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【手続補正書】
【提出日】平成31年2月15日(2019.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体と、ゲート電極としての機能を有する第１の導電体と、ソース電極またはドレイン電極としての機能を有する第２の導電体および第３の導電体と、ソース配線またはドレイン配線としての機能を有する第４の導電体および第５の導電体と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第３の絶縁体と、を有し、
前記第２の導電体は、前記第４の導電体の上面および側面を覆うように配置され、
前記第３の導電体は、前記第５の導電体の上面および側面を覆うように配置され、
前記第１の導電体は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第１の絶縁体および前記第２の絶縁体を介して、前記酸化物半導体と重なる領域を有し、且つ前記第２の導電体乃至前記第５の導電体とは重ならず、
前記第２の領域は、前記第１の絶縁体乃至前記第３の絶縁体を介して、前記第２の導電体と重なる領域を有し、且つ前記第４の導電体とは重ならず、
前記第３の領域は、前記第１の絶縁体乃至前記第３の絶縁体を介して、前記第３の導電体と重なる領域を有し、且つ前記第５の導電体とは重ならず、
前記酸化物半導体は、第４の領域と、第５の領域と、第６の領域と、第７の領域と、を有し、
前記第４の領域は、前記第４の導電体と接する領域を有し、
前記第５の領域は、前記第５の導電体と接する領域を有し、
前記第６の領域は、前記第２の導電体と接する領域を有し、
前記第７の領域は、前記第３の導電体と接する領域を有し、
前記第４の導電体は、前記第２の導電体より電気抵抗値が低く、
前記第５の導電体は、前記第３の導電体より電気抵抗値が低い半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体と、ゲート電極としての機能を有する第１の導電体と、ソース電極またはドレイン電極としての機能を有する第２の導電体および第３の導電体と、ソース配線またはドレイン配線としての機能を有する第４の導電体および第５の導電体と、第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第３の絶縁体と、を有し、
前記第２の導電体は、前記第４の導電体の上面および側面を覆うように配置され、
前記第３の導電体は、前記第５の導電体の上面および側面を覆うように配置され、
前記第１の導電体は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第１の絶縁体および前記第２の絶縁体を介して、前記酸化物半導体と重なる領域を有し、且つ前記第２の導電体乃至前記第５の導電体とは重ならず、
前記第２の領域は、前記第１の絶縁体乃至前記第３の絶縁体を介して、前記第２の導電体と重なる領域を有し、且つ前記第４の導電体とは重ならず、
前記第３の領域は、前記第１の絶縁体乃至前記第３の絶縁体を介して、前記第３の導電体と重なる領域を有し、且つ前記第５の導電体とは重ならず、
前記酸化物半導体は、第４の領域と、第５の領域と、第６の領域と、第７の領域と、を有し、
前記第４の領域は、前記第４の導電体と接する領域を有し、
前記第５の領域は、前記第５の導電体と接する領域を有し、
前記第６の領域は、前記第２の導電体と接する領域を有し、
前記第７の領域は、前記第３の導電体と接する領域を有し、
前記第４の導電体は、前記第２の導電体より厚く、
前記第５の導電体は、前記第３の導電体より厚い半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の導電体は、酸素を透過しにくい導電体を含む積層膜である半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の導電体および前記第３の導電体は、酸素を透過しにくい導電体を含む積層膜である半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体と互いに重なる領域を有する第４の絶縁体を有し、
前記第４の絶縁体は、前記酸化物半導体の有する元素の少なくとも一を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の導電体のゲート線幅が、５ｎｍ以上６０ｎｍ以下である半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月14日(2019.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に酸化物半導体と、
前記酸化物半導体と接する第１の電極及び第２の電極と、
前記酸化物半導体、前記第１の電極、前記第２の電極上の絶縁体と、
前記絶縁体上の第３の電極と、を有し、
前記酸化物半導体は、前記第１の電極と重なる第１の領域、前記第２の電極と重なる第２の領域、及び前記第３の電極と重なる第３の領域を有し、
前記第１の領域と、前記第３の領域とは重なる第４の領域を有し、
前記第２の領域と、前記第３の領域とは重なる第５の領域を有し、
前記第１の電極の上面および前記第２の電極の上面は、前記酸化物半導体の上面と同一平面、または前記同一平面よりも前記基板側に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体と、第１の電極と、第２の電極と、第３の電極と、絶縁体と、を有し、
前記第３の電極は、前記絶縁体を介して、前記酸化物半導体上に設けられ、
前記酸化物半導体は、前記第１の電極と重なる第１の領域、前記第２の電極と重なる第２の領域、及び前記第３の電極と重なる第３の領域を有し、
前記第１の領域と、前記第３の領域とは重なる第４の領域を有し、
前記第２の領域と、前記第３の領域とは重なる第５の領域を有し、
前記第１の電極の上面および前記第２の電極の上面は、前記酸化物半導体の前記絶縁体に近い面と同一平面、または前記同一平面よりも前記酸化物半導体側に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第４の領域及び前記第５の領域の長さは、０ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体は、チャネルが形成される領域を有し、
前記絶縁体は、前記チャネルが形成される領域と重なる領域において段差を有さないことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の電極はソース電極及びドレイン電極の一方として機能し、
前記第２の電極はソース電極及びドレイン電極の他方として機能することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月19日(2019.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の第１の金属酸化物と、
