【事件の表示】
　特願２０１７−１６４９１１「ＬＥＤ構造」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　１月２５日出願公開、特開２０１８−　１４５０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２５年１月１５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１２年２月１０日、米国）に出願した特願２０１４−５５６１５０号の一部を平成２９年８月３０日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成３０年　７月　２日付け　拒絶理由通知書
　平成３０年　９月２７日　　　意見書・手続補正書の提出
　平成３１年　１月３１日付け　拒絶査定
　令和　１年　６月１２日　　　本件審判請求・手続補正書の提出
　令和　２年　３月１８日付け　拒絶理由通知書（以下「当審拒絶理由」という。）
　令和　２年　９月１８日　　　意見書・手続補正書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし５に係る発明は、令和２年９月１８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである
「発光ダイオード（ＬＥＤ）のための構造であって：
　Ｎ型層と、活性層と、Ｐ型層とを有するＬＥＤダイであって、第１表面と、前記第１表面の反対側にある第２表面と、少なくとも１つの側面とを有するＬＥＤダイ；
　第１表面と、前記第１表面の反対側にある第２表面と、少なくとも１つの側面とを有する少なくとも１つの金属電極であって、前記少なくとも１つの金属電極の第１表面は前記ＬＥＤダイの第２表面に配置される、少なくとも１つの金属電極；及び
　第１部分及び第２部分を有する一体的なモールド材料を有するパッケージであって、前記一体的なモールド材料の第１部分は、前記ＬＥＤダイの第１表面を封止し、前記ＬＥＤダイの第１表面上にレンズを形成し、前記一体的なモールド材料の第２部分は、前記ＬＥＤダイの側面の少なくとも一部分と、前記少なくとも１つの金属電極の側面の少なくとも一部分とを封止し、且つ隣接する複数のＬＥＤダイの間の部分を封止し、前記一体的なモールド材料は前記少なくとも１つの金属電極の第２表面をカバーしない、パッケージ；
　前記一体的なモールド材料の第２部分の第２表面に設けられる反射層；
　を有し、前記一体的なモールド材料の第２部分は第１表面及び第２表面を有し、当該第１表面は前記ＬＥＤダイの第１表面とともに実質的に平坦であり、当該第２表面は前記少なくとも１つの金属電極の第２表面とともに実質的に平坦である、ＬＥＤのための構造。」
第３　拒絶の理由 
　令和２年３月１８日付けで当審が通知した拒絶の理由の概要は、次のとおりである。 
●理由１．（新規事項の追加）
　令和元年６月１２日付けでした手続補正は、下記の点で願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
●理由２．（サポート要件）この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
●理由３．（明確性）この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
●理由４．（進歩性）本件出願の下記の請求項に係る発明は、その優先日前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　記
　　　　
●理由１．（新規事項の追加）について　　　　
・請求項１−６
　
●理由２（サポート要件）について
・請求項１−６
　
●理由３（明確性）について
・請求項１−６
　
●理由４（進歩性）について 
・請求項　１−６ 
・引用文献等　１−３
　　＜引用文献等一覧＞
１．特表２００７−５２３４８３号公報
２．国際公開第２０１１／０９９３８４号
３．特開２００６−１０６４７９号公報
第４　引用文献の記載、引用発明の認定 
１　引用文献１：特表２００７−５２３４８３号公報
