【事件の表示】
　特願２０１６−５１３０１９「最小限のクロストークで熱的に分離されたゾーンを有する静電チャック」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１１月１３日国際公開，ＷＯ２０１４／１８２７１１，平成２８年　９月　１日国内公表，特表２０１６−５２６２８９，請求項の数（１６）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２６年（２０１４年）　５月　６日を国際出願日（パリ条約による優先権主張　２０１３年　５月　７日（以下，「本願優先日」という。）米国，２０１４年　５月　２日　米国）とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２９年１１月　７日付け：拒絶理由通知
平成３０年　５月　８日　　：意見書，手続補正書の提出
平成３０年１０月２６日付け：拒絶理由通知
平成３１年　４月３０日　　：意見書，手続補正書の提出
令和　１年　９月　３日付け：拒絶理由（最後の拒絶理由）通知
令和　２年　３月　９日　　：意見書，手続補正書の提出
令和　２年　３月１６日付け：令和　２年　３月　９日の手続補正についての補正却下の決定，拒絶査定（原査定）
令和　２年　７月２５日　　：審判請求書，手続補正書の提出
第２　原査定の概要
１　原査定（令和　２年　３月１６日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
理由１　平成３１年　４月３０日付け手続補正書でした請求項１−１６についての補正は，国際出願日における国際特許出願の明細書若しくは図面の翻訳文，国際出願日における国際特許出願の請求の範囲の翻訳文又は国際出願日における国際特許出願の図面（以下，翻訳文等という。）に記載した事項の範囲内においてしたものでないから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない（同法第１８４条の１２第２項参照）。
理由２　この出願は，特許請求の範囲の請求項１−１６の記載が，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
理由３　この出願の請求項１−１６に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された引用文献１−３に記載された発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献１　特表２０１２−５０８９９１号公報
引用文献２　特表２００９−５３６４６１号公報
引用文献３　特表２００９−５１２１９３号公報
第３　本願発明
　本願請求項１−１６に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明１６」という。）は，令和　２年　７月２５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１６に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１は，以下のとおりの発明である。
「　　【請求項１】
　セラミックスパックと，
　セラミックスパックの下面に接合された上部を有する熱伝導性ベースであって，
　　複数の熱ゾーンを含む本体部と，
　　上部に含まれ，熱伝導性ベースの本体部の上面に接合された熱的に管理された材料であって，半径方向に第１熱伝導率と，熱伝導性ベースの本体部の上面に垂直な垂直方向に第１熱伝導率よりも高い第２熱伝導率とを有する熱的に管理された材料と，
　　複数の熱ゾーンのうちの２つ以上の熱ゾーンの間で熱伝導性ベースの本体部の上面から熱伝導性ベースの下面に向かって，熱伝導性ベースの下面に接触することなく延びる複数の熱絶縁体であって，複数の熱絶縁体の各々は，熱伝導性ベースの本体部の上面で複数の熱ゾーンのうちの２つ以上の間である程度の熱的分離を提供する複数の熱絶縁体を含む熱伝導性ベースを含み，
　熱伝導性ベースの本体部の上面から熱伝導性ベースの下面に向かって延びる複数の熱絶縁体のうちの少なくとも１つの熱絶縁体は，熱伝導性ベースの全厚さの約６０〜９０％の深さを有する基板支持アセンブリ。」
　なお，本願発明２−１３は，概略，本願発明１を減縮した発明であり，本願発明１４は，本願発明１の製造方法に対応する発明，本願発明１５−１６は，本願発明１４を限縮した発明である。
第４　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
（１）原査定の拒絶理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（当審注：下線は，参考のために当審で付与したものである。以下同様である。）
