【手続補正書】
【提出日】令和1年10月11日(2019.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
希ＨＦ中の湿潤エッチング速度０．０５Å／ｓは、同じ条件下の典型的な熱酸化物膜の速度（０．５Å／ｓ）よりはるかに小さく、本明細書に記載の有機アミノシランが、そこから堆積されるケイ素含有膜の得られる物性に影響を与えることを示している。
以下に、本発明の実施態様を非限定的に列挙する。
＜１＞
以下の式Ａ〜Ｅ：
【化１】
2019194226.tif 000001
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ａ中のｎは１または２に等しく、式Ａ中のｍは０、１、２、または３に等しく、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物を含む、有機アミノシラン。
＜２＞
該Ｒ１およびＲ２が共に結合して環を形成する、＜１＞に記載の有機アミノシラン。
＜３＞
式Ａ（式中、Ｒ１およびＲ２は同じであり、そしてメチル、エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、およびｓｅｃ−ブチルからなる群から選択され、そしてＲ３は、メチレンおよびエチレンからなる群から選択され、ｎ＝１、およびｍ＝０である。）を有する化合物を含む、＜１＞に記載の有機アミノシラン。
＜４＞
式Ｄ（式中、Ｒ３がエチレンまたはプロピレンの場合、Ｒ１はイソプロピル（Ｐｒｉ）でない。）化合物を含む、＜１＞に記載の有機アミノシラン。
＜５＞
式Ａを有する化合物を含み、該化合物は、１−ジメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、ジイソプロピルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジ−ｓｅｃブチルアミノ−１、３−ジシランプロパン、１−ジイソブチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジ−ｔｅｒｔペンチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジエチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジイソプロピルアミノ−１、４−ジシラブタン、１、３−ビス（ジメチルアミノ）−１、３−ジシラプロパン、１、３−ビス（ジイソプロピルアミノ）−１、３−ジシラプロパン、１、３−ビス（ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ）−１、３−ジシラプロパン、１、３−ビス（ジイソブチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１、３−ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ペンチルアミノ）−１、３−ジシラプロパン、１、３−ビス（ジエチルアミノ）−１、３−ジシラプロパン、１、４−ビス（ジメチルアミノ）−１、４−ジシラブタン、１、４−ビス（ジエチルアミノ）−１、４−ジシラブタン、１、４−ビス（ジイソプロピルアミノ）−１、３−ジシラブタン、１、４−ビス（ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ）−１、４−ジシラブタン、１、４−ビス（ジイソブチルアミノ）−１、４−ジシラブタン、１、４−ビス（イソプロピル−ｎ−プロピルアミノ）−１、４−ジシラブタン、１、３−ビス（エチルメチルアミノ）−１、３−ジシラブタン、および１、４−ビス（エチルメチルアミノ）−１、４−ジシラブタンからなる群から選択される、＜１＞に記載の有機アミノシラン。
＜６＞
１−ジイソプロピルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−エチルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−フェニルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、４−ジシラブタン、フェニルエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジイソプロピルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−エチルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−フェニルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、３−ジシラプロパン、およびフェニルエチルアミノ−１、３−ジシラプロパンからなる群から選択される、＜１＞に記載の有機アミノシラン。
＜７＞
（ａ）以下の式Ａ〜Ｅ：
【化２】
2019194226.tif 000002
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ａ中のｎは１または２に等しく、式Ａ中のｍは０、１、２、または３に等しく、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物を含む、少なくとも１種の有機アミノシランと、
（ｂ）溶媒であって、該溶媒が沸点を有し、そして該溶媒の該沸点と該少なくとも１種の有機アミノシランの沸点との違いが４０℃以下である溶媒と、
を含む組成物。
＜８＞
１−ジメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−エチルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジイソプロピルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−フェニルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、４−ジシラブタン、フェニルエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジエチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−エチルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパンオピル（ｏｐｙｌ）アミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−フェニルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、３−ジシラプロパン、およびフェニルエチルアミノ−１、３−ジシラプロパンからなる群から選択される少なくとも１種を含む、＜７＞に記載の有機アミノシラン。
＜９＞
エーテル、第三級アミン、アルキル炭化水素、芳香族炭化水素、および第３級アミノエーテルからなる群から選択される少なくとも１種を含む、＜７＞に記載の溶媒。
