Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月25日(2019.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
後方からの光を前方に透過する透過性を有し，画像を表示する画像表示部材と，
前記画像表示部材の後方に位置し，後方を視認可能にする視認可能状態と，前記視認可能状態よりも後方を視認困難な状態にする視認困難状態とを，電気的に切り換える透過部材と，
前記透過部材よりも後方に位置する透過表示される対象と，
前記透過部材が前記視認可能状態の期間に，
前記画像表示部材の画像表示領域のうち少なくとも前記透過表示される対象を見せる領域に透過色の画像を表示させる透過状態制御と，
前記画像表示部材の画像表示領域のうち少なくとも前記透過表示される対象を見せる領域にエフェクト画像を表示させるエフェクト画像表示制御と，
を切り換える制御切換手段と，
を備えることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載する遊技機において，
前記透過表示される対象は特定の形状を有するものであり，
初期位置となる第１位置から，動作位置となる第２位置に変位可能な可動体である，
ことを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載する遊技機において，
前記透過色の画像は，白色を基礎とする透過色で形成された画像である一方で,
前記エフェクト画像は，白色とは異なる色にて形成された画像である，
ことを特徴とする遊技機。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載する遊技機において，
前記エフェクト画像は，色の種類に応じて，大当たりの期待度を示唆可能に構成されている，
ことを特徴とする遊技機。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載する遊技機において，
前記透過色の画像は，前記透過表示される対象の形状を模した画像である，
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の遊技機は，
後方からの光を前方に透過する透過性を有し，画像を表示する画像表示部材と，
前記画像表示部材の後方に位置し，後方を視認可能にする視認可能状態と，前記視認可能状態よりも後方を視認困難な状態にする視認困難状態とを，電気的に切り換える透過部材と，
前記透過部材よりも後方に位置する透過表示される対象と，
前記透過部材が前記視認可能状態の期間に，
前記画像表示部材の画像表示領域のうち少なくとも前記透過表示される対象を見せる領域に透過色の画像を表示させる透過状態制御と，
前記画像表示部材の画像表示領域のうち少なくとも前記透過表示される対象を見せる領域にエフェクト画像を表示させるエフェクト画像表示制御と，
を切り換える制御切換手段と，
を備えることを特徴とする遊技機である。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月28日(2019.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技可能な遊技領域と、
前記遊技領域よりも手前側、かつ、下側に位置する皿装飾手段と、
前記皿装飾手段の上側に配置され、遊技媒体を貯留可能な第一領域を備える上皿手段と、
前記皿装飾手段の下側に配置され、遊技媒体を貯留可能な第二領域を備える下皿手段と、
前記皿装飾手段に配置され、遊技者が操作可能な操作手段と、を具備し、
前記操作手段の一部は、
前記上皿手段の前面側を装飾する装飾部と前記操作手段が設置される操作手段受け部との間に形成される前記皿装飾手段の内部に配置されており、
前記内部に前記操作手段が配置された状態において前記下皿手段は、前記操作手段と縦方向に重なる位置に配置され、かつ、横方向に重なる位置に配置されており、
前記下皿手段よりも遊技者側となる位置に前記操作手段の一部が配置されており、前記操作手段の外側において前記下皿手段が備える遊技媒体を貯留可能な前記第二領域が形成されている
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
パチンコ機等の遊技機は、遊技者の操作によって所定の遊技が行われる遊技領域を有しており、遊技領域内で行われる遊技の進行状況（遊技状態）に応じて、遊技者に所定の演出を提示することで、遊技者を楽しませて飽きさせ難くしている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
この種の遊技機として、遊技領域の下方において前方に膨出している膨出部の上面に、遊技を行うための遊技操作部及び遊技操作部とは別に、遊技者が回転操作可能な操作部を設け、所定の演出として、遊技者が操作部を回転操作することで演出に参加することが可能な遊技者参加型演出を実行するものが提案されている（例えば、特許文献１）。これら特許文献１の技術によれば、遊技者参加型演出が実行された時に、遊技者が遊技操作部または操作部を操作すると、遊技操作部または操作部の操作に応じて演出の内容が変化するため、遊技者を楽しませることができ、遊技者を飽きさせ難くすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかしながら、特許文献１のような技術では、操作部が単に膨出部の上面に備えられているだけであるため、設置可能な操作部の大きさには限界があった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−０５１１２５号公報
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、本発明は、上記の実情に鑑み、操作ユニットを設置するスペースを確保し、遊技者に操作部を操作させて遊技者参加型演出を楽しませることが可能な遊技機の提供を課題とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本願発明は、
遊技可能な遊技領域と、
前記遊技領域よりも手前側、かつ、下側に位置する皿装飾手段と、
前記皿装飾手段の上側に配置され、遊技媒体を貯留可能な第一領域を備える上皿手段と、
前記皿装飾手段の下側に配置され、遊技媒体を貯留可能な第二領域を備える下皿手段と、
前記皿装飾手段に配置され、遊技者が操作可能な操作手段と、を具備し、
前記操作手段の一部は、
前記上皿手段の前面側を装飾する装飾部と前記操作手段が設置される操作手段受け部との間に形成される前記皿装飾手段の内部に配置されており、
前記内部に前記操作手段が配置された状態において前記下皿手段は、前記操作手段と縦方向に重なる位置に配置され、かつ、横方向に重なる位置に配置されており、
前記下皿手段よりも遊技者側となる位置に前記操作手段の一部が配置されており、前記操作手段の外側において前記下皿手段が備える遊技媒体を貯留可能な前記第二領域が形成されている
