【事件の表示】
　特願２０１８−１４８２６９「基板処理のための混合プラットフォームの装置，システム，及び方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３１年　１月１０日出願公開，特開２０１９−　　４１５８，請求項の数（１７）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件審判請求に係る出願（以下，「本願」という。）は，２０１４年（平成２６年）　９月２４日（パリ条約による優先権主張　２０１３年　９月２６日，米国）を国際出願日とする特願２０１６−５１７４１６号（以下，「原出願」という。）の一部を，平成３０年　８月　７日に新たな特許出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成３０年　９月　４日　　：翻訳文，手続補正書の提出
令和　１年　８月　６日付け：拒絶理由通知
令和　１年１１月１３日　　：意見書，手続補正書の提出
令和　１年１１月２２日付け：拒絶査定（原査定）
令和　２年　３月２６日　　：審判請求書，手続補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定（令和　１年１１月２２日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
理由１　本願請求項１−１７に係る発明は，以下の引用文献１−４に記載された発明に基いて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
理由２　この出願は，特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
 
引用文献１　国際公開第２０１３／１２００５４号
引用文献２　特開２０１０−７４０７３号公報
引用文献３　特開２００８−２５２０１２号公報
引用文献４　国際公開第２０１２／９０３９５号
第３　本願発明
　本願請求項１−１７に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明１７」という。）は，令和　２年　３月２６日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１７に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１は，以下のとおりの発明である。
「　　【請求項１】
　電子機器製造システムであって，
　移送チャンバ及び前記移送チャンバの側壁を画定する複数のファセットを備えるメインフレームを備え，
　前記複数のファセットのそれぞれが，複数の処理チャンバのうちの１つ又は複数の対応する処理チャンバ又は１つ又は複数のロードロックチャンバに連結されるように構成され，
　前記複数のファセットのうちの第１のファセットに，第１の数の処理チャンバが連結され，
　前記複数のファセットのうちの第２のファセットに，第２の数の処理チャンバが連結され，
前記第２の数が前記第１の数と相違し，
前記複数のファセットの１つに，前記１つ又は複数のロードロックチャンバが連結され，
　前記第１のファセットの第１の開口において，前記第１のファセットに，前記第１の数の処理チャンバのうちの第１の処理チャンバが連結され，前記第１の開口が，前記第１の処理チャンバの第１の幅に等しい第１のファセット−側面の寸法を有し，
　前記第２のファセットの第２の開口において，前記第２のファセットに，前記第２の数の処理チャンバのうちの第２の処理チャンバが連結され，前記第２の開口が，前記第２の処理チャンバの第２の幅に等しい第２のファセット−側面の寸法を有し，前記第２のファセット−側面の寸法が前記第１のファセット−側面の寸法と相違し，
　前記複数の処理チャンバのそれぞれが，基板上への複数の処理のうち同じまたは異なる処理を実行し，前記複数の処理が堆積，酸化，窒化，エッチング，研磨，洗浄またはリソグラフィのうちの１つまたは複数を含む，電子機器製造システム。」
　なお，本願発明２−１１は，本願発明１を減縮した発明である。
　そして，本願発明１２は，概略，本願発明１の「開口」を「基板アクセスポート」と特定するとともに，「第１のファセット−側面の寸法」「第２のファセット−側面の寸法」を「第１のサイズ」，「第２のサイズ」と置き換え，さらに，「ロードロックチャンバ」の構成を限定した発明である。
　また，本願発明１３は，概略，本願発明１の「開口」を「基板アクセスポート」と特定するとともに，「第１のファセット−側面の寸法」「第２のファセット−側面の寸法」を「第１のサイズ」，「第２のサイズ」と置き換え，カテゴリを方法とした発明であり，本願発明１４−１７は本願発明１３を限縮した発明である。
第４　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
（１）　原査定の拒絶の理由において引用された引用文献１には，図面とともに以下の事項が記載されている。（当審注：日本語訳は当審により付記した。また，下線は，参考のために当審で付与したものである。）
「[59]
 Referring to Fig. 1, the processing apparatus, such as for example a semiconductor tool station 100 is shown in accordance with an aspect of the disclosed embodiment.