＜１０＞
化学気相堆積プロセスおよび原子層堆積プロセスから選択される堆積プロセスによって基材の少なくとも１つの表面上にケイ素含有膜を形成する方法であって、該方法が：
反応チャンバー中に該基材の該少なくとも１つの表面を提供する工程と、
以下の式Ａ〜Ｅ：
【化３】
2019194226.tif 000003
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ａ中のｎは１または２に等しく、式Ａ中のｍは０、１、２、または３に等しく、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）１つによって表される化合物を含む少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を導入する工程と、
該反応器中に窒素含有源を導入する工程であって、該少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体および該窒素含有源が反応して該少なくとも１つの表面上に膜を形成する、工程と、
を含む、方法。
＜１１＞
該少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体が、１−ジメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−エチルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジイソプロピルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−フェニルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、４−ジシラブタン、フェニルエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジエチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−エチルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、ジイソプロピルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−フェニルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、３−ジシラプロパン、およびフェニルエチルアミノ−１、３−ジシラプロパンからなる群から選択される、＜１０＞に記載の方法。
＜１２＞
該窒素含有源が、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、窒素、窒素／水素、アンモニアプラズマ、窒素プラズマ、窒素／アルゴンプラズマ、窒素／ヘリウムプラズマ、窒素／水素プラズマ、有機アミン、有機アミンプラズマ、およびそれらの混合物からなる群から選択される、＜１０＞に記載の方法。
＜１３＞
該ケイ素含有膜が、窒化ケイ素およびケイ素炭窒化物からなる群から選択される、＜１０＞に記載の方法。
＜１４＞
原子層堆積（ＡＬＤ）工程を介してケイ素含有膜を生成させる方法であって、該方法が：
ａ．ＡＬＤ反応器中に基材を提供する工程と、
ｂ．該ＡＬＤ反応器中に、以下の式Ａ〜Ｅ：
【化４】
2019194226.tif 000004
（式中Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ａ中のｎは１または２に等しく、式Ａ中のｍは０、１、２、または３に等しく、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物を含む少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を提供する工程と、
ｃ．不活性ガスを用いて該ＡＬＤ反応器をパージする工程と、
ｄ．該ＡＬＤ反応器中に窒素含有源を提供する工程と、
ｅ．不活性ガスを用いて該ＡＬＤ反応器をパージする工程と、
の各ステップを含み、そして該膜の所望の厚さが得られるまでステップｂからステップｅが繰り返される、方法。
＜１５＞
該少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体が、１−ジメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−エチルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジイソプロピルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−フェニルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、４−ジシラブタン、フェニルエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジエチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−エチルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、ジイソプロピルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−フェニルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、３−ジシラプロパン、およびフェニルエチルアミノ−１、３−ジシラプロパンからなる群から選択される、＜１４＞に記載の方法。
＜１６＞
該窒素含有源が、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、窒素、窒素／水素、アンモニアプラズマ、窒素プラズマ、窒素／アルゴンプラズマ、窒素／ヘリウムプラズマ、窒素／水素プラズマ、有機アミン、有機アミンプラズマ、およびそれらの混合物からなる群から選択される、＜１４＞に記載の方法。
＜１７＞
該ケイ素含有膜が、窒化ケイ素およびケイ素炭窒化物からなる群から選択される、＜１４＞に記載の方法。
＜１８＞
プラズマ増強原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスおよびＰＥＣＣＶＤプロセスから選択される堆積プロセスを使用して基材の少なくとも１つの表面上にケイ素含有膜を形成させる方法であって、該方法が：
ａ．ＡＬＤ反応器中に基材を提供する工程と、
ｂ．該ＡＬＤ反応器中に、以下の式Ａ〜Ｅ：
【化５】
2019194226.tif 000005
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ａ中のｎは１または２に等しく、式Ａ中のｍは０、１、２、または３に等しく、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に、式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物を含む少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を提供する工程と、