また、上記発明とは別に以下の手段を採用してもよい。
手段１：遊技機において、
「遊技媒体が流通する流通通路が形成されている通路部材と、
該通路部材における前記流通通路の途中において、下流側への遊技媒体の流通を不能とする第一状態と、前記流通通路の内面よりも外側へ移動可能とされ下流側への遊技媒体の流通を可能とする第二状態との間で変動可能に取付けられている開閉部材と、
該開閉部材を前記第一状態に保持し、前記通路部材に取付けられているロック部材と
を具備している」ものであることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
このように、本発明によれば、操作ユニットを配置するスペースを十分に確保することで今までにない操作部を提供することで遊技者に操作部を操作させて遊技者参加型演出を楽しませることが可能な遊技機を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月10日(2019.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘着面に、顎に吸着するディンプルを有する義歯。
【請求項２】
粘着面に、顎に吸着する多数の細かい凹みを有する義歯。
【請求項３】
粘着面に、顎に吸着するディンプルを有すると共に、このディンプルのない部位に顎に吸着する多数の細かい凹みを有する義歯。
【請求項４】
粘着面に、負圧により顎に吸着する吸着手段を有する義歯。
【請求項５】
患者から取った印象にディンプルを彫り、この印象からディンプルを写して型としての突起のある模型を作る工程と、模型からベースプレートを作る工程と、ベースプレートにワックスで蝋提を作り人工歯排列を行った咬合床からワックスを溶出させると共にベースプレートを外す工程と、ワックスとベースプレートとを取り除いた空間にレジンを注入して、模型の突起からレジン側にディンプルを写す工程と、を含む、粘着面に顎に吸着するディンプルを有する義歯の製造方法。
【請求項６】
患者から取った印象にサンドブラストによって多数の細かい凹みを付け、この印象から多数の細かい凹みを写して型としての多数の細かい突起のある模型を作る工程と、模型からベースプレートを作る工程と、ベースプレートにワックスで蝋提を作り人工歯排列を行った咬合床からワックスを溶出させると共にベースプレートを外す工程と、ワックスとベースプレートとを取り除いた空間にレジンを注入して、模型の多数の細かい突起からレジン側に多数の細かい凹みを写す工程と、を含む、粘着面に顎に吸着するディンプルを有する義歯の製造方法。
【請求項７】
患者から取った印象を写して型としての模型を作る工程と、模型からベースプレートを作る工程と、ベースプレートにワックスで蝋提を作り人工歯排列を行った咬合床からワックスを溶出させると共にベースプレートを外す工程と、ワックスとベースプレートとを取り除いた空間にレジンを注入する工程と、硬化したレジンの粘着面に、リーマによってディンプルを付ける工程と、を含む、粘着面に顎に吸着するディンプルを有する義歯の製造方法。
【請求項８】
患者から取った印象を写して型としての模型を作る工程と、模型からベースプレートを作る工程と、ベースプレートにワックスで蝋提を作り人工歯排列を行った咬合床からワックスを溶出させると共にベースプレートを外す工程と、ワックスとベースプレートとを取り除いた空間にレジンを注入する工程と、硬化したレジンの粘着面に、サンドブラストによって多数の細かい凹みを付ける工程と、を含む、粘着面に顎に吸着する多数の細かい凹みを有する義歯の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】  上記成型によってディンプルを付けるには、患者から取った印象にリーマでディンプルを彫り、この印象からディンプルを写して型としての突起のある模型を作る工程と、模型からベースプレートを作る工程と、ベースプレートにワックスで蝋提を作り人工歯排列にて義歯を作る工程と、人工歯排列を終えた咬合床をフラスコに埋設して加熱しワックスを溶出させると共にベースプレートを外す工程と、ワックスとベースプレートとを取り除いた空間にレジンを注入して模型の突起からレジン側にディンプルを写す工程と、を含む、粘着面に顎に吸着するディンプルを有する義歯の製造方法とすることが出来る。すなわちディンプルは人工歯排列を行う際の模型からレジンに写し取られることになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】  また上記電動トリマーで削って付けるには、硬化したレジンの粘着面に、リーマによってディンプルを付ける工程を含む、粘着面に顎に吸着するディンプルを有する義歯の製造方法とすることが出来る。レジンの義歯床の粘着面に直接、リーマによってディンプルを付ける方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】  この細かい凹みを粘着面に効率的に設けるには、例えばサンドブラストガンを用いると良い。サンドブラストガンによって、粘着面にアルミナサンドなどの細かな研磨剤を吹き付けて凹みを設けるのである。すなわち粘着面に、サンドブラスト加工により多数の細かい凹みを付ける工程を含む、粘着面に顎に吸着する多数の細かい凹みを有する義歯の製造方法である。或いは上述のように印象に凹みを設けてこれを模型に多数の細かい突起の型として写す工程を経るようにする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月14日(2019.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
【図１】本発明の電源装置の概略構成例を説明するための図である。
【図２】本発明の電源装置の制御において位相電流の場合のパルス幅ΔＴ（ｋ）の例を示す図である。
【図３】本発明の電源装置のインダクタンス電流制御の例を説明するための図である。
【図４】本発明の電源装置のキャパシタンス電流制御の例を説明するための図である。
【図５】本発明の電源装置のインダクタンス電流制御及びキャパシタンス電流制御の例を説明するための図である。
【図６】本発明の電源装置のインダクタンス電流制御及びキャパシタンス電流制御の一形態を説明するための図である。
【図７】本発明の電源装置のインダクタンス電流制御及びキャパシタンス電流制御の一形態を説明するための図である。
【図８】本発明の電源装置のインダクタンス電流制御及びキャパシタンス電流制御の例を説明するための図である。
【図９】mode1〜mode3による指定電圧への整定工程を説明するための図である。
【図１０】本発明の電源装置のチョッパ回路例を説明するための図である。
【図１１】本発明の電源装置のＬＣＲ回路を説明するための図である。
【図１２】本発明の電源装置のＬＣＲ回路の等価回路を説明するための図である。
【図１３】定電圧制御の一次系伝達関数を説明するための図である。
【図１４】定電圧制御の二次系伝達関数を説明するための図である。
