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【手続補正書】
【提出日】平成30年11月16日(2018.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、複数の識別情報を変動表示する変動表示ゲームの結果が特別結果となった場合に遊技者に遊技価値を付与する特別遊技状態を発生する遊技機に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来の遊技機、例えばパチンコ遊技機においては、始動条件の成立（始動入賞口に遊技球が入賞する等）に基づき、複数の識別情報を表示可能な画像表示装置や複数の識別情報を備えた回転表示装置によって変動表示ゲームを実行し、該変動表示ゲームの結果が特別結果となった場合に、遊技者に有利な特別遊技状態を発生させるものが一般的である（例えば、特許文献１参照）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ところで、遊技機においては、射幸性が高くなりすぎる虞がある。
本発明の目的は、射幸性が高くなりすぎることを防止することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、
複数の識別情報を変動表示する変動表示ゲームの結果が特別結果となった場合に遊技者に遊技価値を付与する特別遊技状態を発生する遊技機において、
所定条件の成立に基づいて、前記特別遊技状態の終了後に、通常状態よりも特別遊技状態の発生タイミングが早くなる可能性が高い特定遊技状態を発生する特定遊技状態発生手段と、
少なくとも前記変動表示ゲームの実行時間である変動時間を規定する変動パターンが設定された複数の変動パターンテーブルと、
前記複数の変動パターンテーブルの中から前記変動パターンを選択する前記変動パターンテーブルを設定する変動パターン設定手段と、を備え、
前記変動パターン設定手段は、前記特定遊技状態の連続回数に基づいて、前記複数の変動パターンテーブルの中から相対的に長い変動時間が選択されやすい変動パターンテーブルを設定することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によれば、射幸性が高くなりすぎることを防止することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の識別情報を変動表示する変動表示ゲームの結果が特別結果となった場合に遊技者に遊技価値を付与する特別遊技状態を発生する遊技機において、
所定条件の成立に基づいて、前記特別遊技状態の終了後に、通常状態よりも特別遊技状態の発生タイミングが早くなる可能性が高い特定遊技状態を発生する特定遊技状態発生手段と、
少なくとも前記変動表示ゲームの実行時間である変動時間を規定する変動パターンが設定された複数の変動パターンテーブルと、
前記複数の変動パターンテーブルの中から前記変動パターンを選択する前記変動パターンテーブルを設定する変動パターン設定手段と、を備え、
前記変動パターン設定手段は、前記特定遊技状態の連続回数に基づいて、前記複数の変動パターンテーブルの中から相対的に長い変動時間が選択されやすい変動パターンテーブルを設定することを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月7日(2019.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１０１）、特にウェハを位置決めするための位置決め装置（１００）であって、
プロセスチャンバと、
基体（１０５）と、
前記基板（１０１）を支持する支持体（１０９）を備え、前記基体（１０５）の上方に配置され、基体（１０５）からの距離に関して移動可能に形成されたキャリア要素（１０７）と、
キャリア要素（１０７）に対向して配置され、別の基板（１０３）、特に別のウェハまたはマスク用のホルダ（１１１）と、を備え、
基体（１０５）とキャリア要素（１０７）との間には、外力の作用の結果としてのキャリア要素（１０７）の望ましくない動きを防止するために、圧力、特に負圧を加えることができる密閉されたキャビティ（１１３）が設けられている、位置決め装置（１００）。
【請求項２】
前記密封されたキャビティ（１１３）は、前記キャビティ（１１３）内の圧力を制御することができる圧力端子を備える、請求項１に記載の位置決め装置（１００）。
【請求項３】
調整要素（１１５）、特にリフト要素が、前記基体（１０５）と前記キャリア要素（１０７）との間に配置され、前記キャリア要素（１０７）の前記基体（１０５）からの距離を調節する、請求項１または請求項２に記載の位置決め装置（１００）。
【請求項４】
位置決め装置（１００）は、基体（１０５）とキャリア要素（１０７）との間に作用する復元要素（１１９）、特にバネを備える、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の位置決め装置（１００）。
【請求項５】
前記キャリア要素（１０７）の前記基体（１０５）からの最小距離を設定する複数の支持要素（２０５ａ−ｃ）が、前記基体（１０５）とキャリア要素（１０７）との間に配置される、請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の位置決め装置（１００）。
【請求項６】
前記位置決め装置（１００）は、前記キャリア要素（１０７）の移動をガイドするためのガイド（１１７）を備える、請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の位置決め装置（１００）。
【請求項７】
キャリア要素（１０７）は、支持体（１０９）上に配置された基板（１０１）を、特に機械的、空気的および／または静電的に固定することができる固定装置を備える、請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の位置決め装置（１００）。
【請求項８】
前記キャリア要素（１０７）と前記ホルダ（１１１）との間に、プロセスキャビティ（２０１）が存在し、前記プロセスキャビティ（２０１）のサイズは、前記キャリア要素（１０７）と前記ホルダ（１１１）との間の距離によって少なくとも部分的に設定される、請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の位置決め装置（１００）。
【請求項９】
前記プロセスキャビティは、前記プロセスチャンバの一部であるか、または前記プロセスチャンバを画定する、請求項８に記載の位置決め装置（１００）。
【請求項１０】
前記位置決め装置（１００）は、前記プロセスキャビティ（２０１）を密封するための密封手段（２０９）、特に膨張可能な密封リップを備える、請求項８または請求項９に記載の位置決め装置（１００）。
