(57)【要約】  高温高湿下での連続電圧印加試験において配線回路基板の電極腐食を誘発せず、常温での安定性が良好な封止充填剤用樹脂組成物として、ポリアミック酸及び／又はポリイミドを含有する樹脂組成物を用いる。前記ポリアミック酸は、下記一般式（１）：    【化１】2007116979.tif 000019（式（１）中、Ａｒ1は４価の有機基を示し、Ａｒ2は２価の有機基であり、ｌは１以上の整数である。）で表されるものが好ましく、前記ポリイミドは、下記一般式（２）：    【化２】2007116979.tif 000020（式（２）中、Ａｒ3は４価の有機基を示し、Ａｒ4は２価の有機基であり、ｍは１以上の整数である。）で表されるものが好ましい。
2007116979.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップとフレキシブル配線基板との間隙の接着封止充填剤に用いられる樹脂組成物であって、前記樹脂組成物がポリアミック酸を含有することを特徴とする封止充填剤用樹脂組成物。
【請求項２】
前記ポリアミック酸が、下記一般式（１）：
【化１】
2007116979.tif 000017
（式（１）中、Ａｒ1は４価の有機基を示し、Ａｒ2は２価の有機基であり、ｌは１以上の整数である。）で表されることを特徴とする請求項１に記載の封止充填剤用樹脂組成物。
【請求項３】
半導体チップとフレキシブル配線基板との間隙の接着封止充填剤に用いられる樹脂組成物であって、前記樹脂組成物がポリイミドを含有することを特徴とする封止充填剤用樹脂組成物。
【請求項４】
前記ポリイミドが、下記一般式（２）：
【化２】
2007116979.tif 000018
（式（２）中、Ａｒ3は４価の有機基を示し、Ａｒ4は２価の有機基であり、ｍは１以上の整数である。）で表されることを特徴とする請求項３に記載の封止充填剤用樹脂組成物。
【請求項５】
半導体チップ及びフレキシブル配線基板の少なくとも一方に、請求項１に記載の封止充填剤用樹脂組成物を、あらかじめ塗布し、硬化した後、前記半導体チップとフレキシブル配線基板を加熱接合することを特徴とするフリップチップ実装法。
【請求項６】
前記加熱接合が、前記半導体チップの金バンプと前記配線回路基板の配線の錫めっきとの金属共晶、あるいは前記半導体チップの金バンプと前記配線回路基板の配線の金めっきとの接合であることを特徴とする請求項５に記載のフリップチップ実装法。
【請求項７】
半導体チップ及びフレキシブル配線基板の少なくとも一方に、請求項３に記載の封止充填剤用樹脂組成物を、あらかじめ層形成後、前記半導体チップとフレキシブル配線基板を加熱接合することを特徴とするフリップチップ実装法。
【請求項８】
前記加熱接合が、前記半導体チップの金バンプと前記配線回路基板の配線の錫めっきとの金属共晶、あるいは前記半導体チップの金バンプと前記配線回路基板の配線の金めっきとの接合であることを特徴とする請求項７に記載のフリップチップ実装法。
【請求項９】
半導体チップとフレキシブル配線基板との間隙が、請求項１に記載の封止充填剤用樹脂組成物を熱硬化させてなる接合層によって充填されていることを特徴とするフリップチップ実装品。
【請求項１０】
半導体チップとフレキシブル配線基板との間隙が、請求項３に記載の封止充填剤用樹脂組成物からなる接合層によって充填されていることを特徴とするフリップチップ実装品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止充填剤用樹脂組成物、それを用いたフリップチップ実装法及びフリップチップ実装品に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、軽量化や薄型化が進み、それに伴い半導体チップ及び配線回路基板の小型化、軽量化及び薄型化も求められている。一般的に、半導体チップは配線回路基板上に実装される。半導体チップ部品を配線回路基板上に実装する方法として、半導体チップのバンプと配線回路基板の電極とを、半田や共晶金属を用いて接合させて導通させるフリップチップ実装法が用いられている。また、配線回路基板の小型化、軽量化及び薄型化のために、配線回路基板の構成材料が、ガラスエポキシのようなリジッドな材料からポリイミドフィルムなどのフレキシブルな材料へと移行している。【０００３】
前記フリップチップ実装法では、半導体チップと配線回路基板の線膨張係数の差から熱衝撃に対する接続信頼性に問題があり、この改善のために半導体チップと配線回路基板の間に封止充填剤を用いるのが一般的である。この封止充填剤により、接合部分に発生する応力を緩和し接続信頼性を高めている。【０００４】
従来のフリップチップ実装における封止充填方法としては、半導体チップと配線回路基板を高温度で接合した後に、半導体チップと配線回路基板との間隙に低粘度の熱硬化性液状樹脂組成物を毛細管現象により注入、充填し、熱硬化する方法が用いられていた。しかし、この方法では、半導体チップ−配線回路基板ユニットのさらなる小型化のために、配線間隙や、半導体チップと配線基板との間隙をさらに狭めることになると（ファインピッチ化）、作業効率の低下や、充填が困難になるという問題があった。【０００５】
そのため、接合直前に予め熱硬化性液状樹脂組成物を半導体チップまたは配線回路基板の所定の位置に塗布、または滴下しておき、その後で半導体チップ電極と配線回路基板とを加熱圧着することにより間隙を封止充填する方法が検討されている。この方法に好適に用いられる封止充填剤には、（ｉ）塗布、滴下後に適度な厚みを保持できること、（ii）加熱接合する際に適度な流れ性を持って半導体チップと配線回路基板の間隙を隙間無く充填できること、（iii）接合時の加熱による分解や発泡がないこと、（iv）適当な温度及び速度で固化すること、（ｖ）固化した時に電気絶縁性が高く、配線基板上の電極への腐食要因を有しないこと、が求められている。【０００６】
このような封止充填剤としては、エポキシ樹脂系熱硬化性樹脂が好適に用いられており、充填漏れによる空隙が生じないように、樹脂とともに様々な接合手法をも検討されている（特許文献１参照）。【０００７】
【特許文献１】特許第３７５０６０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、元来エポキシ系熱硬化性樹脂は、吸水性が高く、その製造法に由来してイオン性不純物を多く含有するため、高温高湿下での連続電圧印加試験において配線回路基板の電極腐食を誘発し、回路がショートする問題があった。また、硬化速度や硬化温度の制限から、フレキシブル配線板に追随できる柔軟性を持たない硬化物しか提案できず、フレキシブル配線板基材や、ソルダレジストなど、周辺部材にストレスを与えやすく、前記同様に配線回路基板の電極腐食を誘発し、回路がショートする問題があった。さらに、常温での安定性が悪いため、低温での保管が必要で使用可能時間、すなわち、製造後の寿命が非常に短いという問題があった。また、フレキシブル配線板におけるフリップチップ実装では、半導体チップと配線基板の電極との接合には、半田を用いた金属共晶による接合が一般的ではなく、例えば、金と錫や、金と金のようなより高温での接合が用いられており、その温度は３００℃〜３５０℃に達するため、封止充填剤用樹脂組成物から揮発成分が発生する問題があった。【０００９】
