【手続補正書】
【提出日】令和1年10月21日(2019.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜構造物を形成する方法であって、該方法は：
反応空間の中に基板を用意すること； 
第一の周期的な堆積プロセスを用いて基板の表面上にＮｂＡｌＣを含む層を形成すること、ここで、前記第一の周期的な堆積プロセスは、Ｎｂを含む第一の先駆物質およびアルミニウムと炭素とを含む第二の先駆物質に基板を曝露することを含む少なくとも一つの堆積サイクルを含む；および
Ｎｂを含む第三の先駆物質および金属と炭素とを含む第四の先駆物質に前記基板を交互に曝露することを含む少なくとも一つの堆積サイクルを含む第二の周期的な堆積プロセスを用いること、ここで、前記第三の先駆物質は前記第一の先駆物質とは異なっているか、前記第四の先駆物質は前記第二の先駆物質とは異なっているか、のうちの少なくとも一つであり、そして前記第一の周期的な堆積プロセスと前記第二の周期的な堆積プロセスは、異なっている少なくとも１種の先駆物質を有する；を含み、
前記ＮｂＡｌＣを含む層の組成が、約３０〜約６０原子％の炭素、約１０〜約４０原子％のニオブ、約１０〜約４０原子％のアルミニウムを含み、
前記ＮｂＡｌＣを含む層の厚さが５０Å未満であり、そして
前記ＮｂＡｌＣを含む層を含む前記構造物の有効仕事関数は４．４ｅＶ未満である、
前記方法。
【請求項２】
前記第一の先駆物質はハロゲン化ニオブを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ハロゲン化ニオブは塩化ニオブを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第一の周期的な堆積プロセスは原子層堆積の周期的なプロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記反応空間に１種またはそれ以上のプラズマ励起種を導入する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第二の先駆物質は有機金属先駆物質を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第二の先駆物質はトリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第二の先駆物質はトリtertブチルアルミニウム（ＴＴＢＡ）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ＮｂＡｌＣ層はＮＭＯＳメタルゲート構造物の一部であり、そして前記構造物におけるメタルゲートの仕事関数は４．４ｅＶ未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記堆積サイクルは、基板をパージガスに曝露すること、および／または、（存在する場合には）過剰な第一の先駆物質および反応副生物を基板から除去すること；および、基板を前記パージガスに曝露すること、および／または、（存在する場合には）過剰な第二の先駆物質および反応副生物を基板から除去すること；をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＮｂＡｌＣ層は原子基準濃度で少なくとも約２０％のアルミニウムを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＮｂＡｌＣ層の抵抗率は約１０００μオーム・ｃｍ未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第二の先駆物質はＣ２-Ｃ４アルキル配位子を含むアルミニウムの炭化水素化合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＮｂＡｌＣ層を堆積する前にＴｉＮを含む層を堆積することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記Ｎｂを含む第一の先駆物質およびアルミニウムと炭素とを含む第二の先駆物質に基板を交互に曝露することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
[68]本開示の主題は、本明細書に開示した様々なプロセス、層、構造物とデバイス、およびその他の造形物、機能、作用、および／または特性、ならびにそれらの何らかの同等物および全ての同等物の、全ての新規で非自明な組み合わせおよび副次的組み合わせを包含する。
