【事件の表示】
　特願２０１８−　８９２７９「磁場補償装置」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年１１月２９日出願公開、特開２０１８−１８９６５３、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成３０年５月７日（パリ条約による優先権主張　２０１７年５月８日　ドイツ）の外国語書面出願であって、平成３１年３月２５日付けで拒絶理由が通知され、令和元年７月２９日に意見書及び手続補正書が提出され、同年９月３日付けで拒絶査定されたところ、同年１１月２２日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。その後当審において令和２年１１月３０日付けで拒絶理由が通知され、令和３年３月５日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（令和元年９月３日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
（進歩性）本願請求項１〜１９に係る発明は、以下の引用文献Ａ（主引用例）及び引用文献Ｂ〜Ｆに基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
Ａ．特開２００１−２６４３６０号公報
Ｂ．特開２００９−１８０６０８号公報
Ｃ．特開２０１２−２１７８７号公報
Ｄ．特開２０１３−１１７５４３号公報
Ｅ．特開平４−１５５２６６号公報
Ｆ．特開２０１０−７１９６０号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は次のとおりである。
理由１
（進歩性）本願請求項１〜１８に係る発明は、以下の引用文献１（主引用例）及び引用文献２に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．国際公開第２０１０／１４３６６６号
２．特開２０１０−１０１６３５号公報
理由２
（明確性）本願は、特許請求の範囲の記載が以下の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
１　請求項１の「前記磁場センサ（５０）と、前記第１の磁束ガイド部材（２０）と、前記第２の磁束ガイド部材（３０）と、前記補償コイル（４０）と、前記制御ユニットと、は、それぞれ主に半導体基板に集積されており、」との記載では、「前記磁場センサ（５０）と、前記第１の磁束ガイド部材（２０）と、前記第２の磁束ガイド部材（３０）と、前記補償コイル（４０）と、前記制御ユニット」のうち、どれがどの半導体基板に集積され、どれが集積されないのか、発明の詳細な説明を踏まえても不明である。
２　請求項１が「前記第１の磁束ガイド部材（２０）の周囲に形成された前記補償コイル（４０）の部分は、前記第２の磁束ガイド部材（３０）の周囲に形成された前記補償コイル（４０）の部分と比較して逆向きの巻回方向を有」するところ、請求項１５では、さらに何を特定しようとしているのか、不明である。
３　請求項１７において、「２つの異なる種類の磁場センサが形成されている」ことの具体的な態様が不明である。
　以上のことから、請求項１、１５、１７及び前記請求項を引用する請求項２〜１４、１６、１８に係る発明は、明確とはいえない。
第４　本願発明
　本願請求項１〜７に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明７」という。）は、令和３年３月５日になされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１〜７は以下のとおりの発明である（下線は補正箇所である。）。
「　　【請求項１】
　
磁束ガイド部材であって、
）および
のみからなる磁束ガイド部材
　磁場センサ（５０）と、
　補償コイル（４０）と、
　制御ユニットと、
を有する磁場補償装置（１０）であって、
・前記第１の磁束ガイド部材（２０）は、Ｘ方向に形成された長手方向軸線と、第１の頭頂部側の端部（２２）と、を有しており、
・前記第２の磁束ガイド部材（３０）は、Ｘ方向に形成された長手方向軸線を有しており、前記第１の磁束ガイド部材（２０）および前記第２の磁束ガイド部材（３０）は、相互にＹ方向において間隔を空けて設けられており、前記第１の磁束ガイド部材（２０）の前記長手方向軸線および前記第２の磁束ガイド部材（３０）の前記長手方向軸線は、相互に実質的に平行に配置されており、
・前記補償コイル（４０）は、前記第１の磁束ガイド部材（２０）の周囲および前記第２の磁束ガイド部材（３０）の周囲に形成されており、
・前記制御ユニットは、前記磁場センサ（５０）および前記補償コイル（４０）と電気的に相互作用関係にあり、前記制御ユニットは、前記磁場センサ（５０）の測定信号に基づいて、前記補償コイル（４０）を流れる補償電流（ＩＦＢ）を閉ループ制御して、前記磁場センサ（５０）の場所においてＸ方向に形成された外部磁場に対して磁場を実質的に補償するように構成されており、
　前記第２の磁束ガイド部材（３０）においては、Ｘ軸の方向に磁場が形成されており、
　前記磁場センサ（５０）は、前記第１の磁束ガイド部材（２０）の前記頭頂部側の端部に配置されており、
　前記磁場センサ（５０）と、前記第１の磁束ガイド部材（２０）と、前記第２の磁束ガイド部材（３０）と、前記補償コイル（４０）と、前記制御ユニットと、は、
同一の
　前記第１の磁束ガイド部材（２０）の周囲に形成された前記補償コイル（４０）の部分は、前記第２の磁束ガイド部材（３０）の周囲に形成された前記補償コイル（４０）の部分と比較して逆向きの巻回方向を有し、
　前記Ｘ方向において、前記第２の磁束ガイド部材（３０）の長さは、前記第１の磁束ガイド部材（２０）の長さよりも長い、または、
　前記Ｘ方向において、前記第２の磁束ガイド部材（３０）の長さは、前記第１の磁束ガイド部材（２０）の長さよりも短い、
ことを特徴とする磁場補償装置（１０）。
　　【請求項２】
　前記第１の磁束ガイド部材および／または前記第２の磁束ガイド部材（３０）は、前記補償コイル（４０）を完全に貫通している、
請求項１記載の磁場補償装置（１０）。
　　【請求項３】
　前記補償コイル（４０）は、前記磁場センサ（５０）の周囲の少なくとも一部に、または、周囲全体に形成されている、
請求項１または２
　　【請求項４】
　
前
の間
、
請求項１から３
　　【請求項５】
　前記補償コイル（４０）の延びに沿って巻線の横断面積が変化する、
請求項１から４
　　【請求項６】
　前記磁場センサ（５０）は、ホールセンサとして、または、ＧＭＲセンサとして、または、ＴＭＲセンサとして形成されている
、
請求項１から５
　　【請求項７】
　前記磁場センサ（５０）は、前記半導体基板に形成されたホールセンサとして形成されている、
請求項１から６
第５　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　令和２年１１月３０日付けの拒絶の理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。
（引１ア）
「［００２０］　以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
（実施の形態１）
