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【手続補正書】
【提出日】平成31年3月22日(2019.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
治療有効量のプリン骨格の化合物を含む、神経変性疾患の処置のための医薬であって、  該プリン骨格の化合物が、
式
【化１】
2019038829.tif 000001
で表されるＰＵ−ＢＳＩ１２、
式
【化２】
2019038829.tif 000002
で表されるＰＵ−ＢＳ１８、
式
【化３】
2019038829.tif 000003
で表されるＰＵ−ＢＳＩ６、
式
【化４】
2019038829.tif 000004
で表されるＰＵ−ＢＳＩ１１、
式
【化５】
2019038829.tif 000005
で表されるＰＵ−ＢＳＩ７、
式
【化６】
2019038829.tif 000006
で表されるＰＵ−ＢＳＩ１３、
式
【化７】
2019038829.tif 000007
で表されるＰＵ−ＢＳＩ１４、
式
【化８】
2019038829.tif 000008
で表されるＰＵ−ＢＳＩ５、
式
【化９】
2019038829.tif 000009
で表されるＰＵ−ＨＺ１５０、
式
【化１０】
2019038829.tif 000010
で表されるＰＵ−ＨＺ１５１、
式
【化１１】
2019038829.tif 000011
で表されるＰＵ−ＤＺ１３、
式
【化１２】
2019038829.tif 000012
で表されるＰＵ−ＤＺ１４、及び
式
【化１３】
2019038829.tif 000013
で表されるＰＵＤＺ−１６
からなる群から選択され、
該神経変性疾患が、完全型アンドロゲン不応症（ＣＡＩＳ）、球脊髄性筋萎縮症（ＳＢＭＡ又はＫｅｎｎｅｄｙ病）、筋萎縮性側索硬化症、パーキンソニズムを伴う孤発性前頭側頭型認知症（ＦＴＤＰ）、家族性ＦＴＤＰ−１７症候群、パーキンソン病及びハンチントン病からなる群から選択される、上記医薬。
【請求項２】
前記化合物がＰＵ−ＨＺ１５０である、請求項１に記載の医薬。
【請求項３】
前記化合物がＰＵ−ＨＺ１５１である、請求項１に記載の医薬。
【請求項４】
前記化合物がＰＵ−ＢＳＩ５である、請求項１に記載の医薬。
【請求項５】
前記化合物がＰＵ−ＤＺ１３である、請求項１に記載の医薬。
【請求項６】
前記化合物がＰＵ−ＤＺ１４である、請求項１に記載の医薬。
【請求項７】
前記化合物がＰＵ−ＢＳＩ１１である、請求項１に記載の医薬。
【請求項８】
前記神経変性疾患が筋萎縮性側索硬化症である、請求項３に記載の医薬。
【請求項９】
前記神経変性疾患がパーキンソン病である、請求項３に記載の医薬。
【請求項１０】
前記神経変性疾患が完全型アンドロゲン不応症（ＣＡＩＳ）である、請求項３に記載の医薬。
【請求項１１】
前記神経変性疾患が球脊髄性筋萎縮症（ＳＢＭＡ又はＫｅｎｎｅｄｙ病）である、請求項３に記載の医薬。
【請求項１２】
前記神経変性疾患がパーキンソニズムを伴う孤発性前頭側頭型認知症（ＦＴＤＰ）である、請求項３に記載の医薬。
【請求項１３】
前記神経変性疾患が家族性ＦＴＤＰ−１７症候群である、請求項３に記載の医薬。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月4日(2019.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一級アミンを製造する方法において、少なくとも１種のニトリルを装置（Ｖ１）にてコバルト完全接触触媒の存在下で水素化して、少なくとも１種の第一級アミンを獲得し、ここで少なくとも１種の化合物（Ｉ）が、繰り返し又は連続的に装置（Ｖ１）に添加され、化合物（Ｉ）が、アルカリ金属から選択される少なくとも１種の成分を含有し、水素化が、アンモニアの不在下で実施されることを特徴とする前記方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、化合物（Ｉ）を酸化物、水酸化物、若しくは塩の形態で使用すること、又は化合物（Ｉ）を水溶液として使用することを特徴とする前記方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、リチウム、カリウム、又はセシウムの酸化物、水酸化物、又は塩の水溶液を使用することを特徴とする前記方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法において、水酸化リチウムの水溶液を使用することを特徴とする前記方法。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか一項に記載の方法において、
ｉ）水素化に使用されるニトリルが水を０．０１〜１０質量％含有すること、又は
ｉｉ）副生成物として形成される第二級アミンの割合が０．５ＧＣ面積％より大きくなり次第、化合物（Ｉ）を装置（Ｖ１）に添加すること、又は
ｉｉｉ）触媒負荷が、触媒１Ｌ及び１時間あたり０．０１〜１０ｋｇの出発物質である場合に、装置（Ｖ１）中で副生成物として形成される第二級アミンの割合が０．５ＧＣ面積％より大きくなり次第、装置（Ｖ１）に化合物（Ｉ）を添加することを介して、水素化混合物に、装置（Ｖ１）中のニトリルグラム原子を基準として０．０１〜５００ｐｐｍのアルカリ金属が添加されること
を特徴とする前記方法。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか一項に記載の方法において、装置（Ｖ１）が反応器であり、その空塔速度が、反応器の断面積１ｍ２及び１秒あたり５〜５０ｋｇの流量であることを特徴とする前記方法。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか一項に記載の方法において、水素化が１〜３００ｂａｒの圧力で実施されることを特徴とする前記方法。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか一項に記載の方法において、コバルト完全接触触媒が、装置（Ｖ１）で固定床触媒として使用されることを特徴とする前記方法。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか一項に記載の方法において、ニトリルが、脂肪族モノニトリル、脂肪族ジニトリル、若しくは脂肪族トリニトリル、脂環式モノニトリル若しくは脂環式ジニトリル、α−アミノニトリル、β−アミノニトリル、若しくはω−アミノニトリル、又はアルコキシニトリルであることを特徴とする前記方法。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか一項に記載の方法において、
ｉ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアミン（ＤＭＡＰＡ）を製造するためにＮ，Ｎ−ジメチルアミノプロピオニトリル（ＤＭＡＰＮ）を使用すること、又は
ｉｉ）イソホロンジアミンを製造するためにイソホロンニトリルイミンを使用すること、又は
ｉｉｉ）ヘキサメチレンジアミン（ＨＭＤ）を製造するために、又は６−アミノカプロニトリル（６−ＡＣＮ）及びＨＭＤを製造するためにアジポジニトリル（ＡＤＮ）を使用すること
