(57)【要約】  導体回路を形成した配線基板に対し、その表面にソルダーレジスト層を設けると共に、そのソルダーレジスト層に設けた開口部から露出する前記導体回路の一部を導体パッドとして形成し、その導体パッド上に電子部品を実装するための半田バンプを形成してなるプリント配線板において、ソルダーレジスト層に設けた開口部のピッチが２００μｍ以下の挟ピッチ構造でも、半田バンプのソルダーレジスト層表面からの高さＨと開口部の開口径Ｄとの比（Ｈ／Ｄ）を０．５５〜１．０とすることで、接続信頼性および絶縁信頼性が向上する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体回路を形成した配線基板に対し、その表面にソルダーレジスト層を設けると共に、そのソルダーレジスト層に設けた開口部から露出する前記導体回路の一部を、電子部品を実装するための導体パッドとして形成し、その導体パッド上に半田バンプを形成してなるプリント配線板において、
前記導体パッドは、２００μｍ以下のピッチで配設されると共に、
前記半田バンプのソルダーレジスト層表面からの高さＨと、前記開口部の開口径Ｄとの比（Ｈ／Ｄ）が、０．５５〜１．０であることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
導体回路を形成した配線基板に対し、その表面にソルダーレジスト層を設けると共に、そのソルダーレジスト層に設けた開口部から露出する前記導体回路の一部を、電子部品を実装するための導体パッドとして形成し、その導体パッド上に半田バンプを形成し、その半田バンプを介して実装された電子部品とソルダーレジスト層との間をアンダーフィルによって樹脂封止してなるプリント基板において、
前記導体パッドは、２００μｍ以下のピッチで配設されると共に、
前記半田バンプのソルダーレジスト層表面からの高さＨと、前記開口部の開口径Ｄとの比（Ｈ／Ｄ）が、０．５５〜１．０であることを特徴とするプリント配線板。
【請求項３】
前記ソルダーレジスト層の表面は、少なくとも電子部品実装領域において平坦化処理が施されてなることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント配線板。
【請求項４】
前記ソルダーレジスト層の平坦化された表面は、さらに粗化処理が施されてなることを特徴とする請求項３に記載のプリント配線板。
【請求項５】
前記ソルダーレジスト層の平坦化された表面は、その最大表面粗さが０．８〜３．０μｍであることを特徴とする請求項３に記載のプリント配線板。
【請求項６】
前記ソルダーレジスト層の粗化された表面は、その表面粗さが前記平坦化された表面の最大表面粗さよりも小さく、かつ算術平均粗さ（Ｒａ）で０．２〜０．５μｍであることを特徴とする請求項５に記載のプリント配線板。
【請求項７】
前記導体パッドは、最外層に位置する層間樹脂絶縁層に設けた開口内にめっき導体を充填してなるフィルドビアの形態に形成され、前記層間樹脂絶縁層表面から露出するフィルドビア表面の凹凸量は、層間樹脂絶縁層上に形成される導体回路の厚みに対して−５μｍ〜＋５μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表層にコンデンサやＩＣなどの電子部品を実装するためのプリント配線板に係り、詳しくは、電子部品を実装するための半田バンプの狭ピッチ化に適合したプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や通信端末に代表される電子機器では、高機能化がめざましい。そして、これらの電子機器には、ＩＣチップを実装したプリント配線板が使用されてる。ＩＣチップをプリント配線板に実装する形態として、ＩＣチップを直接、プリント配線板に表面実装するフリップチップ方式が広く採用されている。このようなプリント配線板としては、コア基板と、このコア基板上に形成されたビルドアップ層と、このビルドアップ層の上面には半田バンプを介してＩＣチップが実装される接続パッドとを備えたものが知られている。
ここで、プリント配線板としては、エポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）樹脂、フェノール樹脂等をガラス繊維等の強化材と共に成形したものが用いられるが、これらのコア基板の熱膨張係数は約１２〜２０ｐｐｍ／℃（３０〜２００℃）であり、ＩＣチップのシリコンの熱膨張係数（約３．５ｐｐｍ／℃）と、約４倍以上も大きい。
したがって、前記フリップチップ方式では、ＩＣチップの発熱に伴う温度変化が繰り返し生じた場合、ＩＣチップとコア基板との熱膨張量および熱収縮量の違いにより、半田バンプが破壊されるおそれがあった。このような問題を解決するために、プリント配線板とＩＣとの間に、両者の間の熱膨張係数を持つインターポーザを介在させる方法が提案されている（特開昭５９−９９６参照）
しかしながら、ＩＣとプリント配線板間にインターポーザを介在させる方法では、プリント配線板とＩＣチップ間にインターポーザを介在させているので、電子部品の小型化という要求に応えられない。また、インターポーザという部品が余分に追加配設されているので、コストが高くなる。
そこで、本発明の目的は、従来技術が抱える上記問題点を解決して、半田バンプを搭載する導体パッド（接続パッド）のピッチが２００μｍ以下であるような挟ピッチ構造でも、接続信頼性および絶縁信頼性に優れ、小型化および低コスト化が可能なプリント配線板を提案することにある。
【発明の開示】
【０００３】
本発明者らは、上記目的の実現のために鋭意研究を重ねた結果、ソルダーレジスト層に設けた開口部から露出する接続パッド上に設けた半田バンプの高さと、開口部の直径との比を所定の範囲内にすることによって、半田バンプとＩＣチップ等の電子部品との間の接続信頼性およびを絶縁信頼性を向上させ、小型化および低コスト化に寄与できることを知見し、そのような知見に基づいて、以下のような内容を要旨構成とする本発明を完成した。
すなわち、本発明は、
（１）  導体回路を形成した配線基板に対し、その表面にソルダーレジスト層を設けると共に、そのソルダーレジスト層に設けた開口部から露出する前記導体回路の一部を、電子部品を実装するための導体パッドとして形成し、その導体パッド上に半田バンプを形成してなるプリント配線板において、
前記導体パッドは、２００μｍ以下のピッチで配設されると共に、
前記半田バンプのソルダーレジスト層表面からの高さＨと、前記開口部の開口径Ｄとの比（Ｈ／Ｄ）が、０．５５〜１．０であることを特徴とするプリント配線板である。
また、本発明は、
（２）  導体回路を形成した配線基板に対し、その表面にソルダーレジスト層を設けると共に、そのソルダーレジスト層に設けた開口部から露出する前記導体回路の一部を、電子部品を実装するための導体パッドとして形成し、その導体パッド上に半田バンプを形成し、その半田バンプを介して実装された電子部品とソルダーレジスト層との間をアンダーフィルによって樹脂封止してなるプリント基板において、
前記導体パッドは、２００μｍ以下のピッチで配設されると共に、
前記半田バンプのソルダーレジスト層表面からの高さＨと、前記開口部の開口径ＤＤとの比（Ｈ／Ｄ）が、０．５５〜１．０であることを特徴とするプリント配線板である。
本発明において、前記ソルダーレジスト層の表面は、少なくとも電子部品実装領域において平坦化処理を施こすことができ、その平坦化された表面（第１の凹凸面）の最大表面粗さ（凹凸量）を０．８〜３．０μｍとすることが望ましい。
本発明においては、前記平坦化処理したソルダーレジスト層の表面を、さらに粗化処理を施こすことができ、その粗化処理されたソルダーレジスト層の表面（第２の凹凸面）の表面粗さは、前記平坦化された表面の最大表面粗さよりも小さく、かつ算術平均粗さ（Ｒａ）で０．２〜０．５μｍとすることが望ましい。
さらに、本発明においては、ソルダーレジスト層に設けた開口部から露出する導体回路の一部として規定される導体パッドは、めっき導体が最外層に位置する層間樹脂絶縁層に設けた開口内に完全に充填されたフィルドビアの形態に形成され、その層間樹脂絶縁層表面から露出するフィルドビア表面の凹凸量は、層間樹脂絶縁層上に形成される導体回路の厚みに対して−５μｍ〜＋５μｍであることが望ましい。
なお、本発明において、「導体パッド」とは、ソルダーレジスト層に設けた開口部から露出する導体回路の一部として規定されるが、その導体回路は、例えば、導体回路の一部を利用する形態（接続パッド）や、バイアホール（めっき導体が樹脂絶縁層に設けた開口内に完全に充填されたフィルドビアを含む）の形態およびバイアホールと導体回路からなる形態に形成することができるので、広い意味では、接続パッドやバイアホールを含んだ導体回路の一部を指す。
また、本発明において、ソルダーレジスト層に設けた開口の「開口径（Ｄ）」とは、開口側壁がテーパ形状をなしていない場合には、開口の「直径」を意味し、開口側壁がテーパ形状をなしている場合には、ソルダーレジスト層表面に表れる開口の直径（開口上部の直径）を意味する。
また、本発明において、「最大表面粗さ」とは、図８に概略的に示すように、電子部品実装領域において、導体パッド上または導体回路上のソルダーレジスト層の高さと、隣接する導体パッド非形成部または導体回路非形成部のソルダーレジスト層の高さとの差Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５・・・・の中の最大値を意味する。
さらに、「算術平均粗さ」とは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１で規定された算術平均粗さ（Ｒａ）のことを意味する。
