【事件の表示】
　特願２０１７−５４９３６９「マルチセル発光ダイオードを用いたバックライトユニット」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年１２月２９日国際公開、ＷＯ２０１６／２０９０２５、平成３０年　９月２７日国内公表、特表２０１８−５２８５９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１６年（平成２８年）６月２４日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１５年（平成２７年）６月２６日、韓国、パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１５年（平成２７年）７月３日、韓国、パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１５年（平成２７年）７月１６日、韓国、パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１５年（平成２７年）７月２２日、韓国、パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１５年（平成２７年）７月３０日、韓国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は次のとおりである。
　平成２９年１２月２７日　　　手続補正書の提出
　平成３０年１２月１４日付け　拒絶理由通知
　平成３１年　４月１５日　　　意見書・手続補正書の提出
　令和　元年　６月１８日付け　拒絶査定
　令和　元年１０月２５日　　　本件審判請求・手続補正書の提出
　
第２　本願発明
　本願の請求項１〜１７に係る発明は、令和元年１０月２５日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
「　【請求項１】
複数のブロック、及び前記複数のブロック上に配置される複数のＭＪＴ　ＬＥＤ（ｍｕｌｔｉ　ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ）を含む印刷回路基板；
前記各ブロックの駆動制御のための信号を生成するバックライト制御モジュールを含むバックライトモジュール； 
駆動ＩＣ； 
複数のＦＥＴ（ｆｉｅｌｄ　ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ）；及び 
前記駆動ＩＣに配置され、前記複数のＦＥＴのオン／オフ機能を制御するＦＥＴ制御部を含み、 
前記各ブロックは少なくとも一つのＭＪＴ　ＬＥＤを含み、 
前記バックライト制御モジュールは、前記各ブロックのオン／オフ制御及びディミング制御のための駆動制御部を含み、 
前記各ＭＪＴ　ＬＥＤは、
単一の成長基板上に互いに離隔して整列され、第１発光セル及び第２発光セルを含む複数の発光セルを含み、前記各発光セルは、下部半導体層、前記下部半導体層上に位置する上部半導体層、及び前記下部半導体層と前記上部半導体層との間に位置する活性層を含み、
前記第１発光セル上に位置し、前記第１発光セルと電気的に接続される反射層； 
前記第１発光セルを前記第２発光セルと電気的に接続する上部電極； 
前記第１発光セルの側面から前記上部電極を絶縁させる第１絶縁層；及び 
前記上部電極上に整列される第１パッド及び第２パッド；を含み、 
前記複数の発光セルは互いに直列に接続され、 
前記第１パッドは入力発光セルに電気的に接続され、前記第２パッドは出力発光セルに電気的に接続され、 前記複数のＦＥＴの個数は前記ブロックの個数と同一であり、
前記ＦＥＴ制御部は、前記複数のＦＥＴのオン／オフ制御を通じて前記各ブロックのオン／オフ機能を制御し、 
前記駆動ＩＣは、前記複数のＦＥＴのうち少なくとも一つを含む、
バックライトユニット。」
第３　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、本願発明は、本願の優先権主張の日前に頒布された、又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献に記載された発明に基づいて、その出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　記
　引用文献１：特開２００９−２０４８２５号公報
　引用文献２：特開２０１３−１６７０６号公報
　引用文献３：国際公開第２０１２／０４６４９６号
　引用文献４：特開２０１４−１５７９４８号公報
　
第４　引用文献の記載、及び、引用発明の認定
（１）引用文献１：特開２００９−２０４８２５号公報
ア
（ア）
　原査定において引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された特開２００９−２０４８２５号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある。（下線は当審で付加。以下同様。）
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
複数のＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）ライトを有するバックライトと、前記ＬＥＤライトからの光の透過率を変えることで階調を表現する画素の集合でなる表示領域を有する表示パネルと、それぞれの前記画素の階調を制御する第１の制御手段と、それぞれの前記ＬＥＤライトの明るさを制御する第２の制御手段とを有し、前記複数のＬＥＤライトは、前記表示パネルの前記表示領域と重畳する領域に配置されている表示装置であって、
　前記表示装置の周辺の照度を測定する照度測定手段を有し、
　前記第２の制御手段は、前記照度測定手段で測定した照度があらかじめ定められた値よりも高い場合は、すべての前記ＬＥＤライトの明るさを同じ明るさに決定し、前記照度測定手段で測定した照度があらかじめ定められた値よりも低い場合は、前記第１の制御手段によって制御された前記画素の階調に基づいてそれぞれの前記ＬＥＤライトの明るさを決定
【請求項２】
　
前記バックライトは、前記表示パネルの前記表示領域と重畳する領域を複数のブロックに分割し、複数の前記ブロックのそれぞれに１つ以上の前記ＬＥＤライトを配置してなり、
　前記第２の制御手段は、前記照度測定手段で測定した照度があらかじめ定められた値よりも低い場合、前記ブロックごとに、前記表示領域のうちの前記ブロックと重畳する部分領域に含まれる前記画素の階調の平均値に基づいてそれぞれの前記ＬＥＤライトの明るさを決定
【請求項３】
　
前記ＬＥＤライトの明るさは、前記ＬＥＤライトに加える電流の大きさによって制御
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、表示装置に関し、特に、ＬＥＤライトがマトリクス状に配置された直下型のバックライトを有する液晶表示装置に適用して有効な技術に関するものである。」
「【０００４】
　また、前記ＬＥＤバックライトは、前記液晶表示パネルの表示領域と重畳する領域に、複数の前記ＬＥＤライトがマトリクス状に配置されており、それぞれの前記ＬＥＤライトの明るさ（輝度）は、加える電流の大きさによって制御される。そのため、前記ＬＥＤバックライトを有する液晶表示装置は、たとえば、ローカルディミングまたは単にディミングと呼ばれる局所的な輝度制御（以下、ローカルディミング制御という。）が容易であるという利点もある。
