【手続補正書】
【提出日】平成31年3月15日(2019.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路デバイスであって、
第１のバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）と、
第１の半導体制御整流器（ＳＣＲ）として動作させるために前記第１のＢＪＴと交差結合された第２のＢＪＴであって、前記第１のＢＪＴのベースが、前記第２のＢＪＴのコレクタに接続され、前記第２のＢＪＴのベースが、前記第１のＢＪＴのエミッタまたはコレクタに接続される、第２のＢＪＴと、
前記第１のＢＪＴの前記ベースにトリガ電流を提供するように構成された第１のトリガーデバイスを備える、トリガーデバイスと、
第２のＳＣＲとして動作させるために前記第２のＢＪＴと交差結合された第３のＢＪＴであって、前記第３のＢＪＴが、前記第２のＢＪＴの前記ベースに接続されたコレクタ、および前記第２のＢＪＴの前記コレクタに接続されたベースを有する、第３のＢＪＴと、を備える、集積回路デバイス。
【請求項２】
前記第１のＢＪＴの前記ベースとして構成された第１のタイプの第１のウエルを更に備え、前記第１のタイプの前記第１のウエルが、前記第１のＢＪＴの前記コレクタとして構成された第２のタイプの第１のウエルと、前記第１のＢＪＴのエミッタとして構成された第２のタイプの第２のウエルとの間に間置され、前記第１のタイプの前記第１のウエルには、前記第２のタイプの第１の高濃度にドープされた領域が更に形成される、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項３】
前記第１のトリガーデバイスが、前記第２のタイプの前記第１の高濃度にドープされた領域を通して、前記第１のＢＪＴの前記ベースに接続される、請求項２に記載の集積回路デバイス。
【請求項４】
前記第１のＢＪＴ、前記第２のＢＪＴ、前記第３のＢＪＴ、および前記トリガーデバイスが形成された半導体基板の上に形成された、複数の金属化レベルを更に備え、前記第１のトリガーデバイスが、前記金属化レベルの１つまたは２つ以上を通して、前記第１のＢＪＴの前記ベースに電気的に接続される、請求項２に記載の集積回路デバイス。
【請求項５】
前記第２のタイプの前記第１のウエルが、前記第２のＢＪＴの前記ベースとして更に構成され、前記第２のＢＪＴの前記ベースが、前記第２のタイプの前記第１のウエル内に形成され、かつ前記第２のＢＪＴのエミッタとして構成された前記第１のタイプの第１の高濃度にドープされた領域と、前記第２のタイプの前記第１のウエルの下に形成され、かつ前記第２のＢＪＴの前記コレクタとして構成された前記第１のタイプのディープウエルとの間に形成される、請求項２に記載の集積回路デバイス。
【請求項６】
第１の端子（Ｔ１）と、第２の端子（Ｔ２）と、を更に備え、前記第１のＳＣＲは、前記Ｔ１に電気的に接続されたカソード／アノード（Ｋ／Ａ）と、前記Ｔ２に電気的に接続されたアノード／カソード（Ａ／Ｋ）と、を備える双方向ＳＣＲとして構成され、前記集積回路デバイスが、前記Ｔ１と前記Ｔ２との間に受信された電気的オーバーストレス信号に応答して起動するように構成される、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項７】
前記トリガーデバイスが、前記第１のＢＪＴの前記ベースに電気的に接続されたカソードを有する第１のダイオードと、前記第１のＢＪＴの前記ベースに電気的に接続されたカソードを有する第２のダイオードとを備え、前記第１のダイオードのアノードが、前記Ｔ１に電気的に接続され、前記第２のダイオードのアノードが、前記Ｔ２に電気的に接続される、請求項６に記載の集積回路デバイス。
【請求項８】
第３のＳＣＲとして動作させるために前記第２のＢＪＴに交差結合された第４のＢＪＴを更に備え、前記第４のＢＪＴが、前記第２のＢＪＴの前記ベースに接続されたコレクタと、前記第２のＢＪＴの前記コレクタに接続されたベースと、を有する、請求項７に記載の集積回路デバイス。