本発明によれば、半田バンプのソルダーレジスト層表面からの高さＨと、開口部の開口径Ｄとの比（Ｈ／Ｄ）を０．５５以上にすることによって、半田バンプの高さを比較的大きくすることができるので、半田バンプ自体が変形しやすくなると共に、半田の体積（半田量）を大きくすることができる。その結果、半田が吸収できる応力が増加することになるので、接続信頼性が向上する。一方、半田バンプのソルダーレジスト層表面からの高さＨと、開口部の開口径Ｄとの比（Ｈ／Ｄ）を１．０以下にすることによって、隣接する半田バンプ間で溶融した半田の移動が起こりにくくなるので、半田バンプの高さのバラツキを抑制することができると共に、隣接する半田バンプ間の短絡を防止することができる。その結果、接続信頼性および絶縁信頼性が向上する。
また、ソルダーレジスト層の表面の少なくとも電子部品実装領域における平坦化された表面（第１の凹凸面）は、最大表面粗さ（凹凸量）を０．８〜３．０μｍとすることによって、ソルダーレジスト層表面と実装電子部品との間に充填されるアンダーフィル内にボイドが発生することを低減することができる。その結果、接続信頼性が向上する。
さらに、粗化処理されたソルダーレジスト層の表面（第２の凹凸面）の表面粗さを、平坦化された表面の凹凸量よりも小さく、かつ算術平均粗さＲａで０．２〜０．５μｍ程度とすることによって、ソルダーレジスト層表面とアンダーフィルとの間の密着性を向上させることができると共に、ソルダーレジスト層表面にフラックスや洗浄液等の残留を少なくできる。その結果、接続信頼性および絶縁信頼性が向上する。
さらに、導体パッドをフィルドビアの形態に形成し、最外側の層間樹脂絶縁層表面から露出するフィルドビア表面の凹凸量を、層間樹脂絶縁層上に形成される導体回路の厚みに対して−５μｍ〜＋５μｍとすることによって、フィルドビアと半田ボールの接点を多くして、半田バンプを形成する際の濡れ性を向上させることができるので、バンプ内へのボイドの巻き込みや、バンプの未搭載（ミッシングバンプ）を少なくすることができると共に、ファイン化に適合しやすくなる。
さらにまた、インターポーザを必要としないので、その分の薄型化、低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
図１は、本発明にかかるプリント配線板の一実施形態を示す断面図である。
図２は、図１に示すプリント配線板にＩＣチップを実装し、ドータボードに載置した状態を示す断面図である。
図３Ａ〜３Ｃは、プリント配線板上に半田バンプを形成する工程を説明する図である。
図４Ａ〜４Ｂは、半田ボール搭載装置の構成を示す概略図である。
図５Ａは、プリント配線板の位置決めを説明するための概略図、図５Ｂは、搭載筒への半田ボールの供給を説明するための概略図である。
図６Ａは、搭載筒による半田ボールの集合を説明するための概略図、図６Ｂは、搭載筒による半田ボールの集合、誘導を説明するための概略図である。
図７Ａは、半田ボールの接続パッド上への落下を説明するための概略図、図７Ｂは、吸着ボール除去筒による半田ボールの除去を説明するための概略図である。
図８は、ソルダーレジスト層表面の最大表面粗さを説明するための概略図である。
図９は、本発明におけるバンプ高さ（Ｈ）とソルダーレジスト層開口径（Ｄ）との関係を説明するための概略図である。
図１０Ａ〜１０Ｂは、接続パッドとしてのフィルドビア表面の凹凸を説明するための概略図である。
図１１Ａ〜１１Ｂは、接続パッド領域を説明するための概略図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
本発明のプリント配線板の一実施形態は、図９に示すように、配線基板の最外層に形成したソルダーレジスト層（ＳＲ層）に開口部を設け、その開口部から露出する導体回路の一部を接続パッドとして形成し、その接続パッドが２００μｍ以下のピッチで配設されると共に、接続パッド上に形成された半田バンプのソルダーレジスト層表面からの高さＨと、開口部の開口径Ｄとの比（Ｈ／Ｄ）が、０．５５〜１．０であることを特徴とする。
本発明の一実施形態において、ソルダーレジスト層に設けた開口部内に半田バンプを形成するには、従来のようなマスクを用いた印刷法ではなく、後述するような、微細径を有する半田ボールをボール整列用マスクの開口部を介して接続パッド上に落下させるような新規な方法および装置を用いて行われることが望ましい。
まず、新規な半田ボール搭載方法および装置を用いて製造する本発明にかかるプリント配線板について、その一実施形態の構成を図１および図２を参照して説明する。
図１は、プリント配線板１０の断面図を示し、図２は、図１に示すプリント配線板１０にＩＣチップ９０を取り付け、ドータボード９４へ載置した状態を示している。図１に示すようにプリント配線板１０では、コア基板３０の両面に導体回路３４が形成され、それらの導体回路はスルーホール３６を介して電気的に接続されている。
更に、コア基板３０の導体回路３４の上に層間樹脂絶縁層５０を介して導体回路層を形成する導体回路５８が形成されている。この導体回路５８は、バイアホール６０を介して導体回路３４に接続されている。導体回路５８の上に層間樹脂絶縁層１５０を介して導体回路１５８が形成されている。この導体回路１５８は、層間樹脂絶縁層１５０に形成されたバイアホール１６０を介して導体回路５８に接続されている。
ソルダーレジスト層７０は、導体回路１５８およびバイアホール１６０を被覆して形成され、該ソルダーレジスト層７０に設けた開口７１にニッケルめっき層７２および金めっき層７４を形成することによって、接続パッド７５が形成されている。上面の接続パッド７５上には半田バンプ７８Ｕが、下面の接続パッド７５上にはＢＧＡ（ボールグリッドアレー）７８Ｄが形成されている。
図２に示すように、プリント配線板１０の上面側の半田バンプ７８Ｕは、ＩＣチップ９０の電極９２に接続されて、ＩＣ実装プリント配線板を構成し、このＩＣ実装プリント配線板は、その下面側に設けたＢＧＡ７８Ｄを介してドータボード９４のランド９６に接続されている。
本発明の一実施形態において、ソルダーレジスト層の表面は、少なくとも電子部品実装領域において平坦化処理を施すことが望ましい。ソルダーレジスト層と半田バンプは、熱膨張係数が異なるので、熱変化により、半田バンプとソルダーレジスト層との境界近傍では収縮・膨張を繰り返す。ソルダーレジスト層表面に大きな凹凸が存在する、即ち、平坦度が悪い場合には、半田バンプ近傍のソルダーレジスト層の体積が少ないので、破壊しやすくなるのである。そこで、ソルダーレジスト層表面の平坦度をある程度小さくすることによって、応力が大きくかかる部分のソルダーレジスト層の体積を増やすことができるので、応力が集中しやすくなるような屈曲部を少なくして、耐ヒートサイクル性を向上させることができるからである。
前記ソルダーレジスト層の平坦化された表面は、最大表面粗さが０．８〜３．０μｍとすることが望ましい。
その理由は、最大表面粗さが０．８〜３．０μｍの範囲内では、導体パッド付近のソルダーレジストにクラックが生じにくかったり、アンダーフィル内に空気（ボイド）を巻き込んだりしないからである。この結果、絶縁信頼性や接続信頼性が向上する。
また、本発明の一実施形態において、平坦化処理したソルダーレジスト層の表面を、さらに粗化処理を施こすことが望ましい。ある程度平坦化したソルダーレジスト層表面に粗化処理を施して、平坦化した表面よりも更に小さい凹凸を形成させることによって、アンダーフィルの濡れ性を向上させることができるため、ソルダーレジスト層と半田バンプとの境界近傍の狭い隙間部分にもアンダーフィルを充填でき、接続信頼性が向上するからである。
前記粗化処理されたソルダーレジスト層の表面は、平坦化された表面の最大表面粗さよりも小さく、かつ算術平均粗さ（Ｒａ）で０．２〜０．５μｍとすることが望ましい。
その理由は、算術平均粗さＲａを０．２〜０．５μｍの範囲内とすることで、アンダーフィルとの密着性を高めたり、ソルダーレジスト表面にフラックス残渣や洗浄残渣が残りにくいからである。その結果、絶縁信頼性や接続信頼性が向上する。
また、図１および図２から分かるように、電子部品を実装するための導体パッドとして基板の上面に設けた接続パッド７５のうち、中央に位置する２つの接続パッドは、バイアホール１６０直上のランドの形態に形成され、それらに隣接する２つの接続パッドは、バイアホール１６０のランドに隣接するパッドの形態に形成され、さらに、左右両端に位置する２つの接続パッドは、導体回路１５８の配線パターンの一部からなるパッドの形態に形成されている。
また、下面の接続パッド７５のうち、左右両端に位置する２つの接続パッドは、バイアホール１６０直上のランドの形態に形成され、中央に位置する４つの接続パッドは、バイアホール１６０のランドに隣接するパッドの形態に形成されている。
前記半田バンプ７８Ｕが形成される接続パッドとしてのバイアホール１６０は、フィルドビアであることが好ましく、層間樹脂絶縁層１５０表面から露出するフィルドピア表面の凹凸量は、図１０Ａ〜１０Ｂに示すように、導体回路１５８の導体厚みに対して、−５〜＋５μｍの範囲が望ましい。その理由は、フィルドビア表面の凹み量が５μｍを超える（−５μｍ）と、半田ボールとフィルドビアからなる接続パッドの接点が少なくなるので、半田バンプを形成する際に濡れ性が悪くなり、バンプ内にボイドを巻き込んだり、バンプ未搭載（ミッシングバンプ）になりやすくなるからである。一方、フィルドビア表面の凸量が５μｍを超える（＋５μｍ）と、導体回路１５８の厚みが大きくなるので、ファイン化に適合しなくなるからである。
なお、本発明における「電子部品実装領域」とは、フィルドビアなどの電子部品を実装するための導体パッドが形成された領域（以下、単に「接続パッド領域」という）にほぼ相当する。
例えば、図１１Ａは、格子状配列された接続パッドのうち、最外周の接続パッドのすべてが、矩形の各辺に沿って配列された状態を示し、図１１Ｂは、格子状配列された接続パッドのうち、最外周の接続パッドの一部が、矩形の各辺に沿って配列されていない状態を示しているが、いずれの場合にも、接続パッド領域を矩形とした場合には、最外周の接続パッドを含んだ、すべての接続パッドを囲んだ領域の面積が最小となるように決められた矩形領域のことを「接続パッド領域」という。
図３Ａ〜３Ｃは、プリント配線板１０上に本発明にかかる半田バンプを形成する工程を説明する図である。