【０００５】
　前記ローカルディミング制御は、たとえば、前記ＬＥＤバックライトの前記表示領域と重畳する領域を複数のブロックに分割し、複数の前記ブロックの輝度を、前記ブロックごとに独立して制御する方法である（たとえば、特許文献１を参照。）。このとき、前記ＬＥＤバックライトは、複数の前記ブロックのそれぞれに１つ以上の前記ＬＥＤライトを配置しておく。またこのとき、それぞれの前記ブロックの輝度は、たとえば、前記表示領域の前記ブロックと重畳する部分領域に含まれる画素の階調の平均値に基づいて決定する。そして、決定した輝度が高いブロックの前記ＬＥＤライトには大きな電流を加え、決定した輝度が低いブロックの前記ＬＥＤライトには小さな電流を加えることで、ブロックごとに輝度を制御する。」
「【００２２】
　本発明に関わる液晶表示装置は、たとえば、図１（ａ）に示すように、液晶表示パネル１と直下型のＬＥＤバックライト２とを有する。ＬＥＤバックライト２は、液晶表示パネル１の表示領域ＤＡと重畳する領域ＲＡに、複数のＬＥＤライト（図示しない）がマトリクス状に配置されている。このとき、ＬＥＤバックライト２の領域ＲＡは、たとえば、ｘ方向の寸法がＢｘ、ｙ方向の寸法がＢｙの３６個のブロックＱｉｊ（１≦ｉ≦６，１≦ｊ≦６）に分割されており、それぞれのブロックＱｉｊには、１個または複数個のＬＥＤライトが配置されている。なお、図１（ａ）では、ＬＥＤバックライト２の領域ＲＡを３６個のブロックＱｉｊに分割しているが、他の個数のブロックに分割してもよいことはもちろんである。
【００２３】
　また、１個の前記ＬＥＤライトは、たとえば、赤色発光のＬＥＤチップ、緑色発光のＬＥＤチップ、および青色発光のＬＥＤチップを有する１つの発光部品であり、各ＬＥＤチップのアノードとカソードの間に電流を流すことで白色発光するライトである。また、前記１個の前記ＬＥＤライトは、たとえば、赤色発光のＬＥＤチップを有する１つの発光部品、緑色発光のＬＥＤチップを有する１つの発光部品、および青色発光のＬＥＤチップを有する１つの発光部品の３つの発光部品を接続して一体化したものであってもよい。またさらに、１個の前記ＬＥＤライトは、たとえば、青色発光のＬＥＤチップまたは近紫外発光のＬＥＤチップと蛍光体とにより白色光を得る１つの発光部品であってもよい。
【００２４】
　前記ＬＥＤライトは、加える電流の大きさを変えることで明るさ（輝度）を制御できる。そのため、ＬＥＤバックライト２の領域ＲＡをブロックＱｉｊに分割した場合、たとえば、ブロックＱｉｊごとに、含まれるＬＥＤライトに加える電流の大きさを変えることで、それぞれのブロックＱｉｊの輝度を変えることができる。このとき、ブロックＱｉｊから出射した光は、それぞれ、液晶表示パネル１の表示領域ＤＡの部分領域Ｐｉｊに照射される。そのため、表示領域ＤＡの部分領域Ｐｉｊのうちの、階調が低い画素が多い部分領域Ｐに光を照射するブロックＱの輝度を低くし、階調が高い画素が多い部分領域Ｐ’に光を照射するブロックＱ’の輝度を高くすると、表示領域ＤＡに表示された映像または画像の局所的なコントラスト感を高めることができる。これが、ローカルディミング制御の原理である。」
「【実施例】
【００３２】
　図３（ａ）および図３（ｂ）は、本発明による一実施例の液晶表示装置の概略構成を示す模式図である。
　図３（ａ）は、本実施例の液晶表示装置の概略構成の一例を示す模式ブロック図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＬＥＤ制御手段の概略構成の一例を示す模式ブロック図である。
【００３３】
　本実施例の液晶表示装置は、たとえば、図３（ａ）に示すように、液晶表示パネル１、ＬＥＤバックライト２、データドライバ３、走査ドライバ４、ＬＥＤ制御手段５、タイミングコントローラ６、および照度センサ７を有する。
【００３４】
　液晶表示パネル１は、透過型または半透過型の液晶表示パネルであり、たとえば、複数本の走査信号線ＧＬと複数本の映像信号線ＤＬを有する。このとき、液晶表示パネル１の表示領域ＤＡは、たとえば、最も外側に配置された２本の走査信号線ＧＬと、最も外側に配置された２本の映像信号線ＤＬとで囲まれる領域に相当する。またこのとき、表示領域ＤＡにおいて１つの画素が占有する領域は、隣接する２本の走査信号線ＧＬと隣接する２本の映像信号線ＤＬとで囲まれた領域に相当し、それぞれの画素が占有する領域には、たとえば、ＴＦＴ素子、画素電極、および対向電極などが配置されている。
【００３５】
　なお、本実施例の液晶表示装置における液晶表示パネル１は、透過型または半透過型の液晶表示パネルであればよく、それぞれの画素の構成は、たとえば、従来の透過型または半透過型の液晶表示パネルにおける画素の構成と同じでよい。すなわち、それぞれの画素の構成は、たとえば、画素電極と対向電極との電位差により液晶分子の配向を制御して光の透過率を変えることで階調を表現できる構成であれば、どのような構成であってもよい。そのため、本実施例では、液晶表示パネル１における画素の構成などの詳細な説明を省略する。
【００３６】
　ＬＥＤバックライト２は、ローカルディミング制御が可能なバックライトであり、表示領域ＤＡと重畳する領域に、複数のＬＥＤライト２０１がマトリクス状に配置されている。このとき、それぞれのＬＥＤライト２０１は、明るさ（輝度）の制御を独立して行えるようになっている。なお、
１つのＬＥＤライト２０１は、
複数個のＬＥＤライトが直列
に接続されたＬＥＤライト群であ
【００３７】
　データドライバ３は、たとえば、液晶表示パネル１の映像信号線ＤＬに加える映像信号（階調信号）を生成する駆動回路である。
【００３８】
　走査ドライバ４は、たとえば、液晶表示パネル１の走査信号線ＧＬに加える走査信号を生成する駆動回路である。
【００３９】
　
ＬＥＤ制御手段５は、それぞれのＬＥＤライト２０１の明るさ、すなわちそれぞれのＬＥＤライト２０１に加える電流の大きさを制御する制御回路であ
・・・（中略）・・・
【００４２】
　また、ＬＥＤ制御手段５は、たとえば、図３（ｂ）に示すように、ＬＤ制御判定手段５０１、電流値決定手段５０２、階調−電流対応データ５０３、および電流印加手段５０４とを有する。
・・・（中略）・・・
【００４６】
　電流印加手段５０４は、電流値決定手段５０２で決定したそれぞれのＬＥＤライト２０１に加える電流の大きさに基づき、たとえば、タイミングコントローラ５からの電力Ｉ１を利用して、それぞれのＬＥＤライト２０１に加える電流Ｉ２（電力）を生成し、それぞれのＬＥＤライト２０１に供給する。」
（イ）
　図１（ａ）、図１（ｂ）、図３（ａ）、図３（ｂ）は以下のものである。
イ
　以上の記載から、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「複数のＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）ライトを有するバックライトと、前記ＬＥＤライトからの光の透過率を変えることで階調を表現する画素の集合でなる表示領域を有する表示パネルと、それぞれの前記画素の階調を制御する第１の制御手段と、それぞれの前記ＬＥＤライトの明るさを制御する第２の制御手段とを有し、前記複数のＬＥＤライトは、前記表示パネルの前記表示領域と重畳する領域に配置されている表示装置であって、
