【事件の表示】
　特願２０１７−２４２３０２「静電チャック」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年１１月１５日出願公開、特開２０１８−１８２２９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２９年１２月１９日（優先権主張：平成２９年４月１８日）の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２９年１２月１９日　　：手続補正書の提出
　平成２９年１２月２２日　　：手続補正書の提出
　平成３１年　４月　３日　　：手続補正書の提出
　令和　元年１２月　９日付け：拒絶理由通知書
　令和　元年１２月２０日　　：意見書，手続補正書の提出
　令和　２年　１月　８日付け：拒絶理由通知書
　令和　２年　１月１４日　　：意見書，手続補正書の提出
　令和　２年　３月２３日付け：拒絶査定
　令和　２年　４月１０日　　：審判請求書，手続補正書の提出
第２　令和２年４月１０日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和２年４月１０日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
　１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により，特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおり補正された。（下線部は，補正箇所である。）
「ウエハ支持面を有する静電チャックで，
　
ウエハが昇温されることで
　前記ウエハが支持される場所で全ての溝が連通し，溝の連通箇所の全てで三叉路が形成されている
とともに
　
前記ウエハ支持面に前記三叉路が複数形成されている
　
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，令和２年１月１４日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「ウエハ支持面を有する静電チャックで，
　前記ウエハ支持面にウエハから放出されてウエハと前記ウエハ支持面との間に滞留するガスを外部に排出するための複数の溝が形成されていて，
　前記ウエハが支持される場所で全ての溝が連通し，溝の連通箇所の全てで三叉路が形成されている静電チャック。」
　２　補正の適否
　本件補正は，本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項について，上記のとおり限定を付加するものであって，補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから，特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について，以下，検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は，上記１（１）に記載したとおりのものである。
　
（２）引用文献の記載事項
　ア　引用文献１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２００６−１７９６９３号公報（以下「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は，当審で付した。）
「【請求項１】
ヒータ付き静電チャックであって，両表面に絶縁体層を有し，一方の表面に静電チャック機能を有し，かつもう一方の面にヒータ機能を有すると共に，両表面もしくは片方の表面に外周縁にまで連通したガス抜き用溝を設けたことを特徴とするヒータ付き静電チャック
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
半導体製造用成膜装置などに用いられるヒータ付き静電チャックであって，急速昇温が可能でかつ昇温中においてヒータ全域を一定の温度に加熱することができる円盤状ヒータ付き静電チャックに関するものである
【背景技術】
【０００２】
　
半導体素子の製造過程で
半導体ウェハは，反応室内にてヒータ付き静電チャック表面に載置支持される
この時，半導体ウェハ面内での成膜あるいはエッチングの均一性を維持するために，円盤状ヒータに載置された半導体ウェハは均一に加熱されていることが重要となる
【０００３】
　従来，この種の円盤状ヒータでは，アルミナや窒化アルミニウム等のセラミックス等の円盤状の絶縁性基板の上面をウェハ載置面とし，その内部に，ウェハ載置面側に静電チャック電極を，他側にニクロム，タングステン等の高融点金属からなる帯状の発熱抵抗体を埋設したヒータ付き静電チャックが用いられている。この帯状の発熱抵抗体のパターンとしては，通常，略同心円状または渦巻き状に形成したものが用いられている（特許文献１参照）。
【０００４】
　
静電チャックの吸着力は
【０００５】
　どちらの力も，
静電チャック電極と被吸着体であるウェハとの間の距離の２乗に反比例するとされている
このため，被吸着体と静電チャック表面との距離は，吸着力を管理する上で重要な要素となり，被吸着体（被処理物）の位置によって吸着力に差があると，被処理物たる半導体ウェハ表面の温度分布が大きくなることに繋がると考えられる
「【０００７】
　従来このようなヒータ付き静電チャックでは，温度の均一性を企図して，表面が平坦に仕上げ加工されたものが一般的であった。
　ウェハへの微細配線形成工程では，ヒータ付き静電チャックの表面温度を３５０℃から５００℃に維持しており，ゲートバルブを通して反応室に投入されたウェハはヒータ付き静電チャックを貫通して上下にスライド可能に設置されたリフトピン等に載置され，ゆっくりと前記静電チャック表面に降ろされる。
【０００８】
　そして，静電チャックの電極に所定の電圧を印加することで，ウェハが静電気力により吸着固定され，発熱抵抗体に通電して加熱昇温される。
　
ゲートバルブを通して反応室に投入されたウェハは，表面に水分やガスを吸着していることが多い。これを急激に加熱昇温すると，ウェハの裏面に吸着されていたガスや水分が急激に加熱昇温されてウェハから離脱し，前記ヒータ付き静電チャックとウェハの間に滞留し，ウェハの密着性を阻害させることがあり，このことによりウェハの温度分布が部分的に大きく異なることになることがある
　従って，ゲートバルブを通して反応室に投入されたウェハは，直ちに加熱昇温させることができず，時間を掛けて十分にデガスする必要があった。
　また，ウェハ処理装置の立ち上げ時には，ヒータ付き静電チャックそのものも吸湿・ガス吸着している可能性があり，ウェハ処理装置の立ち上げ時にも，予熱によってデガスを行う時間をとるのが通常であり，操業開始に準備時間が必要で，操業効率が悪いという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　本発明は，上記問題点に鑑み，ウェハ載置面において早急に装置の稼働を可能とし，また，ウェハに均一な温度分布を早急に形成し得るヒータ付き静電チャックを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
　本発明のヒータ付き静電チャックは，両面もしくは片面に外周縁にまで連通したガス抜き用溝を設けたことを特徴とする。本発明のヒータ付き静電チャックの静電チャック機能は，熱伝導基材上にＣＶＤ法で，第一の絶縁体層と，第二の導電パタ−ン層と，第３の絶縁体層が積層されて構成される。前記第三の絶縁層の表面形状が，平坦面から前記ガス抜き用溝に向かって，緩やかな落ち込み形状を有していること，
前記ガス抜き用溝が，幅１〜３ｍｍ，深さ０.０３ｍｍ〜０.２ｍｍで，且つ溝間の距離が５〜１５ｍｍであることが好ましい
【発明の効果】
【００１１】
　本発明によれば，前工程や休止中でのガス環境により吸着したガスや湿分が，加熱昇温に伴う熱膨張・気化・離脱によって，ウェハの静電チャックへの密着性を阻害することがないように通常行われるウェハ処理装置の立ち上げ時やウェハのセッティング時にデガス措置に余分な時間を掛けることなく，早急にウェハの加熱操作を開始することができ，静電チャックからウェハに均一に熱を伝えることが出来るようになり，ヒータ付き静電チャックに載置されたウェハ表面の温度分布を均一にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
