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　特願２０１８−　９９２５８「パワーオーバーレイ構造およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　９月２７日出願公開、特開２０１８−１５２５９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２６年３月１２日（パリ条約による優先権主張　２０１３年３月１４日、米国、２０１３年５月２０日、米国）の出願である特願２０１４−４８２９０号の一部を平成３０年５月２４日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成３１年　２月２５日付け：拒絶理由通知
　令和　１年　５月２８日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和　１年１２月１９日付け：拒絶査定
　令和　２年　４月１５日　　：審判請求書、手続補正書の提出
第２　令和２年４月１５日の手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　令和２年４月１５日の手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
[理由]
１　本件補正
　本件補正は、本件補正前における特許請求の範囲の請求項１、１０及び請求項１５について、
「【請求項１】
誘電層（４８）と、
　前記誘電層の表面に適用された接着層（５０）と、
　前記接着層によって前記誘電層に結合された第１の表面（３９）を有する半導体デバイス（４４）であって、前記第１の表面が、その上に配置された少なくとも１つのコンタクトパッド（５８）を備える、前記半導体デバイスと、
　前記接着層によって前記誘電層に結合された第１の表面（４１）を有する導電性シム（４５）であって、アルミニウム、モリブデン、銅ーモリブデン、銅ータングステンまたはこれらの組み合わせ、アルミニウムーシリコン、アルミニウムーシリコンカーバイド、アルミニウムーグラファイト、銅ーグラファイトなどから選択される金属または合金材料からなる導電性シムと、
　前記半導体デバイスの第２の表面（４７）と前記導電性シムの第２の表面（４９）とに結合された第１の表面を有する、熱伝導性で導電性の材料からなる導電性ヒートスプレッダ（６０）と、
　前記半導体デバイスの前記第１の表面と前記導電性シムの前記第１の表面とに結合されており、前記誘電層を通って延び、前記導電性シムと前記ヒートスプレッダとによって前記半導体デバイスの前記少なくとも１つのコンタクトパッド（５８）に電気的に接続されているメタライゼーション層（５４）と
を備える、半導体デバイスパッケージ。」
「【請求項１０】
半導体デバイスパッケージを形成する方法であって、
　誘電層（４８）を用意するステップと、
　前記誘電層の表面に接着層（５０）を適用するステップと、
　前記接着層により半導体デバイス（４４）の第１の表面（３９）を誘電層の第１の表面に結合させるステップと、
　前記接着層により導電性シム（４５）の第１の表面（４１）を前記誘電層の前記第１の表面に結合させるステップであって、ここで前記導電性シムがアルミニウム、モリブデン、銅ーモリブデン、銅ータングステンまたはこれらの組み合わせ、アルミニウムーシリコン、アルミニウムーシリコンカーバイド、アルミニウムーグラファイト、銅ーグラファイトなどから選択される金属または合金材料からなるものである、ステップと、
　前記半導体デバイス（４４）の第２の表面（４７）と前記導電性シム（４５）の第２の表面（４９）との上に、前記半導体デバイスと前記導電性シムとを電気的に結合させる、熱伝導性で導電性の材料からなるヒートスプレッダ（６０）を配置するステップと、
　前記誘電層の第２の表面上に、前記誘電層に形成されたバイア（５６）を通って延び前記半導体デバイス（４４）の前記第１の表面（３９）と前記導電性シム（４５）の前記第１の表面（４１）とを接触させる金属配線構造（５４）を、前記誘電層の第１の表面と反対側の第２の表面上に形成するステップと、
を含む、方法。」
「【請求項１５】
絶縁基板と、
　接着層を経由して前記絶縁基板に取り付けられたパワーデバイスと、
　前記接着層を経由して前記絶縁基板に取り付けられ、前記絶縁基板上で前記パワーデバイスの隣に配置された導電性シムであって、アルミニウム、モリブデン、銅ーモリブデン、銅ータングステンまたはこれらの組み合わせ、アルミニウムーシリコン、アルミニウムーシリコンカーバイド、アルミニウムーグラファイト、銅ーグラファイトなどから選択される金属または合金材料からなる導電性シムと、
　前記パワーデバイスと前記導電性シムに結合された導電性で熱伝導性のスラブと、