ｃ．不活性ガスを用いて該ＡＬＤ反応器をパージする工程と、
ｄ．該ＡＬＤ反応器中にプラズマ窒素含有源を提供する工程と、
ｅ．不活性ガスを用いて該ＡＬＤ反応器をパージする工程と、
の各ステップを含み、そして該膜の所望の厚さが得られるまでステップｂからステップｅが繰り返される、方法。
＜１９＞
該少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体が、１−ジメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−エチルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジイソプロピルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−フェニルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、４−ジシラブタン、フェニルエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジエチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−エチルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、ジイソプロピルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−フェニルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、３−ジシラプロパン、およびフェニルエチルアミノ−１、３−ジシラプロパンからなる群から選択される、＜１８＞に記載の方法。
＜２０＞
該窒素含有源が、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、窒素、窒素／水素、アンモニアプラズマ、窒素プラズマ、窒素／アルゴンプラズマ、窒素／ヘリウムプラズマ、窒素／水素プラズマ、有機アミン、有機アミンプラズマ、およびそれらの混合物からなる群から選択される、＜１８＞に記載の方法。
＜２１＞
該ケイ素含有膜が、窒化ケイ素およびケイ素炭窒化物からなる群から選択される、＜１８＞に記載の方法。
＜２２＞
基材上に酸化ケイ素または炭素ドープされた酸化ケイ素膜を形成する方法であって、酸素含有源と、以下の式Ａ〜Ｅ：
【化６】
2019194226.tif 000006
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ａ中のｎは１または２に等しく、式Ａ中のｍは０、１、２、または３に等しく、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）１つによって表される化合物を含む少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を含む前駆体と、を気相堆積で反応させて、該基材上に該膜を形成させる、方法。
＜２３＞
該気相堆積が、化学気相堆積、低圧気相堆積、プラズマ増強化学気相堆積、サイクリック化学気相堆積、プラズマ増強サイクリック化学気相堆積、原子層堆積、およびプラズマ増強原子層堆積から選択される少なくとも１種を含む群から選択される少なくとも１種である、＜２２＞に記載の方法。
＜２４＞
該少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体が、１−ジメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−エチルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジイソプロピルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−フェニルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、４−ジシラブタン、フェニルエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジエチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−エチルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、ジイソプロピルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−フェニルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、３−ジシラプロパン、およびフェニルエチルアミノ−１、３−ジシラプロパンからなる群から選択される、＜２２＞に記載の方法。
＜２５＞
該反応させるステップが、２００℃以下の温度において行われる、＜２２＞に記載の方法。
＜２６＞
該反応させるステップが、１００℃以下の温度において行われる、＜２２＞に記載の方法。
＜２７＞
該反応させるステップが、５０℃以下の温度において行われる、＜２２＞に記載の方法。
＜２８＞
基材上に酸化ケイ素または炭素ドープされた酸化ケイ素膜を形成させる方法であって、
以下の式Ａ〜Ｅ：
【化７】
2019194226.tif 000007
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ａ中のｎは１または２に等しく、式Ａ中のｍは０、１、２、または３に等しく、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物を含む少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体と、少なくとも１つの酸素含有源とを含む組成物から該基材上に気相堆積により該膜を形成させる工程を含み、
該気相堆積が、化学気相堆積、低圧気相堆積、プラズマ増強化学気相堆積、サイクリック化学気相堆積、プラズマ増強サイクリック化学気相堆積、原子層堆積、およびプラズマ増強原子層堆積から選択される少なくとも１種である、方法。
＜２９＞
該少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体が、１−ジメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−エチルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジイソプロピルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−フェニルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、４−ジシラブタン、フェニルエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジエチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−エチルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、ジイソプロピルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−フェニルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、３−ジシラプロパン、およびフェニルエチルアミノ−１、３−ジシラプロパンからなる群から選択される、＜２８＞に記載の方法。