　本発明者は，静電チャックを用いた半導体ウェハの処理の操業の迅速化・効率化全般について，また，特にウェハ載置面の温度分布を均一化する方法について，種々検討を重ねた結果，
ウェハを載置する面
に外周縁にまで連通する小さな溝を形成し，この部分の溝を通じてウェハないし静電チャックに吸着されていたガスないし湿分が加熱に伴って離脱した結果生じた圧力を逃がすことにより，デガスのための時間を格別設けなくとも直ちに加熱操作を開始することができ，ウェハの均熱性の向上を図ることが可能であることを見いだし，本発明に至った
　即ち，本発明のヒータ付き静電チャックは，表面に設けた溝を外周縁にまで連通させることにより，ウェハと静電チャック面間ないし静電チャックと装置フレームないしヒートシンク間で発生したデガスによる圧力上昇を，最表面層である絶縁層に形成された溝を通じて圧力を逃がすことを特徴とするものである。
【００１３】
　以下，本発明のヒータ付き静電チャックについて，図面をもとに説明する。
　図１は，本発明のヒータ付き静電チャックの表面に形成される溝パターンの一実施の形態を示す図である。図２は，本発明のヒータ付き静電チャックの表面に形成される溝パターンの一実施の形態を示す図である。図３は，本発明の静電チャックの表面に形成される溝形状の断面を模式的に示した図である。図４は，溝の縁近傍の形状の詳細を示した図である。図５は，本発明で対象とする半導体製造装置の概略説明図である。」
「【００１５】
　図４に示されるように，ガス抜き用溝６に向かって，第三の絶縁体層５の表面７は，ほぼ０．５〜１ｍｍ（ｌ2）に亘って，最大で２〜１０μｍ（ｌ1）の深さに緩やかな落ち込み形状が形成され，その先は０．５〜３ｍｍのアールが形成される。緩やかな落ち込みとすることによって，ガス抜き用溝６近傍の半導体ウェハに対する固着力の低下を最小限にされている。
　
ガス抜き用溝６のパターンとしては，適宜に設定できる
図１，図２に示されるようにすることが例示され得る
図１においては，第三の絶縁体層５の表面７の中心から適宜本数（図示の場合では４本）の直線状のガス抜き用溝６が外周縁にまで連通するように形成され，ガス抜き用溝６の間隔が５〜１５ｍｍとなるように，短い直線上のガス抜き用溝がその間を埋めている
【００１６】
　
図２においては，図１の直線状と異なり，螺旋状のガス抜き用溝となっている
　
ガス抜き用溝を設けたことにより，半導体ウェハに吸着されていたガス・湿分が加熱に伴って離脱・膨張しても，半導体ウェハと静電チャックとの界面にとどまって圧力上昇を来すことなく系外に排出が可能となるので，この静電チャック１が半導体ウェハ処理装置に組み付けられることにより，半導体ウェハに製膜・エッチング等の処理を行うに際して，半導体ウェハのセッティングの際にデガスのための準備期間を採ることなく直ちに所定温度への加熱操作を開始することができる
「
」
　
（イ）上記記載から，引用文献１には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
　ａ　引用文献１に記載された技術は，半導体製造用成膜装置などに用いられるヒータ付き静電チャックであって，急速昇温が可能でかつ昇温中においてヒータ全域を一定の温度に加熱することができる円盤状ヒータ付き静電チャックに関するものであること。（【０００１】）
　ｂ　半導体素子の製造過程で，半導体ウェハは，反応室内にてヒータ付き静電チャック表面に載置支持され，この時，半導体ウェハ面内での成膜あるいはエッチングの均一性を維持するために，円盤状ヒータに載置された半導体ウェハは均一に加熱されていることが重要となること。（【０００２】）
　ｃ　静電チャックの吸着力は，静電チャック電極と被吸着体であるウェハとの間の距離の２乗に反比例することから，被吸着体と静電チャック表面との距離は，吸着力を管理する上で重要な要素となり，被吸着体（被処理物）の位置によって吸着力に差があると，被処理物たる半導体ウェハ表面の温度分布が大きくなること。（【０００４】，【０００５】）
　ｄ　ゲートバルブを通して反応室に投入されたウェハは，表面に水分やガスを吸着していることが多く，これを急激に加熱昇温すると，ウェハの裏面に吸着されていたガスや水分が急激に加熱昇温されてウェハから離脱し，前記ヒータ付き静電チャックとウェハの間に滞留し，ウェハの密着性を阻害させることがあり，このことによりウェハの温度分布が部分的に大きく異なることになることがあること。（【０００８】）
　ｅ　ウェハを載置する面に外周縁にまで連通する小さな溝を形成し，この部分の溝を通じてウェハないし静電チャックに吸着されていたガスないし湿分が加熱に伴って離脱した結果生じた圧力を逃がすことにより，デガスのための時間を格別設けなくとも直ちに加熱操作を開始することができ，ウェハの均熱性の向上を図ることが可能であることを見いだし，引用文献１に記載された発明に至ったこと。（【００１２】）
　ｆ　引用文献１の請求項１には，「ヒータ付き静電チャックであって，両表面に絶縁体層を有し，一方の表面に静電チャック機能を有し，かつもう一方の面にヒータ機能を有すると共に，両表面もしくは片方の表面に外周縁にまで連通したガス抜き用溝を設けたことを特徴とするヒータ付き静電チャック。」という発明が記載されていること。（【請求項１】）
　ｇ　ガス抜き用溝は，幅１〜３ｍｍ，深さ０.０３ｍｍ〜０.２ｍｍで，且つ溝間の距離が５〜１５ｍｍであることが好ましく，ガス抜き用溝６のパターンとしては，適宜に設定できるが，図１，図２に示されるようにすることが例示され得ること。（【００１０】，【００１６】）
　ｈ　図１においては，第三の絶縁体層５の表面７の中心から適宜本数（図示の場合では４本）の直線状のガス抜き用溝６が外周縁にまで連通するように形成され，ガス抜き用溝６の間隔が５〜１５ｍｍとなるように，短い直線上のガス抜き用溝がその間を埋めていること。（【００１６】）
　ｉ　ガス抜き用溝を設けたことにより，半導体ウェハに吸着されていたガス・湿分が加熱に伴って離脱・膨張しても，半導体ウェハと静電チャックとの界面にとどまって圧力上昇を来すことなく系外に排出が可能となるので，この静電チャック１が半導体ウェハ処理装置に組み付けられることにより，半導体ウェハに製膜・エッチング等の処理を行うに際して，半導体ウェハのセッティングの際にデガスのための準備期間を採ることなく直ちに所定温度への加熱操作を開始することができること。（【００１６】）
（ウ）上記（ア），（イ）から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「両表面に絶縁体層を有し，一方の表面に静電チャック機能を有し，かつもう一方の面にヒータ機能を有すると共に，前記一方の表面に外周縁にまで連通したガス抜き用溝を設けた，半導体素子の製造過程で，半導体ウェハを，反応室内にて，その表面に載置支持する，ヒータ付き静電チャックであって，
　前記一方の表面の中心から４本の直線状のガス抜き用溝が外周縁にまで連通するように形成され，ガス抜き用溝の間隔が５〜１５ｍｍとなるように，短い直線上のガス抜き用溝がその間を埋めており，
　この部分の溝を通じてウェハないし静電チャックに吸着されていたガスないし湿分が加熱に伴って離脱した結果生じた圧力を逃がすことを特徴とするヒータ付き静電チャック。」
　
　イ　引用文献２
（ア）同じく原査定に引用され，本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった実願平０１−０９７８４０号（実開平０３−０３８３５７号）のマイクロフィルム（以下「引用文献２」という。）には，次の記載がある。
「
」（第１ページ４−１５行）
「
」（第２ページ３−６行）
「
」（第２ページ１１−２０行）
「
」（第３ページ１−２０行）
「
」（第４ページ１−１４行）
「
」
（イ）上記記載から，引用文献２には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
　ａ　表面の中心から３本の直線状のガス抜き用溝が外周縁にまで連通する構造。
　ｂ　全ての溝が連通した構造，及び，溝の連通箇所で三叉路が形成される構造が記載されていること。
　ウ　引用文献３
（ア）同じく原査定に引用され，本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００２−０５７２０９号公報（以下「引用文献３」という。）には，次の記載がある。
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，前記処理装置においては，