まず、プリント配線板１０の上面側のソルダーレジスト層７０に設けた開口７１に形成した導体パッド、即ち、接続パッド７５を被覆するフラックス層８０を印刷法によって形成する（図３Ａ参照）。
次に、プリント配線板１０の上面側の接続パッド７５上に後述する半田ボール搭載装置を用いて微少な半田ボール７８ｓ（例えば日立金属社製またはタムラ社製）を搭載する（図３Ｂ参照）。このような半田ボールは、直径が４０〜２００μｍ未満であることが望ましい。直径が４０μｍ未満では、半田ボールが軽すぎるため接続パッド上に落下しない。一方、２００μｍ以上になると逆に重すぎるため筒部材内に半田ボールを集合させることができず、半田ボールが載っていない接続パッドが存在するようになるためである。ファイン化対応のためには、直径が８０μｍ以下の半田ボールが望ましい。
その後、プリント配線板１０の下面側の接続パッド７５上に、例えば、特許１９７５４２９号に記載されているような吸着ヘッドを用いて、通常径（２５０μｍ）の半田ボール７８Ｌを吸着して載置する（図３Ｃ参照）。
次いで、リフロー炉で過熱し、図１に示すようにプリント配線板１０の上面側に６０〜２００μｍピッチで半田バンプ７８Ｕを、例えば５００〜３０，０００個、下面側に２ｍｍピッチでＢＧＡ７８Ｄを、例えば２５０個形成する。
半田バンプのピッチは、即ち、接続パッドのピッチであり、この接続パッドのピッチが６０μｍ未満となると、そのピッチに適した半田ボールを製造するのが困難になるからである。一方、接続パッドのピッチが２００μｍを越えると、挟ピッチ化対応のプリント配線板を得ることができないからである。
更に、図２に示すように、リフローにより半田バンプ７８Ｕを介してＩＣチップ９０を実装することによって、ＩＣ実装プリント配線板１０を形成し、このＩＣ実装プリント配線板１０は、ＢＧＡ７８Ｄを介してドータボード９４に装着される。
次に、上述したプリント配線板の接続パッド上に微少な半田ボール７８ｓを搭載する半田ボール搭載装置について、図４Ａ〜４Ｂを参照して説明する。
図４Ａは、半田ボール搭載装置の構成を示す構成図であり、図４Ｂは、図４Ａの半田ボール搭載装置を矢印Ｂ側から見た矢視図である。
前記半田ボール搭載装置２０は、プリント配線板１０を位置決め保持するＸＹθ吸引テーブル１４と、該ＸＹθ吸引テーブル１４を昇降する上下移動軸１２と、プリント配線板の接続パッド７５に対応する開口を備えるボール整列用マスク１６と、ボール整列用マスク１６上を移動する半田ボールを誘導する搭載筒（筒部材）２４と、搭載筒２４に負圧を与える吸引ボックス２６と、余剰の半田ボールを回収するための半田ボール除去筒６１と、該半田ボール除去筒６１に負圧を与える吸引ボックス６６と、回収した半田ボールを保持する吸着ボール除去吸引装置６８と、ボール整列用マスク１６をクランプするマスククランプ４４と、搭載筒２４及び半田ボール除去筒６１をＸ方向へ送るＸ方向移動軸４０と、Ｘ方向移動軸４０を支持する移動軸支持ガイド４２と、多層プリント配線板１０を撮像するためのアライメントカメラ４６と、搭載筒２４下にある半田ボールの残量を検出する残量検出センサ１８と、残量検出センサ１８により検出された残量に基づき半田ボールを搭載筒２４側へ供給する半田ボール供給装置２２と、を備える。
前記搭載筒２４及び半田ボール除去筒６１は、接続パッド領域の大きさに対応させてＹ方向へ複数並べてある。なお、複数の接続パッド領域に対応した大きさにしてもよい。ここで、Ｙ方向は便宜的であり、Ｘ方向に並べても良い。ＸＹθ吸引テーブル１４は、半田ボールの搭載されるプリント配線板１０を位置決め、吸着、保持、補正する。アライメントカメラ４６は、ＸＹθ吸引テーブル１４上のプリント配線板１０のアライメントマークを検出し、検出された位置に基づき、プリント配線板１０とボール整列用マスク１６との位置が調整される。残量検出センサ１８は光学的な手法により半田ボールの残量を検出する。
引き続き、半田ボール搭載装置２０による半田ボールの搭載工程について図５〜図７を参照して説明する。
（１）プリント配線板の位置認識および補正
図５Ａに示すように、プリント配線板１０のアライメントマーク３４Ｍをアライメントカメラ４６により認識し、ボール整列用マスク１６に対してプリント配線板１０の位置をＸＹθ吸引テーブル１４によって補正する。即ち、ボール整列用マスク１６の開口１６ａがそれぞれプリント配線板１０の接続パッド７５に対応するように位置調整する。なお、ここでは、図示の便宜上、１枚分のプリント配線板１０のみを示しているが、実際には、複数枚のプリント配線板を構成するワークシートサイズのプリント配線板に対して半田ボールが搭載され、半田バンプの形成後に個片の多層プリント配線板に切り分けられる。
（２）半田ボールおよび半田ボールの供給
図５Ｂに示すように、半田ボール供給装置２２から半田ボール７８ｓを搭載筒２４側へ定量供給する。ここで、半田ボールとしては、市販品（例えば、日立金属社製）を使ってもよいし、例えば、特開２００１−２２６７０５に記載された製造装置および製造方法に従って製造してもよい。
この半田ボールを製造した後、所望する半田ボール径よりも縦および横の寸法が１μｍだけ小さい方形スリット（開口）を有する金属板（例えば、２５μｍ厚のＮｉ）上に載せ、その上で半田ボールを転動させてスリットから落下させる。これによって、所望とする径より小さな半田ボールが除去される。その後、金属板上に残った半田ボールを、所望する半田ボール径よりも縦および横の寸法が１μｍだけ大きい方形スリットを有する金属板で分級して、スリットから落下してきた半田ボールを回収することで、所望とする直径とほぼ同等な直径を有する半田ボールが得られる。
（３）半田ボールの搭載
図６Ａに示すように、ボール整列用マスク１６の上方に、該ボール整列用マスクとの所定のクリアランス（例えば、ボール径の５０％〜３００％）を保って搭載筒２４を位置させ、その吸引部２４Ｂから空気を吸引することで、搭載筒とプリント配線板間の隙間の流速を５ｍ／ｓｅｃ〜３５ｍ／ｓｅｃにして、当該搭載筒２４の開口部２４Ａ直下のボール整列用マスク１６上に半田ボール７８ｓを集合させる。
その後、図６Ｂおよび図７Ａに示すように、プリント配線板１０のＹ軸沿って並べられた搭載筒２４を、Ｘ方向移動軸４０を介してＸ軸に沿って水平方向へ送る。これにより、ボール整列用マスク１６の上に集合させた半田ボール７８ｓを搭載筒２４の移動に伴い移動させ、ボール整列用マスク１６の開口１６ａを介して、半田ボール７８ｓをプリント配線板１０の接続パッド７５へ落下、搭載させて行く。これにより、半田ボール７８ｓがプリント配線板１０側の全接続パッド上に順次整列される。
（４）半田ボールの除去
図７Ｂに示すように、搭載筒２４により余剰の半田ボール７８ｓをボール整列用マスク１６上に開口１６ａの無い位置まで誘導した後、半田ボール除去筒６１により吸引除去する。
（５）基板の取り出し
次いで、吸引テーブル１４からプリント配線板１０を取り外す。
以上説明したような半田ボール搭載方法および半田ボール搭載装置２０によれば、ボール整列用マスク１６の上方に搭載筒２４を位置させ、該搭載筒２４の上部にある吸引部２４Ｂから空気を吸引することによって、半田ボール７８ｓを集合させ、搭載筒２４を水平方向に移動させることによって、集合させた半田ボール７８ｓをボール整列用マスク１６の上を移動させ、ボール整列用マスク１６の開口１６ａを介して、半田ボール７８ｓをプリント配線板１０の接続パッド７５へ落下させることができる。
このため、微細な半田ボール７８ｓを確実にプリント配線板１０の全ての接続パッド７５に搭載させることができる。また、半田ボール７８ｓを非接触で移動させるため、従来技術のようなスキージを用いた印刷法とは異なり、半田ボールを傷を付けることなく接続パッド７５に搭載でき、半田バンプ７８Ｕの高さを均一にすることができる。
したがって、上述したような方法によれば、ＩＣ等の電子部品の実装性、実装後のヒートサイクル試験、高温・高湿試験等の耐環境試験に優れる。
また、製品の平面度に依存しないので、表面に起伏の多いプリント配線板でも半田ボールを接続パッドに適切に載置させることができる。
また、微少な半田ボールを確実に接続パッド上に載置することができるので、接続パッドのピッチが６０〜２００μｍであり、しかもソルダーレジストの開口径が４０〜１５０μｍであるような挟ピッチ配列のプリント配線板においても、全てのバンプにおいてそれらの高さがほぼ均一な安定した半田バンプを形成することができる。
さらに、吸引力により半田ボールを誘導するため、半田ボールの凝集、付着を防止することができる。更に、搭載筒２４の数を調整することで、種々の大きさのワーク（ワークシートサイズの多層プリント配線板）に対応することができるので、多品種、少量生産にも柔軟に適用することが可能である。
上述したような半田ボール搭載装置では、図４Ｂに示すように搭載筒２４をワーク（ワークシートサイズのプリント配線板）の幅に対応させてＹ方向へ複数並べてあるため、複数の搭載筒２４を、列方向に対して垂直方向（Ｘ方向）へ送るだけで、半田ボールを確実にプリント配線板１０の全ての接続パッド７５に搭載させることができる。
更に、半田ボール除去筒６１によりボール整列用マスク１６上に残った半田ボール７８ｓを回収できるので、余剰の半田ボールが残り、故障等の障害の原因となることがない。
上述したような半田ボール搭載方法および装置を用いてプリント配線板の接続パッド上に搭載された半田ボールは、リフロー処理によって所定の高さを有する半田バンプとなり、そのような半田バンプを介してＩＣチップが基板上に実装されて、本発明にかかるプリント配線板が製造される。
【実施例１】
【０００６】
（１）プリント配線板の作製
出発材料として両面銅張積層板（例えば、日立化成工業株式会社製、商品名「ＭＣＬ−Ｅ−６７」）を用い、この基板に周知の方法でスルーホール導体及び導体回路を形成する。その後、周知の方法（例えば、２０００年６月２０日  日刊工業新聞社発行の「ビルドアップ多層プリント配線板」（高木清著）に記載）により、層間絶縁層と導体回路層とを交互に積層し、最外層の導体回路層において、厚み：２０μｍ、直径（導体パッド径）：１５０μｍ、ピッチ：２００μｍ、個数：５０×４０（個）（格子状配置）からなるＩＣチップ実装用接続パッド群を１５０ｍｍ２の接続パッド領域内に形成する。
