【事件の表示】
　特願２０１９−　９４７４０「接続体，接続体の製造方法，接続方法」拒絶査定不服審判事件〔令和　１年　８月２２日出願公開，特開２０１９−１４０４１３〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２６年１月１６日に出願した特願２０１４−６２８５号の一部を令和元年５月２０日に新たな特許出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和２年　３月１２日付け：拒絶理由通知書
　令和２年　７月１４日　　：意見書，手続補正書の提出
　令和２年１２月　７日付け：拒絶査定
　令和３年　３月１５日　　：審判請求書，手続補正書の提出
第２　令和３年３月１５日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和３年３月１５日にされた手続補正（以下，「本願補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本願補正について（補正の内容）
（１）本願補正後の特許請求の範囲の記載
　本願補正により，特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおり補正された（当審注：下線部は，補正箇所である。）。
　「【請求項１】
　回路基板上に異方性導電接着剤を介して電子部品が接続された接続体において，
　上記異方性導電接着剤は，導電性粒子が規則的に配置され，
　上記導電性粒子の粒子径が，上記電子部品の接続電極の高さの１／２以下であり，
　
上記異方性導電接着剤は，上記電子部品の接続時において流動性を示し，上記導電性粒子が上記回路基板に形成された端子部と上記電子部品に形成された接続電極に挟持されるとともに上記電子部品の接続電極間に分散され，
　上記電子部品の接続電極の配列方向に亘る断面視において，上記電子部品の接続電極間における導電性粒子数は，最大で１〜４である接続体。」
（２）本願補正前の特許請求の範囲
　本願補正前の，令和２年７月１４日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
　「【請求項１】
　回路基板上に異方性導電接着剤を介して電子部品が接続された接続体において，
　上記異方性導電接着剤は，導電性粒子が規則的に配置され，
　上記導電性粒子の粒子径が，上記電子部品の接続電極の高さの１／２以下であり，
　上記電子部品の接続電極の配列方向に亘る断面視において，上記電子部品の接続電極間における導電性粒子数は，最大で１〜４である接続体。」
２　補正の適否
　本願補正は，本願補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「異方性導電接着剤」及び「導電性粒子」について，前記のとおり限定するものであって，補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから，特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本願補正後の請求項１に記載される発明（以下，「本願補正発明」という。）が同条６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について，以下，検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は，前記１（１）に記載したとおりのものである。
（２）引用文献の記載事項
ア　原査定の拒絶の理由で引用された，本願の原出願の出願日前に頒布された特開２００８−２１０９０８号公報（平成２０年９月１１日出願公開。以下，「引用文献１」という。）には，次の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。以下、同様である。）。
　「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は，電子部品の実装方法に関するものである
　「【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　しかしながら，従来の実装方法では，２層構造の異方性導電膜が有する異方導電性能を十分に発揮させ難い場合があることが判明した。これは以下の理由によるものと考えられる。
【０００９】
