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　特願２０１６−　５３２３５「ハードマスクのための金属誘電体膜の蒸着」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年１０月１３日出願公開，特開２０１６−１８１６８７，請求項の数（２６）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２８年３月１７日（パリ条約による優先権主張２０１５年３月２４日，米国（ＵＳ））の出願であって，平成２８年８月２４日及び平成３１年３月１５日に手続補正がされ，令和２年３月１７日付けで拒絶理由通知がされ，同年９月１７日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ，同年１０月１日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，令和３年２月５日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。
第２　原査定の理由の概要
　原査定（令和２年１０月１日付け拒絶査定）の理由の概要は次のとおりである。
１　本願の請求項１，２，５〜７，９，１０に係る発明は，以下の引用文献１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３項に該当し，特許を受けることができないか，引用文献１に記載された発明に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから，特許を受けることができない。
２　本願の請求項３，４，８，１１〜２７に係る発明は，引用文献１〜４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　引用文献等一覧
１．米国特許出願公開第２００８／０１１３１１０号明細書
２．特表２０１３−５０７００８号公報
３．米国特許出願公開第２００７／０２３１４８７号明細書
４．国際公開第２０１３／１３３１１０号
第３　本願発明
　本願請求項１〜２６に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」〜「本願発明２６」という。）は，令和３年２月５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１〜２６に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１，２６は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　基板上に炭化タングステン膜を蒸着するための方法であって，
　プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバ内に前記基板を配置する工程と，
　搬送ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と，
　誘電体前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と，
　金属前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と，
　前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバ内でプラズマを生成する工程と，
　ＰＥＣＶＤを用いて，５００℃未満の処理温度で前記基板上に炭化タングステン膜を蒸着する工程と，
を備え，
　前記炭化タングステン膜は，ナノ結晶である，方法。」
　「【請求項２６】
　基板上に炭化タングステン膜を蒸着するための方法であって，
　プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバ内に前記基板を配置する工程と，
　搬送ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と，
　誘電体前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と，
　金属前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と，
　前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバ内でプラズマを生成する工程と，
　ＰＥＣＶＤを用いて，５００℃未満の処理温度で前記基板上に炭化タングステン膜を蒸着する工程と，
を備え，
　前記誘電体前駆体ガスに対する前記金属前駆体ガスの割合は，２０％より大きい，方法。」
