Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月14日(2018.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧に蓄圧された水素ガスをタンクへ加圧充填する際に、膨張タービンを用いて水素ガスのエンタルピ降下を行う充填システムにおいて、膨張タービンの出口に接続された配管に、耐圧容器の内部に蓄冷体を保持して構成した蓄冷器を設けたことを特徴とする高圧水素の膨張タービン式充填システム。
【請求項２】
前記蓄冷体に、リボンたわし状の金属を用いたことを特徴とする請求項１に記載の高圧水素の膨張タービン式充填システム。
【請求項３】
前記蓄冷体に、水素吸蔵合金を用いたことを特徴とする請求項１に記載の高圧水素の膨張タービン式充填システム。
【請求項４】
前記膨張タービンに、タービン・コンプレッサを用いたことを特徴とする請求項１、２又は３に記載の高圧水素の膨張タービン式充填システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2018009651.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2018009651.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月10日(2019.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
例えば図６を参照して、前記中間プレート（１７）の１対の前記ピン孔（１９，１９）中心（Ｏ２，Ｏ２）間の距離であるピン孔ピッチ（Ｐ２）が、前記外プレート（７）のピン孔（６ａ）中心（Ｏ１，Ｏ１）間の距離であるピン孔ピッチ（Ｐ１）より短い（Ｐ２＜Ｐ１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
例えば図５（Ｂ），（Ｃ）及び図６を参照して、前記中間プレート（１７）の１対のピン孔（１９，１９）の外側端の距離（Ｇ２）が、前記外プレート（７）の１対のピン孔（７ａ，７ａ）の外側端の距離（Ｇ１）以下である（Ｇ２≦Ｇ１）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図４（Ｂ）は、内プレート２，２と外プレート７，７との間に引張り力が作用した状態を示し、ピン９に摺接するブシュ３は内周面を示す。上記引張り力によりピン９には曲げ荷重が作用し、両外側の外プレート７，７に嵌合・固着されているピン９は、ブシュ３内周面との隙間及び中間プレート１７のピン孔１９との隙間により湾曲するように変形する。この結果、内リンク６における外側の内プレート２ａ，２ａに作用する引張り荷重Ｆ１，Ｆ１は、内側の内プレート２ｂ，２ｂに作用する引張り荷重Ｆ２，Ｆ２に比して大きい。従来の２列シールチェーン１２のように、中間プレート７１，７１がピン９２に対して嵌合（締り嵌め）状態にあるものは、中間プレート７１，７１がピン９２の曲りを抑制するが、中間プレート１７のピン孔１９がピン９に対して隙間があると、上記抑制がなく、上述したピン９の曲りが大きくなる。即ち、チェーン引張り力による中間プレート１７の負荷が少なくなり、２列チェーンによる伝達トルク容量が低減する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図６は、外プレート７のピン孔７ａ，７ａ（Ａ）及び中間プレート１７のピン孔１９，１９（Ｂ）の関係を示し、Ｐ１及びＰ２は、各ピン孔の中心Ｏ１，Ｏ１の間の距離であるピン孔ピッチであり、Ｇ１，Ｇ２は、各ピン孔の外側端間の距離である。即ち、外プレート７のピン孔径をｄ１、ピン孔ピッチをＰ１とし、中間プレート１７のピン孔径をｄ２，ピン孔ピッチをＰ２とすると、Ｇ１＝Ｐ１＋ｄ１、Ｇ２＝Ｐ２＋ｄ２となる。本実施の形態にあっては、図６に示すように、中間プレート１７のピン孔径ｄ２は、外プレートのピン孔径ｄ１より大きく設定され（ｄ２＞ｄ１）、中間プレート１７の２個のピン孔１９，１９の中心Ｏ２，Ｏ２の間の距離（ピン孔ピッチ）Ｐ２を、外プレート７の両ピン孔７ａ，７ａの中心Ｏ１，Ｏ１の間の距離（ピン孔ピッチ）Ｐ１より小さく設定する（Ｐ２＜Ｐ１）。図５（Ａ）に示すように、外プレート７のピン孔ピッチＰ１と中間プレート１７のピン孔ピッチＰ２が等しい場合（Ｐ１＝Ｐ２）、中間プレート１７のピン孔１９は、ピン９の直径より大きいため、中間プレート１７の両ピン孔１９，１９の外側端の距離Ｇ２が外プレート７の両ピン７ａ，７ａの外側端の距離Ｇ１より大きくなる（Ｇ２＞Ｇ１）。従って、ピン孔１９は、ピン９に対して引張り方向及び反対方向の両方に隙間ａ，ｂを生ずる。第１の実施の形態は、中間プレート１７の両ピン孔１９，１９の外側端の距離Ｇ２を外プレート７の両ピン孔７ａ，７ａの外側端の距離Ｇ１と等しく設定する（Ｇ２＝Ｇ１）。即ち、図５（Ｂ）に示すように、中間プレート１７のピン孔１９のピッチを、外プレート７のピン孔７ａに固定されたピン９に対して、チェーンに引張り力が作用していない状態で引張り方向には隙間を生ぜず、反対方向のみに隙間ｃが存在するように設定する。第２の実施の形態は、中間プレート１７の両ピン孔１９，１９の外側端の距離Ｇ２を外プレート７の両ピン孔７ａ，７ａの外側端の距離Ｇ１より小さく設定する（Ｇ２＜Ｇ１）。この状態では、図５（Ｃ）に示すように、ピン９に対する引張り方向の隙間がマイナスになるように設定され、従ってチェーンに引張り力が作用していない状態で、ピン９は、引張り方向とは逆方向に湾曲変形した状態で中間プレート１７のピン孔１９に嵌挿される。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月26日(2019.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【図１】本発明に係る残圧排出機能付きパイロットチェック弁の第１実施形態を示す正面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４】図２のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。
【図５】図３の要部拡大図である。
【図６】図４の要部拡大図である。
【図７】本発明に係るパイロットチェック弁を記号化して示す説明図である。
【図８】本発明に係るパイロットチェック弁を使用した流体圧回路の一例を示す回路構成図で、圧力流体が遮断された状態を示す図である。
【図９】図８の状態から、圧力流体を供給して流体圧シリンダのロッドを伸長(前進)させる場合の回路構成図である。
