【事件の表示】
　特願２０１５−１９４６９８「熱電変換モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　４月　６日出願公開，特開２０１７−　６９４４３〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２７年９月３０日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和　元年　５月２４日付け：拒絶理由通知書（起案日）
　令和　元年　７月２９日　　：意見書，手続補正書の提出
　令和　元年１２月１９日付け：拒絶査定（起案日）（以下「原査定」という。）
　令和　２年　３月１７日　　：審判請求書，手続補正書の提出
第２　令和２年３月１７日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和２年３月１７日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により，特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおり補正された。（下線部は，補正箇所である。）
「【請求項１】
　
２５０℃以上の熱源を用いた熱電発電に適用される熱電変換モジュールであって，
　第１主面と，前記第１主面とは反対の第２主面と，前記第１主面に配列された複数の第１電極と，前記第２主面に設けられた第１メタライズ層と，を有し，最大径が１５ｍｍ以下になるように分割され，前記第１電極と前記第１メタライズ層との厚さの差が前記第１電極の厚さの２０％以下である高温側基板と，
　前記第１主面に対向する第３主面と，前記第３主面とは反対の第４主面と，前記第３主面に配列された複数の第２電極と，前記第４主面に設けられ，所定のパターンで分割された第２メタライズ層と，前記第２電極に接続されたリード線と，を有する低温側基板と，
　前記第１主面と前記第３主面との間に配列され，それぞれ前記第１電極及び前記第２電極に接続された複数の熱電素子と，
　を具備する熱電変換モジュール。」
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，令和元年７月２９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　第１主面と，前記第１主面とは反対の第２主面と，前記第１主面に配列された複数の第１電極と，前記第２主面に設けられた第１メタライズ層と，を有し，最大径が１５ｍｍ以下になるように分割され，前記第１電極と前記第１メタライズ層との厚さの差が前記第１電極の厚さの２０％以下である高温側基板と，
　前記第１主面に対向する第３主面と，前記第３主面とは反対の第４主面と，前記第３主面に配列された複数の第２電極と，前記第４主面に設けられ，所定のパターンで分割された第２メタライズ層と，前記第２電極に接続されたリード線と，を有する低温側基板と，
　前記第１主面と前記第３主面との間に配列され，それぞれ前記第１電極及び前記第２電極に接続された複数の熱電素子と，
　を具備する熱電変換モジュール。」
２　補正の適否
　本件補正は，本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「熱電変換モジュール」について，さらに「２５０℃以上の熱源を用いた熱電発電に適用される」ものに限定するものであって，補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから，特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について，以下，検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は，上記１（１）に記載したとおりのものである。
　
（２）引用文献の記載事項
ア　引用文献１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２００８−２４４１００号公報（平成２０年１０月９日出願公開。以下「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
「【０００２】
　従来より，Ｐ型半導体からなる熱電素子とＮ型半導体からなる熱電素子を隣り合わせて交互に配列し，これらの各熱電素子を直列に導電接続されるように，熱電素子用配線パターンが形成された上基板と下基板との間に配設して構成された熱電モジュールは広く知られている。
この種の熱電モジュールにおいては，基板（上基板と下基板とからなる一対の基板）が比較的大面積となる場合は，放熱側と吸熱側との温度差により熱歪みが生じ，基板に反りが発生したり熱電素子が破損するという問題を生じた。
【０００３】
　
そこで，一対の基板の内の少なくとも一方の基板を分割して形成した分割基板を用いることが
提案されるようになった。
「【０００６】
　上述のように，
上基板７１，７２，７３，７４が４つに分割されていると，上基板７１，７２，７３，７４と下基板７５との間に温度差が生じても，熱電素子７６に熱歪みが生じることが防止できるので，上基板７１，７２，７３，７４や下基板７５に反りが発生したり，熱電素子７６が破損することが防止でき，熱電モジュール７０の寿命を長くすることが可能となる。
【特許文献１】特開平０９−２２３８２３号公報
【特許文献２】特開２０００−６８５６４号公報
【特許文献３】特開２００６−２１６６４２号公報
【特許文献４】特開２０００−２８６４６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　しかしながら，上述した各特許文献にて提案された熱電モジュールにおいては，
