【事件の表示】
　特願２０１６−１１９８２８「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年１２月２１日出願公開、特開２０１７−２２４７５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２８年６月１６日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和　２年　２月　５日付け　　　　拒絶理由通知書
　令和　２年　４月　７日　　　　　　意見書、手続補正書の提出
　令和　２年　４月２０日付け　　　　拒絶査定
　令和　２年　７月２４日　　　　　　審判請求書、手続補正書の提出
第２　令和２年７月２４日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和２年７月２４日にされた手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正について
（１）本件補正の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の記載は、次のとおり補正された。（下線は、補正箇所である。）
「【請求項１】
　第１の金属層からなる第１のパッドを形成する工程（ａ）と、
　前記第１のパッド上に絶縁層を形成する工程（ｂ）と、
　前記第１のパッドの少なくとも一部の領域上の前記絶縁層を除去することにより、前記絶縁層に開口部を設ける工程（ｃ）と、
前記第１のパッドと第３のパッドを電気的に接続するプラグが形成される
前記絶縁層の前記開口部に、前記絶縁層の開口部の側面に沿って配置された側壁と、前記側壁に接する絶縁層の膜厚よりも小さい膜厚で前記第１のパッドに沿って形成された底部と、を有し、
　前記第２のパッド上に第３の金属層からなる第３のパッドを形成する工程（ｅ）と、
　平面視で
前記第３のパッドの下層において前記第２のパッドの側壁の領域を含む
を備える半導体装置の製造方法。
（なお、上記請求項１の「前記絶縁膜」及び「接する絶縁膜の膜厚」の記載は、「前記絶縁層」及び「接する絶縁層の膜厚」の誤記であると判断した。）
　　【請求項２】
　工程（ｃ）が、前記絶縁層に前記開口部の開口径よりも小さい開口径を有するスルーホールを設けることを含み、
　工程（ｄ）が、
前記第２の金属層を前記絶縁層の上層に形成するとともに前記スルーホールに充填
　　【請求項３】
　工程（ｄ）が、前記絶縁層の上層に形成された前記第２の金属層を除去することをさらに含む、請求項２記載の製造方法。
　　【請求項４】
　前記第３のパッドに銅（Ｃｕ）のワイヤの一端をボンディングする工程
（ｇ）
　　【請求項５】
　第１の金属層からなる第１のパッドと、
　前記第１のパッド上に配置され、開口部を有する絶縁層と、
　前記第１のパッドと第３のパッドを電気的に接続するプラグが形成される前記絶縁層の前記開口部に配置され、
前記絶縁層の開口部の側面に沿って配置された側壁と、前記側壁に接する絶縁層の膜厚よりも小さい膜厚で前記第１のパッドに沿って形成された底部と、を備え、
　前記第２のパッド上に配置され、第３の金属層からなる前記第３のパッドと、
平面視で
前記第３のパッドの下層において前記第２のパッドの側壁の領域を含む
（なお、上記請求項５の「前記絶縁膜」及び「接する絶縁膜の膜厚」の記載は、「前記絶縁層」及び「接する絶縁層の膜厚」の誤記であると判断した。）
　　【請求項６】
　
前記底部と前記側壁とは、
　　【請求項７】
　前記絶縁層が、前記開口部の開口径よりも小さい開口径を有するスルーホールをさらに有し、
　前記絶縁層の前記スルーホールに配置されて前記第１及び第３のパッドに電気的に接続されたプラグをさらに備える、請求項５又は６記載の半導体装置。
　　【請求項８】
　前記第１のパッドが、１．５μｍ以下の膜厚を有する、請求項５〜７のいずれか１項記載の半導体装置。
　　【請求項９】
　前記第２のパッドが、前記第１及び第３のパッドの各々のヤング率よりも大きいヤング率を有する、請求項５〜８のいずれか１項記載の半導体装置。
　　【請求項１０】
　前記第１及び第３のパッドの各々が、アルミニウム（Ａｌ）を含み、前記第２のパッドが、タングステン（Ｗ）を含む、請求項５〜９のいずれか１項記載の半導体装置。
　　【請求項１１】
　前記第１のパッドが、ＦＳＧ（フッ素をドープした珪酸塩ガラス）又はＬｏｗ-ｋ材料を含む層間絶縁膜上に配置されている、請求項５〜１０のいずれか１項記載の半導体装置。」
（２）補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の、令和２年４月７日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　第１の金属層からなる第１のパッドを形成する工程（ａ）と、
