Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月20日(2019.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図３Ｂ，３Ｄに示されるように、ショートプレート２０１は、例えば側面視「コ」字状に形成されている。ショートプレート２０１は、例えば、真鍮やステンレス等の金属から成る短冊状の板部材を曲げ加工して側面視「コ」字状に形成すればよい。このようなショートプレート２０１を弁軸２００の側面にネジ等で固定することによって、このショートプレート２０１は、一端が弁軸２００に固定されてこの弁軸２００の径方向に延在する第１接触子２０１ａと、この第１接触子２０１ａと電気的に接続され、一端が弁軸２００に固定されてこの弁軸２００の径方向に延在する第２接触子２０１ｂとを提供することとなる。第１接触子２０１ａと第２接触子２０１ｂとは、ともに弾性変形可能な板状の部材である。プリント基板２０は、これら一対の接触子２０１ａ、２０１ｂの間に配置される。この状態でこれらの接触子２０１ａ、２０１ｂの接点２０１ａ’、２０１ｂ’がプリント基板２０の表と裏の２つの主面２０ａ、２０ｂの方向にそれぞれ付勢されている。したがって、弁軸２００に固定されたショートプレート２０１は、対向する一対の接触子２０１ａ，２０１ｂがプリント基板２０を挟み込んだ状態で弁軸２００とともに回転する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４９】
一方、ステップＳ４２において、移動距離の積算値が閾値よりも大きい場合には、操作量算出部４Ｂは、実施の形態２における操作量算出部４Ａと同様に、ステップＳ３３〜Ｓ３８にしたがって強制リセット処理を実行する。この強制リセット処理の手順ステップＳ３３〜Ｓ３８は、実施の形態２における手順と同一であることから、その説明は省略する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６２】
まず、回転制御装置１００Ｃは、実施の形態１に係る回転制御装置１００と同様に、原点復帰動作モードが終了すると、通常動作モードに移行する。通常動作モードにおいて、回転制御装置１００Ｃは、上位装置から弁開度の目標値ＳＰの変更が指示されるまで待機する（Ｓ２０）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６４】
一方、ステップＳ５２において、滞留時間が閾値よりも大きい場合には、操作量算出部４Ｃは、実施の形態２における操作量算出部４Ａと同様に、ステップＳ３３〜Ｓ３８にしたがって強制リセット処理を実行する。この強制リセット処理の手順ステップＳ３３〜Ｓ３８は、実施の形態２における手順と同一であることから、その説明は省略する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７０】
≪実施の形態５に係る回転制御装置の構成≫
図１４は、実施の形態５に係る回転制御装置１００Ｄの構成を示す図である。この回転制御装置１００Ｄは、起動回数カウント部９を更に有し、起動回数カウント部９によってカウントされた起動回数が所定の閾値Ｒｔを超えた場合に、強制リセット処理を実行する操作量算出部４Ｄを備える。
なお、ＯＮ／ＯＦＦセンサの構成等を含む、それ以外の構成は、上述した実施の形態１と同一であるので、共通する構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７２】
操作量算出部４Ｄは、通常動作モードにおいては、弁軸２００の回転方向の目標位置としての弁開度の目標値ＳＰと、位置算出部３によって算出された実開度ＰＶとに基づいて、弁軸２００の操作量を算出する一方、強制リセット処理を実行するときには、操作部５を介して弁軸２００を操作することにより、弁軸２００をＯＮ／ＯＦＦセンサ２＿１〜２＿ｎの何れか一つに対応する位置まで回転させる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８１】
一方、ステップＳ６２において、起動回数が閾値よりも大きい場合には、操作量算出部４Ｂは、実施の形態２における操作量算出部４Ａと同様に、ステップＳ３３〜Ｓ３８にしたがって強制リセット処理を実行する。この強制リセット処理の手順ステップＳ３３〜Ｓ３８は、実施の形態２における手順と同一であることから、その説明は省略する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2018169259.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月2日(2019.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a) 対象物体に振動を励起する励振部と、
b) レーザ光源と、
c) 前記レーザ光源からの光を前記対象物体の表面の測定領域の一部の領域に照射し、該照射領域を該測定領域内で移動させる走査部と、
d) 前記励振部と前記レーザ光源と前記走査部を制御することにより、前記測定領域の各点に順次、前記振動の位相と同期した時刻に、照明時間幅を前記振動の周期の1/3以下としたレーザ光を照射する照射制御部と、
e) 前記対象物体から反射してくる物体光を2分割した両光束に角度差をつけて干渉させることにより得られる干渉光を前記測定領域の各点について測定することにより、該照射領域内の近接した2点間の相対的な前後方向の変位を測定する変位測定部と、
f) 前記測定領域の各点における前記位相に同期した時刻の、前記振動の1周期内の相異なる3点以上の時刻における近接した2点間の前後方向の変位に基き、前記測定領域全体の振動の状態を決定する振動状態決定部と
を備えることを特徴とする振動測定装置。
【請求項２】
a) 対象物体に振動を励起する励振部と、
b) レーザ光源と、
c) 前記レーザ光源からの光を前記対象物体の表面の測定領域の一部の領域に照射し、該照射領域を該測定領域内で移動させる走査部と、
d) 前記励振部と前記レーザ光源と前記走査部を制御することにより、前記測定領域の各点に順次、前記振動の位相と同期した時刻に、照明時間幅を前記振動の周期の1/3以下としたレーザ光を照射する照射制御部と、
e) 前記測定領域の各点について、前記レーザ光を前記照射領域に照射する前に分割して取り出した参照光と、前記照射により該点から反射してくる物体光の干渉光を測定する干渉光測定部と、
f) 前記測定領域の各点について、前記参照光と前記物体光の相対的光路長を前記レーザ光の波長に応じた距離だけ変化させることにより、該点の前後方向の変位を測定する変位測定部と、
g) 前記測定領域の各点における前記位相に同期した時刻の、前記振動の1周期内の相異なる3点以上の時刻における前後方向の変位に基き、前記測定領域全体の振動の状態を決定する振動状態決定部と
を備えることを特徴とする振動測定装置。
【請求項３】