　すなわち，異方導電性能の安定性を高める観点から，導電性粒子は，圧着前後でほとんど流動しないことが好ましい。これを実現するためには，２層構造の異方性導電膜では，導電性粒子を含む接着層材料に，高い溶融粘度を有する材料を用いることになる。」
　「【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
　以下，
本実施形態に係る電子部品の実装方法（以下，「本実装方法」ということがある。）について詳細に説明する
【００３１】
　
本実装方法は，異方性導電膜を用いて電子部品を実装する方法である。本製造方法は，具体的には，例えば，回路パターンが形成された配線基板上に，異方性導電膜を介して，ＩＣチップやＴＡＢなどの電子部品を実装する場合などに好適に適用することができる
【００３２】
　本実装方法では，２層構造の異方性導電膜を用いる。この異方性導電膜は，多数の導電性粒子を有する第１の接着層と，第１の接着層の片面に積層された第２の接着層とを備えている。なお，実装時には，第２の接着層側が電子部品側となるように配置される。
・・・
【００３６】
　また，仮圧着時の加熱温度において，第１の接着層材料の溶融粘度は，第２の接着層材料の溶融粘度より大きいことが好ましい。仮圧着時の熱により，第１の接着層を流れ難くする，または，ほんど流れないようにして，導電性粒子の捕捉性を向上させやすくすることができるなどの利点があるからである。
【００３７】
　なお，上記溶融粘度は，材料が硬化するものは硬化する前の状態における粘度である。
・・・
【００４６】
　本実装方法に適用される異方性導電膜は，第１の接着層が，多数の導電性粒子を有している。
【００４７】
　
図１に例示した異方性導電膜１０のように，多数の導電性粒子１２は，互いに離間され，規則的に配列された状態で，第１の接着層１４に保持されていても良い
【００４８】
　本実装方法に用いる異方性導電膜としては，本実装方法による効果と相まって，接続信頼性を向上させることができるなどの観点から，図１に例示した異方性導電膜が好適である。以下，この図１に例示した異方性導電膜について主に説明する。
【００４９】
　
上記規則的な配列としては，具体的には，例えば，格子状，千鳥状，ハニカム状などの配列，これら配列を傾斜させたものなどを例示することができる。好ましくは，千鳥状配列，傾斜をつけた千鳥状配列などである
【００５０】
　また，多数の導電性粒子は，ほぼ同一平面（第１の接着層面とほぼ平行な面）内に存在すると良い。この場合には，厚み方向に複数の導電性粒子が積み重ならない。そのため，厚み方向の導通に，導電性粒子同士の接触抵抗が関与せず，導通性能を向上させやすくなるからである。また，圧着時に積み重なった導電性粒子が，電子部品の導体と配線基板の配線パターンとの間から弾き出され，膜面方向の絶縁性を悪化させる心配も無くなるからである。」
　「【実施例】
【００９８】
　以下，実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
【００９９】
１．
異方性導電膜の準備
　初めに，本実装方法に適用するための異方性導電膜を，以下の手順により準備した。
【０１００】
　すなわち，アルコール可溶ポリアミド系樹脂２３．３９重量部と，フェノキシ系樹脂（東都化成（株）製，「ＥＦＲ−００１０Ｍ３０」）２５．１６重量部と，エポキシ系樹脂（東都化成（株）製，「ＦＸ２８９ＥＫ７５」）４．９重量部と，エポキシ系樹脂（東都化成（株）製，「ＦＸ３０５ＥＫ７０」）２．６７重量部と，メラミン系樹脂（三和ケミカル（株）製，「ニカラックＭＸ−７５０」）１．３７重量部と，硬化剤（四国化成（株）製，「Ｃ１１Ｚ」）０．３８重量部と，硬化剤（三菱ガス化学（株）製，「Ｆ−ＴＭＡ」）０．５７重量部と，メタノール２４．２６重量部と，トルエン４８．０５重量部と，メチルセロソルブ６９．２重量部とを混合し，第１の接着層形成溶液を調製した。
【０１０１】
　次いで，コンマコーターを用い，連続的に供給される基材（ポリエチレンテレフタレート，厚み３８μｍ，リンテック（株）製「ＰＥＴ３８Ｘ」）の離型面に，上記第１の接着層形成溶液を塗工した。
【０１０２】
　次いで，この塗工層を１６０℃で９０秒間乾燥させ，ポリアミド系樹脂とフェノキシ系樹脂とを主成分とする樹脂よりなる平膜（厚み２μｍ）を形成した。その後，この平膜の表面に，基材（ポリエチレンテレフタレート，厚み７５μｍ，リンテック（株）製，「ＰＥＴ７５Ｃ」）の離型面を合わせて巻き取った。
【０１０３】
　これにより，
離型性を有する基材間に挟持された，ポリアミド系樹脂とフェノキシ系樹脂とを主成分とする樹脂製の平膜を用意した