各分割基板の平面度のバラツキまでは考慮されていない。このため，平面度の低さに起因して基板と被冷却物との間で熱抵抗が増加するようになって，冷却効果の低下につながる事態となる。
銅（Ｃｕ）からなる熱電素子接合用の配線パターン（導電層）は基板の一方の表面のみに形成されている。
【０００８】
　
このため，熱電素子の接合時に一方の表面と他方の表面との間に歪みを生じ，基板に反りが発生するという問題も生じた。
基板の片側のみにしか熱電素子接合用の配線パターン（導電層）を形成した銅（Ｃｕ）が存在しないと基板に反りが生じることとなる。
「【００１１】
　本発明の熱電モジュールは，裏面に熱電素子用（熱電素子接合用）配線パターンが形成された上基板と，表面に熱電素子用配線パターンが形成された下基板と，これらの両基板の熱電素子用配線パターン間で直列接続されるように配置・固定された複数の熱電素子とからなる。そして，
上基板あるいは下基板のうち少なくとも一方の基板は複数個に分割されているとともに，複数個に分割されている基板の熱電素子用配線パターンが形成されていない表面にはメタライズ層が形成されている。
【００１２】
　このように，
熱電素子用配線パターンが形成されていない表面にはメタライズ層が形成されていると，基板の一方面に形成された熱電素子用配線パターンと他方面に形成されたメタライズ層により，熱電素子の接合時の加熱による基板の両面の延びが略均衡するようになる。これにより基板に反りが生じることを防止できるようになる。この場合，基板全体の反りを小さくするためには，メタライズ層の厚みは熱電素子用配線パターンの厚みと同等以下になるように形成されているのが望ましい。
「【００２０】
１．実施例１
　本実施例１の熱電モジュール１０は，図１に示すように，
４つに分割された分割上基板１１，１２，１３，１４および１枚の下基板１５と，これらの間で電気的に直列接続された多数の熱電素子１６とからなる。
【００２１】
　
また，各分割上基板１１，１２，１３，１４の表面（図１においては下面（裏面）となる）には熱電素子用（熱電素子接合用）配線パターン（導電層）１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａが形成されており，下基板１５の表面（図１においては上面となる）にも熱電素子用配線パターン（導電層）１５ａが形成されている。
【００２２】
　
一方，各分割上基板１１，１２，１３，１４の各表面（図１においては上面となる）にはメタライズ層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂが形成されており，下基板１５の表面（図１においては下面（裏面）となる）にも４つに分割されたメタライズ層１５ｂ，１５ｂ，１５ｂ，１５ｂが形成されている。
【００２３】
　
なお，各分割上基板１１，１２，１３，１４は，例えば，１６ｍｍ×１６ｍｍの１枚の基板が４分割されて形成されていて，分割部ｘの幅が０．４ｍｍになるように形成されている。また，熱電素子用配線パターン１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの厚みが，例えば，６０μｍになるように形成されているとともに，メタライズ層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂの厚みが，例えば，２０μｍになるように形成されている。一方，下基板１５は，例えば，１６ｍｍ×１８ｍｍの大きさに形成されていて，メタライズ層１５ｂ，１５ｂ，１５ｂ，１５ｂは４分割されるように形成されている。そして，下基板１５の熱電素子用配線パターン１５ａの厚みが，例えば，６０μｍになるように形成されているとともに，メタライズ層１５ｂ，１５ｂ，１５ｂ，１５ｂの厚みが，例えば，２０μｍになるように形成されている。
【００２４】
　そして，これらの熱電素子用配線パターン１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａと１５ａとの間に，多数の熱電素子１６が電気的に直列接続されて形成されているとともに，
下基板１５に形成された熱電素子用配線パターン１５ａの端部には一対の電極部１５ｃ，１５ｃが形成されていて，この電極部１５ｃ，１５ｃにハンダ付けされているリード線（スズめっき銅線や金メッキ銅線など）１７，１７を通して熱電素子１６に外部電力が供給されるようになされている。
【００２５】
　
熱電モジュール１０を上述のような構造とすることにより，４つの分割上基板１１，１２，１３，１４と下基板１５との間に温度差が生じたとしても，各熱電素子１６に付与される温度差に起因する熱的応力を分散でき，その大きさを低減することが可能となる。
【００２６】
　
また，各分割上基板１１，１２，１３，１４は下面（裏面）に熱電素子用配線パターン１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａが形成されているとともに上面にメタライズ層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂが形成されている。一方，下基板１５は上面に熱電素子用配線パターン１５ａが形成されているとともに下面（裏面）にメタライズ層１５ｂ，１５ｂ，１５ｂ，１５ｂが形成されている。このため，ハンダ付け時にハンダの融点以上に加熱されても，各分割上基板１１，１２，１３，１４および下基板１５の両面の延びが略均衡するようになる。
【００２７】
