【事件の表示】
　特願２０１７−５４１３７４「スプリットダイ相互接続のためのシステム，装置および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　８月１８日国際公開，ＷＯ２０１６／１３０３１７，平成３０年　３月２９日国内公表，特表２０１８−５０８９９３〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１６年（平成２８年）１月２６日（パリ条約による優先権主張　２０１５年２月１３日，米国）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は，概略，以下のとおりである。
　平成２９年　８月　４日：国内書面
　平成３０年　２月　６日：拒絶理由通知（起案日）
　平成３０年　５月　８日：意見書
　平成３０年　５月　８日：手続補正書
　平成３０年　７月１２日：拒絶査定（起案日）
　平成３０年１１月２２日：審判請求
　令和　元年１２月　６日：拒絶理由通知（起案日）
　令和　２年　３月　９日：意見書
　令和　２年　３月　９日：手続補正書（以下，この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。）
第２　本願発明
　本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１（以下，「本願発明」という。）は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　前面および裏面を有する第１のダイと，
　前面および裏面を有する第２のダイであって，前記第２のダイは前記第１のダイに水平方向に隣接して前記第１のダイから離間されている，第２のダイと，
　前面および裏面を有するブリッジインターポーザであって，前記ブリッジインターポーザの前面は前記第１のダイおよび前記第２のダイの前記前面に向き合っており，前記第１のダイおよび前記第２のダイに水平方向に部分的に重なり合っており，前記ブリッジインターポーザは，前記第１のダイと前記第２のダイとの間の相互接続を可能にする，ブリッジインターポーザと，
　内部に空洞を有し，前記ブリッジインターポーザの前記裏面に取り付けられている第１の基板であって，そうすることによって，前記ブリッジインターポーザが前記第１の基板の空洞内に位置付けられる，第１の基板と，
　前記第１のダイの前記裏面および前記第２のダイの前記裏面に取り付けられている熱素子であって，前記熱素子は前記第１のダイおよび前記第２のダイのためのヒートパスおよび蓄熱を提供する，熱素子と
を備える，サイドバイサイド半導体パッケージであって，
　前記ブリッジインターポーザの前面，前記第１のダイの前面，前記第２のダイの前面，および前記第１のダイおよび前記第２のダイに向き合っている前記第１の基板の面上の複数の接続点をさらに備え，
　前記第１のダイと前記ブリッジインターポーザとの間の接続点，および前記第２のダイと前記ブリッジインターポーザとの間の接続点は，２／２マイクロメートルまたはそれよりも小さいラインアンドスペースパラメータを有し，前記第１のダイと前記第１の基板との間の接続点，および前記第２のダイと前記第１の基板との間の接続点は精細なラインアンドスペースパラメータを有する，半導体パッケージ。」
第３　拒絶の理由
　令和元年１２月６日付けで当審が通知した拒絶理由のうちの理由３は，大略，次のとおりのものである。
　本願の請求項１ないし６に記載された発明は，本願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１に記載された発明に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用文献１：特開２０１４−１６８０９６号公報
第４　引用文献の記載及び引用発明
１　引用文献１
（１）引用文献１には，以下の事項が記載されている。（下線は，当審で付した。以下同じ。）
「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明の開示されている実施形態は，概して，
マルチチップパッケージに係り，より詳しくは，マルチチップパッケージのインターコネクト構造に係る
【背景技術】
【０００２】
　マイクロエレクトロニクス産業は，コンピュータチップ（ダイとも称される）をより高密度，高性能，および低コストにすることに益々力を注ぐようになってきている。この努力の一環として，複数のダイを含むマイクロエレクトロニクス・パッケージが開発された。これらのマルチチップパッケージ（ＭＣＰ）は，柔軟性の高いアーキテクチャを低コストで提供する可能性を持っているが，その実現には，コスト効率面で優れた，ダイからダイへの（die-to-die）インターコネクトの提供が欠かせない。