　前記絶縁基板を通って延び、前記パワーデバイスの表面上のコンタクト位置に電気的に結合されているメタライゼーション層と、
を備えている、パワーオーバーレイ（ＰＯＬ）構造。」
とあったところを、
「【請求項１】
誘電層（４８）と、
　前記誘電層の表面に適用された接着層（５０）と、
　前記接着層によって前記誘電層に結合された第１の表面（３９）を有する半導体デバイス（４４）であって、前記第１の表面が、その上に配置された少なくとも１つのコンタクトパッド（５８）を備える、前記半導体デバイスと、
　前記接着層によって前記誘電層に結合された第１の表面（４１）を有する導電性シム（４５）であって、
銅、
　前記半導体デバイスの第２の表面（４７）と前記導電性シムの第２の表面（４９）とに結合された第１の表面を有し、熱伝導性で導電性の材料からなる
、ダイレクトボンドカッパー（DBC）基板ではない
　前記半導体デバイスの前記第１の表面と前記導電性シムの前記第１の表面とに結合されており、前記誘電層を通って延び、前記導電性シムと前記ヒートスプレッダとによって前記半導体デバイスの前記少なくとも１つのコンタクトパッド（５８）に電気的に接続されているメタライゼーション層（５４）と
を備える、半導体デバイスパッケージ。」
「【請求項１０】
半導体デバイスパッケージを形成する方法であって、
　誘電層（４８）を用意するステップと、
　前記誘電層の表面に接着層（５０）を適用するステップと、
　前記接着層により半導体デバイス（４４）の第１の表面（３９）を誘電層の第１の表面に結合させるステップと、
　前記接着層により導電性シム（４５）の第１の表面（４１）を前記誘電層の前記第１の表面に結合させるステップであって、ここで前記導電性シムが
銅、
　前記半導体デバイス（４４）の第２の表面（４７）と前記導電性シム（４５）の第２の表面（４９）との上に、前記半導体デバイスと前記導電性シムとを電気的に結合させる、熱伝導性で導電性の材料からな
り、ダイレクトボンドカッパー（DBC）基板ではない
　前記誘電層の第２の表面上に、前記誘電層に形成されたバイア（５６）を通って延び前記半導体デバイス（４４）の前記第１の表面（３９）と前記導電性シム（４５）の前記第１の表面（４１）とを接触させる金属配線構造（５４）を、前記誘電層の第１の表面と反対側の第２の表面上に形成するステップと、
を含む、方法。」
「【請求項１５】
絶縁基板と、
　接着層を経由して前記絶縁基板に取り付けられたパワーデバイスと、
　前記接着層を経由して前記絶縁基板に取り付けられ、前記絶縁基板上で前記パワーデバイスの隣に配置された導電性シムであって、
銅、
　前記パワーデバイスと前記導電性シムに結合された導電性で熱伝導性の
、ダイレクトボンドカッパー（DBC）基板ではない
　前記絶縁基板を通って延び、前記パワーデバイスの表面上のコンタクト位置に電気的に結合されているメタライゼーション層と、
を備えている、パワーオーバーレイ（ＰＯＬ）構造。」
とすることを含むものである（下線は補正箇所を示す。）。
２　補正の適否
（１）請求項１に係る補正について
　請求項１についての本件補正は、
ア　本件補正前の請求項１に記載した「アルミニウム、モリブデン、銅ーモリブデン、銅ータングステンまたはこれらの組み合わせ、アルミニウムーシリコン、アルミニウムーシリコンカーバイド、アルミニウムーグラファイト、銅ーグラファイトなどから選択される金属または合金材料からなる導電性シム」について、「
銅、
イ　本件補正前の請求項１に記載した「導電性ヒートスプレッダ（６０）」について、「
ダイレクトボンドカッパー（DBC）基板ではない
　ここで、上記アに係る補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「導電性シム」について「選択される金属または合金材料」に「銅」を追加するものであるので、「導電性シム」のとりうる材料を拡張するものであって限定するものでない。そして、上記アに係る補正は、請求項の削除、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明を目的とする補正でもない。
　そうすると、上記アに係る補正は、特許法第１７条の２第５項各号のいずれを目的とするものでない。
（２）請求項１０に係る補正について
　請求項１０についての本件補正は、
ア　本件補正前の請求項１０に記載した「前記導電性シムがアルミニウム、モリブデン、銅ーモリブデン、銅ータングステンまたはこれらの組み合わせ、アルミニウムーシリコン、アルミニウムーシリコンカーバイド、アルミニウムーグラファイト、銅ーグラファイトなどから選択される金属または合金材料からなるものである」について、「前記導電性シムが
銅、
イ　本件補正前の請求項１０に記載した「ヒートスプレッダ（６０）」について、「
ダイレクトボンドカッパー（DBC）基板ではない
