【手続補正書】
【提出日】平成30年12月20日(2018.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉを有する少なくとも１種のアルキルアルコキシシラ環状化合物を含む誘電体膜堆積組成物であって、
【化１】
2018201037.tif 000001
（上式中、R1は、独立して、水素、直鎖もしくは枝分かれC1 〜C10 アルキル基、直鎖もしくは枝分かれC2 〜C10 アルケニル基、直鎖もしくは枝分かれC2 〜C10 アルキニル基、C3 〜C10 環状アルキル基、C3 〜C10 複素環式アルキル基、C5 〜C10 アリール基、及び、C3 〜C10 ヘテロアリール基から選ばれ、R2 は水素、直鎖もしくは枝分かれC1 〜C10 アルキル基、直鎖もしくは枝分かれC2 〜C10 アルケニル基、直鎖もしくは枝分かれC2 〜C10 アルキニル基、C3 〜C10 環状アルキル基、C3 〜C10 複素環式アルキル基、C5 〜C10 アリール基、及び、C3 〜C10 ヘテロアリール基から選ばれ、そしてR3 はＳｉ原子と四員、五員又は六員環を形成するC3 〜C10 飽和アルキル二価基から選ばれる）、
該化合物は、不純物を約１００ｐｐｍ未満しか含まず、そして、
該組成物は、気体試薬として反応して、基材上に該膜を堆積させることができる、
組成物。
【請求項２】
前記膜が、
反応チャンバ内に基材を提供すること、
反応チャンバに気体試薬を導入すること、ここで、該気体試薬は、アルキルアルコキシシラ環状化合物を含む少なくとも１種の構造形成性前駆体、及び、ポロゲンを含む、
反応チャンバ中の気体試薬にエネルギーを加え、気体試薬の反応を誘導して、基材上に予備膜を堆積させること、ここで、予備膜はポロゲンを含む、及び、
予備膜からポロゲンの少なくとも一部を除去し、細孔を含みそして約２．６以下の誘電率を有する多孔性誘電体膜を提供すること、
を含む方法によって堆積される、
請求項１記載の組成物。
【請求項３】
前記構造形成性前駆体は硬化剤をさらに含む、請求項２記載の組成物。
【請求項４】
前記硬化剤はテトラエトキシシランを含む、請求項３記載の組成物。
【請求項５】
前記ポロゲンはシクロオクタンである、請求項２記載の組成物。
【請求項６】
化学蒸着方法はプラズマ強化化学蒸着方法である、請求項２記載の組成物。
【請求項７】
反応混合物はO2, N2O, NO, NO2, CO2, 水、H2O2, オゾン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる少なくとも１種の酸化剤を含む、請求項２記載の組成物。
【請求項８】
反応混合物は酸化剤を含まない、請求項２記載の組成物。
【請求項９】
ＵＶ処理は熱処理の少なくとも一部の間に行われる、請求項８記載の組成物。
【請求項１０】
前記反応チャンバは、エネルギーを加える工程において、He, Ar, N2, Kr, Xe, NH3, H2, CO2又は CO から選ばれる少なくとも１種のガスを含む、請求項２記載の組成物。
【請求項１１】
除去する工程は熱処理、紫外線処理、電子線処理、γ線処理及びそれらの組み合わせを含む、請求項２記載の組成物。
【請求項１２】
ポロゲン前駆体は、
ａ）式CnH2n の環式炭化水素（式中、n = 4〜14であり、該環式炭化水素は置換されていないか又は複数の直鎖又は枝分かれの炭化水素により置換されている）、
ｂ）一般式CnH(2n+2)-2y の直鎖もしくは枝分かれの飽和、単一もしくは複数の不飽和の炭化水素（式中、n = 2〜20であり、y = 0〜nである）、
ｃ）式CnH2n-2x の単一もしくは複数の不飽和の環式炭化水素（式中、xは分子中の不飽和部位の数であり、n = 4〜14であり、環の水素は置換されていないか又は複数の直鎖もしくは枝分かれの炭化水素により置換されており、該環式炭化水素が不飽和であるならば、不飽和は環内にあるか、又は、環状構造への炭化水素置換基の１つにある）、
ｄ）式CnH2n-2 の二環式炭化水素（式中、n = 4〜14であり、該環式炭化水素は置換されていないか又は複数の直鎖もしくは枝分かれの炭化水素により置換されている）、
