【事件の表示】
　特願２０１５−１３１３８９「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　１月１９日出願公開，特開２０１７−　１７８３９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は，平成２７年６月３０日の出願であって，平成３０年２月５日に出願審査の請求がなされ，同年１１月９日付けで審査官により拒絶理由が通知され，これに対して平成３１年１月２１日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされ，同年１月２９日付けで最後の拒絶理由通知がなされ，これに対して同年４月８日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが，令和１年５月２１日付けで前記平成３１年４月８日付け手続補正を却下する旨の補正の却下の決定がなされるとともに，同日付けで拒絶査定（以下，「原査定」という。）がなされ，これに対して令和１年８月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに手続補正がなされ，同年１１月２５日付けで審査官により特許法第１６４条第３項に定める報告（前置報告）がなされたものである。
第２　令和１年８月２８日にされた手続補正についての補正の却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］ 
　令和１年８月２８日にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。 
［理由］ 
１　本件補正について（補正の内容） 
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 
　本件補正により，特許請求の範囲の請求項１乃至７の記載は，次のとおり補正された。（下線部は，補正箇所である。以下，この特許請求の範囲に記載された請求項を「補正後の請求項」という。）
「　【請求項１】
　一対の第１端子間に入力される直流電圧を変換して
インバータ回路を介して
　前記一対の第１端子と前記一対の第２端子との間において、前記変換回路をバイパスするバイパス経路を開閉するバイパススイッチと、
　前記スイッチング素子および前記バイパススイッチが内蔵されるパッケージとを備える
ことを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　前記バイパススイッチに並列に接続されるキャパシタを含むサブ経路を有し、
　前記サブ経路の少なくとも一部が前記パッケージに内蔵される
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項３】
　前記キャパシタは、前記パッケージに内蔵されることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
　　【請求項４】
　前記サブ経路は、接続端子を含み、
　前記接続端子は、その一端が前記パッケージに内蔵され、他端が前記パッケージの外側において前記キャパシタに接続される
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
　　【請求項５】
　前記パッケージは、前記バイパススイッチに並列に接続されるダイオードをさらに内蔵することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
　　【請求項６】
　前記スイッチング素子は、前記バイパススイッチよりもスイッチング速度が速い素子であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
　　【請求項７】
　前記パッケージは、前記バイパス経路を流れる電流を検出する電流センサをさらに内蔵することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。」
（２）本件補正前の特許請求の範囲 
　本件補正前の，平成３１年１月２１日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至７の記載は次のとおりである。（以下，この特許請求の範囲に記載された請求項を「補正前の請求項」という。）
「　【請求項１】
　一対の第１端子間に入力される直流電圧を変換して電力系統に接続される一対の第２端子間に出力する変換回路の一部であって、スイッチング制御されるスイッチング素子と、
　前記一対の第１端子と前記一対の第２端子との間において、前記変換回路をバイパスするバイパス経路を開閉するバイパススイッチと、
　前記スイッチング素子および前記バイパススイッチが内蔵されるパッケージとを備える