＜３０＞
該反応させるステップが、２００℃以下の温度において行われる、＜２８＞に記載の方法。
＜３１＞
該反応させるステップが、１００℃以下の温度において行われる、＜２８＞に記載の方法。
＜３２＞
該反応させるステップが、５０℃以下の温度において行われる、＜２８＞に記載の方法。
＜３３＞
基材上に酸化ケイ素または炭素ドープされた酸化ケイ素膜を形成させる方法であって、
以下の式Ａ〜Ｅ：
【化８】
2019194226.tif 000008
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ａ中のｎは１または２に等しく、式Ａ中のｍは０、１、２、または３に等しく、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物を含む少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を反応器中に導入する工程と、
該反応器中に少なくとも１種の酸素含有源を導入する工程であって、該少なくとも１種の酸素含有源が該有機アミノシランと反応して、該基材上に該膜を提供する工程と、
を含む、方法。
＜３４＞
基材上に酸化ケイ素または炭素ドープされた酸化ケイ素膜を形成させる方法であって、該膜が厚さを含み、該方法が、：
ａ．以下の式Ａ〜Ｅ：
【化９】
2019194226.tif 000009
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ａ中のｎは１または２に等しく、式Ａ中のｍは０、１、２、または３に等しく、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物を含む少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を導入する工程と、
ｂ．該基材上に該少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を化学的に吸着させる工程と、
ｃ．パージガスを使用して該未反応の少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を追い出す工程と、
ｄ．加熱された基材上への該有機アミノシラン前駆体に酸素含有源を提供して、該吸着させた少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体と反応させる工程と、
ｅ．任意選択的になんらかの未反応の酸素含有源を追い出す工程と、
を含む、方法。
＜３５＞
ステップａ．〜ｄ．および任意選択的ステップｅ．が膜の該厚さが確立されるまで繰り返される、＜３４＞に記載の方法。
＜３６＞
該少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体が、１−ジメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−エチルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジイソプロピルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−フェニルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、４−ジシラブタン、フェニルエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジエチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−エチルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、ジイソプロピルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−フェニルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、３−ジシラプロパン、およびフェニルエチルアミノ−１、３−ジシラプロパンからなる群から選択される、＜３４＞に記載の方法。
＜３７＞
該化学的に吸着させるステップが、２００℃以下の温度において行われる、＜３４＞に記載の方法。
＜３８＞
該化学的に吸着させるステップが、１００℃以下の温度において行われる、＜３４＞に記載の方法。
＜３９＞
該化学的に吸着させるステップが、５０℃以下の温度において行われる、＜３４＞に記載の方法。
＜４０＞
原子層堆積プロセスである、＜３４＞に記載の方法。
＜４１＞
プラズマ増強サイクリック化学気相堆積プロセスである、＜３４＞に記載の方法。
＜４２＞
以下のステップを含むＡＬＤまたはサイクリックＣＶＤから選択される堆積方法を使用して、ケイ素含有膜を形成させる方法であって、該方法が：
ａ．ほぼ周囲温度〜約７００℃の範囲の１つまたは２つ以上の温度に加熱された反応器中に基材を置く工程と、
ｂ．以下の式Ａ〜Ｅ：
【化１０】
2019194226.tif 000010
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ａ中のｎは１または２に等しく、式Ａ中のｍは０、１、２、または３に等しく、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物を含む少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を導入する工程と、
ｃ．任意選択的にバージガスを使用して未反応の少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を追い出す工程と、
ｄ．該反応器中に還元剤を提供して、吸収された有機アミノシランと少なくとも部分的と反応させる工程と、
ｅ．任意選択的になんらかの未反応の還元剤を追い出す工程と、
を含み、
所望の厚さが得られるまで該ステップｂ〜ステップｅが繰り返される、方法。
＜４３＞
該還元剤が、水素、水素プラズマ、または塩化水素からなる群から選択される少なくとも１種である、＜４２＞の方法。
＜４４＞
原子層堆積、サイクリック化学気相堆積プロセスおよび化学気相堆積から選択される堆積プロセスを介してアモルファスまたは結晶性ケイ素膜を堆積させる方法であって、該方法が：
ａ．反応器中に基材を提供する工程と、
ｂ．以下の式Ａ〜Ｅ：
【化１１】
2019194226.tif 000011
