【事件の表示】
　特願２０１５−　４８５３２「撮像装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１０月２９日出願公開、特開２０１５−１８８０７７、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２７年３月１１日（優先権主張平成２６年３月１３日）の出願であって、平成３０年２月２３日に手続補正がされるとともに上申書が提出され、平成３０年１１月３０日付けで拒絶理由通知がされ、平成３１年１月２２日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出され、令和１年６月２５日付けで最後の拒絶理由通知がされ、令和１年８月２２日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出され、令和２年１月２４日付けで令和１年８月２２日付けの手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定（原査定）がされ、これに対し、令和２年４月１４日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。
第２　令和２年１月２４日付けの補正の却下の決定及び原査定の概要
１．令和２年１月２４日付けの補正の却下の決定の概要は以下のとおりである。
　令和１年８月２２日付けの補正は、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものであるが、当該補正後の本願請求項１−５に係る発明は、引用文献１−４に記載の発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明できたものであり、独立特許要件を満たさないから、令和１年８月２２日付けの補正は却下すべきものである。
引用文献等一覧
　１．特開２０１２−２５３３６８号公報
　２．特開平１−２３９８７９号公報
　３．特開平９−２４６５１４号公報（周知技術を示す文献）
　４．国際公開第２０１２／１７６４２２号（周知技術を示す文献）
２．原査定（令和２年１月２４日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　本願請求項１−３、６に係る発明は、上記引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明できたものであり、本願請求項４、５に係る発明は、上記引用文献１に記載された発明、引用文献２に記載された技術及び引用文献３、４に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第３　本願発明
　本願請求項１−５に係る発明（以下、それぞれ順に「本願発明１」−「本願発明５」という。）は、令和２年４月１４日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−５に記載された事項により特定される発明であり、そのうちの本願発明１は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　受光部と、第１のトランジスタと、第１の回路と、を有し、
　前記受光部は、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
　前記第１のトランジスタは、前記第１の回路と電気的に接続され、
　前記受光部は、第１の領域と、第２の領域と、第１の電極と、第２の電極と、を有し、
　前記第１の電極は、前記第１の領域上に位置し、
　前記第２の電極は、前記第２の領域上に位置し、
　前記受光部の第１の領域及び前記受光部の第２の領域と、前記第１のトランジスタは、互いに重なる領域を有し、
　前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第１の電極と、前記第２の電極は、平面視において櫛歯形状を有し、
　前記第１の領域と前記第２の領域は、互いに噛み合うように配置され、
　前記第１の電極と前記第２の電極は、互いに噛み合うように配置されることを特徴とする撮像装置。」
