【手続補正書】
【提出日】平成31年2月1日(2019.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体性単層カーボンナノチューブを製造する方法であって、
（ｎ、ｍ）ナノチューブシード及び非（ｎ、ｍ）ナノチューブシードを含む複数の半導体性ナノチューブシードに、第１の波長を有する第１のレーザービーム及び前記第１の波長とは異なる第２の波長を有する第２のレーザービームを照射することと、
前記（ｎ、ｍ）ナノチューブシードを、カーボンナノチューブ成長様式へと選択的に加熱することを含み、
前記第１の波長は（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブの吸収極大に対応し、
前記第２の波長は前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス発光周波数に対応する、方法。
【請求項２】
前記非（ｎ、ｍ）ナノチューブシードは、前記カーボンナノチューブ成長様式へと加熱されない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記（ｎ、ｍ）ナノチューブシードは、少なくとも摂氏５０度だけ、前記（ｎ、ｍ）ナノチューブシードの温度を増加させるように選択的に加熱される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記（ｎ、ｍ）ナノチューブシードから複数の（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブを形成することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブは、前記方法によって形成された前記カーボンナノチューブの質量の少なくとも９０％を占める、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブは、前記方法によって形成された前記カーボンナノチューブの質量の少なくとも９５％を占める、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記非（ｎ、ｍ）ナノチューブシードから前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブを分離させることを更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
半導体性単層カーボンナノチューブを製造する方法であって、
（ｎ、ｍ）ナノチューブシード及び非（ｎ、ｍ）ナノチューブシードを含む複数の半導体性ナノチューブシードに、第１の波長を有する第１のレーザービーム及び前記第１の波長とは異なる第２の波長を有する第２のレーザービームを照射することと、
前記（ｎ、ｍ）ナノチューブシードから複数の（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブを形成することと、
前記非（ｎ、ｍ）ナノチューブシードから複数の非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブを形成することと、
前記複数の（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブと前記複数の非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブに、第３の波長を有する第３のレーザービーム及び前記第３の波長とは異なる第４の波長を有する第４のレーザービームを照射することと、
前記非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブを、カーボンナノチューブ劣化様式へと選択的に加熱することを含み、
前記第１の波長は（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブの吸収極大に対応し、
前記第２の波長は前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス発光周波数に対応し、
前記第３の波長は前記非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブの吸収極大に対応し、
前記第４の波長は前記非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス発光周波数に対応する、方法。
【請求項９】
前記非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブから、及び／又は前記非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブの１以上の分解生成物から、前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブを分離させることを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
半導体性単層カーボンナノチューブを製造する方法であって、
（ｎ、ｍ）ナノチューブシード及び非（ｎ、ｍ）ナノチューブシードを含む複数の半導体性ナノチューブシードに、第１の波長を有する第１のレーザービーム及び前記第１の波長とは異なる第２の波長を有する第２のレーザービームを照射することと、
前記（ｎ、ｍ）ナノチューブシードを、上側成長閾値温度より高い温度に非成長様式へと選択的に加熱することと、
前記非（ｎ、ｍ）ナノチューブシードから複数の非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブを、前記非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブの成長様式内で成長させることを含み、
前記第１の波長は（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブの吸収極大に対応し、
前記第２の波長は前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス発光周波数に対応し、
前記非（ｎ、ｍ）ナノチューブシードは、前記上側成長閾値温度より高い温度へと加熱されない、方法。
【請求項１１】
カーボンナノチューブの集団を精製する方法であって、
半導体性（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブ及び非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブの集団に、第１の波長を有する第１のレーザービーム及び前記第１の波長とは異なる第２の波長を有する第２のレーザービームを照射することと、
前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブを、カーボンナノチューブ劣化様式へと選択的に加熱することと、
前記非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブをカーボンナノチューブ成長様式で成長させることを含み、
前記カーボンナノチューブは、カーボンナノチューブシードから成長されたものであり、
前記第１の波長は前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブの吸収極大に対応し、
前記第２の波長は前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス発光周波数に対応し、
前記非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブは、前記カーボンナノチューブ劣化様式へと加熱されないが、代わりに前記カーボンナノチューブ成長様式に収まる、方法。
【請求項１２】
前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブは、少なくとも摂氏５０度だけ、前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブの温度を増加させるように選択的に加熱される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブの質量の少なくとも６０％が、劣化され又は分解される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブの質量の少なくとも７５％が、劣化され又は分解される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブから、及び／又は前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブの１以上の分解生成物から、前記非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブを分離させることを更に含む、請求項１１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記フォトルミネッセンス発光周波数が、フォトルミネッセンス発光ピークを有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブを選択的に加熱することが、前記非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブによって吸収されるか又は前記非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブに適用される残余熱を生じ、前記残余熱は、前記非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブの温度を前記カーボンナノチューブ劣化様式へと上昇させるには不十分である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記選択的に加熱することの後に、前記（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブから、残余（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブを分離させることを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
カーボンナノチューブの集団を精製する方法であって、
半導体性の第１の（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブ、第２の（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブ及び非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブの集団に、第１の波長を有する第１のレーザービーム、第２の波長を有する第２のレーザービーム、第３の波長を有する第３のレーザービーム、及び第４の波長を有する第４のレーザービームを照射することと、
前記第１の（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブを、カーボンナノチューブ劣化様式へと選択的に加熱することと、
前記非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブをカーボンナノチューブ成長様式で成長させることを含み、
前記カーボンナノチューブは、カーボンナノチューブシードから成長されたものであり、
前記第１の（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブと前記第２の（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブは、異なる（ｎ、ｍ）値のセットを有し、
前記第１の波長は前記第１の（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブの吸収極大に対応し、
前記第２の波長は前記第１の（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス発光周波数に対応し、
前記第２の波長は、前記第１の波長と異なり、
前記第３の波長は前記第２の（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブの吸収極大に対応し、
前記第４の波長は前記第２の（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス発光周波数に対応し、
前記第４の波長は、前記第３の波長と異なり、
前記非（ｎ、ｍ）カーボンナノチューブは、前記カーボンナノチューブ劣化様式へと加熱されないが、代わりに前記カーボンナノチューブ成長様式に収まる、方法。