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　特願２０１６−８４６７２号「光通信モジュール及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年１０月２６日出願公開、特開２０１７−１９４５６５号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１６年（平成２８年）４月２０日を出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和元年１２月１２日付け：拒絶理由通知書
　令和２年　２月１２日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和２年　７月１０日付け：拒絶査定
　令和２年１０月２１日　　：審判請求書、手続補正書の提出
　令和３年　２月１２日　　：上申書の提出
第２　令和２年１０月２１日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和２年１０月２１日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。）
　「【請求項１】
　一端が外側面に位置するようにして光導波路が形成された光回路基板と、
　前記光導波路の前記一端に達するよう光を出射し、又は前記光導波路の前記一端からの光を受光するよう、前記光回路基板上に搭載されたレンズ機能を有する半導体光素子と、を含み、
　前記光導波路の前記一端は、前記光回路基板の表面に対して斜交するミラー面として構成され、
　前記半導体光素子は、前記光導波路の前記一端に対して光を出射することにより前記光導波路に光を入力し、又は前記光導波路の前記一端により反射した光を受光し、
　前記半導体光素子は、前記光導波路の外側部に
、前記半導体光素子と前記光導波路の前記外側部の間に介在する半田又は透明樹脂によって、
　光通信モジュール。」
　
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の、令和２年２月１２日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
　「【請求項１】
　一端が外側面に位置するようにして光導波路が形成された光回路基板と、
　前記光導波路の前記一端に達するよう光を出射し、又は前記光導波路の前記一端からの光を受光するよう、前記光回路基板上に搭載されたレンズ機能を有する半導体光素子と、を含み、
　前記光導波路の前記一端は、前記光回路基板の表面に対して斜交するミラー面として構成され、
　前記半導体光素子は、前記光導波路の前記一端に対して光を出射することにより前記光導波路に光を入力し、又は前記光導波路の前記一端により反射した光を受光し、
　前記半導体光素子は、前記光導波路の外側部に固定して取り付けられる、
　光通信モジュール。」
２　補正の適否
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「半導体光素子」が、「光導波路の外側部に固定して取り付けられる」構成について、
「前記半導体光素子と前記光導波路の前記外側部の間に介在する半田又は透明樹脂によって
　そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記「１」「（１）」に記載したとおりの以下のものである（ＡないしＦは、当審が分説のために付した。以下、それぞれ「構成Ａ」ないし「構成Ｆ」という。）。
　「【請求項１】
Ａ　一端が外側面に位置するようにして光導波路が形成された光回路基板と、
Ｂ　前記光導波路の前記一端に達するよう光を出射し、又は前記光導波路の前記一端からの光を受光するよう、前記光回路基板上に搭載されたレンズ機能を有する半導体光素子と、を含み、
Ｃ　前記光導波路の前記一端は、前記光回路基板の表面に対して斜交するミラー面として構成され、
Ｄ　前記半導体光素子は、前記光導波路の前記一端に対して光を出射することにより前記光導波路に光を入力し、又は前記光導波路の前記一端により反射した光を受光し、