　本願発明２−５は、本願発明１を減縮した発明である。
第４　引用文献、引用発明等
１．引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
フォトダイオードと、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し
　
前記フォトダイオードは、半導体層を含み
　
前記半導体層は、ｎ型の領域と、ｐ型の領域と、を有し
　
前記ｎ型の領域と、前記ｐ型の領域とは、同一面に接して設けられ
　
前記第１のトランジスタは、前記フォトダイオードによって生成された電気信号を転送する機能を有し
　前記第２のトランジスタは、前記転送された電気信号を増幅する機能を有し、
　前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとの間、及び、前記第１のトランジスタと前記フォトダイオードとの間には、絶縁層が設けられ、
　前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を有し、
　
前記ｎ型の領域及び前記ｐ型の領域の一方は、前記第１のトランジスタと重なる
「【技術分野】
【０００１】 
　技術分野は、フォトセンサ及びフォトセンサを有する半導体装置に関する。また、それらの駆動方法に関する。」
「【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　フォトセンサにおいて、光検出の精度を向上させることを目的の一とする。
【０００７】
　また、フォトセンサの回路構成について、新規なレイアウト又は構造を提供することを目的の一とする。特に、受光面積を広くすることを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　本発明の一態様は、光を電気信号に変換する受光素子と、
電気信号を転送する第１のトランジスタ
【０００９】
　また、受光素子は横型接合タイプのフォトダイオードであり、
受光素子が有するｎ層又はｐ層と、第１のトランジスタとが重なって形成されている
・・・
【発明の効果】
【００１３】
　フォトセンサにおいて、電気信号を転送する第１のトランジスタを酸化物半導体を用いて形成することで、第１のトランジスタのオフ状態でのリーク電流を低減でき、光検出の精度を向上させることができる。
【００１４】
　また、
受光素子が有するｎ層又はｐ層と、第１のトランジスタとが重なって形成されることで、受光素子の受光面積を大きくすることができる。そのため、受光感度を高めることができ、光検出の精度を向上させることができる
【００１５】
　また、受光領域上に設けられた配線を透光性を有する材料を用いて形成することで、受光面積を広げることができる。そのため、受光感度を高めることができ、光検出の精度を向上させることができる。」
「【００１８】
（実施の形態１）
　本実施の形態では、半導体装置の回路及びレイアウトについて説明する。
【００１９】
　図１は、フォトセンサの回路図の一例である。
【００２０】
　
フォトセンサは、フォトダイオード１００、トランジスタ１０１、トランジスタ１０２
、及びトランジスタ１０４を有する
【００２１】
　フォトダイオード１００は、光を電気信号（電荷）に変換する機能を有する。フォトダイオードに限らず、フォトトランジスタ等の該機能を有する受光素子を用いてもよい。
【００２２】
　
トランジスタ１０１は
転送トランジスタとも呼ぶ
・・・
【００２６】
　図１の回路では、
トランジスタ１０１は
ソース又はドレインの一方がフォトダイオード１００の一方の電極に電気的に接続され
フォトダイオード１００の他方の電極は配線１２０に電気的に接続されている
配線１２０の電位は
所望の電位とすればよい
【００２７】
　図２は、フォトセンサのレイアウトの一例である。
【００２８】
　フォトセンサは、受光素子（フォトダイオード１００）、４つのトランジスタ１０１〜１０４を有している。
フォトダイオード１００は、横型接合タイプのｐｉｎフォトダイオードであり、ｎ層２０１
及びｐ層２０３を同一表面上に有する