The tool station 100 generally includes an atmospheric front end 101, one or more vacuum load locks 102 and a vacuum back end 103.
（当審訳；[59] 
図1を参照すると，例えば半導体ツールステーション100等のような処理装置が本発明の一実施形態に従って示されている。
ツールステーション100は，一般に，大気圧フロントエンド101，１つまたは複数の真空ロードロック102と真空バックエンド103を有している。
「[62] 
The vacuum load lock 102 may be located between and connected to the mini-environment 106 and the back end 103.
It is noted that the load lock(s) may be stacked above one another in a substantially vertical row or arranged in a two dimensional array as will be described in greater detail below with respect to Figs. 11A-11C so that the number of load locks can be increased substantially without increasing a footprint of the tool 100.
（当審訳；[62] 
真空ロードロック102は，ミニエンバイロメント106及びバックエンド103との間に位置し，接続される。ロードロック102は，一般には大気圧と真空のスロットバルブを備えている。
ツール100の設置面積を増加させることなく，ロードロックの数を実質的に増加させることができるように，ロードロックは，図11A-11Cに関連して以下により詳細に説明するように，実質的に垂直な列で互いに上に積み重ねられるか，または２次元配列で配置されてもよいことに留意されたい。
「[63] 
The vacuum back end 103 generally includes a transfer chamber 125, one or more processing station(s), generally referred to as processing station(s) 140, and one or more transfer robot(s) 130.
The processing stations 140 may operate on the substrates through various deposition, etching, or other types of processes to form electrical circuitry or other desired structure on the substrates. Typical processes include but are not limited to thin film processes that use a vacuum such as plasma etch or other etching processes, chemical vapor deposition (CVD) , metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) , plasma vapor deposition (PVD) , implantation such as ion implantation, metrology, rapid thermal processing (RTP) , dry strip atomic layer deposition (ALD) , oxidation/diffusion, forming of nitrides, vacuum lithography, epitaxy (EPI), wire bonder and evaporation or other thin film processes that use vacuum pressures.
（当審訳；[63] 
真空バックエンド103は，一般に，トランスファチャンバ125，一般に処理ステーション140で示される１つまたは複数の処理ステーション，１つまたは複数の搬送ロボット130を含んでいる。
処理ステーション140は，種々の蒸着，エッチング，または基板上に電気回路または他の所望の構造を形成するための様々な種類のプロセスを介して基板上に作用することができる。典型的工程は，真空圧を使用するプラズマエッチングまたは他のエッチングプロセス，化学気相堆積(CVD)，有機金属化学気相成長法(MOCVD)，プラズマ気相成長法(PVD)，イオンインプランテーション，計測処理，急速加熱処理(RTP)，ドライストリップ原子層堆積(ALD)法，酸化・拡散，窒化物の形成，真空リソグラフィ，エピタキシャル(EPI)，ワイヤボンダおよび蒸着または他の真空を利用する薄膜プロセスであるが，それらに限定されない。
「[94] Referring to Figs. 11, 12 and 13, in accordance with an aspect of the disclosed embodiment a semiconductor tool station 1100 is shown. In this aspect the tool station 1100 includes a front end 101 including, for example, load port modules 105 and a mini-environment 106 substantially similar to those described above. The tool station also includes a vacuum back end 1103 connected to the front end 101 through one or more load locks 102A, 102B. The back end 1103 may be substantially similar to back end 103 described above, but in this aspect the back end 1103 includes a substantially rectangular transfer chamber 1125. 
One side of the transfer chamber 1125 is connected to the front end 101 through the load locks 102A, 102B and the other sides of the transfer chamber 1125 are connected to any suitable number of processing stations 1140A-1140F. In this aspect there are two processing stations connected to respective sides of the transfer chamber 1125 but in other aspects any suitable number of processing stations may be connected to each of the respective sides.