【請求項１１】
前記プロセスキャビティ（２０１）に過圧または負圧を印加することができ、および／または排気することができ、前記プロセスキャビティ（２０１）は、ガス、特にヘリウムを導入することができるガス端子を備える、請求項８ないし請求項１０のいずれか一項に記載の位置決め装置（１００）。
【請求項１２】
前記位置決め装置（１００）が、前記基体（１０５）と前記ホルダ（１１１）との間に挿入可能で、前記基体（１０５）と前記ホルダ（１１１）との間の距離を調整および／または固定する、少なくとも１つのスペーサ、特にくさびを備える、請求項８ないし請求項１１のいずれか一項に記載の位置決め装置（１００）。
【請求項１３】
基板（１０１）、特にウェハを、別の基板（１０３）、特に別のウェハと共に持ってくる方法（３００）であって、
前記別の基板（１０３）に対して前記基板（１０１）を固定するステップ（３０１）と、
外力の作用による前記基板（１０１）の望ましくない動きを防止するために、前記基板（１０１）の下の密封されたキャビティ（１１３）を排気するステップ（３０３）と、
制御された方法で前記基板（１０１）を前記別の基板（１０３）の方に移動させるステップ（３０５）と、を備え、
前記別の基板（１０３）は、プロセスキャビティ（２０１）内に配置され、そのサイズは、少なくとも部分的に前記基板（１０１，１０３）間の距離によって設定され、前記プロセスキャビティ（２０１）へ過圧または負圧を印加すること、および／またはそれを排気すること、または前記プロセスキャビティ（２０１）にガス、特にヘリウムを充填することが可能である、方法（３００）。
【請求項１４】
前記方法（３００）が、前記基板（１０１，１０３）を接触すること（３０７）、特に接合することをさらに備える、請求項１３に記載の方法（３００）。
【請求項１５】
前記制御された移動（３０７）は、さらなる圧力、特に過圧を前記キャビティ（１１３）に加えることを備える、請求項１３または請求項１４に記載の方法（３００）。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月7日(2019.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オンチップレンズと、
配線層と、
前記オンチップレンズと前記配線層との間に配される半導体層とを備え、
前記半導体層は、
第１の電圧が印加される第１の電圧印加部と、
前記第１の電圧とは異なる第２の電圧が印加される第２の電圧印加部と、
前記第１の電圧印加部の周囲に配置される第１の電荷検出部と、
前記第２の電圧印加部の周囲に配置される第２の電荷検出部とを備え、
前記配線層は、
前記第１の電圧を供給する第１の電圧印加配線と、前記第２の電圧を供給する第２の電圧印加配線と、反射部材とを備える１層を少なくとも有し、
前記反射部材は、平面視において前記第１の電荷検出部または前記第２の電荷検出部と重なるように設けられている
受光素子。
【請求項２】
前記第１の電圧印加部、前記第２の電圧印加部、前記第１の電荷検出部、及び、前記第２の電荷検出部は、前記配線層と接触している
請求項１に記載の受光素子。
【請求項３】
前記第１の電圧印加配線と、前記第２の電圧印加配線と、前記反射部材とを備える前記１層は、前記半導体層に最も近い層である
請求項１または２に記載の受光素子。
【請求項４】
前記第１の電圧印加部または前記第２の電圧印加部は、
前記配線層側に第１の不純物濃度でアクセプター元素を含有する第１の領域と、
前記オンチップレンズ側に前記第１の不純物濃度よりも低い第２の不純物濃度でアクセプター元素を含有する第２の領域と
を有する
請求項１乃至３のいずれかに記載の受光素子。
【請求項５】
前記第１の電荷検出部または前記第２の電荷検出部は、
前記配線層側に第３の不純物濃度でドナー元素を含有する第３の領域と、
前記オンチップレンズ側に前記第３の不純物濃度よりも低い第２の不純物濃度でドナー元素を含有する第４の領域と
を有する
請求項１乃至４のいずれかに記載の受光素子。
【請求項６】
前記反射部材は、金属膜である
請求項１に記載の受光素子。
【請求項７】
前記反射部材は、前記第１の電荷検出部側の領域と、前記第２の電荷検出部側の領域とで対称に配置されている
請求項１に記載の受光素子。
【請求項８】
前記反射部材は、格子形状のパターンで配置されている
請求項１に記載の受光素子。
【請求項９】
前記反射部材は、ストライプ形状のパターンで配置されている
請求項１に記載の受光素子。
【請求項１０】
前記反射部材は、画素中心領域のみに配置されている
請求項１に記載の受光素子。
【請求項１１】
前記配線層は、前記反射部材と同一層に、配線容量をさらに備える
請求項１に記載の受光素子。
【請求項１２】
前記配線層は、前記反射部材と異なる層に、配線容量をさらに備える
請求項１に記載の受光素子。
【請求項１３】
前記配線層は、前記第１の電圧印加配線および前記第２の電圧印加配線に前記第１の電圧または前記第２の電圧を供給する電圧供給線をさらに備える
請求項１に記載の受光素子。
【請求項１４】
前記電圧供給線は、上下に隣接する２画素に対する接続先がミラー反転されたMirror配置で配置される
請求項１３に記載の受光素子。
【請求項１５】
前記電圧供給線は、垂直方向に並ぶ画素に対して周期的に繰り返されるPeriodic配置で配置される
請求項１３に記載の受光素子。
【請求項１６】
前記電圧供給線は、画素２列に対して、２本配置されている
請求項１３に記載の受光素子。
【請求項１７】
前記電圧供給線は、画素２列に対して、４本配置されている
請求項１３に記載の受光素子。
【請求項１８】
前記配線層は、
前記第１の電荷検出部を駆動する第１の画素トランジスタと、
前記第２の電荷検出部を駆動する第２の画素トランジスタと
をさらに備え、
前記第１の画素トランジスタと前記第２の画素トランジスタは、対称に配置されている
請求項１に記載の受光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】受光素子
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本技術は、受光素子に関し、特に、特性を向上させることができるようにした受光素子に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本技術の第１の側面によれば、特性を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月17日(2019.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された入力信号と、前記入力信号に基づいて生成された第１帰還信号との差を積分し、積分結果を出力する積分処理と、
前記積分処理により出力された前記積分結果を量子化することにより、第１量子化信号を出力する第１量子化処理と、
