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【手続補正書】
【提出日】令和1年8月6日(2019.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１曲面と、第１平坦面と、を有する第１レンズ要素と、
第２曲面と、第２平坦面と、を有する第２レンズ要素と、
所定の波長領域に属する光の特性を変化させる略平坦なフィルター層と、を備え、
光の進行方向から順に、前記第１曲面、前記第１平坦面、前記フィルター層、前記第２平坦面、前記第２曲面が配置されるように、前記第１レンズ要素、前記第２レンズ要素、および前記フィルター層が一体化されたことを特徴とする光学レンズ。
【請求項２】
請求項１に記載の光学レンズにおいて、
前記フィルター層は、当該光学レンズの光軸に直交する面に対して略平行に位置していることを特徴とする光学レンズ。
【請求項３】
請求項２に記載の光学レンズにおいて、
前記第１曲面は、前記光の入射方向とは反対方向側に突出する凸面及び当該入射方向に凹む凹面のいずれかであり、
前記第２曲面は、前記光の入射方向に沿って突出する凸面及び当該入射方向とは反対方向側に凹む凹面のいずれかであることを特徴とする光学レンズ。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の光学レンズにおいて、
前記フィルター層は、入射された前記光のうち、所定の波長領域の光を低減させることを特徴とする光学レンズ。
【請求項５】
光源と、
前記複数の色光をそれぞれ変調する複数の光変調装置と、
前記複数の光変調装置により変調された光を投射する投射光学装置と、
前記光源と前記複数の光変調装置の少なくともいずれかとの間に配置される、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の光学レンズと、を備えることを特徴とするプロジェクター。
【請求項６】
請求項５に記載のプロジェクターにおいて、
前記光源から出射された光を複数の色光に分離する色分離装置と、
前記色分離装置によって分離された前記複数の色光のうち、対応する前記光変調装置までの光路長が最も長い光路長上に位置し、入射される色光を前記光変調装置に導くリレー光学装置と、を備え、
前記リレー光学装置は、前記光学レンズを有することを特徴とするプロジェクター。
【請求項７】
請求項６に記載のプロジェクターにおいて、
前記リレー光学装置は、前記光学レンズを含む複数のレンズを有し、
前記複数のレンズのうち前記光学レンズは、前記リレー光学装置における光線角度分布が最も小さい位置に配置されていることを特徴とするプロジェクター。
【請求項８】
第１曲面及び当該第１曲面とは反対側に位置する第１平坦面を有する第１レンズの当該第１平坦面に入射された光の光学特性を変化させるフィルター層を形成する形成工程と、
第２曲面及び当該第２曲面とは反対側に位置する第２平坦面を有する第２レンズの当該第２平坦面が、前記フィルター層を挟んで前記第１平坦面と対向する状態にて、前記第１レンズ及び前記第２レンズを一体化する固定工程と、を備えることを特徴とする光学レンズの製造方法。
【請求項９】
２つの基板のいずれか一方に入射された光の光学特性を変化させるフィルター層を形成する形成工程と、
前記フィルター層を挟んで前記２つの基板を接合する接合工程と、
前記２つの基板の外面の少なくとも一方を曲面状に加工する加工工程と、を備えることを特徴とする光学レンズの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月13日(2019.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像部の撮影範囲における被写体に対して互いに対応する、第１の位相差検出センサによる第１の測距エリアからの情報と、撮像素子にある第２の位相差検出センサによる第２の測距エリアからの情報とに基づいて焦点検出を行う焦点検出制御部を有する
撮像制御装置。
【請求項２】
前記第１の測距エリアと、前記第２の測距エリアとが重複している
請求項１に記載の撮像制御装置。
【請求項３】
一連のオートフォーカス制御の中で、前記第１の測距エリアからの情報および前記第２の測距エリアからの情報が出力される
請求項１又は２に記載の撮像制御装置。
【請求項４】
所定の条件に基づいて、前記第１の測距エリアからの情報および前記第２の測距エリアからの情報のいずれを使用するかを選択する選択部をさらに備える
請求項３に記載の撮像制御装置。
【請求項５】
前記選択部は、Ｆ値、ぼけの大きさおよびゲインの大きさの少なくとも一の条件に応じて前記情報を選択する
請求項４に記載の撮像制御装置。
【請求項６】
前記焦点検出制御部は、
前記撮影範囲に前記第１の測距エリアが存在するか否かに応じて、同期処理を行うか否かを判断する
請求項１から５までの何れかに記載の撮像制御装置。
【請求項７】
前記焦点検出制御部は、
前記撮影範囲において設定される設定エリアに前記第１の測距エリアが存在する場合に、前記同期処理を行う
請求項６に記載の撮像制御装置。
【請求項８】
前記同期処理は、前記第１の測距エリアからの情報と前記第２の測距エリアからの情報とを所定の条件に応じて対応付ける処理である
請求項７に記載の撮像制御装置。
【請求項９】
前記所定の条件は、前記第１の位相差検出センサの露光重心のタイミングと、前記第２の位相差検出センサの露光重心のタイミングとが一致または近似しているか否かである
請求項８に記載の撮像制御装置。
【請求項１０】
前記第１の位相差検出センサおよび前記第２の位相差検出センサは、同一方向の模様または直交する方向の模様を検出可能なラインセンサである
請求項１から９までの何れかに記載の撮像制御装置。
【請求項１１】
前記第１の位相差検出センサは、一対の２組のラインセンサが十字状に配置されたセンサである
請求項１から１０までの何れかに記載の撮像制御装置。
【請求項１２】
前記設定エリアは、ユーザにより設定されるエリアである
請求項７から９までの何れかに記載の撮像制御装置。
【請求項１３】
前記設定エリアは、モードに応じて設定されるエリアである
請求項７から９までの何れかに記載の撮像制御装置。
【請求項１４】
前記第１の位相差検出センサは、前記撮像素子とは異なる場所に設けられる
請求項１から１３までの何れか記載の撮像制御装置。
【請求項１５】
前記撮像部と、
前記第１の位相差検出センサと、
前記第２の位相差検出センサと