　上述のような構成となる熱電モジュール１０においては，４つに分割された分割上基板１１，１２，１３，１４を用い，かつそれらの表面にメタライズ層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂが形成されているので各分割上基板１１，１２，１３，１４の平面度が向上（図９に示す分割上基板７１，７２，７３，７４の平面度が２２μｍであるのに対して，８μｍに向上していた）することとなる。このように各分割上基板１１，１２，１３，１４および下基板１５に反りが生じることが防止できるようになり，さらに長寿命化を達成することが可能となる。」
「【００３２】
　
なお，１枚の上基板を分割して複数の分割上基板にすることに代えて，１枚の下基板を分割して複数の分割下基板にするようにしてもよい。また，１枚の上基板を分割して複数の分割上基板にするとともに，１枚の下基板も分割して複数の分割下基板にするようにしてもよい
「【図１】
」
　（イ）上記記載から，引用文献１には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ａ　引用文献１に記載された技術は，熱電モジュールであって，放熱側基板と吸熱側基板との温度差により熱歪みが生じ，基板に反りが発生したり熱電素子が破損するという問題に対し，上基板を分割することにより反りの発生や熱電素子の破損を防ぐものであって，各基板の一方のみに熱電素子接合用の導電層が形成されていることにより，熱電素子の接合時の半田付け工程において，基板に反りが生じることを課題とするものである（【０００２】−【０００３】，【０００６】−【０００８】）。
ｂ　基板の一方面に形成された熱電素子用配線パターンと他方面に形成されたメタライズ層により，熱電素子の接合時の加熱による基板の両面の延びが略均衡するようになり，基板に反りが生じることを防止できるようになる（【００１２】）。
ｃ　基板全体の反りを小さくするためには，メタライズ層の厚みは熱電素子用配線パターンの厚みと同等以下になるように形成されているのが望ましい（【００１２】）。
ｄ　熱電モジュール１０は，４つに分割された分割上基板１１，１２，１３，１４および１枚の下基板１５と，これらの間で電気的に直列接続された多数の熱電素子１６とからなる（【００２０】，【図１】）。
ｅ　各分割上基板１１，１２，１３，１４の下面には複数の熱電素子用配線パターン１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａが形成されており，下基板１５の上面にも複数の熱電素子用配線パターン１５ａが形成されている（【００２１】【図１】）。
ｆ　各分割上基板１１，１２，１３，１４の上面にはメタライズ層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂが形成されており，下基板１５の下面にも４つに分割されたメタライズ層１５ｂ，１５ｂ，１５ｂ，１５ｂが形成されている（【００２２】【図１】）。
ｇ　各分割上基板１１，１２，１３，１４は，例えば，１６ｍｍ×１６ｍｍの１枚の基板が４分割されて形成されていて，分割部ｘの幅が０．４ｍｍになるように形成されている（【００２３】）。
ｈ　熱電素子用配線パターン１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの厚みが，例えば，６０μｍになるように形成されているとともに，メタライズ層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂの厚みが，例えば，２０μｍになるように形成されている（【００２３】）。
ｉ　下基板１５の熱電素子用配線パターン１５ａの厚みが，例えば，６０μｍになるように形成されているとともに，メタライズ層１５ｂ，１５ｂ，１５ｂ，１５ｂの厚みが，例えば，２０μｍになるように形成されている（【００２３】）。
ｊ　下基板１５に形成された熱電素子用配線パターン１５ａの端部には一対の電極部１５ｃ，１５ｃが形成されていて，この電極部１５ｃ，１５ｃにハンダ付けされているリード線１７，１７を通して熱電素子１６に外部電力が供給されるようになされている（【００２４】，【図１】）。
ｋ　１枚の上基板を分割して複数の分割上基板にすることに代えて，１枚の下基板を分割して複数の分割下基板にするようにしてもよく，１枚の上基板を分割して複数の分割上基板にするとともに，１枚の下基板も分割して複数の分割下基板にするようにしてもよい（【００３２】）。
（ウ）上記（ア），（イ）から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「下面に複数の熱電素子用配線パターン１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａが形成され，上面にメタライズ層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂが形成され，例えば，１６ｍｍ×１６ｍｍの１枚の基板が４分割されて形成され，メタライズ層の厚みは熱電素子用配線パターンの厚みと同等以下になるように形成され，例えば熱電素子用配線パターンは６０μｍ，メタライズ層の厚みが２０μｍになるように形成される各分割上基板１１，１２，１３，１４と，
　上面に複数の熱電素子用配線パターン１５ａが形成され，下面に４つに分割されたメタライズ層１５ｂ，１５ｂ，１５ｂ，１５ｂが形成され，熱電素子用配線パターン１５ａの端部には一対の電極部１５ｃ，１５ｃが形成されていて，この電極部１５ｃ，１５ｃにハンダ付けされているリード線１７，１７を通して熱電素子１６に外部電力が供給されるようになされている，下基板１５と，
　各分割上基板１１，１２，１３，１４の下面と下基板１５の上面との間に配置され，熱電素子用配線パターン１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａと熱電素子用配線パターン１５ａに接続された多数の熱電素子１６と，
