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【手続補正書】
【提出日】平成31年1月31日(2019.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリアレイと前記メモリアレイへの書き込み読み出しを制御するドライバ部とを有し、前記ドライバ部に電力が供給されている第１の電力状態と、前記ドライバ部に電力が供給されていない第２の電力状態で動作するデバイスと、
入力されたデータを処理するデータ処理手段と、
前記デバイスの電力状態を制御する電力制御手段と、
前記データ処理手段が入力されたデータを処理するか否かを示す情報を記憶するレジスタと、を有し、
前記電力制御手段は、前記デバイスを前記第１の電力状態に移行させる指示の受信に応じて、前記前記レジスタに記憶された情報に基づき、前記デバイスを前記第１の電力状態に移行させることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記電力制御手段は、前記レジスタに記憶された前記データ処理手段が入力されたデータを処理することを示す情報に基づき、前記デバイスを前記第１の電力状態に移行させることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記電力制御手段は、前記レジスタに記憶された前記データ処理手段が入力されたデータを処理しないことを示す情報に基づき、前記デバイスを前記第１の電力状態に移行させないことを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記データ処理手段と異なる処理を実行する他のデータ処理手段をさらに有し、
前記データ処理手段は、前記レジスタに記憶された前記データ処理手段が入力されたデータを処理しないことを示す情報に基づき、前記デバイスにアクセスすることなく、入力されたデータをそのまま前記他のデータ処理手段に対して出力することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記他のデータ処理手段によりアクセスされ、前記第１の電力状態および前記第２の電力状態で動作することのできる他のデバイスと、
前記他のデバイスの電力状態を制御する他の電力制御手段と、をさらに有し、
前記電力制御手段は、受信した前記第１の電力状態への移行指示に基づいて、前記他の電力制御手段に前記第１の電力状態への移行指示を出力することを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記電力制御手段は、前記第１の電力状態への移行指示を受信してから所定の時間が経過した後に、前記他の電力制御手段に対して前記第１の電力状態への移行指示を出力することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記デバイスのメモリアレイに記憶されるデータは、前記データ処理手段の実行する処理のパラメータであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記デバイスのメモリアレイに記憶されるデータは、入力されたデータであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記データ処理手段は、前記レジスタに記憶された前記データ処理手段が入力されたデータを処理することを示す情報に基づき、前記デバイスにアクセスして前記データに対する処理を実行する手段であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記情報処理装置は複数種類のジョブを実行することができ、
前記レジスタは、前記情報処理装置の実行するジョブの種類に基づく情報が記憶されることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記複数種類のジョブは、コピージョブとスキャンジョブを含むことを特徴とする請求項１０に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記第１の電力状態は前記メモリアレイに電力が供給されている状態であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
前記第２の電力状態は前記メモリアレイに電力が供給されている状態であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
前記デバイスは、揮発性メモリであることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項１５】
前記電力制御手段は、前記第２の電力状態への移行指示を受信し、前記第２の電力状態への移行指示に基づき、前記デバイスを前記第２の電力状態に移行させることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項１６】
メモリアレイと前記メモリアレイへの書き込み読み出しを制御するドライバ部とを有し、前記ドライバ部に電力が供給されている第１の電力状態と、前記ドライバ部に電力が供給されていない第２の電力状態で動作するデバイスと、
入力されたデータを処理するデータ処理手段と、
前記デバイスの電力状態を制御する電力制御手段と、
前記データ処理手段が入力されたデータを処理するか否かを示す情報を記憶するレジスタと、を有する情報処理装置の制御方法であって、
前記第１の電力状態への移行指示を受信する受信工程と、
前記受信工程において受信された前記移行指示に応じて、前記レジスタに記憶された情報に基づき、前記デバイスの前記第１の電力状態への移行を制御する制御工程と、を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置及びその制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る情報処理装置は、メモリアレイと前記メモリアレイへの書き込み読み出しを制御するドライバ部とを有し、前記ドライバ部に電力が供給されている第１の電力状態と、前記ドライバ部に電力が供給されていない第２の電力状態で動作するデバイスと、入力されたデータを処理するデータ処理手段と、前記デバイスの電力状態を制御する電力制御手段と、前記データ処理手段が入力されたデータを処理するか否かを示す情報を記憶するレジスタと、を有し、前記電力制御手段は、前記デバイスを前記第１の電力状態に移行させる指示の受信に応じて、前記前記レジスタに記憶された情報に基づき、前記デバイスを前記第１の電力状態に移行させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月31日(2019.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウムを含有する集電体を有する負極と、フッ素を含有する電解質塩と添加剤とを含有する電解液と、を含み、
前記添加剤は、フッ酸を捕捉する化合物を含む、蓄電素子。
【請求項２】