　前記表示装置の周辺の照度を測定する照度測定手段を有し、
　前記第２の制御手段は、前記照度測定手段で測定した照度があらかじめ定められた値よりも高い場合は、すべての前記ＬＥＤライトの明るさを同じ明るさに決定し、前記照度測定手段で測定した照度があらかじめ定められた値よりも低い場合は、前記第１の制御手段によって制御された前記画素の階調に基づいてそれぞれの前記ＬＥＤライトの明るさを決定し、（【請求項１】）　
　前記バックライトは、前記表示パネルの前記表示領域と重畳する領域を複数のブロックに分割し、複数の前記ブロックのそれぞれに１つ以上の前記ＬＥＤライトを配置してなり、
　前記第２の制御手段は、前記照度測定手段で測定した照度があらかじめ定められた値よりも低い場合、前記ブロックごとに、前記表示領域のうちの前記ブロックと重畳する部分領域に含まれる前記画素の階調の平均値に基づいてそれぞれの前記ＬＥＤライトの明るさを決定し、（【請求項２】）
前記ＬＥＤライトの明るさは、前記ＬＥＤライトに加える電流の大きさによって制御され、（【請求項３】）
１つのＬＥＤライト２０１は、複数個のＬＥＤライトが直列に接続されたＬＥＤライト群であり、（【００３６】）　
ＬＥＤ制御手段５は、それぞれのＬＥＤライト２０１の明るさ、すなわちそれぞれのＬＥＤライト２０１に加える電流の大きさを制御する制御回路である（【００３９】）
表示装置。」
（２）引用文献２：特開２０１３−１６７０６号公報
ア
　原査定において引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された特開２０１３−１６７０６号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、ＬＥＤ用絶縁反射基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　近年、
発光ダイオード（以下、ＬＥＤという）を備えた光源モジュール用プリント回路基板が、例えば液晶ＴＶなどの表示装置のバックライト用光源モジュールに好適に使用されている
（３）引用文献３：国際公開第２０１２／０４６４９６号
　原査定において引用され、本願の優先日前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である国際公開第２０１２／０４６４９６号（以下「引用文献３」という。）には、以下の記載がある。
「本発明は、光源ユニット、該光源ユニットを備えるバックライトユニット、及び該バックライトユニットを備える薄型ディスプレイ装置に関する。」（第１頁第１−２行）
「なお、本第１の実施形態においては、
ローカルディミングを採用する光源ユニット１００は、光源グループ毎にＯＮ、ＯＦＦ制御するように構成されている
（４）引用文献４：特開２０１４−１５７９４８号公報
ア
　原査定において引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された特開２０１４−１５７９４８号公報（以下「引用文献４」という。）には、以下の記載がある。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、
基板上にｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層を積層した半導体発光層が形成された半導体発光素子
「【００２５】
（実施の形態１）
　以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて説明する。図１は実施の形態１の半導体発光素子の断面構造の一例を示す断面図であり、図２は実施の形態１の半導体発光素子の平面構造の一例を示す模式図である。なお、図１は半導体発光素子の断面構造を便宜的に示すものであり、実際の寸法を正確に表すものではない。
【００２６】
　本実施の形態の半導体発光素子（以下、「ＬＥＤチップ」、「発光素子」ともいう。）は、複数の発光素子が形成されたウエハを所定の寸法で直方体状に切断して各発光素子を分離したものであり、例えば、ＬＥＤチップである。図１及び図２において、１はサファイア基板である。サファイア基板１（以下、「基板」という。）は平面視が矩形状であって、光透光性を有し、縦横寸法は、例えば、５００μｍ×１０００μｍである。なお、寸法はこれに限定されるものではない。
【００２７】
　図１に示すように、
半導体発光素子は、基板１の一面にｎ型半導体層２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３を積層した半導体発光層（ＬＥＤ構造）を相互に分離して２つ形成してある
【００２８】
　
各半導体発光層は、基板１上に
ｎ型半導体層２、活性層（不図示）、ｐ型半導体層３がこの順に積層してある
【００２９】
　半導体発光層の活性層は発光面に相当する領域であり、半導体発光層で発生する熱も活性層及び活性層の近傍の領域が最も多い。本実施の形態では、発光面又は放熱部分としての半導体発光層は、例えば、ｎ型半導体層２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３が重畳する領域であり、平面視では図２の符号３１、３２で示す領域である。
【００３０】
　
各半導体発光層のｐ型半導体層３の表面には、電流拡散層４を形成してある。電流拡散層４は、例えば、導電性の透明膜であるＩＴＯ膜（インジウム錫酸化膜）
【００３１】
　
各半導体発光層の電流拡散層４の表面には、ｐ型の反射膜５を形成してある
反射膜５は、Ａｇ合金等からなり、
【００３２】
　図１に示すように、
第１の半導体発光層（図１の右側のＬＥＤ構造）の反射膜５、電流拡散層４、ｐ型半導体層３及びｎ型半導体層２が露出している部分には
保護膜９を形成してある。保護膜９は、例えば、ＳｉＯ2 膜
【００３３】
　図１に示すように、第２の半導体発光層（図１の左側のＬＥＤ構造）の反射膜５、電流拡散層４、ｐ型半導体層３及びｎ型半導体層２が露出している部分には、後述の第２の電極８との接続面を除いて、反射膜５、電流拡散層４、ｐ型半導体層３及びｎ型半導体層２を保護するための保護膜９を形成してある。
【００３４】
　
第１の半導体発光層（ＬＥＤ１）及び第２の半導体発光層（ＬＥＤ２）は、配線層６により接続されている。
【００３５】
　
図１に示すように、配線層６は、第１の半導体発光層（ＬＥＤ１）及び第２の半導体発光層（ＬＥＤ２）を直列に接続、すなわち、２個のＬＥＤを直列に接続した構造とするように形成されている
【００３６】
　図１に示すように、第１の半導体発光層（図１の右側のＬＥＤ構造）上には、ｎ型半導体層２に接続された第１の電極７を形成してある。また、第２の半導体発光層（図１の左側のＬＥＤ構造）上には、反射膜５及び電流拡散層４を介してｐ型半導体層３に接続された第２の電極８を形成してある。
【００３７】
　第１の電極７及び第２の電極８は、半導体発光素子を実装する実装基板との接合に用いる半田（例えば、Ｐｂフリー半田）が接合される接合面となる。
【００３８】
