【事件の表示】
　特願２０１４−２３１３８２「半導体用ウエハ加工用粘着テープ」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　５月２６日出願公開，特開２０１６−　９６２３９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件審判請求に係る出願（以下，「本願」という。）は，２０１４年（平成２６年）１１月１４日を出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成３０年　６月２０日付け：拒絶理由通知　
平成３０年　８月２４日　　：意見書，手続補正書の提出
平成３０年１１月１２日付け：拒絶理由（最後の拒絶理由）通知　
平成３０年１２月２８日　　：意見書の提出
平成３１年　３月２９日付け：拒絶査定（原査定）
令和　１年　６月２８日　　：審判請求書
令和　２年　４月２７日　　：拒絶理由通知（以下「当審拒絶理由通知」という。）
令和　２年　６月２６日　　：意見書,補正書の提出
第２　本願発明について
　本願の請求項１−８（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明８」という。）に係る発明は，令和　２年　６月２６日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−８に記載された事項により特定される発明であるところ，本願発明１は，以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　樹脂材料と，導電性を有する第２の導電性材料とを含有する基材と，
　該基材の一方の面に積層された粘着層と，
　前記基材の他方の面に積層され，導電性を有する第１の導電性材料を含有する帯電防止層とを備える積層体により構成された半導体用ウエハ加工用粘着テープであって，
　前記第１の導電性材料は，チオフェン骨格を有する導電性高分子であり，前記第２の導電性材料は，永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）であり，
　前記基材は，その前記帯電防止層側の表面抵抗率が１．０×１０４（Ω／□）超１．０×１０８（Ω／□）以下であり，かつ，その体積抵抗率が１．０×１０１０（Ω・ｍ）超１．０×１０１４（Ω・ｍ）以下であることを特徴とする半導体用ウエハ加工用粘着テープ。」
第３　拒絶の理由
　令和　２年　４月２７日付けの，当審が通知した拒絶理由は，概略，次のとおりのものである。
１　理由１（実施可能要件）
　請求項１には，「前記基材は，その前記帯電防止層側の表面抵抗率が１．０×１０５（Ω／□）以下で」ある点が記載されているが，発明の詳細な説明に，請求項１に記載された基材の「その前記帯電防止層側の表面抵抗率」をどのように測定するのか，当業者が実施できる程度に明確にかつ十分に記載されていない。
２　理由４（進歩性）
　この出願の請求項１−９に係る発明は，下記の引用例１−３に記載された発明に基づいて，この出願の請求項１０に係る発明は，下記の引用例１−４に記載された発明に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用例１　特開２０１４−１３３８５９号公報
引用例２　特開２００４−０３５６４２号公報
引用例３　特開２０１４−２０７３５５号公報
引用例４　特開平　５−１１４６４７号公報
第４　引用例，引用発明等
１　引用例１に記載されている事項及び引用発明
ア　令和　２年　４月２７日付けの当審拒絶理由に引用された特開２０１４−１３３８５９号公報（以下，引用例１という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。（当審注：下線は，参考のために当審で付与したものである。以下同様である。）
「【０００１】
　
本発明は，半導体装置の製造に用いられる接着シート，ダイシングテープ一体型接着シート，当該シートを用いた半導体装置の製造方法，及び，半導体装置に関する。
「【０００３】
　従来，上記保護フィルムとしては，ダイシングテープ上に保護フィルムとしてのフリップチップ型半導体裏面用フィルムが積層されたダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムが存在する（例えば，特許文献１参照）。
このダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いた半導体装置の製造工程においては，まず，ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムのフリップチップ型半導体裏面用フィルム上に半導体ウェハが貼り付けられて固定され，その状態でダイシングが行われる。これにより，半導体ウェハは，所定のサイズに個片化され，半導体チップとなる。次に，ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムに固定された半導体チップをフリップチップ型半導体裏面用フィルムととともにダイシングフィルムから剥離するために，半導体チップのピックアップが行われる。
