Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月23日(2019.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部材と、
通気孔を有するパネル部材と、を備え、
前記本体部材は、枠体と、前記枠体に保持された面材と、を備え、
前記枠体は、前記面材を下方から支持する受け枠と、前記受け枠の下方に空間を空けて設けられバルコニー躯体により下方から支持される下枠と、を有し、
前記パネル部材は、前記パネル部の上端が前記受け枠の上端と実質同一の高さ位置となるように前記枠体に装着され、前記空間は前記パネル部材により覆われて前記通気孔と連通することを特徴とする手摺ユニット。
【請求項２】
前記枠体は上下方向に延びて前記面材を左右両側から支持する左右一対の縦枠を有し、前記パネル部材は前記縦枠に固定されることを特徴とする請求項１に記載の手摺ユニット。
【請求項３】
本体部材と、
通気孔を有するパネル部材と、を備え、
前記本体部材は、枠体と、前記枠体に保持された面材と、を備え、
前記枠体は、前記面材を下方から支持する受け枠と、前記受け枠の下方に空間を空けて設けられバルコニー躯体により支持される下枠と、上下方向に延びて前記面材を左右両側から支持する左右一対の縦枠と、を有し、
前記パネル部材は前記縦枠に固定されて前記空間を覆うことを特徴とする手摺ユニット。
【請求項４】
バルコニー躯体と、
前記バルコニー躯体に支持された請求項１〜３の何れかに記載の手摺ユニットと、
前記受け枠よりも下方位置に配設された床板と、を備え、前記床板の床面は前記下枠の上面と略同一高さであることを特徴とするバルコニー。
【請求項５】
バルコニー躯体と、
前記バルコニー躯体に支持された請求項１〜３の何れかに記載の手摺ユニットと、
前記下枠よりも上方位置に配設された床板と、を備え、
前記手摺りユニットは、複数の開口部が設けられた通気板を更に有し、前記通気板は前記受け枠の後方に前記受け枠とほぼ同一高さ位置に設けられ、
前記床板の床面は前記空間よりも上方に位置することを特徴とするバルコニー。
【請求項６】
前記バルコニー躯体は、フレームと、前記フレームに立設された支柱と、前記支柱に固定された水切りカバーと、を備え、
前記下枠は前記水切りカバーに載置されて支持されることを特徴とする請求項４又は５に記載のバルコニー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る手摺ユニットは、本体部材と、通気孔を有するパネル部材と、を備え、前記本体部材は、枠体と、前記枠体に保持された面材と、を備え、前記枠体は、前記面材を下方から支持する受け枠と、前記受け枠の下方に空間を空けて設けられバルコニー躯体により下方から支持される下枠と、を有し、前記パネル部材は、前記パネル部の上端が前記受け枠の上端と実質同一の高さ位置となるように前記枠体に装着され、前記空間は前記パネル部材により覆われて前記通気孔と連通することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記枠体は上下方向に延びて前記面材を左右両側から支持する左右一対の縦枠を有し、前記パネル部材は前記縦枠に固定されることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る手摺りユニットは、本体部材と、通気孔を有するパネル部材と、を備え、  前記本体部材は、枠体と、前記枠体に保持された面材と、を備え、前記枠体は、前記面材を下方から支持する受け枠と、前記受け枠の下方に空間を空けて設けられバルコニー躯体により支持される下枠と、上下方向に延びて前記面材を左右両側から支持する左右一対の縦枠と、を有し、前記パネル部材は前記縦枠に固定されて前記空間を覆うことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係るバルコニーは、バルコニー躯体と、前記バルコニー躯体に支持された上記手摺ユニットと、前記受け枠よりも下方位置に配設された床板と、を備え、前記床板の床面は前記下枠の上面と略同一高さであることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係るバルコニーは、バルコニー躯体と、前記バルコニー躯体に支持された上記手摺ユニットと、前記下枠よりも上方位置に配設された床板と、を備え、前記手摺りユニットは、複数の開口部が設けられた通気板を更に有し、前記通気板は前記受け枠の後方に前記受け枠とほぼ同一高さ位置に設けられ、前記床板の床面は前記空間よりも上方に位置することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記バルコニー躯体は、フレームと、前記フレームに立設された支柱と、前記支柱に固定された水切りカバーと、を備え、前記下枠は前記水切りカバーに載置されて支持されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月17日(2019.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スパッタリングターゲット、及び酸化物半導体膜の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有するスパッタリングターゲットは、第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域は前記スパッタリングターゲット全体におけるＧａの原子数比より、Ｇａの原子数比が大きい領域であり、
前記第２の領域は前記スパッタリングターゲット全体におけるＩｎの原子数比より、Ｉｎの原子数比が大きい領域である、
スパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有するスパッタリングターゲットは、第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域はＧａが偏析し、Ｇａを多く含む領域であり、
前記第２の領域はＩｎが偏析し、Ｉｎを多く含む領域である、
スパッタリングターゲット。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記スパッタリングターゲットは、表面側に前記第１の領域を有する、
スパッタリングターゲット。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の領域又は前記第２の領域は、クラスタを有する、
スパッタリングターゲット。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載されたスパッタリングターゲットを用いて酸化物半導体膜を作製する方法であって、