を備える
請求項１から１４までの何れかに記載の撮像制御装置。
【請求項１６】
焦点検出制御部が、撮像部の撮影範囲における被写体に対して互いに対応する、第１の位相差検出センサによる第１の測距エリアからの情報と、撮像素子にある第２の位相差検出センサによる第２の測距エリアからの情報とに基づいて焦点検出を行う
撮像制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
第１位相差検出用画素Ｐ１は受光素子１１１を有する。また、光の入射側には、マイクロレンズ１１２が設けられている。さらに、受光素子１１１とマイクロレンズ１１２の間には、瞳分割を行うため、入射する光を遮る遮光層１１３が設けられている。遮光層１１３は、受光素子１１１の中心に対して片側方向に偏心した開口部１１４を有するように構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
第２位相差検出用画素は受光素子１２１を有する。また、光の入射側には、マイクロレンズ１２２が設けられている。さらに、受光素子１２１とマイクロレンズ１２２の間には、瞳分割を行うため、入射する光を遮る遮光層１２３が設けられている。遮光層１２３は、受光素子の中心に対して片側方向に偏心した開口部１２４を有するように構成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
図１３に示すように、像面ＡＦセンサ１２Ｂの露光重心をタイミングｔ１２とすると、タイミングｔ１２に近い露光重心を有する専用位相差ＡＦセンサ１３の検波タイミングは、２回目の検波タイミング（露光重心のタイミングは、タイミングｔ１４である）ｔ４である。そこで、２回目の検波タイミングｔ４で得られるＤＦデータＤ１とＤＦデータＤ２とを対応付ける。対応付けられたＤＦデータＤ１、Ｄ２に対して上述した選択処理が行われる。なお、検波タイミングｔ４で得られるＤＦデータＤ１は、バッファ処理により少なくとも検波タイミングｔ２まではメモリに記憶される。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月18日(2019.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地図を描画する地図描画エンジンと、ナビゲーション機能を有する誘導エンジンとを備えた制御部と、前記地図を表示する表示部と、前記制御部に指示要求を行う入力部とを有する情報処理装置であって、
前記制御部は、
設定したルートに沿ってナビゲーションを実行中、当該ルートに沿って設定した２つ以上の案内ポイントを前記表示部にリスト表示させるとともに、
前記入力部による前記指示要求に基づき、予め設定した位置から、前記入力部によって要求された前記案内ポイントまで、前記地図の前記ルートに沿った進行方向へのスクロール表示を行うナビスクロール手段を備えたことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記ナビスクロール手段は、前記スクロール表示を強制終了し、現在位置が示された前記地図を前記表示部に表示する手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記ナビスクロール手段は、前記スクロール表示の後に、前記案内ポイントより現在位置の方向へ前記地図の前記ルートに沿った逆スクロール表示を行う手段を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記入力部は、前記表示部に表示されるボタンであり、
前記制御部は、
前記入力部による前記スクロール表示の要求後、前記スクロール表示を要求するための前記ボタンを、前記現在位置が示された前記地図の前記表示部への表示を要求するための前記ボタンに表示を変更するとともに、
当該スクロール表示後の前記表示部に、前記逆スクロール表示を要求するための前記ボタンを別途表示することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、ナビスクロール機能には、スクロール表示を強制終了し、現在位置Ｐを示す地図をディスプレイ１４１に表示する機能（表示する手段）が含まれている（図４，５に示す現在位置という表示のボタンＳ参照）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
ステップＳ９においてナビスクロールを中止する場合（ステップＳ９においてＹｅｓ）、ディスプレイ１４１に現在位置Ｐを示す地図を表示し（ステップＳ１０）、ステップＳ６に戻る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
ステップＳ１２において、次の案内ポイント（図４，５に示す○マーク参照）までスクロール要求を行わない場合（ステップＳ１２においてＮｏ）、ディスプレイ１４１に現在位置Ｐを示す地図を表示し（ステップＳ１０）、ステップＳ６に戻る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
ステップＳ１３においてナビスクロールを中止する場合（ステップＳ１３においてＹｅｓ）、ディスプレイ１４１に現在位置Ｐを示す地図を表示し（ステップＳ１０）、ステップＳ６に戻る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
ステップＳ９においてナビスクロールを中止する場合（ステップＳ９においてＹｅｓ）、ディスプレイ１４１に現在位置Ｐを示す地図を表示するか、逆スクロールを実施するかを選択する（ステップＳ２０）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
ステップＳ２０において現在位置Ｐの表示を選択すると（ステップＳ２０において現在位置）、ディスプレイ１４１に現在位置Ｐを示す地図を表示し（ステップＳ１０）、ステップＳ６に戻る。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
ステップＳ２０において逆スクロールの実施を選択すると（ステップＳ２０において逆スクロール）、逆スクロールを行う。そして、逆スクロールを中止する場合（ステップＳ２１においてＹｅｓ）、ディスプレイ１４１に現在位置Ｐを示す地図を表示し（ステップＳ１０）、ステップＳ６に戻る。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月13日(2019.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に配された複数の画素を備える固体撮像装置であって、