「【００２８】
　図３は，基板支持体３００の一実施形態を示す断面図である。基板３２６は，中央部から縁部までの温度プロファイルをより効果的に制御する能力を提供し，温度プロファイルは，≦１℃の方位角方向の温度均一性を維持しつつ，最大４０℃までの中央部−縁部の温度プロファイルに対して段階的に変更可能である。
基板支持体３００は，ベース部材３１０と，ベース部材３１０の上に位置する熱伝導部材３２０と，熱伝導部材３２０の上に位置する静電チャック３２２とを備える。静電チャック３２２は，基板３２６を支持するための支持面３２４を備える。
【００２９】
　熱伝導部材３２０は，さらに，同心の複数領域３２８Ａ〜３２８Ｅに分割されている。各領域は，１または複数の流路３３０Ａ〜３３０Ｅを含んでおり，熱伝導部材３２０の各領域３２８Ａ〜３２８Ｅを個別に加熱および冷却するために，流路を通して液体を循環させることができる。
【００３０】
　図３の実施形態では，熱伝導部材３２０は，熱伝導材料（アルミニウムまたは窒化アルミニウム）で構成されてよい。
半径方向の熱伝導（すなわち，個々の領域の間の熱伝導）の制御を改善すると共に，基板にわたって所望の温度プロファイルを実現するために，熱バリア３３２が，各領域３２８Ａ〜３２８Ｅを隔てている。熱バリア３３２は，（図３に示すように）熱伝導部材３２０の厚さ全体を通して伸びていてもよいし，図４に示すように，熱伝導部材３２０の厚さの一部を通して伸びていてもよい。
【００３１】
　別の実施形態では，図５に示すように，半径方向の熱伝導は，熱伝導部材３２０を断熱材料で構成することによって制御される。断熱材料の例としては，酸化アルミニウムまたは酸化イットリウムなどのセラミック，もしくは，ステンレス鋼など，熱伝導率の低い金属合金が挙げられる。
【００３２】
　図３に示すように，結合材３３４が，熱伝導部材３２０とベース部材３１０との間に挿入されてよい。結合材３３４は，エポキシまたはシリコーンで構成されてよく，拡大領域Ａに示すように，１または複数の充填材３３４Ａで満たされてよい。充填材３３４Ａの例としては，酸化アルミニウム，窒化ホウ素，酸化シリコン，アルミニウム，または，シリコンが挙げられる。別の実施形態では，拡大領域Ｂに示すように，結合材は，金属ろう材３３４Ｂであってもよい。結合材３３４は，約０．１Ｗ／ｍ−Ｋから約４Ｗ／ｍ−Ｋまでの熱伝導率を提供するよう選択され，約１ミルから約２００ミルまでの厚さを有してよい。
【００３３】
　
図６は，図３の線Ｃ−Ｃ’に沿って切り取った円板状の熱伝導部材３２０を示す断平面図である。図６からわかるように，領域３２８Ａ〜３２８Ｅは，円板の中心に対して異なる距離に同心円状に配置されており，流路３３０Ａ〜３３０Ｅは，らせん状のパターンを有する。熱バリア３３２は，各領域を隔てる環状のチャネルである。
「【図３】
」
「【図４】
」
「【図６】
」
（２）上記（１）から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「　基板支持体３００は，ベース部材３１０と，ベース部材３１０の上に位置する熱伝導部材３２０と，熱伝導部材３２０の上に位置する静電チャック３２２とを備え，
　静電チャック３２２は，基板３２６を支持するための支持面３２４を備え，
　熱伝導部材３２０は，さらに，同心の複数領域３２８Ａ〜３２８Ｅに分割されており，
　各領域は，１または複数の流路３３０Ａ〜３３０Ｅを含んでおり，熱伝導部材３２０の各領域３２８Ａ〜３２８Ｅを個別に加熱および冷却するために，流路を通して液体を循環させることができ，
　半径方向の熱伝導の制御を改善すると共に，基板にわたって所望の温度プロファイルを実現するために，熱バリア３３２が，各領域３２８Ａ〜３２８Ｅを隔てており，
　熱バリア３３２は，熱伝導部材３２０の厚さ全体を通して伸びていてもよいし，熱伝導部材３２０の厚さの一部を通して伸びていてもよいこと。」
２　引用文献２について
（１）原査定の拒絶理由に引用された引用文献２には，以下の点が記載されている。
「【００５５】
[0080]
ベース１６４又はチャック１６６の少なくとも１つは，支持アセンブリ１４８の横方向温度プロフィールを制御するために，少なくとも１つの任意の埋設ヒータ１７６，少なくとも１つの任意の埋設アイソレータ１７４，及び複数のコンジットを含んでもよい。
【００５６】
[0081]ベース１６４に形成された２つの個別の冷却通路１６８，１７０は，少なくとも２つの独立制御可能な温度ゾーンを画成する。付加的な冷却通路，及び／又はそれら通路のレイアウトは，付加的な温度制御ゾーンを画成するよう配列されてもよいことが意図される。一実施形態において，第１の冷却通路１６８が，第２の冷却通路１７０の半径方向内方に配列され，温度制御ゾーンが同心的になるようにする。通路１６８，１７０は，半径方向に配向されてもよいし，又は他の幾何学的構成を有してもよいことが意図される。冷却通路１６８，１７０は，温度制御される熱伝達流体の単一供給源１７２に結合されてもよいし，又は個別の熱伝達流体源に各々結合されてもよい。