本発明は、上記従来技術の問題点を鑑み、予め封止充填剤を配置しておくフレキシブル配線板へのフリップチップ実装方法において、高温高湿下での連続電圧印加試験において配線回路基板の電極腐食を誘発せず、常温での安定性が良好な封止充填剤用樹脂組成物、それを用いたフリップチップ実装法及びフリップチップ実装品を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するために、本発明に係る封止充填剤用樹脂組成物は、半導体チップとフレキシブル配線基板との間隙の接着封止充填剤に用いられる封止充填剤用樹脂組成物であって、前記樹脂組成物が、ポリアミック酸及び／又はポリイミドを含有することを特徴とする。【００１１】
前記ポリアミック酸は、下記一般式（１）：【００１２】
【化１】
2007116979.tif 000003
（式（１）中、Ａｒ1は４価の有機基を示し、Ａｒ2は２価の有機基であり、ｌは１以上の整数である。）で表されるものであることが好ましい。【００１３】
また、前記ポリイミドは、下記一般式（２）：【００１４】
【化２】
2007116979.tif 000004
（式（２）中、Ａｒ3は４価の有機基を示し、Ａｒ4は２価の有機基であり、ｍは１以上の整数である。）で表されるものであることが好ましい。【００１５】
本発明に係るフリップチップ実装法は、半導体チップ及びフレキシブル配線基板の少なくとも一方に、前述のいずれかの封止充填剤用樹脂組成物を、あらかじめ層形成した後、前記半導体チップとフレキシブル配線基板を加熱接合することを特徴とする。【００１６】
前記樹脂組成物の層形成は、樹脂組成物が前記ポリアミック酸を含有する場合では、半導体チップもしくはフレキシブル配線基板のどちらか一方あるいは両方に塗布後、硬化することにより実現することができる。また、樹脂組成物が前記ポリイミドを含有する場合では、樹脂組成物をフィルム化し、得られたフィルムを半導体チップもしくはフレキシブル配線基板のどちらか一方あるいは両方に付着することにより実現することができる。【００１７】
前記加熱接合が、前記半導体チップの金バンプと前記配線回路基板の配線の錫めっきとの金属共晶、あるいは前記半導体チップの金バンプと前記配線回路基板の配線の金めっきとの接合である場合にも、本発明方法は良好に実施することができる。【００１８】
本発明に係るフリップチップ実装品は、半導体チップとフレキシブル配線基板との間隙が、本発明の封止充填剤用樹脂組成物を熱硬化あるいは加熱溶融後に再固化させてなる接合層によって充填されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、予め封止充填剤を配置しておくフレキシブル配線板へのフリップチップ実装方法において、特定の熱可塑性樹脂組成物、すなわち、本発明の封止充填剤用樹脂組成物を用いることにより、塗布後に適度な厚みを保持でき、加熱接合する際に適度な流れ性を持って半導体チップとフレキシブル配線基板の間隙を隙間無く充填でき、接合時の加熱による分解や発泡がなく、適当な速度で融解、固化し、固化後の電気絶縁性が高く、配線基板上の電極への腐食要因を有せず、常温での保管安定性に優れた封止充填剤が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、封止充填剤用樹脂組成物を塗布するフリップチップ実装方法のプロセスを説明する半導体チップ及び配線回路基板の概略断面図である。
【図２】図２は、封止充填剤用樹脂組成物を塗布するフリップチップ実装方法のプロセスを説明する半導体チップ及び配線回路基板の概略断面図である。
【図３】図３は、封止充填剤用樹脂組成物を塗布するフリップチップ実装方法のプロセスを説明する半導体チップ及び配線回路基板の概略断面図である。
【図４】図４は、封止充填剤用樹脂組成物を塗布するフリップチップ実装方法のプロセスを説明する半導体チップ及び配線回路基板の概略断面図である。
【図５】図５は、シート状封止充填剤用樹脂組成物を貼り付けるフリップチップ実装方法のプロセスを説明する半導体チップ及び配線回路基板の概略断面図である。
【図６】図６は、シート状封止充填剤用樹脂組成物を貼り付けるフリップチップ実装方法のプロセスを説明する半導体チップ及び配線回路基板の概略断面図である。
【図７】図７は、シート状封止充填剤用樹脂組成物を貼り付けるフリップチップ実装方法のプロセスを説明する半導体チップ及び配線回路基板の概略断面図である。
【図８】図８は、本発明の実施例における耐マイグレーション性評価用基板の概略平面図である。
【図９】実施例および比較例の各例で得た樹脂組成物の耐マイグレーション性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００２１】
１  フィルム状基材
２  銅配線
３  金属めっき
４  ソルダーレジスト
５  半導体チップの実装位置
６  封止充填剤用樹脂組成物
６Ａ  シート状封止充填剤用樹脂組成物
６’、６Ａ’  接合層
１０  半導体チップ
１１  メタルポスト
１２  バンプ
１５  押圧装置
２０，２０Ａ  フリップチップ実装品
３０  耐マイグレーション性評価用基板
３１  ソルダーレジスト未塗布部分
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。【００２３】
本発明の封止充填剤用樹脂組成物は、ポリアミック酸及び／又はポリイミドを含むことを特徴とするが、半導体チップ又はフレキシブル配線基板に溶液状として塗布する場合には、樹脂の有機溶媒への溶解性の観点からポリアミック酸を用いることが好ましい。【００２４】
本発明の樹脂組成物に含有するポリアミック酸としては、上記一般式（１）で表されるポリアミック酸であることが好ましい。
前記ポリアミック酸は、（Ａ）テトラカルボン酸二無水物成分と（Ｂ）ジアミン成分を反応させて得ることができる。【００２５】