ｅ）式CnH2n-(2+2x) の複数不飽和の二環式炭化水素（式中、xは分子中の不飽和部位の数であり、n = 4〜14であり、二環式構造中の炭素数は4〜12であり、該環式炭化水素は置換されていないか又は複数の直鎖もしくは枝分かれの炭化水素により置換されており、もし該炭化水素が不飽和であったならば、不飽和は環内にあるか、又は、環状構造への炭化水素置換基の１つにある）、及び、
ｆ）式CnH2n-4 の三環式炭化水素（式中、n = 4〜14であり、三環構造中の炭素数は4〜12であり、該環式炭化水素は置換されていないか又は複数の直鎖もしくは枝分かれの炭化水素により置換されている）、
からなる群より選ばれる、請求項２記載の組成物。
【請求項１３】
請求項１２記載のポロゲン前駆体は、シクロヘキサン、１，２，４−トリメチルシクロヘキサン、１−メチル−４−（１−メチルエチル）シクロヘキサン、シクロオクタン、メチルシクロオクタン、エチレン、プロピレン、アセチレン、ネオヘキサン、１，３−ブタジエン、２−メチル−１,３−ブタジエン、２，３−ジメチル−２,３−ブタジエン、置換ジエン、パラ−シメン、シクロオクテン、１，５−シクロオクタジエン、シクロヘキセン、ビニルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキセン、α-テルピネン、ピネン、リモネン、ビニルシクロヘキセン、ノルボルナン、スピロ−ノナン、カンフェン、ノルボルネン、ノルボルナジエン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、デカヒドロナフタレン、アダマンタン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、請求項２記載の組成物。
【請求項１４】
前記アルキルアルコキシシラ環状化合物は１−メチル−１−メトキシ−１−シラシクロペンタン、１−メチル−１−エトキシ−１−シラシクロペンタン、１−メチル−１−イソプロポキシ−１−シラシクロペンタン、１−メチル−１−プロポキシ−１−シラシクロペンタン、１−メトキシ−１−シラシクロペンタン、１−エトキシ−１−シラシクロペンタン、１−メチル−１−メトキシ−１−シラシクロブタン、１−メチル−１−エトキシ−１−シラシクロブタン、１−メトキシ−１−シラシクロブタン、１−エトキシ−１−シラシクロブタン、１−メチル−１−メトキシ−１−シラシクロヘキサン、１−メチル−１−エトキシ−１−シラシクロヘキサン、１−メチル−１−メトキシ−１−シラシクロヘキサン、１−メチル−１−エトキシ−１−シラシクロヘキサン、１−メチル−１−イソプロポキシ−１−シラシクロペンタン、１−メチル−１−イソプロポキシ−１−シラシクロブタン、１−メチル−１−イソプロポキシ−１−シラシクロヘキサン、１−イソプロポキシ−１−シラシクロペンタン、１−イソプロポキシ−１−シラシクロブタン、１−イソプロポキシ−１−シラシクロヘキサン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、請求項１記載の組成物。
【請求項１５】
前記不純物は塩化物イオンを含む、請求項１４記載の組成物。
【請求項１６】
前記アルキルアルコキシシラ環状化合物は、１−メチル−１−エトキシ−１−シラシクロペンタンを含む、請求項１４記載の組成物。
【請求項１７】
少なくとも１種のポロゲン前駆体を更に含む、請求項１記載の組成物。
【請求項１８】
少なくとも１種の酸化剤を更に含む、請求項１記載の組成物。
【請求項１９】
少なくとも１種の不活性ガスを更に含む、請求項１記載の組成物。
【請求項２０】
前記膜がオルガノシリケートガラスを含む、請求項１記載の組成物。
【請求項２１】
前記膜が約２．７以下の誘電率を有する、請求項１記載の組成物。
【請求項２２】
式Ｉを有する少なくとも１種のアルキルアルコキシシラ環状化合物から本質的になる膜堆積組成物であって、
【化２】
2018201037.tif 000002
