【事件の表示】
　特願２０１７−５２７３０１「基板保持装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　６月　２日国際公開、ＷＯ２０１６／０８３１６２、平成２９年１２月２８日国内公表、特表２０１７−５３９０８６、請求項の数（１１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，２０１５年１１月１３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１４年１１月２８日，ドイツ連邦共和国，２０１５年１０月２６日，ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする出願であって，平成２９年７月２０日に手続補正書と上申書が提出され，令和元年８月２８日付けで拒絶理由が通知され，同年１１月１４日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ，令和２年３月１９日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，同年７月１３日に拒絶査定不服審判の請求がされたものである。
第２　原査定の理由の概要
　原査定（令和２年３月１９日付け拒絶査定）の理由の概要は次のとおりである。
　本願請求項１ないし６，８ないし１１に係る発明は，以下の引用文献１ないし３に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　引用文献等一覧
１．特開２０１３−０５３３５５号公報
２．特開平０８−０７００３４号公報
３．特開平０７−０５８０３９号公報
第３　本願発明
　本願請求項１ないし１１に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１１」という。）は，令和元年１１月１４日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　ＣＶＤ又はＰＶＤ反応炉のプロセスチャンバで用いるべく，少なくとも１枚の基板を保持するための装置であって，少なくとも１枚の基板（３）を配置するための少なくとも１つの収容場所（２）を設けた平坦な表面を有し，基板（３）の縁（８）の一部を各々位置固定して設置するべく，床面レベルに延在する収容場所床面（１４）を囲み基板（３）の輪郭に対応する輪郭線（７）が位置決め側面（５，５’）により寄り添われており，収容場所床面（１４）の凹部（２０）にそれぞれ起立する支持突起（９）を有し，その支持突起（９）が，収容場所床面（１４）より高い位置にあり基板（３）を載置可能な載置面（１５）を有し，その載置面上にて基板（３）が，載置面（１５）の延在する基板載置レベルに載置可能であり，支持突起（９）の各々が凹部レベルを有する凹部（２０）により環状に囲まれ，その凹部レベルは，鉛直方向において床面レベルからよりも基板載置レベルから離れている，装置において，
　凹部（２０）が，凹部レベルに位置する環状の頂線を有し，その頂線から凹部（２０）の床が，段差無く第１の丸みのある断面を形成しつつ支持突起（９）の外壁に繋がっており，その外壁もまた，段差無く第２の丸みのある断面を形成しつつ湾曲した載置面（１５）に繋がっていることを特徴とする装置。」
　なお，本願発明２ないし１１は，本願発明１を減縮した発明である。
第４　引用文献，引用発明
　１　引用文献１について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
　基板保持部材に設けた基板保持凹部に基板を保持し，加熱手段によって加熱される前記基板保持部材を介して前記基板を加熱するとともに，該基板上に原料ガスを供給して前記基板の表面に薄膜を形成する気相成長装置において，前記基板保持凹部は，前記基板の裏面に平行な平面部と，該平面部から上方に突出して上端に基板載置部が設けられた基板支持凸部と，該基板支持凸部に隣接する前記平面部に設けられた凹溝部とを備えている気相成長装置。
【請求項２】
　前記基板支持凸部が円柱状に形成されている請求項１記載の気相成長装置。
【請求項３】
　前記凹溝部が前記円柱状の基板支持凸部の周囲にリング状に設けられている請求項２記載の気相成長装置。」
「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は，気相成長装置に関し，詳しくは，加熱手段によって加熱される基板保持部材を介して基板を加熱する気相成長装置に関する
「【背景技術】
【０００２】