「【００２２】
　（ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム）
　
図１で示されるように，ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は，基材３１上に粘着剤層３２が設けられたダイシングテープ３と，粘着剤層３２上に設けられたフリップチップ型半導体裏面用フィルム（以下，「半導体裏面用フィルム」という場合がある）２とを備える構成である。
【００２３】
　半導体裏面用フィルム２は，何れかの表面における表面固有抵抗値が，１．０×１０１１Ω以下であり，好ましくは１．０×１０１０Ω以下であり，より好ましくは１．０×１０９Ω以下である。半導体裏面用フィルム２が多層構造を有しており，いずれか一方の最外層に帯電防止剤が含有されている場合は，帯電防止剤が含有されている最外層の表面における表面固有抵抗値が，好ましくは１．０×１０１１Ω以下であり，より好ましくは１．０×１０１０Ω以下であり，さらに好ましくは１．０×１０９Ω以下である。また，前記表面固有抵抗値は，小さいほど好ましいが，例えば，１．０×１０５Ω以上，１．０×１０６Ω以上，１．０×１０７Ω以上を挙げることができる。前記表面固有抵抗値が，１．０×１０１１Ω以下であるため，帯電し難い。従って，帯電防止効果をより発揮することができる。前記表面固有抵抗値は，実施例記載の方法により測定される値をいう。」
「【００２７】
　半導体裏面用フィルム２は，帯電防止剤が含有されていることが好ましい。半導体裏面用フィルム２に帯電防止剤が含有されていると，ダイシングテープ３から剥離した後も帯電防止効果を有する。その結果，ダイシングテープ３から剥離した後も，帯電による半導体素子の破壊を抑制することができる。特に，半導体裏面用フィルム２が多層構造を有しており，多層構造の半導体裏面用フィルム２におけるダイシングテープ３側の最外層に帯電防止剤が含有されていると，粘着剤層３２と半導体裏面用フィルム２とを剥離した際の剥離帯電をさらに効果的に抑制することができる。
　
なお，基材３１，及び，粘着剤層３２のうちの少なくとも１つには，帯電防止剤が含有されていてもよい。基材３１に帯電防止剤が含有されていると，ダイシングテープ３を固定する吸着台から取り除く際の，基材３１と吸着台との間での剥離帯電を抑制することができる。特に，基材３１が多層構造を有しており，多層構造の基材３１の粘着剤層３２側の最外層に帯電防止剤が含有されていると，基材３１と粘着剤層３２との双方の帯電を抑制することができる。また，多層構造の基材３１の粘着剤層３２とは反対側の最外層に帯電防止剤が含有されていると，基材３１と吸着台との間の剥離帯電をより効果的に抑制することができる。
【００２８】
　
前記帯電防止剤としては，
更には，上記カチオン型，アニオン型，両性イオン型のイオン導電性基を有する単量体を重合もしくは共重合して得られたイオン導電性重合体（高分子型帯電防止剤）があげられる。これらの化合物は単独で使用してもよく，また２種以上を混合して使用してもよい。なかでも，高分子型帯電防止剤が好ましい。
「【００３３】
　
高分子型帯電防止剤の他の例としては，たとえば，ポリアニリン，ポリピロール，ポリチオフェンなどがあげられる。
「【００３６】
　
ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおいては，基材の少なくとも一方の面上に，帯電防止剤を含有する帯電防止剤層が形成されていてもよい。図３，及び，図４は，他の実施形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの断面模式図である。
【００３７】
　
図３に示すように，ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１０は，基材３１上に粘着剤層３２が設けられたダイシングテープ３と，粘着剤層３２上に設けられた半導体裏面用フィルム２と，基材３１の粘着剤層３２とは反対側の面上に帯電防止剤層３５が形成されている。ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１０では，基材３１の粘着剤層３２とは反対側の面上に帯電防止剤層３５が形成されているため，基材３１と吸着台との間の剥離帯電をより効果的に抑制することができる。
【００３８】
　また，図４に示すように，ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム２０は，基材３１上に粘着剤層３２が設けられたダイシングテープ３と，基材３１と粘着剤層３２との間に設けられた帯電防止剤層３６と，粘着剤層３２上に設けられた半導体裏面用フィルム２とを備える構成である。ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム２０では，基材３１の粘着剤層３２側の面上に，帯電防止剤層３６が形成されているため，基材３１と粘着剤層３２との双方の帯電を抑制することができる。
