Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月22日(2019.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
そのため、従来よりもダイナミックレンジが広い撮像画像データ（以下、「ＨＤＲ(High Dynamic Range)画像データ」と呼ぶ）を規定する規格が提唱されてきている。ＨＤＲ画像データの規格には例えば、ＳＭＰＴＥ（Society of Motion Picture and Television Engineers：米国テレビ技術者協会）の提唱するＳＴ．２０８４がある。ＳＴ．２０８４規格における信号特性はＥＯＴＦ（Electro−Optical Transfer Function：電気光伝達関数）で規定される。そして、ＳＴ．２０８４のＥＯＴＦは、以下の式で表され、シーン輝度値（映像信号レベル）を、最大１００００ｎｉｔ（またはｃｄ／ｍ２）の絶対表示輝度範囲に割り当てる（特許文献１）。
【数１】
2017181668.tif 000001
ただし、Ｌは表示輝度（０≦Ｌ≦１、Ｌ＝１が１００００ｎｉｔに対応）、Ｅ’が映像信号レベル（デジタル値）である。また、ｍ１，ｍ２，ｃ１〜ｃ３は定数で、ＳＴ．２０８４では具体的な値が規定されている。ＳＴ．２０８４のＥＯＴＦは、人間の視覚特性に応じた非線形な量子化ステップを有するため、ＰＱ（Perceptual Quantization）カーブとも呼ばれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
通信部１９３は、ＣＰＵ１１０の制御に従って外部機器と制御信号や静止画データ、動画データなどを通信する。通信方法や規格に制限はなく、例えば、無線ＬＡＮ、有線ＬＡＮ、ＵＳＢ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などの１つ以上に準拠した通信を行うことができる。なお、画像入力部１３０が、ＨＤＭＩ（登録商標）に準拠している場合、通信部１９３は画像入力部１３０に接続された外部装置とＣＥＣ通信してもよい。また、画像入力部１３０の端子が、例えばＨＤＭＩ（登録商標）端子であれば、その端子を介してＣＥＣ（Consumer Electronic Control）通信を行うものであっても良い。ここで、外部装置は、液晶プロジェクタ１００と通信可能な任意の電子機器であってよく、例えばパーソナルコンピュータ、カメラ、携帯電話、スマートフォン、ハードディスクレコーダ、ゲーム機、リモコンなどであってよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
図５（ａ）に示す入力設定画面において、「動作モード」により、ＨＤＲ画像を対象とした動作モード（ＨＤＲモード）か、ＳＤＲ画像を対象とした動作モード（ＳＤＲモード）を選択することができる。また、「動作モード」でＨＤＲモードが選択された場合、「ダイナミックレンジ」で入力画像の輝度レンジを設定することができる。また、この他にも、「投影サイズ」によって、（予め定められた距離における）液晶プロジェクタ１００による投影像の大きさを指定したり、「スクリーンゲイン」によって、スクリーンゲイン（反射率）を指定したりすることができる。項目名を選択する操作に応じて表示される予め用意された選択肢を選択することで各項目についての設定が可能である。例えば図５（ａ）では、項目「投影サイズ」が選択され、設定可能な４つの選択肢のうち、１００インチが選択されている状態を示している。この状態で決定指示が入力されると、ＣＰＵ１１０は選択肢の表示を終了し、投影サイズとして１００インチが設定された状態の表示を行う。ＯＳＤの表示終了指示があった場合、ＣＰＵ１１０は終了確認用の画面を表示させ、設定内容を保存するか保存せずに終了するかをユーザに選択させる。入力設定画面においてＨＤＲモードが設定された場合、ＣＰＵ１１０は処理をＳ４０８に進める代わりにＳ４０２に進める。なお、タブの選択により入力設定画面を映像設定画面（図５（ｂ））や情報表示画面に切り替えることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
本実施形態によれば、階調値に対する表示輝度が絶対輝度値で規定されたＨＤＲ画像を表示（投影）する際、入力輝度範囲と投影面輝度範囲との関係に基づいて、階調を正しく表示できる範囲が含まれるように階調変換特性を決定する。そのため、入力輝度範囲の全体を投影面輝度範囲に合わせて圧縮したり拡張したりする階調変換特性を用いた場合に生じる、全ての階調が正しく表示できないという問題を解決することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
本実施形態では、投影光学系１７１の光軸方向（投影方向）を撮影可能に配置された撮像部１９４を用いて投影面輝度レンジを取得する。
Ｓ１１０１でＣＰＵ１１０は、特定の画像（ここでは投影面輝度の最大値を取得するために、全画素の階調値が最大の白画像）を投影するように各部を制御した後、撮像部１９４に撮影を指示する。これに応答して撮像部１９４が撮影を行う。図１０（ａ）は撮像部１９４で得られた画像１２００を模式的に示している。画像１２００において、１２０１はスクリーン、１２０２は白画像の投影像である。なお、投影面輝度の最小値も取得する場合には、全画素の階調値が０の黒画像を投影した状態の画像も撮像部１９４を用いて撮影する。撮像部１９４は、撮影で得られた画像のデータを例えばＲＡＭ１１２に書き込む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
Ｓ１１０２でＣＰＵ１１０は、投影面輝度取得部１８２に、投影面輝度の取得を指示する。これに応答して投影面輝度取得部１８２は、ＲＡＭ１１２に保存された画像１２００のうち、投影像１２０２の領域の画素値（階調値）を取得もしくは算出する。ここでは撮像部１９４の光軸と投影光学系１７１の光軸との位置関係から、画像１２００における投影像１２０２の中心位置が既知であるものとする。従って投影面輝度取得部１８２は画像１２００のうち、投影像の中心位置の画素もしくは中心から所定範囲に含まれる画素の値に基づいて、投影像１２０２の階調値を算出する。あるいは、投影面輝度取得部１８２は、画像１２００に例えば画像処理部１４０を用いて二値化やハフ変換を適用して投影像１２０２の領域を検出し、領域内の全画素値に基づいて階調値を算出してもよい。投影面輝度取得部１８２は例えば画素値を平均して階調値を算出することができるが、他の方法を用いて算出してもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2017181668.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月26日(2019.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板が配置される位置の外側に設けられた板部材を含み、前記基板を保持する基板保持部と、