これらの接続パッドを形成した領域の面積は１５０ｍｍ２であった。このような接続パッドは、例えば、特開２０００−３５７７６２に記載された方法と同様な方法で形成される。
また、接続パッドの大きさ、ピッチ、数、配置を変更する場合は、めっきレジストのパターン（開口径、ピッチ、配置等）を変更することによって行う。
ソルダーレジスト層の形成は、市販のソルダーレジストを用いて以下のような印刷条件のもとでスクリーン印刷を行って、接続パッドを被覆する１５〜２５μｍ厚（接続パッド上での厚さ）のソルダーレジスト層を形成する。
（印刷条件）
ソルダーレジストインク：日立工業社製、商品名「ＲＰＺ−１」
インク粘度：４５±１５Ｐａ・ｓ
スクリーン版：ポリエステル繊維製（１３０〜３００メッシュ）
スキージ速度：１００〜２００ｍｍ／秒
この実施例では、ソルダーレジスト層の厚さを２５μｍに形成する。
その後、ソルダーレジスト開口部のパターン（マスクパターン）が描画されたフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させた状態で、１００〜１０００ｍｊの紫外線で露光し、１０ｇ／Ｌの炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）溶液で現像処理することによって、接続パッド上に直径１２０μｍの開口を形成する。
（２）半田ボールの搭載
前記（１）で作製したプリント配線板の表面（ＩＣ実装面）に市販のロジン系フラックスを塗布した後、半田ボール搭載装置の吸着テーブルに搭載し、プリント配線板およびボール整列用マスクのアライメントマークをＣＣＤカメラを用いて認識し、プリント配線板とボール整列用マスクとの位置合わせを行なう。
ここで、ボール整列用マスクは、プリント配線板の接続パッドに対応した位置に直径１７５μｍの開口を有するＮｉ製のメタルマスクを用いる。その他、ＳＵＳ製やポリイミド製のボール整列用マスクを用いることも可能である。
尚、ボール整列用マスクに形成する開口径は、使用するボール径に対して１．１〜１．５倍が好ましく、また、ボール整列用マスクの厚みは使用する半田ボールの直径の１／２〜３／４が好ましい。
次に、接続パッド領域に対応した大きさ（接続パッド領域に対して１．２〜３倍）で、高さ２００ｍｍの搭載筒を半田ボール径の２倍のクリアランスを保ってメタルマスク（ボール整列用マスク）上に位置させ、その周囲近辺のボール整列用マスク上にＳｎ／Ｐｂ半田（Ｓｎ／Ｐｂ＝６３：３７）からなる直径１４５μｍの半田ボール（日立金属社製）を搭載する。
この実施例では、半田ボールにＳｎ／Ｐｂ半田を用いたが、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｚｎ等の群から選ばれる少なくとも１種類の金属とＳｎとからなるＰｂフリー半田であってもよい。そして、搭載筒上部より空気を吸引して、搭載筒とプリント配線板間の隙間の流速を５〜３５ｍ／ｓｅｃに調整して、搭載筒内に集合させる。
その後、搭載筒を移動速度１０〜４０ｍｍ／ｓｅｃで移動して半田ボールを転動させ、ボール整列用マスクの開口部から半田ボールを落下させて接続パッド上に半田ボールを搭載する。
（３）半田バンプの形成
さらに、ボール整列用マスクの余分な半田ボールを除去したのち、半田ボール整列用マスクとプリント配線板を半田ボール搭載装置から別個に取り外し、最後に、前記プリント配線板を２３０℃に設定してあるリフローに投入して半田バンプを形成する。
半田バンプの形成後、ソルダーレジスト表面から突出している半田バンプの高さをレーザ顕微鏡（商品名「ＶＸ−８５００」：ＫＥＹＥＮＣＥ社製，または商品名「ＷＹＫＯ  ＮＴ−２０００」：ビーコ社製）により測定する。
なお、測定点は、接続パッド群における４角の半田バンプとほぼ中央部に位置する半田バンプであり、トータル５個の半田バンプを測定した結果、半田バンプ高さの最小値は６６μｍ、最大値は７０μｍであった。
（４）ＩＣチップの実装
各半田バンプの高さを測定した後、ＩＣチップを半田バンプを介して実装し、ＩＣチップとソルダーレジスト間に市販のアンダーフィル剤を充填してＩＣ実装プリント配線板を製造する。
【実施例２】
【０００７】
ソルダーレジストの印刷条件（スクリーン版のメッシュおよび印刷スピード）を調整して、ソルダーレジストの膜厚を２０μｍとし、開口径１６０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１４０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。
その結果、半田バンプ高さの最小値は６３μｍ、最大値は６８μｍであった。
【実施例３】
【０００８】
ソルダーレジストの印刷条件（スクリーン版のメッシュおよび印刷スピード）を調整して、ソルダーレジストの膜厚を１５μｍとし、開口径１５５μｍのボール整列用マスクを用いて直径１３５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。
その結果、半田バンプ高さの最小値は６５μｍ、最大値は７０μｍであった。
【実施例４】
【０００９】
ソルダーレジストの印刷条件（スクリーン版のメッシュおよび印刷スピード）を調整して、ソルダーレジストの膜厚を１０μｍとし、開口径１５０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１３０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。
その結果、半田バンプ高さの最小値は６６μｍ、最大値は６８μｍであった。
【実施例５】
【００１０】
めっきレジストのパターンを変更して、接続パッド径：１２０μｍ、ピッチ：１５０μｍに変更し、ソルダーレジスト開口を形成する際のフォトマスクのマスクパターンを変更して、ソルダーレジスト開口径を９０μｍに変更し、ソルダーレジストの印刷条件（スクリーン版のメッシュおよび印刷スピード）を調整して、ソルダーレジスト膜厚を１０μｍとし、開口径１１０μｍのボール整列用マスクを用いて直径９０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。
その結果、半田バンプ高さの最小値は４６μｍ、最大値は４９μｍであった。
【実施例６】
【００１１】
ソルダーレジストの印刷条件（スクリーン版のメッシュおよび印刷スピード）を調整して、ソルダーレジストの膜厚を１５μｍとし、開口径１１５μｍのボール整列用マスクを用いて直径９５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例５と同様にしてプリント配線板を製造した。
その結果、半田バンプ高さの最小値は４５μｍ、最大値は４９μｍであった。
【実施例７】
【００１２】
ソルダーレジストの印刷条件（スクリーン版のメッシュおよび印刷スピード）を調整して、ソルダーレジストの膜厚を２０μｍとし、開口径１２０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１００μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例５と同様にしてプリント配線板を製造した。
その結果、半田バンプ高さの最小値は４７μｍ、最大値は４９μｍであった。
【実施例８】
【００１３】
ソルダーレジストの印刷条件（スクリーン版のメッシュおよび印刷スピード）を調整して、ソルダーレジストの膜厚を２５μｍとし、開口径１３０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１０５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例５と同様にしてプリント配線板を製造した。
その結果、半田バンプ高さの最小値は４７μｍ、最大値は４８μｍであった。
【実施例９】
【００１４】
めっきレジストのパターンを変更して、接続パッド径：８０μｍ、ピッチ：１００μｍに変更し、ソルダーレジスト開口を形成する際のフォトマスクのマスクパターンを変更して、ソルダーレジスト開口径を６０μｍに変更し、ソルダーレジストの印刷条件（スクリーン版のメッシュおよび印刷スピード）を調整して、ソルダーレジストの膜厚を１０μｍとし、開口径６０μｍのボール整列用マスクを用いて直径５０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は３１μｍ、最大値は３４μｍであった。
【実施例１０】
【００１５】
ソルダーレジストの印刷条件（スクリーン版のメッシュおよび印刷スピード）を調整して、ソルダーレジストの膜厚を１５μｍとし、開口径７０μｍのボール整列用マスクを用いて直径５５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例９と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は３３μｍ、最大値は３４μｍであった。
【実施例１１】
【００１６】
ソルダーレジストの印刷条件（スクリーン版のメッシュおよび印刷スピード）を調整して、ソルダーレジストの膜厚を２０μｍとし、開口径７０μｍのボール整列用マスクを用いて直径６０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例９と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は３３μｍ、最大値は３５μｍであった。
【実施例１２】
【００１７】
ソルダーレジストの印刷条件（スクリーン版のメッシュおよび印刷スピード）を調整して、ソルダーレジストの膜厚を２５μｍとし、開口径８０μｍのボール整列用マスクを用いて直径６５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例９と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は３２μｍ、最大値は３４μｍであった。