【図１０】図９の動作のあと、流体圧シリンダのロッドを短縮(後退)させる場合の回路構成図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
前記チェック弁室３５の内部には、弁板部２９ａとロッド部２９ｂとからなる断面Ｔ字形をした前記チェック弁体２９が、前記ロッド部２９ｂを弁体支持体３７に摺動自在に支持されることにより、前記第２軸線Ｌ２に沿って変位自在なるように配設されている。このチェック弁体２９は、前記弁板部２９ａが前記環状弁座３６に離接することによって前記中央孔３４即ち主流路１３を開閉するもので、該チェック弁体２９と前記弁体支持体３７との間にはコイルスプリングからなる第１復帰ばね３８が介設され、該第１復帰ばね３８により前記チェック弁体２９は、前記環状弁座３６に着座する図の閉弁位置に向けて常時付勢されている。図中の符号２９ｃは、前記弁板部２９ａに固定されたシール材を示していて、このシール部材２９ｃは、前記チェック弁部２９の一部をなすものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
前記パイロット弁体３０は、ピストン部３０ａと、該ピストン部３０ａから延出するロッド部３０ｂと、該ロッド部３０ｂの先端から延出する小径軸状の押圧部３０ｃとを有していて、該押圧部３０ｃの先端は、前記中央孔３４内で前記チェック弁体２９に対向している。前記ピストン部３０ａは、前記ロッド部３０ｂより大径であり、該ロッド部３０ｂは、前記押圧部３０ｃより大径である。
そして、前記ピストン部３０ａと、前記パイロット弁孔４７に形成された段部４７ａとの間には、コイルスプリングからなる第２復帰ばね４８が設けられ、この第２復帰ばね４８により前記パイロット弁体３０は、前記チェック弁体２９から離間する図の非動作位置に向けて常時付勢されている。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月14日(2019.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンジンからトランスミッションへ動力を伝達するためのトルクコンバータであって、
フロントカバー、インペラ、及びタービン、を有するトルクコンバータ本体と、
固定子、及び前記エンジンの出力軸の中心軸を回転軸とする回転子、を有する回転電機と、
を備え、
前記トルクコンバータ本体の外殻は、非磁性体によって形成される、
トルクコンバータ。
【請求項２】
前記トルクコンバータ本体は、前記フロントカバーと前記タービンとの間に配置されるロックアップ装置をさらに有し、
前記タービン、及びロックアップ装置の少なくともいずれかは、非磁性体によって形成される、
請求項１に記載のトルクコンバータ。
【請求項３】
前記トルクコンバータ本体の外殻の比重は、鉄の比重未満である、
請求項１又は２に記載のトルクコンバータ。
【請求項４】
前記インペラは、インペラシェルを有し、
前記トルクコンバータの外殻は、前記インペラシェル及び前記フロントカバーによって構成される、
請求項１から３のいずれかに記載のトルクコンバータ。
【請求項５】
前記回転電機は、前記回転子に磁化力を付与して前記回転子を励磁する界磁コイルをさらに有する、
請求項１から４のいずれかに記載のトルクコンバータ。
【請求項６】
前記トルクコンバータ本体と前記回転子とを弾性的に連結する弾性部材をさらに備える、
請求項１から５のいずれかに記載のトルクコンバータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
好ましくは、トルクコンバータ本体は、フロントカバーとタービンとの間に配置されるロックアップ装置をさらに有する。タービン、及びロックアップ装置の少なくともいずれかは、非磁性体によって形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
まず、動力伝達装置制御部１１４は、動作指令入力部１１５からエンジンの始動指令を取得すると、エンジン始動モードと判定して、回転電機３をスタータとして始動機能を発揮させる。詳細には、動力伝達装置制御部１１４は、エンジンの始動指令に基づき、インバータ１１２を駆動して固定子３１に三相交流電流を流すとともに、電流制御部１１１を駆動制御して界磁コイル３３に電流を流す。界磁コイル３３に電流が流れると、回転子３２の第１爪極３２ａと第２爪極３２ｂとが励磁される。この結果、回転子３２が固定子３１に対して回転を開始するとともに、固定子３１において誘起電圧を有する起電力が発生する。この一連動作は一例であり、逆の順でも動作させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月10日(2019.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【図１】この発明の蓄冷機能付きエバポレータの全体構成を示す一部を省略した斜視図である。
【図２】冷媒流通管およびアウターフィンを仮想線で示した図１のＡ−Ａ線拡大断面図である。
【図３】ヘッダタンクおよび冷媒流通管を仮想線で示した図２のＢ−Ｂ線矢視図である。
【図４】ヘッダタンクおよび冷媒流通管を仮想線で示した図２のＣ−Ｃ線矢視図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
熱交換コア部(4)は、アウターフィン(16)と、冷媒流通管(12)と、蓄冷材容器(15)と、冷媒流通管(12)と、蓄冷材容器(15)と、冷媒流通管(12)と、アウターフィン(16)とがこの順序で並んでいる並び部分(17)を少なくとも１つ、ここでは複数備えている。以下、並び部分(17)において、２つの蓄冷材容器(15)に挟まれて左右両側面が蓄冷材容器(15)に接する冷媒流通管を第１冷媒流通管(12A)というものとし、蓄冷材容器(15)およびアウターフィン(16)に挟まれて左右いずれか一面が蓄冷材容器(15)に接するとともに同他面がアウターフィン(16)に接する冷媒流通管を第２冷媒流通管(12B)というものとする。すなわち、並び部分(17)の２つの蓄冷材容器(15)間において、通風方向に並んだ２つの第１冷媒流通管(12A)により１つの管組(13)が形成され、当該管組(13)の両第１冷媒流通管(12A)の左右両側面が蓄冷材容器(15)に接している。また、並び部分(17)の２つの蓄冷材容器(15)と両アウターフィン(16)との間において、通風方向に並んだ２つの第２冷媒流通管(12B)により管組(13)が形成され、当該管組(13)の両第２冷媒流通管(12B)の左右いずれか一面が蓄冷材容器(15)に接するとともに同他面がアウターフィン(16)に接している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
