Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月4日(2019.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の目的は、コストの増大を抑制しつつエッチング処理のばらつきを抑制することが可能なエッチング装置、およびそれを備えた基板処理装置ならびにエッチング方法およびそれを含む基板処理方法を提供することである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（３）基板処理方法の一例
図３は後述の熱処理装置３００を用いた基板処理方法の一例を示す模式的断面図である。図３（ａ）〜（ｄ）の工程のうち図３（ｄ）の工程が図１のエッチング装置５００により行われる。本例では、微細なホールパターンの形成方法が示される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
本実施の形態では、２種類の重合体から構成されるＤＳＡ材料が用いられる。２種類の重合体の組み合わせとして、例えば、ポリスチレン−ポリメチルメタクリレート（ＰＳ−ＰＭＭＡ）、ポリスチレン−ポリジメチルシロキサン（ＰＳ−ＰＤＭＳ）、ポリスチレン−ポリフェロセニルジメチルシラン（ＰＳ−ＰＦＳ）、ポリスチレン−ポリエチレンオキシド（ＰＳ−ＰＥＯ）、ポリスチレン−ポリビニルピリジン（ＰＳ−ＰＶＰ）、ポリスチレン−ポリヒドロキシスチレン（ＰＳ−ＰＨＯＳＴ）、およびポリメチルメタクリレート−ポリメタクリレートポリヘドラルオリゴメリックシルスセスキオキサン（ＰＭＭＡ−ＰＭＡＰＯＳＳ）等が挙げられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
なお、時点ｔ３から時点ｔ４までの間に、基板Ｗが静止されることによって基板Ｗ上に有機溶剤が保持されてもよい。また、時点ｔ２から時点ｔ４までの期間に、有機溶剤が継続的に基板Ｗに供給されてもよい。また、基板Ｗへの有機溶剤の供給時に、有機溶剤ノズル５２１が基板Ｗの中心部上方と基板Ｗの周縁部上方との間で移動してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
続いて、図４の時点ｔ４から時点ｔ５までの期間に、基板Ｗが速度Ｓ３で回転されつつ基板Ｗにリンス液としての純水が供給される。それにより、基板Ｗ上の有機溶剤Ｑ２がリンス液によって置換され、ＤＳＡ膜Ｌ３のエッチングが停止される。この場合、図２の回転制御部５９２は、基板Ｗが速度Ｓ３で回転されるようにモータ５１１を制御する。ノズル制御部５９１は、ノズル駆動部５３４を制御することにより、時点ｔ４の前に純水ノズル５３１を基板Ｗの中心部の上方に移動させ、時点ｔ５の後に純水ノズル５３１を基板Ｗの外方に移動させる。リンス液供給制御部５９５は、時点ｔ４でバルブＶ２を開くことにより、純水ノズル５３１からの純水の吐出を開始し、時点ｔ５でバルブＶ２を閉じることにより、純水ノズル５３１からの純水の吐出を停止する。速度Ｓ３は、例えば、速度Ｓ２よりも高く、３００ｒｐｍ以上３０００ｒｐｍ以下である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
このような構成により、搬送機構１２７，１２８の各々は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて基板Ｗを保持し、Ｘ方向およびＺ方向に移動して基板Ｗを搬送することができる。搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、エッチング処理室２１（図７）、塗布処理室２２（図７）および上段熱処理部３０１（図８）の間で基板Ｗを搬送する。搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、エッチング処理室２３（図７）、塗布処理室２４（図７）および下段熱処理部３０２（図８）の間で基板Ｗを搬送する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
（７）効果
本実施の形態に係るエッチング装置５００においては、基板Ｗ上のＤＳＡ膜Ｌ３に低揮発液が供給された後、ＤＳＡ膜Ｌ３上に低揮発液が残留する状態で、ＤＳＡ膜Ｌ３に有機溶剤が供給される。そのため、ＤＳＡ膜Ｌ３上で有機溶剤が低揮発液と混ざり合う。低揮発液は有機溶剤よりも低い揮発性を有するので、低揮発液によって有機溶剤の揮発が抑制される。それにより、有機溶剤の使用量を抑制しつつＤＳＡ膜Ｌ３の全体に有機溶剤を均一に供給することができる。したがって、コストの増大を抑制しつつＤＳＡ膜Ｌ３におけるエッチング処理のばらつきを抑制することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
また、本実施の形態では、低揮発液およびリンス液のいずれにも純水が用いられる。これにより、装置の複雑化およびコストの増大を抑制しつつ、エッチング処理の均一化を図ることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
（８）エッチング装置の他の動作例
図１０は、図１のエッチング装置５００の他の動作例について説明するための図である。図１０の例について、図４および図５の例と異なる点を説明する。図４および図５の例では、基板Ｗ上に低揮発液Ｑ１が供給された後に有機溶剤Ｑ２が供給される。一方、図１０の例では、純水ノズル５３１から基板Ｗ上に低揮発液Ｑ１が供給されつつ、有機溶剤ノズル５２１から基板Ｗ上に有機溶剤Ｑ２が供給される。なお、低揮発液Ｑ１の供給期間と有機溶剤Ｑ２の供給期間とが完全に一致していなくてもよい。すなわち、低揮発液Ｑ１の供給の開始時点と有機溶剤Ｑ２の供給の開始時点とが互いにずれていてもよく、あるいは低揮発液Ｑ１の供給の終了時点と有機溶剤Ｑ２の供給の終了時点とが互いにずれていてもよい。また、純水ノズル５３１および有機溶剤ノズル５２１の少なくも一方が、基板Ｗの上方で移動しながら基板Ｗ上に低揮発液または有機溶剤を吐出してもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
また、有機溶剤Ｑ２がＤＳＡ膜Ｌ３上で拡がりやすくなり、短時間でＤＳＡ膜Ｌ３の全体に有機溶剤Ｑ２を供給することができる。したがって、ＤＳＡ膜Ｌ３におけるエッチング処理の均一性を高めることができる。また、低揮発液Ｑ１および有機溶剤Ｑ２の供給量をそれぞれ調整することにより、有機溶剤Ｑ２をＤＳＡ膜Ｌ３のエッチング処理に適した濃度に希釈することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
