【事件の表示】
　特願２０１４−１４２０２４「導電パターン形成方法、半導体装置、及び電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　２月　１日出願公開、特開２０１６−　１８９４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２６年７月１０日の出願であって、平成２９年６月２６日に手続補正がされ、平成３０年６月２５日付けで拒絶理由通知がされ、同年８月３０日に手続補正がされるとともに意見書が提出され、平成３１年３月１８日付けで最後の拒絶理由通知がされ、令和１年９月２６日に手続補正がされるとともに意見書が提出されたところ、令和１年１１月１３日付けで、令和１年９月２６日に提出された手続補正書による補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がされた。これに対して、令和２年３月１８日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。
第２　令和２年３月１８日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和２年３月１８日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１―５を補正して、補正後の特許請求の範囲の請求項１−５とするものであり、補正後の特許請求の範囲の請求項１−５と補正前の特許請求の範囲の請求項１−５の記載は各々次のとおりである。
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１−５の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。）
「【請求項１】
　
第１のゲート電極と前記第１のゲート電極に隣接して設けられた第２のゲート電極とを有する導電パターンの形成方法であって、
　
前記導電パターンを、
　基材上に第１の導電膜を形成する工程と、
　前記第１の導電膜上にアルミニウム・ネオジム合金膜を形成する工程と、
　前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する第２の導電膜を形成する工程と、
　前記第１の導電膜と前記アルミニウム・ネオジム合金膜と前記第２の導電膜とをドライエッチングを用いてパターニングする工程と、
によって形成するとともに、
　
前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間の間隔は１０μｍ以下である
導電パターン
の
「【請求項２】
　前記第１の導電膜および前記第２の導電膜は、チタンまたは窒化チタンからなる、請求項１に記載の導電パターン
の
「【請求項３】
　
第１のゲート電極と前記第１のゲート電極に隣接して設けられた第２のゲート電極とを有する導電パターンが形成された半導体装置であって、
　前記導電パターンは、
　基材上に形成された第１の導電膜と、
　前記第１の導電膜上に形成されたアルミニウム・ネオジム合金膜と、
　前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に形成され、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する第２の導電膜と、を備え、
　前記第１の導電膜と前記アルミニウム・ネオジム合金膜と前記第２の導電膜とは、ドライエッチングを用いてパターニングされているとともに、
　前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間の間隔は、１０μｍ以下である
「【請求項４】
　前記導電パターンは、ゲート配線とソース配線とのうちの少なくとも一方を構成する、
請求項３に記載の半導体装置。」
「【請求項５】
　請求項３または４に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。」
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の、平成３０年８月３０日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−５の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　基材上に第１の導電膜を形成する工程と、
　前記第１の導電膜上にアルミニウム・ネオジム合金膜を形成する工程と、
　前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する第２の導電膜を形成する工程と、
　前記第１の導電膜と前記アルミニウム・ネオジム合金膜と前記第２の導電膜とをドライエッチングを用いてパターニングする工程と、
　を有することを特徴とする導電パターン形成方法。」
「【請求項２】
　前記第１の導電膜および前記第２の導電膜は、チタンまたは窒化チタンからなる、請求項１に記載の導電パターン形成方法。」
「【請求項３】
　請求項１または２に記載の導電パターン形成方法を用いて形成された導電パターンを備えることを特徴とする半導体装置。」
「【請求項４】
　前記導電パターンは、ゲート配線とソース配線とのうちの少なくとも一方を構成する、
請求項３に記載の半導体装置。」
「【請求項５】
　請求項３または４に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。」
２　本件補正についての検討
（１）補正事項の整理
［補正事項１］
　補正前の請求項１に記載の「基材上に」、「導電パターン形成方法」を、それぞれ、「
第１のゲート電極と前記第１のゲート電極に隣接して設けられた第２のゲート電極とを有する導電パターンの形成方法であって、前記導電パターンを、
の
［補正事項２］
　補正前の請求項１に記載の「を有することを特徴とする」を、「
によって形成するとともに、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間の間隔は１０μｍ以下である
［補正事項３］
　補正前の請求項２に記載の「導電パターン形成方法」を、「導電パターン
の
［補正事項４］
　補正前の請求項３に記載の「請求項１または２に記載の導電パターン形成方法を用いて形成された導電パターンを備える」を、「
第１のゲート電極と前記第１のゲート電極に隣接して設けられた第２のゲート電極とを有する導電パターンが形成された半導体装置であって、前記導電パターンは、基材上に形成された第１の導電膜と、前記第１の導電膜上に形成されたアルミニウム・ネオジム合金膜と、前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に形成され、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する第２の導電膜と、を備え、前記第１の導電膜と前記アルミニウム・ネオジム合金膜と前記第２の導電膜とは、ドライエッチングを用いてパターニングされているとともに、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間の間隔は、１０μｍ以下である
（２）補正の目的についての検討
　以下、補正事項１−４について検討する。
ア　補正事項１、２について
　補正事項１、２について、まとめて検討する。
（ア）まず、補正事項１、２が、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる、「特許請求の範囲の減縮（第三十六条第五項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）」を目的とするものであるかについて検討する。
ａ　「発明を特定するために必要な事項を限定するもの」であるかについて
