【手続補正書】
【提出日】令和1年10月1日(2019.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電チャックであって、
ベースプレートと、
熱閉塞層にわたって配置された複数の第１のキャビティを含む熱閉塞層を有し、前記第１のキャビティが、静電チャックの通常動作中に液体を含まず、前記熱閉塞層の材料よりも低い熱伝導率を有するガスを充填されたキャビティと、前記熱閉塞層の材料よりも低い熱伝導率を有する固体材料を充填されたキャビティとからなる群から選択された熱閉塞体と、
加熱器と、
上部プレートと、
セラミック層とを備え、
前記ベースプレートが、前記熱閉塞体に隣接し、
前記熱閉塞体が、前記ベースプレートと前記加熱器との間に介装され、
前記加熱器が、前記熱閉塞体と前記上部プレートとの間に介装され、
前記上部プレートが、前記加熱器と前記セラミック層との間に介装され、
前記セラミック層が、前記上部プレートに隣接し、
前記上部プレートと前記ベースプレートとがどちらも金属から形成され、
前記上部プレートと前記ベースプレートとが互いに導電接触する
静電チャック。
【請求項２】
請求項１に記載の静電チャックであって、前記第１のキャビティが、前記熱閉塞層を通って、前記セラミック層に垂直な軸に実質的に平行な方向に拡張された位置する静電チャック。
【請求項３】
請求項１に記載の静電チャックであって、前記第１のキャビティが、実質的に前記熱閉塞層全体にわたって広がった位置に設けられた静電チャック。
【請求項４】
請求項１に記載の静電チャックであって、前記熱閉塞層の前記材料が金属である静電チャック。
【請求項５】
請求項４に記載の静電チャックであって、前記熱閉塞層の前記材料がアルミニウムである静電チャック。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の静電チャックであって、前記複数の第１のキャビティが、２ミリメートル以下だけ互いに間隔を空けて配置された静電チャック。
【請求項７】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の静電チャックであって、第１のキャビティの１つまたは複数が、０．５センチメートル以下の直径を有する静電チャック。
【請求項８】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の静電チャックであって、前記第１のキャビティが、セラミック材料、テフロン、シリコーン、およびポリイミドからなる群から選択される固体材料を充填される静電チャック。
【請求項９】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の静電チャックであって、前記熱閉塞層にわたって配置された複数の第２のキャビティをさらに備え、前記第２のキャビティが、
前記静電チャックの通常動作中に液体を含まず、
前記熱閉塞層の材料よりも低い熱伝導率を有するガスを充填されたキャビティと、前記熱閉塞層の材料よりも低い熱伝導率を有する固体材料を充填されたキャビティとからなる群から選択され、
前記第１のキャビティとは異なるサイズに定められ、
前記第１のキャビティと交差しない
静電チャック。
【請求項１０】
システムであって、
半導体処理チャンバと、
前記半導体処理チャンバの内部に配置され、
ベースプレート、
上部プレート、および
セラミック層を含む静電チャックと、
前記半導体処理チャンバの外部から、前記静電チャックと導電接触する前記半導体処理チャンバの内部の位置まで延びる共通の導電性経路と、
静電クランプ電圧を提供するように構成された高電圧直流（ＤＣ）電源と、
ＲＦエネルギーを提供するように構成された高電圧高周波（ＲＦ）発生器であって、
前記上部プレートが、前記ベースプレートと前記セラミック層との間に介装され、
前記セラミック層が、前記上部プレートに隣接し、
前記上部プレートと前記ベースプレートとがどちらも金属から形成され、
前記上部プレートと前記ベースプレートとが互いに導電接触し、
前記高電圧直流電源と前記高電圧高周波発生器とがどちらも、前記半導体処理チャンバの外部の１つまたは複数の位置で、前記共通の導電性経路に電気的に接続される高電圧高周波発生器と
を備えたシステム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のシステムであって、前記半導体処理チャンバの外部に位置されたコンデンサをさらに備え、
前記コンデンサが、前記高電圧高周波発生器と前記高電圧直流電源との間に電気的に介装され、