ｎ層２０１上にトランジスタ１０１及びトランジスタ１０２が形成されている
【００２９】
　なお、
受光領域ではないｐ層２０３上にトランジスタ１０１を形成してもよい
フォトダイオード１００は、ｉ層を設けずｐｎフォトダイオードとしてもよい
・・・
【００３３】
　図３〜図６は、フォトセンサのレイアウトの他の一例であり、フォトダイオード１００の受光面積が図２と異なる。
【００３４】
　なお、図３、図５及び図６は、
フォトダイオード１００の受光領域（ここではｉ層２０２）に重なる配線（導電層１３０）が透光性を有する材料で形成されてい
・・・
【００３６】
　更に、図３は、
フォトダイオードのｉ層２０２に重なってトランジスタ１０１及びトランジスタ１０２が形成されている
【００３７】
　以上のように、受光面積を拡大することで受光感度を高めることができる。そのため、光検出の精度を向上させることができる。」
「【００４５】
（実施の形態３）
　本実施の形態では、半導体装置の断面構造について説明する。
【００４６】
　
図１９は、図１〜図１８におけるフォトセンサの断面図
【００４７】
　
図１９では
フォトダイオード１００２
トランジスタ１００４
それぞれ、図１〜図１８におけるフォトダイオード１００
トランジスタ１０１
【００４８】
　被検出物１２０１から発せられる光１２０２、被検出物１２０１により反射された光１２０２（外光など）、又は装置内部から発せられた光が被検出物１２０１で反射した光１２０２が、フォトダイオード１００２に入射される。基板１００１側の被検出物を撮像する構成としてもよい。
【００４９】
　基板１００１は、絶縁性基板（例えばガラス基板又はプラスチック基板）、該絶縁性基板上に絶縁膜（例えば酸化珪素膜又は窒化珪素膜）を形成したもの、半導体基板（例えばシリコン基板）上に該絶縁膜を形成したもの、又は金属基板（例えばアルミニウム基板）上に該絶縁膜を形成したものを用いることができる。
【００５０】
　
フォトダイオード１０
半導体膜１００５は、ｐ型の導電性を有する領域（ｐ層１０２１）と、ｉ型の導電性を有する領域（ｉ層１０２２）と、ｎ型の導電性を有する領域（ｎ層１０２３）とを有している
フォトダイオード１００２は、ｐｎフォトダイオードであっても良い
【００５１】
　横型接合タイプのｐｉｎフォトダイオード又はｐｎフォトダイオードは、ｐ型を付与する不純物と、ｎ型を付与する不純物とを、それぞれ半導体膜１００５の特定の領域に添加することで、形成することが出来る。
【００５２】
　フォトダイオード１００２は、入射光から生成される電気信号の割合（量子効率）を向上させるために、結晶欠陥の少ない単結晶半導体（例えば単結晶シリコン）を用いて半導体膜１００５を形成することが好ましい。
【００５３】
　トランジスタ１００３は、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、半導体膜１００６、ゲート絶縁膜１００７、及びゲート電極１００８を有している。
【００５４】
　トランジスタ１００３は、フォトダイオード１００２から供給される電気信号を出力信号に変換する機能を有する。そのため、単結晶半導体（例えば単結晶シリコン）を用いて半導体膜１００６を形成し、移動度の高いトランジスタとすることが好ましい。
・・・
【００５６】
　なお、半導体膜１００５及び半導体膜１００６は、非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体、酸化物半導体などを用いて形成することもできる。特に、単結晶半導体を用いることで移動度の高いトランジスタとすることが望ましい。また、半導体材料は、結晶性を向上させることが容易であるシリコン又はシリコンゲルマニウム等のシリコン半導体を用いることが好ましい。
・・・
【００６２】
　トランジスタ１００４は、ボトムゲート型の逆スタガ構造の薄膜トランジスタであり、ゲート電極１０１０、ゲート絶縁膜１０１１、半導体膜１０１２、電極１０１３、電極１０１４を有する。また、トランジスタ１００４上に絶縁膜１０１５を有する。
【００６３】
