(57)【要約】  アンテナ端子にサージ対策素子を配置することなくＬＯＷ側の受信信号出力端子側にサージの侵入を防止できる高周波フロントエンドモジュールを得る。  アンテナ端子ＡＮＴと、ダイプレクサ２０と、高周波スイッチ１１Ｇ，１１Ｄと、ＬＣフィルタ１２Ｇ，１２Ｄと、ＳＡＷデュプレクサ１３Ｇ，１３Ｄとを備えた高周波フロントエンドモジュール。ＳＡＷデュプレクサ１３Ｇは弾性表面波フィルタ８５０ＳＡＷ，９００ＳＡＷと、その入力側に配置したハイパスフィルタ（コンデンサＣａとインダクタＬａ、コンデンサＣｇとインダクタＬｇ）にて構成され、該ハイパスフィルタはアンテナ端子ＡＮＴから侵入するサージ対策機能付き位相整合素子として作用する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数帯域の異なる第１及び第２高周波送受信信号を処理する、第１高周波送受信信号の周波数帯域が第２高周波送受信信号の周波数帯域よりも低い高周波フロントエンドモジュールであって、
アンテナ端子と第１高周波送受信信号処理部との間の第１信号経路と、アンテナ端子と第２高周波送受信信号処理部との間の第２信号経路とを分波するためのダイプレクサと、
前記第１信号経路に設けられ、前記第１高周波送受信信号の受信信号及び送信信号の信号経路を切り換える第１高周波スイッチと、
前記第１信号経路の受信信号経路上であって前記第１高周波スイッチの後段に設けられ、前記第１高周波受信信号を通過帯域とする弾性波フィルタと、
前記弾性波フィルタと前記第１高周波スイッチとの間に設けられ、該弾性波フィルタと該第１高周波スイッチとの間の位相を整合させる機能を有するとともに、サージを除去する機能をも有しているサージ対策機能付き位相整合素子と、
を備えたことを特徴とする高周波フロントエンドモジュール。
【請求項２】
前記サージ対策機能付き位相整合素子は、コンデンサ及びインダクタを含んで構成されたハイパスフィルタ機能を有することを特徴とする請求の範囲第１項に記載の高周波フロントエンドモジュール。
【請求項３】
前記ハイパスフィルタのカットオフ周波数は２００〜６００ＭＨｚであることを特徴とする請求の範囲第２項に記載の高周波フロントエンドモジュール。
【請求項４】
前記ハイパスフィルタは、前記第１信号経路の受信信号経路とグランドとの間に挿入されたＬＣ直列共振回路にて構成されていることを特徴とする請求の範囲第２項又は第３項に記載の高周波フロントエンドモジュール。
【請求項５】
前記ハイパスフィルタは、前記第１信号経路の受信信号経路上に挿入されたＬＣ並列共振回路にて構成されていることを特徴とする請求の範囲第２項又は第３項に記載の高周波フロントエンドモジュール。
【請求項６】
前記ハイパスフィルタは、前記第１高周波スイッチ側に設けたコンデンサと前記弾性波フィルタ側に設けたシャントインダクタとを含んで構成されていることを特徴とする請求の範囲第２項ないし第５項のいずれかに記載の高周波フロントエンドモジュール。
【請求項７】
前記第１高周波送受信信号の受信信号はさらに周波数帯域の異なる第１Ａ及び第１Ｂ受信信号を含み、
前記弾性波フィルタは、前記第１Ａ及び第１Ｂ受信信号をそれぞれ通過帯域とする第１及び第２弾性波フィルタを含む弾性波デュプレクサとして構成されており、
前記サージ対策機能付き位相整合素子は、前記第１及び第２弾性波フィルタにそれぞれ付加された第１及び第２サージ対策機能付き位相整合素子からなり、
前記第１サージ対策機能付き位相整合素子は、前記第１高周波スイッチと前記第２サージ対策機能付き位相整合素子との分岐点から第１弾性波フィルタ側を見たときに、前記第１Ｂ受信信号に対してオープンになるように設定されており、前記第２サージ対策機能付き位相整合素子は、前記第１高周波スイッチと前記第１サージ対策機能付き位相整合素子との分岐点から第２弾性波フィルタ側を見たときに、前記第１Ａ受信信号に対してオープンになるように設定されていること、
を特徴とする請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載の高周波フロントエンドモジュール。
【請求項８】
前記弾性波フィルタはＳＡＷフィルタ又はＢＡＷフィルタであることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第７項のいずれかに記載の高周波フロントエンドモジュール。
【請求項９】
前記ダイプレクサ、前記第１高周波スイッチ、前記弾性波フィルタ及び前記サージ対策機能付き位相整合素子は、複数の誘電体層を積層してなる積層体にて一体化されていることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第８項のいずれかに記載の高周波フロントエンドモジュール。
【請求項１０】
前記弾性波フィルタは、二つの平衡出力端子を有するバランス型弾性フィルタであり、該二つの平衡出力端子の間には各出力端子間のインピーダンスを整合するためのインピーダンス整合素子が配置され、
前記弾性波フィルタ、前記インピーダンス整合素子及び前記サージ対策機能付き位相整合素子は、チップ部品として前記積層体の同一面に搭載されており、
前記サージ対策機能付き位相整合素子は前記インピーダンス整合素子に対して前記弾性波フィルタを間に介して配置されていること、
を特徴とする請求の範囲第９項に記載の高周波フロントエンドモジュール。
【請求項１１】
前記第１信号経路の送信信号経路上には、コンデンサ及びインダクタからなるＬＣフィルタが配置され、
前記ＬＣフィルタを構成するコンデンサ及びインダクタの少なくとも一方は前記積層体に内蔵されており、かつ、該コンデンサ及びインダクタは積層体の積層方向に平面視で前記サージ対策機能付き位相整合素子とは重ならないように配置されていること、
を特徴とする請求の範囲第９項又は第１０項に記載の高周波フロントエンドモジュール。
【請求項１２】
前記ハイパスフィルタは、前記第１信号経路の受信信号経路上に設けた二つのコンデンサと、該二つのコンデンサの間にシャント接続されたインダクタとからなるＴ型のハイパスフィルタであることを特徴とする請求の範囲第２項ないし第１１項のいずれかに記載の高周波フロントエンドモジュール。