　なお、第１の半導体発光層（ＬＥＤ１）及び第２の半導体発光層（ＬＥＤ２）との間に配線層６を形成することにより、第１の電極７及び第２の電極８の間には、直列接続された２個のＬＥＤを形成してある。なお、配線層６を適宜形成することにより、第１の電極７及び第２の電極８の間に並列接続された２個のＬＥＤ、あるいは逆並列された２個のＬＥＤを形成することもできる。
【００３９】
　
第１の電極７及び第２の電極８の半田接続面を除く部分は、保護膜１０を成膜してある。保護膜１０は、例えば、ＳｉＯ2 膜などである。
イ
　図１は以下のものである。
ウ
　「保護膜９」について、「反射膜５、電流拡散層４、ｐ型半導体層３及びｎ型半導体層２を保護するための保護膜９を形成し」、「保護膜９は、例えば、ＳｉＯ2 膜などである。」（【００３２】）と記載されており、図１を参照すると、「配線層６」と「第１の半導体発光層（図１の右側のＬＥＤ構造）」の「ｐ型半導体層３及びｎ型半導体層２」とは、「保護膜９」を挟んで形成されており、「保護膜９」は「ｐ型半導体層３及びｎ型半導体層２」の側面から、「配線層６」を絶縁させるものであることが理解できる。
エ
　以上をまとめると、引用文献４の（実施の形態１）及び図１には、次の技術事項（以下「引４技術事項」という。）が記載されていると認められる。
「半導体発光素子（以下、「ＬＥＤチップ」、「発光素子」ともいう。）（【００２６】）は、
　基板１の一面にｎ型半導体層２、活性層及びｐ型半導体層３を積層した半導体発光層（ＬＥＤ構造）を相互に分離して２つ形成してあり、（【００２７】）
　各半導体発光層は、基板１上に、ｎ型半導体層２、活性層、ｐ型半導体層３がこの順に積層してあり、（【００２８】）
　各半導体発光層のｐ型半導体層３の表面には、電流拡散層４を形成してあり、電流拡散層４は、例えば、導電性の透明膜であるＩＴＯ膜（インジウム錫酸化膜）であり、（【００３０】）
　各半導体発光層の電流拡散層４の表面には、ｐ型の反射膜５を形成してあり、反射膜５は、Ａｇ合金等からなり、（【００３１】）
　第１の半導体発光層の反射膜５、電流拡散層４、ｐ型半導体層３及びｎ型半導体層２が露出している部分には、保護膜９を形成してあり、保護膜９は、例えば、ＳｉＯ2 膜であり（【００３２】）
　第１の半導体発光層（ＬＥＤ１）及び第２の半導体発光層（ＬＥＤ２）は、配線層６により接続されており（【００３４】）
　配線層６は、第１の半導体発光層（ＬＥＤ１）及び第２の半導体発光層（ＬＥＤ２）を直列に接続、すなわち、２個のＬＥＤを直列に接続した構造とするように形成されており、【００３５】
　第１の電極７及び第２の電極８の半田接続面を除く部分は、保護膜１０を成膜してあり、保護膜１０は、例えば、ＳｉＯ2 膜などであり【００３９】
　保護膜９は、ｐ型半導体層３及びｎ型半導体層２の側面から、配線層６を絶縁させるものである（上記ウ）
半導体発光素子。」
（５）引用文献５：特開２０１０−２６７４８１号公報
ア
　本願の優先日前に国内において頒布された特開２０１０−２６７４８１号公報（以下「引用文献５」という。）には、第３図とともに以下の記載がある。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、直列接続された発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）を直列接続したＬＥＤチェーンを複数有するバックライトモジュールと、
複数のＬＥＤチェーンを駆動するバックライト駆動ＩＣを有するバックライト装置
「【００２６】
　図３は本実施例における、バックライト駆動部１０５とバックライトモジュール１００の接続形態を表した図である。
【００２７】
　バックライトモジュール１００には、複数のＬＥＤ１０１が格子状に配置されている。
本実施例では、複数個のＬＥＤ１０１が直列に接続されたＬＥＤチェーン１１６と、ＬＥＤチェーン１１６の最終段のＬＥＤのカソード端子側に直列接続された抵抗素子１１５とでＬＥＤチェーン１１６と抵抗素子１１５の直列回路が構成される。なお、抵抗素子１１５はＬＥＤチェーン１１６の先頭（初段）である入力端子側のアノード端子側に接続してもよい。ここで、抵抗素子１１５の抵抗値は最小で０Ωを接続可能な構造とする。ＬＥＤチェーン１１６は、バックライトモジュール１００内に、並列に複数個、配置され、ＬＥＤチェーン１１６の入力側（初段側）は、全て短絡して、電源回路１１０に接続され、電源電圧１０６が供給される。各ＬＥＤチェーン１１６の出力端側（最終段側）は、それぞれ、バックライト駆動ＩＣ１１１に入力される。
【００２８】
　
バックライト駆動部１０５は
バックライト駆動ＩＣ１１１を備える
各ＬＥＤチェーン１１６の出力端子は、それぞれ、ＦＥＴスイッチ１１３のドレイン端子に接続され、ＦＥＴ１１３のソース端子はＧＮＤに接地される
ＦＥＴスイッチ１１３のゲート端子１１４には、パルス幅変調制御を行うＰＷＭ制御部１１２に接続される。パルス幅変調とは、ＬＥＤチェーン１１６に対して、電流を供給する期間を制御することである。ＬＥＤ１０１の発光量は、ＬＥＤ１０１に流れる電流値と電流が流れる時間に比例するため、パルス幅変調により、電流供給時間を制御することで、発光量を制御可能である
【００２９】
　バックライト駆動ＩＣ１１１には、このＦＥＴスイッチ１１３が複数個配置され、各ＬＥＤチェーン１１６に接続される。
ＰＷＭ制御部１１２は、各ＬＥＤチェーン１１６のパルス幅変調を個別制御することで、ＬＥＤチェーン１１６毎のエリア調光を実現する
イ
　図３は以下のものである。
ウ
　以上をまとめると、引用文献５の【００２６】−【００２９】及び図３には、次の技術事項が記載されていると認められる。
　「電源回路１１０に、複数のＬＥＤ１０１からなるＬＥＤチェーン１１６と、ＦＥＴ１１３とを直列に接続し、ＦＥＴスイッチ１１３のゲート端子１１４は、ＰＷＭ制御部１１２に接続され（【図３】）、パルス幅変調は、ＬＥＤチェーン１１６に対して、電流を供給する期間を制御することであり、ＬＥＤ１０１の発光量は、ＬＥＤ１０１に流れる電流値と電流が流れる時間に比例するため、パルス幅変調により、電流供給時間を制御することで、発光量を制御可能である、【００２８】
バックライト制御回路。」
（６）引用文献６：特開２００８−３０４６９４号公報
ア
　本願の優先日前に国内において頒布された特開２００８−３０４６９４号公報（以下「引用文献６」という。）には、以下の記載がある。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、
発光ダイオード（ＬＥＤ：ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を光源とする内照式看板
「【００１４】
[第１の実施の形態]
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る内照式看板に内蔵するＬＥＤモジュール１１の模式的回路構成図を示す。
【００１５】
本発明の第１の実施の形態に係る内照式看板に内蔵するＬＥＤモジュール１１は、図１に示すように、
電源電圧Ｖｃｃと接地電位との間に直列接続された複数のＬＥＤ１,ＬＥＤ２,ＬＥＤ３と、トランジスタＱＤ１とを備える。トランジスタＱＤ１のベースには、後述するマイクロコンピュータ２６からの制御信号ＶCTL1が入力される。
【００１６】
図２は、本発明の第１の実施の形態に係る内照式看板に内蔵する複数のＬＥＤモジュールおよび制御系の模式的回路構成図を示す。