ウエハを載置台上に載置するときや処理容器内を減圧するときなどにウエハの下面と載置台の上面との間に存在する気層ないし気体によってウエハが一時的に浮遊状態となり，ウエハが載置台上で位置ズレないし横滑りを生じる問題があった
所定の処理後に処理容器内の処理ガスを空にするために，真空引きにより処理容器内を処理圧力から一気に減圧する場合などに，ウエハの下面と載置台の上面との間に存在している気体が膨張し，その気体の圧力でウエハが一時的に浮き上がり，浮遊状態となって横滑りする場合がある
「【０００６】本発明は，以上のような問題点を解決すべく創案されたものである。本発明の目的は，載置台上の被処理体の位置ズレないし横滑りを抑制ないし防止することができる枚葉式処理装置および処理方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のうち，請求項１の発明は，処理容器内に被処理体を載置する載置台を備えた枚葉式処理装置において，前記
載置台の上面に複数の溝を形成
【０００８】請求項２の発明は，請求項１記載の枚葉式処理装置において，
前記溝が前記載置台の上面に略同じ面積の複数の島を形成するようなパターンに形成
【０００９】請求項３の発明は，請求項１記載の枚葉式処理装置において，前記
溝が前記載置台の上面にその半径方向の任意の線に対して斜めに交差するように略渦巻き状に形成
「【００１４】
【発明の実施の形態】以下に，本発明の実施の形態を添付図面に基いて詳述する。図１は本発明の実施の形態を示す枚葉式処理装置の断面図，図２は同処理装置の概略的構成を示す図，
図３は載置台の上面を示す平面図
「【００１６】この処理容器２内には，ウエハｗを載置する載置台（サセプタ）３が設けられている。この載置台３は，耐熱性，電気絶縁性およびウエハに対して非汚染性の材料例えば焼結された窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックにより円板状に形成されている。この載置台３の内部には，抵抗発熱体４が面状に配置されて密封状態に設けられている。すなわち，
載置台３は，ウエハｗに対して金属汚染のないクリーンな，いわゆるセラミックヒータを有する構造になっており，載置台３の上面に載置されたウエハを所定の温度に加熱制御可能に構成されている
「【００２２】ところで，ウエハｗが載置台３上で横滑りを生じる大きな原因は，ウエハｗが載置台３上で一時的に浮遊状態になることである。このウエハｗの浮遊状態は，前記リフトピン２２の降下によりウエハｗを載置台３上に載置するときや処理容器２内を減圧するときなどに，ウエハｗの下面と載置台３の上面との間（以下，単にウエハと載置台との間ともいう。）に存在する気体ないし気層によりウエハｗが一時的に浮き上がることにより生じる。
【００２３】リフトピン２２の降下によりウエハｗを載置台３上に載置するときには，ウエハｗと載置台３との間に存在する気体がウエハｗの周縁部から逃げるため，ウエハｗが載置台３上に完全に着地するまでに１０秒程度かかる（図５参照）。処理容器２内を減圧するとき，例えば所定の処理圧力例えば３９９９〜９３３２Ｐａ[３０〜７０Ｔｏｒｒ]程度から真空パージのために例えば２０Ｐａ[１５０ｍＴｏｒｒ]程度に一気に減圧する場合，ウエハｗと載置台３との間に存在する気体が膨張し，その圧力でウエハｗが浮き上がり，ウエハｗと載置台３との間に存在する気体がウエハｗの周縁部から逃げるため，ウエハｗが浮き始めてから載置台３上に再び完全に着地するまでに１０秒程度かかる（図６参照）。
【００２４】そこで，このような載置台３上におけるウエハの浮遊状態を抑制あるいは浮遊時間を短縮するために，
前記載置台３の上面には，図２ないし図３に示すように，複数の溝３０が形成されている
これらの溝３０および通気孔３１により，ウエハｗと載置台３との間に存在する気体を迅速に逃して，載置台３上のウエハｗの位置ズレないし横滑りを抑制ないし防止するように構成されている
【００２５】この場合，前記
溝３０は前記載置台３の上面に略同じ面積の複数の島３２を形成するようなパターンに形成されている
図示例の場合，溝３０は同心円状および放射状に形成されている。即ち，載置台３の上面には，同心円状の溝３０ａと放射状の溝３０ｂとを形成することにより，これらの溝３０ａ，３０ｂで区画された複数の島３２が形成されている
「【００２７】
前記各島３２は，最外側の島３２ａを除いて，周囲が溝３０で囲まれており，最外側の島３２ａは，ウエハｗの周縁部から気体を直接逃すことができるため，ウエハｗの周縁部と対応する箇所を除く三方が溝３０で囲まれている
これらの各島３２（３２ａを含む）の面積ないし各島３２の中心から周囲までの距離を略同じくすることにより，各島３２の上面とウエハｗの下面との間に存在する気体を略同時に迅速且つ面内均一に逃すことができるようになっている
「【００４４】
図７は載置台の上面に形成される溝の他のパターンを示す平面図である
図７に示すように，載置台３の上面には，その半径方向の任意の線４０に対して斜めに交差するように略渦巻き状に複数の溝３０が形成されている
【００４５】
前記溝３０は，長さの短い溝３０ｃと，長さの長い溝３０ｄ，３０ｅとからなり，これらの溝３０ｃ，３０ｄ，３０ｅが円周方向に適宜間隔で交互に配設されている。これらの溝３０ｃ，３０ｄ，３０ｅの一端（外方端）は載置台３上に載置されるウエハｗよりも大きい円上に配置されている。また，これらの溝３０ｃ，３０ｄ，３０ｅは，加工が容易な直線状に形成されていることが好ましい。なお，長さの長い溝３０ｄ，３０ｅのうちの一方の溝３０ｅは，その他端（内方端）が載置台３の中心近くまで湾曲状に延長して形成されており，これにより載置台３とウエハｗとの間における中心側に滞留する気体を逃すことができるようになっている
「【００４９】以上，本発明の実施の形態を図面により詳述してきたが，
本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく，本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の設計変更等が可能である
「
」
「
」
（イ）上記記載から，引用文献３には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
　ａ　周囲が溝３０で囲まれた各島３２の面積ないし各島３２の中心から周囲までの距離を略同じくすることにより，各島３２の上面とウエハｗの下面との間に存在する気体を略同時に迅速且つ面内均一に逃すことができること。
　ｂ　全ての溝が連通した構造，及び，溝の連通箇所で三叉路が形成される構造が記載されていること。
　エ　引用文献４
（ア）同じく原査定に引用され，本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開平１１−００６０６９号公報（以下「引用文献４」という。）には，次の記載がある。
「【請求項１】　処理室内を減圧し，処理室内の載置台に被処理体を載置して被処理体に所定の処理を施す処理装置であって，
前記載置台表面の被処理体載置部分に，載置台外部に連通した凹溝が形成されていることを特徴とする処理装置。
【請求項２】　前記凹溝は，載置台の径方向に沿って放射状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。」
「【００１２】本発明者らは，処理室内の圧力変動時における載置台上の被処理体の位置ずれの原因について検討した結果，被処理体と載置台との間の隙間に残留している微量のガスが減圧時に膨張し，この膨張したガスが被処理体を押し上げるためであるとの結論を得た。本発明では，このような検討結果に基づき，載置台表面の被処理体載置部分に，載置台外部に連通した凹溝を設け，このようなガスによる被処理体の押し上げを防止している。すなわち，本発明では，被処理体の下側で載置台の表面に載置台外部に連通した凹溝を形成しているため，処理室内の圧力の変動時，例えば，真空ポンプにより処理室内を減圧する際，被処理体と載置台との間の隙間に残留している微量のガスが膨張したとしても，この膨張したガスは，載置台表面の凹溝を介して載置台外部に放出される。したがって，圧力変動時であっても，被処理体が載置台上で位置ずれすることがない。」
「【００２２】
図２
に示すように
中心部から径方向に延出した６個の凹溝４３が形成
「【００３０】さらに，上記実施の形態では，凹溝を放射状に設けたが，ガスの放出が可能な形状であれば凹溝の形状は特に限定されるものではなく，例えば，格子状に形成することもできる。」
「
」
（イ）上記記載から，引用文献４には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
