【事件の表示】
　特願２０１５−　１７９０９「紫外発光ダイオードおよびそれを備える電気機器」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１２月　３日出願公開、特開２０１５−２１６３５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２７年１月３０日（優先権主張　平成２６年４月２４日）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成３０年　１月１２日　　：手続補正書の提出
　平成３０年　３月１４日付け：拒絶理由通知書
　平成３０年　７月２０日　　：意見書、手続補正書の提出
　平成３０年　９月２６日付け：拒絶理由（最後の拒絶理由）通知書
　平成３０年１１月２９日　　：意見書、手続補正書の提出
　平成３１年　２月２２日付け：拒絶理由通知書
　平成３１年　７月１６日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和　元年　９月３０日付け：拒絶査定
　令和　２年　１月　８日　　：審判請求書、手続補正書の提出
　令和　２年　３月　２日　　：手続補正書（方式）の提出
　令和　２年　７月２９日　　：審査官による面接
　令和　３年　３月１２日　　：当審による面接
第２　令和２年１月８日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和２年１月８日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
　１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所として、請求人が付したものである。）
「単結晶基板と、
　ＡｌＮとＧａＮの成分をもつ結晶により作られ、該基板に接して配置され、ｎ型導電層を含んでおり、２２０ｎｍ以上
２８０
　該ｎ型導電層上の再結合層と、
　該再結合層上のｐ型導電層と、
　該ｐ型導電層に電気的に接続しているＡｌＮとＧａＮの混晶のｐ型コンタクト層と、
　前記紫外発光層から発せられる前記放射ＵＶを反射し、該ｐ型コンタクト層に電気的に接続している金属膜である反射電極と、
　前記ｐ型コンタクト層と前記金属膜とによって挟むように設けられているオーミックコンタクトを実現するための挿入金属層であって、前記挿入金属層は、前記ｐ型コンタクト層上に、その一部
のみ
うようにパターン化されて
いる厚み約１ｎｍのＮｉ膜を含み、パターン化された前記挿入金属層が存在しない位置においては前記ｐ型コンタクト層および前記反射電極が接した積層構造をなし、パターン化された前記挿入金属層が存在する位置においては、前記ｐ型コンタクト層、前記挿入金属層、および前記反射電極をこの順に含む積層構造をなすようになって
、
　
パターン化されたｐ型ＧａＮ層と
　を備えており、
　前記ｐ型コンタクト層の組成ＡｌｘＧａ１−ｘＮにおけるＡｌＮ混晶組成比ｘが、前記放射ＵＶの主要波長の値をＷ（単位：ｎｍ）として、
　ｘｍｉｎ＝−０．００６Ｗ＋２．２６
により求まる下限値ｘｍｉｎ以上の値にされ
かつ０．５８以上であっ
、前記ｐ型コンタクト層は、前記放射ＵＶが一度通過する際の前記放射ＵＶに対する透過率が９５％以上であ
　前記反射電極が、前記挿入金属層が存在しない位置においては前記ｐ型コンタクト層に直に接し、前記挿入金属層が存在する位置においては、前記挿入金属層を挟んで前記ｐ型コンタクト層上に配置されているものであ
り、
　前記パターン化された前記ｐ型ＧａＮ層の少なくとも一部が、多層構造の前記ｐ型コンタクト層とパターン化された前記挿入金属層との双方に直に接して挟まれているものであ
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の、平成３１年７月１６日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「単結晶基板と、
　ＡｌＮとＧａＮの成分をもつ結晶により作られ、該基板に接して配置され、ｎ型導電層を含んでおり、２２０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長を主要波長に持つ放射ＵＶを発する紫外発光層と、
　該ｎ型導電層上の再結合層と、
　該再結合層上のｐ型導電層と、
　該ｐ型導電層に電気的に接続しているＡｌＮとＧａＮの混晶のｐ型コンタクト層と、
　前記紫外発光層から発せられる前記放射ＵＶを反射し、該ｐ型コンタクト層に電気的に接続している金属膜である反射電極と、
　前記ｐ型コンタクト層と前記金属膜とによって挟むように設けられているオーミックコンタクトを実現するための挿入金属層であって、前記挿入金属層は、前記ｐ型コンタクト層上に、その一部を覆って配置されている挿入金属層と
　を備えており、
　前記ｐ型コンタクト層の組成ＡｌｘＧａ１−ｘＮにおけるＡｌＮ混晶組成比ｘが、前記放射ＵＶの主要波長の値をＷ（単位：ｎｍ）として、
　ｘｍｉｎ＝−０．００６Ｗ＋２．２６
により求まる下限値ｘｍｉｎ以上の値にされており、
