【事件の表示】
　特願２０１８−５４１４１９「受信機モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　８月１７日国際公開、ＷＯ２０１７／１３７１５１、平成３１年　４月　４日国内公表、特表２０１９−５０９６３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１７年（平成２９年）２月２日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０１６年２月９日、独国）を国際出願日とする出願であって、その後の手続の概要は、以下のとおりである。
　令和元年７月１１日付け：拒絶理由通知書
　令和元年１１月１１日  ：意見書、手続補正書の提出
　令和２年２月４日付け  ：拒絶査定
　令和２年６月５日      ：審判請求書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、令和元年１１月１１日に提出された手続補正書に記載された請求項１〜１８に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「受信機モジュール（ＥＭ）であって、
　相互に直列に接続された半導体ダイオードとして構成されたＮ個の部分電圧源を有し、それによって、Ｎ個の部分電圧源がソース電圧を生成し、
　前記部分電圧源の各々は、ｐ−ｎ接合部を有する半導体ダイオード（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５）を有し、
　前記半導体ダイオード（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５）は、ｐ型ドープされた吸収層を有し、前記ｐ型吸収層は、前記ｐ型吸収層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有するｐ型ドープされたパッシベーション層によって不動態化されており、
　前記半導体ダイオード（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５）は、ｎ型吸収層を有し、前記ｎ型吸収層は、前記ｎ型吸収層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有するｎ型ドープされたパッシベーション層によって不動態化されており、それぞれ順次連続する２つの前記部分電圧源の間に、トンネルダイオード（Ｔ１，Ｔ２；Ｔ３，Ｔ４）が形成されており、
　前記部分電圧源と前記トンネルダイオード（Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４）とが共にモノリシックに集積化され、上面と下面とを有する共通の第１のスタック（ＳＴ１）を形成しており、
　前記部分電圧源の数Ｎは、２以上であり、
　前記第１のスタック（ＳＴ１）における上面において、光（Ｌ）が、前記第１のスタック（ＳＴ１）の表面（ＯＢ）に入射し、前記第１のスタック（ＳＴ１）は、前記表面（ＯＢ）上に第１の電気的コンタクトを有し、さらに前記下面に第２の電気的コンタクトを有しており、
　前記第１のスタック（ＳＴ１）は、１２μｍ未満の総厚さを有し、
　前記第１のスタック（ＳＴ１）は、半導体基板上に配置され、前記半導体ダイオードの半導体材料は、ＩＩＩ−Ｖ族材料からなる、受信機モジュール（ＥＭ）において、
　前記受信機モジュール（ＥＭ）の基板は、ゲルマニウムまたはガリウムヒ素を含み、
　前記受信機モジュール（ＥＭ）の前記第１のスタック（ＳＴ１）の下面近傍において、囲繞する段状の縁部が形成されており、
　前記半導体ダイオード（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５）間の前記トンネルダイオード（Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４）は、前記半導体ダイオード（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５）のｐ型／ｎ型吸収層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する複数の半導体層を有し、
　個々の前記部分電圧源の部分ソース電圧は、相互に２０％未満の偏差を有し、
　前記半導体基板は、前記第１のスタック（ＳＴ１）とトランジスタとにモノリシックに接続され、前記トランジスタの制御入力側は、２つの電気的コンタクトのうちの１つに相互接続されており、
　前記受信機モジュール（ＥＭ）は、量子井戸構造を有さないことを特徴とする、受信機モジュール（ＥＭ）。」
第３　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献に記載された発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
記
＜引用文献＞
１．米国特許出願公開第２０１５／０１６２４７８号明細書（引用文献１）
５．特開昭６２−３６８５７号公報（引用文献５）
＜備考＞
　「あるいは、文献４又は５に記載された発明に、文献１に記載された発明を適用することで、請求項１に係る発明の構成とすることも、当業者が容易に想到しえたことである。」（令和元年７月１１日付け拒絶理由通知書）
第４　引用文献の記載及び引用発明
１　引用文献５
（１）引用文献５に記載された事項
　引用文献５には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
「本発明は
フォトダイオードと電界効果型トランジスタとをモノリシックに作製し
「第１図に本発明に光集積素子の断面図を示す。これによると、
フォトダイオード部はｎ側電極用のｎ
ＧａＡｓ層２とアンドープのＧａＡｓ層３との二層からな
「第１図
」
「〔発明の実施例〕
　以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
　まずｐｉｎフォトダイオードと電界効果型トランジスタとを結合した受信ＯＥＴＣ（Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）の作製について説明する。
　
受信ＯＥＴＣ（Ｏｐｔｏ−ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ＩＣ）はｐｉｎフォトダイオード部と電界効果型トランジスタ部（ＦＥＴ）とから構成され
「【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明による光集積素子の断面図である。第２図は実施例説明のための光集積素子のプロセスフローである。
１…半絶縁性ＧａＡｓ基板、２…ｎ＋ＧａＡｓ層、３…アンドープＧａＡｓ層（ｉ層）、４…ｐ＋イオン打ち込み層、５…ｎ側電極、６…ｐ側電極、７…配線メタル、８，９…ソースおよびドレイン電極、１０…ゲート電極、１１…ｎ打ち込み層、１２…ｎ＋打ち込み層」（第３頁左上欄第１６行〜右上欄第５行）
（２）引用文献５に記載された技術的な事項
ア　第１図より、ｐｉｎフォトダイオードが備える構成として、「ｎ＋ＧａＡｓ層２上に
ｎ側電極５
アンドープのＧａＡｓ層３にｐ
イオン打ち込み層４
ｐ
イオン打ち込み層上にｐ側電極６
イ　第１図より、「
ソースおよびドレイン電極８，９、ゲート電極１０、ｎ打ち込み層１１、ｎ＋打ち込み層１２」よりなる「電界効果型トランジスタ部
ウ　第１図より、
「ｐ側電極６」と「ゲート電極１０」とが「配線メタル７」で連結され
エ　第１図より、
半絶縁性ＧａＡｓ基板１に、フォトダイオードと電界効果型トランジスタとをモノリシックに作製し
オ　第１図より、
受信ＯＥＴＣのフォトダイオード部の下面近傍において、段状の縁部が形成され
（３）引用発明
　上記（１）〜（２）から、引用文献５には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ｐｉｎフォトダイオード部と電界効果型トランジスタ部（ＦＥＴ）とから構成されている、受信ＯＥＴＣ（Ｏｐｔｏ−ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ＩＣ）であって、
　半絶縁性ＧａＡｓ基板１に、フォトダイオードと電界効果型トランジスタとをモノリシックに作製し、
　ｐｉｎフォトダイオード部は、ｎ側電極用のｎ＋ＧａＡｓ層２とアンドープのＧａＡｓ層３、ｎ＋ＧａＡｓ層２上に
ｎ側電極５
　電界効果型トランジスタ部は、ソースおよびドレイン電極８，９、ゲート電極１０、ｎ打ち込み層１１、ｎ＋打ち込み層１２よりなり、
　受信ＯＥＴＣのフォトダイオード部の下面近傍において、段状の縁部が形成され、
　ｐ側電極６とゲート電極１０とが配線メタル７で連結される、受信ＯＥＴＣ。」
２　引用文献１
（１）引用文献１に記載された事項
　引用文献１には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
「[0040]  An embodiment a transducer of the present disclosure is shown in FIG. 2. Similarly to a state-of-the-art single junction PV device of the prior art shown in FIG. 1, the photo-transducer device of the present disclosure in FIG. 2 includes a base 18, and an emitter 16 made of semiconductors doped with dopants of opposite polarity (p or n). The base and the emitter form a p-n junction 104, and together have a thickness (t) 120 of semiconductor material absorbing the optical input signal 100 which is impinging the front surface 102 of the transducer. The present embodiment includes a passivating window 14, doped with the same doping type as the emitter and disposed between the front surface 102 and the emitter 16. A contact layer 12 and/or a metal