　加熱手段によって加熱される基板保持部材を介して基板を加熱する気相成長装置において，基板の温度均一性及び温度再現性を向上させるため，基板保持部材（基板ホルダ）と基板との間に複数個の微小な支持突起を介在させ，基板保持部材と基板との接触面積をできる限り小さくして接触熱伝導を最小限とした基板支持構造が知られている（例えば，特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献1】特開２００８−９１６１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　しかし，特許文献１に記載された基板支持構造では，全体的な基板温度の均一化を図ることは可能であるが，支持突起を介して基板保持部材に接触する部分及びその周辺の温度が高くなるため，この部分に形成された薄膜を製品として使用することができず，歩留まりが低下するという問題がある。
【０００５】
　
そこで本発明は，基板の温度均一性を更に向上させて基板表面の面内温度分布を解消し，基板表面に形成する薄膜の面内均一性を向上させて歩留まりを改善することができる気相成長装置を提供することを目的としている
「【発明の効果】
【０００８】
　
本発明の気相成長装置によれば，基板支持凸部に隣接する平面部に設けた凹溝部の底面と基板の裏面との距離が，平面部と基板の裏面との距離よりも離れた状態になるため，平面部からの輻射加熱量に比べて凹溝部からの輻射加熱量が小さくなり，基板支持凸部との接触によって温度が上昇しやすい部分の周辺の加熱量が減少することから，基板支持凸部に接触した部分の温度とその周辺の温度とを平均化することができる。また，基板支持凸部を円柱状に形成することによって，基板支持凸部と基板との接触面積を小さくすることができ，さらに，円柱状の基板支持凸部の周囲にリング状に凹溝部を設けることにより，基板支持凸部に接触している基板部分の周囲全体の加熱量を少なくできるので，基板支持凸部に接触した部分の温度とその周辺の温度とをより確実に平均化することができる
「【０００９】
【図１】本発明の気相成長装置の第１形態例を示す要部の断面図である。
【図２】同じく基板保持部材と基板との関係を示す平面図である。
【図３】図２のIII−III断面図である。」
「【発明を実施するための形態】
【００１０】
　まず，
図１乃至図３に示す第１形態例において，本形態例に示す気相成長装置は，自公転機構を備えた自公転型気相成長装置であって，石英ガラスで覆われた偏平円筒状のチャンバー１１内に，チャンバー１１の底面部分を貫通した回転軸１２により支持された円盤状の回転部材１３を回転可能に設け，前記チャンバー１１の中央上部に原料ガス導入部１４を設けるとともに，チャンバ１１の外周部にガス排出部１５を設けている。回転部材１３の下方には，回転軸１２を囲むようにしてヒーター１６や温度計１７が設けられるとともに，ヒーター１６の周囲にはリフレクター１８が設けられている
【００１１】
　
回転部材１３の上面外周部には，平面視円形の収容凹部１３ａが周方向に等間隔で設けられており，各収容凹部１３ａ内には，リング状の転動溝１９ａ，１９ｂ内を転動する転動部材１９を介して基板保持部材２０を回転可能に支持するガイド部材２１がそれぞれ収容されている。基板保持部材２０の上面には，基板２２を保持するための基板保持凹部２３が形成され，基板保持部材２０の下部外周には，回転部材１３の外周に設けられたリング状の固定歯車部材２４に形成された内歯車２４ａに歯合する外歯車２０ａが形成されている。また，外歯車２０ａ及び内歯車２４ａの上部には，各歯車を覆うカバー材２５が設けられている
【００１２】
　
前記基板保持凹部２３の底面部には，前記基板２２の裏面に平行な平面部２６と，該平面部２６から上方に突出した複数の基板支持凸部２７と，該基板支持凸部２７の周囲に設けられた凹溝部２８とが設けられている。基板支持凸部２７は，上端に基板載置部２７ａを有する円柱状に形成されており，円形状の平面部２６における外周部の周方向に等間隔で４箇所に設けられている。基板保持凹部２３の深さ及び基板支持凸部２７の高さは，基板支持凸部２７の基板載置部２７ａに基板２２を載置したときに，基板２２の裏面と平面部２６との間に，接触熱伝導を防止するのに十分な距離を形成するとともに，基板２２の上面，回転部材１３の上面，基板保持部材２０の上面，カバー材２５の上面が面一になるように設定されている
【００１３】
　
円柱状に形成した基板支持凸部２７の直径や高さは，基板２２の材質や直径，薄膜成長時の基板加熱温度などの条件によって異なるが，通常は，直径が１〜５ｍｍ，好ましくは３ｍｍ程度，高さが５０〜２００μｍ，好ましくは１００μｍ程度である。この基板支持凸部２７の設置数は，基板２２を安定した状態で支持できればよく，通常は，３〜６個，好ましくは４個程度である。さらに，基板支持凸部２７における直径を小さくすることによって接触熱伝導面積をより小さくすることができるが，加工が困難であったり，使用中に破損したりするおそれがある
