(57)【要約】  本発明は、高いＴｇを有し、かつ分子が結晶化しにくいため、安定な薄膜しやすく、有機ＥＬ素子用材料として用いた場合に、低電圧駆動、長寿命などの優れた特性を有する化学発光材料として有用な下記の一般式［１］で表されるカルバゾール含有アミン化合物を提供することである。  一般式［１］2007043484.tif 000191（式中、Ａはフェニレン基、又は、ビフェニレン基を表し、Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族基等を表す。ただし、Ａｒ１〜Ａｒ４のうち少なくともひとつは一般式［４］で表されるカルバゾリル基である。）2007043484.tif 000192
2007043484.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の一般式［１］
【化１１６】
2007043484.tif 000177
（式中、Ａは、次の一般式［２］
【化１１７】
2007043484.tif 000178
（式中、Ｒ１〜Ｒ５のうちの一つは結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表す。）
で表されるフェニレン基、又は、次の一般式［３］
【化１１８】
2007043484.tif 000179
（式中、Ｒ６〜Ｒ１０のうちの一つと、Ｒ１１〜Ｒ１５のうちの一つは、結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。）
で表されるビフェニレン基を表し、Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の複素環基、又は、次の一般式［４］
【化１１９】
2007043484.tif 000180
（式中、Ａｒ５は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表し、Ｒ１６〜Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表す。）
で表されるカルバゾリル基を表す。ただし、Ａｒ１〜Ａｒ４のうち少なくともひとつは一般式［４］で表されるカルバゾリル基である。）
で表されるカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項２】
一般式［１］におけるＡが、次の一般式［５］、
【化１２０】
2007043484.tif 000181
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。）
又は、次の一般式［６］
【化１２１】
2007043484.tif 000182
（式中、Ｒ６〜Ｒ１０のうちの一つは結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表し、Ｒ１２〜Ｒ１５はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。）
で表される２価の基である請求項１に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項３】
一般式［１］におけるＡが、次の一般式［１３］、
【化１２２】
2007043484.tif 000183
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、及びＲ１２〜Ｒ１５は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。）
で表される４，４’−ビフェニレン基である請求項１又は２に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項４】
一般式［１］におけるＡｒ１〜Ａｒ４のうちの２個以上が次の一般式［４］
【化１２３】
2007043484.tif 000184
（式中、Ａｒ５は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表し、Ｒ１６〜Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表す。）
で表されるカルバゾリル基である請求項１〜３のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項５】
一般式［１］におけるＡｒ１〜Ａｒ４のうちのＡｒ１及びＡｒ２が、一般式［４］で表されるカルバゾリル基である請求項４に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項６】
一般式［１］におけるＡｒ１〜Ａｒ４のうちのＡｒ１及びＡｒ２が、一般式［４］で表されるカルバゾリル基であり、Ａｒ３及びＡｒ４が、それぞれ独立して置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基である請求項５に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項７】
一般式［４］で表されるカルバゾリル基の少なくともひとつが、次の一般式［７］、
【化１２４】
2007043484.tif 000185
（式中、Ａｒ５は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表す。）
で表されるカルバゾリル基である請求項１〜６のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項８】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基である請求項１〜７のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項９】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、次の一般式［８］、
【化１２５】
2007043484.tif 000186
（式中、Ｒ２３は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の一価の芳香族炭化水素基、又は、置換基を有してもよい炭素数２〜５の一価の複素環基を表す。）
で表される基である請求項８に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１０】
一般式［８］におけるＲ２３が、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の一価の芳香族炭化水素基である請求項９に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１１】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、次の一般式［９］、
【化１２６】
2007043484.tif 000187
（式中、Ｒ３３は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜４のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。）
で表される置換基を有してもよいビフェニル基である請求項１０に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１２】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、置換基を有してもよいナフチル基である請求項１〜７のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１３】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、次の一般式［１０］、
【化１２７】
2007043484.tif 000188
（式中、Ｒ２３は前記した一般式［８］のＲ２３と同じものを表し、Ｒ２４〜Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜４のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。）
で表される置換基を有してもよいナフチル基である請求項１２に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１４】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、次の一般式［１１］、
【化１２８】
2007043484.tif 000189
（式中、Ｒ２８〜Ｒ３２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜４のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。）
で表される置換基を有してもよいナフチル基である請求項１２に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１５】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、置換基を有してもよい１−アンスリル基、置換基を有してもよい２−アンスリル基、置換基を有してもよい９−アンスリル基、又は置換基を有してもよい９−フェナントリル基である請求項１〜７のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１６】
ガラス転移温度（Ｔｇ）が、１３０℃以上である請求項１〜１５のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１７】
請求項１〜１５いずれか記載のカルバゾール含有アミン化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項１８】
一対の電極間に発光層又は発光層を含む複数層の有機層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも一層が、請求項１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１９】
正孔注入層及び／又は正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔注入層及び／又は正孔輸送層が、請求項１７記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２０】
次の一般式［１２］、
【化１２９】
2007043484.tif 000190
（式中、Ａｒ５は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表し、Ｒ１６〜Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表し、Ｘは、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子から選ばれるハロゲン原子を表す。）
で表されるカルバゾール誘導体。
【請求項２１】
一般式［１２］におけるＡｒ５が、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基であり、Ｒ１６〜Ｒ２２が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８のシクロアルキル基、炭素数６〜１８の単環式、縮合環式、若しくは多環式芳香族炭化水素基、炭素数１〜８のアルコキシル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、又は炭素数２〜１６の炭化水素基で置換された置換アミノ基である請求項２０に記載のカルバゾール誘導体。
【請求項２２】
一般式［１２］におけるＡｒ５が、炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基である請求項２０又は２１に記載のカルバゾール誘導体。
【請求項２３】
一般式［１２］におけるＲ１６〜Ｒ２２が、水素原子である請求項２０〜２２のいずれかに記載のカルバゾール誘導体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は新規なカルバゾール含有アミン化合物に関し、さらに詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下有機ＥＬ素子と略記）に用いた場合、分子の結晶性が低く、かつ、ガラス転移温度（Ｔｇ）が高いため、優れた性能（低電圧駆動、長寿命、高安定性）を有するカルバゾール含有アミン化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、カルバゾール誘導体は各種機能材料、電子材料への応用が検討されてきた。カルバゾール骨格が、正孔輸送性の性質を有すること、耐熱性の高い構造であることを利用して、例えば、電子写真感光体の電荷輸送材料や有機ＥＬ素子用材料等への応用が検討されている。代表的なものとしては、ポリビニルカルバーゾール（ＰＶＫ）や、Ｎ，Ｎ’‐ジカルバゾイル−４，４’−ビフェニル（ＣＢＰ）は有機ＥＬ素子用材料として広く検討されている（非特許文献１，２参照）。通常高温環境下で有機ＥＬ素子を駆動させたり、保管したりすると、発光色の変化、発光効率の低下、駆動電圧の上昇、発光寿命の短時間化等の悪影響が生じる。これを防ぐためには材料のガラス転移温度（Ｔｇ）を高くする必要がある。ＰＶＫやＣＢＰのようなカルバゾール類はＴｇが比較的高く、耐熱性を有しているものの、対称性の高い構造故、真空蒸着や、スピンコーティングなどで薄膜を形成した際に、膜の安定性が低く、容易に結晶化してしまい、素子の寿命が極端に短いという問題点を有していた。【０００３】
このような状況の中、Ｎ−エチルカルバゾールの３位をアミノ基で置換したジアミン化合物が開示されている（非特許文献３，４，特許文献１参照）。これらのジアミン化合物は、正孔注入材料、正孔輸送材料として適正なＩｐを有していることと、カルバゾール環の非対称性によって非結晶性となっているため、高い膜安定性を有しているが、一方でＴｇがそれほど高くなく、耐熱性に劣りＥＬ素子として十分な寿命特性が得られなかった。【０００４】
【非特許文献１】Applied Physics Letters，２００１年発行，７８巻，２７８頁
【非特許文献２】Journal of the American Chemicaal Society  ２００１年発行，１２３巻，４３０４頁
【非特許文献３】European Polymer Journal  ２００５年発行，４１巻，１８２１頁
【非特許文献４】Environmental and Chemical Physics  ２００２年発行，  ２４巻，  ３０頁
【特許文献１】特表２００４−５３６１３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、高いＴｇを有しながらも、分子が結晶化しにくく、有機ＥＬ素子用材料として用いた場合に、低電圧駆動、長寿命などの優れた特性を有するカルバゾール含有アミン化合物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、前記諸問題を解決するために、鋭意研究を重ねた結果、本発明に至った。
すなわち本発明は、下記一般式［１］で表されるカルバゾール含有アミン化合物に関する。【０００７】
一般式［１］
【化１】
2007043484.tif 000003
【０００８】
（式中、Ａは下記一般式［２］で表されるフェニレン基、又は、一般式［３］で表されるビフェニレン基を表し、Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の複素環基、又は、下記一般式［４］で表されるカルバゾリル基を表す。ただし、Ａｒ１〜Ａｒ４のうち少なくともひとつは一般式［４］で表されるカルバゾリル基である。）
一般式［２］【０００９】
【化２】
2007043484.tif 000004
【００１０】
（式中、Ｒ１〜Ｒ５のうちの一つは結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、もしくは、一価の有機残基を表す。）
一般式［３］【００１１】
【化３】
2007043484.tif 000005
【００１２】
（式中、Ｒ６〜Ｒ１０のうちの一つと、Ｒ１１〜Ｒ１５のうちの一つは、結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、もしくは一価の有機残基を表す。）
一般式［４］【００１３】
【化４】
2007043484.tif 000006
【００１４】
（式中、Ａｒ５は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表し、Ｒ１６〜Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表す。）【００１５】
また、本発明は、一般式［１］におけるＡが、下記一般式［５］、又は、下記一般式［６］で表されることを特徴とする上記カルバゾール含有アミン化合物に関する。
一般式［５］【００１６】
【化５】
2007043484.tif 000007
【００１７】
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。）
一般式［６］【００１８】
【化６】
2007043484.tif 000008
【００１９】
（式中、Ｒ６〜Ｒ１０のうちの一つは結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表し、Ｒ１２〜Ｒ１５はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。）
また、本発明は、Ａｒ１とＡｒ２が、それぞれ独立に、下記一般式［７］で表され、かつ、Ａｒ３とＡｒ４が、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基であることを特徴とする上記カルバゾール含有アミン化合物に関する。
一般式［７］【００２０】
【化７】
2007043484.tif 000009
【００２１】
（式中、Ａｒ５は、前記した一般式［４］のＡｒ５と上記と同じである。）
また、本発明は、Ａｒ５が下記一般式［８］で表されることを特徴とする上記カルバゾール含有アミン化合物に関する。
一般式［８］【００２２】
【化８】
2007043484.tif 000010
【００２３】
（式中、Ｒ２３は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の一価の芳香族炭化水素基、又は、置換基を有してもよい炭素数２〜５の一価の複素環基を表す。）
また、本発明は、Ａｒ５が下記一般式［９］で表されることを特徴とする上記カルバゾール含有アミン化合物に関する。
一般式［９］【００２４】
【化９】
2007043484.tif 000011
【００２５】
（式中、Ｒ３３は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜４のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。）
また、本発明は、Ａｒ５が下記一般式［１０］で表されることを特徴とする上記カルバゾール含有アミン化合物に関する。
一般式［１０］【００２６】
【化１０】
2007043484.tif 000012
【００２７】
（式中、Ｒ２３は前記した一般式［８］のＲ２３と同じものを表し、Ｒ２４〜Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜４のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。）
また、本発明は、Ａｒ５が下記一般式［１１］【００２８】
【化１１】
2007043484.tif 000013
【００２９】
（式中、Ｒ２８〜Ｒ３２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜４のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。）
で表されることを特徴とする上記カルバゾール含有アミン化合物に関する。【００３０】
また、本発明は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が、１３０℃以上である上記カルバゾール含有アミン化合物に関する。
また、本発明は、上記カルバゾール含有アミン化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に関する。
また、本発明は、一対の電極間に発光層又は発光層を含む複数層の有機層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも一層が、上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
また、本発明は、正孔注入層及び／又は正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔注入層及び／又は正孔輸送層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。【００３１】
さらに、本発明は、前記一般式［１］で表されるカルバゾール含有アミン化合物を製造するための原料である下記一般式［１２］【００３２】
【化１２】
2007043484.tif 000014
【００３３】
（式中、Ａｒ５は前記した一般式［４］のＡｒ５と上記と同じであり、Ｒ１６〜Ｒ２２は前記した一般式［４］のＲ１６〜Ｒ２２と上記と同じであり、Ｘは、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子から選ばれるハロゲン原子を表す。）
で表されるカルバゾール誘導体に関する。
本発明の好ましい一般式［１２］で表される化合物としては、一般式［１２］におけるＡｒ５が、１−ナフチル基又は２−ナフチル基であり、Ｒ１６〜Ｒ２２が、水素原子であり、Ｘは、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子から選ばれるハロゲン原子であるカルバゾール誘導体が挙げられる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明のカルバゾール含有アミン化合物を有機ＥＬ素子用材料として用いた有機ＥＬ素子は、薄膜の安定性が非常に高く、低い駆動電圧で発光し、かつ、長寿命であるため、壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや平面発光体として好適に使用することができ、複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等への応用が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、詳細にわたって本発明を説明する。まず、一般式［１］で表されるカルバゾール含有アミン化合物について説明する。
一般式［１］で表されるカルバゾール含有アミン化合物において、Ａは一般式［２］で表されるフェニレン基、又は、一般式［３］で表されるビフェニレン基を表す。
一般式［２］においては、Ｒ１〜Ｒ５のうちの一つが結合手であり、フェニレン基を形成する。また、一般式［３］においては、Ｒ６〜Ｒ１０のうちの一つと、Ｒ１１〜Ｒ１５のうちの一つが、結合手であり、ビフェニレン基を形成する。【００３６】
結合手の位置については、特に制限はなく一般式［２］のフェニレン結合となる場合は、ｏ−フェニレン、ｍ−フェニレン、ｐ−フェニレンであってよく、一般式［３］のビフェニレン結合となる場合には、２，２’−ビフェニレン、３，３’−ビフェニレン、４，４’−ビフェニレン、２，３’−ビフェニレン、２，４’−ビフェニレン、３，４’−ビフェニレン等であってよい。
これらの結合のうち好ましいものとしては、Ｒ５が結合手であるｐ−フェニレン、Ｒ６とＲ１１が結合手である４，４’−ビフェニレンが挙げられる。これは、分子の対称性が高いほど、高い耐熱性、高いＴｇが期待できるからであり、また、化合物を合成する際にも容易であるためである。【００３７】
これらのフェニレン基、ビフェニレン基は、結合位置でない炭素上には、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、もしくは、一価の有機残基を有することができる。
ここでいう、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。【００３８】
一価の有機残基としては特に制限はないが、置換基を有してもよい１価の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の脂肪族複素環基、置換基を有してもよい１価の芳香族複素環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基などがあげられる。【００３９】
ここで、１価の脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜１８の１価の脂肪族炭化水素基を指し、そのようなものとしては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基があげられる。
したがって、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基といった炭素数１〜１８のアルキル基があげられる。
また、アルケニル基としては、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、イソプロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１−オクテニル基、１−デセニル基、１−オクタデセニル基といった炭素数２〜１８のアルケニル基があげられる。
また、アルキニル基としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、１−オクチニル基、１−デシニル基、１−オクタデシニル基といった炭素数２〜１８のアルキニル基があげられる。
また、シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロオクタデシル基といった炭素数３〜１８のシクロアルキル基があげられる。【００４０】
さらに、１価の芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜１８の１価の単環、縮合環、環集合炭化水素基があげられる。ここで、炭素数６〜１８の１価の単環芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，４−キシリル基、ｐ−クメニル基、メシチル基等の炭素数６〜１８の１価の単環芳香族炭化水素基があげられる。
また、１価の縮合環炭化水素基としては、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アンスリル基、２−アンスリル基、５−アンスリル基、１−フェナンスリル基、９−フェナンスリル基、１−アセナフチル基、２−アズレニル基、１−ピレニル基、２−トリフェニレル基等の炭素数１０〜１８の１価の縮合環炭化水素基があげられる。
また、１価の環集合炭化水素基としては、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、ｐ−ビフェニリル基等の炭素数１２〜１８の１価の環集合炭化水素基があげられる。【００４１】
また、１価の脂肪族複素環基としては、２−ピラゾリノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、２−モルホリニル基といった、異種原子として１〜３個の窒素原子、酸素原子、及び／又は硫黄原子を有する、３〜８員、好ましくは５〜７員の炭素数３〜１８の１価の脂肪族複素環基があげられる。
また、１価の芳香族複素環基としては、トリアゾリル基、３−オキサジアゾリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、１−ピローリル基、２−ピローリル基、３−ピローリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−ピラジル基、２−オキサゾリル基、３−イソオキサゾリル基、２−チアゾリル基、３−イソチアゾリル基、２−イミダゾリル基、３−ピラゾリル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、２−ベンゾフリル基、２−ベンゾチエニル基、Ｎ−インドリル基、Ｎ−カルバゾリル基、Ｎ−アクリジニル基といった、異種原子として１〜３個の窒素原子、酸素原子、及び／又は硫黄原子を有する、３〜８員、好ましくは５〜７員の炭素数２〜１８の１価の芳香族複素環基があげられる。【００４２】
また、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基といった炭素数１〜８のアルコキシル基があげられる。
また、アリールオキシ基としては、フェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、９−アンスリルオキシ基といった炭素数６〜１４のアリールオキシ基があげられる。
また、アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基といった炭素数１〜８のアルキルチオ基があげられる。
また、アリールチオ基としては、フェニルチオ基、２−メチルフェニルチオ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルチオ基といった炭素数６〜１４のアリールチオ基があげられる。【００４３】
また、置換アミノ基としては、Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノ基、Ｎ−ベンジルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基、Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ビス（ｍ−トリル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ビス（ｐ−トリル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ビス（ｐ−ビフェニリル）アミノ基、ビス［４−（４−メチル）ビフェニリル］アミノ基、Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−β−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基等の炭素数２〜１６の置換アミノ基があげられる。【００４４】
また、アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ピバロイル基、シクロヘキシルカルボニル基、ベンゾイル基、トルオイル基、アニソイル基、シンナモイル基等の炭素数２〜１４のアシル基があげられる。
また、アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基等の炭素数２〜１４のアルコキシカルボニル基があげられる。
また、アリールオキシカルボニル基としては、フェノキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等の炭素数７〜１４のアリールオキシカルボニル基があげられる。
また、アルキルスルホニル基としては、メシル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基等の炭素数２〜１４のアルキルスルホニル基があげられる。
また、アリールスルホニル基としては、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基等の炭素数６〜１４のアリールスルホニル基があげられる。【００４５】
上に述べた、１価の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、脂肪族複素環基、芳香族複素環基は、さらに他の置換基によって置換されていてもよい。また、これら置換基同士が結合し、隣接する原子と共に環を形成していても良い。そのような置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基等があげられる。これらの置環基の例としては、前述のものが挙げられる。
好ましい一価の有機残基としては、他の置換基によって置換されていてもよい炭素数１〜１８のアルキル基；他の置換基によって置換されていてもよい炭素数３〜１８のシクロアルキル基；他の置換基によって置換されていてもよい炭素数６〜１８の単環式、縮合環式、若しくは多環式芳香族炭化水素基；他の置換基によって置換されていてもよい炭素数１〜８のアルコキシル基；他の置換基によって置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリールオキシ基；及び他の置換基によって置換されていてもよい炭素数２〜１６の炭化水素基で置換された置換アミノ基からなる群から選ばれる基が挙げられる。ここにおける他の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基等からなる群から選ばれる置換基が挙げられる。【００４６】
以上挙げた、結合手でないＲ１〜Ｒ１５のうちより好ましい例としては、水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、フェニル基、トリル基等が挙げられる。これらの基を置換基とした場合には、分子量も比較的小さく、蒸着等で化合物（材料）を昇華する場合に、容易であり、また、安定性の面からも好ましい。【００４７】
本発明の一般式［１］における好ましいＡとしては、一般式［３］で表されるビフェニレン基、より好ましくは一般式［６］で表される４−ビフェニレン基、さらに好ましくは次の一般式［１３］【００４８】
【化１３】
2007043484.tif 000015
【００４９】
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、及びＲ１２〜Ｒ１５は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。）
で表される４，４’−ビフェニレン基が挙げられる。より具体的には、例えば、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ハロゲン原子、フェニル基、及びトリル基からなる群から選ばれる置換基で置換されてもよいビフェニレン基、好ましくは４，４’−ビフェニレン基が挙げられる。【００５０】
次に、一般式［１］の中のＡｒ１〜Ａｒ４について説明する。Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の複素環基、又は、一般式［４］で表されるカルバゾリル基を表す。
炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基としては、Ｒ１〜Ｒ１５の一価の有機残基の項で説明したものと同義である。また、これらに結合していてもよい置換基としては、前述のハロゲン原子や前述の一価の有機残基が挙げられる。
また、炭素数２〜１８の一価の複素環基としては、Ｒ１〜Ｒ１５の一価の有機残基の項で説明した、１価の脂肪族複素環基、又は１価の芳香族複素環基と同義である。また、これらに結合していてもよい置換基としては、前述のハロゲン原子や前述の一価の有機残基が挙げられる。【００５１】
本発明の一般式［１］の中のＡｒ１〜Ａｒ４の少なくとも１つ、好ましくは２つ、より好ましくはＡｒ１及びＡｒ２の２つが一般式［４］で表されるカルバゾリル基であり、残りのＡｒ１〜Ａｒ４が、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の複素環基である。好ましい「残りのＡｒ１〜Ａｒ４」としては、１個又は２個以上の置換基で置換されてもよい炭素数６〜１８、好ましくは６〜１４の単環式、多環式、若しくは縮合環式芳香族炭化水素基、又は、１個又は２個以上の置換基で置換されてもよい異種原子として１〜３個の窒素原子、酸素原子、及び／又は硫黄原子を有する、３〜８員、好ましくは５〜７員の芳香族複素環基が挙げられる。これらの基の置換基としては、炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基、１〜６個のハロゲン原子で置換された炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基、ハロゲン原子、及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基が挙げられる。好ましい芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ビフェニリル基などが挙げられる。また、好ましい芳香族複素環基としては、ピリジル基、フラニル基、チエニル基などが挙げられる。【００５２】
