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【手続補正書】
【提出日】令和1年7月25日(2019.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極、負極、セパレータ、リチウムイオンを含む非水系電解液からなる非水系リチウム型蓄電素子であって、
前記負極が、負極集電体と、前記負極集電体の片面上又は両面上に設けられた、負極活物質を含む負極活物質層とを有し、かつ前記負極活物質はリチウムイオンを吸蔵・放出できる炭素材料を含み、さらに、
前記正極が、正極集電体と、前記正極集電体の片面上又は両面上に設けられた、正極活物質を含む正極活物質層とを有し、かつ前記正極活物質は活性炭を含み、さらに、
前記正極が、リチウム化合物を含み、そして、
前記リチウム化合物が、炭酸リチウム、酸化リチウム、水酸化リチウム、フッ化リチウム、塩化リチウム、シュウ化リチウム、ヨウ化リチウム、窒化リチウム、シュウ酸リチウム、及び酢酸リチウムから選択される１種以上であって、該リチウム化合物の平均粒子径をＸ１とするとき、０．１μｍ≦Ｘ１≦１０μｍであり、正極活物質の平均粒子径をＹ１とするとき、２μｍ≦Ｙ１≦２０μｍであり、Ｘ１＜Ｙ１であって、前記正極中に含まれるリチウム化合物の量が１質量％以上５０質量％以下であり、加えて、
前記非水系電解液が、該非水系電解液の総量を基準として、１．７ｍｏｌ／Ｌ〜６．５ｍｏｌ／Ｌのリチウム塩を含有する非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項２】
前記非水電解液が、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ビニレンカーボネートおよびフルオロエチレンカーボネートから選択される少なくとも１種の有機溶媒を含有する、請求項１に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項３】
前記非水系電解液がＬｉＮ（ＳＯ２Ｆ）２を含有する、請求項１又は２に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項４】
前記非水系電解液が、ＬｉＰＦ６及びＬｉＢＦ４のうち少なくとも１種を含有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の非水系リチウム型蓄電素子において、セル電圧４Ｖでの初期の内部抵抗をＲａ（Ω）、静電容量をＦ（Ｆ）、電力量をＥ（Ｗｈ）、電極積層体を収納している外装体の体積をＶ（Ｌ）、とした時、以下の（ａ）、（ｂ）の要件：
（ａ）ＲａとＦの積Ｒａ・Ｆが０．３以上３．０以下 であり、
（ｂ）Ｅ／Ｖが１５以上５０以下 である、
を同時に満たす、非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の非水系リチウム型蓄電素子において、セル電圧４Ｖでの初期の内部抵抗をＲａ（Ω）、静電容量をＦa（Ｆ）、セル電圧４Ｖの定電圧充電を環境温度６０℃において１００時間継続した後の２５℃における内部抵抗をＲｂ（Ω）、静電容量をＦｂ（Ｆ）とした時、以下の（ｃ）、（ｄ）：
（ｃ）Ｒｂ／Ｒａが０．９以上２．０以下 であり；
（ｄ）Ｆｂ／Ｆaが１．０１以上である；
を同時に満たす、非水系リチウム蓄電素子。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月26日(2019.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活物質以外のアルカリ金属化合物と、正極集電体と、前記正極集電体の片面又は両面に正極活物質層とを有し、前記正極活物質層は、炭素材料を含む正極活物質を含有する、正極前駆体であって、
前記正極集電体を除く前記正極前駆体の質量を基準として、前記アルカリ金属化合物の重量比をＸ質量％とするとき、５≦Ｘ≦５０であり、
前記正極前駆体表面のＳＥＭ−ＥＤＸにより得られる元素マッピングにおいて、明るさの平均値を基準に二値化した酸素マッピングに対する炭素マッピングの面積重複率をＡ１％とするとき、３０≦Ａ１≦９０である、正極前駆体。
【請求項２】
前記正極前駆体表面のＳＥＭ−ＥＤＸにより得られる元素マッピングにおいて、明るさの平均値を基準に二値化した酸素マッピングに対するフッ素マッピングの面積重複率をＡ２％とするとき、１≦Ａ２≦５０である、請求項１に記載の正極前駆体。
【請求項３】
ＢＩＢ加工した前記正極前駆体断面のＳＥＭ−ＥＤＸにより得られる酸素マッピングにおいて、明るさの平均値を基準に二値化した酸素マッピングの面積をＡ３％とするとき、５≦Ａ３≦６０であり、かつ０．５≦Ａ３／Ｘ≦２．０である、請求項１又は２に記載の正極前駆体。
【請求項４】
前記アルカリ金属化合物が、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、及び炭酸セシウムからなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の正極前駆体。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月23日(2019.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質以外のリチウム化合物を含む少なくとも１つの正極と、少なくとも１つの負極と、少なくとも１つのセパレータとを含み、かつ前記正極と前記負極を前記セパレータを介して扁平型に捲回して成る扁平捲回電極体；及び
リチウムイオンを含む非水系電解液；
を含む非水系リチウム蓄電素子であって、
前記正極の正極集電体上に、前記活物質及び前記リチウム化合物から成る少なくとも１つの正極活物質層が塗布されており、
前記負極の負極集電体上に、前記リチウムイオンを吸蔵及び放出可能な負極活物質から成る少なくとも１つの負極活物質層が塗布されており、かつ
前記正極のうちで前記扁平捲回電極体の最外層に配置された正極において、前記負極活物質層と対向している正極活物質層の曲部における前記リチウム化合物の量をＣｘ１（ｇ／ｍ２）とし、かつ該正極活物質層の扁平部における前記リチウム化合物の量をＣｙ１（ｇ／ｍ２）とするとき、Ｃｘ１及びＣｙ１はそれぞれ０．１以上２０以下であり、かつＣｙ１／Ｃｘ１が０．２５以上０．９５以下である、
前記非水系リチウム蓄電素子。
【請求項２】
前記曲部における前記正極活物質層の目付をＣｘ２（ｇ／ｍ２）とし、前記扁平部における前記正極活物質層の目付をＣｙ２（ｇ／ｍ２）とするとき、Ｃｘ２／Ｃｙ２が０．８５以上１．１５以下である、請求項１に記載の非水系リチウム蓄電素子。
【請求項３】
前記リチウム化合物が、炭酸リチウム、酸化リチウム、又は水酸化リチウムである、請求項１又は２に記載の非水系リチウム蓄電素子。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月24日(2019.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極、負極、セパレータ、リチウムイオンを含む非水系電解液からなる非水系リチウム型蓄電素子であって、
前記負極が、負極集電体と、前記負極集電体の片面上又は両面上に設けられた、負極活物質を含む負極活物質層とを有し、かつ前記負極活物質はリチウムイオンを吸蔵・放出できる炭素材料を含み、さらに、