ダイの接続数が不十分であると，関連するダイインタフェースの帯域幅性能が制約を受け，結果として論理から論理への，および／または，論理とメモリとの間の通信が悪化することから，インターコネクトの密度は重要な考慮要件である
「【００４４】
　図４は，本発明の別の実施形態におけるマルチチップパッケージにダイからダイへのインターコネクトを提供する方法４００を示すフローチャートである。方法４００は，始めにＭＣＰダイにブリッジを正確に配置して，次に，ブリッジおよびダイをパッケージ基板に取着する組み立てプロセスである。本来は，この後続するブリッジおよびダイのパッケージへの取着は，始めに行うダイにブリッジを取着するプロセスにおいて行うほうが，バンプの混ざった（mixed bump），精細なピッチにより起こりがちな問題がなくなるために，より容易に思われる。方法４００は，例えば，切り込みを有する基板を提供できず，設計上，外部基板エッジに突き出し部を設けることができない場合等に利用することができる。方法４００および関連するマルチチップパッケージ５００は，さらに図５?図８に，本発明の実施形態における製造プロセスの様々な局面におけるマルチチップパッケージ５００の断面図として示されている。
【００４５】
　後述するように，方法４００は主に，キャリアへのダイの取着，１以上のブリッジのダイへの精細なピッチによる組み立て，キャリア，ダイ，およびブリッジ（１または複数）のパッケージ基板への粗いピッチによる組み立て，および（必須ではないが）キャリア剥離に関したものである。この方法の，ここに記載する１以上の他の方法または実施形態より潜在的に優れている点は，パッケージ基板を，様々なバンプが混ざったピッチの組み立てフローにおける機械的参照点として利用する必要がなくなり，精細なピッチのインターコネクトと，粗いピッチのインターコネクトとを別のステップで形成することができるということである。さらに，方法４００は，ブリッジを三次元で正確に配置することができる。上述したように，ブリッジの正確な配置は，後工程であるダイ取着において重要となる，全バンプフィールドの画定を良好にする観点から重要と思われる。インターコネクトが高密度であると，この要件がさらに重要となる。
【００４６】
　方法４００の段階４１０で，第１のダイおよび第２のダイをキャリアに取着する。ダイを配置する際に，前に配置したダイの上に，またはサブアセンブリの他の部材（キャリア等）の上に適切な基準マークを基準として設けることもできる。一例としては，第１のダイおよび第２のダイは，それぞれ，図１Ａに始めに示したダイ１２０およびダイ１３０に類似していてよい。別の例としては，第１のダイおよび第２のダイは，図５に始めに示したダイ５２０およびダイ５３０に類似していてよい。
ダイ５２０には，精細なピッチのインターコネクト５２１および粗いピッチのインターコネクト５２２が取着される。ダイ５３０には，精細なピッチのインターコネクト５３１および粗いピッチのインターコネクト５３２が取着される。より詳しくは，図５および後続する図に示すように，ダイ５２０は，インターコネクト構造５２１を含む部分５２６，および，インターコネクト構造５２２を含む部分５２７を有する。同様に，ダイ５３０は，インターコネクト構造５３１を含む部分５３６，および，インターコネクト構造５３２を含む部分５３７を有する。上述したように，インターコネクト構造５２１および５３１は，第１の（精細な）ピッチを有し，インターコネクト構造５２２および５３２は，第１のピッチとは異なる第２の（粗い）ピッチを有する。既に上述したように，部分５２６および５３６はブリッジに（精細なピッチのインターコネクト５２１および５３１経由で）取着されている。インターコネクト構造５２１および５３１は，通常はシリコン構造に対するシリコン（silicon to silicon structure）であり，有機物構造に対するシリコン（silicon to organic structure）ではない
【００４７】
　
キャリアは，図５に始めに示したキャリア５０５に類似したものであってもよい。一実施形態では，キャリアは，総合熱拡散器（ＩＨＳ：integrated heat spreader）を含む。一例としては，熱拡散器は，銅製などであってよい。銅製（など）のＩＨＳは，熱伝導性が高いので，パッケージとして熱的に向上したものとなる。図５の実施形態では，ダイ５２０および５３０は，キャリア５０５に対して，熱界面材料（ＴＩＭ）等を含んでよい接着剤５０７により取着されている
