【事件の表示】
　特願２０１７−５０３６７５「ＣＭＰ用研磨液，及び，これを用いた研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　９月　９日国際公開，ＷＯ２０１６／１４０２４６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件審判請求に係る出願（以下，「本願」という。）は，２０１６年（平成２８年）　３月　２日（優先権主張　２０１５年（平成２７年）　３月　４日　日本）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
令和　１年　９月１９日付け：拒絶理由通知　
令和　１年１０月３０日　　：意見書，手続補正書の提出
令和　１年１１月１３日付け：拒絶査定（原査定）
令和　２年　２月１８日　　：審判請求書の提出
令和　２年　９月１４日付け：拒絶理由通知（以下「当審拒絶理由通知」という。）
令和　２年１０月２９日　　：意見書, 手続補正書の提出
第２　本願発明について
　本願の請求項１−１５（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明１５」という。）に係る発明は，令和　２年１０月２９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−１５に記載された事項により特定される発明であるところ，本願発明１は，以下のとおりの発明である。
「　　【請求項１】
　ルテニウム系金属を研磨するためのＣＭＰ用研磨液であって，
　砥粒と，水と，前記砥粒の含有量及び前記水の含有量の合計１００質量部に対して０．００５〜０．０５０質量部である金属酸化剤と，を含有し，
　前記砥粒が，シリカ及びシリカの変性物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含み，
　前記金属酸化剤が，水酸化物イオンの授受を伴う酸化還元電位を有し，
　前記酸化還元電位が標準水素電極に対して０．６８Ｖ以上であり，
　前記ＣＭＰ用研磨液のｐＨが７．０〜１３．０であり，
　前記砥粒の含有量が，前記砥粒の含有量及び前記水の含有量の合計１００質量部に対して０．１０質量部以上である，ＣＭＰ用研磨液。」
　なお，請求項２−１１は，請求項１の構成を全て引用する従属請求項，請求項１２−１５は請求項１の研磨液を用いた研磨方法に係る発明である。
第３　拒絶の理由
　令和　２年　９月１４日付けの，当審が通知した拒絶理由のうちの理由１は，概略，次のとおりのものである。
理由１（進歩性）　この出願の請求項１−４に係る発明は，下記の引用文献１に記載された発明に基いて，この出願の請求項５−１１に係る発明は，下記の引用文献１−３に記載された発明に基いて，この出願の請求項１２−１５に係る発明は，下記の引用文献１−４に記載された発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献１　特表２０１１−５０３８７３号公報
引用文献２　特開２０１４−６９２６０号公報
引用文献３　特開２０１５−２９００１号公報
引用文献４　特開２００９−１００３１号公報
第４　引用文献の記載，引用発明等
１　引用文献１に記載されている事項及び引用発明
ア　当審拒絶理由通知で引用された特表２０１１−５０３８７３号公報（以下，引用文献１という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。（当審注：下線は，参考のために当審で付与したものである。以下同様である。）
「【請求項１】
　
（ａ）砥材，
　
（ｂ）水性キャリア，
　
（ｃ）標準水素電極に対して０．７Ｖより大きく１．３Ｖより小さい標準還元電位を有する酸化剤，及び
　（ｄ）所望により，ホウ酸アニオン源（ただし，該酸化剤が，過ホウ酸塩以外の過酸化物，過炭酸塩，または過リン酸塩を含むときに，化学機械研磨組成物がホウ酸アニオン源を含む），
を含む，化学機械研磨組成物。
「【請求項１２】