蓄冷材容器(15)の蓄冷材封入部(21)の左右両側面、すなわち左右両側壁(22)外面に、それぞれ上下方向に一定の流路長さを有するとともに上下両端が開口し、かつ凝縮水を上方から下方に流して下端開口から排水する複数の凝縮水排水溝(23)が通風方向に間隔をおいて形成されている。各凝縮水排水溝(23)は、蓄冷材容器(15)の蓄冷材封入部(21)の左右両側壁(22)に設けられて外方に膨出した２つの排水溝用凸部(24)の間に形成されており、隣り合う２つの凝縮水排水溝(23)は、両凝縮水排水溝(23)間に位置する排水溝用凸部(24)を共有している。凝縮水排水溝(23)および排水溝用凸部(24)の少なくとも一部は、風下側に向かって上方に直線状に傾斜している。各蓄冷材容器(15)の左右両側壁(22)のすべての排水溝用凸部(24)の膨出高さは等しくなっており、すべての排水溝用凸部(24)の膨出端壁の少なくとも一部が、第１間隙(14A)を形成する左右両側の管組(13)を構成する２つの冷媒流通管(12)に接した状態でろう付されている。なお、凝縮水排水溝(23)内を微量の空気も流れる。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月18日(2019.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伸長性基材と、該伸長性基材の片側または両側に配置された粘着剤層とを備える粘着シートであって、
該粘着剤層が、粘着剤と熱膨張性微小球とを含み、
該粘着シートを被着体に密着させた際の該粘着剤層の厚みとナノインデンテーション法による弾性率との関係が、０．０５（ＭＰａ・μｍ−１）≦（１／粘着剤層の厚み（μｍ））×ナノインデンテーション法による弾性率（ＭＰａ）≦４０（ＭＰａ・μｍ−１）であり、
該粘着シートのＳＵＳ３０４ＢＡに対する粘着力が、０．１Ｎ／２０ｍｍ以上である、
粘着シート。
【請求項２】
前記粘着剤が、エチレン性不飽和官能基を有する化合物を含む樹脂材料から構成される、請求項１に記載の粘着シート。
【請求項３】
前記粘着剤が、粘着付与樹脂をさらに含む、請求項１または２に記載の粘着シート。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月25日(2018.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
ＭＭＲ’Ｄｖ１            （８）
Ｍｗ  Ｄｖ１ＤＲ’ｖ２ＴＲ’ｖ３        （９）
（式中、Ｍ＝Ｒ７３ＳｉＯ０．５、ＭＲ’＝Ｒ７２Ｒ１５ＳｉＯ０．５、Ｄ＝Ｒ７２ＳｉＯ、ＤＲ’＝Ｒ７Ｒ１５ＳｉＯ、ＴＲ’＝Ｒ１５ＳｉＯ１．５であり、Ｒ１５はＣｎＨ（２ｎ−１）−で表される有機基である。Ｒ７、ｖ１、ｖ２、ｖ３はそれぞれ上記の通りである。尚、式中のｖ１が５００より大きいと、オルガノハイドロジェンシロキサンとの反応性が悪くなる等の問題が起こる場合がある。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
（合成例２）ＣｎＨ（２ｎ−１）−基を有する分岐型オルガノポリシロキサンの合成
［工程１］
撹拌機、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた３０００ｍｌセパラブルフラスコに、テトラヒドロフラン５００ｇ、水１２２ｇ、パラジウム炭素（３０ｗｔ％活性炭担持）０．３ｇを仕込み、氷水浴で冷却し、内温を１０℃以下とした。１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサン５００ｇを内温度５〜１０℃に保ちつつ滴下した後、２５℃で６時間撹拌した。反応液を濾紙ろ過、減圧濃縮後に蒸留し、沸点９１〜９９℃／４２〜４３ｍｍＨｇの留分として純度９８．４％の化合物Ｃを得た。収率は９２％であった。ＦＴ−ＩＲを測定し、２１００〜２２００ｃｍ−１のピークの消失および、３５００〜３７００ｃｍ−１のピークの生成から、目的物が得られたことを確認した。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月2日(2019.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒軸方向の長さが９４８ｍｍ以上の円筒型酸化金属焼結体であって、
前記円筒軸方向における相対密度差が０．１％以内であり、
前記円筒軸方向の円筒内側面中央部および円筒外側面中央部において少なくとも独立した５か所の視野１．１７６ｍｍ2当たりに観察される孔における面積の円相当径が平均１μｍ以下であることを特徴とする円筒型酸化金属焼結体。
【請求項２】
円筒軸方向の長さが９４８ｍｍ以上の円筒型酸化金属焼結体であって、
前記円筒軸方向における相対密度差が０．１％以内であり、
前記円筒軸方向の円筒内側面中央部および円筒外側面中央部に観察される孔の数が平均４．２５×１０-5個／μｍ2以下であることを特徴とする円筒型酸化金属焼結体。
【請求項３】
前記円筒内側面および前記円筒内外側面に観察される孔は、少なくとも独立した５か所の視野１．１７６ｍｍ2当たりに観察される孔であることを特徴とする請求項２に記載の円筒型酸化金属焼結体。
【請求項４】
円筒軸方向の長さが９４８ｍｍ以上の円筒型酸化金属焼結体であって、
前記円筒軸方向の円筒内側面中央部および円筒外側面中央部に観察される孔における面積の円相当径が平均１μｍ以下であり、
前記円筒軸方向の円筒内側面中央部および円筒外側面中央部に観察される孔の数が平均４．２５×１０-5個／μｍ2以下であり、
前記円筒内側面中央部および円筒外側面中央部に観察される孔は、少なくとも独立した５か所の視野１．１７６ｍｍ2当たりに観察される孔であることを特徴とする円筒型酸化金属焼結体。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載された円筒型酸化金属焼結体と、円筒内側中空部に配置された基材と、を有するスパッタリングターゲット。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月18日(2019.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量％で、Ｃ：０．４０〜０．８５％、Ｓｉ：０．５０〜２．００％、Ｍｎ：０．１０〜２．００％、Ｐ：≦０．０３０％、Ｎｉ：０．１０〜２．００％、Ｃｒ：１６．００〜２３．５０％、Ｏ：≦０．００８０％、Ｎ：≦０．０６００％を有し、およびＦｅ並びに不可避不純物を有し、シャルピー衝撃値による靱性：５．０Ｊ／ｃｍ2以上、粒界被覆率指数Ｗ値の１６．３［％Ｃ］＋１５．４×［％Ｎｉ］＋３．３×［％Ｃｒ］：≦１０４であることを特徴とするＮｉ含有高Ｃマルテンサイト系耐熱鋼。
