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【手続補正書】
【提出日】令和1年6月7日(2019.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する絶縁基板と、
前記絶縁基板の上面に形成された第１配線層と、
前記絶縁基板の下面に形成された第２配線層と、
前記第１配線層と前記絶縁基板と前記第２配線層とを貫通する貫通孔に形成され、前記第１配線層と前記第２配線層とに接続された貫通配線と、を有し、
前記貫通配線は、めっき金属よりなり、
前記貫通配線は、前記貫通孔の外周側に位置する前記第２配線層の下面に延在する突出部を有し、
前記貫通配線の上面は、前記第１配線層の上面と面一であること、
を特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１配線層の一部を覆い、前記貫通配線の上面と、前記貫通配線の外側に位置する前記第１配線層の上面とを露出する開口部を有する第１保護層と、
前記第２配線層の一部と前記貫通配線を覆い、前記第２配線層の下面の一部を露出する開口部を有する第２保護層と、を有すること、を特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１保護層から露出する前記第１配線層と前記貫通配線との表面を覆う第１表面処理層と、
前記第２保護層から露出する前記第２配線層の表面を覆う第２表面処理層と、
を有すること、
を特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記突出部の上面と前記第２配線層の下面とが直接接合されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記貫通配線は、前記貫通孔の内部に充填された貫通部を有し、
前記貫通孔内において、
前記貫通部の上端の外周面と前記第１配線層の内面部分とが直接接合され、
前記貫通部の下端の外周面と前記第２配線層の内面部分とが直接接合され、
前記貫通部の他の部分が、前記絶縁基板の内面部分と接していること、
を特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
可撓性を有する絶縁基板と前記絶縁基板の上面に接続された第１金属箔と前記絶縁基板の下面に接続された第２金属箔とを有する積層板を用い、前記第２金属箔を被覆して開口部を有する第２のエッチングマスクを形成し、前記第２のエッチングマスクを用いて前記第２金属箔をパターニングして第２配線層を形成する工程と、
前記第２のエッチングマスクを除去する工程と、
前記第２配線層を覆うめっきマスクを形成する工程と、
打ち抜き加工により前記第１金属箔と前記絶縁基板と前記第２配線層とを貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記第１金属箔の上面にマスク材を貼付し、前記貫通孔を閉塞する工程と、
前記第１金属箔を給電電極とする電解めっき法により、前記貫通孔に充填されためっき金属よりなる貫通配線を形成する工程と、
前記めっきマスクと前記マスク材とを除去する工程と、
前記第１金属箔を被覆して開口部を有する第１のエッチングマスクを形成し、前記第１のエッチングマスクを用いて前記第１金属箔をパターニングして第１配線層を形成する工程と、
前記第１のエッチングマスクを除去する工程と、
を有する、配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１のエッチングマスク及び前記第２のエッチングマスクの少なくともいずれか１つを、感光性を有する液状のレジスト材により形成することを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２配線層を覆うめっきマスクは、前記貫通孔を形成する位置に前記貫通孔より大きな開口部を有し、
前記貫通孔を形成する工程において、前記めっきマスクの開口部の内側に前記貫通孔を形成し、
前記貫通配線を形成する工程において、前記第２配線層の下面より突出し前記第２配線層の下面に延在する突出部を形成する、ことを特徴とする請求項６又は７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１配線層の一部を覆い、前記貫通配線の上面と、前記貫通配線の外側に位置する前記第１配線層の上面とを露出する開口部を有する第１保護層と、前記第２配線層の一部と前記貫通配線を覆い、前記第２配線層の下面の一部を露出する開口部を有する第２保護層と、を形成する工程を有すること、を特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１保護層から露出する前記第１配線層と前記貫通配線との表面を覆う第１表面処理層と、前記第２保護層から露出する前記第２配線層の表面を覆う第２表面処理層と、を形成する工程を有すること、を特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一観点によれば、配線基板は、可撓性を有する絶縁基板と、前記絶縁基板の上面に形成された第１配線層と、前記絶縁基板の下面に形成された第２配線層と、前記第１配線層と前記絶縁基板と前記第２配線層とを貫通する貫通孔に形成され、前記第１配線層と前記第２配線層とに接続された貫通配線と、を有し、前記貫通配線は、めっき金属よりなり、前記貫通配線は、前記貫通孔の外周側に位置する前記第２配線層の下面に延在する突出部を有し、前記貫通配線の上面は、前記第１配線層の上面と面一である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の別の一観点によれば、配線基板の製造方法は、可撓性を有する絶縁基板と前記絶縁基板の上面に接続された第１金属箔と前記絶縁基板の下面に接続された第２金属箔とを有する積層板を用い、前記第２金属箔を被覆して開口部を有する第２のエッチングマスクを形成し、前記第２のエッチングマスクを用いて前記第２金属箔をパターニングして第２配線層を形成する工程と、前記第２のエッチングマスクを除去する工程と、前記第２配線層を覆うめっきマスクを形成する工程と、打ち抜き加工により前記第１金属箔と前記絶縁基板と前記第２配線層とを貫通する貫通孔を形成する工程と、前記第１金属箔の上面にマスク材を貼付し、前記貫通孔を閉塞する工程と、前記第１金属箔を給電電極とする電解めっき法により、前記貫通孔に充填されためっき金属よりなる貫通配線を形成する工程と、前記めっきマスクと前記マスク材とを除去する工程と、前記第１金属箔を被覆して開口部を有する第１のエッチングマスクを形成し、前記第１のエッチングマスクを用いて前記第１金属箔をパターニングして第１配線層を形成する工程と、前記第１のエッチングマスクを除去する工程と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月6日(2019.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体が載置される載置領域と、前記載置領域の周囲に形成されてフォーカスリングが載置される外周領域とを有する基台と、