前記正極が、正極集電体と、前記正極集電体の片面上又は両面上に設けられた、前記正極活物質を含む正極活物質層とを有し、かつ該正極活物質は活性炭を含み、そして、
前記正極活物質層において、フッ化リチウムの前記正極物質層の単位質量当たりの含有量をＡとし、
前記負極活物質層において、フッ化リチウムの前記負極物質層の単位質量当たりの含有量をＢ、
としたとき、０．０１０≦Ａ／Ｂ≦１．００であることを特徴とする、非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項２】
前記正極活物質層のリチウム量が、固体７Ｌｉ−ＮＭＲスペクトルの、
−４０ｐｐｍ〜４０ｐｐｍに現れるピークの面積より計算され、前記リチウム量が、１０．０×１０−４ｍｏｌ／ｇ以上３００×１０−４ｍｏｌ／ｇ以下である、請求項１に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項３】
前記正極がリチウム化合物を含み、前記リチウム化合物が、炭酸リチウム、酸化リチウム、水酸化リチウム、塩化リチウム、シュウ化リチウム、ヨウ化リチウム、窒化リチウム、シュウ酸リチウム、及び酢酸リチウムから選択される１種以上であって、前記リチウム化合物の平均粒子径をＸ１とするとき、０．１μｍ≦Ｘ１≦１０μｍであり、前記正極活物質の平均粒子径をＹ１とするとき、２μｍ≦Ｙ１≦２０μｍであり、Ｘ１＜Ｙ１であり、前記正極中に含まれるリチウム化合物の量が１質量％以上５０質量％以下である、請求項１又は２に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項４】
前記非水系電解液が、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ビニレンカーボネートおよびフルオロエチレンカーボネートから選択される少なくとも１種の有機溶媒を含有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項５】
前記非水系電解液が、ＬｉＰＦ６及びＬｉＢＦ４のうち少なくとも１種を含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項６】
前記非水系電解液におけるＬｉＮ（ＳＯ２Ｆ）２の濃度が、非水電解液の総量を基準として０．３ｍｏｌ／Ｌ以上１．５ｍｏｌ／Ｌ以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の該非水系リチウム型蓄電素子において、セル電圧４Ｖでの初期の内部抵抗をＲａ（Ω）、静電容量をＦ（Ｆ）、電力量をＥ（Ｗｈ）、電極積層体を収納している外装体の体積をＶ（Ｌ）、とした時、以下の（ａ）、（ｂ）の要件：
（ａ）ＲａとＦの積Ｒａ・Ｆが０．３以上３．０以下 である、
（ｂ）Ｅ／Ｖが１５以上５０以下 である、
を同時に満たす、非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の非水系リチウム型蓄電素子において、セル電圧４Ｖでの初期の内部抵抗をＲａ（Ω）、セル電圧４Ｖ及び環境温度６０℃において２か月間保存した後の２５℃における内部抵抗をＲｂ（Ω）、並びに環境温度−３０℃における内部抵抗をＲｃとした時、以下の（ｃ）〜（ｅ）の要件：
（ｃ）Ｒｂ／Ｒａが０．３以上３．０以下 であり、
（ｄ）セル電圧４Ｖ及び環境温度６０℃において２か月間保存した時に発生するガス量が、２５℃において３０×１０−３ｃｃ／Ｆ以下 であり、並びに、
（ｅ）Ｒｃ／Ｒａが３０以下 である
のすべてを同時に満たす、非水系リチウム型蓄電素子。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月25日(2019.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活物質以外のリチウム化合物を含む正極と、負極と、セパレータと、リチウムイオンを含む非水系電解液とを有する非水系リチウム型蓄電素子であって、
前記正極は、正極集電体と、前記正極集電体の片面又は両面上に設けられた、正極活物質を含む正極活物質層とを有し、
前記負極は、負極集電体と、前記負極集電体の片面又は両面上に設けられた、負極活物質を含む負極活物質層とを有し、
前記負極活物質は黒鉛系炭素材料を含み、かつ、
前記負極活物質層単位体積当たりのＢＥＴ比表面積が１ｍ２／ｃｃ以上５０ｍ２／ｃｃ以下である、前記非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項２】
前記負極活物質層の平均細孔径が２ｎｍ以上２０ｎｍ以下である、請求項１に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項３】
前記負極活物質の平均粒子径が１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１又は２に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項４】
前記黒鉛系炭素材料が、黒鉛質材料と炭素質材料との複合炭素材料を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項５】
前記リチウム化合物の平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項６】
前記リチウム化合物が炭酸リチウム、酸化リチウム、及び水酸化リチウムからなる群から選ばれる少なくとも１種である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月29日(2019.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活物質以外のリチウム化合物を含む正極と、負極と、セパレータと、リチウムイオンを含む非水系電解液とを有する、非水系リチウム型蓄電素子であって、
前記正極が、正極集電体と、前記正極集電体の片面又は両面上に設けられた、正極活物質を含む正極活物質層とを有し、前記正極活物質は活性炭を含み、
前記リチウム化合物の平均粒子径をＸ１とするとき、０．１μｍ≦Ｘ１≦１０μｍであり、正極活物質の平均粒子径をＹ１とするとき、２μｍ≦Ｙ１≦２０μｍであり、Ｘ１＜Ｙ１であり、前記正極中に含まれるリチウム化合物の量が、正極活物質層の全質量を基準として１質量％以上５０質量％以下であり、
前記セパレータは、多孔膜及び前記多孔膜の少なくとも片面に形成された絶縁多孔層を含み、かつ前記多孔膜の厚みに対する前記絶縁多孔層の厚みの割合が２０％〜１２５％である、非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項２】
前記多孔膜が、ポリオレフィン製微多孔膜を含む、請求項１に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項３】
前記絶縁多孔層は、無機フィラー及び樹脂バインダーを含む、請求項１又は２に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項４】
前記絶縁多孔層の厚みは、３μｍ以上３０μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項５】