　前記反射電極が、前記挿入金属層が存在しない位置においては前記ｐ型コンタクト層に直に接し、前記挿入金属層が存在する位置においては、前記挿入金属層を挟んで前記ｐ型コンタクト層上に配置されているものである、紫外発光ダイオード。」
　２　補正の適否
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「紫外発光層」の「主要波長」について、補正前の「３５０ｎｍ以下」を「２８０ｎｍ以下」と限定し、
　「挿入金属層」について、「その一部のみを覆うようにパターン化されて配置されている厚み約１ｎｍのＮｉ膜を含み、パターン化された前記挿入金属層が存在しない位置においては前記ｐ型コンタクト層および前記反射電極が接した積層構造をなし、パターン化された前記挿入金属層が存在する位置においては、前記ｐ型コンタクト層、前記挿入金属層、および前記反射電極をこの順に含む積層構造をなすようになっている」と限定を付加し、
　「ｐ型コンタクト層の組成ＡｌｘＧａ１−ｘＮにおけるＡｌＮ混晶組成比ｘ」について、「０．５８以上」と限定し、
　「ｐ型コンタクト層」について、「前記放射ＵＶが一度通過する際の前記放射ＵＶに対する透過率が９５％以上」と限定し、
　「ｐ型コンタクト層」と「挿入金属層」との配置関係について、「パターン化されたｐ型ＧａＮ層」及び「前記パターン化された前記ｐ型ＧａＮ層の少なくとも一部が、多層構造の前記ｐ型コンタクト層とパターン化された前記挿入金属層との双方に直に接して挟まれている」との限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下に検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。
（２）引用文献の記載事項
　ア　引用文献１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった「前田哲利, 平山秀樹，透明p型AlGaNを用いた高効率深紫外LEDの実現，信学技報，日本，一般社団法人　電子情報通信学会，２０１３年１１月２１日，vol. 113，no. 331，pp. 87-90」（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある（下線は当審が付した。以下同じ。）。
　ａ　「２．高Ａｌ組成ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層の開発
　図１に（ａ）
高Ａｌ組成（６３％）ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層（組成波長２６５ｎｍ）を用いた２７７ｎｍ発光ＬＥＤ
　図１　（ａ）高Ａｌ組成（６３％）ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層（組成波長２６５ｎｍ）を用いた２７７ｎｍ発光ＬＥＤの構造図および（ｂ）組成波長２６５ｎｍおよび２７０ｎｍのｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層をもつ２７７ｎｍ発光ＬＥＤの電流−ＥＱＥ特性
　作成したＬＥＤサンプル構造は、
Ｃ面サファイア基板上に高品質ＡｌＮテンプレートバッファー層
ｎ−ＡｌＧａＮバッファ層
ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ　３層ＭＱＷ層
ｐ−ＡｌＧａＮ　ＭＱＢ電子ブロック層
ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層
　ｂ　「
ＬＥＥ改善効果を確かめるために、各ＬＥＤサンプルには、従来Ｎｉ／Ａｕ電極（反射率：約２０％）と高反射Ｎｉ／Ａｌ電極（反射率：約８０％）を施し、電極間によるＥＱＥ比較を行った。
Ｎｉ（１ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）
　ｃ「２６５−２７９ｎｍ発光の全６サンプルにおいて，Ｎｉ／Ａｌ電極によるＥＱＥは、Ｎｉ／Ａｕ電極のＥＱＥより高い値を示した。特に発光波長２７７と２７９ｎｍの２サンプルにつては、Ｎｉ／ＡｕからＮｉ／Ａｌ電極の樅き換えによって、ＥＱＥがおよそ１．７倍に増加を示した。この結果は、２７７ｎｍ以上の長波光に対してｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層には高い透明性があることを示す。おそらく、
ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層の透過率は９０％以上あるものと推定され
（イ）上記（ア）より、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　なお、参考までに、引用発明の認定に用いた引用文献１の記載等に係る段落番号等を括弧内に付してある。
＜引用発明＞
「高Ａｌ組成（６３％）ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層（組成波長２６５ｎｍ）を用いた２７７ｎｍ発光ＬＥＤであって、
　Ｃ面サファイア基板上に、
　高品質ＡｌＮテンプレートバッファー層と、
　ｎ−ＡｌＧａＮバッファ層と、
　ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ　３層ＭＱＷ層と、
　ｐ−ＡｌＧａＮ　ＭＱＢ電子ブロック層と、
　高Ａｌ組成（６３％）ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層と、（以上、上記ａ）
　高反射Ｎｉ（１ｎｍ）／Ａｌ（１５０ｎｍ）電極と、を備え、（上記ｂ）
　高Ａｌ組成（６３％）ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層の透過率は９０％以上であるものと推定される、（上記ｃ）
　２７７ｎｍ発光ＬＥＤ。（上記ａ）」
　イ　引用文献２
（ア）同じく原査定に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった「特表２０１２−５３３８７４号公報」（以下「引用文献２」という。）には、次の記載がある。
「【０００５】
　その結果、
従来技術のＵＶ−ＬＥＤは、紫外領域の抽出効率が低いという弱点がある。
「【０００６】
　本発明の目的は、従来技術の１以上の不都合を回避または克服することである。特に、本発明の目的は、光の非結合が高いＵＶ−ＬＥＤを提供することである。
【０００７】
　上記目的は、
紫外スペクトル領域用の発光ダイオードに使用するための構造化されたｐ型コンタクト
　（ａ）
ｐ型コンタクト層の第２の表面の５％〜９９．９９％に直接接し、２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長の紫外領域の光、
少なくとも６０％
の最大反射率を有する材料を含むまたは該材料で構成されたコーティング
　（ｂ）
ｐ型コンタクト層の第２の表面に直接設けられた複数のｐ型注入部
「【００１４】
　ｐ型注入部は、ｐ型コンタクト層と電流源または電圧源の極との
効率的なオーミック接続を可能にする少なくとも１つのｐ型注入金属層
特に、ｐ型注入部は、Ａｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｔｉ，Ｎｉ／Ａｕ，Ｐｄ／Ｔｉ／Ａｕ，Ｐｄ／Ｐｔ／ＡｕもしくはＰｔ／Ｔｉ／Ａｕを含みまたはＡｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｔｉ，Ｎｉ／Ａｕ，Ｐｄ／Ｔｉ／Ａｕ，Ｐｄ／Ｐｔ／ＡｕもしくはＰｔ／Ｔｉ／Ａｕで構成される、ｐ型注入金属層を有することが可能である。
「【００２５】
　図１は、本発明に係るｐ型ドープコンタクトの典型的な実施形態を示す図である。本発明に係るｐ型ドープコンタクト１は、ｐ型コンタクト層２および複数のｐ型注入部５を有する。ｐ型コンタクト層２は、ここでは、ＬＥＤ配置において好適な放射ゾーンに接し得るように設計された第１の表面Ａを有する。ｐ型コンタクト層２は第２の表面を有しており、コーティング８および複数のｐ型注入部５が、第１の表面Ａの逆を向く表面Ｂの側に設けられている。
ｐ型コンタクト層２は、ｐ型ＡｌＧａＮ層によって形成されており、したがって、特に紫外透明性である。
【００２６】
　複数のｐ型注入部５はｐ型コンタクト層２の表面Ｂに配置されており、ｐ型注入部５は表面Ｂに直接接続されている。ｐ型注入部５は、ｐ型注入部５とｐ型コンタクト層２とのオーミックコンタクトを達成するように、設計されており、これによって、ｐ型コンタクト層２を（少ない抵抗損失で）電流源または電圧源の極に導電的に接続することが可能になる。ｐ型注入部５は２つの層を有しており、具体的には、表面Ｂの逆を向く
ｐ型注入金属層６、たとえばＮｉ／Ａｕ金属層
ｐ型注入部５は、均等に離間して、ｐ型コンタクト層２の表面Ｂに固定されている。
【００２７】
　ｐ型注入部５によって占められていない表面Ｂの部分は、波長２７０ｎｍの光の少なくとも６０％、好ましくは少なくとも８０％を反射する材料のコーティング８を有している。図１の例においては、
コーティング８は、
アルミニウム層（Ａｌ）で構成されている。
「【００２９】
　図３は、図１に示す本発明に係るｐ型ドープコンタクトのｐ型コンタクト層の第２の表面Ｂの、コーティング８およびｐ型注入部５を含む構造を示す上面図である。ｐ型注入部５は、０．５μｍの最大幅の正方形状を有する。ｐ型注入部５は、ここでは、ｐ型コンタクト層２の表面Ｂに均一に分布し、各々が隣接するそれぞれのｐ型注入部５から均一な１μｍの距離だけ離間している。ｐ型注入部５によって占められていない表面Ｂの部分は、２７０ｎｍにて８８％の反射率を有するアルミニウムで構成されたコーティング８を有する。
コーティング８は、ｐ型コンタクト層２の表面Ｂの９０％程度を覆う。結果として、コーティング８およびｐ型注入部５を含む全表面Ｂは、約７９％の最大反射率を有する。この反射率は、従来の低抵抗ｐ型コンタクトが達成し得るいかなる反射率よりも高い。
「【００３６】
　図５は、本発明に係るｐ型コンタクトを含む本発明に係る発光ダイオードの典型的な実施形態の断面図である。
【００３７】