　本実施の形態においては、フィードバックコイルがトロイダル型であり、磁気コアがフィードバックコイルの内側に設けられている場合について説明する。
［００２１］　図１は、本発明の実施の形態１に係る磁気平衡式電流センサを示す図である。図１に示す
磁気平衡式電流センサは、被測定電流Ｉが流れる導体１１の近傍に配設される
被測定電流Ｉの流れる方向に直交する方向が軸心方向Ｘとなるようにフィードバックコイル１２が配設されている
［００２２］　また、フィードバックコイル１２の軸心方向と直交する方向Ｙ（フィードバックコイル１２の電流方向と一致する方向）が磁化容易軸となるように磁気コア１３が配設されている。被測定電流Ｉから発生した誘導磁界とキャンセル磁界とがフィードバックコイル１２内部で釣り合っている（平衡状態である）とき、磁気抵抗効果素子１４１に印加される磁界が零になるように、磁気コア１３の磁化容易軸方向をフィードバックコイル１２の軸心方向と直交させることにより、残留磁化による磁界が磁気抵抗効果素子１４１に加わらないようにすることができる。また、これにより、フィードバックコイル１２からのキャンセル磁界が飽和し難くなるように、磁気コア１３の反転磁界（Ｈｋ）を大きくし、飽和磁界を適度に大きくすることができる。
［００２３］　また、
２つの磁気コア１３の間に磁気抵抗効果素子１４１が配置されている
この磁気抵抗効果素子１４１は、３つの固定抵抗素子１４２ａ，１４２ｂ，１４２ｃと共に磁界検出ブリッジ回路１４を構成している
［００２４］　
この磁界検出ブリッジ回路１４は、被測定電流Ｉにより生じた誘導磁界に応じた電圧差を生じる２つの出力を備える
これらの２つの出力は増幅器１４３で増幅され、フィードバックコイル１２に電流（フィードバック電流）として与えられる
このとき、フィードバックコイル１２には、誘導磁界を相殺するキャンセル磁界が発生する
そして、誘導磁界とキャンセル磁界とが相殺される平衡状態となったときのフィードバックコイル１２に流れる電流に基づいて検出部（検出抵抗Ｒ）で被測定電流を測定する
（引１イ）
「［００２５］　図２（ａ）は、図１に示す磁気平衡式電流センサを示す断面図であり、図２（ｂ）は、磁気抵抗効果素子であるＧＭＲ素子の拡大図である。図２（ａ）に示すように、本実施の形態に係る
磁気平衡式電流センサにおいては、フィードバックコイル１２、磁気コア１３及び磁界検出ブリッジ回路１４が同一基板２１上に形成されている
［００２６］　この場合においては、フィードバックコイル１２の軸心方向が被測定電流Ｉの流れる方向に直交する方向がとなるようにフィードバックコイル１２が配設されており、フィードバックコイル１２の軸心方向と直交する方向（フィードバックコイル１２の電流方向と一致する方向）が磁化容易軸となるように磁気コア１３が配設されている。
［００２７］　図２（ａ）に示す層構成について詳細に説明する。図２（ａ）に示す磁気平衡式電流センサにおいては、基板２１上に絶縁層であるシリコン酸化膜２２が形成されている。シリコン酸化膜２２には、熱酸化によるシリコン酸化膜やＣＶＤ成膜されたシリコン酸化膜が用いられる。また、基板２１としては、シリコン基板などが用いられる。
［００２８］　シリコン酸化膜２２上には、下部コイル層１２ａが形成されている。下部コイル層１２ａは、コイル材料を成膜した後に、フォトリソグラフィ及びエッチングにより形成することができる。あるいは、下部コイル層１２ａは、下地材料を成膜した後に、フォトリソグラフィ及びめっきにより形成することができる。
［００２９］　下部コイル層１２ａを設けたシリコン酸化膜２２上には、絶縁層としてポリイミド層２３が形成されている。ポリイミド層２３は、ポリイミド材料を塗布し、硬化することにより形成することができる。ポリイミド層２３上には、シリコン酸化膜２４が形成されている。シリコン酸化膜２４は、例えば、スパッタリングなどの方法により成膜することができる。
［００３０］　シリコン酸化膜２４上には、磁気コア１３が形成されている。磁気コア１３は、コア材料を成膜した後に、フォトリソグラフィ及びエッチングにより形成することができる。あるいは、磁気コア１３は、下地材料を成膜した後に、フォトリソグラフィ及びめっきにより形成することができる。磁気コア１３を構成する材料としては、アモルファス磁性材料、パーマロイ系磁性材料、又は鉄系微結晶材料等の高透磁率材料を用いることができる。
［００３１］　また、シリコン酸化膜２４上には、磁気抵抗効果素子１４１が形成されている。このとき、磁気抵抗効果素子１４１と共に固定抵抗素子も設けられ、磁界検出ブリッジ回路が作り込まれる。磁気抵抗効果素子１４１としては、ＴＭＲ素子（トンネル型磁気抵抗効果素子）、ＧＭＲ素子（巨大磁気抵抗効果素子）などを用いることができる。例えば、ＧＭＲ素子として、反強磁性層、固定磁性層、非磁性層、フリー磁性層を有する多層膜で構成されるスピンバルブ型ＧＭＲ素子や反強磁性層、固定磁性層、非磁性層、フリー磁性層を有する多層膜で構成されるスピンバルブ型ＴＭＲ素子を用いることができる。
［００３２］　スピンバルブ型ＧＭＲ素子としては、図２（ｂ）に示すようなミアンダ形状を有するＧＭＲ素子であることが好ましい。このミアンダ形状においては、リニアリティを考慮すると、ピン方向の幅Ｄが１μｍ〜１０μｍであり、長手方向の長さ（Ｌ）が幅（Ｄ）の２倍以上であることが好ましい。この場合において、リニアリティを考慮すると、長手方向が誘導磁界の方向及びキャンセル磁界の方向に対して共に垂直になることが望ましい。このようなミアンダ形状にすることにより、ホール素子よりも少ない端子数（２端子）で磁気抵抗効果素子の出力を採ることができる。
［００３３］　また、スピンバルブ型ＴＭＲ素子としては、リニアリティを考慮すると、ピン方向の幅が１μｍ〜１０μｍの長方形であり、長手方向の長さが幅の２倍以上であることが好ましい。この場合において、リニアリティを考慮すると、長手方向が誘導磁界の方向及びキャンセル磁界の方向に対して共に垂直になることが望ましい。
［００３４］　磁気コア１３及び磁気抵抗効果素子１４１を設けたシリコン酸化膜２４上には、絶縁層としてポリイミド層２５が形成されている。ポリイミド層２５は、ポリイミド材料を塗布し、硬化することにより形成することができる。ポリイミド層２５上には、シリコン酸化膜２６が形成されている。シリコン酸化膜２６は、例えば、スパッタリングなどの方法により成膜することができる。
［００３５］　シリコン酸化膜２６上には、上部コイル層１２ｂが形成されている。上部コイル層１２ｂは、コイル材料を成膜した後に、フォトリソグラフィ及びエッチングにより形成することができる。あるいは、上部コイル層１２ｂは、下地材料を成膜した後に、フォトリソグラフィ及びめっきにより形成することができる。
［００３６］　上部コイル層１２ｂを設けたシリコン酸化膜２６上には、絶縁層としてポリイミド層２７が形成されている。ポリイミド層２７は、ポリイミド材料を塗布し、硬化することにより形成することができる。ポリイミド層２７上には、保護層としてシリコン酸化膜２８が形成されている。シリコン酸化膜２８は、例えば、スパッタリングなどの方法により成膜することができる。」
（引１ウ）
「［００３７］　
このような構成を有する磁気平衡式電流センサにおいては、
被測定電流Ｉから発生した誘導磁界Ａを、磁気コア１３を通して磁気抵抗効果素子１４１で受け、
その誘導磁界をフィードバックしてフィードバックコイル１２からキャンセル磁界Ｂを発生し、
