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【手続補正書】
【提出日】平成31年2月26日(2019.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報処理装置から投入された印刷ジョブを保存するサーバから印刷ジョブを取得して印刷を行う画像形成装置であって、
前記サーバとの接続を確立する接続手段と、
前記サーバとの接続が確立された状態で前記サーバに印刷ジョブが投入された場合に前記サーバから送信される通知を受信する受信手段と、
所定のユーザ操作を受け付けるための操作手段と、
前記受信手段による前記通知の受信、及び、前記操作手段による所定の操作の受け付けの双方を監視し、いずれかが発生した場合に、前記サーバに保存されている印刷ジョブを取得する取得手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記接続手段は、前記画像形成装置が起動したタイミングで、前記サーバとの接続を確立することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記所定の操作は、前記画像形成装置が印刷すべき印刷ジョブの状況を表示するための操作であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
ユーザの認証を行う認証手段を有し、
前記認証手段によりユーザの認証に成功した場合に、前記所定の操作を受け付けたものと判断することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記取得手段は、前記サーバに保存されている印刷ジョブのうち、前記認証に成功したユーザに対応する印刷ジョブを取得することを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記取得手段は、前記操作手段により所定の操作を受け付けた場合であっても、該受け付けた所定の操作が前記画像形成装置の起動から規定回数を超えるものである場合には、前記印刷ジョブの取得を行わないことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記規定回数は、１回であることを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記規定回数を設定する設定手段を有することを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項９】
情報処理装置から投入された印刷ジョブを保存するサーバと、前記サーバから印刷ジョブを取得して印刷を行う画像形成装置とを有する印刷システムであって、
前記サーバは、
前記画像形成装置との接続が確立された状態で印刷ジョブが投入された場合に、前記画像形成装置に通知を送信する送信手段を有し、
前記画像形成装置は、
前記サーバとの接続を確立する接続手段と、
前記サーバから送信される通知を受信する受信手段と、
所定のユーザ操作を受け付けるための操作手段と、
前記受信手段による前記通知の受信、及び、前記操作手段による所定の操作の受け付けの双方を監視し、いずれかが発生した場合に、前記サーバに保存されている印刷ジョブを取得する取得手段と、を有する、
ことを特徴とする印刷システム。
【請求項１０】
情報処理装置から投入された印刷ジョブを保存するサーバから印刷ジョブを取得して印刷を行う画像形成装置の制御方法であって、
前記サーバとの接続を確立する接続ステップと、
前記サーバとの接続が確立された状態で前記サーバに印刷ジョブが投入された場合に前記サーバから送信される通知を受信する受信ステップと、
所定のユーザ操作を受け付けるための操作ステップと、
前記受信ステップでの前記通知の受信、及び、前記操作ステップでの所定の操作の受け付けの双方を監視し、いずれかが発生した場合に、前記サーバに保存されている印刷ジョブを取得する取得ステップと、
を有することを特徴とする画像形成装置の制御方法。
【請求項１１】
情報処理装置から投入された印刷ジョブを保存するサーバと、前記サーバから印刷ジョブを取得して印刷を行う画像形成装置とを有する印刷システムの制御方法であって、
前記サーバが実行する、
前記画像形成装置との接続が確立された状態で印刷ジョブが投入された場合に、前記画像形成装置に通知を送信する送信ステップと、
前記画像形成装置が実行する、
前記サーバとの接続を確立する接続ステップと、
前記サーバから送信される通知を受信する受信ステップと、
所定のユーザ操作を受け付けるための操作ステップと、
前記受信ステップでの前記通知の受信、及び、前記操作ステップでの所定の操作の受け付けの双方を監視し、いずれかが発生した場合に、前記サーバに保存されている印刷ジョブを取得する取得ステップと、
を有することを特徴とする印刷システムの制御方法。
【請求項１２】
コンピュータを、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月27日(2019.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
梱包材の製造方法であって、
第１の色からなる第１の隠ぺい層と、第２の色からなる第２の隠ぺい層と、を基材の上に、形成する工程Ａと、
前記工程Ａの後、前記第１の隠ぺい層に対し、レーザー光を照射し、該第１の隠ぺい層を除去する工程Ｂと、
を有することを特徴とする梱包材の製造方法。
【請求項２】
前記工程Ａにおいて、前記第１の隠ぺい層で第１の識別標識と、前記第２の隠ぺい層で前記第２の識別標識と、を基材の上に形成し、
前記工程Ｂにおいて、前記第１の識別標識をレーザー光で除去する
ことを特徴とする請求項１に記載の梱包材の製造方法。
【請求項３】
前記工程Ａの前に、前記第１の色と、前記第２の色と、異なる色の下地層を基材の上に、形成する工程Ｃをさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載の梱包材の製造方法。
【請求項４】
前記工程Ａの後、前記基材に少なくとも前記第１の隠ぺい層と、前記第２の隠ぺい層と、を順次積層して形成した積層体を切断する工程Ｄを行い、
前記工程Ｄの後、前記工程Ｂと、切断された前記積層体を箱形状に組み立てる工程Ｅと、を行う
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の梱包材の製造方法。
【請求項５】
前記工程Ａの後、前記基材の上を覆う保護層を形成する工程Ｆと、をさらに有し、
前記工程Ｂは、前記工程Ｆの後、前記保護層から露出した前記第１の隠ぺい層と、前記第２の隠ぺい層と、のうち、該第１の隠ぺい層にレーザー光を照射し、除去する工程である
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の梱包材の製造方法。
【請求項６】
梱包材の製造方法であって、
