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【手続補正書】
【提出日】平成30年11月27日(2018.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の周辺の異なる領域（３１〜３４）を監視する複数のセンサ（２１〜２４）の動作性能の制御、及び、前記複数のセンサから出力された複数の出力値のそれぞれに対する所定の処理、のうちの少なくとも一方を実行するように構成された実行部（Ｓ１１０，Ｓ５１０）と、
前記車両の周辺の道路に基づき設定された基準方向（４１）に対する前記車両の向き（４３）を特定するように構成された特定部（Ｓ２０４，Ｓ３０２，Ｓ４０３）と、
前記特定部により特定された前記車両の向きに応じて、前記複数のセンサの優先度を設定するように構成された設定部（Ｓ１０４，Ｓ１０５，Ｓ１０８，Ｓ１０９，Ｓ５０４，Ｓ５０５，Ｓ５０８，Ｓ５０９）と、
を備え、
前記実行部は、前記優先度に基づいて、前記複数のセンサの動作性能の割合、及び、前記複数の出力値に対する処理量の割合、のうちの少なくとも一方を変化させる、センサ制御装置（９）。
【請求項２】
請求項１に記載のセンサ制御装置であって、
前記動作性能は、検出精度であり、
前記実行部は、前記複数のセンサの検出精度のうち、第１のセンサの検出精度を、前記第１のセンサよりも優先度が低い第２のセンサの検出精度と比較して、高くなるように変更する、センサ制御装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のセンサ制御装置であって、
前記実行部は、前記複数の出力値のうち、第１の出力値に対する処理量を、前記第１の出力値を出力する前記センサよりも優先度が低い前記センサが出力する第２の出力値に対する処理量と比較して、増加させる、センサ制御装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のセンサ制御装置であって、
前記特定部は、交差点における自車線、対向車線又は前記自車線若しくは前記対向車線に平行な横断歩道の方向を前記基準方向として設定する、センサ制御装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のセンサ制御装置であって、
前記複数のセンサには、前記車両の左側の領域を監視可能なセンサである左側センサ（２３）と、前記車両の右側の領域を監視可能なセンサである右側センサ（２１）と、が含まれ、
前記設定部は、前記基準方向に対して前記車両の向きが右側に傾いた場合に、前記左側センサの優先度を増加させ、前記基準方向に対して前記車両の向きが左側に傾いた場合に、前記右側センサの優先度を増加させる、センサ制御装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載のセンサ制御装置であって、
前記設定部は、前記基準方向に対する前記車両の向きに加え、前記車両の予測進行方向に応じても前記複数のセンサの優先度を設定する、センサ制御装置。
【請求項７】
請求項６に記載のセンサ制御装置であって、
前記複数のセンサには、前記車両の左側の領域を監視可能なセンサである左側センサ（２３）と、前記車両の右側の領域を監視可能なセンサである右側センサ（２１）と、が含まれ、
前記設定部は、前記予測進行方向が右方向である場合に前記右側センサの優先度を増加させ、前記予測進行方向が左方向である場合に前記左側センサの優先度を増加させる、センサ制御装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載のセンサ制御装置であって、
前記設定部は、前記車両の進行方向の変更が開始されてから終了されるまでの間の、前記基準方向に対する前記車両の向きの各傾き度合いに応じて異なる前記優先度を前記複数のセンサに対して設定する、センサ制御装置。
【請求項９】
請求項８に記載のセンサ制御装置であって、
前記複数のセンサには、前記車両の左側の領域を監視可能なセンサである左側センサ（２３）と、前記車両の右側の領域を監視可能なセンサである右側センサ（２１）と、が含まれ、
前記設定部は、前記基準方向に対して前記車両の向きが右側に傾く場合に、前記基準方向に対する前記車両の向きの傾き度合いが大きくなるにつれて前記左側センサの優先度を増加させ、前記基準方向に対して前記車両の向きが左側に傾く場合に、前記基準方向に対する前記車両の向きの傾き度合いが大きくなるにつれて前記右側センサの優先度を増加させる、センサ制御装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載のセンサ制御装置であって、
前記車両の現在位置を取得する位置取得部（Ｓ２０１）と、
道路情報を含む地図データを取得する地図データ取得部（Ｓ２０２）と、
を更に備え、
前記特定部は、前記現在位置及び前記地図データに基づいて、前記基準方向に対する前記車両の向きを特定する、センサ制御装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０までのいずれか１項に記載のセンサ制御装置であって、
前記車両に搭載されたカメラから前記車両の周辺の撮像画像を取得する画像取得部（Ｓ３０１）を更に備え、
前記特定部は、前記撮像画像に基づいて、前記基準方向に対する前記車両の向きを特定する、センサ制御装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１までのいずれか１項に記載のセンサ制御装置であって、
前記車両のウインカースイッチが操作された際の前記車両の操舵角を取得する第１の操舵角取得部（Ｓ４０１）と、
現在の前記車両の操舵角を取得する第２の操舵角取得部（Ｓ４０２）と、
を更に備え、
前記特定部は、前記ウインカースイッチが操作された際の前記操舵角と、現在の前記操舵角と、の変化分に基づき、前記基準方向に対する前記車両の向きを特定する、センサ制御装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月26日(2019.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の携帯端末とネットワーク接続されている情報処理装置であって、
家族と家族員のデータ登録を行う家族員、家族データ登録処理部と、
家族間関係の登録を行う家族間関係登録処理部と、
前記家族間関係登録処理部により登録された家族間関係に基づいて、目的に応じた目的別の家族絆を構築する家族絆登録処理部と
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記家族員、家族データ登録処理部は、
家族・家族員登録申請者端末からの家族データの入力に基づいて、家族を一意に識別する家族番号を生成し、家族員番号、前記家族員のメールアドレスを含む家族データおよび家族代表者データとともに、メモリに格納し、
