(57)【要約】【課題】  本発明は，移動通信に使用される低周波数および高周波数を含めた広帯域の信号を効果的に遮断できる広帯域阻止フィルタを内蔵して，マイクロホンを多数のバンドで使用できるようにすることにその目的がある。【解決手段】上記の目的を達成するために，本発明は，低周波および高周波干渉を遮断して雑音を減少させる移動通信端末機用低雑音マイクロホンにおいて，音響信号がコンデンサマイクロホンで変換され出力された電気信号を受信して増幅する電界効果トランジスタ３０および電界効果トランジスタのドレイン（Ｄ）とソース（Ｓ）との間に抵抗とキャパシタとを上記高周波帯域によって選択的に連結して，電界効果トランジスタから出力される広帯域の信号を遮断する広帯域阻止フィルタ３２を含むことを特徴とする。係る構成により，ＥＭノイズの除去範囲を広めると同時に，外部から印加される静電放電に対する遮断能力を大幅に向上させることができる。
2006514497.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音圧を電気信号の変動に変換する音響モジュール（３６）と；
前記音響モジュール（３６）から入力される電気信号を増幅する増幅手段と；
前記増幅手段から出力される低周波数および高周波数を含めた周波数帯域の信号を遮断し，外部から流入される電磁波および高周波ノイズと静電放電を遮断するための前記増幅手段の入力端と音響モジュール（３６）との間および／または出力端と接地（ＧＮＤ）端との間に，抵抗および／またはキャパシタが単独または組合せで直列または並列に連結されたＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部（３２）と；
を含むことを特徴とする，低周波数および高周波数を含めた広帯域阻止フィルタを使用し外部から印加される静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項２】
前記キャパシタの静電容量は１ｐＦから１００μＦまで，前記抵抗の抵抗値は１０Ωから１ＧΩまで，前記周波数帯域に応じて選択的に調節可能であることを特徴とする，請求項１に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項３】
前記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部（３２）は，前記増幅手段の出力端と信号出力端子（３４ａ）との間に直列連結される抵抗（Ｒ１１）と；
前記抵抗（Ｒ１１）の一端と接地（ＧＮＤ）との間に連結されるキャパシタ（Ｃ１１）と；
からなることを特徴とする，請求項１に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項４】
前記キャパシタ（Ｃ１１）の静電容量は１ｎＦ，１．５ｎＦ，２．２ｎＦ，３．３ｎＦ，４．７ｎＦ，６．８ｎＦ，１０ｎＦ，１５ｎＦ，２２ｎＦ，３３ｎＦ，４７ｎＦ，６８ｎＦ，１００ｎＦからなる容量値グループのうちいずれか一つとし，前記抵抗（Ｒ１１）の抵抗値は１００Ω，２２０Ω，３３０Ω，４３０Ω，６２０Ω，６８０Ω，８２０Ω，１ｋΩからなる抵抗値グループのうちいずれか一つとすることを特徴とする，請求項３に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項５】
前記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部（３２）は，
前記増幅手段の出力端および接地端の間に並列に連結され，フィルタリング機能を有する第１キャパシタ（Ｃ２１）と；
前記第１キャパシタ（Ｃ２１）に並列に連結され，ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断機能を有する第２キャパシタ（Ｃ２２）と；
前記第１キャパシタ（Ｃ２１）と前記第２キャパシタ（Ｃ２２）との間の前記増幅手段の出力（ＯＵＴ）端側に直列に連結され，デカップリング機能を有する第１抵抗（Ｒ２１）と；
からなり，‘π’字の形態になっていることを特徴とする，請求項１に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項６】
前記第１キャパシタ（Ｃ２１）の静電容量は１０ｐＦまたは３３ｐＦとし，前記第２キャパシタ（Ｃ２２）の静電容量は１ｎＦ，１．５ｎＦ，２．２ｎＦ，３．３ｎＦ，４．７ｎＦ，６．８ｎＦ，１０ｎＦ，１５ｎＦ，２２ｎＦ，３３ｎＦ，４７ｎＦ，６８ｎＦ，１００ｎＦからなる容量値グループのうちいずれか一つとし，前記第１抵抗（Ｒ２１）の抵抗値（Ｒ２１）は１００Ω，２２０Ω，３３０Ω，４３０Ω，６２０Ω，６８０Ω，８２０Ω，１ｋΩからなる抵抗値グループのうちいずれか一つとすることを特徴とする，請求項５に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項７】
前記ＥＭノイズフィルタリング部（３２）は，
前記増幅手段の出力端と接地端との間に並列に連結され，フィルタリング機能を有する第１キャパシタ（Ｃ２１）と；
前記第１キャパシタ（Ｃ２１）に並列に連結されＥＭノイズフィルタリング機能を有する第２キャパシタ（Ｃ２２）と；
前記第１キャパシタ（Ｃ２１）と前記第２キャパシタ（Ｃ２２）との間の前記増幅手段の接地（ＧＮＤ）端側に直列に連結されデカップリング機能を有する第１抵抗（Ｒ２１）と；
からなり，逆‘π’字の形態になっていることを特徴とする，請求項１に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項８】
前記第１キャパシタ（Ｃ２１）の静電容量は１０ｐＦまたは３３ｐＦとし，前記第２キャパシタ（Ｃ２２）の静電容量は１ｎＦ，１．５ｎＦ，２．２ｎＦ，３．３ｎＦ，４．７ｎＦ，６．８ｎＦ，１０ｎＦ，１５ｎＦ，２２ｎＦ，３３ｎＦ，４７ｎＦ，６８ｎＦ，１００ｎＦからなる容量値グループのうちいずれか一つとし，前記第１抵抗の抵抗値（Ｒ２１）は１００Ω，２２０Ω，３３０Ω，４３０Ω，６２０Ω，６８０Ω，８２０Ω，１ｋΩからなる抵抗値グループのうちいずれか一つとすることを特徴とする，請求項７に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項９】
前記コンデンサマイクロホンは，前記音響モジュール（３６）と前記増幅手段の入力端との間に電磁波ノイズが入力されることを抑制するためのノイズ抑制抵抗（Ｒ２２）がさらに備えられたことを特徴とする，請求項５または７に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項１０】
前記ノイズ抑制抵抗は，１００Ω，１ｋΩ，１０ｋΩ，１００ｋΩ，１ＭΩからなる抵抗値グループのうちいずれか一つとすることを特徴とする，請求項９に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項１１】
前記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部（３２）は，前記増幅手段の接地端と出力端との間に並列に連結される第１キャパシタ（Ｃ３１）と第２キャパシタ（Ｃ３２）と；
前記二つのキャパシタ（Ｃ３１，Ｃ３２）の両端に各々連結される第１抵抗（Ｒ３１）と第２抵抗（Ｒ３２）と；
