【事件の表示】
　特願２０１９−５１１６０６「電磁調理器用の高電力増幅器のためのコスト効果の優れたハイブリッド保護」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　７月　５日国際公開，ＷＯ２０１８／１２５１８２，令和　１年１２月１９日国内公表，特表２０１９−５３７２９０，請求項の数（１１）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　本願は，２０１６年（平成２８年）１２月３０日を国際出願日とする出願であって，令和２年５月１９日付けで拒絶理由が通知され，令和２年７月８日に手続補正がされ，令和２年７月２８日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，令和２年１１月２日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされ，令和３年７月１日付けで当審で拒絶理由が通知され，令和３年７月３０日に手続補正がされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（令和２年７月２８日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
１．（進歩性）この出願の請求項１−１７に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．国際公開第２０１６／１９６９３９号
２．特開２００３−３４７８７５号公報
３．国際公開第２０１５／０９９６４９号
４．特開平５−３２７３６３号公報（周知技術を示す文献；新たに引用された文献）
５．特開昭６４−５４９１３号公報（周知技術を示す文献；新たに引用された文献）
第３　本願発明
　本願請求項１−１１に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明１１」という。）は，令和３年７月３０日の手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１１に記載された事項により特定される次の発明である。
「【請求項１】
　食品負荷が配置される閉じられたキャビティを有する電磁調理器用のソリッドステート無線周波数発生システムであって，
　入力ＲＦ信号を発生させる小信号発生器，
　前記食品負荷を加熱し，準備するために，前記閉じられたキャビティ内に電磁放射を導入するように構成される複数のＲＦフィード，ここで前記複数のＲＦフィードのそれぞれは，前記閉じられたキャビティから反射された電磁放射を受信するように構成される，
　前記複数のＲＦフィードに接続される高電力ＲＦ増幅器のセット，ここで高電力ＲＦ増幅器のそれぞれは，
　　前記入力ＲＦ信号に対して電力を増幅した信号を出力するように構成される少なくとも１つの増幅段，
　　増幅した出力信号を前記ＲＦフィードに向けると共に，前記ＲＦフィードから受信する反射波及びそれらの関連する電力をダミー負荷に向け直すサーキュレータ，
　を有する，
　前記複数のＲＦフィードによって受信された反射電磁放射における逆方向電力をカプラを使用して検出する一方，前記サーキュレータへの電気的ストレス又はダメージを抑制するタイムスケール内の電力閾値を，前記逆方向電力が超える場合に，前記少なくとも１つの増幅段に供給される電力を低減するハードウェア保護コンポーネント，
を備え，
　前記サーキュレータの電力定格は，前記少なくとも１つの増幅段から前記サーキュレータを通って前記複数のＲＦフィードのそれぞれに向かう順方向電力に基づいて決定され，
　前記タイムスケールは，その最大定格を超える電力状態を持続するための前記サーキュレータの最大能力よりも短い，ソリッドステート無線周波数発生システム。
　　【請求項２】
　前記複数の高電力ＲＦ増幅器のそれぞれの前記サーキュレータは，前記サーキュレータが曝される最大逆方向電力よりも小さい最大電力定格を有する，請求項１に記載のソリッドステート無線周波数発生システム。
　　【請求項３】
　前記タイムスケールは，約１０ナノ秒未満である，請求項１または２に記載のソリッドステート無線周波数発生システム。
　　【請求項４】
　前記ハードウェア保護コンポーネントは，前記逆方向電力を前記電力閾値と比較する比較器を含み，前記電力閾値は調整可能である，請求項１〜３のいずれか一項に記載のソリッドステート無線周波数発生システム。
　　【請求項５】
　前記ハードウェア保護コンポーネントは，前記比較器の出力に接続される電力制御部をさらに含み，前記電力制御部は，前記逆方向電力が前記電力閾値を超えていることを前記比較器の出力が表す場合に，前記少なくとも１つの増幅段に供給される電力を低減する，請求項４に記載のソリッドステート無線周波数発生システム。
　　【請求項６】
　前記電力制御部は，前記複数の高電力ＲＦ増幅器のそれぞれへの電力の供給を遮断することによって，前記複数の高電力ＲＦ増幅器のそれぞれに供給される電力を低減する，請求項５に記載のソリッドステート無線周波数発生システム。
　　【請求項７】
　食品負荷が配置される閉じられたキャビティ，
　入力ＲＦ信号を発生させる小信号発生器，
　前記食品負荷を加熱し，準備するために，前記閉じられたキャビティ内に電磁放射を導入するように構成される複数のＲＦフィード，ここで前記複数のＲＦフィードは，前記閉じられたキャビティから反射された電磁放射を受信するように構成される，
　前記小信号発生器と前記複数のＲＦフィードとの間を接続する複数の高電力ＲＦ増幅器，ここで前記複数の高電力ＲＦ増幅器のそれぞれは，
　　前記入力ＲＦ信号に対して電力を増幅した信号を出力するように構成される少なくとも１つの増幅段，
　　増幅した出力信号を前記ＲＦフィードに向けると共に，前記ＲＦフィードから受信する反射波及びそれらの関連する電力をダミー負荷に向け直すサーキュレータ，
　を有する，
　前記複数のＲＦフィードによって受信された反射電磁放射における逆方向電力をカプラを使用して検出する一方，前記サーキュレータへの電気的ストレス又はダメージを抑制するタイムスケール内の電力閾値を，前記逆方向電力が超える場合に，前記少なくとも１つの増幅段に供給される電力を低減するハードウェア保護コンポーネント，
を備え，
　前記サーキュレータの電力定格は，前記少なくとも１つの増幅段から前記サーキュレータを通って前記複数のＲＦフィードのそれぞれに向かう順方向電力に基づいて決定され，
　前記タイムスケールは，その最大定格を超える電力状態を持続するための前記サーキュレータの最大能力よりも短い，電磁調理器。
　　【請求項８】
　前記サーキュレータは，前記サーキュレータが曝される可能性がある最大逆方向電力よりも小さい最大電力定格を有する，請求項７に記載の電磁調理器。
　　【請求項９】
　前記タイムスケールは，約１０ナノ秒未満である，請求項７または８に記載の電磁調理器。
　　【請求項１０】
　前記ハードウェア保護コンポーネントは，前記逆方向電力を前記電力閾値と比較する比較器を含み，前記電力閾値は調整可能である，請求項７〜９のいずれか一項に記載の電磁調理器。
　　【請求項１１】
　前記ハードウェア保護コンポーネントは，前記比較器の出力に接続される電力制御部をさらに含み，前記電力制御部は，前記逆方向電力が前記電力閾値を超えていることを前記比較器の出力が示す場合に，前記少なくとも１つの増幅段に供給される電力を低減する，請求項１０に記載の電磁調理器。」
第３　引用文献，引用発明等
１．引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２０１６／１９６９３９号（以下，「引用文献１」という。当審訳として特表２０１８−５２２３７２号公報を参照。下線は当審が付与。）には，
「[0022] 
A solid-state radio frequency (RF) cooking appliance heats up and prepares food by introducing electromagnetic radiation into an enclosed cavity. 