　本発明によれば、紫外発光ダイオードは、ｐ型注入部を含むｐ型コンタクトを包含し、ｐ型注入部は各々、ｐ型注入金属層６およびｐ型（Ｉｎ）ＧａＮ注入層７で構成される。示した例では、ｐ型（Ｉｎ)ＧａＮ注入層７は、各々、マグネシウム（Ｍｇ）ドープ濃度［Ｍｇ］＝１Ｅ２０ｃｍ−３の、１０ｎｍ寸法のｐ型（Ｉｎ）ＧａＮを有する。Ｐ型（Ｉｎ）ＧａＮ注入層７は、ｐ型ドープＡｌＧａＮで構成されたｐ型コンタクト層２に直接接している。示した例では、
ｐ型コンタクト層は、ｐ型Ａｌ０．４５Ｇａ０．５５Ｎおよびｐ型Ａｌ０．５５Ｇａ０．４５Ｎの組成の２つのｐ型ドープＡｌＧａＮ層の交互配列２ａで構成され
２０ｎｍ厚の終端層２ｂを有する。
「【００４１】
　図６は、非構造化Ｐｄコンタクトを有しかつＡｌコーティングを有しない参照ダイオードとの比較における、種々のナノピクセルＬＥＤについての測定した光出力−電流曲線を示す。最良の結果は、ＦＦ＝８９％でかつＴｉ接着層を有しないナノピクセルＬＥＤで達成された。５０ｍＡの順方向電流にて、このナノピクセルＬＥＤは、１．３６ｍＷの光出力を有し（ウェハ上で測定した）、これは、参照ダイオードの光量（５０ｍＡで０．４５ｍＷ）の３倍を超えている。」
「図３
」
「図５
」
（イ）上記（ア）の記載から、引用文献２には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
　ａ　【０００７】に記載のとおり、引用文献２には、「紫外スペクトル領域用の発光ダイオードに使用するための構造化されたｐ型コンタクト」、「ｐ型コンタクト層の第２の表面に直接設けられた複数のｐ型注入部」及び「ｐ型コンタクト層の第２の表面の５％〜９９．９９％に直接接し、２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長の紫外領域の光、少なくとも６０％の最大反射率を有する材料を含むまたは該材料で構成されたコーティング」が記載されており、【０００７】の「……構造化されたｐ型コンタクトであって、……を有するｐ型コンタクト層を含み」との記載を踏まえると、当該「構造化されたｐ型コンタクト」は、「ｐ型コンタクト層」を含むものと理解できる。
　また、【００２５】には、「ｐ型コンタクトは、紫外透明性である」と記載されている。
　そうすると、引用文献２に記載された「構造化されたｐ型コンタクト」は、「紫外透明性であるｐ型コンタクト層」、「ｐ型コンタクト層の第２の表面に直接設けられた複数のｐ型注入部」及び「ｐ型コンタクト層の第２の表面の５％〜９９．９９％に直接接し、２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長の紫外領域の光に対して、少なくとも６０％の最大反射率を有する材料を含むまたは該材料で構成されたコーティング」を含むものと理解できる。
　ｂ　ｐ型コンタクト層について、【００２５】より、ｐ型コンタクト層２は、紫外透明性であるｐ型ＡｌＧａＮ層によって形成されている。
　ｃ　ｐ型注入部について、【００２６】より、ｐ型注入部５は、均等に離間して、ｐ型コンタクト層２の表面Ｂに固定されている。
　ｄ　コーティングについて、【００２７】より、コーティング８は、アルミニウム層（Ａｌ）で構成されている。
　ｅ　図３より、ｐ型コンタクト層の表面（第２の表面Ｂ）に、均等に離間して配置されたｐ型注入部５、がみてとれる。
　ｆ　図５より、ｐ型コンタクト層２の表面に均等に離間して配置されたｐ型（Ｉｎ）ＧａＮ注入層７、当該注入層７上に形成されたｐ型注入金属層６、ｐ型コンタクト層２の表面であって注入層７が配置されていない表面及び注入金属層６の表面に配置されたコーティング８が、みてとれる。
　また、技術常識を踏まえると、「（Ｉｎ）ＧａＮ」とは、ＧａＮであってＩｎを含んでもよいことを意味すると解することが自然といえる。
　ｇ　【００２６】及び【００３７】より、ｐ型注入金属層６は、たとえばＮｉ／Ａｕ金属層より構成されること、ｐ型コンタクト層２は、Ａｌ組成比が異なるｐ型ドープＡｌＧａＮ層の交互配列２ａ及び終端層２ｂより構成されることが、理解できる。
　また、【００１４】の記載「（前略）特に、ｐ型注入部は、（中略）Ａｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｔｉ，Ｎｉ／Ａｕ，Ｐｄ／Ｔｉ／Ａｕ，Ｐｄ／Ｐｔ／ＡｕもしくはＰｔ／Ｔｉ／Ａｕで構成される、ｐ型注入金属層を有することが可能である」を踏まえれば、ｐ型注入金属層６として、「Ｎｉ」も記載されているといえる。
　ｈ　上記ａ〜ｄを踏まえつつ、上記ｅ〜ｇより、引用文献２には、「従来技術のＵＶ−ＬＥＤは、紫外領域の抽出効率が低い」（【０００５】）という課題を解決するべく、電極構造を「ｐ型コンタクト層の表面に均等に離間して配置されたｐ型注入部（ｐ型ＧａＮ注入層及びＮｉより構成されるｐ型注入金属層）」及び「ｐ型コンタクト層の表面であってｐ型注入部が配置されていない表面及びｐ型注入金属層の表面に配置されアルミニウムより構成されたコーティング」とした上で、ｐ型コンタクト層を、「紫外透明性である、Ａｌ組成比が異なるｐ型ドープＡｌＧａＮ層の交互配列」とすること（以下、「引用文献２に記載された技術的事項」という。）が記載されていると認められる。
（３）引用発明との対比
　ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「Ｃ面サファイア基板」は、本件補正発明の「単結晶基板」に相当する。