基材の上に部分的に形成された複数の隠ぺい層を形成する工程Ａと、
前記工程Ａの後、前記基材と、前記隠ぺい層の一部と、を覆う保護層を形成する工程Ｆと、
前記保護層から露出した前記隠ぺい層に対し、レーザー光を照射し、該隠ぺい層を除去する工程Ｂと、
を有することを特徴とする梱包材の製造方法。
【請求項７】
前記工程Ａの前に、前記隠ぺい層の色と異なる色の下地層を基材の上に、形成する工程Ｃと、
をさらに有することを特徴とする請求項６に記載の梱包材の製造方法。
【請求項８】
前記工程Ａ及び前記工程Ｆを順次、行った後、前記基材に少なくとも前記隠ぺい層と、前記保護層と、を順次積層して形成した積層体を切断する工程Ｄを行い、
前記工程Ｄの後、前記工程Ｂと、切断された前記積層体を箱形状に組み立てる工程Ｅと、を行うことを特徴とする請求項６または７に記載の梱包材の製造方法。
【請求項９】
カートリッジの梱包方法であって、
前記カートリッジは現像剤を収納し、
前記梱包方法は、
基材と、第１のマーク色を有し、かつ前記基材の上に形成された第１のマークと、前記第１のマーク色と異なる第２のマーク色を有し、かつ前記基材の上に前記第１のマークと並ぶように形成された第２のマークと、を有する梱包材を準備する工程と、
前記第２のマークを除去する工程と、前記梱包材に前記カートリッジを格納する工程と、
を含むことを特徴とするカートリッジの梱包方法。
【請求項１０】
前記第２のマークを除去する工程において、前記第２のマークにレーザー光を照射して、前記第２のマークを除去することを特徴とする請求項９に記載のカートリッジの梱包方法。
【請求項１１】
前記梱包材は、前記基材の一部を覆う保護層を有し、
前記第１のマークと前記第２のマークは、前記保護層が形成されていない位置に配置されていることを特徴とする請求項１０に記載のカートリッジの梱包方法。
【請求項１２】
前記梱包材は、前記基材の上に形成された下地層を有し、
前記下地層は、前記第１のマークと、前記第２のマークとをそれぞれ取り囲むように露出されていることを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項に記載のカートリッジの梱包方法。
【請求項１３】
前記現像剤は第１の現像剤色を有し、
前記第１のマーク色は、前記第１の現像剤色に対応することを特徴とする請求項９から１２のいずれか一項に記載のカートリッジの梱包方法。
【請求項１４】
前記第１のマーク色は、前記第１の現像剤色と同一であることを特徴とする請求項１３に記載のカートリッジの梱包方法。
【請求項１５】
前記カートリッジは、カラー画像を形成するための画像形成装置の装置本体に着脱可能であり、
前記装置本体は、前記カートリッジと、前記第１の現像剤色と異なる第２の現像剤色を有する他色現像剤を収納した他色カートリッジとが着脱可能であり、
前記第２のマーク色は、前記第２の現像剤色に対応することを特徴とする請求項１３から１４のいずれか一項に記載のカートリッジの梱包方法。
【請求項１６】
前記第２のマーク色は、前記第２の現像剤色と同一であることを特徴とする請求項１５に記載のカートリッジの梱包方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月28日(2019.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを積載可能な第１積載部と、第２積載部と、第３積載部とを有するシート積載装置において、
シートを積載する第１積載部と、
前記第１積載部に対して移動可能な第２積載部と、
前記第１積載部又は前記第２積載部に着脱可能な第３積載部と、
装着された前記第３積載部が外れることを規制する規制部と、
を有し、
前記第２積載部は、前記規制部が前記第３積載部の着脱を規制しない非規制位置と、装着された前記第３積載部が外れることを規制する規制位置とに移動可能であることを特徴とするシート積載装置。
【請求項２】
前記規制部は、前記第２積載部が前記規制位置にあるときは、装着された前記第３積載部が外れる方向に移動することを規制することを特徴とする請求項１記載のシート積載装置。
【請求項３】
前記第３積載部が取り付けられていない状態において、前記第２積載部が前記規制位置にあるときは、前記非規制位置にあるときよりもシート積載面積が広いことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシート積載装置。
【請求項４】
前記第２積載部は、シート積載面が延びる方向にスライド移動可能に前記第１積載部に取り付けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のシート積載装置。
【請求項５】
前記規制部は、前記第２積載部に設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のシート積載装置。
【請求項６】
前記第３積載部は、弾性変形可能な線状部材であり、
前記規制部は、前記第２積載部が前記規制位置にあるときに前記線状部材の変形移動を規制する突起部であることを特徴とする請求項５に記載のシート積載装置。
【請求項７】
前記第１積載部は、所定位置に係合部を有し、
前記第３積載部は、前記係合部と係合可能な被係合部を有し、
前記第２積載部は、前記規制位置にあるときに前記係合部と前記被係合部との係合解除を規制し、前記非規制位置にあるときに前記係合部と前記被係合部との係合を解除可能な規制部を有することを特徴とする請求項５に記載のシート積載装置。
【請求項８】
前記規制部は、前記第１積載部に設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のシート積載装置。
【請求項９】
前記規制部は、前記第２積載部が前記規制位置にあるときと前記非規制位置にあるときとで弾性変形可能な部材であり、
前記第３積載部は、前記第２積載部が前記規制位置にあるときの前記規制部と係合可能であり、前記第２積載部が前記非規制位置にあるときの前記規制部と係合しない係合部を有することを特徴とする請求項８に記載のシート積載装置。
【請求項１０】
前記規制部は、シート積載面から突出しないことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載のシート積載装置。
【請求項１１】
前記第１積載部のシート積載面と、前記第２積載部のシート積載面と、前記第３積載部のシート積載面の角度が異なることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載のシート積載装置。
【請求項１２】
前記第２積載部は、前記第１積載部に収納される収納位置に移動可能であることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載のシート積載装置。
【請求項１３】
前記第１積載部と前記第２積載部との隙間は、前記第２積載部が前記規制位置、非規制位置にあるときよりも前記収納位置にあるときのほうが小さいことを特徴とする請求項１２記載のシート積載装置。