前記（Ａ）テトラカルボン酸二無水物成分としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、１，２，３，４-ベンゼンテトラカルボン酸無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸無水物、１，２，４，５−シクロペンタンテトラカルボン酸無水物、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸無水物、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物，３，３’，４，４’−ビシクロヘキシルテトラカルボン酸無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸無水物（４，４’−オキシジフタル酸二無水物）、２，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８−フェナンスレンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル］ノナン二無水物、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル］デカン二無水物、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル］トリデカン二無水物、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル］テトラデカン二無水物、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル］ペンタデカン二無水物、１，１−ビス［４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル］−２−メチルデカン二無水物、１，１−ビス［４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル］−２−メチルオクタン二無水物、１，１−ビス［４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル］−２−エチルペンタデカン二無水物、２，２−ビス［３，５−ジメチル−４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル］ドデカン二無水物、２，２−ビス［３，５−ジメチル−４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル］デカン二無水物、２，２−ビス［３，５−ジメチル−４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル］トリデカン二無水物、２，２−ビス［３，５−ジエチル−４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル］ペンタデカン二無水物、１，１−ビス［４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル］シクロヘキサン二無水物、１，１−ビス［４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル］プロピルシクロヘキサン二無水物、１，１−ビス［４−（３，４−ジカルボキシベンゾイルオキシ）フェニル］ヘプチルシクロヘキサン二��水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）テトラフルオロプロパン二無水物、４，４−ビス（２，３−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルメタン二無水物等が挙げられる。これらは単独又は２種以上併用して使用される。【００２６】
前記（Ｂ）ジアミン成分としては、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’，５，５’−テトラエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジメチル-５,５’−ジエチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−チレンビス（シクロヘキシルアミン）、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’ジエトキシ−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、ビス（３−アミノフェニル）エーテル、ビス（４−アミノフェニル）エーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジエトキシ−４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジエトキシ−４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジメチル-４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジエトキシ−４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、２，２’−ジアミノジエチルスルフィド、２，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，２−ビス（４−アミノフェニル）エタン、１，２−ビス（４−アミノフェニル）エタン、ビス（３−アミノフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）スルホン、o−トルイジンスルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、４，４’−ジアミノジベンジルスルホキシド、ビス（４−アミノフェニル）ジエチルシラン、ビス（４−アミノフェニル）ジフェニルシラン、ビス（４−アミノフェニル）エチルホスフィンオキシド、ビス（４−アミノフェニル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（４−アミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミン、ビス（４−アミノフェニル）−Ｎ−メチルアミン、１，２−ジアミノナフタレン、１，４−ジアミノナフタレン、１，５−ジアミノナフタレン、１，６−ジアミノナフタレン、１，７−ジアミノナフタレン、１，８−ジアミノナフタレン、２，３−ジアミノナフ��レン、２，６−ジアミノナフタレン、１，４−ジアミノ−２−メチルナフタレン、１，５−ジアミノ−２−メチルナフタレン、１，３-ジアミノ−２−フェニルナフタレン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，４’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、２，４−ジアミノトルエン、２，５−ジアミノトルエン、２，６−ジアミノトルエン、３，５−ジアミノトルエン、１−メトキシ−２，４−ジアミノベンゼン、１，３−ジアミノ−４，６−ジメチルベンゼン、１，４−ジアミノ−２，５−ジメチルベンゼン、１，４−ジアミノ−２−メトキシ−５−メチルベンゼン、１，４−ジアミノ−２