　ここで、上記アに係る補正は、補正前の請求項１０に記載した発明を特定するために必要な事項である「導電性シム」について「選択される金属または合金材料」に「銅」を追加するものであるので、「導電性シム」のとりうる材料を拡張するものであって限定するものでない。そして、上記アに係る補正は、請求項の削除、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明を目的とする補正でもない。
　そうすると、上記アに係る補正は、特許法第１７条の２第５項各号のいずれを目的とするものでない。
（３）請求項１５に係る補正について
　請求項１５についての本件補正は、
ア　本件補正前の請求項１５に記載した「アルミニウム、モリブデン、銅ーモリブデン、銅ータングステンまたはこれらの組み合わせ、アルミニウムーシリコン、アルミニウムーシリコンカーバイド、アルミニウムーグラファイト、銅ーグラファイトなどから選択される金属または合金材料からなる導電性シム」について、「
銅、
イ　本件補正前の請求項１５に記載した「スラブ」について、「
ダイレクトボンドカッパー（DBC）基板ではない
　ここで、上記アに係る補正は、補正前の請求項１５に記載した発明を特定するために必要な事項である「導電性シム」について「選択される金属または合金材料」に「銅」を追加するものであるので、「導電性シム」のとりうる材料を拡張するものであって限定するものでない。そして、上記アに係る補正は、請求項の削除、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明を目的とする補正でもない。
　そうすると、上記アに係る補正は、特許法第１７条の２第５項各号のいずれを目的とするものでない。
（４）以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項に規定する要件に違反するものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
３　独立特許要件について（予備的見解）
　仮に、本件補正が、特許法第１７条の２第５項第２号（特許請求の範囲の減縮）に掲げる事項を目的とするものであるとして、本件補正後の請求項１５に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について以下に検討する。 
（１）引用例及びその記載事項
ア　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２０１３−４２１３５号公報（平成２５年２月２８日公開、以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。以下同様）。
「【００１５】
　図１を参照すると、本発明の一実施形態によるパワーオーバレイ（ＰＯＬ）実装および相互接続構造１０が示されている。
ＰＯＬ構造１０
パワー半導体デバイス（１つまたは複数）１２
【００１６】
　図１に示されているように、ＰＯＬ構造１０はまた、ＰＯＬサブモジュール１４および受動デバイス１６が取り付けられる直接接合銅（ＤＢＣ）基板１８または他の同様の基板を含む。ＤＢＣ構造１８は、銅のシート２２、２４が高温接合工程によって両面に接合されているセラミックタイル（例えば、アルミナ）２０から成る。本発明の諸実施形態によれば、例えば、基板１８がアルミナまたは窒化アルミニウムおよび窒化ケイ素などから成るかどうかに基づいて様々なろう付けおよび直接接合技術が利用されてよい。次いで、ＤＢＣ１８の両面が、通常、ファイアリング後にエッチングされる。
ＤＢＣ基板１８の裏面上の最下銅層２４は、ＰＯＬ構造１０からの効率のよい熱移動を提供するために十分にまたは部分的に露出されたままにされる。
「【００１９】
　次に、図２〜１２を参照すると、本発明の一実施形態による、図１のＰＯＬ構造１０を製造する技法のための工程段階の詳細な図が提供されている。最初に図２〜９に示されているように、ＰＯＬサブモジュール１４を構築するための工程段階が提供される。図２を参照すると、ＰＯＬサブモジュール１４の構築工程は、誘電体層３０をフレーム構造３２上に配置し取り付けることから始まる。
誘電体層３０は、薄層またはフィルムの形状であり、
【００２０】
　図３に示されているように、誘電体層３０をフレーム構造３２に固着するとすぐ、接着層３４が誘電体層３０上に析出される。次いで、図４に示されているように、接着層３４および誘電体薄層３０を通って複数のビア３６が形成される。本発明の諸実施形態によれば、ビア３６は、レーザアブレーションもしくはレーザドリリング工程、プラズマエッチング、フォトデフィニション、または機械穿孔工程によって形成されてよい。技法の次のステップでは、図５に例示されているように、１つまたは
複数の半導体デバイス１２が接着層３４によって誘電体層３０に固着される。