　ａ　上記実施の形態では，凹溝を放射状に設けたが，ガスの放出が可能な形状であれば凹溝の形状は特に限定されるものではなく，例えば，格子状に形成することもできる。
　ｂ　全ての溝が連通した構造，及び，溝の連通箇所で三叉路が形成される構造が記載されていること。
　オ　引用文献５
（ア）同じく原査定に引用され，本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１５−０８８５７３号公報（以下「引用文献５」という。）には，次の記載がある。
「【請求項１】
　真空容器内部に配置された処理室内に配置されその面上で被処理体のウエハを保持する載置台を備えて前記処理室内に形成したプラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置において，
　前記載置台の前記ウエハがその上で保持される面の中央部から外周端まで延在し当該外周端に開口を有する溝を備え，前記ウエハが前記載置台の上面で所定の高さに保持されて前記処理が施されるプラズマ処理装置。」
「【請求項４】
　請求項１乃至３の何れかに記載のプラズマ処理装置において，
　前記載置台は前記面上に互いに平行に配置された複数の前記溝を備えたプラズマ処理装置。
【請求項５】
　請求項１乃至４の何れかに記載のプラズマ処理装置において，
　前記溝が前記載置台の前記面上においてその中央部から少なくとも３つの方向に延在するプラズマ処理装置。」
「【００１０】
　また，ウエハの裏面にも膜が形成されたウエハでは，
熱エネルギーによってウエハ裏面から脱ガスを起こし，ホバリングの要因となると考えられる
「【００３０】
　次に，本実施例のウエハ載置台１２の表面に配置された溝の構成とその加工の工程について説明する。ウエハ２０の温度の上昇に伴って生じる裏面と載置台の上面との間の空間内でのガス圧の上昇を抑制してウエハ２０の位置ずれを低減する為に，
本実施例のウエハ載置台１２の表面には所定の形状の複数の溝１４を形成
「【００３２】
　また，本実施例のウエハ載置台１２の溝１４配置は，ウエハ載置台１２中心部から外周側に向けて放射状に伸びる配置としている。しかし，
溝１４がウエハ載置台１２中央部に集中して配置されて単位面積当たりの溝の面積の占める割合が外周側部分と比べて特定の値より大きくなると，ウエハ載置台１２からウエハ２０に伝達される熱量は外周側部分より中央側部分の方が相対的に小さくなり，ウエハ２０表面方向についての温度の分布は中央部で低くなりアッシングレートは均一性が損なわれる虞が有る
【００３３】
　このような課題を考慮して，発明者らが検討した結果，本実施例においては溝１４の幅を４mm，深さを０．５mmの形状とすることで，アッシングレートのウエハ２０の面方向の分布に悪影響を及さすことを抑制することができることが判った。また，
溝１４の配置は，溝１４で区切られたウエハ載置台１２の面積が，周方向について，ほぼ同じ値となるなるように配置することで，ウエハ載置台１２表面の温度の分布の不均一性を低減できるという知見を得られた
「【００３７】
　一方，ウエハ２０裏面に熱反応が起こしやすいカーボン膜などを形成している場合，急激な熱反応によってウエハ２０の裏面側の膜から脱ガスが発生し，その脱ガスによって裏面側の空間２１内の圧力が上がることでホバリング状態となりウエハ位置ずれが発生することも考えられる。尚，発明者らの検討によれば，
ウエハの位置ずれが発生するタイミングは
昇温ステップ
でも発生する
【００３８】
　そこで，発明者らは，本実施例のウエハ載置台１２と従来技術によるウエハ載置台１９を用いてウエハ位置ずれの要因の検証を行った。ウエハ２０には，熱反応に顕著で膜応力を起こしやすいカーボン膜をウエハ表裏面および表面のみ形成したサンプルを作成し，アッシング処理を行いウエハの位置ずれ試験を実施した。
【００３９】
　処理条件は，脱ガスや副生成物が大量に発生しやすいと想定された図５（ａ）に示す条件を用いた。このような検証の結果，従来技術によるウエハ載置台１９では，ウエハ表裏面及び表面のみに形成したサンプルのいずれもウエハ位置ずれが発生したが，
本発明の溝加工したウエハ載置台１２では，どちらのサンプルもウエハ位置ずれが発生しなかった
「
」
（イ）上記記載から，引用文献５には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
　ａ　溝１４がウエハ載置台１２中央部に集中して配置されて単位面積当たりの溝の面積の占める割合が外周側部分と比べて特定の値より大きくなると，ウエハ載置台１２からウエハ２０に伝達される熱量は外周側部分より中央側部分の方が相対的に小さくなり，ウエハ２０表面方向についての温度の分布は中央部で低くなりアッシングレートは均一性が損なわれる虞が有ること。
　ｂ　溝１４の配置は，溝１４で区切られたウエハ載置台１２の面積が，周方向について，ほぼ同じ値となるなるように配置することで，ウエハ載置台１２表面の温度の分布の不均一性を低減できるという知見を得られたこと。
　ｃ　全ての溝が連通した構造，及び，溝の連通箇所で三叉路が形成される構造が記載されていること。
　カ　引用文献６
　同じく原査定に引用され，本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００６−０６６８５７号公報（以下「引用文献６」という。）には，次の記載がある。
「【００１５】
　図１に構成例を示す。ここで図１（ａ）は上面図を示し，同（ｂ）はＡ−Ａ′の断面を示す。基盤１はアルミニウム製で厚さは２０ｍｍ。この基盤１の上面に絶縁層２を溶射により形成している。絶縁層２の材質は酸化アルミのセラミックで厚さは１００μｍである。絶縁層２の上部には第一電極３と第二電極４がくし歯状に形成される。これら電極は二酸化チタンを溶射によりマスクを解して吹きつけることで形成する。第一電極３と第二電極４の膜厚は１００μｍである。後，シリコン材により全域に封抗処理をおこなう。第一電極３と第二電極４ともに電極の幅は１ｍｍで，電極間の隙間距離も１ｍｍである。くし歯の長さＸは任意で被吸着基板５の大きさ，あるいはその他条件で１０００ｍｍ程度まで大きくすることができる。電極には電源６が接続される。図１では第一電極３にマイナス，そして第二電極４にプラスの電位を供給し，その中間電位は大地に接続されているようすを示している。電位の極性はこの逆でも，吸着力に変化はない。第一電極３と第二電極４の上には被吸着基板５が設置されている。第一電極３と第二電極４に困れた部分には真空排気孔７が設けられている。第一電極３と第二電極４に囲まれた領域の真空排気を促進するためである。この真空排気孔７の断面のようすを図２に示す。第一電極３と第二電極４の間に挟まれた領域の気体は真空排気孔７を通って真空排気孔の真空容器側ガス出口７ａに排気される。孔を設ける代わりに同じ目的のために溝を設けることが考えられる。Ｃ−Ｃ′の断面のようすを図３に示す。ここではあらかじめ絶縁層２に溝を加工し，その上に第二電極４を前記とおなじく溶射により吹き付け，真空排気溝８を形成する。尚，この溝の形成は基盤１に行っても良い。これら真空排気孔７または真空排気溝８は図中では一箇所であるが，その数に制限はなく，より早い真空排気を行うために複数設置する。」
「
」
　キ　引用文献７
　同じく原査定に引用され，本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開平０６−３４９９３８号公報（以下「引用文献７」という。）には，次の記載がある。
「【００１２】また，前記サセプタ９の上部には図２に示すように前記半導体ウエハ５を静電気力にて吸着保持する静電チャック機構１６の静電チャックシート１７が貼設され，この静電チャックシート１７は，導電材質よりなる電解箔銅１８を両側から絶縁膜，例えばポリイミド樹脂よりなるポリイミドフィルム１９でポリイミド系の接着剤でおのおの接着されサンドイッチ構造に構成されている。さらに，前記電解箔銅１８には，この電解箔銅１８に高電圧，例えば２００Ｖ〜３ＫＶの電圧を給電するための給電棒２０が接続され，この給電棒２０は，前記処理室１の底面に気密かつ絶縁状態で貫通され，高圧電源２１に切替え手段，例えば電磁スイッチ２２を介して接続されている。また，この電磁スイッチ２２は制御手段２３の制御信号によりＯＮまたはＯＦＦされるよう構成されている。