前記多孔膜の厚みは、５μｍ以上３５μｍ以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項６】
前記多孔膜の孔径が、０．０３μｍ〜０．１μｍであり、かつ孔数が１００個／μｍ２〜２５０個／μｍ２である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項７】
前記多孔膜の空孔率が、４５％〜７５％である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項８】
正極活物質以外のリチウム化合物を含む正極と、負極と、セパレータと、リチウムイオンを含む非水系電解液とを有する、非水系リチウム蓄電素子であって、
前記正極は、正極集電体と、前記正極集電体の片面又は両面上に設けられた、正極活物質を含む正極活物質層とを有し、前記正極活物質は、活性炭を含み、
前記セパレータは、多孔膜及び前記多孔膜の少なくとも片面に形成された絶縁多孔層を含み、かつ前記多孔膜の厚みに対する前記絶縁多孔層の厚みの割合が２０％〜１２５％であり、
前記非水系リチウム型蓄電素子において、初期の常温放電内部抵抗をＲａ（Ω）、初期の常温充電内部抵抗をＲｆ（Ω）、静電容量をＦ（Ｆ）としたとき、
以下の（ａ）、（ｂ）：
（ａ）ＲａとＦとの積Ｒａ・Ｆが０．３以上３．０以下である；
（ｂ）Ｒｆ／Ｒａが０．５以上１．５以下である；
を満たす、非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項９】
正極活物質以外のリチウム化合物を含む正極と、負極と、セパレータと、リチウムイオンを含む非水系電解液とを有する、非水系リチウム蓄電素子であって、
前記セパレータは、多孔膜及び前記多孔膜の少なくとも片面に形成された絶縁多孔層を含み、かつ前記多孔膜の厚みに対する前記絶縁多孔層の厚みの割合が２０％〜１２５％であり、
前記非水系リチウム型蓄電素子の初期の常温放電内部抵抗をＲａ（Ω）、セル電圧４Ｖ及び環境温度６０℃において２か月間保存した後の２５℃における内部抵抗をＲｂ（Ω）としたとき、Ｒｂ／Ｒａが３．０以下である、非水系リチウム型蓄電素子。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月26日(2019.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と、
負極と、
セパレータと、
リチウムイオンを含む非水系電解液と
を含む、非水系リチウム型蓄電素子であって、
前記正極は、正極集電体と、前記正極集電体の片面又は両面に正極活物質層とを有し、前記正極活物質層は、炭素材料を含む正極活物質を含有し、
前記負極は、負極集電体と、前記負極集電体の片面又は両面に負極活物質層とを有し、前記負極活物質層は、リチウムイオンを吸蔵及び放出できる負極活物質を含有し、
前記正極は、前記正極活物質層の全質量を基準として、前記正極活物質以外のリチウム化合物を１質量％以上５０質量％以下含有し、
前記正極集電体及び前記負極集電体が貫通孔を持たない金属箔であり、
前記負極活物質層のリチウムイオンのドープ量が単位質量当たり１５０ｍＡｈ／ｇ以上７００ｍＡｈ／ｇ以下であり、前記負極活物質層の片面当たりの目付が５ｇ／ｍ２以上３５ｇ／ｍ２以下である、非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項２】
前記負極活物質層について、ＱＳＤＦＴ（急冷固体密度汎関数理論）によって算出した２０Å以上３５０Å以下の細孔容積が、ＱＳＤＦＴにより算出した０Å以上３５０Å以下の細孔容積の５０％以上１００％以下である、請求項１に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項３】
前記負極活物質層の平均細孔径が２ｎｍ以上２０ｎｍ以下である、請求項１又は２に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項４】
前記正極に含まれる前記リチウム化合物が、炭酸リチウムである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項５】
前記リチウム化合物の平均粒子径をＸ１とするとき、０．１μｍ≦Ｘ１≦１０μｍであり、前記正極活物質の平均粒子径をＹ１とするとき、２μｍ≦Ｙ１≦２０μｍであり、かつＸ１＜Ｙ１である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月23日(2019.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質以外のリチウム化合物を含む少なくとも１つの正極と、少なくとも１つの負極と、少なくとも１つのセパレータとを含み、かつ前記正極と前記負極を前記セパレータを介して扁平型に捲回して成る扁平捲回電極体；及び
リチウムイオンを含む非水系電解液；
を含む非水系リチウム蓄電素子であって、
前記正極の正極集電体上に、前記活物質及び前記リチウム化合物から成る少なくとも１つの正極活物質層が塗布されており、
前記負極の負極集電体上に、前記リチウムイオンを吸蔵及び放出可能な負極活物質から成る少なくとも１つの負極活物質層が塗布されており、かつ
前記負極のうちで前記扁平捲回電極体の最外層に配置された負極において、前記正極活物質層と対向している負極活物質層の曲部におけるリチウムイオン濃度をＡｘ１（質量％）とし、かつ該負極活物質層の扁平部におけるリチウムイオン濃度をＡｙ１（質量％）とするとき、Ａｘ１／Ａｙ１が０．２５以上０．９５以下である、
前記非水系リチウム蓄電素子。
【請求項２】
前記曲部における前記負極活物質層の厚みをＴｘとし、前記扁平部における前記負極活物質層の厚みをＴｙとするとき、Ｔｘ／Ｔｙが０．８６以上０．９８以下である、請求項１に記載の非水系リチウム蓄電素子。
【請求項３】
前記曲部における前記負極活物質の重量をＡｘ２（ｇ／ｍ２）、前記扁平部における前記負極活物質の重量をＡｙ２（ｇ／ｍ２）とするとき、Ａｘ２／Ａｙ２が０．８５以上１．１５以下である、請求項１又は２に記載の非水系リチウム蓄電素子。
【請求項４】
前記リチウム化合物が、炭酸リチウム、酸化リチウム、又は水酸化リチウムであり、かつ
前記負極活物質層の前記曲部と対向する前記正極活物質層に含まれる前記リチウム化合物の量をＣｘ１（ｇ／ｍ２）とし、前記負極活物質層の前記扁平部と対向する前記正極活物質層に含まれる前記リチウム化合物の量をＣｙ１（ｇ／ｍ２）とするとき、Ｃｘ１及びＣｙ１はそれぞれ０．１以上２０以下であり、かつＣｙ１／Ｃｘ１が０．２５以上０．９５以下である、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の非水系リチウム蓄電素子。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月29日(2019.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質以外のリチウム化合物を含む正極、負極、セパレータ、リチウムイオンを含む非水系電解液からなる非水系リチウム型蓄電素子であって、
前記正極は正極集電体を有し、前記集電体上に活物質及びリチウム化合物からなる正極活物質層が設けられ、かつ、前記負極は負極集電体上にリチウムイオンを吸蔵放出可能な活物質を含み、さらに、
前記正極と前記負極はセパレータを介して捲回した電極捲回体からなり、加えて、