本発明の一般式［１］の中のＡｒ１〜Ａｒ４の少なくとも１つ、好ましくは２つ、より好ましくはＡｒ１及びＡｒ２の２つが一般式［４］で表されるカルバゾリル基であり、当該一般式［４］におけるＲ１６〜Ｒ２２における「一価の有機残」としては、前記した一般式［２］及び［３］で説明してきたＲ１〜Ｒ１５の一価の有機残基と同じものが挙げられる。好ましいＲ１６〜Ｒ２２における「一価の有機残」としては、炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基、１〜６個のハロゲン原子で置換された炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基、及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基が挙げられる。一般式［４］における好ましいＲ１６〜Ｒ２２としては、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられるが、製造のしやすさやコストの点などから水素原子が好ましい。
したがって、本発明の一般式［４］で表されるカルバゾリル基の好ましい例としては、前記した一般式［７］で表されるカルバゾリル基が挙げられる。【００５３】
一般式［４］及び［７］の中の、Ａｒ５は置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表す。
ここでいう、一価の芳香族炭化水素基、一価の芳香族複素環基とは、Ｒ１〜Ｒ１５の一価の有機残基の項で説明したものと同義である。また、これらに結合していてもよい置換基としては、前述のハロゲン原子や一価の有機残基が挙げられる。
また、一般式［４］の中の、Ｒ１６〜Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、もしくは、一価の有機残基を表す。ハロゲン原子、一価の有機残基としては、Ｒ１〜Ｒ１５の一価の有機残基の項で説明したものと同義である。【００５４】
ここで、一般式［４］の３‐カルバゾイル基は、一般式［７］であることが、より好ましい。一般式［７］のカルバゾイル基は、一般式［４］のカルバゾイル基のＲ１６〜Ｒ２２が水素原子である場合である。このような構造をとった場合には、分子量も比較的小さく、蒸着等で化合物（材料）を昇華して薄膜を形成する際に、容易であり、また、安定性の面からも優れているからである。【００５５】
さらに、一般式［４］又は［７］の中のＡｒ５は一般式［８］又は［１０］若しくは［１１］の構造をとることが好ましい。一般式［８］の中のＲ２３は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の一価の芳香族炭化水素基、もしくは、置換基を有してもよい炭素数２〜５の一価の複素環基を表す。一般式［８］の中のＲ２３における炭素数６〜１２の一価の芳香族炭化水素基、炭素数２〜５の一価の複素環基としては、Ｒ１〜Ｒ１５の一価の有機残基の項で説明したもののうち、該当する炭素数のものが上げられる。また有してもよい置換基としては、前述のハロゲン原子や、一価の有機残基が挙げられる。Ｒ２３のうち特に好ましい例としては、水素原子、フェニル基、ビフェニル基、トリル基、キシリル基や、メチル基、エチル基、フッ素原子等があげられる。
本発明の一般式［４］又は［７］の中のより好ましいＡｒ５としては、一般式［８］におけるＲ２３が置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基である場合、並びに一般式［１０］及び［１１］の構造である場合が挙げられる。一般式［８］におけるＲ２３が置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基である場合としては、例えば、Ｒ２３が置換基を有してもよいフェニル基が挙げられる。この場合にはＡｒ５は、置換基を有してもよいビフェニル基ということになる。好ましいビフェニル基としては前記した一般式［９］で表されるような４’置換又は無置換の４−ビフェニル基が挙げられる。
本発明の一般式［４］又は［７］の中のＡｒ５が、一般式［９］、［１０］、又は［１１］のような構造とることが好ましい理由としては次に挙げるような理由が考えられる。
次に示す化学構造式で比較されるように、一般的に、カルバゾール化合物は、結合を有さないジフェニルアミノ化合物と比較してその構造が強固であり、熱安定性が高い傾向にある。【００５６】
【化１４】
2007043484.tif 000016
【００５７】
カルバゾール化合物においては、窒素上のもうひとつの結合位置にはアルキル基を配したＮ−アルキル化合物が良く知られているが、本発明の化合物は、この位置に結合している置換基（＝Ａｒ５）が、芳香族基、又は複素芳香族基、好ましくはビフェニル基やナフチル基のような比較的大きな芳香族基であることを特徴のひとつとしている。このような芳香族基や複素芳香族基は、さらに、安定性を高める効果が大きく、その中でも、安定性を高める効果が期待できるのが、Ａｒ５が一般式［８］、すなわち、窒素原子上にＲ２３を置換基として持つフェニル基である場合であり、より好ましくは一般式［８］におけるＲ２３が置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基である場合、並びに一般式［１０］及び［１１］の構造である場合である。【００５８】
さて、以上説明した、一般式［１］のカルバゾール含有アミン化合物は、Ａｒ１〜Ａｒ４の内、少なくとも１つは、一般式［４］又は一般式［７］で表される３位で結合したカルバゾリル基である。カルバゾリル基の数は、１〜４個のいずれであってもよいが、好ましくは、Ａｒ１とＡｒ２が、一般式［７］で表されるカルバゾリル基であって、Ａｒ３とＡｒ４がそれぞれ独立に炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基である場合が挙げられる。
ここで、炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基とは、Ｒ１〜Ｒ１５で説明したものと同義であるが、特に好ましくは、フェニル基、トリル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基が挙げられる。【００５９】
ところで、３位で結合したカルバゾリル基の効果について触れておく。通常、アミノ基は電子ドナーとして働くが、カルバゾールの窒素原子は、窒素原子上に結合した置環基に対してはドナー性をほとんど有さない。これはカルバゾール環が平面性を有していて、かつ、非常に嵩高い置換基となってしまっているためであり、窒素原子上の置換基と平面構造をとりにくい事に起因していると考えられる。逆に、３位で結合したカルバゾール環は、次の化学構造で示されるように環の平面性があるため、そのベンゼン環部分に対しては電子ドナー性となりうる。【００６０】
【化１５】
2007043484.tif 000017
【００６１】
このため、本発明のカルバゾール含有アミン化合物においては、カルバゾール環に結合したアミノ基とカルバゾール環の窒素原子の両方がカルバゾール環のベンゼン環に対して電子ドナーとなっており、次の化学構造で示されるように、フェニレンジアミン構造と同等かそれ以上の電子ドナー効果を発揮しうると考えられる。【００６２】
【化１６】
2007043484.tif 000018
【００６３】
このような理由から、本発明のカルバゾール含有アミン化合物は、イオン化ポテンシャルの小さな化合物（有機分子の基底状態がより高いレベルにある化合物）となりやすく、有機ＥＬ素子を作成する際には、正孔注入輸送性の高い化合物とすることが可能である。
さらに、３位で結合したカルバゾール環は、窒素原子上で結合したカルバゾール環に比較して、分子の対称性が低いので、分子の結晶性が低くなり、アモルファス性が高くなるため、薄膜形成した際の安定性向上にも大きく寄与することが可能である。【００６４】
ところで、本発明のカルバゾール含有アミン化合物を、有機ＥＬ素子用の材料として用いる場合、Ｔｇが高ければ高いほど一般的にはよい。
本発明のカルバゾール含有アミン化合物の好ましい例としては、Ｔｇは、１３０℃以上であることが挙げられる。このような高いＴｇは、カルバゾールの窒素原子上の置環基Ａｒ５が芳香族基、又は、複素芳香族基であることにより初めて達成される。
以上、本発明に用いる一般式［１］で表されるカルバゾール含有アミン化合物について説明したが、これらのカルバゾール含有アミン化合物を有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として用いる場合には、化合物の分子量としては、１５００以下が好ましく、１３００以下がより好ましく、１２００以下がさらに好ましく、１１００以下が特に好ましい。この理由として、分子量が大きいと、蒸着によって素子を作成する場合の蒸着性が悪くなる懸念があるためである。【００６５】
本発明の化合物の代表例を、以下の表１〜表１７に示すが、本発明は、この代表例に限定されるものではない。
本明細書においては、本発明の一般式［１］で表される化合物を表記するときに、表１〜表１７の各表の左側の欄に記載されている化合物の番号を使用する。【００６６】
【表１】
2007043484.tif 000019
【００６７】
【表２】
2007043484.tif 000020
【００６８】
【表３】
2007043484.tif 000021
【００６９】
【表４】
2007043484.tif 000022
【００７０】
【表５】
2007043484.tif 000023
【００７１】
【表６】
2007043484.tif 000024
【００７２】
【表７】
2007043484.tif 000025
【００７３】
【表８】
2007043484.tif 000026
【００７４】
【表９】
2007043484.tif 000027
【００７５】
【表１０】
2007043484.tif 000028
【００７６】
【表１１】
2007043484.tif 000029
【００７７】
【表１２】
2007043484.tif 000030
【００７８】
【表１３】
2007043484.tif 000031
【００７９】
【表１４】
2007043484.tif 000032
【００８０】
【表１５】
2007043484.tif 000033
【００８１】
【表１６】
2007043484.tif 000034
【００８２】
【表１７】
2007043484.tif 000035
【００８３】
本発明の一般式［１］で表されるカルバゾール含有アミン化合物の製造方法としては、下記に示す製造方法Ａ〜製造方法Ｄを代表的な製造方法としてあげることができる。（ただし、式中、Ｘは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子から選ばれるハロゲン原子を表す。）
製造方法Ａ【００８４】
【化１７】
2007043484.tif 000036
【００８５】
製造方法Ｂ【００８６】
【化１８】
2007043484.tif 000037
【００８７】
製造方法Ｃ【００８８】
【化１９】
2007043484.tif 000038
【００８９】
製造方法Ｄ【００９０】
【化２０】
2007043484.tif 000039
【００９１】
前記に示した製造方法において、反応式Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４、Ｂ−１、Ｂ−２、Ｂ−３、Ｂ−４、Ｃ−１、Ｃ−３、Ｃ−４、Ｄ−１、Ｄ−２、Ｄ−３、Ｄ−４の反応は、一般にウルマン反応と言われる２級および３級アミン化合物を合成する反応であり、例えば、銅粉と無水炭酸カリウム等の塩基をニトロベンゼンなどの高沸点溶媒中、１００〜１８０℃程度の温度で反応させるといった特開平７−１２６２２６等に記載されている業界で公知の方法を用いることができる。また、銅粉と塩基の代わりに、塩基存在下、パラジウム化合物とリン化合物を触媒に用いるという方法も知られており、この場合、上記反応式中でＡｒ１−Ｘ、Ａｒ２−Ｘ、Ｘ−Ａ−Ｘなどで表されるハロゲン化合物の代わりに、トリフラートやスルホネートを用いることができる。そのような方法は、例えば、特開平１０−８１６６７、特開平１０−１３９７４２、特開平１０−３１０５６１、John F. Hartwig著、Angew. Chem. Int. Ed.、37巻、2046〜2067頁（1998年）、Bryant H. Yang、Stephen L Buchwald著、J. Organomet. Chem.、576巻、125〜146頁（1999年）、John P. Wolfe、Stephen L Buchwald著、J. Org. Chem.、65巻、1144〜1157頁（2000年）、John P. Wolfe、Stephen L Buchwald著、J. Org. Chem.、62巻、1264〜1267頁（1997年）、Janis Louie, Michael S. Driver, Blake C. Hamann, John F. Hartwig著、J. Org. Chem.、62巻、1268〜1273頁（1997年）等に記載されている業界に公知の方法を用いることができる。その他の製造方法としては、例えば、特開昭６３−３５５４８、特開平６−１００５０３、特表２００１−５１５８７９、再公表特許ＷＯ２００２／０７６９２２号記載の方法も用いることができる。【００９２】
前記に示した製造方法において、Ａｒ１とＡｒ２、Ａｒ３とＡｒ４が同一の基である場合には、反応式Ａ−３と反応式Ａ−４、反応式Ｂ−１と反応式Ｂ−２、反応式Ｂ−３と反応式Ｂ−４は、一段階（One-Pot）で製造することができる。この場合にも、前記に示した業界に公知の方法を用いて製造することができる。【００９３】
また、製造方法Ｃにおける反応式Ｃ−２の反応は、古くから良く知られているニトロ基の還元反応であり、酸性条件下での亜鉛や塩化スズ（II）による還元、パラジウム黒やラネーニッケルなどの触媒存在下での水素による還元、水素化リチウムアルミニウムなどの還元剤を用いた還元によって、ニトロ化合物から相当するアミン化合物を収率良く得ることができる。この還元反応は、例えば、Calvin A. Buehler、Donald E. Pearson共著、SURVEY OF ORGANIC SYNTHESES、413〜417頁、Wiley-Interscience（1970年）、日本化学会編、新実験化学講座１４、1333〜1335頁、丸善（1978年）などに記載されている業界公知の方法を用いることができる。
また、上記製造方法におけるＡｒ１−ＸやＡｒ２−Ｘで表される３−ハロ−９−アリールカルバゾール誘導体は、例えば、工業化学雑誌、７０巻、６３頁（１９６７年）記載の方法などを用いて合成することができる。
中でも、一般式［１２］で表されるカルバゾール誘導体は、本発明のカルバゾール含有アミン化合物を製造するための原料として好適に使用することができる。特に、一般式［１２］のＡｒ５が、１−ナフチル基または２−ナフチル基であり、Ｒ１６〜Ｒ２２が、水素原子であり、Ｘが、塩素原子、臭素原子、もしくは、ヨウ素原子から選ばれるハロゲン原子であるカルバゾール誘導体を用いて製造される本発明のカルバゾール含有アミン化合物は、以下に示す種々の用途に好適に使用することができる。【００９４】
本発明の一般式［１］で表されるカルバゾール含有アミン化合物は、種々の用途に用いることができる。増感効果、発熱効果、発色効果、退色効果、蓄光効果、相変化効果、光電変換効果、光磁気効果、光触媒効果、光変調効果、光記録効果、ラジカル発生効果等の機能を発現する材料として、あるいは逆にこれらの効果を受けて発光機能を有する材料としても用いることができる。より具体的には、発光材料、光電変換材料、光記録材料、画像形成材料、フォトクロミック材料、有機ＥＬ材料、光導電材料、二色性材料、ラジカル発生材料、酸発生材料、塩基発生材料、蓄光材料、非線形光学材料、第２高調波発生材料、第３高調波発生材料、感光材料、光吸収材料、近赤外吸収材料、フォトケミカルホールバーニング材料、光センシング材料、光マーキング材料、光化学治療用増感材料、光相変化記録材料、光焼結記録材料、光磁気記録材料、光線力学療法用色素等が挙げられる。【００９５】
これら挙げた種々の用途のうち、特に好ましくは、有機ＥＬ材料（有機ＥＬ用材料、有機ＥＬ素子用材料）として用いられる。
有機ＥＬ素子用材料として用いる等の場合には、特に、高純度の材料が要求されるが、このような場合に、本発明のカルバゾール含有アミン化合物は、昇華精製法や再結晶法、再沈殿法、ゾーンメルティング法、カラム精製法、吸着法など、あるいはこれら方法を組み合わせて行うことができる。これら精製法の中でも再結晶法によるのが好ましい。昇華性を有する化合物においては、昇華精製法によることが好ましい。昇華精製においては、目的化合物が昇華する温度より低温で昇華ボートを維持し、昇華する不純物を予め除去する方法を採用するのが好ましい。また昇華物を採集する部分に温度勾配を施し、昇華物が不純物と目的物に分散するようにするのが望ましい。以上のような昇華精製は不純物を分離するような精製であり、本発明に適用しうるものである。また、昇華精製を行うことにより、材料の蒸着性の難易度を予測するのに役立つ。【００９６】
ここで、本発明のカルバゾール含有アミン化合物を用いて作成することができる有機ＥＬ素子について詳細に説明する。【００９７】
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層又は多層の有機層を形成した素子から構成されるが、ここで、一層型有機ＥＬ素子とは、陽極と陰極との間に発光層のみからなる素子を指す。一方、多層型有機ＥＬ素子とは、発光層の他に、発光層への正孔や電子の注入を容易にしたり、発光層内での正孔と電子との再結合を円滑に行わせたりすることを目的として、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子注入層などを積層させたものを指す。したがって、多層型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、（１）陽極／正孔注入層／発光層／陰極、（２）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極、（３）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極、（４）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極、（５）陽極／正孔注入層／発光層／正孔阻止層／電子注入層／陰極、（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子注入層／陰極、（７）陽極／発光層／正孔阻止層／電子注入層／陰極、（８）陽極／発光層／電子注入層／陰極等の多層構成で積層した素子構成が考えられる。【００９８】
また、上述した各有機層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良く、いくつかの層が繰り返し積層されていても良い。そのような例として、近年、光取り出し効率の向上を目的に、上述の多層型有機ＥＬ素子の一部の層を多層化する「マルチ・フォトン・エミッション」と呼ばれる素子構成が提案されている。これは例えば、ガラス基板／陽極／正孔輸送層／電子輸送性発光層／電子注入層／電荷発生層／発光ユニット／陰極から構成される有機ＥＬ素子に於いて、電荷発生層と発光ユニットの部分を複数層積層するといった方法があげられる。【００９９】
本発明のカルバゾール含有アミン化合物（有機エレクトロルミネッセンス素子用材料）は、上述したいかなる層に用いても構わないが、特に正孔注入層、正孔輸送層、発光層に好適に使用することができる。また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、単一の化合物での使用はもちろんのこと、２種類以上の化合物を組み合わせて、すなわち混合、共蒸着、積層するなどして使用することが可能である。さらに、上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層において、他の材料と共に用いても構わない。【０１００】
正孔注入層には、発光層に対して優れた正孔注入効果を示し、かつ陽極界面との密着性と薄膜形成性に優れた正孔注入層を形成できる正孔注入材料が用いられる。また、このような材料を多層積層させ、正孔注入効果の高い材料と正孔輸送効果の高い材料とを多層積層させた場合、それぞれに用いる材料を正孔注入材料、正孔輸送材料と呼ぶことがある。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、正孔注入材料、正孔輸送材料いずれにも好適に使用することができる。これら正孔注入材料や正孔輸送材料は、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい必要がある。このような正孔注入層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０４  〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０−６ｃｍ２／Ｖ・秒であるものが好ましい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料と混合して使用することができる、他の正孔注入材料及び正孔輸送材料としては、上記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。【０１０１】
このような正孔注入材料や正孔輸送材料としては、具体的には、例えばトリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５４−１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，１８０，７０３号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５５−８５４９５号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、特開平１−２１１３９９号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。【０１０２】
正孔注入材料や正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公報）、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）を用いることもできる。例えば、米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル等や、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン等を挙げることができる。また、正孔注入材料として銅フタロシアニンや水素フタロシアニン等のフタロシアニン誘導体もあげられる。さらに、その他、芳香族ジメチリデン系化合物、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料や正孔輸送材料の材料として使用することができる。【０１０３】
芳香族三級アミン誘導体の具体例としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−ジフェニルアミノ−４−ビフェニリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−ジフェニルアミノ−４−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−ジフェニルアミノ−４−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−フェニル（１−ナフチル）アミノ−４−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４’−フェニル（１−ナフチル）アミノ−４−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）ベンジジン等があげられ、これらは正孔注入材料、正孔輸送材料いずれにも使用することができる。【０１０４】
本発明の化合物（有機ＥＬ素子用材料）とともに用いる正孔注入材料、正孔輸送材料はさらに下記一般式［１４］〜［１９］のようなものを用いることが出来る。
一般式［１４］【０１０５】
【化２１】
2007043484.tif 000040
【０１０６】
（式中、Ｒａ１１〜Ｒａ１４は、それぞれ独立に、水素原子、アルコキシル基、もしくはシアノ基を表すが、全てが同時に水素原子となることはない。）
ここで、アルコキシル基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、２−ボルニルオキシ基、２−イソボルニルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基等の炭素数１〜１８のアルコキシル基があげられる。特にＲａ１１〜Ｒａ１４の好ましい組み合わせとしては、Ｒａ１１〜Ｒａ１４が全てメトキシ基、エトキシ基、又はシアノ基の場合であることが好ましい。
一般式［１５］【０１０７】
【化２２】
2007043484.tif 000041
【０１０８】
（式中、Ｚ２１は連結基であり、単結合、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、酸素原子、硫黄原子のいずれかを表す。Ｒａ２１〜Ｒａ２６は、それぞれ独立に、１価の芳香族炭化水素基を表す。）
Ｚ２１の連結基としては、単結合、ビニレン基、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、９，１０−フェナントリレン基、９，１０−アンスリレン基が好ましく、単結合、ビニレン基、ｐ−フェニレン基、１，４−ナフチレン基がさらに好ましい。また、Ｒａ２１〜Ｒａ２６としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基より選ばれる１価の芳香族炭化水素基が好ましい。
一般式［１６］【０１０９】
【化２３】
2007043484.tif 000042
【０１１０】
（式中、Ｚ３１は連結基であり、単結合、２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、酸素原子、硫黄原子のいずれかを表す。Ｒａ３１〜Ｒａ３６は、それぞれ独立に、１価の芳香族炭化水素基を表す。）
Ｚ３１の連結基としては、単結合、ビニレン基、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、９，１０−フェナントリレン基、９，１０−アンスリレン基が好ましく、単結合、ビニレン基、ｐ−フェニレン基、１，４−ナフチレン基がさらに好ましい。また、Ｒａ３１〜Ｒａ３６としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基より選ばれる１価の芳香族炭化水素基が好ましい。
一般式［１７］【０１１１】
【化２４】
2007043484.tif 000043
【０１１２】
（式中、Ｒａ４１〜Ｒａ４８は、それぞれ独立に、１価の芳香族炭化水素基を表す。）
Ｒａ４１〜Ｒａ４８としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基より選ばれる１価の芳香族炭化水素基が好ましい。
一般式［１８］【０１１３】
【化２５】
2007043484.tif 000044
【０１１４】
（式中、Ｒａ５１〜Ｒａ５６は、それぞれ独立に、１価の芳香族炭化水素基を表す。）
Ｒａ５１〜Ｒａ５６としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基より選ばれる１価の芳香族炭化水素基が好ましい。
一般式［１９］【０１１５】
【化２６】
2007043484.tif 000045
【０１１６】
（式中、Ｒａ６１〜Ｒａ６４は、それぞれ独立に、１価の芳香族炭化水素基を表し、ｐは１〜４の整数を表す。）
Ｒａ６１〜Ｒａ６４としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基より選ばれる１価の芳香族炭化水素基が好ましい。
以上述べた一般式［１４］〜［１９］で示した化合物は特に正孔注入材料として、好適に用いられる。以下の表１８〜表２１に特に好ましい例を示す。
本明細書においては、本発明の一般式［１４］〜［１９］で表される化合物を表記するときに、表１８〜表２１の各表の左側の欄に記載されている化合物の番号を使用する。【０１１７】
【表１８】
2007043484.tif 000046
【０１１８】
【表１９】
2007043484.tif 000047
【０１１９】
【表２０】
2007043484.tif 000048
【０１２０】
【表２１】
2007043484.tif 000049
【０１２１】
また、本発明の化合物（有機ＥＬ素子用材料）と共に用いることが出来る正孔輸送材料としては、下記の表２２〜表２８に示す公知の化合物もあげられる。
本明細書においては、表２２〜表２８に記載の化合物を表記するときに、表２２〜表２８の各表の左側の欄に記載されている化合物の番号を使用する。【０１２２】
【表２２】
2007043484.tif 000050
【０１２３】
【表２３】
2007043484.tif 000051
【０１２４】
【表２４】
2007043484.tif 000052
【０１２５】
【表２５】
2007043484.tif 000053
【０１２６】
【表２６】
2007043484.tif 000054
【０１２７】
【表２７】
2007043484.tif 000055
【０１２８】
【表２８】
2007043484.tif 000056
【０１２９】
この正孔注入層を形成するには、上述の化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化するが、正孔注入層の膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。【０１３０】
一方、電子注入層には、発光層に対して優れた電子注入効果を示し、かつ陰極界面との密着性と薄膜形成性に優れた電子注入層を形成できる電子注入材料が用いられる。そのような電子注入材料の例としては、金属錯体化合物、含窒素五員環誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ペリレンテトラカルボン酸誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、シロール誘導体、トリアリールホスフィンオキシド誘導体、カルシウムアセチルアセトナート、酢酸ナトリウムなどがあげられる。また、セシウム等の金属をバソフェナントロリンにドープした無機／有機複合材料（高分子学会予稿集，第５０巻，４号，６６０頁，２００１年発行）や、第５０回応用物理学関連連合講演会講演予稿集、Ｎｏ．３、１４０２頁、２００３年発行記載のＢＣＰ、ＴＰＰ、Ｔ５ＭＰｙＴＺ等も電子注入材料の例としてあげられるが、素子作成に必要な薄膜を形成し、陰極からの電子を注入できて、電子を輸送できる材料であれば、特にこれらに限定されるものではない。【０１３１】
上記電子注入材料の中でも特に効果的な電子注入材料としては、金属錯体化合物、含窒素五員環誘導体、シロール誘導体、トリアリールホスフィンオキシド誘導体があげられる。本発明に使用可能な好ましい金属錯体化合物としては、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体が好適である。８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（５−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（５−シアノ−８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）クロロアルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（ｏ−クレゾラート）アルミニウム等のアルミニウム錯体化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（５−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（２−メチル−５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）ガリウム、ビス（２、４−ジメチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）ガリウム、ビス（２、５−ジメチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム等のガリウム錯体化合物の他、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛等の金属錯体化合物があげられる。【０１３２】
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、好ましい含窒素五員環誘導体としては、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体があげられ、具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５  −フェニルオキサジアゾリル）。）ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔｅｒｔ−  ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）。）ベンゼン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル）］ベンゼン等があげられる。【０１３３】
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、特に好ましいオキサジアゾール誘導体としては下記一般式［２０］で表されるオキサジアゾール誘導体を示すことができる。
一般式［２０］【０１３４】
【化２７】
2007043484.tif 000057
【０１３５】
（式中、Ａｒｒ１およびＡｒｒ２は、それぞれ独立に、置換基を有しても良い、１価の芳香族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基を表す。）
一般式[２０]における１価の含窒素芳香族複素環基としては、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、３−ピリダジル基、４−ピリダジル基、２−ピリミジル基、４−ピリミジル基、５−ピリミジル基、２−ピラジル基、１−イミダゾリル基等の１価の含窒素単環芳香族複素環基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、２−キナゾリル基、４−キナゾリル基、５−キナゾリル基、２−キノキサリル基、５−キノキサリル基、６−キノキサリル基、１−インドリル基、９−カリバゾリル基等の１価の含窒素縮合環芳香族複素環基、２，２’−ビピリジル−３−イル基、２，２’−ビピリジル−４−イル基、３，３’−ビピリジル−２−イル基、３，３’−ビピリジル−４−イル基、４，４’−ビピリジル−２−イル基、４，４’−ビピリジル−３−イル基等の１価の含窒素環集合芳香族複素環基があげられ、さらに、これら１価の含窒素芳香族複素環基上の水素原子は、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の芳香族炭化水素基で置換されていても良い。
また、Ａｒｒ１及びＡｒｒ２として、好ましい１価の芳香族炭化水素基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基で置換されていても良い、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基があげられ、また好ましい１価の含窒素芳香族複素環基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の芳香族炭化水素基で置換されていても良い、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２，２’−ビピリジル−３−イル基、および２，２’−ビピリジル−４−イル基があげられる。
以下の表２９〜表３２に本発明に使用可能なオキサジアゾール誘導体の具体例を示す。
本明細書においては、本発明に使用可能なオキサジアゾール誘導体を表記するときに、表２９〜表３２の各表の左側の欄に記載されている化合物の番号を使用する。【０１３６】
【表２９】
