【事件の表示】
　特願２０１７−５３６２５５「リソグラフィオーバーレイ改善のための半導体アプリケーション用ゲートスタック材料」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　７月１４日国際公開、ＷＯ２０１６／１１１７９８、平成３０年　３月２９日国内公表、特表２０１８−５０８９８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１５年（平成２７年）１２月９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１５年１月９日：米国／２０１５年１０月８日：米国）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　令和元年１０月２３日付け　：拒絶理由通知書
　令和２年１月１６日　　　　：意見書，手続補正書の提出
　令和２年１月２７日付け　　：拒絶査定
　令和２年６月４日　　　　　：審判請求書，手続補正書の提出
第２　令和２年６月４日にされた手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　令和２年６月４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１．本件補正の内容
ア　本件補正は，本件補正前の請求項１〜１４を本件補正後の請求項１〜１４とする補正を含むものであって，本件補正前の請求項１及び本件補正後の請求項１は次のとおりである。（下線は補正箇所を示す。）
（ア）本件補正前の請求項１
「【請求項１】
　基板上に膜層を形成する方法であって，
　処理チャンバ内の基板支持体上に配置された基板上に，ケイ素含有ガスと反応ガスとを含む混合堆積ガスを供給することと，
　前記処理チャンバ内での混合堆積ガスの存在下でプラズマを形成することと，
　前記処理チャンバ内に混合堆積ガスを供給しながら，前記処理チャンバ内に配置されたプラズマプロファイルモジュレータに電流を印加することと，
　前記基板上に膜層を堆積させて前記プラズマを前記基板の上方に形成しながら，前記基板を回転させることと
を含む方法。」
（イ）本件補正後の請求項１
「【請求項１】
　基板上に膜層を形成する方法であって，
　処理チャンバ内の基板支持体上に配置された基板上に，ケイ素含有ガスと
不活性ガスと
であって，前記ケイ素含有ガスと前記不活性ガスとは比率が１：１から１：１５０の間で供給され，前記ケイ素含有ガスと前記反応ガスとは比率が１：１から１：１５０の間で供給される，供給すること
　前記処理チャンバ内での混合堆積ガスの存在下でプラズマを形成することと，
　前記処理チャンバ内に混合堆積ガスを供給しながら，前記処理チャンバ内に配置されたプラズマプロファイルモジュレータに電流を印加することと，
　前記基板上に膜層を堆積させて前記プラズマを前記基板の上方に形成しながら，前記基板を回転させることと
を含む方法。」
イ　そして，請求項１に対する本件補正は以下の補正事項をその内容とするものである。
（補正事項１）本件補正前の請求項１の「ケイ素含有ガスと反応ガスとを含む混合堆積ガスを供給すること」を，本件補正後の請求項１の「ケイ素含有ガスと不活性ガスと反応ガスとを含む混合堆積ガスを供給することであって，前記ケイ素含有ガスと前記不活性ガスとは比率が１：１から１：１５０の間で供給され，前記ケイ素含有ガスと前記反応ガスとは比率が１：１から１：１５０の間で供給される，供給すること」に補正すること。
ウ　また，本件補正のうち，補正前の請求項２〜１４を補正後の請求項２〜１４とする補正は，以下の補正事項を含むものである。
（補正事項２）本件補正前の請求項５の「前記窒素含有ガスが」を，本件補正後の請求項５の「前記反応ガスが窒素含有ガスであり，前記窒素含有ガスが」と補正すること。
（補正事項３）本件補正前の請求項６の「約０．５Ａと約４０Ａ」を本件補正後の請求項５の「０．５Ａと４０Ａ」に補正すること。
（補正事項４）本件補正前の請求項９の「約０度と約３６０度」を本件補正後の請求項９の「０度と３６０度」に補正すること。
（補正事項５）本件補正前の請求項１１の「プラズマを制御すること」を，本件補正後の請求項１１の「プラズマを制御することであって，前記混合ガスはケイ素含有ガスと不活性ガスと反応ガスとを含み，前記ケイ素含有ガスと前記不活性ガスとは比率が１：１から１：１５０の間で供給され，前記ケイ素含有ガスと前記反応ガスとは比率が１：１から１：１５０の間で供給される，制御すること」に補正すること。
（補正事項６）本件補正前の請求項１４「前記混合ガスが，ケイ素含有ガス及び窒素含有ガスを含む」を，本件補正後の請求項１４「前記反応ガスが窒素含有ガスであり，　前記ケイ素含有ガスと前記窒素含有ガスとが，比率が１：１から１：１００の間で前記処理チャンバに供給される」に補正すること。
２．新規事項追加の有無及び補正目的の適否について
　上記補正事項１〜６について，新規事項追加の有無及び補正目的の適否を検討する。
ア　補正事項１は，補正前の請求項１「ケイ素含有ガスと反応ガスとを含む混合堆積ガスを供給すること」との事項に対し，「混合堆積ガス」としてさらに「不活性ガス」を含むことを限定した上で，さらに「前記ケイ素含有ガスと前記不活性ガスとは比率が１：１から１：１５０の間で供給され，前記ケイ素含有ガスと前記反応ガスとは比率が１：１から１：１５０の間で供給される」ことを限定するものであるから，特許請求の範囲の限定的減縮に該当する。そして，補正事項１は本願の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「当初明細書等」という。）の段落００３３及び段落００３４の記載に基づくものである。
