(57)【要約】  発光層を固形状の発光材料に限らず、液状または半固形状の発光材料によっても構成し得る有機発光素子を備える有機発光装置の製造方法、かかる有機発光装置の製造方法により製造され特性の高い有機発光装置および信頼性の高い電子機器を提供することにある。表示装置（有機発光装置）は、陰極、電子輸送層、発光層、正孔輸送層および陽極を有する有機発光素子（有機ＥＬ素子）を複数備える。この表示装置は、上基板に陽極および正孔輸送層を、ＴＦＴ回路基板に陰極および電子輸送層を、それぞれ液相成膜法または気相成膜法により形成した後、上基板およびＴＦＴ回路基板をそれらの間に間隙が形成されるように接合し、次いで、発光材料を間隙に注入して発光層を設けて有機ＥＬ素子を形成することにより得られる。
2007060854.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とに挟持された有機発光素子を構成する複数の層のうち、発光層以外の層を液相成膜法または気相成膜法により形成し、発光材料で構成される前記発光層を他の方法により形成することにより積層構造の前記有機発光素子を形成する有機発光装置の製造方法であって、
前記第１の基板および／または前記第２の基板の内面側に前記発光層以外の層を液相成膜法または気相成膜法により形成した後、
前記第１の基板および前記第２の基板をそれらの間に間隙が形成されるように接合し、
次いで、第１の液体注入部より前記発光材料を前記間隙に注入して前記発光層を形成することを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の液体注入部は、前記第１の基板または前記第２の基板に形成された孔である請求の範囲第１項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記孔は、前記発光層を形成する領域と重ならないように設けられている請求の範囲第２項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記孔は、その周囲に撥液処理が施されている請求の範囲第２項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の基板または前記第２の基板の前記孔を形成する領域を包含する領域に撥液処理を施した後、前記孔を形成する請求の範囲第２項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記孔の内側には、親液処理が施されている請求の範囲第２項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記孔は、第１の孔と、前記間隙側で前記第１の孔に連通し、前記第１の孔の横断面よりも小さい第２の孔とにより構成される請求の範囲第２項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記発光材料は、前記第１の孔を満たすように供給される請求の範囲第７項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の基板または前記第２の基板の前記撥液処理が施された領域における前記発光材料の接触角をＡ［°］とし、前記第１の孔における前記発光材料の接触角をＢ［°］としたとき、Ａ−Ｂ≧１５°なる関係を満足する請求の範囲第８項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記孔を形成した後、前記発光層以外の層を形成する請求の範囲第２項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記発光層以外の層を形成した後、前記第１の基板および前記第２の基板を接合する前に前記孔を形成する請求の範囲第２項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の基板および前記第２の基板を接合した後に前記孔を形成する請求の範囲第２項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記間隙は、スペーサによって形成される請求の範囲第１項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記スペーサは、前記発光層を形成する領域の外周部に沿って形成された突起で構成され、
該突起には、前記第１の液体注入部より注入された前記発光材料を前記間隙に注入する第２の液体注入部が設けられている請求の範囲第１３項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１５】
前記突起は、前記第１の基板側に設けられた第１の突起と、前記第２の基板側に設けられた第２の突起とを接触させることにより形成され、
前記第２の液体注入部は、前記第１の突起の一部の高さおよび／または前記第２の突起の一部の高さを低くし、前記第１の突起と前記第２の突起とを接触させることにより得られたものである請求の範囲第１４項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１６】
前記突起は、前記第１の基板側に設けられた第１の突起と、前記第２の基板側に設けられた第２の突起とを接触させることにより形成され、
前記第２の液体注入部は、前記第１の突起および前記第２の突起のうちのいずれか一方に設けられた貫通孔である請求の範囲第１４項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１７】
前記スペーサは、粒子で構成される請求の範囲第１３項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１８】
前記粒子は、前記間隙に配設されている請求の範囲第１７項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項１９】
インクジェット法を用いて、前記発光材料を前記第１の液体注入部に供給する請求の範囲第１項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項２０】
前記間隙の雰囲気を減圧し、前記第１の液体注入部を塞ぐように前記発光材料を供給した後、前記間隙の圧力と大気圧との圧力の差を利用して、前記発光材料を前記間隙に注入する請求の範囲第１項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項２１】
前記大気圧と前記間隙との圧力差は、１．０×１０-4〜１．０×１０１２Ｐａ程度である請求の範囲第２０項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第１の液体注入部を塞ぐように供給された前記発光材料を前記間隙に注入するのに先立って、
前記発光材料を加熱することにより、当該発光材料の粘度を低減させる請求の範囲第２０項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項２３】
前記発光材料の加熱は、前記第１の基板および前記第２の基板のいずれか一方または双方を加熱することにより行われる請求の範囲第２２項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項２４】
第１の基板と第２の基板とに挟持された有機発光素子を構成する陰極、陽極、発光層、正孔輸送層および電子輸送層のうち発光層以外の層を液相成膜法または気相成膜法により形成し、発光材料で構成される前記発光層を他の方法により形成することにより積層構造の前記有機発光素子を製造する有機発光装置の製造方法であって、
前記第１の基板上に前記陽極を形成する工程と、
前記陽極上に、前記発光層を形成する領域の外周部に沿って、かつ、その高さの一部が低くなるように第１の突起を形成する工程と、
前記第１の突起の内側に露出する前記陽極上に、前記正孔輸送層を形成する工程と、
前記第２の基板上に、前記発光層を形成する領域の外周部に沿って第２の突起を形成する工程と、
前記第２の突起の内側に露出する前記第２の基板上に、前記陰極および前記電子輸送層をこの順で形成する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に間隙が、前記第１の突起と前記第２の突起との間に前記発光材料を前記間隙に注入するための第２の液体注入部が、それぞれ形成されるように前記第１の突起と前記第２の突起とを接触させる工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを、これらの縁部において前記間隙を封止する封止部を形成することにより接合する工程と、
前記第１の基板に、前記発光層を形成する領域と重ならないように、その厚さ方向に向かって孔を設けることにより第１の液体注入部を形成する工程と、
前記間隙を減圧する工程と、
前記第１の液体注入部を塞ぐように、前記発光材料を供給する工程と、
前記間隙の圧力と大気圧との圧力の差を利用して、前記発光材料を前記間隙に注入することにより前記発光層を形成する工程と、
前記第１の液体注入部を密封する工程とを有することを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【請求項２５】
第１の基板と第２の基板とに挟持された有機発光素子を構成する陰極、陽極、発光層、正孔輸送層および電子輸送層のうち発光層以外の層を液相成膜法または気相成膜法により形成し、発光材料で構成される前記発光層を他の方法により形成することにより積層構造の前記有機発光素子を製造する有機発光装置の製造方法であって、
前記第１の基板上に前記陽極を形成する工程と、
前記陽極上に、前記発光層を形成する領域の外周部に沿って、かつ、その高さの一部が低くなるように第１の突起を形成する工程と、
前記第１の基板の前記陽極と反対側の面に、撥液処理を施す工程と、
前記撥液処理が施された前記第１の基板に、前記発光層を形成する領域と重ならないように、その厚さ方向に向かって孔を設けることにより第１の液体注入部を形成する工程と、
前記第１の突起の内側に露出する前記陽極上に、前記正孔輸送層を形成する工程と、
前記第２の基板上に、前記発光層を形成する領域の外周部に沿って第２の突起を形成する工程と、
前記第２の突起の内側に露出する前記第２の基板上に、前記陰極および前記電子輸送層をこの順で形成する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に間隙が、前記第１の突起と前記第２の突起との間に、前記発光材料を前記間隙に注入するための第２の液体注入部が、それぞれ形成されるように前記第１の突起と前記第２の突起とを接触させる工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを、これらの縁部において前記間隙を封止する封止部を形成することにより接合する工程と、
前記間隙を減圧する工程と、
前記第１の液体注入部を塞ぐように、前記発光材料を供給する工程と、
前記間隙の圧力と大気圧との圧力の差を利用して、前記発光材料を前記間隙に注入することにより前記発光層を形成する工程と、
前記第１の液体注入部を密封する工程とを有することを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【請求項２６】
前記有機発光素子を複数備える請求の範囲第１項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項２７】
請求の範囲第１項に記載の有機発光装置の製造方法により製造されたことを特徴とする有機発光装置。
【請求項２８】
請求の範囲第２７項に記載の有機発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置の製造方法、有機発光装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機発光素子）は、陰極と陽極との間に少なくとも蛍光性有機化合物を含む薄膜（発光層）を含む有機層を挟んだ構成を有しており、この薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。【０００３】
この有機ＥＬ素子は、１０Ｖ以下の低電圧で、１００〜１０００００ｃｄ／ｍ2程度の高輝度の面発光が可能であること、また、蛍光物質の種類を選択することにより、青色から赤色までの発光が可能なこと等の特徴を有し、安価で大面積フルカラー表示を実現し得る素子として注目を集めている。【０００４】
ＥＬ現象は、単層の有機薄膜を電極で挟んだ構造でも得られるが、より低い電圧印加で高輝度を得るためには電極から発光層へのキャリア（電子および正孔）の注入効率を向上させる必要がある。このため、電極と発光層とのエネルギー障壁を減じ、発光層へのキャリア移動を容易にすることを目的として、電極と発光層との間にキャリア輸送層を付加した積層構造が提案されている（例えば、特許文献１：特開２００２−１７５８８５号公報参照）。【０００５】
ところで、この有機ＥＬ素子は、従来、真空蒸着法および化学的気相成膜（ＣＶＤ）法のような各種気相成膜法や、キャスト法、スピンコート法およびインクジェット法のような各種液相成膜法等を用いて、単一基板の上に陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極をこの順で積層することにより製造されている。【０００６】
ところが、各層を順次積層して形成する際には、先に形成した下層が固化または硬化した状態でないと、上層の構成材料が下層の構成材料と混ざり合うこととなり、均一な界面を有する上層と下層とを形成することができず、液状または半固形状の下層に、上層を積層するのは困難であった。そのため、各層に用いる材料の選択の幅が狭くなるという問題がある。【０００７】
このことは、特に、発光層において問題となっている。
【発明の開示】
【０００８】
本発明の目的は、発光層を固形状の発光材料に限らず、液状または半固形状の発光材料によっても構成し得る有機発光素子を備える有機発光装置の製造方法、かかる有機発光装置の製造方法により製造され特性の高い有機発光装置および信頼性の高い電子機器を提供することにある。
【０００９】
本発明の有機発光装置の製造方法は、第１の基板と第２の基板とに挟持された有機発光素子を構成する複数の層のうち、発光層以外の層を液相成膜法または気相成膜法により形成し、発光材料で構成される前記発光層を他の方法により形成することにより積層構造の前記有機発光素子を形成する有機発光装置の製造方法であって、
前記第１の基板および／または前記第２の基板の内面側に前記発光層以外の層を液相成膜法または気相成膜法により形成した後、
前記第１の基板および前記第２の基板をそれらの間に間隙が形成されるように接合し、
次いで、第１の液体注入部より前記発光材料を前記間隙に注入して前記発光層を形成することを特徴とする。
【００１０】
これにより、発光層を液状または半固形状の発光材料によっても構成し得る有機発光素子を備える有機発光装置を製造することができる。
【００１１】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記第１の液体注入部は、前記第１の基板または前記第２の基板に形成された孔であることが好ましい。
【００１２】
これにより、所望の位置に第１の液体注入部を形成することができることから、発光材料を目的とする間隙の位置に確実に注入することができる。
