【事件の表示】
　特願２０１６−５４４６７７「波長変換式半導体発光デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　７月１６日国際公開、ＷＯ２０１５／１０４６０４、平成２９年　１月１９日国内公表、特表２０１７−５０２５２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２０１４年１２月１６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１４年１月８日、米国）を国際出願日とする出願であって、以降の手続は次のとおりである。
平成３０年　９月　３日付け：拒絶理由通知（同年同月１１日発送）
平成３１年　３月　８日　：手続補正、意見書提出
令和　元年　６月　４日付け：拒絶査定（同年同月１１日謄本送達）
　　　同年１０月１０日　：審判請求、手続補正
令和　２年　６月　１日付け：拒絶理由通知（同年同月２日発送）
　　　同年　８月３１日　：手続補正、意見書提出
２　本願発明
　令和２年８月３１日の手続補正（以下「本件補正」という。）によって補正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
「【請求項１】
　第１のピーク波長を持つ光を発するように構成された発光デバイスと、
　前記発光デバイスの上に配置され、前記発光デバイスによって発せられた光を吸収して第２のピーク波長を持つ光を発するように構成された波長変換層であり、
　　波長変換材料と、
　　前記波長変換材料よりも高い熱伝導率を有する複数の透明粒子と、
　　当該波長変換層の重量のうちの１５％以下を有する接着材料であり、前記透明粒子は当該接着材料よりも高い熱伝導率を有する、接着材料と、
　の混合物を有する波長変換層と、
　前記波長変換層を介して前記発光デバイスに機械的に接続された、過渡電圧を抑圧するためのチップと、
　前記発光デバイスの第１及び第２のコンタクト及び前記チップの第１及び第２のコンタクトを露出させる開口を有する誘電体層と、
　前記誘電体層上に形成された第１及び第２の導電パッドであり、当該第１の導電パッドは、前記発光デバイスの前記第１のコンタクトを前記チップの前記第１のコンタクトに電気的に接続するように構成され、当該第２の導電パッドは、前記発光デバイスの前記第２のコンタクトを前記チップの前記第２のコンタクトに電気的に接続するように構成される、第１及び第２の導電パッドと、
　を有する構造体。」
３　当審における拒絶の理由
　令和２年６月１日付けで当審が通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）のうち、理由２は次のとおりである。
　本件補正前の請求項１〜８に係る発明は、その優先日前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献
１　特表２０１３−５１１８３６号公報
２　特表２０１０−５１９７５７号公報
３　国際公開第２０１１／０９３４５４号
４　特開２０１３−４９０５号公報
５　特開２０１２−１０７０９６号公報
６　特開２００３−２６８２０１号公報
７　特開２０１３−２０１２７３号公報
８　特開２０１２−１５１４３６号公報
９　特開２００７−１５０２２９号公報
４　当審の判断
（１）引用文献に記載された発明
ア　引用文献１には以下の記載がある（下線は当審で付加。以下同様。）。
（ア）
「【０００３】
　
活性領域によって発される光の波長は、活性領域によって発される光の経路に蛍光体又は染料などの波長変換材料を配置することによってシフトされ得る。波長変換材料は、活性領域によって発される光を吸収し、そして、活性領域によって発される光のピーク波長より通常長い異なるピーク波長で光を発する
　・・・（中略）・・・
【０００６】
　本発明の目的は、発光材料と前記発光材料から熱を排出するように配置される熱的結合材料とを含む装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　本発明の実施例において、
装置は、ｎ型領域及びｐ型領域の間に配置される発光層を含む半導体構造を含む。発光性材料は、前記発光層によって発される光の経路に位置される。熱的結合材料は、透明材料内に配置される。前記熱的結合材料は、前記透明材料の熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有する。前記熱的結合材料は、前記発光性材料から熱を排出するように位置される。
　・・・（中略）・・・
【０００９】
　図１に例示される
蛍光体による波長変換
【００１０】
　本発明の実施例において、
熱的結合材料は、波長変換材料内及びその周囲の熱を取り除くために、半導体発光装置において配置される。波長変換材料からの熱は、熱的結合材料を介して、発光装置へ及び発光装置が接続されるヒートシンク又はマウントへ排出される
【００１１】
　熱的結合材料は、透明ホスト材料に配置され得る。適切なホスト材料の1つの例は、可視光に関して1.4及び1.55の間の屈折率を有するシリコーンである。透明ホスト材料の更なる例は、有機又は無機材料を含み、例えば、シリコーンポリマ、エポキシ、アクリルポリマ、ポリカーボネート、光学的ガラス、カルコゲニドガラス、及びこれらの混合物を含む。高屈折率透明ホストも使用され得、例えば、屈折率が、米国特許第6、870、311号に記載されるようにナノ粒子の追加によって置換されている、シリコーン、エポキシ及びソルゲルなどの高屈折率ガラス及び材料などである。
