Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月31日(2019.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信を行う通信部と、
断続的に送信される参照信号に基づき、当該参照信号が送信される期間を対象として、前記無線通信の通信品質に関する情報を取得する取得部と、
を備える、通信装置。
【請求項２】
前記参照信号は、複数の単位期間を含む一連の期間のうち、少なくとも一部の単位期間において選択的に送信され、
前記取得部は、前記一連の期間のうち当該参照信号が送信される前記単位期間を対象として、前記通信品質に関する情報を取得する、
請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記取得部は、所定の同期信号の検出結果に基づき期間を対象として、前記通信品質に関する情報を取得する、請求項１または請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記取得部は、基地局から通知される情報に基づき特定される期間を対象として、前記通信品質に関する情報を取得する、請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記取得部は、所定の同期信号が送信される所定の期間を対象として、前記通信品質に関する情報を取得する、請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記取得部は、基地局からのダウンリンク信号において送信される所定の同期信号の検出結果に基づき特定される期間を対象として、前記通信品質に関する情報を取得する、請求項１に記載の通信装置。
【請求項７】
前記取得部は、複数の単位期間を含む一連の期間のうち、前記同期信号が検出された前記単位期間から、所定数の当該単位期間を対象として、前記通信品質に関する情報を取得する、請求項６に記載の通信装置。
【請求項８】
取得された前記通信品質に関する情報に基づき、基地局との間の前記無線通信を制御する制御部を備え、
前記制御部は、前記通信品質が閾値以下を示す期間が所定時間を超えた場合に、前記基地局との間の前記無線通信を、切断または再確立を行う、
請求項１乃至請求項７の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項９】
前記所定時間を計測するためのタイマーの設定は、前記参照信号が連続的に送信される通信方式における前記タイマーの設定とは異なる、請求項８に記載の通信装置。
【請求項１０】
前記取得部は、免許不要帯域を利用して前記無線通信が行われる場合に、断続的に送信される前記参照信号に基づき、当該参照信号が送信される期間を対象として、前記通信品質に関する情報を取得する、記通信品質に関する情報を取得する、請求項１乃至請求項９の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項１１】
前記取得部は、サブキャリア間隔及びシンボル長を制御可能な通信方式に基づき前記無線通信が行われる場合に、断続的に送信される前記参照信号に基づき、当該参照信号が送信される期間を対象として、前記通信品質に関する情報を取得する、請求項１乃至請求項１０の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項１２】
前記取得部は、プライマリーセルと、セカンダリーセルと、のそれぞれについて、前記通信品質に関する情報を取得する、請求項１乃至請求項１１の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項１３】
前記取得部は、プライマリーセル及びプライマリーセカンダリーセルのうち少なくともいずれかと、セカンダリーセルと、のそれぞれについて、前記通信品質に関する情報を取得する、請求項１乃至請求項１１の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項１４】
前記取得部は、サービングセルと、ネイバーセルと、のそれぞれについて、前記通信品質に関する情報を取得する、請求項１乃至請求項１１の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項１５】
無線通信を行う通信部と、
断続的に送信され、かつ前記無線通信の通信品質の測定に利用される参照信号について、当該参照信号が送信される期間を直接的または間接的に特定するための情報が、端末装置に送信されるように制御する制御部と、
を備える、通信装置。
【請求項１６】
前記制御部は、所定の同期信号の送信が設定された期間において、前記参照信号が前記端末装置に送信されるように制御する、請求項１５に記載の通信装置。
【請求項１７】
前記制御部は、前記参照信号の送信が割り当てられた期間に関する情報が、前記端末装置に送信されるように制御する、請求項１５または請求項１６に記載の通信装置。
【請求項１８】
前記制御部は、所定の同期信号が送信される所定の期間において、前記参照信号が前記端末装置に送信されるように制御する、請求項１５乃至請求項１７の何れか１項に記載の通信装置。
【請求項１９】
無線通信を行うことと、
コンピュータが、断続的に送信される参照信号に基づき、当該参照信号が送信される期間を対象として、前記無線通信の通信品質に関する情報を取得することと、
を含む、通信方法。
【請求項２０】
無線通信を行うことと、
コンピュータが、断続的に送信され、かつ前記無線通信の通信品質の測定に利用される参照信号について、当該参照信号が送信される期間を直接的または間接的に特定するための情報が、端末装置に送信されるように制御することと、
を含む、通信方法。
【請求項２１】
コンピュータに、
無線通信を行うことと、
断続的に送信される参照信号に基づき、当該参照信号が送信される期間を対象として、前記無線通信の通信品質に関する情報を取得することと、
を実行させる、プログラム。
【請求項２２】
コンピュータに、
無線通信を行うことと、
断続的に送信され、かつ前記無線通信の通信品質の測定に利用される参照信号について、当該参照信号が送信される期間を直接的または間接的に特定するための情報が、端末装置に送信されるように制御することと、
を実行させる、プログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月18日(2019.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影を指示する撮影指示手段と、
前記撮影指示手段による撮影指示を受けて撮影を行う撮像手段と、
流し撮り撮影の補助機能の有効または無効を切り替える切替え手段と、
流し撮り撮影の補助機能が無効である場合にセルフタイマの設定をオンとしていた状態から、前記流し撮り撮影の補助機能が有効となり、前記撮影指示を受けると、セルフタイマのカウントダウンを行わずに撮影を行うよう制御する制御手段
とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記流し撮り撮影の補助機能は、流し取り撮影のための撮影モードが設定されている場合に有効となることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、複数の撮影モードのうち、第１の撮影モードでセルフタイマの設定をオンとしていた状態から第２の撮影モードに切り替えられた場合はセルフタイマの設定をオンのまま維持し、前記第１の撮影モードでセルフタイマの設定をオンとしていた状態から前記流し撮り撮影のための撮影モードに切り替えられた場合はセルフタイマの設定をオフとするように制御することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