「【００２２】
　次に、図６および７を参照すると、半導体デバイス１２を誘電体層３０上に固着し、ビア３６を形成した後にすぐ、ビア３６は、（反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）デスート（ｄｅｓｏｏｔ）工程などによって）洗浄され、それに続いて金属化され、相互接続３８を形成する。金属相互接続３８は、通常、スパッタリングおよび電気めっきの利用の組合せによって形成されるが、金属析出の他の無電解法が使用されてもよいことが理解される。例えば、チタン接着層および銅シード層が、最初にスパッタリング工程によって付着され、その後に所望の層に銅の厚さを増大させる電気めっき工程によって付着されてもよい。次いで、それに続いて、付着された金属材料が、所望の形状を有し、
誘電体層３０および接着層３４を通して形成された
金属相互接続３８
金属相互接続３８は、半導体デバイス１２上の回路／接続パッドへの
電気接続を形成し、
【００２３】
　ＰＯＬサブモジュール１４の構築を完了すると、図９に例示されているように、ＰＯＬサブモジュール１４は単一化され、フレーム構造３２から除去される。このようにして、
半導体デバイス１２と、
金属相互接続３８とを含む
ＰＯＬサブモジュール１４が
銅シムはまたＰＯＬサブモジュール１４内に提供され、電気ショートとして使用されてもよい。銅シムは、半導体ダイ１２のように使用されるが、銅または同様の材料で作成される。
【００２４】
　次に、図１０を参照すると、
ＰＯＬ構造１０
は、
半導体デバイス１２を直接接合銅（ＤＢＣ）基板１８に取り付ける。
　図９より、ＰＯＬサブモジュール１４は、誘電体層３０と、複数のパワー半導体デバイス１２と、金属相互接続３８を含むことが見て取れる。
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、複数のパワー半導体デバイス１２を用いたＰＯＬ構造１０（【００１５】）について、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている（括弧内は、認定に用いた引用例１の記載箇所を示す。）。
「薄層またはフィルムの形状である誘電体層３０と（【００１９】）、
　接着層３４によって誘電体層３０に固着された複数のパワー半導体デバイス１２と（【００２０】）、
　誘電体層３０および接着層３４を通して形成され、複数のパワー半導体デバイス１２上の回路／接続パッドへの電気接続を形成する金属相互接続３８と（【００２２】）
　を含むＰＯＬサブモジュール１４と（【００２３】、図９）、
　複数のパワー半導体デバイス１２に取り付けられた直接接合銅（ＤＢＣ）基板１８とからなる、
　ＰＯＬ構造１０（【００２４】）。」
イ　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に頒布された刊行物である米国特許第６３０６６８０号明細書（２００１年１０月２３日公開、以下「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
「The configuration of FIG. 36 wherein power semiconductor devices 402, 404, 406 and 408 are mounted onto electrically and thermally conductive spacers 410, 412 and 414, is, for example, accomplished as illustrated in FIG. 35 by first attaching devices 402, 404, 406 and 408 to a plate 430 of electrically and thermally conductive material, such as a copper plate 430. Electrically and thermally conductive bonds 432 are formed between lower terminals 428 of devices 402, 404, 406 and 408 and an upper surface 434 of plate 430.」（第１２欄第４１−５０行）
（当審訳：
パワー半導体デバイス４０２、４０４、４０６、４０８
デバイス４０２、４０４、４０６、４０８を
電気的および熱的に伝導性を有する材料の
銅板４３０に取り付ける
（２）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「薄層またはフィルムの形状である誘電体層３０」は、絶縁体であり、半導体デバイスが配置されるものであるから、本願補正発明の「絶縁基板」に相当する。