【００５７】
[0082]
アイソレータ１７４は，ベース１６４の隣接領域の材料とは異なる熱伝導率係数を有する材料で形成される。一実施形態において，アイソレータ１７４は，ベース１６４より小さな熱伝導率係数を有する。更に別の実施形態では，アイソレータ１７４は，非等方性（即ち方向依存性）の熱伝導率係数を有する材料から形成されてもよい。
【００５８】
[0083]
図１に示す実施形態では，アイソレータ１７４は，コンジット１６８，１７０間に配置され，これにより，横方向の熱伝達を妨げると共に，基板支持アセンブリ１４８にわたる横方向の温度制御ゾーンを促進する。
「【図１】
」
（２）以上から，引用文献２には，以下の事項が記載されていると認められる。
「　ベース１６４又はチャック１６６の少なくとも１つは，支持アセンブリ１４８の横方向温度プロフィールを制御するために，少なくとも１つの任意の埋設アイソレータ１７４を含んでもよく，
　アイソレータ１７４は，ベース１６４の隣接領域の材料とは異なる熱伝導率係数を有する材料で形成され，非等方性（即ち方向依存性）の熱伝導率係数を有する材料から形成されてもよく，
　アイソレータ１７４は，コンジット１６８，１７０間に配置され，これにより，横方向の熱伝達を妨げると共に，基板支持アセンブリ１４８にわたる横方向の温度制御ゾーンを促進すること。」
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
ア　引用発明の「基板支持体３００」が，本願発明１の「熱伝導性ベース」，「基板支持アセンブリ」に対応する。
　また，引用発明の「静電チャック３２２」は，その下面に「熱伝導性部材３２０」の上部が接合されていることは明らかであるから，何らかの「パック」である点で一致する。
　そして，引用発明の「基板支持体３００」が，本願発明１の「基板支持アセンブリ」に対応する。
イ　引用発明の「熱伝導性部材３２０」は，「同心の複数領域３２８Ａ〜３２８Ｅに分割されており」，「各領域は，１または複数の流路３３０Ａ〜３３０Ｅを含んでおり，熱伝導部材３２０の各領域３２８Ａ〜３２８Ｅを個別に加熱および冷却する」ことができるから，本願発明１の「複数の熱ゾーンを含む本体部」であるといえる。
ウ　引用発明の「熱バリア３３２」は，「半径方向の熱伝導の制御を改善すると共に，基板にわたって所望の温度プロファイルを実現するために」「各領域３２８Ａ〜３２８Ｅを隔てて」いるから，本願発明１の「複数の熱ゾーンのうちの２つ以上の熱ゾーンの間で」「延びる複数の熱絶縁体」であり，かつ，「複数の熱絶縁体の各々は，熱伝導性ベースの本体部の上面で複数の熱ゾーンのうちの２つ以上の間である程度の熱的分離を提供する複数の熱絶縁体」であるといえる。
（２）一致点・相違点
　したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点と，相違点があるといえる。
＜一致点＞
「　パックと，
　パックの下面に接合された上部を有する熱伝導性ベースであって，
　　複数の熱ゾーンを含む本体部と，
　　複数の熱ゾーンのうちの２つ以上の熱ゾーンの間で延びる複数の熱絶縁体であって，複数の熱絶縁体の各々は，熱伝導性ベースの本体部の上面で複数の熱ゾーンのうちの２つ以上の間である程度の熱的分離を提供する複数の熱絶縁体を含む熱伝導性ベースを含む
基板支持アセンブリ。」
＜相違点＞
（相違点１）
　「パック」に関して，本願発明１は，「セラミックスパック」と特定されているのに対して，引用発明はこの点について特定されていない点。
（相違点２）
　「熱伝導性ベース」に関して，本願発明１は，「上部に含まれ，熱伝導性ベースの本体部の上面に接合された熱的に管理された材料であって，半径方向に第１熱伝導率と，熱伝導性ベースの本体部の上面に垂直な垂直方向に第１熱伝導率よりも高い第２熱伝導率とを有する熱的に管理された材料」を含むのに対して，引用発明はこの点について特定されていない点。
（相違点３）
　「熱絶縁体」に関して，本願発明１は，「熱伝導性ベースの本体部の上面から熱伝導性ベースの下面に向かって，熱伝導性ベースの下面に接触することなく延び」，「熱伝導性ベースの本体部の上面から熱伝導性ベースの下面に向かって延びる複数の熱絶縁体のうちの少なくとも１つの熱絶縁体は，熱伝導性ベースの全厚さの約６０〜９０％の深さを有する」と特定されているのに対し，引用発明は，「熱伝導部材３２０の厚さ全体を通して伸びていてもよいし，熱伝導部材３２０の厚さの一部を通して伸びていてもよい」と特定されている点。
（３）相違点についての判断
ア　相違点２について
　事案に鑑みて上記相違点２について先に検討する。