　前記第１のパッド上に絶縁層を形成する工程（ｂ）と、
　前記第１のパッドの少なくとも一部の領域上の前記絶縁層を除去することにより、前記絶縁層に開口部を設ける工程（ｃ）と、
　前記第１のパッドと第３のパッドを電気的に接続するプラグが形成される前記絶縁層の膜厚よりも小さい膜厚を有するように、前記絶縁層の前記開口部に第２の金属層からなる第２のパッドを形成する工程（ｄ）と、
　前記第２のパッド上に第３の金属層からなる前記第３のパッドを形成する工程（ｅ）と、
　平面視で前記第３のパッドの周辺部を覆う保護膜を形成する工程（ｆ）と、
を備える半導体装置の製造方法。
（なお、上記請求項１の「前記絶縁膜」の記載は、「前記絶縁層」の誤記であると判断した。）
　　【請求項２】
　工程（ｃ）が、前記絶縁層に前記開口部の開口径よりも小さい開口径を有するスルーホールを設けることを含み、
　工程（ｄ）が、前記第１のパッドと第３のパッドを電気的に接続するプラグが形成される前記絶縁層の膜厚よりも大きい膜厚を有するように、前記絶縁層の前記スルーホールに前記第２の金属層を形成することを含む、請求項１記載の製造方法。
　　【請求項３】
　工程（ｄ）が、前記絶縁層の上層に形成された前記第２の金属層を除去することをさらに含む、請求項２記載の製造方法。
　　【請求項４】
　前記第３のパッドに銅（Ｃｕ）のワイヤーの一端をボンディングする工程（ｆ）をさらに備える、請求項１〜３のいずれか１項記載の製造方法。
　　【請求項５】
　第１の金属層からなる第１のパッドと、
　前記第１のパッド上に配置され、開口部を有する絶縁層と、
　前記第１のパッドと第３のパッドを電気的に接続するプラグが形成される前記絶縁層の膜厚よりも小さい膜厚を有して前記絶縁層の前記開口部に配置され、第２の金属層からなる第２のパッドと、
　前記第２のパッド上に配置され、第３の金属層からなる前記第３のパッドと、
平面視で前記第３のパッドの周辺部を覆う保護膜と、を備え、
前記保護膜で覆われていない前記第３のパッドの領域の下層において前記第２のパッドが一様な膜厚を有する、半導体装置。
　　【請求項６】
　前記第２のパッドが、前記第１のパッドに沿って配置された底部と、前記絶縁層の前記
開口部の４つの側面に沿って配置された４つの側壁とで構成される箱型の形状を有する、請求項５記載の半導体装置。
　　【請求項７】
　前記絶縁層が、前記開口部の開口径よりも小さい開口径を有するスルーホールをさらに有し、
　前記絶縁層の前記スルーホールに配置されて前記第１及び第３のパッドに電気的に接続されたプラグをさらに備える、請求項５又は６記載の半導体装置。
　　【請求項８】
　前記第１のパッドが、１．５μｍ以下の膜厚を有する、請求項５〜７のいずれか１項記載の半導体装置。
　　【請求項９】
　前記第２のパッドが、前記第１及び第３のパッドの各々のヤング率よりも大きいヤング率を有する、請求項５〜８のいずれか１項記載の半導体装置。
　　【請求項１０】
　前記第１及び第３のパッドの各々が、アルミニウム（Ａｌ）を含み、前記第２のパッドが、タングステン（Ｗ）を含む、請求項５〜９のいずれか１項記載の半導体装置。
　　【請求項１１】
　前記第１のパッドが、ＦＳＧ（フッ素をドープした珪酸塩ガラス）又はＬｏｗ-ｋ材料を含む層間絶縁膜上に配置されている、請求項５〜１０のいずれか１項記載の半導体装置。」
２　補正の適否
（１）目的要件
　本件補正は、本件補正前の請求項５に係る発明の「前記保護膜で覆われていない前記第３のパッドの領域の下層において前記第２のパッドが一様な膜厚を有する、」という技術的事項を、補正後の請求項５に係る発明において、取り除く補正事項を含む補正である。
　そうすると、この補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものとはいえない。
　そして、令和２年４月２０日付けの拒絶査定の理由では、特許請求の範囲の記載が明りょうでない理由として、請求項５の記載における「絶縁層の膜厚」が「絶縁層」のどの部分の膜厚を意味するのか不明確である点を指摘しており、「第２のパッド」について指摘していないのであるから、「第２のパッド」の膜厚に関するこの補正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであるともいえない。
　加えて、この補正は、請求項の削除、誤記の訂正のいずれにも該当しないことも明らかである。
　そうすると、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
（２）独立特許要件
