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【手続補正書】
【提出日】令和1年5月20日(2019.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の無線接続方式により通信可能な通信装置であって、
通信相手装置との間で、前記通信装置と前記通信相手装置のどちらがアクセスポイントとして動作するか、クライアントとして動作するかを決定する決定手段と、
前記決定手段による決定に基づいて、前記通信相手装置と前記所定の無線接続方式によって接続する接続手段と、
前記接続手段による接続が切断したか否かを判定する判定手段と、
前記接続手段によって接続された前記通信相手装置との通信において使われたIPアドレスの使用を停止し、前記通信装置を、前記所定の無線接続方式により通信可能な状態にさせるための再起動の処理を行う再起動手段と、を有し、
前記決定手段により前記通信装置がクライアントとして動作すると決定され、前記判定手段により前記接続が切断されたと判定された場合に、前記再起動手段は前記再起動の処理を行うことを特徴とする通信装置。
【請求項２】
ユーザの操作に基づいて、前記通信装置に前記所定の無線接続方式による通信を許可するか否かを選択する選択手段を更に有し、
前記決定手段により前記通信装置がクライアントとして動作すると決定され、前記判定手段により前記通信相手装置との接続が切断されたと判定された場合であって、さらに、前記選択手段により前記所定の無線接続方式による通信を許可することが選択された場合に、前記再起動手段は前記再起動の処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記所定の無線接続方式による通信を停止する停止手段を更に有し、
前記決定手段により前記通信装置がクライアントとして動作すると決定され、前記判定手段により前記通信相手装置との接続が切断されたと判定された場合であって、さらに、前記選択手段により前記所定の無線接続方式による通信を許可しないことが選択された場合に、前記停止手段は前記所定の無線接続方式による通信を停止することを特徴とする請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記所定の無線接続方式による接続のイベントを検知する検知手段を更に有し、
前記判定手段は、前記検知手段により検知された前記接続のイベントが切断イベントである場合に、前記通信相手装置との接続が切断したと判定することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記再起動の処理には、クライアントとして動作するための処理を停止するための処理が含まれることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記再起動の処理には、前記所定の無線接続方式により通信可能な他の通信装置を検出するための処理が含まれることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記所定の無線接続方式は、Wi-Fi Directに準拠する無線接続方式であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
所定の無線接続方式による通信方法であって、
通信装置と通信相手装置のどちらがアクセスポイントとして動作するか、クライアントとして動作するかを決定する決定工程と、
前記決定工程による決定に基づいて、前記通信装置と前記通信相手装置とを前記所定の無線接続方式によって接続する接続工程と、
前記接続工程による接続が切断したか否かを判定する判定工程と、
前記決定工程において前記通信装置がクライアントとして動作すると決定され、前記判定工程において前記接続が切断されたと判定された場合に、前記接続工程によって接続された前記通信相手装置との通信において使われたIPアドレスの使用を停止し、前記通信装置を、前記所定の無線接続方式により通信可能な状態にさせるための再起動の処理を行う再起動工程と、
を有することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項９】
コンピュータを、請求項１から７のいずれか１項に記載の通信装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するための一手段として、本発明の通信装置は以下の構成を有する。すなわち、所定の無線接続方式により通信可能な通信装置であって、通信相手装置との間で、前記通信装置と前記通信相手装置のどちらがアクセスポイントとして動作するか、クライアントとして動作するかを決定する決定手段と、前記決定手段による決定に基づいて、前記通信相手装置と前記所定の無線接続方式によって接続する接続手段と、前記接続手段による接続が切断したか否かを判定する判定手段と、前記接続手段によって接続された前記通信相手装置との通信において使われたIPアドレスの使用を停止し、前記通信装置を、前記所定の無線接続方式により通信可能な状態にさせるための再起動の処理を行う再起動手段と、を有し、前記決定手段により前記通信装置がクライアントとして動作すると決定され、前記判定手段により前記接続が切断されたと判定された場合に、前記再起動手段は前記再起動の処理を行う。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月7日(2019.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
証明書を用いて通信相手装置とセキュアな無線通信が可能な通信装置であって、
前記通信装置において、前記通信相手装置との直接的な無線接続のために使用される通信チャネルを決定する役割として動作する第１モードが有効化されているか、または、前記通信相手装置との直接的な無線接続のために使用される通信チャネルを決定する役割として動作するか否かを決定する役割決定処理を実行する第２モードが有効化されているかを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記第１モードが有効化されていると判定された場合、前記通信相手装置と接続される前に証明書の生成処理を実行し、前記第２モードが有効化されていると判定された場合、前記役割決定処理の実行前に前記通信装置に保持されていた証明書を取得する制御手段と
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記通信装置は、Ｗｉ−Ｆｉ  Ｄｉｒｅｃｔによる無線通信が可能であり、
前記第１モードは、Ａｕｔｏｎｏｍｏｕｓ  ＧＯモードであり、
前記第２モードは、ＧＯ  Ｎｅｇｏｔｉａｔｉｏｎモードである
ことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
証明書を用いて通信相手装置とセキュアな無線通信が可能な通信装置であって、