　なお，本願発明２〜１２は，本願発明１を減縮した発明であり，本願発明１３〜２３も，本願発明１を減縮した発明であり，本願発明２４は，本願発明１に対応する物の発明であり，本願発明２５は，本願発明１３に対応する物の発明である。
第４　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（米国特許出願公開第２００８／０１１３１１０号明細書）には，次の事項が記載されている。なお，引用文献１の記載事項は，当審の訳文で示す（下線は当審が付した。）。
　「発明の詳細な説明
［０００３］　１．発明の分野
［０００４］　本発明は，金属炭化物膜に関する。特に，本発明は気相成長法によって金属炭化物膜を成長させる方法に関する。」
　「特定の実施形態の詳細な説明
［００２１］　本発明は，有利には，基板を気相金属供給源化学物質（又は金属化合物），炭素含有化合物の１つ以上のプラズマ励起種及び還元剤と接触させることによって，反応室内の基板上に金属，好ましくは遷移金属炭化物膜を形成することを可能にする。炭素含有化合物は，アルカン，アルケン又はアルキンであることが好ましい。金属化合物は，好ましくは，チタン（ＴＩ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），バナジウム（Ｖ），ニオブ（Ｎｂ），タンタル（Ｔａ），クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），マンガン（Ｍｎ），レニウム（Ｒｅ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ），パラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ），ロジウム（Ｒｈ），イリジウム（Ｉｒ），ルテニウム（Ｒｕ）及びオスミウム（Ｏｓ）からなる群から選択される１種以上の金属を含む。還元剤は，プラズマ励起水素種であることが好ましい。還元剤は，ハロゲン原子及び／又は酸素原子を含む望ましくない化学種を除去する。有利には，低レベルの不純物を有する膜が形成される。
・・・
プラズマ強化ＣＶＤ法
［００６２］　ＣＶＤは，２種以上の反応物を反応空間に導入し，同時に基板表面と接触させて，金属炭化物膜などの膜を製造する堆積プロセスである。好ましい実施形態によれば，ＣＶＤを用いた金属炭化膜の形成は，基板表面を気相金属化合物及び炭素含有化合物のプラズマ励起種と同時に接触させることを含む。表面は，好ましくはＣＶＤプロセスに影響されやすい。
［００６３］　好適な実施形態によれば，金属源材料（金属化合物）と炭素含有化合物のプラズマ励起種とを集合的に反応空間に導入することにより，反応空間内に配置された基板上に金属炭化物膜を成長させる。ソース材料は，堆積時間の少なくとも一部と同時に反応空間内に存在する。ソース材料は，反応チャンバ内に配置された基板と接触し，それによってそれらが互いに反応して，基板の表面上に金属炭化物膜を形成する。浸炭（又は還元）反応で形成された副生成物（もしあれば）は，好ましくは揮発性であり，過剰の反応物と共に反応空間から除去することができる。あるいは，除去と組み合わせて，ポンプシステムによって生成された真空を使用して，反応空間から副生成物を除去することができる。
［００６４］　ＣＶＤ−タイプのプロセスに適したソース材料としては，元素の周期表におけるグループ４，５，６，７，８，９，１０及び／又は１１の元素の揮発性又はガス状化合物が挙げられるが，これらに限定されるものではない。
特に，好ましい方法により形成される膜は
Ｗ
の炭化物を含む
［００６５］　いくつかの実施形態では，本発明において使用される金属源化合物は，好ましくは，上記金属のハロゲン化物である。
ハロゲン化物化合物には，各金属のフッ化物
が含まれる
［００６６］　他の実施形態では，使用される金属源化合物は，好ましくは金属有機化合物，より好ましくは金属シクロペンタジエニル又は金属ジアルキルアミド化合物である。いくつかの実施形態では，１つ以上の金属源化合物又は材料が提供されてもよい。上記のように，使用することができる金属ジアルキルアミド化合物には，限定されないが，Ｔａ（ＮＲ２）５及びＴａ（ＮＲ）（ＮＲ２）３が含まれ，ここで，Ｒ＝ＣＨ３又はＣＨ２ＣＨ３，及びＴａ（ＮＲ’Ｒ”）５であり，ここで，Ｒ’＝ＣＨ３及びＲ”＝ＣＨ２ＣＨ３である場合，タンタルトリス（ジエチルアミノ）ｔ−ブチン酸（ＴＢＴＤＥＴ）が，金属源化合物として使用され得る。他の有機化合物，例えば，次のような有機化合物が挙げられる，Ｃｐ２ＴｉＣｌ，（ＣＨ３）３ＳｉＣＨ２）３Ｔｉ及びＣｐＴａ（ブタジエン）２を使用することもできる。
［００６７］　プラズマ励起種が形成される炭素含有化合物，本明細書では浸炭剤とも呼ばれる。炭素含有化合物は，アルカン（例えば，ＣＨ４），アルケン（例えば，Ｃ２Ｈ４），アルキン（例えば，Ｃ２Ｈ２）及びそれらの組み合わせからなる群から選択されることが好ましい。いくつかの実施形態では，好ましい炭素含有化合物は，ハロゲン化アルカン，アルケン及びアルキンを含むいくつかの特定の実施形態では，
