【事件の表示】
　特願２０１６−１６７２２７「配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　３月　８日出願公開、特開２０１８−　３７４６１、請求項の数（１２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２８年８月２９日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
令和１年１１月２２日付け：拒絶理由通知書
令和２年　１月１５日　　：意見書、手続補正書の提出
令和２年　３月１２日付け：拒絶査定（以下、「原査定」という。）
令和２年　５月　８日　　：審判請求書の提出
第２　原査定の概要 
　原査定の概要は次のとおりである。 
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項　　　１ないし１２
・引用文献等　１ないし２
引用文献等一覧
１．特開２０１６−２９６９７号公報
２．特開２０１５−２２５９２６号公報 
第３　本願発明
　本願の請求項１ないし１２に係る発明（以下、「本願発明１」ないし「本願発明１２」という。）は、令和２年１月１５日提出の手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定される、以下のとおりの発明である。
「　　【請求項１】
　第１配線層と、前記第１配線層を被覆する第１絶縁層と、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通して前記第１配線層の上面を露出する第１貫通孔と、前記第１貫通孔を充填し、前記第１絶縁層から露出された上端面を有する第１ビア配線と、を含む第１配線構造と、
　前記第１絶縁層の上面に積層され、前記第１配線構造の配線密度よりも高い配線密度を有する第２配線構造と、を有し、
　前記第２配線構造は、
　前記第１絶縁層の上面及び前記第１ビア配線の上端面に形成され、上面の一部が平滑面に形成され、残りの上面が前記平滑面よりも粗度が大きい粗化面に形成された第１配線パターンを有する第２配線層と、
　前記第２配線層よりもマイグレーション耐性に優れた導電材料からなり、前記平滑面及び前記粗化面のうち前記平滑面のみを被覆し、前記粗化面よりも粗度の小さい平滑な上面を有する保護膜と、
　前記第１絶縁層の上面に積層され、前記第２配線層及び前記保護膜を被覆する第２絶縁層と、
　前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通して前記保護膜の上面を露出する第２貫通孔と、
　前記第２貫通孔を充填する第２ビア配線を有し、前記第２ビア配線を通じて前記第２配線層と接続された第３配線層と、を有し、
　前記粗化面は、前記平滑面と連続して形成され、且つ前記保護膜の外周部の下面を露出させるように前記平滑面よりも下方に凹んで形成され、
　前記第２絶縁層は、前記保護膜の外周部の上下両面及び側面を被覆するように形成されていることを特徴とする配線基板。
　　【請求項２】
　前記保護膜の外周部の下面は、前記保護膜の外周部の全周に亘って前記第２配線層から露出され、
　前記粗化面は、前記保護膜の外周部の下方において、前記第２配線層の前記平滑面の外縁に向けて反り上がるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
　　【請求項３】
　前記第２配線層は、前記第１絶縁層の上面に形成された金属バリア膜と前記金属バリア膜上に形成された金属膜とを含むシード層と、前記シード層上に形成された金属層とを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
　　【請求項４】
　前記平滑面に形成された前記第１配線パターンの上面と連続する前記第１配線パターンの前記金属層及び前記金属膜の側面全面が平滑面に形成され、該平滑面を被覆するように前記保護膜が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
　　【請求項５】
　前記第２配線層は、前記金属膜及び前記金属層の表面全面が平滑面に形成された第２配線パターンをさらに有し、
　前記保護膜は、前記第２配線パターンの平滑面を被覆するように形成されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の配線基板。
　　【請求項６】