前記第１の金属酸化物上の第２の金属酸化物と、
前記第２の金属酸化物上の第１の導電体および第２の導電体と、
前記第２の金属酸化物上、前記第１の導電体上および前記第２の導電体上の第３の金属酸化物と、
前記第３の金属酸化物上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の第３の導電体と、を有し、
前記第２の金属酸化物は、前記第１の金属酸化物の上面と接する領域および前記第１の金属酸化物の側面と接する領域を有し、
前記第２の金属酸化物は、チャネル形成領域を有する、半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１乃至前記第３の金属酸化物の各々は、インジウム、亜鉛および元素Ｍ（元素Ｍはアルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ）から選ばれた一種以上を有する、半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の導電体または前記第２の導電体は、チャネル幅方向の断面形状において、前記第２の金属酸化物の上面と接する領域および前記第２の金属酸化物の側面と接する領域を有する、半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第３の導電体は、前記第２の酸化物半導体の上面と面する領域および前記第２の酸化物半導体の側面と面する領域を有する、半導体装置。
【請求項５】
基板上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の第１の金属酸化物と、
前記第１の金属酸化物上の第２の金属酸化物と、
前記第２の金属酸化物上の第３の金属酸化物と、
前記第３の金属酸化物上の第４の金属酸化物と、
前記第４の金属酸化物上の第１の導電体および第２の導電体と、
前記第４の金属酸化物上、前記第１の導電体上および前記第２の導電体上の第５の金属酸化物と、
前記第５の金属酸化物上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の第３の導電体と、を有し、
前記第４の金属酸化物は、前記第３の金属酸化物の上面と接する領域および前記第３の金属酸化物の側面と接する領域を有し、
前記第２の金属酸化物および前記第４の金属酸化物の各々は、チャネル形成領域を有する、半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１乃至前記第５の金属酸化物の各々は、インジウム、亜鉛および元素Ｍ（元素Ｍはアルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ）から選ばれた一種以上を有する、半導体装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記第１の導電体または前記第２の導電体は、チャネル幅方向の断面形状において、前記第４の金属酸化物の上面と接する領域および前記第４の金属酸化物の側面と接する領域を有する、半導体装置。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記第３の導電体は、前記第４の酸化物半導体の上面と面する領域および前記第４の酸化物半導体の側面と面する領域を有する、半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の絶縁体の下に、さらに第４の導電体を有する、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月21日(2019.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、
前記第１の発光層は、第１の蛍光発光材料と、第１のホスト材料と、を有し、
前記第２の発光層は、第２の蛍光発光材料と、第２のホスト材料と、を有し、
前記第２のホスト材料は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、
前記第１の有機化合物と、前記第２の有機化合物と、が励起錯体を形成する、発光素子。
【請求項２】
第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、
前記第１の発光層は、第１の蛍光発光材料と、第１のホスト材料と、を有し、
前記第２の発光層は、第２の蛍光発光材料と、第２のホスト材料と、を有し、
前記第２のホスト材料は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、を有し、
前記第１の有機化合物と、前記第２の有機化合物と、が励起錯体を形成し、
前記励起錯体の発光スペクトルと、前記第２の蛍光発光材料の最も低エネルギー側の吸収帯とが重なる、発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記励起錯体が呈する発光は、遅延蛍光成分の占める割合が２０％以上である、発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の発光層と、前記第２の発光層と、が接する領域を有する、発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の発光層の発光スペクトルのピークは、前記第２の発光層の発光スペクトルのピークより短波長である、発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の蛍光発光材料は、青色領域の発光を呈する機能を有する、発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の蛍光発光材料は、４００ｎｍ以上４９０ｎｍ未満にピークを有する発光を呈する機能を有する、発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光素子と、
カラーフィルタまたはトランジスタの少なくとも一方と、
を有する表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載の表示装置と、
筐体またはタッチセンサの少なくとも一方と、
を有する電子機器。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光素子と、
筐体またはタッチセンサの少なくとも一方と、
を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月10日(2019.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結着樹脂、顔料、顔料分散剤及び非晶性樹脂を含有するトナー粒子を有するトナーであって、
該顔料に対する該顔料分散剤の吸着率Ａ１（％）が、８０％以上１００％以下であり、
該顔料に対する該非晶性樹脂の吸着率Ａ２（％）が、０％以上６０％以下であり、
該結着樹脂のＲｆ値（ＲｆＬ）が、０．５０以上１．００以下であり、
