【手続補正書】
【提出日】令和1年5月9日(2019.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気メッキ浴の状態を監視することによって電気メッキセルを制御する方法であって、
（ａ）第１の電極としての基板と第２の電極との間の初期電圧を読み取る工程と、
（ｂ）前記電気メッキセル内での前記基板に対する電気メッキ中に、前記基板と前記第２の電極との間の電圧を繰り返し読み取る工程と、
（ｃ）前記電圧の前記繰り返された読み取り値の各々を、前記電気メッキ中に前記初期電圧からドリフトする対応する予測電圧と比較する工程であって、
前記ドリフトは、満足な電気メッキ結果を生み出す基板電気メッキ動作から決定される、工程と、
（ｄ）前記電圧の前記繰り返された読み取り値の内の１以上が、逸脱閾値よりも大きい値だけ前記対応する予測電圧から逸脱していると判定する工程と、
（ｅ）前記電圧の前記繰り返された読み取り値の内の前記１以上が、前記逸脱閾値よりも大きい値だけ前記対応する予測電圧から逸脱していると判定したことに応じて、通知を送信する、および／または、前記電気メッキセルの動作を一時停止する工程と、
を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、工程（ｅ）は、さらに、前記電気メッキセルをエラー状態に置く工程を含む、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記電圧の前記繰り返された読み取り値の内の前記１以上は、前記電気メッキセルが工程（ｅ）でエラー状態に置かれるか否かを判定するために用いられる唯一の電圧読み取り値である、方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法であって、工程（ｅ）において、前記電気メッキセルをエラー状態に置くことは、前記電圧の前記１以上の繰り返された読み取り値が、前記逸脱閾値より大きい値だけ前記対応する予測電圧から逸脱すると判定したことに応じてのみ決定される、方法。
【請求項５】
請求項２に記載の方法であって、前記繰り返された読み取り値の大きさは、前記電気メッキセルが工程（ｅ）でエラー状態に置かれるか否かを判定するために用いられない、方法。
【請求項６】
請求項２に記載の方法であって、電流は、前記電気メッキセルが工程（ｅ）でエラー状態に置かれるか否かを判定するために用いられない、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、さらに、定電流を印加し始めた後、前記基板と前記第２の電極との間の前記電圧を繰り返し読み取る前に、遅延期間だけ待機する工程を備える、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記電気メッキ中に変化するドリフトパラメータに前記初期電圧を加えることにより、前記対応する予測電圧を決定する工程を備え、
前記基板と前記第２の電極との間の前記初期電圧は、前記基板と前記第２の電極との間の前記電圧を繰り返し読み取る前に読み取られ、
前記ドリフトパラメータは、前記基板と前記第２の電極との間の電圧の前記繰り返された読み取り値の大きさの合計から独立しており、
前記ドリフトパラメータは、満足な電気メッキ結果を生み出す基板電気メッキ動作から決定された前記ドリフトに対応する、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、前記ドリフトは、時間の線形関数または対数関数である、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、前記ドリフトは、前記電気メッキ中に３つの部分のドリフトプロファイルを備え、前記プロファイルは、（ｉ）漸進的な電圧の低下、（ｉｉ）急速な電圧の上昇、および、（ｉｉｉ）電圧の安定した期間、を含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、前記基板は、凹部フィーチャを備え、（ｉｉ）における前記急速な上昇は、前記フィーチャが完全に充填される少し前に起きる、方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法であって、前記逸脱閾値は、前記ドリフトプロファイルに依存し、１または複数の逸脱閾値を含み、（ｉｉ）に対応する逸脱閾値は、（ｉ）に対応する逸脱閾値より大きい、方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であって、前記電気メッキは、１または複数の電気メッキステップを含み、前記１または複数のステップの各々中に定電流が印加される、方