【００１３】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記孔は、前記発光層を形成する領域と重ならないように設けられていることが好ましい。
【００１４】
これにより、この孔が設けられた領域で有機発光素子の発光輝度が低下するのを確実に防止することができる。
【００１５】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記孔は、その周囲に撥液処理が施されていることが好ましい。
【００１６】
これにより、孔に供給された発光材料を、前記孔が形成された基板上に濡れ広がるのを確実に防止することができ、その結果、発光材料を、孔より間隙に確実に注入することができる。
【００１７】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記第１の基板または前記第２の基板の前記孔を形成する領域を包含する領域に撥液処理を施した後、前記孔を形成することが好ましい。
【００１８】
これにより、第１の基板または第２の基板の形成される孔を取り囲む領域に確実に撥液性を付与することができる。
【００１９】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記孔の内側には、親液処理が施されていることが好ましい。
【００２０】
これにより、孔の内側の親液性を向上させることができることから、孔を塞ぐように供給された前記発光材料を、孔内に確実に保持することができる。
【００２１】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記孔は、第１の孔と、前記間隙側で前記第１の孔に連通し、前記第１の孔の横断面よりも小さい第２の孔とにより構成されることが好ましい。
【００２２】
これにより、孔に供給された前記発光材料を、第１の孔内に確実に保持することができる。
【００２３】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記発光材料は、前記第１の孔を満たすように供給されることが好ましい。
【００２４】
このように、前記発光材料が前記第１の孔を満たすように供給されたとしても、前記孔の周囲には撥液処理が施されていることから、前記孔が形成されている基板側に前記発光材料が移行することを確実に阻止することができる。
【００２５】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記第１の基板または前記第２の基板の前記撥液処理が施された領域における前記発光材料の接触角をＡ［°］とし、前記第１の孔における前記発光材料の接触角をＢ［°］としたとき、Ａ−Ｂ≧１５°なる関係を満足することが好ましい。
【００２６】
かかる関係を満足することにより、前記第１の孔を満たすように前記発光材料が供給されたとしても、前記孔が形成されている基板側に前記発光材料が移行することをより確実に阻止することができる。
【００２７】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記孔を形成した後、前記発光層以外の層を形成することが好ましい。
【００２８】
これにより、第１の基板または第２の基板に孔を形成する際に生じる熱等の影響が各層におよぶようになるのを確実に防止することができる。
【００２９】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記発光層以外の層を形成した後、前記第１の基板および前記第２の基板を接合する前に前記孔を形成することが好ましい。
【００３０】
これにより、孔を形成する際に生じる第１の基板または第２の基板からの除去物が間隙内に残存するのを確実に防止または抑制することができる。
【００３１】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記第１の基板および前記第２の基板を接合した後に前記孔を形成することが好ましい。
【００３２】
これにより、孔を目的とする領域により精度よく形成することができる。
【００３３】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記間隙は、スペーサによって形成されることが好ましい。
【００３４】
これにより、第１の基板の厚さ方向に対する間隙の幅をほぼ一定なものとした状態で、第１の基板と第２の基板とを接合することができる。
【００３５】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記スペーサは、前記発光層を形成する領域の外周部に沿って形成された突起で構成され、
該突起には、前記第１の液体注入部より注入された前記発光材料を前記間隙に注入する第２の液体注入部が設けられていることが好ましい。
【００３６】
スペーサをかかる構成のものとすることにより、スペーサとしての機能を確実に発揮させることができるとともに、発光材料の有機発光素子外への流出を防止するバリア層としての機能を発揮させることができる。
【００３７】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記突起は、前記第１の基板側に設けられた第１の突起と、前記第２の基板側に設けられた第２の突起とを接触させることにより形成され、
前記第２の液体注入部は、前記第１の突起の一部の高さおよび／または前記第２の突起の一部の高さを低くし、前記第１の突起と前記第２の突起とを接触させることにより得られたものであることが好ましい。
【００３８】
これにより、第２の液体注入部を備える突起を得ることができる。
【００３９】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記突起は、前記第１の基板側に設けられた第１の突起と、前記第２の基板側に設けられた第２の突起とを接触させることにより形成され、
前記第２の液体注入部は、前記第１の突起および前記第２の突起のうちのいずれか一方に設けられた貫通孔であることが好ましい。
【００４０】
これにより、第２の液体注入部を備える突起を得ることができる。
【００４１】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記スペーサは、粒子で構成されることが好ましい。
【００４２】
スペーサをかかる構成のものとすることにより、スペーサとしての機能を確実に発揮させることができる。
【００４３】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記粒子は、前記間隙に配設されていることが好ましい。
【００４４】
これにより、形成される空隙の第１の基板の厚さ方向に対する幅をほぼ一定なものとすることができる。
【００４５】
本発明の有機発光装置の製造方法では、インクジェット法を用いて、前記発光材料を前記第１の液体注入部に供給することが好ましい。
【００４６】
インクジェット法を用いることにより、発光材料によって各第１の液体注入部を選択的に塞ぐようにすることができるため、発光材料のムダを省くことができる。
【００４７】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記間隙の雰囲気を減圧し、前記第１の液体注入部を塞ぐように前記発光材料を供給した後、前記間隙の圧力と大気圧との圧力の差を利用して、前記発光材料を前記間隙に注入することが好ましい。
【００４８】
これにより、発光材料を空隙に注入して、この発光材料で構成される発光層を形成することができる。
【００４９】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記大気圧と前記間隙との圧力差は、１．０×１０-4〜１．０×１０１２Ｐａ程度であることが好ましい。
【００５０】
これにより、空隙に発光材料を確実に注入することができる。
【００５１】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記第１の液体注入部を塞ぐように供給された前記発光材料を前記間隙に注入するのに先立って、
前記発光材料を加熱することにより、当該発光材料の粘度を低減させることが好ましい。
【００５２】
これにより、発光材料として固形状のものや比較的粘度の高い半固形状のものを用いた場合においても、空隙に発光材料を確実に注入することができる。
【００５３】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記発光材料の加熱は、前記第１の基板および前記第２の基板のいずれか一方または双方を加熱することにより行われることが好ましい。
【００５４】
これにより、発光材料を加熱して、この発光材料の粘度を確実に低下させることができる。
【００５５】
本発明の有機発光装置の製造方法は、第１の基板と第２の基板とに挟持された有機発光素子を構成する陰極、陽極、発光層、正孔輸送層および電子輸送層のうち発光層以外の層を液相成膜法または気相成膜法により形成し、発光材料で構成される前記発光層を他の方法により形成することにより積層構造の前記有機発光素子を製造する有機発光装置の製造方法であって、
前記第１の基板上に前記陽極を形成する工程と、
前記陽極上に、前記発光層を形成する領域の外周部に沿って、かつ、その高さの一部が低くなるように第１の突起を形成する工程と、
前記第１の突起の内側に露出する前記陽極上に、前記正孔輸送層を形成する工程と、
前記第２の基板上に、前記発光層を形成する領域の外周部に沿って第２の突起を形成する工程と、
前記第２の突起の内側に露出する前記第２の基板上に、前記陰極および前記電子輸送層をこの順で形成する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に間隙が、前記第１の突起と前記第２の突起との間に前記発光材料を前記間隙に注入するための第２の液体注入部が、それぞれ形成されるように前記第１の突起と前記第２の突起とを接触させる工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを、これらの縁部において前記間隙を封止する封止部を形成することにより接合する工程と、
前記第１の基板に、前記発光層を形成する領域と重ならないように、その厚さ方向に向かって孔を設けることにより第１の液体注入部を形成する工程と、
前記間隙を減圧する工程と、
前記第１の液体注入部を塞ぐように、前記発光材料を供給する工程と、
前記間隙の圧力と大気圧との圧力の差を利用して、前記発光材料を前記間隙に注入することにより前記発光層を形成する工程と、
前記第１の液体注入部を密封する工程とを有することを特徴とする。
【００５６】
これにより、発光層を固形状の発光材料に限らず液状または半固形状の発光材料によっても構成し得る有機発光素子を備える有機発光装置を製造することができる。
【００５７】
本発明の有機発光装置の製造方法は、第１の基板と第２の基板とに挟持された有機発光素子を構成する陰極、陽極、発光層、正孔輸送層および電子輸送層のうち発光層以外の層を液相成膜法または気相成膜法により形成し、発光材料で構成される前記発光層を他の方法により形成することにより積層構造の前記有機発光素子を製造する有機発光装置の製造方法であって、
前記第１の基板上に前記陽極を形成する工程と、
前記陽極上に、前記発光層を形成する領域の外周部に沿って、かつ、その高さの一部が低くなるように第１の突起を形成する工程と、
前記第１の基板の前記陽極と反対側の面に、撥液処理を施す工程と、
前記撥液処理が施された前記第１の基板に、前記発光層を形成する領域と重ならないように、その厚さ方向に向かって孔を設けることにより第１の液体注入部を形成する工程と、
前記第１の突起の内側に露出する前記陽極上に、前記正孔輸送層を形成する工程と、
前記第２の基板上に、前記発光層を形成する領域の外周部に沿って第２の突起を形成する工程と、
前記第２の突起の内側に露出する前記第２の基板上に、前記陰極および前記電子輸送層をこの順で形成する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に間隙が、前記第１の突起と前記第２の突起との間に、前記発光材料を前記間隙に注入するための第２の液体注入部が、それぞれ形成されるように前記第１の突起と前記第２の突起とを接触させる工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを、これらの縁部において前記間隙を封止する封止部を形成することにより接合する工程と、
前記間隙を減圧する工程と、
前記第１の液体注入部を塞ぐように、前記発光材料を供給する工程と、
前記間隙の圧力と大気圧との圧力の差を利用して、前記発光材料を前記間隙に注入することにより前記発光層を形成する工程と、
前記第１の液体注入部を密封する工程とを有することを特徴とする。
【００５８】
これにより、発光層を固形状の発光材料に限らず液状または半固形状の発光材料によっても構成し得る有機発光素子を備える有機発光装置を製造することができる。
【００５９】
本発明の有機発光装置の製造方法では、前記有機発光素子を複数備えることが好ましい。
【００６０】
かかる構成の有機発光装置を製造する際においても、発光層を固形状の発光材料に限らず液状または半固形状の発光材料によっても構成し得る有機発光素子を備えるものを製造することができる。
【００６１】
本発明の有機発光装置は、本発明の有機発光装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。
【００６２】
これにより、特性に優れる発光装置が得られる。
【００６３】
本発明の電子機器は、本発明の有機発光装置を備えることを特徴とする。
【００６４】
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】図１は、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す縦断面図である。
【図２】図２は、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す斜視図である。
【図３】図３は、図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】図４は、図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】図５は、図１に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】図６は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態を示す縦断面図である。
【図７】図７は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態を示す斜視図である。
【図８】図８は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態を示す平面図である。
【図９】図９は、図６に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１０】図１０は、図６に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１１】図１１は、図６に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１２】図１２は、本発明の発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第３実施形態を示す縦断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１４】図１４は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１５】図１５は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６６】
