【事件の表示】
　特願２０１６−２２０８０２号「マルチ荷電粒子ビーム描画装置」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年５月１７日出願公開、特開２０１８−７８２５１号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２８年１１月１１日を出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和２年　１月１５日付け：拒絶理由通知書
　令和２年　３月２３日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和２年　６月１９日付け：拒絶査定
　令和２年　９月２５日　　：審判請求書、手続補正書の提出
第２　令和２年９月２５日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和２年９月２５日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。）
「【請求項１】
　複数の穴が形成され、前記複数の穴を荷電粒子ビームが通過することによりマルチビームを形成するアパーチャ部材と、
　前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのオンオフを切り替える複数のブランカが配置されたブランキングアパーチャアレイと、
　描画対象の基板が載置される移動可能なステージと、
　前記ステージの位置を検出するステージ位置検出器と、
　前記ステージに設けられ、前記マルチビームのうち１本のビーム
のみ
、他のビームを遮蔽する
　前記マルチビームを偏向する偏向器と、
　前記マルチビームを前記検査アパーチャ上でＸＹ方向にスキャンして前記検査アパーチャを通過した前記マルチビームの各ビームのビーム電流を検出する電流検出器と、
　検出されたビーム電流に基づいてビーム画像を作成し、前記ビーム画像と、前記ステージの位置とに基づいて、前記検査アパーチャを通過した前記マルチビームの各ビームのビーム位置を検出する制御計算機と、
　を備え、
　前記検査アパーチャには前記マルチビームのうち１本のビーム
のみ
　前記描画対象の基板上での前記マルチビームのビームピッチをＰ、前記マルチビームの１本のビームのサイズをＳとした場合、前記貫通孔の径φ１はＳ＜φ１＜Ｐ−Ｓであることを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。」
　
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の、令和２年３月２３日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　複数の穴が形成され、前記複数の穴を荷電粒子ビームが通過することによりマルチビームを形成するアパーチャ部材と、
　前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのオンオフを切り替える複数のブランカが配置されたブランキングアパーチャアレイと、
　描画対象の基板が載置される移動可能なステージと、
　前記ステージの位置を検出するステージ位置検出器と、
　前記ステージに設けられ、前記マルチビームのうち１本のビームを通過させる検査アパーチャと、
　前記マルチビームを偏向する偏向器と、
　前記マルチビームを前記検査アパーチャ上でＸＹ方向にスキャンして前記検査アパーチャを通過した前記マルチビームの各ビームのビーム電流を検出する電流検出器と、
　検出されたビーム電流に基づいてビーム画像を作成し、前記ビーム画像と、前記ステージの位置とに基づいて、前記検査アパーチャを通過した前記マルチビームの各ビームのビーム位置を検出する制御計算機と、
　を備え、
　前記検査アパーチャには前記マルチビームのうち１本のビームが通過する貫通孔が設けられており、
　前記描画対象の基板上での前記マルチビームのビームピッチをＰ、前記マルチビームの１本のビームのサイズをＳとした場合、前記貫通孔の径φ１はＳ＜φ１＜Ｐ−Ｓであることを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。」
２　補正の適否