前記基台の外周領域に形成された挿入孔に挿入されて前記基台を前記基台の下方の部材に連結する、貫通孔が形成された連結部材と、
前記連結部材の前記貫通孔に挿入されて前記挿入孔から突出自在に前記基台に設けられ、前記挿入孔から突出して前記フォーカスリングを上昇させるリフタピンと
を有することを特徴とする載置台。
【請求項２】
前記フォーカスリングは、貫通孔が形成された伸縮性の伝熱部材を介して、前記基台の外周領域に載置され、
前記リフタピンは、前記挿入孔から突出して前記フォーカスリングを上昇させる場合に、前記伝熱部材の前記貫通孔を通過して前記フォーカスリングの下部に当接し、
前記伝熱部材は、前記フォーカスリングの上昇に伴って、前記基台と前記フォーカスリングとの間の隙間を埋めるように伸長することを特徴とする請求項１に記載の載置台。
【請求項３】
前記基台と前記フォーカスリングとの間に配置され、前記基台の外周領域のうち、前記挿入孔を除く領域を覆う発熱部材をさらに有することを特徴とする請求項１又は２に記載の載置台。
【請求項４】
前記フォーカスリングの下部には、有底状の穴が形成され、
前記リフタピンは、前記有底状の穴に嵌合されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の載置台。
【請求項５】
前記基台の内部に形成され、冷媒を通流させる冷媒流路をさらに有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の載置台。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一つに記載の載置台を有するプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月30日(2019.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
前記処理チャンバの外周部に設けられ、当該処理チャンバを開閉する開閉シャッタと、
前記処理チャンバの内部において、基板を昇降させる昇降部と、
前記処理チャンバの外周部から当該処理チャンバの内部を排気する外周排気部と、
前記開閉シャッタ、前記熱処理板、前記昇降部、前記水分供給部、前記中央排気部及び前記外周排気部を制御する制御部と、をさらに有し、
前記水分供給部は、前記処理チャンバの内部に水分含有ガスを供給し、
前記制御部は、
前記開閉シャッタによって前記処理チャンバを閉じ、前記熱処理板に基板を載置した状態で、前記水分供給部から前記処理チャンバの内部に前記水分含有ガスを供給すると共に、前記外周排気部によって前記処理チャンバの外周部から当該処理チャンバの内部を排気する第１の工程と、
その後、前記昇降部によって前記熱処理板から基板を上昇させ、前記水分供給部からの前記水分含有ガスの供給を停止し、前記中央排気部によって前記処理チャンバの中央部から当該処理チャンバの内部を排気する第２の工程と、
その後、前記開閉シャッタによって前記処理チャンバを開ける第３の工程と、を実行するように、前記開閉シャッタ、前記熱処理板、前記昇降部、前記水分供給部、前記中央排気部及び前記外周排気部を制御することを特徴とする、請求項１３に記載の熱処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、前記熱処理装置は、前記処理チャンバの外周部に設けられ、当該処理チャンバを開閉する開閉シャッタと、前記処理チャンバの内部において、基板を昇降させる昇降部と、前記処理チャンバの外周部から当該処理チャンバの内部を排気する外周排気部と、前記開閉シャッタ、前記熱処理板、前記昇降部、前記水分供給部、前記中央排気部及び前記外周排気部を制御する制御部と、をさらに有し、前記水分供給部は、前記処理チャンバの内部に水分含有ガスを供給し、前記制御部は、前記開閉シャッタによって前記処理チャンバを閉じ、前記熱処理板に基板を載置した状態で、前記水分供給部から前記処理チャンバの内部に前記水分含有ガスを供給すると共に、前記外周排気部によって前記処理チャンバの外周部から当該処理チャンバの内部を排気する第１の工程と、その後、前記昇降部によって前記熱処理板から基板を上昇させ、前記水分供給部からの前記水分含有ガスの供給を停止し、前記中央排気部によって前記処理チャンバの中央部から当該処理チャンバの内部を排気する第２の工程と、その後、前記開閉シャッタによって前記処理チャンバを開ける第３の工程と、を実行するように、前記開閉シャッタ、前記熱処理板、前記昇降部、前記水分供給部、前記中央排気部及び前記外周排気部を制御してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６２】
そして、開閉シャッタ６０２と下部チャンバ３２２が当接して、処理チャンバ３２０の内部が密閉される。すなわち、第１の実施形態では、上部チャンバ３２１自体を昇降させることで処理チャンバ３２０を開閉していたが、第４の実施形態では、開閉シャッタ６０２を開閉させることで処理チャンバ３２０を開閉している。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月26日(2019.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
100℃にて測定された場合約40〜約300cStの動粘度を有し、希釈オイル中に分散剤-洗浄剤コロイド錯体を含む潤滑油添加剤濃縮物であって、
該分散剤が、1分子当たり4〜8個の窒素原子を持つ、または平均してこのような窒素原子数を持つポリアミンと、約1,300〜約2,500ダルトンの数平均分子量および少なくとも約65％の末端ビニリデン含有率を持つポリブテンおよびマレイン酸および/またはコハク酸無水物から、エンマレイン酸処理法によって誘導され、かつ、1.7超で約2.5未満のコハク酸無水物(SA)官能価を有するポリブテニルコハク酸無水物(PIBSA)と、のポリブテニルスクシンイミド反応生成物を含み；かつ
該洗浄剤コロイドが、(i) スルホネート、(ii) フェネートおよび(iii) カルボキシレート界面活性剤から選択される1種またはそれ以上の界面活性剤に由来する、約370〜約1,000mgKOH/gという全塩基価(TBN)を有する過塩基化洗浄剤を含み；
該濃縮物における該分散剤対該洗浄剤コロイドの質量比が約1.4〜約3.0であり；かつ
該分散剤および洗浄剤コロイドが、一緒に、A.I.基準で該濃縮物の少なくとも28質量％から約50質量％を構成する、前記潤滑油添加剤濃縮物。
【請求項２】
前記分散剤が、約0.7〜約1.3のカップリング比を持つ、請求項1記載の潤滑油添加剤濃縮物。
【請求項３】
前記分散剤が、約0.9〜約1.1のカップリング比を持つ、請求項2記載の潤滑油添加剤濃縮物。
【請求項４】