【図１５】本発明の電源装置を適用したＲＦジェネレータの制御例を説明するための図である。
【図１６】本発明の電源装置を適用したＲＦジェネレータの制御例を説明するためのフローチャートである。
【図１７】本発明の電源装置を適用した装置のＨｉｇｈ／Ｌｏｗ制御例を説明するためのフローチャートである。
【図１８】本発明の電源装置を適用した直流電源装置及び交流電源装置の制御例を説明するための図である。
【図１９】出力電圧ｖoをフィードバックする定電圧制御を説明するための図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
図４（ｂ）に示すキャパシタンス電流の指令電流ＩC-REFは、Ｈ／Ｌの２レベル制御において、ＨｉｇｈレベルのＶHに対応するＩC-REFHと、ＬｏｗレベルのＶLに対応するＩC-REFLとの２レベルの指令電流の例を示し、図４（ｃ）に示すキャパシタンス電流ｉｃは、２レベルのステップ応答例を示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
検出した出力電圧ｖo（ｋ）がＰ２で算出した切り替え電圧ｖc1に到達したか否かを判定する（Ｐ６）。出力電圧ｖo（ｋ）が切り替え電圧ｖc1に達していない場合には、Ｐ３〜Ｐ５の工程を繰り返し、出力電圧ｖo（ｋ）が切り替え電圧ｖc1に達した場合には、次のmode2の工程に移行する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
検出した出力電圧ｖo（ｋ）がＰ２で算出した切り替え電圧ｖc2に到達したか否かを判定する（Ｐ１０）。出力電圧ｖo（ｋ）が切り替え電圧ｖc2に達していない場合には、Ｐ７〜Ｐ９の工程を繰り返し、出力電圧ｖo（ｋ）が切り替え電圧ｖc2に達した場合には、次にmode3の工程に移行する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３９】
検出した出力電圧ｖo（ｋ）がＰ１で設定した指令電圧ＶREFに到達したか否かを判定する（Ｐ１４）。出力電圧ｖo（ｋ）が指令電圧ＶREFに達していない場合には、Ｐ１１〜Ｐ１３の工程を繰り返し、出力電圧ｖo（ｋ）が指令電圧ＶREFに達した場合には、指令電圧ＶREFへの整定を終了する。次の指令電圧ＶREFが設定された場合には、上記したＰ１〜Ｐ１４の工程を繰り返して出力電圧ｖoを指令電圧ＶREFに整定する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４３】
次に、前段工程において制御電流について求めたパルス幅ΔＴ（ｋ）の関数式を用いて、インダクタンス電流の定電流制御のパルス幅ΔＴ（ｋ）の導出（導出工程５）、及びキャパシタンス電流の定電流制御のパルス幅ΔＴ（ｋ）の導出（導出工程６）を説明する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７６】
・導出工程７：
mode1におけるキャパシタンス電流の定電流制御のパルス幅ΔＴ（ｋ）の導出を説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７１】
ｋｍは分解能であり、例えば、Ｔset＝８μｓ、Ｔh＝１／６０ＭＨｚの場合には、ｋｍ＞Ｔset／Ｔh＝８μｓ×６０ＭＨｚ＝４８０となる。この例では、分解能は４８０以上が得られる（S12A）。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月30日(2019.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御装置から送信された在圏登録Ａｃｃｅｐｔメッセージもしくは位置登録（Location Registration）Ａｃｃｅｐｔメッセージを受信する受信手段と、
前記在圏登録Ａｃｃｅｐｔメッセージもしくは位置登録Ａｃｃｅｐｔメッセージに第１のｅＤＲＸ（Extended Idle Mode DRX）パラメータが含まれる場合、前記制御装置へ在圏登録Ｃｏｍｐｌｅｔｅメッセージもしくは位置登録Ｃｏｍｐｌｅｔｅメッセージを送信する送信手段と、を備える通信端末。
【請求項２】
前記送信手段は、
在圏登録処理または位置登録処理を開始する際に第２のｅＤＲＸパラメータを含む在圏登録Ｒｅｑｕｅｓｔメッセージもしくは位置登録Ｒｅｑｕｅｓｔメッセージを送信し、
前記第１のｅＤＲＸパラメータは、前記第２のｅＤＲＸパラメータと同じｅＤＲＸパラメータか、もしくは、前記制御装置において前記第２のｅＤＲＸパラメータが更新された後のｅＤＲＸパラメータである、請求項１に記載の通信端末。
【請求項３】
前記送信手段は、
前記第１のｅＤＲＸパラメータが前記第２のｅＤＲＸパラメータと同じ場合、前記在圏登録Ｃｏｍｐｌｅｔｅメッセージもしくは前記位置登録Ｃｏｍｐｌｅｔｅメッセージの送信を抑制する請求項２に記載の通信端末。
【請求項４】
前記送信手段は、
前記在圏登録Ａｃｃｅｐｔメッセージもしくは前記位置登録Ａｃｃｅｐｔメッセージに、前記第１のｅＤＲＸパラメータ、及び、自装置に割り当てられる一時割当識別子であって変更された前記一時割当識別子、の少なくとも一方が含まれる場合、前記制御装置へ前記在圏登録Ｃｏｍｐｌｅｔｅメッセージもしくは前記位置登録Ｃｏｍｐｌｅｔｅメッセージを送信する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の通信端末。
【請求項５】
前記送信手段は、
前記在圏登録Ａｃｃｅｐｔメッセージもしくは前記位置登録Ａｃｃｅｐｔメッセージに、変更された前記一時割当識別子が含まれず、前記第１のｅＤＲＸパラメータが含まれる場合、前記制御装置へ前記在圏登録Ｃｏｍｐｌｅｔｅメッセージもしくは前記位置登録Ｃｏｍｐｌｅｔｅメッセージを送信する、請求項４に記載の通信端末。
【請求項６】
前記在圏登録はＡｔｔａｃｈ、前記位置登録はＴＡＵ（Tracking Area Update）またはＲＡＵ（Routing Area Update）である、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の通信端末。
【請求項７】
ＵＥ（User Equipment）を有するネットワークにおいてＭＭＥ（Mobility Management Entity）として動作する制御装置であって、
前記ＵＥから第１のｅＤＲＸ（Extended Idle Mode DRX）パラメータを含むTracking Area Update Requestメッセージを受信する受信手段と、
前記ネットワークが、前記第１のｅＤＲＸパラメータと異なる第２のｅＤＲＸパラメータを提供した場合、前記第１のｅＤＲＸパラメータを前記第２のｅＤＲＸパラメータに更新する制御手段と、
前記ＵＥに新しいＧＵＴＩ（Globally Unique Temporary UE Identity）を割り当てる制御手段と、
前記第２のｅＤＲＸパラメータを使用して、前記新しいＧＵＴＩを含むTracking Area Update Acceptメッセージを前記ＵＥへ送信する送信手段と、を備える制御装置。