Although the following embodiments are directed to a cooking appliance where RF feeds direct electromagnetic radiation to heat an object in an enclosed cavity,
[0023] FIG.1 shows a block diagram of an electromagnetic cooking device 10 with multiple coherent RF feeds 26A-D according to one embodiment. As shown in FIG.1, 
the electromagnetic cooking device 10 includes a power supply 12, a controller 14, an RF signal generator 16, a human-machine interface 28 and multiple high-power RF amplifiers 18A-D coupled to the multiple RF feeds 26A-D. The multiple RF feeds 26A-D each couple RF power from one of the multiple high-power RF amplifiers 18A-D into an enclosed cavity 20.
[0024] The power supply 12 provides electrical power derived from mains electricity to the controller 14, the RF signal generator 16, the human-machine interface 28 and the multiple high-power RF amplifiers 18A-D. The power supply 12 converts the mains electricity to the required power level of each of the devices it powers. The power supply 12 can deliver a variable output voltage level. For example, the power supply 12 can output a voltage level selectively controlled in 0.5-Volt steps. In this way, the power supply 12 can be configured to typically supply 28 Volts direct current to each of the high-power RF amplifiers 18A-D, but can supply a lower voltage, such as 15 Volts direct current, to decrease an RF output power level by a desired level.
[0025] A controller 14 can be included in the electromagnetic cooking device 10, which can be operably coupled with various components of the electromagnetic cooking device 10 to implement a cooking cycle. The controller 14 can also be operably coupled with a control panel or human-machine interface 28 for receiving user-selected inputs and communicating information to a user. The human-machine interface 28 can include operational controls such as dials, lights, switches, touch screen elements, and displays enabling a user to input commands, such as a cooking cycle, to the controller 14 and receive information. The user interface 28 can include one or more elements, which can be centralized or dispersed relative to each other. The controller 14 may also select the voltage level supplied by power supply 12.
[0026] The controller 14 can be provided with a memory and a central processing unit (CPU), and can be preferably embodied in a microcontroller. The memory can be used for storing control software that can be executed by the CPU in completing a cooking cycle. For example, the memory can store one or more pre-programmed cooking cycles that can be selected by a user and completed by the electromagnetic cooking device 10. The controller 14 can also receive input from one or more sensors. Non-limiting examples of sensors that can be communicably coupled with the controller 14 include peak level detectors known in the art of RF engineering for measuring RF power levels and temperature sensors for measuring the temperature of the enclosed cavity or one or more of the high-power amplifiers 18A-D.
[0027] 
Based on the user input provided by the human-machine interface 28 and data including the forward and backward (or reflected) power magnitudes coming from the multiple high-power amplifiers 18A-D (represented in FIG. 1 by the path from each of the high-power amplifiers 18A-D through the RF signal generator 16 to the controller 14), the controller 14 can determine the cooking strategy and calculate the settings for the RF signal generator 16.
The RF signal generator 16 as described below then can generate multiple RF waveforms, that is, one for each high-power amplifier 18A-D based on the settings indicated by the controller 14.
[0028] The high-power amplifiers 18A-D, each coupled to one of the RF feeds 26A-D, each output a high power RF signal based on a low power RF signal provided by the RF signal generator 16. The low power RF signal input to each of the high-power amplifiers 18A-D can be amplified by transforming the direct current electrical power provided by the power supply 12 into a high power radio frequency signal. In one non-limiting example, each high-power amplifier 18A-D can be configured to output an RF signal ranging from 50 to 250 Watts. The maximum output wattage for each high-power amplifier can be more or less than 250 Watts depending upon the implementation. 
Each high-power amplifier 18A-D can include a dummy load to absorb excessive RF reflections.
[0029] 
The multiple RF feeds 26A-D couple power from the multiple high-power RF amplifiers 18A-D to the enclosed cavity 20.
[0030] Additionally, each of the RF feeds 26A-D can include a sensing capability to measure the magnitude of the forward and the backward power levels or phase at the amplifier output. 
The measured backward power indicates a power level returned to the high-power amplifier 18A-D as a result of an impedance mismatch between the high- power amplifier 18A-D and the enclosed cavity 20.
the backward power level can indicate excess reflected power that can damage the high- power amplifier 18A-D.