【００３９】
　（帯電防止剤層）
　
帯電防止剤層３５，３６は，少なくとも帯電防止剤を含有する層である。帯電防止剤層３５，３６に含有させる帯電防止剤としては，基材３１，粘着剤層３２，半導体裏面用フィルム２に含有させる場合の上記帯電防止剤と同様のものを使用することができる。
「【０１０３】
　（ダイシングテープ）
　
前記ダイシングテープ３は，基材３１上に粘着剤層３２が形成されて構成されている。このように，ダイシングテープ３は，基材３１と，粘着剤層３２とが積層された構成を有していればよい。基材（支持基材）は粘着剤層等の支持母体として用いることができる。
本発明では，基材としては，プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材を好適に用いることができる。
【０１０４】
　また基材３１の材料としては，前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは，無延伸で用いてもよく，必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば，ダイシング後にその基材３１を熱収縮させることにより粘着剤層３２と半導体裏面用フィルム２との接着面積を低下させて，半導体素子の回収の容易化を図ることができる。
【０１０５】
　基材３１の表面は，隣接する層との密着性，保持性等を高める為，慣用の表面処理，例えば，クロム酸処理，オゾン暴露，火炎暴露，高圧電撃暴露，イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理，下塗剤（例えば，後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
【０１０６】
　前記基材３１は，同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ，必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また，基材３１には，帯電防止能を付与する為，前記の基材３１上に金属，合金，これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材３１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。」
「【０１５６】
　接着剤組成物溶液Ｆを，剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布した後，１３０℃で２分間乾燥させることにより，厚さ（平均厚さ）２０μｍであり，
帯電防止剤としての製品名：ペレスタット（三洋化成社製）
「【図１】
」
「【図３】
」
イ　ここで、引用例１に記載されている事項を検討する。
（ア）上記段落００２７には，図１に記載された「ダイシングテープ３」の「基材３１」に，「帯電防止剤」が含有されていてもよい旨記載されている。
　そして，段落００３６−００３７及び図３に記載された「ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１０」は，図１の「ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１」において，「ダイシングテープ３」の「基材３１」の「粘着剤層３２」とは反対側の面上に「帯電防止剤を含有する帯電防止剤層」が形成されたものであるから，図３における「基材３１」にも，「帯電防止材」が含有されてもよいことは明らかである。
ウ　以上ア，イで示した事項から，引用例１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「　基材上に粘着剤層が設けられたダイシングテープと，
　粘着剤層上に設けられた半導体裏面用フィルムと，
　基材の粘着剤層とは反対側の面上に帯電防止剤層が形成されているダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおいて，
　基材には，帯電防止剤が含有されてもよく，
　帯電防止剤層は，帯電防止剤を含有する層であり，
　基材としては，プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材を用いること。」
（２）その他の文献に記載されている技術事項