成膜室に前記スパッタリングターゲット及び基板を設置し、全体に占める酸素ガスの割合が３０％以上１００％以下となる成膜ガスを前記成膜室に導入し、前記スパッタリングターゲットに電圧を印加して前記基板に前記酸化物半導体膜を形成する、酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載されたスパッタリングターゲットを用いて酸化物半導体膜を作製する方法であって、
成膜室に前記スパッタリングターゲット及び基板を設置し、全体に占める酸素ガスの割合が０％以上３０％以下となる成膜ガスを前記成膜室に導入し、前記スパッタリングターゲットに電圧を印加して前記基板に前記酸化物半導体膜を形成する、酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、
前記基板を意図的に加熱しない、酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記成膜室に前記成膜ガスを導入した後、且つ前記基板上に前記酸化物半導体膜を成膜する前に、前記成膜室へ窒素分子が導入される、酸化物半導体膜の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月8日(2019.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに反対になる第１面及び第２面を有し、その外周から中心部に向けて形成された開口を具備したノッチ部を含む半導体ウェーハを準備する段階と、
前記半導体ウェーハの外周を加工し、前記第１面及び第２面を連結する第１傾斜面を含み、前記第１面と前記第１傾斜面とが出合う第１地点から、前記第２面と前記第１傾斜面とが出合う第２地点まで延長された直線に対して第１高さを有する第１ベベル部を形成する段階と、
前記ノッチ部を加工し、前記開口と接するように配置され、前記第１面及び第２面を連結する第２傾斜面を含み、前記第１面と前記第２傾斜面とが出合う第３地点から、前記第２面と前記第２傾斜面とが出合う第４地点まで延長された直線に対して、前記第１高さと異なる第２高さを有する第２ベベル部を形成する段階と、を含み、
前記第２ベベル部は、前記ノッチ部内にあり、前記第１ベベル部は、前記第２ベベル部に隣接した前記半導体ウェーハの外周の残部に沿って形成された半導体ウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記第２高さは、前記第１高さよりも低いことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記半導体ウェーハのウェーハ本体の厚みは、前記第２高さよりも３倍以上厚いことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記第２ベベル部を形成する段階後に、
前記半導体ウェーハを熱処理し、前記半導体ウェーハの欠陥を検査する段階をさらに含み、
前記検査する段階は、
第１温度で、前記半導体ウェーハを熱処理する段階と、
前記第１温度より高い第２温度で、前記半導体ウェーハを熱処理する段階と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記第１温度は、１，０００℃以上１，１５０℃未満であることを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項６】
互いに反対になる第１面及び第２面を有するウェーハ本体と、
前記ウェーハ本体の外周上に形成され、前記ウェーハ本体の外周から、前記ウェーハ本体の中心部に向けて形成された開口を具備したノッチ部と、
前記ウェーハ本体の外周に沿って形成され、前記第１面及び第２面を連結する第１傾斜面を含み、前記第１面と前記第１傾斜面とが出合う第１地点から、前記第２面と前記第１傾斜面とが出合う第２地点まで延長された直線に対して第１高さを有する第１ベベル部と、
前記開口と接するように配置され、前記第１面及び第２面を連結する第２傾斜面を含み、前記第１面と前記第２傾斜面とが出合う第３地点から、前記第２面と前記第２傾斜面とが出合う第４地点まで延長された直線に対して、前記第１高さと異なる第２高さを有する第２ベベル部と、を含み、
前記第２ベベル部は、前記ノッチ部内にあり、前記第１ベベル部は、前記第２ベベル部に隣接した前記ウェーハ本体の外周の残部に沿って形成された半導体ウェーハ。
【請求項７】
前記第２高さは、前記第１高さよりも低いことを特徴とする請求項６に記載の半導体ウェーハ。
【請求項８】
前記ウェーハ本体の厚みは、前記第２高さよりも３倍以上厚いことを特徴とする請求項６に記載の半導体ウェーハ。
【請求項９】
前記開口は、０．４ｍｍないし１．０ｍｍの深さに形成されたことを特徴とする請求項６に記載の半導体ウェーハ。
【請求項１０】
前記ノッチ部は、前記ウェーハ本体の第１面に対して垂直になる方向から見たとき、曲線上の端部を有することを特徴とする請求項６に記載の半導体ウェーハ。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月21日(2018.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配置された表示領域を有する表示装置において、
第１の有機絶縁膜と、
前記表示領域を囲む枠状に存在し、前記第１の有機絶縁膜を分断する第１の溝と、
前記第１の溝に配置され、前記表示領域を囲む枠状に存在する無機絶縁材料からなる第１の無機隔壁部と、
前記第１の有機絶縁膜及び前記第１の無機隔壁部の上方に形成される第２の有機絶縁膜と、
前記表示領域を囲む枠状に存在し、前記第２の有機絶縁膜を分断し、平面視で前記第１の溝の内側に位置する第２の溝と、
を備える表示装置。
【請求項２】
前記第１の無機隔壁部の上面は、前記第１の有機絶縁膜の上面よりも上方に位置する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の無機隔壁部の上面は、前記第２の有機絶縁膜の上面よりも下方に位置する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１の無機隔壁部の上面は、前記第１の有機絶縁膜の上面よりも下方に位置し、
前記第１の溝の内側に前記第２の溝が位置する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の溝を囲む枠状に存在し、前記第１の有機絶縁膜を分断する第３の溝と、
前記第３の溝に配置され、前記第１の溝を囲む枠状に存在する第２の無機隔壁部と、
前記第２の溝を囲む枠状に存在し、前記第２の有機絶縁膜を分断し、平面視で前記第３の溝の内側に位置する第４の溝と、
をさらに備える請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２の無機隔壁部の前記表示領域とは反対側には、前記第１の有機絶縁膜及び前記第２の有機絶縁膜が存在しない、
請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１の有機絶縁膜の上方に形成される画素電極と、