前記照射領域の面積が前記測定領域の面積の50分の1から8分の1の範囲内であることを特徴とする請求項１又は２に記載の振動測定装置。
【請求項４】
前記走査部による前記照射領域の走査周波数が前記振動の振動周波数の1/m（mは自然数）であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の振動測定装置。
【請求項５】
前記位相に同期した時刻の数が[2n+1]（nは自然数）以上であって、前記測定領域の各点の前後方向の変位から前記振動のn次の高調波成分を検出することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の振動測定装置。
【請求項６】
前記レーザ光源の点灯時間幅が前記振動の周期の1/3以上であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の振動測定装置。
【請求項７】
前記レーザ光源が複数であり、それぞれのレーザ光源から前記対象物体の表面の測定領域の互いに異なる一部の領域に照射し、該照射領域を該測定領域内で移動させることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の振動測定装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の振動測定装置を備えた欠陥検査装置。
【請求項９】
a) 対象物体に振動を励起する工程と、
b) 前記対象物体の測定領域の一部の領域にレーザ光を照射し、該照射領域を前記測定領域内で移動させることにより、前記測定領域の各点において前記振動の位相と同期した時刻に、照明時間幅を前記振動の周期の1/3以下としたレーザ光を照射する工程と、
c) 前記対象物体から反射してくる物体光を2分割した両光束に角度差をつけて干渉させることにより得られる干渉光を前記測定領域の各点について測定することにより、該照射領域内の近接した2点間の相対的な前後方向の変位を測定する工程と、
d) 前記測定領域の各点における前記位相に同期した時刻の、前記振動の1周期内の相異なる3点以上の時刻における近接した2点間の相対的な前後方向の変位に基き、前記測定領域全体の振動の状態を決定する工程と
を含むことを特徴とする振動測定方法。
【請求項１０】
a) 対象物体に振動を励起する工程と、
b) 前記対象物体の測定領域の一部の領域にレーザ光を照射し、該照射領域を前記測定領域内で移動させることにより、前記測定領域の各点において前記振動の位相と同期した時刻に、照明時間幅を前記振動の周期の1/3以下としたレーザ光を照射する工程と、
c) 前記測定領域の各点について、前記レーザ光を前記照射領域に照射する前に分割して取り出した参照光と、前記照射により前記点から反射してくる物体光の干渉光を測定する工程と、
d) 前記測定領域の各点について、前記参照光と前記物体光の相対的光路長を前記レーザ光の波長に応じた距離だけ変化させることにより、該点の前後方向の変位を測定する工程と、
e) 前記測定領域の各点における前記位相に同期した時刻の、前記振動の1周期内の相異なる3点以上の時刻における前後方向の変位に基き、前記測定領域全体の振動の状態を決定する工程と
を含むことを特徴とする振動測定方法。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の振動測定方法の各工程を含む欠陥検査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明に係る振動測定方法及び装置では、レーザ光の照射領域を測定領域内で順次移動させて測定を行うため、対象物体の測定領域が大きくなっても、各点における照度を低下させることなくSN比の高い測定を行うことができる。また、各点における照明時間を短くすることができるため、振動によるブレが現れない、コントラストの高い測定を行うことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
次に、振動子１２の振動の位相が、所定の初期値φ0（例えばφ0=0）を用いて[φ0+2π(k-1)/mmax]で表されるタイミング（振動子位相時刻[φ0+2π(k-1)/mmax]）で、信号発生器１１は偏向部１５にパルス信号を送信する。この段階ではk=1であるため、パルス信号が送信されるときの振動子１２の振動の位相はφ0である。偏向部１５はパルス信号を受信すると、測定領域Aの一方から照射領域Pのレーザ光の移動を開始する。前述のとおり、このレーザ光は照明光レンズ１６により拡径され、被検査物体Sの測定領域Aの8分の1の面積に相当する照射領域Pに照射される（ステップＳ３）。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月16日(2019.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
聴覚デバイスのユーザの聴力損失を補うように構成された処理ユニットと、
メモリユニットと、
インターフェースとを備え、
前記メモリユニットは、そこに記憶される聴覚デバイス証明書を有し、前記聴覚デバイス証明書は
聴覚デバイス識別子と、
複数の聴覚デバイス鍵と、
複数の前記聴覚デバイス鍵の１つを示す少なくとも１つの聴覚デバイス鍵識別子とを備える聴覚デバイス。
【請求項２】
前記複数の聴覚デバイス鍵は、第１の一次聴覚デバイス鍵を含む聴覚デバイス鍵の第１のセットを含み、前記少なくとも１つの聴覚デバイス鍵識別子は、聴覚デバイス鍵の前記第１のセットのうちの聴覚デバイス鍵を示す第１の聴覚デバイス鍵識別子を含む請求項１に記載の聴覚デバイス。
【請求項３】
前記複数の聴覚デバイス鍵は、第２の一次聴覚デバイス鍵を含む聴覚デバイス鍵の第２のセットを含み、前記少なくとも１つの聴覚デバイス鍵識別子は、聴覚デバイス鍵の前記第２のセットのうちの聴覚デバイス鍵を示す第２の聴覚デバイス鍵識別子を含む請求項１または２に記載の聴覚デバイス。
【請求項４】
前記聴覚デバイス証明書は、証明書タイプ識別子、署名デバイス識別子、１つまたは複数のハードウェア識別子、クライアントデバイスタイプ認証識別子、および／またはトークンパラメータのうちの１つまたは複数を備える請求項１から３のいずれか一項に記載の聴覚デバイス。
【請求項５】
前記聴覚デバイス証明書は、ハードウェアプラットフォーム識別子、ソフトウェアプラットフォーム識別子、および／または証明書タイムスタンプを備える請求項１から４のいずれか一項に記載の聴覚デバイス。
【請求項６】
前記聴覚デバイス証明書は、デジタル署名および／またはメッセージ認証コードを備える請求項１から５のいずれか一項に記載の聴覚デバイス。
【請求項７】
聴覚デバイスのユーザの聴力損失を補うように構成された処理ユニットと、メモリユニットと、インターフェースとを備える前記聴覚デバイスを製造する方法であって、
聴覚デバイス識別子を生成するステップと、
前記聴覚デバイス識別子に基づいて１つまたは複数の聴覚デバイス鍵を生成するステップと、
前記聴覚デバイス識別子と前記生成された聴覚デバイス鍵のうちの少なくとも１つとを含む聴覚デバイス証明書を生成するステップと、