各画素は、前記半導体基板の上面に対する平面視において、
光電変換により生じた電荷を蓄積するための第１導電型の第１不純物領域と、
前記第１不純物領域から第１方向にずれた位置に形成され、光電変換により生じた電荷を蓄積するための前記第１導電型の第２不純物領域と、
前記第１不純物領域と前記第２不純物領域との間に形成された第２導電型の第３不純物領域と、
前記第３不純物領域から前記第１方向と交差する第２方向にずれた位置に形成された前記第１導電型の第４不純物領域と、
前記第１不純物領域と前記第４不純物領域との間に配され、前記第１不純物領域から前記第４不純物領域に電荷を転送するためのトランジスタの第１ゲート電極と、
前記第２不純物領域と前記第４不純物領域との間に配され、前記第２不純物領域から前記第４不純物領域に電荷を転送するためのトランジスタの第２ゲート電極と、
前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極との間かつ前記第３不純物領域と前記第４不純物領域との間に形成された前記第２導電型の第５不純物領域と、
を含み、
前記第５不純物領域の前記第２導電型の不純物の濃度は、前記第３不純物領域の前記第２導電型の不純物の濃度よりも高い
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第４不純物領域は、前記第２方向において、前記第１不純物領域および前記第２不純物領域の双方と重なるように形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
各画素は、前記平面視において、前記第１不純物領域の前記第２不純物領域に対して反対側に形成された第１部分と前記第２不純物領域の前記第１不純物領域に対して反対側に形成された第２部分とを含む第６不純物領域をさらに含み、
前記第３不純物領域の前記第２導電型の不純物の濃度は、前記第６不純物領域の前記第２導電型の不純物の濃度よりも低い
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
各画素は、前記平面視において、
前記第１不純物領域、前記第２不純物領域および前記第３不純物領域のそれぞれの前記第４不純物領域に対して反対側に形成された絶縁性の素子分離部と、
前記素子分離部と、前記第１不純物領域、前記第２不純物領域および前記第３不純物領域のそれぞれとの間に形成された前記第２導電型の第７不純物領域と、
をさらに含む
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記半導体基板の表面からの深さ方向における前記第５不純物領域の不純物濃度プロファイルと、前記深さ方向における前記第７不純物領域の不純物濃度プロファイルとは、互いに等しい
ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第５不純物領域は、その底面が、前記第４不純物領域の底面よりも深く且つ前記第１不純物領域および前記第２不純物領域の双方の底面よりも浅くなるように形成されている
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記半導体基板の表面からの深さ方向において、前記第５不純物領域の不純物濃度のピーク位置は、前記第１不純物領域の不純物濃度のピーク位置および前記第２不純物領域の不純物濃度のピーク位置の少なくとも一方と、前記第４不純物領域の不純物濃度のピーク位置との間に位置している
ことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第５不純物領域は、その底面が、前記第１不純物領域および前記第２不純物領域の双方の底面と同じ深さ又はそれよりも深くなるように形成されている
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記第５不純物領域は、前記半導体基板の表面からの深さ方向において、少なくとも前記第４不純物領域と同じ深さには設けられている
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第１不純物領域、前記第２不純物領域および前記第３不純物領域と、前記半導体基板の表面との間には、前記第２導電型の第８不純物領域が設けられており、
前記第８不純物領域の前記第２導電型の不純物の濃度は、前記第５不純物領域の前記第２導電型の不純物の濃度よりも高い
ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
半導体基板上に配された複数の画素を備える固体撮像装置であって、
各画素は、前記半導体基板の上面に対する平面視において、
光電変換により生じた電荷を蓄積するための第１導電型の第１不純物領域と、
前記第１不純物領域から第１方向にずれた位置に形成され、光電変換により生じた電荷を蓄積するための前記第１導電型の第２不純物領域と、
前記第１不純物領域と前記第２不純物領域との間に形成された第２導電型の第３不純物領域と、
前記第３不純物領域から前記第１方向と交差する第２方向にずれた位置に形成された前記第１導電型の第４不純物領域と、
前記第１不純物領域と前記第４不純物領域との間に配され、前記第１不純物領域から前記第４不純物領域に電荷を転送するためのトランジスタの第１ゲート電極と、
前記第２不純物領域と前記第４不純物領域との間に配され、前記第２不純物領域から前記第４不純物領域に電荷を転送するためのトランジスタの第２ゲート電極と、
前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極との間かつ前記第３不純物領域と前記第４不純物領域との間に形成された前記第２導電型の第５不純物領域と、
を含み、
前記第１不純物領域および前記第２不純物領域の双方に蓄積された電荷に対する前記第５不純物領域のポテンシャル障壁は、該電荷に対する前記第３不純物領域のポテンシャル障壁よりも高い
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、を備える