【００４８】
　方法４００の段階４２０では，
ブリッジを第１のダイおよび第２のダイに取着する。この段階では，精細なピッチのインターコネクト構造のみを取着する点に留意されたい。バンプピッチを小さくするためには，精度の高いピックアンドプレース機器が必要である。ここでも，オンダイの基準マークを利用すると，首尾よく結合することができて便利であろう。一例としては，ブリッジは，図１Ａに始めに示したブリッジ１４０と類似したものであってよい。別の例では，ブリッジは，ブリッジ１４０同様に，シリコン製であっても，能動シリコンダイであってもよい図５に始めに示したブリッジ５４０に類似したものであってよい
【００４９】
　方法４００の段階４３０で，基板を提供する。一例としては，
基板は，図１Ａに始めに示した基板１１０に類似したものであってよい。別の例では，基板は，図６に始めに示した基板６１０に類似したものであってもよい。基板６１０は，例示されている実施形態では，保護材料６１２（アンダーフィル材料，カプセル材料，エポキシ樹脂等）が外囲するブリッジ５４０を含むキャビティ６１５を含む。材料６１２は，機械的にブリッジ５４０および基板６１０を切り離すために準拠（compliant）または柔軟性のあることが望ましく，その存在は，ダイ５２０および５３０のアンダーフィル材料に影響しないことが望ましい
「【図６】
」
　図６からは，ダイ５２０とダイ５３０とが水平方向に隣接して，離間されて配置されることを見てとることができる。また，ブリッジ５４０は，ダイ５２０およびダイ５３０と水平方向に部分的に重なり合っていることを見てとることができる。
　また，基板６１０は，ダイ５２０の粗いピッチのインターコネクト５２２，および，ダイ５３０の粗いピッチのインターコネクト５３２に取着されることを見てとることができる。
　また，インターコネクト５２１を介してダイ５２０とブリッジ５４０が接続され，インターコネクト５３１を介してダイ５３０とブリッジ５４０が接続され，インターコネクト５２２を介してダイ５２０と基板６１０が接続され，インターコネクト５３２を介してダイ５３０と基板６１０が接続されることを見てとることができる。
（２）上記（１）から，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「精細なピッチのインターコネクト５２１および粗いピッチのインターコネクト５２２が取着され，インターコネクト５２１を含む部分５２６，および，インターコネクト５２２を含む部分５２７を有し，インターコネクト５２１を介してブリッジ５４０と接続し，インターコネクト５２２を介して基板６１０と接続されるダイ５２０と，
　ダイ５２０に水平方向に隣接して離間され，精細なピッチのインターコネクト５３１および粗いピッチのインターコネクト５３２が取着され，インターコネクト５３１を含む部分５３６，および，インターコネクト５３２を含む部分５３７を有し，インターコネクト５３１を介してブリッジ５４０と接続し，インターコネクト５３２を介して基板６１０と接続されるダイ５３０と，
　ダイ５２０およびダイ５３０と水平方向に部分的に重なり合っており，ダイ５２０の精細なピッチのインターコネクト５２１，および，ダイ５３０の精細なピッチのインターコネクト５３１に取着され，インターコネクト５２１を介してダイ５２０と接続され，インターコネクト５３１を介してダイ５３０と接続されるブリッジ５４０と，
　ブリッジ５４０を外囲する保護材料６１２（アンダーフィル材料，カプセル材料，エポキシ樹脂等）と，ブリッジ５４０を含むキャビティ６１５とを有し，ダイ５２０の粗いピッチのインターコネクト５２２，および，ダイ５３０の粗いピッチのインターコネクト５３２に取着され，
インターコネクト５２２を介してダイ５２０と接続され，インターコネクト５３２を介してダイ５３０と接続される基板６１０と，
　熱界面材料（ＴＩＭ）等を含む接着剤５０７によりダイ５２０およびダイ５３０を取着し，総合熱拡散器（ＩＨＳ：integrated heat spreader）を含むキャリア５０５と，
　を有し，コンピュータチップに使われるマルチチップパッケージ５００。」
第５　本願発明と引用発明の対比
　本願発明と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
１　引用発明の「ダイ５２０」は，本願発明の「第１のダイ」に相当する。また，引用発明の「ダイ５２０」の「インターコネクト５２１」側の面は，本願発明の「第１のダイ」の「前面」に相当する。また，引用発明の「ダイ５２０」の「インターコネクト５２１」と反対側の面は，本願発明の「第１のダイ」の「裏面」に相当する。