layer 10 can be used to extract the current and voltage generated by the transducer device. The contact layer and/or the metal layers can be patterned using standard photolithography techniques or deposited such that only a fraction of the front surface 102 is covered in order to efficiently let the optical input reach the absorbing thickness 120 of the semiconductor emitter 16 and base 18. Optically transparent but electrically conducting layers can also be used in conjunction with or in substitution to the contact or metal layers 12, 10. The layers such as the base 18 and the emitter 16 are typically grown on a substrate 24 which serves as a mechanical support and which defines the lattice constant of the semiconductor crystal. A buffer layer 22 can be disposed between the substrate 24 and the base 18 to adjust the crystal quality and or for other fabrication, optical, electrical, or crystal growth purposes. For example the buffer 22 is preferably used to provide electrical conductivity (lateral sheet conductivity or vertical conductivity to extract the current) or to change the optical properties of the PV device. A back surface field (BSF) layer 20 is preferably used, doped with the same doping type as the base 18 and disposed between the substrate 24 and the base 18. The BSF and window layers are preferably used to reflect the minority carriers back toward the p/n junction. For example if the base is p-type, the minority carriers in the base are the photo-electrons, then the emitter would be n-type and the minority carriers in the emitter would be the photo-holes. In that case the window would preferably have a band discontinuity in the valence band to reflect the minority holes in the emitter back toward the p/n junction 104, and the BSF would preferably have a band discontinuity in the conduction band to reflect the minority electrons in the base back toward the p/n junction 104. The optical input 100 is absorbed within the thickness 120 of the emitter and base, and the minority photo-carriers in the base and in the emitter are swept across the p/n junction 104 developing a photo-current and photo-voltage across an external circuit which can be connected to the top metal 10 and the substrate 24.
（当審日本語仮訳：本開示の実施形態のトランスデューサは、図２に示されている。図１に示された先行技術の最先端の単接合ＰＶデバイスと同様に、図２の本開示の
光トランスデューサデバイスは、ベース１８と、反対極性（ｐまたはｎ）のドーパントがドープされた半導体からなるエミッタ１６とを含む
ベースとエミッタは、ｐ-ｎ接合１０４を形成し、一緒に、トランスデューサの前面１０２に衝突する光入力信号１００を吸収する半導体材料の厚さ（ｔ）１２０を有す
前面１０２とエミッタ１６との間に配置されたパッシベーション窓１４を含む
コンタクト層１２および／または金属層１０は、トランスデューサ装置によって生成された電流および電圧を取り出すために使用する
裏面電界（ＢＳＦ）層２０が使用され、ベース１８と同じドーピングタイプでドーピングされ、
ＢＳＦ層および窓層は、
少数キャリアをｐ／ｎ接合に向かって反射させるために使用され
トップメタル１０および基板２４に接続可能な外部回路を横切って光電流および光電圧を発生
「[0041]  Furthermore, the embodiment of the present disclosure incorporates connecting elements 106 (c1), 108 (c2), 110 (c3), and 112 (c4). The connecting elements are positioned at a specific distances away from the surface of the emitter 104 closest to the front surface 102. For example as illustrated in FIG. 2, connecting element c1 106 is positioned at a distance d1 from the emitter and window interface, similarly connecting element c2 108 is positioned at a distance d2 from the emitter and window interface, connecting element c3 110 is positioned at a distance d3 from the emitter and window interface, connecting element c4 112 is positioned at a distance d4 from the emitter and window interface. FIG. 2 exemplifies an embodiment with 4 connecting elements; other embodiments can include more than 4 connecting elements or less than 4 connecting elements without departing from the scope of the present disclosure.
（当審日本語仮訳：
さらに、
接続要素１０６（ｃ１）、１０８（ｃ２）、１１０（ｃ３）、および１１２（ｃ４）が組み込まれ
接続要素は、前面１０２に最も近いエミッタ１０４の表面から離れた特定の距離に配置され
「[0042]  FIGS. 3, 4, 5, and 6 make use of semiconductor band diagrams to illustrate how the electrical output voltage of the transducer can be made higher than the input light photo voltage (hν/e) by using connecting elements in accordance with the present disclosure.
（当審日本語仮訳：図３、図４、図５および図６は、本開示に従って接続要素を使用することにより、トランスデューサの電気出力電圧を入力光フォト電圧（ｈν／ｅ）よりも高くする方法を説明するために、半導体バンド図を使用している。）」
「[0046]  FIG. 5 shows the four segments 1012, 1014, 1016, and 1018 electrically connected to each other with connecting elements 1020, 1022, and 1024. Each connecting element adjoins (i.e., is in contact with) two of the four segments. Each connecting element is configured to introduce an electric potential between the segments to which each connecting element is connected (electrically connected). The successive built-in electric potentials Vbi, V′bi, V″bi, and V′″bi add up to introduce a total built-in electric potential equal to Vtotal=Vbi+V′bi+V″bi+V′″bi. When all the built-in electric potentials are equal to Vbi, Vtotal=4*Vbi.