イ　引用発明の「接着層３４によって誘電体層３０に固着された複数のパワー半導体デバイス１２」は、本願補正発明の「接着層を経由して前記絶縁基板に取り付けられたパワーデバイス」に相当する。
　但し、本願補正発明は、「前記接着層を経由して前記絶縁基板に取り付けられ、前記絶縁基板上で前記パワーデバイスの隣に配置された導電性シムであって、銅、アルミニウム、モリブデン、銅ーモリブデン、銅ータングステンまたはこれらの組み合わせ、アルミニウムーシリコン、アルミニウムーシリコンカーバイド、アルミニウムーグラファイト、銅ーグラファイトなどから選択される金属または合金材料からなる導電性シム」を備えているのに対して、引用発明は、そのような特定がない。
ウ　引用例１の段落【００１６】に「ＤＢＣ基板１８の裏面上の最下銅層２４は、ＰＯＬ構造１０からの効率のよい熱移動を提供するために十分にまたは部分的に露出されたままにされる。」との記載から、引用発明の「複数のパワー半導体デバイス１２に取り付けられた直接接合銅（ＤＢＣ）基板１８」は、パワー半導体デバイス１２で発生した熱を伝導して放熱していることが明らかであるから、引用発明の「直接接合銅（ＤＢＣ）基板１８」は熱伝導性のものといえる。
　また、直接接合銅（ＤＢＣ）基板はアルミナなどのセラミックの両面に直接銅を接合した基板であるから、引用発明の「直接接合銅（ＤＢＣ）基板１８」は導電性のものである。
　よって、引用発明の「複数のパワー半導体デバイス１２に取り付けられた直接接合銅（ＤＢＣ）基板１８」と、本願補正発明は、「前記パワーデバイスに結合された導電性で熱伝導性のスラブ」である点で共通する。
　但し、スラブについて、本願補正発明は、「ダイレクトボンドカッパー（DBC）基板ではないスラブ」であるのに対して、引用発明は、「直接接合銅（ＤＢＣ）基板１８」である点で相違する。
　また、スラブが、本願補正発明は、「パワーデバイス」と「導電性シム」に結合されているのに対して、引用発明は、「複数のパワー半導体デバイス１２」に結合されている点で相違する。
エ　引用発明の「誘電体層３０および接着層３４を通して形成され、半導体デバイス１２上の回路／接続パッドへの電気接続を形成する金属相互接続３８」は、本願補正発明の「前記絶縁基板を通って延び、前記パワーデバイスの表面上のコンタクト位置に電気的に結合されているメタライゼーション層」に相当する。
オ　引用発明の「ＰＯＬ構造１０」は、本願補正発明の「パワーオーバーレイ（ＰＯＬ）構造」に相当する。
　そうすると、本願補正発明と引用発明とは、次の（一致点）及び（相違点）を有する。
（一致点）
「絶縁基板と、
　接着層を経由して前記絶縁基板に取り付けられたパワーデバイスと、
　前記パワーデバイスに結合された導電性で熱伝導性のスラブと、
　前記絶縁基板を通って延び、前記パワーデバイスの表面上のコンタクト位置に電気的に結合されているメタライゼーション層と、
を備えている、パワーオーバーレイ（ＰＯＬ）構造。」
（相違点１）
　本願補正発明は、「前記接着層を経由して前記絶縁基板に取り付けられ、前記絶縁基板上で前記パワーデバイスの隣に配置された導電性シムであって、銅、アルミニウム、モリブデン、銅ーモリブデン、銅ータングステンまたはこれらの組み合わせ、アルミニウムーシリコン、アルミニウムーシリコンカーバイド、アルミニウムーグラファイト、銅ーグラファイトなどから選択される金属または合金材料からなる導電性シム」を備えているのに対して、引用発明は、そのような特定がない点。
（相違点２）
　スラブが、本願補正発明は、「ダイレクトボンドカッパー（DBC）基板ではないスラブ」であるのに対して、引用発明は、「直接接合銅（ＤＢＣ）基板１８」である点。
（相違点３）
　スラブが、本願補正発明は、「パワーデバイス」と「導電性シム」に結合されているのに対して、引用発明は、「複数のパワー半導体デバイス１２」に結合されている点。
（３）判断
　上記相違点について検討する。
ア　相違点１について
　引用例１には「銅シムはまたＰＯＬサブモジュール１４内に提供され、電気ショートとして使用されてもよい。銅シムは、半導体ダイ１２のように使用される」と記載されている（段落【００２３】）。この記載自体は具体的ではないが、例えば、図９に示されたＰＯＬサブモジュール１４において、右側の半導体ダイ１２が搭載される場所に銅シムを配置して、金属相互接続３８どうしを電気ショートするような、銅シムの使用例を示したものであると解される。
　そうすると、引用発明において、「誘電体層３０に固着された複数のパワー半導体デバイス１２」の何れかを銅シムに換えることは、ＰＯＬ構造１０の用途に合わせて適宜変更すれば良いことである。
　したがって、引用発明に基づいて、上記相違点１に係る構成を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