（１）引用文献１の記載
ア
　当審拒絶理由に引用され、本願の原出願の優先日前に日本国内において頒布された文献である、特表２００７−５２３４８３号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある(下線は当審で付加した。以下同様である。)
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、請求項１の上位概念に記載された光電素子、請求項１６の上位概念に記載された装置および請求項２１の上位概念に記載された方法に関する。」
　
 「【０１４４】
　図１には、概略的な断面図に基づいた本発明による光電素子の第１の実施例が示されている。
【０１４５】
　
光電素子１は半導体機能領域２を含む
半導体機能領域は支持体３上に配置され
半導体機能領域は
アクティブゾーン４００を含み
【０１４６】
　
アクティブゾーンは
ｐｎ接合を含む
【０１４７】
　半導体機能領域２、殊にそのアクティブゾーン４００は、例えば多数の半導体層を含むおよび／または例えばＧａＮまたはＧａＰに基づく。半導体機能領域がＧａＰをベースにしている場合、光電素子は有利には、赤外スペクトル領域から黄緑スペクトル領域での放射に対して設けられ、ＧａＮに基づいた半導体機能領域の場合には、有利には、紫外スペクトル領域から緑スペクトル領域における放射に対する。上述のスペクトル領域に対しては、ＧａＰないしＧａＮベースのＩＩＩ−Ｖ半導体材料が、得られる内部量子効果が高いことから、特に適している。光電素子に対しては例えばＩｎＧａＮまたはＩｎＧａＡｌＰが特に適している。
【０１４８】
　
支持体３は
成長基板として半導体機能領域のエピタキシャル製造に適している材料を含ん
【０１４９】
　アクティブゾーン４００は、貫通孔９として構成された孔部を有している。ここでこの貫通孔は半導体機能領域を完全に貫通する。孔部の領域内には、接続導体材料８が配置されている。この貫通孔はラテラル方向において有利には完全に半導体機能領域によって取り囲まれており、従って半導体機能領域によってラテラル方向で境界付けされている。
【０１５０】
　半導体機能領域はカバー部４によって覆われている。このカバー部は有利にはビーム透過性に構成されており、例えばシリコーン、ＢＣＢ、ガラス、Al2O3等のスピンオン酸化物またはラッカを含んでいる。
【０１５１】
　
半導体機能領域２上には、有利には支持体３の方を向いていない半導体機能領域の面上には、電流拡張層５が配置され
 ・・・（中略）・・・
 【０１５９】
　接続導体材料８は、半導体機能領域２の方を向いていない、支持体の面で、第１の第１の接続部１１と導電性接続されている。第１の接続部と、支持体の間には、例えばＳｉＮを含有している別の絶縁材料１０ａが配置されている。この別の絶縁材料は、第１の接続部を電気的に、第２の接続部１２から絶縁させる。ここでこの
第２の接続部は、半導体機能領域の方を向いていない支持体の面に配置されている
【０１６０】
　接続部１２は、有利には導電性に構成されている支持体と導電性に接続されている。従って、半導体機能領域は第１の接続部と第２の接続部を介して電気的に駆動制御可能である。例えば第１の接続部および／または
第２の接続部は金属
を含有する
・・・（中略）・・・
【０１７１】
　図２には、概略的な断面図に基づいた本発明による光電素子の第２の実施例が示されている。
【０１７２】
　ここで示された素子は実質的に、図１に示された素子に相応している。
【０１７３】
　図１に示された素子とは異なって、図２では、
電流拡張層５の後に、別の絶縁材料１０ｂが配置され
・・・（中略）・・・
【０１７６】
　接続導体材料８は第１の第１の接続部１１と導電性に接続されている。この第１の接続部は、絶縁材料１０ａを介して、半導体機能領域に対向している支持体の主要面の側から電気的に第２の接続部１２と絶縁されている。
支持体３の方を向いていない接続部
１２の面には
第２のはんだ層１５が配置されている
【０１７７】