Ｅ　前記半導体光素子は、前記光導波路の外側部に、前記半導体光素子と前記光導波路の前記外側部の間に介在する半田又は透明樹脂によって、固定して取り付けられる、
Ｆ　光通信モジュール。」
　
（２）引用文献の記載事項
ア　引用文献１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の出願前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である、特開２００３−２１５３７１号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある（下線は、当審で付した。以下同じ。）。
ａ　「【請求項１】　
発光部若しくは受光部と面型光素子側パッドとが同じ側の面に設けられた面型光素子を実装するための基板側パッドが予め形成された基板と
この基板上に形成され、端面に傾斜ミラーを備えた光導波路と、
前記発光部若しくは受光部と前記光導波路とが前記傾斜ミラーを介して光学的に結合するよう位置合わせされた上で前記光導波路の上面に実装され、前記基板側パッドと面型光素子側パッドとがハンダバンプによって接続された面型光素子とを有する
光モジュール。
ｂ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、面型光素子と平面光導波路と半導体装置とを実装する
光モジュール
【０００２】
【従来の技術】
情報処理機器内における信号伝送路
垂直共振器型面発光レーザ
、フォトダイオード
等の面型光素子
ｃ　「【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上のような従来の光モジュールでは、光素子と光導波路との間のギャップを高精度に制御することが難しいという問題点があった。光素子と光導波路との間のギャップを高精度に制御できない場合、このギャップが光出力や受光感度などの特性に大きく影響するときに問題が生じる。
【００１１】光素子と光導波路との間のギャップが光出力や受光感度などの特性に大きく影響するのは、例えば面発光素子の出射角度が大きく、光素子と光導波路との距離を遠ざけると急速に光結合効率が低下する場合や、ＰＩＮフォトダイオードで高速応答性を重視したものように受光面が小さいものを用いる場合、あるいは光導波路と光素子との間にレンズを介する場合などである。
【００１２】このような場合には、光素子のチップ厚さ、光素子をＬＳＩチップに接合するバンプの高さ、ＬＳＩチップの実装高さをかさ上げするモールド樹脂の厚さ、そしてＬＳＩチップを光電気回路基板に実装するバンプの高さの４つを少なくとも１０μｍ以下程度の精度で制御する必要が生じうる。これらを合計した高さは、場合によっては２００μｍを超えるものとなる可能性があり、１０μｍ以下程度の精度で制御するのは困難である。
・・・
【００１６】本発明の目的は、以上に示した課題を解決し、面型光素子と平面光導波路との光結合構造において、面型光素子と光導波路とのギャップを簡素な構造でなおかつ高精度に制御できる光モジュール及び光モジュールの実装方法を提供することにある。」
ｄ　「【００２３】
【発明の実施の形態】［第１の実施の形態］以下、本発明の目的、特徴および利点を明確にすべく、添付した図面を参照しながら、本発明の実施の形態を以下に詳述する。図１は本発明の第１の実施の形態となる光モジュールの構造を示す断面図である。本実施の形態は、発光するレーザ光の波長が６５０ｎｍ、８５０ｎｍ、１３００ｎｍ、１５５０ｎｍ等の垂直共振器型面発光レーザ（Vertical cavity surface-emitting Laser、以下、ＶＣＳＥＬとする）を光導波路基板上に実装する例である。
【００２４】材質が有機樹脂、セラミック、ガラスあるいはシリコン等からなる基板１上に光導波路３を形成し、また面型光素子であるＶＣＳＥＬ５を実装するための第１の基板側電極パッド１３と、半導体装置であるＬＳＩ８を実装するための第２の基板側電極パッド（不図示）と、パッド１３，１４間を電気的に接続する電気配線（不図示）とを基板１上に金属パターンで形成する。