，３，５，６−テトラメチルベンゼン、１，４−ビス（２−メトキシ−４−アミノペンチル）ベンゼン、１，４−ビス（１，１−ジメチル−５−アミノペンチル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、o−キシレンジアミン、ｍ−キシレンジアミン、ｐ−キシレンジアミン、９，１０−ビス（４−アミノフェニル）アントラセン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４−アミノフェニル−３−アミノベンゾエート、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス[４−（４−アミノフェノキシ）フェニル]プロパン、１，１−ビス（４−アミノフェニル）−１−フェニル−２，２，２−トリフルオロエタン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−１−フェニル−２，２，２−トリフルオロエタン、１，３−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェニル）デカフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（５−アミノ−４−メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，４−ビス（３−アミノフェニル）ブタ−１−エン−３−イン等が挙げられる。これらは単独又は２種以上併用して使用される。【００２７】
ここで、（Ａ）テトラカルボン酸二無水物成分及び（Ｂ）ジアミン成分のどちらか若しくは両方の主鎖に炭素数５〜２０のアルキレン鎖を含有させれば、低温硬化性、可撓性、低吸水率及び低反り性を実現することができる。吸水率が高い場合、耐マイグレーション性が低下する要因となるので、熱硬化後の樹脂組成物は吸水率が低いことが好ましい。【００２８】
また、（Ａ）テトラカルボン酸二無水物成分及び（Ｂ）ジアミン成分のどちらか若しくは両方の主鎖に脂環式の炭化水素基及び／又は芳香族基を含有させれば、耐熱性を向上できる。【００２９】
また、本発明のポリアミック酸は、ポリアルキレンオキシ基等のエーテル結合を含まないことが好ましい。エーテル結合は、高温で結合が壊れやすく、そのため、樹脂の耐熱性（５％重量減少温度）が低下する要因となる。さらに、エーテル結合を有すると、吸水し易く、絶縁特性（ＨＡＳＴ）等に悪影響を及ぼす要因ともなる。このようなエーテル結合を含まない炭素数５〜２０のアルキレン基を有するポリアミック酸としては、下記一般式（１Ａ）で表される化合物が挙げられ、また、同じく、前記エーテル結合を含まない炭素数５〜２０のアルキレン基を有するポリイミドとしては、下記一般式（２Ａ）で表される化合物が挙げられる。【００３０】
【化３】
2007116979.tif 000005
（式（１Ａ）中、Ａｒ1が下記一般式（３）で表わされる４価の有機基及び／又はＡｒ2が下記一般式（４）で表わされる２価の有機基であり、ｌは１以上の整数である。）【００３１】
【化４】
2007116979.tif 000006
（式（２Ａ）中、Ａｒ3が下記一般式（２）で表わされる４価の有機基及び／又はＡｒ4が下記一般式（３）で表わされる２価の有機基であり、ｍは１以上の整数である。）【００３２】
【化５】
2007116979.tif 000007
（式（３）中、Ｘは炭素数５〜２０のアルキレン基を示し、Ｒ1及びＲ2は各々独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、ｍ及びｎは各々独立に１〜３の整数である。）【００３３】
【化６】
2007116979.tif 000008
（式（４）中、Ｚは単結合又は２価の有機を示し、Ｙ1及びＹ2それぞれ独立に炭素数５〜２０のアルキレン基を示す。）【００３４】
また、前記一般式（４）において、Ｚが下記一般式（５）、一般式（６）及び／又は一般式（７）で表されるポリアミック酸を用いることにより、さらに低温硬化（〜２００℃）、低反り性、耐熱性（５％重量減少温度）、絶縁性及び低吸水性を向上させることができる。【００３５】
【化７】
2007116979.tif 000009
（式（５）中、Ｒ3は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケニル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、ｍは１〜４の整数を示す。なお、ｍが２以上の場合、複数存在するＲ3は同一でも異なっていてもよい。）【００３６】
【化８】
2007116979.tif 000010
（式（６）中、Ｒ4は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケニル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、ｎは１〜４の整数を示す。なお、ｎが２以上の場合、複数存在するＲ3は同一でも異なっていてもよい。）【００３７】
【化９】
2007116979.tif 000011
（式（７）中、Ｒ5は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケニル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、ｎは１〜４の整数を示す。なお、ｎが２以上の場合、複数存在するＲ3は同一でも異なっていてもよい。）【００３８】
前記主鎖に炭素数５〜２０のアルキレン鎖を有する（Ａ）テトラカルボン酸二無水物成分としては、下記一般式（８）で表される化合物が挙げられる。【００３９】
【化１０】
2007116979.tif 000012
（式（８）中、Ｘは炭素数５〜２０アルキレン基を示す。）【００４０】
前記式（８）で表される化合物としては、例えば、ペンタメチレンビストリメリテート二無水物、ヘキサメチレンビストリメリテート二無水物、ヘプタメチレンビストリメリテート二無水物、オクタメチレンビストリメリテート二無水物、ノナメチレンビストリメリテート二無水物、デカメチレンビストリメリテート二無水物、ドデカメチレンビストリメリテート二無水物等が挙げられる。
これらは、単独で又は２種を組み合わせて使用される。【００４１】
前記主鎖に炭素数５〜２０のアルキレン鎖を有する（Ｂ）ジアミン成分としては、例えば、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、２，１１−ジアミノドデカン、１，１２−ジアミノオクタデカン、２，５−ジメチルヘキサメチレンジアミン、３−メチルヘプタメチレンジアミン、２，５−ジメチルヘプタメチレンジアミン、４，４−ジメチルヘプタメチレンジアミン、５−メチルノナメチレンジアミン、３−メトキシヘキサメチレンジアミン等の脂肪族ジアミン、下記一般式（９）、（１０）及び／又は（１１）で表される化合物などが挙げられる。【００４２】
