(57)【要約】  本発明は、基板上でのレジストの追従性が良好であり、かつ、優れた現像性と、エッチング時の剥離片の微細化とを両立可能な感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物により形成された感光層を有する感光性転写フィルム、並びに該感光性転写フィルムを用いた高精細なパターンを形成可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。  このため、バインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤を含有してなり、溶融粘度が、５０℃で４０，０００〜１２０，０００Ｐａ・ｓであり、７０℃で５，０００〜２０，０００Ｐａ・ｓであることを特徴とする感光性樹脂組成物である。該感光性樹脂組成物により形成された感光層を有する感光性転写フィルム、並びに該感光性転写フィルムを用いた高精細なパターンを形成可能なパターン形成方法を提供する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤を含有してなり、溶融粘度が、５０℃で４０，０００〜１２０，０００Ｐａ・ｓであり、７０℃で５，０００〜２０，０００Ｐａ・ｓであることを特徴とする感光性樹脂組成物。
【請求項２】
バインダーが、質量平均分子量が３，０００〜１０，０００である共重合体Ａと、質量平均分子量が３０，０００〜１５０，０００である共重合体Ｂとを含み、前記共重合体Ａと前記共重合体Ｂとの質量比が、Ａ／Ｂ＝１０／９０〜９０／１０である請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
【請求項３】
共重合体Ａと共重合体Ｂとの質量比が、Ａ／Ｂ＝１０／９０〜４０／６０である請求項２に記載の感光性樹脂組成物。
【請求項４】
共重合体Ａが、スチレン及びスチレン誘導体の少なくともいずれかに由来する構造単位を有する請求項２から３のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
【請求項５】
共重合体Ｂが、カルボキシル基を有するビニルモノマーを含む請求項２から４のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
【請求項６】
重合性化合物が、ウレタン基及びアリール基の少なくともいずれかを有するモノマーを含む請求項１から５のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
【請求項７】
光重合開始剤が、ハロゲン化炭化水素誘導体、ホスフィンオキサイド、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、アシルホスフィンオキシド化合物、芳香族オニウム塩、及びケトオキシムエーテルから選択される少なくとも１種を含む請求項１から６のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
【請求項８】
支持体上に、請求項１から７のいずれかに記載の感光性樹脂組成物により形成された感光層を有することを特徴とする感光性転写フィルム。
【請求項９】
感光層を３９０〜４２０ｎｍの波長のレーザ光で露光して現像する場合において、該感光層の露光する部分の厚みを、該露光及び現像後において変化させない前記露光に用いる光の最小エネルギー（感度）が、０．１〜２０ｍＪ／ｃｍ２である請求項８に記載の感光性転写フィルム。
【請求項１０】
請求項８から９のいずれかに記載の感光性転写フィルムにおける該感光層を被処理基体上に積層した後、該感光層に対し、露光を行うことを含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１１】
露光が、光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するｎ個（ただし、ｎは２以上の自然数）の２次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の設定傾斜角度θをなすように配置された露光ヘッドを用い、
前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、Ｎ重露光（ただし、Ｎは２以上の自然数）に使用する前記描素部を指定し、
前記露光ヘッドについて、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部の制御を行い、
前記感光層に対し、前記露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて行う請求項１０に記載のパターン形成方法。
【請求項１２】
露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域におけるＮ重露光を実現するために使用する前記描素部を指定する請求項１１に記載のパターン形成方法。
【請求項１３】
露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域以外の領域におけるＮ重露光を実現するために使用する前記描素部を指定する請求項１２に記載のパターン形成方法。
【請求項１４】
設定傾斜角度θが、Ｎ重露光数のＮ、描素部の列方向の個数ｓ、前記描素部の列方向の間隔ｐ、及び露光ヘッドを傾斜させた状態において該露光ヘッドの走査方向と直交する方向に沿った描素部の列方向のピッチδに対し、次式、ｓｐsinθideal≧Ｎδを満たすθidealに対し、θ≧θidealの関係を満たすように設定される請求項１１から１３のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項１５】
使用描素部指定手段が、
描素部により生成されて被露光面上の露光領域を構成する描素単位としての光点位置を、被露光面上において検出する光点位置検出手段と、
前記光点位置検出手段による検出結果に基づき、Ｎ重露光を実現するために使用する描素部を選択する描素部選択手段と
を備える請求項１１から１４のいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項１６】
露光が行われた後、感光層の現像を行う請求項１０から１５のいずれかに記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）の感光層の形成に好適な感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物により形成された感光層を有する感光性転写フィルム、並びに該感光性転写フィルムを用いたパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、パターンを形成するに際して、支持体上に感光性樹脂組成物を塗布、乾燥することにより感光層を形成させた感光性転写フィルムが用いられている。前記パターンの形成方法としては、例えば、前記パターンが形成される銅張積層板等の基体上に、前記感光性転写フィルムを用いて感光層を形成し、該感光層に対して露光を行い、該露光後、前記感光層を現像してパターンを形成させ、さらにエッチングを行い、その後前記パターンを除去する方法が知られている。【０００３】
前記パターンの形成において、ビルドアップ基板の作製方法として、各層ごとに必要な部分にビアホールを形成するＩｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ  Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ（ＩＶＨ）構造を採用したＡｎｙ  ｌａｙｅｒ  ＩＶＨ（ＡＬＩＶＨ）方式という方法が知られている。この方法では１００μｍ程度と極薄のアラミド樹脂の上に銅をコーティングするため、他の方法では１〜２μｍ程度の凸凹が、１２μｍ程度と大きくなり、得られた基板上でのレジストの追従性が要求される。【０００４】
一方、前記パターンの形成においては、感光層の剥離片等による装置の汚染や解像度の低下が大きな問題となっている。
例えば、スルーホール又はビアホールなどのホール部を有するプリント配線板など、複数の穴部が開口された基体上に感光層を積層した場合、該感光層の露光後に、現像のため該感光層から支持体を剥離しようとすると、前記基体の穴部付近において、感光層の硬化してない未露光部分が支持体に付着して破断され、基体から剥離するといった、いわゆる未露光膜破れが発生することがあった。そのため、前記感光層から剥離した微小な剥離片が、装置を汚染したり、パターンの解像度を低下させるなどの問題を生じることがあった。【０００５】
この問題に対し、現像スカム防止、剥離性を改善するために、単官能モノマーをドライフイルムレジスト（ＤＦＲ）の材料として用いる方法（特許文献１及び特許文献２等参照）や、バインダーの酸価、ガラス転移温度（Ｔｇ）、Ｉ／Ｏ値等を調整する方法が提案されているが、前記特許文献１及び２に記載の方法によると、現像性が悪化してしまうという問題がある。
このように、レジストの剥離性を改善することにより、現像性等の他の性能を低下させてしまうという問題があった。【０００６】
したがって、基板上でのレジストの追従性が良好であり、かつ、優れた現像性と、レジスト剥離時の剥離片の微細化とを両立可能な感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物により形成された感光層を有する感光性転写フィルム、並びに該感光性転写フィルムを用いた高精細なパターンを形成可能なパターン形成方法は未だ提供されておらず、更なる改良開発が望まれているのが現状である。【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３３０１８９号公報
【特許文献２】特開２００３−３４５００５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、基板上でのレジストの追従性が良好であり、かつ、優れた現像性と、レジスト剥離時の剥離片の微細化とを両立可能な感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物により形成された感光層を有する感光性転写フィルム、並びに該感光性転写フィルムを用いた高精細なパターンを形成可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、前記課題に鑑み鋭意検討を重ねた結果、以下の知見を得た。即ち、バインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤を含有してなる感光性樹脂組成物の溶融粘度を、５０℃で４０，０００〜１２０，０００Ｐａ・ｓとし、７０℃で５，０００〜２０，０００Ｐａ・ｓとすることにより、基板上でのレジストの追従性が良好であり、かつ、優れた現像性と、レジスト剥離時の剥離片の微細化とを両立可能な感光層を形成できるという知見である。【００１０】
本発明は、本発明者らの前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  バインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤を含有してなり、溶融粘度が、５０℃で４０，０００〜１２０，０００Ｐａ・ｓであり、７０℃で５，０００〜２０，０００Ｐａ・ｓであることを特徴とする感光性樹脂組成物である。
＜２＞  バインダーが、質量平均分子量が３，０００〜１０，０００である共重合体Ａと、質量平均分子量が３０，０００〜１５０，０００である共重合体Ｂとを含み、前記共重合体Ａと前記共重合体Ｂとの質量比が、Ａ／Ｂ＝１０／９０〜９０／１０である前記＜１＞に記載の感光性樹脂組成物である。
＜３＞  共重合体Ａと共重合体Ｂとの質量比が、Ａ／Ｂ＝１０／９０〜４０／６０である前記＜２＞に記載の感光性樹脂組成物である。
＜４＞  共重合体Ａが、スチレン及びスチレン誘導体の少なくともいずれかに由来する構造単位を有する前記＜３＞に記載の感光性樹脂組成物である。
＜５＞  共重合体Ｂが、カルボキシル基を有するビニルモノマーを含む前記＜３＞から＜４＞のいずれかに記載の感光性樹脂組成物である。
＜６＞  重合性化合物が、ウレタン基及びアリール基の少なくともいずれかを有するモノマーを含む前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の感光性樹脂組成物である。
＜７＞  重合性化合物が、ポリアルキレンオキサイド鎖を有する化合物を含有し、該ポリアルキレンオキサイド鎖が、エチレン基及びプロピレン基の少なくともいずれかを有する前記＜６＞に記載の感光性樹脂組成物である。
＜８＞  光重合開始剤が、ハロゲン化炭化水素誘導体、ホスフィンオキサイド、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、アシルホスフィンオキシド化合物、芳香族オニウム塩、及びケトオキシムエーテルから選択される少なくとも１種を含む前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の感光性樹脂組成物である。【００１１】
＜９＞  支持体上に、前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の感光性樹脂組成物により形成された感光層を有することを特徴とする感光性転写フィルムである。
＜１０＞  感光層を３９０〜４２０ｎｍの波長のレーザ光で露光して現像する場合において、該感光層の露光する部分の厚みを、該露光及び現像後において変化させない前記露光に用いる光の最小エネルギー（感度）が、０．１〜２０ｍＪ／ｃｍ２である前記＜９＞に記載の感光性転写フィルムである。
＜１１＞  感光層の厚みが１〜１００μｍである前記＜９＞から＜１０＞のいずれかに記載の感光性転写フィルムである。
＜１２＞  支持体が、合成樹脂を含み、かつ透明である前記＜９＞から＜１１＞のいずれかに記載の感光性転写フィルムである。
＜１３＞  支持体が、長尺状である前記＜９＞から＜１２＞のいずれかに記載の感光性転写フィルムである。
＜１４＞  長尺状であり、ロール状に巻かれてなる前記＜９＞から＜１３＞のいずれかに記載の感光性転写フィルムである。
＜１５＞  感光層上に保護フィルムを有する前記＜９＞から＜１４＞のいずれかに記載の感光性転写フィルムである。【００１２】
＜１６＞  前記＜９＞から＜１５＞のいずれかに記載の感光性転写フィルムにおける該感光層を被処理基体上に積層した後、該感光層に対し、露光を行うことを含むことを特徴とするパターン形成方法である。
＜１７＞  露光が、光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するｎ個（ただし、ｎは２以上の自然数）の２次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の設定傾斜角度θをなすように配置された露光ヘッドを用い、
前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、Ｎ重露光（ただし、Ｎは２以上の自然数）に使用する前記描素部を指定する工程と、
前記露光ヘッドについて、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部の制御を行う工程と、
前記感光層に対し、前記露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて露光を行う工程と
を含む前記＜１６＞に記載のパターン形成方法である。該＜１７＞に記載のパターン形成方法においては、前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、Ｎ重露光（ただし、Ｎは２以上の自然数）に使用する前記描素部が指定され、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部が制御される。前記露光ヘッドを、前記感光層に対し走査方向に相対的に移動させて露光が行われることにより、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが均される。この結果、前記感光層への露光が高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。
＜１８＞  露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域におけるＮ重露光を実現するために使用する前記描素部を指定する前記＜１７＞に記載のパターン形成方法である。該＜１８＞に記載のパターン形成方法においては、露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域におけるＮ重露光を実現するために使用する前記描素部が指定されることにより、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上のヘッド間つなぎ領域に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが均される。この結果、前記感光層への露光が高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。
＜１９＞  露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域以外の領域におけるＮ重露光を実現するために使用する前記描素部を指定する前記＜１８＞に記載のパターン形成方法である。該＜１９＞に記載のパターン形成方法においては、露光が複数の露光ヘッドにより行われ、使用描素部指定手段が、複数の前記露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の露光に関与する描素部のうち、前記ヘッド間つなぎ領域以外におけるＮ重露光を実現するために使用する前記描素部が指定されることにより、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上のヘッド間つなぎ領域以外に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが均される。この結果、前記感光層への露光が高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。
＜２０＞  設定傾斜角度θが、Ｎ重露光数のＮ、描素部の列方向の個数ｓ、前記描素部の列方向の間隔ｐ、及び露光ヘッドを傾斜させた状態において該露光ヘッドの走査方向と直交する方向に沿った描素部の列方向のピッチδに対し、次式、ｓｐsinθideal≧Ｎδを満たすθidealに対し、θ≧θidealの関係を満たすように設定される前記＜１７＞から＜１９＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。
＜２１＞  Ｎ重露光のＮが、３以上の自然数である前記＜１７＞から＜２０＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。該＜２１＞に記載のパターン形成方法においては、Ｎ重露光のＮが、３以上の自然数であることにより、多重描画が行われる。この結果、埋め合わせの効果により、前記露光ヘッドの取付位置や取付角度のずれによる前記感光層の被露光面上に形成される前記パターンの解像度のばらつきや濃度のむらが、より精密に均される。【００１３】
＜２２＞  使用描素部指定手段が、
描素部により生成され、被露光面上の露光領域を構成する描素単位としての光点位置を、被露光面上において検出する光点位置検出手段と、
前記光点位置検出手段による検出結果に基づき、Ｎ重露光を実現するために使用する描素部を選択する描素部選択手段と
を備える前記＜１７＞から＜２１＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。
＜２３＞  使用描素部指定手段が、Ｎ重露光を実現するために使用する使用描素部を、行単位で指定する前記＜１７＞から＜２２＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。【００１４】