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法であって、前記予測電圧のドリフトは、前記満足な電気メッキ結果を有すると判定された１または複数の基板について得られた電圧読み取り値からモデル化された直線断片を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法であって、前記予測電圧は、前記満足な電気メッキ結果を有すると判定された１または複数の基板の正規化および平均された電圧読み取り値を含む、方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法であって、前記電圧の前記繰り返された読み取り値の各々を、前記電気メッキ中に前記初期電圧からドリフトする対応する予測電圧と比較する工程は、前記繰り返された読み取り値の１または複数の導関数を取る工程と、前記導関数を、前記満足な電気メッキ結果を有すると判定された１または複数の基板に対応する電圧読み取り値の１または複数の平均された導関数と比較する工程と、を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１ないし１６のいずれかに記載の方法であって、前記第２の電極はアノードまたは前記基板に近接した参照電極である、方法。
【請求項１８】
請求項１ないし１６のいずれかに記載の方法であって、前記電気メッキセルは、前記基板と前記第２の電極との間の電圧の前記繰り返される読み取りを行うよう構成された電源に接続される、方法。
【請求項１９】
請求項１ないし１６のいずれかに記載の方法であって、前記基板は、凹部フィーチャを備え、前記基板に対する前記電気メッキは、前記凹部フィーチャを選択的に充填するように前記基板上に金属層を堆積させることを含む、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、前記電気メッキ浴は、前記凹部フィーチャを選択的に充填するための添加剤を含む、方法。
【請求項２１】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記電気メッキ浴から金属を電着させるための電気メッキ装置に基板を提供する工程であって、前記電気メッキ装置は、前記電気メッキ浴と、電源と、第２の電極とを保持するよう構成された前記電気メッキセルを備える、工程と、
前記電気メッキセルにおいて、前記基板に前記金属を電気メッキする工程と、
を備え、
前記ドリフトは、前記電気メッキ中に３つの部分のドリフトプロファイルを備え、前記プロファイルは、（ｉ）経時的な負の電圧の傾き、（ｉｉ）経時的な正の電圧の傾き、および、（ｉｉｉ）経時的な約ゼロの電圧の傾き、を含み、
前記逸脱閾値は、前記ドリフトプロファイルに依存し、１または複数の逸脱閾値を含み、
（ｉｉ）に対応する逸脱閾値は、（ｉ）に対応する逸脱閾値より大きい、方法。
【請求項２２】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記電気メッキ浴から金属を電着させるための電気メッキ装置に基板を提供する工程であって、前記電気メッキ装置は、前記電気メッキ浴と、電源と、第２の電極とを保持するよう構成された前記電気メッキセルを備える、工程と、
前記電気メッキセルにおいて、前記基板上に前記金属を電気メッキする工程と、
を備え、
前記ドリフトは、前記電気メッキ中に３つの部分のドリフトプロファイルを備え、前記プロファイルは、（ｉ）経時的な負の電圧の傾き、（ｉｉ）経時的な正の電圧の傾き、および、（ｉｉｉ）経時的な約ゼロの電圧の傾き、を含み、
前記ドリフトは、時間の対数関数である、方法。
【請求項２３】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記電気メッキ浴から金属を電着させるための電気メッキ装置に基板を提供する工程であって、前記電気メッキ装置は、前記電気メッキ浴と、電源と、第２の電極とを保持するよう構成された前記電気メッキセルを備える、工程と、
前記電気メッキセルにおいて前記基板上に前記金属を電気メッキする工程と、
前記第１の電極としての前記基板と前記第２の電極との間の前記初期電圧を読み取る前に、前記電気メッキ中に遅延時間だけ待機する工程と、
を備える、方法。
【請求項２４】
電気メッキ浴の状態を監視することによって電気メッキセルを制御する方法であって、
（ａ）前記電気メッキ浴から金属を電着させるための電気メッキ装置に基板を提供する工程であって、前記電気メッキ装置は、前記電気メッキ浴と、電源と、第２の電極とを保持するよう構成された前記電気メッキセルを備える、工程と、
（ｂ）前記電気メッキセルにおいて、前記基板上に前記金属を電気メッキする工程と、