前記家族間関係登録処理部は、
前記家族の一員が所持する家族間関係構築申請者端末から前記家族とは異なる家族間関係構築被申請者端末に対して行われる家族間関係申請番号を提示した家族間関係構築申請に応じて、前記家族代表者の家族間関係構築被申請者端末からの家族間関係構築受諾（承認）の返信を待って、前記家族間関係申請番号、前記家族間関係構築被申請者端末の前記家族番号と、前記家族間関係構築申請者端末から見た家族の種類と、前記家族間関係構築被申請者端末の前記家族番号、前記家族間関係構築被申請者端末からみた家族の種類を含む家族間関係データを構築する
請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記家族絆登録処理部は、
前記家族の一員が所持する家族絆構築申請者端末からの目的を含む家族絆構築申請に応じて、前記家族絆構築申請を一意に識別する家族絆番号を生成し、前記家族間関係データによる家族データに含まれる前記家族間関係構築被申請者端末のメールアドレス宛ての前記家族代表者の家族間関係構築被申請者端末からの家族間関係構築受諾の返信を待って、前記家族絆番号と、前記目的、絆参加家族番号、前記絆参加家族番号に紐づく絆参加家族代表者家族員番号、絆参加家族員番号、とを含む、家族絆データを構築する
請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記家族絆登録処理部は、
前記家族絆データに基づき家族間の承認を条件に労務提供を目的とする家族絆を構築する労務提供家族絆構築処理部、
又は、
前記家族絆データに基づき家族間の承認を条件に資金協力を目的とする資金協力家族絆構築処理部
を含む請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記家族絆登録処理部は、
労務者の家族（被相続人）に対する療養看護（介護）の労務提供の貢献度の評価をするために、労務者の療養看護（介護）の労務提供の貢献を労務提供者端末からの操作に基づいて受け付けて蓄積する
請求項１から４までのいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記家族絆登録処理部は、
家族（被相続人）に対する資金管理を労務提供者端末からの操作を受け付けて蓄積する
請求項１から４までのいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記家族の一員が所持する隣人有志者登録申請者端末からの目的と絆内容種類とを含む隣人有志者登録申請に応じて、前記隣人有志者登録申請を一意に識別する有志者番号を生成し、
隣人有志絆申請者端末からの目的と絆内容種類を含む隣人有志絆登録申請に応じて、目的と絆内容種類とが一致する前記隣人有志者登録申請をもつ前記有志者番号の端末へ隣人有志絆登録の諾否のメールを発信し、受諾の返信を待って隣人有志絆登録処理を行う隣人有志絆登録処理部を有する請求項２から６までのいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
さらに、前記隣人有志絆登録処理部に格納されているデータから商品・サービスが一致する有志者登録申請者端末と隣人有志絆申請者端末との間で通信を行う隣人有志絆処理部とにより、目的を達成するために役立つ情報を取得することを特徴とする請求項７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記隣人有志絆申請者端末は、隣人有志者メンバーのリーダーと隣人有志絆申請者との住宅の取得やリフォームに向かう段階を進行させるための情報交換を行う
請求項７又は８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項に記載の情報処理装置と、
複数の携帯端末と、を有する情報処理システム。
【請求項１１】
請求項１から９までのいずれか１項の情報処理をコンピュータに実行させるための行うためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月17日(2019.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特許価値評価の対象とする複数個の特許を母集団とし、この母集団を記憶する母集団記憶部と、
この母集団に属する各特許に関する公報等による公表情報を評価項目とし、この評価項目を記憶する評価項目記憶部と、
前記母集団記憶部及び前記評価項目記憶部に記憶された情報を読み出し、前記母集団に属する各特許について、その評価項目の内容に応じて決定された確率変数Ｘａｂ（ａ番目の特許についてのｂ番目の評価項目）としたとき、この確率変数Ｘａｂを各特許について連乗演算して、ａ番目の特許についての特許基準価値を、全評価項目数をｈとして、Π（全評価項目）Ｘａ＝Ｘａ１×Ｘａ２×・・・×Ｘａｂ×・・・×Ｘａｈとして求めると共に、ｍを母集団の技術分野の特性に合わせて設定された格差パラメータとしたとき、Ｙａｂ＝log（Xａｂｍ）を演算して、確率変数ＸａｂをＹａｂに変換し、各評価項目についてのＹａｂの平均Ｅ（Ｙｂ）及び分散Ｖ（Ｙｂ）を演算する平均及び分散演算部と、
前記平均Ｅ（Ｙｂ）が０、前記分散Ｖ（Ｙｂ）が１となるように確率変数Ｙａｂを基準値化し、得られた評価項目基準値を、各特許について合算し、評価項目基準値合計Σ（全評価項目）Ｙａ＝Ｙａ１＋Ｙａ２＋・・・＋Ｙａｂ＋・・・Ｙａｈを、全ての特許について演算する基準値合計演算部と、
基準値化される前の確率変数Ｙａｂの平均Ｅ（Ｙｂ）及び分散Ｖ（Ｙｂ）と前記評価項目基準値合計Σ（全評価項目）Ｙを記憶する確率変数記憶部と、
このΣ（全評価項目）Ｙが正規分布から外れる度合いを計算し、前記評価項目のうち、１又は複数個の評価項目を外して再度Σ（全評価項目）Ｙを演算し、Σ（全評価項目）Ｙが正規分布から外れる度合いが最小になるようにする最適化演算部と、
正規分布に近似される評価項目基準値合計に基づいて、Π（全評価項目）Ｘ＝｛exp（Σ（全評価項目）Y）｝１／ｍにより、各特許についての特許基準価値を演算する特許基準価値演算部と、
前記特許基準価値を記憶する特許基準価値記憶部と、
を備えたことを特徴とする特許価値評価装置。
【請求項２】
正規分布に近似される評価項目基準値合計に基づいて、特許力偏差値＝５０＋（Σ（全評価項目）Ｙ）×１０／ｈ０．５により、各特許についての特許力偏差値を演算する特許力偏差値演算部と、
前記特許力偏差値を記憶する特許力偏差値記憶部と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の特許価値評価装置。
【請求項３】
特許価値評価の対象とする複数個の特許を母集団とし、この母集団を記憶する母集団記憶部と、
この母集団に属する各特許に関する公報等による公表情報を評価項目とし、この評価項目を記憶する評価項目記憶部と、