前記第１の有機絶縁膜の下方に形成される無機絶縁膜と、
前記第１の有機絶縁膜と前記無機絶縁膜の間に配置され、前記第１の有機絶縁膜に形成された層間接続穴を介して前記画素電極と電気的に接続される下部電極と、
をさらに備え、
前記無機隔壁部と前記無機絶縁膜の間に、前記無機隔壁部の領域を跨ぐ、前記下部電極と同層の配線が配置される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１の有機絶縁膜の上方に形成される画素電極と、
前記第１の有機絶縁膜の下方に形成される無機絶縁膜と、
前記第１の有機絶縁膜と前記無機絶縁膜の間に配置され、前記第１の有機絶縁膜に形成された層間接続穴を介して前記画素電極と電気的に接続される下部電極と、
をさらに備え、
前記無機隔壁部の下方に、前記下部電極と同層の導電膜を含む回路素子が配置される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１の有機絶縁膜と前記第２の有機絶縁膜の間に形成される無機絶縁膜と、
前記第１の有機絶縁膜上に形成される画素電極と、
前記第１の有機絶縁膜と前記無機絶縁膜の間に配置され、前記無機絶縁膜を挟んで前記画素電極と対向する対向電極と、
をさらに備え、
前記無機隔壁部の上方に、前記無機絶縁膜の一部及び前記対向電極と同層の導電膜の少なくとも一方が配置される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記無機隔壁部の上方に、前記第１の有機絶縁膜上に形成される画素電極と同層の導電膜が配置される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１の有機絶縁膜の下方に形成される無機絶縁膜と、
前記第１の有機絶縁膜上に形成される画素電極と、
前記第１の有機絶縁膜と前記無機絶縁膜の間に配置され、前記第１の有機絶縁膜に形成された層間接続穴を介して前記画素電極と電気的に接続される下部電極と、
をさらに備え、
前記無機隔壁部は、前記無機絶縁膜の一部及び前記下部電極と同層の導電膜の少なくとも一方を含む、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１の有機絶縁膜上に形成される画素電極と、
前記第２の有機絶縁膜に形成された開口内の前記画素電極上に配置される、発光層を含む有機膜と、
前記有機膜上に配置される対向電極と、
をさらに備える、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記無機隔壁部の領域に有機材料が跨って形成されない、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１４】
複数の画素が配置された表示領域を有する表示装置の製造方法であって、
前記表示領域を囲む枠状に存在する無機絶縁材料からなる第１の無機隔壁部を形成し、
第１の溝を有し、前記第１の溝に前記第１の無機隔壁部が配置された第１の有機絶縁膜を形成し、
前記第１の溝に前記第１の無機隔壁部が配置された状態の前記第１の有機絶縁膜の上方に第２の有機絶縁膜を形成し、
前記表示領域を囲む枠状に存在し、前記第２の有機絶縁膜を分断し、平面視で前記第１の溝の内側に位置する第２の溝を形成する、
表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の無機隔壁部を囲む枠状に存在する無機絶縁材料からなる第２の無機隔壁部を形成し、
前記第１の有機絶縁膜は、第３の溝を有し、前記第３の溝に前記第２の無機隔壁部が配置され、
前記第２の溝を囲む枠状に存在し、前記第２の有機絶縁膜を分断し、平面視で前記第３の溝の内側に位置する第４の溝を形成する、
請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月18日(2018.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に発光層を有する有機層を形成し、
透光性を有する導電性酸化物を含むターゲットをスパッタすることによって前記有機層上に第２の電極を形成することを含み、
前記第２の電極の形成時において、前記有機層と前記ターゲットの間にマスクを、前記マスクと前記基板が接触せず、かつ前記マスクと前記基板間の距離が２０ｍｍ以下となるように設置し、
前記マスクは周期的に配列した、最大幅が０．１μｍ以上３μｍ以下の複数の貫通孔を有する、表示装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に有機層を形成し、
周期的に配列した複数の貫通孔を有するマスクを前記有機層上に、前記マスクと前記基板が接触せず、かつ前記マスクと前記基板間の距離が２０ｍｍ以下となるように設置し、
透光性を有する導電性酸化物を含むターゲットをスパッタすることによって前記有機層上に第２の電極を形成することを含み、
前記貫通孔の最大面積は、前記有機層と前記第１の電極が接する面積よりも小さい、表示装置の作製方法。
【請求項３】
前記最大幅が１μｍ以上、３μｍ以下である、請求項１に記載の作製方法。
【請求項４】
前記複数の貫通孔のピッチが０．２μｍ以上、６μｍ以下である、請求項１または２に記載の作製方法。
【請求項５】
前記複数の貫通孔のピッチが２μｍ以上、６μｍ以下である、請求項１または２に記載の作製方法。
【請求項６】
前記マスクが金属を有する、請求項１または２に記載の作製方法。
【請求項７】
前記第２の電極上に、厚さが０．１μｍ以上、５μｍ以下の保護膜を形成することをさらに含む、請求項１または２に記載の作製方法。
【請求項８】
前記第２の電極を形成した後に、前記マスクに直流電圧、あるいは交流電圧を印加することを含む、請求項１または２に記載の作製方法。
【請求項９】
前記マスクは前記ターゲットよりも前記基板に近く設置される、請求項１または２に記載の作製方法。
【請求項１０】
前記マスクと前記基板との距離が１ｍｍ以上、１０ｍｍ以下の距離になるように前記マスクが設置される、請求項１または２に記載の作製方法。
【請求項１１】
前記複数の貫通孔が円形状を有している、請求項１または２に記載の作製方法。
【請求項１２】
前記複数の貫通孔がハニカムパターン、あるいはマトリックスパターンに配置されている、請求項１または２に記載の作製方法。
【請求項１３】
チャンバーと、
前記チャンバー内に位置し、ターゲットを保持するホルダーと、
前記チャンバー内かつ前記ホルダーの下に位置し、基板を支持するステージと、
前記チャンバー内に放電を誘起する電源と、
前記チャンバーへガスを供給するガス供給部と、
周期的に配置された複数の貫通孔を有するマスクを保持し、前記基板と前記ターゲット間に前記マスクと前記基板が接触せず、かつ前記マスクと前記基板間の距離が２０ｍｍ以下となるように設置するように構成されるマスクホルダーを有する、成膜装置。
【請求項１４】
前記基板に対する前記マスクの位置を調整するアライメント機構をさらに有する、請求項１３に記載の成膜装置。
【請求項１５】