前記聴覚デバイス証明書を前記聴覚デバイスに送信するステップとを含む方法。
【請求項８】
第１のクライアントデバイス鍵を含む１つまたは複数のクライアントデバイス鍵を取得するステップを含み、１つまたは複数の聴覚デバイス鍵を生成するステップは、前記第１のクライアントデバイス鍵に基づく請求項７に記載の方法。
【請求項９】
１つまたは複数の聴覚デバイス鍵を生成するステップは、第１の一次聴覚デバイス鍵を含む聴覚デバイス鍵の第１のセットを生成するステップを含み、前記方法は聴覚デバイス鍵の前記第１のセットの聴覚デバイス鍵を示す第１の聴覚デバイス鍵識別子を取得するステップを含み、前記聴覚デバイス証明書を生成するステップは、聴覚デバイス鍵の前記第１のセットと前記第１の聴覚デバイス鍵識別子とを前記聴覚デバイス証明書に入れるステップを含む請求項７から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
１つまたは複数の聴覚デバイス鍵を生成するステップは、第２の一次聴覚デバイス鍵を含む聴覚デバイス鍵の第２のセットを生成するステップを含み、前記方法は聴覚デバイス鍵の前記第２のセットの聴覚デバイス鍵を示す第２の聴覚デバイス鍵識別子を取得するステップを含み、前記聴覚デバイス証明書を生成するステップは、聴覚デバイス鍵の前記第２のセットと前記第２の聴覚デバイス鍵識別子とを前記聴覚デバイス証明書に入れるステップを含む請求項７から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記聴覚デバイス証明書を生成するステップは、デジタル署名を生成するステップと、前記デジタル署名を前記聴覚デバイス証明書中に入れるステップとを含む請求項７から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記聴覚デバイス識別子を生成するステップは、乱数または疑似乱数を生成するステップを含む請求項７から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記聴覚デバイスの第１のハードウェア識別子を取得するステップを含み、前記聴覚デバイス証明書を生成するステップは、前記第１のハードウェア識別子を前記聴覚デバイス証明書に入れるステップを含む請求項７から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記聴覚デバイス証明書を生成するステップは、証明書タイプ識別子、署名デバイス識別子、１つまたは複数のハードウェア識別子、クライアントデバイスタイプ認証識別子、および／またはトークンパラメータのうちの１つまたは複数を前記聴覚デバイス証明書に入れるステップを含む請求項７から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記聴覚デバイス証明書を生成するステップは、ハードウェアプラットフォーム識別子、ソフトウェアプラットフォーム識別子、および／または証明書タイムスタンプを前記聴覚デバイス証明書に入れるステップを含む請求項７から１４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月24日(2019.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
読み書き可能なメモリを対象物に印刷すること、
シードを使用してオリジナル値を生成すること、
前記オリジナル値を前記メモリへ書き込むこと、
前記対象物を受取先へ送ること、
前記対象物を前記受取先で受け取ること、
前記シードを取得すること、
連続する新しい認証値を、前記シードを使用して生成すること、
前記連続する新しい認証値のうちの１つを前記新しい認証値として選択すること、  前記新しい認証値と前記新しいオリジナル値とを比較すること、
を備える、方法。
【請求項２】
前記対象物を前記受取先で受け取ること、
前記シードを前記対象物の特徴から判定すること、
認証値を前記シードから生成すること、および、
前記認証値と前記オリジナル値とを比較すること、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記認証値が前記オリジナル値と一致しない場合、前記対象物を偽造と特定すること、
をさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記対象物が偽造であることを示す前記メモリへコードを書き込むこと、をさらに備え
る、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記認証値が前記オリジナル値と一致する場合、前記対象物を真正と特定すること、をさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
新しいオリジナル値を生成すること、をさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記新しいオリジナル値を前記メモリへ書き込むこと、をさらに備える、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記対象物を新しい受取先へ送ること、をさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記オリジナル値と前記認証値との比較に基づいて前記メモリへ書き込むことをさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
認証値を生成することは、前記印刷可能なメモリから第２の値を復号することを含む、、請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月23日(2019.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置、モジュール及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素と、第１の回路と、第２の回路と、第３の回路と、を有する撮像装置であって、
前記画素は前記第１の回路と電気的に接続され、
前記第１の回路は前記第２の回路と電気的に接続され、
前記第２の回路は前記第３の回路と電気的に接続され、
前記画素は電荷蓄積部に保持された第１の電位を出力する機能を有し、
前記画素は前記電荷蓄積部に保持された第２の電位を出力する機能を有し、
前記第１の電位は第１のフレームの撮像データと第２のフレームの撮像データとの差分データに相当し、
前記第２の電位は前記電荷蓄積部を初期化した時のデータに相当し、
前記第１の回路は前記第１の電位と前記第２の電位の差分の絶対値を基準電位に対して加算、または減算した第３の電位を出力する機能を有し、
前記第２の回路は前記第３の電位をｎビット（ｎは１以上の自然数）の第１のデジタルデータに変換する機能を有し、