  （ｉ）基板を準備する工程；
  （ｉｉ）（ａ）砥材、  （ｂ）水性キャリア、  （ｃ）標準水素電極に対して０．７Ｖより大きく１．３Ｖより小さい標準還元電位を有する酸化剤、及び  （ｄ）所望により、ホウ酸アニオン源（ただし、該酸化剤が、過ホウ酸塩以外の過酸化物、過炭酸塩、または過リン酸塩を含むときに、化学機械研磨組成物がホウ酸アニオン源を含む）  を含み、ｐＨが７〜１２である化学機械研磨組成物を準備する工程；
  （ｉｉｉ）該基板と、研磨パッド及び該化学機械研磨組成物とを接触させる工程；並びに
  （ｉｖ）該研磨パッド及び該化学機械研磨組成物を、該基板に対して相対的に動かし、該基板の表面の少なくとも一部を磨耗して、該基板を研磨する工程、
  を含む基板の研磨方法。
【請求項１３】  該基板が、ルテニウム、タンタル、銅、ＴＥＯＳ、またはそれらの組み合わせを含み、該基板の少なくとも一部を磨耗して該基板を研磨する、請求項１２に記載の方法。」
「【０００５】
　
ルテニウムを含む基板の研磨用に開発された化学機械研磨組成物は，さらなる課題を有する。研磨組成物は概して，ルテニウム金属を，溶解性形態または磨耗によって除去される柔らかい酸化膜のいずれかに変換する酸化剤を含む。
「【００１２】
　
本発明は，基板を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物を提供する。ＣＭＰ組成物は，（ａ）砥材，（ｂ）水性キャリア，（ｃ）標準水素電極に対して０．７Ｖより大きく１．３Ｖより小さい標準還元電位を有する酸化剤，及び（ｄ）所望により，ホウ酸アニオン源（ただし，酸化剤が，過ホウ酸塩以外の過酸化物，過炭酸塩，または過リン酸塩を含むときに，化学機械研磨組成物がホウ酸アニオン源を含む）を含み，ＣＭＰ組成物のｐＨは７〜１２である。
【００１３】
　砥材は任意の好適な砥材であることができ，それらの多くは当技術分野で良く知られている。砥材は望ましくは金属酸化物を含む。金属酸化物は任意の好適な形態の金属酸化物であることができ，例えば，ヒュームド，沈降された，縮合重合された，またはコロイド状の金属酸化物であることができる。
好適な金属酸化物には，アルミナ，シリカ，チタニア，セリア，ジルコニア，酸化ゲルマニウム，酸化マグネシウム，それらの共形成生成物，及びそれらの組み合わせからなる群から選択される金属酸化物が含まれる。好ましくは，金属酸化物はシリカまたはアルミナである。さらに好ましくは，砥材はシリカである。シリカの有効な形態には，限定されるものではないが，ヒュームドシリカ，沈降シリカ，縮合重合シリカ，及びコロイド状シリカが含まれる。さらに好ましくは，シリカはコロイド状シリカである。
【００１４】
　砥材は，任意の好適な粒径を有することができる。概して，砥材は，１μｍ以下（例えば５ｎｍ〜１μｍ）の平均粒径を有する。好ましくは，砥材は，５００ｎｍ以下（例えば１０ｎｍ〜５００ｎｍ）の平均粒径を有する。粒子径は，粒子の直径であり，または球形でない粒子の場合は粒子を取り囲む最小球の直径である。
【００１５】
　
本発明用に好適な砥粒は，処理されたもの，または未処理のものであることができる。可能な処理には，疎水性化処理並びに表面荷電特性を変える処理，例えばカチオン化またはアニオン化処理が含まれる。したがって，本発明用に好適な砥粒は，１以上の金属酸化物を含むことができるか，本質的に１以上の金属酸化物からなることができるか，あるいは１以上の金属酸化物からなることができる。例えば，砥材は，シリカを含むことができるか，本質的にシリカからなることができるか，あるいはシリカ（ＳｉＯ2）からなることができる。
【００１６】
　
砥材は，任意の好適な量でＣＭＰ組成物中に存在することができる。例えば，砥材は，ＣＭＰ組成物中に，０．１質量％以上，例えば０．２質量％以上，０．５質量％以上，または１質量％以上の量で存在することができる。別法で，あるいは加えて，砥材は，ＣＭＰ組成物中に，２０質量％以下，例えば１５質量％以下，１２質量％以下，１０質量％以下，８質量％以下，５質量％以下，４質量％以下，または３質量％以下の量で存在することができる。したがって，砥材は，ＣＭＰ組成物中に，０．１質量％〜２０質量％，例えば，０．１質量％〜１２質量％，または０．１質量％〜４質量％の量で存在することができる。
