【事件の表示】
　特願２０１５−１８５４６９「光電変換素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　３月２３日出願公開、特開２０１７−　５９７６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成２７年９月１８日の出願であって、その後の主な手続経緯は、以下のとおりである。　　
　
　平成３０年　３月２３日　　：出願審査請求書の提出
　　　　同年１０月１７日付け：拒絶理由通知（同年１０月２３日発送）
　　　　同年１２月２５日　　：期間延長請求書の提出(２ヶ月)
　平成３１年　１月２２日　　：手続補正書・意見書の提出
　　令和元年　６月２５日付け：拒絶理由通知（同年７月２日発送）
　　　　同年　８月２２日　　：期間延長請求書の提出(２ヶ月)
　　　　同年１０月３１日　　：手続補正書・意見書の提出
　　令和２年　３月１２日付け；拒絶査定（同年３月１７日送達）
　　　　同年　６月１７日　　：審判請求書の提出　
　　　　同年１２月　８日付け：拒絶理由通知（同年１２月１５日発送）
　　令和３年　２月１２日　　：手続補正書・意見書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし３に係る発明は、令和３年２月１２日付けの手続補正により補正された請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】
　第１の表面と前記第１の表面と反対側の第２の表面と側面とを有する半導体基板と、
　前記第２の表面上に設けられた誘電体層と、
　前記誘電体層上に設けられるとともに、ｉ型を有する第１の非晶質半導体層と、
　前記誘電体層上に設けられるとともに、第１の導電型を有する第１の非晶質半導体領域と、
　前記誘電体層上に設けられるとともに、前記第１の導電型と異なる第２の導電型を有する第２の非晶質半導体領域とを備え、
　前記第１の非晶質半導体領域は前記第１の導電型を有する第１の不純物を含み、
　前記第２の非晶質半導体領域は前記第２の導電型を有する第２の不純物を含み、
　前記第１の非晶質半導体層、前記第１の非晶質半導体領域及び前記第２の非晶質半導体領域は、連続して延在する１つの層を構成し、
　前記第１の非晶質半導体領域と前記第２の非晶質半導体領域とが交互に配列される方向において、前記第１の非晶質半導体領域と前記第２の非晶質半導体領域との間に前記第１の非晶質半導体層が存在し、
　前記第１の表面は、凹凸構造を含む、光電変換素子の製造方法において、
　
前記第１の表面上、前記第２の表面上および前記側面上にそれぞれ第１の誘電体層、前記誘電体層および側面誘電体層が連続して延在するように形成し、前記第１の誘電体層上にｉ型を有する第２の非晶質半導体層を形成することと
　
前記第２の非晶質半導体層を形成後、前記誘電体層上に、前記第２の非晶質半導体層の厚さより厚い前記第１の非晶質半導体層を形成することと
　前記第１の非晶質半導体層内に前記第１の非晶質半導体領域を形成することと、
　前記第１の非晶質半導体層内に前記第２の非晶質半導体領域を形成することとを備え、
　前記第１の非晶質半導体層内に前記第１の非晶質半導体領域を形成することは、前記第１の非晶質半導体層の第１の部分に前記第１の不純物をドーピングすることを含み、
　前記第１の非晶質半導体層内に前記第２の非晶質半導体領域を形成することは、前記第１の部分と異なる前記第１の非晶質半導体層の第２の部分に前記第２の不純物をドーピングすることを含み、
　前記誘電体層と前記第１の非晶質半導体領域との間及び前記誘電体層と前記第２の非晶質半導体領域との間に前記第１の非晶質半導体層を有する、光電変換素子の製造方法。」(なお、下線は、当審で付した。以下、同じ。)
第３ 当審の拒絶理由通知書の概要
　当審の拒絶の理由である、令和２年１２月８日付け拒絶理由通知の理由は、概略、次のとおりのものである。