　さらに、図１に示された実施例とは異なって、図２の示された光電素子にはカプセル封入部１６が設けられている。このカプセル封入部はウィンドウ１７を含む。このウィンドウは、半導体機能領域の第１の主要面から見てカバー部４の後ろに配置されている。ここでこのカバー部は、半導体機能領域を少なくとも部分的に覆うないしは半導体機能領域内に埋設されている。さらに、カプセル封入部１６はカプセル封入エレメント１８を含む。このカプセル封入エレメントは支持体の方向においてカバー部４の後に配置されている、ないしは第１の主要面に対向する、半導体機能領域の面に配置されている。カプセル封入エレメント１８は支持体３を有利には、半導体機能領域２の方を向いていない側から例えばペンチ状に囲む。殊にカプセル封入エレメント１８は、半導体機能領域２の第２の主要面１３の領域においてカバー部４と接している。カプセル封入部１６は、有利にはウェハ結合体内に構成されている。ここでこのカプセル封入部は、カバー部４とカプセル封入エレメント１８および場合によってはウィンドウ１７を含む。
【０１７８】
　図２でカバー部４およびカプセル封入エレメント１８の領域内に示された破線は、カプセル封入部の種々の部分の間の境界領域を示している。有利にはカバー部４およびカプセル封入エレメント１８は既に実質的に外部影響に対してハーメチックに密閉されたカプセル封入部を構成している。カプセル封入エレメントの材料は有利には任意に、製造方法の範囲内で選択され、殊に実質的にビーム透過性に構成されている。なぜなら、カプセル封入エレメント１８の領域において、僅かな程度しか、半導体機能領域によって受光されるべきビームまたは半導体機能領域において生成されるべきビームがカプセル封入部に入射しないからである。ウィンドウ１７およびカバー部４は有利には、このビームに関してビーム透過性に構成されており、有利には素子の効率を高める。
【０１７９】
　ウィンドウ１７は例えばガラス、ガラスプレートの一部または実質テクにカバー部と同じ材料を含む。後者の場合にはカバー部４とウィンドウ１７を有利には１つのステップで構成することができる。殊にカバー部およびウィンドウを１つの部分として共通の構造体内に構成することができる。この場合にはウィンドウとカバー部の間の破線は仮想の線に相応する。しかしウィンドウとカバー部が２つの部分として実現される場合、破線はこれらのエレメントの間の境界領域をあらわす。
【０１８０】
　この実施例では
ウィンドウ１７内には光学エレメント１９が構成され
光学エレメントはレンズの形状に湾曲して構成され
「【０１８８】
　図２に示された図とは異なり、さらに支持体３が配置され得る。殊に、カバー部および／またはウィンドウ層が半導体機能領域２を有利には完全に機械的に安定化させる場合には支持体は薄くされるまたは殊に完全に除去される。しかも半導体機能領域に損害が与えられる危険が高められることはない。これによって、より薄い光電素子を構成することが容易になる。半導体機能領域の支持体が省かれる場合には、カプセル封入エレメント１８は、半導体機能領域の第２の主要面の側１３から実質的に平らに延在することができる、ないしカプセル封入エレメントを平らな層として構成することができる。」
「【０２４６】
　半導体機能領域の第２の主要面１３の側から、このような構造体の前または後ろに絶縁層１０ａが設けられる。半導体機能領域から見てこの後ろには第１の接続部１１が配置されている。この第１の接続部は絶縁層１０ａによって第２の接続部１２と電気的に絶縁されている。この第２の接続部は同じように第２の主要面の側から、支持体層の完全な除去のもとで、支持体層ないし半導体機能領域上に被着されている。半導体機能領域２は第１の接続部１１と接続導体８および電流拡張層５を介して、第１の主要面６の側から導電性に接続されている。また
半導体機能領域の第２の主要面１３は、第２の接続部１２と
導電性に接続され
「【０２５６】
　図５には、本発明の装置の実施例が概略的な断面図に基づいて示されている。
【０２５７】