　本件補正は，上記（１）において検討したとおり、特許法第１７条の２第５項の規定に違反するものであるが、仮に、本件補正が、適法になされたものであり、かつ、請求項１に係る発明についての補正事項が、特許請求の範囲の減縮を目的とするものといえるとして、本件補正が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定を満たすものであるか否か、即ち、補正後の請求項に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、以下に検討する。
ア　本件補正発明
　補正後の請求項１に係る発明（以下、これを「本件補正発明」という。）は、上記１（１）に記載した、次のとおりのものである。（再掲）
「【請求項１】
　第１の金属層からなる第１のパッドを形成する工程（ａ）と、
　前記第１のパッド上に絶縁層を形成する工程（ｂ）と、
　前記第１のパッドの少なくとも一部の領域上の前記絶縁層を除去することにより、前記絶縁層に開口部を設ける工程（ｃ）と、
前記第１のパッドと第３のパッドを電気的に接続するプラグが形成される前記絶縁層の前記開口部に、
前記絶縁層の開口部の側面に沿って配置された側壁と、前記側壁に接する絶縁層の膜厚よりも小さい膜厚で前記第１のパッドに沿って形成された底部と、を有し、第２の金属層からなる第２のパッドを
　前記第２のパッド上に第３の金属層からなる第３のパッドを形成する工程（ｅ）と、
　平面視で
前記第３のパッドの下層において前記第２のパッドの側壁の領域を含む
を備える半導体装置の製造方法。」
イ　引用文献の記載
（ア）引用文献１
　原査定の拒絶の理由で引用された特開２００３−６８７４０号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。（下線は、当審で当審で付した。以下同じ。）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装置およびその製造方法に関し、特に、ボンディングパッドとその下部の層間絶縁膜との接着性の向上に適用して有効な技術に関するものである。」
「【００２９】次に、上記のように構成された本実施の形態１の
半導体集積回路装置の製造方法
・・・中　略・・・
【００４１】次に、図４に示すように、上記配線１１、１４を形成した工程と同様の工程により、積層配線が形成される領域および
ボンディングパッドが形成される領域に、
Ｔｉ膜、Ａｌ合金膜およびＴｉＮ膜の３層の薄膜からなる
配線１８Ｂとを形成した後、
プラズマＣＶＤ法にて基板１上に高密度プラズマを用いた酸化シリコン膜１９を堆積する。続いて、その酸化シリコン膜１９上に、高密度プラズマを用いたプラズマＣＶＤ法にて酸化シリコン膜２０を堆積する。次いで、
たとえばＣＭＰ法にて酸化シリコン膜２０の表面を研磨し、その表面を平坦化する。
【００４２】
次に、
フォトリソグラフィ技術によってパターニングされたフォトレジスト膜（図示は省略）をマスクとして酸化シリコン膜２０、１９をエッチングすることにより、
ボンディングパッドが形成される領域の配線１８Ｂに達する開口部２１Ｂを形成する。
【００４３】次に、図８に示すように、コンタクトホール２１Ａの内部および
開口部２１Ｂの内部を含む酸化シリコン膜２０の上部に、膜厚約１０ｎｍのＴｉ膜と膜厚約５０ｎｍのＴｉＮ膜とからなるバリアメタル膜２２Ｃを堆積する。続いて、バリアメタル膜２２Ｃの上部に、膜厚約５００ｎｍのＷ膜２２Ｄを堆積する。この時、開口部２１Ｂ内において、バリアメタル膜２２ＣおよびＷ膜２２Ｄからなる積層膜（第１導電性膜）の膜厚は、開口部２１Ｂの深さより薄くなるようにする。
【００４４】次に、図９に示すように、コンタクトホール２２Ａの外部および
開口部２２Ｂの外部のＷ膜２２Ｄおよびバリアメタル膜２２ＣをＣＭＰ法で除去することにより、
開口部２１Ｂの内部に積層膜２２Ｂを形成する。
【００４５】次に、図１０に示すように、
酸化シリコン膜２０の上部にＴｉ膜２３Ａ、Ａｌ合金膜２３ＢおよびＴｉＮ膜２３Ｃを順次堆積し、これらの薄膜からなる積層膜（第２導電性膜）２３Ｄを形成する。
積層膜２３Ｄをエッチングしパターニングすることによって、
ボンディングパッドが形成される領域にボンディングパッドＢＰを形成する。
【００４６】次に、図１２に示すように、
基板１の表面に膜厚２００ｎｍ程度の酸化シリコン膜２４Ａおよび膜厚８００ｎｍ程度の窒化シリコン膜２４Ｂを順次堆積することにより表面保護膜２４を形成した後、ボンディングパッドＢＰ上の窒化シリコン膜２４Ｂおよび酸化シリコン膜２４Ａをエッチングで除去することにより、開口部２５を形成する。この時、開口部２５の開口径は開口部２１Ｂの開口径より相対的に大くする。
【図２】
　上記記載から、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ボンディングパッドが形成される領域に、Ｔｉ膜、Ａｌ合金膜およびＴｉＮ膜の３層の薄膜からなる配線１８Ｂを形成し、
