(57)【要約】  本発明は、転写性がより高く、クリーニング性及び耐久性がより高い中間転写体と、真空装置等の大がかりな設備を必要としない中間転写体の製造装置と、該中間転写体を有する画像形成装置を提供することを目的とする。このため、中間転写体は、基材上に炭素原子を含有する第１の無機化合物層及び表面層として炭素原子を含有しない又は前記第１の無機化合物層よりも少ない量の炭素原子を含有する第２の無機化合物層を有している。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に炭素原子を含有する第１の無機化合物層及び表面層として炭素原子を含有しない又は前記第１の無機化合物層よりも少ない量の炭素原子を含有する第２の無機化合物層を有することを特徴とする中間転写体。
【請求項２】
前記第１の無機化合物層は、炭素含有量が０．１原子％以上５０原子％以下（ＸＰＳ測定）であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の中間転写体。
【請求項３】
前記第２の無機化合物層は、炭素含有量が２０原子％以下（ＸＰＳ測定）であることを特徴とする請求の範囲第１項または第２項に記載の中間転写体。
【請求項４】
前記第１の無機化合物層または前記第２の無機化合物層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＺｎから選ばれる少なくとも一つの原子を含む化合物であることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１項に記載の中間転写体。
【請求項５】
前記第１の無機化合物層及び前記第２の無機化合物層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＺｎから選ばれる少なくとも一つの原子を含む化合物で構成されることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１項に記載の中間転写体。
【請求項６】
前記第１の無機化合物層または前記第２の無機化合物層は、無機酸化物層であることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第５項のいずれか１項記載の中間転写体。
【請求項７】
前記第１の無機化合物層及び前記第２の無機化合物層は、無機酸化物層であることを特徴とする請求の範囲第１項乃至第５項のいずれか１項記載の中間転写体。
【請求項８】
請求の範囲第１項乃至第７項の何れか１項に記載の中間転写体の製造方法において、前記第１の無機化合物層及び前記第２の無機化合物層の少なくとも一方の層が大気圧プラズマＣＶＤ法により形成されることを特徴とする中間転写体の製造方法。
【請求項９】
像担持体の表面から転写されたトナー像をさらに記録媒体に転写する中間転写体を備えてなる画像形成装置において、前記中間転写体は、請求の範囲第１項乃至第７項のいずれか１項に記載の中間転写体であることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子複写機、レーザビームプリンタ、ファクシミリ等の電子写真装置や静電記録装置において、カラー画像のための各色毎のトナー画像を合成して転写するための中間転写体および中間転写体を備えた画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真感光体（以下、単に感光体とも云う）上のトナー像を記録材に転写する方式として、中間転写体を用いた画像形成方式が知られており、この方式は電子写真感光体から記録材にトナー像を転写する工程内に、もう一つの転写工程を入れ、電子写真感光体から中間転写体に１次転写した後、中間転写体の１次転写像を記録材に２次転写することで最終画像を得る。この方式は、色分解された原稿画像をブラック、シアン、マゼンタ、イエロー等のトナーによる減色混合を用いて再現する、いわゆるフルカラー画像形成装置における各色トナー像の多重転写方式として採用されることが多い。【０００３】
しかし、この中間転写体を用いた多重転写方式では、１次転写及び２次転写の二度の転写が入ることと、四色のトナーを転写体上で重ね合わせるため、トナー画像の転写不良に伴う画像不良が発生しやすい。【０００４】
一般にトナーの転写不良に対しては、トナー表面をシリカ等の外添剤で表面処理することにより転写効率を向上させられることが知られている。しかし、現像装置内でのトナーの攪拌部材から受けるストレスや、現像ローラ上にトナー層を形成するための規制ブレードから受けるストレス、感光体と現像ローラとの間で受けるストレス等で、トナー表面からシリカが離脱したり、トナー内部に埋没したりするため、十分な転写効率を得られないという問題があり、中間転写体に残留したトナーを中間転写体からブレードで掻き落とすクリーニング装置を必要としている。【０００５】
このような問題に対し、中間転写体表面に離型層を形成する方法として以下が提案されている。中間転写体からのトナーの離型性を向上させるために、中間転写体表面にシリコン酸化物や酸化アルミニウムの層を形成している（特許文献１参照）。【０００６】
また、中間転写体表面に無機コーティング層を形成する方法が提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平９−２１２００４号公報
【特許文献２】特開２０００−２０６８０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１による方法で作製した中間転写体を実際の画像形成装置において耐久試験を行ったところ、繰り返しの屈曲動作により表面層から酸化物層が剥離するという問題点、また、シリコン酸化物を蒸着により、酸化アルミニウム等をスパッタリングにより形成するため真空装置等の大がかりな設備を必要とするという問題点があった。【０００８】
また、特許文献２の方法では、無機コーティング層に添加されるコロイダルシリカの量を多く添加すればトナーの離型性が向上し、転写効率が良くなると分かっているが、耐久試験における屈曲動作の繰り返しにより、無機コーティング層にひび割れが発生するため、一定量以上の添加ができない。そのため、十分な離型性を発揮できず、転写効率も一定以上に上げられないという問題があった。【０００９】
本発明の第１の目的は上述した問題点に鑑み、転写性がより高く、クリーニング性及び耐久性がより高い中間転写体を提供することであり、第２の目的は、真空装置等の大がかりな設備を必要としない中間転写体の製造装置と、該中間転写体を有する画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る上記目的は下記により達成される。【００１１】
（１）基材上に炭素原子を含有する第１の無機化合物層及び表面層として炭素原子を含有しない又は前記第１の無機化合物層よりも少ない量の炭素原子を含有する第２の無機化合物層を有することを特徴とする中間転写体。【００１２】
（２）前記第１の無機化合物層は、炭素含有量が０．１原子％以上５０原子％以下（ＸＰＳ測定）であることを特徴とする（１）に記載の中間転写体。【００１３】
（３）前記第２の無機化合物層は、炭素含有量が２０原子％以下（ＸＰＳ測定）であることを特徴とする（１）または（２）に記載の中間転写体。【００１４】
（４）前記第１の無機化合物層または前記第２の無機化合物層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＺｎから選ばれる少なくとも一つの原子を含む化合物であることを特徴とする（１）乃至（３）のいずれか１項に記載の中間転写体。【００１５】
