【手続補正書】
【提出日】平成30年12月19日(2018.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ第１電極端子と第２電極端子を有する第１半導体素子と第２半導体素子が実装される配線基板であって、
上面に前記第１半導体素子の第１電極端子が接続される第１接続端子と前記第２半導体素子の第１電極端子が接続される第２接続端子とが露出して形成され、下面に内部接続端子が形成され、前記第１半導体素子の第１電極端子と前記第２半導体素子の第１電極端子とを互いに接続する配線部品と、
前記第１半導体素子の第２電極端子が接続される第３接続端子と、
前記第２半導体素子の第２電極端子が接続される第４接続端子と、
前記配線部品と前記第３接続端子と前記第４接続端子とが埋設された絶縁層と、
前記絶縁層の下面に形成され、前記絶縁層を貫通するビア配線を有し、前記ビア配線により前記内部接続端子に直接接続された配線層と、を有し、
前記第１〜前記第４接続端子の上面は同一の平面上に位置していること、
を特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第３接続端子と前記第４接続端子は前記絶縁層の厚さ方向に延びる柱状に形成され、前記絶縁層の厚さ方向において前記第３接続端子及び前記第４接続端子の長さは、前記配線部品の厚さに対応していること、を特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁層は、前記配線部品の外周側面から前記絶縁層の上面側に向かうにつれて拡開するテーパ状の開口部を有し、
前記開口部と前記配線部品の間に配設され、前記配線部品の側面の一部を覆う接着剤を備えていること、を特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
配線基板と、それぞれ第１電極端子と第２電極端子を有して前記配線基板に実装された第１半導体素子と第２半導体素子とを有し、
前記配線基板は、
上面に前記第１半導体素子の第１電極端子が接続される第１接続端子と前記第２半導体素子の第１電極端子が接続される第２接続端子とが露出して形成され、下面に内部接続端子が形成され、前記第１半導体素子の第１電極端子と前記第２半導体素子の第１電極端子とを互いに接続する配線部品と、
前記第１半導体素子の第２電極端子が接続される第３接続端子と、
前記第２半導体素子の第２電極端子が接続される第４接続端子と、
前記配線部品と前記第３接続端子と前記第４接続端子とが埋設された絶縁層と、
前記絶縁層の下面に形成され、前記絶縁層を貫通するビア配線を有し、前記ビア配線により前記内部接続端子に直接接続された配線層と、を有し、
前記第１〜前記第４接続端子の上面は同一の平面上に位置していること、
を特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁層は、前記配線部品の外周側面から前記絶縁層の上面側に向かうにつれて拡開するテーパ状の開口部を有し、
前記開口部と前記配線部品の間に配設され、前記配線部品の側面の一部を覆う接着剤を備えていること、を特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
それぞれ第１電極端子と第２電極端子を有する第１半導体素子と第２半導体素子が実装される配線基板の製造方法であって、
第１の面に前記第１半導体素子の第１電極端子が接続される第１接続端子と前記第２半導体素子の第１電極端子が接続される第２接続端子とが露出して形成され、前記第１の面とは反対側の第２の面に内部接続端子が形成され、前記第１半導体素子の第１電極端子と前記第２半導体素子の第１電極端子とを互いに接続する配線部品と、前記第１の面を覆う金属箔とを有する構造体を形成する工程と、
第１支持基板の上面に搭載凹部を形成する工程と、
前記金属箔の上面を前記第１支持基板の上面と同一高さとするように、前記搭載凹部に前記構造体の前記金属箔を埋設して接着層により前記構造体を接着する工程と、
前記第１支持基板の上面に第３接続端子と第４接続端子とを形成する工程と、
前記構造体と前記第３接続端子と前記第４接続端子とを覆う絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上面に、前記内部接続端子と前記第３接続端子と前記第４接続端子とにそれぞれ接続された配線層を形成する工程と、
前記第１支持基板を除去する工程と、
前記接着層を除去する工程と、
前記構造体の前記金属箔を除去する工程と、
を有する配線基板の製造方法。