前記負極は、前記セパレータを介在して、前記正極と前記負極とが対向する対向部と、
前記セパレータを介在して、対向する前記正極が存在しない非対向部を有し、そして、
下記式（１）〜（３）の中から選択される化合物の、
前記非対向部における活物質単位質量当たりの含有量をＸとし、前記対向部における活物質単位質量当たりの含有量をＹ、
としたとき、Ｘ／Ｙ＜０．８０であることを特徴とする非水系リチウム型蓄電素子。
【化１】
2018056438.tif 000001
｛式（１）中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルキレン基、炭素数１〜４のハロゲン化アルキレン基であり、Ｘ１、Ｘ２はそれぞれ独立に−（ＣＯＯ）ｎ（ここで、ｎは０又は１である。）である。｝
【化２】
2018056438.tif 000002
｛式（２）中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルキレン基、炭素数１〜４のハロゲン化アルキレン基であり、Ｒ２は水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のモノ若しくはポリヒドロキシアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のモノ又はポリヒドロキシアルケニル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、又はアリール基であり、Ｘ１、Ｘ２はそれぞれ独立に−（ＣＯＯ）ｎ（ここで、ｎは０又は１である。）である。｝
【化３】
2018056438.tif 000003
｛式（３）中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルキレン基、炭素数１〜４のハロゲン化アルキレン基であり、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ独立に水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のモノ若しくはポリヒドロキシアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のモノ又はポリヒドロキシアルケニル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、又はアリール基であり、Ｘ１、Ｘ２はそれぞれ独立に−（ＣＯＯ）ｎ（ここで、ｎは０又は１である。）である。｝
【請求項２】
前記対向部の負極の膜厚に対する前記非対向部の負極の膜厚の比が、０．８０以上０．９５以下である、請求項１に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項３】
前記リチウム化合物は、炭酸リチウム、酸化リチウム、及び水酸化リチウムからなる群から選択される少なくとも一種のリチウム化合物である、請求項１又は２に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項４】
前記負極活物質層の固体７Ｌｉ−ＮＭＲスペクトルにおいて、４ｐｐｍ〜３０ｐｐｍの間にピークの最大値を有し、４ｐｐｍ〜３０ｐｐｍに観測されるピークの面積より計算されるリチウム量が、前記リチウムイオンを吸蔵した負極活物質層の単位質量当たり０．１ｍｍｏｌ／ｇ以上１０ｍｍｏｌ／ｇ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項５】
前記負極活物質層の単位体積当たりのＢＥＴ比表面積が、１ｍ２／ｃｃ以上５０ｍ２／ｃｃ以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項６】
前記正極が、前記正極活物質層の全質量を基準として、正極活物質以外のリチウム化合物を１質量％以上５０質量％以下含有し、かつ、前記非水系電解液のＡｌ濃度が、１ｐｐｍ以上３００ｐｐｍ以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月26日(2018.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出用画像表示装置により検出用画像が表示された画像表示面を、撮像装置により撮像して取得した画像に基づいて、対象物が前記画像表示面に接触しているか否かを判断する画像認識装置であって、
前記撮像装置が取得した前記画像に基づいて、前記検出用画像表示装置と前記画像表示面との間に対象物が位置したときに前記対象物によって前記検出用画像表示装置からの光が遮られることで前記画像表示面上に生じる消失部と、前記撮像装置と前記検出用画像表示装置の位置関係から決定され、かつ、前記消失部を通るエピポーラ線上にあって、前記対象物上に表示される前記検出用画像と、の距離を検知し、検知結果に基づいて前記対象物が前記画像表示面に接触しているか否かを判断する画像処理部を有することを特徴とする画像認識装置。
【請求項２】
前記検出用画像の鉛直方向上側の端を形成する光線群を含む面を第１仮想面、前記検出用画像の鉛直方向下側の端を形成する光線群を含む面を第２仮想面、前記画像表示面と前記検出用画像表示装置との間に位置し、前記第１仮想面と前記第２仮想面とに挟まれた領域を第１象限、前記第１象限の鉛直方向上側に位置する領域を第２象限、前記第１象限の鉛直方向下側に位置する領域を第３象限としたとき、前記第２象限または前記第３象限に前記撮像装置が配置されている請求項１に記載の画像認識装置。
【請求項３】
前記検出用画像は、前記エピポーラ線に交差する線状パターンを有している請求項２に記載の画像認識装置。
【請求項４】
前記撮像装置は、前記第２象限に配置され、
前記第１仮想面および前記第２仮想面は、共に、前記画像表示面側が前記検出用画像表示装置側よりも下方に位置するように傾斜している請求項２または３に記載の画像認識装置。
【請求項５】
前記撮像装置は、前記第３象限に配置され、
前記第１仮想面および前記第２仮想面は、共に、前記画像表示面側が前記検出用画像表示装置側よりも上方に位置するように傾斜している請求項２または３に記載の画像認識装置。
【請求項６】
前記線状パターンの前記消失部によって消失した消失部分は、前記対象物上に表示され、
前記画像処理部は、前記消失部分の前記対象物が無い場合に表示されている位置と、前記対象物上に表示されている実際の位置と、の前記エピポーラ線に沿った距離を検出する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の画像認識装置。
【請求項７】
前記画像処理部は、前記消失部の形状に基づいて、前記対象物の先端部の位置を推定する位置推定部を有している請求項１ないし６のいずれか１項に記載の画像認識装置。
【請求項８】
前記検出用画像は、前記エピポーラ線に交差して延在し、互いにパターンが異なる第１線状パターンおよび第２線状パターンを有し、
前記第１線状パターンおよび前記第２線状パターンが前記エピポーラ線の延在方向に沿って交互に並んで配置されている請求項１ないし７のいずれか１項に記載の画像認識装置。
【請求項９】
前記検出用画像は、前記撮像装置から近い側に位置する第１領域と、前記第１領域よりも前記撮像装置から遠い側に位置する第２領域と、を有し、
前記第１領域には前記エピポーラ線に沿って延在する線状パターンが配置され、前記第２領域には前記エピポーラ線に交差する線状パターンが配置されている請求項１ないし７のいずれか１項に記載の画像認識装置。