前記第２の回路は前記第３の電位の前記基準電位に対する大小関係を１ビットの第２のデジタルデータに変換する機能を有し、
前記第２の回路は前記第１のデジタルデータおよび前記第２のデジタルデータを組み合わせたｎ＋１ビットのデジタルデータを出力する機能を有し、
前記第３の回路は前記ｎ＋１ビットのデジタルデータを圧縮して記憶する機能を有する撮像装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の回路は、第１のコンパレータ回路と、第２のコンパレータ回路と、論理和回路と、第１のラッチ回路と、第２のラッチ回路と、カウンター回路と、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第１乃至第ｎ＋１（ｎは１以上の自然数）のバッファ回路と、を有し、
前記第１のコンパレータ回路は第１の入力端子、第２の入力端子および第１の出力端子を有し、
前記第２のコンパレータ回路は第３の入力端子、第４の入力端子および第２の出力端子を有し、
前記論理和回路は第５の入力端子、第６の入力端子および第３の出力端子を有し、
前記第１のラッチ回路は第７の入力端子、第８の入力端子および第４の出力端子を有し、
前記第２のラッチ回路は第９の入力端子、第１０の入力端子および第５の出力端子を有し、
前記カウンター回路は第１１の入力端子、第１２の入力端子およびｎ個の第６の出力端子を有し、
前記第１の配線は第１の基準電位を供給することができ、
前記第２の配線は第２の基準電位を供給することができ、
前記第３の配線はクロック信号を供給することができ、
前記第１の入力端子は前記第１の回路と電気的に接続され、
前記第２の入力端子は前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第３の入力端子は前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４の入力端子は前記第２の回路と電気的に接続され、
前記第１の出力端子は前記第５の入力端子と電気的に接続され、
前記第１の出力端子は前記第７の入力端子と電気的に接続され、
前記第２の出力端子は前記第６の入力端子と電気的に接続され、
前記第８の入力端子は前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第４の出力端子は前記第９の入力端子と電気的に接続され、
前記第１０の入力端子は前記第３の出力端子と電気的に接続され、
前記第５の出力端子は前記第ｎ＋１のバッファ回路の入力端子と電気的に接続され、
前記第１１の入力端子は前記第３の出力端子と電気的に接続され、
前記第１２の入力端子は前記第３の配線と電気的に接続され、
前記ｎ個の第６の出力端子のそれぞれは前記第１乃至第ｎのバッファ回路の入力端子のそれぞれと電気的に接続されている撮像装置。
【請求項３】
請求項１及び２のいずれか一項において、
前記第３の回路は記憶素子アレイと、第４の回路と、第５の回路と、第６の回路と、第７の回路、第８の回路と、第９の回路と、第１０の回路と、第１１の回路と、第１２の回路と、第１３の回路と、第１４の回路と、第１５の回路と、を有し、
前記第４の回路は入力されたデジタルデータを符号化処理する機能を有し、
前記第５の回路は符号化したデジタルデータを一時的に記憶する機能を有し、
前記第６の回路は複数ビットのデジタルデータを１ビットのデジタルデータに分割する機能を有し、
前記第７の回路は書き込み用の行デコーダとしての機能を有し、
前記第８の回路は書き込み用の列デコーダとしての機能を有し、
前記第９の回路は読み出し用の行デコーダとしての機能を有し、
前記第１０の回路は読み出し用の列デコーダとしての機能を有し、
前記第１１の回路は前記記憶素子アレイの書き込みアドレスを制御する機能を有し、
前記第１２の回路は前記記憶素子アレイの読み出しアドレスを制御する機能を有し、
前記第１３の回路は前記第４の回路および前記第５の回路で指定されるアドレスの差に相当するデジタルデータを算出する機能を有し、
前記第１４の回路は前記デジタルデータをアナログ電位に変換する機能を有し、
前記第１５の回路は前記アナログ電位に応じて周波数の異なるクロック信号を生成する機能を有する撮像装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記光電変換素子は、光電変換層にセレンまたはセレンを含む化合物を有する撮像装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の撮像装置と、レンズと、を有するモジュール。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の撮像装置と、表示装置と、を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月29日(2019.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一側に形成された第１挿入溝を含むホルダと、
前記第１挿入溝に配置されるセンサマグネットと、
前記センサマグネットをカバーするセンサキャップを含み、
前記ホルダは、他側に形成された第２挿入溝を含み、
前記第２挿入溝は、モータの回転軸と結合する役割をして、
前記ホルダは、半径方向に突出したリング状の羽根部を含む、センサ組立体。
【請求項２】
前記第１挿入溝の深さは、前記センサマグネットの厚さよりも小さい、請求項１に記載のセンサ組立体。
【請求項３】
前記ホルダは、周方向に形成した凹溝を含む、請求項１に記載のセンサ組立体。
【請求項４】
前記ホルダとセンサキャップは、非磁性材質を含む、請求項１に記載のセンサ組立体。
【請求項５】
前記センサキャップは、前記センサマグネットの一面と対向する底部及び前記ホルダの側面に結合する側部を含む、請求項１に記載のセンサ組立体。
【請求項６】
前記センサキャップは、前記側部に形成されて前記ホルダと結合する締結部を含む、請求項５に記載のセンサ組立体。
【請求項７】
前記センサキャップの厚さは、０．０５〜０．３ｍｍである、請求項１に記載のセンサ組立体。
【請求項８】
前記センサキャップは、前記底部と前記側部とを連結する連結部を含み、
前記連結部は曲率を有する、請求項５に記載のセンサ組立体。
【請求項９】
前記センサキャップは、前記底部に形成される複数個の突起を含む、請求項５に記載のセンサ組立体。
【請求項１０】
前記センサキャップは、前記底部の中央に形成される中央孔、前記底部の外側に形成される複数個のサブ孔を含む、請求項５に記載のセンサ組立体。
【請求項１１】
ハウジングと、
前記ハウジングに配置されるステータと、
前記ステータの内部に配置されるロータと、
前記ロータと一体に回転する回転軸と、
請求項１〜１０のいずれか一項によるセンサ組立体と、を含む、モータ。
【請求項１２】
前記センサマグネットの回転をセンシングする検出部を含む、請求項１１に記載のモータ。
【請求項１３】