【請求項８】
ＵＥ（User Equipment）を有するネットワークにおけるＭＭＥ（Mobility Management Entity）の通信方法であって、
前記ＵＥから第１のｅＤＲＸ（Extended Idle Mode DRX）パラメータを含むTracking Area Update Requestメッセージを受信し、
前記ネットワークが、前記第１のｅＤＲＸパラメータと異なる第２のｅＤＲＸパラメータを提供した場合、前記第１のｅＤＲＸパラメータを前記第２のｅＤＲＸパラメータに更新し、
前記ＵＥに新しいＧＵＴＩ（Globally Unique Temporary UE Identity）を割り当て、
前記第２のｅＤＲＸパラメータを使用して、前記新しいＧＵＴＩを含むTracking Area Update Acceptメッセージを前記ＵＥへ送信する、通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信端末、制御装置、及び通信方法
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月2日(2019.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
基板が載置された熱板により前記基板を加熱する熱処理方法であって、
基板の被処理面を覆い処理室を構成する蓋体の温度を測定する測定工程と、
前記熱板の設定温度が変更された際、前記測定された前記蓋体の温度に基づいて、変更後の前記設定温度を得るための前記熱板の加熱量の補正を行う補正工程と、を含むことを特徴とする熱処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記補正工程は、前記熱板の設定温度が変更された際、変更後に前記蓋体の温度が安定した時の当該蓋体の温度である安定時蓋体温度と、前記測定された前記蓋体の温度と、の差分に基づいて、前記熱板の加熱量の補正を行う工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の熱処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板を熱処理する熱処理装置において、装置の構成が簡易であっても基板の品質のばらつきを抑えることができるようにすることを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
別な観点による本発明は、基板が載置された熱板により前記基板を加熱する熱処理方法であって、基板の被処理面を覆い処理室を構成する蓋体の温度を測定する測定工程と、前記熱板の設定温度が変更された際、前記測定された前記蓋体の温度に基づいて、変更後の前記設定温度を得るための前記熱板の加熱量の補正を行う補正工程と、を含むことを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記補正工程は、前記熱板の設定温度が変更された際、変更後に前記基板の温度が安定した時の当該蓋体の温度である安定時蓋体温度と、前記測定された前記蓋体の温度と、の差分に基づいて、前記熱板の加熱量の補正を行う工程を含むことが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の熱処理装置によれば、簡易な構成で、基板の品質のばらつきを抑えることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図１は、本実施の形態にかかる熱処理装置を備えた基板処理システム１の構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、基板処理システム１の内部構成の概略を示す正面図及び背面図である。なお、本実施の形態では、基板処理システム１がウェハＷに対して塗布現像処理を行う塗布現像処理システムである場合を例にして説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
また、図１３に示すように、蓋体１３０の下面には、温度センサ１３３が複数設けられている。温度センサ１３３は、中央の熱板領域Ｒ１に対応する部分Ｐ１に１つ、熱板領域Ｒ２〜Ｒ５に対応する部分Ｐ２に１つ、熱板領域Ｒ６〜Ｒ１３に対応する部分Ｐ３に１つ配置されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
上記加熱量の補正は、具体的には、例えば、以下のようにして行う。すなわち、熱板１３２の設定温度毎に、蓋体１３０の各部分Ｐ１〜Ｐ３の安定時蓋体温度を記憶部（不図示）に予め記憶する。そのうえで、制御部３００は、熱板１３２の設定温度が変更された際は、各部分Ｐ１〜Ｐ３について、変更後の設定温度に対応する安定時蓋体温度と、温度センサ１３３により測定された蓋体１３０の温度と、の差分を算出する。そして、制御部３００は、熱板領域Ｒ１〜Ｒ１３毎に、当該領域Ｒ１〜Ｒ１３に対応する部分Ｐ１〜Ｐ３の安定時蓋体温度と、測定された該対応する部分Ｐ１〜Ｐ３の現在の温度と、の差分に基づいて、ヒータ１４０による加熱量を補正する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
各熱板領域Ｒ１〜Ｒ１３の補正量の算出後、制御部３００は、算出した補正量と、蓋体１３０の温度のフィードバック制御を有効にするトリガ（起動トリガ）とを熱板温調器１４３に発行する（ステップＳ１３）。
これにより、熱板温調器１４３が、発行された補正量に基づき、各ヒータ１４０の加熱量を補正することで、蓋体１３０の温度フィードバック制御が開始される（ステップＳ１４）。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2018107175.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月22日(2019.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層の上面において、外部接続端子として使用される複数のパッドが配置されたパッド配置領域が画定され、
前記パッド配置領域は、複数の前記パッドが所定密度で配置された第１領域と、複数の前記パッドが前記第１領域の所定密度よりも低密度で配置された第２領域と、を含み、
前記第２領域のみ、外部接続端子として使用されないダミーパッドが少なくとも１つ配置されている配線基板。
【請求項２】