前記通信装置において、前記通信相手装置との直接的な無線接続のために使用される通信チャネルを決定する役割として動作する第１モードが有効化されているか、または、前記通信相手装置との直接的な無線接続のために使用される通信チャネルを決定する役割として動作するか否かを決定する役割決定処理を実行する第２モードが有効化されているかを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記第１モードが有効化されていると判定された場合、第１の暗号化方式を用いて生成された証明書を利用し、前記第２モードが有効化されていると判定された場合、前記第１の暗号化方式よりも証明書の生成処理の負荷が低い第２の暗号化方式を用いて生成された証明書を利用する制御手段と
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項４】
前記第１の暗号化方式は、ＲＳＡ暗号であり、
前記第２の暗号化方式は、楕円曲線暗号である
ことを特徴とする請求項３に記載の通信装置。
【請求項５】
前記通信装置は、Ｗｉ−Ｆｉ  Ｄｉｒｅｃｔによる通信が可能であり、
前記第１モードは、Ａｕｔｏｎｏｍｏｕｓ  ＧＯモードであり、
前記第２モードは、ＧＯ  Ｎｅｇｏｔｉａｔｉｏｎモードである
ことを特徴とする請求項３または４に記載の通信装置。
【請求項６】
暗号化方式に対応した鍵情報を生成する手段と、
前記鍵情報を保持する手段と、
を更に有することを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記鍵情報は、公開鍵とプライベート鍵の対からなることを特徴とする請求項６に記載の通信装置。
【請求項８】
前記無線通信における接続の設定情報を保持する保持手段を更に有し、
前記判定手段は、前記保持手段にて保持された設定情報に基づいて判定を行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の通信装置。
【請求項９】
証明書を記憶する記憶手段を更に有し、
前記制御手段は、前記生成処理において、前記記憶手段にて記憶された証明書にて指定された設定情報と、前記保持手段にて保持された設定情報とが異なる場合に、新たな証明書を生成させることを特徴とする請求項８に記載の通信装置。
【請求項１０】
証明書を用いて通信相手装置とセキュアな無線通信が可能な通信装置における通信方法であって、
前記通信装置において、前記通信相手装置との直接的な無線接続のために使用される通信チャネルを決定する役割として動作する第１モードが有効化されているか、または、前記通信相手装置との直接的な無線接続のために使用される通信チャネルを決定する役割として動作するか否かを決定する役割決定処理を実行する第２モードが有効化されているかを判定する判定工程と、
前記判定工程にて前記第１モードが有効化されていると判定された場合、前記通信相手装置と接続される前に証明書の生成処理を実行し、前記第２モードが有効化されていると判定された場合、前記役割決定処理の実行前に前記通信装置に保持されていた証明書を取得する制御工程と
を有することを特徴とする通信方法。
【請求項１１】
証明書を用いて通信相手装置とセキュアな無線通信が可能な通信装置における通信方法であって、
前記通信装置において、前記通信相手装置との直接的な無線接続のために使用される通信チャネルを決定する役割として動作する第１モードが有効化されているか、または、前記通信相手装置との直接的な無線接続のために使用される通信チャネルを決定する役割として動作するか否かを決定する役割決定処理を実行する第２モードが有効化されているかを判定する判定工程と、
前記判定工程にて前記第１モードが有効化されていると判定された場合、第１の暗号化方式を用いて生成された証明書を利用し、前記第２モードが有効化されていると判定された場合、前記第１の暗号化方式よりも証明書の生成処理の負荷が低い第２の暗号化方式を用いて生成された証明書を利用する制御工程と
を有することを特徴とする通信方法。
【請求項１２】
コンピューターを、
前記コンピューターにおいて、通信相手装置との直接的な無線接続のために使用される通信チャネルを決定する役割として動作する第１モードが有効化されているか、または、前記通信相手装置との直接的な無線接続のために使用される通信チャネルを決定する役割として動作するか否かを決定する役割決定処理を実行する第２モードが有効化されているかを判定する判定手段、
前記判定手段により前記第１モードが有効化されていると判定された場合、前記通信相手装置と接続される前に証明書の生成処理を実行し、前記第２モードが有効化されていると判定された場合、前記役割決定処理の実行前に前記コンピューターに保持されていた証明書を取得する制御手段
として機能させるためのプログラム。
【請求項１３】
コンピューターを、
前記コンピューターにおいて、通信相手装置との直接的な無線接続のために使用される通信チャネルを決定する役割として動作する第１モードが有効化されているか、または、前記通信相手装置との直接的な無線接続のために使用される通信チャネルを決定する役割として動作するか否かを決定する役割決定処理を実行する第２モードが有効化されているかを判定する判定手段、
前記判定手段により前記第１モードが有効化されていると判定された場合、第１の暗号化方式を用いて生成された証明書を利用し、前記第２モードが有効化されていると判定された場合、前記第１の暗号化方式よりも証明書の生成処理の負荷が低い第２の暗号化方式を用いて生成された証明書を利用する制御手段
として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月7日(2019.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置を介して第１の通信相手装置と接続するための第１の無線接続と、前記外部装置を介さずに第２の通信相手装置と直接的に接続するための第２の無線接続とを並行して確立可能な通信装置であって、
前記第１の通信相手装置への無線接続と前記第２の通信相手装置への無線接続とが並行して確立している際に、前記第１の通信相手装置との無線接続が切断され、かつ、通信設定の変更がなく、かつ、前記第１の通信相手装置と再接続する場合において、前記第２の無線接続にて用いられている通信プロトコルに応じて、前記２の通信相手装置に対し所定のコマンドの通知を行うか否かを制御する制御手段を有し、
無線接続にて用いられる設定値の重複への対策が必要な第１の通信プロトコルが用いられている場合、前記第２の通信相手装置に対し前記所定のコマンドの通知が行われ、
無線接続にて用いられる設定値の重複への対策が不要な第２の通信プロトコルが用いられている場合には、前記第２の通信相手装置に対し前記所定のコマンド通信の通知が行われないことを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記第２の通信プロトコルが使用されている場合、前記通信装置からコマンドが発行される度に問合せパケットが前記第２の通信相手装置により前記通信装置に対して送信されることを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記通信設定の変更があり、かつ、前記第２の通信プロトコルが用いられている場合には、前記第２の通信相手装置との接続を切断した上で、前記第１および第２の通信相手装置に対し前記所定のコマンドの通知を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記第１の通信プロトコルは、Ｂｏｎｊｏｕｒプロトコルであることを特徴とする請求項２または３に記載の通信装置。
【請求項５】