ことを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　前記バイパススイッチに並列に接続されるキャパシタを含むサブ経路を有し、
　前記サブ経路の少なくとも一部が前記パッケージに内蔵される
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項３】
　前記キャパシタは、前記パッケージに内蔵されることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
　　【請求項４】
　前記サブ経路は、接続端子を含み、
　前記接続端子は、その一端が前記パッケージに内蔵され、他端が前記パッケージの外側において前記キャパシタに接続される
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
　　【請求項５】
　前記パッケージは、前記バイパススイッチに並列に接続されるダイオードをさらに内蔵することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
　　【請求項６】
　前記スイッチング素子は、前記バイパススイッチよりもスイッチング速度が速い素子であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
　　【請求項７】
　前記パッケージは、前記バイパス経路を流れる電流を検出する電流センサをさらに内蔵することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。」
２　補正の適否 
　本件補正は，補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「電力系統に接続される一対の第２端子間」という事項に対し，「
インバータ回路を介して
　そこで，本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について，以下，検討する。
（１）本件補正発明 
　本件補正発明は，上記１（１）の【請求項１】に記載した以下のとおりのものである。 
「　一対の第１端子間に入力される直流電圧を変換して
インバータ回路を介して
　前記一対の第１端子と前記一対の第２端子との間において、前記変換回路をバイパスするバイパス経路を開閉するバイパススイッチと、
　前記スイッチング素子および前記バイパススイッチが内蔵されるパッケージとを備える
ことを特徴とする半導体装置。」
（２）引用文献の記載事項
ア　引用文献１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用され，本願の出願日前に頒布又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった，特開２０１１−１０８２２０号公報（平成２３年６月２日出願公開，以下，「引用文献１」という。）には，以下の事項が記載されている。 
（当審注：下線は，参考のために当審で付与したものである。以下同様。）
　
Ａ　「【００６３】
　
出力変換機
【００６４】
　図２では、出力変換機Ｔ１１〜Ｔ１３は、それぞれモジュールＭＯＤ１１〜ＭＯＤ１３と接続されている。
【００６５】
　出力変換機Ｔ１１〜Ｔ１３と、モジュールＭＯＤ１１〜ＭＯＤ１３との間の接続関係について、出力変換機Ｔ１１を例に説明すると、次のとおりである。すなわち、出力変換機Ｔ１１の一次側正極Ｓ１＋は、モジュールＭＯＤ１１の正極と接続されており、一次側負極Ｓ１−は、モジュールＭＯＤ１１の負極と接続されている。
【００６６】
　
モジュールＭＯＤ１１の正極から出力される電力が、出力変換機Ｔ１１の一次側Ｓ１に入力されて、出力変換機Ｔ１１において、ＤＣＤＣ変換され、出力変換機Ｔ１１の二次側Ｓ２に出力される。
Ｂ　「【００７２】
　なお、太陽光発電システム１では、商用電力系統４０を含み、この
商用電力系統４０と連系可能な構成
Ｃ　「【００８０】
　［出力変換機］
　図１を参照しながら、出力変換機Ｔ１１について説明すると次のとおりである。
【００８１】
　出力変換機Ｔ１１は、モジュールＭＯＤ１１の出力をＤＣＤＣ変換するためのものである。
出力変換機Ｔ１１は、ＤＣＤＣ短絡スイッチ（迂回回路）
ＤＣＤＣ変換部（電圧変更回路）
を備える。
【００８２】
　
ＤＣＤＣ短絡スイッチ５１は、モジュールＭＯＤ１１の出力が、ＤＣＤＣ変換しなくても十分なものである場合、モジュールＭＯＤ１１から一次側Ｓ１に入力される電力を、ＤＣＤＣ変換部５３をバイパスして、二次側Ｓ２に出力するためのものである。
Ｄ　「【０１７９】
　［出力変換機の変形例］
　出力変換機Ｔ１１の
ＤＣＤＣ短絡スイッチ５１
は、
ＭＯＳ
によって実現可能である
Ｅ　「図１
」
Ｆ　「図２
」
　図２を参照すると，“