【化１１】
2007116979.tif 000013
（式（９）中、Ｙ1及びＹ2それぞれ独立に炭素数５〜２０のアルキレン基を示し、Ｒ6は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケニル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、ｑは１〜４の整数を示す。なお、ｑが２以上の場合、複数存在するＲ6は同一でも異なっていてもよい。）【００４３】
【化１２】
2007116979.tif 000014
（式（１０）中、Ｙ1及びＹ2それぞれ独立に炭素数５〜２０のアルキレン基を示し、Ｒ7は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケニル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、ｒは１〜４の整数を示す。なお、ｒが２以上の場合、複数存在するＲ7は同一でも異なっていてもよい。）【００４４】
【化１３】
2007116979.tif 000015
（式（１１）中、Ｙ1及びＹ2それぞれ独立に炭素数５〜２０のアルキレン基を示し、Ｒ8は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルケニル基又は炭素数１〜３のアルコキシ基を示し、ｓは１〜４の整数を示す。なお、ｓが２以上の場合、複数存在するＲ8は同一でも異なっていてもよい。）【００４５】
前記一般式（１０）で表される化合物としては、［３，４−ビス（１−アミノヘプチル）−６−ヘキシルー５−（１−オクテニル）］シクロヘキセン（商品名「Versamine551」、コグニスジャパン（株）社製）が市販品として入手可能である。これらは、単独で又は２種を組み合わせて使用される。【００４６】
本発明に用いるポリアミック酸は、低温硬化（〜２００℃）、低反り性、耐熱性（５％重量減少温度）、絶縁性及び低吸水性の向上の観点から、前述のように、（Ａ）テトラカルボン酸二無水物成分と（Ｂ）ジアミン成分の反応によって得られる、主鎖に炭素数５〜２０のアルキレン鎖を有することが好ましく、中でも、炭素数６〜１６のアルキレン鎖であることがより好ましく、炭素数７〜１４のアルキレン鎖であることが特に好ましい。炭素数が５未満のアルキレン基を有する場合では、樹脂の吸水率、弾性率が上昇の傾向となり、炭素数が２０を超えるアルキレン基を有する場合では、耐熱性等が低下する傾向となる。【００４７】
本発明に用いるポリアミック酸は、ほぼ当モルの（Ａ）酸成分と（Ｂ）ジアミン成分とを有機溶媒中で８０℃以下、好ましくは５０℃以下の反応温度下で１〜１２時間付加重合反応させて得られる。【００４８】
前記（Ａ）テトラカルボン酸二無水物と、前記（Ｂ）ジアミン成分とを反応させる際の溶媒としては、例えば、含窒素系溶剤類（Ｎ，Ｎ’−ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ’−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ’−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ヘキサメチレンホスホアミドＮ−メチルピロリドン等）、ラクトン類（γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、ε−カプロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン等）、脂環式ケトン類（シクロヘキサノン、４−メチルシクロヘキサノン等）、エーテル類（３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテルアセテート等）などが挙げられる。これらの中から、含窒素系溶剤類、脂環式ケトン類等がより好ましく、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、シクロヘキサノンが特に好ましいものとして挙げられる。これらは単独又は２種以上混合して使用することができる。【００４９】
前記（Ａ）テトラカルボン酸二無水物成分と（Ｂ）ジアミン成分との組合せは、最終硬化後のポリイミド樹脂膜の耐熱性、機械的特性、電気的特性を考慮して選択することが好ましい。【００５０】
本発明におけるポリアミック酸を含む樹脂組成物は、半導体チップ若しくはフレキシブル配線基板のどちらか一方、又は両方に塗布後、溶剤を含んでいる場合には溶剤を乾燥後、耐熱性を良好にする目的で、イミド化率が８０％以上となるように熱硬化させることが好ましい。熱硬化するための温度は、半導体に対する負荷軽減、半導体装置の反り軽減の観点から２５０℃以下が好ましく、２２０℃以下がより好ましく、２００℃以下が特に好ましい。【００５１】
尚、このイミド化率の測定は、赤外線吸収スペクトルを透過法で測定できる。
また、イミド化率の値は、３００℃で１時間硬化した硬化膜（樹脂膜厚：５μｍ）を理論的に１００％イミド化された場合（リファレンス）とし、以下の式により算出することができる。
イミド化率＝｛(Ｋ／Ｌ)−（Ｍ／Ｎ）｝／｛（Ｏ／Ｐ）−（Ｍ／Ｎ）｝
（式中、Ｋは、樹脂組成物硬化後（任意の温度）の１３７５ｃｍ-1付近の極大ピークの吸光度であり、Ｌは、樹脂組成物硬化後（任意の温度）の１５００ｃｍ-1付近の極大ピークの吸光度であり、Ｍは、樹脂組成物硬化前の１３７５ｃｍ-1付近の極大ピークの吸光度であり、Ｎは、樹脂組成物硬化前の１５００ｃｍ-1付近の極大ピークの吸光度であり、Ｏは、樹脂組成物を３００℃で１時間硬化後の１３７５ｃｍ-1付近の極大ピークの吸光度であり、Ｐは、樹脂組成物を３００℃で１時間硬化後の１５００ｃｍ-1付近の極大ピークの吸光度である。）【００５２】
前記、イミド化率を８０％以上とした樹脂（ポリイミド）を含む樹脂組成物が形成されている半導体チップ及び／又はフレキシブル配線基板を、前記樹脂組成物が溶融する温度まで加熱して半導体チップと配線回路基板接合することができる。この時の接合温度は、半導体に対する負荷軽減、半導体装置の反り軽減及び錫めっき等の金属の溶融温度の観点から、２００℃〜５００℃が好ましく、２５０℃〜４５０℃がより好ましく、３５０℃〜４２０℃が特に好ましい。【００５３】
ポリアミック酸を熱硬化させてポリイミド化された樹脂を含む封止充填剤用樹脂組成物の流れ性、分解や発泡の抑制、適度な融解、固化時間の設定、及び接合後のパッケージの耐熱性は、用いる（Ａ）テトラカルボン酸二無水物成分と（Ｂ）ジアミン成分を変えることで自由に調整可能である。またフレキシブル配線基板、ソルダレジストなどの変形に追随できるよう、耐折り曲げ性に優れていることが好ましい。【００５４】