【実施例１３】
【００１８】
開口径１９０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１６０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は８４μｍ、最大値は８７μｍであった。
【実施例１４】
【００１９】
開口径１８０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１５５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例２と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は８３μｍ、最大値は８６μｍであった。
【実施例１５】
【００２０】
開口径１８０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１５０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例３と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は８３μｍ、最大値は８７μｍであった。
【実施例１６】
【００２１】
開口径１７０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１４５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例４と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は８４μｍ、最大値は８６μｍであった。
【実施例１７】
【００２２】
開口径１２０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１００μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例５と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は６３μｍ、最大値は６６μｍであった。
【実施例１８】
【００２３】
開口径１３０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１０５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例６と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は６３μｍ、最大値は６６μｍであった。
【実施例１９】
【００２４】
開口径１４０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１１０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例７と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は６１μｍ、最大値は６７μｍであった。
【実施例２０】
【００２５】
開口径１４０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１１５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例８と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は６１μｍ、最大値は６５μｍであった。
【実施例２１】
【００２６】
開口径８０μｍのボール整列用マスクを用いて直径６０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例９と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は４０μｍ、最大値は４３μｍであった。
【実施例２２】
【００２７】
開口径８５μｍのボール整列用マスクを用いて直径６５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１０と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は４０μｍ、最大値は４３μｍであった。
【実施例２３】
【００２８】
開口径９０μｍのボール整列用マスクを用いて直径７０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１１と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は４１μｍ、最大値は４４μｍであった。
【実施例２４】
【００２９】
開口径９５μｍのボール整列用マスクを用いて直径７５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１２と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は４２μｍ、最大値は４２μｍであった。
【実施例２５】
【００３０】
開口径２３０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１９０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は１２０μｍ、最大値は１２０μｍであった。
【実施例２６】
【００３１】
開口径２３０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１８５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例２と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は１２１μｍ、最大値は１２２μｍであった。
【実施例２７】
【００３２】
開口径２２０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１８０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例３と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は１２２μｍ、最大値は１２６μｍであった。
【実施例２８】
【００３３】
開口径２００μｍのボール整列用マスクを用いて直径１７５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例４と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は１２２μｍ、最大値は１２３μｍであった。
【実施例２９】
【００３４】
開口径１５０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１２５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例５と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は９２μｍ、最大値は９４μｍであった。
【実施例３０】
【００３５】
開口径１５０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１３０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例６と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は９０μｍ、最大値は９３μｍであった。
【実施例３１】
【００３６】
開口径１６０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１３５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例７と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は９１μｍ、最大値は９３μｍであった。
【実施例３２】
【００３７】
開口径１７０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１４０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例８と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は９０μｍ、最大値は９１μｍであった。
【実施例３３】
【００３８】
開口径９０μｍのボール整列用マスクを用いて直径７５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例９と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は６１μｍ、最大値は６３μｍであった。
【実施例３４】
【００３９】
開口径１００μｍのボール整列用マスクを用いて直径８０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１０と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は６０μｍ、最大値は６３μｍであった。
【実施例３５】
【００４０】
開口径１１０μｍのボール整列用マスクを用いて直径８５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１１と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は６２μｍ、最大値は６３μｍであった。