＜２４＞  光点位置検出手段が、検出した少なくとも２つの光点位置に基づき、露光ヘッドを傾斜させた状態における被露光面上の光点の列方向と前記露光ヘッドの走査方向とがなす実傾斜角度θ´を特定し、描素部選択手段が、前記実傾斜角度θ´と設定傾斜角度θとの誤差を吸収するように使用描素部を選択する前記＜２２＞から＜２３＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。
＜２５＞  実傾斜角度θ´が、露光ヘッドを傾斜させた状態における被露光面上の光点の列方向と前記露光ヘッドの走査方向とがなす複数の実傾斜角度の平均値、中央値、最大値、及び最小値のいずれかである前記＜２４＞に記載のパターン形成方法である。
＜２６＞  描素部選択手段が、実傾斜角度θ´に基づき、ｔtanθ´＝Ｎ（ただし、ＮはＮ重露光数のＮを表す）の関係を満たすｔに近い自然数Ｔを導出し、ｍ行（ただし、ｍは２以上の自然数を表す）配列された描素部における１行目から前記Ｔ行目の前記描素部を、使用描素部として選択する前記＜２２＞から＜２５＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。
＜２７＞  描素部選択手段が、実傾斜角度θ´に基づき、ｔtanθ´＝Ｎ（ただし、ＮはＮ重露光数のＮを表す）の関係を満たすｔに近い自然数Ｔを導出し、ｍ行（ただし、ｍは２以上の自然数を表す）配列された描素部における、（Ｔ＋１）行目からｍ行目の前記描素部を、不使用描素部として特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する前記＜２２＞から＜２５＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。【００１５】
＜２８＞  描素部選択手段が、複数の描素部列により形成される被露光面上の重複露光領域を少なくとも含む領域において、
（１）理想的なＮ重露光に対し、露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積が最小となるように、使用描素部を選択する手段、
（２）理想的なＮ重露光に対し、露光過多となる領域の描素単位数と、露光不足となる領域の描素単位数とが等しくなるように、使用描素部を選択する手段、
（３）理想的なＮ重露光に対し、露光過多となる領域の面積が最小となり、かつ、露光不足となる領域が生じないように、使用描素部を選択する手段、及び
（４）理想的なＮ重露光に対し、露光不足となる領域の面積が最小となり、かつ、露光過多となる領域が生じないように、使用描素部を選択する手段
のいずれかである前記＜２２＞から＜２７＞に記載のパターン形成方法である。
＜２９＞  描素部選択手段が、複数の露光ヘッドにより形成される被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域において、
（１）理想的なＮ重露光に対し、露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積が最小となるように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、
（２）理想的なＮ重露光に対し、露光過多となる領域の描素単位数と、露光不足となる領域の描素単位数とが等しくなるように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、
（３）理想的なＮ重露光に対し、露光過多となる領域の面積が最小となり、かつ、露光不足となる領域が生じないように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、及び、
（４）理想的なＮ重露光に対し、露光不足となる領域の面積が最小となり、かつ、露光過多となる領域が生じないように、前記ヘッド間つなぎ領域の露光に関与する描素部から、不使用描素部を特定し、該不使用描素部を除いた前記描素部を、使用描素部として選択する手段、
のいずれかである前記＜２２＞から＜２８＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。
＜３０＞  不使用描素部が、行単位で特定される前記＜２９＞に記載のパターン形成方法である。【００１６】
＜３１＞  使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、Ｎ重露光のＮに対し、（Ｎ−１）列毎の描素部列を構成する前記描素部のみを使用して参照露光を行う前記＜２１＞から＜３０＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。該＜３１＞に記載のパターン形成方法においては、使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、Ｎ重露光のＮに対し、（Ｎ−１）列毎の描素部列を構成する前記描素部のみを使用して参照露光が行われ、略１重描画の単純なパターンが得られる。この結果、前記ヘッド間つなぎ領域における前記描素部が容易に指定される。
＜３２＞  使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、Ｎ重露光のＮに対し、１／Ｎ行毎の描素部行を構成する前記描素部のみを使用して参照露光を行う前記＜２１＞から＜３０＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。該＜３２＞に記載のパターン形成方法においては、使用描素部指定手段において使用描素部を指定するために、使用可能な前記描素部のうち、Ｎ重露光のＮに対し、１／Ｎ行毎の描素部列を構成する前記描素部のみを使用して参照露光が行われ、略１重描画の単純なパターンが得られる。この結果、前記ヘッド間つなぎ領域における前記描素部が容易に指定される。【００１７】
＜３３＞  使用描素部指定手段が、光点位置検出手段としてスリット及び光検出器、並びに描素部選択手段として前記光検出器と接続された演算装置を有する前記＜１７＞から＜３２＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。
＜３４＞  Ｎ重露光のＮが、３以上７以下の自然数である前記＜１７＞から＜３３＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。【００１８】
＜３５＞  光変調手段が、形成するパターン情報に基づいて制御信号を生成するパターン信号生成手段を更に有してなり、光照射手段から照射される光を該パターン信号生成手段が生成した制御信号に応じて変調させる前記＜１７＞から＜３４＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。
＜３６＞  パターン情報が表すパターンの所定部分の寸法が、指定された使用描素部により実現できる対応部分の寸法と一致するように前記パターン情報を変換する変換手段を有する前記＜１７＞から＜３５＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。【００１９】
＜３７＞  光変調手段が、空間光変調素子である前記＜１７＞から＜３６＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。
＜３８＞  空間光変調素子が、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）である前記＜３７＞に記載のパターン形成方法である。
＜３９＞  描素部が、マイクロミラーである前記＜１７＞から＜３８＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。【００２０】
＜４０＞  光照射手段が、２以上の光を合成して照射可能である前記＜１７＞から＜３９＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。該＜４０＞に記載のパターン形成方法においては、前記光照射手段が２以上の光を合成して照射可能であることにより、露光が焦点深度の深い露光光で行われる。この結果、前記感光層への露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像することにより、極めて高精細なパターンが形成される。
＜４１＞  光照射手段が、複数のレーザと、マルチモード光ファイバと、該複数のレーザからそれぞれ照射されたレーザビームを集光して前記マルチモード光ファイバに結合させる集合光学系とを有する前記＜１７＞から＜４０＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。該＜４１＞に記載のパターン形成方法においては、前記光照射手段により、前記複数のレーザからそれぞれ照射されたレーザビームが前記集合光学系により集光され、前記マルチモード光ファイバに結合可能とすることにより、露光が焦点深度の深い露光光で行われる。この結果、前記感光層への露光が極めて高精細に行われる。例えば、その後、前記感光層を現像することにより、極めて高精細なパターンが形成される。【００２１】
＜４２＞  露光が行われた後、感光層の現像を行う前記＜１６＞から＜４１＞のいずれかに記載のパターン形成方法である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によると、従来における問題を解決することができ、基板上でのレジストの追従性が良好であり、かつ、優れた現像性と、レジスト剥離時の剥離片の微細化とを両立可能な感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物により形成された感光層を有する感光性転写フィルム、並びに該感光性転写フィルムを用いた高精細なパターンを形成可能なパターン形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、パターン形成装置の一例の外観を示す斜視図である。
【図２】図２は、パターン形成装置のスキャナの構成の一例を示す斜視図である。
【図３Ａ】図３Ａは、感光層の被露光面上に形成される露光済み領域を示す平面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、各露光ヘッドによる露光エリアの配列を示す平面図である。
【図４】図４は、露光ヘッドの概略構成の一例を示す斜視図である。
【図５Ａ】図５Ａは、露光ヘッドの詳細な構成の一例を示す上面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、露光ヘッドの詳細な構成の一例を示す側面図である。
【図６】図６は、図１のパターン形成装置のＤＭＤの一例を示す部分拡大図である。
【図７Ａ】図７Ａは、ＤＭＤの動作を説明するための斜視図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、ＤＭＤの動作を説明するための斜視図である。
【図８】図８は、露光ヘッドの取付角度誤差及びパターン歪みがある際に、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。
【図９】図９は、１つのＤＭＤによる露光エリアと、対応するスリットとの位置関係を示した上面図である。
【図１０】図１０は、被露光面上の光点の位置を、スリットを用いて測定する手法を説明するための上面図である。
【図１１】図１１は、選択されたマイクロミラーのみが露光に使用された結果、被露光面上のパターンに生じるむらが改善された状態を示す説明図である。
【図１２】図１２は、隣接する露光ヘッド間に相対位置のずれがある際に、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。
【図１３】図１３は、隣接する２つの露光ヘッドによる露光エリアと、対応するスリットとの位置関係を示した上面図である。
【図１４】図１４は、被露光面上の光点の位置を、スリットを用いて測定する手法を説明するための上面図である。
【図１５】図１５は、図１２の例において選択された使用画素のみが実動され、被露光面上のパターンに生じるむらが改善された状態を示す説明図である。
【図１６】図１６は、隣接する露光ヘッド間に相対位置のずれ及び取付角度誤差がある際に、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。
【図１７】図１７は、図１６の例において選択された使用描素部のみを用いた露光を示す説明図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、倍率歪みの例を示した説明図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、ビーム径歪みの例を示した説明図である。
【図１９Ａ】図１９Ａは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第一の例を示した説明図である。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第一の例を示した説明図である。
【図２０】図２０は、複数露光ヘッドを用いた参照露光の第一の例を示した説明図である。
【図２１Ａ】図２１Ａは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第二の例を示した説明図である。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは、単一露光ヘッドを用いた参照露光の第二の例を示した説明図である。
【図２２】図２２は、複数露光ヘッドを用いた参照露光の第二の例を示した説明図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
（感光性樹脂組成物）
本発明の感光性樹脂組成物は、バインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤を少なくとも含有してなり、必要に応じて適宜選択したその他の成分を含む。【００２５】
前記感光性樹脂組成物の溶融粘度は、５０℃で４０，０００〜１２０，０００Ｐａ・ｓであり、４５，０００〜１１０，０００Ｐａ・ｓであることが好ましい。また、７０℃で５，０００〜２０，０００Ｐａ・ｓであり、５，５００〜１８，０００であることが好ましい。前記溶融粘度が、５０℃で１２０，０００Ｐａ・ｓを超えたり、７０℃で２０，０００Ｐａ・ｓを超えると、基板上でのレジストの追従性が悪くなる。また、前記溶融粘度が、５０℃で４０，０００Ｐａ・ｓ未満であったり、７０℃で５，０００Ｐａ・ｓ未満であると、膜自体の強度が十分でなく、テント性が悪化する。
前記溶融粘度は、例えば、前記感光性樹脂組成物からなる感光層の面同士のラミネートを繰り返し、厚み１５０±１０μｍとなるようにサンプルを調整後、感光層を２５℃５０％ＲＨの環境で２４時間放置した後、レオメータ（動的粘弾性測定装置）（ＲＥＯＬＯＧＣＡ社製、ＤｙｎＡｌｙｓｅｒＤＡＲ−１００）を用いて、周波数１Ｈｚ、ギャップ１．５ｍｍの条件で測定することができる。【００２６】
＜バインダー＞
前記バインダーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、質量平均分子量が３，０００〜１０，０００である共重合体Ａと、質量平均分子量が３０，０００〜１５０，０００である共重合体Ｂとを含み、前記共重合体Ａと前記共重合体Ｂとの質量比が、Ａ／Ｂ＝１０／９０〜９０／１０であることが好ましい。【００２７】
前記質量平均分子量は、ポリスチレン換算の相対値であり、例えば、分子量既知のポリスチレン標準混合試料を測定して得た較正曲線から求めることができる。【００２８】
前記バインダーとしては、例えば、アルカリ性水溶液に対して膨潤性であることが好ましく、アルカリ性水溶液に対して可溶性であることがより好ましい。
アルカリ性水溶液に対して膨潤性又は溶解性を示すバインダーとしては、例えば、酸性基を有するものが好適に挙げられる。【００２９】
前記酸性基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基などが挙げられ、これらの中でもカルボキシル基が好ましい。
カルボキシル基を有するバインダーとしては、例えば、カルボキシル基を有するビニル共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリアミド酸樹脂、変性エポキシ樹脂などが挙げられ、これらの中でも、塗布溶媒への溶解性、アルカリ現像液への溶解性、合成適性、膜物性の調整の容易さ等の観点からカルボキシル基を有するビニル共重合体が好ましい。また、現像性の観点から、スチレン及びスチレン誘導体の少なくともいずれかの共重合体も好ましい。【００３０】
前記カルボキシル基を有するビニル共重合体は、少なくとも（１）カルボキシル基を有するビニルモノマー、及び（２）これらと共重合可能なモノマーとの共重合により得ることができ、例えば、特開２００５−２５８４３１号公報の〔０１６４〕〜〔０２０５〕に記載されている化合物などが挙げられる。【００３１】
前記感光層における前記バインダーの含有量は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、１０〜９０質量％が好ましく、２０〜８０質量％がより好ましく、４０〜８０質量％が特に好ましい。
前記含有量が１０質量％未満であると、アルカリ現像性やプリント配線板形成用基板（例えば、銅張積層板）との密着性が低下することがあり、９０質量％を超えると、現像時間に対する安定性や、硬化膜（テント膜）の強度が低下することがある。なお、前記含有量は、前記バインダーと必要に応じて併用される高分子結合剤との合計の含有量であってもよい。【００３２】
前記バインダーがガラス転移温度（Ｔｇ）を有する物質である場合、該ガラス転移温度は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記感光性転写フィルムのタック及びエッジフュージョンの抑制、並びに前記支持体の剥離性向上の、少なくともいずれかの観点から、８０℃以上が好ましく、１００℃以上がより好ましく、１２０℃以上が特に好ましい。
前記ガラス転移温度が、８０℃未満であると、前記感光性転写フィルムのタックやエッジフュージョンが増加したり、前記支持体の剥離性が悪化したりすることがある。【００３３】
前記バインダーの酸価は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、７０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、９０〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましく、１００〜１８０ｍｇＫＯＨ／ｇが特に好ましい。
前記酸価が、７０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であると、現像性が不足したり、解像性が劣り、配線パターン等の永久パターンを高精細に得ることができないことがあり、２５０ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると、パターンの耐現像液性及び密着性の少なくともいずれかが悪化し、高精細なパターンを得ることができないことがある。【００３４】
−共重合体Ａ−
前記共重合体Ａとしては、質量平均分子量が３，０００〜１０，０００である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、質量平均分子量は、３，０００〜９，０００がより好ましく、３，０００〜８，０００が特に好ましい。
前記共重合体Ａの質量平均分子量が３，０００未満であると、現像後の残膜率が低下することがある。前記質量平均分子量が１０，０００を超えると、現像液に対する溶解性が低下し、解像度が低下するとともに、剥離片の微細化が達成できなくなったり、前記溶融粘度を本発明の範囲内とすることができずに、基板上でのレジストの追従性が悪化することがある。【００３５】