【００１４】
　また，
凹溝部２８の開口幅及び深さは，基板支持凸部２７の直径や高さ，基板２２の材質や直径，基板加熱温度などの条件に応じて最適な寸法に設定され，例えば，基板支持凸部２７の直径が３ｍｍ，高さが１００μｍの場合は，開口幅及び深さは共に１ｍｍ程度が最適である。この凹溝部２８の開口幅及び深さを小さくしすぎると，凹溝部２８を設けた効果を十分に発揮することが困難となり，開口幅及び深さを大きくしすぎても凹溝部２８を設けた効果を十分に発揮することができない
【００１５】
　この気相成長装置を使用して基板２２の表面に薄膜を形成する際には，基板２２を基板支持凸部２７に載置して基板保持凹部２３内に基板２２を保持した状態とし，ヒーター１６により回転部材１３や基板保持部材２０を介して基板２２をあらかじめ設定された温度に加熱しながら，ガス導入部１４からチャンバ１１内に原料ガスを導入し，排気ガスをガス排出部１５を通してチャンバ１１内から排出する。このとき，回転軸１２によって回転部材１３を回転駆動することにより，回転軸１２を中心として基板保持部材２０が公転するとともに，基板保持部材２０の外歯車２０ａが内歯車２４ａに噛み合って基板保持部材２０が自転することにより，基板保持部材２０に保持された基板２２がチャンバー１１内で自公転する状態になる。
【００１６】
　
基板加熱時における基板保持部材２０は，基板２２の設定温度より高い温度となっており，基板支持凸部２７と接触している部分及び凹溝部２８に対向する部分を除いた基板２２の大部分は，平面部２６からの放射熱伝導によって均一に加熱された状態となる。一方，基板支持凸部２７に載置された基板裏面部分は，基板載置部２７ａからの接触熱伝導によって加熱され，基板支持凸部２７の周囲に設けられた凹溝部２８に対向する基板裏面部分は，凹溝部２８の底面からの放射熱伝導によって加熱された状態となる。
【００１７】
　
したがって，平面部２６からの放射熱伝導によって加熱される基板裏面の加熱量に対して，基板載置部２７ａからの接触熱伝導によって加熱される基板裏面部分の加熱量は多くなり，基板２２の裏面と凹溝部２８の底面との間の距離が，基板２２の裏面と平面部２６との間の距離に比べて離れている凹溝部２８に対向する基板裏面部分の放射熱伝導による加熱量は少なくなる。
【００１８】
　
このため，基板２２の裏面においては，基板保持凹部２３の平面部２６に対向した部分の温度に比べて，基板支持凸部２７の基板載置部２７ａに接した部分の温度が高く，凹溝部２８に対向した部分の温度が低くなる傾向となるが，温度の高い部分と低い部分とが隣接しているため，基板２２の内部で熱伝導が発生し，基板載置部２７ａに接した温度の高い部分から凹溝部２８に対向した温度の低い部分に熱エネルギーが移動する。
【００１９】
　
これにより，基板載置部２７ａに接した部分の温度が低下するとともに，凹溝部２８に対向した部分の温度が上昇し，基板２２の表面では，基板載置部２７ａに接した部分の温度と凹溝部２８に対向した部分の温度とが平均化され，両者の温度が平面部２６に対向した部分の温度に近付くことになる。すなわち，基板支持凸部２７の周囲に凹溝部２８を設け，これらの形状や寸法を最適に設定することにより，基板２２の表面における面内温度分布を解消することができ，基板２２の表面に形成する薄膜の面内均一性を向上させることができ，歩留まりを改善することができる
【００２０】
　図４及び図５は，本発明の第２形態例を示すもので，以下の説明において，前記第１形態例に示した気相成長装置の構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００２１】
　本形態例では，基板保持凹部２３における平面部２６の外周部に，周方向に等間隔で４箇所に基板支持凸部３１を設けるとともに，平面部２６の外周縁にリング状に連続した凹溝部３２を形成している。このように，平面部２６の外周縁に凹溝部３２を形成することによっても，基板支持凸部３１からの接触熱伝導によって温度が高くなる部分の温度を低くすることができ，基板２２の表面における面内温度分布を解消することが可能である。
【００２２】
　図６及び図７は，本発明の第２形態例を示すもので，本形態例では，基板保持凹部２３における平面部２６の外周部に，リング状に連続した基板支持凸部４１を設けるとともに，該基板支持凸部４１の外周に隣接させてリング状に凹溝部４２を形成している。このように，基板支持凸部４１及び凹溝部４２をリング状に形成することによっても，基板支持凸部３１からの接触熱伝導によって温度が高くなる部分の温度を低くすることができ，基板２２の表面における面内温度分布を解消することが可能である。