前記基板は複数の副画素を有し、
前記アライメント機構は、前記複数の貫通孔が前記複数の副画素の一つと重なるように前記マスクの位置を調整する、請求項１４に記載の成膜装置。
【請求項１６】
前記マスクに直流電圧、あるいは交流電圧を印加する第２の電源を有する、請求項１３に記載の成膜装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月13日(2018.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光を発する光源と、
前記第１の光が入射したことに応じて第２の光を発するシート状の変換部材と、
前記変換部材の外周領域を支持する支持部材と、
前記変換部材の前記外周領域において前記第１の光の反射を抑制する抑制部材と、
を備えることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記抑制部材は、前記変換部材の前記外周領域と前記支持部材との間に設けられ、前記第１の光を吸光する吸光部材であることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記支持部材は、前記光源を収容する箱型の筐体であり、
前記支持部材内に設けられ、光を反射する反射部材をさらに備え、
前記抑制部材は、前記変換部材の前記外周領域と前記支持部材との間に設けられ、前記第１の光に対する反射率が前記反射部材よりも低い部材であることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項４】
前記変換部材は、端部に凸片を有し、
前記支持部材は、前記凸片を支え、
前記抑制部材は、前記支持部材と前記凸片との間に設けられる
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項５】
前記変換部材と前記抑制部材を前記支持部材に対して固定する固定部材
を備える請求項４に記載の光源装置。
【請求項６】
前記抑制部材は、前記変換部材の第１の端部に設けられる第１の抑制部材と、前記変換部材の第２の端部に設けられる第２の抑制部材と、を有し、
前記第１の端部と前記光源との距離が前記第２の端部と前記光源との距離より大きい場合に、前記変換部材と平行な方向であって前記光源から遠ざかる方向における前記第２の抑制部材の幅が、前記方向における前記第１の抑制部材の幅よりも短い
ことを特徴とする請求項１から請求項５の何れか１項に記載の光源装置。
【請求項７】
前記抑制部材は、少なくとも前記第１の光を吸収する部材である
ことを特徴とする請求項１から請求項６の何れか１項に記載の光源装置。
【請求項８】
前記変換部材は、蛍光体を有する
ことを特徴とする請求項１から請求項７の何れか１項に記載の光源装置。
【請求項９】
前記変換部材は、量子ドットを有する
ことを特徴とする請求項１から請求項８の何れか１項に記載の光源装置。
【請求項１０】
前記第１の光は、スペクトルのピークの波長が前記第２の光よりも短い光である
ことを特徴とする請求項１から請求項９の何れか１項に記載の光源装置。
【請求項１１】
前記変換部材は、青色光を緑色光及び赤色光に変換し、前記青色光、前記緑色光及び前記赤色光を発する
ことを特徴とする請求項１から請求項１０の何れか１項に記載の光源装置。
【請求項１２】
前記変換部材は、紫外光を青色光、緑色光及び赤色光に変換し、前記青色光、前記緑色光及び前記赤色光を発する
ことを特徴とする請求項１から請求項１０の何れか１項に記載の光源装置。
【請求項１３】
前記青色光のスペクトルは、４４０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長範囲にピークを有し、
前記赤色光のスペクトルは、５８０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有し、
前記緑色光のスペクトルは、５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する
ことを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の光源装置。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の光源装置と、
前記光源装置から出力された光を透過して画像を表示する表示パネルと、
を備える表示装置。
【請求項１５】
前記変換部材の外周領域は、前記表示パネルの表示領域よりも外側に設けられることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の光源装置は、第１の光を発する光源と、前記第１の光が入射したことに応じて第２の光を発するシート状の変換部材と、前記変換部材の外周領域を支持する支持部材と、前記変換部材の前記外周領域において前記第１の光の反射を抑制する抑制部材と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月28日(2018.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに位相差を有する２相の駆動信号が印加されることにより振動が励起される振動体を有し、前記振動体と該振動体に接触する接触体のうちの一方である移動体を移動させる振動型アクチュエータの駆動を制御する制御装置であって、
前記２相の駆動信号を生成する駆動信号生成手段を有し、
前記駆動信号生成手段は、前記移動体を停止状態から移動させる際に、前記２相の駆動信号の位相差を初期位相差から変化させ、前記初期位相差は、前記移動体が停止するように設定された位相差からのずれを示す位相差ずれに基づいて決定された位相差であることを特徴とする制御装置。
【請求項２】
前記駆動信号生成手段は、前記移動体の位置を検出して得られる検出位置と目標位置との偏差に基づいて前記位相差を変化させるフィードバック制御を行い、
前記初期位相差は、前記フィードバック制御により前記検出位置が前記目標位置に到達したとき又は前記検出位置が前記目標位置に到達してから所定時間が経過したときの前記位相差であることを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記初期位相差は、第１の移動方向に移動する前記移動体の速度が減少するように前記位相差を変化させた場合において該速度が０になったときの前記位相差としての第１の初期位相差または前記第１の移動方向とは反対の第２の移動方向に移動する前記移動体の速度が減少するように前記位相差を変化させた場合に該速度が０になったときの前記位相差としての第２の初期位相差であり、
前記駆動信号生成手段は、前記移動体を前記停止状態から前記第１の移動方向に移動させる際には前記位相差を前記第１の初期位相差から変化させ、前記移動体を前記停止状態から前記第２の移動方向に移動させる際には前記位相差を前記第２の初期位相差から変化させることを特徴とする請求項１または２に記載の制御装置。