【請求項１４】
シートに画像を形成する画像形成部と、
前記画像形成部で画像形成されたシートを積載する請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載のシート積載装置と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項１５】
シートに画像を形成する画像形成部と、
前記画像形成部に供給するシートを積載する請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載のシート積載装置と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月21日(2019.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管理会社の支配下にあり、記憶手段に契約者に関する情報を記憶している管理用コンピュータと、
前記管理会社と契約し、前記管理用コンピュータの記憶手段に登録情報が書込まれている宅配業者であって、前記管理用コンピュータとアクセス可能な宅配業者の支配下にある情報端末と、
契約者宅の前に設備された授受セットと、
を具備し、
宅配業者は前記情報端末によって前記管理用コンピュータにアクセスして配達に関する情報を入手し、該情報に基づいて前記契約者宅の授受セットに宅配品を留置くようにした宅配システム。
【請求項２】
枠体と、
袋状のネットと、
前記ネットの口部を封止する封止具と、
前記封止具で封止してロックする錠前と、
を具備し、宅配品が前記袋状のネットに収納され、前記枠体上に載置され、前記封止具で封止されて前記錠前で施錠される宅配システム用授受セット。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月30日(2018.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本実施形態による伝熱板は、減圧雰囲気中において光源から発生するビームを成形または制御することにより搭載される部材に発生する熱を伝達する第１伝熱部と、第１伝熱部の周囲に設けられる第２伝熱部と、第１伝熱部を第２伝熱部に対して可動とし、第１伝熱部と第２伝熱部との間に接続される複数の第３伝熱部であって、第１および第２伝熱部の円周方向に設けられ、該第１および第２伝熱部を一体として接合し、可撓性のある複数の第３伝熱部とを備える。第３伝熱部は、それぞれ、少なくとも２つのアーム部と、アーム部間を接続し、第１伝熱部または２伝熱部と２つのアーム部のいずれか一方との間を接続する接続部とを備える。接続部は、アーム部よりも細い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本実施形態による描画装置は、減圧雰囲気中において処理対象を載置可能なステージと、処理対象に照射する電子ビームを成形または制御するアパーチャ部材と、アパーチャ部材を搭載し、電子ビームの成形または制御によって発生する熱を伝達する伝熱板とを備え、伝熱板は、熱を伝達する第１伝熱部と、第１伝熱部の周囲に設けられた第２伝熱部と、第１伝熱部を第２伝熱部に対して可動とし、第１伝熱部と第２伝熱部との間を接続する複数の第３伝熱部であって、第１および第２伝熱部の円周方向に設けられ、該第１および第２伝熱部を一体として接合し、可撓性のある複数の第３伝熱部とを備える。第３伝熱部は、それぞれ、少なくとも２つのアーム部と、アーム部間を接続し、第１伝熱部または２伝熱部と２つのアーム部のいずれか一方との間を接続する接続部とを備える。接続部は、アーム部よりも細い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧雰囲気中において光源から発生するビームを成形または制御することにより、搭載される部材に発生する熱を伝達する第１伝熱部と、
前記第１伝熱部の周囲に設けられる第２伝熱部と、
前記第１伝熱部を前記第２伝熱部に対して可動とし、前記第１伝熱部と前記第２伝熱部との間に接続される複数の第３伝熱部であって、前記第１および第２伝熱部の円周方向に設けられ、該第１および第２伝熱部を一体として接合し、可撓性のある複数の第３伝熱部とを備え、
前記第３伝熱部は、それぞれ、
少なくとも２つのアーム部と、
前記アーム部間を接続し、前記第１伝熱部または前記２伝熱部と２つの前記アーム部のいずれか一方との間を接続する接続部とを備え、
前記接続部は、前記アーム部よりも細い、伝熱板。
【請求項２】
前記第１から第３伝熱部は、同一材料で形成されている、請求項１に記載の伝熱板。
【請求項３】
前記第１から第３伝熱部は、積層された複数の材料板からなり、
前記複数の材料板のうち前記第１伝熱部に対応する第１部材は一体に接合されており、前記第２伝熱部に対応する第２部材も一体に接合されており、
前記複数の材料板のうち前記第３伝熱部に対応する第３部材は、それぞれ分離されている、請求項１または請求項２に記載の伝熱板。
【請求項４】
減圧雰囲気中において処理対象を載置可能なステージと、
前記処理対象に照射する電子ビームを成形または制御するアパーチャ部材と、
前記アパーチャ部材を搭載し、前記電子ビームの成形または制御によって発生する熱を伝達する伝熱板とを備え、
前記伝熱板は、
前記熱を伝達する第１伝熱部と、
前記第１伝熱部の周囲に設けられた第２伝熱部と、
前記第１伝熱部を前記第２伝熱部に対して可動とし、前記第１伝熱部と前記第２伝熱部との間を接続する複数の第３伝熱部であって、前記第１および第２伝熱部の円周方向に設けられ、該第１および第２伝熱部を一体として接合し、可撓性のある複数の第３伝熱部とを備え、
前記第３伝熱部は、それぞれ、
少なくとも２つのアーム部と、
前記アーム部間を接続し、前記第１伝熱部または前記２伝熱部と２つの前記アーム部のいずれか一方との間を接続する接続部とを備え、
前記接続部は、前記アーム部よりも細い、描画装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月14日(2018.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
１０  配線基板
１５  配線層
１６  絶縁層（第１絶縁層）
１６Ｘ  貫通孔（第１貫通孔）
１６Ｙ  凹部（第２凹部）
１７  絶縁層（第２絶縁層）
２３  ビア配線
２５  バンプ
２６  凹部（第１凹部）
３０  金属膜（第２金属膜）
３０Ｒ  粗化面
３１  金属膜（第１金属膜）
３３  金属層（第１金属層）
５０  半導体装置
６０  半導体素子（電子部品）
１００  支持基板
１０４  金属膜（第３金属膜）
１０５  金属膜（第４金属膜）
１０７  金属層（第２金属層）
１０８，１０８Ａ，１０８Ｂ  犠牲パターン
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月7日(2018.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面側に設けられた第１配線層を有するリジッド基板と、