【請求項１３】
周波数帯域の異なる第１Ａ及び第１Ｂ受信信号を分波するためのデュプレクサであって、
前記第１Ａ及び第１Ｂ受信信号をそれぞれ通過帯域とする第１及び第２弾性波フィルタを含み、
前記第１及び第２弾性波フィルタのそれぞれの受信信号の入力側には、それぞれ第１及び第２ハイパスフィルタが付加されており、
前記第１ハイパスフィルタは、前記第１Ａ及び第１Ｂ受信信号の分波点から第１弾性波フィルタ側を見たときに、前記第１Ｂ受信信号に対してオープンになるように設定されており、前記第２ハイパスフィルタは、前記分波点から第２弾性波フィルタ側を見たときに、前記第１Ａ受信信号に対してオープンになるように設定されていること、
を特徴とするデュプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波フロントエンドモジュール及びデュプレクサ、特に、周波数帯域の異なる複数の高周波送受信信号を処理する高周波フロントエンドモジュール、及び、周波数帯域の異なる複数の受信信号を分波するためのデュプレクサに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、携帯電話機などの移動体通信装置における高周波フロントエンドモジールにおいて、サージ（ＥＳＤ：静電気放電、周波数３００ＭＨｚ前後）はアンテナから侵入してくる。そのため、サージ対策素子は、アンテナ端子とグランドとの間に配置するのが一般的であり、特許文献１ではインダクタンス素子を配置すること、特許文献２ではバリスタを配置することが提案されている。しかしながら、アンテナ端子に直接設けられたサージ対策素子は、送信あるいは受信信号の損失を増大させてしまうという基本的な問題点を有していた。【０００３】
ところで、一般に１．５ＧＨｚ以上の比較的高い通過帯域の信号（以下、ＨＩＧＨ側高周波信号と称する）と１．０ＧＨｚ以下の比較的低い通過帯域の信号（以下、ＬＯＷ側高周波信号と称する）とを分波するためのダイプレクサを備えた高周波フロントエンドモジュールにおいては、ＨＩＧＨ側の信号経路ではダイプレクサのハイパスフィルタでサージが減衰されるのでそれほど問題とはならないが、ＬＯＷ側の信号経路にはサージが侵入してしまうことがあった。【０００４】
特に、ＬＯＷ側の受信信号出力端子には、通常、弾性波フィルタなどのサージに弱い素子が配置されているため、これを保護するためのサージ対策が要望されていた。
【特許文献１】特開２００３−１８０４０号公報
【特許文献２】特開２００３−１０１４３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、アンテナ端子にサージ対策素子を配置することなくＬＯＷ側の受信信号出力端子側にサージの侵入を防止できる高周波フロントエンドモジュール及びデュプレクサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため、第１の発明は、
周波数帯域の異なる第１及び第２高周波送受信信号を処理する、第１高周波送受信信号の周波数帯域が第２高周波送受信信号の周波数帯域よりも低い高周波フロントエンドモジュールであって、
アンテナ端子と第１高周波送受信信号処理部との間の第１信号経路と、アンテナ端子と第２高周波送受信信号処理部との間の第２信号経路とを分波するためのダイプレクサと、
前記第１信号経路に設けられ、前記第１高周波送受信信号の受信信号及び送信信号の信号経路を切り換える第１高周波スイッチと、
前記第１信号経路の受信信号経路上であって前記第１高周波スイッチの後段に設けられ、前記第１高周波受信信号を通過帯域とする弾性波フィルタと、
前記弾性波フィルタと前記第１高周波スイッチとの間に設けられ、該弾性波フィルタと該第１高周波スイッチとの間の位相を整合させる機能を有するとともに、サージを除去する機能をも有しているサージ対策機能付き位相整合素子と、
を備えたことを特徴とする。【０００７】
第１の発明に係る高周波フロントエンドモジュールにあっては、サージを除去する機能をも有しているサージ対策機能付き位相整合素子を弾性波フィルタと第１高周波スイッチとの間に設けたため、第１信号経路の受信信号経路（ＬＯＷ側高周波送受信信号の受信信号経路）にアンテナからサージが侵入した場合、サージ対策機能付き位相整合素子にて該サージが除去されることになり、別途サージ対策素子を付加することなく、弾性波フィルタをサージから保護することができる。【０００８】
第１の発明に係る高周波フロントエンドモジュールにおいて、前記サージ対策機能付き位相整合素子は、コンデンサ及びインダクタを含んで構成されたハイパスフィルタ機能を有することが好ましい。サージ対策機能付き位相整合素子は、第１高周波送受信信号を通過帯域とし、サージの周波数帯域を減衰帯域としたものであれば、バンドパスフィルタでも構わないが、ハイパスフィルタとして構成することにより伝送ロスが少なくなる。【０００９】
また、前記ハイパスフィルタのカットオフ周波数は２００〜６００ＭＨｚであることが好ましい。一般に、サージの周波数は２００〜６００ＭＨｚ（特に、３００ＭＨｚ前後）であり、ハイパスフィルタはこの周波数帯域をカットオフ（遮断）周波数とすることが好ましい。【００１０】
前記ハイパスフィルタは、第１信号経路の受信信号経路とグランドとの間に挿入されたＬＣ直列共振回路にて構成することにより、サージ対策機能付き位相整合素子に直列共振によるノッチ機能が付加され、サージの周波数帯域に減衰極を作ることができ、サージ遮断効果をさらに高めることができる。【００１１】
あるいは、前記ハイパスフィルタは、前記第１信号経路の受信信号経路上に挿入されたＬＣ並列共振回路にて構成することにより、サージ対策機能付き位相整合素子に並列共振によるノッチ機能が付加され、サージの周波数帯域に減衰極を作ることができ、サージ遮断効果をさらに高めることができる。【００１２】
さらに、前記ハイパスフィルタは、第１高周波スイッチ側に設けたコンデンサと弾性波フィルタ側に設けたシャントインダクタとを含んで構成されていてもよい。第１高周波スイッチ側に設けたコンデンサが第１高周波スイッチの直流成分のカットコンデンサとして機能することになる。【００１３】