【００２５】光導波路３は、図１に示すように、下側の第１のクラッド層７−１の上に光導波路コア７−２の層を形成し、光導波路コア７−２を上側の第２のクラッド層７−３で被覆する構造である。光導波路３は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シロキサンポリマーなどの有機樹脂、あるいはガラス等から構成される。この光導波路３の一端を４５度斜め端とし、４５度傾斜ミラー４として機能させる。
【００２６】４５度傾斜ミラー４の形成方法としては、別途作製した、４５度端面加工されたフィルム状光導波路を貼り付ける方法や、基板１上に垂直端面の光導波路３を積層形成した後に基板１を４５度傾斜させてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等により光導波路３の端面を４５度の角度になるようにエッチングする方法がある。４５度傾斜ミラー４の反射率を向上させるため、ミラー４にはアルミニウム、金、銀、銅あるいはチタンなどの金属を蒸着することが望ましい。
・・・
【００２８】次に、基板１上の第１の基板側電極パッド１３にスズ鉛合金はんだ、銀スズはんだ、金スズはんだあるいは銀スズはんだ等からなるハンダバンプ２−１を光導波路３の高さ以上の高さに形成する。また、第２の基板側電極パッド（不図示）に同様の材料のハンダバンプ２−２を形成する。
【００２９】ＶＣＳＥＬ５には電極パッド１４と発光部１５とが同じ側の面に設けられている。ＶＣＳＥＬ５の電極パッド１４と発光部１５とを下に向け、光導波路３の上面を基準面として光導波路３の上面にＶＣＳＥＬ５を当接させて実装する。本実施形態では、発光部１５が突起状になっているＶＣＳＥＬ５を実装する場合を例示している。したがって、ＶＣＳＥＬ５の発光部１５を実装時に破損させないため、発光部１５の高さより厚いスペーサ６をＶＣＳＥＬ５と光導波路３との間に配置する。スペーサ６の厚さは、発光部１５の高さが例えば１０μｍの場合、１５〜２０μｍ程度である。
【００３０】スペーサ６の材料については、面型光素子の実装時の処理温度に対する耐熱性の高いポリイミド等が好適である。スペーサ６を作製する場合、ポリイミド等をウェハ上にスピン塗布した後硬化させ、剥離して、フィルム状とすることで高精度な厚さの物が得られる。そして、作製したスペーサ６を接着剤で光導波路３上に接着する。
【００３１】次に、ＶＣＳＥＬ５を実装するためにハンダバンプ２−１を溶融させ、ＶＣＳＥＬ５の電極パッド１４をハンダバンプ２−１に当接させることで、溶融されたハンダバンプ２−１が表面張力で電極パッド１４に融着する。そして、ＶＣＳＥＬ５をスペーサ６に当接するまで降下させ、その後にハンダバンプ２−１を冷却硬化させることで、ＶＣＳＥＬ５の下面をスペーサ６の上面に当接させ、かつハンダバンプ２−１の高さがスペーサ６の上面の高さと同じ高さに合うように実装する。
【００３２】ＶＣＳＥＬ５の発光部１５から出射したレーザ光は、光導波路３上面より入射し、４５度傾斜ミラー４で反射して、光導波路コア７−２に入射し、光コネクタ９へ伝送される。こうして、４５度傾斜ミラー４で略９０度の光路変換が行われることにより、ＶＣＳＥＬ５と光導波路３とが光学的に結合される。
【００３３】前述のとおり、ＶＣＳＥＬ５と基板１との電気的な接続はハンダバンプ２−１によるフリップチップ接続によって行われる。同様に、ＬＳＩ８は、ハンダバンプ２−２を溶融させ、ＬＳＩ８の電極パッド（不図示）をハンダバンプ２−２に当接させることで、基板１上に実装される。
・・・
【００３６】本実施の形態では、埋め込み型光導波路３の第２のクラッド層７−３の上にスペーサ６を設ける構造を例示したが、光導波路３として上部の第２のクラッド層７−３を持たない光導波路コア７−２が露出したリッジ型導波路を採用してもよい。光導波路コア７−２を露出させた上にスペーサ６を設置し、その上に面型光素子を実装することにより、面型光素子と光導波路コア７−２との間の間隙が小さくなるので、面型光素子からの光束の発散を少なくすることができる。