前記共重合体Ａを構成する単量体としては、例えば、（メタ）アクリル酸、ビニル安息香酸、マレイン酸、マレイン酸モノアルキルエステル、フマル酸、イタコン酸、クロトン酸、桂皮酸、アクリル酸ダイマー、水酸基を有する単量体（例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート等）と環状無水物（例えば、無水マレイン酸や無水フタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物）との付加反応物、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸エステル類、クロトン酸エステル類、ビニルエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、イタコン酸ジエステル類、（メタ）アクリルアミド類、ビニルエーテル類、ビニルアルコールのエステル類、スチレン類（例えば、スチレン、スチレン誘導体等）、（メタ）アクリロニトリル、ビニル基が置換した複素環式基（例えば、ビニルピリジン、ビニルピロリドン、ビニルカルバゾール等）、Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ−ビニルイミダゾール、ビニルカプロラクトン、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、リン酸モノ（２―アクリロイルオキシエチルエステル）、リン酸モノ（１−メチル−２―アクリロイルオキシエチルエステル）、及び官能基（例えば、ウレタン基、ウレア基、スルホンアミド基、フェノール基、イミド基等）を有するビニルモノマーなどが挙げられる。【００３６】
また、前記共重合体Ａとしては、配線パターン等の永久パターンを高精細に形成することができる点、及び前記テント性を向上させる観点から、例えば、スチレン及びスチレン誘導体の少なくともいずれかに由来する構造単位を有することが好ましい。【００３７】
前記共重合体Ａとしては、例えば、ベンジルメタクリレートとメタクリル酸との共重合体、スチレンとアクリル酸との共重合体、メチルメタクリレートとメタクリル酸との共重合体、スチレンとメタクリル酸との共重合体、スチレンと無水マレイン酸との共重合体、ベンジルメタクリレートとメタクリル酸とスチレンとの共重合体、メチルメタクリレートとメタクリル酸とスチレンとの共重合体、及びベンジルメタクリレートとメタクリル酸とメチルメタクリレートと２エチルヘキシルメタクリレーとの共重合体などが挙げられる。【００３８】
−共重合体Ｂ−
前記共重合体Ｂとしては、質量平均分子量が３０，０００〜１５０，０００である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、質量平均分子量は、４０，０００〜１３０，０００がより好ましく、４０，０００〜１２０，０００が特に好ましい。
前記共重合体Ｂの質量平均分子量が３０，０００未満であると、テント性などで要求される硬化膜の強度が不足することがあり、１５０，０００を超えると、現像性が悪化することがある。【００３９】
前記共重合体Ｂを構成する単量体としては、例えば、（メタ）アクリル酸、ビニル安息香酸、マレイン酸、マレイン酸モノアルキルエステル、フマル酸、イタコン酸、クロトン酸、桂皮酸、アクリル酸ダイマー、水酸基を有する単量体（例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート等）と環状無水物（例えば、無水マレイン酸や無水フタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物）との付加反応物、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸エステル類、クロトン酸エステル類、ビニルエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、イタコン酸ジエステル類、（メタ）アクリルアミド類、ビニルエーテル類、ビニルアルコールのエステル類、スチレン類（例えば、スチレン、スチレン誘導体等）、（メタ）アクリロニトリル、ビニル基が置換した複素環式基（例えば、ビニルピリジン、ビニルピロリドン、ビニルカルバゾール等）、Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ−ビニルイミダゾール、ビニルカプロラクトン、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、リン酸モノ（２―アクリロイルオキシエチルエステル）、リン酸モノ（１−メチル−２―アクリロイルオキシエチルエステル）、及び官能基（例えば、ウレタン基、ウレア基、スルホンアミド基、フェノール基、イミド基等）を有するビニルモノマーなどが挙げられるが挙げられる。【００４０】
また、前記共重合体Ｂとしては、配線パターン等の永久パターンを高精細に形成することができる点、及び前記テント性を向上させる観点から、例えば、カルボキシル基を有するビニルモノマーを有することが好ましい。【００４１】
前記共重合体Ｂとしては、例えば、ベンジルメタクリレートとメタクリル酸との共重合体、スチレンとアクリル酸との共重合体、メチルメタクリレートとメタクリル酸との共重合体、スチレンとメタクリル酸との共重合体、スチレンと無水マレイン酸との共重合体、ベンジルメタクリレートとメタクリル酸とスチレンとの共重合体、メチルメタクリレートとメタクリル酸とスチレンとの共重合体、及びベンジルメタクリレートとメタクリル酸とメチルメタクリレートと２−エチルヘキシルメタクリレートとの共重合体などが挙げられる。【００４２】
前記共重合体Ａと前記共重合体Ｂとの質量比（Ａ／Ｂ）は、Ａ／Ｂ＝１０／９０〜９０／１０である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、Ａ／Ｂ＝１０／９０〜８０／２０であることが好ましく、未露光膜破れを少なくする観点から、Ａ／Ｂ＝１０／９０〜４０／６０であることがより好ましい。【００４３】
＜重合性化合物＞
前記重合性化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ウレタン基及びアリール基の少なくともいずれかを有するモノマー又はオリゴマーが好適に挙げられる。また、これらは、重合性基を２種以上有することが好ましい。【００４４】
前記重合性基としては、例えば、エチレン性不飽和結合（例えば、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリルアミド基、スチリル基、ビニルエステルやビニルエーテル等のビニル基、アリルエーテルやアリルエステル等のアリル基など）、重合可能な環状エーテル基（例えば、エポキシ基、オキセタン基等）などが挙げられ、これらの中でもエチレン性不飽和結合が好ましい。【００４５】
−ウレタン基を有するモノマー−
前記ウレタン基を有するモノマーとしては、ウレタン基を有する限り、特に制限は無く、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、特開２００５−２５８４３１号公報の〔０２１０〕〜〔０２６２〕に記載されている化合物などが挙げられる。【００４６】
−−アリール基を有するモノマー−−
前記アリール基を有するモノマーとしては、アリール基を有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、アリール基を有する多価アルコール化合物、多価アミン化合物及び多価アミノアルコール化合物の少なくともいずれかと不飽和カルボン酸とのエステル又はアミドなどが挙げられ、例えば、特開２００５−２５８４３１号公報の〔０２６４〕〜〔０２７１〕に記載されている化合物などが挙げられる。【００４７】
−−ポリアルキレンオキサイド鎖を有する化合物−−
本発明の感光性樹脂組成物には、ポリアルキレンオキサイド鎖を有する化合物を含有していてもよい。
前記ポリアルキレンオキサイド鎖を有する化合物としては、特に制限はなく、単官能モノマーであってもよいし、多官能モノマーであってもよい。
前記単官能モノマーとしては、例えば、下記構造式（ｉ）で表される化合物が好適に挙げられる。
【化１】
2007080698.tif 000002
前記構造式（ｉ）において、Ｒ１は、水素原子、又はメチル基を表す。
Ｘは、炭素原子数が２〜６のアルキレン基を表し、環状構造よりも鎖状構造を有していることが好ましい。鎖状アルキレン基は、分岐を有していてもよい。該アルキレン基としては、例えば、エチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、などが挙げられるが、これらの中でもエチレン基及びプロピレン基が好ましい。
ｎは、１〜３０の整数であって、ｎが２以上の場合、複数の（−Ｘ−Ｏ−）は互いに同一であっても、異なってもよく、（−Ｘ−Ｏ−）は互いに異なる場合には、例えば、エチレン基とプロピレン基との組み合わせなどが好適に挙げられる。【００４８】
Ｒ２としては、例えば、アルキル基、アリール基、アラルキル基などが挙げられ、これらの基は更に置換基により置換されていてもよい。
前記アルキル基としては、炭素数が１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、などが挙げられる。該アルキル基は、置換基を有してもよく、分岐や環構造を有していてもよい。
前記アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、などが挙げられる。該アラルキル基は置換基を有していてもよい。
前記アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、エチルフェニル基、メトキシフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、クロロフェニル基、シアノフェニル基、ジブロモフェニル基、トリブロモフェニル基、ビフェニリル基、ベンジルフェニル基、α−ジメチル−ベンジルフェニル基、などが挙げられる。該アリール基は置換基を有していてもよい。【００４９】
前記アルキル基、アラルキル基、及びアリール基における置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、シアノ基、などが挙げられる。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、などが挙げられる。
前記アリール基は、総炭素数６〜２０が好ましく、６〜１４がより好ましい。該アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、メトキシフェニル基、などが挙げられる。
前記アルケニル基としては、総炭素数２〜１０が好ましく、２〜６がより好ましい。該アルケニル基としては、例えば、エチニル基、プロペニル基、ブチリル基などが挙げられる。
前記アルコキシ基としては、分岐していてもよい、総炭素数１〜１０が好ましく、１〜５がより好ましい。該アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、２−メチルプロピルオキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。【００５０】
前記構造式（ｉ）で表される化合物としては、具体的には、下記構造式で表される化合物、などが挙げられる。ただし、下記式中、Ｒは水素原子又はメチル基を表す。ｎは１〜３０の整数を表し、ｍ及びＬはそれぞれ１以上の整数を表し、ｍ＋Ｌは１〜３０の整数を表す。Ｍｅはメチル基、Ｂｕはブチル基を表す。
【化２】
2007080698.tif 000003
【化３】
2007080698.tif 000004
【００５１】
また、ポリアルキレンオキサイド鎖を有する化合物において、エチレン基及びプロピレン基の少なくともいずれかを有する化合物として、エチレン基又はプロピレン基の数が１０〜３０であるポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールも好適に挙げられる。
前記ポリアルキレンオキサイド鎖を有する化合物は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。【００５２】
前記多官能モノマーとしては、例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレン基の数が２〜３０であるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート（例えば、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール＃４００ジメタクリレート、ポリエチレングリコール＃６００ジメタクリレート、ポリエチレングリコール＃１０００ジメタクリレート等）、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレン基の数が２〜１８であるポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート（例えば、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ドデカプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等）、エチレングリコール鎖／プロピレングリコール鎖を少なくとも各々一つずつ有するアルキレングリコール鎖のジ（メタ）アクリレート（例えば、国際公開第０１／９８８３２号パンフレットに記載の化合物等）、ポリブチレングリコールジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
これらの中でも、その入手の容易さ等の観点から、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコール鎖／プロピレングリコール鎖を少なくとも各々一つずつ有するアルキレングリコール鎖のジ（メタ）アクリレートなどが好ましい。【００５３】
前記ポリアルキレンオキサイド鎖を有する化合物の前記重合性化合物中における含有量は、４０質量％以下が好ましく、１〜３０質量％がより好ましく、１〜２５質量％が更に好ましい。前記含有量が０．１質量％未満であると、剥離性や現像ラチチュード改良の効果が不十分になる場合があり、４０質量％を超えると、解像、密着性、テント性などが悪化する場合がある。【００５４】
−その他の重合性モノマー−
本発明のパターン形成方法には、前記感光性転写フィルムとしての特性を悪化させない範囲で、前記ウレタン基を含有するモノマー、アリール基を有するモノマー以外の重合性モノマーを併用してもよい。【００５５】
前記ウレタン基を含有するモノマー、芳香環を含有するモノマー以外の重合性モノマーとしては、例えば、不飽和カルボン酸（例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸等）と脂肪族多価アルコール化合物とのエステル、不飽和カルボン酸と多価アミン化合物とのアミドなどが挙げられ、例えば、特開２００５−２５８４３１号公報の〔０２７４〕〜〔０２８４〕に記載されている化合物などが挙げられる。【００５６】
前記感光層における重合性化合物の含有量は、例えば、５〜９０質量％が好ましく、１５〜６０質量％がより好ましく、２０〜５０質量％が特に好ましい。
前記含有量が、５質量％となると、テント膜の強度が低下することがあり、９０質量％を超えると、保存時のエッジフュージョン（ロール端部からのしみだし故障）が悪化することがある。
また、重合性化合物中に前記重合性基を２個以上有する多官能モノマーの含有量は、５〜１００質量％が好ましく、２０〜１００質量％がより好ましく、４０〜１００質量％が特に好ましい。【００５７】
＜＜光重合開始剤＞＞
前記光重合開始剤としては、前記重合性化合物の重合を開始する能力を有する限り、特に制限はなく、公知の光重合開始剤の中から適宜選択することができるが、例えば、紫外線領域から可視の光線に対して感光性を有するものが好ましく、光励起された増感剤と何らかの作用を生じ、活性ラジカルを生成する活性剤であってもよく、モノマーの種類に応じてカチオン重合を開始させるような開始剤であってもよい。
また、前記光重合開始剤は、約３００〜８００ｎｍ（より好ましくは３３０〜５００ｎｍ）の範囲内に少なくとも約５０の分子吸光係数を有する成分を少なくとも１種含有していることが好ましい。【００５８】
前記光重合開始剤としては、例えば、ハロゲン化炭化水素誘導体（例えば、トリアジン骨格を有するもの、オキサジアゾール骨格を有するもの等）、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、メタロセン類などが挙げられる。これらの中でも、感光層の感度、保存性、及び感光層とプリント配線板形成用基板との密着性等の観点から、トリアジン骨格を有するハロゲン化炭化水素、オキシム誘導体、ケトン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール系化合物が好ましく、例えば、特開２００５−２５８４３１号公報の〔０２８８〕〜〔０３０９〕に記載されている化合物などが挙げられる。【００５９】
前記感光層における光重合開始剤の含有量は、０．１〜３０質量％が好ましく、０．５〜２０質量％がより好ましく、０．５〜１５質量％が特に好ましい。【００６０】
＜＜その他の成分＞＞
前記その他の成分としては、例えば、増感剤、熱重合禁止剤、可塑剤、発色剤、着色剤などが挙げられ、更に基体表面への密着促進剤及びその他の助剤類（例えば、顔料、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、熱架橋剤、表面張力調整剤、連鎖移動剤等）を併用してもよく、例えば、特開２００５−２５８４３１号公報の〔０３１２〕〜〔０３３６〕に記載されている化合物などが挙げられる。これらの成分を適宜含有させることにより、目的とする感光性転写フィルムの安定性、写真性、焼きだし性、膜物性等の性質を調整することができる。【００６１】
（感光性転写フィルム）
本発明の感光性転写フィルムは、前記支持体上に、本発明の感光性樹脂組成物により形成された感光層を少なくとも有してなり、必要に応じて、保護フィルム、更に必要に応じて、クッション層、酸素遮断層（ＰＣ層）などのその他の層を有してなる。
前記感光性転写フィルムの形態は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記支持体上に、前記感光層、前記保護フィルムをこの順に有してなる形態、前記支持体上に、前記ＰＣ層、前記感光層、前記保護フィルムをこの順に有してなる形態、前記支持体上に、前記クッション層、前記ＰＣ層、前記感光層、前記保護フィルムをこの順に有してなる形態などが挙げられる。
なお、前記感光層は、単層であってもよいし、複数層であってもよい。【００６２】
〔感光層〕
前記感光層は、本発明の前記感光性樹脂組成物により形成される。
前記感光層の形成方法としては、前記支持体の上に、本発明の前記感光性組成物を、水又は溶剤に溶解、乳化又は分散させて感光性組成物溶液を調製し、該溶液を直接塗布し、乾燥させることにより積層する方法が挙げられる。【００６３】
前記感光性組成物溶液の溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｎ−ヘキサノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−ｎ−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、及びメトキシプロピルアセテートなどのエステル類；トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類；四塩化炭素、トリクロロエチレン、クロロホルム、１，１，１−トリクロロエタン、塩化メチレン、モノクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、１−メトキシ−２−プロパノールなどのエーテル類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホランなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。【００６４】
前記塗布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スピンコーター、スリットスピンコーター、ロールコーター、ダイコーター、カーテンコーターなどを用いて、前記支持体に直接塗布する方法が挙げられる。
前記乾燥の条件は、各成分、溶媒の種類、使用割合等によっても異なるが、通常６０〜１１０℃の温度で３０秒間〜１５分間程度である。【００６５】
前記感光層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、１〜１００μｍが好ましく、５〜７０μｍがより好ましい。【００６６】