該非晶性樹脂のＲｆ値（ＲｆＨ）が、０．００以上０．３５以下であることを特徴とするトナー。
（該Ａ１は、スチレンとｎ‐ブチルアクリレートを質量比４：１で混合した溶媒２０質量部、該顔料分散剤０．１質量部、及び該顔料１．０質量部を混合して得られた混合液を測定したときの吸着率を示す。
該Ａ２は、スチレンとｎ‐ブチルアクリレートを質量比４：１で混合した溶媒２０質量部、該非晶性樹脂０．１質量部、及び該顔料１．０質量部を混合して得られた混合液を測定したときの吸着率を示す。）
（該ＲｆＬは、該結着樹脂の溶解液、固定相としてシリカゲル、及び、展開溶媒を用いて６０℃環境下で薄層クロマトグラフィーを行って測定される該結着樹脂のＲｆ値を示し、
該結着樹脂の溶解液は、スチレンとｎ‐ブチルアクリレートを質量比４：１で混合した溶媒２０質量部、及び該結着樹脂０．１質量部を混合したものであり、
該展開溶媒は、スチレンとｎ‐ブチルアクリレートを質量比１：１で混合したものである。
該ＲｆＨは、該非晶性樹脂の溶解液、固定相としてシリカゲル、及び、該展開溶媒を用いて６０℃環境下で薄層クロマトグラフィーを行って測定される該非晶性樹脂のＲｆ値を示し、
該非晶性樹脂の溶解液は、スチレンとｎ‐ブチルアクリレートを質量比４：１で混合した溶媒２０質量部、及び該非晶性樹脂０．１質量部を混合したものである。）
【請求項２】
前記非晶性樹脂が、ポリエステル樹脂である請求項１に記載のトナー。
【請求項３】
前記ポリエステル樹脂が、主鎖及び側鎖の少なくとも一方に、脂環式構造を有するアルコールに由来するユニット又は脂環式構造を有するカルボン酸に由来するユニットを有する請求項２に記載のトナー。
【請求項４】
前記ポリエステル樹脂を構成する全モノマーユニットに対する前記脂環式構造を有するアルコールに由来するユニット又は前記脂環式構造を有するカルボン酸に由来するユニットの含有比率が、０．１ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下である請求項３に記載のトナー。
【請求項５】
前記ポリエステル樹脂が、アルコールに由来するユニットとして、非環式の脂肪族ジオールに由来するユニットを有する請求項２〜４のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項６】
前記ポリエステル樹脂を構成する全モノマーユニットに対する前記非環式の脂肪族ジオールに由来するユニットの含有比率が、１０ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下である請求項５に記載のトナー。
【請求項７】
前記顔料分散剤が、顔料吸着部位と、スチレンアクリル樹脂部位とを有する請求項１〜６のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項８】
前記顔料吸着部位が、下記式（１）で示される構造である請求項７に記載のトナー。
2016157101.tif 000001
（式（１）中、
Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立して、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、−ＯＲ５基、又は−ＮＲ６Ｒ７基を表す。
Ｒ５、Ｒ６及びＲ７はそれぞれ独立して、水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、又はアラルキル基を表す。
Ａｒは置換又は無置換のアリール基を表す。
Ｒ１、Ｒ２、及びＡｒの少なくとも一つは、前記スチレンアクリル樹脂部位と結合する連結基を有する置換基である。該置換基は、上記Ｒ１、Ｒ２またはＡｒで示した基と同義である。
Ｒ１、及びＡｒの少なくとも一つが前記スチレンアクリル樹脂部位と結合する連結基を有する置換基である場合、前記連結基は、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−で示される基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で示される基、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で示される基、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−で示される基、アルキレン基、フェニレン基、−Ｏ−で示される基、−ＮＲ８−で示される基、及び−ＮＨＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−で示される基からなる群より選ばれる二価の連結基であり、
Ｒ８は水素原子、アルキル基、フェニル基又はアラルキル基を表す。
Ｒ２が前記スチレンアクリル樹脂部位と結合する連結基を有する置換基である場合、前記連結基は、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−で示される基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で示される基、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で示される基、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−で示される基、アルキレン基、フェニレン基、−Ｏ−で示される基、−ＮＲ９−で示される基、及び−ＮＨＣＨ（ＣＨ２ＯＨ）−で示される基からなる群より選ばれる二価の連結基であり、
Ｒ９は、水素原子、アルキル基、フェニル基、又はアラルキル基を表す。）
【請求項９】
前記Ａ２（％）が、０％以上５０％以下である請求項１〜８のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項１０】
前記非晶性樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）が、１１０００以上４００００以下である請求項１〜９のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の、トナー粒子を有するトナーを製造する方法であって、
該トナー粒子の製造工程が、下記工程（１）又は（２）：
（１）結着樹脂を生成し得る重合性単量体、顔料、顔料分散剤及び非晶性樹脂を含有する重合性単量体組成物の粒子を水系媒体中で形成する造粒工程、及び、該重合性単量体組成物の該粒子に含まれる重合性単量体を重合する重合工程、
（２）結着樹脂、顔料、顔料分散剤及び非晶性樹脂を有機溶媒に、溶解又は分散して樹脂溶液を調製する溶解工程、該樹脂溶液の粒子を水系媒体中で形成する造粒工程、及び、該樹脂溶液の該粒子に含まれる有機溶媒を除去して樹脂粒子を製造する脱溶剤工程、
のいずれかを有することを特徴とするトナーの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月3日(2018.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストリートビューの画像をラベル付けする方法であって、前記画像はピクセルの列のセットを含み、該方法は、