「【００１８】
　水性キャリアは，任意の好適な水性キャリアであることができる。水性キャリアは，砥材（水性キャリア中に懸濁される場合），酸化剤，及びその中に溶解または懸濁される任意の他の成分を，研磨される（例えば，平坦化される）好適な基板の表面に適用することを促進するために用いられる。
水性キャリアは，水のみであることができるか（すわなち，水からなることができるか），本質的に水からなることができるか，水及び好適な水混和性溶媒を含むことができるか，またはエマルジョンであることができる。
。好ましくは，水性キャリアは，水を含むか，本質的に水からなるか，または水からなり，さらに好ましくは脱イオン水を含むか，本質的に脱イオン水からなるか，または脱イオン水からなる。
【００１９】
　
化学機械研磨組成物は酸化剤をさらに含む。酸化剤は，任意の好適な酸化剤であることができる。ルテニウム金属は，＋２，＋３，＋４，＋６，＋７，及び＋８酸化状態に酸化され得る（例えば，Ｍ．Ｐｏｕｒｂａｉｘ， Ａｔｌａｓ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｑｕｉｌｉｂｒｉａ ｉｎ Ａｑｕｅｏｕｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ， ３４３−３４９ （Ｐｅｒｇａｍｏｎ Ｐｒｅｓｓ １９６６）を参照）。一般的な酸化形態は，Ｒｕ2Ｏ3，すなわち，Ｒｕ（ＯＨ）3，ＲｕＯ2，及びＲｕＯ4であり，それぞれ，ルテニウムは，＋３，＋４，及び＋８酸化状態に酸化されている。＋８酸化状態へのルテニウムの酸化，すなわちＲｕＯ4の形成は，有毒ガスを生成する。そのため，ＣＭＰに適用する際に，＋８酸化状態へのルテニウムの酸化を避けることが望ましい。
＋３酸化状態へのルテニウムの酸化，すなわちＲｕ（ＯＨ）3の形成は，保護的ではない層をもたらす。この層は，除去するための硬い砥材を必要とせず，例えばコロイド状シリカによって除去され得る。
【００２０】
　
したがって，ルテニウムを研磨するためのＣＭＰ組成物は，望ましくは，＋８酸化状態にルテニウムを酸化することを避けつつ，＋３または＋４酸化状態にルテニウムを酸化する酸化剤を含む。
【００２１】
　
潜在的な酸化剤は，電気化学的試験（Ｊｉａｎ Ｚｈａｎｇ， Ｓｈｏｕｔｉａｎ Ｌｉ， ＆ Ｐｈｉｌｌｉｐ Ｗ．Ｃａｒｔｅｒ， “Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｏｆ Ｔａｎｔａｌｕｍ， Ａｑｕｅｏｕｓ Ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ Ｒｅａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ Ｔａｎｔａｌｕｍ ａｎｄ Ｔａｎｔａｌｕｍ Ｏｘｉｄｅ，” Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ， １５４（２）， Ｈ１０９−Ｈ１１４（２００７）を参照）によって，特徴付けられ得る。酸化剤は，標準水素電極に対して任意の好適な標準還元電位を有することができる。望ましくは，ＣＭＰ組成物用に適切な穏やかな酸化剤は，ルテニウムを＋３酸化状態に酸化するために必要な電気化学ポテンシャル，すなわちＲ0→Ｒｕ+3とするためのＥ0値よりわずかに大きい電気化学ポテンシャルを有するが，ルテニウムを＋８酸化状態に酸化するために必要な電気化学ポテンシャル，すなわちＲ0→Ｒｕ+8とするためのＥ0値よりわずかに低い電気化学ポテンシャルを有する。
【００２２】
　図１は，標準水素電極（ＳＨＥ）を基準として，ｐＨに対するルテニウムの電位をプロットしたグラフである。次の表は，図１による様々なｐＨ値における特定のルテニウム化合物を形成するために必要なおおよその電位（Ｖ）をまとめたものである。