前記積分処理により出力された前記積分結果を量子化することにより、補正値信号を出力する第２量子化処理と、
前記第１量子化信号に、前記補正値信号を遅延させた補正値遅延信号を加算処理することにより、前記第１帰還信号を出力する第１帰還信号出力処理と、
前記第１量子化信号に基づいて、或るクロック周期の中心に対して非対称なパルス幅の信号を含む出力信号を出力する出力処理と、
を実行する処理部を備えている、情報処理装置。
【請求項２】
前記補正値信号は、前記出力処理が出力する前記パルス幅のパルス幅中心と、前記或るクロック周期のクロック周期中心との差を補正する補正値を示す信号である、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記第１帰還信号は、前記加算処理により出力された補正値加算信号を遅延させている、請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
入力された入力信号と、前記入力信号に基づいて生成された第１帰還信号及び第２帰還信号との差を積分し、積分結果を出力する積分処理と、
前記積分処理により出力された前記積分結果を量子化することにより、第１量子化信号を出力する第１量子化処理と、
前記積分処理により出力された前記積分結果を量子化することにより、補正値信号を出力する第２量子化処理と、
前記第１量子化信号に基づいて、或るクロック周期の中心に対して非対称なパルス幅の信号を含む出力信号を出力する出力処理と、
を実行する処理部を備え、
前記第１帰還信号は、前記第１量子化信号を遅延させ、
前記第２帰還信号は、前記補正値信号を遅延させている、情報処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の情報処理装置と、
前記情報処理装置からの出力に基づいて、デジタル−アナログ変換した楽音を発音する発音部と、
を備えた電子楽器。
【請求項６】
入力された入力信号と、前記入力信号に基づいて生成された第１帰還信号との差を積分し、積分結果を出力する積分処理と、
前記積分処理により出力された前記積分結果を量子化することにより、第１量子化信号を出力する第１量子化処理と、
前記積分処理により出力された前記積分結果を量子化することにより、補正値信号を出力する第２量子化処理と、
前記第１量子化信号に、前記補正値信号を遅延させた補正値遅延信号を加算処理することにより、前記第１帰還信号を出力する第１帰還信号出力処理と、
前記第１量子化信号に基づいて、或るクロック周期の中心に対して非対称なパルス幅の信号を含む出力信号を出力する出力処理と、
を実行する情報処理方法。
【請求項７】
入力された入力信号と、前記入力信号に基づいて生成された第１帰還信号との差を積分し、積分結果を出力する積分処理のステップと、
前記積分処理のステップにより出力された前記積分結果を量子化することにより、第１量子化信号を出力する第１量子化処理のステップと、
前記積分処理により出力された前記積分結果を量子化することにより、補正値信号を出力する第２量子化処理のステップと、
前記第１量子化信号に、前記補正値信号を遅延させた補正値遅延信号を加算処理することにより、前記第１帰還信号を出力する第１帰還信号出力処理のステップと、
前記第１量子化信号に基づいて、或るクロック周期の中心に対して非対称なパルス幅の信号を含む出力信号を出力する出力処理のステップと、
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
態様の一例の情報処理装置は、入力された入力信号と、前記入力信号に基づいて生成された第１帰還信号との差を積分し、積分結果を出力する積分処理と、前記積分処理により出力された前記積分結果を量子化する第１量子化処理と、前記積分処理により出力された前記積分結果を量子化することにより、補正値信号を出力する第２量子化処理と、前記第１量子化処理により量子化された第１量子化信号に、前記補正値信号を遅延させた補正値遅延信号を加算処理することにより、前記第１帰還信号を出力する第１帰還信号出力処理と、前記第１量子化処理により量子化された第１量子化信号に基づいて、或るクロック周期の中心に対して非対称なパルス幅の信号を含む出力信号を出力する出力処理と、を実行する処理部を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月6日(2019.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を備える固体撮像装置の製造方法であって、
前記複数の画素の１つに含まれる光電変換素子、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタの上に、窒素を含むシリコン化合物からなる第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜のうち、少なくとも前記第２のトランジスタの上に位置する部分に開口を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の上に、前記開口を覆うように、酸素を含むシリコン化合物からなる第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜の上に前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタを覆う層間絶縁膜を形成する工程と、
第１のトランジスタの上において、前記層間絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第１の絶縁膜をエッチングすることにより、前記層間絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第１の絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する工程と、
前記第１のトランジスタへ接続するコンタクトプラグを前記コンタクトホールに形成する工程と、を含む、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記開口を形成する工程では、前記第２のトランジスタの上において前記第１の絶縁膜をエッチングし、前記エッチングにより、前記第２のトランジスタのゲート電極の側面に前記第１の絶縁膜からサイドスペーサが形成され、
