【事件の表示】
　特願２０１７−５００３４５「薄い吸収体を有する極紫外線マスクブランク作製システム及びその製造システム」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　１月１４日国際公開、ＷＯ２０１６／００７６１０、平成２９年　８月　３日国内公表、特表２０１７−５２１７１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、２０１５年（平成２７年）７月８日（パリ条約による優先権主張２０１４年７月１１日、アメリカ合衆国、２０１５年２月１１日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯の概要は以下のとおりである。 
　平成３１年　４月１７日付け：拒絶理由通知書 
　令和　元年　７月１８日　　：意見書、手続補正書の提出 
　令和　元年１１月２９日付け：拒絶理由通知書 
　令和　２年　２月２８日　　：意見書、手続補正書の提出 
　令和　２年　５月１４日付け：拒絶査定（原査定） 
　令和　２年　９月２８日　　：審判請求書の提出 
第２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、令和２年２月２８日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項３に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。 
「　【請求項３】
　極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクシステムであって、
　超低膨張基板と、
　前記超低膨張基板の上の多層スタックと、
　前記多層スタックの上の吸収層であって、８０ｎｍ未満の厚さと、１３．５ｎｍの波長における極紫外線（ＥＵＶ）光の２％未満の反射率を有する吸収層と
を備え、前記吸収層が、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、又はテルル（Ｔｅ）の単層を含む、システム。」 
第３　原査定の拒絶の理由 
　原査定の請求項３に係る発明の拒絶の理由の概要は、この出願の請求項３に係る発明は、最先の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献１に記載された発明及び周知技術、又は引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された発明に基いて、最先の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 
　　　　　　　　　　　　　　　記
　　　　　　　　　　　　　　　　　　
引用文献１．特開２００７−１１４３３６号公報
引用文献２．特開２００９−０９９９３１号公報 
引用文献３．米国特許出願公開第２０１０／０１６７１８１号明細書 
引用文献４．特表２０１２−５０３３１８号公報
  
第４　引用文献の記載及び引用発明 
１　原査定の拒絶の理由で引用された最先の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１には、図面とともに、次の記載がある（下線は、当審で付した。以下同様。）。 
「【０００１】
　本発明は、
極端紫外光などの短波長域の露光光を使用するリソグラフィー法において好ましく用いられる反射型マスクブランク
「【００２４】
　次に、本発明の反射型マスクブランク用基板を用いた反射型マスクブランクの製造方法について説明する。
　図１（ａ）は、本発明により得られる
反射型マスクブランク
反射型マスクブランク１０は、
反射型マスクブランク用基板１）上に、多層反射膜２、バッファ膜３、吸収体膜４を順に有する構成である。
【００２５】
　本発明では、
基板１の材料としては、ガラスを主成分とするガラス基板である。
ガラス基板材料としては、低熱膨張係数を有するアモルファスガラス（例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等）、石英ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラス等が挙げられる。
「【００２９】
　
吸収体膜４の材料としては、露光光の吸収率が高く、
選択される。
Taを主要な金属成分とする材料
【００３０】
　他の吸収体膜の材料としては、
Ｃｒを主成分とする材料（クロム、窒化クロム等）、タングステンを主成分とする材料（窒化タングステン等）、チタンを主成分とする材料（チタン、窒化チタン）等を用いることができる。
　これらの吸収体膜は、通常のスパッタ法（ＤＣスパッタ、ＲＦスパッタ）、イオンビームスパッタ法等の成膜法で形成することが出来る。