２つの磁界（誘導磁界Ａ、キャンセル磁界Ｂ）を相殺して磁気抵抗効果素子１４１に印加する磁場が零になるように適宜調整する
［００３８］　上記構成を有する磁気平衡式電流センサは、フィードバックコイル１２、磁気コア１３及び磁界検出ブリッジ回路１４が同一基板上に形成されてなるので、磁気コア１３を有する構造であっても小型化を図ることができる。これにより、キャンセル磁界の大きさを大きくすることができ、被測定電流が大電流であっても測定することが可能となる。また、磁気検出素子として磁気抵抗効果素子、特にＧＭＲ素子やＴＭＲ素子を用いるので、電流センサの感度を高くすることができる。」
（引１エ）図１
（引１オ）図２
（引１カ）図３
（２）引用文献１に記載された発明
ア　（引１ア）の記載及び図１〜３によれば、「磁気コア１３」は、フィードバックコイル１２の軸心方向Ｘの中心線上に沿って分かれた「２つの磁気コア１３」のみからなっていることが分かる。
イ　（引１イ）の記載及び図２（ａ）及び（ｂ）によれば、「２つの磁気コア１３」は、それぞれ、フィードバックコイル１２の軸心方向Ｘが長手方向、フィードバックコイル１２の軸心方向と直交する方向Ｙが短手方向となる矩形膜状物であることが分かる。
ウ　図３（ｂ）及び（ｃ）によれば、「フィードバックコイル１２」は、「２つの磁気コア１３」の長手方向の周囲に同じ巻回方向で配設されていることが分かる。
エ　図３（ｂ）及び（ｃ）によれば、「２つの磁気コア１３」の長手方向に「誘導磁界Ａ」が発生し、「誘導磁界Ａ」とは逆方向に「キャンセル磁界Ｂ」が発生していることが分かる。
オ　（引１イ）の記載及び図２によれば、磁気平衡式電流センサにおいては、フィードバックコイル１２、磁気コア１３及び磁界検出ブリッジ回路１４が同一半導体基板２１上に形成されていることが分かる。
カ　したがって、上記ア〜オを含め上記（１）の記載及び図面を総合すると、上記引用文献１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「　被測定電流Ｉが流れる導体１１の近傍に配設される磁気平衡式電流センサであって、
　被測定電流Ｉの流れる方向に直交する方向が軸心方向Ｘとなるようにフィードバックコイル１２が配設され、
　磁気コア１３は、フィードバックコイル１２の軸心方向Ｘの中心線上に沿って分かれた２つの磁気コア１３のみからなり、
　２つの磁気コア１３は、それぞれ、フィードバックコイル１２の軸心方向Ｘが長手方向、フィードバックコイル１２の軸心方向と直交する方向Ｙが短手方向となる矩形膜状物であり、
　フィードバックコイル１２は、２つの磁気コア１３の長手方向の周囲に同じ巻回方向で配設されており、
　２つの磁気コア１３の間に磁気抵抗効果素子１４１が配置され、この磁気抵抗効果素子１４１は、３つの固定抵抗素子１４２ａ，１４２ｂ，１４２ｃと共に磁界検出ブリッジ回路１４を構成し、
　この磁界検出ブリッジ回路１４は、被測定電流Ｉにより生じた誘導磁界に応じた電圧差を生じる２つの出力を備え、これらの２つの出力は増幅器１４３で増幅され、フィードバックコイル１２に電流（フィードバック電流）として与えられ、このとき、フィードバックコイル１２には、誘導磁界を相殺するキャンセル磁界が発生し、そして、誘導磁界とキャンセル磁界とが相殺される平衡状態となったときのフィードバックコイル１２に流れる電流に基づいて検出部（検出抵抗Ｒ）で被測定電流を測定するものであり、
　当該磁気平衡式電流センサにおいては、フィードバックコイル１２、磁気コア１３及び磁界検出ブリッジ回路１４が同一半導体基板２１上に形成されており、
　このような構成を有する磁気平衡式電流センサにおいては、２つの磁気コア１３の長手方向に誘導磁界Ａが発生し、誘導磁界Ａとは逆方向にキャンセル磁界Ｂが発生し、
　被測定電流Ｉから発生した誘導磁界Ａを、磁気コア１３を通して磁気抵抗効果素子１４１で受け、その誘導磁界をフィードバックしてフィードバックコイル１２からキャンセル磁界Ｂを発生し、２つの磁界（誘導磁界Ａ、キャンセル磁界Ｂ）を相殺して磁気抵抗効果素子１４１に印加する磁場が零になるように適宜調整する、
　磁気平衡式電流センサ。」
２　引用文献２について
（１）引用文献２の記載
　令和２年１１月３０日付けの拒絶の理由に引用された引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。
（引２ア）
「(57)【要約】
【課題】リング状磁気コアに線材を巻回する場合よりも生産性が良く小型化も容易な負帰還用コイルを用いた
磁気平衡式電流センサ
【解決手段】第１及び第２のプリント基板３１，３２は、リング状磁気コア１５を厚さ方向の両側から挟み込んで対向する。第１及び第２のプリント基板３１，３２には第１及び第２の導電パターン４１，４２がそれぞれ形成され、第１及び第２の導電パターン４１，４２は導通手段としての導通ピンによって相互に接続されている。第１及び第２の導電パターン４１，４２と前記導通ピンとによって
リング状磁気コア１５の周りに
負帰還用コイルＬ
【選択図】図１」
（引２イ）
（２）引用文献２に記載された技術事項
　上記（１）の記載及び図面を総合すると、上記引用文献２には次の技術事項が記載されていると認められる。
「　リング状磁気コア１５の周りに負帰還用コイルＬを備えた磁気平衡式電流センサ。」
３　引用文献Ａについて
（１）引用文献Ａの記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献Ａには、図面とともに次の事項が記載されている。
（引Ａア）
「【０００２】
【従来の技術】従来の一般的な直流クランプメータとしては、ホール素子が多用されているが、検出感度が低いという難点があり、大電流用としては測定範囲が狭く、加えて温度特性が悪いため十分な精度が得られない。このため従来にあっては検出コアに設けるホール素子にて構成された磁気センサ又はフラックスゲート型磁気センサ出力を検出コアに巻いたフィードバックコイルに帰還させ、検出コアに印加される磁束が零となるよう調節して直流の検出を行う零磁束補償型のものが広く知られている。
【０００３】図９は従来の
直流クランプメータ
全体として矩形環状をなすよう構成され、上，下の中間部より上端寄りの位置で横向きに分割されて小さい下向きのコ字形をなすコア部材３２と上向きのコ字形をなすコア部材３３とからなる
【０００４】
コア部材３３は、その一方の腕部にフィードバックコイル３５が巻回され、また両腕を結ぶ連結部の略中央部で左，右に２分され
【０００５】このような直流クランプメータにあっては検出コア３１の内側の空間内に電流Ｉが通流する被検出導体３４を貫通させた状態で測定を行う。被検出導体３４を流れる電流をＩ、フィードバックコイル３５の巻数をＮとすると、Ｉ−Ｎｉ＝０となるように帰還電流ｉを調節し、測定電流Ｉに正確に対応した出力を得るようにしてある。」
（引Ａイ）図９
（２）引用文献Ａに記載された技術事項
　上記（１）の記載及び図面を総合すると、上記引用文献Ａには次の技術事項が記載されていると認められる。
「　全体として矩形環状をなすよう構成され、上，下の中間部より上端寄りの位置で横向きに分割されて小さい下向きのコ字形をなすコア部材３２と上向きのコ字形をなすコア部材３３とからなり、コア部材３３は、その一方の腕部にフィードバックコイル３５が巻回され、また両腕を結ぶ連結部の略中央部で左，右に２分される、直流クランプメータ。」