　を有する熱電モジュール。」
イ　引用文献２
（ア）同じく原査定に引用され，本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開平７−３３５９４５号公報（以下「引用文献２」という。）には，次の記載がある。
「【０００２】
【従来の技術】
熱電対列は冷却，加熱または電気エネルギーの発生に使用され
「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明の技術に最も近似するものとしては，前記マルロウ社によって製造されているＭＩ１０６３熱電対列である。この熱電対列は吸熱および放熱用の熱伝導性の複数のセラミックス板から構成してある。その各セラミックス板の一方の表面には半導体のｎ−形の腕とｐ−形の腕とを接続するために銅板にはんだ付けした金属パッドを備えている。この形式の熱電対列は銅とセラミックスとの熱膨張係数の相違によって機械的ストレスを招き，熱電対列の信頼性を損ない，とくにオン−オフ操作を繰り返してゆくと，その支障が激しく，結局は故障してしまう。」
「【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するために，この発明の熱電対列は内側面にｎ−型の半導体の腕とｐ−型の半導体の腕と，その接合板とからなる金属被覆パターンを備えた２枚のセラミックス板から成り，その信頼性を高めるために，
セラミックス板の外側面に内側面の接合板に類似する板体が（はんだ付けで）取り付けてある。
【０００８】
セラミックス板の外側面に取り付けた板体は，その内側面に取り付けた接合板と同一のもので，
「【００１２】図に示すように，セラミックス板３の外側面は，その内側面のパッド４と背中合わせにパッド４’を配した金属パターンを形成している。このようにして
，各セラミックス板３の一方の側面のパターンはその他方の側面のパターンと同じにしてある。セラミックス板３の外側面の金属パッド４’には金属板２’をはんだ付けして，接合板２と同一の構造にしてある。
【００１３】
【発明の作用と効果】この発明の熱電対列の作動は熱電対列を電流が流れるときの熱電対列の接合部における放熱と吸熱に基づくものであって，先行技術の装置の作動と同様である。 熱電対列の作動時には，その構成部分の温度が変化し，使用されている材料，とくに接合板２とセラミックスとの熱膨張係数の相違によって機械的なストレスを発生する。しかしながら，
セラミックス板３の外側面に内側面の接合板２と同一の金属板２’が取り付けてあって，セラミックス板３の両側面が同一の状態にしてあるので，熱膨張によって湾曲しようとする力を最小限度のものにする。
（イ）上記記載から，引用文献２には，次の技術が記載されていると認められる。
ａ　熱電対列は冷却，加熱または電気エネルギーの発生に使用される（【０００２】）。
ｂ　各セラミックス板３の一方の側面の金属パッド４と他方の側面の金属パッド４は同じにしてあり，金属パッド４には接合板２を取り付け，金属パッド４‘には接合板２と同一のものである金属板４’を取り付けることにより，セラミックス板３の両側面が同一の状態にしてあるので，熱膨張によって湾曲しようとする力を最小限度のものにする（【０００８】，【００１３】）。
ウ　引用文献３
（ア）同じく原査定に引用され，本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２００７／１０９３６８号（以下「引用文献３」という。）には，次の記載がある。
「BACKGROUND OF THE INVENTION
A thermoelectric module can be used either to produce electric power from a temperature differential or to produce cooling from an electric current.
　
熱電モジュールは，温度差から電力を生成するために，あるいは電流から冷却を生成するために使用することができる。
「A typical embodiment of a thermoelectric module of the prior art is shown in FIG. 1. It consists of two substrates 1 made of a rigid dielectric material, such as alumina, aluminum nitride or any other suitable insulating substrate.
Interconnection elements 3 are placed on the interior surfaces of the two substrates 1 to connect the thermoelements 4, as described below. Generally, a layer of copper or any other metallic conductor is adhered to the interior surfaces of the substrate and is etched to leave only the desired interconnection elements 3. The thickness of conventional interconnection elements 3 usually ranges between 0.004 inches to 0.02 inches. 