前記化合物は、一般式（１）で示される化合物である、請求項１に記載の蓄電素子。
【化１】
2018174097.tif 000001
［一般式（１）において、Ｇは、遷移金属、周期律表の１３族、１４族、又は１５族元素を表し、Ａa+は、金属イオン、プロトン、又はオニウムイオンを表し、ａは、１〜３を表し、ｂは１〜３を表し、ｐはｂ／ａを表し、ｍは１〜４を表し、ｎは０〜８を表し、ｑは０又は１を表し、Ｒ1は、炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキレン基、炭素数６〜２０のアリーレン基、又は炭素数６〜２０のハロゲン化アリーレン基（これらのアルキレン基及びアリーレン基はその構造中に置換基、ヘテロ原子を持っていてもよい。）を表し、Ｒ2は、ハロゲン、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数６〜２０のハロゲン化アリール基、又はＥ3Ｒ3（これらのアルキル基及びアリール基はその構造中に置換基、ヘテロ原子を持っていてもよい。）を表し、Ｅ1、Ｅ2、Ｅ3は、それぞれ独立してＯ、Ｓ、又はＮＲ4を表し、Ｒ3、Ｒ4は、それぞれ独立して水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数６〜２０のハロゲン化アリール基を表す（これらのアルキル基及びアリール基はその構造中に置換基、ヘテロ原子を持っていてもよい。）。］
【請求項３】
前記負極は負極活物質層を含み、該負極活物質層は水系バインダを含有する、請求項１又は２に記載の蓄電素子。
【請求項４】
正極と、前記正極と前記負極との間に配置され且つ無機粒子を含有する無機多孔層とを備える、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の蓄電素子。
【請求項５】
アルミニウムを含有する集電体を有する負極と、フッ素を含有する電解質塩と添加剤とを含有する電解液と、を含み、
前記添加剤として、一般式（１）で示される化合物を含む、蓄電素子。
【化１】
2018174097.tif 000002
［一般式（１）において、Ｇは、遷移金属、周期律表の１３族、１４族、又は１５族元素を表し、Ａa+は、金属イオン、プロトン、又はオニウムイオンを表し、ａは、１〜３を表し、ｂは１〜３を表し、ｐはｂ／ａを表し、ｍは１〜４を表し、ｎは０〜８を表し、ｑは０又は１を表し、Ｒ1は、炭素数１〜１０のアルキレン基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキレン基、炭素数６〜２０のアリーレン基、又は炭素数６〜２０のハロゲン化アリーレン基（これらのアルキレン基及びアリーレン基はその構造中に置換基、ヘテロ原子を持っていてもよい。）を表し、Ｒ2は、ハロゲン、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数６〜２０のハロゲン化アリール基、又はＥ3Ｒ3（これらのアルキル基及びアリール基はその構造中に置換基、ヘテロ原子を持っていてもよい。）を表し、Ｅ1、Ｅ2、Ｅ3は、それぞれ独立してＯ、Ｓ、又はＮＲ4を表し、Ｒ3、Ｒ4は、それぞれ独立して水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数６〜２０のハロゲン化アリール基を表す（これらのアルキル基及びアリール基はその構造中に置換基、ヘテロ原子を持っていてもよい。）。］
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月27日(2019.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極板と、前記電極板の一方面に設けられた正極と、前記電極板の他方面に設けられた負極とをそれぞれ含む複数のバイポーラ電極が、セパレータを介して積層された積層体と、
前記積層体を収容するように前記積層体の積層方向に延在するとともに、前記複数のバイポーラ電極の各電極板の周縁部に接合された枠体が前記積層体の積層方向に重ね合わされて構成された筒状のシール部を有するシール部材と
を備える蓄電モジュールであって、
前記シール部に、前記積層方向において隣り合う枠体の間において前記積層方向に直交する方向に前記シール部を貫通する連通口が設けられており、
前記シール部のシール端面における前記連通口の周りに、隣り合う前記枠体の周端面同士が熱溶着された熱溶着面が設けられている、蓄電モジュール。
【請求項２】
前記連通口が、電解液を注入するための注液口である、請求項１に記載の蓄電モジュール。
【請求項３】
前記連通口が、前記シール部内の内圧に応じて開閉する圧力調整弁である、請求項１または２に記載の蓄電モジュール。
【請求項４】
電極板と、前記電極板の一方面に設けられた正極と、前記電極板の他方面に設けられた負極とをそれぞれ含む複数のバイポーラ電極が、セパレータを介して積層された積層体と、
前記積層体を収容するように前記積層体の積層方向に延在するとともに、前記複数のバイポーラ電極の各電極板の周縁部に接合された枠体が前記積層体の積層方向に重ね合わされて構成された筒状のシール部を有するシール部材と
を備える蓄電モジュールの製造方法であって、
前記複数のバイポーラ電極の各電極板の周縁部に前記枠体が接合された複数のバイポーラ電極ユニットを前記セパレータを介して積層する積層工程と、
前記積層体の積層方向において隣り合う枠体の周端面同士を熱溶着して、前記シール部のシール端面に熱溶着面を設ける熱溶着工程と、
前記シール部に、前記積層方向において隣り合う枠体間において前記積層方向に直交する方向に前記シール部を貫通し、かつ、前記シール部のシール端面において前記熱溶着面に囲まれた連通口を設ける連通口形成工程と
を含む、蓄電モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記積層工程では、前記積層方向において隣り合う枠体の間に該枠体の枠内から枠外まで延びる入れ子を介在させて、前記複数のバイポーラ電極ユニットを積層し、
前記熱溶着工程では、前記入れ子を介在させた状態で、隣り合う前記枠体の周端面同士を熱溶着し、
前記連通口形成工程では、隣り合う前記枠体の間から前記入れ子を取り外す、請求項４に記載の蓄電モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記積層工程では、前記複数のバイポーラ電極ユニットの異なる枠体間に複数の前記入れ子を介在させて、前記複数のバイポーラ電極ユニットを積層し、
前記複数の入れ子の枠外側の端部が前記積層体の積層方向において重畳していない、請求項５に記載の蓄電モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記積層工程において、前記複数の入れ子を、前記積層体の積層方向において同じ枠体位置から枠外に突出し、かつ、前記枠体から枠外方向に突出する突出長さが異なるように介在させる、請求項６に記載の蓄電モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記積層工程において、前記複数の入れ子を、前記枠体の周方向に関して異なる枠体位置から枠外に突出するように介在させる、請求項６に記載の蓄電モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記積層工程では、前記複数のバイポーラ電極ユニットの異なる枠体間に複数の前記入れ子を介在させて、前記複数のバイポーラ電極ユニットを積層し、