【００３７】以上のように、本実施の形態では、面型光素子だけを光導波路３上に実装し、面型光素子及び半導体装置と基板１とをフリップチップ接続して、面型光素子と半導体装置間を基板１上の電気配線で接続するようにしたことにより、面型光素子と光導波路との光学的結合及び面型光素子と半導体装置との電気的接続を簡素な構造で実現することができ、かつ面型光素子と光導波路とのギャップを高精度に制御することができる。」
ｅ　「【００３８】［第２の実施の形態］図２は本発明の第２の実施の形態となる光モジュールの構造を示す断面図であり、図１と同一の構成には同一の符号を付してある。第１の実施の形態では、ＶＣＳＥＬ５の発光部１５の突起を保護するためにスペーサ６を介してＶＣＳＥＬ５を光導波路３上に実装したが、図２に示すように、光導波路３ａ上面の発光部１５に対応する位置に、発光部１５の高さより深い切り欠き若しくは窪みからなる逃げ部１０を形成してもよい。
【００３９】逃げ部１０は、フォトリソグラフィおよびアルカリ薬液によるウエットエッチングや、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドライエッチングによって形成することができる。本実施の形態では、ＶＣＳＥＬ５を実装する際に、溶融させたハンダバンプ２−１にＶＣＳＥＬ５の電極パッド１４を当接させて、ＶＣＳＥＬ５の下面が光導波路３ａの上面に当接するまでＶＣＳＥＬ５を降下させ、その後にハンダバンプ２−１を冷却硬化させることにより、ＶＣＳＥＬ５の下面を光導波路３ａの上面に当接させ、かつハンダバンプ２−１の高さが光導波路３ａの上面の高さと同じ高さに合うように実装する。
【００４０】スペーサ６を用いる第１の実施の形態ではスペーサ６を光導波路３上に接着する接着剤の種類やＶＣＳＥＬ実装時の処理温度に対するスペーサ６の耐熱性などに留意する必要があるが、本実施の形態ではその必要がないという利点がある。」
ｆ　図１及び２は次のものである。
【図１】
【図２】
ｇ　段落【００２５】及び【００２６】（上記ｄ）の記載を踏まえて、上記ｆの図１及び２を見ると、「光導波路３」の「傾斜ミラーを備えた」「端面」は露出していることが見てとれる。
（イ）上記（ア）から、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる（ａないしｆは、当審が分説のために付した。以下、それぞれ「構成ａ」ないし「構成ｆ」という。なお、引用発明を認定するために用いた段落番号等を参考までに括弧内に付してある。）。
「ａ　発光部若しくは受光部と面型光素子側パッドとが同じ側の面に設けられた面型光素子を実装するための基板側パッドが予め形成された基板と（【請求項１】）、
ｂ　前記基板上に形成され、端面に傾斜ミラーを備えた光導波路と（【請求項１】）、
ｃ　前記発光部若しくは受光部と前記光導波路とが前記傾斜ミラーを介して光学的に結合するよう位置合わせされた上で前記光導波路の上面に実装され、前記基板側パッドと面型光素子側パッドとがハンダバンプによって接続された面型光素子とを有し（【請求項１】）、
ｄ　前記面型光素子は、垂直共振器型面発光レーザ、フォトダイオードであり（【０００２】、
ｅ　前記光導波路の傾斜ミラーを備えた端面は露出している（「（ア）」「ｇ」）、
ｆ　情報処理機器内における信号伝送路に用いる光モジュール（【請求項１】、【０００２】）。」
イ　引用文献２
（ア）同じく原査定に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００５−２６６６５７号公報（以下「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
ａ　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、コアとクラッドとの接合体からなり、光源モジュール、光インターコネクション、光通信等に好適な光導波路、光導波路装置及びディスプレイ等の光情報処理装置に関するものである。」
ｂ　「【０１３５】
第１０の実施の形態
　本実施の形態では、図２８（Ａ）の平面図及び図２８（Ｂ）の断面図に示すように、各ＬＥＤ上に集光レンズ１８が設けられること以外は、上述の第４の実施の形態と同様である。
【０１３６】
　本実施の形態においては、