前記ダミーパッドは、前記第２領域の最外周に位置するパッドの外側に配置されている請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記パッドの表面にはめっき層が形成され、前記めっき層はニッケルを含む請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２領域の最外周に位置するパッドと前記ダミーパッドとが千鳥状に配置されている請求項１乃至３の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第２領域の最外周に位置するパッドと前記ダミーパッドとの距離が、前記第２領域内で隣接する前記パッド同士の距離よりも短い請求項１乃至４の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記ダミーパッドのピッチが、前記第２領域内で隣接する前記パッドのピッチよりも狭い請求項１乃至５の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
少なくとも前記第２領域の最外周に位置するパッドの間、及び第２領域の最外周よりも内側に位置するパッドの間にも前記ダミーパッドを配置した請求項１乃至６の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項８】
前記ダミーパッドは、前記第２領域の最外周に位置するパッドに沿った細長状のパターンに形成されている請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項９】
前記第２領域の最外周に位置するパッドの外側に、複数列のダミーパッドが配置されている請求項１乃至８の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記第２領域内で隣接する前記パッドのピッチは、前記第１領域内で隣接する前記パッドのピッチよりも広い請求項１乃至９の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の配線基板と、
前記配線基板の複数の前記パッドに接続された半導体チップと、
前記配線基板と前記半導体チップとの間に充填された樹脂と、を有し、
前記樹脂は、前記ダミーパッドを被覆している半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月2日(2019.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内のステージに載置された基板を静電チャックにより静電吸着した状態で、高周波電力の印加によってガスから生成したプラズマにより処理を行った後に、基板を支持するピンの上下動により該基板を振動させ、
前記基板を振動させたときに吸着電極の誘導電流から基板の残留電荷量を算出し、
前記算出した基板の残留電荷量に応じて、前記吸着電極に印加する電圧を算出する、
計測方法。
【請求項２】
前記ピンの上下動の繰り返しにより基板を振動させたときに発生する信号の周波数を１０Ｈｚ以下に制御する、
請求項１に記載の計測方法。
【請求項３】
前記信号の振幅を１ｍｍ以下に制御する、
請求項２に記載の計測方法。
【請求項４】
前記信号の振幅を０.５ｍｍ以下に制御する、
請求項２に記載の計測方法。
【請求項５】
処理容器内のステージに載置された基板を静電チャックにより静電吸着した状態で、高周波電力の印加によってガスから生成したプラズマにより処理を行った後に、請求項１〜４のいずれか一項の計測方法により算出した前記吸着電極に印加する電圧を記憶した記憶部を参照して、前記算出した電圧を吸着電極に印加し、
前記算出した電圧を印加した後に前記高周波電力の印加を停止し、
前記高周波電力の印加を停止した後に前記算出した電圧の印加を停止する、
除電方法。
【請求項６】
処理容器内のステージに載置された基板を静電チャックにより静電吸着した状態で、高周波電力の印加によってガスから生成したプラズマにより処理を行った後に、基板を支持するピンの上下動により該基板を振動させ、
前記基板を振動させたときに吸着電極の誘導電流から基板の残留電荷量を算出し、
前記算出した基板の残留電荷量に応じて、前記吸着電極に印加する電圧を算出し、
前記算出した電圧を印加した後に前記高周波電力の印加を停止し、
前記高周波電力の印加を停止した後に前記算出した電圧の印加を停止する、
除電方法。
【請求項７】
前記算出した基板の残留電荷量を第１の閾値と比較し、
前記比較の結果、前記残留電荷量が前記第１の閾値よりも大きい場合、前記算出した電圧を吸着電極に印加する、
請求項５又は６に記載の除電方法。
【請求項８】
前記算出した残留電荷量を前記第１の閾値よりも値が大きい第２の閾値と比較し、
前記比較の結果、前記残留電荷量が前記第２の閾値よりも大きい場合、前記プラズマにより処理を行う装置のメンテナンスを行う、
請求項７に記載の除電方法。
【請求項９】
前記吸着電極は、単極の電極を有する、
請求項５〜８のいずれか一項に記載の除電方法。
【請求項１０】
処理容器内のステージに載置された基板を静電チャックにより静電吸着した状態で、高周波電力の印加によってガスから生成したプラズマにより処理を行うプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理装置を制御する制御部を有し、
前記制御部は、
前記プラズマにより処理を行った後に、基板を支持するピンの上下動により基板を振動させ、
前記基板を振動させたときに吸着電極の誘導電流から基板の残留電荷量を算出し、
前記算出した基板の残留電荷量に応じて、前記吸着電極に印加する電圧を算出する、
プラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ガス供給源５０から処理容器１０内に処理ガスが供給される。第１高周波電源３２からステージ２０に第１高周波電力が印加され、第２高周波電源３４からステージ２０に第２高周波電力が印加される。これにより、ウェハＷの上方に生成されたプラズマの作用とイオンの引き込みによりウェハＷに所定のプラズマ処理が施される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
算出した除電電圧Ｖが予め定められた第１の閾値Ｖｔｈ１よりも大きい場合、算出した除電電圧Ｖを吸着電極２３に印加（逆印加）した後、ウェハＷを静電チャック２２から脱離し（ステップＳ４）、ウェハＷを搬出する（ステップＳ５）。第１の閾値Ｖｔｈ１は、除電処理において、算出された除電電圧Ｖによる除電を行うか否かを判断するための閾値であり、予め設定されている。第１の閾値Ｖｔｈ１の値を、ステップＳ２にて印加した直流電圧ＨＶと正負が逆で大きさが同一の電圧に設定してもよい。算出した除電電圧Ｖが第１の閾値Ｖｔｈ１以下の場合、除電処理において、第１の閾値Ｖｔｈ１を吸着電極に印加してもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
［静電容量の周波数依存性］
最後に、静電容量の周波数依存性について、図９及び図１０を参照しながら説明する。図９は、本実施形態に係る静電チャック２２が新品の場合のウェハ吸着時のウェハと吸着電極の間の静電容量の周波数依存性を示す。図１０は、本実施形態に係る静電チャック２２が中古の場合のウェハ吸着時のウェハと吸着電極の間の静電容量の周波数依存性を示す。グラフの縦軸は、静電容量の周波数依存性の傾向をみるために規格化されており、縦軸の単位は任意単位を用いている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