[0031] 
Along with the determination of the backward power level at each of the high- power amplifiers 18A-D, temperature sensing at the high-power amplifier 18A-D, including at the dummy load, can provide the data necessary to determine if the backward power level has exceeded a predetermined threshold. If the threshold is exceeded, any of the controlling elements in the RF transmission chain including the power supply 12, controller 14, the RF signal generator 16, or the high-power amplifier 18A-D can determine that the high-power amplifier 18A-D can be switched to a lower power level or com pletely turned off. For example, each high-power amplifier 18A-D can switch itself off automatically if the backward power level or sensed temperature is too high for several milliseconds. Alternatively, the power supply 12 can cut the direct current power supplied to the high-power amplifier 18A-D.
（当審訳：
［００２２］　
ソリッドステート無線周波数（ＲＦ）調理機器は，密閉されたキャビティに電磁放射線を導入することによって食品を加熱し，調理する。
以下の実施形態は，ＲＦフィードが密閉されたキャビティ内の物体を加熱するように電磁放射線を方向付ける調理器具を目的としている
［００２３］　図１は，一実施形態による複数のコヒーレントＲＦフィード２６Ａ−Ｄを有する電磁調理器１０のブロック図を示している。図１に示されるように，
電磁調理器１０は，電源１２，コントローラ１４，ＲＦ信号発生器１６，ヒューマンマシンインターフェース２８，および，複数のＲＦフィード２６Ａ−Ｄに結合される複数の高出力ＲＦ増幅器１８Ａ−Ｄを含む。複数のＲＦフィード２６Ａ−Ｄはそれぞれ，複数の高出力ＲＦ増幅器１８Ａ−Ｄのうちの１つから密閉されたキャビティ２０にＲＦ電力を結合する。
［００２４］　電源１２は，商用電源から得られた電力をコントローラ１４，ＲＦ信号発生器１６，ヒューマンマシンインターフェース２８，および複数の高出力ＲＦ増幅器１８Ａ−１８Ｄに供給する。電源１２は，これが電力を供給する装置の各々の必要な電力レベルに商用電源を変換する。電源１２は，可変の出力電圧レベルを供給することができる。例えば，電源１２は，０．５ボルトステップで選択的に制御される電圧レベルを出力することができる。このように，電源１２は，典型的には，高出力ＲＦ増幅器１８Ａ−Ｄの各々に２８ボルトの直流を供給するように構成されることができるが，所望のレベルだけＲＦ出力電力レベルを減少させるように，１５ボルトの直流などのより低い電圧を供給することができる。
［００２５］　コントローラ１４は，電磁調理器１０に含むことができるが，これは，調理サイクルを実施するように電磁調理器１０のさまざまな構成要素と動作可能に結合され得る。コントローラ１４はまた，ユーザ選択入力を受信し，ユーザに情報を伝達するために，制御パネルまたはヒューマンマシンインターフェース２８と動作可能に結合され得る。ヒューマンマシンインターフェース２８は，ユーザが調理サイクルなどのコマンドをコントローラ１４に入力し，情報を受け取ることができるようにするダイヤル，ライト，スイッチ，タッチスクリーン要素，およびディスプレイなどの動作制御装置を含むことができる。ユーザインターフェース２８は，互いに集中し，または分散することもできる１つまたは複数の要素を含むことができる。コントローラ１４は，また，電源１２によって供給される電圧レベルを選択することもできる。
［００２６］　コントローラ１４は，メモリおよび中央処理装置（ＣＰＵ）を備えることができ，好ましくはマイクロコントローラ内に具体化され得る。メモリは，調理サイクルを完了する際にＣＰＵによって実行され得る制御ソフトウェアを格納するために使用され得る。例えば，メモリは，ユーザによって選択され，電磁調理器１０によって完了され得る１つまたは複数の予めプログラムされた調理サイクルを格納することができる。コントローラ１４はまた，１つまたは複数のセンサから入力を受信することもできる。コントローラ１４と通信可能なように結合され得るセンサの非限定的な実施例としては，ＲＦ電力レベルを測定するためのＲＦ電波光学の当業界で知られているピークレベル検出器と，密閉されたキャビティあるいは１つまたは複数の高出力増幅器１８Ａ−Ｄの温度を測定するための温度センサとがある。
［００２７］　
ヒューマンマシンインターフェース２８によって提供されるユーザ入力，ならびに（図１においてＲＦ信号発生器１６を通して高出力増幅器１８Ａ−Ｄの各々からコントローラ１４までの経路によって表されている）複数の高出力増幅器１８Ａ−Ｄから生じる順方向および逆方向（または反射）の電力の大きさを含むデータに基づいて，コントローラ１４は，調理方針を決定し，ＲＦ信号発生器１６の設定値を計算することができる。
次いで，下記に説明されるＲＦ信号発生器１６は，複数のＲＦ波形，すなわち，コントローラ１４によって示される設定値に基づく各高出力増幅器１８Ａ−Ｄに対するものを生成することができる。
［００２８］　ＲＦフィード２６Ａ−Ｄのうちの１つにそれぞれ結合される高出力増幅器１８Ａ−Ｄは，ＲＦ信号発生器１６によって供給される低電力ＲＦ信号に基づいて高電力ＲＦ信号をそれぞれ出力する。高出力増幅器１８Ａ−Ｄの各々への低電力ＲＦ信号入力は，電源１２によって供給される直流電力を高電力無線周波信号に変換することによって増幅され得る。１つの非限定的な実施例においては，各高出力増幅器１８Ａ−Ｄは，５０から２５０ワットに及ぶＲＦ信号を出力するように構成され得る。各高出力増幅器の最大出力ワット数は，実装に応じて２５０ワットより大きくても小さくてもよい。