前記母集団記憶部及び前記評価項目記憶部に記憶された情報を読み出し、前記母集団に属する各特許について、その評価項目の内容に応じて決定された確率変数Ｘａｂ（ａ番目の特許についてのｂ番目の評価項目）としたとき、この確率変数Ｘａｂを各特許について連乗演算して、ａ番目の特許についての特許基準価値を、全評価項目数をｈとして、Π（全評価項目）Ｘａ＝Ｘａ１×Ｘａ２×・・・×Ｘａｂ×・・・×Ｘａｈとして求めると共に、ｍを母集団の技術分野の特性に合わせて設定された格差パラメータとしたとき、Ｙａｂ＝log（Xａｂｍ）を演算して、確率変数ＸａｂをＹａｂに変換し、各評価項目についてのＹａｂの平均Ｅ（Ｙｂ）及び分散Ｖ（Ｙｂ）を演算する平均及び分散演算部と、
前記平均Ｅ（Ｙｂ）が０、前記分散Ｖ（Ｙｂ）が１となるように確率変数Ｙａｂを基準値化し、得られた評価項目基準値を、各特許について合算し、評価項目基準値合計Σ（全評価項目）Ｙａ＝Ｙａ１＋Ｙａ２＋・・・＋Ｙａｂ＋・・・Ｙａｈを、全ての特許について演算する基準値合計演算部と、
基準値化される前の確率変数Ｙａｂの平均Ｅ（Ｙｂ）及び分散Ｖ（Ｙｂ）と前記評価項目基準値合計Σ（全評価項目）Ｙを記憶する確率変数記憶部と、
このΣ（全評価項目）Ｙが正規分布から外れる度合いを計算し、前記評価項目のうち、１又は複数個の評価項目を外して再度Σ（全評価項目）Ｙを演算し、Σ（全評価項目）Ｙが正規分布から外れる度合いが最小になるようにする最適化演算部と、
正規分布に近似される評価項目基準値合計に基づいて、特許力偏差値＝５０＋（Σ（全評価項目）Ｙ）×１０／ｈ０．５により、各特許についての特許力偏差値を演算する特許力偏差値演算部と、
前記特許力偏差値を記憶する特許力偏差値記憶部と、
を備えたことを特徴とする特許価値評価装置。
【請求項４】
前記格差パラメータｍを入力して、演算に使用する格差パラメータｍを変更することができる格差入力処理部を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の特許価値評価装置。
【請求項５】
前記特許基準価値をもとに特許価値を分析するために、前記特許基準価値をグラフ化するグラフ描画部を有することを特徴とする請求項１に記載の特許価値評価装置。
【請求項６】
前記特許力偏差値をもとに特許価値を分析するために、前記特許力偏差値をグラフ化するグラフ描画部を有することを特徴とする請求項３に記載の特許価値評価装置。
【請求項７】
前記グラフ描画部は、前記特許基準価値を経時的にグラフ化することを特徴とする請求項５に記載の特許価値評価装置。
【請求項８】
特許価値評価の対象とする複数個の特許を母集団とし、この母集団に属する各特許に関する公報等による公表情報を評価項目とし、
前記母集団に属する各特許について、その評価項目の内容を確率変数Ｘａｂ（ａ番目の特許についてのｂ番目の評価項目）としたとき、この確率変数Ｘａｂを各特許について連乗演算して、ａ番目の特許についての特許基準価値を、全評価項目数をｈとして、Π（全評価項目）Ｘａ＝Ｘａ１×Ｘａ２×・・・×Ｘａｂ×・・・×Ｘａｈとして求めると共に、ｍを母集団の技術分野の特性に合わせて設定された格差パラメータとしたとき、Ｙａｂ＝log（Xａｂｍ）を演算して、確率変数ＸａｂをＹａｂに変換し、各評価項目についてのＹａｂの平均Ｅ（Ｙｂ）及び分散Ｖ（Ｙｂ）を演算し、
前記平均Ｅ（Ｙｂ）が０、前記分散Ｖ（Ｙｂ）が１となるように確率変数Ｙａｂを基準値化し、得られた評価項目基準値を、各特許について合算し、評価項目基準値合計Σ（全評価項目）Ｙａ＝Ｙａ１＋Ｙａ２＋・・・＋Ｙａｂ＋・・・Ｙａｈを、全ての特許について演算し、
このΣ（全評価項目）Ｙが正規分布から外れる度合いを計算し、前記評価項目のうち、１又は複数個の評価項目を外して再度Σ（全評価項目）Ｙを演算し、Σ（全評価項目）Ｙが正規分布から外れる度合いが最小になるようにする最適化し、
正規分布に近似される評価項目基準値合計に基づいて、特許基準価値及び／又は特許力偏差値を演算することを特徴とする特許価値評価方法。
【請求項９】
前記特許基準価値及び／又は特許力偏差値を経時的にグラフ化することを特徴とする請求項８に記載の特許価値評価方法。
【請求項１０】
前記特許基準価値及び／又は前記特許力偏差値を、特許情報の書誌的事項及びキーワードと組み合わせて情報解析を行うことを特徴とする請求項８又は９に記載の特許価値評価方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月13日(2019.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部と、通信手段と、を有する情報端末であって、
前記表示部は、第１の表示素子と第２の表示素子とを有する画素を有し、
第１の情報を前記第１の表示素子にて表示し、
第２の情報を前記第２の表示素子にて表示し、
前記第１の表示素子は、前記通信手段にて前記第１の情報の更新情報を受信した時に書き換えが行われ、
前記第２の表示素子は、一定の周期で書き換えが行われるように構成されている情報端末。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の表示素子は液晶素子であり、
前記第２の表示素子は発光素子である情報端末。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の情報は、地図情報および災害情報の少なくとも一方であり、
前記第２の情報は、前記情報端末の位置情報である情報端末。
【請求項４】
サーバと、表示部を有する情報端末と、有線および無線の一方または両方からなるネットワークと、を有し、
前記サーバと前記情報端末とは、前記ネットワークを介して接続されており、
前記サーバには第１の地図情報が保存されており、
前記第１の地図情報には、複数の避難場所の情報が含まれており、
前記第１の地図情報は、複数のブロックに分割されて前記サーバに保存されており、
災害発生時あるいは災害予測時、前記サーバは前記情報端末に、前記第１の地図情報のうち前記情報端末の現在地を含むブロックと、災害情報と、前記情報端末の現在地から前記避難場所までのルートを計算する指示と、を送信する避難誘導システム。
【請求項５】
サーバと、表示部を有する情報端末と、有線および無線の一方または両方からなるネットワークを有し、
前記サーバと前記情報端末とは、前記ネットワークを介して接続されており、
前記サーバには第１の地図情報が保存されており、
前記第１の地図情報には、複数の避難場所の情報が含まれており、
前記第１の地図情報は、複数のブロックに分割されて前記サーバに保存されており、
災害発生時あるいは災害予測時、前記サーバは、
前記情報端末の現在地を含む位置情報を取得し、
前記位置情報をもとに避難場所を選択し、
前記第１の地図情報のうち、前記情報端末の現在地と、前記避難場所と、を含むブロックを一つまたは複数選択することで第２の地図情報を生成し、
