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　特願２０１６−１２２００２「積層セラミックコンデンサ」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年１２月２８日出願公開、特開２０１７−２２８５８８、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１６年（平成２８年）６月２０日の出願であって、その手続の経緯は、概略、以下のとおりである。
令和１年１１月１２日付け：拒絶理由通知書
令和２年　１月２０日　　：意見書、手続補正書の提出
令和２年　４月１４日付け：拒絶査定（以下、「原査定」という。）
令和２年　７月２０日　　：審判請求書の提出
第２　原査定の理由
　原査定の概要は以下のとおりである。
１．（新規性）本願の請求項１−３、５、６に係る発明は、その出願前に日本国内または外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
２．（進歩性）本願の請求項１−３、５、６に係る発明は、その出願前に日本国内または外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
●理由１（特許法第２９条第１項第３号）、理由２（特許法第２９条第２項）について
・請求項　１−３、５、６
・引用文献等　１
引用文献１：国際公開第２００４／０７０７４８号
第３　本願発明
　本件特許出願の請求項に係る発明は、令和２年１月２０日に提出された手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、その請求項１ないし６に係る発明（以下、「本願発明１ないし６」という。）は、次の事項により特定されるものである。
「【請求項１】
　１対の外部電極と、
　Ｎｉを含み、前記外部電極の一方に接続された第１内部電極と、
　前記第１内部電極上に積層され、ＢａＴｉＯ３およびＮｉを含む誘電体層と、
　前記誘電体層上に積層され、Ｎｉを含み、前記外部電極の他方に接続された第２内部電極と、を備え、
　前記第１内部電極と前記第２内部電極との間の前記積層の方向において、前記誘電体層の前記第１内部電極から５０ｎｍ離れた位置から前記誘電体層の前記第２内部電極から５０ｎｍ離れた位置までを積層方向に５つの領域に等分し、前記５つの領域をそれぞれ透過型電子顕微鏡で分析して得られるＮｉ濃度が０．０１５〜０．０４５であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
　　【請求項２】
　前記５つの領域の中央部領域におけるＮｉ濃度に対して、前記５つの領域のうち前記第１内部電極および前記第２内部電極に最も近い端部領域の少なくともいずれか一方のＮｉ濃度が１０％以上高いことを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
　　【請求項３】
　前記５つの領域の中央部領域におけるＮｉ濃度に対して、前記５つの領域のうち前記第１内部電極および前記第２内部電極に最も近い端部領域の少なくともいずれか一方のＮｉ濃度が１５％以上高いことを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサ。
　　【請求項４】
　前記誘電体層の積層数は、２００以上であることを特徴とする請求項１または２記載の積層セラミックコンデンサ。
　　【請求項５】
　複数の誘電体層が内部電極を介して積層され、
　前記複数の誘電体層のうち、８０％以上が前記誘電体層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
　　【請求項６】
　前記Ｎｉ濃度は、Ｎｉ／（Ｂａ＋Ｔｉ）の原子濃度比率であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。」
第４　引用文献、引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（国際公開第２００４／０７０７４８号）には、図面とともに次の事項が記載されている。なお、一部の下線は当審で付与した。