４　引用文献Ｂについて
（１）引用文献Ｂの記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献Ｂには、図面とともに次の事項が記載されている。
（引Ｂア）
「【００１３】
　以下本発明を実施するための最良の形態を図２乃至図７に基づき説明する。
　図２に示すように、
磁気センサー１０は、強磁性体から成る磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４をブリッジに組んだブリッジ回路７を形成する薄膜７′と、該ブリッジ回路７を磁化するセット／リセットコイル８を構成する薄膜８′と、該ブリッジ回路７の出力電圧調整用オフセットコイル９を構成する薄膜９′とを積層したＩＣチップから成る
【００１４】
　尚理解を助けるため、上記両コイル８，９は薄膜７′を巻装する線輪を以って図示したが、実際は絶縁膜の表面に渦巻き状にパターン形成した構造のものである。
【００１５】
　上記セット／リセットコイル８（薄膜８′）と出力電圧調整用オフセットコイル９（薄膜９′）とブリッジ回路７（薄膜７′）の積層体は基板１１（シリコン等）上に互いに重畳して配置すると共に、両コイル８，９は互いに直交して配置し、両コイル８，９の両端とブリッジ回路７の入力端Ｖ１，Ｖ２と同出力端Ｖ３，Ｖ４の夫々を導電路１２を介して基板１１辺縁部に配置した電極１３群に接続する。
【００１６】
　上記磁気センサ１０を構成するＩＣチップの大きさは、縦横約０．５ミリメートル程度である。従ってこれを使用するＩＣチップ形電流センサ１０′も、縦横０．５ミリメートル程度にすることができる。次にその動作について説明する。
【００１７】
　上記電極１３と導電路１２を介して上記セット／リセットコイル８に短時間電流を流すと、ブリッジ回路７を構成する磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４が磁化され、測定磁界の磁気が印加されることによって、対向する一組の磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の抵抗値が減少し、他の対向する一組の磁気抵抗素子Ｒ３，Ｒ４の抵抗値が増大してブリッジ回路７に不平衡を生じ、この結果、出力端Ｖ３，Ｖ４、即ち電極１３に測定磁界の磁気に比例した出力電圧が得られる。
【００１８】
　図４に示すように、実際には
上記磁気センサ１０を構成するＩＣチップは、絶縁材１４内に埋設してＩＣパッケージ１５
を形成する
【００１９】
　上記ＩＣチップの電極１３群はＩＣパッケージ１５の外部端子１６群にボンディング等にて接続されており、上記ブリッジ回路７の入出力端Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４と、セット／リセットコイル８の両端と、出力電圧調整用オフセットコイル９の両端の夫々が電極１３群を経由して外部端子１６群に接続されている。」
（引Ｂイ）
「【００３９】
　上記ＩＣチップ形電流センサ１０′又は
ＩＣパッケージ１５は、配線回路基板２３上に搭載し、
【００４０】
　又
上記配線基板２３上には、
ＩＣパッケージ１５と協働するアンプやＡＤコンバータやＣＰＵ等の制御回路を
ＩＣパッケージ１５内に内蔵できる
（引Ｂウ）図２
（引Ｂエ）図３
（引Ｂオ）図４
（２）引用文献Ｂに記載された技術事項
　上記（１）の記載及び図面を総合すると、上記引用文献Ｂには次の技術事項が記載されていると認められる。
「　強磁性体から成る磁気抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４をブリッジに組んだブリッジ回路７を形成する薄膜７′と、該ブリッジ回路７を磁化するセット／リセットコイル８を構成する薄膜８′と、該ブリッジ回路７の出力電圧調整用オフセットコイル９を構成する薄膜９′とを積層したＩＣチップから成る磁気センサ１０であって、
　上記磁気センサ１０を構成するＩＣチップは、絶縁材１４内に埋設してＩＣパッケージ１５を形成し、
　ＩＣパッケージ１５は、配線回路基板２３上に搭載し、上記配線基板２３上には、ＩＣパッケージ１５と協働するアンプやＡＤコンバータやＣＰＵ等の制御回路をＩＣパッケージ１５内に内蔵できる、磁気センサ１０。」
５　引用文献Ｃについて
（１）引用文献Ｃの記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献Ｃには、図面とともに次の事項が記載されている。
（引Ｃア）
「(57)【要約】
【課題】小型、軽量で精度も良く、大電流測定時にも消費電力を抑えることができる磁気平衡式電流センサを提供すること。
【解決手段】本発明の
磁気平衡式電流センサは、バスバー１に通流される被測定電流からの誘導磁界により特性が変化する磁気センサ４と、磁気センサ４の近傍に配置され、誘導磁界を相殺するキャンセル磁界を発生するフィードバックコイル５と、導体１と磁気センサ４及びフィードバックコイル５との間に配置されており、誘導磁界を減衰させる磁束減衰器２と、を具備し、磁束減衰器２は、中空容器内に磁性流体を封入してなる
【選択図】図１」
（引Ｃイ）
「【００１３】
　以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
（実施の形態１）
　図１は、本発明の実施の形態１に係る磁気平衡式電流センサを示す図であり、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は側面図である。
【００１４】
　図１において、参照符号１は電力供給ラインである導体（バスバー）１を示す。この導体１は、断面略矩形状の平板形状を有する。この導体１の主表面上に磁束減衰器２が配設されている。この磁束減衰器２も平板形状を持つ。
磁束減衰器２上には、基板３が配設されている
この基板３には、磁気検出素子である磁気センサ４と、演算手段であるＩＣ６とが実装されている
また、基板３には、フィードバックコイル５が形成されている
【００１５】
　導体１は、磁気平衡式電流センサの被測定電流を通流する電力供給ラインである。ここでは、導体１が断面略矩形状の平板形状を有する場合について図示しているが、導体１は、その上に磁気平衡式電流センサが配設できれば形状に特に制限はない。
【００１６】
　磁束減衰器２は、導体に通流した被測定電流により生じた誘導磁界を減衰させるものである。磁束減衰器２は、中空容器内に磁性流体を封入してなる。磁性流体とは、直径数ｎｍ〜数十ｎｍの磁性超微粒子と、主成分である水、有機溶剤又は油などの液体（分散媒）と、磁性超微粒子に吸着して磁性超微粒子を分散媒に安定に分散させるための界面活性剤とを含む３成分コロイド溶液である。磁性流体中の磁性超微粒子は、極めて小さいことと、その表面に界面活性剤層があるために磁性超微粒子同士で反発力が働くことなどにより、凝集や沈降が起こらず、安定な分散状態を保つ。
【００１７】
　磁束減衰器２においては、磁気センサ４の出力にヒステリシスが生じることを防止するために、その中空容器の材料を非磁性材料にすることが望ましい。特に、容量結合を介して導体（バスバー）１から磁気センサ４に飛び込む静電ノイズを低減するためには、誘電率の小さい絶縁体が好ましく、このことを考慮すると、中空容器の材料を樹脂材料にすることが好ましい。ここでは、磁束減衰器２が平板形状を有する場合について図示しているが、磁束減衰器２は、導体１に配設でき、その上に基板３が配設できれば形状に特に制限はない。