（５）前記第１の無機化合物層及び前記第２の無機化合物層は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＺｎから選ばれる少なくとも一つの原子を含む化合物で構成されることを特徴とする（１）乃至（３）のいずれか１項に記載の中間転写体。【００１６】
（６）前記第１の無機化合物層または前記第２の無機化合物層は、無機酸化物層であることを特徴とする（１）乃至（５）のいずれか１項記載の中間転写体。【００１７】
（７）前記第１の無機化合物層及び前記第２の無機化合物層は、無機酸化物層であることを特徴とする（１）乃至（５）のいずれか１項記載の中間転写体。【００１８】
（８）（１）乃至（７）の何れか１項に記載の中間転写体の製造方法において、前記第１の無機化合物層及び前記第２の無機化合物層の少なくとも一方の層が大気圧プラズマＣＶＤ法により形成されることを特徴とする中間転写体の製造方法。【００１９】
（９）像担持体の表面から転写されたトナー像をさらに記録媒体に転写する中間転写体を備えてなる画像形成装置において、前記中間転写体は、（１）乃至（７）のいずれか１項に記載の中間転写体であることを特徴とする画像形成装置。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は、基材表面に第１の無機化合物層を設け、更にその上に炭素原子を含有しない、または、第１の無機化合物層よりも炭素原子の含有量が少ない第２の無機化合物層を形成することにより、トナーとの離型性に優れ、転写効率が向上し、かつ耐久使用においても基材表面から化合物層が剥がれたり、割れたりすることのない中間転写体を提供することができる。また、本発明に係る中間転写体を大気圧プラズマＣＶＤ法を用いて製造することにより、真空装置等の大がかりな設備を必要とせず上記効果を有する中間転写体を製造する製造装置を得ることが可能となる。さらに、本発明に係る中間転写体を用いた画像形成装置を用いて、画像欠損のない、高画質な画像を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】カラー画像形成装置の１例を示す断面構成図である。
【図２】中間転写体の層構成を示す概念断面図である。
【図３】中間転写体を製造する第１の製造装置の説明図である。
【図４】中間転写体を製造する第２の製造装置の説明図である。
【図５】プラズマにより中間転写体を製造する第１のプラズマ成膜装置の説明図である。
【図６】ロール電極の１例を示す概略図である。
【図７】固定電極の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００２２】
１  カラー画像形成装置
２  中間転写体の製造装置
３  大気圧プラズマＣＶＤ装置
１７  中間転写体ユニット
２０  ロール電極
２１  固定電極
２３  放電空間
２４  混合ガス供給装置
２５  第１の電源
２６  第２の電源
１１７  ２次転写ローラ
１７０  中間転写ベルト
１７５  基材
１７６  第１の無機化合物層
１７７  第２の無機化合物層
２０１  従動ローラ
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
次に本発明を実施するための最良の形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。【００２４】
本発明の中間転写体は、電子写真方式の複写機、プリンター、ファクシミリ等の画像形成装置に好適に用いられ、感光体の表面に担持されたトナー画像をその表面に１次転写され、転写されたトナー画像を保持し、保持したトナー画像を記録紙等の被転写物の表面に２次転写するものであれば良く、ベルト状の転写体でも、ドラム状の転写体でも良い。【００２５】
先ず、本発明の中間転写体を有する画像形成装置について、タンデム型フルカラー複写機を例に取り説明する。【００２６】
図１は、カラー画像形成装置の１例を示す断面構成図である。【００２７】
このカラー画像形成装置１は、タンデム型フルカラー複写機と称せられるもので、自動原稿送り装置１３と、原稿画像読み取り装置１４と、複数の露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋと、複数組の画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋと、中間転写体ユニット１７と、給紙手段１５及び定着手段１２４とから成る。【００２８】
カラー画像形成装置１の本体１２の上部には、自動原稿送り装置１３と原稿画像読み取り装置１４が配置されており、自動原稿送り装置１３により搬送される原稿ｄの画像が原稿画像読み取り装置１４の光学系により反射・結像され、ラインイメージセンサＣＣＤにより読み込まれる。【００２９】
ラインイメージセンサＣＣＤにより読み取られた原稿画像を光電変換されたアナログ信号は、図示しない画像処理部において、アナログ処理、Ａ／Ｄ変換、シェーディング補正、画像圧縮処理等を行った後、露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋに各色毎のデジタル画像データとして送られ、露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋにより対応する第１の像担持体としてのドラム状の感光体（以下感光体とも記す）１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋに各色の画像データの潜像を形成する。【００３０】
画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋは、垂直方向に縦列配置されており、感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋの図示左側方にローラ１７１、１７２、１７３、１７４を巻回して回動可能に張架された半導電性でエンドレスベルト状の第２の像担持体である本発明の中間転写体１７０が配置されている。【００３１】
そして、本発明の中間転写体１７０は図示しない駆動装置により回転駆動されるローラ１７１を介し矢印方向に駆動されている。【００３２】
イエロー色の画像を形成する画像形成部１０Ｙは、感光体１１Ｙの周囲に配置された帯電手段１２Ｙ、露光手段１３Ｙ、現像手段１４Ｙ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｙ、クリーニング手段１６Ｙを有する。【００３３】
マゼンタ色の画像を形成する画像形成部１０Ｍは、感光体１１Ｍ、帯電手段１２Ｍ、露光手段１３Ｍ、現像手段１４Ｍ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｍ、クリーニング手段１６Ｍを有する。【００３４】
シアン色の画像を形成する画像形成部１０Ｃは、感光体１１Ｃ、帯電手段１２Ｃ、露光手段１３Ｃ、現像手段１４Ｃ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｃ、クリーニング手段１６Ｃを有する。【００３５】
黒色画像を形成する画像形成部１０Ｋは、感光体１１Ｋ、帯電手段１２Ｋ、露光手段１３Ｋ、現像手段１４Ｋ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｋ、クリーニング手段１６Ｋを有する。【００３６】
トナー補給手段１４１Ｙ、１４１Ｍ、１４１Ｃ、１４１Ｋは、現像装置１４Ｙ、１４Ｍ、１４Ｃ、１４Ｋにそれぞれ新規トナーを補給する。【００３７】