また、前記感光層を３９０〜４２０ｎｍの波長のレーザ光で露光して現像する場合において、該感光層の露光する部分の厚みを、該露光及び現像後において変化させない前記露光に用いる光の最小エネルギー（感度）が、０．１〜２０ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましい。【００６７】
ここで、「該感光層の露光する部分の厚みを該露光及び現像後において変化させない前記露光に用いる光の最小エネルギー」とは、いわゆる現像感度であり、例えば、前記感光層を露光したときの前記露光に用いた光のエネルギー量（露光量）と、前記露光に続く前記現像処理により生成した前記硬化層の厚みとの関係を示すグラフ（感度曲線）から求めることができる。
前記硬化層の厚みは、前記露光量が増えるに従い増加していき、その後、前記露光前の前記感光層の厚みと略同一かつ略一定となる。前記現像感度は、前記硬化層の厚みが略一定となったときの最小露光量を読み取ることにより求められる値である。
ここで、前記硬化層の厚みと前記露光前の前記感光層の厚みとの差が±１μｍ以内であるとき、前記硬化層の厚みが露光・現像により変化していないとみなす。
前記硬化層及び前記露光前の前記感光層の厚みの測定方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、膜厚測定装置、表面粗さ測定機（例えば、サーフコム１４００Ｄ（東京精密社製））などを用いて測定する方法が挙げられる。【００６８】
〔支持体及び保護フィルム〕
前記支持体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記感光層を剥離可能であり、かつ光の透過性が良好であるのが好ましく、更に表面の平滑性が良好であるのがより好ましい。前記支持体及び保護フィルムとしては、具体的には、例えば、特開２００５−２５８４３１号公報の〔０３４２〕及び〔０３４４〕〜〔０３４８〕に記載されている。【００６９】
前記支持体の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、４〜３００μｍが好ましく、５〜１７５μｍがより好ましい。【００７０】
〔その他の層〕
前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、クッション層、バリア層、剥離層、接着層、光吸収層、表面保護層等の層が挙げられる。前記感光性転写フィルムは、これらの層を１種単独で有していてもよく、２種以上を有していてもよく、また、同種の層を２層以上有していてもよい。【００７１】
前記感光性転写フィルムは、例えば、円筒状の巻芯に巻き取って、長尺状でロール状に巻かれて保管されることが好ましい。前記長尺状の感光性転写フィルムの長さは、特に制限はなく、例えば、１０〜２０，０００ｍの範囲から適宜選択することができる。また、ユーザーが使いやすいようにスリット加工し、１００〜１，０００ｍの範囲の長尺体をロール状にしてもよい。なお、この場合には、前記支持体が一番外側になるように巻き取られることが好ましい。また、前記ロール状の感光性転写フィルムをシート状にスリットしてもよい。保管の際、端面の保護、エッジフュージョンを防止する観点から、端面にはセパレーター（特に防湿性のもの、乾燥剤入りのもの）を設置することが好ましく、また梱包も透湿性の低い素材を用いる事が好ましい。【００７２】
（パターン形成方法）
本発明のパターン形成方法は、本発明の感光性転写材料における感光層を基材の表面に転写して積層体を形成する積層工程、及び露光工程を少なくとも含み、適宜選択した現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等のその他の工程を含む。【００７３】
[積層工程]
前記積層体の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記基体上に前記感光性転写フィルムを、前記保護フィルムを剥離しながら、加熱及び加圧の少なくともいずれかにより積層することが好ましい。
前記加熱温度は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、１５〜１８０℃が好ましく、６０〜１４０℃がより好ましい。
前記加圧の圧力は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１〜１．０ＭＰａが好ましく、０．２〜０．８ＭＰａがより好ましい。【００７４】
前記加熱及び加圧の少なくともいずれかを行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ラミネーター、真空ラミネーターなどが好適に挙げられる。【００７５】
前記加熱及び加圧の少なくともいずれかを行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ラミネーター（例えば、大成ラミネータ社製、ＶＰ−ＩＩ）などが好適に挙げられる。【００７６】
＜＜基材＞＞
前記基材としては、特に制限はなく、公知の材料の中から表面平滑性の高いものから凸凹のある表面を有するものまで、フォトソルダーレジスト、配線パターン形成用フォトレジスト、カラーレジストのそれぞれの目的に応じて適宜選択することができるが、板状の基材（基板）が好ましく、具体的には、公知のプリント配線板形成用基板（例えば、銅張積層板）、ガラス板（例えば、ソーダガラス板、酸化ケイ素をスパッタしたガラス板、石英ガラス板等）、合成樹脂性のフィルム、紙、金属板などが挙げられる。【００７７】
前記積層体は、基材上に前記感光層が形成されてなり、該感光層に対し、後述する露光工程により露光した領域を硬化させ、後述する現像工程によりパターンを形成することができる。【００７８】
〔露光工程〕
前記露光工程は、前記積層工程において形成された前記積層体の前記感光層に対し、露光を行う工程である。
前記露光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、デジタル露光、アナログ露光等が挙げられるが、これらの中でもデジタル露光が好ましい。【００７９】
前記デジタル露光としては、例えば、前記感光層に対し、光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するｎ個（ただし、ｎは２以上の自然数）の２次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の設定傾斜角度θをなすように配置された露光ヘッドを用い、前記露光ヘッドについて、使用描素部指定手段により、使用可能な前記描素部のうち、Ｎ重露光（ただし、Ｎは２以上の自然数）に使用する前記描素部を指定し、前記露光ヘッドについて、描素部制御手段により、前記使用描素部指定手段により指定された前記描素部のみが露光に関与するように、前記描素部の制御を行い、前記感光層に対し、前記露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて露光を行う方法が好ましい。【００８０】
なお、前記「Ｎ重露光」とは、前記感光層の被露光面上の露光領域の略すべての領域において、前記露光ヘッドの走査方向に平行な直線が、前記被露光面上に照射されたＮ本の光点列（画素列）と交わるような設定による露光を指す。ここで、「光点列（画素列）」とは、前記描素部により生成された描素単位としての光点（画素）の並びうち、前記露光ヘッドの走査方向となす角度がより小さい方向の並びを指すものとする。なお、前記描素部の配置は、必ずしも矩形格子状でなくてもよく、たとえば平行四辺形状の配置等であってもよい。
ここで、露光領域の「略すべての領域」と述べたのは、各描素部の両側縁部では、描素部列を傾斜させたことにより、前記露光ヘッドの走査方向に平行な直線と交わる使用描素部の描素部列の数が減るため、かかる場合に複数の露光ヘッドをつなぎ合わせるように使用したとしても、該露光ヘッドの取付角度や配置等の誤差により、走査方向に平行な直線と交わる使用描素部の描素部列の数がわずかに増減することがあるため、また、各使用描素部の描素部列間のつなぎの、解像度分以下のごくわずかな部分では、取付角度や描素部配置等の誤差により、走査方向と直交する方向に沿った描素部のピッチが他の部分の描素部のピッチと厳密に一致せず、走査方向に平行な直線と交わる使用描素部の描素部列の数が±１の範囲で増減することがあるためである。なお、以下の説明では、Ｎが２以上の自然数であるＮ重露光を総称して「多重露光」という。さらに、以下の説明では、本発明の露光装置又は露光方法を、描画装置又は描画方法として実施した形態について、「Ｎ重露光」及び「多重露光」に対応する用語として、「Ｎ重描画」及び「多重描画」という用語を用いるものとする。
前記Ｎ重露光のＮとしては、２以上の自然数であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、３以上の自然数が好ましく、３以上７以下の自然数がより好ましい。【００８１】
＜パターン形成装置＞
本発明のパターン形成方法に係るパターン形成装置の一例について図面を参照しながら説明する。
前記パターン形成装置としては、いわゆるフラットベッドタイプの露光装置とされており、図１に示すように、前記感光性転写フィルムにおける少なくとも前記感光層が積層されてなる積層体１２（以下、「感光材料１２」、「感光層１２」ということがある）を表面に吸着して保持する平板状の移動ステージ１４を備えている。４本の脚部１６に支持された厚い板状の設置台１８の上面には、ステージ移動方向に沿って延びた２本のガイド２０が設置されている。ステージ１４は、その長手方向がステージ移動方向を向くように配置されると共に、ガイド２０によって往復移動可能に支持されている。なお、このパターン形成装置１０には、ステージ１４をガイド２０に沿って駆動するステージ駆動装置（図示せず）が設けられている。【００８２】
設置台１８の中央部には、ステージ１４の移動経路を跨ぐようにコの字状のゲート２２が設けられている。コの字状のゲート２２の端部の各々は、設置台１８の両側面に固定されている。このゲート２２を挟んで一方の側にはスキャナ２４が設けられ、他方の側には感光材料１２の先端及び後端を検知する複数（たとえば２個）のセンサ２６が設けられている。スキャナ２４及びセンサ２６はゲート２２に各々取り付けられて、ステージ１４の移動経路の上方に固定配置されている。なお、スキャナ２４及びセンサ２６は、これらを制御する図示しないコントローラに接続されている。【００８３】
ここで、説明のため、ステージ１４の表面と平行な平面内に、図１に示すように、互いに直交するＸ軸及びＹ軸を規定する。【００８４】
ステージ１４の走査方向に沿って上流側（以下、単に「上流側」ということがある。）の端縁部には、Ｘ軸の方向に向かって開く「く」の字型に形成されたスリット２８が、等間隔で１０本形成されている。各スリット２８は、上流側に位置するスリット２８ａと下流側に位置するスリット２８ｂとからなっている。スリット２８ａとスリット２８ｂとは互いに直交するとともに、Ｘ軸に対してスリット２８ａは−４５度、スリット２８ｂは＋４５度の角度を有している。【００８５】
スリット２８の位置は、前記露光ヘッド３０の中心と略一致させられている。また、各スリット２８の大きさは、対応する露光ヘッド３０による露光エリア３２の幅を十分覆う大きさとされている。また、スリット２８の位置としては、隣接する露光済み領域３４間の重複部分の中心位置と略一致させてもよい。この場合、各スリット２８の大きさは、露光済み領域３４間の重複部分の幅を十分覆う大きさとする。【００８６】
ステージ１４内部の各スリット２８の下方の位置には、それぞれ、後述する使用描素部指定処理において、描素単位としての光点を検出する光点位置検出手段としての単一セル型の光検出器（図示せず）が組み込まれている。また、各光検出器は、後述する使用描素部指定処理において、前記描素部の選択を行う描素部選択手段としての演算装置（図示せず）に接続されている。【００８７】
露光時における前記パターン形成装置の動作形態はとしては、露光ヘッドを常に移動させながら連続的に露光を行う形態であってもよいし、露光ヘッドを段階的に移動させながら、各移動先の位置で露光ヘッドを静止させて露光動作を行う形態であってもよい。【００８８】
＜＜露光ヘッド＞＞
各露光ヘッド３０は、後述する内部のデジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）３６の各描素部（マイクロミラー）列方向が、走査方向と所定の設定傾斜角度θをなすように、スキャナ２４に取り付けられている。このため、各露光ヘッド３０による露光エリア３２は、走査方向に対して傾斜した矩形状のエリアとなる。ステージ１４の移動に伴い、感光層１２には露光ヘッド３０ごとに帯状の露光済み領域３４が形成される。図２及び図３Ｂに示す例では、２行５列の略マトリックス状に配列された１０個の露光ヘッドが、スキャナ２４に備えられている。
なお、以下において、ｍ行目のｎ列目に配列された個々の露光ヘッドを示す場合は、露光ヘッド３０ｍｎと表記し、ｍ行目のｎ列目に配列された個々の露光ヘッドによる露光エリアを示す場合は、露光エリア３２ｍｎと表記する。【００８９】
また、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、帯状の露光済み領域３４のそれぞれが、隣接する露光済み領域３４と部分的に重なるように、ライン状に配列された各行の露光ヘッド３０の各々は、その配列方向に所定間隔（露光エリアの長辺の自然数倍、本実施形態では２倍）ずらして配置されている。このため、１行目の露光エリア３２１１と露光エリア３２１２との間の露光できない部分は、２行目の露光エリア３２２１により露光することができる。【００９０】
露光ヘッド３０の各々は、図４、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、入射された光を画像データに応じて描素部ごとに変調する光変調手段（描素部ごとに変調する空間光変調素子）として、ＤＭＤ３６（米国テキサス・インスツルメンツ社製）を備えている。このＤＭＤ３６は、データ処理部とミラー駆動制御部とを備えた描素部制御手段としてのコントローラに接続されている。このコントローラのデータ処理部では、入力された画像データに基づいて、露光ヘッド３０ごとに、ＤＭＤ３６上の使用領域内の各マイクロミラーを駆動制御する制御信号を生成する。また、ミラー駆動制御部では、画像データ処理部で生成した制御信号に基づいて、露光ヘッド３０ごとに、ＤＭＤ３６の各マイクロミラーの反射面の角度を制御する。【００９１】
図４に示すように、ＤＭＤ３６の光入射側には、光ファイバの出射端部（発光点）が露光エリア３２の長辺方向と一致する方向に沿って一列に配列されたレーザ出射部を備えたファイバアレイ光源３８、ファイバアレイ光源３８から出射されたレーザ光を補正してＤＭＤ上に集光させるレンズ系４０、このレンズ系４０を透過したレーザ光をＤＭＤ３６に向けて反射するミラー４２がこの順に配置されている。なお図４では、レンズ系４０を概略的に示してある。【００９２】
上記レンズ系４０は、図５Ａ及び図５Ｂに詳しく示すように、ファイバアレイ光源３８から出射されたレーザ光を平行光化する１対の組合せレンズ４４、平行光化されたレーザ光の光量分布が均一になるように補正する１対の組合せレンズ４６、及び光量分布が補正されたレーザ光をＤＭＤ３６上に集光する集光レンズ４８で構成されている。【００９３】
また、ＤＭＤ３６の光反射側には、ＤＭＤ３６で反射されたレーザ光を感光層１２の被露光面上に結像するレンズ系５０が配置されている。レンズ系５０は、ＤＭＤ３６と感光層１２の被露光面とが共役な関係となるように配置された、２枚のレンズ５２及び５４からなる。【００９４】
本実施形態では、ファイバアレイ光源３８から出射されたレーザ光は、実質的に５倍に拡大された後、ＤＭＤ３６上の各マイクロミラーからの光線が上記のレンズ系５０によって約５μｍに絞られるように設定されている。【００９５】
‐光変調手段‐
前記光変調手段としては、ｎ個（ただし、ｎは２以上の自然数）の２次元状に配列された前記描素部を有し、前記パターン情報に応じて前記描素部を制御可能なものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、空間光変調素子が好ましい。【００９６】
前記空間光変調素子としては、例えば、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）タイプの空間光変調素子（ＳＬＭ；Ｓｐｅｔｉａｌ  Ｌｉｇｈｔ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）、電気光学効果により透過光を変調する光学素子（ＰＬＺＴ素子）、液晶光シャッタ（ＦＬＣ）などが挙げられ、これらの中でもＤＭＤが好適に挙げられる。【００９７】
また、前記光変調手段は、形成するパターン情報に基づいて制御信号を生成するパターン信号生成手段を有することが好ましい。この場合、前記光変調手段は、前記パターン信号生成手段が生成した制御信号に応じて光を変調させる。
前記制御信号としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、デジタル信号が好適に挙げられる。【００９８】
以下、前記光変調手段の一例について図面を参照しながら説明する。
ＤＭＤ３６は図６に示すように、ＳＲＡＭセル（メモリセル）５６上に、各々描素（ピクセル）を構成する描素部として、多数のマイクロミラー５８が格子状に配列されてなるミラーデバイスである。本実施形態では、１０２４列×７６８行のマイクロミラー５８が配されてなるＤＭＤ３６を使用するが、このうちＤＭＤ３６に接続されたコントローラにより駆動可能すなわち使用可能なマイクロミラー５８は、１０２４列×２５６行のみであるとする。ＤＭＤ３６のデータ処理速度には限界があり、使用するマイクロミラー数に比例して１ライン当りの変調速度が決定されるので、このように一部のマイクロミラーのみを使用することにより１ライン当りの変調速度が速くなる。各マイクロミラー５８は支柱に支えられており、その表面にはアルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。なお、本実施形態では、各マイクロミラー５８の反射率は９０％以上であり、その配列ピッチは縦方向、横方向ともに１３．７μｍである。ＳＲＡＭセル５６は、ヒンジ及びヨークを含む支柱を介して通常の半導体メモリの製造ラインで製造されるシリコンゲートのＣＭＯＳのものであり、全体はモノリシック（一体型）に構成されている。【００９９】
ＤＭＤ３６のＳＲＡＭセル（メモリセル）５６に、所望の２次元パターンを構成する各点の濃度を２値で表した画像信号が書き込まれると、支柱に支えられた各マイクロミラー５８が、対角線を中心としてＤＭＤ３６が配置された基板側に対して±α度（たとえば±１０度）のいずれかに傾く。図７Ａは、マイクロミラー５８がオン状態である＋α度に傾いた状態を示し、図７Ｂは、マイクロミラー５８がオフ状態である−α度に傾いた状態を示す。このように、画像信号に応じて、ＤＭＤ３６の各ピクセルにおけるマイクロミラー５８の傾きを、図６に示すように制御することによって、ＤＭＤ３６に入射したレーザ光Ｂはそれぞれのマイクロミラー５８の傾き方向へ反射される。【０１００】
図６には、ＤＭＤ３６の一部を拡大し、各マイクロミラー５８が＋α度又はα度に制御されている状態の一例を示す。それぞれのマイクロミラー５８のオンオフ制御は、ＤＭＤ３６に接続された上記のコントローラによって行われる。また、オフ状態のマイクロミラー５８で反射したレーザ光Ｂが進行する方向には、光吸収体（図示せず）が配置されている。【０１０１】
‐光照射手段‐
前記光照射手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（超）高圧水銀灯、キセノン灯、カーボンアーク灯、ハロゲンランプ、複写機用などの蛍光管、ＬＥＤ、半導体レーザ等の公知光源、又は２以上の光を合成して照射可能な手段が挙げられ、これらの中でも２以上の光を合成して照射可能な手段が好ましい。
前記光照射手段から照射される光としては、例えば、支持体を介して光照射を行う場合には、該支持体を透過し、かつ用いられる光重合開始剤や増感剤を活性化する電磁波、紫外から可視光線、電子線、Ｘ線、レーザ光などが挙げられ、これらの中でもレーザ光が好ましく、２以上の光を合成したレーザ（以下、「合波レーザ」と称することがある）がより好ましい。また支持体を剥離してから光照射を行う場合でも、同様の光を用いることができる。【０１０２】