前記第２の通信プロトコルは、ＷＳＤ（Ｗｉｎｄｏｗｓ  Ｓｅｒｖｉｃｅ  Ｄｉｓｃｏｖｅｒｙ）であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記通信設定は、インフラストラクチャモード及びピアツーピアモードで共通して用いられる設定であることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記通信設定は、ＩＰアドレスであることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか一項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記所定のコマンドは、Ｂｙｅコマンドであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の通信装置。
【請求項９】
外部装置を介して第１の通信相手装置と接続するための第１の無線接続と、前記外部装置を介さずに第２の通信相手装置と直接的に接続するための第２の無線接続とを並行して確立可能な通信装置における通信方法であって、
前記第１の通信相手装置への無線接続と前記第２の通信相手装置への無線接続とが並行して確立している際に、前記第１の通信相手装置との無線接続が切断され、かつ、通信設定の変更がなく、かつ、前記第１の通信相手装置と再接続する場合において、前記第２の無線接続にて用いられている通信プロトコルに応じて、前記２の通信相手装置に対し所定のコマンドの通知を行うか否かを制御し、
無線接続にて用いられる設定値の重複への対策が必要な第１の通信プロトコルが用いられている場合、前記第２の通信相手装置に対し前記所定のコマンドの通知が行われ、
無線接続にて用いられる設定値の重複への対策が不要な第２の通信プロトコルが用いられている場合には、前記第２の通信相手装置に対し前記所定のコマンド通信の通知が行われないことを特徴とする通信方法。
【請求項１０】
コンピュータを、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の手段として機能させるための前記コンピュータが読み取り可能なプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本願発明は以下の構成を有する。すなわち、外部装置を介して第１の通信相手装置と接続するための第１の無線接続と、前記外部装置を介さずに第２の通信相手装置と直接的に接続するための第２の無線接続とを並行して確立可能な通信装置であって、前記第１の通信相手装置への無線接続と前記第２の通信相手装置への無線接続とが並行して確立している際に、前記第１の通信相手装置との無線接続が切断され、かつ、通信設定の変更がなく、かつ、前記第１の通信相手装置と再接続する場合において、前記第２の無線接続にて用いられている通信プロトコルに応じて、前記２の通信相手装置に対し所定のコマンドの通知を行うか否かを制御する制御手段を有し、無線接続にて用いられる設定値の重複への対策が必要な第１の通信プロトコルが用いられている場合、前記第２の通信相手装置に対し前記所定のコマンドの通知が行われ、無線接続にて用いられる設定値の重複への対策が不要な第２の通信プロトコルが用いられている場合には、前記第２の通信相手装置に対し前記所定のコマンド通信の通知が行われない。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月18日(2018.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
このような構造とされた上板ばね４０は、外周端部が固定子１４の上面に重ね合わされて固定されていると共に、内周端部が可動子１６の内周端部の上面に重ね合わされて固定されている。一方、上板ばね４０と同じ構造とされた下板ばね４２は、外周端部が固定子１４の下面に重ね合わされて固定されていると共に、内周端部が可動子１６の内周端部の下面に重ね合わされて固定されている。これにより、上下の板ばね４０，４２が固定子１４および可動子１６を挟んで軸方向の両外側に相互に離れて配置されており、固定子１４の上端部と可動子１６の上端部が上板ばね４０によって相互に連結されていると共に、固定子１４の下端部と可動子１６の下端部が下板ばね４２によって相互に連結されている。なお、上下の板ばね４０，４２は、固定子１４および可動子１６に接触状態で重ね合わされることから、非磁性材料で形成されていることが望ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
しかも、複数のスペーサ部８８と、それらが挿入される第一貫通孔４６の外周部分および第二貫通孔４８は、それぞれ略同一形状とされていると共に、周方向で等間隔に並んで配置されていることから、特定のスペーサ部８８と特定の貫通孔４６，４８を周方向で相互に位置合わせする必要がなく、スペーサ部８８を貫通孔４６，４８へ挿入し易くなっている。しかも、固定子１４と可動子１６の隙間３８の大きさが、周方向で等間隔に挿入される相互に同一形状のスペーサ部８８によって設定されることから、固定子１４と可動子１６の隙間３８をより安定して設定することが可能になる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
１０：電磁式アクチュエータ、１２：能動型制振器、１４：固定子、１６：可動子、３８：隙間、４０：上板ばね（板ばね）、４２：下板ばね（板ばね）、４６：第一貫通孔（貫通孔）、４８：第二貫通孔（貫通孔）、５２：弾性連結ゴム、８６，１１０，１２０：スペーサ治具、９０：挿入規定部、８８，１１２，１２２：スペーサ部、１００：板ばね、１０２：貫通孔
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月22日(2019.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒層を含む電池カソードであって、
前記触媒層は、炭素触媒を含み、厚みが１５μｍ以上であり、電極面積１ｃｍ２あたりのコンダクタンスが１００Ｓ超、３５０Ｓ未満である
ことを特徴とする電池カソード。
【請求項２】
前記触媒層は、ＥＷ値が３００以上、１０００以下の電解質材料をさらに含む
ことを特徴とする請求項１に記載の電池カソード。
【請求項３】
前記触媒層は、電解質材料をさらに含み、
前記触媒層に含まれる前記炭素触媒の重量と前記電解質材料の重量との合計に対する、前記電解質材料の重量の割合が、２０％以上、５０％未満である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電池カソード。
【請求項４】
前記炭素触媒は、白金以外の金属を含む
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電池カソード。
【請求項５】
燃料電池カソードである
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電池カソード。
【請求項６】
電池カソードにおける触媒層の形成に使用される、炭素触媒を含む組成物であって、
厚みが１５μｍ以上であり、電極面積１ｃｍ２あたりのコンダクタンスが１００Ｓ超、３５０Ｓ未満である前記触媒層の形成に使用される
