Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月25日(2019.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述の問題点を解決するため、本発明に係る撮影制御装置は以下の構成を備える。すなわち、第１の撮影部により撮影された第１の動画像と第２の撮影部により撮影された第２の動画像とを合成してハイダイナミックレンジ（ＨＤＲ）動画像を生成する撮影制御装置において、
ＨＤＲ合成に使用されるフレーム画像を撮影する際の前記第１の撮影部及び前記第２の撮影部における第１の撮影条件を設定する第１の設定手段と、
前記第１の撮影条件とは異なる第２の撮影条件を設定する第２の設定手段と、
前記第１の撮影条件と前記第２の撮影条件とを用いて前記第１の撮影部及び前記第２の撮影部による撮影を制御する撮影制御手段と、
前記撮影制御手段による撮影制御により取得された前記第１の動画像及び前記第２の動画像のそれぞれに含まれる前記第２の撮影条件で撮影されたフレーム画像に基づいて、前記第１の動画像に含まれるフレーム画像と前記第２の動画像に含まれるフレーム画像との位置ズレを補正する補正パラメータを導出する導出手段と、
前記補正パラメータを用いて前記第１の動画像及び前記第２の動画像の少なくとも一方に対し幾何補正処理を行い、該幾何補正処理後に前記第１の動画像と前記第２の動画像とを合成する合成手段と、
を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の撮影部により撮影された第１の動画像と第２の撮影部により撮影された第２の動画像とを合成してハイダイナミックレンジ（ＨＤＲ）動画像を生成する撮影制御装置であって、
ＨＤＲ合成に使用されるフレーム画像を撮影する際の前記第１の撮影部及び前記第２の撮影部における第１の撮影条件を設定する第１の設定手段と、
前記第１の撮影条件とは異なる第２の撮影条件を設定する第２の設定手段と、
前記第１の撮影条件と前記第２の撮影条件とを用いて前記第１の撮影部及び前記第２の撮影部による撮影を制御する撮影制御手段と、
前記撮影制御手段による撮影制御により取得された前記第１の動画像及び前記第２の動画像のそれぞれに含まれる前記第２の撮影条件で撮影されたフレーム画像に基づいて、前記第１の動画像に含まれるフレーム画像と前記第２の動画像に含まれるフレーム画像との位置ズレを補正する補正パラメータを導出する導出手段と、
前記補正パラメータを用いて前記第１の動画像及び前記第２の動画像の少なくとも一方に対し幾何補正処理を行い、該幾何補正処理後に前記第１の動画像と前記第２の動画像とを合成する合成手段と、
を有することを特徴とする撮影制御装置。
【請求項２】
前記合成手段は、前記幾何補正処理後の前記第１の動画像と前記第２の動画像とをＨＤＲ合成する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮影制御装置。
【請求項３】
前記第２の設定手段は、更に、前記第２の撮影条件を利用して撮影するフレーム番号を設定するよう構成されており、
前記導出手段は、前記フレーム番号に基づいて、前記撮影制御手段による撮影制御により取得された前記第１の動画像及び前記第２の動画像のそれぞれに含まれる前記第２の撮影条件で撮影されたフレーム画像を抽出する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮影制御装置。
【請求項４】
前記第１の設定手段は、前記第１の撮影部が前記ＨＤＲ合成に使用される低明度画像を撮影し前記第２の撮影部が前記ＨＤＲ合成に使用される高明度画像を撮影するように前記第１の撮影条件を設定し、
前記導出手段は、前記撮影制御手段による撮影制御により取得された前記第１の動画像に含まれる複数のフレーム画像のうち相対的に高い明度のフレーム画像を前記第２の撮影条件で撮影されたフレーム画像として抽出する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮影制御装置。
【請求項５】
前記第２の撮影条件において、前記第１の撮影部に対する露出条件と前記第２の撮影部に対する露出条件とは同一である
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の撮影制御装置。
【請求項６】
前記第１の撮影部及び前記第２の撮影部は、それぞれ、独立した光学系を有するカメラであるか、又は、光学系を共有するセンサである
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の撮影制御装置。
【請求項７】
前記合成手段は、前記幾何補正処理後にパノラマ合成処理を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の撮影制御装置。
【請求項８】
第１の撮影部により撮影された第１の動画像と第２の撮影部により撮影された第２の動画像とを合成してハイダイナミックレンジ（ＨＤＲ）動画像を生成する撮影制御装置の制御方法であって、
ＨＤＲ合成に使用されるフレーム画像を撮影する際の前記第１の撮影部及び前記第２の撮影部における第１の撮影条件を設定する第１の設定工程と、
前記第１の撮影条件とは異なる第２の撮影条件を設定する第２の設定工程と、
前記第１の撮影条件と前記第２の撮影条件とを用いて前記第１の撮影部及び前記第２の撮影部による撮影を制御する撮影制御工程と、
前記撮影制御工程による撮影制御により取得された前記第１の動画像及び前記第２の動画像のそれぞれに含まれる前記第２の撮影条件で撮影されたフレーム画像に基づいて、前記第１の動画像に含まれるフレーム画像と前記第２の動画像に含まれるフレーム画像との位置ズレを補正する補正パラメータを導出する導出工程と、
前記補正パラメータを用いて前記第１の動画像及び前記第２の動画像の少なくとも一方に対し幾何補正処理を行い、該幾何補正処理後に前記第１の動画像と前記第２の動画像とを合成する合成工程と、
を含むことを特徴とする撮影制御装置の制御方法。
【請求項９】
コンピュータを、請求項１乃至７の何れか１項に記載の撮影制御装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月1日(2019.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す平面図である。図２は、図１のＩ−ＩＩに沿った断面図である。パッケージの金属部分であるベース１上に、プリマッチ回路を有する回路基板Ｐ１と、ＧａＮなどの電界効果トランジスタを有する半導体基板Ｔ１とが設けられている。ベース１上において、回路基板Ｐ１と半導体基板Ｔ１はパッケージの側壁２で囲われている。側壁２の互いに対向する辺に入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴが設けられている。ワイヤＷ１１〜Ｗ１４が入力端子ＩＮと回路基板Ｐ１を接続する。ワイヤＷ２１〜Ｗ２４が回路基板Ｐ１と半導体基板Ｔ１を接続する。ワイヤＷ３１〜Ｗ３４が半導体基板Ｔ１と出力端子ＯＵＴを接続する。側壁２の内側はふた３で覆われている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本実施の形態に係る半導体装置の動作を比較例と比較して説明する。図５は、比較例に係る半導体装置の内部を示す平面図である。図６は、比較例に係る半導体装置の等価回路を示す図である。比較例では、ワイヤＷ２１，Ｗ２４の高さがワイヤＷ２２，Ｗ２３よりも高く設定されることで、自己インダクタンスと相互インダクタンスの和が全てのワイヤで均一になるように調整されている。図示を省略するが、複数の第１マイクロストリップ線路の長さは同じである。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月1日(2019.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ギャップが形成されるギャップ形成領域を有するコア部材であって、