炭素含有化合物はメタン（ＣＨ４）である
炭素含有化合物は，反応空間に導入され，プラズマは，その場で，すなわち，反応空間において生成される
・・・
［００６９］　一実施形態では，
プラズマ強化ＣＶＤ−タイププロセスによって金属炭化物膜を形成は，以下のステップを含む
［００７０］　１．
金属化合物及び炭素含有化合物のプラズマ励起種を，基板を含む反応空間に導入する工程
［００７１］　２．
金属化合物と炭素含有化合物のプラズマ励起種を基板に同時に接触させる工程
［００７２］　３．
過剰な金属化合物，炭素含有化合物のプラズマ，及び反応副生成物（もしあれば）をパージ及び／又は排気する工程
［００７３］　ステップ１−３を繰り返して，所望の厚さの金属炭化物膜を形成することができる。好ましい実施形態では，水素プラズマのような還元剤が，金属又は金属炭化物膜を還元するために，ステップ２及び／又は３の後に反応空間に導入される。還元剤は，工程１−３で形成される各サイクルの間，又は複数のサイクルを実施した後に導入することができる。水素プラズマは，水素ガスを反応器に供給し，反応空間（すなわち，その場）又は外部（すなわち，その場外）で，遠隔プラズマ発生器を使用して，炭素含有化合物のプラズマ励起種を形成することによって，その場で提供することができる。
［００７４］　本明細書で説明する
ＣＶＤタイプのプロセスでは，基板は
より好ましくは約２００℃〜約５５０℃の温度に維持され
［００７５］　
このように，基板表面に金属炭化膜が形成される
　以上によれば，引用文献１には，以下の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「プラズマ強化ＣＶＤ−タイププロセスによって基板表面に金属炭化物膜を形成する方法であって，
　基板を約２００℃〜約５５０℃の温度に維持する工程と，
　Ｗのフッ化物である金属化合物及びメタン（ＣＨ４）である炭素含有化合物のプラズマ励起種を，基板を含む反応空間に導入する工程と，
　プラズマを反応空間で生成する工程と，
　前記金属化合物及び前記炭素含有化合物のプラズマ励起種を前記基板に同時に接触させる工程と，
　過剰な金属化合物，炭素含有化合物のプラズマ，及び反応副生成をパージ及び／又は排気する工程とを備える方法。」
２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特表２０１３−５０７００８号公報）には，次の事項が記載されている。
　「【００２０】
　図１Ｂは，図１Ａの切欠構造２０６内において形成された拡散隔膜２１２を含む切欠構造２０７を示している。拡散隔膜２１２には，例えば，タンタル（Ｔａ)含有膜（例えば，タンタル（Ta)，窒化タンタル（ＴａＮ），炭化タンタル（ＴａＣ），炭窒化タンタル（ＴａＣＮを含有）），チタン含有膜（例えばチタン（Ti)，窒化チタン（ＴｉＮ），炭化チタン（ＴｉＣ），炭窒化チタン（ＴｉＣＮ）を含有），タングステン（Ｗ)含有膜（例えば，タングステン（Ｗ)，窒化タングステン（ＷＮ)，炭化タングステン（ＷＣ)，炭窒化タングステン（ＷＣＮ）を含有），あるいはこれらの組合せが含まれてもよい。組合せとしては，別々の膜，すなわちタンタル膜，窒化タンタル膜，チタン膜，窒化チタン膜，窒化タングステン膜を二つ以上含んでいてもよく，例えば，タンタル膜／窒化タンタル膜，チタン膜／窒化チタン膜，窒化タンタル膜／窒化チタン膜，あるいは窒化タンタル膜／窒化タングステン膜の各組み合わせでもよい。拡散隔膜２１２の厚みは，たとえば，約１ｎｍから約１０ｎｍ，約２ｎｍから約５ｎｍ，例えば約４ｎｍであってもよい。拡散隔膜２１２は，物理蒸着法（ＰＶＤ）,イオン化物理蒸着法（ｉＰＶＤ），熱化学蒸着法,パルス化学蒸着法,プラズマ増強化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ），原子層堆積法（ＡＬＤ）,プラズマ増強原子層堆積法（ＰＥＡＬＤ），あるいはスパッタ法といった，本技術分野において通常の技術を有する者に知られるさまざまな蒸着方法によって，フィルム蒸着装置のなかで蒸着されてもよいが，蒸着方法はこれらに限定されるものではない。例えば，拡散隔膜２１２は高アスペクト比の切欠構造２０７において均等に形成されてもよい。
【００２１】