【００１８】
　磁気検出素子である磁気センサ４は、導体１に通流される被測定電流からの誘導磁界により特性が変化する。本実施の形態においては、磁気センサ４が磁気抵抗効果素子を含む場合について説明する。磁気抵抗効果素子としては、スピンバルブ型ＧＭＲ素子やスピンバルブ型ＴＭＲ素子などを用いることができる。磁気抵抗効果素子においては、被測定電流からの誘導磁界の印加により特性（抵抗値）が変化する。
【００１９】
　フィードバックコイル５は、磁気センサ４の近傍に配置され、導体１に流れる被測定電流による誘導磁界を相殺する磁界（キャンセル磁界）を発生する。フィードバックコイル５は平面コイルで構成されている。この構成においては、磁気コアを有しないので、磁気平衡式電流センサを小型、軽量で構成することができる。また、平面コイルは、トロイダルコイルの場合に比べて、フィードバックコイルから生じるキャンセル磁界が広範囲に拡がることを防止でき、周辺回路に影響を与えることを回避できる。さらに、トロイダルコイルの場合に比べて、被測定電流が交流の場合に、フィードバックコイル５によるキャンセル磁界の制御が容易であり、制御のために流す電流もそれほど大きくならない。これらの効果については、被測定電流が交流で高周波になるほど大きくなる。フィードバックコイル５を平面コイルで構成する場合においては、平面コイルの形成面と平行な面内で誘導磁界とキャンセル磁界の両方が生じるように平面コイルが設けられていることが好ましい。
【００２０】
　被測定電流により生じた誘導磁界に応じた電圧差としての出力がフィードバックコイル５に電流（フィードバック電流）として与えられる。すなわち、このフィードバック電流は、誘導磁界に応じた電圧差に対応する。このとき、フィードバックコイル５には、誘導磁界を相殺するキャンセル磁界が発生する。そして、誘導磁界とキャンセル磁界とが相殺される平衡状態となったときのフィードバックコイル５に流れる電流に基づいて被測定電流を測定する。このような制御は、基板３上の磁気センサ４、フィードバックコイル５及びＩＣ６により行われる。
【００２１】
　上記構成の磁気平衡式電流センサにおいては、導体１と基板３との間に、すなわち、導体１と磁気センサ４及びフィードバックコイル５との間に、磁束減衰器２が配設されている。これにより、被測定電流から磁気センサ４に印加される誘導磁界を小さくすることができる。したがって、フィードバックコイル５からのキャンセル磁界を小さくすることができ、大電流測定時にも消費電力を抑えることができる。また、上記構成の磁気平衡式電流センサにおいては、磁束減衰器２に磁性流体が含まれている。磁性流体は、磁界が零の時は磁性の無い単なる液体であり、磁界を作用させることで磁化し、磁界を取り除くと磁化は再び消滅する、超常磁性を示す。このため、磁性流体は残留磁化及びヒステリシスを示さない。したがって、上記構成の磁気平衡式電流センサは、ヒステリシスのない高精度の出力（電流値）を示すことができる。」
（引Ｃウ）図１
（２）引用文献Ｃに記載された技術事項
　上記（１）の記載及び図面を総合すると、上記引用文献Ｃには次の技術事項が記載されていると認められる。
「　バスバー１に通流される被測定電流からの誘導磁界により特性が変化する磁気センサ４と、磁気センサ４の近傍に配置され、誘導磁界を相殺するキャンセル磁界を発生するフィードバックコイル５と、導体１と磁気センサ４及びフィードバックコイル５との間に配置されており、誘導磁界を減衰させる磁束減衰器２と、を具備し、磁束減衰器２は、中空容器内に磁性流体を封入してなる、磁気平衡式電流センサであって、
　磁束減衰器２上には、基板３が配設され、この基板３には、磁気検出素子である磁気センサ４と、演算手段であるＩＣ６とが実装され、また、基板３には、フィードバックコイル５が形成されている、磁気平衡式電流センサ。」
６　引用文献Ｄについて
（１）引用文献Ｄの記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献Ｄには、図面とともに次の事項が記載されている。
（引Ｄア）
「【００２７】
　次に図５を参照すると、
閉ループ電流センサ形式の電子回路１５０
電流センサ１５０は、第１の磁気抵抗効果素子１５２、第２の磁気抵抗効果素子１５５、第１の抵抗器１６８、および第２の抵抗器１６５を含む
磁気抵抗効果素子１５２、１５５、抵抗器１６８、１６５は、シリコン基板１５４の表面１５４ａの上に配設される
２次側導体１６４も、シリコン基板１５４の表面１５４ａの上で磁気抵抗効果素子１５２、１５５の最も近くに配設される
さらなる１次側導体１５８は、
誘電体１５６によってシリコン基板１５４から絶縁される
【００２８】
　作動中、１次側導体１５８を通って１次電流１６０が流れ、それによって、１次側磁界１６２を生成する。２次側導体１６４を通って２次電流１６６が流れ、それによって、導体部分１６４ａに２次側磁界１６５を生成する。１次電流１６０が１次側導体１５８を通るのと反対方向に、２次電流１６６が２次側導体部分１６４ａを通るので、２次側磁界１６５は１次側磁界１６２と反対方向である。
【００２９】
　ここではシリコン基板１５４に一体化された第１の電圧源１７４は、第１の抵抗器１６８および第１の磁気抵抗効果素子１５２を通る電流を供給し、したがって、第１の磁気抵抗効果素子１５２によって経験された磁界に関連する大きさを有する電圧をノード１７０に生成する。同様に、ここではシリコン基板１５４に一体化された第２の電圧源１５９も、第２の磁気抵抗効果素子１５５および第２の抵抗器１６５を通る電流を供給し、したがって、第２の磁気抵抗効果素子１５５によって経験された磁界に関連する大きさを有する電圧をノード１７１に生成する。特定の一実施形態では、第１の電圧源１７４および第２の電圧源１５９は同じ電圧を供給し、単一の電圧源によって与えられる。ノード１７０、１７１に結合された増幅器１７２は、ノード１７０と１７１の間の電圧差に応じて２次側導体１６４に２次電流１６６を供給する。
【００３０】
　第１の磁気抵抗効果素子１５２は応答軸１５３を有し、第２の磁気抵抗効果素子１５５は応答軸１５７を有する。磁気抵抗効果素子１５２、１５５は、同じ方向に分極される。２次電流１６６は、第１および第２の磁気抵抗効果素子１５２、１５５の側を同じ方向に通る。したがって、２次側磁界１６５にさらされたとき、ノード１７０の電圧とノード１７１の電圧は、磁界に応じて反対方向に動く。
【００３１】
　図示の特定の装置では、ノード１７０が増幅器１７２の反転入力に結合され、ノード１７１が増幅器１７２の非反転入力に結合される。増幅器１７２は、ノード１７０と１７１の間の電圧差に比例した２次電流１６６を生成する。ノード１７１の電圧は、１次側磁界１６２に応じて増加する傾向があり、ノード１７０の電圧は、減少する傾向がある。しかし、前述のように、２次側磁界１６５は、１次側磁界１６２に対抗する傾向がある。
【００３２】
　第１の磁気抵抗効果素子１５２によって経験される磁界は、２次側磁界１６５と１次側磁界１６２の、応答軸１５３に沿った和である。同様に、第２の磁気抵抗効果素子１５５によって経験される磁界は、２次側磁界１６５と１次側磁界１６２の、応答軸１５７に沿った和である。２次側磁界１６５が１次側磁界１６２と反対方向であるため、２次側磁界１６５が１次側磁界１６２を打ち消す傾向がある。