前記コア部材は、バスバーが配置されるバスバー用開口を具える環状のコア本体と、
前記コア本体の全体又は一部を被覆する樹脂モールド部であって、少なくとも前記ギャップ形成領域の一部を被覆する樹脂モールド部と、
両端が前記樹脂モールド部に連繋され、前記コア本体の内周側と前記バスバー用開口との間に形成される樹脂ブリッジ部であって、前記ギャップ形成領域と対向し前記コア本体又は樹脂モールド部との間に前記コア部材の厚さ方向に貫通する隙間を存する、樹脂ブリッジ部と、
を具える、
コア部材。
【請求項２】
請求項１に記載のコア部材について、前記樹脂ブリッジ部を残して前記ギャップ形成領域で前記コア本体を切断してなるギャップを有する、
ギャップ付コア。
【請求項３】
ギャップを有する環状のコア本体であって、前記ギャップを構成する第１端面と前記第１端面に対向する第２端面を有し、前記第１端面は、前記第２端面とは逆側に延びる第１側面を有し、前記第２端面は、前記第１端面とは逆側に延びる第２側面を有するコア本体と、
前記第１側面を被覆する第１樹脂モールド部と、
前記第２側面を被覆する第２樹脂モールド部と、
前記コア本体の内周側で前記第１樹脂モールド部と前記第２樹脂モールド部を連繋する樹脂ブリッジ部と、を具え、
前記樹脂ブリッジ部の内幅は、前記ギャップよりも広い、
ことを特徴とするギャップ付コア。
【請求項４】
前記コア本体は、前記第１端面及び前記第２端面以外の側面全体が樹脂モールド部により被覆されている、
請求項３に記載のギャップ付コア。
【請求項５】
前記コア本体は、少なくとも前記第１側面と前記第２側面が樹脂モールド部により部分的に被覆されている、
請求項３に記載のギャップ付コア。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５の何れかに記載のギャップ付コアを具える電流センサーであって、
前記ギャップ付コアの前記樹脂ブリッジ部よりも内周側を貫通し、測定対象の電流が流れるバスバーと、
前記ギャップに配置され、前記ギャップに発生する磁界を検出する磁気検出素子と、
を具える電流センサー。
【請求項７】
前記ギャップ付コアは、前記樹脂ブリッジ部に前記バスバー及び／又は前記磁気検出素子の取付部が形成されている、
請求項６に記載の電流センサー。
【請求項８】
コア本体の一部又は全部を電気絶縁性の樹脂でモールドして樹脂モールド部を形成するモールドステップ、
前記樹脂モールド部と共に前記コア本体を第１切断部と第２切断部で切断し、前記コア本体に前記第１切断部で切断された第１端面と、前記第２切断部で切断された第２端面を形成し、前記第１端面と前記第２端面との間にギャップを形成する切断ステップと、
を含むギャップ付コアの製造方法であって、
前記モールドステップは、前記コア本体の内周側であって両端が前記樹脂モールド部と連続し、中間に前記コア本体又は前記樹脂モールド部との間に隙間を有する樹脂ブリッジ部を形成するステップを含んでおり、
前記切断ステップは、前記第１切断部と前記第２切断部が前記隙間と対向し、前記切断は前記樹脂ブリッジ部を切除することなく実施される、
ギャップ付コアの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係るコア部材は、
ギャップが形成されるギャップ形成領域を有するコア部材であって、
前記コア部材は、バスバーが配置されるバスバー用開口を具える環状のコア本体と、
前記コア本体の全体又は一部を被覆する樹脂モールド部であって、少なくとも前記ギャップ形成領域の一部を被覆する樹脂モールド部と、
両端が前記樹脂モールド部に連繋され、前記コア本体の内周側と前記バスバー用開口との間に形成される樹脂ブリッジ部であって、前記ギャップ形成領域と対向し前記コア本体又は樹脂モールド部との間に前記コア部材の厚さ方向に貫通する隙間を存する、樹脂ブリッジ部と、
を具える。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月13日(2019.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア基材付き配線基板は、
配線基板であって、絶縁層と、前記絶縁層の下面に設けられた配線層と、前記絶縁層の下面を覆うとともに前記配線層の一部を外部接続端子として露出する開口部を有するソルダーレジスト層と、を有する配線基板と、
前記ソルダーレジスト層の開口部と連通する開口部を有する接着層と、
前記ソルダーレジスト層に前記接着層を介して接着されることによりキャリア基材付き配線基板とされ、前記ソルダーレジスト層の開口部及び前記接着層の開口部と連通し、前記外部接続端子を露出する開口部を有するキャリア基材と、を有し、
前記キャリア基材の開口部の開口径及び前記接着層の開口部の開口径は、前記ソルダーレジスト層の開口部の開口径よりも小さく、
前記接着層は、前記ソルダーレジスト層から剥離可能であって、前記接着層と前記キャリア基材を前記キャリア基材付き配線基板から除去するための層であること、を特徴とするキャリア基材付き配線基板。
【請求項２】
前記キャリア基材は、前記接着層と接する上面と、前記上面とは反対側の下面を有し、
前記キャリア基材の開口部は、前記キャリア基材の上面における第１開口径と、前記キャリア基材の下面において前記第１開口径よりも大きい第２開口径を有し、前記第１開口径は、前記ソルダーレジスト層の開口部の開口径よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のキャリア基材付き配線基板。
【請求項３】
前記配線基板は、交互に積層された複数の絶縁層と複数の配線層とを有し、絵複数の絶縁層のうち最上層の前記絶縁層及び前記配線層のうち最上層の前記配線層の上面は露出されており、前記最上層の前記配線層は電子部品を搭載する部品接続端子を有していること、を特徴とする請求項１又は２に記載のキャリア基材付き配線基板。
【請求項４】
前記キャリア基材の開口部は、前記キャリア基材の下面から上面に向けてその開口径が縮小するテーパ状であり、
前記接着層の開口部は、前記接着層の下面から上面に向けてその開口径が縮小するテーパ状であること、を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のキャリア基材付き配線基板。