ことを特徴とする電池カソード触媒層用組成物。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれかに記載の電池カソードを含む
ことを特徴とする電池。
【請求項８】
燃料電池である
ことを特徴とする請求項７に記載の電池。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月28日(2019.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出するノズルが形成されたノズル板と、
前記ノズル板と接合されて前記ノズルに連通する加圧液室となる長尺な貫通孔部が形成された基板と、
前記基板に対して前記ノズル板とは反対側に接合されて前記加圧液室の壁部を構成する振動板と、
前記振動板上に形成された電気機械変換素子を連続的に変位させて該振動板を振動させることにより前記加圧液室内の液体を前記ノズルから吐出させる吐出駆動手段とを備え、
前記電気機械変換素子が、前記振動板上に直接又は間接的に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に直接又は間接的に形成された電気機械変換膜と、前記電気機械変換膜上に直接又は間接的に形成された第２の電極とを備えている液体吐出ヘッドにおいて、
前記電気機械変換膜は、（１００）面が優先的に配向した多結晶膜であり、かつ、前記電気機械変換膜に対するＸ線回折法のθ−２θ測定で得られる（２００）面又は（４００）面に由来する回折ピークをピーク分離して得られる複数の分離回折ピークのうち、正方晶のａドメイン構造とｃドメイン構造とにそれぞれ帰属する２つの分離回折ピークの面積をＳａ及びＳｃとしたときの比率Ｓｃ／（Ｓａ＋Ｓｃ）について、前記θ−２θ測定でＸ線の入射面が前記加圧液室の長尺方向に平行となるように測定したときの前記比率である長尺方向比率と、Ｘ線の入射面が前記長尺方向に対して直交する短尺方向に平行となるように測定したときの前記比率である短尺方向比率とが異なることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載の液体吐出ヘッドにおいて、
前記長尺方向比率が前記短尺方向比率よりも小さいことを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項３】
液体を吐出するノズルが形成されたノズル板と、
前記ノズル板と接合されて前記ノズルに連通する加圧液室となる長尺な貫通孔部が形成された基板と、
前記基板に対して前記ノズル板とは反対側に接合されて前記加圧液室の壁部を構成する振動板と、
前記振動板上に形成された電気機械変換素子を連続的に変位させて該振動板を振動させることにより前記加圧液室内の液体を前記ノズルから吐出させる吐出駆動手段とを備え、
前記電気機械変換素子が、前記振動板上に直接又は間接的に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に直接又は間接的に形成された電気機械変換膜と、前記電気機械変換膜上に直接又は間接的に形成された第２の電極とを備えている液体吐出ヘッドにおいて、
前記電気機械変換膜は、（１００）面が優先的に配向した多結晶膜であり、かつ、前記電気機械変換膜に対するＸ線回折法のθ−２θ測定で得られる（２００）面又は（４００）面に由来する回折ピークをピーク分離して得られる複数の分離回折ピークのうち、正方晶のａドメイン構造とｃドメイン構造とにそれぞれ帰属する２つの分離回折ピークの面積をＳａ及びＳｃとし、菱面体晶、斜方晶及び疑立法晶のいずれかの構造に帰属する分離回折ピークの面積をＳｂとしたときの比率Ｓｃ／（Ｓａ＋Ｓｃ＋Ｓｂ）について、前記θ−２θ測定でＸ線の入射面が前記加圧液室の長尺方向に平行となるように測定したときの前記比率である長尺方向比率と、Ｘ線の入射面が前記長尺方向に対して直交する短尺方向に平行となるように測定したときの前記比率である短尺方向比率とが異なることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項４】
請求項３に記載の液体吐出ヘッドにおいて、
前記長尺方向比率が前記短尺方向比率よりも小さいことを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドにおいて、
前記電気機械変換膜は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）により形成されており、該電気機械変換膜におけるＺｒおよびＴｉの膜中の組成比率Ｔｉ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が、４５％以上５５％以下であることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドにおいて、
前記電気機械変換膜は、前記振動板上に形成されている状態で、該電気機械変換膜の（２００）面に由来する回折ピークの位置（２θ）が４４．５０°以上４４．８０°以下であり、かつ（２００）面又は（４００）面に由来する回折ピークの形状が非対称であることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドにおいて、
前記加圧液室の短尺方向長さＬｘが５０μｍ以上７０μｍ以下であり、
前記加圧液室の長尺方向長さＬｙと前記短尺方向長さＬｘとの比率Ｌｙ／Ｌｘが１０以上であることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかの１項に記載の液体吐出ヘッドにおいて、
前記電気機械変換膜と前記第１の電極との間にチタン酸鉛（ＰＴ）からなるシード層を有することを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかの１項に記載の液体吐出ヘッドにおいて、
前記振動板が複数の層からなり、内部応力が圧縮応力となる圧縮膜であることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項１０】
請求項９に記載の液体吐出ヘッドにおいて、
前記圧縮膜が前記複数の層として、ＳｉＯ＿「２」＿層とＳｉ層とを備えることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項１１】
請求項１０に記載の液体吐出ヘッドにおいて、
前記圧縮膜が前記複数の層として、ＳｉＯ＿「２」＿層とＳｉ層とを複数交互に積層された構成であることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項１２】
駆動信号に基づいて吐出孔から液体を吐出させる液体吐出ヘッドと、少なくとも１つの外部部品とを一体化した液体吐出ユニットにおいて、
前記液体吐出ヘッドとして、請求項１乃至１１のいずれかの１項に記載の液体吐出ヘッドを用いたことを特徴とする液体吐出ユニット。
【請求項１３】
請求項１２に記載の液体吐出ユニットにおいて、
前記外部部品は、前記液体吐出ヘッドに供給する液体を貯留するヘッドタンク、前記液体吐出ヘッドを搭載するキャリッジ、前記液体吐出ヘッドに液体を供給する供給機構、前記液体吐出ヘッドの維持回復を行う維持回復機構、前記液体吐出ヘッドを移動させる移動機構の少なくとも１つであることを特徴とする液体吐出ユニット。
【請求項１４】
駆動信号に基づいて吐出孔から液体を吐出させる液体吐出ヘッドを備えた液体を吐出する装置において、