　ラテラル方向で相互に隣接して配置されている、例えば３つの光電素子１の接続部１１および１２はそれぞれ外部の接続部２３および２４と導電性に接続されている。光電素子の配置は、ウェハ結合体内の半導体機能領域２のそれに相当する。示された装置は、一体として連続しているカバー部４および／またはカプセル封入エレメント１８によって構成されているカプセル封入部１６によって機械的に安定されている、および損傷を与える外部の影響から保護されている。この種の装置は、次の場合に図４ｉに示された構造体から生じる。すなわち、生じる光電素子ないし装置が、殊に平面状にアレイとして配置され得る複数の半導体機能領域を有するようにこの構造体が個別化される場合である。半導体機能領域のアクティブゾーンは、図５では、見やすくするために省かれている。」
イ
　図１は以下のものである。
　図２は以下のものである。 
　図５は以下のものである。 
ウ
　【０１７７】の記載から、カプセル封入部１６は、カバー部４、ウィンドウ１７及びカプセル封入エレメント１８からなる。
　そして、図２から、
絶縁材料１０ｂは電流拡張層５の上面と、電流拡張層５の側面及び半導体機能領域２の側面とを覆う
　また、図２から、
カプセル封入部１６は、絶縁部材１０ｂの上面、絶縁部材１０ｂの側面、支持体３の側面、第２の接続部１２の側面、第２のはんだ層１５の側面の一部、支持体３の底部の一部を覆っており、第２のはんだ層１５の底面は覆っていない
（２）引用発明
　引用文献１の第２の実施例の素子は、図１に示された素子に相応するものであるから、この点を踏まえて上記をまとめると、引用文献１の第２の実施例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「光電素子１は半導体機能領域２を含み、（【０１４５】）
　半導体機能領域は支持体３上に配置され、（【０１４５】）
　半導体機能領域はアクティブゾーン４００を含み、（【０１４５】）
　アクティブゾーンはｐｎ接合を含み、（【０１４６】）
　支持体３は半導体機能領域の製造に対して適切な成長基板から成り、（【０１４８】）
　第２の接続部１２は、半導体機能領域の方を向いていない支持体の面に配置され、（【０１５９】）
　第２の接続部１２は金属を含有し、（【０１６０】）
　半導体機能領域の第２の主要面１３は、第２の接続部１２と導電性に接続され、（【０２４６】）
　支持体３の方を向いていない第２の接続部１２の面には、第２のはんだ層１５が配置され、（【０１７６】）
　支持体３の方を向いていない半導体機能領域の面上には、電流拡張層５が配置され、（【０１５１】）
　電流拡張層５の後に、別の絶縁材料１０ｂが配置され、（【０１７３】）
　絶縁材料１０ｂは電流拡張層５の上面と、電流拡張層５の側面及び半導体機能領域２の側面とを覆い（上記（１）ウ）
　カプセル封入部１６は、絶縁部材１０ｂの上面、絶縁部材１０ｂの側面、支持体３の側面、第２の接続部１２の側面、第２のはんだ層１５の側面の一部、支持体３の底部の一部を覆っており、第２のはんだ層１５の底面は覆っておらず、（上記（１）ウ）
　ウィンドウ１７内には光学エレメント１９がレンズの形状に湾曲して構成された（【０１８０】）
光電素子の構造。（【０００１】）」
２　引用文献２：国際公開第２０１１／０９９３８４号
（１）
　当審拒絶理由において引用され、本願の原出願の優先日前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である国際公開第２０１１／０９９３８４号（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
「［０２０４］
［第５実施形態］
　図２０は、本発明の第５の実施の形態に係る発光装置を示す概略断面である。
［０２０５］
＜発光装置の構造＞
　本実施の形態において、
発光装置１００Ａは
発光素子１０４Ａの電極１０４ｃ及び導電部材１０２の周囲を被覆する反射部材１１４
［０２０６］
　発光素子１０４Ａは、対向する一対の主面を有する透光性基板１０４ａの一方の主面上に、半導体層１０４ｂが形成されてなる。さらに半導体層１０４ｂの表面に正電極及び負電極（以下、電極ともいう）が形成されている。本発明の発光装置１００Ａにおいて、発光素子１０４Ａは、電極形成面と対向する透光性基板１０４ａ側を主光取り出し面として配置する。具体的に、図２０の発光素子１００Ａでは、透光性基板１０４ａの上面が発光素子１０４Ａの上面を形成している。透光性基板１０４ａの下面側に、第１の半導体層、活性層、第２の半導体層とを順に備える半導体層１０４ｂが積層されている。また、第１の半導体層及び第２の半導体層には、負電極及び正電極が各々設けられている。発光素子１００Ａの電極１０４ｃは、反射率の高い金属により形成されていることが好ましく、例えばＡｇ又はＡｌを含むものが好適である。これにより、発光素子１０４Ａからの光を電極１０４ｃによって反射して、透光性基板１０４ａ側から取り出すことができる。