前記開口を有する前記第１の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜が前記第２のトランジスタのための素子分離部を覆う、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の絶縁膜を形成する工程と前記層間絶縁膜を形成する工程との間に、前記第２のトランジスタが前記第２の絶縁膜で覆われた状態で、金属を堆積する工程を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属を堆積する工程と前記層間絶縁膜を形成する工程との間に、前記第２の絶縁膜の上に第３の絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記層間絶縁膜を形成する工程の後に、水素雰囲気中で熱処理を行う工程を更に含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
複数の画素を備える固体撮像装置であって、
前記複数の画素の１つに含まれる光電変換素子と、
前記複数の画素の１つに含まれる第１のトランジスタと、
前記複数の画素の１つに含まれる第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタを覆う層間絶縁膜と、
前記第１のトランジスタに接続され、前記層間絶縁膜に接して設けられた第１のコンタクトプラグと、
前記第２のトランジスタに接続され、前記層間絶縁膜に接して設けられた第２のコンタクトプラグと、
前記層間絶縁膜と前記第１のトランジスタとの間に配され、窒素を含むシリコン化合物からなる第１の絶縁膜と、
前記層間絶縁膜と第１の絶縁膜との間に配され、酸素を含むシリコン化合物からなる第２の絶縁膜と、
を備え、
前記第１の絶縁膜は、前記第２のトランジスタの上に開口を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記第１のトランジスタと、前記第１の絶縁膜の前記開口の側面と、前記第２のトランジスタと、を覆う、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１のコンタクトプラグは、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜に接する、ことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記層間絶縁膜で覆われた第３のトランジスタと、前記第３のトランジスタに接続され、前記層間絶縁膜に接して設けられた第３のコンタクトプラグと、をさらに備え、前記第３のコンタクトプラグは前記第１の絶縁膜から離れている、ことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記光電変換素子の上には光導波路が設けられており、前記光導波路と前記光電変換素子との間に前記第１の絶縁膜が延在することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第１の絶縁膜は、前記第２のトランジスタのための素子分離部を覆うことを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記開口が、前記第２のトランジスタのゲート電極の上に設けられており、前記第１の絶縁膜は、前記第２のトランジスタの前記ゲート電極の上面を覆う、ことを特徴とする請求項６乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記第２のコンタクトプラグが、前記第２のトランジスタのドレイン領域の上に位置しており、前記開口が、前記第２のコンタクトプラグと前記第２のトランジスタのゲート電極との間に設けられていることを特徴とする請求項６乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記第２のトランジスタのゲート電極の側面には窒素を含むシリコン化合物からなるサイドスペーサが設けられ、
前記第２の絶縁膜の一部が前記開口の側面と前記サイドスペーサとの間に位置することを特徴とする請求項６乃至１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記第２のトランジスタは、前記光電変換素子で生じた電荷に基づく信号を生成するトランジスタであることを特徴とする請求項６乃至１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
請求項６乃至１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の1つの側面は、複数の画素を備える固体撮像装置の製造方法に係り、前記製造方法は、前記複数の画素の１つに含まれる光電変換素子、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタの上に、窒素を含むシリコン化合物からなる第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜のうち、少なくとも前記第２のトランジスタの上に位置する部分に開口を形成する工程と、前記第１の絶縁膜の上に、前記開口を覆うように、酸素を含むシリコン化合物からなる第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜の上に前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタを覆う層間絶縁膜を形成する工程と、第１のトランジスタの上において、前記層間絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第１の絶縁膜をエッチングすることにより、前記層間絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第１の絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する工程と、前記第１のトランジスタへ接続するコンタクトプラグを前記コンタクトホールに形成する工程と、を含む。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月7日(2019.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本開示に係る半導体装置の製造方法では、積層体を準備する工程を実施する。積層体は、ベース体と、絶縁板と、導体層と、半導体素子とを含む。絶縁板は、ベース体の表面上に配置される。導体層は、絶縁板の表面に形成される。半導体素子は、導体層に接続される。また、半導体装置の製造方法では、積層体に、ベース体の外周を囲むように外周ケース体を接続する工程を実施する。外周ケース体には、複数の凹部が形成されている。複数の凹部は、外周ケース体においてベース体側と反対側の上端面に開口した上端開口部を含む。外周ケース体の内周面には、上端開口部に連なり、上端面側からベース体側に延びるとともに凹部に連なる内周側開口部が形成される。外周ケース体の周方向において、内周側開口部の幅は前記凹部の幅より狭い。