[発明の態様]
[１]
薄膜構造物を形成する方法であって、該方法は：
反応空間の中に基板を用意すること；および
第一の周期的な堆積プロセスを用いて基板の表面上にＮｂＡｌＣを含む層を形成することからなる各工程を含み、ここで、前記第一の周期的な堆積プロセスは、Ｎｂを含む第一の先駆物質およびアルミニウムと炭素とを含む第二の先駆物質に基板を曝露することを含む少なくとも一つの堆積サイクルを含む；
前記方法。
[２]
前記第一の先駆物質はハロゲン化ニオブを含む、１に記載の方法。
[３]
前記ハロゲン化ニオブは塩化ニオブを含む、２に記載の方法。
[４]
前記第一の周期的な堆積プロセスは原子層堆積の周期的なプロセスを含む、１に記載の方法。
[５]
前記反応空間に１種またはそれ以上のプラズマ励起種を導入する工程をさらに含む、１に記載の方法。
[６]
前記第二の先駆物質は有機金属先駆物質を含む、１に記載の方法。
[７]
前記第二の先駆物質はトリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）を含む、１に記載の方法。
[８]
前記第二の先駆物質はトリtertブチルアルミニウム（ＴＴＢＡ）を含む、１に記
載の方法。
[９]
Ｎｂを含む第三の先駆物質および金属と炭素とを含む第四の先駆物質に前記基板を交互に曝露することを含む少なくとも一つの堆積サイクルを含む第二の周期的な堆積プロセスを用いることをさらに含み、ここで、前記第三の先駆物質は前記第一の先駆物質とは異なっているおよび、前記第四の先駆物質は第二の先駆物質とは異なっている：の少なくとも一つである、１〜８に記載の方法。
[１０]
前記ＮｂＡｌＣ層はＮＭＯＳメタルゲート構造物の一部であり、そして前記構造物におけるメタルゲートの仕事関数は約４．５ｅＶ未満である、１〜８に記載の方法。
[１１]
前記堆積サイクルは、基板をパージガスに曝露すること、および／または、（存在する場合には）過剰な第一の先駆物質および反応副生物を基板から除去すること；および、基板を前記パージガスに曝露すること、および／または、（存在する場合には）過剰な第二の先駆物質および反応副生物を基板から除去すること；をさらに含む、１〜８に記載の方法。
[１２]
前記ＮｂＡｌＣ層は原子基準濃度で少なくとも約２０％のアルミニウムを含む、
１〜８に記載の方法。
[１３]
前記ＮｂＡｌＣ層の抵抗率は約１０００μオーム・ｃｍ未満である、１〜８に記
載の方法。
[１４]
前記第二の先駆物質はＣ２-Ｃ４アルキル配位子を含むアルミニウムの炭化水素化合物を含む、１〜５のいずれかに記載の方法。
[１５]
前記ＮｂＡｌＣ層を堆積する前にＴｉＮを含む層を堆積することをさらに含む、
１〜８のいずれかに記載の方法。
[１６]
前記Ｎｂを含む第一の先駆物質およびアルミニウムと炭素とを含む第二の先駆物質に基板を交互に曝露することをさらに含む、１〜８のいずれかに記載の方法。
[１７]
薄膜構造物を形成する方法であって、該方法は：
反応空間の中に基板を用意すること；および
周期的な堆積プロセスを用いて基板の表面上にＮｂＭＣ（Ｍは金属と半金属とのうちの１種またはそれ以上を含む）を含む層を形成することの各工程を含み、ここで、前記周期的な堆積プロセスは、Ｎｂを含む第一の先駆物質および金属と半金属のうちの１種またはそれ以上と炭素とを含む第二の先駆物質を前記基板の表面に交互に与えることを含む少なくとも一つの堆積サイクルを含む；
前記方法。
[１８]
前記周期的な堆積サイクルは反応空間の中で行われる、１７に記載の方法。
[１９]
前記周期的な堆積サイクルは空間的な堆積反応器を用いて行われる、１７に記載の方法。
[２０]
基板；および、基板の上に形成されたＮｂＭＣを含む層（Ｍは金属と半金属とのうちの１種またはそれ以上を示す）；を含む薄膜構造物であって、
ここで、前記ＮｂＭＣを含む層は、約１０原子％〜約４０原子％のＮｂ、約１０原子％〜約４０原子％のＭ、および約３０原子％〜約６０原子％のＣを含む、前記薄膜構造物。
[２１]
前記構造物は、前記ＮｂＭＣを含む層の上にあるＴｉＮを含む層をさらに含む、
２０に記載の構造物。
[２２]
Ｍはアルミニウムを含む、２０に記載の構造物。
[２３]
前記ＮｂＭＣを含む層の抵抗率は約１０００μオーム・ｃｍ未満である、２０〜
２２のいずれかに記載の構造物。
[２４]
電気的な試験用構造物について測定して、前記薄膜構造物の仕事関数は４．５ｅＶ以下である、２０〜２２のいずれかに記載の構造物。