前記分散剤が約0.07未満の増粘効率(TE)を持つ、請求項1記載の潤滑油添加剤濃縮物。
【請求項５】
前記分散剤-洗浄剤コロイド錯体が、約4未満の改善された増粘効率(TEm)を持つ、請求項1記載の潤滑油添加剤濃縮物。
【請求項６】
更に、亜鉛-リン磨耗防止剤、モリブデン含有磨耗防止剤、有機摩擦調整剤、酸化防止剤、前記ポリブテニルスクシンイミド反応生成物以外の分散剤、粘度調整剤、流動点降下剤、界面活性剤および前記過塩基化洗浄剤以外の洗浄剤添加物からなる群から選択される少なくとも1種の追加の添加剤をも含む、請求項1記載の潤滑油添加剤濃縮物。
【請求項７】
前記ポリブテニルスクシンイミド反応生成物が、前記濃縮物における分散剤の全質量の少なくとも61質量％を構成する、請求項1記載の潤滑油添加剤濃縮物。
【請求項８】
前記ポリブテニルスクシンイミド反応生成物が、前記濃縮物における分散剤の全質量の少なくとも61質量％を構成する、請求項6記載の潤滑油添加剤濃縮物。
【請求項９】
前記過塩基化洗浄剤が、前記濃縮物における洗浄剤の全質量の少なくとも70質量％を構成する、請求項1記載の潤滑油添加剤濃縮物。
【請求項１０】
前記過塩基化洗浄剤が、前記濃縮物における洗浄剤の全質量の少なくとも70質量％を構成する、請求項6記載の潤滑油添加剤濃縮物。
【請求項１１】
1分子当たり4〜8個の窒素原子を持つ、または平均してこのような窒素原子数を持つポリアミンと、
約1,300〜約2,500ダルトンの数平均分子量および少なくとも約65％の末端ビニリデン含有率を持つポリブテンおよびマレイン酸および/またはコハク酸無水物から、エンマレイン酸処理法により誘導され、かつ1.7超で約2.5未満のコハク酸無水物(SA)官能価を有するポリブテニルコハク酸無水物(PIBSA)と、のポリブテニルスクシンイミド反応生成物であり、約0.9〜約1.1のカップリング比を有し、約0.07未満の増粘効率(TE)を有する、ポリブテニルスクシンイミド反応生成物。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月4日(2019.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の（ａ）〜（ｄ）を含有し、心因的要因を伴う痛みの心因症状を改善するための医薬組成物。
（ａ）ロキソプロフェン又はその塩
（ｂ）アリルイソプロピルアセチル尿素、およびブロムワレリル尿素から選択される１種以上
（ｃ）メタケイ酸アルミン酸マグネシウム
（ｄ）カフェイン又は無水カフェイン
【請求項２】
（ｂ）がアリルイソプロピルアセチル尿素である請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
心因的要因を伴う痛みが生理痛である、請求項１又は請求項２に記載の医薬組成物。 
【請求項４】
心因的要因を伴う痛みが頭痛である、請求項１又は請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項５】
経口投与用である、請求項１〜４のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
心因症状が、悪心、不安感、イライラ感、嘔吐、倦怠感、眼の疲労感、光過敏、音過敏、臭い過敏、ゆううつ感又は下痢である請求項１〜５のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月17日(2018.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域を有する半導体と、
第１の絶縁体を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有する第１の導電体と、
前記第１の導電体の側面と接する第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体を介して前記第１の導電体と向かい合うように配置された電子捕獲層と、を有する半導体装置。
【請求項２】
チャネル形成領域を有する半導体と、
第１の絶縁体を介して前記第１の領域と重なる領域を有する第１の導電体と、
前記半導体と接する第２の導電体と、
前記半導体と接する第３の導電体と、
前記第１の導電体の側面と接する第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体を介して前記第１の導電体と向かい合うように配置された電子捕獲層と、を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の絶縁体および前記半導体を介して、前記第１の導電体と向かい合うように配置された第３の絶縁体と、
前記第３の絶縁体を介して前記チャネル形成領域と重なる領域を有する第４の導電体と、を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記電子捕獲層は、アルミニウムまたはハフニウムを含む半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月20日(2018.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層、前記第１導電型半導体層上の活性層及び前記活性層上の第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
前記第１導電型半導体層と電気的に接触する第１電極と、
前記発光構造物の一部分及び前記第１電極の上に配置される絶縁層と、
前記第２導電型半導体層と電気的に接触する第２電極とを含み、
前記第１電極は、前記第１導電型半導体層の側面から突出するように設けられる第１部分を含み、
前記第１電極は第１電極線と接続され、前記第２電極は第２電極線と接続され、
前記第１電極線と前記第２電極線は互いに交差し、前記第１電極上で電気的及び物理的に互いに隔離される、発光素子。
【請求項２】
前記第１導電型半導体層は第１メサ領域及び第２メサ領域を含み、前記第１メサ領域上に前記活性層及び前記第２導電型半導体層が配置される、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１電極の前記第１部分は、前記第１導電型半導体層の前記第２メサ領域の側面から突出して配置される、請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１電極は、前記第１導電型半導体層の前記第２メサ領域の側面に配置される第２部分をさらに含む、請求項２又は３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１電極は、前記第１導電型半導体層の前記第２メサ領域の上部面に配置される第３部分をさらに含む、請求項２乃至４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１電極の前記第１部分の下部面の高さは、前記第１導電型半導体層の底面の高さと同一である、請求項１乃至５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