前記複数の入れ子の枠外側の端部が前記積層体の積層方向において重畳するとともに、前記複数の入れ子の各端部に前記積層体の積層方向において重畳する貫通孔が設けられている、請求項５に記載の蓄電モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記熱溶着工程では、前記入れ子を加熱することで該入れ子に接する部分の前記枠体を溶融させて、前記シール部のシール端面における前記連通口の周りに前記熱溶着面を設ける、請求項５〜９のいずれか一項に記載の蓄電モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記熱溶着工程における熱溶着に、熱板、熱風またはレーザを用いる、請求項４〜１０のいずれか一項に記載の蓄電モジュールの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月1日(2019.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサ命令を含有する非一過性の機械可読媒体であって、１つ以上のプロセッサのセットによる前記命令の実行は、前記プロセッサのセットに、
複数のフレームを備える符号化されたビデオビットストリームを受信することであって、各フレームは、前記フレーム内の複数の独立して符号化された圧縮単位を備える、ことと、
前記符号化されたビデオビットストリームがタイル形式に従って符号化されたことを判定することと、
前記独立して符号化された圧縮単位の暗号化された部分の場所を識別する暗号化情報を受信することと、
前記受信された暗号化情報に基づいて複数のフレームの中の複数の圧縮単位のそれぞれの前記暗号化された部分を解読することと、
複数のプロセッサによる並列処理のために複数のデコーダを使用して前記解読された複数の圧縮単位で前記複数のフレームを復号することと
を含むプロセスを行わせる、非一過性の機械可読媒体。
【請求項２】
圧縮単位は、復号されるためにビデオの特定のフレーム内の別の圧縮単位に依存しないように前記特定のフレームの独立して復号可能な部分である、請求項１に記載の非一過性の機械可読媒体。
【請求項３】
ビデオのフレーム内の圧縮単位の場所を識別するようにメタデータヘッダを解析することと、
前記圧縮単位の前記場所に基づいて前記ビデオビットストリームの部分を解読することと
をさらに含む、請求項１に記載の非一過性の機械可読媒体。
【請求項４】
前記複数の圧縮単位のそれぞれの前記部分を解読することは、前記ビデオビットストリームと関連付けられるヘッダ内の情報に基づいて、圧縮単位が有効にされている状態にあることを判定することを含む、請求項１に記載の非一過性の機械可読媒体。
【請求項５】
前記暗号化された部分のうちのそれぞれの部分は、ｉ）前記圧縮単位の最初のＮバイト、ｉｉ）前記圧縮単位の最後のＮバイト、ｉｉｉ）前記圧縮単位内のＮバイトの中央部分、およびｉｖ）前記圧縮単位内のＮバイトのパターンから成る群から選択される、請求項１に記載の非一過性の機械可読媒体。
【請求項６】
前記圧縮単位は、高効率ビデオ符号化（ＨＥＶＣ）規格内のタイルであり、前記ビデオビットストリームは、前記ＨＥＶＣ規格に基づいて符号化される、請求項１に記載の非一過性の機械可読媒体。
【請求項７】
前記ビデオビットストリーム内の前記タイルの構造を識別するように前記ＨＥＶＣビデオビットストリームのピクチャパラメータセット（ＰＰＳ）を解析することと、
前記構造に基づいて前記タイルの部分を解読することと
をさらに含む、請求項６に記載の非一過性の機械可読媒体。
【請求項８】
前記複数の圧縮単位のそれぞれの前記暗号化された部分を解読することは、前記部分を解読するために共通暗号化形式（ＣＥＮＣ）を使用することを含む、請求項１に記載の非一過性の機械可読媒体。
【請求項９】
コンテンツデコーダであって、
前記コンテンツデコーダは、メモリと通信するように構成されるプロセッサを備え、前記メモリは、デコーダアプリケーションを含有し、
前記デコーダアプリケーションは、前記プロセッサに、
複数のフレームを備える符号化されたビデオビットストリームを受信することであって、各フレームは、前記フレーム内の複数の独立して符号化された圧縮単位を備える、ことと、
前記符号化されたビデオビットストリームがタイル形式に従って符号化されたことを判定することと、
前記独立して符号化された圧縮単位の暗号化された部分の場所を識別する暗号化情報を受信することと、
前記受信された暗号化情報に基づいて複数のフレームの中の複数の圧縮単位のそれぞれの前記暗号化された部分を解読することと、
複数のプロセッサによる並列処理のために複数のデコーダを使用して前記解読された複数の圧縮単位で前記複数のフレームを復号することと
を行うように指図する、コンテンツデコーダ。
【請求項１０】
圧縮単位は、復号されるためにビデオの特定のフレーム内の別の圧縮単位に依存しないように前記特定のフレームの独立して復号可能な部分である、請求項９に記載のコンテンツデコーダ。
【請求項１１】
前記デコーダアプリケーションはさらに、前記プロセッサに、
ビデオのフレーム内の圧縮単位の場所を識別するようにメタデータヘッダを解析することと、
前記圧縮単位の前記場所に基づいて前記ビデオビットストリームの部分を解読することと
を行うように指図する、請求項９に記載のコンテンツデコーダ。
【請求項１２】
前記複数の圧縮単位のそれぞれの前記部分を解読することは、前記ビデオビットストリームと関連付けられるヘッダ内の情報に基づいて、圧縮単位が有効にされている状態にあることを判定することを含む、請求項９に記載のコンテンツデコーダ。
【請求項１３】
前記部分は、ｉ）前記圧縮単位の最初のＮバイト、ｉｉ）前記圧縮単位の最後のＮバイト、ｉｉｉ）前記圧縮単位内のＮバイトの中央部分、およびｉｖ）前記圧縮単位内のＮバイトのパターンから成る群から選択される、請求項９に記載のコンテンツデコーダ。
【請求項１４】
前記圧縮単位は、高効率ビデオ符号化（ＨＥＶＣ）規格内のタイルであり、前記ビデオビットストリームは、前記ＨＥＶＣ規格に基づいて復号される、請求項９に記載のコンテンツデコーダ。
【請求項１５】
前記デコーダアプリケーションはさらに、前記プロセッサに、
前記ビデオビットストリーム内の前記タイルの構造を識別するように前記ＨＥＶＣビデオビットストリームのピクチャパラメータセット（ＰＰＳ）を解析することと、
前記構造に基づいて前記タイルの部分を解読することと
を行うように指図する、請求項１４に記載のコンテンツデコーダ。
【請求項１６】
