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　特願２０１８−　　９４２８「多層半導体デバイス作製時の低温層転写方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　５月３１日出願公開、特開２０１８−　８５５３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２５年１２月２３日（パリ条約による優先権主張２０１２年１２月２８日：米国）を国際出願日とする出願（特願２０１５−５５０７３５号）の一部を平成３０年１月２４日に新たな特許出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成３０年１月３０日　　　：手続補正書の提出
　平成３０年９月２５日付け　：拒絶理由通知書
　平成３１年４月１日　　　　：意見書，手続補正書の提出
　令和元年９月１０日付け　　：拒絶理由通知書
　令和元年１２月１３日　　　：意見書，手続補正書の提出
　令和２年４月１５日付け　　：拒絶査定
　令和２年８月２０日　　　　：審判請求書，手続補正書の提出
　令和２年９月２８日　　　　：手続補正書の提出（方式）（審判請求書の請求の理由の補正）
第２　令和２年８月２０日にされた手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　令和２年８月２０日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１．本件補正の内容
ア　本件補正は，本件補正前の請求項１〜１５を本件補正後の請求項１〜１４とする補正を含むものであって，本件補正前の請求項１及び本件補正後の請求項１は次のとおりである。（下線は補正箇所を示す。）
（ア）本件補正前の請求項１
「【請求項１】
　接合構造体を作製する方法であって，
（ａ）単結晶シリコン基板の前面からヘリウムイオンを，注入エネルギーが２０ｋｅＶから４０ｋｅＶの範囲で，かつ全体のヘリウムイオン注入量が０．５×１０１６個（ヘリウムイオン数）／ｃｍ２から２×１０１６個（ヘリウムイオン数）／ｃｍ２の範囲で，注入するステップと，
　単結晶シリコン基板は，一方がその前面で，他方がその後面である，ほぼ平行な２つの主面と，前面と後面を接続する周縁端部と，前面および後面の間にある中央面とを有し，
　ヘリウムイオンは，前面から中央面に向かって測定したときに，約０．０２ミクロン〜１ミクロンの間の平均深度Ｄ１まで注入され，
（ｂ）単結晶シリコン基板の前面から水素イオンを，注入エネルギーが３０ｋｅＶから５０ｋｅＶの範囲で，かつ全体の水素イオン注入量が０．５×１０１６個（水素イオン数）／ｃｍ２から３×１０１６個（水素イオン数）／ｃｍ２の範囲で，注入するステップと，
　水素イオンは，単結晶シリコン基板の前面から中央面に向かって測定したときに，約０．０２ミクロン〜１ミクロンの間の平均深度Ｄ２まで注入され，
　平均深度Ｄ１および平均深度Ｄ２は約１０００オングストローム以内であり，
　ステップ（ｃ）の前に，前記ステップ（ａ）から前記ステップ（ｂ）の順序で行われ，（ｃ）単結晶シリコン基板内に剥離面を形成するために，約２００℃〜約３５０℃の温度で，約２時間〜約１０時間，単結晶シリコン基板をアニール処理するステップと，
　剥離面は，平均深度Ｄ１および平均深度Ｄ２と等しい深度であるか，平均深度Ｄ１と平均深度Ｄ２との間の深度を有し，
（ｄ）接合構造体を形成するために，剥離面を内在する単結晶シリコン基板の前面をキャリア基板に接合するステップと，
　キャリア基板は，シリコン，サファイア，クォーツ，ガリウムヒ素，シリコンカーバイド，シリコンゲルマニウム，およびゲルマニウムからなる群から選択された材料で構成され，
（ｅ）約１５０℃〜約３５０℃の温度で約１時間〜約５時間，接合構造体をアニール処理するステップとを有し，
　前記ステップ（ａ）から前記ステップ（ｅ）の順序で行うことを特徴とする方法。」
（イ）本件補正後の請求項１
「【請求項１】
　接合構造体を作製する方法であって，
（ａ）単結晶シリコン基板の前面からヘリウムイオンを，注入エネルギーが２０ｋｅＶから４０ｋｅＶの範囲で，かつ全体のヘリウムイオン注入量が０．５×１０１６個（ヘリウムイオン数）／ｃｍ２から２×１０１６個（ヘリウムイオン数）／ｃｍ２の範囲で，注入するステップと，
　単結晶シリコン基板は，一方がその前面で，他方がその後面である，ほぼ平行な２つの主面と，前面と後面を接続する周縁端部と，前面および後面の間にある中央面とを有し，
　ヘリウムイオンは，前面から中央面に向かって測定したときに，約０．０２ミクロン〜１ミクロンの間の平均深度Ｄ１まで注入され，
（ｂ）単結晶シリコン基板の前面から水素イオンを，注入エネルギーが３０ｋｅＶから５０ｋｅＶの範囲で，かつ全体の水素イオン注入量が０．５×１０１６個（水素イオン数）／ｃｍ２から３×１０１６個（水素イオン数）／ｃｍ２の範囲で，注入するステップと，
　水素イオンは，単結晶シリコン基板の前面から中央面に向かって測定したときに，約０．０２ミクロン〜１ミクロンの間の平均深度Ｄ２まで注入され，
　平均深度Ｄ１および平均深度Ｄ２は
５００
　ステップ（ｃ）の前に，前記ステップ（ａ）から前記ステップ（ｂ）の順序で行われ，
（ｃ）単結晶シリコン基板内に剥離面を形成するために，約２００℃〜約３５０℃の温度で，約２時間〜約１０時間，単結晶シリコン基板をアニール処理するステップと，
　剥離面は，平均深度Ｄ１および平均深度Ｄ２と等しい深度であるか，平均深度Ｄ１と平均深度Ｄ２との間の深度を有し，
（ｄ）接合構造体を形成するために，剥離面を内在する単結晶シリコン基板の前面をキャリア基板に接合するステップと，
　キャリア基板は，シリコン，サファイア，クォーツ，ガリウムヒ素，シリコンカーバイド，シリコンゲルマニウム，およびゲルマニウムからなる群から選択された材料で構成され，
（ｅ）約１５０℃〜約３５０℃の温度で約１時間〜約５時間，接合構造体をアニール処理するステップとを有し，
　前記ステップ（ａ）から前記ステップ（ｅ）の順序で行うことを特徴とする方法。」
イ　そして，請求項１に対する本件補正は以下の補正事項をその内容とするものである。
（補正事項１）本件補正前の請求項１の「平均深度Ｄ１および平均深度Ｄ２は約１０００オングストローム以内であり」を，本件補正後の請求項１の「平均深度Ｄ１および平均深度Ｄ２は５００オングストローム以内であり」に補正すること。
ウ　また，本件補正のうち，補正前の請求項２〜１５を補正後の２〜１４とする補正は，以下の補正事項を含むものである。
（補正事項２）本件補正前の請求項２の「平均深度Ｄ１および平均深度Ｄ２は約１０００オングストローム以内であり」を，本件補正後の請求項２の「平均深度Ｄ１および平均深度Ｄ２は５００オングストローム以内であり」に補正すること。
（補正事項３）本件補正前の請求項１２を削除し，本件補正前の請求項１３〜１５を本件補正後の請求項１２〜１４とすること。
２．新規事項追加の有無及び補正目的の適否について
　上記補正事項１〜３について，新規事項追加の有無及び補正目的の適否を検討する。
ア　補正事項１は，補正前の請求項１の「１０００オングストローム以内」を「５００オングストローム以内」に限定するものであるから，特許請求の範囲の限定的減縮に該当する。そして，補正事項１は本願の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲及び図面（以下「当初明細書等」という。）の段落００２０の記載に基づくものである。
イ　補正事項２は，補正前の請求項２の「１０００オングストローム以内」を「５００オングストローム以内」に限定するものであるから，特許請求の範囲の限定的減縮に該当する。そして，補正事項２は当初明細書等の段落００２０の記載に基づくものである。
ウ　補正事項３は，補正前の請求項１２の削除を目的とするものに該当する。そして，補正事項３は当初明細書等に記載された事項の範囲内でしたものである。