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「検査アパーチャ」、及び、検査アパーチャの「貫通孔」について、上記のとおり限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記「１」「（１）」に記載したとおりのものである。
　
（２）引用文献の記載事項
ア　引用文献１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２０１３−１１８０６０号公報（平成２５年６月１３日出願公開。以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある（下線は、当審で付した。以下同じ。）。
ａ　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、荷電粒子ビーム装置に関する。」
ｂ　「【００１１】
　図１を参照しながら本発明の荷電粒子ビーム装置の１つの実施形態である電子ビーム描画装置ＥＢについて説明する。電子ビーム描画装置ＥＢは、
複数の電子ビーム（荷電粒子ビーム）を基板（物体）１１０に照射する照射部１０と、基板１１０を移動させる基板駆動機構３０と、複数の荷電粒子ビームの特性を計測するための計測器４０と
電子ビーム描画装置ＥＢは、制御部５０および表示部１１７を備え
【００１２】
　
照射部１０は、電子銃１００、コンデンサレンズ１０２、アパーチャアレイ１０３、１０６、レンズアレイ１０４、ブランカアレイ１０５、電磁レンズ１０７、１０９、偏向器１０８を含み
アパーチャアレイ１０３は、２次元配列された複数の開口を有し、該複数の開口により、コンデンサレンズ１０２によって生成された電子ビームから複数の電子ビームを切り出
【００１３】
　
ブランカアレイ１０５は、複数の電子ビームをそれぞれ個別に偏向させることができる複数の静電ブランカが２次元配列されて構成されており、基板への複数の電子ビームの照射・非照射を個別に制御
【００１４】
　
アパーチャアレイ１０６を通過した電子ビームは、電磁レンズ１０７、１０９により、基板１１０に投影され
基板１１０は、基板ステージ１１１によって保持され
基板駆動機構３０は、基板ステージ１１１を移動させることによって基板１１０を移動させ
偏向器１０８は、基板１１０に照射される電子ビームを一括して偏向させ
偏向器１０８によって電子ビームを主走査方向に走査し基板駆動機構３０によって基板１１０を副走査方向に走査しながらブランカアレイ１０５によって複数の電子ビームの照射・非照射を制御することによって基板１１０にパターンが描画され
【００１５】
　偏向器１０８に対する偏向指令値と偏向器１０８による電子ビームの偏向量との関係は予め校正されていて、偏向器１０８に所望の偏向量で電子ビームを偏向させることができる。ここで、偏向器１０８によって電子ビームの偏向量を変更することは、基板１１０又は計測器４０への電子ビームの入射位置を変更することを意味する。典型的には、基板ステージ１１１は、外乱等に起因して振動している。不図示の
干渉計
によって基板ステージ１１１の変位を計測し
【００１６】
　
計測器４０は、基板ステージ１１１の上に配置され
電子ビームの強度（電流）、形状（強度分布）、照射位置を計測するために用いられ
計測器コントローラ１１３によって制御され
計測器コントローラ１１３は、制御部５０からの指令に基づいて計測器４０を駆動し、計測器４０から出力された信号またはそれを処理した信号を制御部５０に伝送
制御部５０は、計測器４０から計測器コントローラ１１３を介して伝送されてくる信号を記憶部１１５に格納し、演算部１１６がそれを処理することによって電子ビームの特性、
電子ビームの強度（電流）、形状（強度分布）、照射位置を求め
得られた電子ビームの特性は、オペレータによる調整作業のために、
表示部１１７に表示され
制御部５０は、得られた電子ビームの特性に基づいて、各電子ビームの特性が目標特性となるようにレンズアレイ１０４および電磁レンズ１０７、１０９を制御する信号、および、ブランカアレイ１０５に印加する信号の位相などを調整するように構成され
【００１７】
　図２を参照しながら計測器４０について説明する。
計測器４０は、電子ビーム２０１を遮断するナイフエッジプレート２０２と、ナイフエッジプレート２０２の開口を通して入射する電子ビームを検出するセンサ２０３とを含
【００１８】
　図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように電子ビーム２０１を検出部１１２に対して相対的に走査すると、
センサ２０３
電子ビーム２０１と検出部１１２