イ　補正事項２は，補正前の請求項２「前記窒素含有ガスが」との事項に，「前記反応ガスが窒素含有ガスであり」との限定を付加するものであり，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして，補正事項２は，当初明細書等の段落００３２の記載に基づくものである。
ウ　補正事項３，４は，補正前の請求項６，９の「約０．５Ａと約４０Ａ」及び「約０度と約３６０度」から「約」を削除して補正後の請求項６，９の「０．５Ａと４０Ａ」及び「０度と３６０度」とするものであり，誤記の訂正に該当する。そして，補正事項３，４は，当初明細書等に記載された事項の範囲内でしたものである。
エ　補正事項５は，補正前の請求項１１「プラズマを制御すること」との事項に，「前記混合ガスはケイ素含有ガスと不活性ガスと反応ガスとを含み，前記ケイ素含有ガスと前記不活性ガスとは比率が１：１から１：１５０の間で供給され，前記ケイ素含有ガスと前記反応ガスとは比率が１：１から１：１５０の間で供給される」との限定を付加するものであり，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして，補正事項５は，当初明細書等の段落００３３及び段落００３４の記載に基づくものである。
オ　補正事項６は，補正前の請求項１４「前記混合ガス」をさらに限定して「前記反応ガスが窒素含有ガスであり，　前記ケイ素含有ガスと前記窒素含有ガスとが，比率が１：１から１：１００の間で前記処理チャンバに供給される」とするものであり，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして，補正事項６は，当初明細書等の段落００３２及び段落００３３の記載に基づくものである。
　以上ア〜オのとおり，上記補正事項１〜６は，特許法１７条の２第３項の規定に適合し，特許法１７条の２第５項第２号及び第３号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
３．独立特許要件について
　上記２．のとおり，請求項１に対する本件補正は特許法１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含んでいる。そこで，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて，以下で更に検討する。
３．１　本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明１」という。）は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１（上記１．アの（イ））に記載されたとおりのものである。
３．２　引用例の記載
（１）引用例１の記載
ア　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に外国において頒布された刊行物である，米国特許出願公開第２０１４／０１１８７５１号明細書（以下「引用例１」という。）には，図１，３とともに，次の記載がある。（和訳及び下線は当審による。以下同じ。）
“[0002]　Embodiments described herein relate to processes and apparatus for performing plasma deposition on a substrate. More specifically, 
embodiments described herein relate to plasma deposition processes and apparatus for forming layers having extreme uniformity of composition and thickness
（和訳）“[0002]　本明細書の中において説明される実施形態は，基板上でプラズマ堆積を実行するためのプロセス及び装置に関する。より具体的には，
本明細書の中において説明される実施形態は，組成物及び厚さの極端な均一性を有する層を形成するためのプラズマ堆積のプロセス及び装置に関する
“[0004]　Recently, manufacturers have developed processes that extend device structures into the third dimension to increase processing capability. Such devices generally feature large numbers of material layers deposited sequentially on a substrate. In some cases, over 100 layers may be formed. When so many layers are formed sequentially, non-uniformities in each layer can multiply, resulting in unusable structures. 