吸収体膜の膜厚は、露光光である例えばＥＵＶ光が十分に吸収できる厚みであればよいが、通常は３０〜１００ｎｍ程度である。
　また、上記バッファ膜３は、吸収体膜４に転写パターンを形成する際に、エッチング停止層として下層の多層反射膜を保護する機能を有し、本実施の形態では多層反射膜と吸収体膜との間に形成される。なお、バッファ膜は必要に応じて設ければよい。
　バッファ膜の材料としては、吸収体膜とのエッチング選択比が大きい材料が選択される。バッファ膜と吸収体膜のエッチング選択比は5以上、好ましくは10以上、さらに好ましくは20以上である。更に、低応力で、平滑性に優れた材料が好ましく、とくに0.3nmRms以下の平滑性を有していることが好ましい。このような観点から、バッファ膜を形成する材料は、微結晶あるいはアモルファス構造であることが好ましい。
【００３１】
　一般に、吸収体膜の材料には、ＴａやＴａ合金等が良く用いられている。吸収体膜の材料にＴａ系の材料を用いた場合、バッファ膜としては、Ｃｒを含む材料を用いるのが好ましい。例えば、Ｃｒ単体や、Ｃｒに窒素、酸素、炭素の少なくとも１つの元素が添加された材料が挙げられる。具体的には、窒化クロム（ＣｒＮ）等である。
　一方、
吸収体膜として、Ｃｒ単体
用いる
　このバッファ膜は、反射型マスク形成時には、マスクの反射率低下を防止するために、吸収体膜に形成されたパターンに従って、パターン状に除去してもよいが、バッファ膜に露光光の透過率の大きい材料を用い、膜厚を十分薄くすることが出来れば、パターン状に除去せずに、多層反射膜を覆うように残しておいてもよい。バッファ膜は、例えば、通常のスパッタ法（DCスパッタ、RFスパッタ）、イオンビームスパッタ法等の成膜法で形成することができる。バッファ膜の膜厚は、集束イオンビーム（Focussed Ion Beam：ＦＩＢ）を用いた吸収体膜パターンの修正を行う場合には、２０〜６０ｎｍ程度にするのが好ましいが、ＦＩＢを用いない場合には、５〜１５ｎｍ程度としてもよい。」
「【実施例】【００３４】
　次に、実施例により本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。
（実施例１）
　基板として、外形１５２ｍｍ角、厚みが６．３５ｍｍの
低熱膨張のＳｉＯ2−ＴｉＯ2系のガラス基板
　続いて、フッ酸を０．２％添加したフッ酸水溶液を用いて基板の洗浄を行い、さらに純水によるリンスとＩＰＡ蒸気による乾燥を行った。
　得られた基板表面を欠陥検査装置（レーザーテック社製　MAGICS　M-1350）及び原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて検査したところ、大きさが約１５０ｎｍ以上の異物は存在していなかったが、高さが１０ｎｍで大きさが８０ｎｍ程度の異物の存在が確認された。尚、上記フッ酸水溶液を用いた洗浄によって、基板主表面の表面粗さは０．１８ｎｍＲｍｓに増加していた。
【００３５】
　次に、この基板を図３に示す装置を用いてイオンビーム照射を行った。この時、イオンビームの基板主表面に対する入射角度は約５６度（図３の基板位置Ａ）とし、イオンソースと基板中心との距離は約４００ｍｍ、イオンソースのビーム電圧は３００Ｖ、ビーム電流は３００ｍＡとし、基板は２０ｒｐｍで回転させながら、減圧下（真空中）で３０分間のイオンビーム照射を行った。イオンビーム照射による基板表面の除去（エッチング）厚みは１７８ｎｍであった。そして、基板主表面の表面粗さは、イオンビーム照射前の０．１８ｎｍＲｍｓから０．０９ｎｍＲｍｓに減少していた。
【００３６】
　次に、
上記基板上に、多層反射膜として、
交互積層膜を形成した。
　また、得られた多層反射膜表面の表面粗さを測定したところ、０．１３ｎｍＲｍｓとなり、得られた多層反射膜に対し、１３．５ｎｍのＥＵＶ光を入射角６．０°で反射率を測定したところ、６７．１％と高い反射率であった。尚、多層反射膜の欠陥評価は、イオンビーム照射前の基板上に存在していた高さが１０ｎｍで大きさが８０ｎｍ程度の異物をＡＦＭにより追跡して行ったが、多層反射膜上には、上記異物による欠陥は確認できなかった。
【００３７】
　次に、上記多層反射膜上に、窒化クロム（ＣｒＮ：Ｎ＝10at％）からなるバッファ膜を形成した。成膜は、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置により行い、膜厚は２０ｎｍとした。
　次いで、上記バッファ膜上に、
波長１３〜１４ｎｍの露光光に対する吸収体膜
膜厚は、露光光を十分に吸収できる厚さとして、７０ｎｍとした。
　以上のようにして、本実施例の
反射型マスクブランク
２　引用発明 
　したがって、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
「反射型マスクブランク用基板上に、多層反射膜、バッファ膜、吸収体膜を順に有する構成であり、