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ａ中のｎは１または２に等しく、式Ａ中のｍは０、１、２、または３に等しく、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物を含む少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を該反応器中に導入する工程と、
ｃ．パージガスを用いて該反応器をパージするか、または該反応器をポンピングする工程と、
の各ステップを含み、
所望の厚さが得られるまで該ステップｂ〜ステップｃが繰り返される、方法。
＜４５＞
該少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体が、１−ジメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−エチルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジイソプロピルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−フェニルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、４−ジシラブタン、フェニルエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジエチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−エチルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、ジイソプロピルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−フェニルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、３−ジシラプロパン、およびフェニルエチルアミノ−１、３−ジシラプロパンからなる群から選択される、＜４４＞に記載の方法。
＜４６＞
プラズマ増強原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスおよびプラズマ増強サイクリック化学気相堆積（ＰＥＣＣＶＤ）プロセスから選択される堆積プロセスを使用して基材の少なくとも１つの表面上にケイ素含有膜を形成させる方法であって、該方法が：
ａ．ＡＬＤ反応器中に基材を提供する工程と、
ｂ．以下の式Ａ〜Ｅ：
【化１２】
2019194226.tif 000012
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ａ中のｎは１または２に等しく、式Ａ中のｍは０、１、２、または３に等しく、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物を含む少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を該ＡＬＤ反応器中に提供する工程と、
ｃ．不活性ガスを用いて該ＡＬＤ反応器をパージする工程と、
ｄ．該ＡＬＤ反応器中にプラズマ源を提供する工程と、
ｅ．不活性ガスを用いて該ＡＬＤ反応器をパージする工程と、
を含み、
所望の厚さのケイ素含有膜が得られるまで該ステップｂ〜ステップｅが繰り返される、方法。
＜４７＞
該少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体が、１−ジメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−エチルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジイソプロピルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−フェニルメチルアミノ−１、４−ジシラブタン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、４−ジシラブタン、フェニルエチルアミノ−１、４−ジシラブタン、１−ジメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジエチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−エチルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、ジイソプロピルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−ジ−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、１−フェニルメチルアミノ−１、３−ジシラプロパン、２、６−ジメチルピペリジノ−１、３−ジシラプロパン、およびフェニルエチルアミノ−１、３−ジシラプロパンからなる群から選択される、＜４６＞に記載の方法。
＜４８＞
該プラズマ源が、水素プラズマ、水素／アルゴンプラズマ、アルゴンプラズマ、ヘリウムプラズマ、水素／ヘリウムプラズマ、ネオンプラズマ、水素／ネオンプラズマ、キセノンプラズマ、水素／キセノンプラズマ、およびそれらの混合物からなる群から選択される、＜４６＞に記載の方法。
＜４９＞
該ケイ素含有膜が、ケイ素炭窒化物、炭化ケイ素、窒化ケイ素、ケイ素炭窒化物、およびケイ素カルボキシ窒化物からなる群から選択される、＜４６＞に記載の方法。
＜５０＞
ケイ素含有膜の堆積のための前駆体を送達するために使用される容器であって、該容器が：
以下の式Ａ〜Ｅ：
【化１３】
2019194226.tif 000013
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ３およびＲ４は、独立して直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ａ中のｎは１または２に等しく、式Ａ中のｍは０、１、２、または３に等しく、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物を含む少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を含み、
該前駆体の純度が約９８％以上である、容器。
＜５１＞
該容器が、ステンレススチールからなる、＜５０＞に記載の容器。
＜５２＞
以下の式Ａ〜Ｅ：
【化１４】
2019194226.tif 000014
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ａ中のｎは１または２に等しく、式Ａ中のｍは０、１、２、または３に等しく、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物を含む有機アミノシランを調製する方法であって、
該方法が：
Ｒ１Ｒ２ＮＨおよびＲ１ＮＨ２（式中、該アミン中のＲ１が、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、該アミン中のＲ２が、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択される。）から選択される式を有するアミンと、