光導波路４０ｊにおいて、各ＬＥＤ３Ｒ、３Ｇ及び３Ｂの発光面である上面に凸形状の集光レンズ１８を配置することにより、各ＬＥＤ３Ｒ、３Ｇ及び３Ｂの発光光を集光して第１コア５Ａ、５Ｂ及び５Ｃの傾斜面１４にそれぞれ入射することができるために、この部分の結合損失を低減できると共に、効率良く発光光を第１コア５Ａ、５Ｂ及び５Ｃ内に入射することができる
ｃ　図２８は次のものである。
【図２８】
　
（イ）ＬＥＤは半導体発光素子であるといえるから、上記記載から、引用文献２には、次の技術（以下「引用文献２に記載された技術」という。）が記載されていると認められる。
「光導波路において、半導体発光素子の発光面に凸形状の集光レンズを配置することにより、半導体発光素子の発光光を集光してコアの傾斜面に入射することができるために、この部分の結合損失を低減できると共に、効率良く発光光をコア内に入射することができること。」
　
（３）対比
ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）本件補正発明の構成Ａについて
ａ　引用発明の「光導波路」は、本件補正発明の「光導波路」に相当する。
ｂ　引用発明の「基板」、及び、「基板上に」形成された「光導波路」からなる全体（以下「基板・光導波路全体」という。）は、本件補正発明の「光回路基板」に相当する。
ｃ　引用発明の「端面に傾斜ミラーを備えた光導波路」の「端面」は、本件補正発明の「光導波路」の「一端」に相当する。
　また、引用発明の「光導波路」の「端面」は「露出している」から、引用発明では、「光導波路」の「端面」が「基板・光導波路全体」（本件補正発明の「光回路基板」に相当。）の外側面に位置しているといえる。
　そうすると、引用発明は、本件補正発明の「光導波路の一端が光回路基板の外側面に位置する」との構成を備えるといえる。
（イ）本件補正発明の構成Ｂについて
ａ　構成Ｂのうちの「前記光導波路の前記一端に達するよう光を出射し、又は前記光導波路の前記一端からの光を受光する」「半導体光素子」について
（ａ）引用発明の「光導波路」は「端面に傾斜ミラーを備え」ており、「面型光素子」は「発光部若しくは受光部と前記光導波路とが前記傾斜ミラーを介して光学的に結合するよう位置合わせされた上で前記光導波路の上面に実装され」ているから、引用発明の「面型光素子」の「発光部」は、「光導波路」の「端面に」達するように向けて光を出射するものであり、引用発明の「面型光素子」の「受光部」は、「光導波路」の「端面」からの光を受光するものであるといえる。
（ｂ）引用発明の「垂直共振器型面発光レーザ、フォトダイオードである面型光素子」は、本件補正発明の「半導体光素子」に相当する。
（ｃ）以上（ａ）及び（ｂ）によれば、引用発明は、本件補正発明の「前記光導波路の前記一端に達するよう光を出射し、又は前記光導波路の前記一端からの光を受光する」「半導体光素子」の構成を備えるといえる。
ｂ　構成Ｂのうちの「前記光回路基板上に搭載されたレンズ機能を有する」「半導体光素子」について
（ａ）引用発明の「面型光素子」は「前記発光部若しくは受光部と前記光導波路とが前記傾斜ミラーを介して光学的に結合するよう位置合わせされた上で前記光導波路の上面に実装され」ているから、引用発明では、「面型光素子」（本件補正発明の「半導体光素子」に相当。）が「基板・光導波路全体」（本件補正発明の「光回路基板」に相当。）上に搭載されているといえる。
（ｂ）よって、引用発明は、本件補正発明の「前記光回路基板上に搭載されたレンズ機能を有する」「半導体光素子」の構成のうち、「前記光回路基板上に搭載された」「半導体光素子」の構成を備えるといえる。
ｃ　以上ａ及びｂによれば、引用発明は、本件補正発明の「前記光導波路の前記一端に達するよう光を出射し、又は前記光導波路の前記一端からの光を受光するよう、前記光回路基板上に搭載されたレンズ機能を有する半導体光素子」（構成Ｂ）の構成のうち、「前記光導波路の前記一端に達するよう光を出射し、又は前記光導波路の前記一端からの光を受光するよう、前記光回路基板上に搭載された半導体光素子」（以下「構成Ｂ´」という。）の構成を備える。
（ウ）本件補正発明の構成Ｃについて
ａ　構成Ｃのうちの「前記光導波路の前記一端は」「ミラー面として構成され」ることについて