からなり，‘♯’字の形態になっており，前記第１キャパシタ（Ｃ３１）はフィルタリング機能を有し，前記第１キャパシタ（Ｃ３１）と向かい合う第２キャパシタ（Ｃ３２）はＥＭノイズフィルタリングおよび静電放電遮断機能を有し，前記抵抗（Ｒ３１，Ｒ３２）はデカップリング機能と静電放電遮断機能を有することを特徴とする，請求項１に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項１２】
前記第１キャパシタ（Ｃ３１）の静電容量は１０ｐＦまたは３３ｐＦとし，前記第２キャパシタ（Ｃ３２）の静電容量は１ｎＦ，１．５ｎＦ，２．２ｎＦ，３．３ｎＦ，４．７ｎＦ，６．８ｎＦ，１０ｎＦ，１５ｎＦ，２２ｎＦ，３３ｎＦ，４７ｎＦ，６８ｎＦ，１００ｎＦからなる容量値グループのうちいずれか一つとし，前記第１抵抗（Ｒ３１）と前記第２抵抗（Ｒ３２）の抵抗値は１００Ω，２２０Ω，３３０Ω，４３０Ω，６２０Ω，６８０Ω，８２０Ω，１ｋΩからなる抵抗値グループのうち一つとすることを特徴とする，請求項１１に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項１３】
前記コンデンサマイクロホンは，前記音響モジュール（３６）と増幅手段の入力端との間に電磁波ノイズが入力されることを抑制するためのノイズ抑制抵抗（Ｒ３３）をさらに備えることを特徴とする，請求項１１に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項１４】
前記ノイズ抑制抵抗（Ｒ３３）は，１００Ω，１ｋΩ，１０ｋΩ，１００ｋΩ，１ＭΩからなる抵抗値グループのうちいずれか一つとすることを特徴とする，請求項１３に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項１５】
前記ＥＭノイズフィルタリング部（３２）は，前記増幅手段の接地端と出力端との間に互いに並列に連結された第１キャパシタ（Ｃ４１）と第２キャパシタ（Ｃ４２），および第３キャパシタ（Ｃ４３）からなることを特徴とする，請求項１に広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項１６】
前記第１キャパシタ（Ｃ４１）の静電容量は１０ｐＦから２０ｐＦまで，前記第２キャパシタ（Ｃ４２）の静電容量は２０ｐＦから１ｎＦまで，前記第３キャパシタ（Ｃ４３）は１ｎＦから１００μＦまで，選択的に調節可能であることを特徴とする，請求項１５に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項１７】
前記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部（３２）は，前記第２キャパシタ（Ｃ４２）と第３キャパシタ（Ｃ４３）との間の前記増幅手段の出力端側に抵抗（Ｒ５１）が直列にさらに連結されたことを特徴とする，請求項１５に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項１８】
前記第１キャパシタ（Ｃ４１）の静電容量は１０ｐＦから２０ｐＦまで，前記第２キャパシタ（Ｃ４２）の静電容量は２０ｐＦから１ｎＦまで選択的に調節可能であり，前記第３キャパシタ（Ｃ４３）の静電容量は１ｎＦ，１．５ｎＦ，２．２ｎＦ，３．３ｎＦ，４．７ｎＦ，６．８ｎＦ，１０ｎＦ，１５ｎＦ，２２ｎＦ，３３ｎＦ，４７ｎＦ，６８ｎＦ，１００ｎＦのうちいずれか一つの値とし，第１抵抗（Ｒ５１）の抵抗値は１００Ω，２２０Ω，３３０Ω，４３０Ω，６２０Ω，６８０Ω，８２０Ω，１ｋΩのうちいずれか一つとすることを特徴とする，請求項１７に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項１９】
前記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部（３２）は，前記第２キャパシタ（Ｃ４２）と第３キャパシタ（Ｃ４３）との間の前記増幅手段の接地端側に抵抗（Ｒ５１）が直列にさらに連結されたことを特徴とする，請求項１５に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項２０】
前記第１キャパシタ（Ｃ４１）の静電容量は１０ｐＦから２０ｐＦまで，前記第２キャパシタ（Ｃ４２）の静電容量は２０ｐＦから１ｎＦまで選択的に調節可能であり，前記第３キャパシタ（Ｃ４３）の静電容量は１ｎＦ，１．５ｎＦ，２．２ｎＦ，３．３ｎＦ，４．７ｎＦ，６．８ｎＦ，１０ｎＦ，１５ｎＦ，２２ｎＦ，３３ｎＦ，４７ｎＦ，６８ｎＦ，１００ｎＦのうちいずれか一つとし，第１抵抗（Ｒ５１）の抵抗値は１００Ω，２２０Ω，３３０Ω，４３０Ω，６２０Ω，６８０Ω，８２０Ω，１ｋΩのうちいずれか一つとすることを特徴とする，請求項１９に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項２１】
前記キャパシタは，温度補償用キャパシタまたは高誘電率キャパシタであることを特徴とする，請求項１または２に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【請求項２２】
前記増幅手段は，ビルト−イン−ゲインマイクロホンに使用される増幅器あるいは接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）のうちいずれか一つであることを特徴とする，請求項１に記載の広帯域阻止フィルタを使用し静電放電に対する耐性を強化したコンデンサマイクロホン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，コンデンサマイクロホンに関し，より詳しくは，電磁波（ＥＭ）ノイズを抑制すると同時に，外部から印加される静電放電（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ；ＥＳＤ）に対する耐性が強化されたコンデンサマイクロホンに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に，マイクロホンは，機械的振動を電気信号に変換する方式によって，炭素粒子の電気抵抗特性を用いるカーボン型と，ロシェル塩（ｒｏｃｈｅｌｌｅ  ｓａｌｔ）の圧電気効果を用いる結晶型と，コイルが装着された振動板を磁場の中に振動させ誘導電流を発生させる可動コイル型と，磁場内に設けられた金属箔が音波を受けて振動すると誘導電流が発生することを用いる速度型（ｖｅｌｏｃｉｔｙ  ｍｉｃｒｏｐｈｏｎｅ）と，音波による膜の振動で静電容量が変動することを用いたコンデンサ型と，などに分けられる。
【０００３】
ここで，小型マイクロホンとしてコンデンサ型が広く使われるが，コンデンサ型はコンデンサに電圧を印加するための直流電源が必要であるという問題点があった。近年はこのような問題点を解決するために，半永久的な電荷を有するエレクトレットを用いたエレクトレットコンデンサマイクロホンが使われる。エレクトレットコンデンサマイクロホンは，バイアス電源を必要としないので，前置増幅器が簡単となると同時に，安い価格で性能を向上できるメリットがある。
【０００４】