を特徴とする前記方法。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか一項に記載の方法において、コバルト完全接触触媒が、少なくとも７０質量％、触媒活性物質から成ることを特徴とする前記方法。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか一項に記載の方法において、コバルト完全接触触媒が、少なくとも８０質量％、触媒活性物質から成ることを特徴とする前記方法。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれか一項に記載の方法において、コバルト完全接触触媒が、触媒活性物質として成分ｉ）、及び任意で成分ｉｉ）、又は成分ｉｉｉ）を含み、ここでこれらの成分が
ｉ）コバルト（Ｃｏ）、
ｉｉ）任意で、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及び白金（Ｐｔ）から選択される少なくとも１種のさらなる元素、又は
ｉｉｉ）任意で、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、スズ（Ｓｎ）、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、及びリン（Ｐ）から選択される少なくとも１種の助触媒
であることを特徴とする前記方法。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか一項に記載の方法において、コバルト完全接触触媒の触媒活性物質が、コバルト５５〜９８質量％、リン０．２〜１５質量％、マンガン０．２〜１５質量％、及びアルカリ金属０．２〜１５質量％から成る（水素で還元する前のＣｏＯ、Ｈ３ＰＯ４、ＭｎＯ２、又はアルカリ金属酸化物として計算）ことを特徴とする前記方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法において、触媒物質を第一工程にて５５０〜７５０℃の最終温度で、第二工程にて８００〜１０００℃の最終温度で焼成することによりコバルト完全接触触媒を製造することを特徴とする前記方法。
【請求項１６】
請求項１から１５までのいずれか一項に記載の方法において、コバルト完全接触触媒が、最大５０ｍ２／ｇの表面積を有することを特徴とする前記方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法において、コバルト完全接触触媒が、最大４０ｍ２／ｇの表面積を有することを特徴とする前記方法。
【請求項１８】
請求項１から１７までのいずれか一項に記載の方法において、流（Ｓ１）が装置（Ｖ１）から排出され、ここで流（Ｓ１）が第一級アミンを含有し、かつ流（Ｓ１）が少なくとも部分的に装置（Ｖ１）に返送されることを特徴とする前記方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法において、まず化合物（Ｉ）が流（Ｓ１）の返送部分流に添加され、流（Ｓ１）の構成要素として装置（Ｖ１）に送り込まれることを特徴とする前記方法。
【請求項２０】
請求項１８に記載の方法において、化合物（Ｉ）が水溶液として流（Ｓ１）の返送部分流に添加されることを特徴とする前記方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月14日(2019.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱膨張性シートに光を照射することにより前記熱膨張性シートを加熱する光照射手段と、
前記光照射手段の周囲の温度を計測する温度センサを備え、
前記熱膨張性シートへの光の照射に先立って、
前記光照射手段は、
前記温度センサによる温度が第１温度未満である場合、光を照射し、
前記温度センサによる温度が第２温度以上になった場合、前記光の照射を停止する、
ことを特徴とする立体画像形成システム。
【請求項２】
前記光の照射の停止後、前記温度センサによる温度が第３温度以下になった場合、前記光照射手段は光を照射する、
ことを特徴とする請求項１に記載の立体画像形成システム。
【請求項３】
前記光照射手段に送風するファンを備え、
前記ファンは、前記温度センサによる温度が前記第２温度以上になった場合に送風をし、
前記温度センサによる温度が前記第３温度以下になった場合に前記送風を停止する、
ことを特徴とする請求項２に記載の立体画像形成システム。
【請求項４】
前記第１温度と前記第３温度とが等しい温度に設定されている、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の立体画像形成システム。
【請求項５】
室温の温度を計測する室温センサと、
搬送路に沿って熱膨張性シートを搬送する搬送手段と、
前記搬送手段の動作を制御する搬送制御手段と、を備え、
前記搬送制御手段は、前記室温センサによる室温に基づいて、前記搬送制御手段が前記熱膨張性シートを搬送する速度を制御する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の立体画像形成システム。
【請求項６】
熱膨張性シートに光を照射することにより前記熱膨張性シートを加熱する光照射手段と、前記光照射手段の周囲の温度を計測する温度センサを制御するコンピュータに、
前記熱膨張性シートへの光の照射に先立って、
前記温度センサによる温度が第１温度未満である場合、前記光照射手段に光を照射させ、
前記温度センサによる温度が第２温度以上になった場合、前記光照射手段に前記光の照射を停止させる、
ことを特徴とするプログラム。
【請求項７】
コンピュータに、
前記光の照射の停止後、前記温度センサによる温度が第３温度以下になった場合、前記光照射手段に光を照射させる、
ことを特徴とする請求項６に記載のプログラム。
【請求項８】
コンピュータに、
前記温度センサによる温度が前記第２温度以上になった場合に、前記光照射手段に送風するファンに送風させ、
前記温度センサによる温度が前記第３温度以下になった場合に前記送風を停止させる、
ことを特徴とする請求項７項に記載のプログラム。
【請求項９】
前記第１温度と前記第３温度とが等しい温度に設定されている、
ことを特徴とする請求項７又は８に記載のプログラム。
【請求項１０】
コンピュータを、
搬送路に沿って熱膨張性シートを搬送する搬送手段を制御する搬送制御手段として機能させ、
前記搬送制御手段は、室温センサによる室温に基づいて、前記熱膨張性シートを搬送する速度を制御する、
ことを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載のプログラム。
【請求項１１】
所定の発光手段による発光開始に先立って所定の検出手段により検出された前記発光手段の周囲の温度が所定の第１温度よりも低い場合に、前記検出手段により検出される前記発光手段の周囲の温度が前記発光手段による発光に伴って前記第１温度よりも高い第２温度に上昇するまで前記発光手段を発光させ、その後、前記発光手段による発光を停止させる第１ステップと、
前記検出手段により検出される前記発光手段の周囲の温度が前記第１ステップでの前記発光手段による発光の停止に伴って前記第２温度よりも低い第３温度まで低下した場合に、加熱されることにより膨張する膨張層上に光熱変換層が設けられた熱膨張性シートに向けた前記発光手段による発光を開始する第２ステップと、