ここで、１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋは、図示しない制御手段により画像の種類に応じて選択的に作動され、それぞれ対応する感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋに中間転写体１７０を押圧し、感光体上の画像を転写する。【００３８】
このようにして、画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋにより感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋ上に形成された各色の画像は、１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋにより、回動する中間転写体１７０上に逐次転写されて、合成されたカラー画像が形成される。【００３９】
即ち、中間転写体１７０は感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋの表面に担持されたトナー画像をその表面に１次転写され、転写されたトナー画像を保持する。【００４０】
また、給紙カセット１５１内に収容された記録媒体としての記録紙Ｐは、給紙手段１５により給紙され、次いで複数の中間ローラ１２２Ａ、１２２Ｂ、１２２Ｃ、１２２Ｄ、レジストローラ１２３を経て、２次転写手段としての２次転写ローラ１１７まで搬送され、２次転写ローラ１１７により中間転写体１７０上の合成されたトナー画像が記録紙Ｐ上に一括転写される。【００４１】
即ち、中間転写体１７０上に保持したトナー画像を被転写物の表面に２次転写する。【００４２】
ここで、２次転写手段としての２次転写ローラ１１７は、ここを記録紙Ｐが通過して２次転写を行なう時にのみ、記録紙Ｐを中間転写体１７０に圧接させる。【００４３】
カラー画像が転写された記録紙Ｐは、定着装置１２４により定着処理され、排紙ローラ１２５に挟持されて機外の排紙トレイ１２６上に載置される。【００４４】
一方、２次転写ローラ１１７により記録紙Ｐにカラー画像を転写した後、記録紙Ｐを曲率分離した中間転写体１７０は、クリーニング手段８により残留トナーが除去される。【００４５】
ここで、中間転写体１７０は前述したような回転するドラム状の中間転写ドラムに置き換えても良い。【００４６】
次に、中間転写体１７０に接する１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋ、と、２次転写ローラ１１７の構成について説明する。【００４７】
１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋは、例えば外径８ｍｍのステンレス等の導電性芯金の周面に、ポリウレタン、ＥＰＤＭ、シリコーン等のゴム材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりして、体積抵抗が１０5Ω・ｃｍ〜１０9Ω・ｃｍ程度のソリッド状態または発泡スポンジ状態で、厚さが５ｍｍ、ゴム硬度が２０°〜７０°程度（アスカー硬度Ｃ）の半導電弾性ゴムを被覆して形成される。【００４８】
２次転写ローラ１１７は、例えば外径８ｍｍのステンレス等の導電性芯金の周面に、ポリウレタン、ＥＰＤＭ、シリコーン等のゴム材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりして、体積抵抗が１０5Ω・ｃｍ〜１０9Ω・ｃｍ程度のソリッド状態または発泡スポンジ状態で、厚さが５ｍｍ、ゴム硬度が２０°〜７０°程度（アスカー硬度Ｃ）の半導電弾性ゴムを被覆して形成される。【００４９】
そして、２次転写ローラ１１７は、１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋと異なり、記録紙Ｐが無い状態ではトナーが接する可能性があるため、２次転写ローラ１１７の表面に半導電性のフッ素樹脂やウレタン樹脂等の離型性の良いものを被覆すると良く、ステンレス等の導電性芯金の周面に、ポリウレタン、ＥＰＤＭ、シリコーン等のゴムや樹脂材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりした半導電性材料を、厚さが０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度被覆して形成される。【００５０】
以下に上述した中間転写体１７０を例に取り本発明の中間転写体について説明する。【００５１】
図２に本発明に係る中間転写体１７０の断面図を示す。【００５２】
本発明における中間転写体１７０は、基材１７５の表面に第１の無機化合物層１７６及びこの第１の無機化合物層１７６の表面に炭素原子を含有しない、または、第１の無機化合物層１７６より炭素原子の含有量が少ない第２の無機化合物層１７７がこの順で設けられている構成のものである。このような構成とすることにより、トナーとの離型性に優れ、転写効率の良い中間転写体１７０を得ることができ、且つ繰り返しの耐久使用においても、長期間使用することができる。これは、トナーを転写する面である第２の無機化合物層１７７に炭素原子を含有しない、または、炭素原子の含有量を少なくすることにより、高い離型性を維持し、第１の無機化合物層１７６の炭素含有量を第２の無機化合物層１７７の炭素含有量より多くすることで、基材１７５と第１の無機化合物層１７６との接着性を維持し、繰り返しの屈曲動作においても、割れや剥離を発生しにくくなっていると考えられる。【００５３】
また、第２の無機化合物層１７７のＸＰＳ法により測定される炭素含有量は２０原子％以下が好ましく、より離型性の優れた中間転写体１７０が得られる。また、第１の無機化合物層１７６のＸＰＳ法により測定される炭素含有量は０．１原子％以上５０原子％以下にすることにより、より耐久性の優れた中間転写体１７０が得られる。【００５４】
以下、本発明に係る中間転写体１７０の構成要件について、説明する。
（基材）
本発明における中間転写体１７０の基材１７５としては、樹脂材料または弾性体材料に導電剤を分散させてなるベルトまたはドラム外周に形成された部材を用いることができる。これらは、単独で用いても２種以上組み合わせても良く、これらの樹脂材料および弾性体材料の積層体による組み合わせからなるベルトも用いることもできる。【００５５】
樹脂材料としては、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフッ化ビニリデン、エチレンテトラフルオロエチレン共重合体、ポリアミド、ポリアミドイミド及びポリフェニレンサルファイド等、いわゆるエンジニアリングプラスチック材料を用いることができる。【００５６】
弾性体材料としては、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、ニトリルゴム、水素化ニトリルゴム、フッ素ゴム、シリコーンゴム、エチレン・プロピレンゴム、クロロプレンゴム、アクリルゴム、ブチルゴム、ウレタンゴム、クロロスルフォン化ポリエチレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、天然ゴム、ポリエーテルゴム等のゴム材料や、ポリウレタン、ポリスチレン・ポリブタジエンブロック重合体、ポリオレフィン、ポリエチレン、塩素化ポリエチレン、エチレン・酢酸ビニル共重合体等のエラストマーを用いることができる。硬度を低下させるために弾性体層は発泡体としても良く、この場合、密度は０．１ｇ／ｃｍ３〜０．９ｇ／ｃｍ３が適当である。【００５７】
