【事件の表示】
　特願２０１８−２０６１４３「チエノアセンの単結晶性有機半導体膜」拒絶査定不服審判事件〔平成３１年　４月　４日出願公開、特開２０１９−　５４２５９、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２６年３月２０日に出願された特許出願（特願２０１４−５９３００号）の一部を、平成３０年１０月３１日に特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願としたものであって、令和１年９月１７日付けで拒絶理由通知がされ、令和１年１１月２５日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出され、令和２年１月７日付けで最後の拒絶理由通知がされ、令和２年３月２３日付けで手続補正がされるとともに意見書が提出され、令和２年４月２日付けで令和２年３月２３日に提出された手続補正書による補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定（原査定）がされた。
　これに対し、令和２年６月２９日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされ、令和２年９月１４日付けで前置報告がされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（令和２年４月２日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
１（新規性）この出願の請求項１−５、７−９に係る発明は、以下の引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
２（進歩性）この出願の請求項１−９に係る発明は、以下の引用文献１、２に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
　１．竹谷純一，“低温塗布できる高性能有機半導体単結晶トランジスタとAM-TFT，日本写真学会誌”，日本，一般社団法人日本写真学会，２０１３年，第７６巻，第４号，p.２９６―３０４
　２．特開２０１３−５８６８０号公報
第３　審判請求時の補正について
　審判請求時の補正は、特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。
１（１）審判請求時の補正によって、請求項１に「クロスニコルな状態で撮影した偏光顕微鏡写真において、０から２５５までの２５６段階の明るさのうち、連続して緑色の明るさが６０よりも大きい領域を１ドメインとしたとき、」という事項を追加する補正事項について検討すると、当該補正事項は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（２）また、当該補正事項は新規事項を追加するものではないかについて検討すると、「クロスニコルな状態で撮影した偏光顕微鏡写真において、０から２５５までの２５６段階の明るさのうち、連続して緑色の明るさが６０よりも大きい領域を１ドメインとしたとき、１ｍｍ2当たりの面積中に存在するドメイン数が５以下であり」という事項は、当初明細書の段落【００７６】、【００８０】に記載された事項であり、当該補正は新規事項を追加するものではないといえる。
２（１）審判請求時の補正によって、請求項６に記載の「１μｍ以下」を「５０ｎｍ以下」とする補正事項について検討すると、当該補正事項は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（２）また、当該補正事項は新規事項を追加するものではないかについて検討すると、「平均膜厚が５０ｎｍ以下である」という事項は、当初明細書の段落【００３８】に記載された事項であり、当該補正は新規事項を追加するものではないといえる。
　そして、「第４　本願発明」から「第６　対比・判断」までに示すように、補正後の請求項１−９に係る発明は、独立特許要件を満たすものである。
第４　本願発明
　本願請求項１−９に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明９」という。）は、令和２年６月２９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−９に記載された事項により特定される発明であり、以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　クロスニコルな状態で撮影した偏光顕微鏡写真において、０から２５５までの２５６段階の明るさのうち、連続して緑色の明るさが６０よりも大きい領域を１ドメインとしたとき、１ｍｍ2当たりの面積中に存在するドメイン数が５以下であり、平均移動度が５ｃｍ2／Ｖｓ以上であり、移動度の変動係数が３０以下であるチエノアセンの単結晶性有機半導体膜。