を有することを特徴とする造形物の製造方法。
【請求項１２】
前記第１温度と前記第３温度とが等しい温度に設定されている、
ことを特徴とする請求項１１に記載の造形物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】立体画像形成システム、プログラム及び造形物の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、熱膨張性シートに立体画像を形成する立体画像形成システム、プログラム及び造形物の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る立体画像形成システムは、熱膨張性シートに光を照射することにより前記熱膨張性シートを加熱する光照射手段と、前記光照射手段の周囲の温度を計測する温度センサを備え、前記光照射手段は、前記温度センサによる温度が第１温度未満である場合、光を照射し、前記温度センサによる温度が第２温度以上になった場合、前記光の照射を停止する、ことを特徴とする。
また、本発明に係るプログラムは、熱膨張性シートに光を照射することにより前記熱膨張性シートを加熱する光照射手段と、前記光照射手段の周囲の温度を計測する温度センサを制御するコンピュータに、前記温度センサによる温度が第１温度未満である場合、前記光照射手段に光を照射させ、前記温度センサによる温度が第２温度以上になった場合、前記光照射手段に前記光の照射を停止させる、ことを特徴とする。
また、本発明に係る造形物の製造方法は、所定の発光手段による発光開始に先立って所定の検出手段により検出された前記発光手段の周囲の温度が所定の第１温度よりも低い場合に、前記検出手段により検出される前記発光手段の周囲の温度が前記発光手段による発光に伴って前記第１温度よりも高い第２温度に上昇するまで前記発光手段を発光させ、その後、前記発光手段による発光を停止させる第１ステップと、前記検出手段により検出される前記発光手段の周囲の温度が前記第１ステップでの前記発光手段による発光の停止に伴って前記第２温度よりも低い第３温度まで低下した場合に、加熱されることにより膨張する膨張層上に光熱変換層が設けられた熱膨張性シートに向けた前記発光手段による発光を開始する第２ステップと、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月29日(2019.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱源と接触する熱伝導性の第１の壁と前記熱源と非接触の第２の壁とを有する密閉容器と、
前記密閉容器に封入される相変化蓄熱材と、
一端が前記第１の壁に対応する第１の内壁部と連結し、他端が前記第２の壁に対応する第２の内壁部と連結し、かつ前記相変化蓄熱材に接触する第１の熱伝導部と、
を有する蓄熱ユニット。
【請求項２】
前記第１の熱伝導部と交差する交点で連結する第２の熱伝導部を有する請求項１に記載の蓄熱ユニット。
【請求項３】
前記第２の熱伝導部の一端及び他端の少なくとも一方が、前記密閉容器の内壁部と連結する請求項２に記載の蓄熱ユニット。
【請求項４】
前記第１の内壁部、前記第１の熱伝導部及び前記第２の内壁部は、一体的に形成されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の蓄熱ユニット。
【請求項５】
前記第１の熱伝導部及び前記第２の熱伝導部のうちの少なくとも一方の一部は、柱状又は線状である請求項２〜４のいずれか１項に記載の蓄熱ユニット。
【請求項６】
前記第１の熱伝導部及び前記第２の熱伝導部は、３次元網目構造体を形成している請求項２〜５のいずれか１項に記載の蓄熱ユニット。
【請求項７】
前記第１の熱伝導部および前記第２の熱伝導部を、それぞれ複数有し、複数の前記第１の熱伝導部はそれぞれ、複数の前記第２の熱伝導部と交差する交点で連結する請求項２〜６のいずれか１項に記載の蓄熱ユニット。
【請求項８】
前記複数の第２の熱伝導部の数密度が、前記複数の第１の熱伝導部の数密度よりも小さい請求項７に記載の蓄熱ユニット。
【請求項９】
密閉容器と、
前記密閉容器に封入される相変化蓄熱材と、
複数の線状又は柱状の熱伝導部が互いに連結されることにより形成され、前記線状の熱伝導部の一部が、前記相変化蓄熱材に接触し、前記線状の熱伝導部の少なくとも一端が前記密閉容器の内壁部に連結する３次元網目構造体と、
を有する蓄熱ユニット。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月26日(2019.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水性媒体中におけるポリマーの塩化プロセスであって、前記プロセスは次の手順より構成される：
閉鎖容器にポリマー粉体と水を充填して懸濁液を作る
前記の懸濁液を含むこの閉鎖反応炉に、0.5〜2 barの範囲の圧力に至るまで塩素ガスを注入し、反応混合物を得る
前記の反応混合物を攪拌してスラリーを得る
塩素分子を塩素基に二段階で分解する
・所定強度と波長の光線を前記のスラリーに照射して塩素分子の第一部分を５０℃〜６０℃の第一所定温度と所定圧力下で分解する
・次に塩素分子第二部分を、前記スラリー温度を第一所定温度から７０℃〜１００℃の第二所定温度へ段階的に上げて、塩素分子を塩素基に分解させつつ光線の強度を段階的に0まで下げる
前記の分解された塩素基を前記のポリマーと反応させ、塩化ポリマーを含む混合物を得て、
前記の塩化ポリマーを回収する。
ここに、前記プロセスは膨潤剤、分散剤や開始剤を使用せずに行われる。
【請求項２】
請求項1で請求されるプロセスであって、ここに、前記のポリマーはポリ塩化ビニル、ポリブタジエンゴム、ネオジミウムブタジエンゴム、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンからなる群から選択される少なくとも一つのものである。
【請求項３】
請求項1で請求されるプロセスであって、ここに、前記光線の波長が250〜550nmの範囲である。
【請求項４】
請求項1で請求されるプロセスであって、ここに、前記光線の強度が3 W/ Kg PVC〜10 W/ Kg PVCの範囲である。
【請求項５】
請求項1で請求されるプロセスであって、ここに、温度を段階的に上げて光線の強度を段階的に下げる手順は、1時間から8時間の間で行う。
【請求項６】
請求項1で請求されるプロセスであって、ここに、前記塩化ポリマーは固有粘度が0.1〜0.2 dL/g,の範囲、固有粘度が0.8〜0.82 dL/gの範囲にあることによって特徴づけられる。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月26日(2019.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極と、前記電極が挿入されるノズルと、を有するプラズマ切断用のプラズマトーチに用いられ、前記電極と前記ノズルとを連結するための樹脂製の絶縁ガイドであって、
前記絶縁ガイドの内部に形成された第１内周面と、
前記絶縁ガイドの内部に形成され、前記第１内周面よりも小さな内径を有する第２内周面と、