回路基板と、
前記回路基板上に配置され、第１導電型半導体層と活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物、前記第１導電型半導体層と電気的に接触する第１電極、及び前記第２導電型半導体層と電気的に接触する第２電極を含み、前記第１電極は、前記第１導電型半導体層の側面から突出する第１部分を含む、複数個の発光素子と、
前記発光構造物の一部分及び前記第１電極の上に配置される絶縁層と、
前記回路基板と前記複数個の発光素子との間に充填される絶縁性レジン層と、
前記複数個の発光素子のうち第１方向に隣接する前記複数個の発光素子の前記第１電極と電気的に接触する少なくとも１つ以上の第１電極線と、
前記複数個の発光素子のうち前記第１方向と交差する第２方向に隣接する前記複数個の発光素子の前記第２電極と電気的に接触する少なくとも１つ以上の第２電極線とを含み、
前記少なくとも１つの第１電極線の下面は、前記第１電極の前記第１部分の上面に接触する、発光素子アレイ。
【請求項８】
前記発光素子の前記第１導電型半導体層は第１メサ領域及び第２メサ領域を含み、前記第１メサ領域上に前記活性層及び前記第２導電型半導体層が配置され、
前記第１電極の前記第１部分は、前記第１導電型半導体層の前記第２メサ領域の側面から突出して配置される、請求項７に記載の発光素子アレイ。
【請求項９】
前記第１電極は、前記第１導電型半導体層の前記第２メサ領域の側面に配置される第２部分をさらに含み、
前記第１電極線は、前記第１電極の前記第２部分の少なくとも一部の領域と接触するように設けられる、請求項８に記載の発光素子アレイ。
【請求項１０】
前記第１電極は、前記第１導電型半導体層の前記第２メサ領域の上部面に配置される第３部分をさらに含み、
前記第１電極線の上部面の高さは、前記第１電極の前記第３部分の上部面の高さよりも低くなるように設けられる、請求項８又は９に記載の発光素子アレイ。
【請求項１１】
前記絶縁層はＤＢＲ（ＤＩＳＴＲＩＢＵＴＥＤ  ＢＲＡＧＧ  ＲＥＦＬＥＣＴＯＲ）構造で設けられる、請求項７乃至１０のいずれかに記載の発光素子アレイ。
【請求項１２】
前記絶縁層は、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４またはポリイミド化合物のうち少なくとも１つを含む、請求項７乃至１１のいずれかに記載の発光素子アレイ。
【請求項１３】
前記第１電極は、オーミック層、反射層及び結合層を含む、請求項７乃至１２のいずれかに記載の発光素子アレイ。
【請求項１４】
前記第２電極は、オーミック層及び反射層を含む、請求項７乃至１３のいずれかに記載の発光素子アレイ。
【請求項１５】
前記第１電極線は、
第１面上で前記絶縁層と接触するように設けられ、
前記第１面と対向する第２面は露出するように配置される、請求項７乃至１４のいずれかに記載の発光素子アレイ。
【請求項１６】
前記第２電極線は、
第１面で前記絶縁性レジン層に露出するように設けられ、
前記第１面と対向する第２面で前記絶縁層と接触する、請求項７乃至１５のいずれかに記載の発光素子アレイ。
【請求項１７】
前記第２導電型半導体層は前記第１メサ領域上に配置され、
前記第２電極は前記第２導電型半導体層上に配置され、
前記第１メサ領域の前記第２導電型半導体層上に導電層をさらに含む、請求項７乃至１６のいずれかに記載の発光素子アレイ。
【請求項１８】
前記少なくとも１つ以上の第１電極線は、前記第１方向に対して所定の角度傾斜するように配置される、請求項７乃至１７のいずれかに記載の発光素子アレイ。
【請求項１９】
回路基板と、
前記回路基板上に配置され、第１導電型半導体層と活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物、前記第１導電型半導体層と電気的に接触する第１電極、及び前記第２導電型半導体層と電気的に接触する第２電極を含み、前記第１電極は、前記第１導電型半導体層の側面から突出する第１部分を含む、複数個の発光素子と、
前記発光構造物の一部分及び前記第１電極の上に配置される絶縁層と、
前記回路基板と前記複数個の発光素子との間に充填され、導電性ボールを有するレジン層と、
前記複数個の発光素子のうち第１方向に隣接する前記複数個の発光素子の前記第１電極と電気的に接触する少なくとも１つ以上の第１電極線と、
前記複数個の発光素子のうち前記第１方向と交差する第２方向に隣接する前記複数個の発光素子の前記第２電極と電気的に接触する少なくとも１つ以上の第２電極線とを含む、発光素子アレイと、
前記発光素子アレイで励起される光の経路を変更する光学部材と、を含む、照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月20日(2018.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１の導電体と、
前記第１の導電体上に形成された第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体の上に形成され、前記第１の導電体の少なくとも一部と重なるように形成された第１の金属酸化物と、
前記第１の金属酸化物の上面の少なくとも一部に接して形成された酸化物半導体と、
前記酸化物半導体の上面の少なくとも一部に接して形成された第２の金属酸化物と、
前記第２の金属酸化物の少なくとも一部に接して形成された第２の導電体と、
前記第２の金属酸化物の少なくとも一部に接し、前記第２の導電体と離間して形成された第３の導電体と、を有し、
前記第１の金属酸化物は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す）と、を有し、Ｉｎの含有量がＭの含有量より少なく、且つ前記Ｉｎの含有量が前記Ｚｎの含有量より少なく、
前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す）と、を有し、Ｉｎの含有量がＭの含有量より多く、
前記第２の金属酸化物は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す）と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に形成された第１の導電体と、
前記第１の導電体上に形成された第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体の上に形成され、前記第１の導電体の少なくとも一部と重なるように形成された第１の金属酸化物と、
前記第１の金属酸化物の上面の少なくとも一部に接して形成された酸化物半導体と、
前記酸化物半導体の上面の少なくとも一部に接して形成された第２の金属酸化物と、
前記第２の金属酸化物の少なくとも一部に接して形成された第２の導電体と、