２　引用発明の「ダイ５３０」は，本願発明の「第２のダイ」に相当する。また，引用発明の「ダイ５３０」の「インターコネクト５３１」側の面は，本願発明の「第２のダイ」の「前面」に相当する。また，引用発明の「ダイ５３０」の「インターコネクト５３１」と反対側の面は，本願発明の「第２のダイ」の「裏面」に相当する。また「ダイ５３０」は，「ダイ５２０」と水平方向に隣接して離間されるから，引用発明の「第２のダイ」と，「第１のダイに水平方向に隣接して前記第１のダイから離間されている」点で一致する。
３　引用発明の「ブリッジ５４０」は，ダイ５２０とダイ５３０を相互に接続するものであるから，本願発明の「ブリッジインターポーザー」と，「前記第１のダイと前記第２のダイとの間の相互接続を可能にする」点で一致する。また，引用発明の「ブリッジ５４０」の「インターコネクト５２１」および「インターコネクト５３１」の側の面は，本願発明の「ブリッジインターポーザー」の「前面」に相当する。また，その反対の面は，本願発明の「ブリッジインターポーザー」の「裏面」に相当する。
４　引用発明の「ブリッジ５４０」は，「ダイ５２０」および「ダイ５３０」と水平方向に部分的に重なり合っており，その前面は「ダイ５２０」の前面および「ダイ５３０」の前面と向き合っているから，本願発明の「ブリッジインターポーザー」と，「前記ブリッジインターポーザの前面は前記第１のダイおよび前記第２のダイの前記前面に向き合っており，前記第１のダイおよび前記第２のダイに水平方向に部分的に重なり合って」いる点で一致する。
５　引用発明の「基板６１０」は「ブリッジ５４０」の裏面に取り付けられているから，本願発明の「第１の基板」と，「ブリッジインターポーザの前記裏面に取り付けられている」点で一致する。
６　引用発明の「基板６１０」の「キャビティ６１５」は，「ブリッジ５４０」を囲むように形成されているから，本願発明の「ブリッジインターポーザ」が位置付けられる「空洞」に相当する。また，引用発明の「基板６１０」と，本願発明の「第１の基板」とは，「前記ブリッジインターポーザが前記第１の基板の空洞内に位置付けられる」点で一致する。
７　引用発明の「総合熱拡散器（ＩＨＳ：integratedheat spreader）を含むキャリア５０５」は，「熱界面材料（ＴＩＭ）等を含む接着剤５０７によりダイ５２０およびダイ５３０を取着」するものである。また，接着剤５０７と向かい合うダイ５２０およびダイ５３０の面は，前面とは反対の面すなわち裏面である。以上のことから，引用発明の「総合熱拡散器（ＩＨＳ：integrated heat spreader）を含むキャリア５０５」は，本願発明の「前記第１のダイの前記裏面および前記第２のダイの前記裏面に取り付けられて」，「前記第１のダイおよび前記第２のダイのためのヒートパスおよび蓄熱を提供する」，「熱素子」に相当する。
８　引用発明の「マルチチップパッケージ５００」は，「ダイ５２０」と「ダイ５３０」と「ブリッジ５４０」と「基板６１０」と「総合熱拡散器（ＩＨＳ：integrated heat spreader）を含むキャリア５０５」とを有するから，本願発明の「サイドバイサイド半導体パッケージ」および「半導体パッケージ」と，後記相違点１，２で相違するものの，「第１のダイ」と「第２のダイ」と「ブリッジインターポーザ」と「第１の基板」と「熱素子」とを有する点で一致する。
９　引用発明の「インターコネクト５２１」を介して「ダイ５２０」が「ブリッジ５４０」と接続する部分と，「インターコネクト５２２」を介して「ダイ５２０」が「基板６１０」と接続する部分は，本願発明の「複数の接続点」と，「第１のダイの前面」に備えられる点で一致する。
１０　引用発明の「インターコネクト５３１」を介して「ダイ５３０」が「ブリッジ５４０」と接続する部分と，「インターコネクト５３２」を介して「ダイ５３０」が「基板６１０」と接続する部分は，本願発明の「複数の接続点」と，「第２のダイの前面」に備えられる点で一致する。
１１　引用発明の「インターコネクト５２１」を介して「ブリッジ５４０」が「ダイ５２０」と接続する部分と，「インターコネクト５３１」を介して「ブリッジ５４０」が「ダイ５３０」と接続する部分は，本願発明の「複数の接続点」と，後記相違点１で相違するものの，「ブリッジインターポーザの前面」に備えられる点で一致する。
１２　引用発明の「インターコネクト５２２」を介して「基板６１０」が「ダイ５２０」と接続する部分と，「インターコネクト５３２」を介して「基板６１０」が「ダイ５３０」と接続する部分は，本願発明の「複数の接続点」と，後記相違点２で相違するものの，「前記第１のダイおよび前記第２のダイに向き合っている前記第１の基板の面上」に備えられる点で一致する。
