Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月1日(2019.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画像データを取得する第１の取得手段と、
前記第１の取得手段により取得した前記第１の画像データを、画像データを出力する出力手段に依存する色空間で定められる第２の画像データに変換する前に、当該第１の画像データに対して、第１の多重化パラメータを用いて付加情報を多重化する第１の多重化手段と、
前記第１の多重化手段により多重化した前記第１の画像データを前記第２の画像データに変換する第１の変換手段と、を備え、
前記第１の多重化パラメータは、前記出力手段に依存する色空間における各出力条件に応じた複数の色再現範囲に類似する色再現範囲に対応する、
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
複数の色再現範囲に基づいて、類似する色再現範囲を特定する特定手段と、
前記特定手段により特定された前記類似する色再現範囲に基づいて、第２の多重化パラメータを取得する第２の取得手段と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記特定手段は、前記特定手段により用いられていない複数の色再現範囲に基づいて、類似する色再現範囲をさらに特定することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記特定手段は、色再現範囲間の色差に基づいて、前記類似する色再現範囲を特定することを特徴とする請求項２又は３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記第２の取得手段により取得した前記第２の多重化パラメータは、輝度成分と色成分により定められる色空間の色成分を変調するためのパラメータであることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記第１の画像データは、前記出力手段に依存しない色空間で定められる画像データであることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記出力手段に依存しない色空間は、ＲＧＢもしくはＣＭＹＫで定められる色空間であることを特徴とする請求項６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記第２の取得手段により取得した前記第２の多重化パラメータを、前記出力手段に依存しない色空間で定められる前記第１の多重化パラメータに変換する第２の変換手段、をさらに備え、
前記多重化手段は、前記第２の変換手段により変換した前記第１の多重化パラメータを用いて前記付加情報を多重化する、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記付加情報を取得する第３の取得手段、をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記第１の多重化手段は、前記第１の画像データに対して、前記第１の多重化パラメータを用いて、前記第３の取得手段により取得した前記付加情報を多重化することを特徴とする請求項９に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記複数の色再現範囲それぞれは、前記出力手段の出力条件によることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記複数の色再現範囲それぞれは、前記出力手段の出力品位によることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
前記出力手段は、印刷装置であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
前記出力手段を含むことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１５】
情報処理装置において実行される情報処理方法であって、
第１の画像データを取得する第１の取得工程と、
前記第１の取得工程において取得した前記第１の画像データを、画像データを出力する出力手段に依存する色空間で定められる第２の画像データに変換する前に、当該第１の画像データに対して、第１の多重化パラメータを用いて付加情報を多重化する第１の多重化工程と、
前記第１の多重化工程において多重化した前記第１の画像データを前記第２の画像データに変換する第１の変換工程と、を有し、
前記第１の多重化パラメータは、前記出力手段に依存する色空間における各出力条件に応じた複数の色再現範囲に類似する色再現範囲に対応する、
ことを特徴とする情報処理方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【請求項１７】
第１の画像データを取得する第１の取得手段と、
前記第１の取得手段により取得した前記第１の画像データを、出力手段に依存する色空間における複数の色再現範囲に類似する色再現範囲に対応する第３の画像データに変換する第３の変換手段と、
前記第３の画像データを、当該第３の画像データを出力する出力手段に依存する色空間で定められる第２の画像データに変換する第４の変換手段と、
前記第３の画像データに対して、第３の多重化パラメータを用いて付加情報を多重化する第２の多重化手段と、を備え、
前記第３の多重化パラメータは、前記類似する色再現範囲に対応する、
ことを特徴とする情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月4日(2019.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記方法で測定したドライ条件でのガス拡散性が３．９％以上であり、下記方法で測定した結露条件でのガス拡散性が３．９％以上である、ガス拡散電極基材。
ガス拡散性の測定方法：一定面積の矩形に切り出したガス拡散電極基材を試料として、前記試料の一方の面側を１次側として、他方の面側を２次側として、１次側と２次側の湿度を０％ＲＨ（ドライ）として、２次側に４０℃の冷却水を流した上で、１次側に酸素ガスを流し、２次側に窒素のみを流し、１次側と２次側の圧力差を０±２Ｐａ以内に制御したとき、前記酸素ガスにより２次側のガス濃度が平衡に達したときのガス濃度を、ドライ条件でのガス拡散性とする。さらに、１次側の湿度を８０％に設定して前記同様に測定を行い、２次側のガス濃度が平衡に達したときのガス濃度を、結露条件でのガス拡散性とする。
【請求項２】
前記ドライ条件でのガス拡散性が４．２％以上である、請求項１に記載のガス拡散電極基材。
【請求項３】