前記第２の金属酸化物の少なくとも一部に接し、前記第２の導電体と離間して形成された第３の導電体と、を有し、
前記第１の金属酸化物は、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す）と、を有し、
前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す）と、を有し、Ｉｎの含有量がＭの含有量より多く、
前記第２の金属酸化物は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｍ（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆを表す）と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の金属酸化物の側端部と前記酸化物半導体の側端部が一致し、
前記酸化物半導体の側端部と前記第２の金属酸化物の側端部が一致し、
前記第２の導電体及び前記第３の導電体が前記第２の金属酸化物の上面の一部と接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記第２の金属酸化物の側端部が前記酸化物半導体の側端部より内側に位置し、
前記第２の導電体及び前記第３の導電体が、前記酸化物半導体及び前記第２の金属酸化物の上面の一部と接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は４において、
前記第２の金属酸化物において、前記第２の導電体及び前記第３の導電体と接していない領域の膜厚は、前記第２の導電体及び前記第３の導電体と接している領域の膜厚より薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１又は２において、
前記第２の金属酸化物の下面の少なくとも一部が、前記第２の導電体及び前記第３の導電体と接し、
前記第２の導電体及び前記第３の導電体が、前記酸化物半導体の上面の少なくとも一部と接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記酸化物半導体において、前記第２の導電体及び前記第３の導電体と接していない領域の膜厚は、前記第２の導電体及び前記第３の導電体と接している領域の膜厚より薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
さらに、前記第２の金属酸化物、前記第２の導電体及び前記第３の導電体の上に形成された第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上に形成され、前記第２の金属酸化物の少なくとも一部と重なるように形成された第４の導電体と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記第１の金属酸化物の伝導帯下端のエネルギー準位は、前記酸化物半導体の伝導帯下端のエネルギー準位より真空準位に近く、
前記第２の金属酸化物の伝導帯下端のエネルギー準位は、前記酸化物半導体の伝導帯下端のエネルギー準位より真空準位に近いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は、さらにＧｅを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は、多結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月5日(2018.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に発光層を有し、
前記発光層は、第１の有機化合物と、発光物質と、を含み、
前記第１の有機化合物は、ジベンゾキナゾリン環と、正孔輸送性を有する骨格とを有する、発光素子。
【請求項２】
陽極と陰極との間に発光層を有し、
前記発光層は、第１の有機化合物と、正孔輸送性を有する第２の有機化合物と、発光物質と、を含み、
前記第１の有機化合物は、ジベンゾキナゾリン環と、正孔輸送性を有する骨格とを有する、発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の有機化合物は、前記ジベンゾキナゾリン環の２位が、前記正孔輸送性を有する骨格と直接結合した構造を有する、発光素子。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記第１の有機化合物は、前記ジベンゾキナゾリン環の２位が、単数または複数のアリーレン基を介して前記正孔輸送性を有する骨格と結合した構造を有する、発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記正孔輸送性を有する骨格は、ジアリールアミノ基またはπ過剰型複素芳香環である、発光素子。
【請求項６】
請求項５において、
前記π過剰型複素芳香環は、５員環の複素芳香環を含む、発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記正孔輸送性を有する骨格は、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、またはカルバゾール骨格を有する環である、発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記正孔輸送性を有する骨格は、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、およびカルバゾール骨格を有する環から選ばれる環が複数結合した構造を有する、発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記発光物質は、燐光性化合物である、発光素子。
【請求項１０】
式（Ｇ１）で表される有機化合物。
【化１】
2016127277.tif 000001
（式中、ｎは、０〜３のいずれかを表し、ｍは、１または２を表す。Ａは、単結合、または置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｂは、置換または無置換のジベンゾフラン骨格を有する環、置換または無置換のジベンゾチオフェン骨格を有する環、または置換または無置換のカルバゾール骨格を有する環を表し、Ｒ１〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜７のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基、のいずれかを表す。）
【請求項１１】
請求項１０において、
前記式（Ｇ１）中のＢは、下記式（Ｂ１）乃至（Ｂ４）のいずれか一である有機化合物。
【化２】
2016127277.tif 000002