Current layer formation processes and apparatus typically produce non-uniformities that are not suitable for three-dimensional structures. Thus, new processes and apparatus are needed for forming extremely uniform layers on a substrate
（和訳）“[0004]　近年，製造者たちは，処理能力を増加させるために，デバイスの構造を３次元へと拡大するプロセスを展開してきた。そのような装置は，概して，多くの数の材料の層が基板上に連続的に堆積されることを特徴とする。いくつかの場合において，１００を超える層が形成され得る。多くの層が連続的に形成される場合，各々の層の中の不均一性は増加し得，使えない構造をもたらす。
近年の層を形成するプロセス及び装置は，典型的には，３次元の構造に対して不適切な不均一性を生み出す。それ故，極端に均一な層を基板上に形成するために，新しいプロセス及び装置が必要とされる
“[0027]　
Extremely uniform, high quality, device layers may be formed on a substrate in a plasma process by controlling uniformity of gas flow, uniformity of temperature among surfaces of the processing chamber, temperature profile of the substrate, and plasma density profile at various locations of the substrate surface
（和訳）“[0027]　
極端に均一で高品質のデバイス層は，ガス流の均一性，処理チャンバの表面における温度の均一性，基板の温度プロファイル，及び基板表面の様々な位置におけるプラズマ密度プロファイルを制御することによって，プラズマプロセスにおいて基板上に形成され得る
“[0028]　A method 100 of forming a layer of uniform thickness and composition on a substrate is summarized in the flow diagram of FIG. 1. At 102, 
a substrate is disposed on a substrate support in a CVD chamber
（和訳）“[0028]　基板上の均一な厚さ及び組成の層を形成する方法１００は，図１の流れ図の中において要約されている。１０２において，
基板は，ＣＶＤチャンバの中の基板支持体上に配置される
“[0031]　At 108, 
a precursor gas mixture is provided to the chamber through the temperature controlled face plate
（和訳）“[0031]　１０８において，
前駆体ガス混合物は，温度が制御されているフェイスプレートを通ってチャンバに提供される
“[0032]　
At 110, a plasma is formed in the chamber from the precursor gas mixture
（和訳）“[0032]　
１１０において，プラズマは，前駆体ガス混合物からチャンバの中で形成される
“[0033]　
At 112, the plasma density profile is adjusted by biasing an electrode coupled to a side wall of the chamber and/or an electrode coupled to the substrate support
the impedance can be adjusted dynamically to maintain the target current flow. The current flow through each electrode may be controlled to a value between about 0 A and about 30 A or between about 1 A and about 30 A
（和訳）“[0033]　
１１２において，プラズマ密度プロファイルは，チャンバの側壁に結合された電極，及び／又は基板支持体に結合された電極に，バイアス電圧をかけることによって調整される
インピーダンスは，ターゲット電流の流れを維持するために動的に調整され得る。各々の電極を通る電流の流れは，約０アンペア及び約３０アンペアの間，又は約１アンペア及び約３０アンペアの間の値に制御され得る
“[0034]　
At 114, a layer is formed on the substrate from the plasma
（和訳）“[0034]　
１１４において，層は，プラズマから基板上で形成される
“[0045]　FIG. 3 is a schematic side view of an inventive apparatus 300 that may be used to practice processes described herein. The processing chamber 300 features a chamber body 302, 