【００２３】
　なお，
各凹溝部の断面形状は４角形に限るものではなく，Ｖ字状，Ｕ字状の溝であってもよい
基板載置部が球面状になっていてもよい
各形態例では，自公転型の気相成長装置で回転部材と基板保持部材とを別体で形成したものを例示しているが，自転のみあるいは公転のみの気相成長装置で，基板保持部材と回転部材とが一体となっているものであってもよく，基板を回転させないものであってもよい
「
」
「
」
　上記の各摘記に照らして，上記図１ないし図３から，基板保持部材２０の上面に形成された基板保持凹部２３が，基板２２の縁の全部を所定の位置に固定して設置するべく，基板保持凹部２３の底面部に設けられた前記基板２２の裏面に平行な平面部２６を囲み基板２２の輪郭に対応する輪郭線に寄り添う，基板保持凹部２３の内周側の側面を有すること，並びに，基板支持凸部２７の上面，及び基板支持凸部２７の周囲に設けられた凹溝部２８の底面が平坦面であること見てとることができる。
（２）上記記載から，引用文献１には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
　ａ　引用文献１には，気相成長装置に関し，詳しくは，加熱手段によって加熱される基板保持部材を介して基板を加熱する気相成長装置に関する発明が記載されていること。
　ｂ　引用文献１に記載された技術は，基板の温度均一性を更に向上させて基板表面の面内温度分布を解消し，基板表面に形成する薄膜の面内均一性を向上させて歩留まりを改善することができる気相成長装置を提供することを目的としていること。
　ｃ　引用文献１に記載された気相成長装置によれば，基板支持凸部に隣接する平面部に設けた凹溝部の底面と基板の裏面との距離が，平面部と基板の裏面との距離よりも離れた状態になるため，平面部からの輻射加熱量に比べて凹溝部からの輻射加熱量が小さくなり，基板支持凸部との接触によって温度が上昇しやすい部分の周辺の加熱量が減少することから，基板支持凸部に接触した部分の温度とその周辺の温度とを平均化することができ，さらに，基板支持凸部を円柱状に形成することによって，基板支持凸部と基板との接触面積を小さくすることができ，しかも，円柱状の基板支持凸部の周囲にリング状に凹溝部を設けることにより，基板支持凸部に接触している基板部分の周囲全体の加熱量を少なくできるので，基板支持凸部に接触した部分の温度とその周辺の温度とをより確実に平均化することができること。 
　ｄ　図１ないし図３には，引用文献１に記載された発明の第１形態例に係る気相成長装置が示されており，当該気相成長装置は，自公転機構を備えた自公転型気相成長装置であって，石英ガラスで覆われた偏平円筒状のチャンバー１１内に，チャンバー１１の底面部分を貫通した回転軸１２により支持された円盤状の回転部材１３を回転可能に設け，前記チャンバー１１の中央上部に原料ガス導入部１４を設けるとともに，チャンバ１１の外周部にガス排出部１５を設け，回転部材１３の下方には，回転軸１２を囲むようにしてヒーター１６や温度計１７が設けられるとともに，ヒーター１６の周囲にはリフレクター１８が設けられた構造を有すること。
　ｅ　前記回転部材１３の上面外周部には，平面視円形の収容凹部１３ａが周方向に等間隔で設けられており，各収容凹部１３ａ内には，リング状の転動溝１９ａ，１９ｂ内を転動する転動部材１９を介して基板保持部材２０を回転可能に支持するガイド部材２１がそれぞれ収容されており，基板保持部材２０の上面には，基板２２を保持するための基板保持凹部２３が形成され，基板保持部材２０の下部外周には，回転部材１３の外周に設けられたリング状の固定歯車部材２４に形成された内歯車２４ａに歯合する外歯車２０ａが形成されている。また，外歯車２０ａ及び内歯車２４ａの上部には，各歯車を覆うカバー材２５が設けられていること。
　ｆ　前記基板保持凹部２３の底面部には，前記基板２２の裏面に平行な平面部２６と，該平面部２６から上方に突出した複数の基板支持凸部２７と，該基板支持凸部２７の周囲に設けられた凹溝部２８とが設けられており，基板支持凸部２７は，上端に基板載置部２７ａを有する円柱状に形成されており，円形状の平面部２６における外周部の周方向に等間隔で４箇所に設けられており，基板保持凹部２３の深さ及び基板支持凸部２７の高さは，基板支持凸部２７の基板載置部２７ａに基板２２を載置したときに，基板２２の裏面と平面部２６との間に，接触熱伝導を防止するのに十分な距離を形成するとともに，基板２２の上面，回転部材１３の上面，基板保持部材２０の上面，カバー材２５の上面が面一になるように設定されていること。