2007043484.tif 000058
【０１３７】
【表３０】
2007043484.tif 000059
【０１３８】
【表３１】
2007043484.tif 000060
【０１３９】
【表３２】
2007043484.tif 000061
【０１４０】
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、特に好ましいトリアゾール誘導体としては、下記一般式［２１］で表されるトリアゾール誘導体があげられる。
一般式［２１］【０１４１】
【化２８】
2007043484.tif 000062
【０１４２】
（式中、Ａｒｔ１〜Ａｒｔ３は、それぞれ独立に、置換基を有しても良い、１価の芳香族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基を表す。）
ここで、Ａｒｔ１及びＡｒｔ２として、好ましい１価の芳香族炭化水素基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基で置換されていても良い、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基があげられ、また好ましい１価の含窒素芳香族複素環基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の芳香族炭化水素基で置換されていても良い、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２，２’−ビピリジル−３−イル基、および２，２’−ビピリジル−４−イル基があげられる。また、Ａｒｔ３として、好ましい１価の芳香族炭化水素基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基で置換されていても良い、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基があげられ、また好ましい１価の含窒素芳香族複素環基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の芳香族炭化水素基で置換されていても良い、２−ピリジル基、３−ピリジル基、および４−ピリジル基があげられる。
以下、表３３〜表３７に本発明に使用可能なトリアゾール誘導体の具体例を示す。
本明細書においては、本発明に使用可能なトリアゾール誘導体を表記するときに、表３３〜表３７の各表の左側の欄に記載されている化合物の番号を使用する。【０１４３】
【表３３】
2007043484.tif 000063
【０１４４】
【表３４】
2007043484.tif 000064
【０１４５】
【表３５】
2007043484.tif 000065
【０１４６】
【表３６】
2007043484.tif 000066
【０１４７】
【表３７】
2007043484.tif 000067
【０１４８】
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、特に好ましいシロール誘導体としては、  下記一般式［２２］で表されるシロール誘導体があげられる。
一般式［２２］【０１４９】
【化２９】
2007043484.tif 000068
【０１５０】
（式中、Ｒｐ１およびＲｐ２は、それぞれ独立に、置換基を有しても良い、１価の脂肪族炭化水素基、１価の芳香族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基を表す。Ａｒｐ１〜Ａｒｐ４は、それぞれ独立に、置換基を有しても良い、１価の芳香族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基を表す。Ｒｐ１、Ｒｐ２、Ａｒｐ１〜Ａｒｐ４の隣接した基同士は互いに連結して環を形成しても良い。）
ここで、Ｒｐ１及びＲｐ２として、好ましい１価の脂肪族炭化水素基としては、１価の芳香族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基で置換されていても良い、メチル基、エチル基、プロピル基、及びブチル基があげられ、好ましい１価の芳香族炭化水素基としては、１価の脂肪族炭化水素基、又は１価の含窒素芳香族複素環基で置換されていても良い、フェニル基、ｍ−ビフェニリル基、及びｐ−ビフェニリル基があげられ、好ましい１価の含窒素芳香族複素環基としては、１価の脂肪族炭化水素基、又は１価の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基があげられる。また、Ａｒｐ１〜Ａｒｐ４として、好ましい１価の芳香族炭化水素基としては、１価の脂肪族炭化水素基、又は１価の含窒素芳香族複素環基で置換されていてもよい、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、及びｐ−ビフェニリル基があげられ、また好ましい１価の含窒素芳香族複素環基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の芳香族炭化水素基で置換されていても良い、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２，２’−ビピリジル−３−イル基、および２，２’−ビピリジル−４−イル基があげられる。
以下、表３８〜表４２に本発明に使用可能なシロール誘導体の具体例を示す。
本明細書においては、本発明に使用可能なシロール誘導体を表記するときに、表３８〜表４２の各表の左側の欄に記載されている化合物の番号を使用する。【０１５１】
【表３８】
2007043484.tif 000069
【０１５２】
【表３９】
2007043484.tif 000070
【０１５３】
【表４０】
2007043484.tif 000071
【０１５４】
【表４１】
2007043484.tif 000072
【０１５５】
【表４２】
2007043484.tif 000073
【０１５６】
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、好ましいシロール誘導体としては、例えば、下記に示すシロール誘導体があげられる。【０１５７】
【化３０】
2007043484.tif 000074
【０１５８】
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、好ましいトリアリールホスフィンオキシド誘導体としては、特開２００２−６３９８９号公報、特開２００４−９５２２１号公報、特開２００４−２０３８２８号公報、特開２００４−２０４１４０号公報記載のトリアリールホスフィンオキシド誘導体や下記一般式［２３］で表されるトリアリールホスフィンオキシド誘導体を示すことができる。
一般式［２３］【０１５９】
【化３１】
2007043484.tif 000075
【０１６０】
（式中、Ａｒｑ１〜Ａｒｑ３は、それぞれ独立に、置換基を有しても良い１価の芳香族炭化水素基を表す。）
ここで、Ａｒｑ１〜Ａｒｑ３として、好ましい１価の芳香族炭化水素基としては、１価の脂肪族炭化水素基又は１価の含窒素芳香族複素環基で置換されていてもよい、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、及びｐ−ビフェニリル基があげられる。
以下、表４３〜表４７に本発明に使用可能なトリアリールホスフィンオキシド誘導体の具体例を示す。
本明細書においては、本発明に使用可能なトリアリールホスフィンオキシド誘導体を表記するときに、表４３〜表４７の各表の左側の欄に記載されている化合物の番号を使用する。【０１６１】
【表４３】
2007043484.tif 000076
【０１６２】
【表４４】
2007043484.tif 000077
【０１６３】
【表４５】
2007043484.tif 000078
【０１６４】
【表４６】
2007043484.tif 000079
【０１６５】
【表４７】
2007043484.tif 000080
【０１６６】
好ましいトリアリールホスフィンオキシド誘導体としては、例えば、下記に示すトリアリールホスフィンオキシド誘導体があげられる。【０１６７】
【化３２】
2007043484.tif 000081
【０１６８】
【化３３】
2007043484.tif 000082
【０１６９】
さらに、正孔阻止層には、発光層を経由した正孔が電子注入層に達するのを防ぎ、薄膜形成性に優れた層を形成できる正孔阻止材料が用いられる。そのような正孔阻止材料の例としては、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム等のアルミニウム錯体化合物や、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（４−フェニルフェノラート）ガリウム等のガリウム錯体化合物、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）等の含窒素縮合芳香族化合物があげられる。【０１７０】
本発明の有機ＥＬ素子の発光層としては、以下の機能を併せ持つものが好適である。
注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさには、違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
有機ＥＬ素子の発光材料は主に有機化合物であり、具体的には所望の色調により、次のような化合物が用いられる。【０１７１】
たとえば、紫外域から紫色の発光を得る場合には、下記の一般式［２４］で表される化合物が好適に用いられる。
一般式［２４］【０１７２】
【化３４】
2007043484.tif 000083
【０１７３】
（式中、Ｘ１は下記一般式［２５］で表される基を示し、Ｘ２は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基のいずれかを示す。）
一般式［２５］【０１７４】
【化３５】
2007043484.tif 000084
【０１７５】
（式中、ｍは２〜５の整数を示す）
この一般式［２４］のＸ１、Ｘ２で表されるフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、フェニレン基は、単数又は複数の炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシル基、水酸基、スルホニル基、カルボニル基、アミノ基、ジメチルアミノ基又はジフェニルアミノ基等の置換基で置換されていてもよい。また、これら置換基が複数ある場合には、それらが互いに結合し、環を形成していてもよい。さらに、Ｘ１で表されるフェニレン基は、パラ位で結合したものが、結合性が良く、かつ平滑な蒸着膜が形成し易いことから好ましい。上記一般式［２４］で表される化合物の具体例を示せば、下記のとおりである（ただし、Ｐｈはフェニル基を表す）。【０１７６】
【化３６】
2007043484.tif 000085
【０１７７】
【化３７】
2007043484.tif 000086
【０１７８】
これら化合物の中では、特にｐ−クォーターフェニル誘導体、ｐ−クインクフェニル誘導体が好ましい。
また、可視域、特に青色から緑色の発光を得るためには、例えばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物を用いることができる。これら化合物の具体例としては、例えば特開昭５９−１９４３９３号公報に開示されている化合物を挙げることができる。さらに他の有用な化合物は、ケミストリー・オブ・シンセティック・ダイズ（１９７１）６２８〜６３７頁及び６４０頁に列挙されている。
前記金属キレート化オキシノイド化合物としては、例えば、特開昭６３−２９５６９５号公報に開示されている化合物を用いることができる。その代表例としては、トリス（８−キノリノール）アルミニウム等の８−ヒドロキシキノリン系金属錯体や、ジリチウムエピントリジオン等が好適な化合物として挙げることができる。
また、前記スチリルベンゼン系化合物としては、例えば、欧州特許第０３１９８８１号明細書や欧州特許第０３７３５８２号明細書に開示されているものを用いることができる。そして、特開平２−２５２７９３号公報に開示されているジスチリルピラジン誘導体も、発光層の材料として用いることができる。このほか、欧州特許第０３８７７１５号明細書に開示されているポリフェニル系化合物も発光層の材料として用いることができる。【０１７９】
さらに、上述した蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物及びスチリルベンゼン系化合物等以外に、例えば１２−フタロペリノン（J. Appl. Phys.，第２７巻，Ｌ７１３（１９８８年））、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（以上Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，第５６巻，Ｌ７９９（１９９０年））、ナフタルイミド誘導体（特開平２−３０５８８６号公報）、ペリレン誘導体（特開平２−１８９８９０号公報）、オキサジアゾール誘導体（特開平２−２１６７９１号公報、又は第３８回応用物理学関係連合講演会で浜田らによって開示されたオキサジアゾール誘導体）、アルダジン誘導体（特開平２−２２０３９３号公報）、ピラジリン誘導体（特開平２−２２０３９４号公報）、シクロペンタジエン誘導体（特開平２−２８９６７５号公報）、ピロロピロール誘導体（特開平２−２９６８９１号公報）、スチリルアミン誘導体（Appl. Phys. Lett.，  第５６巻，Ｌ７９９（１９９０年）、クマリン系化合物（特開平２−１９１６９４号公報）、国際特許公報ＷＯ９０／１３１４８やAppl. Phys. Lett.，ｖｏｌ５８，１８，Ｐ１９８２（１９９１）に記載されているような高分子化合物、９，９■，１０，１０■−テトラフェニル−２，２■−ビアントラセン、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）誘導体、ポリフルオレン誘導体やそれら共重合体等、例えば、下記一般式［２６］〜一般式［２８］の構造をもつものや、
一般式［２６］【０１８０】
【化３８】
2007043484.tif 000087
【０１８１】
（式中、Ｒｘ１及びＲＸ２は、それぞれ独立に、１価の脂肪族炭化水素基を、ｎ１は、３〜１００の整数を表す。）
一般式［２７］【０１８２】
【化３９】
2007043484.tif 000088
【０１８３】
（式中、Ｒｘ３及びＲＸ４は、それぞれ独立に、１価の脂肪族炭化水素基を、ｎ２及びｎ３は、それぞれ独立に、３〜１００の整数を表す。）
一般式［２８］【０１８４】
【化４０】
2007043484.tif 000089
【０１８５】
（式中、ＲＸ５及びＲＸ６は、それぞれ独立に、１価の脂肪族炭化水素基を、ｎ４及びｎ５は、それぞれ独立に、３〜１００の整数を表す。Ｐｈはフェニル基を表す。）
９，１０−ビス（Ｎ−（４−（２−フェニルビニル−１−イル）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）アントラセン等も発光層の材料として用いることができる。さらには、特開平８−１２６００号公報に開示されているような下記一般式［２９］で示されるフェニルアントラセン誘導体も発光材料として用いることができる。
一般式［２９］
Ａ１−Ｌ−Ａ２                  ［２９］
（式中、Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、モノフェニルアントリル基又はジフェニルアントリル基を示し、これらは同一でも異なっていてもよい。Ｌは、単結合又は２価の連結基を表す。）
ここで、Ｌで示される２価の連結基としては、置換基を有しても良い２価の単環もしくは縮合環芳香族炭化水素基が好ましい。特に、以下の一般式［３０］又は一般式［３１］で表されるフェニルアントラセン誘導体が好適である。
一般式［３０］【０１８６】
【化４１】
2007043484.tif 000090
【０１８７】
（式中、ＲＺ１〜ＲＺ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、１価の芳香族炭化水素基、アルコキシル基、アリールオキシ基、ジアリールアミノ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。ｒ１〜ｒ４は、それぞれ独立に、０又は１〜５の整数を表す。ｒ１〜ｒ４が、それぞれ独立に、２以上の整数であるとき、ＲＺ１同士、ＲＺ２同士、ＲＺ３同士、ＲＺ４同士は各々同一でも異なるものであってもよく、ＲＺ１同士、ＲＺ２同士、ＲＺ３同士、ＲＺ４同士は結合して環を形成してもよい。Ｌ１は単結合又は置換基を有しても良い２価の単環もしくは縮合環芳香族炭化水素基を表し、置換基を有しても良い２価の単環もしくは縮合環芳香族炭化水素基は、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ−（ここでＲはアルキル基又はアリール基を表す）が介在するものであってもよい。）
一般式［３１］【０１８８】
【化４２】
2007043484.tif 000091
【０１８９】
（式中、ＲＺ５及びＲＺ６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、１価の芳香族炭化水素基、アルコキシル基、アリールオキシ基、ジアリールアミノ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。ｒ５及びｒ６は、それぞれ独立に、０又は１〜５の整数を表す。ｒ５及びｒ６が、それぞれ独立に、２以上の整数であるとき、ＲＺ５同士及びＲＺ６同士は各々同一でも異なるものであってもよく、ＲＺ５同士及びＲＺ６同士は結合して環を形成してもよい。Ｌ２は単結合又は置換基を有しても良い２価の単環もしくは縮合環芳香族炭化水素基を表し、置換基を有しても良い２価の単環もしくは縮合環芳香族炭化水素基は、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ−（ここでＲはアルキル基又はアリール基を表す）が介在するものであってもよい。）
前記一般式［３０］の内、下記の一般式［３２］又は一般式［３３］で表されるフェニルアントラセン誘導体がさらに好適である。
一般式［３２］【０１９０】
【化４３】
2007043484.tif 000092
【０１９１】
（式中、ＲＺ１１〜ＲＺ３０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、１価の芳香族炭化水素基、アルコキシル基、アリールオキシ基、ジアリールアミノ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。また、ＲＺ１１〜ＲＺ３０は、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。ｋ１は、０〜３の整数を表す。）
一般式［３３］【０１９２】
【化４４】
2007043484.tif 000093
【０１９３】
（式中、ＲＺ３１〜ＲＺ５０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、１価の芳香族炭化水素基、アルコキシル基、アリールオキシ基、ジアリールアミノ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。また、ＲＺ３１〜ＲＺ５０は、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。ｋ２は、０〜３の整数を表す。）
また、前記一般式［３１］の内、下記の一般式［３４］で表されるフェニルアントラセン誘導体はさらに好適である。
一般式［３４］【０１９４】
【化４５】
2007043484.tif 000094
【０１９５】
（式中、ＲＺ５１〜ＲＺ６０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、１価の芳香族炭化水素基、アルコキシル基、アリールオキシ基、ジアリールアミノ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。また、ＲＺ５１〜ＲＺ６０は、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。ｋ３は、０〜３の整数を表す。）
上記一般式［３２］〜一般式［３４］の具体例としては、例えば、下記の化合物などがあげられる。【０１９６】
【化４６】
2007043484.tif 000095
【０１９７】
さらには、以下の化合物も具体例として挙げられる。【０１９８】
【化４７】
2007043484.tif 000096
【０１９９】
また、下記一般式［３５］で示されるアミン化合物も発光材料として有用である。
一般式［３５］【０２００】
【化４８】
2007043484.tif 000097
【０２０１】
（式中、ｈは、価数であり１〜６の整数を表す。Ｅ１は、ｎ価の芳香族炭化水素基、Ｅ２は、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。）
ここで、Ｅ１で示されるｎ価の芳香族炭化水素基の母体構造としては、ナフタレン、アントラセン、９−フェニルアントラセン、９，１０−ジフェニルアントラセン、ナフタセン、ピレン、ペリレン、ビフェニル、ビナフチル、ビアンスリルが好ましく、Ｅ１で示されるアミノ基としては、ジアリールアミノ基が好ましい。また、ｎは、１〜４が好ましく、特に２であることが最も好ましい。一般式［３５］の内、特に以下の一般式［３６］〜一般式［４５］で表されるアミン化合物は好適である。
一般式［３６］【０２０２】
【化４９】
2007043484.tif 000098
【０２０３】
（式中、Ｒｙ１〜Ｒｙ８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、又は、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、若しくはアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒｙ１〜Ｒｙ８の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、又はアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒｙ１〜Ｒｙ８は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
一般式［３７］【０２０４】
【化５０】
2007043484.tif 000099
【０２０５】
（式中、Ｒｙ１１〜Ｒｙ２０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、又は、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、若しくはアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒｙ１１〜Ｒｙ２０の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、又はアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒｙ１１〜Ｒｙ２０は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
一般式［３８］【０２０６】
【化５１】
2007043484.tif 000100
【０２０７】
（式中、Ｒｙ２１〜Ｒｙ３４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、又は、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、若しくはアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒｙ２１〜Ｒｙ３４の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、又はアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒｙ２１〜Ｒｙ３４は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
一般式［３９］【０２０８】
【化５２】
2007043484.tif 000101
【０２０９】
（式中、Ｒｙ３５〜Ｒｙ５２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、又は、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、若しくはアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒｙ３５〜Ｒｙ５２の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、又はアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒｙ３５〜Ｒｙ５２は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
一般式［４０］【０２１０】
【化５３】
2007043484.tif 000102
【０２１１】
（式中、Ｒｙ５３〜Ｒｙ６４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、又は、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、若しくはアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒｙ５３〜Ｒｙ６４の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、又はアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒｙ５３〜Ｒｙ６４は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
一般式［４１］【０２１２】
【化５４】
2007043484.tif 000103
【０２１３】
（式中、Ｒｙ６５〜Ｒｙ７４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、又は、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、若しくはアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒｙ６５〜Ｒｙ７４の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、又はアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒｙ６５〜Ｒｙ７４は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
一般式［４２］【０２１４】
【化５５】
2007043484.tif 000104
【０２１５】
（式中、Ｒｙ７５〜Ｒｙ８６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、又は、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、若しくはアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒｙ７５〜Ｒｙ８６の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、又はアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒｙ７５〜Ｒｙ８６は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
一般式［４３］【０２１６】
【化５６】
2007043484.tif 000105
【０２１７】
（式中、Ｒｙ８７〜Ｒｙ９６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、又は、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、若しくはアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒｙ８７〜Ｒｙ９６の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、又はアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒｙ８７〜Ｒｙ９６は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
一般式［４４］【０２１８】
【化５７】
2007043484.tif 000106
【０２１９】
（式中、Ｒｙ９７〜Ｒｙ１１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、又は、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、若しくはアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒｙ９７〜Ｒｙ１１０の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、又はアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒｙ９７〜Ｒｙ１１０は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
一般式［４５］【０２２０】
【化５８】
2007043484.tif 000107
【０２２１】
（式中、Ｒｙ１１１〜Ｒｙ１２８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、又は、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、若しくはアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒｙ１１１〜Ｒｙ１２８の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、又はアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表す。Ｒｙ１１１〜Ｒｙ１２８は同一でも異なるもので良く、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
上述した一般式［４０］及び一般式［４２］のアミン化合物は、黄色〜赤色発光を得る場合、好適に用いることができる。以上述べた一般式［３５］〜一般式［４５］で表されるアミン化合物の具体例として下記の構造の化合物をあげることができる（ただし、Ｐｈはフェニル基を表す）。【０２２２】
【化５９】
2007043484.tif 000108
【０２２３】
【化６０】
2007043484.tif 000109
【０２２４】
【化６１】
2007043484.tif 000110
【０２２５】
【化６２】
2007043484.tif 000111
【０２２６】
【化６３】
2007043484.tif 000112
【０２２７】
また、上記一般式［３５］〜一般式［４５］において、アミノ基の代わりに、下記の一般式［４６］又は一般式［４７］で表されるスチリル基を少なくとも一つ含有する化合物（例えば、欧州特許第０３８８７６８号明細書、特開平３−２３１９７０号公報などに開示のものを含む）も発光材料として好適に用いることができる。
一般式［４６］【０２２８】
【化６４】
2007043484.tif 000113
【０２２９】
（式中、Ｒｙ１２９〜Ｒｙ１３１は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又は１価の芳香族炭化水素基を表す。Ｒｙ１２９〜Ｒｙ１３１は、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
一般式［４７］【０２３０】
【化６５】
2007043484.tif 000114
【０２３１】
（式中、Ｒｙ１３２〜Ｒｙ１３８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又は１価の芳香族炭化水素基を表す。Ｒｙ１３４〜Ｒｙ１３８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、１価の芳香族炭化水素基、又は、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、若しくはアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基を表すが、Ｒｙ１３４〜Ｒｙ１３８の内、少なくとも一つは、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、又はアルキルアリールアミノ基から選ばれるアミノ基である。Ｒｙ１３２〜Ｒｙ１３８は、隣り合う基同士が連結し、環を形成していても良い。）
以上述べた一般式［４６］又は一般式［４７］で表されるスチリル基を少なくとも一つ含有する化合物の具体例として下記構造の化合物をあげることができる（ただし、Ｐｈはフェニル基を表す）。【０２３２】
【化６６】
2007043484.tif 000115
【０２３３】
【化６７】
2007043484.tif 000116
【０２３４】
【化６８】
2007043484.tif 000117
【０２３５】
【化６９】
2007043484.tif 000118
【０２３６】
【化７０】
2007043484.tif 000119
【０２３７】
【化７１】
2007043484.tif 000120
【０２３８】
また、特開平５−２５８８６２号公報等に記載されている一般式、
（Ｒｓ−Ｑ）２−Ａｌ−Ｏ−Ｌ３
（式中、Ｌ３はフェニル部分を含んでなる炭素原子６〜２４個の炭化水素であり、Ｏ−Ｌ３はフェノラート配位子であり、Ｑは置換８−キノリノラート配位子を示し、Ｒｓはアルミニウム原子に置換８−キノリノラート配位子が２個を上回り結合するのを立体的に妨害するように選ばれた８−キノリノラート環置換基を示す〕で表される化合物も挙げられる。具体的には、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（パラ−フェニルフェノラート）アルミニウム（III）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム（III）等が挙げられる。
このほか、特開平６−９９５３号公報等によるドーピングを用いた高効率の青色と緑色の混合発光を得る方法が挙げられる。この場合、ホストとしては、上記の発光材料、ドーパントとしては青色から緑色までの強い蛍光色素、例えばクマリン系あるいは上記のホストとして用いられているものと同様な蛍光色素を挙げることができる。具体的には、ホストとしてジスチリルアリーレン骨格の発光材料、特に好ましくは４，４’−ビス（２，２−ジフエニルビニル）ビフェニル、ドーパントとしてはジフェニルアミノビニルアリーレン、特に好ましくは例えばＮ，Ｎ−ジフェニルアミノビニルベンゼンを挙げることができる。【０２３９】
白色の発光を得る発光層としては特に制限はないが、下記のものを用いることができる。
有機ＥＬ積層構造体の各層のエネルギー準位を規定し、トンネル注入を利用して発光させるもの（欧州特許第０３９０５５１号公報）。同じくトンネル注入を利用する素子で実施例として白色発光素子が記載されているもの（特開平３−２３０５８４号公報）。
二層構造の発光層が記載されているもの（特開平２−２２０３９０号公報及び特開平２−２１６７９０号公報）。発光層を複数に分割してそれぞれ発光波長の異なる材料で構成されたもの（特開平４−５１４９１号公報）。青色発光体（蛍光ピーク３８０〜４８０ｎｍ）と緑色発光体（４８０〜５８０ｎｍ）とを積層させ、さらに赤色蛍光体を含有させた構成のもの（特開平６−２０７１７０号公報）。青色発光層が青色蛍光色素を含有し、緑色発光層が赤色蛍光色素を含有した領域を有し、さらに緑色蛍光体を含有する構成のもの（特開平７−１４２１６９号公報）。
これらの中では、上記の構成のものが特に好ましい。【０２４０】
さらに、発光材料として、例えば、下記に示す公知の化合物が好適に用いられる（ただし、Ｐｈはフェニル基を表す）。【０２４１】
【化７２】
2007043484.tif 000121
【０２４２】
【化７３】
2007043484.tif 000122
【０２４３】
【化７４】
2007043484.tif 000123
【０２４４】
【化７５】
2007043484.tif 000124