バルブＶ４が開かれることにより、有機溶剤供給源Ｇ１から供給管５２１ｂを通して混合部５５０に有機溶剤が供給される。バルブＶ５が開かれることにより、純水供給源Ｇ２から供給管５２１ｃを通して混合部５５０に低揮発液としての純水が供給される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2018046206.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月19日(2019.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によるレゾルバステータ構造は、所定角度間隔毎に内方へ向けて突出する複数の突出磁極を有する輪状ステータと、前記輪状ステータに設けられた輪状絶縁カバーを介して前記各突出磁極に巻回されたステータ巻線と、前記輪状絶縁カバーの一端に一体形成され前記輪状ステータの外側へ突出する端子ピン保持部と、前記端子ピン保持部に設けられた複数のたるみ用穴及び複数の端子ピンと、を備え、前記たるみ用穴にたるみ用ピンが設けられている状態下で、前記突出磁極に巻回されている前記ステータ巻線の端線が前記たるみ用ピンを介して前記端子ピンにからげられるように構成したレゾルバステータ構造において、前記たるみ用穴の数は、前記端子ピンの数よりも多い構成であり、また、前記各たるみ用ピンに接触している前記端線の線数は、1本のみとした構成であり、また、前記たるみ用ピンの除去後のたるみ線は、自由状態あるいは接着剤による前記端子ピン保持部への接着状態とした構成である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によるレゾルバステータ構造は、以上のように構成されているため、次のような効果を得ることができる。
すなわち、所定角度間隔毎に内方へ向けて突出する複数の突出磁極を有する輪状ステータと、前記輪状ステータに設けられた輪状絶縁カバーを介して前記各突出磁極に巻回されたステータ巻線と、前記輪状絶縁カバーの一端に一体形成され前記輪状ステータの外側へ突出する端子ピン保持部と、前記端子ピン保持部に設けられた複数のたるみ用穴及び複数の端子ピンと、を備え、前記たるみ用穴にたるみ用ピンが設けられている状態下で、前記突出磁極に巻回されている前記ステータ巻線の端線が前記たるみ用ピンを介して前記端子ピンにからげられるように構成したレゾルバステータ構造において、前記たるみ用穴の数は、前記端子ピンの数よりも多いことにより、全ての端線にたるみを形成し、かつ、互いにクロスさせることもないため、レゾルバの信頼性を大幅に向上させ、かつ、軸倍角の変更による巻線分布の変更にも対応できる。
前記各たるみ用ピンに接触している前記端線の線数は、1本のみであることにより、各端線のクロスの恐れもなく、高い信頼性を得ることができる。
前記たるみ用ピンの除去後のたるみ線は、自由状態あるいは接着剤による前記端子ピン保持部への接着状態であることにより、端線の安全性を確保でき、レゾルバの信頼性の確保を得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
次に、本発明によるレゾルバステータ構造の要旨とするところは、次の通りである。
すなわち、所定角度間隔毎に内方へ向けて突出する複数の突出磁極２を有する輪状ステータ１と、前記輪状ステータ１に設けられた輪状絶縁カバー４を介して前記各突出磁極２に巻回されたステータ巻線３と、前記輪状絶縁カバー４の一端に一体形成され前記輪状ステータ１の外側へ突出する端子ピン保持部５と、前記端子ピン保持部５に設けられた複数のたるみ用穴７及び複数の端子ピン６と、を備え、前記たるみ用穴７にたるみ用ピン８が設けられている状態下で、前記突出磁極２に巻回されている前記ステータ巻線３の端線３ａが前記たるみ用ピン８を介して前記端子ピン６にからげられるように構成したレゾルバステータ構造において、前記たるみ用穴７の数は、前記端子ピン６の数よりも多い構成であり、また、前記各たるみ用ピン８に接触している前記端線３ａの線数は、1本のみである構成であり、また、前記たるみ用ピン８の除去後のたるみ線３ａＡは、自由状態あるいは接着剤による前記端子ピン保持部５への接着状態である構成である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定角度間隔毎に内方へ向けて突出する複数の突出磁極(2)を有する輪状ステータ(1)と、前記輪状ステータ(1)に設けられた輪状絶縁カバー(4)を介して前記各突出磁極(2)に巻回されたステータ巻線(3)と、前記輪状絶縁カバー(4)の一端に一体形成され前記輪状ステータ(1)の外側へ突出する端子ピン保持部(5)と、前記端子ピン保持部(5)に設けられた複数のたるみ用穴(7)及び複数の端子ピン(6)と、を備え、
前記たるみ用穴(7)にたるみ用ピン(8)が設けられている状態下で、前記突出磁極(2)に巻回されている前記ステータ巻線(3)の端線(3a)が前記たるみ用ピン(8)を介して前記端子ピン(6)にからげられるように構成したレゾルバステータ構造において、
前記たるみ用穴(7)の数は、前記端子ピン(6)の数よりも多いことを特徴とするレゾルバステータ構造。
【請求項２】
前記各たるみ用ピン(8)に接触している前記端線(3a)の線数は、1本のみであることを特徴とする請求項１記載のレゾルバステータ構造。
【請求項３】
前記たるみ用ピン(8)の除去後のたるみ線(3aA)は、自由状態あるいは接着剤による前記端子ピン保持部(5)への接着状態であることを特徴とする請求項１又は２記載のレゾルバステータ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月6日(2018.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準信号を生成するＰＬＬ回路（１２）、前記基準信号に応じてレーダ送信波を生成し対象物に送信する送信部（８）、及び、前記対象物から反射された反射信号を前記基準信号に応じて受信する受信部（９）、を備えたレーダシステム（１）、を構成する前記ＰＬＬ回路であり、
制御信号（Ｖｃ）に応じて周波数を漸増／漸減するバンドを互いに離間して複数備えると共に前記複数のバンドの中から１つのバンドを選択切替可能に構成され、前記バンドが切替えられると切替られたバンドの中で前記制御信号に応じた周波数の信号を前記基準信号として生成するマルチバンド制御発振部（２３，２２３）と、
前記マルチバンド制御発振器のバンドを設定するバンド設定部（２１，２２１）と、
前記周波数を漸増／漸減する制御指令（Ramp_on）を出力する制御指令出力部（１１）と、を備え、
前記制御指令出力部が前回の第１スタート周波数からストップ周波数まで漸増／漸減する制御指令を出力終了した後、今回の第２スタート周波数から漸増／漸減する制御指令を出力開始する以前に前記バンド設定部が前記今回以降に用いる前記バンドを設定し、
前記今回の第２スタート周波数から漸増／漸減する制御指令を出力開始する前に、入力される周波数指令に応じて変化する前記制御信号をモニタするモニタ部（２２）をさらに備え、
前記バンド設定部（２１）は、