（当審訳；[94] 図11，図12，図13を参照すると，本発明の一実施形態に係る半導体ツールステーション1100が示されている。この態様によればツールステーション1100は，上述したものとほぼ同様であり，例えば，ロードポートモジュール105，ミニエンバイロメント106を含むフロントエンド101を有している。ツールステーションはまた，1つまたは複数のロードロック102A，102Bを介してフロントエンド101に接続された真空バックエンド1103を有している。バックエンド1103は，上述したバックエンド103に実質的に類似しているが，本実施形態において，バックエンド1103は，実質的に矩形のトランスファチャンバ1125を含んでいる。
トランスファチャンバ1125の一側面は，ロードロック102A，102Bを介してフロントエンド101に接続され，トランスファチャンバ1125の他方の側面は，任意の数の処理ステーション1140A-1140Fに接続されている。本実施形態では，トランスファチャンバ1125の各側面に接続された2個の処理ステーションがあるが，他の態様では，任意の数の処理ステーションをそれぞれの側面の各々に接続することができる。
「[98] 
Referring now to Fig. 13A, a portion of a processing apparatus is shown. As can be seen in the figure, the transfer chamber 1125 has closable ports 1196A-1196H for coupling the process modules, load locks or any other suitable substrate processing equipment to the transfer chamber 1125.
（当審訳；[98] 
ここで図13Aを参照すると，処理装置の一部が示されている。図に見られるように，トランスファチャンバ1125は，プロセスモジュール，ロードロックまたは任意の他の好適な基板処理装置とトランスファチャンバ1125とを連結する閉成自在なポート1196A-1196Hを有している。
「[103] Referring now to Fig. 15 a semiconductor tool station 1500 is illustrated in accordance with an aspect of the disclosed embodiment. The tool station 1500 may be substantially similar to tool station 1100 however one side S1 of the transfer chamber 1525 includes angled surfaces configured so that substrate transfer paths P1, P2 into and out of the respective processing stations the processing stations 1140C, 1140D are angled relative to each other by any suitable angle α. As may be realized more than one side S1-S3 may include angled surfaces substantially similar to those on side S1 to form a multifaceted transfer chamber. One or more transfer robots 1530 substantially similar to those described above may be disposed within the transfer chamber 1525 for transporting substrates through the transfer chamber and between the processing stations and load locks. As noted above, the ability of the transfer arm(s) 214 of the one or more robots 1530 to rotate independently as a unit relative to base arm 220 allows an axis of extension and retraction of the transfer arm to be aligned with the transfer path into and out of any one of the processing stations and load locks regardless of the shape of each wall of the transfer chamber. 
Fig. 18 illustrates a semiconductor tool station 1500' substantially similar to tool station 1500. However, in this aspect shown in Fig. 18 the tool station 1500' includes three load locks 1702A-1702C that are substantially similar to those described above with respect to Figs. 17 and 19. In other aspects the tool station 1500' may include any suitable number of load locks.