【０２４５】
【化７６】
2007043484.tif 000125
【０２４６】
【化７７】
2007043484.tif 000126
【０２４７】
【化７８】
2007043484.tif 000127
【０２４８】
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子では、リン光発光材料を用いることができる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に使用できるリン光発光材料又はドーピング材料としては、例えば有機金属錯体があげられ、ここで金属原子は通常、遷移金属であり、好ましくは周期では第５周期又は第６周期、族では６族から１１族、さらに好ましくは８族から１０族の元素が対象となる。具体的にはイリジウムや白金などである。また、配位子としては２−フェニルピリジンや２−（２’―ベンゾチエニル）ピリジンなどがあり、これらの配位子上の炭素原子が金属と直接結合しているのが特徴である。別の例としてはポルフィリン又はテトラアザポルフィリン環錯体などがあり、中心金属としては白金などがあげられる。例えば、下記に示す公知の化合物がリン光発光材料として好適に用いられる（ただし、Ｐｈはフェニル基を表す）。【０２４９】
【化７９】
2007043484.tif 000128
【０２５０】
【化８０】
2007043484.tif 000129
【０２５１】
さらに、本発明の有機ＥＬ素子の陽極に使用される材料は、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物又はこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性材料が挙げられる。この陽極を形成するには、これらの電極物質を、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることができる。この陽極は、上記発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくなるような特性を有していることが望ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下としてあるものが好ましい。さらに、陽極の膜厚は、材料にもよるが通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。【０２５２】
また、本発明の有機ＥＬ素子の陰極に使用される材料は、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。ここで、発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、さらに、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。【０２５３】
本発明の有機ＥＬ素子を作製する方法については、上記の材料及び方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、及び必要に応じて電子注入層を形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。【０２５４】
この有機ＥＬ素子は、透光性の基板上に作製する。この透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、その透光性については、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上、好ましくは９０％以上であるものが望ましく、さらに平滑な基板を用いるのが好ましい。【０２５５】
これら基板は、機械的、熱的強度を有し、透明であれば特に限定されるものではないが、例えば、ガラス板、合成樹脂板などが好適に用いられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などで成形された板が挙げられる。また、合成樹脂板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルサルファイド樹脂、ポリサルフォン樹脂などの板が挙げられる。【０２５６】
本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成方法としては、真空蒸着、電子線ビーム照射、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法、もしくはスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれかの方法を適用することができる。有機層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。また特開昭５７−５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、有機層を形成することができる。各層の膜厚は特に限定されるものではないが、膜厚が厚すぎると一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要となり効率が悪くなり、逆に膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生し、電界を印加しても充分な発光輝度が得にくくなる。したがって、各層の膜厚は、１ｎｍから１μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍから０．２μｍの範囲がより好ましい。【０２５７】
また、有機ＥＬ素子の温度、湿度、雰囲気等に対する安定性向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、樹脂等により素子全体を被覆や封止を施したりしても良い。特に素子全体を被覆や封止する際には、光によって硬化する光硬化性樹脂が好適に使用される。【０２５８】
本発明の有機ＥＬ素子に印加する電流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いてもよい。電流値、電圧値は、素子破壊しない範囲内であれば特に制限はないが、素子の消費電力や寿命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率良く発光させることが望ましい。【０２５９】
本発明の有機ＥＬ素子の駆動方法は、パッシブマトリクス法のみならず、アクティブマトリックス法での駆動も可能である。また、本発明の有機ＥＬ素子から光を取り出す方法としては、陽極側から光を取り出すボトム・エミッションという方法のみならず、陰極側から光を取り出すトップ・エミッションという方法にも適用可能である。これらの方法や技術は、城戸淳二著、「有機ＥＬのすべて」、日本実業出版社（２００３年発行）に記載されている。【０２６０】
さらに、本発明の有機ＥＬ素子は、マイクロキャビティ構造を採用しても構わない。これは、有機ＥＬ素子は、発光層が陽極と陰極との間に挟持された構造であり、発光した光は陽極と陰極との間で多重干渉を生じるが、陽極及び陰極の反射率、透過率などの光学的な特性と、これらに挟持された有機層の膜厚とを適当に選ぶことにより、多重干渉効果を積極的に利用し、素子より取り出される発光波長を制御するという技術である。これにより、発光色度を改善することも可能となる。この多重干渉効果のメカニズムについては、J.Yamada等によるAM-LCD Digest of Technical Papers，ＯＤ−２，ｐ．７７〜８０（２００２）に記載されている。【０２６１】
以上述べたように、本発明のカルバゾール含有アミン化合物を用いた有機ＥＬ素子は、低い駆動電圧で長時間の発光を得ることが可能である。故に、本有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや各種の平面発光体として、さらには、複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等への応用が考えられる。
【図面の簡単な説明】
【０２６２】
【図１】図１は、化合物（２）のマススペクトルのチャートである。
【図２】図２は、化合物（２）の１Ｈ−ＮＭＲのチャートである。（ＴＨＦ‐ｄ８中）
【図３】図３は、化合物（２）の１３Ｃ−ＮＭＲのチャートである。（ＴＨＦ‐ｄ８中）
【図４】図４は、化合物（２２）のマススペクトルのチャートである。
【図５】図５は、化合物（２２）の１ＨＮＭＲのチャートである。（ＴＨＦ‐ｄ８中）
【図６】図６は、化合物（２２）の１３ＣＮＭＲのチャートである。（ＴＨＦ‐ｄ８中）
【図７】図７は、化合物（３９）のマススペクトルのチャートである。
【図８】図８は、化合物（３９）の１ＨＮＭＲのチャートである。（ＴＨＦ‐ｄ８中）
【図９】図９は、化合物（４５）のマススペクトルのチャートである。
【図１０】図１０は、化合物（４５）の１ＨＮＭＲのチャートである。（ＴＨＦ‐ｄ８中）
【図１１】図１１は、９−（１−ナフチル）−３−ブロモカルバゾールのマススペクトルのチャートである。
【図１２】図１２は、９−（１−ナフチル）−３−ブロモカルバゾールの１ＨＮＭＲのチャートである。（クロロホルム‐ｄ中）
【実施例】
【０２６３】
以下、本発明を実施例で説明するが、本発明はこれらの実施例になんら限定されるものではない。
実施例において、化合物の同定には、特に断りのない限りマススペクトル（ブルカーダルトニクス社製、ＡｕｔｏｆｌｅｘII）、１Ｈ‐ＮＭＲ、１３Ｃ‐ＮＭＲ（日本電子社製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）を使用した。また、化合物のガラス転移温度（Ｔｇ）はセイコーインスツルメンツ社製ＤＳＣ６２００示差走査熱量計を用いて測定した。
また、以下の実施例においては、特に断りのない限り、混合比は全て重量比を示す。蒸着（真空蒸着）は１０−６Ｔｏｒｒの真空中で、基板加熱、冷却等の温度制御なしの条件下で行った。また、素子の発光特性評価においては、電極面積２ｍｍ×２ｍｍの有機ＥＬ素子の特性を測定した。【０２６４】
実施例１
化合物（２）の合成方法
次に示す合成スキームにより化合物（２）（スキーム中の（iii））を製造した。【０２６５】
【化８１】
2007043484.tif 000130
【０２６６】
窒素雰囲気下、Ｎ，Ｎ’‐ジフェニル‐フェニレンジアミン（i）３．９ｇ（１５ｍｍｏｌ）、３‐ブロモ−９−フェニルカルバゾール（ii）１０．５ｇ（３３ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．１ｇ、トリ‐ｔｅｒｔ‐ブチルホスフィン０．１５ｇ、及び炭酸カリウム３．４ｇを３００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン２００ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノール１Ｌ中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（iii）（＝化合物（２））が１０．４ｇ（収率９５％）で得られた。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物（２）のガラス転移温度は１３５℃（示差走査熱量計、セイコーインスツルメンツ社製）であった。
化合物のマススペクトル（ブルカーダルトニクス社製、ＡｕｔｏｆｌｅｘII）を図１に示す。
計算値：７４２．３１（Ｍ＋）、
実測値：７４２．３１３
１Ｈ‐ＮＭＲ、１３Ｃ‐ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ‐２７０Ｗ）を図２〜３に示した。【０２６７】
実施例２
化合物（２２）の合成方法
次に示す合成スキームにより化合物（２）（スキーム中の（ｖ））を製造した。【０２６８】
【化８２】
2007043484.tif 000131
【０２６９】
前記の実施例１における化合物（２）の合成例でＮ，Ｎ’‐ジフェニル‐フェニレンジアミン（ｉ）のかわりに、４，４’−ジフェニルベンジジン（iv）を使用した以外は、化合物（２）の合成方法と同様の操作をして、（ｖ）（＝化合物（２２））を粗生成物として得た（粗生成物の収率９７％）。得られた粗成生物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物のガラス転移温度は１４８℃（示差走査熱量計、セイコーインスツルメンツ社製）であった。
化合物のマススペクトル（ブルカーダルトニクス社製、ＡｕｔｏｆｌｅｘII）を図４に示す。
計算値：８１８．３４（Ｍ＋）、
実測値：８１８．３０５
１Ｈ‐ＮＭＲ、１３Ｃ‐ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ‐２７０Ｗ）を図５〜６に示した。【０２７０】
なお、化合物（２）及び、（２２）の合成に使用した３‐ブロモ−９−フェニルカルバゾール（ii）は、工業化学雑誌，１９６７年発行，７０巻，６３頁を参考にして、カルバゾールの３位を臭素化し、ついで銅触媒を用いたウルマン法によりヨードベンゼンを反応させて合成したものを用いた。【０２７１】
実施例３
化合物（３９）の製造（製造方法Ａによる化合物（３９）の製造）
（１）９−ビフェニリルカルバゾールの製造
カルバゾール１６．７ｇ、４−ヨードビフェニル３６．４ｇ、ヨウ化第一銅１．９ｇ、無水炭酸カリウム１３８ｇ、１８−クラウン−６  ０．５３ｇ、及び１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−（１Ｈ）−ピリミジノン５００ｍＬを混合し、窒素雰囲気下、１７０℃で８時間反応させた。反応生成物を濾過し、濾液に濃アンモニア水１０ｍＬを添加した後、ジエチルエーテル３００ｍＬで抽出し、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／酢酸エチル）を用いて精製して、９−ビフェニリルカルバゾール２７．５ｇを得た。【０２７２】
（２）９−ビフェニリル−３−ヨードカルバゾールの製造
得られた９−ビフェニリルカルバゾール１６．０ｇに８０％酢酸水溶液５００ｍＬを添加した後、ヨウ素６．７９ｇ、オルト過ヨウ素酸１．６７ｇを加え、窒素雰囲気下、８０℃で２時間反応させた。反応生成物をジエチルエーテル２５０ｍＬで抽出し、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／酢酸エチル）を用いて精製して、９−ビフェニリル−３−ヨードカルバゾール１８．５ｇを得た。【０２７３】
（３）９−ビフェニリル−３−（Ｎ−フェニル）アミノカルバゾールの製造
９−ビフェニリル−３−ヨードカルバゾール１３．３ｇとアニリン３．０８ｇ、無水炭酸カリウム４．５６ｇ、銅粉０．３８１ｇ、ニトロベンゼン５０ｍＬを混合し、窒素雰囲気下、１９０〜２００℃で８時間反応させた。反応生成物をトルエン２００ｍＬで抽出し、不溶分を濾別除去後、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／酢酸エチル）を用いて精製して、９−ビフェニリル−３−（Ｎ−フェニル）アミノカルバゾール８．３３ｇを得た。【０２７４】
（４）化合物（３９）の製造
９−ビフェニリル−３−（Ｎ−フェニル）アミノカルバゾール８．２１ｇと４，４’−ジヨードビフェニル４．０６ｇ、無水炭酸カリウム１．５２ｇ、銅粉０．１２７ｇ、ニトロベンゼン３０ｍＬを混合し、窒素雰囲気下、１９０〜２００℃で１６時間反応させた。反応生成物をトルエン１００ｍＬで抽出し、不溶分を濾別除去後、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン）を用いて精製して、化合物（３９）４．９５ｇを得た。化合物（３９）の構造は、マススペクトル、１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲによって確認した。この化合物（３９）のマススペクトルはｍ／ｚ＝９７０．４００（理論値＝９７０．４０４）を示し、ガラス転移温度は１６８℃であった。図７にマススペクトルのチャートを、図８に１Ｈ−ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。【０２７５】
実施例４
化合物（３９）の製造（製造方法Ｂによる化合物（３９）の製造）
実施例３の（２）に記載の方法で製造した９−ビフェニリル−３−ヨードカルバゾール８．９１ｇとＮ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン３．３６ｇ、無水炭酸カリウム１．５２ｇ、銅粉０．１２７ｇ、ニトロベンゼン３０ｍＬを混合し、窒素雰囲気下、１９０〜２００℃で１６時間反応させた。反応生成物をトルエン１００ｍＬで抽出し、不溶分を濾別除去後、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン）を用いて精製して、化合物（３９）４．５２ｇを得た。ここに得られた化合物（３９）の構造は、マススペクトル、１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲにより、実施例３で製造した化合物（３９）と同一であることを確認した。【０２７６】
実施例５
化合物（４６）の製造（製造方法Ａによる化合物（４６）の製造）
（１）９−（２−ナフチル）カルバゾールの製造
カルバゾール１６．７ｇ、２−ヨードナフタレン２５．４ｇ、ヨウ化第一銅１．９ｇ、無水炭酸カリウム１３８ｇ、１８−クラウン−６  ０．５３ｇ、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−（１Ｈ）−ピリミジノン５００ｍＬを混合し、窒素雰囲気下、１７０℃で１０時間反応させた。反応生成物を濾過し、濾液に濃アンモニア水１０ｍＬを添加した後、ジエチルエーテル３００ｍＬで抽出し、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／酢酸エチル）を用いて精製して、９−（２−ナフチル）カルバゾール２５．５ｇを得た。【０２７７】
（２）９−（２−ナフチル）−３−ヨードカルバゾールの製造
９−（２−ナフチル）カルバゾール１４．７ｇに８０％酢酸水溶液５００ｍＬを添加した後、ヨウ素６．７９ｇ、オルト過ヨウ素酸１．６７ｇを加え、窒素雰囲気下、８０℃で２時間反応させた。反応生成物をジエチルエーテル２５０ｍＬで抽出し、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／酢酸エチル）を用いて精製して、９−（２−ナフチル）−３−ヨードカルバゾール１６．４ｇを得た。【０２７８】
（３）９−（２−ナフチル）−３−（Ｎ−フェニル）アミノカルバゾールの製造
９−（２−ナフチル）−３−ヨードカルバゾール１２．６ｇとアニリン３．０８ｇ、無水炭酸カリウム４．５６ｇ、銅粉０．３８１ｇ、ニトロベンゼン５０ｍＬを混合し、窒素雰囲気下、１９０〜２００℃で１０時間反応させた。反応生成物をトルエン２００ｍＬで抽出し、不溶分を濾別除去後、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン／酢酸エチル）を用いて精製して、９−（２−ナフチル）−３−（Ｎ−フェニル）アミノカルバゾール７．８５ｇを得た。【０２７９】
（４）化合物（４６）の製造
９−（２−ナフチル）−３−（Ｎ−フェニル）アミノカルバゾール７．６９ｇと４，４’−ジヨードビフェニル４．０６ｇ、無水炭酸カリウム１．５２ｇ、銅粉０．１２７ｇ、ニトロベンゼン３０ｍＬを混合し、窒素雰囲気下、１９０〜２００℃で２０時間反応させた。反応生成物をトルエン１００ｍＬで抽出し、不溶分を濾別除去後、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン）を用いて精製して、化合物（４６）４．８２ｇを得た。化合物（４６）の構造は、マススペクトル、１Ｈ‐ＮＭＲ、１３Ｃ‐ＮＭＲによって確認した。この化合物（４６）のマススペクトルはｍ／ｚ＝９１８．３６９（理論値＝９１８．３７２）を示し、ガラス転移温度は１７２℃であった。【０２８０】
実施例６
化合物（４６）の製造（製造方法Ｂによる化合物（４６）の製造）
実施例５の（２）に記載の方法で製造した９−（２−ナフチル）−３−ヨードカルバゾール８．３９ｇとＮ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン３．３６ｇ、無水炭酸カリウム１．５２ｇ、銅粉０．１２７ｇ、ニトロベンゼン３０ｍＬを混合し、窒素雰囲気下、１９０〜２００℃で２０時間反応させた。反応生成物をトルエン１００ｍＬで抽出し、不溶分を濾別除去後、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：トルエン）を用いて精製して、化合物（４６）４．３１ｇを得た。ここに得られた化合物（４６）の構造は、マススペクトル、１Ｈ‐ＮＭＲ、１３Ｃ‐ＮＭＲにより、実施例５で製造した化合物（４６）と同一であることを確認した。【０２８１】
実施例７
化合物（４０）の製造
実施例５又は実施例６に記載の方法に準拠して、前記した製造方法Ｄの方法により、化合物（４０）を製造した。
化合物（４０）のマススペクトル：
計算値：８２０．３３１、
実測値：８２０．３３４（Ｍ＋）
【０２８２】
実施例８
化合物（４５）の製造
実施例５又は実施例６に記載の方法に準拠して、前記した製造方法Ｂの方法により、化合物（４５）を製造した。
化合物（４５）のマススペクトル：
計算値：９１８．３７２、
実測値：９１８．３７０（Ｍ＋）
図９に化合物（４５）のマススペクトルのチャートを、図１０に化合物（４５）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルのチャートを示す。【０２８３】
実施例９〜３９
実施例５又は実施例６に記載の方法に準拠して、化合物（４７）〜化合物（７７）を製造した。各々の化合物はマススペクトル、１Ｈ‐ＮＭＲ、１３Ｃ‐ＮＭＲによって構造を確認した。表４８中に、各化合物の製造方法とそれによって製造した化合物のマススペクトルの実測値を示した。【０２８４】
【表４８】
2007043484.tif 000132
【０２８５】
実施例４０〜実施例７０
上述した製造方法に準拠して、化合物（７８）〜化合物（１０８）を製造した。各々の化合物はマススペクトル、１Ｈ‐ＮＭＲ、１３Ｃ‐ＮＭＲによって構造を確認した。表４９中に、各化合物の製造方法とそれによって製造した化合物のマススペクトルの実測値を示した。【０２８６】
【表４９】
2007043484.tif 000133
【０２８７】
実施例７１〜実施例１２６
上述した製造方法に準拠して、化合物（１０９）〜化合物（１６４）を製造した。各々の化合物はマススペクトル、１Ｈ‐ＮＭＲ、１３Ｃ‐ＮＭＲによって構造を確認した。表５０〜表５１中に、各化合物の製造方法とそれによって製造した化合物のマススペクトルの実測値を示した。【０２８８】
【表５０】
2007043484.tif 000134
【０２８９】
【表５１】
2007043484.tif 000135
【０２９０】
以下は、本発明のカルバゾール含有アミン化合物を製造するための原料であるカルバゾール誘導体の合成方法について説明する。尚、カルバゾール誘導体の同定には、特に断りのない限りマススペクトル（ブルカーダルトニクス社製、ＡｕｔｏｆｌｅｘＩＩ）、１Ｈ‐ＮＭＲ、１３Ｃ‐ＮＭＲ（日本電子社製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）を使用した。【０２９１】
実施例１２７
次式で表される９−（２−ナフチル）−３−ブロモカルバゾールの製造【０２９２】
【化８３】
2007043484.tif 000136
【０２９３】
実施例５の（１）に記載の方法で製造した９−（２−ナフチル）カルバゾール１４．７ｇに、氷酢酸６００ｍＬを加えて完全に溶解させた後、Ｎ−ブロモこはく酸イミド８．９０ｇを加えて、室温にて１６時間撹拌して反応させた。反応生成物を水１Ｌに投入して析出した生成物を、ジエチルエーテル２５０ｍＬで抽出し、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル）を用いて精製して、９−（２−ナフチル）−３−ブロモカルバゾール１６．４ｇを得た。マススペクトル実測値：Ｍ＋＝３７１．０２９（理論値：Ｍ＋＝３７１．０３１）。【０２９４】
実施例１２８
次式で表される９−（２−ナフチル）−３−クロロカルバゾールの製造【０２９５】
【化８４】
2007043484.tif 000137
【０２９６】
実施例５の（１）に記載の方法で合成した９−（２−ナフチル）カルバゾール１４．７ｇに、氷酢酸６００ｍＬを加えて完全に溶解させた後、Ｎ−クロロこはく酸イミド６．６８ｇを加えて、室温にて１６時間撹拌して反応させた。反応生成物を水１Ｌに投入して析出した生成物を、ジエチルエーテル２５０ｍＬで抽出し、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル）を用いて精製して、９−（２−ナフチル）−３−クロロカルバゾール１３．９ｇを得た。マススペクトル実測値：Ｍ＋＝３２７．０７９（理論値：Ｍ＋＝３２７．０８１）。【０２９７】
実施例１２９
次式で表される９−（１−ナフチル）−３−ヨードカルバゾールの製造【０２９８】
【化８５】
2007043484.tif 000138
【０２９９】
T. Ahn, H. K. Shim, Macromol. Chem. Phys.，２０２巻，３１８０頁（２００１年）に記載の方法を参考にして、まず９−（１−ナフチル）カルバゾールを合成した。カルバゾール１６．７ｇ、１−ブロモナフタレン２２．４ｇ、銅粉１．０２ｇ、無水炭酸カリウム１３．９ｇ、ニトロベンゼン２５０ｍＬを混合し、窒素雰囲気下、１０時間環流して反応させた。水蒸気蒸留にてニトロベンゼンと未反応の１−ブロモナフタレンを除去し、残査を乾燥した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル）を用いて精製して、９−（１−ナフチル）カルバゾール２２．３ｇを得た。融点：１２４〜１２５℃。
次いで、９−（１−ナフチル）カルバゾール１４．７ｇに、８０％酢酸水溶液５００ｍＬを添加した後、ヨウ素６．７９ｇ、オルト過ヨウ素酸１．６７ｇを加え、窒素雰囲気下、８０℃で２時間反応させた。反応生成物をジエチルエーテル２５０ｍＬで抽出し、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル）を用いて精製して、９−（１−ナフチル）−３−ヨードカルバゾール１５．７ｇを得た。マススペクトル実測値：Ｍ＋＝４１９．０１２（理論値：Ｍ＋＝４１９．０１７）。【０３００】
実施例１３０
次式で表される９−（１−ナフチル）−３−ブロモカルバゾールの製造【０３０１】
【化８６】
2007043484.tif 000139
【０３０２】
実施例１２９に記載の方法で合成した９−（２−ナフチル）カルバゾール１４．７ｇに、氷酢酸６００ｍＬを加えて完全に溶解させた後、Ｎ−ブロモこはく酸イミド８．９０ｇを加えて、室温にて１６時間撹拌して反応させた。反応生成物を水１Ｌに投入して析出した生成物を、ジエチルエーテル２５０ｍＬで抽出し、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル）を用いて精製して、９−（１−ナフチル）−３−ブロモカルバゾール１６．４ｇを得た。図１１にAgilent Technologies社５９７３Ｎ  Mass Selective Detectorにて測定したマススペクトルを示す（実測値：Ｍ＋＝３７１、理論値：Ｍ＋＝３７１）。図１２にクロロホルム‐ｄ中で測定した１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。【０３０３】
実施例１３１
次式で表される９−（１−ナフチル）−３−クロロカルバゾールの製造【０３０４】
【化８７】
2007043484.tif 000140
【０３０５】
実施例１２９に記載の方法で合成した９−（２−ナフチル）カルバゾール１４．７ｇに、氷酢酸６００ｍＬを加えて完全に溶解させた後、Ｎ−クロロこはく酸イミド６．６８ｇを加えて、室温にて１６時間撹拌して反応させた。反応生成物を水１Ｌに投入して析出した生成物を、ジエチルエーテル２５０ｍＬで抽出し、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル）を用いて精製して、９−（１−ナフチル）−３−ブロモカルバゾール１３．９ｇを得た。マススペクトル実測値：Ｍ＋＝３２７．０７９（理論値：Ｍ＋＝３２７．０８１）。【０３０６】
実施例１３２
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１）を真空蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、Ｎ，Ｎ’―（１―ナフチル）―Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―１，１’―ビフェニル−４，４’―ジアミン（ＮＰＤ）を真空蒸着して２０ｎｍの正孔輸送層を得た。さらに、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体を真空蒸着して膜厚６０ｎｍの電子注入型発光層を作成し、その上に、まずフッ化リチウムを１ｎｍ、次いでアルミニウムを２００ｎｍ蒸着して電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。【０３０７】
実施例１３３
正孔注入層を化合物（１）のかわりに化合物（２２）を用いた以外は、実施例１３２と同様の有機ＥＬ素子を作成した。【０３０８】
実施例１３４
正孔注入層を化合物（１）のかわりに化合物（２８）を用いた以外は、実施例１３２と同様の有機ＥＬ素子を作成した。【０３０９】
実施例１３５
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、銅フタロシアニンを蒸着して膜厚２５ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、化合物（３９）と以下に示す化合物（Ａ）とを１００：８の組成比で共蒸着して膜厚４５ｎｍの発光層を形成した。さらにいかに示す化合物（Ｂ）を蒸着して膜厚２０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。この素子は、直流電圧１０Ｖでの外部量子効率は６．２％を示した。また、発光輝度２００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３１０】
【化８８】
2007043484.tif 000141
【０３１１】
実施例１３６
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、以下に示す化合物（Ｃ）を蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を形成した後、化合物（３３）を蒸着して膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。次に、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚６０ｎｍの電子注入性発光層を形成し、その上に、フッ化リチウムを１ｎｍ、さらにアルミニウムを２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。この素子の直流電圧５Ｖでの発光効率は１．８（ｌｍ／Ｗ）であった。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３１２】
【化８９】
2007043484.tif 000142
【０３１３】
実施例１３７
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、ＮＰＤを真空蒸着して膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、化合物（１７）と次に示す化合物（Ｄ）を９８：３の比率で共蒸着して、膜厚４０ｎｍの発光層を作成し、次いでＡｌｑ３を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を作成した。その上に、フッ化リチウムを０．７ｎｍ、次いでアルミニウムを２００ｎｍ真空蒸着することで電極を形成して、有機燐光発光素子を得た。この素子は、直流電圧５Ｖでの発光輝度３６０（ｃｄ／ｍ２）、最大発光輝度８７６００（ｃｄ／ｍ２）の発光が得られた。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は４５００時間であった。【０３１４】
【化９０】
2007043484.tif 000143
【０３１５】
比較例１
正孔注入層を化合物（１）のかわりに以下の化合物（Ｅ）を用いた以外は、実施例１３２と同様の有機ＥＬ素子を作成した。【０３１６】
【化９１】
2007043484.tif 000144
【０３１７】
比較例２
正孔注入層を化合物（１）のかわりに以下の化合物（Ｆ）を用いた以外は、実施例１３２と同様の有機ＥＬ素子を作成した。【０３１８】
【化９２】
2007043484.tif 000145
【０３１９】
実施例１３２〜１３４、並びに比較例１及び２の素子を室温及び１００℃の環境で、１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で一定時間連続して発光させ輝度を測定した。結果を表５２に示す。【０３２０】
【表５２】
2007043484.tif 000146
【０３２１】
表５２から明らかなように、本発明の化合物はいずれも、化合物（Ｅ）、（Ｆ）のＴｇより高く、それらを用いて作成した素子も、比較例よりも初期電圧が低く、長寿命で高い輝度が得られていることが明らかとなった。【０３２２】
実施例１３８
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（４６）を真空蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、表２４中のＨＴＭ９を真空蒸着して２０ｎｍの正孔輸送層を得た。さらに、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体を真空蒸着して膜厚６０ｎｍの電子注入型発光層を作成し、その上に、まずフッ化リチウムを１ｎｍ、次いでアルミニウムを２００ｎｍ蒸着して電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。この素子を発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命を測定した。また、１５０℃の環境で、１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で１００時間連続して発光させ輝度を測定した。結果を表５３に示す。【０３２３】
実施例１３９〜実施例２５９
化合物（４６）の代わりに表５３〜表５９に示す化合物を用いて正孔注入層を作成した以外は実施例１３８と同様の素子を作成した。この素子を発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命を測定した。また、１５０℃の環境で１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で１００時間連続して発光させ輝度を測定した。結果を、実施例１３８並びに後述する比較例３及び４と併せて表５３〜表５９に示す。【０３２４】
比較例３及び比較例４
化合物（４６）の代わりに前記した公知の化合物（Ｅ）（比較例３）又は化合物（Ｆ）（比較例４）を用いて正孔注入層を作成した以外は実施例１３８と同様の素子を作成した。この素子を発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命を測定した。また、１５０℃の環境で、１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で１００時間連続して発光させ輝度を測定した。これらの結果をまとめて表５３〜表５９に示す。【０３２５】
【表５３】
2007043484.tif 000147
【０３２６】
【表５４】
2007043484.tif 000148
【０３２７】
【表５５】
2007043484.tif 000149
【０３２８】
【表５６】
2007043484.tif 000150
【０３２９】
【表５７】
2007043484.tif 000151
【０３３０】
【表５８】
2007043484.tif 000152
【０３３１】
【表５９】
2007043484.tif 000153
【０３３２】
表５３〜表５９に記載した結果から明らかなように、本発明の化合物はいずれも、化合物（Ｅ）及び化合物（Ｆ）のＴｇよりも高く、それらを用いて作成した素子は、比較例よりも半減寿命が長く、高い輝度が得られた。【０３３３】
実施例２６０