【化１５】
2019194226.tif 000015
（式中、該ケイ素源中のＲ３およびＲ４は、独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択される。）から選択される少なくとも１種の化合物を含むケイ素源とを、
該ケイ素源の少なくとも一部分と該アミンの少なくとも一部分とが反応して該有機アミノシランを提供するのに充分な反応条件において触媒の存在下で反応させる、各ステップを含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式C〜Ｅ：
【化１】
2019194226.tif 000016
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、該Ｒ１およびＲ２はお互い結合して環を形成してよく、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物である、有機アミノシラン。
【請求項２】
該Ｒ１およびＲ２がお互いに結合して環を形成する、請求項１の有機アミノシラン。
【請求項３】
式Ｄ（式中、Ｒ３がエチレンまたはプロピレンの場合、Ｒ１はイソプロピル（Ｐｒｉ）でない。）で表される化合物である、請求項１に記載の有機アミノシラン。
【請求項４】
（ａ）以下の式C〜Ｅ：
【化２】
2019194226.tif 000017
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、該Ｒ１およびＲ２はお互い結合して環を形成してよく、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物である少なくとも１種の有機アミノシランと、
（ｂ）溶媒であって、該溶媒が沸点を有し、そして該溶媒の該沸点と該少なくとも１種の有機アミノシランの沸点との違いが４０℃以下である溶媒と、
を含む組成物。
【請求項５】
エーテル、第三級アミン、アルキル炭化水素、芳香族炭化水素、および第３級アミノエーテルからなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項４に記載の溶媒。
【請求項６】
化学気相堆積プロセスおよび原子層堆積プロセスから選択される堆積プロセスによって基材の少なくとも１つの表面上にケイ素含有膜を形成する方法であって、該方法が：
反応チャンバー中に該基材の該少なくとも１つの表面を提供する工程と、
以下の式C〜Ｅ：
【化３】
2019194226.tif 000018
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、該Ｒ１およびＲ２はお互い結合して環を形成してよく、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）１つによって表される化合物である少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を導入する工程と、
該反応器中に窒素含有源を導入する工程であって、該少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体および該窒素含有源が反応して該少なくとも１つの表面上に膜を形成する、工程と、
を含む、方法。
【請求項７】
該窒素含有源が、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、窒素、窒素／水素、アンモニアプラズマ、窒素プラズマ、窒素／アルゴンプラズマ、窒素／ヘリウムプラズマ、窒素／水素プラズマ、有機アミン、有機アミンプラズマ、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
該ケイ素含有膜が、窒化ケイ素およびケイ素炭窒化物からなる群から選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
原子層堆積（ＡＬＤ）工程を介してケイ素含有膜を生成させる方法であって、該方法が：
ａ．ＡＬＤ反応器中に基材を提供する工程と、
ｂ．該ＡＬＤ反応器中に、以下の式C〜Ｅ：
【化４】
2019194226.tif 000019
（式中Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、該Ｒ１およびＲ２はお互い結合して環を形成してよく、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物である少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を提供する工程と、
ｃ．不活性ガスを用いて該ＡＬＤ反応器をパージする工程と、
ｄ．該ＡＬＤ反応器中に窒素含有源を提供する工程と、
ｅ．不活性ガスを用いて該ＡＬＤ反応器をパージする工程と、
の各ステップを含み、そして該膜の所望の厚さが得られるまでステップｂからステップｅが繰り返される、方法。
【請求項１０】
該窒素含有源が、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、窒素、窒素／水素、アンモニアプラズマ、窒素プラズマ、窒素／アルゴンプラズマ、窒素／ヘリウムプラズマ、窒素／水素プラズマ、有機アミン、有機アミンプラズマ、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
該ケイ素含有膜が、窒化ケイ素およびケイ素炭窒化物からなる群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
プラズマ増強原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスおよびＰＥＣＣＶＤプロセスから選択される堆積プロセスを使用して基材の少なくとも１つの表面上にケイ素含有膜を形成させる方法であって、該方法が：
ａ．ＡＬＤ反応器中に基材を提供する工程と、
ｂ．該ＡＬＤ反応器中に、以下の式C〜Ｅ：
【化５】
2019194226.tif 000020
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、該Ｒ１およびＲ２はお互い結合して環を形成してよく、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に、式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物である少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を提供する工程と、
ｃ．不活性ガスを用いて該ＡＬＤ反応器をパージする工程と、
ｄ．該ＡＬＤ反応器中にプラズマ窒素含有源を提供する工程と、
ｅ．不活性ガスを用いて該ＡＬＤ反応器をパージする工程と、
の各ステップを含み、そして該膜の所望の厚さが得られるまでステップｂからステップｅが繰り返される、方法。
【請求項１３】