各高出力増幅器１８Ａ−Ｄは，過度のＲＦ反射を吸収するようにダミーロードを含むことができる。
［００２９］　
複数のＲＦフィード２６Ａ−Ｄは，複数の高出力ＲＦ増幅器１８Ａ−Ｄから密閉されたキャビティ２０に電力を供給する。
［００３０］　そのうえ，ＲＦフィード２６Ａ−Ｄの各々は，増幅器出力において順方向および逆方向の電力レベルまたは位相の大きさを測定する感知能力を含むことができる。
測定された逆方向電力は，高出力増幅器１８Ａ−Ｄと密閉されたキャビティ２０との間のインピーダンス不整合の結果として高出力増幅器１８Ａ−Ｄに戻された電力レベルを示す。
逆方向の電力レベルは，高出力増幅器１８Ａ−Ｄに損傷を与え得る過度の反射電力を示すことができる。
［００３１］　
高出力増幅器１８Ａ−Ｄの各々における逆方向の電力レベルの決定に加えて，ダミー負荷を含む高出力増幅器１８Ａ−Ｄにおける温度感知は，逆方向の電力レベルが所定の閾値を超えたかどうかを決定するのに必要なデータを提供することができる。閾値を超える場合は，電源１２，コントローラ１４，ＲＦ信号発生器１６，または高出力増幅器１８Ａ−Ｄを含むＲＦ伝送チェーン内の制御要素のいずれかは，高出力増幅器１８Ａ−Ｄがより低い電力レベルに切り換えられるかまたは完全にオフにされ得ることを決定することができる。例えば，各高出力増幅器１８Ａ−Ｄは，逆方向の電力レベルまたは感知された温度が数ミリ秒の間に高すぎる場合は，自動的にそれ自体を切ることができる。あるいは，電源１２は，高出力増幅器１８Ａ−Ｄに供給される直流電力を遮断することができる。
「FIG.1
」
「[0042] Referring now to FIG.3, a schematic diagram illustrating a high-power amplifier 18 coupled to a waveguide 110 in accordance with various aspects described herein is shown. 
The high-power amplifier 18 includes one or more amplification stages 100 coupled via a guiding structure 102 to a circulator 104. The circulator 104 is coupled by a guiding structure 106 to a waveguide exciter 108. The high-power amplifier 18 is electrically coupled to the waveguide 110 by the waveguide exciter 108 and mechanically coupled by an electromagnetic gasket 112.
[0043] The high-power amplifier 18 is configured such that a number of amplification stages 100 are interconnected to amplify a radio frequency signal from the amplifier input to the amplifier output. The amplification stages 100 include one or more transistors configured to convert a small change in input voltage to produce a large change in output voltage. Depending upon the configuration of the circuit, the amplification stages 100 can produce a current gain, a voltage gain or both.
[0044] 
The output of the amplification stages 100 is coupled to the circulator 104 via a guiding structure 102.
In the high-power amplifier 18, the circulator 104 acts as a protective device to isolate the amplification stages 100 from deleterious effects that can occur when a mismatched load reflects power.
（当審訳：
［００４２］　次に図３を参照すると，本明細書において説明されるさまざまな態様による，導波管１１０に結合される高出力増幅器１８を示す概略図が示されている。
高出力増幅器１８は，ガイド構造１０２を介してサーキュレータ１０４に結合される１つまたは複数の増幅段１００を含む。サーキュレータ１０４は，ガイド構造１０６によって導波管励振器１０８に結合される。高出力増幅器１８は，導波管励振器１０８によって導波管１１０に電気的に結合され，電磁ガスケット１１２によって機械的に結合される。
［００４３］　高出力増幅器１８は，いくつかの増幅段１００が相互連結されて，増幅器入力から増幅器出力への無線周波数信号を増幅するように構成される。増幅段１００は，入力電圧の小さな変化を変換して出力電圧の大きな変化を生成するように構成される１つまたは複数のトランジスタを含む。回路の構成に応じて，増幅段１００は，電流利得，電圧利得，またはその両方を生成することができる。
［００４４］　
増幅段１００の出力は，ガイド構造１０２を介してサーキュレータ１０４に結合される。
高出力増幅器１８において，サーキュレータ１０４は，不整合負荷が電力を反射する時に起こり得る有害な影響から増幅段１００を隔離するように保護装置として働く。
　の記載があるから，上記引用文献１には，
「電源１２，コントローラ１４，ＲＦ信号発生器１６，ヒューマンマシンインターフェース２８，および，複数のＲＦフィード２６Ａ−Ｄに結合される複数の高出力ＲＦ増幅器１８Ａ−Ｄを含み，複数のＲＦフィード２６Ａ−Ｄはそれぞれ，複数の高出力ＲＦ増幅器１８Ａ−Ｄのうちの１つから密閉されたキャビティ２０にＲＦ電力を結合し，
　ヒューマンマシンインターフェース２８によって提供されるユーザ入力，ならびに複数の高出力増幅器１８Ａ−Ｄから生じる順方向および逆方向（または反射）の電力の大きさを含むデータに基づいて，コントローラ１４は，調理方針を決定し，ＲＦ信号発生器１６の設定値を計算することができ，