（当審日本語仮訳：図５は、接続要素１０２０、１０２２、１０２４で互いに電気的に接続された４つのセグメント１０１２、１０１４、１０１６、１０１８を示している。各接続要素は、４つのセグメントのうちの２つに隣接している（すなわち、接触している）。各接続要素は、各接続要素が接続されている（電気的に接続されている）セグメント間に電位を導入するように構成されている。連続する内蔵電位Ｖｂｉ、Ｖ′ｂｉ、Ｖ″ｂｉ、およびＶ′″ｂｉは、Ｖｔｏｔａｔａｌ＝Ｖｂｉ＋Ｖ′ｂｉ＋Ｖ″ｂｉ＋Ｖ′″ｂｉに等しい総内蔵電位を導入するために加算される。すべての内蔵電位がVbiに等しいとき、Vtotal=4*Vbiとなります。）」
「[0050]  FIG. 7 shows an example of a connecting element 300 that can be used as the connecting element c1 106, c2 108, c3 110, and/or c4 112 shown in FIG. 2; the connecting element 300 of FIG. 7 can also be used as the connecting element 1020, 1022, and/or 1024 shown at FIG. 5. The following describes the connecting element 300 in relation to base segments 1014, 1016, and 1018 of FIG. 5. The connecting element 300 comprises a first layer 302 closest to the front surface of the photo-transducer (closest to the n-doped region 1001 shown at FIG. 3) and is p-doped, as are the base elements 1014, 1016, and 1018 of FIG. 4. The bandgap Eg1 of layer 302 is greater than the bandgap energy of the base elements 1014, 1016, and 1018, and, as such, the layer 302 is transparent to the optical input signal, which has a photon energy value close to that of the bandgap energy 1004 (see FIG. 3).
（当審日本語仮訳：図７は、図２の
接続要素ｃ１　００６、ｃ２　００８、ｃ３　１１０、および／またはｃ４　１１２として使用することができる接続要素３００
接続要素３００は、光トランスデューサの前面に最も近い
第１の層３０２からなり、
ベース要素
ｐ-ドープされ
層３０２のバンドギャップＥｇ１は、ベース要素１０１４、１０１６、１０１８のバンドギャップエネルギーよりも大きく、
光入力信号に対して透明である
「[0051]  The connecting element 300 further comprises a second layer 304 that is electrically connected to first layer 302. The second layer 304 is also p-doped; however, the concentration of dopants in the second layer 304 is higher than in the first layer 302. The bandgap Eg2 of second layer 304 is greater than the bandgap energy of the base elements 1014, 1016, and 1018 and, as such, the second layer 304 is transparent to the optical input signal.
（当審日本語仮訳：
接続要素３００はさらに、第１の層３０２に電気的に接続された第２の層３０４を構成する
第２の層３００４は
ｐドープされ
第２の層３００４におけるドーパントの濃度は、第１の層３００２におけるドーパントの濃度よりも高い
第２の層３００４のバンドギャップＥｇ２は、ベース要素１０１４、１０１６、１０１８のバンドギャップエネルギーよりも大き
光入力信号に対して透明である。
「[0052]  The connecting element 300 further comprises a third layer 306 that is electrically connected to the second layer 304. The third layer 306 is n-doped with a high concentration of dopants, the concentration of dopants in the third layer 306 is similar to that of the second layer 304. The bandgap Eg3 of layer 306 is greater than the bandgap energy of the base elements 1014, 1016, and 1018 and, as such, the second layer 304 is transparent to the optical input signal.
（当審日本語仮訳：
接続要素３００は、第２の層３０４に電気的に接続された第３の層３０６をさらに構成する
第３の層３０６は、高濃度のドーパントがｎ-ドープされており、第３の層３０６のドーパントの濃度は、第２の層３０４と同様である
第３の層３０６のバンドギャップＥｇ３は、ベース要素１０１４、１０１６、１０１８のバンドギャップエネルギーよりも大きく
第２の層３０４は光入力信号に対して透明である。
「[0053]  The connecting element 300 further comprises a fourths layer 308 electrically connected to the third layer 306 and is n-doped but preferably but at a dopant concentration that is lower than that of the third layer 306. The bandgap Eg4 of layer 308 is greater than the bandgap energy of the base elements 1014, 1016, and 1018 and, as such, the second layer 304 is transparent to the optical input signal.
（当審日本語仮訳：
接続要素３００はさらに、第３の層３０６に電気的に接続された第４の層３０８を構成し
ｎドープされているが、
第３の層３０６よりも低いドーパント濃度である
層３０８のバンドギャップＥｇ４は、ベース要素１０１４、１０１６、および１０１８のバンドギャップエネルギーよりも大きく
第２の層３０４は、光入力信号に対して透明である
「[0054]  The connecting element 300 further comprises a fifth layer 310 electrically connected to the fourth layer 308. The fifth layer 310 is n-doped at a similar or lower dopant concentration than the fourth layer 308. The bandgap Eg5 of layer 310 is the same or greater than the bandgap of the base elements 1014, 1016, and 1018.
（当審日本語仮訳：
接続要素３００はさらに、第４の層３０８に電気的に接続された第５の層３１０を構成する
第５の層３１０は、第４の層３０８と同等またはそれよりも低いドーパント濃度でｎ-ドープされている
第５層３１００のバンドギャップＥｇ５は、ベース要素１０１４、１０１６、１０１８のバンドギャップと同じかそれ以上である
「[0058] With reference to FIGS. 1 and 2, to achieve the desired optoelectronic properties of the photo-transducer of the present disclosure, the connecting elements in the embodiment of FIG. 2 divide the thickness t of the base 18 of the transducer into multiple base segments. For example the base segment s1 130, the base segment s2 132, the base segment s3 134, the base segment s4 136, and the base segment s5 138, as illustrated in FIG. 2. The thicknesses of the various base segments (s1, s2, s3, s4, s5) can be the same or they can be different by adjusting the position of the connecting elements. That is the position d1 of c1, the position d2 of c2, the position d3 of c3, and the position d4 of c4 can be adjusted to change the thicknesses of the various base segments. The values of d1, d2, d3, d4 can be chosen such that the thickness of s5 138 is greater than the thickness of s4 136, and the thickness of s4 136 is greater than the thickness of s3 134, and the thickness of s3 134 is greater than the thickness of s2 132, the thickness of s2 132 is greater than the thickness of s1 130.