前記モニタ部によりモニタされた制御信号に応じて前記バンドを設定するように構成され、前記モニタ部により制御信号の値をモニタし前記制御信号の値が所定範囲に含まれているか否かを判定し、前記所定範囲に含まれていなければ前回のバンドの情報にオフセット（offset）を加減算して前記所定範囲に含まれるように前記今回以降に用いるバンドを設定するレーダ用ＰＬＬ回路。
【請求項２】
基準信号を生成するＰＬＬ回路（１２）、前記基準信号に応じてレーダ送信波を生成し対象物に送信する送信部（８）、及び、前記対象物から反射された反射信号を前記基準信号に応じて受信する受信部（９）、を備えたレーダシステム（１）、を構成する前記ＰＬＬ回路であり、
制御信号（Ｖｃ）に応じて周波数を漸増／漸減するバンドを互いに離間して複数備えると共に前記複数のバンドの中から１つのバンドを選択切替可能に構成され、前記バンドが切替えられると切替られたバンドの中で前記制御信号に応じた周波数の信号を前記基準信号として生成するマルチバンド制御発振部（２３，２２３）と、
前記マルチバンド制御発振器のバンドを設定するバンド設定部（２１，２２１）と、
前記周波数を漸増／漸減する制御指令（Ramp_on）を出力する制御指令出力部（１１）と、を備え、
前記制御指令出力部が前回の第１スタート周波数からストップ周波数まで漸増／漸減する制御指令を出力終了した後、今回の第２スタート周波数から漸増／漸減する制御指令を出力開始する以前に前記バンド設定部が前記今回以降に用いる前記バンドを設定し、
前記今回の第２スタート周波数から漸増／漸減する制御指令を出力開始する前に、入力される周波数指令に応じて変化する前記制御信号をモニタするモニタ部（２２）をさらに備え、
前記バンド設定部（２１）は、
前記モニタ部によりモニタされた制御信号に応じて前記バンドを設定するように構成され、前記モニタ部により制御信号の値をモニタし前記制御信号の値を所定の複数段階の低閾値及び高閾値と比較し、前記制御信号の値が前記低閾値より小さいときには前記前回のバンドの情報に前記制御信号と前記低閾値との差に応じた倍数のオフセットを減算して今回以降に用いるバンドを設定し、前記制御信号の値が前記高閾値より大きいときには前記前回のバンドの情報に前記制御信号と前記高閾値との差に応じた倍数のオフセットを加算して前記今回以降に用いるバンドを設定するレーダ用ＰＬＬ回路。
【請求項３】
前記バンド設定部は、今回のバンドとして設定する請求項１または２記載のレーダ用ＰＬＬ回路。
【請求項４】
前記バンド設定部は、前記今回の次の次回のバンドとして設定する請求項１または２記載のレーダ用ＰＬＬ回路。
【請求項５】
リファレンスクロックと前記マルチバンド制御発振部の出力信号を分周した信号との位相を比較した比較結果に基づいて前記制御信号に対応した周波数が何れのバンドに相当するかを事前にキャリブレーションするバンドキャリブレーション部（３０）、をさらに備え、
前記バンド設定部は、前記キャリブレーションした結果を参照してバンドを設定する請求項１または２記載のレーダ用ＰＬＬ回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
制御指令出力部が前回の第１スタート周波数からストップ周波数まで漸増／漸減する制御指令を出力終了した後、今回の第２スタート周波数から漸増／漸減する制御指令を出力開始する以前にバンド設定部が今回以降に用いるバンドを設定する。バンド設定部がバンドを設定してマルチバンド制御発振部が切り替えられた１つのバンドの中で制御信号に応じた周波数の信号を基準信号として生成することができるようになり、漸増又は漸減可能な周波数幅よりも周波数可変幅をさらに拡張可能にでき、ユニークな周波数変化パターンを容易に採用できるようになる。
また今回の第２スタート周波数から漸増／漸減する制御指令を出力開始する前に、入力される周波数指令に応じて変化する前記制御信号をモニタするモニタ部をさらに備える。
請求項１記載のバンド設定部は、モニタ部によりモニタされた制御信号に応じてバンドを設定するように構成され、モニタ部により制御信号の値をモニタし制御信号の値が所定範囲に含まれているか否かを判定し、所定範囲に含まれていなければ前回のバンドの情報にオフセット（offset）を加減算して所定範囲に含まれるように今回以降に用いるバンドを設定する。
請求項２記載のバンド設定部は、モニタ部によりモニタされた制御信号に応じて前記バンドを設定するように構成され、前記モニタ部により制御信号の値をモニタし前記制御信号の値を所定の複数段階の低閾値及び高閾値と比較し、前記制御信号の値が前記低閾値より小さいときには前記前回のバンドの情報に前記制御信号と前記低閾値との差に応じた倍数のオフセットを減算して今回以降に用いるバンドを設定し、前記制御信号の値が前記高閾値より大きいときには前記前回のバンドの情報に前記制御信号と前記高閾値との差に応じた倍数のオフセットを加算して今回以降に用いるバンドを設定する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月10日(2018.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮＭＯＳトランジスタにより構成され、第１の入力信号と第２の入力信号との差に応じた信号を出力する差動対回路と、
前記第１の入力信号の電圧レベルが所定の閾値よりも低いときには、前記第１の入力信号の電圧レベルを上げて前記差動対回路へ入力する第１の入力回路と、
を有するコンパレータ。
【請求項２】
前記第１の入力回路は、前記第１の入力信号の電圧レベルを上げるようにシフトアップする第１のレベルシフト回路を有し、前記第１の入力信号の電圧レベルが前記所定の閾値よりも低いときには、前記第１の入力信号の電圧レベルを上げるために前記第１のレベルシフト回路によりシフトアップされた前記第１の入力信号を前記差動対回路へ供給し、前記第１の入力信号の前記電圧レベルが前記所定の閾値よりも低くないときには、前記第１の入力信号をそのまま前記差動対回路へ供給する請求項１に記載のコンパレータ。
【請求項３】
更に、第２の入力回路を有し、
前記第２の入力回路は、前記第２の入力信号の電圧レベルを上げるようにシフトアップする第２のレベルシフト回路を有し、前記第１の入力信号の電圧レベルが前記所定の閾値よりも低いときには、前記第２のレベルシフト回路によりシフトアップされた前記第２の入力信号を前記差動対回路へ供給し、前記第１の入力信号の前記電圧レベルが前記所定の閾値よりも低くないときには、前記第２の入力信号をそのまま前記差動対回路へ供給する請求項２に記載のコンパレータ。
【請求項４】
ＮＭＯＳトランジスタにより構成され、第１の入力信号と第２の入力信号との差に応じた信号を出力する差動対回路と、
前記第１の入力信号の電圧レベルをシフトアップする第１のレベルシフト回路と、  前記第２の入力信号の電圧レベルをシフトアップする第２のレベルシフト回路と、
前記第１の入力信号の電圧レベルが前記所定の閾値よりも低いときには、前記第１のレベルシフト回路によりシフトアップされた前記第１の入力信号を選択し、前記第１の入力信号の前記電圧レベルが前記所定の閾値よりも低くないときには、前記第１の入力信号を選択して、前記差動対回路へ供給する第１の選択回路と、