　反射型マスクブランク用基板の材料としては、ガラスを主成分とするガラス基板であり、ガラス基板材料としては、低熱膨張係数を有するアモルファスガラス（例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等）、石英ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラス等が挙げられ、
　吸収体膜の材料としては、露光光の吸収率が高いものが選択され、Taを主要な金属成分とする材料、Ｃｒを主成分とする材料（クロム、窒化クロム等）、タングステンを主成分とする材料（窒化タングステン等）、チタンを主成分とする材料（チタン、窒化チタン）等を用いることができ、
　吸収体膜の膜厚は、露光光であるＥＵＶ光が十分に吸収できる厚みであればよく、通常は３０〜１００ｎｍ程度である
　極端紫外光などの短波長域の露光光を使用するリソグラフィー法において好ましく用いられる反射型マスクブランク。」
第５　対比 
　本願発明と引用発明を対比する。 
１　引用発明の「極端紫外光などの短波長域の露光光を使用するリソグラフィー法において好ましく用いられる反射型マスクブランク」は、本願発明の「極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクシステム」に、
　引用発明の「『ガラスを主成分とするガラス基板であり、ガラス基板材料としては、低熱膨張係数を有するアモルファスガラス（例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等）、石英ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラス等が』『材料として』『挙げられ』る『反射型マスクブランク用基板』」は、本願発明の「超低膨張基板」に、
　引用発明の「『反射型マスクブランク用基板上』の『多層反射膜』」は、本願発明の「前記超低膨張基板の上の多層スタック」に、
　それぞれ相当する。 
２　引用発明は「反射型マスクブランク用基板上に、多層反射膜、バッファ膜、吸収体膜を順に有する構成」と特定されていることから、多層反射膜の上に吸収体膜を有するものである。
　そうすると、引用発明の「反射型マスクブランク用基板上に、多層反射膜、バッファ膜、吸収体膜を順に有する構成であり、」「吸収体膜の膜厚は、露光光であるＥＵＶ光が十分に吸収できる厚みであればよく、通常は３０〜１００ｎｍ程度である」と本願発明の「前記多層スタックの上の吸収層であって、８０ｎｍ未満の厚さと、１３．５ｎｍの波長における極紫外線（ＥＵＶ）光の２％未満の反射率を有する吸収層」は、「前記多層スタックの上の吸収層であって、３０ｎｍ以上８０ｎｍ未満の厚さを有する吸収層」である点で一致する。
３　以上のことから、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 
【一致点】 
「極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクシステムであって、
　超低膨張基板と、
　前記超低膨張基板の上の多層スタックと、
　前記多層スタックの上の吸収層であって、３０ｎｍ以上の８０ｎｍ未満の厚さを有する吸収層と
を備える、システム。」 
【相違点】 
　吸収層について、本願発明においては「１３．５ｎｍの波長 における極紫外線（ＥＵＶ）光の２％未満の反射率を有」し、「錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、又はテルル（Ｔｅ）の単層を含む」のに対し、引用発明においては「吸収体膜の膜厚は、露光光であるＥＵＶ光が十分に吸収できる厚みであればよく」、「吸収体膜の材料としては、露光光の吸収率が高いものが選択され、Taを主要な金属成分とする材料、Ｃｒを主成分とする材料（クロム、窒化クロム等）、タングステンを主成分とする材料（窒化タングステン等）、チタンを主成分とする材料（チタン、窒化チタン）等を用いることができ」るものの、「１３．５ｎｍの波長における極紫外線（ＥＵＶ）光の２％未満の反射率を有」するのか明らかでなく、「錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、又はテルル（Ｔｅ）の単層を含む」構成を備えていない点。 
第６　判断 
１　相違点について 
（１）引用発明は「吸収体膜の材料としては、露光光の吸収率が高いものが選択され、Taを主要な金属成分とする材料、Ｃｒを主成分とする材料（クロム、窒化クロム等）、タングステンを主成分とする材料（窒化タングステン等）、チタンを主成分とする材料（チタン、窒化チタン）等」、「吸収体膜の膜厚は、露光光であるＥＵＶ光が十分に吸収できる厚みであればよく」と特定されており、吸収体膜の材料としては、複数例示され、露光光であるＥＵＶ光の吸収率が高いものを用いることが示唆されている。
