【誤訳訂正書】
【提出日】令和1年6月26日(2019.6.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェハを製造する方法であって、前記方法は、
ｎ型ドーパントを含むシリコン融液から引き出し期間にわたってｎ型シリコンインゴットを引き出すことと、
前記引き出し期間の少なくとも一部にわたって前記シリコン融液にｐ型ドーパントを添加し、それにより、前記ｎ型シリコンインゴット内のｎ型ドーピングを１０％〜８０％補償することと、
前記シリコンインゴットをスライスすることと、
前記シリコンウェハに陽子を照射し、前記シリコンウェハ内に水素関連ドナーを形成することと、
前記シリコンウェハ内の前記水素関連ドナーの前記形成の後、前記シリコンウェハをアニールすることと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記ｎ型ドーピングの５％〜７５％の部分が水素関連ドナーで構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ｎ型ドーパントのｎ型ドーパント種の偏析係数と前記ｐ型ドーパントのｐ型ドーパント種の偏析係数とが少なくとも３倍異なる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記ｎ型ドーパント種がリンであり、前記ｐ型ドーパント種がホウ素である、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
ホウ素に加えて、前記引き出し期間の少なくとも一部にわたって前記シリコン融液に、リンよりも小さい偏析係数を有する第２のｐ型ドーパント種を添加することをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のｐ型ドーパント種がアルミニウムおよびガリウムのうちの少なくとも１つに対応する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ホウ素が、ホウ素ドープ石英材料、または気相におけるホウ素のうちの少なくとも１つから前記シリコン融液に添加される、請求項４から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記ホウ素が、炭化ホウ素または窒化ホウ素源材料から前記シリコン融液に添加される、請求項４〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記ホウ素が、ホウ素をドープされたるつぼから前記シリコン融液に添加される、請求項４から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ホウ素をドープされたるつぼが、前記るつぼ内にホウ素を打ち込むこと、前記るつぼ内へのホウ素の拡散、およびｉｎ−ｓｉｔｕドーピングのうちの少なくとも１つによって形成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ホウ素が様々なエネルギーおよびドーズで前記るつぼ内に打ち込まれる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
加熱によって前記るつぼに、前記るつぼ内に前記ホウ素の逆行プロファイルを設定するように構成されたサーマルバジェットを印加することをさらに含む、請求項９から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記るつぼの内壁における層を形成することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記シリコン融液に前記ホウ素を添加する速度を変更することをさらに含む、請求項４から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記シリコン融液に前記ホウ素を添加する前記速度を変更することが、粒子のサイズ、幾何学的形状および送出速度、ホウ素キャリアガスの流量または分圧のうちの少なくとも１つを変更することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記シリコン融液に前記ホウ素を添加する前記速度を変更することが、前記シリコン融液内に浸漬される源材料の深さを変更すること、および前記源材料の温度を変更することのうちの少なくとも１つを含み、前記源材料は前記ホウ素をドープされている、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記源材料のドーピングが、ｉｎ−ｓｉｔｕドーピング、前記源材料の表面を通したプラズマ堆積プロセス、前記源材料の前記表面を通したイオン打ち込み、および前記源材料の前記表面を通した拡散プロセスのうちの１つによって実行される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
チョクラルスキー成長プロセスの間に前記シリコンインゴットの重量を測定することによって前記シリコン融液に前記ホウ素を添加する速度を制御することをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記ホウ素をドープされた石英源材料の寸法の変化を光学的に測定することによって前記シリコン融液に前記ホウ素を添加する速度を制御することをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