該窒素含有源が、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、窒素、窒素／水素、アンモニアプラズマ、窒素プラズマ、窒素／アルゴンプラズマ、窒素／ヘリウムプラズマ、窒素／水素プラズマ、有機アミン、有機アミンプラズマ、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
該ケイ素含有膜が、窒化ケイ素およびケイ素炭窒化物からなる群から選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
基材上に酸化ケイ素または炭素ドープされた酸化ケイ素膜を形成する方法であって、酸素含有源と、以下の式C〜Ｅ：
【化６】
2019194226.tif 000021
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、該Ｒ１およびＲ２はお互い結合して環を形成してよく、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）１つによって表される化合物である少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を含む前駆体と、を気相堆積で反応させて、該基材上に該膜を形成させる、方法。
【請求項１６】
該気相堆積が、化学気相堆積、低圧気相堆積、プラズマ増強化学気相堆積、サイクリック化学気相堆積、プラズマ増強サイクリック化学気相堆積、原子層堆積、およびプラズマ増強原子層堆積から選択される少なくとも１種を含む群から選択される少なくとも１種である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
該反応させるステップが、２００℃以下の温度において行われる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
該反応させるステップが、１００℃以下の温度において行われる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
該反応させるステップが、５０℃以下の温度において行われる、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
基材上に酸化ケイ素または炭素ドープされた酸化ケイ素膜を形成させる方法であって、
以下の式C〜Ｅ：
【化７】
2019194226.tif 000022
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、該Ｒ１およびＲ２はお互い結合して環を形成してよく、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物である少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体と、少なくとも１つの酸素含有源とを含む組成物から該基材上に気相堆積により該膜を形成させる工程を含み、
該気相堆積が、化学気相堆積、低圧気相堆積、プラズマ増強化学気相堆積、サイクリック化学気相堆積、プラズマ増強サイクリック化学気相堆積、原子層堆積、およびプラズマ増強原子層堆積から選択される少なくとも１種である、方法。
【請求項２１】
該反応させるステップが、２００℃以下の温度において行われる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
該反応させるステップが、１００℃以下の温度において行われる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
該反応させるステップが、５０℃以下の温度において行われる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
基材上に酸化ケイ素または炭素ドープされた酸化ケイ素膜を形成させる方法であって、
以下の式C〜Ｅ：
【化８】
2019194226.tif 000023
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、該Ｒ１およびＲ２はお互い結合して環を形成してよく、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物である少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を反応器中に導入する工程と、
該反応器中に少なくとも１種の酸素含有源を導入する工程であって、該少なくとも１種の酸素含有源が該有機アミノシランと反応して、該基材上に該膜を提供する工程と、
を含む、方法。
【請求項２５】
基材上に酸化ケイ素または炭素ドープされた酸化ケイ素膜を形成させる方法であって、該膜が厚さを含み、該方法が、：
ａ．以下の式C〜Ｅ：
【化９】
2019194226.tif 000024
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、該Ｒ１およびＲ２はお互い結合して環を形成してよく、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物である少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を導入する工程と、
ｂ．該基材上に該少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を化学的に吸着させる工程と、
ｃ．パージガスを使用して該未反応の少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を追い出す工程と、
ｄ．加熱された基材上への該有機アミノシラン前駆体に酸素含有源を提供して、該吸着させた少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体と反応させる工程と、
ｅ．任意選択的になんらかの未反応の酸素含有源を追い出す工程と、
を含む、方法。
【請求項２６】
ステップａ．〜ｄ．および任意選択的ステップｅ．が膜の該厚さが確立されるまで繰り返される、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
該化学的に吸着させるステップが、２００℃以下の温度において行われる、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
該化学的に吸着させるステップが、１００℃以下の温度において行われる、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
該化学的に吸着させるステップが、５０℃以下の温度において行われる、請求項２５に記載の方法。
【請求項３０】
原子層堆積プロセスである、請求項２５に記載の方法。
【請求項３１】
プラズマ増強サイクリック化学気相堆積プロセスである、請求項２５に記載の方法。
【請求項３２】
以下のステップを含むＡＬＤまたはサイクリックＣＶＤから選択される堆積方法を使用して、ケイ素含有膜を形成させる方法であって、該方法が：