【請求項２】
　被覆率が０．９８以上である請求項１に記載のチエノアセンの単結晶性有機半導体膜。
【請求項３】
　結晶軸の分布範囲が１０°以内である請求項１又は請求項２に記載のチエノアセンの単結晶性有機半導体膜。
【請求項４】
　クラックの角度の標準偏差が０．５ｒａｄ以下である請求項１〜３の何れか一項に記載のチエノアセンの単結晶性有機半導体膜。
【請求項５】
　平均移動度が７ｃｍ2／Ｖｓ以上である請求項１〜４の何れか一項に記載のチエノアセンの単結晶性有機半導体膜。
【請求項６】
　平均膜厚が５０ｎｍ以下である請求項１〜５の何れか一項に記載のチエノアセンの単結晶性有機半導体膜。
【請求項７】
　チエノアセンが次の式（ｖｉｉｉ）で表される請求項１〜６の何れか一項に記載のチエノアセンの単結晶性有機半導体膜。
　式（ｖｉｉｉ）中、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17及びＲ18はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数が１〜１４のアルキル基である。
【請求項８】
　基板と、その表面上に形成された請求項１〜７の何れか一項に記載のチエノアセンの単結晶性有機半導体膜とを備えた有機半導体デバイス。
【請求項９】
　請求項１〜７の何れか一項に記載のチエノアセンの単結晶性有機半導体膜を半導体チャンネルとして備えたトランジスタ。」
第５　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（竹谷純一，“低温塗布できる高性能有機半導体単結晶トランジスタとAM-TFT，日本写真学会誌”，日本，一般社団法人日本写真学会，２０１３年，第７６巻，第４号，p.２９６―３０４）には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は、合議体が付加した。以下、同じ。）。
ア　「本稿では，これまでにホール効果測定が行われた有機FETに用いた高移動度有機半導体について，測定結果を紹介し，キャリア伝導の機構について考察する．即ち，ペンタセンとルブレン以外の系としては，最近Takimiya らによって合成されたdinaphtho[2,3-b:2',3'-f]thieno[3,2-b]thiophene(DNTT)，2,7-dioctyl[1]benzo-thieno[3,2-b][1]benzothiophene（C8-BTBT），2,9-didecyldinaphtho[2,3-b:2',3'-f]thieno[3,2-b]thiophene（C10-DNTT）である 7-9）．本稿では，さらに筆者らのグループで最近合成して得られた新規の印刷できる高移動度有機半導体
3,11-didecyldinaphtho[2,3-d:2',3'-d']benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene（C10-DNBDT）
イ　「6. 屈曲型コアをもつ新規有機半導体のデバイス
　以上のような観点から，分子間の相対的な位置の自由度を少なくして，室温での分子揺らぎを小さくすることが電子のコヒーレンスを高め，高移動度化につながるというひとつの設計指針が得られたため，筆者のグループの岡本，三津井らがFig. 3f に示した屈曲型のp 共役コアを有する分子
C10-DNBDT
　
本化合物を塗布結晶化法によって単結晶トランジスタを構成し
移動度は16 cm2/Vsに及ぶ高い値を有し
　本化合物は，従来の材料と比べて分子の揺らぎが小さいために高温での構造安定性にも優れ，200 度まで層転移しない特徴を有する．このことは，実際にエレクトロニクス製品を製作する際のプロセス許容度をあげるとともに，製品の熱耐久性にも大きく寄与する重要性がある．
　また，これまでのエッジキャスト法を改善し，大面積に塗布結晶化するプロセスをFig. 17の方法によって実現した．即ち，ブレードのエッジに保持させる液滴の量が一定になるように溶液を供給し続けながら基板を移動させることにより，同じ条件での結晶化を連続的に続けることが可能となった．その結果，インチサイズの結晶が得られ，有機単結晶ウェーハとも言うべき半導体の基盤材料が供給できるようになった 27）．こうした