イ　相違点２について
　引用例２には、パワー半導体デバイスに、電気的および熱的に伝導性を有する銅板４３０を取り付ける技術が記載されている（上記「（１）　イ」）。
　引用発明において、複数のパワー半導体デバイス１２に取り付けられた「直接接合銅（ＤＢＣ）基板１８」は導電性および熱伝導性を有するものであるから（上記「（２）　ウ」）、引用発明において、「直接接合銅（ＤＢＣ）基板１８」に換えて銅板を用い、上記相違点２に係る構成を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
ウ　相違点３について
　上記相違点１で検討したように、引用発明において、「複数のパワー半導体デバイス１２」の何れかを銅シムに換えることは適宜なし得ることである。
　そうすると、引用発明において、スラブが結合されている「複数のパワー半導体デバイス１２」の何れかを銅シムにして、上記相違点３に係る構成を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
エ　そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本願補正発明の奏する作用効果は、引用発明及び引用例２に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
　よって、本願補正発明は、引用発明及び引用例２に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。  
４　本件補正についてのまとめ  
　本件補正は、特許法第１７条の２第５項に規定する要件に違反するものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　仮に、本件補正が特許法第１７条の２第５項第２号（特許請求の範囲の減縮）に掲げる事項を目的とするものであるとしても、本件補正後の請求項１５に係る発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものできないもので、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について  
１　本願発明  
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和１年５月２８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２１に記載された事項により特定されるものであるところ、本願の請求項１５に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２［理由］　１　本件補正」の本件補正前の「請求項１５」として記載したとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、概略次のとおりである。
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
・請求項　１ないし１９、２１
・引用文献等　２
・請求項　１ないし２１
・引用文献等　２、３
引用文献２.特開２０１３−０４２１３５号公報（本審決における引用例１）
引用文献３.米国特許第６３０６６８０号明細書（本審決における引用例２）
３　引用文献及びその記載事項  
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献２（引用例１）の記載事項及び引用発明は、上記「第２［理由］　３（１）引用例及びその記載事項　ア」に記載したとおりである。
４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「薄層またはフィルムの形状である誘電体層３０」は、絶縁体であり、半導体デバイスが配置されるものであるから、本願発明の「絶縁基板」に相当する。
（２）引用発明の「接着層３４によって誘電体層３０に固着された複数のパワー半導体デバイス１２」は、本願発明の「接着層を経由して前記絶縁基板に取り付けられたパワーデバイス」に相当する。
　但し、本願発明は、「前記接着層を経由して前記絶縁基板に取り付けられ、前記絶縁基板上で前記パワーデバイスの隣に配置された導電性シムであって、アルミニウム、モリブデン、銅ーモリブデン、銅ータングステンまたはこれらの組み合わせ、アルミニウムーシリコン、アルミニウムーシリコンカーバイド、アルミニウムーグラファイト、銅ーグラファイトなどから選択される金属または合金材料からなる導電性シム」を備えているのに対して、引用発明は、そのような特定がない。