ア．「
技術分野
【０００１】
　本発明は、たとえば積層セラミックコンデンサなどの電子部品に関する。
背景技術
【０００２】
　電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサは、誘電体層と内部電極層とが交互に複数配置された積層構造の素子本体と、該素子本体の両端部に形成された一対の外部端子電極とで構成される。」
イ．「【００５４】
　以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
第１実施形態
　まず、本発明に係る電子部品の一実施形態として、
積層セラミックコンデンサ
　図１に示すように、本実施形態に係る
積層セラミックコンデンサ２は、コンデンサ素体（素子本体）４と、第１端子電極６と、第２端子電極８とを有する。コンデンサ素体４は、誘電体層１０と、内部電極層１２とを有し、誘電体層１０の間に、これらの内部電極層１２が交互に積層してある。交互に積層される一方の内部電極層１２は、コンデンサ素体４の第１端部４ａの外側に形成してある第１端子電極６の内側に対して電気的に接続してある。また、交互に積層される他方の内部電極層１２は、コンデンサ素体４の第２端部４ｂの外側に形成してある第２端子電極８の内側に対して電気的に接続してある。
【００５５】
　内部電極層１２は、合金を含んで構成される。
内部電極層１２を構成する合金は、ニッケル（Ｎｉ）
有する。
【００５６】
　内部電極層１２は、後で詳細に説明するように、図２〜図３に示すように、内部電極層用膜１２ａをセラミックグリーンシート１０ａに転写して形成され、内部電極層用膜１２ａと同じ材質で構成されるが、その厚みは、焼成による水平方向の収縮分だけ内部電極層用膜１２ａよりも厚くなる。各内部電極層１２の厚みは、好ましくは０．１〜１μｍである。
【００５７】
　
誘電体層１０の材質は、
チタン酸バリウム
で構成される
ウ．「【００６０】
　次に、積層セラミックコンデンサ２の製造方法の一例を説明する。まず、焼成後に図１に示す誘電体層１０を構成することになるセラミックグリーンシートを製造するために、誘電体ペーストを準備する。誘電体ペーストは、通常、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系ペースト、または水系ペーストで構成される。
（中略）
【００８６】
　本発明では、グリーンチップの焼成を、酸素分圧が好ましくは１０−１０〜１０−２Ｐａ、より好ましくは１０−１０〜１０−５Ｐａの雰囲気で行う。焼成時の酸素分圧が低すぎると、内部電極層の導電材（合金）が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがあり、逆に酸素分圧が高すぎると、内部電極層が酸化する傾向がある。
【００８７】
　本発明では、グリーンチップの焼成を、１３００℃以下、より好ましくは１０００〜１３００℃、特に好ましくは１１５０〜１２５０℃の低温で行う。焼成温度が低すぎると、グリーンチップが緻密せず、逆に焼成温度が高すぎると、内部電極が途切れたり、導電材の拡散により容量温度特性が悪化したり、誘電体の還元が生じてしまうからである。
【００８８】
　これ以外の焼成条件としては、昇温速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間、温度保持時間を好ましくは０．５〜８時間、より好ましくは１〜３時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間とする。また、焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしてはたとえば、Ｎ２とＨ２との混合ガスをウェット（加湿）状態で用いることが好ましい。
【００８９】
　本発明では、焼成後のコンデンサチップ体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これにより絶縁抵抗（ＩＲ）の加速寿命を著しく長くすることができ、信頼性が向上する。
【００９０】