一方，移動通信端末機の送信部では，大略数ミリワット（ｍＷ）〜数ワット（Ｗ）にわたる大きな瞬間電力の高周波信号をアンテナを介して放射するが，該高周波信号はマイクロホンと外部音圧信号処理回路との間の線路に誘導され，マイクロホン内部または外部の接合型電界効果トランジスタ（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＪＦＥＴ）に印加される。
【０００５】
接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）に印加される高周波信号の大きさが所定レベル以上になると，電界効果トランジスタが非線形的に動作するようになって，高調波（Ｈａｒｍｏｎｉｃｓ  ｗａｖｅ）と共にピークエンベロープ（Ｐｅａｋ  ｅｎｖｅｌｏｐ）に該当する雑音成分を発生させるようになる。該ピークエンベロープの周波数帯域はおおよそ音圧可聴周波数と重なっているため，この信号が音圧と共に増幅され，音圧信号処理回路に入り，マイクロホンの最も大きい雑音となる。
【０００６】
このような雑音を除去するために，移動通信端末機に使用されるマイクロホンは，シングルモードの場合，内部に一つのチップキャパシタで構成されたＬＣ共振器を用いてノッチ（ｎｏｔｃｈ）フィルタを構成することによって，特定周波数での高周波信号を遮断する。
【０００７】
そして，デュアルモード端末機に使われる従来のマイクロホン１は，図１に示されたように，二つのチップキャパシタＣ１，Ｃ２を用いて，二つの周波数バンドで共振が起こるようにフィルタ１４を構成する。すなわち，現在広く使われる移動通信用端末機は，９００ＭＨｚ帯域の移動加入無線電話と，１８００ＭＨｚ帯域の個人携帯電話（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ；ＰＣＳ）とに分けられてサービスされているので，デュアルモード端末機では９００ＭＨｚ帯域の高周波信号と１８００ＭＨｚ帯域の高周波信号を両方とも遮断する機能が必要とされる。
【０００８】
図１を参照すると，音響モジュールは等価的に可変キャパシタ（ＣＥＣＭ）で表現され，接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）１２のゲートＧに連結されている。電界効果トランジスタ１２のドレインＤには第１キャパシタＣ１と第２キャパシタＣ２とで具現されたフィルタ１４が並列に連結されている。ここで，第１キャパシタＣ１は約１０ｐＦで，１８００ＭＨｚの周波数を除去し，第２キャパシタＣ２は約３３ｐＦで，９００ＭＨｚの周波数を除去する。
【０００９】
このようなマイクロホンが移動通信用端末機に使用される場合に，接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）１２の出力は並列キャパシタＣ１，Ｃ２からなるフィルタ１４を経て音圧信号処理回路１６に伝達され，音圧信号処理回路１６の出力は無線／中間周波数（ＲＦ／ＩＦ）回路１８を経てアンテナを介して空中に放射されるようになっている。ここで，並列連結された第１キャパシタＣ１と第２キャパシタＣ２は，チップキャパシタＣ１，Ｃ２として，内部に各々存在する寄生インダクタンスＬと共にＬＣ共振回路を構成してノッチフィルタ機能を有する。
【００１０】
図２は，図１のフィルタを一つのキャパシタで具現した場合と，二つのキャパシタで具現した場合における，各フィルタの伝達特性を示したグラフである。
【００１１】
図２のグラフは，横軸が周波数（単位ＧＨｚ）を示し，縦軸が減衰レベルを示す。ここで，点線ｇ１は３３ｐＦの第２キャパシタＣ２だけを連結した場合の伝達特性であって，大略９００ＭＨｚ帯域で急激に信号を減衰させることを示している。実線ｇ２は１０ｐＦの第１キャパシタＣ１だけを連結した場合の伝達特性であって，大略１．８ＭＨｚ帯域で急激に信号を減衰させることを示している。そして，一点鎖線ｇ３は第１キャパシタＣ１と第２キャパシタＣ２とを並列連結した場合であって，大略９００ＭＨｚ帯域と２．２ＧＨｚ帯域で大きい減衰が起こることを示している。
【００１２】
ところが，このような従来のマルチバンド低雑音マイクロホンには，二つのキャパシタ間の距離が少しだけ変わっても，１８００ＭＨｚの共振フィルタの中心が影響を受けて移動するという問題点がある。さらに，超高周波数モードでは雑音を効果的に除去および遮断できないという問題点がある。すなわち，ＩＭＴ２０００サービスのように新たな周波数帯域，例えば，２０００ＭＨｚ帯域あるいは２４００ＭＨｚの新たなモードを使用する場合，従来の回路は阻止特性が特定の周波数帯域に限られるため，係る周波数帯域における電磁波（ＥＭ）ノイズの減衰をもたらすだけであり，それ以外の周波数帯域で発生するＲＦおよびＥＭノイズを減衰させることができないという問題点がある。係る問題点は１８００ＭＨｚの周波数帯域以下のモードでも発生している。
【００１３】
なお，移動通信端末機の信頼性を向上させるために，各部品に対する静電放電（ＥＳＤ）特性が厳しく要求されるが，従来のマイクロホンは，外部から印加されるＥＳＤに弱いという問題点がある。その要求条件は，マイクロホンを接地した状態で空気中で静電放電時に印加電圧１５ＫＶ，直接端子に接触した状態で静電放電時に印加電圧８ＫＶとしたとき，内部回路素子の損傷が全くあってはならないというものである。しかし，従来のマイクロホンは，外部から印加されるＥＳＤに対して上記の条件を満足させることができないという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は，上述した問題点を解決するために案出されたものであって，本発明の目的は，移動通信に使用される低周波数および高周波数を含めた広帯域の信号を効果的に遮断できる広帯域阻止フィルタが内蔵され，多数のバンド（Ｍｕｌｔｉ−ｂａｎｄ）で使用できるコンデンサマイクロホンを提供することである。
【００１５】
なお，本発明の他の目的は，電磁波（ＥＭ）ノイズの除去範囲を広めると同時に，フィルタリングの抑制水準と外部から印加される静電放電に対する遮断能力とを大幅に向上させたコンデンサマイクロホンを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上述した目的を達成するために，低周波および高周波干渉を遮断して雑音を減少させるための移動通信端末機用コンデンサマイクロホンにおいて：音圧を電気信号の変動に変換する上記音響モジュールと；上記音響モジュールから入力される電気信号を増幅する電界効果トランジスタと；上記電界効果トランジスタから出力される広帯域の高周波信号を遮断し外部から流入される電磁波および高周波ノイズと静電放電を遮断するＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部と；を含んで構成されることを特徴とするとしてもよい。
【００１７】
上記の増幅器は電界効果トランジスタであり，広帯域阻止フィルタは電界効果トランジスタのゲートＧとソースＳとの間および／またはドレインＤとソースＳとの間に，抵抗とキャパシタとが周波数帯域によって，選択的に連結されたことを特徴とするとしてもよい。
【００１８】
そして，キャパシタは１ｐＦから１００μＦまで，抵抗は１０Ωから１ＧΩまで，上記周波数帯域によって選択的に調節可能であることを特徴とする。上記の抵抗はインダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）のような磁気誘導体で代替できる。なお，上記の抵抗と上記インダクタは直列または並列に連結され，周波数帯域によって選択的に調節されるとしてもよい。これは後述する各実施例で同一に適用される。