　ここでトランジスタ１００４は、フォトダイオード１００２及びトランジスタ１００３の上方に絶縁膜１００９を介して形成されていることを特徴とする。このようにトランジスタ１００４をフォトダイオード１００２と異なる表面上に形成することで、フォトダイオード１００２の面積を広げることができる。
【００６４】
　また、トランジスタ１００４の一部又は全部が、フォトダイオード１００２のｎ層１０２３又はｐ層１０２１のいずれかと重なるように形成することが好ましい。このようにすることで、フォトダイオード１００２の受光面積を拡大できる。ｐｎフォトダイオードの場合も、トランジスタ１００４の一部又は全部が、ｎ層又はｐ層と重なるように形成することが好ましい。
【００６５】
　トランジスタ１００４は、フォトダイオード１００２が供給する電気信号をトランジスタ１００３のゲートに累積し、また、当該電気信号を保持する機能を有する。そのため、酸化物半導体を用いて半導体膜１０１２を形成し、オフ電流が極めて低いトランジスタとすることが好ましい。」
「【０１０２】
（実施の形態４）
　本実施の形態では、半導体装置の回路、レイアウト及び断面構造について、実施の形態１〜３と異なる例を示す。
【０１０３】
　図２１は、フォトセンサの回路図の一例であり、図１の回路からトランジスタ１０１及びトランジスタ１０２を除いた構成である。
【０１０４】
　そして、図２２は、図２１の回路におけるレイアウトの一例である。素子数が減るため、受光面積を広げることができる。
【０１０５】
　また、図２２では、
ｐｉｎフォトダイオード１００のｎ層２０１に重なってトランジスタ１０３及びトランジスタ１０４が形成されている
「【０１２２】
（実施の形態７）
　本実施の形態では、
フォトセンサを用いた半導体装置
【０１２３】
　図２５は、
フォトセンサを搭載したイメージセンサの一例
フォトセンサ部５００１及びフォトセンサ制御回路５００２を有する
フォトセンサ部は
複数のフォトセンサ５００３を有する
フォトセンサ制御回路５００２は、フォトセンサ読み出し回路５００４
を有する
【０１２４】
　
フォトセンサ５００３において、他の実施の形態で示したフォトセンサを適用することができる。
【０１２５】
　また、図２６は、フォトセンサを搭載した表示装置の一例である。表示パネル６０００は、画素部６００１、表示素子制御回路６００２、及びフォトセンサ制御回路６００３を有する。画素部６００１は、マトリクス状に配置された画素６００４を有し、画素６００４内に表示素子６００５及びフォトセンサ６００６を有する。表示素子制御回路６００２は、表示素子駆動回路６００７、６００８を有する。そして、フォトセンサ制御回路６００３は、フォトセンサ読み出し回路６００９及びフォトセンサ駆動回路６０１０を有する。当該表示装置は、タッチパネル等に用いられる。
・・・
【０１３０】
　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。」
　図１−３、１９、２５は、以下のとおりのものである。
　図１９から、フォトダイオード１００２のｎ層１０２３は、トランジスタ１００４と重なり、トランジスタ１００４の電極１０１３は、フォトダイオード１００２のｎ層１０２３に接続され、当該ｎ層１０２３の上に位置していることが、見てとれる。
　
　したがって、上記引用文献１には、実施の形態３のフォトセンサ（図１９）を適用した、実施の形態７の半導体装置（図２５）として、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「フォトセンサを搭載したイメージセンサであって、
　フォトセンサ部及びフォトセンサ制御回路を有し、
　フォトセンサ部は、複数のフォトセンサを有し、
　フォトセンサ制御回路は、フォトセンサ読み出し回路を有し、
　フォトセンサは、
　　フォトダイオードと、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
　　前記第１のトランジスタは、前記フォトダイオードの一方の電極に電気的に接続され、
　　前記フォトダイオードの他方の電極は所望の電位とされた配線に電気的に接続され、
　　前記フォトダイオードは、横型接合タイプのｐｉｎフォトダイオード又はｐｎフォトダイオードであり、半導体層を含み、