前記第１内周面の内部の空間と外部とを連結し、前記絶縁ガイドの軸線方向に対して傾斜した方向に延びる連通路と、
前記第１内周面に形成された耐熱被膜と、
を備えるプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項２】
前記耐熱被膜は、セラミック系材料からなる、
請求項１に記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項３】
前記耐熱被膜は、窒化ホウ素（ボロンナイトライド）からなる、
請求項１に記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項４】
前記連通路は、前記絶縁ガイドの周方向と径方向とに対して傾斜している、
請求項１から３のいずれかに記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項５】
前記絶縁ガイドの前記軸線方向に対する前記連通路の傾斜角度は、３０度以上、６０度以下である、
請求項１から４のいずれかに記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項６】
前記絶縁ガイドは、連続使用温度が１００℃以上の樹脂製である、
請求項１から５のいずれかに記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項７】
前記第１内周面と前記第２内周面との間に配置される内側段部をさらに備え、
前記連通路は、前記内側段部に接続される、
請求項１から６のいずれかに記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項８】
前記第２内周面は、前記電極の外周面に係止する凹凸形状を有する、
請求項１から７のいずれかに記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項９】
前記絶縁ガイドの軸線方向から見て、前記連通路の軸線は、前記連通路の軸線と平行であり且つ前記絶縁ガイドの中心を通る直線から所定距離、離れている、
請求項１から８のいずれかに記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項１０】
前記連通路は、前記絶縁ガイドの軸線方向における中心よりも基端側の位置において前記絶縁ガイドの外部に接続される、
請求項１から９のいずれかに記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項１１】
前記第１内周面の内径は、前記ノズルの内径よりも大きい、
請求項１から１０のいずれかに記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項１２】
前記第１内周面の内径は、前記ノズルの内径と略同じである、
請求項１から１０のいずれかに記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項１３】
複数の前記連通路を備え、
複数の前記連通路は、前記絶縁ガイドの周方向において等間隔に配置される、
請求項１から１２のいずれかに記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項１４】
前記ノズルの内周面に接合される第１外周面と、
前記第１外周面の基端側に位置する第２外周面と、
前記第２外周面の基端側に位置する第３外周面と、
をさらに備える、
請求項１から１３のいずれかに記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項１５】
前記第１外周面の外径は、前記第２外周面の外径よりも大きい、
請求項１４に記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項１６】
前記第１外周面は、前記ノズルの前記内周面に係止する凹凸形状を有する、
請求項１４又は１５に記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項１７】
前記第３外周面の外径は、前記第２外周面の外径よりも小さい、
請求項１４から１６のいずれかに記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項１８】
前記第２外周面と前記第３外周面との間に配置される外側段部をさらに備え、
前記連通路は、前記外側段部に接続される、
請求項１７に記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項１９】
前記第３外周面は、前記プラズマトーチのガス通路内に配置される、
請求項１８に記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項２０】
前記第２外周面は、Ｏリングと接触するシール面を有する、
請求項１４から１９のいずれかに記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項２１】
前記第２外周面において前記シール面よりも先端側の部分は、前記プラズマトーチの冷却水通路内に配置される、
請求項２０に記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項２２】
前記絶縁ガイドの軸線方向において、前記第１外周面は、前記第２外周面より短い、
請求項１４から２１のいずれかに記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項２３】
前記絶縁ガイドの軸線方向において、前記第２外周面は、前記第３外周面より長い、
請求項１４から２２のいずれかに記載のプラズマトーチ用絶縁ガイド。
【請求項２４】
酸素プラズマ切断用のプラズマトーチに用いられる交換部品ユニットであって、
ハフニウム製の電極材料を有する電極と、
請求項１から２３のいずれかに記載の絶縁ガイドと、
前記絶縁ガイドが挿入される孔を有し、前記絶縁ガイドと圧入又は接着により接合されるノズルと、
を備えるプラズマトーチ用交換部品ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月26日(2019.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース部と電極とを有するプラズマ切断用のプラズマトーチに用いられ、前記電極に挿入され、前記電極内に冷却水を供給するためのセンタパイプであって、
前記ベース部を介して前記プラズマトーチ外の電源と電気的に接続され、冷却水通路を内部に有し、導電体で形成されたパイプ本体と、
前記パイプ本体の外周面に設けられ、前記電極の内周面に接触することで前記電極に通電され、前記パイプ本体の径方向に押圧されることで反力を生じるように弾性を有し、導電体で形成された接触子と、
を備えるプラズマトーチ用センタパイプ。
【請求項２】
前記接触子は、前記パイプ本体と別体であり、前記パイプ本体の外周面に取り付けられる、
請求項１に記載のプラズマトーチ用センタパイプ。
【請求項３】
前記パイプ本体の外周面は、前記接触子が取り付けられる凹部を有する、
請求項２に記載のプラズマトーチ用センタパイプ。
【請求項４】
前記接触子は、
第１環部と、