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、銅フタロシアニンを蒸着して膜厚２５ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、化合物（４７）と前記した化合物（Ａ）とを１００：８の組成比で共蒸着して膜厚４５ｎｍの発光層を形成した。さらに前記した化合物（Ｂ）を蒸着して膜厚２０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子は、直流電圧１０Ｖでの外部量子効率は８．０％を示した。また、発光輝度２４０（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３３４】
実施例２６１〜実施例２８４
実施例２６０において化合物（４７）のかわりに、表１〜表１７中の化合物（４８）、化合物（４９）、化合物（５０）、化合物（５２）、化合物（５４）、化合物（５７）、化合物（６１）、化合物（６２）、化合物（６４）、化合物（６５）、化合物（６９）、化合物（７６）、化合物（８１）、化合物（８４）、化合物（８８）、化合物（９１）、化合物（９４）、化合物（９５）、化合物（９６）、化合物（１０１）、化合物（１０９）、化合物（１１２）、化合物（１１７）、化合物（１１９）を、それぞれ用いた以外は、実施例２６０と同様に、各々素子を作成した。これらの素子の直流電圧１０Ｖでの外部量子効率は、いずれも８％以上を示し、また、発光輝度２４０（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３３５】
実施例２８５
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、銅フタロシアニンを蒸着して膜厚２５ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、化合物（１２２）と前記した化合物（Ａ）とを１００：８の組成比で共蒸着して膜厚４５ｎｍの発光層を形成した。さらに前記した化合物（Ｂ）を蒸着して膜厚２０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子は、直流電圧１０Ｖでの外部量子効率は７．８％を示した。また、発光輝度２００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３３６】
実施例２８６〜２９６
実施例２８５において化合物（１２２）のかわりに、表１〜表１７中の化合物（１２３）、化合物（１２４）、化合物（１２５）、化合物（１２７）、化合物（１２９）、化合物（１３２）、化合物（１３６）、化合物（１３７）、化合物（１３９）、化合物（１４５）、化合物（１５２）を、それぞれ用いた以外は、実施例２８５と同様に、各々素子を作成した。これらの素子の直流電圧１０Ｖでの外部量子効率は、いずれも７％以上を示し、また、発光輝度２２０（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３３７】
実施例２９７
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、表２１中の化合物ＨＩＭ１６を蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を形成した後、化合物（５４）を蒸着して膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。次に、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚６０ｎｍの電子注入性発光層を形成し、その上に、フッ化リチウムを１ｎｍ、さらにアルミニウムを２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子の直流電圧５Ｖでの発光効率は２．４（ｌｍ／Ｗ）であった。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３３８】
実施例２９８〜３０２
ＨＩＭ１６の代わりに、表１８〜表１９中のＨＩＭ２、ＨＩＭ３、ＨＩＭ４、ＨＩＭ５、ＨＩＭ９を用いた以外は、実施例２９７と同様に素子を作成した。これらの素子を発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命はすべて５０００時間以上であった。【０３３９】
実施例３０３〜３２８
実施例２９７において化合物（５４）のかわりに、表１〜表１７中の化合物（４５）、化合物（４６）、化合物（４８）、化合物（４９）、化合物（５０）、化合物（５６）、化合物（５８）、化合物（５９）、化合物（６０）、化合物（６２）、化合物（６３）、化合物（６７）、化合物（７０）、化合物（７２）、化合物（７４）、化合物（７８）、化合物（８０）、化合物（８２）、化合物（８５）、化合物（８９）、化合物（９２）、化合物（９３）、化合物（９７）、化合物（１０２）、化合物（１０４）、化合物（１０７）を、それぞれ用いた以外は、実施例２９７と同様に素子を作成した。これらの素子を発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、いずれも全て５０００時間以上であった。【０３４０】
実施例３２９
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、表２１中の化合物ＨＩＭ１６を蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を形成した後、表１〜表１７中の化合物（１２９）を蒸着して膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。次に、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚６０ｎｍの電子注入性発光層を形成し、その上に、フッ化リチウムを１ｎｍ、さらにアルミニウムを２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子の直流電圧５Ｖでの発光効率は２．２（ｌｍ／Ｗ）であった。また、発光輝度４５０（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３４１】
実施例３３０〜３３４
ＨＩＭ１６の代わりに、表１８〜表１９中のＨＩＭ２、ＨＩＭ３、ＨＩＭ４、ＨＩＭ５、ＨＩＭ９を用いた以外は、実施例３２９と同様に素子を作成した。これらの素子を発光輝度４５０（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命はすべて５０００時間以上であった。【０３４２】
実施例３３５〜３４４
実施例３２９において化合物（１２９）のかわりに、表１〜表１７中の化合物（３９）、化合物（１２３）、化合物（１２４）、化合物（１２５）、化合物（１３１）、化合物（１３３）、化合物（１３４）、化合物（１３５）、化合物（１３７）、化合物（１３８）を、それぞれ用いた以外は、実施例３２９と同様に素子を作成した。これらの素子を発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、いずれも全て５０００時間以上であった。【０３４３】
実施例３４５
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、ＨＩＭ４を真空蒸着して膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、化合物（５１）と前記した化合物（Ｄ）を９８：２の比率で共蒸着して、膜厚４０ｎｍの発光層を作成し、次いでＡｌｑ３を真空蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成した。その上に、フッ化リチウムを０．５ｎｍ、次いでアルミニウムを２００ｎｍ真空蒸着することで電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧５Ｖでの発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）、最大発光輝度９６５００（ｃｄ／ｍ２）の発光が得られた。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３４４】
実施例３４６〜３６７
実施例３４５において化合物（５１）の代わりに、表１〜表１７中の化合物（４５）、化合物（４６）、化合物（５３）、化合物（５５）、化合物（６５）、化合物（６６）、化合物（６７）、化合物（６８）、化合物（７０）、化合物（７１）、化合物（７３）、化合物（９０）、化合物（９８）、化合物（１００）、化合物（１０３）、化合物（１１０）、化合物（１１１）、化合物（１１３）、化合物（１１４）、化合物（１１８）、化合物（１２０）、化合物（１２１）を、それぞれを用いた以外は、実施例３４５と同様に素子を作成した。これらの素子を発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命はすべて５０００時間以上であった。【０３４５】
実施例３６８
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、ＨＩＭ４を真空蒸着して膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、化合物（１２６）と前記した化合物（Ｄ）を９８：２の比率で共蒸着して、膜厚４０ｎｍの発光層を作成し、次いでＡｌｑ３を真空蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成した。その上に、フッ化リチウムを０．５ｎｍ、次いでアルミニウムを２００ｎｍ真空蒸着することで電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧５Ｖでの発光輝度４８０（ｃｄ／ｍ２）、最大発光輝度９２１００（ｃｄ／ｍ２）の発光が得られた。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３４６】
実施例３６９〜３７８
実施例３６８において化合物（１２６）の代わりに、表１〜表１７中の化合物（３９）、化合物（１２８）、化合物（１３０）、化合物（１４０）、化合物（１４１）、化合物（１４２）、化合物（１４３）、化合物（１４４）、化合物（１４６）、化合物（１４７）を、それぞれ用いた以外は、実施例３６８と同様に素子を作成した。これらの素子を発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命はすべて５０００時間以上であった。【０３４７】
実施例３７９
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、ＨＩＭ９を蒸着して膜厚５０ｎｍの正孔注入層を形成した後、化合物（４６）を２０ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに化合物ＥＸ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウムを１ｎｍ、さらにアルミニウムを１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子は、直流電圧５．０Ｖでの発光輝度は８５０（ｃｄ／ｍ２）を示した。また、素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、５０００時間以上であった。【０３４８】
実施例３８０〜３９２
実施例３７９において化合物ＥＸ３の代わりに、電子注入層として化合物ＥＸ４、化合物ＥＸ５、化合物ＥＸ７、化合物ＥＸ９、化合物ＥＸ１０、化合物ＥＸ１２〜化合物ＥＸ１５、化合物ＥＸ１７〜化合物ＥＸ２０を用いて、実施例３７９と同じ条件で素子を作成した。素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ２）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は５００（ｃｄ／ｍ２）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３４９】
実施例３９３〜４０８
実施例３７９において化合物（４６）のかわりに、表１〜表１７中の化合物（４０）、化合物（４５）、化合物（７２）、化合物（７３）、化合物（７４）、化合物（７５）、化合物（７７）、化合物（７８）、化合物（７９）、化合物（８０）、化合物（８１）、化合物（８２）、化合物（９９）、化合物（１０８）、化合物（１１５）、化合物（１１６）を、それぞれ用いた以外は、実施例３７９と同じ条件で素子を作成した。素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ２）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は５００（ｃｄ／ｍ２）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３５０】
実施例４０９
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、ＨＩＭ９を蒸着して膜厚５０ｎｍの正孔注入層を形成した後、化合物（３９）を２０ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに化合物ＥＸ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウムを１ｎｍ、さらにアルミニウムを１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子は、直流電圧５．０Ｖでの発光輝度は７５０（ｃｄ／ｍ２）を示した。また、素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、５０００時間以上であった。【０３５１】
実施例４１０〜４２２
実施例４０９において化合物ＥＸ３の代わりに、電子注入層として化合物ＥＸ４、化合物ＥＸ５、化合物ＥＸ７、化合物ＥＸ９、化合物ＥＸ１０、化合物ＥＸ１２〜化合物ＥＸ１５、化合物ＥＸ１７〜化合物ＥＸ２０を用いて、実施例４０９と同じ条件で素子を作成した。素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ２）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は４００（ｃｄ／ｍ２）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３５２】
実施例４２３〜４３３
実施例４０９において化合物（３９）の代わりに、表１〜表１７中の化合物（１４８）、化合物（２１４）、化合物（１５０）、化合物（１５１）、化合物（１５３）、化合物（１５４）、化合物（１５５）、化合物（１５６）、化合物（１５７）、化合物（１５８）、化合物（１６３）を、それぞれ用いた以外は、実施例４０９と同じ条件で素子を作成した。素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ２）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は４００（ｃｄ／ｍ２）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３５３】
実施例４３４
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物ＨＩＭ１０を蒸着して膜厚５５ｎｍの正孔注入層を形成した後、化合物（８３）を２０ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに化合物ＥＴ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウムを１ｎｍ、さらにアルミニウムを１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子は、この素子は、直流電圧５Ｖでの発光輝度は８５０（ｃｄ／ｍ２）を示した。また、素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、いずれの素子も５０００時間以上であった。【０３５４】
実施例４３５〜実施例４４７
実施例４３４において化合物ＥＴ３の代わりに、電子注入層として化合物ＥＴ４、化合物ＥＴ５、化合物ＥＴ７、化合物ＥＴ９、化合物ＥＴ１０、化合物ＥＴ１２〜化合物ＥＴ１４、化合物ＥＴ１６〜化合物ＥＴ２０を用いて、実施例４３４と同じ条件で素子を作成した。素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ２）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は５００（ｃｄ／ｍ２）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３５５】
実施例４４８
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物ＨＩＭ１０を蒸着して膜厚５５ｎｍの正孔注入層を形成した後、化合物（１５９）を２０ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに化合物ＥＴ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウムを１ｎｍ、さらにアルミニウムを１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子は、この素子は、直流電圧５Ｖでの発光輝度は７７０（ｃｄ／ｍ２）を示した。また、素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、いずれの素子も５０００時間以上であった。【０３５６】
実施例４４９〜４６１
実施例４４８において化合物ＥＴ３の代わりに、電子注入層として化合物ＥＴ４、化合物ＥＴ５、化合物ＥＴ７、化合物ＥＴ９、化合物ＥＴ１０、化合物ＥＴ１２〜化合物ＥＴ１４、化合物ＥＴ１６〜化合物ＥＴ２０を用いて、実施例４４８と同じ条件で素子を作成した。素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ２）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は４００（ｃｄ／ｍ２）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３５７】
実施例４６２
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物ＨＩＭ１１を蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を形成した後、化合物（８４）を１５ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに化合物ＥＳ５を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウムを１ｎｍ、さらにアルミニウムを１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子は、この素子は、直流電圧５．０Ｖでの発光効率は３．５（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、いずれの素子も５０００時間以上であった。【０３５８】
実施例４６３
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物ＨＩＭ１１を蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を形成した後、化合物（１６０）を１５ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに化合物ＥＳ５を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウムを１ｎｍ、さらにアルミニウムを１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子は、この素子は、直流電圧５．０Ｖでの発光効率は３．０（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、いずれの素子も５０００時間以上であった。【０３５９】
実施例４６４
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（７３）を１，２−ジクロロエタンに溶解させ、スピンコーティング法により膜厚５０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入性発光層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して素子を得た。この素子の直流電圧８．０Ｖでの発光効率は３．０（ｌｍ／Ｗ）であった。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３６０】
実施例４６５
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１４９）を１，２−ジクロロエタンに溶解させ、スピンコーティング法により膜厚５０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入性発光層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して素子を得た。この素子の直流電圧８．０Ｖでの発光効率は２．５（ｌｍ／Ｗ）であった。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３６１】
実施例４６６
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（４０）を蒸着して膜厚３５ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、以下に示す化合物（Ｇ）とＡｌｑ３を１：５０の組成比で共蒸着して膜厚４０ｎｍの発光層を形成した。さらに、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧５．０Ｖでの発光効率は０．７５（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３６２】
【化９３】
2007043484.tif 000154
【０３６３】
実施例４６７
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１６１）を蒸着して膜厚３５ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、前記した化合物（Ｇ）とＡｌｑ３を１：５０の組成比で共蒸着して膜厚４０ｎｍの発光層を形成した。さらに、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧５．０Ｖでの発光効率は０．６５（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３６４】
実施例４６８
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（８５）と化合物（８６）とを１：１の組成比で共蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、以下に示す化合物（Ｈ）を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧５．０Ｖでの発光効率は３．０（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３６５】
【化９４】
2007043484.tif 000155
【０３６６】
実施例４６９
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１６２）と化合物（１６３）とを１：１の組成比で共蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、前記した化合物（Ｈ）を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧５．２Ｖでの発光効率は２．５（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３６７】
実施例４７０
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（８７）を蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、以下に示す化合物（Ｉ）と以下に示す化合物（Ｊ）とを２０：１の組成比で共蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧５．０Ｖでの発光効率は６．０（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３６８】
【化９５】
2007043484.tif 000156
【０３６９】
実施例４７１
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１６４）を蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、前記した化合物（Ｉ）と前記した化合物（Ｊ）とを２０：１の組成比で共蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧６．０Ｖでの発光効率は５．８（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３７０】
実施例４７２
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（６１）を蒸着して膜厚４５ｎｍの正孔注入層を形成した。次に以下に示す化合物（Ｋ）と以下に示す化合物（Ｌ）とを２０：１の組成比で共蒸着して膜厚４０ｎｍの発光層を形成した。さらに、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧４．０Ｖでの発光効率は３．５（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３７１】
【化９６】
2007043484.tif 000157
【０３７２】
実施例４７３
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１３６）を蒸着して膜厚４５ｎｍの正孔注入層を形成した。次に前記した化合物（Ｋ）と前記した化合物（Ｌ）とを２０：１の組成比で共蒸着して膜厚４０ｎｍの発光層を形成した。さらに、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧４．０Ｖでの発光効率は３．０（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３７３】
実施例４７４
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（５４）を蒸着して膜厚７０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、以下に示す化合物（Ｍ）とＡｌｑ３とを１：１の組成比で共蒸着して膜厚４５ｎｍの電子輸送性発光層を形成した。さらに、その上に、マグネシウムと銀を１：３で混合した合金で膜厚２００ｎｍの電極を形成して素子を得た。この素子の直流電圧７．０での発光効率は２．０（ｌｍ／Ｗ）であった。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３７４】
【化９７】
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【０３７５】
実施例４７５
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（１２９）を蒸着して膜厚７０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、前記した化合物（Ｍ）とＡｌｑ３とを１：１の組成比で共蒸着して膜厚４５ｎｍの電子輸送性発光層を形成した。さらに、その上に、マグネシウムと銀を１：３で混合した合金で膜厚２００ｎｍの電極を形成して素子を得た。この素子の直流電圧７．５での発光効率は１．５（ｌｍ／Ｗ）であった。また、発光輝度４００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３７６】
実施例４７６
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１９）を蒸着して膜厚５０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、化合物（Ｋ）と以下に示す化合物（Ｎ）とを１００：１の組成比で共蒸着して膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。さらに、ＢＣＰを蒸着して膜厚２５ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、リチウム（Ｌｉ）を０．５ｎｍ、さらに銀を１５０ｎｍ蒸着して素子を得た。この素子は、直流電圧８．０Ｖでの発光効率は１．５（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３７７】
【化９８】
2007043484.tif 000159
【０３７８】
実施例４７７
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１３９）を蒸着して膜厚５０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、前記した化合物（Ｋ）と前記した化合物（Ｎ）とを１００：１の組成比で共蒸着して膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。さらに、ＢＣＰを蒸着して膜厚２５ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、リチウム（Ｌｉ）を０．５ｎｍ、さらに銀を１５０ｎｍ蒸着して素子を得た。この素子は、直流電圧９．０Ｖでの発光効率は１．２（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３７９】
実施例４７８
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（７６）を蒸着して膜厚４０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、以下に示す化合物（Ｏ）を１０ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。さらに以下に示す化合物（Ｐ）と以下に示す化合物（Ｑ）とを１：９の組成比で共蒸着して膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。さらにＢＣＰを蒸着して１５ｎｍの正孔阻止層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２５ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧８Ｖでの外部量子効率は８．０％を示した。また、発光輝度２００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３８０】
【化９９】
2007043484.tif 000160
【０３８１】
実施例４７９
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（１５２）を蒸着して膜厚４０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、前記した化合物（Ｏ）を１０ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。さらに前記した化合物（Ｐ）と前記した化合物（Ｑ）とを１：９の組成比で共蒸着して膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。さらにＢＣＰを蒸着して１５ｎｍの正孔阻止層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２５ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧１０Ｖでの外部量子効率は７．５％を示した。また、発光輝度１００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３８２】
実施例４８０
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（５５）を６０ｎｍ蒸着して正孔注入層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。以下に示す化合物（Ｒ）を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して素子を得た。この素子は、この素子は、直流電圧４．０Ｖでの発光効率は３．３（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３８３】
【化１００】
2007043484.tif 000161
【０３８４】
実施例４８１〜４８６
実施例４８０において電子注入層として化合物（Ｒ）の代わりに、ＥＳ１１、ＥＰ２〜４、ＥＰ１０、ＥＰ２２を用いた以外は実施例４８０と同じ条件で実験を行った。素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、実施例４８０と同様に素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ２）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は５００（ｃｄ／ｍ２）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３８５】
実施例４８７
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（１３０）を６０ｎｍ蒸着して正孔注入層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。前記した化合物（Ｒ）を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して素子を得た。この素子は、この素子は、直流電圧４．０Ｖでの発光効率は２．７（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３８６】
実施例４８８〜４９３
実施例４８７において電子注入層として化合物（Ｒ）の代わりに、ＥＳ１１、ＥＰ２〜４、ＥＰ１０、ＥＰ２２を用いた以外は実施例４８７と同じ条件で実験を行った。素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、実施例４８７と同様に素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ２）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は４００（ｃｄ／ｍ２）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３８７】
実施例４９４
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（４６）を蒸着して膜厚３５ｎｍの正孔注入層を形成した。さらに、ＨＴＭ９を蒸着して膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。次に以下に示す化合物（Ｓ）と以下に示す化合物（Ｔ）とを５０：１の組成比で共蒸着して膜厚３５ｎｍの発光層を形成した。さらに、以下に示す化合物（Ｕ）を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧３．５Ｖでの発光効率は５．０（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３８８】
【化１０１】
2007043484.tif 000162
【０３８９】
実施例４９５〜５１１