流し撮りを行うか否かを設定する設定手段を更に有し、
前記流し撮り撮影の補助機能は、前記設定手段で流し撮りを行う設定となっている場合に有効となることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮像装置の動きを検知する動き検知手段を更に有し、
前記流し撮り撮影の補助機能は、前記動き検知手段によって流し撮りに対応する前記撮像装置の動きが検知されたことに応じて有効となることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記制御手段は、流し撮り撮影の補助機能が無効である場合にセルフタイマの設定がオフとなっており、かつ、単写または連写のいずれかが設定されていた状態から、前記流し撮り撮影の補助機能が有効となった場合に、単写か連写かの設定を維持することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記制御手段は、流し撮り撮影の補助機能が無効である場合にセルフタイマの設定をオンとしていた状態から、前記流し撮り撮影の補助機能が有効となったことに応じて、セルフタイマの設定を解除することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記制御手段は、流し撮り撮影の終了に応じて、セルフタイマの設定を復元することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記流し撮り撮影の補助機能が有効であるとき、セルフタイマの設定をオンとすることができないことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記流し撮りの補助機能は、シャッタ速度を遅めに調整する機能を含むことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記流し撮り撮影の補助機能は、流し撮りのための撮像装置のフレーミング方向と異なる方向のブレを補正する機能、流し撮り撮影のための撮像装置のフレーミングの方向について主被写体のブレを補正する機能、撮影範囲の一定の位置に指標を表示する機能の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
撮影指示を受け付けるステップと、
流し撮り撮影の補助機能の有効または無効を切り替える切替えステップと、
流し撮り撮影の補助機能が無効である場合にセルフタイマの設定をオンとしていた状態から、前記流し撮り撮影の補助機能が有効となり、前記撮影指示を受けると、セルフタイマのカウントダウンを行わずに撮影を行うよう制御する制御ステップ
とを有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１３】
セルフタイマー撮影を行うか否かを設定する設定手段と、
流し撮り撮影の補助機能の有効または無効を切り替える切替え手段と、
流し撮り撮影の補助機能が無効である場合に、前記設定手段でセルフタイマ撮影を行う設定となっていた状態から、前記流し撮り撮影の補助機能が有効となると、セルフタイマー撮影を行わない設定に変更するように制御する制御手段と
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項１４】
セルフタイマー撮影を行うか否かを設定する設定ステップと、
流し撮り撮影の補助機能の有効または無効を切り替える切替えステップと、
流し撮り撮影の補助機能が無効である場合に、前記設定手段でセルフタイマ撮影を行う設定となっていた状態から、前記流し撮り撮影の補助機能が有効となると、セルフタイマー撮影を行わない設定に変更するように制御する制御ステップと
を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１５】
コンピュータを、請求項１乃至１１、１３のいずれか１項に記載された撮像装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１６】
コンピュータを、請求項１乃至１１、１３のいずれか１項に記載された撮像装置の各手段として機能させるためのプログラムを格納したコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る撮像装置は、撮影を指示する撮影指示手段と、前記撮影指示手段による撮影指示を受けて撮影を行う撮像手段と、流し撮り撮影の補助機能の有効または無効を切り替える切替え手段と、流し撮り撮影の補助機能が無効である場合にセルフタイマの設定をオンとしていた状態から、前記流し撮り撮影の補助機能が有効となり、前記撮影指示を受けると、セルフタイマのカウントダウンを行わずに撮影を行うよう制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、流し撮り撮影を行う場合に、セルフタイマ設定に邪魔されずに流し撮りを行えるようになる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月13日(2019.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度制御素子と、前記温度制御素子を収容しており、第１ベースおよび前記第１ベース上に配置されている第２ベースを有する容器と、を備え、
前記温度制御素子は、前記第１ベースおよび前記第２ベースが積層されて構成されている厚肉部、および、前記第１ベースによって構成されている薄肉部のうちのいずれか一方に配置されており、
前記容器は、平面視で前記厚肉部と前記薄肉部の間に位置し、且つ前記第２ベースの側面に設けられている側面電極を有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記第２ベースの前記側面には、曲面を有する溝部が設けられており、
前記側面電極の少なくとも一部は、前記溝部に設けられている請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記側面電極は、タングステン、金、銀および銅のうちの少なくとも１つを含む金属材料で構成されている請求項１または２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記容器内で前記厚肉部および前記薄肉部のうちの他方に配置され、発振回路の少なくとも一部を含む回路素子を備える請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記回路素子が前記薄肉部に配置され、
前記温度制御素子が前記厚肉部に配置されている請求項４に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記厚肉部は、前記第１ベースの平面視で前記回路素子を囲んでいる請求項５に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記容器は、前記温度制御素子と平面視で重なっている第１導体パターン、および、前記回路素子と平面視で重なっている第２導体パターンをさらに備え、