　以上ア〜ウのとおり，上記補正事項１〜３は，特許法１７条の２第３項の規定に適合し，同法１７条の２第５項１号及び２号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
３．独立特許要件について
　上記２．のとおり，請求項１に対する本件補正は特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含んでいる。そこで，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて，以下で更に検討する。
３．１　本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明１」という。）は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１（上記１．（イ））に記載されたとおりのものである。
３．２　引用例の記載
（１）引用例１の記載
ア　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の原出願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった，国際公開第２０１０／１３７６８３号（以下「引用例１」という。）には，図１とともに次の記載がある。（下線は当審で付加。以下同じ。）
「[0006] 　本発明者は，ＳｉＧｅｎ法の低温処理の場合，機械的剥離時に基板が破壊することを見出し，その原因が弱化層の脆化（イオン注入層の元素の結合の脆化）が足りないと考えた。
本発明は，ドナー基板のイオン注入層を予め脆化させ，ハンドル基板と貼り合わせた後の熱処理を低減化又は低温化することにより，熱処理中の破損を防止し，スムースに剥離でき，良質なＳＯＩ基板を製造することを目的とする
「[0007] 　
本発明者は，ハンドル基板と貼り合わせる前にナー基板（審決註：ドナー基板の誤記）のイオン注入層を加熱処理することにより脆化を促進すれば，ハンドル基板と貼り合わせた後の熱処理を低減化又は低温化できることを見出し
　本発明によれば，
単結晶シリコン基板であるドナー基板の表面から，水素イオン又は希ガスイオンを注入してイオン注入層を設けるステップと，上記イオン注入層を有するドナー基板に第１の熱処理を施すステップ
上記ドナー基板のイオン注入された表面と，上記ハンドル基板の上記表面とを貼り合わせるステップと，貼り合わされた基板に第２の熱処理を施すステップ
ＳＯＩ基板の製造方法
「[0010] 　
ハンドル基板である絶縁性基板は，特に限定されないが，石英基板，サファイア基板，アルミナ基板，ＳｉＣ基板，ホウ珪酸ガラス基板，及び結晶ガラス基板からなる群から選ばれる
　絶縁性基板の好ましい厚さは，特に限定されないが，ＳＥＭＩ等で規定されているシリコン基板の厚さに近いものが望ましい。これは半導体装置はこの厚さの基板を扱うように設定されていることが多いためである。この観点から好ましくは３００〜９００μｍである。
[0011] ドナー基板である単結晶シリコン基板としては，特に限定されないが，例えばチョクラルスキー法により育成された単結晶をスライスして得られたもので，例えば直径が１００〜３００ｍｍ，導電型がＰ型またはＮ型，抵抗率が１０Ω・ｃｍ程度のものが挙げられる。
　単結晶シリコン基板の表面は，あらかじめ薄い絶縁膜を形成しておくことが好ましい。絶縁膜を通してイオン注入を行えば，注入イオンのチャネリングを抑制する効果が得られるからである。絶縁膜としては，好ましくは５０〜５００ｎｍの厚さを有するシリコン酸化膜が好ましい。これはあまり薄いと，膜厚の酸化膜厚の制御が難しく，またあまり厚いと時間が掛かりすぎるためである。シリコン酸化膜は，一般的な熱酸化法により形成することができる。
[0012] 　以下，本発明の製造方法を図１に示す例に基づき説明するが，本発明はこれに限定されるものでない。
　図１（ａ）の単結晶シリコン基板（ドナー基板）２は，オプションとして図１（ｂ）に示すように，単結晶シリコン基板の表面にシリコン酸化膜３を形成させてもよい。
図１（ｃ）に示すように，単結晶シリコン基板（ドナー基板）２の表面から水素イオン又は希ガスイオンＤを注入し，基板中にイオン注入層４を形成する
[0013] 　イオン注入層４の形成方法は，特に限定されず，例えば，単結晶シリコン基板の表面から所望の深さにイオン注入層を形成できるような注入エネルギーで，所定の線量の水素イオン又は希ガスイオンを注入する。このときの条件として，
例えば注入エネルギーは５０〜１００ｋｅＶ，注入線量は２×１０１６〜１×１０１７／ｃｍ２とできる。注入される水素イオンとしては，２×１０１６〜１×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）のドーズ量の水素イオン（Ｈ＋），又は１×１０１６〜５×１０１６（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）のドーズ量の水素分子イオン（Ｈ２＋）が好ましい
　
イオン注入された基板表面からイオン注入層までの深さは，絶縁性基板上に設けるシリコン薄膜の所望の厚さに依存するが，好ましくは３００〜５００ｎｍ
イオン注入層の厚さは，機械衝撃によって容易に剥離できる厚さが良く，好ましくは２００〜４００ｎｍ
[0014] 　図１（ｄ）に示すように，
イオン注入層４を設けた単結晶シリコン基板２を，ドナー基板１と貼り合わせる前に熱Ｈ１による熱処理（第１の熱処理）を行なう
第１の熱処理は
たとえば，好ましくは１５０〜３５０℃
第１の熱処理の時間は，温度により変わるが，例えば１〜２４時間である
[0015]  　
　図１には示さないが，第１の熱処理後で貼り合わせの前に，単結晶シリコン基板２のイオン注入された表面と，ハンドル基板１の表面との双方もしくは片方に表面活性化処理を施す。表面活性化処理は，表面のＯＨ基を増加させて活性化させる処理であり，例えばプラズマ処理，オゾン処理，又はこれらの組合せが挙げられ，好ましくはプラズマ処理である。
　プラズマで処理をする場合，例えば，真空チャンバ中に単結晶シリコン基板及び／又はハンドル基板を載置し，プラズマ用ガスを導入した後，１００Ｗ程度の高周波プラズマに５〜１０秒程度さらし，表面をプラズマ処理する。プラズマ用ガスとしては，単結晶シリコン基板を処理する場合，表面を酸化する場合には酸素ガスのプラズマ，酸化しない場合には水素ガス，アルゴンガス，又はこれらの混合ガスあるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガス等を挙げることができる。ハンドル基板を処理する場合は，いずれのガスでもよい。
　オゾンで処理をする場合は，大気を導入したチャンバ中に単結晶シリコン基板及び／又はハンドル基板を載置し，窒素ガス，アルゴンガス等のプラズマ用ガスを導入した後，高周波プラズマを発生させ，大気中の酸素をオゾンに変換することで，表面をオゾン処理する。プラズマ処理とオゾン処理とはどちらか一方又は両方行なうことができる。
　このプラズマ及び／又はオゾンで処理することにより，単結晶シリコン基板２及び／又はハンドル基板の表面の有機物が酸化して除去され，さらに表面のＯＨ基が増加し，活性化する。処理は単結晶シリコン基板，ハンドル基板の両方ともに行なうのがより好ましいが，いずれか一方だけ行なってもよい。
[0016] 　次に，図１（ｅ）に示すように，
単結晶シリコン基板２のイオン注入された表面とハンドル基板１の表面とを貼り合わせる
[0017] 　
貼り合わせ後に，図１（ｆ）に示すように熱Ｈ２による熱処理（第２の熱処理）を行なう。第２の熱処理により，単結晶シリコン基板２とハンドル基板１の結合が強化される。第２の熱処理は，貼り合わせ基板が熱膨率の差の影響（熱応力）で破損しない温度を選択する
第２の熱処理は
たとえば，好ましくは１５０〜３５０℃
第２の熱処理の時間は，温度により変わるが，例えば１〜２４時間である
[0018] 　第２の熱処理後，図１（ｇ）に示すように，
貼り合わせ基板のイオン注入層４に機械的衝撃等の機械的力を加えてイオン注入層４にそって剥離し