（上式中、R1は、独立して、水素、直鎖もしくは枝分かれC1 〜C10 アルキル基、直鎖もしくは枝分かれC2 〜C10 アルケニル基、直鎖もしくは枝分かれC2 〜C10 アルキニル基、C3 〜C10 環状アルキル基、C3 〜C10 複素環式アルキル基、C5 〜C10 アリール基、及び、C3 〜C10 ヘテロアリール基から選ばれ、R2 は水素、直鎖もしくは枝分かれC1 〜C10 アルキル基、直鎖もしくは枝分かれC2 〜C10 アルケニル基、直鎖もしくは枝分かれC2 〜C10 アルキニル基、C3 〜C10 環状アルキル基、C3 〜C10 複素環式アルキル基、C5 〜C10 アリール基、及び、C3 〜C10 ヘテロアリール基から選ばれ、そしてR3 はＳｉ原子と四員、五員又は六員環を形成するC3 〜C10 飽和アルキル二価基から選ばれる）、
組成物。
【請求項２３】
前記アルキルアルコキシシラ環状化合物が、以下の式Ｉを有する化合物、
【化３】
2018201037.tif 000003
（上式中、R1は、独立して、水素、直鎖もしくは枝分かれC1 〜C10 アルキル基、直鎖もしくは枝分かれC2 〜C10 アルケニル基、直鎖もしくは枝分かれC2 〜C10 アルキニル基、C3 〜C10 環状アルキル基、C3 〜C10 複素環式アルキル基、C5 〜C10 アリール基、及び、C3 〜C10 ヘテロアリール基から選ばれ、R2 は水素、直鎖もしくは枝分かれC1 〜C10 アルキル基、直鎖もしくは枝分かれC2 〜C10 アルケニル基、直鎖もしくは枝分かれC2 〜C10 アルキニル基、C3 〜C10 環状アルキル基、C3 〜C10 複素環式アルキル基、C5 〜C10 アリール基、及び、C3 〜C10 ヘテロアリール基から選ばれ、そしてR3 はＳｉ原子と四員、五員又は六員環を形成するC3 〜C10 飽和アルキル二価基から選ばれる）、ならびに、
少なくとも１種のポロゲン、
を含む、請求項２２記載の組成物。
【請求項２４】
前記アルキルアルコキシシラ環状化合物は１−メチル−１−メトキシ−１−シラシクロペンタン、１−メチル−１−エトキシ−１−シラシクロペンタン、１−メチル−１−イソプロポキシ−１−シラシクロペンタン、１−メチル−１−プロポキシ−１−シラシクロペンタン、１−メトキシ−１−シラシクロペンタン、１−エトキシ−１−シラシクロペンタン、１−メチル−１−メトキシ−１−シラシクロブタン、１−メチル−１−エトキシ−１−シラシクロブタン、１−メトキシ−１−シラシクロブタン、１−エトキシ−１−シラシクロブタン、１−メチル−１−メトキシ−１−シラシクロヘキサン、１−メチル−１−エトキシ−１−シラシクロヘキサン、１−メチル−１−メトキシ−１−シラシクロヘキサン、１−メチル−１−エトキシ−１−シラシクロヘキサン、１−メチル−１−イソプロポキシ−１−シラシクロペンタン、１−メチル−１−イソプロポキシ−１−シラシクロブタン、１−メチル−１−イソプロポキシ−１−シラシクロヘキサン、１−イソプロポキシ−１−シラシクロペンタン、１−イソプロポキシ−１−シラシクロブタン、１−イソプロポキシ−１−シラシクロヘキサン及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、請求項２３記載の組成物。
【請求項２５】
前記アルキルアルコキシシラ環状化合物は、１−メチル−１−エトキシ−１−シラシクロペンタンを含む、請求項２４記載の組成物。
【請求項２６】
前記アルキルアルコキシシラ環状化合物は、１−メチル−１−イソプロポキシ−１−シラシクロペンタンを含む、請求項２４記載の組成物。
【請求項２７】
前記アルキルアルコキシシラ環状化合物は、１−メチル−１−プロポキシ−１−シラシクロペンタンを含む、請求項２４記載の組成物。
【請求項２８】
前記硬化剤はテトラエトキシシランを含む、請求項２７記載の組成物。
【請求項２９】
１−メチル−１−エトキシ−１−シラシクロペンタン、１−メチル−１−イソプロポキシ−１−シラシクロペンタン、および１−メチル−１−プロポキシ−１−シラシクロペンタンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む、誘電体膜堆積組成物。
【請求項３０】
少なくとも１種のポロゲンを更に含む、請求項２９記載の組成物。
【請求項３１】
少なくとも１種の硬化剤を更に含む、請求項２９記載の組成物。