  拡散隔膜２１２の蒸着には，多種多様なタンタル含有前駆体，チタン含有前駆体，及びタングステン含有前駆体が用いられている。タンタル含有前駆体の代表的な例としては，  Ｔａ（ＮＭｅ２）５  （ペンタキス（ジエチルアミド）タンタル，ＰＤＭＡＴ），  Ｔａ（ＮＥｔＭｅ）５  （ペンタキス（エチルメチルアミド）タンタル，ＰＥＭＡＴ），（ｔＢｕＮ）Ｔａ（ＮＭｅ２）３（ｔｅｒｔ−ブチリミド・トリス（ジメチルアミド）タンタル，ＴＢＴＤＭＴ），  （ｔＢｕＮ）Ｔａ（ＮＥｔ２）３  (ｔｅｒｔ−ブチリミド・トリス（ジエチルアミド）タンタル,  ＴＢＴＤＥＴ），  （ｔＢｕＮ）Ｔａ（ＮＥｔＭｅ）３  (ｔｅｒｔ-ブチリミド・トリス（エチルメチルアミド）タンタル，ＴＢＴＥＭＴ），  （ＥｔＭｅ２ＣＮ）Ｔａ（ＮＭｅ２）３  （ｔｅｒｔ-アミリミド・トリス（ジメチルアミド）タンタル，ＴＡＩＭＡＴＡ），（ｉＰｒＮ）Ｔａ（ＮＥｔ２）２  （イソプロピリミド・トリス（ジエチルアミド）タンタル，ＩＰＴＤＥＴ），Ｔａ２（ＯＥｔ）１０  （タンタルペンタエトキシド，ＴＡＥＴＯ），（Ｍｅ２ＮＣＨ２ＣＨ２Ｏ）Ｔａ（ＯＥｔ）４  (ジメチルアミノエトキシタンタル・テトラエトキシド，ＴＡＴＤＭＡＥ），及び，ＴａＣｌ５  （五塩化タンタル）がある。チタン含有前駆体の代表的な例としては，Ｔｉ（ＮＥｔ２）４  （テトラキス（ジエチルアミド）チタン，ＴＤＥＡＴ），Ｔｉ（ＮＭｅＥｔ）４  （テトラキス（エチルメチルアミド）チタン，ＴＥＭＡＴ），  Ｔｉ（ＮＭｅ２）４  （テトラキス（ジメチルアミド）チタン，ＴＤＭＡＴ），Ｔｉ（ＴＨＤ）３（トリス（２，２，６，６−テトラメチル-３，５−ヘプタンジオナート）チタン），及び，ＴｉＣｌ４  （四塩化チタン）がある。タングステン含有前駆体の代表的な例としては，Ｗ（ＣＯ）６  （タングステンヘキサカルボニル），ＷＦ６  (六フッ化タングステン），及び，（ｔＢｕＮ）２Ｗ（ＮＭｅ２）２  （ビス（ｔｅｒｔ−ブチリミド）ビス（ジメチルアミド）タングステン，ＢＴＢＭＷ）がある。これらの前駆体において，以下の略記が用いられている。  すなわち，Ｍｅ（メチル），Ｅｔ（エチル），ｉＰｒ（イソプロピル），ｔＢｕ（ｔｅｒｔ−ブチル），及び，ＴＨＤ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）である。実施例よっては，アンモニア(NH3)  やヒドラジン(N2H4)といった窒素含有ガスが，拡散隔膜２１２の蒸着の際に窒素源として利用されていてもよい。また，本発明のいくつかの実施例によれば，拡散隔膜２１２が省略されてもよい。」
３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（米国特許出願公開第２００７／０２３１４８７号明細書）には，次の事項が記載されている。なお，引用文献３の記載事項は，当審の訳文で示す。
　「［００４６］　第１の処理材料供給システム１４０及び第２の処理材料供給システム１４２は，第１の処理材料を処理チャンバ１１０に，第２処理材料を処理チャンバ１１０内に交互に導入するように構成される。第１の材料及び第２の材料の導入の交互の変更は，周期的であってもよく，又は第１及び第２の材料の導入の間の可変時間期間を有する周期的なものであってもよい。第１の処理材料は，例えば，基板１２５上に形成される膜内に見いだされる主たる原子又は分子種を有する組成物のような膜前駆体を含むことができる。例えば，膜前駆体は，固相，液相，又は気相として発生することができ，また，キャリアガスを用いて又は用いずに気相で処理チャンバ１１０に供給してもよい。第２の処理材料は，例えば，基板１２５上に形成される膜中に見いだされる原子又は分子種を有していてもよい還元剤を含むことができる。例えば，還元剤は，固相，液相，又は気相として発生することができ，キャリアガスを用いて又は用いずに気相で処理チャンバ１１０に供給することができる。
・・・
［００５０］ 別の例として，炭化タングステン又は炭窒化タングステンを堆積させる場合，第１の処理材料は，ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）ビス（ジメチルアミド）タングステン，フェニルイミド錯体Ｃｌ４（ＣＨ３ＣＮ）Ｗ（ＮＰｈ），イソプロピルイミド錯体Ｃｌ４（ＣＨ３ＣＮ）Ｗ（ＮｉＰｒ），又はアリルイミド錯体Ｃｌ４（ＣＨ３ＣＮ）Ｗ（ＮＣ３Ｈ５）を含むことができ，第２の処理材料は，Ｈ２，ＮＨ３，Ｎ２及びＨ２，Ｎ２Ｈ４，ＮＨ（ＣＨ３）２又はＮ２Ｈ３ＣＨ３，又はそれらの組合せを含むことができる。」
４　引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（国際公開第２０１３／１３３１１０号）には，次の事項が記載されている。
　「（第１の実施形態）
　図１は，本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を概略的に示す断面図である。
　プラズマＣＶＤ装置は成膜チャンバー１０１を有しており，この成膜チャンバー１０１の上部には蓋１０２が配置されている。成膜チャンバー１０１に蓋１０２をすることにより，成膜チャンバー１０１内には成膜室１０３が形成される。
　この成膜室１０３内の下方には被成膜基板（図示せず）を保持するステージ電極１０４が配置されており，このステージ電極１０４は高周波電源１０６に電気的に接続されている。ステージ電極１０４はＲＦ印加電極としても作用し，また基板ホルダーとしても機能する。ステージ電極１０４の周囲及び下部はアースシールド１０５によってシールドされている。