【理由その１】(明確性)
　この出願は、特許請求の範囲の請求項３、請求項３の記載を引用する請求項４、５、７の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
【理由その２】（進歩性）
　この出願の請求項１、２、４ないし８に係る発明(以下「本願発明１」等という。)は、下記の引用文献に記載された発明に基いて、当業者がが容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　記
　　　引用文献:特開２０１４−１２３６９２号公報
第４　引用文献
１　引用文献には、図面とともに、以下の記載がある。
(１)「【請求項３】
　一面および他面を有する結晶系半導体と、
　前記結晶系半導体の前記一面に形成された真性の非晶質系半導体膜とを備え、
　前記真性の非晶質系半導体膜の第１の領域に一導電型を示す不純物が拡散された第１の非晶質系半導体膜が形成され、
　前記真性の非晶質系半導体膜の第２の領域に前記一導電型と異なる他導電型を示す不純物が拡散された第２の非晶質系半導体膜が形成され、
　前記第１の領域における前記第１の非晶質系半導体膜上に第１の電極が形成され、
　前記第２の領域における前記第２の非晶質系半導体膜上に第２の電極が形成され、
　前記第１の電極が電気的に接続された第１の集電極と、前記第２の電極が電気的に接続された第２の集電極が設けられたことを特徴とする光起電力素子。
【請求項４】
　請求項３記載の光起電力素子において、前記結晶系半導体の前記一面に形成された真性の非晶質系半導体膜が、結晶シリコンの一面に形成された真性の非晶質シリコン薄膜であることを特長とする光起電力素子。」
(２)「【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
（第１の実施の形態）
　以下、本発明の一実施の形態について説明する。
【００３８】
　図１は本実施の形態に係る光起電力素子の裏面を示す平面図であり、図２は本実施の形態に係る光起電力素子の構造を示す模式的断面図である。
【００３９】
　図１に示すように、光起電力素子は正方形状のｎ型単結晶シリコン基板１を有する。例えば、一辺の長さが１５ｃｍの正方形のｎ型単結晶シリコン基板１を基板としている。光起電力素子の裏面には、複数のＰ電極５および複数のＮ電極４が形成されている。Ｐ電極５およびＮ電極４は、光起電力素子上に平行に、かつ、交互に並んでいる。また、光起電力素子の裏面のＰ電極５とＮ電極４の端部に、それぞれＰ集電極３とＮ集電極２が、Ｐ電極５とＮ電極４に直行する方向に延びるように設けられている。
【００４０】
　……
【００４１】
　次に、図２に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面（図中下側面）には、凹凸状のテクスチャー構造が形成されており、ｉ型非晶質シリコン膜１０からなるパッシベーション層と、窒化シリコン１１からなる反射防止層が順に形成されている。
【００４１】
　……
【００４４】
　本発明の第１の実施の形態においては、凹凸状のテクスチャー構造と窒化シリコン１１からなる反射防止層が設けられることにより、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面から入射する光の反射が抑制され、入射光を効率良く発電に寄与させることができる。
【００４５】
　……
【００４６】
　ここで、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面のｉ型非晶質シリコン膜１０は、裏面の電極から離れた位置に存在するため、省略することも可能である。ｉ型非晶質シリコン膜１０を省略することでプロセスが簡略化され低コストが可能になるというメリットがある。ただし、ｉ型非晶質シリコン膜１０を省略した場合、再結合が増加し発電量が若干低下するというデメリットが存在する。