以下、本発明の有機発光装置の製造方法、有機発光装置および電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。【００６７】
＜第１実施形態＞
まず、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態について説明する。なお、本実施形態では、発光層５が各有機ＥＬ素子１の形状に対応するように設けられている場合、すなわち、発光層５が各有機ＥＬ素子１に対して個別に設けられている場合について説明する。【００６８】
図１および図２は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第１実施形態を示す図であり、図１は、縦断面図、図２は、斜視図である。図３〜５は、図１および図２に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。なお、図２では、説明の都合上、図１の表示装置と上下逆に示しており、基板２０および封止部７４の記載を省略している。また、以下の説明では、図１〜図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。【００６９】
図１および図２に示すアクティブマトリクス型表示装置（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、ＴＦＴ回路基板（対向基板）２０と、この基体２０上に設けられた有機発光素子１と、ＴＦＴ回路基板２０（第２の基板）に対向する上基板９（第１の基板）とを有している。【００７０】
ＴＦＴ回路基板２０は、基板２１と、この基板２１上に形成された回路部２２とを有している。【００７１】
基板２１は、表示装置１０を構成する各部の支持体となるものであり、上基板９は、例えば、有機発光素子１を保護する保護層等として機能するものである。【００７２】
また、本実施形態の表示装置１０は、上基板９側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、上基板９は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされ、一方、基板２１は、特に、透明性は要求されない。【００７３】
このような基板２１には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち比較的硬度の高いものが好適に用いられる。【００７４】
一方、上基板９には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。【００７５】
基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜２．０ｍｍ程度であるのがより好ましい。一方、上基板９の平均厚さも、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。【００７６】
回路部２２は、基板２１上に形成された下地保護層２３と、下地保護層２３上に形成された駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、第１層間絶縁層２５と、第２層間絶縁層２６とを有している。【００７７】
駆動用ＴＦＴ２４は、半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。【００７８】
このような回路部２２上に、各駆動用ＴＦＴ２４に対応して、それぞれ、有機ＥＬ素子１が設けられている。また、隣接する有機ＥＬ素子１同士は、突起（バンク）７により区画されている。【００７９】
本実施形態では、各有機発光素子１の陰極３は、画素電極を構成し、各駆動用ＴＦＴ２４のドレイン電極２４５に配線２７により電気的に接続されている。また、電子輸送層４、発光層５および正孔輸送層６で構成される有機半導体層は個別に形成され、この有機半導体層に含まれる発光層５が液状または半固形状の発光材料によっても構成され得る。さらに、陽極８は、共通電極とされている。【００８０】
なお、表示装置１０は、単色表示であってもよく、各有機発光素子１が備える発光層５に用いる発光材料を選択すること、すなわち、有機発光素子１毎に、発光層５に用いる発光材料として、例えば、赤色の発光材料、緑色の発光材料および青色の発光材料のうちのいずれかを適宜選択することにより、カラー表示も可能である。【００８１】
以下、有機発光素子１について詳述する。【００８２】
図１に示すように、有機発光素子１は、陰極３と、陽極８と、陰極３と陽極８との間に、陰極３側から順に、電子輸送層４、発光層５および正孔輸送層６がこの順で積層された有機半導体層とを有している。【００８３】
陰極３は、電子輸送層４に電子を注入する電極である。【００８４】
この陰極３の構成材料（陰極材料）としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。【００８５】
このような陰極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。【００８６】
特に、陰極材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極材料として用いることにより、陰極３の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。【００８７】
陰極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜５００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極３の厚さが薄すぎると、陰極３の機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極３が厚過ぎると、有機ＥＬ素子１の発光効率等の特性が低下するおそれがある。【００８８】
一方、陽極８は、正孔輸送層６に正孔を注入する電極である。【００８９】
この陽極８の構成材料（陽極材料）としては、表示装置１０が陽極８側から光を取り出すトップエミッション構造であるため透光性を有する導電性材料が選択され、特に、仕事関数が大きく、優れた導電性を有するものが好適に用いられる。【００９０】
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化亜鉛との複合物）、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。【００９１】
陽極８の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極８の厚さが薄すぎると、陽極８としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極８が厚過ぎると、陽極材料の種類等によっては、光の透過率が低下して、トップエミッション型の構造を有する有機ＥＬ素子１として、実用に適さなくなるおそれがある。【００９２】
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。【００９３】
陰極３と陽極８との間には、陰極３側から電子輸送層４、発光層５および正孔輸送層６がこの順で設けられた有機半導体層が形成されている。【００９４】
電子輸送層４は、陰極３から注入された電子を発光層５まで輸送する機能を有する層である。【００９５】
電子輸送層４の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物（スターバースト系化合物）、ナフタレンのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセンのようなクリセン系化合物、ペリレンのようなペリレン系化合物、アントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエンのようなブタジエン系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、キノリンのようなキノリン系化合物、ビスチリルのようなビスチリル系化合物、ピラジン、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリンのようなキノキサリン系化合物、ベンゾキノン、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノンのようなナフトキノン系化合物、アントラキノンのようなアントラキノン系化合物、オキサジアゾール、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、ＴＰＯＢ、ＢＭＤ、ＢＮＤ、ＢＤＤ、ＢＡＰＤのようなオキサジアゾール系化合物、トリアゾール、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロンのようなアントロン系化合物、フルオレノン、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ジフェノキノン、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、スチルベンキノン、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、８−ヒドロキシキノリン  アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられる。【００９６】
その他、電子輸送層４の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、オキサジアゾール系高分子（ポリオキサジアゾール）、トリアゾール系高分子（ポリトリアゾール）等の高分子系の材料を用いることもできる。【００９７】
電子輸送層４の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。【００９８】
なお、電子輸送層４と陰極３との間には、例えば、陰極３からの電子注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。【００９９】
この電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、または、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて（例えば、複数層の積層体等として）用いることができる他、各種の無機絶縁材料や、各種の無機半導体材料等を用いることができる。【０１００】
無機絶縁材料や無機半導体材料を主材料として電子注入層を構成することにより、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることや、耐久性の向上を図ることができる。【０１０１】
このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。【０１０２】
アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。【０１０３】
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。【０１０４】
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。【０１０５】
アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２、ＢｅＦ２等が挙げられる。【０１０６】
また、無機半導体材料としては、例えば、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。【０１０７】
また、このような無機材料で電子注入層を構成する場合、この無機材料は、微結晶または非晶質であることが好ましい。これにより、電子注入層は、より均質なものとなるため、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。【０１０８】
正孔輸送層６は、陽極８から注入された正孔を発光層５まで輸送する機能を有するものである。【０１０９】
正孔輸送層６の構成材料（正孔輸送材料）としては、以下に示すような化合物（モノマー）を主鎖または側鎖に有する高分子（プレポリマーやポリマー）のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いられる。【０１１０】
この化合物（モノマー）としては、例えば、３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸のようなチオフェン／スチレンスルホン酸系化合物、１，１−ビス（４−ジ−パラ−トリアミノフェニル）シクロへキサン、１，１’−ビス（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサンのようなアリールシクロアルカン系化合物、４，４’，４’’−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ１）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ３）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、ＴＰＴＥのようなアリールアミン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（パラ−トリル）−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（メタ−トリル）−メタ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）のようなフェニレンジアミン系化合物、カルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−フェニルカルバゾールのようなカルバゾール系化合物、スチルベン、４−ジ−パラ−トリルアミノスチルベンのようなスチルベン系化合物、ＯｘＺのようなオキサゾール系化合物、トリフェニルメタンｍ−ＭＴＤＡＴＡのようなトリフェニルメタン系化合物、１−フェニル−３−（パラ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリンのようなピラゾリン系化合物、ベンジン（シクロヘキサジエン）系化合物、トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、イミダゾールのようなイミダゾール系化合物、１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３，４，−オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アントラセン、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンのようなアントラセン系化合物、フルオレノン、２，４，７，−トリニトロ−９−フルオレノン、２，７−ビス（２−ヒドロキシ−３−（２−クロロフェニルカルバモイル）−１−ナフチルアゾ）フルオレノンのようなフルオレノン系化合物、ポリアニリンのようなアニリン系化合物、シラン系化合物、ポリチオフェン、ポリ（チオフェンビニレン）のようなチオフェン系化合物、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、１，４−ジチオケト−３，６−ジフェニル−ピロロ−（３，４−ｃ）ピロロピロールのようなピロール系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリンのようなポルフィリン系化合物、キナクリドンのようなキナクリドン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、銅ナフタロシアニン、バナジルナフタロシアニン、モノクロロガリウムナフタロシアニンの���うな金属または無金属のナフタロシアニン系化合物、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジンのようなベンジジン系化合物等が挙げられる。これらの化合物の高分子は、いずれも、高い正孔輸送能力を有している。【０１１１】