スパッタリングの電源として、周波数が１１０ＫＨｚ以上２．４５ＧＨｚ未満の交流電源を用い、真空度１０−３Ｐａ以上の高真空に１〜４８時間保った後、導電性多孔質基材の面積に対するスパッタリング出力を２ｋＷ／ｍ２〜３０ｋＷ／ｍ２として、導電性多孔質基材にフッ素樹脂をスパッタリングしてガス拡散電極基材を得る、ガス拡散電極基材の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の製造方法で得られたガス拡散電極基材の少なくとも片面に微多孔層を形成する、ガス拡散電極の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は上記の課題を解決するため、次のような手段を採用するものである。
（１）フッ素樹脂と導電性多孔質基材とを含み、少なくとも片側の表面において、滑落角が７０°以下であり、かつ断面におけるフッ素と炭素の比率が２％以下であるガス拡散電極基材。
（２）フッ素樹脂と導電性多孔質基材とを含み、少なくとも片面の表面において、滑落角が７０°以下であり、かつ飛行時間型二次イオン質量分析法で測定される、Ｃ４Ｆ７＋フラグメントとＣ３Ｆ７＋フラグメントとの強度比率、およびＣ５Ｆ９＋フラグメントとＣ４Ｆ９＋フラグメントとの強度比率がいずれも１．５以上であり、Ｃ２Ｆ５Ｏ−フラグメントとＣ２Ｆ５−フラグメントとの強度比率、およびＣ３Ｆ７Ｏ−フラグメントとＣ２Ｆ５−フラグメントとの強度比率がいずれも０．５以下であるガス拡散電極基材。
（３）ガス拡散電極基材の両側の表面においても、滑落角が７０°以下である、（１）または（２）に記載のガス拡散電極基材。
（４）ガス拡散電極基材の片側の表面の滑落角と他の表面の滑落角に１０°以上差がある、（１）〜（３）のいずれかに記載のガス拡散電極基材。
（５）フッ素樹脂はスパッタリングにより導電性多孔質基材にコーティングされている、
（１）〜（４）のいずれかに記載のガス拡散電極基材。
（６）結露条件でのガス拡散性が、ドライ条件でのガス拡散性と実質的に同等、またはそれ以上である、（１）〜（５）のいずれかに記載のガス拡散電極基材。
（７）（１）〜（６）のいずれかに記載のガス拡散電極基材を用いたガス拡散電極。
（８）ガス拡散電極基材の少なくとも片面に、微多孔層を設けてなる、（７）に記載のガス拡散電極。
（９）ガス拡散電極基材の両側の表面のうち、滑落角の小さい方の片面に微多孔層を設けてなる、（７）に記載のガス拡散電極。
（１０）フッ素樹脂は融点が３００℃以下であり、微多孔層にも含まれる、（８）または（９）に記載のガス拡散電極。
（１１）微多孔層には、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバーおよびグラフェンからなる群より選ばれる少なくとも１種の導電性粒子が含まれる、（８）〜（１０）のいずれかに記載のガス拡散電極。
（１２）スパッタリングの電源として、周波数が１１０ＫＨｚ以上２．４５ＧＨｚ未満の交流電源を用い、真空度１０−３Ｐａ以上の高真空に１〜４８時間保った後、導電性多孔質基材の面積に対するスパッタリング出力を２ｋＷ／ｍ２〜３０ｋＷ／ｍ２として、導電性多孔質基材にフッ素樹脂をスパッタリングしてガス拡散電極基材を得る、ガス拡散電極基材の製造方法。
（１３）（１２）に記載の製造方法で得られたガス拡散電極基材を用いてガス拡散電極を製造する、ガス拡散電極の製造方法。
（１４）（１２）に記載の製造方法で得られたガス拡散電極基材の少なくとも片面に微多孔層を形成する、ガス拡散電極の製造方法。
（１５）下記方法で測定したドライ条件でのガス拡散性が３．９％以上であり、下記方法で測定した結露条件でのガス拡散性が３．９％以上である、ガス拡散電極基材。
ガス拡散性の測定方法：一定面積の矩形に切り出したガス拡散電極基材を試料として、前記試料の一方の面側を１次側として、他方の面側を２次側として、１次側と２次側の湿度を０％ＲＨ（ドライ）として、２次側に４０℃の冷却水を流した上で、１次側に酸素ガスを流し、２次側に窒素のみを流し、１次側と２次側の圧力差を０±２Ｐａ以内に制御したとき、前記酸素ガスにより２次側のガス濃度が平衡に達したときのガス濃度を、ドライ条件でのガス拡散性とする。さらに、１次側の湿度を８０％に設定して前記同様に測定を行い、２次側のガス濃度が平衡に達したときのガス濃度を、結露条件でのガス拡散性とする。
（１６）前記ドライ条件でのガス拡散性が４．２％以上である、（１５）に記載のガス拡散電極基材。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月21日(2019.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬデバイスの製造方法であって、
前記有機ＥＬデバイスは、基板と、前記基板上に形成された複数のＴＦＴと、それぞれ
が前記複数のＴＦＴのいずれかに接続された複数のゲートバスラインおよび複数のソースバスラインと、複数の端子と、前記複数の端子と前記複数のゲートバスラインまたは前記複数のソースバスラインのいずれかとを接続する複数の引出し配線とを有する、駆動回路層と、前記駆動回路層上に形成され、少なくとも前記複数の端子を露出する無機保護層と、前記無機保護層上に形成された有機平坦化層と、前記有機平坦化層上に形成され、それぞれが前記複数のＴＦＴのいずれかに接続された複数の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ素子層と、前記有機ＥＬ素子層を覆うように形成された薄膜封止構造とを有し、
前記製造方法は、
前記基板上に前記駆動回路層を形成する工程Ａと、
前記駆動回路層上に前記無機保護層を形成する工程Ｂと、
前記無機保護層上に前記有機平坦化層を形成する工程Ｃと、
前記有機平坦化層中に含まれる水分を減少させる工程Ｄと、
前記工程Ｄの後に、前記有機平坦化層上に、前記有機ＥＬ素子層を形成する工程Ｅと
を包含し、
前記工程Ｃの後、かつ前記工程Ｄの前に、前記有機平坦化層を覆う有機高分子膜を形成する工程Ｃ１と、前記有機高分子膜を除去する工程Ｃ２とをさらに包含する、製造方法。
【請求項２】
前記工程Ｄは、減圧下または大気圧下で、加熱する工程を包含する、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記工程Ｄは、露点が−５０℃以下の乾燥空気または乾燥窒素の雰囲気で行われる、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記工程Ｃ１は、水溶性高分子と水系溶媒とを含む溶液を前記有機平坦化層上に付与する工程と、前記溶液に含まれる前記水系溶媒を１００℃以下で揮発させる工程とを包含する、請求項１から３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