前記第１配線層の上面側に配置された可撓性を有する基材と、前記基材の上面に形成された第２配線層と、前記第２配線層と前記基材とを貫通する貫通孔に形成され前記第１配線層の上面に接続された貫通配線と、を有するフレキシブル基板と、を有し、
前記貫通配線は、前記貫通孔内に充填されためっき金属よりなり、
前記貫通配線は、前記第２配線層の上面から突出する突出部を有し、
前記突出部は、前記貫通孔の外周側に位置する前記第２配線層の上面に延在していること、を特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記貫通配線の前記突出部の側の前記貫通孔の端部において、前記第２配線層の上面の縁部は、丸みを帯びて形成されたこと、を特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記フレキシブル基板は、前記基材の上面に形成され前記第２配線層を前記基材に接着する第１接着剤層と、前記基材の下面に形成された第２接着剤層とを有し、
前記基材は、前記第２接着剤層により前記第１配線層の上面に接着され、
前記貫通配線は、前記第２配線層と前記第１接着剤層と前記基材と前記第２接着剤層とを貫通して前記第１配線層に接続されていること、を特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記貫通配線は、銅又は銅合金よりなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記貫通配線の側面上部は、前記貫通孔の内部に露出する前記第２配線層の側面に直接接合し、
前記貫通配線の側面は、前記貫通孔の内部に露出する前記基材の側面に接触し、
前記貫通孔の下端は、前記第１配線層に直接接合していること、
を特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
可撓性を有する基材と、前記基材の上面に形成された第２配線層と、前記第２配線層と前記基材とを貫通する貫通孔とを有するフレキシブル基板を形成する工程と、
上面側に金属層を有するリジッド基板を形成する工程と、
前記リジッド基板の前記金属層の上面に、前記フレキシブル基板を接着する工程と、
前記金属層を給電電極とする電解めっき法により、前記貫通孔に充填され前記第２配線層の上面から突出するとともに前記第２配線層の上面に延在する突出部を有する貫通配線を形成する工程と、
前記金属層をパターニングして第１配線層を形成する工程と、
を有する配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記貫通孔を前記第２配線層の上面側から行う打ち抜き加工により形成し、前記第２配線層の上面側の前記貫通孔の端部において、前記第２配線層の縁部を、丸みを帯びた形状としたこと、を特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記貫通配線を形成する工程において、前記第２配線層を覆い前記貫通孔の縁部を露出する開口部を有するめっきマスクを形成し、前記めっきマスクの前記開口部から前記貫通孔に電解めっきを施して前記貫通配線を形成するようにしたこと、を特徴とする請求項６又は７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記貫通配線は、銅又は銅合金よりなることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記貫通配線の側面上部は、前記貫通孔の内部に露出する前記第２配線層の側面に直接接合し、
前記貫通配線の側面は、前記貫通孔の内部に露出する前記基材の側面に接触し、
前記貫通配線の下端は、前記第１配線層に直接接合していること、
を特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一観点によれば、上面側に設けられた第１配線層を有するリジッド基板と、前記第１配線層の上面側に配置された可撓性を有する基材と、前記基材の上面に形成された第２配線層と、前記第２配線層と前記基材とを貫通する貫通孔に形成され前記第１配線層の上面に接続された貫通配線と、を有するフレキシブル基板と、を有し、前記貫通配線は、前記貫通孔内に充填されためっき金属よりなり、前記貫通配線は、前記第２配線層の上面から突出する突出部を有し、前記突出部は、前記貫通孔の外周側に位置する前記第２配線層の上面に延在している。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月26日(2018.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
次に、配線構造１２の構造について説明する。
図１（ａ）に示すように、配線構造１２は、配線構造１１よりも配線密度の高い配線層を備える高密度配線層である。配線構造１２は、絶縁層３３の上面ＳＢに位置する配線層５０、絶縁層５１、配線層５２、絶縁層５３を備える。配線層５０は、第２配線層の一例であり、絶縁層５１は、第２絶縁層の一例である。配線層５０は、配線構造１２における配線層のなかで、最下層の配線層である。配線構造１２の厚さ、具体的には、絶縁層３３の上面ＳＢから絶縁層５３の上面までの厚さは、例えば、２０μｍ以上４０μｍ以下である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2017228734.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月19日(2019.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第６の工程を有する半導体装置の作製方法であって、
酸化物半導体膜を形成する前記第１の工程と、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する前記第２の工程と、
前記酸化物半導体膜上及び前記ゲート電極上に、窒化物絶縁膜を形成する前記第３の工程と、
前記窒化物絶縁膜上に酸化物絶縁膜を形成する前記第４の工程と、
前記窒化物絶縁膜及び前記酸化物絶縁膜の各々に開口部を形成する前記第５の工程と、
前記開口部を介して、前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極を形成する前記第６の工程と、を有し、
前記第３の工程において、前記窒化物絶縁膜は、少なくとも、プラズマ処理と、成膜処理との２つのステップにより形成され、
前記２つのステップは、それぞれ１５０℃以上３００℃未満の温度で実施される半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１乃至第３の工程を有する半導体装置の作製方法であって、