前記接触子の軸線方向に前記第１環部から離れて配置される第２環部と、
前記第１環部と前記第２環部とを連結し、前記接触子の径方向外方に向かって膨出する複数の湾曲部と、
を有する、
請求項１から３のいずれかに記載のプラズマトーチ用センタパイプ。
【請求項５】
前記接触子は、複数の前記湾曲部の間に設けられ、前記接触子の軸線方向に延びる複数のスリットを有する、
請求項４に記載のプラズマトーチ用センタパイプ。
【請求項６】
電極と、前記電極に挿入され前記電極内に冷却水を供給するための冷却水通路を内部に有するパイプ本体と、を有するプラズマ切断用のプラズマトーチに用いられる接触子であって、
前記パイプ本体の外周面に取り付けられる取付部と、
前記電極の内周面に接触させるための接触部と、
を備えるプラズマトーチ用接触子。
【請求項７】
前記接触部は、前記接触子の径方向に押圧されることで反力を生じるように弾性を有する、
請求項６に記載のプラズマトーチ用接触子。
【請求項８】
前記取付部は、
第１環部と、
前記接触子の軸線方向に前記第１環部から離れて配置される第２環部と、
を有し、
前記接触部は、
前記第１環部と前記第２環部とを連結し、前記接触子の径方向外方に向かって膨出する複数の湾曲部
を有する、
請求項６又は７に記載のプラズマトーチ用接触子。
【請求項９】
前記接触部は、
複数の前記湾曲部の間に設けられ、前記接触子の軸線方向に延びる複数のスリットをさらに有する、
請求項８に記載のプラズマトーチ用接触子。
【請求項１０】
請求項１から５のいずれかに記載の前記センタパイプと、
前記センタパイプが挿入される内部通路を有する電極と、
を備え、
前記内部通路の内周面の少なくとも一部は、前記センタパイプに設けられ弾性を有する接触子と接触する第１通電面を形成する、
を備えるプラズマトーチ。
【請求項１１】
前記電極の基端面は、第２通電面を含む、
請求項１０に記載のプラズマトーチ。
【請求項１２】
前記電極の基端の端面は、前記内部通路の入口を含み、
前記内部通路の内周面は、前記内部通路の前記入口に向かって径方向に拡大するテーパ部を含む、
請求項１０又は１１に記載のプラズマトーチ。
【請求項１３】
前記第１通電面は、前記テーパ部の先端側において前記テーパ部に隣接して配置される、
請求項１２に記載のプラズマトーチ。
【請求項１４】
前記電極の先端を含む電極本体部と、
前記電極の基端を含み、前記電極本体部よりも大きな外径を有するフランジ部と、
を備え、
前記電極の軸線方向において、前記テーパ部は、前記フランジ部よりも短い、
請求項１２又は１３に記載のプラズマトーチ。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月14日(2019.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送ベルトと、
前記搬送ベルトを支持するローラとを備え、
前記ベルトが前記ローラの外面に接触し、
前記ローラが回転するのにともない前記ベルトが処理方向に移動し、
前記ローラの前記外面が、ローラ外側部と、前記ローラ外側部の間の中央クラウン部とを有し、
前記ローラの前記中央クラウン部が前記ローラ外側部の小径に対して大径を有し、
前記ベルトが、ベルト外側部と、前記ベルト外側部の間のベルト中央部とを有し、
前記ベルト外側部が前記ローラ外側部に接触し、
前記ベルト中央部が前記ローラの前記中央クラウン部に接触し、
前記ベルト外側部がより低い可撓性を有し、
前記ベルト中央部が前記より低い可撓性に対してより高い可撓性を有し、
前記より高い可撓性と前記より低い可撓性との間の可撓性の差異が、前記ローラの前記中央クラウン部に向かって前記ベルト外側部を付勢し、前記ローラの前記中央クラウン部と自己位置合わせされるように前記ベルト中央部を維持する、装置。
【請求項２】
前記ベルト外側部の前記より低い可撓性が、前記ベルト外側部が前記中央クラウン部の前記大径にわたって配置されるのを防止する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記中央クラウン部が傾斜面を有し、前記中央クラウン部が前記大径から前記ローラ外側部の前記小径まで傾斜している、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記より高い可撓性と前記より低い可撓性が前記処理方向における可撓性尺度である、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記ローラ外側部が円筒形状を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
穿孔を有する搬送ベルトと、
前記搬送ベルトを支持するローラとを備え、
前記ベルトが前記ローラの外面に接触し、
前記ローラが回転するのにともない前記ベルトが処理方向に移動し、
前記ローラの前記外面が、ローラ外側部と、前記ローラ外側部の間の中央クラウン部とを有し、
前記ローラの前記中央クラウン部が前記ローラ外側部の小径に対して大径を有し、
前記ベルトが、ベルト外側部と、前記ベルト外側部の間のベルト中央部とを有し、
前記ベルト外側部が前記ローラ外側部に接触し、
前記ベルト中央部が前記ローラの前記中央クラウン部に接触し、
前記ベルト外側部が第１の孔のパターンを有し、
前記第１の孔のパターンが前記ベルト外側部においてより低い可撓性を生成し、
前記ベルト中央部が第２の孔のパターンを有し、
前記第２の孔のパターンが前記より低い可撓性に対して前記ベルト中央部においてより高い可撓性を生成し、
前記より高い可撓性と前記より低い可撓性との間の可撓性の差異が、前記ローラの前記中央クラウン部に向かって前記ベルト外側部を付勢し、前記ローラの前記中央クラウン部と自己位置合わせされるように前記ベルト中央部を維持する、装置。
【請求項７】
前記ベルト外側部の前記より低い可撓性が、前記ベルト外側部が前記中央クラウン部の前記大径にわたって配置されるのを防止する、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記中央クラウン部が傾斜面を有し、前記中央クラウン部が前記大径から前記ローラ外側部の前記小径まで傾斜している、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記より高い可撓性と前記より低い可撓性が前記処理方向における可撓性尺度である、請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
前記ローラ外側部が円筒形状を有する、請求項６に記載の装置。
【請求項１１】
ヒータと、
前記ヒータに隣接した搬送ベルトと、
前記搬送ベルトを支持するローラとを備え、
前記ベルトが前記ローラの外面に接触し、
前記ローラが回転するのにともない、前記ヒータを通り過ぎて前記ベルトが処理方向に移動し、
前記ローラの前記外面が、ローラ外側部と、前記ローラ外側部の間の中央クラウン部とを有し、
前記ローラの前記中央クラウン部が前記ローラ外側部の小径に対して大径を有し、
前記ベルトが、ベルト外側部と、前記ベルト外側部の間のベルト中央部とを有し、
前記ベルト外側部が前記ローラ外側部に接触し、
前記ベルト中央部が前記ローラの前記中央クラウン部に接触し、
前記ベルト外側部がより低い可撓性を有し、