前記第１の入力信号の電圧レベルが前記所定の閾値よりも低いときには、前記第２のレベルシフト回路によりシフトアップされた前記第２の入力信号を選択し、前記第１の入力信号の前記電圧レベルが前記所定の閾値よりも低くないときには、前記第２の入力信号を選択して、前記差動対回路へ供給する第２の選択回路と、
を有するコンパレータ。
【請求項５】
前記第１の入力信号に基づいて、選択信号を前記第１の選択回路及び前記第２の選択回路に出力する選択信号出力回路を有し、
前記第１の選択回路は、前記選択信号に基づいて、前記第１のレベルシフト回路によりシフトアップされた前記第１の入力信号あるいはそのままの前記第１の入力信号を選択して、前記差動対回路へ供給し、
前記第２の選択回路は、前記選択信号に基づいて、前記第２のレベルシフト回路によりシフトアップされた前記第２の入力信号あるいはそのままの前記第２の入力信号を選択して、前記差動対回路へ供給する請求項４に記載のコンパレータ。
【請求項６】
デジタル信号をアナログ信号に変換して前記第１の入力信号を生成するデジタルアナログ変換器を有する請求項５に記載のコンパレータ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月1日(2019.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の他通信装置との通信を実行する複数の応答部と割振部とを備える通信装置であって、
前記割振部は、予め定められた特定の処理である特定処理又は応答処理を、少なくとも一つの前記応答部に割振り、
前記特定処理又は前記応答処理が割振られた前記応答部は、所定の条件を満たす場合、前記特定処理又は前記応答処理を実行する、
通信装置。
【請求項２】
前記割振部は、識別子と、通信の応答が前記他通信装置から自通信装置に到着した時刻と、前記特定処理又は前記応答処理が生成された時刻とのうち少なくとも一つに基づいて、前記特定処理又は前記応答処理を割振る、請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記割振部と前記応答部とにおいて、又は、前記応答部とそれ以外の前記応答部とにおいて、前記特定処理又は前記応答処理が割振られたか否かの通知と、割振られた識別子の通知と、処理負荷の通知と、休止、起動、追加若しくは削除の指示と、削除されたリソースを開放するための通知と、リソースを確保するための通知とのうちの少なくとも一つを入力又は出力するためのインタフェース
をさらに備える、請求項１又は請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記応答部は、前記割振部として動作する場合、少なくとも一つの前記応答部に前記特定処理又は前記応答処理を割振る、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の通信装置。
【請求項５】
複数の他通信装置との通信を実行する複数の応答部と割振部とを備える通信装置が実行する通信方法であって、
前記割振部が、予め定められた特定の処理である特定処理又は応答処理を、少なくとも一つの前記応答部に割振るステップと、
前記特定処理又は前記応答処理が割振られた前記応答部が、所定の条件を満たす場合、前記特定処理又は前記応答処理を実行するステップと、
を含む通信方法。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の通信装置としてコンピュータを機能させるための通信プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（実施形態１）
図１は、通信装置の構成の第１例を示す図である。図１には、本実施形態に関係する機能ブロックのみを示す。通信システム１ａは、通信装置であるＯＬＴ２ａと、ＯＮＵ３−１〜３−Ｎとを備える。ＯＬＴ２ａは、応答部４−１〜４−Ｎ（Ｎは２以上の整数）を備える。応答部４は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサやそれを構成するコアが、非一時的又は一時的なメモリに記憶されたプログラムを実行することにより機能するソフトウェア機能部である。また、応答部４は、ＬＳＩ（Large Scale Integration）やＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等のハードウェア機能部であってもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
応答部４は、例えば、ＯＮＵ―IDやＬＬＩＤ（Ｌｏｇｉｃａｌ  Ｌｉｎｋ  ＩＤ）やＡｌｌｏｃ−ＩＤやＴ−ＣＯＮＴやＭＡＣアドレスやＩＰアドレスやＶＩＤ等の識別子と、応答処理等又はその処理に係る通信がＯＮＵ３等の相対する装置からＯＬＴ２ａに到着した時刻と、応答処理等に応じたデータがメモリ又はＣＰＵやそれを構成するコアやLSIやＡＳＩＣやＦＰＧＡ等に生成された時刻（以下「処理が生成された時刻」という。）とのうち少なくとも一つに基づいて、いずれか対応するかを定める。すなわち、応答部４は、識別子と、通信の応答がＯＮＵ３等の相対する装置からＯＬＴ２ａに到着した時刻と、応答処理等又はその処理に係る通信に応じたデータがメモリ又はＣＰＵやそれを構成するコアやＬＳＩやＡＳＩＣやＦＰＧＡ等に生成された時刻とのうち少なくとも一つに基づいて、ＯＮＵ３等の相対する装置又はその一部に対応付けられた少なくとも一つの応答部４に応答処理等を割振る。例えば、応答部４は、識別子に対応付けられた応答部４に、時刻順に応じて応答処理等を割振る。
ここで、ＬＬＩＤ、Ａｌｌｏｃ−ＩＤ、Ｔ−ＣＯＮＴ、ＩＰアドレスは単一装置に複数付与でき、ＭＡＣアドレスはNIC毎に付与されるため、複数のＬＬＩＤ、Ａｌｌｏｃ−ＩＤ、Ｔ−ＣＯＮＴ、ＩＰアドレス、ＮＩＣを備える場合、ＬＬＩＤ、Ａｌｌｏｃ−ＩＤ、Ｔ−ＣＯＮＴ、ＩＰアドレス、ＭＡＣアドレスは相対する装置の一部を示す識別子となる。
また、今回の処理としたが、輻輳や故障等の切替契機が発生するまでは、ＯＮＵ３等の相対する装置又はその一部の係る処理を固定的と特定の応答部4に割振ってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図２は、通信装置の構成の第２例を示す図である。図２には、本実施形態に関係する機能ブロックのみを示す。通信システム１ｂは、通信装置であるＯＬＴ２ｂと、ＯＮＵ３−１〜３−Ｎとを備える。ＯＬＴ２ｂは、応答部４−１〜４−Ｎと、割振部５とを備える。図２では、一例として、通信装置であるＯＬＴ２ｂが相対する装置はＯＮＵ３である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４９９】