【実施例３６】
【００４１】
開口径１２０μｍのボール整列用マスクを用いて直径９０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１２と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は６０μｍ、最大値は６１μｍであった。
（比較例１）
開口径１５０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１２５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は４８μｍ、最大値は５０μｍであった。
（比較例２）
開口径１５０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１２０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例２と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は４６μｍ、最大値は５０μｍであった。
（比較例３）
開口径１３０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１１５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例３と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は４５μｍ、最大値は４７μｍであった。
（比較例４）
開口径１３０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１１０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例４と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は４８μｍ、最大値は５０μｍであった。
（比較例５）
開口径１００μｍのボール整列用マスクを用いて直径８０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例５と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は３５μｍ、最大値は３６μｍであった。
（比較例６）
開口径１１０μｍのボール整列用マスクを用いて直径８５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例６と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は３３μｍ、最大値は３５μｍであった。
（比較例７）
開口径１１５μｍのボール整列用マスクを用いて直径９０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例７と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は３６μｍ、最大値は３８μｍであった。
（比較例８）
開口径１２０μｍのボール整列用マスクを用いて直径９５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例８と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は３６μｍ、最大値は３９μｍであった。
（比較例９）
開口径５５μｍのボール整列用マスクを用いて直径４０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例９と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は２２μｍ、最大値は２４μｍであった。
（比較例１０）
開口径６０μｍのボール整列用マスクを用いて直径４５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１０と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は２１μｍ、最大値は２３μｍであった。
（比較例１１）
開口径７０μｍのボール整列用マスクを用いて直径５０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１１と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は２０μｍ、最大値は２２μｍであった。
（比較例１２）
開口径８０μｍのボール整列用マスクを用いて直径５５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１２と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は２４μｍ、最大値は２６μｍであった。
（比較例１３）
開口径２６０μｍのボール整列用マスクを用いて直径２２０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は１５５μｍ、最大値は１６５μｍであった。
（比較例１４）
開口径２６０μｍのボール整列用マスクを用いて直径２１５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例２と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は１００μｍ、最大値は１８０μｍであった。
（比較例１５）
開口径２５０μｍのボール整列用マスクを用いて直径２１０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例３と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は１５０μｍ、最大値は１６０μｍであった。
（比較例１６）
開口径２４０μｍのボール整列用マスクを用いて直径２０５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例４と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は１１２μｍ、最大値は１５８μｍであった。
（比較例１７）
開口径１８０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１５５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例５と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は８８μｍ、最大値は１２０μｍであった。
（比較例１８）
開口径１８０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１６０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例６と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は１２０μｍ、最大値は１８０μｍであった。
（比較例１９）
開口径１９０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１６５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例７と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は１２０μｍ、最大値は１２８μｍであった。
（比較例２０）
開口径２００μｍのボール整列用マスクを用いて直径１７０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例８と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は７５μｍ、最大値は１６０μｍであった。
（比較例２１）
開口径１４０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１０５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例９と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は８０μｍ、最大値は８８μｍであった。
（比較例２２）
開口径１４０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１１０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１０と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は４０μｍ、最大値は９０μｍであった。
（比較例２３）
開口径１４０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１１５μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１１と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は８０μｍ、最大値は８５μｍであった。
（比較例２４）
開口径１５０μｍのボール整列用マスクを用いて直径１２０μｍの半田ボールを搭載した以外は、実施例１２と同様にしてプリント配線板を製造した。その結果、半田バンプ高さの最小値は７５μｍ、最大値は９０μｍであった。
ここで、前記実施例１〜３６および比較例１〜２４にしたがって製造されたＩＣ実装プリント配線板について、以下のようにして耐ヒートサイクル性を評価するための試験を行った。