前記板部材の面と、前記板部材の面の付近に位置する異物との少なくとも一方を、前記型の帯電極性と同極性に帯電させる帯電手段と、を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記型の帯電極性を検出する検出手段をさらに有し、
前記帯電手段は、前記検出手段による検出結果に基づいて、前記板部材の面と、前記板部材の面の付近に位置する異物との少なくとも一方を帯電させることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記帯電手段は、前記板部材の面に向けて、前記型の帯電極性と同極性のイオンを供給するイオン供給部であることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記イオン供給部は、前記型の帯電極性と同極性のイオンを供給するイオン供給口が前記板部材と対向した状態でイオンを供給することを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記型を保持する型保持部の外周部に配置した気体吹き出し口を備え、該吹き出し口から気体を吹き出す気体吹き出し部を有し、
前記イオン供給部は、前記気体とともに、前記気体吹き出し口から前記型の帯電極性と同極性のイオンを供給することを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記帯電手段は、前記板部材の電位を制御する電位制御手段であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記板部材は、絶縁性の板部材または接地された導電性の板部材であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記板部材の上面と、前記基板保持部によって保持された基板の上面とが同一の高さとなるように、前記板部材が設けられていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型の電位を計測する計測工程と、
前記計測工程で計測された電位に基づいて、前記基板が配置される位置の外側に設けられた板部材の面と、前記板部材の面の付近に位置する異物との少なくとも一方を、前記型の帯電極性と同極性に帯電させる工程とを有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンの形成された前記基板を加工する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板が配置される位置の外側に設けられた板部材を含み、前記基板を保持する基板保持部と、前記板部材の面と、前記板部材の面の付近に位置する異物との少なくとも一方を、前記型の帯電極性と同極性に帯電させる帯電手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月3日(2018.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に反応を行う反応室と、
前記反応室の上方に配置され、前記基板上に少なくとも第１ガスおよび第２ガスを供給する供給部と、を備え、
前記供給部は、
第１隔壁と、前記第１隔壁の下部に所定間隔で設けられる第２隔壁と、前記第２隔壁の下部に所定間隔で設けられる第３隔壁と、
前記第１ガスが導入される前記第１の隔壁と前記第２隔壁の間に設けられる第１流路と、
前記第２ガスが導入される前記第２隔壁と前記第３隔壁との間に設けられる第２流路と、
前記第２隔壁から前記第３隔壁の下方に至り、前記第１流路と連通する第１配管と、
前記第１配管を囲むように設けられ、前記第３隔壁から前記第３隔壁の下方に至り、前記第２流路と連通する第２配管と、
前記第１配管の外周面または前記第２配管の内周面に設けられ、前記第１配管の外周面および前記第２配管の内周面の一方から他方に向かって突出した凸部と、
を備える成膜装置。
【請求項２】
前記凸部は、前記第１配管の外周面に設けられ、前記第２配管の内周面に向かって突出した請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記凸部は、前記第１配管および前記第２配管の下端より上方に設けられた請求項１または２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記凸部は、前記第１配管の中心軸方向に伸延した形状を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記凸部の下端は、テーパを有する請求項４に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記凸部は、前記第１配管および前記第２配管の下端から離間した位置に設けられた請求項３に記載の成膜装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月26日(2019.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型を保持する型保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、を有し、
前記型保持部の前記型により被われる領域の周辺領域、および、前記基板保持部の前記基板により被われる領域の周辺領域の少なくとも一方の領域に、互いに異なる極性に帯電した第１領域と第２領域とを発生させることにより異物を捕捉することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記第１領域に対応する位置に配置された第１電極と、
前記第２領域に対応する位置に配置された第２電極と、
電圧源をさらに有し、
前記電圧源は、前記第１電極に電位を与えて前記第１領域を帯電させ、かつ、前記第２電極に前記第１電極とは異なる極性の電位を与えて前記第２領域を帯電させることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記基板保持部は前記基板を保持して移動可能であり、
前記第１電極および前記第２電極は、前記基板保持部の移動方向に沿う方向に延伸していることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記移動方向は、前記基板上に前記インプリント材を供給する供給部と対向する位置から前記型と対向する位置に向かう方向であることを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記第１電極および前記第２電極は、前記基板の表面に沿う方向に、前記基板により被われる領域の外周を取り囲むように配置されていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記第１電極および前記第２電極は、前記型の表面に沿う方向に、前記型により被われる領域の外周を取り囲むように配置されていることを特徴とすることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記基板保持部は、気体供給部から供給された気体を前記型と前記基板との間の空間に導風する導風板を有し、