前記複数の圧縮単位のそれぞれの前記暗号化された部分を解読することは、前記部分を解読するために共通暗号化形式（ＣＥＮＣ）を使用することを含む、請求項９に記載のコンテンツデコーダ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月15日(2019.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
少なくとも２つの層のうちの少なくとも１つの層を予備製造された構成部品として組み立てを簡易化する設計変更もあり得る。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月26日(2018.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の不揮発性半導体メモリと、
第２の不揮発性半導体メモリと、
揮発性半導体メモリと、
抵抗素子と、
前記第１および第２の不揮発性半導体メモリと前記揮発性半導体メモリとを制御するコントローラと、
前記コントローラと前記抵抗素子とを接続する第１の信号線と、
前記抵抗素子と前記第１の不揮発性半導体メモリとを接続する第２の信号線と、前記第２の信号線から分岐され前記第２の不揮発性半導体メモリと接続される第３の信号線と、を含む第４の信号線と、
外部機器と接続するためのコネクタと、
前記第１および第２の不揮発性半導体メモリと前記抵抗素子と前記コントローラと前記コネクタとが搭載された基板と、を備え、
前記基板は、
前記基板の表面に形成される配線パターンを備え、前記第１の不揮発性半導体メモリと前記抵抗素子とが搭載される表面層と、
前記基板の裏面に形成される配線パターンを備え、前記第２の不揮発性半導体メモリが搭載される裏面層と、
前記表面層と前記裏面層との間に設けられ、配線パターンを備える複数の内部配線層と、を有し、
前記第４の信号線は、前記複数の内部配線層の何れかの配線層である第１の配線層に形成される信号線、および、前記複数の内部配線層の何れかの配線層であって前記第１の配線層と異なる第２の配線層に形成される信号線を含み、
平面視において、前記揮発性半導体メモリは、前記第１の不揮発性半導体メモリまたは前記第２の不揮発性半導体メモリから見て前記コネクタと同じ側に設けられるように構成される半導体記憶装置。
【請求項２】
前記第４の信号線は、前記第１の配線層に形成される信号線と前記第２の配線層に形成される信号線とを接続するために前記基板の表面とほぼ垂直方向に伸びる部分を含む請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記基板は、前記コントローラと前記コネクタとを接続する第５の信号線が設けられた領域と、前記揮発性半導体メモリが設けられた領域とが、平面視において、重複しないように構成される請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記第５の信号線はＳＡＴＡ信号線である請求項３に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記コネクタは、前記外部機器と接続するための電極を前記基板の前記裏面に備え、
前記第５の信号線は、前記基板の裏面層を通って前記コネクタの電極に接続される部分と、前記複数の内部配線層の何れかの配線層に形成される部分と、を備える請求項３または請求項４に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記第１の不揮発性半導体メモリは底面に複数のボール状電極を備え、
前記第１の不揮発性半導体メモリの複数のボール状電極を経由して前記第１の不揮発性半導体メモリは前記基板と接続され、
前記第２の不揮発性半導体メモリは底面に複数のボール状電極を備え、
前記第２の不揮発性半導体メモリの前記複数のボール状電極を経由して前記第２の不揮発性半導体メモリは前記基板と接続される請求項１から請求項５の何れか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記基板は、平面視において、第１の辺とこれに直角な第２の辺とを備え、
前記コネクタは、前記基板の前記第１の辺に設けられ、
前記第１および第２の不揮発性半導体メモリは、平面視において、前記コントローラの位置から見て前記コネクタと反対側に設けられる請求項１から請求項６の何れか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記表面層に搭載される温度センサをさらに備える請求項１から請求項７の何れか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
前記第１の信号線は、前記表面層に形成される第１の部分と、前記裏面層に形成される第２の部分と、前記第１の部分と前記第２の部分とを接続するために前記基板の表面とほぼ垂直方向に伸びる第３の部分とを含む請求項１から請求項８の何れか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記第１の不揮発性半導体メモリと、前記第２の不揮発性半導体メモリとは前記基板に対して対称に配置される請求項１から請求項９の何れか１項に記載の半導体記憶装置。  
【請求項１１】
前記基板の層数は８である請求項１から請求項１０の何れか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記第１の不揮発性半導体メモリは、前記第１の不揮発性半導体メモリのチップイネーブルに基づいて、前記第２の信号線からの信号に対して動作するか否かを判断する請求項１から請求項１１の何れか１項に記載の半導体記憶装置。  
【請求項１３】
前記第１および第２の不揮発性半導体メモリは、前記第１および第２の不揮発性半導体メモリの各々のチップイネーブルがアクティブになっているか否かにより、個別に動作可能なように構成されている請求項１から請求項１１の何れか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項１４】
前記基板に搭載される電源回路を更に備え、前記電源回路は、外部から前記コネクタを介して供給される電源に基づいて内部電圧を生成し、前記生成された内部電圧を前記第１および第２の不揮発性半導体メモリへ供給するように構成される請求項１から請求項１３の何れか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項１５】
前記コネクタは、ホストと接続可能であり、前記ホストから入力された電源を前記電源回路に供給する請求項１４に記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月26日(2019.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理物をエッチングしてフォトマスクを製造する際に用いられるアウターマスクであって、
板状を呈し、中央領域に開口を有する基部と、
枠状を呈し、前記基部の一方の面の周縁に沿って、前記基部の厚み方向に突出して設けられた枠部と、
を有し、
前記枠部は、前記処理物のパターン部が設けられる面の四隅において、前記面と接触する面を有するアウターマスク。
【請求項２】
前記パターン部が設けられる面の周縁には面取り部が設けられ、