ア　令和　２年　４月２７日付けの当審拒絶理由に引用された特開２００４−０３５６４２号公報（以下，引用例２という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は，上記問題点２点を解決し，半導体製造工程中における帯電の発生を防止し，該帯電による半導体デバイスの破壊および製品の劣化を防ぐことができ，尚且つエキスパンド性に優れた半導体加工用粘着シートを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは，上記の目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果，基材フィルムの中にポリエーテルを有するものが，帯電の発生を防止すること，またポリプロピレン２５〜７５重量部と一般式（１）で示されるポリスチレンブロック（Ａ）と一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンブロック（Ｂ）からなるブロック共重合体７５〜２５重量部の混合物がエキスパンド性に優れることを見出し，この知見に基づき本発明をなすに至った。
【００１０】
すなわち本発明は，
（１）　
ポリプロピレン２５〜７５重量部と，一般式（１）で示されるポリスチレンブロック（Ａ）と一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンブロック（Ｂ）とからなるブロック共重合体７５〜２５重量部と，ポリエーテルを主成分とする高分子型帯電防止剤１〜３０量部との混合物からなるフィルム基材
（２）　ポリプロピレン２５〜７５重量部と，一般式（１）で示されるポリスチレンブロック（Ａ）と一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンブロック（Ｂ）からなるブロック共重合体７５〜２５重量部と，ポリエーテルを主成分とする高分子型帯電防止剤１〜３０重量部との混合物からなるフィルムと他の樹脂フィルムとからなる複層フィルム基材，およびベースポリマーと放射線重合性化合物と放射線重合性重合開始剤とからなる粘着剤層からなる半導体基板加工用粘着シートである。
【００１１】
【化３】
（式（１）中，ｎは２以上の整数）
【００１２】
【化４】
（式（２）中，ｎは２以上の整数）」
「【００２９】
【実施例】
以下，本発明を実施例及び比較例により更に詳細に説明するが，本発明はこれらに限定するものではない。
［実施例１］ アクリル酸ブチル７０重量部とアクリル酸２−エチルヘキシル２５重量部と酢酸ビニル５重量部とを共重合して得られた重量平均分子量５０００００の共重合体１０重量部とアクリル酸２−エチルヘキシル５０重量部とアクリル酸ブチル１０重量部，酢酸ビニル３７重量部，メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重量部とを共重合して得られた重量平均分子量３０００００の共重合体９０重量部からなるベース樹脂１００重量部に対し，放射線重合性化合物として分子量が１１０００の２官能ウレタンアクリレートを３０重量部，分子量が５００の５官能アクリレートモノマーを３０重量部，放射線重合性重合開始剤として２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンを５重量部，ポリイソシアネート系架橋剤を６重量部を配合した粘着剤層となる樹脂溶液を，剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し，８０℃５分間乾燥した。その後，　
ポリプロピレン６０重量部，ポリスチレンブロック（Ａ）と一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンブロック（Ｂ）からなるブロック共重合体４０重量部，ポリエーテル／ポリオレフィンブロックポリマー　ペレスタット３００（株式会社　三洋化成工業製）１５重量部を２軸混練機で混練した後，押出し機で押し出しし，作成した厚み９０μｍのシートをラミネートし，半導体加工用粘着シートを作製した。
イ　以上アで示した事項から，引用例２には，次の発明（以下，「引用例２記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「ポリプロピレン２５〜７５重量部と，一般式（１）で示されるポリスチレンブロック（Ａ）と一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンブロック（Ｂ）とからなるブロック共重合体７５〜２５重量部と，ポリエーテルを主成分とする高分子型帯電防止剤１〜３０量部との混合物からなるフィルム基材，および粘着剤層からなる半導体基板加工用粘着シート。
」
「半導体基板加工用粘着シートの基材に含有される高分子型帯電防止剤として，ポリエーテル／ポリオレフィンブロックポリマー　ペレスタット３００（株式会社　三洋化成工業製）を用いること。」
ウ　令和　２年　４月２７日付けの当審拒絶理由に引用された特開２０１４−２０７３５５号公報（以下，引用例３という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００１３】
　
本発明に係る半導体ウエハ用ダイシングフィルム１０は，図１に例示するように基材１と，その一方の面側に形成された粘着剤層２とを有する。
「【００１６】
(基材１)