（ｃ）第１の電極としての基板と第２の電極との間の初期電圧を読み取る前に、前記電気メッキ中に遅延時間だけ待機する工程と
（ｄ）第１の電極としての基板と第２の電極との間の前記初期電圧を読み取る工程と、
（ｅ）前記電気メッキセルにおいて前記基板上に電気メッキする間に、前記基板と前記第２の電極との間の電圧を繰り返し読み取る工程と、
（ｆ）前記電圧の前記繰り返された読み取り値の各々を、前記電気メッキ中に前記初期電圧からドリフトする対応する予測電圧と比較する工程であって、前記ドリフトは、満足な電気メッキ結果を生み出す基板電気メッキ動作から決定され、前記ドリフトは、前記電気メッキ中に３つの部分のドリフトプロファイルを備え、前記プロファイルは、（ｉ）経時的な負の電圧の傾き、（ｉｉ）経時的な正の電圧の傾き、および、（ｉｉｉ）経時的な約ゼロの電圧の傾きを含む、工程と、
（ｇ）前記電圧の前記繰り返された読み取り値の内の１以上が、逸脱閾値よりも大きい値だけ前記対応する予測電圧から逸脱していると判定する工程と、
（ｈ）前記電圧の前記繰り返された読み取り値の内の前記１以上が、前記逸脱閾値よりも大きい値だけ前記対応する予測電圧から逸脱していると判定したことに応じて、前記電気メッキセルの動作を一時停止する工程であって、前記逸脱閾値は、前記ドリフトプロファイルに依存し、１または複数の逸脱閾値を含み、（ｉｉ）に対応する逸脱閾値は、（ｉ）に対応する逸脱閾値より大きい、方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の方法であって、工程（ｅ）は、さらに、前記電気メッキセルをエラー状態に置く工程を含む、方法。
【請求項２６】
請求項２５に記載の方法であって、前記電圧の前記繰り返された読み取り値の内の前記１以上は、前記電気メッキセルが工程（ｅ）でエラー状態に置かれるか否かを判定するために用いられる唯一の電圧読み取り値である、方法。
【請求項２７】
請求項２５に記載の方法であって、工程（ｅ）において、前記電気メッキセルをエラー状態に置くことは、前記電圧の前記１以上の繰り返された読み取り値が、前記逸脱閾値より大きい値だけ前記対応する予測電圧から逸脱すると判定したことに応じてのみ決定される、方法。
【請求項２８】
１または複数の凹部フィーチャを備えた基板の電気メッキ中にメッキ溶液の状態を監視するための装置であって、
（ａ）前記メッキ溶液を保持するよう構成されたメッキ容器であって、前記装置は、前記メッキ溶液から前記基板上に金属を電着させるよう構成されている、メッキ容器と、
（ｂ）電源と、
（ｃ）電極と、
（ｄ）プログラム命令および／またはロジックを備えたコントローラと、
を備え、
前記プログラム命令および／またはロジックは、
（ｉ）前記基板と前記電極との間の初期電圧の検出を行わせ、
（ｉｉ）前記メッキ溶液内で前記基板上に金属層の電気メッキを行わせ、
（ｉｉｉ）第１の電極としての基板と第２の電極との間の初期電圧の読み取りを行わせる前に、前記電気メッキ中に遅延時間だけ待機させ、
（ｉｖ）第１の電極としての基板と第２の電極との間の前記初期電圧の読み取りを行わせ、
（ｖ）（ｉｉ）の間に、前記基板と前記電極との間の電圧の繰り返し読み取りを行わせ、
（ｖｉ）（ｖ）における電圧読み取り値が、逸脱閾値より大きい値だけ、対応する予測電圧よりも大きいか否かの判定を行わせ、
（ｖｉｉ）（ｖｉ）における前記逸脱が前記逸脱閾値よりも大きいとの判定を行わせたことに応じて、通知を送信させる、および／または、前記メッキ容器の動作を一時停止させるためのプログラム命令および／またはロジックであり、
前記逸脱閾値は、予測電圧に基づき、
前記対応する予測電圧は、前記初期電圧からドリフトし、
前記ドリフトは、満足な電気メッキ結果を生み出す電気メッキ処理での電圧読み取り値から決定されたものである、装置。
【請求項２９】
請求項２８に記載の装置であって、前記通知を送信する、および／または、前記メッキ容器の動作を一時停止させることは、前記メッキ容器をエラー状態に置かせることを含む、装置。
【請求項３０】
請求項２８に記載の装置であって、前記予測電圧のドリフトは、前記満足な電気メッキ結果を有すると判定された１または複数の基板について得られた電圧読み取り値からモデル化された直線断片を含む、装置。
【請求項３１】
請求項２８に記載の装置であって、前記予測電圧は、前記満足な電気メッキ結果を有すると判定された１または複数の基板の正規化および平均された電圧読み取り値を含む、装置。
【請求項３２】
請求項２８に記載の装置であって、（ｉｉｉ）における電圧読み取り値が、前記逸脱閾値より大きい値だけ、前記対応する予測電圧よりも大きいか否かを判定することは、前記繰り返された電圧読み取り値の１または複数の導関数を取り、前記導関数を、前記満足な電気メッキ結果を有すると判定された１または複数の基板に対応する電圧読み取り値の１または複数の平均された導関数と比較することを含む、装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