　ＲＦ信号発生器１６は，複数のＲＦ波形，すなわち，コントローラ１４によって示される設定値に基づく各高出力増幅器１８Ａ−Ｄに対するものを生成することができ，
　各高出力増幅器１８Ａ−Ｄは，過度のＲＦ反射を吸収するようにダミーロードを含むことができ，
　複数のＲＦフィード２６Ａ−Ｄは，複数の高出力ＲＦ増幅器１８Ａ−Ｄから密閉されたキャビティ２０に電力を供給し，
　測定された逆方向電力は，高出力増幅器１８Ａ−Ｄと密閉されたキャビティ２０との間のインピーダンス不整合の結果として高出力増幅器１８Ａ−Ｄに戻された電力レベルを示し，高出力増幅器１８Ａ−Ｄに損傷を与え得る過度の反射電力を示すことができ，
　高出力増幅器１８Ａ−Ｄの各々における逆方向の電力レベルの決定に加えて，ダミー負荷を含む高出力増幅器１８Ａ−Ｄにおける温度感知は，逆方向の電力レベルが所定の閾値を超えたかどうかを決定するのに必要なデータを提供することができ，
　閾値を超える場合は，電源１２，コントローラ１４，ＲＦ信号発生器１６，または高出力増幅器１８Ａ−Ｄを含むＲＦ伝送チェーン内の制御要素のいずれかは，高出力増幅器１８Ａ−Ｄがより低い電力レベルに切り換えられるかまたは完全にオフにされ得ることを決定することができ，各高出力増幅器１８Ａ−Ｄは，逆方向の電力レベルまたは感知された温度が数ミリ秒の間に高すぎる場合は，自動的にそれ自体を切ることができ，あるいは，電源１２は，高出力増幅器１８Ａ−Ｄに供給される直流電力を遮断することができ，
　高出力増幅器１８は，ガイド構造１０２を介してサーキュレータ１０４に結合される１つまたは複数の増幅段１００を含み，サーキュレータ１０４は，ガイド構造１０６によって導波管励振器１０８に結合され，高出力増幅器１８は，導波管励振器１０８によって導波管１１０に電気的に結合され，電磁ガスケット１１２によって機械的に結合され，
　増幅段１００の出力は，ガイド構造１０２を介してサーキュレータ１０４に結合され，高出力増幅器１８において，サーキュレータ１０４は，不整合負荷が電力を反射する時に起こり得る有害な影響から増幅段１００を隔離するように保護装置として働く
　密閉されたキャビティに電磁放射線を導入することによって食品を加熱し，調理するソリッドステート無線周波数（ＲＦ）調理機器である電磁調理器１０。」（以下，「引用発明１」という。）
　が記載されていると認められる。
２．引用文献２について
　また，原査定の拒絶の理由に引用された特開２００３−３４７８７５号公報（以下，「引用文献２」という。下線は当審が付与。）には，
「【０００２】
【従来の技術】
移動無線通信システムの基地局等
【０００３】また，アンテナの故障，あるいは，アンテナの同軸ケーブルがアンテナ入力端に接続されていないという異常状態では，増幅器の出力端でのインピーダンス整合が著しく劣化し，反射信号の電力は非常に大きな値となる。
このような大きな電力を有する反射信号が増幅器の出力端子に入力されると，最悪の場合，増幅器の破壊を招く。
【０００４】
この問題を解決するために，増幅器の出力端とアンテナ（アンテナの同軸ケーブル）との間には，一般にアイソレータ等が挿入され，反射信号の増幅器への入力が防止されている。
【０００５】
しかし，アイソレータ等の許容範囲を超える電力を有する反射信号が，アイソレータ等に入力されると，アイソレータ等の破壊（たとえば半田溶解による破壊等）を招くおそれがある。このため，アイソレータ等とともに，反射信号の電力を検出する反射電力検出回路が配置され，反射信号の電力が異常に大きくなると，増幅器の出力信号の電力を下げる等の措置が講じられている。
【０００６】送信信号は，増幅器（電力増幅器）５１によって増幅された後，反射電力検出回路６０のアイソレータ６１および方向性結合器６２を介して，アンテナ７０の入力端（増幅装置５０の出力端）７１からアンテナ７０に送られ，アンテナ７０から無線信号として送信される。
【０００７】
この送信信号に対する入力端７１からの反射信号は，反射電力検出回路６０の方向性結合器６２に入力される。方向性結合器６２に入力された反射信号の大部分は，アイソレータ６１に入力され，アイソレータ６１に設けられたダミー抵抗に吸収されて熱に変換される。これにより，増幅器５１への反射信号の入力が防止され，増幅器５１の性能劣化や破壊が防止される。
【０００８】
一方，方向性結合器６２に入力された反射信号の一部は，検出回路６３に与えられる。検出回路６３は，たとえばダイオード検波回路により構成され，反射信号の電圧Ｖを検出する。検出された電圧（検出電圧）Ｖは，判定回路５２に与えられる。
【０００９】ここで，検出回路６３の抵抗値Ｒは所定の値（たとえばＲ＝５０Ω）であり，あらかじめ判明しているので，検出電圧Ｖが判明することにより，検出回路６３に入力された反射信号の電力Ｐ（＝Ｖ2／Ｒ）が求まる。また，方向性結合器６２に入力される反射信号の全電力Ｐａに対する，検出回路６３側に取り出される反射信号の電力の比率もあらかじめ判明している。したがって，検出電圧Ｖが計測されることにより，入力端７１から方向性結合器６２に入力される反射信号の全電力Ｐａを知ることができる。
【００１０】
判定回路５２は，検出電圧Ｖと所定の閾値電圧Ｖｔとを比較し，検出電圧Ｖが閾値電圧Ｖｔよりも大きい場合には，警報信号を制御回路５２に出力する。
【００１１】
制御回路５２は，判定回路５３から警報信号を受け取ると，増幅器５１の増幅率（利得）を下げ，あるいは，増幅器５１の出力を停止（増幅器５１の作動を停止）して，増幅器５１の出力電力を下げる。これにより，アイソレータ６１の破壊が防止される。
【００１２】図５は，反射電力検出回路の他の形態を示している。この
反射電力検出回路８０では，
反射電力検出回路６０における方向性結合器６２およびアイソレータ６１の代わりにサーキュレータ８１および減衰器８２が用いられている。
【００１３】サーキュレータ８１は，増幅器５１の出力信号をほとんど減衰させることなく，入力端７１に出力する一方，入力端７１からの反射信号をほとんど減衰させることなく，検出回路６３側に出力する。これにより，反射信号の増幅器５１への入力が防止され，増幅器５１の性能劣化，破壊等が防止される。
【００１４】一方，
サーキュレータ８１は，方向性結合器６２と異なり，反射信号のほぼすべてを検出回路６３側に出力する
検出回路６３の前段には，この反射信号の電力を減衰させるための減衰器８２が設けられ，減衰器８２により減衰された反射信号が検出回路６３に入力される。
【００１５】
この反射電力検出回路８０によっても，反射信号の電力（電圧）が検出され，この電力が所定の値より大きくなると，制御回路５２によって，増幅器５１の出力電力が下げられ，減衰器８２等の破壊が防止されている。