【００１２】
　熱的結合材料は、ホスト材料の屈折率に近い又は一致する屈折率を有し得る。熱的結合材料の屈折率は、ホスト材料の屈折率とはある実施例において10％未満だけ相違し、別のある実施例において1%未満だけ相違する。
【００１３】
　
熱的結合材料の熱伝導率は、ホスト材料の熱伝導率を超える
【００１４】
　適切な熱的結合材料の例は、アルミニウム／シリコン混合酸化物、シリカ、非結晶性シリカ、SiC、AlN、ダイヤモンド、非活性化蛍光体粒子、Ceドーピングの無いYAG、及びこれらの混合物、を含む。YAGなどの非活性化蛍光体粒子は、発光装置により発される光の波長変換性のものではない。
【００１５】
　熱的結合材料は、例えば、ある実施例において、当該熱的結合材料が組み合わせられる蛍光体の中央値粒子サイズより大きい中央値粒子サイズを有する粉末などであり得、ある実施例において1μmより大きく、ある実施例において5μmより大きく、ある実施例において1μm乃至50μmの間にあり、ある実施例において1μm乃至10μmの間にあり、そして、ある実施例において10μm乃至50μmの間にある。粉末蛍光体は、多くの場合、1μm乃至10μmの間の粒子サイズを有する。熱的結合材料は、球形の粉末であり得る、又は球形粒子に近いものであり得る。ある実施例において、
熱的結合材料は、熱的結合材料粒子のほとんどの割合がそれぞれに最も近い隣接粒子と接触し、クモの巣状のもの（ウェッブ：web）を形成するように、位置される。熱は、ウェッブに沿って、発光装置へと排出されるまで伝導される
（イ）
「【００１６】
　本発明の実施例は、以下に例証される。これらの実施例はIII-窒化物薄膜フリップチップ装置を例証するものの、本発明の実施例は、成長基板が完成品装置の一部として残る従来型のフリップチップ装置、コンタクト部が半導体構造の反対側に形成される垂直型装置、光が半導体構造の同一又は反対側に形成されるコンタクト部を通じて抽出される装置、及び、例えば、AlInGaP及びAlGaAs装置などの他の材料系から作製される装置などの、他の装置と使用され得る。
【００１７】
　例示される薄膜フリップチップ装置は、最初に成長基板に半導体構造を成長させることによって形成される。
　・・・（中略）・・・
【００２１】
　ＬＥＤ５０は、n及びpインターコネクトにより支持部へ接合され、このn及びpインターコネクト部は、ハンダ、Au、Au/Sn又は他の金属などのいずれかの適切な材料であり得、（複数の）材料の多重層を含み得る。ある実施例において、インターコネクト部は、少なくとも１つの金層を含み、ＬＥＤ及びマウント５４の間の接合は、超音波ボンディングによって形成される。
【００２２】
　ＬＥＤダイを支持部へ接合した後に、半導体層が成長された基板の全て又は一部は、除去され得る。ホスト基板を除去した後にも維持されている半導体構造は、例えばフォトエレクトロケミカルエッチングなどにより、薄化され得る。半導体表面は、例えば、フォトニック結晶構造などを用いて、粗化又はパターン化され得る。
ＬＥＤ５０は、この場合、支持部又は支持部が装着される個別構造であり得るマウント部５４へ取り付けられ得る。例えば、ＥＳＤ保護回路又は従来型シリコン集積回路として形成される他の回路などであり得る任意追加的な装置５２は、マウント部５４へ取り付け得る又はマウント部５４へ一体化され得る
【００２３】
　以下に記載される実施例において、熱的結合材料及び、通常蛍光体である１つ又は複数の波長変換材料は、III-窒化物ＬＥＤと組み合わせられ得る。より多くの又はより少ない波長変換材料が使用され得、顔料又は量子ドットなどの非波長変換材料が使用され得る。
波長変換材料は、単色着色光又は白色光を形成するために、ＬＥＤからの光の全てを変換し得る、又は、波長変換材料は、ＬＥＤによって発される特定の光が覆われていない構造から抜け出るように構成され得る
【００２４】
　
蛍光体はよく知られているものであり、いずれかの適切な蛍光体が使用され得る
適切な赤色放射蛍光体
　・・・（中略）・・・
【００２５】
　
適切な黄色／緑色発光蛍光体
　・・・（中略）・・・
【００２６】
　図2に示される実施例において、
熱的結合材料５６は、粉末蛍光体５８ａ・５８ｂと混合され、透明ホスト材料６０において配置される。混合物は、液体又はスラリーの形態でＬＥＤ５０の上に配置され得、その後キュアされ得る。例えば、混合物は、本文書において参照として組み込まれ、名称がOvermolded　Lens　Over　LED　Dieとされる米国特許第7、344、902号において記載されるように、ＬＥＤ５０の上にモールドされ得る
【００２７】
　・・・（中略）・・・
【００２８】
　図２及び３の装置において、蛍光体及び熱的結合材料の合計体積は、ある実施例において、蛍光体、熱的結合材料、及びホスト材料の全体積の少なくとも30%であり得、ある実施例において蛍光体、熱的結合材料、及びホスト材料の全体積の少なくとも60%であり得る。
黄色又は緑色放射蛍光体：赤色放射蛍光体：透明材料：熱的結合材料の重量による比率は、ある例において3.67:1.33:7:3であり、ある例において3.67:1.33:8:2であり、ある例において3.67:1.33:5:5である
（ウ）図２は以下のものである。
イ　上記ア（ア）、（イ）の記載とともに上記ア（ウ）の図２を参照すると、熱的結合材料５６が粉末蛍光体５８ａ・５８ｂと混合され、透明ホスト材料６０において配置された混合物はＬＥＤ５０上及び任意追加的な装置５２上にかけて一体的にモールドされている。