前記第１導体パターンと前記第２導体パターンは、前記側面電極を介して接続されている請求項４に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記第１導体パターン、前記第２導体パターンおよび前記側面電極は接地されている請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項９】
発振回路の少なくとも一部を含む回路素子、温度制御素子、第１ベースおよび第２ベースを準備する準備工程と、
前記第２ベースの側面に側面電極を形成する側面電極形成工程と、
前記第１ベース上に前記第２ベースを積層して、前記第１ベースおよび前記第２ベースが積層されて構成されている厚肉部、および、前記第１ベースで構成されている薄肉部を形成する積層工程と、
前記薄肉部に、前記回路素子および前記温度制御素子のうちのいずれか一方を配置する第１配置工程と、
前記厚肉部に、前記回路素子および前記温度制御素子のうちの他方を配置する第２配置工程と、を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電子デバイスと、発振素子と、を備えることを特徴とする発振器。
【請求項１１】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする移動体。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月15日(2019.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータがディスプレイ装置に仮想空間を提供するための方法であって、
コンピュータのプロセッサが、仮想空間を定義するステップと、
前記プロセッサが、前記ディスプレイ装置のユーザの身体の一部の動作に応じて、前記仮想空間内で所定の物体を飛翔させるステップと、
前記プロセッサが、前記所定の物体が飛翔して前記仮想空間内の対象物に到達した場合に、前記仮想空間における仮想ユーザを当該対象物まで移動させるステップと、
前記プロセッサが、前記仮想空間における前記仮想ユーザの視界が前記所定の物体が飛翔する方向に移動するように、前記ディスプレイ装置に前記視界を表示させるステップとを含む、仮想空間を提供するための方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月7日(2019.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
図９にその模式図を示す。上段は断面模式図、中段は平面模式図、下段は研磨速度（実線）と研磨後の残膜厚さ（点線）を示している。図９に示すように、従来技術においては、ウェハを押さえるために圧縮エアーが導入されて、エアーバッグの外周部に局所的にエアーの高圧力が高加圧領域６にかかり、中心部より圧力が高くなる。高加圧領域６に上から押さえられたウェハ１は、高加圧領域Ｘとなる圧力の強い領域の絶縁膜の研磨レートが増大し、上から押さえつける圧力の小さい中心部よりも多く削れ、高加圧領域Ｘでは絶縁膜材料の平坦化後のウェハ１における面内均一性が悪化してしまう。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面に基づいてそれぞれの実施例を説明する。
図１は、本発明の第１の実施例を示す模式断面図であり、特にＣＭＰ研磨装置のヘッド部分の断面構造を模式的に示している。前述したように、図９に示す従来技術においては、エアーバッグに圧縮エアーが導入されると、エアーバッグの外周部である高加圧領域６に局所的にエアーの高圧力がかかり、中心部より圧力が高くなる。高加圧領域６に上から押さえられたウェハ１は圧力の強い領域の被研磨材料（例えば絶縁膜）の研磨レートが増大し、上から押さえつける圧力の小さい中央部よりよく削れ、平坦化後のウェハ１における高加圧領域６に位置する被研磨材料の面内の均一性が悪化してしまっていた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図２は、本発明の第２の実施例を示す模式断面図であり、ＣＭＰ研磨装置のエアーバッグ４とその下の応力分散板２０１のみを簡易的に示し、その下の衝撃吸収シート等を省略して図示している。まず、図９に示すように、従来技術においては、局所的にエアーの高圧力がかかる高加圧領域６の被研磨材の研磨レートが増大し、平坦化の均一性が悪化する領域が把握できている。これはエアーバッグ４の圧力が、エアーガスの流出入口に近く、リテナーリング３の近接部で高くなるためである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
実施例１では均一な厚さを有する応力分散板１０１構造であることに対し、図２に示す実施例においては、高加圧領域６の圧力（または応力）を分散し下部へ伝えるために、応力分散板２０１の形を、エアー流出入口８からウェハ１の中央部方向へ離れるほどに徐々に厚みを厚くする構造とした。図示していないが、奥行き方向も同様な形状となっており、エアーバッグ４と接する応力分散板２０１の上面は凸球面形状であって、その中心部が最も高くなっている。反対側の衝撃吸収シートと接する部分はフラットな平面となっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
次に、図３は、本発明の第３の実施例を示す模式断面図であり、実施例１が均一な厚さを有する応力分散板１０１構造であることに対し、高加圧領域６の圧力（または応力）を分散し下部へ伝えるために、応力分散板３０１の形を、エアー流出入口８の直下のみに部分的に緩やかなカーブ形状の凸球面形状を有する構造とし、他領域よりも応力分散板５０１の厚みを厚くした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
次に、図４は、本発明の第４の実施例を示す模式断面図であり、実施例１が均一な厚さを有する応力分散板１０１構造であることに対し、高加圧領域６の圧力（または応力）を分散し下部へ伝えるために、応力分散板４０１の形を、エアー流出入口８からウェハ１中央部へ離れるほどに徐々に厚みを薄くする構造、かつエアーバッグ４の形状に合わせて応力分散板４０１の全領域にゆるやかなカーブ形状の凹球面形状を有する構造とした。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
次に、図５は、本発明の第５の実施例を示す模式断面図であり、実施例１が均一な厚さを有する応力分散板１０１構造であることに対し、高加圧領域６の圧力（または応力）を分散し下部へ伝えるために、応力分散板５０１の形を、エアー流出入口８の直下のみに部分的に緩やかなカーブ形状の凹球面形状を有する構造とし、他領域よりも応力分散板５０１の厚みを薄くした。なお、反対側の衝撃吸収シートと接する部分はフラットな平面としている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
次に、図６は、本発明の第６の実施例を示す模式断面図であり、実施例１が均一な厚さを有する応力分散板１０１構造であることに対し、高加圧領域６の圧力（または応力）を分散し下部へ伝えるために、応力分散板６０１の形を、実施例２の凸球面形状を上下逆にして、エアー流出入口８からウェハ１中央部へ離れるほどに緩やかに厚みを厚くする構造とした。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