との相対的な位置関係、あるいは、電子ビーム２０１の強度分布を検出
電子ビーム２０１を検出部１１２に対して相対的に走査
偏向器１０８によって電子ビーム２０１を走査する方法
基板駆動機構３０によって基板ステージ１１１を走査する方法
あるいは、偏向器１０８によって電子ビーム２０１を走査しながら基板駆動機構３０によって基板ステージ１１１を走査
【００１９】
　図３（ａ）には、
ナイフエッジプレート２０２の
開口の個数あるいはナイフエッジの個数は、任意に定めることができ
【００２０】
　ここで、図３（ａ）には、標準状態におけるナイフエッジプレート２０２（即ち、ナイフエッジ３０２ａ〜３０２ｈの位置が標準状態のナイフエッジプレート２０２）が示されているものとする。また、図３（ｂ）には、標準状態におけるナイフエッジプレート２０２、および、標準状態における電子ビーム２０１の配列が示されているものとする。図３（ｂ）において、ナイフエッジ３０２ａ〜３０２ｈの位置に誤差がなく、ナイフエッジ３０２ａ、３０２ｃ、３０２ｅ、３０２ｇの配列ピッチと電子ビーム２０１の配列ピッチとが等しい。標準状態とは、例えば、設計値通りの状態あるいは理想状態として考えることができる。」
ｃ　上記ｂにおいて言及される図１ないし３は次のものである。
【図１】
【図２】
【図３】
　
（イ）上記記載から、引用文献１には、次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ａ　引用文献１に記載された「荷電粒子ビーム装置」（【０００１】）は、「複数の電子ビーム（荷電粒子ビーム）を基板（物体）１１０に照射する照射部１０」（【００１１】）を備えるから、マルチ荷電粒子ビーム装置であるといえる。
ｂ　上記「（ア）」「ｂ」の記載を踏まえて、上記「（ア）」「ｃ」の図３を見ると、「４個の開口を有し、これにより８個のナイフエッジ３０２ａ〜３０２ｈが形成されている」「ナイフエッジプレート２０２」（【００１９】）が、「設計値通りの状態」である「標準状態」において「ナイフエッジ３０２ａ、３０２ｃ、３０２ｅ、３０２ｇの配列ピッチと電子ビーム２０１の配列ピッチとが等しい」（【００２０】）ことは、ナイフエッジプレート２０２に設けられた各開口は、電子ビーム２０１のうちの１本のビームが通過するものであるといえる。
（ウ）上記（ア）、（イ）から、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「複数の荷電粒子ビームを基板１１０に照射する照射部１０と、基板１１０を移動させる基板駆動機構３０と、複数の荷電粒子ビームの特性を計測するための計測器４０と、制御部５０および表示部１１７を備え（【００１１】）、
　前記照射部１０は、電子銃１００、コンデンサレンズ１０２、アパーチャアレイ１０３、１０６、レンズアレイ１０４、ブランカアレイ１０５、電磁レンズ１０７、１０９、偏向器１０８を含み（【００１２】）、
　前記アパーチャアレイ１０３は、２次元配列された複数の開口を有し、該複数の開口により、コンデンサレンズ１０２によって生成された電子ビームから複数の電子ビームを切り出し（【００１２】）、
　前記ブランカアレイ１０５は、複数の電子ビームをそれぞれ個別に偏向させることができる複数の静電ブランカが２次元配列されて構成されており、基板への複数の電子ビームの照射・非照射を個別に制御し（【００１３】）、
　前記アパーチャアレイ１０６を通過した電子ビームは、電磁レンズ１０７、１０９により、基板１１０に投影され（【００１４】）、
　前記基板１１０は、基板ステージ１１１によって保持され、基板駆動機構３０は、基板ステージ１１１を移動させることによって基板１１０を移動させ（【００１４】）、
　偏向器１０８は、基板１１０に照射される電子ビームを一括して偏向させ、前記偏向器１０８によって電子ビームを主走査方向に走査し基板駆動機構３０によって基板１１０を副走査方向に走査しながらブランカアレイ１０５によって複数の電子ビームの照射・非照射を制御することによって基板１１０にパターンが描画され（【００１４】）、
　干渉計によって基板ステージ１１１の変位を計測し（【００１５】）、
　計測器４０は、基板ステージ１１１の上に配置され、電子ビームの強度（電流）、形状（強度分布）、照射位置を計測するために用いられ、計測器コントローラ１１３によって制御され、前記計測器コントローラ１１３は、制御部５０からの指令に基づいて計測器４０を駆動し、計測器４０から出力された信号またはそれを処理した信号を制御部５０に伝送し（【００１６】）、