ウ　以上を総合すると、引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「装置であって、
　ＬＥＤ５０、任意追加的な装置５２、マウント部５４、波長変換材料、熱的結合材料５６、及び透明ホスト材料６０を含み、
　ＬＥＤ５０が、支持部又は支持部が装着される個別構造であり得るマウント部５４へ取り付けられ、
　ＥＳＤ保護回路又は従来型シリコン集積回路として形成される他の回路などであり得る任意追加的な装置５２が、マウント部５４へ取り付けられ又はマウント部５４へ一体化され、
　波長変換材料が、単色着色光又は白色光を形成するために、ＬＥＤ５０からの光の全てを変換し得る、又は、波長変換材料は、ＬＥＤによって発される特定の光が覆われていない構造から抜け出るように構成され得るものであり、
　波長変換材料は粉末蛍光体５８ａ・５８ｂであり、蛍光体はよく知られているものであり、いずれかの適切な蛍光体が使用され得るものであり、赤色放射蛍光体又は黄色／緑色放射発光蛍光体であり、
　熱的結合材料５６は、粉末蛍光体５８ａ・５８ｂと混合され、透明ホスト材料６０において配置され、混合物は、液体又はスラリーの形態でＬＥＤ５０の上に配置され得、その後キュアされ得、混合物はＬＥＤ５０上及び任意追加的な装置５２上にかけて一体的にモールドされており、
　黄色又は緑色放射蛍光体：赤色放射蛍光体：透明ホスト材料：熱的結合材料の重量による比率は、ある例において3.67:1.33:7:3であり、ある例において3.67:1.33:8:2であり、ある例において3.67:1.33:5:5であり、
　熱的結合材料５６の熱伝導率は、透明ホスト材料６０の熱伝導率を超えるものであり、熱的結合材料５６は、波長変換材料内及びその周囲の熱を取り除くために、半導体発光装置において配置され、波長変換材料からの熱は、熱的結合材料５６を介して、発光装置へ及び発光装置が接続されるヒートシンク又はマウントへ排出されるものである、
装置。」
（２）対比
ア　本願発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「ＬＥＤ５０」、「波長変換材料」、「熱的結合材料５６」、「透明ホスト材料６０」及び「装置」は、それぞれ、本願発明の「第１のピーク波長を持つ光を発するように構成された発光デバイス」、「波長変換材料」、「複数の透明粒子」、「接着材料」及び「構造体」に相当する。
（イ）引用発明においては、「熱的結合材料５６は、粉末蛍光体５８ａ・５８ｂと混合され、透明ホスト材料６０において配置され、混合物は、液体又はスラリーの形態でＬＥＤ５０の上に配置され得、その後キュアされ得、混合物はＬＥＤ５０上及び任意追加的な装置５２上にかけて一体的にモールドされて」おり、また、「粉末蛍光体５８ａ・５８ｂ」である「波長変換材料が、単色着色光又は白色光を形成するために、ＬＥＤ５０からの光の全てを変換し得る、又は、波長変換材料は、ＬＥＤによって発される特定の光が覆われていない構造から抜け出るように構成され得るものであ」るから、当該「ＬＥＤ５０上及び任意追加的な装置５２上にかけて一体的にモールドされて」いる「混合物」と、本願発明の「前記発光デバイスの上に配置され、前記発光デバイスによって発せられた光を吸収して第２のピーク波長を持つ光を発するように構成された波長変換層であり、波長変換材料と、前記波長変換材料よりも高い熱伝導率を有する複数の透明粒子と、当該波長変換層の重量のうちの１５％以下を有する接着材料と、の混合物を有する波長変換層」とは、「前記発光デバイスの上に配置され、前記発光デバイスによって発せられた光を吸収して第２のピーク波長を持つ光を発するように構成された波長変換層であり、波長変換材料と、複数の透明粒子と、接着材料と、の混合物を有する波長変換層」である点で一致する。
（ウ）引用発明においては、「ＬＥＤ５０が、支持部又は支持部が装着される個別構造であり得るマウント部５４へ取り付けられ、ＥＳＤ保護回路又は従来型シリコン集積回路として形成される他の回路などであり得る任意追加的な装置５２が、マウント部５４へ取り付けられ又はマウント部５４へ一体化され」ており、また、「混合物はＬＥＤ５０上及び任意追加的な装置５２上にかけて一体的にモールドされて」いるから、当該「ＥＳＤ保護回路又は従来型シリコン集積回路として形成される他の回路などであり得る任意追加的な装置５２」は、本願発明の「前記波長変換層を介して前記発光デバイスに機械的に接続された、過渡電圧を抑圧するためのチップ」とは、「前記波長変換層を介して前記発光デバイスに機械的に接続された、付加的なチップ」である点で一致する。
（エ）引用発明の「熱的結合材料５６の熱伝導率は、透明ホスト材料６０の熱伝導率を超えるものであ」ることは、本願発明の「前記透明粒子は当該接着材料よりも高い熱伝導率を有する」ことに相当する。
（オ）よって、両者は以下の点で一致する。
「　第１のピーク波長を持つ光を発するように構成された発光デバイスと、
　前記発光デバイスの上に配置され、前記発光デバイスによって発せられた光を吸収して第２のピーク波長を持つ光を発するように構成された波長変換層であり、
　波長変換材料と、
　複数の透明粒子と、
　接着材料であり、前記透明粒子は当該接着材料よりも高い熱伝導率を有する、接着材料と、
　の混合物を有する波長変換層と、
　前記波長変換層を介して前記発光デバイスに機械的に接続された、付加的なチップと、
　を有する構造体。」