出力変換機Ｔ１１〜Ｔ１３は，一次側Ｓ１，二次側Ｓ２にそれぞれ正極，負極を備えており，出力変換機Ｔ１１〜Ｔ１３の二次側Ｓ２は，接続箱４５を介してインバータ２１を備えるパワーコンディショナ２０に接続され，パワーコンディショナ２０の出力は商用電力系統４０に接続されている
（イ）上記Ａ乃至Ｆの記載から，上記引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されているといえる。 
「出力変換機であって，
　モジュールの正極から出力される電力が，出力変換機の一次側に入力されて，出力変換機において，ＤＣＤＣ変換され，出力変換機の二次側に出力されるものであり，
　商用電力系統と連系可能な構成であり，
　出力変換機は，一次側，二次側にそれぞれ正極，負極を備えており，出力変換機の二次側は，接続箱を介してインバータを備えるパワーコンディショナに接続され，パワーコンディショナの出力は商用電力系統に接続されており，
　出力変換機は，ＤＣＤＣ短絡スイッチ（迂回回路）とＤＣＤＣ変換部（電圧変更回路）を備え，
　ＤＣＤＣ短絡スイッチは，モジュールの出力が，ＤＣＤＣ変換しなくても十分なものである場合，モジュールから一次側に入力される電力を、ＤＣＤＣ変換部をバイパスして，二次側に出力するためのものであり，
　ＤＣＤＣ短絡スイッチは，ＭＯＳによって実現可能である，
出力変換機。」
イ　引用文献２
（ア）同じく原査定に引用され，本願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった，特開２００１−１９７７２６号公報（平成１３年７月１９日出願公開，以下，「引用文献２」という。）には，以下の事項が記載されている。 
Ｇ　「【００２３】また、前記電圧変換回路の出力電圧を前記電圧変換回路の電源として用いた場合、その初期化動作時のような前記容量に電荷が蓄えられていない状態（前記Ｖａ，Ｖｂ端子電圧が入力電圧Ｖｉｎより低い状態）から前記電圧変換回路を動作させる場合、前記
電圧変換回路の入力端子と出力端子の間に、バイパス用スイッチング素子（
ｎ型ＭＯＳトランジスタスイッチ）を接続し
Ｈ　「【００２６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態１を説明するための二倍昇圧スイッチトキャパシタ型
ＤＣ／ＤＣコンバータ
【００２７】図中、１は直流電源、２は
電圧変換回路
５はｎ型ＭＯＳトランジスタスイッチ
９はバイパス用スイッチング素子
Ｉ　「【００５９】図９は、本発明の実施の形態８に係るＬＳＩシステムの概略構成を示す図である。図中、２２は負荷回路（ＬＳＩ）、２３はＬＳＩチップ、２４は上記実施形態のスイッチトキャパシタ型ＤＣ／ＤＣコンバータであり、このような、
スイッチング素子を用いた電圧変換回路を、その電力を供給するＬＳＩチップの内部に設置
Ｊ　「図１
」
　図１を参照すると，”電圧変換回路２は，ｎ型ＭＯＳトランジスタスイッチ５とバイパス用スイッチング素子９とを備えている”態様が読み取れる。
Ｋ　「図９
」
（イ）上記Ｇ乃至Ｋの記載から，上記引用文献２には次の技術が記載されているといえる。 
「電圧変換回路であって，
　電圧変換回路は，ＤＣ／ＤＣコンバータであり，　
　電圧変換回路は，ｎ型ＭＯＳトランジスタスイッチとバイパス用スイッチング素子とを備えており，
　電圧変換回路の入力端子と出力端子の間に，バイパス用スイッチング素子（ｎ型ＭＯＳトランジスタスイッチ）を接続し，
　スイッチング素子を用いた電圧変換回路を，その電力を供給するＬＳＩチップの内部に設置する，
　電圧変換回路。」
（３）対比 
ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。 
（ア）引用発明は，「モジュールの正極から出力される電力が，出力変換機の一次側に入力されて，出力変換機において，ＤＣＤＣ変換され，出力変換機の二次側に出力されるもの」であるから，引用発明の「ＤＣＤＣ変換部（電圧変更回路）」は，“入力される直流電圧を変換して出力する変換回路”に他ならない。
　そして，引用発明は，「出力変換機の二次側は，接続箱を介してインバータを備えるパワーコンディショナに接続され，パワーコンディショナの出力は商用電力系統に接続され」るところ，「出力変換機は」「ＤＣＤＣ変換部を備え」るものであるから，結局，引用発明の「ＤＣＤＣ変換部」は「インバータ」を介して「電力系統に接続され」ているといえる。
　よって，本件補正発明と引用発明とは，後記の点で相違するものの，“入力される直流電圧を変換してインバータ回路を介して電力系統に出力する変換回路の一部”である点で一致している。
（イ）引用発明は，「ＤＣＤＣ短絡スイッチ（迂回回路）を備え」，「ＤＣＤＣ短絡スイッチは，モジュールの出力が，ＤＣＤＣ変換しなくても十分なものである場合，モジュールから一次側に入力される電力を，ＤＣＤＣ変換部をバイパスして，二次側に出力する」ものである。