【表1】
【００２３】
　
酸化剤は，ルテニウムを＋８酸化状態に酸化することを避けつつ，ルテニウムを＋３または＋４酸化状態に酸化する標準還元電位，すなわち標準状態且つｐＨ＝０における還元電位を有する任意の好適な酸化剤であることができる。例えば，酸化剤は，標準水素電極に対して０．７Ｖより大きい，例えば０．７５Ｖより大きい，０．８Ｖより大きい，０．９Ｖより大きい，１Ｖより大きい，または１．２５Ｖより大きい，標準還元電位を有することができる。別法では，または加えて，酸化剤は，標準水素電極に対して１．３Ｖより小さい，例えば１．２Ｖより小さい，１Ｖより小さい，または０．９Ｖより小さい標準還元電位を有することができる。したがって，酸化剤は，標準水素電極に対して０．７Ｖより大きく１．３Ｖより小さい，例えば０．７Ｖより大きく０．８Ｖより小さい，０．７Ｖより大きく０．９Ｖより小さい，０．８Ｖより大きく０．９Ｖより小さい，０．９Ｖより大きく１．３Ｖより小さい，０．９Ｖより大きく１．１Ｖより小さい，または１Ｖより大きく１．３Ｖより小さい標準還元電位を有することができる。
【００２４】
　望ましくは，酸化剤は，実質的に，ルテニウムを＋８酸化状態に酸化しない。さらに，図１及び上表に見ることができるように，ルテニウムはより高いｐＨ値においてより低い電位を有する。望ましくは，これらのより高いｐＨ値において，ルテニウムの電位は銅の電位に近く，それによって，ルテニウム及び銅の間のガルバニック不適合性（ｇａｌｖａｎｉｃ ｉｎｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）のリスクを軽減する。
【００２５】
　好ましい酸化剤には，限定するものではないが，過ホウ酸塩，過炭酸塩，過リン酸塩，過酸化物，またはそれらの組み合わせを含む酸化剤が含まれる。過ホウ酸塩，過炭酸塩，過リン酸塩，及び過酸化物は，任意の好適な化合物源から提供され得る。
【００２６】
　好適な過ホウ酸塩化合物には，限定するものではないが，過ホウ酸カリウム及び過ホウ酸ナトリウム一水和物が含まれる。好適な過炭酸塩化合物には，限定するものではないが，過炭酸ナトリウムが含まれる。好適なリン酸塩化合物には，限定するものではないが，過リン酸カリウムが含まれる。
【００２７】
　好適な過酸化物化合物は，少なくとも１つのペルオキシ基（−−Ｏ−−Ｏ−−）を含む化合物であり，且つ有機過酸化物，無機過酸化物，及びそれらの混合物からなる群から選択される。少なくとも１つのペルオキシ基を含む化合物の例には，限定するものではないが，過酸化水素並びに過酸化尿素及び過炭酸塩などの過酸化水素の付加化合物，過酸化ベンゾイル，過酢酸，及びジ−ｔｅｒｔ−過酸化ブチルなどの有機過酸化物，一過硫酸塩（ＳＯ52-），二過硫酸塩（Ｓ2Ｏ82-），並びに過酸化ナトリウムが含まれる。好ましくは，過酸化物は過酸化水素である。
【００２８】
　
酸化剤は，任意の好適な量でＣＭＰ組成物中に存在することができる。例えば，酸化剤は，１０質量％以下，例えば８質量％以下，５質量％以下，３質量％以下，２質量％以下，または１質量％以下の量で存在することができる。別法では，または加えて，酸化剤は，０．０５質量％以上，例えば０．０７質量％以上，０．１質量％以上，０．２５質量％以上，０．５質量％以上，または０．７５質量％以上の量で存在することができる。したがって，酸化剤は，０．０５質量％〜１０質量％，例えば，０．０７質量％〜８質量％，０．１質量％〜５質量％，０．２５質量％〜３質量％，０．５質量％〜２質量％，または０．７５質量％〜１質量％の量で存在することができる。好ましくは，酸化剤は，ＣＭＰ組成物中に０．２５質量％〜１質量％の量で存在する。
「【００３２】
　