大面積かつ均一な高移動度有機半導体薄膜結晶
ウ　Fig. 17は以下のとおりであり、「C10-DNBDTの連続した結晶膜を作る方法と得られた結晶膜」が示されている。
（２）したがって、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「C10-DNBDTの単結晶性有機半導体膜を用いて構成した単結晶トランジスタの移動度が16 cm2/Vsであること。」
２　引用文献２について
　また、原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献２（特開２０１３−５８６８０号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア「【技術分野】
【０００１】 
　本発明は任意の位置に任意の向きの有機半導体の単結晶を形成する方法及びそのようにして形成された有機半導体単結晶を使用したデバイスに関する。」
イ　「【００２０】
３．有機単結晶のパターニング
この溶液を図１（ａ）のステップ［ａ−３］に示す状態の基板上にスピンコートすると、Ｃｙｔｏｐの領域は溶液をはじくため、親液性を有する溝（ドレイン）の部分にのみ溶液が塗布された。溝部分に塗布された溶液中のアニソールが蒸発するにつれて、Ｃ８−ＢＴＢＴとＰＭＭＡが層分離し、下層にＰＭＭＡ、上層にＣ８−ＢＴＢＴ多結晶の２層構造が形成された（図１（ａ）のステップ［ａ−４］）。この相分離の詳細については、非特許文献５を参照されたい。この基板を室温のクロロホルムの蒸気によって１０時間アニールすると、多結晶のＣ８−ＢＴＢＴが自己組織化的に針状の単結晶に再結晶し、親液性の溝の方向に沿って成長した（図１（ａ）のステップ［ａ−５］）。図１（ｂ）右側の表面粗さ計の測定結果に示すように、
Ｃ８−ＢＴＢＴ単結晶及びＰＭＭＡ層の典型的な厚さは夫々２６０ｎｍ及び８０ｎｍであった
３　その他の文献について
（１）参考文献１について
　また、前置報告書において、周知技術を示す文献として引用された参考文献１（国際公開第２０１１／０３４２０６号）には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「技術分野
　［０００１］
　本発明は、電子性伝導を示す有機材料に関する。本発明の
液体有機半導体材料
イ　「［０００６］
　一般的に、いわゆる液体、つまり、等方相的な液体状態においては、従来、伝導はイオン伝導によるものと考えられていた。すなわち、有機物の液体状態では電子性伝導を利用した有機電子デバイスは実現できないと考えられてきた。換言すれば、従来技術においては、有機電子デバイスに用いる有機半導体材料は、電子伝導を利用して素子の機能を実現するため、デバイスの駆動温度領域において、従来、電子伝導が確認されているアモルファス固体あるいは結晶、あるいは、液晶物質の液晶相を用いる必要があった。
・・・
　　発明の概要
　　　　発明が解決しようとする課題
［０００８］
　本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を解消することができる新しいタイプの有機半導体材料を提供することにある。
　本発明の他の目的は、
液体で電子デバイスを実現できる、新しい有機半導体材料を提供する
　　　　課題を解決するための手段
　［０００９］
　本発明者は鋭意研究の結果、等方相を示し、且つ、流動性を有する材料において、電子および／又はホール伝導を示す材料を見出した。
　本発明の有機半導体材料は、上記知見に基づいて完成されたものである。
［発明の効果］
　［００１０］
　上述したように本発明によれば、
作動温度において液体状態を示す有機半導体材料
　［００１１］
　より具体的には、本発明によれば、従来技術においては困難であった液体状態における電子伝導を利用した有機電子デバイスを実現することができるため、従来の固体デバイスにとらわれない有機電子デバイスの新しい、素子構造、形態、機能が実現できる。また、デバイス作製においては、従来の方法にとらわれない作製プロセス技術の適用や選択を可能にし、大面積を必要とするデバイスには特に有効である。これはデバイスの応用範囲を拡大させ、また、デバイスの作製コストの低減に有効である。」
ウ　「［００２７］
　（等方相）
　本発明の有機半導体材料が「等方相」であることは、以下の方法によって確認することができる。
　［００２８］
　
一般に等方相、すなわち配向を示さない液体は、偏光顕微鏡によるテクスチャー観察を行うと、クロスニコル下では偏光性を示さないため、光が透過せず黒色になる