　
基材１を構成する樹脂
ポリ塩化ビニル，低密度ポリエチレン，高密度ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリブテン，ポリブタジエン，ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂，エチレン・酢酸ビニル共重合体，アイオノマー，エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体，エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系共重合体，ポリエチレンテレフタレート，ポリスチレン，ポリスチレンとゴムの混合物，ポリブチレンテレフタレート等のポリアルキレンテレフタレート系樹脂，スチレン系熱可塑性エラストマー，オレフィン系熱可塑性エラストマー，ポリビニルイソプレン，ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂や，これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられる。
「【００１８】
　
さらに，基材１は，本発明の効果を損なわない範囲で，目的に合わせて，各種樹脂や添加剤等を添加することができる。例えば，帯電防止性を付与するために，ポリエーテル/ポリオレフィンブロックポリマーやポリエーテルエステルアミドブロックポリマー等の高分子型帯電防止剤やカーボンブラック等が添加可能な材料として挙げられる。なお，帯電防止効果を付与する場合においては，オレフィン系樹脂との相溶性という観点からは，ポリエーテル/ポリオレフィン共重合体を用いたイオン伝導型帯電防止剤が好ましい。
「【００３４】
（実施例１）
＜ダイシングテープの作製＞
　
基材を構成する材料として，低密度ポリエチレンＦ５２２Ｎ（宇部丸善ポリエチレン製）８５重量部とペレスタット２３０（三洋化成工業製）１５重量部を準備し，両者をドライブレンドした
「【図１】
」
エ　以上ウで示した事項から，引用例３には，次の発明（以下，「引用例３記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「基材１と，その一方の面側に形成された粘着剤層２とを有する半導体ウエハ用ダイシングフィルムにおいて，
　基材１を構成する樹脂に帯電防止性を付与するために，ポリエーテル/ポリオレフィンブロックポリマーやポリエーテルエステルアミドブロックポリマー等の高分子型帯電防止剤添加することができ，高分子型帯電防止剤としてペレスタット２３０（三洋化成工業製）を用いること。」
第５　当審の判断
１　理由１について
（１）本願の発明の詳細な説明には，次の内容が記載されている。 
「【０１７９】
１．原材料の準備
まず，各実施例および各比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープの製造に用いた原材料を以下に示す。
【０１８０】
　（樹脂材料１）
　
樹脂材料１として，ポリプロピレン６０重量部と，下記一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと下記一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体４０重量部とを含有するものを用意した。
【０１８１】
【化３】
（式（１）中，ｎは２以上の整数）
【０１８２】
【化４】
（式（２）中，ｎは２以上の整数）」
「【０１９０】
　（第２の導電性材料）
　
第２の導電性材料（高分子型帯電防止剤）として，ペレスタット３００（三洋化成社製）を用意した
「【０１９２】
２．半導体用ウエハ加工用粘着テープの作製
　［実施例１］
　
樹脂材料１（９０重量部）と，第２の導電性材料（１０重量部）とを２軸混練機で混練した後，混練したものを押出し機で押し出して，厚さ１００μｍの基材４を作製した。
【０１９３】
　次に，ベース樹脂１（１００重量部），硬化性樹脂１（ベース樹脂１００重量部に対して１４０重量部），架橋剤１（ベース樹脂１００重量部に対して５重量部）および光重合開始剤１（ベース樹脂１００重量部に対して３重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を，乾燥後の粘着層２の厚さが１０μｍになるようにして基材４にバーコート塗工した後，８０℃で１０分間乾燥させて，基材４の一方の面に粘着層２を形成した。
【０１９４】
　次に，第１の導電性材料１を，乾燥後の帯電防止層３の厚さが０．３μｍになるようにして基材４の粘着層２の反対側の面にバーコート塗工した後，８０℃で１０分間乾燥させて，基材４の他方の面に帯電防止層３を形成して実施例１の粘着テープ１００を得た。」
「【０２１０】
　［比較例１］
　
樹脂材料１（９０重量部）と，第２の導電性材料（１０重量部）とを２軸混練機で混練した後，混練したものを押出し機で押し出して，厚さ１００μｍの基材４を作製した。
【０２１１】
