Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月10日(2019.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法、電子機器の作製方法、半導体装置、及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の酸化物層を成膜し、
前記第１の酸化物層を選択的に加工して第２の酸化物層を形成し、
前記第２の酸化物層上に第１の絶縁層を成膜し、
前記第１の絶縁層上に第１の犠牲層を成膜し、
前記第１の絶縁層および前記第１の犠牲層を選択的に加工して第２の絶縁層および第２の犠牲層を形成し、
前記第２の酸化物層、前記第２の絶縁層および前記第２の犠牲層上に導電層を成膜し、
前記導電層を成膜した後に加熱処理を行うことにより、前記第２の酸化物層において、前記導電層と接する領域に第１の混合層を形成し、前記第２の犠牲層において、前記導電層と接する領域に第２の混合層を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の混合層は、前記導電層の有する元素のうち一以上を有し、
前記第２の混合層は、前記導電層の有する元素のうち一以上を有し、
前記導電層は、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、ニッケル、コバルトまたは白金のいずれか一以上を有し、
前記第１の混合層の抵抗値は、前記第２の酸化物層の抵抗値より小さく、
前記第２の犠牲層および前記第２の混合層は、ゲート電極として機能する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の酸化物層を成膜し、
前記第１の酸化物層を選択的に加工して第２の酸化物層を形成し、
前記第２の酸化物層上に第１の絶縁層を成膜し、
前記第１の絶縁層上に第１の犠牲層を成膜し、
前記第１の絶縁層および前記第１の犠牲層を選択的に加工して第２の絶縁層および第２の犠牲層を形成し、
前記第２の酸化物層、前記第２の絶縁層および前記第２の犠牲層上に第１の導電層を成膜し、
前記第１の導電層を成膜した後に加熱処理を行うことにより、前記第２の酸化物層において、前記第１の導電層と接する領域に混合層を形成し、
前記混合層および前記第２の犠牲層上に第３の絶縁層を成膜し、
前記第３の絶縁層の一部を除去して前記第２の犠牲層の上面を露出させ、
前記第２の犠牲層を除去し、
前記第２の絶縁層上に第２の導電層を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記混合層は、前記第１の導電層の有する元素のうち一以上を有し、
前記第１の導電層は、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、ニッケル、コバルトまたは白金のいずれか一以上を有し、
前記混合層の抵抗値は、前記第２の酸化物層の抵抗値より小さい半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の酸化物層を成膜し、
前記第１の酸化物層を選択的に加工して第２の酸化物層を形成し、
前記第２の酸化物層上に第１の導電層を成膜し、
前記第１の導電層を成膜した後に加熱処理を行うことにより、前記第２の酸化物層において、前記第１の導電層と接する領域に混合層を形成し、
前記混合層上に第１の絶縁層を成膜し、
前記第１の絶縁層、前記混合層および前記第２の酸化物層の一部を除去して第３の酸化物層を形成し、
前記第３の酸化物層上に第２の絶縁層を成膜し、
前記第２の絶縁層上に第２の導電層を成膜する半導体装置の作製方法であって、
前記混合層は、前記第１の導電層の有する元素のうち一以上を有し、
前記第１の導電層は、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、ニッケル、コバルトまたは白金のいずれか一以上を有し、
前記混合層の抵抗値は、前記第２の酸化物層の抵抗値より小さい半導体装置の作製方法。
【請求項４】
電子機器の作製方法であって、
前記電子機器は、半導体装置と、筐体と、表示装置またはスピーカーと、を有し、
前記半導体装置は、請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法を用いて作製されている電子機器の作製方法。
【請求項５】
酸化物層と、
前記酸化物層上の第１の混合層と、
前記酸化物層上の絶縁層と、
前記絶縁層上の導電層と、
前記導電層上の第２の混合層と、を有し、
前記第１の混合層は、前記酸化物層が有する元素のうち一以上を有し、
前記酸化物層は、インジウム、ガリウムまたは亜鉛のいずれか一以上を有し、
前記第１の混合層または前記第２の混合層は、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、ニッケル、コバルトまたは白金のいずれか一以上を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置と、
筐体と、
表示装置またはスピーカーと、を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月16日(2019.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのダイをボードにフリップチップ実装する方法であって、
少なくとも１つの金属層を有する第１のダイ上に、はんだ付け可能な複数の接合パッドを形成するステップと、
少なくとも２つの金属層を有する前記ボードの複数のマッチングする接合パッドのそれぞれに接合するために、前記第１のダイ上の前記複数の接合パッドのうちの少なくとも１つの上に、はんだペーストまたははんだバンプのうちの１つを戴置するステップと、
フラックスまたは不純物のうちの少なくとも１つを焼尽させ、前記はんだペーストまたははんだバンプを溶融させて第１の合金を形成するため、第１のリフロー温度で第１のリフロー作業を実施する第１のリフローステップと、
前記第１のダイを前記ボード上にフリップチップ実装するステップと、
前記第１の合金の少なくとも一部を溶融して前記第１及び第２のリフロー温度よりも高い融点を有する第２の合金を形成するため、第２のリフロー温度で第２のリフロー作業を実施する第２のリフローステップであって、前記第２の合金は前記ダイ及び前記ボードのうちの少なくとも１つの接合パッドからの金属を含む、第２のリフローステップと、
続けて、第２のダイを前記ボード上にフリップチップ実装し、前記第２のダイ及び前記ボードを、対応する第１及び第２のリフロー作業での前記第１及び第２のリフロー温度に晒し、それにより前記第２のダイを前記ボード上に実装するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記第１のダイはチタン層、ニッケル層、及び銀層を有する接合パッドを含み、前記ボードの前記接合パッドは銅層及び銀層を含み、前記第２の合金は前記第１のダイの金属層及びボードの金属層の両方からの金属を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のダイをフリップチップ実装するのに先立って、前記第１のダイ上の前記接合パッドの最上金属層上に金属ペーストを戴置するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ボード接合パッドパターンを呈した複数の接合パッドを含むボードであって、各接合パッドが少なくとも１つの金属層を有する、ボードと、