　イオン注入層４に衝撃等を与えて機械的剥離を行なうので，加熱に伴う熱歪，ひび割れ，貼り合わせ面の剥離等が発生するおそれがない。剥離は，イオン注入層にそって貼り合わせ基板の一端から他端に向かうへき開によるものが好ましい。
　イオン注入層に衝撃を与えるためには，例えば，ガスや液体等の流体のジェットを接合した基板の側面から連続的または断続的に吹き付ければよいが，衝撃により機械的剥離が生じる方法であれば特に限定はされない。　貼り合わせ基板の単結晶シリコン基板側に補強材を配置して機械的衝撃を加えることが好ましい。上記補強材としては，好ましくは，保護テープ，静電チャック及び真空チャックからなる群から選択される。単結晶シリコン基板側に割れ防止のために保護テープ５を単結晶シリコン基板側に貼り付けて剥離を行う方法や，または静電チャック又は真空チャックに単結晶シリコン基板側を密着させて剥離を行うことでより確実に剥離を行うことができる。
　保護テープは，特に材質，厚さ等に限定されず，半導体製造工程で用いられるダイシングテープやＢＧテープ等が使用できる。静電チャックは，特に限定されず，炭化ケイ素や窒化アルミニウム等のセラミックス静電チャック等が挙げられる。真空チャックは，特に限定されず，多孔質ポリエチレン，アルミナ等の真空チャックが挙げられる。」
　引用例１の図１として，以下の図面が示されている。
イ　以上の摘記を整理すると，引用例１には以下の事項が記載されているものと理解できる。
ａ　単結晶シリコン基板（ドナー基板）２の表面から水素イオンを注入し，基板中にイオン注入層４を形成すること。（段落００１２）
ｂ　イオン注入エネルギーは５０〜１００ｋｅＶ，注入される水素イオンのドーズ量は，２×１０１６〜１×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）であること。（段落００１３）
ｃ　イオン注入された基板表面からイオン注入層までの深さは，絶縁性基板上に設けるシリコン薄膜の所望の厚さに依存するが，好ましくは３００〜５００ｎｍであること。イオン注入層の厚さは，好ましくは２００〜４００ｎｍであること。（段落００１３）
ｄ　ハンドル基板１と貼り合わせる前に単結晶シリコン基板（ドナー基板）２のイオン注入層４の脆化を促進するため，イオン注入層４を設けた単結晶シリコン基板２を，ハンドル基板１と貼り合わせる前に熱Ｈ１による熱処理（第１の熱処理）を行うこと。（段落０００６，０００７，００１４）
　なお，段落００１６「単結晶シリコン基板２のイオン注入された表面とハンドル基板１の表面とを貼り合わせる」との記載，段落００１７「単結晶シリコン基板２とハンドル基板１の結合」との記載及び図１から，段落００１４の「単結晶シリコン基板２を，ドナー基板１と貼り合わせる前に」との記載において，「ドナー基板１」は「ハンドル基板１」の誤記と認められる。
ｅ　上記ｄの熱処理（第１の熱処理）を，好ましくは１５０〜３５０℃で１〜２４時間行うこと。（段落００１４）
ｆ　単結晶シリコン基板２のイオン注入された表面とハンドル基板１の表面とを貼り合わせること。（段落００１６）
ｇ　ハンドル基板である絶縁性基板は，石英基板，サファイア基板，アルミナ基板，ＳｉＣ基板，ホウ珪酸ガラス基板，及び結晶ガラス基板からなる群から選ばれること。（段落００１０）
ｈ　貼り合わせ後に，単結晶シリコン基板２とハンドル基板１の結合を強化するために熱Ｈ２による熱処理（第２の熱処理）を行うこと。第２の熱処理は，貼り合わせ基板が熱膨張率の差の影響（熱応力）で破損しない温度が選択され，たとえば，好ましくは１５０〜３５０℃であること。熱処理時間は例えば１〜２４時間であること。
ウ　上記ａ〜ｈの記載，及び，引用例１の段落００１６の「単結晶シリコン基板２のイオン注入された表面とハンドル基板１の表面とを貼り合わせる」との記載，段落００１７の「第２の熱処理により，単結晶シリコン基板２とハンドル基板１の結合が強化される。第２の熱処理は，貼り合わせ基板が熱膨率の差の影響（熱応力）で破損しない温度を選択する。」との記載，及び，段落００１８の「貼り合わせ基板のイオン注入層４に機械的衝撃等の機械的力を加えてイオン注入層４にそって剥離し」との記載から，引用例１には，「貼り合わせ基板」の作製方法が記載されていると理解できる。
　そうすると，引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「単結晶シリコン基板２の表面から水素イオンを注入し，基板中にイオン注入層４を形成するステップであって，水素イオンの注入エネルギーは５０〜１００ｋｅＶ，ドーズ量は，２×１０１６〜１×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）であり，イオン注入された基板表面からイオン注入層４までの深さは３００〜５００ｎｍであり，イオン注入層４の厚さは２００〜４００ｎｍであるステップと，
イオン注入層４の脆化を促進するために，イオン注入層４を設けた単結晶シリコン基板２をハンドル基板１と貼り合わせる前に第１の熱処理を行うステップであって，前記第１の熱処理を，好ましくは温度１５０〜３５０℃で１〜２４時間行うステップと，
単結晶シリコン基板２のイオン注入された表面とハンドル基板１の表面とを貼り合わせるステップであって，ハンドル基板１である絶縁性基板は，石英基板，サファイア基板，アルミナ基板，ＳｉＣ基板，ホウ珪酸ガラス基板，及び結晶ガラス基板からなる群から選ばれるステップと，
貼り合わせ後に，単結晶シリコン基板２とハンドル基板１の結合を強化するために第２の熱処理を行うステップであって，第２の熱処理は，貼り合わせ基板が熱膨張率の差の影響（熱応力）で破損しない温度が選択され，好ましくは温度１５０〜３５０℃で１〜２４時間行われるステップと，
を含んでなる貼り合わせ基板の作製方法。」
（２）引用例２の記載
ア　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の原出願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平１１−３２９９９６号公報（以下「引用例２」という。）には，次の記載がある。（以下において，［１］［２］等の表記は○の中に数字１，２等の記入された記号（機種依存文字）を示す。）
「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし，上記従来の薄い半導体材料フィルムの製造方法では，半導体基板に水素イオンを注入するときに，比較的多量の３．５×１０16〜１０×１０16／ｃｍ2のドーズ量で注入しなければならず，イオン注入に比較的多くの時間を要し，そのためＳＯＩ基板の生産性が低下する不具合があった。本発明の目的は，少ないイオン注入量で効率的にイオン注入領域に気泡を発生させて半導体基板を上記イオン注入領域で分離でき，ＳＯＩ基板の生産性を向上できるＳＯＩ基板の製造方法を提供することにある。」
「【０００５】請求項２に係る発明は，請求項１に係る発明であって，水素ガスイオン，水素分子イオン，ヘリウムイオン及びシリコンイオンからなる群から選ばれた１種又は２種のイオンの注入量が０．５×１０１６〜３．５×１０１６／ｃｍ２であるＳＯＩ基板の製造方法である
。請求項３に係る発明は，請求項１又は２に係る発明であって，注入するイオンが水素ガスイオン又は水素分子イオンとヘリウムイオンであるとき前記イオンの注入順序は前記ヘリウムイオンを注入した後に前記水素ガスイオン又は水素分子イオンを注入するＳＯＩ基板の製造方法
水素ガスイオンを単独で注入したときのイオン注入量３．５×１０１６〜１０×１０１６／ｃｍ2と比べて少ないイオンのトータル注入量で，イオン注入領域１１ａに気泡を発生させることができる
「【０００６】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１に示すように，本発明のＳＯＩ基板を製造するには，
先ずシリコンウェーハからなる第１シリコン基板１１
この第１基板１１に水素イオン又はヘリウムイオンのいずれか一方又は双方のイオンを０．５×１０16〜３．５×１０16／ｃｍ2のドーズ量でイオン注入して，第１基板１１内部にイオン注入領域１１ａを酸化膜１２と平行に形成する（図１（ｂ））