（カ）一方、両者は以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本願発明は、「前記波長変換材料よりも高い熱伝導率を有する複数の透明粒子」を備えるのに対し、引用発明は「複数の透明粒子」に対応する構成は備えるものの、当該透明粒子が、「前記波長変換材料よりも高い熱伝導率を有する」ものであることまでは特定されていない点。
《相違点２》
　本願発明は、「当該波長変換層の重量のうちの１５％以下を有する接着材料」を備えるのに対し、引用発明は「接着材料」に対応する構成は備えるものの、当該接着材料が、「当該波長変換層の重量のうちの１５％以下を有する」ものであることまでは特定されていない点。
《相違点３》
　本願発明は、「過渡電圧を抑圧するためのチップ」を備えるのに対し、引用発明は「付加的なチップ」に対応するものは備えるものの、「過渡電圧を抑圧するための」ものであることまでは特定されていない点。
《相違点４》
　本願発明は、「前記発光デバイスの第１及び第２のコンタクト及び前記チップの第１及び第２のコンタクトを露出させる開口を有する誘電体層と、前記誘電体層上に形成された第１及び第２の導電パッドであり、当該第１の導電パッドは、前記発光デバイスの前記第１のコンタクトを前記チップの前記第１のコンタクトに電気的に接続するように構成され、当該第２の導電パッドは、前記発光デバイスの前記第２のコンタクトを前記チップの前記第２のコンタクトに電気的に接続するように構成される、第１及び第２の導電パッドと」を備えるのに対し、引用発明は、そのような構成を備えない点。
（３）判断
　上記各相違点について検討する。
ア　相違点１について
　引用発明においては、「波長変換材料からの熱は、熱的結合材料を介して、発光装置へ及び発光装置が接続されるヒートシンク又はマウントへ排出されるものである」から、「熱的結合材料」は「波長変換材料」よりも熱伝導率が高いものといえ、仮にそうでなくても、「熱的結合材料」を「波長変換材料」よりも熱伝導率が高いものとすることは当業者が適宜になしえたことである。
イ　相違点２について
　引用発明においては、「色又は緑色放射蛍光体：赤色放射蛍光体：透明ホスト材料：熱的結合材料の重量による比率は、ある例において3.67:1.33:7:3であり、ある例において3.67:1.33:8:2であり、ある例において3.67:1.33:5:5であ」ることからすると、「透明ホスト材料」が少なくとも３３重量％程度を占めるものが例示されてはいる。しかしながら、引用文献１の他の記載を見ても、前記各材料の配合比を、上記の例示された値に限定する旨の記載はない。
　ところで、引用文献１には、「熱的結合材料」が伝熱する作用について、「熱的結合材料は、熱的結合材料粒子のほとんどの割合がそれぞれに最も近い隣接粒子と接触し、クモの巣状のもの（ウェッブ：web）を形成するように、位置される。熱は、ウェッブに沿って、発光装置へと排出されるまで伝導される」（段落【００１５】）と記載されているから、より高い密度で熱的結合材料粒子が存在すると、隣接粒子との接触が増し、当該「ウェッブに沿っ」た放熱経路が増加することで、より放熱が良好なものとなることは当業者に明らかである。
　そして、引用発明においては、より放熱が良好なものが好ましいことは当然であるから、前記例示された値よりもより大きな比率で「熱的結合材料」を配合させることは当業者が適宜になしえたことである。ここで、一般に、樹脂を粒子状固形物と混合して成型するに当たり、当該樹脂配合量として１５重量％以下の値は、例えば、以下の引用文献４、引用文献５及び引用文献６にも記載されているように通常採用される程度のものであるから、引用発明において、前記のとおり「熱的結合材料」の配合比を増加させる一方、樹脂である「透明ホスト材料」の配合比を相対的に低下させて１５重量％以下とすることに何ら困難はない。
　引用文献４（特開２０１３−４９０５号公報）
　当審拒絶理由において引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された特開２０１３−４９０５号公報には、次の記載がある。
「【０１０９】
　また、熱硬化性シリコーン樹脂組成物の熱伝導率を例えば、０．４以上３．０以下の範囲のように高くするためには、白色顔料としてアルミナ及びチタニアの少なくとも一方を樹脂成形体用材料
全体量
９０重量部
　ここで、「
９０重量部
　引用文献５（特開２０１２−１０７０９６号公報）
　当審拒絶理由において引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された特開２０１２−１０７０９６号公報には、次の記載がある。
「【０１０３】
　（実施例１）
トリアリルイソシアヌレート　２４．０ｇ、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液（白金３重量％含有）０．０６ｇを混合し、攪拌、真空脱泡したものをＡ液とした。また、合成例１で調製した反応物Ｂ−１　３６．０ｇ、１−エチニルシクロヘキサノール　０．０６ｇ、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン　１．５ｇを混合し、攪拌、脱泡したものをＢ液とした。
【０１０４】
　Ａ液、Ｂ液、及び酸化亜鉛であるＬＰＺＩＮＣ−５（堺化学工業製）５８２ｇを混合させたものを、３本ペイントロールにて発熱を抑えロールを冷却ながら混合し、硬化性樹脂組成物を得た。得られた組成物は半固体状であったため、プレス容器に充填しプレスする方法により、タブレット状に加工して成形に用いた。
【０１０５】
　（実施例２〜９）