最後に、図７は、本発明の第７の実施例を示す模式断面図であり、実施例１が均一な厚さを有する応力分散板１０１構造であることに対し、高加圧領域６の圧力（または応力）を分散し下部へ伝えるために、応力分散板７０１の形を、実施例５とは天地をひっくり返した形状とすることで、エアーバッグ４からの圧力（または応力）をより均一に分散し、下部へ伝えることが可能となる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
１        ウェハ
２        トップリング
３        リテナーリング
４        エアーバッグ
５        研磨パッド
６、Ｘ    高加圧領域
８        エアー流出入口
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１  応力分散板
１０２    衝撃吸収シート
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2018026453.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月19日(2019.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁膜の一方の面に第２絶縁膜が積層され、前記第１絶縁膜の他方の面が外部に露出する絶縁層と、
前記第１絶縁膜に埋め込まれ、所定面が前記第１絶縁膜の他方の面から露出する第１配線層と、を有し、
前記絶縁層は、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜を貫通し、前記第１配線層の前記所定面の反対面を露出する開口部を備え、
前記第１絶縁膜は、前記第１配線層の側面と、前記所定面の反対面を被覆し、
前記第１絶縁膜は樹脂のみから構成され、
前記第２絶縁膜は補強部材に樹脂を含浸させた構成とされている配線基板。
【請求項２】
前記開口部に露出する前記所定面の反対面は、外部接続用パッドである請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記開口部の前記第１絶縁膜に形成された部分に、前記開口部の内壁を前記第１絶縁膜側に後退させる凹部が形成されている請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１絶縁膜の他方の面に厚さ方向に窪む凹部が形成され、前記第１配線層の前記所定面が前記凹部内において前記第１絶縁膜の他方の面よりも窪んだ位置に露出している請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
前記第２絶縁膜の前記第１絶縁膜と接する面の反対面に、粘着層を介して支持体が設けられている請求項３又は４記載の配線基板。
【請求項６】
前記第２絶縁膜の前記第１絶縁膜の一方の面と接する面の反対面に形成された配線パターン、及び前記開口部内に形成され、前記配線パターンと前記第１配線層とを接続するビア配線、を含む第２配線層を有する請求項１記載の配線基板。
【請求項７】
前記第２配線層の配線パターンを被覆するように、前記第２絶縁膜に積層された他の絶縁層と、
前記他の絶縁層に積層され、前記第２配線層の配線パターンと接続される第３配線層と、を有する請求項６記載の配線基板。
【請求項８】
前記第１絶縁膜の他方の面に、前記第１配線層の複数のパッドの所定面を一括で露出する開口部を備えたソルダーレジスト層が積層されている請求項１乃至７の何れか一項記載の配線基板。
【請求項９】
前記第１絶縁膜の他方の面は、半導体チップを搭載するチップ搭載面である請求項１乃至８の何れか一項記載の配線基板。
【請求項１０】
前記第１絶縁膜の他方の面上に、他の絶縁層と配線層が積層されている請求項１乃至７の何れか一項記載の配線基板。
【請求項１１】
支持体の上面に第１配線層を形成する工程と、
前記支持体の上面に、前記第１配線層の上面及び側面を被覆するように、樹脂のみから構成された半硬化状態の第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜の一方の面上に、補強部材に樹脂を含浸させた構成とされた半硬化状態の第２絶縁膜を積層する工程と、
前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜を硬化させ、前記第１絶縁膜上に前記第２絶縁膜が積層された絶縁層を作製する工程と、
前記絶縁層の前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜を貫通し、前記第１配線層の上面を露出する開口部を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。
【請求項１２】
支持体の上面に第１配線層を形成する工程と、
樹脂のみから構成された半硬化状態の第１絶縁膜、及び前記第１絶縁膜の一方の面上に積層された、補強部材に樹脂を含浸させた構成とされた半硬化状態の第２絶縁膜、を有する絶縁層を準備する工程と、
前記第１絶縁膜を前記支持体側に向けて、前記支持体の上面に前記第１配線層の上面及び側面を被覆するように前記絶縁層を貼り付け、前記絶縁層を硬化させる工程と、
前記絶縁層の前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜を貫通し、前記第１配線層の上面を露出する開口部を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記開口部の前記第１絶縁膜に形成された部分に、前記開口部の内壁を前記第１絶縁膜側に後退させる凹部を形成する工程を有する請求項１１又は１２記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第２絶縁膜上に形成された配線パターン、及び前記開口部内に形成され、前記配線パターンと前記第１配線層とを接続するビア配線、を含む第２配線層を形成する工程を有する請求項１１乃至１３の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記支持体を除去する工程を有する請求項１１乃至１４の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第１絶縁膜の他方の面上に、他の絶縁層と配線層を積層する工程を有する請求項１５記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本配線基板は、第１絶縁膜の一方の面に第２絶縁膜が積層され、前記第１絶縁膜の他方の面が外部に露出する絶縁層と、前記第１絶縁膜に埋め込まれ、所定面が前記第１絶縁膜の他方の面から露出する第１配線層と、を有し、前記絶縁層は、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜を貫通し、前記第１配線層の前記所定面の反対面を露出する開口部を備え、前記第１絶縁膜は、前記第１配線層の側面と、前記所定面の反対面を被覆し、前記第１絶縁膜は樹脂のみから構成され、前記第２絶縁膜は補強部材に樹脂を含浸させた構成とされていることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月5日(2019.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置して回転させる載置部と、
