【手続補正書】
【提出日】令和1年7月22日(2019.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造途中の半導体デバイス上に二重バリア層を蒸着させる方法であって、
（ａ）第１のハロゲン化物感受性材料層を含む基板を準備する工程であって、前記第１のハロゲン化物感受性材料層は、工程（ａ）で準備される時に少なくとも部分的に露出される、準備工程と、
（ｂ）前記二重バリア層を蒸着させる蒸着工程であって、
（ｉ）前記二重バリア層の第１のサブ層を前記基板上に蒸着させる工程であって、前記第１のサブ層は、少なくとも約４０重量％の炭素を含み、前記第１のハロゲン化物感受性材料層の露出部分上に蒸着される、工程と、
（ｉｉ）前記二重バリア層の第２のサブ層を前記二重バリア層の前記第１のサブ層上に蒸着させる工程であって、前記二重バリア層の前記第２のサブ層は、窒化シリコンを含み、ハロゲン化物含有化学物質を用いて蒸着され、前記二重バリア層の前記第２のサブ層の蒸着中に、前記二重バリア層の前記第１のサブ層が、前記第１のハロゲン化物感受性材料層を前記ハロゲン化物含有化学物質から保護する、工程と、
によって実行される蒸着工程と、
を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記第１のハロゲン化物感受性材料層は、カルコゲニド材料を含む、方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法であって、前記二重バリア層の前記第１のサブ層は、化学蒸着処理で蒸着された非晶質炭素を含む、方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の方法であって、前記二重バリア層の前記第１のサブ層は、熱分解および重合を含む処理で蒸着されたパリレン材料を含む、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、前記パリレン材料は、パリレンＡＦ−４を含む、方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の方法であって、工程（ｂ）（ｉｉ）は、原子層蒸着処理で前記二重バリア層の前記第２のサブ層を蒸着させる工程を含む、方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載の方法であって、工程（ｂ）（ｉｉ）は、化学蒸着処理で前記二重バリア層の前記第２のサブ層を蒸着させる工程を含む、方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の方法であって、前記基板は、前記第１のハロゲン化物感受性材料層の下方に配置された第２のハロゲン化物感受性材料層を含み、前記方法は、さらに、
（ｃ）工程（ｂ）（ｉｉ）の後に、前記第２のハロゲン化物感受性材料層の一部を露出させるが前記第１のハロゲン化物感受性材料層を露出させずに、前記第１のハロゲン化物感受性材料層が前記二重バリア層によって少なくとも部分的に被覆されたままになるように、前記基板をエッチングする工程と、
（ｄ）第２の二重バリア層を前記基板上に蒸着させる蒸着工程であって、
（ｉ）前記第２の二重バリア層の第１のサブ層を前記基板上に蒸着させる工程であって、前記第２の二重バリア層の前記第１のサブ層は、少なくとも約４０重量％の炭素を含み、前記第２のハロゲン化物感受性材料層の露出部分上に蒸着される、工程と、
（ｉｉ）前記第２の二重バリア層の第２のサブ層を前記第２の二重バリア層の前記第１のサブ層上に蒸着させる工程であって、前記第２の二重バリア層の前記第２のサブ層は、窒化シリコンを含み、原子層蒸着処理でハロゲン化物含有化学物質を用いて蒸着され、前記第２の二重バリア層の前記第２のサブ層の蒸着中に、前記第２の二重バリア層の前記第１のサブ層が、前記第２のハロゲン化物感受性材料層を前記ハロゲン化物含有化学物質から保護する、工程と、
によって実行される蒸着工程と、
を備える、方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の方法であって、前記二重バリア層の前記第１のサブ層は、約１５〜１００Åの厚さまで蒸着され、前記二重バリア層の前記第２のサブ層は、少なくとも約２０Åの厚さまで蒸着される、方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の方法であって、前記ハロゲン化物含有化学物質は、クロロシランを含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０の方法であって、前記クロロシランは、ジクロロシランである、方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の方法であって、前記方法は、相変化メモリデバイスを形成する際に実行される、方法。
【請求項１３】
請求項１〜３または６〜１２のいずれかに記載の方法であって、前記二重バリア層の前記第１のサブ層は、単一のＲＦ周波数を用いて生成されたプラズマに前記基板を暴露させる工程を含むプラズマ化学蒸着処理で形成される、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、前記プラズマを生成するために用いられる前記ＲＦ周波数は、高周波（ＨＦ）ＲＦ周波数である、方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の方法であって、前記二重バリア層の前記第１のサブ層は、反応チャンバ内で蒸着され、前記二重バリア層の前記第２のサブ層は、前記同じ反応チャンバ内で蒸着される、方法。
【請求項１６】
請求項１〜１４のいずれかに記載の方法であって、前記二重バリア層の前記第１のサブ層は、第１の反応チャンバ内で蒸着され、前記二重バリア層の前記第２のサブ層は、第２の反応チャンバ内で蒸着され、前記第１および第２の反応チャンバは共に、マルチチャンバツール上に設けられている、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、さらに、前記基板を前記第１の反応チャンバから前記第２の反応チャンバまで真空条件下で移動させる工程を備える、方法。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれかに記載の方法であって、前記二重バリア層の前記第１および第２のサブ層は、前記第１および第２のサブ層の各々について、前記サブ層の最も薄い部分が前記サブ層の最も厚い部分の少なくとも約６０％になるように、共形蒸着される、方法。
【請求項１９】
請求項２に記載の方法であって、前記カルコゲニド材料は、炭素層の間に挟まれている、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
様々な技術が、二重バリア層の第２のサブ層を蒸着させるために用いられてよい。一例において、工程（ｂ）（ｉｉ）は、原子層蒸着処理で二重バリア層の第２のサブ層を蒸着させる工程を含む。別の例において、工程（ｂ）（ｉｉ）は、化学蒸着処理で二重バリア層の第２のサブ層を蒸着させる工程を含む。特定の例において、基板は、第１のハロゲン化物感受性材料層の下方に配置された第２のハロゲン化物感受性材料層を含み、方法は、さらに：
（ｃ）工程（ｂ）（ｉｉ）の後に、第２のハロゲン化物感受性材料層の一部を露出させるが第１のハロゲン化物感受性材料層を露出させずに、第１のハロゲン化物感受性材料層が二重バリア層によって少なくとも部分的に被覆されたままになるように、基板をエッチングする工程と；
（ｄ）第２の二重バリア層を基板上に蒸着させる工程であって、
（ｉ）二重バリア層の第２のサブ層を基板上に蒸着させる工程であって、第２の二重バリア層の第１のサブ層は、少なくとも約４０重量％の炭素を含み、第２のハロゲン化物感受性材料層の露出部分上に蒸着される工程と、
（ｉｉ）第２の二重バリア層の第２のサブ層を第２の二重バリア層の第１のサブ層上に蒸着させる工程であって、第２の二重バリア層の第２のサブ層は、窒化シリコンを含み、原子層蒸着処理でハロゲン化物含有化学物質を用いて蒸着され、第２の二重バリア層の第２のサブ層の蒸着中に、第２の二重バリア層の第１のサブ層が、第２のハロゲン化物感受性材料層をハロゲン化物含有化学物質から保護する工程と、
によって実行される工程と、を備える。