ことを特徴とするカメラ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月15日(2019.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁接着剤層と、該絶縁接着剤層に配置された導電粒子を含む異方導電性フィルムであって、
所定の粒子ピッチの導電粒子の配列軸が、異方導電性フィルムの略フィルム幅方向に延び、該配列軸が異方導電性フィルムの長手方向に所定の軸ピッチで連続的に配列しており、
異方導電性フィルムで接続する電子部品の端子配列領域と異方導電性フィルムとを、各端子の長手方向とフィルム幅方向が合うように重ねた場合に、各端子上に３個以上４０個以下の導電粒子が存在するように、配列軸における粒子ピッチ、配列軸の軸ピッチ、及び配列軸がフィルム幅方向となす角度（以下、配列軸の傾斜角という）が端子の外形に応じて定められている異方導電性フィルム。
【請求項２】
異方導電性フィルムで接続する電子部品が、配列ピッチの異なる複数の端子配列領域を有する場合に、配列軸における粒子ピッチ、配列軸の軸ピッチ、及び配列軸の傾斜角が、前記複数の端子配列領域に含まれる端子のうち幅もしくは面積が最小の端子の外形に応じて定められている請求項１記載の異方導電性フィルム。
【請求項３】
配列軸が、１つの端子に３個以上の導電粒子が存在し得る粒子ピッチと傾斜角を有し、各端子を３本以上の配列軸が横切る請求項１又は２記載の異方導電性フィルム。
【請求項４】
導電粒子配列領域が、異方導電性フィルムで接続する電子部品の端子配列領域の外形に対応して異方導電性フィルムの長手方向に複数列形成されている請求項１〜３のいずれかに記載の異方導電性フィルム。
【請求項５】
電子部品のアライメントマークの外形に対応した導電粒子配列領域が、異方導電性フィルムの長手方向に周期的に形成されている請求項１〜４のいずれかに記載の異方導電性フィルム。
【請求項６】
導電粒子の配列軸として、傾斜角が異なる複数種の配列軸が存在する請求項１〜５のいずれかに記載の異方導電性フィルム。
【請求項７】
絶縁接着剤層と、該絶縁接着剤層に配置された導電粒子を含む異方導電性フィルムであって、
任意に選択した、長さがフィルムの長手方向の５〜４００μｍ、幅がフィルム幅の領域において、導電粒子が３〜３２００個存在し、該領域において所定の粒子ピッチの導電粒子の配列軸が、異方導電性フィルムのフィルム幅方向と斜交し、該配列軸が異方導電性フィルムの長手方向に並列している異方導電性フィルム。
【請求項８】
導電粒子の配列軸として、異なる傾斜角の配列軸が存在する請求項７記載の異方導電性フィルム。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の異方導電性フィルムで第１電子部品と第２電子部品が異方導電性接続されている接続構造体。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれかに記載の異方導電性フィルムで第１電子部品と第２電子部品とを異方導電性接続する、接続構造体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明において、導通信頼性の点から、各端子に捕捉される導電粒子数ｎを３個以上にする。また、導通信頼性をより安定させるためには、この導電粒子数ｎを好ましくは５個以上、より好ましくは６個以上、更により好ましくは１０個以上にする。また、導電粒子の個数密度を過度に上げない点からｎを４０個以下とする。また、同様の理由で３５個以下が好ましく、３０個以下がより好ましく、２０個以下が更に好ましい。したがって、１ピッチ（Ｌ２＋Ｌ４）内に存在する粒子数（すなわちＬ１×（Ｌ２＋Ｌ４）の領域内における個数）の上限値はＬ2とＬ4の比率（所謂ラインアンドスペース（Ｌ/Ｓ））で定まり、４０×｛（Ｌ２＋Ｌ４）／Ｌ２｝個以下となる。従って、個数密度の上限は、４０×｛（Ｌ２＋Ｌ４）／Ｌ２｝個を、Ｌ１×（Ｌ２＋Ｌ４）の面積で除した値から求めることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
これに対し、異なるレイアウトの端子配列に対応させる領域ごとに導電粒子の配置を異ならせてもよいが、導電粒子の配列を設計する工数と導電粒子削減によるコストメリットを勘案した場合に、電子部品の端子レイアウトごとに配列を設計することが得策ではない。異なる端子レイアウトの電子部品を一つの異方導電性フィルムで賄うことで、異方導電性フィルムの品種の数を抑制し、コストメリットを引き出すことができる。上述のように導電粒子径Ｄの１〜３倍分の長さだけ端子配置の設計に余裕を持たせる場合にも、このような経済的な効果を期待することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
一方、ＣＯＧ接続する基板の電極端子の配置に対応させて、凸部が所定の配置密度の配列パターンを周期的に有する金型（実施例１〜１１）又は凸部が所定の配置密度でランダムな配置の金型（比較例１）又は電極端子内の位置にのみ導電粒子の配列パターンを有する金型（比較例２、バンプ形成領域内の導電粒子密度１８００個／ｍｍ2（バンプ１個当り導電粒子５個、バンプ幅１５μｍ及びバンプ間距離１３μｍで計２８μｍにバンプ長１００μｍを積算し、２８００μｍ２。これにバンプ個数１３００個を積算した面積がバンプ形成領域となる。（導電粒子５（個/バンプ）×バンプ個数１３００）／（２８００μｍ２×１３００）＝１８００個／ｍｍ２））を作成し、公知の透明性樹脂のペレットを溶融させた状態で該金型に流し込み、冷やして固めることで、凹部が格子状のパターンの樹脂型を形成した。この樹脂型の凹部に導電粒子（積水化学工業(株)、ＡＵＬ７０４、粒径４μｍ）を充填し、その上に上述の第２絶縁性樹脂層を被せ、６０℃、０．５ＭＰａで押圧することで貼着させた。そして、型から絶縁性樹脂を剥離し、第２絶縁性樹脂層の導電粒子が存在する側の界面に、第１絶縁性樹脂層を６０℃、０．５ＭＰａで積層することで、表２〜４に示す実施例及び比較例の異方導電性フィルムを製造した。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月16日(2019.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のメモリセルと、
前記第１のメモリセル上に設けられた第２のメモリセルと、を有し、
前記第１のメモリセルは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、を有し、