　　前記半導体層は、ｎ型の領域と、ｐ型の領域と、を有し、
　　前記ｎ型の領域と、前記ｐ型の領域とは、同一面に接して設けられ、
　　前記第１のトランジスタは、前記フォトダイオードによって生成された電気信号を転送する機能を有し、転送トランジスタとも呼ばれ、
　　前記ｎ型の領域及び前記ｐ型の領域の一方は、前記第１のトランジスタと重なり、
　　前記第１のトランジスタの電極は、前記ｎ型の領域及び前記ｐ型の領域の前記一方に接続され、その上に位置するイメージセンサ。」
２．引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。
「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、
モノリシック光受信器
「本発明は暗電流が小さく、製造容易なモノリシック光受信器を提供することを目的とする。」（第２ページ左下欄第３〜４行）
「〔課題を解決するための手段］
　本発明に係る
モノリシック光受信器は、半絶縁性のＩｎＰ基板１上に、ｐ型のＩｎＧａＡｓＰ系の第１の層と、ｐ型のＩｎＰまたはＩｎＡｌＡｓからなる第２の層とを積層し、この第２の層表面に接合型ダイオード
を形成して、ＯＥＩＣを構成したもの
「〔実　施　例〕
　以下本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
　第１図は上記一実施例の構造を示す要部断面図であって、本実施例では同図の
左側のＰ＋ＰＮ＋型（ＰＩＮ型と考えてよい）のＰＤと、右側のｎチャネルＭＩＳ型ＦＥＴとを同−チップ上に集積して、プレーナ型のモノリシックＯＥＩＣを構成した
　同図において、１は半絶縁性のＩｎＰからなる基板（以後ＩｎＰ基板と略記する）、
２はｐ型のＩｎＧａＡｓ〜ＩｎＧａＡｓＰからなる第１の層、３はｐ型のＩｎＰもしくはＩｎＡｌＡｓからなる第２の層、４はＳｉをドープしたｎ型領域、５はＺｎをドープしたｐ型領域、６は複数個のストライプ状ＡｕＧｅ膜を共通接続して櫛型状としたｎ型に対する電極（以後ｎ電極と称する）、７は複数個のストライプ状ＡｕＺｎ膜を共通接続して櫛型状としたｐ型に対する電極（以後ｐ電極と称する
　本実施例では図示したように、
半絶縁性基板１上に、ＩｎＧａＡｓＰ系の第１の層２と、その上にＩｎＰまたはＩｎＡｌＡｓからなる第２の層３が積層され、これに接合型のダイオードとＭＩＳ型のＦＥＴとを集積した構成
　上記第１の層２として用いるＩｎＧａＡｓＰ系化合物半導体は、バンドギャップが0.75〜1.4 ｅＶ程度であるので、1.3μｍというような長波長帯に対して光吸収特性を有するが、バンドギャップが小さいのでショットキ接触を形成した場合に暗電流が大きくなる。第２の層３として用いるＩｎＰ、ＩｎＡｌＡｓのバンドギャップは 1.4ｅＶ、1.45ｅＶ程であり、ショットキ接触の暗電流は小さいが、長波長帯で光吸収特性を有しない。
　そこで本実施例では
所望の長波長帯に適合するバンドギャップを有するＩｎＧａＡｓＰ系で第１の層２を形成し、この第１の層
をＰＤの光吸収層とし、その上にバンドギャップの大きいＩｎＰまたはＩｎＡｌＡｓからなる第２の層３を設けて、ＰＤを接合型で形成して暗電流をより小さくし、且つこれをＦＥＴの活性層として用いたものである。
　本実施例では
上記ｎ型領域４
およびｐ型領域５
が、ｐ型のＩｎＰ層からなる第２の層３を貫通して、先端がその下層のｐ型のＩｎＧａＡｓからなる第１の層２内に到達する如く形成した
　暗電流に関しては、ＰＤを本実施例の如く接合型とすることによって、バリア高さをショットキ接触の場合より大きくできるので、暗電流がより小さくなる。
　またＦＥＴは、ｐ型の第２の層３を活性層として用いているので、チャネルはｎ型であり高速性を存する。
　ゲート絶縁膜10はＳｉＯ２膜以外にＡｌ２Ｏ３膜或いはＳｉＮ膜等でも良く、化学気相成長（ＣＶＤ）法、或いはプラズマＣＶＤ法等を用いて形成できる。
　以上のようにして作成した本実施例のＯＥＩＣは、表面にメサ構造を作る必要がなく、プレーナ型であるので、製造工程が容易であり、しかもダイオードとＦＥＴが同一の層を共通に使用するので、膜成長工程は両者共通にでき、従って構造および製造方法ともに簡単化される。
