領域の複数の測定箇所におけるＳｉ２ｐナロースペクトルの光電子強度の最大ピークＰＳｉ＿ｆｉをそれぞれ取得し、前記それぞれ取得した最大ピークＰＳｉ＿ｆｉの平均値ＰＳｉ＿ｆｉ＿ａｖを取得し、前記透光性基板に厚さ方向で複数の測定箇所を設定し、Ｘ線光電子分光分析を行って前記透光性基板の複数の測定箇所におけるＳｉ２ｐナロースペクトルの光電子強度の最大ピークＰＳｉ＿ｓｂをそれぞれ取得し、前記それぞれ取得した最大ピークＰＳｉ＿ｓｂの平均値ＰＳｉ＿ｓｂ＿ａｖを取得したとき、前記薄膜における前記平均値ＰＳｉ＿ｆｉ＿ａｖを前記透光性基板における前記平均値ＰＳｉ＿ｓｂ＿ａｖで除した数値（ＰＳｉ＿ｆｉ＿ａｖ）／（ＰＳｉ＿ｓｂ＿ａｖ）が１．０８以上である
ことを特徴とする転写用マスク。
【請求項１４】
前記表層領域に厚さ方向で複数の測定箇所を設定し、Ｘ線光電子分光分析を行って前記表層領域の複数の測定箇所におけるＳｉ２ｐナロースペクトルの光電子強度の最大ピークＰＳｉ＿ｆｓをそれぞれ取得し、前記それぞれ取得した最大ピークＰＳｉ＿ｆｓの平均値ＰＳｉ＿ｆｓ＿ａｖを取得したとき、前記表層領域における前記平均値ＰＳｉ＿ｆｓ＿ａｖを前記透光性基板における前記平均値ＰＳｉ＿ｓｂ＿ａｖで除した数値（ＰＳｉ＿ｆｓ＿ａｖ）／（ＰＳｉ＿ｓｂ＿ａｖ）が１．０５以上であることを特徴とする請求項１３記載の転写用マスク。
【請求項１５】
前記表層領域に厚さ方向で複数の測定箇所を設定し、Ｘ線光電子分光分析を行って前記表層領域の複数の測定箇所におけるＮ１ｓナロースペクトルの光電子強度の最大ピークＰＮ＿ｆｓをそれぞれ取得し、前記それぞれ取得した最大ピークＰＮ＿ｆｓの平均値ＰＮ＿ｆｓ＿ａｖを取得し、前記内部領域に厚さ方向で複数の測定箇所を設定し、Ｘ線光電子分光分析を行って前記内部領域の複数の測定箇所におけるＮ１ｓナロースペクトルの光電子強度の最大ピークＰＮ＿ｆｉをそれぞれ取得し、前記それぞれ取得した最大ピークＰＮ＿ｆｉの平均値ＰＮ＿ｆｉ＿ａｖを取得したとき、前記表層領域における前記平均値ＰＮ＿ｆｓ＿ａｖを前記薄膜における前記平均値ＰＮ＿ｆｉ＿ａｖで除した数値（ＰＮ＿ｆｓ＿ａｖ）／（ＰＮ＿ｆｉ＿ａｖ）が０．９８以下であることを特徴とする請求項１３または１４に記載の転写用マスク。
【請求項１６】
前記内部領域における窒素含有量は、５０原子％以上であることを特徴とする請求項１３から１５のいずれかに記載の転写用マスク。
【請求項１７】
前記表層領域は、前記内部領域よりも酸素含有量が多いことを特徴とする請求項１３から１６のいずれかに記載の転写用マスク。
【請求項１８】
前記Ｓｉ２ｐナロースペクトルでの光電子強度の最大ピークは、結合エネルギーが９６［ｅＶ］以上１０６［ｅＶ］以下の範囲での最大ピークであることを特徴とする請求項１３から１７のいずれかに記載の転写用マスク。
【請求項１９】
前記Ｎ１ｓナロースペクトルでの光電子強度の最大ピークは、結合エネルギーが３９２［ｅＶ］以上４０２［ｅＶ］以下の範囲での最大ピークであることを特徴とする請求項１５記載の転写用マスク。
【請求項２０】
前記Ｘ線光電子分光分析で前記薄膜に対して照射するＸ線は、ＡｌＫα線であることを特徴とする請求項１３から１９のいずれかに記載の転写用マスク。
【請求項２１】
前記表層領域は、前記薄膜における前記透光性基板とは反対側の表面から前記透光性基板側に向かって１０ｎｍの深さまでの範囲にわたる領域であることを特徴とする請求項１３から２０のいずれかに記載の転写用マスク。
【請求項２２】
前記近傍領域は、前記透光性基板との界面から前記表層領域側に向かって１０ｎｍの深さまでの範囲にわたる領域であることを特徴とする請求項１３から２１のいずれかに記載の転写用マスク。
【請求項２３】
前記薄膜は、位相シフト膜であることを特徴とする請求項１３から２２のいずれかに記載の転写用マスク。
【請求項２４】
前記位相シフト膜は、ＡｒＦエキシマレーザーの露光光を１０％以上の透過率で透過させる機能と、前記位相シフト膜を透過した前記露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で１５０度以上２００度以下の位相差を生じさせる機能とを有することを特徴とする請求項２３記載の転写用マスク。
【請求項２５】
請求項１３から２４のいずれかに記載の転写用マスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法