　前記制御部５０は、計測器４０から計測器コントローラ１１３を介して伝送されてくる信号を記憶部１１５に格納し、演算部１１６がそれを処理することによって電子ビームの特性、電子ビームの強度（電流）、形状（強度分布）、照射位置を求め、得られた電子ビームの特性は、オペレータによる調整作業のために、表示部１１７に表示され（【００１６】）、
　前記制御部５０は、得られた電子ビームの特性に基づいて、各電子ビームの特性が目標特性となるようにレンズアレイ１０４および電磁レンズ１０７、１０９を制御する信号、および、ブランカアレイ１０５に印加する信号の位相などを調整するように構成され（【００１６】）、
　前記計測器４０は、電子ビーム２０１を遮断するナイフエッジプレート２０２と、ナイフエッジプレート２０２の開口を通して入射する電子ビームを検出するセンサ２０３とを含み（【００１７】）、
　前記センサ２０３は、偏向器１０８によって電子ビーム２０１を走査する方法、基板駆動機構３０によって基板ステージ１１１を走査する方法、あるいは、偏向器１０８によって電子ビーム２０１を走査しながら基板駆動機構３０によって基板ステージ１１１を走査する方法によって、電子ビーム２０１を検出部１１２に対して相対的に走査して、電子ビーム２０１と検出部１１２との相対的な位置関係、あるいは、電子ビーム２０１の強度分布を検出し（【００１８】）、
　前記ナイフエッジプレート２０２の開口の個数あるいはナイフエッジの個数は、任意に定めることができ（【００１９】）、
　前記ナイフエッジプレート２０２に設けられた各開口は、電子ビーム２０１のうちの１本のビームが通過するものである（上記「（イ）」「ｂ」）、
　マルチ荷電粒子ビーム装置（上記「（イ）」「ａ」）。」
　
（３）引用発明との対比
ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「２次元配列された複数の開口を有し、該複数の開口により、コンデンサレンズ１０２によって生成された電子ビームから複数の電子ビームを切り出」す「アパーチャアレイ１０３」は、本件補正発明の「複数の穴が形成され、前記複数の穴を荷電粒子ビームが通過することによりマルチビームを形成するアパーチャ部材」に相当する。
（イ）引用発明の「複数の電子ビームをそれぞれ個別に偏向させることができる複数の静電ブランカが２次元配列されて構成されており、基板への複数の電子ビームの照射・非照射を個別に制御」する「ブランカアレイ１０５」は、本件補正発明の「前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのオンオフを切り替える複数のブランカが配置されたブランキングアパーチャアレイ」に相当する。
（ウ）引用発明の「基板１１０は、基板ステージ１１１によって保持され、基板駆動機構３０は、基板ステージ１１１を移動させることによって基板１１０を移動させ」る「基板ステージ１１１」は、本件補正発明の「描画対象の基板が載置される移動可能なステージ」に相当する。
（エ）引用発明の「基板ステージ１１１の変位を計測」する「干渉計」は、本件補正発明の「ステージの位置を検出するステージ位置検出器」と「ステージの変位を検出するステージ変位検出器」の点で一致する。
（オ）引用発明の「基板ステージ１１１の上に配置され、電子ビームの強度（電流）、形状（強度分布）、照射位置を計測するために用いられ」、「電子ビーム２０１を遮断するナイフエッジプレート２０２と、ナイフエッジプレート２０２の開口を通して入射する電子ビームを検出するセンサ２０３とを含む」「計測器４０」における、電子ビーム２０１を遮断、あるいは、開口を通して入射する「ナイフエッジプレート２０２に設けられた各開口は、電子ビーム２０１のうちの１本のビームが通過するものである」「ナイフエッジプレート２０２」は、本件補正発明の「ステージに設けられ、前記マルチビームのうち１本のビームのみ通過させ、他のビームを遮蔽する検査アパーチャ」と「ステージに設けられ、前記マルチビームから選択したビームを通過させる検査アパーチャ」の点で一致する。
（カ）引用発明の「基板１１０に照射される電子ビームを一括して偏向させ、前記偏向器１０８によって電子ビームを主走査方向に走査し基板駆動機構３０によって基板１１０を副走査方向に走査しながらブランカアレイ１０５によって複数の電子ビームの照射・非照射を制御することによって基板１１０にパターンが描画される「偏向器１０８」は、本件補正発明の「前記マルチビームを偏向する偏向器」に相当する。