【請求項７】
それぞれ第１電極端子と第２電極端子を有する第１半導体素子と第２半導体素子が実装される配線基板の製造方法であって、
第１の面に前記第１半導体素子の第１電極端子が接続される第１接続端子と前記第２半導体素子の第１電極端子が接続される第２接続端子とが露出して形成され、前記第１の面とは反対側の第２の面に内部接続端子が形成され、前記第１半導体素子の第１電極端子と前記第２半導体素子の第１電極端子とを互いに接続する配線部品と、前記第１の面を覆う金属箔とを有する構造体を形成する工程と、
第１支持基板の上面に、前記構造体の前記金属箔を接着層により接着する工程と、
前記第１支持基板の上面に、前記金属箔の上面と同一の高さの補助層を形成する工程と、
前記補助層の上に第３接続端子と第４接続端子とを形成する工程と、
前記構造体と前記第３接続端子と前記第４接続端子とを覆う絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上面に、前記内部接続端子と前記第３接続端子と前記第４接続端子とにそれぞれ接続された配線層を形成する工程と、
前記第１支持基板及び前記補助層を除去する工程と、
前記接着層を除去する工程と、
前記構造体の前記金属箔を除去する工程と、
を有する配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１支持基板は、支持体と、前記支持体の上面に接着されたキャリア板と、前記キャリア板の上面に剥離層を介して積層された金属箔とを含み、
前記第１支持基板を除去する工程では、前記キャリア板を前記金属箔から剥離して前記支持体と前記キャリア板とを除去した後、前記金属箔をエッチングにより除去すること、を特徴とする請求項６又は７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記構造体を形成する工程は、
キャリア板と、前記キャリア板の上面に剥離層を介して積層された金属箔とを含む第２支持基板を用い、前記金属箔の上面に第１接続端子と第２接続端子とを形成する工程と、
前記金属箔の上面側に、絶縁層と配線層とを交互に積層する工程と、
最上層の前記配線層をパターニングして内部接続端子を形成する工程と、
最上層の前記絶縁層の上面に第１支持層を形成する工程と、
前記キャリア板を前記金属箔から剥離する工程と、
前記金属箔の下面に第２支持層を形成した後、前記第１支持層を除去する工程と、
を有し、
前記金属箔から前記第２支持層を除去して前記構造体を前記第１支持基板に接着すること、を特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一観点によれば、それぞれ第１電極端子と第２電極端子を有する第１半導体素子と第２半導体素子が実装される配線基板であって、上面に前記第１半導体素子の第１電極端子が接続される第１接続端子と前記第２半導体素子の第１電極端子が接続される第２接続端子とが露出して形成され、下面に内部接続端子が形成され、前記第１半導体素子の第１電極端子と前記第２半導体素子の第１電極端子とを互いに接続する配線部品と、前記第１半導体素子の第２電極端子が接続される第３接続端子と、前記第２半導体素子の第２電極端子が接続される第４接続端子と、前記配線部品と前記第３接続端子と前記第４接続端子とが埋設された絶縁層と、前記絶縁層の下面に形成され、前記絶縁層を貫通するビア配線を有し、前記ビア配線により前記内部接続端子に直接接続された配線層と、を有し、前記第１〜前記第４接続端子の上面は同一の平面上に位置している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の別の一観点によれば、配線基板と、それぞれ第１電極端子と第２電極端子を有して前記配線基板に実装された第１半導体素子と第２半導体素子とを有し、前記配線基板は、上面に前記第１半導体素子の第１電極端子が接続される第１接続端子と前記第２半導体素子の第１電極端子が接続される第２接続端子とが露出して形成され、下面に内部接続端子が形成され、前記第１半導体素子の第１電極端子と前記第２半導体素子の第１電極端子とを互いに接続する配線部品と、前記第１半導体素子の第２電極端子が接続される第３接続端子と、前記第２半導体素子の第２電極端子が接続される第４接続端子と、前記配線部品と前記第３接続端子と前記第４接続端子とが埋設された絶縁層と、前記絶縁層の下面に形成され、前記絶縁層を貫通するビア配線を有し、前記ビア配線により前記内部接続端子に直接接続された配線層と、を有し、前記第１〜前記第４接続端子の上面は同一の平面上に位置している。