　前記第２配線層は、前記金属膜及び前記金属層の表面全面が粗化面に形成され、前記金属バリア膜の外縁部が前記金属膜及び前記金属層の側面よりも外側に突出された第３配線パターンをさらに有することを特徴とする請求項３〜５の何れか一項に記載の配線基板。
　　【請求項７】
　前記第１絶縁層は、熱硬化性樹脂を主成分とする非感光性の絶縁性樹脂からなる絶縁層であり、
　前記第２絶縁層は、感光性樹脂を主成分とする絶縁層であって、前記第１絶縁層よりも薄い絶縁層であることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の配線基板。
　　【請求項８】
　前記第２貫通孔によって露出される前記保護膜の上面が平滑面であることを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載の配線基板。
　　【請求項９】
　請求項１〜８の何れか一項に記載の配線基板と、
　前記第２配線構造の最上層の配線層にフリップチップ実装された半導体チップと、
を有することを特徴とする半導体装置。
　　【請求項１０】
　第１配線構造を形成する工程と、
　前記第１配線構造の上面に、前記第１配線構造よりも配線密度の高い第２配線構造を積層する工程と、を有し、
　前記第１配線構造を形成する工程は、
　第１配線層を被覆する第１絶縁層を形成する工程と、
　前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通し、前記第１配線層の上面を露出する第１貫通孔を形成する工程と、
　前記第１貫通孔を充填するとともに、前記第１絶縁層の上面を被覆する導電層を形成する工程と、
　前記導電層と前記第１絶縁層の上面とを研磨することにより、前記第１絶縁層の上面を平滑化するとともに、前記第１絶縁層から露出する上端面を有する第１ビア配線を形成する工程と、を有し、
　前記第２配線構造を積層する工程は、
　前記第１絶縁層の上面及び前記第１ビア配線の上端面に、金属バリア膜と、金属膜と、金属層とが順に積層された第２配線層を形成する工程と、
　前記第２配線層の上面の一部に、前記金属膜及び前記金属層よりもマイグレーション耐性に優れた導電材料からなる保護膜を形成する工程と、
　前記保護膜の外周部の下面を前記第２配線層から露出させるように前記第２配線層の表面に粗化面を形成する工程と、
　前記第１絶縁層の上面に、前記第２配線層及び前記保護膜を被覆する第２絶縁層を形成する工程と、
　前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通して前記保護膜の上面を露出する第２貫通孔を形成する工程と、
　前記第２貫通孔を充填する第２ビア配線を有し、前記第２ビア配線を通じて前記第２配線層と電気的に接続された第３配線層を形成する工程と、を有し、
　前記第２絶縁層は、前記保護膜の外周部の上下両面及び側面を被覆するように形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。
　　【請求項１１】
　前記保護膜を形成する工程は、
　前記第２配線層のうち、前記第２ビア配線と接続される領域における第２配線層の表面を露出する開口パターンを有するレジスト層を前記第１絶縁層上に形成する工程と、
　無電解めっき法により、前記開口パターンから露出された前記第２配線層の表面に前記保護膜を形成する工程と、
　前記レジスト層を除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項１０に記載の配線基板の製造方法。
　　【請求項１２】
　前記第２貫通孔によって露出される前記保護膜の上面が平滑面であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の配線基板の製造方法。」
第４　引用文献、引用発明
１　引用文献１について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献１には、図面と共に以下の各記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
ア．「【請求項１】
　第１配線層と、前記第１配線層を被覆する第１絶縁層と、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通して前記第１配線層の上面を露出する第１貫通孔を充填し、前記第１絶縁層から露出された上端面を有するビア配線と、を含む第１配線構造と、