　引用発明の「光導波路」は「端面に傾斜ミラーを備え」ていることは、本件補正発明の「光導波路の前記一端は」「ミラー面として構成され」ることに相当する。
ｂ　構成Ｃのうちの「光回路基板の表面に対して斜交するミラー面」であることについて
　引用発明の「傾斜ミラー」は、「基板上に形成され」る「光導波路」の「端面に」「備え」られるから、「光導波路」の表面に対して傾斜するミラーであるとともに、「基板・光導波路全体」の表面に対しても傾斜するミラーであるといえる。
　そして、「基板・光導波路全体」の表面に対して傾斜するミラーの面は、本件補正発明の「光回路基板の表面に対して斜交するミラー面」に相当するといえる。
ｃ　以上ａ及びｂによれば、引用発明は、本件補正発明の「前記光導波路の前記一端は、前記光回路基板の表面に対して斜交するミラー面として構成され」（構成Ｃ）る点を備えるといえる。
（エ）本件補正発明の構成Ｄについて
ａ　上記「（イ）」「ａ」「（ａ）」で検討したとおり、引用発明の「面型光素子」の「発光部」は、「光導波路」の「端面に」向けて光を出射するものであり、引用発明の「面型光素子」の「受光部」は、「光導波路」の「端面」からの光を受光するものであり、また、上記「（イ）」「ａ」「（ｂ）」で検討したとおり、引用発明の「面型光素子」は本件補正発明の「半導体光素子」に相当するものである。
ｂ　引用発明では、「面型光素子」の「発光部若しくは受光部」と「光導波路」とが「前記傾斜ミラーを介して光学的に結合するよう位置合わせされ」ているから、引用発明の「発光部若しくは受光部」が設けられた「面型光素子」は、「発光部」が設けられた場合には、「光導波路」の「端面に」達するように向けて光を出射することにより「光導波路」に光を入力するものであり、また、「受光部」が設けられた場合には、「光導波路」の「傾斜ミラーを備えた」「端面」により反射した光を受光するものであるといえる。
　したがって、引用発明は、本件補正発明の「前記半導体光素子は、前記光導波路の前記一端に対して光を出射することにより前記光導波路に光を入力し、又は前記光導波路の前記一端により反射した光を受光」（構成Ｄ）するとの構成を備える。
（オ）本件補正発明の構成Ｅについて
　引用発明では、「発光部若しくは受光部」が設けられた「面型光素子」が、「前記発光部若しくは受光部と前記光導波路とが前記傾斜ミラーを介して光学的に結合するよう位置合わせされた上で前記光導波路の上面に実装され」ているから、「発光部若しくは受光部」が設けられた「面型光素子」は、「光導波路」外側部に載置されているといえる。
　したがって、引用発明の「発光部若しくは受光部」が設けられた「面型光素子」が、「前記発光部若しくは受光部と前記光導波路とが前記傾斜ミラーを介して光学的に結合するよう位置合わせされた上で前記光導波路の上面に実装され」ることは、本件補正発明の「前記半導体光素子は、前記光導波路の外側部に、前記半導体光素子と前記光導波路の前記外側部の間に介在する半田又は透明樹脂によって、固定して取り付けられる」（構成Ｅ）こととは、「前記半導体光素子は、前記光導波路の外側部に、載置される」（以下「構成Ｅ´」という。）点で一致する。
（カ）本件補正発明の構成Ｆについて
　引用発明の「情報処理機器内における信号伝送路に用いる光モジュール」は、本件補正発明の「光通信モジュール」（構成Ｆ）に相当する。
イ　以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
　【一致点】 
　「Ａ　一端が外側面に位置するようにして光導波路が形成された光回路基板と、
Ｂ´　前記光導波路の前記一端に達するよう光を出射し、又は前記光導波路の前記一端からの光を受光するよう、前記光回路基板上に搭載された半導体光素子と、を含み、
Ｃ　前記光導波路の前記一端は、前記光回路基板の表面に対して斜交するミラー面として構成され、
Ｄ　前記半導体光素子は、前記光導波路の前記一端に対して光を出射することにより前記光導波路に光を入力し、又は前記光導波路の前記一端により反射した光を受光し、
Ｅ´　半導体光素子は、前記光導波路の外側部に、載置される、
Ｆ　光通信モジュール。」
　【相違点】
（相違点１） 
