【手続補正書】
【提出日】令和1年7月17日(2019.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
１００、２００、３００、４００    シリンジ
１１０、２１０、３１０、４１０    放熱用樹脂組成物
１２０、２２０、３２０、４２０    基材
１３０    電極
１４０    導電部材
１５０、２５０、３５０、４５０    半導体素子
１６０    引き上げ手段
２３５、３３５、４３５    導電部材
２４５、３４５、４４５    アンダーフィル材料
２５５    ヒートシンク
３６５、４６５    コンデンサ
３７０    シールド缶
３７５    シールド缶の蓋
４８０    筐体
本開示の実施態様の一部を以下の［項目１］−［項目１２］に記載する。
［項目１］
（Ａ）成分：エポキシ樹脂、（Ｂ）成分：エポキシ樹脂用硬化剤、（Ｃ）成分：重量平均分子量１００００以下の（メタ）アクリルオリゴマー、及び（Ｄ）成分：熱伝導性粒子を含む、放熱用樹脂組成物。
［項目２］
（Ｃ）成分が、（Ｃ−１）成分：カルボキシル基を有さない重量平均分子量１００００以下の（メタ）アクリルオリゴマー及び／又は（Ｃ−２）成分：カルボキシル基を有する重量平均分子量１００００以下の（メタ）アクリルオリゴマーである、項目１記載の放熱用樹脂組成物。
［項目３］
（Ａ）〜（Ｃ）成分の重量分率を、ＷＡ、ＷＢ及びＷＣとした場合、下記式（１）を満足する、項目１又は２記載の放熱用樹脂組成物。
【数７】
2018021163.tif 000001
［項目４］
（Ｃ−１）及び（Ｃ−２）成分の重量分率をＷＣ−１及びＷＣ−２とした場合、下記式（２）を満足する、項目２又は３記載の放熱用樹脂組成物。
【数８】
2018021163.tif 000002
［項目５］
（Ｄ）成分の重量分率をＷＤとした場合、下記式（３）を満足する、項目１〜４の何れか一項に記載の放熱用樹脂組成物。
【数９】
2018021163.tif 000003
［項目６］
項目１〜５の何れか一項に記載の放熱用樹脂組成物を硬化した放熱用硬化物。
［項目７］
塑性変形を呈する、項目６記載の放熱用硬化物。
［項目８］
項目１〜５の何れか一項に記載の放熱用樹脂組成物又は項目６若しくは７記載の放熱用硬化物を、電極を備える基材に適用する工程（１）と、
適用した放熱用樹脂組成物又は放熱用硬化物上に電極を備える半導体素子を配置し、必要に応じ、加熱及び／又は加圧する工程（２）であって、基材及び半導体素子の電極が導電部材を介して接合される、工程（２）と、
前記工程（１）において放熱用樹脂組成物を使用する場合に、該放熱用樹脂組成物を加熱又は電離放射線により硬化する工程（３）と、
任意に、基材及び半導体素子を取り外してリワークする工程（４）と、を備える、半導体素子の実装方法であって、前記硬化する工程（３）が、工程（１）〜工程（２）の何れかで行われる、半導体素子の実装方法。
［項目９］
電極を備える第１表面を有する基材と、電極を備える第１面及び該第１面と反対側の第２面とを有する半導体素子とを、前記各第１表面が対向するように、アンダーフィル材料及び／又は導電部材を介して配置する工程（１）と、
半導体素子の前記第２面に、項目１〜５の何れか一項に記載の放熱用樹脂組成物又は項目６若しくは７記載の放熱用硬化物を適用する工程（２）と、
加熱及び／又は加圧して半導体素子及び基材を接合する工程（３）であって、該工程（３）が、前記工程（１）又は工程（２）に続いて行われる、工程（３）と、
適用した放熱用樹脂組成物又は放熱用硬化物上にヒートシンクを配置し、必要に応じ、加熱及び／又は加圧する工程（４）と、
前記工程（２）において放熱用樹脂組成物を使用する場合に、該放熱用樹脂組成物を加熱又は電離放射線により硬化する工程（５）と、
任意に、ヒートシンク及び半導体素子を取り外してリワークする工程（６）と、を備える、半導体素子及びヒートシンクの実装方法であって、前記硬化する工程（５）が、工程（２）〜工程（４）の何れかで行われる、半導体素子及びヒートシンクの実装方法。