少なくとも１つのコンピュータ読み取り可能なメモリに記憶されたコンピュータ実行可能な命令を実行する少なくとも１つのプロセッサを使用するステップであって、２次元の各特徴を含む画像ピクセルを有する画像を受信するステップと、前記画像に対応する、３次元の各画像特徴を含む画像データ点を受信するステップと、を実行するステップと、
ピクセルごとに、前記画像ピクセルから外観特徴を抽出するステップであって、前記外観特徴は、ラベル付きデータセットから学習されたディープニューラルネットワークを用いて決定される、ステップと、
ピクセルごとに、前記画像データ点から奥行き特徴を抽出するステップと、
列単位のラベル付け手順を適用して、前記画像のピクセルの列の前記セットからのピクセルの各列ごとに、前記外観特徴及び前記奥行き特徴の両方を用いてピクセルの各列からピクセルごとに意味ラベル及び奥行きラベルを共同で求めるステップであって、前記列単位のラベル付け手順は、前記ストリートビューのモデルに従い、ピクセルの列の前記セットのピクセルの各列は、最上層または第４の層から、第１の層または最下層までの、最大で４つの順序付けられた層を含み、前記最大で４つの順序付けられた層は、各画像列ごとに前記意味ラベル及び前記奥行きラベルを共同で推定する推測手順を用いて、取得される、ステップと、
前記最大で４つの順序付けられた層に施された前記列単位のラベル付け手順を処理するステップと
を含み、各前記ステップは前記プロセッサが実行する、方法。
【請求項２】
前記ストリートビューのモデルの前記第１の層は運転可能エリアを表し、第２の層は、ストリートにおける動的オブジェクトを表し、第３の層は静的オブジェクトを表し、前記第４の層は空を表し、これらの層における奥行きは上から下に向かって順序付けされる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の層内の前記運転可能エリアは、地面、草、歩道を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の層内の前記動的オブジェクトは、車両、歩行者、自転車運転者、オートバイ運転者及び動物を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記第３の層内の前記静的オブジェクトは、建物、橋及び木を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記外観特徴は、前記ラベル付けされたデータセットから学習された前記ディープニューラルネットワークを用いて求められ、前記ディープニューラルネットワークは、意味クラスのための画像特徴を前記画像から抽出するのに用いられる、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記奥行き特徴は、ステレオ画像から得られた視差マッチングコストから求められる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ピクセルの列の最上層におけるピクセルのための前記奥行きラベルは、ピクセルの前記列の残りの低次層内のピクセルの前記奥行きラベルより大きい、
請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ピクセルの列の最下層におけるピクセルのための前記奥行きラベルは、基面定数によって決定される、
請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記画像は、カメラ装置または画像取得装置によって取得され、前記ラベル付けされた画像は、ディスプレイ上の出力であり、前記ディスプレイおよび前記プロセッサは車両に搭載されている、
請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
ストリートビューの画像をラベル付けする方法であって、前記画像はピクセルの列のセットを含み、該方法は、
少なくとも１つのコンピュータ読み取り可能なメモリに記憶されたコンピュータ実行可能な命令を実行する少なくとも１つのプロセッサを使用するステップであって、２次元の各特徴を含む画像ピクセルを有する画像を受信するステップと、前記画像に対応する、３次元の各画像特徴を含む画像データ点を受信するステップと、を実行するステップと、
ピクセルごとに、前記画像ピクセルから外観特徴を抽出するステップであって、前記外観特徴は、前記画像から意味的クラスのための画像特徴を抽出するのに用いられるラベル付きデータセットから、ディープ・マルチスケール・畳み込みネットワークを用いて決定される、ステップと、
ピクセルごとに、前記画像データ点から奥行き特徴を抽出するステップと、
列単位のラベル付け手順を適用して、前記画像のピクセルの列の前記セットからのピクセルの各列ごとに、前記外観特徴及び前記奥行き特徴の両方を用いてピクセルの各列からピクセルごとに意味ラベル及び奥行きラベルを共同で求めるステップであって、前記列単位のラベル付け手順は、前記ストリートビューのモデルに従い、ピクセルの列の前記セットのピクセルの各列は、最上層または第４の層から、第１の層または最下層までの、最大で４つの順序付けられた層を含み、前記最大で４つの順序付けられた層は、各画像列ごとに前記意味ラベル及び前記奥行きラベルを共同で推定する推測手順を用いて、取得される、ステップと、
前記最大で４つの順序付けられた層に施された前記列単位のラベル付け手順を処理するステップと
を含み、各前記ステップは前記プロセッサが実行する、方法。
【請求項１２】
前記推測手順は動的アルゴリズムに基づき、
前記動的アルゴリズムは、
前記最大で４つの順序付けられた層の最上部ピクセルのｙ座標を示す変数ｈｉ１、ｈｉ２、ｈｉ３及びｈｉ４を含み、
変数ｌｉ１、ｌｉ２、ｌｉ３及びｌｉ４は、前記最大で４つの順序付けられた層のための意味的ラベルであり、
変数ｄｉ１、ｄｉ２、ｄｉ３及びｄｉ４は、前記最大で４つの順序付けられた層の奥行きであり、
未知の変数のみが決定され、例えば、前記未知の変数がｈ１、ｈ２、ｈ３、ｌ２、ｄ３を含むとき、前記未知の変数は、下式によって求められる、
【数１】
2016157434.tif 000001
請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記推測手順は動的アルゴリズムに基づき、
前記動的アルゴリズムは、
前記最大で４つの順序付けられた層の最上部ピクセルのｙ座標を示す変数ｈｉ１、ｈｉ２、ｈｉ３及びｈｉ４を含み、
変数ｌｉ１、ｌｉ２、ｌｉ３及びｌｉ４は、前記最大で４つの順序付けられた層のための意味的ラベルであり、
変数ｄｉ１、ｄｉ２、ｄｉ３及びｄｉ４は、前記最大で４つの順序付けられた層の奥行きであり、
未知の変数のみが決定され、例えば、前記未知の変数がｈ１、ｈ２、ｈ３、ｌ２、ｄ３を含むとき、前記未知の変数は、下式によって求められる、
【数２】
2016157434.tif 000002