（２）そして、ＥＵＶマスクブランクの吸収層として、ＥＵＶ光に対して消衰係数が高く高吸収な材料を用いるようになすことは、周知の技術（必要ならば、引用文献２（特に、【００３５】−【００３９】の「逆に吸収体層４についてはＥＵＶ光に対してより吸収性の高い膜を採用することが高コントラスト化の為に求められるが、これを吸収体層４の薄膜化と同時に達成するためには既存の吸収体層４の材料よりも一層ＥＵＶ光に対して高吸収となる材料が必要である。」、「ＳｎＯの消衰係数は、従来の吸収体層４のベース材料であるＴａの消衰係数０．０４１と比較するとＴａの消衰係数の約１．８倍大きくなっている。」等、図３参照。）、引用文献３（特に、[0030]の「The absorber layer pattern 340a preferably comprises a material having an extinction coefficient (k) to EUV higher than that of tantalum (Ta). 」参照。）、特開２０１１−１７６１６２号公報（特に、【００４８】の「吸収層の材料としてはＥＵＶの露光波長において消衰係数が大きいことが好ましい」参照。）等を参照されたい。）である。
（３）また、ＥＵＶ光に対して消衰係数が高く高吸収な材料として、錫（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アンチモン（Ｓｂ）、又はテルル（Ｔｅ）は周知（必要ならば、引用文献２（特に、図３から、ＳｎＯ、Ｓｂ、Ｔｅ、ＨｆがＥＵＶマスクブランクの吸収層の材料として検討されており、また使用可能であることが示唆されていることが読み取れる。）、特開２０１１−１７６１６２号公報（特に、【００４８】の「吸収層の材料としてはＥＵＶの露光波長において消衰係数が大きいことが好ましいことから、タンタル以外の材料としてハフニウムを用いてもよい。」との記載を参照。）、特開２００４−６７９８号公報（特に、【００２５】の「『吸収体層１６』の『露光光吸収体としては、』『錫、アンチモン、テルル、』『ハフニウム』『から選ばれる少なくとも１種の物質で構成することが好ましい。』 」との記載を参照。）を参照されたい。）である。
　
　上記周知のものとして例示した引用文献２の図３は以下のとおりである。
（４）さらに、引用発明は「吸収体膜の材料としては、露光光の吸収率が高いものが選択され、」「吸収体膜の膜厚は、露光光であるＥＵＶ光が十分に吸収できる厚みであればよく」と特定されていることからして、ＥＵＶが十分に吸収でき反射率を低くすることも示唆されているので、ＥＵＶ光の反射率を２％未満とすることは適宜決定する事項にすぎない。
　なお、本願の明細書を参照しても、吸収層として極紫外線（ＥＵＶ）光の２％未満の反射率とすることに、臨界的意義があるとは解せない。
　加えて、引用文献１の【００３１】には、吸収体膜として、Ｃｒ単体を用いることについて記載されており、吸収体膜を、クロムの単層で構成することが示唆されているといえる。
（５）そうすると、引用発明において、吸収体膜の材料としては、露光光であるＥＵＶ光の吸収率が高いものを用いることとの上記示唆及び周知の技術を考慮し、吸収体膜の材料として、錫（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アンチモン（Ｓｂ）、又はテルル（Ｔｅ）を選択し、吸収体膜が、当該材料の単層を含み、吸収体膜のＥＵＶ光の反射率を２％未満として、相違点に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得た事項にすぎない。
２　効果について 
　そして、相違点を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用発明及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
　　 
３　まとめ 
　したがって、本願発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明することができたものである。
４　審判請求人の主張について 
　審判請求人は、審判請求書において「このような吸収層の単層が、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、又はテルル（Ｔｅ）の単層を含むようにすることは、引用文献１〜３には開示も示唆もされておりません。」旨主張している。 
　しかしながら、上記１で検討したとおりである。
　したがって、審判請求人の主張は採用することはできない。 
第７　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、最先の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　　 
　よって、結論のとおり審決する。