また、本発明の封止充填剤用樹脂組成物は、ポリイミド樹脂を含む場合、この樹脂組成物を所定の膜厚でフィルム化したものを、半導体チップ若しくは配線回路基板とのどちらか一方又は両方に貼り付けた後、前記ポリイミド樹脂を含む樹脂組成物が溶融する温度まで加熱して半導体チップと配線回路基板とを接合することもできる。【００５５】
前記ポリイミド樹脂を含む樹脂組成物のフィルム化は、常法により作製可能である。また、ポリイミド樹脂を含む樹脂組成物をフィルム化して用いる場合においても、前記ポリアミック酸と同様、前記ポリイミドを表す一般式（２）中の主鎖（Ａｒ3及び／又はＡｒ4）に炭素数５〜２０のアルキレン鎖を含有させれば、低温硬化性、可撓性、低吸水率及び低反り性を向上することができる。【００５６】
また、本発明の封止充填剤用樹脂組成物には、前記ポリアミック酸又は前記ポリイミド以外の熱可塑性樹脂を併用することができる。前記ポリアミック酸又は前記ポリイミド以外の熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリエステル、ポリアクリロニトリル、ポリスチレン、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリフェニレン等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができるが、使用条件、例えば、使用温度に合わせることが重要である。【００５７】
また、本発明の封止充填剤用樹脂組成物には、接着性を向上させる観点から、多種の添加剤を配合することができる。このような添加剤としては、例えば、消泡剤、シランカップリング剤、無機あるいは有機フィラー、顔料等が挙げられる。【００５８】
また、本発明の封止充填剤用樹脂組成物は、耐マイグレーション性を向上できる観点から、イオン性不純物の含有量が少ないことが好ましい。イオン性不純物としては塩素イオン等が挙げられる。この塩素イオン濃度は、封止充填剤用樹脂組成物に対し、５ｐｐｍ以下である必要があり、３ｐｐｍ未満であることが好ましく、１ｐｐｍ未満であることがより好ましい。【００５９】
また、本発明の封止充填剤用樹脂組成物を熱硬化あるいは加熱溶融後に再固化してなる接合層（ポリイミドを含む）の弾性率は、１０以上３５００ＭＰａ以下であることが好ましく、１０以上３０００ＭＰａ以下であることがより好ましく、５０以上２８００ＭＰａ以下であることが特に好ましく、５０以上１５００ＭＰａ以下であることが更に好ましく、１００以上１０００ＭＰａ以下であることが最も好ましい。【００６０】
更に、本発明の封止充填剤用樹脂組成物を熱硬化あるいは加熱溶融後に再硬化してなる接合層（ポリイミドを含む）の線膨張係数が３００ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、２００ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましく、１５０ｐｐｍ／℃以下であることが特に好ましく、１００ｐｐｍ／℃以下であることが最も好ましい。【００６１】
前記弾性率が３５００ＭＰａを超え、線膨張係数が３００ｐｐｍ／℃を超えると、フリップチップ実装品を構成する材料間に応力が発生し、クラックや剥離の原因となり、耐マイグレーション性を低下させる傾向がある。また、弾性率が高い場合、半導体チップに与える応力が増大し、半導体装置に不具合が生じたり、反りが生じて変形する傾向がある。【００６２】
また、封止充填剤用樹脂組成物を熱硬化あるいは加熱溶融後に再硬化してなる接合層（熱硬化膜：ポリイミドを含む）の吸水率は、接合層を構成する樹脂組成物硬化膜の膜厚２０μｍとし、２５℃において２４時間、水に浸漬した場合で示すと、絶縁特性（耐マイグレーション性）向上の観点から、０以上２％未満であることが好ましく、０以上１．５％未満であることがより好ましく、０以上０．５％未満が特に好ましい。
尚、この吸水率λ（％）は、以下の式に基づいて算出することができる。
λ(％)＝｛（ｗ−ｗ0）／ｗ｝×１００
（式中、ｗ0は、脱イオン水に浸漬前の樹脂組成物硬化膜の質量であり、ｗは、脱イオン水に浸漬後の樹脂組成物硬化膜（接合層）の質量である。）【００６３】
また、本発明の封止充填剤用樹脂組成物の熱硬化膜（接合層）は、フレキシブル配線基板や、ソルダレジストに追随する耐折り曲げ性を有することが好ましい。折り曲げ性を有しない場合、フレキシブル配線基板を装置に組み込む際に折り曲げた時に樹脂端部から剥離したり、クラックが生じたりし、耐マイグレーション性を低下させる傾向がある。【００６４】
（フリップチップ実装方法及びフリップチップ実装品）
次に、本発明によるフリップチップ実装方法について説明する。図１〜図４は、配線回路基板上に本発明の封止充填剤用樹脂組成物を塗布し半導体チップ及び配線回路基板を接合するフリップチップ実装方法のプロセスを説明する概略断面図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。【００６５】
図１に示すように、配線回路基板としてのフィルム状基材１の上面には、半導体チップが実装される部分等を除いて銅配線２が形成されており、この銅配線２上の所定部分には錫又は金などの金属めっき３が施されている。この金属めっき３としては、錫又は金めっきを好適に使用できるが、他の金属のめっきであっても良く、同様に使用できる。さらに、接合部分以外のパターンなどの保護膜として、耐熱性コーティング材であるソルダーレジスト４が銅配線２上に形成されている。【００６６】
次に、図２に示すように、このようなフィルム状基材１の半導体チップが実装される実装位置５を覆って、本発明の封止充填剤用樹脂組成物６を塗布する。封止充填剤用樹脂組成物６は、半導体チップとフィルム状基材１との距離、半導体チップの大きさなどに応じて、所望の厚さ、形状に塗布することができる。或いは、封止充填剤用樹脂組成物６をフィルム状基材１の半導体チップが実装される実装位置５に滴下しても良く、又は後述するようにシート状の封止充填剤用樹脂組成物を貼り付けることにより所定の実装位置５に配置することができ、これらの塗布、滴下、貼り付けの方法や条件は、特に限定されない。【００６７】
塗布する封止充填剤用樹脂組成物６の厚さは、一般的に配線の高さ等に依存するが、約５０〜７０μｍである。本発明の封止充填剤用樹脂組成物を有機溶剤等に溶解して用いる場合、一般的な塗布法としてはスピンコート法や印刷法が挙げられ、封止充填剤用樹脂組成物溶液を前記塗布法で塗布後、乾燥及び熱硬化せしめることにより封止充填剤用樹脂組成物層を形成させることができる。乾燥、硬化温度は、使用する溶剤にも依存するが、約１００℃程度から３００℃程度まで徐々に上昇させる方法が一般的である。【００６８】