前記ボード接合パッドパターンとマッチするダイ接合パッドパターンを有する複数の接合パッドを有する第１のダイであって、前記ボードにフリップチップ実装された、第１のダイと、
を含む装置であって、
前記第１のダイの前記複数の接合パッドは、少なくとも２つの金属層を備え、
第１及び第２のリフローステップ中に、前記複数の接合パッド上に戴置されたはんだペーストまたははんだバンプのうちの１つを介して、前記ボード接合パッドと前記第１のダイの複数のマッチングする接合パッドとを接合するのに使用した第１及び第２のリフロー温度よりも高い融点を有する合金を用いて、前記ボードの前記複数の接合パッドと、前記ダイの前記複数のマッチングする接合パッドとが接合され、
前記ボードはさらに、前記第１のダイが前記ボードにフリップチップ実装された後に第２のダイを実装するための接合パッドデバイスパターンを含む、
装置。
【請求項５】
隣接するダイの接合パッドを接続する金属または合金を使用せずに、近接してフリップチップ実装された複数のダイをさらに含む、請求項４に記載の装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成31年1月25日(2019.1.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を研磨する方法であって：
基板（ここで、この基板は、露出二酸化ケイ素フィーチャーを有する）を提供すること；
初期成分として、
水；
０．０１〜４０重量％コロイダルシリカ砥粒；
ジルコニル化合物；及び
０重量％酸化剤
を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物（ここで、このケミカルメカニカルポリッシング組成物のｐＨは、≦６である）を提供すること；
研磨面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；
ケミカルメカニカルポリッシング組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨面上のケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との接触面近くに分注すること；及び
ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との接触面に０．６９〜３４．５kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すこと（ここで、基板が研磨され；そして幾らかの露出二酸化ケイ素フィーチャーが基板から除去される）を含む方法。
【請求項２】
露出二酸化ケイ素フィーチャーが、オルトケイ酸テトラエチルから誘導される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、腐食防止剤を含まない、請求項２記載の方法。
【請求項４】
ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、３００mm研磨機でプラテン速度９３回転／分、キャリア速度８７回転／分、ケミカルメカニカルポリッシング組成物流量２００mL/分、公称ダウンフォース２０．６８kPaで、≧１，０００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を有しており；そして、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドが、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む、請求項２記載の方法。
【請求項５】
ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、３００mm研磨機でプラテン速度９３回転／分、キャリア速度８７回転／分、ケミカルメカニカルポリッシング組成物流量２００mL/分、公称ダウンフォース２０．６８kPaで、≧１，０００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を有しており；そして、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドが、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む、請求項３記載の方法。
【請求項６】
提供されるケミカルメカニカルポリッシング組成物が、初期成分として、
水；
０．１〜４０重量％コロイダルシリカ砥粒；
ジルコニル化合物；及び
無機酸
からなる、請求項１記載の方法。
【請求項７】
露出二酸化ケイ素フィーチャーが、オルトケイ酸テトラエチルから誘導される、請求項６記載の方法。
【請求項８】
ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、３００mm研磨機でプラテン速度９３回転／分、キャリア速度８７回転／分、ケミカルメカニカルポリッシング組成物流量２００mL/分、公称ダウンフォース２０．６８kPaで、≧１，０００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を有しており；そして、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドが、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
ジルコニル化合物が、塩化ジルコニルであり、そして無機酸が、塩酸である、請求項６記載の方法。
【請求項１０】
露出二酸化ケイ素フィーチャーが、オルトケイ酸テトラエチルから誘導され；そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物が、３００mm研磨機でプラテン速度９３回転／分、キャリア速度８７回転／分、ケミカルメカニカルポリッシング組成物流量２００mL/分、公称ダウンフォース２０．６８kPaで、≧１，０００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を有しており；そして、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドが、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む、請求項９記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、当該分野で公知の任意の適切な研磨パッドであってよい。当業者であれば、本発明の方法において使用するのに適したケミカルメカニカルポリッシングパッドの選び方を知っているだろう。更に好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、織物及び不織の研磨パッドから選択される。更になお好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、ポリウレタン研磨層を含む。最も好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む。好ましくは、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、研磨面上に少なくとも１本の溝を有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