【００１７】
図２において、各ＬＥＤモジュール１１は、直列接続された１個のＬＥＤ列と１個のトランジスタで構成される例が示されている。また、制御系は、電源電圧Ｖｃｃを供給する電源１００と、電源１００に接続されたマイクロコンピュータ２６によって構成される。
【００１８】
複数のＬＥＤモジュール１１は、電源電圧Ｖｃｃと接地電位との間に並列に接続されている。各ＬＥＤモジュール１１内の各トランジスタＱＤ１,ＱＤ２,…のベースには、マイクロコンピュータ２６から制御信号が供給される。すなわち、図２の回路構成では、各ＬＥＤモジュール１１に直接パルス電圧が印加されるのではなく、マイクロコンピュータ２６からの制御信号によってＬＥＤモジュールに内蔵されたトランジスタを駆動することによって、各ＬＥＤモジュール１１が駆動されている。
【００１９】
図３（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る内照式看板において、内蔵するＬＥＤモジュールの明るさとオンデューティ比との関係を示す模式図であり、図３（ｂ）は、４個のＬＥＤモジュール１１の積層構成と、各ＬＥＤモジュール１１のオンデューティ比と明るさとの関係を示す。
【００２０】
本発明の第１の実施の形態に係る内照式看板においては、図３（ａ）に示すように、
各トランジスタのベースにマイクロコンピュータ２６から供給される制御信号を、例えば、パルス幅変調（ＰＷＭ：ＰｕｌｓｅＷｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）制御信号とすることによって、オンデューティが０％〜１００％の範囲で可変にする
【００２１】
マイクロコンピュータ２６から供給される制御信号は、例えば、０Ｖ〜約５Ｖ程度のパルス電圧波形であり、発振周波数は人の目でちらつきが感じられない、例えば、１ｋＨｚとする。
このパルス電圧波形のオンデューティを０〜１００％に可変にすることによって、明るさを０〜１００％に調光することが可能である。
「【００３７】
　例えば、
図２のバイポーラトランジスタＱＤ１,ＱＤ２…に代えて、ＭＯＳ（MetalOxide Semiconductor）型、ＭＩＳ(Metal InsulatorSemiconductor)型などの電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field EffectTransistor）用いてもよい。
イ
　図２は、以下のものである。
ウ
　以上をまとめると、引用文献６には次の技術事項が記載されている。
　「電源電圧Ｖｃｃと接地電位との間に直列接続された複数のＬＥＤ１,ＬＥＤ２,ＬＥＤ３と、トランジスタＱＤ１とを備え、トランジスタＱＤ１のベースには、マイクロコンピュータ２６からの制御信号ＶCTL1が入力され（【００１５】）、バイポーラトランジスタＱＤ１,ＱＤ２…に代えて、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）を用いてもよい（【００３７】）、パルス電圧波形のオンデューティを０〜１００％に可変にすることによって、明るさを０〜１００％に調光することが可能な、ＬＥＤの明るさ制御回路。（【００２１】）」
（７）引用文献７：特開２００８−９６９０２号公報
ア
　本願の優先日前に国内において頒布された特開２００８−９６９０２号公報（以下「引用文献７」という。）には、以下の記載がある。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、映像を表示するための透過型の表示部に光を照射する発光装置およびそれを備えた映像表示装置に関するものである。」
「【００２７】
　＜第１の実施の形態＞
　図１は、本発明の第１の実施の形態に係る映像表示装置の外観図である。図２は、本発明の第１の実施の形態に係る映像表示装置の構成を示す図である。
【００２８】
　図１および図２を参照して、映像表示装置１は、液晶パネル１２と、バックライト装置（発光装置）２と、映像回路部１１と、電源部１３とを備える。バックライト装置２は、光源部５１と、駆動部２２と、拡散板２３とを含む。
・・・（中略）・・・
【００３０】
　光源部５１は、液晶パネル１２の映像表示面の裏側に配置される。光源部５１は、光源回路２１ａ〜２４ａおよび２１ｂ〜２４ｂを含む。光源回路２１ａ〜２４ａおよび２１ｂ〜２４ｂは、それぞれＬＥＤ基板（発光素子用基板）２１２ａ１〜２１２ａ４および２１２ｂ１〜２１２ｂ４を含む。ＬＥＤ基板２１２ａ１〜２１２ａ４および２１２ｂ１〜２１２ｂ４は、
直列接続された５個のＬＥＤ（発光素子）２１１が直線状に実装（配置）される矩形状の基板である
・・・（中略）・・・
【００３５】
　図２を参照して、映像表示装置１は、映像回路部１１と、透過型の液晶パネル１２と、バックライト装置２と、ソースドライバ１２１と、ゲートドライバ１２２と、電源部１３とを備える。映像回路部１１は、映像信号入力端子１１１と、画像処理部１１２と、タイミングコントローラ（Ｔ−ＣＯＮ）１１３とを含む。バックライト装置２は、タイミング生成部（制御部）１４と、光源部５１と、駆動部２２とを含む。光源部５１は、光源回路２１ａ〜２４ａおよび２１ｂ〜２４ｂを含む。駆動部２２は、発光制御スイッチＳＷ２１ａ〜ＳＷ２４ａおよびＳＷ２１ｂ〜ＳＷ２４ｂと、ＬＥＤ駆動ＩＣ（Integrated Circuit）６１および６２とを含む。ＬＥＤ駆動ＩＣ６１および６２は、それぞれ、出力端子Ｔ１〜Ｔ４と、定電流回路Ｋ１〜Ｋ４とを含む。定電流回路Ｋ１およびＫ２は、駆動回路部ＤＶ１を構成し、定電流回路Ｋ３およびＫ４は、駆動回路部ＤＶ２を構成する。」
「【００５２】
　
発光制御スイッチＳＷ２１ａ〜ＳＷ２４ａおよびＳＷ２１ｂ〜ＳＷ２４ｂは、ＬＥＤ基板２１２と定電流回路とを接続する経路の途中に設けられる。発光制御スイッチＳＷ２１ａ〜ＳＷ２４ａおよびＳＷ２１ｂ〜ＳＷ２４ｂは、外部から受けた電圧に基づいて端子間の導通および非導通が切り替え可能なスイッチであり、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）およびバイポーラトランジスタ等の能動素子で実現される。発光制御スイッチＳＷ２１ａ〜ＳＷ２４ａおよびＳＷ２１ｂ〜ＳＷ２４ｂは、それぞれタイミング生成部１４から受けた発光制御信号ＣＯＮＴＡおよびＣＯＮＴＢに基づいてオン状態およびオフ状態を切り替えることにより、駆動回路部から光源回路２１ａ〜２４ａおよび２１ｂ〜２４ｂにおけるＬＥＤ２１１へそれぞれ電流を供給するか否かを切り替える
【００５３】
　図３は、タイミング生成部１４の構成を示す機能ブロック図である。
　図３を参照して、タイミング生成部１４は、クロック生成部１４１と、カウンタ１４２と、鋸波発生器１４３と、単極双投（single pole double transfer）スイッチ１４４と、コンパレータ１４５および１４６とを含む。」
「【００７２】
　また、本発明の第１の実施の形態に係るバックライト装置では、タイミング生成部１４は、１フィールド期間を分割した複数個の発光期間の長さをそれぞれ設定する。すなわち、
タイミング生成部１４におけるコンパレータ１４５および１４６が用いる設定値ＶＣＯＭＰ１およびＶＣＯＭＰ２を変更することにより、発光制御信号ＣＯＮＴＡのパルス幅ｔ１および発光制御信号ＣＯＮＴＢのパルス幅ｔ２を調整し、バックライト装置の輝度を任意に変更する