　前記第１絶縁層の上面及び前記ビア配線の上端面に形成され、表面の一部が粗化面に形成された第２配線層と、前記第１絶縁層上に積層され、前記第２配線層を被覆する第２絶縁層と、を含む第２配線構造と、を有し、
　前記第２配線構造の配線密度は、前記第１配線構造の配線密度よりも高く、
　前記粗化面の表面粗度は、前記第１配線層の表面粗度よりも小さいことを特徴とする配線基板。」
イ．「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法に関するものである。」
ウ．「【０００９】
　
（第１実施形態）
　以下、図１〜図１６に従って第１実施形態を説明する。
　
図１に示すように、配線基板１０は、配線構造１１と、配線構造１１の一方の側（ここでは、上側）に積層された配線構造１２と、
を有している。
エ．「【００１０】
　まず、
配線構造１１の構造について説明する。
この配線構造１１は、コア基板２０と、コア基板２０の上面２０Ａに積層された絶縁層３１と、
を有している。
【００１１】（中略）
【００１２】（中略）
【００１３】
　
コア基板２０の上面２０Ａには配線層２２が形成され、
【００１４】（中略）
【００１５】
　
コア基板２０の上面２０Ａには、絶縁層３１と、絶縁層３１に形成されたビア配線３２とが積層されている。 絶縁層３１は、配線層２２を被覆するように、コア基板２０の上面２０Ａに積層されている。
【００１６】
　
絶縁層３１には、上面３１Ａの所要の箇所に開口し、当該絶縁層３１を厚さ方向に貫通して配線層２２の上面の一部を露出する貫通孔３１Ｘが形成されている。
【００１７】（中略）
【００１８】
　
貫通孔３１Ｘ内には、配線層２２と電気的に接続されるビア配線３２が形成されている。このビア配線３２は、絶縁層３１を厚さ方向に貫通するように形成されている。
ビア配線３２は、貫通孔３１Ｘ内に充填されている。
【００１９】
　
ビア配線３２の上端面３２Ａは、絶縁層３１の上面３１Ａから露出されている。
オ．「【００２２】
　次に、配線構造１２の構造について説明する。
 配線構造１２は、配線構造１１の最上層に形成された絶縁層３１の上面３１Ａに積層された配線構造である。配線構造１２は、配線構造１１よりも配線密度の高い配線層が形成された高密度配線層である。
【００２３】
　
配線構造１２は、絶縁層３１上に積層された配線層５０と、絶縁層６１と、配線層７０と、
が順に積層された構造を有している。
カ．「【００２７】
　図２に示すように、
配線層５０は、ビア配線３２の上端面３２Ａと接続するように、絶縁層３１の上面３１Ａ上に積層されている。
【００２８】
　
配線層５０は、ビア配線３２の上端面３２Ａ上に形成されたシード層５１と、そのシード層５１上に形成された金属層５４とを有している。
【００２９】（中略）
【００３０】
　金属層５４は、金属膜５３の上面全面を被覆するように形成されている。なお、金属層５４の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。 
配線層５０は、例えば、同一平面上に、配線パターン５０Ａ〜５０Ｃを有している。
【００３１】
　
配線パターン５０Ｂでは、金属層５４の表面（上面及び側面）の一部が粗化面５４Ｒに形成され、その粗化面５４Ｒ以外の金属層５４の表面が粗化面５４Ｒよりも粗度の小さい平滑面５４Ｓに形成されている。
配線パターン５０Ｂでは、ランドにおける金属層５４の表面が粗化面５４Ｒに形成されている。
キ．「【０１２１】
　なお、上記第１及び第２実施形態においても、第３実施形態の（８）の効果と同様の効果を奏することができる。
（第４実施形態）
　
以下、図２５〜図２８に従って第４実施形態について説明する。この実施形態では、配線構造１２の製造方法が上記第１実施形態と異なっている
【０１２２】
　図２５（ａ）に示す工程では、まず、図４〜図８に示した工程と同様に、配線構造１１に相当する構造体を形成し、その配線構造１１の最上層に形成された絶縁層３１の上面３１Ａ上及びビア配線３２の上端面３２Ａ上に配線層５０を形成する。
【０１２３】
　次に、図２５（ｂ）に示す工程では、配線層５０の表面（上面及び側面）全面と配線層５０から露出する絶縁層３１の上面３１Ａ全面を被覆する保護膜５５を形成する。このとき、配線層５０の表面は、粗化処理が施されておらず、表面粗度の小さい平滑面になっている。このため、保護膜５５は、表面粗度の小さい平滑面である配線層５０の表面（上面及び側面）上に形成される。