また、導電剤としては、カーボンブラックを使用することができる。カーボンブラックとしては、特に制限なく使用することができ、中性カーボンブラックを使用しても構わない。導電剤の使用量は、使用する導電剤の種類によっても異なるが中間転写体１７０の体積抵抗値および表面抵抗値が所定の範囲になるように添加すれば良く、通常、樹脂材料１００質量部に対して４〜４０質量部添加されている。本発明に用いられる基材１７５は、従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。例えば、材料となる樹脂を押し出し機により溶融し、環状ダイやＴダイにより押しだして急冷することにより製造することができる。
（第１の無機化合物層及び第２の無機化合物層）
次に、この基材１７５の上に本発明における第１の無機化合物層１７６及び第２の無機化合物層１７７を形成する。【００５８】
本発明における第１の無機化合物層１７６及び第２の無機化合物層１７７に用いられる無機化合物としては、無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物及びそれらの複合物があげられる。【００５９】
本発明における第１の無機化合物層１７６及び、または、第２の無機化合物層１７７に用いられる無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ベリリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。これらのうちより好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウムである。【００６０】
本発明における第１の無機化合物層１７６の材料と第２の無機化合物層１７７の材料は、同一でも良いし、異なっていても良い。また、本発明における第１の無機化合物層１７６の材料又は第２の無機化合物層１７７の材料は、１種類の無機化合物でも良いし、２種類以上の化合物を有していても良い。【００６１】
本発明における第１の無機化合物層１７６を基材１７５の上に形成する前にコロナ処理、火炎処理、プラズマ処理、グロー放電処理、粗面化処理、薬品処理などの表面処理を行っても良い。【００６２】
更に、本発明における第１の無機化合物層１７６と基材１７５との間、及び本発明における第１の無機化合物層１７６と第２の無機化合物層１７７との間には、密着性の向上を目的として、アンカーコート剤層を形成しても良い。このアンカーコート剤層に用いられるアンカーコート剤としては、ポリエステル樹脂、イソシアネート樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、エチレンビニルアルコール樹脂、ビニル変性樹脂、エポキシ樹脂、変性スチレン樹脂、変性シリコン樹脂、およびアルキルチタネート等を、１または２種以上併せて使用することができる。これらのアンカーコート剤には、従来公知の添加剤を加えることもできる。そして、上記のアンカーコート剤は、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、ディップコート、スプレーコート等の公知の方法により基材上にコーティングし、溶剤、希釈剤等を乾燥除去することによりアンカーコーティングすることができる。上記のアンカーコート剤の塗布量としては、０．０００１ｇ／ｍ2〜５ｇ／ｍ2（乾燥状態）程度が好ましい。【００６３】
本発明における第１の無機化合物層１７６の膜厚は、１ｎｍ〜５０００ｎｍが良く、好ましくは、３ｎｍ〜３０００ｎｍである。第２の無機化合物層１７７の膜厚は、１ｎｍ〜５０００ｎｍが良く、好ましくは、３ｎｍ〜３０００ｎｍである。第１の無機化合物層１７６の膜厚が１ｎｍ未満か５０００ｎｍを越える場合、繰り返し使用において、割れや剥離が生じる。また、第２の無機化合物層１７７が１ｎｍ未満の場合は、擦り傷が生じやすく、トナーの離型性や転写効率の持続性が不足し、５０００ｎｍを越える場合は、繰り返し使用において、膜の割れや剥離が生じる。【００６４】
本発明における第２の無機化合物層１７７の炭素含有量は、第１の無機化合物層１７６の炭素含有量よりも少ないものがよい。第２の無機化合物層１７７は、トナーとの離型性及び転写効率の面から炭素含有量の少ないものが好ましい。しかし、基材１７５の表面に炭素の少ない無機化合物層を形成した構成では、繰り返し使用において、無機化合物層の剥離や割れが生じるという問題が生じていた。そこで、基材１７５と炭素原子を含有しない、または、炭素原子の含有量が少ない第２の無機化合物層１７７との間に第２の無機化合物層１７７より炭素含有量の多い第１の無機化合物層１７６を形成することにより、繰り返し使用においても、割れや剥離の生じない、長期に使用できる中間転写体１７０を得ることができた。これは、第１の無機化合物層１７６が基材１７５と第２の無機化合物層１７７との接着性を高め、且つ第２の無機化合物層１７７にかかる曲げ応力を緩和したり、擦り傷を防止する働きがあると考えられる。【００６５】
また、第１の無機化合物層１７６のＸＰＳ法により測定される炭素含有量は、０．１原子％以上５０原子％以下であることが好ましい。【００６６】
更に、第２の無機化合物層１７７のＸＰＳ法により測定される炭素含有量は、２０原子％以下であることがより好ましい。【００６７】
次に本発明における第１の無機化合物層１７６及び第２の無機化合物層１７７の形成方法について説明する。【００６８】
本発明における第１の無機化合物層１７６及び第２の無機化合物層１７７の形成方法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマＣＶＤ法などのドライプロセスや、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法などの塗布による方法、印刷やインクジェットなどのパターニングによる方法などのウェットプロセスが挙げられ、材料に応じて使用できる。ウェットプロセスは、無機化合物の微粒子を、任意の有機溶剤あるいは水に必要に応じて界面活性剤などの分散補助剤を用いて分散した液を塗布、乾燥する方法や、酸化物前駆体、例えばアルコキシド体の溶液を塗布、乾燥する、いわゆるゾルゲル法が用いられる。これらのうち好ましいのは、大気圧プラズマＣＶＤ法である。大気圧プラズマＣＶＤ法は、減圧チャンバー等が不要で、高速製膜ができ生産性の高い製膜方法である。また、大気圧プラズマＣＶＤ法で形成される膜は、均一かつ表面の平滑性を有し、更に内部応力も非常に少ない膜を比較的容易に形成することが可能となる。【００６９】
大気圧下でのプラズマＣＶＤ法による第１の無機化合物層１７６及び第２の無機化合物層１７７（例えば無機酸化物：ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等）の形成方法については以下のように説明されている。【００７０】
前記大気圧下でのプラズマＣＶＤ法とは、大気圧または大気圧近傍の圧力下で放電ガスを励起し、放電させ、原料ガス及び、または、反応性ガスを放電空間へ導入し、励起し、基材上に薄膜を形成する処理を指し、その方法については特開平１１−１３３２０５号、特開２０００−１８５３６２号、特開平１１−６１４０６号、特開２０００−１４７２０９号、特開２０００−１２１８０４号等に記載されている（以下、大気圧プラズマ法とも称する）。これによって高機能性の薄膜を、生産性高く形成することができる。ここで大気圧近傍とは、２０ｋＰａ〜１１０ｋＰａの圧力を表し、好ましくは、９３ｋＰａ〜１０４ｋＰａが好ましい。【００７１】
次に本発明に係る中間転写体の無機化合物層を大気圧プラズマＣＶＤにより形成する場合の装置及び方法、また使用するガスについて説明する。【００７２】
図３は、中間転写体を製造する第１の製造装置２の説明図である。【００７３】