（キ）引用発明の「前記計測器４０は、偏向器１０８によって電子ビーム２０１を走査する方法、基板駆動機構３０によって基板ステージ１１１を走査する方法、あるいは、偏向器１０８によって電子ビーム２０１を走査しながら基板駆動機構３０によって基板ステージ１１１を走査する方法によって、電子ビーム２０１を検出部１１２に対して相対的に走査して、電子ビーム２０１と検出部１１２との相対的な位置関係、あるいは、電子ビーム２０１の強度分布を検出」する「センサ２０３」は、本件補正発明の「前記検査アパーチャを通過した前記マルチビームの各ビームのビーム電流を検出する電流検出器」に相当する。
（ク）上記（キ）での検討を踏まえると、引用発明において「電子ビームの」「照射位置」を求めることは、本件補正発明の「ステージの位置」「に基づいて」「ビームのビーム位置を検出する」ことに相当するから、引用発明の「計測器４０から計測器コントローラ１１３を介して伝送されてくる信号を記憶部１１５に格納し、演算部１１６がそれを処理することによって電子ビームの特性、電子ビームの強度（電流）、形状（強度分布）、照射位置を求め、得られた電子ビームの特性は、オペレータによる調整作業のために、表示部１１７に表示され」、「得られた電子ビームの特性に基づいて、各電子ビームの特性が目標特性となるようにレンズアレイ１０４および電磁レンズ１０７、１０９を制御する信号、および、ブランカアレイ１０５に印加する信号の位相などを調整するように構成され」る「制御部５０」は、本件補正発明の「検出されたビーム電流に基づいてビーム画像を作成し、前記ビーム画像と、前記ステージの位置とに基づいて、前記検査アパーチャを通過した前記マルチビームの各ビームのビーム位置を検出する制御計算機」と「検出されたビーム電流と、前記ステージの位置とに基づいて、前記検査アパーチャを通過した前記マルチビームの各ビームのビーム位置を検出する制御計算機」の点で一致する。
（ケ）引用発明「電子ビーム２０１のうちの１本のビームが通過するものである」「ナイフエッジプレート２０２に設けられた」「開口」は、本件補正発明の「前記検査アパーチャには前記マルチビームのうち１本のビームのみが通過する貫通孔が設けられて」いることと「前記検査アパーチャには前記マルチビームのうち１本のビームが通過する貫通孔が設けられて」いることの点で一致する。
（コ）引用発明の「マルチ荷電粒子ビーム装置」は、本件補正発明の「マルチ荷電粒子ビーム描画装置」に相当する。
イ　以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
【一致点】
「複数の穴が形成され、前記複数の穴を荷電粒子ビームが通過することによりマルチビームを形成するアパーチャ部材と、
　前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのオンオフを切り替える複数のブランカが配置されたブランキングアパーチャアレイと、
　描画対象の基板が載置される移動可能なステージと、
　前記ステージの変位を検出するステージ変位検出器と、
　前記ステージに設けられ、前記マルチビームから選択したビームを通過させる検査アパーチャと、
　前記マルチビームを偏向する偏向器と、
　前記検査アパーチャを通過した前記マルチビームの各ビームのビーム電流を検出する電流検出器と、
　検出されたビーム電流と、前記ステージの位置とに基づいて、前記検査アパーチャを通過した前記マルチビームの各ビームのビーム位置を検出する制御計算機と、
　を備え、
　前記検査アパーチャには前記マルチビームのうち１本のビームが通過する貫通孔が設けられている、
　マルチ荷電粒子ビーム描画装置。」
【相違点１】
　本件補正発明の「ステージ位置検出器」は「ステージの位置を検出する」のに対して、引用発明の「干渉計」は「基板ステージ１１１の変位を計測」する点。
【相違点２】
　本件補正発明の「前記検査アパーチャを通過した前記マルチビームの各ビームのビーム電流を検出する電流検出器」は、「前記マルチビームを前記検査アパーチャ上でＸＹ方向にスキャン」するのに対して、引用発明の「電子ビームの強度（電流）、形状（強度分布）、照射位置を計測するために用いられ」る「センサ２０３」はこのようにスキャンするものであるとは特定されない点。
【相違点３】