［０２０７］
　導電部材１０２は、例えば鍍金により形成され、発光素子１０４Ａの正電極及び負電極に、導電性のダイボンド部材１１１を介して接着されている。導電部材１０２は、発光素子１０４Ａと接続され、発光装置１００Ａの電極端子として機能する。導電部材１０２の下面は外部に露出しており、発光装置１００Ａの外表面の一部を形成している。
［０２０８］
　反射部材１１４は、絶縁性を有しており、少なくとも導電部材１０２及びダイボンド部材１１１等の導電部の側面を被覆している。本実施の形態においては、反射部材１１４は、さらに発光素子１０４Ａの電極１０４ｃの側面を被覆している。さらに、反射部材１１４は、発光装置１００Ａの側面に露出するように下方において延設されている。
［０２０９］
　透光性部材１０８は、発光素子１０４Ａ及びその周囲に設けられた反射部材１１４の上、に設けられる。透光性部材１０８には、蛍光体などが含有されていてもよい。
　本実施の形態においては、透光性部材１０８は、発光素子１０４Ａにおける透光性基板１０４ａの上面及び側面と、半導体層１０４ｂの側面と、を被覆している。透光性部材１０８と反射部材１１４との界面は、電極１０４ｃと半導体層１０４ｂとの界面と同一若しくは界面よりも上に配置されている。
［０２１０］
　このように本実施の形態に係る発光装置１００Ａは、導電部材１０２及びダイボンド部材１１１の側面が反射部材１１４で被覆されている。これにより、発光素子１０４Ａからの光が導電部材１０２やダイボンド部材１１１に入射することにより生じる光の損失を低減することができる。なお、
図２０に示すように、透光性部材１０８の下面は、略全面で反射部材１１４に被覆されていることが好ましい
発光素子１０４Ａの下方に進行する光を高反射率の反射部材１１４または電極１０４ｃによって反射させることによって、効率よく光を取り出すことができる。
　また、一般的に、発光素子と波長変換部材を用いた光源は、セラミックスや樹脂を用いたパッケージに発光素子を実装し、その後、波長変換部材を設けているが、本発明の発光装置を各種パッケージ等に実装することにより、パッケージに実装する前の段階において色選別を行うことが可能であるため、パッケージ実装後の歩留まりが向上する。」
（２）
　図２０は以下のものである。 
（３）
　以上をまとめると、引用文献２には、次の技術事項が記載されている。
「半導体層１０４ｂの表面に電極１０４ｃが配置される発光素子１０４Ａと、発光素子１０４Ａの電極１０４ｃに接合される導電部材１０２と、発光素子１０４Ａの電極１０４ｃ及び導電部材１０２の周囲を被覆する反射部材１１４と、発光素子１０４Ａにおける電極１０４ｃが形成された面と対向する上面及び側面を覆う透光性部材１０８と、を備えて構成され、
　透光性部材１０８の下面は、略全面で反射部材１１４に被覆されており、
　発光素子１０４Ａの下方に進行する光を高反射率の反射部材１１４または電極１０４ｃによって反射させることによって、効率よく光を取り出す発光装置１００Ａ。」
第５　対比、一致点及び相違点
１　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）
　引用発明における「光電素子の構造」は、本願発明の「発光ダイオード（ＬＥＤ）のための構造」に相当する。
（２）
　引用発明における「半導体機能領域２」は「ｐｎ接合」を含む「アクティブゾーン」を含むから、Ｎ型層、活性層、Ｐ型層を備えている。
　また、引用発明における「絶縁部材１０ｂ」の上面、「支持体３」の底面、「絶縁部材１０ｂ」及び「支持体３」の側面は、それぞれ、本願発明の「ＬＥＤダイ」の「第１表面」、「第２表面」、「少なくとも１つの側面」に相当する。