［項目１０］
シールド缶及び電極を備える第１表面を有する基材と、電極を備える第１面及び該第１面と反対側の第２面とを有し、前記シールド缶内に配置される半導体素子とを、前記各第１表面が対向するように、アンダーフィル材料及び／又は導電部材を介して配置する工程（１）と、
半導体素子の前記第２面に、項目１〜５の何れか一項に記載の放熱用樹脂組成物又は項目６若しくは７記載の放熱用硬化物を適用する工程（２）と、
加熱及び／又は加圧して半導体素子及び基材を接合する工程（３）であって、該工程（３）が、前記工程（１）又は工程（２）に続いて行われる、工程（３）と、
適用した放熱用樹脂組成物又は放熱用硬化物上にシールド缶の蓋を配置し、必要に応じ、加熱及び／又は加圧する工程（４）と、
前記工程（２）において放熱用樹脂組成物を使用する場合に、該放熱用樹脂組成物を加熱又は電離放射線により硬化する工程（５）と、
任意に、シールド缶の蓋及び半導体素子を取り外してリワークする工程（６）と、を備える、シールド缶内への半導体素子の実装方法であって、前記硬化する工程（５）が、工程（２）〜工程（４）の何れかで行われる、シールド缶内への半導体素子の実装方法。
［項目１１］
電極を備える第１表面を有する基材と、電極を備える第１面及び該第１面と反対側の第２面とを有する半導体素子とを、前記各第１表面が対向するように、アンダーフィル材料及び／又は導電部材を介して加熱及び／又は加圧して接合する工程（１）と、
半導体素子の前記第２面に、項目１〜５の何れか一項に記載の放熱用樹脂組成物又は項目６若しくは７記載の放熱用硬化物を適用する工程（２）と、
適用した放熱用樹脂組成物又は放熱用硬化物上に筐体を配置し、必要に応じ、加熱及び／又は加圧して、放熱用樹脂組成物又は放熱用硬化物を半導体素子の前記第２面以上の面積に広げる工程（３）と、
前記工程（２）において放熱用樹脂組成物を使用する場合に、該放熱用樹脂組成物を加熱又は電離放射線により硬化する工程（４）と、
任意に、筐体及び半導体素子を取り外してリワークする工程（５）と、を備える、筐体内への半導体素子の実装方法であって、前記硬化する工程（４）が、工程（２）〜工程（３）の何れかで行われる、筐体内への半導体素子の実装方法。
［項目１２］
放熱用樹脂組成物を適用する場合に、ディスペンサーを使用する、項目８〜１１の何れか一項に記載の実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）成分：エポキシ樹脂、（Ｂ）成分：エポキシ樹脂用硬化剤、（Ｃ）成分：重量平均分子量１００００以下の（メタ）アクリルオリゴマー、及び（Ｄ）成分：熱伝導性粒子を含み、かつ、
（Ａ）〜（Ｃ）成分の重量分率を、ＷＡ、ＷＢ及びＷＣとした場合、下記式（１）を満足する、放熱用樹脂組成物。
【数１】
2018021163.tif 000004
【請求項２】
（Ｃ）成分が、（Ｃ−１）成分：カルボキシル基を有さない重量平均分子量１００００以下の（メタ）アクリルオリゴマー及び／又は（Ｃ−２）成分：カルボキシル基を有する重量平均分子量１００００以下の（メタ）アクリルオリゴマーであり、かつ、
（Ｃ−１）及び（Ｃ−２）成分の重量分率をＷＣ−１及びＷＣ−２とした場合、下記式（２）を満足する、請求項１に記載の放熱用樹脂組成物。
【数２】
2018021163.tif 000005
【請求項３】
（Ｄ）成分の重量分率をＷＤとした場合、下記式（３）を満足する、請求項１又は２に記載の放熱用樹脂組成物。
【数３】
2018021163.tif 000006
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の放熱用樹脂組成物を硬化した放熱用硬化物。
【請求項５】
塑性変形を呈する、請求項４に記載の放熱用硬化物。
【請求項６】
請求項１〜３の何れか一項に記載の放熱用樹脂組成物又は請求項４若しくは５に記載の放熱用硬化物を、電極を備える基材に適用する工程（１）と、