【０１０４】
　
次に，千鳥状に配列された多数の凹部（開口径５μｍ，凹深さ３．５μｍの略円柱状，ピッチ＝隣接する開口部の中心間の距離１０μｍ）を有するＮｉ電鋳型を用意した
【０１０５】
　
次いで，ジビニルベンゼン系架橋樹脂よりなる粒子の表面に，Ｎｉめっき層，Ａｕめっき層が順に被覆された，平均粒径４μｍの樹脂めっき粒子
を，上記Ｎｉ電鋳型の凹面上に広げた
【０１０６】
　次いで，凹面と反対側に設置した永久磁石（（株）西興産業製，フェライト磁石，１０００ガウス）にて，樹脂めっき粒子を型に引きつけつつ，刷毛にて表面を擦り切り，凹部内に樹脂めっき粒子を導入した。
【０１０７】
　なお，凹部が形成されていない型表面に付着していた樹脂めっき粒子や，凹部に導入された樹脂めっき粒子に静電気力などで付着していた樹脂めっき粒子は，表面の擦り切りや，微粘着テープ（（株）きもと製，「ビエーフルＥＰ５０」）を用いることで除去した。
【０１０８】
　
これにより，凹部一つにつき一つずつ樹脂めっき粒子を保持させたＮｉ電鋳型を用意した
【０１０９】
　
そして，一方の基材を剥離して露出させた平膜の表面と，Ｎｉ電鋳型の樹脂めっき粒子の保持面とを重ね合わせ，これを，温度１２０℃，加圧力０．１ＭＰａ，加熱加圧時間６０秒の条件で，熱ラミネートし，室温まで冷却した後，当該型を取り除いた
【０１１０】
　
これにより，Ｎｉ電鋳型の凹部に保持させた多数の樹脂めっき粒子を，上記平膜表面に転写した
転写後の平膜表面上には，多数の樹脂めっき粒子が，互いに離間された状態で，約８°傾けられた千鳥状に規則的に配列されていた
【０１１１】
　
次に，上記転写後の平膜表面に基材
の離型面を重ね，これを，温度１４０℃，加圧力０．１ＭＰａ，加熱加圧時間６０秒の条件で，熱ラミネートした
【０１１２】
　
これにより，転写された樹脂めっき粒子を，その規則的な配列を維持したまま平膜内に埋め込んで当該膜に保持させた
【０１１３】
　
以上により，互いに離間されて規則的に配列された多数の樹脂めっき粒子を保持する第１の接着層を形成した
【０１１４】
　次に，ジシクロペンタジエン型エポキシ系樹脂（大日本インキ（株）製，「エピクロンＨＰ７２００ＨＨ」）９０重量部と，ニトリルゴム（ＮＢＲ）（日本ゼオン（株）製，「ニポール１０７２Ｊ」）１０重量部と，硬化剤（旭化成ケミカルズ（株）製，「ノバキュアＨＸＡ３９３２ＨＰ」）１８７重量部とを，固形分量が４２％となるようにトルエンにて希釈し，第２の接着層形成用溶液を調製した。
【０１１５】
　次いで，コンマコーターを用い，連続的に供給される基材（ポリエチレンテレフタレート，厚み３８μｍ，リンテック（株）製「ＰＥＴ３８Ｃ」）の離型面に，上記第２の接着層形成用溶液を塗工した。
【０１１６】
　次いで，この塗工層を１１０℃で９０秒間乾燥させ，第２の接着層（厚み２０μｍ）を形成した。その後，この第２の接着層の表面に，基材（ポリエチレンテレフタレート，厚み３８μｍ，リンテック（株）製，「ＰＥＴ３８Ｂ」）の離型面を合わせて巻き取った。
【０１１７】
　以上により，
離型性を有する基材間に挟持された第２の接着層を用意した
【０１１８】
　
次に，片側の基材を剥離して露出させた第１の接着層表面（樹脂めっき粒子の転写面側）と，同じく片側の基材を剥離して露出させた第２の接着層表面とを重ね合わせ，これを貼り合わせた
【０１１９】
　
上記の通りにして，互いに離間されて規則的に配列された多数の樹脂めっき粒子を保持する第１の接着層と，この第１の接着層の片面に積層された第２の接着層とを有する２層構造の異方性導電膜（厚み２２μｍ）を準備した
【０１２０】
２．
配線基板および電子部品の準備
　厚み０．７ｍｍの
ガラス基板表面に回路パターン（材質ＩＴＯ，パターンピッチ３０μｍ，パターン幅２０μｍ）が形成された配線基板を準備し
【０１２１】
　
また，電子部品として，Ａｕバンプを有するＩＣチップ（バンプ面積２０μｍ×１００μｍ，ピッチ３０μｍ，バンプ高さ１５μｍ）を準備した
【０１２２】
３．
実施例
に係る実装方法
（実施例１）
１１０℃に加熱した基台上に上記配線基板を載置した。次いで，第１の接着層（樹脂めっき粒子を含む）側の基材を剥離した上記異方性導電膜を，上記配線基板の回路パターン上に，第１の接着層側を配線基板側にして配置した
【０１２３】
　
なお，加熱温度を１１０℃としたのは，準備した異方性導電膜の第１の接着層がガラスと密着力を発現しうる最低温度近傍の温度であり，かつ，この温度であれば，準備した異方性導電膜の第２の接着層が流動可能であるからである
【０１２４】
　