【請求項５】
前記接着層は、紫外線の照射により接着力が低下するものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のキャリア基材付き配線基板。
【請求項６】
前記接着層は、接着力を低下させることができるものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のキャリア基材付き配線基板。
【請求項７】
支持体の表面に、配線層と絶縁層とを交互に積層し、前記配線層の一部を外部接続端子として露出する開口部を有するソルダーレジスト層を形成し、前記配線層と前記絶縁層と前記ソルダーレジスト層を有する配線基板を形成する工程と、
前記ソルダーレジスト層の上面に接着層を介してキャリア基材を貼付する工程と、
前記キャリア基材及び前記接着層に、前記ソルダーレジスト層の開口部と連通して前記外部接続端子を露出し、前記ソルダーレジスト層の開口部の開口径よりも小さな開口径の開口部を形成する工程と、
前記キャリア基材及び前記接着層の開口部から接触子を前記外部接続端子に接触させて電気検査を行う工程と、を有するキャリア基材付き配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記キャリア基材を貼付する工程の後、前記支持体から前記配線基板を分離する工程を実行した後、前記キャリア基材に開口部を形成すること、を特徴とする請求項７に記載のキャリア基材付き配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記支持体の上下両面に前記配線基板をそれぞれ形成し、上下の前記ソルダーレジスト層に前記接着層を介して前記キャリア基材をそれぞれ貼付すること、を特徴とする請求項７又は８に記載のキャリア基材付き配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記キャリア基材は、接着層と接する上面と、上面とは反対側の下面を有し、
前記キャリア基材の開口部は、前記キャリア基材の上面における第１開口径と、前記キャリア基材の下面において前記第１開口径よりも大きい第２開口径を有し、前記第１開口径は、前記ソルダーレジスト層の開口部の開口径よりも小さいことを特徴とする請求項７〜９のいずれか一項に記載のキャリア基材付き配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一観点によれば、キャリア基材付き配線基板は、配線基板であって、絶縁層と、前記絶縁層の下面に設けられた配線層と、前記絶縁層の下面を覆うとともに前記配線層の一部を外部接続端子として露出する開口部を有するソルダーレジスト層と、を有する配線基板と、前記ソルダーレジスト層の開口部と連通する開口部を有する接着層と、前記ソルダーレジスト層に前記接着層を介して接着されることによりキャリア基材付き配線基板とされ、前記ソルダーレジスト層の開口部及び前記接着層の開口部と連通し、前記外部接続端子を露出する開口部を有するキャリア基材と、を有し、前記キャリア基材の開口部の開口径及び前記接着層の開口部の開口径は、前記ソルダーレジスト層の開口部の開口径よりも小さく、前記接着層は、前記ソルダーレジスト層から剥離可能であって、前記接着層と前記キャリア基材を前記キャリア基材付き配線基板から除去するための層である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点による方法は、支持体の表面に、配線層と絶縁層とを交互に積層し、前記配線層の一部を外部接続端子として露出する開口部を有するソルダーレジスト層を形成し、前記配線層と前記絶縁層と前記ソルダーレジスト層を有する配線基板を形成する工程と、前記ソルダーレジスト層の上面に接着層を介してキャリア基材を貼付する工程と、前記キャリア基材及び前記接着層に、前記ソルダーレジスト層の開口部と連通して前記外部接続端子を露出し、前記ソルダーレジスト層の開口部の開口径よりも小さな開口径の開口部を形成する工程と、前記キャリア基材及び前記接着層の開口部から接触子を前記外部接続端子に接触させて電気検査を行う工程と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月23日(2019.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極、負極、セパレータ、及びリチウムイオンを含む非水系電解液を備える非水系リチウム型蓄電素子であって、
該負極が、負極集電体と、該負極集電体の片面上又は両面上に設けられた、負極活物質を含む負極活物質層とを有し、該負極活物質はリチウムイオンを吸蔵・放出できる炭素材料を含み、
該正極が、正極集電体と、該正極集電体の片面上又は両面上に設けられた、活性炭からなる正極活物質を含む正極活物質層とを有し、
該正極が、該正極活物質層の全質量を基準として、正極活物質以外のリチウム化合物を１質量％以上５０質量％以下含有し、かつ、
該非水系リチウム型蓄電素子の電圧を４．０Ｖに調整した状態における、負極の電位が０．０３Ｖ以上０．３０Ｖ以下であり、そして
前記負極活物質層の単位質量当たりに含有される、下記式（１）：
【化１】
2018056400.tif 000001
｛式（１）中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルキレン基又は炭素数１〜４のハロゲン化アルキレン基であり、そしてＸ１とＸ２は、それぞれ独立に、−（ＣＯＯ）ｎ（ここで、ｎは０又は１である。）である。｝、又は下記式（２）：
【化２】
2018056400.tif 000002
｛式（２）中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルキレン基又は炭素数１〜４のハロゲン化アルキレン基であり、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のモノ若しくはポリヒドロキシアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のモノ又はポリヒドロキシアルケニル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基又はアリール基であり、そしてＸ１とＸ２は、それぞれ独立に、−（ＣＯＯ）ｎ（ここで、ｎは０又は１である。）である。｝、又は下記式（３）：
【化３】
2018056400.tif 000003
｛式（３）中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルキレン基又は炭素数１〜４のハロゲン化アルキレン基であり、Ｒ２とＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のモノ若しくはポリヒドロキシアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のモノ又はポリヒドロキシアルケニル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基又はアリール基であり、そしてＸ１とＸ２は、それぞれ独立に、−（ＣＯＯ）ｎ（ここで、ｎは０又は１である。）である。｝で表される少なくとも１種の化合物の合計含有量をＢ（ｍｏｌ／ｇ）、としたとき、０．５０×１０−４≦Ｂ≦１２０×１０−４であることを特徴とする、前記非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項２】