（式中、ｍは、１または２を表す。また、Ｑは、Ｓ、Ｎ−Ｒ１５、Ｏのいずれかであり、Ｒ１５は、水素、置換または無置換のフェニル基、のいずれかを表す。また、（Ｂ１）〜（Ｂ４）中のベンゼン環は置換基を有していても良く、前記置換基は、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜７のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基、のいずれかである。）
【請求項１２】
式（１００）または（１２３）で表される有機化合物。
【化３】
2016127277.tif 000003
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項に記載の有機化合物を用いた発光素子。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項９、または請求項１３のいずれか一項に記載の発光素子と、トランジスタ、または、基板と、を有する、発光装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項９、または請求項１３のいずれか一項に記載の発光素子と、接続端子、または、操作キーと、を有する、電子機器。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項９、または請求項１３のいずれか一項に記載の発光素子と、筐体、カバー、または、支持台と、を有する、照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月15日(2019.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電極の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質層および集電体を有する電極と、対極電極とを、リチウム塩を含む電解液中にお互い離間して配置し、
前記電極に電位を供給して、前記電極を酸化あるいは還元させ、前記活物質層、または、前記集電体の少なくとも一方に反応生成物を形成させた後に、前記電解液から前記電極を取り出す工程を有する電極の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記電解液は、ハロゲンを含む電極の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記電解液は、フッ素を含む電極の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記電解液は、塩素を含む電極の製造方法。
【請求項５】
請求項１において、前記電解液は、ホウ素を含む電極の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記対極電極は、リチウム、炭素系材料、珪素系材料のいずれかを有する電極の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月18日(2018.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示パネル
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、第２の基板と、接合層と、表示素子と、トランジスタと、保護層と、端子と、を備える表示パネルであって、
前記接合層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の領域に位置し、且つ前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する機能を有し、
前記表示素子は、前記第１の基板、前記第２の基板、及び前記接合層によって囲まれた領域に位置し、
前記保護層は、前記第１の基板の側面、前記第２の基板の側面、及び前記接合層の側面に接する領域を有し、
前記トランジスタと電気的に接続された前記端子は、前記第１の基板上であって、前記トランジスタより外側且つ前記第２の基板とは重ならない領域に位置し、
前記端子の一部は、前記保護層から露出されている、
表示パネル。
【請求項２】
第１の基板と、第２の基板と、接合層と、表示素子と、トランジスタと、保護層と、を備える表示パネルであって、
前記接合層は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の領域に位置し、且つ前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する機能を有し、
前記表示素子は、前記第１の基板、前記第２の基板、及び前記接合層によって囲まれた領域に位置し、
前記保護層は、前記第１の基板の側面、前記第２の基板の側面、及び前記接合層の側面に接する領域を有する、
表示パネル。
【請求項３】
請求項１において、
前記端子の露出した表面の一部は、水素よりもイオン化傾向の低い材料を有する、
表示パネル。
【請求項４】
請求項１において、
前記端子は、パラジウム、イリジウム、金、または白金を有し、
前記パラジウム、前記イリジウム、前記金、または前記白金が前記保護層から露出されている、
表示パネル。
【請求項５】
請求項１において、
前記端子は、第１の層と、前記第１の層上に第２の層とが積層された構造を有し、
前記第２の層は、前記第１の層に含まれる材料よりもイオン化傾向の低い材料を有し、
前記第２の層の表面の一部は、前記保護層から露出されている、
表示パネル。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２の層は、パラジウム、イリジウム、金、または白金を有する、
表示パネル。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記保護層は、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化スズインジウム、酸化タンタル、酸化シリコン、酸化マンガン、酸化ニッケル、酸化エルビウム、酸化コバルト、酸化テルル、チタン酸バリウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化アルミニウム、窒化タングステン、窒化コバルト、窒化マンガン、及び窒化ハフニウムから選ばれた少なくとも一を有する、
表示パネル。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の基板、及び前記第２の基板は、可撓性を有する、
表示パネル。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記端子と電気的に接続されたＦＰＣを有する、
表示パネル。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記表示素子は、発光素子である、
表示パネル。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月28日(2019.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