ＣＭＰ組成物は，任意の好適なｐＨを有することができる。ＣＭＰ組成物のｐＨは，例えば，１２以下，例えば１１以下，１０以下，または９以下であることができる。別法では，または加えて，ＣＭＰ組成物のｐＨは，７以上，例えば，８以上，９以上，１０以上，または１１以上であることができる。望ましくは，ＣＭＰ組成物のｐＨは，７〜１２，例えば，７〜９，９〜１２，９〜１１，１０〜１２，または１１〜１２である。このｐＨ範囲において，図１に示すように，ルテニウムはより低い電位を有する。すなわち，ルテニウムは，より低いｐＨ，例えばｐＨ２におけるルテニウムの電位と比べて，銅の電位に近い電位を有する。望ましくは，比較的低いルテニウムの電位は，ルテニウム及び銅の間のガルバニック不適合性のリスクを軽減して，ルテニウムバリアーのＣＭＰの際にＣＭＰ組成物が薄い銅線をガルバニック溶解することを防ぐ。
【００３３】
　ＣＭＰ組成物のｐＨは，任意の好適な手段によって，達成され及び／または維持され得る。より具体的には，ＣＭＰ組成物は，ｐＨ調整剤をさらに含むことができる。ｐＨ調整剤は，任意の好適なｐＨ調整化合物であることができる。例えば，ｐＨ調整剤は，硝酸，水酸化カリウム，水酸化アンモニウム，水酸化テトラアルキルアンモニウム，またはそれらの組み合わせであることができる。ＣＭＰ組成物は，任意の好適な量のｐＨ調整剤を含むことができる。ただし，好適な量は，本明細書に示す範囲内のＣＭＰ組成物のｐＨを達成及び／または維持するために用いられる。」
イ　上記記載について検討する。
（ア）引用文献１の請求項１３や段落０００５の記載を参照すると，引用文献１の化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物は，ルテニウムを含む基板の研磨に用いられると認められる。
（イ）引用文献１の段落００１２には，ＣＭＰ組成物は，（ａ）砥材，（ｂ）水性キャリア，（ｃ）標準水素電極に対して０．７Ｖより大きく１．３Ｖより小さい標準還元電位を有する酸化剤，を含み，ＣＭＰ組成物のｐＨは７〜１２である点が記載されている。 
（ウ）引用文献１の段落００１３には，砥材としてシリカが好ましいことが，また，段落００１６には，砥材は，任意の好適な量でＣＭＰ組成物中に存在することができ，ＣＭＰ組成物中に０．１質量％以上とする点が記載されている。
（エ）引用文献１の段落００１８には，水性キャリアとして水を含むことが記載されている。
（オ）引用文献１の段落００１９〜００２８，特に段落００１９を参照すると，酸化剤が，ルテニウム金属をＲｕ（ＯＨ）３に酸化した際に，コロイド状シリカにより除去可能である点が記載されている。
　ここで，酸化剤は，ルテニウム金属をＲｕ（ＯＨ）３に酸化するものであるから，酸化剤が，水酸化物イオンの授受を伴う酸化還元電位を有することは明らかである。
ウ　以上ア，イで示した事項，特に砥材としてシリカが好ましい点，及び，酸化剤がルテニウム金属をＲｕ（ＯＨ）３に酸化する点の記載を参酌すると，上記引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「　ルテニウムを含む基板のＣＭＰ組成物であって，
　ＣＭＰ組成物は，砥材，水性キャリア，標準水素電極に対して０．７Ｖより大きく１．３Ｖより小さい，水酸化物イオンの授受を伴う標準還元電位を有する酸化剤，を含み，
　ＣＭＰ組成物のｐＨは７〜１２であり，
　砥材としてシリカを，ＣＭＰ組成物中に０．１質量％以上含有させ，
　水性キャリアとして水を含み，
　酸化剤は，ルテニウム金属をＲｕ（ＯＨ）３に酸化すること。」
第５　対比
１　本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
（１）引用発明の「ルテニウムを含む基板のＣＭＰ組成物」は，本願発明１の「ルテニウム系金属を研磨するためのＣＭＰ用研磨液」である点で一致することは明らかである。
（２）引用発明の「砥材」は，本願発明１の「砥粒」に対応する。
　また，引用発明の「砥材」は，「シリカ」であるから，本願発明１の「前記砥粒が，シリカ及びシリカの変性物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含」む点で一致する。
（３）引用発明の「水性キャリア」は「水を含む」から，本願発明１の「水」に相当する。
