Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月4日(2018.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
音声信号を音波に電気音響変換するスピーカーユニットと、
その内部に該スピーカーユニットを取り付けて、該スピーカーユニットの振動板の一方側と他方側とにそれぞれ第１音響空間と第２音響空間とを規定するハウジングと、を備えるイヤホンであって、
該ハウジングが、該第１音響空間に連通して音波をユーザーの外耳道に導く第１音響通路を形成するノズル部と、該第２音響空間に連通して音波を外部空間に導く第２音響通路を形成するリークポート部と、を備え、
該リークポート部が、該第２音響通路を構成する柔軟性を有する筒状材と、該筒状材を屈曲させることなく該第２音響空間を構成する該ハウジングの内壁部または該ハウジングの外壁部に添って固定する固定部と、を有する、
イヤホン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のイヤホンは、音声信号を音波に電気音響変換するスピーカーユニットと、その内部にスピーカーユニットを取り付けて、スピーカーユニットの振動板の一方側と他方側とにそれぞれ第１音響空間と第２音響空間とを規定するハウジングと、を備えるイヤホンであって、ハウジングが、第１音響空間に連通して音波をユーザーの外耳道に導く第１音響通路を形成するノズル部と、第２音響空間に連通して音波を外部空間に導く第２音響通路を形成するリークポート部と、を備え、リークポート部が、第２音響通路を構成する柔軟性を有する筒状材と、筒状材を屈曲させることなく第２音響空間を構成するハウジングの内壁部またはハウジングの外壁部に添って固定する固定部と、を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
このイヤホンのハウジングは、第２音響空間に連通して音波を外部空間に導く第２音響通路を形成するリークポート部を備える。リークポート部は、第２音響通路を構成する柔軟性を有する筒状材と、筒状材を屈曲させることなく第２音響空間を構成するハウジングの内壁部またはハウジングの外壁部に添って固定する固定部と、を有する。中空の管状の部材である筒状材は、柔軟性を有するので、固定部が、筒状材を所定の形状に整形させるとともにハウジングに対して固定する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、本発明のイヤホンは、好ましくは、リークポート部の固定部が、第２音響空間を構成するハウジングの内壁部および／または外壁部に設けられて筒状材を収容する溝またはカバー部材を含む。ハウジングの内壁部および外壁部に筒状材をはめ込む溝を設ける固定部、あるいは、筒状材をカバー部材で固定する固定部を形成すれば、筒状材を屈曲させることなく所定の略円弧状に整形してハウジングに固定できる。その結果、リークポート部を形成する筒状材が屈曲したところで第２音響通路が閉じてしまう、または、狭くなるといった不具合を防止できる。筒状材をカバー部材でハウジングの外壁部に固定する場合には、カバー部材に意匠性を与えて美観に優れるイヤホンを実現できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、リークポート部の第２音響通路は、第２音響空間または外部空間と連通する開口端部の開口面積が、その中間部での断面積よりも大きくなるように形成されていてもよい。例えば、リークポート部を形成する筒状材の開口端部を、斜めに切断することにより開口を楕円形状にすれば、開口面積をその中間部での断面積よりも大きくすることができ、リークポートとしての動作および効果を高めることができる。リークポート部の筒状材が、第２音響空間または外部空間と連通する開口端部に通気性を有する保護部材を更に備える場合には、開口端部から筒状材の内部に異物が混入して第２音響通路が閉じてしまう、または、狭くなるといった不具合を防止することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
カナル型のイヤホン１においては、適切な音圧周波数特性を得るのに、細くて長い寸法の音響通路であるリークポート７を形成しなければならない。リークポート７は、ハウジング２の寸法に対比して極めて細くて長い部材であるので、ハウジング２に取り付けるのに、特に工夫を要する。本実施例の場合のように、長いリークポート７をハウジング２に収めるには、屈曲部を設けないようにして所定の形状に整形する必要がある。チューブが急激に折れ曲がる屈曲部ができてしまうと、そこで筒状材の内部が閉じてしまう、または、内部の面積が著しく狭くなるので、音響通路として機能しなくなるからである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
なお、ハウジング２のリークポート７は、音響空間１８に連通して音波を外部空間に導く音響通路を、必ずしも柔軟な筒状材で形成しなくても、同程度の断面積を有する管部をハウジング部材１２の外壁部および内壁部を貫通するように設けることで代用してもよい。また、ハウジング部材１２に取り付けるカバー８を用いて、リークポート７に代わる音響通路を設けてもよい。また、リークポート７は、その全部を柔軟な筒状材で形成しなくても、一部を上記の様なハウジング部材１２の外壁部および内壁部を貫通する管部によって代用してもよい。リークポート７を長くすることができれば、音声再生周波数帯域を十分に広げて良好な再生音質を確保することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
また、リークポート７は、開口端部７ａおよび７ｃの開口面積が、チューブまたは筒状材を斜めに切断することにより、その中間部７ｂでの断面積よりも大きくなるように形成されていれば、リークポートとしての動作および効果を高めることができる。したがって、リークポート７を異なる太さの筒状材を連結するようにして形成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月11日(2019.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、表示装置、表示モジュール、及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜を有する半導体装置であって、
前記半導体装置は、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の前記酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の一対の電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、
第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第３の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第１乃至第３の酸化物半導体膜は、それぞれ、同じ元素を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第１の酸化物半導体膜及び前記第３の酸化物半導体膜よりも、キャリア密度が高い領域を有する、
半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体膜を有する半導体装置であって、