この保護膜５５は、例えば、配線層５０と絶縁層３１との間でエレクトロマイグレーションが発生することを抑制する機能を有している。
保護膜５５の材料としては、
金属層５４を構成する金属（例えば、Ｃｕ）よりもエレクトロマイグレーション耐性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、保護膜５５としては、
ＮｉＰめっき膜
を用いることができる。
【０１２４】
　続いて、図２６（ａ）に示す工程では、図８（ｂ）に示した工程と同様に、絶縁層３１の上面３１Ａ上に、所定の箇所に開口パターン１１２Ｘを有するレジスト層１１２を形成する。開口パターン１１２Ｘは、配線層５０のうち当該配線層５０の上面の面積が大きい配線層５０の表面上に形成された保護膜５５を露出するように形成される。例えば、ベタパターンである配線パターン５０Ａの表面上に形成された保護膜５５を露出するとともに、配線パターン５０Ｂが有するランドを被覆するように形成された保護膜５５を露出するように形成される。その一方で、レジスト層１１２は、配線パターン５０Ｂのランド以外の微細なパターンの表面上に形成された保護膜５５を被覆するとともに、配線パターン５０Ｃの表面上に形成された保護膜５５を被覆するように形成される。また、レジスト層１１２は、微細配線部分である配線パターン５０Ｂ，５０Ｃの周辺に位置する絶縁層３１の上面３１Ａを被覆するように形成される。
【０１２５】
　次いで、図２６（ｂ）に示す工程では、レジスト層１１２をマスクとして、そのレジスト層１１２から露出された保護膜５５を除去する。保護膜５５は、例えば、ドライエッチングやウェットエッチングにより除去することができる。例えば、保護膜５５をエッチング除去する場合には、金属膜５２，５３及び金属層５４に対して保護膜５５が選択的にエッチングされるようにエッチング液等の条件が設定されている。このように、レジスト層１１２は、保護膜５５が必要な部分（ここでは、微細配線部分）を被覆するようにパターニングされている。
【０１２６】
　次に、図２７（ａ）に示す工程では、図１０（ａ）に示した工程と同様に、レジスト層１１２をマスクとして、配線層５０（配線パターン５０Ａ，５０Ｂ）のうちＣｕ層（金属層５４及び金属膜５３）に対して粗化処理を施す。この粗化処理により、
レジスト層１１２から露出された配線層５０の
金属層５４の上面全面及び側面全面が粗化面５４Ｒに形成される。
レジスト層１１２及び保護膜５５に被覆された配線層５０（配線パターン５０Ｂの一部及び配線パターン５０Ｃ）の表面は粗化されずに平滑面に維持される。
ク．「【０１２８】
　その後、レジスト層１１２を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。 続いて、図２７（ｂ）に示す工程では、
絶縁層３１の上面３１Ａ上に、配線層５０の上面の一部を露出する貫通孔６１Ｘを有する絶縁層６１を形成する。
【０１２９】
　次に、図２８に示す工程では、図６（ａ）〜図８（ｂ）に示した工程と同様に、例えばセミアディティブ法により、
貫通孔６１Ｘに充填されたビア配線と、そのビア配線を介して配線層５０と電気的に接続され、絶縁層６１の上面に積層された配線パターンとを有する配線層７０を形成する。
ケ．「【０１３２】
　以上の製造工程により、絶縁層３１の上面３１Ａ上に配線構造１２を積層することができる。
　以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（６）の効果に加えて以下の効果を奏することができる。
【０１３３】
　（９）配線層５０のうち表面積の小さい微細配線部分の配線パターン（例えば、配線パターン５０Ｃ）の表面を平滑面に形成し、その平滑面上に保護膜５５を形成するようにした。これにより、金属膜５３と絶縁層３１との間に保護膜５５をそれぞれ介在させることができるため、金属膜５３と絶縁層３１との間でエレクトロマイグレーションが発生することを好適に抑制できる。なお、配線層７０，８０についても配線層５０と同様の構造を採用した。したがって、配線層５０，７０，８０の微細化が進んだ場合であっても、エレクトロマイグレーションに起因した問題が発生することを好適に抑制できる。
【０１３４】