　したがって、引用発明１における、「半導体機能領域２」、「支持体３」、「電流拡張層５」、「絶縁部材１０ｂ」からなる部分は、本願発明の「ＬＥＤダイ」に相当する。
（３）
　「接続部１２」は、「支持体３」の「半導体機能領域２」と反対側に設けられ、金属を含有するものであるから、引用発明１における「少なくとも１つの金属電極」に相当する。
　そして、引用発明における「接続部１２」の上面、「接続部１２」の底面、「接続部１２」の側面は、それぞれ、本願発明における金属電極の「第１表面」、「第２表面」、「側面」に相当する。
（４）
　引用発明における「カプセル封入部１６」を、「絶縁部材１０ｂ」より上の部分と下の部分とに分けて考える。
　「カプセル封入部１６」の「絶縁部材１０ｂ」より上の部分は、「絶縁部材１０ｂ」の上面を封止すると共に、「レンズの形状の光学エレメント１９」を構成するから、本願発明の「モールド材料の第１部分」に相当する。
　また、「カプセル封入部１６」の「絶縁部材１０ｂ」より下の部分は、「絶縁部材１０ｂ」の側面と「支持体３」の側面と「接続部１２」の側面とを封止している。
　また、「接続部１２」の底面は「第２のはんだ層１５」に覆われており、「カプセル封入部１６」に覆われていない。
　そうすると、引用発明の「カプセル封入部１６」は、本願発明の「パッケージ」の「一体的なモールド材料の第１部分は、前記ＬＥＤダイの第１表面を封止し、前記ＬＥＤダイの第１表面上にレンズを形成し、前記一体的なモールド材料の第２部分は、前記ＬＥＤダイの側面の少なくとも一部分と、前記少なくとも１つの金属電極の側面の少なくとも一部分とを封止し、且つ隣接する複数のＬＥＤダイの間の部分を封止し、前記一体的なモールド材料は前記少なくとも１つの金属電極の第２表面をカバーしない」ことと、「一体的なモールド材料の第１部分は、ＬＥＤダイの第１表面を封止し、ＬＥＤダイの第１表面上にレンズを形成し、一体的なモールド材料の第２部分は、ＬＥＤダイの側面の少なくとも一部分と、少なくとも１つの金属電極の側面の少なくとも一部分とを封止し、一体的なモールド材料は少なくとも１つの金属電極の第２表面をカバーしない」点で共通する。
　
２　一致点、相違点
　以上をまとめると、本願発明と引用発明とは、次の（一致点）で一致し、（相違点１）、（相違点２）及び（相違点３）で相違する。
（一致点）
「発光ダイオード（ＬＥＤ）のための構造であって：
　Ｎ型層と、活性層と、Ｐ型層とを有するＬＥＤダイであって、第１表面と、前記第１表面の反対側にある第２表面と、少なくとも１つの側面とを有するＬＥＤダイ；
　第１表面と、前記第１表面の反対側にある第２表面と、少なくとも１つの側面とを有する少なくとも１つの金属電極であって、前記少なくとも１つの金属電極の第１表面は前記ＬＥＤダイの第２表面に配置される、少なくとも１つの金属電極；及び
　第１部分及び第２部分を有する一体的なモールド材料を有するパッケージであって、前記一体的なモールド材料の第１部分は、前記ＬＥＤダイの第１表面を封止し、前記ＬＥＤダイの第１表面上にレンズを形成し、前記一体的なモールド材料の第２部分は、前記ＬＥＤダイの側面の少なくとも一部分と、前記少なくとも１つの金属電極の側面の少なくとも一部分とを封止し、前記一体的なモールド材料は前記少なくとも１つの金属電極の第２表面をカバーしない、パッケージ；
　を有するＬＥＤのための構造。」
（相違点１）
　ＬＥＤダイを封止するパッケージが、本願発明は、「隣接する複数のＬＥＤダイの間の部分を封止」する一方、引用発明はこの点が特定されていない点。
（相違点２）
　本願発明は「前記一体的なモールド材料の第２部分の第２表面に設けられる反射層」を備えるのに対し、引用発明はこのような構成を備えていない点。
（相違点３）
　「一体的なモールド材料の第２部分」について、本願発明は、「第１表面及び第２表面を有し、当該第１表面は前記ＬＥＤダイの第１表面とともに実質的に平坦であり、当該第２表面は前記少なくとも１つの金属電極の第２表面とともに実質的に平坦である」ことが特定されているのに対し、引用発明は、そのような特定がされていない点。
第６　判断
１　相違点１