好ましくは、本発明の基板を研磨する方法において、提供されるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、３００mm研磨機でプラテン速度９３回転／分、キャリア速度８７回転／分、ケミカルメカニカルポリッシング組成物流量２００mL/分、公称ダウンフォース２０．６８kPaで、≧１，０００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を有するが、ここで、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
好ましくは、基板が露出二酸化ケイ素フィーチャーを有する、本発明の基板を研磨する方法において、提供されるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、３００mm研磨機でプラテン速度９３回転／分、キャリア速度８７回転／分、ケミカルメカニカルポリッシング組成物流量２００mL/分、公称ダウンフォース２０．６８kPaで、≧１，０００Å/分の二酸化ケイ素除去速度を有するが、ここで、提供されるケミカルメカニカルポリッシングパッドは、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織サブパッドを含む。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月18日(2019.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質を製造する工程と、
第１の導電助剤の酸化誘導体と前記活物質を用いて混合物を製造する工程と、
前記混合物の一部を用いて塩基性の程度を測定する過程と、
前記測定された塩基性の程度が予め定められた範囲内の場合にのみ、前記混合物と結着剤と、を用いてスラリーを製造する工程と、を有し、
前記活物質は粉状であり、
前記活物質と、ｐＨが７である水と、を、１対１０の重量比で混合して得られる水溶液のｐＨが１１．１以上１２．５以下である、蓄電池用電極の製造方法。
【請求項２】
前記塩基性の程度を測定する過程では、前記混合物の一部を乾燥させた後、予め定められた比率で、特定のｐＨを有する水と混合して得られる水溶液の水素イオン濃度が測定される、請求項１に記載の蓄電池用電極の製造方法。
【請求項３】
前記特定のｐＨを有する水のｐＨは７であり、
前記予め定められた比率は、前記混合物を乾燥させて得られる粉体１に対して、前記特定のｐＨを有する水１０の重量比であり、
前記予め定められた範囲は、ｐＨが７．０以上１１．１未満である、請求項２に記載の蓄電池用電極の製造方法。
【請求項４】
前記特定のｐＨを有する水のｐＨは７であり、
前記予め定められた比率は、前記混合物を乾燥させて得られる粉体１に対して、前記特定のｐＨを有する水１０の重量比であり、
前記予め定められた範囲は、ｐＨが１０以上１１以下である、請求項２に記載の蓄電池用電極の製造方法。
【請求項５】
活物質を製造する工程と、
第１の導電助剤の酸化誘導体と前記活物質を用いて混合物を製造する工程と、
結着剤と前記混合物とを用いてスラリーを製造する工程と、を有し、
前記活物質は粉状であり、
前記活物質と、ｐＨが７である水と、を、１対１０の重量比で混合して得られる水溶液のｐＨが１１．１以上１２．５以下である、蓄電池用電極の製造方法。
【請求項６】
前記混合物を乾燥させて得られる粉体と、ｐＨが７である水と、を、１対１０の重量比で混合して得られる水溶液のｐＨが７．０以上１１．１未満である、請求項５記載の蓄電池用電極の製造方法。
【請求項７】
前記混合物を乾燥させて得られる粉体と、ｐＨが７である水と、を、１対１０の重量比で混合して得られる水溶液のｐＨが１０以上１１以下である、請求項５に記載の蓄電池用電極の製造方法。
【請求項８】
前記スラリーをろ過する工程を有する、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の蓄電池用電極の製造方法。
【請求項９】
前記混合物は、前記第１の導電助剤の酸化誘導体が還元されて生成する物質を含む、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の蓄電池用電極の製造方法。
【請求項１０】
前記スラリーを還元する工程を有する、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の蓄電池用電極の製造方法。
【請求項１１】
前記スラリーを集電体に塗布後、還元する工程を有する、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の蓄電池用電極の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の導電助剤の酸化誘導体は酸化グラフェンである、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の蓄電池用電極の製造方法。
【請求項１３】
前記酸化グラフェンと、ｐＨが７である水と、を、１対１０の重量比で混合して得られる水溶液のｐＨが０．５以上２．０以下である、請求項１２に記載の蓄電池用電極の製造方法。
【請求項１４】
前記酸化グラフェンと、ｐＨが７である水と、を、１対１０の重量比で混合して得られる水溶液のｐＨが０．９以上１．２以下である、請求項１２に記載の蓄電池用電極の製造方法。
【請求項１５】
前記結着剤は、第２の導電助剤を含む、請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の蓄電池用電極の製造方法。
【請求項１６】
前記第２の導電助剤はアセチレンブラックである、請求項１５に記載の蓄電池用電極の製造方法。
【請求項１７】
前記結着剤はポリフッ化ビニリデンを含む、請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の蓄電池用電極の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月19日(2019.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表示素子と、第２の表示素子と、画素回路と、を有する表示装置であって、
前記第１の表示素子は、第１の電極と、液晶層と、を有し、
前記第２の表示素子は、第２の電極と、第１の発光層と、を有し、
前記第１の電極は、前記画素回路と電気的に接続され、
前記第２の電極は、前記画素回路と電気的に接続され、
前記第１の発光層は、量子ドットを有する表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の表示素子は、反射膜を有し、