　また、微細配線部分の配線パターン５０Ｃ，７０Ｃ，８０Ｃの表面が粗化されずに平滑面に形成されている。その一方で、配線層５０，７０，８０のうち、ベタパターン（電源プレーンやＧＮＤプレーン等）やランド等の表面積が大きい領域の配線層５０，７０，８０の表面が粗化面に形成されている。これらにより、配線層５０，７０，８０と絶縁層６１，６３，６５との密着性を向上させつつも、配線層５０，７０，８０の微細配線部分の抵抗値が上昇するという問題の発生を好適に抑制できる。」
コ．「
」
サ．「
」
（２）引用文献１の上記記載から次のことがいえる。
・上記ウには、配線構造１１と、配線構造１１の上側に積層された配線構造１２とを有する配線基板１０が記載されている。
・上記エによれば、配線構造１１は、コア基板２０と、コア基板２０の上面２０Ａに形成された配線層２２と、配線層２２を被覆するようにコア基板２０の上面２０Ａに積層された絶縁層３１と、絶縁層３１を厚さ方向に貫通して配線層２２の上面の一部を露出する貫通孔３１Ｘと、貫通孔３１Ｘ内に充填されており、絶縁層３１の上面３１Ａから露出する上端面３２Ａを有するビア配線３２と、を有する。
・上記オによれば、配線構造１２は、絶縁層３１の上面３１Ａに積層され、配線構造１１よりも配線密度の高い配線層が形成された高密度配線層である。また、配線構造１２は、絶縁層３１上に積層された配線層５０と絶縁層６１と配線層７０とが順に積層された構造を有している。
・上記カによれば、配線層５０は、ビア配線３２の上端面３２Ａと接続されるように、絶縁層３１の上面３１Ａ上に積層されており、ビア配線３２の上端面３２Ａ上に形成されたシード層５１と、そのシード層５１上に形成された金属層５４とを有する。また、上記カによれば、配線層５０は、ランドにおける金属層５４の表面が粗化面５４Ｒに形成され、粗化面５４Ｒ以外の金属層５４の表面が粗化面５４Ｒよりも粗度の小さい平滑面５４Ｓに形成されている配線パターン５０Ｂを有している。
・上記キによれば、第４実施形態の配線構造１２は、保護膜５５を有する。また、上記キによれば、「レジスト層１１２及び保護膜５５に被覆された配線層５０（配線パターン５０Ｂの一部及び配線パターン５０Ｃ）の表面は粗化されずに平滑面に維持され」、「レジスト層１１２から露出された配線層５０の」「金属層５４の上面全面及び側面全面が粗化面５４Ｒに形成される」から、保護膜５５は、平滑面５４Ｓと粗化面５４Ｒのうちの平滑面５４Ｓのみを被覆することがわかる。
　さらに、上記キによれば、保護膜５５は、金属層５４を構成する金属よりもエレクトロマイグレーション耐性の高い材料であるＮｉＰめっき膜である。
・上記クには、絶縁層３１の上面３１Ａ上に配線層５０の上面の一部を露出する貫通孔６１Ｘを有する絶縁層６１を形成することが記載されている。また、図２７には、絶縁層３１が、配線層５０及び保護膜５５を被覆する点、及び貫通孔６１Ｘが絶縁層６１を厚さ方向に貫通する点が見てとれる。
・上記クによれば、貫通孔６１Ｘを充填するビア配線と、ビア配線を介して配線層５０と接続された配線層７０が記載されている。
・図２７によれば、粗化面５４Ｒが平滑面５４Ｓと連続して形成される点が見てとれる。
・図２７によれば、絶縁層６１が保護膜５５の外周部の上面及び側面を被覆するように形成されている点が見てとれる。
（２）よって、第４実施形態の配線基板１０に着目して引用文献１の記載事項及び図面を総合勘案すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「コア基板２０と、コア基板２０の上面２０Ａに形成された配線層２２と、配線層２２を被覆するようにコア基板２０の上面２０Ａに積層された絶縁層３１と、絶縁層３１を厚さ方向に貫通して配線層２２の上面の一部を露出する貫通孔３１Ｘと、貫通孔３１Ｘ内に充填されており、絶縁層３１の上面３１Ａから露出する上端面３２Ａを有するビア配線３２と、を有する配線構造１１と、
　絶縁層３１の上面３１Ａに積層され、配線構造１１よりも配線密度の高い配線層が形成された高密度配線層である配線構造１２と、を有する配線基板１０であって、
　配線構造１２は、
　ビア配線３２の上端面３２Ａと接続されるように、絶縁層３１の上面３１Ａ上に積層されており、ビア配線３２の上端面３２Ａ上に形成されたシード層５１と、そのシード層５１上に形成された金属層５４とを有する配線層５０であって、ランドにおける金属層５４の表面が粗化面５４Ｒに形成され、粗化面５４Ｒ以外の金属層５４の表面が粗化面５４Ｒよりも粗度の小さい平滑面５４Ｓに形成されている配線パターン５０Ｂを有する配線層５０と、
　金属層５４を構成する金属よりもエレクトロマイグレーション耐性の高い材料であるＮｉＰめっき膜を用い、配線層５０の平滑面５４Ｓと粗化面５４Ｒのうちの平滑面５４Ｓのみを被覆する保護膜５５と、