【００４７】
　発電に寄与する接合は、ｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコン層９の間に存在する接合であるが、ｎ型単結晶シリコン基板１に直接ｐ型非晶質シリコン層９を形成すると、電子とホールの再結合の原因となる界面準位が多数発生することが知られている。本実施の形態においては、
ｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコン層９との間にｉ型非晶質シリコン膜６が存在しており、界面準位の発生が抑制される
(３)「【００４８】
　次に、
図３を用いて、第１の実施の形態の光起電力素子の製造方法を説明する。ここで、表面側のテクスチャー構造やｉ型非晶質シリコン膜１０と窒化シリコン１１は、図示していないが、本プロセスの事前に形成されているものとする
【００４９】
　最初に、図３（ａ）に示すように、ＳｉＨ４ガスおよびＨ２ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により、板厚２００μｍのｎ型単結晶シリコン基板１の裏面に、膜厚１０非晶質シリコン膜６を形成する。
【００５０】
　ここで、
ｉ型非晶質シリコン膜６の膜厚は、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下
【００５１】
　……
【００５４】
　ｉ型非晶質シリコン層６が１ｎｍより薄くなると、部分的にｎ型非晶質シリコン層８とｐ型非晶質シリコン層９がｎ型単結晶シリコン基板に接触し、
開放電圧の低下を発生する
【００５５】
　次に、図３（ｄ）に示すように、ｎ型ドーパント塗布層１４とｐ型ドーパント塗布層１５を剥離液等により除去することで、
ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面に、膜厚１ｎｍ以上７ｎｍ以下のｉ型非晶質シリコン膜６を介して、ｎ型非晶質シリコン層８とｐ型非晶質シリコン層９を有す
る裏面構造が形成される
【００５６】
　……
【００５９】
　最後に、図３（ｆ）に示すように、ｎ型非晶室シリコン層８とｐ型非晶室シリコン層９上に、それぞれ、Ｎ貫通孔１２とＰ貫通孔１３を介して、Ｎ電極４とＰ電極５を形成する。Ｎ電極５とＰ電極４は、導電性を有する透明導電膜または金属膜であり、銀ペースト等のスクリーン印刷技術、メタルマスクを用いた真空成膜技術、フォトプロセスを用いたエッチング技術、レーザパターニングによる除去技術等を用いることにより形成される。また、Ｎ電極５とＰ電極４を、ＩＴＯ等の透明導電膜とＡｇ薄膜等の金属膜の２層構造にすることが望ましい。ＩＴＯ等の透明導電膜を設けることにより、不要な金属の拡散が抑制される。さらに、Ｎ電極５とＰ電極４に対してＣｕ等の金属を電鋳し、その電気抵抗を下げることで、電力ロスを抑制することが可能である。」
(４)図２は、以下のものである。
　１…ｎ型単結晶シリコン基板
　２…Ｎ集電極
　３…Ｐ集電極
　４…Ｎ電極
　５…Ｐ電極
　６…ｉ型非晶質シリコン膜(裏面)
１０…ｉ型非晶質シリコン膜(表面)
１１…窒化シリコン膜
(５)図３は、以下のものである。
１…ｎ型単結晶シリコン基板
４…Ｎ電極
５…Ｐ電極
６…ｉ型非晶質シリコン膜
７…酸化シリコン
８…ｎ型非晶質シリコン膜
９…ｐ型非晶質シリコン膜
２　引用文献に記載された発明
(１)上記１(１)の記載からして、引用文献には、
　「一面および他面を有する結晶系半導体と、
　前記結晶系半導体の前記一面に形成された真性の非晶質シリコン薄膜とを備え(【請求項４】)、
　前記真性の非晶質シリコン薄膜の第１の領域に一導電型を示す不純物が拡散された第１の非晶質系半導体膜が形成され、
　前記真性の非晶質シリコン薄膜の第２の領域に前記一導電型と異なる他導電型を示す不純物が拡散された第２の非晶質系半導体膜が形成され、
