【手続補正書】
【提出日】平成31年1月24日(2019.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ドープ非晶質炭素ハードマスク膜を堆積させるための方法であって、
基板を処理チャンバ内の台座上に配置することと、
キャリアガスを前記処理チャンバに供給することと、
炭化水素前駆体ガスを前記処理チャンバに供給することと、
金属系前駆体ガスを前記処理チャンバに供給することと、
前記台座に第１の周波数で第１の電力を供給することと、
前記台座に前記第１の周波数より小さい第２の周波数で第２の電力を供給することと、
前記処理チャンバにおけるプラズマの発生または前記処理チャンバへのプラズマの供給の一方を行うことと、
金属ドープ非晶質炭素ハードマスク膜を前記基板上に堆積させることであって、前記金属ドープ非晶質炭素ハードマスク膜は、金属炭化物を含む、
と、を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記処理チャンバがプラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバを含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記金属系前駆体ガスが金属ハロゲン化物前駆体ガスを含む、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
前記金属ハロゲン化物前駆体ガスが、ＷＦa、ＴｉＣｌb、ＷＣｌc、ＨｆＣｌdおよびＴａＣｌeからなる群から選択され、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅが１以上の整数である、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記金属系前駆体ガスが、テトラキス（ジメチルアミノ）チタン（ＴＤＭＡＴ）前駆体ガスを含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記金属系前駆体ガスが、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）−ビス−（ジメチルアミド）タングステン（ＢＴＢＭＷ）前駆体ガスを含む、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記キャリアガスが、分子状水素（Ｈ2）、アルゴン（Ａｒ）、分子状窒素（Ｎ2）、ヘリウム（Ｈｅ）および／またはこれらの組み合わせからなる群から選択される、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記炭化水素前駆体ガスがＣxＨyを含み、ｘが２〜１０の整数であり、ｙが２〜２４の整数である、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記炭化水素前駆体ガスが、メタン、アセチレン、エチレン、プロピレン、ブタン、シクロヘキサン、ベンゼンおよびトルエンからなる群から選択される、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記金属系前駆体ガスが六フッ化タングステンを含み、前記炭化水素前駆体ガスがメタンを含み、前記キャリアガスが分子状水素を含む、方法。
【請求項１１】
金属ドープ非晶質シリコンハードマスク膜を堆積させるための方法であって、
基板を処理チャンバ内に配置することと、
キャリアガスを前記処理チャンバに供給することと、
シリコン前駆体ガスを前記処理チャンバに供給することと、
金属系前駆体ガスを前記処理チャンバに供給することと、
前記処理チャンバにおけるプラズマの発生または前記処理チャンバへのプラズマの供給の一方を行うことと、
金属ドープ非晶質シリコンハードマスク膜を前記基板上に堆積させることと、を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記処理チャンバがプラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバを含む、方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法であって、
前記金属系前駆体ガスが金属ハロゲン化物前駆体ガスを含む、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記金属ハロゲン化物前駆体ガスが、ＷＦa、ＴｉＣｌb、ＷＣｌc、ＨｆＣｌdおよびＴａＣｌeからなる群から選択され、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅが１以上の整数である、方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の方法であって、
前記金属系前駆体ガスが、テトラキス（ジメチルアミノ）チタン（ＴＤＭＡＴ）前駆体ガスを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１１に記載の方法であって、
前記金属系前駆体ガスが、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）−ビス−（ジメチルアミド）タングステン（ＢＴＢＭＷ）前駆体ガスを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１１に記載の方法であって、
前記キャリアガスが、分子状水素（Ｈ2）、アルゴン（Ａｒ）、分子状窒素（Ｎ2）、ヘリウム（Ｈｅ）および／またはこれらの組み合わせからなる群から選択される、方法。
【請求項１８】
請求項１１に記載の方法であって、
前記シリコン前駆体ガスが、シランおよびオルトケイ酸テトラエチルからなる群から選択される、方法。
【請求項１９】
金属ドープ非晶質炭素ハードマスク膜を堆積させるための基板処理システムであって、