施設の駐車区画に駐車されたバッテリを有する車両と電気的に接続されるように構成され、前記車両と電気的に接続されている間に前記バッテリの電力を受電することが可能に構成された車両接続部と、
前記車両接続部が前記車両に電気的に接続されることに応じて、前記施設に来た前記車両のユーザを示すユーザ情報を登録するように構成されたユーザ情報登録部と、
前記車両接続部に電気的に接続されている前記車両から前記車両接続部を介して前記バッテリの電力を受電し、その受電したバッテリの電力を、前記施設に設けられた負荷へ供給するように構成された負荷給電部と、
を備える車両電力管理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の車両電力管理装置であって、
さらに、前記車両と前記車両接続部との電気的接続が解除されることに応じて、前記ユーザ情報登録部により登録されている、前記車両に対応した前記ユーザ情報の登録を消去するように構成された登録消去部を備える、車両電力管理装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の車両電力管理装置であって、
さらに、
前記駐車区画に駐車された前記車両が前記駐車区画から出庫する予定の時刻を示す出庫予定情報を取得するように構成された出庫予定取得部と、
前記車両接続部が前記車両に電気的に接続されることに応じて、前記出庫予定取得部により取得された前記出庫予定情報を登録するように構成された出庫予定登録部と、
を備える車両電力管理装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月10日(2019.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
演算処理機能を備える第１の部品又は送信機能を備える第２の部品のいずれかにおいて揺らぎが発生している場合に、前記第１の部品又は前記第２の部品のいずれか又は両方に対して揺らぎを抑制する処理を行う揺らぎ対応処理部、
を備える揺らぎ対応処理装置。
【請求項２】
前記揺らぎ対応処理部は、前記揺らぎを抑制する処理として、割当周期とＰｏｌｌｉｎｇ周期の同期、揺らぎの統計値に基づいて得られる所定時間経過後に送信許可指示の送信、及び送信許可指示の優先送信の少なくともいずれかの処理を行う、請求項１に記載の揺らぎ対応処理装置。
【請求項３】
演算処理機能を備える第１の部品又は送信機能を備える第２の部品のいずれかにおいて揺らぎが発生している場合、前記第１の部品又は前記第２の部品のいずれか又は両方に対して揺らぎを抑制する処理を行う揺らぎ対応処理ステップ、を有する揺らぎ抑制方法。
【請求項４】
演算処理機能を備える第１の部品又は送信機能を備える第２の部品のいずれかにおいて揺らぎが発生している場合、前記第１の部品又は前記第２の部品のいずれか又は両方に対して揺らぎを抑制する処理を行う揺らぎ対応処理ステップ、をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一態様は、演算処理機能を備える第１の部品又は送信機能を備える第２の部品のいずれかにおいて揺らぎが発生している場合に、前記第１の部品又は前記第２の部品のいずれか又は両方に対して揺らぎを抑制する処理を行う揺らぎ対応処理部、を備える揺らぎ対応処理装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の一態様は、上記の揺らぎ対応処理装置であって、前記揺らぎ対応処理部は、前記揺らぎを抑制する処理として、割当周期とＰｏｌｌｉｎｇ周期の同期、揺らぎの統計値に基づいて得られる所定時間経過後に送信許可指示の送信、及び送信許可指示の優先送信の少なくともいずれかの処理を行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の一態様は、演算処理機能を備える第１の部品又は送信機能を備える第２の部品のいずれかにおいて揺らぎが発生している場合、前記第１の部品又は前記第２の部品のいずれか又は両方に対して揺らぎを抑制する処理を行う揺らぎ対応処理ステップ、を有する揺らぎ抑制方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の一態様は、演算処理機能を備える第１の部品又は送信機能を備える第２の部品のいずれかにおいて揺らぎが発生している場合、前記第１の部品又は前記第２の部品のいずれか又は両方に対して揺らぎを抑制する処理を行う揺らぎ対応処理ステップ、をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムである。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月10日(2019.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サービス毎あるいは通信事業者毎に異なる機能を部品化した部品が追加または入替または使用の際に、前記部品に対するリソースを確保する割振部又は制限部又は確保を明示的に行うインタフェースのいずれか、
を備えるリソース確保装置。
【請求項２】
前記割振部は、確保又は制限又は廃棄又は前記部品の受入の前、又は、確保又は制限又は廃棄又は前記部品の受入の後の部品に基づいて得られる指標の合計値が所定の値を超過しない部品を確保不要又は制限不要又は廃棄不要又は受入可とし、前記指標の合計値が所定の値を超過する部品を確保要又は制限要又は廃棄用又は受入不可とする、請求項１に記載のリソース確保装置。
【請求項３】
前記割振部は、高優先の前記部品の処理を実行するためのリソースを確保し、低優先の前記部品の処理を実行するためのリソースを制限する、又は、通信装置、又は、前記部品、又は、予め定めた所定の種類の部品、又は、その組み合わせが動作するに際して利用されるリソースに関する所定の指標に基づいて得られる値が予め定められている所定の値を超過する場合には、低優先又は高優先の少なくともいずれか一方の前記部品の追加または入替を制限する、請求項１又は２に記載のリソース確保装置。
【請求項４】
前記制限部は、通信装置、又は、前記部品、又は、予め定めた所定の種類の部品、又は、その組み合わせが動作するに際して利用されるリソースに関する所定の指標に基づいて得られる値が予め定められている所定の値を超過しない場合には、低優先又は高優先の少なくともいずれか一方の前記部品の追加または入替を制限する、請求項１に記載のリソース確保装置。
【請求項５】
前記確保を明示的に行うインタフェースは、高優先の前記部品の処理を実行するためのリソースを確保し、低優先の前記部品の処理を実行するためのリソースを制限する、又は、通信装置、又は、前記部品、又は、予め定めた所定の種類の部品、又は、その組み合わせが動作するに際して利用されるリソースに関する所定の指標に基づいて得られる値が予め定められている所定の値を超過する場合には、低優先又は高優先の少なくともいずれか一方の前記部品の追加または入替を制限する、請求項１に記載のリソース確保装置。