静電チャック２２が新品の場合、図９に示すように、参照信号の周波数が１０Ｈｚ以上では、ウェハと吸着電極の間の静電容量Ｃにバラツキが生じている。つまり、静電チャック２２が新品の場合、静電容量Ｃには周波数依存性があり、ウェハＷを１０Ｈｚ以上の周波数で振動させると、共振により正確な残留電荷量Ｑが算出できないことを示している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
静電チャック２２が中古の場合にも、図１０に示すように、参照信号の周波数が１０Ｈｚ以上では、ウェハと吸着電極の間の静電容量Ｃにバラツキが生じている。つまり、静電チャック２２が中古の場合にも、静電容量Ｃには周波数依存性があり、ウェハＷを１０Ｈｚ以上の周波数で振動させると、共振により正確な残留電荷量Ｑが算出できないことを示している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
１：プラズマ処理装置
１０：処理容器
２０：ステージ（下部電極）
２２：静電チャック
２３：吸着電極
２４：基材
２５：フォーカスリング
３０：誘電層
３２：第１高周波電源
３４：第２高周波電源
３６：直流電圧源
３７：スイッチ
４０：ガスシャワーヘッド（上部電極）
４２：拡散室
５０：ガス供給源
６５：排気装置
８０：位相検波器
８１：電流アンプ
８２：ピンドライバ
９０：支持ピン
１００：制御部
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月17日(2019.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
円筒状の胴部を有する処理チャンバと、処理チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成機構とを備えた基板処理装置の前記胴部内に配設される略円筒状の防着筒であって、
所定の厚みを有する板状の弾性部材からなり、
筒軸方向の全長に亘ってスリットが形成され、自然状態での最大外径が前記胴部の内径より大径であり、最大外径が前記胴部の内径よりも小径となるように弾性変形可能な筒状本体と、
前記筒状本体における前記スリットを挟む２つの端部の内の一方端部から他方端部側に向けて連続して形成され、前記スリットを覆うオーバーラップ部とを有していることを特徴とする防着筒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
円筒状の胴部を有する処理チャンバと、処理チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成機構とを備え、該処理チャンバ内に配設された基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の防着筒を更に備えており、
前記防着筒は、前記筒状本体の外周面と前記胴部の内周面とが対向した状態で、該胴部内に配設されていることを特徴とする基板処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するための本発明は、
円筒状の胴部を有する処理チャンバと、処理チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成機構とを備えた基板処理装置の前記胴部内に配設される略円筒状の防着筒であって、
所定の厚みを有する板状の弾性部材からなり、
筒軸方向の全長に亘ってスリットが形成され、自然状態での最大外径が前記胴部の内径より大径であり、最大外径が前記胴部の内径よりも小径となるように弾性変形可能な筒状本体と、
前記筒状本体における前記スリットを挟む２つの端部の内の一方端部から他方端部側に向けて連続して形成され、前記スリットを覆うオーバーラップ部とを有している防着筒に係る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明は、円筒状の胴部を有する処理チャンバと、処理チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成機構とを備え、該処理チャンバ内に配設された基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、上記防着筒を更に備えており、この防着筒が、前記筒状本体の外周面と前記胴部の内周面とが対向した状態で、該胴部内に配設されている基板処理装置に係る。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月27日(2019.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に、発光層を含む半導体層および第１金属層をこの順に形成する工程と、
第２基板上に、第２金属層を形成する工程と、
前記第１金属層および前記第２金属層を互いに接合することによって、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程と、
前記貼り合わせ後、前記第１基板を除去する工程と、
前記第１基板の除去後、前記半導体層の表面に選択的に表面電極を形成する工程と、
前記表面電極の形成後、前記第２基板を裏面側から薄化する工程と、
前記薄化工程の後、前記半導体層の表面側に支持基板を貼り付ける工程と、
前記支持基板で前記半導体層を支持した状態で、前記第２基板の裏面に裏面電極を形成する工程と、
前記支持基板を取り外し、前記半導体層の表面をフロスト処理することによって、前記半導体層の前記表面に微細な凹凸構造を形成する工程とを含む、半導体発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２基板は、前記薄化工程の前に３００μｍ〜６００μｍの厚さを有しており、前記薄化工程によって、３５μｍ〜８０μｍの厚さに加工される、請求項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記表面電極の形成後、前記薄化工程までに、前記表面電極にプローブを接触させることによって、前記表面電極の導通試験を行う工程を含む、請求項１または２に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記フロスト処理は、前記半導体層の表面をウエットエッチングする工程を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体層および前記第１金属層を前記第１基板上に形成する工程は、前記半導体層と前記第１金属層との間に透光導電層を形成する工程を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項６】