（当審日本語仮訳：図１および図２を参照して、本開示の光トランスデューサの所望の光電子特性を達成するために、図２の実施形態の接続要素は、トランスデューサのベース１８の厚さｔを複数のベースセグメントに分割する。例えば、図２に示されるように、ベースセグメントｓ１３０、ベースセグメントｓ２１３２、ベースセグメントｓ３１３４、ベースセグメントｓ４１３６、およびベースセグメントｓ５１３８がある。各種ベースセグメント（ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４、ｓ５）の厚みは同じであってもよいし、連結部材の位置を調整することで異なっていてもよい。すなわち、ｃ１の位置ｄ１、ｃ２の位置ｄ２、ｃ３の位置ｄ３、ｃ４の位置ｄ４を調整することにより、各種ベースセグメントの厚みを変化させることができる。ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４の値は、ｓ５の厚さ１３８がｓ４の厚さ１３６よりも大きく、ｓ４の厚さ１３６がｓ３の厚さ１３４よりも大きく、ｓ３の厚さ１３４がｓ２の厚さ１３２よりも大きく、ｓ２の厚さ１３２がｓ１の厚さ１３０よりも大きくなるように選択することができる。）」
「[0059]  The value of d1, d2, d3, d4 can be chosen such that each base segment (s1, s2, s3, s4, s5) absorb substantially the same fraction of the photons from the optical input 100. For example S1 absorbs 20% of the photons from the optical input, s2 absorbs 20% of the photons from the optical input, s3 absorbs 20% of the photons from the optical input, s4 absorbs 20% of the photons from the optical input, and s5 absorbs 20% of the photons from the optical input. To obtain an ideal photo-transducer, all the base segments taken together absorb substantially all the photons from the optical input 100. But for manufacturing or cost considerations, and depending on the application for the photo-transducer, it may be desirable that all the base segments together absorb less than all the photons from the optical input 100. For example, the various base segments 51, s2, s3, s4, and s5 can absorb each 19.8% of the optical input 100. It will also be clear for one skilled in the art that the thickness t of the base 18 and the absorption coefficient of the semiconductor material used to construct the base will be important factors in determining the fraction of the optical input signal absorbed by each base segment and in total by the group of base segments all together.
（当審日本語仮訳：ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４の値は、各ベースセグメント（ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４、ｓ５）が光入力１００からの光子の実質的に同じ割合を吸収するように選択することができる。例えば、ｓ１は光入力からの光子の２０％を吸収し、ｓ２は光入力からの光子の２０％を吸収し、ｓ３は光入力からの光子の２０％を吸収し、ｓ４は光入力からの光子の２０％を吸収し、ｓ５は光入力からの光子の２０％を吸収する。理想的な光トランスデューサを得るためには、一緒に取られたすべてのベースセグメントは、光入力１００からの実質的にすべての光子を吸収する。しかし、製造上またはコスト上の考慮のために、および光トランスデューサの用途に応じて、すべてのベースセグメントを一緒に取ると、光入力１００からのすべての光子よりも少ない光子を吸収することが望ましい場合がある。例えば、様々なベースセグメントｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４、およびｓ５は、それぞれ光入力１００の１９．ベース１８の厚さｔおよびベースを構成するのに使用される半導体材料の吸収係数が、各ベースセグメントによって吸収される光入力信号の割合、およびベースセグメントのグループによってすべて一緒に吸収される光入力信号の割合を決定する上で重要な要因となることは、当技術分野に熟練した者にとっても明らかであろう。）」
「[0062]  Examples of lattice-matched or pseudomorphic semiconductors that can be used for the base layer 18 or the base segments 130, 132, 134, 136, and 138 for embodiments comprising a Ge substrate 24 include: latticed-matched Ge, InxGa(1-x)As, InAlGaAs, InxGa(1-x)P, AlxGa(1-x)P; or binary GaAs, AlAs, or ZnSe; or ternary AlxGa(1-x)As; or quaternary InGaAsP, GaInNAs. As will be understood by a worker skilled in the art, other alloys can also be used such as: group IV semiconductors: Ge, SiGe; other III-V alloys of AlGaInNPAsSb; other II-VI alloys of ZnCdMnMgOSSeTe. Other embodiments can incorporate nanostructures to enhance the optical properties, electronic properties, and/or material properties. For example the base 18 could comprise layers of semiconductor quantum wells, quantum wires, or quantum dots.
（当審日本語仮訳：Ｇｅ基板２４を構成する実施形態では、ベース層１８またはベースセグメント１３０、１３２、１３４、１３６、１３８に使用することができる格子整合された半導体または擬態半導体の例には、以下のものが含まれる。格子整合されたＧｅ、ＩｎｘＧａ（１-ｘ）Ａｓ、ＩｎＡｌＧａＡｓ、ＩｎｘＧａ（１-ｘ）Ｐ、ＡｌｘＧａ（１-ｘ）Ｐ；または２元のＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、またはＺｎＳｅ；または３元のＡｌｘＧａ（１-ｘ）Ａｓ；または４元のＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＩｎＮＡｓが挙げられる。当技術に熟練した当業者であれば理解されるであろうが、他の合金もまた、以下のようなものを使用することができる：IV族半導体。Ｇｅ、ＳｉＧｅ；ＡｌＧａＩｎＮＮＰＡｓＳｂの他のＩＩＩＩ-Ｖ族合金；ＺｎＣｄＭｎＭｇＯｓＳｅＴｅの他のＩＩＩ-ＶＩ族合金。他の実施形態では、光学特性、電子特性、および／または材料特性を強化するために、ナノ構造を組み込むことができる。例えば、基体１８は、半導体量子井戸、量子ワイヤ、または量子ドットの層を構成することができる。）」
「[0078]  The connecting elements 300 as illustrated in FIG. 7 are disposed within the base 18 as illustrated in FIG. 2 at specific distances from the emitter. As mentioned above, these distances depend on the wavelength of the optical input 100 and on the absorption coefficient of the base material 18. A worker skilled in the art will recognize that there are many possible combinations of optical wavelengths and base materials which can be used to satisfy different applications. To exemplify an embodiment of the disclosure, the description below details example positions of the connecting elements for a photo-transducer of the present disclosure using an optical input 100 with a wavelength of 830 nm. The semiconductor material for the base layer is chosen to have a bandgap energy smaller than the energy of the photons of the optical input 100. The bandgap energy can be between 500 meV and 0 meV smaller than the energy of the photons of the optical input 100. In other embodiments, the bandgap energy can be between 200 meV and 10 meV smaller than the energy of the photons of the optical input 100. Yet in other embodiments, it might be desirable to design the photo-transducer with the bandgap energy to be slightly larger than the energy of the photons of the optical input 100 in the case for which the semiconductor material has residual absorption below the bandgap energy. For a wavelength of 830 nm, the photon energy is 1.494 eV, therefore the base semiconductor material can be chosen to be preferably GaAs, or AlxGa(1-x)As with x comprised between 0% and 5%. If a p-type GaAs base is chosen as illustrated in FIG. 2 with a thickness 120 of t=4 microns, then the absorption coefficient α for GaAs at the optical input wavelength of 830 nm is approximately 1.2×104 cm-1. Therefore based on the formula for the absorption I(z)=Ioexp(-az) it is straightforward to calculate that the value for the position of the connecting elements of d1=192 nm, d2=438 nm, d3=784 nm, and d4=1365 nm will divide the base into 5 segments, s1, s2, s3, s4, and s5, each absorbing 19.8% of the optical input light.