（耐ヒートサイクル性）
まず、ＩＣチップを介した特定回路の電気抵抗（ＩＣ実装プリント配線板のＩＣチップ搭載面とは反対側の面に露出し、かつＩＣチップと導通している一対の接続パッド間の電気抵抗）を測定し、その値を初期値とした。
その後、それらのＩＣチップ実装プリント配線板に、−５５℃×５分⇔１２５℃×５分を１サイクルとするヒートサイクル試験を１０００回繰り返して行った。５００サイクル後、１０００サイクル後の電気抵抗をそれぞれ測定し、初期値との変化率（１００×（測定値−初期値）／初期値（％））を求めた。±１０以内の場合を「良好」（○）、それ以外を「不良」（×）と評価した。この試験結果を表１および表２に示す。
【表１】
2007004657.tif 000002
【表２】
2007004657.tif 000003
次に、前記実施例１〜３６のうち、実施例２、７、１１、１４、１９、２３、２６、３１、３５について、ソルダーレジスト層形成後に、ソルダーレジスト層表面に以下のような平坦化処理を施してなるプリント配線板を製造し、それらを実施例３７〜４５とした。
【実施例３７】
【００４２】
ソルダーレジスト層形成後に、ソルダーレジスト層表面に対して以下のような平坦化処理を施した以外は、実施例２と同様にしてプリント配線板を製造した。
（平坦化処理）
まず、ソルダーレジスト層表面のうち、ＩＣチップ実装用の接続パッド領域（領域面積：１２００ｍｍ２、接続パッド数：３００００）を、表面粗さ計（例えば、商品名「ＳＵＲＦＣＯＭ  ４８０Ａ」：東京精密社製、または商品名「ＷＹＫＯ  Ｎ−２５００」：ビーコ社製）により測定して、導体パッドの有無に起因した凹凸量（図８参照）を調べた。その結果、ソルダーレジスト層表面の凹凸量は、７．２〜９．８μｍであった。
次いで、ソルダーレジスト層の表面にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを貼付し、以下のような平坦化処理条件で、ポリエチレンテレフタレートフィルムを介してソルダーレジスト層に圧力をかけてソルダーレジスト表面を平坦化した。
（平坦化処理条件）
プレス温度：    ６０〜８０℃
プレス圧：      ３〜５ＭＰａ
プレス時間：    １〜３分
平坦化処理後のソルダーレジスト層の表面のうち、既に測定した領域と同一の領域を、同一の表面粗さ計により測定して、平坦化処理後のソルダーレジスト層表面の凹凸の程度を調べた。その結果、ソルダーレジスト層の平坦化された表面の凹凸量は、０．８（最小凹凸量）〜３．２μｍ（最大凹凸量）程度まで小さくなっていた。
なお、ここでいう「最大凹凸量」、「最小凹凸量」とは、図８に示すように、電子部品実装領域において、導体パッド上または導体回路上のソルダーレジスト層の高さと、隣接する導体パッド非形成部または導体回路非形成部のソルダーレジスト層の高さとの差Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５・・・・の中の最大値、最小値をそれぞれ意味する。
【実施例３８】
【００４３】
ソルダーレジスト層形成後に、ソルダーレジスト層表面に対して以下のような条件で平坦化処理を施した以外は、実施例７と同様にしてプリント配線板を製造した。
（平坦化処理条件）
プレス温度：    ６０〜８０℃
プレス圧：      ３〜５ＭＰａ
プレス時間：    １〜３分
この実施例で得られたソルダーレジスト層の平坦化前の表面の凹凸量は、６．６〜１０．２μｍ程度の比較的に凹凸の大きな面であったが、平坦化された表面は、０．７〜３．０μｍ程度の凹凸の小さな面となっていた。
【実施例３９】
【００４４】
ソルダーレジスト層形成後に、ソルダーレジスト層表面に対して以下のような条件で平坦化処理を施した以外は、実施例１１と同様にしてプリント配線板を製造した。
（平坦化処理条件）
プレス温度：    ６０〜８０℃
プレス圧：      ３〜５ＭＰａ
プレス時間：    １〜３分
この実施例で得られたソルダーレジスト層の平坦化前の表面の凹凸量は、８．４〜９．３μｍ程度の比較的に凹凸の大きな面であったが、平坦化された表面は、０．８〜３．１μｍ程度の凹凸の小さな面となっていた。
【実施例４０】
【００４５】
ソルダーレジスト層形成後に、ソルダーレジスト層表面に対して以下のような条件で平坦化処理を施した以外は、実施例１４と同様にしてプリント配線板を製造した。
（平坦化処理条件）
プレス温度：    ６０〜８０℃
プレス圧：      ３〜５ＭＰａ
プレス時間：    １〜３分
この実施例で得られたソルダーレジスト層の平坦化前の表面の凹凸量は、８．２〜９．６μｍ程度の比較的に凹凸の大きな面であったが、平坦化された表面は、０．７〜３．２μｍ程度の凹凸の小さな面となっていた。
【実施例４１】
【００４６】
ソルダーレジスト層形成後に、ソルダーレジスト層表面に対して以下のような条件で平坦化処理を施した以外は、実施例１９と同様にしてプリント配線板を製造した。
（平坦化処理条件）
プレス温度：    ６０〜８０℃
プレス圧：      ３〜５ＭＰａ
プレス時間：    １〜３分
この実施例で得られたソルダーレジスト層の平坦化前の表面の凹凸量は、９．９〜１０．２μｍ程度の比較的に凹凸の大きな面であったが、平坦化された表面は、０．８〜３．３μｍ程度の凹凸の小さな面となっていた。
【実施例４２】
【００４７】
ソルダーレジスト層形成後に、ソルダーレジスト層表面に対して以下のような条件で平坦化処理を施した以外は、実施例２３と同様にしてプリント配線板を製造した。
（平坦化処理条件）
プレス温度：    ６０〜８０℃
プレス圧：      ３〜５ＭＰａ
プレス時間：    １〜３分
この実施例で得られたソルダーレジスト層の平坦化前の表面の凹凸量は、８．３〜１０．３μｍ程度の比較的に凹凸の大きな面であったが、平坦化された表面は、０．７〜３．０μｍ程度の凹凸の小さな面となっていた。
【実施例４３】
【００４８】
ソルダーレジスト層形成後に、ソルダーレジスト層表面に対して以下のような条件で平坦化処理を施した以外は、実施例２６と同様にしてプリント配線板を製造した。
（平坦化処理条件）
プレス温度：    ６０〜８０℃
プレス圧：      ３〜５ＭＰａ
プレス時間：    １〜３分
この実施例で得られたソルダーレジスト層の平坦化前の表面の凹凸量は、９．１〜９．８μｍ程度の比較的に凹凸の大きな面であったが、平坦化された表面は、０．５〜３．１μｍ程度の凹凸の小さな面となっていた。
【実施例４４】
【００４９】
ソルダーレジスト層形成後に、ソルダーレジスト層表面に対して以下のような条件で平坦化処理を施した以外は、実施例３１と同様にしてプリント配線板を製造した。
（平坦化処理条件）
プレス温度：    ６０〜８０℃
プレス圧：      ３〜５ＭＰａ
プレス時間：    １〜３分
この実施例で得られたソルダーレジスト層の平坦化前の表面の凹凸量は、８．１〜１０．２μｍ程度の比較的に凹凸の大きな面であったが、平坦化された表面は、０．８〜３．０μｍ程度の凹凸の小さな面となっていた。
【実施例４５】
【００５０】
ソルダーレジスト層形成後に、ソルダーレジスト層表面に対して以下のような条件で平坦化処理を施した以外は、実施例３５と同様にしてプリント配線板を製造した。
（平坦化処理条件）
プレス温度：    ６０〜８０℃
プレス圧：      ３〜５ＭＰａ
プレス時間：    １〜３分
この実施例で得られたソルダーレジスト層の平坦化前の表面の凹凸量は、９．６〜１０．３μｍ程度の比較的に凹凸の大きな面であったが、平坦化された表面は、０．７〜３．０μｍ程度の凹凸の小さな面となっていた。
前記実施例３７〜４５にしたがって製造した、平坦化処理が施されたＩＣ実装プリント配線板について、実施例１〜３６と同様なヒートサイクル試験を行い、１０００サイクル後および１５００サイクル後の電気抵抗を測定し、初期値との変化率（１００×（測定値−初期値）／初期値（％））を求めた。±１０以内の場合を「良好」（○）、それ以外を「不良」（×）と評価した。この試験結果を表３に示す。
なお、平坦化処理が施されていない実施例２、７、１１、１４、１９、２３、２６、３１、３５にしたがって製造したＩＣ実装プリント配線板についても、同様のヒートサイクル試験を行い、電気抵抗の変化率を求めて評価した。これらの試験結果も、表３において、実施例３７〜４５の試験結果に併記した。
【表３】
2007004657.tif 000004
次いで、ソルダーレジスト層表面が平坦化されてなる前記実施例３７〜４５にしたがって製造されたＩＣ実装プリント配線板について、それらの平坦化処理した基板を、さらに以下のような条件で粗化処理を施すことによって、ソルダーレジスト層の平坦化された表面にさらに微細な凹凸面（粗化面）を形成してなるＩＣ実装プリント配線板を製造し、それらを実施例４６〜５４とした。
【実施例４６】
【００５１】
ソルダーレジスト層表面に平坦化処理を施した後、さらに以下のような条件で粗化処理を施した以外は、実施例３７と同様にしてプリント配線板を製造した。
（粗化条件）
粗化液：      過マンガン酸カリウム溶液
濃度：        ６０〜８０ｇ／Ｌ
温度：        ６０〜８０℃
浸漬時間：    １〜５分
粗化処理後、ソルダーレジスト表面の表面粗さを、表面粗さ計（例えば、商品名「ＳＵＲＦＣＯＭ  ４８０Ａ」：東京精密社製、または商品名「ＷＹＫＯ  Ｎ−２５００」：ビーコ社製）により、ランダムな１０箇所において測定した。その結果、ソルダーレジスト層の粗化処理された表面の表面粗さは、Ｒａで０．１〜０．６μｍ程度の凹凸の小さな面となっていた。
なお、ここでいう「表面粗さ（Ｒａ）」とは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１で規定された「算術平均粗さ（Ｒａ）」を意味するが、上記測定結果でＲａに範囲があるのは、測定した１０点におけるＲａのうち、Ｒａが最も小さいものをＲａ（ｍｉｎ）、最も大きいものをＲａ（ｍａｘ）という形で表記したものである。