源材料と前記シリコン融液との間の接触面積、および前記源材料の加熱のうちの少なくとも１つを変更することによって前記シリコン融液に前記ホウ素を添加する速度を変更することをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記シリコン融液に前記ｐ型ドーパントを添加することが、ｐ型ドーパント源材料からのｐ型ドーパントを前記シリコン融液内に溶解することを含む、請求項１から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記シリコンウェハに陽子を照射することが、１ｘ１０１３ｃｍ−２〜８ｘ１０１４ｃｍ−２の範囲内の打ち込みドーズ、１．０ＭｅＶ〜５．０ＭｅＶの範囲内の打ち込みエネルギー、４６０℃〜５２０℃の範囲内のアニール温度、および３０分〜２０時間の範囲内のアニール継続時間を含む、請求項１から２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記シリコンウェハの材料を除去することによって前記シリコンウェハの厚さを低減し、それにより、陽子照射のエンドオブレンジ・ピークを除去することをさらに含む、請求項１から２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記半導体ウェハの電気特性または材料特性を測定することと、前記測定された電気特性または材料特性の関数として陽子照射およびアニールの少なくとも１つのパラメータを設定することと、をさらに含む、請求項１から２３のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
別の実施形態は、シリコンウェハを製造する方法に関する。本方法は、ｎ型ドーパントを含むシリコン融液から引き出し期間にわたってｎ型シリコンインゴットを引き出すことを含む。本方法は、引き出し期間の少なくとも一部にわたってシリコン融液にｐ型ドーパントを添加し、それにより、ｎ型シリコンインゴット内のｎ型ドーピングを１０％〜８０％補償することをさらに含む。本方法は、シリコンインゴットをスライスすることをさらに含む。本方法は、シリコンウェハに陽子を照射することによってシリコンウェハ内に水素関連ドナーを形成することと、その後、シリコンウェハをアニールすることとをさらに含む。当業者は、以下の詳細な説明を読み、添付の図面を見れば、追加の特徴および利点を認識するであろう。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
プロセス特徴Ｓ１３０は、シリコンウェハに陽子を照射することによってシリコンウェハ内に水素関連ドナーを形成することと、その後、シリコンウェハをアニールすることとを含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９８】
本明細書において説明されている実施形態は組み合わせられてもよい。本明細書においては、特定の実施形態が図示され、説明されているが、種々の代替および／または同等の実装形態が、本発明の範囲から逸脱することなく、図示され、説明されている特定の実施形態と置き換えられ得ることが当業者によって理解されるであろう。本出願は、本明細書において説明されている特定の実施形態の任意の適応例または変形例を包括することを意図されている。したがって、本発明は請求項およびそれらの均等物によってのみ限定されることが意図されている。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
半導体デバイスであって、
正味のｎ型ドーピングのドリフトまたはベース区域を含むシリコン半導体本体であって、ｎ型ドーピングがｐ型ドーパントにより１０％〜８０％部分的に補償され、前記ドリフト区域内の正味のｎ型ドーピング濃度は１ｘ１０１３ｃｍ−３〜１ｘ１０１５ｃｍ−３の範囲内にあり、前記ｎ型ドーピングの５％〜７５％の部分は水素関連ドナーで構成される、シリコン半導体本体
を含む、半導体デバイス。
（態様２）
前記ドリフトまたはベース区域内のｎ型ドーパントと前記ドリフトまたはベース区域内のｐ型ドーパントとの偏析係数の比が０．２５〜４の範囲内にある、態様１に記載の半導体デバイス。
（態様３）
前記ｎ型ドーピングが、ホウ素によって部分的に補償されたリンを含む、態様１または２に記載の半導体デバイス。
（態様４）
前記ドリフト区域内の前記正味のｎ型ドーピングが、リンよりも小さい偏析係数を有するｐ型ドーパント種によってさらに補償される、態様３に記載の半導体デバイス。
（態様５）
前記ｐ型ドーパント種がアルミニウムおよびガリウムのうちの少なくとも１つに対応する、態様３に記載の半導体デバイス。
（態様６）
ホウ素と、アルミニウムおよびガリウムのうちの前記少なくとも１つとの濃度比が少なくとも２である、態様５に記載の半導体デバイス。
（態様７）
前記ドリフト区域の前記正味のｎドーピングが前記シリコン半導体本体の原材料のドーピングに対応し、前記ドリフト区域内の前記正味のドーピング濃度よりも大きい正味のドーピング濃度を有するｐドープ領域およびｎドープ領域をさらに含む、態様１〜６のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
（態様８）
前記半導体デバイスが、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、ダイオードおよび絶縁ゲート電界効果トランジスタのうちの１つである、態様１〜６のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
（態様９）
前記半導体デバイスが、前記半導体本体の第１の表面における第１の負荷端子と、前記第１の表面の反対側の第２の表面における第２の負荷端子とを備える縦型パワー半導体デバイスである、態様１〜８のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
（態様１０）
前記半導体本体の反対側の主表面の間における縦方向に沿った前記水素関連ドナーの濃度プロファイルの変化が８０％未満である、態様１〜９のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
（態様１１）
正味のｎ型ドーピングを含むシリコンウェハであって、ｎ型ドーピングがｐ型ドーパントにより１０％〜８０％部分的に補償され、前記正味のｎ型ドーピング濃度は１ｘ１０１３ｃｍ−３〜１ｘ１０１５ｃｍ−３の範囲内にあり、前記ｎ型ドーピングの５％〜７５％の部分は水素関連ドナーで構成される、シリコンウェハ。
（態様１２）
前記ｎ型ドーピングが、ホウ素によって部分的に補償されたリンを含む、態様１１に記載のシリコンウェハ。
（態様１３）
前記正味のｎ型ドーピングが、リンよりも小さい偏析係数を有するｐ型ドーパント種によってさらに補償される、態様１１または１２に記載のシリコンウェハ。
（態様１４）
前記ｐ型ドーパント種がアルミニウムおよびガリウムのうちの少なくとも１つに対応する、態様１３に記載のシリコンウェハ。
（態様１５）
ホウ素と、アルミニウムおよびガリウムのうちの前記少なくとも１つとの濃度比が少なくとも２である、態様１４に記載のシリコンウェハ。