イ
　図２は、以下のものである。
ウ
　以上をまとめると、引用文献７には次の技術事項が記載されている。
「電源部１３に、直列接続された５個のＬＥＤ（発光素子）２１１と、発光制御スイッチＳＷ２１ａ〜ＳＷ２４ａおよびＳＷ２１ｂ〜ＳＷ２４ｂとを、直列に接続し（【図２】）、発光制御スイッチＳＷ２１ａ〜ＳＷ２４ａおよびＳＷ２１ｂ〜ＳＷ２４ｂは、外部から受けた電圧に基づいて端子間の導通および非導通が切り替え可能なスイッチであり、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）およびバイポーラトランジスタ等の能動素子で実現される（【００５２】）、発光制御信号ＣＯＮＴＡのパルス幅ｔ１および発光制御信号ＣＯＮＴＢのパルス幅ｔ２を調整し、バックライト装置の輝度を任意に変更するバックライト装置の輝度を調整する制御回路。（【００７２】）
第５　当審の判断
１　対比
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
ア
　本願発明の「複数のブロック、及び前記複数のブロック上に配置される複数のＭＪＴ　ＬＥＤ（ｍｕｌｔｉ　ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ）を含む印刷回路基板；」との特定事項について
（ア）
　引用発明は「バックライトは、前記表示パネルの前記表示領域と重畳する領域を複数のブロックに分割し、複数の前記ブロックのそれぞれに１つ以上の前記ＬＥＤライトを配置してな」るものである。ここで、引用発明の「複数のブロック」は、本願発明の「複数のブロック」に相当する。また、引用発明の「ＬＥＤライト」は、本願発明の「ＬＥＤ」に相当する。また、引用発明の「ＬＥＤライト」は「複数の前記ブロックのそれぞれに１つ以上」「配置してな」るから、「バックライト」上に複数備えられている。
（イ）
　したがって、引用発明の「バックライト」は、本願発明の上記特定事項と、「複数のブロック、及び前記複数のブロック上に配置される複数のＬＥＤを含む」点で共通する。
イ
　本願発明の「前記各ブロックの駆動制御のための信号を生成するバックライト制御モジュールを含むバックライトモジュール；」との特定事項について
（ア）
　引用発明は、「複数のブロックのそれぞれに」配置された「１つ以上のＬＥＤライト」について、「それぞれのＬＥＤライトの明るさを制御する第２の制御手段」を備えており、引用発明の「第２の制御手段」は、各ブロックの駆動制御（明るさ制御）のための信号を生成しているから、本願発明の「バックライト制御モジュール」に相当する。
（イ）
　したがって、引用発明は、本願発明の上記特定事項と「ブロックの駆動制御のための信号を生成するバックライト制御モジュール」を備える点で一致する。
ウ
　本願発明の「駆動ＩＣ； 複数のＦＥＴ（ｆｉｅｌｄ　ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ）；及び前記駆動ＩＣに配置され、前記複数のＦＥＴのオン／オフ機能を制御するＦＥＴ制御部を含み、」との特定事項について、引用発明は、これらの特定事項を備えていない。
エ
　本願発明の「前記各ブロックは少なくとも一つのＭＪＴ　ＬＥＤを含み、」との特定事項について 
（ア）
　上記アで示したとおり、引用発明の「ＬＥＤライト」は「複数の前記ブロックのそれぞれに１つ以上」「配置してな」るものである。
（イ）
　したがって、本願発明と引用発明は、「各ブロックは少なくとも一つのＬＥＤを含」む点で共通する。
オ
　本願発明の「前記バックライト制御モジュールは、前記各ブロックのオン／オフ制御及びディミング制御のための駆動制御部を含み、」との特定事項について
（ア）
　引用発明の「第２の制御手段」は「それぞれのＬＥＤライトの明るさを制御」しているところ、「ブロックごとに、表示領域のうちのブロックと重畳する部分領域に含まれる画素の階調の平均値に基づいてそれぞれのＬＥＤライトの明るさを決定」しており、これは引用文献１の【０００５】にも記載されているとおり「ディミング制御」である。
（イ）
　したがって、引用発明の「第２の制御手段」は、本願発明の上記特定事項と「バックライト制御モジュールは、各ブロックのディミング制御のための駆動制御部を含み」で共通する。
カ
　本願発明の「前記各ＭＪＴ　ＬＥＤは、
単一の成長基板上に互いに離隔して整列され、第１発光セル及び第２発光セルを含む複数の発光セルを含み、前記各発光セルは、下部半導体層、前記下部半導体層上に位置する上部半導体層、及び前記下部半導体層と前記上部半導体層との間に位置する活性層を含み、
前記第１発光セル上に位置し、前記第１発光セルと電気的に接続される反射層； 
前記第１発光セルを前記第２発光セルと電気的に接続する上部電極； 
前記第１発光セルの側面から前記上部電極を絶縁させる第１絶縁層；及び 
前記上部電極上に整列される第１パッド及び第２パッド；を含み、 
前記複数の発光セルは互いに直列に接続され、
前記第１パッドは入力発光セルに電気的に接続され、前記第２パッドは出力発光セルに電気的に接続され、」との特定事項について
（ア）
　引用発明において「１つのＬＥＤライト２０１」は、「複数個のＬＥＤライトが直列に接続されたＬＥＤライト群」であることが特定されている。
　また、各「ＬＥＤライト」は、ＬＥＤであるから、「ｎ型半導体層」と、「ｐ型半導体層」と、「ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に位置する活性層」を備えるものである。
　そうすると、引用発明の各「ＬＥＤライト」における「ｎ型半導体層」、「ｐ型半導体層」、「ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に位置する活性層」は、それぞれ、本願発明の「発光セル」における「下部半導体層」、「下部半導体層上に位置する上部半導体層」、「下部半導体層と上部半導体層との間に位置する活性層」に相当する。
（イ）
　したがって、引用発明の「１つのＬＥＤライト２０１」は、本願発明の「各ＭＪＴ　ＬＥＤ」と、「複数の発光セルを含み、前記各発光セルは、下部半導体層、前記下部半導体層上に位置する上部半導体層、及び前記下部半導体層と前記上部半導体層との間に位置する活性層を含み」、「複数の発光セルは互いに直列に接続され」ている点で共通する。
キ
　本願発明の「前記複数のＦＥＴの個数は前記ブロックの個数と同一であり、前記ＦＥＴ制御部は、前記複数のＦＥＴのオン／オフ制御を通じて前記各ブロックのオン／オフ機能を制御し、前記駆動ＩＣは、前記複数のＦＥＴのうち少なくとも一つを含む、」との特定事項について、引用発明は、このような構成を備えていない。
ク
　本願発明の「バックライトユニット。」との特定事項について 
（ア）
　引用発明の「バックライト」は、本願発明の「バックライトユニット」に相当する。
（イ）
　したがって、引用発明は、本願発明の上記特定事項を備えている。
ケ
　以上をまとめると、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致し、次の各点で相違する。
（一致点）
「複数のブロック、及び前記複数のブロック上に配置される複数のＬＥＤ；