【発明の効果】
【００１９】
上述のように，本発明によると，電磁波（ＥＭ）ノイズの除去範囲を広めると同時に，キャパシタと抵抗とで構成された回路だけでも低周波数および高周波数を含めた広帯域の周波数帯での優れた電磁波（ＥＭ）ノイズフィルタリング効果を得られ，外部から印加される静電放電に対する遮断能力（耐性）を大幅に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に，本発明の好適な実施の形態について添付の図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】
まず，本発明に係るコンデンサマイクロホンは，音響信号によって容量が可変する音響モジュールと，音響モジュールの容量変化を電気信号に変換および増幅する電界効果トランジスタ（増幅手段）と，電界効果トランジスタの出力端に連結され電磁波ノイズを除去し，静電放電に対する遮断機能を提供するＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部とから構成されるが，理解の便宜のためにＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部を構成する抵抗とキャパシタの数および配置によって以下，実施例を区分して説明する。
【００２２】
図３は，本発明の第１実施例として，一つのキャパシタＣ１１と一つの抵抗Ｒ１１で上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部を構成されたマイクロホンを示した回路図である。
【００２３】
図３を参照すると，音響信号によって容量が可変する上記音声モジュール３６は，可変容量キャパシタＣＥＣＭで等価的に表現され，上記電界効果トランジスタ３０のゲートＧに連結されており，上記電界効果トランジスタ３０のドレインＤには，電磁波ノイズを除去し，静電放電に対する遮断機能を提供する上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２が並列に連結されている。そして，第１実施例のノイズフィルタリングおよび遮断部３２は，上記電界効果トランジスタ３０のドレインＤに直列連結される抵抗Ｒ１１と，抵抗Ｒ１１とソースＳとの間に連結されるキャパシタＣ１１と，で構成される。
【００２４】
係る構成により，使用者の音圧はダイヤフラム（図示せず）を振動させて可変容量キャパシタ（ＣＥＣＭ）の容量を可変させ，当該容量の変動は上記電界効果トランジスタ３０のゲートＧで電圧変動として現れる。
【００２５】
上記電界効果トランジスタ３０は，ゲートＧが可変容量キャパシタＣＥＣＭと連結され，ソースＳが共通接地線（ＧＮＤ）と連結され，ドレインＤが上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２と連結される，接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）やビルト−イン−ゲインマイクロホン（Ｂｕｉｌｔ−ｉｎ−Ｇａｉｎ  Ｍｉｃｒｏｐｈｏｎｅ）の増幅器からなり，入力信号を増幅する。このような上記電界効果トランジスタ３０は，入力インピーダンスが非常に高く，出力インピーダンスが低くて，上記音声モジュールを回路側とインピーダンスマッチングさせるインピーダンス変換機としても機能する。
【００２６】
上記電界効果トランジスタ３０の出力は，上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２を経て出力端子３４ａ，３４ｂに出力される。上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２は，マイクロホンを外部と連結させるための上記出力端子３４ａ，３４ｂを介して流入される高周波無線信号や，電磁波ノイズを遮断する広帯域阻止フィルタとして機能すると同時に，外部から印加されるＥＳＤを遮断する。すなわち，外部から上記出力端子３４ａ，３４ｂを介して印加された高圧の静電放電ＥＳＤは，静電容量の大きいキャパシタＣ１１を経て接地で放電され，抵抗Ｒ１１によって静電放電が直接的に内部回路部に印加することを防止される。係る結果を得るために，キャパシタＣ１１は高圧の静電放電による電流を十分に充電できる静電容量を有し，該静電容量は少なくとも１ｎＦ以上となる必要がある。
【００２７】
上記第１実施例において，前述したキャパシタＣ１１は，１ｎＦから１００μＦまで，条件によって選択的に調節可能である。例えば，キャパシタＣ１１は１ｎＦ，１．５ｎＦ，２．２ｎＦ，３．３ｎＦ，４．７ｎＦ，６．８ｎＦ，１０ｎＦ，１５ｎＦ，２２ｎＦ，３３ｎＦ，４７ｎＦ，６８ｎＦまたは１００ｎＦからなる容量値グループのうち一つとし，抵抗Ｒ１１は，１００Ω，２２０Ω，３３０Ω，４３０Ω，６２０Ω，６８０Ω，８２０Ω，１ｋΩからなる抵抗値グループのうちいずれか一つとしてもよい。
【００２８】
前述した第１実施例によって回路を具現した場合，低周波数および高周波数を含めた広帯域の周波数帯での電磁波（ＥＭ）ノイズを抑制できるという効果が得られると共に，マイクロホンを接地し端子に直接高圧の静電放電を印加する場合，最小８ｋＶ以上の，外部から印加された静電放電電圧に対する遮断能力（耐性）を得られる。
【００２９】
図４ａ〜図４ｅは，本発明の第２実施例として二つのキャパシタＣ２１，Ｃ２２と一つの抵抗Ｒ２１で上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２を構成したマイクロホンを示した回路図である。第２実施例のフィルタリングおよび遮断部３２は，互いに向かい合っている一対のキャパシタＣ２１，Ｃ２２の一端に一つの抵抗Ｒ２１が連結された‘π’字の形態あるいは‘π’をひっくり返した逆‘π’字の形態からなっており，上記電界効果トランジスタ３０のゲートＧと上記音声モジュール３６との間に，上記電界効果トランジスタ３０に入力される電磁波ノイズを抑制するためのノイズ抑制抵抗Ｒ２２が付加されている。
【００３０】
図４ａは，第２実施例によって上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２が‘π’字の形態で，上記電界効果トランジスタ３０のゲートＧと上記音声モジュール３６との間に，上記電界効果トランジスタ３０に入力される電磁波ノイズを抑制するためのノイズ抑制抵抗がない場合を示した回路図である。一方，図４ｂは，上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２が‘π’字の形態で，上記電界効果トランジスタ３０のゲートＧと上記音声モジュールとの間に，上記電界効果トランジスタ３０に入力される電磁波ノイズを抑制するためのノイズ抑制抵抗Ｒ２２が挿入されている場合を示した回路図である。
【００３１】
図４ａおよび図４ｂを参照すると，本発明の第２実施例によるコンデンサマイクロホンは，音響信号によって容量が可変する上記音声モジュール３６と，上記音声モジュール３６の容量変化を電気信号に変換および増幅する上記電界効果トランジスタ３０と，上記電界効果トランジスタ３０のドレインＤに連結され電磁波ノイズを除去し，静電放電ＥＳＤに対する遮断機能を提供する上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２と，で構成される。