【請求項１０】
検出用画像表示装置により検出用画像が表示された画像表示面を、撮像装置により撮像して取得した画像に基づいて、対象物が前記画像表示面に接触しているか否かを判断する画像認識方法であって、
前記撮像装置が取得した前記画像に基づいて、前記検出用画像表示装置と前記画像表示面との間に対象物が位置したときに前記対象物によって前記検出用画像表示装置からの光が遮られることで前記画像表示面上に生じる消失部と、前記撮像装置と前記検出用画像表示装置の位置関係から決定され、かつ、前記消失部を通るエピポーラ線上にあって、前記対象物上に表示される前記検出用画像と、の距離を検知し、検知結果に基づいて前記対象物が前記画像表示面に接触しているか否かを判断する判断ステップを有することを特徴とする画像認識方法。
【請求項１１】
前記検出用画像の鉛直方向上側の端を形成する光線群を含む面を第１仮想面、前記検出用画像の鉛直方向下側の端を形成する光線群を含む面を第２仮想面、前記画像表示面と前記検出用画像表示装置との間に位置し、前記第１仮想面と前記第２仮想面とに挟まれた領域を第１象限、前記第１象限の鉛直方向上側に位置する領域を第２象限、前記第１象限の鉛直方向下側に位置する領域を第３象限としたとき、前記第２象限または前記第３象限に前記撮像装置が配置されている請求項１０に記載の画像認識方法。
【請求項１２】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の画像認識装置と、
前記検出用画像表示装置と、
前記撮像装置と、を有することを特徴とする画像認識ユニット。
【請求項１３】
前記画像表示面に画像を表示する画像表示装置を有する請求項１２に記載の画像認識ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月16日(2019.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の方向から物体を撮像して得られる画像を基に前記物体の３次元形状を算出する制御装置であって、
前記複数の方向それぞれについて、撮像手段と投影手段とを制御することによって、所定の方向に光量が周期的に変化するパターン光が照射された前記物体を撮像して得られる画像と、前記所定の方向に光量が周期的に変化し、前記パターン光と位相差を有するパターン光が照射された前記物体を前記複数の方向から撮像して得られる画像と、を含む画像群を取得する第１取得手段と、
前記複数の方向それぞれについて、前記撮像手段と前記投影手段とを制御することによって、前記パターン光に含まれる複数の周期のうち少なくとも１つの周期の位置を識別可能とするパターン光が照射された前記物体を撮像して得られる１つの画像を取得する第２取得手段と、
前記複数の方向それぞれについての前記画像群及び前記１つの画像に基づいて、前記物体の３次元形状を算出する算出手段と、
を有することを特徴とする制御装置。
【請求項２】
前記所定の方向に光量が周期的に変化するパターン光は、縞パターンの光であって、
前記少なくとも１つの周期の位置を識別可能とするパターン光は、エッジ強度が所定値以上のエッジ部を、前記縞パターンの前記少なくとも１つの周期内において前記縞パターンの縞に平行して設けるように作成されることを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの周期の位置を識別可能とするパターン光の前記エッジ部は、前記縞パターンの縞の周期が切り替わる切り替え部以外の位置に存在することを特徴とする請求項２に記載の制御装置。
【請求項４】
前記複数の方向それぞれについて、前記画像群に基づいて、各画素に位相値を有する位相画像を生成する第１生成手段と、
前記複数の方向それぞれについて、前記１つの画像と前記位相画像とに基づいて、前記位相画像の各画素における周期識別番号を示す周期識別画像を生成する第２生成手段と、
前記複数の方向それぞれについて、前記周期識別画像を用いて前記位相画像の位相接続を行うことにより、接続位相画像を生成する第３生成手段と、をさらに有し、
前記算出手段は、前記複数の方向それぞれの前記接続位相画像に基づいて、前記物体の３次元形状を算出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項５】
前記第２生成手段は、前記複数の方向それぞれについて、前記１つの画像に基づいて前記少なくとも１つの周期の位置を抽出し、抽出した前記少なくとも１つの周期の位置に対応する前記位相画像の周期識別番号が、前記複数の方向の間で共通な所定番号になるように前記周期識別画像を生成することを特徴とする請求項４に記載の制御装置。
【請求項６】
前記第２生成手段は、前記複数の方向それぞれについて、前記１つの画像に基づいて２値化画像を生成し、前記２値化画像に基づいて前記少なくとも１つの周期の位置を抽出することを特徴とする請求項５に記載の制御装置。
【請求項７】
前記第１取得手段は、前記所定の方向に光量が周期的に変化する前記パターン光の投影ごとに、複数の露出条件で前記物体を前記複数の方向から撮像するよう前記撮像手段を制御し、
前記第２取得手段は、前記少なくとも１つの周期の位置を識別可能とするパターン光の投影において、１つの露出条件で前記物体を前記複数の方向から撮像するよう前記撮像手段を制御することを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項８】
前記複数の方向それぞれについて、前記所定の方向に光量が周期的に変化する前記パターン光の投影ごとに、前記複数の露出条件における撮像により得られる複数の画像を合成して、合成画像を生成する合成手段をさらに有し、
前記第１生成手段は、前記合成画像に基づいて前記位相画像を生成することを特徴とする請求項７に記載の制御装置。
【請求項９】
前記算出手段は、
前記接続位相画像に基づいて、前記複数の方向において前記接続位相画像の位相値が同じとなる対応点を探索する対応点探索手段と、
前記対応点探索手段により探索された前記対応点に基づいて、三角測量の原理により前記物体の３次元形状を算出する三角測量手段と
をさらに有することを特徴とする請求項４乃至８のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項１０】
前記所定の方向に光量が周期的に変化する前記パターン光は、輝度が正弦波状に変化する縞状のパターン光であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項１１】
複数の方向から物体を撮像して得られる画像を基に前記物体の３次元形状を算出する制御方法であって、
前記複数の方向それぞれについて、撮像手段と投影手段とを制御することによって、所定の方向に光量が周期的に変化するパターン光が照射された前記物体を撮像して得られる画像と、前記所定の方向に光量が周期的に変化し、前記パターン光と位相差を有するパターン光が照射された前記物体を前記複数の方向から撮像して得られる画像と、を含む画像群を取得する第１取得ステップと、
前記複数の方向それぞれについて、前記撮像手段と前記投影手段とを制御することによって、前記パターン光に含まれる複数の周期のうち少なくとも１つの周期の位置を識別可能とするパターン光が照射された前記物体を撮像して得られる１つの画像を取得する第２取得ステップと、