前記リチウム化合物の平均粒子径をＸ１とするとき、０．１μｍ≦Ｘ１≦１０μｍである、請求項１に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【請求項３】
前記正極が含む、正極活物質以外のリチウム化合物が炭酸リチウムである、請求項１又は２に記載の非水系リチウム型蓄電素子。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月20日(2019.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１に記載の変圧器において、
前記１次巻線は、前記２次巻線が巻回された前記鉄心の位置とほぼ同じ位置に巻回された第１の１次巻線部と、前記２次巻線が巻回された前記鉄心の位置と異なる位置に巻回された第２の１次巻線部とにより構成されること
を特徴とする変圧器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図４に示すように、第３の実施形態に係る変圧器１０５ｃの構造は、第１の実施形態に係る変圧器１０５ａ（図１参照）の構造において、２次巻線２１２が巻回された鉄心２０１の位置とは異なる位置に追加１次巻線２１１ｂが巻回された構造となっている。すなわち、１次巻線２１１は、２次巻線２１２が巻回された鉄心２０の位置とほぼ同じ位置に２次巻線２１２を囲むように巻回された主１次巻線２１１ａと、前記の追加１次巻線２１１ｂとに分割されて構成されるものとしている。したがって、当然ではあるが、主１次巻線２１１ａと追加１次巻線２１１ｂとは、図５に示すように、直列に接続される。なお、このような構造の変圧器１０５ｃは、２次巻線２１２を囲んで巻回された主１次巻線２１１ａだけでは必要な巻回数に達しない場合に採用される。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月4日(2019.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を光電変換する第１光電変換部、および、前記第１光電変換部を透過した光を前記第１光電変換部へ反射する第１反射部と、
光を光電変換する第２光電変換部、および、前記第２光電変換部を透過した光の一部を前記第２光電変換部へ反射する第２反射部と、を備える撮像素子。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像素子において、
光が入射する方向と交差する面における前記第１反射部の面積は、光が入射する方向と交差する面における前記第２反射部の面積よりも大きい撮像素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の撮像素子において、
前記第１光電変換部と前記第２光電変換部とは第１方向に配列され、
前記第１反射部は、光が入射する方向と交差する面において前記第１光電変換部が有する面積の半分よりも大きい面積を有し、
前記第２反射部は、光が入射する方向と交差する面において前記第２光電変換部が有する面積の半分以下の面積を有する撮像素子。
【請求項４】
請求項１または２に記載の撮像素子において、
前記第１光電変換部と前記第２光電変換部とは第１方向に配列され、
前記第１反射部は、光が入射する方向と交差する面において、前記第１光電変換部の中心よりも前記第１方向側および前記第１方向と逆方向側の領域に設けられ、
前記第２反射部は、光が入射する方向と交差する面において、前記第２光電変換部の中心よりも前記第１方向または前記第１方向と逆方向側の一方の領域に設けられる撮像素子。
【請求項５】
請求項４に記載の撮像素子において、
前記第１反射部は、光が入射する方向と交差し前記第１方向と平行な面において、前記第１光電変換部の中心を通る線と平行な線で分割された領域のうちの前記第１方向側および前記第１方向と逆方向側の領域に設けられ、
前記第２反射部は、光が入射する方向と交差し前記第１方向と平行な面において、前記第２光電変換部の中心を通る線と平行な線で分割された領域のうちの前記第１方向側または前記第１方向と逆方向側の一方の領域に設けられる撮像素子。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第１光電変換部は、第１波長域の光を光電変換し、
前記第２光電変換部は、前記第１波長域より長い第２波長域の光を光電変換する撮像素子。
【請求項７】
請求項６に記載の撮像素子において、
第１波長域の光を透過する第１フィルタを有し、
前記第１波長域より長い第２波長域の光を透過する第２フィルタを有し、
前記第１光電変換部は、前記第１フィルタを透過した光を光電変換し、
前記第２光電変換部は、前記第２フィルタを透過した光を光電変換する撮像素子。
【請求項８】
請求項１から５までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第１光電変換部と前記第２光電変換部とは、第１波長域の光を光電変換する撮像素子。
【請求項９】
請求項８に記載の撮像素子において、
前記第１波長域の光を透過するフィルタを有し、
前記第１光電変換部と前記第２光電変換部とは、前記フィルタを透過した光を光電変換する撮像素子。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第１反射部は、前記第１光電変換部に投影される光学系の瞳の像よりも広い面積を有し、少なくとも前記光学系の瞳を通過した光束を反射する撮像素子。
【請求項１１】
請求項１０に記載の撮像素子において、
前記第２反射部は、前記第１反射部よりも小さい面積を有し、前記光学系の瞳の一部を通過した光束を反射する撮像素子。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の撮像素子において、
前記第１光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部を有する撮像素子。
【請求項１３】
請求項１２に記載の撮像素子において、
前記遮光部は、前記光学系の瞳の一部を通過した光束を遮る撮像素子。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
光を前記第１反射部に集光する第１マイクロレンズを有する第１撮像素子。
【請求項１５】
請求項１から１４までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
光を前記第２反射部に集光する第２マイクロレンズを有する第２撮像素子。
【請求項１６】
請求項１から１５までのいずれか一項に記載の撮像素子を備え、