　「半導体光素子」が、本件補正発明は「レンズ機能を有する」のに対して、引用発明は、そうではない点。
（相違点２）
　半導体光素子が光導波路の外側部へ載置されることについて、本件補正発明は、「前記半導体光素子と前記光導波路の前記外側部の間に介在する半田又は透明樹脂によって、固定して取り付け」られるのに対して、引用発明は、「面型素子」の「前記発光部若しくは受光部と前記光導波路とが前記傾斜ミラーを介して光学的に結合するよう位置合わせされた上で前記光導波路の上面に実装され、前記基板側パッドと面型光素子側パッドとがハンダバンプによって接続され」ている点。
（４）判断
　以下、相違点について検討する。
ア　相違点１について
　引用文献１には、「発明が解決しようとする課題」として、「従来の光モジュールでは、光素子と光導波路との間のギャップを高精度に制御することが難しいという問題点があ」り、「光素子と光導波路との間のギャップを高精度に制御できない場合、このギャップが光出力や受光感度などの特性に大きく影響するときに問題が生じる」（【００１０】）として、「光素子と光導波路との間のギャップが光出力や受光感度などの特性に大きく影響するのは、例えば」「光導波路と光素子との間に
レンズを介する場合
面型光素子と光導波路とのギャップを簡素な構造でなおかつ高精度に制御できる
　このように、引用発明は「面型光素子」と「光導波路」の間にレンズを介することが示唆されているといえるところ、引用文献２には「光導波路において、半導体発光素子の発光面に凸形状の集光レンズを配置することにより、半導体発光素子の発光光を集光してコアの傾斜面に入射することができるために、この部分の結合損失を低減できると共に、効率良く発光光をコア内に入射することができること。」（引用文献２に記載された技術）が記載されており、発光素子と光導波路の間のレンズの配置のさせ方として、半導体発光素子の発光面に凸形状の集光レンズを配置する構成が記載されているといえるから、引用発明の「面型光素子」に引用文献２に記載された技術を適用して、上記相違点１に係る本件補正発明の構成となすことは当業者が容易に想到し得たことである。
イ　相違点２について
　引用発明の「面型光素子」は「前記光導波路の上面に実装され、前記基板側パッドと面型光素子側パッドとがハンダバンプによって接続され」ているところ、引用文献１の、図１（上記「（２）」「ア」「（ア）」「ｆ」）からも見てとれるように、当該「面型光素子」は、ハンダバンプ側で固定され、光導波路の上面ではその結果として固定されている状態であるといえる。
　このような「面型光素子」は固定状態の安定性に劣ることが明らかであるから、引用発明の「面型光素子」を「光導波路の上面」に「実装」するに際して、基板側パッドと面型光素子側パッドとをハンダバンプによって接続することに加えて、「面型光素子」を周知のアクリル樹脂等透明樹脂で「光導波路の上面」に接着し固定することは当業者が容易に想到し得たことである。そして、引用発明において、「面型光素子」と「光導波路の上面」の間を上記の透明樹脂で接着したものは、上記相違点２に係る本件補正発明の構成を満たすものであることは明らかである。
　
ウ　そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明及び引用文献２に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
エ　請求人の主張
　請求人は、審判請求書の【請求の理由】「３．本願発明が特許されるべき理由」「（３−２）特許性」において、概略、
「本願の図２（ｂ）では、半導体光素子１８が光導波路１１の上面に、半田２０によって取り付けられています。本願の図５（ｂ）では、半導体光素子１８は、 透明樹脂４１を用いて、光導波路１１に接着されています。」（以下「主張Ａ−１」という。）
「これに対して、引用文献１では、ハンダバンプ２−１は、光導波路３ａの外側部分に設けるものではないので、その高さを、第２のクラッド層７−３の高さに合わせて構成しなければならず、あるいは、ハンダバンプ２−１と光導波路３ａとの高低差を調整するためにスペーサ６を追加したりする必要があります。