前記第１領域と前記第２領域は、前記導風板の表面に位置することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記第１領域および前記第２領域は、前記型と前記基板とが対向する状態において前記型保持部の前記型が保持されている側かつ前記基板保持部の前記基板が保持されている側の空間に対向している領域であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて前記基板上にインプリント材のパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンの形成された前記基板を加工する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１０】
原版に形成されたパターンを基板に投影する光学系と、
前記原版を保持する原版保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、を有し、
前記原版保持部の前記原版により被われる領域の周辺領域、および、前記基板保持部の前記基板により被われる領域の周辺領域の少なくとも一方の領域に、互いに異なる極性に帯電した第１領域と第２領域とを発生させることにより異物を捕捉することを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の露光装置を用いて前記基板上にパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンの形成された前記基板を加工する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記型を保持する型保持部と、前記基板を保持する基板保持部と、を有し、前記型保持部の前記型により被われる領域の周辺領域、および、前記基板保持部の前記基板により被われる領域の周辺領域の少なくとも一方の領域に、互いに異なる極性に帯電した第１領域と第２領域とを発生させることにより異物を捕捉することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月3日(2018.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
監視対象に対する警備モードとして、前記監視対象の領域が無人である際の異常監視を行う警戒モード、当該異常監視を行わない解除モード、及び前記監視対象での対処作業に派遣された対処員によって用いられる対処モードを切り替え可能な警備システムにおいて、
前記監視対象に設置され前記派遣された対処員の認証操作により、特定の前記対処員に所持される特定認証媒体に記録された前記監視対象に固有の第１の認証情報、又は任意の前記対処員に授けることができる第２の認証情報を取得する一方、前記監視対象の利用者の認証操作により、前記利用者に所持される利用者認証媒体に記録された利用者認証情報を取得する認証情報取得部と、
照合用の前記第１及び第２の認証情報並びに前記利用者認証情報を予め記憶する記憶部と、
前記認証操作に伴う前記第１若しくは第２の認証情報又は前記利用者認証情報の照合結果に基づき前記警備モードを切り替えるモード管理部と、を備え、
前記モード管理部は、
さらに、前記認証操作に頼らない予め定められた契機に基づいて、前記警備モードを前記解除モードから前記警戒モードへ切り替える非認証切り替え機能を有し、
前記非認証切り替え機能により設定された前記警戒モードにおいては、前記第１及び第２の認証情報のいずれかでの認証により前記対処モードへの切り替えを行い、前記利用者認証情報により設定された前記警戒モードにおいては、前記第１の認証情報による前記対処モードへの切り替えを許容する一方、前記第２の認証情報による前記対処モードへの切り替えを禁止すること、
を特徴とする警備システム。
【請求項２】
前記第２の認証情報はパスワードであり、
前記認証情報取得部は、
前記特定認証媒体から前記第１の認証情報を読み取るリーダ部と、
前記対処員が前記パスワードの入力操作を行う操作部と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の警備システム。
【請求項３】
前記非認証切り替え機能を実行させる前記契機は、予め設定された警備開始時刻の到来、又は前記利用者による警戒設定スイッチの操作であること、を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の警備システム。
【請求項４】
前記モード管理部は、前記非認証切り替え機能により前記警戒モードを設定した場合における前記第２の認証情報による前記対処モードへの切り替えを、当該警戒モードの設定から所定の緩和期間においては許容するが当該緩和期間の経過後は禁止すること、を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の警備システム。
【請求項５】
前記モード管理部は、前記非認証切り替え機能により前記警戒モードを設定した場合における前記第２の認証情報による前記対処モードへの切り替えを、当該警戒モードの設定から所定の初期異常検出期間内に前記監視対象の領域において異常が検出されたことを条件に許容すること、を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の警備システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（５）上記（１）〜（３）の警備システムにおいて、前記モード管理部は、前記非認証切り替え機能により前記警戒モードを設定した場合における前記第２の認証情報による前記対処モードへの切り替えを、当該警戒モードの設定から所定の初期異常検出期間内に前記監視対象の領域において異常が検出されたことを条件に許容する構成とすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
（５）モード管理部５２は、非認証方式により警戒モードを設定した場合における対処ＰＷによる対処モードへの切り替えを、当該警戒モードの設定から所定の初期異常検出期間内に監視対象の領域において異常が検出されたことを条件に許容してもよい。例えば、非認証方式による警戒モード移行後、初期異常検出期間内に侵入異常が発生した場合に限って、ＰＷ利用を許容する。モード管理部５２は初期異常検出期間内に異常が検出された場合、対処員による対処作業がなされるまで非認証フラグのオン状態を維持する。つまり、非認証方式により警戒モードを設定後、異常が発生するまでの間は非認証フラグがオフ状態である点、及び初期異常検出期間が経過した後も非認証フラグのオン状態が維持され得る点で緩和期間を設ける場合と処理が異なる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月26日(2018.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両側サイドバンド変調信号に片側サイドバンド変換を施して片側サイドバンド変調信号を生成する片側サイドバンド変換回路と、前記片側サイドバンド変調信号の強度を前記両側サイドバンド変調信号の強度に近づけるよう補正する補正回路と、前記補正回路により補正された変調信号に基づいて光変調信号を出力する光変調器と、を備える光送信器部と、