前記検出部は、前記センサキャップの底部と対向する磁気素子及び前記磁気素子が配置される印刷回路基板を含む、請求項１２に記載のモータ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月28日(2019.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１磁気素子部と、
前記第１磁気素子部と離隔される第２磁気素子部と、
第１磁気素子部と電気的に連結される第１電源端と、
前記第１電源端と離隔されて前記第２磁気素子部と電気的に連結される第２電源端を含み、
前記第１磁気素子部は複数の磁気素子を含み、前記第２磁気素子部は複数の磁気素子を含み、
前記第１磁気素子部の複数の磁気素子は第１半径（ｆｉｒｓｔ  ｒａｄｉｕｓ）を有する第１円弧上に位置し、
前記第２磁気素子部の複数の磁気素子は前記第１半径より大きい第２半径を有する第２円弧上に位置し、
前記第１円弧と前記第２円弧は同芯を有する
ことを特徴とする、回路基板。
【請求項２】
前記第１磁気素子部は、相互間離隔される第１乃至第３磁気素子を含み、
前記第２磁気素子部は、相互間離隔される第４及び第５磁気素子を含むことを特徴とする、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第１電源端、前記第１磁気素子、前記第２磁気素子及び前記第３磁気素子と連結される第１導電ライン、及び
前記第２電源端、前記第４磁気素子及び前記第５磁気素子と連結される第２導電ラインをさらに含むことを特徴とする、請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第１乃至第５磁気素子は、磁気力を感知するホール（Ｈａｌｌ）素子であることを特徴とする、請求項２に記載の回路基板。
【請求項５】
前記第１磁気素子部と電気的に連結される第１接地部、及び
前記第１接地部と離隔して、前記第２磁気素子部と電気的に連結される第２接地部をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の回路基板。
【請求項６】
前記第２円弧の中心角は前記第１円弧の中心角の少なくとも一部とオーバーラップされることを特徴とする、請求項１に記載の回路基板。
【請求項７】
回路基板と、
前記回路基板を収容するハウジングと、
前記ハウジングに固定されるステーターと、
前記ステーターの内側に位置して、前記ステーターと電気的相互作用を介して回転するローターと、
前記ローターと一体で回転する回転軸と、
前記回転軸に配置されるセンシングマグネットと、を含み、
前記回路基板は、
第１磁気素子部と、
前記第１磁気素子部と離隔される第２磁気素子部と、
前記第１磁気素子部と電気的に連結される第１電源端と、
前記第１電源端と離隔されて前記第２磁気素子部と電気的に連結される第２電源端と、を含み、
前記回路基板の第１及び第２磁気素子部は、前記センシングマグネットを感知し、
前記第１磁気素子部は複数の磁気素子を含み、前記第２磁気素子部は複数の磁気素子を含み、
前記第１磁気素子部の複数の磁気素子は第１半径（ｆｉｒｓｔ  ｒａｄｉｕｓ）を有する第１円弧上に位置し、
前記第２磁気素子部の複数の磁気素子は前記第１半径より大きい第２半径を有する第２円弧上に位置し、
前記第１円弧と前記第２円弧は同芯を有することを特徴とする、モーター。
【請求項８】
前記ローターと上側に離隔されて前記回転軸と結合するセンシングプレートをさらに含み、
前記センシングマグネットは、前記センシングプレートの上面と結合することを特徴とする、請求項７に記載のモーター。
【請求項９】
前記回転軸の下部を支持する第１ベアリングと、
前記回転軸の上部を支持する第２ベアリングと、をさらに含むことを特徴とする、請求項７に記載のモーター。
【請求項１０】
前記ハウジングの下面の中央部に突出されている支持管をさらに含み、前記第１ベアリングは、前記支持管に設置されることを特徴とする、請求項７に記載のモーター。
【請求項１１】
モーターと、
車両の運行条件に応じてモーターを駆動する電子制御装置と、を含み、
前記モーターは、
回路基板と、
前記回路基板を収容するハウジングと、
前記ハウジングに固定されるステーターと、
前記ステーターの内側に位置して、前記ステーターと電気的相互作用を介して回転するローターと、
前記ローターと一体で回転する回転軸と、
前記回転軸に配置されるセンシングマグネットと、を含み、
前記回路基板は、
第１磁気素子部と、
前記第１磁気素子部と離隔される第２磁気素子部と、
前記第１磁気素子部と電気的に連結される第１電源端と、
前記第１電源端と離隔されて前記第２磁気素子部と電気的に連結される第２電源端と、
を含み、
前記回路基板の第１及び第２磁気素子部は、前記センシングマグネットを感知し、
前記第１磁気素子部は複数の磁気素子を含み、前記第２磁気素子部は複数の磁気素子を含み、
前記第１磁気素子部の複数の磁気素子は第１半径（ｆｉｒｓｔ  ｒａｄｉｕｓ）を有する第１円弧上に位置し、
前記第２磁気素子部の複数の磁気素子は前記第１半径より大きい第２半径を有する第２円弧上に位置し、
前記第１円弧と前記第２円弧は同芯を有することを特徴とする、電動式操向装置。
【請求項１２】
車両の運行条件を感知するセンサーをさらに含むことを特徴とする、請求項１１に記載の電動式操向装置。
【請求項１３】
前記センサーは、車速センサーまたはトルクアングルセンサーまたはトルクセンサーで
あることを特徴とする、請求項１１に記載の電動式操向装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月10日(2018.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極上に設けられ半導体層を含む半導体発光チップと、
前記半導体層上に設けられた透明膜と、
前記透明膜上に設けられ樹脂と蛍光体とを含む蛍光体樹脂層と、
前記第１電極から前記透明膜に向かう第１方向と直交する方向において前記第１電極と離隔した第２電極と、
前記第１電極上及び前記第２電極上に設けられた反射層と、
を備え、
前記透明膜の屈折率は、前記半導体層の屈折率よりも高い、半導体発光装置。
【請求項２】
前記透明膜は、シリコンカーバイド、酸化チタン及びリン化ガリウムの少なくともいずれかを含む、請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記蛍光体樹脂層は、前記第１方向において前記半導体発光チップと重ならない部分を含み、
前記反射層は、前記蛍光体樹脂層の前記重ならない前記部分の一部と、前記第１電極と、の間、及び、前記蛍光体樹脂層の前記重ならない前記部分の別の一部と、前記第２電極と、の間に設けられた、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記反射層は、酸化チタンを含む請求項３記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記蛍光体樹脂層上に設けられた放熱部材をさらに備え、