　してみると，引用発明は，モジュールの出力が，ＤＣＤＣ変換しなくても十分なものではない場合，ＤＣＤＣ変換部をバイパスせずに，モジュールの出力をＤＣＤＣ変換するものであって，この場合のＤＣＤＣ変換は，十分なものではない直流電圧を昇圧するためのＤＣＤＣ変換であることは明らかであるから，引用発明の「ＤＣＤＣ変換部」は，昇圧するために“スイッチング制御されるスイッチング素子”を備えていることは自明である。
　よって，本件補正発明と引用発明とは，後記の点で相違するものの，“スイッチング制御されるスイッチング素子”を備える点で一致している。
（ウ）引用発明の「ＤＣＤＣ短絡スイッチ（迂回回路）」は，「ＤＣＤＣ変換部をバイパス」するために，ＤＣＤＣ変換部をバイパスする迂回回路を開閉する短絡スイッチであるから，バイパス経路を開閉するバイパススイッチであるといえ，本件補正発明と引用発明とは，後記の点で相違するものの，“変換回路をバイパスするバイパス経路を開閉するバイパススイッチ”を備える点で一致している。
（エ）引用発明は，「ＤＣＤＣ短絡スイッチは，ＭＯＳによって実現可能である」ものであり，「ＤＣＤＣ短絡スイッチ」を半導体素子であるＭＯＳによって実現することが開示されているといえる。また，上記（イ）で検討したとおり，引用発明の「ＤＣＤＣ変換部」は，スイッチング制御されるスイッチング素子を備えていることは明らかであるところ，ＤＣＤＣ変換部のスイッチング素子は，通常，半導体素子で構成されることは当業者には自明である。
　してみると，引用発明は，ＤＣＤＣ短絡スイッチとＤＣＤＣ変換部のスイッチング素子を半導体素子で構成することを開示しているといえ，引用発明の「出力変換機」は，“半導体装置”の一種であるといえる。
イ　上記（ア）乃至（エ）の検討により，本件補正発明と引用発明とは，以下の点で一致し，また，以下の点で相違する。 
＜一致点＞　 
「入力される直流電圧を変換してインバータ回路を介して電力系統に出力する変換回路の一部であって，スイッチング制御されるスイッチング素子と，
　前記変換回路をバイパスするバイパス経路を開閉するバイパススイッチとを備える
ことを特徴とする半導体装置。」
＜相違点１＞ 
　本件補正発明は，「一対の第１端子」と「一対の第２端子」とを備え，直流電圧は「一対の第１端子間」に入力され，「一対の第２端子間」は電力系統に接続され，バイパススイッチを「前記一対の第１端子と前記一対の第２端子との間」に備えているのに対して，引用発明は，そのような「一対の第１端子」と「一対の第２端子」とを備えることは特定されていない点。
＜相違点２＞
　本件補正発明は，「スイッチング素子および」「バイパススイッチが内蔵されるパッケージとを備える」のに対して，引用発明は，そのような特定がなされていない点。
（４）当審の判断 
ア　相違点１について 
　引用発明は，「出力変換機は，一次側，二次側にそれぞれ正極，負極を備えており」，「モジュールの正極から出力される電力が，出力変換機の一次側に入力されて，出力変換機において，ＤＣＤＣ変換され，出力変換機の二次側に出力される」ものであるところ，このような出力変換機の一次側，二次側にそれぞれ備えられている一対の正極，負極に端子を設けることは，入力部と出力部を備える電気回路における通常の構成にすぎない。
　よって，引用発明において，出力変換機の入力側，出力側にそれぞれ備えられている一対の正極，負極に端子を設けて、それぞれ「一対の第１端子」，「一対の第２端子」とし，直流電圧は「一対の第１端子間」に入力され，「一対の第２端子間」は電力系統に接続され，バイパススイッチを「前記一対の第１端子と前記一対の第２端子との間」に備えるとすることは，当業者であれば通常の創作活動の範囲内において適宜なし得る事項にすぎない。
イ　相違点２について
　上記「（２）イ（イ）」で示したとおり，引用文献２には，下記の技術が記載されている。
「電圧変換回路であって，
　電圧変換回路は，ＤＣ／ＤＣコンバータであり，　
　電圧変換回路は，ｎ型ＭＯＳトランジスタスイッチとバイパス用スイッチング素子とを備えており，
　電圧変換回路の入力端子と出力端子の間に，バイパス用スイッチング素子（ｎ型ＭＯＳトランジスタスイッチ）を接続し，
　スイッチング素子を用いた電圧変換回路を，その電力を供給するＬＳＩチップの内部に設置する，
　電圧変換回路。」
　引用文献２に記載の上記技術は，ｎ型ＭＯＳトランジスタスイッチとバイパス用スイッチング素子（ｎ型ＭＯＳトランジスタスイッチ）とを備えたＤＣ／ＤＣコンバータである電圧変換回路を，ＬＳＩチップの内部に設置する技術であり，ｎ型ＭＯＳトランジスタスイッチとバイパス用スイッチング素子とがＬＳＩチップのパッケージに内蔵されることは明らかである。