上記半導体装置の製造方法では、複数の凹部のうちの第１の凹部に、上端開口部から端子部材を挿入する工程を実施する。端子部材は、第１挿入部と、第１外側端子部と、第１接続端子部とを含む。第１挿入部は、第１の凹部に挿入される。第１外側端子部は、第１挿入部と連なり第１の凹部の上端開口部を介して外周ケース体の外側に延在する。第１接続端子部は、第１挿入部と連なり内周側開口部を介して導体層の上にまで延在する。半導体装置の製造方法では、第１接続端子部を導体層と接続する工程を実施する。さらに、半導体装置の製造方法では、絶縁板と外周ケース体とにより囲まれた領域において半導体素子と第１接続端子部とを少なくとも封止する樹脂層を形成する工程を実施する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ここで、特許文献１に示されたような従来の構造では、外部接続端子６と導電パターン１間にボンディングワイヤ等の導電材を接続する必要があり、ボンディングワイヤの接続の際に外部接続端子６が強固に固定されている必要があった。しかし、本実施の形態ではこのような導電材の接続工程がないため、外部接続端子６の強固な固定が不要である。さらに、特許文献１や特許文献２に開示された従来の構造では、外部接続端子６の強固な固定のために、外周ケース体５へ外部接続端子６を圧入する方法や、弾性部材を用いたツメ付きの外周ケース体５に外部接続端子６をはめ込むなどの方法がとられていた。このような方法を用いる場合、剛性の高い材料で形成された外周ケース体５に外部接続端子６を圧入した際に外部接続端子６が破損したり、外周ケース体５が破損する恐れがあった。本実施の形態ではこのような圧入工程が不要であるため、剛性の高い材料、例えばＰＰＳ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｓｕｌｆｉｄｅ）等の材料で成形された外周ケース体５も破損の恐れなく使用することができる。また、圧入の他にも外部接続端子６の強固な固定のために、外部接続端子６を接着材等で外周ケース体５に接着したり、フタをはめ込んで外部接続端子６を固定する方法も考えられる。しかし、本実施の形態では、このような工程やフタ等の部品が不要となるため、半導体装置を低コスト化することができる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月6日(2019.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
第一導電型の基板表面から基板の厚さより浅い深さで第二導電型のベース層を形成し、前記基板の残りの領域を第一導電型のドレイン領域として残存させる工程と、
前記基板表面から前記ドレイン領域に達するようにトレンチを形成する工程と、
前記トレンチの内側の底面及び側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記トレンチ内に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を埋め込む工程と、
前記ゲート電極の上面の位置が前記トレンチの底面から第一の高さとなるまで前記ゲート電極をエッチングする工程と、
前記トレンチの内側から不純物を注入し、トレンチの外側面の一部に接し、少なくとも前記基板表面から前記第一の高さまでの深さを備えるソース領域を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上端部が前記第一の高さになるまで前記ゲート絶縁膜の上部をエッチングする工程と、
前記トレンチ内の前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に前記第一の高さよりも高い第二の高さまで第一の絶縁膜を形成する工程と、
前記基板の表面から、前記第二の高さより高く前記トレンチの上部よりも低い第三の高さまでの深さを有し、前記トレンチの前記外側面の他の一部と前記ベース層及び前記ソース領域の上部に接する、前記ベース層よりも高濃度の第二導電型のベースコンタクト領域を形成する工程と、
前記トレンチ内の前記第一の絶縁膜上の残りの部分に、前記ソース領域及び前記ベースコンタクト領域と接するソース電極を埋め込む工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
第一の例の平面構造２００ａは、図１３（ａ）に示すように、ストライプ状に形成されたトレンチ２０の各側面に沿ってソース領域１３もストライプ状に形成されている。さらに、ベースコンタクト領域１４2も、ソース領域１３上において、ソース領域１３と略同一の幅を持ってトレンチ２０の各側面に沿ってストライプ状に形成されている。したがって、隣接するトレンチ２０間におけるベースコンタクト領域１４2の間の基板１６表面にベース層１２が露出した構成となっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
第二の例の平面構造２００ｂは、図１３（ｂ）に示すように、格子状に形成されたトレンチ２０に囲まれた各領域において、トレンチ２０の側面に沿って、ソース領域１３が四角いリング状に形成されている。さらに、ベースコンタクト領域１４2も、ソース領域１３上において、ソース領域１３と略同一の幅を持ってトレンチ２０の側面に沿って、四角いリング状に形成されている。したがって、トレンチ２０に囲まれた各領域の中央部の基板１６表面にベース層１２が露出した構成となっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
その後、図１５のように、トレンチ２０を導電性材料、例えばポリシリコンで第一の高さＨ１まで埋めることでゲート電極２２を形成し、絶縁膜２４2をマスクとして、トレンチ２０の内側面に対して不純物を斜めイオン注入することで、トレンチ側面に沿って少なくとも第一の高さＨ１までの深さを有するソース領域１３を形成する。このように、絶縁膜２４2がイオン注入のマスクとなるため、第一の実施形態に対して、フォトリソグラフィーによるマスクパターンを形成する工程をなくすことができる。
続いて、図１６のように、トレンチ２０内を絶縁膜で埋め、第一の高さＨ１より高い第二の高さＨ２までエッチバックすることで層間絶縁膜２３を形成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