前記枠部は、前記面取り部にさらに接触可能となっている請求項１記載のアウターマスク。
【請求項３】
前記基部の厚みは、１ｍｍ以上である請求項１または２に記載のアウターマスク。
【請求項４】
前記枠部が前記面と接触した際に、前記基部の前記処理物側の面と、前記処理物との間の距離が１ｍｍ以上となる請求項１〜３のいずれか１つに記載のアウターマスク。
【請求項５】
処理物を収納する収納部と、
請求項１〜４のいずれか１つに記載のアウターマスクを収納するアウターマスク収納部と、
前記収納部から取り出された前記処理物の上に、前記アウターマスク収納部から取り出された前記アウターマスクを載置する移載部と、
前記アウターマスクが載置された処理物に対してプラズマ処理を施す処理部と、
を備えたプラズマ処理装置。
【請求項６】
処理物をエッチングしてフォトマスクを製造する方法であって、
前記処理物の上に、請求項１〜４のいずれか１つに記載のアウターマスクを載置する工程と、
前記アウターマスクが載置された前記処理物に対してプラズマ処理を施す工程と、
を備えたフォトマスクの製造方法。
【請求項７】
前記プラズマ処理を施す工程において、前記処理物の表面にある残渣を除去する請求項６記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項８】
前記プラズマ処理を施す工程において、前記処理物の表面にあるクロムを含む層を除去する請求項６記載のフォトマスクの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
実施形態に係るアウターマスクは、処理物をエッチングしてフォトマスクを製造する際に用いられるアウターマスクである。アウターマスクは、板状を呈し、中央領域に開口を有する基部と、枠状を呈し、前記基部の一方の面の周縁に沿って、前記基部の厚み方向に突出して設けられた枠部と、を有し、前記枠部は、前記処理物のパターン部が設けられる面の四隅において、前記面と接触可能となっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ロードロック部３０は、搬送部２０と受け渡し部４０との間に設けられている。  
ロードロック部３０は、例えば、雰囲気が大気圧の筐体２１と、雰囲気がプラズマ処理を施す際の圧力の筐体４１との間で、アウターマスク１００が載置された処理物２００の受け渡しができるようにする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
また、遮光部２０３の頂部と、基部１００ａの下面（処理物２００側の面）との間の距離Ｈを短くしすぎると、搬送時の振動による変形やエッチング時の熱変形などで、遮光部２０３と基部１００ａとが接触してクロムを含む層２０３ｂにダメージが発生するおそれがある。一方、距離Ｈを長くしすぎると、遮光部２０３の頂部と、基部１００ａの下面との間の隙間にラジカルが到達し易くなり、ラジカルと反応することでクロムを含む層２０３ｂにダメージが発生するおそれがある。本発明者の得た知見によれば、距離Ｈを１ｍｍ以上、２ｍｍ以下とすれば、クロムを含む層２０３ｂにダメージが発生するのを抑制することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
また、基部１００ａの厚みＴを薄くしすぎると、搬送時の振動による変形、エッチング時の熱変形、アウターマスク１００の加工時の変形などが大きくなるおそれがある。本発明者の得た知見によれば、基部１００ａの厚みＴを１ｍｍ以上とすれば、変形を抑制することができるので、クロムを含む層２０３ｂにダメージが発生するのを抑制することができ、またアウターマスク１００の加工を容易とすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すように、枠部１００ｂは枠状を呈し、基部１００ａの下面（処理物２００側の面）から突出している。枠部１００ｂは、基部１００ａの周縁に沿って設けられている。平面視において、枠部１００ｂの内周端１００ｂ１と、処理物２００の基体２０１の側面２０１ａとは重なっているか、枠部１００ｂの内周端１００ｂ１と、処理物２００の基体２０１の側面２０１ａとの間に僅かな隙間が設けられている。すなわち、原則的には、基体２０１の、パターン部２０２および遮光部２０３が設けられる面２０１ｂと、枠部１００ｂの下端１００ｂ２とは接触しない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2018174216.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2018174216.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月23日(2019.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端末装置とネットワークとの間に設けられたネットワーク制御装置であって、
フレームデータの転送方式の情報である転送情報を有し、前記転送情報を用いて、前記端末装置及び前記ネットワークから受信した前記フレームデータの転送先を決定して転送する第１転送制御部と、
前記第１転送制御部から前記フレームデータを受信し、受信した前記フレームデータに付与された転送方式を示す情報に基づいた処理を行って、転送先ポートへ転送する第２転送制御部と、
前記フレームデータに対して冗長化プロトコルを用いて転送先ポートを選択し、前記第１転送制御部から受信した前記フレームデータを、選択したポートへ転送する第３転送制御部と、を含み、
前記第１転送制御部は、
前記端末装置及び前記ネットワークから前記フレームデータを受信する場合は、前記転送情報と受信した前記フレームデータに含まれる識別情報とを照合して転送方式を判定し、第１の転送方式である場合は受信した前記フレームデータを前記第２転送制御部に転送し、第２の転送方式である場合は受信した前記フレームデータを前記第３転送制御部に転送し、
前記端末装置及び前記ネットワークへデータを送信する場合は、前記第２転送制御部及び前記第３転送制御部から転送された前記フレームデータを前記ネットワークへ転送する、
ネットワーク制御装置。
【請求項２】
前記転送情報は、前記フレームデータに含まれる識別情報を少なくとも含み、
前記第１転送制御部は、一つ又は複数の識別情報を用いて転送方式を判定する、請求項１に記載のネットワーク制御装置。
【請求項３】
複数の前記ネットワークへ、異なる識別情報が割り当てられる、請求項１又は請求項２に記載のネットワーク制御装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のネットワーク制御装置と、
前記ネットワーク制御装置に接続される、少なくとも１つの端末装置と、
前記ネットワーク制御装置に接続される、少なくとも１つのネットワークと、