【請求項２】
質量％で、Ｃ：０．４０〜０．８５％、Ｓｉ：０．５０〜２．００％、Ｍｎ：０．１０〜２．００％、Ｐ：≦０．０３０％、Ｎｉ：０．１０〜２．００％、Ｃｒ：１６．００〜２３．５０％、Ｏ：≦０．００８０％、Ｎ：≦０．０６００％を含有し、さらに、Ｍｏ：≦１．００％、Ｔｉ：≦０．２０％、Ｖ：≦０．３０％、Ｎｂ≦０．５０％、Ｗ：≦１．００％、Ｂ：≦０．０２００％のいずれか１種または２種以上を含有し、さらにＦｅおよび不可避不純物を有し、シャルピー衝撃値による靱性：５．０Ｊ／ｃｍ2以上、粒界被覆率指数Ｗ値の１６．３［％Ｃ］＋１５．４×［％Ｎｉ］＋３．３×［％Ｃｒ］：≦１０４、さらにＡ値の［％Ｍｏ］＋１／２×［％Ｗ］：≦１．０、およびＢ値の５×［％Ｔｉ］＋２×［％Ｎｂ］：≦１．５であることを特徴とする請求項１に記載のＮｉ含有高Ｃマルテンサイト系耐熱鋼。
【請求項３】
質量％で、Ｃ：０．４０〜０．８５％、Ｓｉ：０．５０〜２．００％、Ｍｎ：０．１０〜２．００％、Ｐ：≦０．０３０％、Ｎｉ：０．１０〜２．００％、Ｃｒ：１６．００〜２３．５０％、Ｏ：≦０．００８０％、Ｎ：≦０．０６００％を有し、さらに、Ｍｏ：≦１．００％、Ｔｉ：≦０．２０％、Ｖ：≦０．３０％、Ｎｂ≦０．５０％、Ｗ：≦１．００％、Ｂ：≦０．０２００％のいずれか１種または２種以上を含有し、さらに、Ｓ：０より大きく０．１５０％以下であり、さらにＦｅおよび不可避不純物を有し、シャルピー衝撃値による靱性：５．０Ｊ／ｃｍ2以上、粒界被覆率指数Ｗ値の１６．３［％Ｃ］＋１５．４×［％Ｎｉ］＋３．３×［％Ｃｒ］：≦１０４、さらにＡ値の［％Ｍｏ］＋１／２×［％Ｗ］：≦１．０、およびＢ値の５×［％Ｔｉ］＋２×［％Ｎｂ］：≦１．５であることを特徴とする請求項１または２に記載のＮｉ含有高Ｃマルテンサイト系耐熱鋼。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を解決するための手段では、開発鋼１の手段は、質量％で、Ｃ：０．４０〜０．８５％、Ｓｉ：０．５０〜２．００％、Ｍｎ：０．１０〜２．００％、Ｐ：≦０．０３０％、Ｎｉ：０．１０〜２．００％、Ｃｒ：１６．００〜２３．５０％、Ｏ：≦０．００８０％、Ｎ：≦０．０６００％を有し、およびＦｅ並びに不可避不純物を有し、シャルピー衝撃値による靱性：５．０Ｊ／ｃｍ2以上、粒界被覆率指数Ｗ値の１６．３［％Ｃ］＋１５．４×［％Ｎｉ］＋３．３×［％Ｃｒ］：≦１０４であることを特徴とするＮｉ含有高Ｃマルテンサイト系耐熱鋼である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
開発鋼２の手段は、質量％で、Ｃ：０．４０〜０．８５％、Ｓｉ：０．５０〜２．００％、Ｍｎ：０．１０〜２．００％、Ｐ：≦０．０３０％、Ｎｉ：０．１０〜２．００％、Ｃｒ：１６．００〜２３．５０％、Ｏ：≦０．００８０％、Ｎ：≦０．０６００％を有し、さらに、Ｍｏ：≦１．００％、Ｔｉ：≦０．２０％、Ｖ：≦０．３０％、Ｎｂ≦０．５０％、Ｗ：≦１．００％、Ｂ：≦０．０２００％のいずれか１種または２種以上を含有し、さらにＦｅおよび不可避不純物を有し、シャルピー衝撃値による靱性：５．０Ｊ／ｃｍ2以上、粒界被覆率指数Ｗ値の１６．３［％Ｃ］＋１５．４×［％Ｎｉ］＋３．３×［％Ｃｒ］：≦１０４、さらにＡ値の［％Ｍｏ］＋１／２×［％Ｗ］：≦１．０、およびＢ値の５×［％Ｔｉ］＋２×［％Ｎｂ］：≦１．５であることを特徴とする開発鋼１の手段のＮｉ含有高Ｃマルテンサイト系耐熱鋼である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
開発鋼３の手段は、質量％で、Ｃ：０．４０〜０．８５％、Ｓｉ：０．５０〜２．００％、Ｍｎ：０．１０〜２．００％、Ｐ：≦０．０３０％、Ｎｉ：０．１０〜２．００％、Ｃｒ：１６．００〜２３．５０％、Ｏ：≦０．００８０％、Ｎ：≦０．０６００％を有し、さらに、Ｍｏ：≦１．００％、Ｔｉ：≦０．２０％、Ｖ：≦０．３０％、Ｎｂ≦０．５０％、Ｗ：≦１．００％、Ｂ：≦０．０２００％のいずれか１種または２種以上を含有し、さらに、Ｓ：０より大きく０．１５０％以下であり、さらにＦｅおよび不可避不純物を有し、シャルピー衝撃値による靱性：５．０Ｊ／ｃｍ2以上、粒界被覆率指数Ｗ値の１６．３［％Ｃ］＋１５．４×［％Ｎｉ］＋３．３×［％Ｃｒ］：≦１０４、さらにＡ値の［％Ｍｏ］＋１／２×［％Ｗ］：≦１．０、およびＢ値の５×［％Ｔｉ］＋２×［％Ｎｂ］：≦１．５であることを特徴とする開発鋼１または２の手段のＮｉ含有高Ｃマルテンサイト系耐熱鋼である。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月5日(2019.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シス−１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペン溶媒及び添加剤からなる洗浄用溶剤組成物であって、添加剤がニトロアルカン及びエポキシドからなる群より選ばれた１種以上の化合物を含む、洗浄用溶剤組成物。
【請求項２】
添加剤がニトロアルカンを含む、請求項１記載の洗浄用溶剤組成物。
【請求項３】
ニトロアルカンの添加量が０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下である、請求項２記載の洗浄用溶剤組成物。
【請求項４】
ニトロアルカンがニトロエタンを含む、請求項２又は３記載の洗浄用溶剤組成物。
【請求項５】
添加剤がエポキシドを含む、請求項１〜４のいずれか１項記載の洗浄用溶剤組成物。
【請求項６】
エポキシドの添加量が０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下である、請求項５記載の洗浄用溶剤組成物。
【請求項７】
エポキシドがブチレンオキサイドを含む、請求項５又は６記載の洗浄用溶剤組成物。
【請求項８】
添加剤がニトロアルカン及びエポキシドを含み、洗浄用溶剤組成物におけるニトロアルカン及びエポキシドの合計濃度が１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下である、請求項１記載の洗浄用溶剤組成物。
【請求項９】