　引用文献１の【０２５６】−【０２５７】には、引用発明の他の実施形態として、複数の光電素子１を「一体として連続しているカバー部４および／またはカプセル封入エレメント１８によって構成されているカプセル封入部１６」により封入する構成が開示されており、ここで、隣接する光電素子１の間も「カバー部４およびカプセル封入エレメント１８によって構成されているカプセル封入部１６」により封止することが、図５から見て取れる。
　そうすると、引用発明においても、複数の光電素子１を備え、隣接する光電素子１の間も「カプセル封入部１６」により封止することで、相違点１に係る構成を得ることは、当業者にとって容易に想到し得ることである。
２　相違点２
　引用発明は、光電素子に関する発明であるから、光を効率よく取り出す、ないし、発光効率を向上させるという課題を有するものである。
　そうすると、引用発明において、引用文献２に記載されている、電極の周囲で、ＬＥＤダイを被覆する部材の下に反射部材を設けることで、効率よく光を取り出すという技術事項を採用することで、相違点２に係る「一体的なモールド材料の第２部分の第２表面に設けられる反射層」を備えることは、当業者にとって容易に想到し得ることである。
３　相違点３
（１）
　引用発明における「カプセル封入部１６」の上面は「表面」を構成しており、その形状は、「レンズの形状に湾曲して構成される」（【０１８０】）凸状部分と、凸状部分に連なり平坦となっている平坦部分とで構成されていることが、引用文献１の図２の記載から見て取れる。
　また、引用文献１の【０１８８】に「より薄い光電素子を構成することが容易になる」と記載されているように、光電素子の全体の厚みを薄くすることは周知の課題であるから、引用発明において、「ウインドウ１７」の集光特性に支障が出ない範囲で光電素子の全体の厚みを薄くする動機付けはあるといえる。
　そして、引用発明において、光電素子の厚みを薄くするに際して、「ウインドウ１７」及び「カバー部４」のうち、集光特性に影響を与えない、上記平坦部分を含む面と「絶縁部材１０ｂ」の上面との間の部分をより薄く設ける態様として、上記平坦部分を含む面と「絶縁部材１０ｂ」の上面とを、同一の面とすることは、当業者にとって容易になしえることである。
（２）
　引用発明における「カプセル封入部１６」の底面は、本願発明に係る「一体的なモールド材料の第２部分」の「第２表面」に相当するものの、引用文献１において、「カプセル封入部１６」の底部は、「接続部１２」と平坦であることは記載されていない。
　しかしながら、引用文献２の図２０にも開示されているように、光電素子の底面を平坦とすることは周知技術であるし、光電素子を他の基板へマウントするに際し、その施工性の向上を図ることは周知の課題であるから、このような周知技術や周知の課題に基づいて、引用発明において、「カプセル封入部１６」の底面と「接続部１２」の底面とを平坦とすることは、当業者にとって容易に想到し得ることである。
４　請求人の主張について
　請求人は意見書において「一体的なモールド材料の第２部分」の「第１表面は前記ＬＥＤダイの第１表面とともに実質的に平坦」であることは引用文献１−３に記載されていないと主張している。
　しかしながら、当該主張については、上記３で説示したとおりであるし、当該主張に係る本願発明の構成について本願の発明の詳細な説明の【００３４】には、「レンズ４４は、ＬＥＤチップ１６の上面と略同じ高さに示されているが、パッケージ同士を接続するレンズ材料４０の厚さは、硬化させられたシリコーンの場合において容易な分離を可能とするいずれの厚さであっても良い。」と記載されているように、格別な効果を奏するものとは認められず、上記３の判断に影響を与えるものではない。
　よって、請求人の主張は採用できない。
５　まとめ　
　以上検討したとおり、引用発明において、相違点１−３に係る構成を備えることは、いずれも当業者にとって容易に想到し得たことである。
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用文献２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第７　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。