前記複数の方向それぞれについての前記画像群及び前記１つの画像に基づいて、前記物体の３次元形状を算出する算出ステップと、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１２】
コンピュータを請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の制御装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】制御装置、制御方法およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、複数の方向から物体を撮像して得られる画像を基に前記物体の３次元形状を算出する制御装置であって、前記複数の方向それぞれについて、撮像手段と投影手段とを制御することによって、所定の方向に光量が周期的に変化するパターン光が照射された前記物体を撮像して得られる画像と、前記所定の方向に光量が周期的に変化し、前記パターン光と位相差を有するパターン光が照射された前記物体を前記複数の方向から撮像して得られる画像と、を含む画像群を取得する第１取得手段と、前記複数の方向それぞれについて、前記撮像手段と前記投影手段とを制御することによって、前記パターン光に含まれる複数の周期のうち少なくとも１つの周期の位置を識別可能とするパターン光が照射された前記物体を撮像して得られる１つの画像を取得する第２取得手段と、前記複数の方向それぞれについての前記画像群及び前記１つの画像に基づいて、前記物体の３次元形状を算出する算出手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月20日(2019.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記一般式（１）で表される化合物が、ルリコナゾール又はラノコナゾールである、請求項１に記載の評価方法。
【化２】
2017181387.tif 000001
【化３】
2017181387.tif 000002
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【化３】
2017181387.tif 000003
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【化６】
2017181387.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月14日(2019.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定対象物に対する距離または測定対象物の変位を測定する複数の変位計と接続され、前記複数の変位計を制御するコンピュータにおいて実行されるプログラムであって、
前記コンピュータに、各変位計の測定結果をモニターするためのモニター画面を作成する作成手段として機能させ、
前記作成手段は、
前記測定対象物の画像をインポートするインポート手段と、
前記測定対象物の画像に対して、各変位計の測定結果に関する情報を表示するための表示オブジェクトを配置する配置手段
を有し、
前記表示オブジェクトには複数の測定結果と公差との比較から判定される複数の測定結果の合否を論理演算して得られる前記測定対象物の合否を表示する表示オブジェクトが含まれていることを特徴とするプログラム。
【請求項２】
前記モニター画面を用いて各変位計の測定結果をモニターするときには、
前記モニター画面を作成するときに配置された前記測定対象物の合否を表示する表示オブジェクトを前記測定対象物の画像と共に表示させる表示手段
をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のプログラム。
【請求項３】
各変位計の測定結果を表示する表示オブジェクトは、
前記測定結果である測定値と、前記測定値に対する公差とを示すバーグラフ
を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のプログラム。
【請求項４】
前記測定値と公差とを演算することで演算結果を取得する演算手段と、
前記演算結果に基づき前記測定対象物の合否を判定する判定手段と
をさらに有することを特徴とする請求項３に記載のプログラム。
【請求項５】
各変位計の測定結果を表示する前記表示オブジェクトと前記測定対象物の画像とを含む第一モニター画面と、前記測定対象物の画像を含まない、各変位計の測定結果をリスト表示する第二モニター画面とを切り替える切り替え手段をさらに有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載のプログラム。
【請求項６】
前記作成手段は、
ユーザにより入力される変更指示に応じて前記表示オブジェクトの配置を変更する配置変更手段をさらに有することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載のプログラム。
【請求項７】
前記作成手段は、前記モニター画面を構成する前記測定対象物の画像と、前記表示オブジェクトの位置とを示す設定ファイルを作成することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載のプログラム。
【請求項８】
各変位計は、
前記測定対象物に接触するヘッドと、
前記ヘッドにより測定された前記測定対象物の変位を示す電気信号を前記コンピュータに送信する送信手段と
をさらに有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載のプログラム。
【請求項９】
前記作成手段は、
前記ヘッドから取得した識別情報と、前記表示オブジェクトの識別情報とを関連付けて記憶手段に記憶させることを特徴とする請求項８に記載のプログラム。
【請求項１０】
前記配置手段は、
前記測定対象物の画像に対して、各変位計の測定箇所を示す表示オブジェクトを配置することを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載のプログラム。
【請求項１１】
前記測定箇所を示す表示オブジェクトは引き出し線であることを特徴とする請求項１０に記載のプログラム。
【請求項１２】
前記配置手段は、複数の変位計により取得された複数の測定値に対して所定の演算を施して得られる演算結果を表示する表示オブジェクトを前記測定対象物の画像に対してさらに配置することを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか一項に記載のプログラム。
【請求項１３】
前記モニター画面の作成モードから前記測定対象物の検査を実行する検査モードに切り替えられると、各変位計の測定結果を前記表示オブジェクトにレンダリングすることで前記モニター画面を表示装置に表示するレンダリング手段として前記コンピュータを機能させることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか一項に記載のプログラム。
【請求項１４】
測定対象物に対する距離または前記測定対象物の変位を電気信号に変換するヘッドと、
前記ヘッドに接続され前記電気信号を伝達する信号線と、
前記電気信号を第一通信規格の通信信号に変換する中継手段と、
前記中継手段をコンピュータに接続するコネクタと、
を有する複数の変位計と、前記複数の変位計を制御する前記コンピュータとを有する変位計システムにおいて、