但し、表面粗さ測定は、導体回路（パッド）形成領域に対応したソルダーレジスト層表面および導体回路非形成領域に対応したソルダーレジスト層表面のうちのランダムな１０点で測定し、導体回路形成領域と導体回路非形成領域との境界付近では測定しなかった。
【実施例４７】
【００５２】
ソルダーレジスト層表面に平坦化処理を施した後、さらに以下のような条件で粗化処理を施した以外は、実施例３８と同様にしてプリント配線板を製造した。
（粗化条件）
粗化液：      過マンガン酸カリウム溶液
濃度：        ６０〜８０ｇ／Ｌ
温度：        ６０〜８０℃
浸漬時間：    １〜５分
ソルダーレジスト層の粗化処理された表面の表面粗さは、Ｒａで０．２〜０．５μｍ（Ｒａ（ｍｉｎ）〜Ｒａ（ｍａｘ））程度の凹凸の小さな粗面となっていた。
【実施例４８】
【００５３】
ソルダーレジスト層表面に平坦化処理を施した後、さらに以下のような条件で粗化処理を施した以外は、実施例３９と同様にしてプリント配線板を製造した。
（粗化条件）
粗化液：      過マンガン酸カリウム溶液
濃度：        ６０〜８０ｇ／Ｌ
温度：        ６０〜８０℃
浸漬時間：    １〜５分
ソルダーレジスト層の粗化処理された表面の表面粗さは、Ｒａで０．２〜０．５μｍ程度の凹凸の小さな粗面となっていた。
【実施例４９】
【００５４】
ソルダーレジスト層表面に平坦化処理を施した後、さらに以下のような条件で粗化処理を施した以外は、実施例４０と同様にしてプリント配線板を製造した。
（粗化条件）
粗化液：      過マンガン酸カリウム溶液
濃度：        ６０〜８０ｇ／Ｌ
温度：        ６０〜８０℃
浸漬時間：    １〜５分
ソルダーレジスト層の粗化処理された表面の表面粗さは、Ｒａで０．２〜０．７μｍ程度の凹凸の小さな粗面となっていた。
【実施例５０】
【００５５】
ソルダーレジスト層表面に平坦化処理を施した後、さらに以下のような条件で粗化処理を施した以外は、実施例４１と同様にしてプリント配線板を製造した。
（粗化条件）
粗化液：      過マンガン酸カリウム溶液
濃度：        ６０〜８０ｇ／Ｌ
温度：        ６０〜８０℃
浸漬時間：    １〜５分
ソルダーレジスト層の粗化処理された表面の表面粗さは、Ｒａで０．１〜０．５μｍ程度の凹凸の小さな粗面となっていた。
【実施例５１】
【００５６】
ソルダーレジスト層表面に平坦化処理を施した後、さらに以下のような条件で粗化処理を施した以外は、実施例４２と同様にしてプリント配線板を製造した。
（粗化条件）
粗化液：      過マンガン酸カリウム溶液
濃度：        ６０〜８０ｇ／Ｌ
温度：        ６０〜８０℃
浸漬時間：    １〜５分
ソルダーレジスト層の粗化処理された表面の表面粗さは、Ｒａで０．１〜０．５μｍ程度の凹凸の小さな粗面となっていた。
【実施例５２】
【００５７】
ソルダーレジスト層表面に平坦化処理を施した後、さらに以下のような条件で粗化処理を施した以外は、実施例４３と同様にしてプリント配線板を製造した。
（粗化条件）
粗化液：      過マンガン酸カリウム溶液
濃度：        ６０〜８０ｇ／Ｌ
温度：        ６０〜８０℃
浸漬時間：    １〜５分
ソルダーレジスト層の粗化処理された表面の表面粗さは、Ｒａで０．２〜０．５μｍ程度の凹凸の小さな粗面となっていた。
【実施例５３】
【００５８】
ソルダーレジスト層表面に平坦化処理を施した後、さらに以下のような条件で粗化処理を施した以外は、実施例４４と同様にしてプリント配線板を製造した。
（粗化条件）
粗化液：      過マンガン酸カリウム溶液
濃度：        ６０〜８０ｇ／Ｌ
温度：        ６０〜８０℃
浸漬時間：    １〜５分
ソルダーレジスト層の粗化処理された表面の表面粗さは、Ｒａで０．２〜０．６μｍ程度の凹凸の小さな粗面となっていた。
【実施例５４】
【００５９】
ソルダーレジスト層表面に平坦化処理を施した後、さらに以下のような条件で粗化処理を施した以外は、実施例４５と同様にしてプリント配線板を製造した。
（粗化条件）
粗化液：      過マンガン酸カリウム溶液
濃度：        ６０〜８０ｇ／Ｌ
温度：        ６０〜８０℃
浸漬時間：    １〜５分
ソルダーレジスト層の粗化処理された表面の表面粗さは、Ｒａで０．１〜０．５μｍ程度の凹凸の小さな粗面となっていた。
前記実施例４６〜５４にしたがって製造された粗化処理が施されているＩＣ実装プリント配線板について、実施例１〜３６と同様なヒートサイクル試験を行い、１５００サイクル後および２０００サイクル後の電気抵抗を測定し、初期値との変化率（１００×（測定値−初期値）／初期値（％））を求めた。±１０以内の場合を「良好」（○）、それ以外を「不良」（×）と評価した。この試験結果を表４に示す。
なお、粗化処理が施されていない実施例３７〜４５にしたがって製造したＩＣ実装プリント配線板についても、同様のヒートサイクル試験を行い、電気抵抗の変化率を求めて評価した。これらの試験結果も、表４において、実施例４６〜５４の試験結果に併記した。
【表４】
2007004657.tif 000005
以上の試験結果から、半田バンプ高さＨとソルダーレジスト開口径Ｄとの比（Ｈ／Ｄ）が０．５５〜１．０の範囲であると、接続信頼性が高いことが分かる。さらに、主に、ソルダーレジスト層下に位置する接続パッドの有無に起因するソルダーレジスト層表面の凹凸が平坦化され、その平坦化された表面の粗さが、最大表面粗さ（凹凸量）で０．８〜３μｍの場合に、接続信頼性が高くなることがわかる。これは、半田バンプの高さが比較的に大きい場合に、ＩＣチップ下面とソルダーレジスト層表面との間の間隔が大きくなるので、ソルダーレジスト層に大きな凹凸（段差）があると、アンダーフィル（封止剤）内にボイドが発生しやすくなるが、平坦化処理により、ＩＣチップ下面とソルダーレジスト層表面との間の間隔のバラツキが小さくなるので、アンダーフィルの充填性が良くなったためと推察される。
さらに、平坦化されたソルダーレジスト層表面に、粗化処理によって形成された微細な凹凸が存在し、その粗化された表面の粗さが、算術平均粗さＲａで０．２〜０．５μｍであると、接続信頼性がさらに高くなることがわかる。これは、アンダーフィルとソルダーレジスト層表面との間の密着性が向上したため、あるいは表面の凹部内にフラックスやフラックスの洗浄液が残り難いからと推察される。
（ＨＡＳＴ試験）
実施例１〜５４、比較例１〜２４にしたがって製造されたプリント配線板について、隣接していて、短絡していない半田バンプ間に３．３Ｖの電圧をかけながら、温度：８５℃、湿度：８５％の雰囲気に５０時間放置した。その後、電圧を印加した半田バンプ間の絶縁抵抗を測定した。
なお、絶縁抵抗が１０７Ω以上であれば、絶縁性が「良好○」であり、絶縁抵抗が１０７Ω未満では絶縁性が「不良×」であると評価した。
その結果は、実施例１〜５４および比較例１〜１２については絶縁性が良好○であり、比較例１３〜２４については絶縁性が不良×であることが確認された。
（バンプ内ボイドの観察）
実施例１〜５４にしたがって製造されたプリント配線板について、半田バンプ内のボイドを、Ｘ線テレビシステム（商品名「ＳＭＸ−１００」：島津製作所製）を用いて観察し、ボイド数を測定した。半田バンプはランダムに１００個選んで観察したが、ボイドの存在は確認されなかった。
なお、実施例１〜５４にしたがって製造されたプリント配線板について、接続パッドの数を２０００個（接続パッド領域：１５０ｍｍ２）から３００００個（接続パッド領域：１２００ｍｍ２）に変更した以外は、実施例１〜５４と同様にＩＣ実装プリント配線板を作製し、これらの各実施例について、実施例１〜５４と同様にヒートサイクル試験、ＨＡＳＴ試験、半田バンプ内ボイドの観察を行ったところ、実施例１〜５４と同様の結果を得ることができた。
すなわち、接続パッド数が２０００〜３００００個（接続パッド領域面積：１５０〜１２００ｍｍ２）であるような高密度実装では、ＩＣチップとプリント配線板の熱膨張係数差に起因するせん断応力が大きくなるが、本発明によれば、接続信頼性および絶縁信頼性に優れたプリント配線板を提供することができることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
以上説明したように、本発明のプリント配線板は、半田バンプのピッチが２００μｍ以下であるような挟ピッチ構造でも、半田バンプのソルダーレジスト層表面からの高さＨと、開口部の開口径Ｄとの比（Ｈ／Ｄ）を０．５５〜１．０にすることによって、接続信頼性および絶縁信頼性に優れたプリント配線板を提案する。
【図１】
2007004657.tif 000006
【図２】
2007004657.tif 000007
【図３Ａ】
2007004657.tif 000008
【図３Ｂ】
2007004657.tif 000009
【図３Ｃ】
2007004657.tif 000010
【図４Ａ】
2007004657.tif 000011
【図４Ｂ】
2007004657.tif 000012
【図５Ａ】
2007004657.tif 000013
【図５Ｂ】
2007004657.tif 000014
【図６Ａ】
2007004657.tif 000015
【図６Ｂ】
2007004657.tif 000016
【図７Ａ】
2007004657.tif 000017
【図７Ｂ】
2007004657.tif 000018
【図８】
2007004657.tif 000019
【図９】
2007004657.tif 000020
【図１０Ａ】
2007004657.tif 000021
【図１０Ｂ】
2007004657.tif 000022
【図１１Ａ】
2007004657.tif 000023
【図１１Ｂ】
2007004657.tif 000024
【国際調査報告】
2007004657.tif 000025
2007004657.tif 000026
2007004657.tif 000027
2007004657.tif 000028