【請求項４】
前記初期位相差は、前記位相差を正側および負側のうち一方において減少させた後に他方において増加させた場合における第１の移動方向への前記移動体の移動が停止したときの第１の位相差と前記第１の移動方向とは反対の第２の移動方向への移動を開始したときの第２の位相差との中心の位相差であることを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項５】
前記初期位相差からの前記位相差の変化が開始してから前記移動体の移動が開始するまでの時間を駆動開始時間とし、前記位相差を前記初期位相差から正方向および負方向にそれぞれ同じ変化率で変化させる場合において、
前記初期位相差は、前記位相差を前記正方向に変化させる場合の前記駆動開始時間と該位相差を前記負方向に変化させる場合の前記駆動開始時間との時間差が最小となる位相差であることを特徴とする請求項１又は４に記載の制御装置。
【請求項６】
前記駆動信号生成手段は、前記位相差を前記初期位相差から変化させる際に、前記２相の駆動信号の周波数を固定することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の制御装置。
【請求項７】
互いに位相差を有する２相の駆動信号が印加されることにより振動が励起される振動体を有し、前記振動体と該振動体に接触する接触体のうちの一方である移動体を移動させる振動型アクチュエータと、
請求項１から６のいずれか一項に記載の制御装置とを有することを特徴とする装置。
【請求項８】
前記振動型アクチュエータ制御装置は、前記被駆動部材の往復駆動が繰り返されるように前記振動型アクチュエータの駆動方向の切り替えを繰り返すことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
互いに位相差を有する２相の駆動信号が印加されることにより振動が励起される振動体を有し、前記振動体と該振動体に接触する接触体のうちの一方である移動体を移動させる振動型アクチュエータの駆動の制御をコンピュータに行わせるコンピュータプログラムであって、
前記コンピュータに、
前記移動体を停止状態から移動させるときにおける前記２相の駆動信号の初期位相差を設定するステップと、
前記２相の駆動信号の位相差を前記初期位相差から変化させるステップを実行させ、
前記初期位相差は、前記移動体が停止するように設定された位相差からのずれを示す位相差ずれに基づいて決定された位相差であることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】制御装置、これを備えた装置およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一側面としての制御装置は、振動型アクチュエータに印加する２相の駆動信号を生成する駆動信号生成手段を有する。そして、駆動信号生成手段は、移動体を停止状態から移動させる際に、２相の駆動信号の位相差を初期位相差から変化させ、初期位相差は、移動体が停止するように設定された位相差からのずれを示す位相差ずれに基づいて決定された位相差であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
なお、上記制御装置により制御される振動型アクチュエータにより駆動される被駆動部材を有する装置も、本発明の他の一側面を構成する。また、コンピュータに上記制御装置としての動作を行わせるコンピュータプログラムも、本発明の他の一側面を構成する。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月14日(2018.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電アクチュエーターと、
前記圧電アクチュエーターからの駆動力により前記圧電アクチュエーターに対して相対的に移動する被駆動部と、
前記圧電アクチュエーターから発信される超音波信号を受信する受信部と、
前記受信部からの出力信号により障害物の有無を判断する判断部と、を備えていること
を特徴とする駆動装置。
【請求項２】
前記障害物が無い場合に受信した前記超音波信号を、基準超音波信号として記憶する記憶部を備え、
前記判断部は、前記記憶部に記憶されている前記基準超音波信号と、前記被駆動部の移動中に前記受信部が受信した前記超音波信号に基づく前記受信部からの出力信号とに差がある場合に、前記障害物が存在すると判断し、判断信号を出力することを特徴とする請求項１に記載の駆動装置。
【請求項３】
前記判断部から出力された前記判断信号により、前記圧電アクチュエーターへ供給する電力を制御する電力制御部を備えることを特徴とする請求項２に記載の駆動装置。
【請求項４】
前記圧電アクチュエーターは、複数配置されていることを特徴とする請求項１ないし請
求項３のいずれか一項に記載の駆動装置。
【請求項５】
基台と、
前記基台に接続されている関節部と、
前記基台に前記関節部を介して接続され、前記基台に対して相対移動可能な第１アームと、
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の駆動装置と、を備え、
前記関節部に、前記駆動装置の前記圧電アクチュエーターが備えられていることを特徴
とするロボット。
【請求項６】
前記第１アームに対して相対移動可能であり、前記第１アームと前記基台との間に位置する第２アームを備え、
前記関節部が、前記第１アームと前記第２アームとの間、および前記第２アームと前記基台との間に配置されていることを特徴とする請求項５に記載のロボット。
【請求項７】
前記受信部は、前記圧電アクチュエーターよりも先端側に配置されていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載のロボット。
【請求項８】
前記受信部は前記第１アームに配置され、
前記第１アームの可動範囲内に前記障害物が有ると前記判断部が判断したときに、前記第１アームと前記障害物との衝突を回避する制御を行うアーム制御部を備えていることを特徴とする請求項７に記載のロボット。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月14日(2018.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動板と、
前記振動板に配置された圧電素子と、
前記圧電素子に配置された電極と、
前記圧電素子および前記電極を保護する有機保護膜と、
前記振動板の端部に配置された突起部と、
前記圧電素子、前記電極、および前記有機保護膜を密封している封止部材と、を備えることを特徴とする圧電アクチュエーター。
【請求項２】
前記前記圧電素子、前記電極、および前記有機保護膜は前記振動板上で積層された積層体であり、
前記封止部材は、凹形状を有する箱状をなしており、
前記振動板に対して、前記凹形状を伏せた状態で重ねられるとともに、前記凹形状の外
壁が前記振動板と接着されており、