　
上記第１図（ａ）においてはＰＤをＰ＋ＰＮ＋構造とした例を示したが、これは実質的にＰＩＮ型と考えてよい
　第１図は、以下のとおりのものである。
　したがって、引用文献２には、以下の技術的事項が記載されていると認められる。
「Ｐ＋ＰＮ＋型（ＰＩＮ型と考えてよい）のＰＤとｎチャネルＭＩＳ型ＦＥＴとを同一チップ上に集積した、プレーナ型のモノリシックＯＥＩＣから構成される光受信器において、
　半絶縁性基板１上に、ｐ型のＩｎＧａＡｓＰ系の第１の層２と、その上にｐ型のＩｎＰまたはＩｎＡｌＡｓからなる第２の層３が積層され、これに接合型のダイオードとＭＩＳ型のＦＥＴとを集積した構成とされ、
　ＩｎＧａＡｓＰ系の第１の層２は、所望の長波長帯に適合するバンドギャップを有し、この第１の層をＰＤの光吸収層とし、その上にバンドギャップの大きいＩｎＰまたはＩｎＡｌＡｓからなる第２の層３を設けて、ＰＤを接合型で形成して暗電流をより小さくし、且つこれをＦＥＴの活性層として用いたものであり、
　ｎ型領域４およびｐ型領域５が、ｐ型のＩｎＰ層からなる第２の層３を貫通して、先端がその下層のｐ型のＩｎＧａＡｓからなる第１の層２内に到達する如く形成され、
　ｎ電極６は複数個のストライプ状ＡｕＧｅ膜を共通接続して櫛型状とされ、ｐ電極７は複数個のストライプ状ＡｕＺｎ膜を共通接続して櫛型状とされた、モノリシック光受信器。」
第５　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明における「イメージセンサ」、「フォトダイオード」、「フォトセンサ読み出し回路」は、それぞれ、本願発明１における「撮像装置」、「受光部」、「第１の回路」に相当し、引用発明における「第１のトランジスタ」は、本願発明１における「第１のトランジスタ」に対応する。
　また、引用発明における「前記フォトダイオード」が有する「ｎ型の領域」、「ｐ型の領域」、「前記フォトダイオードの一方の電極」、「前記フォトダイオードの他方の電極」は、それぞれ、本願発明１における「前記受光部」が有する「第１の領域」、「第２の領域」、「第１の電極」、「第２の電極」に相当する。
イ　引用発明において、「前記第１のトランジスタは、前記フォトダイオードの一方の電極に電気的に接続され」るから、本願発明１と引用発明とは、「前記受光部は、前記第１のトランジスタと電気的に接続され」る点で一致する。
ウ　引用発明において、「フォトセンサ部」の「フォトセンサ」が有する「前記第１のトランジスタ」は、「前記フォトダイオードによって生成された電気信号を転送する機能を有し、転送トランジスタとも呼ばれ」、「フォトセンサ制御回路」は、「フォトセンサ読み出し回路を有」するものであるところ、「転送トランジスタ」とは、「フォトセンサ読み出し回路」、すなわち、「フォトセンサで得られた電気信号の読み出し回路」に電気的に接続されるものであることは技術常識であるから、本願発明１と引用発明とは、「前記第１のトランジスタは、前記第１の回路と電気的に接続され」る点で一致する。
エ　本願発明１の「前記受光部は、第１の領域と、第２の領域と、第１の電極と、第２の電極と、を有し、前記第１の電極は、前記第１の領域上に位置し、前記第２の電極は、前記第２の領域上に位置し、前記受光部の第１の領域及び第２の領域の一方と、前記第１のトランジスタは、互いに重なる領域を有する」と、引用発明の「前記第１のトランジスタは、前記フォトダイオードの一方の電極に電気的に接続され、前記フォトダイオードの他方の電極は所望の電位とされた配線に電気的に接続され、前記フォトダイオードは、横型接合タイプのｐｉｎフォトダイオード又はｐｎフォトダイオードであり、半導体層を含み、前記半導体層は、ｎ型の領域と、ｐ型の領域と、を有し」、「前記ｎ型の領域及び前記ｐ型の領域の一方は、前記第１のトランジスタと重なり、前記第１のトランジスタの電極は、前記ｎ型の領域及び前記ｐ型の領域の前記一方に接続され、その上に位置する」とを対比する。