「【図４】
」
「【図５】
」
　の記載があるから，上記引用文献２には，
「移動無線通信システムの基地局等において，大きな電力を有する反射信号が増幅器の出力端子に入力されると，最悪の場合，増幅器の破壊を招く問題を解決するための反射電力検出回路８０であって，
　増幅器の出力端とアンテナ（アンテナの同軸ケーブル）との間には，一般にアイソレータ等が挿入され，反射信号の増幅器への入力が防止されており，
　アイソレータ等の許容範囲を超える電力を有する反射信号が，アイソレータ等に入力されると，アイソレータ等の破壊を招くおそれがあるため，アイソレータ等とともに，反射信号の電力を検出する反射電力検出回路が配置され，反射信号の電力が異常に大きくなると，増幅器の出力信号の電力を下げる等の措置が講じられており，
　反射電力検出回路８０では，方向性結合器６２およびアイソレータ６１の代わりにサーキュレータ８１および減衰器８２が用いられ，
　サーキュレータ８１は，反射信号のほぼすべてを検出回路６３側に出力し，検出回路６３の前段には，この反射信号の電力を減衰させるための減衰器８２が設けられ，減衰器８２により減衰された反射信号が検出回路６３に入力され，
　反射信号の電力（電圧）が検出され，この電力が所定の値より大きくなると，制御回路５２によって，増幅器５１の出力電力が下げられ，減衰器８２等の破壊が防止されている，
　反射電力検出回路８０。」（以下，「引用発明２」という。）
　が記載されていると認められる。
３．引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２０１５／０９９６４９号（以下，「引用文献３」という。当審訳としてファミリ文献の特表２０１７−５０４１５８号公報を参照。下線は当審が付与。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「[0027] For example, FIG.3 illustrates an exemplary first graph 56 demonstrating, for instance, a measured amount of e-field 34 reflection in the cavity 14 as a function of time. FIG.4 illustrates a corresponding second graph 58 that shows the integral of the first graph 56, as a function of time. In the second graph 58, the dotted line represents a predetermined amount of integrated reflected e-field 60 that must be accumulated before the controller 40 determines a fault occurs. As shown in the second graph 58, the controller 40 would determine that a fault occurs at a time 62. Alternatively, embodiments of the invention are envisioned wherein the integral of the reflected e- field 34 is based on a moving predetermined time window, such that only the amount of reflected e-field 34 in, for example, the most recent one second, is summed. Thus, in this alternative example, 
a fault would only occur if the integrated e-field 34 reflected is greater than a predetermined amount of reflected e-field 60 for any given, consecutive, one second period.
（当審訳：
［００２７］　例えば，図３は，例えば，空間１４内で測定されたｅ−フィールド３４の反射量を時間の関数として表している一例の第１のグラフ５６を示している。図４は，第１のグラフ５６の積分を時間の関数として表す，対応する第２のグラフ５８を示している。第２のグラフ５８において，点線は，コントローラ４０が異常の発生を判定する前に累算しなければならない積分された反射ｅ−フィールド６０の所定量を示している。第２のグラフ５８に示すように，コントローラ４０は時間６２で異常の発生を決定する。代わりとして，本発明の実施の形態において，反射ｅ−フィールド３４の積分が，例えば最も最近の１秒間における反射ｅ−フィールド３４の量のみが合計されるように，移動する所定の時間ウィンドウに基づいて実行されることが想定される。したがって，この代わりの例においては，
所定の連続した１秒の期間において，積分されたｅ−フィールド３４の反射が反射ｅ−フィールド６０の所定量に比べて大きい場合に，異常が発生しているとされる。
　の記載があるから，
「所定の連続した１秒の期間において，積分された反射が所定量に比べて大きい場合に，異常が発生している。」（以下，「引用文献３記載事項」という。）
　が記載されていると認められる。
４．引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−３２７３６３号公報（以下，「引用文献４」という。下線は当審が付与。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これらの方法による
電力用トランジスタの保護回路は，最大定格ぎりぎりの出力を得ようとして，リミッタ回路やショート検出回路等の保護回路の回路定数を設定すると，電力用トランジスタやヒートシンクへの熱伝導の遅延のため保護回路の動作が遅れて，その役目を果たさないことがあり，
保護回路が過大な安全係数で駆動するように回路定数を設定すれば，充分な出力が得られないことになる。
　の記載があるから，