a substrate support 304 disposed inside the chamber body 302
（和訳）“[0045]　図３は，本明細書の中において説明されるプロセスを実施するために使用され得る，発明に係る装置３００の概略側面図である。処理チャンバ３００は，チャンバ本体３０２，
チャンバ本体３０２の内部に配置される基板支持体３０４
“[0046]　
An electrode 308 may be disposed adjacent to the chamber body 302
（和訳）“[0046]　
電極３０８は，チャンバ本体３０２に隣接して配置され得
“[0049]　
The electrode 308 may be coupled to a tuning circuit 328 that controls a ground pathway of the processing chamber 300
The tuning circuit 328 may be any circuit that features a variable or controllable impedance under the plasma conditions present in the processing volume 320 during processing
（和訳）“[0049]　
電極３０８は，処理チャンバ３００の接地経路を制御する，同調回路３２８に結合され得る
同調回路３２８は，処理の間に処理容積３２０の中に存在するプラズマ状態下で，可変又は制御可能なインピーダンスを備えることを特徴とする任意の回路であり得る
“[0055]　Each of the tuning circuits 328 and 336 has a variable impedance that may be adjusted using the respective electronic controllers 334 and 340. Where the electronic controllers 334 and 340 are variable capacitors, the capacitance range of each of the variable capacitors, and the inductances of the inductors 332A and 332B, are chosen to provide an impedance range, depending on the frequency and voltage characteristics of the plasma, that has a minimum in the capacitance range of each variable capacitor. Thus, 
when the capacitance of the electronic controller 334 is at a minimum or maximum, impedance of the circuit 328 is high, resulting in a plasma shape that has a minimum areal coverage over the substrate support. When the capacitance of the electronic controller 334 approaches a value that minimizes the impedance of the circuit 328, the areal coverage of the plasma grows to a maximum, effectively covering the entire working area of the substrate support 304. As the capacitance of the electronic controller 334 deviates from the minimum impedance setting, the plasma shape shrinks from the chamber walls and areal coverage of the substrate support declines
（和訳）“[0055]　同調回路３２８及び３３６のうちの各々は，それぞれの電子コントローラ３３４及び３４０を使用して調整され得る，可変インピーダンスを有する。電子コントローラ３３４及び３４０が可変コンデンサである場合，可変コンデンサのうちの各々のキャパシタンスレンジ，並びにインダクタ３３２Ａ及び３３２Ｂのインダクタンスは，プラズマの周波数及び電圧特性に応じて，インピーダンスレンジを提供するように選択され，それは各々の可変コンデンサのキャパシタンスレンジの中で最小値を有する。それ故，
電子コントローラ３３４のキャパシタンスが最小又は最大である場合，回路３２８のインピーダンスが高く，基板支持体を覆う最小の対象範囲を有するプラズマ形状をもたらす。電子コントローラ３３４のキャパシタンスが，回路３２８のインピーダンスを最小化する値に近づく場合，プラズマの対象範囲は，基板支持体３０４の全体の作業領域を効果的にカバーしながら最大値へと増大する。電子コントローラ３３４のキャパシタンスが，最小のインピーダンス設定から逸脱する場合，プラズマ形状はチャンバ壁から縮小し，基板支持体の対象範囲は減少する