　引用発明において、「前記第１のトランジスタは、前記フォトダイオードの一方の電極に電気的に接続され」、「前記ｎ型の領域及び前記ｐ型の領域の一方は、前記第１のトランジスタと重なり、前記第１のトランジスタの電極は、前記ｎ型の領域及び前記ｐ型の領域の前記一方に接続され」るものであるところ、「前記フォトダイオードの一方の電極」は、「前記第１のトランジスタの電極」と同一の電極であることが明らかであるから、引用発明において、「前記フォトダイオードの一方の電極」は、「前記ｎ型の領域及び前記ｐ型の領域の前記一方」の上に位置し、「前記ｎ型の領域及び前記ｐ型の領域の一方と、前記第１のトランジスタは、互いに重なる領域」を有するといえる。
　したがって、本願発明１と引用発明とは、「前記受光部は、第１の領域と、第２の領域と、第１の電極と、第２の電極と、を有し、前記第１の電極は、前記第１の領域上に位置」する点で一致し、「前記受光部の第１の領域及び前記受光部の第２の領域の一方と、前記第１のトランジスタは、互いに重なる領域を有する」点で共通する。
オ　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
＜一致点＞
「受光部と、第１のトランジスタと、第１の回路と、を有し、
　前記受光部は、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
　前記第１のトランジスタは、前記第１の回路と電気的に接続され、
　前記受光部は、第１の領域と、第２の領域と、第１の電極と、第２の電極と、を有し、
　前記第１の電極は、前記第１の領域上に位置し、
　前記受光部の第１の領域及び前記受光部の第２の領域の一方と、前記第１のトランジスタは、互いに重なる領域を有する撮像装置。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
　本願発明１は、「前記第２の電極は、前記第２の領域上に位置し」という構成を備えるのに対し、引用発明は、そのような構成について特定されていない点。　
＜相違点２＞
　本願発明１は、「前記受光部の第１の領域及び前記受光部の第２の領域と、前記第１のトランジスタは、互いに重なる領域を有し」という構成を備えるのに対し、引用発明は、「前記ｎ型の領域及び前記ｐ型の領域の一方と、前記第１のトランジスタは、互いに重なる領域」を有するといえるものの、本願発明１の上記のような構成を備えていない点。
＜相違点３＞
　本願発明１は、「前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第１の電極と、前記第２の電極は、平面視において櫛歯形状を有し、
　前記第１の領域と前記第２の領域は、互いに噛み合うように配置され、
　前記第１の電極と前記第２の電極は、互いに噛み合うように配置される」という構成を備えるのに対し、引用発明はそのような構成を備えていない点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑みて、上記相違点３について先に検討する。
　引用文献１には、「フォトセンサが含む半導体層の『ｎ型の領域』と、『ｐ型の領域』と、『フォトダイオードの一方の電極』と、『フォトダイオードの他方の電極』」が、「平面視において櫛歯形状」を有し、「『ｎ型の領域』と『ｐ型の領域』」は、「互いに噛み合うように配置され」、「『フォトダイオードの一方の電極』と『フォトダイオードの他方の電極』」は、「互いに噛み合うように配置される」という構成は記載されていない。
　一方、引用文献２に記載された技術的事項は、「ｎ電極６は複数個のストライプ状ＡｕＧｅ膜を共通接続して櫛型状とされ、ｐ電極７は複数個のストライプ状ＡｕＺｎ膜を共通接続して櫛型状とされた」ものであるから、引用文献２には、「ｎ型領域４と、ｐ型領域と、ｎ電極６と、ｐ電極７は、平面視において櫛歯形状を有し」という構成が記載されていると解される。
　しかしながら、上記第４の１．のとおり、引用発明は、「イメージセンサ」に係る発明であり、上記第４の２．のとおり、引用文献２に記載された技術的事項は、「プレーナ型のモノリシックＯＥＩＣから構成される光受信器」に係るものであり、両者は、「受光部」を有する点では共通し、技術分野の関連性が全くないとはいえないものの、技術分野が同一ではない。