次いで，圧着ヘッド（温度３０℃）を用い，第２の接着層上の基材を介して，異方性導電膜を加圧（加圧力０．２ＭＰａ，加圧時間５秒）し，配線基板上に異方性導電膜を仮圧着した
【０１２５】
　
次いで，第２の接着層上の基材を剥離した
【０１２６】
　
次いで，基台の加熱温度を１１０℃から８０℃とし，仮圧着された異方性導電膜上に，配線基板の回路パターンとＩＣチップのＡｕバンプとが相対峙するように載置した
【０１２７】
　
次いで，２１０℃に加熱した圧着ヘッドを用いて，上記ＩＣチップの上部を加圧（加圧力８０ＭＰａ，加圧時間１０秒）して本圧着した
【０１２８】
　
以上により，ＩＣチップを配線基板上に実装した
・・・
【０１３１】
４．
評価
４．１  仮圧着後の第２の接着層の流れ量
  実施例および比較例に係る実装方法において，上記仮圧着時に，第２の接着層上にある基材端部から流れ出た第２の接着層の縁部までの距離をマイクロスコープにて測定し，これを第２の接着層の流れ量（μｍ）とした。
【０１３２】
４．２  本圧着後の第２の接着層の充填状態
  実施例および比較例に係る実装方法において，上記本圧着後，ガラス基板側から，マイクロスコープにて接着層の充填状態（ＩＣチップ・ガラス基板間）を確認した。
【０１３３】
４．３  異方導電性能の評価
（異方導電性膜の膜厚方向における電気抵抗の測定）
  上記実装方法により得られた各圧着体について，相対峙する回路パターン−Ａｕバンプ間の電気抵抗を，抵抗率計（ダイアインスツルメンツ製，「ロレスタＧＰ」）を用い，４端子４探針法により測定した。なお，試料数は，それぞれＮ＝１０［個］であり，算術平均による平均値を算出し，これを膜厚方向の電気抵抗とした。
【０１３４】
（異方導電性膜の膜面方向における電気抵抗の測定）
  
上記実装方法により得られた各圧着体について，隣接する回路パターン間の電気抵抗を
測定した
【０１３５】
５．結果
  表１に，上記評価結果をまとめて示す。
【０１３６】
【表１】
」
「【図１】
」
　「【図３】
」
「【図４】
」
イ　前記アの記載から，引用文献１には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
（ア）引用文献１に記載された技術は，電子部品の実装方法に関するものであり（【０００１】），当該実装方法は，具体的には，例えば，回路パターンが形成された配線基板上に，異方性導電膜を介して，ＩＣチップやＴＡＢなどの電子部品を実装する場合などに好適に適用することができるものである（【００３０】，【００３１】）。
（イ）実施例（【００９８】）
ａ　異方性導電膜の準備（【００９９】）
　千鳥状に配列された多数の凹部（開口径５μｍ，凹深さ３．５μｍの略円柱状，ピッチ＝隣接する開口部の中心間の距離１０μｍ）を有するＮｉ電鋳型（【０１０４】）の凹部一つにつき一つずつ，ジビニルベンゼン系架橋樹脂よりなる粒子の表面に，Ｎｉめっき層，Ａｕめっき層が順に被覆された平均粒径４μｍの樹脂めっき粒子を保持させ（【０１０５】，【０１０８】），Ｎｉ電鋳型の凹部に保持させた多数の樹脂めっき粒子を，樹脂製の平膜表面に転写し，当該転写後の平膜表面上には，多数の樹脂めっき粒子が，互いに離間された状態で，約８°傾けられた千鳥状に規則的に配列されており，（【０１０３】，【０１１０】），上記転写後の平膜表面に基材の離型面を重ね，これを熱ラミネートすることにより（【０１１１】），転写された樹脂めっき粒子を，その規則的な配列を維持したまま平膜内に埋め込んで当該膜に保持させ，以上により，互いに離間されて規則的に配列された多数の樹脂めっき粒子を保持する第１の接着層を形成する（【０１１３】）。
　次に，離型性を有する基材間に挟持された第２の接着層を用意し（【０１１７】），片側の基材を剥離して露出させた第１の接着層表面（樹脂めっき粒子の転写面側）と，同じく片側の基材を剥離して露出させた第２の接着層表面とを重ね合わせ，これを貼り合わせることにより，互いに離間されて規則的に配列された多数の樹脂めっき粒子を保持する第１の接着層と，この第１の接着層の片面に積層された第２の接着層とを有する２層構造の異方性導電膜（厚み２２μｍ）を準備する（【０１１８】，【０１１９】）。
ｂ　配線基板および電子部品の準備（【０１２０】）
　ガラス基板表面に回路パターン（材質ＩＴＯ，パターンピッチ３０μｍ，パターン幅２０μｍ）が形成された配線基板を準備し（【０１２０】），また，電子部品として，Ａｕバンプを有するＩＣチップ（バンプ面積２０μｍ×１００μｍ，ピッチ３０μｍ，バンプ高さ１５μｍ）を準備する。
