【手続補正書】
【提出日】平成30年11月28日(2018.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、
前記トランジスタ上方の、第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の、第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方に設けられ、前記トランジスタと電気的に接続された発光素子と、
カラーフィルタ層と、
隔壁と、を有し、
前記第１の絶縁層は、無機材料を有し、
前記第２の絶縁層は、有機材料を有し、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体膜を有し、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極は、前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域において、前記発光素子の第１の電極と接する領域を有し、
前記隔壁は、前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域を有し、
前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域において、前記隔壁の上面が、前記発光素子の第１の電極の上面より高くなる領域を有し、
前記カラーフィルタ層は、前記発光素子の下方に設けられ、前記第１の電極と重なる領域を有し、
前記発光素子の発光は、前記第１の電極側から射出されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
トランジスタと、
前記トランジスタ上方の、第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の、第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方に設けられ、前記トランジスタと電気的に接続された発光素子と、
カラーフィルタ層と、
隔壁と、を有し、
前記第１の絶縁層は、無機材料を有し、
前記第２の絶縁層は、有機材料を有し、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体膜を有し、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極は、前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域において、前記発光素子の第１の電極と接する領域を有し、
前記隔壁は、前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域を有し、
前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域において、前記隔壁の上面が、前記発光素子の第１の電極の上面より高くなる領域を有し、
前記カラーフィルタ層は、前記発光素子の下方に設けられ、前記第１の電極と重なる領域を有し、
前記発光素子の発光は、前記第１の電極側から射出され、
前記カラーフィルタ層は、前記第２の絶縁層と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上方の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上方の、酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上方の、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜上方の、ドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上方の、第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の、第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方の、発光素子と、
カラーフィルタ層と、
隔壁と、を有し、
前記第１の絶縁層は、無機材料を有し、
前記第２の絶縁層は、有機材料を有し、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極は、前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域において、前記発光素子の第１の電極と接する領域を有し、
前記隔壁は、前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域を有し、
前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域において、前記隔壁の上面が、前記発光素子の第１の電極の上面より高くなる領域を有し、
前記カラーフィルタ層は、前記発光素子の下方に設けられ、前記第１の電極と重なる領域を有し、
前記発光素子の発光は、前記第１の電極側から射出されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
トランジスタと、
前記トランジスタ上方の、第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の、第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方に設けられ、前記トランジスタと電気的に接続された発光素子と、
カラーフィルタ層と、
隔壁と、を有し、
前記第１の絶縁層は、無機材料を有し、
前記第２の絶縁層は、有機材料を有し、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体膜を有し、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極は、前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域において、前記発光素子の第１の電極と接する領域を有し、
前記隔壁は、前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域を有し、
前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域において、前記隔壁の上面が、前記発光素子の第１の電極の上面より高くなる領域を有し、
前記カラーフィルタ層は、前記発光素子の下方に設けられ、前記第１の電極と重なる領域を有し、
前記発光素子の発光は、前記第１の電極側から射出され、
前記カラーフィルタ層は、前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
トランジスタと、
前記トランジスタ上方の、第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の、第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方に設けられ、前記トランジスタと電気的に接続された発光素子と、
カラーフィルタ層と、
隔壁と、を有し、
前記第１の絶縁層は、無機材料を有し、
前記第２の絶縁層は、有機材料を有し、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体膜を有し、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極は、前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域において、前記発光素子の第１の電極と接する領域を有し、
前記隔壁は、前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域を有し、
前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域において、前記隔壁の上面が、前記発光素子の第１の電極の上面より高くなる領域を有し、
前記カラーフィルタ層は、前記発光素子の下方に設けられ、前記第１の電極と重なる領域を有し、
前記発光素子の発光は、前記第１の電極側から射出され、
前記カラーフィルタ層は、前記第２の絶縁層と接する領域を有し、
前記カラーフィルタ層は、前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上方の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上方の、酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上方の、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜上方の、ドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上方の、第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の、第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方の、発光素子と、
カラーフィルタ層と、
隔壁と、を有し、
前記第１の絶縁層は、無機材料を有し、
前記第２の絶縁層は、有機材料を有し、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極は、前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域において、前記発光素子の第１の電極と接する領域を有し、
前記隔壁は、前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域を有し、
前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重なる領域において、前記隔壁の上面が、前記発光素子の第１の電極の上面より高くなる領域を有し、
前記カラーフィルタ層は、前記発光素子の下方に設けられ、前記第１の電極と重なる領域を有し、
前記発光素子の発光は、前記第１の電極側から射出され、
前記カラーフィルタ層は、前記第１の絶縁層の開口部及び前記第２の絶縁層の開口部と重ならないことを特徴とする半導体装置。