前記第２のメモリセルは、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第２の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の容量素子の電極の一方と、電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の容量素子の電極の一方と、電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方と、電気的に接続され、
前記第２のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタ及び前記第３のトランジスタのチャネル長方向と、前記第２のトランジスタ及び前記第４のトランジスタのチャネル長方向と、が略垂直である半導体装置。
【請求項２】
基板上に設けられた第１のメモリセルと、
前記第１のメモリセル上に設けられた第２のメモリセルと、を有し、
前記第１のメモリセルは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、を有し、
前記第２のメモリセルは、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第２の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の容量素子の電極の一方と、電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の容量素子の電極の一方と、電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第２のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタ及び前記第３のトランジスタはチャネル長方向が前記基板の上面に略垂直である半導体装置。
【請求項３】
基板上に設けられた第１のメモリセルと、
前記第１のメモリセル上に設けられた第２のメモリセルと、を有し、
前記第１のメモリセルは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、を有し、
前記第２のメモリセルは、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第２の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の容量素子の電極の一方と、電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の容量素子の電極の一方と、電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第２のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタ及び前記第３のトランジスタは、前記基板の上面に略垂直に伸長して設けられた半導体の一部を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記基板の上面に略垂直に伸長して設けられた前記半導体は多結晶シリコンである半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は４のいずれかにおいて、
前記基板の上面に略垂直に伸長して設けられた前記半導体は、円筒状である半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月7日(2019.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バックプレーンであって、
前記バックプレーンの出力面上に配置されている複数の出力端子、
オプトカプラアクティブマトリクスアレイであって、
それぞれ前記バックプレーンの入力端子と前記出力端子との間に結合されている薄膜ソリッドステート光スイッチであって、前記光スイッチおよび前記出力端子はアレイ状に配置されている、薄膜ソリッドステート光スイッチ、および
それぞれ前記出力端子に結合されている蓄積容量
を備える、オプトカプラアクティブマトリクスアレイ
を備える、バックプレーンと、
前記光スイッチを制御するピクセル化光を提供するように構成されているピクセル化光源と
を備える、デバイス。
【請求項２】
前記ピクセル化光源は、
光ビームを提供するように構成されている少なくとも１つの光生成デバイスと、
少なくとも１つのミラーと、
前記ミラーの少なくとも２つの寸法に沿った運動を可能にするように構成されている運動機構と
を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記ピクセル化光源は複数の光生成デバイスを含み、前記複数の光生成デバイスの各々は、前記光スイッチの少なくとも１つを制御するように配置されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記ピクセル化光源は、
少なくとも１つの光生成デバイスと、
複数の回転可能なマイクロミラーを備えるマイクロミラーアレイと
を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記ピクセル化光源はフラットパネルディスプレイを含み、前記フラットパネルディスプレイの各ピクセルは、前記アクティブマトリクスアレイのピクセルに対応する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記光スイッチはピクセルグループ内に配置され、各ピクセルグループは、少なくとも、第１の入力に結合されている第１の光スイッチおよび第２の入力に結合されている第２の光スイッチであって、前記第１の光スイッチおよび前記第２の光スイッチは共通の出力端子に接続されている、第１の光スイッチおよび第２の光スイッチと、
前記ピクセル化光源と前記第１の光スイッチとの間に配置されている第１の通過帯域色を有する第１の光フィルタと、
前記ピクセル化光源と前記第２の光スイッチとの間に配置されている第２の通過帯域色を有する第２の光フィルタとを含み、
前記ピクセル化光源は、前記第１の色を放出することによって前記第１の光スイッチを起動し、前記第２の色を放出することによって前記第２の光スイッチを起動するように構成されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