１ａ，１ｂ…通信システム、２ａ…ＯＬＴ、２ｂ…ＯＬＴ、３…ＯＮＵ、４…応答部、５…割振部、１１…送受信部、１２…スイッチ部、１３…スイッチ部、１４…制御部、１５…プロキシ部、１６…外部サーバ、２１…機器無依存ＡＰＩ、２２…機器無依存ＡＰＩ、２３…機器依存ＡＰＩ、２４…機器依存ＡＰＩ、２５…機器依存ＡＰＩ、２６…ＡＰＩ、２７…機器無依存ＡＰＩ、１１０…機器依存部、１１１…ハードウェア部、１１２…ハードウェア部、１１３…ソフトウェア部、１１４…ＯＡＭ部、１１４ａ…エンベデッドＯＡＭエンジン、１１４ｂ…ＰＬＯＡＭエンジン、１１５…ＮＥ管理・制御部、１１５ａ…ＮＥ管理部、１１５ｂ…ＮＥコントロール、１２０…ミドルウェア部、１２１…ミドルウェア部、１３０…機器無依存アプリ部、１３１…拡張機能部、１３１−１…拡張機能部、１３１−２…拡張機能部、１３１−３…拡張機能部、１３２…基本機能部、１３３…管理・制御エージェント部、１４０…ＥＭＳ、１５０…機器依存アプリ部、１６０…外部の装置、３００…ＰＯＮ主信号処理機能部、３１０…ＰＭＤ部、３２０…ＰＯＮアクセス制御機能部、３３０…保守運用機能部、３４０…Ｌ２主信号処理機能部、３５０…ＰＯＮマルチキャスト機能部、３６０…省電力制御機能部、３７０…周波数・時刻同期機能部、３８０…プロテクション機能部
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月6日(2019.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
一方、各電源電圧の関係がＶＤＤ２＞ＶＤＤ１＞ＶＳＳであって、電源電圧ＶＤＤ２が電源電圧ＶＤＤ１よりも大幅に高いときに、例えば、入力信号ＩＮが電源電圧ＶＤＤ１レベル（第１ハイレベル）から基準電圧ＶＳＳレベル（ロウレベル）へ切り替わった場合を考える。この場合、ＰＭＯＳトランジスタ１１２がオンしている状態でＮＭＯＳトランジスタ１０２もオンすることとなり、このとき、ＮＭＯＳトランジスタ１０２のゲートに印加されている電圧は、電源電圧ＶＤＤ２よりも低い電源電圧ＶＤＤ１であるため、ＰＭＯＳトランジスタ１１２の電流供給能力と比べて、ＮＭＯＳトランジスタ１０２の電流供給能力、すなわち非反転出力ノードＮｏｕｔの電圧を引き下げる能力は低い。このため、非反転出力ノードＮｏｕｔの電圧が基準電圧ＶＳＳレベルへ下がっていかなくなり、レベルシフタ１００のレベルシフト動作が停止してしまうことになる。
入力信号ＩＮが基準電圧ＶＳＳレベル（ロウレベル）から電源電圧ＶＤＤ１レベル（第１ハイレベル）へ切り替わった場合も、同様の状況が生じる。
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月2日(2019.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記ヒータパネルを、第１の位置と、前記第１放熱面が、前記シート（６）に着座したユーザの下半身に向けて前記放射熱を放射するとともに、前記第２放熱面が、前記アームレストとして機能する第２の位置との間で移動させる移動機構（７３１、７３２）を備えた請求項７に記載のヒータ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
（第７実施形態）
本発明の第７実施形態に係るヒータ装置について図１０を用いて説明する。本実施形態のヒータパネル１０は、前席シート５の側面に取り付けられた支持部材５５ｂにより支持されている。支持部材５５ｂの一端は、前席シート５の側面に設けられた回転軸５５ａに回転可能に取付られており、支持部材５５ｂの他端にヒータパネル１０が取付られている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2018129188.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月30日(2019.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
回転電機（１０）を制御する複数の制御モジュール（２０，３０，４０，６０，７０）が、前記回転電機の回転軸（１１）まわりに環状に配置される半導体装置であって、
前記制御モジュールは、インバータを構成するハイサイド側スイッチング素子（Ｈ１〜Ｈ６）とローサイド側スイッチング素子（Ｌ１〜Ｌ６）とで１組を構成するアームを少なくとも２組有し、
前記制御モジュールが１つの電源に接続されたバスバー（５０）に対して並列に複数接続されることにより複数の前記アームが前記バスバーに対して並列に接続されるものであり、
前記制御モジュールは、前記ハイサイド側スイッチング素子および前記ローサイド側スイッチング素子が載置されつつ前記電源との電気的接続を仲介する金属板（２３，６３）を有し、
前記金属板は、ひとつの前記ハイサイド側スイッチング素子が載置される第１金属板（２３ａ，６３ａ）と、別の前記ハイサイド側スイッチング素子が載置される第２金属板（２３ｃ，６３ｃ）とを有するとともに、
前記第１金属板と前記第２金属板とを、相互に電気的および熱的に連結する連結板（２３ｆ，６３ｉ，６３ｊ）を有し、
さらに、前記制御モジュールが載置される放熱板（２１，３１，４１，６１，７１）と、
前記制御モジュールと前記放熱板とを電気的に絶縁するように介在する絶縁層（２２，６２，７２）と、を備え、
前記制御モジュールは、前記金属板が前記絶縁層を介して前記放熱板に対向するように載置され、
前記連結板は、前記絶縁層に較べて厚くされる半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記ハイサイド側スイッチング素子および前記ローサイド側スイッチング素子を制御する制御ＩＣ（２６，６６１，６６２）をさらに備え、
複数の前記ローサイド側スイッチング素子の並び方向において、前記制御ＩＣが、前記ローサイド側スイッチング素子の間に配置されている請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、この明細書に開示される半導体装置は、回転電機（１０）を制御する複数の制御モジュール（２０，３０，４０，６０，７０）が、回転電機の回転軸（１１）まわりに環状に配置される半導体装置であって、制御モジュールは、インバータを構成するハイサイド側スイッチング素子（Ｈ１〜Ｈ６）とローサイド側スイッチング素子（Ｌ１〜Ｌ６）とで１組を構成するアームを少なくとも２組有し、制御モジュールが１つの電源に接続されたバスバー（５０）に対して並列に複数接続されることにより複数のアームがバスバーに対して並列に接続されるものであり、制御モジュールは、ハイサイド側スイッチング素子およびローサイド側スイッチング素子が載置されつつ電源との電気的接続を仲介する金属板（２３，６３）を有し、金属板は、ひとつのハイサイド側スイッチング素子が載置される第１金属板（２３ａ，６３ａ）と、別のハイサイド側スイッチング素子が載置される第２金属板（２３ｃ，６３ｃ）とを有するとともに、第１金属板と第２金属板とを、相互に電気的および熱的に連結する連結板（２３ｆ，６３ｉ，６３ｊ）を有し、さらに、制御モジュールが載置される放熱板（２１，３１，４１，６１，７１）と、制御モジュールと放熱板とを電気的に絶縁するように介在する絶縁層（２２，６２，７２）と、を備え、制御モジュールは、金属板が絶縁層を介して放熱板に対向するように載置され、連結板は、絶縁層に較べて厚くされる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月14日(2019.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端に第一の線路と第二の線路とを有する一次巻線と、両端に第一の線路と第二の線路とを有する二次巻線と、を備えた配電用の変圧器と、