次に、図１７のように、絶縁膜２４2を残したままの状態で、トレンチ側面に対して不純物を斜めイオン注入することによって、基板１６表面より低く第２の高さＨ２より高い第三の高さＨ３までの深さを有し、一方の側面がトレンチ２０側面に接し、他方の側面がベース層１２に接するベースコンタクト領域１４2を形成する。このとき、絶縁膜２４2が存在することにより、ソース領域１３に不純物が注入されることを防止できる。すなわち、絶縁膜２４2は、ソース領域１３のマスクとして機能する。このようにしてベースコンタクト領域１４2を形成することにより、本実施形態によれば、第一の実施形態のように層間絶縁膜２３を二回エッチバックする必要がなくなり、また、絶縁膜２４2を除去する工程もないため、第一の実施形態に比べて工程を少なくできる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月14日(2018.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下アーム（１１）を構成し、冷却器（６１）に積層配置されて冷却される半導体装置であって、
上アーム（１２）を構成し、互いに並列に接続された複数の第１半導体素子（３０１）、複数の前記第１半導体素子を一体的に封止する第１樹脂体（３００）、及び各第１半導体素子の高電位側の電極と電気的に接続され、前記第１樹脂体から突出する正極端子（３０５）、を有する第１半導体モジュール（３０）と、
下アーム（１３）を構成し、互いに並列に接続された複数の第２半導体素子（４０１）、複数の前記第２半導体素子を一体的に封止する第２樹脂体（４００）、及び各第２半導体素子の低電位側の電極と電気的に接続され、前記第２樹脂体から突出する負極端子（４０６）、を有し、前記積層の方向と直交する方向において前記第１半導体モジュールと並んで配置された第２半導体モジュール（４０）と、
を備え、
前記負極端子は、前記第２樹脂体の側面のうち、前記正極端子が突出する前記第１樹脂体の側面（３００ｃ）と同じ側の面（４００ｃ）から突出し、
前記第１半導体素子の低電位側の電極と前記第２半導体素子の高電位側の電極とを電気的に中継する中継端子として、前記第１半導体モジュールは、各第１半導体素子の低電位側の電極と電気的に接続され、前記第１樹脂体から突出する第１中継端子（３０７）を有し、前記第２半導体モジュールは、各第２半導体素子の高電位側の電極と電気的に接続され、前記第２樹脂体から突出する第２中継端子（４０８）を有し、
前記第１中継端子の前記第１樹脂体から突出する部分と、前記第２中継端子の前記第２樹脂体から突出する部分とが接続され、
前記第１中継端子及び前記第２中継端子は、前記第１樹脂体及び前記第２樹脂体の互いの対向面（３００ｄ，４００ｅ）からそれぞれ突出し、
前記第１中継端子の前記第１樹脂体から突出する部分、及び、前記第２中継端子の前記第２樹脂体から突出する部分は、前記第１樹脂体と前記第２樹脂体との対向領域に配置され、
前記第１半導体素子の高電位側の電極と前記第２半導体素子の高電位側の電極とが、前記積層の方向において同じ側となるように、前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子が配置されている半導体装置。
【請求項２】
前記第１半導体モジュールは、各第１半導体素子の高電位側の電極と電気的に接続され、前記第１樹脂体において前記第１中継端子とは反対の面から突出する第１ダミー端子（３０８）を有し、
前記第２半導体モジュールは、各第２半導体素子の低電位側の電極と電気的に接続され、前記第２樹脂体において前記第２中継端子とは反対の面から突出する第２ダミー端子（４０７）を有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１半導体モジュールは、各第１半導体素子の低電位側の電極と電気的に接続され、前記第１樹脂体において前記正極端子と同じ面から突出する低電位側端子（３０６，３１４）を有し、
前記第２半導体モジュールは、各第２半導体素子の高電位側の電極と電気的に接続され、前記第２樹脂体において前記負極端子と同じ面から突出する高電位側端子（４０５，４１４）を有し、
前記低電位側端子及び前記高電位側端子のうち、ひとつが出力端子とされ、他のひとつがダミー端子とされている請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１半導体モジュールと前記第２半導体モジュールとの並び方向において、
前記第１半導体モジュールの中心よりも前記第２半導体モジュールに近い部分から前記正極端子が突出し、
前記第２半導体モジュールの中心よりも前記第１半導体モジュールに近い部分から前記負極端子が突出している請求項１〜３いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１半導体モジュールと前記第２半導体モジュールとの並び方向において、前記正極端子の隣りに前記負極端子が配置されている請求項１〜４いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１中継端子の前記第１樹脂体から突出する部分、及び、前記第２中継端子の前記第２樹脂体から突出する部分は、前記第１半導体モジュールと前記第２半導体モジュールとの並び方向及び前記積層の方向の両方向に直交する方向において、同じ位置となっている請求項１〜５いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１半導体モジュールと前記第２半導体モジュールを一体的に保持する第３樹脂体（７０）をさらに備える請求項１〜６いずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本開示のひとつである半導体装置は、上下アーム（１１）を構成し、冷却器（６１）に積層配置されて冷却される半導体装置であって、
上アーム（１２）を構成し、互いに並列に接続された複数の第１半導体素子（３０１）、複数の第１半導体素子を一体的に封止する第１樹脂体（３００）、及び各第１半導体素子の高電位側の電極と電気的に接続され、第１樹脂体から突出する正極端子（３０５）、を有する第１半導体モジュール（３０）と、
下アーム（１３）を構成し、互いに並列に接続された複数の第２半導体素子（４０１）、複数の第２半導体素子を一体的に封止する第２樹脂体（４００）、及び各第２半導体素子の低電位側の電極と電気的に接続され、第２樹脂体から突出する負極端子（４０６）、を有し、積層の方向と直交する方向において第１半導体モジュールと並んで配置された第２半導体モジュール（４０）と、
を備え、
負極端子は、第２樹脂体の側面のうち、正極端子が突出する第１樹脂体の側面（３００ｃ）と同じ側の面（４００ｃ）から突出し、
第１半導体素子の低電位側の電極と第２半導体素子の高電位側の電極とを電気的に中継する中継端子として、第１半導体モジュールは、各第１半導体素子の低電位側の電極と電気的に接続され、第１樹脂体から突出する第１中継端子（３０７）を有し、第２半導体モジュールは、各第２半導体素子の高電位側の電極と電気的に接続され、第２樹脂体から突出する第２中継端子（４０８）を有し、
第１中継端子の第１樹脂体から突出する部分と、第２中継端子の第２樹脂体から突出する部分とが接続され、
第１中継端子及び第２中継端子は、第１樹脂体及び第２樹脂体の互いの対向面（３００ｄ，４００ｅ）からそれぞれ突出し、