（イ）引用発明の「２７７ｎｍ発光ＬＥＤ」は、「Ｃ面サファイア基板」上に形成された、「高品質ＡｌＮテンプレートバッファ層」、「ｎ−ＡｌＧａＮバッファ層」、「ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ　３層ＭＱＷ層」及び「ｐ−ＡｌＧａＮ　ＭＱＢ電子ブロック層」からなる、「積層構造」を備えている。
　ここで、当該「積層構造」は、「ＡｌＧａＮ」より形成され、「Ｃ面サファイア基板」上に形成され、「ｎ−ＡｌＧａＮバッファ層」を含んでおり、「ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ　３層ＭＱＷ層」は、「２７７ｎｍ」で「発光」するものである。
　してみると、引用発明は、本件補正発明の「ＡｌＮとＧａＮの成分をもつ結晶により作られ、該基板に接して配置され、ｎ型導電層を含んでおり、２２０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長を主要波長に持つ放射ＵＶを発する紫外発光層」を備えるといえる。
（ウ）引用発明の「ｎ−ＡｌＧａＮバッファ層」、「ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ３層ＭＱＷ層」及び「ｐ−ＡｌＧａＮ　ＭＱＢ電子ブロック層」は、本件補正発明の「ｎ型導電層」、「再結合層」及び「ｐ型導電層」に相当し、「該ｎ型導電層上の再結合層」及び「該再結合層上のｐ型導電層」との構成を備えるといえる。
（エ）引用発明の「高Ａｌ組成（６３％）ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層」は、「ｐ−ＡｌＧａＮ　ＭＱＢ電子ブロック層」上に形成されているから、「高Ａｌ組成（６３％）ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層」と「ｐ−ＡｌＧａＮ　ＭＱＢ電子ブロック層」とは、電気的に接続されているといえる。
　また、当該「ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層」は、ＡｌＧａＮより形成されているのであるから、「ＡｌＮとＧａＮの混晶」といえる。
　したがって、引用発明の「高Ａｌ組成（６３％）ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層」は、本件補正発明の「ｐ型コンタクト層」に相当し、「該ｐ型導電層に電気的に接続しているＡｌＮとＧａＮの混晶」との構成を満たしているといえる。
（オ）引用発明の「高反射Ｎｉ／Ａｌ電極」は、ＤＵＶ光に対して高反射率、かつ、ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層とオーミックコンタクトが得られる電極であるところ、技術常識を踏まえると、「Ｎｉ」が「オーミックコンタクト」に、「Ａｌ」が「ＤＵＶ光に対する反射」に寄与していると理解できる。また、当該「Ａｌ」は「Ｎｉ」を介して、「ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層」と電気的に接続している。
　したがって、引用発明の「高反射Ｎｉ／Ａｌ電極」における「Ａｌ」は、本件補正発明の「反射電極」に相当するといえ、「前記紫外発光層から発せられる前記放射ＵＶを反射し、該ｐ型コンタクト層に電気的に接続している金属膜である」といえる。
（カ）上記（オ）のとおり、引用発明の「高反射Ｎｉ／Ａｌ電極」における「Ｎｉ」は、「ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層」と「オーミックコンタクト」するものであり、「ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層」と「Ａｌ」との間に配置されていることから、本件補正発明の「挿入金属層」に相当し、「前記ｐ型コンタクト層と前記金属膜とによって挟むように設けられているオーミックコンタクトを実現するための挿入金属層であ」るといえる。
（キ）本件補正発明では、「ｐ型コンタクト層」の「ＡｌＮ混晶組成比」について、
　「前記ｐ型コンタクト層の組成ＡｌｘＧａ１−ｘＮにおけるＡｌＮ混晶組成比ｘが、前記放射ＵＶの主要波長の値をＷ（単位：ｎｍ）として、
　ｘｍｉｎ＝−０．００６Ｗ＋２．２６
により求まる下限値ｘｍｉｎ以上の値にされかつ０．５８以上であって」と特定している。
　ここで、上記式より、発光波長が「２７７ｎｍ」のときの「ＡｌＮ混晶組成比ｘ」を計算すると、ｘｍｉｎ（２７７ｎｍ）は、「０．５９８」と算出される。
　しかるに、引用発明は、「２７７ｎｍ」で発光するＬＥＤであるところ、引用発明の「ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層」のＡｌＮ混晶組成比は、「０．６３」であるから、当該「ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層」は、「０．５９８」及び「０．５８」より大きなＡｌＮ混晶組成比で形成されているといえる。