前記半導体装置は、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の前記酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の一対の電極と、
前記酸化物半導体膜、前記一対の電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第２のゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、
第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第３の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第１乃至第３の酸化物半導体膜は、それぞれ、同じ元素を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第１の酸化物半導体膜及び前記第３の酸化物半導体膜よりも、キャリア密度が高い領域を有する、
半導体装置。
【請求項３】
酸化物半導体膜を有する半導体装置であって、
前記半導体装置は、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の前記酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の一対の電極と、
前記酸化物半導体膜、前記一対の電極上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第２のゲート電極と、を有し、
前記第１のゲート電極、及び前記第２のゲート電極は、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられる開口部において接続され、
且つ、前記酸化物半導体膜の側端部よりも外側に位置する領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、
第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の第３の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第１乃至第３の酸化物半導体膜は、それぞれ、同じ元素を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第１の酸化物半導体膜及び前記第３の酸化物半導体膜よりも、キャリア密度が高い領域を有する、
半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の酸化物半導体膜は、窒素元素を有する、
半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第１の酸化物半導体膜及び前記第３の酸化物半導体膜よりも、窒素濃度が高い領域を有する、
半導体装置。
【請求項６】
酸化物半導体膜を有する半導体装置であって、
前記半導体装置は、
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上のゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、
前記第１の絶縁膜と接する第１の領域と、
前記第２の絶縁膜と接する第２の領域と、
前記第３の絶縁膜と接する第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりもキャリア密度が高い領域を有し、
前記第３の領域は、前記第２の領域よりもキャリア密度が高い領域を有する、
半導体装置。
【請求項７】
酸化物半導体膜を有する半導体装置であって、
前記半導体装置は、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第２のゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、
前記第１の絶縁膜と接する第１の領域と、
前記第２の絶縁膜と接する第２の領域と、
前記第３の絶縁膜と接する第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりもキャリア密度が高い領域を有し、
前記第３の領域は、前記第２の領域よりもキャリア密度が高い領域を有する、
半導体装置。
【請求項８】
酸化物半導体膜を有する半導体装置であって、
前記半導体装置は、
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の第２のゲート電極と、を有し、
前記第１のゲート電極、及び前記第２のゲート電極は、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられる開口部において接続され、
且つ、前記酸化物半導体膜の側端部よりも外側に位置する領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、
前記第１の絶縁膜と接する第１の領域と、
前記第２の絶縁膜と接する第２の領域と、
前記第３の絶縁膜と接する第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりもキャリア密度が高い領域を有し、
前記第３の領域は、前記第２の領域よりもキャリア密度が高い領域を有する、
半導体装置。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の領域は、窒素元素を有する、
半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも、窒素濃度が高い領域を有する、
半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の半導体装置と、
表示素子と、を有する、
表示装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の表示装置と、
タッチセンサと、を有する、
表示モジュール。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１０に記載のいずれか一項に記載の半導体装置、請求項１１に記載の表示装置、または請求項１２に記載の表示モジュールと、
操作キーまたはバッテリと、を有する、
電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月14日(2019.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層に内蔵された電子部品と、
前記絶縁層に形成され、前記絶縁層の一方の面側に開口し、前記電子部品の電極を露出するビアホールと、
前記絶縁層に埋め込まれ、一方の面が前記絶縁層の一方の面から露出する第１配線層と、
前記第１配線層の一方の面に形成された配線パターン、及び前記配線パターンから前記ビアホール内に延在して前記電子部品の電極と直接接続されたビア配線、を含む第２配線層と、を有し、
前記ビア配線が前記配線パターンと一体である配線基板。
【請求項２】
前記ビアホールは、前記電子部品の電極上に位置する前記第１配線層、及び前記第１配線層と前記電子部品の電極との間に位置する前記絶縁層を貫通して前記電子部品の電極の一方の面を露出する請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２配線層は、
前記第１配線層の一方の面に直接形成され、前記ビアホールと連通する貫通孔を備えた第１層と、
前記第１層上に形成され、前記第１層上から延在して前記貫通孔及び前記ビアホールの内壁に沿って形成され、更に前記ビアホール内に露出する前記電子部品の電極を被覆する第２層と、