　補正前の請求項１には、「第三十六条第五項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項」（以下、「発明特定事項」という。）として、「導電パターン」を「形成」するための各工程である「第１の導電膜を形成する工程」、「アルミニウム・ネオジム合金膜を形成する工程」、「第２の導電膜を形成する工程」、及び、、「パターニングする工程」が記載されているものの、「導電パターン」それ自体の形態・構造、すなわち、導電パターンの用途、個数、複数の導電パターンの相互の位置関係、及び導電パターン間の間隔等について発明を特定する事項の記載は見当たらない。
　そして、補正事項１によって追加された「第１のゲート電極と前記第１のゲート電極に隣接して設けられた第２のゲート電極とを有する導電パターンの形成方法であって、前記導電パターンを、」及び「前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間隔は１０μｍ以下である」とする限定は、本件補正前の特許請求の範囲に記載された発明の前記各発明特定事項を概念的に下位に限定するものとはいえないから、補正事項１及び２は発明特定事項を限定するものであるとはいえない。
ｂ　したがって、補正事項１、２は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる、「特許請求の範囲の減縮（第三十六条第五項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）」を目的とするものに該当しない。
（イ）また、補正前の請求項１の記載は、明確であるから、補正事項１、２は、特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる、「明りょうでない記載の釈明（拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限る。）」を目的とするものにも該当しない。
　更に、補正事項１、２は、特許法第１７条の２第５項第１号、第３号に掲げる、「第三十六条第五項に規定する請求項の削除」、または「誤記の訂正」を目的とするものにも該当しない。
　
（ウ）請求人の主張について
　ａ　審判請求人は、審判請求書の【請求の理由】において、以下のように主張している。
「２．拒絶査定の理由の要点
（ａ）原査定の拒絶理由は、本願発明は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしてなく（拒絶理由１）、また、その出願前に頒布された刊行物である引用文献１（特開２００２−３４１３６７号公報）及び引用文献２（特開２００４−１９３２６４号公報）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない（拒絶理由２）、というものであります。
（ｂ）拒絶理由１は、具体的には、本願請求項１及び３において「第１のゲート電極を有する半導体装置」との事項と「前記第１のゲート電極に隣接して設けられた第２のゲート電極」との事項との関係が不明確であるから、「第１のゲート電極を有する半導体装置」が「前記第１のゲート電極に隣接して設けられた第２のゲート電極」を有するか否かについて特定することができないとともに、「第１のゲート電極」と「導電パターン」との関係や「第１のゲート電極」と請求項１に記載の各工程、及び「第１のゲート電極」と請求項３に記載の「アルミニウム・ネオジム合金膜」及び「第２の導電膜」との関係について規定がないから、本願請求項１〜５の発明は明確ではない、というものです。
　また、拒絶理由２は、具体的には、先の拒絶理由で引用した引用文献１には「信号線１２」を「フォトリソグラフィーとエッチングにより」形成することが記載され、・・・に、特段の困難性はないから、本願の請求項１〜５に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２に示される周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである、 というものです。」
「３．手続補正について
・・・
　したがって、今回の補正は、特許法第１７条の２第５項第４号の「明瞭でない記載の釈明」に相当するものと確信します。」
「４．拒絶理由１（明確性）
・・・
　今回の補正により、請求項１及び３において、
・・・
が明確になりました。
　したがって、今回の手続補正により、審査官がご指摘の記載不備は解消されたものと確信します。」
ｂ　しかしながら、審判請求人の前記主張は採用することはできない。その理由は以下のとおりである。すなわち、原査定の理由は、令和１年１１月１３日付けの補正却下の決定によって、令和１年９月２６日付け手続補正書でした補正が却下されたことから、本願発明は、平成３０年８月３０日付けの手続補正書で補正された特許請求の範囲に記載された事項により特定されることを前提として、「平成３１年３月１８日付け拒絶理由通知書に記載した理由１−３によって、拒絶をすべきものです。」としたものであり、その「平成３１年３月１８日付け拒絶理由通知書に記載した理由１−３」の概要は、以下のとおりである。
「１．（明確性）この出願は、特許請求の範囲の請求項３−５の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　　　　記
　請求項３に係る発明は、「半導体装置」（物の発明）であるが、請求項３には、・・・、その物の製造方法が記載されているものと認める。
・・・
　したがって、請求項３−５に係る発明は明確でない。
２．（新規性）この出願の請求項１−５に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物１（特開２００２−３４１３６７号公報）に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
３．（進歩性）この出願の請求項１−５に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物１（特開２００２−３４１３６７号公報）に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」
　したがって、原査定の理由は、請求人の主張する上記「２．（ａ）、（ｂ）」及び「４．」に記載の「拒絶理由１」、「拒絶理由２」とは異なるものであり、請求人の当該主張は、その前提において誤っており、根拠がなく、採用することはできない。
ｃ　そして、上記「３．」の主張について、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１−５の記載は、上記「１（２）」に記載のとおりのものであるところ、原査定の理由１で指摘された明確性要件（物の発明に係る請求項にその物の製造方法が記載されている場合の明確性要件）は、補正前の請求項３−５についてのものであって、補正前の請求項１の記載は、明りょうであり、拒絶の理由は通知されていない。
　したがって、補正前の請求項１に係る本件補正の補正事項１、２は、特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる「明りようでない記載の釈明（拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限る。）」を目的とするものには該当しない。
　よって、請求人の主張する上記「３．」は根拠がないものであり、採用することはできない。
（エ）補正事項１、２についてのまとめ
　したがって、補正事項１、２は、特許法第１７条の２第５項第１号ないし第４号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しないから、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしていない。
イ　補正事項４について
　補正事項４も、以上アと同様の理由により、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしていない。
ウ　補正の目的についてのまとめ