３５μｍ〜８０μｍの厚さを有する基板と、
前記基板上の金属層と、
前記金属層上に形成され、発光層、前記発光層に対して前記基板側に配置された第１導電型層、および前記発光層に対して前記基板の反対側に配置された第２導電型層を含む半導体層と、
前記半導体層の表面に選択的に形成された表面電極と、
前記基板の裏面に形成された裏面電極と、
前記半導体層の表面に選択的に形成された微細な凹凸構造とを含む、半導体発光装置。
【請求項７】
前記基板と前記半導体層のトータルの厚さが、２５０μｍ〜６００μｍである、請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記金属層と前記半導体層との間の透光導電層を含み、
前記透光導電層の光学膜厚が、０．１２５λ〜０．５λ（ただし発光波長λ＝７５０ｎｍ〜１０００ｎｍ）である、請求項６または７に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記第２導電型層は、前記発光層上に、順に積層された、第２導電型クラッド層、第２導電型ウィンドウ層および第２導電型コンタクト層を含み、
前記第２導電型ウィンドウ層は、前記第２導電型コンタクト層から選択的に露出した露出面を有し、
前記微細な凹凸構造は、前記第２導電型ウィンドウ層の露出面に形成され、
前記第２導電型ウィンドウ層は、２μｍ〜６μｍの厚さを有している、請求項６〜８のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記金属層は、４０００Å〜１００００Åの厚さを有している、請求項６〜９のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記金属層は、Ａｕを含む、請求項６〜１０のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記基板は、シリコン基板を含む、請求項６〜１１のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月27日(2019.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔が配置されている第１プリント基板と、
前記貫通孔に挿入されている挿入部を含む第２プリント基板とを備え、
前記貫通孔は、前記第１プリント基板を平面視したときに、第１方向に沿って延びるように配置されている第１孔部と、前記第１孔部と連なりかつ前記第１方向と交差する第２方向の幅が前記第１孔部の前記第２方向の幅よりも広い第２孔部とを含み、
前記貫通孔の前記第１方向の幅は、前記挿入部の前記第１方向の幅よりも広く、
前記第１プリント基板は、前記第２孔部の内周面を構成している第１配線パターンを含み、
前記第２プリント基板の前記挿入部は、前記第２孔部内に挿入されている第２挿入部分に形成されている第２配線パターンを含み、
前記第２配線パターンの前記第１方向の幅は、前記第２孔部の前記第１方向の幅よりも狭く、
前記第２挿入部分の前記第２方向の幅は、前記第１孔部の前記第２方向の幅よりも広く、さらに、
前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを接合する導電性接合部材を備える、プリント基板接合体。
【請求項２】
前記第２配線パターンと前記第２配線パターンに対し前記第１方向の一方の側に位置する前記第２孔部の前記内周面との間の前記第１方向の最短距離を第１距離とし、
前記第２配線パターンと前記第２配線パターンに対し前記第１方向の他方の側に位置する前記第２孔部の前記内周面との間の前記第１方向の最短距離を第２距離とし、
前記第１距離と前記第２距離との和は、前記第２配線パターンの前記第１方向の幅以下である、請求項１に記載のプリント基板接合体。
【請求項３】
前記貫通孔の前記第２方向の幅は、前記挿入部の前記第２方向の幅よりも広く、
前記第２挿入部分と前記第２挿入部分に対し前記第２方向の一方の側に位置する前記第２孔部の前記内周面との間の前記第２方向の最短距離を第３距離とし、
前記第２挿入部分と前記第２挿入部分に対し前記第２方向の他方の側に位置する前記第２孔部の前記内周面との間の前記第２方向の最短距離を第４距離とし、
前記第３距離と前記第４距離との和は、前記第１孔部の前記第２方向の幅と前記挿入部の前記第１孔部に挿入されている第１挿入部分の前記第２方向の幅との差よりも、小さい、請求項１または請求項２に記載のプリント基板接合体。
【請求項４】
前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとは前記導電性接合部材を介して接合されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載のプリント基板接合体。
【請求項５】
前記第２孔部の前記第１方向の幅が前記第２孔部の前記第２方向の幅よりも広い、請求項１〜４のいずれか１項に記載のプリント基板接合体。
【請求項６】
前記第１プリント基板を平面視したときに、前記第２配線パターンの前記第１方向の中心を通り前記第２方向に延びる中心線は、前記第２孔部の前記第１方向の中心を通り前記第２方向に延びる中心線と重なるように配置されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリント基板接合体。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月7日(2019.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッドと、
前記パッドを覆う絶縁層と、
前記絶縁層を貫通し前記パッドに接続されたビア配線と、
を有し、
前記ビア配線は、めっき金属よりなり、
前記ビア配線は、前記絶縁層の上面から前記パッドに向けて径が小さくなる第１のビア部と、前記第１のビア部の下端から前記パッドに向けて径が大きくなる第２のビア部とを有し、
前記第１のビア部の前記絶縁層の上面における径より、前記第２のビア部の前記パッドの上面における径が大きいこと、を特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第２のビア部の前記パッドの上面における径が前記パッドの径と等しいことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２のビア部の前記パッドの上面における径が前記パッドの径より小さいことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２のビア部の前記パッドの上面における径が前記パッドの径より大きく、
前記第２のビア部が前記パッドの側面の一部を覆うこと、
を特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