（当審日本語仮訳：図７に図示されているような接続要素３００は、図２に図示されているような基材１８内に、エミッタからの特定の距離で配置されている。上述したように、これらの距離は、光入力１００の波長および基材１８の吸収係数に依存する。当技術に熟練した当業者であれば、異なる用途を満足させるために使用され得る光学波長および基材の多くの可能な組み合わせがあることを認識するであろう。本開示の一実施形態を例示するために、以下の説明は、８３０ｎｍの波長を有する光入力１００を用いた本開示の光トランスデューサのための接続要素の例示的な位置を詳述する。ベース層用の半導体材料は、光入力１００の光子のエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有するように選択される。バンドギャップエネルギーは、光入力１００の光子のエネルギーよりも小さい５００ｍｅＶから０ｍｅＶの間であり得る。他の実施形態では、バンドギャップエネルギーは、光入力１００の光子のエネルギーよりも２００meVから１０meVの間で小さくすることができる。まだ他の実施形態では、半導体材料がバンドギャップエネルギー以下の残留吸収を有する場合には、バンドギャップエネルギーが光入力１００の光子のエネルギーよりもわずかに大きくなるように光トランスデューサを設計することが望ましいかもしれない。波長 830 nm の場合、光子エネルギーは 1.494 eV であるため、ベースとなる半導体材料は、好ましくは GaAs、または x が 0%から 5%の間で構成される AlxGa(1-x)As を選択することができる。図2に示すように、厚さ120がt=4ミクロンのp型GaAsベースが選択された場合、光入力波長830nmでのGaAsの吸収係数αは約1.2×104cm-1である。したがって、吸収I(z)=Ioexp(-az)の式から、d1=192nm、d2=438nm、d3=784nm、d4=1365nmの接続素子の位置の値は、ベースをs1、s2、s3、s4、s5の5つのセグメントに分割し、それぞれが光入力光の19.8%を吸収することが容易に計算できます。）」
「[0099]  The transducer of the present disclosure has a well-defined and wide dynamic range response in voltage and current with respect to the optical input power. The current and Isc have a linear dependence on the input optical power and, Voc has a logarithmic response. The transducer of the present disclosure can therefore be used in applications where monitoring the intensity of a highly focused beam of monochromatic light is needed. Examples of applications may include continuous wave (CVV) and pulsed laser beams and focused light from LED's or other monochromatic sources of light. The use of a design with no grid lines is particularly useful when accurate power monitoring and measurements is required. This is because focused light beams may have beam diameters or spot sizes comparable to the widths and spacing of the grid lines, thereby introducing considerable errors from shadowing if the beam falls on or in between grid lines. Furthermore, high power density light beams can be problematic for prior art technologies using photo-diodes with limited power ratings. These will often require the use of additional bulky beam splitters and attenuators also sensitive to high power densities, to quench and attenuate the incident power of the beam to monitor.
（当審日本語仮訳：本開示のトランスデューサは、光入力パワーに関して、電圧および電流において、十分に定義された広いダイナミックレンジ応答を有する。電流およびＩｓｃは、入力光パワーに対する線形依存性を有し、Ｖｏｃは対数応答を有する。したがって、本開示のトランスデューサは、単色光の高度に集束されたビームの強度を監視する必要があるアプリケーションで使用することができる。アプリケーションの例としては、連続波（ＣＶＶ）およびパルスレーザビーム、ならびにＬＥＤまたは他の単色光源からの集光光が挙げられる。グリッド線のない設計の使用は、正確なパワーモニタリングおよび測定が必要な場合に特に有用である。これは、集光された光ビームがグリッド線の幅や間隔に匹敵するビーム径やスポットサイズを持つ場合があるため、ビームがグリッド線上やグリッド線の間に落ちた場合、シャドウイングによる大きな誤差が発生するからです。さらに、高出力密度の光ビームは、限られた出力定格を有するフォトダイオードを使用する先行技術にとって問題となり得る。これらの技術では、モニターするビームの入射パワーを消光したり減衰させたりするために、高出力密度に敏感な大型のビームスプリッタやアッテネータを追加で使用する必要があります。）」
「図２
」
「図５〜６」
」
「図7
」
第５　対比、判断
１　本願発明と引用発明とを、以下に対比する。
（１）対比
ア　引用発明の「受信ＯＥＴＣ（Ｏｐｔｏ−ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ＩＣ）」は、本願発明の「受信機モジュール（ＥＭ）」に相当する。
イ　引用発明の「ｐｉｎフォトダイオード部」は、光を電気に変換するものであるところ、本願発明の「第１のスタック（ＳＴ１）」は、「光（Ｌ）が、前記第１のスタック（ＳＴ１）の表面（ＯＢ）に入射し」、「ソース電圧を生成」するものである。
　したがって、引用発明の「ｐｉｎフォトダイオード部」と、本願発明の「第１のスタック（ＳＴ１）」とは、光を電気に変換する「光電変換部」である点で一致するといえる。
ウ　引用発明の「電界効果型トランジスタ部」は、本願発明の「トランジスタ」に相当する。