中間転写体の製造装置２（放電空間と薄膜堆積領域が略同一なダイレクト方式）は基材１７５上に第１の無機化合物層１７６、第２の無機化合物層１７７を形成するもので、エンドレスベルト状の中間転写体１７０の基材１７５を巻架して矢印方向に回転するロール電極２０と従動ローラ２０１、及び、基材１７５表面に第１の無機化合物層１７６、第２の無機化合物層１７７を形成する成膜装置である大気圧プラズマＣＶＤ装置３より構成されている。【００７４】
大気圧プラズマＣＶＤ装置３は、ロール電極２０の外周に沿って配列された少なくとも１式の固定電極２１と、固定電極２１とロール電極２０との対向領域で且つ放電が行われる放電空間２３と、少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間２３に混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置２４と、放電空間２３等に空気の流入することを軽減する放電容器２９と、ロール電極２０に接続された第１の電源２６と、固定電極２１に接続された第２の電源２５と、使用済みの排ガスＧ’を排気する排気部２８とを有している。【００７５】
混合ガス供給装置２４は無機酸化物層、無機窒化物層、無機炭化物層から選ばれる少なくとも１つの層の膜を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス、ヘリウムガス等の希ガス、更に原料ガスの分解を制御するガスを放電空間２３に供給する。【００７６】
ここで、原料ガスの分解を制御するガス（原料分解制御ガス）とは、分子構造中に、活性を有する元素を含むガスのことを表し、例えば、Ｈ、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｆ、Ｂ、Ｃｌ、Ｐ、Ｂｒ、Ｉ、Ａｓ、Ｓｅなどを含むガスがあげられる。活性を有する元素を含むガスは、単独で用いても良く、また複数を混合して用いても良い。また、活性を有する元素を含むガスの分子構造中にＣを含むものでも良い。更に分子構造中にＣを含むガスと混合して用いても良い。【００７７】
また、従動ローラ２０１は張力付勢手段２０２により矢印方向に付勢され、基材１７５に所定の張力を掛けている。張力付勢手段２０２は基材１７５の掛け替え時等は張力の付勢を解除し、容易に基材１７５の掛け替え等を可能としている。【００７８】
第１の電源２５は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源２６は周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間２３に周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより放電ガスをプラズマ化して混合ガスＧに含まれる原料ガスに応じた膜（第１の無機化合物層１７６、第２の無機化合物層１７７）が基材１７５の表面に堆積される。【００７９】
なお、複数の固定電極の内、ロール電極の回転方向下流側に位置する複数の固定電極と混合ガス供給装置で無機化合物層を積み重ねるように堆積し、無機化合物層の厚さを調整するようにしても良い。【００８０】
また、複数の固定電極の内、ロール電極の回転方向最下流側に位置する固定電極と混合ガス供給装置で第１の無機化合物層１７６を堆積し、より上流に位置する他の固定電極と混合ガス供給装置で、例えば第１の無機化合物層１７６と基材１７５との接着性を向上させる接着層等、他の層を形成しても良い。【００８１】
また、第１の無機化合物層１７６と基材１７５との接着性を向上させるために、第１の無機化合物層１７６を形成する固定電極と混合ガス供給装置の上流に、窒素、ヘリウム、アルゴンや酸素、水素などのガスを供給するガス供給装置と固定電極を設けてプラズマ処理を行い、基材１７５の表面を活性化させるようにしても良い。【００８２】
以上説明したように、エンドレスベルトである中間転写体を１対のローラに張架し、１対のローラの内一方を１対の電極の一方の電極とし、一方の電極としたローラの外周面の外側に沿って他方の電極である少なくとも一つの固定電極を設け、これら１対の電極間に大気圧または大気圧近傍下で電界を発生させプラズマ放電を行わせ、中間転写体表面に無機化合物の薄膜を堆積・形成する構成を取り、第１の無機化合物層１７６を形成した上に第２の無機化合物層１７７を形成することにより、転写性が高く、クリーニング性及び耐久性が高い中間転写体を得ることを可能としている。【００８３】
第１の無機化合物層１７６と第２の無機化合物層１７７の形成方法としては、第１の無機化合物層１７６を基材１７５に形成した後に第２の無機化合物層１７７を形成する方法であれば、特に形成方法を限定するものではないが、大気圧プラズマＣＶＤ装置の上流側で第１の無機化合物層１７６を形成し、その下流側で、連続して、第２の無機化合物層１７７を形成してもよい。このように連続して製膜することにより、生産性が上がるとともに、第１の無機化合物層１７６と第２の無機化合物層１７７の密着性を上げることができ、更に耐久性のある中間転写体を製造することができる。【００８４】
更に他の形態として、ロール電極及び固定電極の内、一方の電極をアースに接続して、他方の電極に電源を接続しても良い。この場合の電源は第２の電源を使用することが緻密な薄膜形成を行え好ましく、特に放電ガスにアルゴン等の希ガスを用いる場合に好ましい。【００８５】
図４は、中間転写体を製造する第２の製造装置の説明図である。【００８６】
中間転写体の第２の製造装置２ｂは複数の基材上に同時に第１又は第２の無機化合物層を形成するもので、主として基材表面に無機化合物層を形成する複数の成膜装置２ｂ１及び２ｂ２より構成されている。【００８７】
第２の製造装置２ｂ（ダイレクト方式の変形で、対向したロール電極間で放電と薄膜堆積を行う方式）は、第１の成膜装置２ｂ１と所定の間隙を隔てて略鏡像関係に配置された第２の成膜装置２ｂ２と、第１の成膜装置２ｂ１と第２の成膜装置２ｂ２との間に配置された少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間２３ｂに混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置２４ｂとを有している。【００８８】
第１の成膜装置２ｂ１はエンドレスベルト状の中間転写体の基材１７５を巻架して矢印方向に回転するロール電極２０ａと従動ローラ２０１と矢印方向に従動ローラ２０１を付勢する張力付勢手段２０２とロール電極２０ａに接続された第１の電源２５とを有し、第２の成膜装置２ｂ２はエンドレスベルト状の中間転写体の基材１７５を巻架して矢印方向に回転するロール電極２０ｂと従動ローラ２０１と矢印方向に従動ローラ２０１を付勢する張力付勢手段２０２とロール電極２０ｂに接続された第２の電源２６とを有している。【００８９】
また、第２の製造装置２ｂはロール電極２０ａとロール電極２０ｂとの対向領域に放電が行われる放電空間２３ｂを有している。【００９０】
混合ガス供給装置２４ｂは無機酸化物層、無機窒化物層、無機炭化物層から選ばれる少なくとも１つの層の膜を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス、ヘリウムガス等の希ガス、更に原料ガスの分解を制御するガスを放電空間２３ｂに供給する。【００９１】
第１の電源２５は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源２６は周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間２３ｂに周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより混合ガスＧをプラズマ化（励起）し、プラズマ化（励起）した混合ガスを第１の成膜装置２ｂ１の基材１７５及び第２の成膜装置２ｂ２の基材１７５の表面に晒し、プラズマ化（励起）した混合ガスに含まれる原料ガスに応じた膜（無機化合物層）が第１の成膜装置２ｂ１の基材１７５及び第２の成膜装置２ｂ２の基材１７５の表面に同時に堆積・形成される。【００９２】