前記凹形状の底面と、前記積層体との間には、空間が形成されていることを特徴とする
請求項１に記載の圧電アクチュエーター。
【請求項３】
前記駆動体は、第１駆動体と第２駆動体との２つが設けられ、
前記第１駆動体には、前記封止部材としての第１蓋が接着され、
前記第２駆動体には、前記封止部材としての第２蓋が接着されており、
前記第１駆動体の振動板と、前記第２駆動体の振動板とが貼り合せられた複合駆動体を
形成してなり、
前記複合駆動体において、前記第１蓋を表面としたときに、前記第２蓋が裏面となるよ
うに構成されていることを特徴とする請求項２に記載の圧電アクチュエーター。
【請求項４】
前記封止部材は、前記振動板の外形に沿ったリング状の部材であり、
前記駆動体は、第１駆動体と第２駆動体との２つが設けられ、
前記第１駆動体と前記第２駆動体とは、周縁部に前記封止部材を挟持した状態で、それ
ぞれの前記積層体が向い合う状態で重ねられており、
前記第１駆動体の積層体と、前記第２駆動体の積層体との間には、空間が構成されてい
ることを特徴とする請求項１に記載の圧電アクチュエーター。
【請求項５】
前記空間における湿度は、２０％Rh以下であることを特徴とする請求項３または４に記
載の圧電アクチュエーター。
【請求項６】
前記空間には、不活性ガスが封入されていることを特徴とする請求項３または４に記載
の圧電アクチュエーター。
【請求項７】
振動板と、
前記振動板に配置された圧電素子と、
前記圧電素子に配置された電極と、
前記圧電素子および前記電極を保護する有機保護膜と、
前記振動板の端部に配置された突起部と、
前記圧電素子、前記電極、および前記有機保護膜を密封している封止部材と、を備えることを特徴とする圧電アクチュエーターを有することを特徴とする電子機器。
【請求項８】
振動板と、
前記振動板に配置された圧電素子と、
前記圧電素子に配置された電極と、
前記圧電素子および前記電極を保護する有機保護膜と、
前記振動板の端部に配置された突起部と、
前記圧電素子、前記電極、および前記有機保護膜を密封している封止部材と、を備えることを特徴とする圧電アクチュエーターを有することを特徴とするロボット。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月18日(2018.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明における「生の茶葉」とは、チャ（カメリア  シネンシス）又はその栽培茶変種の若葉であり、加工されていない生の原料である。「生の茶葉」は加熱処理が行なわれていないことから通常100-1000万個/g程度の一般生菌が存在している。荒茶製造時に生の茶葉を殺青、つまり高温で加熱することにより、一般生菌は減少し、さらに、乾燥することにより、さらに一般生菌は減少する。なお本発明において茶の水分量は非常に大きい意味を持つ。そこで、本発明においては、流通による香味劣化及び衛生状態の劣化を防ぐ目的で充分に乾燥し仕上げたものを「緑茶」とする。特に、本発明における「緑茶」の水分量は５％以下である。本発明における「茶葉」は生茶葉から緑茶までの製造工程上のものをいう。以下本願明細書において「生の茶葉」、「緑茶」、「茶葉」は上記で述べた定義に従う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
しかし、茶葉の乾燥を行うと、茶の香味成分の蒸発や、茶葉の褐変が起こることが懸念される。検討の結果、香味成分の蒸発や加熱による変色は、水分の蒸発が盛んなときには少ないことから、油脂の存在下で粉砕することにより、茶葉の水分量を５％まで下げなくても加熱加工により、衛生的な保管が可能になることを見出した。例えば、実施例１と実施例３−５を比較したとき、茶葉の水分量は５％と７％とわずか２％しか変わらないが、油と混合後の色差は−１．４と−５．４と大きく異なる。油と混合後のペーストの水分量はどちらも０．７％以下である。
よって本発明のこの態様においては粉砕加工を行う前に、茶葉の乾燥を行う。本発明のこの態様において粉砕加工前の茶葉の水分量は、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは６０質量％以下、より好ましくは４５質量％以下、更に好ましくは３５質量％以下、更に好ましくは７％以下、更に好ましくは５％以下である。また本発明は、殺青した茶葉を水分量が５％乃至７０％の範囲内になるように乾燥する態様、水分量が７％乃至７０％の範囲内になるように乾燥する態様、水分量が５％以下になるように乾燥する態様を包含する。茶葉の乾燥により、加熱による茶葉の劣化が抑えられることは実施例２と実施例３−１から３−５の比較で明らかである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
（６）本願発明で得られる茶含有組成物について
更に本発明は、上記の方法で得られた茶含有組成物を包含する。即ち本発明は１態様において、本発明の方法によって製造された茶含有組成物を提供する。本発明の方法で得られた茶含有組成物は製造中に起こる褐変が少なく、茶葉の緑色を留めている。特に、衛生確保のために加熱殺菌が必要な場合でも、大きな品質劣化がない。下記の実施例においては、得られたペーストについて８０℃で１０分間保管を行っている。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月28日(2018.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水プラズマを噴射する水プラズマ発生装置の陰極と陽極との間に配置され、それらの間で発生するアーク放電が通過するための渦水流を形成する渦水流発生器であって、
前記渦水流を内周に沿って形成させる筒状部と、
前記筒状部の内周から突出する複数の中間仕切部とを備え、
前記中間仕切部は、前記筒状部の中心軸線を含む位置に開口部をそれぞれ備え、前記陽極側の前記中間仕切部の方が前記陰極側の前記中間仕切部より前記開口部の開口形状が大きく形成されていることを特徴とする渦水流発生器。
【請求項２】
前記筒状部の一端側に形成されて前記陰極に対向する一端側仕切部と、前記筒状部の他端側に形成される他端側仕切部とを備え、前記一端側仕切部及び前記他端側仕切部は、前記筒状部の中心軸線を含む位置に開口部をそれぞれ備え、前記各仕切部の開口部の開口形状は異なる大きさに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の渦水流発生器。
【請求項３】
前記中間仕切部及び前記他端側仕切部の開口部は、前記陰極から離れる並び順に応じて次第に大きくなる開口形状に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の渦水流発生器。
【請求項４】
前記請求項１ないし請求項３の何れかに記載の渦水流発生器と、当該渦水流発生器を収容するチャンバと、アーク放電を発生させる陽極及び陰極とを備え、