　プラズマＣＶＤ法にて基板１上に高密度プラズマを用いた酸化シリコン膜１９を堆積し、その酸化シリコン膜１９上に、高密度プラズマを用いたプラズマＣＶＤ法にて酸化シリコン膜２０を堆積し、ＣＭＰ法にて酸化シリコン膜２０の表面を研磨し、その表面を平坦化し、
　フォトリソグラフィ技術によってパターニングされたフォトレジスト膜をマスクとして酸化シリコン膜２０、１９をエッチングすることにより、ボンディングパッドが形成される領域の配線１８Ｂに達する開口部２１Ｂを形成し、
　開口部２１Ｂの内部を含む酸化シリコン膜２０の上部に、開口部２１Ｂ内において、バリアメタル膜２２ＣおよびＷ膜２２Ｄからなる積層膜（第１導電性膜）の膜厚が、開口部２１Ｂの深さより薄くなるように、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とからなるバリアメタル膜２２Ｃを堆積し、バリアメタル膜２２Ｃの上部に、Ｗ膜２２Ｄを堆積し、開口部２２Ｂの外部のＷ膜２２Ｄおよびバリアメタル膜２２ＣをＣＭＰ法で除去することにより、開口部２１Ｂの内部に積層膜２２Ｂを形成し、
　酸化シリコン膜２０の上部にＴｉ膜２３Ａ、Ａｌ合金膜２３ＢおよびＴｉＮ膜２３Ｃを順次堆積し、これらの薄膜からなる積層膜（第２導電性膜）２３Ｄを形成し、積層膜２３Ｄをエッチングしパターニングすることによって、ボンディングパッドが形成される領域にボンディングパッドＢＰを形成し、
　基板１の表面に酸化シリコン膜２４Ａおよび窒化シリコン膜２４Ｂを順次堆積することにより表面保護膜２４を形成し、ボンディングパッドＢＰ上の窒化シリコン膜２４Ｂおよび酸化シリコン膜２４Ａをエッチングで除去することにより、開口径が開口部２１Ｂの開口径より相対的に大きい開口部２５を形成する、
半導体集積回路装置の製造方法。」
（イ）引用文献２
　原査定の拒絶の理由で引用された特開平８−７８４１３号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、内部回路を静電サージから保護する半導体保護装置に関するものである。」
「【００１６】
【実施例】以下、この発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。図１はこの発明の第１の実施例における半導体保護装置の平面図、図２は図１のＢ−Ｂ’における断面図である。図１、図２において、１はＰ型領域、２はＰ型領域１内に円盤状に形成されたＮ型領域（導電領域）である。Ｎ型領域２に対し、中央部に円形の第１のコンタクトホール３と、その外側に環状の離間領域を介して第２のコンタクトホール４を設けている。ここでは第２のコンタクトホール４を環状に形成している。中央部の
第１のコンタクトホール３上には、円盤状のボンディングパッド２１を形成している。ボンディングパッド２１上は、表面保護膜１０１を開口し、この開口部２２は第１のコンタクトホール３の開口より内側に設けている。
「【００１９】また、Ｎ型領域２に対する
第１のコンタクトホール３の開口部の内側に表面保護膜１０１の開口部２２を設けたことにより、ボンディングエリア全面が段差のない平坦な領域となるため、ワイヤボンディング時に、均一に荷重、超音波がかかり、ワイヤの引っ張り強度、シェア強度を高め、組立上の信頼性を向上させることができる。
【図２】
　上記記載から、引用文献２には、次の事項（以下、「引用文献２記載事項」という。）が記載されていると認められる。
「第１のコンタクトホール３上に円盤状のボンディングパッド２１を形成し、ボンディングパッド２１上に表面保護膜１０１を開口する際に、ワイヤボンディング時に、均一に荷重、超音波がかかり、ワイヤの引っ張り強度、シェア強度を高め、組立上の信頼性を向上させるために、ボンディングエリア全面が段差のない平坦な領域となるように、表面保護膜１０１を開口し、表面保護膜１０１の開口部２２を第１のコンタクトホール３の開口より内側に設けること。」
（ウ）周知技術
ａ　引用文献３
　原査定の拒絶の理由で引用された特開平１−１３０５４５号公報（以下、「引用文献３」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
「［産業上の利用分野］
　この発明は、樹脂封止型半導体装置に関するものである。」（第１頁左下欄２０行ないし右下欄２行）
「［作用］
　この発明の樹脂封止型半導体装置では、ボンディングパッド部のアルミニウム配線と電気的に接続し、かつボンディングパッド部と内部回路導電層までのアルミニウム配線の部分とも電気的に接続したバイパス導電層が設けられているため、ボンディングパッド部のアルミニウム配線が樹脂を通過してきた水分により腐食し断線しても、バイパス導電層により導電性が確保される。
［実施例］