バックプレーン、電圧源、及びアクティブマトリクスアレイ を備えるデバイスであり、
前記バックプレーンは、
少なくとも１つの入力端子と、
前記バックプレーンの出力面上にアレイ状に配置されている複数の出力端子と、を備え、
前記電圧源は、前記少なくとも１つの入力端子に結合され、且つ、前記少なくとも１つの入力端子において時間的に変化する入力電圧を提供するように構成されており、
前記アクティブマトリクスアレイは、前記時間的に変化する入力電圧に基づいて前記出力に複数の電圧レベルを提供するように構成されており、それぞれ前記少なくとも１つの入力端子と前記出力端子との間に結合されている薄膜ソリッドステート光スイッチを備え、各光スイッチは、
側方に延伸する感光性材料の層と、
前記感光性材料の層に沿って互いから側方に離間されている第１の電極および第２の電極であって、前記第１の電極および第２の電極はそれぞれ第１の接合部および第２の接合部において前記感光性材料に接している、第１の電極および第２の電極と、
少なくとも１つの絶縁体領域によって前記感光性材料から分離されており、前記感光性材料の層に沿って側方に、前記第１の接合部および前記第２の接合部を越えて延伸している少なくとも１つのフィールドプレートであって、前記少なくとも１つのフィールドプレートは前記第１の電極または前記第２の電極に電気的に接続されている、少なくとも１つのフィールドプレートと
を備える、デバイス。
【請求項８】
前記出力端子の各々に結合されている蓄積容量をさらに備える、請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記光スイッチはピクセルグループ内に配置されており、各ピクセルグループは、デジタル入力信号をアナログ出力信号に変換するように配置されている、請求項７に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月7日(2019.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、角柱状の絶縁体と、複数の、直列に接続された複数のトランジスタを有するメモリセルストリングと、を有し、
前記角柱状の絶縁体は、前記基板上に配置され、
前記複数のメモリセルストリングは、前記角柱状の絶縁体の側面に配置される半導体装置。
【請求項２】
基板と、絶縁体と、第１乃至第２ｎトランジスタを有するメモリセルストリングと、を有し（ｎは２以上の整数）、
前記絶縁体は、前記基板上に配置され、
前記メモリセルストリングは、前記絶縁体の側面に配置され、前記第１乃至第ｎトランジスタのそれぞれのチャネル長方向は、基板の上面に対する垂直方向と平行であり、前記第１乃至第ｎトランジスタはそれぞれ直列に接続される半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記第ｎ＋１乃至第２ｎトランジスタのそれぞれのチャネル長方向は、基板の上面に対する垂直方向と平行であり、前記第ｎ＋１乃至第２ｎトランジスタはそれぞれ直列に接続される半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記第１乃至第ｎトランジスタと、前記第ｎ＋１乃至第２ｎトランジスタが直列に接続される半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
さらに前記基板に配置された第２ｎ＋１のトランジスタと、第２ｎ＋２のトランジスタと、を有し、
前記第２ｎ＋１のトランジスタのソース端子は、前記メモリセルストリングの第１の端子と電気的に接続され、
前記第２ｎ＋２のトランジスタのドレイン端子は、前記メモリセルストリングの第２の端子と電気的に接続される半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月17日(2019.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、第２の電極と、第１の層とを有する発光素子であって、
前記第１の層は有機化合物を含む層であり、
前記第１の層は第２の層を有し、
前記第２の層は蛍光発光物質と、第１の有機化合物と、第２の有機化合物とを含み、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物は、励起錯体を形成する組み合わせであり、
前記第１の有機化合物は、ベンゾフロピリミジン骨格又はベンゾチエノピリミジン骨格を含む第１の骨格を有する物質である発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の有機化合物がさらにカルバゾール骨格又はジベンゾチオフェン骨格を含む第２の骨格を有する物質である発光素子。
【請求項３】
請求項７において、
前記第１の有機化合物が、
前記第１の骨格と、前記第２の骨格とが、２価の連結基によって接続されている物質である発光素子。
【請求項４】
請求項３において、前記第１の骨格がベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン骨格又はベンゾチエノ［３，２−ｄ］ピリミジン骨格であり、当該第１の骨格の４位が前記連結基に結合している発光素子。
【請求項５】
請求項３において、前記第２の骨格がジベンゾチオフェン骨格であり、前記ジベンゾチオフェン骨格の４位が前記連結基に結合している発光素子。
【請求項６】
請求項３において、前記第２の骨格はカルバゾール骨格であり、前記カルバゾール骨格の９位が前記連結基に結合している発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記励起錯体の三重項励起エネルギー準位が、前記蛍光発光物質の三重項励起エネルギー準位よりも高い発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物及び前記第２の有機化合物の三重項励起エネルギー準位が、