　ｇ　円柱状に形成した基板支持凸部２７の直径や高さは，基板２２の材質や直径，薄膜成長時の基板加熱温度などの条件によって異なるが，通常は，直径が１〜５ｍｍ，好ましくは３ｍｍ程度，高さが５０〜２００μｍ，好ましくは１００μｍ程度であり，この基板支持凸部２７の設置数は，基板２２を安定した状態で支持できればよく，通常は，３〜６個，好ましくは４個程度であり，さらに，基板支持凸部２７における直径を小さくすることによって接触熱伝導面積をより小さくすることができるが，加工が困難であったり，使用中に破損したりするおそれがあること。
　ｈ　凹溝部２８の開口幅及び深さは，基板支持凸部２７の直径や高さ，基板２２の材質や直径，基板加熱温度などの条件に応じて最適な寸法に設定され，例えば，基板支持凸部２７の直径が３ｍｍ，高さが１００μｍの場合は，開口幅及び深さは共に１ｍｍ程度が最適であり，この凹溝部２８の開口幅及び深さを小さくしすぎると，凹溝部２８を設けた効果を十分に発揮することが困難となり，開口幅及び深さを大きくしすぎても凹溝部２８を設けた効果を十分に発揮することができないこと。
　ｉ　引用文献１に記載された技術においては，基板加熱時における基板保持部材２０は，基板２２の設定温度より高い温度となっており，
　基板支持凸部２７と接触している部分及び凹溝部２８に対向する部分を除いた基板２２の大部分は，平面部２６からの放射熱伝導によって均一に加熱された状態となり，
　さらに，基板支持凸部２７に載置された基板裏面部分は，基板載置部２７ａからの接触熱伝導によって加熱されるところ，基板支持凸部２７の周囲に設けられた凹溝部２８に対向する基板裏面部分は，凹溝部２８の底面からの放射熱伝導によって加熱された状態となり，基板２２の裏面と凹溝部２８の底面との間の距離が，基板２２の裏面と平面部２６との間の距離に比べて離れているため凹溝部２８に対向する基板裏面部分の放射熱伝導による加熱量は少なくなり，このため，基板２２の裏面においては，基板保持凹部２３の平面部２６に対向した部分の温度に比べて，基板支持凸部２７の基板載置部２７ａに接した部分の温度が高く，凹溝部２８に対向した部分の温度が低くなる傾向となるが，温度の高い部分と低い部分とが隣接しているため，基板２２の内部で熱伝導が発生し，基板載置部２７ａに接した温度の高い部分から凹溝部２８に対向した温度の低い部分に熱エネルギーが移動し，これにより，基板載置部２７ａに接した部分の温度が低下するとともに，凹溝部２８に対向した部分の温度が上昇し，基板２２の表面では，基板載置部２７ａに接した部分の温度と凹溝部２８に対向した部分の温度とが平均化され，両者の温度が平面部２６に対向した部分の温度に近付くことになるので，基板支持凸部２７の周囲に凹溝部２８を設け，これらの形状や寸法を最適に設定することにより，基板２２の表面における面内温度分布を解消することができ，基板２２の表面に形成する薄膜の面内均一性を向上させることができ，歩留まりを改善することができること。
　ｊ　各凹溝部の断面形状は４角形に限るものではなく，Ｖ字状，Ｕ字状の溝であってもよいこと。
　ｋ　基板載置部が球面状になっていてもよいこと。
　ｌ　各形態例では，自公転型の気相成長装置で回転部材と基板保持部材とを別体で形成したものを例示しているが，自転のみあるいは公転のみの気相成長装置で，基板保持部材と回転部材とが一体となっているものであってもよく，基板を回転させないものであってもよいこと。
　ｍ　図１ないし図３に示された形態例においては，基板保持部材２０の上面に形成された基板保持凹部２３が，基板２２の縁の全部を所定の位置に固定して設置するべく，基板保持凹部２３の底面部に設けられた前記基板２２の裏面に平行な平面部２６を囲み基板２２の輪郭に対応する輪郭線に寄り添う，基板保持凹部２３の内周側の側面を有すること。
　ｎ　図１ないし図３に示された形態例においては，基板支持凸部２７の上面，及び基板支持凸部２７の周囲に設けられた凹溝部２８の底面が平坦面であること。
（３）したがって，上記（１）及び（２）から，上記引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。　
「石英ガラスで覆われた偏平円筒状のチャンバー１１内に，チャンバー１１の底面部分を貫通した回転軸１２により支持された円盤状の回転部材１３を回転可能に設け，前記チャンバー１１の中央上部に原料ガス導入部１４を設けるとともに，チャンバ１１の外周部にガス排出部１５を設け，回転部材１３の下方には，回転軸１２を囲むようにしてヒーター１６や温度計１７が設けられるとともに，ヒーター１６の周囲にはリフレクター１８が設けられた構造を有する自公転機構を備えた自公転型気相成長装置で用いられる基板保持部材２０であって，