エ　引用発明の「半絶縁性ＧａＡｓ基板１」は、本願発明の「半導体基板（受信機モジュール（ＥＭ）の基板）」に相当し、本願発明の「ガリウムヒ素を含み」との構成を有している。
オ　引用発明の「ｐｉｎフォトダイオード部」及び「電界効果型トランジスタ部」は、「半絶縁性ＧａＡｓ基板１に」「モノリシックに作製」されていることから、引用発明と本願発明とは、「半導体基板は、光電変換部とトランジスタとにモノリシックに接続され」ている点で、一致するといえる。
カ　引用発明の「ｐｉｎフォトダイオード部」は、「ｎ側電極５」と「ｐ側電極６」を備えており、「ｐ側電極６とゲート電極１０とが配線メタル７で連結される」構成であるから、引用発明と本願発明とは、「前記トランジスタの制御入力側は、２つの電気的コンタクトのうちの１つに相互接続されて」いる点で、一致するといえる。
キ　以上より、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。
＜一致点＞
「受信機モジュール（ＥＭ）であって、
　光電変換部は半導体基板上に配置される、受信機モジュール（ＥＭ）において、
　受信機モジュール（ＥＭ）の基板は、ガリウムヒ素を含み、
　受信機モジュール（ＥＭ）の光電変換部の下面近傍において、段状の縁部が形成されており、
　半導体基板は、光電変換部とトランジスタとにモノリシックに接続され、トランジスタの制御入力側は、２つの電気的コンタクトのうちの１つに相互接続されている、受信機モジュール（ＥＭ）。」
＜相違点＞
・相違点１
　「光電変換部」について、本願発明の光電変換部は、「相互に直列に接続された半導体ダイオードとして構成されたＮ個の部分電圧源を有し、それによって、Ｎ個の部分電圧源がソース電圧を生成し、
　前記部分電圧源の各々は、ｐ−ｎ接合部を有する半導体ダイオード（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５）を有し、
　前記半導体ダイオード（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５）は、ｐ型ドープされた吸収層を有し、前記ｐ型吸収層は、前記ｐ型吸収層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有するｐ型ドープされたパッシベーション層によって不動態化されており、
　前記半導体ダイオード（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５）は、ｎ型吸収層を有し、前記ｎ型吸収層は、前記ｎ型吸収層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有するｎ型ドープされたパッシベーション層によって不動態化されており、それぞれ順次連続する２つの前記部分電圧源の間に、トンネルダイオード（Ｔ１，Ｔ２；Ｔ３，Ｔ４）が形成されており、
　前記部分電圧源と前記トンネルダイオード（Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４）とが共にモノリシックに集積化され、上面と下面とを有する共通の第１のスタック（ＳＴ１）を形成しており、
　前記部分電圧源の数Ｎは、２以上であり、
　前記第１のスタック（ＳＴ１）における上面において、光（Ｌ）が、前記第１のスタック（ＳＴ１）の表面（ＯＢ）に入射し、前記第１のスタック（ＳＴ１）は、前記表面（ＯＢ）上に第１の電気的コンタクトを有し、さらに前記下面に第２の電気的コンタクトを有しており、
　前記第１のスタック（ＳＴ１）は、１２μｍ未満の総厚さを有し、
　前記半導体ダイオードの半導体材料は、ＩＩＩ−Ｖ族材料からなり、
　前記半導体ダイオード（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５）間の前記トンネルダイオード（Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４）は、前記半導体ダイオード（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５）のｐ型／ｎ型吸収層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する複数の半導体層を有し、
　個々の前記部分電圧源の部分ソース電圧は、相互に２０％未満の偏差を有し」ているのに対して、引用発明の光電変換部は、そのようなものではない点。
・相違点２
　「段状の縁部」について、本願発明では、第１のスタック（ＳＴ１）を「囲繞」するのに対して、引用発明では、「囲繞」しているか否か不明である点。
・相違点３
　本願発明では、「受信機モジュール（ＥＭ）は、量子井戸構造を有さない」のに対して、引用発明は、量子井戸構造を有するか否か不明である点。
（２）判断
ア　相違点１について
（ア）引用文献１に記載された「光トランスデューサデバイス」について
　引用文献１の図２に記載された「光トランスデューサデバイス」（以下「文献１図２デバイス」という。）は、相違点１に係る構成を備える「光電変換部」に相当するといえる。
　先ず、相違点1に係る構成と「文献１図２デバイス」の構成とを、以下に対比する。また、以下の段落番号及び図番は、上記第４の２（１）によるものである。
　ａ　[0042]によれば、図５は、「本開示に従って接続要素を使用することにより、トランスデューサの電気出力電圧を入力光フォト電圧（ｈν／ｅ）よりも高くする方法を説明するため」の「半導体バンド図」である。
　また、[0050]には、「図７は、図２の接続要素ｃ１　００６、ｃ２、１０８、ｃ３、１１０、および／またはｃ４　１１２として使用することができる接続要素３００の例を示しており、図７の接続要素３００は、図５の接続要素１０２０、１０２２、および／または１０２４としても使用することができる」と記載されている。
　したがって、図５及び図５を説明する[0046]の記載を参酌しつつ図２をみれば、「文献１図２デバイス」は、「
Ｎ個の部分電圧源を有し、それによって、Ｎ個の部分電圧源がソース電圧を生成し
　また、[0046]の「各接続要素は、各接続要素が接続されている（電気的に接続されている）セグメント間に電位を導入するように構成されている」との記載及び図５（例えば、セグメント１０１６において、Ｖ″ｂｉを示す伝導体側の点線）から、「文献１図２デバイス」の各ベースセグメント（ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４、ｓ５）が「
半導体ダイオードとして構成され
相互に直列に接続され
　ｂ　上記ａのとおり、「文献１図２デバイス」の各ベースセグメント（ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４、ｓ５）は、「
半導体ダイオードとして構成され
部分電圧源の各々は、ｐ−ｎ接合部を有する半導体ダイオード（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５）を有し