　絶縁層３１の上面３１Ａ上に形成され、配線層５０及び保護膜５５を被覆する絶縁層６１と、
　絶縁層６１を厚さ方向に貫通して配線層５０の上面の一部を露出する貫通孔６１Ｘと、
　貫通孔６１Ｘを充填するビア配線と、該ビア配線を介して配線層５０と接続された配線層７０と、を有し、
　粗化面５４Ｒは、平滑面５４Ｓと連続して形成され、
　絶縁層６１は、保護膜５５の外周部の上面及び側面を被覆するように形成されている、
　配線基板１０。」
２　引用文献２について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献２には、図面と共に次の事項が記載されている。
「【００１６】
　図１に示すように、電子部品内蔵基板１は、基板１０と、基板１０上に接着層１２を介して配置され、一方側（上面）に２つの端子電極２２を備える電子部品２０と、端子電極２２上に設けられた開口部２３を除いて端子電極２２の上面を被覆するパッシベーション層２４（絶縁性被覆層）と、端子電極上の開口部２３を充填するように形成された金属保護層３０と、
金属保護層３０上に設けられた開口部３３を除いて基板１０及び電子部品２０上を被覆する第１層間絶縁層３２と、
「図１
」
（２）上記図１から、開口部３３が、第１層間絶縁層３２を厚さ方向に貫通し、金属保護層３０の上面を露出することが確認できる。
よって、上記記載事項及び図面によれば、引用文献２には、「絶縁層を厚さ方向に貫通する開口部により保護層の上面を露出する」という技術的事項（以下、「引用文献２に記載の技術的事項」という。）が記載されていると認められる。
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明１とを対比すると次のことがいえる。
ア．引用発明１の「コア基板２０の上面２０Ａに形成された配線層２２」、「配線層２２を被覆するようにコア基板２０の上面２０Ａに積層された絶縁層３１」、「絶縁層３１を厚さ方向に貫通して配線層２２の上面の一部を露出する貫通孔３１Ｘ」、「貫通孔３１Ｘ内に充填されており、絶縁層３１の上面３１Ａから露出されている上端面３２Ａを有するビア配線３２」は、本願発明１の「第１配線層」、「前記第１配線層を被覆する第１絶縁層」、「前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通して前記第１配線層の上面を露出する第１貫通孔」、「前記第１貫通孔を充填し、前記第１絶縁層から露出された上端面を有する第１ビア配線」にそれぞれ相当する。
　よって、引用発明１の「コア基板２０と、コア基板２０の上面２０Ａに形成された配線層２２と、配線層２２を被覆するようにコア基板２０の上面２０Ａに積層された絶縁層３１と、絶縁層３１を厚さ方向に貫通して配線層２２の上面の一部を露出する貫通孔３１Ｘと、貫通孔３１Ｘ内に充填されており、絶縁層３１の上面３１Ａから露出する上端面３２Ａを有するビア配線３２と、を有する配線構造１１」は、本願発明１の「第１配線層と、前記第１配線層を被覆する第１絶縁層と、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通して前記第１配線層の上面を露出する第１貫通孔と、前記第１貫通孔を充填し、前記第１絶縁層から露出された上端面を有する第１ビア配線と、を含む第１配線構造」に相当する。
イ．引用発明１の「配線構造１２」は、「絶縁層３１の上面３１Ａに積層され、配線構造１１よりも配線密度の高い配線層が形成された高密度配線層」であるから、本願発明１の「前記第１絶縁層の上面に積層され、前記第１配線構造の配線密度よりも高い配線密度を有する２配線構造」に相当する。
ウ．引用発明１の「配線層５０」は、「ビア配線３２の上端面３２Ａと接続されるように、絶縁層３１の上面３１Ａ上に積層され」るから、ビア配線３２の上端面３２Ａと絶縁層３１の上面３１Ａに形成される。
　また、引用発明１の「配線層５０」が有する「配線パターン５０Ｂ」は、「ランドにおける金属層５４の表面が粗化面５４Ｒに形成され、粗化面５４Ｒ以外の金属層５４の表面が粗化面５４Ｒよりも粗度の小さい平滑面５４Ｓに形成されている」から、本願発明１の「上面の一部が平滑面に形成され、残りの上面が前記平滑面よりも粗度が大きい粗化面に形成された第１配線パターン」に相当する。