前記紫外から可視光線の波長としては、例えば、３００〜１５００ｎｍが好ましく、３２０〜８００ｎｍがより好ましく、３３０〜６５０ｎｍが特に好ましい。
前記レーザ光の波長としては、例えば、２００〜１５００ｎｍが好ましく、３００〜８００ｎｍがより好ましく、３３０〜５００ｎｍが更に好ましく、４００〜４５０ｎｍが特に好ましい。【０１０３】
前記合波レーザを照射可能な手段としては、例えば、複数のレーザと、マルチモード光ファイバと、該複数のレーザからそれぞれ照射したレーザビームを集光して前記マルチモード光ファイバに結合させる集合光学系とを有する手段が好ましい。【０１０４】
前記合波レーザを照射可能な手段（ファイバアレイ光源）としては、例えば、特開２００５−２５８４３１号公報〔０１０９〕〜〔０１４６〕に記載の手段が挙げられる。【０１０５】
＜＜使用描素部指定手段＞＞
前記使用描素部指定手段としては、描素単位としての光点の位置を被露光面上において検出する光点位置検出手段と、前記光点位置検出手段による検出結果に基づき、Ｎ重露光を実現するために使用する描素部を選択する描素部選択手段とを少なくとも備えることが好ましい。
以下、前記使用描素部指定手段による、Ｎ重露光に使用する描素部の指定方法の例について説明する。【０１０６】
（１）単一露光ヘッド内における使用描素部の指定方法
本実施形態（１）では、パターン形成装置１０により、感光材料１２に対して２重露光を行う場合であって、各露光ヘッド３０の取付角度誤差に起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的な２重露光を実現するための使用描素部の指定方法を説明する。【０１０７】
露光ヘッド３０の走査方向に対する描素部（マイクロミラー５８）の列方向の設定傾斜角度θとしては、露光ヘッド３０の取付角度誤差等がない理想的な状態であれば、使用可能な１０２４列×２５６行の描素部を使用してちょうど２重露光となる角度θidealよりも、若干大きい角度を採用するものとする。
この角度θidealは、Ｎ重露光の数Ｎ、使用可能なマイクロミラー５８の列方向の個数ｓ、使用可能なマイクロミラー５８の列方向の間隔ｐ、及び露光ヘッド３０を傾斜させた状態においてマイクロミラーによって形成される走査線のピッチδに対し、下記式１、
ｓｐsinθideal≧Ｎδ（式１）
により与えられる。本実施形態におけるＤＭＤ３６は、上記のとおり、縦横の配置間隔が等しい多数のマイクロミラー５８が矩形格子状に配されたものであるので、
ｐcosθideal＝δ（式２）
であり、上記式１は、
ｓtanθideal＝Ｎ（式３）
となる。本実施形態（１）では、上記のとおりｓ＝２５６、Ｎ＝２であるので、前記式３より、角度θidealは約０．４５度である。したがって、設定傾斜角度θとしては、たとえば０．５０度程度の角度を採用するとよい。パターン形成装置１０は、調整可能な範囲内で、各露光ヘッド３０すなわち各ＤＭＤ３６の取付角度がこの設定傾斜角度θに近い角度となるように、初期調整されているものとする。【０１０８】
図８は、上記のように初期調整されたパターン形成装置１０において、１つの露光ヘッド３０の取付角度誤差、及びパターン歪みの影響により、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。以下の図面及び説明においては、各描素部（マイクロミラー）により生成され、被露光面上の露光領域を構成する描素単位としての光点について、第ｍ行目の光点をｒ（ｍ）、第ｎ列目の光点をｃ（ｎ）、第ｍ行第ｎ列の光点をＰ（ｍ，ｎ）とそれぞれ表記するものとする。【０１０９】
図８の上段部分は、ステージ１４を静止させた状態で感光材料１２の被露光面上に投影される、使用可能なマイクロミラー５８からの光点群のパターンを示し、下段部分は、上段部分に示したような光点群のパターンが現れている状態でステージ１４を移動させて連続露光を行った際に、被露光面上に形成される露光パターンの状態を示したものである。
なお、図８では、説明の便宜のため、使用可能なマイクロミラー５８の奇数列による露光パターンと偶数列による露光パターンを分けて示してあるが、実際の被露光面上における露光パターンは、これら２つの露光パターンを重ね合わせたものである。【０１１０】
図８の例では、設定傾斜角度θを上記の角度θidealよりも若干大きい角度を採用した結果として、また露光ヘッド３０の取付角度の微調整が困難であるために、実際の取付角度と上記の設定傾斜角度θとが誤差を有する結果として、被露光面上のいずれの領域においても濃度むらが生じている。具体的には、奇数列のマイクロミラーによる露光パターン及び偶数列のマイクロミラーによる露光パターンの双方で、複数の描素部列により形成された、被露光面上の重複露光領域において、理想的な２重露光に対して露光過多となり、描画が冗長となる領域が生じ、濃度むらが生じている。【０１１１】
さらに、図８の例では、被露光面上に現れるパターン歪みの一例であって、被露光面上に投影された各画素列の傾斜角度が均一ではなくなる「角度歪み」が生じている。このような角度歪みが生じる原因としては、ＤＭＤ３６と被露光面間の光学系の各種収差やアラインメントずれ、及びＤＭＤ３６自体の歪みやマイクロミラーの配置誤差等が挙げられる。
図８の例に現れている角度歪みは、走査方向に対する傾斜角度が、図の左方の列ほど小さく、図の右方の列ほど大きくなっている形態の歪みである。この角度歪みの結果として、露光過多となっている領域は、図の左方に示した被露光面上ほど小さく、図の右方に示した被露光面上ほど大きくなっている。【０１１２】
上記したような、複数の描素部列により形成された、被露光面上の重複露光領域における濃度むらを軽減するために、前記光点位置検出手段としてスリット２８及び光検出器の組を用い、露光ヘッド３０ごとに実傾斜角度θ´を特定し、該実傾斜角度θ´に基づき、前記描素部選択手段として前記光検出器に接続された前記演算装置を用いて、実際の露光に使用するマイクロミラーを選択する処理を行うものとする。
実傾斜角度θ´は、光点位置検出手段が検出した少なくとも２つの光点位置に基づき、露光ヘッドを傾斜させた状態における被露光面上の光点の列方向と前記露光ヘッドの走査方向とがなす角度により特定される。
以下、図９及び図１０を用いて、前記実傾斜角度θ´の特定、及び使用画素選択処理について説明する。【０１１３】
−実傾斜角度θ´の特定−
図９は、１つのＤＭＤ３６による露光エリア３２と、対応するスリット２８との位置関係を示した上面図である。スリット２８の大きさは、露光エリア３２の幅を十分覆う大きさとされている。
本実施形態（１）の例では、露光エリア３２の略中心に位置する第５１２列目の光点列と露光ヘッド３０の走査方向とがなす角度を、上記の実傾斜角度θ´として測定する。具体的には、ＤＭＤ３６上の第１行目第５１２列目のマイクロミラー５８、及び第２５６行目第５１２列目のマイクロミラー５８をオン状態とし、それぞれに対応する被露光面上の光点Ｐ（１，５１２）及びＰ（２５６，５１２）の位置を検出し、それらを結ぶ直線と露光ヘッドの走査方向とがなす角度を実傾斜角度θ´として特定する。【０１１４】
図１０は、光点Ｐ（２５６，５１２）の位置の検出手法を説明した上面図である。
まず、第２５６行目第５１２列目のマイクロミラー５８を点灯させた状態で、ステージ１４をゆっくり移動させてスリット２８をＹ軸方向に沿って相対移動させ、光点Ｐ（２５６，５１２）が上流側のスリット２８ａと下流側のスリット２８ｂの間に来るような任意の位置に、スリット２８を位置させる。このときのスリット２８ａとスリット２８ｂとの交点の座標を（Ｘ０，Ｙ０）とする。この座標（Ｘ０，Ｙ０）の値は、ステージ１４に与えられた駆動信号が示す上記の位置までのステージ１４の移動距離、及び、既知であるスリット２８のＸ方向位置から決定され、記録される。【０１１５】
次に、ステージ１４を移動させ、スリット２８をＹ軸に沿って図１０における右方に相対移動させる。そして、図１０において二点鎖線で示すように、光点Ｐ（２５６，５１２）の光が左側のスリット２８ｂを通過して光検出器で検出されたところでステージ１４を停止させる。このときのスリット２８ａとスリット２８ｂとの交点の座標（Ｘ０，Ｙ１）を、光点Ｐ（２５６，５１２）の位置として記録する。【０１１６】
次いで、ステージ１４を反対方向に移動させ、スリット２８をＹ軸に沿って図１０における左方に相対移動させる。そして、図１０において二点鎖線で示すように、光点Ｐ（２５６，５１２）の光が右側のスリット２８ａを通過して光検出器で検出されたところでステージ１４を停止させる。このときのスリット２８ａとスリット２８ｂとの交点の座標（Ｘ０，Ｙ２）を光点Ｐ（２５６，５１２）の位置として記録する。【０１１７】
以上の測定結果から、光点Ｐ（２５６，５１２）の被露光面上における位置を示す座標（Ｘ，Ｙ）を、Ｘ＝Ｘ０＋（Ｙ１−Ｙ２）／２、Ｙ＝（Ｙ１＋Ｙ２）／２の計算により決定する。同様の測定により、Ｐ（１，５１２）の位置を示す座標も決定し、それぞれの座標を結ぶ直線と、露光ヘッド３０の走査方向とがなす傾斜角度を導出し、これを実傾斜角度θ´として特定する。【０１１８】
‐使用描素部の選択‐
このようにして特定された実傾斜角度θ´を用い、前記光検出器に接続された前記演算装置は、下記式４
ｔtanθ´＝Ｎ（式４）
の関係を満たす値ｔに最も近い自然数Ｔを導出し、ＤＭＤ３６上の１行目からＴ行目のマイクロミラーを、本露光時に実際に使用するマイクロミラーとして選択する処理を行う。これにより、第５１２列目付近の露光領域において、理想的な２重露光に対して、露光過多となる領域と、露光不足となる領域との面積合計が最小となるようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。【０１１９】
ここで、上記の値ｔに最も近い自然数を導出することに代えて、値ｔ以上の最小の自然数を導出することとしてもよい。その場合、第５１２列目付近の露光領域において、理想的な２重露光に対して、露光過多となる領域の面積が最小になり、かつ露光不足となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
また、値ｔ以下の最大の自然数を導出することとしてもよい。その場合、第５１２列目付近の露光領域において、理想的な２重露光に対して、露光不足となる領域の面積が最小になり、かつ露光過多となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。【０１２０】
図１１は、上記のようにして実際に使用するマイクロミラーとして選択されたマイクロミラーが生成した光点のみを用いて行った露光において、図８に示した被露光面上のむらがどのように改善されるかを示した説明図である。
この例では、上記の自然数ＴとしてＴ＝２５３が導出され、第１行目から第２５３行目のマイクロミラーが選択されたものとする。選択されなかった第２５４行目から第２５６行目のマイクロミラーに対しては、前記描素部制御手段により、常時オフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に関与しない。図１１に示すとおり、第５１２列目付近の露光領域では、露光過多及び露光不足は、ほぼ完全に解消され、理想的な２重露光に極めて近い均一な露光が実現される。【０１２１】
一方、図１１の左方の領域（図中のｃ（１）付近）では、前記角度歪みにより、被露光面上における光点列の傾斜角度が中央付近（図中のｃ（５１２）付近）の領域における光線列の傾斜角度よりも小さくなっている。したがって、ｃ（５１２）を基準として測定された実傾斜角度θ´に基づいて選択されたマイクロミラーのみによる露光では、偶数列による露光パターン及び奇数列による露光パターンのそれぞれにおいて、理想的な２重露光に対して露光不足となる領域がわずかに生じてしまう。
しかしながら、図示の奇数列による露光パターンと偶数列による露光パターンとを重ね合わせてなる実際の露光パターンにおいては、露光量不足となる領域が互いに補完され、前記角度歪みによる露光むらを、２重露光による埋め合わせの効果で最小とすることができる。【０１２２】
また、図１１の右方の領域（図中のｃ（１０２４）付近）では、前記角度歪みにより、被露光面上における光線列の傾斜角度が、中央付近（図中のｃ（５１２）付近）の領域における光線列の傾斜角度よりも大きくなっている。したがって、ｃ（５１２）を基準として測定された実傾斜角度θ´に基づいて選択されたマイクロミラーによる露光では、図に示すように、理想的な２重露光に対して露光過多となる領域がわずかに生じてしまう。
しかしながら、図示の奇数列による露光パターンと偶数列による露光パターンとを重ね合わせてなる実際の露光パターンにおいては、露光過多となる領域が互いに補完され、前記角度歪による濃度むらを、２重露光による埋め合わせの効果で最小とすることができる。【０１２３】
本実施形態（１）では、上述のとおり、第５１２列目の光線列の実傾斜角度θ´が測定され、該実傾斜角度θ´を用い、前記式（４）により導出されたＴに基づいて使用するマイクロミラー５８を選択したが、前記実傾斜角度θ´の特定方法としては、複数の描素部の列方向（光点列）と、前記露光ヘッドの走査方向とがなす複数の実傾斜角度をそれぞれ測定し、それらの平均値、中央値、最大値、及び最小値のいずれかを実傾斜角度θ´として特定し、前記式４等によって実際の露光時に実際に使用するマイクロミラーを選択する形態としてもよい。
前記平均値又は前記中央値を実傾斜角度θ´とすれば、理想的なＮ重露光に対して露光過多となる領域と露光不足となる領域とのバランスがよい露光を実現することができる。例えば、露光過多となる領域と、露光量不足となる領域との合計面積が最小に抑えられ、かつ、露光過多となる領域の描素単位数（光点数）と、露光不足となる領域の描素単位数（光点数）とが等しくなるような露光を実現することが可能である。
また、前記最大値を実傾斜角度θ´とすれば、理想的なＮ重露光に対して露光過多となる領域の排除をより重要視した露光を実現することができ、例えば、露光不足となる領域の面積を最小に抑え、かつ、露光過多となる領域が生じないような露光を実現することが可能である。
さらに、前記最小値を実傾斜角度θ´とすれば、理想的なＮ重露光に対して露光不足となる領域の排除をより重要視した露光を実現することができ、例えば、露光過多となる領域の面積を最小に抑え、かつ、露光不足となる領域が生じないような露光を実現することが可能である。【０１２４】
一方、前記実傾斜角度θ´の特定は、同一の描素部の列（光点列）中の少なくとも２つの光点の位置に基づく方法に限定されない。例えば、同一描素部列ｃ（ｎ）中の１つ又は複数の光点の位置と、該ｃ（ｎ）近傍の列中の１つ又は複数の光点の位置とから求めた角度を、実傾斜角度θ´として特定してもよい。
具体的には、ｃ（ｎ）中の１つの光点位置と、露光ヘッドの走査方向に沿って直線上かつ近傍の光点列に含まれる１つ又は複数の光点位置とを検出し、これらの位置情報から、実傾斜角度θ´を求めることができる。さらに、ｃ（ｎ）列近傍の光点列中の少なくとも２つの光点（たとえば、ｃ（ｎ）を跨ぐように配置された２つの光点）の位置に基づいて求めた角度を、実傾斜角度θ´として特定してもよい。【０１２５】
以上のように、パターン形成装置１０を用いた本実施形態（１）の使用描素部の指定方法によれば、各露光ヘッドの取付角度誤差やパターン歪みの影響による解像度のばらつきや濃度のむらを軽減し、理想的なＮ重露光を実現することができる。【０１２６】
（２）複数露光ヘッド間における使用描素部の指定方法＜１＞
本実施形態（２）では、パターン形成装置１０により、感光材料１２に対して２重露光を行う場合であって、複数の露光ヘッド３０により形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域において、２つの露光ヘッド（一例として露光ヘッド３０１２と３０２１）のＸ軸方向に関する相対位置の、理想的な状態からのずれに起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的な２重露光を実現するための使用描素部の指定方法を説明する。【０１２７】
各露光ヘッド３０すなわち各ＤＭＤ３６の設定傾斜角度θとしては、露光ヘッド３０の取付角度誤差等がない理想的な状態であれば、使用可能な１０２４列×２５６行の描素部マイクロミラー５８を使用してちょうど２重露光となる角度θidealを採用するものとする。
この角度θidealは、上記の実施形態（１）と同様にして前記式１〜３から求められる。本実施形態（２）において、パターン形成装置１０は、各露光ヘッド３０すなわち各ＤＭＤ３６の取付角度がこの角度θidealとなるように、初期調整されているものとする。【０１２８】
図１２は、上記のように初期調整されたパターン形成装置１０において、２つの露光ヘッド（一例として露光ヘッド３０１２と３０２１）のＸ軸方向に関する相対位置の、理想的な状態からのずれの影響により、被露光面上のパターンに生じる濃度むらの例を示した説明図である。各露光ヘッドのＸ軸方向に関する相対位置のずれは、露光ヘッド間の相対位置の微調整が困難であるために生じ得るものである。【０１２９】
図１２の上段部分は、ステージ１４を静止させた状態で感光材料１２の被露光面上に投影される、露光ヘッド３０１２と３０２１が有するＤＭＤ３６の使用可能なマイクロミラー５８からの光点群のパターンを示した図である。図１２の下段部分は、上段部分に示したような光点群のパターンが現れている状態でステージ１４を移動させて連続露光を行った際に、被露光面上に形成される露光パターンの状態を、露光エリア３２１２と３２２１について示したものである。
なお、図１２では、説明の便宜のため、使用可能なマイクロミラー５８の１列おきの露光パターンを、画素列群Ａによる露光パターンと画素列群Ｂによる露光パターンとに分けて示してあるが、実際の被露光面上における露光パターンは、これら２つの露光パターンを重ね合わせたものである。【０１３０】
図１２の例では、上記したＸ軸方向に関する露光ヘッド３０１２と３０２１との間の相対位置の、理想的な状態からのずれの結果として、画素列群Ａによる露光パターンと画素列群Ｂによる露光パターンとの双方で、露光エリア３２１２と３２２１の前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な２重露光の状態よりも露光量過多な部分が生じてしまっている。【０１３１】
上記したような、複数の前記露光ヘッドにより被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域に現れる濃度むらを軽減するために、本実施形態（２）では、前記光点位置検出手段としてスリット２８及び光検出器の組を用い、露光ヘッド３０１２と３０２１からの光点群のうち、被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域を構成する光点のいくつかについて、その位置（座標）を検出する。該位置（座標）に基づいて、前記描素部選択手段として前記光検出器に接続された演算装置を用いて、実際の露光に使用するマイクロミラーを選択する処理を行うものとする。【０１３２】
−位置（座標）の検出−
図１３は、図１２と同様の露光エリア３２１２及び３２２１と、対応するスリット２８との位置関係を示した上面図である。スリット２８の大きさは、露光ヘッド３０１２と３０２１による露光済み領域３４間の重複部分の幅を十分覆う大きさ、すなわち、露光ヘッド３０１２と３０２１により被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域を十分覆う大きさとされている。【０１３３】
図１４は、一例として露光エリア３２２１の光点Ｐ（２５６，１０２４）の位置を検出する際の検出手法を説明した上面図である。
まず、第２５６行目第１０２４列目のマイクロミラーを点灯させた状態で、ステージ１４をゆっくり移動させてスリット２８をＹ軸方向に沿って相対移動させ、光点Ｐ（２５６，１０２４）が上流側のスリット２８ａと下流側のスリット２８ｂの間に来るような任意の位置に、スリット２８を位置させる。このときのスリット２８ａとスリット２８ｂとの交点の座標を（Ｘ０，Ｙ０）とする。この座標（Ｘ０，Ｙ０）の値は、ステージ１４に与えられた駆動信号が示す上記の位置までのステージ１４の移動距離、及び、既知であるスリット２８のＸ方向位置から決定され、記録される。【０１３４】
次に、ステージ１４を移動させ、スリット２８をＹ軸に沿って図１４における右方に相対移動させる。そして、図１４において二点鎖線で示すように、光点Ｐ（２５６，１０２４）の光が左側のスリット２８ｂを通過して光検出器で検出されたところでステージ１４を停止させる。このときのスリット２８ａとスリット２８ｂとの交点の座標（Ｘ０，Ｙ１）を、光点Ｐ（２５６，１０２４）の位置として記録する。【０１３５】