　本件補正発明の「検査アパーチャ」は、マルチビームのうち１本のビーム「のみ」通過させ、「他のビームを遮蔽する」ものであって、当該検査アパーチャに設けられている貫通孔は、マルチビームのうち１本のビーム「のみ」が通過するのに対して、引用発明の「ナイフエッジプレート２０２」の各開口は、電子ビーム２０１のうちの１本のビームが通過するものであるものの、「ナイフエッジプレート２０２」に設けられた開口を総合して、１本のビーム「のみ」通過させ、「他のビームを遮蔽する」ものとは特定されない点。
【相違点４】
　本件補正発明の「制御計算機」は、検出されたビーム電流「に基づいてビーム画像を作成し、前記ビーム画像」と、前記ステージの位置とに基づいて、前記検査アパーチャを通過した前記マルチビームの各ビームのビーム位置を検出するのに対して、引用発明の制御部５０は、「ビーム電流に基づいてビーム画像を作成」し、当該「ビーム画像」と基板ステージ１１１の位置とに基づいて、ナイフエッジプレート２０２の「開口」を通過した電子ビーム２０１の各ビームのビーム位置を検出するものとは特定されない点。
【相違点５】
　本件補正発明の「検査アパーチャ」の「貫通孔」は、「描画対象の基板上での前記マルチビームのビームピッチをＰ、前記マルチビームの１本のビームのサイズをＳとした場合、前記貫通孔の径φ１はＳ＜φ１＜Ｐ−Ｓである」のに対して、引用発明のナイフエッジプレート２０２の「開口」はこのように特定されない点。
（４）判断
　以下、相違点について検討する。
ア　相違点１について
　引用発明が「基板１１０にパターンが描画され」る「マルチ荷電粒子ビーム装置」である以上、「基板ステージ１１１を移動させることによって基板１１０を移動させ」る「基板駆動機構３０」が「基板ステージ１１１」の位置を把握する必要があることは明らかである。
　そして、「基板ステージ１１１」の位置を把握する手段としてのステージ位置検出器を備えることは本願出願日当時の技術常識であるから、引用発明も、「基板ステージ１１１の変位を計測」する「干渉計」のみならず、ステージ位置検出器を実質的に備えていると認められる。
　したがって、相違点１は実質的な相違点ではない。
　また、例え相違点であったとしても、引用発明において、「基板駆動機構３０」が「基板ステージ１１１」の位置を把握するためにステージ位置検出器を備える構成となすことは当業者が容易になし得たことにすぎない。
イ　相違点２について
（ア）引用発明の「制御部５０」は、「得られた電子ビームの特性に基づいて、
各電子ビームの特性
　ここで、上記「（２）」「ア」「（ア）」「ｃ」の図１及び３を見ると、「ブランカアレイ１０５」はＸＹ方向に「２次元配列」されていると解されるから、当該「ブランカアレイ１０５」を通過した「電子ビーム」もＸＹ方向に「２次元配列」されているといえる。
（イ）そして、「計測器４０」が、当該ＸＹ方向に「２次元配列」された電子ビームを個別に検出するためには、偏向器１０８によって電子ビームを（計測器４０上で）Ｘ方向に移動させ基板駆動機構３０によって（計測器４０とともに）基板１１０をＹ方向に移動させるか、偏向器１０８によって電子ビームを（計測器４０上で）Ｘ方向及びＹ方向に移動させるか、あるいは、基板駆動機構３０によって（計測器４０とともに）基板１１０をＸ方向及びＹ方向に移動させればよいことは当業者が容易に想到し得ることである。
　ここで、「基板ステージ１１１の上に配置され」る「計測器４０」をＸＹ方向に「２次元配列」された各ビームと対向させるために、上記Ｘ方向及びＹ方向に移動させることは、本件補正発明における「マルチビームを検査アパーチャ上でＸＹ方向にスキャン」することに相当する。
（ウ）したがって、引用発明における、「制御部５０」が、「得られた電子ビームの特性に基づいて、各電子ビームの特性が目標特性となるように」「ブランカアレイ１０５に印加する信号の位相などを調整するように構成され」ることを具体的に実施するに際して、「基板ステージ１１１の上に配置され」る、「センサ２０３」を含む「計測器４０」をＸＹ方向に「２次元配列」された各ビームと対向させるために、上記Ｘ方向及びＹ方向に移動（走査）する構成となすことにより上記相違点２に係る本件補正発明の構成となすことは当業者が容易になし得たことである。
ウ　相違点３について