“[0147]　A silicon oxide layer may be formed using silane as a precursor by another embodiment of the processes described herein using an apparatus described herein. 
Silane is flowed at 100 sccm, with helium at 3,000 sccm and N2O at 6,000 sccm
side wall tuning electrode current target is 1 A
（和訳）“[0147]　酸化ケイ素の層は，本明細書の中において説明される装置を使用する本明細書の中において説明されるプロセスの別の実施形態による前駆体である，シランを使用して生成され得る。
シランは，１００ｓｃｃｍにおいて流され，ヘリウムは３，０００ｓｃｃｍにおいて流され，かつＮ２Ｏは６，０００ｓｃｃｍにおいて流される
側壁同調電極電流ターゲットは１アンペア
　引用例１の図１として，以下の図面が示されている。
　引用例１の図３として，以下の図面が示されている。
イ　以上の摘記を整理すると，引用例１には以下の事項が記載されているものと理解できる。
ａ　組成物及び厚さの極端な均一性を有する層を形成するためのプラズマ堆積のプロセスに関する発明であること。極端に均一で高品質のデバイス層を，基板表面の様々な位置におけるプラズマ密度プロファイルを制御することによって，プラズマプロセスにおいて基板上に形成すること。（段落０００２及び段落００２７）
ｂ　１０２のステップにおいて，ＣＶＤチャンバ(CVD chamber)の中の基板支持体(substrate support)上に基板(substrate)を配置すること。（段落００２８及び図１）
ｃ　１０８のステップにおいて，前駆体ガス混合物(precursor gas mixture)が，チャンバに提供されること。（段落００３１及び図１）
ｄ　前駆体としてシランを１００ｓｃｃｍ，ヘリウムを３０００ｓｃｃｍ，Ｎ２Ｏを６０００ｓｃｃｍ流して酸化ケイ素の層を成膜すること。その際，側壁同調電極電流ターゲットは１アンペアであること。（段落０１４７）
ｅ　１１０のステップにおいて，プラズマは，前駆体ガス混合物からチャンバの中で形成されること。（段落００３２及び図１）
ｆ　１１２のステップにおいて，プラズマ密度プロファイルは，チャンバの側壁に結合された電極にバイアス電圧をかけることによって調整されること。（段落００３３及び図１）
ｇ　１１４のステップにおいて，層がプラズマから基板上で形成されること。（段落００３４及び図１）
ｈ　処理チャンバ(processing chamber)３００が，チャンバ本体(chamber body)３０２，チャンバ本体の内部に配置される基板支持体(substrate support)３０４，及びチャンバ本体に結合され，かつ基板支持体３０４を処理容積(processing body)３２０の中に封入するリッドアセンブリ(lid assembly)３０６を備えてなること。（段落００４５及び図３）
ｉ　電極(electrode)３０８が，チャンバ本体３０２に隣接して配置され得，側壁の電極であり得ること。（段落００４６及び図３）
ｊ　電極３０８は同調回路(tuning circuit)３２８に結合されていること。同調回路３２８は，処理の間に処理容積３２０の中に存在するプラズマ状態下で，可変又は制御可能なインピーダンスを備えること。（段落００４９）
ｋ　同調回路３２８のインピーダンスが高いとき，基板支持体を覆う最小の対象範囲を有するプラズマ形状となり，同調回路３２８のインピーダンスを最小値に近づけると，プラズマの対象範囲は，基板支持体３０４全体の作業領域をカバーしながら最大値へと増大すること。（段落００５５）
ウ　上記ａ〜ｋによれば，引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「基板上に極端に均一な層を形成するプラズマ堆積のプロセスであって，
　処理チャンバ３００内の基板支持体３０４上に基板を配置することと，
　前記処理チャンバ３００内に前駆体ガス混合物を提供することであって，前記混合物としてシランを１００ｓｃｃｍ，ヘリウムを３０００ｓｃｃｍ，Ｎ２Ｏを６０００ｓｃｃｍ提供することと，
　チャンバの中で前駆体ガス混合物からプラズマを生成することと，
　チャンバ側壁の電極３０８と，前記電極３０８に結合された同調回路３２８に電流を流し，処理の間に処理容積３２０の中に存在するプラズマ状態下で，前記同調回路のインピーダンスを調整することにより基板支持体を覆うプラズマの形状を調整することと，
　前記基板上にプラズマから層が形成されることと，
を含むプロセス。」
（２）引用例２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１４−５３３０９号公報（以下「引用例２」という。）には，次の記載がある。
「【００１７】
図２Ａは，
プラズマ促進化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）システム１００
基板サポート１２８
「【００２０】
基板サポート１２８は，処理中に基板１２１を支持して保持するように構成される。
基板サポート１２８は，処理容積１２０内部で垂直に移動するように適合され，加えて，ステム１２２に結合された駆動システムによって回転するように構成することもできる
