【手続補正書】
【提出日】令和1年7月26日(2019.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体材料層と第２の半導体材料層との間の接触面に画定されたヘテロ接合において形成される二次元電子気体と、
前記第２の半導体材料層上に配設された第１の絶縁材料層と第２の絶縁材料層と、
前記第２の絶縁材料層内に配設された第１の電極と第２の電極とであって、
当該第１の電極が、当該第２の電極から第１の横方向距離に配設されており、
当該第１の電極が、前記第１の絶縁材料層を通って前記第２の半導体材料層に接続されており、
当該第２の電極が、前記第１の絶縁材料層と前記第２の半導体材料層とを通って前記ヘテロ接合に接続されている、
当該第１の電極と当該第２の電極と、
前記第２の絶縁層上に配設された第３の絶縁材料層と第４の絶縁材料層と、
前記第４の絶縁材料層内に配設され、かつ、前記第３の絶縁材料層を通って前記第２の電極に接続された、第１のビアと、
前記第４の絶縁材料層内に配設された第１のフィールドプレートであって、
当該第１のフィールドプレートのエッジが、前記第４の絶縁材料層内で第１のビアに向かって横方向に延在しており、
前記第１のビアが、前記第１のフィールドプレートのエッジから第２の横方向距離ぶん前記第４の絶縁材料層において離間しており、
当該第１のフィールドプレートが、前記第３の絶縁材料層を通って前記第１の電極に接続されている、
当該第１のフィールドプレートと、
を備えるダイオード。
【請求項２】
前記第１のフィールドプレートが、前記第１の絶縁材料層と前記第２の絶縁材料層と前記第３の絶縁材料層とにより前記第２の半導体材料層から縦方向に分離されている、
請求項１のダイオード。
【請求項３】
前記第１の電極が、前記ダイオードのショットキー接点であり、
前記第２の電極が、前記ダイオードのオーミック接点である、
請求項１のダイオード。
【請求項４】
前記第１の電極が、前記ダイオードのアノードであり、
前記第２の電極が、前記ダイオードのカソードである、
請求項１のダイオード。
【請求項５】
前記第１のフィールドプレートが、第１のアノード接続フィールドプレートである、
請求項４のダイオード。
【請求項６】
前記第１のフィールドプレートが、長方形断面をもつ、
請求項５のダイオード。
【請求項７】
前記第１の半導体材料層が、ＧａＮ、ＩｎＮ、Ａｌｎ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、またはＡｌＩｎ−ＧａＮの少なくとも１つを含む、
請求項１のダイオード。
【請求項８】
前記第２の半導体材料層が、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ、Ａｌｎ、ＩｎＧａＮ、またはＡｌＩｎ−ＧａＮの少なくとも１つを含む、
請求項１のダイオード。
【請求項９】
前記第２の半導体材料層が、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、またはＩｎＡｌＧａＡｓの少なくとも１つを有するヒ素を含有する化合物半導体を含む、
請求項１のダイオード。
【請求項１０】
前記第１の電極と前記第２の電極とが、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、ＴｉＡｕ、ＴｉＡｌＭｏＡｕ、ＴｉＡｌＮｉＡｕ、またはＴｉＡｌＰｔＡｕの少なくとも１つを有する金属を含む、
請求項１のダイオード。
【請求項１１】
前記第１の絶縁材料層が、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、またはアルミニウム窒化ケイ素（ＡｌＳｉＮ）の少なくとも１つを有する誘電体材料を含むゲート絶縁体である、
請求項１のダイオード。
【請求項１２】
前記第４の絶縁層上に配設された第５の絶縁材料層と、
前記第５の絶縁材料層内に配設され、かつ、前記第４の絶縁材料層を通って前記第１のビアに接続された、第２のビアと、
前記第５の絶縁材料層内に配設された第２のフィールドプレートであって、
当該第２のフィールドプレートのエッジが、前記第５の絶縁材料層内で前記第２のビアに向かって横方向に延在しており、