前記反射膜は、開口部を有し、
前記第２の表示素子は、前記開口部に向けて光を射出する機能を有し、
前記第２の表示素子は、前記第１の表示素子が表示をする方向と、同一方向に表示をする機能を有する表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の表示素子は、正孔注入層を有し、
前記正孔注入層は、第１の材料と、第２の材料と、を有し、
前記第１の材料は、正孔を輸送することができる機能を有し、
前記第２の材料は、前記第１の材料に対してアクセプター性を有する表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の発光層は、青色の光を呈する機能を有する表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の表示素子は、第２の発光層を有し、
前記第２の発光層は、燐光材料を有する表示装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２の表示素子は、電荷発生層を有し、
前記電荷発生層は、前記第１の発光層と、前記第２の発光層と、に挟持される領域を有する表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記画素回路は、トランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体を有する表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月22日(2019.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
番組コンテンツと前記番組コンテンツが対応する色域または輝度に関する伝達識別情報とを少なくとも含む放送データを受信可能な放送受信装置であって、
前記放送データを受信する放送受信部と、
前記放送受信装置で受信した番組コンテンツを表示する表示部が対応可能な色域または輝度に関する表示特性情報を記憶するストレージ部と、
前記放送受信部で受信した前記伝達識別情報と前記ストレージ部から読みだした前記表示特性情報とに基づいて、前記放送受信部で受信した前記番組コンテンツの色域変換処理または輝度変換処理を行う映像変換処理部と、
を備え、
前記映像変換処理部における色域変換処理は、
前記伝達識別情報で示される色域が前記表示特性情報で示される色域に包含される場合には実行されず、前記伝達識別情報で示される色域が前記表示特性情報で示される色域に包含されない場合に実行される、
放送受信装置。
【請求項２】
番組コンテンツと前記番組コンテンツが対応する色域または輝度に関する伝達識別情報とを少なくとも含む放送データを受信可能な放送受信装置であって、
前記放送データを受信する放送受信部と、
前記放送受信装置で受信した番組コンテンツを表示する表示部が対応可能な色域または輝度に関する表示特性情報を記憶するストレージ部と、
前記放送受信部で受信した前記伝達識別情報と前記ストレージ部から読みだした前記表示特性情報とに基づいて、前記放送受信部で受信した前記番組コンテンツの色域変換処理または輝度変換処理を行う映像変換処理部と、
を備え、
前記映像変換処理部における輝度変換処理は、
前記表示特性情報に示される前記表示部が対応可能な最大輝度が前記伝達識別情報に示される前記番組コンテンツの編集に用いた編集機器が対応可能な最大輝度よりも大きくない場合に実行され、前記表示特性情報に示される前記表示部が対応可能な最大輝度が前記伝達識別情報に示される前記番組コンテンツの編集に用いた編集機器が対応可能な最大輝度よりも大きい場合には実行されない、
放送受信装置。
【請求項３】
デジタル放送の放送データを受信可能な放送受信装置であって、
前記デジタル放送の放送番組に関する符号化番組映像データと前記符号化番組映像データが輝度幅拡大に対応しているか否かを示すＨＤＲ情報とイベントスケジュール情報とを含む放送データを受信する放送受信部と、
前記放送受信部で受信した前記符号化番組映像データを復号して番組映像情報を再生する映像復号部と、
前記放送受信部で受信した前記イベントスケジュール情報に基づいて作成した電子番組表を表示可能な表示部と、
制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記ＨＤＲ情報に記載された前記符号化番組映像データの編集に用いた編集機器が輝度幅拡大に対応していることを示す場合に、前記電子番組表情報の前記符号化番組映像データに対応する位置に輝度幅拡大に対応した番組であることを示す記号または文字または印を表示するように前記表示部を制御する、
放送受信装置。
【請求項４】
デジタル放送の放送データを受信可能な放送受信装置であって、
前記デジタル放送の放送番組に関する符号化番組映像データと前記符号化番組映像データが輝度幅拡大に対応しているか否かを示すＨＤＲ情報とイベントスケジュール情報とを含む放送データを受信する放送受信部と、
前記放送受信部で受信した前記符号化番組映像データを復号して番組映像情報を再生する映像復号部と、
前記放送受信部で受信した前記イベントスケジュール情報に基づいて作成した電子番組表を表示可能な表示部と、
制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記符号化番組映像データが輝度幅拡大に対応している場合であっても、前記表示部が輝度幅拡大に対応していなければ、前記電子番組表情報の前記符号化番組映像データに対応する位置に輝度幅拡大に対応した番組であることを示す記号または文字または印を表示しないように前記表示部を制御する、
放送受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月13日(2019.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発信電子機器で、発信リクエストを生成してＶｏＩＰサーバへ送信する送信手段と、
着信電子機器から発信されたインバイト（ＩＮＶＩＴＥ）リクエストを、前記ＶｏＩＰサーバを通じて前記発信電子機器が受信する受信手段と、
前記発信電子機器において、前記ＶｏＩＰサーバが前記発信電子機器と、前記着信電子機器との間に生成する通話セッションを通じて、前記着信電子機器と通信する通信手段と、を有し、
前記インバイトリクエストは、前記発信リクエストを受信した前記ＶｏＩＰサーバがプッシュサーバを通じて、前記着信電子機器に提供されるプッシュ通知に基づいて、前記着信電子機器から前記ＶｏＩＰサーバに配信されることを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記ＶｏＩＰサーバは、前記着信電子機器から前記インバイトリクエストを受信する場合、前記発信電子機器と前記着信電子機器との関係を示すＳＩＰダイアログ（Ｓｅｓｓｉｏｎ  Ｉｎｉｔｉａｔｉｏｎ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌ  ｄｉａｌｏｇ）を生成することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ＶｏＩＰサーバは、前記着信電子機器から前記インバイトリクエストを受信する以前に、前記発信電子機器から発信取消リクエストを受信した場合、前記発信リクエストに対応するＳＩＰダイアログを生成せずに、前記プッシュサーバを通じて発信取消メッセージを前記着信電子機器に送信して、前記発信電子機器による発信を取り消すことを特徴とする請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