　成膜室１０３内の上方には，ステージ電極１０４に対向して平行の位置にガスシャワー電極１０７が配置されている。これらは一対の平行平板型電極である。ガスシャワー電極１０７の周囲及び上部はアースシールド１０８によってシールドされている。また，ガスシャワー電極１０７は接地電位に接続されている。ガスシャワー電極１０７は，原料ガスを成膜チャンバー１０１内にシャワー状に導入するガスシャワー部材としても機能する。」（明細書３頁１６〜３１行）
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「プラズマ強化ＣＶＤ」は，本願発明１の「プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）」に相当する。
　そして，引用発明において，「Ｗのフッ化物である金属化合物」及び「メタン（ＣＨ４）である炭素含有化合物」から「金属炭化物膜」を形成していることからすると，当該「金属炭化物膜」は，炭化タングステン膜であるといえるから，引用発明の「プラズマ強化ＣＶＤ−タイププロセスによって基板表面に金属炭化物膜を形成する方法」は，本願発明１の「基板上に炭化タングステン膜を蒸着するための方法」に相当する。
イ　引用発明の「Ｗのフッ化物である金属化合物」，「メタン（ＣＨ４）である炭素含有化合物」は，それぞれ，本願発明１の「金属前駆体ガス」，「誘電体前駆体ガス」に相当する。
ウ　引用発明における「プラズマ強化ＣＶＤ−タイププロセス」を，プラズマ強化ＣＶＤ処理チャンバ内で行うことは技術常識であるから，引用発明は，プラズマ強化ＣＶＤ処理チャンバ内に「基板」を配置する工程，「メタン（ＣＨ４）である炭素含有化合物」をプラズマ強化ＣＶＤ処理チャンバに供給する工程，「Ｗのフッ化物である金属化合物」をプラズマ強化ＣＶＤ処理チャンバ内に供給する工程，プラズマ強化ＣＶＤ処理チャンバ内で「プラズマを生成する」工程を備えているといえる。
エ　引用発明の「プラズマ強化ＣＶＤ−タイププロセスによって基板表面に金属炭化物膜を形成する方法」は，「基板を約２００℃〜約５５０℃の温度に維持する工程」を備えているから，プラズマ強化ＣＶＤを用いて，約２００℃〜約５５０℃の処理温度で基板上に炭化タングステン膜を形成する工程を備えているといえる。
　そうすると，本願発明１と引用発明とは，「ＰＥＣＶＤを用いて，５００℃未満の処理温度で前記基板上に炭化タングステン膜を蒸着する工程」を備えている点で共通する。
オ　以上から，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
＜一致点＞
「基板上に炭化タングステン膜を蒸着するための方法であって，
　プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバ内に前記基板を配置する工程と，
　誘電体前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と，
　金属前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と，
　前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバ内でプラズマを生成する工程と，
　ＰＥＣＶＤを用いて，５００℃未満の処理温度で前記基板上に炭化タングステン膜を蒸着する工程と，
を備える，方法。」
＜相違点＞
相違点１：本願発明１は，「搬送ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程」を備えているのに対し，引用発明は，そのような工程を備えているかどうか不明な点。
相違点２：「炭化タングステン膜」について，本願発明１は，「ナノ結晶である」であるのに対し，引用発明は，ナノ結晶であるかどうか不明な点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑み相違点２から検討する。
ア　前記（１）アで検討したように，引用発明の「金属炭化物膜」は，炭化タングステン膜であるところ，引用文献１には，基板の処理温度範囲が約２００℃〜約５５０℃であることは記載されているものの，炭化タングステン膜を形成するための具体的な実施例（製造条件）は記載されていない。また，引用文献１には，炭化タングステン膜をナノ結晶とすることは何ら記載も示唆もされていない。
　そうすると，引用発明の炭化タングステン膜がナノ結晶であるとはいえない。
　したがって，相違点２は実質的な相違点である。
　よって，本願発明１は，引用発明であるとはいえない。