酸化物半導体膜を形成する前記第１の工程と、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する前記第２の工程と、
前記酸化物半導体膜上及び前記ゲート電極上に、窒化物絶縁膜を形成する前記第３の工程と、を有し、
前記第３の工程において、前記窒化物絶縁膜は、少なくとも、プラズマ処理と、成膜処理との２つのステップにより形成され、
前記２つのステップは、それぞれ１５０℃以上３００℃未満の温度で実施される半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ゲート電極は、酸化物半導体または酸化物導電体により形成される半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１乃至第８の工程を有する半導体装置の作製方法であって、
第１のゲート電極を形成する前記第７の工程と、
前記第１のゲート電極上に第１のゲート絶縁膜を形成する前記第８の工程と、
前記第１のゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成する前記第１の工程と、
前記酸化物半導体膜上に第２のゲート絶縁膜を形成し、前記第２のゲート絶縁膜上に第２のゲート電極を形成する前記第２の工程と、
前記酸化物半導体膜上及び前記第２のゲート電極上に、窒化物絶縁膜を形成する前記第３の工程と、
前記窒化物絶縁膜上に酸化物絶縁膜を形成する前記第４の工程と、
前記窒化物絶縁膜及び前記酸化物絶縁膜の各々に開口部を形成する前記第５の工程と、
前記開口部を介して、前記酸化物半導体膜に電気的に接続されるソース電極およびドレイン電極を形成する前記第６の工程と、を有し
前記第３の工程において、前記窒化物絶縁膜は、少なくとも、プラズマ処理と、成膜処理との２つのステップにより形成され、
前記２つのステップは、それぞれ１５０℃以上３００℃未満の温度で実施される半導体装置の作製方法。
【請求項５】
第１乃至第５の工程を有する半導体装置の作製方法であって、
第１のゲート電極を形成する前記第４の工程と、
前記第１のゲート電極上に第１のゲート絶縁膜を形成する前記第５の工程と、
前記第１のゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成する前記第１の工程と、
前記酸化物半導体膜上に第２のゲート絶縁膜を形成し、前記第２のゲート絶縁膜上に第２のゲート電極を形成する前記第２の工程と、
前記酸化物半導体膜上及び前記第２のゲート電極上に、窒化物絶縁膜を形成する前記第３の工程と、を有し
前記第３の工程において、前記窒化物絶縁膜は、少なくとも、プラズマ処理と、成膜処理との２つのステップにより形成され、
前記２つのステップは、それぞれ１５０℃以上３００℃未満の温度で実施される半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第２のゲート電極は、酸化物半導体または酸化物導電体により形成される半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記プラズマ処理は、アルゴンガス雰囲気下で行われる半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記成膜処理は、シランガスと、窒素ガスと、アンモニアガスと、を用いて行われる半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記窒化物絶縁膜は、プラズマＣＶＤ装置を用いて形成される半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月7日(2019.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生する複数のエネルギー発生素子と、液体を前記エネルギー発生素子に供給するための複数の液体流路と、液体を吐出する複数の吐出口とが設けられた基板を、線状の切断予定部で切断することにより、前記基板から複数の液体吐出ヘッド用半導体チップを製造する方法であって、
前記基板は前記エネルギー発生素子が設けられた第１の面と前記第１の面の裏面である第２の面とを有し、
前記第２の面から、前記切断予定部に沿ってエッチングすることにより線状に延びる溝を形成する工程と、
前記第１の面から前記切断予定部に沿ってレーザー光を照射することにより、前記基板の内部に変質部を形成する工程と、
前記変質部に応力を加えることで、前記基板を切断して複数の液体吐出ヘッド用半導体チップに分ける工程と、を含み、
前記切断予定部は、前記基板の結晶方位面に対して傾斜した方向に延びる傾斜部と、前記基板の結晶方位面に沿った方向に延びる非傾斜部とを有し、
前記溝は少なくとも前記傾斜部に沿って形成されることを特徴とする液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法。
【請求項２】
前記溝を形成する工程では、前記傾斜部および前記非傾斜部に沿って前記溝を形成し、前記傾斜部に沿って形成される溝を、前記非傾斜部に沿って形成される溝よりも深く形成する、請求項１に記載の液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法。
【請求項３】
前記溝を形成する工程では、前記傾斜部に沿って前記溝を形成し、前記非傾斜部には前記溝を形成しない、請求項１に記載の液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法。
【請求項４】
前記複数の非傾斜部は、互いに平行に並んで配置され、
隣り合う前記非傾斜部を結ぶ前記複数の傾斜部は、それぞれが他の前記非傾斜部と連続する線を形成しないように配置される、請求項１から３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法。
【請求項５】
前記溝を形成する工程では、前記傾斜部に沿って形成する溝を前記傾斜部の長さよりも長く形成する、請求項４に記載の液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法。
【請求項６】
前記基板はシリコン基板であり、前記結晶方位面は、ミラー指数（１１０）で示される面である、請求項１から５のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法。
【請求項７】
前記溝はドライエッチングにより形成される、請求項１から６のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法。
【請求項８】