前記各ブロックの駆動制御のための信号を生成するバックライト制御モジュールを含むバックライトモジュール；を含み
前記各ブロックは少なくとも一つのＬＥＤを含み、 
前記バックライト制御モジュールは、前記各ブロックのディミング制御のための駆動制御部を含み、 
前記各ＬＥＤは、
複数の発光セルを含み、前記各発光セルは、下部半導体層、前記下部半導体層上に位置する上部半導体層、及び前記下部半導体層と前記上部半導体層との間に位置する活性層を含み、
前記複数の発光セルは互いに直列に接続される
バックライトユニット。」
（相違点１）
　本願発明において、ＬＥＤは「単一の成長基板上に互いに離隔して整列され、第１発光セル及び第２発光セルを含む」「ＭＪＴ　ＬＥＤ（ｍｕｌｔｉ　ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ）」であることが特定され、各ＭＪＴ　ＬＥＤは「前記第１発光セル上に位置し、前記第１発光セルと電気的に接続される反射層；前記第１発光セルを前記第２発光セルと電気的に接続する上部電極； 前記第１発光セルの側面から前記上部電極を絶縁させる第１絶縁層；及び 前記上部電極上に整列される第１パッド及び第２パッド；を含み」、「前記第１パッドは入力発光セルに電気的に接続され、前記第２パッドは出力発光セルに電気的に接続され」ていることが特定されている一方、引用発明の「ＬＥＤライト２０１」は、「複数個のＬＥＤライトが直列に接続されたＬＥＤライト群であ」ることが特定されているにとどまる点。
（相違点２）
　本願発明は、ＭＪＴ　ＬＥＤを含む「印刷回路基板」を備えるのに対して、引用発明の「ＬＥＤライト２０１」は何に配置されているか不明である点。
（相違点３）
　本願発明は「駆動ＩＣ； 複数のＦＥＴ（ｆｉｅｌｄ　ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ）；及び 
前記駆動ＩＣに配置され、前記複数のＦＥＴのオン／オフ機能を制御するＦＥＴ制御部を含み」、「前記バックライト制御モジュールは」（前記各ブロックの）「オン／オフ制御」「のための駆動制御部」を含み、「前記複数のＦＥＴの個数は前記ブロックの個数と同一であり」、「前記ＦＥＴ制御部は、前記複数のＦＥＴのオン／オフ制御を通じて前記各ブロックのオン／オフ機能を制御し」、「前記駆動ＩＣは、前記複数のＦＥＴのうち少なくとも一つを含む」ことが特定されているのに対し、引用発明は、このような構成を備えていない点。
（相違点４）
　本願発明は「バックライト制御モジュール」を含む「バックライトモジュール」を備えているのに対し、引用発明は、「第２の制御手段」（バックライト制御モジュール）を備えることは特定されているものの、「第２の制御手段」（バックライト制御モジュール）」を含む「バックライトモジュール」を備えることは特定されていない点。
２　判断
（１）相違点１
ア　
　引用発明において「ＬＥＤライト２０１」は「複数個のＬＥＤライトが直列に接続されたＬＥＤライト群」であり、また、引用文献１の【００２３】、【００３６】には、「ＬＥＤライト２０１」について、複数の例が記載されていることから見て、引用発明におけるＬＥＤライトは、特別な構成や態様が求められているわけではなく、一般的な発光機能を有するＬＥＤを用いることが前提とされているといえる。
イ
　引４技術事項における「基板１の一面にｎ型半導体層２、活性層及びｐ型半導体層３を積層した半導体発光層（ＬＥＤ構造）を相互に分離して２つ形成」した「半導体発光素子」は、本願発明でいう、「単一の成長基板上に互いに離隔して整列され、第１発光セル及び第２発光セルを含む」ものである。
　「ＭＪＴ　ＬＥＤ（ｍｕｌｔｉ　ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ」について本件明細書の【０２０４】において「「ＭＪＴ　ＬＥＤチップ」と言う用語は、一つのＬＥＤチップ内に複数の発光セルが各配線によって互いに接続されているマルチ−セルＬＥＤチップを意味する」と記載されており、このような意味と解される。
　そして、引４技術事項において「相互に分離して２つ形成」された「半導体発光層（ＬＥＤ構造）」は、「配線層６」により「直列に接続、すなわち、２個のＬＥＤを直列に接続した構造」となっており、これを「半導体発光素子」又は「ＬＥＤチップ」と呼んでいることから、引４技術事項の「半導体発光素子」は、本願発明でいう「ＭＪＴ　ＬＥＤ」であるといえる。
ウ
　引４技術事項の「第１の半導体発光層」、「第２の半導体発光層」は、それぞれ、本願発明の「第１発光セル」、「第２発光セル」に相当する。
　ここで、引４技術事項は、「各半導体発光層は、基板１上に、ｎ型半導体層２、活性層、ｐ型半導体層３がこの順に積層してあ」るから、引４技術事項の「ｎ型半導体層２」、「活性層」、「ｐ型半導体層３」は、それぞれ、本願発明の「下部半導体層」、「活性層」、「上部半導体層」に相当する。
　そして、引４技術事項の「半導体発光素子」において、「各半導体発光層のｐ型半導体層３の表面」には、「例えば、導電性の透明膜であるＩＴＯ膜（インジウム錫酸化膜）」である「電流拡散層４を形成してあ」り、「各半導体発光層の電流拡散層４の表面」には、「Ａｇ合金等からな」る「ｐ型の反射膜５」を形成してある。このとき、「ｐ型半導体層３」、「電流拡散層４」、「ｐ型の反射膜５」は、電気的に接続されていることは、明らかである。
　そうすると、引４技術事項の「ｐ型の反射膜５」は、本願発明における「第１発光セル上に位置し、前記第１発光セルと電気的に接続される反射層」であるといえる。
エ
　そして、引４技術事項において「第１の半導体発光層（ＬＥＤ１）及び第２の半導体発光層（ＬＥＤ２）は、配線層６により接続されている」（【００３４】）と記載されているから、引４技術事項の「配線層６」は、本願発明の「前記第１発光セルを前記第２発光セルと電気的に接続する上部電極」であるといえる。
オ
　引４技術事項において、「保護膜９」は「ｐ型半導体層３及びｎ型半導体層２」の側面から、「配線層６」を絶縁させるものであるから、引４技術事項の「保護膜９」は、本願発明における「前記第１発光セルの側面から前記上部電極を絶縁させる第１絶縁層」であるといえる。
カ
（ア）
　引４技術事項の「半導体発光素子」は、「第１の電極７」と「第２の電極８」との間に電源から電圧を印加することで、「第１の半導体発光層（ＬＥＤ１）及び第２の半導体発光層（ＬＥＤ２）」を発光させるものであるところ、「第１の電極７」と電源とを接続する配線材、及び「第２の電極８」と電源とを接続する配線材が必要であることは、当業者において自明な事項である。
　また、引４技術事項において「第１の電極７及び第２の電極８の半田接続面を除く部分は、保護膜１０を成膜」してあり、「保護膜１０」は「配線層６」の上に位置し、「保護膜１０は、例えば、ＳｉＯ2 膜」であることから、配線材は、「保護膜１０」を介して「配線層６」の上に設けるものである。
　そうすると、これらの配線材は「配線層６」（本願発明の「上部電極」に相当）上にあるといえるから、引４技術事項の「半導体発光素子」は、本願発明の「上部電極上に整列される第１パッド及び第２パッドを含」むものであること明らかである。
（イ）
　さらに、この時、引４技術事項の「第１の半導体発光層（ＬＥＤ１）」、「第２の半導体発光層（ＬＥＤ２）」は、それぞれ、本願発明の「入力発光セル」、「出力発光セル」に相当するといえる。