ｃ　実施例に係る実装方法（【０１２２】）
　（実施例１）１１０℃に加熱した基台上に上記配線基板を載置し，次いで，第１の接着層（樹脂めっき粒子を含む）側の基材を剥離した上記異方性導電膜を，上記配線基板の回路パターン上に，第１の接着層側を配線基板側にして配置し（【０１２２】），ここで，加熱温度を１１０℃としたのは，準備した異方性導電膜の第１の接着層がガラスと密着力を発現しうる最低温度近傍の温度であり，かつ，この温度であれば，準備した異方性導電膜の第２の接着層が流動可能であるからであり（【０１２３】），次いで，圧着ヘッド（温度３０℃）を用い，第２の接着層上の基材を介して，異方性導電膜を加圧（加圧力０．２ＭＰａ，加圧時間５秒）し，配線基板上に異方性導電膜を仮圧着し（【０１２４】），次いで，第２の接着層上の基材を剥離し（【０１２５】），次いで，基台の加熱温度を１１０℃から８０℃とし，仮圧着された異方性導電膜上に，配線基板の回路パターンとＩＣチップのＡｕバンプとが相対峙するように載置し（【０１２６】），次いで，２１０℃に加熱した圧着ヘッドを用いて，上記ＩＣチップの上部を加圧（加圧力８０ＭＰａ，加圧時間１０秒）して本圧着し（【０１２７】），以上により，ＩＣチップを配線基板上に実装する（【０１２８】）。
ｄ　評価（【０１３１】）
　実施例１の実装方法により得られた圧着体について，隣接する回路パターン間の膜面方向の電気抵抗は「＞１０８Ω」であった（【０１３４】，【０１３６】の【表１】）。
（３）引用文献１に記載された発明
ア　前記（２）イ（ア）によれば，引用文献１に記載された技術は，回路パターンが形成された配線基板上に，異方性導電膜を介して，電子部品を実装する実装方法であるところ，前記（２）イ（イ）ｄによれば，実施例１の実装方法によって圧着体が得られるものであるから，引用文献１には，当該実装方法による圧着体，すなわち，回路パターンが形成された配線基板上に，異方性導電膜を介して，電子部品が実装された圧着体も記載されているといえる。
イ　前記（２）イ（イ）ａによれば，ジビニルベンゼン系架橋樹脂よりなる粒子の表面に，Ｎｉめっき層，Ａｕめっき層が順に被覆された平均粒径４μｍの樹脂めっき粒子は，千鳥状に配列された多数の凹部（開口径５μｍ，凹深さ３．５μｍの略円柱状，ピッチ＝隣接する開口部の中心間の距離１０μｍ）を有するＮｉ電鋳型の凹部一つにつき一つずつ保持された状態で，樹脂製の平膜表面に転写され，当該転写後の平膜表面上に，互いに離間された状態で，約８°傾けられた千鳥状に規則的に配列されているものであるから，樹脂めっき粒子のピッチは，Ｎｉ電鋳型に千鳥状に配列された多数の凹部のピッチ（隣接する開口部の中心間の距離１０μｍ）とほぼ同等であるといえる。
　また，異方性導電膜は，互いに離間されて規則的に配列された多数の樹脂めっき粒子を保持する第１の接着層と，この第１の接着層の片面に積層された第２の接着層とを有する２層構造からなるものである。
　そうすると，異方性導電膜は，ピッチ約１０μｍで，約８°傾けられた千鳥状に規則的に配列された多数の樹脂めっき粒子を保持する第１の接着層と，この第１の接着層の片面に積層された第２の接着層とを有する２層構造であり，上記樹脂めっき粒子は，ジビニルベンゼン系架橋樹脂よりなる粒子の表面に，Ｎｉめっき層，Ａｕめっき層が順に被覆され，平均粒径が４μｍであるといえる。
ウ　前記（２）イ（イ）ｂによれば，配線基板は，ガラス基板表面に回路パターンが形成されたものであり，電子部品は，Ａｕバンプを有するＩＣチップであり，上記Ａｕバンプは，バンプ面積が２０μｍ×１００μｍ，ピッチが３０μｍ，バンプ高さが１５μｍである。
エ　前記（２）イ（イ）ｃには，実施例１として，前記（２）イ（イ）ａ及びｂで準備した異方性導電膜，配線基板及び電子部品を用いた実装方法が記載されている。
オ　前記ア〜エから，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「ガラス基板表面に回路パターンが形成された配線基板上に，異方性導電膜を介して，電子部品が実装された圧着体において，
　上記異方性導電膜は，ピッチ約１０μｍで，約８°傾けられた千鳥状に規則的に配列された多数の樹脂めっき粒子を保持する第１の接着層と，この第１の接着層の片面に積層された第２の接着層とを有する２層構造であり，
　上記樹脂めっき粒子は，ジビニルベンゼン系架橋樹脂よりなる粒子の表面に，Ｎｉめっき層，Ａｕめっき層が順に被覆され，平均粒径が４μｍであり，
　上記電子部品は，Ａｕバンプを有するＩＣチップであり，上記Ａｕバンプは，バンプ面積が２０μｍ×１００μｍ，ピッチが３０μｍ，バンプ高さが１５μｍである圧着体。」