前記渦水流発生器は、前記陰極と陽極との間に配置され、それらの間で発生するアーク放電が通過する渦水流を形成することを特徴とする水プラズマ発生装置。
【請求項５】
前記請求項４に記載の水プラズマ発生装置と、当該水プラズマ発生装置が噴射した水プラズマに分解対象物を供給する供給装置とを備えていることを特徴とする分解処理装置。
【請求項６】
前記請求項５に記載の分解処理装置をトラックの荷台に搭載して構成されることを特徴とする分解処理装置搭載車両。
【請求項７】
前記請求項４に記載の水プラズマ発生装置が噴射した水プラズマに分解対象物を供給して当該分解対象物を分解処理することを特徴とする分解処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】渦水流発生器、水プラズマ発生装置、分解処理装置、分解処理装置搭載車両及び分解処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、陰極と陽極との間で発生するアーク放電により水プラズマを噴射するために用いられる渦水流発生器、水プラズマ発生装置、分解処理装置、分解処理装置搭載車両及び分解処理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、水プラズマの噴射の安定化を図ることができる渦水流発生器、水プラズマ発生装置、分解処理装置、分解処理装置搭載車両及び分解処理方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の渦水流発生器は、水プラズマを噴射する水プラズマ発生装置の陰極と陽極との間に配置され、それらの間で発生するアーク放電が通過するための渦水流を形成する渦水流発生器であって、前記渦水流を内周に沿って形成させる筒状部と、前記筒状部の内周から突出する複数の中間仕切部とを備え、前記各仕切部は、前記筒状部の中心軸線を含む位置に開口部をそれぞれ備え、前記陽極側の前記中間仕切部の方が前記陰極側の前記中間仕切部より前記開口部の開口形状が大きく形成されていることを特徴とする。この構成において、前記筒状部の一端側に形成されて前記陰極に対向する一端側仕切部と、前記筒状部の他端側に形成される他端側仕切部とを備え、前記一端側仕切部及び前記他端側仕切部は、前記筒状部の中心軸線を含む位置に開口部をそれぞれ備え、前記各仕切部の開口部の開口形状は異なる大きさに形成されている構成としてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この構成によれば、筒状部の中心軸線を含む位置に並んで形成される複数の開口部の開口形状が異なる大きさに形成されるので、仕切部を跨って流れる水の量について調整の自由度を高めることができる。これにより、渦水流に空洞が良好に形成されるように種々のバリエーションの開口形状を採用することができ、水プラズマを安定して噴射することができる。また、筒状部内を複数の空間に仕切って渦水流を形成することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記渦水流発生器において、前記中間仕切部及び前記他端側仕切部の開口部は、前記陰極から離れる並び順に応じて次第に大きくなる開口形状に形成されているとよい。この構成では、水プラズマの噴射側に近付くに従って開口部の開口形状が次第に大きくなって筒状部内に錘状となる空間が形成される。これにより、渦水流の空洞を安定して形成することができ、その理由は水プラズマの噴射側に向かって水が流れ易くなったからであると推測される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成30年11月2日(2018.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ加速領域の上流側領域に電子を供給するために、所定の中心軸の方向に前記電子を放出するカソードと、
前記中心軸の方向から見てリング形状を有し、前記中心軸の周囲に配置されたアノードと、
前記カソードと前記アノードとの間に電圧を印加する電源と、
前記カソードよりも外周側に配置され、プラズマ化前の推進剤またはプラズマ化後の推進剤を前記プラズマ加速領域に供給する供給口と、
前記カソードから放出される前記電子の運動方向を第１方向と定義し、前記第１方向と反対の方向を第２方向と定義するとき、前記プラズマ加速領域よりも前記第２方向の側に配置され、前記カソードから供給された前記電子が前記アノードに向かうことを抑制する第１の軸方向磁場を前記プラズマ加速領域の前記上流側領域に発生させる第１磁場発生体と
を備え、
前記第１の軸方向磁場は、
前記中心軸に平行な成分であって、前記プラズマ加速領域の前記上流側領域において、前記中心軸の前記第２方向から前記第１方向に向かうにつれて単調に減少する軸方向成分と、
前記中心軸に垂直な成分であって、前記プラズマ加速領域の前記上流側領域において、前記中心軸の前記第２方向から前記第１方向に向かうにつれて単調に増加する径方向成分と
を含み、
前記第１磁場発生体は、前記供給口よりも前記第２方向の側に配置されている
プラズマ加速装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ加速装置において、
前記第１磁場発生体は、前記プラズマ加速領域の前記第２方向の側にある端よりも前記第２方向の側に配置されている
プラズマ加速装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマ加速装置において、
前記第１磁場発生体は、前記カソードよりも外周側に配置され、
前記供給口は、前記第１磁場発生体よりも外周側に配置されている
プラズマ加速装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載のプラズマ加速装置において、
前記供給口は、前記カソードよりも外周側に配置され
前記第１磁場発生体は、前記供給口よりも外周側に配置されている
プラズマ加速装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載のプラズマ加速装置において、
前記第１磁場発生体の向きを変更する向き変更機構を更に備える
プラズマ加速装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載のプラズマ加速装置において、
前記プラズマ加速領域に第２の軸方向磁場を発生させる第２磁場発生体を更に備え、
前記第２磁場発生体によって発生する前記第２の軸方向磁場の向きは、前記第１磁場発生体によって発生する前記第１の軸方向磁場の向きと異なる
プラズマ加速装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載のプラズマ加速装置において、
前記プラズマ加速領域に接する第１壁部と、
前記カソードから供給される前記電子が放出される電子放出口であって、前記第１壁部に配置された前記電子放出口と
を更に備える
プラズマ加速装置。
【請求項８】