In addition, a complimenting layer of metal 5 such as copper, with similar thickness as the metallic layer on the inside, is often placed on the exterior surfaces of the two substrates 1 to help prevent warping of the substrates 1 due to differential expansion coefficients between the substrate material and the metallic conductors on the inside surface of the module. The metallic layer on the outside, or strengthening element, 5 is usually produced to mirror the interconnection elements 3 on the inside of the module, using the same process as is used for the interconnection elements 3.
　以下に説明するように，相互接続要素3は2枚の基板1の内面上に載置され，熱電素子4と接続される。一般に，銅または任意の他の金属導体の層は，基板の内表面に付着され，エッチングにより所望の配線要素3のみ残される。従来の相互接続要素3の厚さは，通常0.004インチと0.02インチの範囲である。
内側の金属層と同様の厚さを有し，例えば銅からなる補完層である金属5は，2枚の基板1の外面上に載置され，基板材料とモジュールの内面上の金属導体との間の膨張率の差に起因する基板1の反りを防止するのを助ける。外側の金属層，又は補強要素５は，モジュール内側の相互接続要素3を反映し，相互接続要素3と同じプロセスで形成される。
（イ）上記記載から，引用文献３には，次の技術が記載されていると認められる。
ａ　熱電モジュールは，温度差から電力を生成するために，あるいは電流から冷却を生成するために使用することができる（第１頁第１０行〜第１２行）。
ｂ　基板1と基板1の内面上に形成される相互接続要素3との間の膨張率の差に起因する基板1の反りを防止するために，基板1の外面上に，相互接続要素3と同様の厚さを有し同様のプロセスで形成される金属５を配置する（第１頁第１８行〜第２頁第７行）。
エ　引用文献４
（ア）同じく原査定に引用され，本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２００７／１０５３６１号（以下「引用文献４」という。）には，次の記載がある。
「[0002] 電気自動車や電車等の大電流を制御する部品として， パワー半導体モジュールが使用されている。 また， 
廃熱を利用して発電を行う装置，半導体プロセスにおける恒温装置，電子デバイスを冷却する装置等に熱電変換モジュールが使用されている。
「[0005] しかしながら，今後のパワー半導体モジュールや熱電変換モジュールにおいては，次のような課題がある。例えば，Ｓｉ素子に代えてＳｉＣ素子のような高温動作型のワイドギャップ半導体単結晶素子を用いた場合，その特性を十分に発揮させるためには３００〜５００℃といった高温環境下で動作させる必要がある。高温環境下で動作させるＳｉＣ素子を従来の半田付けで回路基板上に固定した場合，ＳｉＣ素子の動作温度で回路基板との固定状態が不安定になり，ＳｉＣ素子の剥がれ等を招いてしまう。
 [0006] 
高温環境下で動作可能な熱電変換モジュールを使用した場合，例えば自動車や工場等から排出される５００℃前後の高温廃熱から電気エネルギーを作り出すことができ，環境負荷の低減が期待できる。
「[0020] 第１の金属板５と第２の金属板７との厚さ比を５０％以上２００％以下とすることによって，回路基板 ２の反り量を例えば回路基板２の大きさが６０ｍｍ×６０ｍｍ以下の場合に１５μｍ以下とすることができる。 従って，ろう材層８，１０を均一な厚さに塗布することができる。電子部品９が複数個ある場合，それらを一括して適切に回路基板２上に接触，配置して接合することができる。
金属板５，７の厚さ比（ｔ１／ｔ２比）は回路基板２の反り量をさらに低減する観点から，７５％以上１５０％以下の範囲とすることが好ましく，１００％程度とすればさらに好ましい。 このような金属板５，７の厚さ比は，特に使用環境温度が２００℃以上のときに好適である。
「[0050] 
図３に示す熱電変換モジュール２０は， 上下の回路基板２Ａ，２Ｂ間に温度差を与えるように，第１の回路基板２Ａを低温側（Ｌ）に配置すると共に ，第２の回路基板２Ｂを高温側 （Ｈ）に配置して使用される。
[0051] 熱電素子９Ａ，９Ｂを搭載した熱電変換モジュール２０においては，熱電素子９Ａ，９Ｂの動作環境温度より高い融点を有するろう材層８を用いることによって， 回路基板２からの熱電素子９Ａ，９Ｂの剥離や特性劣化等を抑制することができる。さらに，高温側（Ｈ）に配置される第１の電極（第１の回路基板２Ａの第１の金属板５Ａ）の厚さを低温側（Ｌ）に配置される第２の電極（第２の回路基板２Ｂの第１の金属板５Ｂ）の厚さより薄くすることが好ましい。 これによって， 熱電変換モジュール２０のヒートサイクル特性（ＴＣＴ特性）をさらに高めることが可能となる。