前記光送信器部が出力する前記光変調信号を受信して、その強度成分を直接検波する、光受信器部と、
を備える、光情報伝送システム。
【請求項２】
請求項１に記載の光情報伝送システムであって、
前記補正回路は、前記片側サイドバンド変調信号の実部成分の強度から、前記片側サイドバンド変調信号の虚部成分の強度に一定の定数を乗じたものを減算する構成を含む、
ことを特徴とする、光情報伝送システム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光情報伝送システムであって、
前記光変調器は、光ＩＱ変調器であり、
前記光ＩＱ変調器は、変調端子Ｉ及び変調端子Ｑを有し、
前記補正された変調信号の実部強度信号が前記変調端子Ｉに入力される、
ことを特徴とする、光情報伝送システム。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の光情報伝送システムであって、
前記片側サイドバンド変換回路は、ナイキスト透過特性を有するナイキストフィルタを含む、
ことを特徴とする、光情報伝送システム。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の光情報伝送システムであって、
前記光送信器部と前記光受信器部との間に配置される、光ファイバ伝送路を、さらに備え、
前記光送信器部は、前記補正回路と前記光変調器との間に配置されるとともに、前記光ファイバ伝送路の波長分散とは逆の伝達関数を印加する、波長分散予等化回路を、さらに備える、
ことを特徴とする、光情報伝送システム。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の光情報伝送システムであって、
前記光送信器部は、前記補正回路と前記光変調器との間に配置される他の補正回路を備え、
前記他の補正回路は、前記補正回路が出力する第１変調信号に、前記片側サイドバンド変換を施して、第２変調信号を生成し、前記第２変調信号の強度を前記両側サイドバンド変調信号の強度にさらに近づけるよう補正する、
ことを特徴とする、光情報伝送システム。
【請求項７】
両側サイドバンド変調信号に片側サイドバンド変換を施して片側サイドバンド変調信号を生成する片側サイドバンド変換回路と、前記片側サイドバンド変換回路が生成する前記片側サイドバンド変調信号に基づいて光変調信号を出力する光変調器と、を備える光送信器部と、
前記光送信器部が出力する前記光変調信号を受信して、前記光変調信号の強度を直接検波して受信信号を生成する、光受信器部と、
を備える、光情報伝送システムであって、
前記光受信器部は、
前記受信信号の強度が、前記両側サイドバンド変調信号の強度に近づくよう、前記受信信号の強度を補償する、補償回路を、備える、
ことを特徴とする、光情報伝送システム。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の光情報伝送システムであって、
互いに異なる周波数の光変調信号を出力する、複数の前記光送信器部と、
前記複数の前記光送信器部それぞれが出力する前記光変調信号を合波して波長多重光変調信号を出力する、光合波器と、
前記光合波器が出力する前記波長多重光変調信号を受信し、各前記光送信器部が出力する前記光変調信号の周波数ごとに、複数の前記光変調信号に分波する、光分波器と、
前記光分波器が出力する前記複数の前記光変調信号がそれぞれ入力される、複数の前記光受信器部と、
をさらに備える、光情報伝送システム。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の光情報伝送システムであって、
前記光変調信号は、ベースバンド光多値強度変調された光信号である、
ことを特徴とする光情報伝送システム。
【請求項１０】
両側サイドバンド変調信号に片側サイドバンド変換を施して片側サイドバンド変調信号を生成する片側サイドバンド変換回路と、
前記片側サイドバンド変調信号の強度を前記両側サイドバンド変調信号の強度に近づけるよう補正する補正回路と、
前記補正回路により補正された変調信号に基づいて光変調信号を出力する光変調器と、
を備える光送信器。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月26日(2019.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素と、前記第１の画素の周囲に配置されるとともに前記第１の画素よりも感度が高い複数の第２の画素とが行列状に配置された画素部と、
複数の前記第２の画素の値の差分に基づき輝度分布の方向を判定する方向性判定部と、
複数の前記第２の画素の値の相関値を算出する相関値算出部と、
前記相関値が複数の前記第２の画素の値におけるノイズ信号強度に基づく閾値よりも大きい場合、複数の前記第２の画素の値から、前記輝度分布の方向に基づいて前記第１の画素の値を補間し、前記相関値が前記閾値以下である場合、複数の前記第２の画素の値から、前記輝度分布の方向に依存せずに前記第１の画素の値を補間する補間処理部とを有する撮像装置。
【請求項２】
前記相関値は、前記第１の画素の周囲に位置する複数の前記第２の画素の値の分散であることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記相関値は、前記第１の画素の周囲に位置する複数の前記第２の画素の値の差分の絶対値であることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記相関値は、前記第１の画素の周囲に位置する複数の前記第２の画素の値の平均値に対する輝度弁別限値であることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第２の画素は、前記第１の画素の分光感度特性よりも広い半値幅の分光感度特性を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第２の画素は白画素である請求項１から５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
複数の前記第１の画素を備え、複数の前記第１の画素は、赤画素、緑画素、青画素から構成されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