１ｗｔ％以上２ｗｔ％以下のニトロエタン及び１ｗｔ％以上２ｗｔ％以下のブチレンオキサイドを含む、請求項１記載の洗浄用溶剤組成物。
【請求項１０】
シス−１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペン溶媒がさらに低級脂肪族アルコールを含む、請求項１〜９のいずれか１項記載の洗浄用溶剤組成物。
【請求項１１】
シス−１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペン溶媒がさらにトランス−１，２−ジクロロエチレンを含む、請求項１〜１０のいずれか１項記載の洗浄用溶剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月25日(2019.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】二次電池
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の集電体と、第２の集電体と、セパレータと、外装体と、を有する二次電池であり、
前記第１の集電体と前記第２の集電体とが重なる第１の領域と、前記第１の領域よりも厚さの薄い第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記第１の集電体の開口部と前記第２の集電体の開口部とが重なる領域を有する二次電池。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の領域は、前記セパレータの開口部と前記第１の集電体の前記開口部とが重なる二次電池。
【請求項３】
第１の集電体と、第２の集電体と、セパレータと、電解液と、外装体と、を有する二次電池であり、
前記第１の集電体と前記第２の集電体とが重なる第１の領域及び第４の領域と、前記第１の領域及び前記第４の領域よりも厚さの薄い第２の領域と、前記二次電池の周縁部である第３の領域を有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域と前記第４の領域の間に位置し、
前記第３の領域は、前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第４の領域と接し、
前記第２の領域は、前記外装体で囲まれた前記電解液を前記第１の領域と前記第４の領域とに区切り、且つ、前記外装体が圧着された領域を有し、
前記第３の領域は、前記第２の領域と厚さが同じまたは前記第２の領域よりも薄い領域である二次電池。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２の領域は、前記第１の集電体の開口部と、前記第２の集電体の開口部と、前記セパレータの開口部とが重なる二次電池。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の領域において、曲げられる機能を有する二次電池。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第２の領域に重なる領域を有する円柱状の緩衝材を有し、
前記緩衝材の直径は、６ｍｍ以下である二次電池。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記二次電池は、曲率半径３ｍｍ以下で曲げられる機能を有する二次電池。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記外装体は、金属フィルムを有する二次電池。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月5日(2019.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域を有する表示装置の作製方法であって、
第１乃至第７の工程を有し、
前記第１の工程は、
第１の基板の第１の表面上に、第１の層を設ける工程と、
前記第１の層上に第１の絶縁層を設ける工程と、
前記第１の絶縁層上に電極を設ける工程と、
前記電極上に第２の絶縁層を設ける工程と、
前記第２の絶縁層の一部を除去して第１の開口を設ける工程と、
前記第２の絶縁層上に表示素子および第２の層を設ける工程と、を有し、
前記第２の工程は、
第２の基板の第２の表面上に、第３の層を設ける工程と、
前記第３の層上に第３の絶縁層を設ける工程と、
前記第３の層および前記第３の絶縁層の一部を除去して第２の開口を設ける工程と、を有し、
前記第３の工程は、
前記第１の表面と前記第２の表面を向かい合わせ、前記第１の開口と前記第２の開口とが互いに重なる領域を有するように、接着層を介して前記第１の基板と前記第２の基板とを互いに重ねる工程を有し、
前記第４の工程は、
前記第１の基板を前記第１の層とともに前記第１の絶縁層から剥離する工程を有し、
前記第５の工程は、
前記第１の絶縁層と第３の基板とが互いに重なるように前記第３の基板を設ける工程を有し、
前記第６の工程は、
前記第２の基板を前記第３の層とともに前記第３の絶縁層から剥離する工程を有し、
前記第７の工程は、
前記第３の絶縁層と第４の基板とが互いに重なるように前記第４の基板を設ける工程を有し、
前記第１の工程において、
前記電極と前記第２の層は互いに少なくとも一部を接して設けられ、
前記第２の工程において、
前記第２の開口の上面形状は第１の角および第２の角を有する多角形であり、前記第２の開口は上面形状において前記第２の層の内側に位置し、
前記第１の角および前記第２の角の大きさは３０°以上１５０°以下であり、
前記第３の工程において、
前記接着層は、前記接着層と前記第２の開口とが互いに重なる第１の領域を有し、
前記第２の層は、前記第２の層と前記第２の開口とが互いに重なる第２の領域を有し、
前記第６の工程において、
前記第１の領域の少なくとも一部の前記接着層と、前記第２の領域の少なくとも一部の前記第２の層と、を前記第２の基板とともに前記第１の基板から剥離し、
前記第２の基板の剥離が、前記第１の領域の少なくとも一部の前記接着層及び前記第２の領域の少なくとも一部の前記第２の層の剥離が前記第１の角の端部において始まり、前記第２の角の端部において終わる方向と同じ方向に進行し、
前記電極の少なくとも一部が露出する、
表示装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の工程において、
前記第２の開口の上面形状は前記第１の角および前記第２の角を有する、平行四辺形または六角形であり、
前記第６の工程において、前記第２の基板の剥離が、前記第２の開口の上面形状の長辺方向と概ね平行な方向に進行する、