を含む、ネットワークシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るネットワーク制御装置は、端末装置とネットワークとの間に設けられる。本発明に係るネットワーク制御装置は、フレームデータの転送方式の情報である転送情報を有し、転送情報を用いて、端末装置及びネットワークから受信したフレームデータの転送先を決定して転送する第１転送制御部と、第１転送制御部からフレームデータを受信し、受信したフレームデータに付与された転送方式を示す情報に基づいた処理を行って、転送先ポートへ転送する第２転送制御部と、フレームデータに対して冗長化プロトコルを用いて転送先ポートを選択し、第１転送制御部から受信したフレームデータを、選択したポートへ転送する第３転送制御部と、を含む。第１転送制御部は、端末装置及びネットワークからフレームデータを受信する場合は、転送情報と受信したフレームデータに含まれる識別情報とを照合して転送方式を判定し、第１の転送方式である場合は受信したフレームデータを第２転送制御部に転送し、第２の転送方式である場合は受信したフレームデータを第３転送制御部に転送し、端末装置及びネットワークへデータを送信する場合は、第２転送制御部及び第３転送制御部から転送された前記フレームデータをネットワークへ転送する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月6日(2018.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両にワイヤレスで電力供給するためのシステムであって、
供給源磁気共振器と、
前記供給源磁気共振器に結合された少なくとも１つのコンデンサを含むインピーダンスマッチング回路網と、
前記インピーダンスマッチング回路網に結合され、周波数ｆの振動磁界を生成するために前記供給源磁気共振器を付勢するように構成された電源回路であって、前記システムの動作中、電力は、車両に結合されたデバイス磁気共振器にワイヤレスで伝送される、電源回路と、
第１の磁性材料から形成され、第１の平面を画定する第１の平面部分を含む第１の構成要素とを含み、
前記第１の構成要素は、前記システムの動作中、前記第１の構成要素が存在しないときに前記インピーダンスマッチング回路網における電流の生成に起因して生じる損失と比べて、前記インピーダンスマッチング回路網における磁場誘起渦電流の生成に起因したエネルギー伝達の損失を低減するために前記振動磁界の空間分布を変更するように配置されている、システム。
【請求項２】
前記第１の構成要素は、前記第１の構成要素が存在しないときに前記インピーダンスマッチング回路網に達する前記振動磁界の振幅と比べて、前記インピーダンスマッチング回路網に達する前記振動磁界の振幅を低減するために前記振動磁界の空間分布を変更する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第１の構成要素は、前記インピーダンスマッチング回路網から離れるように磁力線を偏向または案内することにより、前記振動磁界の空間分布を変更する、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記第１の構成要素は、前記振動磁界が前記インピーダンスマッチング回路網に達するのを阻止することにより、前記インピーダンスマッチング回路網における磁場誘起渦電流の生成を防止する、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記第１の磁性材料は、フェライトを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記第１の構成要素は、前記供給源磁気共振器と前記電源回路との間に配置される、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記第１の構成要素は、前記インピーダンスマッチング回路網を少なくとも部分的に覆う、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記第１の構成要素は、前記インピーダンスマッチング回路網を完全に包囲する、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記供給源磁気共振器は、１００より大きい固有Ｑを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
第２の導電材料から形成された第２の構成要素を更に含み、前記第２の構成要素が、前記インピーダンスマッチング回路網を少なくとも部分的に覆う、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第２の構成要素は、前記第１の構成要素と前記インピーダンスマッチング回路網との間に配置される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第１の構成要素は、前記第２の構成要素の少なくとも一部に接触する、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第２の構成要素が、第２の平面を画定する第２の平面部分を含み、前記第１及び第２の平面は互いに平行に配向されており、
前記第２の導電材料は、前記周波数ｆにおける浸透厚を有し、
前記第２の平面に垂直な方向において測定された前記第２の構成要素の厚さは、前記浸透厚より大きい、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１４】
前記供給源磁気共振器は、第３の導電材料から形成され且つ前記第１の平面に平行に配向された第３の平面に延在する平面コイルを形成する１つ又は複数のループを含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
車両にワイヤレスで電力供給するためのシステムであって、
前記車両に結合されるように構成されたデバイス磁気共振器と、
前記デバイス磁気共振器に結合された少なくとも１つのコンデンサを含むインピーダンスマッチング回路網と、
前記インピーダンスマッチング回路網に結合された電源回路と、
第１の磁性材料から形成され、第１の平面を画定する第１の平面部分を含む第１の構成要素とを含み、
前記システムの動作中、
前記デバイス磁気共振器は、供給源磁気共振器により生成された周波数ｆの振動磁界からワイヤレスで電力を受け取るように構成され、
前記第１の構成要素は、前記第１の構成要素が存在しないときに前記インピーダンスマッチング回路網における電流の生成に起因して生じる損失と比べて、前記インピーダンスマッチング回路網における磁場誘起渦電流の生成に起因したエネルギー伝達の損失を低減するために前記振動磁界の空間分布を変更するように配置されている、システム。
【請求項１６】
前記第１の構成要素は、前記第１の構成要素が存在しないときに前記インピーダンスマッチング回路網に達する前記振動磁界の振幅と比べて、前記インピーダンスマッチング回路網に達する前記振動磁界の振幅を低減するために前記振動磁界の空間分布を変更する、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記第１の構成要素は、前記振動磁界が前記インピーダンスマッチング回路網に達するのを阻止することにより、前記インピーダンスマッチング回路網における磁場誘起渦電流の生成を防止する、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１８】