前記第１高周波送受信信号の受信信号はさらに周波数帯域の異なる第１Ａ及び第１Ｂ受信信号を含み、前記弾性波フィルタは、第１Ａ及び第１Ｂ受信信号をそれぞれ通過帯域とする第１及び第２弾性波フィルタを含む弾性波デュプレクサとして構成されており、前記サージ対策機能付き位相整合素子は、前記第１及び第２弾性波フィルタにそれぞれ付加された第１及び第２サージ対策機能付き位相整合素子からなり、前記第１サージ対策機能付き位相整合素子は、前記第１高周波スイッチと前記第２サージ対策機能付き位相整合素子との分岐点から第１弾性波フィルタ側を見たときに、前記第１Ｂ受信信号に対してオープンになるように設定されており、前記第２サージ対策機能付き位相整合素子は、前記第１高周波スイッチと前記第１サージ対策機能付き位相整合素子との分岐点から第２弾性波フィルタ側を見たときに、前記第１Ａ受信信号に対してオープンになるように設定されていてもよい。即ち、弾性波フィルタは、互いに異なる通過帯域を有する二つの弾性波フィルタを並列に設けてデュプレクサとして構成してもよい。この場合、各弾性波フィルタの前段にサージ対策機能付き位相整合素子がそれぞれ付加される。【００１４】
前記弾性波フィルタはＳＡＷ（表面弾性波）フィルタ又はＢＡＷ（バルク弾性波）フィルタを用いることができる。これらの弾性波フィルタは、減衰特性に優れており、通常、単品のチップ型である。従って、これを高周波スイッチとともにモジュール化するときは、高周波スイッチとの間の位相を整合させるため、位相整合素子が必要となる。【００１５】
前記ダイプレクサ、前記第１高周波スイッチ、前記弾性波フィルタ及び前記サージ対策機能付き位相整合素子は、複数の誘電体層を積層してなる積層体にて一体化されていることが好ましい。この積層体は、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板や複数の樹脂層を積層してなる樹脂多層基板であってもよい。これらの機能素子を積層体にて一体化することにより、モジュールの小型化を達成することができ、さらに、一体化時に各機能素子間のインピーダンス整合を実現しておくことで、新たなインピーダンス整合素子の付加を省略することができる。【００１６】
前記弾性波フィルタは、通常、二つの平衡出力端子を有するバランス型弾性フィルタであり、該二つの平衡出力端子の間には各出力端子間のインピーダンスを整合するためのインピーダンス整合素子が配置され、前記弾性波フィルタ、前記インピーダンス整合素子及び前記サージ対策機能付き位相整合素子は、チップ部品として前記積層体の同一面に搭載されており、前記サージ対策機能付き位相整合素子は前記インピーダンス整合素子に対して前記弾性波フィルタを間に介して配置されていることが好ましい。インピーダンス整合素子や位相整合素子のような整合素子は、他の部品から電磁気的な影響を受けると、インピーダンスや位相がずれてしまい、所定の機能を十分に果たさなくなる。そこで、これらの機能素子を比較的サイズの大きい弾性波フィルタを間にして配置することにより、各整合素子間の干渉を最小限に抑えることができる。【００１７】
前記第１信号経路の送信信号経路上には、コンデンサ及びインダクタからなるＬＣフィルタが配置され、前記ＬＣフィルタを構成するコンデンサ及びインダクタの少なくとも一方は前記積層体に内蔵されており、かつ、該コンデンサ及びインダクタは積層体の積層方向に平面視で前記サージ対策機能付き位相整合素子とは重ならないように配置されていることが好ましい。第１信号経路において送信信号が受信経路に飛んでしまうと、受信信号を適切に処理できなくなるばかりか、場合によっては、弾性波フィルタが破壊されるおそれがある。機能素子を多層基板への内蔵又は外付けに拘わらず、ＬＣフィルタを構成する素子とサージ対策機能付き位相整合素子とを平面視で重ならないように配置することで、信号のクロストークを抑えることができる。【００１８】
前記ハイパスフィルタは、前記第１信号経路の受信信号経路上に設けた二つのコンデンサと、該二つのコンデンサの間にシャント接続されたインダクタとからなるＴ型のハイパスフィルタとして構成してもよい。通常、同じシステムの送受信信号では、送信信号帯域よりも受信信号帯域のほうが高周波側に設定されている。そこで、高周波スイッチの後段（受信側）に設けられているハイパスフィルタによって、たとえ送信信号が回り込んできたとしても、ある程度は回り込み信号のレベルを低下させることができる。特に、Ｔ型のハイパスフィルタは減衰が急峻であるため、信号レベルの低下が顕著である。【００１９】
第２の発明は、
周波数帯域の異なる第１Ａ及び第１Ｂ受信信号を分波するためのデュプレクサであって、
前記第１Ａ及び第１Ｂ受信信号をそれぞれ通過帯域とする第１及び第２弾性波フィルタを含み、
前記第１及び第２弾性波フィルタのそれぞれの受信信号の入力側には、それぞれ第１及び第２ハイパスフィルタが付加されており、
前記第１ハイパスフィルタは、前記第１Ａ及び第１Ｂ受信信号の分波点から第１弾性波フィルタ側を見たときに、前記第１Ｂ受信信号に対してオープンになるように設定されており、前記第２ハイパスフィルタは、前記分波点から第２弾性波フィルタ側を見たときに、前記第１Ａ受信信号に対してオープンになるように設定されていること、
を特徴とする。【００２０】
第２の発明に係るデュプレクサにおいては、互いに異なる通過帯域を有する第１及び第２弾性波フィルタを並列に設けているため、受信信号を効率的に分波することができるともに、受信信号の入力側に設けた第１及び第２ハイパスフィルタをサージ対策機能付き位相整合素子として構成することにより、アンテナから侵入したサージを除去することができ、第１及び第２弾性波フィルタをサージから保護することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、第１高周波送受信処理部の受信信号出力端子側へのサージの侵入を防止でき、弾性波フィルタをサージから保護することができ、かつ、アンテナ端子からサージ対策素子を省略できて信号の損失を解消できる。また、新たな素子を追加することなく位相整合機能及びサージ対策機能を発揮させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１実施例である高周波フロントエンドモジュールを示す等価回路図である。