　本発明では、焼成後コンデンサチップ体のアニールを、焼成時の還元雰囲気よりも高い酸素分圧下で行うことが好ましく、具体的には、酸素分圧が好ましくは１０−２〜１００Ｐａ、より好ましくは１０−２〜１０Ｐａの雰囲気で行う。アニール時の酸素分圧が低すぎると、誘電体層２の再酸化が困難であり、逆に高すぎると、内部電極層３が酸化する傾向にある。
【００９１】
　本発明では、アニール時の保持温度または最高温度を、好ましくは１２００℃以下、より好ましくは９００〜１１５０℃、特に好ましくは１０００〜１１００℃とする。また、本発明では、これらの温度の保持時間を、好ましくは０．５〜４時間、より好ましくは１〜３時間とする。アニール時の保持温度または最高温度が、前記範囲未満では誘電体材料の酸化が不十分なために絶縁抵抗寿命が短くなる傾向にあり、前記範囲をこえると内部電極のＮｉが酸化し、容量が低下するだけでなく、誘電体素地と反応してしまい、寿命も短くなる傾向にある。なお、アニールは昇温過程および降温過程だけから構成してもよい。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場合、保持温度は最高温度と同義である。」
エ．「【０１５０】
　焼成は、
　昇温速度：５〜５００℃／時間、特に２００〜３００℃／時間、
　保持持温度：１０００〜１３００℃、特に１１５０〜１２５０℃、
　保持時間：０．５から８時間、特に１〜３時間、
　冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００℃／時間、
　雰囲気ガス：加湿したＮ２とＨ２の混合ガス、
　酸素分圧：各表参照、
　で行った。
【０１５１】
　アニール（再酸化）は、
　昇温速度：２００〜３００℃／時間、
　保持温度：各表参照
　保持時間：２時間、
　冷却速度：３００℃／時間、
　雰囲気ガス：加湿したＮ２ガス、
　酸素分圧：各表参照、
　で行った。なお、雰囲気ガスの加湿には、ウェッターを用い、水温０〜７５℃にて行った。」
「図１
」
「表６
」
　上記イ及び図１によれば、引用文献１には「積層セラミックコンデンサ」について、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「コンデンサ素体４と、第１端子電極６と、第２端子電極８とを有し、
　コンデンサ素体４は、
　誘電体層１０と内部電極層１２とを有し、誘電体層１０の間に、これらの内部電極層１２が交互に積層され、
　交互に積層される一方の内部電極層１２は、コンデンサ素体４の第１端部４ａの外側に形成してある第１端子電極６の内側に対して電気的に接続し、
　交互に積層される他方の内部電極層１２は、コンデンサ素体４の第２端部４ｂの外側に形成してある第２端子電極８の内側に対して電気的に接続し、
　内部電極層１２を構成する合金は、ニッケル（Ｎｉ）を有し、
　誘電体層１０の材質は、チタン酸バリウムで構成される、
　積層セラミックコンデンサ。」
第５　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
ア．上記「第４」「ア．」において摘記した引用文献１の【０００２】に記載のとおり、「積層セラミックコンデンサ」は、誘電体層と内部電極層とが交互に複数配置された積層構造の素子本体と、該素子本体の両端部に形成された一対の外部端子電極とで構成されるものである。
　ここで、引用発明の「第１端子電極６」は「コンデンサ素体４の第１端部４ａの外側に形成」され、同「第２端子電極８」は「コンデンサ素体４の第２端部４ｂの外側に形成」されるものであるから、「第１端子電極６」と「第２端子電極」は、コンデンサ素体４の両端部に形成される端子電極である。
　よって、「第１端子電極６」と「第２端子電極」は一対の外部端子電極を構成するものと認める。
　したがって、引用発明の「第１端子電極６」と「第２端子電極」は、本願発明１の「１対の外部電極」に相当する。
イ．引用発明の「コンデンサ素体４」は「誘電体層１０と内部電極層１２とを有し、誘電体層１０の間に、これらの内部電極層１２が交互に積層され」るものであり、内部電極層１２のうち、「一方の内部電極層１２」は「第１端子電極６」に接続され、「他方の内部電極層１２」は「第２端子電極８」に接続されるものである。