　前記基板保持部材２０は，前記回転部材１３の上面外周部に周方向に等間隔で設けられた平面視円形の収容凹部１３ａの各収容凹部１３ａ内に収納された，ガイド部材２１，リング状の転動溝１９ａ，１９ｂ内を転動する転動部材１９を介して回転可能に支持されるものであり，
　前記基板保持部材２０の上面には，基板２２を保持するための基板保持凹部２３が形成されており，
　前記基板保持凹部２３は，基板２２の縁の全部を所定の位置に固定して設置するべく，基板保持凹部２３の底面部に設けられた前記基板２２の裏面に平行な平面部２６を囲み基板２２の輪郭に対応する輪郭線に寄り添う，基板保持凹部２３の内周側の側面を有し，
　前記基板保持凹部２３の底面部には，前記基板２２の裏面に平行な前記平面部２６と，該平面部２６から上方に突出した複数の基板支持凸部２７と，該基板支持凸部２７の周囲に設けられた凹溝部２８とが設けられており，
　基板支持凸部２７は，上端に基板載置部２７ａを有する円柱状に形成されており，円形状の平面部２６における外周部の周方向に等間隔で４箇所に設けられており，基板保持凹部２３の深さ及び基板支持凸部２７の高さは，基板支持凸部２７の基板載置部２７ａに基板２２を載置したときに，基板２２の裏面と平面部２６との間に，接触熱伝導を防止するのに十分な距離を形成するとともに，基板２２の上面，回転部材１３の上面，基板保持部材２０の上面，カバー材２５の上面が面一になるように設定されており，
　前記基板支持凸部２７の上面，及び前記基板支持凸部２７の周囲に設けられた前記凹溝部２８の底面が平坦面である，
　基板保持部材２０。」
　
　２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２７】図３は，正方形ディンプル付きパターンサセプタ４０を示している。ディンプル（dimple）５０及びディンプル付きパターン４４の拡大図が図４，図５及び図６に示されている。正方形ディンプルは，アルミニウム製（冷間引抜された6061-T6 が好ましい）サセプタに機械加工される。ディンプルの公称長さ及び公称幅「Ｂ」は，約１６分の１インチ（0.063 インチ，すなわち1.59mm）である。図４に示されるように正方形パターンで配列されたディンプル間の距離「Ａ」は，約１６分の３インチ（0.188 インチ，すなわち4.76mm）である。パターンが機械加工されて前記サセプタ４０の当該表面が形成されると，各ディンプル５０の側面図は，図５に示すように表される。機械加工後におけるディンプルの寸法「Ｂ」によって前記ディンプル５０の頂部縁部（edge）における角部５４は鋭くなる。角部が鋭いと，コンデンサ板に蓄積された電荷が，鋭い角部において早期放電（スパーク）する可能性を増大させるので，鋭い角部にすることは避ける必要がある。従って，機械加工された部分（machined piece）は，十分に焼なまし（anneal）され，それから研磨（abrasive）酸化アルミニウムが吹き付けられ，それから陽極処理後Ｒａ＝40〜60の表面仕上げに到達するように硫酸で陽極処理される。前述の仕上げ過程後における図５の正方形頂部ディンプル付き平坦部（square top dimpled plateau）は，図６に示されるように縁部が丸められたディンプルとなる。頂部角部の丸みは，図５及び図６間で前記寸法「Ｂ」を比較することから理解できるように，実質的にディンプルの頂部表面の実際の寸法を減少させることに気付くべきである。この仕上げによって得られた前記ディンプルの丸められた角部は，前記サセプタの表面から前記ウェハに早期スパーク放電を起こす可能性を減少させ，又はほとんど除去する。
【００２８】前記ディンプルの周辺領域は，0.0005インチ（0.013mm ）の許容誤差範囲内で約0.0025インチ（0.064mm ）の深さ「Ｄ」まで機械加工される。
【００２９】前記表面のパターンは，研磨材吹付け（abrasive blasting ），化学研磨，電界研磨（electro polishing ），あるいは，これらの組合せを選択的に使用することによっても得られる。また，このパターンは，刻付け（knurling）や型押し（stamping）によっても得られる。
【００３０】この正方形パターン４４は，リフトピンホール４２ａ, ４２ｂ, ４２ｃ, ４２ｄ及び縁部フランジすなわち隆起部（ledge ）４５以外の全表面を覆っている。前記リフトピンホール（直径約0.313 インチすなわち7.95mm）は，基準点（datum ）から対称的に離隔配置され，その下側のリフトフィンガの位置に合うように離隔配置されている。