［２］の方法ではヘリウムイオンを０．５×１０16〜３．５×１０16／ｃｍ2のドーズ量で注入した後，水素ガスイオン，水素分子イオン又はシリコンイオンを０．５×１０16〜３．５×１０16／ｃｍ2のドーズ量で注入することが好ましい
【０００７】
次いで第１基板１１を水素雰囲気中において４００℃以下，好ましくは３００〜４００℃の温度で熱処理する（図１（ｃ））
支持基板となるシリコンウェーハからなる第２シリコン基板１３を用意し
第２基板１３上に第１基板１１を室温で重ね合せて密着させる（図１（ｅ））
【０００８】次いで第１基板１１を第２基板１３に密着させたまま窒素雰囲気中で５００〜８００℃，好ましくは５００〜６００℃の温度範囲に昇温し，この温度範囲に５〜３０分間保持して薄膜分離熱処理を行う。これにより第１基板１１がイオン注入領域１１ａのところで割れて上部の厚肉部１１ｃと下部の薄いシリコン層１１ｂに分離する（図１（ｆ））。ここで，上記熱処理の温度を５００〜８００℃に限定したのは，５００℃未満では図１（ｃ）で示した上記水素雰囲気中での熱処理によって第１基板１１内に供給された水素による気泡内圧の上昇が十分でない不具合があり，８００℃を越えると気泡の成長が進んで表面粗さが増大する不具合があるからである。次に温度を下げて，厚肉部１１ｃを取除き（図１（ｇ）），表面にシリコン層１１ｂを有する第２基板１３を酸素又は窒素雰囲気中で９００〜１２００℃の範囲に昇温しこの温度範囲に３０〜１２０分間保持する熱処理を行う（図１（ｈ））。この熱処理はシリコン層１１ｂの第２基板１３への貼合せを強固にする熱処理である。最後にシリコン層１１ｂの分離面及び厚肉部１１ｃの分離面をそれぞれ研磨（タッチポリッシング）して平滑化する（図１（ｉ）及び図１（ｊ））。これにより第２基板１３はＳＯＩ基板となり，厚肉部１１ｃは新たなシリコン基板として再びＳＯＩ基板の製造に使用できる。
【０００９】
【実施例】次に本発明の具体的態様を示すために，本発明の実施例を比較例とともに説明する。
＜実施例１＞図１（ａ）に示すように，厚さ６２５μｍのシリコンウェーハからなるシリコン基板１１を熱酸化して表面に厚さ４００ｎｍの酸化膜１２を形成した。このシリコン基板１１に
７０ｋｅＶの電圧を印加して水素ガスイオン（Ｈ+）を１×１０16／ｃｍ2注入した（図１（ｂ））。次いでこのシリコン基板１１を水素ガス雰囲気中において３５０℃の温度で６０分間熱処理した（図１（ｃ））
【００１０】＜実施例２＞水素ガスイオンの代りにヘリウムイオン（Ｈｅ+）を１×１０16／ｃｍ2注入したことを除いては実質的に実施例１の方法を繰返して実施例２のシリコン基板を製造した。
【００１１】＜実施例３＞
シリコン基板１１にヘリウムイオンを０．５×１０16／ｃｍ2注入した後に，水素ガスイオンを０．５×１０16／ｃｍ2注入したことを除いては実質的に実施例１の方法を繰返して実施例３のシリコン基板を製造した
「【００１５】表１から明らかなように，実施例１〜３ではブリスタが発生したのに対し，比較例１ではブリスタが発生しなかった。これは，実施例１〜３ではイオン注入量が少なくても，イオン注入後の水素ガス雰囲気中での熱処理により水素が供給され，この水素がイオン注入領域１１ａのケイ素（Ｓｉ）のダングリングボンドに結合し，後に第１基板１１と第２基板を密着させて加熱処理する際に水素ガスの気泡を発生し，ブリスタを生じるためである。これに対し，比較例１ではイオン注入後の水素雰囲気中での熱処理が実施されないため，このようにイオン注入量が少ないと，ブリスタが発生しない。
特に，実施例３では質量の重いヘリウムイオンを先に注入することで，相対的に軽い水素ガスイオンに比べて効果的にイオン注入領域１１ａが形成され，この後に注入された水素ガスイオンの注入分布幅をシャープにするため，イオンのトータル注入量が実施例１及び２よりも少ないが，ブリスタを生じる
イ　以上の摘記によれば，引用例２には次の技術的事項が記載されているものと理解できる。
ａ　第１シリコン基板１１に，ヘリウムイオンを注入し，その後，水素ガスイオン（Ｈ+）を注入して基板内部にイオン注入領域を形成した後，第１シリコン基板１１を水素雰囲気中で熱処理し，その後支持基板となる第２シリコン基板１３に密着させること。（段落０００６，０００７）
ｂ　上記ａにおいて，ヘリウムイオンの注入量を０．５×１０１６〜３．５×１０１６／ｃｍ２とし，水素イオンの注入量を０．５×１０１６〜３．５×１０１６／ｃｍ２とすること。（段落０００６）
ｃ　上記ａにおいて，水素雰囲気中での熱処理を好ましくは３００〜４００℃の温度で行うこと。（段落０００７）
ｄ　上記ａの実施例として，シリコン基板１１にヘリウムイオンを０．５×１０１６／ｃｍ２注入した後に水素ガスイオンを０．５×１０１６／ｃｍ２注入し，その後，実施例１と同じく，水素ガス雰囲気中において３５０℃の温度で６０分熱処理すること。（段落０００９，００１１）
ｅ　質量の重いヘリウムイオンを先に注入することで，水素ガスイオンの注入分布幅をシャープにすることができること。また，従来の水素ガスイオンを単独で注入したときのイオンの注入量と比べて少ないイオンのトータル注入量で，イオン注入領域に気泡を発生させることができること。（段落０００５，００１５）
（３）引用例３の記載
ア　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の原出願の優先権主張日前に外国において頒布された刊行物である，米国特許出願公開第２０１１／０１５９６６５号明細書（以下「引用例３」という。）には，次の記載がある。（和訳は引用例３に対応する日本出願の公表公報である特表２０１３−５１６７６７号公報に基づき当審が作成。）
“[0017] The multi-layered crystalline structure of the present invention
 may be prepared by implanting ions into a donor structure comprising a device layer, a handle layer and an intervening layer, bonding the donor structure to a second structure to form a bonded structure
（和訳）
“［0017］ 本発明の多層結晶構造体は，
イオンをデバイス層とハンドル層と中間層とを含むドナー構造体内に注入し，ドナー構造体を第２構造体に結合して結合構造体を形成
“[0029] Referring again to FIG. 1A, 
ions, such as hydrogen and/or helium ions, are implanted through the implantation surface 16 at a substantially uniform depth
The ion implantation defines a damage layer 24 in the layer in which the ions are implanted
（和訳）
“［0029］図１Ａを再び参照すると，
水素および／またはヘリウムイオンのようなイオンを，実質的に均一な深さにおいて注入表面１６内に注入する
イオン注入は，イオンが注入されている層内の損傷層２４を規定する
 “[0030] In general, ions are implanted to an average depth that is sufficient to ensure a satisfactory transfer of the device layer 14 upon a subsequent bonding and cleaving process. Preferably, the implantation depth is minimized to decrease the amount of handle layer 20 and/or intervening layer transferred with the device layer. 