　そうすると、引４技術事項の「半導体発光素子」は、本願発明の「前記上部電極上に整列される第１パッド及び第２パッドを含み、前記第１パッドは入力発光セルに電気的に接続され、前記第２パッドは出力発光セルに電気的に接続され」るとの構成を有していることは、当業者において自明な事項である。
キ
　一般的に、部品の取り付け点数を減らし製造を容易なものとすることは、分野を問わず周知の課題であり、引用発明においても、このような課題を解決する動機を備えていることは明らかである。また、引４技術事項の「半導体発光素子」は、上記のような構成により単一の部品（チップ）を取り付けるだけで、複数の発光素子を備えることが可能となっているものであると共に、一般的な発光機能を有するＬＥＤであるといえる。
　したがって、引用発明のような、バックライト用の光源であって多数のＬＥＤを取り付ける必要がある場合において、上記周知の課題を解決するために、引用発明における「複数個のＬＥＤライトが直列に接続された」「ＬＥＤライト２０１」として、引４技術事項の「半導体発光素子」を採用することで、上記相違点１に係る構成を得ることは、当業者にとって容易になしえることである。
ク
　したがって、引用発明において、引用文献４に記載の技術事項を採用することで、相違点１に係る構成を得ることは、当業者にとって容易になしえることである。
（２）相違点２
　引用発明において、「ＬＥＤライト２０１」は、なんらかの基板に備えられていることは、当業者において自明な事項である。
　そして、引用文献２に開示されているように、表示装置のバックライト用光源モジュールにおいて、ＬＥＤをプリント回路基板に備えることは文献を示すまでもなく周知技術であるから、引用発明においても、「ＬＥＤライト２０１」をプリント回路基板に備えるよう構成し、相違点２に係る構成を得ることは、当業者にとって容易になしえることである。
　したがって、引用発明において、周知技術を採用することで、相違点２に係る構成を得ることは、当業者にとって容易になしえることである。
（３）相違点３
ア
　引用発明は、「それぞれのＬＥＤライト２０１の明るさ、すなわちそれぞれのＬＥＤライト２０１に加える電流の大きさを制御する制御回路である」「ＬＥＤ制御手段５」を備えているところ、引用文献１には、いかなる手段によりＬＥＤライト２０１に加える電流の大きさを制御しているかは明記されていない。
イ
　一方、本願発明のバックライト制御は「複数のＦＥＴのオン／オフ制御を通じて前記各ブロックのオン／オフ機能を制御」するものであるところ、具体的には、本願の明細書【０２２１】−【０２２３】、【０２３０】の記載から、ＦＥＴによりＭＪＴ　ＬＥＤに電流を印可する／しない（オン／オフ）を制御し、電流を印可する時間の割合（パルス幅）を制御する、いわゆるＰＷＭ制御によりローカルディミングを行うものである。
　そして、「オン／オフ制御」（ＰＷＭ制御）により、加える電流の大きさを制御することは慣用的に用いられており（引用文献３、５）、そのための制御回路として、電源に、ＬＥＤとＦＥＴとを直列に接続し、ＦＥＴ制御部からＦＥＴにオン／オフの制御信号を入力するものは、周知技術である（引用文献５−７）。
ウ
　ア及びイのとおり、引用発明の「ＬＥＤ制御手段５」は、ＬＥＤに流す電流の大きさを制御し発光強度を制御するものであることから、ＬＥＤの発光強度を制御する手段として、上記周知技術を採用し、引用発明の「ＬＥＤ制御手段５」において、相違点３に係る「複数のＦＥＴ（ｆｉｅｌｄ　ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ）」、及び、「前記複数のＦＥＴのオン／オフ機能を制御するＦＥＴ制御部」を設けることは、当業者にとって容易になしえることである。
エ
　そして、引用発明に、上記周知技術を適用するに際して、引用発明はローカルディミングのブロック毎にＬＥＤの輝度を制御するものであることから、ローカルディミングのブロックの数と同じだけのＦＥＴが必要となるし、ローカルディミングを行うために、「各ブロック」の「オン／オフ制御」「のための駆動制御部」を備え、「ＦＥＴ制御部は、前記複数のＦＥＴのオン／オフ制御を通じて前記各ブロックのオン／オフ機能を制御」するように構成することも、当業者が自然に行うことである。
オ
　さらに、引用発明においてローカルディミングのブロックの数は、引用文献１の【００２２】に「３６個のブロック」が例示されているような多数であるから、多数のＦＥＴが必要であることは明らかである。そして、制御部をＩＣによって実現することは文献を示すまでもなく周知の技術手段であることに鑑みれば、引用発明に上記周知技術を適用するに際し、部品点数を減らすためにこれら多数のＦＥＴや制御部を、ＩＣとしてまとめることは、当業者が適宜なし得る設計的事項といえる。　
カ
　したがって、引用発明において、上記周知技術に基づいて、相違点３に係る構成を得ることは、当業者にとって容易に想到し得たことである。
（４）相違点４
　引用発明において、「第２の制御手段」を含む「バックライトモジュール」を備えることは特定されていないところ、各部材をモジュール化することは、例示するまでもない周知技術であるから、引用発明においても、「第２の制御手段」を含む「バックライトモジュール」を備えることは、当業者が適宜なし得る事項である。
　したがって、引用発明において、相違点４に係る構成を得ることは、当業者が適宜なしえる事項である。
                                                       
（５）
　以上検討したとおり、引用発明において、相違点１〜４に係る構成を備えることは、いずれも当業者にとって容易に想到し得たことである。
（６）作用効果について
　本願発明が奏する作用効果は、引用発明、及び、引用文献４に記載された技術、並びに、周知技術に基づいて、当業者が容易に予測しうる程度のものである。
３　請求人の主張について
　請求人は審判請求書の「３−３．拒絶査定に対する反論」において、「引用文献１の段落［００３４］には、ＴＦＴ素子（本願発明１におけるＦＥＴに相当すると想定）、ピクセル電極、対向電極などが、各ピクセルが占める領域に配置されていることが記載されています。すなわち、引用文献１に記載の発明（引用発明１）は、ＴＦＴ素子がＬＥＤ制御手段５ではなくピクセルが占める領域に配置されています。」、「本願発明１においては、複数のＦＥＴのうちの少なくとも１つのＦＥＴは、ＦＥＴ制御部が配置される駆動ＩＣに含まれるのに対し、引用発明１においては、ＴＦＴ素子は、ピクセルが占める領域に配置されるのであって、ＬＥＤ制御手段５が配置される駆動ＩＣには含まれない点（相違点）で、両者は少なくとも相違します。」と主張している。
　しかしながら、引用文献１に記載の「ＴＦＴ素子」は、各画素の液晶に電圧をかけるためのスイッチであり、バックライト制御に利用するものではないから、本願発明のＦＥＴに相当するものではない。
　したがって、請求人の主張は採用できない。
４　小活
　したがって、本願発明は、引用発明、及び、引用文献４に記載された技術事項、並びに、周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第６　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。