　よって、引用発明１の「ビア配線３２の上端面３２Ａと接続されるように、絶縁層３１の上面３１Ａ上に積層されており、ビア配線３２の上端面３２Ａ上に形成されたシード層５１と、そのシード層５１上に形成された金属層５４とを有する配線層５０であって、ランドにおける金属層５４の表面が粗化面５４Ｒに形成され、粗化面５４Ｒ以外の金属層５４の表面が粗化面５４Ｒよりも粗度の小さい平滑面５４Ｓに形成されている配線パターン５０Ｂを有する配線層５０」は、本願発明１の「前記第１絶縁層の上面及び前記第１ビア配線の上端面に形成され、上面の一部が平滑面に形成され、残りの上面が前記平滑面よりも粗度が大きい粗化面に形成された第１配線パターンを有する第２配線層」に相当する。
エ．引用発明１の「保護膜５５」に用いられる「ＮｉＰめっき膜」が導電材料であることは技術常識である。また、引用発明１の「エレクトロマイグレーション」は、本願発明１の「マイグレーション」に含まれる。
　よって、引用発明１の「金属層５４を構成する金属よりもエレクトロマイグレーション耐性の高い材料であるＮｉＰめっき膜を用い、配線層５０の平滑面５４Ｓと粗化面５４Ｒのうちの平滑面５４Ｓのみを被覆する保護膜５５」は、本願発明１の「前記第２配線層よりもマイグレーション耐性に優れた導電材料からなり、前記平滑面及び前記粗化面のうち前記平滑面のみを被覆する保護膜」に相当する。
　ただし、「保護膜」が、本願発明１では「前記粗化面よりも粗度の小さい平滑な上面を有する」のに対して、引用発明１にはその旨の特定がない点で相違する。
オ．引用発明１の「絶縁層６１」は、「絶縁層３１の上面３１Ａ上に形成され、配線層５０及び保護膜５５を被覆する」から、本願発明１の「前記第１絶縁層の上面に積層され、前記第２配線層及び前記保護膜を被覆する第２絶縁層」に相当する。
カ．引用発明１の「絶縁層６１を厚さ方向に貫通」する「貫通孔６１Ｘ」と、本願発明１の「前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通」する「第２貫通孔」は、共に「前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通する第２貫通孔」である点で共通する。
　ただし、「第２貫通孔」が、本願発明１では「前記保護膜の上面を露出する」のに対して、引用発明１にはその旨の特定がない点で相違する。
キ．引用発明１の「貫通孔６１Ｘを充填するビア配線」は、本願発明１の「前記第２貫通孔を充填する第２ビア配線」に相当する。また、引用発明１の「該ビア配線を介して配線層５０と接続された配線層７０」は、本願発明１の「前記第２ビア配線を通じて前記第２配線層と接続された第３配線層」に相当する。
ク．引用発明１の「粗化面５４Ｒ」が「平滑面５４Ｓと連続して形成され」ることは、本願発明１の「前記粗化面は、前記平滑面と連続して形成され」ることに相当する。
　ただし、「粗化面」が、本願発明１では「前記保護膜の外周部の下面を露出させるように前記平滑面よりも下方に凹んで形成され」るのに対して、引用発明１にはその旨の特定がない点で相違する。
ケ．引用発明１の「絶縁層６１」が「保護膜５５の外周部の上面及び側面を被覆するように形成されている」ことは、本願発明１の「前記第２絶縁層は、前記保護膜の外周部の上下両面及び側面を被覆するように形成されている」ことに相当する。
コ．引用発明１の「配線構造１１」と「配線構造１２」を有する「配線基板１０」は、本願発明１の「第１配線構造」と「第２配線構造と、を有」する「配線基板」に相当する。
（２）したがって、上記アないしコによれば、本願発明１と引用発明１との間には、次の一致点及び相違点があるといえる。
（一致点）
「第１配線層と、前記第１配線層を被覆する第１絶縁層と、前記第１絶縁層を厚さ方向に貫通して前記第１配線層の上面を露出する第１貫通孔と、前記第１貫通孔を充填し、前記第１絶縁層から露出された上端面を有する第１ビア配線と、を含む第１配線構造と、
　前記第１絶縁層の上面に積層され、前記第１配線構造の配線密度よりも高い配線密度を有する第２配線構造と、を有し、
　前記第２配線構造は、
　前記第１絶縁層の上面及び前記第１ビア配線の上端面に形成され、上面の一部が平滑面に形成され、残りの上面が前記平滑面よりも粗度が大きい粗化面に形成された第１配線パターンを有する第２配線層と、
　前記第２配線層よりもマイグレーション耐性に優れた導電材料からなり、前記平滑面及び前記粗化面のうち前記平滑面のみを被覆する保護膜と、
　前記第１絶縁層の上面に積層され、前記第２配線層及び前記保護膜を被覆する第２絶縁層と、