前記励起錯体の三重項励起エネルギー準位よりも高い発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記励起錯体の発光が、前記蛍光発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯と重なりを有する発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物は正孔輸送性よりも電子輸送性の高い物質であり、前記第２の有機化合物は電子輸送性よりも正孔輸送性の方が高い物質である発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記第２の有機化合物は、π電子過剰型複素芳香環骨格又は芳香族アミン骨格を有する発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の発光素子と、
トランジスタ、または、基板と、
を有する発光装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発光装置と、
センサ、操作ボタン、スピーカ、または、マイクと、
を有する電子機器。
【請求項１４】
請求項１２に記載の発光装置と、
筐体と、
を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月17日(2019.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極との間に設けられた層とを有し、
前記層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、
前記第２の有機化合物は、カルバゾール骨格と、置換または無置換の２価の芳香族炭化水素基と、を有し、
前記第２の有機化合物は、さらにベンゾフロピリミジン骨格またはベンゾチエノピリミジン骨格を有し、
前記芳香族炭化水素基は、前記カルバゾール骨格と結合され、
前記芳香族炭化水素基は、前記ベンゾフロピリミジン骨格または前記ベンゾチエノピリミジン骨格と結合され、
前記第１の有機化合物と、前記第２の有機化合物とが励起錯体を形成する組み合わせである、発光素子。
【請求項２】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極との間に設けられた層とを有し、
前記層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、
前記第２の有機化合物は、カルバゾール骨格と、置換または無置換の２価の芳香族炭化水素基と、を有し、
前記第２の有機化合物は、さらにベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２−ｄ］ピリミジン骨格を有し、
前記芳香族炭化水素基は、前記カルバゾール骨格と結合され、
前記芳香族炭化水素基は、前記ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン骨格または前記ベンゾチエノ［３，２−ｄ］ピリミジン骨格と結合され、
前記第１の有機化合物と、前記第２の有機化合物とが励起錯体を形成する組み合わせである、発光素子。
【請求項３】
請求項２において、
前記ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン骨格または前記ベンゾチエノ［３，２−ｄ］ピリミジン骨格の４位が、前記芳香族炭化水素基に結合されている発光素子。
【請求項４】
請求項２において、
前記ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン骨格または前記ベンゾチエノ［３，２−ｄ］ピリミジン骨格の４位が、前記芳香族炭化水素基に結合され、他の位置は無置換である発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記カルバゾール骨格の９位が、前記芳香族炭化水素基に結合されている発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記芳香族炭化水素基は、炭素数が６乃至６０である、発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記芳香族炭化水素基は、炭素数が６乃至１３である、発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記芳香族炭化水素基は、ビフェニルジイル基を有する、発光素子。
【請求項９】
請求項８において、
前記ビフェニルジイル基は、３，３’−ビフェニルジイル基である、発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記第２の有機化合物は電子輸送性を有する物質であり、前記第１の有機化合物は正孔輸送性を有する物質である、発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物は、芳香族アミンである、発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物および前記第２の有機化合物の三重項励起エネルギー準位が、前記励起錯体の三重項励起エネルギー準位よりも高い発光素子。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の発光素子における発光が、遅延蛍光成分を含む、発光素子。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の発光素子と、スイッチと、を有する照明装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子を制御する手段を備えた発光装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の発光素子を表示部に有し、前記発光素子を制御する手段を備えた表示装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の発光素子と、スイッチと、を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月11日(2019.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の半導体と、
前記半導体上の第１の導電体および第２の導電体と、
前記半導体上の第３の絶縁体と、
前記第３の絶縁体上の第４の絶縁体と、
前記第４の絶縁体上の第３の導電体と、
前記第１の絶縁体、前記第１の導電体および前記第２の導電体上の第５の絶縁体と、を有し、
前記第２の絶縁体および前記第３の絶縁体は、前記半導体の有する、酸素以外の元素の少なくとも一を有し、