【００３３】
　増幅器１７２は、第１および第２の磁気抵抗効果素子１５２、１５５によって経験される合計の磁界が実質的にゼロガウスであるように、応答軸１５３、１５７に沿った１次側磁界１６２を打ち消すのに十分な２次側磁界１６５を生成するために必要なレベルで２次電流１６６を供給する。
【００３４】
　２次電流１６６は、抵抗器１７６を通り、それによって、出力端子１７８と１８０の間に２次電流１６６に比例した出力電圧Ｖｏｕｔを生成する。この装置で、出力電圧Ｖｏｕｔは、必要に応じて、２次側磁界１６５に比例し、したがって１次電流１６０に比例する。
【００３５】
　抵抗器１７６が温度係数を持った抵抗を有することが理解されよう。当技術の通常の熟練者は、この温度係数の影響を低減させるために使用され得る技術を理解するであろう。例えば、この影響を低減させるために、適切に適合されたフィードバック補償回路網を有するオペアンプ回路が使用され得る。
【００３６】
　２つの磁気抵抗効果素子１５２、１５５、および２つの抵抗器１６８、１６５は、例えば図４に示されたようなホイートストンブリッジ回路をもたらす。抵抗器１６８、１６５が図２の抵抗器５０に従って材料スタックとして与えられ、磁気抵抗効果素子１５２、１５５の温度係数と実質的に同じ温度係数を有するので、ノード１７０と１７１の間の電圧差は、実質的に温度変化に影響されず、したがって、出力電圧Ｖｏｕｔは、同様に影響されないはずであるということを理解されたい。
【００３７】
　閉ループ電流センサ１５０は、２つの磁気抵抗効果素子１５２、１５５および２つの抵抗器１６８、１２５を有するが、代替の閉ループ電流センサは、２つを上回るかまたは２つ未満の磁気抵抗効果素子および２つを上回るかまたは２つ未満の抵抗器を与えられ得ることが、当技術の通常の熟練者には理解されよう。
【００３８】
　シリコン基板１５４が示されているが、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓを含むがこれらには限定されない他の基板材料が、本発明から逸脱することなく、シリコン基板１５４の代りに使用され得ることも明白であろう。また、代替実施形態では、シリコン基板１５４は、Ａｌ２Ｏ３を含むがこれには限定されないセラミック材料で構成された別の基板（図示せず）と取り替えられ得る。この特定の実施形態では、図２の抵抗器５０に従って材料スタックとして形成された磁気抵抗効果素子および抵抗器が、セラミック基板上で製作され得る。増幅器１７１に類似の回路が、例えばシリコン基板上に、例えば個別の基板（図示せず）上に形成され得て、これはセラミック基板にワイヤボンディングなどで結合され得る。」
（引Ｄイ）図５
（２）引用文献Ｄに記載された技術事項
　上記（１）の記載及び図面を総合すると、上記引用文献Ｄには次の技術事項が記載されていると認められる。
「　閉ループ電流センサ形式の電子回路１５０であって、
　電流センサ１５０は、第１の磁気抵抗効果素子１５２、第２の磁気抵抗効果素子１５５、第１の抵抗器１６８、および第２の抵抗器１６５を含み、磁気抵抗効果素子１５２、１５５、抵抗器１６８、１６５は、シリコン基板１５４の表面１５４ａの上に配設され、２次側導体１６４も、シリコン基板１５４の表面１５４ａの上で磁気抵抗効果素子１５２、１５５の最も近くに配設され、さらなる１次側導体１５８は、誘電体１５６によってシリコン基板１５４から絶縁される、磁気平衡式電流センサ。」
７　引用文献Ｅについて
（１）引用文献Ｅの記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献Ｅには、図面とともに次の事項が記載されている。
（引Ｅア）第２頁右下欄第８行〜第３頁左上欄第１４行
「　第１図は、この発明の一実施例を示す
電流変換器
２つのリングが結合された線心１の共通部（中央部）１ａに検出線輪２が巻回され、一方のリング部１ｂに空隙３が設けられるとともに、被測定電流Ｉｉを流す電線４が貫通されている。また、他方のリング部１ｃに帰還線輪５が巻回されている。検出線輪２に誘起された電圧Ｅｄは、増幅器６で増幅され、増幅器６より出力抵抗器７を介して帰還電流Ｉｆが流され、この出力抵抗器７より出力電圧Ｅｏが導出される
　今、この電流変換器において、電線４に電流Ｉｉを流すと、磁束φｉが鉄心１のリング部１ｂに発生し、検出線輪２に起電力が生じる。一方、帰還線輪５に流れる帰還電流Ｉｆによって鉄心１のリング部１ｃに磁束φｓが発生し、この磁束φｆによっても検出線輪２に起電力が発生する。電線４に流れる電流Ｉｉの方向と、帰還線輪５の巻線が磁束φｉとφｆが逆方向となるように設定されるので、検出線輪２に誘起される電圧Ｅｄはφｉ−φｆに応じた電圧となる。この偏差電圧Ｅｄは増幅器６で増幅され、帰還線輪５に流す電流Ｉｆを発生する。このフィードバックループが平衡した状態では、増幅器６の増幅率が十分に大きいならば、増幅器６の入力電圧は０とみなしてよい。すなわち検出線輪２と鎖交する磁束（φｉ−φｆ）は０となる。」
（引Ｅイ）第３頁左下欄第１４行〜右下欄第６行
「第３図は、この発明の他の実施例を示す位相補償付の電流変換器の構成図である。第３図において、第１図と同一番号を付したものは同一のものを示している。この電流変換器では鉄心１に検出線輪２、帰還線輪５の他に、リング部１ｂに位相検出線輪８−１が、リング部１ｃに位相検出線輪８−２が巻回されている。また、検出線輪２からの偏差電圧Ｅｄを増幅する増幅器６は、プリアンプ６−１、移相回路６−２、及び出力アンプ６−３から構成されている。位相検出線輪８−１、８−２は直列に接続され、位相制御ロジック回路９に入力され、位相制御ロジック回路９の出力が移相回路６−２に加えられている。」
（引Ｅウ）第３図
（２）引用文献Ｅに記載された技術事項
　第３図によれば、線心１の共通部（中央部）１ａ、一方のリング部１ｂ、他方のリング部１ｃは、３本の平行な線心部分を含んでいることが見て取れるから、上記（１）の記載及び図面を総合すると、上記引用文献Ｅには次の技術事項が記載されていると認められる。
「　２つのリングが結合された線心１の共通部（中央部）１ａに検出線輪２が巻回され、一方のリング部１ｂに空隙３が設けられるとともに、被測定電流Ｉｉを流す電線４が貫通されており、また、他方のリング部１ｃに帰還線輪５が巻回されており、検出線輪２に誘起された電圧Ｅｄは、増幅器６で増幅され、増幅器６より出力抵抗器７を介して帰還電流Ｉｆが流され、この出力抵抗器７より出力電圧Ｅｏが導出される、電流変換器であって、
　線心１の共通部（中央部）１ａ、一方のリング部１ｂ、及び他方のリング部１ｃは、３本の平行な線心部分を含んでいる、電流変換器。」
８　引用文献Ｆについて
（１）引用文献Ｆの記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献Ｆには、図面とともに次の事項が記載されている。
（引Ｆア）
「(57)【要約】
【課題】　被測定線路の電流値が高い場合でもコイルの巻数が少なくて済む、コンパクトな磁気平衡式電流センサを得る。
【解決手段】　この
磁気平衡式電流センサは、被測定線路１１に導通する電流Ｉにより磁束が形成される２つの閉磁路Ｐ１，Ｐ２と、２つの閉磁路Ｐ１，Ｐ２の一方に、その閉磁路Ｐ１内の磁束Φ１を打ち消すために配置されたコイル３と、コイル３の配置された閉磁路に配置され磁束を検出するホール素子２とを備える