ａ．ほぼ周囲温度〜約７００℃の範囲の１つまたは２つ以上の温度に加熱された反応器中に基材を置く工程と、
ｂ．以下の式C〜Ｅ：
【化１０】
2019194226.tif 000025
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、該Ｒ１およびＲ２はお互い結合して環を形成してよく、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物である少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を導入する工程と、
ｃ．任意選択的にバージガスを使用して未反応の少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を追い出す工程と、
ｄ．該反応器中に還元剤を提供して、吸収された有機アミノシランと少なくとも部分的と反応させる工程と、
ｅ．任意選択的になんらかの未反応の還元剤を追い出す工程と、
を含み、
所望の厚さが得られるまで該ステップｂ〜ステップｅが繰り返される、方法。
【請求項３３】
該還元剤が、水素、水素プラズマ、または塩化水素からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
原子層堆積、サイクリック化学気相堆積プロセスおよび化学気相堆積から選択される堆積プロセスを介してアモルファスまたは結晶性ケイ素膜を堆積させる方法であって、該方法が：
ａ．反応器中に基材を提供する工程と、
ｂ．以下の式C〜Ｅ：
【化１１】
2019194226.tif 000026
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、該Ｒ１およびＲ２はお互い結合して環を形成してよく、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物である少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を該反応器中に導入する工程と、
ｃ．パージガスを用いて該反応器をパージするか、または該反応器をポンピングする工程と、
の各ステップを含み、
所望の厚さが得られるまで該ステップｂ〜ステップｃが繰り返される、方法。
【請求項３５】
プラズマ増強原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）プロセスおよびプラズマ増強サイクリック化学気相堆積（ＰＥＣＣＶＤ）プロセスから選択される堆積プロセスを使用して基材の少なくとも１つの表面上にケイ素含有膜を形成させる方法であって、該方法が：
ａ．ＡＬＤ反応器中に基材を提供する工程と、
ｂ．以下の式C〜Ｅ：
【化１２】
2019194226.tif 000027
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、該Ｒ１およびＲ２はお互い結合して環を形成してよく、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物である少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を該ＡＬＤ反応器中に提供する工程と、
ｃ．不活性ガスを用いて該ＡＬＤ反応器をパージする工程と、
ｄ．該ＡＬＤ反応器中にプラズマ源を提供する工程と、
ｅ．不活性ガスを用いて該ＡＬＤ反応器をパージする工程と、
を含み、
所望の厚さのケイ素含有膜が得られるまで該ステップｂ〜ステップｅが繰り返される、方法。
【請求項３６】
該プラズマ源が、水素プラズマ、水素／アルゴンプラズマ、アルゴンプラズマ、ヘリウムプラズマ、水素／ヘリウムプラズマ、ネオンプラズマ、水素／ネオンプラズマ、キセノンプラズマ、水素／キセノンプラズマ、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
該ケイ素含有膜が、ケイ素炭窒化物、炭化ケイ素、窒化ケイ素、ケイ素炭窒化物、およびケイ素カルボキシ窒化物からなる群から選択される、請求項３５に記載の方法。
【請求項３８】
ケイ素含有膜の堆積のための前駆体を送達するために使用される容器であって、該容器が：
以下の式C〜Ｅ：
【化１３】
2019194226.tif 000028
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、該Ｒ１およびＲ２はお互い結合して環を形成してよく、Ｒ３およびＲ４は、独立して直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物である少なくとも１種の有機アミノシラン前駆体を含み、
該前駆体の純度が約９８％以上である、容器。
【請求項３９】
該容器が、ステンレススチールからなる、請求項３８に記載の容器。
【請求項４０】
以下の式C〜Ｅ：
【化１４】
2019194226.tif 000029
（式中、Ｒ１は、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、Ｒ２は、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、該Ｒ１およびＲ２はお互い結合して環を形成してよく、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択され、式Ｅ中のｐおよびｑは１または２に等しく、そして任意選択的に式Ｄ中のＲ３は、２つのケイ素原子および少なくとも１つの窒素原子とともに４員環、５員環または６員環から選択される環を形成する。）の１つによって表される化合物を含む有機アミノシランを調製する方法であって、
該方法が：
Ｒ１Ｒ２ＮＨおよびＲ１ＮＨ２（式中、該アミン中のＲ１が、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択され、該アミン中のＲ２が、水素、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルケニル基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ１０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキル基、およびＣ５〜Ｃ１０アリール基から選択される。）から選択される式を有するアミンと、
【化１５】
2019194226.tif 000030
（式中、該ケイ素源中のＲ３およびＲ４は、独立して、直鎖または分枝のＣ１〜Ｃ１０アルキレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルケニレン基、直鎖または分枝のＣ３〜Ｃ６アルキニレン基、Ｃ３〜Ｃ１０環状アルキレン基、Ｃ３〜Ｃ１０ヘテロ環状アルキレン基、Ｃ５〜Ｃ１０アリーレン基、およびＣ５〜Ｃ１０ヘテロアリーレン基から選択される。）から選択される少なくとも１種の化合物であるケイ素源とを、
該ケイ素源の少なくとも一部分と該アミンの少なくとも一部分とが反応して該有機アミノシランを提供するのに充分な反応条件において触媒の存在下で反応させる、各ステップを含む、方法。