　
（４）対比・判断
ア　本願補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「ガラス基板表面に回路パターンが形成された配線基板」，「異方性導電膜」，「Ａｕバンプを有するＩＣチップであ」る「電子部品」は，それぞれ，本願補正発明の「回路基板」，「異方性導電接着剤」，「電子部品」に相当する。
　また，引用発明において，「ガラス基板表面に回路パターンが形成された配線基板上に」，「異方性導電膜を介して，電子部品が実装され」ると，配線基板と電子部品とが，異方性導電膜を介して電気的に接続されることは，自明の事項であるから，引用発明の「圧着体」は，接続体であるといえる。
　したがって，引用発明の「ガラス基板表面に回路パターンが形成された配線基板上に，異方性導電膜を介して，電子部品が実装された圧着体」は，本願補正発明の「回路基板上に異方性導電接着剤を介して電子部品が接続された接続体」に相当する。
（イ）引用発明において，「樹脂めっき粒子」は，「ジビニルベンゼン系架橋樹脂よりなる粒子の表面に，Ｎｉめっき層，Ａｕめっき層が順に被覆され」ており，ここで，Ｎｉ及びＡｕが導電性を有することは技術常識であるから，引用発明の「樹脂めっき粒子」は，導電性を有しているといえる。
　したがって，引用発明の「樹脂めっき粒子」は，本願補正発明の「導電性粒子」に相当する。
　また，引用発明の「配線基板」に形成されている「回路パターン」，「ＩＣチップであ」る「電子部品」の「Ａｕバンプ」は，それぞれ，本願補正発明の「回路基板に形成された端子部」，「電子部品に形成された接続電極」に相当する。
（ウ）引用発明の「異方性導電膜」は，「ピッチ約１０μｍで，約８°傾けられた千鳥状に規則的に配列された多数の樹脂めっき粒子を保持する第１の接着層と，この第１の接着層の片面に積層された第２の接着層とを有する２層構造であ」るから，当該「樹脂めっき粒子」は，本願補正発明と同様に，「規則的に配置され」ているといえる。
（エ）引用発明において，樹脂めっき粒子の平均粒径は４μｍ，電子部品のＡｕバンプのバンプ高さは１５μｍであるから，樹脂めっき粒子の粒子径は，電子部品のＡｕバンプの高さの４μｍ／１５μｍ＝０．２６７であり，この値は，本願補正発明と同様に，「１／２以下」である。
（オ）前記（２）イ（イ）ｃによれば，引用文献１の実施例１において，配線基板を載置する基台の加熱温度を１１０℃としたのは，準備した異方性導電膜の第１の接着層がガラスと密着力を発現しうる最低温度近傍の温度であり，かつ，この温度であれば，準備した異方性導電膜の第２の接着層が流動可能であるからであり，また，本圧着の際には，２１０℃に加熱した圧着ヘッドを用いて，ＩＣチップの上部を加圧（加圧力８０ＭＰａ，加圧時間１０秒）するものである。
　以上によれば，１１０℃において異方性導電膜の第２の接着層は流動可能であるから，２１０℃に加熱した圧着ヘッドを用いて電子部品であるＩＣチップを本圧着するとき，すなわち，電子部品を配線基板に接続するときも，異方性導電膜の第２の接着層は流動可能であるといえる。
　したがって，引用発明において，「異方性導電膜」は，本願補正発明と同様に，「電子部品の接続時において流動性を示し」ていると認められる。
（カ）引用発明において，「樹脂めっき粒子」が，「配線基板」に形成された「回路パターン」と，「ＩＣチップであ」る「電子部品」の「Ａｕバンプ」に「挟持される」ことは明らかである（必要であれば，前記（２）アにおける引用文献１の【図４】等参照。）
（キ）本願補正発明において，「導電性粒子」は，「上記電子部品の接続電極間に分散され」ているところ，本願明細書の【００４７】には，「電極端子１９と端子部１７ａとの間にない導電性粒子４は，隣接する電極端子１９間においてバインダー樹脂に分散されており，電気的に絶縁した状態を維持している。」と記載されていることからすると，本願補正発明において，「導電性粒子」が，「上記電子部品の接続電極間に分散され」ているとは，電子部品の接続電極間が電気的に絶縁した状態を維持していることを意味するものといえる。
　一方，前記（２）イ（イ）ｄによれば，引用文献１における実施例１の実装方法により得られた圧着体について，隣接する回路パターン間の膜面方向の電気抵抗は「＞１０８Ω」であるから，引用発明において，隣接する回路パターン間は絶縁されているといえる。