（３）引用例３の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である，特表平１０−５０４６０４号公報（以下「引用例３」という。）には，次の記載がある。
「また，
ＣＶＤプロセスを用いて成膜する場合，均一に成膜することが望ましい
既知のＣＶＤにおいては，反応ガスの流れの乱れにより，コーティング処理の効率や均一性が阻害され
「このため，
ガスの流れの向上とガス流の乱れの低減が行われ，コーティングされた基板表面に反応ガスをより効率的に且つより均一に供給し，また反応生成物を除去することができるＣＶＤプロセスが必要である
「ラジカルの効率的な供給のため，本発明では，
基板を支持及び回転させ，基板の方向に下向きのポンピング作用を働かせる回転サセプタが用いられる
「
回転サセプタによる独特のポンピング作用とガスの層流により，基板表面での有用なラジカル密度が確実に得られる
「
回転サセプタにより生じる層流のパターンは，ガス粒子の再循環及び基板表面でのラジカル再結合を最小限に抑える。したがって，低温ＣＶＤプロセスのための活性化ラジカルがより多く基板表面で得られる。さらに，本発明に係る方法においては，サセプタの回転速度を上昇させることにより，基板表面での成膜速度が上昇する
（４）引用例２及び引用例３の記載事項
　上記（２）によれば，引用例２には，ＰＥＣＶＤ装置において基板サポートを回転可能とすることが記載されている。また，上記（３）によれば，引用例３には，ＣＶＤプロセスを用いて均一に成膜するために，回転サセプタを用いて基板を支持及び回転させることが記載されている。
３．３　補正発明１と引用発明１の対比
　補正発明１と引用発明１とを比較する。
ア　引用発明１の「処理チャンバ３００」及び「基板支持体３０４」が補正発明１の「処理チャンバ」及び「基板支持体」に相当する。
イ　本願明細書段落００３１，００３２，００３４に記載された「ケイ素含有ガス」「反応ガス」及び「不活性ガス」の例示を参酌すると，引用発明１における「シラン」，「Ｎ２Ｏ」及び「ヘリウム」が，補正発明１における「ケイ素含有ガス」，「反応ガス」及び「不活性ガス」にそれぞれ相当する。
ウ　上記ア，イから，引用発明１において「処理チャンバ３００内の基板支持体３０４上に基板を配置すること」と「前記処理チャンバ３００内に前駆体ガス混合物を提供すること」は，補正発明１において「処理チャンバ内の基板支持体上に配置された基板上に」「混合堆積ガスを供給すること」に相当する。
エ　上記イから，引用発明１において「前記ガス混合物としてシランを１００ｓｃｃｍ，ヘリウムを３０００ｓｃｃｍ，Ｎ２Ｏを６０００ｓｃｃｍ提供すること」は，補正発明１における「ケイ素含有ガスと不活性ガスと反応ガスとを含む混合堆積ガスを供給することであって，前記ケイ素含有ガスと前記不活性ガスとは比率が１：１から１：１５０の間で供給され，前記ケイ素含有ガスと前記反応ガスとは比率が１：１から１：１５０の間で供給される」ことに相当する。
オ　引用発明１において「チャンバの中で前駆体ガス混合物からプラズマを生成すること」は，補正発明１において「　前記処理チャンバ内での混合堆積ガスの存在下でプラズマを形成すること」に相当する。
カ　引用発明１の「チャンバ側壁の電極３０８」及び「同調回路３２８」は，プラズマ状態下でインピーダンスを調整することにより基板支持体を覆うプラズマの形状を調整するものであるから，本願明細書段落００１６，００１９，００２５の記載に照らし，補正発明１の「処理チャンバ内に配置されたプラズマプロファイルモジュレータ」に相当するものと理解できる。
　そうすると，引用発明１における「チャンバ側壁の電極３０８と，前記電極３０８に結合された同調回路３２８に電流を流し，処理の間に処理容積３２０の中に存在するプラズマ状態下で，前記同調回路のインピーダンスを調整することにより基板支持体を覆うプラズマの形状を調整すること」は，補正発明１における「前記処理チャンバ内に混合堆積ガスを供給しながら，前記処理チャンバ内に配置されたプラズマプロファイルモジュレータに電流を印加すること」に相当する。
キ　引用発明１では，「処理容積３２０」中にプラズマが形成され，当該プラズマから層が形成される。ここで，引用例１の図３から，「処理容積３２０」が「基板の上方」に位置することは明らかである。
　そうすると，「前記基板上に膜層を堆積させて前記プラズマを前記基板の上方に形成しながら，前記基板を回転させること」について，補正発明１と引用発明１は，「前記基板上に膜層を堆積させて前記プラズマを前記基板の上方に形成」する点で一致する。
　以上のア〜キによれば，補正発明１と引用発明１の一致点及び相違点は，以下のとおりである。
＜一致点＞
「基板上に膜層を形成する方法であって，
　処理チャンバ内の基板支持体上に配置された基板上に，ケイ素含有ガスと不活性ガスと反応ガスとを含む混合堆積ガスを供給することであって，前記ケイ素含有ガスと前記不活性ガスとは比率が１：１から１：１５０の間で供給され，前記ケイ素含有ガスと前記反応ガスとは比率が１：１から１：１５０の間で供給される，供給することと，
　前記処理チャンバ内での混合堆積ガスの存在下でプラズマを形成することと，
　前記処理チャンバ内に混合堆積ガスを供給しながら，前記処理チャンバ内に配置されたプラズマプロファイルモジュレータに電流を印加することと，
　前記基板上に膜層を堆積させて前記プラズマを前記基板の上方に形成することと
を含む方法。」である点。
＜相違点＞