前記一次巻線の第一の線路と、前記二次巻線の第一の線路との間に接続された電力線通信の信号を通過させるための通信用コンデンサとを備えた配電用変圧装置。
【請求項２】
前記一次巻線の第二の線路と、前記二次巻線の第二の線路との間に接続された通信用コンデンサを更に備えた請求項１記載の配電用変圧装置。
【請求項３】
一次巻線と、両端に二つの線路である第一の線路と第二の線路とを有する二次巻線と、を備えた１以上の配電用の変圧器と、
前記変圧器の二次巻線が有する第一の線路と、第二の線路との間に接続された電力線通信の信号を通過させるための通信用コンデンサとを備えた配電用変圧装置。
【請求項４】
一次巻線と、両端に二つの線路である第一の線路と第二の線路とを有する二次巻線と、を備えた複数の配電用の変圧器と、
前記複数の変圧器の二次巻線が有する線路のうちの少なくとも一方の線路を異なる変圧器間で接続する通信用コンデンサを備えた配電用変圧装置。
【請求項５】
前記複数の変圧器の二次巻線が有する第一の線路と第二の線路との間をそれぞれ接続する通信用コンデンサを更に備えた請求項４記載の配電用変圧装置。
【請求項６】
前記複数の変圧器は、ｎ個（ｎは３以上の整数）の変圧器であり、
前記通信用コンデンサは、当該通信用コンデンサを介して前記複数の変圧器の二次巻線が有する線路の全てが電力線通信可能となるよう設けられており、
前記通信用コンデンサにより異なる変圧器間で接続される各線路は、当該線路を有する変圧器以外の（ｎ−２）個以下の変圧器の二次巻線が有する線路のうちの一方の線路と前記通信用コンデンサを介して接続される請求項５記載の配電用変圧装置。
【請求項７】
前記変圧器は、絶縁油内に設置される油入変圧器であり、
前記通信用コンデンサは、前記変圧器とともに前記絶縁油内に設置される請求項１から請求項６いずれか一項記載の配電用変圧装置。
【請求項８】
前記変圧器は、樹脂モールドで固められたモールド型変圧器であり、
前記通信用コンデンサは、前記変圧器とともに前記樹脂モールドで固められている請求項１から請求項６いずれか一項記載の配電用変圧装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
第二通信用コンデンサ１２ｂ１は、変圧器１１ａの二次巻線１１２の第一の線路Ｌ１と、変圧器１１ｂの二次巻線１１２の第一の線路Ｌ１との間に接続されている。また、第二通信用コンデンサ１２ｂ２は、変圧器１１ａの二次巻線１１２の第二の線路Ｌ２と、変圧器１１ｂの二次巻線１１２の第二の線路Ｌ２との間に接続されている。また、第二通信用コンデンサ１２ｂ３は、変圧器１１ｂの二次巻線１１２の第二の線路Ｌ２と、変圧器１１ｃの二次巻線１１２の第一の線路Ｌ１との間に接続されている。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月20日(2019.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）  半導体構造と、前記半導体構造に接続された第１電極および第２電極と、を有する少なくとも１つの半導体素子が配置された支持体を準備する工程と、
（ｂ）  前記第１電極に対応する第１配線端子と、前記第２電極に対応する第２配線端子と、を有する基台を準備する工程と、
（ｃ）  前記第１電極および前記第２電極の表面を連続して覆うように、前記支持体上に第１金属層を形成する工程と、
（ｄ）  前記第１配線端子および前記第２配線端子の表面を連続して覆うように、前記基台上に第２金属層を形成する工程と、
（ｅ）  前記第１電極と前記第１配線端子とを向かい合わせるとともに前記第２電極と前記第２配線端子とを向かい合わせ、原子拡散接合により、前記第１電極と前記第１配線端子とを電気的に接続するとともに前記第２電極と前記第２配線端子とを電気的に接続する工程と、
（ｆ）  前記第１金属層および前記第２金属層において、前記第１電極と前記第１配線端子との間の第１部分および前記第２電極と前記第２配線端子との間の第２部分以外の第３部分を電気的に絶縁化する、または、除去する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記工程（ａ）において、前記半導体構造の第１主面側に接続された前記第１電極および前記第２電極を有する前記少なくとも１つの半導体素子が、前記半導体構造の前記第１主面と反対側の第２主面側で実装され、前記第１電極および前記第２電極の前記表面を露出させるように第１絶縁層が形成された前記支持体を準備し、
前記工程（ｃ）において、前記第１電極および前記第２電極の前記表面と前記第１絶縁層の表面とを連続して覆うように、前記第１金属層を形成する、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ）において、前記第１配線端子および前記第２配線端子の前記表面を露出させるように第２絶縁層が形成された前記基台を準備し、
前記工程（ｄ）において、前記第１配線端子および前記第２配線端子の前記表面と前記第２絶縁層の表面とを連続して覆うように、前記第２金属層を形成する、
請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｆ）において、前記第１金属層および前記第２金属層の前記第３部分を、酸素ガスまたは水蒸気によって酸化させることにより、電気的に絶縁化する請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｆ）において、前記第１金属層および前記第２金属層の前記第３部分をエッチングにより除去する請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ａ）において、複数の前記半導体素子が配置された前記支持体を準備する、請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｆ）の後、前記基台を前記半導体素子ごとに個片化する工程を含む、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１金属層および前記第２金属層のそれぞれは、チタン、ジルコニウムまたはこれらの金属を主成分とする合金である請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１金属層および前記第２金属層のそれぞれはチタンからなり、かつ、５ｎｍ以下の厚さを有する、請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