前記半導体は、炭素濃度が３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３の絶縁体は、２層以上の積層構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の導電体乃至前記第３の導電体は、２層以上の積層構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記基板と、前記第１の絶縁体と、の間に、さらに第４の導電体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の絶縁体は、炭素濃度が３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第３の絶縁体は、炭素濃度が３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記半導体は、ＣＡＡＣ−ＯＳを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月17日(2018.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラの連続撮影により生成される動画像を前記カメラから入力して表示装置に表示する機能と、所定の楽曲データに基づく楽曲を再生してスピーカーから出力させる機能とを有するコンピュータに導入されるアプリケーションプログラムであって、
前記表示装置に動画像が表示されている状態下において、あらかじめ定められたモデルパターンが内部に配置された円領域の当該モデルパターンに適合する領域を前記表示装置に表示される画像から検出する処理を繰り返すモデルパターン検出手段、
前記モデルパターンへの適合領域が検出されていない状態から検出される状態に転じたことに応じて前記楽曲の再生を開始する楽曲再生処理手段、
前記モデルパターンへの適合領域が検出されていることを条件に、毎時の検出結果と円盤型の仮想物体を表すモデルデータとに基づき、前記カメラにより撮影されている前記円領域に位置および面の大きさならびに面の向きを適合させて配置された前記仮想物体がその面の中心を回転中心として軸回転している状態を表す動画像を前記撮影による動画像に重ね合わせて前記表示装置に表示する拡張現実表示実行手段、
の各手段として前記コンピュータを動作させるコンテンツ提供用のアプリケーションプログラム。
【請求項２】
前記モデルパターンは、前記円領域の中心を取り囲む当該円領域より小さな円の内部に分布するパターンであり、
前記モデルデータは、前記モデルパターンを含む前記円領域の全体を表す画像データである、
請求項１に記載されたコンテンツ提供用のアプリケーションプログラム。
【請求項３】
前記モデルパターンは、前記円領域の中心を取り囲む当該円領域より小さな円の内部に分布するパターンであり、
前記モデルデータは、前記モデルパターンを含む前記円領域の全体を表す画像データであり、
前記モデルパターン検出手段は、前記モデルパターンのうちの所定の比率以上のパターンに適合する領域が検出されたことをもって、その領域を前記モデルパターンへの適合領域として判別する、
請求項１に記載されたコンテンツ提供用のアプリケーションプログラム。
【請求項４】
前記楽曲再生処理手段は、前記モデルパターンへの適合領域が検出されていない状態から検出される状態に転じたことに応じてインターネット内のウェブサーバから楽曲データをダウンロードして当該楽曲データに基づく楽曲の再生を開始する、請求項１に記載されたコンテンツ提供用のアプリケーションプログラム。
【請求項５】
カメラおよび表示装置と、当該カメラの連続撮影により生成される動画像を前記カメラから入力して表示装置に表示する機能と、所定の楽曲データに基づく楽曲を再生してスピーカーから出力させる機能とを有する携帯型の情報処理装置に、拡張現実表示用の動画像と楽曲データとを含むコンテンツを提供する方法であって、
前記表示装置に動画像が表示されている状態下において、あらかじめ定められたモデルパターンが内部に配置された円領域の当該モデルパターンに適合する領域を前記表示装置に表示される画像から検出する処理を繰り返し、
前記モデルパターンへの適合領域が検出されていない状態から検出される状態に転じたことに応じて、毎時の検出結果と円盤型の仮想物体を表すモデルデータとに基づき、前記カメラにより撮影されている前記円領域に位置および面の大きさならびに面の向きを適合させて配置された前記仮想物体がその面の中心を回転中心として軸回転している状態を表す動画像を前記撮影による動画像に重ね合わせて前記表示装置に表示する拡張現実表示と、所定の楽曲データに基づく楽曲の再生とを開始する、
ことを特徴とするコンテンツ提供方法。
【請求項６】
前記モデルパターンは、前記円領域の中心を取り囲む当該円領域より小さな円の内部に分布するパターンであり、
前記モデルデータは、前記モデルパターンを含む前記円領域の全体を表す画像データである、
請求項５に記載されたコンテンツ提供方法。
【請求項７】
前記カメラによる撮影の対象となる円領域を表す物体は、表面中央の円形またはドーナツ型の領域の内部のパターンを前記モデルパターンとするアナログレコードまたはその模型であって、このモデルパターンのうちの所定の比率以上のパターンに適合する領域が検出されたことをもって、前記円盤型の仮想物体を表す画像データによるモデルデータを用いた拡張現実表示と前記楽曲の再生とを開始する、請求項５に記載されたコンテンツ提供方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
モデルパターン検出手段は、前記表示装置に動画像が表示されている状態下において、あらかじめ定められたモデルパターンが内部に配置された円領域の当該モデルパターンに適合する領域を検出する処理を繰り返す。楽曲再生処理手段は、モデルパターンへの適合領域が検出されていない状態から検出される状態に転じたことに応じて楽曲の再生を開始する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
拡張現実表示実行手段は、モデルパターンへの適合領域が検出されていることを条件に、毎時の検出結果と円盤型の仮想物体を表すモデルデータとに基づき、カメラにより撮影されている前記円領域に位置および面の大きさならびに面の向きを適合させて配置された前記仮想物体がその面の中心を回転中心として軸回転している状態を表す動画像を撮影による動画像に重ね合わせて表示装置に表示する。