表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の層は、
ＥＬ層及び導電層の積層である、
表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の基板は、
ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板、半導体基板、またはプラスチック基板であり、
前記第２の基板は、
ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板、半導体基板、またはプラスチック基板である、
表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第３の基板および前記第４の基板は可撓性を有する、
表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の層は、
タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、またはシリコンを有し、
前記第３の層は、
タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、またはシリコンを有する、
表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月12日(2019.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）Ｃ＝Ｎ基、ニトリル基、Ｃ＝Ｏ基およびＣ＝Ｓ基の１つ以上を含む単位を含む有機半導体および（ｂ）２，３−ジヒドロ−ベンゾイミダゾール基を含むｎ−ドーパント試薬を含む組成物。
【請求項２】
前記ｎ−ドーパント試薬が、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ベンゾイミダゾール基を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記ｎ−ドーパント試薬が、式（Ｉ）の化合物である、請求項１または２に記載の組成物：
【化１】
2017033929.tif 000001
式中：
各Ｒ２は、独立に、Ｃ１−２０ヒドロカルビル基であり；
Ｒ３はＨまたはＣ１−２０ヒドロカルビル基であり；
各Ｒ４が独立にＣ１−２０ヒドロカルビル基である。
【請求項４】
前記有機半導体がポリマーである、請求項１から３のいずれかに記載の組成物。
【請求項５】
前記有機半導体がベンゾチアジアゾール基を含む、請求項１から４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
前記ｎ−ドーパント試薬が（４−（１，３−ジメチル−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）フェニル）ジメチルアミンである、請求項１から５のいずれかに記載の組成物。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の組成物からｎ−ドープされた半導体層を形成する方法であって、前記方法が前記有機半導体を励起する工程を含む、方法。
【請求項８】
前記有機半導体が、熱処理または電磁照射によって励起される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ｎ−ドーパント試薬が（４−（１，３−ジメチル−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）フェニル）ジメチルアミンである、請求項７または８に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
本発明が特定の例示実施形態に関して記載されたが、本明細書に開示される特徴の種々の変更、代替および／または組み合わせが、以下の特許請求の範囲に示されるような本発明の範囲から逸脱することなく当業者に明らかであることが理解される。
本発明は一態様において、以下を提供する。
[項目１]
ｎ−ドープされた半導体層を形成する方法であって、ここで有機半導体およびｎ−ドーパント試薬を含むフィルムは、前記有機半導体の吸収範囲である波長を有する光によって照射され、前記ｎ−ドーパント試薬の吸収最大波長は前記光のいずれかのピーク波長よりも短い、方法。
[項目２]
前記有機半導体の吸収最大波長は４００ｎｍを超える、項目１に記載の方法。
[項目３]
前記ｎ−ドーパント試薬の吸収最大波長は３５０ｎｍ以下である、項目１から２のいずれかに記載の方法。
[項目４]
前記光が、４００〜７００ｎｍの範囲のピーク波長を有する、項目１から３のいずれかに記載の方法。
[項目５]
前記ｎ−ドーパント試薬が（４−（１，３−ジメチル−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）フェニル）ジメチルアミンである、項目１から４のいずれかに記載の方法。
[項目６]
前記有機半導体が、Ｃ＝Ｎ基、ニトリル基、Ｃ＝Ｏ基およびＣ＝Ｓ基から選択される結合を含む、項目１から５のいずれかに記載の方法。
[項目７]
前記有機半導体がポリマーである、項目１から６のいずれかに記載の方法。
[項目８]
前記ポリマーが共役ポリマーである、項目７に記載の方法。
[項目９]
前記有機半導体が、真空準位から３．２ｅＶ以内の最低空軌道を有する、項目１から８のいずれかに記載の方法。
[項目１０]
前記ｎ−ドーパント試薬から誘導されるラジカルの半占軌道準位が、前記有機半導体の最低空軌道準位よりも真空準位からみて、さらに０．５ｅＶ以上はなれていない、項目１から９のいずれかに記載の方法。
[項目１１]
前記フィルムが、溶液堆積方法によって形成される、項目１から１０のいずれかに記載の方法。
[項目１２]
前記フィルムが、空気中で形成される、項目１から１１のいずれかに記載の方法。
[項目１３]
前記有機半導体：ｎ−ドーパント試薬比が、９９：１〜５０：５０の範囲である、項目１から１２のいずれかに記載の方法。
[項目１４]
有機電子バイスのｎ−ドープされた層を形成する方法であって、前記ｎ−ドープされた層が項目１から１３のいずれかに記載の方法に従って形成される、方法。
[項目１５]
前記有機電子デバイスが、アノード、カソード、ならび前記アノードと前記カソードとの間の発光層を含む有機発光デバイスであり、前記ｎ−ドープされた層が、前記発光層と前記カソードとの間の電子注入層である、項目１４に記載の方法。
[項目１６]
前記発光層が、溶液堆積方法によって形成される、項目１５に記載の方法。
[項目１７]