前記コンピュータに、各変位計の測定結果をモニターするためのモニター画面を作成する作成手段として機能させ、
前記作成手段は、
前記測定対象物の画像をインポートするインポート手段と、
前記測定対象物の画像に対して、各変位計の測定結果に関する情報を表示するための表示オブジェクトを配置する配置手段
を有し、
前記表示オブジェクトには複数の測定結果と公差との比較から判定される複数の測定結果の合否を論理演算して得られる前記測定対象物の合否を表示する表示オブジェクトが含まれていることを特徴とする変位計システム。
【請求項１５】
測定対象物に対する距離または測定対象物の変位を測定する複数の変位計と接続され、前記複数の変位計を制御するコンピュータにおいて実行される変位測定方法であって、
前記コンピュータに、各変位計の測定結果をモニターするためのモニター画面を作成するステップを有し、当該ステップはさらに、
前記測定対象物の画像をインポートするインポートするステップと、
前記測定対象物の画像に対して、各変位計の測定結果に関する情報を表示するための表示オブジェクトを配置するステップと、
を有し、
前記表示オブジェクトには複数の測定結果と公差との比較から判定される複数の測定結果の合否を論理演算して得られる前記測定対象物の合否を表示する表示オブジェクトが含まれていることを特徴とする変位測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月7日(2019.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
風車ブレードのブレード本体の先端部に設けた落雷を受けるレセプタと、
前記レセプタに接続されたダウンコンダクタと、
前記落雷により一時的に発生する落雷電流を検出する電流検出手段と、
前記レセプタとローターヘッドハブの間の前記ブレード本体に設けた前記落雷により一時的に発生する振動を検出する振動検出手段と、
前記電流検出手段の検出電流と前記振動検出手段の検出振動に基づいて前記レセプタ以外への異常な前記落雷を判定する判定手段と
を備えたことを特徴とする異常落雷判定システム。
【請求項２】
前記判定手段は、前記振動検出手段で検出した前記検出振動が前記レセプタへの落雷の場合の前記検出振動と比べて有意な大きさである場合に前記落雷を異常と判定することを特徴とする請求項１に記載の異常落雷判定システム。
【請求項３】
前記判定手段は、前記振動検出手段で検出した前記検出振動の時間的変化の勾配が所定の値を超えた場合に前記落雷を異常と判定することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の異常落雷判定システム。
【請求項４】
前記判定手段は、前記電流検出手段で検出された落雷電流の立ち上がりと前記検出振動の立ち上がりの時間差に基づいて、前記ブレード本体における落雷の位置を特定することを特徴とする請求項１から請求項３のうちの１項に記載の異常落雷判定システム。
【請求項５】
前記判定手段は、前記ブレード本体の固体伝播音速に基づいて、前記落雷の位置を特定することを特徴とする請求項４に記載の異常落雷判定システム。
【請求項６】
前記ブレード本体に前記振動検出手段を設ける位置は、前記ローターヘッドハブの近傍であることを特徴とする請求項１から請求項５のうちの１項に記載の異常落雷判定システム。
【請求項７】
前記振動検出手段は、前記ブレード本体を伝播する前記振動の縦波を検出することを特徴とする請求項１から請求項６のうちの１項に記載の異常落雷判定システム。
【請求項８】
前記振動検出手段として加速度センサを用いることを特徴とする請求項１から請求項７のうちの１項に記載の異常落雷判定システム。
【請求項９】
前記振動検出手段を、前記ブレード本体に有した補強用のスパーの位置を避けて設けたことを特徴とする請求項１から請求項８のうちの１項に記載の異常落雷判定システム。
【請求項１０】
前記電流検出手段と前記振動検出手段及び／又は前記判定手段は、ＧＰＳ信号に基づいて時刻の特定を行うことを特徴とする請求項１から請求項９のうちの１項に記載の異常落雷判定システム。
【請求項１１】
前記ダウンコンダクタの振動を検出するダウンコンダクタ用振動検出手段を備え、
前記判定手段は前記ダウンコンダクタ用振動検出手段の検出ダウンコンダクタ振動を考慮して、前記レセプタ以外への異常な前記落雷を判定することを特徴とする請求項１から請求項１０のうちの１項に記載の異常落雷判定システム。
【請求項１２】
ナセルの近傍に複数のマイクロホンを備え、
前記判定手段は、前記落雷のあったときの前記マイクロホンで検出される音圧の到達時間差を考慮して、前記落雷の位置の特定を補完することを特徴とする請求項４、及び請求項４を引用する請求項５から請求項１１のうちの１項に記載の異常落雷判定システム。
【請求項１３】
前記検出電流の信号と前記検出振動の信号をスピナの内側に設けた無線送信機から送信し、前記スピナ以外の遠隔箇所に設けた無線受信機で受信することを特徴とする請求項１から請求項１２のうちの１項に記載の異常落雷判定システム。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３のうちの１項に記載した異常落雷判定システムを風力発電施設に取り付けるに当り、既存の風力発電施設に後付けで少なくとも前記電流検出手段、前記振動検出手段、及び前記判定手段を取り付けることを特徴とする風力発電施設への異常落雷判定システムの取り付け方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記判定手段は、前記電流検出手段で検出された落雷電流の立ち上がりと前記検出振動の立ち上がりの時間差に基づいて、前記ブレード本体における落雷の位置を特定することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記判定手段は、前記ブレード本体の固体伝播音速に基づいて、前記落雷の位置を特定することが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、ナセルの近傍に複数のマイクロホンを備え、前記判定手段は、前記落雷のあったときの前記マイクロホンで検出される音圧の到達時間差を考慮して、前記落雷の位置の特定を補完することが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、前記判定手段は、落雷電流の立ち上がりと検出振動の立ち上がりの時間差に基づいて、前記ブレード本体における落雷の位置を特定する。落雷位置が特定されることで、損傷箇所の確認作業を速やかに行うことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、前記判定手段は、前記ブレード本体の固体伝播音速に基づいて、前記落雷の位置を特定する。落雷位置の特定に当たりブレード本体の固体伝播音速を用いることで、落雷位置を精度良く特定できる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月19日(2018.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光素子の受光面上に光学的不連続面によりピクセル化した２次元シンチレータアレイを積層し、放射線を検出したシンチレータ素子の応答を受光面上で識別可能とすることで、放射線検出位置を３次元で得るようにした積層型放射線３次元位置検出器において、