　補正発明１は，「前記基板上に膜層を堆積させて前記プラズマを前記基板の上方に形成しながら，前記基板を回転させること」を含むのに対し，引用発明１は「基板を回転させること」が特定されていない点。
３．４　相違点についての判断
　上述の３．２の（４）によれば，ＣＶＤプロセスにおいて基板を回転させることは，上記引用例２及び引用例３に記載された周知の技術であり，プラズマＣＶＤにおいて基板を回転させながらプラズマ処理を行うことで均一な成膜が行えることは，下記周知例１〜３の記載が示すように，当業者の周知技術であるといえる。
○周知例１：特表２００２−５４０６２２号公報
　上記周知例１には，次の記載がある。
「【００２１】
サセプタ３２はベース３３上にあり，平面状の基板３０を，シャワーヘッド１４にほぼ平行な向きに支持する。ＣＶＤまたは
ＰＥＣＶＤプロセス
また，基板３０上への均一な堆積のため，サセプタ３２を回転させることが望ましい場合がある。そのため，サセプタ３２を外部回転制御システム３７に結合することができる
○周知例２：特開２０１０−１４７２０１号公報
　上記周知例２には，次の記載がある。
「【００２８】
また，上電極１６は絶縁ブロック２８で反応室壁１４と絶縁され，同様に絶縁されたサセプタ軸５２に回転導入端子５４を経由して，発振器３０が出力する高周波電力を整合器３２を介して供給し，減圧下で反応ガス導入部２０から導入した反応ガス２２，２４を用いて，
プラズマ３４を生成する構造となっている
【００２９】
サセプタ１８はサセプタ加熱ヒータ３６で加熱され，サセプタ１８上の被処理基板３８を加熱するとともに，
このサセプタ１８は回転可能となっている。サセプタ１８が回転できることにより，被処理基板３８への処理を均一に行うことができる
○周知例３：特開昭６１−１６３２８０号公報
　上記周知例３には，次の記載がある。
「また望ましくは，
基材支持台１７は，支持軸１９まわりに回転可能な構成とされる
基材支持台１７上に載置される基材１８に，均一に発生プラズマ化気体を照射でき
　一方，引用例１の段落０００２，段落０００４及び段落００２７の記載によれば，引用発明１もまた，均一な堆積を行うことを目的とする発明であると理解できる。そうすると，引用発明１において成膜時に基板を回転させるようにすることは，上記周知技術に照らし当業者が容易になし得たことであるといえる。
　したがって，補正発明１は，引用例２〜３及び周知例１〜３に示される周知技術に照らし，引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
３．５　独立特許要件についてのまとめ
　上記３．４のとおり，補正発明１は引用発明１及び引用例２〜３及び周知例１〜３に示される周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
４　補正却下の決定についてのまとめ
　したがって，本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合しないものであるから，特許法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって，上記補正却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１．本願発明
　令和２年６月４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜１４に係る発明は，令和２年１月１６日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定されるものであり，その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，上記第２，１．アの（ア）に本件補正前の請求項１として摘記したとおりのものである。
２．原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１〜１４に係る発明は，本願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用例１に記載された発明及び引用例２〜３に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用例１．米国特許出願公開第２０１４／０１１８７５１号明細書
引用例２．特開２０１４−０５３３０９号公報
引用例３．特表平１０−５０４６０４号公報
３．引用例の記載
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例１〜３の記載は，上記第２の３．２に記載したとおりである。
４．対比・判断
　上記第２の２．で検討したように，補正発明１は，本件補正前の請求項１について，上記第２の１．イに示した補正事項１の点を限定したものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをさらに限定したものである補正発明１が，上記第２の３．で示した理由のとおり，引用例２〜３及び周知例１〜３の周知技術に照らし引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
５．本願発明についての結論
　上述のとおり，本願発明は，引用発明１並びに引用例２〜３及び周知例１〜３に示される周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
第４　結言
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。