請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月5日(2019.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第（ｎ＋１）（ｎは２以上の整数）のトランジスタと、
第１乃至第ｎの容量素子と、
第１乃至第ｎのノードと、
第１及び第２の配線と、を有し、
前記第ｉのノード（ｉは整数且つ１≦ｉ≦ｎ）は、前記第ｉの容量素子の第１の端子及び前記第ｉのトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、前記第１の配線と前記第２の配線との間の、導通又は非導通を制御する機能を有し、
前記第（ｉ＋１）のトランジスタは、前記第ｉのノードと前記第２の配線との間の、導通又は非導通を制御する機能を有し、
前記第１乃至前記第ｎのノードは、それぞれ、Ｊビット（Ｊは１以上の整数）のデータを保持する機能を有し、
前記第２乃至第（ｎ＋１）のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むことを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
メモリセルと、
第１乃至第ｎの記憶回路と、
第１及び第２の配線と、を有し、
前記メモリセルは、第１乃至第（ｎ＋１）（ｎは２以上の整数）のトランジスタと、第１乃至第ｎの容量素子と、第１乃至第ｎのノードと、を有し、
前記第ｉのノード（ｉは整数且つ１≦ｉ≦ｎ）は、前記第ｉの容量素子の第１の端子及び前記第ｉのトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、前記第１の配線と前記第２の配線との間の、導通又は非導通を制御する機能を有し、
前記第（ｉ＋１）のトランジスタは、前記第ｉのノードと前記第２の配線との間の、導通又は非導通を制御する機能を有し、
前記第１乃至前記第ｎのノードは、それぞれ、Ｊビット（Ｊは１以上の整数）のデータを保持する機能を有し、
前記第２乃至第（ｎ＋１）のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、
前記第１乃至第ｎの記憶回路は、それぞれ、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第１乃至第ｎの記憶回路は、それぞれ、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第ｉの記憶回路は、前記第ｉのノードに保持されたデータを記憶する機能を有することを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のトランジスタ上に、前記第２乃至前記第（ｎ＋１）のトランジスタが設けられ、
前記第２乃至前記第（ｎ＋１）のトランジスタ上に、前記第１乃至前記第ｎの容量素子が設けられ、
前記第１のトランジスタはチャネル形成領域にシリコンを含むことを特徴とする記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月1日(2019.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性部材と、
前記導電性部材に固定されたプリント回路板と、を備え、
前記プリント回路板は、
第１半導体装置と第２半導体装置とを接続する信号配線が形成されたプリント配線板を有し、
前記信号配線は、前記プリント配線板において前記導電性部材と対向する表層に形成された信号配線パターンを有し、
前記導電性部材は、平板部と、前記信号配線パターンに対向し、前記平板部よりも前記プリント配線板から遠ざかる方向に凹む凹部と、を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記凹部は、１つであることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記信号配線パターンが直線状に延びて形成されており、
前記凹部は、前記信号配線パターンの延びる配線方向に対して直交する方向の長さが、前記プリント配線板と前記平板部との距離の２倍以上２２倍以下の長さに、前記信号配線パターンの配線幅を加えた長さを有することを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記信号配線パターンが直線状に延びて形成されており、
前記凹部は、前記信号配線パターンの延びる配線方向と平行な方向の長さが、前記信号配線パターンの前記配線方向の長さの０．５倍以上４．７５倍以下であることを特徴とする請求項２または３に記載の電子機器。
【請求項５】
前記凹部の深さが、前記プリント配線板と前記平板部との距離の０．２倍以上１．６倍以下であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記凹部は、前記プリント配線板の面の法線方向から見て、前記信号配線パターンの全てを包含することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項７】
前記第１半導体装置は、前記プリント配線板に実装されており、
前記凹部は、前記プリント配線板の面の法線方向から見て、前記第１半導体装置の一部または全部を包含することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項８】
前記平板部には、前記凹部の周りにスリットが形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項９】
前記信号配線は、前記第１半導体装置と前記第２半導体装置とを接続する、前記プリント配線板に形成された複数の信号配線のうち、少なくとも１つの信号配線であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記信号配線は、クロック信号の伝送路であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの信号配線は、クロック信号の伝送路であることを特徴とする請求項９に記載の電子機器。
【請求項１２】
前記クロック信号の周波数が１０［ＭＨｚ］以上１［ＧＨｚ］以下であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の電子機器は、導電性部材と、前記導電性部材に固定されたプリント回路板と、を備え、前記プリント回路板は、第１半導体装置と第２半導体装置とを接続する信号配線が形成されたプリント配線板を有し、前記信号配線は、前記プリント配線板において前記導電性部材と対向する表層に形成された信号配線パターンを有し、前記導電性部材は、平板部と、前記信号配線パターンに対向し、前記平板部よりも前記プリント配線板から遠ざかる方向に凹む凹部と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月23日(2019.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧された内側に処理用のガスが供給される処理室を内部に備えた真空容器と、前記処理室内側の下部に配置され処理用の試料が上面に載せられる試料台と、前記処理室上方に配置されその内部で処理用のガスを用いてプラズマが形成されるプラズマ形成室と、前記試料台の上面の上方であって前記処理室と前記プラズマ形成室との間に配置され前記処理用のガスがその内部を通り前記プラズマ形成室から前記処理室内部に導入される流路内に配置された少なくとも１つの板部材であって複数の導入孔を備えた誘電体製の板部材と、前記流路の外周側でこれを囲んで配置され前記試料を加熱するためのランプ及び前記処理室の内側に面して当該処理室と前記ランプとの間に配置され当該ランプからの電磁波を透過させる部材で構成されたリング状の窓部材とを備えた真空処理装置であって、