前記ベルト中央部が前記より低い可撓性に対してより高い可撓性を有し、
前記より高い可撓性と前記より低い可撓性との間の可撓性の差異が、前記ローラの前記中央クラウン部に向かって前記ベルト外側部を付勢し、前記ローラの前記中央クラウン部と自己位置合わせされるように前記ベルト中央部を維持する、シート乾燥装置。
【請求項１２】
前記ベルト外側部の前記より低い可撓性が、前記ベルト外側部が前記中央クラウン部の前記大径にわたって配置されるのを防止する、請求項１１に記載のシート乾燥装置。
【請求項１３】
前記中央クラウン部が傾斜面を有し、前記中央クラウン部が前記大径から前記ローラ外側部の前記小径まで傾斜している、請求項１１に記載のシート乾燥装置。
【請求項１４】
前記より高い可撓性と前記より低い可撓性が前記処理方向における可撓性尺度である、請求項１１に記載のシート乾燥装置。
【請求項１５】
前記ローラ外側部が円筒形状を有する、請求項１１に記載のシート乾燥装置。
【請求項１６】
印刷エンジンと、
前記印刷エンジンからシートを搬送する搬送ベルトと、
前記搬送ベルトに隣接するヒータと、
前記搬送ベルトを支持するローラとを備え、
前記ベルトが前記ローラの外面に接触し、
前記ローラが回転するのにともない前記ベルトが処理方向に移動し、前記ヒータを通り過ぎて前記印刷エンジンによって出力される印刷されたシートを搬送し、
前記ローラの前記外面が、ローラ外側部と、前記ローラ外側部の間の中央クラウン部とを有し、
前記ローラの前記中央クラウン部が前記ローラ外側部の小径に対して大径を有し、
前記ベルトが、ベルト外側部と、前記ベルト外側部の間のベルト中央部とを有し、
前記ベルト外側部が前記ローラ外側部に接触し、
前記ベルト中央部が前記ローラの前記中央クラウン部に接触し、
前記ベルト外側部がより低い可撓性を有し、
前記ベルト中央部が前記より低い可撓性に対してより高い可撓性を有し、
前記より高い可撓性と前記より低い可撓性との間の可撓性の差異が、前記ローラの前記中央クラウン部に向かって前記ベルト外側部を付勢し、前記ローラの前記中央クラウン部と自己位置合わせされるように前記ベルト中央部を維持する、印刷装置。
【請求項１７】
前記ベルト外側部の前記より低い可撓性が、前記ベルト外側部が前記中央クラウン部の前記大径にわたって配置されるのを防止する、請求項１６に記載の印刷装置。
【請求項１８】
前記中央クラウン部が傾斜面を有し、前記中央クラウン部が前記大径から前記ローラ外側部の前記小径まで傾斜している、請求項１６に記載の印刷装置。
【請求項１９】
前記より高い可撓性と前記より低い可撓性が前記処理方向における可撓性尺度である、請求項１６に記載の印刷装置。
【請求項２０】
前記ローラ外側部が円筒形状を有する、請求項１６に記載の印刷装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】搬送ベルトを備える装置、シート乾燥装置、及び印刷装置
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月3日(2019.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面の全部または一部にコランダム構造を有する結晶基板上に、直接にまたは他の層を介して、結晶性酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜が積層されている積層構造体であって、結晶基板の主面がｍ面であり、結晶性酸化物半導体膜の膜厚が２．２μｍ以上であることを特徴とする積層構造体。
【請求項２】
結晶性酸化物半導体が、コランダム構造を有する請求項１記載の積層構造体。
【請求項３】
結晶性酸化物半導体が、ガリウムまたはインジウムを少なくとも含む請求項１または２に記載の積層構造体。
【請求項４】
結晶性酸化物半導体が、ガリウムを少なくとも含む請求項１〜３のいずれかに記載の積層構造体。
【請求項５】
結晶性酸化物半導体膜が、ドーパントを含む請求項１〜４のいずれかに記載の積層構造体。
【請求項６】
ドーパントがスズである請求項５記載の積層構造体。
【請求項７】
結晶基板が、ｍ面に対して０．５°〜３°のオフ角を有している、請求項１〜６のいずれかに記載の積層構造体。
【請求項８】
結晶基板が、ｍ面よりａ軸方向に０．５°〜３°のオフ角を有している、請求項１〜７のいずれかに記載の積層構造体。
【請求項９】
結晶基板が、サファイア基板である請求項１〜８のいずれかに記載の積層構造体。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の積層構造体と電極とを少なくとも含む半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月13日(2018.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
平均粒子径が０．５〜１００μｍ、真球度が１．０〜１．２、真比重が４．４５以下である球状硫酸バリウムであって、
かつ該球状硫酸バリウム濃度が２０ｇ／Ｌである水スラリー１００ｍｌに対して、周波数２０ｋＨｚ、出力７５Ｗの超音波を２分間照射した後のＤ９０／Ｄ１０が４．５以下であることを特徴とする球状硫酸バリウム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明はまた、平均粒子径が０．５〜１００μｍ、真球度が１．０〜１．２、真比重が４．４５以下である球状硫酸バリウムであって、
かつ該球状硫酸バリウム濃度が２０ｇ／Ｌである水スラリー１００ｍｌに対して、周波数２０ｋＨｚ、出力７５Ｗの超音波を２分間照射した後のＤ９０／Ｄ１０が４．５以下である球状硫酸バリウムでもある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
上記球状硫酸バリウムは、該球状硫酸バリウム濃度が２０ｇ／Ｌである水スラリー（すなわち、球状硫酸バリウムが２０ｇ／Ｌになるように調製した水スラリー）１００ｍｌに、周波数２０ｋＨｚ、出力７５Ｗの超音波を２分間照射した後のＤ９０／Ｄ１０が４．５以下である粒子である。粒子の強度が低い場合、外的衝撃をかけると粒子が潰れてしまい、潰れた粒子が一部凝集して粒度分布図のピークがブロードになる。すなわち、上記のような強度の超音波という外的衝撃をかけても粒度分布図のピークがシャープであることは、粒子が壊れにくいことを表す。このような粒子は、粒子の強度が充分であるため、皮膚へ擦りこんだ際にも粒子が壊れず感触が良い。上記条件で照射後にＤ９０／Ｄ１０が４．５を超える場合、粒子の強度が充分でなく、皮膚へ擦りこんだ際に粒子が壊れてしまうため、感触が良くない。好ましくは４以下、より好ましくは３．５以下、更に好ましくは３．３以下である。
本明細書中、「球状硫酸バリウム濃度が２０ｇ／Ｌである水スラリー１００ｍｌに対して、周波数２０ｋＨｚ、出力７５Ｗの超音波を２分間照射した後のＤ９０／Ｄ１０」とは、後述の実施例に記載の「４、（２）粒子強度（超音波照射あり）」の算出方法により求められる「Ｄ９０」（小粒子側からの体積累積値が全粒子体積の９０％になる粒径）を、「Ｄ１０」（小粒子側からの体積累積値が全粒子体積の１０％になる粒径）で除した値である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