（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の配合比率を表１に示す割合にして組成物１及び組成物２を作成した。組成物１〜２及びその他配合剤の配合比率を表２に示す割合に変更した以外は実施例１と同様にして、評価を行った。
【０１０６】
　・・・（中略）・・・
【０１０８】
　（評価方法）
以下の評価を実施し表２に結果を示した。
　・・・（中略）・・・
【０１１３】
【表２】
」
　ここで、上記表２中において、樹脂である「（Ａ）成分＋（Ｂ）成分」の割合（ｗｔ％）がいずれも１５％を下回っていることがわかる。
　引用文献６（特開２００３−２６８２０１号公報）
　当審拒絶理由において引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された特開２００３−２６８２０１号公報には、次の記載がある。
「【０００６】すなわち本発明は
（１）　
エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填材を必須成分として含み、
（ａ）平均粒子径２０〜３０μｍの球状シリカおよび（ｂ）平均粒子径０．１〜０．０５μｍの球状シリカ
（２）　無機充填材が全原料成分中９０重量％以上である（１）項記載の半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
【０００７】
　・・・（中略）・・・
【００１５】
【表１】
」
　ここで、上記段落【０００６】及び表１の記載から、樹脂成分が合計して５ｗｔ％以下となっていることがわかる。
ウ　相違点３について
　引用発明における、「ＥＳＤ保護回路又は従来型シリコン集積回路として形成される他の回路などであり得る任意追加的な装置５２」は、「ＥＳＤ保護回路」、いわゆる静電保護回路である場合にあっては、過渡的な電圧がＬＥＤに印可されないように抑圧されるものといえるから、実質的に「過渡電圧を抑圧するためのチップ」であるといえる。また、次の引用文献２にも記載されているように、「過渡電圧を抑圧するためのチップ」である「ＴＶＳチップ」は周知のものであって、引用発明における「任意追加的な装置５２」として当該ＴＶＳチップを採用することは当業者が適宜になしえたことである。
　引用文献２（特表２０１０−５１９７５７号公報）
　当審拒絶理由において引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された特表２０１０−５１９７５７号公報には、次の記載がある。
「【０１３０】
　図４６Ａから４６Ｄは、ＬＥＤダイ及び他のタイプの半導体チップ（例えば一時的な電圧抑制器（ＴＶＳ）又は光検出器）にわたってレンズをモールドすることを例示する。
【０１３１】
　図４６Ａは、
ＬＥＤ２８２の電力導線間に接続されるＴＶＳチップ２８４及びＬＥＤ２８２を示す
例えば静電放電（ＥＳＤ）により電圧サージがあると、ＴＶＳチップ２８４の回路は、ＬＥＤ２８２をバイパスするためにグランドに一時的な電圧を短絡させる。さもなければ、ＬＥＤ２８２は、損傷を受ける。ＴＶＳ回路は、よく知られている
【０１３２】
　図４６Ｂは、サブマウント２８０の側面図である。図４３Ｂ及び他の図に示されるものと類似のモールドは、蛍光体粒子を含む液体シリコーンで満たされるくぼみを持つ。サブマウント・ウェーハ及びモールドが接合されるので、各ＬＥＤ／ＴＶＳの対が単一のくぼみのシリコーン内にあり、当該シリコーンは硬化される。サブマウント・ウェーハはモールドから分離され、図４６Ｃの構造体と結果としてなる。モールドされた蛍光体レンズ２８６は、両方のチップを封入する。使用される蛍光体のタイプ、蛍光体の密度及びレンズ２８６の形状は、所望の色温度特性により決定される。一つの実施例において、レンズ２８６の蛍光体は、青色ＬＥＤ２８２によって付勢されるとき、暖かい白色光を発生させるための赤い蛍光体及びＹＡＧの混合物である。」
エ　相違点４について
（ア）引用文献１においては、ＬＥＤ５０を外部の電気的回路に接続する点に関して、「ＬＥＤ５０は、n及びpインターコネクトにより支持部へ接合され、　・・・（中略）・・・。ある実施例において、インターコネクト部は、少なくとも１つの金層を含み、ＬＥＤ及びマウント部５４の間の接合は、超音波ボンディングによって形成される。」（段落【００２１】）との記載があるのみで、マウント部５４における具体的配線構造の記載はないものの、「n及びpインターコネクト」がともにマウント部５４に接合されること、及び慣用される技術からすると、マウント部５４は電気的絶縁物によって構成されていることは明らかである。
　また、上記のとおり、引用文献１には、マウント５４における具体的配線構造の記載はないことから、引用発明に係る「装置」においては、電気的絶縁物によって構成されるマウントについての、公知の配線構造を適宜採用できることは当然である。
（イ）ところで、引用発明における「ＥＳＤ保護回路」「であり得る」「任意追加的な装置５２」や、上記ウで示した「ＴＶＳチップ」が、保護回路構成のために、少なくとも２個の電極を備えることは明らかである。また、一般に、ＬＥＤ及び保護素子をマウント等に実装するにあたっては、当該ＬＥＤ及び保護素子がそれぞれ備える各２個の電極を、互いに接続するように構成すること、及び、ＬＥＤ及び保護素子を含む発光装置を配線基板等に実装するにあたって、発光装置の実装側の面であるマウント裏面等上に導電性のパッドを設けるとともに、当該パッドを用いて、ＬＥＤ及び保護素子間の電気的接続を行うことは、例えば、以下の引用文献７、引用文献８、及び引用文献９にも記載されているように、周知の技術である。