　前記第１の領域における前記第１の非晶質系半導体膜上に第１の電極が形成され、
　前記第２の領域における前記第２の非晶質系半導体膜上に第２の電極が形成され、
　前記第１の電極が電気的に接続された第１の集電極と、前記第２の電極が電気的に接続された第２の集電極が設けられた、光起電力素子(【請求項３】)。」が記載されていると認められる。
(２)上記１(２)の記載からして、以下のことが理解できる。
　ア　上記(１)の「結晶系半導体」は、ｎ型単結晶シリコン基板であってもよいこと。
　イ　上記(１)の「結晶系半導体」の他面は表面側(受光側)であり、真性の非晶質シリコン薄膜と窒化シリコンからなる反射防止層が形成されていること。
　ウ　上記(１)の「結晶系半導体」の一面は裏面側であり、真性の非晶質シリコン薄膜が形成されていること。
　エ　上記(１)の「真性の非晶質シリコン薄膜」は、界面準位の発生を抑制する機能があるものと認められる。
(３)上記１(３)の記載を踏まえて、図２及び図３(ｆ)を見ると、以下のことが理解できる。
　ア　上記(１)の「第１の非晶質系半導体膜」は、ｎ型ドーパントを加熱拡散したｎ型非晶質シリコン膜であってもよいこと。
　イ　上記(１)の「第２の非晶質系半導体膜」は、ｐ型ドーパントを加熱拡散したｐ型非晶質シリコン膜であってもよいこと。
　ウ　上記(１)の「第１の電極」は、Ｎ電極であってもよいこと。
　エ　上記(１)の「第２の電極」は、Ｐ電極であってもよいこと。
　オ　上記(１)の「真性の非晶質シリコン薄膜」の膜厚は、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であること。
　カ　上記(１)の「結晶系半導体」の一面、すなわち裏面側に、膜厚１ｎｍ以上７ｎｍ以下の真性の非晶質シリコン薄膜を介して、ｎ型非晶質シリコン膜とｐ型非晶質シリコン膜を有する裏面構造が形成されること。
(４)また、図２及び図３(ｆ)から、以下のことが読み取れる。
　ｎ型非晶質シリコン膜とｐ型非晶質シリコン膜は、水平方向に交互に配列され、その間に、真性の非晶質シリコン薄膜が存在すること。
(５)上記(１)ないし(４)の検討からして、引用文献には、次の「光起電力素子」が記載されていると認められる。
　「ｎ型単結晶シリコン基板と、
　前記ｎ型単結晶シリコン基板の表面に形成された真性の非晶質シリコン薄膜及び窒化シリコンからなる反射防止層と、
　前記ｎ型単結晶シリコン基板の裏面に形成された
膜厚５ｎｍ以上４０ｎｍ以下
　前記真性の非晶質シリコン薄膜の第１の領域にｎ型ドーパントを加熱拡散したｎ型非晶質シリコン膜が形成され、
　前記真性の非晶質シリコン薄膜の第２の領域にｐ型ドーパントを加熱拡散したｐ型非晶質シリコン膜が形成され、
　前記第１の領域における前記ｎ型非晶質シリコン膜上にＮ電極が形成され、
　前記第２の領域における前記ｐ型非晶質シリコン膜上にＰ電極が形成され、
　前記ｎ型非晶質シリコン膜と前記ｐ型非晶質シリコン膜は、水平方向に交互に配列され、その間に、前記真性の非晶質シリコン薄膜が存在し、
　前記ｎ型単結晶シリコン基板の裏面に、
膜厚１ｎｍ以上７ｎｍ以下
(６)また、上記(３)の「次に、図３を用いて、第１の実施の形態の光起電力素子の製造方法を説明する。ここで、表面側のテクスチャー構造やｉ型非晶質シリコン膜１０と窒化シリコン１１は、図示していないが、本プロセスの事前に形成されているものとする。」(【００４８】)との記載を踏まえて、図３を見ると、
　上記(５)の「光起電力素子」は、「テクスチャー構造を有するｎ型単結晶シリコン基板の表面に真性の非晶質シリコン薄膜及び窒化シリコンからなる反射防止層」を形成した後に、ｎ型単結晶シリコン基板の裏面に、真性の非晶質シリコン薄膜、ｎ型非晶質シリコン膜、ｐ型非晶質シリコン膜、Ｎ電極及びＰ電極を形成することで製造されることが理解できる。