前記ＶｏＩＰサーバは、前記着信電子機器から前記インバイトリクエストを受信する以前に、前記着信電子機器から着信拒絶リクエストを受信した場合、前記発信リクエストに対応するＳＩＰダイアログを生成せずに、前記着信拒絶リクエストを前記発信電子機器に送信して、前記発信電子機器による発信を取り消すことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項５】
発信電子機器が、発信リクエストを生成してＶｏＩＰサーバへ送信する送信ステップと、
前記発信電子機器が、着信電子機器から発信されたインバイト（ＩＮＶＩＴＥ）リクエストを、前記ＶｏＩＰサーバを通じて受信する受信ステップと、
前記発信電子機器が、前記ＶｏＩＰサーバが前記発信電子機器と、前記着信電子機器との間に生成する通話セッションを通じて、前記着信電子機器と通信する通信ステップと、を実行し、
前記インバイトリクエストは、前記発信リクエストを受信した前記ＶｏＩＰサーバがプッシュサーバを通じて、前記着信電子機器に提供されるプッシュ通知に基づいて、前記着信電子機器から前記ＶｏＩＰサーバに配信されることを特徴とする呼処理方法。
【請求項６】
前記ＶｏＩＰサーバが、前記着信電子機器から前記インバイトリクエストを受信する場合、前記発信電子機器と前記着信電子機器との関係を示すＳＩＰダイアログ（Ｓｅｓｓｉｏｎ  Ｉｎｉｔｉａｔｉｏｎ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌ  ｄｉａｌｏｇ）を生成する生成ステップを実行することを特徴とする請求項５に記載の呼処理方法。
【請求項７】
前記ＶｏＩＰサーバが、前記着信電子機器から前記インバイトリクエストを受信する以前に、前記発信電子機器から発信取消リクエストを受信した場合、前記発信リクエストに対応するＳＩＰダイアログを生成せずに、前記プッシュサーバを通じて発信取消メッセージを前記着信電子機器に送信して、前記発信電子機器による発信を取り消す取消ステップを実行することを特徴とする請求項５又は６に記載の呼処理方法。
【請求項８】
前記ＶｏＩＰサーバが、前記着信電子機器から前記インバイトリクエストを受信する以前に、前記着信電子機器から着信拒絶リクエストを受信した場合、前記発信リクエストに対応するＳＩＰダイアログを生成せずに、前記着信拒絶リクエストを前記発信電子機器に送信して、前記発信電子機器による発信を取り消す取消ステップを実行することを特徴とする請求項５から７のいずれか１項に記載の呼処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
発信電子機器で、発信リクエストを生成してＶｏＩＰサーバへ送信する送信手段と、着信電子機器から発信されたインバイト（ＩＮＶＩＴＥ）リクエストを、前記ＶｏＩＰサーバを通じて前記発信電子機器が受信する受信手段と、前記発信電子機器において、前記ＶｏＩＰサーバが前記発信電子機器と、前記着信電子機器との間に生成する通話セッションを通じて、前記着信電子機器と通信する通信手段と、を有し、前記インバイトリクエストは、前記発信リクエストを受信した前記ＶｏＩＰサーバがプッシュサーバを通じて、前記着信電子機器に提供されるプッシュ通知に基づいて、前記着信電子機器から前記ＶｏＩＰサーバに配信されることを特徴とするシステムを提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
発信電子機器が、発信リクエストを生成してＶｏＩＰサーバへ送信する送信ステップと、前記発信電子機器が、着信電子機器から発信されたインバイト（ＩＮＶＩＴＥ）リクエストを、前記ＶｏＩＰサーバを通じて受信する受信ステップと、前記発信電子機器が、前記ＶｏＩＰサーバが前記発信電子機器と、前記着信電子機器との間に生成する通話セッションを通じて、前記着信電子機器と通信する通信ステップと、を実行し、前記インバイトリクエストは、前記発信リクエストを受信した前記ＶｏＩＰサーバがプッシュサーバを通じて、前記着信電子機器に提供されるプッシュ通知に基づいて、前記着信電子機器から前記ＶｏＩＰサーバに配信されることを特徴とする呼処理方法を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月17日(2019.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、及びカメラモジュール
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部と、
メモリーと、
第１回路と、
第２回路と、を有し、
前記画素部は撮像データを取得する機能を有し、
前記第１回路は、前記撮像データに離散コサイン変換を施し、第１データを生成する機能を有し、
前記第１データはアナログデータであり、
前記メモリーは前記第１データを記憶する機能を有し、
前記第２回路は、前記第１データに離散コサイン変換を施し、第２データを生成する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
画素部と、
メモリーと、
第１回路と、
第２回路と、を有し、
前記画素部は第１乃至第３撮像データを取得する機能を有し、
前記第３撮像データは、前記第１撮像データと前記第２撮像データの差分であり、
前記第１回路は、前記第３撮像データに離散コサイン変換を施し、第１データを生成する機能を有し、
前記第１データはアナログデータであり、
前記メモリーは前記第１データを記憶する機能を有し、
前記第２回路は、前記第１データに離散コサイン変換を施し、第２データを生成する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記画素部は、
フォトダイオードと、
第１のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記メモリーは、
第２のトランジスタと、
第３のトランジスタと、
容量素子と、を有し、
前記第２のトランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記第３のトランジスタはＳｉウェハにチャネル形成領域が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置およびレンズを有するカメラモジュール。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月1日(2019.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周部トラック（４）を形成しているミドル部（２）と、
回転式ベゼル（１４）と、
歯付きクラウン（２０）と、
当該ミドル部に対する前記ベゼル（１４）の複数の安定した角位置を定めるように歯付きクラウンと弾性係合する少なくとも１つの角度的インデックス付けメンバー（３５）と、及び