　したがって、引用発明は、本件補正発明の「前記ｐ型コンタクト層の組成ＡｌｘＧａ１−ｘＮにおけるＡｌＮ混晶組成比ｘが、前記放射ＵＶの主要波長の値をＷ（単位：ｎｍ）として、
　ｘｍｉｎ＝−０．００６Ｗ＋２．２６
により求まる下限値ｘｍｉｎ以上の値にされかつ０．５８以上であって」との特定を満たしているといえる。
（ク）引用発明の「２７７ｎｍ発光ＬＥＤ」は、発光波長が「２７７ｎｍ」であるから、本件補正発明の「紫外発光ダイオード」に相当するといえる。
　イ　以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「単結晶基板と、
　ＡｌＮとＧａＮの成分をもつ結晶により作られ、該基板に接して配置され、ｎ型導電層を含んでおり、２２０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長を主要波長に持つ放射ＵＶを発する紫外発光層と、
　該ｎ型導電層上の再結合層と、
　該再結合層上のｐ型導電層と、
　該ｐ型導電層に電気的に接続しているＡｌＮとＧａＮの混晶のｐ型コンタクト層と、
　前記紫外発光層から発せられる前記放射ＵＶを反射し、該ｐ型コンタクト層に電気的に接続している金属膜である反射電極と、
　前記ｐ型コンタクト層と前記金属膜とによって挟むように設けられているオーミックコンタクトを実現するための挿入金属層と、
　を備えており、
　前記ｐ型コンタクト層の組成ＡｌｘＧａ１−ｘＮにおけるＡｌＮ混晶組成比ｘが、前記放射ＵＶの主要波長の値をＷ（単位：ｎｍ）として、
　ｘｍｉｎ＝−０．００６Ｗ＋２．２６
により求まる下限値ｘｍｉｎ以上の値にされかつ０．５８以上である、紫外発光ダイオード。」
＜相違点＞
・相違点１
　「ｐ型コンタクト層」上に形成された、光反射及びオーミックコンタクトの構成について、
　本件補正発明は、「前記挿入金属層は、前記ｐ型コンタクト層上に、その一部のみを覆うようにパターン化されて配置されている厚み約１ｎｍのＮｉ膜を含み、パターン化された前記挿入金属層が存在しない位置においては前記ｐ型コンタクト層および前記反射電極が接した積層構造をなし、パターン化された前記挿入金属層が存在する位置においては、前記ｐ型コンタクト層、前記挿入金属層、および前記反射電極をこの順に含む積層構造をなすようになっている挿入金属層と、
　パターン化されたｐ型ＧａＮ層とを備えており、
　前記反射電極が、前記挿入金属層が存在しない位置においては前記ｐ型コンタクト層に直に接し、前記挿入金属層が存在する位置においては、前記挿入金属層を挟んで前記ｐ型コンタクト層上に配置されているものであり、
　前記パターン化された前記ｐ型ＧａＮ層の少なくとも一部が、多層構造の前記ｐ型コンタクト層とパターン化された前記挿入金属層との双方に直に接して挟まれているものである」のに対して、引用発明は、「反射電極」及び「挿入金属層」は備えるものの、そのような構成ではない点。
・相違点２
　「ｐ型コンタクト層」の「透過率」について、
　本件補正発明は、「前記放射ＵＶが一度通過する際の前記放射ＵＶに対する透過率が９５％以上」であるのに対して、引用発明は、「２７７ｎｍ」の光に対して、その透過率は、「９０％以上であるものと推定される」ものの「９５％以上」であるかは、不明である点。
（４）判断
　以下、相違点１及び２について検討する。
　ア　相違点１について
（ア）引用発明に引用文献２に記載された技術的事項を適用することについて
　上記（２）イ（イ）ｈのとおり、引用文献２に記載された技術的事項は、「紫外領域の抽出効率が低い」という課題を解決するものであるから、種々の紫外発光ダイオードに適用し得るものということができる。
　ここで、上記２（２）ア（ア）ｂ及びｃの記載より、引用文献１には、高反射電極を用いることによりＬＥＥを改善することができるとの知見が開示されていると理解できるので、引用発明に接した当業者には、光を反射する電極構造を採用する動機があるということができる。
　そして、引用文献２の【００２９】に記載のとおり、引用文献２に記載された電極構造は、従来の電極構造に対して優位なものである。
　したがって、引用発明に引用文献２に記載された技術的事項を適用することは、当業者が容易に想到し得たことであり、適用にあたって、「高Ａｌ組成（６３％）ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層」を「紫外透明性である、Ａｌ組成比が異なるｐ型ドープＡｌＧａＮ層の交互配列」とすること、及び「Ｎｉより構成されるｐ型注入金属層」の厚みを１ｎｍとすることは、当業者が適宜なし得る設計上の事項に過ぎないといえ、結果として、相違点１に係る構成は、満たされることとなる。
（イ）相違点１についての結論
　そうすると、引用発明において、引用文献２に記載された技術的事項を適用することにより、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　イ　相違点２について
　引用発明の「ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層」は、引用文献２に記載された技術的事項を適用することにより、「Ａｌ組成比が異なるｐ型ドープＡｌＧａＮ層の交互配列からなる」ものに置換されることとなる。