　ここで，前記（イ）で検討したように，引用発明の「樹脂めっき粒子」は，導電性を有しており，また，前記（カ）で検討したように，「樹脂めっき粒子」は，「配線基板」に形成された「回路パターン」と，「ＩＣチップであ」る「電子部品」の「Ａｕバンプ」に挟持されるから，「回路パターン」と「Ａｕバンプ」とは，導電性を有する「樹脂めっき粒子」を介して電気的に接続されるものである。
　そうすると，上記隣接する回路パターン間の膜面の電気抵抗は，隣接するＡｕバンプ間の膜面の電気抵抗と同等であるといえるから，当該Ａｕバンプ間も絶縁されているとするのが相当である。
　したがって，引用発明において，「電子部品」の「Ａｕバンプ」間は，電気的に絶縁した状態を維持している，すなわち，「樹脂めっき粒子」は，本願補正発明と同様に，「電子部品」の「Ａｕバンプ」間に「分散され」ているものと認められる。
（ク）前記（２）イ（イ）ａによれば，引用発明における「多数の樹脂めっき粒子」の配列は，「異方性導電膜」を準備した段階での配列であるから，「配線基板上に」，「異方性導電膜を介して電子部品が実装され」る前のものであり，当該「多数の樹脂めっき粒子」は，「異方性導電膜」の断面視においては，ピッチ約１０μｍで１列に並んでいるといえる。
　そして，引用発明において，「多数の樹脂めっき粒子」は，「ピッチ約１０μｍで，約８°傾けられた千鳥状に規則的に配列され」ており，また，「電子部品」の「Ａｕバンプ」は，「バンプ面積が２０μｍ×１００μｍ，ピッチは３０μｍ」であるから，当該「Ａｕバンプ」間の距離は１０μｍであるといえる。
　以上から，「電子部品」の「Ａｕバンプ」の配列方向に亘る断面視における，実装前の「樹脂めっき粒子」と「Ａｕバンプ」との位置関係を図示すると，以下の図Ａのようになる。なお，「樹脂めっき粒子」の配列方向は，「Ａｕバンプ」の配列方向にそろえている。
　ここで，前記（２）アにおける引用文献１の【０００９】の「すなわち，異方導電性能の安定性を高める観点から，導電性粒子は，圧着前後でほとんど流動しないことが好ましい。これを実現するためには，２層構造の異方性導電膜では，導電性粒子を含む接着層材料に，高い溶融粘度を有する材料を用いることになる。」との記載，及び，同【００３６】の「また，仮圧着時の加熱温度において，第１の接着層材料の溶融粘度は，第２の接着層材料の溶融粘度より大きいことが好ましい。仮圧着時の熱により，第１の接着層を流れ難くする，または，ほんど（当審注：「ほとんど」の誤記である。）流れないようにして，導電性粒子の捕捉性を向上させやすくすることができるなどの利点があるからである。」との記載によれば，引用発明において，「樹脂めっき粒子」（導電性粒子）は，圧着（実装）の前後では，ほとんど流動していないといえる。
　そうすると，圧着後の樹脂めっき粒子とＡｕバンプとの位置関係は，圧着前である上記図Ａの位置関係と，ほとんど変わらないから，引用発明において，「Ａｕバンプ」の配列方向に亘る断面視において，「電子部品」の「Ａｕバンプ」間における「樹脂めっき粒子」の数は１であり，仮に，圧着時に「樹脂めっき粒子」が流動したとしても，その量はわずかであり，４を超えることはないと認められる。
（ケ）以上によれば，本願補正発明と引用発明とは以下の点で一致し相違しない。
＜一致点＞
　「回路基板上に異方性導電接着剤を介して電子部品が接続された接続体において，
　上記異方性導電接着剤は，導電性粒子が規則的に配置され，
　上記導電性粒子の粒子径が，上記電子部品の接続電極の高さの１／２以下であり，
　上記異方性導電接着剤は，上記電子部品の接続時において流動性を示し，上記導電性粒子が上記回路基板に形成された端子部と上記電子部品に形成された接続電極に挟持されるとともに上記電子部品の接続電極間に分散され，
　上記電子部品の接続電極の配列方向に亘る断面視において，上記電子部品の接続電極間における導電性粒子数は，最大で１〜４である接続体。」
イ　また，仮に，本願補正発明と引用発明との間に相違点があったとしても，その相違点は微差であるから，本願補正発明は，引用発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものである。
ウ　したがって，本願補正発明は，引用発明であるから，特許法２９条１項３号に該当し，特許出願の際独立して特許を受けることができない，又は，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
エ　請求人の主張について