前記液体吐出ヘッドとして、請求項１乃至１１のいずれかの１項に記載の液体吐出ヘッドを用いたことを特徴とする液体を吐出する装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月17日(2019.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】複合酸化物半導体、トランジスタ、及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域と、第２の領域と、を有する複合酸化物半導体であって、
前記第１の領域は、インジウム、亜鉛及び元素Ｍ（元素Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｙ、またはＳｎのいずれか一つ、または複数）を含み、
前記第２の領域は、インジウム、亜鉛及び元素Ｍ（元素Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｙ、またはＳｎのいずれか一つ、または複数）を含み、
前記第１の領域の前記インジウムの濃度は、前記第２の領域の前記インジウムの濃度よりも高く、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、それぞれ、径が０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、またはその近傍であり、
前記第１の領域と前記第２の領域とが、混合して配置される、複合酸化物半導体。
【請求項２】
第１の領域と、第２の領域と、を有する複合酸化物半導体であって、
前記第１の領域は、インジウム、亜鉛及び元素Ｍ（元素Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｙ、またはＳｎのいずれか一つ、または複数）を含み、
前記第２の領域は、インジウム、亜鉛及び元素Ｍ（元素Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｙ、またはＳｎのいずれか一つ、または複数）を含み、
前記第１の領域の前記元素Ｍに対する前記インジウムの原子数比は、前記第２の領域の前記元素Ｍに対する前記インジウムの原子数比よりも大きく、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、それぞれ、径が０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、またはその近傍であり、
前記第１の領域と前記第２の領域とが、混合して配置される、複合酸化物半導体。
【請求項３】
第１の領域と、第２の領域と、を有する複合酸化物半導体であって、
前記第１の領域は、インジウム、亜鉛及び元素Ｍ（元素Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｙ、またはＳｎのいずれか一つ、または複数）を含み、
前記第２の領域は、インジウム、亜鉛及び元素Ｍ（元素Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｙ、またはＳｎのいずれか一つ、または複数）を含み、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも前記インジウムが多い領域であり、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりも前記元素Ｍが多い領域であり、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、それぞれ、径が０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、またはその近傍であり、
前記第１の領域と前記第２の領域とが、混合して配置される、複合酸化物半導体。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の領域の前記元素Ｍ及び前記第２の領域の前記元素Ｍは、Ｇａである、複合酸化物半導体。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記複合酸化物半導体は、ナノビーム電子回折パターンにより、リング状の領域に複数のスポットが観察される領域を有する、複合酸化物半導体。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第２の領域の前記元素Ｍの濃度は、前記第２の領域の中心部から周辺部に向けて減少している、複合酸化物半導体。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、それぞれ、径が１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍である、複合酸化物半導体。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の領域と前記第２の領域とが、均一に分布している、複合酸化物半導体。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の領域と前記第２の領域とが、ランダムに分散している、複合酸化物半導体。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の前記複合酸化物半導体をチャネル領域に有する、トランジスタ。
【請求項１１】
請求項１０に記載の前記トランジスタが、画素に配置された、表示装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の前記トランジスタが、ゲートドライバに配置された、表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月21日(2018.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された樹脂層に、第１の領域と、前記第１の領域よりも膜厚の小さい第２の領域とを形成する第１の工程と、
前記第１の領域と重なるように、トランジスタを形成する第２の工程と、
前記第２の領域と重なるように、導電層を形成する第３の工程と、を有し、
前記第１の工程乃至前記第３の工程の後に、レーザを前記基板側から前記樹脂層へ照射し、
少なくとも前記トランジスタと前記基板とを分離する、半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に形成された樹脂層に、凹領域を形成する第１の工程と、
前記凹領域以外に、トランジスタを形成する第２の工程と、
前記凹領域と重なるように、導電層を形成する第３の工程と、を有し、
前記第１の工程乃至前記第３の工程の後に、レーザを前記基板側から前記樹脂層へ照射し、
少なくとも前記トランジスタと前記基板とを分離する、半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に形成された樹脂層に、凹領域を形成する第１の工程と、
前記樹脂層に接して、絶縁層を形成する第２の工程と、
前記凹領域以外に、トランジスタを形成する第３の工程と、
前記凹領域と重なるように、導電層を形成する第４の工程と、を有し、
前記第１の工程乃至前記第４の工程の後に、レーザを前記基板側から前記樹脂層へ照射し、