　以上のことから，本願発明と引用発明との一致点及び相違点は，以下のとおりである。
＜一致点＞
「前面および裏面を有する第１のダイと，
　前面および裏面を有する第２のダイであって，前記第２のダイは前記第１のダイに水平方向に隣接して前記第１のダイから離間されている，第２のダイと，
　前面および裏面を有するブリッジインターポーザであって，前記ブリッジインターポーザの前面は前記第１のダイおよび前記第２のダイの前記前面に向き合っており，前記第１のダイおよび前記第２のダイに水平方向に部分的に重なり合っており，前記ブリッジインターポーザは，前記第１のダイと前記第２のダイとの間の相互接続を可能にする，ブリッジインターポーザと，
　内部に空洞を有し，前記ブリッジインターポーザの前記裏面に取り付けられている第１の基板であって，そうすることによって，前記ブリッジインターポーザが前記第１の基板の空洞内に位置付けられる，第１の基板と，
　前記第１のダイの前記裏面および前記第２のダイの前記裏面に取り付けられている熱素子であって，前記熱素子は前記第１のダイおよび前記第２のダイのためのヒートパスおよび蓄熱を提供する，熱素子とを備える，サイドバイサイド半導体パッケージであって，
　前記ブリッジインターポーザの前面，前記第１のダイの前面，前記第２のダイの前面，および前記第１のダイおよび前記第２のダイに向き合っている前記第１の基板の面上の複数の接続点をさらに備える
　半導体パッケージ。」
＜相違点＞
（相違点１）
　本願発明は，「前記第１のダイと前記ブリッジインターポーザとの間の接続点，および前記第２のダイと前記ブリッジインターポーザとの間の接続点は，２／２マイクロメートルまたはそれよりも小さいラインアンドスペースパラメータを有」するのに対して，引用発明はこの点について特定していない点。
（相違点２）
　本願発明は，「前記第１のダイと前記第１の基板との間の接続点，および前記第２のダイと前記第１の基板との間の接続点は精細なラインアンドスペースパラメータを有する」のに対して，引用発明はこの点について特定していない点。
第６　判断
１　相違点１について
　引用発明の「マルチチップパッケージ５００」を構成するにあたっては，より小型化を図るために，「マルチチップパッケージ５００」の各回路をより高密度とすることが望ましいことは明らかであるところ，そのためには「ダイ５２０」と「ブリッジ５４０」の接続点と，「ダイ５３０」と「ブリッジ５４０」の接続点をできるだけ高密度化すればよいことは，当業者が直ちに理解することである。他方，後記周知文献１の段落【００４８】，図６及び後記周知文献２の段落【００７６】等に記載されているように，本願出願時において，ＡＳＩＣやＳｉＳ−ＤＲＡＭ（いずれも，「ダイ」にあたる。）を，ＳｉＩＰＣ（シリコン・インターポーザ）（「ブリッジ」にあたる。）に接続するバンプ（「接続点」にあたる。）のラインアンドスペースを１μｍ／１μｍ以下のように，高密度なラインアンドスペースとすることは，当該技術分野における周知の技術である。したがって，当該技術分野の当業者であれば，引用発明において，「ダイ５２０」と「ブリッジ５４０」の接続点と，「ダイ５３０」と「ブリッジ５４０」の接続点のラインアンドスペースを，２／２マイクロメートルまたはそれより小さいラインアンドスペースパラメータとすること，すなわち，上記相違点１について，本願発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
（１）周知文献１（特開２００７−０６７０９８号公報）
ア　「【０００１】
　
本発明はマイクロバンプの形成方法及びその装置並びに半導体装置に関し，特に半導体チップの実装等に適用して有用なものである
イ　「【００４４】
　
図５は，本形態に係る上記マイクロバンプの形成装置で形成したマイクロバンプ２９を示す顕微鏡写真である。同図を参照すれば多数のマイクロバンプ２９が規則的にウェーハ１３上に形成されていることが分かる。このときの隣接するマイクロバンプ２９間の間隔は１μｍである
ウ　「【００４７】
　＜応用例＞　
本発明に係るマイクロバンプの形成方法によれば，例えばＣｕである金属でできた多数のマイクロバンプ２９を容易且つ狭ピッチで形成することができるので，半導体チップＩ（図７参照）をプリント基板３（図７参照）にフリップチップ実装する際のバンプ２として応用することができる
さらに，このときのバンプ２間の間隔は１μｍ程度であるので，前記半導体装置の飛躍的な小型化を図ることも可能になる
エ　「【００４８】
　