【００３２】
上記音声モジュール３６は，可変容量キャパシタＣＥＣＭで等価的に表現され，上記電界効果トランジスタ３０のゲートＧに連結されており，上記電界効果トランジスタ３０のドレインＤには，電磁波ノイズを除去し，静電放電に対する遮断機能を提供する上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２が並列に連結されている。
【００３３】
上記電界効果トランジスタ３０は，ゲートＧが可変容量キャパシタＣＥＣＭと連結され，ソースＳは共通接地線と連結され，ドレインＤが上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２と連結される接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）やビルト−イン−ゲインマイクロホンの増幅器からなって，入力信号を増幅する。このような上記電界効果トランジスタ３０は，入力インピーダンスが非常に高く，出力インピーダンスが低くて，上記音声モジュールを回路側とインピーダンスマッチングさせるインピーダンス変換機としても機能する。
【００３４】
そして，図４ａおよび図４ｂに示された第２実施例の上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２は，上記電界効果トランジスタ３０のドレインＤとソースＳに並列に連結された第１キャパシタＣ２１と，第１キャパシタＣ２１と並列に連結される第２キャパシタＣ２２と，第１キャパシタＣ２１と第２キャパシタＣ２２との上部信号先端に直列に連結された第１抵抗Ｒ２１と，で具現され‘π’字の形態をしている。
【００３５】
係る第２実施例の構成において，上記音声モジュール３６と上記電界効果トランジスタ３０の動作は第１実施例と同一なので，反復をさけるためにこれ以上の説明は省略し，第２実施例の上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２を中心に説明する。
【００３６】
第２実施例の上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２において，第１キャパシタＣ２１と第２キャパシタＣ２２は，上記出力端子３４ａ，３４ｂを介して外部から入力される高周波雑音や電磁波雑音を抑制するフィルタリングとして機能する。そして，第１抵抗Ｒ２１は，第１キャパシタＣ２１と第２キャパシタＣ２２とを分離させるデカップリング機能を有すると同時に，静電放電が内部回路に直接的に印加されることを遮断する，静電放電遮断機能を有する。そして，第２キャパシタＣ２２は，上記出力端子３４ａ，３４ｂを介して印加される静電放電電圧を接地でバイパスさせて，静電放電によって内部回路素子が破損されることを防止する。係る結果を得るための第２キャパシタＣ２２は，高圧の静電放電による電流を十分に充電できる静電容量を有し，少なくとも１ｎＦ以上となる必要がある。
【００３７】
一方，図４ｂに示されている，上記音声モジュール３６と上記電界効果トランジスタ３０のゲートＧとの間に直列に連結される第２抵抗Ｒ２２は，上記電界効果トランジスタ３０に入力される電磁波ノイズを抑制するためのノイズ抑制抵抗である。
【００３８】
係る第２実施例において，前述した第１および第２キャパシタＣ２１，Ｃ２２は，１０ｐＦから１００μＦまで，条件によって選択的に調節可能である。例えば，第１キャパシタＣ２１は，１０ｐＦまたは３３ｐＦとし，第２キャパシタＣ２２は，１ｎＦ，１．５ｎＦ，２．２ｎＦ，３．３ｎＦ，４．７ｎＦ，６．８ｎＦ，１０ｎＦ，１５ｎＦ，２２ｎＦ，３３ｎＦ，４７ｎＦ，６８ｎＦまたは１００ｎＦからなる容量値グループのうち一つとする。そして，前述した第１抵抗Ｒ２１は，１００Ω，２２０Ω，３３０Ω，４３０Ω，６２０Ω，６８０Ω，８２０Ω，１ｋΩからなる抵抗値グループのうちいずれか一つとしてもよく，第２抵抗Ｒ２２は，１００Ω，１ｋΩ，１０ｋΩ，１００ｋΩ，１ＭΩからなるグループのうちいずれか一つとしてもよい。
【００３９】
第２実施例によって回路を構成した場合，低周波数および高周波数を含めた広帯域の周波数帯でのＥＭノイズ改善効果と共に，マイクロホンを接地し，端子に直接高圧の静電放電を印加する場合，最小８ｋＶ以上の，外部から印加された静電放電に対する遮断能力の向上を得られる。
【００４０】
図４ｃは，第２実施例によって，フィルタリング部３２が逆‘π’字の形態で，上記電界効果トランジスタ３０のゲートＧと上記音声モジュール３６との間に，上記電界効果トランジスタ３０に入力される電磁波ノイズを抑制するためのノイズ抑制抵抗Ｒ２２がない場合を示した回路図である。一方，図４ｄはフィルタリング部３２が逆‘π’字の形態で，上記電界効果トランジスタのゲートＧと上記音声モジュール３６との間に，上記電界効果トランジスタに入力される電磁波ノイズを抑制するためのノイズ抑制抵抗Ｒ２２が挿入されている場合を示した回路図である。
【００４１】
図４ｃおよび図４ｄに示された第２実施例のフィルタリング部３２は，上記電界効果トランジスタ３０のドレインＤとソースＳに並列に連結された第１キャパシタＣ２１と，第１キャパシタＣ２１と並列に連結される第２キャパシタＣ２２と，第１キャパシタＣ２１と第２キャパシタＣ２２との下部接地先端に直列に連結された第１抵抗Ｒ２１とに具現され逆‘π’字の形態をしている。
【００４２】
係る第２実施例の構成において，上記音声モジュール３６と上記電界効果トランジスタ３０の動作は，第１実施例と同一なので，反復をさけるためにこれ以上の説明は省略し，第２実施例のフィルタリング部３２を中心に説明する。
【００４３】
第２実施例のフィルタリング部３２において，第１キャパシタＣ２１と第２キャパシタＣ２２は，上記出力端子３４ａ，３４ｂを介して外部から入力される高周波雑音や電磁波雑音を抑制するフィルタリングとして機能する。そして，第１抵抗Ｒ２１は，第１キャパシタＣ２１と第２キャパシタＣ２２とを分離させるデカップリング機能を有する。係る結果を得るための第２キャパシタＣ２２は低周波数および高周波数を含めた広帯域の信号を効果的に遮断できる広帯域阻止フィルタが構成されるように，少なくとも１ｎＦ以上となる必要がある。
【００４４】
一方，図４ｄに示されている，上記音声モジュール３６と増幅器のゲートＧとの間に直列に連結される第２抵抗Ｒ２２は，上記電界効果トランジスタ３０に入力される電磁波ノイズを抑制するためのノイズ抑制抵抗である。
【００４５】
係る第２実施例において，前述した第１および第２キャパシタＣ２１，Ｃ２２は，１０ｐＦから１００μＦまで，条件によって選択的に調節可能である。例えば，第１キャパシタＣ２１は，１０ｐＦまたは３３ｐＦとし，第２キャパシタＣ２２は，１ｎＦ，１．５ｎＦ，２．２ｎＦ，３．３ｎＦ，４．７ｎＦ，６．８ｎＦ，１０ｎＦ，１５ｎＦ，２２ｎＦ，３３ｎＦ，４７ｎＦ，６８ｎＦまたは１００ｎＦからなる容量値グループのうち一つとする。そして前述した第１抵抗Ｒ２１は，１００Ω，２２０Ω，３３０Ω，４３０Ω，６２０Ω，６８０Ω，８２０Ω，１ｋΩからなる抵抗値グループのうちいずれか一つとしてもよく，第２抵抗Ｒ２２は，１００Ω，１ｋΩ，１０ｋΩ，１００ｋΩ，１ＭΩからなる抵抗値グループのうちいずれか一つとしてもよい。
【００４６】