前記ベゼル（１４）を前記ミドル部（２）に分離可能に締結する締結構造（ＳＦ）と
を有する腕時計ケース（１）であって、
前記締結構造は、半径方向に突き出ているフィン（３４）を支える環状のバンド（３１）を有し、
各フィン（３４）は、前記ミドル部（２）にて形成されるバヨネット機構（７）と係合することができ、
当該腕時計ケースは、オス部（５０）とメス部（５１）がある連結システム（ＳＣ）を有し、
前記オス部（５０）と前記メス部（５１）の一方は、前記ベゼル（１４）と一体的であり、
前記オス部（５０）と前記メス部（５１）の他方は、前記締結構造（ＳＦ）と一体的であり、
この連結システム（ＳＣ）は、分離構成と連結構成の２つの構成をとることができるように構成しており、
前記分離構成においては、前記オス部と前記メス部が分離しており、したがって、前記環状のバンド（３１）に対して前記ベゼルの回転が解放され、
前記連結構成においては、前記オス部と前記メス部が連結され、したがって、前記ベゼルと前記環状のバンドの回転が固定され、
これによって、各フィン（３４）が対応するバヨネット機構（７）にて係合している前記環状のバンドの閉じた角位置と、各フィンが前記ベゼルと環状のバンドをミドル部から解放するように前記対応するバヨネット機構から分離している開いた角位置との間の前記ベゼルと前記バンドの組み合わさった双方向の回転が可能になり、
前記ベゼルが前記環状のバンドの閉じた角位置で記環状のバンド（３１）とともにミドル部にマウントされるとき、前記ベゼル（１４）は、デプロイ位置と退避位置の間にて軸方向のクリアランスがあることができる前記締結構造（ＳＦ）上にマウントされ、
前記デプロイ位置においては、前記連結システム（ＳＣ）が分離位置に配置され前記複数の安定した角位置の位置のいずれか１つに配置されるように前記ベゼルが回転することができ、
前記退避位置においては、前記連結システム（ＳＣ）が連結位置に配置される
腕時計ケース（１）。
【請求項２】
前記締結構造（ＳＦ）は、前記ベゼル（１４）を締結するカラー（２６）と少なくとも１つのフック（２８）を備えるリング（２５）と、及び
前記環状のバンド（３１）を有し前記ベゼルと前記リングの間に配置されたロック用リング（３０）とを有する
請求項１に記載の腕時計ケース（１）。
【請求項３】
前記ロック用リングは、前記歯付きクラウンと係合する角度的インデックス付けメンバーを形成するように前記環状のバンド（３１）の上面（３２）から突き出ている少なくとも１つの爪ばね（３５）を有する
請求項２に記載の腕時計ケース（１）。
【請求項４】
前記連結システム（ＳＣ）の前記オス部は、前記ベゼル（１４）と一体的であり前記ベゼル（１４）の下面（１８）から突き出ているピン（５０）であり、
前記ベゼルが前記締結構造によって前記ミドル部にマウントされるとき、前記メス部は、少なくとも前記ベゼルの所定の角位置において退避位置のピンを受けることができる、凹部であり、特に、前記環状のバンド（３１）に形成される開口（５１）である
請求項２又は３に記載の腕時計ケース（１）。
【請求項５】
前記ピン（５０）は、前記ベゼル（１４）に形成され前記ベゼル（１４）の下面（１８）の側に出現する穴（５２）内に圧入される付加的な部品である
請求項４に記載の腕時計ケース（１）。
【請求項６】
前記開口（５１）には、前記開口（５１）に前記ピンが収容されているときに、前記ピンのためにいくらかの角度的なクリアランスがあり、特に、前記開口（５１）がオブロング状の穴の形態であり、
これによって、前記ピン（５０）がこのオブロング状の穴内に収容されているときに、前記ベゼル（１４）におけるわずかな角度的なクリアランスを可能にする
請求項４又は５に記載の腕時計ケース（１）。
【請求項７】
前記バヨネット機構（７）又は各バヨネット機構（７）には、前記ミドル部（２）のリム（６）に形成された溝（８）と、及び前記溝（８）が接線方向に出現する窪み（９）とがある
請求項２〜６のいずれかに記載の腕時計ケース（１）。
【請求項８】
各溝（８）は、接線方向において、前記窪み（９）とは反対側にて、非貫通端（１３）を端とする
請求項７に記載の腕時計ケース（１）。
【請求項９】
前記リング（２５）には切り込み（３７）が形成されており、前記ロック用リングには、前記切り込みと形状が合致しており前記切り込み内に収容されている突き出ている爪（３６）が設けられており、
これによって、前記リングと前記ロック用リング（３０）の回転を固定する
請求項２〜８のいずれかに記載の腕時計ケース（１）。
【請求項１０】
前記リング（２５）には、一連の周部フック（２８）がある
請求項２〜９のいずれかに記載の腕時計ケース（１）。
【請求項１１】
前記ロック用リング（３０）には、前記環状のバンド（３１）の下面（３３）から突き出ている板ばね（３９）が設けられており、
これによって、前記板ばね（３９）が前記ミドル部（２）の環状の前記トラック（４）にはたらき、対応するバヨネット機構の上面（１１）に対抗するように前記フィン（３４）を当てる
請求項２〜１０のいずれかに記載の腕時計ケース（１）。
【請求項１２】
前記ロック用リング（３０）には、前記ミドル部（２）の凹み（４５）におけるスナップ嵌め合いができる少なくとも１つのキャッチ（４１）が設けられており、
これによって、前記ロック用リングをロックし、前記環状のバンドをその閉じた角位置にロックする
請求項２〜１１のいずれかに記載の腕時計ケース（１）。
【請求項１３】
前記キャッチ（４１）は、前記フィンに隣接するように設けられ、
前記凹み（４５）は、バヨネット機構（７）の非貫通端（１３）に配置されることを特徴とする、請求項１２に記載の腕時計ケース（１）。
【請求項１４】
前記ミドル部（２）には、前記トラック（４）から突き出ている弾性ボス（４６）が設けられており、
前記リング（２５）には、前記ボス（４６）に対してスナップ嵌め合いをすることができる切り込み（４７）が形成されており、
これによって、前記フィン（３４）が対応するバヨネット機構（７）に係合している角位置に前記リングと前記ロック用リング（３０）を保持する
請求項２〜１０のいずれかに記載の腕時計ケース（１）。
【請求項１５】
前記クラウン（２０）は、前記ベゼル（１４）と一体的に形成されている
請求項１〜１４のいずれかに記載の腕時計ケース（１）。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれかに記載の腕時計ケース（１）を備える腕時計。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月24日(2019.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス皮膜の表面に格子状に配置された複数の光を照射する工程と、
前記ガラス皮膜の表面に映る複数の光の像の状態に基づいて表面粗度の良否を判定する工程と、
を有することを特徴とする皮膜の検査方法。
【請求項２】
前記ガラス皮膜の表面に映る光の像の鮮明度に基づいて表面粗度の良否を判定することを特徴とする請求項１に記載の皮膜の検査方法。
【請求項３】
前記ガラス皮膜の表面に映る光の像と予め設定された判定基準とを比較して表面粗度の良否を判定することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の皮膜の検査方法。