　ここで、上記２（２）イ（イ）ｂのとおり、引用文献２に記載された「ｐ型コンタクト層」は、「紫外透明性」であり、引用発明の「ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層」が、２７７ｎｍの光に対して、９０％以上の透過率であるものと推定されていることを踏まえれば、引用発明に引用文献２に記載された技術的事項を適用するに際して、Ａｌ組成比が異なるｐ型ドープＡｌＧａＮ層の交互配列からなるｐ型コンタクト層の２７７ｎｍの光に対する透過率は、９０％以上に設計されることが自然といえる。
　そして、引用発明の「ｐ−ＡｌＧａＮコンタクト層」及び引用文献２に記載された「ｐ型コンタクト層」は、共に発光光（紫外光）を吸収しないように構成されるものであるから、発光光（紫外光）に対する透過率を高めることは、当業者であれば容易に想起し得る事項といえる。
　したがって、引用発明に引用文献２に記載された技術的事項を適用するに際して、「Ａｌ組成比が異なるｐ型ドープＡｌＧａＮ層の交互配列からなるｐ型コンタクト層」の２７７ｎｍの光に対する透過率を「９５％以上」として構成することは、当業者が容易になし得たことである。
　ウ　小括
　上記ア及びイのとおりであるから、本件補正発明は、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易になし得たものである。
　エ　本件補正発明の効果について
　そして、上記相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
　オ　審判請求人の主張について
　審判請求人は、審判請求書にて、以下のことを主張している。
（ア）引用文献２は、引用し得ない文献であること。（審判請求書第６頁第１９行〜第８頁第３９行）
　ａ　図６で示されている実験データは、３８０ｎｍの波長の光であり、ｐ型コンタクト層は、「２００ｎｍ厚のＭｇドープＧａＮ」であるから、引用文献２は、紫外域でのｐ−ＡｌＧａＮと反射電極の現実の技術的効果をなんら開示も示唆もしていない。よって、引用文献２の開示は、本願のような２２０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下という紫外域の波長でのｐ−ＡｌＧａＮと反射電極の効果を示唆しているとはいえないこと。
　ｂ　引用文献２には、【０００４】にて、ｐ型ＧａＮが２００〜４００ｎｍの波長範囲で「顕著な吸収」をもつと指摘しているにも関わらず、発明の開示において「２００ｎｍ厚のＭｇドープＧａＮ」を採用している。（【００３９】）
　このように、ＭｇドープＧａＮが顕著な吸収を示す３８０ｎｍで図６の対照実験を示している引用文献２は、技術的に矛盾した内容を記載しており、技術的意義の不確かで不可解な開示がなされいる文献であるから、引用し得ない文献であること。
（イ）引用文献２を考慮しても本願に係る発明を容易想到とするための論理付けができないこと。（審判請求書第８頁第４１行〜第９頁第２５行）
　ａ　引用文献２は、ｐ−ＡｌＧａＮをｐ型コンタクト層２に採用することで紫外域での高い出力が得られることを何ら示唆していないこと。
　ｂ　引用文献２は、挿入金属層が「パターン化されて配置されている」、「厚み約１ｎｍのＮｉ膜」を含む点について開示も示唆もしていないこと。
（ウ）進歩性の判断に参酌すべき有利な効果。（審判請求書第８頁第２７行〜第４０行）
　ａ　Ｎｉ膜が厚み約１ｎｍであるので、パターン化された挿入金属層が存在する位置であってもＮｉ膜による反射率低下は少ないこと。
　ｂ　パターン化されたｐ型ＧａＮ層がｐ型コンタクト層とパターン化された挿入金属層との双方に直に接して挟まれているので、反射電極の挿入金属層のＮｉ膜と相まって、良好なオーミックコンタクトも実現すること。
　しかしながら、下記のとおりであるから、審判請求人の主張は、上記判断を左右するものではない。
　上記（ア）ａ及びｂに対して、引用文献１の図６に記載されたＬＥＤが、３８０ｎｍで発光し、ｐ型ＧａＮコンタクト層を備えることは事実であるとしても、【００３８】において、「例４：本発明に係るＵＶ−ＬＥＤと従来技術との比較」と記載のとおり、図６で示される事項は、「非構造化Ｐｄコンタクトを有しかつＡｌコーティングを有しない参照ダイオードとの比較」（【００４１】）であるから、当該ＬＥＤは、比較のために作成されたＬＥＤであると解することが自然といえる。
　そうすると、「非構造化コンタクト（従来）」と「構造化されたｐ型コンタクト」との比較において、発光波長及びｐ型コンタクト層の材料は、同じであればよいものと理解できるから、その波長及び材料が「３８０ｎｍ」及び「ｐ型ＧａＮコンタクト層」であることは、比較実験において本質的な問題ではないものと理解できる。
　よって、当該ＬＥＤの発光波長及びｐ型コンタクト層の材料は、比較実験の結果を明らかとするために採択されたにすぎないものと解される。