【選択図】　図２」
「【００１５】
実施の形態１．
　図１は、本発明の実施の形態１に係る磁気平衡式電流センサの構成を示す斜視図である。図２は、図１に示す磁気平衡式電流センサの正面図である。
【００１６】
　図１，２において、コア１は、少なくとも
２つの閉磁路
２つのＥ型コア
を結合して構成されていてもよい
【００１７】
　この実施の形態では、コア１は、２つの孔Ｋ１，Ｋ２の周りに２つの環状部分を有する略８の字形状を有し、各環状部分にギャップＧ１，Ｇ２を有する。２つの環状部分に、２つの閉磁路Ｐ１，Ｐ２が形成可能である。そして、一方の閉磁路Ｐ１上にのみ、ホール素子２およびコイル３が配置される。
【００１８】
　孔Ｋ１，Ｋ２には、１本の被測定線路１１が１度ずつ挿通され、コア１の共通部１ａの周りに１本の被測定線路１１が配置される。
【００１９】
　共通部１ａは、コア１において、２つの閉磁路Ｐ１，Ｐ２の両方が通過する部分である。ギャップＧ１，Ｇ２は、共通部１ａ以外の箇所に形成される。
【００２０】
　この実施の形態では、コア１の形状は、共通部１ａを中心にして略対称な形状とされている。ただし、ギャップＧ１，Ｇ２のギャップ長ｄ１，ｄ２は、必要に応じて異なる。
【００２１】
　なお、この実施の形態では、閉磁路Ｐ１を含む面と閉磁路Ｐ２を含む面とが平行であるが、これらの面が０度以外の角度で交差するように、閉磁路Ｐ１，Ｐ２およびコア１を形成するようにしてもよい。
【００２２】
　ホール素子２は、閉磁路Ｐ１上において、磁束（または磁束密度）を検出し、検出した磁束（または磁束密度）に応じた電気信号を出力する検出素子である。
【００２３】
　コイル３は、閉磁路Ｐ１上において、被測定線路１１に導通する電流に起因する磁束を打ち消すために配置されたコイルである。
【００２４】
　図示せぬ制御回路により、ホール素子２による検出値がゼロになるように、コイル３には電流が導通され、ホール素子２による検出値がゼロになったときのコイル３の導通電流の値から、被測定線路１１の導通電流の値が導出される。」
（引Ｆイ）図１
（引Ｆウ）図２
（２）引用文献Ｆに記載された技術事項
　上記（１）の記載及び図面を総合すると、上記引用文献Ｆには次の技術事項が記載されていると認められる。
「　被測定線路１１に導通する電流Ｉにより磁束が形成される２つの閉磁路Ｐ１，Ｐ２と、２つの閉磁路Ｐ１，Ｐ２の一方に、その閉磁路Ｐ１内の磁束Φ１を打ち消すために配置されたコイル３と、コイル３の配置された閉磁路に配置され磁束を検出するホール素子２とを備える磁気平衡式電流センサであって、
　２つの閉磁路Ｐ１，Ｐ２は、２つのＥ型コア）を結合して構成されている、磁気平衡式電流センサ。」
第６　当審拒絶理由の理由１（進歩性）についての判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
ア　引用発明１の「２つの磁気コア１３」は、それぞれ、本願発明１の「第１の磁束ガイド部材（２０）」と「第２の磁束ガイド部材（３０）」に相当するところ、引用発明１の「磁気コア１３は、フィードバックコイル１２の軸心方向Ｘの中心線上に沿って分かれた２つの磁気コア１３のみからなり、２つの磁気コア１３は、それぞれ、フィードバックコイル１２の軸心方向Ｘが長手方向、フィードバックコイル１２の軸心方向と直交する方向Ｙが短手方向となる矩形膜状物であ」ることは、本願発明１の「磁束ガイド部材であって、直線状かつロッド状の第１の磁束ガイド部材（２０）および直線状かつロッド状の第２の磁束ガイド部材（３０）のみからなる磁束ガイド部材」に相当する。
イ　引用発明１の「磁気抵抗効果素子１４１」は、「被測定電流Ｉから発生した誘導磁界Ａを、磁気コア１３を通して」「受け」ることから、本願発明１の「磁場センサ（５０）」に相当する。
ウ　引用発明１の「フィードバックコイル１２」は、「２つの磁界（誘導磁界Ａ、キャンセル磁界Ｂ）を相殺して磁気抵抗効果素子１４１に印加する磁場が零になるように適宜調整する」ものであるから、本願発明１の「補償コイル（４０）」に相当する。
エ　引用発明１の「磁界検出ブリッジ回路１４」は、「２つの磁界（誘導磁界Ａ、キャンセル磁界Ｂ）を相殺して磁気抵抗効果素子１４１に印加する磁場が零になるように適宜調整する」ための回路であるから、本願発明１の「制御ユニット」に相当する。
オ　上記ア〜エを踏まえると、引用発明１の「磁気平衡式電流センサ」は、本願発明１の「磁場補償装置（１０）」に相当する。
カ　引用発明１の「２つの磁気コア１３」の一方が、「フィードバックコイル１２の軸心方向Ｘが長手方向、フィードバックコイル１２の軸心方向と直交する方向Ｙが短手方向となる矩形膜状物であ」ることは、本願発明１の「・前記第１の磁束ガイド部材（２０）は、Ｘ方向に形成された長手方向軸線と、第１の頭頂部側の端部（２２）と、を有して」いることに相当する。
キ　引用発明１の「２つの磁気コア１３」の他方が、「フィードバックコイル１２の軸心方向Ｘが長手方向、フィードバックコイル１２の軸心方向と直交する方向Ｙが短手方向となる矩形膜状物であ」ることは、本願発明１の「・前記第２の磁束ガイド部材（３０）は、Ｘ方向に形成された長手方向軸線を有して」いることに相当する。
ク　引用発明１の「２つの磁気コア１３」が、「フィードバックコイル１２の軸心方向Ｘの中心線上に沿って分かれ」ていることと、本願発明１の「前記第１の磁束ガイド部材（２０）および前記第２の磁束ガイド部材（３０）は、相互にＹ方向において間隔を空けて設けられて」いることとは、「前記第１の磁束ガイド部材（２０）および前記第２の磁束ガイド部材（３０）は、相互に所定の方向において間隔を空けて設けられて」いる点で共通する。
ケ　本願発明１の「前記第１の磁束ガイド部材（２０）の前記長手方向軸線および前記第２の磁束ガイド部材（３０）の前記長手方向軸線は、相互に実質的に平行に配置されて」いることには、「前記第１の磁束ガイド部材（２０）の前記長手方向軸線および前記第２の磁束ガイド部材（３０）の前記長手方向軸線」が、「相互に実質的に」同一の長手方向軸線上（Ｘ方向）に「配置されて」場合を含む。
　よって、引用発明１の「２つの磁気コア１３」が、「フィードバックコイル１２の軸心方向Ｘの中心線上に沿って分かれ」ていることは、本願発明１の「前記第１の磁束ガイド部材（２０）の前記長手方向軸線および前記第２の磁束ガイド部材（３０）の前記長手方向軸線は、相互に実質的に平行に配置されて」いることに相当する。
コ　引用発明１の「フィードバックコイル１２は、２つの磁気コア１３の長手方向の周囲に」「配設されて」いることは、本願発明１の「・前記補償コイル（４０）は、前記第１の磁束ガイド部材（２０）の周囲および前記第２の磁束ガイド部材（３０）の周囲に形成されて」いることに相当する。
サ　引用発明１の「磁界検出ブリッジ回路１４」が、「被測定電流Ｉから発生した誘導磁界Ａを、磁気コア１３を通して磁気抵抗効果素子１４１で受け、その誘導磁界をフィードバックしてフィードバックコイル１２からキャンセル磁界Ｂを発生し、２つの磁界（誘導磁界Ａ、キャンセル磁界Ｂ）を相殺して磁気抵抗効果素子１４１に印加する磁場が零になるように適宜調整する」ことは、本願発明１の「・前記制御ユニットは、前記磁場センサ（５０）および前記補償コイル（４０）と電気的に相互作用関係にあり、前記制御ユニットは、前記磁場センサ（５０）の測定信号に基づいて、前記補償コイル（４０）を流れる補償電流（ＩＦＢ）を閉ループ制御して、前記磁場センサ（５０）の場所においてＸ方向に形成された外部磁場に対して磁場を実質的に補償するように構成されて」いることに相当する。
