【手続補正書】
【提出日】令和1年8月13日(2019.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を処理する方法であって、該被処理体は被エッチング層と該被エッチング層上に設けられたマスクと該マスクに設けられた溝とを備え、該溝は該マスクの表面から該被エッチング層に至り該被エッチング層を露出し、該方法は、
前記被処理体が収容されているプラズマ処理装置の処理容器内において窒素ガスを含む第１の処理ガスのプラズマを生成し、窒素原子のイオンを含む混合層を、前記溝を介して前記被エッチング層の表面の原子層に形成する第１の工程と、
前記第１の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第２の工程と、
前記第２の工程の実行後に、前記処理容器内においてフッ素を含む第２の処理ガスのプラズマを生成し、該第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルによって前記混合層を除去する第３の工程と、
前記第３の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第４の工程と、
を含むシーケンスを繰り返し実行し、前記被エッチング層を原子層毎に除去することによって、該被エッチング層をエッチングし、
前記被エッチング層は、シリコンの酸化物を含み、
前記第３の工程において生成される前記第２の処理ガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む前記混合層を除去する前記ラジカルを含む、
方法。
【請求項２】
被処理体を処理する方法であって、該被処理体は被エッチング層と該被エッチング層上に設けられたマスクと該マスクに設けられた溝とを備え、該溝は該マスクの表面から該被エッチング層に至り該被エッチング層を露出し、該方法は、
前記被処理体が収容されているプラズマ処理装置の処理容器内において第１の処理ガスのプラズマを生成し、該第１の処理ガスのプラズマに含まれるイオンを含む混合層を、前記溝を介して前記被エッチング層の表面の原子層に形成する第１の工程と、
前記第１の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第２の工程と、
前記第２の工程の実行後に、前記処理容器内において第２の処理ガスのプラズマを生成し、該第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルによって前記混合層を除去する第３の工程と、
前記第３の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第４の工程と、
を含むシーケンスを繰り返し実行し、前記被エッチング層を原子層毎に除去することによって、該被エッチング層をエッチングし、
前記被エッチング層は、シリコンの酸化物を含み、
前記第１の処理ガスは、窒素を含み、
前記第２の処理ガスは、フッ素を含み、
前記第３の工程において生成される前記第２の処理ガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む前記混合層を除去する前記ラジカルを含み、
前記第１の工程では、前記第１の処理ガスのプラズマにバイアス電圧を印加して、前記被エッチング層の表面の原子層に前記イオンを含む前記混合層を形成する、
方法。
【請求項３】
被処理体を処理する方法であって、該被処理体は被エッチング層と該被エッチング層上に設けられたマスクと該マスクに設けられた溝とを備え、該溝は該マスクの表面から該被エッチング層に至り該被エッチング層を露出し、該方法は、
前記被処理体が収容されているプラズマ処理装置の処理容器内において第１の処理ガスのプラズマを生成し、該第１の処理ガスのプラズマに含まれるイオンを含む混合層を、前記溝を介して前記被エッチング層の表面の原子層に形成する第１の工程と、
前記第１の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第２の工程と、
前記第２の工程の実行後に、前記処理容器内において第２の処理ガスのプラズマを生成し、該第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルによって前記混合層を除去する第３の工程と、
前記第３の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第４の工程と、
を含むシーケンスを繰り返し実行し、前記被エッチング層を原子層毎に除去することによって、該被エッチング層をエッチングし、
前記被エッチング層は、シリコンの酸化物を含み、
前記第１の処理ガスは、窒素を含み、
前記第２の処理ガスは、フッ素を含み、
前記第３の工程において生成される前記第２の処理ガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む前記混合層を除去する前記ラジカルを含み、
前記第２の処理ガスは、ＮＦ３ガスおよびＯ２ガスを含む混合ガスである、
方法。
【請求項４】
被処理体を処理する方法であって、該被処理体は被エッチング層と該被エッチング層上に設けられたマスクと該マスクに設けられた溝とを備え、該溝は該マスクの表面から該被エッチング層に至り該被エッチング層を露出し、該方法は、
前記被処理体が収容されているプラズマ処理装置の処理容器内において第１の処理ガスのプラズマを生成し、該第１の処理ガスのプラズマに含まれるイオンを含む混合層を、前記溝を介して前記被エッチング層の表面の原子層に形成する第１の工程と、
前記第１の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第２の工程と、
前記第２の工程の実行後に、前記処理容器内において第２の処理ガスのプラズマを生成し、該第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルによって前記混合層を除去する第３の工程と、
前記第３の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第４の工程と、
を含むシーケンスを繰り返し実行し、前記被エッチング層を原子層毎に除去することによって、該被エッチング層をエッチングし、
前記被エッチング層は、シリコンの酸化物を含み、
前記第１の処理ガスは、窒素を含み、
前記第２の処理ガスは、フッ素を含み、
前記第３の工程において生成される前記第２の処理ガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む前記混合層を除去する前記ラジカルを含み、
前記第２の処理ガスは、ＮＦ３ガス、Ｏ２ガス、Ｈ２ガスおよびＡｒガスを含む混合ガスである、
方法。
【請求項５】
被処理体を処理する方法であって、該被処理体は被エッチング層と該被エッチング層上に設けられたマスクと該マスクに設けられた溝とを備え、該溝は該マスクの表面から該被エッチング層に至り該被エッチング層を露出し、該方法は、
前記被処理体が収容されているプラズマ処理装置の処理容器内において第１の処理ガスのプラズマを生成し、該第１の処理ガスのプラズマに含まれるイオンを含む混合層を、前記溝を介して前記被エッチング層の表面の原子層に形成する第１の工程と、
前記第１の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第２の工程と、
前記第２の工程の実行後に、前記処理容器内において第２の処理ガスのプラズマを生成し、該第２の処理ガスのプラズマに含まれるラジカルによって前記混合層を除去する第３の工程と、
前記第３の工程の実行後に、前記処理容器内の空間をパージする第４の工程と、
を含むシーケンスを繰り返し実行し、前記被エッチング層を原子層毎に除去することによって、該被エッチング層をエッチングし、
前記被エッチング層は、シリコンの酸化物を含み、
前記第１の処理ガスは、窒素を含み、
前記第２の処理ガスは、フッ素を含み、
前記第３の工程において生成される前記第２の処理ガスのプラズマは、シリコンの窒化物を含む前記混合層を除去する前記ラジカルを含み、
前記第２の処理ガスは、ＣＨ３Ｆガス、Ｏ２ガスおよびＡｒガスを含む混合ガスである、
方法。
【請求項６】
前記第２の処理ガスは、ＮＦ３ガスおよびＯ２ガスを含む混合ガスである、
請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の処理ガスは、ＮＦ３ガス、Ｏ２ガス、Ｈ２ガスおよびＡｒガスを含む混合ガスである、
請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の処理ガスは、ＣＨ３Ｆガス、Ｏ２ガスおよびＡｒガスを含む混合ガスである、
請求項１または請求項２に記載の方法。