【００３１】縁部フランジ４５は，ディンプル５０の表面の上方に約0.030 インチ（0.76mm）延びており，厚さ約0.055 インチ（1.4mm ）の周フランジ（perimeter flange）を形成する。フランジの内側表面は，変位したウェハをサセプタの表面に案内することを助けることのできる約３０°の角度で傾斜している。フランジ４５は7.934 インチ（201.5mm ）の内径を有する。サセプタ部分の陽極処理あるいは研磨材吹付けの間に，フランジの角部は丸められる。サセプタの背面の中央に置かれているサセプタハブ（図示せず）は，サセプタをその支持アーム及びアース（electrical ground ）に結合させている。前記サセプタの接地結線は，サセプタ２７のハブ（２８）及びサセプタ支持アーム２２から図１に示された種類の接地されたチャンバ壁につなげられている。」
「【００３５】静電固着力を低減させるのに用いられる別のパターンを図１０に示す。図１０は，サセプタの中央部から広がっているように見える円形の波形パターンの断面を示している。波の寸法は実際のスケールと比較してかなり誇張されている。サセプタの厚さは約0.233 インチ（5.92mm）（「Ｈ」）であるのに対し，谷から山までの波の振幅「Ｄ」はほんの0.0025インチ（0.06mm）であり，およそ９０対１の比となる。このことは，図１０に示された３対１の比からなる不正確な形と対照的である。」
「
」
「
」
　３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】　半導体ウエハの平面部を支持する座ぐり部を有するサセプタにおいて，前記座ぐり部内に所定の円周に沿って半導体ウエハを支持する少くとも３つの支持部を備えていることを特徴とするサセプタ。」
「【００１３】
【実施例】第１実施例
本発明の第１実施例によるサセプタについて説明する。
【００１４】図１を参照すると，枚葉式のサセプタ１は，円板形状である。サセプタ１の上面１ａには，円形の座ぐり部２が設けられている。サセプタ１は，座ぐり部２の底面に３個の凸状支持部３を有している。サセプタ１は，カーボンを基材として一体成型され，その表面に炭化珪素（ＳｉＣ）の被膜を有している。枚葉式のサセプタとは，半導体ウエハを１枚づつ支持する構成のサセプタである。」
「
」
「
」
第５　対比・判断
　１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
　ａ　引用発明の「自公転型気相成長装置」，「石英ガラスで覆われた偏平円筒状のチャンバー１１」は，それぞれ，本願発明１の「『ＣＶＤ』『反応炉』」，「プロセスチャンバ」に相当する。
　ｂ　引用発明の「基板２２」，「基板保持凹部２３」，「基板保持凹部２３の底面部に設けられた前記基板２２の裏面に平行な平面部２６」は，本願発明１の「基板（３）」，「収容場所（２）」，「床面レベルに延在する収容場所床面（１４）」に相当する。
　ｃ　引用発明の「基板２２の縁の全部を所定の位置に固定して設置するべく，基板保持凹部２３の底面部に設けられた前記基板２２の裏面に平行な平面部２６を囲み基板２２の輪郭に対応する輪郭線に寄り添う，基板保持凹部２３の内周側の側面を有し」と，本願発明１の「基板（３）の縁（８）の一部を各々位置固定して設置するべく，床面レベルに延在する収容場所床面（１４）を囲み基板（３）の輪郭に対応する輪郭線（７）が位置決め側面（５，５’）により寄り添われており」とは，「基板の縁を位置固定して設置するべく，床面レベルに延在する収容場所床面を囲み基板の輪郭に対応する輪郭線が位置決め側面により寄り添われており」という構成である点で一致する。
　ｄ　引用発明の「基板支持凸部２７」，「基板載置部２７ａ」，「基板支持凸部２７の周囲に設けられた凹溝部２８」は，それぞれ，本願発明１の「支持突起（９）」，「基板（３）を載置可能な載置面（１５）」，「『支持突起（９）の各々』を『環状に囲』む『凹部レベルを有する凹部（２０）』」に相当する。
　ｅ　引用発明の「基板保持部材２０」と，本願発明１の「少なくとも１枚の基板を保持するための装置」とは，以下の相違点１，２を除き一致する。
　ｆ　そうすると，本願発明１と引用発明の一致点と相違点は以下のとおりとなる。
＜一致点＞