前記電子注入層が、前記発光層と接触する、項目１５または１６に記載の方法。
[項目１８]
前記フィルムが、前記デバイスのアノードまたはカソードを通して照射される、項目１５から１７のいずれかに記載の方法。
[項目１９]
前記フィルムが、前記デバイスの封入後に照射される、項目１５から１８のいずれかに記載の方法。
[項目２０]
（ａ）Ｃ＝Ｎ基、ニトリル基、Ｃ＝Ｏ基およびＣ＝Ｓ基の１つ以上を含む単位を含む有機半導体および（ｂ）２，３−ジヒドロ−ベンゾイミダゾール基を含むｎ−ドーパント試薬を含む組成物。
[項目２１]
前記ｎ−ドーパント試薬が、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ベンゾイミダゾール基を含む、項目２０に記載の組成物。
[項目２２]
前記ｎ−ドーパント試薬が、式（Ｉ）の化合物である、項目２０または２１に記載の組成物：
【化１】
2017033929.tif 000002
式中：
各Ｒ２は、独立に、Ｃ１−２０ヒドロカルビル基であり；
Ｒ３はＨまたはＣ１−２０ヒドロカルビル基であり；
各Ｒ４が独立にＣ１−２０ヒドロカルビル基である。
[項目２３]
前記有機半導体がポリマーである、項目２０から２２のいずれかに記載の組成物。
[項目２４]
前記有機半導体がベンゾチアジアゾール基を含む、項目２０から２３に記載の組成物。
[項目２５]
前記ｎ−ドーパント試薬が（４−（１，３−ジメチル−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）フェニル）ジメチルアミンである、項目２０から２４のいずれかに記載の組成物。
[項目２６]
項目２０から２５のいずれかに記載の組成物からｎ−ドープされた半導体層を形成する方法であって、前記方法が前記有機半導体を励起する工程を含む、方法。
[項目２７]
前記有機半導体が、熱処理または電磁照射によって励起される、項目２７に記載の方法。
[項目２８]
前記ｎ−ドーパント試薬が（４−（１，３−ジメチル−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）フェニル）ジメチルアミンである、項目２６または２７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月1日(2019.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像を取得する取得手段と、
前記取得された映像の複数のフレームより同一人物の顔を少なくとも１つ検出する検出手段と、
前記検出された顔を、予め定められた複数のグループのいずれかに分類する分類手段と、
前記グループごとに分類された顔の中から、前記グループごとに２以上の整数である第１の所定数以下の顔を選択する選択手段と、
前記選択した顔の特徴量をデータベースに登録する登録手段と
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記選択手段は、顔のサイズ、ブレ、目つぶり、口開けの少なくとも１つに基づいて、前記第１の所定数以下の顔を選択することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記検出手段は、あるフレームにおいて検出された顔に基づいて当該検出された顔を前記映像において追尾することにより、前記複数のフレームより同一人物の顔を検出することを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記グループは人物の顔向きであることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記複数のグループのうちの第１のグループに対して定められた前記第１の所定数と、第２のグループに対して定められた前記第１の所定数とは異なる値であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記選択手段は、優先順位に基づいて、前記複数のグループから第２の所定数以下のグループを選択し、当該選択した第２の所定数以下のグループごとに前記第１の所定数以下の顔を選択し、前記優先順位は、前記複数のグループに対して予め設定されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記グループは人物の顔向きであり、
前記優先順位は、前記顔向きが正面から外れるグループほど低いことを特徴とする請求項６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
対象とする人物のクエリ画像から抽出された特徴量に基づき、前記データベースに登録された特徴量との照合を行う照合手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
対象とする人物のクエリ映像を入力する入力手段をさらに備え、
前記照合手段は、前記クエリ映像から抽出された前記対象とする人物のクエリ画像の特徴量に基づいて照合を行うことを特徴とする請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記入力手段は、対象とする人物の複数のクエリ画像を入力とし、
前記照合手段は、前記複数のクエリ画像を顔向きごとに分類し、１つの顔向きに対して１つの特徴量を決定し、当該決定した顔向きごとの特徴量を用いて照合を行うことを特徴とする請求項９に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記入力手段は、対象とする人物の顔を複数の方向から撮影して得られた複数のクエリ画像を入力とし、
前記照合手段は、前記入力された複数のクエリ画像から得られた特徴量を用いて照合を行うことを特徴とする請求項９に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記照合手段による照合結果を表示装置に表示させる手段をさらに備えることを特徴とする請求項８乃至１１の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
前記登録手段は、顔器官点に関する特徴量をデータベースに登録し、
前記照合手段は、対象とする人物のクエリ画像から抽出された顔器官点に関する特徴量を、前記データベースに登録された顔器官点に関する特徴量と照合することを特徴とする請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
映像を取得する取得工程と、
前記取得された映像の複数のフレームより同一人物の顔を少なくとも１つ検出する検出工程と、