【請求項４】
前記ガラス皮膜の表面に映る光の像の状態に基づいて表面粗度を推定し、推定した表面粗度に基づいて良否を判定することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の皮膜の検査方法。
【請求項５】
前記複数の光源は、発光ダイオードであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の皮膜の検査方法。
【請求項６】
ガラス皮膜の表面に格子状に配置された複数の光を照射する光源と、
前記ガラス皮膜の表面に映る複数の光の像を撮像するカメラと、
前記カメラが撮像した画像に基づいて表面粗度の良否を判定する判定部と、
を備えることを特徴とする皮膜の検査装置。
【請求項７】
部材の表面にガラス皮膜を形成する工程と、
前記ガラス皮膜の表面を研磨する工程と、
研磨後のガラス皮膜の表面に格子状に配置された複数の光を照射する工程と、
前記ガラス皮膜の表面に映る複数の光の像の状態に基づいて表面粗度の良否を判定する工程と、
を有することを特徴とする皮膜の形成方法。
【請求項８】
前記ガラス皮膜の表面粗度の判定結果が否であるとき、再度前記ガラス皮膜の表面を研磨した後、前記ガラス皮膜の表面に映る光の像の状態に基づいて表面粗度の良否を判定することを特徴とする請求項７に記載の皮膜の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月22日(2019.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一態様の電子機器は、
表示部と、
前記表示部の表示面の背面側に配置された光検出部と、
前記光検出部によって検出された光に関する情報に基づいて、前記表示部の輝度を制御する輝度制御部と、
前記光検出部が検出する光に関する情報の確度を判定する判定部と、を備え、
前記輝度制御部は、前記判定部によって前記確度が高いと判定された場合に、前記表示部の輝度の制御をし、
前記輝度制御部は、前記判定部によって前記確度が低いと判定された場合に、前記表示部の輝度の制御を抑制する、
ことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部と、
前記表示部の表示面の背面側に配置された光検出部と、
前記光検出部によって検出された光に関する情報に基づいて、前記表示部の輝度を制御する輝度制御部と、
前記光検出部が検出する光に関する情報の確度を判定する判定部と、を備え、
前記輝度制御部は、前記判定部によって前記確度が高いと判定された場合に、前記表示部の輝度の制御をし、
前記輝度制御部は、前記判定部によって前記確度が低いと判定された場合に、前記表示部の輝度の制御を抑制する、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記表示部の表面側に配置されたタッチパネル部をさらに備え、
前記判定部は、前記タッチパネル部がユーザに操作されているか否かを判定し、前記タッチパネル部がユーザに操作されていないと判定された場合に前記確度が高いと判定し、且つ前記タッチパネル部がユーザに操作されていると判定された場合に前記確度が低いと判定し、
前記輝度制御部は、前記判定部によって前記確度が高いと判定された場合に、前記表示部の輝度の制御をし、
前記輝度制御部は、前記判定部によって前記確度が低いと判定された場合に、前記表示部の輝度の制御を抑制する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記表示部は、液晶表示装置を含み、
前記判定部は、前記液晶表示装置の液晶シャッタが透過状態になっているか否かを判定し、前記液晶シャッタが透過状態になっていると判定された場合に、前記確度が高いと判定し、且つ前記液晶シャッタが透過状態になっていないと判定された場合に、前記確度が低いと判定し、
前記輝度制御部は、前記判定部によって前記確度が高いと判定された場合に、前記表示部の輝度の制御をし、
前記輝度制御部は、前記判定部によって前記確度が低いと判定された場合に、前記表示部の輝度の制御を抑制する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項４】
前記表示部は、前記液晶表示装置の背面側に配置されたＯＬＥＤを含み、
前記光検出部は前記ＯＬＥＤの背面側に配置され、
前記輝度制御部は、前記判定部によって前記確度が高いと判定された場合に、前記ＯＬＥＤの輝度の制御をし、
前記輝度制御部は、前記判定部によって前記確度が低いと判定された場合に、前記ＯＬＥＤの輝度の制御を抑制する、
ことを特徴とする請求項３に記載の電子機器。
【請求項５】
前記判定部は、前記タッチパネル部のうち、前記光検出部が配置されている領域に対応する影響領域をユーザがタッチしたか否か判定し、記影響領域をユーザがタッチしていないと判定された場合に、前記確度が高いと判定し、且つ前記影響領域をユーザがタッチしたと判定された場合に、前記確度が低いと判定し、
前記輝度制御部は、前記判定部によって前記確度が高いと判定された場合に、前記輝度制御部による前記表示部の輝度の制御をし、
前記輝度制御部は、前記判定部によって前記確度が低いと判定された場合に、前記輝度制御部による前記表示部の輝度の制御を抑制する、
ことを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
【請求項６】
前記輝度制御部は、前記判定部によって前記確度が高いと判定された場合に、前記表示部の輝度を、前記タッチパネル部の操作を検出した直前の輝度のままで維持することを特徴とする請求項５に記載の電子機器。
【請求項７】
制御対象の前記表示部は、ＯＬＥＤを含むことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項８】
制御対象の前記表示部は、バックライトを含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電子機器。
【請求項９】
前記輝度制御部は、前記光検出部が検出した情報のうち、前記表示部自身が発する光量の影響による変動を補正した情報に基づいて、前記表示部の輝度の制御を行うことを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の電子機器。
【請求項１０】
表示部と、
前記表示部の表示面の背面側に配置された光検出部と、
前記光検出部によって検出された光に関する情報に基づいて、前記表示部の輝度を制御する輝度制御部と、
前記光検出部が検出する光に関する情報の確度を判定する判定部と、を備える電子機器が行う輝度制御方法であって、
前記判定部によって前記光に関する情報の確度が高いと判定された場合に、前記表示部の輝度の制御をし、
前記判定部によって前記光に関する情報の確度が低いと判定された場合に、前記表示部の輝度の制御を抑制する、
することを特徴とする輝度制御方法。
【請求項１１】
表示部と、
前記表示部の表示面の背面側に配置された光検出部と、
前記光検出部によって検出された光に関する情報に基づいて、前記表示部の輝度を制御する輝度制御部と、
前記光検出部が検出する光に関する情報の確度を判定する判定部と、を有する電子機器を制御するコンピュータに、