　なお、「『ｎ型単結晶シリコン基板の表面』に形成された『真性の非晶質シリコン薄膜』」及び「『ｎ型単結晶シリコン基板の裏面』に形成された『真性の非晶質シリコン薄膜』」を、それぞれ、「真性の非晶質シリコン薄膜(表面)」及び「真性の非晶質シリコン薄膜(裏面)」と表記する。
　また、両者をまとめて、「真性の非晶質シリコン薄膜(表面・裏面)」と表記する。
(７)上記(１)ないし(６)の検討からして、引用文献には、次の「光起電力素子の製造方法」の発明(以下「引用発明」という。)が記載されていると認められる。
　「表面側にテクスチャー構造を有するｎ型単結晶シリコン基板と、
　前記ｎ型単結晶シリコン基板の表面に形成された真性の非晶質シリコン薄膜(表面)及び窒化シリコンからなる反射防止層と、
　前記ｎ型単結晶シリコン基板の裏面に形成された
膜厚５ｎｍ以上４０ｎｍ以下
　前記真性の非晶質シリコン薄膜(裏面)の第１の領域にｎ型ドーパントを加熱拡散したｎ型非晶質シリコン膜が形成され、
　前記真性の非晶質シリコン薄膜(裏面)の第２の領域にｐ型ドーパントを加熱拡散したｐ型非晶質シリコン膜が形成され、
　前記第１の領域における前記ｎ型非晶質シリコン膜上にＮ電極が形成され、
　前記第２の領域における前記ｐ型非晶質シリコン膜上にＰ電極が形成され、
　前記ｎ型非晶質シリコン膜と前記ｐ型非晶質シリコン膜は、水平方向に交互に配列され、その間に、前記真性の非晶質シリコン薄膜(裏面)が存在し、
　前記ｎ型単結晶シリコン基板の裏面に、
膜厚１ｎｍ以上７ｎｍ以下
　前記ｎ型単結晶シリコン基板の表面に、真性の非晶質シリコン薄膜(表面)及び窒化シリコンからなる反射防止層を形成した後に、前記ｎ型単結晶シリコン基板の裏面に、前記真性の非晶質シリコン薄膜(裏面)、前記ｎ型非晶質シリコン膜、前記ｐ型非晶質シリコン膜、前記Ｎ電極及び前記Ｐ電極を形成する、光起電力素子の製造方法。」
第５　当審の判断　
１　「【理由その２】（進歩性）」について
(１)対比
　本願発明と引用発明とを対比すると以下のことがいえる。
　ア(ア)引用発明の「表面側にテクスチャー構造を有するｎ型単結晶シリコン基板」は、本願発明の「第１の表面と前記第１の表面と反対側の第２の表面と側面とを有する半導体基板」に相当する。
　以下、同様に、
　「ｎ型単結晶シリコン基板の裏面に形成された膜厚５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の真性の非晶質シリコン薄膜(裏面)」は、「ｉ型を有する第１の非晶質半導体層」に、
　「『真性の非晶質シリコン薄膜(裏面)の第１の領域』に形成された『ｎ型ドーパントを加熱拡散したｎ型非晶質シリコン膜』」は、「第１の導電型を有する第１の非晶質半導体領域」に、
　「『真性の非晶質シリコン薄膜(裏面)の第２の領域』に形成された『ｐ型ドーパントを加熱拡散したｐ型非晶質シリコン膜』」は、「第１の導電型と異なる第２の導電型を有する第２の非晶質半導体領域」に、それぞれ、相当する。
(イ)引用発明の「ｎ型非晶質シリコン膜とｐ型非晶質シリコン膜」は、「真性の非晶質シリコン薄膜(裏面)」に対して「ｎ型(ｐ型)ドーパントを加熱拡散した」ものであり、ｎ型非晶質シリコン膜、ｐ型非晶質シリコン膜及び真性の非晶質シリコン薄膜(裏面)は、連続して延在する１つの層を構成しているといえる。
(ウ)また、引用発明の「テクスチャー構造」及び「光起電力素子」は、それぞれ、本願発明の「凹凸構造」及び「光電変換素子」に相当する。
(エ)上記検討からして、本願発明と引用発明とは、
　「第１の表面と前記第１の表面と反対側の第２の表面と側面とを有する半導体基板と、
　前記第２の表面上に設けられたｉ型を有する第１の非晶質半導体層と、
　前記第２の表面上に設けられた第１の導電型を有する第１の非晶質半導体領域と、
　前記第２の表面上に設けられた前記第１の導電型と異なる第２の導電型を有する第２の非晶質半導体領域とを備え、
　前記第１の非晶質半導体領域は前記第１の導電型を有する第１の不純物を含み、