当該第２のフィールドプレートのエッジが、前記第２のビアのエッジから第３の横方向距離ぶん前記第５の絶縁材料層において離間しており、
当該第２のフィールドプレートが、前記第４の絶縁材料層を通って前記第１のフィールドプレートに接続されている、
当該第２のフィールドプレートと、
をさらに備える請求項１のダイオード。
【請求項１３】
前記第２のフィールドプレートの前記エッジが、前記第２の横方向距離より大きな第４の横方向距離ぶん前記第１のフィールドプレートから前記第２のビアに向かって横方向に延在しており、
前記第３の横方向距離と前記第４の横方向距離との合計が、前記第２の横方向距離に等しい、
請求項１２のダイオード。
【請求項１４】
前記第３の絶縁材料層内に配設された第３のフィールドプレートをさらに備え、
前記第３のフィールドプレートのエッジが、前記第３の絶縁材料層内で前記第１のビアに向かって横方向に延在しており、
前記第３のフィールドプレートのエッジが、前記第１のフィールドプレートの前記エッジから第４の横方向距離にあり、
前記第２の横方向距離と前記第４の横方向距離との合計が、前記第３のフィールドプレートの前記エッジから前記第１のビアまでの全横方向距離に等しい、
請求項１２のダイオード。
【請求項１５】
基板上に複数の半導体材料層を堆積して前記半導体材料層間の接触面に画定されたヘテロ接合において二次元電子気体を形成することと、
前記半導体層上に複数のパッシベーション層を堆積することと、
前記パッシベーション層と前記第２の半導体材料層とに開口をエッチングすることと、
横方向ショットキーダイオードのオーミック接点を形成することであって、
前記オーミック接点が、前記パッシベーション層の１つと前記半導体材料層の１つとを通って前記ヘテロ接合に接続されている、
当該オーミック接点を形成することと、
前記横方向ショットキーダイオードのショットキー接点を形成することであって、
前記ショットキー接点が、前記パッシベーション層の前記１つを通って前記半導体層の前記１つに接続されている、
当該ショットキー接点を形成することと、
前記パッシベーション層内に１つ以上のフィールドプレートをパターン形成することであって、
当該フィールドプレートが、前記ショットキー接点に接続されており、
当該１つ以上のフィールドプレートの各々が、前記パッシベーション層のそれぞれにより縦方向に分離されており、
当該１つ以上のフィールドプレートの各々が、前記ショットキー接点から前記オーミック接点に向けて横方向に延在している、
当該パターン形成することと、
最上位の前記パッシベーション層上に封止層を堆積することと、
を含む、横方向ショットキーダイオードを製造する方法。
【請求項１６】
第１の半導体材料層が、ＧａＮ、ＩｎＮ、Ａｌｎ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、またはＡｌＩｎ−ＧａＮの少なくとも１つを含む、
請求項１５の横方向ショットキーダイオードを製造する方法。
【請求項１７】
第２の半導体材料層が、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ、Ａｌｎ、ＩｎＧａＮ、またはＡｌＩｎ−ＧａＮの少なくとも１つを含む、
請求項１５の横方向ショットキーダイオードを製造する方法。
【請求項１８】
第２の半導体材料層が、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、またはＩｎＡｌＧａＡｓの少なくとも１つを有するヒ素を含有する化合物半導体を含む、
請求項１５の横方向ショットキーダイオードを製造する方法。
【請求項１９】
前記オーミック接点または前記ショットキー接点の少なくとも１つが、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、ＴｉＡｕ、ＴｉＡｌＭｏＡｕ、ＴｉＡｌＮｉＡｕ、またはＴｉＡｌＰｔＡｕの少なくとも１つを有する金属を含む、
請求項１５の横方向ショットキーダイオードを製造する方法。
【請求項２０】
第１の絶縁材料層が、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、またはアルミニウム窒化ケイ素（ＡｌＳｉＮ）の少なくとも１つを有する誘電体材料を含むゲート絶縁体である、
請求項１５の横方向ショットキーダイオードを製造する方法。