【００１３】また，前記サセプタ９，前記サセプタ支持台１２には，前記冷媒溜１３の温度を前記半導体ウエハ５に伝熱する伝熱媒体，例えば不活性ガスのＨｅガスを伝熱ガス供給源２４より供給するための伝熱ガス供給路２５が穿設されており，この伝熱ガス供給路２５は，前記サセプタ９内部に設けられた伝熱ガス溜め室２６に接続され，この伝熱ガス溜め室２６の底面は，前記半導体ウエハ５の裏面に伝熱ガスの流量を均一に伝熱ガス２７を伝熱ガス吹出孔２８より吹き出すために，伝熱ガスの吹き出し量のコンダクダンスを変化させるよう湾曲構造に形成されている。さらに，前記伝熱ガス吹出孔２８は，図３に示すように前記静電チャックシート１７の上面に複数の径で同心円状に設けられた溝部２９に複数の径で同心円状かつ放射状に穿設されており，また，前記複数の溝部２９は各々伝熱ガス２７を流動させるための流動溝部３０で連通され，前記静電チャックシート１７と前記半導体ウエハ５との間で伝熱ガス２７を分散させるガス分散溝部３１が構成されている。」
「
」
　ク　引用文献８
　同じく原査定に引用され，本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００７−２０１４０４号公報（以下「引用文献８」という。）には，次の記載がある。
「【００２８】
　次に，図３を用いてトレイの好適な一実施形態であるトレイ１５Ａについて説明する。図３(a)はトレイ１５Ａの上面図である。トレイ１５Ａは，基板１４を載置する側の表面に溝２１を設けたものである。この例では，溝２１を蜂の巣（ハニカム）状に，トレイ１５の端部２２にまで延びるように形成した。
【００２９】
　このように溝２１を設けることにより，図３(b)の縦断面図に示すように，発泡剥離性シート１６を用いてトレイ１５Ａ上に基板１４を接着する際に，基板１４からトレイ１５Ａに圧力を加えるにより発泡剥離性シート１６から押し出される気体を溝２１から端部２２を通過して外部に逃がすことができる。そのため，接着後にトレイ１５Ａと基板１４の間に気体が残留することを防ぐことができ，溝２１がない場合よりもトレイ１５Ａと基板１４の接着性が向上する。そのため，プラズマCVD装置１０により基板１４上に成膜が行われる際に基板１４の熱をより確実にトレイ１５Ａに逃がすことができ，基板１４が所定温度以上に上昇することを防ぐことができる。なお，図３(b)では説明の都合上，溝２１は図３(a)に示した蜂の巣状のものとは異なる形状で示した。」
「
」
　ケ　引用文献９
　同じく原査定に引用され，本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１２−０４３９２８号公報（以下「引用文献９」という。）には，次の記載がある。
「【００２７】
　次に，図４を用いてトレイの好適な一実施形態であるトレイ１５Ａについて説明する。図４（ａ）はトレイ１５Ａの上面図である。トレイ１５Ａは，基板１４を載置する側の表面に溝２１を設けたものである。この例では，溝２１を蜂の巣（ハニカム）状に，トレイ１５の端部２２にまで延びるように形成した。」
「
」
（３）引用発明との対比
　ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明は，「半導体素子の製造過程で，半導体ウェハを，反応室内にて，その表面に載置支持する，ヒータ付き静電チャック」であるから，引用発明の「ヒータ付き静電チャック」が，「ウエハ支持面を有する」ことは自明である。
　したがって，引用発明の「ヒータ付き静電チャック」と，本件補正発明の「静電チャック」とは，いずれも「ウエハ支持面を有する」点で一致する。
（イ）引用発明の「静電チャック機能を有」する「一方の表面に」設けられた「外周縁にまで連通した」「前記一方の表面の中心から４本の直線状のガス抜き用溝が外周縁にまで連通するように形成され，ガス抜き用溝の間隔が５〜１５ｍｍとなるように，短い直線上のガス抜き用溝がその間を埋めて」いる「ガス抜き用溝」は，「この部分の溝を通じてウェハないし静電チャックに吸着されていたガスないし湿分が加熱に伴って離脱した結果生じた圧力を逃がす」という機能を果たすものであるから，本件補正発明の「ウエハが昇温されることで前記ウエハ支持面にウエハから放出されてウエハと前記ウエハ支持面との間に滞留するガスを外部に排出するための複数の溝」に相当する。
（ウ）引用発明の「ヒータ付き静電チャック」と，本件補正発明の「静電チャック」とは，以下の相違点を除き，「静電チャック」である点で一致する。
　イ　以上のことから，本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
【一致点】
「ウエハ支持面を有する静電チャックで，
　ウエハが昇温されることで前記ウエハ支持面にウエハから放出されてウエハと前記ウエハ支持面との間に滞留するガスを外部に排出するための複数の溝が形成されている，
　静電チャック。」
　
【相違点】
　溝について，本件補正発明は，「前記ウエハが支持される場所で全ての溝が連通し，溝の連通箇所の全てで三叉路が形成されているとともに，前記ウエハ支持面に前記三叉路が複数形成されている」ものであるのに対し，引用発明は，「一方の表面の中心から４本の直線状のガス抜き用溝が外周縁にまで連通するように形成され，ガス抜き用溝の間隔が５〜１５ｍｍとなるように，短い直線上のガス抜き用溝がその間を埋めて」いるものである点。
　
（４）判断
　ア　以下，相違点について検討する。
　上記（２）ア（イ）ｉのとおり，引用発明は，ガス抜き用溝を設けることにより，半導体ウェハに吸着されていたガス・湿分が加熱に伴って離脱・膨張しても，半導体ウェハと静電チャックとの界面にとどまって圧力上昇を来すことなく系外に排出が可能となるので，この静電チャック１が半導体ウェハ処理装置に組み付けられることにより，半導体ウェハに製膜・エッチング等の処理を行うに際して，半導体ウェハのセッティングの際にデガスのための準備期間を採ることなく直ちに所定温度への加熱操作を開始することができるようにした発明であって，上記（２）ア（イ）ｇのとおり，引用文献１には，ガス抜き用溝６のパターンとしては，適宜に設定できることが記載されており，さらに，上記（２）ア（イ）ｈのとおり，引用文献１には，引用発明の，表面７の中心から外周縁にまで連通するように形成された直線状のガス抜き用溝の「４本」という本数について，「図１においては，第三の絶縁体層５の表面７の中心から適宜本数（図示の場合では４本）の直線状のガス抜き用溝６が外周縁にまで連通するように形成され」ること，すなわち，「適宜本数」でよいことが記載されている。
　一方，引用文献２ないし５，８，９，及び，以下の周知文献１ないし６には，全ての溝が連通した構造，及び，溝の連通箇所で三叉路が形成される構造が記載されており，これらの構造が，いずれも周知であることが理解される。
　さらに，上記（２）ウ（イ）ａのとおり，引用文献３には，周囲が溝で囲まれた各島の面積ないし各島の中心から周囲までの距離を略同じくすることにより，各島の上面とウエハの下面との間に存在する気体を略同時に迅速且つ面内均一に逃すことができることが記載されているのであるから，引用発明において，半導体ウェハに吸着されていたガス・湿分の加熱に伴う離脱・膨張を系外に排出を可能とするようにガス抜き用溝のパターンを形成するにあたり，ウエハの下面に存在する気体を迅速且つ面内均一に逃すために，前記ガス抜き用溝を周方向の溝で連結することで周囲が溝で囲まれた島を形成し，各島の面積ないし各島の中心から周囲までの距離を略同じくすることには動機が存在するといえる。
　しかも，上記（２）エ（イ）ａのとおり，引用文献４には，放射状の凹溝を設けることに替えて，格子状に形成することもできるとする技術的事項が示されている。
　してみれば，ガス抜き用溝のパターンを適宜に設定できることが明記されている引用発明において，ガス抜き用溝のパターンとして，半導体ウェハに吸着されていたガス・湿分の加熱に伴う離脱・膨張を系外に排出を可能とするように前記周知の構造を採用して，「前記ウエハが支持される場所で全ての溝が連通し，溝の連通箇所の全てで三叉路が形成されているとともに，前記ウエハ支持面に前記三叉路が複数形成されている」ものとすること，すなわち，相違点について，本件補正発明の構成を採用することは当業者が適宜なし得たことである。また，本件補正発明の奏する作用効果は，引用発明及び引用文献２ないし５，８，９に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
　イ　請求人は，審判請求書において，「効果２．溝の交点を三叉路とすることで，四叉路以上で溝が交差する構成に比べて溝幅の広がりを抑えられるため，溝の交点でのウエハの支持が安定するとともに排出されるべきガスが溝の交点に溜まることがない。」及び「引用文献１の溝は中心で交差しているものの，四叉路であることからウエハ支持面の中心でウエハの支持が不安定となり，ガスの溜まりが形成されてしまい，上述した本願発明の効果を得ることはできない。」と主張する