複数の前記第１の画素を備え、複数の前記第１の画素は、シアン画素、マゼンタ画素、イエロ画素から構成されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記第２の画素の数は前記第１の画素の数の３倍以上であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記第１の画素は複数の前記第２の画素に囲まれていることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記閾値は、複数の前記第２の画素の値のゲインに対応して予め用意されたノイズ像標本に基づき求められることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記閾値は、第１のフレームにおける複数の前記第２の画素の値と第２のフレームにおける複数の前記第２の画素の値とのフレーム間の差分に基づき、求められることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記閾値は、前記第１のフレームおよび前記第２のフレームにおいて画像の動きが検出されなかった場合に求められることを特徴とする請求項１２に記載の撮像装置。
【請求項１４】
前記方向性判定部は、複数の前記第２の画素のうちの１対の第２の画素の値の差分と、前記第１の画素の重心から前記１対の第２の画素の重心までの距離とに基づき前記方向を判定することを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか１項に記載の撮像装置と、前記撮像装置から出力された画像データを処理する画像処理部とを備えたことを特徴とする撮像システム。
【請求項１６】
第１の画素と、前記第１の画素の周囲に配置されるとともに前記第１の画素よりも感度が高い複数の第２の画素とを含む画素部から出力された信号を処理する画像処理方法であって、
複数の前記第２の画素の値の差分に基づき輝度分布の方向を判定するステップと、
複数の前記第２の画素の値の相関値を算出するステップと、
前記相関値が複数の前記第２の画素の値におけるノイズ信号強度に基づく閾値よりも大きい場合、複数の前記第２の画素の値から、前記輝度分布の方向に基づいて前記第１の画素の値を補間し、前記相関値が前記閾値以下である場合、複数の前記第２の画素の値から、前記輝度分布の方向に依存せずに前記第１の画素の値を補間するステップとを有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１７】
色画素と前記色画素以外の白画素とが行列状に配置され、複数の前記白画素は前記色画素の周囲に位置する画素部と、
複数の前記白画素の値の差分に基づき輝度分布の方向を判定する方向性判定部と、
複数の前記白画素の値の相関値を算出する相関値算出部と、
前記相関値が複数の前記白画素の値におけるノイズ信号強度に基づく閾値よりも大きい場合、複数の前記白画素の値から、前記輝度分布の方向に基づいて前記色画素の値を補間し、前記相関値が前記閾値以下である場合、複数の前記白画素の値から、前記輝度分布の方向に依存せずに前記色画素の値を補間する補間処理部とを有する撮像装置。
【請求項１８】
前記相関値は、前記色画素の周囲に位置する複数の前記白画素の値の分散であることを特徴とする請求項１７に記載の撮像装置。
【請求項１９】
前記相関値は、前記色画素の周囲に位置する複数の前記白画素の値の差分の絶対値であることを特徴とする請求項１７に記載の撮像装置。
【請求項２０】
前記相関値は、前記色画素の周囲に位置する複数の前記白画素の値の平均値に対する輝度弁別限値であることを特徴とする請求項１７に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一態様に係る撮像装置は、第１の画素と、前記第１の画素の周囲に配置されるとともに前記第１の画素よりも感度が高い複数の第２の画素とが行列状に配置された画素部と、複数の前記第２の画素の値の差分に基づき輝度分布の方向を判定する方向性判定部と、複数の前記第２の画素の値の相関値を算出する相関値算出部と、前記相関値が複数の前記第２の画素の値におけるノイズ信号強度に基づく閾値よりも大きい場合、複数の前記第２の画素の値から、前記輝度分布の方向に基づいて前記第１の画素の値を補間し、前記相関値が前記閾値以下である場合、複数の前記第２の画素の値から、前記輝度分布の方向に依存せずに前記第１の画素の値を補間する補間処理部とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の他の態様に係る画像処理方法は、第１の画素と、前記第１の画素の周囲に配置されるとともに前記第１の画素よりも感度が高い複数の第２の画素とを含む画素部から出力された信号を処理する画像処理方法であって、複数の前記第２の画素の値の差分に基づき輝度分布の方向を判定するステップと、複数の前記第２の画素の値の相関値を算出するステップと、前記相関値が複数の前記第２の画素の値におけるノイズ信号強度に基づく閾値よりも大きい場合、複数の前記第２の画素の値から、前記輝度分布の方向に基づいて前記第１の画素の値を補間し、前記相関値が前記閾値以下である場合、複数の前記第２の画素の値から、前記輝度分布の方向に依存せずに前記第１の画素の値を補間するステップとを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月27日(2019.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯端末との通信を可能とする通信モジュールであって、
基板と、
前記基板上に設けられた所定の電波強度で送信を行う発信機と、
前記基板上に設けられた前記携帯端末と双方向通信が可能な通信装置と
を備え、
前記発信機及び前記通信装置は、単一の通信チップ上で時分割処理により構成されていることを特徴とする通信モジュール。
【請求項２】
前記発信機は、第１のデバイスアドレスを有し、
前記通信装置は、前記第１のデバイスアドレスとは異なる第２のデバイスアドレスを有することを特徴とする請求項１に記載の通信モジュール。
【請求項３】
前記発信機は、前記携帯端末からの受信を行わないことを特徴とする請求項１又は２に記載の通信モジュール。
【請求項４】
前記発信機は、前記携帯端末と双方向通信が可能であることを特徴とする請求項１又は２に記載の通信モジュール。
【請求項５】
前記通信チップは、前記携帯端末とＢＬＥ規格に基づく通信が可能なＢＬＥチップであることを特徴とする請求項１に記載の通信モジュール。
【請求項６】
前記発信機及び前記通信装置のデバイスアドレスとは異なるデバイスアドレスをそれぞれ割り振られた第２及び第３の発信機の少なくとも一方をさらに備えることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の通信モジュール。
【請求項７】
前記第２及び第３の発信機の少なくとも一方は、前記通信チップ上で時分割処理により構成されていることを特徴とする請求項６に記載の通信モジュール。