　そして、上記「一方の内部電極層１２」は、本願発明１の「第１内部電極」に相当し、「一方の内部電極層１２」と接続される「第１端子電極６」は、本願発明１の「外部電極の一方」に相当する。また、引用発明の「他方の内部電極層１２」及び「第２端子電極８」は、それぞれ本願発明１の「第２内部電極」及び「外部電極の他方」に相当する。
　また、引用発明の「コンデンサ素体４」は「一方の内部電極層１２」上に「誘電体層１０」が積層され、さらに、「誘電体層１０」上に「他方の内部電極層１２」が積層されているといえる。
　さらに、引用発明の内部電極層１２を構成する合金は、ニッケル（Ｎｉ）を有し、誘電体層１０の材質は、チタン酸バリウムで構成されるものである。
　したがって、引用発明の「コンデンサ素体４は、誘電体層１０と内部電極層１２とを有し、誘電体層１０の間に、これらの内部電極層１２が交互に積層され、交互に積層される一方の内部電極層１２は、コンデンサ素体４の第１端部４ａの外側に形成してある第１端子電極６の内側に対して電気的に接続し、交互に積層される他方の内部電極層１２は、コンデンサ素体４の第２端部４の外側に形成してある第２端子電極８の内側に対して電気的に接続し、内部電極層１２を構成する合金は、ニッケル（Ｎｉ）を有し、誘電体層１０の材質は、チタン酸バリウムで構成される」ことは、本願発明１の「Ｎｉを含み、前記外部電極の一方に接続された第１内部電極と、前記第１内部電極上に積層され、ＢａＴｉＯ３を含む誘電体層と、前記誘電体層上に積層され、Ｎｉを含み、前記外部電極の他方に接続された第２内部電極と、を備え」ることに相当する。
　ただし、本願発明１の「誘電体層」はＮｉを含むのに対し、引用発明にはその旨の特定がない点で相違する。
ウ．本願発明１は、「前記第１内部電極と前記第２内部電極との間の前記積層の方向において、前記誘電体層の前記第１内部電極から５０ｎｍ離れた位置から前記誘電体層の前記第２内部電極から５０ｎｍ離れた位置までを積層方向に５つの領域に等分し、前記５つの領域をそれぞれ透過型電子顕微鏡で分析して得られるＮｉ濃度が０．０１５〜０．０４５である」のに対し、引用発明には、その旨の特定がない点で相違する。
エ．上記アないしウによれば、本願発明１と引用発明は、次の（一致点）と（相違点）を有する。
（一致点）
「１対の外部電極と、
　Ｎｉを含み、前記外部電極の一方に接続された第１内部電極と、
　前記第１内部電極上に積層され、ＢａＴｉＯ３を含む誘電体層と、
　前記誘電体層上に積層され、Ｎｉを含み、前記外部電極の他方に接続された第２内部電極と、を備えた、
積層セラミックコンデンサ。」
（相違点）　
　本願発明１は、「誘電体層」が「Ｎｉを含む」ものであり、また、「前記第１内部電極と前記第２内部電極との間の前記積層の方向において、前記誘電体層の前記第１内部電極から５０ｎｍ離れた位置から前記誘電体層の前記第２内部電極から５０ｎｍ離れた位置までを積層方向に５つの領域に等分し、前記５つの領域をそれぞれ透過型電子顕微鏡で分析して得られるＮｉ濃度が０．０１５〜０．０４５である」のに対し、引用発明には、その旨の特定がない点。
（２）判断
　上記相違点について判断する。
ア．引用発明の「積層セラミックコンデンサ」について「誘電体層１０」のＮｉ濃度は特定がなく不明である。
イ．次に、引用発明に係る製造方法から、上記相違点の構成がいえるか検討する。
（ａ）本願発明１に係る製造方法について
　本願の発明の詳細な説明の【００３６】ないし【００５２】には、本願発明１の「積層セラミックコンデンサ」に係る製造方法が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明１に係る製造方法は、１次焼成工程ないし３次焼成工程を含むところ、【００４５】および【００４７】の記載によれば、２次焼成工程を中心とした１次焼成工程ないし３次焼成工程における焼成の条件を制御することにより、誘電体層の５つの領域のＮｉ濃度を、上記相違点に係る構成である、０．０１５〜０．０４５の範囲に制御している。
　ここで、各焼成工程における焼成条件は以下のとおりである。
（１次焼成工程）（【００４４】を参照。）
酸素分圧：１０−５Ｐａ〜１０−７Ｐａ
焼成温度：１１００〜１３００℃
焼成時間：１０分〜２時間
（２次焼成工程）（【００４５】を参照。）