前記傾斜部の延びる方向と前記結晶方位面とのなす角が３°以上である、請求項１から７のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明による液体吐出ヘッド用半導体チップの製造方法は、液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生する複数のエネルギー発生素子と、液体を前記エネルギー発生素子に供給するための複数の液体流路と、液体を吐出する複数の吐出口とが設けられた基板を、線状の切断予定部で切断することにより、前記基板から複数の液体吐出ヘッド用半導体チップを製造する方法であって、前記基板は前記エネルギー発生素子が設けられた第１の面と前記第１の面の裏面である第２の面とを有し、前記第２の面から、前記切断予定部に沿ってエッチングすることにより線状に延びる溝を形成する工程と、前記第１の面から前記切断予定部に沿ってレーザー光を照射することにより、前記基板の内部に変質部を形成する工程と、前記変質部に応力を加えることで、前記基板を切断して複数の液体吐出ヘッド用半導体チップに分ける工程と、を含み、前記切断予定部は、前記基板の結晶方位面に対して傾斜した方向に延びる傾斜部と、前記基板の結晶方位面に沿った方向に延びる非傾斜部とを有し、前記溝は少なくとも前記傾斜部に沿って形成されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月10日(2019.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明のコモンモードチョークコイルを実装した電気機器は、
ケーシングの内部に収容された基板に、上記記載のコモンモードチョークコイルを実装した電気機器であって、
前記ケーシングには、吸気口と排気用ファン具え、
前記コモンモードチョークコイルは、前記吸気口と前記排気用ファンによって形成される空気流の上流側に前記開口の１つが向けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月18日(2019.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、前記第１の面に対向する第２の面とを有する回路基板と、
前記第１の面及び前記第２の面の少なくとも一方に形成される少なくとも２つの金属配線と、
前記第１の面に対向するように配置された端子形成面において、少なくとも２つの接続端子が形成されている半導体素子と、
前記少なくとも２つの接続端子の各々と前記少なくとも２つの金属配線の各々とを電気的に接続するはんだと、
前記半導体素子の前記端子形成面に固定され、前記半導体素子の線膨張係数よりも大きい線膨張係数を有し、前記少なくとも２つの接続端子のうち互いに隣り合う２つの接続端子の間隔よりも大きいサイズを有する膨張部材と、
を備え、
前記膨張部材は、前記金属配線の線膨張係数よりも大きい線膨張係数を有し、
前記膨張部材において前記第１の面に対向する面は、前記第１の面に接触する接触面と、前記第１の面に接触しない非接触面とを有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記膨張部材が、１０〜３３×１０−６（１／Ｋ）の範囲内の線膨張係数を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置であって、
前記膨張部材は、前記端子形成面に形成された前記少なくとも２つの接続端子を囲む環状形状を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置であって、さらに、
前記第１の面と前記非接触面との間に挿入され、前記膨張部材の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する挿入部材、
を備える半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置であって、
前記膨張部材は、前記端子形成面と対向する面に固定され、
前記挿入部材が前記第１の面と前記非接触面との間に配置される半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一実施の形態に係る半導体装置は、第１の面と、第１の面に対向する第２の面とを有する回路基板と、第１の面及び第２の面の少なくとも一方に形成される少なくとも２つの金属配線と、第１の面に対向するように配置された端子形成面において、少なくとも２つの接続端子が形成されている半導体素子と、少なくとも２つの接続端子の各々と少なくとも２つの金属配線の各々とを電気的に接続するはんだと、半導体素子の端子形成面に固定され、半導体素子の線膨張係数よりも大きい線膨張係数を有し、少なくとも２つの接続端子のうち互いに隣り合う２つの接続端子の間隔よりも大きいサイズを有する膨張部材と、を備える。膨張部材は、金属配線の線膨張係数よりも大きい線膨張係数を有し、膨張部材において第１の面に対向する面は、第１の面に接触する接触面と、第１の面に接触しない非接触面とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月8日(2019.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング処理方法であって、
シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜とが交互に積層する基板を提供する工程と、
前記基板の温度を−３５℃以下に設定する工程と、
第１高周波の電力を出力し、フッ化硫黄含有ガス及び水素含有ガスからプラズマを生成し、前記基板をエッチングする工程と、を備える、エッチング処理方法。
【請求項２】
水素含有ガスとしてハイドロカーボン含有ガスを供給する、
請求項１に記載のエッチング処理方法。
【請求項３】
前記ハイドロカーボン含有ガスは、ＣＨ４（メタン）、Ｃ２Ｈ８、Ｃ２Ｈ２（アセチレン）、Ｃ２Ｈ４（エチレン）、Ｃ２Ｈ６（エタン）、Ｃ３Ｈ６（プロピレン）、Ｃ３Ｈ８（プロパン）、Ｃ３Ｈ４（プロピン）の少なくともいずれかである、
請求項２に記載のエッチング処理方法。
【請求項４】
水素含有ガスとしてハイドロフルオロカーボン含有ガスを供給する、
請求項１に記載のエッチング処理方法。
【請求項５】
前記ハイドロフルオロカーボン含有ガスは、ＣＨ２Ｆ２（二フッ化メタン）、ＣＨ３Ｆ（フルオロメタン）、ＣＨＦ３（三フッ化メタン）の少なくともいずれかである、
請求項４に記載のエッチング処理方法。
【請求項６】
前記フッ化硫黄含有ガス及び水素含有ガスにフルオロカーボン含有ガスを添加して供給する、
請求項１に記載のエッチング処理方法。
【請求項７】
前記フルオロカーボン含有ガスは、ＣＦ４（四フッ化炭素）、Ｃ３Ｆ８（八フッ化プロパン）、Ｃ２Ｆ４（テトラフルオロエチレン）、Ｃ３Ｆ６（ヘキサフルオロプロペン）、Ｃ４Ｆ６（ヘキサフルオロ-1,3-ブタジエン）、Ｃ４Ｆ８（八フッ化シクロブタン）の少なくともいずれかである、
請求項６に記載のエッチング処理方法。
【請求項８】
前記フッ化硫黄含有ガスは、ＳＦ６（六フッ化硫黄）である、
請求項１〜７のいずれか一項に記載のエッチング処理方法。
【請求項９】