少なくとも前記トランジスタと前記基板とを分離する、半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記導電層は、ＦＰＣと電気的に接続される、半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記樹脂層は、前記トランジスタが形成された側の第１の面と、前記第１の面と反対側の第２の面とを有し、
前記第２の面に接着層を用いて、第２の基板を貼り合わせる工程を有する、半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記導電層は、酸化物導電層を有する、半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記導電層は、前記トランジスタが有するソース電極またはドレイン電極と同一の材料を有する、半導体装置の作製方法。
【請求項８】
樹脂層と重なる領域に配置された、トランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続された、表示素子と、
前記樹脂層と重ならない領域に配置された、導電層と、を有し、
前記樹脂層は、前記トランジスタが配置された側の第１の面と、前記第１の面と反対側の第２の面とを有し、
前記樹脂層の前記第２の面に接着層を介して貼り合わされた基板を有する、表示装置。
【請求項９】
樹脂層と重なる領域に配置された、トランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続された、表示素子と、
前記樹脂層と、前記トランジスタとの間に配置された、絶縁層と、
前記樹脂層と重ならない領域に配置された、導電層と、を有し、
前記樹脂層は、前記トランジスタが配置された側の第１の面と、前記第１の面と反対側の第２の面とを有し、
前記樹脂層の前記第２の面に接着層を介して貼り合わされた基板を有する、表示装置。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９において、
前記導電層は、ＦＰＣと電気的に接続される、表示装置。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する、表示装置。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一において、
前記トランジスタと重なる領域の前記樹脂層の厚さは、０．１μｍ以上３μｍ以下である、表示装置。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一において、
前記樹脂層の５％重量減少温度は、４００℃未満である、表示装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月17日(2019.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次元状に配された複数の画素を有する撮像装置であって、
前記複数の画素のうちの少なくとも一部の画素は、
半導体基板に設けられ、光電変換により生じた信号電荷を蓄積する第１導電型の第１の半導体領域をそれぞれが含み、平面視において、第１の方向に隣り合って配置された第１及び第２の光電変換部と、
前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部との間の前記半導体基板に設けられ、前記第１の半導体領域の信号電荷に対して第１のポテンシャル障壁を形成する第２の半導体領域からなる第１の分離部と、
前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部との間の前記半導体基板に設けられ、前記第１の半導体領域の信号電荷に対して前記第１のポテンシャル障壁よりも高い第２のポテンシャル障壁を形成するトレンチ分離からなる第２の分離部と、を有し、
前記第１の分離部と前記第２の分離部とは、平面視において、前記第１の方向と交差する第２の方向に隣り合って配置されている
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記少なくとも一部の画素は、２つの前記第２の分離部を含み、
２つの前記第２の分離部は、前記第２の方向に沿って前記第１の分離部を挟むように配置されている
ことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１の分離部は、平面視において、前記画素の中心部に配置されている
ことを特徴とする請求項１又は２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１の分離部は、画素領域における前記画素の場所に応じて、前記画素内における場所が定められている
ことを特徴とする請求項１又は２記載の撮像装置。
【請求項５】
平面視における前記第１の分離部の前記第２の方向における長さは、平面視における前記第２の分離部の前記第２の方向における長さ以下である
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
平面視における前記第２の分離部の前記第１の方向における幅は、平面視における前記第１の分離部の前記第１の方向における幅よりも狭い
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記少なくとも一部の画素は、隣り合う他の画素と前記第１の光電変換部との間に設けられた第３の分離部を更に有し、
前記第３の分離部の、前記第１の半導体領域の信号電荷に対するポテンシャル障壁は、前記第１のポテンシャル障壁よりも高い
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
平面視における前記第３の分離部の前記第１の方向における幅は、平面視における前記第１の分離部の前記第１の方向における幅よりも広い
ことを特徴とする請求項７記載の撮像装置。
【請求項９】
前記第３の分離部の少なくとも一部は、トレンチ分離により構成されている
ことを特徴とする請求項７又は８記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記第３の分離部は、前記半導体基板の第１の表面から、前記第１の半導体領域、前記第１の分離部及び前記第２の分離部が設けられた深さよりも深くに渡って設けられている
ことを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記第２の半導体領域は、第２導電型であり、
前記第３の分離部は、前記第２の半導体領域よりもキャリア濃度の高い前記第２導電型の第３の半導体領域を有する
ことを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記第２の半導体領域は、前記第１導電型であり、
前記第２の半導体領域のキャリア濃度は、前記第１の半導体領域のキャリア濃度よりも低い
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記第２の分離部の周囲に、前記第２の半導体領域よりもキャリア濃度の高い第２導電型の第４の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１４】