前記第１光電変換部で生成された電荷に基づく信号に基づいて画像データを生成する生成部と、
前記第２光電変換部で生成された電荷に基づく信号に基づいて焦点検出を行う焦点検出部と、を備える撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の第１の態様による撮像素子は、光を光電変換する第１光電変換部、および、前記第１光電変換部を透過した光を前記第１光電変換部へ反射する第１反射部と、光を光電変換する第２光電変換部、および、前記第２光電変換部を透過した光の一部を前記第２光電変換部へ反射する第２反射部と、を備える。
本発明の第２の態様による撮像装置は、第１の態様による撮像素子を備え、前記第１光電変換部で生成された電荷に基づく信号に基づいて画像データを生成する生成部と、前記第２光電変換部で生成された電荷に基づく信号に基づいて焦点検出を行う焦点検出部と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月24日(2019.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射する光のうち第１波長域の光を透過する第１フィルタと、前記第１フィルタを透過した光を光電変換する第１光電変換部と、前記第１光電変換部を透過した光の一部を前記第１光電変換部へ反射する反射部とを有する第１画素と、
入射する光のうち前記第１波長域よりも波長の短い第２波長域の光を透過する第２フィルタと、前記第２フィルタを透過した光を光電変換する第２光電変換部と、前記第２光電変換部に入射する光の一部を遮光する遮光部とを有する第２画素と、を備える撮像素子。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像素子において、
前記第１光電変換部は、前記第１フィルタと前記反射部との間に配置され、
前記遮光部は、前記第２フィルタと前記第２光電変換部との間に配置される撮像素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の撮像素子において、
複数の前記第１画素を有し、
前記反射部が隣の画素から第１の距離に設けられる第１画素と、前記反射部が隣の画素から前記第１の距離とは異なる第２の距離に設けられる第１画素を有する撮像素子。
【請求項４】
請求項３に記載の撮像素子において、
前記反射部が所定の方向において隣の画素から前記第１の距離に設けられる第１画素と、前記反射部が前記所定の方向において隣の画素から前記第２の距離に設けられる第１画素とを有する撮像素子。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記反射部は、前記第１光電変換部で生成された電荷による信号を出力する出力部と、前記第２光電変換部で生成された電荷による信号を出力する出力部との間に設けられる撮像素子。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第１画素は、第１マイクロレンズを有し、
前記第２画素は、第１マイクロレンズと焦点距離が異なる第２マイクロレンズを有する撮像素子。
【請求項７】
請求項６に記載の撮像素子において、
前記第１マイクロレンズの焦点距離は、前記第２マイクロレンズの焦点距離よりも長い撮像素子。
【請求項８】
請求項１から５のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第１画素は、第１マイクロレンズを有し、
前記第２画素は、第１マイクロレンズと光学特性の異なる第２マイクロレンズを有する撮像素子。
【請求項９】
請求項８に記載の撮像素子において、
前記第１マイクロレンズと前記第２マイクロレンズとは曲率が異なる撮像素子。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第１画素は第１マイクロレンズを、前記第２画素は第２マイクロレンズを有し、
前記第１マイクロレンズと前記第１光電変換部との間、および、前記第２マイクロレンズと前記第２光電変換部と間の少なくとも一方に、第１マイクロレンズおよび前記第２マイクロレンズの少なくとも一方を透過した光の集光位置を変化させる光学部材を有する撮像素子。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第１フィルタと光電変換部とを有する複数の第３画素と前記第２フィルタと光電変換部とを有する複数の第４画素とを備え、
前記第１画素は、複数の前記第３画素の一部に置換して設けられ、
前記第２画素は、複数の前記第４画素の一部に置換して設けられる撮像素子。
【請求項１２】
請求項１１に記載の撮像素子において、
前記第１波長域より短く前記第２波長域より長い第３波長域の光を透過する第３フィルタと、前記第３フィルタを透過した光を光電変換する第３光電変換部とを有する第５画素を備え、
前記第１画素と前記第５画素とが第１方向に設けられた行と、前記第２画素と前記第５画素とが前記第１方向に設けられた行とが、前記第１方向に交差する第２方向に設けられる撮像素子。
【請求項１３】
請求項１２に記載の撮像素子において、
前記第１画素と前記第５画素とが前記第１方向に設けられた行と、前記第２画素と前記第５画素とが前記第１方向に設けられた行とは、前記第２方向において近接して設けられる撮像素子。
【請求項１４】
請求項１１に記載の撮像素子において、
前記第１波長域より長い第３波長域の光を透過する第３フィルタと、前記第３フィルタを透過した光を光電変換する第３光電変換部とを有する第５画素を備え、
前記第１画素または前記第３画素と前記第５画素とが第１方向に設けられた行と、前記第１画素または前記第３画素と前記第２画素とが第１方向に設けられた行とが、前記第１方向に交差する第２方向に設けられる撮像素子。
【請求項１５】
請求項１４に記載の撮像素子において、
前記第１画素または前記第３画素と前記第５画素とが第１方向に設けられた行と、前記第１画素または前記第３画素と前記第２画素とが第１方向に設けられた行とは、前記第２方向において近接して設けられる撮像素子。
【請求項１６】
請求項１１に記載の撮像素子において、
前記第２波長域より短い第３波長域の光を透過する第３フィルタと、前記第３フィルタを透過した光を光電変換する第３光電変換部とを有する第５画素を備え、
前記第１画素と前記第２画素または前記第４画素とが第１方向に設けられた行と、前記第２画素または前記第４画素と前記第５画素とが第１方向に設けられた行とが、前記第１方向に交差する第２方向に設けられる撮像素子。
【請求項１７】
請求項１６に記載の撮像素子において、
前記第１画素と前記第２画素または前記第４画素とが第１方向に設けられた行と、前記第２画素または前記第４画素と前記第５画素とが第１方向に設けられた行とは、前記第２方向において近接して設けられる撮像素子。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれか一項に記載の撮像素子と、