（ウ）そして、引用発明に係る「装置」を他の配線基板等に実装することは、当然になされることであるから、引用発明に上記各周知技術を適用して、マウント部５４の裏面上に導電性のパッドを設けるとともに、ＬＥＤ５０及び任意追加的な装置５２がそれぞれ備える各２個の電極から当該導電性のパッドに至る経路を、マウント部５４を貫通して設けて、当該導電性のパッドによりＬＥＤ５０及び任意追加的な装置５２がそれぞれ備える各２個の電極を、互いに電気的に接続することは、当業者が適宜になしえたことである。
　ここで、上記のように、素子が載置されたマウントを貫通して、外部電極となるパッドと、前記素子のコンタクト電極を電気的に接続すること自体は、例えば、以下の周知文献１及び２にも記載されているように、通常用いられる構成であって、当業者に自明とも言えるものである。
　この際、前記（ア）のとおり、引用発明のマウント部５４は、電気的絶縁物によって構成されているから、本願発明の「誘電体層」に相当するものと言える。
　引用文献７（特開２０１３−２０１２７３号公報）
　当審拒絶理由において引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された特開２０１３−２０１２７３号公報には、次の記載がある。
「【００５８】
　（第３の実施形態）　
　図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第３の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的図である。　
　・・・（中略）・・・
【００５９】
　整流素子部７０は、第１電極７１と、第２電極７２と、整流部７３と、を含む。
　・・・（中略）・・・
【００６０】
　第１電極７１は、第１金属縁部６１に電気的に接続されている。これにより、
第１電極７１は、第１金属縁部６１、第１端子部５１、及び、第１導電性ピラー４１を介して、第１半導体層１０に電気的に接続される。第２電極７２は、第２金属縁部６２に電気的に接続されている。これにより、第２電極７２は、第２金属縁部６２、第２端子部５２、及び、第２導電性ピラー４２を介して、第２半導体層２０に電気的に接続される
【００６１】
　・・・（中略）・・・
【００６４】
　図９は、第３の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する等価回路図である。　
　図９に表したように、発光部１５は、例えば、発光ダイオードである。整流部７３は、例えば、ダイオードである。
半導体発光素子１３０において、整流部７３は、上記のように電気的に接続されることにより、発光部１５と逆方向に並列に接続される
【００６５】
　整流部７３の順方向降下電圧は、例えば、発光部１５において許容される最大の逆方向の電圧（以下、逆方向耐電圧）よりも低い。また、整流部７３の逆方向耐電圧は、動作時に発光部１５に印加する順方向電圧よりも高い。
【００６６】
　
整流部７３は、ＥＳＤ（Electrostatic Discharge：静電気放電）などに起因して半導体発光素子１３０に逆方向の過電圧（発光部１５の逆方向耐電圧を超える電圧）が印加された場合に導通する
　ここで、図８は次のものである。
　引用文献８（特開２０１２−１５１４３６号公報）
　当審拒絶理由において引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された特開２０１２−１５１４３６号公報には、次の記載がある。
「【００７７】
　
バイパスカソードパッド４１ｃとバイパスアノードパッド４１ｄは、ＬＥＤチップ５に過大な逆電圧が印加されることを回避するためのバイパス機能素子を実装するためのものであり、本実施形態においては、バイパス機能素子としてツェナーダイオード６が実装されている
【００７８】
　・・・（中略）・・・
【００９４】
　
アノードパッド４１ａは、全厚アノード貫通配線４４ａを介してアノード実装電極４３ａにつながっている
【００９５】
　また、
カソードパッド４１ｂは、表面側カソード貫通配線４５ａ、カソード中継配線４２ａ、および裏面側カソード貫通配線４５ｂを介してカソード実装電極４３ｂにつながっている
【００９６】
　・・・（中略）・・・
【００９８】
　
バイパスカソードパッド４１ｃは、バイパスカソード貫通配線４４ｃを介してアノード実装電極４３ａにつながっている。これは、ＬＥＤチップ５に過大な逆電圧が印加されるのを回避するために、一時的な大電流をスムーズに流すのに適している
　ここで、図２は次のものである。
　引用文献９（特開２００７−１５０２２９号公報）
　当審拒絶理由において引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された特開２００７−１５０２２９号公報には、次の記載がある。
「【００２７】
　
本発明の光源は、上記本発明の発光素子収納用パッケージと、発光素子および保護素子の搭載部にそれぞれ搭載され、配線導体に接続された発光素子および保護素子を具備している
【００２８】
　本発明の発光装置は、上記本発明の光源と、光源が搭載され、光源を駆動する電気配線を有する駆動部と、光源から出射される光を反射する光反射手段とを含むことから、高い発光効率を有し、かつ長期にわたる安定動作が可能な発光装置となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
　・・・（中略）・・・
【００４４】