【図２】第１実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第１〜第８層）に形成した電極形状を示す説明図である。
【図３】第１実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第９〜第１６層）に形成した電極形状を示す説明図である。
【図４】第１実施例のセラミック多層基板の表面における各回路素子の搭載状態を示す平面図である。
【図５】第２実施例である高周波フロントエンドモジュールを示す等価回路図である。
【図６】第２実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第１〜第８層）に形成した電極形状を示す説明図である。
【図７】第２実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第９〜第１５層）に形成した電極形状を示す説明図である。
【図８】第２実施例のセラミック多層基板の各シート層（下から第１６〜第１８層）に形成した電極形状を示す説明図である。
【図９】第２実施例のセラミック多層基板の表面における各回路素子の搭載状態を示す平面図である。
【図１０】第３実施例である高周波フロントエンドモジュールの要部を示す等価回路図である。
【図１１】第４実施例である高周波フロントエンドモジュールの要部を示す等価回路図である。
【図１２】（Ａ）は前記第１実施例のサージ対策機能付き位相整合素子を示す等価回路図、（Ｂ）はその減衰特性を示すグラフである。
【図１３】（Ａ）は前記第１実施例のサージ対策機能付き位相整合素子の変形例を示す等価回路図、（Ｂ）はその減衰特性を示すグラフである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明に係る高周波フロントエンドモジュール及びデュプレクサの実施例について添付図面を参照して説明する。【００２４】
（第１実施例、図１〜図４参照）
第１実施例である高周波フロントエンドモジュールは、図１の等価回路に示すように、４つの周波数帯域の異なる通信システム（ＧＳＭ８５０系、ＧＳＭ９００系、ＤＣＳ１８００系、ＰＣＳ１９００系）に対応するクアッドバンド対応型の高周波複合部品（高周波フロントエンドモジュール）として構成されている。【００２５】
即ち、この高周波フロントエンドモジュールは、アンテナ端子ＡＮＴの後段に、ＧＳＭ８５０／９００系の第１信号経路と、ＤＣＳ１８００／ＰＣＳ１９００系の第２信号経路とを分岐するダイプレクサ２０を備えている。さらに、ＧＳＭ８５０／９００系は第１高周波スイッチ１１Ｇと第１ＬＣフィルタ１２ＧとＳＡＷデュプレクサ１３Ｇとを備えている。また、ＤＣＳ１８００／ＰＣＳ１９００系も、同様に、第２高周波スイッチ１１Ｄと第２ＬＣフィルタ１２ＤとＳＡＷデュプレクサ１３Ｄとを備えている。【００２６】
第１高周波スイッチ１１Ｇは、アンテナ端子ＡＮＴと第１送信側入力端子ＧＳＭ８５０／９００Ｔｘとの間の信号経路と、アンテナ端子ＡＮＴと第１受信側バランス出力端子ＧＳＭ８５０Ｒｘ，ＧＳＭ９００Ｒｘとの間の信号経路とを選択的に切り換える。第１ＬＣフィルタ１２Ｇは、第１高周波スイッチ１１Ｇと第１送信側入力端子ＧＳＭ８５０／９００Ｔｘとの間に配置されている。第１ＳＡＷデュプレクサ１３Ｇは第１高周波スイッチ１１Ｇと第１受信側バランス出力端子ＧＳＭ８５０Ｒｘ，ＧＳＭ９００Ｒｘとの間に配置されている。【００２７】
一方、第２高周波スイッチ１１Ｄは、アンテナ端子ＡＮＴと第２送信側入力端子ＤＣＳ１８００／ＰＣＳ１９００Ｔｘとの間の信号経路と、アンテナ端子ＡＮＴと第２受信側バランス出力端子ＤＣＳ１８００Ｒｘ，ＰＣＳ１９００Ｒｘとの間の信号経路とを選択的に切り換える。第２ＬＣフィルタ１２Ｄは、第２高周波スイッチ１１Ｄと第２送信側入力端子ＤＣＳ１８００／ＰＣＳ１９００Ｔｘとの間に配置されている。第２ＳＡＷデュプレクサ１３Ｄは第２高周波スイッチ１１Ｄと第２受信側バランス出力端子ＤＣＳ１８００Ｒｘ，ＰＣＳ１９００Ｒｘとの間に配置されている。【００２８】
ダイプレクサ２０は、送信の際にはＧＳＭ系又はＤＣＳ／ＰＣＳ系からの送信信号を選択してアンテナ端子ＡＮＴに送り、受信の際にはアンテナ端子ＡＮＴで受信した受信信号をＧＳＭ系又はＤＣＳ／ＰＣＳ系へ選択して送る。【００２９】
このダイプレクサ２０において、インダクタＬｔ１とコンデンサＣｔ１とからなる並列回路（ローパスフィルタ）がアンテナ端子ＡＮＴと第１高周波スイッチ１１Ｇとの間に接続され、この並列回路の第１高周波スイッチ１１Ｇ側がコンデンサＣｕ１を介して接地される。また、アンテナ端子ＡＮＴと第２高周波スイッチ１１Ｄとの間には、コンデンサＣｃ１，Ｃｃ２が直列接続され、それらの接続点がインダクタＬｔ２及びコンデンサＣｔ２を介して接地される。即ち、インダクタＬｔ２及びコンデンサＣｃ１，Ｃｃ２でハイパスフィルタが形成されている。【００３０】
第１高周波スイッチ１１Ｇにおいて、ダイオードＧＤ１はアノードがダイプレクサ２０に接続され、カソードが第１ＬＣフィルタ１２Ｇに接続され、かつ、インダクタＧＳＬ１を介して接地される。また、コンデンサＡＧＣｔとインダクタＡＧＳとからなる直列回路が、ダイオードＧＤ１と並列に接続されている。【００３１】
さらに、ダイオードＧＤ２はカソードがインダクタＧＳＬ２を介してダイプレクサ２０に接続されるとともに第１ＳＡＷデュプレクサ１３Ｇに接続されており、アノードがコンデンサＧＣ５を介して接地される。ダイオードＧＤ２のアノードとコンデンサＧＣ５との接続点に抵抗ＧＲを介して制御端子Ｖｃ１が接続されている。また、制御端子Ｖｃ１と抵抗ＧＲとの接続点はコンデンサＣ１を介して接地される。【００３２】