　以上のとおり、補正事項１、２及び４を含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当せず、同法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしていないものである。
（３）独立特許要件についての検討
ア　はじめに
　上記（２）のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしていないが、仮に、補正事項１、２、４の目的が特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、すなわち、本件補正の目的が特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとした場合について、念のため、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正発明がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについても、以下で検討する。
イ　本件補正発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１−５に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１−５に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１及び３に係る発明（以下、それぞれ「本件補正発明１」及び「本件補正発明３」という。））は、請求項１及び３に記載されている事項により特定される、上記「１（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載」に【請求項１】、【請求項３】として記載したとおりのものであって、再掲すると次のとおりである。
「【請求項１】
　
第１のゲート電極と前記第１のゲート電極に隣接して設けられた第２のゲート電極とを有する導電パターンの形成方法であって、
　
前記導電パターンを、
　基材上に第１の導電膜を形成する工程と、
　前記第１の導電膜上にアルミニウム・ネオジム合金膜を形成する工程と、
　前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する第２の導電膜を形成する工程と、
　前記第１の導電膜と前記アルミニウム・ネオジム合金膜と前記第２の導電膜とをドライエッチングを用いてパターニングする工程と、
によって形成するとともに、
　
前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間の間隔は１０μｍ以下である
導電パターン
の
「【請求項３】
　
第１のゲート電極と前記第１のゲート電極に隣接して設けられた第２のゲート電極とを有する導電パターンが形成された半導体装置であって、
　前記導電パターンは、
　基材上に形成された第１の導電膜と、
　前記第１の導電膜上に形成されたアルミニウム・ネオジム合金膜と、
　前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に形成され、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する第２の導電膜と、を備え、
　前記第１の導電膜と前記アルミニウム・ネオジム合金膜と前記第２の導電膜とは、ドライエッチングを用いてパターニングされているとともに、
　前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間の間隔は、１０μｍ以下である
ウ　明確性について
　本件補正発明３は、「半導体装置」という、「物」の発明であるが、請求項３には、「ドライエッチングを用いてパターニングされている」という、その物の製造方法が記載されている。
　ここで、物の発明に係る請求項にその物の製造方法が記載されている場合において、当該請求項の記載が特許法第３６条第６項第２号にいう「発明が明確であること」という要件に適合するといえるのは、出願時において当該物をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか、又はおよそ実際的でないという事情（「不可能・非実際的事情」）が存在するときに限られると解するのが相当である（最二小判平成２７年６月５日　平成２４年（受）１２０４号、同２６５８号）。
　しかしながら、不可能・非実際的事情が存在することについて、明細書等に記載がなく、また、出願人から主張・立証がされていないため、その存在を認める理由は見いだせない。
　したがって、本件補正による補正後の請求項３に係る発明は明確でない。
　よって、本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないため、当該補正後の請求項３に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
エ　引用文献の記載事項と引用発明
（ア）引用文献１
ａ　原査定の拒絶の理由で引用された本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２００２−３４１３６７号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
　本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関するものであり、更に詳細には、配線のパターニングが容易でヒロックの発生のない
アクティブマトリックス基板を容易に製造することのできる液晶表示装置及びその製造方法に関する
「【００３８】次に、本発明の液晶表示装置の第１の実施形態の構成について説明する。
図２は、本発明の第１の実施形態の液晶表示装置に使用するＴＦＴ基板の１画素部及び走査線端子部、信号線端子部の平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に沿って切って図示した断面図であり、本発明の液晶表示装置において用いられるＴＦＴ基板の製造工程を図示したものである
透明絶縁性基板３１上にゲート電極２１と、ゲート電極２１に接続する走査線１１と
蓄積容量電極２５と、遮光層２６と、走査線端子１４の下層金属膜３２とが形成
ゲート絶縁膜３３が設けられ
半導体層２２が設けられ
形成されている
信号線１２
が設けられており
【００３９】また、図３（ｅ）に示すように、本発明の液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板においては、ゲート電極２１、走査線１１（図示せず）が下層からＡｌ−Ｎｄ合金層２１１と高融点金属層２１２との積層構造からなっている。また、ソース電極２３及びドレイン電極２４、
信号線１２は、下層から高融点金属層２３１とＡｌ−Ｎｄ合金層２３２と高融点金属層２３３との積層構造からなっている
・・・
【００４２】次に、本発明の液晶表示装置の第２の実施形態の構成について説明する。
図４は、本発明の第２の実施形態の液晶表示装置に使用するＴＦＴ基板
図５は図４のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に沿って切って図示した断面図であり、本発明の液晶表示装置において用いられるＴＦＴ基板の製造工程を図示したもの
【００４３】図４及び図５（ｄ）に示したＴＦＴ基板は、透明絶縁性基板３１上にゲート電極２１と、ゲート電極２１に接続する走査線１１と、前段の走査線を共有する蓄積容量電極２５と、遮光層２６と、走査線端子１４の下層金属膜３２とが形成されており、ゲート電極２１上にはゲート絶縁膜３３が設けられており、ゲート絶縁膜３３上にゲート電極２１と対向して半導体層２２が設けられ、半導体層２２上にソース電極２３及びドレイン電極２４が分離されて形成されている。第１の実施形態と異なるのは、ソース電極２３及びドレイン電極２４が半導体層２２上に形成され、それぞれの端面が一致していることである。また、ソース電極２３と、ドレイン電極２４と、ゲート絶縁膜３３上に設けられたドレイン電極２４に接続する信号線１２と、信号線端子部の金属膜３４の上にはパッシベーション膜３５が設けられており、パッシベーション膜３５の一部に画素部コンタクトホール３６と端子部コンタクトホール３７が設けられている。このコンタクトホール３６、３７を介して、ソース電極２３に接続する画素電極２７と端子部の下層金属膜３２、３４に接続する接続電極３８が設けられている。ここで、蓄積容量電極２５と画素電極２７との間で保持容量が形成されている。