請求項７に記載のプラズマ加速装置において、
前記アノードは、前記第１壁部上に配置されている
プラズマ加速装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載のプラズマ加速装置において、
前記アノードは、前記供給口よりも外周側に配置されている
プラズマ加速装置。
【請求項１０】
請求項１から６のいずれか一項に記載のプラズマ加速装置において、
前記プラズマ加速領域に接する第１壁部を更に備え、
前記アノードは、リング形状を有し、
前記第１壁部と前記アノードの下流側端面との間の距離は、前記アノードの内径の１／３以下である
プラズマ加速装置。
【請求項１１】
プラズマ加速装置を用いるプラズマ加速方法であって、
前記プラズマ加速装置は、
プラズマ加速領域に電子を供給するために、所定の中心軸の方向に前記電子を放出するカソードと、
前記中心軸の方向から見てリング形状を有し、前記中心軸の周囲に配置されたアノードと、
前記カソードから放出される前記電子の運動方向を第１方向と定義し、前記第１方向と反対の方向を第２方向と定義するとき、前記プラズマ加速領域よりも前記第２方向の側に配置された磁場発生体と
を備え、
前記プラズマ加速方法は、
前記磁場発生体を用いて、前記プラズマ加速領域に末広がり状磁場を発生させるステップと、
前記カソードと前記アノードとの間に電圧を印加するステップと、
前記カソードから供給される前記電子を前記末広がり状磁場中に供給する第１供給ステップと、
供給口から前記第１方向に向けて、プラズマ化前の推進剤またはプラズマ化後の推進剤を前記プラズマ加速領域に供給する第２供給ステップと、
前記プラズマ加速領域に発生したプラズマ中のイオンを前記アノードと前記末広がり状磁場中の前記電子とによって発生する電場を用いて、中心軸に向かって収束するように加速させるステップと、
前記イオンが前記末広がり状磁場中の前記電子と衝突することにより、前記イオンを中和するステップと
を備え、
前記末広がり状磁場は、
前記中心軸に平行な成分であって、前記プラズマ加速領域の上流側領域において、前記中心軸の前記第２方向から前記第１方向に向かうにつれて単調に減少する軸方向成分と、
前記中心軸に垂直な成分であって、前記プラズマ加速領域の前記上流側領域において、前記中心軸の前記第２方向から前記第１方向に向かうにつれて単調に増加する径方向成分と
を含み、
前記磁場発生体は、前記供給口よりも前記第２方向の側に配置されている
プラズマ加速方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプラズマ加速方法において、
前記末広がり状磁場と、前記カソードと前記アノードとの間に発生した電場の相互作用により、ホール電流を発生させるステップと、
前記プラズマ加速領域に供給される前記プラズマ化前の推進剤または前記プラズマ化後の推進剤と、前記ホール電流の電子とを衝突させることにより、前記プラズマ加速領域に前記プラズマを発生させるステップと
を更に備える
プラズマ加速方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月20日(2018.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影画像を取得する第１の取得手段と、
撮像光学系および撮像素子の情報を取得する第２の取得手段と、
前記撮像素子の画素ピッチと第１のタップ数に基づいて、前記撮像光学系に関する第１の点像強度分布関数を生成する第１の生成手段と、
前記第１の点像強度分布関数に関する分布指標値を取得する第３の取得手段と、
前記第１点像強度分布関数と、前記分布指標値に基づいて算出される前記第１のタップ数以下の第２のタップ数に基づいて第２の点像強度分布関数を生成する第２の生成手段と、
前記第２の点像強度分布関数に基づいて前記撮影画像を復元する復元手段と、を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記撮像光学系の情報は、前記撮像光学系の光学伝達関数を含むことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記分布指標値は、前記第１の点像強度分布関数の前記第１のタップ数における空間的な広がりを表す指標値であることを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。 
【請求項４】
前記分布指標値は、前記第１の点像強度分布関数の前記第１のタップ数における最大値に基づいて算出されることを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記第２のタップ数は、前記撮影画像の領域ごとに取得される分布指標値に基づいて算出されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記第２のタップ数は、前記撮影画像の領域ごとに取得される分布指標値の平均値に基づいて算出されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記第２のタップ数は、前記撮影画像の領域ごとに取得される分布指標値の最小値に基づいて算出されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像処理装置。 
【請求項８】
前記撮像光学系の情報は、前記撮像光学系の焦点距離、Ｆ値、および被写体距離の少なくとも１つを特定可能な情報を含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記撮像光学系および前記撮像素子の情報は、前記撮像光学系および前記撮像素子を特定可能な情報を含むことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の画像処理装置と、
被写体像を光電変換して撮影画像を取得する撮像素子と、を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項１１】
撮影画像を取得するステップと、
撮像光学系および撮像素子の情報を取得するステップと、
前記撮像素子の画素ピッチと第１のタップ数に基づいて、前記撮像光学系に関する第１の点像強度分布関数を生成するステップと、
前記第１の点像強度分布関数に関する分布指標値を取得するステップと、
前記分布指標値に基づいて前記第１のタップ数以下の第２のタップ数を算出するステップと、
前記第１点像強度分布関数と前記第２のタップ数に基づいて前記第２の点像強度分布関数を生成するステップと、
前記第２の点像強度分布関数に基づいて前記撮影画像を復元するステップと、を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の画像処理方法の各工程をコンピュータに実行させるための画像処理プログラム。
【請求項１３】
コンピュータによって読み取り可能であって、請求項１２に記載の画像処理プログラムを記録した記録媒体。