前記情報端末に、前記第２の地図情報と、災害情報と、前記情報端末の現在地から前記避難場所までのルートを計算する指示と、を送信する避難誘導システム。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記情報端末の現在地から前記避難場所までのルートの計算は、前記情報端末で行われる避難誘導システム。
【請求項７】
請求項６において、
前記第２の地図情報と、前記災害情報と、前記情報端末の現在地から前記避難場所までのルートと、を、前記表示部に表示する避難誘導システム。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記ルートは、前記情報端末の現在地から前記避難場所までの距離と、前記災害情報と、をもとに複数のルートから選択される避難誘導システム。
【請求項９】
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記表示部は第１の表示素子と第２の表示素子とを有する画素を有し、
前記第２の地図情報、および前記災害情報は前記第１の表示素子を用いて表示し、
前記情報端末の現在地、および前記ルートは前記第２の表示素子を用いて表示する避難誘導システム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月17日(2019.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像に基づいて段階的に縮小した１つ以上の縮小画像を生成する画像生成手段であって、前記入力画像と前記縮小画像とは階層化された画像を構成する、画像生成手段と、
前記階層化された画像のそれぞれに第１の階調特性を適用すると共に、前記１つ以上の縮小画像の少なくとも１つに更に第２の階調特性を適用して、画像の各画素位置におけるゲインを表すゲインマップを階層ごとに生成するゲインマップ生成手段と、
前記階層ごとに生成されたゲインマップを合成して、前記入力画像の各画素位置に適用されるゲインを表す合成されたゲインマップを生成する合成手段と、を有し、
前記ゲインマップ生成手段は、前記１つ以上の縮小画像の前記少なくとも１つに前記第１の階調特性と前記第２の階調特性とを被写体領域ごとに適用し、
前記第１の階調特性と前記第２の階調特性とは、前記入力画像に含まれる被写体領域ごとに対応付けられた互いに異なる階調特性である、ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記入力画像から所定の被写体領域を判別する判別手段を更に有し、
前記ゲインマップ生成手段は、前記判別手段による判別結果に基づいて、前記１つ以上の縮小画像の前記少なくとも１つに前記第１の階調特性と前記第２の階調特性とを被写体領域ごとに適用する、ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第２の階調特性は、前記入力画像に含まれる前記所定の被写体領域に対応付けられた階調特性であり、前記第１の階調特性は、前記所定の被写体領域と異なる領域に対応付けられた階調特性である、ことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記ゲインマップ生成手段は、前記判別手段による領域判別の精度に応じて、前記第１の階調特性と前記第２の階調特性とを適用する前記１つ以上の縮小画像の数を異ならせる、ことを特徴とする請求項２又は３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記ゲインマップ生成手段は、前記判別手段による領域判別の精度が高いほど、縮小度合が低い前記１つ以上の縮小画像に前記第１の階調特性と前記第２の階調特性とを適用する、ことを特徴とする請求項２から４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記第１の階調特性と前記第２の階調特性とは、前記所定の被写体領域と前記所定の被写体領域でない領域とで共通しない輝度信号の範囲に適用するゲインの差が、それぞれの領域で共通する輝度信号の範囲に適用するゲインの差より小さい、ことを特徴とする請求項２から５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記ゲインマップ生成手段は、前記１つ以上の縮小画像の前記少なくとも１つに、最も縮小された前記縮小画像を含む、ことを特徴とする請求項２から６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記判別手段は、前記所定の被写体領域と異なる第２の所定の被写体領域を前記入力画像から判別し、
前記ゲインマップ生成手段は、前記判別手段による判別結果に基づいて、前記第２の所定の被写体領域に対応付けられた、前記第１の階調特性と前記第２の階調特性とは異なる第３の階調特性を、更に前記１つ以上の縮小画像の少なくとも１つに適用する、ことを特徴とする請求項２から７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
入力画像に基づいて段階的に縮小した１つ以上の縮小画像を生成し、前記入力画像と前記縮小画像から構成される画像群を生成する画像生成手段と、
前記画像群のそれぞれの画像に対して所定の階調特性を適用し、画像の各画素位置におけるゲインを表すゲインマップを生成するゲインマップ生成手段と、
前記それぞれの画像に対して生成されたゲインマップを合成して合成ゲインマップを生成する合成手段と、
前記入力画像に前記合成ゲインマップを用いて階調変換処理を行う処理手段と、を備え、
前記ゲインマップ生成手段は、前記画像群のうちで相対的に解像度が低い画像に対しては、画像に含まれる被写体領域ごとに特性が異なる階調特性を適用してゲインマップを生成する、ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項１０】
画像生成手段が、入力画像に基づいて段階的に縮小した１つ以上の縮小画像を生成する画像生成工程であって、前記入力画像と前記縮小画像とは階層化された画像を構成する、画像生成工程と、
ゲインマップ生成手段が、前記階層化された画像のそれぞれに第１の階調特性を適用すると共に、前記１つ以上の縮小画像の少なくとも１つに更に第２の階調特性を適用して、画像の各画素位置におけるゲインを表すゲインマップを階層ごとに生成するゲインマップ生成工程と、
合成手段が、前記階層ごとに生成されたゲインマップを合成して、前記入力画像の各画素位置に適用されるゲインを表す合成されたゲインマップを生成する合成工程と、を有し、
前記ゲインマップ生成工程では、前記１つ以上の縮小画像の前記少なくとも１つに前記第１の階調特性と前記第２の階調特性とを被写体領域ごとに適用し、