イ　前記アで検討したとおり，引用文献１には，基板の処理温度範囲が約２００℃〜約５５０℃であることは記載されているものの，炭化タングステン膜を形成するための具体的な実施例（製造条件）は記載されていない。また，引用文献１には，炭化タングステン膜をナノ結晶とすることは何ら記載も示唆もされていない。
　そして，引用文献２〜４のいずれにも，炭化タングステン膜をナノ結晶とすることについては，何ら記載も示唆もされていない。また，炭化タングステン膜をナノ結晶とすることが，本願優先日前において周知技術であるともいえない。
　したがって，引用発明に引用文献２〜４に記載された発明を適用したとしても，相違点２に係る本願発明１の構成は得られない。
　よって，相違点１について判断するまでもなく，本願発明１は，引用発明及び引用文献２〜４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。
２　本願発明２〜２３について
　本願発明２〜１２は，本願発明１を減縮した発明であり，また，本願発明１３〜２３も，本願発明１を減縮した発明であり，いずれも本願発明１の「炭化タングステン膜は，ナノ結晶である」と同一の構成を有しているから，本願発明１と同様の理由により，本願発明２，５〜７，９は，引用発明であるとはいえないし，また，本願発明２〜２３は，引用発明及び引用文献２〜４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。
３　本願発明２４，２５について
　本願発明２４は，本願発明１に対応する物の発明であり，また，本願発明２５は，本願発明１３に対応する物の発明であり，いずれも，本願発明１の「炭化タングステン膜は，ナノ結晶である」と同一の構成を有しているから，本願発明１と同様の理由により，引用発明及び引用文献２〜４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。
４　本願発明２６について
（１）対比
　前記１（１）における本願発明１と引用発明との対比を参酌すると，本願発明２６と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
＜一致点＞
　「基板上に炭化タングステン膜を蒸着するための方法であって，
　プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバ内に前記基板を配置する工程と，
　誘電体前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と，
　金属前駆体ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程と，
　前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバ内でプラズマを生成する工程と，
　ＰＥＣＶＤを用いて，５００℃未満の処理温度で前記基板上に炭化タングステン膜を蒸着する工程と，
を備える方法。」
＜相違点＞
相違点３：本願発明２６は，「搬送ガスを前記ＰＥＣＶＤ処理チャンバに供給する工程」を備えているのに対し，引用発明は，そのような工程を備えているかどうか不明な点。
相違点４：「前記誘電体前駆体ガスに対する前記金属前駆体ガスの割合」について，本願発明２６は，「２０％より大きい」のに対し，引用発明は，上記割合が不明な点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑み相違点４から検討する。
　前記１（２）アで検討したとおり，引用文献１には，基板の処理温度範囲が約２００℃〜約５５０℃であることは記載されているものの，炭化タングステン膜を形成するための具体的な実施例（製造条件）は記載されていない。
　そして，引用文献２〜４のいずれにも，プラズマ強化ＣＶＤ−タイププロセスによって基板表面に炭化タングステン膜を形成する際に，メタン（ＣＨ４）である炭素含有化合物に対するＷのフッ化物である金属化合物の割合を２０％より大きくすることについては，何ら記載も示唆もされていない。また，プラズマ強化ＣＶＤ−タイププロセスによって基板表面に炭化タングステン膜を形成する際に，メタン（ＣＨ４）である炭素含有化合物に対するＷのフッ化物である金属化合物の割合を２０％より大きくすることが，本願優先日前において周知技術であるともいえない。
　したがって，引用発明に引用文献２〜４に記載された発明を適用したとしても，相違点４に係る本願発明２６の構成は得られない。
　よって，相違点３について判断するまでもなく，本願発明２６は，引用発明及び引用文献２〜４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。
第６　むすび
　以上のとおり，本願発明１，２，５〜７，９は，引用発明ではないし，また，本願発明１〜２６は，引用文献１〜４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。