　また、上記第４の１．に摘記のとおり、引用文献１には、【発明が解決しようとする課題】として、段落【０００６】には、「フォトセンサにおいて、光検出の精度を向上させることを目的の一とする。」と、段落【０００７】には、「また、フォトセンサの回路構成について、新規なレイアウト又は構造を提供することを目的の一とする。特に、受光面積を広くすることを目的の一とする。」と記載されており、段落【００１４】には、「受光素子が有するｎ層又はｐ層と、第１のトランジスタとが重なって形成されることで、受光素子の受光面積を大きくすることができる。そのため、受光感度を高めることができ、光検出の精度を向上させることができる。」と記載されているものの、引用文献２には、「本発明は暗電流が小さく、製造容易なモノリシ７り光受信器を提供することを目的とする。」と記載されており、引用発明と引用文献２に記載された技術的事項の課題の共通性を見いだすことはできない。
　更に、引用発明において、「フォトセンサ」が有する「前記フォトダイオード」は、「『横型接合タイプ』のｐｉｎフォトダイオード又はｐｎフォトダイオードであり、半導体層を含み、前記半導体層は、ｎ型の領域と、ｐ型の領域と、を有し」という構成を有するものであり、また、引用文献１の段落【００５０】に記載され、図１９に示されるように、半導体膜１００５は、ｐ層１０２１と、ｉ層１０２２と、ｎ層１０２３とを有している。
　一方、引用文献２に記載された技術的事項の「Ｐ＋　ＰＮ＋　型（ＰＩＮ型と考えてよい）のＰＤ」は、第１図に示されるように、光吸収層とされるｐ型（Ｉ型と考えてよい）の「第１の層２」の上に、「ｎ型領域４およびｐ型領域５」が貫通するｐ型の「第２の層３」が積層され、「第２の層３表面に接合型のダイオード」が形成されており、すなわち、ＰＤの「Ｐ＋　ＰＮ＋　型（ＰＩＮ型と考えてよい）」のＰ型領域、Ｉ型領域、Ｎ型領域は、それぞれｐ型領域５、第１の層２、ｎ型領域４からなるものであり、光吸収層とされ、Ｉ型と考えてよい第１の層２は、ｐ型領域５とｎ型領域４が貫通する第２の層３とは別の層であり、ＰＩＮ型構造は、横型ではない。
　以上のとおりであるから、引用発明に、引用文献２に記載された技術的事項を適用する動機付けを見いだすことはできない。
　よって、本願発明１は、相違点１、２について検討するまでもなく、当業者であっても、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２．本願発明２ないし５について
　本願発明２ないし５も、本願発明１の「前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第１の電極と、前記第２の電極は、平面視において櫛歯形状を有し、前記第１の領域と前記第２の領域は、互いに噛み合うように配置され、前記第１の電極と前記第２の電極は、互いに噛み合うように配置される」という構成と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第６　原査定について
　原査定の概要は、上記第２の２．のとおりであるところ、本願発明１ないし５は、「前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第１の電極と、前記第２の電極は、平面視において櫛歯形状を有し、前記第１の領域と前記第２の領域は、互いに噛み合うように配置され、前記第１の電極と前記第２の電極は、互いに噛み合うように配置される」という構成を有するものであり、上記のとおり、本願発明１ないし５は、当業者であっても、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　また、引用文献３、４にも本願発明１の「前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第１の電極と、前記第２の電極は、平面視において櫛歯形状を有し、前記第１の領域と前記第２の領域は、互いに噛み合うように配置され、前記第１の電極と前記第２の電極は、互いに噛み合うように配置される」という構成について、記載も示唆もされていない。
　よって、原査定を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。