前記コンデンサが、前記高電圧直流電源と前記静電チャックとの間に電気的に介装されない
システム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のシステムであって、前記コンデンサが、２１ナノファラド以下の静電容量を有するシステム。
【請求項１３】
請求項１０から請求項１２のいずれか一項に記載のシステムであって、更に、
支持コラムと、
横方向支持アームとを備え、
前記支持コラムが、前記ベースプレートと前記横方向支持アームとの間に介装され、
前記横方向支持アームが、前記支持コラムと、前記半導体処理チャンバの外部の位置との間に渡っており、
前記支持コラムと前記横方向支持アームとがどちらも金属から形成され、
前記支持コラムと前記横方向支持アームとが電気的に接続され、
前記支持コラムおよび前記横方向支持アームが、共通の導電性経路の少なくとも一部として働くシステム。
【請求項１４】
請求項１０に記載のシステムであって、前記静電チャックがさらに、
熱閉塞層にわたって配置された複数の第１のキャビティを含む熱閉塞層を有する熱閉塞体であって、前記第１のキャビティが、静電チャックの通常動作中に液体を含まず、前記熱閉塞層の材料よりも低い熱伝導率を有するガスを充填されたキャビティと、前記熱閉塞層の材料よりも低い熱伝導率を有する固体材料を充填されたキャビティとからなる群から選択された熱閉塞体と、
加熱器とを含み、
前記ベースプレートが、前記熱閉塞体に隣接し、
前記熱閉塞体が、前記ベースプレートと前記加熱器との間に介装され、
前記加熱器が、前記熱閉塞体と前記上部プレートとの間に介装される
システム。
【請求項１５】
前記熱閉塞層の一部分が金属であり、
前記熱閉塞体が、前記一部分を介して、前記ベースプレートと前記上部プレートとの両方に電気的に接続される
請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
請求項１４または請求項１５に記載のシステムであって、
支持コラムと、
横方向支持アームと、
加熱器電源ケーブルとをさらに備え、
前記支持コラムが、前記ベースプレートと前記横方向支持アームとの間に介装され、
前記横方向支持アームが、前記支持コラムと、前記半導体処理チャンバの外部の位置との間に渡っており、
前記支持コラムと前記横方向支持アームとがどちらも金属から形成され、
前記支持コラムと前記横方向支持アームとが電気的に接続され、
前記支持コラムおよび前記横方向支持アームが、共通の導電性経路の少なくとも一部として働き、
前記支持コラムと前記横方向支持アームとがどちらも中空であり、
前記支持コラムと前記横方向支持アームとが接続され、それにより、前記加熱器電源ケーブルが、前記半導体処理チャンバの外部の位置から前記支持コラムと前記横方向支持アームとの両方を通して前記加熱器に引き回される
システム。
【請求項１７】
静電チャックであって、
ベースプレートと、
上部プレートと、
セラミック層とを備え、
前記上部プレートが、前記ベースプレートと前記セラミック層との間に介装され、
前記セラミック層が、前記上部プレートに隣接し、
前記上部プレートと前記ベースプレートとがどちらも金属から形成され、
前記上部プレートと前記ベースプレートとが互いに導電接触し、かつ
前記セラミック層が、１００ミクロン未満の厚さを有する
静電チャック。
【請求項１８】
請求項１７に記載の静電チャックであって、前記セラミック層が、３ミル以下の厚さを有する静電チャック。
【請求項１９】
請求項１７に記載の静電チャックであって、前記セラミック層が、セラミックコーティングと、前記上部プレート上に積層されたセラミックシートとからなる群から選択される静電チャック。
【請求項２０】
請求項１７に記載の静電チャックを含むシステムであって、さらに、
半導体処理チャンバと、
前記半導体処理チャンバの外部から、前記静電チャックと導電接触する前記半導体処理チャンバの内部の位置まで延びる共通の導電性経路と、
静電クランプ電圧を提供するように構成された高電圧直流（ＤＣ）電源と、
ＲＦエネルギーを提供するように構成された高電圧高周波（ＲＦ）発生器とを備え、
前記静電チャックが、前記半導体処理チャンバの内部に位置され、
前記高電圧直流電源と前記高電圧高周波発生器とがどちらも、前記半導体処理チャンバの外部の１つまたは複数の位置で、前記共通の導電性経路に電気的に接続される
システム。
【請求項２１】
請求項２０に記載のシステムであって、前記半導体処理チャンバの外部に位置されたコンデンサをさらに備え、
前記コンデンサが、前記高電圧高周波発生器と前記高電圧直流電源との間に電気的に介装され、かつ