（２）参考文献２について
　更に、前置報告書において、周知技術を示す文献として引用された参考文献２（特開２０１３−５５０９４号公報（令和２年４月２日付け補正却下の決定において、周知技術を示す文献として引用された引用文献２））には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【００８９】
（膜厚など）
　本発明の有機半導体膜とは、本発明のインク組成物から形成された薄膜であり、半導体素子の一つの構成要素である。半導体薄膜の膜厚は、必要な機能を損なわない限り薄いほど好ましく、通常０．１ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは０．５ｎｍ〜５μｍであり、より好ましくは１ｎｍ〜１μｍである。」
イ　「【０１０７】
［実施例１］
　ジチエノベンゾチオフェン誘導体前駆体（VI）を使用して、表１に示すインクを作製した。溶媒にはトルエンを用い、ドーパントには、アクセプター性有機材料Ｆ４ＴＣＮＱ（東京化成工業株式会社製）を用いた。
・・・
【０１０９】
　次の方法でインクを基板に展開し、前駆体およびドーパントの混合膜を作製した。基板には、膜厚３００ｎｍの熱酸化膜付シリコンウェハーを使用した。酸化膜表面をＵＶオゾン処理で洗浄後、京セラケミカル製ポリイミド（ＣＴ４１１２）を塗布して、ポリイミド膜を形成した。その後、スピンコート法により上記インクを基板上に展開し、前駆体およびドーパントの混合膜を形成した。
【０１１０】
　上記で得られた膜をグローブボックス中のホットプレートで加熱して前駆体を変換させ、
有機半導体膜を得た
図５にサンプル１〜４の偏光顕微鏡写真を示す
　
サンプル１は
明るさが異なって見える領域が一つの結晶ドメインであり、この化合物の特徴は比較的大きな結晶ドメインを形成する点にあり、このことが移動度を向上させている
　これに対して、サンプル２ではサンプル１と膜質の異なる領域があることが確認できる。
　これはドーパントとして用いたＦ４ＴＣＮＱが凝集したため、また、Ｆ４ＴＣＮＱが結晶核の発生源となった結果、微結晶の集合膜を形成したものと推測される。サンプル３、４については、サンプル１と同様の膜が形成できていることが確認できる。」
イ　図５は、以下のとおりのものである。
（３）参考文献３について
　更に、前置報告書において、周知技術を示す文献として引用された参考文献３（特開２０１３−８９２７号公報（令和２年４月２日付け補正却下の決定において、周知技術を示す文献として引用された引用文献３））には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア　「【００７０】
　（有機半導体層）
　本発明に係る有機半導体層は、上述のように、本発明の有機電子デバイス用組成物を用いて湿式成膜することにより形成させることができる。また、特に、ビシクロベンゾポルフィリン化合物を含有する有機電子デバイス用組成物を基板上に塗布した後、該ビシクロベンゾポルフィリン化合物を逆ディールス・アルダー反応によりベンゾポルフィリン化合物に変化させることにより作製した膜が好ましい。即ち、本発明に係る有機半導体層は、アヌレン構造を有する有機化合物として、ビシクロベンゾポルフィリン化合物又はベンゾポルフィリン化合物を含有する有機電子デバイス用組成物を用いて湿式成膜することにより形成されるベンゾポルフィリン化合物を含有する層が好ましく、アヌレン構造を有する有機化合物として、ビシクロベンゾポルフィリン化合物を含有する有機電子デバイス用組成物を用いて湿式成膜することにより形成されるベンゾポルフィリン化合物を含有する層が特に好ましい。
【００７１】
　本発明に係る有機半導体層は、通常、低分子であり、多結晶及び単結晶の半導体膜を形成するものであれば特に限定は無く、ｐ型、ｎ型のいずれでもよい。有機半導体層の膜厚は、特に限定されないが、１ｎｍ以上であるのが好ましく、１０ｎｍ以上であるのが更に好ましく、また、一方、５００ｎｍ以下であるのが好ましく、１００ｎｍ以下であるのが更に好ましい。」
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
ア　C10-DNBDTは、引用文献１の上記「第５」「１（１）ア」の摘記及び引用文献1のFig. 3並びに本願明細書の段落【００５１】の記載に照らすと、チエノアセンであることは明らかである。
イ　本願発明１の「平均移動度が５ｃｍ2／Ｖｓ以上」と引用発明の「単結晶トランジスタの移動度が16 cm2/Vs」とを対比する。