前記水系溶媒は、メタノールまたはエタノールを含む、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記水溶性高分子は、ポリビニルアルコールである、請求項４または５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記有機平坦化層は、感光性を有する樹脂から形成されている、請求項１から６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
前記有機平坦化層は、ポリイミドから形成されている、請求項１から７のいずれかに記載の製造方法。
【請求項９】
前記工程Ｃ１と前記工程Ｃ２との間に、前記有機高分子膜が形成された前記基板を保管または運搬する工程をさらに包含する、請求項１から８のいずれかに記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月14日(2019.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
本実施の形態では、実施の形態１〜５と同様に、フタ５４２が制御基板５４０を上方から押さえつけることで、バネ端子５３０と制御基板５４０とが電気的に接続される。このとき、第２端部に設けられた凸部５３３と制御基板５４０とが接触する。また、第２端部と制御基板５４０とは接合されていない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
図１６は、実施の形態６に係る半導体装置６００が組み立てられた状態の断面図である。図１６では、バネ端子６３０と制御基板５４０とが接続されている。制御基板５４０は、第２接続部６３２の上に設けられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
本実施の形態では、実施の形態１〜５と同様に、フタ５４２が制御基板５４０を上方から押さえつけることで、バネ端子６３０と制御基板５４０とが電気的に接続される。このとき、凸部６３３と制御基板５４０とが接触する。また、第２接続部６３２の第２端部と制御基板５４０とは接合されていない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2019009183.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月24日(2019.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の第１態様の車載用電源回路は、
第１蓄電部に電気的に接続された第１導電路に印加される電圧を降圧又は昇圧し、第２蓄電部に電気的に接続された第２導電路に印加する電圧変換部と、前記電圧変換部に対して制御信号を出力する制御部と、を備えた車載用電源装置に用いられる電源回路であって、
前記第１蓄電部から供給される電力に基づいて前記制御部に電力を供給する第１内部電源部と、
前記第２蓄電部から供給される電力に基づいて前記制御部に電力を供給する第２内部電源部と、
前記第２内部電源部からの電力供給が正常状態である場合に、少なくとも前記第２内部電源部からの電力に基づいて前記制御部に動作電圧を出力し、前記第２内部電源部からの電力供給が前記正常状態でない場合に、少なくとも前記第１内部電源部からの電力に基づいて前記制御部に動作電圧を出力する動作電圧調整部と、
を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
電圧変換部１０は、双方向の電圧変換を行いうる昇降圧ＤＣＤＣコンバータとして構成されている。電圧変換部１０は、スイッチング方式のＤＣＤＣコンバータの要部をなし、制御部３０から降圧用の制御信号（降圧用のＰＷＭ信号）を与えられている場合には、高圧側の導電路（第１導電路２１）に印加された直流電圧を降圧して低圧側の導電路（第２導電路２２）に出力電圧を印加する。電圧変換部１０は、制御部３０から昇圧用の制御信号（昇圧用のＰＷＭ信号）を与えられている場合には、低圧側の導電路（第２導電路２２）に印加された直流電圧を昇圧して高圧側の導電路（第１導電路２１）に出力電圧を印加する。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月9日(2019.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体の生成物を回収する容器と、
前記生成物が搬送される搬送対象部と、
前記容器及び前記搬送対象部の間に設けられ、前記生成物を排出するノズルと、不活性ガスでパージされる機構と、を有する第１部分を有する液送部と、
を備えた処理システム。
【請求項２】
前記搬送対象部は、可搬式容器であり、
前記液送部は、前記容器及び前記ノズルを連結する第２配管と、前記受け部及び前記可搬式容器を連結する第３配管と、前記第１部分に連結される第２部分と、をさらに有し、
前記第２部分は、前記ノズルから排出された前記生成物を受ける受け部を有し、
前記ノズルは、前記受け部によって側面が囲まれた先端部を有する請求項１記載の処理システム。
【請求項３】
前記液送部は、前記第１部分及び前記第２部分を連結する第３部分をさらに備え、
前記受け部の一部は、前記第３部分を貫通する請求項２記載の処理システム。
【請求項４】
前記第２部分は、ガイド部と、前記ガイド部に沿って伸縮する伸縮部と、をさらに有する請求項２または３に記載の処理システム。
【請求項５】
前記ノズルは、前記受け部に向かうにつれて段階的に幅が小さくなる請求項２〜４のいずれか１つに記載の処理システム。
【請求項６】
前記液送部は、前記ノズルの外壁面上に設けられ、内部に前記不活性ガスが流れる第１配管をさらに有する請求項１〜５のいずれか１つに記載の処理システム。
【請求項７】
前記第１配管の側面上に設けられた温度調整部をさらに備えた請求項６記載の処理システム。
【請求項８】
前記ノズルの内壁面上に設けられた保護膜をさらに備えた請求項１〜７のいずれか１つに記載の処理システム。
【請求項９】
前記ノズルの先端部上に設けられ、前記ノズルからの前記生成物を排出するバルブをさらに備えた請求項１〜８のいずれか１つに記載の処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】処理システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
実施形態は、処理システムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
実施形態の目的は、製造工程の安全性が向上した処理システムを提供することである。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月20日(2019.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