（ａ）  半導体構造と、前記半導体構造に接続された第１電極および第２電極と、を有する少なくとも１つの半導体素子が配置された支持体を準備する工程と、
（ｂ）  前記第１電極に対応する第１配線端子と、前記第２電極に対応する第２配線端子と、を有する基台を準備する工程と、
（ｃ）  前記第１電極および前記第２電極の表面を連続して覆って前記支持体に形成された第１金属層、および、前記第１配線端子および前記第２配線端子の表面を連続して覆って、前記基台上に形成された第２金属層の少なくとも一方を形成する工程と、
（ｄ）  前記第１電極と前記第１配線端子とを向かい合わせるとともに前記第２電極と前記第２配線端子とを向かい合わせ、表面活性化結合により、前記第１電極と前記第１配線端子とを電気的に接続するとともに前記第２電極と前記第２配線端子とを電気的に接続する工程と、
（ｅ）  前記形成された前記第１金属層および前記第２金属層の少なくとも一方において、前記第１電極と前記第１配線端子との間の第１部分および前記第２電極と前記第２配線端子との間の第２部分以外の第３部分を電気的に絶縁化する、または、除去する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記工程（ａ）において、前記半導体構造の第１主面側に接続された前記第１電極および前記第２電極を有する前記少なくとも１つの半導体素子が、前記半導体構造の前記第１主面と反対側の第２主面側で実装され、前記第１電極および前記第２電極の前記表面を露出させるように第１絶縁層が形成された前記支持体を準備し、
前記工程（ｃ）において、前記第１電極および前記第２電極の前記表面と前記第１絶縁層の表面とを連続して覆うように、前記第１金属層を形成する、
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記工程（ｂ）において、前記第１配線端子および前記第２配線端子の前記表面を露出させるように第２絶縁層が形成された前記基台を準備し、
前記工程（ｄ）において、前記第１配線端子および前記第２配線端子の前記表面と前記第２絶縁層の表面とを連続して覆うように、前記第２金属層を形成する、
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記工程（ｅ）において、前記第１金属層および前記第２金属層の前記少なくとも一方の前記第３部分を、酸素ガスまたは水蒸気によって酸化させることにより、電気的に絶縁化する請求項１０から１２のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記工程（ｅ）において、前記第１金属層および前記第２金属層の前記少なくとも一方の前記第３部分をエッチングにより除去する請求項１０から１２のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記工程（ａ）において、複数の前記半導体素子が配置された前記支持体を準備する、請求項１０から１４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記工程（ｅ）の後、前記基台を前記半導体素子ごとに個片化する工程を含む、請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１金属層および前記第２金属層のそれぞれは、チタン、ジルコニウムまたはこれらの金属を主成分とする合金である請求項１０から１６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１金属層および前記第２金属層のそれぞれはチタンからなり、かつ、５ｎｍ以下の厚さを有する、請求項１０から１６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月4日(2019.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
制御部６２は、図５の制御を開始した後、まず、車載用蓄電部２０を放電するように放電回路部３６（図２）に放電動作を行わせる（ステップＳ３１）。具体的には、車載用蓄電部２０から放電電流を流すように放電回路部３６（図２）に対し放電動作を行わせ、車載用蓄電部２０の出力電圧が予め定められた所望の放電目標電圧となるように放電を制御する。制御部６２は、このような放電制御を開始した後、ステップＳ３２において、放電目標電圧に到達したか否かを判断する。ステップＳ３２において、車載用蓄電部２０の出力電圧が放電目標電圧以下になったと判断した場合（ステップＳ３２でＹｅｓの場合）、ステップＳ３３に進み、そうでない場合には、ステップＳ３１の放電動作を継続するとともにステップＳ３２の判断を繰り返す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図５の制御を行う場合、図６のようなシーケンスで各セルの充電又は放電がなされる。図６の例では、図５の制御の実行に応じて車載用蓄電部２０の放電が開始した後、各セルが次第に放電される。そして、車載用蓄電部２０の出力が放電目標電圧に達した後（図６の例では時間ｔｃの後）、放電回路部３６による放電は停止する。その後、図５の制御によってセル電圧の均等化制御がなされる。このような均等化制御において、各セル電圧の測定は、例えば、時間Ｔ１の間隔で行われる。図６のシーケンスでは、検査時間ｔｄで１番目のセル２１のセル電圧が第１閾値Ｖ３を超えているため、検査時点ｔｄから１番目のセル２１に対して個別に放電制御がなされる。この放電制御は、１番目のセル２１のセル電圧が第２閾値Ｖ４以下になるまで実行される。更に、時間ｔｅで２番目のセル２２のセル電圧が第１閾値を超えているため、検査時点ｔｅから２番目のセル２２に対して個別に放電制御がなされる。この放電制御は、２番目のセル２２のセル電圧が第２閾値Ｖ４以下になるまで実行される。このようにセル電圧の均等化制御がなされ、全セルが放電状態でない状態が所定の基準時間Ｔ２だけ継続した場合に、図５、図６で示すセル電圧の均等化制御を終了する。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月19日(2019.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