　また、引用文献２の【００３５】〜【００３７】には、紫外発光ダイオードの典型的な実施形態として、各層のＡｌ組成比も明記された実施形態が記載されており、量子井戸層（Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ｎ）のＡｌ組成比からみれば、紫外光を発光するＬＥＤであることは明らかといえるから、引用文献２には、紫外ＬＥＤの実施例は記載されているものと解される。
　よって、図６の記載をもって、発光波長が「２２０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下」のＬＥＤは引用文献２には記載されてはいない、とまではいえないものであると共に、上記比較実験より、その技術的効果も示されているものといえる。
　また、上記のとおり、図６に記載されたＬＥＤは、比較のために作成されたＬＥＤであり、その技術的意義は明らかといえる。
　上記（イ）ａに対して、上記（２）イ（イ）ｂのとおり、「ｐ型コンタクト層２は、紫外透明性であるｐ型ＡｌＧａＮ層によって形成されて」おり、紫外光（発光光）はｐ型コンタクトで吸収されないのであるから、引用文献２には、紫外域での高い出力が得られることを示しているといえる。
　上記（イ）ｂに対して、上記（２）イ（イ）ｈのとおり、引用文献２の「ｐ型注入電極層」は、均等に離間して配置されており、上記アのとおり、「ｐ型注入金属層」の厚みを１ｎｍとすることは、当業者が適宜なし得る設計上の事項である。
　上記（ウ）ａに対して、引用文献１の記載（上記（２）ア（ア）ｂ）や技術常識に照らして、当業者には自明な効果といえる。
　上記（ウ）ｂに対して、引用文献２の「特に、ｐ型注入部は、たとえばｐ型ＧａＮもしくはｐ型ＩｎＧａＮの、ｐ型ドープ半導体を含みまたはｐ型ドープ半導体で構成されるｐ型注入層をも、有することができる。これは、特に、ｐ型コンタクト層（２）の第２の表面（Ｂ）を形成し、ｐ型注入部が直接設けられる半導体層が、ｐ型ドープＡｌＧａＮを有しまたはｐ型ドープＡｌＧａＮで構成されるときに、好ましい。」（【００１４】）との記載を、技術常識に照らしてみれば、当該「ｐ型ＧａＮ」が、電極の接触抵抗の低減（良好なオーミックコンタクト）に寄与していることは明らかといえる。
　カ　結論
　したがって、本件補正発明は、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　３　本件補正についてのむすび
　よって、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
　１　本願発明
　令和２年１月８日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成３１年７月１６日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
　２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１に係る発明は、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものを含むものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　引用文献１：前田哲利, 平山秀樹，透明p型AlGaNを用いた高効率深紫外LEDの実現，信学技報，日本，一般社団法人　電子情報通信学会，２０１３年１１月２１日，vol. 113，no. 331，pp. 87-90
　引用文献２：特表２０１２−５３３８７４号公報
　３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１〜２及びその記載事項は、前記第２［理由］２（２）に記載したとおりである。
　４　対比・判断
　本願発明は、前記第２［理由］２で検討した本件補正発明から、
　「紫外発光層」の「主要波長」について、「２８０ｎｍ以下」との限定事項を「３５０ｎｍ以下」と、その数値範囲を広げ、
　「挿入金属層」について、「その一部のみを覆うようにパターン化されて配置されている厚み約１ｎｍのＮｉ膜を含み、パターン化された前記挿入金属層が存在しない位置においては前記ｐ型コンタクト層および前記反射電極が接した積層構造をなし、パターン化された前記挿入金属層が存在する位置においては、前記ｐ型コンタクト層、前記挿入金属層、および前記反射電極をこの順に含む積層構造をなすようになっている」との限定事項を削除し、
　「ｐ型コンタクト層の組成ＡｌｘＧａ１−ｘＮにおけるＡｌＮ混晶組成比ｘ」について、「０．５８以上」との限定事項を削除し、
　「ｐ型コンタクト層」について、「前記放射ＵＶが一度通過する際の前記放射ＵＶに対する透過率が９５％以上」との限定事項を削除し、
　「ｐ型コンタクト層」と「挿入金属層」との配置関係について、「パターン化されたｐ型ＧａＮ層」及び「前記パターン化された前記ｐ型ＧａＮ層の少なくとも一部が、多層構造の前記ｐ型コンタクト層とパターン化された前記挿入金属層との双方に直に接して挟まれている」との限定事項を削除するものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（３）及び（４）に記載したとおり、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。