前記第１光電変換部の光電変換により生成された電荷に基づく信号、および前記第２光電変換部の光電変換により生成された電荷に基づく信号の少なくとも一方に基づいて光学系による像が前記撮像素子に合焦する合焦位置を検出する検出部と、を備える焦点検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像素子および焦点検出装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、撮像素子および焦点検出装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の第１の態様による撮像素子は、光学系による像を撮像する撮像素子であって、光を光電変換して電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部を透過した光を前記光電変換部へ反射する反射部と、を有する複数の画素を備え、前記複数の画素がそれぞれ有する反射部の位置は、前記撮像素子上の位置によって異なる。
本発明の第２の態様による焦点検出装置は、第１の態様による撮像素子と、前記光電変換部で生成された電荷に基づく信号に基づいて、前記光学系による像が前記撮像素子に合焦する合焦位置を検出する検出部と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月14日(2019.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のマイクロレンズ、および、前記第１のマイクロレンズを透過した光を光電変換して電荷を生成する第１の光電変換部、および、前記第１の光電変換部を透過した光を前記第１の光電変換部へ反射する反射部と、
前記第１のマイクロレンズと光の集光位置が異なる第２のマイクロレンズ、および、前記第２のマイクロレンズを透過した光を光電変換して電荷を生成する第２の光電変換部と、を備える撮像素子。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像素子において、
前記第１のマイクロレンズと前記第２のマイクロレンズとは光学的な特性が異なる撮像素子。
【請求項３】
請求項２に記載の撮像素子において、
前記第１のマイクロレンズと前記第２のマイクロレンズとは焦点距離が異なる撮像素子。
【請求項４】
請求項３に記載の撮像素子において、
前記第１のマイクロレンズと前記第２のマイクロレンズとは形状が異なる撮像素子。
【請求項５】
請求項３または４に記載の撮像素子において、
前記第１のマイクロレンズと前記第２のマイクロレンズとは屈折率が異なる撮像素子。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第１のマイクロレンズと前記第１の光電変換部との間、および、前記第２のマイクロレンズと前記第２の光電変換部と間の少なくとも一方に集光位置を変化させる光学部材を有する撮像素子。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第１のマイクロレンズを透過して前記第１の光電変換部に入射した光の集光位置は前記反射部である撮像素子。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第２のマイクロレンズを透過して入射した光の集光位置は前記第２の光電変換部である撮像素子。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第１のマイクロレンズ及び前記第２のマイクロレンズの少なくとも一方と集光位置が異なる第３のマイクロレンズ、前記第３のマイクロレンズを透過した光を光電変換して電荷を生成する第３の光電変換部、および、前記第３の光電変換部に入射する光の一部を遮る遮光部を備える撮像素子。
【請求項１０】
請求項９に記載の撮像素子において、
前記第３のマイクロレンズを透過して入射した光の集光位置は前記遮光部である撮像素子。
【請求項１１】
請求項７に記載の撮像素子において、
前記反射部は、光学系の瞳の第１および第２の部分を通過した第１および第２の光束のうち一方の光束を反射する位置に配設され、
前記第１の光電変換部は、前記第１および前記第２の光束、および、前記反射部で反射された光束を光電変換する撮像素子。
【請求項１２】
請求項１０に記載の撮像素子において、
前記遮光部は、光学系の瞳の第１および第２の部分を通過した第１および第２の光束のうち一方の光束を遮光する位置に配設され、
前記第３の光電変換部は、前記第１および第２の光束のうち他方の光束を光電変換する撮像素子。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の撮像素子と、
前記第１の光電変換部および前記第２の光電変換部の少なくとも一方で生成された電荷に基づく信号に基づいて、前記光学系による像が前記撮像素子に合焦する合焦位置を検出する検出部と、を備える焦点検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像素子および焦点検出装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、撮像素子および焦点検出装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の第１の態様による撮像素子は、第１のマイクロレンズ、および、前記第１のマイクロレンズを透過した光を光電変換して電荷を生成する第１の光電変換部、および、前記第１の光電変換部を透過した光を前記第１の光電変換部へ反射する反射部と、前記第１のマイクロレンズと光の集光位置が異なる第２のマイクロレンズ、および、前記第２のマイクロレンズを透過した光を光電変換して電荷を生成する第２の光電変換部と、を備える。
本発明の第２の態様による焦点検出装置は、第１の態様による撮像素子と、前記第１の光電変換部および前記第２の光電変換部の少なくとも一方で生成された電荷に基づく信号に基づいて、前記光学系による像が前記撮像素子に合焦する合焦位置を検出する検出部と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月18日(2019.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置と、通信装置と、演算装置と、表示装置と、を有し、
前記撮像装置は、第１の画像を取得する機能を有し、
前記通信装置は、前記第１の画像を、通信網を介してサーバに供給する機能を有し、
前記通信装置は、前記第１の画像を基に前記サーバにより生成された情報を、前記演算装置に供給する機能を有し、
前記演算装置は、前記情報を基に第２の画像を生成する機能を有し、
前記表示装置は、第１の表示領域と、第２の表示領域と、を有し、
前記第１の表示領域は、第１の表示素子を有し、
前記第１の表示領域は、前記第１の画像を表示する機能を有し、
前記第２の表示領域は、第２の表示素子を有し、