【請求項８】
前記通信装置は、前記発信機が送信する前記発信機の識別子と関連づけられた前記携帯端末上のアプリからの信号を受信することを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の通信モジュール。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の通信モジュールが取り付けられた機器。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月27日(2019.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置、静脈認証システム、および透過型静脈認証システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、陰極と、ＥＬ層とを有し、
前記ＥＬ層は、第１の層、第２の層及び第３の層を有し、
前記第１の層は、前記陽極に接し、
前記第２の層は、前記第１の層と前記第３の層との間に位置し、
前記第１の層は、第１の物質と第２の物質とを含み、
前記第２の層は、第３の物質を含み、
前記第３の層は、第４の物質を含み、
前記第１の物質は、正孔輸送性を有する第１の有機化合物であり、
前記第２の物質は、前記第１の有機化合物にアクセプタ性を示す物質であり、
前記第３の物質は、正孔輸送性を有する第２の有機化合物であり、
前記第４の物質が、酸化亜鉛である発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位または前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位が−５．２ｅＶ以下である発光装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位または前記第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位が−５．５ｅＶ以下である発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
発光を呈する物質が前記酸化亜鉛である発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の層と前記第２の層が、前記第２の層と前記第３の層が各々接している発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とが同じ物質である発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第３の層が前記酸化亜鉛の微粒子の集合体である発光装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記酸化亜鉛の微粒子の大きさが、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記第２の物質が、遷移金属酸化物又は元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物である発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記第２の物質が、バナジウム酸化物、ニオブ酸化物、タンタル酸化物、クロム酸化物、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、レニウム酸化物、チタン酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物及び銀酸化物から選ばれるいずれか一又は複数である発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記第２の物質が、モリブデン酸化物である発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記発光素子が発する光が、赤色領域から近赤外領域にピークを有する光である発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、
前記発光素子が発する光が、赤色領域から近赤外領域まで連続的に強度を有する光である発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の発光装置を用いた静脈認証システム。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の発光装置を用いた透過型静脈認証システム。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月13日(2018.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源の周囲に環状に形成された係合溝部を有する本体部と、
一端部と他端部とを有するカバー主部と前記一端部に形成された筒状の取付部とを備え、前記取付部が前記係合溝部に挿入された状態で前記本体部に取り付けられたカバーと
を備え、
前記カバー主部は、
前記一端部に凹部を有すると共に、前記一端部から他端部に向かって窄むように形成されている灯具。
【請求項２】
前記カバー主部は、さらに、
前記一端部に凸部を有する請求項１に記載の灯具。
【請求項３】
前記カバー主部は、
前記光源と対向した第１主部と、
前記一端部から前記一端部と前記他端部との中間まで形成された第４主部であって前記凹部が形成された第４主部と、
前記第４主部から前記第１主部に向かって形成された第３主部と、
前記第３主部と前記第１主部とをつなぐ第２主部と
を備えた請求項２に記載の灯具。
【請求項４】
前記第３主部は、
前記第４主部から前記第２主部に向かう方向に徐々に傾斜した請求項３に記載の灯具。
【請求項５】
前記本体部は、
前記係合溝部の周囲に前記一端部と当たっている当接部と、前記当接部から窄むように形成された外周部とを有し、
前記一端部の径は、前記当接部の径より小さい請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の灯具。
【請求項６】
前記灯具は、
前記本体部において前記カバーの反対側に配置された口金を有し、
前記カバー主部の高さ寸法は、前記口金が配置された前記本体部において前記当接部から前記口金の先端部までの高さ寸法の９０％以上である請求項５に記載の灯具。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の灯具と、前記灯具が直脱自在に取り付けられた照明器具とを備えた照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】灯具及び照明装置
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月22日(2019.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第一電極、圧電体、第二電極が順次積層され、駆動信号に応じた電圧を該第一電極と該第二電極との間に印加して該圧電体を変形させる電気機械変換素子において、