　第１図は、この発明の一実施例である半導体装置を示す断面図である。第２図は、第１図に示す半導体装置の概略平面図である。第１図において、シリコン基板１上の所定の部分には素子分離用酸化膜２が設けられており、素子分離用酸化膜２の間の部分には、不純物拡散層３が形成されている。素子分離用酸化膜２上の所定部分には、バイパス導電層１０が形成され、素子分離用酸化膜２およびバイパス導電層１０上の所定部分には、平坦化用酸化膜４が形成されている。これらの上および不純物拡散層３の上に及ぶように、バリア金属６が設けられており、さらにこのバリア金属６上にアルミニウム配線７が形成されている。これらの上には、ボンディングパッド部に相当する部分を除き、保護膜８が形成されている。ボンディングパッド部には、ボンディングワイヤが接続され、ボンディングワイヤボール部９が形成されている。ボンディングワイヤボール部９のまわりは、ボンディングワイヤと共晶反応を起こさず、かつ保護膜８によっても覆われていないアルミニウム配線露出部７ａをなしている。
　第２図には、不純物拡散層３、アルミニウム配線７、バイパス導電層１０およびボンディングワイヤボール部９が示されている。
　この実施例の半導体装置の製造プロセスについて説明すると、まずシリコン基板１上に素子分離用酸化膜２を選択的に形成する。次に、この素子分離用酸化膜２の上に、多結晶シリコンまたは高融点金属もしくは該金属のシリサイド等からなる層を形成し、パターニングしてバイパス導電層１０とする。イオン注入等により拡散層３を形成する。
　次に、
平坦化用のリンガラス等の絶縁膜である平坦化用酸化膜４を形成し、この平坦化用酸化膜４に第２図に示すようなコンタクト孔５および５ａならびにボンディングパッド用孔５ｂを写真製版により開孔する。
　さらにこの上にバリア金属６をデポジットする。このバリア金属６により、コンタクト部分におけるアルミニウムの突き抜けおよびシリコンの析出を防止することができる。次に、このバリア金属６と電気的に接続した形で、アルミニウム配線７を形成し、パターニングを行なう。
　次に、これらの上に保護膜８を形成し、ボンディングパッド部に相当する部分を開孔して、アルミニウム配線７を露出させる。このアルミニウム配線露出部７ａに、金ワイヤ等をボンディングし、ボンディングワイヤボール部９を形成する。そして、この後チップ全体を樹脂封止する。
　以上のようなこの実施例の半導体装置では、
樹脂を通過してきた水分がアルミニウム配線露出部７ａを腐食し断線させても、アルミニウム配線７の下地であるバイパス導電層１０が十分な導電性を発揮するため、コンタクト孔５ａを介して、内部回路への導電性が確保され、したがってこの半導体装置は正常な動作を保つことができる。
ｂ　引用文献４
　原査定の拒絶の理由で引用された特開平９−２１９４５１号公報（以下、「引用文献４」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、多層配線構造を有する半導体装置に関し、特に層間絶縁膜が平坦化処理された半導体装置及びその製造方法に関する。」
「【００８３】図１１及び図１２はこの発明の第４の実施の形態を示し、図１１は平面図、図１２は図１１のＢ−Ｂ’線断面図である。第（ｎ−１）層よりシリコン基板１側のメタル配線層は、ボンディングパッド用配線パターン部を設けない構成になっており、図９及び図１０示す第３の実施の形態に記載したボンディングパッド用配線パターン部６が、多層メタル配線層の最上部にのみ形成される半導体装置の構造と同じ構成になっている。
【００８４】この第４の実施の形態を３層配線の例で説明する。まず、トランジスタが形成され、絶縁膜で覆われてるシリコン基板１上に第１層目の配線メタルを堆積し、パターニングすることにより第１層目のメタル配線層２が形成される。ここで絶縁膜１６は、平坦化されていてもされていなくてもよい。第１層目の配線パターンには、ボンディングパッド用配線パターン部は形成されていない。この上に層間絶縁膜３を堆積し、層間絶縁膜３をＣＭＰにより平坦化する。
【００８５】この後、層間絶縁膜３にヴィアホール７ａを形成し、第２メタル配線層４を堆積して、パターニングする。この
第２メタル配線層４には、ボンディングパッド用配線パターン部６ａを形成する。
第２の層間絶縁膜５を堆積して平坦化し、第２のヴィアホール７ｂを開口する。
この上に第３層目のメタル配線層８を堆積し、パターニングする。
【００８６】図９及び図１０に示す第３の実施の形態の構成では、ホールエッチングに関する問題を回避し、ボンディングパッドの信頼性も向上できるが、例えば３層構成の場合で説明すると、チップ内どの場所においてもヴィアホールにより下層のメタル配線層から３層目の配線まで接続する必要があり、３層目の配線を過密化させてしまうおそれがある。これに対して、
第４の実施の形態の構成では、設計時の自由度が増すことになった。
【図１２】
ｃ　引用文献５