In general, the ions are implanted to a depth of at least about 200 Angstroms or even at least about 1 micron beneath the implantation surface depending on the thicknesses of the device layer and intervening layer
（和訳）
“[0030]　一般に，イオンは，所定の平均厚さまで注入され，該平均深さは，次の結合および剥離プロセスの際にデバイス層１４の満足な転写を確実にするのに充分である。好ましくは，注入深さは，デバイス層とともに転写されるハンドル層２０および／または中間層の量を減少するように最小限にされる。概して，
イオンを，少なくとも約２００オングストロームまたはさらに少なくとも約１ミクロンの深さまで，デバイス層および中間層の厚さに依存して，注入表面の下に注入する
“[0033] In other embodiments, both hydrogen and helium ions are implanted. It should be noted that the implantation of both hydrogen and helium in combination may be done concurrently or sequentially with hydrogen being implanted prior to the helium or alternatively, with helium being implanted prior to the hydrogen.
 Preferably, the hydrogen and helium are implanted sequentially with the helium being implanted first using at least about 10 keV, at least about 20 keV, or at least about 30 keV, at least about 50 keV, at least about 80 KeV or even at least about 120 keV to implant helium at a dosage of at least about 5×1015 ions/cm2, at least about 1×1016 ions/cm2, at least about 5×1016 ions/cm2, or even at least about 1×1017 ions/cm2 and then implanting hydrogen at substantially the same depth as the helium using at least about 10 keV, at least about 20 keV, or at least about 30 keV, at least about 50 keV, at least about 80 KeV or even at least about 120 keV to implant hydrogen at a dosage of at least about 5×1015 ions/cm2, at least about 1×1016 ions/cm2, at least about 5×1016 ions/cm2, or even at least about 1×1017 ions/cm2
for example, about 1×1016 He+ ions/cm2 are implanted using about 36 keV into the donor structure after which
alternatively about 1×1016H+ ions/cm2 are implanted at about 24 keV are implanted into the donor structure
（和訳）
“［0033］他の実施形態において，水素とヘリウムイオンの両方を注入する。水素とヘリウムの両方の組合せの注入を，同時に，またはヘリウムの前に水素を注入することにより，または代替的に水素の前にヘリウムを注入することにより連続して行ってよいことに留意されたい。
まず，ヘリウムを，少なくとも約５×１０１５イオン／ｃｍ２，少なくとも約１×１０１６イオン／ｃｍ２，少なくとも約５×１０１６イオン／ｃｍ２，またはさらに少なくとも約１×１０１７イオン／ｃｍ２の添加量において注入するように，少なくとも約１０ｋｅＶ，少なくとも約２０ｋｅＶ，または少なくとも約３０ｋｅＶ，少なくとも約５０ｋｅＶ，少なくとも約８０ｋｅＶ，またはさらに少なくとも約１２０ｋｅＶを用いてヘリウムを注入することにより，および次いで，少なくとも約１０ｋｅＶ，少なくとも約２０ｋｅＶ，または少なくとも約３０ｋｅＶ，少なくとも約５０ｋｅＶ，少なくとも約８０ｋｅＶ，またはさらに少なくとも約１２０ｋｅＶを用いて，水素を，少なくとも約５×１０１５イオン／ｃｍ２，少なくとも約１×１０１６イオン／ｃｍ２，少なくとも約５×１０１６イオン／ｃｍ２，またはさらに少なくとも約１×１０１７イオン／ｃｍ２の添加量で注入して，水素を，ヘリウムと実質的に同じ深さまで注入することにより，好ましくは，水素およびヘリウムを連続して注入する
例えば，約１×１０１６のＨｅ+イオン／ｃｍ２を，約３６ｋｅＶを用いてドナー構造体内に注入し，その後に
代替的に，約２４ｋｅＶで注入される約１×１０１６のＨ+イオン／ｃｍ２を，ドナー構造体内に注入する。
“[0034] 
After implantation is performed, the donor structure 10 may be thermally treated to begin the formation a cleave plane at the damage layer 24. For example, the donor structure may be thermally treated at a temperature of from about 150 ℃ to about 375 ℃ for a period of from about 1 hour to about 100 hours
（和訳）
“［0034］
注入を行った後，ドナー構造体１０を熱処理して，損傷層２４における剥離面の形成を開始してよい。例えば，ドナー構造体を約１５０℃〜約３７５℃の温度で約１時間〜約１００時間に亘って熱処理してよい
“[0036] Referring now to FIG. 1B, the second structure 26 comprises either a single wafer or a multi-layer wafer having a bonding surface 28. In the exemplary embodiment, as is shown in FIG. 1B, the second structure 26 is a single wafer. 
The second structure 26 may be comprised of a material selected from the group consisting of sapphire, quartz crystal, glass, silicon carbide, silicon, gallium nitride, aluminum nitride, gallium aluminum nitride, or any combination thereof
（和訳）
“図１Ｂを参照すると，第２構造体２６は，結合表面２８を有する単一のウエハまたは多層ウエハを含む。例示的な実施形態において，図１Ｂに示すように，第２構造体２６は単一のウエハである。
第２構造体２６は，サファイア，石英結晶，ガラス，シリコンカーバイド，シリコン，ゲルマニウムナイトライド，アルミニウムナイトライド，ガリウムアルミニウムナイトライド，またはそれらの任意の組合せから成る群から選択した材料から成ってよい
“[0042] Referring now to FIG. 2, 
the donor structure 10 is bonded to the second structure 26 by bringing the implantation surface 16 of the device layer 14 and the bonding surface 28 of the second structure 26 together to form a bond interface 32