実施例４９４において化合物（４９）の代わりに、化合物（５０）、化合物（５４）、化合物（５８）、化合物（６１）、化合物（６４）、化合物（７６）、化合物（８０）、化合物（８４）、化合物（８８）、化合物（９１）、化合物（９５）、化合物（９７）、化合物（１０１）、化合物（１０４）、化合物（１０９）、化合物（１１４）、化合物（１１９）を、それぞれ用いた以外は、実施例４９４と同じ条件で素子を作成した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ２）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は５００（ｃｄ／ｍ２）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３９０】
実施例５１２
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（３９）を蒸着して膜厚３５ｎｍの正孔注入層を形成した。さらに、ＨＴＭ９を蒸着して膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。前記した化合物（Ｓ）と前記した化合物（Ｔ）とを５０：１の組成比で共蒸着して膜厚３５ｎｍの発光層を形成した。さらに、前記した化合物（Ｕ）を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧３．５Ｖでの発光効率は４．５（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３９１】
実施例５１３〜５１９
実施例５１２において化合物（３９）の代わりに、化合物（１２５）、化合物（１２９）、化合物（１３３）、化合物（１３６）、化合物（１３９）、化合物（１５２）、化合物（１５６）を、それぞれ用いた以外は、実施例５１２と同じ条件で素子を作成した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ２）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は４５０（ｃｄ／ｍ２）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。【０３９２】
以上のように、本発明で示された化合物を用いることにより、高い性能のＥＬ素子が作成できた。比較化合物に対して格段に高い性能が発揮されることは明らかであり、有機ＥＬ素子の低駆動電圧化、長寿命化が達成できた。【０３９３】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として有用な新規なカルバゾール含有アミン化合物を提供するものであり、本発明の態様を示せば、以下のとおりとなる。
（１）  次の一般式［１］【０３９４】
【化１０２】
2007043484.tif 000163
【０３９５】
（式中、Ａは、次の一般式［２］【０３９６】
【化１０３】
2007043484.tif 000164
【０３９７】
（式中、Ｒ１〜Ｒ５のうちの一つは結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表す。）
で表されるフェニレン基、又は、次の一般式［３］【０３９８】
【化１０４】
2007043484.tif 000165
【０３９９】
（式中、Ｒ６〜Ｒ１０のうちの一つと、Ｒ１１〜Ｒ１５のうちの一つは、結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。）
で表されるビフェニレン基を表し、Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の複素環基、又は、次の一般式［４］【０４００】
【化１０５】
2007043484.tif 000166
【０４０１】
（式中、Ａｒ５は置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表し、Ｒ１６〜Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表す。）
で表されるカルバゾリル基を表す。ただし、Ａｒ１〜Ａｒ４のうち少なくともひとつは一般式［４］で表されるカルバゾリル基である。）
で表されるカルバゾール含有アミン化合物。
（２）  一般式［１］におけるＡが、次の一般式［５］、【０４０２】
【化１０６】
2007043484.tif 000167
【０４０３】
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。）
又は、次の一般式［６］【０４０４】
【化１０７】
2007043484.tif 000168
【０４０５】
（式中、Ｒ６〜Ｒ１０のうちの一つは結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表し、Ｒ１２〜Ｒ１５はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。）
で表される２価の基である前記（１）に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
（３）  一般式［１］におけるＡが、次の一般式［１３］、【０４０６】
【化１０８】
2007043484.tif 000169
【０４０７】
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、及びＲ１２〜Ｒ１５は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。）
で表される４，４’−ビフェニレン基である前記（１）又は（２）に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
（４）  一般式［１］におけるＡｒ１〜Ａｒ４のうちの２個以上が次の一般式［４］【０４０８】
【化１０９】
2007043484.tif 000170
【０４０９】
（式中、Ａｒ５は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表し、Ｒ１６〜Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表す。）
で表されるカルバゾリル基である前記（１）〜（３）のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
（５）  一般式［１］におけるＡｒ１〜Ａｒ４のうちのＡｒ１及びＡｒ２が、一般式［４］で表されるカルバゾリル基である前記（４）に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
（６）  一般式［１］におけるＡｒ１〜Ａｒ４のうちのＡｒ１及びＡｒ２が、一般式［４］で表されるカルバゾリル基であり、Ａｒ３及びＡｒ４が、それぞれ独立して置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基である前記（５）に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
（７）  一般式［４］で表されるカルバゾリル基の少なくともひとつが、次の一般式［７］、【０４１０】
【化１１０】
2007043484.tif 000171
【０４１１】
（式中、Ａｒ５は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表す。）
で表されるカルバゾリル基である前記（１）〜（６）のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
（８）  一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基である前記（１）〜（７）のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
（９）  一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、次の一般式［８］、【０４１２】
【化１１１】
2007043484.tif 000172
【０４１３】
（式中、Ｒ２３は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の一価の芳香族炭化水素基、又は、置換基を有してもよい炭素数２〜５の一価の複素環基を表す。）
で表される基である前記（８）に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
（１０）  一般式［８］におけるＲ２３が、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の一価の芳香族炭化水素基である前記（９）に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
（１１）  一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、次の一般式［９］、【０４１４】
【化１１２】
2007043484.tif 000173
【０４１５】
（式中、Ｒ３３は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜４のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。）
で表される置換基を有してもよいビフェニル基である前記（１０）に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
（１２）  一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、置換基を有してもよいナフチル基である前記（１）〜（７）のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
（１３）  一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、次の一般式［１０］、【０４１６】
【化１１３】
2007043484.tif 000174
【０４１７】
（式中、Ｒ２３は前記した一般式［８］のＲ２３と同じものを表し、Ｒ２４〜Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜４のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。）
で表される置換基を有してもよいナフチル基である前記（１２）に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
（１４）  一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、次の一般式［１１］、【０４１８】
【化１１４】
2007043484.tif 000175
【０４１９】
（式中、Ｒ２８〜Ｒ３２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜４のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。）
で表される置換基を有してもよいナフチル基である前記（１２）に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
（１５）  一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、置換基を有してもよい１−アンスリル基、置換基を有してもよい２−アンスリル基、置換基を有してもよい９−アンスリル基、又は置換基を有してもよい９−フェナントリル基である前記（１）〜（７）のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
（１６）  ガラス転移温度（Ｔｇ）が、１３０℃以上である前記（１）〜（１５）のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
（１７）  前記（１）〜（１５）のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
（１８）  一対の電極間に発光層又は発光層を含む複数層の有機層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも一層が、前記（１７）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
（１９）  正孔注入層及び／又は正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔注入層及び／又は正孔輸送層が、前記（１７）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
（２０）  次の一般式［１２］、【０４２０】
【化１１５】
2007043484.tif 000176
【０４２１】
（式中、Ａｒ５は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表し、Ｒ１６〜Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表し、Ｘは、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子から選ばれるハロゲン原子を表す。）
で表されるカルバゾール誘導体。
（２１）  一般式［１２］におけるＡｒ５が、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基であり、Ｒ１６〜Ｒ２２が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８のシクロアルキル基、炭素数６〜１８の単環式、縮合環式、若しくは多環式芳香族炭化水素基、炭素数１〜８のアルコキシル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、又は炭素数２〜１６の炭化水素基で置換された置換アミノ基である前記（２０）に記載のカルバゾール誘導体。
（２２）  一般式［１２］におけるＡｒ５が、炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基である前記（２０）又は（２１）に記載のカルバゾール誘導体。
（２３）  一般式［１２］におけるＲ１６〜Ｒ２２が、水素原子である前記（２０）〜（２２）のいずれかに記載のカルバゾール誘導体。
【産業上の利用可能性】
【０４２２】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子用材料として有用な新規なカルバゾール含有アミン化合物、並びに当該カルバゾール含有アミン化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子などを提供するものであり、化学産業のみならず電気産業、日用品産業などにも有用であり、産業上の利用可能性を有している。
【図１】
2007043484.tif 000193
【図２】
2007043484.tif 000194
【図３】
2007043484.tif 000195
【図４】
2007043484.tif 000196
【図５】
2007043484.tif 000197
【図６】
2007043484.tif 000198
【図７】
2007043484.tif 000199
【図８】
2007043484.tif 000200
【図９】
2007043484.tif 000201
【図１０】
2007043484.tif 000202
【図１１】
2007043484.tif 000203
【図１２】
2007043484.tif 000204
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月3日(2007.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
次の一般式［１２］、
【化１２９】
2007043484.tif 000205
（式中、Ａｒ５は、ビフェニリル基、置換基を有してもよいナフチル基若しくはフェナンスリル基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素換基を表し、
Ｒ１６〜Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表し、
Ｘは、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子から選ばれるハロゲン原子を表す。）で表されるカルバゾール誘導体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
一般式［１２］におけるＡｒ５が、ビフェニリル基、又は置換基を有してもよいナフチル基若しくはフェナンスリル基であり、Ｒ１６〜Ｒ２２が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数４〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８のシクロアルキル基、炭素数６〜１８の単環式、縮合環式、若しくは多環式芳香族炭化水素基、炭素数１〜８のアルコキシル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、又は炭素数２〜１６の炭化水素基で置換された置換アミノ基である請求項２０に記載のカルバゾール誘導体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
一般式［１２］におけるＡｒ５が、ビフェニル基、ナフチル基、又はフェナンスリル基である請求項２０又は２１に記載のカルバゾール誘導体。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
［技術分野］
［０００１］
本発明は新規なカルバゾール含有アミン化合物に関し、さらに詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下有機ＥＬ素子と略記）に用いた場合、分子の結晶性が低く、かつ、ガラス転移温度（Ｔｇ）が高いため、優れた性能（低電圧駆動、長寿命、高安定性）を有するカルバゾール含有アミン化合物に関する。
［背景技術］
［０００２］
従来、カルバゾール誘導体は各種機能材料、電子材料への応用が検討されてきた。カルバゾール骨格が、正孔輸送性の性質を有すること、耐熱性の高い構造であることを利用して、例えば、電子写真感光体の電荷輸送材料や有機ＥＬ素子用材料等への応用が検討されている。代表的なものとしては、ポリビニルカルバーゾール（ＰＶＫ）や、Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾリル−４，４’−ビフェニル（ＣＢＰ）は有機ＥＬ素子用材料として広く検討されている（非特許文献１，２参照）。通常高温環境下で有機ＥＬ素子を駆動させたり、保管したりすると、発光色の変化、発光効率の低下、駆動電圧の上昇、発光寿命の短時間化等の悪影響が生じる。これを防ぐためには材料のガラス転移温度（Ｔｇ）を高くする必要がある。ＰＶＫやＣＢＰのようなカルバゾール類はＴｇが比較的高く、耐熱性を有しているものの、対称性の高い構造故、真空蒸着や、スピンコーティングなどで薄膜を形成した際に、膜の安定性が低く、容易に結晶化してしまい、素子の寿命が極端に短いという問題点を有していた。
［０００３］
このような状況の中、Ｎ−エチルカルバゾールの３位をアミノ基で置換したジアミン化合物が開示されている（非特許文献３，４，特許文献１参照）。これらのジアミン化合物は、正孔注入材料、正孔輸送材料として適正なＩｐを有していることと、カルバゾール環の非対称性によって非結晶性となっているため、高い膜安定性を有しているが、一方でＴｇがそれほど高くなく、耐熱性に劣りＥＬ素子として十分な寿命特性が得られなかった。
［０００４］
非特許文献１：Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，２００１年発行，７８巻，２７８頁
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
で表されることを特徴とする上記カルバゾール含有アミン化合物に関する。
［００３０］
また、本発明は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が、１３０℃以上である上記カルバゾール含有アミン化合物に関する。
また、本発明は、上記カルバゾール含有アミン化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に関する。
また、本発明は、一対の電極間に有機層又は発光層を含む複数層の有機層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも一層が、上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
また、本発明は、正孔注入層及び／又は正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔注入層及び／又は正孔輸送層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
［００３１］
さらに、本発明は、前記一般式［１］で表されるカルバゾール含有アミン化合物を製造するための原料である下記一般式［１２］
［００３２］
［化１２］
2007043484.tif 000206
［００３３］
（式中、Ａｒ５は前記した一般式［４］のＡｒ５と上記と同じであり、Ｒ１６〜Ｒ２２は前記した一般式［４］のＲ１６〜Ｒ２２と上記と同じであり、Ｘは、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子から選ばれるハロゲン原子を表す。）
で表されるカルバゾール誘導体に関する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
素基としては、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，４−キシリル基、ｐ−クメニル基、メシチル基等の炭素数６〜１８の１価の単環芳香族炭化水素基があげられる。
また、１価の縮合環炭化水素基としては、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アンスリル基、２−アンスリル基、５−アンスリル基、１−フェナンスリル基、９−フェナンスリル基、１−アセナフテニル基、２−アズレニル基、１−ピレニル基、２−トリフェニレニル基等の炭素数１０〜１８の１価の縮合環炭化水素基があげられる。
また、１価の環集合炭化水素基としては、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、ｐ−ビフェニリル基等の炭素数１２〜１８の１価の環集合炭化水素基があげられる。
［００４１］
また、１価の脂肪族複素環基としては、２−ピラゾリノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、２−モルホリニル基といった、異種原子として１〜３個の窒素原子、酸素原子、及び／又は硫黄原子を有する、３〜８員、好ましくは５〜７員の炭素数３〜１８の１価の脂肪族複素環基があげられる。
また、１価の芳香族複素環基としては、トリアゾリル基、３−オキサジアゾリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−ピラジニル基、２−オキサゾリル基、３−イソオキサゾリル基、２−チアゾリル基、３−イソチアゾリル基、２−イミダゾリル基、３−ピラゾリル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、２−ベンゾフリル基、２−ベンゾチエニル基、Ｎ−インドリル基、Ｎ−カルバゾリル基、Ｎ−アクリジニル基といった、異種原子として１〜３個の窒素原子、酸素原子、及び／又は硫黄原子を有する、３〜８員、好ましくは５〜７員の炭素数２〜１８の１価の芳香族複素環基があげられる。
［００４２］
また、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基といった炭素数１〜８のアルコキシル基があげられる。
また、アリールオキシ基としては、フェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、９−アンスリルオキシ基といった炭素数６
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
としては、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基等があげられる。これらの置換基の例としては、前述のものが挙げられる。
好ましい一価の有機残基としては、他の置換基によって置換されていてもよい炭素数１〜１８のアルキル基；他の置換基によって置換されていてもよい炭素数３〜１８のシクロアルキル基；他の置換基によって置換されていてもよい炭素数６〜１８の単環式、縮合環式、若しくは多環式芳香族炭化水素基；他の置換基によって置換されていてもよい炭素数１〜８のアルコキシル基；他の置換基によって置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリールオキシ基；及び他の置換基によって置換されていてもよい炭素数２〜１６の炭化水素基で置換された置換アミノ基からなる群から選ばれる基が挙げられる。ここにおける他の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基等からなる群から選ばれる置換基が挙げられる。
［００４６］
以上挙げた、結合手でないＲ１〜Ｒ１５のうちより好ましい例としては、水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、フェニル基、トリル基等が挙げられる。これらの基を置換基とした場合には、分子量も比較的小さく、蒸着等で化合物（材料）を昇華する場合に、容易であり、また、安定性の面からも好ましい。
［００４７］
本発明の一般式［１］における好ましいＡとしては、一般式［３］で表されるビフェニレン基、より好ましくは一般式［６］で表される４−ビフェニレン基、さらに好ましくは次の一般式［１３］
［００４８］
［化１３］
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の複素環基である。好ましい「残りのＡｒ１〜Ａｒ４」としては、１個又は２個以上の置換基で置換されてもよい炭素数６〜１８、好ましくは６〜１４の単環式、多環式、若しくは縮合環式芳香族炭化水素基、又は、１個又は２個以上の置換基で置換されてもよい異種原子として１〜３個の窒素原子、酸素原子、及び／又は硫黄原子を有する、３〜８員、好ましくは５〜７員の芳香族複素環基が挙げられる。これらの基の置換基としては、炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基、１〜６個のハロゲン原子で置換された炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基、ハロゲン原子、及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基が挙げられる。好ましい芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ビフェニリル基などが挙げられる。また、好ましい芳香族複素環基としては、ピリジル基、フラニル基、チエニル基などが挙げられる。
［００５２］
本発明の一般式［１］の中のＡｒ１〜Ａｒ４の少なくとも１つ、好ましくは２つ、より好ましくはＡｒ１及びＡｒ２の２つが一般式［４］で表されるカルバゾリル基であり、当該一般式［４］におけるＲ１６〜Ｒ２２における「一価の有機残基」としては、前記した一般式［２］及び［３］で説明してきたＲ１〜Ｒ１５の一価の有機残基と同じものが挙げられる。好ましいＲ１６〜Ｒ２２における「一価の有機残基」としては、炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基、１〜６個のハロゲン原子で置換された炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基、及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基が挙げられる。一般式［４］における好ましいＲ１６〜Ｒ２２としては、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられるが、製造のしやすさやコストの点などから水素原子が好ましい。
したがって、本発明の一般式［４］で表されるカルバゾリル基の好ましい例としては、前記した一般式［７］で表されるカルバゾリル基が挙げられる。
［００５３］
一般式［４］及び［７］の中の、Ａｒ５は置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表す。
ここでいう、一価の芳香族炭化水素基、一価の芳香族複素環基とは、Ｒ１〜Ｒ１５の一
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
価の有機残基の項で説明したものと同義である。また、これらに結合していてもよい置換基としては、前述のハロゲン原子や一価の有機残基が挙げられる。
また、一般式［４］の中の、Ｒ１６〜Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、もしくは、一価の有機残基を表す。ハロゲン原子、一価の有機残基としては、Ｒ１〜Ｒ１５の一価の有機残基の項で説明したものと同義である。
［００５４］
ここで、一般式［４］の３−カルバゾイル基は、一般式［７］であることが、より好ましい。一般式［７］のカルバゾイル基は、一般式［４］のカルバゾイル基のＲ１６〜Ｒ２２が水素原子である場合である。このような構造をとった場合には、分子量も比較的小さく、蒸着等で化合物（材料）を昇華して薄膜を形成する際に、容易であり、また、安定性の面からも優れているからである。
［００５５］
さらに、一般式［４］又は［７］の中のＡｒ５は一般式［８］又は［１０］若しくは［１１］の構造をとることが好ましい。一般式［８］の中のＲ２３は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の一価の芳香族炭化水素基、もしくは、置換基を有してもよい炭素数２〜５の一価の複素環基を表す。一般式［８］の中のＲ２３における炭素数６〜１２の一価の芳香族炭化水素基、炭素数２〜５の一価の複素環基としては、Ｒ１〜Ｒ１５の一価の有機残基の項で説明したもののうち、該当する炭素数のものが挙げられる。また有してもよい置換基としては、前述のハロゲン原子や、一価の有機残基が挙げられる。Ｒ２３のうち特に好ましい例としては、水素原子、フェニル基、ビフェニル基、リル基、キシリル基や、メチル基、エチル基、フッ素原子等があげられる。
本発明の一般式［４］又は［７］の中のより好ましいＡｒ５としては、一般式［８］におけるＲ２３が置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基である場合、並びに一般式［１０］及び［１１］の構造である場合が挙げられる。一般式［８］におけるＲ２３が置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基である場合としては、例えば、Ｒ２３が置換基を有してもよいフェニル基が挙げられる。この場合にはＡｒ５は、置換基を有してもよいビフェニル基ということになる。好ましいビフェニル基としては前記した一般式［９］で表されるような４’置換又は無置換の４−ビフェニル基が挙げられる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
同義であるが、特に好ましくは、フェニル基、トリル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基が挙げられる。
［００５９］
ところで、３位で結合したカルバゾリル基の効果について触れておく。通常、アミノ基は電子ドナーとして働くが、カルバゾールの窒素原子は、窒素原子上に結合した置換基に対してはドナー性をほとんど有さない。これはカルバゾール環が平面性を有していて、かつ、非常に嵩高い置換基となってしまっているためであり、窒素原子上の置換基と平面構造をとりにくい事に起因していると考えられる。逆に、３位で結合したカルバゾール環は、次の化学構造で示されるように環の平面性があるため、そのベンゼン環部分に対しては電子ドナー性となりうる。
［００６０］
［化１５］
2007043484.tif 000207
［００６１］
このため、本発明のカルバゾール含有アミン化合物においては、カルバゾール環に結合したアミノ基とカルバゾール環の窒素原子の両方がカルバゾール環のベンゼン環に対して電子ドナーとなっており、次の化学構造で示されるように、フェニレンジアミン構造と同等かそれ以上の電子ドナー効果を発揮しうると考えられる。
［００６２］
［化１６］
2007043484.tif 000208
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
2007043484.tif 000209
［００９１］
前記に示した製造方法において、反応式Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４、Ｂ−１、Ｂ−２、Ｂ−３、Ｂ−４、Ｃ−１、Ｃ−３、Ｃ−４、Ｄ−１、Ｄ−２、Ｄ−３、Ｄ−４の反応は、一般にウルマン反応と言われる２級および３級アミン化合物を合成する反応であり、例えば、銅粉と無水炭酸カリウム等の塩基の存在下、ニトロベンゼンなどの高沸点溶媒中、１００〜１８０℃程度の温度で反応させるといった特開平７−１２６２２６等に記載されている業界で公知の方法を用いることができる。また、銅粉と塩基の代わりに、塩基存在下、パラジウム化合物とリン化合物を触媒に用いるという方法も知られており、この場合、上記反応式中でＡｒ１−Ｘ、Ａｒ２−Ｘ、Ｘ−Ａ−Ｘなどで表されるハロゲン化合物の代わりに、トリフラートやスルホネートを用いることができる。そのような方法は、例えば、特開平１０−８１６６７、特開平１０−１３９７４２、特開平１０−３１０５６１、Ｊｏｈｎ  Ｆ．Ｈａｒｔｗｉｇ著、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．、３７巻、２０４６〜２０６７頁（１９９８年）、Ｂｒｙａｎｔ  Ｈ．Ｙａｎｇ、Ｓｔｅｐｈｅｎ  Ｌ  Ｂｕｃｈｗａｌｄ著、Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．、５７６巻、１２５〜１４６頁（１９９９年）、Ｊｏｈｎ  Ｐ．Ｗｏｌｆｅ、Ｓｔｅｐｈｅｎ  Ｌ  Ｂｕｃｈｗａｌｄ著、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．、６５巻、１１４４〜１１５７頁（２０００年）、Ｊｏｈｎ  Ｐ．
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
基、９，１０−アンスリレン基が好ましく、単結合、ビニレン基、ｐ−フェニレン基、１，４−ナフチレン基がさらに好ましい。また、Ｒａ３１〜Ｒａ３６としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基より選ばれる１価の芳香族炭化水素基が好ましい。
一般式［１７］
［０１１１］
［化２４］
2007043484.tif 000210
［０１１２］
（式中、Ｒａ４１〜Ｒａ４８は、それぞれ独立に、１価の芳香族炭化水素基を表す。）
Ｒａ４１〜Ｒａ４８としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基より選ばれる１価の芳香族炭化水素基が好ましい。
一般式［１８］
［０１１３］
［化２５］
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
ト法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化するが、正孔注入層の膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。
［０１３０］
一方、電子注入層には、発光層に対して優れた電子注入効果を示し、かつ陰極界面との密着性と薄膜形成性に優れた電子注入層を形成できる電子注入材料が用いられる。そのような電子注入材料の例としては、金属錯体化合物、含窒素五員環誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ペリレンテトラカルボン酸誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、シロール誘導体、トリアリールホスフィンオキシド誘導体、カルシウムアセチルアセトナート、酢酸ナトリウムなどがあげられる。また、セシウム等の金属をバソフェナントロリンにドープした無機／有機複合材料（高分子学会予稿集，第５０巻，４号，６６０頁，２００１年発行）や、第５０回応用物理学関連連合講演会講演予稿集、Ｎｏ．３、１４０２頁、２００３年発行記載のＢＣＰ、ＴＰＰ、Ｔ５ＭＰｙＴＺ等も電子注入材料の例としてあげられるが、素子作成に必要な薄膜を形成し、陰極からの電子を注入できて、電子を輸送できる材料であれば、特にこれらに限定されるものではない。