第１ＬＣフィルタ１２Ｇは、第１高周波スイッチ１１Ｇと第１送信側入力端子ＧＳＭ８５０／９００Ｔｘとの間に、インダクタＧＬｔ１とコンデンサＧＣｃ１の並列回路（ローパスフィルタ）を接続したものである。インダクタＧＬｔ１の両端はそれぞれコンデンサＧＣｕ１，ＧＣｕ２を介して接地される。また、第１ＬＣフィルタ１２Ｇと第１送信側入力端子ＧＳＭ８５０／９００Ｔｘとの間には直流成分をカットするためのコンデンサＣ２が接続されている。【００３３】
第１ＳＡＷデュプレクサ１３Ｇは、弾性表面波フィルタ８５０ＳＡＷ,９００ＳＡＷとインダクタＬａ，Ｌｇ、コンデンサＣａ，Ｃｇとで構成されている。弾性表面波フィルタ８５０ＳＡＷはその入力側がコンデンサＣａを介して第１高周波スイッチ１１ＧのインダクタＧＳＬ２に接続され、かつ、インダクタＬａを介して接地される。また、弾性表面波フィルタ９００ＳＡＷはその入力側がコンデンサＣｇを介して第１高周波スイッチ１１ＧのインダクタＧＳＬ２に接続され、かつ、インダクタＬｇを介して接地される。【００３４】
弾性表面波フィルタ８５０ＳＡＷ，９００ＳＡＷの出力側にはそれぞれインダクタＬ１，Ｌ２が介在され、第１受信側バランス出力端子ＧＳＭ８５０Ｒｘ，ＧＳＭ９００Ｒｘに接続されている。インダクタＬ１，Ｌ２は第１受信側バランス出力端子ＧＳＭ８５０Ｒｘ，ＧＳＭ９００Ｒｘの位相を調整するためのものである。【００３５】
一方、第２高周波スイッチ１１Ｄにおいて、ダイオードＤＤ１はアノードがダイプレクサ２０に接続され、カソードが第２ＬＣフィルタ１２Ｄに接続され、かつ、インダクタＤＳＬ１を介して接地される。また、コンデンサＤＰＣｔとインダクタＤＰＳＬとからなる直列回路が、ダイオードＤＤ１と並列に接続されている。【００３６】
さらに、ダイオードＤＤ２はカソードがインダクタＤＳＬ２を介してダイプレクサ２０に接続されるとともにコンデンサＣｃを介して第２ＳＡＷデュプレクサ１３Ｄに接続されており、アノードがコンデンサＤＣ５を介して接地される。ダイオードＤＤ２のアノードとコンデンサＤＣ５との接続点に抵抗ＤＲを介して制御端子Ｖｃ２が接続されている。また、制御端子Ｖｃ２と抵抗ＤＲとの接続点はコンデンサＣ５を介して接地される。【００３７】
第２ＬＣフィルタ１２Ｄは、第２高周波スイッチ１１Ｄと第２送信側入力端子ＤＣＳ１８００／ＰＣＳ１９００Ｔｘとの間に、ローパスフィルタであるインダクタＤＬｔ１とコンデンサＤＣｃ１の並列回路及びインダクタＤＬｔ２とコンデンサＤＣｃ２の並列回路を直列に接続したものである。インダクタＤＬｔ１，ＤＬｔ２の一端はそれぞれコンデンサＤＣｕ１，ＤＣｕ２を介して接地される。また、第２ＬＣフィルタ１２Ｄと第２送信側入力端子ＤＣＳ１８００／ＰＣＳ１９００Ｔｘとの間には直流成分をカットするためのコンデンサＣ６が接続されている。【００３８】
第２ＳＡＷデュプレクサ１３Ｄは、弾性表面波フィルタ１８００ＳＡＷ,１９００ＳＡＷとインダクタＬｄ，Ｌｐ、コンデンサＣｄ，Ｃｐとで構成されている。弾性表面波フィルタ１８００ＳＡＷはその入力側がコンデンサＣｄ，Ｃｃを介して第２高周波スイッチ１１ＤのインダクタＤＳＬ２に接続され、かつ、インダクタＬｄを介して接地される。また、弾性表面波フィルタ１９００ＳＡＷはその入力側がインダクタＬｐ及びコンデンサＣｃを介して第２高周波スイッチ１１ＤのインダクタＤＳＬ２に接続され、かつ、コンデンサＣｐを介して接地される。【００３９】
弾性表面波フィルタ１８００ＳＡＷ，１９００ＳＡＷの出力側にはそれぞれインダクタＬ５，Ｌ６が介在され、第２受信側バランス出力端子ＤＣＳ１８００Ｒｘ，ＰＣＳ１９００Ｒｘに接続されている。インダクタＬ５，Ｌ６は第２受信側バランス出力端子ＤＣＳ１８００Ｒｘ，ＰＣＳ１９００Ｒｘの位相を調整するためのものである。【００４０】
図２及び図３は、本第１実施例である高周波フロントエンドモジュールのセラミック多層基板５０を構成する各シート層上にスクリーン印刷などで形成されたコンデンサ電極、ストリップライン電極などを示している。図４はセラミック多層基板５０上に搭載された各素子を示している。セラミック多層基板５０は酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分としたセラミックスからなる第１〜第１６シート層６１ａ〜６１ｐを下から順次積層し、１０００℃以下の温度で焼成することにより形成される。【００４１】
第１シート層６１ａには種々の外部接続用端子電極が形成されている。第２シート層６１ｂにはグランド電極Ｇ１が形成され、第３シート層６１ｃにはコンデンサＤＣ５，ＧＣ５，Ｃｔ２，Ｃｕ１，ＧＣｕ２，ＤＣｕ２の電極が形成され、グランド電極Ｇ１とでキャパシタンスを形成している。第４シート層６１ｄにはグランド電極Ｇ２が形成され、第５シート層６１ｅにはコンデンサＧＣｕ１，ＤＣｕ２の電極が形成され、グランド電極Ｇ２とでキャパシタンスを形成している。【００４２】
第７シート層６１ｇにはストリップライン電極によってインダクタＬｔ１，Ｌｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＤＳＬ２が形成され、第８シート層６１ｈにはストリップライン電極によってインダクタＬｔ１，ＧＳＬ２が形成され、第９シート層６１ｉにはストリップライン電極によってインダクタＬｔ１，Ｌｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＤＳＬ２，ＧＳＬ２が形成されている。また、第１０シート層６１ｊにはストリップライン電極によってインダクタＬｔ１，ＧＳＬ２が形成され、第１１シート層６１ｋにはストリップライン電極によってインダクタＬｔ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，ＧＬｔ１，ＤＳＬ２が形成されている。これらのシート層６１ｇ〜６１ｋに形成された各種インダクタは同じ素子がそれぞれビアホール導体を介して接続されている。【００４３】
第１２シート層６１ｌにはコンデンサＣｔ１，ＤＣｃ２の電極が形成され、第１３シート層６１ｍにはコンデンサＣｔ１，Ｃｃ１，ＤＣｃ１の電極及びグランド電極Ｇ３が形成されている。第１４シート層６１ｎにはコンデンサＣｔ１，Ｃｃ２，ＧＣｃ１，ＤＣｃ２の電極が形成されている。第１５シート層６１ｏにはコンデンサＣｃ２，ＤＣｃ１，ＧＣｃ１の電極及びグランド電極Ｇ４が形成されている。【００４４】