前記基板の前記載置部側とは反対側の面に凝固点よりも高い温度の液体を供給する液体供給部と、
前記基板の前記載置部側の面に冷却ガスを供給する冷却部と、
前記基板の回転数、前記液体の供給量、および、前記冷却ガスの流量の少なくともいずれかを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記基板の前記載置部側の面に冷却ガスの供給を維持しつつ、前記基板の回転数、前記液体の供給量、および、前記冷却ガスの流量の少なくともいずれか１つを制御して前記基板の前記載置部側とは反対側の面上にある前記液体を凝固点以上の温度から過冷却状態となるようにし、前記過冷却状態となった前記液体の少なくとも一部を凍結させる基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、 
前記液体供給部に前記液体を供給させるとともに、前記冷却部に前記冷却ガスを供給させた後に、 
前記冷却部に前記冷却ガスの供給を維持させながら、前記液体供給部に前記液体の供給を停止させて、前記基板の面上にある前記液体が過冷却状態となるようにし、前記過冷却状態となった前記液体の少なくとも一部を凍結させる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、 
前記液体供給部に前記液体を供給させる時には、前記載置部により第１の回転数で前記基板を回転させ、 
前記液体供給部に前記液体の供給を停止させる時には、前記載置部により前記第１の回転数よりも低速な第２の回転数で基板を回転させる請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記液体の供給と、前記液体の過冷却と、前記液体の凍結と、を含む一連の工程を複数回実行させる請求項１〜３のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記液体は、水を含み、 
前記過冷却状態となった前記液体の温度は、−３５℃以上、−２０℃以下である請求項１〜４のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板の面上にある前記液体の温度および前記液体の厚みの少なくともいずれかを測定する測定部をさらに備え、 
前記制御部は、前記測定部により測定された前記液体の温度および前記液体の厚みの少なくともいずれかに基づいて、前記基板の回転数および前記冷却ガスの流量の少なくともいずれかを制御する請求項１〜５のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記冷却ガスの温度よりも高い温度のガスを前記冷却ガスに混合させるガス供給部をさらに備え、 
前記制御部は、前記ガスと前記冷却ガスの流量、および、前記ガスと前記冷却ガスの混合割合の少なくともいずれかを制御する請求項１〜６のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板を回転させる工程と、
前記基板の一方の面に凝固点よりも高い温度の液体を供給する工程と、
前記基板の他方の面に冷却ガスを供給する工程と、
前記基板の回転数、前記液体の供給量、および、前記冷却ガスの流量の少なくともいずれかを制御して、前記基板の前記一方の面上にある前記凝固点よりも高い温度の前記液体を過冷却状態にする工程と、
前記基板の回転数、前記液体の供給量、および、前記冷却ガスの流量の少なくともいずれかを制御して、前記過冷却状態となった前記液体の少なくとも一部を凍結させる工程と、
を備えた基板処理方法。
【請求項９】
前記液体を供給する工程、および、前記冷却ガスを供給する工程において、前記基板の一方の面に前記液体を供給し、前記基板の他方の面に前記冷却ガスを供給した後に、 
前記液体を過冷却状態にする工程において、前記冷却ガスの供給を維持しながら、前記液体の供給を停止して前記液体を過冷却状態にする請求項８記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記液体を供給する工程において、第１の回転数で前記基板を回転させ、 
前記液体を過冷却状態にする工程において、前記第１の回転数よりも低速な第２の回転数で基板を回転させる請求項８または９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記液体を供給する工程と、前記液体を過冷却状態にする工程と、前記過冷却状態となった前記液体の少なくとも一部を凍結させる工程と、を複数回実行する請求項８〜１０のいずれか１つに記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記液体は、水を含み、 
前記過冷却状態となった前記液体の温度は、−３５℃以上、−２０℃以下である請求項８〜１１のいずれか１つに記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記液体を過冷却状態にする工程において、前記液体の温度および前記液体の厚みの少なくともいずれかを測定し、前記測定された前記液体の温度および前記液体の厚みの少なくともいずれかに基づいて、前記基板の回転数および前記冷却ガスの流量の少なくともいずれかを制御する請求項８〜１２のいずれか１つに記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記冷却ガスを供給する工程において、前記冷却ガスの温度よりも高い温度のガスを前記冷却ガスに混合させ、 
前記液体を過冷却状態にする工程において、前記ガスと前記冷却ガスの流量、および、前記ガスと前記冷却ガスの混合割合の少なくともいずれかを制御する請求項８〜１３のいずれか１つに記載の基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
実施形態に係る基板処理装置は、基板を載置して回転させる載置部と、前記基板の前記
載置部側とは反対側の面に凝固点よりも高い温度の液体を供給する液体供給部と、前記基板の前記載置部側の面に冷却ガスを供給する冷却部と、前記基板の回転数、前記液体の供給量、および、前記冷却ガスの流量の少なくともいずれかを制御する制御部と、を備えている。前記制御部は、前記基板の前記載置部側の面に冷却ガスの供給を維持しつつ、前記基板の回転数、前記液体の供給量、および、前記冷却ガスの流量の少なくともいずれか１つを制御して前記基板の前記載置部側とは反対側の面上にある前記液体を凝固点以上の温度から過冷却状態となるようにし、前記過冷却状態となった前記液体の少なくとも一部を凍結させる。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月8日(2019.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸着対象物を吸着保持する静電チャックと、前記静電チャックを搭載するベースプレートと、を備えた基板固定装置であって、
ベースプレートと、
前記ベースプレート上に設けられた発熱部と、
前記発熱部上に設けられた静電チャックと、を有し、
前記発熱部は、少なくとも一つの面が粗化された発熱体、及び前記発熱体を被覆する絶縁層を備え、
前記絶縁層と前記静電チャックとが直接接合されていることを特徴とする基板固定装置。
【請求項２】