（２）粒子強度（超音波照射あり）
２００ｍｌのビーカーに、実施例及び比較例でそれぞれ得た粉末２ｇを水１００ｍｌに加え、２０ｇ／Ｌのスラリー１００ｍｌを調製した。得られたスラリー１００ｍｌに対し、超音波ホモジナイザー（日本精機製作所社製、ＵＳ−６００）にてチップサイズ２６φを用い、周波数２０ｋＨｚ、振動振幅５０〜６０μｍ、２００μＡに設定して超音波（出力７５Ｗ）を２分間照射した。
その後、５ｃろ紙（５種Ｃろ紙）でろ過し、ろ過物を１０５℃で２時間乾燥した後、得られた粉（粒子）について下記測定条件Ｂ下で粒度分布を求め、小粒子側からの体積累積値が全粒子体積の１０％、５０％、９０％になる粒径を、それぞれＤ１０、Ｄ５０、Ｄ９０とした。このようにして求めた「Ｄ９０」を「Ｄ１０」で除することにより、「Ｄ９０／Ｄ１０」の値を算出した。
−測定条件Ｂ−
装置：レーザ回折・散乱式粒子径分布測定装置（日機装社製、ＭＴ３３００）
溶媒：０．２質量％ヘキサメタリン酸ナトリウム水溶液
装置内の分散条件：装置内で４０Ｗ、１０秒照射
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月1日(2019.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三次元製品（２００）を製造する方法（３００）であって、
金属粉末（１１６）の選択部分を電磁放射線（１０６）でスキャンすることによって、付加製造プロセスによって前記金属粉末（１１６）から前記製品（２００）を連続的に成形することと、
前記製品（２００）の製品微細構造（２０４）を確立することと、
前記付加製造プロセス中に、前記製品（２００）に偽造防止マーク（２０６）を形成することと、
前記偽造防止マーク（２０６）の偽造防止マーク微細構造（２１４）を確立すること
を含み、前記偽造防止マーク微細構造（２１４）が前記製品微細構造（２０４）と異なる、方法（３００）。
【請求項２】
前記製品微細構造（２０４）を確立することは、前記付加製造プロセスのプロセスパラメータ（１１２）を設定することを含み、前記偽造防止マーク微細構造（２１４）を確立することは、前記付加製造プロセスの前記プロセスパラメータ（１１２）を操作することを含む、請求項１に記載の方法（３００）。
【請求項３】
前記製品（２００）を成形することは、
粉末層（１０４）を成形プラットフォーム（１３０）上に堆積させることと、
前記粉末層（１０４）の選択部分を前記電磁放射線（１０６）で融解させることと、
前の粉末層（１０４）それぞれに、次の粉末層（１０４）を堆積させることと、
次の粉末層（１０４）それぞれの選択部分を前記電磁放射線（１０６）で融解させることと、
前記粉末層（１０４）の前記選択部分と、前記次の粉末層（１０４）それぞれの前記選択部分とを凝固させて、前記製品（２００）を形成すること
を含む、請求項１に記載の方法（３００）。
【請求項４】
前記偽造防止マーク（２０６）を形成することは、
前記次の粉末層（１０４）の最上位粉末層（１０４）の選択部分を融解させることと、
前記次の粉末層（１０４）の前記最上位粉末層（１０４）の前記選択部分を凝固させて、前記製品（２００）に前記偽造防止マーク（２０６）を形成すること
を含む、請求項３に記載の方法（３００）。
【請求項５】
前記製品（２００）を表す三次元モデル（１５８）を生成することと、
前記製品（２００）の層（２０２）を表す前記三次元モデル（１５８）の断面切片（１８０）を生成することと、
前記付加製造プロセスの製品のプロセスパラメータ（１５６）を生成して、前記製品微細構造（２０４）を確立することと、
前記偽造防止マーク（２０６）を表す偽造防止画像（１６０）を生成することと、
前記付加製造プロセスのための偽造防止マーク（２０６）のプロセスパラメータ（１１２）を生成して、前記偽造防止マーク微細構造（２１４）を確立することと、
前記断面切片（１８０）、前記製品のプロセスパラメータ（１５６）、前記偽造防止画像（１６０）及び前記偽造防止マーク（２０６）のプロセスパラメータ（１１２）を付加製造装置（１０２）へ提供することと
を更に含む、請求項１に記載の方法（３００）。
【請求項６】
前記製品（２００）が、前記付加製造プロセス中に前記偽造防止マーク（２０６）を含むか否かを決定することを更に含み、前記偽造防止マーク微細構造（２１４）が、前記製品微細構造（２０４）と比べて微視的に認識可能な変化を含む、請求項１に記載の方法（３００）。
【請求項７】
金属粉末（１１６）の選択部分を電磁放射線（１０６）でスキャンすることによって、付加製造プロセスによって前記金属粉末（１１６）から連続的に成形された層（２０２）と、
前記付加製造プロセス中に、前記層（２０２）の少なくとも１つの層（２０２）に形成された偽造防止マーク（２０６）と
を備え、前記層（２０２）が層微細構造（２１２）を含み、前記偽造防止マーク（２０６）が偽造防止マーク微細構造（２１４）を含み、前記偽造防止マーク微細構造（２１４）は前記層微細構造（２１２）と異なる、付加製造された三次元製品（２００）。
【請求項８】
付加製造装置（１０２）であって、
電磁放射線（１０６）を放射するように構成された電磁放射線（１０６）源と、
画像化システム（１１４）と、
前記電磁放射線（１０６）源と前記画像化システム（１１４）とに接続されたプロセッサ（６０４）と、
前記プロセッサ（６０４）によって実行されると、
三次元製品（２００）を表す三次元モデル（１５８）を生成し、
偽造防止画像（１６０）を生成し、
前記偽造防止画像（１６０）を前記三次元モデル（１５８）と組み合わせ、
前記三次元モデル（１５８）に基づき、金属粉末（１１６）を前記電磁放射線（１０６）でスキャンすることによって、付加製造プロセスによって前記金属粉末（１１６）から連続的に層（２０２）を成形し、
前記偽造防止画像（１６０）に基づき、前記金属粉末（１１６）の選択部分を前記電磁放射線（１０６）でスキャンすることによって、前記付加製造プロセス中に前記製品に偽造防止マーク（２０６）を形成し、
前記付加製造プロセス中に、前記画像化システム（１１４）で前記製品を調べることによって、前記製品が前記偽造防止マーク（２０６）を含むか否かを決定する
命令を含む非一過性のコンピュータ可読記憶媒体と
を備え、前記偽造防止マーク（２０６）が偽造防止マーク微細構造（２１４）を含み、前記偽造防止マーク微細構造（２１４）は前記層（２０２）の層微細構造（２１２）と異なる、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月28日(2018.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
眼用レンズに印刷するための水分散性相変化インク組成物であって、
少なくとも１つのエトキシル部分を有する親水性ワックスと、
少なくとも１つのヒドロキシル基を有し、親水性ワックスと混和性の低粘度ワックスであって、ステアリルアルコール、ベヘニルアルコール、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される低粘度ワックスと、
任意要素の安定化剤と、
着色剤とを含む、水分散性相変化インク組成物。
【請求項２】
アミドをさらに含む、請求項１に記載の水分散性相変化インク組成物。
【請求項３】
親水性ワックスがエトキシル化アルコールである、請求項１に記載の水分散性相変化インク組成物。