前記圧電体は、（１００）面及び／又は（００１）面に優先配向されたペロブスカイト型構造を有する複合酸化物で構成され、Ｘ線回折のθ−２θ法による測定で得られた回折強度のピークのうち（２００）面に対応する回折強度のピークにおいて回折強度が最大となる位置（２θ）で測定される（２００）面及び／又は（００２）面に対応するロッキングカーブ中に回折強度の落ち込み部分を有することを特徴とする電気機械変換素子。
【請求項２】
請求項１に記載の電気機械変換素子において、
前記圧電体は、前記ロッキングカーブ中に存在するピーク部分が前記落ち込み部分を挟んで存在する２つのピーク部分のみであることを特徴とする電気機械変換素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電気機械変換素子において、
前記ロッキングカーブの半値幅が１０度以上１２．４度以下の範囲であることを特徴とする電気機械変換素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気機械変換素子において、
前記第一電極は、少なくとも白金を含み、前記圧電体が形成される面の表面粗さの二乗平均平方根高さＳｑが３以下であることを特徴とする電気機械変換素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電気機械変換素子において、
前記圧電体と前記第一電極との間に、酸化チタン又はチタン酸鉛からなるシード層を有することを特徴とする電気機械変換素子。
【請求項６】
液体を吐出する吐出孔に連通する液室の少なくとも１つの壁を構成する変位板を駆動信号に基づいて変位させる電気機械変換素子を備えた液体吐出ヘッドにおいて、
前記電気機械変換素子として、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電気機械変換素子を用いたことを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項７】
駆動信号に基づいて吐出孔から液体を吐出させる液体吐出ヘッドと、少なくとも１つの外部部品とを一体化した液体吐出ユニットにおいて、
前記液体吐出ヘッドとして、請求項６に記載の液体吐出ヘッドを用いたことを特徴とする液体吐出ユニット。
【請求項８】
駆動信号に基づいて吐出孔から液体を吐出させる液体吐出ヘッドを備えた液体を吐出する装置において、
前記液体吐出ヘッドとして、請求項６に記載の液体吐出ヘッドを用いたことを特徴とする液体を吐出する装置。
【請求項９】
少なくとも第一電極、圧電体、第二電極を順次積層し、駆動信号に応じた電圧を該第一電極と該第二電極との間に印加して該圧電体を変形させる電気機械変換素子を製造する電気機械変換素子の製造方法において、
（１００）面及び／又は（００１）面に優先配向されたペロブスカイト型構造を有する複合酸化物で構成され、Ｘ線回折のθ−２θ法による測定で得られた回折強度のピークのうち（２００）面に対応する回折強度のピークにおいて回折強度が最大となる位置（２θ）で測定される（２００）面及び／又は（００２）面に対応するロッキングカーブ中に回折強度の落ち込み部分を有する圧電体を、前記第一電極上に直接又は間接的に形成することを特徴とする電気機械変換素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気機械変換素子の製造方法において、
基板の温度が４００℃以上である状況下で前記第一電極を該基板上に直接又は間接的に形成することを特徴とする電気機械変換素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気機械変換素子、液体吐出ヘッド、液体吐出ユニット、液体を吐出する装置及び電気機械変換素子の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電気機械変換素子、液体吐出ヘッド、液体吐出ユニット、液体を吐出する装置及び電気機械変換素子の製造方法に関するものである。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月1日(2019.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工具の種類および動作を規定する情報と、前記工具による動作に応じて変化する物理量の検知情報と、を受信する受信部と、
前記工具が被加工物に対して加工動作を実行中である期間の前記検知情報と、受信された前記工具の情報と、を用いて、前記工具の状態を判定する判定部と、
を備える診断装置。
【請求項２】
工具の種類および動作を規定する情報と、前記工具による動作に応じて変化する物理量の検知情報と、を受信する受信部と、
前記工具が被加工物に対して加工動作を実行中である期間の前記検知情報と、受信された前記工具の情報と、を用いて、前記被加工物の状態を判定する判定部と、
を備える診断装置。
【請求項３】
前記判定部は、さらに、前記工具の種類および動作を規定する情報に基づいて前記工具が被加工物に対して加工動作を実行中である期間の前記検知情報を特定する、
請求項１または２に記載の診断装置。
【請求項４】
前記判定部は、複数の品質情報のうち、判定された前記被加工物の状態に応じたいずれかの品質情報を決定して出力する、
請求項２に記載の診断装置。
【請求項５】
前記受信部は、前記工具の種類および動作を規定する情報として、加工機を構成する工具の動作を規定する複数のコンテキスト情報のうち所定の動作に対応するコンテキスト情報を受信する、
請求項１または２に記載の診断装置。
【請求項６】
前記判定部は、前記検知情報に基づいて、前記工具が被加工物に対して加工動作を実行中である期間の前記検知情報を特定し、特定された前記検知情報と、受信された前記工具の情報と、を用いて、前記工具の状態を判定する、
請求項１または２に記載の診断装置。
【請求項７】
工具の種類および動作を規定する情報と、前記工具による動作に応じて変化する物理量の検知情報と、を受信する受信ステップと、
前記工具が被加工物に対して加工動作を実行中である期間の前記検知情報と、受信された前記工具の情報と、を用いて、前記工具の状態を判定する判定ステップと、
を含む診断方法。
【請求項８】
工具の種類および動作を規定する情報と、前記工具による動作に応じて変化する物理量の検知情報と、を受信する受信ステップと、
前記工具が被加工物に対して加工動作を実行中である期間の前記検知情報と、受信された前記工具の情報と、を用いて、前記被加工物の状態を判定する判定ステップと、
を含む診断方法。
【請求項９】
コンピュータに、
工具の種類および動作を規定する情報と、前記工具による動作に応じて変化する物理量の検知情報と、を受信する受信ステップと、
前記工具が被加工物に対して加工動作を実行中である期間の前記検知情報と、受信された前記工具の情報と、を用いて、前記工具の状態を判定する判定ステップと、