係る第２実施例の回路を構成した場合，低周波数および高周波数を含めた広帯域の周波数帯でのＥＭノイズ改善効果を得られる。
【００４７】
第２実施例の回路で，第２抵抗Ｒ２２を経て上記電界効果トランジスタ３０のゲートを介して入力されたマイクロホンの電気信号は，上記電界効果トランジスタ３０で低雑音に増幅されてから，高周波信号帯域が遮断され雑音が除去された状態で，上記出力端子３４ａ，３４ｂを介して移動通信端末機の音声処理回路に伝達される。
【００４８】
一方，図４ｅは，既存のコンデンサマイクロホンと本発明の第２実施例によるコンデンサマイクロホンのＲＦノイズ特性を比べた結果を示したグラフである。
【００４９】
図４ｅを参照すると，（ａ）は従来のマイクロホンのフィルタリング特性を示したグラフであって，（ｂ）は本発明の第２実施例によるマイクロホンのフィルタリング特性を示したグラフである。同グラフで，横軸は周波数（単位ＭＨｚ）を示し，縦軸は減衰程度（単位ｄＢ，‘−’の値が大きいほど，減衰程度が高い）を示す。
【００５０】
既存のコンデンサマイクロホンに対する周波数範囲０．１２５ＭＨｚから３．０ＧＨｚでの直接ＲＦ注射（Ｄｉｒｅｃｔ  ＲＦ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ）方法によるマイクロホン単品のＲＦノイズ特性（ａ）は，一般に９００ＭＨｚ（ＧＳＭ），１．８ＭＨｚ（ＤＣＳ）ではＲＦノイズレベルの減衰が−４０ｄＢと現れるが，それ以外の領域ではＲＦノイズレベル減衰が−４０ｄＢにはるかに及ばないという結果が示されている。上記の実施例で使用された測定機構上に表現される縦軸の最小値は−４０ｄＢなので，それ以下の測定値は全て−４０ｄＢと表現される。
【００５１】
反面，本発明の第２実施例によるマイクロホンに対する周波数範囲０．１２５ＭＨｚから３．０ＧＨｚでの直接ＲＦ注射方法によるマイクロホン単品のＲＦノイズ特性（ｂ）は，全帯域でのＲＦノイズレベルが測定許容範囲上の最小値である−４０ｄＢを示していて，既存のエレクトレットコンデンサマイクロホンのＲＦノイズレベルと比べたとき，最大４５ｄＢ以上改善されたという結果が示されている。
【００５２】
これは，本発明によるコンデンサマイクロホンが，優れたＥＭＩフィルタとしての役割を果たしていることを示す。
【００５３】
図５ａおよび図５ｂは，本発明の第３実施例として二つのキャパシタＣ３１，Ｃ３２と二つの抵抗Ｒ３１，Ｒ３２で上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２を構成したマイクロホンを示した回路図である。第３実施例のフィルタリングおよび遮断部３２は，互いに向かい合う一対のキャパシタＣ３１，Ｃ３２とその両端に各々一つの抵抗Ｒ３１，Ｒ３２が連結された，‘♯’字の形態からなり，上記電界効果トランジスタ３０のゲートと上記音声モジュール３６との間に，上記電界効果トランジスタに入力される電磁波ノイズを抑制するためのノイズ抑制抵抗Ｒ３３が付加されている。
【００５４】
図５ａおよび図５ｂに示されたように，本発明の第３実施例によるコンデンサマイクロホンは，増幅機能を有する上記電界効果トランジスタ３０のゲートＧとソースＳとの間に，マイクロホンの静電容量を示す等価キャパシタＣＥＣＭが連結されており，上記電界効果トランジスタ３０のドレインＤとソースＳとの間には，上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２が連結されている。このとき，図５ｂの場合には，上記音声モジュール３６と上記電界効果トランジスタ３０のゲートＧとの間に，第２抵抗Ｒ３３が連結されている。そして，第３実施例による上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２は，第１キャパシタＣ３１と第２キャパシタＣ３２とが並列に連結され，上記の第１キャパシタＣ３１と第２キャパシタＣ３２との両端に，各々第１抵抗Ｒ３１と第２抵抗Ｒ３２とが連結され，‘♯’字の形態となっている。
【００５５】
図５ａおよび図５ｂを参照すると，使用者の音圧は上記音声モジュールのダイヤフラム（図示せず）を振動させて，可変容量キャパシタＣＥＣＭの容量を可変させるようになり，係る容量の変動は，上記電界効果トランジスタ３０のゲートＧで電圧変動として現れる。
【００５６】
上記電界効果トランジスタ３０は，ゲートＧが可変容量キャパシタＣＥＣＭと連結され，ソースＳが共通接地線と連結され，ドレインＤが上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２と連結される，接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）やビルト−イン−ゲインマイクロホンの増幅器からなり，入力信号を増幅する。このような上記電界効果トランジスタ３０は，入力インピーダンスが非常に高く，出力インピーダンスが低くて，上記音声モジュールを回路側とインピーダンスマッチングさせるインピーダンス変換機としても機能する。
【００５７】
上記電界効果トランジスタ３０の出力は，上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２を経て，上記出力端子３４ａ，３４ｂに出力される。上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２は，マイクロホンを外部と連結させるための上記出力端子３４ａ，３４ｂを介して流入される高周波無線信号や，電磁波ノイズを遮断する広帯域阻止フィルタとして機能すると同時に，外部から印加されるＥＳＤを遮断する役割を有する。
【００５８】
第３実施例の上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２において，第１キャパシタＣ３１と第２キャパシタＣ３２は，上記出力端子３４ａ，３４ｂを介して外部から入力される高周波雑音や電磁波雑音を抑制するフィルタリングとして機能する。そして，第１抵抗Ｒ３１と第２抵抗Ｒ３２は，第１キャパシタＣ３１と第２キャパシタＣ３２とを分離させるデカップリング機能を有すると同時に，内部回路に対して直接的に印加される静電放電を遮断する，静電放電遮断機能を有する。そして第２キャパシタＣ３２は，上記出力端子３４ａ，３４ｂを介して印加される静電放電電圧を接地でバイパスさせ，静電放電によって内部回路素子が破損することを防止する。係る結果を得るための第２キャパシタＣ３２は，高圧の静電放電による電流を十分に充電できる静電容量を有し，少なくとも１ｎＦ以上となる必要がある。
【００５９】
一方，図５ｂに示されている，上記音声モジュールと上記電界効果トランジスタ３０のゲートＧとの間に直列に連結される第３抵抗Ｒ３３は，上記電界効果トランジスタ３０に入力される電磁波ノイズを抑制するためのノイズ抑制抵抗である。
【００６０】
前述したキャパシタＣ３１，Ｃ３２は，１０ｐＦから１００μＦまで，条件によって選択的に調節可能である。例えば，第１キャパシタＣ３１は，１０ｐＦまたは３３ｐＦとし，第２キャパシタＣ３２は，１ｎＦ，１．５ｎＦ，２．２ｎＦ，３．３ｎＦ，４．７ｎＦ，６．８ｎＦ，１０ｎＦ，１５ｎＦ，２２ｎＦ，３３ｎＦ，４７ｎＦ，６８ｎＦまたは１００ｎＦからなる容量値グループのうち一つとし，第１抵抗Ｒ３１と第２抵抗Ｒ３２は，１００Ω，２２０Ω，３３０Ω，４３０Ω，６２０Ω，６８０Ω，８２０Ω，１ｋΩからなる抵抗値グループのうち一つとしてもよく，第３抵抗Ｒ３３は，１００Ω，１ｋΩ，１０ｋΩ，１００ｋΩ，１ＭΩからなる抵抗値グループのうちいずれか一つとしてもよい。