Typically, however, wafer bonding is achieved by contacting the surface of the device layer and the second structure at room temperature, followed by a low temperature anneal for a period of time sufficient to produce a bond interface having a bond strength greater than about 500 mJ/m2, about 750 mJ/m2, about 1000 mJ/m2, or more. To achieve such bond strength values, typically heating takes place at temperatures of at least about 200 ℃, 300 ℃, 400 ℃, or even 500 ℃ for a period of time of at least about 5 minutes, 30 minutes, 60 minutes, or even 300 minutes
（和訳）
“［0042］図２を参照すると，
デバイス層１４の注入表面１６と第２構造体２６の結合表面２８とを結合して，結合界面３２を形成することにより，ドナー構造体１０を，第２構造体２６に結合する
典型的には，デバイス層と第２構造体との表面を室温で接触させ，次いで，約５００ｍＪ／ｍ２，約７５０ｍＪ／ｍ２，約１０００ｍＪ／ｍ２以上またはそれより大きい結合強度を有する結合界面を形成するのに充分な時間に亘って低温熱アニールすることによって，ウエハの結合を達成する。このような結合強度の値を達成するように，典型的には，加熱を，少なくとも約２００℃，約３００℃，約４００℃，またはさらに約５００℃の温度で少なくとも約５分，約３０分，約６０分，またはさらに約３００分の所定時間に亘って行う
イ　以上の摘記によれば，引用例３には次の技術的事項が記載されていると理解できる。
ａ　ドナー構造体内にイオンを注入して損傷層を規定した後，ドナー構造体を第２構造体に結合して結合構造体を形成する製造方法において，前記イオン注入を，ヘリウムイオンを注入して，次いで，水素イオンを注入して行うこと。（段落００１７，００２９，００３３）
ｂ　上記ａのイオン注入において，ヘリウムイオンを少なくとも約５×１０１５イオン／ｃｍ２，少なくとも約１×１０１６イオン／ｃｍ２，少なくとも約５×１０１６イオン／ｃｍ２，またはさらに少なくとも約１×１０１７イオン／ｃｍ２の添加量において注入し，水素イオンを，少なくとも約５×１０１５イオン／ｃｍ２，少なくとも約１×１０１６イオン／ｃｍ２，少なくとも約５×１０１６イオン／ｃｍ２，またはさらに少なくとも約１×１０１７イオン／ｃｍ２の添加量で注入すること。（段落００３３）
ｃ　上記ａのイオン注入において，イオンを，少なくとも約２００オングストロームまたはさらに少なくとも約１ミクロンの深さまで，デバイス層および中間層の厚さに依存して，注入表面の下に注入すること。（段落００３０）
ｄ　上記ａのイオン注入において，ヘリウム及び水素イオンを，少なくとも約１０ｋｅＶ，少なくとも約２０ｋｅＶ，または少なくとも約３０ｋｅＶ，少なくとも約５０ｋｅＶ，少なくとも約８０ｋｅＶ，またはさらに少なくとも約１２０ｋｅＶを用いて，水素を，ヘリウムと実質的に同じ深さに注入すること。（段落００３３）
ｅ　上記ａのイオン注入の１つの実施形態として，例えば，約１×１０１６のＨｅ+イオン／ｃｍ２を，約３６ｋｅＶを用いてドナー構造体内に注入し，その後に，約２４ｋｅＶで注入される約１×１０１６のＨ+イオン／ｃｍ２を，ドナー構造体内に注入すること。（段落００３３）
ｆ　上記ａのイオン注入の後，例えば，ドナー構造体を約１５０℃〜約３７５℃の温度で約１時間〜約１００時間に亘って熱処理して，損傷層２４における剥離面の形成を行うこと。（段落００３４）
ｇ　ドナー構造体を第２構造体に結合した後，少なくとも約２００℃，約３００℃，約４００℃，またはさらに約５００℃の温度で少なくとも約５分，約３０分，約６０分，またはさらに約３００分の所定時間に亘って行うことで，約５００ｍＪ／ｍ２，約７５０ｍＪ／ｍ２，約１０００ｍＪ／ｍ２以上またはそれより大きい結合強度を有する結合界面を形成すること。（段落００４２）
ｈ　第２構造体の材料は，サファイア，石英結晶，ガラス，シリコンカーバイド，シリコン，ゲルマニウムナイトライド，アルミニウムナイトライド，ガリウムアルミニウムナイトライド，またはそれらの任意の組合せから成る群から選択した材料であること。（段落００３６）
（４）引用例４の記載
ア　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の原出願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特表２０１０−５２２４２６号公報（以下「引用例４」という。）には，次の記載がある。
「【００２３】
　図２に示すように，
その後ドナー基板１に，内部に脆弱ゾーン１２が形成されるように原子またはイオンの種を注入することができ
「【００２８】
　次に，
レシーバ基板２の表面２０を，直接結合によってドナー基板１の表面１０に貼り付ける（
「【００３０】
　結合を強化するための処理の後，図６に示すようにドナー基板１の残余部１４が分離されて，活性層１３がレシーバ基板２上へ転写されると共に，参照番号５が付されたハイブリッド基板が得られる。」
「【００４２】
　一般に，同時注入（ｃｏ−ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）を行うことも可能であり，基板の表面には異なる種が連続して衝突する。たとえば，
最初にヘリウムの注入，その後にＨ＋イオンの注入を利用するのが好ましい
イ　以上の摘記によれば，引用例４には次の技術的事項が記載されていると理解できる。
・ドナー基板１にイオンの注入を行って脆弱ゾーン１２を形成した後，レシーバ基板２をドナー基板１に直接結合によって貼り付けることを含むハイブリッド基板の製造方法において，最初にヘリウムを注入，その後にＨ＋イオンを注入すること。（段落００２３，００２８，００３０，００４２）
３−３　補正発明１と引用発明１の対比
　補正発明１と引用発明１とを比較する。
ア　引用発明１の「単結晶シリコン基板２」は補正発明１の「単結晶シリコン基板」に相当し，両者はともに，「一方がその前面で，他方がその後面である，ほぼ平行な２つの主面と，前面と後面を接続する周縁端部と，前面および後面の間にある中央面とを有し」ている点で一致する。
イ　引用発明１における「単結晶シリコン基板２の表面から水素イオンを注入し，基板中にイオン注入層４を形成するステップ」は，補正発明１における「（ｂ）単結晶シリコン基板の前面から水素イオンを」「注入するステップ」に相当する。
ウ　引用発明１における「イオン注入層４の脆化を促進するために，イオン注入層４を設けた単結晶シリコン基板２をハンドル基板１と貼り合わせる前に第１の熱処理を行うステップ」は，補正発明１における「（ｃ）単結晶シリコン基板内に剥離面を形成するために，単結晶シリコン基板をアニール処理するステップ」に相当する。
エ　引用発明１における「単結晶シリコン基板２のイオン注入された表面とハンドル基板１の表面とを貼り合わせるステップ」は，補正発明１における「（ｄ）接合構造体を形成するために，剥離面を内在する単結晶シリコン基板の前面をキャリア基板に接合するステップ」に相当する。
オ　引用発明１における「石英基板」，「サファイア基板」及び「ＳｉＣ基板」が，補正発明１における「クォーツ」「サファイア」及び「シリコンカーバイド」にそれぞれ相当する。そうすると，補正発明１と引用発明１は，ともに「キャリア基板は，サファイア，クォーツ，シリコンカーバイド，からなる群から選択された材料で構成され」ている点で共通する。
カ　引用発明１における「貼り合わせ後に，単結晶シリコン基板２とハンドル基板１の結合を強化するために第２の熱処理を行うステップ」は，補正発明１における「（ｅ）」「接合構造体をアニール処理するステップ」に相当する。
キ　補正発明１と引用発明１は，「前記ステップ（ｂ）から前記ステップ（ｅ）の順序で行う」点で共通する。
ク　引用発明１の「貼り合わせ基板」は補正発明１の「接合構造体」に相当するから，補正発明１と引用発明１は，ともに「接合構造体を作成する方法」である点で一致する。
　以上のア〜クによれば，補正発明１と引用発明１の一致点及び相違点は，以下のとおりである。
＜一致点＞
「接合構造体を作製する方法であって，
　単結晶シリコン基板は，一方がその前面で，他方がその後面である，ほぼ平行な２つの主面と，前面と後面を接続する周縁端部と，前面および後面の間にある中央面とを有し
（ｂ）単結晶シリコン基板の前面から水素イオンを注入するステップと，
（ｃ）単結晶シリコン基板内に剥離面を形成するために，単結晶シリコン基板をアニール処理するステップと，
（ｄ）接合構造体を形成するために，剥離面を内在する単結晶シリコン基板の前面をキャリア基板に接合するステップと，
　キャリア基板は，サファイア，クォーツ，シリコンカーバイドからなる群から選択された材料で構成され，