　次に，ベース樹脂１（１００重量部），硬化性樹脂１（ベース樹脂１００重量部に対して１４０重量部），架橋剤１（ベース樹脂１００重量部に対して５重量部）および光重合開始剤１（ベース樹脂１００重量部に対して３重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を，乾燥後の粘着層２の厚さが１０μｍになるようにして基材４にバーコート塗工した後，８０℃で１０分間乾燥させて，基材４の一方の面に粘着層２を形成して比較例１の粘着テープ１００を得た。」
「【０２１６】
３．評価
　得られた各実施例および各比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープを，以下の方法で評価した。
【０２１７】
　３−１．基材の抵抗率の評価
　
各実施例および比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープについて，その基材４における帯電防止層３側の表面抵抗率および基材４における体積抵抗率を，それぞれ，ＪＩＳ K ６９１１に従って，抵抗値測定装置（アドバンテスト社製，「Ｒ８３４０」）を用いて測定した。
「【０２２２】
【表１】
【０２２３】
　
表１に示したように，各実施例の半導体用ウエハ加工用粘着テープでは，基材４の帯電防止層３側(粘着層２と反対側の面)の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）以下に設定されており
【０２２４】
　
これに対して，各比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープでは，基材４の帯電防止層３側(粘着層２と反対側の面)の表面抵抗率を１．０×１０８（Ω／□）以下に設定することができず
（２）特許法第３６条第４項第１号違反について
ア　本願発明１には，「前記基材は，その前記帯電防止層側の表面抵抗率が１．０×１０４（Ω／□）超１．０×１０８（Ω／□）以下であ」ると特定されている。
イ　また，本願の発明の詳細な説明の段落０１９２−０１９４には，実施例１として，「樹脂材料１（９０重量部）と，第２の導電性材料（１０重量部）とを２軸混練機で混練した後，混練したものを押出し機で押し出して，厚さ１００μｍの基材４を作製した」ことが，また，発明の詳細な説明の段落２１０−０２１１には，比較例１として，「樹脂材料１（９０重量部）と，第２の導電性材料（１０重量部）とを２軸混練機で混練した後，混練したものを押出し機で押し出して，厚さ１００μｍの基材４を作製した」と，実施例１と同様の材料を用いて同様の製造方法により作成された基材を用いることが記載されている。
　ここで，同様の材料を用いて同様の製造方法により作成された基材は，同様の特性を有するのが技術常識であるから，実施例１及び比較例１においても，同様の表面抵抗率を有しているものと認められる。
ウ　しかしながら、本願の発明の詳細な説明の段落０２２２の表１には，実施例１の表面抵抗率が「Ｅ＋０５Ω／□」であり，比較例１の表面抵抗率が「Ｅ＋１０Ω／□」であること，すなわち，同様の材料を用いて同様の製造方法により作成された同様の基材である，実施例１と比較例１との基材の表面抵抗率が異なることが記載されている。
エ　すると，実施例１と比較例１とでは，表面抵抗率の測定手法や条件等が異なると認められるが，本願の発明の詳細な説明の段落０２１７には，「各実施例および比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープについて，その基材４における帯電防止層３側の表面抵抗率および基材４における体積抵抗率を，それぞれ，ＪＩＳ K ６９１１に従って，抵抗値測定装置（アドバンテスト社製，「Ｒ８３４０」）を用いて測定した」ことのみが記載されており，
その測定手法や条件について，具体的な記載はない。
オ　以上から，本願発明１の，当該測定に基づいた「その前記帯電防止層側の表面抵抗率が１．０×１０４（Ω／□）超１．０×１０８（Ω／□）以下であ」る基材を備える積層体により構成された半導体用ウエハ加工用粘着テープを，本願の発明の詳細な説明の記載に基づいて，当業者が作製することができない。
カ　なお，請求人は令和　２年　６月２６日付けの意見書において，「ここで，本願明細書の段落番号０１９２〜０１９４に記載された実施例１と，段落番号０２１０，０２１１に記載された比較例１とでは，ともに，主たる製造方法を明細書中において記載しており，それらが共通した記載となっている。しかしながら，より具体的には，実施例１では，押し出し機で押し出されたものの表面に対して，第２の導電性材料をコートして基材４を得ることで，１０５（Ω／□）オーダーの基材４を実現している。これに対して，比較例１では，押し出し機で押し出されたものの表面に対する，第２の導電性材料のコートを省略したものを基材４として用いることから，１０５（Ω／□）オーダーとすることができず１０10（Ω／□）オーダーのように表面抵抗率が高い基材４となっている。