第１６シート層６１ｐの表面は、図４に示すように、セラミック多層基板５０の表面であって、種々の接続用端子電極が形成されている。そして、その表面には、弾性表面波フィルタ１８００ＳＡＷ，１９００ＳＡＷ，９００ＳＡＷ、８５０ＳＡＷ、ダイオードＧＤ１，ＧＤ２，ＤＤ１，ＤＤ２が搭載されている。さらに、インダクタＡＧＳ，ＧＳＬ１，Ｌｇ，Ｌａ，Ｌｄ，Ｌｐ，ＤＰＳＬ，ＤＳＬ１、コンデンサＡＧＣｔ，Ｃａ，Ｃｇ，ＧＣ５，ＤＰＣｔ，Ｃｃ，Ｃｄ，Ｃｐ及び抵抗ＧＲ，ＤＲが搭載されている。【００４５】
ここで、本第１実施例である高周波フロントエンドモジュールの動作について説明する。まず、ＤＣＳ／ＰＣＳ系の送信信号を送信する場合には、第２高周波スイッチ１１Ｄにおいて制御端子Ｖｃ２に、例えば３Ｖを印加してダイオードＤＤ１，ＤＤ２をオンすることにより、ＤＣＳ／ＰＣＳ系の送信信号が第２ＬＣフィルタ１２Ｄ及び第２高周波スイッチ１１Ｄを通過してダイプレクサ２０に入力され、アンテナ端子ＡＮＴから送信される。【００４６】
この際、ＧＳＭ系の第１高周波スイッチ１１Ｇにおいて制御端子Ｖｃ１に、例えば０Ｖを印加してダイオードＧＤ１をオフすることにより、ＧＳＭ系の送信信号が送信されないようにしている。また、ダイプレクサ２０が接続されていることにより、ＤＣＳ／ＰＣＳ系の送信信号がＧＳＭ系に回り込むことはない。さらに、ＤＣＳ／ＰＣＳ系の第２ＬＣフィルタ１２ＤではＤＣＳ／ＰＣＳ系の２次高調波及び３次高調波を減衰させている。【００４７】
次いで、ＧＳＭ系の送信信号を送信する場合には、第１高周波スイッチ１１Ｇにおいて制御端子Ｖｃ１に、例えば３Ｖを印加してダイオードＧＤ１，ＧＤ２をオンすることにより、ＧＳＭ系の送信信号が第１ＬＣフィルタ１２Ｇ及び第１高周波スイッチ１１Ｇを通過してダイプレクサ２０に入力され、アンテナ端子ＡＮＴから送信される。【００４８】
この際、ＤＣＳ／ＰＣＳ系の第２高周波スイッチ１１Ｄにおいて制御端子Ｖｃ２に、例えば０Ｖを印加してダイオードＤＤ１をオフすることにより、ＤＣＳ／ＰＣＳ系の送信信号が送信されないようにしている。また、ダイプレクサ２０が接続されていることにより、ＧＳＭ系の送信信号がＤＣＳ／ＰＣＳ系に回り込むことはない。【００４９】
さらに、ダイプレクサ２０のコンデンサＣｔ１、インダクタＬｔ１及びシャントコンデンサＣｕ１からなるローパスフィルタにてＧＳＭ系の２次高調波を減衰させ、ＧＳＭ系の第１ＬＣフィルタ１２ＧではＧＳＭ系の３次高調波を減衰させている。【００５０】
次いで、ＤＣＳ／ＰＣＳ系及びＧＳＭ系の受信信号を受信する場合には、ＤＣＳ／ＰＣＳ系の第２高周波スイッチ１１Ｄにおいて制御端子Ｖｃ２に、例えば０Ｖを印加してダイオードＤＤ１，ＤＤ２をオフし、ＧＳＭ系の第１高周波スイッチ１１Ｇにおいて制御端子Ｖｃ１に０Ｖを印加してダイオードＧＤ１，ＧＤ２をオフすることにより、ＤＣＳ／ＰＣＳ系の受信信号が第２送信側入力端子ＤＣＳ１８００／ＰＣＳ１９００Ｔｘに、ＧＳＭ系の受信信号が第１送信側入力端子ＧＳＭ８５０／９００Ｔｘに、それぞれ回り込まないようにし、アンテナ端子ＡＮＴから入力した信号をそれぞれＤＣＳ／ＰＣＳ系の第２受信側バランス出力端子ＤＣＳ１８００Ｒｘ，ＰＣＳ１９００Ｒｘ、ＧＳＭ系の第１受信側バランス出力端子ＧＳＭ８５０Ｒｘ，ＧＳＭ９００Ｒｘに出力する。ダイプレクサ２０が接続されていることにより、ＤＣＳ／ＰＣＳ系の受信信号がＧＳＭ系に、ＧＳＭ系の受信信号がＤＣＳ／ＰＣＳ系に、それぞれ回り込むことはない。【００５１】
以上説明した第１実施例である高周波フロントエンドモジュールにおいては、それぞれコンデンサＣａとインダクタＬａ及びコンデンサＣｇとインダクタＬｇとからなるハイパスフィルタを、サージを除去する機能をも有するサージ対策機能付き位相整合素子として、弾性表面波フィルタ８５０ＳＡＷ，９００ＳＡＷと第１高周波スイッチ１１Ｇとの間に設けたため、ＧＳＭ系の受信信号経路にアンテナ端子ＡＮＴからサージが侵入した場合、このハイパスフィルタにて該サージが除去されることになり、弾性表面波フィルタ８５０ＳＡＷ，９００ＳＡＷをサージから保護することができる。この場合、アンテナ端子ＡＮＴに対するサージ対策素子を省略することができ、信号の損失を生じることがない。また、新たな素子を追加することなく位相整合機能及びサージ対策機能を発揮させることができる。【００５２】
前記サージ対策機能付き位相整合素子（ハイパスフィルタ）のカットオフ周波数は２００〜６００ＭＨｚであることが好ましい。一般に、サージの周波数は２００〜６００ＭＨｚ（特に、３００ＭＨｚ前後）であり、ハイパスフィルタはこの周波数帯域をカットオフ（遮断）周波数とすることが好ましい。【００５３】
また、前記サージ対策機能付き位相整合素子（ハイパスフィルタ）は、第１高周波スイッチ１１Ｇ側に設けたコンデンサＣａ，Ｃｇと弾性表面波フィルタ８５０ＳＡＷ，９００ＳＡＷ側に設けたシャントインダクタＬａ，Ｌｇとを含んでいるため、コンデンサＣａ，Ｃｇが第１高周波スイッチ１１Ｇの直流成分のカットコンデンサとして機能することになる。【００５４】
また、ダイプレクサ２０、高周波スイッチ１１Ｇ，１１Ｄ、ＬＣフィルタ１２Ｇ，１２Ｄ、ＳＡＷデュプレクサ１３Ｇ，１３Ｄは、複数の誘電体層を積層してなる多層基板５０にて一体化したため、モジュールの小型化を達成することができ、さらに、一体化時に各機能素子間のインピーダンス整合を実現しておくことで、新たなインピーダンス整合素子の付加を省略することができる。【００５５】
さらに、ＧＳＭ系の送信信号経路上には、コンデンサＧＣｃ１及びインダクタＧＬｔ１からなるＬＣフィルタ１２Ｇが配置され、このコンデンサＧＣｃ１及びインダクタＧＬｔ１は多層基板５０に内蔵されており、かつ、多層基板５０の積層方向に平面視でサージ対策機能付き位相整合素子（コンデンサＣａ，Ｃｇ及びインダクタＬａ，Ｌｇ）とは重ならないように配置されている。ＧＳＭ系において送信信号が受信経路に飛んでしまうと、受信信号を適切に処理できなくなるばかりか、場合によっては、弾性表面波フィルタ８５０ＳＡＷ，９００ＳＡＷが破壊されるおそれがある。機能素子を多層基板への内蔵又は外付けに拘わらず、ＬＣフィルタ１２Ｇを構成する素子とサージ対策機能付き位相整合素子とを平面視で重ならないように配置することで、信号のクロストークを抑えることができる。【００５６】