（ア）引用発明の「計測器４０」は、引用文献１によれば、「電子ビーム２０１を遮断するナイフエッジプレート２０２と、ナイフエッジプレート２０２の開口を通して入射する電子ビームを検出するセンサ２０３とを含む」ものであって、「ナイフエッジプレート２０２は、導電性のプレートで、複数の開口を有し、各開口のエッジは、ナイフエッジＫＥを構成してい」て、「図２（ａ）に示す状態では、ナイフエッジプレート２０２によって電子ビーム２０１が完全に遮断されている。図２（ｂ）に示すように、電子ビーム２０１が検出部１１２に対して相対的に移動すると、電子ビーム２０１が部分的にセンサ２０３に入射する。図２（ｃ）に示すように、電子ビーム２０１が検出部１１２に対して相対的に更に移動すると、電子ビーム２０１の全体がセンサ２０３に入射する」（【００１７】、及び、上記「（２）」「ア」「（ア）」「ｂ」図２参照）ものであると説明されている。
　また、引用文献１には、「ナイフエッジプレート２０２は、複数のナイフエッジを有する。図３（ａ）、（ｂ）に示す例では、ナイフエッジプレート２０２は、４個の開口を有し、これにより８個のナイフエッジ３０２ａ〜３０２ｈが形成されている。ナイフエッジ３０２ａ〜３０２ｈは、図２におけるナイフエッジＫＥに相当する。開口の個数あるいはナイフエッジの個数は、任意に定めることができる。」（【００１９】、及び、上記「（２）」「ア」「（ア）」「ｂ」図３参照）とも記載されている。
　
（イ）そして、引用文献１には、「この 図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように電子ビーム２０１を検出部１１２に対して相対的に走査すると、センサ２０３によって検出される電子ビーム２０１の量（センサ２０３から出力される信号）が変化することが分かる。これを利用して電子ビーム２０１と検出部１１２（結果として基板ステージ１１１）との相対的な位置関係、あるいは、電子ビーム２０１の強度分布を検出することができる」（【００１８】）ものであると説明されている。
（ウ）上記（ア）及び（イ）によれば、引用発明の「計測器４０」は、「電子ビーム２０１を遮断するナイフエッジプレート２０２」において、１つの開口と、当該開口に設けられる２つのナイフエッジＫＥがあれば、「ナイフエッジプレート２０２によって電子ビーム２０１が完全に遮断されている」状態、「電子ビーム２０１が部分的にセンサ２０３に入射する」状態、及び、「電子ビーム２０１の全体がセンサ２０３に入射する」状態とすることができ、「電子ビーム２０１と検出部１１２（結果として基板ステージ１１１）との相対的な位置関係、あるいは、電子ビーム２０１の強度分布を検出することができる」るものであるといえる。
（エ）したがって、「ナイフエッジプレート２０２の開口の個数あるいはナイフエッジの個数は、任意に定めることができ」るものである引用発明は、「ナイフエッジプレート２０２には電子ビーム２０１のうち１本のビームが通過する開口が」「１個」「設けられてい」るものであっても、「電子ビーム２０１と検出部１１２（結果として基板ステージ１１１）との相対的な位置関係、あるいは、電子ビーム２０１の強度分布を検出することができる」るものであるといえる。
　そして、「ナイフエッジプレート２０２には電子ビーム２０１のうち１本のビームが通過する開口が」「１個」「設けられてい」るものである場合は、「ナイフエッジプレート２０２」及び「ナイフエッジプレート２０２の開口」を通過できるのはマルチビームのうち１本のビームのみであり、他のビームは遮蔽されることは明らかである。
　したがって、引用発明において、「ナイフエッジプレート２０２の開口の個数」を１個とすることは当業者が容易になし得たことであり、当該場合は、「ナイフエッジプレート２０２」及び「ナイフエッジプレート２０２の開口」を通過できるのは、マルチビームのうちのは１本のビームのみであり、他のビームは遮蔽されるから、引用発明において相違点３に係る本件補正発明の構成となすことは当業者が想到し得たことにすぎない。　
エ　相違点４について
　引用発明の「制御部５０」は、「計測器４０から計測器コントローラ１１３を介して伝送されてくる信号を記憶部１１５に格納し、演算部１１６がそれを処理することによって電子ビームの特性、電子ビームの強度（電流）、形状（強度分布）、照射位置を求め、
得られた電子ビームの特性は、
表示部１１７に表示
　ここで、引用発明における「複数の電子ビーム」は、「前記アパーチャアレイ１０３は、２次元配列された複数の開口を有し、該複数の開口により、コンデンサレンズ１０２によって生成された電子ビームから複数の電子ビームを切り出し、前記ブランカアレイ１０５は、複数の電子ビームをそれぞれ個別に偏向させることができる複数の静電ブランカが２次元配列されて構成されており、基板への複数の電子ビームの照射・非照射を個別に制御」するものであるから、当該「２次元配列された複数の開口」の形（ビーム画像の形）に合わせて、得られた「電子ビームの特性」を配置して表示すると、オペレータが容易に把握できることは容易に想定し得ることである。