　しかしながら，上記アのとおり，引用発明において「４本」とされている，中心から外周縁にまで連通するように形成された直線状のガス抜き用溝の本数は，引用文献１においては，「図１においては，第三の絶縁体層５の表面７の中心から適宜本数（図示の場合では４本）の直線状のガス抜き用溝６が外周縁にまで連通するように形成され」と記載されるように「適宜本数」でよいとされており，しかも，引用文献２にも記載されているように，表面の中心から３本の直線状のガス抜き用溝が外周縁にまで連通する構造が知られているのであるから，引用発明において，中心における溝の交点を三叉路とすることは当業者が適宜なし得たことといえる。
　さらに，溝の交点を三叉路とするによって，四叉路で溝が交差する構成に比べて溝幅の広がりを抑えられるとは認めることができないから，請求人の主張する前記効果を斟酌することもできない。
　すなわち，交点における溝幅の大小が，当該交点を構成するそれぞれの溝の幅の大きさの影響を受けることは明白であるから，三叉路を構成する溝の幅，及び，四叉路を構成する溝の幅をそれぞれ特定することなく，単に，溝の交点を三叉路とすることで，四叉路で溝が交差する構成に比べて溝幅の広がりが抑えられるということはできない。
　さらに，三叉路を構成する溝と，四叉路を構成する溝の幅が等しい場合であっても，隣合う溝を，溝の延伸方向になだらかな曲率をもつ壁によって接続するように設計した三叉路の交点の溝幅は，隣合う溝をシャープな角によって接続するように設計した四叉路の交点の溝幅よりも大きくなることは明らかであるから，溝の接続部の形状・構造を特定することなく，単に，溝の交点を三叉路とすることで，四叉路で溝が交差する構成に比べて溝幅の広がりが抑えられるということはできない。
　さらに，三叉路を構成する溝と，四叉路を構成する溝の幅が等しく，隣合う溝をシャープな角によって接続するように設計したとしても，例えば，１本の溝の途中に，他の溝が極浅い角度で接続することで構成された三叉路の交点の溝幅は，２本の溝が直交することによって構成された四叉路の交点の溝幅よりも大きなものとなることは明らかであるから，単に，溝の交点を三叉路とすることで，四叉路で溝が交差する構成に比べて溝幅の広がりが抑えられるということはできない。
　なお，請求人が，審判請求書において主張する，溝の交点を三叉路とすることで，四叉路以上で溝が交差する構成に比べて，排出されるべきガスが溝の交点に溜まることがないとする効果は，明細書に記載された効果ではないから採用することはできない。
　したがって，請求人の前記主張は採用することはできない。
　ウ　さらに，請求人は，審判請求書において，「また，引用文献１で本願発明のように複数の溝を連通させる場合，引用文献１では中心部から外縁に向けて溝を形成するようにしていることから，素直に考えれば引用文献１の図１，図２に描かれている各溝を中心に向けて延ばすことになる。」と主張するので，この点について検討する。
（ア）引用文献１の記載から，上記（２）ア（イ）ｂのとおり，半導体素子の製造過程では，半導体ウェハは均一に加熱されていることが重要であって，上記（２）ア（イ）ａのとおり，引用文献１に記載された技術は，ヒータ全域を一定の温度に加熱することができる円盤状ヒータ付き静電チャックに関するものであるところ，上記（２）ア（イ）ｃのとおり，静電チャックの吸着力は，静電チャック電極と被吸着体であるウェハとの間の距離の２乗に反比例することから，被吸着体と静電チャック表面との距離は，吸着力を管理する上で重要な要素となり，被吸着体（被処理物）の位置によって吸着力に差があると，被処理物たる半導体ウェハ表面の温度分布が大きくなることから，上記（２）ア（イ）ｇのとおり，ガス抜き用溝は，幅１〜３ｍｍ，深さ０.０３ｍｍ〜０.２ｍｍで，且つ溝間の距離が５〜１５ｍｍであることが好ましいとされていることが理解される。
　一方，請求人の主張するように，引用文献１の図１に描かれている３２本の溝を中心に向けて延ばすことによってウエハ支持面の中心でこれらの溝をすべて連通した場合には，ウエハ支持面の前記中心に，これら３２本の溝の幅を一辺とする３２角形の凹部が形成されることとなり，それぞれの溝の幅が例えば１ｍｍであった場合には，前記凹部の直径は略１ｃｍとなる。
　しかしながら，上記のとおり，半導体ウェハを均一に加熱するために，溝の幅は１〜３ｍｍであることが好ましいとされているのであるから，当業者であれば，引用文献１の図１，図２に描かれている各溝を中心で連通させて直径が略１ｃｍとなる凹部を形成することが，半導体ウェハを均一に加熱するうえで望ましくないことを直ちに理解するといえる。
　すなわち，引用文献１で本件補正発明のように複数の溝を連通させる場合に，当業者であれば，引用文献１の図１，図２に描かれている各溝を中心に向けて延ばすことを選択することはありえないから，「素直に考えれば引用文献１の図１，図２に描かれている各溝を中心に向けて延ばすことになる」とする請求人の前記主張は採用することはできない。
（イ）さらに，上記（２）ウ（イ）ａのとおり，引用文献３には，周囲が溝で囲まれた各島の面積ないし各島の中心から周囲までの距離を略同じくすることにより，各島の上面とウエハの下面との間に存在する気体を略同時に迅速且つ面内均一に逃すことができることが記載されているのであるから，引用発明において，半導体ウェハに吸着されていたガス・湿分の加熱に伴う離脱・膨張を系外に排出を可能とするようにガス抜き用溝のパターンを形成するにあたり，引用文献１の図１，図２に描かれている各溝を中心に向けて延ばして連結することで，細長い楔形の島を形成するのではなく，図１，図２に描かれている各溝を周方向の溝で連結することによって，周囲が溝で囲まれた各島の中心から周囲までの距離を略同じくして，各島の上面とウエハの下面との間に存在する気体を略同時に迅速且つ面内均一に逃すようにすることには動機が存在するといえる。
　したがって，引用文献１で本件補正発明のように複数の溝を連通させる場合に，当業者であれば，前記各溝を周方向の溝で連結することを選択するものと認められるから，「素直に考えれば引用文献１の図１，図２に描かれている各溝を中心に向けて延ばすことになる」とする請求人の前記主張は採用することはできない。
・周知文献１：特開２００１−１０２４３５号公報
「【請求項１】　被処理体を載置面側へ吸着するための吸着手段と前記被処理体を加熱するための加熱ヒータ手段とを有する載置台本体と，この載置台本体の下部に設けられて伝熱ガスを拡散するための拡散室と，前記拡散室と前記載置台本体の載置面側とを連通するように前記載置台本体を貫通して設けられた複数の伝熱ガス通路とを備えたことを特徴とする載置台構造。
【請求項２】　前記載置台本体には，前記吸着手段と前記加熱ヒータ手段とが埋め込まれていることを特徴とする請求項１記載の載置台構造。
【請求項３】　前記載置台本体には，この載置台本体を必要に応じて冷却するための冷却ブロックが接合されることを特徴とする請求項２記載の載置台構造。
【請求項４】　前記載置台本体には，高周波電圧を印加するための高周波電極が埋め込まれていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の載置台構造。
【請求項５】　前記吸着手段は，前記高周波電極と兼用されることを特徴とする請求項４記載の載置台構造。
【請求項６】　前記載置台本体の載置面には，前記伝熱ガスを流すための溝部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の載置台構造。」
「【０００４】
　この載置台構造４は，絶縁部材１４，１５を介して容器底部を貫通して支持され，バイアス高周波電源１８等が接続される。そして，上記載置台構造４内を上下に貫通して静電チャック１０の上面まで届く複数のガス通路１６が設けられており，このガス通路１６を介してＡｒやＨｅガス等の伝熱ガスをウエハＷの裏面と静電チャック１０との接合空間に供給して両者間の伝熱効率の向上を図っている。この場合，静電チャック１０の表面には，ウエハ裏面全面への伝熱ガスの拡散を行なうために，図示しない溝部や凹凸部が設けられている。
　この載置台構造に対向させて，容器天井部には，加熱ヒータ２０を内蔵した上部電極２２が設けられており，この上部電極２２に，プラズマ発生用高周波電源２４を接続している。」
「【００１８】