特に，高温側（Ｈ）と 低温側（Ｌ）との温度差が３００℃以上， さらには４００℃以上の動作環境下におけるヒートサイクル特性等を向上させることができる。
[0052] 
なお，熱電変換モジュール２０は熱を電力に変換する発電用途に限らず，電気を熱に変換する加熱用途にも使用可能である。
[0053] 熱電変換モジュール２０は図４に示すようにケース２１内に収容して使用することも可能である。
熱電変換モジュール２０はケース２１に設けられた 電極２２と導電性ワイヤ２３を介して電気的に接続されている。
「[図３]
」
「[図４]
」
（イ）上記記載から，引用文献４には，次の技術が記載されていると認められる。
ａ　廃熱を利用して発電を行う装置，半導体プロセスにおける恒温装置，電子デバイスを冷却する装置等に熱電変換モジュールが使用されている（[0002]）。
ｂ　高温環境下で動作可能な熱電変換モジュールを使用した場合，例えば自動車や工場等から排出される５００℃前後の高温廃熱から電気エネルギーを作り出すことができ，環境負荷の低減が期待できる（[0006]）。
ｃ　特に使用環境温度が２００℃以上のときに，金属板５，７の厚さ比は回路基板２の反り量を低減する観点から，１００％程度とすれば好ましい（[0020]）。
ｄ　第１の回路基板２Ａを下側である低温側に配置し，第２の回路基板２Ｂを上側である高温側に配置し，第１の回路基板２Ａは導電性ワイヤ２３を介して電極２２と接続され，高温側と低温側の温度差が３００℃以上，さらには４００℃以上の動作環境で使用される（[0050],[0051],[0053],[図３],[図４]）。
（３）引用発明との対比
ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「複数の熱電素子用配線パターン１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ」は，本願補正発明の「複数の第１電極」に相当する。
　また，引用発明の「メタライズ層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂ」は，本願補正発明の「第１メタライズ層」に相当する。
　また，引用発明の「分割上基板１１，１２，１３，１４」は，１６ｍｍ×１６ｍｍの１枚の基板が４分割されて形成されるため，各分割上基板の一辺の長さは４ｍｍ以下となり，その最大径である対角線の長さは６ｍｍ以下となるものと認められるから，本願補正発明における「最大径が１５ｍｍ以下になるように分割され」ている点を満たしている。
　したがって，引用発明の「下面に熱電素子用配線パターン１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａが形成され，上面にメタライズ層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂが形成され，例えば，１６ｍｍ×１６ｍｍの１枚の基板が４分割されて形成される各分割上基板１１，１２，１３，１４」と，本件補正発明の「第１主面と，前記第１主面とは反対の第２主面と，前記第１主面に配列された複数の第１電極と，前記第２主面に設けられた第１メタライズ層と，を有し，最大径が１５ｍｍ以下になるように分割され，前記第１電極と前記第１メタライズ層との厚さの差が前記第１電極の厚さの２０％以下である高温側基板」とは，後記の点で相違するものの，「第１主面と，前記第１主面とは反対の第２主面と，前記第１主面に配列された複数の第１電極と，前記第２主面に設けられた第１メタライズ層と，を有し，最大径が１５ｍｍ以下になるように分割された第１の基板」である点で一致する。
（イ）引用発明の「複数の熱電素子用配線パターン１５ａ」は，本願補正発明の「複数の第２電極」に相当する。
　また，引用発明の「４つに分割されたメタライズ層１５ｂ，１５ｂ，１５ｂ，１５ｂ」は，本願補正発明の「所定のパターンで分割された第２メタライズ層」に相当する。
　また，引用発明の「リード線１７，１７」は，「下基板１５」上の「複数の熱電素子用配線パターン１５ａ」の端部に形成された「一対の電極部１５ｃ，１５ｃ」と電気的に接続されているから，本願補正発明における「前記第２電極に接続されたリード線」に相当する。
　したがって，引用発明の「上面に熱電素子用配線パターン１５ａが形成され，下面に４つに分割されたメタライズ層１５ｂ，１５ｂ，１５ｂ，１５ｂが形成され，リード線１７，１７を有する下基板１５」と，本件補正発明の「前記第１主面に対向する第３主面と，前記第３主面とは反対の第４主面と，前記第３主面に配列された複数の第２電極と，前記第４主面に設けられ，所定のパターンで分割された第２メタライズ層と，前記第２電極に接続されたリード線と，を有する低温側基板」は，後記の点で相違するものの，「前記第１主面に対向する第３主面と，前記第３主面とは反対の第４主面と，前記第３主面に配列された複数の第２電極と，前記第４主面に設けられ，所定のパターンで分割された第２メタライズ層と，前記第２電極に接続されたリード線と，を有する第２の基板」である点で一致する。