「電力用トランジスタの保護回路は，最大定格ぎりぎりの出力を得ようとして，リミッタ回路やショート検出回路等の保護回路の回路定数を設定すると，電力用トランジスタやヒートシンクへの熱伝導の遅延のため保護回路の動作が遅れて，その役目を果たさないことがあり，保護回路が過大な安全係数で駆動するように回路定数を設定すれば，充分な出力が得られないことになる。」（以下，「引用文献４記載技術」という。）
　が記載されていると認められる。
５．引用文献５について
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６４−５４９１３号公報（以下，「引用文献５」という。下線は当審が付与。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「発明が解決しようとする問題点
　
マイクロ波電力増幅器は，
３Ｗ出力の，電力増幅器として，ＦＥＴ７に，ＦＬＭ１４１４?４Ｃ（富士通社製）を用いた場合，
　の記載があるから，
「３Ｗ出力の，マイクロ波電力増幅器として，ＦＥＴ７に，ＦＬＭ１４１４?４Ｃ（富士通社製）を用いた場合，ＦＥＴ７のジャンクション温度の絶対最大定格は１７５度Ｃであり，一般的に，信頼性の観点から１３０〜１３５度Ｃを越えない範囲で使用することが望まれている。」（以下，「引用文献５記載技術」という。）
　が記載されていると認められる。
第４　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
（１）引用発明１は，「密閉されたキャビティに電磁放射線を導入することによって食品を加熱し，調理するソリッドステート無線周波数（ＲＦ）調理機器である電磁調理器１０」であって，電磁調理器１０はソリッドステート無線周波数（ＲＦ）を放射するから，「食品負荷が配置される閉じられたキャビティを有する電磁調理器用のソリッドステート無線周波数発生システム」であるといえる。
（２）引用発明１の「ＲＦ信号発生器１６」は，「複数のＲＦ波形」すなわち「各高出力増幅器１８Ａ−Ｄに対する」入力信号を生成しているから「入力ＲＦ信号を発生させる信号発生器」であるといえる。
（３）引用発明１の「複数のＲＦフィード２６Ａ−Ｄ」は，「複数の高出力ＲＦ増幅器１８Ａ−Ｄから密閉されたキャビティ２０に電力を供給」するものであり，「密閉されたキャビティに電磁放射線を導入することによって食品を加熱し，調理するソリッドステート無線周波数（ＲＦ）調理機器である電磁調理器１０」に含まれるから，「前記食品負荷を加熱し，準備するために，前記閉じられたキャビティ内に電磁放射を導入するように構成される複数のＲＦフィード」であるといえる。
（４）引用発明１の「高出力増幅器１８Ａ−Ｄ」は，「複数のＲＦフィード２６Ａ−Ｄに結合される」から，「前記複数のＲＦフィードに接続される高電力ＲＦ増幅器のセット」であるといえる。
（５）引用発明１は，「高出力増幅器１８は，ガイド構造１０２を介してサーキュレータ１０４に結合される１つまたは複数の増幅段１００を含」み，「各高出力増幅器１８Ａ−Ｄ」は，「ＲＦ信号発生器１６」から信号を受信しているから，「前記入力ＲＦ信号に対して電力を増幅した信号を出力するように構成される少なくとも１つの増幅段」を有しているといえる。
　また，引用発明１は「複数のＲＦフィード２６Ａ−Ｄは，複数の高出力ＲＦ増幅器１８Ａ−Ｄから密閉されたキャビティ２０に電力を供給」するから，「複数の高出力ＲＦ増幅器１８Ａ−Ｄ」は「複数のＲＦフィード２６Ａ−Ｄ」に電力を供給，すなわち，「増幅した出力信号を前記ＲＦフィードに向け」ているといえる。
　また，引用発明１は「各高出力増幅器１８Ａ−Ｄは，過度のＲＦ反射を吸収するようにダミーロードを含む」であるから，高出力ＲＦ増幅器１８Ａ−Ｄが「受信する反射波及びそれらの関連する電力」を受信する「ダミー負荷」を有することは明らかである。
　ここで，「サーキュレータ１０４は，不整合負荷が電力を反射する時に起こり得る有害な影響から増幅段１００を隔離する」から，「サーキュレータ１０４」は反射波をダミーロードに向けていることが明らかであるので，「増幅した出力信号を前記ＲＦフィードに向けると共に，前記ＲＦフィードから受信する反射波及びそれらの関連する電力をダミー負荷に向け直すサーキュレータ」であるといえる。
（６）引用発明１は，「逆方向の電力レベルが所定の閾値を超えたかどうかを決定」して，「閾値を超える場合」に，「高出力増幅器１８Ａ−Ｄがより低い電力レベルに切り換えられるかまたは完全にオフにされ得ることを決定する」から，「前記複数のＲＦフィードによって受信された反射電磁放射における逆方向電力を検出」して「前記逆方向電力が超える場合に，前記少なくとも１つの増幅段に供給される電力を低減する」ような制御を行っており，このような制御を行う手段は「ハードウェア保護コンポーネント」と呼べる。
　したがって，本願発明１と引用発明１との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「食品負荷が配置される閉じられたキャビティを有する電磁調理器用のソリッドステート無線周波数発生システムであって，
　入力ＲＦ信号を発生させる信号発生器，
　前記食品負荷を加熱し，準備するために，前記閉じられたキャビティ内に電磁放射を導入するように構成される複数のＲＦフィード，
　前記複数のＲＦフィードに接続される高電力ＲＦ増幅器のセット，ここで高電力ＲＦ増幅器のそれぞれは，
　　前記入力ＲＦ信号に対して電力を増幅した信号を出力するように構成される少なくとも１つの増幅段，
　　増幅した出力信号を前記ＲＦフィードに向けると共に，前記ＲＦフィードから受信する反射波及びそれらの関連する電力をダミー負荷に向け直すサーキュレータ，
　を有する，
　前記複数のＲＦフィードによって受信された反射電磁放射における逆方向電力を検出する一方，電力閾値を，前記逆方向電力が超える場合に，前記少なくとも１つの増幅段に供給される電力を低減するハードウェア保護コンポーネント，
を備える，
　ソリッドステート無線周波数発生システム。」
相違点
（相異点１）
　本願発明１は，「入力ＲＦ信号を発生させる信号発生器」が「小信号発生器」であるのに，引用発明１は「小」信号かどうか記載がない点。
（相異点２）
　逆方向電力に関し，本願発明１は，「前記複数のＲＦフィードのそれぞれは，前記閉じられたキャビティから反射された電磁放射を受信するように構成される」のに対し，引用発明１は，「高出力増幅器１８Ａ−Ｄと密閉されたキャビティ２０との間のインピーダンス不整合の結果として高出力増幅器１８Ａ−Ｄに戻された電力」である点。
（相異点３）
　本願発明１は，逆方向電力を「カプラを使用して」検出するのに対し，引用発明１は，サーキュレータ１０４を含む「高出力増幅器１８Ａ−Ｄにおける温度感知」によって逆方向の電力レベルが所定の閾値を超えたかどうかを決定する点。