結び
理解を深めるために、本実施形態について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内でいくらかの変更および変形を行ってもよいことは明らかである。本発明の処理、システム、および、装置を実施する多くの他の方法が存在することに注意されたい。したがって、本実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、実施形態は、本明細書に示した詳細に限定されない。本発明は以下の適用例としても実現できる。
［適用例１］
電気メッキ浴の状態を監視することによって電気メッキセルを制御する方法であって、
（ａ）第１の電極としての基板と第２の電極との間の初期電圧を読み取る工程と、
（ｂ）前記電気メッキセル内での前記基板に対する電気メッキ中に、前記基板と前記第２の電極との間の電圧を繰り返し読み取る工程と、
（ｃ）前記電圧の前記繰り返された読み取り値の各々を、前記電気メッキ中に前記初期電圧からドリフトする対応する予測電圧と比較する工程であって、
前記ドリフトは、満足な電気メッキ結果を生み出す基板電気メッキ動作から決定される、工程と、
（ｄ）前記電圧の前記繰り返された読み取り値の内の１以上が、逸脱閾値よりも大きい値だけ前記対応する予測電圧から逸脱していると判定する工程と、
（ｅ）前記電圧の前記繰り返された読み取り値の内の前記１以上が、前記逸脱閾値よりも大きい値だけ前記対応する予測電圧から逸脱していると判定したことに応じて、通知を送信する、および／または、前記電気メッキセルの動作を一時停止する工程と、
を備える、方法。
［適用例２］
適用例１に記載の方法であって、工程（ｅ）は、さらに、前記電気メッキセルをエラー状態に置く工程を含む、方法。
［適用例３］
適用例２に記載の方法であって、前記電圧の前記繰り返された読み取り値の内の前記１以上は、前記電気メッキセルが工程（ｅ）でエラー状態に置かれるか否かを判定するために用いられる唯一の電圧読み取り値である、方法。
［適用例４］
適用例２に記載の方法であって、工程（ｅ）において、前記電気メッキセルをエラー状態に置くことは、前記電圧の前記１以上の繰り返された読み取り値が、前記逸脱閾値より大きい値だけ前記対応する予測電圧から逸脱すると判定したことに応じてのみ決定される、方法。
［適用例５］
適用例２に記載の方法であって、前記繰り返された読み取り値の大きさは、前記電気メッキセルが工程（ｅ）でエラー状態に置かれるか否かを判定するために用いられない、方法。
［適用例６］
適用例２に記載の方法であって、電流は、前記電気メッキセルが工程（ｅ）でエラー状態に置かれるか否かを判定するために用いられない、方法。
［適用例７］
適用例１に記載の方法であって、さらに、定電流を印加し始めた後、前記基板と前記第２の電極との間の前記電圧を繰り返し読み取る前に、遅延期間だけ待機する工程を備える、方法。
［適用例８］
適用例１に記載の方法であって、さらに、
前記電気メッキ中に変化するドリフトパラメータに前記初期電圧を加えることにより、前記対応する予測電圧を決定する工程を備え、
前記基板と前記第２の電極との間の前記初期電圧は、前記基板と前記第２の電極との間の前記電圧を繰り返し読み取る前に読み取られ、
前記ドリフトパラメータは、前記基板と前記第２の電極との間の電圧の前記繰り返された読み取り値の大きさの合計から独立しており、
前記ドリフトパラメータは、満足な電気メッキ結果を生み出す基板電気メッキ動作から決定された前記ドリフトに対応する、方法。
［適用例９］
適用例１に記載の方法であって、前記ドリフトは、時間の線形関数である、方法。
［適用例１０］
適用例１に記載の方法であって、前記ドリフトは、時間の対数関数である、方法。
［適用例１１］
適用例１に記載の方法であって、前記ドリフトは、前記電気メッキ中に３つの部分のドリフトプロファイルを備え、前記プロファイルは、（ｉ）漸進的な電圧の低下、（ｉｉ）急速な電圧の上昇、および、（ｉｉｉ）電圧の安定した期間、を含む、方法。
［適用例１２］
適用例１１に記載の方法であって、前記基板は、凹部フィーチャを備え、（ｉｉ）における前記急速な上昇は、前記フィーチャが完全に充填される少し前に起きる、方法。
［適用例１３］
適用例１１に記載の方法であって、前記逸脱閾値は、前記ドリフトプロファイルに依存し、１または複数の逸脱閾値を含み、（ｉｉ）に対応する逸脱閾値は、（ｉ）に対応する逸脱閾値より大きい、方法。
［適用例１４］
適用例１に記載の方法であって、前記電気メッキは、１または複数の電気メッキステップを含み、前記１または複数のステップの各々中に定電流が印加される、方法。