　前記第２の非晶質半導体領域は前記第２の導電型を有する第２の不純物を含み、　
　前記第１の非晶質半導体層、前記第１の非晶質半導体領域及び前記第２の非晶質半導体領域は、連続して延在する１つの層を構成し、
　前記第１の非晶質半導体領域と前記第２の非晶質半導体領域とが交互に配列される方向において、前記第１の非晶質半導体領域と前記第２の非晶質半導体領域との間に前記第１の非晶質半導体層が存在し、
　前記第１の表面は、凹凸構造を含む、光電変換素子の製造方法」である点で一致する。
　イ　引用発明においては、「(表面側にテクスチャー構造を有する)ｎ型単結晶シリコン基板の表面に、真性の非晶質シリコン薄膜(表面)及び窒化シリコンからなる反射防止層を形成した後に、前記ｎ型単結晶シリコン基板の裏面に、真性の非晶質シリコン薄膜(裏面)、ｎ型非晶質シリコン膜、ｐ型非晶質シリコン膜、Ｎ電極及びＰ電極を形成する」から、最初に、ｎ型単結晶シリコン基板の表面側に真性の非晶質シリコン薄膜(表面)及び窒化シリコンからなる反射防止層が形成されることになる。
　よって、本願発明と引用発明とは、
　「第１の表面上にｉ型を有する第２の非晶質半導体層を形成することと、
　前記第２の非晶質半導体層を形成後、前記前記第２の表面上に前記第１の非晶質半導体層を形成することと、
　前記第１の非晶質半導体層内に前記第１の非晶質半導体領域を形成することと、
　前記第１の非晶質半導体層内に前記第２の非晶質半導体領域を形成することとを備え、
　前記第１の非晶質半導体層内に前記第１の非晶質半導体領域を形成することは、前記第１の非晶質半導体層の第１の部分に前記第１の不純物をドーピングすることを含み、
　前記第１の非晶質半導体層内に前記第２の非晶質半導体領域を形成することは、前記第１の部分と異なる前記第１の非晶質半導体層の第２の部分に前記第２の不純物をドーピングすることを含む」点で一致する。
　ウ　引用発明においては、「ｎ型非晶質シリコン膜とｐ型非晶質シリコン膜は、水平方向に交互に配列され、その間に、真性の非晶質シリコン薄膜(裏面)が存在し、前記ｎ型単結晶シリコン基板の裏面に、
膜厚１ｎｍ以上７ｎｍ以下
本願発明と引用発明とは、「誘電体層と第１の非晶質半導体領域との間及び前記誘電体層と第２の非晶質半導体領域との間に前記第１の非晶質半導体層を有する」点で一致する。
　エ　上記アないしウから、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致する。
　＜一致点＞
　「第１の表面と前記第１の表面と反対側の第２の表面と側面とを有する半導体基板と、
　前記第２の表面上に設けられたｉ型を有する第１の非晶質半導体層と、
　前記第２の表面上に設けられた第１の導電型を有する第１の非晶質半導体領域と、
　前記前記第２の表面上に設けられた前記第１の導電型と異なる第２の導電型を有する第２の非晶質半導体領域とを備え、
　前記第１の非晶質半導体領域は前記第１の導電型を有する第１の不純物を含み、
　前記第２の非晶質半導体領域は前記第２の導電型を有する第２の不純物を含み、
前記第１の非晶質半導体層、前記第１の非晶質半導体領域及び前記第２の非晶質半導体領域は、連続して延在する１つの層を構成し、
前記第１の非晶質半導体領域と前記第２の非晶質半導体領域とが交互に配列される方向において、前記第１の非晶質半導体領域と前記第２の非晶質半導体領域との間に前記第１の非晶質半導体層が存在し、
前記第１の表面は、凹凸構造を含む、光電変換素子の製造方法において、
　前記第１の表面上にｉ型を有する第２の非晶質半導体層を形成することと、
　前記第２の非晶質半導体層を形成後、前記前記第２の表面上に前記前記第１の非晶質半導体層を形成することと、
　前記第１の非晶質半導体層内に前記第１の非晶質半導体領域を形成することと、
　前記第１の非晶質半導体層内に前記第２の非晶質半導体領域を形成することとを備え、