　前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通する第２貫通孔と、
　前記第２貫通孔を充填する第２ビア配線を有し、前記第２ビア配線を通じて前記第２配線層と接続された第３配線層と、を有し、
　前記粗化面は、前記平滑面と連続して形成され、
　前記第２絶縁層は、前記保護膜の外周部の上下両面及び側面を被覆するように形成されていることを特徴とする配線基板。」
（相違点１）
「保護膜」が、本願発明１では「前記粗化面よりも粗度の小さい平滑な上面を有する」のに対して、引用発明１にはその旨の特定がない点。
（相違点２）
「第２貫通孔」が、本願発明１では「前記保護膜の上面を露出する」のに対して、引用発明１にはその旨の特定がない点。
（相違点３）
「粗化面」が、本願発明１では「前記保護膜の外周部の下面を露出させるように前記平滑面よりも下方に凹んで形成され」るのに対して、引用発明１にはその旨の特定がない点。
（３）相違点についての判断
　事案に鑑み、相違点２について検討する。
　本願発明１の「保護膜」は「前記粗化面よりも粗度の小さい平滑な上面を有する」から、相違点２に係る「前記保護膜の上面」とは、「前記粗化面よりも粗度の小さい平滑な上面」のことである。
　ここで、引用文献２には、上記「第４」「２　引用文献２について」において説示したとおり、「絶縁層を厚さ方向に貫通する開口部により保護層の上面を露出する」という技術的事項（引用文献２に記載の技術的事項）が記載されているが、保護層の上面が、粗化面よりも粗度の小さい平滑な面であることについて特定がない。
　また、引用発明１の「貫通孔６１Ｘ」は「ビア配線」が充填されるものであり、この「ビア配線」は配線層５０と配線層７０を接続するものである。そして、ビア配線と配線層のランドが接続されることは技術常識であるから、引用発明１のビア配線が充填される「貫通孔６１Ｘ」は、「配線層５０」が有する「配線パターンＢ」の「粗化面５４Ｒに形成され」た「ランド」を露出するものである。
　ここで、引用発明１は、配線層５０のうち、ランド等の表面積が大きい領域の配線層５０の表面を粗化面に形成することにより、配線層５０と絶縁層６１との密着性を向上させるという課題を解決するものであるから（段落【０１３４】）、引用発明１の「貫通孔６１Ｘ」により露出する「配線パターンＢ」の「ランド」を、「粗化面５４Ｒ」に代えて、「前記粗化面よりも粗度の小さい平滑な上面を有する」「保護膜」とすることには、阻害要因が存在するといわざるをえない。
　したがって、上記相違点１及び３について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用発明１及び引用文献２に記載の技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
２　本願発明２ないし９について
　本願発明１を引用する本願発明２ないし９は、本願発明１の発明特定事項を全て含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものであるから、本願発明１と同じ理由により、引用発明１及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
３　本願発明１０ないし１２について
　請求項１０に係る発明は、「配線基板」に係る発明である本願発明１を、「配線基板を製造する方法」に係る発明にそのカテゴリーを変えて表現したものであって、本願発明１の上記相違点２に係る発明特定事項と共通する「前記保護膜の上面を露出する第２貫通孔」という発明特定事項を有するものであるから、本願発明１と同じ理由により、引用発明１及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
　また、本願発明１０を引用する本願発明１１ないし１２は、本願発明１０の発明特定事項を全て含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものであるから、本願発明１０と同じ理由により、引用発明１及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
第６　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１ないし１２に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。