前記発熱体は、前記静電チャックと対向する上面と、前記ベースプレートと対向する下面と、を有し、前記発熱体の上面が粗化されていることを特徴とする請求項１に記載の基板固定装置。
【請求項３】
前記発熱体は、前記静電チャックと対向する上面と、前記ベースプレートと対向する下面と、を有し、前記発熱体の上面及び下面が粗化されていることを特徴とする請求項１に記載の基板固定装置。
【請求項４】
前記発熱体は、前記静電チャックと対向する上面と、前記ベースプレートと対向する下面と、を有し、前記発熱体の上面及び下面が前記絶縁層に被覆されていることを特徴とする請求項１に記載の基板固定装置。
【請求項５】
前記発熱体は圧延合金であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の基板固定装置。
【請求項６】
前記圧延合金は、ＣｕとＭｎとを含む合金であることを特徴とする請求項５に記載の基板固定装置。
【請求項７】
前記絶縁層の、前記発熱体の前記ベースプレート側及び前記静電チャック側の少なくとも一方の側に伝熱シートが内蔵されたことを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の基板固定装置。
【請求項８】
前記伝熱シートはグラファイトシートであることを特徴とする請求項７に記載の基板固定装置。
【請求項９】
吸着対象物を吸着保持する静電チャックと、前記静電チャックを搭載するベースプレートと、を備えた基板固定装置の製造方法であって、
静電チャック上に発熱部を形成する工程と、
ベースプレート上に、前記発熱部が設けられた前記静電チャックを固着する工程と、を有し、
前記静電チャック上に発熱部を形成する工程は、
前記静電チャック上に第１の絶縁樹脂フィルムを直接配置する工程と、
金属箔を準備し、前記金属箔の少なくとも一つの面を粗化する工程と、
前記第１の絶縁樹脂フィルム上に、粗化された前記金属箔を配置する工程と、
粗化された前記金属箔をパターニングして発熱体を形成する工程と、
前記第１の絶縁樹脂フィルム上に、前記発熱体を被覆する第２の絶縁樹脂フィルムを配置する工程と、
前記第１の絶縁樹脂フィルム及び前記第２の絶縁樹脂フィルムを硬化させ、前記静電チャックと直接接合された絶縁層を形成する工程と、を有することを特徴とする基板固定装置の製造方法。
【請求項１０】
前記静電チャックと前記第１の絶縁樹脂フィルムとの間に第３の絶縁樹脂フィルムと伝熱シートを順次積層する工程、前記第２の絶縁樹脂フィルム上に伝熱シートと第４の絶縁樹脂フィルムを順次積層する工程、の少なくとも一方を有することを特徴とする請求項９に記載の基板固定装置の製造方法。
【請求項１１】
前記伝熱シートはグラファイトシートであることを特徴とする請求項１０に記載の基板固定装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月22日(2019.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
定盤と、
被検査対象のマスクを略鉛直方向に保持する略枠状のフレームと、前記フレームを回転させる回転機構と、を有するマスク保持部と、
前記定盤に載置されるともに、前記マスク保持部が載置される移動部であって、前記定盤の長手方向に沿って移動可能に設けられた移動部と、を備え、
前記回転機構は、前記フレームの下側に位置する枠部分の両端近傍に設けられた第１のナット部材及び第２のナット部材と、前記第１のナット部材及び前記第２のナット部材とそれぞれ螺合する第１のネジ部材及び第２のネジ部材と、前記第１のネジ部材と前記第２のネジ部材とを異なる量だけ回転させる回転駆動部と、を有し、
前記移動部には、第１のピン及び第２のピンが略鉛直方向に設けられ、
前記第１のネジ部材は、前記第１のピンの上方に、平面視において前記第１のピンと重なる位置に設けられ、
前記第２のネジ部材は、前記第２のピンの上方に、平面視において前記第２のピンと重なる位置に設けられる
ことを特徴とするマスク保持装置。
【請求項２】
前記フレームの側面には、光を入射方向に戻すための反射鏡が設けられ、
前記回転駆動部は、アクチュエータと、前記第１のネジ部材と同軸に設けられ、前記第１のネジ部材を回転させる第１のスプロケットと、前記第２のネジ部材と同軸に設けられ、前記第２のネジ部材を回転させる第２のスプロケットと、アクチュエータの駆動軸と、前記第１のスプロケット及び前記第２のスプロケットとを連結する動力伝達部と、を有し、
平面視において、前記反射鏡と前記第２のネジ部材との距離を距離Ａとし、前記反射鏡と前記第１のネジ部材との距離を距離Ｂとすると、前記第１のスプロケットの歯数αと、前記第２のスプロケットの歯数βとは、歯数α：歯数β＝距離Ａ：距離Ｂの関係を有する
ことを特徴とする請求項１に記載のマスク保持装置。
【請求項３】
前記定盤の上面には、前記定盤の長手方向に沿った溝が形成され、
前記移動部は、前記溝の底面に向けて空気を吐出する下面エアパッドと、前記溝の側面に向けて空気を吐出する側面エアパッドと、前記下面エアパッド及び前記側面エアパッドが設けられる移動部材本体と、を有し、
前記第１のピン及び前記第２のピンは、下端が前記下面エアパッドに設けられ、かつ上端が前記移動部材本体に設けられ、
前記第１のネジ部材及び前記第２のネジ部材は、下端が前記移動部材本体に設けられ、
前記移動部材本体は、前記溝に沿って移動する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のマスク保持装置。
【請求項４】
前記下面エアパッドは、前記移動部材本体の第１の端近傍に設けられた第１下面エアパッドと、前記移動部材本体の前記第１の端と反対側の第２の端近傍に設けられた第２下面エアパッドと、を有し、
前記第１下面エアパッドの底面略中央部には、空気を吐出する第１開口部が形成され、
前記第２下面エアパッドの底面略中央部には、空気を吐出する第２開口部が形成され、
前記第１のネジ部材及び前記第１のピンは、平面視において、前記第１開口部と重なる位置に設けられ、
前記第２のネジ部材及び前記第２のピンは、平面視において、前記第２開口部と重なる位置に設けられる
ことを特徴とする請求項３に記載のマスク保持装置。
【請求項５】
前記移動部材本体の上面側には、前記第１のピンと中心軸が略一致する位置に第１のアンギュラ玉軸受が設けられ、前記第２のピンと中心軸が略一致する位置に第２のアンギュラ玉軸受がそれぞれ設けられ、
前記第１のネジ部材の下端は、前記第１のアンギュラ玉軸受に軸支され、前記第２のネジ部材の下端は、前記第２のアンギュラ玉軸受に軸支される
ことを特徴とする請求項３に記載のマスク保持装置。
【請求項６】
前記移動部を前記定盤の長手方向に沿って移動させる第１のリニアモータと、前記第１のリニアモータに追随して駆動される第２のリニアモータと、を有し、
前記移動部には、前記第１のリニアモータの可動子が設けられ、
前記フレームの上側には、ガイド部材が水平方向に対して傾いて設けられ、
前記ガイド部材には、前記第２のリニアモータの可動子が前記ガイド部材に沿って移動可能に設けられるとともに、前記第２のリニアモータの可動子を前記ガイド部材に対して固定する固定部材が設けられる