　前記第１の非晶質半導体層内に前記第１の非晶質半導体領域を形成することは、前記第１の非晶質半導体層の第１の部分に前記第１の不純物をドーピングすることを含み、
　前記第１の非晶質半導体層内に前記第２の非晶質半導体領域を形成することは、前記第１の部分と異なる前記第１の非晶質半導体層の第２の部分に前記第２の不純物をドーピングすることを含み、　
前記誘電体層と前記第１の非晶質半導体領域との間及び前記誘電体層と前記第２の非晶質半導体領域との間に前記第１の非晶質半導体層を有する、光電変換素子の製造方法。」
　エ　一方、両者は、以下の点で相違する。
　＜相違点１＞
　本願発明は、「第２の表面上に設けられた誘電体層と、
　前記誘電体層上に設けられるとともに、ｉ型を有する第１の非晶質半導体層と、
　前記誘電体層上に設けられるとともに、第１の導電型を有する第１の非晶質半導体領域と、
　前記誘電体層上に設けられるとともに、前記第１の導電型と異なる第２の導電型を有する第２の非晶質半導体領域とを備え」ているのに対して、
　引用発明は、「ｎ型単結晶シリコン基板の裏面」に、誘電体層を備えていない点。
　＜相違点２＞
　本願発明は、「第１の表面上、第２の表面上および側面上にそれぞれ第１の誘電体層、誘電体層および側面誘電体層が連続して延在するように形成し、前記第１の誘電体層上にｉ型を有する第２の非晶質半導体層を形成することと、
　前記第２の非晶質半導体層を形成後、前記誘電体層上に、前記第２の非晶質半導体層の厚さより厚い前記第１の非晶質半導体層を形成すること」を備えているのに対して、
　引用発明は，誘電体層を形成する工程を備えておらず、また、真性の非晶質シリコン薄膜(表面)の厚さと真性の非晶質シリコン薄膜(裏面)の厚さの大小関係が不明である点。
(２)判断
　ア　上記＜相違点１＞及び＜相違点２＞をまとめて検討する。
(ア)「誘電体層」について
　ａ　表面及び裏面の誘電体層
　引用発明の「真性の非晶質シリコン薄膜(表面・裏面)」は、「ｎ型単結晶シリコン基板」の表裏面に形成されたものであるところ、「単結晶シリコン基板」と「真性の非晶質シリコン薄膜」との間に、酸化シリコン薄膜(誘電体層)を介在させることにより、界面において生じ得る微結晶化や欠陥等を低減する技術は、下記の文献に記載されているように本願出願時点で周知である(以下「周知技術１」という。)。
　特開２０１２-４９１５６号(【００２１】、図９)
　特表２００９-５３５８４５号公報(【００１３】、図１)
ｂ　側面の誘電体層
　太陽電池を構成する「シリコン基板」の表面及び裏面だけではなく、全面(表面、側面及び裏面)に酸化シリコン層などの誘電体層を設けることは、原査定の拒絶の理由において引用した引用文献２(特開２０１２−０６００８０号公報の【００５３】、【００５７】、図４）、引用文献３(国際公開第２０１３／１０００８５号の【００３１】、図３）及び引用文献４(国際公開第２０１３／１４６９７３号の【００６８】、図３）以外に、下記の文献にも記載されているように本願出願時点で周知である(以下、「周知技術２」という。)。
　特表２０１３−５３８００９号公報(【０００８】、図３ないし図５)
　特開２０１２−１１９５３７号公報(【００３４】、図３)
　ちなみに、特表２０１３−５３８００９号公報の図４は、以下のものである。
４０２…ウエハキャリア
４０４…複数のウエハ
４０６，４０８…ウエハ
４１０…トンネル酸化物層(二酸化シリコン)
４１２…アモルファス層
　また、特開２０１２−１１９５３７号公報の図３は、以下のものである。
　１１…シリコン基板
１１ａ…受光面
１１ｂ…裏面
１１ｎ…Ｎ型不純物領域
　１３…シリコン酸化膜
　１４…シリコン窒化膜
１４ａ…反射抑制部
ｃ　してみると、引用発明において、「ｎ型単結晶シリコン基板」と「真性の非晶質シリコン薄膜(表面・裏面)」との界面において生じ得る微結晶化や欠陥を低減するために、「ｎ型単結晶シリコン基板」の表面及び裏面に「酸化シリコン薄膜(誘電体層)」を形成するとともに、側面にも「酸化シリコン薄膜(誘電体層)」を連続して形成するは、当業者が上記周知技術１及び上記周知技術２に基づいて容易になし得たことである。