半導体チップ１０には、図３に示すように、その下面にメタルポスト１１を介してバンプ１２が形成されている。バンプ１２が形成されている半導体チップ１０の下面を金属めっき３が形成されているフィルム状基材１の上面に対向させ、所定温度で加熱しながらこれらの半導体チップ１０とフィルム状基材１とを押圧装置１５によって押圧する。この時、超音波などを印加して接合しても良く、このような超音波接合によって均一な封止充填剤用樹脂組成物６の層が形成され、実装状態のバラツキを抑えることができる。【００６９】
以上のようにして、図４に示すように、半導体チップ１０のバンプ１２とフィルム状基材１の金属めっき３とが接合され、かつバンプ１２と金属めっき３との接合部の近傍が封止充填剤用樹脂組成物６を熱硬化してなる接合層６’により充填、封止されたフリップチップ実装品２０を製造することができる。【００７０】
次に、半導体チップ１０とフィルム状基材１との距離、半導体チップの大きさなどに応じて、所望の厚さ、形状に成形したシート状の封止充填剤用樹脂組成物を貼り付ける場合について説明する。図５〜図７は、配線回路基板上にシート状封止充填剤用樹脂組成物を貼り付けて半導体チップ及び配線回路基板を接合するフリップチップ実装方法のプロセスを説明する概略断面図である。【００７１】
まず、図５に示すように、フィルム状基材１における半導体チップの実装位置５を覆って、シート状封止充填剤用樹脂組成物（ポリイミドを含む樹脂組成物）６Ａを貼り付ける。貼り付け法としては、ラミネート法が挙げられ、任意の形状の封止充填剤用樹脂組成物シートを作製し、半導体チップ、又は配線回路基板に加温しながら熱圧着することで封止充填剤用樹脂組成物層を形成することができる。加熱温度としては、５０℃〜１６０℃が好ましく、８０℃〜１３０℃がより好ましい。なお、図５では、シート状封止充填剤用樹脂組成物６Ａが直接ソルダーレジスト４に接しているが、図５では一例を図示したもので、図示の例に限らず種々の態様を含む。【００７２】
次に、図６に示すように、バンプ１２が形成されている半導体チップ１０の下面を金属めっき３が形成されているフィルム状基材１の上面に対向させ、所定温度で加熱しながらこれらの半導体チップ１０とフィルム状基材１とを押圧装置１５によって押圧する。この時、超音波接合を行っても良い点は、図３の場合と同様である。【００７３】
以上のようにして、図７に示すように、半導体チップ１０のバンプ１２とフィルム状基材１の金属めっき３とが接合され、かつバンプ１２と金属めっき３との接合部の近傍がシート状封止充填剤用樹脂組成物６Ａを加熱溶融した後に再硬化してなる接合層６Ａ’で封止されたフリップチップ実装品２０Ａを製造することができる。【００７４】
本発明によるフリップチップ実装方法においては、本発明の封止充填剤用樹脂組成物に使用する熱可塑性樹脂が安定性に優れるため、半導体チップ又は配線回路基板にあらかじめ封止充填剤用樹脂組成物を塗布、滴下、貼り付けした後、半導体チップと配線回路基板との加熱接合までの放置時間に制限はない。また、一般的な熱硬化性樹脂に必要な接合後のアフターキュアーが必要ないため、工程を短縮することができる。
【実施例】
【００７５】
次に、本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。また、以下の合成例において、ポリアミック酸の数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定し、標準ポリスチレンを用いた検量線により換算して求めた。ＧＰＣの条件は以下の通りである。
ポンプ：日立  Ｌ−６０００型［（株）日立製作所製］
検出器：日立  Ｌ−３３００型ＲＩ［（株）日立製作所製］
カラム：Ｇｅｌｐａｃｋ  ＧＬ−Ｓ３００ＭＤＴ−５（計２本）（以上、日立化成工業（株）製、商品名）
溶離液：ＤＭＦ／テトラヒドロフラン（質量比１／１）
流量：１ｍＬ／分【００７６】
（実施例１）
（封止充填剤用樹脂組成物前駆体の合成）
攪拌機、温度計、窒素導入管を備えた５００ｍＬの四つ口セパラブルフラスコに、溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン１３２ｇ、ジアミンとして和歌山精化社製の「ＢＡＰＰ（商品名）」１０．１５ｇと、三井化学ファイン社製の「ＡＢＰ−Ｎ（商品名）」７．２３ｇとを仕込み、窒素を１５０ｍｌ／分で導入しながら均一になるまで約５分間攪拌した。攪拌しながら、テトラカルボン酸二無水物として黒金化成社製の「ＢＰＡＤＡ（商品名）」２６．５２ｇを２０分かけて徐々に添加した。添加中発熱し、反応液温は２０℃から３５℃まで上昇した。添加したテトラカルボン酸二無水物が完全に溶解するまで攪拌し、７０℃に昇温し、さらに３時間加熱攪拌した。得られた封止充填剤用樹脂組成物用の前駆体（ポリアミック酸）の数平均分子量は４２，０００であった。【００７７】
（実施例２）
攪拌機、温度計、窒素導入管を備えた５００ｍＬの四つ口セパラブルフラスコに、溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン１４５ｇ、ジアミンとして和歌山精化社製の「ＢＡＰＰ（商品名）」を２０．３ｇ、窒素を１５０ｍｌ／分で導入しながら均一になるまで約５分間攪拌した。攪拌しながらテトラカルボン酸二無水物としてダイセル化学社製の「ＯＤＰＡ（商品名）」１５．８ｇを２０分かけて徐々に添加した。添加中発熱し、反応液温は２０℃から３５℃まで上昇した。添加したテトラカルボン酸二無水物が完全に溶解するまで攪拌し、７０℃に昇温し、さらに３時間過熱攪拌した。得られた封止充填剤用樹脂組成物用の前駆体（ポリアミック酸）の数平均分子量は６１，０００であった。【００７８】
実施例１、実施例２で得られた封止充填剤用樹脂組成物用の前駆体（ポリアミック酸）をそれぞれ硝子板に塗布して、１００℃×１時間、２００℃×３０分、２５０℃×１時間乾燥、硬化せしめ、温水中で剥離させて、封止充填剤用樹脂組成物のフィルムを得た。【００７９】
（実施例３）
攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた３００ｍＬの四つ口セパラブルフラスコにテトラカルボン酸二無水物としてベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）２９．００ｇ（０．０９ｍｏｌ）、溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン７１．７ｇを加えて６０℃で１５分間攪拌した。次に、攪拌しながら、ジアミンとしてコグニスジャパン社製の「バーサミン５５１（商品名）」４９．９６ｇ（０．０９ｍｏｌ）を１５分かけて添加した。添加終了後、４０℃まで昇温し、５時間攪拌を行い、ポリアミック酸のＮ−メチル−２−ピロリドン溶液を得た。得られた溶液中の固形分は質量５２％であり、この封止充填剤用樹脂組成物用の前駆体（ポリアミック酸）の数平均分子量は１７０００であった。【００８０】
（実施例４）