（ｅ）接合構造体をアニール処理するステップとを有し，
　前記ステップ（ｂ）から前記ステップ（ｅ）の順序で行うことを特徴とする方法。」である点。
＜相違点１＞
　補正発明１は「（ａ）単結晶シリコン基板の前面からヘリウムイオンを」「注入するステップ」を有し，「ステップ（ｃ）の前に，前記ステップ（ａ）から前記ステップ（ｂ）の順序で行われ」るのに対し，引用発明１は「水素イオンを注入し，基板中にイオン注入層４を形成するステップ」（ステップ（ｂ）に相当）及び「第１の熱処理」（ステップ（ｃ）に相当）を有しているものの，「（ａ）単結晶シリコン基板の前面からヘリウムイオンを」「注入するステップ」を有しておらず，「ステップ（ｃ）の前に，前記ステップ（ａ）から前記ステップ（ｂ）の順序」で行っていない点。
＜相違点２＞
　補正発明１では「ヘリウムイオンを」「注入エネルギーが２０ｋｅＶから４０ｋｅＶの範囲で」注入するのに対し，引用発明１ではヘリウムイオンの注入エネルギーが特定されていない点。
＜相違点３＞
　補正発明１では「全体のヘリウムイオン注入量が０．５×１０１６個（ヘリウムイオン数）／ｃｍ２から２×１０１６個（ヘリウムイオン数）／ｃｍ２の範囲で」ヘリウムイオンを注入するのに対し，引用発明１ではヘリウムイオン注入量が特定されていない点。
＜相違点４＞
　補正発明１では「ヘリウムイオンは，前面から中央面に向かって測定したときに，約０．０２ミクロン〜１ミクロンの間の平均深度Ｄ１まで注入され」るのに対し，引用発明１ではヘリウムイオン注入の平均深度が特定されていない点。
＜相違点５＞
　補正発明１では，水素イオンの「注入エネルギーが３０ｋｅＶから５０ｋｅＶの範囲」であるのに対し，引用発明１ではそのように特定されていない点。
＜相違点６＞
　補正発明１では，水素イオンの「全体の水素イオン注入量が０．５×１０１６個（水素イオン数）／ｃｍ２から３×１０１６個（水素イオン数）／ｃｍ２の範囲」であるのに対し，引用発明１ではそのように特定されていない点。
＜相違点７＞
　補正発明１では，「水素イオンは，単結晶シリコン基板の前面から中央面に向かって測定したときに，約０．０２ミクロン〜１ミクロンの間の平均深度Ｄ２まで注入され」るのに対し，引用発明１では水素イオン中の平均深度がそのように特定されていない点。
＜相違点８＞
　補正発明１では「平均深度Ｄ１および平均深度Ｄ２は５００オングストローム以内」であるのに対し，引用発明１ではヘリウムイオン注入及び水素イオン注入の平均深度の差がそのように特定されていない点。
＜相違点９＞
　補正発明１では，ステップ（ｃ）の「アニール処理」を「約２００℃〜約３５０℃の温度で，約２時間〜約１０時間」行うのに対し，引用発明１では「第１の熱処理」の条件がそのように特定されていない点。
＜相違点１０＞
　補正発明１では，「剥離面は，平均深度Ｄ１および平均深度Ｄ２と等しい深度であるか，平均深度Ｄ１と平均深度Ｄ２との間の深度を有し」ているのに対し，引用発明１では，剥離面の深度が特定されていない点。
＜相違点１１＞
　補正発明１では，キャリア基板の材料が「シリコン」「ガリウムヒ素」「シリコンゲルマニウム」及び「ゲルマニウム」から選択された材料を含むのに対し，引用発明１では，「ハンドル基板１」の材料としてそれらの材料を含むことは特定されていない点。
＜相違点１２＞
　補正発明１では，ステップ（ｅ）の「接合構造体のアニール処理」を「約１５０℃〜約３５０℃の温度で約１時間〜約５時間」行うのに対し，引用発明１では「第２の熱処理」の条件がそのように特定されていない点。
＜相違点１３＞
　補正発明１では，「前記ステップ（ａ）から前記ステップ（ｅ）の順序で行う」のに対し，引用発明１では，前記ステップ（ｂ）から前記ステップ（ｅ）の順序で行う点。
３．４　相違点についての判断
（１）相違点１，１３について
　事案に鑑み，はじめに相違点１，１３についてまとめて検討する。
　引用例２に記載された事項（上記３．２（２）イ，ａ），引用例３に記載された事項（上記３．２（３）イ，ａ）及び引用例４に記載された事項（上記３．２（４）イ）によれば，第１の基板にイオン注入層を形成した後第２の基板と貼り合わせる製造方法において，ヘリウムイオンを注入するステップの後，水素イオンを注入するステップを行ってイオン注入層を形成する技術（以下「ヘリウム／水素注入工程」ともいう。）は，当業者に周知の技術であったといえる。
　加えて，引用例２には，当該周知技術を適用することで，水素ガスイオンの注入分布幅をシャープにすることができ，従来の水素ガスイオンを単独で注入したときのイオンの注入量と比べて少ないイオンのトータル注入量で，イオン注入領域に気泡を発生させることができることが記載されている（上記３．２（２）イ，ｅ）。
　そうすると，上記引用例２に記載された上記周知技術の効果を得るために，引用発明１において上記周知技術を採用すること，すなわち，引用発明１の水素イオン注入ステップを，ヘリウムイオンを注入した後，水素イオンを注入するステップに変更することは，当業者が容易に想到し得たことであるといえる。
　よって，引用発明１において上記相違点１に係る構成とすることは，引用例２〜４に記載された技術的事項から当業者が容易になし得たことである。また，上記相違点１３に係る構成とすることも，それに伴い自然となし得たことである。
（２）相違点３，６について
　相違点３，６についてまとめて検討する。
　引用例２（上記３．２（２）イ，ｂ及びｄ）には，ヘリウム／水素注入工程におけるヘリウムイオンと水素イオンのドーズ量は，気泡を発生させるのに十分な量とすることが示唆され（段落０００３，０００５），具体的には，ヘリウムイオンの注入量を０．５×１０１６〜３．５×１０１６／ｃｍ２とし，水素イオンの注入量を０．５×１０１６〜３．５×１０１６／ｃｍ２とすることが記載されている（段落０００６）。また，引用例２の実施例３では，ヘリウムイオンを０．５×１０１６／ｃｍ２注入した後に水素ガスイオンを０．５×１０１６／ｃｍ２注入することが記載されている。
　引用例３（上記３．２（３）イ，ｂ及びｅ）には，ヘリウム／水素注入工程におけるヘリウムイオンと水素イオンのドーズ量として，少なくとも約５×１０１５イオン／ｃｍ２から約１×１０１７イオン／ｃｍ２の所定の添加量で注入することが記載されている。また，１つの実施形態として，約１×１０１６のＨｅ+イオン／ｃｍ２と約１×１０１６のＨ+イオン／ｃｍ２を，ドナー構造体内に注入することが記載されている（段落００３３）。
　以上によれば，上記周知のヘリウム／水素注入工程において，「ヘリウムイオンの注入量が０．５×１０１６個（ヘリウムイオン数）／ｃｍ２から２×１０１６個（ヘリウムイオン数）／ｃｍ２の範囲」，「水素イオン注入量が０．５×１０１６個（水素イオン数）／ｃｍ２から３×１０１６個（水素イオン数）／ｃｍ２の範囲」とすることは，引用例２及び引用例３に示された公知の範囲内で当業者が適宜設定し得ることであるといえる。また，そのような設定とすることの効果も，当業者の予測の範囲内である。
　よって，引用発明１において上記相違点３，６に係る構成とすることは，引用例２，３に記載された技術的事項から当業者が容易になし得たことである。
（３）相違点２，４，５，７について
　相違点２，４，５，７についてまとめて検討する。
　イオン注入の平均深度は，接合構造体から剥離させて転写したいシリコン層の厚みに応じて適宜設定する事項であり，イオン注入エネルギーは，そのように設定された平均深度を実現すべく，シリコン基板の厚みや表面の酸化膜の有無やその厚み，注入するイオン種等を勘案して設定する事項である。
　一方，引用例３（上記３．２（３）イ，ｃ及びｅ）には，周知のヘリウム／水素注入工程においてとり得る平均深度やイオン注入エネルギーが例示されており，具体的には，少なくとも約２００オングストロームまたはさらに少なくとも約１ミクロンの深さまで注入すること，ヘリウム及び水素イオンを，少なくとも約１０ｋｅＶ〜約１２０ｋｅＶの所定の注入エネルギーを用いることが記載されている。また，１つの実施形態として，Ｈｅ+イオンを約３６ｋｅＶを用いてドナー構造体内に注入し，その後に，約２４ｋｅＶでＨ+イオンをドナー構造体内に注入することが記載されている。
　そうすると，引用例３に記載された上記公知の深度をふまえ，「ヘリウムイオンは，前面から中央面に向かって測定したときに，約０．０２ミクロン〜１ミクロンの間の平均深度Ｄ１まで注入され」「水素イオンは，単結晶シリコン基板の前面から中央面に向かって測定したときに，約０．０２ミクロン〜１ミクロンの間の平均深度Ｄ２まで注入され」た設定とすることは，必要に応じ当業者が適宜なし得たことであり，また，「ヘリウムイオンを」「注入エネルギーが２０ｋｅＶから４０ｋｅＶの範囲で」注入し，水素イオンを「注入エネルギーが３０ｋｅＶから５０ｋｅＶの範囲」で注入するように設定することも，当業者が適宜なし得たことである。また，そのような設定とすることの効果も，当業者の予測の範囲内である。
　よって，引用発明１において上記相違点２，４，５，７に係る構成とすることは，引用例３に記載された技術的事項から当業者が容易になし得たことである。