　そして，このようにして得られた基材４について，帯電防止層３を有する積層体とすることなく，基材４と粘着層２との積層体とした状態で，以下に添付した添付文書Ａに記載の表面抵抗率測定方法に基づいて，２枚のリング電極で，この積層体を挟み，基材４側のみに電圧をかかることで，基材４の表面抵抗率を測定することができる。」と主張している。
キ　しかしながら，本願の発明の詳細な説明には，「実施例１では，押し出し機で押し出されたものの表面に対して，第２の導電性材料をコートして基材４を得ること」は何ら記載されておらず，この点が，出願時の技術常識であるとも認められない。
　すると，意見書の主張を参酌しても，本願の発明の詳細な説明の記載に基づいて，「その前記帯電防止層側の表面抵抗率が１．０×１０４（Ω／□）超１．０×１０８（Ω／□）以下であ」る基材を備える積層体により構成された半導体用ウエハ加工用粘着テープを，当業者が作製することができない。
ク　したがって，本願明細書は，本願発明１を実施し得る程度に記載されたものではない。
２　理由４について
（１）本願発明１について
ア　対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
（ア）引用発明の「基材」に含有される「帯電防止剤」は，本願発明１の「第２の導電性材料」と，「帯電防止剤」である点で一致する。
　そして，引用発明の「基材」は，「帯電防止剤が含有され」，「プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材を用いること」から，本願発明１の「基材」と，「樹脂材料と，帯電防止剤とを含有する基材」である点で一致する。
（イ）引用発明において「基材上に粘着剤層が設けられ」ているから，引用発明の「粘着剤層」が，本願発明１の「該基材の一方の面に積層された粘着層」に相当する。
（ウ）引用発明の「帯電防止剤層」に含有される「帯電防止剤」は，本願発明１の「第１の導電性材料」と，「帯電防止剤」である点で一致する。
　そして，引用発明の「帯電防止剤層」は，「基材の粘着剤層とは反対側の面上に形成」されており，「帯電防止剤を含有する層」であるから，本願発明１の「帯電防止層」と，「前記基材の他方の面に積層され，帯電防止剤を含有する帯電防止層」である点で一致する。
（エ）引用発明の「ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム」は，「その状態でダイシングが行われ」るものであり，引用発明の「基材」，「粘着剤層」，「帯電防止層」が積層体を構成することは明らかであるから，
本願発明１と引用発明とは，「積層体により構成された半導体用ウエハ加工用粘着テープ」である点で一致する。
（オ）したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「　樹脂材料と，帯電防止剤とを含有する基材と，
　該基材の一方の面に積層された粘着層と，
　前記基材の他方の面に積層され，帯電防止剤を含有する帯電防止層とを備える積層体により構成された半導体用ウエハ加工用粘着テープ。」
（相違点）
（相違点１）本願発明１は，基材に含有される第２の導電性材料が「永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）」と特定されているのに対し，引用発明では「帯電防止剤」ではあるものの，そのように特定されていない点。
（相違点２）本願発明１は，帯電防止層に含有される第１の導電性材料が「チオフェン骨格を有する導電性高分子」であると特定されているのに対し，引用発明では「帯電防止剤」ではあるものの，そのように特定されていない点。
（相違点３）本願発明１は，「基材の帯電防止層側の表面抵抗率が１．０×１０４（Ω／□）超１．０×１０８（Ω／□）以下であり，かつ，その体積抵抗率が１．０×１０１０（Ω・ｍ）超１．０×１０１４（Ω・ｍ）以下である」と特定されているのに対し，引用発明では表面抵抗率，体積抵抗率の数値範囲について特定されていない点。
イ　相違点についての判断
（ア）相違点１，３について
　上記相違点１，３について，まとめて検討する。
　引用例１の段落００２７−００２８には，基材に含有させる帯電防止剤として「高分子型帯電防止剤が好ましい。」と記載されている。
　ここで，引用例１の段落０１５６には「帯電防止剤としての製品名：ペレスタット（三洋化成社製）」と記載，また，引用例２記載事項や引用例３記載事項には，半導体用ウエハ加工用の粘着テープの基材に含有させる高分子型帯電防止剤として，「永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）」である「ペレスタット」を用いることが記載されているように，半導体用ウエハ加工用の粘着テープに含有させる高分子型帯電防止剤としての「永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）」は周知のものである。