　原査定の拒絶の理由で引用された特開２００５−２５２２３０号公報（以下、「引用文献５」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体装置の外部接続用電極に関するものであり、特にパッド部の構造と配置に関するものである。」
「【００２４】
　
ボンディングパッド２１は、最上層のパッドメタル６１（以下第１のメタル６１という）と、そのひとつ下の配線層に形成された第２層のパッドメタル６２（以下第２のメタル６２という）と、第１のメタル６１と第２のメタル６２との間の層間絶縁膜７１を貫通してこれらメタル６１，６２間を接続するビア６３とからなる積層ビア構造を有している。
【００２５】
　ボンディングパッド２１の第２のメタル６２の下には、例えば電源供給のための電源層である第３のメタル９１、さらに下層には、入出力回路内への信号供給のための最下層メタル１０が形成されており、
第１および第２のメタル６１，６２と、最下層メタル１０とは、引出し部メタル８１のスタック構造により電気的に接続されている。
【図１】
ｄ　周知技術
　上記ａないしｃの記載から、以下の技術は周知技術（以下、「周知技術」という。）であると認められる。
「ボンディングパッドを形成する際に、内部回路に対して導電性を確保するため、及び設計の自由度を増すために、ボンディングパッドを構成する２層の金属層の間の層間絶縁膜にヴィアホールを設け、ボンディングパッドを構成する２層の金属層をビアホールに埋め込まれたメタルにより接続すること。」
ウ　引用発明との対比
　本件補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「ボンディングパッドが形成される領域に、Ｔｉ膜、Ａｌ合金膜およびＴｉＮ膜の３層の薄膜からなる配線１８Ｂを形成」する工程は、本件補正発明の「第１の金属層からなる第１のパッドを形成する工程（ａ）」に相当する。
（イ）引用発明の「酸化シリコン膜１９」及び「酸化シリコン膜２０」は、ともに絶縁膜であるから、この２つの膜から構成され、平坦化された膜は、本件補正発明の「絶縁層」に相当する。
　そうすると、引用発明の「プラズマＣＶＤ法にて基板１上に高密度プラズマを用いた酸化シリコン膜１９を堆積し、その酸化シリコン膜１９上に、高密度プラズマを用いたプラズマＣＶＤ法にて酸化シリコン膜２０を堆積し、ＣＭＰ法にて酸化シリコン膜２０の表面を研磨し、その表面を平坦化」する工程は、本件補正発明の「前記第１のパッド上に絶縁層を形成する工程（ｂ）」に相当する。
（ウ）引用発明の「フォトリソグラフィ技術によってパターニングされたフォトレジスト膜をマスクとして酸化シリコン膜２０、１９をエッチングすることにより、ボンディングパッドが形成される領域の配線１８Ｂに達する開口部２１Ｂを形成」する工程は、本件補正発明の「前記第１のパッドの少なくとも一部の領域上の前記絶縁層を除去することにより、前記絶縁層に開口部を設ける工程（ｃ）」に相当する。
（エ）引用発明は、「開口部２１Ｂの内部を含む酸化シリコン膜２０の上部に」、「Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とからなるバリアメタル膜２２Ｃを堆積し、バリアメタル膜２２Ｃの上部に、Ｗ膜２２Ｄを堆積し」たものであるところ、「開口部２１Ｂ」は「ボンディングパッドが形成される領域の配線１８Ｂに達する」ものであるから、「バリアメタル膜２２ＣおよびＷ膜２２Ｄからなる積層膜（第１導電性膜）」は、開口部２１Ｂの側面に沿って配置された側壁と、開口部２１Ｂのボンディングパッドが形成される領域の配線１８Ｂに沿って形成された部分と、を有していると認められる。
　そして、引用発明は、「バリアメタル膜２２ＣおよびＷ膜２２Ｄからなる積層膜（第１導電性膜）の膜厚が、開口部２１Ｂの深さより薄くなる」との関係を有しており、この関係により、引用発明は、本件補正発明の「前記側壁に接する絶縁層の膜厚よりも小さい膜厚で前記第１のパッドに沿って形成された底部」の関係に対応する関係を有していると認められる。
　そうすると、引用発明の「開口部２１Ｂの内部を含む酸化シリコン膜２０の上部に、開口部２１Ｂ内において、バリアメタル膜２２ＣおよびＷ膜２２Ｄからなる積層膜（第１導電性膜）の膜厚が、開口部２１Ｂの深さより薄くなるように、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とからなるバリアメタル膜２２Ｃを堆積し、バリアメタル膜２２Ｃの上部に、Ｗ膜２２Ｄを堆積し、開口部２２Ｂの外部のＷ膜２２Ｄおよびバリアメタル膜２２ＣをＣＭＰ法で除去することにより、開口部２１Ｂの内部に積層膜２２Ｂを形成」する工程と、本件補正発明の「前記第１のパッドと第３のパッドを電気的に接続するプラグが形成される前記絶縁層の前記開口部に、前記絶縁層の開口部の側面に沿って配置された側壁と、前記側壁に接する絶縁層の膜厚よりも小さい膜厚で前記第１のパッドに沿って形成された底部と、を有し、第２の金属層からなる第２のパッドを形成する工程（ｄ）」とは、「前記絶縁層の前記開口部に、前記絶縁層の開口部の側面に沿って配置された側壁と、前記側壁に接する絶縁層の膜厚よりも小さい膜厚で前記第１のパッドに沿って形成された底部と、を有し、第２の金属層からなる第２のパッドを形成する工程」である点で共通する。