前記窓部材の電磁波を透過させる部材がこの窓部材のリング状の平板部下面及び当該リング状の平板部の内周側で前記板部材を囲む側壁面を構成して前記ランプからの電磁波により前記板部材が加熱されることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の真空処理装置であって、
前記窓部材のリング状の平板部下面及び前記側壁面が電磁波を透過させる一体の部材で構成されたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の真空処理装置であって、
前記窓部材の前記側壁面を構成する側壁の上端部に前記処理室の内部と外部との間を気密に封止するシール部材と、前記ランプと前記シール部材との間に配置され前記電磁波から当該シール部材を遮るカバーを備えたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の真空処理装置であって、
前記側壁の内部に配置され前記電磁波の前記シール部材への伝達を抑制する部材とを備えたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の真空処理装置であって、
前記導入孔からの前記処理用のガスの導入と前記ランプによる前記試料の加熱とが交互に繰り返されるように制御されることを特徴とする真空処理装置。
【請求項６】
請求項１に記載の真空処理装置において、
前記板部材は、第１板部材と第２板部材とを有し、前記第１板部材の導入孔と前記第２板部材の導入孔とは平面的に異なった位置に配置されていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項７】
請求項１に記載の真空処理装置において、
前記プラズマを形成するためのコイルが前記プラズマ形成室を取り巻いて設置されていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項８】
請求項１に記載の真空処理装置において、
前記窓部材は、前記試料に面する下面と前記板部材に面する側面とを有し、前記試料の加熱分布を調整するために前記下面と前記側面との角部がレンズの機能を備えていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の真空処理装置において、
前記窓部材の前記角部は、前記ランプに面する側の曲率と前記試料に面する側の曲率が異なることを特徴とする真空処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達せするための一実施形態として、減圧された内側に処理用のガスが供給される処理室を内部に備えた真空容器と、前記処理室内側の下部に配置され処理用の試料が上面に載せられる試料台と、前記処理室上方に配置されその内部で処理用のガスを用いてプラズマが形成されるプラズマ形成室と、前記試料台の上面の上方であって前記処理室と前記プラズマ形成室との間に配置され前記処理用のガスがその内部を通り前記プラズマ形成室から前記処理室内部に導入される流路内に配置された少なくとも１つの板部材であって複数の導入孔を備えた誘電体製の板部材と、前記流路の外周側でこれを囲んで配置され前記試料を加熱するためのランプ及び前記処理室の内側に面して当該処理室と前記ランプとの間に配置され当該ランプからの電磁波を透過させる部材で構成されたリング状の窓部材とを備えた真空処理装置であって、前記窓部材の電磁波を透過させる部材がこの窓部材のリング状の平板部下面及び当該リング状の平板部の内周側で前記板部材を囲む側壁面を構成して前記ランプからの電磁波により前記板部材が加熱されることを特徴とする真空処理装置とする。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月1日(2019.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性部材と、
前記導電性部材に固定されたプリント回路板と、を備え、
前記プリント回路板は、
第１半導体装置と第２半導体装置とを接続する信号配線が形成されたプリント配線板を有し、
前記プリント配線板は、前記導電性部材と対向する表層を有し、
前記信号配線は、前記表層に形成された信号配線パターンを有し、
前記導電性部材は、前記信号配線パターンに対向する開孔を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記開孔は、１つであることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記信号配線パターンが直線状に延びて形成されており、
前記開孔は、前記信号配線パターンの延びる配線方向に対して直交する方向の長さが、前記プリント配線板と前記導電性部材との距離の２倍以上８倍以下の長さに、前記信号配線パターンの配線幅を加えた長さを有することを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記信号配線パターンが直線状に延びて形成されており、
前記開孔は、前記信号配線パターンの延びる配線方向と平行な方向の長さが、前記信号配線パターンの前記配線方向の長さの０．５倍以上１．５倍以下であることを特徴とする請求項２または３に記載の電子機器。
【請求項５】
前記開孔は、互いに間隔をあけた複数の開孔であることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項６】
前記信号配線パターンが直線状に延びて形成されており、
前記複数の開孔は、前記信号配線パターンの延びる配線方向に対して直交する方向の長さが、前記プリント配線板と前記導電性部材との距離の６倍以上２０倍以下の長さに、前記信号配線パターンの配線幅を加えた長さを有することを特徴とする請求項５に記載の電子機器。
【請求項７】
前記信号配線パターンが直線状に延びて形成されており、
前記複数の開孔は、前記信号配線パターンの延びる配線方向と平行な方向の長さが、前記信号配線パターンの前記配線方向の長さの０．７５倍以上２倍以下であることを特徴とする請求項５または６に記載の電子機器。
【請求項８】
前記開孔は、前記プリント配線板の面の法線方向から見て、前記信号配線パターンの全てを包含することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項９】