ここで、対向するロール電極２０ａとロール電極２０ｂとは所定の間隙を隔てて配置されている。【００９３】
更に他の形態として、ロール電極２０ａとロール電極２０ｂの内、一方のロール電極をアースに接続して、他方のロール電極に電源を接続しても良い。この場合の電源は第２の電源を使用することが緻密な薄膜形成を行え好ましく、特に放電ガスに窒素ガス或いはアルゴンガス、ヘリウムガス等の希ガスを用いる場合に好ましい。【００９４】
以下に基材１７５上に無機化合物層を形成する大気圧プラズマＣＶＤ装置の形態について詳細に説明する。【００９５】
なお、下記の図５は図３の第１のプラズマ成膜装置２において、主として破線部を抜き出したものである。【００９６】
図５は、プラズマにより中間転写体を製造する第１のプラズマ成膜装置の説明図である。【００９７】
図５を参照して、第１の無機化合物層１７６の形成に好適に用いられる大気圧プラズマＣＶＤ装置の１例を説明する。【００９８】
大気圧プラズマＣＶＤ装置３は、基材を着脱可能に巻架して回転駆動させる少なくとも１対のローラと、プラズマ放電を行う少なくとも１対の電極とを有し、前記１対の電極の内、一方の電極は前記１対のローラの内の一方のローラで、他方の電極は前記一方のローラに前記基材を介して対向する固定電極であり、前記一方のローラと前記固定電極との対向領域において発生するプラズマに、前記基材が晒されて前記無機化合物層を堆積・形成される中間転写体の製造装置であり、例えば放電ガスとして窒素を用いる場合に一方の電源により高電圧を掛け他方の電源により高周波を掛けることにより安定して放電を開始し且つ放電を継続するため好適に用いられる。【００９９】
大気圧プラズマＣＶＤ装置３は前述したように混合ガス供給装置２４、固定電極２１、第１の電源２５、第１のフィルタ２５ａ、ロール電極２０、ロール電極を矢印方向に駆動回転させる駆動手段２０ａ、第２の電源２６、第２のフィルタ２６ａとを有しており、放電空間２３でプラズマ放電を行わせて有機物を含む原料ガスと放電ガスを混合した混合ガスＧを励起させ、励起した混合ガスＧ１を基材表面１７５ａに晒し、その表面に炭素を含有した無機化合物層を堆積・形成するものである。【０１００】
そして、固定電極２１に第１の電源２５から周波数ω1の第１の高周波電圧が印加され、ロール電極２０に第２の電源２６から周波数ω2の高周波電圧が印加されるようになっており、それにより、固定電極２１とロール電極２０との間に電界強度Ｖ1で周波数ω1と電界強度Ｖ2で周波数ω2とが重畳された電界が発生し、固定電極２１に電流Ｉ1が流れ、ロール電極２０に電流Ｉ2が流れ、電極間にプラズマが発生する。【０１０１】
ここで、周波数ω１と周波数ω２の関係、及び、電界強度Ｖ1と電界強度Ｖ2および放電ガスの放電を開始する電界強強度ＩＶとの関係が、ω1＜ω2で、Ｖ1≧ＩＶ＞Ｖ2、または、Ｖ1＞ＩＶ≧Ｖ2を満たし、前記第２の高周波電界の出力密度が１Ｗ／ｃｍ2以上となっている。【０１０２】
窒素ガスの放電を開始する電界強度ＩＶは３．７ｋＶ／ｍｍの為、少なくとも第１の電源２５から印可する電界強度Ｖ1は３．７ｋＶ／ｍｍ、またはそれ以上とし、第２の電源２６から印可する電界強度Ｖ2は３．７ｋＶ／ｍｍ、またはそれ未満とすることが好ましい。【０１０３】
また、第１の大気圧プラズマＣＶＤ装置３に利用可能な第１の電源２５（高周波電源）としては、
印加電源記号    メーカー            周波数            製品名
Ａ１        神鋼電機            ３ｋＨｚ    ＳＰＧ３−４５００
Ａ２        神鋼電機            ５ｋＨｚ    ＳＰＧ５−４５００
Ａ３        春日電機          １５ｋＨｚ    ＡＧＩ−０２３
Ａ４        神鋼電機          ５０ｋＨｚ    ＳＰＧ５０−４５００
Ａ５        ハイデン研究所  １００ｋＨｚ＊  ＰＨＦ−６ｋ
Ａ６        パール工業      ２００ｋＨｚ    ＣＦ−２０００−２００ｋ
Ａ７        パール工業      ４００ｋＨｚ    ＣＦ−２０００−４００ｋ
等の市販のものを挙げることが出来、何れも使用することが出来る。【０１０４】
また、第２の電源２６（高周波電源）としては、
印加電源記号    メーカー            周波数            製品名
Ｂ１        パール工業      ８００ｋＨｚ    ＣＦ−２０００−８００ｋ
Ｂ２        パール工業          ２ＭＨｚ    ＣＦ−２０００−２Ｍ
Ｂ３        パール工業  １３．５６ＭＨｚ    ＣＦ−５０００−１３Ｍ
Ｂ４        パール工業        ２７ＭＨｚ    ＣＦ−２０００−２７Ｍ
Ｂ５        パール工業      １５０ＭＨｚ    ＣＦ−２０００−１５０Ｍ
等の市販のものを挙げることが出来、何れも使用することが出来る。【０１０５】
なお、上記電源のうち、＊印はハイデン研究所インパルス高周波電源（連続モードで１００ｋＨｚ）である。それ以外は連続サイン波のみ印加可能な高周波電源である。【０１０６】
本発明において、第１及び第２の電源から対向する電極間に供給する電力は、固定電極２１に１Ｗ／ｃｍ2以上の電力（出力密度）を供給し、放電ガスを励起してプラズマを発生させ、薄膜を形成する。固定電極２１に供給する電力の上限値としては、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ2である。下限値は、好ましくは１．２Ｗ／ｃｍ2である。なお、放電面積（ｃｍ2）は、電極において放電が起こる範囲の面積のことを指す。【０１０７】
また、ロール電極２０にも、１Ｗ／ｃｍ2以上の電力（出力密度）を供給することにより、高周波電界の均一性を維持したまま、出力密度を向上させることが出来る。これにより、更なる均一高密度プラズマを生成出来、更なる製膜速度の向上と膜質の向上が両立出来る。好ましくは２Ｗ／ｃｍ2以上である。ロール電極２０に供給する電力の上限値は、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ2である。【０１０８】
ここで高周波電界の波形としては、特に限定されない。連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードと、パルスモードと呼ばれるＯＮ／ＯＦＦを断続的に行う断続発振モード等があり、そのどちらを採用してもよいが、少なくともロール電極２０に供給する高周波は連続サイン波の方がより緻密で良質な膜が得られるので好ましい。【０１０９】
固定電極２１と第１の電源２５との間には、第１フィルタ２５ａが設置されており、第１の電源２５から固定電極２１への電流を通過しやすくし、第２の電源２６からの電流をアースして、第２の電源２６から第１の電源２５への電流が通過しにくくなるようになっている。また、ロール電極２０と第２の電源２６との間には、第２フィルター２６ａが設置されており、第２の電源２６からロール電極２０への電流を通過しやすくし、第１の電源２５からの電流をアースして、第１の電源２５から第２の電源２６への電流を通過しにくくするようになっている。【０１１０】
電極には前述したような強い電界を印加して、均一で安定な放電状態を保つことが出来る電極を採用することが好ましく、固定電極２１とロール電極２０には強い電界による放電に耐えるため少なくとも一方の電極表面には下記の誘電体が被覆されている。【０１１１】