（オ）引用発明の「酸化シリコン膜２０の上部にＴｉ膜２３Ａ、Ａｌ合金膜２３ＢおよびＴｉＮ膜２３Ｃを順次堆積し、これらの薄膜からなる積層膜（第２導電性膜）２３Ｄを形成し、積層膜２３Ｄをエッチングしパターニングすることによって、ボンディングパッドが形成される領域にボンディングパッドＢＰを形成」する工程は、本件補正発明の「前記第２のパッド上に第３の金属層からなる第３のパッドを形成する工程（ｅ）」に相当する。
（カ）引用発明の「基板１の表面に酸化シリコン膜２４Ａおよび窒化シリコン膜２４Ｂを順次堆積することにより表面保護膜２４を形成し、ボンディングパッドＢＰ上の窒化シリコン膜２４Ｂおよび酸化シリコン膜２４Ａをエッチングで除去することにより、開口径が開口部２１Ｂの開口径より相対的に大きい開口部２５を形成する」工程と、本件補正発明の「平面視で前記第３のパッドの下層において前記第２のパッドの側壁の領域を含む前記第３のパッドの周辺部を覆う保護膜を、形成する工程（ｆ）」は、「平面視で前記第３のパッドの周辺部を覆う保護膜を、形成する工程」である点で共通する。
（キ）そして、引用発明の「半導体集積回路装置の製造方法」は、本件補正発明の「半導体装置の製造方法」に対応する。
（ク）そうすると、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
［一致点］
「第１の金属層からなる第１のパッドを形成する工程（ａ）と、
　前記第１のパッド上に絶縁層を形成する工程（ｂ）と、
　前記第１のパッドの少なくとも一部の領域上の前記絶縁層を除去することにより、前記絶縁層に開口部を設ける工程（ｃ）と、
　前記絶縁層の前記開口部に、前記絶縁層の開口部の側面に沿って配置された側壁と、前記側壁に接する絶縁層の膜厚よりも小さい膜厚で前記第１のパッドに沿って形成された底部と、を有し、第２の金属層からなる第２のパッドを形成する工程と、
　前記第２のパッド上に第３の金属層からなる第３のパッドを形成する工程（ｅ）と、
　平面視で前記第３のパッドの周辺部を覆う保護膜を、形成する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。」
［相違点１］
　「絶縁層」について、本件補正発明は「前記第１のパッドと第３のパッドを電気的に接続するプラグが形成される前記絶縁層」であるのに対して、引用発明の「酸化シリコン膜１９」及び「酸化シリコン膜２０」はそのようになっていない点。
［相違点２］
　「保護膜」について、本件補正発明は「平面視で前記第３のパッドの下層において前記第２のパッドの側壁の領域を含む前記第３のパッドの周辺部を覆う保護膜」であるのに対して、引用発明の「表面保護膜２４」はそのようになっていない点。
エ　相違点についての当審判断
　以下、各相違点について検討する。
（ア）相違点１について
　ボンディングパッドを形成する際に、内部回路に対して導電性を確保するため、及び設計の自由度を増すために、ボンディングパッドを構成する２層の金属層の間の層間絶縁層にヴィアホールを設け、ボンディングパッドを構成する２層の金属層をヴィアホール内に設けられたメタルにより接続することは、上記イの（ウ）で検討したように周知技術である。
　そして、引用発明においても、ボンディングパッドを設ける際に、内部回路に対して導電性を確保することや、設計の自由度を増すようにすることは、当然考慮することであるから、引用発明の「酸化シリコン膜２０、１９」にヴィアホールを設け、「配線１８Ｂ」（第１のパッド）と「ボンディングパッドＢＰ」（第３のパッド）をヴィアホール内に設けられたメタルにより接続することとし、上記相違点１と同様の構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到することである。
（イ）相違点２について
　引用文献２記載事項にあるように、第１のコンタクトホール３上に円盤状のボンディングパッド２１を形成し、ボンディングパッド２１上に表面保護膜１０１を開口する際に、ワイヤボンディング時に、均一に荷重、超音波がかかり、ワイヤの引っ張り強度、シェア強度を高め、組立上の信頼性を向上させるために、ボンディングエリア全面が段差のない平坦な領域となるように、表面保護膜１０１を開口し、表面保護膜１０１の開口部２２を第１のコンタクトホール３の開口より内側に設けることは、公知の技術である。
　引用発明においても、ワイヤボンディング時に、均一に荷重、超音波がかかり、ワイヤの引っ張り強度、シェア強度を高め、組立上の信頼性を向上することは、当然考慮することであり、引用発明に引用文献２記載事項の公知技術を適用することは、当業者が容易に想到することである。