ここで、第１ベアリングホルダ７４の大径な下端には第１ベアリング９０及び図示しないウェーブワッシャが挿入され、一方、第２ベアリングホルダ７６に臨む側の上端は、下端に比して小径に設定されている。また、第２ベアリングホルダ７６の大径な上端には第２ベアリング９２が圧入され、一方、第１ベアリングホルダ７４に臨む側の下端は、前記上端に比して小径に設定されている。また、該第１ベアリングホルダ７４に臨む側の下端には、第１ベアリングホルダ７４が圧入される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2018129928.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2018129928.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2018129928.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2018129928.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月9日(2019.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の巻線組（１８０、２８０）を備える回転電機（８０）の駆動を制御する回転電機制御装置であって、
前記巻線組ごとに設けられる複数の駆動回路（１２０、２２０）と、
前記巻線組および前記巻線組ごとに対応して設けられる構成の組み合わせを系統とすると、対応して設けられる前記巻線組の通電を制御する駆動制御部（１４０、２４０）、および、監視対象の異常を監視する異常監視部（１３５、２３５）を有し、前記系統ごとに設けられる複数の制御部（１３０、２３０）と、
を備え、
前記制御部は、ＣＰＵをそれぞれ有しており、
前記駆動制御部は、
前記監視対象の異常が検出されてから異常が確定されるまでの間、異常検出時バックアップ制御を行い、
異常が確定された場合、異常確定時バックアップ制御を行う回転電機制御装置。
【請求項２】
前記異常検出時バックアップ制御は、異常が検出された前記系統である異常系統を用いず、異常が検出されていない前記系統である正常系統を用いて前記回転電機の駆動を制御する正常系統駆動制御である請求項１に記載の回転電機制御装置。
【請求項３】
前記制御部は、通信にて相互に情報を送受信可能であり、
前記異常検出時バックアップ制御は、異常が検出された前記系統において、異常箇所に対応する自系統の情報に替えて、異常が検出されていない前記系統の前記制御部から通信にて取得された情報を用いて前記巻線組への通電を制御する信号代替制御である請求項１に記載の回転電機制御装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記回転電機の駆動制御に用いられる情報を、配線（３１、３２）を用いて他系統から取得可能であって、
前記異常検出時バックアップ制御は、異常が検出された前記系統において、異常箇所に対応する自系統の情報に替えて、異常が検出されていない前記系統から前記配線を経由して取得された情報を用いて前記巻線組への通電を制御する信号代替制御である請求項１に記載の回転電機制御装置。
【請求項５】
前記異常検出時バックアップ制御は、前記巻線組に通電される電流を制限する電流制限制御である請求項１に記載の回転電機制御装置。
【請求項６】
前記異常確定時バックアップ制御は、異常が検出された前記系統である異常系統を用いず、異常が検出されていない前記系統である正常系統を用いて前記回転電機の駆動を制御する正常系統駆動制御である請求項１〜５のいずれか一項に記載の回転電機制御装置。
【請求項７】
前記制御部は、通信にて相互に情報を送受信可能であり、
前記異常確定時バックアップ制御は、異常が検出された前記系統において、異常箇所に対応する自系統の情報に替えて、異常が検出されていない前記系統の前記制御部から通信にて取得された情報を用いて前記巻線組への通電を制御する信号代替制御である請求項１〜５のいずれか一項に記載の回転電機制御装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記回転電機の駆動制御に用いられる情報を、配線（３１、３２）を用いて他系統から取得可能であって、
前記異常確定時バックアップ制御は、異常が検出された前記系統において、異常箇所に対応する自系統の情報に替えて、異常が検出されていない前記系統から前記配線を経由して取得された情報を用いて前記巻線組への通電を制御する信号代替制御である請求項１〜５のいずれか一項に記載の回転電機制御装置。
【請求項９】
前記異常確定時バックアップ制御は、前記巻線組に通電される電流を制限する電流制限制御である請求項１〜５のいずれか一項に記載の回転電機制御装置。
【請求項１０】
前記駆動制御部は、
前記異常検出時バックアップ制御が、異常が検出された前記系統である異常系統を用いず、異常が検出されていない前記系統である正常系統を用いて前記回転電機の駆動を制御する正常系統駆動制御である場合、前記異常確定時バックアップ制御として、前記正常系統駆動制御を継続し、
前記異常検出時バックアップ制御が、前記正常系統駆動制御以外の場合、前記異常確定時バックアップ制御として、前記正常系統駆動制御に移行する請求項１に記載の回転電機制御装置。
【請求項１１】
前記異常監視部は、所定の異常継続条件を満たした場合、異常を確定する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の回転電機制御装置。
【請求項１２】
前記駆動制御部は、異常検出後、所定期間内に異常が確定されなかった場合、前記異常検出時バックアップ制御から正常制御に復帰する請求項１〜１１のいずれか一項に記載の回転電機制御装置。
【請求項１３】
前記監視対象には、トルクセンサ（９４）が含まれる請求項１〜１２のいずれか一項に記載の回転電機制御装置。
【請求項１４】
前記監視対象には、回転角センサ（１２６、２２６）が含まれる請求項１〜１３のいずれか一項に記載の回転電機制御装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の回転電機制御装置（１０）と、
運転者による操舵部材（９１）の操舵を補助するアシストトルクを出力する前記回転電機と、
前記回転電機の駆動力を駆動対象（９２）に伝達する動力伝達部（８９）と、
を備える電動パワーステアリング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の回転電機制御装置は、複数の巻線組（１８０、２８０）を備える回転電機（８０）を制御するものであって、複数の駆動回路（１２０、２２０）と、複数の制御部（１３０、２３０）と、を備える。
駆動回路は、巻線組ごとに設けられる。
巻線組および巻線組ごとに対応して設けられる構成の組み合わせを系統とすると、制御部は、系統ごとに設けられる。制御部は、駆動制御部（１４０、２４０）、および、異常監視部（１３５、２３５）を有する。駆動制御部は、対応して設けられる巻線組の通電を制御する。異常監視部は、監視対象の異常を監視する。制御部は、ＣＰＵをそれぞれ有している。