　一方，上記上段拡散室４８Ａと上記載置面５２側とを連絡するように，この載置台本体４４には，これを上下方向へ貫通するように複数本の伝熱ガス通路８２が形成されており，伝熱ガス通路８２の上端のガス噴出口８３より伝熱ガスをウエハＷの裏面側へ供給するようになっている。
　また図３に示すように，載置台本体４４の上面の載置面５２には，同心円状に，図示例では３つの溝部８４Ａ，８４Ｂ，８４Ｃが形成されると共に，各溝部８４Ａ，８４Ｂ，８４Ｃは，半径方向に延びる連結溝部８６により連通されている。そして，上記各ガス噴出口８３は，上記各溝部８４Ａ，８４Ｂ，８４Ｃ内に略均等に散在するように位置付けして設けられており，各溝部を介してウエハＷの裏面へ略均等に伝熱ガスを拡散させるようになっている。この場合，ウエハＷの中心側へ行く程，供給する熱伝導ガス量を多くするため，中心側に位置する程，ガス噴出口８３の開口面積或いは通路面積を大きくするのが好ましい。」
「
」
・周知文献２：特開２００８−１６６５０９号公報
「【００２９】
　図３は，図２に示す静電チャックの平面図である。
【００３０】
　図２及び図３を参照するに，セラミック板１８は，平面視円形状とされており，溝部２５と，複数のガス供給用穴２６と，複数のリフトアップピンホール２７とを有する。溝部２５は，リング状溝３１，３２と，溝３３とを有する。リング状溝３１，３２及び溝３３は，基板載置面１８Ａに対応する部分のセラミック板１８に設けられている。リング状溝３１は，基板載置面１８Ａの中央部に配置されている。リング状溝３２は，リング状溝３１を囲むように，リング状溝３１の形成位置よりも外側に位置する部分の基板載置面１８Ａに配置されている。溝３３は，リング状溝３１とリング状溝３２との間に位置する部分のセラミック板１８に設けられている。溝３３は，一方の端部がリング状溝３１と接続されており，他方の端部がリング状溝３２と接続されている。」
「
」
・周知文献３：特表２０１４−５２９１９７号公報
「【請求項１２】
　前記セラミック板の前記基板支持表面内に形成された複数の溝をさらに備え，前記複数の溝が，前記セラミック板の中心軸の周りに同心円状に配置された１つまたは複数の円形の溝と，前記１つまたは複数の同心円状の円形の溝に流動的に結合された１つまたは複数の放射状の溝と，前記１つまたは複数の同心円状の円形の溝に流動的に結合された１つまたは複数の放射状でないオフセット溝とを含む，請求項１から３までおよび請求項５から７までのいずれか１項に記載の静電チャック。
【請求項１３】
　前記１つまたは複数の同心円状の円形の溝が，前記１つまたは複数の放射状でないオフセット溝を介して互いに流動的に結合された複数の同心円状の円形の溝を含む，請求項１２に記載の静電チャック。
【請求項１４】
　前記複数の同心円状の円形の溝が，最も内側の円形の溝および最も外側の円形の溝を含み，前記１つまたは複数の放射状でないオフセット溝が，互いから均一に隔置された４つの放射状でないオフセット溝を含み，それぞれの放射状でないオフセット溝が，前記最も内側の円形の溝を前記最も外側の円形の溝に流動的に結合する，請求項１３に記載の静電チャック。
【請求項１５】
　前記１つまたは複数の放射状の溝が，複数の放射状の溝を含み，前記複数の放射状の溝の少なくとも１つが，最も内側の円形の溝の内側半径に流動的に結合され，前記セラミック板の中心の方へ延び，前記複数の放射状の溝の少なくとも１つが，最も外側の円形の溝の外側半径に流動的に結合され，前記セラミック板の周縁部の方へ延びる，請求項１４に記載の静電チャック。」
「【０００５】
　理解を容易にするために，可能な場合，複数の図に共通の同一の要素を指すのに同一の参照番号を使用した。これらの図は，原寸に比例して描かれたものではなく，見やすいように簡略化されることもある。一実施形態の要素および特徴は，さらなる記述がなくても，他の実施形態内に有益に組み込むことができることが企図される。
　本明細書では，静電チャックの実施形態が提供される。本発明の装置は，たとえばプラズマと基板支持体の要素との間のアークの発生を制限すること，および／または静電チャック上に配置された基板領域に静電チャックによって提供されるチャッキング力の量を制御可能に調整することなどによって，改善された基板処理を有利に提供することができる。さらに，静電チャックは，取外し可能および／または交換可能に取り付けることができる。いくつかの実施形態では，基板支持体は，低温，たとえば摂氏約−４０〜約２５０度の範囲で利用することができる。いくつかの実施形態では，基板支持体は，約４００ミリメートルより大きい直径を有する基板とともに利用することができる。他のさらなる利点について，以下で論じる。」
「【００１７】
　いくつかの実施形態では，複数の溝１２４は，図３に示すように，複数の円形の溝３０２，複数の放射状の溝３０４，および複数のオフセット溝３０６を含むことができる。いくつかの実施形態では，オフセット溝３０６は放射状でないオフセット溝である。本明細書では，放射状でないオフセット溝は，セラミック板１２０の中心から放射状に延びるラインをたどらない溝である。たとえば，いくつかの実施形態では，複数の円形の溝３０２は，同心円状とすることができ，複数のオフセット溝３０６を介して流動的に結合することができる。複数の放射状の溝３０４は，流動的に結合することができ，最も内側の円形の溝の内部および最も外側の円形の溝の外部に配置することができる。しかし，この設計は単なる例示であり，他の構成も可能である。たとえば，いくつかの実施形態では，放射状の溝は，セラミック板１２０の内部からセラミック板１２０の周縁部まで連続して延びない。いくつかの実施形態では，放射状の溝は，１組の円形の溝間を越えて延びず，または溝１２４内のプラズマによるアークの発生を制限するのに適した任意の長さより長く延びない。たとえば，アークの発生は，長い連続する放射状の溝の中で，高い電力または高い周波数で生じることがある。したがって，いくつかの実施形態では，複数のオフセット溝３０６は，放射状の溝３０４の長さを制限するために導入される。たとえば，アークの発生は，長い連続する放射状の溝が使用される場合，高い電力および／または高い周波数で溝を通って流れるガス内で生じることがある。いくつかの実施形態では，放射状の溝３０４および／またはオフセット溝３０６の長さは，約２〜約５センチメートルの範囲とすることができる。しかし，他の長さを利用することもできる。」
「
」
・周知文献４：特開２０１５−１３８８０７号公報
「【請求項１】
　プラズマ処理室を備えたハウジングと，該ハウジングの該プラズマ処理室内に配設された保持面に被加工物を静電吸着により保持するチャックテーブルを備える静電チャックテーブル機構と，該チャックテーブルに保持された被加工物にプラズマ発生用の処理ガスを噴射する処理ガス噴射手段と，該プラズマ処理室内を減圧する減圧手段と，を備えるプラズマエッチング装置であって，
　該静電チャックテーブル機構は，被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと，該チャックテーブルの内部に配設され電圧が印加されることにより電荷が発生する電極と，該電極に電圧を印加する電圧印加手段と，該チャックテーブルを表面に配設し内部に該チャックテーブルを冷却する冷却手段を備えたテーブル基台と，を備え，
　該チャックテーブルの該保持面には，全面に渡って正六角形が平面充填したハニカム形状で連通して形成された溝と，ハニカム形状の正六角形の該保持面に突出して形成された複数の凸部とを備え，
　該溝には噴射孔が複数形成され，該噴射孔に連通し該溝内に冷却媒体ガスを供給する冷却媒体ガス供給源を備え，
　各該凸部の該保持面から突出している高さは，被加工物の表面に貼着される保護テープが複数の該凸部に当接して載置された際に，該保護テープの裏面が該保持面に当接する高さに形成され，
　被加工物の該保持面に当接する面に該保護テープが貼着された際には，該保護テープが複数の該凸部及び該保持面に当接して載置され，該保護テープの裏面と該チャックテーブルの該保持面とが当接し該冷却手段への熱伝導により且つ該溝から供給された冷却媒体ガスによる熱伝達により該保護テープ全体が冷却され，
　被加工物の該保持面に当接する面に剛性基板が貼着された際には，該剛性基板が複数の該凸部に当接して載置され，該剛性基板の裏面と該チャックテーブルの保持面とは僅かな隙間が生じ，該溝から供給された冷却媒体ガスが該隙間に行き渡り熱伝達により該剛性基板全体が冷却されること，
　を特徴とするプラズマエッチング装置。」
「【００２２】