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のマスク保持装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月25日(2019.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性炭を含む正極、負極、セパレータ、並びにナトリウムイオン、カリウムイオン、ルビジウムイオン、及びセシウムイオンからなる群から選ばれるアルカリ金属イオンを含む非水系電解液を含む非水系アルカリ金属型蓄電素子であって、該非水系電解液に含まれる該アルカリ金属イオンを陽イオンとするアルカリ金属化合物が、該正極中に１質量％以上２５質量％以下で含有される特徴とする前記非水系アルカリ金属型蓄電素子。
【請求項２】
前記アルカリ金属化合物が、炭酸塩、水酸化物、及び酸化物からなる群から選ばれる１種以上である、請求項１に記載の非水系アルカリ金属型蓄電素子。
【請求項３】
前記正極が、正極集電体と、正極集電体の片面上又は両面上に設けられた、正極活物質を含む正極活物質層とを有し、前記正極活物質層が、下記式（１）〜（３）：
Ｍ１Ｘ１−ＯＲ１Ｏ−Ｘ２Ｍ２  ．．．式（１）
｛式中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルキレン基、炭素数１〜４のハロゲン化アルキレン基であり、Ｘ１、Ｘ２はそれぞれ独立に−（ＣＯＯ）ｎ（ここで、ｎは０又は１である。）であり、そしてＭ１、Ｍ２はそれぞれ独立にＮａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓからなる群から選ばれるアルカリ金属である。｝、又は
Ｍ１Ｘ１−ＯＲ１Ｏ−Ｘ２Ｒ２  ．．．式（２）
｛式中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルキレン基、炭素数１〜４のハロゲン化アルキレン基であり、Ｒ２は水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のモノ若しくはポリヒドロキシアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のモノ又はポリヒドロキシアルケニル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、又はアリール基であり、Ｘ１、Ｘ２はそれぞれ独立に−（ＣＯＯ）ｎ（ここで、ｎは０又は１である。）であり、そしてＭ１はＮａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓからなる群から選ばれるアルカリ金属である。｝、又は
Ｒ２Ｘ１−ＯＲ１Ｏ−Ｘ２Ｒ３  ．．．式（３）
｛式中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルキレン基、炭素数１〜４のハロゲン化アルキレン基であり、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ独立に水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のモノ若しくはポリヒドロキシアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のモノ又はポリヒドロキシアルケニル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、又はアリール基であり、Ｘ１、Ｘ２はそれぞれ独立に−（ＣＯＯ）ｎ（ここで、ｎは０又は１である。）である。｝で表される１種以上の化合物を該正極物質層の単位質量当たり１．６０×１０−４ｍｏｌ／ｇ〜３００×１０−４ｍｏｌ／ｇ含有する、請求項１又は２に記載の非水系アルカリ金属型蓄電素子。
【請求項４】
前記正極活物質層が、下記式（４）：
Ｍ１−ＯＣＯＯ−Ｍ２  ．．．式（４）
｛式中、Ｍ１、Ｍ２はそれぞれ独立にＮａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓからなる群から選ばれるアルカリ金属である。｝又は下記式（５）：
Ｒ１Ｏ−ＣＯＯ−Ｍ  ．．．式（５）
｛式中、Ｒ１は、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のモノ若しくはポリヒドロキシアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のモノ又はポリヒドロキシアルケニル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、又はアリール基であり、そしてＭはＮａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓからなる群から選ばれるアルカリ金属である。｝で表される１種以上の化合物を前記正極物質層の単位質量当たり２．７０×１０−４ｍｏｌ／ｇ〜１５０×１０−４ｍｏｌ／ｇ含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の非水系アルカリ金属型蓄電素子。
【請求項５】
前記正極表面のＳＥＭ−ＥＤＸにより得られる元素マッピングにおいて、明るさの平均値を基準に二値化した酸素マッピングに対するフッ素マッピングの面積重複率Ａ１が４０％以上９９％以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の非水系アルカリ金属型蓄電素子。
【請求項６】
ＢＩＢ加工した正極断面のＳＥＭ−ＥＤＸにより得られる元素マッピングにおいて、明るさの平均値を基準に二値化した酸素マッピングに対するフッ素マッピングの面積重複率Ａ２が１０％以上６０％以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の非水系アルカリ金属型蓄電素子。
【請求項７】
活性炭を含む正極、負極、セパレータ、並びにナトリウムイオン、カリウムイオン、ルビジウムイオン、及びセシウムイオンからなる群から選ばれるアルカリ金属イオンを含む非水系電解液を含む非水系アルカリ金属型蓄電素子であって、該非水系電解液に含まれる該アルカリ金属イオンを陽イオンとするアルカリ金属化合物が、該正極中に１質量％以上２５質量％以下で含有され、かつ、セル電圧４Ｖ及び環境温度６０℃において２か月間保存した後の、セル電圧４Ｖでの内部抵抗をＲｂ［Ω］、保存前の内部抵抗をＲａ［Ω］、保存前の静電容量をＦａ［Ｆ］としたとき、以下の：
（ａ）Ｒｂ／Ｒａが３．０以下である、
（ｂ）セル電圧４Ｖ及び環境温度６０℃において２か月間保存した時に発生するガス量を静電容量Ｆａで規格化した値Ｂが３０×１０−３ｃｃ／Ｆ以下である、
を同時に満たすことを特徴とする、前記非水系アルカリ金属型蓄電素子。
【請求項８】
活性炭を含む正極、負極、セパレータ、並びにナトリウムイオン、カリウムイオン、ルビジウムイオン、及びセシウムイオンからなる群から選ばれるアルカリ金属イオンを含む非水系電解液を含む非水系アルカリ金属型蓄電素子であって、該非水系電解液に含まれる該アルカリ金属イオンを陽イオンとするアルカリ金属化合物が、該正極中に１質量％以上２５質量％以下で含有され、かつ、環境温度２５℃にて、セル電圧を２．２Ｖから３．８Ｖまで、電流値２００Ｃのレートでの充放電サイクルを６０，０００回行い、セルを４．５Ｖの定電圧充電を１時間行った後の静電容量をＦｂ［Ｆ］としたとき、Ｆｂ／Ｆａが１．０１以上であることを特徴とする、前記非水系アルカリ金属型蓄電素子。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月21日(2019.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