第１中継端子の第１樹脂体から突出する部分、及び、第２中継端子の第２樹脂体から突出する部分は、第１樹脂体と第２樹脂体との対向領域に配置され、
第１半導体素子の高電位側の電極と第２半導体素子の高電位側の電極とが、積層の方向において同じ側となるように、第１半導体素子及び第２半導体素子が配置されている。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月26日(2019.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記レジストマスクを形成する工程において、前記銅板の表面側のめっき層を覆うレジストマスクを、前記柱状部の上面における前記めっき層周縁に前記銅板が５〜３０μｍ露出するように形成することを特徴とする請求項４に記載のリードフレームの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月22日(2019.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心軸、外周、研磨面、ベース面、及び前記研磨面から前記ベース面まで測定される前記研磨面の平面に垂直な研磨層厚さＴＰを有する研磨層；
研磨側面、プラテン側面、及び前記研磨側面から前記プラテン側面まで測定される前記研磨側面に垂直な窓厚さＴＷを有する終点検出窓；
上面、底面、複数の開口部、外縁、及び前記上面から前記底面まで測定される前記上面に垂直なサブパッド厚さＴＳを有するサブパッド；並びに
積層接着剤
を含むケミカルメカニカルポリッシングパッドであって、
前記終点検出窓が、前記ケミカルメカニカルポリッシングパッドに組み込まれ、前記研磨側面が、前記研磨層の前記研磨面に向けて配置され；
前記積層接着剤が、前記研磨層の前記ベース面と前記サブパッドの前記上面の間に挿入され；
前記複数の開口部が、前記終点検出窓と光学的に連通しており；そして
前記研磨層の前記研磨面が、基板の研磨に適合させられた、ケミカルメカニカルポリッシングパッド。
【請求項２】
前記複数の開口部が、前記サブパッドの前記底面から前記サブパッドの前記上面まで延びる、請求項１記載のケミカルメカニカルポリッシングパッド。
【請求項３】
前記サブパッドが更に、複数の横材を含み；前記複数の開口部が、前記複数の横材により分離され；そして前記複数の開口部が、少なくとも３個の開口部を含む、請求項１記載のケミカルメカニカルポリッシングパッド。
【請求項４】
前記複数の開口部が、３個の隣接開口部よりなり；
前記３個の隣接開口部が、内側開口部、中央開口部及び外側開口部よりなり；
前記内側開口部が、前記研磨面の前記平面に平行な内側開口部断面積Ａｉを有しており；
前記中央開口部が、前記研磨面の前記平面に平行な中央開口部断面積Ａｃを有しており；
前記外側開口部が、前記研磨面の前記平面に平行な外側開口部断面積Ａｏを有しており；
前記複数の横材が、内側部材及び外側部材よりなり；
前記内側部材が、前記中央開口部から前記内側開口部を分離し；そして
前記外側部材が、前記外側開口部から前記中央開口部を分離している、請求項３記載のケミカルメカニカルポリッシングパッド。
【請求項５】
前記内側開口部断面積Ａｉが、前記サブパッド厚さＴｓにわたって実質的に一定であり；前記中央開口部断面積Ａｃが、前記サブパッド厚さＴｓにわたって実質的に一定であり；前記外側開口部断面積Ａｏが、前記サブパッド厚さＴｓにわたって実質的に一定である、請求項４記載のケミカルメカニカルポリッシングパッド。
【請求項６】
前記外側開口部が、前記サブパッド厚さＴｓにわたる前記研磨面の前記平面に平行な外側開口部平均断面積Ａｏ−ａｖｇを有しており；
前記内側開口部が、前記サブパッド厚さＴｓにわたる前記研磨面の前記平面に平行な内側開口部平均断面積Ａｉ−ａｖｇを有しており；
前記中央開口部が、前記サブパッド厚さＴｓにわたる前記研磨面の前記平面に平行な中央開口部平均断面積Ａｃ−ａｖｇを有しており；そして
０．７５×Ａｏ−ａｖｇ≦Ａｉ−ａｖｇ≦１．２５×Ａｏ−ａｖｇであり；そして
０．５×（Ａｉ−ａｖｇ＋Ａｏ−ａｖｇ）≦Ａｃ≦１．２５×（Ａｉ−ａｖｇ＋Ａｏ−ａｖｇ）である、請求項５記載のケミカルメカニカルポリッシングパッド。
【請求項７】
前記終点検出窓が、前記研磨面の前記平面に平行な窓断面積Ｗａを有しており；前記窓断面積Ｗａが、前記窓厚さＴＷにわたって実質的に一定である、請求項６記載のケミカルメカニカルポリッシングパッド。
【請求項８】
前記終点検出窓が、前記終点検出窓の窓長寸法ＬＤＷに沿って測定される前記研磨面の前記平面に平行な窓長さＷＬを有しており；
前記終点検出窓が、前記終点検出窓の窓短寸法ＳＤＷに沿って測定される前記研磨面の前記平面に平行な窓幅ＷＷを有しており；
前記窓長寸法ＬＤＷが、前記窓短寸法ＳＤＷに垂直であり；
前記研磨層が、前記中心軸と交わり、そして前記研磨層の前記外周を通って延びる、前記研磨面の前記平面上の研磨層放射線ＰＬＲを有しており；
前記終点検出窓が、前記研磨面の前記平面上に前記窓長寸法ＬＤＷが窓長寸法射影ｐＬＤＷを投射するように、前記ケミカルメカニカルポリッシングパッドに組み込まれ；前記窓長寸法射影ｐＬＤＷが、前記研磨層放射線ＰＬＲと実質的に一致し；
前記複数の開口部が、前記複数の開口部の開口部長寸法ＬＤＡに沿って測定される前記研磨面の前記平面に平行な開口部長さＡＬを有しており；
前記複数の開口部が、前記複数の開口部の開口部短寸法ＳＤＡに沿って測定される前記研磨面の前記平面に平行な開口部幅ＡＷを有しており；
前記開口部長寸法ＬＤＡが、前記開口部短寸法ＳＤＡに垂直であり；そして
前記複数の開口部が、前記研磨面の前記平面上に前記開口部長寸法ＬＤＡが開口部長寸法射影ｐＬＤＡを投射するように、前記サブパッドに統合され；前記開口部長寸法射影ｐＬＤＡが、前記窓長寸法射影ｐＬＤＷと実質的に一致する、請求項７記載のケミカルメカニカルポリッシングパッド。
【請求項９】
前記内側部材が、前記複数の開口部の前記開口部長寸法ＬＤＡに沿って測定される前記研磨面の前記平面に平行な内側部材幅ＷＩＭを有しており；
前記外側部材が、前記複数の開口部の前記開口部長寸法ＬＤＡに沿って測定される前記研磨面の前記平面に平行な外側部材幅ＷＯＭを有しており；
前記内側開口部が、前記複数の開口部の前記開口部長寸法ＬＤＡに沿って測定される前記研磨面の前記平面に平行な内側開口部寸法Ｄｉを有しており；
前記外側開口部が、前記複数の開口部の前記開口部長寸法ＬＤＡに沿って測定される前記研磨面の前記平面に平行な外側開口部寸法Ｄｏを有しており；
前記複数の開口部の前記開口部長さＡＬが、前記サブパッド厚さＴＳにわたって、かつ前記複数の開口部の前記開口部幅ＡＷにわたって本質的に一定であり；
前記複数の開口部が、前記サブパッド厚さＴＳにわたり、かつ前記複数の開口部の前記開口部幅ＡＷにわたる平均開口部長さＡＬ−ａｖｇを有しており；