　ｃ　[0050]には、「図７は、図２の接続要素ｃ１　００６、ｃ２、１００８、ｃ３、１１０、および／またはｃ４　１１２として使用することができる接続要素３００の例を示しており、図７の接続要素３００は、図５の接続要素１０２０、１０２２、および／または１０２４としても使用することができる」と記載されていることから、「文献１図２デバイス」の「接続要素（ｃ１、ｃ２、ｃ３、ｃ４）」は、図７の「接続要素３００」に相当するものと理解できるところ、「接続要素３００」の構成は、[0050]〜[0054]及び図７の記載より、 次のとおりのものである。
　なお、[0050]には、「以下、図５のベースセグメント１０１４、１０１６、および１０１８に関連して、接続要素３００を説明する」と記載されているところ、「文献１図２デバイス」の「ベースセグメント（ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４、ｓ５）」に置き換えて読めることは明らかである。
（ａ）接続要素３００は、光トランスデューサの前面に最も近い（図３に示すｎ-ドープ領域１００１に最も近い）第１の層３０２からなり、図４のベース要素１０１４、１０１６、および１０１８と同様にｐ-ドープされている。
　層３０２のバンドギャップＥｇ１は、ベース要素１０１４、１０１６、１０１８のバンドギャップエネルギーよりも大きく、そのように、層３０２は、バンドギャップエネルギー１００４（ＦＩＧ３を参照）に近い光子エネルギー値を有する光入力信号に対して透明である。（[0050]）
（ｂ）接続要素３００はさらに、第１の層３０２に電気的に接続された第２の層３０４を構成する。
　第２の層３００４はまた、ｐドープされているが、第２の層３０４におけるドーパントの濃度は、第１の層３０２におけるドーパントの濃度よりも高い。
　第２の層３０４のバンドギャップＥｇ２は、ベース要素１０１４、１０１６、１０１８のバンドギャップエネルギーよりも大きく、そのように、第２の層３０４は、光入力信号に対して透明である。（[0051]）
（ｃ）接続要素３００は、第２の層３０４に電気的に接続された第３の層３０６をさらに構成する。
　第３の層３０６は、高濃度のドーパントがｎ-ドープされており、第３の層３０６のドーパントの濃度は、第２の層３０４と同様である。
　第３の層３０６のバンドギャップＥｇ３は、ベース要素１０１４、１０１６、１０１８のバンドギャップエネルギーよりも大きく、このように、第２の層３０４は光入力信号に対して透明である。（[0052]）
（ｄ）接続要素３００はさらに、第３の層３０６に電気的に接続された第４の層３０８を構成し、ｎドープされているが、好ましくは、第３の層３０６よりも低いドーパント濃度である。
　層３００８のバンドギャップＥｇ４は、ベース要素１０１４、１０１６、および１０１８のバンドギャップエネルギーよりも大きく、そのように、第２の層３００４は、光入力信号に対して透明である。（[0053]）
（ｅ）接続要素３００はさらに、第４の層３０８に電気的に接続された第５の層３１０を構成する。
　第５の層３１０は、第４の層３０８と同等またはそれよりも低いドーパント濃度でｎ-ドープされている。
　第５層３１００のバンドギャップＥｇ５は、ベース要素１０１４、１０１６、１０１８のバンドギャップと同じかそれ以上である。（[0054]）
　ｄ　図２及び図５より、各ベースセグメント（ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４、ｓ５）は、「ｐ型」であって、電圧を発生するものであるから、各ベースセグメント（ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４、ｓ５）は、「
ｐ型ドープされた吸収層
半導体ダイオード
　したがって、「文献１図２デバイス」は、「
半導体ダイオード（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５）は、ｐ型ドープされた吸収層を有し
　ｅ　上記ｃ（ａ）より、「第１の層３０２」は、「ｐ-ドープされ」、「層３０２のバンドギャップＥｇ１は、ベース要素１０１４、１０１６、１０１８のバンドギャップエネルギーよりも大き」いものである。
　そして、「第１の層３０２」は、「ベース要素１０１４、１０１６、および１０１８」に接触している（[0046、図５]）。
　したがって、上記構成からみれば、「第１の層３０２」は、「
ｐ型吸収層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有するｐ型ドープされたパッシベーション層
ｐ型吸収層
パッシベーション層によって不動態化されて
　ｆ　上記ｃ（ｅ）より、「第５の層３１０」は、「第４の層３０８と同等またはそれよりも低いドーパント濃度でｎ-ドープされ」ており、「第５層３１０のバンドギャップＥｇ５は、ベース要素１０１４、１０１６、１０１８のバンドギャップと同じ」であり、「ベース要素１０１４、１０１６、および１０１８」に接触している（[0046、図５]）。
　そして、「各接続要素は、各接続要素が接続されている（電気的に接続されている）セグメント間に電位を導入するように構成されている」（[0048]）との記載に鑑みれば、「第５の層３１０」は、「
ｎ型吸収層
半導体ダイオード（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５）は、ｎ型吸収層を有し
　ｇ　上記ｃ（ｄ）より、「第４の層３０８」は、「ｎ-ドープされ」、「第３の層３０６よりも低いドーパント濃度」であり、「層３０８のバンドギャップＥｇ４は、ベース要素１０１４、１０１６、および１０１８のバンドギャップエネルギーよりも大き」いものであるところ、「第５層３１０のバンドギャップＥｇ５は、ベース要素１０１４、１０１６、１０１８のバンドギャップと同じ」である。
　また、「第４の層３０８」は、「第３の層３０６に電気的に接続され」ており、図７より、「第５の層３１０」に接触した構成とみてとれる。
　したがって、上記構成からみれば、「第４の層３０８」は、「
ｎ型吸収層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有するｎ型ドープされたパッシベーション層
ｎ型吸収層
パッシベーション層によって不動態化されて
　ｈ　[0047]には、「図６は、接続要素がトンネルダイオード１０２１、１０２３、１０２５を形成する高度にドープされた半導体からなる本開示のトランスデューサの一実施形態を示す」と記載され、図６より、当該トンネルダイオードが、ベースセグメント１０１４、１０１６、および１０１８の各セグメント間に形成されている構成がみてとれる。
　一方、上記ｃ（ｂ）及びｃ（ｃ）より、「第２の層３０４」は、「ｐドープされ」、ドーパントの濃度は、第１の層３０２におけるドーパントの濃度よりも高」く、「バンドギャップＥｇ２は、ベース要素１０１４、１０１６、１０１８のバンドギャップエネルギーよりも大き」い、また、「第３の層３０６」は、「高濃度のドーパントがｎ-ドープされ」、「第３の層３０６のドーパントの濃度は、第２の層３０４と同様であ」り、「バンドギャップＥｇ３は、ベース要素１０１４、１０１６、１０１８のバンドギャップエネルギーよりも大き」いものである。