活性領域（１）と、当該活性領域を囲む不活性領域（２）とを有し、前記活性領域に横型のスイッチングデバイスが形成された半導体装置であって、
前記活性領域は、
基板（１１）上に形成され、ドリフト領域を構成する第１のＧａＮ系半導体にて構成された第１半導体層（１２）および前記第１のＧａＮ系半導体よりもバンドギャップエネルギーが大きい第２のＧａＮ系半導体にて構成された第２半導体層（１３）にて構成されるヘテロジャンクション構造を有し、前記第２半導体層にリセス部（１５）が形成されたチャネル形成層（１２、１３）と、
前記リセス部内に形成されたゲート絶縁膜（１６）および当該ゲート絶縁膜の上に形成されたＭＯＳ構造のゲート電極となるＭＯＳゲート電極（１７）を有するゲート構造部と、
前記第２半導体層の上において、前記ゲート構造部を挟んだ両側に配置されたソース電極（１８）およびドレイン電極（１９）と、
前記第２半導体層の上において、前記ゲート構造部と前記ドレイン電極との間における前記ドレイン電極から離れた位置に配置され、不純物がドープされていない第３のＧａＮ系半導体にて構成された第３半導体層（１４）と、
前記第３半導体層の上に形成されたｐ型の第４のＧａＮ系半導体によって構成された第４半導体層（２０）と、
前記第４半導体層に接触させられたジャンクションゲート電極（２１）と、を備えるスイッチングデバイスを有し、
前記ジャンクションゲート電極は、前記ソース電極と電気的に接続されて当該ソース電極と同電位とされ、かつ前記活性領域内にのみ配置されており、
前記不活性領域には、前記ＭＯＳゲート電極とゲート配線（２５ａ）を介して接続されるゲートパッド（２５）、前記ソース電極とソース配線（２６ａ）を介して接続されるソースパッド（２６）、および前記ドレイン電極とドレイン配線（２７ａ）を介して接続されるドレインパッド（２７）が形成されている半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するための請求項１では、活性領域（１）と、当該活性領域を囲む不活性領域（２）とを有し、活性領域に横型のスイッチングデバイスが形成された半導体装置であって、活性領域は、基板（１１）上に形成され、ドリフト領域を構成する第１のＧａＮ系半導体にて構成された第１半導体層（１２）および第１のＧａＮ系半導体よりもバンドギャップエネルギーが大きい第２のＧａＮ系半導体にて構成された第２半導体層（１３）にて構成されるヘテロジャンクション構造を有し、第２半導体層にリセス部（１５）が形成されたチャネル形成層（１２、１３）と、リセス部内に形成されたゲート絶縁膜（１６）および当該ゲート絶縁膜の上に形成されたＭＯＳ構造のゲート電極となるＭＯＳゲート電極（１７）を有するゲート構造部と、第２半導体層の上において、ゲート構造部を挟んだ両側に配置されたソース電極（１８）およびドレイン電極（１９）と、第２半導体層の上において、ゲート構造部とドレイン電極との間におけるドレイン電極から離れた位置に配置され、不純物がドープされていない第３のＧａＮ系半導体にて構成された第３半導体層（１４）と、第３半導体層の上に形成されたｐ型の第４のＧａＮ系半導体によって構成された第４半導体層（２０）と、第４半導体層に接触させられたジャンクションゲート電極（２１）と、を備えるスイッチングデバイスを有し、ジャンクションゲート電極は、ソース電極と電気的に接続されて当該ソース電極と同電位とされ、かつ活性領域内にのみ配置されており、不活性領域には、ＭＯＳゲート電極とゲート配線（２５ａ）を介して接続されるゲートパッド（２５）、ソース電極とソース配線（２６ａ）を介して接続されるソースパッド（２６）、およびドレイン電極とドレイン配線（２７ａ）を介して接続されるドレインパッド（２７）が形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
そして、ＭＯＳゲート電極１７は、活性領域１から不活性領域２へと引き出されたゲート配線２５ａを介してゲートパッド２５と接続されている。また、ソース電極１８は、活性領域１から不活性領域２へと引き出されたソース配線２６ａを介してソースパッド２６と接続されている。ドレイン電極１９は、活性領域１から不活性領域２へと引き出されたドレイン配線２７ａを介してドレインパッド２７と電気的に接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2019009308.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2019009308.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2019009308.tif 000003
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2019009308.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月12日(2019.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る有機電界発光素子の断面構成の一例を表す図である。
【図２】図１の有機電界発光素子の断面構成の一変形例を表す図である。
【図３】図２の有機電界発光素子の各層のエネルギー準位の一例を概念的に表す図である。
【図４】図２の有機電界発光素子の各層のエネルギー準位の一変形例を概念的に表す図である。
【図５】図１の有機電界発光素子の断面構成の一変形例を表す図である。
【図６】図１の有機電界発光素子の断面構成の一変形例を表す図である。
【図７】本開示の第２の実施の形態に係る有機電界発光装置の概略構成の一例を表す図である。
【図８】図７の画素の回路構成の一例を表す図である。
【図９】本開示の有機電界発光装置を備えた電子機器の外観の一例を斜視的に表す図である。
【図１０】本開示の有機電界発光素子を備えた照明装置の外観の一例を斜視的に表す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
陰極１８は、例えば、光反射性を有する反射電極であり、例えば反射性を有する金属材料を用いて形成された金属電極である。陰極１８の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が用いられる。なお、陰極１８は、反射電極に限るものではなく、ＩＴＯ膜等の透明電極であってもよい。本実施の形態において、基板１０及び陽極１１が透光性を有し、陰極１８が反射性を有している場合には、有機電界発光素子１は、基板１０側から光が放出するボトムエミッション構造となっている。なお、本実施の形態において、基板１０及び陽極１１が反射性を有し、陰極１８が透光性を有している場合には、有機電界発光素子１は、陰極１８側から光が放出するトップエミッション構造となっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