　次に、本発明のパッケージの第二の実施形態について説明する。図２は本発明の第二の実施形態によるパッケージの一例を示し、図２（ａ）はパッケージの平面図、図２（ｂ）はパッケージの断面図である。図２において、絶縁基体１、発光素子３、発光素子３の搭載部１ｃ、保護素子４、保護素子４の搭載部１ｄ、配線導体５については、前述の第一の発明と同じであるため、詳細な説明は省略する。
【００４５】
　・・・（中略）・・・
【００４６】
　保護素子４の搭載部は、反射部材２の光反射面２ａより外側の位置に設けられ、反射部材２は、その下面に保護素子４の搭載部１ｄを覆うように凹部８が形成される。そして、保護素子４および発光素子３を搭載部１ｄに実装した後に、反射部材２が絶縁基体１に半田、Ａｇロウ等のロウ材やエポキシ樹脂接合材等の接合材により接合される。
【００４７】
　本実施の形態例においても、保護素子４の搭載部１ｄは絶縁基体１の一主面上に設けられるので、発光素子３から放射状に絶縁基体１の他主面側に向けて放熱される放熱経路を凹部８が遮ることがない。したがって、絶縁基体１の放熱効率を損なうことがない。
【００４８】
　
絶縁基体１にはその内部に配線導体５が形成されて発光素子３の搭載部１ｃおよび保護素子４の搭載部１ｄに導出されているので、保護素子４の電極を接続するボンディングワイヤ等の線路導体を通すために、反射部材２の側壁部を貫通する孔や切り欠き部を必要としない
　ここで、図２は次のものである。
　上記図２を参照すると、配線導体５ｃが、「発光素子収納用パッケージと、発光素子および保護素子の搭載部にそれぞれ搭載され、配線導体に接続された発光素子および保護素子を具備している」「光源」を実装するための外部電極となることは明らかであり、当該配線導体５ｃにより、発光素子３と保護素子４とが電気的に接続されることが見て取れる。
　周知文献１（再公表特許ＷＯ２０１１／１０８６６４号）
　本願の優先日前に日本国内において頒布された再公表特許ＷＯ２０１１／１０８６６４号には、次の記載がある。
「【０００２】
　従来、発光ダイオードの構造についてさまざまな形態が知られている（例えば、特許文献１〜３を参照）。図１は、従来の発光ダイオードの構造の例を説明するための断面図である。図１（ａ）において、発光素子９の発する光は集光方向ｚに取り出される。この発光ダイオードは、サファイア基板１、Ｎ＋型半導体２、Ｎ型半導体３、活性層４、Ｐ型半導体５、導電反射膜６、及びフリップチップ電極７、８からなる発光素子９を備えている。また、
発光素子を実装するパッケージ基板１０、外部と接続するための電極１１、
を備えている
Ｐ型半導体の電極は、導電反射膜経由でフリップチップ電極７へ接続されている。Ｎ型半導体の電極は、Ｎ＋型半導体を経由してフリップチップ電極８に接続される。図１は断面図であるのでフリップチップ電極は２つのみ表わされている。上記発光素子のパッケージは、図１（ｂ）に示すように、マザーボード３４０に設けられた電極６５上に搭載される。白色用の発光ダイオードの場合には、特に静電気等の高電圧サージに弱いため、除電された環境で取扱う必要がある。静電気対策のために、発光ダイオードのパッケージ内にサージ吸収素子が実装される場合も多い
　ここで、図１は次のものである。
　周知文献２（再公表特許ＷＯ２０１３／０４２６６２号）
　本願の優先日前に日本国内において頒布された再公表特許ＷＯ２０１３／０４２６６２号には、次の記載がある。
「【００５３】
　図７で示すように、ＬＥＤ装置１２ａには２個のＬＥＤダイ５０が含まれる。ＬＥＤダイ５０はサファイア基板５２、半導体層５３、ｐ側突起電極５４ａ及びｎ側突起電極５４ｂからなる。図１で示したＬＥＤダイ３０との主な違いは平面サイズである。ＬＥＤダイ３０が０．８ｍｍ×０．４ｍｍであるのに対し、ＬＥＤダイ５０の平面サイズは０．３ｍｍ×０．３ｍｍである。その他の事項は図１と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００５４】
　
ＬＥＤダイ５０はサブマウント基板５５上にフリップチップ実装されている。サブマウント基板５５は、板材５５ｄの上面に実装電極５５ａが、下面に接続電極５５ｃがそれぞれ形成され、実装電極５５ａと接続電極５５ｃとがスルーホール５５ｂで接続されている。接続電極５５ｃの下面には半田２１ｂ及び半田２２ｂが付いている。
　ここで、図７は次のものである。
（エ）上記（ウ）で説示した、当業者が適宜になし得た構成にあっては、マウント部５４が、相違点４にかかる「誘電体層」に相当するものとなるが、これとは別に、一般に、装置の実装面側に誘電体層を設けるとともに、当該誘電体層に設けられた、素子電極に至る開口を介して導電性のパッドを設けることは、例えば引用文献３のほか、以下の周知文献３及び周知文献４にも記載されているとおり周知技術である。引用発明におけるＬＥＤ等の素子実装構造を当該周知技術のものに置換することも、当業者が容易になしえたことであり、この際、上記（イ）及び（ウ）と同様に、ＬＥＤ及び保護素子を含む発光装置を配線基板等に実装するにあたって、発光装置の実装側の誘電体層上に導電性のパッドを設けるとともに、当該パッドを用いて、ＬＥＤ及び保護素子がそれぞれ備える各２個の電極の電気的接続を行うことに何ら困難はない。
　引用文献３（国際公開第２０１１／０９３４５４号）
　当審拒絶理由において引用され、本願の優先日前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２０１１／０９３４５４号には、次の記載がある。
「[0042]（第２実施形態）