を実行させるためのプログラム。
【請求項１０】
コンピュータに、
工具の種類および動作を規定する情報と、前記工具による動作に応じて変化する物理量の検知情報と、を受信する受信ステップと、
前記工具が被加工物に対して加工動作を実行中である期間の前記検知情報と、受信された前記工具の情報と、を用いて、前記被加工物の状態を判定する判定ステップと、
を実行させるためのプログラム。
【請求項１１】
診断装置と、前記診断装置の診断の対象となる加工機と、を備える診断システムであって、
前記診断装置は、
工具の種類および動作を規定する情報と、前記工具による動作に応じて変化する物理量の検知情報と、を受信する受信部と、
前記工具が被加工物に対して加工動作を実行中である期間の前記検知情報と、受信された前記工具の情報と、を用いて、前記工具の状態を判定する判定部と、を備え、
前記加工機は、
前記物理量を検知する検知部と、
検知された前記物理量を前記診断装置に送信する送信部と、を備える、
診断システム。
【請求項１２】
診断装置と、前記診断装置の診断の対象となる加工機と、を備える診断システムであって、
前記診断装置は、
工具の種類および動作を規定する情報と、前記工具による動作に応じて変化する物理量の検知情報と、を受信する受信部と、
前記工具が被加工物に対して加工動作を実行中である期間の前記検知情報と、受信された前記工具の情報と、を用いて、前記被加工物の状態を判定する判定部と、を備え、
前記加工機は、
前記物理量を検知する検知部と、
検知された前記物理量を前記診断装置に送信する送信部と、を備える、
診断システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、工具の種類および動作を規定する情報と、前記工具による動作に応じて変化する物理量の検知情報と、を受信する受信部と、前記工具が被加工物に対して加工動作を実行中である期間の前記検知情報と、受信された前記工具の情報と、を用いて、前記工具の状態を判定する判定部と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月22日(2019.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体層、ソース・ドレイン電極、および少なくとも１層の保護膜を有する薄膜トランジスタであって、前記酸化物半導体層を構成する金属元素がＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＳｎを含み、前記酸化物半導体層における全金属元素の合計（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）に対する各金属元素の割合が、
Ｉｎ：２０〜４５原子％、
Ｇａ：１０〜２０原子％、
Ｚｎ：４０〜６０原子％、および
Ｓｎ：９〜２５原子％
である薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記酸化物半導体層において、全金属元素に占めるＳｎに対するＺｎの割合（Ｚｎ／Ｓｎ）が２．４倍より大きく、かつ、Ｇａに対するＩｎの割合（Ｉｎ／Ｇａ）が２．０倍より大きい、請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記保護膜を形成した直後の酸化物半導体層のシート抵抗Ｒｓｈと、その後ポストアニール処理を行った後の酸化物半導体層のシート抵抗Ｒｓｈ’との比（Ｒｓｈ’／Ｒｓｈ）が１．０超である、請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記保護膜を形成する前のシート抵抗が１．０×１０５Ω／□以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記保護膜を形成した直後の酸化物半導体層のキャリア密度Ｄと、ポストアニール処理を行った後の酸化物半導体層のキャリア密度Ｄ’との比（Ｄ’／Ｄ）が、１．５以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記酸化物半導体層は少なくとも一部の金属原子にＯＨ基が結合している半導体薄膜である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項７】
ポストアニール後において、保護膜であるシリコン酸化膜のＯＨ基が酸化物半導体の表面に拡散して増加する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記酸化物半導体層がアモルファス構造、又は、少なくとも一部が結晶化されたアモルファス構造である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項９】
前記酸化物半導体層の直上にさらにエッチストッパー層を有するエッチストップ型である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
前記酸化物半導体層の直上にエッチストッパー層を有さないバックチャネルエッチ型である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
次にフォトリソグラフィ、およびドライエッチングにより、保護膜６にトランジスタ特性評価用プロービングのためのコンタクトホールを形成した。その後、ポストアニールとして、窒素雰囲気で２５０℃、３０分および２９０℃、３０分の熱処理を行うことで、Ｎｏ．１〜６、８、１３、１４、１６〜２０の薄膜トランジスタをそれぞれ得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
【表１】
2017157813.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
【表２】
2017157813.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
【表３】
2017157813.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
【表４】
2017157813.tif 000004
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
本実施例では、酸化物半導体のバンドベンディング等による高抵抗化の影響を回避するために酸化物半導体薄膜を３００ｎｍにしてホール測定を行ったが、Ｎｏ．１およびＮｏ．２については、ポストアニール前後ともに、ホール測定が困難であった。Ｎｏ．３以降では測定が可能であった。ここではポストアニールを３００℃で行ったが、ポストアニール前後でＮｏ．４，Ｎｏ．６はポストアニール後でキャリア濃度が大きく増加しており（Ｄ‘／Ｄ≧５）、保護膜ＳｉＮｘに多量に含まれる水素がＳｉＮｘ層から酸化物半導体層に拡散することによってキャリアとして働き、キャリア濃度が増加したことが分かる。