（当審訳；[103] ここで図15を参照すると，本発明の一実施形態に従った半導体ツールステーション1500が示されている。ツールステーション1500は，ツールステーション1100と実質的に同様であるが，トランスファチャンバ1525の一辺S1は，それぞれの処理ステーションの処理ステーション1140C，1140Dの内外への基板搬送路P1，P2が，任意の角度αだけ互いに対して傾斜されるように構成された傾斜表面を含む。理解され得るように，１つよりも多い側面S1-S3が，多面トランスファチャンバを形成する側面S1と実質的に同様の傾斜面を含んでいてもよい。上述したものとほぼ同様の１つ以上の搬送ロボット1530は，トランスファチャンバを介して処理ステーションとロードロックとの間で基板を搬送するために，トランスファチャンバ1525内に配置することができる。上述したように，ベースアーム220に対するユニットとして個別に回転する1台以上のロボット1530の搬送アーム214の能力は，搬送アームの伸長および収縮の軸をトランスファチャンバの各壁の形状にかかわらず，処理ステーション，ロードロックのいずれかの搬送経路と位置合わせにすることができる。
図18はツールステーション1500と実質的に同じ半導体ツールステーション1500'を示している。しかるに本態様の図18に示すツールステーション1500'は図17および19に関して上述したものと実質的に同様の３つのロードロック1702A-1702Cを備えている。その他の態様では，ツールステーション1500'は，任意の数のロードロックを含んでもよい。
「FIG.1　 
」
「Fig.13A　 
」
「FIG.18　 
」
(２）ここで，引用文献１に記載されている事項を検討する。
ア　上記[59]の「図1を参照すると，例えば半導体ツールステーション100等のような処理装置が本発明の一実施形態に従って示されている。」との記載，上記[63]の「処理ステーション140は，種々の蒸着，エッチング，または基板上に電気回路または他の所望の構造を形成するための様々な種類のプロセスを介して基板上に作用することができる。」との記載からすると，引用文献１には，「基板上に電気回路または他の所望の構造を形成する」「半導体ツールステーション」が記載されていると解される。
イ　上記[59]の「ツールステーション100は，一般に，大気圧フロントエンド101，１つまたは複数の真空ロードロック102と真空バックエンド103を有している。」との記載，上記[62]の「真空ロードロック102は，ミニエンバイロメント106及びバックエンド103との間に位置し，接続される。」，「ツール100の設置面積を増加させることなく，ロードロックの数を実質的に増加させることができるように，ロードロックは，図11A-11Cに関連して以下により詳細に説明するように，実質的に垂直な列で互いに上に積み重ねられるか，または２次元配列で配置されてもよいことに留意されたい。」との記載，上記FIG.1の記載からすると，引用文献１の「半導体ツールステーション」は，「１つまたは複数のロードロック」を有していると認められる。
ウ　上記[59]の「ツールステーション100は，一般に，大気圧フロントエンド101，１つまたは複数の真空ロードロック102と真空バックエンド103を有している。」との記載，上記[63]の「真空バックエンド103は，一般に，トランスファチャンバ125，一般に処理ステーション140で示される１つまたは複数の処理ステーション，１つまたは複数の搬送ロボット130を含んでいる。」との記載，上記FIG.1の記載からすると，引用文献１の「半導体ツールステーション」は，真空バックエンドに「トランスファチャンバ」，及び，「１つまたは複数の処理ステーション」を含んでいると認められる。
エ　上記[94]の「トランスファチャンバ1125の一側面は，ロードロック102A，102Bを介してフロントエンド101に接続され，トランスファチャンバ1125の他方の側面は，任意の数の処理ステーション1140A-1140Fに接続されている。本実施形態では，トランスファチャンバ1125の各側面に接続された2個の処理ステーションがあるが，他の態様では，任意の数の処理ステーションをそれぞれの側面の各々に接続することができる。」との記載，上記[98]の「ここで図13Aを参照すると，処理装置の一部が示されている。図に見られるように，トランスファチャンバ1125は，プロセスモジュール，ロードロックまたは任意の他の好適な基板処理装置とトランスファチャンバ1125とを連結する閉成自在なポート1196A-1196Hを有している。」との記載，上記Fig.13Aの記載からすると，引用文献１の「トランスファチャンバ」は，複数の「側面」で構成されるとともに，それぞれの「側面」に直接「ポート」が設けられ，「トランスファチャンバ」と，「１つまたは複数の処理ステーション」及び「１つまたは複数のロードロック」とは，それぞれ，「トランスファチャンバ」の「側面」に設けられた「ポート」によって連結されていると認められる。