　してみると、「第２の層３０４」及び「第３の層３０６」が、「
トンネルダイオード
　したがって、「文献１図２デバイス」は、「
それぞれ順次連続する２つの前記部分電圧源の間に、トンネルダイオード（Ｔ１，Ｔ２；Ｔ３，Ｔ４）が形成されており」との構成を備え、「前記半導体ダイオード（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５）間の前記トンネルダイオード（Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４）は、前記半導体ダイオード（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５）のｐ型／ｎ型吸収層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する複数の半導体層を有し
　ｉ　図２より、ベースセグメント（ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４、ｓ５）と接続要素（ｃ１、ｃ２、ｃ３、ｃ４）とは、基板２４上にモノリシックに積み重ねられた構成とみてとれ、接続要素は、トンネルダイオードを含むものである。
　したがって、「文献１図２デバイス」は、「
前記部分電圧源と前記トンネルダイオード（Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４）とが共にモノリシックに集積化され」る構成を備え、「上面と下面とを有する共通の第１のスタック（ＳＴ１）を形成して
　ｊ　図２より、ベースセグメント（ｓ１、ｓ２、ｓ３、ｓ４、ｓ５）の数は「５」とみてとれる。
　したがって、「文献１図２デバイス」は、「
前記部分電圧源の数Ｎは、２以上であり
　ｋ　図２より、「文献１図２デバイス」の上面より光が入射される構成がみてとれ、[0040]には、「コンタクト層１２および／または金属層１０は、トランスデューサ装置によって生成された電流および電圧を取り出すために使用することができる」、「バッファ層２２は、好ましくは、電気伝導度（電流を取り出すための横方向のシート伝導度または縦方向の伝導度）を提供するため、またはＰＶデバイスの光学特性を変化させるために使用される」と記載されている。
　したがって、「文献１図２デバイス」は、「
前記第１のスタック（ＳＴ１）における上面において、光（Ｌ）が、前記第１のスタック（ＳＴ１）の表面（ＯＢ）に入射し、前記第１のスタック（ＳＴ１）は、前記表面（ＯＢ）上に第１の電気的コンタクトを有し、さらに前記下面に第２の電気的コンタクトを有しており
　ｌ　[0078]には、「図2に示すように、厚さ120がt=4ミクロンのp型GaAsベースが選択された場合」と記載されている。
　したがって、「文献１図２デバイス」は、「
前記第１のスタック（ＳＴ１）は、１２μｍ未満の総厚さを有し
前記半導体ダイオードの半導体材料は、ＩＩＩ−Ｖ族材料からなり
　ｍ　上記ａのとおり、「文献１図２デバイス」は、「Ｎ個の部分電圧源を有し、それによって、Ｎ個の部分電圧源がソース電圧を生成し」との構成を備えているところ、[0046]には、「…（前略）…。連続する内蔵電位Ｖｂｉ、Ｖ′ｂｉ、Ｖ″ｂｉ、およびＶ′″ｂｉは、Ｖｔｏｔａｔａｌ＝Ｖｂｉ＋Ｖ′ｂｉ＋Ｖ″ｂｉ＋Ｖ′″ｂｉに等しい総内蔵電位を導入するために加算される。すべての内蔵電位がVbiに等しいとき、Vtotal=4*Vbiとなります。」と記載されており、各セグメントの内蔵電位を等しくする態様が開示されている。
　したがって、「文献１図２デバイス」は、「
個々の前記部分電圧源の部分ソース電圧は、相互に２０％未満の偏差を有している
　ｃ　小括
　以上のとおりであるから、引用文献１の図２に記載された「光トランスデューサデバイス（文献１図２デバイス）」は、相違点１に係る構成を備える「光電変換部」といえる。
　
（イ）引用発明に、引用文献１に記載された「光トランスデューサデバイス」を適用することについて
　引用発明は、「ｐｉｎフォトダイオード部と電界効果型トランジスタ部（ＦＥＴ）とから構成されている、受信ＯＥＴＣ」であるところ、光を受信する「ｐｉｎフォトダイオード部」の光受信性能を向上させることが、常に求められる要請であることは、当業者には明らかである。
　一方、引用文献１に記載された「光トランスデューサデバイス」は、広いダイナミックレンジ応答を有するものであって、光を検出するアプリケーションへの適用が示唆されている（上記第４の２（２）ウ）。
　してみると、引用発明の「ｐｉｎフォトダイオード部」の光受信性能を高めるために、引用文献１に記載された「光トランスデューサデバイス」を適用し、光の受信性能を高めることには、動機があるといえるから、引用発明に引用文献１に記載された「光トランスデューサデバイス」を適用し、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者であれば容易になし得るものである。
イ　相違点２について
　引用発明の「ｐｉｎフォトダイオード部」は、「半絶縁性ＧａＡｓ基板１」上に、再成長によって「モノリシックに作製」したものであって、既に「フォトダイオード部の下面近傍において、段状の縁部が形成され」た構成を備えていることから、当該「段状の縁部」を「囲繞」する形状として構成することは、当業者が適宜なし得る設計事項といえる。
　よって、相違点２に係る構成は、当業者が容易になし得るものである。
ウ　相違点３について
　上記第４の２（２）ａのとおり、量子井戸構造を有するか否かは、当業者が所望により設計し得る事項であるから、相違点３に係る構成は、当業者が容易になし得るものである。
２　効果について
　上記相違点を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用発明及び引用文献１に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
３　審判請求人の主張
（１）審判請求書にて、「審査官は、引例４、５の構造を本願発明の構成に変更できるとしていますが、引例４、５は、本願発明の他の特徴に関しても技術的に何ら関係なく、当業者は、引例４、５から本願発明に想到することはありません。」（第５頁第６行〜第８行）と主張している。
　しかしながら、上記第５の（２）のとおり、本願発明は、引用発明（引用文献５）及び引用文献１に記載された事項から、容易になし得るものである。
（２）また、「（特徴２）個々の部分電圧源の部分ソース電圧は、相互に２０％未満の偏差を有し」（第２頁第２４行〜第２５行）、「特徴２に関しては、開示されている文献は提示されていません。」（第５頁第１６行）とも主張している。
　しかしながら、上記１の（２）ア（ア）ｍのとおり、引用文献１には、（特徴２）について開示されている。
　上記のとおりであるから、請求人の主張は、上記判断を左右するものではない。
第６　むすび
　以上のとおり、本件発明は、引用発明、引用文献１の記載事項及び周知技術に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。