バッファ層１９は、発光層１４と拡散抑制層１５とが直接、接するのを防止するための層である。バッファ層１９は、発光層１４と、電子輸送層１６若しくは電子注入層１７との間に配置されており、拡散抑制層１５よりも発光層１４寄りに配置されている。バッファ層１９は、正孔ブロック層としての機能を有していてもよい。バッファ層１９は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料によって構成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
本変形例では、発光層１４と、電子輸送層１６若しくは電子注入層１７との間に、拡散抑制層１５，１９が設けられている。これにより、拡散抑制層１５を相対的に薄くするとともに、拡散抑制層１９を相対的に厚くすることにより、拡散防止を十分に機能させるとともに、拡散抑制層１５，１９の透過率を十分に高くすることができる。また、本変形例では、拡散抑制層１５が発光層１４に直接、接しておらず、しかも、Ｅ１，Ｅ２が上記の式（１）、式（２）または式（３）を満たしているので、消光が発生する可能性が低く、拡散抑制層１５に含まれる金属が発光層１４に拡散する可能性もほとんどない。従って、駆動電圧を低く抑えつつ、発光効率の低下を抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月15日(2019.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁化方向が変化する第１強磁性金属層と、
前記第１強磁性金属層の面直方向である第１方向に対して交差する第２の方向に延在し、その一面上に前記第１強磁性金属層が位置するスピン軌道トルク配線と、
前記スピン軌道トルク配線の前記第１強磁性金属層と反対側の位置に下地層と、を備え、
前記スピン軌道トルク配線は、スピン伝導層と界面スピン生成層が前記第１方向に交互に積層された構造であり、
前記界面スピン生成層の数は２層以上であり、
前記スピン軌道トルク配線において、前記界面スピン生成層のうち一つが前記第１強磁性金属層に最近接し、
前記下地層は酸化物または金属を有することを特徴とするスピン流磁化回転素子。
【請求項２】
前記酸化物は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃｅの群から選択される少なくとも１つの元素を含むことを特徴とする請求項１に記載のスピン流磁化回転素子。
【請求項３】
前記金属は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗの群から選択される少なくとも１つの元素を含むことを特徴とする請求項１に記載のスピン流磁化回転素子。
【請求項４】
前記界面スピン生成層の厚さが前記界面スピン生成層を構成する原子の原子半径の２倍以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のスピン流磁化回転素子。
【請求項５】
前記スピン伝導層がＡｌ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、ＧａＡｓ、及びＧｅのうち少なくともいずれか一種の元素を含む材料から構成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のスピン流磁化回転素子。
【請求項６】
前記界面スピン生成層がＭｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、又はＢｉのいずれかの元素を含む材料から構成されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のスピン流磁化回転素子。
【請求項７】
前記スピン伝導層の厚さが前記スピン伝導層の有するスピン拡散長以下の厚さであることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のスピン流磁化回転素子。
【請求項８】
前記界面スピン生成層のうち前記第１強磁性金属層に最も近い位置にある前記界面スピン生成層の厚さが、他の前記界面スピン生成層の厚さより薄いことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のスピン流磁化回転素子。
【請求項９】
前記スピン伝導層が、前記界面スピン生成層を挟んで異なる材料で構成されており、
前記第１強磁性金属層に近い前記スピン伝導層のスピン抵抗率が、
前記第１強磁性金属層から遠い前記スピン伝導層のスピン抵抗率より小さいことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載のスピン流磁化回転素子。
【請求項１０】
前記第１強磁性金属層に最近接する前記界面スピン生成層が、前記第１強磁性金属層に最近接しない他の前記界面スピン生成層より、前記第１方向から見た断面積が小さくなることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のスピン流磁化回転素子。
【請求項１１】
前記スピン軌道トルク配線の厚さが２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載のスピン流磁化回転素子。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項に記載のスピン流磁化回転素子と、
磁化の向きが固定されている第２強磁性金属層と、前記第１強磁性金属層と前記第２強磁性金属層に挟持された非磁性体層とを備えていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項１３】
請求項１２に記載の磁気抵抗効果素子を複数備えていることを特徴とする磁気メモリ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月8日(2019.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
請求項７又は８に記載の質量分析装置であって、
前記データ解析部は、脂肪鎖由来のプロダクトイオンピークの信号強度に基づいて、グリセロールのsn-2位に結合した脂肪酸を推定することを特徴とする質量分析装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