オ　上記[103]の「図18はツールステーション1500と実質的に同じ半導体ツールステーション1500'を示している。しかるに本態様の図18に示すツールステーション1500'は図17および19に関して上述したものと実質的に同様の３つのロードロック1702A-1702Cを備えている。その他のツールステーション1500'は，任意の数のロードロックを含んでもよい。」との記載，上記FIG.18の記載からすると，引用文献１には，「トランスファチャンバ」の「左側面」には「３つのロードロック」が，「上側面」には「２つの処理ステーション」が，「右上側面」には「１つの処理ステーション」が設けられている実施例が記載されていると認められる。
　ここで，上記エにおいて検討したように，「トランスファチャンバ」と，「１つまたは複数の処理ステーション」及び「１つまたは複数のロードロック」とは，それぞれ，「ポート」により連結されているから，「トランスファチャンバ」の「左側面」には３つの「ポート」が，「トランスファチャンバ」の「上側面」には２つの「ポート」が，「トランスファチャンバ」の「右上側面」には１つの「ポート」が設けられていると認められる。
（３）上記（１），（２）から，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
「　基板上に電気回路または他の所望の構造を形成する半導体ツールステーションであって，
　トランスファチャンバ，１つまたは複数の処理ステーション，１つまたは複数のロードロックを有し，
　トランスファチャンバは複数の側面で構成され，
　トランスファチャンバと，１つまたは複数の処理ステーション，１つまたは複数のロードロックは，それぞれ，トランスファチャンバの側面に直接設けられたポートにより連結され，
　トランスファチャンバの左側面には３つのロードロックが設けられ，上側面には２つの処理ステーションが設けられ，右上側面には１つの処理ステーションが設けられ，
　トランスファチャンバの左側面には３つのポートが設けられ，トランスファチャンバの上側面には２つのポートが設けられ，トランスファチャンバの右上側面には１つのポートが設けられ，
　処理ステーションは，種々の蒸着，エッチング，または基板上に電気回路または他の所望の構造を形成するための様々な種類のプロセスを介して基板上に作用することができる，
　半導体ツールステーション。」
２　その他の文献について
（１）　原査定の拒絶の理由において引用された引用文献２の図１，引用文献３の図１，引用文献４の図９には，「１つのシステムに異なる寸法の処理ステーションを連結する技術。」が記載されていると認められる。
（２）原出願の出願前に公開された特表２００１−５０９６４７号公報（２００１年（平成１３年）７月２４日公開，以下「参考文献」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００５】
　搬送チャンバのようなある種のチャンバの側部にあるスリットバルブ用の実際の開口は，一般的な矩形穴であることが典型的であり，これは，どのチャンバのスリットバルブとも実際に適合するものではない。従って，搬送チャンバの開口をプロセス室の特定の開口と適合させるために，スリットバルブインサートが搬送チャンバの一般的な開口に挿入される。このインサートは，それが取り付けられるプロセス室と適合する開口を有する．即ち，スリットバルブインサートはチャンバ間のアダプタである。
【０００６】
　
また，異なるプロセス室は異なる形状及び大きさの開口を有する。従って，異なるスリットバルブインサートが同じ搬送チャンバのスリットバルブ開口において用いられる。
【０００７】
　
図１は，搬送チャンバ１２のスリットバルブ開口２６に挿入する直前の，或いはそこから取り外した直後のスリットバルブインサート２の例を示している。インサート２は，ウェハが通過する開口４と，プロセス室に押し付けられる前面５とを有する。
「【図１】
」
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
ア　引用発明の「半導体ツールステーション」は，「基板上に電気回路または他の所望の構造を形成する」ものであるから，本願発明１の「電子機器製造システム」に対応するものである。
イ　引用発明の「トランスファチャンバ」は本願発明１の「移送チャンバ」に相当することは明らかであり，引用発明の「トランスファチャンバ」の複数の「側面」と，本願発明１の「移送チャンバ」の側壁を画定する複数の「ファセット」とは，「移送チャンバ」の「側面」である点で一致する。
　そして，引用発明の「トランスファチャンバ」とトランスファチャンバの「側面」とを合わせたものが，本願発明１の「メインフレーム」に対応するといえる。