【請求項６】
前記部品に対するリソースを確保する割振部又は制限部又は確保を明示的に行うインタフェースのいずれかは、高優先の前記部品の処理を実行する際に低優先の前記部品の処理を実行するためのリソースを制限して高優先の前記部品の処理を実行するためのリソースを確保する、請求項１から５のいずれか一項に記載のリソース確保装置。
【請求項７】
サービス毎あるいは通信事業者毎に異なる機能を部品化した部品が追加または入替または使用の際に、前記部品に対するリソースを確保する割振ステップ又は制限部ステップは確保を明示的に行うステップ、
を有するリソース確保方法。
【請求項８】
サービス毎あるいは通信事業者毎に異なる機能を部品化した部品が追加または入替または使用の際に、前記部品に対するリソースを確保する割振ステップ又は制限部ステップは確保を明示的に行うステップ、
をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様は、サービス毎あるいは通信事業者毎に異なる機能を部品化した部品が追加または入替または使用の際に、前記部品に対するリソースを確保する割振部又は制限部又は確保を明示的に行うインタフェースのいずれか、を備えるリソース確保装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一態様は、上記のリソース確保装置であって、前記割振部は、高優先の前記部品の処理を実行するためのリソースを確保し、低優先の前記部品の処理を実行するためのリソースを制限する、又は、通信装置、又は、前記部品、又は、予め定めた所定の種類の部品、又は、その組み合わせが動作するに際して利用されるリソースに関する所定の指標に基づいて得られる値が予め定められている所定の値を超過する場合には、低優先又は高優先の少なくともいずれか一方の前記部品の追加または入替を制限する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の一態様は、上記のリソース確保装置であって、前記確保を明示的に行うインタフェースは、高優先の前記部品の処理を実行するためのリソースを確保し、低優先の前記部品の処理を実行するためのリソースを制限する、又は、通信装置、又は、前記部品、又は、予め定めた所定の種類の部品、又は、その組み合わせが動作するに際して利用されるリソースに関する所定の指標に基づいて得られる値が予め定められている所定の値を超過する場合には、低優先又は高優先の少なくともいずれか一方の前記部品の追加または入替を制限する。
本発明の一態様は、上記のリソース確保装置であって、前記部品に対するリソースを確保する割振部又は制限部又は確保を明示的に行うインタフェースのいずれかは、高優先の前記部品の処理を実行する際に低優先の前記部品の処理を実行するためのリソースを制限して高優先の前記部品の処理を実行するためのリソースを確保する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の一態様は、サービス毎あるいは通信事業者毎に異なる機能を部品化した部品が追加または入替または使用の際に、前記部品に対するリソースを確保する割振ステップ又は制限部ステップは確保を明示的に行うステップ、を有するリソース確保方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の一態様は、サービス毎あるいは通信事業者毎に異なる機能を部品化した部品が追加または入替または使用の際に、前記部品に対するリソースを確保する割振ステップ又は制限部ステップは確保を明示的に行うステップ、をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムである。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月10日(2019.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
以上の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、
所定条件の成立に基づきゲームを実行し、当該ゲームの結果が特別結果となった場合に、遊技者に遊技価値を付与する特別遊技状態を発生可能な遊技機において、
遊技の制御を行う遊技制御手段と、
前記遊技制御手段からの指令に基づき、遊技の演出の制御を行う演出制御手段と、
前記ゲームの抽選に用いる確率値が割り当てられた確率設定値を、第１操作部及び第２操作部の操作により複数種類の前記確率設定値から選択可能とする設定手段と、を備え、
前記設定手段は、
前記確率設定値を選択可能な状態において前記第２操作部を操作することにより、前記確率設定値を変更可能であり、
前記遊技制御手段は、
電源遮断状態でも記憶内容を保持可能な記憶手段と、
電源の投入時に前記記憶手段に記憶されている情報が正当なものであるかを判定する正当性判定手段と、を備え、
電源の投入時に、前記第１操作部及び前記第２操作部が操作されていない場合は、前記記憶手段に記憶保持された情報に基づき復旧し、
電源の投入時に、前記第２操作部が操作されている場合は、前記記憶手段を初期化し、
前記正当性判定手段により前記記憶手段に記憶されている情報が正当なものでないと判定された場合には、特定の指令を前記演出制御手段に送信し、
前記演出制御手段は、
前記特定の指令を受信することに基づき前記確率設定値の選択を促す報知を行うことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定条件の成立に基づきゲームを実行し、当該ゲームの結果が特別結果となった場合に、遊技者に遊技価値を付与する特別遊技状態を発生可能な遊技機において、
遊技の制御を行う遊技制御手段と、
前記遊技制御手段からの指令に基づき、遊技の演出の制御を行う演出制御手段と、
前記ゲームの抽選に用いる確率値が割り当てられた確率設定値を、第１操作部及び第２操作部の操作により複数種類の前記確率設定値から選択可能とする設定手段と、を備え、
前記設定手段は、
前記確率設定値を選択可能な状態において前記第２操作部を操作することにより、前記確率設定値を変更可能であり、
前記遊技制御手段は、
電源遮断状態でも記憶内容を保持可能な記憶手段と、
電源の投入時に前記記憶手段に記憶されている情報が正当なものであるかを判定する正当性判定手段と、を備え、
電源の投入時に、前記第１操作部及び前記第２操作部が操作されていない場合は、前記記憶手段に記憶保持された情報に基づき復旧し、
電源の投入時に、前記第２操作部が操作されている場合は、前記記憶手段を初期化し、
前記正当性判定手段により前記記憶手段に記憶されている情報が正当なものでないと判定された場合には、特定の指令を前記演出制御手段に送信し、
前記演出制御手段は、
前記特定の指令を受信することに基づき前記確率設定値の選択を促す報知を行うことを特徴とする遊技機。