生体内における脂質の生化学的な活性は不飽和脂肪酸の二重結合部位（つまり不飽和結合部位）の位置に大きく依存する。そのため、タンデム質量分析（ＭＳ／ＭＳ）法を利用した脂質分析においては、不飽和結合部位を特定することが重要である。しかしながら、従来一般に利用されている低エネルギ衝突誘起解離（ＬＥ−ＣＩＤ）法によるイオン解離を行うタンデム質量分析法では、脂肪酸由来のプロダクトイオンピークが十分に観測されず、不飽和結合部位の特定が困難であることが知られている。これに対し従来、不飽和結合部位を特定する手法として次のような技術が知られている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
さらにまた、上述したように一般的には、不飽和結合部位のプロダクトイオンピークの信号強度は飽和結合部位のプロダクトイオンピークの信号強度に比較して低い。そこで、上述したようなピークペアの探索とともに、プロダクトイオンピークの信号強度も不飽和結合部位と飽和結合部位の推定に利用するとよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
なお、水素ラジカルの照射によりイオンが即座に解離してしまうことを回避するため、水素ラジカルの照射は相対的に低い温度の下で行うほうがよいが、ＬＥ−ＣＩＤによるイオンの解離効率を高めるには温度が高いほうがよい。そこで、ガス供給部６に加熱部を設け、ＬＥ−ＣＩＤ時に該加熱部で加熱した不活性ガスをイオントラップ２内に導入するようにしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
次に、本発明に係る他の実施例による質量分析システムを図９を参照して説明する。
図１に示した実施例の質量分析システムは、イオンに水素ラジカルを照射して該イオンの水素引抜き反応を生じさせるイオン反応領域と、プリカーサイオン分離を行うイオン分離領域と、イオンを解離させるイオン解離領域と、がいずれもイオントラップ２である。そのため、イオン解離のあとにイオントラップ２からイオンを射出し終えるまで、次に測定すべき試料由来のイオンをイオントラップ２内に導入することができず、測定のサイクルを高めるうえでこれが制約となる。一方、図９に示した質量分析システムでは、イオン反応領域、イオン分離領域、及びイオン解離領域が空間的に分離されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2019009058.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月7日(2019.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方面側に正極が形成され、他方面側に負極が形成された電極板からなるバイポーラ電極を有する蓄電装置であって、
前記バイポーラ電極がセパレータを介して積層されてなる積層体と、
前記バイポーラ電極の縁部を包囲するように設けられた樹脂製の封止体と、を備え、
前記封止体は、少なくとも前記電極板の縁部同士の間に配置された第１部分と、前記積層体の側面に沿って前記第１部分を外側から包囲する第２部分と、を有し、
前記セパレータは、不織布により構成されており、
前記不織布の熱膨張係数は、前記第１部分の熱膨張係数よりも小さく、
前記積層体は、前記セパレータが前記第１部分を介して前記バイポーラ電極に結合されてなる電極ユニットを積層することによって構成されている、蓄電装置。
【請求項２】
前記セパレータは、前記第１部分の溶融温度に至るまでの加熱が一度のみなされた熱履歴を有する、請求項１に記載の蓄電装置。
【請求項３】
前記セパレータの外縁は、前記積層体の積層方向から見て、前記電極板の外縁よりも外側に位置している、請求項１又は２に記載の蓄電装置。
【請求項４】
前記セパレータの外縁は、前記積層体の積層方向から見て、前記電極板の外縁よりも内側に位置している、請求項１又は２に記載の蓄電装置。
【請求項５】
一方面側に正極が形成され、他方面側に負極が形成された電極板からなるバイポーラ電極がセパレータを介して積層されてなる積層体と、
前記バイポーラ電極の縁部を包囲するように設けられた樹脂製の封止体であって、少なくとも前記電極板の縁部同士の間に配置された第１部分と、前記積層体の側面に沿って前記第１部分を外側から包囲する第２部分と、を有する前記封止体と、を備える蓄電装置の製造方法であって、
樹脂部材と、前記樹脂部材の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する不織布とを前記電極板の縁部上にこの順に重ねた状態で、前記樹脂部材を溶融及び凝固させることにより、前記セパレータが前記封止体の前記第１部分を介して前記バイポーラ電極に結合されてなる複数の電極ユニットを形成する一次成形工程と、
前記電極ユニットを積層することにより、前記積層体を形成する積層工程と、
前記封止体のうち、前記積層体の前記側面に沿って前記第１部分を外側から包囲する前記第２部分を形成する二次成形工程と、を含む、蓄電装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上述したような蓄電装置の製造方法として、例えば、封止体の一部を各電極板の縁部上に予め形成しておき、当該一部が電極板の縁部同士の間に位置するようにバイポーラ電極を積層した後に、当該一部を外側から包囲するように封止体の残部を形成する方法が考えられる。しかしながら、かかる場合、封止体の一部を電極板の縁部に溶着する際に、当該一部の膨張量が電極板の膨張量よりも大きくなるために、電極板に皺や反りが発生することが懸念される。電極板の皺や反りは、隣り合う電極板間の短絡を誘発するおそれがある。また、上述したような蓄電装置には、バイポーラ電極の積層時におけるセパレータの位置ずれの抑制が求められる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、電極板の皺や反りの抑制、及びセパレータの位置ずれの抑制が図られた蓄電装置及び蓄電装置の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この蓄電装置では、セパレータが不織布により構成されており、当該セパレータが封止体の第１部分を介してバイポーラ電極に結合されてなる電極ユニットを積層することによって、積層体が構成されている。この電極ユニットは、例えば、樹脂部材と不織布とを電極板の縁部上にこの順に重ねた状態で、当該樹脂部材を溶融及び凝固させることによって形成される。このとき、不織布の熱膨張係数は樹脂部材の熱膨張係数よりも小さいため、不織布によって第１部分（樹脂部材）の熱膨張を抑制できる。その結果、第１部分の膨張量と電極板の膨張量との差を低減でき、電極板の皺や反りの発生を抑制できる。