【請求項９】
集積回路デバイスであって、
双方向半導体制御整流器（ＳＣＲ）がその中に形成された半導体基板であって、前記双方向ＳＣＲが、第１の端子と第２の端子との間に形成され、前記双方向ＳＣＲが、第２のタイプの高濃度にドープされた中央領域がその中に形成された第１のタイプの中央ウエルを備える、半導体基板と、
半導体基板の上に形成された、１つまたは２つ以上の金属化レベルと、
一対のトリガーデバイスであって、各々が、前記１つまたは２つ以上の金属化レベルを通して、前記第１のタイプの前記中央ウエルに電気的に接続される、一対のトリガーデバイスと、を備える、集積回路デバイス。
【請求項１０】
前記双方向ＳＣＲが、ベースとして構成された前記第１のタイプの前記中央ウエルを有する第１のバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を備え、前記双方向ＳＣＲが、前記第１のＢＪＴのコレクタとして構成された前記第２のタイプの第１のウエルと、前記第１のＢＪＴのエミッタとして構成された前記第２のタイプの第２のウエルと、を備え、前記第１のタイプの前記中央ウエルが、前記第２のタイプの前記第１および第２のウエルの間に間置される、請求項９に記載の集積回路デバイス。
【請求項１１】
前記双方向ＳＣＲが、前記第１のタイプの前記中央ウエルに形成された、第１および第２の電気的浮遊金属層を更に備え、前記第１および第２の電気的浮遊金属層が、前記第２のタイプの前記高濃度にドープされた中央領域によって横方向に間置される、請求項１０に記載の集積回路デバイス。
【請求項１２】
前記双方向ＳＣＲが、前記双方向ＳＣＲとして動作させるために前記第１のＢＪＴと交差結合された第２のＢＪＴを更に備え、前記第１のＢＪＴのベースが、前記第２のＢＪＴのコレクタに接続され、前記第２のＢＪＴのベースが前記第１のＢＪＴのエミッタまたはコレクタに接続される、請求項１０に記載の集積回路デバイス。
【請求項１３】
前記第１のタイプのディープウエルを更に備え、前記第１のタイプの前記中央ウエルおよび前記第２のタイプの第１および第２のウエルの各々が、前記第１のタイプの前記ディープウエル内に形成される、請求項１２に記載の集積回路デバイス。
【請求項１４】
前記第２のＢＪＴが、前記第２のタイプの前記第１のウエル内に形成されたエミッタとしての役割を果たす、前記第１のタイプの高濃度にドープされた領域を備え、前記第２のタイプの前記第１のウエルが、前記第２のＢＪＴのベースとしての役割を果たし、前記第１のタイプの前記ディープウエルが、前記第２のＢＪＴのコレクタとしての役割を果たす、請求項１３に記載の集積回路デバイス。
【請求項１５】
第２のＳＣＲとして動作させるために前記第２のＢＪＴに交差結合された第３のＢＪＴを更に備え、前記第３のＢＪＴが、前記第２のＢＪＴの前記ベースに接続されたコレクタと、前記第２のＢＪＴの前記コレクタに接続されたベースと、を有する、請求項１２に記載の集積回路デバイス。
【請求項１６】
前記第２のタイプの前記高濃度にドープされた中央領域が、前記第３のＢＪＴのエミッタとして構成され、前記第１のタイプの前記中央ウエルが、前記第３のＢＪＴのベースとして構成され、前記第２のタイプの前記第１のウエルが、前記第３のＢＪＴのコレクタとして構成される、請求項１５に記載の集積回路デバイス。
【請求項１７】
集積回路デバイスであって、
第２のタイプの第１のウエルと前記第２タイプの第２のウエルとの間に間置された第１のタイプの第１のウエルを備える３つ以上のウエルがその中に形成された、半導体基板と、
前記半導体基板の上に形成された、１つまたは２つ以上の金属化レベルと、