このような正孔輸送層６の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。【０１１２】
なお、陽極８と正孔輸送層６との間には、例えば、陽極８からの正孔注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよい。【０１１３】
この正孔注入層の構成材料（正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ‐フェニル‐３‐メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。【０１１４】
ここで、陽極８と陰極３との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層６中を正孔が、また、電子輸送層４中を電子が移動し、発光層５において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層５ではエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。【０１１５】
表示装置１０は、以下で説明する本発明の有機発光装置の製造方法を適用して製造されることから、この発光層５を、固形状の発光材料に限定されることなく、液状または半固形状の発光材料によっても構成することができる。【０１１６】
発光材料（発光層５の構成材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）のような金属錯体等の低分子系のものや、オキサジアゾール系化合物、トリアゾール系化合物、カルバゾール系化合物、フルオレン系化合物のような化合物の低分子（モノマーまたはオリゴマー）および高分子（ポリマー）が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。すなわち、各種の低分子材料や、各種の高分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。【０１１７】
これらのうち、常温で液状または半固形状の発光材料としては、例えば、青色の発光材料として、化１で表されるペンタ［９，９−ビス（２−メチルブチル）フルオレン］（以下、「Ｆ（ＭＢ）５」と略す。）等が挙げられ、緑色の発光材料として、化２で表される４，７−ビス［９，９−ビス（２−エチルヘキシル）−９’，９’，９’’，９’’，９’’’，９’’’−ヘキサキス−（２−メチルブチル）−７，２’；７’，２’’；７’’，２’’’−テトラフルオレン−２−イル］−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（以下、「ＯＦ−１」と略す。）等が挙げられ、赤色の発光材料として、化３で表される４，７−ビス［５−（９，９−ビス（２−エチルヘキシル）−９’，９’，９’’，９’’，９’’’，９’’’−ヘキサキス−（２−メチルブチル）−７，２’；７’，２’’；７’’，２’’’−テトラフルオレン−２−イル）−チオフェン−２−イル］−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（以下、「ＯＦ−２」と略す。）等が挙げられる。【０１１８】
【化１】
2007060854.tif 000003
【０１１９】
【化２】
2007060854.tif 000004
【０１２０】
【化３】
2007060854.tif 000005
【０１２１】
また、常温で固形状の発光材料としては、例えば、青色の発光材料として、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］等が挙げられ、緑色の発光材料として、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］等が挙げられ、赤色の発光材料として、トリス（１−フェニルイソキノリン）  イリジウム（III）、ポリ［２，５−ビス（３、７−ジメチルオクチロキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）−１，４−（１−シアノビニレン）フェニレン］、ポリ［２−メトキシ−５−（３，７−ジメチルオクチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］等が挙げられる。【０１２２】
さらに、本発明では、発光材料として、低分子（モノマーやオリゴマー）の際には常温で液状または半固形状であるが、この低分子同士を重合反応させて高分子化することにより固形状となるものも用いることができる。このような発光材料を用いれば、後述する発光装置１０の製造方法において、発光層５を形成する際に、液状または半固形状（低分子）の状態で発光材料を第１の液体注入部７７から間隙７６に注入し、この発光材料を高分子化（硬化）することにより間隙７６内に固形状の発光層５を形成することができる。このように発光材料を高分子化することにより、発光材料の耐熱性の向上を図ることができる。さらに、発光材料（低分子）の電子輸送層４および正孔輸送層６中への拡散を好適に防止することができる。【０１２３】
具体的には、このような発光材料としては、例えば、赤色の発光材料として、下記化４で表される化合物、緑色の発光材料として、下記化５で表される化合物、青色の発光材料として、下記化６で表される化合物が挙げられる。
【０１２４】
【化４】
2007060854.tif 000006
【０１２５】
【化５】
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【０１２６】
【化６】
2007060854.tif 000008
【０１２７】
なお、ここで示した化４〜化６で表される化合物は、光照射のような所定の処理を施すことにより、ベンゼン環に連結する置換基の末端に存在するエポキシ基同士が重合反応することにより、隣接する化合物（発光材料）同士が連結して高分子化するものである。【０１２８】
なお、化４〜化６で表される化合物では、これらの化合物同士を連結する重合性基としてエポキシ基を備える場合を示したが、重合性基としては、このような場合に限定されず、例えば、オキセタン基、（メタ）アクリロイル基、ビニルエーテル基およびビニルベンジルエーテル基等であってもよい。【０１２９】
発光層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。【０１３０】
上述したような本実施形態の表示装置１０は、上基板９（第１の基板）の内面側に、陽極８および正孔輸送層６を形成し、ＴＦＴ回路基板２０の内面側に、陰極３および電子輸送層４を形成した後、これら上基板９およびＴＦＴ回路基板２０を、それらの間に間隙７６が形成されるように接合し、次いで、第１の液体注入部７７より、発光材料を間隙７６に注入して発光層５を形成することにより製造される。かかる方法を用いて有機ＥＬ素子１（表示装置１０）を製造することにより、発光層５を、固形の発光材料で構成する場合のみならず、液状または半固形状の発光材料で構成することができることから、発光層５に用いる発光材料の選択の幅が広がるという利点が得られる。【０１３１】
以下、この表示装置１０の製造方法について詳述する。【０１３２】
［１Ａ］まず、上基板（第１の基板）９およびＴＦＴ回路基板（第２の基板）２０を用意する。【０１３３】
１Ａ−Ａ：まず、上基板９を用意する。【０１３４】
１Ａ−Ｂ：次に、基板２１を用意し、基板２１上に、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約２００〜５００ｎｍの酸化シリコンを主材料として構成される下地保護層２３を形成する。【０１３５】
１Ａ−Ｃ：次に、下地保護層２３上に、駆動用ＴＦＴ２４を形成する。【０１３６】
まず、基板２１を約３５０℃に加熱した状態で、下地保護層２３上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。【０１３７】
次いで、半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。【０１３８】
ここで、レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ２程度に設定される。また、ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。【０１３９】
次いで、半導体膜をパターニングして島状とし、各島状の半導体膜２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約６０〜１５０ｎｍの酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。【０１４０】
次いで、ゲート絶縁層上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。【０１４１】
次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。【０１４２】
１Ａ−Ｄ：次に、駆動用ＴＦＴ２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。【０１４３】
まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１層間絶縁層２５を形成した後、コンタクトホールを形成する。【０１４４】
次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。【０１４５】
１Ａ−Ｅ：次に、ドレイン電極２４５と陽極８とを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。【０１４６】
まず、第１層間絶縁層２５上に、第２層間絶縁層２６を形成した後、コンタクトホールを形成する。【０１４７】
次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。【０１４８】
以上のようにして、ＴＦＴ回路基板（第２の基板）２０が得られる。【０１４９】
［２Ａ］次に、上基板（第１の基板）９上に陽極８を形成する。【０１５０】
この陽極８は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法および化学的気相成膜（ＣＶＤ法）法のような気相成膜法や、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法およびインクジェット印刷法のような液相成膜法を用いて形成することができる。【０１５１】
なお、これらの方法は、陽極８の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して選択される。【０１５２】
なお、本実施形態では、上基板９の全面に、陽極８を形成することから、マスクを用いる必要がないため、これらの形成には、真空蒸着法等の気相成膜法が好適に用いられる。【０１５３】
［３Ａ］次に、図３（ａ）に示すように、陽極８上に、後工程［１２Ａ］で形成する発光層５すなわち有機ＥＬ素子１を形成する領域の外周部に沿って、かつ、その高さの一部が低くなるように第１の突起７１を形成する。【０１５４】
本実施形態では、各第１の突起７１を、それぞれ、枠状（四角形の環状）をなし、この四角形の４辺のうちの１辺７１１の高さが他の辺の高さよりも低くなるように形成する。このとき、隣り合う第１の突起７１同士を一体的に形成する。【０１５５】
具体的には、図２に示すように、太幅の凸条（リブ）７１ａを、ｘ軸方向に沿ってほぼ一定の間隔離間して形成し、この凸条７１ａとほぼ直交するように（ｙ軸方向に沿って）、凸条７１ａより細幅の凸条（リブ）７１ｂ、７１ｃを交互に形成する。なお、凸条７１ｂの高さは、凸条７１ａの高さとほぼ等しく、凸条７１ｃの高さは、凸条７１ａの高さより低く形成する。また、凸条７１ｂと凸条７１ｃとは、第１のピッチと、この第１のピッチより狭い第２のピッチとが順に繰り返されるように形成する。【０１５６】
このような構成により、第１の突起７１に囲まれる内側の空間（有機ＥＬ素子１を構成する層の一部を形成する空間）７１２の他、各第１の突起７１の辺７１１側の側部には、それぞれ、後工程において上基板９および陽極８を貫通して形成される第１の液体注入部７７と空間７１２との双方に連通し、発光材料の供給路の一部として機能する空間７１３が形成される。【０１５７】
なお、第１の突起７１と後述する第２の突起７２とを接触させたとき、辺７１１と第２の突起７２との間に形成される間隙（空間）が、第２の液体注入部７５を構成する。【０１５８】
また、空間７１２すなわち形成する有機ＥＬ素子１の形状は、本実施形態のような四角形の他、例えば、円形、楕円形、三角形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。【０１５９】
なお、第１の突起７１の開口の形状を多角形とする場合には、角部は丸みを帯びているのが好ましい。これにより、発光材料を、第１の突起７１の内側の空間の隅々にまで確実に供給することができる。【０１６０】
このような第１の突起７１は、陽極８のほぼ全体に亘って、絶縁膜を形成した後、パターニングすること等により形成することができる。【０１６１】
絶縁膜（第１の突起７１）の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、下地層との密着性等を考慮して選択される。【０１６２】
このような材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂のような有機材料や、ＳｉＯ２のような無機材料が挙げられる。【０１６３】
特に、陽極８が酸化物材料を主材料として構成される場合には、第１の突起７１の構成材料としては、ＳｉＯ２を用いるのが好ましい。これにより、陽極８と第１の突起７１との密着性の向上を図ることができる。【０１６４】
また、撥液性を示す第１の突起７１は、例えば、フッ素系樹脂を用いて形成することや、第１の突起７１の表面にフッ素プラズマ処理を施すこと等により得ることができる。【０１６５】