前記第１の階調特性と前記第２の階調特性とは、前記入力画像に含まれる被写体領域ごとに対応付けられた互いに異なる階調特性である、ことを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１から９のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１２】
請求項１から９のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラムを格納した記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月26日(2019.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に接している表面電極と、
前記半導体基板の裏面に接している裏面電極、
を有しており、
前記半導体基板が、前記半導体基板の厚み方向に沿って平面視したときに前記表面電極と前記半導体基板との接触面と重複する素子領域と、前記素子領域の周囲の外周耐圧領域を有しており、
前記素子領域が、前記表面電極と前記裏面電極の間に通電することを許容することが可能な半導体素子を有しており、
前記外周耐圧領域が、
前記表面に臨んでおり、前記素子領域を多重に囲むｐ型の複数のガードリングと、
前記複数のガードリングを互いから分離しているｎ型の外周ドリフト領域、
を有しており、
前記ガードリングのそれぞれが、自身のｐ型不純物濃度のピーク値の１０％よりも高いｐ型不純物濃度を有する高濃度領域と、そのピーク値の１０％以下のｐ型不純物濃度を有するとともに前記高濃度領域と前記外周ドリフト領域の間に配置されている低濃度領域を有しており、
前記複数のガードリングのうちの最も外周側に位置する最外周ガードリングの前記低濃度領域が、前記最外周ガードリングの前記高濃度領域の外周側に位置する第１部分を有し、
前記ガードリングのそれぞれの前記低濃度領域が、前記複数の高濃度領域のうちの隣接する２つに挟まれた範囲内に位置する第２部分を有し、
前記第１部分の前記表面における幅が、前記第２部分の前記表面における幅のいずれよりも広い、
半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基板が、ＳｉＣ基板である請求項１の半導体装置。
【請求項３】
半導体装置の製造方法であって、
半導体基板にｐ型不純物を注入することによって、前記半導体基板の表面に臨んでおり、特定領域を多重に囲むｐ型の複数のガードリングを形成する工程と、
前記半導体基板を用いて半導体装置を完成させる工程、
を有し、
前記半導体装置が、前記特定領域内の前記表面に接している表面電極と、
前記半導体基板の裏面に接している裏面電極と、
前記特定領域内に設けられており、前記表面電極と前記裏面電極の間に通電することが可能な半導体素子と、
前記複数のガードリングを互いから分離しているｎ型の外周ドリフト領域、
を有しており、
前記ガードリングのそれぞれが、自身のｐ型不純物濃度のピーク値の１０％よりも高いｐ型不純物濃度を有する高濃度領域と、そのピーク値の１０％以下のｐ型不純物濃度を有するとともに前記高濃度領域と前記外周ドリフト領域の間に配置されている低濃度領域を有しており、
前記複数のガードリングのうちの最も外周側に位置する最外周ガードリングの前記低濃度領域が、前記最外周ガードリングの前記高濃度領域の外周側に位置する第１部分を有し、
前記ガードリングのそれぞれの前記低濃度領域が、前記複数の高濃度領域のうちの隣接する２つに挟まれた範囲内に位置する第２部分を有し、
前記第１部分の前記表面における幅が、前記第２部分の前記表面における幅のいずれよりも広い、
製造方法。
【請求項４】
前記ガードリングを形成する工程が、
前記半導体基板の前記表面に、開口部と、遮蔽部と、低透過率部を有するマスクを形成する工程と、
前記マスクを介して前記半導体基板にｐ型不純物を注入する工程、
を有し、
前記ｐ型不純物を注入する工程において、前記低透過率部におけるｐ型不純物の透過率が、前記開口部におけるｐ型不純物の透過率よりも低いとともに、前記遮蔽部におけるｐ型不純物の透過率よりも高く、
前記開口部の下側に位置する前記半導体基板内の領域に前記高濃度領域が形成され、
前記低透過率部の下側に位置する前記半導体基板内の領域に前記第１部分が形成される、
請求項３の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月11日(2019.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田付け基板を貫通するスルーホールを有するランドと、前記スルーホール内に溶融半田を供給する鏝先と、前記スルーホールの前記基板の裏面側の半田溶融熱を前記基板の表面側に伝える伝熱体とを備え、前記伝熱体の温度を検出して半田付けの評価を行うことを特徴とする半田付け評価方法。
【請求項２】
前記伝熱体は、前記スルーホール内に挿入される電気部品の端子または前記ランドとすくなくともどちらかと溶融半田が供給される前には非接触状態に配置され、前記溶融半田によって伝熱されることを特徴とする請求項１記載の半田付け評価方法。
【請求項３】
前記伝熱体は、前記端子と一体に形成された分岐端子からなることを特徴とする請求項１記載の半田付け評価方法。
【請求項４】
前記伝熱体は、前記基板を貫通する部分において前記基板と少なくとも一部に間隙を設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半田付け評価方法。
【請求項５】
前記伝熱体は、前記基板の裏面側の前記ランドを延長して構成したこと特徴とする請求項１記載の半田付け評価方法。
【請求項６】
前記伝熱体は、前記ランドを分離させるように構成し、前記溶融半田でランドが繋がることにより伝熱することを特徴とする請求項５記載の半田付け評価方法。
【請求項７】
前記端子は、前記端子の軸と直角方向に広げた拡大部を前記基板の裏面側の位置に備えたことを特徴とする請求項５から６のいずれか１項に記載の半田付け評価方法。
【請求項８】
前記伝熱体は、前記基板の表面側において前記鏝先の半径より離れて配置されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半田付け評価方法。
【請求項９】
半田付け基板を貫通するスルーホールを有するランドと、前記スルーホール内に溶融半田を供給する鏝先とを備え、前記ランドは前記基板の表面側の前記スルーホールの周囲に設けられ、前記ランドの外周部の温度を検出して半田付けの評価を行うことを特徴とする半田付け評価方法。
【請求項１０】
半田付け基板を貫通するスルーホールを有するランドと、前記スルーホール内に溶融半田を供給する鏝先と、前記スルーホールの前記基板の裏面側の半田溶融熱を前記基板の表面側に伝える伝熱体と、前記伝熱体の温度を検出する温度検出手段とを備え、前記温度検出手段により半田付けの評価を行うことを特徴とする半田付け装置。