前記第２の分離部は、前記半導体基板に設けられたトレンチに、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン又は金属材料が埋め込まれてなる
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１５】
前記第１の分離部及び前記第２の分離部は、前記半導体基板の第１の表面から、前記第１の半導体領域が設けられた深さよりも深くに渡って設けられている
ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１６】
前記半導体基板は、第１の表面及び第２の表面を含み、
前記第１の分離部は、前記半導体基板の前記第１の表面から前記第２の表面に渡って設けられており、
前記第２の分離部は、前記半導体基板の前記第１の表面から前記第２の表面に渡る領域のうちの前記第１の表面側の一部分に設けられている
ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１７】
前記少なくとも一部の画素は、前記半導体基板の前記第１の表面側に、前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部に光を集光する１つのマイクロレンズを更に有する
ことを特徴とする請求項１５又は１６記載の撮像装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置から出力された信号を処理する信号処理部と、を有し、
前記信号処理部は、前記第１の光電変換部で生成された信号電荷に基づく第１の信号と、前記第２の光電変換部で生成された信号電荷に基づく第２の信号とに基づき、デフォーカス量を算出する
ことを特徴とする撮像システム。
【請求項１９】
前記信号処理部は、前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部で生成された信号電荷に基づく第３の信号に基づき、画像を生成する
ことを特徴とする請求項１８記載の撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一観点によれば、２次元状に配された複数の画素を有する撮像装置であって、前記複数の画素のうちの少なくとも一部の画素は、半導体基板に設けられ、光電変換により生じた信号電荷を蓄積する第１導電型の第１の半導体領域をそれぞれが含み、平面視において、第１の方向に隣り合って配置された第１及び第２の光電変換部と、前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部との間の前記半導体基板に設けられ、前記第１の半導体領域の信号電荷に対して第１のポテンシャル障壁を形成する第２の半導体領域からなる第１の分離部と、前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部との間の前記半導体基板に設けられ、前記第１の半導体領域の信号電荷に対して前記第１のポテンシャル障壁よりも高い第２のポテンシャル障壁を形成するトレンチ分離からなる第２の分離部と、を有し、前記第１の分離部と前記第２の分離部とは、平面視において、前記第１の方向と交差する第２の方向に隣り合って配置されている撮像装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月21日(2019.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下面に電極端子が形成された電子部品と、
前記電子部品の下方にあって、絶縁層と前記電極端子に接続された配線層とを含む配線構造体と、
前記配線構造体に設けられた枠状の配線シールド体と、
前記配線構造体の上面及び前記電子部品の側面を覆う封止樹脂と、
前記封止樹脂の側面を覆うとともに、前記電子部品の上面側を連続的に覆う素子シールド体と、を有し、
前記配線シールド体は前記素子シールド体と接続され、
前記配線シールド体は電磁シールドであり、
前記配線シールド体は、前記配線構造体の積層方向に積層された複数の枠状の金属部材からなり、
前記複数の枠状の金属部材の各々は、前記絶縁層を貫通する第１金属層と、前記配線層と同一層に設けられた第２金属層とを含み、
前記複数の金属部材の少なくとも一部は、前記第１金属層の側面及び前記第２金属層の側面が共に前記配線構造体から外側に露出するように配置され、
前記配線構造体から露出する前記第１金属層の側面及び前記第２金属層の側面は前記素子シールド体の側面と同一平面上に位置していること、を特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
下面に電極端子が形成された電子部品と、
前記電子部品の下方にあって、絶縁層と前記電極端子に接続された配線層とを含む配線構造体と、
前記配線構造体に設けられた複数の配線シールド体と、
前記配線構造体の上面及び前記電子部品の側面を覆う封止樹脂と、
前記封止樹脂の側面を覆うとともに、前記電子部品の上面側を連続的に覆う素子シールド体と、を有し、
前記複数の配線シールド体は前記素子シールド体と接続され、
前記複数の配線シールド体は電磁シールドであり、
前記複数の配線シールド体は、前記配線構造体の積層方向に各々貫通する柱状であり、
前記複数の配線シールド体は枠状に配置されており、
前記配線シールド体は、前記配線構造体を積層方向に積層された複数の金属部材からなり、
前記複数の金属部材の各々は、前記絶縁層を貫通する第１金属層と、前記配線層と同一層に設けられた第２金属層とを含み、
前記配線構造体から露出する前記第１金属層の側面及び前記第２金属層の側面は前記素子シールド体の側面と同一平面上に位置していること、を特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記配線シールド体は、前記配線構造体に向かって凹凸状に形成されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記素子シールド体は、前記封止樹脂の上面を覆う第１のシールド部と、前記封止樹脂の側面を覆い前記第１のシールド部と接続された第２のシールド部とを有し、
前記配線シールド体は、前記第２のシールド部に接続されたこと、
を特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記素子シールド体は、前記封止樹脂の上面を覆う第１のシールド部と、前記封止樹脂の側面を覆い前記第１のシールド部と接続された第２のシールド部と、前記封止樹脂に覆われた複数の電子部品のうちの少なくとも１つと他の電子部品と分離する第３のシールド部とを有し、