（４）引用発明の「水酸化物イオンの授受を伴う標準還元電位を有する酸化剤」は，本願発明１の「金属酸化剤」に相当し，本願発明１と引用発明は，「前記金属酸化剤が，水酸化物イオンの授受を伴う酸化還元電位を有」する点で一致する。
２　したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「　ルテニウム系金属を研磨するためのＣＭＰ用研磨液であって，
　砥粒と，水と，金属酸化剤と，を含有し，
　前記砥粒が，シリカ及びシリカの変性物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含み，
　前記金属酸化剤が，水酸化物イオンの授受を伴う酸化還元電位を有する，
　ＣＭＰ用研磨液。」
（相違点）
（相違点１）金属酸化剤の酸化還元電位に関して，本願発明１は，「標準水素電極に対して０．６８Ｖ以上であり」と特定されているのに対し，引用発明は，「標準水素電極に対して０．７Ｖより大きく１．３Ｖより小さい」点。
（相違点２）ＣＭＰ用研磨液のｐＨに関して，本願発明１は，「ｐＨが７．０〜１３．０」と特定されているのに対して，引用発明は，「ｐＨは７〜１２」である点。
（相違点３）砥粒の含有量に関して，本願発明１は，「前記砥粒の含有量及び前記水の含有量の合計１００質量部に対して０．１０質量部以上」と特定されているのに対して，引用発明は，「ＣＭＰ組成物中に，０．１質量％以上」である点。
（相違点４）金属酸化剤の含有量に関して，本願発明１は，「前記砥粒の含有量及び前記水の含有量の合計１００質量部に対して０．００５〜０．０５０質量部である」と特定されているのに対して，引用発明は，そのように特定されていない点。
第６　判断
１　上記相違点１−４について検討する。
（１）相違点１について
　引用発明において，金属酸化剤の酸化還元電位は「標準水素電極に対して０．７Ｖより大きく１．３Ｖより小さい」ものであり，本願発明１の「標準水素電極に対して０．６８Ｖ以上であり」と，「標準水素電極に対して０．７Ｖより大きく１．３Ｖより小さい」範囲で一致するから，相違点１は実質的な相違点でない。
　また，研磨速度等を考慮し，酸化剤の酸化還元電位の値を最適化することは，当業者が実施に当たり適宜なし得る設計的事項にすぎず，引用発明において，相違点１に係る構成とすることは，当業者が容易になし得たものである。
（２）相違点２について
　引用発明において，ＣＭＰ用研磨液のｐＨは「ｐＨは７〜１２」であり，本願発明１の「ｐＨが７．０〜１３．０」と，「ｐＨが７．０〜１２．０」である範囲で一致するから，相違点２は実質的な相違点でない。
　また，研磨速度等を考慮し，ＣＭＰ用研磨液のｐＨを最適化することは，当業者が実施に当たり適宜なし得る設計的事項にすぎず，引用発明において，相違点２に係る構成とすることは，当業者が容易になし得たものである。
（３）相違点３について
　引用発明において，砥粒の含有量は「ＣＭＰ組成物中に０．１質量％以上」であるから，砥粒，水，金属酸化物からなるＣＭＰ用研磨液においては，砥粒の含有量及び水の含有量の合計９９．９質量部に対して０．１質量部以上，すなわち，砥粒の含有量及び水の含有量の合計１００質量部に対して約０．１００１質量部以上であり，本願発明１とほぼ同様の値であるから，相違点３は実質的な相違点でない。
（４）相違点４について
　引用文献１の段落００２８には，「酸化剤は，任意の好適な量でＣＭＰ組成物中に存在することができる。」と，金属酸化剤の含有量が任意であることが記載されている。
　また，本願明細書においても，段落００５３に「
金属酸化剤Ａの含有量は，金属が充分に酸化され易く，ルテニウム系金属の研磨速度が更に向上する傾向がある観点から，砥粒の含有量及び水の含有量の合計１００質量部に対して，
０．０５質量部以上であってもよい
　すると，研磨速度等を考慮し，金属酸化剤の含有量を最適化することは，当業者が実施に当たり適宜なし得る設計的事項にすぎず，引用発明において，相違点４に係る構成とすることは，当業者が容易になし得たものである。