前記複数の開口部の前記開口部幅ＡＷが、前記サブパッド厚さＴＳにわたって、かつ前記複数の開口部の前記開口部長さＡＬにわたって本質的に一定であり；
前記複数の開口部が、前記サブパッド厚さＴＳにわたり、かつ前記複数の開口部の前記開口部長さＡＬにわたる前記複数の開口部の平均開口部幅ＡＷ−ａｖｇを有しており；そして
ＡＬ−ａｖｇ≦ＷＬ−ａｖｇであり；そして
ＡＷ−ａｖｇ≦ＷＷ−ａｖｇである、請求項８記載のケミカルメカニカルポリッシングパッド。
【請求項１０】
台、光源及び光センサーを有するケミカルメカニカルポリッシング装置を提供すること；
基板を提供すること；
請求項１記載のケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；
前記研磨面を前記台と離して配置して前記ケミカルメカニカルポリッシングパッドを前記台上に取り付けること；
任意で、前記研磨面と前記基板との接触面に研磨媒体を提供すること；
前記研磨面と前記基板の間に動的接触を作り出し、少なくとも少量の材料が、前記基板から除去されること；そして、
前記終点検出窓を通して前記光源から光を送り、前記基板に反射して前記終点検出窓を戻って前記光センサーに入射する前記光を分析することにより、研磨終点を決定することを含む、研磨の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月21日(2019.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸価が４０〜３００ＫＯＨｍｇ／ｇであり、かつ酸基の５０〜９０％が塩基性化合物で中和されているアルカリ可溶性樹脂が、２官能以上の架橋剤で架橋してなる樹脂層を、表面に形成してなる顔料と、水溶性有機溶剤、界面活性剤を含有し、該アルカリ可溶性樹脂はその構成単位の単量体として、該アルカリ可溶性樹脂中にラウリル（メタ）アクリレートを単量体合計量の２０〜４０質量％含有する水性顔料型インクジェット用インク組成物。
【請求項２】
前記架橋剤が、２官能エポキシ架橋剤であることを特徴とする請求項１に記載の水性顔料型インクジェット用インク組成物。
【請求項３】
前記水溶性有機溶剤の含有量が、水性顔料型インクジェット用インク組成物中に１０〜４０質量％である請求項１又は２に記載の水性顔料型インクジェット用インク組成物。
【請求項４】
ラウリル（メタ）アクリレートを２０〜４０質量％含有し、酸価が４０〜３００ＫＯＨｍｇ／ｇであり、かつ酸基の５０〜９０％が塩基性化合物で中和されたアルカリ可溶性樹脂で顔料表面に被覆層を形成し、この被覆層を２官能以上の架橋剤で架橋して被覆顔料を得、次いで、該被覆顔料と水溶性有機溶剤、界面活性剤とを混合する水性顔料型インクジェット用インク組成物の製造方法。
【請求項５】
前記架橋剤が、２官能エポキシ架橋剤であることを特徴とする請求項４に記載の水性顔料型インクジェット用インク組成物の製造方法。
【請求項６】
前記水溶性有機溶剤の含有量が、水性顔料型インクジェット用インク組成物中に１０〜４０質量％である請求項４又は５に記載の水性顔料型インクジェット用インク組成物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明者等は、上記の課題を解決するために鋭意検討した結果、以下の水性インクジェット用インク組成物を発明した。
１．酸価が４０〜３００ＫＯＨｍｇ／ｇであり、かつ酸基の５０〜９０％が塩基性化合物で中和されているアルカリ可溶性樹脂が、２官能以上の架橋剤で架橋してなる樹脂層を、表面に形成してなる顔料と、水溶性有機溶剤、界面活性剤を含有し、該アルカリ可溶性樹脂はその構成単位として、該アルカリ可溶性樹脂中にラウリル（メタ）アクリレートを単量体合計量の２０〜４０質量％含有する水性顔料型インクジェット用インク組成物。
２．前記架橋剤が、２官能エポキシ架橋剤であることを特徴とする１に記載の水性顔料型インクジェット用インク組成物。
３．前記水溶性有機溶剤の含有量が、水性顔料型インクジェット用インク組成物中に１０〜４０質量％である１又は２に記載の水性顔料型インクジェット用インク組成物。
４．ラウリル（メタ）アクリレートを２０〜４０質量％含有し、酸価が４０〜３００ＫＯＨｍｇ／ｇであり、かつ酸基の５０〜９０％が塩基性化合物で中和されたアルカリ可溶性樹脂で顔料表面に被覆層を形成し、この被覆層を２官能以上の架橋剤で架橋して被覆顔料を得、次いで、該被覆顔料と水溶性有機溶剤、界面活性剤とを混合する水性顔料型インクジェット用インク組成物の製造方法。
５．前記架橋剤が、２官能エポキシ架橋剤であることを特徴とする４に記載の水性顔料型インクジェット用インク組成物の製造方法。
６．前記水溶性有機溶剤の含有量が、水性顔料型インクジェット用インク組成物中に１０〜４０質量％である４又は５に記載の水性顔料型インクジェット用インク組成物の製造方法。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
重量平均分子量
重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法によって測定することができる。一例として、ＧＰＣ装置としてＷａｔｅｒｓ  ２６９０（ウォーターズ社製）、カラムとしてＰＬｇｅｌ  ５μｍ  ＭＩＸＥＤ−Ｄ（Polymer Laboratories社製）を使用してクロマトグラフィーを行ない、ポリスチレン換算の重量平均分子量として求めることができる。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（被覆顔料の製造）
本発明における被覆顔料は、酸基が塩基性化合物で中和されてなるアルカリ可溶性樹脂と顔料を水性溶媒中に溶解又は分散して、次いで、該アルカリ可溶性樹脂を塩析等して、不溶化された樹脂とすると共に顔料表面に付着させる。この付着してなる不溶化された樹脂の５０〜９０％の酸基を中和した。得られたアルカリ可溶性樹脂によって被覆された顔料から分散された分散液を得、この分散液に架橋剤を添加した後、これを加熱することによって、顔料表面を被覆しているアルカリ可溶性樹脂を架橋させ不溶化させて被覆顔料を製造する。
このとき、得られた架橋されたアルカリ可溶性樹脂は、アルカリ可溶性樹脂の理論酸価に対して架橋率が１０〜９０％、好ましくは２０〜８０％、さらに好ましくは３０〜７０％、より好ましくは３５〜５０％である。架橋率が１０％未満であると、顔料への被覆強度が十分ではない可能性があり、９０％を超えると顔料の分散安定性を阻害する可能性がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
（架橋粒子水性分散液）
表１となるように、水性顔料分散液１〜２２、２官能以上の架橋剤（エポライト１６００、ケミタイトＤＺ−２２Ｅ、デナコールＥＸ−６１４）と水を加え、６０℃で２４時間加熱し、架橋粒子水性分散液１〜２１を得た。