前記第２の表示領域は、前記第２の画像を表示する機能を有する、情報処理装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の表示素子は、可視光を発する機能を有する、情報処理装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第２の表示素子は、可視光を反射する機能を有する、情報処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の表示素子および前記第２の表示素子は、同一の画素ユニット内に設けられている、情報処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の表示素子および前記第２の表示素子は、チャネルが形成される半導体層に金属酸化物を含むトランジスタとそれぞれ電気的に接続されている、情報処理装置。
【請求項６】
第１の画像を取得し、
前記第１の画像を、通信網を介してサーバに供給し、
前記第１の画像を基に前記サーバにより生成された情報を受信し、
前記情報を基に第２の画像を生成し、
前記第１の画像と、前記第２の画像と、を異なる表示領域に表示する、情報処理装置の動作方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の画像を前記サーバに供給する前に、前記情報処理装置と前記サーバが前記通信網を介して接続されているか否かを判定し、
前記情報処理装置と前記サーバが前記通信網を介して接続されていない場合は、前記第１の画像のみ表示する、情報処理装置の動作方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の情報処理装置と、
操作ボタンと、を有する、電子機器。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月26日(2019.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像して得られた画像信号の入力を受け、前記画像信号を信号変換して表示機器に出力する画像処理装置であって、
前記画像信号から取得された前記被写体の輝度値と、前記撮像時の露出パラメータから、前記被写体の絶対輝度値を算出する算出手段と、
前記表示機器に前記被写体が絶対輝度値で表示されるように、前記表示機器の入出力特性に応じて、前記被写体の輝度値に所定の絶対輝度コードを決定する決定手段と、
前記被写体の輝度値と前記絶対輝度コードの対応関係に基づいて前記画像信号を信号変換する変換手段と、を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記変換手段から出力された画像信号に対してガンマ補正を行うガンマ補正手段を備え、
前記決定手段は、前記ガンマ補正後の画像信号において、前記被写体の輝度値に前記所定の絶対輝度コードを決定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記露出パラメータは、撮像時の絞り値、ＩＳＯ感度、シャッター速度、ＮＤ値の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記被写体の輝度値は、画像内の中央部分に位置する被写体の平均輝度であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記被写体の輝度値は、画像内の被写体の顔領域の平均輝度であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記被写体の輝度値は、画像内の指定された被写体の平均輝度であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記表示機器の入出力特性は、前記画像処理装置が接続された表示機器から入力されることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記表示機器に前記被写体が絶対輝度値で表示されるように画像信号を出力する第１モードと、前記表示機器に前記被写体が相対輝度値で表示されるように画像信号を出力する第２モードが選択可能であり、前記第１モードが選択された場合に、前記変換手段による信号変換後の画像信号を出力することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
被写体を撮像して前記画像信号を前記画像処理装置に入力する撮像手段をさらに有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
被写体を撮像して得られた画像信号の入力を受け、前記画像信号を信号変換して表示機器に出力する画像処理方法であって、
前記画像信号から取得された前記被写体の輝度値と、前記撮像時の露出パラメータから、前記被写体の絶対輝度値を算出する算出ステップと、
前記表示機器に前記被写体が絶対輝度値で表示されるように、前記表示機器の入出力特性に応じて、前記被写体の輝度値に所定の絶対輝度コードを決定する決定ステップと、
前記被写体の輝度値と前記絶対輝度コードの対応関係に基づいて前記画像信号を信号変換する変換ステップと、を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の画像処理装置として機能させる、コンピュータが実行可能なプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置、その制御方法、プログラム
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月9日(2019.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を変調し画像光を投射するプロジェクター本体部と、
前記プロジェクター本体部からの画像光を低減するとともに、前記画像光の波長帯域以外の波長帯域の検出光を透過させる挿抜可能な光学フィルターと、前記光学フィルターの挿抜に応じてＦ値を変化させる絞りとを有する撮像部とを備えるプロジェクターシステム。
【請求項２】
前記撮像部で取得した前記画像光の情報に基づく画像投射位置と、前記撮像部により検出された前記検出光の発光位置とを特定し、特定した位置関係に基づく画像投影の制御を行うプロジェクター制御部をさらに備える、請求項１に記載のプロジェクターシステム。
【請求項３】
前記プロジェクター本体部は、前記撮像部により検出された前記検出光の発光位置の情報を反映した画像投射を行う、請求項１及び２のいずれか一項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項４】
前記プロジェクター本体部は、画像形成部をさらに備え、
前記撮像部は、前記画像光および前記検出光を受光可能な受光素子をさらに備え、
前記プロジェクター本体部は、前記撮像部で取得した画像光の情報に基づいて、前記画像形成部の画素と前記受光素子の画素とを対応付けるキャリブレーションを行う、請求項１〜３のいずれか一項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項５】
前記絞りは、前記画像光の撮像時のＦ値が、前記検出光の撮像時のＦ値よりも大きい、請求項１〜４のいずれか一項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項６】