放射線入射面側の１層目のシンチレータアレイのピクセルピッチを、他のシンチレータアレイのピクセルピッチよりも小さくして、前記放射線入射面側の１層目のシンチレータアレイを高分解能化したことを特徴とする積層型放射線３次元位置検出器。
【請求項２】
前記１層目と２層目のシンチレータアレイの間にライトガイドを挿入して、前記１層目のシンチレータアレイで発生したシンチレーション光が前記２層目のシンチレータにも広がるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の積層型放射線３次元位置検出器。
【請求項３】
前記放射線入射面側の１層目のシンチレータアレイのピクセルピッチが、縦方向及び／又は横方向に、前記他のシンチレータアレイのピクセルピッチの２以上の自然数分の１とされていることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層型放射線３次元位置検出器。
【請求項４】
前記放射線入射面側の１層目のシンチレータアレイへの放射線入射位置が、空気層と光学接着層の配置パターンにより受光面上で識別可能とされていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の積層型放射線３次元位置検出器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明は、上記のような実験結果に基づいてなされたもので、受光素子の受光面上に光学的不連続面によりピクセル化した２次元シンチレータアレイを積層し、放射線を検出したシンチレータ素子の応答を受光面上で識別可能とすることで、放射線検出位置を３次元で得るようにした積層型放射線３次元位置検出器において、検出効率が高い放射線入射面側の１層目のシンチレータアレイのピクセルピッチを、検出効率の低い他のシンチレータアレイのピクセルピッチよりも小さくして、前記放射線入射面側の１層目のシンチレータアレイを高分解能化することにより前記課題を解決したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
ここで、前記１層目と２層目のシンチレータアレイの間にライトガイドを挿入して、前記１層目のシンチレータアレイで発生したシンチレーション光が前記２層目のシンチレータにも広がるようにすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
又、前記放射線入射面側の１層目のシンチレータアレイのピクセルピッチを、縦方向及び／又は横方向に、前記他のシンチレータアレイのピクセルピッチの２以上の自然数分の１とすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
又、前記放射線入射面側の１層目のシンチレータアレイへの放射線入射位置を、空気層と光学接着層の配置パターンにより受光面上で識別可能とすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月18日(2019.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一態様の電子機器は、
対象者の感情情報又はストレス情報、及び該感情情報又はストレス情報に対応する位置情報を取得する第１の取得手段と、
前記第１の取得手段によって取得された前記感情情報又はストレス情報と前記位置情報とに基づいて、所定の経路を検索する検索手段と、
を備え、
前記第１の取得手段は、センサから取得したセンサ情報に基づいて前記感情情報又はストレス情報を取得することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象者の感情情報又はストレス情報、及び該感情情報又はストレス情報に対応する位置情報を取得する第１の取得手段と、
前記第１の取得手段によって取得された前記感情情報又はストレス情報と前記位置情報とに基づいて、所定の経路を検索する検索手段と、
を備え、
前記第１の取得手段は、センサから取得したセンサ情報に基づいて前記感情情報又はストレス情報を取得することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記感情情報又はストレス情報、及び前記位置情報のいずれかに対応する取得タイミング情報を取得する第２の取得手段を更に備え、
前記検索手段は、前記第１の取得手段によって取得された前記感情情報又はストレス情報と、前記位置情報と、前記第２の取得手段により取得された前記取得タイミング情報とに基づいて、所定の経路を検索する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
出発地点、及び目的地点を取得する第３の取得手段と、
前記検索手段は、前記第１の取得手段によって取得された前記感情情報又はストレス情報と、前記位置情報と、出発地点、及び目的地点とに基づいて、前記所定の経路を検索する、
ことを特徴とする請求項１又は２の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項４】
前記第３の取得手段により取得される出発地点、及び目的地点に基づいて移動時間を算出する算出手段を更に備え、
前記検索手段は、前記第１の取得手段によって取得された前記感情情報又はストレス情報と、前記位置情報と、前記算出手段により算出された前記移動時間とに基づいて、前記所定の経路を検索する、
ことを特徴とする請求項３に記載の電子機器。
【請求項５】
経路に関連する情報を取得する第４の取得手段を更に備え、
前記検索手段は、前記第１の取得手段によって取得された前記感情情報又はストレス情報と、前記位置情報と、前記第４の取得手段により取得された前記経路に関連する情報とに基づいて前記経路を検索する、
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記第１の取得手段により取得された前記対象者の感情情報又はストレス情報、及び該感情情報又はストレス情報に対応する位置情報を記憶手段に記憶させる記憶制御手段を更
に備え、
前記検索手段は、前記記憶手段に記憶された前記対象者の感情情報又はストレス情報、及び該感情情報又はストレス情報に対応する位置情報に基づいて所定の経路を検索する、
ことを特徴とする請求項１乃至の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項７】
対象者の感情情報又はストレス情報、及び該感情情報又はストレス情報に対応する位置情報を取得する第１の取得ステップと、
前記第１の取得ステップによって取得された前記感情情報又はストレス情報と前記位置情報とに基づいて、所定の経路を検索する検索ステップと、
を含み、
前記第１の取得ステップは、センサから取得したセンサ情報に基づいて前記感情情報又はストレス情報を取得することを特徴とする経路検索方法。
【請求項８】
コンピュータを、
対象者の感情情報又はストレス情報、及び該感情情報又はストレス情報に対応する位置情報を取得する第１の取得手段、
前記第１の取得手段によって取得された前記感情情報又はストレス情報と前記位置情報とに基づいて、所定の経路を検索する検索手段、
として機能させ、
前記第１の取得手段は、センサから取得したセンサ情報に基づいて前記感情情報又はストレス情報を取得することを特徴とするプログラム。