　チャックテーブル２２の保持面２１には，図３及び図４に示すように，全面に渡って正六角形が平面充填したハニカム形状で連通して形成された溝４０と，ハニカム形状の正六角形の保持面２１に突出して形成された複数の凸部４１（図４に示す）とを備えている。溝４０は，保持面２１から凹に形成されている。溝４０は，図４に示すように，平面視において，内側に囲む保持面２１（以下，符号２１ａで示す）が正六角形となるようにハニカム形状に形成されており，隣り合う正六角形の保持面２１ａ間に一本のみ設けられている。なお，本実施形態では，溝４０は，内側に囲む正六角形の保持面２１ａの一辺の長さＬが２．８９ｍｍとなるようにハニカム形状に形成され，溝４０の幅Ｈが０．５ｍｍに形成されている。また，溝４０の保持面２１ａからの深さＤ（図５及び図６に示す）は，５〜１０μｍに形成されている。このように，チャックテーブル２２には，多数の正六角形の保持面２１ａを備えている。なお，本発明では，溝４０が内側に囲む保持面２１ａが正六角形に限らずに種々の図形（円，多角形）となるように，溝４０がハニカム形状に形成されてもよい。」
「
」
・周知文献５：特開平９−２４６２３８号公報
「【００２１】この実施例では，基体部３０の載置面には，図２の平面図によく示されるようなパターンにて溝３１が形成されている。また，基体部３０には，図１の断面図によく示されるように，凹溝３１の底部に通ずる貫通孔３２が形成されている。基体部３０の半導体ウエハ５の載置面および側面には，ポリカルボシランを焼成してなるＳｉＣ被膜層３３が付与され，静電チャックの誘電体層として作用するものとされている。このＳｉＣ被膜層３３は，図１によく示されるように，基体部３０の溝３１および貫通孔３２の内壁面に沿うようにして形成されていて，半導体ウエハ５を載置面から引き離す作用をするフレオンガスの如き流体を通すための溝３４およびガス導入通路３５を作り出している。」
「
」
・周知文献６：特開２００５−１３６１０４号公報
「【００１６】
　本発明の第１の実施の形態を図１〜図３に基いて詳細に説明する。図１は，本発明に係る静電チャックの平面図であり，図２はそのＡ部拡大図及びその部分のさらなる拡大図であり，図３は図１の静電チャックのＢ−Ｂ線断面図及びその部分拡大図であり，図４は図３のＣ−Ｃ線断面図である。図中１は，静電チャックであって，本例では，アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を主成分とするセラミック製で一定厚さ（５ｍｍ）の積層（例えば１０層）構造をなし，直径３００ｍｍの円形の平板状を呈している。ただし，吸着面３側のうち，外周面４に連なる所定幅部位５は吸着面３より一段低くされている。なお，このような静電チャック１は，通常，図３中，２点鎖線で示したように，円板（又は円錐台）形状のベース部材（例えば，アルミニウム合金製）５０の上部の平面５１に，シリコン樹脂等で接着されて固定される。
【００１７】
　このような，静電チャック１は，その上面が被吸着部材（被吸着体）である半導体ウエハ１０１を吸着，保持する吸着面３とされている。そして，この吸着面３は，高度の平坦度，面粗度にて平面に仕上げられ，その平面に対し，微小幅（例えば，１〜３ｍｍの範囲で設定される）で，微小深さ（例えば，５〜２０μｍの範囲で設定される）の断面略矩形をなすガス溝１１が形成されている。このガス溝１１は，本形態では，静電チャック１に関して同心円状に配置された複数の環状ガス溝１３と，内外に隣接する環状ガス溝１３相互間を連結する多数の連結ガス溝１４からなっている。本例では環状ガス溝１３は円環状とされ，環状ガス溝１３相互の半径方向における間隔（ピッチ）は略一定とされている。ただし，最外周の環状ガス溝１３は厳密には一部が直線状に形成されている。
【００１８】
　また，連結ガス溝１４は静電チャック１の中心から放射状に配置されている。そして，この連結ガス溝１４（放射状ガス溝ともいう）は，静電チャック１の中心寄り部位にあるものより，外周寄り部位にあるものの方が，小さい放射状角度間隔で配置されており，１つの環状ガス溝１３を挟んで基本的に互い違いとなる配置とされている。なお，最外周と，その隣（内周側）に配置された連結ガス溝１４は同じ放射状角度間隔とされている。こうして，本形態におけるガス溝１１は，静電チャック１の吸着面３の全域にわたって，配置，形成されており，それぞれ，環状ガス溝１３と連結ガス溝１４との連結点（交差点）において連なるように形成されている。
【００１９】
　このような静電チャック１は，吸着面３のうち，ガス溝１１を除く部位が，同一の高さの平面とされてウエハ１０１を載置させる載置面１６とされている。この載置面１６は，環状ガス溝１３と連結ガス溝１４とで仕切られた多数の載置面１６からなっており，台形に近い扇形を呈している。ただし，一番内周寄りの環状ガス溝１３よりも内側には，この環状ガス溝１３と連通するように，９０度間隔で放射状にガス溝（放射状ガス溝）１５が設けられて仕切られており，ここでの各載置面１８は，１／４円弧の扇形を呈している。
【００２０】
　このような平面配置をなすガス溝１１は，放射状ガス溝１４の内外周寄り端の略全部が，それぞれ連なっている環状ガス溝１３に突き当たる形態で連結され，その連結点（交点）がＴ字状の交差点（三叉路）となっている。本形態では，このような連結点のうち，放射状ガス溝１４の外周寄り端をなす全ての連結点において，ガス流出口２１が開口されている。また，中心における放射状ガス溝１５の連結点（交差点）においてもガス流出口２１が開口されている。なお，これらのガス流出口２１は，図３に示したように，静電チャック１自身の内部に設けられたガス流路２２に連なるように次のように形成されている。」
「
」
「
」
　
　エ　したがって，本件補正発明は，引用発明，引用文献２ないし５，８，９に記載された技術及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　３　本件補正についてのむすび
　よって，本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので，同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって，上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　令和２年４月１０日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項に係る発明は，令和２年１月１４日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，その請求項１に記載された事項により特定される，前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
　２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１ないし４に係る発明は，本願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２ないし９に記載された事項に基づいて，その優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
１．特開２００６−１７９６９３号公報
２．実願平０１−０９７８４０号（実開平０３−０３８３５７号）のマイクロフィルム
３．特開２００２−０５７２０９号公報
４．特開平１１−００６０６９号公報
５．特開２０１５−０８８５７３号公報
６．特開２００６−０６６８５７号公報
７．特開平０６−３４９９３８号公報
８．特開２００７−２０１４０４号公報
９．特開２０１２−０４３９２８号公報
　３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１ないし９及びその記載事項は，前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
　
　４　対比・判断
　本願発明は，前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から限定事項を削除したものである。
　そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が，前記第２の［理由］２（３），（４）に記載したとおり，引用発明及び引用文献２ないし５，８，９に記載された技術及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，引用発明及び引用文献２ないし５，８，９に記載された技術及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。