前記３つ以上のウエル内に形成され、かつ双方向半導体制御整流器（ＳＣＲ）として、および前記３つ以上のウエル内に形成されたＳＣＲとして動作するように構成された、複数のバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）であって、前記双方向ＳＣＲおよび前記ＳＣＲの各々が、一対のバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を備え、前記一対のＢＪＴの各々が、前記一対のＢＪＴのもう一方のコレクタに接続されたベースを有する、複数のバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）と、
前記第１のタイプの第２のウエルおよび前記半導体基板内に形成され、かつ前記３つ以上のウエルによって間置された、前記第１のタイプの第３のウエルと、
前記第１のタイプの前記第２のウエルおよび前記第２のタイプの前記第１のウエル内に形成された、第１のトリガーデバイスと、
前記第１のタイプの前記第３のウエルおよび前記第２のタイプの前記第２のウエル内に形成された、第２のトリガーデバイスと、を備え、
前記第１および第２のトリガーデバイスが、前記金属化レベルの前記１つまたは２つ以上を通して、互いに電気的に接続される、集積回路デバイス。
【請求項１８】
前記双方向ＳＣＲおよびＳＣＲが、共通のＢＪＴを共有する、請求項１７に記載の集積回路デバイス。
【請求項１９】
前記第１および第２のトリガーデバイスの各々のカソードが、前記１つまたは２つ以上の金属化レベルを通して、前記第１のタイプの前記第１のウエルに共通に接続される、請求項１８に記載の集積回路デバイス。
【請求項２０】
前記共通のＢＪＴのベースおよび前記第１のトリガーデバイスのアノードが、前記第２のタイプの前記第１のウエル内に形成される、請求項１９に記載の集積回路デバイス。
【請求項２１】
システムオンチップ（ＳＯＣ）を形成するために前記半導体基板に集積された、１つまたは２つ以上のコア回路を更に備える、請求項１７に記載の集積回路デバイス。
【請求項２２】
前記第１のトリガーデバイスは、トリガーダイオードまたはトリガーＢＪＴのうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載の集積回路デバイス。
【請求項２３】
前記第１のＢＪＴの前記ベースとして構成された第１のタイプの第１のウエルを更に備え、前記第１のタイプの前記第１のウエルは、前記第１のＢＪＴの前記コレクタとして構成された第２のタイプの第１のウエルと前記第１のＢＪＴのエミッタとして構成された前記第２のタイプの第２のウエルとの間に間置され、前記第２のタイプの前記第１のウエルは、前記集積回路デバイスの端子に共通に接続された前記第１のタイプの高濃度にドープされた領域と前記第２のタイプの高濃度にドープされた領域とを更に備える、請求項２２に記載の集積回路デバイス。
【請求項２４】
前記一対のトリガーデバイスの各々は、トリガーダイオードまたはトリガーＢＪＴのうちの少なくとも１つを備える、請求項９に記載の集積回路デバイス。
【請求項２５】
前記双方向ＳＣＲは、ベースとして構成された前記第１のタイプの前記中央ウエルを有する第１のバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を備え、前記双方向ＳＣＲは、前記第１のＢＪＴのコレクタとして構成された前記第２のタイプの第１のウエルと、前記第１のＢＪＴのエミッタとして構成された前記第２のタイプの第２のウエルとを更に備え、前記第２のタイプの前記第１および第２のウエルの各々は、前記第１のタイプの高濃度にドープされた領域と前記第２のタイプの高濃度にドープされた領域とを備える、請求項２４に記載の集積回路デバイス。
【請求項２６】
前記第２のタイプの前記第１のウエルの前記第１および第２のタイプの前記高濃度にドープされた領域は、第１の端子（Ｔ１）に電気的に共通に接続され、前記第２のタイプの前記第２のウエルの前記第１および第２のタイプの前記高濃度にドープされた領域は、第２の端子（Ｔ２）に電気的に共通に接続される、請求項２５に記載の集積回路デバイス。