前記第２層上に形成され、前記第２層上から延在して前記第２層が形成された前記貫通孔内及び前記ビアホール内を充填する第３層と、を有する請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記絶縁層の一方の面には前記配線パターンを被覆するソルダーレジスト層が形成され、
前記ソルダーレジスト層は、前記配線パターンを選択的に露出する開口部を備え、
前記開口部内に露出する前記配線パターンは、半導体チップ接続用のパッドである請求項１乃至３の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記配線パターンは、前記ビア配線と接続された配線と、前記ビア配線と接続されていない配線と、を含み、
前記ビア配線と接続された配線と、前記ビア配線と接続されていない配線とは同一高さである請求項１乃至４の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記絶縁層に形成され、前記絶縁層の他方の面側に開口し、前記電子部品の電極を露出する第２ビアホールと、
前記絶縁層の他方の面に形成された配線パターン、及び前記配線パターンから前記第２ビアホール内に延在して前記電子部品の電極と直接接続されたビア配線、を含む第３配線層と、を有する請求項１乃至５の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記絶縁層は、前記第１配線層を埋め込む第１絶縁膜、及び前記電子部品を内蔵する第２絶縁膜が積層された構造である請求項１乃至６の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項８】
最外層が金属箔である支持体を準備し、前記金属箔上に第１配線層を形成する工程と、
前記金属箔上に、前記第１配線層を被覆する第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜上に、電子部品を搭載する工程と、
前記第１絶縁膜上に、前記電子部品を被覆する第２絶縁膜を形成する工程と、
前記金属箔を除く前記支持体を除去する工程と、
前記金属箔及び前記第１絶縁膜を貫通すると共に前記電子部品の電極を露出するビアホールを形成する工程と、
前記金属箔上及び前記ビアホール内に金属層を形成後、前記金属箔及び前記金属層をパターニングし、前記金属箔及び前記金属層を備えた配線パターン、及び前記配線パターンから前記ビアホール内に延在して前記電子部品の電極と直接接続されたビア配線、を含む第２配線層を形成する工程と、を有し、
前記第２配線層を形成する工程において、前記ビア配線を前記配線パターンと一体に形成する配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第２配線層を形成する工程は、
前記金属箔の全面、前記ビアホールの内壁面、及び前記ビアホール内に露出する前記電子部品の電極を連続的に被覆するシード層を形成する工程と、
前記シード層を給電層に利用した電解めっき法により、前記シード層上に選択的に電解めっき層を形成する工程と、
前記電解めっき層に覆われていない部分の前記シード層及び前記金属箔をエッチングにより除去する工程と、を有する請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１配線層を形成する工程では、前記第１配線層の、前記電子部品の電極が配置される予定の領域に、貫通孔を形成しておき、
前記ビアホールを形成する工程では、前記貫通孔に対応する位置の前記金属箔及び前記第１絶縁膜にレーザを照射し、前記電子部品の電極を露出する前記ビアホールを形成する請求項８又は９に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層に内蔵された電子部品と、前記絶縁層に形成され、前記絶縁層の一方の面側に開口し、前記電子部品の電極を露出するビアホールと、前記絶縁層に埋め込まれ、一方の面が前記絶縁層の一方の面から露出する第１配線層と、前記第１配線層の一方の面に形成された配線パターン、及び前記配線パターンから前記ビアホール内に延在して前記電子部品の電極と直接接続されたビア配線、を含む第２配線層と、を有し、前記ビア配線が前記配線パターンと一体であることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月17日(2018.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチフィジックスシステムを設計するための、コンピュータシステムによって実行される方法であって、
前記方法は、
前記マルチフィジックスシステムのブロック線図表現を表示するステップであって、前記マルチフィジックスシステムのそれぞれのサブシステムに各々対応するブロックと、前記ブロック間で、前記それぞれのサブシステム間のマルチフィジックス接続に対応するリンクとを含む、ステップと、
ユーザによって送信されたズームコマンドで、少なくとも１つのそれぞれのサブシステムのブロック線図表現のプレビューを表示するステップであって、前記プレビューの表示は、前記ズームコマンドの、前記コンピュータシステムによる検出によって制御される、ステップと
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記プレビューは、前記それぞれのサブシステムを表現する前記ブロックの内側に表示されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ズームコマンドはポインティングデバイスを用いて送信され、
ズームのフォーカス位置は前記ポインティングデバイスによって指し示される位置によって指定され、
前記プレビューの前記表示は、前記ズームの前記フォーカス位置と、前記それぞれのサブシステムを表現する前記ブロックの前記内側との対応関係の、前記コンピュータシステムによる前記検出によってさらに制御されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ズームの強さは、前記ポインティングデバイスによる所定のアクションの繰り返しによって継続的に増加され、前記プレビューは、前記ズームの前記強さが増加されるにつれて漸進的に表示されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記方法は、
前記サブシステムの前記ブロック線図表現を表示するステップと、
それぞれの所定の閾値に到達する前記ズームの前記強さを前記コンピュータシステムにより検出すると、前記マルチフィジックスシステムの前記ブロック線図表現の表示を停止するステップと
をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ブロック線図表現の前記表示は、前記コンピュータシステムのグラフィカル処理ユニットにそれぞれのグラフィカルデータをロードすることを含み、ブロック線図表現の表示の停止は、前記グラフィカル処理ユニットから前記それぞれのグラフィカルデータをアンロードすることを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記マルチフィジックスシステムの前記ブロック線図表現の透明性は、前記ズームの前記強さが増加されるにつれて、段階的に増加されることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記マルチフィジックスシステムの前記ブロック線図表現の前記表示の前記停止へのそれぞれの前記閾値に到達する前記ズームの前記強さを前記コンピュータシステムにより検出すると、前記表示は、前記それぞれのサブシステムの前記ブロック線図表現上の中心に再び置かれることを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記方法は、前記それぞれのサブシステムを、前記ブロック線図表現を表示している間に、編集するステップをさらに備えることを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記プレビューの透明性は、前記ズームの前記強さが増加されるにつれて、段階的に減少されることを特徴とする請求項４から請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記プレビューの前記表示は、それぞれの閾値に到達する前記ズームの前記強さの、前記コンピュータシステムによる前記検出によって、さらに制御されることを特徴とする請求項４から請求項１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
コンピュータ実行可能命令を含むコンピュータプログラムであって、前記コンピュータ実行可能命令は、コンピュータによって実行されるとき、前記コンピュータに請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の方法を実行させるコンピュータプログラム。
【請求項１３】
メモリと、前記メモリに結合されたプロセッサとを備え、前記プロセッサは、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の方法を実行するように構成されているコンピュータシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月10日(2018.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学画像および荷電粒子画像を利用した試料体積中の関心の領域の位置の３次元相関の方法であって、
試料体積を含む試料を提供することであり、前記試料体積が、関心の領域を包含し、前記試料体積中に分布した基準マークとを含み、前記基準マークが、前記試料体積の光学画像中と荷電粒子画像中の両方で識別可能であることと、
前記試料体積を光学システムを使用して画像化することと、
前記試料体積を荷電粒子ビームを使用して画像化することと、
前記光学画像中と前記荷電粒子ビーム画像中の両方で識別された前記基準マークの位置を使用して、前記試料体積中の関心の領域の位置を相関させることと
を含む方法。
【請求項２】
前記基準マークが既知の３次元形状を有し、前記基準マークが表面にマーカを含み、しかし内部には含まない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記試料体積中の関心の領域の位置を相関させることが、前記試料体積の全体にわたって分布した前記基準マークのうちの少なくともいくつかの基準マークの３次元位置を、１つまたは複数の光学画像を使用して決定すること、および前記試料体積中に分布した前記基準マークの３次元位置を、１つまたは複数の荷電粒子画像を使用して決定することを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記試料体積を前記光学システムを使用して画像化することと、前記試料体積を前記荷電粒子ビームを使用して画像化することの間で、前記試料体積の形状が変化し、前記試料体積中の関心の領域の位置を相関させることが、前記荷電粒子ビーム画像の画素を再配分して、前記光学画像中の前記基準マークの３次元位置が、前記荷電粒子ビーム画像中の前記基準マークの３次元位置と一致するようにすることを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記試料体積を前記光学システムを使用して画像化することと、前記試料体積を前記荷電粒子ビームを使用して画像化することの間で、前記基準マークの形状が変化し、前記試料体積中の関心の領域の位置を相関させることが、前記基準マークの形状の前記変化を使用することを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記基準マークが既知の３次元形状を有し、前記基準マークが表面にマーカを含み、しかし内部には含まない、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記試料体積中に分布した前記基準マークが蛍光球を含み、前記蛍光球が、前記球の表面に存在し前記球の内部には浸透しない染料を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
近くの蛍光マーカから実質的に干渉されることなくそれぞれの基準マークを個別に画像化することができる十分に低い濃度で、前記基準マークが前記試料体積中に分布している、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記試料体積と基板との境界面のＸ−Ｙ平面内に基準マークの平面層をさらに含み、前記基準マークが、前記試料体積の全体にわたって分布した前記基準マークと区別できる、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記試料体積を光学システムを使用して画像化することが、３次元超解像画像化を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
超解像画像化が光活性化局在性顕微鏡法を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
物体の３次元位置を、前記荷電粒子ビーム・システムを使用して、逐次画像化および材料除去サイクルによって得る、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
画像化が、走査電子顕微鏡画像を得ることを含み、材料除去が、集束イオン・ビームを用いたミリングを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記基準マークが蛍光ナノ粒子を含む、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記ナノ粒子が、染料によって機能化された球である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記染料によって機能化された球が、前記球の表面に存在し前記球の内部には浸透しない染料を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記染料が、光活性化可能な染料またはタンパク質である、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ナノ粒子が量子ドットである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記基準マークの３次元位置を、１つもしくは複数の荷電粒子画像または１つもしくは複数の光学画像を使用して決定することが、前記基準マークの３次元形状を決定することをさらに含む、請求項２から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記光学画像中と前記荷電粒子ビーム画像中の両方で識別された前記基準マークの位置を使用することが、前記基準マークの形状の変化を使用することをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