［適用例１５］
適用例１４に記載の方法であって、ステップの電流は、直前のステップの電流と同じである、方法。
［適用例１６］
適用例１４に記載の方法であって、ステップの電流は、直前のステップの電流と異なる、方法。
［適用例１７］
適用例１に記載の方法であって、前記予測電圧のドリフトは、前記満足な電気メッキ結果を有すると判定された１または複数の基板について得られた電圧読み取り値からモデル化された直線断片を含む、方法。
［適用例１８］
適用例１に記載の方法であって、前記予測電圧は、前記満足な電気メッキ結果を有すると判定された１または複数の基板の正規化および平均された電圧読み取り値を含む、方法。
［適用例１９］
適用例１に記載の方法であって、前記電圧の前記繰り返された読み取り値の各々を、前記電気メッキ中に前記初期電圧からドリフトする対応する予測電圧と比較する工程は、前記繰り返された読み取り値の１または複数の導関数を取る工程と、前記導関数を、前記満足な電気メッキ結果を有すると判定された１または複数の基板に対応する電圧読み取り値の１または複数の平均された導関数と比較する工程と、を含む、方法。
［適用例２０］
適用例１ないし１９のいずれかに記載の方法であって、前記第２の電極はアノードである、方法。
［適用例２１］
適用例１ないし１９のいずれかに記載の方法であって、前記第２の電極は、前記基板に近接した参照電極である、方法。
［適用例２２］
適用例１ないし１９のいずれかに記載の方法であって、前記電気メッキセルは、前記基板と前記第２の電極との間の電圧の前記繰り返される読み取りを行うよう構成された電源に接続される、方法。
［適用例２３］
適用例１ないし１９のいずれかに記載の方法であって、前記基板は、凹部フィーチャを備え、前記基板に対する前記電気メッキは、前記凹部フィーチャを選択的に充填するように前記基板上に金属層を堆積させることを含む、方法。
［適用例２４］
適用例２３に記載の方法であって、前記凹部フィーチャは、前記基板上のシリコン貫通ビア構造内のビアである、方法。
［適用例２５］
適用例２３に記載の方法であって、前記電気メッキ浴は、前記凹部フィーチャを選択的に充填するための添加剤を含む、方法。
［適用例２６］
適用例２３に記載の方法であって、前記電圧の前記繰り返された読み取り値の内の１以上の読み取り値すべてが、前記基板と前記第２の電極との間に定電流を印加している間に読み取られる、方法。
［適用例２７］
１または複数の凹部フィーチャを備えた基板の電気メッキ中にメッキ溶液の状態を監視するための装置であって、
（ａ）前記メッキ溶液を保持するよう構成されたメッキ容器であって、前記装置は、前記メッキ溶液から前記基板上に金属を電着させるよう構成されている、メッキ容器と、
（ｂ）電源と、
（ｃ）電極と、
（ｄ）プログラム命令および／またはロジックを備えたコントローラと、
を備え、
前記プログラム命令および／またはロジックは、
（ｉ）前記基板と前記電極との間の初期電圧を検出し、
（ｉｉ）前記メッキ溶液内で前記基板上に金属層を電気メッキし、
（ｉｉｉ）（ｉｉ）の間に、前記基板と前記電極との間の電圧を繰り返し読み取り、
（ｉｖ）（ｉｉｉ）における電圧読み取り値が、逸脱閾値より大きい値だけ、対応する予測電圧よりも大きいか否かを判定し、
（ｖ）（ｉｖ）における前記逸脱が前記逸脱閾値よりも大きいとの判定に応じて、通知を送信する、および／または、前記メッキ容器の動作を一時停止するためのプログラム命令および／またはロジックであり、
前記逸脱閾値は、予測電圧に基づき、
前記対応する予測電圧は、前記初期電圧からドリフトし、
前記ドリフトは、満足な電気メッキ結果を生み出す電気メッキ処理での電圧読み取り値から決定されたものである、装置。
［適用例２８］
適用例２７に記載の装置であって、前記通知を送信する、および／または、前記メッキ容器の動作を一時停止することは、前記メッキ容器をエラー状態に置くことを含む、装置。
［適用例２９］
適用例２７に記載の装置であって、前記予測電圧のドリフトは、前記満足な電気メッキ結果を有すると判定された１または複数の基板について得られた電圧読み取り値からモデル化された直線断片を含む、装置。
［適用例３０］
適用例２７に記載の装置であって、前記予測電圧は、前記満足な電気メッキ結果を有すると判定された１または複数の基板の正規化および平均された電圧読み取り値を含む、装置。
［適用例３１］
適用例２７に記載の装置であって、（ｉｉｉ）における電圧読み取り値が、前記逸脱閾値より大きい値だけ、前記対応する予測電圧よりも大きいか否かを判定することは、前記繰り返された電圧読み取り値の１または複数の導関数を取り、前記導関数を、前記満足な電気メッキ結果を有すると判定された１または複数の基板に対応する電圧読み取り値の１または複数の平均された導関数と比較することを含む、装置。