また、発光層５および正孔輸送層６の厚さは、第１の突起７１の高さを適宜設定することにより容易に制御することができる。【０１６６】
具体的には、第１の突起７１の高さは、形成する発光層５および正孔輸送層６の合計の厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、２０〜３００ｎｍ程度とするのが好ましい。かかる高さとすることにより、後工程［７Ａ］において、第１の突起７１と第２の突起７２とを接触させることにより得られる突起７に、スペーサとしての機能を十分に発揮させることができる。【０１６７】
［４Ａ］次に、図３（ｂ）に示すように、空間７１２の内側に露出する陽極８上に、正孔輸送層６を形成する。【０１６８】
この正孔輸送層６は、前述したような気相成膜法や液相成膜法を用いて形成することができるが、中でも、インクジェット法（液滴吐出法）を用いて形成するのが好ましい。インクジェット法を用いることにより、正孔輸送層６の薄膜化、画素サイズの微小化を図ることができる。また、液状の正孔輸送層形成用材料を、空間７１２内に選択的に供給することができるため、正孔輸送層形成用材料のムダを省くことができる。【０１６９】
具体的には、正孔輸送層形成用材料を、インクジェットプリント装置のヘッドから吐出し、空間７１２内で露出する陽極８上に供給し、脱溶媒または脱分散媒した後、必要に応じて、１５０℃程度で短時間の加熱処理を施す。【０１７０】
この脱溶媒または脱分散媒は、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理(例えば５０〜６０℃程度)による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法等が挙げられる。さらに、追加の熱処理（１５０℃程度で短時間）で行うことにより、残存溶媒を除去する。【０１７１】
また、用いる正孔輸送層形成用材料は、前述したような正孔輸送材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。【０１７２】
正孔輸送層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。【０１７３】
なお、空間７１２内に供給された正孔輸送層形成用材料として、流動性が高い（粘度が低い）ものを選択した場合、この正孔輸送層形成用材料は、空間７１２内で露出する陽極８上を水平方向（面方向）に広がろうとするが、陽極８が第１の突起７１により囲まれているため、所定の領域以外に広がることが阻止され、正孔輸送層６（有機ＥＬ素子１）の輪郭形状が正確に規定される。【０１７４】
［５Ａ］次に、図３（ｃ）に示すように、ＴＦＴ回路基板（第２の基板）２０上に、後工程［１２Ａ］で形成する発光層５すなわち有機ＥＬ素子１を形成する領域の外周部に沿って第２の突起７２を形成する。【０１７５】
本実施形態では、各第２の突起７２を、それぞれ、枠状（四角形の環状）をなすように形成する。このとき、空間７２２に配線２７の上端部が露出するように第２の突起７２を形成するとともに、隣り合う第２の突起７２同士を一体的に形成する。【０１７６】
具体的には、図２に示すように、凸条（リブ）７２ａを、ｘ軸方向に沿ってほぼ一定の間隔離間して形成し、この凸条７２ａとほぼ直交するように（ｙ軸方向に沿って）凸条（リブ）７２ｂ、７１ｃを一定の間隔離間して形成する。なお、凸条７２ａの高さと凸条７１ｂの高さとは、ほぼ等しくなるように形成する。【０１７７】
このような第２の突起７２は、第１の突起７１で説明したのと同様にして形成することができる。【０１７８】
第２の突起７２の高さは、形成する陰極３および電子輸送層４の合計の厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、１０〜３００ｎｍ程度とするのが好ましい。かかる高さとすることにより、後工程［７Ａ］において、第１の突起７１と第２の突起７２とを接触させることにより得られる突起７に、スペーサとしての機能を十分に発揮させることができる。【０１７９】
［６Ａ］次に、図３（ｄ）に示すように、空間７２２の内側に露出するＴＦＴ回路基板（第２の基板）２０上に、陰極３および電子輸送層４をこの順で形成する。【０１８０】
６Ａ−Ａ：まず、各空間７２２の内側に露出するＴＦＴ回路基板２０すなわち第２層間絶縁層２６上に、配線２７に接触するように陰極（画素電極）３を形成する。【０１８１】
この陰極３は、前述したような気相成膜法や液相成膜法を用いて形成することができるが、中でも、インクジェット法（液滴吐出法）を用いて陰極形成用材料を供給し、この陰極形成用材料を用いて無電解メッキ法で形成するのが好ましい。かかる方法を用いることにより、陰極３の薄膜化、画素サイズの微小化を図ることができる。【０１８２】
具体的には、以下のようにして陰極３を形成することができる。【０１８３】
６Ａ−ＡＩ：まず、各空間７２２の内側に露出するＴＦＴ回路基板２０上に、触媒を吸着させる。【０１８４】
触媒としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。【０１８５】
このうち、触媒としてＰｄを用いる場合には、Ｓｎ−Ｐｄ等のＰｄ合金のコロイド液、または塩化パラジウム等のイオン系Ｐｄ触媒の溶液を、インクジェット法を用いて空間７２２内に選択的に供給することにより、Ｐｄ合金、またはイオン系Ｐｄ触媒をＴＦＴ回路基板２０上に吸着させる。その後、触媒に関与しない元素を除去することにより、ＰｄをＴＦＴ回路基板２０上に露出させる。【０１８６】
例えば、Ｓｎ−Ｐｄコロイド液を用いる場合には、ＴＦＴ回路基板２０上にコロイド液に供給した後、酸溶液を供給する。これにより、Ｐｄに配位しているＳｎが溶解・除去され、ＴＦＴ回路基板２０にＰｄが露出した状態になる。【０１８７】
酸溶液としては、例えば、ＨＢＦ４等の酸と、ブドウ糖等の還元剤とを含む溶液や、これに、さらに硫酸を添加した溶液等を用いることができる。【０１８８】
６Ａ−ＡII：次に、触媒が吸着したＴＦＴ回路基板２０上に、インクジェット法を用いて主として金属塩と還元剤とにより構成されるメッキ液（陰極形成用材料）を供給し、空間７２２内に、金属元素を析出させることより陰極３を形成する。【０１８９】
金属塩としては、例えば、硫酸塩、硝酸塩等が好適に用いられる。【０１９０】
還元剤としては、例えば、ヒドラジン、次亜隣酸アンモニウム、次亜燐酸ナトリウム等が挙げられるが、これらの中でも、ヒドラジンおよび次亜隣酸アンモニウムの少なくとも一方を主成分とするものが好ましい。還元剤としてこれらのものを用いることにより、陰極３の成膜速度が適正なものとなり、陰極３の膜厚を比較的容易に制御できるようになる。【０１９１】
メッキ液における金属塩の含有量（溶媒への金属塩の添加量）は、１〜５０ｇ／Ｌ程度であるのが好ましく、５〜２５ｇ／Ｌ程度であるのがより好ましい。金属塩の含有量が少な過ぎると、陰極３を形成するのに長時間を要するおそれがある。一方、金属塩の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。【０１９２】
また、メッキ液における還元剤の含有量（溶媒への還元剤の添加量）は、１０〜２００ｇ／Ｌ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｇ／Ｌ程度であるのが好ましい。還元剤の含有量が少な過ぎると、還元剤の種類等によっては、金属イオンの効率のよい還元が困難になるおそれがある。一方、還元剤の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。【０１９３】
このようなメッキ液には、さらにｐＨ調整剤（ｐＨ緩衝剤）を混合（添加）するのが好ましい。これにより、無電解メッキの進行に伴って、メッキ液のｐＨが低下するのを防止または抑制することができ、その結果、成膜速度の低下や、陰極３の組成、性状の変化を効果的に防止することができる。【０１９４】
このｐＨ調整剤としては、各種のものが挙げられるが、アンモニア水、トリメチルアンモニウムハイドライド、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウムおよび硫化アンモニウムのうちの少なくとも１種を主成分とするものであるが好ましい。これらのものは、緩衝作用に優れるため、これらのものをｐＨ調整剤として用いることにより、前記効果がより顕著に発揮される。【０１９５】
６Ａ−Ｂ：次に、各陰極３上に、それぞれ、電子輸送層４を形成する。【０１９６】
この電子輸送層４も、気相成膜法や液相成膜法を用いて形成することができるが、前記工程［４Ａ］で説明したのと同様の理由から、インクジェット法（液滴吐出法）を用いて形成するのが好ましい。【０１９７】
また、図３（ｄ）に示すように、電子輸送層４は、第２の突起７２の上面から突出しないように、第２の突起７２の高さより若干低くなるように形成するのが好ましい。これにより、後工程［１２Ａ］において、発光材料を間隙７６内に比較的容易に注入することができる。【０１９８】
［７Ａ］次に、図３（ｅ）に示すように、第１の突起７１と第２の突起７２とを、空間７１２と空間７２２とが対応するように、接触させて突起７を形成する。これにより、上基板９（第１の基板）とＴＦＴ回路基板２０（第２の基板）との間に、空間７１２と空間７２２とにより構成される間隙７６が形成されるとともに、第１の突起７１と第２の突起７２との間において、第２の液体注入部７５が形成される。【０１９９】
また、本実施形態では、前述したように第１の液体注入部７７が空間７１３と連通するように形成されることから、各間隙７６に対応して第２の液体注入部７５、空間７１３および第１の液体注入部７７がこの順で連通することとなり、後工程［１２Ａ］において、発光材料を間隙７６に注入するための供給路が形成されることとなる。【０２００】
第１の突起７１と第２の突起７２とを確実に接触させるには、アライメントマーク（図示せず）を双方の基板に予め形成して、これらのアライメントマーク同士が一致するように位置合わせすることにより、比較的容易に行うことができる。【０２０１】
なお、第２の液体注入部７５は、本実施形態のように第１の突起７１の一部の高さを低くすることにより形成できる他、第２の突起７２の一部の高さを低くすることにより形成してもよいし、双方の一部の高さを低くすることにより形成してもよい。その他、第２の液体注入部７５は、第１の突起７１および第２の突起７２のうちのいずれか一方に設けられた貫通孔であってもよい。【０２０２】
また、第２の液体注入部７５の形状は、本実施形態のような四角形の他、例えば、半円形、楕円形、三角形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。【０２０３】
［８Ａ］次に、図４（ａ）に示すように、上基板９（第１の基板）とＴＦＴ回路基板２０（第２の基板）とを、これらの縁部において間隙７６を封止する封止部７４を形成することにより接合する。【０２０４】
封止部７４は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料またはその前駆体を含有する液状の封止部形成用材料を、前述したインクジェット法のような液相成膜法等を用いて封止部７４を形成する領域に供給した後、乾燥させることにより形成することができる。【０２０５】
ここで、上基板９とＴＦＴ回路基板２０との接合は、前記工程［７Ａ］で説明したように第１の突起７１と第２の突起７２とを接触させて突起７を形成した状態、すなわちスペーサを介した状態で行われる。これにより、前記工程［７Ａ］で形成された間隙７６の上基板９の厚さ方向に対する幅をほぼ一定なものとした状態で、上基板９とＴＦＴ回路基板２０とを接合することができる。【０２０６】
［９Ａ］次に、上基板９（第１の基板）に、発光層５を形成する領域と重ならないように、形成する有機ＥＬ素子１毎にその厚さ方向に向かって孔を設けることにより、第１の液体注入部７７を形成する。【０２０７】
本実施形態では、この液体注入部７７は、空間７１３と連通するように形成されることから、各間隙７６に対応して第２の液体注入部７５、空間７１３および第１の液体注入部７７がこの順で連通することとなり、後工程［１２Ａ］において、発光材料を間隙７６に注入するための供給路が形成されることとなる。【０２０８】
第１の液体注入部７７を形成する方法、すなわち上基板９の一部を除去して、その厚さ方向に向かって孔を形成する方法としては、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。【０２０９】
また、本実施形態では、第１の液体注入部７７は、上基板９に孔を設けることにより形成される構成となっている。これにより、所望の位置に第１の液体注入部７７を形成することができることから、発光材料を目的とする間隙７６の位置に確実に供給（注入）し得るようにすることができる。【０２１０】
なお、ＴＦＴ回路基板２０が比較的薄く形成されている場合には、このＴＦＴ回路基板２０側に孔を設けるようにしてもよい。【０２１１】
また、この孔は、発光層５を形成する領域すなわち有機ＥＬ素子１を形成する領域と重ならないように設けられている。これにより、有機ＥＬ素子１の発光輝度がこの孔が設けられた領域で低下するのを確実に防止することができる。【０２１２】
なお、本実施形態では、上述したように、上基板９およびＴＦＴ回路基板２０を接合した後に孔（第１の液体注入部７７）を形成する。かかる構成とすることにより、形成された第２の液体注入部７５の位置に対応するように第１の液体注入部７７を確実に形成することができる。すなわち、第１の液体注入部７７を目的とする領域により精度よく形成することができる。その結果、後工程［１２Ａ］において第１の液体注入部７７を塞ぐように供給された発光材料をより確実に間隙７６内に注入されることとなる。【０２１３】
また、孔は、本実施形態で説明したような順で形成されるものの他、例えば、発光層５以外の層を形成するのに先立って形成されたものであってもよい。これにより、上基板９に孔を形成する際に生じる熱等の影響が各層におよぶようになるのを確実に防止することができる。【０２１４】
また、孔は、例えば、発光層５以外の層を形成した後、上基板９およびＴＦＴ回路基板２０を接合するのに先立って形成されたものであってもよい。これにより、上基板９に孔を形成する際に生じる除去物が間隙７６内に残存（付着）するのを確実に防止または抑制することができる。その結果、有機ＥＬ素子１の特性の低下を確実に防止することができる。【０２１５】
［１０Ａ］次に、間隙７６を減圧する。【０２１６】
間隙７６を減圧する方法としては、特に限定されないが、例えば、減圧可能なチャンバ（図示せず）内に、前記工程［１Ａ］〜［９Ａ］を経た上基板９とＴＦＴ回路基板２０との接合体を設置した後に、減圧する方法を用いることができる。【０２１７】
［１１Ａ］次に、図５（ａ）に示すように、間隙７６内を減圧した状態で、第１の液体注入部７７を塞ぐように、発光材料を供給する。【０２１８】
ここで、発光材料として、液状または半固形状のものを用いる場合、この発光材料の第１の液体注入部７７への供給は、前述したような液相成膜法を用いて供給することができるが、中でも、インクジェット法（液滴吐出法）を用いて供給するのが好ましい。インクジェット法を用いることにより、前記発光材料を、各第１の液体注入部７７を選択的に塞ぐように供給することができるため、発光材料のムダを省くことができる。また、複数色の発光層５を備える有機ＥＬ素子１を形成する場合には、各色毎の発光材料を第１の液体注入部７７に容易に供給（塗り分け）し得るという利点もある。【０２１９】