【請求項１１】
前記鏝先は、筒形状の加熱可能であり中央部分に軸方向に延びた半田孔を備え、前記半田孔に一定量の半田片を供給することを特徴とする請求項１０記載の半田付け装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月21日(2019.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池セルにタブ線を接続するタブ線はんだ付け装置を備えた太陽電池モジュール製造装置であって、
前記タブ線はんだ付け装置は、
太陽電池セルを載置する載置台と、
複数の押さえワイヤが並行して配列されるとともに、昇降可能に支持され、前記太陽電池セル上に配された前記タブ線を、前記太陽電池セル表面で前記タブ線に対し交差する方向から前記太陽電池セルに向けて押圧する押圧部と、
前記タブ線を加熱する加熱部とを備えたことを特徴とする太陽電池モジュール製造装置。
【請求項２】
前記押さえワイヤは、前記タブ線に直交する方向に配列されたことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池モジュール製造装置。
【請求項３】
前記押圧部は、
対向して配された２枚の側板を備え、昇降可能な筐体と、
前記２枚の側板の、相対向する位置に配列された複数対のワイヤ挿通穴を備え、
前記押さえワイヤは前記ワイヤ挿通穴に挿通され、各対の前記ワイヤ挿通穴間で張架されたことを特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池モジュール製造装置。
【請求項４】
前記筐体は、緩衝部を介して支持部に支持されたことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池モジュール製造装置。
【請求項５】
前記加熱部は、前記押圧部と独立して昇降可能であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール製造装置。
【請求項６】
前記押さえワイヤは、前記押さえワイヤの軸を中心として回転可能であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール製造装置。
【請求項７】
前記押圧部は、前記押さえワイヤを巻き取るワイヤ巻き取り機構を備えたことを特徴とする請求項１、２、５および６のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール製造装置。
【請求項８】
前記押圧部は、前記押さえワイヤを巻き取るワイヤ巻き取り機構を備えたことを特徴とする請求項３または４に記載の太陽電池モジュール製造装置。
【請求項９】
前記ワイヤ巻き取り機構は、各対の前記ワイヤ挿通穴間で前記押さえワイヤを走行可能に形成され、
前記ワイヤ挿通穴間に異物除去部を備えたことを特徴とする請求項８に記載の太陽電池モジュール製造装置。
【請求項１０】
前記加熱部は、前記タブ線に非接触な状態で前記タブ線を加熱する非接触熱源を備えたことを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール製造装置。
【請求項１１】
前記加熱部と前記押さえワイヤは一体であり、
前記押さえワイヤは、通電部を備え、通電により発熱し、前記タブ線を押圧するとともに加熱するように構成されたことを特徴とする請求項１から４および６から９のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール製造装置。
【請求項１２】
太陽電池セル上に形成された電極にタブ線を配し、
前記タブ線と交差する方向に配置された複数本のタブ線固定用の押さえワイヤを下降させることで、全てのタブ線を一括で押さえた状態で、前記太陽電池セルまたは前記タブ線を加熱し、前記太陽電池セルに前記タブ線をはんだ付けする工程を含むことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１３】
前記押さえワイヤは前記タブ線に直交して配されることを特徴とする請求項１２に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月30日(2019.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
空間を仕切るようにして閉鎖動作する開閉体と、前記開閉体の開閉動作を制御する制御部と、メンテナンスのための情報を感知するメンテナンス情報感知手段と、外部機器に対し無線による通信を行う無線通信機とを備えた開閉装置であって、
前記制御部が、前記メンテナンス情報感知手段から感知信号を取り込み、該感知信号に基づくメンテナンス情報を、前記無線通信機を介して外部に無線発信するようにしたことを特徴とする開閉装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このような課題に鑑みて、本発明は、以下の構成を具備するものである。
空間を仕切るようにして閉鎖動作する開閉体と、前記開閉体の開閉動作を制御する制御部と、メンテナンスのための情報を感知するメンテナンス情報感知手段と、外部機器に対し無線による通信を行う無線通信機とを備えた開閉装置であって、前記制御部が、前記メンテナンス情報感知手段から感知信号を取り込み、該感知信号に基づくメンテナンス情報を、前記無線通信機を介して外部に無線発信するようにしたことを特徴とする開閉装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
なお、前記のように、開閉体１０が停止中であることを条件にするのは典型例であるが、この典型例を包含する態様としては、開閉体１０が使用上において他の動作に比較して重要性（緊急性や危険性等を含む）の低い動作の最中（停止中を含む）であることを条件に、メンテナンス情報を発信するようにしてもよい。この態様では、無線通信機５０によるメンテナンス情報の発信のタイミングと、同無線通信機５０による障害物感知信号又は停止信号の受信のタイミングとが、万が一重なっても支障が少ないと考えられる。
ここで、前記「他の動作に比較して重要性の低い動作」とは、例えば、防犯等のために閉鎖動作が重要でかつ閉鎖時に障害物を感知するケースが比較的多く発生するおそれはあるが、開放動作においてはそのようなおそれが少ない場合における開放動作や、これとは逆に、車両や搬入機材等の迅速な通過のために開放動作が閉鎖動作に比較して重要である場合における閉鎖動作がこれに相当する。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月28日(2019.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機アミド溶媒中で硫黄源とジハロ芳香族化合物とを重合させて粒状ポリアリーレンスルフィドを製造する方法において、