（第２実施例、図５〜図９参照）
第２実施例である高周波フロントエンドモジュールは、図５の等価回路に示すように、前記第１実施例と同様のクアッドバンド対応型の高周波複合部品（高周波フロントエンドモジュール）として構成されている。従って、第２実施例の構成は基本的には前記第１実施例と同様であり、図５においては図１と同じ素子には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。【００５７】
本第２実施例において前記第１実施例と異なっているのは、第１及び第２高周波スイッチ１１Ｇ，１１Ｄ、第１及び第２ＳＡＷデュプレクサ１３Ｇ，１３Ｄである。【００５８】
第１高周波スイッチ１１Ｇにおいては、コンデンサＡＧＣｔ、インダクタＡＧＳからなる直列回路が省略されている。【００５９】
第２高周波回路１１Ｄにおいては、ダイオードＤＤ１のカソードがダイプレクサ２０に接続され、アノードが第２ＬＣフィルタ１２Ｄに接続されるとともにインダクタＤＰＳＬ１とコンデンサＤＣ４を介して接地される。そして、インダクタＤＰＳＬ１とコンデンサＤＣ４との接続点に制御端子Ｖｃ２が接続されている。さらに、コンデンサＤＰＣｔ１とインダクタＤＰＳＬｔとからなる直列回路が、ダイオードＤＤ１と並列に接続されている。また、ダイオードＤＤ２はアノードがインダクタＤＳＬ２を介してダイプレクサ２０に接続され、カソードがコンデンサＤＣ５を介して接地されるとともに抵抗ＤＲ１を介して接地される。【００６０】
第１ＳＡＷデュプレクサ１３Ｇにおいて、弾性表面波フィルタ８５０ＳＡＷ，９００ＳＡＷの出力側にはそれぞれインダクタＬ１，Ｌ２が介在されるとともに、インダクタＬ１１〜Ｌ１４が第１受信側バランス出力端子ＧＳＭ８５０Ｒｘ，ＧＳＭ９００Ｒｘに直列に接続されている。【００６１】
第２ＳＡＷデュプレクサ１３Ｄにおいて、弾性表面波フィルタ１９００ＳＡＷの入力側はインダクタＰＳＬ２を介して、弾性表面波フィルタ１８００ＳＡＷの入力側はコンデンサＤＣ７を介してそれぞれ第２高周波スイッチ１１ＤのインダクタＤＳＬ２に接続されているとともに、コンデンサＣｊを介して接地される。また、弾性表面波フィルタ１９００ＳＡＷの入力側はコンデンサＰＣ７を介して接地され、弾性表面波フィルタ１８００ＳＡＷの入力側はインダクタＤＳＬ１を介して接地される。【００６２】
さらに、弾性表面波フィルタ１９００ＳＡＷ，１８００ＳＡＷの出力側にはそれぞれコンデンサＣ１１，Ｃ１２が介在されるとともに、インダクタＬ１５〜Ｌ１８が第２受信側バランス出力端子ＰＣＳ１９００Ｒｘ，ＤＣＳ１８００Ｒｘに直列に接続されている。【００６３】
図６〜図８は、本第２実施例である高周波フロントエンドモジュールのセラミック多層基板５１を構成する各シート層上にスクリーン印刷などで形成されたコンデンサ電極、ストリップライン電極などを示している。図９はセラミック多層基板５１上に搭載された各素子を示している。セラミック多層基板５１は酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分としたセラミックスからなる第１〜第１８シート層７１ａ〜７１ｒを下から順次積層し、１０００℃以下の温度で焼成することにより形成される。【００６４】
第１シート層７１ａには種々の外部接続用端子電極が形成されている。第２シート層７１ｂにはグランド電極Ｇ１１が形成され、第３シート層７１ｃにはコンデンサＧＣ５，ＤＣ４，Ｃｕ１，ＤＣｕ２，Ｃｔ２の電極が形成され、グランド電極Ｇ１１とでキャパシタンスを形成している。第４シート層７１ｄにはグランド電極Ｇ１２が形成され、第５シート層７１ｅにはコンデンサＧＣｕ１，ＧＣｕ２，Ｃｊ，ＤＣｕ１の電極が形成され、グランド電極Ｇ１２とでキャパシタンスを形成している。【００６５】
第８シート層７１ｈにはストリップライン電極によってインダクタＬｇ，ＤＳＬ２，Ｌｔ１，Ｌｔ２が形成され、第９シート層７１ｉにはストリップライン電極によってインダクタＬｇ，ＧＳＬ２，ＧＬｔ１，ＰＳＬ２，ＤＳＬ２，ＤＬｔ２，Ｌｔ１，Ｌｔ２が形成され、第１０シート層７１ｊにはストリップライン電極によってインダクタＬｇ，ＧＳＬ２，ＧＬｔ１，ＰＳＬ２，ＤＳＬ２，ＤＬｔ１，ＤＬｔ２，Ｌｔ１，Ｌｔ２が形成されている。また、第１１シート層７１ｋにはストリップライン電極によってインダクタＧＳＬ２，ＰＳＬ２，ＤＳＬ２，ＤＬｔ２，Ｌｔ１，Ｌｔ２が形成され、第１２シート層７１ｌにはストリップライン電極によってインダクタＬｇ，ＧＬｔ１，ＤＬｔ１が形成されている。これらのシート層７１ｈ〜７１ｌに形成された各種インダクタは同じ素子がそれぞれビアホール導体を介して接続されている。【００６６】
第１３シート層７１ｍにはコンデンサＣａ，Ｃｔ１の電極が形成され、第１４シート層７１ｎにはコンデンサＣａ，Ｃｔ１，Ｃｃ１，ＤＣｃ２の電極が形成されている。第１５シート層７１ｏにはコンデンサＣａ，Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃｃ１，Ｃｃ２の電極及びグランド電極Ｇ１３が形成されている。第１６シート層７１ｐにはコンデンサＣａ，Ｃ１１，Ｃ１２，ＤＣ５，ＰＣ７，ＤＣ７，ＧＣｃ１，ＤＣｃ１，ＤＣｃ２，Ｃｃ２の電極が形成されている。第１７シート層７１ｑにはコンデンサＣａ，Ｃ１１，Ｃ１２，ＤＣ７，ＧＣｃ１，ＤＣｃ１の電極及びグランド電極Ｇ１４が形成されている。【００６７】
第１８シート層７１ｒの表面は、図９に示すように、セラミック多層基板５１の表面であって、種々の接続用端子電極が形成されている。そして、その表面には、弾性表面波フィルタ１８００ＳＡＷ，１９００ＳＡＷ，９００ＳＡＷ、８５０ＳＡＷ、ダイオードＧＤ１，ＧＤ２，ＤＤ１，ＤＤ２が搭載されている。さらに、インダクタＬ１３，Ｌ１４，Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ１５，Ｌ１６，Ｌ１７，Ｌ１８，Ｌａ，ＧＳＬ１，ＤＰＣｔ１，ＤＰＳＬ１，ＤＳＬ１，ＤＰＳＬｔ、コンデンサＣｇ，及び抵抗ＧＲ，ＤＲ１が搭載されている。【００６８】