前記コンデンサが、前記高電圧直流電源と前記静電チャックとの間には電気的に介装されない
システム。
【請求項２２】
請求項２０または請求項２１に記載のシステムであって、前記静電チャックが、さらに、
熱閉塞層にわたって配置された複数の第１のキャビティを含む熱閉塞層を有する熱閉塞体であって、前記第１のキャビティが、静電チャックの通常動作中に液体を含まず、前記熱閉塞層の材料よりも低い熱伝導率を有するガスを充填されたキャビティと、前記熱閉塞層の材料よりも低い熱伝導率を有する固体材料を充填されたキャビティとからなる群から選択された熱閉塞体と、
加熱器とを備え、
前記ベースプレートが、前記熱閉塞体に隣接し、
前記熱閉塞体が、前記ベースプレートと前記加熱器との間に介装され、
前記加熱器が、前記熱閉塞体と前記上部プレートとの間に介装される
システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
いくつかの実施形態では、システムは、支持コラムと、横方向支持アームとをさらに含んでいてよい。支持コラムは、ベースプレートと横方向支持アームとの間に介装されてよく、横方向支持アームは、支持コラムと半導体処理チャンバの外部の位置との間に渡っていてよく、支持コラムと横方向支持アームとはどちらも金属から形成されてよく、支持コラムと横方向支持アームとは電気的に接続されてよく、支持コラムと横方向支持アームとは共通の導電性経路の少なくとも一部として働いてよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
さらなるそのような実施形態では、システムは、加熱器電源ケーブルと、支持コラムと、横方向支持アームとをさらに含んでいてよい。支持コラムは、ベースプレートと横方向支持アームとの間に介装されてよく、横方向支持アームは、支持コラムと、半導体処理チャンバの外部の位置との間に渡っていてよく、支持コラムと横方向支持アームとはどちらも金属から形成されてよく、支持コラムと横方向支持アームとは電気的に接続されてよく、支持コラムおよび横方向支持アームは、共通の導電性経路の少なくとも一部として働いてよく、支持コラムと横方向支持アームとはどちらも中空であってもよく、支持コラムと横方向アームとは接続されて、それにより、加熱器電源ケーブルが、半導体処理チャンバの外部の位置から支持コラムと横方向支持アームとの両方を通して加熱器に引き回されてよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
多くの既存のＥＳＣ設計では、クランプ電極は誘電体プレート内部に埋め込まれ、その誘電体プレートが次いで、（時として抵抗加熱器層など他の層を間に挟んで）ＥＳＣの金属ベースプレートに結合される。ベースプレートは、多くの場合、ＥＳＣのための全体的な構造的フレームワークとしても、高周波（ＲＦ）電極としても働き、高周波電極は、処理チャンバ内部にプラズマ環境を発生するために使用される。そのような設計では、クランプ電極（複数可）は、電気コンタクトのために誘電体プレートの下面で露出されているクランプ電極（複数可）の部分（複数可）を除き、誘電体プレート内に完全に収容される。また、そのような設計での誘電体プレートは、クランプ電極（複数可）をＲＦ電極から絶縁する。誘電体プレートが、ベースプレートに結合または他の方法で固着された（またはベースプレートの上にある他の層に結合／固着された）後、１つまたは複数のばね式の電気コンタクトピンが、クランプ電極（複数可）の下面での露出部分（複数可）に対応する位置（複数可）でベースプレート内に設置されてよい。次いで、ばね式の電気コンタクトピン（複数可）は、露出部分（複数可）でクランプ電極と導電接触するように圧縮されてよい。これらのばね式のコンタクトピンは、ベースプレートから電気的に絶縁され、高電圧ＤＣ電源ケーブルに接続される。ＲＦ電極は、別個の電気接続を介してバイアスＲＦ発生器からＲＦ電力を供給される。関連の非常に高い（例えば数キロボルトの）電圧により、そのようなばね式の電気コンタクトは、クランプ電極を損壊することがある生じ得るアークを回避するように良好な電気コンタクトが生じることを保証するために、高いばね力を有していなければならないことが多い。それに対応して、そのような設計での誘電体プレートまたは層は、そのようなばね式の電気コンタクトによってそこに及ぼされる圧縮荷重に耐えるのに十分な厚さでなければならない。これは、例えば、ウェハとクランプ電極（複数可）との間に少なくとも１００分の１乃至１００分の２インチの誘電性材料がある誘電層を必要とすることがある。