　本願明細書の段落【００７６】には、以下の記載がある。
「（３）キャリア移動度
　
成膜された結晶を活性層として電界効果トランジスタを多数作製し、その伝達特性から移動度を見積もった
　本願明細書の上記記載に照らすと、本願発明１と引用発明とは、「平均移動度が５ｃｍ2／Ｖｓ以上」である点で共通する。
ウ　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
＜一致点＞
「平均移動度が５ｃｍ２／Ｖｓである、チエノアセンの単結晶性有機半導体膜。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
　本願発明１は、「クロスニコルな状態で撮影した偏光顕微鏡写真において、０から２５５までの２５６段階の明るさのうち、連続して緑色の明るさが６０よりも大きい領域を１ドメインとしたとき、１ｍｍ2当たりの面積中に存在するドメイン数が５以下である」という構成を備えるのに対し、引用発明はそのような構成を備えていない点。
＜相違点２＞
　移動度について、本願発明１では、「移動度の変動係数が３０以下である」のに対し、本願発明１のそのような構成を備えていない点。
（２）相違点についての判断
ア　上記相違点１について検討する。
　相違点１に係る本願発明１の「クロスニコルな状態で撮影した偏光顕微鏡写真において、０から２５５までの２５６段階の明るさのうち、連続して緑色の明るさが６０よりも大きい領域を１ドメインとしたとき、１ｍｍ2当たりの面積中に存在するドメイン数が５以下である」という構成に関連した記載について、上記「第５」「２」及び同「３（１）−（３）」に摘記のとおり、引用文献２、参考文献１、参考文献３には、単結晶有機半導体膜のドメインについて記載も示唆もされておらず、参考文献２には、有機半導体膜の偏光顕微鏡写真におて、結晶ドメインが示されているが、当該顕微鏡写真がクロスニコルな状態で撮影したものであることは記載も示唆もされていない。
　一方、参考文献１の段落［００２８］には、液体試料を、偏光顕微鏡によるテクスチャー観察を、クロス二コルな状態で行う技術が記載されているが、引用発明は、単結晶有機半導体膜を用いるものであるから、引用文献２、参考文献２及び参考文献３を参照した当業者であっても、引用発明において、参考文献１に記載の技術的事項に基づき、クロスニコルな状態で撮影した偏光顕微鏡写真における１ｍｍ2当たりの面積中に存在するドメイン数を所定の数値範囲とする動機付けを見出せない。
　したがって、引用発明において、引用文献２、参考文献１−３に記載された技術的事項に基づき、相違点１に係る本願発明１の構成とすることは、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。
イ　したがって、上記相違点２について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用発明、引用文献２、参考文献１−３に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２−９について
　本願発明２−９も、本願発明１の「クロスニコルな状態で撮影した偏光顕微鏡写真において、０から２５５までの２５６段階の明るさのうち、連続して緑色の明るさが６０よりも大きい領域を１ドメインとしたとき、１ｍｍ2当たりの面積中に存在するドメイン数が５以下である」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明、引用文献２、参考文献１−３に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第７　原査定について
１　理由１（特許法第２９条第１項第３号）、理由２（特許法第２９条第２項）について
　審判請求時の補正により、本願発明１−９は、「クロスニコルな状態で撮影した偏光顕微鏡写真において、０から２５５までの２５６段階の明るさのうち、連続して緑色の明るさが６０よりも大きい領域を１ドメインとしたとき、１ｍｍ2当たりの面積中に存在するドメイン数が５以下である」という構成を有するものとなっており、拒絶査定において引用された引用文献１に記載された発明であるとはいえない。また、本願発明１−９は、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１、２に記載された発明に基づいて、容易に発明できたものとはいえない。
　したがって、原査定の理由１、２を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。