前記輝度制御部は、前記判定部によって前記光に関する情報の確度が高いと判定された場合に、前記表示部の輝度の制御をする機能と、
前記輝度制御部は、前記判定部によって前記光に関する情報の確度が低いと判定された場合に、前記表示部の輝度の制御を抑制する機能と、
を実現させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月8日(2019.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板材と、当該板材よりも太陽光の入射側において当該板材と略平行配置される透明性の板材とからなる２枚の板材と、
前記２枚の板材の間に配置されると共に、断面視して、前記透明性の板材に沿う第１の辺と前記第１の辺に対して角度を有する直線状の第２の辺と前記第１の辺に対して角度を有する第３の辺からなる透明性の三角柱プリズムと、
前記第２及び第３の辺のうち、下方側の辺となる第２の辺に対して、所定の隙間を挟んで設置され、太陽エネルギーを収集する集エネ部と、を備え、
前記三角柱プリズムは、前記透明性の板材を通過して前記第１の辺から当該三角柱プリズム内に進入した太陽光のうち、直接前記第２の辺に到達して前記第２の辺から当該三角柱プリズム外に出るものと、前記第３の辺で全反射して前記第２の辺に到達して前記第２の辺から当該三角柱プリズム外に出るものと、前記第３の辺及び前記第１の辺の順に全反射した後に前記第２の辺に到達して前記第２の辺から当該三角柱プリズム外に出るものとの３種の光路が存在するように屈折率と三角の各内角とが設定されている
ことを特徴とする太陽エネルギー利用器。
【請求項２】
前記三角柱プリズムは、当該三角柱プリズムの外壁を構成する透明性のプリズム壁と、前記プリズム壁の内部に封入される透明性の内部部材と、を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽エネルギー利用器。
【請求項３】
前記三角柱プリズムは、前記第１の辺から進入する太陽光について前記３種の光路が実現されるときの太陽光の下限仰角が、屈折率が略１．４１であり、前記第２の辺と前記第３の辺とがなす角度が９０°であるときに最小値となるものであって、当該最小値よりも＋１０°以下の値となるように、屈折率及び前記第２の辺と前記第３の辺とがなす角度が設定されている
ことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の太陽エネルギー利用器。
【請求項４】
前記集エネ部は、断面視状態で、前記三角柱プリズムと略同一形状であり、前記三角柱プリズムと点対称となる向きに配置されており、一部分が非透明性で残部が透明性である
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の太陽エネルギー利用器。
【請求項５】
断面視状態で、前記三角柱プリズムと同一形状であり、前記２枚の板材に沿う第４の辺と前記第４の辺に対して角度を有する第５及び第６の辺からなり、前記三角柱プリズムと点対称となる向きに配置された透明性の第２三角柱プリズムをさらに備え、
前記２枚の板材は、双方が透明性の板材であり、
前記集エネ部は、前記三角柱プリズムの前記第２の辺と、前記第２三角柱プリズムの第５及び第６の辺のうち、上方側の辺となる第５の辺との間において、双方から離間して設けられている
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の太陽エネルギー利用器。
【請求項６】
前記第２の辺と前記第５の辺との間で前記集エネ部を移動可能であって、前記集エネ部を前記第２の辺と前記第５の辺とにそれぞれ切離可能とする移動機構をさらに備える
ことを特徴とする請求項５に記載の太陽エネルギー利用器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る太陽エネルギー利用器は、２枚の板材と、三角柱プリズムと、集エネ部とを備えている。２枚の板材は太陽光の入射側のものが透明性である。集エネ部は、第２及び第３の辺のうち、下方側の辺となる直線状の第２の辺に対して、所定の隙間を挟んで設置され、太陽エネルギーを収集するものである。三角柱プリズムは、３種の光路が存在するように屈折率と三角の各内角とが設定されている。３種の光路の１つは、第１の辺から当該三角柱プリズム内に進入して直接第２の辺に到達して第２の辺から当該三角柱プリズム外に出るものである。もう１つは、第１の辺から当該三角柱プリズム内に進入して第３の辺で全反射した後に、第２の辺に到達して第２の辺から当該三角柱プリズム外に出るものである。残り１つは、第１の辺から当該三角柱プリズム内に進入して第３の辺及び第１の辺の順に全反射した後に、第２の辺に到達して第２の辺から当該三角柱プリズム外に出るものである。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月7日(2018.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気の通流のために、少なくとも１つの空気路を有する換気装置であって、
前記少なくとも１つの空気路（８００）内には、フィルタ材料（５２０）を有する空気フィルタ（５００）を受容するためのフィルタ受容部（８１０）が配設されている形式の換気装置であり、
該換気装置は、汚染物質を回収するための少なくとも１つの回収容器（５３０）を有すること
を特徴とする換気装置。
【請求項２】
前記回収容器（５３０）は、空気の通流方向（８２０）において前記フィルタ材料（５２０）の手前に配設されていること
を特徴とする、請求項１に記載の換気装置。
【請求項３】
前記空気フィルタ（５００）は、フィルタ材料（５２０）を保持するための保持フレーム（５１０）を有し、前記回収容器（５３０）は、直接的に前記保持フレーム（５１０）に配設されていること
を特徴とする、請求項１又は２に記載の換気装置。
【請求項４】
前記回収容器（５３０）は、前記保持フレーム（５１０）により構成されていること
を特徴とする、請求項３に記載の換気装置。
【請求項５】
前記回収容器（５３０）は、汚染物質を確保するための確保要素を有すること
を特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の換気装置。
【請求項６】
前記回収容器（５３０）は、昆虫を誘き寄せるための誘引要素を有すること
を特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の換気装置。
【請求項７】
空気フィルタであって、
該空気フィルタ（５００）は、フィルタ材料（５２０）を保持するための保持フレーム（５１０）を有する形式の空気フィルタであり、
該空気フィルタ（５００）は、汚染物質を回収するための回収容器（５３０）を有すること
を特徴とする空気フィルタ。
【請求項８】
前記回収容器（５３０）は、前記保持フレーム（５１０）により構成されていること
を特徴とする、請求項７に記載の空気フィルタ。
【請求項９】
前記回収容器（５３０）は、汚染物質を確保するための確保要素を有すること
を特徴とする、請求項７又は８に記載の空気フィルタ。
【請求項１０】
前記回収容器（５３０）は、昆虫を誘き寄せるための誘引要素を有すること
を特徴とする、請求項７〜９のいずれか一項に記載の空気フィルタ。