［０１３１］
上記電子注入材料の中でも特に効果的な電子注入材料としては、金属錯体化合物、含窒素五員環誘導体、シロール誘導体、トリアリールホスフィンオキシド誘導体があげられる。本発明に使用可能な好ましい金属錯体化合物としては、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体が好適である。８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（５−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（５−フェニル−８−
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（５−シアノ−８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）クロロアルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（ｏ−クレゾラート）アルミニウム等のアルミニウム錯体化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（５−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（２−メチル−５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）ガリウム、ビス（２、４−ジメチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）ガリウム、ビス（２、５−ジメチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム等のガリウム錯体化合物の他、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛等の金属錯体化合物があげられる。
［０１３２］
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、好ましい含窒素五員環誘導体としては、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体があげられ、具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）］ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）−４−ｔｅｒｔ−ブチル
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
ベンゼン］、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）］ベンゼン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル）］ベンゼン等があげられる。
［０１３３］
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、特に好ましいオキサジアゾール誘導体としては下記一般式［２０］で表されるオキサジアゾール誘導体を示すことができる。
一般式［２０］
［０１３４］
［化２７］
2007043484.tif 000211
［０１３５］
（式中、Ａｒｒ１およびＡｒｒ２は、それぞれ独立に、置換基を有しても良い、１価の芳香族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基を表す。）
一般式［２０］における１価の含窒素芳香族複素環基としては、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、３−ピリダジニル基、４−ピリダジニル基、２−ピリミジル基、４−ピリミジル基、５−ピリミジル基、２−ピラジニル基、１−イミダゾリル基等の１価の含窒素単環芳香族複素環基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、２−キナゾリル基、４−キナゾリル基、５−キナゾリル基、２−キノキサリル基、５−キノキサリル基、６−キノキサリル基、１−インドリル基、９−カリバゾリル基等の１価の含窒素縮合環芳香族複素環基、２，２’−ビピリジル−３−イル基、２，２’−ビピリジル−４−イル基、３，３’−ビピリジル−２−イル基、３，３’−ビピリジル−４−イル基、４，４’−ビピリジル−２−イル基、４，４’−ビ
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
肪族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基で置換されていても良い、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基があげられ、また好ましい１価の含窒素芳香族複素環基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の芳香族炭化水素基で置換されていても良い、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２，２’−ビピリジル−３−イル基、および２，２’−ビピリジル−４−イル基があげられる。また、Ａｒｔ３Ｍとして、好ましい１価の芳香族炭化水素基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の含窒素芳香族複素環基で置換されていても良い、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、およびｐ−ビフェニリル基があげられ、また好ましい１価の含窒素芳香族複素環基としては、１価の脂肪族炭化水素基もしくは１価の芳香族炭化水素基で置換されていても良い、２−ピリジル基、３−ピリジル基、および４−ピリジル基があげられる。
以下、表３３〜表３７に本発明に使用可能なトリアゾール誘導体の具体例を示す。
本明細書においては、本発明に使用可能なトリアゾール誘導体を表記するときに、表３３〜表３７の各表の左側の欄に記載されている化合物の番号を使用する。
［０１４３］
［表３３］
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
イズ（１９７１）６２８〜６３７頁及び６４０頁に列挙されている。
前記金属キレート化オキシノイド化合物としては、例えば、特開昭６３−２９５６９５号公報に開示されている化合物を用いることができる。その代表例としては、トリス（８−キノリノール）アルミニウム等の８−ヒドロキシキノリン系金属錯体や、ジリチウムエピントリジオン等が好適な化合物として挙げることができる。
また、前記スチリルベンゼン系化合物としては、例えば、欧州特許第０３１９８８１号明細書や欧州特許第０３７３５８２号明細書に開示されているものを用いることができる。そして、特開平２−２５２７９３号公報に開示されているジスチリルピラジン誘導体も、発光層の材料として用いることができる。このほか、欧州特許第０３８７７１５号明細書に開示されているポリフェニル系化合物も発光層の材料として用いることができる。
［０１７９］
さらに、上述した蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物及びスチリルベンゼン系化合物等以外に、例えば１２−フタロペリノン（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，第２７巻，Ｌ７１３（１９８８年））、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（以上Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，第５６巻，Ｌ７９９（１９９０年））、ナフタルイミド誘導体（特開平２−３０５８８６号公報）、ペリレン誘導体（特開平２−１８９８９０号公報）、オキサジアゾール誘導体（特開平２−２１６７９１号公報、又は第３８回応用物理学関係連合講演会で浜田らによって開示されたオキサジアゾール誘導体）、アルダジン誘導体（特開平２−２２０３９３号公報）、ピラゾリン誘導体（特開平２−２２０３９４号公報）、シクロペンタジエン誘導体（特開平２−２８９６７５号公報）、ピロロピロール誘導体（特開平２−２９６８９１号公報）、スチリルアミン誘導体（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，第５６巻，Ｌ７９９（１９９０年））、クマリン系化合物（特開平２−１９１６９４号公報）、国際特許公報ＷＯ９０／１３１４８やＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ５８，１８，Ｐ１９８２（１９９１）に記載されているような高分子化合物、９，９■，１０，１０■−テトラフェニル−２，２■−ビアントラセン、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）誘導体、ポリフルオレン誘導体やそれら共重合体等、例えば、下記一般式［２６］〜一般式［２８］の構造をもつものや、
一般式［２６］
［０１８０］
［化３８］
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
す。ｒ１〜ｒ４が、それぞれ独立に、２以上の整数であるとき、ＲＺ１同士、ＲＺ２同士、ＲＺ３同士、ＲＺ４同士は各々同一でも異なるものであってもよく、ＲＺ１同士、ＲＺ２同士、ＲＺ３同士、ＲＺ４同士は結合して環を形成してもよい。Ｌ１は単結合又は置換基を有しても良い２価の単環もしくは縮合環芳香族炭化水素基を表し、置換基を有しても良い２価の単環もしくは縮合環芳香族炭化水素基は、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ−（ここでＲはアルキル基又はアリール基を表す）が介在するものであってもよい。）
一般式［３１］
［０１８８］
［化４２］
2007043484.tif 000212
［０１８９］
（式中、ＲＺ５及びＲＺ６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、１価の芳香族炭化水素基、アルコキシル基、アリールオキシ基、ジアリールアミノ基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。ｒ５及びｒ６は、それぞれ独立に、０又は１〜５の整数を表す。ｒ５及びｒ６が、それぞれ独立に、２以上の整数であるとき、ＲＺ５同士及びＲＺ６同士は各々同一でも異なるものであってもよく、ＲＺ５同士及びＲＺ６同士は結合して環を形成してもよい。Ｌ２は単結合又は置換基を有しても良い２価の単環もしくは縮合環芳香族炭化水素基を表し、置換基を有しても良い２価の単環もしくは縮合環芳香族炭化水素基は、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ−（ここでＲはアルキル基又はアリール基を表す）が介在するものであってもよい。）
前記一般式［３０］の内、下記の一般式［３２］又は一般式［３３］で表されるフェニルアントラセン誘導体がさらに好適である。
一般式［３２］
［０１９０］
［化４３］
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４５】
、複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等への応用が考えられる。
［図面の簡単な説明］
［０２６２］
［図１］図１は、化合物（２）のマススペクトルのチャートである。
［図２］図２は、化合物（２）の１Ｈ−ＮＭＲのチャートである。（ＴＨＦ−ｄ８中）
［図３］図３は、化合物（２）の１３Ｃ−ＮＭＲのチャートである。（ＴＨＦ−ｄ８中）
［図４］図４は、化合物（２２）のマススペクトルのチャートである。
［図５］図５は、化合物（２２）の１Ｈ−ＮＭＲのチャートである。（ＴＨＦ−ｄ８中）
［図６］図６は、化合物（２２）の１３Ｃ−ＮＭＲのチャートである。（ＴＨＦ−ｄ８中）
［図７］図７は、化合物（３９）のマススペクトルのチャートである。
［図８］図８は、化合物（３９）の１Ｈ−ＮＭＲのチャートである。（ＴＨＦ−ｄ８中）
［図９］図９は、化合物（４５）のマススペクトルのチャートである。
［図１０］図１０は、化合物（４５）の１Ｈ−ＮＭＲのチャートである。（ＴＨＦ−ｄ８中）
［図１１］図１１は、９−（１−ナフチル）−３−プロモカルバゾールのマススペクトルのチャートである。
［図１２］図１２は、９−（１−ナフチル）−３−ブロモカルバゾールの１Ｈ−ＮＭＲのチャートである。（クロロホルム−ｄ中）
［実施例］
［０２６３］
以下、本発明を実施例で説明するが、本発明はこれらの実施例になんら限定されるものではない。
実施例において、化合物の同定には、特に断りのない限りマススペクトル（ブルカーダルトニクス社製、ＡｕｔｏｆｌｅｘＩＩ）、１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ（日本電子社製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）を使用した。また、化合物のガラス転移温度（Ｔｇ）はセイコーインスツルメンツ社製ＤＳＣ６２００示差走査熱量計を用いて測定した。
また、以下の実施例においては、特に断りのない限り、混合比は全て重量比を示す。蒸着（真空蒸着）は１０−６Ｔｏｒｒの真空中で、基板加熱、冷却等の温度制御なしの条件下で行った。また、素子の発光特性評価においては、電極面積２ｍｍ×２ｍｍの有機ＥＬ素子の特性を測定した。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
［０２６４］
実施例１
化合物（２）の合成方法
次に示す合成スキームにより化合物（２）（スキーム中の（ｉｉｉ））を製造した。
［０２６５］
［化８１］
2007043484.tif 000213
［０２６６］
窒素雰囲気下、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−フェニレンジアミン（ｉ）３．９ｇ（１５ｍｍｏｌ）、３−ブロモ−９−フェニルカルバゾール（ｉｉ）１０．５ｇ（３３ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．１ｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．１５ｇ、及び炭酸カリウム３．４ｇを３００ｍｌの４つ口フラスコにいれ、脱水キシレン２００ｍｌを加えて、１．５時間加熱還流した。反応液をメタノール１Ｌ中に注入し、析出した固体をろ取し、熱真空乾燥させた。粗生成物として（ｉｉｉ）（＝化合物（２））が１０．４ｇ（収率９５％）で得られた。得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物（２）のガラス転移温度は１３５℃（示差走査熱量計、セイコーインスツルメンツ社製）であった。
化合物のマススペクトル（ブルカーダルトニクス社製、ＡｕｔｏｆｌｅｘＩＩ）を図１に示す。
計算値：７４２．３１（Ｍ＋）、
実測値：７４２．３１３
１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）を図２〜３に示した。
［０２６７］
実施例２
化合物（２２）の合成方法
次に示す合成スキームにより化合物（２）（スキーム中の（ｖ））を製造した。
［０２６８］
［化８２］
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
2007043484.tif 000214
［０２６９］
前記の実施例１における化合物（２）の合成例でＮ，Ｎ’−ジフェニル−フェニレンジアミン（ｉ）のかわりに、４，４’−ジフェニルベンジジン（ｉｖ）を使用した以外は、化合物（２）の合成方法と同様の操作をして、（ｖ）（＝化合物（２２））を粗生成物として得た（粗生成物の収率９７％）。得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらに昇華精製を行った。この化合物のガラス転移温度は１４８℃（示差走査熱量計、セイコーインスツルメンツ社製）であった。
化合物のマススペクトル（ブルカーダルトニクス社製、ＡｕｔｏｆｌｅｘＩＩ）を図４に示す。
計算値：８１８．３４（Ｍ＋）、
実測値：８１８．３０５
１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ（日本電子製、ＧＳＸ−２７０Ｗ）を図５〜６に示した。
［０２７０］
なお、化合物（２）及び、（２２）の合成に使用した３−ブロモ−９−フェニルカルバゾール（ｉｉ）は、工業化学雑誌，１９６７年発行，７０巻，６３頁を参考にして、カルバゾールの３位を臭素化し、ついで銅触媒を用いたウルマン法によりヨードベンゼンを反応させて合成したものを用いた。
［０２７１］
実施例３
化合物（３９）の製造（製造方法Ａによる化合物（３９）の製造）
（１）９−ビフェニリルカルバゾールの製造
カルバゾール１６．７ｇ、４−ヨードビフェニル３６．４ｇ、ヨウ化第一銅１．９ｇ、無水炭酸カリウム１３８ｇ、１８−クラウン−６  ０．５３ｇ、及び１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−（１Ｈ）−ピリミジノン５００ｍＬを混合し、窒素雰囲気下、１７０℃で８時間反応させた。反応生成物を濾過し、濾液に濃アンモニア水１０ｍＬを添加した後、ジエチルエーテル３００ｍＬで抽出し、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリ
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６０】
2007043484.tif 000215
［０２９９］
Ｔ．Ａｈｎ，Ｈ．Ｋ．Ｓｈｉｍ，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．，２０２巻，３１８０頁（２００１年）に記載の方法を参考にして、まず９−（１−ナフチル）カルバゾールを合成した。カルバゾール１６．７ｇ、１−ブロモナフタレン２２．４ｇ、銅粉１．０２ｇ、無水炭酸カリウム１３．９ｇ、ニトロベンゼン２５０ｍＬを混合し、窒素雰囲気下、１０時間環流して反応させた。水蒸気蒸留にてニトロベンゼンと未反応の１−ブロモナフタレンを除去し、残渣を乾燥した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル）を用いて精製して、９−（１−ナフチル）カルバゾール２２．３ｇを得た。融点：１２４〜１２５℃。
次いで、９−（１−ナフチル）カルバゾール１４．７ｇに、８０％酢酸水溶液５００ｍＬを添加した後、ヨウ素６．７９ｇ、オルト過ヨウ素酸１．６７ｇを加え、窒素雰囲気下、８０℃で２時間反応させた。反応生成物をジエチルエーテル２５０ｍＬで抽出し、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル）を用いて精製して、９−（１−ナフチル）−３−ヨードカルバゾール１５．７ｇを得た。マススペクトル実測値：Ｍ＋＝４１９．０１２（理論値：Ｍ＋＝４１９．０１７）。
［０３００］
実施例１３０
次式で表される９−（１−ナフチル）−３−ブロモカルバゾールの製造
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６１】
［０３０１］
［化８６］
2007043484.tif 000216
［０３０２］
実施例１２９に記載の方法で合成した９−（１−ナフチル）カルバゾール１４．７ｇに、氷酢酸６００ｍＬを加えて完全に溶解させた後、Ｎ−ブロモこはく酸イミド８．９０ｇを加えて、室温にて１６時間撹拌して反応させた。反応生成物を水１Ｌに投入して析出した生成物を、ジエチルエーテル２５０ｍＬで抽出し、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル）を用いて精製して、９−（１−ナフチル）−３−ブロモカルバゾール１６．４ｇを得た。図１１にＡｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社５９７３Ｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒにて測定したマススペクトルを示す（実測値：Ｍ＋＝３７１、理論値：Ｍ＋＝３７１）。図１２にクロロホルム−ｄ中で測定した１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
［０３０３］
実施例１３１
次式で表される９−（１−ナフチル）−３−クロロカルバゾールの製造
［０３０４］
［化８７］
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６２】
2007043484.tif 000217
［０３０５］
実施例１２９に記載の方法で合成した９−（１−ナフチル）カルバゾール１４．７ｇに、氷酢酸６００ｍＬを加えて完全に溶解させた後、Ｎ−クロロこはく酸イミド６．６８ｇを加えて、室温にて１６時間撹拌して反応させた。反応生成物を水１Ｌに投入して析出した生成物を、ジエチルエーテル２５０ｍＬで抽出し、濃縮乾固した。これをカラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、溶離液：ヘキサン／酢酸エチル）を用いて精製して、９−（１−ナフチル）−３−クロロカルバゾール１３．９ｇを得た。マススペクトル実測値：Ｍ＋＝３２７．０７９（理論値：Ｍ＋＝３２７．０８１）。
［０３０６］
実施例１３２
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１）を真空蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、Ｎ，Ｎ’―（１―ナフチル）―Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―１，１’―ビフェニル−４，４’―ジアミン（ＮＰＤ）を真空蒸着して膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を得た。さらに、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体を真空蒸着して膜厚６０ｍｎの電子注入型発光層を作成し、その上に、まずフッ化リチウムを１ｎｍ、次いでアルミニウムを２００ｎｍ蒸着して電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。
［０３０７］
実施例１３３
正孔注入層を化合物（１）のかわりに化合物（２２）を用いて作成した以外は、実施例１３２と同様の有機ＥＬ素子を作成した。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６３】
［０３０８］
実施例１３４
正孔注入層を化合物（１）のかわりに化合物（２８）を用いて作成した以外は、実施例１３２と同様の有機ＥＬ素子を作成した。
［０３０９］
実施例１３５
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、銅フタロシアニンを蒸着して膜厚２５ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、化合物（３９）と以下に示す化合物（Ａ）とを１００：８の組成比で共蒸着して膜厚４５ｎｍの発光層を形成した。さらにいかに示す化合物（Ｂ）を蒸着して膜厚２０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機エレクトロルミネッセンス素子を得たこの素子は、直流電圧１０Ｖでの外部量子効率は６．２％を示した。また、発光輝度２００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
［０３１０］
［化８８］
2007043484.tif 000218
［０３１１］
実施例１３６
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、以下に示す化合物（Ｃ）を蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を形成した後、化合物（３３）を蒸着して膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６５】
2007043484.tif 000219
［０３１５］
比較例１
正孔注入層を化合物（１）のかわりに以下の化合物（Ｅ）を用いて作成した以外は、実施例１３２と同様の有機ＥＬ素子を作成した。
［０３１６］
［化９１］
2007043484.tif 000220
［０３１７］
比較例２
正孔注入層を化合物（１）のかわりに以下の化合物（Ｆ）を用いて作成した以外は、実施例１３２と同様の有機ＥＬ素子を作成した。
［０３１８］
［化９２］
2007043484.tif 000221
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６６】
［０３１９］
実施例１３２〜１３４、並びに比較例１及び２の素子を室温及び１００℃の環境で、１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で一定時間連続して発光させ輝度を測定した。結果を表５２に示す。
［０３２０］
［表５２］
2007043484.tif 000222
［０３２１］
表５２から明らかなように、本発明の化合物はいずれも、化合物（Ｅ）、（Ｆ）のＴｇより高く、それらを用いて作成した素子も、比較例よりも初期電圧が低く、長寿命で高い輝度が得られていることが明らかとなった。
［０３２２］
実施例１３８
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（４６）を真空蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、表２４中のＨＴＭ９を真空蒸着して膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を得た。さらに、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体を真空蒸着して膜厚６０ｎｍの電子注入型発光層を作成し、その上に、まずフッ化リチウムを１ｎｍ、次いでアルミニウムを２００ｎｍ蒸着して電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。この素子を発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命を測定した。また、１５０℃の環境で、１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で１００時間連続して発光させ輝度を測定した。結果を表５３に示す。
［０３２３］
実施例１３９〜実施例２５９
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８０】
［０３５２］
実施例４２３〜４３３
実施例４０９において化合物（３９）の代わりに、表１〜表１７中の化合物（１４８）、化合物（２１４）、化合物（１５０）、化合物（１５１）、化合物（１５３）、化合物（１５４）、化合物（１５５）、化合物（１５６）、化合物（１５７）、化合物（１５８）、化合物（１６３）を、それぞれ用いた以外は、実施例４０９と同じ条件で素子を作成した。素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ２）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は４００（ｃｄ／ｍ２）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
［０３５３］
実施例４３４
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物ＨＩＭ１０を蒸着して膜厚５５ｎｍの正孔注入層を形成した後、化合物（８３）を２０ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに化合物ＥＴ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウムを１ｎｍ、さらにアルミニウムを１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子は、直流電圧５Ｖでの発光輝度は８５０（ｃｄ／ｍ２）を示した。また、素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、いずれの素子も５０００時間以上であった。
［０３５４］
実施例４３５〜実施例４４７
実施例４３４において化合物ＥＴ３の代わりに、電子注入層として化合物ＥＴ４、化合物ＥＴ５、化合物ＥＴ７、化合物ＥＴ９、化合物ＥＴ１０、化合物ＥＴ１２〜化合物ＥＴ１４、化合物ＥＴ１６〜化合物ＥＴ２０を用いて、実施例４３４と同じ条件で素子を作成した。素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ２）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は５００（ｃｄ／ｍ２）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８１】
［０３５５］
実施例４４８
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物ＨＩＭ１０を蒸着して膜厚５５ｎｍの正孔注入層を形成した後、化合物（１５９）を２０ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成したさらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに化合物ＥＴ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウムを１ｎｍ、さらにアルミニウムを１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子は、この素子は、直流電圧５Ｖでの発光輝度は７７０（ｃｄ／ｍ２）を示した。また、素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、いずれの素子も５０００時間以上であった。
［０３５６］
実施例４４９〜４６１
実施例４４８において化合物ＥＴ３の代わりに、電子注入層として化合物ＥＴ４、化合物ＥＴ５、化合物ＥＴ７、化合物ＥＴ９、化合物ＥＴ１０、化合物ＥＴ１２〜化合物ＥＴ１４、化合物ＥＴ１６〜化合物ＥＴ２０を用いて、実施例４４８と同じ条件で素子を作成した。素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ２）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は４００（ｃｄ／ｍ２）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
［０３５７］
実施例４６２
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物ＨＩＭ１１を蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を形成した後、化合物（８４）を１５ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに化合物ＥＳ５を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウムを１ｎｍ、さらにアルミニウムを１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子は、直流電圧５．０Ｖでの発光効率は３．５（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、いずれの素子も５０００時間以上であった。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８２】
［０３５８］
実施例４６３
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物ＨＩＭ１１を蒸着して膜厚６０ｎｍの正孔注入層を形成した後、化合物（１６０）を１５ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。さらに化合物ＥＳ５を蒸着して膜厚３０ｎｍの重子注入層を形成した。その上に、酸化リチウムを１ｎｍ、さらにアルミニウムを１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子は、直流電圧５．０Ｖでの発光効率は３．０（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は、いずれの素子も５０００時間以上であった。
［０３５９］
実施例４６４
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（７３）を１，２−ジクロロエタンに溶解させ、スピンコーティング法により膜厚５０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入性発光層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して素子を得た。この素子の直流電圧８．０Ｖでの発光効率は３．０（ｌｍ／Ｗ）であった。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
［０３６０］
実施例４６５
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１４９）を１，２−ジクロロエタンに溶解させ、スピンコーティング法により膜厚５０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、Ａｌｑ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入性発光層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して素子を得た。この素子の直流電圧８．０Ｖでの発光効率は２．５（ｌｍ／Ｗ）であった。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
［０３６１］
実施例４６６
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（４０）を蒸着して膜厚３５ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、以下に示す化合物（Ｇ）とＡｌｑ３を１：５０の組成比で共蒸着して膜厚４０
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８７】
Ｖでの発光効率は３．０（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
［０３７３］
実施例４７４
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（５４）を蒸着して膜厚７０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、以下に示す化合物（Ｍ）とＡｌｑ３とを１：１の組成比で共蒸着して膜厚４５ｎｍの電子輸送性発光層を形成した。さらに、その上に、マグネシウムと銀を１：３で混合した合金で膜厚２００ｎｍの電極を形成して素子を得た。この素子の直流電圧７．０Ｖでの発光効率は２．０（ｌｍ／Ｗ）であった。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
［０３７４］
［化９７］
2007043484.tif 000223
［０３７５］
実施例４７５