更に、セパレータとバイポーラ電極とが一体化された電極ユニットを積層することによって積層体が形成されるため、セパレータとバイポーラ電極との間の位置ずれを抑制することもできる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この蓄電装置の製造方法では、樹脂部材と不織布とを電極板の縁部上にこの順に重ねた状態で、当該樹脂部材を溶融及び凝固させることにより、セパレータが封止体の第１部分を介してバイポーラ電極に結合されてなる電極ユニットを形成する。このとき、不織布の熱膨張係数は樹脂部材の熱膨張係数よりも小さいため、不織布によって第１部分（樹脂部材）の熱膨張を抑制できる。その結果、第１部分の膨張量と電極板の膨張量との差を低減でき、電極板の皺や反りの発生を抑制できる。更に、セパレータとバイポーラ電極とが一体化された電極ユニットを積層することによって積層体を形成するため、セパレータとバイポーラ電極との間の位置ずれを抑制することもできる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、電極板の皺や反りの抑制、及びセパレータの位置ずれの抑制が図られた蓄電装置及び蓄電装置の製造方法を提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月16日(2018.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バケットを有する作業機と、
前記作業機が取り付けられ、かつ運転室を有する本体部と、
前記バケットの位置を検出するバケット位置検出部と、
前記運転室に設けられ、作業現場の実景と重ね合わせて作業支援情報を表示する表示装置と、
前記バケット位置検出部で検出された前記バケットの位置と設計地形との距離に基づいて前記表示装置における前記作業支援情報の表示数を変更する表示制御部とを備える、作業車両。
【請求項２】
前記表示制御部は、前記バケットの位置と前記設計地形との距離が所定値以内である場合に前記表示装置における前記作業支援情報の表示数を変更する、請求項１に記載の作業車両。
【請求項３】
前記表示制御部は、前記バケットの移動に追従して移動する前記作業支援情報を表示する追従処理部をさらに含み、
前記表示制御部は、前記バケットの位置と前記設計地形との距離が所定値以内である場合には、前記表示装置における前記作業支援情報の表示数を増やす、請求項１または２に記載の作業車両。
【請求項４】
前記表示制御部は、前記表示装置における前記作業支援情報を前記運転室内のオペレータから見て前記バケットの左側の位置または右側の位置の少なくとも一方に配置する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の作業車両。
【請求項５】
バケットを有する作業機と、運転室に設けられ、作業現場の実景と重ね合わせて作業支援情報を表示する表示装置とが設けられた作業車両の制御方法であって、
前記バケットの位置を検出するステップと、
検出された前記バケットの位置と設計地形との距離に基づいて前記表示装置における前記作業支援情報の表示数を変更するステップとを備える、作業車両の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月27日(2018.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自身の回転の軸心に沿って延在する回転体としてのロータと、
前記ロータを格納する車室と、
前記ロータの延在方向に沿って前記ロータと前記車室との間に設けられた蒸気通路と、
前記ロータの外周を囲む環状に形成されてその外面と前記ロータの外周面との間に前記蒸気通路に連通する隙間を有して前記車室内に取り付けられ、その内部に環状に沿って形成された蒸気ノズル室、および前記蒸気ノズル室から前記ロータの延在方向に向いて前記蒸気通路に連通する開口を有する蒸気ノズル部と、
前記車室の外部から前記車室を貫通して前記蒸気ノズル部の前記蒸気ノズル室に連通して設けられ過熱された蒸気が供給される過熱蒸気供給管と、
を含む蒸気タービンに対し、
前記過熱蒸気供給管に沿って前記車室を貫通し前記隙間に到り設けられた冷却蒸気通路と、
前記冷却蒸気通路を介して前記過熱蒸気供給管に沿って前記隙間に到り、前記過熱蒸気供給管により供給される蒸気よりも高い圧力で低温の冷却蒸気を供給する冷却蒸気供給部と、
を備え、前記冷却蒸気通路は、前記過熱蒸気供給管の外周面と前記車室との空間部と、前記空間部に連通して設けられた前記蒸気ノズル部の壁内の空洞部と、前記空洞部から前記隙間に貫通する貫通孔と、を含み、前記車室の外部から前記車室の内部に到り前記隙間に連通して設けられていることを特徴とする蒸気タービン冷却装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月20日(2018.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のトンネル切羽面の変位監視装置は、上述した目的を達成するため、以下の特徴点を有している。すなわち、本発明のトンネル切羽面の変位監視装置は、初期形状データ取得手段と、初期形状データ記憶手段と、現形状データ取得手段と、切羽面変位情報作成手段と、切羽面変位情報投影手段とを備えたことを特徴とするものであり、さらに、警報発生手段を備えることが可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
＜現形状データ取得手段＞
現形状データ取得手段１３は、トンネル掘削工程において形成したトンネル切羽面の現形状データを取得するための手段であり、例えば、ビデオカメラ等の撮像装置及び照明装置等からなる。この現形状データ取得手段１３は、例えば、トンネルの天端等に設置して、トンネル切羽面を撮像対象とする。この際、照度が不足していれば、投光器やＬＥＤライト等の照明装置によりトンネル切羽面に撮影光を照射することが好ましい。現形状データ取得手段１３により取得した現形状データは、切羽面変位情報作成手段１４に送信されて、初期形状データとともに切羽面変位情報の作成に使用する。なお、現形状データ取得手段１３は、初期形状データ取得手段１１と兼用の手段として構成してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
＜切羽面変位情報作成手段＞
切羽面変位情報作成手段１４は、初期形状データ記憶手段１２に記憶したトンネル切羽面の初期形状データと、取得した現形状データとの比較に基づいて、初期形状データと現形状データとの差違を示す切羽面変位情報を作成するための手段であり、例えば、コンピュータ及びその付帯装置と、コンピュータにインストールすることによりハードウェアと協同して動作するアプリケーションプログラムとからなる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月6日(2019.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料から水分を分離させる水分離部材（５１）と、