適用した放熱用樹脂組成物又は放熱用硬化物上に電極を備える半導体素子を配置し、必要に応じ、加熱及び／又は加圧する工程（２）であって、基材及び半導体素子の電極が導電部材を介して接合される、工程（２）と、
前記工程（１）において放熱用樹脂組成物を使用する場合に、該放熱用樹脂組成物を加熱又は電離放射線により硬化する工程（３）と、
任意に、基材及び半導体素子を取り外してリワークする工程（４）と、を備える、半導体素子の実装方法であって、前記硬化する工程（３）が、工程（１）〜工程（２）の何れかで行われる、半導体素子の実装方法。
【請求項７】
電極を備える第１表面を有する基材と、電極を備える第１面及び該第１面と反対側の第２面とを有する半導体素子とを、前記各第１表面が対向するように、アンダーフィル材料及び／又は導電部材を介して配置する工程（１）と、
半導体素子の前記第２面に、請求項１〜３の何れか一項に記載の放熱用樹脂組成物又は請求項４若しくは５に記載の放熱用硬化物を適用する工程（２）と、
加熱及び／又は加圧して半導体素子及び基材を接合する工程（３）であって、該工程（３）が、前記工程（１）又は工程（２）に続いて行われる、工程（３）と、
適用した放熱用樹脂組成物又は放熱用硬化物上にヒートシンクを配置し、必要に応じ、加熱及び／又は加圧する工程（４）と、
前記工程（２）において放熱用樹脂組成物を使用する場合に、該放熱用樹脂組成物を加熱又は電離放射線により硬化する工程（５）と、
任意に、ヒートシンク及び半導体素子を取り外してリワークする工程（６）と、を備える、半導体素子及びヒートシンクの実装方法であって、前記硬化する工程（５）が、工程（２）〜工程（４）の何れかで行われる、半導体素子及びヒートシンクの実装方法。
【請求項８】
シールド缶及び電極を備える第１表面を有する基材と、電極を備える第１面及び該第１面と反対側の第２面とを有し、前記シールド缶内に配置される半導体素子とを、前記各第１表面が対向するように、アンダーフィル材料及び／又は導電部材を介して配置する工程（１）と、
半導体素子の前記第２面に、請求項１〜３の何れか一項に記載の放熱用樹脂組成物又は請求項４若しくは５に記載の放熱用硬化物を適用する工程（２）と、
加熱及び／又は加圧して半導体素子及び基材を接合する工程（３）であって、該工程（３）が、前記工程（１）又は工程（２）に続いて行われる、工程（３）と、
適用した放熱用樹脂組成物又は放熱用硬化物上にシールド缶の蓋を配置し、必要に応じ、加熱及び／又は加圧する工程（４）と、
前記工程（２）において放熱用樹脂組成物を使用する場合に、該放熱用樹脂組成物を加熱又は電離放射線により硬化する工程（５）と、
任意に、シールド缶の蓋及び半導体素子を取り外してリワークする工程（６）と、を備える、シールド缶内への半導体素子の実装方法であって、前記硬化する工程（５）が、工程（２）〜工程（４）の何れかで行われる、シールド缶内への半導体素子の実装方法。
【請求項９】
電極を備える第１表面を有する基材と、電極を備える第１面及び該第１面と反対側の第２面とを有する半導体素子とを、前記各第１表面が対向するように、アンダーフィル材料及び／又は導電部材を介して加熱及び／又は加圧して接合する工程（１）と、
半導体素子の前記第２面に、請求項１〜３の何れか一項に記載の放熱用樹脂組成物又は請求項４若しくは５に記載の放熱用硬化物を適用する工程（２）と、
適用した放熱用樹脂組成物又は放熱用硬化物上に筐体を配置し、必要に応じ、加熱及び／又は加圧して、放熱用樹脂組成物又は放熱用硬化物を半導体素子の前記第２面以上の面積に広げる工程（３）と、
前記工程（２）において放熱用樹脂組成物を使用する場合に、該放熱用樹脂組成物を加熱又は電離放射線により硬化する工程（４）と、
任意に、筐体及び半導体素子を取り外してリワークする工程（５）と、を備える、筐体内への半導体素子の実装方法であって、前記硬化する工程（４）が、工程（２）〜工程（３）の何れかで行われる、筐体内への半導体素子の実装方法。