前記第１の構成要素は、前記デバイス磁気共振器と前記電源回路との間に配置され、前記インピーダンスマッチング回路網を少なくとも部分的に覆う、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１９】
前記第１の構成要素は、前記インピーダンスマッチング回路網を完全に包囲する、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２０】
第２の導電材料から形成された第２の構成要素を更に含み、
前記第２の構成要素が、前記第１の構成要素と前記電源回路との間に配置され、第２の平面を画定する第２の平面部分を含み、前記第１及び第２の平面は互いに平行に配向されており、
前記第２の導電材料は、前記周波数ｆにおける浸透厚を有し、
前記第２の平面に垂直な方向において測定された前記第２の構成要素の厚さは、前記浸透厚より大きい、請求項１５に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月11日(2019.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両（６）に搭載された車両用電源システム（１）であって、
メインバッテリ（２）と、
上記メインバッテリの直流電力を交流電力に変換する電力変換装置（３）と、
上記メインバッテリと上記電力変換装置との間の通電、遮断を切り替えるスイッチ（４ａ、４ｂ）と、
上記スイッチと上記電力変換装置との間の電源配線（１１Ｐ、１１Ｎ）に接続された第１ＤＣ−ＤＣコンバータ（５１）と、
上記スイッチと上記メインバッテリとの間の電源配線（１２Ｐ、１２Ｎ）に接続された第２ＤＣ−ＤＣコンバータ（５２）と、を有し、
上記第１ＤＣ−ＤＣコンバータと上記第２ＤＣ−ＤＣコンバータとは、上記車両における互いに離れた部位に搭載されており、
上記第１ＤＣ−ＤＣコンバータと上記第２ＤＣ−ＤＣコンバータとは、一方が、上記車両の車室（６２）外に搭載されており、他方が、上記車両における上記車室内に搭載されている、車両用電源システム。
【請求項２】
上記第１ＤＣ−ＤＣコンバータ及び上記第２ＤＣ−ＤＣコンバータの少なくとも一方は、双方向ＤＣ−ＤＣコンバータである、請求項１に記載の車両用電源システム。
【請求項３】
車両（６）に搭載された車両用電源システム（１）であって、
メインバッテリ（２）と、
上記メインバッテリの直流電力を交流電力に変換する電力変換装置（３）と、
上記メインバッテリと上記電力変換装置との間の通電、遮断を切り替えるスイッチ（４ａ、４ｂ）と、
上記スイッチと上記電力変換装置との間の電源配線（１１Ｐ、１１Ｎ）に接続された第１ＤＣ−ＤＣコンバータ（５１）と、
上記スイッチと上記メインバッテリとの間の電源配線（１２Ｐ、１２Ｎ）に接続された第２ＤＣ−ＤＣコンバータ（５２）と、を有し、
上記第１ＤＣ−ＤＣコンバータと上記第２ＤＣ−ＤＣコンバータとは、上記車両における互いに離れた部位に搭載されており、
上記第１ＤＣ−ＤＣコンバータ及び上記第２ＤＣ−ＤＣコンバータの少なくとも一方は、双方向ＤＣ−ＤＣコンバータである、車両用電源システム。
【請求項４】
上記第１ＤＣ−ＤＣコンバータと上記第２ＤＣ−ＤＣコンバータとは、上記車両におけるキャビンを挟んで反対側の位置に搭載されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の車両用電源システム。
【請求項５】
上記第１ＤＣ−ＤＣコンバータと上記第２ＤＣ−ＤＣコンバータとは、一方が、上記エンジンルームに搭載されており、他方が、上記車両の車室（６２）内に搭載されている、請求項４に記載の車両用電源システム。
【請求項６】
上記第１ＤＣ−ＤＣコンバータは、上記エンジンルームに搭載されており、上記第２ＤＣ−ＤＣコンバータは、上記車室内に搭載されている、請求項５に記載の車両用電源システム。
【請求項７】
上記第１ＤＣ−ＤＣコンバータは、上記電力変換装置と一体に設けられている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の車両用電源システム。
【請求項８】
上記第２ＤＣ−ＤＣコンバータは、上記メインバッテリと一体に設けられている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の車両用電源システム。
【請求項９】
上記第２ＤＣ−ＤＣコンバータは、上記スイッチと一体に設けられている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の車両用電源システム。
【請求項１０】
上記第２ＤＣ−ＤＣコンバータは、上記メインバッテリを監視、制御するバッテリ監視ユニット（１４）と一体に設けられている、請求項１〜９のいずれか一項に記載の車両用電源システム。
【請求項１１】
上記第１ＤＣ−ＤＣコンバータと上記第２ＤＣ−ＤＣコンバータとは、互いに出力電力が異なる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の車両用電源システム。
【請求項１２】
上記第２ＤＣ−ＤＣコンバータは、上記第１ＤＣ−ＤＣコンバータよりも、出力電力が小さい、請求項１１に記載の車両用電源システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様は、車両（６）に搭載された車両用電源システム（１）であって、
メインバッテリ（２）と、
上記メインバッテリの直流電力を交流電力に変換する電力変換装置（３）と、
上記メインバッテリと上記電力変換装置との間の通電、非通電を切り替えるスイッチ（４ａ、４ｂ）と、
上記スイッチと上記電力変換装置との間の電源配線（１１Ｐ、１１Ｎ）に接続された第１ＤＣ−ＤＣコンバータ（５１）と、
上記スイッチと上記メインバッテリとの間の電源配線（１２Ｐ、１２Ｎ）に接続された第２ＤＣ−ＤＣコンバータ（５２）と、を有し、
上記第１ＤＣ−ＤＣコンバータと上記第２ＤＣ−ＤＣコンバータとは、上記車両における互いに離れた部位に搭載されており、
上記第１ＤＣ−ＤＣコンバータと上記第２ＤＣ−ＤＣコンバータとは、一方が、上記車両の車室（６２）外に搭載されており、他方が、上記車両における上記車室内に搭載されている、車両用電源システムにある。
本発明の他の態様は、車両（６）に搭載された車両用電源システム（１）であって、
メインバッテリ（２）と、
上記メインバッテリの直流電力を交流電力に変換する電力変換装置（３）と、
上記メインバッテリと上記電力変換装置との間の通電、遮断を切り替えるスイッチ（４ａ、４ｂ）と、
上記スイッチと上記電力変換装置との間の電源配線（１１Ｐ、１１Ｎ）に接続された第１ＤＣ−ＤＣコンバータ（５１）と、
上記スイッチと上記メインバッテリとの間の電源配線（１２Ｐ、１２Ｎ）に接続された第２ＤＣ−ＤＣコンバータ（５２）と、を有し、