　さらに，引用例２記載事項におけるフィルム基材は，本願の実施例１に用いられた基材４と同様の樹脂材料と導電性材料を，ほぼ同様の配合で同様の製造方法により作製されており，その基材の特性は本願のものとほぼ同様の特性を有するのが技術常識であるから，引用例２記載事項の基材は，基材の帯電防止層側の表面抵抗率が１．０×１０４（Ω／□）超１．０×１０８（Ω／□）以下であり，かつ，その体積抵抗率が１．０×１０１０（Ω・ｍ）超１．０×１０１４（Ω・ｍ）以下であるといえる。
　そして，引用発明の基材と引用例２記載事項におけるフィルム基材とは，どちらも，半導体ウエハ加工用の粘着テープの基材という共通の機能を有するものである。
　すると，引用発明の基材に含有される導電性材料として，適宜周知の永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）を採用すると共に，引用例２記載事項の樹脂材料を採用することより，上記相違点１，３に係る発明の構成とすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
（イ）相違点２について
　次に，上記相違点２について検討する。
　引用例１の段落００２７−００２８には，基材に含有させる帯電防止剤として，「高分子型帯電防止剤が好ましい。」と記載されており，さらに段落００３３には，「高分子型帯電防止剤の他の例としては，たとえば，ポリアニリン，ポリピロール，ポリチオフェンなどがあげられる。」と，高分子型帯電防止剤として，チオフェン骨格を有する導電性高分子も記載されている。
　ここで，引用例１の段落００３９には，「帯電防止剤層３５，３６に含有させる帯電防止剤としては，基材３１，粘着剤層３２，半導体裏面用フィルム２に含有させる場合の上記帯電防止剤と同様のものを使用することができる。」と記載されている。
　そして，帯電防止層にどのような帯電防止剤を含有させるのかは，帯電防止層に含まれる高分子バインダーやその形成方法等によって当業者が最適なものを選択する設計的事項であると認められる。
　以上から，引用発明において，帯電防止剤層に含有させる帯電防止剤として，「チオフェン骨格を有する導電性高分子」を採用することにより，上記相違点２に係る発明の構成とすることは，当業者が容易になし得たものである。
ウ　請求人の主張について
（ア）請求人は，令和　２年　６月２６日の意見書において，「しかしながら，引用文献１では，前述の通り，帯電防止剤層３５に含有させる帯電防止剤として，基材に含有させる帯電防止剤と同様のものを使用することができる点が記載されている。これに対して，引用文献２，３では，確かに，基材に含まれる導電性物質として永久帯電防止高分子が用いられることについて記載されているものの，この基材を有する半導体基板加工用粘着シートを，帯電防止剤層を備えるものとすることについては記載されていない。
　このように，引用文献１と引用文献２，３とでは，粘着テープの基本構成が異なり，さらに，引用文献１では，帯電防止剤層と基材とに含有させる帯電防止剤として同様のものを使用すると言う基本概念を有していることから，当業者は，このような引用文献１に，引用文献２，３の構成を組み合わせるように動機づけられることはなく，引用文献１と引用文献２，３とを組み合わせることは，容易に想到し得ないと言える。」と主張している。
（イ）しかしながら，引用発明は，引用例１の図１に記載されているような，ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの他の実施例として，「基材」と「粘着剤層」とを備えた「ダイシングテープ」において，その基材の粘着剤層とは反対の面上に，帯電防止剤層を形成したものである。
　また，引用例２，３記載事項は，どちらも，「基材」と「粘着剤層」とを備えた半導体用ウエハの加工に用いられる「粘着テープ」である。
　すると，引用発明と，引用例２，３記載事項は，どちらも，「基材」と「粘着剤層」とを備えた半導体用ウエハ加工用の粘着テープであるから，粘着テープとしての基本構成は同様のものであり，十分な動機付けがあるといえる。
　なお，引用例１には，段落００３９に「帯電防止剤層３５，３６に含有させる帯電防止剤としては，基材３１，粘着剤層３２，半導体裏面用フィルム２に含有させる場合の上記帯電防止剤と同様のものを使用することができる。」と記載されているが，当該記載は，基材に含有させる帯電防止剤として記載した複数の帯電防止剤から，帯電防止剤層に含まれる素材やその形成方法等を参酌し，適当なものを選択して帯電防止剤層に使用するという趣旨であり，帯電防止剤層と基材とで，同じ帯電防止剤を使用するのが好適，という技術思想を意味するものでないと解される。
　以上から，請求人の主張は採用できない。
第６　むすび 
　以上のとおり，本願は，発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないから，拒絶すべきものである。
　また，以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。