次いで、ステージ１４を反対方向に移動させ、スリット２８をＹ軸に沿って図１４における左方に相対移動させる。そして、図１４において二点鎖線で示すように、光点Ｐ（２５６，１０２４）の光が右側のスリット２８ａを通過して光検出器で検出されたところでステージ１４を停止させる。このときのスリット２８ａとスリット２８ｂとの交点の座標（Ｘ０，Ｙ２）を、光点Ｐ（２５６，１０２４）として記録する。【０１３６】
以上の測定結果から、光点Ｐ（２５６，１０２４）の被露光面における位置を示す座標（Ｘ，Ｙ）を、Ｘ＝Ｘ０＋（Ｙ１−Ｙ２）／２、Ｙ＝（Ｙ１＋Ｙ２）／２の計算により決定する。【０１３７】
−不使用描素部の特定−
図１２の例では、まず、露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，１）の位置を、上記の光点位置検出手段としてスリット２８と光検出器の組により検出する。続いて、露光エリア３２２１の第２５６行目の光点行ｒ（２５６）上の各光点の位置を、Ｐ（２５６，１０２４）、Ｐ（２５６，１０２３）・・・と順番に検出していき、露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，１）よりも大きいＸ座標を示す露光エリア３２２１の光点Ｐ（２５６，ｎ）が検出されたところで、検出動作を終了する。そして、露光エリア３２２１の光点光点列ｃ（ｎ＋１）からｃ（１０２４）を構成する光点に対応するマイクロミラーを、本露光時に使用しないマイクロミラー（不使用描素部）として特定する。
例えば、図１２において、露光エリア３２２１の光点Ｐ（２５６，１０２０）が、露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，１）よりも大きいＸ座標を示し、その露光エリア３２２１の光点Ｐ（２５６，１０２０）が検出されたところで検出動作が終了したとすると、図１５において斜線で覆われた部分７０に相当する露光エリア３２２１の第１０２１行から第１０２４行を構成する光点に対応するマイクロミラーが、本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定される。【０１３８】
次に、Ｎ重露光の数Ｎに対して、露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，Ｎ）の位置が検出される。本実施形態（２）では、Ｎ＝２であるので、光点Ｐ（２５６，２）の位置が検出される。
続いて、露光エリア３２２１の光点列のうち、上記で本露光時に使用しないマイクロミラーに対応する光点列として特定されたものを除き、最も右側の第１０２０列を構成する光点の位置を、Ｐ（１，１０２０）から順番にＰ（１，１０２０）、Ｐ（２，１０２０）・・・と検出していき、露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，２）よりも大きいＸ座標を示す光点Ｐ（ｍ，１０２０）が検出されたところで、検出動作を終了する。
その後、前記光検出器に接続された演算装置において、露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，２）のＸ座標と、露光エリア３２２１の光点Ｐ（ｍ，１０２０）及びＰ（ｍ−１，１０２０）のＸ座標とが比較され、露光エリア３２２１の光点Ｐ（ｍ，１０２０）のＸ座標の方が露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，２）のＸ座標に近い場合は、露光エリア３２２１の光点Ｐ（１，１０２０）からＰ（ｍ−１，１０２０）に対応するマイクロミラーが本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定される。
また、露光エリア３２２１の光点Ｐ（ｍ−１，１０２０）のＸ座標の方が露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，２）のＸ座標に近い場合は、露光エリア３２２１の光点Ｐ（１，１０２０）からＰ（ｍ−２，１０２０）に対応するマイクロミラーが、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定される。
さらに、露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，Ｎ−１）すなわち光点Ｐ（２５６，１）の位置と、露光エリア３２２１の次列である第１０１９列を構成する各光点の位置についても、同様の検出処理及び使用しないマイクロミラーの特定が行われる。【０１３９】
その結果、たとえば、図１５において網掛けで覆われた領域７２を構成する光点に対応するマイクロミラーが、実際の露光時に使用しないマイクロミラーとして追加される。これらのマイクロミラーには、常時、そのマイクロミラーの角度をオフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に使用されない。【０１４０】
このように、実際の露光時に使用しないマイクロミラーを特定し、該使用しないマイクロミラーを除いたものを、実際の露光時に使用するマイクロミラーとして選択することにより、露光エリア３２１２と３２２１の前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な２重露光に対して露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積を最小とすることができ、図１５の下段に示すように、理想的な２重露光に極めて近い均一な露光を実現することができる。【０１４１】
なお、上記の例においては、図１５において網掛けで覆われた領域７２を構成する光点の特定に際し、露光エリア３２１２の光点Ｐ（２５６，２）のＸ座標と、露光エリア３２２１の光点Ｐ（ｍ，１０２０）及びＰ（ｍ−１，１０２０）のＸ座標との比較を行わずに、ただちに、露光エリア３２２１の光点Ｐ（１，１０２０）からＰ（ｍ−２，１０２０）に対応するマイクロミラーを、本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定してもよい。その場合、前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な２重露光に対して露光過多となる領域の面積が最小になり、かつ露光不足となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
また、露光エリア３２２１の光点Ｐ（１，１０２０）からＰ（ｍ−１，１０２０）に対応するマイクロミラーを、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定してもよい。その場合、前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な２重露光に対して露光不足となる領域の面積が最小になり、かつ露光過多となる領域が生じないようなマイクロミラーを、実際に使用するマイクロミラーとして選択することができる。
さらに、前記ヘッド間つなぎ領域において、理想的な２重描画に対して露光過多となる領域の描素単位数（光点数）と、露光不足となる領域の描素単位数（光点数）とが等しくなるように、実際に使用するマイクロミラーを選択することとしてもよい。【０１４２】
以上のように、パターン形成装置１０を用いた本実施形態（２）の使用描素部の指定方法によれば、複数の露光ヘッドのＸ軸方向に関する相対位置のずれに起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的なＮ重露光を実現することができる。【０１４３】
（３）複数露光ヘッド間における使用描素部の指定方法＜２＞
本実施形態（３）では、パターン形成装置１０により、感光材料１２に対して２重露光を行う場合であって、複数の露光ヘッド３０により形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域において、２つの露光ヘッド（一例として露光ヘッド３０１２と３０２１）のＸ軸方向に関する相対位置の理想的な状態からのずれ、並びに各露光ヘッドの取付角度誤差、及び２つの露光ヘッド間の相対取付角度誤差に起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的な２重露光を実現するための使用描素部の指定方法を説明する。【０１４４】
各露光ヘッド３０すなわち各ＤＭＤ３６の設定傾斜角度としては、露光ヘッド３０の取付角度誤差等がない理想的な状態であれば、使用可能な１０２４列×２５６行の描素部（マイクロミラー５８）を使用してちょうど２重露光となる角度θidealよりも若干大きい角度を採用するものとする。
この角度θidealは、前記式１〜３を用いて上記（１）の実施形態と同様にして求められる値であり、本実施形態では、上記のとおりｓ＝２５６、Ｎ＝２であるので、角度θidealは約０．４５度である。したがって、設定傾斜角度θとしては、たとえば０．５０度程度の角度を採用するとよい。パターン形成装置１０は、調整可能な範囲内で、各露光ヘッド３０すなわち各ＤＭＤ３６の取付角度がこの設定傾斜角度θに近い角度となるように、初期調整されているものとする。【０１４５】
図１６は、上記のように各露光ヘッド３０すなわち各ＤＭＤ３６の取付角度が初期調整されたパターン形成装置１０において、２つの露光ヘッド（一例として露光ヘッド３０１２と３０２１）の取付角度誤差、並びに各露光ヘッド３０１２と３０２１間の相対取付角度誤差及び相対位置のずれの影響により、被露光面上のパターンに生じるむらの例を示した説明図である。【０１４６】
図１６の例では、図１２の例と同様の、Ｘ軸方向に関する露光ヘッド３０１２と３０２１の相対位置のずれの結果として、一列おきの光点群（画素列群Ａ及びＢ）による露光パターンの双方で、露光エリア３２１２と３２２１の被露光面上の前記露光ヘッドの走査方向と直交する座標軸上で重複する露光領域において、理想的な２重露光の状態よりも露光量過多な領域７４が生じ、これが濃度むらを引き起こしている。
さらに、図１６の例では、各露光ヘッドの設定傾斜角度θを前記式（１）を満たす角度θidealよりも若干大きくしたことによる結果、及び各露光ヘッドの取付角度の微調整が困難であるために、実際の取付角度が上記の設定傾斜角度θからずれてしまったことの結果として、被露光面上の前記露光ヘッドの走査方向と直交する座標軸上で重複する露光領域以外の領域でも、一列おきの光点群（画素列群Ａ及びＢ）による露光パターンの双方で、複数の描素部列により形成された、被露光面上の重複露光領域である描素部列間つなぎ領域において、理想的な２重露光の状態よりも露光過多となる領域７６が生じ、これがさらなる濃度むらを引き起こしている。【０１４７】
本実施形態（３）では、まず、各露光ヘッド３０１２と３０２１の取付角度誤差及び相対取付角度のずれの影響による濃度むらを軽減するための使用画素選択処理を行う。
具体的には、前記光点位置検出手段としてスリット２８及び光検出器の組を用い、露光ヘッド３０１２と３０２１のそれぞれについて、実傾斜角度θ´を特定し、該実傾斜角度θ´に基づき、前記描素部選択手段として光検出器に接続された演算装置を用いて、実際の露光に使用するマイクロミラーを選択する処理を行うものとする。【０１４８】
−実傾斜角度θ´の特定−
実傾斜角度θ´の特定は、露光ヘッド３０１２ついては露光エリア３２１２内の光点Ｐ（１，１）とＰ（２５６，１）の位置を、露光ヘッド３０２１については露光エリア３２２１内の光点Ｐ（１，１０２４）とＰ（２５６，１０２４）の位置を、それぞれ上述した実施形態（２）で用いたスリット２８と光検出器の組により検出し、それらを結ぶ直線の傾斜角度と、露光ヘッドの走査方向とがなす角度を測定することにより行われる。【０１４９】
−不使用描素部の特定−
そのようにして特定された実傾斜角度θ´を用いて、光検出器に接続された演算装置は、上述した実施形態（１）における演算装置と同様、下記式４
ｔtanθ´＝Ｎ（式４）
の関係を満たす値ｔに最も近い自然数Ｔを、露光ヘッド３０１２と３０２１のそれぞれについて導出し、ＤＭＤ３６上の第（Ｔ＋１）行目から第２５６行目のマイクロミラーを、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定する処理を行う。
例えば、露光ヘッド３０１２についてはＴ＝２５４、露光ヘッド３０２１についてはＴ＝２５５が導出されたとすると、図１７において斜線で覆われた部分７８及び８０を構成する光点に対応するマイクロミラーが、本露光に使用しないマイクロミラーとして特定される。これにより、露光エリア３２１２と３２２１のうちヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な２重露光に対して露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積を最小とすることができる。【０１５０】
ここで、上記の値ｔに最も近い自然数を導出することに代えて、値ｔ以上の最小の自然数を導出することとしてもよい。その場合、露光エリア３２１２と３２２１の、複数の露光ヘッドにより形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な２重露光に対して露光量過多となる面積が最小になり、かつ露光量不足となる面積が生じないようになすことができる。
あるいは、値ｔ以下の最大の自然数を導出することとしてもよい。その場合、露光エリア３２１２と３２２１の、複数の露光ヘッドにより形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な２重露光に対して露光不足となる領域の面積が最小になり、かつ露光過多となる領域が生じないようになすことができる。
複数の露光ヘッドにより形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な２重露光に対して、露光過多となる領域の描素単位数（光点数）と、露光不足となる領域の描素単位数（光点数）とが等しくなるように、本露光時に使用しないマイクロミラーを特定することとしてもよい。【０１５１】
その後、図１７において斜線で覆われた領域７８及び８０を構成する光点以外の光点に対応するマイクロミラーに関して、図１２から図１５を用いて説明した本実施形態（３）と同様の処理がなされ、図１７において斜線で覆われた領域８２及び網掛けで覆われた領域８４を構成する光点に対応するマイクロミラーが特定され、本露光時に使用しないマイクロミラーとして追加される。
これらの露光時に使用しないものとして特定されたマイクロミラーに対して、前記描素部素制御手段により、常時オフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に関与しない。【０１５２】
以上のように、パターン形成装置１０を用いた本実施形態（３）の使用描素部の指定方法によれば、複数の露光ヘッドのＸ軸方向に関する相対位置のずれ、並びに各露光ヘッドの取付角度誤差、及び露光ヘッド間の相対取付角度誤差に起因する解像度のばらつきと濃度むらとを軽減し、理想的なＮ重露光を実現することができる。【０１５３】
以上、パターン形成装置１０による使用描素部指定方法ついて詳細に説明したが、上記実施形態（１）〜（３）は一例に過ぎず、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変更が可能である。【０１５４】
また、上記の実施形態（１）〜（３）では、被露光面上の光点の位置を検出するための手段として、スリット２８と単一セル型の光検出器の組を用いたが、これに限られずいかなる形態のものを用いてもよく、たとえば２次元検出器等を用いてもよい。【０１５５】
さらに、上記の実施形態（１）〜（３）では、スリット２８と光検出器の組による被露光面上の光点の位置検出結果から実傾斜角度θ´を求め、その実傾斜角度θ´に基づいて使用するマイクロミラーを選択したが、実傾斜角度θ´の導出を介さずに使用可能なマイクロミラーを選択する形態としてもよい。さらには、たとえばすべての使用可能なマイクロミラーを用いた参照露光を行い、参照露光結果の目視による解像度や濃度のむらの確認等により、操作者が使用するマイクロミラーを手動で指定する形態も、本発明の範囲に含まれるものである。【０１５６】
なお、被露光面上に生じ得るパターン歪みには、上記の例で説明した角度歪みの他にも、種々の形態が存在する。
一例としては、図１８Ａに示すように、ＤＭＤ３６上の各マイクロミラー５８からの光線が、異なる倍率で露光面上の露光エリア３２に到達してしまう倍率歪みの形態がある。
また、別の例として、図１８Ｂに示すように、ＤＭＤ３６上の各マイクロミラー５８からの光線が、異なるビーム径で被露光面上の露光エリア３２に到達してしまうビーム径歪みの形態もある。これらの倍率歪み及びビーム径歪みは、主として、ＤＭＤ３６と被露光面間の光学系の各種収差やアラインメントずれに起因して生じる。
さらに別の例として、ＤＭＤ３６上の各マイクロミラー５８からの光線が、異なる光量で被露光面上の露光エリア３２に到達してしまう光量歪みの形態もある。この光量歪みは、各種収差やアラインメントずれのほか、ＤＭＤ３６と被露光面間の光学要素（たとえば１枚レンズである図５Ａ及び図５Ｂのレンズ５２及び５４）の透過率の位置依存性や、ＤＭＤ３６自体による光量むらに起因して生じる。これらの形態のパターン歪みも、被露光面上に形成されるパターンに解像度や濃度のむらを生じさせる。【０１５７】
上記の実施形態（１）〜（３）によれば、本露光に実際に使用するマイクロミラーを選択した後の、これらの形態のパターン歪みの残留要素も、上記の角度歪みの残留要素と同様、多重露光による埋め合わせの効果で均すことができ、解像度や濃度のむらを、各露光ヘッドの露光領域全体にわたって軽減することができる。【０１５８】
＜＜参照露光＞＞
上記の実施形態（１）〜（３）の変更例として、使用可能なマイクロミラーのうち、（Ｎ−１）列おきのマイクロミラー列、又は全光点行のうち１／Ｎ行に相当する隣接する行を構成するマイクロミラー群のみを使用して参照露光を行い、均一な露光を実現できるように、前記参照露光に使用されたマイクロミラー中、実際の露光時に使用しないマイクロミラーを特定することとしてもよい。
前記参照露光手段による参照露光の結果をサンプル出力し、該出力された参照露光結果に対し、解像度のばらつきや濃度のむらを確認し、実傾斜角度を推定するなどの分析を行う。前記参照露光の結果の分析は、操作者の目視による分析であってもよい。【０１５９】
図１９Ａ及び図１９Ｂは、単一露光ヘッドを用い、（Ｎ−１）列おきのマイクロミラーのみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は２重露光とするものとし、したがってＮ＝２である。まず、図１９Ａに実線で示した奇数列の光点列に対応するマイクロミラーのみを使用して参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記サンプル出力された参照露光結果に基づき、解像度のばらつきや濃度のむらを確認したり、実傾斜角度を推定したりすることで、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図１９Ｂに斜線で覆って示す光点列に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、奇数列の光点列を構成するマイクロミラー中、本露光において実際に使用されるものとして指定される。偶数列の光点列については、別途同様に参照露光を行って、本露光時に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、奇数列の光点列に対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に使用するマイクロミラーを指定することにより、奇数列及び偶数列双方のマイクロミラーを使用した本露光においては、理想的な２重露光に近い状態が実現できる。【０１６０】