「ＣＶＤ又はＰＶＤ反応炉のプロセスチャンバで用いるべく，少なくとも１枚の基板を保持するための装置であって，少なくとも１枚の基板を配置するための少なくとも１つの収容場所を設けた平坦な表面を有し，基板の縁の一部を各々位置固定して設置するべく，床面レベルに延在する収容場所床面を囲み基板の輪郭に対応する輪郭線が位置決め側面により寄り添われており，収容場所床面の凹部にそれぞれ起立する支持突起を有し，その支持突起が，収容場所床面より高い位置にあり基板を載置可能な載置面を有し，その載置面上にて基板が，載置面の延在する基板載置レベルに載置可能であり，支持突起の各々が凹部レベルを有する凹部により環状に囲まれ，その凹部レベルは，鉛直方向において床面レベルからよりも基板載置レベルから離れている装置。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願発明１では，位置決め側面による寄り添いが，「基板（３）の縁（８）
の一部を各々
の全部を
・相違点２：本願発明１では，支持突起の各々を環状に囲む凹部が，「凹部レベルに位置する環状の頂線を有し，その頂線から凹部（２０）の床が，段差無く第１の丸みのある断面を形成しつつ支持突起（９）の外壁に繋がっており，その外壁もまた，段差無く第２の丸みのある断面を形成しつつ湾曲した載置面（１５）に繋がっている」という形状を備えるのに対して，引用発明では，「基板支持凸部２７」が，「上端に基板載置部２７ａを有する円柱状に」なるように形成され，「前記基板支持凸部２７の上面，及び前記基板支持凸部２７の周囲に設けられた前記凹溝部２８の底面が平坦面である」という形状を備える点。
　
（２）判断
　上記相違点について検討する。
・相違点１について
　引用文献２，３のいずれにも，ＣＶＤ反応炉のプロセスチャンバで用いるべく，少なくとも１枚の基板を保持するための装置において，基板の縁の一部を各々位置固定して設置するべく位置決め側面による寄り添いを設ける構造は記載されておらず，このような構造が周知であるとも認められない。
　また，仮に，このような構造が周知であったとしても，上記第４の１（２）ｉのとおり，引用文献２に記載された技術が，「基板２２の裏面と凹溝部２８の底面との間の距離が，基板２２の裏面と平面部２６との間の距離に比べて離れているため凹溝部２８に対向する基板裏面部分の放射熱伝導による加熱量は少なくなり，このため，基板２２の裏面においては，基板保持凹部２３の平面部２６に対向した部分の温度に比べて，基板支持凸部２７の基板載置部２７ａに接した部分の温度が高く，凹溝部２８に対向した部分の温度が低くなる傾向となる」ことを利用して，上記第４の１（２）ｂに記載されるように，基板の温度均一性を更に向上させて基板表面の面内温度分布を解消し，基板表面に形成する薄膜の面内均一性を向上させて歩留まりを改善することができる気相成長装置を提供することを目的としたものであることを鑑みれば，位置決め側面による寄り添いを，基板の縁の全部に渡って行う引用発明の構造をとることに代えて，基板の縁の一部を各々行うようにすることで，位置決め側面からの熱の伝達の有無による，基板の縁における温度の均一性の劣化を生じさせることには阻害事由が存在し，このような事情にもかかわらず，相違点１について本願発明１の構成をあえて採用する動機を見いだすことはできない。
　すなわち，上記相違点１に係る本願発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことではない。
・相違点２について
　上記第４の１（２）ｊ及びｋのとおり，引用文献１には，各凹溝部の断面形状は４角形に限るものではなく，Ｖ字状，Ｕ字状の溝であってもよく，基板載置部が球面状になっていてもよいことは記載されているが，引用発明にこれらを組み合わせたとしても，凹溝部の４角形の断面形状の底面の隅部に丸みを付け，基板載置部が球面状のものとなるに留まり，隅部の前記丸みと基板載置部の球状面とを接続する鉛直方向の円筒状の壁はそのまま残るので，相違点２に係る本願発明１の前記形状，すなわち，「断面において凹部（２０）の頂線から載置面（１５）の頂点までの間に水平面も鉛直面も存在せず，滑らかな曲線のみが存在」（審判請求書　３．（ｃ））するという形状に至ることはないといえる。
　また，引用文献２，３を参酌しても，上記相違点２に係る本願発明１の構成を採用する動機を認めることはできない。
　
　したがって，本願発明１は，引用発明及び引用文献２，３に基いて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
　２　本願発明２ないし１１について
　本願発明２ないし１１も，本願発明１と同一の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明及び引用文献２，３に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第６　むすび
　以上のとおり，本願発明１ないし１１は，当業者が引用発明及び引用文献２，３に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。