（４）相違点８について
　引用例１の段落００１８に記載のとおり，イオン注入層はその後機械的力を加えて剥離を行うための層であるから，注入イオンの深さは平均深度付近に狭く分布することが好ましいことは，技術的に明らかなことである。さらに，引用例３の段落００３３には，ヘリウム／水素注入工程においてヘリウムイオンと水素イオンを実質的に同じ深さまで注入することが記載されている。
　そうすると，周知のヘリウム／水素注入工程においてヘリウムイオンの平均深度Ｄ１および水素イオンの平均深度Ｄ２の差をなるべく小さくすることは，当業者が普通に行うことであり，その具体的な指標として，例えば「平均深度Ｄ１および平均深度Ｄ２は５００オングストローム以内」と設定することも，格別の困難無くなし得たことであるといえる。また，そのように設定することの効果も，当業者の予測の範囲内である。
　よって，引用発明１において上記相違点８に係る構成とすることは，引用例３に記載された技術的事項から当業者が容易になし得たことである。
（５）相違点９について
　引用発明１における「第１の熱処理」は，貼り合わせ前にイオン注入層を脆化するための熱処理である（引用例１の段落０００６，０００７，００１４）。
　一方，ヘリウム／水素注入工程の後，貼り合わせを行う前にイオン注入層が形成された基板を熱処理することは，引用例２（上記３．２（２）イ，ｃ）や引用例３（上記３．２（３）イ，ｆ）に記載された周知の技術であり，引用例３の段落００３３には，当該熱処理により剥離面が形成されることも記載されている。また，当該熱処理の具体的条件として，引用例２には，３００〜４００℃の温度で行うこと（段落０００７），実施例として３５０℃で６０分間熱処理すること（段落０００９，００１１）が記載され，引用例３には，約１５０℃〜約３７５℃の温度で約１時間〜約１００時間に亘って熱処理することが記載されている（段落００３４）。
　そうすると，ヘリウム／水素注入工程の後，貼り合わせ工程を行う前にイオン注入層を脆化するための熱処理として，引用例２及び引用例３に示された範囲から所定の温度範囲及び時間を設定することは，必要な脆化の程度に応じ当業者が適宜なし得たことであり，「約２００℃〜約３５０℃の温度で，約２時間〜約１０時間」との設定とすることも，格別の困難無くなし得たことである。また，その効果も当業者の予測の範囲内である。
　よって，引用発明１において上記相違点９に係る構成とすることは，引用例２及び引用例３に記載された技術的事項から当業者が容易になし得たことである。
（６）相違点１０について
　引用発明１は，イオン注入層を熱処理により脆化した後，機械的力を加えてイオン注入層にそって剥離するものであり（引用例１の段落０００７，００１８），当該剥離において，より高濃度にイオン注入されて損傷した部分が剥離面となることは自明のことである。そして，上記周知の「ヘリウム／水素注入工程」によれば，ヘリウム注入の平均深度Ｄ１，水素注入の平均深度深度Ｄ２のいずれか若しくはその間の深度において注入イオンの分布がピークとなることも，技術的に明らかなことである。
　そうすると，引用発明１において「剥離面は，平均深度Ｄ１および平均深度Ｄ２と等しい深度であるか，平均深度Ｄ１と平均深度Ｄ２との間の深度を有し」とすることは，引用発明１に上記周知の「ヘリウム／水素注入工程」を適用して剥離を行うことで，自然になし得たことであるといえる。
（７）相違点１１について
　引用例２には，イオン注入がされたシリコン基板１１をシリコンウェーハからなる第２シリコン基板１３と重ね合わせて密着させることが記載され（段落０００７），引用例３には，イオン注入層が形成されたドナー構造体１０と結合する第２構造体２６の材料として「サファイア」，「石英結晶」，「シリコンカーバイド」とともに「シリコン」が列記されているから（段落００３６），引用発明１のハンドル基板１を「シリコン」で構成することは，引用例２，３の記載から容易になし得たことである。また，「ガリウムヒ素」，「シリコンゲルマニウム」及び「ゲルマニウム」は，いずれも周知の基板材料であるから，引用発明１のハンドル基板１をこれら周知の基板材料で構成することも，当業者が適宜なし得たことであるといえる。また，その効果も当業者の予測の範囲内である。
　よって，引用発明１において相違点１１に係る構成とすることは，引用例２，３に記載された技術的事項から当業者が容易になし得たことである。
（８）相違点１２について
　引用発明１の「第２の熱処理」は，「貼り合わせ後に，単結晶シリコン基板２とハンドル基板１の結合を強化するため」の熱処理であって，「貼り合わせ基板が熱膨張率の差の影響（熱応力）で破損しない温度が選択され，好ましくは温度１５０〜３５０℃で１〜２４時間行われる」ものである。また，引用例１の段落００１６に「単結晶シリコン基板のイオン注入面または絶縁性基板の表面の少なくとも一方が活性化処理されているため，より強く接合できる。」と記載されているように，結合の強度は貼り合わせる表面の状態にも依存するものと理解できる。
　引用例３（上記３．４（２）イ，ｇ）には，貼り合わせ後に少なくとも約２００℃〜約５００℃の温度で少なくとも約５分〜約３００分の所定時間にわたって熱処理を行うことで，約５００ｍＪ／ｍ２，約７５０ｍＪ／ｍ２，約１０００ｍＪ／ｍ２以上またはそれより大きい結合強度を有する結合界面を形成することが記載されている。
　以上によれば，貼り合わせ後の熱処理条件は，熱膨張率の影響や表面状態を勘案しつつ，必要な結合強度に応じて適宜設定されるものであるといえる。そのような選択の範囲として，「約１５０℃〜約３５０℃の温度で約１時間〜約５時間」と設定することは，当業者が適宜なし得たことである。また，その効果も当業者の予測の範囲内である。
　よって，引用発明１において相違点１２に係る構成とすることは，引用例３に記載された技術的事項から当業者が容易になし得たことである。
（８）小括
　したがって，補正発明１は，引用発明１及び引用例２〜４に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
３．５　独立特許要件についてのまとめ
　上記３．４のとおり，補正発明１は引用発明１及び引用例２〜４に記載された技術的事項から当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
４　補正却下の決定についてのまとめ
　以上のとおり，本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合しないものであるから，特許法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって，上記補正却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１．本願発明
　令和２年８月２０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜１５に係る発明は，令和元年１２月１３日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，上記第２，１．アの（ア）に本件補正前の請求項１として摘記したとおりのものである。
２．原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１〜１５に係る発明は，本願の原出願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用例１に記載された発明及び引用例２〜４に記載された技術的事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
１.国際公開第２０１０／１３７６８３号
２.特開平１１−３２９９９６号公報
３.米国特許出願公開第２０１１／０１５９６６５号明細書
４.特表２０１０−５２２４２６号公報
３．引用例の記載
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例１〜４の記載は，上記第２の３．２に記載したとおりである。
４．対比・判断
　上記第２の２．で検討したように，補正発明１は，本件補正前の請求項１について，上記第２の１．イに示した補正事項１の点を限定したものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをさらに限定したものである補正発明１が，上記第２の３．で示した理由のとおり，引用発明１及び引用例２〜４に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
５．本願発明についての結論
　上述のとおり，本願発明は，引用発明１及び引用例２〜４に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
第４　結言
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。