前記基板のエッチングが行われる処理容器の内部を、１５〜２５ｍＴｏｒｒ（２．０〜３．３Ｐａ）に制御する、
請求項１〜８のいずれか一項に記載のエッチング処理方法。
【請求項１０】
エッチング処理方法であって、 
組成の異なるシリコン含有膜を積層した積層膜を有する基板を提供する工程と、
前記基板の温度を−３５℃以下に設定する工程と、
第１高周波の電力を出力し、フッ化硫黄含有ガス及び水素含有ガスからプラズマを生成し、前記基板をエッチングする工程と、を含み、
前記水素含有ガスは、ハイドロカーボンガス又は水素ガスである、エッチング処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月21日(2018.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを含有する成膜ガスを被処理体に供給して、当該被処理体の表面に形成された凹部内にシリコン膜を形成する工程と、
次に、前記シリコン膜をエッチングするためのハロゲンガスと、当該ハロゲンガスによるエッチング後のシリコン膜の表面の荒れを抑えるための荒れ抑制ガスと、を含む処理ガスを前記被処理体に供給する工程と、
当該処理ガスに熱エネルギーを与えて活性化し、前記凹部の側壁に形成された前記シリコン膜をエッチングして当該凹部の開口幅を広げるエッチング工程と、
然る後、前記成膜ガスを前記被処理体に供給し、前記凹部内に残留した前記シリコン膜上にシリコンを堆積させて当該凹部内にシリコンを充填する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ハロゲンガスは塩素ガスであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング工程は、前記被処理体を２５０℃〜４５０℃に加熱する工程を含むことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記処理ガスは、前記荒れ抑制ガスの流量／前記ハロゲンガスの流量が１／４以上となるように当該荒れ抑制ガス及びハロゲンガスを含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記荒れ抑制ガスは臭化水素ガスであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記エッチング工程によりエッチングされた前記シリコン膜の表面のヘイズの値／前記処理ガスを構成するハロゲンガス及び荒れ抑制ガスのうち前記ハロゲンガスのみを前記被処理体に供給して前記エッチング工程が行われたときの前記シリコン膜の表面のヘイズの値は、０.８以下であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
被処理体を収納する真空容器と、
前記被処理体を加熱する加熱部と、
前記処理容器内にシリコンを含有する成膜ガスを供給する成膜ガス供給部と、
前記処理容器内にシリコン膜をエッチングするためのハロゲンガスを供給するエッチングガス供給部と、
当該ハロゲンガスによるエッチング後のシリコン膜の表面の荒れを抑えるための荒れ抑制ガスを供給する荒れ抑制ガス供給部と、
前記成膜ガスを被処理体に供給して、当該被処理体の表面に形成された凹部内にシリコン膜を形成するステップと、次に、前記ハロゲンガスと前記荒れ抑制ガスとを含む処理ガスを前記被処理体に供給するステップと、当該処理ガスに熱エネルギーを与えて活性化し、前記凹部の側壁に形成された前記シリコン膜をエッチングして当該凹部の開口幅を広げるエッチングステップと、然る後、前記成膜ガスを前記被処理体に供給し、前記凹部内に残留した前記シリコン膜上にシリコンを堆積させて当該凹部内にシリコンを充填するステップと、を実施するように制御信号を出力する制御部と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月23日(2019.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を有する発光部と、前記発光部の外側に枠状に設けられた非発光部と、を有する発光装置の作製方法であって、
第１の基板上に前記発光素子を形成する第１の工程と、
接着層を、前記第１の基板上又は第２の基板上に形成する第２の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板を重ね、前記発光素子を、前記接着層、前記第１の基板、及び前記第２の基板に囲まれた空間に配置する第３の工程と、
前記接着層を硬化する第４の工程と、
硬化した前記接着層を加熱しながら、凸部を有する部材を用いて前記非発光部の少なくとも一部に圧力を加える第５の工程と、を有する、発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記非発光部は、スペーサ及び無機絶縁層を有し、
前記第２の工程より前に、前記第１の基板上又は前記第２の基板上に、前記スペーサ、及び、前記スペーサの側面及び上面を覆う前記無機絶縁層を形成し、
前記第５の工程では、前記凸部を前記無機絶縁層に重ねる、発光装置の作製方法。
【請求項３】
発光素子を有する発光部と、前記発光部の外側に枠状に設けられた非発光部と、を有する発光装置の作製方法であって、
第１の基板上に剥離層を形成する第１の工程と、
前記剥離層上に被剥離層を形成する第２の工程と、
接着層を、前記第１の基板上又は第２の基板上に形成する第３の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板を重ねる第４の工程と、
前記接着層を硬化する第５の工程と、
前記第１の基板と、前記被剥離層と、を分離する第６の工程と、
硬化した前記接着層を加熱しながら、凸部を有する部材を用いて前記非発光部の少なくとも一部に圧力を加える第７の工程と、を有し、
前記第２の工程では、前記剥離層上の絶縁層と、前記絶縁層上の前記発光素子と、を前記被剥離層として形成し、
前記第３の工程では、前記剥離層及び前記被剥離層と重なるように、前記接着層を形成し、
前記第４の工程では、前記発光素子を、前記接着層、前記第１の基板、及び前記第２の基板に囲まれた空間に配置する、発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記被剥離層に第３の基板を貼り合わせる工程を、前記第６の工程と前記第７の工程の間に有する、発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３において、
前記被剥離層に第３の基板を貼り合わせる工程を、前記第７の工程の後に有する、発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか一において、
前記非発光部は、スペーサ及び無機絶縁層を有し、
前記第３の工程より前に、前記第１の基板上又は前記第２の基板上に、前記スペーサ、及び、前記スペーサの側面及び上面を覆う前記無機絶縁層を形成し、