前記放熱部材の熱伝導率は、前記蛍光体樹脂層の熱伝導率よりも高い、請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記放熱部材は、アルミニウムオキサイドを含む請求項５記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記蛍光体樹脂層上に設けられた透明樹脂層と、
をさらに備え、
前記透明樹脂層は、前記第１方向において前記半導体発光チップと重ならない部分を含み、
前記反射層は、前記透明樹脂層の前記重ならない前記部分の一部と、前記第１電極と、の間、及び、前記透明樹脂層の前記重ならない前記部分の別の一部と、前記第２電極と、の間に設けられた、
請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記第１電極の上、前記第２電極の上、前記半導体発光チップの側面上、前記透明膜の側面上、及び、前記蛍光体樹脂層の表面上に設けられた透明レンズ樹脂と、
をさらに備え、
前記透明レンズ樹脂は、前記第１方向において前記半導体発光チップと重ならない部分を含み、
前記透明レンズ樹脂の上面は、凸レンズ形状である、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記透明レンズ樹脂は、フェニル系シリコーン樹脂を含む、請求項８記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記透明レンズ樹脂の前記重ならない前記部分の前記第１方向に沿う厚さは、前記透明レンズ樹脂の前記第１方向において前記半導体チップと重なる部分の前記第１方向に沿った厚さよりも薄い、請求項８または９に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記透明レンズ樹脂の前記重ならない前記部分の一部と、前記第１電極と、の間、及び、前記透明レンズ樹脂の前記重ならない前記部分の別の一部と、前記第２電極と、の間に設けられ酸化チタンを含む反射樹脂層をさらに備えた請求項８〜１０のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記蛍光体樹脂層は、前記第１方向において前記半導体発光チップと重ならない部分と、前記第１方向において前記半導体チップと重なる部分と、を含み、
前記蛍光体樹脂層の前記重ならない前記部分の前記第１方向に沿った厚さは、前記蛍光体樹脂層の前記重なる前記部分の前記第１方向に沿った厚さよりも薄い、
請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
前記反射層は前記蛍光体樹脂層の下方に位置する請求項１〜１２のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１４】
前記反射層は前記半導体発光チップの側面に接する請求項１〜１３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１５】
前記第１電極上及び前記第２電極上に設けられ、前記半導体発光チップ及び前記反射層を囲う外囲器をさらに備え、
前記反射層は前記外囲器の内側面に接する請求項１〜１４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項１６】
前記反射層の前記外囲器側の上面は、前記反射層の前記半導体発光チップ側の上面よりも上方に位置する請求項１５に記載の半導体発光装置。
【請求項１７】
前記反射層の上面は、下方に向けて凸に湾曲している請求項１〜１６のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
実施形態によれば、半導体発光装置は、第１電極と、前記第１電極上に設けられ半導体層を含む半導体発光チップと、前記半導体層上に設けられた透明膜と、前記透明膜上に設けられ樹脂と蛍光体とを含む蛍光体樹脂層と、前記第１電極から前記透明膜に向かう第１方向と直交する方向において前記第１電極と離隔した第２電極と、前記第１電極上及び前記第２電極上に設けられた反射層と、を含む。前記透明膜の屈折率は、前記半導体層の屈折率よりも高い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
例えば、発光層７３から放出される光（発光光）のピーク波長において、反射層（高反射層４１）の反射率は、例えば、ワイヤ（ワイヤ２１〜２４の少なくともいずれか）の反射率よりも高い。反射層（高反射層４１）の反射率は、例えば、外囲器３１の反射率よりも高い。反射層（高反射層４１）を設けない場合は、光がワイヤや外囲器３１に入射して損失される。反射層（高反射層４１）を設けることで、このような光を効率良く取り出すことができる。反射層（高反射層４１）は、例えば、酸化チタンを含む。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月24日(2019.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上の第１酸化物絶縁層と、
前記第１酸化物絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に位置し、第２酸化物絶縁層及びゲート絶縁層を順に介して前記酸化物半導体層と重なるゲート電極層と、を有し、
チャネル長方向の断面において、
前記ゲート電極層と前記ゲート絶縁層と前記第２酸化物絶縁層とは、同じ長さを有し、
前記ゲート電極層の側面、前記ゲート絶縁層の側面及び前記第２酸化物絶縁層の側面に接する側壁絶縁層を有し、
前記酸化物半導体層の上面及び側面、並びに前記第１酸化物絶縁層の側面に接する第１領域を有し、
前記第１領域は、前記ゲート電極層及び前記側壁絶縁層と重ならない領域を有し、
前記第１領域は、合金を有し、
前記第１領域は、コバルト、ニッケル、バナジウム、パラジウムのいずれか一の元素と、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタルのいずれか一の元素と、を有すること、
を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上の第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上の第１酸化物絶縁層と、
前記第１酸化物絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に位置し、第２酸化物絶縁層及びゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なるゲート電極層と、を有し、
チャネル長方向の断面において、
前記ゲート電極層と前記ゲート絶縁層と前記第２酸化物絶縁層とは、同じ長さを有し、
前記ゲート電極層の側面、前記ゲート絶縁層の側面及び前記第２酸化物絶縁層の側面に接する側壁絶縁層を有し、
前記ゲート電極層及び前記側壁絶縁層は、前記酸化物半導体層の一部と重なり、
前記酸化物半導体層上に接して第１導電層を成膜し、