図２０は、複数の露光ヘッドを用い、（Ｎ−１）列おきのマイクロミラーのみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は２重露光とするものとし、したがってＮ＝２である。まず、図２０に実線で示した、Ｘ軸方向に関して隣接する２つの露光ヘッド（一例として露光ヘッド３０１２と３０２１）の奇数列の光点列に対応するマイクロミラーのみを使用して、参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記出力された参照露光結果に基づき、２つの露光ヘッドにより被露光面上に形成されるヘッド間つなぎ領域以外の領域における解像度のばらつきや濃度のむらを確認したり、実傾斜角度を推定したりすることで、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図２０に斜線で覆って示す領域８６及び網掛けで示す領域８８内の光点列に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、奇数列の光点を構成するマイクロミラー中、本露光時において実際に使用されるものとして指定される。偶数列の光点列については、別途同様に参照露光を行って、本露光時に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、奇数列目の画素列に対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に実際に使用するマイクロミラーを指定することにより、奇数列及び偶数列双方のマイクロミラーを使用した本露光においては、２つの露光ヘッドにより被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域以外の領域において、理想的な２重露光に近い状態が実現できる。【０１６１】
図２１Ａ及び図２１Ｂは、単一露光ヘッドを用い、全光点行数の１／Ｎ行に相当する隣接する行を構成するマイクロミラー群のみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は２重露光とするものとし、したがってＮ＝２である。まず、図２１Ａに実線で示した１行目から１２８（＝２５６／２）行目の光点に対応するマイクロミラーのみを使用して参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記サンプル出力された参照露光結果に基づき、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図２１Ｂに斜線で覆って示す光点群に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、第１行目から第１２８行目のマイクロミラー中、本露光時において実際に使用されるものとして指定され得る。第１２９行目から第２５６行目のマイクロミラーについては、別途同様に参照露光を行って、本露光時に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、第１行目から第１２８行目のマイクロミラーに対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に使用するマイクロミラーを指定することにより、全体のマイクロミラーを使用した本露光においては、理想的な２重露光に近い状態が実現できる。【０１６２】
図２２は、複数の露光ヘッドを用い、Ｘ軸方向に関して隣接する２つの露光ヘッド（一例として露光ヘッド３０１２と３０２１）について、それぞれ全光点行数の１／Ｎ行に相当する隣接する行を構成するマイクロミラー群のみを使用して参照露光を行う形態の一例を示した説明図である。
この例では、本露光時は２重露光とするものとし、したがってＮ＝２である。まず、図２２に実線で示した第１行目から第１２８（＝２５６／２）行目の光点に対応するマイクロミラーのみを使用して、参照露光を行い、参照露光結果をサンプル出力する。前記サンプル出力された参照露光結果に基づき、２つの露光ヘッドにより被露光面上に形成されるヘッド間つなぎ領域以外の領域における解像度のばらつきや濃度のむらを最小限に抑えた本露光が実現できるように、本露光時において使用するマイクロミラーを指定することができる。
例えば、図２２に斜線で覆って示す領域９０及び網掛けで示す領域９２内の光点列に対応するマイクロミラー以外のマイクロミラーが、第１行目から第１２８行目のマイクロミラー中、本露光時において実際に使用されるものとして指定される。第１２９行目から第２５６行目のマイクロミラーについては、別途同様に参照露光を行って、本露光に使用するマイクロミラーを指定してもよいし、第１行目から第１２８行目のマイクロミラーに対するパターンと同一のパターンを適用してもよい。
このようにして本露光時に使用するマイクロミラーを指定することにより、２つの露光ヘッドにより被露光面上に形成される前記ヘッド間つなぎ領域以外の領域において理想的な２重露光に近い状態が実現できる。【０１６３】
以上の実施形態（１）〜（３）及び変更例においては、いずれも本露光を２重露光とする場合について説明したが、これに限定されず、２重露光以上のいかなる多重露光としてもよい。特に３重露光から７重露光程度とすることにより、高解像度を確保し、解像度のばらつき及び濃度むらが軽減された露光を実現することができる。【０１６４】
また、上記の実施形態及び変更例に係る露光装置には、さらに、画像データが表す２次元パターンの所定部分の寸法が、選択された使用画素により実現できる対応部分の寸法と一致するように、画像データを変換する機構が設けられていることが好ましい。そのように画像データを変換することによって、所望の２次元パターンどおりの高精細なパターンを被露光面上に形成することができる。【０１６５】
[現像工程]
前記現像工程は、前記露光工程により前記パターン形成材料における感光層を露光し、該感光層の露光した領域を硬化させた後、未硬化領域を除去することにより現像し、パターンを形成する工程である。【０１６６】
前記現像工程は、例えば、現像手段により好適に実施することができる。
前記現像手段としては、現像液を用いて現像することができる限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記現像液を噴霧する手段、前記現像液を塗布する手段、前記現像液に浸漬させる手段などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
また、前記現像手段は、前記現像液を交換する現像液交換手段、前記現像液を供給する現像液供給手段などを有していてもよい。【０１６７】
前記現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、アルカリ性液、水系現像液、有機溶剤などが挙げられ、これらの中でも、弱アルカリ性の水溶液が好ましい。該弱アルカリ性液の塩基成分としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム、硼砂などが挙げられる。【０１６８】
前記弱アルカリ性の水溶液のｐＨとしては、例えば、約８〜１２が好ましく、約９〜１１がより好ましい。前記弱アルカリ性の水溶液としては、例えば、０．１〜５質量％の炭酸ナトリウム水溶液又は炭酸カリウム水溶液などが挙げられる。
前記現像液の温度としては、前記感光層の現像性に合わせて適宜選択することができるが、例えば、約２５℃〜４０℃が好ましい。【０１６９】
前記現像液は、界面活性剤、消泡剤、有機塩基（例えば、エチレンジアミン、エタノールアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、ジエチレントリアミン、トリエチレンペンタミン、モルホリン、トリエタノールアミン等）や、現像を促進させるため有機溶剤（例えば、アルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル類、アミド類、ラクトン類等）などと併用してもよい。また、前記現像液は、水又はアルカリ水溶液と有機溶剤を混合した水系現像液であってもよく、有機溶剤単独であってもよい。【０１７０】
[エッチング工程]
前記エッチング工程としては、公知のエッチング処理方法の中から適宜選択した方法により行うことができる。【０１７１】
前記エッチング処理に用いられるエッチング液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記金属層が銅で形成されている場合には、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、アルカリエッチング溶液、過酸化水素系エッチング液などが挙げられ、これらの中でも、エッチングファクターの点から塩化第二鉄溶液が好ましい。
前記エッチング工程によりエッチング処理した後に前記パターンを剥離片として除去することにより、前記基体の表面に永久パターンを形成することができる。
前記永久パターンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、配線パターンなどが好適に挙げられる。【０１７２】
〔レジスト剥離工程〕
前記レジスト剥離工程としては、前記パターンを剥離処理した後、剥離片として除去する工程である限り、特に制限はなく、公知のレジスト剥離処理方法の中から適宜選択した方法により行うことができる。
本発明の感光性樹脂組成物からなる感光層は、前記レジスト剥離工程において生じる剥離片が極めて微細であり、剥離不良などを防止でき、該剥離片による装置の汚染を防止できる。【０１７３】
前記レジスト剥離処理に用いられる剥離液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、１〜１０質量％の水酸化ナトリウム水溶液、１〜１０質量％水酸化カリウム水溶液等の無機アルカリ水溶液や、１〜２０質量％アミン系有機アルカリ水溶液などが挙げられ、これらの中でも、１〜１０質量％の無機アルカリ水溶液が好ましい。【０１７４】
前記レジスト剥離工程により生じる剥離片としては、該剥離片における最大の辺の長さが５ｃｍ以下であることが好ましい。前記剥離片の最大の辺の長さが、５ｃｍを超えると、剥離不良を生じたり、装置の搬送系に支障をきたして搬送不良の原因となることがある。【０１７５】
〔プリント配線板の製造方法〕
本発明のパターン形成方法は、プリント配線板の製造、特にスルーホール又はビアホールなどのホール部を有するプリント配線板の製造に好適に使用することができる。以下、本発明のパターン形成方法を利用したプリント配線板の製造方法の一例について説明する。【０１７６】
−プリント配線板の製造方法−
スルーホール又はビアホールなどのホール部を有するプリント配線板の製造方法としては、（１）前記基体としてホール部を有するプリント配線板形成用基板上に、前記感光性転写フィルムを、その感光層が前記基体側となる位置関係にて積層して積層体を形成し、（２）前記積層体の前記基体とは反対の側から、所望の領域に光照射を行い感光層を硬化させ、（３）前記積層体から前記感光性転写フィルムにおける支持体、クッション層及びバリア層を除去し、（４）前記積層体における感光層を現像して、該積層体中の未硬化部分を除去することによりパターンを形成することができる。【０１７７】
その後、プリント配線板を得るには、前記形成したパターンを用いて、前記プリント配線板形成用基板をエッチング処理又はメッキ処理する方法（例えば、公知のサブトラクティブ法又はアディティブ法（例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法））により処理すればよい。これらの中でも、工業的に有利なテンティングでプリント配線板を形成するためには、前記サブトラクティブ法が好ましい。前記処理後プリント配線板形成用基板に残存する硬化樹脂は剥離させ、また、前記セミアディティブ法の場合は、剥離後さらに銅薄膜部をエッチングすることにより、所望のプリント配線板を製造することができる。また、多層プリント配線板も、前記プリント配線板の製造法と同様に製造が可能である。【０１７８】
次に、前記感光性転写フィルムを用いたスルーホールを有するプリント配線板の製造方法について、更に説明する。【０１７９】
まずスルーホールを有し、表面が金属メッキ層で覆われたプリント配線板形成用基板を用意する。前記プリント配線板形成用基板としては、例えば、銅張積層基板及びガラス−エポキシなどの絶縁基材に銅メッキ層を形成した基板、又はこれらの基板に層間絶縁膜を積層し、銅メッキ層を形成した基板（積層基板）を用いることができる。【０１８０】
次に、前記感光性転写フィルム上に保護フィルムを有する場合には、該保護フィルムを剥離して、前記感光性転写フィルムにおける感光層が前記プリント配線板形成用基板の表面に接するようにして加圧ローラを用いて圧着する（積層工程）。これにより、前記プリント配線板形成用基板と前記積層体とをこの順に有する積層体が得られる。
前記感光性転写フィルムの積層温度としては、特に制限はなく、例えば、室温（１５〜３０℃）、又は加熱下（３０〜１８０℃）が挙げられ、これらの中でも、加温下（６０〜１４０℃）が好ましい。
前記圧着ロールのロール圧としては、特に制限はなく、例えば、０．１〜１ＭＰａが好ましい。
前記圧着の速度としては、特に制限はなく、１〜３ｍ／分が好ましい。
また、前記プリント配線板形成用基板を予備加熱しておいてもよく、また、減圧下で積層してもよい。【０１８１】
前記積層体の形成は、前記プリント配線板形成用基板上に前記感光性転写フィルムを積層してもよく、また、前記感光性転写フィルム製造用の感光性樹脂組成物溶液などを前記プリント配線板形成用基板の表面に直接塗布し、乾燥させることにより前記プリント配線板形成用基板上に感光層、バリア層、クッション層及び支持体を積層してもよい。【０１８２】
次に、前記積層体の基体とは反対側の面から、光を照射して感光層を硬化させる。該露光を行った後、前記積層体から前記支持体を剥離する（剥離工程）。【０１８３】
次に、前記プリント配線板形成用基板上の感光層の未硬化領域を、適当な現像液にて溶解除去して、配線パターン形成用の硬化層とスルーホールの金属層保護用硬化層のパターンを形成し、前記プリント配線板形成用基板の表面に金属層を露出させる（現像工程）。【０１８４】
また、現像後に必要に応じて後加熱処理や後露光処理によって、硬化部の硬化反応を更に促進させる処理をおこなってもよい。現像は上記のようなウエット現像法であってもよく、ドライ現像法であってもよい。【０１８５】
次いで、前記プリント配線板形成用基板の表面に露出した金属層をエッチング液で溶解除去する（エッチング工程）。スルーホールの開口部は、硬化樹脂組成物（テント膜）で覆われているので、エッチング液がスルーホール内に入り込んでスルーホール内の金属メッキを腐食することなく、スルーホールの金属メッキは所定の形状で残ることになる。これにより、前記プリント配線板形成用基板に配線パターンが形成される。【０１８６】
前記エッチング液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記金属層が銅で形成されている場合には、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、アルカリエッチング溶液、過酸化水素系エッチング液などが挙げられ、これらの中でも、エッチングファクターの点から塩化第二鉄溶液が好ましい。【０１８７】
次に、強アルカリ水溶液などにて前記硬化層を剥離片として、前記プリント配線板形成用基板から除去する（レジスト剥離工程）。前記レジスト剥離工程において剥離片が生じるが、本発明の感光性樹脂組成物からなる感光層により形成されたパターンの剥離片は極めて微小であるため、剥離不良がなく、該剥離片による装置の汚染を防止できる。【０１８８】
前記強アルカリ水溶液における塩基成分としては、特に制限はなく、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどが挙げられる。
前記強アルカリ水溶液のｐＨとしては、例えば、約１２〜１４が好ましく、約１３〜１４がより好ましい。
前記強アルカリ水溶液としては、特に制限はなく、例えば、１〜１０質量％の水酸化ナトリウム水溶液又は水酸化カリウム水溶液などが挙げられる。【０１８９】
また、プリント配線板は、多層構成のプリント配線板であってもよい。
なお、前記感光性転写フィルムは上記のエッチングプロセスのみでなく、メッキプロセスに使用してもよい。前記メッキ法としては、例えば、硫酸銅メッキ、ピロリン酸銅メッキ等の銅メッキ、ハイフローはんだメッキ等のはんだメッキ、ワット浴（硫酸ニッケル−塩化ニッケル）メッキ、スルファミン酸ニッケル等のニッケルメッキ、ハード金メッキ、ソフト金メッキ等の金メッキなどが挙げられる。【０１９０】
本発明のパターン形成方法は、本発明の感光性転写フィルムを用いるため、各種パターンの形成、配線パターン等の永久パターンの形成、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁等の液晶構造部材の製造、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどの製造に好適に使用することができ、特に高精細な配線パターンの形成に好適に使用することができる。
【実施例】
【０１９１】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【０１９２】
（実施例１）
−感光性転写フィルムの製造−
前記支持体として１６μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに、下記の組成からなる感光性樹脂組成物溶液を塗布し乾燥させて、１５μｍ厚の感光層を形成し、次いで、該感光層の上に、前記保護フィルムとして２０μｍ厚のポリプロピレンフィルムをラミネートで積層し、前記感光性転写フィルムを製造した。【０１９３】
［感光性樹脂組成物溶液の組成］
下記表１に示す組成からなるバインダー（＊）・・・２０質量部
ＢＰＥ５００(新中村化学製)・・・１０質量部
ＵＡＴ１（新中村化学製）・・・１０質量部
Ｎ−メチルアクリドン・・・０．１１質量部
２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミ
ダゾール・・・２．１７質量部
２−メルカプトベンズイミダゾール・・・０．２３質量部
マラカイトグリーンシュウ酸塩・・・０．０２質量部
ロイコクリスタルバイオレット・・・０．２６質量部
メチルエチルケトン・・・４０質量部
１−メトキシ−２−プロパノール・・・２０質量部
＊：共重合体Ａ及び共重合体Ｂを含む。各共重合体の質量平均分子量、質量比、組成を下記表１に示す。【０１９４】
次に、前記基体として、表面を研磨、水洗、乾燥した銅張積層板（スルーホールなし、銅厚み１２μｍ）の表面に、前記感光性転写フィルムの保護フィルムを剥がしながら、該感光性転写フィルムの感光層が前記銅張積層板に接するようにしてラミネーター（ＭＯＤＥＬ８Ｂ−７２０−ＰＨ、大成ラミネーター（株）製）を用いて圧着させ、前記銅張積層板と、前記感光層と、前記ポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）とがこの順に積層された積層体を調製した。
圧着条件は、圧着ロール温度  １０５℃、圧着ロール圧力  ０．３ＭＰａ、ラミネート速度  １ｍ／分とした。
前記積層体における前記感光性転写フィルムの感光層について、溶融粘度、基板上の追従性、未露光膜破れ、現像性、感度、解像度、エッジラフネス、剥離片サイズ、及びテント性を以下の方法により評価した。【０１９５】
＜溶融粘度＞
感光層の面同士のラミネートを繰り返し、厚み１５０±１０μｍとなるようにサンプルを調整後、感光層を２５℃５０％ＲＨの環境で２４時間放置した後、レオメータ（動的粘弾性測定装置）（ＲＥＯＬＯＧＣＡ社製、ＤｙｎＡｌｙｓｅｒＤＡＲ−１００）を用いて、周波数１Ｈｚ、ギャップ１．５ｍｍの条件で測定した。結果を表２に示す。【０１９６】
＜現像性＞
前記積層体から前記支持体を剥がし取り、銅張積層板上の前記感光層の全面に３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液を０．１５ＭＰａの圧力にてスプレーし、炭酸ナトリウム水溶液のスプレー開始から銅張積層板上の感光層が溶解除去されるまでに要した時間を測定し、これを最短現像時間とした。該最短現像時間を、以下の基準により評価した。結果を表３に示す。【０１９７】
−評価基準−
○・・・３０秒以下
△・・・３０秒を越え６０秒以下
×・・・６０秒を超える【０１９８】
＜感度＞