なお、本第２実施例における動作は前記第１実施例と基本的には同様であり、重複した説明は省略する。また、その作用効果も第１実施例と基本的に同様であり、特に、第１ＳＡＷデュプレクサ１３Ｇにおける二つのハイパスフィルタがそれぞれアンテナ端子ＡＮＴから侵入するサージの除去機能及び位相整合機能を有する点は前記第１実施例と同様である。【００６９】
さらに、弾性表面波フィルタ９００ＳＡＷ，８５０ＳＡＷは、二つのバランス出力端子を有するバランス型弾性表面はフィルタであり、該二つの平衡出力端子の間には各出力端子間のインピーダンスを整合するためのインピーダンス整合素子（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ１１〜Ｌ１４）が配置され、弾性表面波フィルタ９００ＳＡＷ，８５０ＳＡＷ，１８００ＳＡＷ，１９００ＳＡＷ、インピーダンス整合素子Ｌ１，Ｌ２，Ｌ１１〜Ｌ１８及びサージ対策機能付き位相整合素子Ｌａ，Ｃｇは、チップ部品として多層基板５１の同一面に搭載されている。そして、サージ対策機能付き位相整合素子Ｌａ，Ｃｇはインピーダンス整合素子Ｌ１，Ｌ２，Ｌ１１〜Ｌ１８に対して弾性表面波フィルタ９００ＳＡＷ，８５０ＳＡＷ，１８００ＳＡＷ，１９００ＳＡＷを間に介して配置されている。インピーダンス整合素子Ｌ１，Ｌ２，Ｌ１１〜Ｌ１８や位相整合素子Ｌａ，Ｃｇのような整合素子は、他の部品から電磁気的な影響を受けると、インピーダンスや位相がずれてしまい、所定の機能を十分に果たさなくなる。そこで、これらの機能素子を比較的サイズの大きい弾性表面波フィルタを間にして配置することにより、各整合素子間の干渉を最小限に抑えることができる。【００７０】
（第３実施例、図１０参照）
第３実施例である高周波フロントエンドモジュールは、図１０にその要部の等価回路として示すように、前記第２実施例における第１ＳＡＷデュプレクサ１３Ｇにおいて、ハイパスフィルタを、弾性表面波フィルタ８５０ＳＡＷ，９００ＳＡＷの入力側とグランドとの間に挿入されたＬＣ直列共振回路（インダクタＬａとコンデンサＣ２１、インダクタＬｇとコンデンサＣ２２）にて構成したものである。このようにＬＣ直列共振回路を設けることにより、サージ対策機能付き位相整合素子に直列共振によるノッチ機能が付加され、サージの周波数帯域に減衰極を作ることができ、サージ遮断効果をさらに高めることができる。なお、この構成は前記第１実施例にも適用できることは勿論である。【００７１】
（第４実施例、図１１参照）
第４実施例である高周波フロントエンドモジュールは、図１１にその要部の等価回路として示すように、前記第２実施例における第１ＳＡＷデュプレクサ１３Ｇにおいて、ハイパスフィルタを、弾性表面波フィルタ８５０ＳＡＷ，９００ＳＡＷの入力側に挿入されたＬＣ並列共振回路（インダクタＬ３１とコンデンサＣ３１、インダクタＬ３２とコンデンサＣ３２）にて構成したものである。このようにＬＣ並列共振回路をもうけることにより、サージ対策機能付き位相整合素子に並列共振によるノッチ機能が付加され、サージの周波数帯域に減衰極を作ることができ、サージ遮断効果をさらに高めることができる。なお、この構成は前記第１実施例にも適用できることは勿論である。【００７２】
（ハイパスフィルタの変形例、図１２及び図１３参照）
ところで、サージ対策機能付き位相整合素子として機能するハイパスフィルタは、図１２（Ａ）に示す等価回路として構成されており、図１２（Ｂ）に示す減衰特性（８５０ＭＨｚの受信信号に対して２００〜４００ＭＨｚのサージを減衰させる）を有している。しかし、送信信号が回り込んだ場合に必ずしも万全に該送信信号をカットすることは困難である。【００７３】
そこで、図１３（Ａ）に示すように、ＧＳＭ８５０系の受信信号経路上に設けたコンデンサＣ３５を付加し、二つのコンデンサＣａ，Ｃ３５と、該二つのコンデンサの間にシャント接続されたインダクタＬａとからなるＴ型のハイパスフィルタとして構成することが好ましい。これにて、図１３（Ｂ）に示す減衰特性を有することになり、２００〜４００ＭＨｚのサージを大きく減衰することができるばかりか、受信信号経路に回り込んだ送信信号をカットすることができる。【００７４】
通常、同じシステムの送受信信号では、送信信号帯域（Ｔｘ帯域）よりも受信信号帯域（Ｒｘ帯域）のほうが高周波側に設定されている。そこで、高周波スイッチ１１Ｇの後段（受信側）に設けられているハイパスフィルタによって、たとえ送信信号が回り込んできたとしても、ある程度は回り込み信号のレベルを低下させることができる。特に、Ｔ型のハイパスフィルタは減衰が急峻であるため、送信信号の信号レベルの低下が顕著である。【００７５】
（他の実施例）
なお、本発明に係る高周波フロントエンドモジュール及びデュプレクサは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できることは勿論である。【００７６】
特に、前記サージ対策機能付き位相整合素子（ハイパスフィルタ）は、ＧＳＭ系の信号通過帯域とし、サージの周波数帯域を減衰帯域としたものであれば、バンドパスフィルタであってもよい、また、弾性表面波フィルタはＳＡＷフィルタ以外にＢＡＷフィルタであってもよい。さらに、高周波フロントエンドモジュールの各素子を内蔵した多層基板は、複数の誘電体層を積層してなるもの以外に、複数の樹脂層を積層してなるものであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
以上のように、本発明は、周波数帯域の異なる複数の高周波送受信信号を処理する高周波フロントエンドモジュール、及び、周波数帯域の異なる複数の受信信号を分波するためのデュプレクサに有用であり、特に、アンテナ端子にサージ対策素子を配置することなくＬＯＷ側の受信信号出力端子側にサージの侵入を防止できる点で優れている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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