前記第１導電層上に接して第２導電層を成膜し、
加熱処理を行うことにより、前記酸化物半導体層と前記第１導電層との間において、合金を形成すること、
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１導電層は、コバルト、ニッケル、白金、バナジウム、クロム、またはパラジウムを有し、
前記第２導電層は、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、ロジウム、イリジウム、またはコバルトを有すること、
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記加熱処理は、４５０℃以上６５０℃以下で行うこと、
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月26日(2019.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上のゲート電極と、
前記第２の絶縁膜の側面に接する金属酸化膜と、
前記酸化物半導体膜、前記ゲート電極、及び前記金属酸化膜上の第３の絶縁膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、
前記ゲート電極と重なるチャネル領域と、
前記第３の絶縁膜と接するソース領域と、
前記第３の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、
水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、塩素、チタン、または希ガスの１以上を有し、
前記金属酸化膜は、
前記ゲート電極の側面と接する領域を有する、半導体装置。
【請求項２】
トランジスタを有する半導体装置であって、
前記トランジスタは、
導電膜と、
前記導電膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上のゲート電極と、
前記第２の絶縁膜の側面に接する金属酸化膜と、
前記酸化物半導体膜、前記ゲート電極、及び前記金属酸化膜上の第３の絶縁膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、
前記ゲート電極と重なるチャネル領域と、
前記第３の絶縁膜と接するソース領域と、
前記第３の絶縁膜と接するドレイン領域と、を有し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、
水素、ホウ素、炭素、窒素、フッ素、リン、硫黄、塩素、チタン、または希ガスの１以上を有し、
前記金属酸化膜は、
前記ゲート電極の側面と接する領域を有する、半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記金属酸化膜は、
Ａｌ、Ｔａ、Ｙ、またはＨｆの１以上を有する、半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は、
Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、を有する、半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は、
結晶部を有し、前記結晶部は、ｃ軸配向性を有する、半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５に記載のいずれか一つの半導体装置と、
表示素子と、
を有する表示装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月18日(2019.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に設けられたセンスアンプと、前記センスアンプの上に設けられたメモリセルと、第１の配線と、第２の配線と、前記メモリセルの上に設けられた第３の配線と、を有し、
前記センスアンプは、第１のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、ゲートと、ソースと、ドレインと、を有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記メモリセルは、前記半導体基板の上の容量素子と、前記容量素子の上に設けられた第２のトランジスタと、導電体と、溝部と、を有し、
前記容量素子は、第１の電極と、第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は、前記溝部に沿って形成され、
前記第２の電極は、前記溝部において前記第１の電極と面する領域を有し、
前記第１の電極は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体と、ゲートと、ソースと、ドレインと、を有し、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記導電体を介して前記第２の電極と接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第１の酸化物絶縁体と、第２の酸化物絶縁体と、を有し、
前記第１の酸化物絶縁体は、前記容量素子の上に形成され、
前記酸化物半導体は、前記第１の酸化物絶縁体の上に形成され、
前記ソース及び前記ドレインは、前記酸化物半導体の上に、対向して設けられ、
前記第１の絶縁体は、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの上に形成され、
前記第１の絶縁体は、前記酸化物半導体に達する開口を有し、
前記第２の酸化物絶縁体は、前記開口の中で、前記酸化物半導体の上面の一部と接して設けられ、
前記第２の絶縁体は、前記開口の中で、前記第２の酸化物絶縁体の上面の一部と接して設けられ、
前記ゲートは、前記開口の中で、前記第２の絶縁体の上面の一部と接して設けられ、
前記導電体は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方の側面端部と接する半導体装置。
【請求項２】
半導体基板に設けられたセンスアンプと、前記センスアンプの上に設けられたメモリセルと、第１の配線と、第２の配線と、前記メモリセルの下に設けられた第３の配線と、を有し、
前記センスアンプは、第１のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、ゲートと、ソースと、ドレインと、を有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記メモリセルは、前記半導体基板の上の容量素子と、前記容量素子の上に設けられた第２のトランジスタと、導電体と、溝部と、を有し、
前記容量素子は、第１の電極と、第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は、前記溝部に沿って形成され、