また、発光材料として、固形状のものを用いる場合、この発光材料を加熱して溶融状態とすることにより、液状または半固形状の発光材料を用いる場合と同様に、各種液相成膜法を用いて、発光材料を第１の液体注入部７７に供給することができる。また、これらの方法の他、例えば、第１の液体注入部７７の横断面よりも大きな塊状の発光材料を、第１の液体注入部７７に配置することによっても行うことができる。【０２２０】
なお、溶融状態で第１の液体注入部７７に供給された発光材料は、次工程［１２Ａ］を行うのに先立って、放熱により固化に至っていてもよいし、溶融状態を維持しているものであってもよい。【０２２１】
［１２Ａ］次に、図５（ｂ）に示すように、間隙７６の圧力と大気圧との圧力の差を利用して、発光材料を間隙７６に注入することにより発光層５を形成する。【０２２２】
これは、例えば、上基板９とＴＦＴ回路基板２０との接合体が設置されたチャンバ内の圧力を大気圧に復帰させることにより行うことができる。【０２２３】
すなわち、減圧されたチャンバ内の圧力を大気圧に復帰させると、間隙７６内の圧力は、間隙７６外の圧力に対して低くなる。その結果、図５（ａ）に示すように、間隙７６内の圧力を大気圧に復帰させる力が働くことから、間隙７６内と間隙７６外とを連通する供給路（第１の液体注入部７７、空間７１３および第２の液体注入部７５）において、間隙７６外から間隙７６内への引力が生じることとなる。これにより、第１の液体注入部７７を塞ぐように供給されている発光材料が間隙７６内に引き込まれ、その結果、発光層５が形成されることとなる。【０２２４】
ここで、突起７は、発光層５を形成する領域の外周部に沿って形成され、この突起７の側面には、第１の液体注入部７７より注入された発光材料を、空間７１３を介して間隙７６内に注入する第２の液体注入部７５が設けられた構成となっている。これにより、突起７の内側すなわち間隙７６内に発光材料を注入させることができ、さらに、突起７がこの発光材料の間隙７６からの流出を防止するバリア層としての機能を発揮することから、発光層５を各有機ＥＬ素子１の形状に対応して形成することができる。すなわち、各有機ＥＬ素子１に対応して個別の発光層５を形成することができる。【０２２５】
また、前記工程［８Ａ］において、上基板９とＴＦＴ回路基板２０とが、突起（スペーサ）７を介することにより、間隙７６の上基板９の厚さ方向に対する幅をほぼ一定な状態を維持して接合されている。そのため、本工程において、この間隙７６に発光材料を注入することにより、均一な膜厚の発光層５を得ることができる。【０２２６】
さらに、発光層５の厚さは、突起７の高さを適宜設定することにより、発光材料の粘度等の物理的性質に影響を受けることなく所望の厚さとすることができる。【０２２７】
表示装置１０をフルカラーディスプレイとする場合、各色に発光する発光層５の発光輝度は、均一化される必要が有るが、このような発光輝度の均一化（調整）は、各色に発光する発光層５（有機発光素子１）毎に電子輸送層４、発光層５および正孔輸送層６の膜厚を設定することにより行うことができる。【０２２８】
このような各層の膜厚の設定は、本発明のように、まず各有機発光素子１に共通の大きさの間隙７６を形成し、次いで各色に発光する有機発光素子１毎に異なる膜厚の発光層５以外の層を間隙７６内に形成した後、各色に発光する発光材料を注入することにより発光層５を形成する構成とすることにより、比較的容易に行うことができる。【０２２９】
大気圧と間隙７６の圧力との圧力差は、発光材料が間隙７６に注入されるように設定すればよく、特に限定されるものではないが、１．０×１０-4〜１．０×１０１２Ｐａ程度であるのが好ましく、１．０×１０１〜１．０×１０5Ｐａ程度であるのがより好ましい。圧力差が、前記下限値未満の場合には、発光材料の粘度によっては、間隙７６内に発光材料を注入できなくなるおそれがある。また、圧力差を、前記上限値を超えて大きくすると、発光材料の他、雰囲気中のガスが間隙７６に注入され、発光材料中に気泡が混入するおそれがあり、好ましくない。【０２３０】
ここで、第１の液体注入部７７を塞ぐように供給された発光材料を間隙７６に注入する際に、この発光材料を第１の液体注入部７７から間隙７６までの前記供給路内を円滑に通過させるためには、発光材料は、液状または半固形状であり、かつ、その粘度が低く設定されている必要がある。【０２３１】
そこで、発光材料として、Ｉ：半固形状のもので、常温でその粘度が高いもの、II：前記工程［１１Ａ］の後、溶融状態（半固形状）を維持しているが、その粘度が高いもの、III：固形状のものを用いる場合には、第１の液体注入部７７を塞ぐように供給された発光材料を間隙７６に注入するのに先立って、発光材料を加熱する必要がある。これにより、半固形状のものは、その粘度が低下し、また、固形状のものは、溶融した後、半固形状のものと同様に、その粘度が低下する。その結果、その粘度が低下した発光材料は、前記供給路内を円滑に通過して、間隙７６に注入されることとなる。なお、これらの発光材料は、間隙７６に注入後、放熱により固化またはその粘度が上昇して、固形状または半固形状の発光層５を構成することとなる。【０２３２】
このような発光材料の加熱は、例えば、上基板９およびＴＦＴ回路基板２０のいずれか一方または双方を加熱することにより行うことができる。これにより、固形状または半固形状の発光材料を加熱して、これらの発光材料の粘度を確実に低下させることができる。【０２３３】
具体的には、例えば、ＴＦＴ回路基板２０の上基板９と反対の面に図示しない加熱手段（例えば、ヒーター等）を設けることにより行うことができる。【０２３４】
なお、発光材料として、液状または粘度が低い半固形状のものを用いた場合には、以上説明したような発光材料の加熱を省略でき、発光材料を間隙７６に注入する際の手間が省けることから、製造コストの削減を図ることができる。なお、これらの発光材料は、間隙７６に注入後も、常温で液状または半固形状の状態を維持することから、液状または半固形状の発光層５を構成することとなる。【０２３５】
また、発光材料の粘度が低く、前記工程［１１Ａ］において、第１の液体注入部７７を塞ぐように供給した発光材料を、大気圧と間隙７６の圧力との圧力差を利用することなく、間隙７６内に注入し得る場合には、前記工程［１０Ａ］および本工程［１２Ａ］を省略して、発光層５を形成するようにしてもよい。【０２３６】
なお、発光材料として、低分子の際には常温で液状または半固形状であるが、高分子化することにより固形状となるものを用いる場合には、低分子の状態で発光材料を第１の液体注入部７７から間隙７６に注入した後に、これらの発光材料を光照射して高分子化することにより、固形状の発光層５を形成することができる。【０２３７】
また、かかる発光材料を用いて固形状の発光層５を形成する場合には、前記発光材料に重合開始剤を添加するのが好ましい。【０２３８】
重合開始剤としては、特に限定されないが、例えば、光ラジカル重合開始剤や光カチオン重合開始剤のような光重合開始剤等が挙げられるが、発光材料として、前記化４〜前記化６で表される化合物を用いる場合には、光カチオン重合開始剤を用いるのが好ましい。【０２３９】
光カチオン重合開始剤としては、各種の光カチオン重合開始剤を用いることができるが、例えば、芳香族スルホニウム塩系、芳香族ヨードニウム塩系、芳香族ジアゾニウム塩系、ピリジウム塩系および芳香族ホスホニウム塩系等のオニウム塩系の光カチオン重合開始剤や、鉄アレーン錯体およびスルホン酸エステル等の非イオン系の光カチオン重合開始剤を用いることができる。【０２４０】
光照射する光としては、例えば、赤外線、可視光線、紫外線およびＸ線等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、中でも、特に、紫外線を用いるのが好ましい。これにより、前記化合物同士の重合反応を容易かつ確実に進行させることができる。【０２４１】
なお、発光材料は、図１に示すように、そのほぼ全てが間隙７６内に存在するものであってもよいが、第２の液体注入部７５や空間７１３にその一部が存在しているようなものであってもよい。このような発光材料の存在させる位置および量の選択は、発光材料の供給量および粘度等を調整することにより容易に行うことができる。【０２４２】
［１３Ａ］次に、図５（ｃ）に示すように、第１の液体注入部７７を密封する。【０２４３】
第１の液体注入部７７の密封は、例えば、前記工程［８Ａ］で説明した、封止部形成用材料を用いて封止部７４を形成するのと同様にして行うことができる。【０２４４】
以上のような工程を経て、有機ＥＬ素子１を複数備える表示装置１０を形成することができる。【０２４５】
なお、本実施形態では、上基板（第１の基板）９側に陽極８および正孔輸送層６を、ＴＦＴ回路基板（第２の基板）２０側に陰極３および電子輸送層４を形成する場合について説明したが、このような場合に限定されず、例えば、上基板（第１の基板）９側に陰極３および電子輸送層４を、ＴＦＴ回路基板（第２の基板）２０側に陽極８および正孔輸送層６を形成するようにしてもよい。【０２４６】
また、陽極８は、本実施形態のように、共通電極とされる場合すなわち一体的に形成される場合の他、陰極３と同様に各有機ＥＬ素子１に対応するように個別に形成されるものであってもよい。【０２４７】
また、本実施形態では、各有機ＥＬ素子１に対応して個別に発光層５が形成される場合について説明したが、このような場合に限定されず、例えば、同一の発光色を発光する複数の有機ＥＬ素子１に共通の発光層５を形成するようにしてもよい。【０２４８】
このような発光層５は、例えば、隣接する間隙７６双方に発光材料を供給することができるように、共通の発光層５を形成する有機ＥＬ素子１に対応する第１の突起７１の凸条７１ｂを凸条７１ｃの高さと同様に形成することにより得ることができる。【０２４９】
また、本実施形態では、有機半導体層として、電子輸送層４および正孔輸送層６の双方を有しているが、これらの双方を省略してもよいし、これらのうちの何れか一方を省略するようにしてもよい。【０２５０】
＜第２実施形態＞【０２５１】
次に、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態について説明する。【０２５２】
図６〜図８は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第２実施形態を示す図であり、図６は、縦断面図、図７は、斜視図、図８は、平面図である。図９〜１１は、図６〜図８に示すアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を説明するための図である。なお、図７では、説明の都合上、図６の表示装置と上下逆に示しており、基板２０および封止部７４の記載を省略している。また、以下の説明では、図６および図９〜図１１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。【０２５３】
以下、第２実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。【０２５４】
図６〜図８に示す表示装置１０は、上基板９が下地基板９１と樹脂層９２とで構成され、この上基板９の面上に撥液処理が施されており、さらには、上基板９が備える第１の液体注入部７７が第１の孔７７１と、この第１の孔７７１の横断面よりも小さい第２の孔７７２とにより構成されている以外は、前記第１実施形態の表示装置１０と同様である。上基板９の第１の液体注入部７７が形成されている周囲には、撥液処理が施されていることから、第１の液体注入部７７に供給された発光材料を上基板９上に濡れ広がるのを確実に防止することができ、その結果、発光材料を、第１の液体注入部７７より間隙７６に確実に注入することができる。また、上側に第２の孔７７２よりもその横断面積が大きい第１の孔７７１を設けることにより、発光材料を第１の孔７７１内に貯留することができる。【０２５５】
上基板９は、前記第１実施形態と同様に、有機発光素子１を保護する保護層等として機能するものであり、本実施形態では、下地基板９１と、この下地基板９１上に設けられた樹脂層９２とで構成される。【０２５６】
下地基板９１には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。【０２５７】
また、樹脂層９２の構成材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルフォンのようなポリエーテル系樹脂等が挙げられる。これらの中でも、ポリイミド系樹脂は、熱膨張率や熱収縮率が小さいため、樹脂層９２を、ポリイミド系樹脂を主材料として構成することにより、樹脂層９２の熱収縮率を低く抑えることができる。また、表示装置１０の製造方法で説明する工程［４Ｂ］で施す撥液処理により、樹脂層９２の上面に比較的容易に撥液性を付与できるという利点もある。【０２５８】
さらに、このような樹脂材料に充填材、繊維を入れて積層したり、前熱処理や架橋度を調整することにより、樹脂層９２の収縮率を低下させて、寸法安定性を向上させることもできる。【０２５９】
下地基板９１の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜２．０ｍｍ程度であるのがより好ましい。また、樹脂層９２の厚さも、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜３０μｍ程度であるのがより好ましい。【０２６０】
次に、上述したような構成の上基板９を備える本実施形態の表示装置１０の製造方法について詳述する。【０２６１】
［１Ｂ］まず、上基板（第１の基板）９およびＴＦＴ回路基板（第２の基板）２０を用意する。【０２６２】
１Ｂ−Ａ：まず、下地基板９１を用意し、下地基板９１上に、前述したような樹脂材料またはその前駆体を含有する液状の樹脂層形成用材料を供給（塗布）して、乾燥することにより固化・硬化させて樹脂層９２を形成する。これにより、下地基板９１上に、樹脂層９２が設けられた上基板（第１の基板）９が得られる。【０２６３】
なお、樹脂層形成用材料の下地基板９１上への供給は、前記工程［２Ａ］で説明した液相成膜法を用いて行うことができ、樹脂層形成用材料を調製する際に用いる溶媒または分散剤としては、前記工程［４Ａ］で説明したのと同様のものを用いることができる。【０２６４】
１−Ｂ：次に、前記工程１Ａ−Ｂ〜１Ａ−Ｅと同様にすることにより、ＴＦＴ回路基板（第２の基板）２０を得る。【０２６５】
［２Ｂ］次に、前記工程［２Ａ］と同様にして、上基板（第１の基板）９の樹脂層９２と反対側の面上に陽極８を形成する。【０２６６】
［３Ｂ］次に、前記工程［３Ａ］と同様にして、図９（ａ）に示すように、陽極８上に、後工程［１３Ｂ］で形成する発光層５すなわち有機ＥＬ素子１を形成する領域の外周部に沿って、かつ、その高さの一部が低くなるように第１の突起７１を形成する。【０２６７】
［４Ｂ］次に、図９（ｂ）に示すように、上基板（第１の基板）９の樹脂層９２側の面上に、撥液処理を施す。【０２６８】
この撥液処理としては、例えば、樹脂層９２の上面に対して、撥液性を有する材料を供給することにより撥液膜を形成する方法、フッ素プラズマを照射するフッ素プラズマ処理法等を用いることができるが、これらの中でも、フッ素プラズマ処理法を用いるのが好ましい。【０２６９】
このフッ素プラズマ処理法は、フッ素プラズマを発生させる放電領域にフッ素を含有するガスを導入し、この放電領域で生じたフッ素プラズマを、樹脂層９２の上面に入射させることで、このフッ素プラズマが入射された領域に撥液性を付与するものである。【０２７０】
かかる処理法によれば、樹脂層９２の上面をほぼ全体に亘って均一にフッ化すること、すなわち、樹脂層９２の上面に均一に（ムラなく）撥液性を付与することができる。【０２７１】