上記第１ＤＣ−ＤＣコンバータと上記第２ＤＣ−ＤＣコンバータとは、上記車両における互いに離れた部位に搭載されており、
上記第１ＤＣ−ＤＣコンバータ及び上記第２ＤＣ−ＤＣコンバータの少なくとも一方は、双方向ＤＣ−ＤＣコンバータである、車両用電源システムにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2018174625.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2018174625.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月6日(2019.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ＬＬＣ共振回路２０は一端がブリッジ回路１０のＧＮＤ１０ｂに接続された共振コンデンサＣｒを有しており、後述する励磁インダクタンスＬｍおよび漏れインダクタンスＬｒを併せて共振回路を構成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
このような電源回路３では、商用電源ＣＰからの電力供給が停止した場合でも所定時間（例えば２０ｍｓ、以下では「保持時間ｔ」という）の間は出力電圧を低下させずに保持する必要がある。そのときの電力供給は、ブロックコンデンサＣinから行われる。ブロックコンデンサＣinの最低容量Ｃinminは下式より求めることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ここで、Ｐ、Ｖc_start、Ｖin_minの定義は次の通りである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
Ｐ        ：絶縁ＤＣ−ＤＣコンバータの最大出力電力
Ｖc_start ：電力供給停止時のＣin充電電圧
Ｖin_min  ：絶縁ＤＣ−ＤＣコンバータが動作可能な最低入力電圧
したがって、最低入力電圧Ｖin_minが低いほど最低容量Ｃinminを小さくできることがわかる。最低入力電圧Ｖin_minは絶縁ＤＣ−ＤＣコンバータ１Ａを高ゲイン化するほど低くできることから、高ゲイン化すると保持時間ｔを維持したままでブロックコンデンサＣinの小型化が可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
ここで、Ｒｏは出力負荷抵抗、Ｎは実際のトランス巻数比（１次：２次）を表している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
＜キャパシティブ領域＞
・ハードスイッチング（スイッチング損大）
・目標値ゲインが高い場合、周波数を高くする
・ブリッジ回路に貫通電流が流れる
＜インダクティブ領域＞
・ソフトスイッチング（スイッチング損小）
・目標値ゲインが高い場合、周波数を低くする
・ブリッジ回路に貫通電流が流れない
つまり、ＬＬＣ共振コンバータをインダクティブ領域で動作させることで高周波動作時のスイッチング損を抑えることできるため、高周波動作によるトランス小型化が可能となる。そのため、ＬＬＣ共振コンバータは、インダクティブ領域で制御する方が、メリットが大きく一般的である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
ＬＬＣ共振回路２０は一端がブリッジ回路１０のＧＮＤ１０ｂに接続された共振コンデンサＣｒを有しており、後述する励磁インダクタンスＬｍおよび漏れインダクタンスＬｒを併せて共振回路を構成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
共振コンデンサ切替回路５０は直列接続されたスイッチＱ３およびコンデンサＣｒswを有しており、これらがＬＬＣ共振回路２０の共振コンデンサＣｒに並列に接続されている。スイッチＱ３は共振コンデンサ切替制御部６５からの制御信号によってオン／オフされる。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月22日(2019.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｕ字形のＭｏＳｉ２製発熱体からなるヒーターであって、当該発熱体は、両端の円柱状端子部、湾曲部、及び前記円柱状の端子部と湾曲部とをつなぐ板状発熱部を備え、前記湾曲部の断面積が、前記板状発熱部の断面積よりも大きいことを特徴とするヒーター。
【請求項２】
前記湾曲部が、円柱状であることを特徴とする請求項１に記載のヒーター。
【請求項３】
前記板状発熱部の片面が、切削面を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載のヒーター。
【請求項４】
前記板状発熱部の両面が、切削面を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載のヒーター。
【請求項５】
前記板状発熱部の板幅が、前記円柱状端子部の直径よりも小さいことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のヒーター。
【請求項６】
前記板状発熱部の片側側部が、両端の円柱状端子部の径よりも細い板幅を持つことを特徴とする請求項５に記載のヒーター。
【請求項７】
前記板状発熱部の両側側部が、両端の円柱状端子部の径よりも細い板幅を持つことを特徴とする請求項５に記載のヒーター。
【請求項８】
前記円柱状端子部及び／又は湾曲部の一部が、切削によって形成された傾斜面を備えていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のヒーター。
【請求項９】
Ｕ字形のＭｏＳｉ２製発熱体からなるヒーターの製造方法であって、円柱状のＭｏＳｉ２製原材料を曲げ加工によりＵ字形とした後、湾曲部を残し、発熱部となる位置を切削加工して、板状に加工することを特徴とするヒーターの製造方法。
【請求項１０】
円柱状のＭｏＳｉ２製原材料を曲げ加工によりＵ字形とした後、発熱部となる位置を切削加工する際に、ＭｏＳｉ２製の円柱の一方の曲面から切削を開始して、板状発熱部の一方の面を平面に加工し、板状発熱部の他方の面が円柱の曲面が残るように加工することを特徴とする請求項９に記載のヒーターの製造方法。
【請求項１１】
円柱状のＭｏＳｉ２製原材料を曲げ加工によりＵ字形とした後、発熱部となる位置を切削加工する際に、ＭｏＳｉ２製の円柱の双方の曲面を切削して、前記湾曲部と円柱状の端子部をつなぐ板状の発熱部の両面をフラットな面に加工することを特徴とする請求項９に記載のヒーターの製造方法。
【請求項１２】
前記湾曲部と円柱状の端子部をつなぐ板状の発熱部の片面又は両面の側部が、両端の円柱状端子部の径よりも細い板幅を持つように、切削加工することを特徴とする請求項９又は１０に記載のヒーターの製造方法。
【請求項１３】
湾曲部と板状の発熱部の間、及び板状の発熱部と両端の円柱状端子部の間を、切削により傾斜面に加工することを特徴とする請求項９〜１２のいずれか一項に記載のヒーターの製造方法。