【００４４】また、図５（ｄ）に示すように、本発明の液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板においては、ゲート電極２１、走査線１１（図示せず）が下層からＡｌ−Ｎｄ合金層２１１と高融点金属層２１２との積層構造からなっている。また、ソース電極２３及びドレイン電極２４、信号線１２は、下層から高融点金属層２３１とＡｌ−Ｎｄ合金層２３２と高融点金属層２３３との積層構造からなっている。
第２の実施形態の構成について、他の点は第１の実施形態において説明したのと同様である
「【００４８】次に、本発明の液晶表示装置の製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。まず、本発明の
第１の実施形態の液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板の製造方法
【００４９】本発明の液晶表示装置において用いられるＴＦＴ基板の製造方法の第１の実施例は、図３に示すように、まず、厚さ０．７ｍｍの無アルカリガラスからなる透明絶縁性基板３１上に、スパッタにより厚さ約２００ｎｍのＡｌ−Ｎｄ合金層２１１と厚さ約１００ｎｍの高融点金属層２１２を成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、ゲート電極２１、走査線（図示せず）、蓄積容量電極（図示せず）、遮光層（図示せず）、走査線端子部の下層金属膜３２を形成する（図３（ａ））。ここで、高融点金属は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂの何れか及びこれらの何れかの合金からなる群と、Ｍｏ、Ｗ、ＴｉＮの何れか及びこれらの何れかの合金からなる群から選択される。前者の群から選択する場合は、Ａｌ−Ｎｄ合金のＮｄ含有量は０．０１〜１質量％に調整し、後者の群から選択する場合は、Ａｌ−Ｎｄ合金のＮｄ含有量は０．５〜１質量％に調整する。エッチングの方法については後述する。
【００５０】次に、プラズマＣＶＤにより厚さ約４００ｎｍのシリコン窒化膜からなるゲート絶縁膜３３と厚さ約２００ｎｍのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層２２１と厚さ約３０ｎｍのリンをドープしたＮ型アモルファスシリコン（ｎ+ａ−Ｓｉ）層２２２とを順次成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、半導体層２２を形成する（図３（ｂ））。
【００５１】次に、スパッタにより厚さ約５０ｎｍの高融点金属層２３１と厚さ２００ｎｍのＡｌ−Ｎｄ合金層２３２と厚さ約１００ｎｍの高融点金属層２３３を順次成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、ソース電極２３、ドレイン電極２４、信号線１２、信号線端子部の下層金属膜３４を形成する（図３（ｃ））。ここで、高融点金属とＡｌ−Ｎｄ合金のＮｄ含有量については、前述した通りである。次に、ソース電極２３とドレイン電極２４との間のｎ+ａ−Ｓｉ層２２２をエッチングして除去する。・・・走査線と
信号線のエッチング方法については後述する
【００５２】次に、プラズマＣＶＤにより厚さ約２００ｎｍのシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜３５を成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、画素部コンタクトホール３６及び端子部コンタクトホール３７を開口する（図３（ｄ））。
【００５３】次に、スパッタにより厚さ約５０ｎｍのＩＴＯまたはインジウム亜鉛酸化膜（ＩＺＯ）からなる透明導電膜を成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、画素電極２７及び端子部の接続電極３８を形成する（図３（ｅ））。・・・最後に、約２７０℃の温度でアニールし、ＴＦＴ基板を完成する。
【００５４】以下、走査線と信号線のエッチング方法について詳細に説明する。先ず、高融点金属としてＣｒ又はＣｒを主体とする合金を用いた場合について説明する。図９及び図１０は、高融点金属としてＣｒ又はＣｒを主体とする合金を用いた場合のエッチング処理の工程を示す図であり、図９は走査線を、図１０は信号線を形成する工程を示す図である。
【００５５】まず、走査線の形成方法について図９を参照して説明する。・・・最後に、フォトレジスト９３を剥離除去し、走査線９４（１１）を形成した（図９（ｄ））。
【００５６】次に、信号線の形成方法について図１０を参照して説明する。・・・
【００５７】次に、高融点金属としてＭｏ又はＭｏを主体とする合金を用いた場合について説明する。図１１及び図１２は、高融点金属としてＭｏ又はＭｏを主体とする合金を用いた場合のエッチング処理の工程を示す図であり、図１１は走査線を、図１２は信号線を形成する工程を示す図である。　
【００５８】まず、走査線の形成方法について図１１を参照して説明する。・・・最後に、フォトレジスト９３を剥離除去し、走査線９４（１１）を形成した（図１１（ｃ））。
【００５９】次に、信号線の形成方法について図１２を参照して説明する。・・・最後に、フォトレジスト１０４を剥離除去し、信号線１０５（１２）を形成した（図１２（ｃ））。
・・・
【００６２】次に、
高融点金属としてＴｉ
を用いた場合について
【００６３】まず、
走査線の形成方法
透明絶縁性基板３１上に積層されたＡｌ−Ｎｄ合金層９１
Ａｌ−Ｎｄ合金層９１をドライエッチングする
最後に、フォトレジスト９３を剥離除去し、走査線９４（１１）を形成した
【００６４】次に、
信号線の形成方法について図１５を参照して説明
ゲート絶縁膜３３上に積層された高融点金属層
１０１、Ａｌ−Ｎｄ合金層１０２及び高融点金属層
１０３上に、フォトレジスト１０４を塗布し、露光、現像を行い、フォトレジスト１０４を所定のパターンにパターニングし（図１５（ａ））、このフォトレジスト１０４をマスクとしてＴｉ層
１０３、Ａｌ−Ｎｄ合金層１０２及びＴｉ層
１０１をドライエッチングする（図１５（ｂ））。
最後に、フォトレジスト１０４を剥離除去し、信号線１０５（１２）を形成した（図１５（ｃ））
【００６５】次に、上記ＴＦＴ基板１０の上に、印刷により厚さ約５０ｎｍの配向膜３９を形成し、約２２０℃の温度で焼成し、配向処理を行う。一方、透明絶縁性基板４１上に、ＴＦＴ基板１０上の各画素領域に対応してカラーフィルタ４２と、ＴＦＴ部を含む画素領域の周辺部にブラックマトリクス４３とが形成され、その上にＩＴＯ等の透明導電膜からなる共通電極４４が形成された対向基板４０の上に、印刷により厚さ５０ｎｍの配向膜３９を形成し、約２２０℃の温度で焼成し、配向処理を行う。これらのＴＦＴ基板１０と対向基板４０とを、エポキシ系樹脂接着剤からなるシール４５及びプラスチック粒子等からなる面内スペーサー（図示せず）を介して、各々の膜面が対向するようにして所定間隔に重ね合わせる。その後、ＴＦＴ基板１０と対向基板４０との間に液晶４６を注入し、液晶４６を注入したシール４５の空間部（図示せず）をＵＶ硬化型アクリレート系樹脂からなる封孔材（図示せず）で密閉する。最後に、ＴＦＴ基板１０と対向基板４０の膜面とは反対側の面に、それぞれ偏向板４７を貼って、液晶表示パネルを完成する。（図３（ｆ））