試料体積中の空間的変化の画像補正のための装置であって、
荷電粒子画像化システムと、
光学画像化システムと、
試料体積の全体にわたって分布した基準マークを含む前記試料体積と、
不揮発性記憶装置に接続された制御装置と
を備え、
前記記憶装置が、
前記試料体積を光学システムを使用して画像化すること、
集められた１つまたは複数の前記光学画像を使用して、前記試料体積の全体にわたって分布した前記基準マークの３次元位置を決定すること、
前記試料体積を荷電粒子ビームを使用して画像化すること、
集められた１つまたは複数の前記荷電粒子ビーム画像を使用して、前記試料体積の全体にわたって分布した前記基準マークの３次元位置を決定すること、
前記１つまたは複数の光学画像中の前記基準マークの位置を、前記１つまたは複数の荷電粒子ビーム画像中の前記基準マークの位置と比較すること、
前記１つまたは複数の光学画像と前記１つまたは複数の荷電粒子画像の間の基準マークの位置の差を計算すること、および
前記試料体積に対する空間的変化を考慮するために、前記１つまたは複数の光学画像あるいは前記１つまたは複数の荷電粒子画像に補正を適用すること
を前記制御装置に命令する命令を記憶した、試料体積中の空間的変化の画像補正のための装置。
【請求項２２】
前記基準マークの３次元位置を決定することを前記制御装置に命令する前記命令が、前記基準マークの３次元形状を決定する命令をさらに含む、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記光学画像化システムが３次元超解像画像化システムを含み、前記荷電粒子画像化システムが走査電子顕微鏡を含む、請求項２１または２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記１つまたは複数の光学画像と前記１つまたは複数の荷電粒子画像の間の基準マークの位置の差を計算する前記命令が、前記１つまたは複数の光学画像中の基準マークと前記１つまたは複数の荷電粒子画像中の基準マークの間の相対距離を比較する命令を含む、請求項２１から２３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２５】
前記１つまたは複数の光学画像と前記１つまたは複数の荷電粒子画像の間の基準マークの位置の差を計算する前記命令が、前記試料の形状に対する物理的変化によって生じる基準マークの位置と形状のうちの一方または両方の差を計算する命令を含む、請求項２１または２４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月28日(2018.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内部に配置された処理室内に形成されるプラズマを用いて前記処理室内に配置されたウエハを処理するプラズマ装置であって、
前記処理室の周囲を囲む前記真空容器の一方の側の側壁に配置され前記プラズマからの発光が透過する一方の窓と、この一方の窓の処理室を挟んだ他方の側に配置されこの処理室外部からの光が透過する他方の窓と、前記一方の窓の外部に配置されこの一方の窓からの光を受けて検出する受光部と、前記他方の窓の外部に配置された前記外部の光の光源及びこの光源と前記他方の窓との間に配置され前記光源からの光を前記処理室内に向かう光路及び別の方向に向かう光路に分岐すると共に前記処理室内から前記他方の窓を通って前記処理室外部に出た光をさらに別の方向に反射する光分岐部と、この光分岐部から前記処理室を通って前記受光部で受光された光と前記光分岐部で別の方向に分岐された光及び反射された光との各々が選択的に伝達可能に構成されこれらの光を用いて前記受光部で受光した前記プラズマからの発光を検出する検出部とを備え、当該結果に基づいて調節された前記処理の条件によって前記ウエハを処理するプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ装置であって、
前記外部の光源から前記他方の窓に入射する光を平行にする手段と、この平行にされて前記処理室に入射した後に前記一方の窓から放射された光を前記受光部の受光ポートに集光する手段とを備えたプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマ装置であって、
前記検出部が、前記光分岐部から前記処理室を通って前記受光部で受光された光と前記光分岐部で別の方向に分岐された光及び反射された光の各々の量を検出した結果を用いて、前記処理室内の内壁の表面の状態を検出する機能を備えたプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載のプラズマ装置であって、
前記検出部が、前記光分岐部から前記処理室を通って前記受光部で受光された光と前記光分岐部で別の方向に分岐された光及び反射された光の各々の量と、前記処理室内に導入された希ガスを用いて形成されたプラズマから前記一方の窓を通って前記受光部に導入される光及び他方の窓を通って前記光分岐部に導入される光の量とを検出した結果を用いて、前記処理室内に形成されるプラズマの強度または密度の分布或いは前記処理室の前記一方または他方の側の内壁の表面の状態を検出する機能を備えたプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載のプラズマ処理装置であって、
前記検出部が、前記検出した前記処理室内の内壁の表面の状態と前記処理中に検出した前記プラズマからの発光のデータとを用いて前記プラズマの条件と前記ウエハの処理後の寸法との相関を示すデータベースを用いて、前記プラズマの形成を調節するプラズマ装置。
【請求項６】
真空容器内部に配置された処理室内に形成されるプラズマを用いて前記処理室内に配置されたウエハを処理するプラズマ装置の運転方法であって、
前記プラズマ処理装置は、前記処理室の周囲を囲む前記真空容器の一方の側の側壁に配置され前記プラズマからの発光が透過する一方の窓と、この一方の窓の処理室を挟んだ他方の側に配置されこの処理室外部からの光が透過する他方の窓と、前記一方の窓の外部に配置されこの一方の窓からの光を受けて検出する受光部と、前記他方の窓の外部に配置された前記外部の光の光源及びこの光源と前記他方の窓との間に配置され前記光源からの光を前記処理室内に向かう光路及び別の方向に向かう光路に分岐すると共に前記処理室内から前記他方の窓を通って前記処理室外部に出た光をさらに別の方向に反射する光分岐部と、この光分岐部から前記処理室を通って前記受光部で受光された光と前記光分岐部で別の方向に分岐された光及び反射された光との各々が選択的に伝達可能に構成されこれらの光を用いて前記受光部で受光した前記プラズマからの発光を検出する検出部とを備え、当該結果に基づいて調節された前記処理の条件によって前記ウエハを処理するプラズマ処理装置の運転方法。
【請求項７】
請求項６に記載のプラズマ装置の運転方法であって、
前記外部の光源から前記他方の窓に入射する光を平行にする手段と、この平行にされて前記処理室に入射した後に前記一方の窓から放射された光を前記受光部の受光ポートに集光する手段とを備えたプラズマ処理装置の運転方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載のプラズマ装置の運転方法であって、
前記検出部が、前記光分岐部から前記処理室を通って前記受光部で受光された光と前記光分岐部で別の方向に分岐された光及び反射された光の各々の量を示すデータを用いて検出した前記処理室内の内壁の表面の状態を示すデータに基づいて前記処理の条件を調節するプラズマ処理装置の運転方法。
【請求項９】