白金と、
前記白金に配位する配位子と、を有し、
前記配位子は、第１のピリドインドール骨格と第２のピリドインドール骨格とを有し、
前記第１のピリドインドール骨格は、前記白金と結合する第１の窒素を有し、
前記第２のピリドインドール骨格は、前記白金と結合する第２の窒素を有し、
前記第１のピリドインドール骨格は、第１のアリーレン基と結合し、
前記第２のピリドインドール骨格は、第２のアリーレン基と結合し、
前記第１のアリーレン基は、前記白金と結合し、
前記第２のアリーレン基は、前記白金と結合する有機金属錯体。
【請求項２】
式（Ｇ１）で表される有機金属錯体。
【化１】
2017048173.tif 000001
（式中、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基のいずれかを表し、Ｒ１〜Ｒ１２は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜７のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項３】
式（Ｇ２）で表される有機金属錯体。
【化２】
2017048173.tif 000002
（式中、Ｒ１〜Ｒ２０は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜７のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項４】
下記式（１００）で表される有機金属錯体。
【化３】
2017048173.tif 000003
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の有機金属錯体を有する発光素子。
【請求項６】
一対の電極間に発光層を有し、
前記発光層は、請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の有機金属錯体を有する発光素子。
【請求項７】
一対の電極間に発光層を有し、
前記発光層は、複数の有機化合物を有し、
前記複数の有機化合物のうちの一は、請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の有機金属錯体である発光素子。
【請求項８】
一対の電極間に発光層を有し、
前記発光層は、ホスト材料とゲスト材料とを有し、
前記ゲスト材料は、請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の有機金属錯体であり、
前記ホスト材料のＬＵＭＯ準位と、前記ゲスト材料のＬＵＭＯ準位とのエネルギー差は０．４ｅＶ以内である発光素子。
【請求項９】
請求項８において、
前記ホスト材料のＬＵＭＯ準位は、−２．７ｅＶ以下である発光素子。
【請求項１０】
請求項５乃至請求項９のいずれか一に記載の発光素子と、
トランジスタ、または基板と、
を有する発光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光装置と、
マイク、カメラ、操作用ボタン、外部接続部、または、スピーカと、
を有する電子機器。
【請求項１２】
請求項１０に記載の発光装置と、
筐体またはタッチセンサと、
を有する電子機器。
【請求項１３】
請求項５乃至請求項９のいずれか一に記載の発光素子と、
筐体、カバー、または、支持台と、
を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月13日(2019.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
［実施の形態の第２例］
本発明の実施の形態の第２例に就いて、図６を参照しつつ説明する。本例のウォームホイール４ｃの場合には、ハブ１１ｂの一方の肩部１９ａに設けられた第一の溝部２０ａ、２０ａと、該ハブ１１ｂの他方の肩部１９ｂに設けられた第二の溝部２０ｂ、２０ｂとを、該ハブ１１ｂの外周面に形成した連続凹溝２６により、該ハブ１１ｂの軸方向に連続させている。そして、該連続凹溝２６内にも、ギヤ部１２ｂを構成する合成樹脂を入り込ませている。この様に、本例の場合には、前記第二の溝部２０ｂ、前記連続凹溝２６、前記第二の溝部２０ｂを連続させた状態で、前記合成樹脂を入り込ませている為、前記ギヤ部１２ｂと前記ハブ１１ｂとの結合力を向上させる事ができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
１    ステアリングホイール
２    ステアリングシャフト
３    ハウジング
４、４ａ、４ｂ  ウォームホイール
５    電動モータ
６    出力軸
７、７ａ  ウォーム
８    中間シャフト
９    ステアリングギヤユニット
１０    タイロッド
１１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ  ハブ
１２、１２ａ、１２ｂ  ギヤ部
１３、１３ａ  取付孔
１４    ローレット部
１５    凹部
１６、１６ａ  ウォームホイール歯
１７    出力軸
１８    環状凹部
１９ａ、１９ｂ  肩部
２０ａ、２０ｃ、２０ｅ  第一の溝部
２０ｂ、２０ｄ、２０ｆ  第二の溝部
２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ、２１ｆ  底面
２２    抑え部
２３    第二抑え部
２４    ハウジング
２５    トルクセンサ
２６    連続凹溝
２７    底面
２８    入力軸
２９  ハウジング
３０  ラック
３１  第二のピニオン軸
３２  ハウジング
３３、３３ａ  側面
３４  トーションバー
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2017048920.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月13日(2019.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物質の組成物であって、
化学的に接続した異方性粒子の網目構造を含み、この化学的に接続した異方性粒子が、有機接続分子と、前記異方性粒子の上に存在する反応性官能基との反応から作られる、隣接異方性粒子を接続する直接的接続有機ポリマーセグメントを有し、前記接続した異方性粒子が、シートを形成するように面内で粒子から粒子に、およびシート間に平行に整列した、物質の組成物。
【請求項２】
化学的に接続した粒子の材料は、炭素、遷移金属の不溶性酸化物、層状シリケートおよびクレイからなる群から選択され、反応性分子接続剤は、二官能エポキシ、塩化アシル、イソシアネートおよびビニルモノマーからなる群から選択される、請求項１に記載の物質の組成物。
【請求項３】
異方性粒子が、板状の粒子、繊維状物および棒状物のいずれかを含む、請求項１に記載の物質の組成物。
【請求項４】
異方性粒子が、グラフェン層状シリケートクレイ、ラポナイト、ヒドロキシアパタイト、アルミナ板状晶、および水酸化アルミニウム板状晶からなる群から選ばれる板状の粒子を含む、請求項１に記載の物質の組成物。
【請求項５】
ポリマーマトリックスに埋め込まれた化学的に接続した異方性粒子の網目構造をさらに含む、請求項１に記載の物質の組成物。
【請求項６】
ポリマーマトリックスが硬化した構造である、請求項５に記載の物質の組成物。