前記パッドの径は、前記第１のビア部の前記絶縁層の上面における径の１．２〜２倍であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記第１のビア部の長さは、前記ビア配線の長さの８０〜９８％であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記絶縁層を貫通して、前記パッドを露出する貫通孔が設けられており、
前記貫通孔は、前記絶縁層の上面から前記パッドに向けて径が小さくなる第１の孔部と、前記第１の孔部の下端から前記パッドに向けて径が大きくなる第２の孔部とを有し、
前記ビア配線は、前記貫通孔に充填されためっき金属よりなること、
を特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項８】
前記第２のビア部の周面は、前記絶縁層の上面に向かって凸型Ｒ形状の曲面であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項９】
前記パッドの上面は、外周部に対して中心部が低い湾曲した凹状に形成されていること、を特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項１０】
パッドを覆う絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層にレーザ光を照射し、前記パッドの上面の一部を露出する開口部を形成するとともに、前記レーザ光により前記パッドを加熱して前記開口部の周囲において前記パッドと接する前記絶縁層の部分を変質させる工程と、
前記変質させた前記絶縁層の部分を除去し、前記絶縁層に、前記開口部の一部からなり前記絶縁層の上面から前記パッドに向けて径が小さくなる第１の孔部と、前記第１の孔部の下端から前記パッドに向けて径が大きくなる第２の孔部とを有する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔をめっき金属で充填し、前記絶縁層の上面から前記パッドに向けて径が小さくなる第１のビア部と、前記第１のビア部の下端から前記パッドに向けて径が大きくなる第２のビア部とを有するビア配線を形成する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１のビア部の前記絶縁層の上面における径より、前記第２のビア部の前記パッドの上面における径が大きいこと、を特徴とする請求項１０に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、配線基板は、パッドと、前記パッドを覆う絶縁層と、前記絶縁層を貫通し前記パッドに接続されたビア配線と、を有し、前記ビア配線は、めっき金属よりなり、前記ビア配線は、前記絶縁層の上面から前記パッドに向けて径が小さくなる第１のビア部と、前記第１のビア部の下端から前記パッドに向けて径が大きくなる第２のビア部とを有し、前記第１のビア部の前記絶縁層の上面における径より、前記第２のビア部の前記パッドの上面における径が大きい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の別の一観点によれば、配線基板の製造方法は、パッドを覆う絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層にレーザ光を照射し、前記パッドの上面の一部を露出する開口部を形成するとともに、前記レーザ光により前記パッドを加熱して前記開口部の周囲において前記パッドと接する前記絶縁層の部分を変質させる工程と、前記変質した前記絶縁層の部分を除去し、前記絶縁層に、前記開口部の一部からなり前記絶縁層の上面から前記パッドに向けて径が小さくなる第１の孔部と、前記第１の孔部の下端から前記パッドに向けて径が大きくなる第２の孔部とを有する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を導体で充填し、前記絶縁層の上面から前記パッドに向けて径が小さくなる第１のビア部と、前記第１のビア部の下端から前記パッドに向けて径が大きくなる第２のビア部とを有するビア配線を形成する工程と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月5日(2019.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置する第１導電層、前記第１導電層上に位置し、銅を含有する第２導電層、および前記第２導電層上に位置する第３導電層を有する第１電極と、前記第１電極上に位置する誘電体と、前記誘電体上に位置する第２電極と、を有するキャパシタと、を備え、
前記第３導電層の厚みは、前記第１導電層の厚み以上であって、かつ、前記第２導電層の厚み以下である、電子部品。
【請求項２】
前記第３導電層は、前記第１導電層の成分と異なる成分を含有する、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第３導電層は、ニッケルを含有する、請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第３導電層は、
ニッケルを含有する第１の層と、
前記第１の層上に位置し、金を含有する第２の層と、を有する、請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記第３導電層は、チタンを含有する請求項２に記載の電子部品。
【請求項６】
前記第１導電層は、
チタンを含有する下層と、
銅を含有する上層と、を有する、請求項３または４に記載の電子部品。
【請求項７】
前記第２導電層の厚みは１μｍ以上である請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項８】
前記第１導電層の厚みは１μｍ以上である請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項９】
前記基板を貫通し、前記第１電極に電気的に接続された貫通電極を更に備える、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項１０】
基板を準備する工程と、
前記基板上にキャパシタの第１電極の第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層上に部分的にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクとして前記第１導電層上に銅を含有する前記第１電極の第２導電層を形成する工程と、
前記第２導電層上に前記第１電極の第３導電層を形成する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
前記レジスト層が形成されていた前記第１導電層を除去する工程と、
前記第１電極上に前記キャパシタの誘電体を形成する工程と、
前記誘電体上に前記キャパシタの第２電極を形成する工程と、を備え、
前記第３導電層の厚みは、前記第１導電層の厚み以上であって、かつ、前記第２導電層の厚み以下に形成する、電子部品の製造方法。