２　請求人の主張について
　請求人は，令和　２年１０月２９日の意見書において，「　まず，引用文献１には，ＣＭＰ組成物（化学機械研磨組成物）が酸化剤を含有することが記載されているものの（段落［００１２］），酸化剤がＣＭＰ組成物中に０．０５質量％以上の量（基準：ＣＭＰ組成物の全量）で存在することが記載され（段落［００２８］），当該記載に伴い，引用発明１に係るＣＭＰ組成物の具体例を示す実施例（段落［００４６］以降）において酸化剤の含有量が０．０５質量％以上（０．２５〜１質量％）に調整されているに過ぎません。また，このような引用文献１では，ＣＭＰ組成物中において０．０５質量％を下回る範囲に酸化剤の含有量を調整することの記載及び示唆，並びに，その動機付けとなる記載は何ら認められません。ここで，本願発明の酸化剤の含有量，及び，引用文献１に記載の酸化剤の含有量を対比すると，含有量の基準が異なるところ，引用発明１において「酸化剤がＣＭＰ組成物中に０．０５質量％以上」である場合，ＣＭＰ組成物が少なくとも砥粒，酸化剤及び水を含有していることからすれば，砥粒の含有量及び水の含有量の合計に対する酸化剤の含有量の割合は０．０５質量％を超えることが明らかです。そのため，このような引用文献１では，砥粒の含有量及び水の含有量の合計１００質量部に対して酸化剤の含有量を０．００５〜０．０５０質量部に調整することの記載及び示唆，並びに，その動機付けとなる記載は何ら認められません。そして，このような引用文献１を参酌した当業者であれば，ＣＭＰ組成物の全量を基準とした酸化剤の含有量を，実施例において有用性が示された０．０５質量％以上の範囲に調整すること（すなわち，酸化剤の含有量を砥粒の含有量及び水の含有量の合計１００質量部に対して０．０５質量部を超える範囲に調整すること）が通常であり，ＣＭＰ組成物の全量を基準とした酸化剤の含有量を，具体例や有用性が何ら示されていない０．０５質量％を下回る範囲に調整すること（すなわち，酸化剤の含有量を砥粒の含有量及び水の含有量の合計１００質量部に対して０．０５質量部以下の範囲に調整すること）は当業者といえども困難であり，ましてや，酸化剤の含有量を砥粒の含有量及び水の含有量の合計１００質量部に対して０．０５質量部以下の範囲に調整した上で，「ルテニウム系金属を研磨するためのＣＭＰ用研磨液であって，砥粒と，水と，前記砥粒の含有量及び前記水の含有量の合計１００質量部に対して０．００５〜０．０５０質量部である金属酸化剤と，を含有し，前記砥粒が，シリカ及びシリカの変性物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含み，前記金属酸化剤が，水酸化物イオンの授受を伴う酸化還元電位を有し，前記酸化還元電位が標準水素電極に対して０．６８Ｖ以上であり，前記ＣＭＰ用研磨液のｐＨが７．０〜１３．０であり，前記砥粒の含有量が，前記砥粒の含有量及び前記水の含有量の合計１００質量部に対して０．１０質量部以上である」ＣＭＰ用研磨液を用いることは当業者といえども更に困難です。」と主張している。
　上記主張について検討すると，上述したように，引用文献１の段落００２８には，「酸化剤は，任意の好適な量でＣＭＰ組成物中に存在することができる。」と，金属酸化剤の含有量が任意であることが記載されている。
　ここで，引用文献１の段落００２８には，「例えば，酸化剤は，１０質量％以下，例えば８質量％以下，５質量％以下，３質量％以下，２質量％以下，または１質量％以下の量で存在することができる。別法では，または加えて，酸化剤は，０．０５質量％以上，例えば０．０７質量％以上，０．１質量％以上，０．２５質量％以上，０．５質量％以上，または０．７５質量％以上の量で存在することができる。」と，金属酸化剤の含有量の範囲が例示されているが，この記載は例示であり，金属酸化物の含有量としてその範囲以外のものを排除しているとは認められない。
　以上から，請求人の主張は採用できない。
第７　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。