前記第２の電極は、前記溝部において前記第１の電極と面する領域を有し、
前記第１の電極は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体と、ゲートと、ソースと、ドレインと、を有し、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記導電体を介して前記第２の電極と接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第１の酸化物絶縁体と、第２の酸化物絶縁体と、を有し、
前記第１の酸化物絶縁体は、前記容量素子の上に形成され、
前記酸化物半導体は、前記第１の酸化物絶縁体の上に形成され、
前記ソース及び前記ドレインは、前記酸化物半導体の上に、対向して設けられ、
前記第１の絶縁体は、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの上に形成され、
前記第１の絶縁体は、前記酸化物半導体に達する開口を有し、
前記第２の酸化物絶縁体は、前記開口の中で、前記酸化物半導体の上面の一部と接して設けられ、
前記第２の絶縁体は、前記開口の中で、前記第２の酸化物絶縁体の上面の一部と接して設けられ、
前記ゲートは、前記開口の中で、前記第２の絶縁体の上面の一部と接して設けられ、
前記導電体は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方の側面端部と接する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月26日(2019.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁体上に第１の半導体、第１の導電体、第２の導電体および第１のエッチングマスクを順に形成し、
前記第１のエッチングマスクを用いて、前記第２の導電体の一部を前記第１の導電体が露出するまでエッチングすることで、第３の導電体を形成し、
前記第１のエッチングマスクまたは前記第３の導電体を用いて、前記第１の導電体の一部、および前記第１の半導体の一部を前記第１の絶縁体が露出するまでエッチングすることで、第４の導電体および第２の半導体を形成し、
前記第１のエッチングマスクを除去し、
前記第１の絶縁体上、前記第２の半導体上、前記第４の導電体上および前記第３の導電体上に第２の絶縁体を形成し、
前記第２の絶縁体上に第２のエッチングマスクを形成し、
前記第２のエッチングマスクを用いて、前記第２の絶縁体の一部を前記第３の導電体および前記第１の絶縁体が露出するまでエッチングすることで第３の絶縁体を形成し、
前記第２のエッチングマスクおよび前記第３の絶縁体を用いて、前記第３の導電体の一部を前記第４の導電体が露出するまでエッチングすることで第５の導電体および第６の導電体を形成し、
前記第２のエッチングマスクを除去し、
前記第３の絶縁体上、前記第４の導電体上、前記第５の導電体上および前記第６の導電体上に第３のエッチングマスクを形成し、
前記第３のエッチングマスクを用いて、前記第４の導電体の一部を前記第２の半導体が露出するまでエッチングすることで第７の導電体および第８の導電体を形成し、
前記第３のエッチングマスクを除去し、
前記第２の半導体上、前記第７の導電体上および前記第８の導電体上に、第４の絶縁体および第９の導電体を順に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月22日(2019.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メモリセルの作製方法及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと容量素子を有するメモリセルの作製方法であって、
前記容量素子と電気的に接続された配線を形成し、
前記配線上に絶縁体を形成し、
前記絶縁体上に酸化物半導体を形成し、
前記酸化物半導体に高密度プラズマ処理を行い、
前記配線が露出する開口部を前記絶縁体に形成し、
前記酸化物半導体と接し、且つ前記開口部において前記配線と接する導電体を形成し、
前記酸化物半導体は、前記トランジスタの半導体層としての機能を有し、
前記導電体は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極としての機能を有する、メモリセルの作製方法。
【請求項２】
トランジスタと容量素子を有するメモリセルの作製方法であって、
前記容量素子と電気的に接続された配線を形成し、
前記配線上に絶縁体を形成し、
前記絶縁体上に酸化物半導体を形成し、
前記配線が露出する開口部を前記絶縁体に形成し、
前記酸化物半導体に高密度プラズマ処理を行い、
前記酸化物半導体と接し、且つ前記開口部において前記配線と接する導電体を形成し、
前記酸化物半導体は、前記トランジスタの半導体層としての機能を有し、
前記導電体は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極としての機能を有する、メモリセルの作製方法。
【請求項３】
第１トランジスタ及び第２トランジスタを有するセンスアンプと、
第３トランジスタ及び容量素子を有するメモリセルと、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１トランジスタ上に前記第２トランジスタを形成し、
前記第２トランジスタ上に前記容量素子を形成し、
前記容量素子と電気的に接続された配線を形成し、
前記配線上に絶縁体を形成し、
前記絶縁体上に酸化物半導体を形成し、
前記酸化物半導体に高密度プラズマ処理を行い、
前記配線が露出する開口部を前記絶縁体に形成し、
前記酸化物半導体と接し、且つ前記開口部において前記配線と接する導電体を形成し、
前記酸化物半導体は、前記第３トランジスタの半導体層としての機能を有し、
前記導電体は、前記第３トランジスタのソース電極またはドレイン電極としての機能を有する、半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１トランジスタ及び第２トランジスタを有するセンスアンプと、
第３トランジスタ及び容量素子を有するメモリセルと、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１トランジスタ上に前記第２トランジスタを形成し、
前記第２トランジスタ上に前記容量素子を形成し、
前記容量素子と電気的に接続された配線を形成し、
前記配線上に絶縁体を形成し、
前記絶縁体上に酸化物半導体を形成し、
前記配線が露出する開口部を前記絶縁体に形成し、
前記酸化物半導体に高密度プラズマ処理を行い、
前記酸化物半導体と接し、且つ前記開口部において前記配線と接する導電体を形成し、
前記酸化物半導体は、前記第３トランジスタの半導体層としての機能を有し、
前記導電体は、前記第３トランジスタのソース電極またはドレイン電極としての機能を有する、半導体装置の作製方法。