工程１：有機アミド溶媒、硫黄源、水、ジハロ芳香族化合物、及びアルカリ金属水酸化物を含有する混合物を調製する仕込み工程、
工程２：前記混合物を加熱して重合反応を開始させ、硫黄源１モル当たり等モル未満のアルカリ金属水酸化物の存在下で、ジハロ芳香族化合物の転化率が５０％以上のプレポリマーを生成させる前段重合工程、
工程３：硫黄源１モル当たり等モル以上のアルカリ金属水酸化物の存在下で、重合反応を継続して、反応生成混合物を得る後段重合工程、並びに
工程４：後段重合工程後に反応生成混合物を冷却する冷却工程
を含み、
カルボン酸塩、アルカリ金属塩化物、有機スルホン酸塩、硫酸アルカリ金属塩、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属リン酸塩、及びアルカリ土類金属リン酸塩からなる群より選択される少なくとも１種の助剤の存在下で工程４を行う方法であって、
工程４で反応生成混合物に助剤を添加する方法。
【請求項２】
助剤の量が硫黄源１モル当たり０．１〜５モル％である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
助剤がカルボン酸塩である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
有機アミド溶媒１ｋｇ当たり４．１〜１４モルの水の存在下で工程３を行う請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
粒状ポリアリーレンスルフィドの平均粒子径を増大させる方法であって、
工程１：有機アミド溶媒、硫黄源、水、ジハロ芳香族化合物、及びアルカリ金属水酸化物を含有する混合物を調製する仕込み工程、
工程２：前記混合物を加熱して重合反応を開始させ、硫黄源１モル当たり等モル未満のアルカリ金属水酸化物の存在下で、ジハロ芳香族化合物の転化率が５０％以上のプレポリマーを生成させる前段重合工程、
工程３：硫黄源１モル当たり等モル以上のアルカリ金属水酸化物の存在下で、重合反応を継続して、反応生成混合物を得る後段重合工程、並びに
工程４：後段重合工程後に反応生成混合物を冷却する冷却工程
を含み、
カルボン酸塩、アルカリ金属塩化物、有機スルホン酸塩、硫酸アルカリ金属塩、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属リン酸塩、及びアルカリ土類金属リン酸塩からなる群より選択される少なくとも１種の助剤の存在下で工程４を行う方法であって、
工程４で反応生成混合物に助剤を添加する方法。
【請求項６】
粒状ポリアリーレンスルフィドの粒子強度を向上させる方法であって、
工程１：有機アミド溶媒、硫黄源、水、ジハロ芳香族化合物、及びアルカリ金属水酸化物を含有する混合物を調製する仕込み工程、
工程２：前記混合物を加熱して重合反応を開始させ、硫黄源１モル当たり等モル未満のアルカリ金属水酸化物の存在下で、ジハロ芳香族化合物の転化率が５０％以上のプレポリマーを生成させる前段重合工程、
工程３：硫黄源１モル当たり等モル以上のアルカリ金属水酸化物の存在下で、重合反応を継続して、反応生成混合物を得る後段重合工程、並びに
工程４：後段重合工程後に反応生成混合物を冷却する冷却工程
を含み、
カルボン酸塩、アルカリ金属塩化物、有機スルホン酸塩、硫酸アルカリ金属塩、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属リン酸塩、及びアルカリ土類金属リン酸塩からなる群より選択される少なくとも１種の助剤の存在下で工程４を行う方法。
【請求項７】
粒状ポリアリーレンスルフィドの平均粒子径が３００μｍ以上である請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
粒状ポリアリーレンスルフィドの粒子強度が９２％以上である請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
温度３１０℃及び剪断速度１，２１６ｓｅｃ−１で測定した粒状ポリアリーレンスルフィドの溶融粘度が５０Ｐａ・ｓ以下である請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月1日(2019.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）試験温度（θ）３００℃、公称荷重（Ｍnom）１．２kgの条件におけるメルトボリュームフローレート（ＭＶＲ）の値が３cm3／１０min乃至３０cm3／１０minであるポリカーボネート樹脂３０質量部乃至７０質量部、
（Ｂ）試験温度（θ）２３０℃、公称荷重（Ｍnom）２．１６kgの条件におけるメルトマスフローレート（ＭＦＲ）の値が０．１g／１０min乃至１０g／１０minであるポリプロピレン１０質量部乃至４０質量部、及び
（Ｃ）１種類以上の無機充填剤１０質量部乃至６０質量部
からなり、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の質量部の合計が１００質量部であることを特徴とする、洗浄用樹脂組成物。
【請求項２】
ポリカーボネート樹脂の重量平均分子量が、２．０×１０4乃至３．４×１０4であることを特徴とする、請求項１に記載の洗浄用樹脂組成物。
【請求項３】
無機充填剤（Ｃ）が、ケイ酸塩であることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の洗浄用樹脂組成物。
【請求項４】
無機充填剤（Ｃ）が、ガラス繊維であることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の洗浄用樹脂組成物。
【請求項５】
成形機又は押出機の洗浄用である、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の洗浄用樹脂組成物。
【請求項６】
エンジニアリングプラスチック成形後の成形機又は押出機の洗浄用である、請求項５に記載の洗浄用樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
［１］  （Ａ）試験温度（θ）３００℃、公称荷重（Ｍnom）１．２kgの条件におけるメルトボリュームフローレート（ＭＶＲ）の値が３cm3／１０min乃至３０cm3／１０minであるポリカーボネート樹脂３０質量部乃至７０質量部、
（Ｂ）試験温度（θ）２３０℃、公称荷重（Ｍnom）２．１６kgの条件におけるメルトマスフローレート（ＭＦＲ）の値が０．１g／１０min乃至１０g／１０minであるポリプロピレン１０質量部乃至４０質量部、及び
（Ｃ）１種類以上の無機充填剤１０質量部乃至６０質量部