　したがって、引用発明において、得られた電子ビームの特性を、オペレータによる調整作業のために、ビームの画像の形に配置して表示して表示部１１７に表示し、当該ビームの画像と基板ステージ１１１とに基づいてビーム位置を検出する構成となすことで、上記相違点４に係る本件補正発明の構成となすことは当業者が容易になし得たことにすぎない。
オ　相違点５について
（ア）引用発明は、「ナイフエッジプレート２０２に設けられた各開口は、電子ビーム２０１のうちの１本のビームが通過するものである」から、当該開口（以下径を「φ２」とする。）は、電子ビーム２０１のうち１本のビームのサイズ（以下サイズを「Ｓ２」とする。）より大きいことは明らかである。
　すなわち、Ｓ２＜φ２であるといえる。
（イ）また、「電子ビーム２０１のうちの１本のビームが通過するものである」「ナイフエッジプレート２０２に設けられた」「開口」であるから、当該開口が、「電子ビーム２０１のうち」２本のビーム（それぞれがビームの１部である場合を含む）が同時に「通過する開口」より小さいことは明らかである。
　ここで、当該「電子ビーム２０１のうち」２本のビーム（それぞれがビームの１部である場合を含む）が同時に「通過する開口」の大きさは、電子ビーム２０１のビームピッチ（以下サイズを「Ｐ２」とする。）から、１本のビームのサイズを除いた大きさ（Ｐ２−Ｓ２）であることは明らかである。
　そうすると、「電子ビーム２０１のうちの１本のビームが通過するものである」「ナイフエッジプレート２０２に設けられた」「開口」であるから、当該開口が、「電子ビーム２０１のうち」２本のビーム（それぞれがビームの１部である場合を含む）が同時に「通過する開口」より小さいことは、φ２＜Ｐ２−Ｓ２であるといえる。
　
（ウ）上記（ア）及び（イ）での検討によれば、引用発明において、「ナイフエッジプレート２０２に設けられた各開口は、電子ビーム２０１のうちの１本のビームが通過するものである」ことは、Ｓ２＜φ２＜Ｐ２−Ｓ２であることを意味するから、相違点５は実質的な相違点ではない。
　また、例え相違点であったとしても、引用発明において、「ナイフエッジプレート２０２に設けられた各開口は、電子ビーム２０１のうちの１本のビームが通過するものである」ものとなすために、「ナイフエッジプレート２０２の開口」をＳ２＜φ２＜Ｐ２−Ｓ２を満たすように設けることは当業者が容易になし得たことである。
カ　そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
　
キ　したがって、本件補正発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　本件補正についてのむすび
　よって、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　令和２年９月２５日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、令和２年３月２３日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記「第２」［理由］「１」「（２）」に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１ないし４に係る発明は、本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
引用文献１：特開２０１３−１１８０６０号公報
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項は、前記「第２」［理由］「２」「（２）」に記載したとおりである。
　
４　対比・判断
　本願発明は、前記「第２」［理由］「２」で検討した本件補正発明から、「検査アパーチャ」、及び、検査アパーチャの「貫通孔」についての、「マルチビームのうち１本のビームのみ通過させ、他のビームを遮蔽する検査アパーチャ」及び「マルチビームのうち１本のビームのみが通過する貫通孔」に係る限定事項（下線部）を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「第２」［理由］「２」「（３）」及び「（４）」に記載したとおり、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。