本発明に係るマイクロバンプ２９は，半導体装置同士の接続にも適用でき，種々の優れた効果を発揮する。例えば，図６に示すように，マイクロバンプ２９で半導体チップ同士を接続したＳｉＳ（シリコン・イン・シリコン）アーキテクチャーを容易に形成することができる。同図において，５０がＳｉＩＰ（シリコン・インターポーザ），５１がＡＳＩＣ，５２がＳｉＳ−ＤＲＡＭである。
オ　「【図５】
」
カ　「【図６】
」
キ　「【図７】
」
（２）周知文献２（特開２０１４−１９２３８６号公報）
ア　「【００７６】
　又、本実施の形態では、配線部材２の無機基板１１の一方の面１１ｆに複数の層を有する配線構造体（無機絶縁層１３、１５、１７、１９と配線層１６、１８、２０）を形成している。そのため、狭ピッチな貫通配線（貫通孔１１ｚ）を形成することなく、
インターポーザ１に搭載するＭＥＭＳ素子や半導体素子等の電子部品の狭ピッチに対応した高密度な配線パターン（例えば、ライン／スペースが１μｍ／１μｍ）を形成できる
２　相違点２について
　引用発明の「マルチチップパッケージ５００」を構成するにあたっては，より小型化を図るために，「マルチチップパッケージ５００」の各回路をより高密度とすることが望ましいことは明らかであるところ，そのためには「ダイ５２０」および「基板６１０」の接続点と，「ダイ５３０」および「基板６１０」の接続点をできるだけ高密度化すればよいことは，当業者が直ちに理解することであるから，これらの接続点を精細なラインアンドスペースパラメータを有するものとすること，すなわち，上記相違点２について，本願発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
３　そして，上記相違点１，２を総合的に勘案しても，本願発明の奏する作用効果は，引用発明及び周知文献１，２に記載された周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
４　請求人の主張について
（１）請求人は，令和２年３月９日に提出した意見書において，「上述の通り，本願請求項１，７，１４及び１９では，「第１のダイとブリッジインターポーザとの間の接続点，および第２のダイとブリッジインターポーザとの間の接続点は，２／２マイクロメートルまたはそれよりも小さいラインアンドスペースパラメータを有し，第１のダイと第１の基板との間の接続点，および第２のダイと第１の基板との間の接続点は精細なラインアンドスペースパラメータを有する」ことが特定されています。
　しかしながら，引用文献１において，上記構成は開示されていません。特に，「インターコネクト構造５２２を含む部分５２７及びインターコネクト構造５３２を含む部分５３７が『精細な』ピッチを有すること」は，引用文献１において開示されていません。このことは，引用文献１の図６からも明らかです。参考までに，以下に図１として引用文献１の図６を示します。
【図１】
　さらに，引用文献１の段落［００２１］には，「問題の１つは，有機基板材料内にインターコネクトを製造することがもともと難しい，ということである」との記載があります。もし，引用文献１においてダイ５２０，５３０上のインターコネクト構造が全て「精細な」ピッチで製造されたとすると，基板６１０上のインターコネクト構造も「精細な」ピッチで製造しなければならないことになりますが，これは引用文献１において「難しい」と記載されています。従って，引用文献１において「精細な」ピッチを有するインターコネクト構造のみを有するダイ５２０，５３０を製造することは，当業者であっても想到できないものと思料いたします。」と主張する。
（２）しかしながら，「２／２マイクロメートルまたはそれよりも小さいラインアンドスペースパラメータを有」することと，「精細なラインアンドスペースパラメータを有する」こととは，同一のラインアンドスペースパラメータを有することを意味するものでないことは明らかである。すなわち，本願発明の「精細なラインアンドスペースパラメータを有する」は，「２／２マイクロメートルまたはそれよりも小さいラインアンドスペースパラメータを有す」るものとの比較においては，粗いピッチであると評価されるものをも含むから，請求人の前記主張は，本願の請求項の記載に基づかないものであって，採用することはできない。
５　小括
　以上のとおりであるから，本願発明は，引用発明及び周知文献１，２に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
第７　むすび
　以上のとおり，本願発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１に記載の発明及び周知文献１，２に記載された周知技術に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。