前記第７の工程では、前記凸部を前記無機絶縁層に重ねる、発光装置の作製方法。
【請求項７】
発光素子を有する発光部と、前記発光部の外側に枠状に設けられた非発光部と、を有する発光装置の作製方法であって、
第１の基板上に第１の剥離層を形成する第１の工程と、
前記第１の剥離層上に第１の被剥離層を形成する第２の工程と、
第２の基板上に第２の剥離層を形成する第３の工程と、
前記第２の剥離層上に第２の被剥離層を形成する第４の工程と、
接着層を、前記第１の基板上又は前記第２の基板上に形成する第５の工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板を重ねる第６の工程と、
前記接着層を硬化する第７の工程と、
前記第１の基板と、前記第１の被剥離層と、を分離する第８の工程と、
前記第１の被剥離層に第３の基板を貼り合わせる第９の工程と、
前記第２の基板と、前記第２の被剥離層と、を分離する第１０の工程と、
硬化した前記接着層を加熱しながら、凸部を有する部材を用いて前記非発光部の少なくとも一部に圧力を加える第１１の工程と、を有し、
前記第１の被剥離層又は前記第２の被剥離層として、絶縁層と、前記絶縁層上の前記発光素子と、を形成し、
前記第５の工程では、前記第１の剥離層及び前記第１の被剥離層と重なるように、前記接着層を形成し、
前記第６の工程では、前記発光素子を、前記接着層、前記第１の基板、及び前記第２の基板に囲まれた空間に配置する、発光装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記第２の被剥離層に、第４の基板を貼り合わせる工程を、前記第１０の工程と前記第１１の工程の間に有する、発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７において、
前記第２の被剥離層に、第４の基板を貼り合わせる工程を、前記第１１の工程の後に有する、発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一において、
前記第６の工程よりも前に、隔壁を前記第１の基板上又は前記第２の基板上に形成する工程を有し、
前記隔壁は、前記接着層を囲むように設けられる、発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれか一において、
前記非発光部は、スペーサ及び無機絶縁層を有し、
前記第５の工程より前に、前記第１の基板上又は前記第２の基板上に、前記スペーサ、及び、前記スペーサの側面及び上面を覆う前記無機絶縁層を形成し、
前記第１１の工程では、前記凸部を前記無機絶縁層に重ねる、発光装置の作製方法。
【請求項１２】
発光部と、前記発光部の外側に枠状に設けられた非発光部と、を有する発光装置であって、
前記発光装置は、第１の可撓性基板、第２の可撓性基板、第１の接着層、第２の接着層、第１の絶縁層、及び第１の機能層を有し、
前記第１の接着層は、前記第１の可撓性基板と前記第１の絶縁層の間に位置し、
前記第２の接着層は、前記第２の可撓性基板と前記第１の絶縁層の間に位置し、
前記第１の機能層は、前記第２の接着層と前記第１の絶縁層の間に位置し、
前記第１の接着層と前記第２の接着層は、前記第１の絶縁層を介して互いに重なる部分を有し、
前記発光部は、前記第１の機能層に発光素子を有し、
前記非発光部は、前記第１の機能層にスペーサ及び無機絶縁層を有し、
前記無機絶縁層は、前記スペーサの側面及び上面を覆い、
前記非発光部は、前記発光部に比べて、前記第１の可撓性基板と前記第２の可撓性基板との間隔が狭い第１の部分を有する、発光装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記第１の部分は、前記無機絶縁層を有する、発光装置。
【請求項１４】
請求項１２又は１３に記載の発光装置と、
フレキシブルプリント回路基板又は集積回路と、を有する、モジュール。
【請求項１５】
請求項１４に記載のモジュールと、
センサ、アンテナ、バッテリ、筐体、カメラ、スピーカ、マイク、又は操作ボタンの少なくともいずれか一と、を有する、電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月29日(2018.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯電部と対向電極との間の静電的な相互作用を利用して電力と動力の間の変換を行う電気機械変換器の前記帯電部を構成するエレクトレット基板であって、
導電性材料で構成された基台と、
前記基台の上に形成され、絶縁性材料で構成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上に形成され、導電性材料で構成された導電層と、
前記導電層の上に形成された帯電層と、
を有することを特徴とするエレクトレット基板。
【請求項２】
前記基台はＳｉで、前記第１の絶縁層はＳｉＯ２で、前記導電層はＳｉでそれぞれ構成されている、請求項１に記載のエレクトレット基板。
【請求項３】
前記帯電層はＳｉＯ２で構成されており、正イオンを含有する、請求項１または２に記載のエレクトレット基板。
【請求項４】
前記第１の絶縁層の厚さは前記帯電層の厚さよりも大きい、請求項１〜３のいずれか一項に記載のエレクトレット基板。
【請求項５】
帯電部と対向電極との間の静電的な相互作用を利用して電力と動力の間の変換を行う電気機械変換器の前記帯電部を構成するエレクトレット基板の製造方法であって、
導電性材料で構成された基台と、前記基台の上に形成され、絶縁性材料で構成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の上に形成され、導電性材料で構成された導電層とを有する基板上に第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層の上方に負極を設置し、前記導電層を正極に接続して、前記第２の絶縁層に電圧を印加することにより、前記第２の絶縁層を帯電させる工程と、
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項６】
帯電部と対向電極との間の静電的な相互作用を利用して電力と動力の間の変換を行う電気機械変換器であって、
可動支持部とともに移動可能な可動部材と、
前記可動部材に対向して固定配置された固定基板と、
前記可動部材と前記固定基板のうちの一方の同一面上に、前記可動部材の移動方向に間隔を空けて前記移動方向に配置された複数の帯電部と、
前記可動部材と前記固定基板のうちの他方における前記複数の帯電部に対向する面上に、前記移動方向に配置された複数の対向電極と、を有し、
前記複数の帯電部のそれぞれが、
導電性材料で構成された基台、
前記基台の上に形成され、絶縁性材料で構成された第１の絶縁層、
前記第１の絶縁層の上に形成され、導電性材料で構成された導電層、および
前記導電層の上に形成された帯電層
を有し、前記基台が接地されている
ことを特徴とする電気機械変換器。