（ウ）引用発明の「各分割上基板１１，１２，１３，１４の下面と下基板１５の上面との間に配置され，熱電素子用配線パターン１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａと熱電素子用配線パターン１５ａに接続された多数の熱電素子１６」は，本願補正発明の「前記第１主面と前記第３主面との間に配列され，それぞれ前記第１電極及び前記第２電極に接続された複数の熱電素子」に相当する。
イ　以上のことから，本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
【一致点】
「第１主面と，前記第１主面とは反対の第２主面と，前記第１主面に配列された複数の第１電極と，前記第２主面に設けられた第１メタライズ層と，を有し，最大径が１５ｍｍ以下になるように分割された第１の基板と，
　前記第１主面に対向する第３主面と，前記第３主面とは反対の第４主面と，前記第３主面に配列された複数の第２電極と，前記第４主面に設けられ，所定のパターンで分割された第２メタライズ層と，前記第２電極に接続されたリード線と，を有する第２の基板と，
　前記第１主面と前記第３主面との間に配列され，それぞれ前記第１電極及び前記第２電極に接続された複数の熱電素子と，
　を具備する熱電変換モジュール。」
【相違点１】
　本願補正発明は，「２５０℃以上の熱源を用いた熱電発電に適用される熱電変換モジュール」であるが，引用発明では，熱電変換モジュールが「２５０℃以上の熱源を用いた熱電発電に適用される」ことについて特定されていない点。
【相違点２】
　本件補正発明では，上側に配置された「第１の基板」が「高温側基板」であり，下側に配置された「第２の基板」が「低温側基板」であるのに対し，引用発明では「第１の基板」に対応する「各分割上基板１１，１２，１３，１４」と「第２の基板」に対応する「下基板１５」のいずれが「高温側」又は「低温側」であるか，特定されていない点。
【相違点３】
　本件補正発明では，「第１電極と第１メタライズ層との厚さの差が第１電極の厚さの２０％以下である」のに対し，引用発明では，「メタライズ層の厚みは熱電素子用配線パターンの厚みと同等以下になるように形成され，例えば熱電素子用配線パターンは６０μｍ，メタライズ層の厚みが２０μｍになるように形成され」ている点。
【相違点４】
　本件補正発明では，「リード線」は「低温側基板」に備えられるものであるのに対し，引用発明では，「リード線１７，１７」は，「下基板１５」に備えられているものの，相違点２で記載したように，引用発明においては「下基板１５」が低温側であることが特定されていないため，引用発明において「リード線１７，１７」が低温側の基板に備えられていることが特定されていない点。
（４）判断
　以下，相違点について検討する。
ア　相違点１について
　引用文献２−４に見られるように，熱による熱電素子デバイスの変形を防ぐことを目的とした構成を有する熱電変換モジュールを熱発電に用いることは周知技術である。よって，上記周知技術に接した当業者であれば，引用文献１に記載の熱電変換モジュールの構成を熱発電に用いることに格別の困難性を生じない。また，熱発電の熱源の温度をどの程度のものを用いるかは，当業者が適宜設定しうる程度のものにすぎず，例えば引用文献４には「高温側と低温側の温度差が３００℃以上，さらには４００℃以上の動作環境で使用される」との記載があることから，２５０℃以上の熱源に対応する熱電素子デバイスとすることも，当業者が容易になし得るものである。
イ　相違点２及び４について
　熱電変換素子の基本構造として，リードを有する側を低温側とすることは設計事項であるので，引用文献１に明記がないとしても，引用文献１の「下基板１５」を低温側とし，「各分割上基板１１，１２，１３，１４」を「高温側」とすることは容易になし得たことである（リードを有する側を低温側とすることについては以下の周知文献１ないし３を参照のこと）。
・周知文献１
（ア）本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２０１３／２７６６１号には，次の記載がある。
「【００３１】例えば，図１１に示すように，１つのｐ型熱電変換材料１０１と，１つのｎ型熱電変換材料１０２とを備え，ｐ型熱電変換材料１０１とｎ型熱電変換材料１０２とが，高温側端面１０３ａにおいて高温側接続電極１０４を介して接続され，かつ，ｐ型熱電変換材料１０１およびｎ型熱電変換材料１０２の低温側端面１０３ｂには，それぞれ，電極（取り出し電極）１０５が配設されたπ型の熱電変換素子（ｐｎ接合対が１つの熱電変換モジュール）１１０を考えた場合，高温側端面１０３ａと，低温側端面１０３ｂに温度差が与えられると，ゼーベック（Seebeck）効果により起電力が生じ，電極（取り出し電極）１０５を経て電力が取り出される。」
「【図１１】
」
（イ）上記記載から，周知文献１には，次の技術が記載されていると認められる。
ａ　ｐ型熱電変換材料１０１およびｎ型熱電変換材料１０２の低温側端面１０３ｂには，それぞれ，電極（取り出し電極）１０５が配設される。
・周知文献２
（ア）本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１３−２１９２１８号公報には，次の記載がある。
「【００４０】
　図７Ｂに示すようにｐ型半導体層１０３とｎ型半導体層１０４の上部を電極１０２で接続し，それぞれの下部にそれぞれ電極１０２を接続したπ型構造の熱電変換素子では，上部の電極１０２を高温側とした場合，ｎ型半導体層内部では低温側から高温側に電流が流れ，ｐ型半導体層内部では高温側から低温側に電流が流れ，それらの電流の流れる方向１２０，１３０を一致させることができる。」