【００６６】この後、図示してないが、走査線端子１４と信号線端子１５上に駆動回路に接続するテープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）を圧接し、液晶表示装置を完成する。
【００６７】前述の実施例では、５枚のマスクを用いてＴＦＴ基板を製造する場合について説明したが、本発明の液晶表示装置の製造方法は、４枚のマスクを用いてＴＦＴ基板を製造する場合にも適用可能である。本発明の第２の実施形態の液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板の製造方法は、（１）透明絶縁性基板上にゲート電極及び走査線を形成する工程、（２）ゲート絶縁膜、ソース、ドレイン電極及び信号線、半導体層を形成する工程、（３）パッシベーション膜、コンタクトホールを形成する工程、（４）画素電極を形成する工程を有し、前記ゲート電極及び走査線をＡｌ−Ｎｄ合金層と高融点金属層との積層構造に形成し、前記ソース、ドレイン電極及び信号線を高融点金属層とＡｌ−Ｎｄ合金層と高融点金属層との３層構造に形成することを特徴とする。」
「【００６８】本発明の液晶表示装置において用いられるＴＦＴ基板の製造方法の
第２の実施例
透明絶縁性基板３１上に、
厚さ約２００ｎｍのＡｌ−Ｎｄ合金層２１１と厚さ約１００ｎｍの高融点金属層２１２を成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、ゲート電極２１、走査線（図示せず）、蓄積容量電極（図示せず）、遮光層（図示せず）、走査線端子部の下層金属膜３２を形成する
【００６９】
次に、
ゲート絶縁膜３３と
アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層２２１と
Ｎ型アモルファスシリコン（ｎ+ａ−Ｓｉ）層２２２とを順次成膜し、さらに
高融点金属層２３１と厚さ２００ｎｍのＡｌ−Ｎｄ合金層２３２と厚さ約１００ｎｍの高融点金属層２３３を順次成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、ソース電極２３、ドレイン電極２４、信号線１２、信号線端子部の下層金属膜３４と半導体層２２を形成する
  図１−５は、以下のとおりのものである。
　図１５は、「高融点金属としてＴｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗの何れか又はこれらの何れかを主体とする合金を用いた場合のエッチング処理の工程を示す図であり、信号線を形成する工程を示す図」で、以下のとおりのものである。
ｂ　引用発明
　上記ａから、引用文献１には、第１の実施形態の液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板の製造方法である第１の実施例についての段落【００６２】、【００６４】の記載を勘案すると、第２の実施形態の液晶表示装置に使用するＴＦＴ基板の製造方法である第２実施例について、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「液晶表示装置に用いられるアクティブマトリックス基板の製造方法であって、
　透明絶縁性基板３１上に、厚さ約２００ｎｍのＡｌ−Ｎｄ合金層２１１と厚さ約１００ｎｍの高融点金属層２１２を成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、ゲート電極２１、走査線、蓄積容量電極、遮光層、走査線端子部の下層金属膜３２を形成し、
　次に、ゲート絶縁膜３３とアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層２２１とＮ型アモルファスシリコン（ｎ+ａ−Ｓｉ）層２２２とを順次成膜し、さらに、高融点金属層２３１と厚さ２００ｎｍのＡｌ−Ｎｄ合金層２３２と厚さ約１００ｎｍの高融点金属層２３３を順次成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより、ソース電極２３、ドレイン電極２４、信号線１２、信号線端子部の下層金属膜３４と半導体層２２を形成し、
　高融点金属としてＴｉを用いた場合の信号線の形成方法は、
　　ゲート絶縁膜３３上に積層された高融点金属層（Ｔｉ層）、Ａｌ−Ｎｄ合金層及び高融点金属層（Ｔｉ層）上に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行い、フォトレジストを所定のパターンにパターニングし、このフォトレジストをマスクとしてＴｉ層、Ａｌ−Ｎｄ合金層及びＴｉ層をドライエッチングし、最後に、フォトレジストを剥離除去し、信号線１２を形成する、
　アクティブマトリックス基板の製造方法。」
（イ）引用文献２
ａ　本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００４−１９３２６４号公報（以下「引用文献２」という。）には、次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、
フラットパネルディスプレイ
「【００４４】本発明の素子の典型的な例の一つとして、ＭＯＳ型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を半導体材料からなる結晶性薄膜に設けた例を図９及び図１０に示す。図中、１１はゲート絶縁膜、
１２はゲート電極
【００４５】図９に示す素子は、図６に示した工程によって基体１００上に孤立して設けた単一の結晶粒６を用いるＭＯＳ型ＴＦＴである。結晶粒６の表面には、ゲート絶縁膜１１を介したゲート電極１２、ソース電極１３、及びドレイン電極１４が設けてあり、各電極下の結晶粒６の領域には伝導型の制御によりそれぞれチャネル領域、ソース領域、及びドレイン領域が形成されている。・・・
・・・
【００４７】次に、上記に例示したような本発明の素子を用いて構成した、本発明の回路の一例を
図１１
１６は第二のＴＦＴのゲート電極
ゲート電極１２
「【００９３】
［実施例９］
本発明第九の実施例として、図７および図９に示した構造を有するＭＯＳ型ＴＦＴの例を記す。
【００９４】
はじめに、実施例８に記した工程により、表面にシリコン窒化膜及び酸化膜を積層したガラス基板上に、４μｍ角の単一シリコン結晶粒を設けた。次に、通常のシリコン薄膜トランジスタの低温形成工程に従って、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜とゲート電極膜を堆積し、単一結晶粒中央部の幅１μｍの領域を除いてゲート電極膜層を除去した。次に残されたゲート電極膜をマスクとするセルフアライン方式で、それ以外の領域にボロンをドープし、ゲート領域、ソース領域及びドレイン領域を形成した。これにより、ゲート領域は全域単一結晶粒の内部に含まれることとなった。その後、絶縁膜からなるパッシベーション層を堆積し、各領域上のパッシベーション層に開口部を設けた。最後に、アルミ配線層を堆積し、これをパターニングすることによってゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成し、ＭＯＳ型ＴＦＴを得た。」
「【０１０７】
［実施例１２］
本発明第十二の実施例として、
図１１に示した構造を有するＴＦＴ集積回路
【０１０８】
はじめに
実施例９に記したＭＯＳ型ＴＦＴを、同一基板の同一平面上に２素子形成し、
両素子は中心間距離を６μｍとして隣接
アクティブマトリクス型表示装置において各画素のスイッチングと電流量制御を担う要素回路などに用いることができる
　図１１は、以下のとおりのものである。
　図１１から、第一のＴＦＴのゲート電極と第二のＴＦＴのゲート電極とが隣接していることが見てとれる。
ｂ　上記記載から、引用文献２には、次の技術が記載されていると認められる。
「アクティブマトリクス型表示装置において用いることができる、同一基板の同一平面上にＭＯＳ型ＴＦＴを２素子形成したＴＦＴ集積回路であって、
　第１のＴＦＴのゲート電極と第２のＴＦＴのゲート電極とが隣接しており、
　両素子は中心間距離を６μｍとして隣接させたＴＦＴ集積回路。」
（ウ）周知例１