前記検出された顔を、予め定められた複数のグループのいずれかに分類する分類工程と、
前記グループごとに分類された顔の中から、前記グループごとに２以上の整数である第１の所定数以下の顔を選択する選択工程と、
前記選択した顔の特徴量をデータベースに登録する登録工程と、を備えることを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１５】
コンピュータを、
映像を取得する取得手段と、
前記取得された映像の複数のフレームより同一人物の顔を少なくとも1つ検出する検出手段と、
前記検出された顔を、予め定められた複数のグループのいずれかに分類する分類手段と、
前記グループごとに分類された顔の中から、前記グループごとに２以上の整数である第１の所定数以下の顔を選択する選択手段と、
前記選択した顔の特徴量をデータベースに登録する登録手段と、として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月18日(2019.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッドマウントディスプレイの仮想空間を管理する情報処理システムであって、
前記仮想空間におけるアノテーションオブジェクトの位置と仮想オブジェクトの位置とを取得する取得手段と、
前記取得手段で取得した前記仮想空間におけるアノテーションオブジェクトの位置と仮想オブジェクトの位置との距離が所定値以下である場合に、前記仮想空間における仮想オブジェクトの位置を、前記アノテーションオブジェクトの位置に移動させるよう制御する移動制御手段と
を備えることを特徴とする情報処理システム。
【請求項２】
共通する仮想空間である、前記ヘッドマウントディスプレイの仮想空間と、前記ヘッドマウントディスプレイの仮想空間と異なる他のヘッドマウントディスプレイの仮想空間とを管理する情報処理システムであって、
前記取得手段は、前記他のヘッドマウントディスプレイの位置情報及び向き情報に基づいて、前記アノテーションオブジェクトの位置を取得することを特徴とする請求項１に記載の情報処理システム。
【請求項３】
前記アノテーションオブジェクトは、前記仮想オブジェクトに向かう方向を識別可能なオブジェクトであることを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理システム。
【請求項４】
前記アノテーションオブジェクトは、前記方向を矢印で表示する仮想オブジェクトであることを特徴とする請求項３に記載の情報処理システム。
【請求項５】
前記仮想オブジェクト、及び／または、前記アノテーションオブジェクトを表示させるよう制御する表示制御手段
を備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項６】
前記移動制御手段は、前記仮想空間における仮想オブジェクトの位置を前記アノテーションオブジェクトの位置に移動させてから所定時間経過するまで、前記仮想オブジェクトを移動させないよう制御することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項７】
ヘッドマウントディスプレイの仮想空間を管理する情報処理システムであって、
前記仮想空間におけるアノテーションオブジェクトの位置と仮想オブジェクトの位置とを取得する取得ステップと、
前記取得ステップで取得した前記仮想空間におけるアノテーションオブジェクトの位置と仮想オブジェクトの位置との距離が所定値以下である場合に、前記仮想空間における仮想オブジェクトの位置を、前記アノテーションオブジェクトの位置に移動させるよう制御する移動制御ステップと
を含むことを特徴とする情報処理システムの制御方法。
【請求項８】
ヘッドマウントディスプレイの仮想空間を管理する情報処理装置であって、
前記仮想空間におけるアノテーションオブジェクトの位置と仮想オブジェクトの位置とを取得する取得手段と、
前記取得手段で取得した前記仮想空間におけるアノテーションオブジェクトの位置と仮想オブジェクトの位置との距離が所定値以下である場合に、前記仮想空間における仮想オブジェクトの位置を、前記アノテーションオブジェクトの位置に移動させるよう制御する移動制御手段と
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項９】
ヘッドマウントディスプレイの仮想空間を管理する情報処理装置であって、
前記仮想空間におけるアノテーションオブジェクトの位置と仮想オブジェクトの位置とを取得する取得ステップと、
前記取得ステップで取得した前記仮想空間におけるアノテーションオブジェクトの位置と仮想オブジェクトの位置との距離が所定値以下である場合に、前記仮想空間における仮想オブジェクトの位置を、前記アノテーションオブジェクトの位置に移動させるよう制御する移動制御ステップと
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項１０】
ヘッドマウントディスプレイの仮想空間を管理するコンピュータで実行可能なプログラムであって、
前記コンピュータを、
前記仮想空間におけるアノテーションオブジェクトの位置と仮想オブジェクトの位置とを取得する取得手段と、
前記取得手段で取得した前記仮想空間におけるアノテーションオブジェクトの位置と仮想オブジェクトの位置との距離が所定値以下である場合に、前記仮想空間における仮想オブジェクトの位置を、前記アノテーションオブジェクトの位置に移動させるよう制御する移動制御手段
として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、仮想オブジェクトの位置をアノテーションオブジェクトの位置に容易に移動させることを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明の情報処理システムは、ヘッドマウントディスプレイの仮想空間を管理する情報処理システムであって、前記仮想空間におけるアノテーションオブジェクトの位置と仮想オブジェクトの位置とを取得する取得手段と、前記取得手段で取得した前記仮想空間におけるアノテーションオブジェクトの位置と仮想オブジェクトの位置との距離が所定値以下である場合に、前記仮想空間における仮想オブジェクトの位置を、前記アノテーションオブジェクトの位置に移動させるよう制御する移動制御手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、仮想オブジェクトの位置をアノテーションオブジェクトの位置に容易に移動させることの可能な効果を奏する。