「【図７Ｂ】
」
（イ）上記記載から，周知文献２には，次の技術が記載されていると認められる。
ａ　ｐ型半導体層とｎ型半導体層の上部を電極で接続し，それぞれの下部にそれぞれ電極を接続したπ型構造の熱電変換素子において、下部の電極から電流が取り出される。
・周知文献３
（ア）本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１５−７９７９６号公報には，次の記載がある。
「【０００４】図９に示すように，π型熱電素子４は，ｐ型熱電材料の一端とｎ型熱電材料の一端とが電極（高温側の電極）を介して接続され，それぞれの他端にはそれぞれ電極（低温側の電極）が取り付けられており，生成された起電力により低温側の電極に接続された負荷に電力が供給される。 」
「【図９】
」
（イ）上記記載から，周知文献３には，次の技術が記載されていると認められる。
ａ　ｐ型熱電材料の一端とｎ型熱電材料の一端とが電極（高温側の電極）を介して接続され，それぞれの他端にはそれぞれ電極（低温側の電極）が取り付けられており，生成された起電力により低温側の電極に接続された負荷に電力が供給される。
ウ　相違点３について
　引用文献２−４に記載されるように，熱電変換モジュールにおいて，熱膨張率の差に起因する基板の反りを抑制するために，基板の両面に形成された金属層の厚みを同等程度とすることが望ましいことは，本願出願前において周知な事項である。
　引用発明においても，熱電素子用配線パターンが形成された基板の他方面に形成されたメタライズ層は，加熱により基板の両面の伸びが略均衡するように設けられ，これにより基板の反りが抑制される（【００１２】参照）ものであるから，基板の反りを抑制するために配線パターンとメタライズ層を形成する材料のそれぞれの熱膨張係数の値等の物性値に基づいてそれぞれの熱膨張の大きさを検討し，両者が略つり合うように，例えば，メタライズ層の厚みを熱電素子用配線パターンの厚みと同等とする，すなわち，厚みの差を２０％以下とすることは，引用文献１の【００１２】の「基板全体の反りを小さくするためには，メタライズ層の厚みは熱電素子用配線パターンの厚みと同等以下になるように形成されているのが望ましい。」との記載に照らして，当業者が容易に想到しうるものである。
エ　そして，これらの相違点を総合的に勘案しても，本件補正発明の奏する作用効果は，引用発明，引用文献１ないし引用文献４に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
　
オ　したがって，本件補正発明は，引用発明及び引用文献１ないし４に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　本件補正についてのむすび
　よって，本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので，同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって，上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　令和２年３月１７日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項に係る発明は，令和元年７月２９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，その請求項１に記載された事項により特定される，前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１に係る発明は，本願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２ないし４に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用文献１：特開２００８−２４４１００号公報
引用文献２：特開平０７−３３５９４５号公報（周知技術を示す文献）
引用文献３：国際公開第２００７／１０９３６８号（周知技術を示す文献）
引用文献４：国際公開第２００７／１０５３６１号（周知技術を示す文献）
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１ないし４及びその記載事項は，前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
　
４　対比・判断
　本願発明は，「熱電変換モジュール」について，さらに「２５０℃以上の熱源を用いた熱電発電に適用される」ものに限定するものである。
　そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに限定されたものに相当する本件補正発明が，前記第２の［理由］２（３），（４）に記載したとおり，引用発明及び引用文献１ないし４に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，引用発明及び引用文献１ないし４に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。