ウ　引用発明の「処理ステーション」は，「種々の蒸着，エッチング，または基板上に電気回路または他の所望の構造を形成するための様々な種類のプロセスを介して基板上に作用することができる」ものであるから，本願発明１の「処理チャンバ」と，「基板上への複数の処理のうち同じまたは異なる処理を実行し，前記複数の処理が堆積，酸化，窒化，エッチング，研磨，洗浄またはリソグラフィのうちの１つまたは複数を含む」点で一致する。
エ　引用発明の「ロードロック」は，本願発明１の「ロードロックチャンバ」に相当する。
　そして，引用発明の「トランスファチャンバの左側面には３つのロードロックが設けられ」ることは，本願発明１の「前記複数のファセットの１つに，前記１つ又は複数のロードロックチャンバが連結され」ることと，「前記複数の側面の１つに，前記１つ又は複数のロードロックチャンバが連結され」る点で一致する。
オ　引用発明の「上側面には２つの処理ステーションが設けられ，右上側面には１つの処理ステーションが設けられ」ることは，本願発明１の「前記複数のファセットのうちの第１のファセットに，第１の数の処理チャンバが連結され，前記複数のファセットのうちの第２のファセットに，第２の数の処理チャンバが連結され，前記第２の数が前記第１の数と相違」することと，「前記複数の側面のうちの第１の側面に，第１の数の処理チャンバが連結され，前記複数の側面のうちの第２の側面に，第２の数の処理チャンバが連結され，前記第２の数が前記第１の数と相違」する点で一致する。
カ　引用発明の「トランスファチャンバ」の「側面」に設けられた「ポート」は，本願発明１の「開口」に対応する。
　そして，引用発明の「ポート」は，「トランスファチャンバ」と，「処理ステーション」とを連結するものであるから，引用発明の「トランスファチャンバの上側面には２つのポートが設けられ，トランスファチャンバの右上側面には１つのポートが設けられ」ることは，本願発明１の「前記第１のファセットの第１の開口において，前記第１のファセットに，前記第１の数の処理チャンバのうちの第１の処理チャンバが連結され，前記第１の開口が，前記第１の処理チャンバの第１の幅に等しい第１のファセット−側面の寸法を有し，前記第２のファセットの第２の開口において，前記第２のファセットに，前記第２の数の処理チャンバのうちの第２の処理チャンバが連結され，前記第２の開口が，前記第２の処理チャンバの第２の幅に等しい第２のファセット−側面の寸法を有」することと，「前記第１の側面の第１の開口において，前記第１の側面に，前記第１の数の処理チャンバのうちの第１の処理チャンバが連結され」，「前記第２の側面の第２の開口において，前記第２の側面に，前記第２の数の処理チャンバのうちの第２の処理チャンバが連結され」る点で一致する。
（２）一致点・相違点
　以上から，本願発明１と引用発明とは，以下の点で一致し，また，以下の点で相違する。
（一致点）
「　電子機器製造システムであって，
　移送チャンバ及び前記移送チャンバの複数の側面を備えるメインフレームを備え，
　前記複数の側面のそれぞれが，複数の処理チャンバのうちの１つ又は複数の対応する処理チャンバ又は１つ又は複数のロードロックチャンバに連結されるように構成され，
　前記複数の側面のうちの第１の側面に，第１の数の処理チャンバが連結され，
　前記複数の側面のうちの第２の側面に，第２の数の処理チャンバが連結され，
前記第２の数が前記第１の数と相違し，
前記複数の側面の１つに，前記１つ又は複数のロードロックチャンバが連結され，
　前記第１の側面の第１の開口において，前記第１のファセットに，前記第１の数の処理チャンバのうちの第１の処理チャンバが連結され，
　前記第２の側面の第２の開口において，前記第２のファセットに，前記第２の数の処理チャンバのうちの第２の処理チャンバが連結され，
　前記複数の処理チャンバのそれぞれが，基板上への複数の処理のうち同じまたは異なる処理を実行し，前記複数の処理が堆積，酸化，窒化，エッチング，研磨，洗浄またはリソグラフィのうちの１つまたは複数を含む，電子機器製造システム。」
（相違点１）移送チャンバの側面について，本願発明１は，移送チャンバの側面が，側壁を画定する複数の「ファセット」により構成されるのに対し，引用発明の側面はそのように特定されていない点。
（相違点２）第１，２の開口について，本願発明１は，「前記第１の開口が，前記第１の処理チャンバの第１の幅に等しい第１のファセット−側面の寸法を有し」，「前記第２の開口が，前記第２の処理チャンバの第２の幅に等しい第２のファセット−側面の寸法を有し」，かつ，前記第２のファセット−側面の寸法が前記第１のファセット−側面の寸法と相違し」ているのに対し，引用発明はそのように特定されていない点。
（３）相違点についての判断
ア　相違点２について
　事案に鑑みて上記相違点２について先に検討する。