請求項６または７に記載のプラズマ装置の運転方法であって、
前記検出部が、前記光分岐部から前記処理室を通って前記受光部で受光された光と前記光分岐部で別の方向に分岐された光及び反射された光の各々の量と、前記処理室内に導入された希ガスを用いて形成されたプラズマから前記一方の窓を通って前記受光部に導入される光及び他方の窓を通って前記光分岐部に導入される光の量とを検出した結果を用いて、前記処理室内に形成されるプラズマの強度または密度の分布あるいは前記処理室の前記一方または他方の側の内壁の表面の状態が検出され、当該プラズマの強度または密度の分布あるいは前記内壁の表面の状態を示すデータに基づいて前記処理の条件を調節するプラズマ処理装置の運転方法。
【請求項１０】
請求項８または９に記載のプラズマ処理装置であって、
前記検出部が、前記検出した前記処理室内の内壁の表面の状態と前記処理中に検出した前記プラズマからの発光のデータとを用いて前記プラズマの条件と前記ウエハの処理後の寸法との相関を示すデータベースを用いて、前記プラズマの形成を調節するプラズマ装置の運転方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
上記目的は、真空容器内部に配置された処理室内に形成されるプラズマを用いて前記処理室内に配置されたウエハを処理するプラズマ装置であって、前記処理室の周囲を囲む前記真空容器の一方の側の側壁に配置され前記プラズマからの発光が透過する一方の窓と、この一方の窓の処理室を挟んだ他方の側に配置されこの処理室外部からの光が透過する他方の窓と、前記一方の窓の外部に配置されこの一方の窓からの光を受けて検出する受光部と、前記他方の窓の外部に配置された前記外部の光の光源及びこの光源と前記他方の窓との間に配置され前記光源からの光を前記処理室内に向かう光路及び別の方向に向かう光路に分岐すると共に前記処理室内から前記他方の窓を通って前記処理室外部に出た光をさらに別の方向に反射する光分岐部と、この光分岐部から前記処理室を通って前記受光部で受光された光と前記光分岐部で別の方向に分岐された光及び反射された光との各々が選択的に伝達可能に構成されこれらの光を用いて前記受光部で受光した前記プラズマからの発光を検出する検出部とを備え、当該結果に基づいて調節された前記処理の条件によって前記ウエハを処理することにより達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月7日(2018.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティ及び前記キャビティの周りに段差構造を有する胴体と、
前記キャビティ内に配置された複数の電極と、
前記キャビティ内に配置された発光チップと、
前記キャビティの上をカバーし、外側が前記段差構造の上に配置された透明ウィンドウと、
前記透明ウィンドウと前記胴体との間に配置された接着部材とを含み、
前記接着部材は、前記透明ウィンドウの外側下面と前記段差構造の底との間に配置された第１接着部材と、及び前記透明ウィンドウの外側と前記胴体との間に接着された第２接着部材と、を含むことを特徴とする、発光素子。
【請求項２】
キャビティ及び前記キャビティの周りに段差構造を有する胴体と、
前記キャビティ内に配置された複数の電極と、
前記キャビティ内に配置された発光チップと、
前記キャビティの上をカバーし、外側が前記段差構造の上に配置された透明ウィンドウと、
前記透明ウィンドウの外側と前記胴体との間に配置された接着部材とを含み、
前記段差構造は、前記胴体の上面より低い底、及び前記底の外側に前記底より低い深さを有する溝を含み、
前記透明ウィンドウは外側下部に前記溝に突出した突起を含み、
前記接着部材は、前記溝に配置されて前記透明ウィンドウの突起と接着された第１接着部材と、及び前記透明ウィンドウの外側と前記胴体との間に接着された第２接着部材と、を含むことを特徴とする、発光素子。
【請求項３】
前記第２接着部材は、前記透明ウィンドウの外側上面と前記胴体の上面に延長され、
前記第２接着部材の上部表面は、前記透明ウィンドウの上面より上に配置されることを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記胴体は、前記段差構造と前記胴体の上面との間に配置された傾斜した構造を含み、
前記第２接着部材は、前記透明ウィンドウの外側と前記胴体の傾斜した構造の上に接着されることを特徴とする、請求項１乃至３のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記透明ウィンドウの外側の周りに前記透明ウィンドウの上面より低い第１リセスを含み、
前記第２接着部材は、前記第１リセス及び前記胴体に接着されることを特徴とする、請求項１乃至４のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記胴体には前記段差構造と前記胴体の上面との間に配置された第２リセスを含み、
前記第２接着部材は、前記第１及び第２リセスの上に配置されたことを特徴とする、請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記透明ウィンドウ及び前記胴体の上に配置された防水層を含むことを特徴とする、請求項１乃至６のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記防水層は、前記第２接着部材の上に配置されることを特徴とする、請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第１及び第２接着部材は、互いに異なる材質を含むことを特徴とする、請求項１乃至８のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記透明ウィンドウの上面及び下面のうちの少なくとも１つに曲面を含むことを特徴とする、請求項１乃至９のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記透明ウィンドウの上面に凹凸パターンを含むことを特徴とする、請求項１乃至１０のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記胴体は、セラミックス材質を含み、
前記透明ウィンドウは、ガラス材質を含み、
前記発光チップは、紫外線光を発光することを特徴とする、請求項１乃至１１のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記複数の電極は、第１電極と第２電極を含み、