前記配線シールド体は、前記第２のシールド部の一部に接続された第１の配線シールド部と、前記第３のシールド部に接続された第２の配線シールド部とを含み、前記第１の配線シールド部と前記第２のシールド部とにより枠状に形成されたこと、を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一観点によれば、下面に電極端子が形成された電子部品と、前記電子部品の下方にあって、絶縁層と前記電極端子に接続された配線層とを含む配線構造体と、前記配線構造体に設けられた枠状の配線シールド体と、前記配線構造体の上面及び前記電子部品の側面を覆う封止樹脂と、前記封止樹脂の側面を覆うとともに、前記電子部品の上面側を連続的に覆う素子シールド体と、を有し、前記配線シールド体は前記素子シールド体と接続され、前記配線シールド体は電磁シールドであり、前記配線シールド体は、前記配線構造体の積層方向に積層された複数の枠状の金属部材からなり、前記複数の枠状の金属部材の各々は、前記絶縁層を貫通する第１金属層と、前記配線層と同一層に設けられた第２金属層とを含み、前記複数の金属部材の少なくとも一部は、前記第１金属層の側面及び前記第２金属層の側面が共に前記配線構造体から外側に露出するように配置され、前記配線構造体から露出する前記第１金属層の側面及び前記第２金属層の側面は前記素子シールド体の側面と同一平面上に位置している。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月7日(2018.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面に電極端子を有する半導体素子と、
矩形の板状であり、下面に開口して前記半導体素子を収容する収容凹部を有し、前記収容凹部の底面が前記収容凹部に収容された前記半導体素子の上面と熱的に接続された放熱体と、
前記放熱体の上面に接着剤を介して接続された放熱器と、
前記放熱体の前記下面と前記収容凹部の内側面と前記半導体素子の前記下面及び側面とを覆う封止樹脂と、
前記封止樹脂の下面に形成され、前記封止樹脂とは反対側に露出する外部端子を有し、前記半導体素子の電極端子と電気的に接続された配線層を備え、上面が前記封止樹脂により覆われた配線構造体と、を有し、
前記封止樹脂は、前記放熱体の下面から少なくとも前記半導体素子の上面と同一の高さまで前記放熱体の側面を覆う被覆部を有し、
前記放熱器の前記接着剤が接着される下面は前記放熱体の上面よりも大きく形成され、
前記放熱体の側面は、前記被覆部により覆われた下側面と、前記被覆部により覆われていない上側面とを含み、
前記接着剤は前記放熱体の上側面にまで延在して前記放熱器を接着していること、
を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記放熱体の上側面は外周部が断面矩形状に切り欠かれた段差部を有し、前記段差部の底面及び側面に前記接着剤が接着していること、を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記放熱体の上側面は前記被覆部の上面を覆う延出部を含み、前記放熱体の上側面と前記延出部の上面に前記接着剤が接着していること、を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体素子の上面と前記放熱体の前記収容凹部の前記底面との間に配設され、熱伝導性を有し、前記半導体素子と前記放熱体とを接続する接続部材を有すること、を特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
下面に電極端子を有する半導体素子と、
矩形の板状であり、下面に開口して前記半導体素子を収容する収容凹部を有し、前記収容凹部の底面が前記収容凹部に収容された前記半導体素子の上面と熱的に接続された放熱体と、
前記放熱体の前記下面と前記収容凹部の内側面と前記半導体素子の前記下面及び側面とを覆う封止樹脂と、
前記封止樹脂の下面に形成され、前記封止樹脂とは反対側に露出する外部端子を有し、前記半導体素子の電極端子と電気的に接続された配線層を備え、上面が前記封止樹脂により覆われた配線構造体と、を有し、
前記封止樹脂は、前記放熱体の下面から少なくとも前記半導体素子の上面と同一の高さまで前記放熱体の側面を覆う被覆部を有し、
前記放熱体の側面は、前記被覆部により覆われた下側面と、前記被覆部により覆われていない上側面とを含むこと、を特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体素子を該半導体素子の電極端子が設けられた面が露出されるように支持体に配置する工程と、
前記半導体素子の前記電極端子が設けられた面を覆うように封止樹脂を形成する工程と、
前記支持体を剥離する工程と、
前記支持体を剥離した面に、前記半導体素子を囲むように前記封止樹脂に凹部を形成する工程と、
めっき法により前記凹部に充填されるとともに前記半導体素子を覆うめっき層を形成し、前記めっき層をエッチングして放熱体を形成する工程と、
前記支持体を剥離した面と反対側の前記封止樹脂の表面に、絶縁層と配線層を含む配線構造体を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記放熱体を形成する工程は、
前記めっき層の上面に、所望の位置に開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
前記開口部から前記めっき層をエッチングして前記放熱体を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記レジスト層の開口部を、前記凹部の外側端部の位置と等しく形成し、前記めっき層をエッチングして前記封止樹脂を露出することにより、前記放熱体を形成すること、を特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記レジスト層の開口部を、前記凹部の外側端部よりも前記半導体素子側にオフセットして形成し、前記めっき層をエッチングして封止樹脂を露出することにより、中央部上面の高さと端部上面との高さとが異なる段差部を有する前記放熱体を形成すること、を特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記レジスト層の開口部を、前記凹部の外側端部の位置と等しく形成し、前記めっき層をエッチングして前記開口部における前記めっき層を所定の厚さにて残すことにより、前記封止樹脂の上面を覆う延出部を有する前記放熱体を形成すること、を特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記放熱体の上面に接着剤を介して放熱器を接続し、前記接着剤を前記放熱体の側面に接着する工程を有することを特徴とする請求項６〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一観点によれば、半導体装置は、下面に電極端子を有する半導体素子と、矩形の板状であり、下面に開口して前記半導体素子を収容する収容凹部を有し、前記収容凹部の底面が前記収容凹部に収容された前記半導体素子の上面と熱的に接続された放熱体と、前記放熱体の上面に接着剤を介して接続された放熱器と、前記放熱体の前記下面と前記収容凹部の内側面と前記半導体素子の前記下面及び側面とを覆う封止樹脂と、前記封止樹脂の下面に形成され、前記封止樹脂とは反対側に露出する外部端子を有し、前記半導体素子の電極端子と電気的に接続された配線層を備え、上面が前記封止樹脂により覆われた配線構造体と、を有し、前記封止樹脂は、前記放熱体の下面から少なくとも前記半導体素子の上面と同一の高さまで前記放熱体の側面を覆う被覆部を有し、前記放熱器の前記接着剤が接着される下面は前記放熱体の上面よりも大きく形成され、前記放熱体の側面は、前記被覆部により覆われた下側面と、前記被覆部により覆われていない上側面とを含み、前記接着剤は前記放熱体の上側面にまで延在して前記放熱器を接着している。