前記水分離部材を支持するホルダであり、燃料を濾過することにより異物を除去するエレメント（４２）を有するフィルタ（３１）に分離可能に連結される連結部（５６）を有するホルダ（５２、５３）とを備え、
前記連結部は、前記水分離部材と前記フィルタとをフィルタユニット（７）として取り扱いができるように連結し、かつ、分離可能に連結している水分離器。
【請求項２】
前記連結部（５６）は、前記エレメントによって濾過される前の燃料を通すための燃料通路を形成する通路部材（４５、４６）に、前記エレメントによって濾過される前の燃料を受けるように連結可能であって、前記燃料通路の軸方向に沿って所定の長さ（Ｌ１）にわたって前記フィルタとの連結状態を維持可能な円筒シール部（６１、７１、８１）の一部を有している請求項１に記載の水分離器。
【請求項３】
燃料を濾過することにより異物を除去するエレメント（４２）と、
前記エレメントによって濾過される前の燃料を通すための燃料通路を形成する通路部材であり、燃料から水分を分離させる水分離器（３２）に燃料を供給するように前記水分離器に分離可能に連結される連結部（４６）を有する通路部材（４５）とを備え、
前記連結部は、前記水分離器と前記エレメントとをフィルタユニット（７）として取り扱いができるように連結し、かつ、分離可能に連結しているフィルタ。
【請求項４】
前記連結部（４６）は、前記燃料通路の軸方向に沿って所定の長さ（Ｌ１）にわたって前記水分離器との連結状態を維持可能な円筒シール部（６１、７１、８１）の一部を有している請求項３に記載のフィルタ。
【請求項５】
燃料を濾過することにより異物を除去するエレメント（４２）を有するフィルタ（３１）と、
燃料から水分を分離させる水分離部材（５１）を有する水分離器（３２）と、
前記フィルタおよび前記水分離器を収容するとともに、前記フィルタおよび／または前記水分離器を取り出すために開くことができるケース（２１、２２）と、
前記ケース内において、前記水分離器と前記フィルタとをフィルタユニット（７）として取り扱いができるように、かつ、前記水分離器を、前記フィルタから分離可能に支持する支持機構（５７、２８、２９）とを備える燃料フィルタ装置。
【請求項６】
前記支持機構は、前記フィルタと前記水分離器とを分離可能に連結する連結機構（５７）を有しており、
前記フィルタと前記水分離器とは、前記連結機構によって連結された前記フィルタユニット（７）として前記ケースから取り出し可能である請求項５に記載の燃料フィルタ装置。
【請求項７】
前記フィルタは、
前記エレメントによって濾過される前の燃料を通すための燃料通路を形成する通路部材（４５）を有しており、
前記通路部材は、前記水分離器に燃料を供給するように前記水分離器に分離可能に連結される第１連結部（４６）を有しており、
前記水分離器は、
前記水分離部材を支持するホルダ（５２、５３）を有しており、
前記ホルダは、前記フィルタに分離可能に連結される第２連結部（５６）を有しており、
前記連結機構は、前記第１連結部および前記第２連結部によって提供されており、
前記第１連結部および前記第２連結部は、前記燃料通路の軸方向に沿って所定の長さ（Ｌ１）にわたって前記フィルタと前記水分離器との連結状態を維持可能な円筒シール部（６１、７１、８１）を有している請求項６に記載の燃料フィルタ装置。
【請求項８】
前記連結機構は、前記第１連結部と前記第２連結部との間に設けられたシール部材（８１）を有している請求項７に記載の燃料フィルタ装置。
【請求項９】
前記支持機構は、前記ケースに設けられ、前記燃料通路の軸方向における、前記ケース内での前記水分離器の移動を制限する制限部材（２８、２９）を有している請求項７または請求項８に記載の燃料フィルタ装置。
【請求項１０】
前記支持機構は、前記ケースに設けられ、前記フィルタと前記水分離器とが分離する方向における、前記ケース内での前記水分離器の移動を制限する制限部材（２８、２９）を有している請求項５から請求項９のいずれかに記載の燃料フィルタ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ここに開示される水分離器は、燃料から水分を分離させる水分離部材（５１）と、水分離部材を支持するホルダであり、燃料を濾過することにより異物を除去するエレメント（４２）を有するフィルタ（３１）に分離可能に連結される連結部（５６）を有するホルダ（５２、５３）とを備え、連結部は、水分離部材とフィルタとをフィルタユニット（７）として取り扱いができるように連結し、かつ、分離可能に連結している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ここに開示されるフィルタは、燃料を濾過することにより異物を除去するエレメント（４２）と、エレメントによって濾過される前の燃料を通すための燃料通路を形成する通路部材であり、燃料から水分を分離させる水分離器（３２）に燃料を供給するように水分離器に分離可能に連結される連結部（４６）を有する通路部材（４５）とを備え、連結部は、水分離器とエレメントとをフィルタユニット（７）として取り扱いができるように連結し、かつ、分離可能に連結している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ここに開示される燃料フィルタ装置は、燃料を濾過することにより異物を除去するエレメント（４２）を有するフィルタ（３１）と、燃料から水分を分離させる水分離部材（５１）を有する水分離器（３２）と、フィルタおよび水分離器を収容するとともに、フィルタおよび／または水分離器を取り出すために開くことができるケース（２１、２２）と、ケース内において、水分離器とフィルタとをフィルタユニット（７）として取り扱いができるように、かつ、水分離器を、フィルタから分離可能に支持する支持機構（５７、２８、２９）とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月4日(2018.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記一般式（２）中、Ｒ１は、以下の式（３）又は式（４）で表されるジアミン化合物から派生する二価の有機基である、請求項４に記載のポリイミド共重合体。
【化４】
2017115098.tif 000001
（３）
【化５】
2017115098.tif 000002
（４）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
【表２】
2017115098.tif 000003