以上の説明において、電極と電源の関係は、固定電極２１に第２の電源２６を接続して、ロール電極２０に第１の電源２５を接続しても良い。【０１１２】
更に他の形態として、固定電極２１とロール電極２０との内、一方の電極をアースに接続して、他方の電極に電源を接続しても良い。この場合の電源は第２の電源を使用することが緻密な薄膜形成を行え好ましく、特に放電ガスにアルゴン等の希ガスを用いる場合に好ましい。【０１１３】
図６は、ロール電極の一例を示す概略図である。【０１１４】
ロール電極２０の構成について説明すると、図６（ａ）において、ロール電極２０は、金属等の導電性母材２００ａ（以下、「電極母材」ともいう。）に対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体２００ｂ（以下、単に「誘電体」ともいう。）を被覆した組み合わせで構成されている。また、溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化珪素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工し易いので、更に好ましく用いられる。【０１１５】
また、図６（ｂ）に示すように、金属等の導電性母材２００Ａにライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体２００Ｂを被覆した組み合わせでロール電極２０’を構成してもよい。ライニング材としては、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が好ましく用いられるが、この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易いので、更に好ましく用いられる。【０１１６】
金属等の導電性母材２００ａ、２００Ａとしては、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄等の金属等が挙げられるが、加工の観点からステンレスが好ましい。【０１１７】
尚、本実施の形態においては、ロール電極の母材２００ａ、２００Ａは、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材を使用している（不図示）。【０１１８】
図７は、固定電極の一例を示す概略図である。【０１１９】
図７（ａ）において、角柱或いは角筒柱の固定電極２１は上記記載のロール電極２０と同様に、金属等の導電性母材２１０ｃに対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体２１０ｄを被覆した組み合わせで構成されている。また、図７（ｂ）に示す様に、角柱或いは角筒柱型の固定電極２１’は金属等の導電性母材２１０Ａへライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体２１０Ｂを被覆した組み合わせで構成してもよい。【０１２０】
以下に、中間転写体の製造方法の工程の内、基材１７５上に無機化合物層を堆積・形成する成膜工程の例を、図３、５を参照して説明する。【０１２１】
図３及び５において、ロール電極２０及び従動ローラ２０１に基材１７５を張架後、張力付勢手段２０２の作動により基材１７５に所定の張力を掛け、次いでロール電極２０を所定の回転数で回転駆動する。【０１２２】
混合ガス供給装置２４から混合ガスＧを生成し、放電空間２３に放出する。【０１２３】
第１の電源２５から周波数ω１の電圧を出力して固定電極２１に印加し、第２の電源２６から周波数ω２の電圧を出力してロール電極２０に印加し、これらの電圧により放電空間２３に周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生させる。【０１２４】
電界Ｖにより放電空間２３に放出された混合ガスＧを励起しプラズマ状態にする。そして、基材表面にプラズマ状態の混合ガスＧを晒し混合ガスＧ中の原料ガスにより無機酸化物層、無機窒化物層、無機炭化物層から選ばれる少なくとも１つの層の膜、即ち第１の無機化合物層１７６を基材１７５上に形成する。【０１２５】
この様にして形成される第１の無機化合物層の上に、同様にして第２の無機化合物層１７７を設けることができる。【０１２６】
放電ガスとは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等及びそれらの混合物などがあげられる。【０１２７】
原料ガスとしては、薄膜を形成する成分を含有するものであり、例えば、有機金属化合物、有機化合物があげられる。【０１２８】
例えば、ケイ素化合物として、シラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラｎ−ブトキシシラン、テトラｔ−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（エチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、ビス（トリメチルシリル）カルボジイミド、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、テトラキスジメチルアミノシラン、テトライソシアナートシラン、テトラメチルジシラザン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、トリエトキシフルオロシラン、アリルジメチルシラン、アリルトリメチルシラン、ベンジルトリメチルシラン、ビス（トリメチルシリル）アセチレン、１，４−ビストリメチルシリル−１，３−ブタジイン、ジ−ｔ−ブチルシラン、１，３−ジシラブタン、ビス（トリメチルシリル）メタン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン、フェニルジメチルシラン、フェニルトリメチルシラン、プロパルギルトリメチルシラン、テトラメチルシラン、トリメチルシリルアセチレン、１−（トリメチルシリル）−１−プロピン、トリス（トリメチルシリル）メタン、トリス（トリメチルシリル）シラン、ビニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン、Ｍシリケート５１などが挙げられるがこれらに限定されない。【０１２９】
チタン化合物としては、テトラジメチルアミノチタンなどの有機金属化合物、モノチタン、ジチタンなどの金属水素化合物、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタンなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタンなどの金属アルコキシドなどが挙げられるがこれらに限定されない。【０１３０】
アルミニウム化合物としては、アルミニウムｎ−ブトキシド、アルミニウムｓ−ブトキシド、アルミニウムｔ−ブトキシド、アルミニウムジイソプロポキシドエチルアセトアセテート、アルミニウムエトキシド、アルミニウムヘキサフルオロペンタンジオネート、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムIII２，４−ペンタンジオネート、ジメチルアルミニウムクロライドなどが挙げられるがこれらに限定されない。【０１３１】
亜鉛化合物としては、ジンクビス（ビス（トリメチルシリル）アミド）、ジンク２，４−ペンタンジオネート、ジンク２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネートなどが挙げられるがこれらに限定されない。【０１３２】