　そして、その際に、引用発明の「開口部２５」の開口径は「開口部２１Ｂ」の開口径より小さくなるから、引用発明の「表面保護膜２４」は、相違点２に係る「平面視で前記第３のパッドの下層において前記第２のパッドの側壁の領域を含む前記第３のパッドの周辺部を覆う保護膜」と同様の構成を備えることとなる。
　そうすると、引用発明に引用文献２記載事項の公知技術を適用し、相違点２に係る構成を採用するようにすることは、当業者が容易になし得ることである。
（ウ）そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明及び引用文献２ないし５に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
（エ）したがって、本件補正発明は、引用発明及び引用文献２ないし５に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　本件補正についてのむすび
　以上、上記２（１）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものであり、また、上記２（２）で検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１　本願発明
　令和２年７月２４日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和２年４月７日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載した、次のとおりのものである。（再掲）
「【請求項１】
　第１の金属層からなる第１のパッドを形成する工程（ａ）と、
　前記第１のパッド上に絶縁層を形成する工程（ｂ）と、
　前記第１のパッドの少なくとも一部の領域上の前記絶縁層を除去することにより、前記絶縁層に開口部を設ける工程（ｃ）と、
　前記第１のパッドと第３のパッドを電気的に接続するプラグが形成される前記絶縁層の膜厚よりも小さい膜厚を有するように、前記絶縁層の前記開口部に第２の金属層からなる第２のパッドを形成する工程（ｄ）と、
　前記第２のパッド上に第３の金属層からなる前記第３のパッドを形成する工程（ｅ）と、
　平面視で前記第３のパッドの周辺部を覆う保護膜を形成する工程（ｆ）と、
を備える半導体装置の製造方法。」
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、
　この出願の請求項１ないし１１に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献ＡないしＦに記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
Ａ　特開２００３−０６８７４０号公報（上記引用文献１である。）
Ｂ　特開２０１２−１４６７２０号公報
Ｃ　特開平０８−０７８４１３号公報（上記引用文献２である。）
Ｄ　特開平０１−１３０５４５号公報（上記引用文献３である。）
Ｅ　特開平０９−２１９４５１号公報（上記引用文献４である。）
Ｆ　特開２００５−２５２２３０号公報（上記引用文献５である。）
というものを含むものである。
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献Ａ及びＣないしＦ並びにその記載事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
４　対比・判断
　本願発明は、前記第２の［理由］２（２）で検討した本件補正発明から、「工程（ｄ）」に係る「前記絶縁層の前記開口部に、前記絶縁層の開口部の側面に沿って配置された側壁と、前記側壁に接する絶縁層の膜厚よりも小さい膜厚で前記第１のパッドに沿って形成された底部と、を有し、」との限定事項を削除し、「プラグが形成される前記絶縁層」を「プラグが形成される前記絶縁層の膜厚よりも小さい膜厚を有するように、前記絶縁層」とし、「工程（ｆ）」に係る「前記第３のパッドの下層において前記第２のパッドの側壁の領域を含む」との限定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を実質的に全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおり、引用発明及び引用文献ＣないしＦに記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も、引用文献Ａ及び引用文献ＣないしＦに記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。