前記絞りは、前記画像光の撮像時と前記検出光の撮像時とで絞り量を変化させる可変絞りである、請求項１〜５のいずれか一項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項７】
前記絞りは、前記画像光の波長帯域の光を遮蔽し、前記検出光の波長帯域の光を透過させる固定絞りである、請求項１〜５のいずれか一項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項８】
前記撮像部は、赤外光波長帯域の光を、前記検出光として検出する、請求項１〜７のいずれか一項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項９】
前記光学フィルターは、画像投射時に挿入され前記画像光を遮蔽するとともに、前記検出光を透過させる可視光カットフィルターである、請求項８に記載のプロジェクターシステム。
【請求項１０】
前記画像光は、パターン画像を投影するためのパターン画像光である請求項１〜９のいずれか一項に記載のプロジェクターシステム。
【請求項１１】
パターン画像を投影するための画像光と、前記画像光の波長帯域以外の波長帯域の検出光とを撮像する撮像装置であって、
画像光を低減するとともに検出光を透過させる挿抜可能な光学フィルターと、
前記光学フィルターの挿抜に応じてＦ値を変化させる絞りとを備える撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月10日(2019.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インク色の入力階調値から成る画像データから、印刷装置におけるドット形成の有無に対応する出力階調値から成るドットデータを生成する画像処理装置であって、
前記画像データを構成する複数画素を順番に注目画素として特定して、前記注目画素の前記入力階調値を補正した補正階調値と閾値とを用いて誤差拡散法によりドット形成の有無を決定するハーフトーン処理を実行するハーフトーン処理部を備え、
前記補正階調値は、前記ハーフトーン処理を実行済みの画素から前記注目画素に拡散された誤差を前記注目画素の前記入力階調値に加えて得られ、
前記ハーフトーン処理部は、前記補正階調値と、前記出力階調値と、の誤差を、前記注目画素の周辺の前記ハーフトーン処理を未実行の複数の周辺画素に拡散する際に、前記注目画素の前記入力階調値が少なくともゼロの場合には、前記誤差の一部を拡散せずに棄却し、
前記閾値は、前記注目画素の前記入力階調値に応じて定められており、
前記注目画素の前記入力階調値が予め定められた低階調値範囲に含まれている場合の前記閾値は、前記注目画素の前記入力階調値が取り得る階調値範囲の中央値よりも小さく、かつ、前記注目画素の前記入力階調値以上の値である、
画像処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像処理装置において、
前記補正階調値と前記出力階調値との誤差のうち、棄却されずに前記複数の周辺画素に拡散される誤差の値を、拡散誤差量とし、
前記補正階調値と前記出力階調値との誤差と、前記拡散誤差量と、の差を、棄却誤差量とし、
前記棄却誤差量／（前記補正階調値と前記出力階調値との誤差）を、棄却率としたときに、
前記注目画素の前記入力階調値がゼロの場合の前記棄却率は、前記注目画素の前記入力階調値が予め定められた中間階調値範囲における前記棄却率の最小値よりも大きい、
画像処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の画像処理装置において、
前記注目画素の前記入力階調値が前記低階調値範囲に含まれている場合の前記閾値は、前記補正階調値と前記出力階調値との誤差の平均値がゼロとなるように設定された閾値の値以下の値である、
画像処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の画像処理装置において、
前記ハーフトーン処理部は、前記誤差を前記複数の周辺画素に拡散する際に、前記誤差に重み値を掛け合わせて得られる値を拡散し、
前記ハーフトーン処理部は、前記複数の周辺画素に対してそれぞれ前記重み値が対応づけられている誤差拡散マトリックスを参照して、前記誤差に対して前記重み値を乗じることにより、前記複数の周辺画素にそれぞれ拡散すべき誤差を算出する誤差算出部を有し、
前記注目画素の前記入力階調値がゼロの場合に予め設定されている前記誤差拡散マトリックスにおいて、前記重み値の合計値は、１よりも小さい値である、
画像処理装置。
【請求項５】
インク色の入力階調値から成る画像データから、印刷装置におけるドット形成の有無に対応する出力階調値から成るドットデータを生成する画像処理方法であって、
前記画像データを構成する複数画素を順番に注目画素として特定して、前記注目画素の前記入力階調値を補正した補正階調値と前記注目画素の前記入力階調値に応じて定められた閾値とを用いて誤差拡散法によりドット形成の有無を決定するハーフトーン処理を実行するハーフトーン処理工程を備え、
前記注目画素の前記入力階調値が予め定められた低階調値範囲に含まれている場合の前記閾値は、前記注目画素の前記入力階調値が取り得る階調値範囲の中央値よりも小さく、かつ、前記注目画素の前記入力階調値以上の値に設定されており、
前記ハーフトーン処理工程は、
前記ハーフトーン処理を実行済みの画素から前記注目画素に拡散された誤差を前記注目画素の前記入力階調値に加えることにより前記補正階調値を得る工程と、
前記補正階調値と、前記出力階調値と、の誤差を、前記注目画素の周辺の前記ハーフトーン処理を未実行の複数の周辺画素に拡散する際に、前記注目画素の前記入力階調値が少なくともゼロの場合には、前記誤差の一部を拡散せずに棄却する工程と、
を含む、
画像処理方法。
【請求項６】
インク色の入力階調値から成る画像データから、印刷装置におけるドット形成の有無に対応する出力階調値から成るドットデータを生成する画像処理を実現するためのコンピュータープログラムであって、
前記画像データを構成する複数画素を順番に注目画素として特定して、前記注目画素の前記入力階調値を補正した補正階調値と前記注目画素の前記入力階調値に応じて定められた閾値とを用いて誤差拡散法によりドット形成の有無を決定するハーフトーン処理を実行するハーフトーン機能をコンピューターに実現させ、
前記注目画素の前記入力階調値が予め定められた低階調値範囲に含まれている場合の前記閾値は、前記注目画素の前記入力階調値が取り得る階調値範囲の中央値よりも小さく、かつ、前記注目画素の前記入力階調値以上の値に設定されており、
前記ハーフトーン機能は、
前記ハーフトーン処理を実行済みの画素から前記注目画素に拡散された誤差を前記注目画素の前記入力階調値に加えることにより前記補正階調値を得る機能と、
前記補正階調値と、前記出力階調値と、の誤差を、前記注目画素の周辺の前記ハーフトーン処理を未実行の複数の周辺画素に拡散する際に、前記注目画素の前記入力階調値が少なくともゼロの場合には、前記誤差の一部を拡散せずに棄却する機能と、
を含む、
プログラム。