前記調製した積層体における感光性転写フィルムの感光層に対し、前記支持体側から、以下に説明するパターン形成装置を用いて、０．１ｍＪ／ｃｍ２から２１／２倍間隔で１００ｍＪ／ｃｍ２までの光エネルギー量の異なる光を照射して露光し、前記感光層の一部の領域を硬化させた。室温にて１０分間静置した後、前記積層体から前記支持体を剥がし取り、銅張積層板上の感光層の全面に、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液をスプレー圧０．１５ＭＰａにて前記現像性の評価において求めた最短現像時間の２倍の時間スプレーし、未硬化の領域を溶解除去して、残った硬化領域の厚みを測定した。次いで、光の照射量と、硬化層の厚さとの関係をプロットして感度曲線を得た。該感度曲線から、硬化領域の厚みが露光前の感光層と同じ１５μｍとなった時の光エネルギー量を、感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量（感度）とした。結果を表３に示す。【０１９９】
＜＜パターン形成装置＞＞
前記光照射手段として特開２００５−２５８４３１号公報に記載の合波レーザ光源と、前記光変調手段として図６に概略図を示した主走査方向にマイクロミラー５８が１０２４個配列されたマイクロミラー列が、副走査方向に７６８組配列された内、１０２４個×２５６列のみを駆動するように制御したＤＭＤ３６と、図５Ａ及び図５Ｂに示した光を前記感光性転写フィルムに結像する光学系とを有する露光ヘッド３０を備えたパターン形成装置１０を用いた。【０２００】
各露光ヘッド３０すなわち各ＤＭＤ３６の設定傾斜角度としては、使用可能な１０２４列×２５６行のマイクロミラー５８を使用してちょうど２重露光となる角度θidealよりも若干大きい角度を採用した。この角度θidealは、Ｎ重露光の数Ｎ、使用可能なマイクロミラー５８の列方向の個数ｓ、使用可能なマイクロミラー５８の列方向の間隔ｐ、及び露光ヘッド３０を傾斜させた状態においてマイクロミラーによって形成される走査線のピッチδに対し、下記式１、
ｓｐsinθideal≧Ｎδ（式１）
により与えられる。本実施形態におけるＤＭＤ３６は、上記のとおり、縦横の配置間隔が等しい多数のマイクロミラー５８が矩形格子状に配されたものであるので、
ｐcosθideal＝δ（式２）
であり、上記式１は、
ｓtanθideal＝Ｎ（式３）
であり、ｓ＝２５６、Ｎ＝２であるので、角度θidealは約０．４５度である。したがって、設定傾斜角度θとしては、たとえば０．５０度を採用した。【０２０１】
まず、２重露光における解像度のばらつきと露光むらを補正するため、被露光面の露光パターンの状態を調べた。結果を図１６に示した。図１６においては、ステージ１４を静止させた状態で感光性転写フィルム１２の被露光面上に投影される、露光ヘッド３０１２と３０２１が有するＤＭＤ３６の使用可能なマイクロミラー５８からの光点群のパターンを示した。また、下段部分に、上段部分に示したような光点群のパターンが現れている状態でステージ１４を移動させて連続露光を行った際に、被露光面上に形成される露光パターンの状態を、露光エリア３２１２と３２２１について示した。なお、図１６では、説明の便宜のため、使用可能なマイクロミラー５８の１列おきの露光パターンを、画素列群Ａによる露光パターンと画素列群Ｂによる露光パターンとに分けて示したが、実際の被露光面上における露光パターンは、これら２つの露光パターンを重ね合わせたものである。【０２０２】
図１６に示したとおり、露光ヘッド３０１２と３０２１の間の相対位置の、理想的な状態からのずれの結果として、画素列群Ａによる露光パターンと画素列群Ｂによる露光パターンとの双方で、露光エリア３２１２と３２２１の前記露光ヘッドの走査方向と直交する座標軸上で重複する露光領域において、理想的な２重露光の状態よりも露光過多な領域が生じていることが判る。【０２０３】
前記光点位置検出手段としてスリット２８及び光検出器の組を用い、露光ヘッド３０１２ついては露光エリア３２１２内の光点Ｐ（１，１）とＰ（２５６，１）の位置を、露光ヘッド３０２１については露光エリア３２２１内の光点Ｐ（１，１０２４）とＰ（２５６，１０２４）の位置を検出し、それらを結ぶ直線の傾斜角度と、露光ヘッドの走査方向とがなす角度を測定した。【０２０４】
実傾斜角度θ´を用いて、下記式４
ｔtanθ´＝Ｎ（式４）
の関係を満たす値ｔに最も近い自然数Ｔを、露光ヘッド３０１２と３０２１のそれぞれについて導出した。露光ヘッド３０１２についてはＴ＝２５４、露光ヘッド３０２１についてはＴ＝２５５がそれぞれ導出された。その結果、図１７において斜線で覆われた部分７８及び８０を構成するマイクロミラーが、本露光時に使用しないマイクロミラーとして特定された。【０２０５】
その後、図１７において斜線で覆われた領域７８及び８０を構成する光点以外の光点に対応するマイクロミラーに関して、同様にして図１７において斜線で覆われた領域８２及び網掛けで覆われた領域８４を構成する光点に対応するマイクロミラーが特定され、本露光時に使用しないマイクロミラーとして追加された。
これらの露光時に使用しないものとして特定されたマイクロミラーに対して、前記描素部素制御手段により、常時オフ状態の角度に設定する信号が送られ、それらのマイクロミラーは、実質的に露光に関与しないように制御した。
これにより、露光エリア３２１２と３２２１のうち、複数の前記露光ヘッドで形成された被露光面上の重複露光領域であるヘッド間つなぎ領域以外の各領域において、理想的な２重露光に対して露光過多となる領域、及び露光不足となる領域の合計面積を最小とすることができる。【０２０６】
＜解像度＞
前記現像性の評価方法と同じ方法及び条件で前記積層体を作製し、室温（２３℃、５５％ＲＨ）にて１０分間静置した。得られた積層体のポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）上から、前記パターン形成装置を用いて、ライン／スペース＝１／１でライン幅１０μｍ〜５０μｍまで１μｍ刻みで各線幅の露光を行う。この際の露光量は、前記感度の測定で求めた前記感光性転写フィルムの感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量である。室温にて１０分間静置した後、前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）を剥がし取る。銅張積層板上の感光層の全面に３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液をスプレー圧０．１５ＭＰａにて最短現像時間の２倍の時間スプレーし、未硬化領域を溶解除去する。この様にして得られた硬化樹脂パターン付き銅張積層板の表面を光学顕微鏡で観察し、硬化樹脂パターンのラインにツマリ、ヨレ等の異常が無く、かつスペース形成可能な最小のライン幅を測定し、これを解像度とした。該解像度は数値が小さいほど良好である。結果を表３に示す。【０２０７】
＜エッジラフネス＞
前記積層体に、前記パターン形成装置を用いて、前記露光ヘッドの走査方向と直交する方向の横線パターンが形成されるように照射して露光し、前記感光層の一部の領域を前記解像度の測定と同様にしてパターンを形成した。得られたパターンのうち、ライン幅３０μｍのラインの任意の５箇所について、レーザ顕微鏡（ＶＫ−９５００、キーエンス（株）製；対物レンズ５０倍）を用いて観察し、視野内のエッジ位置のうち、最も膨らんだ箇所（山頂部）と、最もくびれた箇所（谷底部）との差を絶対値として求め、観察した５箇所の平均値を算出し、これをエッジラフネスとした。該エッジラフネスは、値が小さい程、良好な性能を示すため好ましい。結果を表３に示す。【０２０８】
＜テント性＞
前記基体として、表面を研磨、水洗、乾燥した銅張積層板（４ｍｍ径のスルーホール１００個、銅厚み１２μｍ）を用いた以外は、前記現像性の評価方法と同じ方法及び条件により積層体を調製した。前記積層体に、前記パターン形成装置を用いて全面露光し、現像を行った。その後、スルーホールの貫通穴上に形成された硬化樹脂パターンの破れの有無を光学顕微鏡で観察した。結果を表３に示す。【０２０９】
＜剥離片サイズ＞
前記解像度の測定において形成したパターンを有する前記積層体を用いて、該積層体における露出した銅張積層板の表面に、塩化鉄エッチャント（塩化第二鉄含有エッチング溶液、４０°ボーメ、液温４０℃）を０．２５ＭＰａで、３６秒スプレーして、硬化層で覆われていない露出した領域の銅層を溶解除去することによりエッチング処理を行った。次いで、前記基体上の硬化樹脂パターンに３質量％の水酸化ナトリウム水溶液（４０℃）をスプレーしてレジスト剥離処理を行い、剥離片を除去した。除去された前記剥離片のサイズを測定し、最大の剥離片について、最も大きな辺の長さを光学顕微鏡により測定した。結果を表３に示す。【０２１０】
＜基板上の追従性＞
前記基体（基板）として、表面を研磨、水洗、乾燥し、ライン／スペース＝１／１で、ライン幅５０μｍ、エッチング深さ８μｍでハーフエッチラインを形成した銅張積層板（銅厚み１６μｍ）上に、前記現像性の評価方法と同じ条件で前記積層体を作製し、得られた積層体のポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）上から、前記パターン形成装置を用いて、前記ハーフエッチラインと垂直に、ライン／スペース＝３０μｍのラインが形成されるように照射して露光し、前記解像度の測定と同様にしてパターンを形成した。次いで、前記剥離片サイズの評価方法と同様にしてエッチング処理を行った後、前記基板の表面を光学顕微鏡により観察し、以下の基準で評価を行なった。結果を表２に示す。
○・・・ハーフエッチ部分もレジストが追従しているためパターンの断線がない
×・・・ハーフエッチ部分のレジスト追従が十分でなくパターンの断線がある【０２１１】
＜未露光膜破れ＞
前記積層体における銅張積層板に対し、前記圧着条件で、感光層を両面にラミネートした以外は前記積層体と同様にして、未露光膜破れの評価用の積層体を調製し、得られた積層体を、室温（２５℃、５０％ＲＨ）にて５日間保管した。この保管後の積層体から、支持体を剥離して、前記穴部分の感光層が剥離して破れた個数をカウントし、未露光膜破れの評価を行った。前記直径１〜６ｍｍの各穴部において、３０穴が全く破れなかった穴部のうちの最大のものの直径を、未露光膜破れの値とした。結果を表２に示す。【０２１２】
（実施例２〜６）
実施例１において、バインダーの共重合体Ａ及び共重合体Ｂを、表１に示す組成及び質量比とした以外は実施例１と同様にして、溶融粘度、基板上の追従性、未露光膜破れ、現像性、感度、解像度、エッジラフネス、剥離片サイズ、及びテント性を評価した。結果を表２及び表３に示す。【０２１３】
（実施例７）
実施例１において、前記露光装置を、光源として超高圧水銀灯を備えた露光装置に代え、フォトマスクを用いて露光を行った以外は、実施例１と同様にして、溶融粘度、基板上の追従性、未露光膜破れ、現像性、感度、解像度、エッジラフネス、剥離片サイズ、及びテント性を評価した。結果を表２及び表３に示す。【０２１４】
（実施例８）
実施例１のパターン形成装置において、前記式３に基づきＮ＝１として設定傾斜角度θを算出し、前記式４に基づきｔtanθ´＝１の関係を満たす値ｔに最も近い自然数Ｔを導出し、Ｎ重露光（Ｎ＝１）を行ったこと以外は、実施例１と同様にして、溶融粘度、基板上の追従性、未露光膜破れ、現像性、感度、解像度、エッジラフネス、剥離片サイズ、及びテント性を評価した。結果を表２及び表３に示す。
なお、最短現像時間は１０秒であり、感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量は３ｍＪ／ｃｍ２であった。【０２１５】
（比較例１〜５）
実施例１において、バインダーの共重合体Ａ及び共重合体Ｂを、表１に示す組成とした以外は実施例１と同様にして、溶融粘度、基板上の追従性、未露光膜破れ、現像性、感度、解像度、エッジラフネス、剥離片サイズ、及びテント性を評価した。結果を表２及び表３に示す。【０２１６】
【表１】
2007080698.tif 000005
ＡＡ：アクリル酸
Ｓｔ：スチレン
ＭＡＡ：メタクリル酸
ＭＭＡ：メチルメタクリレート
ＥＨＴ：２−エチルヘキシルアクリレート
ＢｚＭＡ：ベンジルメタクリレート【０２１７】
【表２】
2007080698.tif 000006
【０２１８】
【表３】
2007080698.tif 000007
【０２１９】
表２及び表３の結果から、溶融粘度が、５０℃で４０，０００〜１２０，０００Ｐａ・ｓであり、７０℃で５，０００〜２０，０００Ｐａ・ｓである実施例１〜８では、基板上の追従性が良好であることが判った。特に、共重合体Ａと共重合体Ｂとの質量比が、Ａ／Ｂ＝１０／９０〜４０／６０である実施例１及び実施例４〜８では、未露光膜破れも少ないことが判った。
また、本発明の感光性樹脂組成物から感光層を形成した実施例１〜８は、比較例１〜５と比較して、エッチング剥離片が小さく、現像性にも優れることが判った。
更に、２重露光における解像度のばらつきと露光むらを補正した実施例１〜６の配線パターンは高精細であり、エッジラフネスも小さく、また、エッチング性に優れることが判った。【０２２０】
（実施例９）
感光性樹脂組成物溶液の組成を下記のように変えた以外は、実施例１と同様にして感光性転写フィルムを製造し、積層体を調製した。
前記積層体における前記感光性転写フィルムの感光層について、実施例１と同様にして、溶融粘度、基板上の追従性、未露光膜破れ、現像性、感度、解像度、エッジラフネス、剥離片サイズ、及びテント性を評価した。これらの結果を表６及び表７に示す。【０２２１】
［感光性樹脂組成物溶液の組成］
下記表４に示す組成からなるバインダー（＊）・・・１３９．６質量部
下記構造式（１）で表される化合物(第一工業製薬製、ニューフロンティア  ＢＰＥＭ−１０Ｆ)・・・３９．７質量部
下記構造式（２）で表される化合物(第一工業製薬製、ニューフロンティア  ＧＸ８７０２Ｃ)・・・３５．７質量部
下記構造式（３）で表される化合物（東亞合成製、アロニックス  Ｍ２７０）・・・４．２質量部
下記構造式（４）で表される化合物（新中村化学製、ＮＫエステル  ４Ｇ）・・・２６．５質量部
下記構造式（５）で表される化合物（新中村化学製、ＮＫエステル  ２３Ｇ）・・・５．６質量部
２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミ
ダゾール・・・１８．５質量部
Ｎ−ブチル−クロロアクリドン・・・０．９９質量部
フェノキサジン・・・０．０３質量部
ロイコクリスタルバイオレット・・・１．１０質量部
ビクトリアピュアブルー−ナフタレンスルホン酸塩・・・０．１９質量部
下記構造式（６）で表される化合物・・・０．３７質量部
メチルエチルケトン・・・２４８．８質量部
テトラヒドロフラン・・・７２．７質量部
１−メトキシ−２−プロパノール・・・４０６質量部
＊：共重合体Ａ及び共重合体Ｂを含む。各共重合体の質量平均分子量、質量比、組成を下記表４に示す。【０２２２】
【化４】
2007080698.tif 000008
ただし、前記構造式（１）中、ｍ＋ｎは１０を表す。
【化５】
2007080698.tif 000009
ただし、前記構造式（２）中、ｍ＋ｎは２０を表す。
【化６】
2007080698.tif 000010
ただし、前記構造式（３）中、ｎは１２を表す。
【化７】
2007080698.tif 000011
【化８】
2007080698.tif 000012
【化９】
2007080698.tif 000013
【０２２３】
（実施例１０〜１４及び比較例６〜９）
実施例９において、バインダーの共重合体Ａ及び共重合体Ｂを、表４に示す組成及び質量比とした以外は実施例９と同様にして、溶融粘度、基板上の追従性、未露光膜破れ、現像性、感度、解像度、エッジラフネス、剥離片サイズ、及びテント性を評価した。結果を表６及び表７に示す。【０２２４】
（実施例１５）
実施例９において、質量平均分子量が２０，０００のバインダーの共重合体Ｃを、表５に示す組成及び質量比で更に用いた以外は実施例９と同様にして、溶融粘度、基板上の追従性、未露光膜破れ、現像性、感度、解像度、エッジラフネス、剥離片サイズ、及びテント性を評価した。結果を表６及び表７に示す。【０２２５】
（実施例１６及び実施例１８）
実施例９において、バインダーの共重合体Ａ及び共重合体Ｂを、表５に示す組成及び質量比とした以外は実施例９と同様にして、溶融粘度、基板上の追従性、未露光膜破れ、現像性、感度、解像度、エッジラフネス、剥離片サイズ、及びテント性を評価した。結果を表６及び表７に示す。【０２２６】
（実施例１７）
実施例９において、構造式（３）で表される化合物、構造式（４）で表される化合物、及び構造式（５）で表される化合物を用いない代わりに、構造式（２）で表される化合物を７２質量部用いた以外は実施例９と同様にして、溶融粘度、基板上の追従性、未露光膜破れ、現像性、感度、解像度、エッジラフネス、剥離片サイズ、及びテント性を評価した。結果を表６及び表７に示す。【０２２７】
【表４】
2007080698.tif 000014
ＡＡ：アクリル酸
Ｓｔ：スチレン
ＭＡＡ：メタクリル酸
ＭＭＡ：メチルメタクリレート【０２２８】
【表５】
2007080698.tif 000015
ＡＡ：アクリル酸
Ｓｔ：スチレン
ＭＡＡ：メタクリル酸
ＭＭＡ：メチルメタクリレート
ＢｚＭＡ：ベンジルメタクリレート【０２２９】
【表６】
2007080698.tif 000016
【０２３０】
【表７】
2007080698.tif 000017
表６及び表７の結果から、溶融粘度が、５０℃で４０，０００〜１２０，０００Ｐａ・ｓであり、７０℃で５，０００〜２０，０００Ｐａ・ｓである実施例９〜１８では、基板上の追従性が良好であり、感度及び解像度にも優れることが判った。特に、共重合体Ａと共重合体Ｂとの質量比が、Ａ／Ｂ＝１０／９０〜４０／６０であり、共重合体Ｃを用いていない実施例９、実施例１２〜１４、及び実施例１６〜１８では、未露光膜破れも少ないことが判った。
また、本発明の感光性樹脂組成物から感光層を形成した実施例９〜１８は、比較例６〜９と比較して、エッチング剥離片が小さく、現像性にも優れることが判った。
【産業上の利用可能性】
【０２３１】
本発明の感光性樹脂組成物は、基板上でのレジストの追従性が良好であり、かつ、優れた現像性と、エッチング時の剥離片の微細化とを両立可能な感光層を形成可能であるため、該感光性樹脂組成物により形成された感光層を有する感光性転写フィルムは、高精細な各種パターンの形成などに好適に使用することができ、特に高精細な永久パターンの形成に好適に使用することができる。
【図１】
2007080698.tif 000018
【図２】
2007080698.tif 000019
【図３Ａ】
2007080698.tif 000020
【図３Ｂ】
2007080698.tif 000021
【図４】
2007080698.tif 000022
【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
2007080698.tif 000024
【図６】
2007080698.tif 000025
【図７Ａ】
2007080698.tif 000026
【図７Ｂ】
2007080698.tif 000027
【図８】
2007080698.tif 000028
【図９】
2007080698.tif 000029
【図１０】
2007080698.tif 000030
【図１１】
2007080698.tif 000031
【図１２】
2007080698.tif 000032
【図１３】
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【図１４】
2007080698.tif 000034
【図１５】
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【図１６】
2007080698.tif 000036
【図１７】
2007080698.tif 000037
【図１８Ａ】
2007080698.tif 000038
【図１８Ｂ】
2007080698.tif 000039
【図１９Ａ】
2007080698.tif 000040
【図１９Ｂ】
2007080698.tif 000041
【図２０】
2007080698.tif 000042
【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２２】
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【国際調査報告】
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