【００６１】
前述した第３実施例によって回路を構成した場合，低周波数および高周波数を含めた広帯域の周波数帯での電磁波（ＥＭ）ノイズを抑制できる効果と共に，マイクロホンを接地し端子に直接高圧の静電放電を印加する場合，最小８ｋＶ以上の，外部から印加された静電放電に対する遮断能力（耐性）が向上し得る。
【００６２】
図６は，本発明の第４実施例として三つのキャパシタＣ４１〜Ｃ４３だけでＥＭノイズフィルタリング部を構成したマイクロホンを示した回路図である。
【００６３】
図６を参照すると，大体の構成は前述した実施例と同一なので，これ以上の説明は省略し，上記の実施例と異なる第４実施例のフィルタリング部３２を中心に説明する。
【００６４】
第４実施例のＥＭノイズフィルタリング部３２は，上記電界効果トランジスタ３０のドレインＤとソースＳに互いに並列に連結された第１キャパシタＣ４１，第２キャパシタＣ４２，および，第３キャパシタ４３で構成される。
【００６５】
第４実施例のＥＭノイズフィルタリング部３２において，第１〜第３キャパシタＣ４１〜Ｃ４３は上記出力端子３４ａ，３４ｂを介して外部から入力される高周波雑音や電磁波雑音を抑制するフィルタリングとして機能する。係る結果を得るための第３キャパシタＣ４３は，低周波数および高周波数を含めた広帯域の信号を効果的に遮断できる広帯域阻止フィルタが構成されるように，少なくとも１ｎＦ以上となる必要がある。
【００６６】
前述したキャパシタＣ４１，Ｃ４２，Ｃ４３は，１０ｐＦから１００μＦまで，条件によって選択的に調節可能である。例えば，第１キャパシタＣ４１は，１０ｐＦから２０ｐＦまで，第２キャパシタＣ４２は，２０ｐＦから１ｎＦまで，第３キャパシタＣ４３は，１ｎＦから１００μＦまで条件によって選択的に調節可能である。第３キャパシタＣ４３は，１ｎＦ，１．５ｎＦ，２．２ｎＦ，３．３ｎＦ，４．７ｎＦ，６．８ｎＦ，１０ｎＦ，１５ｎＦ，２２ｎＦ，３３ｎＦ，４７ｎＦ，６８ｎＦまたは１００ｎＦからなる容量値グループのうちいずれか一つとしてもよい。
【００６７】
前述した第４実施例によって回路を構成する場合，当該構成によりコンデンサマイクロホンの低周波数および高周波数を含めた広帯域の周波数帯での電磁波（ＥＭ）ノイズを改善する効果を得られる。
【００６８】
図７ａおよび図７ｂは，第５実施例として三つのキャパシタＣ４１〜Ｃ４３と一つの抵抗Ｒ５１で上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２を構成したマイクロホンを示した回路図である。図７ａは，上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部の抵抗Ｒ５１が上記電界効果トランジスタ３０のドレインＤに直列連結された場合であって，図７ｂは，ＥＭノイズフィルタリング部の抵抗Ｒ５１が上記電界効果トランジスタ３０のソースＳに直列連結された場合である。
【００６９】
図７ａを参照すると，本発明の第５実施例によるコンデンサマイクロホンは，増幅機能を有する上記電界効果トランジスタ３０のゲートＧとソースＳとの間に，マイクロホンの静電容量を示す等価可変キャパシタＣＥＣＭが連結されており，上記電界効果トランジスタ３０のソースＳとドレインＤとの間に，第１キャパシタＣ４１と第２キャパシタ４２および第３キャパシタＣ４３が並列に連結され，第２キャパシタ４２と第３キャパシタＣ４３との間のドレインＤ側に，第１抵抗Ｒ５１が連結されて，上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２が具現される。
【００７０】
なお，図７ｂを参照すると，本発明の第５実施例によるＥＭノイズフィルタリング部３２は，上記電界効果トランジスタ３０のソースＳとドレインＤとの間に，第１キャパシタＣ４１と第２キャパシタＣ４２および第３キャパシタＣ４３が並列に連結され，第２キャパシタＣ４２と第３キャパシタＣ４３との間のソースＳ側に，第１抵抗Ｒ５１が連結されて具現される。
【００７１】
係る第５実施例の構成および動作において，前述した実施例と類似した部分の説明は省略し，第５実施例の上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２の動作を説明する。
【００７２】
図７ａに示された第５実施例の上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２において，第１〜第３キャパシタＣ４１〜Ｃ４３は，上記出力端子３４ａ，３４ｂを介して外部から入力される高周波雑音や電磁波雑音を抑制するフィルタリング機能を有し，第１抵抗Ｒ５１は，第２キャパシタＣ４２と第３キャパシタＣ４３とを分離させるデカップリング機能を有すると共に，外部から印加されたＥＳＤ電圧が内部回路に直接的に影響を与えることを防止する。なお，第３キャパシタＣ４３は，上記出力端子３４ａ，３４ｂを介して印加される静電放電電圧を接地でバイパスさせて，静電放電によって内部回路素子が破損することを防止する。係る結果を得るための第３キャパシタＣ４３は，高圧の静電放電による電流を十分に充電できる静電容量を有し，少なくとも１ｎＦ以上となる必要がある。
【００７３】
前述したキャパシタＣ４１，Ｃ４２，Ｃ４３は，１０ｐＦから１００μＦまで，条件によって選択的に調節可能である。例えば第１キャパシタＣ４１は，１０ｐＦから２０ｐＦまで，第２キャパシタＣ４２は，２０ｐＦから１ｎＦまで，第３キャパシタＣ４３は，１ｎＦから１００μＦまで条件によって選択的に調節可能である。第３キャパシタＣ４３は，１ｎＦ，１．５ｎＦ，２．２ｎＦ，３．３ｎＦ，４．７ｎＦ，６．８ｎＦ，１０ｎＦ，１５ｎＦ，２２ｎＦ，３３ｎＦ，４７ｎＦ，６８ｎＦまたは１００ｎＦからなる容量値グループのうちいずれか一つとし，第１抵抗Ｒ１は，１００Ω，２２０Ω，３３０Ω，４３０Ω，６２０Ω，６８０Ω，８２０Ω，１ｋΩからなる抵抗値グループのうち一つとしてもよい。
【００７４】
前述した第５実施例によって回路を構成した場合，低周波数および高周波数を含めた広帯域の周波数帯でのＥＭノイズ改善効果と共に，マイクロホンを接地し，端子に直接高圧の静電放電を印加する場合，最小８ｋＶ以上の，外部から印加された静電放電に対する遮断能力の向上を得られる。
【００７５】
図７ｂに示された第５実施例のＥＭノイズフィルタリング部３２において，第１〜第３キャパシタＣ４１〜Ｃ４３は，上記出力端子３４ａ，３４ｂを介して外部から入力される高周波雑音や電磁波雑音を抑制するフィルタリング機能を有し，第１抵抗Ｒ５１は，第２キャパシタＣ４２と第３キャパシタＣ４３とを分離させるデカップリング機能を有する。係る結果を得るための第３キャパシタＣ４３は，低周波数および高周波数を含めた広帯域の信号を効果的に遮断できる広帯域阻止フィルタが構成されるように，少なくとも１ｎＦ以上となる必要がある。
【００７６】