酸素分圧：１０−３Ｐａ〜１０−６Ｐａ
焼成温度：１次焼成温度よりも５０℃程度高い１１５０℃〜１３５０℃
焼成時間：０．２５時間から０．５時間
（３次焼成工程）（【００４６】を参照。）
酸素分圧：１０−２Ｐａ〜１０Ｐａ
焼成温度：６００℃〜１０００℃
焼成時間：１時間程度
（ｂ）引用発明に係る製造方法について
　上記「第４」「ウ．」および「エ．」において摘記した、引用文献１の【００６０】ないし【００９１】【０１５０】【０１５１】には、引用発明の「積層セラミックコンデンサ」に係る製造方法が記載されていると認められるところ、焼成およびアニールに着目すると、各工程における条件は次のとおりである。
（焼成）【００８６】ないし【００８８】、【０１５０】
酸素分圧：１０−１０Ｐａ〜１０−２Ｐａ
焼成温度：１０００〜１３００℃
温度保持時間：０．５〜８時間
（アニール）【００８９】ないし【００９３】、【０１５１】
酸素分圧：１０−２Ｐａ〜１００Ｐａ
アニール時の保持温度または最高温度：１２００℃以下
温度保持時間：０．５〜４時間
　また、引用文献１の【表６】の２行目に記載の実施例における焼成及びアニールの条件は次のとおりである。
（焼成）
酸素分圧：１０−７Ｐａ
焼成温度：１０００℃
（アニール）
酸素分圧：１０−１Ｐａ
アニール温度：１０５０℃
アニール時間：２時間
（ｃ）両者の製造方法についての対比
　上記（ａ）の製造方法の２次焼成工程と、上記（ｂ）の製造方法のアニールは、共に２回目に行われる焼成工程といえる点で共通する。
　そこで、上記（ａ）の製造方法の２次焼成工程の条件と、上記（ｂ）の製造方法のアニールの条件を対比すると、上記（ａ）の２次焼成工程では、酸素分圧を１０−３Ｐａ〜１０−６Ｐａとしているのに対し、上記（ｂ）のアニールでは、酸素分圧を１０−２Ｐａ〜１００Ｐａとしていることから、両者の条件は同一でない。
　次に、上記（ａ）では、２次焼成工程における焼成温度を１次焼成工程における焼成温度よりも５０℃程度高い温度としていることから、上記（ｂ）のアニールの温度を焼成時の焼成温度より高い温度とした【表６】の２行目に記載の製造方法に着目する。しかし、焼成温度を１０００℃、アニール温度を１０５０℃としているから、上記（ａ）の１次焼成工程における焼成温度（１１００〜１３００℃）および２次焼成工程における焼成温度（１１５０℃〜１３５０℃）とは異なる条件で焼成およびアニールを行うものである。
　よって、本願発明１に係る製造方法と引用発明に係る製造方法が同一であるとはいえない。
　そうすると、本願発明１の「積層セラミックコンデンサ」と、引用発明の「積層セラミックコンデンサ」は、異なる製造方法により製造されるものであるから、引用発明の「積層セラミックコンデンサ」が、上記相違点１に係る構成を備えているということはできない。
ウ．引用発明は、誘電体層１０のＮｉ濃度を特定していない。
　また、引用文献１の【０００７】に「内部電極層に含まれる導電材には」「焼成後誘電体層に拡散しないこと」「が要求される。」と記載され、【０１５９】には「内部電極層の誘電体層への拡散を生じることもなく」と記載されているとおり、引用発明は、内部電極層のＮｉが誘電体層に拡散しないことを目的とする発明であるから、引用発明に基づいて、上記相違点に係る構成を採用する動機付けはないといわざるをえない。
　よって、当業者であっても、引用発明に基づいて、本願発明１を容易に発明できたものとはいえない。
エ．よって、上記アおよびイによれば、本願発明１と引用発明が同一ということはできない。
　また、上記ウによれば、本願発明１は、当業者であっても、引用発明に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
２．本願発明２ないし６について
　本願発明２ないし６は、請求項１に従属する請求項であり、請求項１の発明特定事項を全て含み、更に他の構成を追加して限定した発明であるから、本願発明１と同じ理由により、引用発明と同一ではなく、また、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものでもない。
第６　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。