攪拌機、温度計および窒素導入管を備えた３００ｍＬの四つ口セパラブルフラスコにテトラカルボン酸二無水物としてデカメチレンビストリメリテート二無水物（ＤＢＴＡ）４１．８ｇ（０．０８ｍｏｌ）、溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン１３３ｇを加えて６０℃で１５分間攪拌した。次に、攪拌しながら、ジアミンとしてコグニスジャパン社製の「バーサミン５５１（商品名）」４４ｇ（０．０８ｍｏｌ）を３０分かけて添加した。添加終了後、６０℃まで昇温し、１時間攪拌を行いポリアミック酸のＮ−メチル−２−ピロリドン溶液を得た。得られた溶液中の固形分は質量４０％であり、この封止充填剤用樹脂組成物用の前駆体（ポリアミック酸）の数平均分子量は３１０００であった。【００８１】
実施例３及び実施例４で得られた封止充填剤用樹脂組成物用の前駆体（ポリアミック酸）を硝子板に塗布して、１００℃×１時間、１８０℃×１時間乾燥、硬化せしめ、温水中で剥離させて、封止充填剤用樹脂組成物のフィルムを得た。【００８２】
（比較例１）
スチレン−ブタジエン系ゴム熱可塑性樹脂組成物（日立化成ポリマー社製、商品名「ハイボン９６１０」）を１８０℃で溶融させ（粘度３．５Ｐａ・ｓ）、これを硝子板に塗布して、前記実施例と同様にして、フィルムを得た。【００８３】
（比較例２）
エポキシ系熱硬化性樹脂組成物封止充填剤（日立化成工業社製、商品名「ＲＣ２８１Ｃ」）硝子板に塗布し、１５０℃で２時間硬化し、フィルムを得た。
なお、実施例中の引張り弾性率、耐マイグレーション性、吸水率、イオン性不純物、密着性の測定及び評価は、以下のように行った。結果を（表１）に示した。【００８４】
（性能評価）
前記各実施例および各比較例において得られたフィルムを用いて、下記内容の引張弾性率、線膨張係数、耐折り曲げ性を評価した。【００８５】
〔引張り弾性率〕
樹脂組成物の引張り弾性率は、樹脂を約５０μｍのフィルム状にした後に幅１ｃｍ、長さ４ｃｍの短冊状に切出した試験片について、島津製作所製オートグラフ（商品名「ＡＧＦ−５ＫＮ」）を用い、温度２３℃、チャック間２０ｍｍ、引張り速度５ｍｍ／分の条件で測定した。結果を下記（表１）に示した。【００８６】
〔線膨張係数〕
樹脂組成物の線膨張係数は、樹脂を厚さ約５０μｍのフィルム状にした後に幅４ｍｍ、長さ２０ｍｍの短冊状に切出した試験片について、リガク社製サーモプラス（商品名「ＴＭＡ８３１０」）を用い、チャック間距離１０ｍｍ、昇温速度１０℃／分、加重３ｇで測定した。結果を（表１）に示した。【００８７】
〔耐折り曲げ性〕
樹脂組成物の耐折り曲げ性評価は、マイグレーション評価後の試験片を１８０度に折り曲げた時の状態を観察して評価した。割れなかったものを○、割れたものを×とした。結果を（表１）に示した。【００８８】
〔イオン性不純物〕
各例の樹脂組成物のイオン性不純物含有量は、よく洗浄した耐圧容器に樹脂組成物約２ｇ、純水約１８ｇを入れ、１２１℃／１００％ＲＨの環境で２０時間抽出し、陰イオンクロマトグラフ（ダイオネクス社製、商品名「ＤＸ−１２０」、カラムＡＳ１２Ａ）を用いて測定した。結果を（表１）に示した。【００８９】
〔フレキシブル配線板基材への貼付け性〕
フレキシブル配線基板（２層キャスティング材、３０μｍピッチ、錫めっき）に、各例の封止充填剤用樹脂組成物を予め塗布した１．５ｍｍ×１５ｍｍ角の半導体チップを、４５０℃／１ＭＰａで５秒間熱圧着し、その様子を観察した。ボイドが発生しなかったものを○、ボイドが発生したものを×とした。結果を（表１）に示した。【００９０】
〔反りの評価〕
直径２０ｃｍ、厚み約４２０μｍのＳｉウエハー上に厚み約１００μｍの膜が形成されるよう樹脂を配置し、所定の温度で硬化、貼付けを行った。ウエハ端部を押さえた際に、逆端部の持ち上がり度合いを基材の反りとして測定した。基材の反りが０．５ｍｍ以下だったものを○、それより大きかったものを×とした。結果を（表１）に示した。【００９１】
〔耐マイグレーション性〕
前記各例で得た樹脂組成物の耐マイグレーション性は、図８に示す耐マイグレーション性評価用基板を使用して評価した。すなわち、図８に示すように、フレキシブル基板（厚さ２５μｍのポリイミド基材１上に厚さ１０μｍの錫めっき銅配線２を形成した基板、配線３０μｍピッチ）にソルダーレジスト４（商品名：ＳＮ−９０００、日立化成工業株式会社製）を塗布し、さらに配線表面に前記各例で得た樹脂組成物６を塗布してサンプルを作製し、長さ３０ｍｍ、幅５ｍｍに切り出して耐マイグレーション性評価用基板３０とした。なお、図８中、符号３１はソルダーレジスト４を塗布していないソルダーレジスト未塗布部分を示している。得られた耐マイグレーション性評価用基板３０について、イオンマイグレーションテスター（商品名：ＭＩＧ−８６００、ＩＭＶ社製）を用い、１１０℃／８５％ＲＨ／６０Ｖの条件で耐マイグレーション性を評価した。また、耐マイグレーション性の評価結果を図９に示した。【００９２】
【表１】
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【００９３】
引張り弾性率および線膨張係数の評価結果では、実施例１〜４の本願のポリアミック酸を含む樹脂組成物は、比較例２のエポキシ系熱硬化性樹脂組成物に比べ低弾性を示した。
耐折曲げ性評価の結果では、比較例２のエポキシ系熱硬化性樹脂組成物は、折り曲げた際に容易に割れてしまった。
イオン性不純物（塩素イオン）量の評価では、比較例１のイオン性不純物は、実施例１〜４の樹脂組成物に比べて、多かった。
フレキシブル配線板基板への貼付け性では、比較例１、２ともに耐熱性が低く、樹脂が発泡し、ボイドが発生した。
耐マイグレーション性に関しては、前記評価した物性が耐マイグレーション性に影響を及ぼす因子として考えられる。すなわち、実施例１〜４は前述した特性に優れるため、図１に示したように、良好な耐マイグレーション性を示した。比較例１はイオン性不純物が高いため、比較例２はフレキシブル配線基板や周辺材への追随性が低い（特性が大きく離れている）ために耐マイグレーション性が低下した。
また、反り評価結果では、実施例３及び４は、実施例１及び２に較べ、引張り弾性率が低いので、低反り性に優れた。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本発明にかかる封止充填材用樹脂組成物によれば、予め封止充填剤を配置しておくフレキシブル配線板へのフリップチップ実装方法において、塗布後に適度な厚みを保持でき、加熱接合する際に適度な流れ性を持って半導体チップとフレキシブル配線回路基板の間隙を隙間無く充填でき、接合時の加熱による分解や発泡がなく、適当な速度で融解、固化し、固化後の電気絶縁性が高く、フレキシブル配線基板上の電極への腐食要因を有せず、常温での保管安定性に優れた封止充填剤を提供することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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