 (イ)「第１の非晶質半導体層(裏面側)の厚さ」について
　ａ　引用文献の図２からして、引用発明の「真性の非晶質シリコン薄膜(裏面)」の厚さは、「真性の非晶質シリコン薄膜(表面)」の厚さよりも厚いものと解され、この点は、実質的な相違点ではない。
　なお、図２は、以下のものである。
　６…ｉ型非晶質シリコン膜(裏面)
１０…ｉ型非晶質シリコン膜(表面)
　ｂ　仮に、実質的な相違点であるとしても、引用文献の【００４６】には「ここで、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面のｉ型非晶質シリコン膜１０は、裏面の電極から離れた位置に存在するため、省略することも可能である。」と記載されていることから、「真性の非晶質シリコン薄膜(表面)」の厚みを薄くすることに何ら困難性は認められない。
　また、引用文献の【００５０】ないし【００５５】の記載からして、ｎ型単結晶シリコン基板の裏面には、膜厚１ｎｍ以上７ｎｍ以下の真性の非晶質シリコン膜を残すとともに、適正な膜厚でｎ型ドーパントとｐ型ドーパントを加熱拡散した層を有する裏面構造を形成する必要のあることから、単なる「パッシベーション層」である「真性の非晶質シリコン薄膜(表面)」よりも厚い「真性の非晶質シリコン薄膜（裏面）」を形成することは、当業者であれば容易になし得たことである。
(ウ)上記(ア)及び(イ)の検討からして、引用発明において、「(表面側にテクスチャー構造を有する)ｎ型単結晶シリコン基板」の全面(表面、側面及び裏面)に「酸化シリコン薄膜(誘電体層)」を連続して形成することは、当業者が上記周知技術１及び上記周知技術２に基づいて容易になし得たことである。
　
(エ)上記(ウ)のようにした引用発明は、結果として、上記＜相違点１＞及び＜相違点２＞に係る本願発明の構成を備えることになる。
　イ　効果
　本願発明の奏する効果は、引用発明の奏する効果、上記周知技術１及び上記周知技術２から予測し得る範囲内のものである。
２　令和３年２月１２日提出の意見書における主張について
　請求人は、「(３−２)進歩性」において、引用文献１には、表面側を先に形成(第１面先法)することの利点については開示されておらず、表面側もしくは裏面側の膜を連続して先に形成する考え方が開示されているだけで、裏面側の製造方法の影響により、表面側に注意を払う必要性のあることは容易に想到するものではない旨主張する。
　当審注:引用文献１は、審決で引用する引用文献である。
(１)しかしながら、引用文献には、ｎ型単結晶シリコン基板の表面側に反射防止膜まで含めて先に形成することが記載されており、上記「１(２)判断　ア」で検討したように、引用発明の「ｎ型単結晶シリコン基板」の全面(表面、側面及び裏面)に「酸化シリコン薄膜(誘電体層)」を連続して形成することは、当業者が容易になし得たことであるから、係る工程を採用した引用発明においては、凹凸構造(テクスチャ構造)の表面は、本願発明と同様に、裏面側の製造工程により影響を受けることはないものと認められる。
(２)また、そもそも、本願明細書には「本実施の形態の光電変換素子１では、半導体基板１１の第１の表面１１ａは、凹凸構造を含んでもよい。第１の表面１１ａ側から光電変換素子１に光は入射する。」(【００２３】)及び「本実施の形態の光電変換素子１の製造方法は、半導体基板１１の第１の表面１１ａに、凹凸構造を形成することをさらに備えてもよい。」(【００５８】)と記載されているように、凹凸構造の形成は任意であって、請求人の主張する効果は、本願明細書には記載されていない。
(３)よって、請求人の主張は、採用できない。
　
３　まとめ
　本願発明は、当業者が引用発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。