【請求項４】
親水性ワックスが、下式のエトキシル化アルコール
ＣＨ３−（ＣＨ２ＣＨ２）ｎ−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｍ−Ｈ
であり、式中、ｎは、整数であり、ｍは、整数であり、ｎおよびｍは、それぞれ独立して、炭素原子の合計数が２０〜５０であるように選択される、請求項１に記載の水分散性相変化インク組成物。
【請求項５】
低粘度ワックスは、８０℃〜１２０℃の範囲の温度での粘度が１〜１５センチポイズであるワックスである、請求項１に記載の水分散性相変化インク組成物。
【請求項６】
低粘度ワックスはベヘニルアルコールである、請求項１に記載の水分散性相変化インク組成物。
【請求項７】
アミドがモノアミド、トリアミド、テトラ−アミド、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の水分散性相変化インク組成物。
【請求項８】
アミドが分岐したトリアミドを含む、請求項１に記載の水分散性相変化インク組成物。
【請求項９】
安定化剤が存在し、芳香族アミン、ヒンダードアミン、フェノール、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の水分散性相変化インク組成物。
【請求項１０】
安定化剤は芳香族アミン酸化防止剤である、請求項１に記載の水分散性相変化インク組成物。
【請求項１１】
着色剤は、顔料、染料、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の水分散性相変化インク組成物。
【請求項１２】
着色剤は黄色染料を含む、請求項１に記載の水分散性相変化インク組成物。
【請求項１３】
着色剤は黒色染料を含む、請求項１に記載の水分散性相変化インク組成物。
【請求項１４】
インクジェットプリンタのスティックまたはペレットであって、眼用レンズに印刷するための水分散性相変化インク組成物を含み、
この相変化インク組成物が、
少なくとも１つのエトキシル部分を有する親水性ワックスと、
少なくとも１つのヒドロキシル基を有し、親水性ワックスと混和性の低粘度ワックスであって、ステアリルアルコール、ベヘニルアルコール、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される低粘度ワックスと、
存在する場合、ヒンダードアミン、フェノール、およびこれらの混合物およびこれらの組み合わせからなる群から選択される任意要素の安定化剤と、
着色剤とを含む、インクジェットプリンタのスティックまたはペレット。
【請求項１５】
アミドをさらに含む、請求項１４に記載のインクジェットプリンタ用のスティックまたはペレット。
【請求項１６】
親水性ワックスがエトキシル化アルコールである、請求項１４に記載のインクジェットプリンタ用のスティックまたはペレット。
【請求項１７】
低粘度ワックスがベヘニルアルコールである、請求項１４に記載のインクジェットプリンタ用のスティックまたはペレット。
【請求項１８】
アミドが、モノアミド、トリアミドおよびテトラ−アミド、およびこれらの混合物およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１４に記載のインクジェットプリンタ用のスティックまたはペレット。
【請求項１９】
着色剤が黒色染料又は黄色染料である、請求項１４に記載のインクジェットプリンタ用のスティックまたはペレット。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月14日(2018.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技を行うことが可能な遊技機において、
プログラムを記憶する記憶手段と、
該記憶手段に記憶されたプログラムに従った処理を実行するマイクロコンピュータと、を備え、
プログラムは、割込の発生に応じて実行される割込プログラムを含み、
前記マイクロコンピュータは、
前記マイクロコンピュータの起動時にユーザプログラムが記憶されている記憶領域を設定する記憶領域設定手段と、
前記記憶領域設定手段が設定した記憶領域で記憶しているユーザプログラムに従った処理を実行するユーザプログラム実行手段と、
前記記憶領域設定手段が設定した記憶領域以外の領域で記憶しているプログラムを前記ユーザプログラム実行手段が呼び出したときに異常制御を実行する異常制御実行手段と、
割込に関する設定を行う処理を実行した後に割込を許可する処理を実行する割込許可手段と、
割込が許可されているときに、該割込にもとづいて割込プログラムに従った処理を実行する割込処理実行手段と、
前記記憶手段における割込プログラムのアドレスを記憶可能な記憶領域を有するアドレス記憶手段と、
前記アドレス記憶手段の記憶領域で記憶しているアドレスが所定の範囲にあるか否かを前記マイクロコンピュータの起動時に判定する判定手段と、
割込プログラムのアドレスが所定の範囲にないと前記判定手段が判定したときに前記マイクロコンピュータの起動を制限する起動制限手段とを備え、
前記所定の範囲は、少なくともユーザプログラムが記憶されている領域のアドレスを含む、遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の遊技機は、
遊技を行うことが可能な遊技機（例えば、スロットマシン１）において、
プログラムを記憶する記憶手段（例えば、ＲＯＭ２０８）と、
該記憶手段に記憶されたプログラムに従った処理を実行するマイクロコンピュータ（例えば、図１１に示す部分）と、を備え、
プログラムは、割込の発生に応じて実行される割込プログラム（例えば、図１２に示す部分）を含み、
前記マイクロコンピュータは、
前記マイクロコンピュータの起動時にユーザプログラムが記憶されている記憶領域を設定する記憶領域設定手段（例えば、図１６に示すプログラムエンドアドレスの設定）と、
前記記憶領域設定手段が設定した記憶領域で記憶しているユーザプログラムに従った処理を実行するユーザプログラム実行手段（例えば、ＣＰＵ２０７）と、
前記記憶領域設定手段が設定した記憶領域以外の領域で記憶しているプログラムを前記ユーザプログラム実行手段が呼び出したときに異常制御を実行する異常制御実行手段（例えば、図２１に示す部分）と、
割込に関する設定を行う処理を実行した後に割込を許可する処理を実行する割込許可手段（例えば、図５及び図６に示す部分）と、
割込が許可されているときに、該割込にもとづいて割込プログラムに従った処理を実行する割込処理実行手段（例えば、図８及び図９に示す部分）と、
前記記憶手段における割込プログラムのアドレスを記憶可能な記憶領域を有するアドレス記憶手段（例えば、図１３に示す部分）と、
前記アドレス記憶手段の記憶領域で記憶しているアドレスが所定の範囲にあるか否かを前記マイクロコンピュータの起動時に判定する判定手段（例えば、図２２に示す部分）と、
割込プログラムのアドレスが所定の範囲にないと前記判定手段が判定したときに前記マイクロコンピュータの起動を制限する起動制限手段（例えば、図２２に示す部分）とを備え、
前記所定の範囲は、少なくともユーザプログラムが記憶されている領域のアドレスを含む（例えば、図２２に示す部分）。
この構成によれば、意図しない割込処理が実行されることを事前に防止することができる。