フッ素原子を含有するガス種としては、例えば、四フッ化メタン（ＣＦ４）、四フッ化エチレン（Ｃ２Ｆ４）、六フッ化プロピレン（Ｃ３Ｆ６）、八フッ化ブチレン（Ｃ４Ｆ８）等が挙げられ、これらの中でも、特に四フッ化メタンを主成分とするものが好ましい。【０２７２】
フッ素原子を含有するガスの流量は、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、５０〜４００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。【０２７３】
ＲＦパワーは、０．００５〜０．２Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．０５〜０．１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。【０２７４】
なお、この際の圧力は、大気圧下であるのが好ましい。これにより、チャンバや減圧手段等の使用を不要にでき、低エネルギー、低コストで処理することができる。【０２７５】
なお、撥液処理は、本実施形態のように、樹脂層９２のほぼ全面に亘って施すものであってもよいし、次工程［５Ｂ］において形成される第１の液体注入部７７（第１の孔７７１）が設けられる領域を取り囲むように局所的に施すものであってもよい。撥液処理をかかる領域に施すようにした場合においても、上基板９の上面すなわち樹脂層９２の上面の少なくとも第１の液体注入部７７を取り囲む領域に確実に撥液性を付与することができる。【０２７６】
［５Ｂ］次に、上基板９（第１の基板）に、発光層５を形成する領域と重ならないように、形成する有機ＥＬ素子１毎にその厚さ方向に向かって第１の液体注入部７７を形成する。【０２７７】
本実施形態では、図８および図１０に示すように、この第１の液体注入部７７は、第１の孔７７１と第２の孔７７２とにより構成されている。第２の孔７７２の横断面は、第１の孔７７１の横断面よりも小さく、第２の孔７７２は第１の孔７７１と後工程［９Ｂ］で形成される空間７１３とを連結する。第１の液体注入部７７をかかる構成のものとすることにより、後工程［１２Ｂ］において、第１の液体注入部７７を塞ぐように供給された発光材料を、第１の孔７７１内で保持（貯留）することができる。【０２７８】
なお、第１の孔７７１および第２の孔７７２は、本実施形態では、図８に示すように、その横断面が円形となっているが、このような形状に限定されず、例えば、楕円形、三角形、四角形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。【０２７９】
このような第１の液体注入部７７を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、次のようにして行うことができる。【０２８０】
まず、図９（ｃ）に示すように、上基板９の厚さ方向に向かって樹脂層９２および下地基板９１の一部を除去して、後に形成する第１の孔７７１の横断面よりも小さくなるように第２の孔７７２を形成する。なお、本実施形態では、この第２の孔７７２が空間７１３と連通するように形成される。【０２８１】
次に、図９（ｄ）に示すように、先に形成した第２の孔７７２と連通するように、上基板９の厚さ方向に向かって樹脂層９２の一部を除去して、第２の孔７７２の横断面よりも大きい第１の孔７７１を形成する。これにより、第１の孔７７１と第２の孔７７２とで構成される第１の液体注入部７７を得ることができる。【０２８２】
なお、比較的多くの発光材料を第１の孔７７１内に保持する必要がある場合、第１の孔７７１は、樹脂層９２の他、第２の孔７７２が残存するように下地基板９１の一部を上基板９の厚さ方向に向かって除去することにより形成したものであってもよい。【０２８３】
第１の孔７７１および第２の孔７７２を形成する方法すなわち下地基板９１および樹脂層９２の一部を除去する方法としては、例えば、前記工程［９Ａ］で説明した物理的エッチング法のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。【０２８４】
また、第１の液体注入部７７の内側には、親液処理を施すようにしてもよい。これにより、第１の液体注入部７７（特に、第１の孔７７１）の内側の親液性を向上させることができることから、後工程［１２Ｂ］において、第１の液体注入部７７を塞ぐように供給された発光材料を、第１の孔７７１内に確実に保持することができる。【０２８５】
この親液処理としては、例えば、第１の液体注入部７７の内側に対して、酸素含有雰囲気中で紫外線および／または赤外線を照射する方法、酸素プラズマを照射する酸素プラズマ処理法を用いることができるが、これらの中でも、酸素プラズマ処理法を用いるのが好ましい。【０２８６】
この酸素プラズマ処理法は、酸素プラズマを発生させる放電領域に酸素を含有するガスを導入し、この放電領域で生じた酸素プラズマを、第１の液体注入部７７の内側に入射させることで、親液性を付与するものである。【０２８７】
かかる処理法によれば、第１の液体注入部７７の内側に、特に、第１の孔７７１の内側に、容易かつ確実に親液性を付与することができる。【０２８８】
また、酸素ガスを含有するガスとしては、典型的には、純酸素ガスが用いられるが、酸素ガスとフッ化炭素ガス（例えば、四フッ化メタンガス）との混合ガスを用いるのが好ましい。これにより、酸素プラズマが維持される時間が長くなり、第１の液体注入部７７の内側まで酸素プラズマの状態で確実に到達させることができる。【０２８９】
この混合ガス中の酸素ガス濃度（含有率）は、６０〜９０ｖｏｌ％程度であるのが好ましく、６５〜８０ｖｏｌ％程度であるのがより好ましい。【０２９０】
酸素ガスの濃度を前記範囲内とすることにより、酸素プラズマを、第１の液体注入部７７の内側までより効率よく到達させることができる。【０２９１】
酸素ガスを含有するガスの流量は、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、５０〜４００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。【０２９２】
また、ＲＦパワーは、０．００５〜０．２Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．０５〜０．１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。【０２９３】
この際の圧力は、大気圧下であるのが好ましい。これにより、チャンバや減圧手段等の使用を不要にでき、低エネルギー、低コストで処理することができる。【０２９４】
なお、この第１の液体注入部７７は、発光層５を形成する領域すなわち有機ＥＬ素子１を形成する領域と重ならないように設けられている。これにより、有機ＥＬ素子１の発光輝度がこの第１の液体注入部７７が設けられた領域で低下するのを確実に防止することができる。【０２９５】
また、本実施形態では、上述したように、発光層５以外の電子輸送層４や正孔輸送層６を形成するのに先立って第１の液体注入部７７を形成する。かかる構成とすることにより、上基板９に第１の液体注入部７７を形成する際に生じる熱等の影響が各層におよぶようになるのを確実に防止することができる。【０２９６】
また、孔（第１の液体注入部７７）は、本実施形態で説明したような工程において形成されるものの他、例えば、上基板９およびＴＦＴ回路基板２０を接合した後に形成されたものであってもよい。これにより、後工程［９Ｂ］において形成される液体注入部の位置に対応するように孔を確実に形成することができる。すなわち、孔を目的とする領域により精度よく形成することができる。その結果、後工程［１３Ｂ］において第１の液体注入部７７を塞ぐように供給された発光材料をより確実に間隙内に注入することができる。【０２９７】
また、孔は、例えば、発光層以外の層を形成した後、上基板９およびＴＦＴ回路基板２０を接合するのに先立って形成されたものであってもよい。これにより、上基板９に孔を形成する際に生じる除去物が間隙７６内に残存（付着）するのを確実に防止または抑制することができる。有機ＥＬ素子１の特性の低下を確実に防止することができる。【０２９８】
なお、ＴＦＴ回路基板２０が比較的薄く形成されている場合には、ＴＦＴ回路基板２０側にこのような孔を設けるようにしてもよい。【０２９９】
また、第１の液体注入部７７は、本実施形態のように、第１の孔７７１と第２の孔７７２とにより構成されるものの他、例えば、第１の孔７７１の形成を省略したもの、すなわち、図９（ｃ）に示したような、第２の孔７７２のような構成のものであってもよい。なお、この場合、樹脂層９２の上面のうち、省略した第１の孔７７１に対応する領域に親液処理を施し、その領域を取り囲むように撥液処理を施すようにすればよい。【０３００】
［６Ｂ］次に、前記工程［４Ａ］と同様にして、図９（ｅ）に示すように、空間７１２の内側に露出する陽極８上に、正孔輸送層６を形成する。【０３０１】
［７Ｂ］次に、前記工程［５Ａ］と同様にして、図１０（ａ）に示すように、ＴＦＴ回路基板（第２の基板）２０上に、後工程［１３Ｂ］で形成する発光層５すなわち有機ＥＬ素子１を形成する領域の外周部に沿って第２の突起７２を形成する。【０３０２】
［８Ｂ］次に、前記工程［６Ａ］と同様にして、図１０（ｂ）に示すように、空間７２２の内側に露出するＴＦＴ回路基板（第２の基板）２０上に、陰極３および電子輸送層４をこの順で形成する。【０３０３】
［９Ｂ］次に、前記工程［７Ａ］と同様にして、図１０（ｃ）に示すように、第１の突起７１と第２の突起７２とを、空間７１２と空間７２２とが対応するように、接触させて突起７を形成する。これにより、上基板９（第１の基板）とＴＦＴ回路基板２０（第２の基板）との間に、空間７１２と空間７２２とにより構成される間隙７６が形成されるとともに、第１の突起７１と第２の突起７２との間において、第２の液体注入部７５が形成される。【０３０４】
［１０Ｂ］次に、前記工程［８Ａ］と同様にして、図１０（ｄ）に示すように、上基板９（第１の基板）とＴＦＴ回路基板２０（第２の基板）とを、これらの縁部において間隙７６を封止する封止部７４を形成することにより接合する。【０３０５】
［１１Ｂ］次に、前記工程［１０Ａ］と同様にして、間隙７６を減圧する。
［１２Ｂ］次に、前記工程［１１Ａ］と同様にして、図１１（ａ）に示すように、間隙７６内を減圧した状態で、第１の液体注入部７７を塞ぐように、発光材料を供給する。【０３０６】
なお、本実施形態では、前述したように、第１の液体注入部７７は、第１の孔７７１と、第１の孔７７１と空間７１３とを連結し、第１の孔７７１の横断面よりも小さい第２の孔７７２とにより構成されている。そのため、各第１の液体注入部７７を塞ぐように供給された液体または半固形状の発光材料を、第１の孔７７１内に、確実に保持（貯留）することができる。【０３０７】
また、図１１（ａ）に示すように、第１の孔７７１を満たすように前記発光材料が供給されたとしても、本発明の有機発光装置の製造方法では、上基板（第１の基板）９の上面、すなわち、本実施形態では、樹脂層９２の上面に撥液処理が施されていることから、樹脂層９２の前記発光材料に対する撥液性は、第１の孔７７１の内面の撥液性よりも高くなっている。そのため、前記発光材料が樹脂層９２の上面に移行することが阻止される。これにより、隣接する第１の液体注入部７７に供給された前記発光材料同士が樹脂層９２上で混ざり合うようになるのを確実に防止して、前記発光材料を、第１の孔７７１が形成された領域内に、確実に保持（貯留）することができる。その結果、次工程［１３Ｂ］おいて、前記発光材料を間隙７６内に確実に移行（注入）させることができる。このような構成は、隣接する有機ＥＬ素子１同士間で異なる発光色の発光材料を供給する際に特に有効である。【０３０８】
さらに、第１の孔７７１が設けられていることにより、発光材料の液滴が第２の孔７７２から離れた位置に供給されたとしても、この第１の孔７７１により前記液滴が濡れ広がるのを規制して、第２の孔７７２を塞ぐように第１の孔７７１内で発光材料を貯留することができる。その結果、次工程［１３Ｂ］において、樹脂層９２上に発光材料を残存させることなく、発光材料を間隙７６に注入できることから、発光材料の注入効率の向上を図ることができる。【０３０９】
また、この樹脂層９２の上面と第１の孔７７１（第１の液体注入部７７）の内面との撥液性の程度の違いは、各種の指標により表すことができるが、接触角を用いて好適に表すことができる。【０３１０】
具体的には、樹脂層９２の上面に対する前記発光材料の接触角をＡ［°］とし、第１の孔７７１の内面に対する前記発光材料の接触角をＢ［°］としたとき、Ａ−Ｂ≧１５°なる関係を満足するのが好ましく、Ａ−Ｂ≧３０°なる関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、樹脂層９２（第１の孔７７１）の厚さよりも厚くなるように、すなわち第１の孔７７１を満たすように、発光材料が供給されたとしても、樹脂層９２の上面への拡散（移行）することをより確実に阻止することができる。【０３１１】
また、発光材料として、固形状のものを用いる場合、この発光材料を加熱して溶融状態とすることにより、液状または半固形状の発光材料を用いる場合と同様に、各種液相成膜法を用いて、溶融状態の発光材料を第１の液体注入部７７に供給することができる。また、これらの方法の他、例えば、第２の孔７７２の横断面よりも大きな塊状の発光材料を、第１の液体注入部７７（第１の孔７７１内）に配置することによっても行うことができる。【０３１２】
なお、溶融状態で第１の液体注入部７７に供給された発光材料は、次工程［１３Ｂ］を行うのに先立って、放熱により固化に至っていてもよいし、溶融状態を維持しているものであってもよい。【０３１３】
［１３Ｂ］次に、前記工程［１２Ａ］と同様にして、図１１（ｂ）に示すように、間隙７６の圧力と大気圧との圧力の差を利用して、発光材料を間隙７６に注入することにより発光層５を形成する。【０３１４】
［１４Ｂ］次に、前記工程［１３Ａ］と同様にして、図１１（ｃ）に示すように、第１の液体注入部７７を密封する。【０３１５】
以上のような工程を経て、上基板９の面上に撥液処理が施された表示装置１０を形成することができる。【０３１６】
なお、間隙７６に比較的多くの発光材料を注入する必要がある際には、本実施形態のように、１つの間隙７６に対応して１つの第１の液体注入部７７を設ける場合に限定することなく、１つの間隙７６に対応して複数個の第１の液体注入部７７を設けるようにしてもよい。【０３１７】
＜第３実施形態＞【０３１８】
次に、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第３実施形態について説明する。【０３１９】
図１２は、本発明の有機発光装置を適用したアクティブマトリクス型表示装置の第３実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。【０３２０】
以下、第３実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。【０３２１】
図１２に示す表示装置１０は、突起７に代えて粒子７８がスペーサとして用いられ、発光層５が一体的にすなわち全ての有機ＥＬ素子１に対して共通に設けられている以外は、前記第１実施形態の表示装置１０と同様である。スペーサとして粒子７８を用いた場合においても、突起７を用いた場合と同様に、空隙の厚さの制御を容易かつ確実に行うことができる。【０３２２】
このように本実施形態の表示装置１０では、発光層５が一体的に形成されることから、単色発光型の有機発光装置を製造する場合に適用することができる。【０３２３】