（３）引用文献２の段落【００１６】に「ＤＢＣ基板１８の裏面上の最下銅層２４は、ＰＯＬ構造１０からの効率のよい熱移動を提供するために十分にまたは部分的に露出されたままにされる。」との記載から、引用発明の「複数のパワー半導体デバイス１２に取り付けられた直接接合銅（ＤＢＣ）基板１８」は、パワー半導体デバイス１２で発生した熱を伝導して放熱していることが明らかであるから、引用発明の「直接接合銅（ＤＢＣ）基板１８」は熱伝導性のものといえる。
　また、直接接合銅（ＤＢＣ）基板はアルミナなどのセラミックの両面に直接銅を接合した基板であるから、引用発明の「直接接合銅（ＤＢＣ）基板１８」は導電性のものである。
　よって、引用発明の「複数のパワー半導体デバイス１２に取り付けられた直接接合銅（ＤＢＣ）基板１８」と、本願発明は、「前記パワーデバイスに結合された導電性で熱伝導性のスラブ」である点で共通する。
　但し、スラブが、本願発明は、「パワーデバイス」と「導電性シム」に結合されているのに対して、引用発明は、「複数のパワー半導体デバイス１２」に結合されている点で相違する。
（４）引用発明の「誘電体層３０および接着層３４を通して形成され、半導体デバイス１２上の回路／接続パッドへの電気接続を形成する金属相互接続３８」は、本願発明の「前記絶縁基板を通って延び、前記パワーデバイスの表面上のコンタクト位置に電気的に結合されているメタライゼーション層」に相当する。
（５）引用発明の「ＰＯＬ構造１０」は、本願発明の「パワーオーバーレイ（ＰＯＬ）構造」に相当する。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、次の（一致点）及び（相違点）を有する。
（一致点）
「絶縁基板と、
　接着層を経由して前記絶縁基板に取り付けられたパワーデバイスと、
　前記パワーデバイスに結合された導電性で熱伝導性のスラブと、
　前記絶縁基板を通って延び、前記パワーデバイスの表面上のコンタクト位置に電気的に結合されているメタライゼーション層と、
を備えている、パワーオーバーレイ（ＰＯＬ）構造。」
（相違点１）
　本願発明は、「前記接着層を経由して前記絶縁基板に取り付けられ、前記絶縁基板上で前記パワーデバイスの隣に配置された導電性シムであって、アルミニウム、モリブデン、銅ーモリブデン、銅ータングステンまたはこれらの組み合わせ、アルミニウムーシリコン、アルミニウムーシリコンカーバイド、アルミニウムーグラファイト、銅ーグラファイトなどから選択される金属または合金材料からなる導電性シム」を備えているのに対して、引用発明は、そのような特定がない点。
（相違点２）
　スラブが、本願発明は、「パワーデバイス」と「導電性シム」に結合されているのに対して、引用発明は、「複数のパワー半導体デバイス１２」に結合されている点。
５　判断
　上記相違点について検討する。
（１）相違点１について
　引用文献２には「銅シムはまたＰＯＬサブモジュール１４内に提供され、電気ショートとして使用されてもよい。銅シムは、半導体ダイ１２のように使用されるが、銅または同様の材料で作成される。」と記載されている（段落【００２３】）。この記載自体は具体的ではないが、例えば、図９に示されたＰＯＬサブモジュール１４において、右側の半導体ダイ１２が搭載される場所に銅または同様の材料で作成されたシムを配置して、金属相互接続３８どうしを電気ショートするような、銅または同様の材料で作成されたシムの使用例を示したものであると解される。
　そうすると、引用発明において、「誘電体層３０に固着された複数のパワー半導体デバイス１２」の何れかを、電気ショートするシムに換えることは、ＰＯＬ構造１０の用途に合わせて適宜変更すれば良いことである。
　そして、導電性シムの材料として、アルミニウムを用いることは周知であり（例えば、米国特許第８６５４５４１号明細書の「The optional first 
electrically conductive shim
aluminum
（２）相違点２について
　上記相違点１で検討したように、引用発明において、「複数のパワー半導体デバイス１２」の何れかを電気ショートするシムに換えることは適宜なし得ることである。
　そうすると、引用発明において、スラブが結合されている「複数のパワー半導体デバイス１２」の何れかを電気ショートするシムにして、上記相違点２に係る構成を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
（３）そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用発明及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
　よって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび  
　以上のとおり、本願の請求項１５に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。