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（１２９）を蒸着して膜厚７０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、前記した化合物（Ｍ）とＡｌｑ３とを１：１の組成比で共蒸着して膜厚４５ｎｍの電子輸送性発光層を形成した。さらに、その上に、マグネシウムと銀を１：３で混合した合金で膜厚２００ｎｍの電極を形成して素子を得た。この素子の直流電圧７．５Ｖでの発光効率は１．５（ｌｍ／Ｗ）であった。また、発光輝度４００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
［０３７６］
実施例４７６
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１９）を蒸着して膜厚５０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、化合物（Ｋ）と以下に示す化合物（Ｎ）とを１００：１の組成比で共蒸着して膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。さらに、ＢＣＰを蒸着して膜厚２５ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、リチウム（Ｌｉ）を０．５ｎｍ、さらに銀を１５０ｍｎ蒸着して素子を得た。この素子は、直流電圧８．０Ｖでの発光効率は１．５（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８８】
発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
［０３７７］
［化９８］
2007043484.tif 000224
［０３７８］
実施例４７７
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（１３９）を蒸着して膜厚５０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、前記した化合物（Ｋ）と前記した化合物（Ｎ）とを１００：１の組成比で共蒸着して膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。さらに、ＢＣＰを蒸着して膜厚２５ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、リチウム（Ｌｉ）を０．５ｎｍ、さらに銀を１５０ｎｍ蒸着して素子を得た。この素子は、直流電圧９．０Ｖでの発光効率は１．２（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
［０３７９］
実施例４７８
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（７６）を蒸着して膜厚４０ｎｍの正孔注入層を形成した次に、以下に示す化合物（Ｏ）を１０ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。さらに以下に示す化合物（Ｐ）と以下に示す化合物（Ｑ）とを１：９の組成比で共蒸着して膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。さらにＢＣＰを蒸着して膜厚１５ｎｍの正孔阻止
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９１】
［０３８１］
実施例４７９
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（１５２）を蒸着して膜厚４０ｎｍの正孔注入層を形成した。次に、前記した化合物（Ｏ）を１０ｎｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。さらに前記した化合物（Ｐ）と前記した化合物（Ｑ）とを１：９の組成比で共蒸着して膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。さらにＢＣＰを蒸着して膜厚１５ｎｍの正孔阻止層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２５ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧１０Ｖでの外部量子効率は７．５％を示した。また、発光輝度１００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
［０３８２］
実施例４８０
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（５５）を６０ｎｍ蒸着して正孔注入層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。以下に示す化合物（Ｒ）を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧４．０Ｖでの発光効率は３．３（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
［０３８３］
［化１００］
2007043484.tif 000225
［０３８４］
実施例４８１〜４８６
実施例４８０において電子注入層として化合物（Ｒ）の代わりに、ＥＳ１１、ＥＰ２〜４、Ｅ
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９２】
Ｐ１０、ＥＰ２２を用いた以外は実施例４８０と同じ条件で実験を行った。素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、実施例４８０と同様に素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ２）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は５００（ｃｄ／ｍ２）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
［０３８５］
実施例４８７
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（１３０）を６０ｎｍ蒸着して正孔注入層を形成した。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚２０ｎｍの発光層を形成した。前記した化合物（Ｒ）を蒸着して膜厚３０画の電子注入層を形成した。その上に、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）を１ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ蒸着によって陰極を形成して素子を得た。この素子は、直流電圧４．０Ｖでの発光効率は２．７（ｌｍ／Ｗ）を示した。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
［０３８６］
実施例４８８〜４９３
実施例４８７において電子注入層として化合物（Ｒ）の代わりに、ＥＳ１１、ＥＰ２〜４、ＥＰ１０、ＥＰ２２を用いた以外は実施例４８７と同じ条件で実験を行った。素子作成直後ならびに１５０℃のオーブン中にて１時間保存後の素子について、実施例４８７と同様に素子の特性を測定した。その結果、いずれの素子も、電流密度１０（ｍＡ／ｃｍ２）で駆動した際の素子特性は、電圧は４．０（Ｖ）以下、輝度は４００（ｃｄ／ｍ２）以上であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ２）で室温にて定電流駆動したときの半減寿命は５０００時間以上であった。
［０３８７］
実施例４９４
ＩＴＯ電極付きガラス板上に、本発明の化合物（４６）を蒸着して膜厚３５ｎｍの正孔注入層を形成した。さらに、ＨＴＭ９を蒸着して膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。次に以下に示す化合物（Ｓ）と以下に示す化合物（Ｔ）とを５０：１の組成比で共蒸着して膜厚３５ｎｍの発光層を形成した。さらに、以下に示す化合物（Ｕ）を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を形成した。その上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍ、さらにアルミ
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月27日(2008.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の一般式［１］
【化１１６】
2007043484.tif 000226
（式中、Ａは、次の一般式［２］
【化１１７】
2007043484.tif 000227
（式中、Ｒ１〜Ｒ５のうちの一つは結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表す。）
で表されるフェニレン基、又は、次の一般式［３］
【化１１８】
2007043484.tif 000228
（式中、Ｒ６〜Ｒ１０のうちの一つと、Ｒ１１〜Ｒ１５のうちの一つは、結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。）
で表されるビフェニレン基を表し、Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の複素環基、又は、次の一般式［４］
【化１１９】
2007043484.tif 000229
（式中、Ａｒ５は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表し、Ｒ１６〜Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表す。）
で表されるカルバゾリル基を表す。ただし、Ａｒ１〜Ａｒ４のうち少なくともひとつは一般式［４］で表されるカルバゾリル基である。但し、（１）Ａが無置換のｐ−フェニレン基又はｍ−フェニレン基であって、かつＡｒ１のみが一般式［４］で表されるカルバゾリル基である場合には、Ａｒ５は無置換のフェニル基、無置換のナフチル基又は無置換のビフェニル基ではなく、（２）Ａが無置換のｐ−フェニレン基、又は無置換の４，４’−ビフェニリル基であり、かつＡｒ１及びＡｒ２が同時に一般式［４］で表されるカルバゾリル基であり、Ａｒ３及びＡｒ４がシアノ基、アルキル基、若しくはアルコキシ基で置換されていてもよいフェニル基、無置換のビフェニル基、無置換のナフチル基、又は無置換のフェナントリル基である場合には、Ａｒ５はフェニル基ではない。
また、一価の有機残基は、置換基を有してもよい１価の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の脂肪族複素環基、置換基を有してもよい１価の芳香族複素環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基からなる群から選ばれる基を表す。）
で表されるカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項２】
一般式［１］におけるＡが、次の一般式［５］、
【化１２０】
2007043484.tif 000230
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。
一価の有機残基は、置換基を有してもよい１価の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の脂肪族複素環基、置換基を有してもよい１価の芳香族複素環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基からなる群から選ばれる基を表す。）
又は、次の一般式［６］
【化１２１】
2007043484.tif 000231
（式中、Ｒ６〜Ｒ１０のうちの一つは結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表し、Ｒ１２〜Ｒ１５はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。
一価の有機残基は、置換基を有してもよい１価の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の脂肪族複素環基、置換基を有してもよい１価の芳香族複素環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基からなる群から選ばれる基を表す。）
で表される２価の基である請求項１に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項３】
一般式［１］におけるＡが、次の一般式［１３］、
【化１２２】
2007043484.tif 000232
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、及びＲ１２〜Ｒ１５は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。
一価の有機残基は、置換基を有してもよい１価の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の脂肪族複素環基、置換基を有してもよい１価の芳香族複素環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基からなる群から選ばれる基を表す。）
で表される４，４’−ビフェニレン基である請求項１又は２に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項４】
一般式［１］におけるＡｒ１〜Ａｒ４のうちの２個以上が次の一般式［４］
【化１２３】
2007043484.tif 000233
（式中、Ａｒ５は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表し、Ｒ１６〜Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表す。
一価の有機残基は、置換基を有してもよい１価の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の脂肪族複素環基、置換基を有してもよい１価の芳香族複素環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基からなる群から選ばれる基を表す。）
で表されるカルバゾリル基である請求項１〜３のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項５】
一般式［１］におけるＡｒ１〜Ａｒ４のうちのＡｒ１及びＡｒ２が、一般式［４］で表されるカルバゾリル基である請求項４に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項６】
一般式［１］におけるＡｒ１〜Ａｒ４のうちのＡｒ１及びＡｒ２が、一般式［４］で表されるカルバゾリル基であり、Ａｒ３及びＡｒ４が、それぞれ独立して置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基である請求項５に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項７】
一般式［４］で表されるカルバゾリル基の少なくともひとつが、次の一般式［７］、
【化１２４】
2007043484.tif 000234
（式中、Ａｒ５は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表す。）
で表されるカルバゾリル基である請求項１〜６のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項８】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基である請求項１〜７のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項９】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、次の一般式［８］、
【化１２５】
2007043484.tif 000235
（式中、Ｒ２３は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の一価の芳香族炭化水素基、又は、置換基を有してもよい炭素数２〜５の一価の複素環基を表す。）
で表される基である請求項８に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１０】
一般式［８］におけるＲ２３が、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の一価の芳香族炭化水素基である請求項９に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１１】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、次の一般式［９］、
【化１２６】
2007043484.tif 000236
（式中、Ｒ３３は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜４のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。）
で表される置換基を有してもよいビフェニル基である請求項１０に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１２】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、置換基を有してもよいナフチル基である請求項１〜７のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１３】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、次の一般式［１０］、
【化１２７】
2007043484.tif 000237
（式中、Ｒ２３は前記した一般式［８］のＲ２３と同じものを表し、Ｒ２４〜Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜４のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。）
で表される置換基を有してもよいナフチル基である請求項１２に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１４】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、次の一般式［１１］、
【化１２８】
2007043484.tif 000238
（式中、Ｒ２８〜Ｒ３２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜４のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。）
で表される置換基を有してもよいナフチル基である請求項１２に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１５】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、置換基を有してもよい１−アントリル基、置換基を有してもよい２−アントリル基、置換基を有してもよい９−アントリル基、又は置換基を有してもよい９−フェナントリル基である請求項１〜７のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１６】
ガラス転移温度（Ｔｇ）が、１３０℃以上である請求項１〜１５のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１７】
請求項１〜１５いずれか記載のカルバゾール含有アミン化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項１８】
一対の電極間に発光層又は発光層を含む複数層の有機層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも一層が、請求項１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１９】
正孔注入層及び／又は正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔注入層及び／又は正孔輸送層が、請求項１７記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２０】
次の一般式［１２］、
【化１２９】
2007043484.tif 000239
（式中、Ａｒ５は、置換基を有してもよいナフチル基若しくはフェナントリル基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表し、Ｒ１６〜Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表し、Ｘは、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子から選ばれるハロゲン原子を表す。
一価の有機残基は、置換基を有してもよい１価の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の脂肪族複素環基、置換基を有してもよい１価の芳香族複素環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基からなる群から選ばれる基を表す。）
で表されるカルバゾール誘導体。
【請求項２１】
一般式［１２］におけるＡｒ５が、置換基を有してもよいナフチル基若しくはフェナントリル基であり、Ｒ１６〜Ｒ２２が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８のシクロアルキル基、炭素数６〜１８の単環式、縮合環式、若しくは多環式芳香族炭化水素基、炭素数１〜８のアルコキシル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、又は炭素数２〜１６の炭化水素基で置換された置換アミノ基である請求項２０に記載のカルバゾール誘導体。
【請求項２２】
一般式［１２］におけるＲ１６〜Ｒ２２が、水素原子である請求項２０又は２１のいずれかに記載のカルバゾール誘導体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月18日(2008.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の一般式［１］
【化１１６】
2007043484.tif 000240
（式中、Ａは、次の一般式［２］
【化１１７】
2007043484.tif 000241
（式中、Ｒ１〜Ｒ５のうちの一つは結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表す。）
で表されるフェニレン基、又は、次の一般式［３］
【化１１８】
2007043484.tif 000242
（式中、Ｒ６〜Ｒ１０のうちの一つと、Ｒ１１〜Ｒ１５のうちの一つは、結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。）
で表されるビフェニレン基を表し、Ａｒ１〜Ａｒ４は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の複素環基、又は、次の一般式［４］
【化１１９】
2007043484.tif 000243
（式中、Ａｒ５は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表し、Ｒ１６〜Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表す。）
で表されるカルバゾリル基を表す。ただし、Ａｒ１〜Ａｒ４のうち少なくともひとつは一般式［４］で表されるカルバゾリル基である。但し、（１）Ａが無置換のｐ−フェニレン基又はｍ−フェニレン基であって、かつＡｒ１のみが一般式［４］で表されるカルバゾリル基である場合には、Ａｒ５は無置換のフェニル基、無置換のナフチル基又は無置換のビフェニル基ではなく、（２）Ａが無置換のｐ−フェニレン基、又は無置換の４，４’−ビフェニリル基であり、かつＡｒ１及びＡｒ２が同時に一般式［４］で表されるカルバゾリル基であり、Ａｒ３及びＡｒ４がシアノ基、アルキル基、若しくはアルコキシ基で置換されていてもよいフェニル基、無置換のビフェニル基、無置換のナフチル基、又は無置換のフェナントリル基である場合には、Ａｒ５はフェニル基ではない。
また、一価の有機残基は、置換基を有してもよい１価の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の脂肪族複素環基、置換基を有してもよい１価の芳香族複素環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基からなる群から選ばれる基を表す。）
で表されるカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項２】
一般式［１］におけるＡが、次の一般式［５］、
【化１２０】
2007043484.tif 000244
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。
一価の有機残基は、置換基を有してもよい１価の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の脂肪族複素環基、置換基を有してもよい１価の芳香族複素環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基からなる群から選ばれる基を表す。）
又は、次の一般式［６］
【化１２１】
2007043484.tif 000245
（式中、Ｒ６〜Ｒ１０のうちの一つは結合手を表し、残りは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表し、Ｒ１２〜Ｒ１５はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。
一価の有機残基は、置換基を有してもよい１価の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の脂肪族複素環基、置換基を有してもよい１価の芳香族複素環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基からなる群から選ばれる基を表す。）
で表される２価の基である請求項１に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項３】
一般式［１］におけるＡが、次の一般式［１３］、
【化１２２】
2007043484.tif 000246
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、及びＲ１２〜Ｒ１５は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は一価の有機残基を表す。
一価の有機残基は、置換基を有してもよい１価の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の脂肪族複素環基、置換基を有してもよい１価の芳香族複素環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基からなる群から選ばれる基を表す。）
で表される４，４’−ビフェニレン基である請求項１又は２に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項４】
一般式［１］におけるＡｒ１〜Ａｒ４のうちの２個以上が次の一般式［４］
【化１２３】
2007043484.tif 000247
（式中、Ａｒ５は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表し、Ｒ１６〜Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表す。
一価の有機残基は、置換基を有してもよい１価の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の脂肪族複素環基、置換基を有してもよい１価の芳香族複素環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基からなる群から選ばれる基を表す。）
で表されるカルバゾリル基である請求項１〜３のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項５】
一般式［１］におけるＡｒ１〜Ａｒ４のうちのＡｒ１及びＡｒ２が、一般式［４］で表されるカルバゾリル基である請求項４に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項６】
一般式［１］におけるＡｒ１〜Ａｒ４のうちのＡｒ１及びＡｒ２が、一般式［４］で表されるカルバゾリル基であり、Ａｒ３及びＡｒ４が、それぞれ独立して置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基である請求項５に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項７】
一般式［４］で表されるカルバゾリル基の少なくともひとつが、次の一般式［７］、
【化１２４】
2007043484.tif 000248
（式中、Ａｒ５は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表す。）
で表されるカルバゾリル基である請求項１〜６のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項８】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の一価の芳香族炭化水素基である請求項１〜７のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項９】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、次の一般式［８］、
【化１２５】
2007043484.tif 000249
（式中、Ｒ２３は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の一価の芳香族炭化水素基、又は、置換基を有してもよい炭素数２〜５の一価の複素環基を表す。）
で表される基である請求項８に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１０】
一般式［８］におけるＲ２３が、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の一価の芳香族炭化水素基である請求項９に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１１】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、次の一般式［９］、
【化１２６】
2007043484.tif 000250
（式中、Ｒ３３は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜４のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。）
で表される置換基を有してもよいビフェニル基である請求項１０に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１２】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、置換基を有してもよいナフチル基である請求項１〜７のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１３】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、次の一般式［１０］、
【化１２７】
2007043484.tif 000251
（式中、Ｒ２３は前記した一般式［８］のＲ２３と同じものを表し、Ｒ２４〜Ｒ２７は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜４のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。）
で表される置換基を有してもよいナフチル基である請求項１２に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１４】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、次の一般式［１１］、
【化１２８】
2007043484.tif 000252
（式中、Ｒ２８〜Ｒ３２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有してもよい炭素数１〜４のアルキル基、又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。）
で表される置換基を有してもよいナフチル基である請求項１２に記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１５】
一般式［４］又は一般式［７］におけるＡｒ５が、置換基を有してもよい１−アントリル基、置換基を有してもよい２−アントリル基、置換基を有してもよい９−アントリル基、又は置換基を有してもよい９−フェナントリル基である請求項１〜７のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１６】
ガラス転移温度（Ｔｇ）が、１３０℃以上である請求項１〜１５のいずれかに記載のカルバゾール含有アミン化合物。
【請求項１７】
請求項１〜１５いずれか記載のカルバゾール含有アミン化合物を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項１８】
一対の電極間に発光層又は発光層を含む複数層の有機層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも一層が、請求項１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１９】
正孔注入層及び／又は正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔注入層及び／又は正孔輸送層が、請求項１７記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２０】
次の一般式［１２］、
【化１２９】
2007043484.tif 000253
（式中、Ａｒ５は、置換基を有してもよいフェナントリル基、又は置換基を有してもよい炭素数２〜１８の一価の芳香族複素環基を表し、Ｒ１６〜Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、一価の有機残基を表し、Ｘは、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子から選ばれるハロゲン原子を表す。
一価の有機残基は、置換基を有してもよい１価の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい１価の脂肪族複素環基、置換基を有してもよい１価の芳香族複素環基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、及びアリールスルホニル基からなる群から選ばれる基を表す。）
で表されるカルバゾール誘導体。
【請求項２１】
一般式［１２］におけるＡｒ５が、置換基を有してもよいフェナントリル基であり、Ｒ１６〜Ｒ２２が、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８のシクロアルキル基、炭素数６〜１８の単環式、縮合環式、若しくは多環式芳香族炭化水素基、炭素数１〜８のアルコキシル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、又は炭素数２〜１６の炭化水素基で置換された置換アミノ基である請求項２０に記載のカルバゾール誘導体。
【請求項２２】
一般式［１２］におけるＲ１６〜Ｒ２２が、水素原子である請求項２０又は２１のいずれかに記載のカルバゾール誘導体。
【国際調査報告】
2007043484.tif 000254
2007043484.tif 000255
2007043484.tif 000256
2007043484.tif 000257