ジルコニウム化合物としては、ジルコニウムｔ−ブトキシド、ジルコニウムジイソプロポキシドビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）、ジルコニウムエトキシ、ジルコニウムヘキサフルオロペンタンジオネート、ジルコニウムイソプロポキシド、ジルコニウム２−メチル−２−ブトキシド、ジルコニウムトリフルオロペンタンジオネートなどが挙げられるがこれらに限定されない。【０１３３】
また、これらの原料は、前記炭素含有量を有する無機化合物層を形成するものであれば、単独で用いても良いが、２種以上の成分を混合して使用するようにしても良い。【０１３４】
上記のような方法によって、基材表面に少なくとも２層以上の無機化合物層を有し、第１の無機化合物層及びこの第１の無機化合物層より炭素含有量が少ない第２の無機化合物層がこの順で設けることにより、転写性が高く、クリーニング性及び耐久性が高い中間転写体を提供することができる。【０１３５】
この無機化合物層の炭素含有量は、原料ガスの量と原料ガスの分解を制御するガスの量とプラズマ放電処理装置の設定条件で調節することができる。【０１３６】
このようにして基材１７５の上に形成した第１の無機化合物層１７６の炭素含有量はＸＰＳ法により測定することができる。【０１３７】
次に、第１の無機化合物層１７６と同様の方法で、所定の炭素含有量に調節した第２の無機化合物層１７７を第１の無機化合物層の上に形成する。【０１３８】
本発明における第１の無機化合物層１７６の炭素含有量は０．１原子％以上５０原子％以下（ＸＰＳ測定）であることが好ましい。【０１３９】
また、第２の無機化合物層１７７の炭素含有量は、炭素原子を含有しないか、又は、第１の無機化合物層の炭素含有量より少ないものが好ましい。特に第２の無機化合物層の炭素含有量は、２０原子％以下（ＸＰＳ測定）であるとより好ましい。【０１４０】
このような構成にすることで、炭素原子を含有しない、または、炭素原子の含有量が少ない第２の無機化合物層を表面に有する中間転写体１７０であっても、第２の無機化合物層より炭素含有量の多い第１の無機化合物層を基材と第２の無機化合物層との間に形成することにより、耐久使用においても膜の割れや、剥がれが無く、かつトナーとの離型性に優れた中間転写体１７０を作製することができる。
【実施例】
【０１４１】
以下に実施例を挙げて、本発明を具体的に説明するが、本発明の実施形態はこれに限定されるものではない。
１．試料の作製
（基材の作製）
基材を以下のように作製した。【０１４２】
ポリフェニレンサルファイド樹脂（Ｅ２１８０、東レ社製）    １００質量部
導電フィラー（ファーネス＃３０３０Ｂ、三菱化学社製）        １６質量部
グラフト共重合体（モディパーＡ４４００、日本油脂社製）        １質量部
滑材（モンタン酸カルシウム）                              ０．２質量部
上記材料を単軸押出機に投入し、溶融混練させて樹脂混合物とした。単軸押出機の先端にはスリット状でシームレスベルト形状の吐出口を有する環状ダイスが取り付けてあり、混練された上記樹脂混合物を、シームレスベルト形状に押し出した。押し出されたシームレスベルト形状の樹脂混合物を、吐出先に設けた円筒状の冷却筒に外挿させて冷却し、固化することによりシームレス円筒状の中間転写体を得た。得られた基材の厚さは、１２０μｍであった。
（無機化合物層の作製）
前記で得られた基材上に図３のプラズマＣＶＤ法による中間転写体製造装置を用いて、第１の無機化合物層として１００ｎｍを形成した。更に、その上に第２の無機化合物層として３００ｎｍ形成した。この時のプラズマＣＶＤ法による中間転写体製造装置の各電極を被覆する誘電体は対向する電極共に、セラミック溶射加工のものに片肉で１ｍｍ被覆した。被覆後の電極間隙は、１ｍｍに設定した。また誘電体を被覆した金属母材は、冷却水による冷却機能を有するステンレス製ジャケット仕様であり、放電中は冷却水による電極温度コントロールを行いながら実施した。ここで使用する電源は、神鋼電機製高周波電源（５０ｋＨｚ）、パール工業製高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）を使用した。【０１４３】
各層を形成するための放電ガス条件、原料分解制御ガス条件、原料ガス条件、高周波電源出力条件（低周波側電源電力、高周波側電源電力）を表１、２記載のようにし、試料１〜８、１１〜１４、１６〜１９を作製した。【０１４４】
また、市販の真空蒸着装置を用いて、基材上に表２記載の炭素原子含有量となるように、炭素原子を含むガスを添加し、第１の無機化合物層を１００ｎｍ形成し、その上に第２の無機化合物層を３００ｎｍ形成し、試料１５を作製した。【０１４５】
また、比較例として、表１、２記載の条件以外は、実施例と全く同様にして試料９、１０を作製した。
２．炭素含有量の測定
ＸＰＳ測定による組成分析は、ＶＧサイエンティフィック社製Ｘ線光電子分光分析測定器（ＥＳＣＡＬＡＢ  ２００Ｒ）により測定した。
３．評価方法
（１）転写効率
プリンターにコニカミノルタ社製ｍａｇｉｃｏｌｏｒ２２００を用い、平均粒径６．５μｍの重合トナーを使用し、２色重ねベタ画像を印字したときの１次・２次転写でのトナー移動性を転写効率で評価した。１次転写効率は、感光体上に形成されたトナー像の質量に対する中間転写体上に転写されたトナー像の質量の割合をいう。２次転写効率は、中間転写体上に形成されたトナー像の質量に対する記録紙上に転写されたトナー像の質量の割合をいう。
○：１次・２次転写効率が共に９０％以上であった；
△：１次・２次転写効率の一方が９０％以上であるが、片方が９０％未満であった；
×：１次・２次転写効率が共に９０％未満であった。
（２）クリーニング性
前記プリンターを用い、中間転写体表面をクリーニングブレードでクリーニングした後の中間転写体の表面状態を目視観察し、トナーの付着状態を確認した。そして、トナーの付着のないものを○、僅かにあるが実用上問題のないものを△、実用上問題があるものを×とした。
（２）耐久性試験
上記プリンターを用い、フルカラー画像を５枚／分のプリンター速度で印字し、ベルトが破壊するまでのフルカラー枚数を測定した。
○：機種のマシンライフ越えても表面のヒビワレ、膜ハクリなし
△：機種のマシンライフの７０％以上のプリントで表面のヒビワレまたは膜ハクリ発生
×：機種のマシンライフの７０％未満のプリントで表面のヒビワレまたは膜ハクリ発生
以上の試料１〜１９の測定結果及び評価結果を表２に示す。【０１４６】
【表１】
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【０１４７】
【表２】
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【０１４８】
以上の結果から、基材上に炭素原子を含有する第１の無機化合物層及び表面層として炭素原子を含有しない又は前記第１の無機化合物層よりも少ない量の炭素原子を含有する第２の無機化合物層を有している中間転写体を用いることにより、トナーの離型性に優れ、転写効率の向上した、長期の耐久使用においても割れの生じない中間転写体及び中間転写体を用いた画像形成装置を提供することが出来た。【０１４９】
また、第２の無機化合物層の炭素含有量が２０原子％以下（ＸＰＳ測定）とすることにより、より転写効率及びクリーニング性の優れた中間転写体であることが分かる。【０１５０】
また、第１の無機化合物層の炭素含有量が０．１原子％以上５０原子％以下（ＸＰＳ測定）とすることにより、より耐久性の優れた中間転写体であることがわかる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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