基板を支持するように構成された基板支持体を含む処理チャンバと、
前記処理チャンバにプロセスガスを選択的に供給するように構成されたガス供給システムと、
選択的に、前記処理チャンバにプラズマを発生させる、または前記処理チャンバにプラズマを供給するように構成されたプラズマ発生器と、
前記ガス供給システムおよび前記プラズマ発生器を制御するように構成され、かつキャリアガスを前記処理チャンバに供給するコントローラであって、
炭化水素前駆体ガスを前記処理チャンバに供給し、
金属系前駆体ガスを前記処理チャンバに供給し、
前記基板支持体に第１の周波数で第１の電力を供給し、
前記基板支持体に前記第１の周波数より小さい第２の周波数で第２の電力を供給し、
前記プラズマ発生器を制御することで、前記処理チャンバにプラズマを発生させ、または前記処理チャンバにプラズマを供給し、および
金属ドープ非晶質炭素ハードマスク膜を前記基板上に堆積させるように構成されたコントローラであって、前記金属ドープ非晶質炭素ハードマスク膜は、金属炭化物を含む、コントローラと、を備える、基板処理システム。
【請求項２０】
請求項１９に記載の基板処理システムであって、
前記処理チャンバがプラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバを含む、基板処理システム。
【請求項２１】
請求項１９に記載の基板処理システムであって、
前記金属系前駆体ガスが金属ハロゲン化物前駆体ガスを含む、基板処理システム。
【請求項２２】
請求項２１に記載の基板処理システムであって、
前記金属ハロゲン化物前駆体ガスが、ＷＦa、ＴｉＣｌb、ＷＣｌc、ＨｆＣｌdおよびＴａＣｌeからなる群から選択され、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅが１以上の整数である、基板処理システム。
【請求項２３】
請求項１９に記載の基板処理システムであって、
前記金属系前駆体ガスが、テトラキス（ジメチルアミノ）チタン（ＴＤＭＡＴ）前駆体ガスを含む、基板処理システム。
【請求項２４】
請求項１９に記載の基板処理システムであって、
前記金属系前駆体ガスが、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）−ビス−（ジメチルアミド）タングステン（ＢＴＢＭＷ）前駆体ガスを含む、基板処理システム。
【請求項２５】
請求項１９に記載の基板処理システムであって、
前記キャリアガスが、分子状水素（Ｈ2）、アルゴン（Ａｒ）、分子状窒素（Ｎ2）、ヘリウム（Ｈｅ）および／またはこれらの組み合わせからなる群から選択される、基板処理システム。
【請求項２６】
請求項１９に記載の基板処理システムであって、
前記炭化水素前駆体ガスがＣxＨyを含み、ｘが２〜１０の整数であり、ｙが２〜２４の整数である、基板処理システム。
【請求項２７】
請求項１９に記載の基板処理システムであって、
前記炭化水素前駆体ガスが、メタン、アセチレン、エチレン、プロピレン、ブタン、シクロヘキサン、ベンゼンおよびトルエンからなる群から選択される、基板処理システム。
【請求項２８】
請求項１９に記載の基板処理システムであって、
前記金属系前駆体ガスが六フッ化タングステンを含み、前記炭化水素前駆体ガスがメタンを含み、前記キャリアガスが分子状水素を含む、基板処理システム。
【請求項２９】
金属ドープ非晶質シリコンハードマスク膜を堆積させるための基板処理システムであって、
基板を支持するように構成された基板支持体を含む処理チャンバと、
前記処理チャンバにプロセスガスを選択的に供給するように構成されたガス供給システムと、
選択的に、前記処理チャンバにプラズマを発生させる、または前記処理チャンバにプラズマを供給するように構成されたプラズマ発生器と、
前記ガス供給システムおよび前記プラズマ発生器を制御するように構成されるコントローラであって、
キャリアガスを前記処理チャンバに供給し、
シリコン前駆体ガスを前記処理チャンバに供給し、
金属系前駆体ガスを前記処理チャンバに供給し、
前記プラズマ発生器を制御することで、前記処理チャンバにプラズマを発生させ、または前記処理チャンバにプラズマを供給し、および
金属ドープ非晶質シリコンハードマスク膜を前記基板上に堆積させるように構成されたコントローラと、を備える、基板処理システム。
【請求項３０】
請求項２９に記載の基板処理システムであって、
前記処理チャンバがプラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理チャンバを含む、基板処理システム。
【請求項３１】
請求項２９に記載の基板処理システムであって、
前記金属系前駆体ガスが金属ハロゲン化物前駆体ガスを含む、基板処理システム。
【請求項３２】
請求項３１に記載の基板処理システムであって、
前記金属ハロゲン化物前駆体ガスが、ＷＦa、ＴｉＣｌb、ＷＣｌc、ＨｆＣｌdおよびＴａＣｌeからなる群から選択され、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅが１以上の整数である、基板処理システム。
【請求項３３】
請求項２９に記載の基板処理システムであって、
前記金属系前駆体ガスが、テトラキス（ジメチルアミノ）チタン（ＴＤＭＡＴ）前駆体ガスを含む、基板処理システム。
【請求項３４】
請求項２９に記載の基板処理システムであって、
前記金属系前駆体ガスが、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）−ビス−（ジメチルアミド）タングステン（ＢＴＢＭＷ）前駆体ガスを含む、基板処理システム。
【請求項３５】
請求項２９に記載の基板処理システムであって、
前記キャリアガスが、分子状水素（Ｈ2）、アルゴン（Ａｒ）、分子状窒素（Ｎ2）、ヘリウム（Ｈｅ）および／またはこれらの組み合わせからなる群から選択される、基板処理システム。
【請求項３６】
請求項２９に記載の基板処理システムであって、
前記シリコン前駆体ガスが、シランおよびオルトケイ酸テトラエチルからなる群から選択される、基板処理システム。