　図２６には本発明の第２実施形態に係る製造方法によって製造された発光装置が示され、図２７乃至図３２には第２実施形態に係る製造方法の工程が示されている。
[0043]　この実施形態に係る発光装置２０は、その基本的構成が図１に示した第１実施形態に係る発光装置１０と同じであるので、同一の構成には同一の符号を付すことで詳細な説明を省略する。
[0044]　この発光装置２０は、発
光素子３を樹脂封止する封止部材５の下面５ａの略全面に保護膜２５が形成されている
[0045]　
前記保護膜２５の下面には下地電極膜２６が設けられている。また、下地電極膜２６の端部が発光素子３の素子電極であるＮ電極３ａ及びＰ電極３ｂの下面に届く位置まで延びており、保護膜２５から素子電極であるＮ電極３ａ及びＰ電極３ｂに移る位置には段差部２７ａ，２７ｂが設けられている
[0046]　前記Ｎ電極下地膜２６ａには全面にニッケル（Ｎｉ）層２１ａと金（Ａｕ）層２２ａがメッキ形成され、３層構造のＮ外部接続電極２３ｎを形成している。同様にＰ電極下地膜２６ｂの全面にもニッケル（Ｎｉ）層２１ｂと金（Ａｕ）層２２ｂがメッキ形成され、３層構造のＰ外部接続電極２３ｐを形成している。なお、本実施形態ではＰ外部接続電極２３ｐが発光素子３のＰ電極３ｂと広い面積で接続しているので、Ｐ外部接続電極２３ｐからの放熱効果が大きい。」
　ここで、図２６は次のものである。
　周知文献３（特開２０１２−１２４４４３号公報）
　本願の優先日前に日本国内において頒布された特開２０１２−１２４４４３号公報には、次の記載がある。
「【００２９】
　図１により本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ装置１０（半導体発光装置）の構造を説明する。図１は本実施形態のＬＥＤ装置１０の断面図である。
ＬＥＤ装置１０において、接続電極１７は上面でＬＥＤ素子１８のバンプ電極１４と接続している。ＬＥＤ素子１８は２個のバンプ電極１４の上に半導体層１３とサファイア基板１２が積層している。ＬＥＤ素子１８の側面及びバンプ電極１４を除く底面（下面）は、反射剤を含む封止部材１１で封止されている
【００３０】
　封止部材１１において反射剤は酸化チタンであり、バインダはシリコーン樹脂である。同様に蛍光体層１５は蛍光体粒子をシリコーン樹脂に混練したものであり、透明樹脂層１６もシリコーン樹脂である。接続電極１７は電解メッキ法で形成したメッキ電極である。ＬＥＤ素子１８は青色発光ダイオードである。
【００３１】
　接続電極１７は図の上から、メッキ用共通電極で使ったＴｉＷ、電解メッキ法で形成したＣｕ，Ｎｉ，Ａｕが積層し１０μｍ程度の厚さになる。サファイア基板１２は厚さが８０〜１２０μｍ、半導体層１３は厚さが７μｍ程度であり、バンプ電極１４は電解メッキ法で形成すれば厚さが１０〜３０μｍ程度になる。ＬＥＤ素子１８から下方向に出射した光を効率良く上方に向けるには、
ＬＥＤ素子１８の下面に設けた封止部材１１の厚さが３０μｍ以上あることが好ましい。蛍光体層１５及び透明樹脂層１６は厚さが１００μｍ程度である。
　ここで、図１は次のものである。封止部材１１が、相違点４に係る「誘電体層」に相当する。
　周知文献４（特開２０１２−２２７４７０号公報）
　本願の優先日前に日本国内において頒布された特開２０１２−２２７４７０号公報には、次の記載がある。
「【００４５】
　まず図９と図１０によりＬＥＤ装置４１の構造を説明する。図９は本実施形態におけるＬＥＤ装置４１の断面図である。ＬＥＤ素子４１の上面に接着層４３を介して蛍光体シート１１が接着している。図７で示した第３実施形態のＬＥＤ装置３１と同様に蛍光体シート１１の端部にはダム材３６があり、接着材のフィレット４３ａは下に凸な形状をしている。
白色反射部材４７はフィレット４３ａの側部だけではなく、ＬＥＤ素子４６の突起電極４８，４９の周囲にも充填されている。白色反射部材４７の底部には突起電極４８，４９と接続するメッキ電極５３，５４（接続電極）がある
【００４６】
　
ＬＥＤ素子４６は、サファイア基板４４の下に半導体層４５を備え、半導体層４５の下に配線５１，５２があり、配線５１，５２がそれぞれ突起電極４８，４９と接続している
【００４７】
　図１０はＬＥＤ装置４１において白色反射部材４７を充填する前の底面図である。半導体層４５が占める領域の外側にはフィレット４３ａ及びダム材３６が見える。半導体層４５の底面には、コの字状の配線５１と直線状の配線５２がある。半導体層４５の底面の端部では配線５１，５２と突起電極４８，４９がそれぞれ接続している。配線５１は図示していない絶縁膜の開口部を介してｐ型半導体層と接続している。同様に配線５２は図示していない絶縁膜の開口部を介してｎ型半導体層と接続している。
【００４８】
　以上のようにｐ型半導体層及びｎ型半導体層の接続部（絶縁膜の開口部）がＬＥＤ素子４６の底面で分散していても、配線５１，５２を使うことにより接続部を相互に接続し、
底面端部にメッキ電極５３，５４と接続する突起電極４８，４９を形成できる
白色反射部材４７は配線５１，５２とメッキ電極５３，５４の層間絶縁膜として機能する
　ここで、図９は次のものである。白色反射部材４７が、相違点４に係る「誘電体層」に相当する。
（オ）上記（ア）〜（エ）のとおり、引用発明において相違点４に係る構成を備えることは、当業者が適宜になし得たことである。
（４）小括
　よって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
５　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。