　引用文献１では、図１に示すように、ハンダバンプ２−１によって、ＶＣＳＥＬ５が基板１に接合され、第２のクラッド層７−３上にＶＣＳＥＬ５が固定されています。ハンダバンプ２−１は、ＶＣＳＥＬ５と基板１との間にあります。
　ＶＣＳＥＬ５が第２のクラッド層７−３に対して移動することが妨げられていることから、ＶＣＳＥＬ５が導波管７−３に固定されているとしても、ハンダバンプ２−１は、『前記半導体光素子と前記光導波路の前記外側部の間に介在する』ものではありません。」（以下「主張Ａ−２」という。）
と主張する。
　そこで検討すると、本件補正発明では、「半導体光素子が透明樹脂を用いて光導波路に接着されている」（主張Ａ−１）のに対して、引用発明では、「ハンダバンプ２−１は、光導波路３ａの外側部分に設けるものではないので、その高さを、第２のクラッド層７−３の高さに合わせて構成しなければなら」ない、「あるいは、ハンダバンプ２−１と光導波路３ａとの高低差を調整するためにスペーサ６を追加したりする必要があ」るものであって、「ハンダバンプ２−１は、『前記半導体光素子と前記光導波路の前記外側部の間に介在する』ものでは」ない（主張Ａ−２）点については、上記「イ」で検討したとおりであって、引用発明において、「ハンダバンプ２−１によって、ＶＣＳＥＬ５が基板１に接合され」ているからといって、引用発明において、「面型光素子」と「光導波路の上面」の間を透明樹脂で接着したものが、「面型光素子を光導波路の外側部へ、面型光素子と光導波路の外側部の間に介在する透明樹脂によって固定して取り付け」られるものであることに変わりはない。
　そうすると、引用発明が「ハンダバンプ２−１によって、ＶＣＳＥＬ５が基板１に接合され」ていることは、上記の相違点２における判断を左右しない。
　よって、請求人の主張は採用できない。
　なお、請求人は、令和３年２月１２日付け上申書を提出して補正案（本件補正発明の「前記半導体光素子と前記光導波路の前記外側部の間に介在する半田又は透明樹脂」における「半田又は」を削除するものである。）を示しているが、本件補正発明が、当該補正案のとおりに補正したものであるとしても、上記「イ」で検討した理由と同様の理由により、引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（５）したがって、本件補正発明は、引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　本件補正についてのむすび
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　令和２年１０月２１日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和２年２月１２日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、上記「第２」［理由］「１」「（２）」に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１ないし６に係る発明は、本願の出願前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された事項に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
引用文献１：特開２００３−２１５３７１号公報
引用文献２：特開２００５−２６６６５７号公報
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１ないし２及びその記載事項は、上記「第２」の［理由］「２」「（２）」に記載したとおりである。
　
４　対比・判断
　本願発明は、上記「第２」の［理由］「２」で検討した本件補正発明から、「前記半導体光素子と前記光導波路の前記外側部の間に介在する半田又は透明樹脂によって」との限定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、上記「第２」の［理由］「２」「（３）」及び「（４）」に記載したとおり、引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。