前記胴体の下面に配置された第１及び第２リード電極と、前記胴体の内に配置され、前記第１電極及び第１リード電極に連結された第１連結電極と、及び前記第２電極及び第２リード電極に連結された第２連結電極と、をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至１２のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記透明ウィンドウは紫外線波長を透過する透過部、及び紫外線波長を遮断し、前記透過部の縁部に位置した遮断部を含み、前記遮断部は前記第１接着部材上に位置することを特徴とする、請求項１乃至１３のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記透過部及び前記遮断部は、同一平面上に並んで位置することを特徴とする、請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記第１接着部材は、前記透過部から一定間隔離隔したことを特徴とする、請求項１４または１５に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記第１接着部材の幅は、前記遮断部の幅より小さいことを特徴とする、請求項１４乃至１６のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記遮断部は、前記透過部の下部面上に位置することを特徴とする、請求項１４乃至１７のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記遮断部は、前記キャビティの内側方向に延長されたことを特徴とする、請求項１４乃至１８のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記透過部は、クォーツを含み、前記遮断部は、ガラスまたはＩＴＯを含むことを特徴とする、請求項１４乃至１９のうち、いずれか一項に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月29日(2019.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
缶であって、
フランジ部（４）と、
底部（２）と、
前記缶の装着状態において間隙内に配置され得る側壁（３）であって、ニッケル成分を含有する材料から少なくとも部分的になる側壁と、
を備えた缶（１）において、
前記材料が、５０〜５５質量パーセントのニッケル、１７〜２１質量パーセントのクロム、２．８〜３．３質量パーセントのモリブデン、４．７５〜５．５質量パーセントのニオブ、０．２〜０．８質量パーセントのアルミニウム、０．６５〜１．１５質量パーセントのチタン、及び残量の鉄を含有するニッケル−クロム合金であって、前記缶は硬化されていることを特徴とする缶。
【請求項２】
缶（１）を製造する方法であって、
前記缶（１）のフランジ部（４）を形成する工程と、
前記缶の底部（２）を形成する工程と、
前記缶の装着状態において間隙内に配置可能な、ニッケル成分を含有する材料から少なくとも部分的になる側壁（３）であって、成形工程によって目標形状にされる側壁（３）を形成する工程と、
を有してなる方法において、
前記材料として用いるために、少なくとも５０〜５５質量パーセントのニッケル、１７〜２１質量パーセントのクロム、２．８〜３．３質量パーセントのモリブデン、４．７５〜５．５質量パーセントのニオブ、０．２〜０．８質量パーセントのアルミニウム、０．６５〜１．１５質量パーセントのチタン、及び残量の鉄を含有する、溶体化焼鈍された状態のニッケル−クロム合金が選択され、熱処理による硬化が成形の後に行われることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月29日(2019.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式(I)の化合物又はその互変異性体を含む非晶質形態:
【化１】
2019116491.tif 000001
。
【請求項２】
約188.1℃で最大値を有する約160℃〜約200℃の吸熱を含む示差走査熱量測定サーモグラムを有する、請求項1記載の非晶質形態。
【請求項３】
約120℃のガラス転移温度を有する、請求項1記載の非晶質形態。
【請求項４】
実質的に純粋である、請求項1記載の非晶質形態。
【請求項５】
癌、炎症性疾患、免疫学的疾患、神経変性疾患、糖尿病、肥満、神経学的障害、加齢関連疾患、心血管疾患、又はキナーゼ経路の阻害によって治療可能もしくは予防可能な疾患を治療又は予防するための医薬組成物であって、請求項1〜4のいずれか一項記載の非晶質形態を含む、前記医薬組成物。
【請求項６】
前記キナーゼ経路がTORキナーゼ経路である、請求項5記載の医薬組成物。
【請求項７】
完全奏功、部分奏功、又は安定の固形腫瘍における治療効果判定基準(RECIST 1.1)を、固形腫瘍を有する対象において達成するための医薬組成物であって、請求項1〜4のいずれか一項記載の非晶質形態を含む、前記医薬組成物。
【請求項８】
NHLの国際ワークショップ基準(IWC)、多発性骨髄腫の治療効果判定国際統一基準(IURC)、東部共同腫瘍学グループのパフォーマンスステータス(ECOG)、又はGBMの神経腫瘍学治療効果評価(RANO)ワーキンググループを改善するための医薬組成物であって、請求項1〜4のいずれか一項記載の非晶質形態を含む、前記医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月28日(2019.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の個所に固定されるベースブラケットと、
前記ベースブラケットに旋回可能に取り付けられたチルトブラケットと、
前記チルトブラケットに傾斜可能に取り付けられたアームブラケットと、
表示装置が固定されるとともに、前記アームブラケットに設けられた中心軸を中心に回転し、前記表示装置の背面と前記アームブラケットとの間が閉じられた状態と、開かれた状態とを選択可能に前記アームブラケットに取り付けられるジョイントブラケットと、
前記ジョイントブラケットに設けられ、前記アームブラケットに設けられた穴に挿入することにより、前記ジョイントブラケットを前記表示装置の背面と前記アームブラケットとの間が閉じられた状態または開かれた状態に仮固定可能なピンと、
前記表示装置の背面と前記アームブラケットとの間が閉じられた状態で前記アームブラケットに設けられた雌ネジに螺合するネジを通すための前記ジョイントブラケットに設けられ、前記ジョイントブラケットの回転時に螺合した前記ネジが通過すべく前記ジョイントブラケットの縁に続く部分が開放された切欠きと、
を備えたことを特徴とする表示装置の取付部材。
【請求項２】
前記アームブラケットに設けられた穴は、第１のピン穴と第２のピン穴とであり、
前記ピンは、前記表示装置の背面と前記アームブラケットとの間が閉じられた状態のときに、前記第１のピン穴に挿入して前記ジョイントブラケットを仮固定し、前記閉じられた状態から前記アームブラケットに設けられた前記中心軸を中心に所定の方向に前記ジョイントブラケットを９０°回転したときの状態である、前記表示装置の背面と前記アームブラケットとの間が開かれた状態のときに、前記第２のピン穴に挿入して前記ジョイントブラケットを仮固定する、
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置の取付部材。
【請求項３】
前記ジョイントブラケットは、該ジョイントブラケットを前記アームブラケットに固定するネジが緩んだ状態で、前記ジョイントブラケットの前記ピンが前記アームブラケットの前記第１のピン穴から抜かれて前記仮固定から開放されることにより前記所定の方向に９０°回転可能となり、
緩んだ状態の前記ネジは、前記ジョイントブラケットを前記９０°回転させたときに、前記ネジに対応する個所にある前記ジョイントブラケットの前記切欠きの開放個所をそれぞれ通過する、
ことを特徴とする請求項２記載の表示装置の取付部材。
【請求項４】
前記アームブラケットに設けられた穴は、第１のピン穴と第２のピン穴とであり、
前記ピンは、前記開かれた状態から前記アームブラケットに設けられた前記中心軸を中心に前記所定の方向とは反対の方向に前記ジョイントブラケットを９０°回転したときの状態である、前記表示装置の背面と前記アームブラケットとの間が閉じられた状態のときに、前記第１のピン穴に挿入して前記ジョイントブラケットを仮固定する、
ことを特徴とする請求項２又は３記載の表示装置の取付部材。
【請求項５】
前記所定の方向とは反対の方向に前記９０°回転させたときに、前記ジョイントブラケットの切欠きの開放個所に、緩んでいる前記ネジを嵌めた後に前記仮固定する、