前記第１半導体装置は、前記プリント配線板に実装されており、
前記開孔は、前記プリント配線板の面の法線方向から見て、前記第１半導体装置を包含しないことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記信号配線は、前記第１半導体装置と前記第２半導体装置とを接続する、前記プリント配線板に形成された複数の信号配線のうちの少なくとも１つの信号配線であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１１】
前記信号配線は、クロック信号の伝送路であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの信号配線は、クロック信号の伝送路であることを特徴とする請求項１０に記載の電子機器。
【請求項１３】
前記クロック信号の周波数が１０［ＭＨｚ］以上１［ＧＨｚ］以下であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の電子機器は、導電性部材と、前記導電性部材に固定されたプリント回路板と、を備え、前記プリント回路板は、第１半導体装置と第２半導体装置とを接続する信号配線が形成されたプリント配線板を有し、前記プリント配線板は、前記導電性部材と対向する表層を有し、前記信号配線は、前記表層に形成された信号配線パターンを有し、前記導電性部材は、前記信号配線パターンに対向する開孔を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月29日(2019.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に配された第１の電極層と、
前記第１の電極層および前記半導体基板の間に配された第２の電極層と、
前記第１の電極層および前記第２の電極層の間に配され、光電変換により生じた信号電荷を蓄積する蓄積層と、
前記蓄積層および前記第２の電極層の間に配された絶縁層と、
前記蓄積層および前記絶縁層の間に配され、前記蓄積層の前記信号電荷が前記絶縁層に到達することを防ぐブロッキング層と、
前記半導体基板に配され、前記信号電荷に基づく信号を受けるように前記第２の電極層に接続された回路部と、を備える、
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に配された第１の電極層と、
前記第１の電極層および前記半導体基板の間に配された第２の電極層と、
前記第１の電極層および前記第２の電極層の間に配され、光電変換により生じた信号電荷を蓄積する蓄積層と、
前記蓄積層および前記第２の電極層の間に配された絶縁層と、
前記蓄積層および前記絶縁層の間に配され、前記蓄積層の前記信号電荷に対するポテンシャルバリアを形成するブロッキング層と、
前記半導体基板に配され、前記信号電荷に基づく信号を受けるように前記第２の電極層に接続された回路部と、を備える、
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
前記蓄積層と前記ブロッキング層とが同じ半導体材料で形成される、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記蓄積層の不純物濃度と前記ブロッキング層の不純物濃度とが異なる、
ことを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記蓄積層は第１導電型を有し、
前記ブロッキング層は第１導電型とは異なる第２導電型を有する、
ことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記蓄積層が第１の半導体材料で形成され、
前記ブロッキング層が、前記第１の半導体材料とは異なる第２の半導体材料で形成される、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記蓄積層のバンドギャップと、前記ブロッキング層のバンドギャップとが異なる、
ことを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記蓄積層と前記ブロッキング層とがヘテロ接合を構成する、
ことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記第１の電極層から前記第２の電極層に向かって前記信号電荷をドリフトさせる電圧が、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に印加される、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第１の電極層と前記蓄積層との間に配され、前記信号電荷と同じ極性を持つ電荷が前記第１の電極層から前記蓄積層へ注入されることを防ぐ第２のブロッキング層を備える、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に配された第１の電極層と、
前記第１の電極層および前記半導体基板の間に配された第２の電極層と、
前記第１の電極層および前記第２の電極層の間に配された光電変換層と、
前記光電変換層および前記第２の電極層の間に配された絶縁層と、
前記半導体基板に配され、前記光電変換層で生じた信号電荷に基づく信号を受けるように前記第２の電極層に接続された回路部と、を備え、
前記光電変換層の中にあって、前記第１の電極層から前記絶縁層へ向かう方向に進む前記信号電荷に対してポテンシャルバリアが形成される、
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項１２】
前記第１の電極層から前記第２の電極層に向かって前記信号電荷をドリフトさせる電圧が、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に印加されているときに、前記ポテンシャルバリアが形成される、
ことを特徴とする請求項１１に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記光電変換層が前記信号電荷を蓄積しているときに、前記ポテンシャルバリアが形成される、
ことを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
前記光電変換層が半導体材料で形成され、
前記光電変換層は、第１の不純物濃度を有する第１の部分と、前記第１の不純物濃度とは異なる第２の不純物濃度を有する第２の部分とを含み、
前記第２の部分が、前記第１の部分の前記信号電荷に対して、前記ポテンシャルバリアを形成する、
ことを特徴とする請求項１１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
前記光電変換層が、第１の半導体材料で形成された第１の部分と、前記第１の半導体材料とは異なる第２の半導体材料で形成された第２の部分とを含み、
前記第２の部分が、前記第１の部分の前記信号電荷に対して、前記ポテンシャルバリアを形成する、