からなり、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の質量部の合計が１００質量部であることを特徴とする、洗浄用樹脂組成物。
［２］  ポリカーボネート樹脂の重量平均分子量が、２．０×１０4乃至３．４×１０4であることを特徴とする、［１］に記載の洗浄用樹脂組成物。
［３］  無機充填剤（Ｃ）が、ケイ酸塩であることを特徴とする、［１］又は［２］に記載の洗浄用樹脂組成物。
［４］  無機充填剤（Ｃ）が、ガラス繊維であることを特徴とする、［１］又は［２］に記載の洗浄用樹脂組成物。
［５］  成形機又は押出機の洗浄用である、［１］乃至［４］のいずれかに記載の洗浄用樹脂組成物。
［６］  エンジニアリングプラスチック成形後の成形機又は押出機の洗浄用である、［５］に記載の洗浄用樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月8日(2019.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
次に、本発明の効果を奏する実施例とそうでない比較例を対比して本発明に係るブランクおよびサブストレートについてより詳細に説明する。
表１のＮｏ．１〜２７に示す化学組成（質量％）のＡｌ合金を用い、Ｎｏ．１〜７、９、１１〜１６、２５〜２７に係るサブストレートを以下のようにして製造した。なお、Ｎｏ．１７は、熱間割れが生じたため、サブストレートを製造できなかった（表２参照）。ここで、表１中の「―」は該当する成分を添加しておらず、検出限界値未満であることを示し、下線は本発明の要件を満たしていないことを示している。また、表１の「Ｆｅ，Ｍｎ，Ｎｉの合計量」の算出にあたり、「―」で示されているＦｅ、Ｍｎ、Ｎｉの各含有量は０質量％として計算を行った。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
鋳造工程は、７５０℃で材料を溶解し、鋳造した。得られた鋳塊は、２ｍｍ／片面の面削を行った。
均質化熱処理工程は、Ｎｏ．１〜７、９、１１〜１７については５４０℃で８時間行い、Ｎｏ．２５〜２７については４５０℃で８時間行い、炉から取り出した後に５分以内に熱間圧延を開始した。
熱間圧延工程は、Ｎｏ．１〜７、９、１１〜１７については開始温度を５２０〜５４０℃とし、終了温度を３００〜３３０℃とし、圧延後の板厚は３ｍｍとなるように行った。Ｎｏ．２５〜２７については開始温度を４３０〜４５０℃とし、終了温度を３００〜３３０℃とし、圧延後の板厚は３ｍｍとなるように行った。なお、この熱間圧延工程で熱間割れが生じたもの（Ｎｏ．１７）については、表面に占める金属間化合物の面積率と、表面に占める単体ＳｉおよびＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物の面積率の合計と、を調べるため、割れていない部分を用いて研磨し、後記するようにして金属間化合物の面積率などを測定した。なお、熱間圧延後の熱間圧延板を測定しても矯正焼鈍後のブランクを測定しても、金属間化合物の面積率の値は変わらない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
製造したＮｏ．１〜７、９、１１〜１６、２５〜２７に係るサブストレートを用いて、表面に占める金属間化合物の面積率と、表面に占める単体ＳｉおよびＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物の面積率の合計と、を求めると共に、表面における金属間化合物の絶対最大長と、ヤング率と、耐力と、を以下のようにして測定した。また、サブストレートの表面に形成した無電解Ｎｉ−Ｐめっき膜の平滑性を以下のようにして評価した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
表２に、Ｎｏ．１〜７、９、１１〜１６、２５〜２７に係るサブストレートに対して行った測定結果および評価結果を示す（なお、前記したようにＮｏ．１７に係るサブストレートは熱間割れが生じたため、ヤング率、耐力、表面に形成した無電解Ｎｉ−Ｐめっき膜の平滑性については評価および測定を行わなかった。）。ここで、表２中の下線は本発明の要件を満たしていないことを示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
【表１】
2017179590.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
【表２】
2017179590.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
他方、表２に示すように、Ｎｏ．１４〜１６、２５〜２７に係るサブストレートは、本発明の要件を満たしていなかったので、本発明の所期の効果を奏することができなかった（いずれも比較例）。例えば、Ｎｏ．１４、２５〜２７に係るサブストレートは、表面に形成した無電解Ｎｉ−Ｐめっき膜の平滑性が劣っていた。Ｎｏ．１５、１６に係るサブストレートは、ヤング率が良好でない結果となり、剛性が劣っていた。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
より具体的には、Ｎｏ．１４に係るサブストレートは、Ｓｉ量が上限を超えており、Ｍｇ量も比較的多めだったため、表面に占める単体ＳｉおよびＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物の面積率の合計が上限を超えていた。そのため、Ｎｏ．１４に係るサブストレートは、表面に形成した無電解Ｎｉ−Ｐめっき膜におけるピット数が増加し、平滑性が劣っていた。また、Ｎｏ．１４に係るサブストレートは、耐力が低く、強度が劣っていた。
Ｎｏ．１５に係るサブストレートは、Ｍｇ量が上限を超えていたため、ヤング率が低く、剛性が劣っていた。
Ｎｏ．１６に係るサブストレートは、表面に占める金属間化合物の面積率が下限未満であったため、ヤング率が低く、剛性が劣っていた。
Ｎｏ．２５〜２７に係るサブストレートは、表面に占める単体ＳｉおよびＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物の面積率の合計が上限を超えていたため、表面に形成した無電解Ｎｉ−Ｐめっき膜におけるピット数が増加し、平滑性が劣っていた。また、Ｎｏ．２５〜２７に係るサブストレートは、耐力が低く、強度が劣っていた。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
なお、前記したように、Ｎｏ．１７に係るサブストレートは、熱間割れが生じたため製造することができなかった（比較例）。
具体的には、Ｎｏ．１７に係るサブストレートは、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉの合計量が上限を超えていたため、熱間割れが生じた。