　引用発明には，移送チャンバの開口について，その寸法をどのようにするのか，何ら特定されていない。
　ここで，参考文献の段落０００６には「また，異なるプロセス室は異なる形状及び大きさの開口を有する。従って，異なるスリットバルブインサートが同じ搬送チャンバのスリットバルブ開口において用いられる。」と，異なる「プロセス室」（本願発明１の「処理チャンバ」に対応する。）が異なる大きさの開口を有する点は記載されているが，「搬送チャンバ」（本願発明１の「移送チャンバ」に対応する。）の開口の大きさについては何ら記載されていない。
　また，参考文献の段落０００７及び図１には「搬送チャンバ１２」が「スリットバルブ開口２６」を有すること，及び，「スリットバルブインサート２」が「ウェハが通過する開口４」を有することは記載されていると認められるが，「スリットバルブ開口２６」及び「ウェハが通過する開口４」の寸法については何ら記載されていない。
　そして，移送チャンバの開口について，その寸法を上記相違点２のように特定することは，引用文献２−４にも何ら記載されておらず，また，原出願の出願前に周知技術であったともいえない。
イ　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用発明及び引用文献２−４，参考文献に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２−１１について
　本願発明２−１１は，本願発明１を減縮した発明であり，本願発明１の相違点２に係る構成と同様の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明及び引用文献２−４，参考文献に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
３　本願発明１２について
　本願発明１２は，概略，本願発明１の「開口」を「基板アクセスポート」と特定するとともに，「第１のファセット−側面の寸法」「第２のファセット−側面の寸法」を「第１のサイズ」，「第２のサイズ」と置き換え，さらに，「ロードロックチャンバ」の構成を限定した発明であり，本願発明１における相違点２と同様の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明及び引用文献２−４，参考文献に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
４　本願発明１３−１７について
　本願発明１３−１７は，概略，本願発明１の「開口」を「基板アクセスポート」と特定するとともに，「第１のファセット−側面の寸法」「第２のファセット−側面の寸法」を「第１のサイズ」，「第２のサイズ」と置き換え，カテゴリを方法とした発明であり，本願発明１と同様の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明及び引用文献２−４，参考文献に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
第６　原査定について
１　理由１について
　本願発明１−１７は，上記「第５　対比・判断」の「１　本願発明１について」の「（１）対比」における相違点２に係る構成を有するものとなっており，拒絶査定において引用された引用文献１−４に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。
　したがって，原査定の理由１を維持することはできない。
２　理由２について
　補正前の請求項１，７−９に記載された「第１のファセット−側面の寸法」，「第２のファセット−側面の寸法」，「第３のファセット−側面の寸法」がどの部分の寸法を指すのか，不明であるとした拒絶の理由は，補正後の請求項１において，「前記第１のファセットの第１の開口において，前記第１のファセットに，前記第１の数の処理チャンバのうちの第１の処理チャンバが連結され，前記第１の開口が，前記第１の処理チャンバの第１の幅に等しい第１のファセット−側面の寸法を有し，前記第２のファセットの第２の開口において，前記第２のファセットに，前記第２の数の処理チャンバのうちの第２の処理チャンバが連結され，前記第２の開口が，前記第２の処理チャンバの第２の幅に等しい第２のファセット−側面の寸法を有し，」と，補正後の請求項７において，「前記複数のファセットのうちの第３のファセットの第３の開口において，前記第３のファセットに，前記複数の処理チャンバのうちの第３の処理チャンバが連結され，前記第３の開口が前記第３の処理チャンバの第３の幅に等しい第３のファセット−側面の寸法を有し，」と補正されることにより，解消した。
　したがって，原査定の理由２を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。