ことを特徴とする請求項１１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の光電変換装置。
【請求項１６】
前記第１の部分のバンドギャップと、前記第２の部分のバンドギャップとが異なる、
ことを特徴とする請求項１５に記載の光電変換装置。
【請求項１７】
前記第１の電極層と前記光電変換層との間に配され、前記信号電荷と同じ極性を持つ電荷が前記第１の電極層から前記光電変換層へ注入されることを防ぐ第２のブロッキング層を備える、
ことを特徴とする請求項１１乃至請求項１６のいずれか一項に記載の光電変換装置。
【請求項１８】
前記第２の電極層は、電気的に分離された少なくとも２つの電極を含み、
前記少なくとも２つの電極の一方または両方の電圧を制御することにより、前記信号電荷を転送する、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項１７のいずれか一項に記載の光電変換装置。
【請求項１９】
前記少なくとも２つの電極の１つを含む光電変換部と、
前記少なくとも２つの電極の他の１つを含む電荷保持部と、
前記電荷保持部を遮光する遮光層と、を備え、
前記光電変換部の前記信号電荷を前記電荷保持部に転送する、
ことを特徴とする請求項１８に記載の光電変換装置。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１９のいずれか一項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置からの信号を処理する信号処理装置と、を備えた撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面に係る実施例の光電変換装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上に配された第１の電極層と、前記第１の電極層および前記半導体基板の間に配された第２の電極層と、前記第１の電極層および前記第２の電極層の間に配され、光電変換により生じた信号電荷を蓄積する蓄積層と、前記蓄積層および前記第２の電極層の間に配された絶縁層と、前記蓄積層および前記絶縁層の間に配され、前記蓄積層の前記信号電荷が前記絶縁層に到達することを防ぐブロッキング層と、前記半導体基板に配され、前記信号電荷に基づく信号を受けるように前記第２の電極層に接続された回路部と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月6日(2019.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
六方晶構造を有し、アンドープまたはｎ形である第１窒化物半導体層と、
発光層と、
六方晶構造を有し、ｐ形である第２窒化物半導体層と、
を順に備えており、
前記第２窒化物半導体層のｃ軸方向が前記第１窒化物半導体層のｃ軸方向と異なる半導体装置。
【請求項２】
前記第１窒化物半導体層の前記ｃ軸方向は、前記第１窒化物半導体層から前記第２窒化物半導体層に向かう第１方向に対して傾斜し、
前記第２窒化物半導体層の前記ｃ軸方向は、前記第１方向と平行である請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記発光層と前記第２窒化物半導体層との間に設けられた中間層をさらに備え、
前記中間層の単位体積あたりに含まれる結晶の体積の割合は、前記発光層の単位体積あたりに含まれる結晶の体積の割合よりも小さい請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
六方晶構造を有し、アンドープまたはｎ形である第１窒化物半導体層と、
前記第１窒化物半導体層の上に設けられ、六方晶構造を有し、ｐ形である第２窒化物半導体層と、
前記第１窒化物半導体層の上に設けられたソース電極と、
前記第１窒化物半導体層の上に設けられたドレイン電極と、
前記第２窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極と、
を備え、
前記第１窒化物半導体層のｃ軸方向は、前記第１窒化物半導体層から前記第２窒化物半導体層に向かう第１方向に平行であり、
前記第２窒化物半導体層のｃ軸方向は、前記第１方向に対して傾斜しており、
前記第２窒化物半導体層と、前記ソース電極と、前記ドレイン電極と、は、互いに離間し、
前記第２窒化物半導体層は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置する半導体装置。
【請求項５】
前記第１窒化物半導体層と前記第２窒化物半導体層との間に設けられた中間層をさらに備え、
前記中間層の単位体積あたりに含まれる結晶の体積の割合は、前記第１窒化物半導体層の単位体積あたりに含まれる結晶の体積の割合よりも小さい請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２窒化物半導体層は、マグネシウムを含む請求項３または５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記中間層は、ｐ形不純物を含む窒化物半導体層であり、
前記中間層におけるｐ形不純物濃度は、前記第２窒化物半導体層におけるｐ形不純物濃度よりも高い請求項３、５、または６に記載の半導体装置。
【請求項８】
六方晶構造を有する第１導電形の第１窒化物半導体層を形成し、
前記第１窒化物半導体層の上に、単位体積あたりに含まれる結晶の体積の割合が、前記第１窒化物半導体層の単位体積あたりに含まれる結晶の体積の割合よりも小さい中間層を形成し、
前記中間層の上に、六方晶構造を有する第２導電形の第２窒化物半導体層を、前記第２窒化物半導体層のｃ軸方向が前記第１窒化物半導体層のｃ軸方向と異なるように、形成する半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一実施形態に係る半導体装置は、第１窒化物半導体層と、発光層と、第２窒化物半導体層と、を順に備える。前記第１窒化物半導体層は、六方晶構造を有し、アンドープまたはｎ形である。前記第２窒化物半導体層は、六方晶構造を有し、ｐ形である。前記第２窒化物半導体層のｃ軸方向は、前記第１窒化物半導体層のｃ軸方向と異なる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
半導体装置１００において、ｎ形窒化物半導体層１０３、発光層１０５、およびｐ形窒化物半導体層１０９は、図２に表すような、六方晶系のウルツ鉱型の結晶構造を有する。また、ｎ形窒化物半導体層１０３および発光層１０５のｃ軸方向と、ｐ形窒化物半導体層１０９のｃ軸方向と、は、異なった方向を向いている。
具体的な一例として、ｎ形窒化物半導体層１０３および発光層１０５において、ｃ軸方向はＺ方向に対して傾斜しており、ｃ軸方向以外のいずれかの方向がＺ方向と平行である。すなわち、ｎ形窒化物半導体層１０３および発光層１０５において、例えば、＜１１−２０＞方向、＜１−１００＞方向、＜１−１０１＞方向、または＜１１−２２＞方向が、Ｚ方向と平行である。これに対して、ｐ形窒化物半導体層１０９においては、ｃ軸方向がＺ方向と平行である。