ａ　本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１０−１０８９６３号公報（以下「周知例１」という。）には、次の記載がある。
「【００２８】
（電気光学装置１００の詳細な構成）
　図２を参照して、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００およびそれに用いた素子基板の構成を説明する。図２は、本発明の実施の形態１に係る
電気光学装置１００に用いた素子基板１０の画像表示領域１０ａ
【００２９】
　図２に示すように、電気光学装置１００の画像表示領域１０ａには複数の画素１００ａがマトリクス状に形成されている。
複数の画素１００ａの各々には
電界効果型トランジスタ３０（画素トランジスタ）
電界効果型トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続
【００３１】
（各画素の詳細な構成）
　図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素１つ分の断面図、および素子基板１０において相隣接する
画素の平面図
【００３４】
　図３（ａ）に示す素子基板１０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの透光性基板１０ｂからなり、対向基板２０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの透光性基板２０ｂからなる。本形態では、透光性基板１０ｂ、２０ｂのいずれについてもガラス基板が用いられている。素子基板１０には、透光性基板１０ｂの表面にシリコン酸化膜などからなる下地保護膜（図示せず）が形成されているとともに、その表面側において、各画素電極７ａに対応する位置にトップゲート構造の電界効果型トランジスタ３０が形成されている。本形態において、電界効果型トランジスタ３０はＮチャネル型（第１導電型）である。
【００３５】
　図３（ａ）、（ｂ）に示すように、電界効果型トランジスタ３０において、能動層を構成する半導体層１ａは、走査線３ａに対して２箇所で交差するように屈曲した平面形状を備えており、
電界効果型トランジスタ３０は、走査線３ａの２箇所をゲート電極として利用
「【００４１】
（駆動回路の構成）
　図４（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置１００に用いた素子基板１０に形成した相補型電界効果型トランジスタの平面図、およびそのＢ−Ｂ′線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面図である。なお、図４（ｂ）には、図４（ａ）のＣ−Ｃ′線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面も示してある。
【００４２】
　図１（ａ）において、本形態の電気光学装置１００では、
素子基板１０の周辺領域を利用してデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４などの内部回路が形成されている
このようなデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４は、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、Ｐチャネル型（第２導電型）の電界効果型トランジスタ８０とＮチャネル型（第１導電型）の電界効果型トランジスタ９０とを備えた相補回路などを有しており
【００４３】
　図４（ａ）、（ｂ）において、
駆動回路のトランジスタは、
電界効果型トランジスタ８０と
電界効果型トランジスタ９０とから
構成されている
電界効果型トランジスタ８０、９０は、
電界効果型トランジスタ３０の製造工程の一部を利用して形成されたもの
【００４４】
　Ｎチャネル型の電界効果型トランジスタ９０は、チャネル領域１ｎの両側にＮ型のソース領域（高濃度ソース領域１ｓおよび低濃度ソース領域１ｑ）、およびドレイン領域（高濃度ドレイン領域１ｒおよび低濃度ドレイン領域１ｐ）を備えており、これらの領域は、電界効果型トランジスタ３０のソース領域およびドレイン領域と同時形成された領域である。Ｐチャネル型の電界効果型トランジスタ８０は、チャネル領域１ｉの両側にＰ型のソース領域（高濃度ソース領域１ｌおよび低濃度ソース領域１ｊ）、およびドレイン領域（高濃度ドレイン領域１ｍおよび低濃度ドレイン領域１ｋ）を備えている。半導体層１ｖ、１ｗの表面側にはゲート絶縁層２が形成され、ゲート絶縁層２の上層に共通のゲート配線３ｅが形成されている。かかる
ゲート配線３ｅは
走査線３ａと同時形成された配線である
「【００４９】
（素子基板１０の製造方法）
　図５〜図７は、本発明の実施の形態１に係る
電気光学装置に用いた素子基板の製造方法
【００５０】
　本形態の電気光学装置１００の製造工程のうち、素子基板１０の製造工程では、ガラス基板からなる透光性基板１０ｂの表面にシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成した後、まず、図５（ａ）に示す半導体層形成工程では、ポリシリコン膜からなる半導体層１ａ、１ｖ、１ｗを島状に形成する。それには、基板温度が１５０〜４５０℃の温度条件下で、透光性基板１０ｂの全面に、非晶質シリコン膜からなる半導体層をプラズマＣＶＤ法により、例えば、４０〜５０ｎｍの厚さに形成した後、レーザアニール法などにより、シリコン膜を多結晶化させた後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、半導体層１ａ、１ｖ、１ｗを形成する。
・・・
【００５２】
　次に、図５（ｂ）〜図５（ｄ）に示す
ゲート電極形成工程
高融点金属を含有するアルミニウム合金膜３を形成する
高融点金属としてネオジウムを含有するアルミニウム合金膜３を形成する
アルミニウム合金膜３に対してエッチングを行なう
ドライエッチングを行なう
走査線３ａおよびゲート配線３ｅが形成される
　図４は、以下のとおりのものである。
　図４から、電界効果トランジスタ８０のゲート電極と電界効果トランジスタ９０のゲート電極は、隣接して設けられた２箇所のゲート配線３ｅを利用することが見てとれる。
ｂ　上記記載から、周知例１には、次の技術が記載されていると認められる。
「電気光学装置１００に用いた素子基板１０の製造方法において、
　素子基板１０の画像表示領域１０ａに形成された電界効果型トランジスタ３０のゲート電極形成工程で、高融点金属としてネオジウムを含有するアルミニウム合金膜３を形成し、アルミニウム合金膜３に対してドライエッチングを行なって、走査線３ａおよび隣接して設けられたゲート配線３ｅを形成し、
　各画素における、電界効果型トランジスタ３０は、走査線３ａの２箇所をゲート電極として利用し、
　素子基板１０の周辺領域を利用して形成された駆動回路のトランジスタは、電界効果型トランジスタ８０と電界効果型トランジスタ９０とから構成されており、
　電界効果型トランジスタ８０、９０は、電界効果型トランジスタ３０の製造工程の一部を利用して形成されたものであり、
　隣接して設けられた２箇所のゲート配線３ｅを、電界効果トランジスタ８０と電界効果トランジスタ９０のゲート電極として利用すること。」
（エ）周知例２
ａ　本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００１−６６６３４号公報（以下「周知例２」という。）には、次の記載がある。
「【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図１（ａ）〜図１（ｄ）は本発明の実施の形態の
液晶表示装置のアクティブパネルの製造方法
高融点金属からなる
第１のバリアメタル２
【００１６】次に図１（ｃ）のように、全面にアルゴンガスを使用したスパッタリング法により厚さ約１００〜２００ｎｍのアルミニウム膜（Ａｌ膜）３とクロム（Ｃｒ）等の
高融点金属の
の第２のバリアメタル２を堆積