（相異点４）
　本願発明１は，電力閾値が「前記サーキュレータへの電気的ストレス又はダメージを抑制するタイムスケール内の電力閾値」であるのに対し，引用発明１は，どのような閾値であるか記載が無い点。
（相異点５）
　本願発明は，「前記サーキュレータの電力定格は，前記少なくとも１つの増幅段から前記サーキュレータを通って前記複数のＲＦフィードのそれぞれに向かう順方向電力に基づいて決定され，前記タイムスケールは，その最大定格を超える電力状態を持続するための前記サーキュレータの最大能力よりも短い」のに対し，引用発明１はタイムスケールに関する記載が無い点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑み相違点５について検討する。
　本願発明１は，「ダミー負荷に向け直すサーキュレータ」でなく，「カプラを使用」して逆方向電力を検出するため，サーキュレータの電力定格を「前記少なくとも１つの増幅段から前記サーキュレータを通って前記複数のＲＦフィードのそれぞれに向かう順方向電力に基づいて決定」することができ，「サーキュレータへの電気的ストレス又はダメージを抑制する」ために用いる電力閾値の「タイムスケール」を「その最大定格を超える電力状態を持続するための前記サーキュレータの最大能力よりも短」くすることができるようになったものである。
　引用発明２には，反射波電力の検出をアイソレータとは異なる方向性結合器で行うことと，サーキュレータと減衰器により行うこと，が交換可能であることは記載されているが，どのような電力定格とするか，電力閾値の「タイムスケール」をどのような値とするかについては，記載されていない。
　引用文献４記載事項によれば，電力トランジスタの保護回路として，安全係数をもたせた回路定数とすることが記載されているが，安全係数をもたせた回路定数をどのように決定するかについて記載されておらず，保護回路の「タイムスケール」については何も記載されていない。回路定数を変更すると時定数が変化することが技術常識であることを考慮しても，時定数を考慮した回路定数とすることは記載されていないから，「タイムスケール」をどのような値とするかは記載されていない。
　引用文献３記載事項，引用文献５記載事項にも，「サーキュレータの電力定格」をどのように決定するか，及び，電力閾値の「タイムスケール」をどのような値とするか，については記載されていない。
　上記のように，「サーキュレータの電力定格」をどのように決定するか，及び，電力閾値の「タイムスケール」をどのような値とするか，については引用発明２，引用文献３−５記載事項のいずれにも，記載されていない。
　したがって，その他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明１，引用発明２，引用文献３−５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２．本願発明２−６について
　本願発明２−６も，本願発明１と同一の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明１，引用発明２，引用文献３−５記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
３．本願発明７について
　本願発明７は，本願発明１に対応する電磁調理器の発明であり，本願発明１に対応する構成を備えるものであるから，本願発明１と同様の理由により，当業者であっても，引用発明１，引用発明２，引用文献３−５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
４．本願発明８−１１について
　本願発明８−１１も，本願発明７と同一の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明１，引用発明２，引用文献３−５記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　上記第４に記載したとおり，本願発明１−１１は，引用発明１，引用発明２，引用文献３−５に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものではない。
したがって，原査定を維持することはできない。
第６　当審拒絶理由について
１．当審で通知した拒絶理由の概要は以下のとおりである。
　（サポート要件）この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　請求項１には，「前記複数のＲＦフィードによって受信された反射電磁放射における逆方向電力を検出する一方」と記載されているから，逆方向電力の検出方法については，特定されていない。
　一方，逆方向電力の検出を特定しない全ての検出方法において，「前記サーキュレータの電力定格は，前記少なくとも１つの増幅段から前記サーキュレータを通って前記複数のＲＦフィードのそれぞれに向かう順方向電力に基づいて決定され」ても良いことは，発明の詳細な説明に記載されていない。
　発明の詳細な説明【００３７】の「逆方向電力の変化に対する応答がはるかに速い。さらに，より速い応答時間を有することによって，サーキュレータ１０４は，より低い電力定格を有することができ」の記載，及び，上申書の「本願発明では，ハードウェア保護が高速（＜１０ｎｓ）の電力低減／電力カットを行っているため，サーキュレータをダメージから保護する」の記載を考慮すれば，本願発明が「前記サーキュレータの電力定格は，前記少なくとも１つの増幅段から前記サーキュレータを通って前記複数のＲＦフィードのそれぞれに向かう順方向電力に基づいて決定され」ても良いためには，「逆方向電力の変化に対する応答」を高速に行うことが必要であり，「逆方向電力」の検出を「高速」に行うためには，逆方向電力の検出方法として，国際公開第２０１６／１９６９３９号（引用文献１）のようなサーキュレータを介したダミーロードの温度検知ではなく，カプラ２０８による検出を行うことが必要であると理解される。
２．特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
　令和３年７月３０日の手続補正により，「逆方向電力をカプラを使用して検出する」ことが明確となり，特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしている。
第７　むすび
　以上のとおり，本願発明１−１１は，当業者が引用発明１，引用文献２，引用文献３−５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。