なお、本実施形態では、封止部７４が発光材料の有機ＥＬ素子１外への流出を防止するバリア層としての機能を発揮する。【０３２４】
このような本実施形態の表示装置１０は、前記第１実施形態の表示装置１０で説明した製造方法を、以下のように変更することにより製造することができる。【０３２５】
まず、前記工程［４Ａ］における第１の突起７１の形成と、前記工程［５Ａ］における第２の突起７２の形成とを省略する。【０３２６】
次に、前記工程［７Ａ］において、上基板９とＴＦＴ回路基板２０との間の空隙を形成する際に、正孔輸送層６と電子輸送層４との間に粒子７８を介在（配設）させる。これにより、スペーサとしての機能を粒子７８に発揮させることができ、形成される空隙の上基板９の厚さ方向に対する幅をほぼ一定なものとすることができる。【０３２７】
粒子７８の平均粒径は、発光層５の厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度とするのが好ましい。これにより、粒子７８に、目的とする発光層５の厚さを得ることができるスペーサとしての機能を確実に発揮させることができる。【０３２８】
このような粒子７８の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、第１の突起７１の構成材料で説明したのと同様のものを用いるのが好ましい。これにより、発光層５の発光効率が低減するのを好適に抑制することができる。【０３２９】
そして、前記工程［１２Ａ］において、間隙の圧力と大気圧との圧力の差を利用して、発光材料を間隙のほぼ全体に亘って注入することにより、発光層５を一体的に形成することができる。【０３３０】
なお、発光材料を第１の液体注入部７７から注入するのに代えて、空間７１３の側方から注入するようにしてもよい。これにより、第１の液体注入部７７の形成が省略でき、工程数の削減を図ることができる。【０３３１】
＜電子機器＞
このような表示装置（本発明の有機発光装置）１０は、各種の電子機器に組み込むことができる。【０３３２】
図１３は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。【０３３３】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。【０３３４】
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述の表示装置１０で構成されている。【０３３５】
図１４は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。【０３３６】
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。【０３３７】
携帯電話機１２００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。【０３３８】
図１５は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。【０３３９】
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。【０３４０】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。【０３４１】
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述の表示装置１０で構成されている。【０３４２】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。【０３４３】
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。【０３４４】
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。【０３４５】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。【０３４６】
なお、本発明の電子機器は、図１３のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１４の携帯電話機、図１５のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。【０３４７】
以上、本発明の有機発光装置の製造方法、有機発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。【０３４８】
例えば、本発明の有機発光装置の製造方法は、任意の目的の工程が１または２以上追加されていてもよい。【０３４９】
また、本発明の有機発光装置は、各前記実施形態のうち任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。【０３５０】
さらに、本発明の有機発光装置の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
【実施例】
【０３５１】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。【０３５２】
（実施例１）
＜１Ａ＞  まず、平均厚さ０．５ｍｍのポリアミド基板と、平均厚さ５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。そして、このガラス基板上に、前述したようにして回路部を形成した。【０３５３】
＜２Ａ＞  次に、このポリアミド基板上に、真空蒸着法により、平均厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成して陽極を得た。【０３５４】
＜３Ａ＞  次に、陽極を覆うように、ポリイミド（絶縁性の感光性樹脂）塗布した後、発光層を形成する領域の外周部に沿って、かつ、その高さの一部が低くなるように、塗布したポリイミドを露光することにより、図２に示すような第１の突起を形成した。【０３５５】
また、このとき、アライメントマークを形成した。【０３５６】
＜４Ａ＞  次に、第１の突起の内側の陽極上に、インクジェット法により、ＴＰＤ１のキシレン溶液を供給した後、乾燥して、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。【０３５７】
＜５Ａ＞  次に、ガラス基板に設けられた回路部を覆うように、ポリイミド（絶縁性の感光性樹脂）塗布した後、発光層を形成する領域の外周部に沿うように、塗布したポリイミドを露光することにより、図２に示すような第２の突起を形成した。【０３５８】
＜６Ａ＞  次に、第２の突起の内側の回路部上に、無電解メッキ法により、平均厚さ５０ｎｍのＣｕ層を形成して、陰極を得た。【０３５９】
＜７Ａ＞  次に、第２の突起の内側の陰極上に、インクジェット法により、８−ヒドロキシキノリン  アルミニウム（Ａｌｑ３）のポリマー錯体のキシレン溶液を供給した後、乾燥して、平均厚さ５０ｎｍの電子輸送層を形成した。【０３６０】
また、このとき、アライメントマークを形成した。【０３６１】
＜８Ａ＞  次に、図３（ｅ）に示すようにして、第１の突起と第２の突起とを接触させて突起を形成した。これにより、発光材料を注入する間隙と第２の液体注入部とを形成した。【０３６２】
＜９Ａ＞  次に、図４（ａ）に示すように、ガラス基板とポリアミド基板の縁部において間隙をエポキシ系の接着剤により封止して、これら基板同士を接合した。【０３６３】
＜１０Ａ＞  次に、図４（b）に示すように、すなわち、発光層が形成される領域と重ならないように、各有機ＥＬ素子に対応して、プラズマエッチング法によりポリアミド基板にその厚さ方向に向かって孔を設けた。【０３６４】
＜１１Ａ＞  次に、前記工程＜１Ａ＞〜＜１０Ａ＞を経て得られたガラス基板とポリアミド基板との接合体をチャンバ内に設置した後、減圧した。【０３６５】
なお、このときのチャンバ内の圧力は、１０２Ｐａとした。【０３６６】
＜１２Ａ＞  次に、各有機ＥＬ素子に対応するようにポリアミド基板に設けられた孔毎に、これらの孔を塞ぐように、各有機ＥＬ素子に発光させる発光色の発光材料をインクジェット法によりを供給した。【０３６７】
なお、青色の光を発光させる有機ＥＬ素子には、青色の発光材料として、Ｆ（ＭＢ）５を、緑色の光を発光させる有機ＥＬ素子には、緑色の発光材料として、ＯＦ−１を、赤色の光を発光させる有機ＥＬ素子には、赤色の発光材料として、ＯＦ−２を、それぞれ用いた。【０３６８】
＜１３Ａ＞  次に、ヒーターを用いて、ポリアミド基板を１２０℃に加熱して各発光材料の粘度を低下させた後、チャンバ内の圧力を大気圧に復帰させることにより、ポリアミド基板上の各孔を塞ぐように供給された発光材料を、図５（ｂ）に示すように空隙に注入することにより平均厚さ５０ｎｍの発光層を形成した。【０３６９】
＜１４Ａ＞  次に、ポリアミド基板に設けられた孔をエポキシ系の接着剤により密封した。【０３７０】
以上のような工程を経て表示装置を形成した。【０３７１】
（実施例２）
＜１Ｂ＞  まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明な第１のガラス基板と、平均厚さ０．５ｍｍの第２のガラス基板を用意した。【０３７２】
そして、第１のガラス基板上に、ポリイミド（絶縁性の感光性樹脂）塗布した後、露光することにより、平均厚さ１０μｍのポリイミド層を形成した。【０３７３】
また、第２のガラス基板上に、前述したようにして回路部を形成した。【０３７４】
＜２Ｂ＞  次に、第１のガラス基板の、ポリイミド層を形成していない面に真空蒸着法により、平均厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成して陽極を得た。【０３７５】
＜３Ｂ＞  次に、陽極を覆うように、ポリイミド（絶縁性の感光性樹脂）塗布した後、発光層を形成する領域の外周部に沿って、かつ、その高さの一部が低くなるように、塗布したポリイミドを露光することにより、図７に示すような第１の突起を形成した。【０３７６】
また、このとき、アライメントマークを形成した。【０３７７】
＜４Ｂ＞  次に、図９（ｂ）に示すように、第１のガラス基板のポリイミド層側の面に、撥液処理を施した。【０３７８】
なお、撥液処理（フッ素プラズマ処理）の各種条件は、以下のとおりである。【０３７９】
・フッ素を含有するガス    ：四フッ化メタンガス
・ガス流量                ：３５０ｓｃｃｍ
・ＲＦパワー              ：０．０５Ｗ／ｃｍ２
・フッ素プラズマの照射時間：３０秒
＜５Ｂ＞  次に、図９（ｄ）に示すように、すなわち、発光層が形成される領域と重ならないように、プラズマエッチング法によりポリイミド層が形成された第１のガラス基板にその厚さ方向に向かって第１の孔とこの第１の孔よりも横断面が小さい第２の孔とを備える孔を設けた。【０３８０】
＜６Ｂ＞  次に、第１の突起の内側の陽極上に、インクジェット法により、ＴＰＤ１のキシレン溶液を供給した後、乾燥して、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。【０３８１】
＜７Ｂ＞  次に、第２のガラス基板に設けられた回路部を覆うように、ポリイミド（絶縁性の感光性樹脂）塗布した後、発光層を形成する領域の外周部に沿うように、塗布したポリイミドを露光することにより、図７に示すような第２の突起を形成した。【０３８２】
＜８Ｂ＞  次に、第２の突起の内側の回路部上に、無電解メッキ法により、平均厚さ５０ｎｍのＣｕ層を形成して、陰極を得た。【０３８３】
＜９Ｂ＞  次に、第２の突起の内側の陰極上に、インクジェット法により、８−ヒドロキシキノリン  アルミニウム（Ａｌｑ３）のポリマー錯体のキシレン溶液を供給した後、乾燥して、平均厚さ５０ｎｍの電子輸送層を形成した。【０３８４】
また、このとき、アライメントマークを形成した。【０３８５】
＜１０Ｂ＞  次に、図１０（ｃ）に示すようにして、第１の突起と第２の突起とを接触させて突起を形成した。これにより、発光材料を注入する間隙と液体注入部とを形成した。【０３８６】
＜１１Ｂ＞  次に、第１のガラス基板と第２の基板の縁部において間隙をエポキシ系の接着剤により封止して、これら基板同士を接合した。【０３８７】
＜１２Ｂ＞  次に、前記工程＜１Ｂ＞〜＜１１Ｂ＞を経て得られた第１のガラス基板と第２のガラス基板との接合体をチャンバ内に設置した後、減圧した。【０３８８】
なお、このときのチャンバ内の圧力は、１０２Ｐａとした。【０３８９】
＜１３Ｂ＞  次に、各有機ＥＬ素子に対応するように第１のガラス基板側に設けられた孔毎に、これらの孔を塞ぐように、各有機ＥＬ素子に発光させる発光色の発光材料をインクジェット法により供給した。【０３９０】
なお、青色の光を発光させる有機ＥＬ素子には、青色の発光材料として、Ｆ（ＭＢ）５を、緑色の光を発光させる有機ＥＬ素子には、緑色の発光材料として、ＯＦ−１を、赤色の光を発光させる有機ＥＬ素子には、赤色の発光材料として、ＯＦ−２を、それぞれ用いた。【０３９１】
＜１４Ｂ＞  次に、ヒーターを用いて、第１のガラス基板を１２０℃に加熱して各発光材料の粘度を低下させた後、チャンバ内の圧力を大気圧に復帰させることにより、第１のガラス基板側の各孔を塞ぐように供給された発光材料を、図１１（ｂ）に示すように空隙に注入することにより平均厚さ５０ｎｍの発光層を形成した。【０３９２】
＜１５Ｂ＞  次に、第１のガラス基板側に設けられた孔をエポキシ系の接着剤により密封した。【０３９３】
これらの実施例１および実施例２の表示装置について、陽極と陰極との間に６Ｖの電圧を印加して、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、発光輝度（ｃｄ／ｍ２）、最大発光効率（ｌｍ／Ｗ）を測定するとともに、発光輝度が初期値の半分になる時間（半減期）を測定したが、いずれの表示装置についても、各測定値は優れた結果を示した。
【産業上の利用可能性】
【０３９４】
本発明によれば、第１の基板および第２の基板を用意し、前記第１の基板および／または前記第２の基板の内面側に前記発光層以外の層を液相成膜法または気相成膜法により形成した後、前記第１の基板および前記第２の基板をそれらの間に間隙が形成されるように接合し、次いで、第１の液体注入部より前記発光材料を前記間隙に注入して前記発光層を形成することにより製造される。かかる有機発光装置の製造方法を用いて有機発光装置を製造することにより、発光層を、固形状の発光材料で構成する場合のみならず、液状または半固形状の発光材料で構成することができるため、発光層に用いる発光材料の選択の幅が広がるという利点が得られる。また、かかる有機発光装置の製造方法により製造された有機発光装置を備える電子機器は、信頼性の高いものとなる。したがって、産業上の利用可能性を有する。
【図１】
2007060854.tif 000009
【図２】
2007060854.tif 000010
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2007060854.tif 000022
【図１５】
2007060854.tif 000023
【国際調査報告】
2007060854.tif 000024
2007060854.tif 000025
2007060854.tif 000026
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