前述したキャパシタＣ４１，Ｃ４２，Ｃ４３は，１０ｐＦから１００μＦまで，条件によって選択的に調節可能である。例えば，第１キャパシタＣ４１は，１０ｐＦから２０ｐＦまで，第２キャパシタＣ４２は，２０ｐＦから１ｎＦまで，第３キャパシタＣ４３は，１ｎＦから１００μＦまで条件によって選択的に調節可能である。第３キャパシタＣ４３は，１ｎＦ，１．５ｎＦ，２．２ｎＦ，３．３ｎＦ，４．７ｎＦ，６．８ｎＦ，１０ｎＦ，１５ｎＦ，２２ｎＦ，３３ｎＦ，４７ｎＦ，６８ｎＦまたは１００ｎＦからなる容量値グループのうちいずれか一つとし，第１抵抗Ｒ１は，１００Ω，２２０Ω，３３０Ω，４３０Ω，６２０Ω，６８０Ω，８２０Ω，１ｋΩからなる抵抗値グループのうち一つとしてもよい。
【００７７】
前述した第５実施例によって回路を構成した場合，低周波数および高周波数を含めた広帯域の周波数帯でのＥＭノイズ改善効果を得られる。
【００７８】
前述した第１〜第５実施例は，次世代移動通信ＩＭＴ２０００サービスを含めた１．８ＧＨｚ帯域以上にわたって発生するノイズを除去するための回路に，そのまま適用することができる。すなわち，１．８ＧＨｚ帯域以上の周波数帯域にわたって発生するノイズ対応のための回路図は，前述した９００ＭＨｚと１．８ＧＨｚ帯域でのノイズ対応のための回路図と，その回路構成は同一で，但しフィルタリング機能を有するキャパシタＣ１，Ｃ２の容量を１ｐＦから１００μＦまで使用することが異なる。このように１ｐＦから１００μＦの静電容量を有するキャパシタは，５ｋＨｚから６ＧＨｚまでのＥＭノイズをフィルタリングすることができる。
【００７９】
例えば，図７ａのように，三つのキャパシタと一つの抵抗を使用する上記ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部３２を１．８ＧＨｚ以上に適用する場合，フィルタリング機能を有する第１〜第３キャパシタＣ４１，Ｃ４２，Ｃ４３は，１ｐＦから１００μＦまで，条件によって選択的に調節可能である。第１キャパシタＣ４１は，１ｐＦから５ｐＦまで，例えば４．７ｐＦとし，第２キャパシタＣ４２は，５ｐＦから１ｎＦまで，例えば５．６ｐＦとし，第３キャパシタＣ４３は，１ｎＦから１００μＦまで，例えば１ｎＦ，１．５ｎＦ，２．２ｎＦ，３．３ｎＦ，４．７ｎＦ，６．８ｎＦ，１０ｎＦ，１５ｎＦ，２２ｎＦ，３３ｎＦ，４７ｎＦ，６８ｎＦまたは１００ｎＦからなる容量値グループのうち一つとし，第１抵抗Ｒ５１は，１００Ω，２２０Ω，３３０Ω，４３０Ω，６２０Ω，６８０Ω，８２０Ω，１ｋΩからなる抵抗値グループのうち一つとしてもよい。
【００８０】
上記の例で，キャパシタＣ４１，Ｃ４２，Ｃ４３と抵抗Ｒ５１は，広帯域阻止フィルタを構成すると同時に静電放電遮断能力を向上させる役割を有する。外部から出力端子を通過した高圧の静電放電は，静電容量が大きい第３キャパシタＣ４３を介して接地端子３４ｂでの放電が行われ，第１抵抗Ｒ５１によって静電放電が直接的に内部回路部に印加されることが防止される。係る結果を得るためのキャパシタＣ４３は，高圧の静電放電による電流を十分に充電できる静電容量を有し，該静電容量は少なくとも１ｎＦ以上となる必要がある。
【００８１】
係る例によって回路を構成した場合，低周波数および高周波数を含めた広帯域の周波数帯での電磁波ＥＭノイズを改善する効果と，マイクロホンを接地し端子に直接高圧の静電放電を印加する場合，最小８ｋＶ以上の，外部から印加された静電放電（ＥＳＤ）に対しても耐えられる耐性の向上効果を得られる。
【００８２】
係る第６実施例で，電界効果トランジスタ３０のゲートを介して入力されたマイクロホンの電気信号は，電界効果トランジスタ３０で低雑音に増幅されてから，上記の第１キャパシタＣ４１，第２キャパシタＣ４２，第３キャパシタＣ４３および第１抵抗Ｒ５１からなる広帯域阻止フィルタで高周波信号帯域が遮断され，雑音が除去された状態で，上記出力端子３４ａ，３４ｂを介して移動通信端末機の音声処理回路に伝達される。
【００８３】
本発明は，前述した実施例に限られるのではなく，本発明の技術的思想の許容範囲内で多様な変形実施ができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】従来の移動通信端末機に使用されるキャパシタアレイが装着されたマルチバンド低雑音マイクロホンの概略図である。
【図２】図１のキャパシタ容量を変えた場合，フィルタの伝達特性を示したグラフである。
【図３】本発明によって一つのキャパシタと一つの抵抗でＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部を構成した第１実施例によるマイクロホンを示した回路図である。
【図４ａ】本発明によって二つのキャパシタと一つの抵抗でＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部を構成した第２実施例によるマイクロホンを示した回路図である。
【図４ｂ】本発明によって二つのキャパシタと一つの抵抗でＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部を構成した第２実施例によるマイクロホンを示した回路図である。
【図４ｃ】本発明によって二つのキャパシタと一つの抵抗でＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部を構成した第２実施例によるマイクロホンを示した回路図である。
【図４ｄ】本発明によって二つのキャパシタと一つの抵抗でＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部を構成した第２実施例によるマイクロホンを示した回路図である。
【図４ｅ】直接ＲＦ注射による既存のマイクロホンと本発明のコンデンサマイクロホンのノイズ特性を比べたグラフである。
【図５ａ】本発明によって二つのキャパシタと二つの抵抗でＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部を構成した第３実施例によるマイクロホンを示した回路図である。
【図５ｂ】本発明によって二つのキャパシタと二つの抵抗でＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部を構成した第３実施例によるマイクロホンを示した回路図である。
【図６】本発明によって三つのキャパシタだけでＥＭノイズフィルタリング部を構成した第４実施例によるマイクロホンを示した回路図である。
【図７ａ】本発明によって三つのキャパシタと一つの抵抗でＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部を構成した第５実施例によるマイクロホンを示した回路図である。
【図７ｂ】本発明によって三つのキャパシタと一つの抵抗でＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部を構成した第５実施例によるマイクロホンを示した回路図である。
【符号の説明】
【００８５】
３０：電気効果トランジスタ
３２：ＥＭノイズフィルタリングおよびＥＳＤ遮断部
３４ａ，３４ｂ：出力端子
３６：音響モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図４ｄ】
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【図４ｅ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【国際調査報告】
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