【００１７】次に図１（ｄ）のように、フォトレジスト７をマスクに第１のバリアメタル２と第２のバリアメタル６を硝酸第二セリウムアンモニウムと硝酸の混合水溶液でエッチングしてパターニングした後、フォトレジスト７を剥離し、第１のバリアメタル２，Ａｌ膜５，第２のバリアメタル６の多層膜からなる下部ゲートパッド８と
第１のバリアメタル２，Ａｌ膜４，第２のバリアメタル６の多層膜からなるゲート電極９を形成する
「【００２３】
上記の実施の形態では、配線の低抵抗材料にはＡｌ膜を使用したが、Ａｌに
Ｎｄを添加したものも使用でき
バリアメタルにはＣｒの他に、Ｔｉ
の高融点金属も使用できる
ｂ　上記記載から、周知例２には、次の技術が記載されていると認められる。
「液晶表示装置のアクティブパネルの製造方法において、Ｔｉからなる第１のバリアメタル２，Ｎｄを添加したＡｌ膜４，Ｔｉからなる第２のバリアメタル６の多層膜からなるゲート電極９を形成すること。」
オ　引用発明との対比
　本件補正発明１と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明において、「信号線１２」は、「高融点金属層２３１と厚さ２００ｎｍのＡｌ−Ｎｄ合金層２３２と厚さ約１００ｎｍの高融点金属層２３３を順次成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより」形成したものであるところ、本件補正発明１の「導電パターン」に対応するから、引用発明の「信号線の形成」は、「導電パターンの形成方法」である点で本件補正発明１と共通する。
　引用発明の「透明絶縁性基板３１」、「高融点金属層２３１」、「厚さ２００ｎｍのＡｌ−Ｎｄ合金層２３２」、「厚さ約１００ｎｍの高融点金属層２３３」は、それぞれ本件補正発明１の「基材」、「第１の導電膜」、「アルミニウム・ネオジム合金膜」、「第２の導電膜」に相当する。
　そして、引用発明において、「高融点金属層２３３」の厚さは、「約１００ｎｍ」であって、「Ａｌ−Ｎｄ合金層２３２」の厚さである「２００ｎｍ」の「１／４倍以上」であるから、本件補正発明１と引用発明とは、「前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する第２の導電膜」を形成する点で一致する。
（イ）引用発明において、「高融点金属としてＴｉを用いた場合の信号線の形成方法」は、「ゲート絶縁膜３３上に積層された高融点金属層（Ｔｉ層）、Ａｌ−Ｎｄ合金層及び高融点金属層（Ｔｉ層）上に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行い、フォトレジストを所定のパターンにパターニングし、このフォトレジストをマスクとしてＴｉ層、Ａｌ−Ｎｄ合金層及びＴｉ層をドライエッチングし、最後に、フォトレジストを剥離除去し、信号線１２を形成する」から、「Ｔｉ層とＡｌ−Ｎｄ合金層とＴｉ層とをドライエッチングを用いてパターニングする工程」によって、信号線１２を形成するものである。
　したがって、本件補正発明１と引用発明とは、「前記導電パターンを」、「前記第１の導電膜と前記アルミニウム・ネオジム合金膜と前記第２の導電膜とをドライエッチングを用いてパターニングする工程」「によって形成する」点で一致する。
（ウ）以上のことから、本件補正発明１と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「導電パターンの形成方法であって、
　前記導電パターンを、
　基材上に第１の導電膜を形成する工程と、
　前記第１の導電膜上にアルミニウム・ネオジム合金膜を形成する工程と、
　前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する第２の導電膜を形成する工程と、
　前記第１の導電膜と前記アルミニウム・ネオジム合金膜と前記第２の導電膜とをドライエッチングを用いてパターニングする工程と、
によって形成する、
導電パターンの形成方法。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
　形成する「導電パターン」が、本件補正発明１では、「第１のゲート電極と前記第１のゲート電極に隣接して設けられた第２のゲート電極とを有する導電パターン」であるのに対し、引用発明では、信号線１２はそのようなものではない点（以下、「相違点１−１」という。）。
　そのため、本件補正発明１は、「前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間の間隔は１０μｍ以下である」のに対し、引用発明は、そのような特定はなされていない点（以下、「相違点１−２」という。）。
カ　判断
　以下、上記相違点について検討する。
（ア）相違点１−１、１−２について
　相違点１−１、１−２について、まとめて検討する
　上記エ（イ）（ウ）のとおり、引用文献２及び周知例１から、第１のゲート電極と前記第１のゲート電極に隣接して設けられた第２のゲート電極を有する導電パターンは周知のものであることが理解できる。
　
　また、上記エ（ウ）のとおり、周知例１には、電界効果トランジスタ３０のゲート電極形成工程で、ネオジウムを含有するアルミニウム合金膜３を形成し、アルミニウム合金膜３に対してドライエッチングを行なって、ゲート電極を形成する旨が記載されている。
　更に、アルミニウム合金からなる電極や配線層を、高融点金属からなるバリア金属層上に形成することは、引用発明におけるソース電極２３、ドレイン電極２４、信号線１２などにみられ、また、上記エ（エ）のとおり、周知例２に記載のように、周知技術である。
　更に、上記エ（イ）のとおり、引用文献２には、「アクティブマトリクス型表示装置において用いることができる、同一基板の同一平面上にＭＯＳ型ＴＦＴを２素子形成したＴＦＴ集積回路であって、両素子は中心間距離を６μｍとして隣接させたＴＦＴ集積回路。」の技術が記載されているから、ＭＯＳ型ＴＦＴのゲート電極の間隔を６μｍとした構成が開示されているといえる。
　そして、引用発明において、「ゲート電極２１、走査線」などは、「Ａｌ−Ｎｄ合金層２３２」を成膜して形成される「信号線１２」と同様に、「Ａｌ−Ｎｄ合金層２１１」を成膜して形成されるものであるところ、周知例１に記載の技術は、引用発明と同様に、「ゲート電極形成工程」で、「ネオジウムを含有するアルミニウム合金膜３」を用いており、また、引用発明と周知例２に記載の上記周知技術における「電極や配線」は、「アルミニウム合金」からなり、引用発明の「ゲート電極２１」、「信号線１２」と材料が共通し、更に、引用文献２に記載の技術は、「液晶表示装置に用いられるアクティブマトリックス基板の製造方法」に係る発明である点で本件補正発明１と技術分野が共通する。
　したがって、引用発明において、引用文献１の上記記載、周知例１に記載の技術、引用発明と周知例２に記載の上記周知技術、及び引用文献２に記載された技術に基づき、ゲート電極２１、走査線などを形成する際に、ゲート電極２１の間隔を１０μｍ以下とするとともに、Ａｌ−Ｎｄ合金層２１１をバリア金属層上に形成し、エッチングにドライエッチングを用いるものとすることで、本件補正発明１の相違点１−１、１−２に係る発明のように、「第１のゲート電極と前記第１のゲート電極に隣接して設けられた第２のゲート電極とを有する導電パターン」の形成方法であって、「前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間の間隔は１０μｍ以下である」導電パターンの形成方法とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　そして、相違点１−１、１−２を総合的に勘案しても、本件補正発明１の奏する作用効果は、引用発明及び引用文献２に記載された技術並びに引用文献２及び上記周知例に記載された周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
キ　よって、本件補正発明１は、引用発明及び引用文献２に記載された技術並びに引用文献２及び上記周知例に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