　請求人は，審判請求書３．（５−２）において，引用文献１においては，導電性粒子が規則的に配列されているかランダムに分散されているかに関わらず，異方性導電膜における導電性粒子の配置状態が本圧着後にもほぼ変化なく維持されているものと解されるのに対して，本願補正発明は，異方性導電接着剤の導電性粒子が当初規則的に配置されているが，電子部品の接続時において流動性を示し，電子部品の接続電極間に分散されること，すなわち，
接続電極間では規則性が崩れ，当初の配置状態から変化していることが規定されている
　しかし，本願補正発明には，「上記異方性導電接着剤は，上記電子部品の接続時において流動性を示し，上記導電性粒子が」「上記電子部品の接続電極間に分散され」ることは特定されているものの，接続電極間では規則性が崩れ，当初の配置状体から変化していることは特定されていない。また，前記ア（キ）で検討したように，本願明細書の【００４７】の記載からすると，本願補正発明において，「導電性粒子」が，「上記電子部品の接続電極間に分散され」ているとは，電子部品の接続電極間が電気的に絶縁した状態を維持していることを意味するものであって，請求人の上記主張のように，導電性粒子が，接続電極間では規則性が崩れ，当初の配置状態から変化していることを意味するものであるとはいえない。
　したがって，請求人の上記主張は採用できない。
３　本願補正についてのむすび
　よって，本願補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので，同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって，前記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１　本願発明
　令和３年３月１５日にされた手続補正は，前記のとおり却下されたので，本願の請求項に係る発明は，令和２年７月１４日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，その請求項１に記載された事項により特定される，前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，
（１）この出願の請求項１−５，９，１０に係る発明は，本願の原出願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１に記載された発明であるから，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができない。また，仮に両者の間に差異があるとしても，この出願の請求項１−５，９，１０に係る発明は，引用文献１に記載された発明に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許を受けることができない。
（２）請求項６に係る発明は，引用文献１に記載された発明に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許を受けることができない。
というものである。
引用文献１：特開２００８−２１０９０８号公報
３　引用文献の記載事項及び引用文献１に記載された発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１の記載事項は，前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりであり，また，引用文献１に記載された発明（引用発明）は，同２（３）オにおいて認定したとおりのものである。
４　対比・判断
　本願発明は，前記第２の［理由］２で検討した本願補正発明から，「上記異方性導電接着剤は，上記電子部品の接続時において流動性を示し，上記導電性粒子が上記回路基板に形成された端子部と上記電子部品に形成された接続電極に挟持されるとともに上記電子部品の接続電極間に分散され」との限定事項を削除したものである。
　そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，更に他の事項を限定したものに相当する本願補正発明が，前記第２の［理由］２（４）で検討したとおり，引用発明である，又は，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，引用発明である，又は，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，特許法２９条１項３号に該当するから特許を受けることができない，又は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。