ことを特徴とする請求項４記載の表示装置の取付部材。
【請求項６】
前記表示装置の背面と前記アームブラケットとの間を閉じたときに、前記アームブラケットに設けられたセキュリティスロットに重なるように前記ジョイントブラケットに設けられ、セキュリティスロットに挿入されたケンジントンロックの先端が貫通するロック用穴を有する、
ことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の表示装置の取付部材。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月18日(2019.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート表皮と、
該シート表皮の裏側に設けられて着座者の心拍を検出する複数の電極部を有するセンサと、
該センサの前記電極部に接続されて、シート表皮表側からシート表皮裏側に折り返された折返し部を有する導電布と、を備える車両用シートであって、
前記折返し部は、前記複数の電極部の間に配置されていることを特徴とする車両用シート。
【請求項２】
前記導電布の前記折返し部と、前記シート表皮の端末とが縫合された縫合部が設けられ、
該縫合部は、前記複数の電極部の間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の車両用シート。
【請求項３】
前記折返し部は、前記車両用シートのシート幅方向外側の側面部を避けた位置に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の車両用シート。
【請求項４】
前記折返し部は、シート幅方向に延在する部位から、前記シート表皮表側と前記シート表皮裏側とに折り返されて形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の車両用シート。
【請求項５】
前記折返し部は、シートクッション及びシートバックのシート幅方向両側に設けられた土手部よりもシート幅方向中央側に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の車両用シート。
【請求項６】
前記センサは、静電容量式センサであって、
前記静電容量式センサは、長尺状に形成されており、
前記導電布は、前記静電容量式センサの短尺部分に接続されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の車両用シート。
【請求項７】
前記導電布は、前記静電容量式センサの検出面のうち最も短い辺に接続されていることを特徴とする請求項６に記載の車両用シート。
【請求項８】
前記折返し部は、前記シート表皮の吊り込み部に固定されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の車両用シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記課題は、本発明に係る車両用シートによれば、シート表皮と、該シート表皮の裏側に設けられて着座者の心拍を検出する複数の電極部を有するセンサと、該センサの前記電極部に接続されて、シート表皮表側からシート表皮裏側に折り返された折返し部を有する導電布と、を備える車両用シートであって、前記折返し部は、前記複数の電極部の間に配置されていること、により解決される。
上記構成によれば、折返し部は、複数の電極部の間に配置されているため、着座者の心電位を安定して検出可能なセンサを備える車両用シートを実現することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記導電布の前記折返し部と、前記シート表皮の端末とが縫合された縫合部が設けられ、該縫合部は、前記複数の電極部の間に配置されていると好ましい。
また、前記折返し部は、前記車両用シートのシート幅方向外側の側面部を避けた位置に配置されていると良い。
上記構成によれば、折返し部が、着座者からの荷重のかかりやすい車両用シートのシート幅方向外側の側面部を避けた位置に配置されていることにより、運転時に着座者の荷重によってシート幅方向に生じるシート表皮の引張力の影響を受けづらくなる。
このため、この引張力による折返し部の断線を抑制できることで、センサによって着座者の心電位を安定して検出することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月19日(2019.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
建物開口部に固定される枠体と、枠体に支持される障子とを備え、
枠体の少なくとも一辺の枠は、金属部材と樹脂部材とからなり、
枠体の少なくとも一辺の枠の樹脂部材に框体の室内側面に向かって突出する中空状の突出部が設けられ、突出部は框体の室内側面に対して非接触状態で近接していることを特徴とする断熱サッシ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、建物開口部に固定される枠体と、枠体に支持される障子とを備え、枠体の少なくとも一辺の枠は、金属部材と樹脂部材とからなり、枠体の少なくとも一辺の枠の樹脂部材に框体の室内側面に向かって突出する中空状の突出部が設けられ、突出部は框体の室内側面に対して非接触状態で近接していることを特徴とすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月18日(2019.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内容物が収納される収納容器において、
前記収納容器は、前記収納容器の内部を３Ｌの塩酸で満たした場合に、内部の表面積１９２４００ｍｍ２あたりにおけるＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａの各金属イオンの溶出量がいずれも０．０２ｐｐｂ未満であり、
収納容器の最内層は、ポリオレフィン材料を含み、１３ｍＬのジメチルカーボネートに接触面積が４５０００ｍｍ２となる様に前記最内層を接触させた場合に、Ｃ１０〜Ｃ２８のアルカンの溶出量がトルエン換算で２００ｐｐｍ以下である、収納容器。
【請求項２】
前記収納容器の内部を３Ｌの純水で満たした場合に、内部の表面積１９２４００ｍｍ２あたりにおける０．１μｍ径のパーティクル数が１５個／ｍＬ以下である、請求項１に記載の収納容器。
【請求項３】
前記収納容器内部を３Ｌの純水で満たした場合に、内部の表面積１９２４００ｍｍ２あたりにおける０．２μｍ径のパーティクル数が５個／ｍＬ以下である、請求項１又は２に記載の収納容器。
【請求項４】
前記収納容器内部を３Ｌの塩酸で満たした場合に、内部の表面積１９２４００ｍｍ２あたりにおける元素番号２４〜３０の金属イオンの溶出量が、いずれも０．０２ｐｐｂ未満である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の収納容器。
【請求項５】
前記収納容器は内袋と外袋とを有する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の収納容器。
【請求項６】
前記収納容器は袋本体と、この袋本体の側縁部に設けられた注出口とを有する、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の収納容器。
【請求項７】
前記袋本体と前記注出口は一体成形され、前記注出口は前記袋本体の上縁から外方へ突出する、請求項６記載の収納容器。