　してみると，前記「ｎ型ＭＯＳトランジスタスイッチ」は，電圧変換回路の一部であって，スイッチング制御されるスイッチング素子といえるところ，かかる電圧変換回路の一部であるスイッチング素子とバイパス用スイッチング素子とが同じパッケージに内蔵される実装技術は格別の技術であるとはいえない。
　引用文献２では，このような実装技術により，上記「（２）イ　Ｉ」に記載されているように「より高効率に電力変換できる」ようにしたものである。
　一方、上記「（３）ア（エ）」で検討したように，引用発明は，ＤＣＤＣ短絡スイッチを半導体素子であるＭＯＳによって実現することを開示しているところ，かかるＤＣＤＣ短絡スイッチを，同じく半導体素子で構成されることが自明であるＤＣＤＣ変換部のスイッチング素子と同じパッケージに内蔵することを阻害する要因は認められない。
　むしろ，電気回路において，素子間の配線を短くして損失を低減することは常套手段であって，複数の半導体素子から構成される電気回路であれば，強電系，弱電系を問わず半導体素子間の配線を短くして損失低減を図ることは，当業者であれば極めて当然に行い得ることに過ぎない。
　そして，ＤＣＤＣ変換装置という共通の技術分野に属し，ＤＣＤＣ変換部を短絡する半導体スイッチを設ける点でも共通している引用文献２に示されるように，電圧変換回路の一部であるスイッチング素子とバイパス用スイッチング素子とを同じパッケージに内蔵する実装技術が格別の技術ではないことも考慮すれば，引用発明において，より効率的に電力変換を行うというＤＣＤＣ変換装置の技術分野における自明な共通の課題に基づいて，「スイッチング素子およびバイパススイッチが内蔵されるパッケージとを備える」とすることは，当業者であれば容易になし得たものである。
オ　小括 
　上記で検討したごとく，相違点１及び相違点２に係る構成は当業者が容易に想到し得たものであり，そして，これらの相違点を総合的に勘案しても，本件補正発明の奏する作用効果は，引用発明及び引用文献２に記載の技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
　したがって，本件補正発明は，引用発明及び引用文献２に記載の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
３　本件補正についてのむすび 
　よって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって，上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 
第３　本願発明について 
１　本願発明の認定 
　令和１年８月２８日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項に係る発明は，平成３１年１月２１日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，上記「第２［理由］１（２）」の【請求項１】に記載された事項により特定される，以下のとおりのものである。
「　一対の第１端子間に入力される直流電圧を変換して電力系統に接続される一対の第２端子間に出力する変換回路の一部であって、スイッチング制御されるスイッチング素子と、
　前記一対の第１端子と前記一対の第２端子との間において、前記変換回路をバイパスするバイパス経路を開閉するバイパススイッチと、
　前記スイッチング素子および前記バイパススイッチが内蔵されるパッケージとを備える
ことを特徴とする半導体装置。」
２　原査定の拒絶の理由 
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１に係る発明は，本願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献Ａ（上記「第２の［理由］２（２）」の引用文献１）に記載された発明，引用文献Ｂ（上記「第２の［理由］２（２）」の引用文献２）に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用文献Ａ：特開２０１１−１０８２２０号公報
引用文献Ｂ：特開２００１−１９７７２６号公報
３　引用文献に記載されている技術的事項及び引用発明の認定 
　原査定の拒絶の理由に引用された，引用文献Ａ及び引用文献Ｂとその記載事項は，上記「第２の［理由］２（２）」に記載したとおりである。
４　対比・判断 
　本願発明は，上記「第２の［理由］２（１）」で検討した本件補正発明から，「電力系統に接続される一対の第２端子間」に係る限定事項である「
インバータを介して
　そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が，上記「第２の［理由］２（３），（４）」に記載したとおり，引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。