　引用文献２には，「ベース１６４」に，「非等方性（即ち方向依存性）の熱伝導率係数を有する材料から形成され」る「アイソレータ１７４」を含む点が記載されている。
　しかしながら，「アイソレータ１７４」は，「ベース１６４」の「上部に接合された」ものではなく，また，その熱伝導係数が「半径方向に第１熱伝導率と，熱伝導性ベースの本体部の上面に垂直な垂直方向に第１熱伝導率よりも高い第２熱伝導率とを有する」と特定されてもいない。
　そして，相違点２についての構成は，引用文献３にも記載されておらず，また，周知技術であるともいえない。
　すると，引用発明において，相違点２に係る本願発明１の構成を想到することが，当業者であれば容易になし得たものであるとはいえない。
イ　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても引用文献１及び引用文献２−３に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２−１６について
　本願発明２−１３は，本願発明１の全ての構成要素を備える従属請求項であり，本願発明１４は，本願発明１に対応した製造方法に係る発明，本願発明１５−１６は，本願発明１４の全ての構成要素を備える従属請求項であり，上記相違点２に対応する構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用文献１及び引用文献２−３に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
第６　原査定について
１　理由１について
　翻訳文等の段落００２６には，「一実施形態では，熱伝導性ベース１６４は，（例えば，熱伝導性ベースが接着剤２１２及び／又は静電パック１６６と界面結合する）上面近傍又は上面に，カプセル化された材料を含む。カプセル化された材料は，異方性熱伝導率を有する可能性がある。材料は，熱伝導性のベース内に埋設された熱的に管理された材料とすることができ，熱的に管理された材料は，第１方向及び第２方向に沿って異なる熱伝導特性を有する。熱的に管理された材料を接合するために，様々な接合技術（例えば，拡散接合，フラッシュ接合，ラミネート加工，はんだ付け，及びろう付け）を使用することができる。」と，すなわち，「熱伝導性ベース１６４」の上面近傍又は上面に，異方性熱伝導率を有する「カプセル化された材料」を含む点，「カプセル化された材料」を「熱的に管理された材料」とすることができる点，「熱的に管理された材料」を接合する点が記載されている。
　また，翻訳文等の段落００２７には，「カプセル化させる又は埋設される材料は，材料が，熱伝導性ベースの周囲に沿って良好な熱伝導率（例えば，約１５００ワット／ｍ・Ｋ）を有するように，及び垂直方向（熱伝導性ベースの表面に垂直）に良好な熱伝導率を有し，しかしながら静電チャックの半径方向には低い熱伝導率（例えば，約２０ワット／ｍ・Ｋ未満）を有するように配向させることができる。このような埋設された材料は，熱ゾーン間の半径方向のクロストークを低減させることができる。」と，すなわち，「カプセル化された材料」は，「垂直方向に良好な熱伝導率を有し，しかしながら静電チャックの半径方向には低い熱伝導率を有するように配向させることができる」点が記載されている。
　すると，本願発明１の「上部に含まれ，熱伝導性ベースの本体部の上面に接合された熱的に管理された材料であって，半径方向に第１熱伝導率と，熱伝導性ベースの本体部の上面に垂直な垂直方向に第１熱伝導率よりも高い第２熱伝導率とを有する熱的に管理された材料」は，翻訳文等に記載した事項の範囲内であると認められる。
　したがって，原査定の理由１を維持することはできない。
２　理由２について
　平成３１年　４月３０日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１の「第１方向及び第２方向に沿って異なる熱伝導特性を有する」という記載は，令和　２年　７月２５日付けの手続補正で，「半径方向に第１熱伝導率と，熱伝導性ベースの本体部の上面に垂直な垂直方向に第１熱伝導率よりも高い第２熱伝導率とを有する」と補正され，明確になった。
た。
　したがって，原査定の理由２を維持することはできない。
３　理由３について
　本願発明１−１６は，上記「第５　対比・判断」における相違点２に係る構成を有するものとなった。
　そして，当該相違点２に係る構成は，原査定における引用文献１−３には記載されていない。
　よって，上記「第５　対比・判断」で検討したように，本願発明１−１６は，当業者であっても，原査定における引用文献１−３に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。
　したがって，原査定の理由３を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。