シ　引用発明１の「２つの磁気コア１３」の他方の「長手方向に誘導磁界Ａが発生し、誘導磁界Ａとは逆方向にキャンセル磁界Ｂが発生」することは、本願発明１の「前記第２の磁束ガイド部材（３０）においては、Ｘ軸の方向に磁場が形成されて」いることに相当する。
ス　引用発明１の「磁気抵抗効果素子１４１」が、「２つの磁気コア１３の間に」「配置され」ていることは、本願発明１の「前記磁場センサ（５０）は、前記第１の磁束ガイド部材（２０）の前記頭頂部側の端部に配置されて」いることに相当する。
セ　引用発明１の「フィードバックコイル１２、磁気コア１３及び磁界検出ブリッジ回路１４が同一半導体基板２１上に形成されて」いることは、本願発明１の「前記磁場センサ（５０）と、前記第１の磁束ガイド部材（２０）と、前記第２の磁束ガイド部材（３０）と、前記補償コイル（４０）と、前記制御ユニットと、は、同一の半導体基板に集積されて」いることに相当する。
　したがって、本願発明１と引用発明１とは、次の点で一致し、次の各点で相違する。
（一致点）
「　磁束ガイド部材であって、直線状かつロッド状の第１の磁束ガイド部材（２０）および直線状かつロッド状の第２の磁束ガイド部材（３０）のみからなる磁束ガイド部材と、
　磁場センサ（５０）と、
　補償コイル（４０）と、
　制御ユニットと、
を有する磁場補償装置（１０）であって、
・前記第１の磁束ガイド部材（２０）は、Ｘ方向に形成された長手方向軸線と、第１の頭頂部側の端部（２２）と、を有しており、
・前記第２の磁束ガイド部材（３０）は、Ｘ方向に形成された長手方向軸線を有しており、前記第１の磁束ガイド部材（２０）および前記第２の磁束ガイド部材（３０）は、相互に所定の方向において間隔を空けて設けられており、前記第１の磁束ガイド部材（２０）の前記長手方向軸線および前記第２の磁束ガイド部材（３０）の前記長手方向軸線は、相互に実質的に平行に配置されており、
・前記補償コイル（４０）は、前記第１の磁束ガイド部材（２０）の周囲および前記第２の磁束ガイド部材（３０）の周囲に形成されており、
・前記制御ユニットは、前記磁場センサ（５０）および前記補償コイル（４０）と電気的に相互作用関係にあり、前記制御ユニットは、前記磁場センサ（５０）の測定信号に基づいて、前記補償コイル（４０）を流れる補償電流（ＩＦＢ）を閉ループ制御して、前記磁場センサ（５０）の場所においてＸ方向に形成された外部磁場に対して磁場を実質的に補償するように構成されており、
　前記第２の磁束ガイド部材（３０）においては、Ｘ軸の方向に磁場が形成されており、
　前記磁場センサ（５０）は、前記第１の磁束ガイド部材（２０）の前記頭頂部側の端部に配置されており、
　前記磁場センサ（５０）と、前記第１の磁束ガイド部材（２０）と、前記第２の磁束ガイド部材（３０）と、前記補償コイル（４０）と、前記制御ユニットと、は、同一の半導体基板に集積されている、
　磁場補償装置（１０）。」
（相違点１）
　相互に間隔を空けて設けられている、前記第１の磁束ガイド部材（２０）および前記第２の磁束ガイド部材（３０）が、本願発明１では、「Ｙ」方向、すなわち平行に配置されているのに対し、引用発明１では、「Ｘ」方向、すなわち一直線上に配置されている点。
（相違点２）
　本願発明１は、「前記第１の磁束ガイド部材（２０）の周囲に形成された前記補償コイル（４０）の部分は、前記第２の磁束ガイド部材（３０）の周囲に形成された前記補償コイル（４０）の部分と比較して逆向きの巻回方向を有し」ているのに対し、引用発明１は、「フィードバックコイル１２は、２つの磁気コア１３の長手方向の周囲に同じ巻回方向で配設されて」いる点。
（相違点３）
　本願発明１は、「前記Ｘ方向において、前記第２の磁束ガイド部材（３０）の長さは、前記第１の磁束ガイド部材（２０）の長さよりも長い、または、
　前記Ｘ方向において、前記第２の磁束ガイド部材（３０）の長さは、前記第１の磁束ガイド部材（２０）の長さよりも短い」のに対し、引用発明１はこの点につき不明である点。
（２）相違点についての判断
　上記相違点１について検討する。
　上記相違点１に係る本願発明１の構成は、磁束ガイド部材として、直線状かつロッド状の第１の磁束ガイド部材（２０）および直線状かつロッド状の第２の磁束ガイド部材（３０）のみからなる、前記第１の磁束ガイド部材（２０）と前記第２の磁束ガイド部材（３０）とが平行に配置されている、というものである。
　このような構成は、上記引用文献２及びＡ〜Ｆ（上記第５の２〜８を参照。）には記載されておらず、本願優先日前において周知技術であるともいえない。
　したがって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても引用発明１、引用文献２及びＡ〜Ｆに記載された技術事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２〜７について
　本願発明２も、上記相違点１に係る本願発明１の構成と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明１、引用文献２及びＡ〜Ｆに記載された技術事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第７　原査定（進歩性）についての判断
　原査定では、本願請求項１〜１９に係る発明は、引用文献Ａ（主引用例）及び引用文献Ｂ〜Ｆに基づいて当業者が容易に発明できたものであると判断している。
　しかし、令和３年３月５日になされた手続補正により、補正後の請求項１〜７は、上記相違点１に係る本願発明１の構成を有するものとなり、当該相違点１に係る本願発明１の構成は、上記第６の１（２）のとおり、原査定における引用文献Ａ〜Ｆ、及び当審拒絶理由における引用文献１、２には記載されておらず、本願優先日前における周知技術でもない。
　したがって、本願発明１〜７は、原査定における引用文献Ａ（主引用例）及び引用文献Ｂ〜Ｆに基づいて当業者が容易に発明できたものではないから、原査定を維持することはできない。
第８　当審拒絶理由の理由２（明確性）についての判断
１　請求項１について
　令和３年３月５日になされた手続補正において、請求項１の「前記磁場センサ（５０）と、前記第１の磁束ガイド部材（２０）と、前記第２の磁束ガイド部材（３０）と、前記補償コイル（４０）と、前記制御ユニットと、は、それぞれ主に半導体基板に集積されており、」との記載が、「前記磁場センサ（５０）と、前記第１の磁束ガイド部材（２０）と、前記第２の磁束ガイド部材（３０）と、前記補償コイル（４０）と、前記制御ユニットと、は、
同一の
２　請求項１５について
　令和３年３月５日になされた手続補正において、請求項１５が削除された結果、この拒絶の理由は解消した。
３　請求項１７にちて　
　令和３年３月５日になされた手続補正において、請求項１７の「２つの異なる種類の磁場センサが形成されている」との記載が削除され、新たに請求項６とする補正がされた結果、この拒絶の理由は解消した。
第９　むすび
　以上のとおり、原査定の拒絶理由及び当審で通知した拒絶理由によって、本願を拒絶することはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。