（４）本件補正についてのむすび
　上記（２）のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当せず、同法第１７条の２第５項の規定に違反するものであり、また、仮に、本件補正の目的が特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとした場合について、念のため検討しても、本件補正発明１、３は、特許法第３６条第６項第２号及び第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、同法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明の進歩性について
１　本願発明
　令和２年３月１８日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成３０年８月３０日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであるところ、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記「第２［理由］１（２）」に記載のとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
「【請求項１】
　基材上に第１の導電膜を形成する工程と、
　前記第１の導電膜上にアルミニウム・ネオジム合金膜を形成する工程と、
　前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する第２の導電膜を形成する工程と、
　前記第１の導電膜と前記アルミニウム・ネオジム合金膜と前記第２の導電膜とをドライエッチングを用いてパターニングする工程と、
　を有することを特徴とする導電パターン形成方法。」
２　原査定の拒絶の理由
　原査定（令和１年１１月１３日付け拒絶査定）の拒絶の理由は、１．この出願の請求項３−５に係る発明は明確でなく、本願は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない、２．この出願の請求項１−５に係る発明は、以下の引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない、３．この出願の請求項１−５に係る発明は、特開２００２−３４１３６７号公報（以下、「引用文献１」という。）に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
３　引用文献の記載事項と引用発明
（ア）引用文献１
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１の記載事項及び引用発明は、前記第２の［理由］２（３）エ（ア）に記載したとおりである。
４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「透明絶縁性基板３１」、「高融点金属層２３１」、「厚さ２００ｎｍのＡｌ−Ｎｄ合金層２３２」、「厚さ約１００ｎｍの高融点金属層２３３」は、それぞれ本願発明の「基材」、「第１の導電膜」、「アルミニウム・ネオジム合金膜」、「第２の導電膜」に相当する。
　そして、引用発明において、「高融点金属層２３３」の厚さは、「約１００ｎｍ」であって、「Ａｌ−Ｎｄ合金層２３２」の厚さである「２００ｎｍ」の「１／４倍以上」であるから、本願発明と引用発明とは、「前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する第２の導電膜」を形成する点で一致する。
イ　引用発明において、「高融点金属としてＴｉを用いた場合の信号線の形成方法」は、「ゲート絶縁膜３３上に積層された高融点金属層（Ｔｉ層）、Ａｌ−Ｎｄ合金層及び高融点金属層（Ｔｉ層）上に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行い、フォトレジストを所定のパターンにパターニングし、このフォトレジストをマスクとしてＴｉ層、Ａｌ−Ｎｄ合金層及びＴｉ層をドライエッチングし、最後に、フォトレジストを剥離除去し、信号線１２を形成する」から、「Ｔｉ層とＡｌ−Ｎｄ合金層とＴｉ層とをドライエッチングを用いてパターニングする工程」によって、信号線１２を形成するものである。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「前記第１の導電膜と前記アルミニウム・ネオジム合金膜と前記第２の導電膜とをドライエッチングを用いてパターニングする工程」を有する点で一致する。
ウ　引用発明の「信号線１２」は、「高融点金属層２３１と厚さ２００ｎｍのＡｌ−Ｎｄ合金層２３２と厚さ約１００ｎｍの高融点金属層２３３を順次成膜し、フォトリソグラフィーとエッチングにより」形成したものであるところ、「信号線の形成」は、「導電パターン形成」に対応するといえるから、本願発明と引用発明とは、「導電パターン形成方法」である点で共通する。
エ　そうすると、本願発明と引用発明とは
「基材上に第１の導電膜を形成する工程と、
　前記第１の導電膜上にアルミニウム・ネオジム合金膜を形成する工程と、
　前記アルミニウム・ネオジム合金膜上に、前記アルミニウム・ネオジム合金膜の厚さの１／４倍以上の厚さを有する第２の導電膜を形成する工程と、
　前記第１の導電膜と前記アルミニウム・ネオジム合金膜と前記第２の導電膜とをドライエッチングを用いてパターニングする工程と、
　を有する導電パターン形成方法。」
　である点で一致し、相違する点はない。
　したがって、本願発明の構成はすべて引用文献１に示されており、本願発明は引用発明と同一ということとなる。
　また、仮に、引用発明の「エッチング」が、ドライエッチングによるものと直ちに認めることができないとしても、前記第第２（３）ウ（ア）に摘記の引用文献１の段落【００６４】の記載から、前記「エッチング」をドライエッチングによるものとすることは、当業者が容易になし得たことであるから、本願発明は、引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
（２）よって、本願発明は、引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当し、あるいは、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第４　記載不備（明確性要件違反）について
　請求項３に係る発明は、「半導体装置」（物の発明）に係る発明であるところ、当該請求項３には、「請求項１または２に記載の導電パターン形成方法を用いて形成された導電パターンを備える」と、「半導体装置」が備える「導電パターン」の製造方法が記載されており、その物の製造方法が記載されているものと認められる。
　ここで、物の発明に係る請求項にその物の製造方法が記載されている場合において、当該請求項の記載が特許法第３６条第６項第２号にいう「発明が明確であること」という要件に適合するといえるのは、出願時において当該物をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか、又はおよそ実際的でないという事情（「不可能・非実際的事情」）が存在するときに限られると解するのが相当である（最二小判平成２７年６月５日　平成２４年（受）１２０４号、同２６５８号）。
　しかしながら、不可能・非実際的事情が存在することについて、明細書等に記載がなく、また、請求人から主張・立証がされていないため、不可能・非実際的事情が存在することを認める理由は見いだせない。
　したがって、本願の請求項３−５に係る発明は明確でない。
　よって、本願の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
第５　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。